(57)【要約】【課題】  信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。【解決手段】  表示装置ＤＳＰは、第１絶縁基板１０と、第１導電層Ｌ１と、を有する第１基板と、第１貫通孔ＶＡを含んだ第２絶縁基板２０と、第２導電層と、を有する第２基板と、第１貫通孔ＶＡを通じて第１導電層と第２導電層とを電気的に接続する接続材Ｃと、を備える。第１平面Ｐａ上において、角度θ１は４５°以上である。【選択図】図８
2018169996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１貫通孔と、を含んだ第２絶縁基板と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、
前記第１貫通孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１貫通孔を通り前記第１主面の法線に平行である仮想の第１平面上において、前記法線に沿って延びた第１直線と、前記第１貫通孔の前記第１主面側の第１開口端と前記第１貫通孔の前記第２主面側の第２開口端とを結ぶ第２直線と、が成す角度は、４５°以上である、
表示装置。
【請求項２】
前記第１平面上において、前記第２主面と前記第２直線とが成す角度は、１３５°以上である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１平面上において、前記第１貫通孔における前記第２絶縁基板の内周面の全ての接線の各々と、前記第１直線と、が成す角度は、４５°以上である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１平面上において、前記第１貫通孔における前記第２絶縁基板の内周面は、前記第２直線より前記第２主面側に突出している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２導電層と前記接続材とは、同一材料にて一体に形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１平面上において、前記第１貫通孔における前記第２絶縁基板の内周面は、段差を有している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１貫通孔は、平面視にて長軸を有し、
前記長軸は、前記第１平面に平行であり、
前記第２絶縁基板の前記内周面は、前記第１貫通孔を通り前記第１平面に直交し前記法線に平行である仮想の第２平面上において、前記段差を有していない、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
表示領域と、
前記表示領域の外縁に沿って設けられる非表示領域と、をさらに備え、
前記第１貫通孔は、前記非表示領域に位置し、前記表示領域の前記外縁のうち前記第１貫通孔と対向する側縁に平行な長軸を有し、
前記長軸は、前記第１平面に平行である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置した有機絶縁膜と、
前記第１貫通孔と、前記有機絶縁膜を貫通し前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔と、を有した接続用孔と、をさらに備え、
前記第１平面は前記接続用孔を通り、
前記第１平面上において、前記第１直線と、前記接続用孔の前記第１絶縁基板側の第３開口端と前記第２開口端とを結ぶ第３直線と、が成す角度は、４５°以上である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１平面上において、前記接続用孔における前記第２絶縁基板及び前記有機絶縁膜の内周面は、段差を有している、
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記接続用孔は、前記第２絶縁基板と前記有機絶縁膜とを貫通した第１孔部と、前記第２主面に開口し前記第１主面に開口しておらず前記第１孔部に繋がった第１穴部と、を有し、
前記接続用孔は、平面視にて長軸を有し、
前記第１孔部及び前記第１穴部は、前記長軸に沿って並べられ、
平面視にて前記長軸に直交する方向において、前記第１孔部の幅は、前記第１穴部の幅より大きい、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置した有機絶縁膜と、
前記第１貫通孔と、前記有機絶縁膜を貫通し前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔と、を有した接続用孔と、をさらに備え、
前記接続材は、前記接続用孔の表面に付着し、前記第１導電層に接し、
前記第２導電層は、前記接続用孔及び前記接続材を覆っている、
請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態は、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態に係る表示装置は、
第１絶縁基板と、第１導電層と、を有する第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１貫通孔と、を含んだ第２絶縁基板と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、前記第１貫通孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、前記第１貫通孔を通り前記第１主面の法線に平行である仮想の第１平面上において、前記法線に沿って延びた第１直線と、前記第１貫通孔の前記第１主面側の第１開口端と前記第１貫通孔の前記第２主面側の第２開口端とを結ぶ第２直線と、が成す角度は、４５°以上である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１の実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。
【図３】図３は、図１に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。
【図４】図４は、上記第１の実施形態に係るセンサの一構成例を示す平面図である。
【図５】図５は、図１の線Ｖ−Ｖに沿って示す表示装置の断面図である。
【図６】図６は、図５に示した第２導電層及び第２主面を示す平面図である。
【図７】図７は、図５に示した接続用孔及び第２主面を示す平面図である。
【図８】図８は、図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図９】図９は、上記表示パネルの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１貫通孔が形成された第２絶縁基板などを示す断面図である。
【図１０】図１０は、図８に示した上記表示パネルを示す断面図であり、上記接続用孔の形状を説明するための図である。
【図１１】図１１は、上記第１の実施形態の変形例１に係る接続用孔及び第２主面を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１１の線ＸＩＩ−ＸＩＩに沿った表示パネルを示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１１の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図１４】図１４は、上記第１の実施形態の変形例２に係る接続用孔及び第２主面を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４の線ＸＶ−ＸＶに沿った表示パネルを示す断面図である。
【図１６】図１６は、上記第１の実施形態の変形例３に係る表示パネルの一部を示す断面図である。
【図１７】図１７は、上記第１の実施形態の変形例４に係る表示パネルの一部を示す断面図である。
【図１８】図１８は、第２の実施形態に係る表示パネルの一部を示す断面図である。
【図１９】図１９は、第３の実施形態に係る接続用孔及び第２主面を示す平面図である。
【図２０】図２０は、図１９の線ＸＸ−ＸＸに沿った表示パネルを示す断面図である。
【図２１】図２１は、図１９の線ＸＸＩ−ＸＸＩに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図２２】図２２は、上記第３の実施形態に係る表示装置の製造工程における第２主面を示す平面図であり、第２絶縁基板にレーザ光を照射し第２絶縁基板を部分的に変質させている状態を説明するための図である。
【図２３】図２３は、図２２の線ＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩに沿った表示パネルを示す断面図である。
【図２４】図２４は、上記第３の実施形態の変形例１に係る接続用孔及び第２主面を示す平面図である。
【図２５】図２５は、図２４の線ＸＸＩＶ−ＸＸＩＶに沿った表示パネルを示す断面図である。
【図２６】図２６は、第４の実施形態に係る接続用孔及び第２主面を示す平面図である。
【図２７】図２７は、図２６の線ＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩに沿った表示パネルを示す断面図である。
【図２８】図２８は、上記第４の実施形態に係る表示装置の製造工程における表示パネルを示す断面図であり、第２絶縁基板にサイズの異なる複数の穴が形成されている状態を説明するための図である。
【図２９】図２９は、図２８に続く、上記製造工程における表示パネルを示す断面図であり、表示パネルにレーザ光を照射している状態を説明するための図である。
【図３０】図３０は、上記第４の実施形態の変形例１に係る表示パネルの一部を示す断面図である。
【図３１】図３１は、上記第４の実施形態の変形例１に係る表示装置の製造工程における表示パネルを示す断面図であり、表示パネルに接続用孔が形成されている状態を説明するための図である。
【図３２】図３２は、上記表示装置の他の構成例を示す平面図である。
【図３３】図３３は、上記表示パネルの一部を示す断面図である。
【図３４】図３４は、図３３に示した第１導電層及び有機絶縁膜を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
各実施形態において、表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態で開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。
【０００９】
以下に示す各実施形態は、第１絶縁基板と第２絶縁基板とが間隔を空けて配置され、第２絶縁基板が貫通孔を有し、第１絶縁基板に位置する第１導電層と第２絶縁基板に位置する第２導電層とが上記貫通孔を通じて電気的に接続されている基板間導通構造を備えた種々の表示装置に適用できる。
【００１０】
（第１の実施形態）  
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。
【００１１】
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップ１、配線基板３、後述するバックライトユニットＢＬなどを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、液晶層ＬＣと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚにおいて第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール材ＳＥは、図１において右上がりの斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。液晶層ＬＣは、シール材ＳＥの内側において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の空間に位置している。  
以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視と称する。
【００１２】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外縁に沿って設けられた非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥに囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲む額縁状の領域であり、表示領域ＤＡと隣接している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。  
【００１３】
ＩＣチップ１は、配線基板３に実装されている。なお、図１に示す例に限らず、ＩＣチップ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ディスプレイドライバＤＤは、例えば、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含んでいてもよい。また、図１に示す例では、ＩＣチップ１は、タッチパネルコントローラ等として機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。
【００１４】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触或いは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、静電容量型の相互容量方式であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触或いは接近を検出できる。センサＳＳは、複数のセンサ駆動電極Ｔｘと複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４…）を備えている。センサ駆動電極Ｔｘは後述する。
【００１５】
検出電極Ｒｘは、表示領域を横切る本体部ＲＳと、複数の本体部を接続する接続部ＣＮと、を備えている。また、各検出電極Ｒｘは、接続部ＣＮに連結される端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）を備えている。
【００１６】
本体部ＲＳは、メッシュ状に形成された微細な金属細線の集合体によって帯状を呈している。また、隣り合う本体部ＲＳの間には、本体部ＲＳとほぼ同じ並びで金属細線を並べたダミー領域が存在する。上記ダミー領域の金属細線は、いずれの配線にも接続されず、電気的にフローティング状態となる。  
また、端子部ＲＴの少なくとも一部は、平面視でシール材ＳＥに重なって位置している。端子部ＲＴは、非表示領域ＮＤＡの上記一端側又は上記他端側に位置している。
【００１７】
第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）及び配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を備えている。パッドＰ及び配線Ｗは、非表示領域ＮＤＡの一端側や他端側に位置し、平面視でシール材ＳＥと重なっている。パッドＰは、平面視で端子部ＲＴに重なる。配線Ｗは、パッドＰに接続され、配線基板３を介してＩＣチップ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
【００１８】
接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）は、端子部ＲＴとパッドＰとが対向する位置に形成されている。接続用孔については後述する。
【００１９】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。  
図２に示すように、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御できる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子ＳＷを含んでいる。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。
【００２０】
走査線Ｇ、信号線Ｓ及び共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。
【００２１】
図３は、表示領域ＤＡにおいて表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに切断した断面図である。図３に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面に沿う横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、第１基板から第２基板に向かう縦電界や、縦電界と横電界の間の斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。
【００２２】
図３に示す如く、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０を備え、その上面（第３主面）に、第１絶縁膜１１、信号線Ｓ、第２絶縁膜１２、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１等がこの順に積層形成されている。なお、図３において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等を省略して図示している。
【００２３】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０を備え、その下面（第１主面）に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等がこの順で積層形成されている。
【００２４】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。  
図４に示すように、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘを備えている。図４に示す例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示す部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。
【００２５】
図４に示す例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００２６】
センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。本実施形態において、複数のセンサ駆動電極Ｔｘは、共通電極ＣＥによって形成される。すなわち、本実施形態では、図４に示す如く共通電極が帯状にパターニングされているのである。センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能と、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能と、を有している。
【００２７】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示期間に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング期間（タッチ期間）に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給にともなって、センシングに必要なセンサ信号、つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の容量の変化に基づいた信号を出力する。検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号は、図１に示す検出回路ＲＣに入力される。
【００２８】
なお、センサＳＳは、上記の相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Ｒｘ自体の容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。
【００２９】
次に、前述の接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）について説明する。図５は、図１中の線Ｖ−Ｖに沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。  
図５に示すように、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁膜ＯＩと、接続材Ｃと、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、カバー材ＣＧと、を備えている。第１偏光板ＰＬ１は、接着層ＡＤ１によって第１基板ＳＵＢ１に貼着されている。第２偏光板ＰＬ２は、接着層ＡＤ２によって第２基板ＳＵＢ２に貼着されている。
【００３０】
第１基板ＳＵＢ１は、前述の第１絶縁基板１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１導電層Ｌ１は、前述のパッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）や配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を含み、第２基板ＳＵＢ２に対向する第３主面１０Ａ側に位置している。第１絶縁基板１０とパッドＰとの間や、第１絶縁基板１０と第２絶縁膜１２との間には、図３に示す第１絶縁膜１１や、他の絶縁膜や他の導電層が配置されていてもよい。
【００３１】
第２基板ＳＵＢ２は、前述の第２絶縁基板２０と、第２導電層Ｌ２と、を備えている。第２絶縁基板２０の第１主面２０Ａは、第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離れて位置している。第２導電層Ｌ２は、前述の検出電極Ｒｘすなわち端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）、接続部ＣＮ、本体部ＲＳを含んでいる。第２導電層Ｌ２は、第２主面２０Ｂ側に位置し、保護膜ＰＦに覆われている。換言すると、第１絶縁基板１０、第１導電層Ｌ１、第２絶縁基板２０、第２導電層Ｌ２及び保護膜ＰＦは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。
【００３２】
第１導電層Ｌ１と第２絶縁基板２０との間には、有機絶縁膜ＯＩが位置している。有機絶縁膜ＯＩに替えて、無機絶縁膜や他の導電層が位置していてもよいし、空気層が位置していてもよい。なお、第２絶縁基板２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上に各種絶縁膜や各種導電層が配置されてもよい。
【００３３】
例えば、有機絶縁膜ＯＩは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合わせるシール材ＳＥ、第１基板ＳＵＢ１の第２絶縁膜１２、第２基板ＳＵＢ２の遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣ等を含む。シール材ＳＥは、第２絶縁膜１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との隙間に設けられ、シール材ＳＥで囲まれている。
【００３４】
なお、第２絶縁膜１２とシール材ＳＥとの間には、図３に示した金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間には、図３に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
【００３５】
第１及び第２絶縁基板１０，２０は、例えば無アルカリガラス又は透明樹脂によって形成されている。保護膜ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を含む合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）等の透明な導電材料等によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
【００３６】
第２基板ＳＵＢ２には、非表示領域ＮＤＡにおいて第２絶縁基板２０を貫通する第１貫通孔ＶＡが形成されている。第１貫通孔ＶＡは、第１主面２０Ａと、第２主面２０Ｂとの間を貫通している。なお、図５に示す例では、第１貫通孔ＶＡと重なる位置に第２導電層Ｌ２は存在していない。
【００３７】
表示装置ＤＳＰは、第１貫通孔ＶＡに加え、各有機絶縁膜ＯＩを貫通する第２貫通孔ＶＢを有している。第１貫通孔ＶＡ及び第２貫通孔ＶＢは、互いに連通しており、前述の接続用孔Ｖを構成する。本実施形態と異なり、接続用孔Ｖは、第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔、及び第１絶縁基板１０に形成された凹部をさらに有していてもよい。
【００３８】
第２貫通孔ＶＢは、第２絶縁膜１２を貫通する貫通孔、シール材ＳＥを貫通する貫通孔、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する貫通孔などを含んでいる。第１導電層Ｌ１は、第２貫通孔ＶＢにおいて、有機絶縁膜ＯＩで覆われていない上面ＬＴ１を有している。
【００３９】
第２貫通孔ＶＢは、第１貫通孔ＶＡの直下に位置している。このような接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２の上方からのレーザ光の照射と、エッチングとにより、形成することができる。第２貫通孔ＶＢが設けられた各種有機絶縁膜ＯＩは、第１貫通孔ＶＡが設けられた第２絶縁基板２０と比較して、エッチングされやすい材料で形成されていてもよい。
【００４０】
接続用孔Ｖには、接続材Ｃが配置されている。接続材Ｃと、接続用孔Ｖが形成された各層、すなわち第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及び有機絶縁膜ＯＩとは、本実施形態に係る基板間導通構造を構成する。接続材Ｃは、例えば銀等の金属材料を含み、金属材料の粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものを含むものであることが望ましい。
なお、接続用孔Ｖの表面に付着している接続材Ｃは、溶剤は蒸発しており、実質的には金属材料のみが付着していると考えてよい。
【００４１】
接続材Ｃは、接続用孔Ｖを通じて異なる基板にそれぞれ設けられた第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続している。接続材Ｃは、接続用孔Ｖの内部及び外部に位置している。接続材Ｃは、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉ、第２貫通孔ＶＢにおける有機絶縁膜ＯＩの内周面などを覆っている。また、接続材Ｃは、第２主面２０Ｂの上方に位置している。
【００４２】
図５に示す例では、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との関係に注目すると、接続材Ｃは、第２貫通孔ＶＢにおけるパッドＰの上面ＬＴ１に接触している。接続材Ｃと第２導電層Ｌ２との関係に注目すると、接続材Ｃは、後述の第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１、上面Ｒ１２、及び外周面Ｒ１３と、第３凸条部Ｒ３の内周面Ｒ３１と、にそれぞれ接触している。
【００４３】
図５に示す例では、接続材Ｃは、第１貫通孔ＶＡ、及び第２貫通孔ＶＢの内周面にそれぞれ接触しているが、それらの中心付近には接続材Ｃが充填されていない。より具体的には、接続材は、これらの内周面を皮膜状に覆っているのみで、層厚は薄い。  
貫通孔の中空部分を埋めるべく、貫通孔は充填材ＦＩで満たされている。充填材ＦＩは、例えば保護膜ＰＦと同様の材料によって形成されている。なお、接続材Ｃは、貫通孔を埋め尽くしていてもよい。
【００４４】
接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して前述の配線基板３と電気的に接続される。そのため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりする制御回路は、配線基板３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能になる。したがって、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、第２基板ＳＵＢ２用の配線基板を別途に設ける必要がなくなる。
【００４５】
カバー材ＣＧは、平型であり、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにわたって形成され、表示パネルＰＮＬの全面を覆っている。カバー材ＣＧの表示パネルＰＮＬと対向する側の面には、遮光層ＳＨが形成されている。遮光層ＳＨは、非表示領域ＮＤＡに設けられている。遮光層ＳＨは、接続用孔Ｖ、接続材Ｃなどを覆っている。  
カバー材ＣＧは、接着層ＡＬにより第２偏光板ＰＬ２に接合されている。例えば、接着層ＡＬは、光学用透明樹脂（ＯＣＲ：Optically Clear Resin）で形成されている。接着層ＡＬは、全域にわたって略均一な厚みを有している。
【００４６】
次に、本実施形態の第２導電層Ｌ２（端子部ＲＴ）について、説明する。図６は、本実施形態に係る端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）をカバー材ＣＧ側から見た平面図である。  
図６に示すように、端子部ＲＴは、接続用孔の中心を同心とした第１凸条部Ｒ１と、第２凸条部Ｒ２と、第３凸条部Ｒ３と、第４凸条部Ｒ４と、第５凸条部Ｒ５とを備えている。これら凸条部Ｒ１〜Ｒ５は、接続用孔Ｖに注入される接続材Ｃや充填剤ＦＩの流れ止めとして機能する。
【００４７】
図７に示すように、接続用孔Ｖは、第２開口端ＯＰ２と第３開口端ＯＰ３とを有している。第２開口端ＯＰ２は、接続用孔Ｖ（第１貫通孔ＶＡ）の第２主面２０Ｂ側に位置している。第３開口端ＯＰ３は、接続用孔Ｖの第１絶縁基板１０側に位置している。接続用孔Ｖのうち第１貫通孔ＶＡに注目すると、第１貫通孔ＶＡは、上記第２開口端ＯＰ２と第１開口端ＯＰ１とを有している。第１開口端ＯＰ１は、第１貫通孔ＶＡの第１主面２０Ａ側に位置している。図７に示す例では、第１開口端ＯＰ１、第２開口端ＯＰ２及び第３開口端ＯＰ３は、平面視でそれぞれ真円形であり、同じ中心ＣＥＮをもつ同心円である。
【００４８】
図８は、図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った上記表示パネルを示す断面図である。なお、図８は、接続用孔Ｖ（第１貫通孔ＶＡ）を通る仮想の第１平面Ｐａ上の断面である。本実施形態において、第１平面Ｐａは、接続用孔Ｖの中心ＣＥＮを通り、表示領域ＤＡの外縁ＥＯのうち接続用孔Ｖと対向する側縁ＥＳに平行である。換言すると、第１平面Ｐａは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚ（第１主面２０Ａの法線に平行な方向）で規定されるＹ−Ｚ平面に平行である。
【００４９】
図８に示すように、第１貫通孔ＶＡを通り第１主面２０Ａの法線に平行である仮想の第１平面Ｐａ上において、第１直線Ｌｓ１と第２直線Ｌｓ２とが成す角度θ１は、４５°以上である。なお、４５°≦θ１＜９０°である。ここで、第１直線Ｌｓ１は上記法線に沿って延びている。第２直線Ｌｓ２は、第１貫通孔ＶＡの第１開口端ＯＰ１と第２開口端ＯＰ２とを結んでいる。本実施形態では、第１平面Ｐａ上において、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉの全ての接線の各々と、第１直線Ｌｓ１と、が成す角度は、４５°以上である。
【００５０】
また、第１平面Ｐａ上において、第２主面２０Ｂと第２直線Ｌｓ２とが第２絶縁基板２０の内部側で成す角度θ２は、１３５°以上である。なお、１３５°≦θ２＜１８０°である。ここでは、中心ＣＥＮより左側の領域における角度θ１，θ２を代表して説明した。本実施形態において、角度θ１，θ２は、中心ＣＥＮより左側の領域と中心ＣＥＮより右側の領域とで同様である。
【００５１】
次に、第１貫通孔ＶＡの幅と、第２絶縁基板２０の厚みとに注目する。第１平面Ｐａ上において、第１貫通孔ＶＡの第１開口端ＯＰ１の幅を第１幅ＷＩ１、第１貫通孔ＶＡの第２開口端ＯＰ２の幅を第２幅ＷＩ２、第２絶縁基板２０の第３方向Ｚの厚みを第１厚みＴ１とする。本実施形態において、（ＷＩ２−ＷＩ１）／２≧Ｔ１である。また、本実施形態において、内周面２０Ｉの傾斜は、中心ＣＥＮに関して左右対称である。
【００５２】
ここで、本願発明者等は、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬを作成し、角度θ１について調査した。図９は、上記表示パネルＰＮＬの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１貫通孔ＶＡが形成された第２絶縁基板２０などを示す断面図である。  
図９に基づいて角度θ１を調査した結果、４５°≦θ１となる結果が得られた。
【００５３】
次に、第１貫通孔ＶＡ及び第２貫通孔ＶＢを含む接続用孔Ｖの全体に注目する。図１０は、図８に示した上記表示パネルＰＮＬを示す断面図であり、上記接続用孔Ｖの形状を説明するための図である。  
図１０に示すように、第１平面Ｐａ上において、第１直線Ｌｓ１と第３直線Ｌｓ３とが成す角度θ３は、４５°以上である。なお、４５°≦θ３＜９０°である。ここで、第３直線Ｌｓ３は、接続用孔Ｖの第１絶縁基板１０側の第３開口端ＯＰ３と第２開口端ＯＰ２とを結んでいる。本実施形態では、第１平面Ｐａ上において、接続用孔Ｖにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉ及び有機絶縁膜ＯＩの内周面ＯＩＩの全ての接線の各々と、第１直線Ｌｓ１と、が成す角度は、４５°以上である。
【００５４】
また、第１平面Ｐａ上において、第２主面２０Ｂと第３直線Ｌｓ３とが第２絶縁基板２０の内部側で成す角度θ４は、１３５°以上である。なお、１３５°≦θ４＜１８０°である。ここでは、中心ＣＥＮより左側の領域における角度θ３，θ４を代表して説明した。本実施形態において、角度θ３，θ４は、中心ＣＥＮより左側の領域と中心ＣＥＮより右側の領域とで同様である。
【００５５】
次に、接続用孔Ｖの幅と、第２絶縁基板２０及び有機絶縁膜ＯＩの厚みの合計とに注目する。第１平面Ｐａ上において、接続用孔Ｖの第１絶縁基板１０側の幅を第３幅ＷＩ３、第２絶縁基板２０及び有機絶縁膜ＯＩの第３方向Ｚの厚みの合計を第２厚みＴ２とする。ここで、第２厚みＴ２は、接続用孔Ｖの第３方向Ｚの高さであり、パッドＰの上面ＬＴ１から第２主面２０Ｂまでの第３方向Ｚの距離である。なお、接続用孔Ｖの第２開口端ＯＰ２の幅は第２幅ＷＩ２である。本実施形態において、（ＷＩ２−ＷＩ３）／２≧Ｔ２である。また、本実施形態において、内周面２０Ｉ，ＯＩＩの傾斜は、中心ＣＥＮに関して左右対称である。
【００５６】
上記のように構成された第１の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、接続用孔において、４５°≦θ１であり、第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉをなだらかなスロープにすることができる。４５°≦θ１である場合、４５°＞θ１である場合と比較して、内周面２０Ｉへの接続材Ｃの良好なつきまわり性を得ることができる。これにより、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続材Ｃで良好に導通させることができる。  
上記のことから、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置ＤＳＰを得ることができる。
【００５７】
（第１の実施形態の変形例１）  
次に、上記第１の実施形態の変形例１について説明する。  
図１１に示すように、本変形例１では、第２開口端ＯＰ２の形状に関して上記第１の実施形態と相違している。平面視において、第２開口端ＯＰ２は楕円形であり、長軸ＡＸを有している。長軸ＡＸは、表示領域ＤＡの側縁ＥＳに平行である。長軸ＡＸが第１方向Ｘに平行となる場合と比較して表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡ、特に、接続用孔Ｖが設けられる端辺の幅を縮小できる。これにより、狭額縁化が可能となる。  
なお、長軸ＡＸは、第２方向Ｙに平行でなくともよく、例えば第１方向Ｘに平行であってもよい。
【００５８】
図１２に示すように、第１貫通孔ＶＡを通り第１主面２０Ａの法線に平行である仮想の第１平面Ｐａ上において、角度θ１は４５°以上である。本変形例１では、第１平面Ｐａ上において、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉの全ての接線の各々と、第１直線Ｌｓ１と、が成す角度は、４５°以上である。また、第１平面Ｐａ上において、角度θ２は１３５°以上である。本実施形態において、角度θ１，θ２は、中心ＣＥＮより左側の領域と中心ＣＥＮより右側の領域とで同様である。  
第１平面Ｐａ上において、第１貫通孔ＶＡの第１開口端ＯＰ１の幅を第１幅ＷＩ１ａ、第１貫通孔ＶＡの第２開口端ＯＰ２の幅を第２幅ＷＩ２ａとする。本変形例１において、（ＷＩ２ａ−ＷＩ１ａ）／２≧Ｔ１である。
【００５９】
図１３に示すように、一方、第１貫通孔ＶＡを通り第１平面Ｐａに直交し第１主面２０Ａの法線に平行である仮想の第２平面Ｐｂ上において、角度θ１は４５°未満である。本変形例１では、第２平面Ｐｂ上において、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉの全ての接線の各々と、第１直線Ｌｓ１と、が成す角度は、４５°未満である。また、第２平面Ｐｂ上において、角度θ２は１３５°未満である。  
第２平面Ｐｂ上において、第１貫通孔ＶＡの第１開口端ＯＰ１の幅を第１幅ＷＩ１ｂ、第１貫通孔ＶＡの第２開口端ＯＰ２の幅を第２幅ＷＩ２ｂとする。本変形例１において、（ＷＩ２ｂ−ＷＩ１ｂ）／２＜Ｔ１である。  
本変形例１においても、４５°≦θ１となる第１平面Ｐａが存在している。このため、本変形例１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
（第１の実施形態の変形例２）  
次に、上記第１の実施形態の変形例２について説明する。  
図１４に示すように、本変形例２では、第２開口端ＯＰ２の形状に関して上記第１の実施形態と相違している。第２開口端ＯＰ２は側縁ＥＳに平行な長軸ＡＸを有している。第１平面Ｐａ上において、第２方向Ｙにおける第１開口端ＯＰ１から第２開口端ＯＰ２までの距離は同一ではない。
【００６１】
図１５に示すように、角度θ１のうち、左側の角度をθ１Ｌ、右側の角度をθ１Ｒとする。第１平面Ｐａ上において、角度θ１Ｌは４５°以上であり、角度θ１Ｒは４５°未満である。また、角度θ２のうち、左側の角度をθ２Ｌ、右側の角度をθ２Ｒとする。第１平面Ｐａ上において、角度θ２Ｌは１３５°以上であり、角度θ２Ｒは１３５°未満である。  
本変形例２においても、４５°≦θ１Ｌとなる第１平面Ｐａが存在している。このため、本変形例２においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
（第１の実施形態の変形例３）  
次に、上記第１の実施形態の変形例３について説明する。  
図１６に示すように、本変形例３では、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉに関して上記第１の実施形態と相違している。第１平面Ｐａ上において、内周面２０Ｉは、第２直線Ｌｓ２より第２主面２０Ｂ側に突出している。本変形例３において、内周面２０Ｉの全体が、第２直線Ｌｓ２より第２主面２０Ｂ側に突出している。
【００６３】
内周面２０Ｉは、連続した第１内周面２０Ｉ１及び第２内周面２０Ｉ２を有している。第１内周面２０Ｉ１は、第１主面２０Ａ側に設けられている。第２内周面２０Ｉ２は、第１内周面２０Ｉ１より第２主面２０Ｂ側に設けられ、第１内周面２０Ｉ１より緩やかな傾斜を有している。なお、本変形例３においても、４５°≦θ１であり、１３５°≦θ２である。
【００６４】
本変形例３においても、４５°≦θ１となる第１平面Ｐａが存在している。このため、本変形例３においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。  
内周面２０Ｉは、第２直線Ｌｓ２より第２主面２０Ｂ側に突出している。内周面２０Ｉが第２直線Ｌｓ２より第１主面２０Ａ側に凹んでいる場合と比較して、内周面２０Ｉへの接続材Ｃの付着性を向上させることができる。  
第１内周面２０Ｉ１及び第２内周面２０Ｉ２のうち、傾斜の緩やかな方である第２内周面２０Ｉ２が第２主面２０Ｂ側に位置している。第２内周面２０Ｉ２の傾斜より第１内周面２０Ｉ１の傾斜の方が緩やかである場合と比較して、内周面２０Ｉへの接続材Ｃの付着性を向上させることができる。特に、接続材Ｃは注入直後から重力により第１基板ＳＵＢ１側に溜まりやすい。本実施例の如く第２基板ＳＵＢ２側を緩斜面に形成することで、特に第２基板ＳＵＢ２側における接続材Ｃの付着性を向上させることができるのである。
【００６５】
（第１の実施形態の変形例４）  
次に、上記第１の実施形態の変形例４について説明する。  
図１７に示すように、本変形例４では、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉに関して上記第１の実施形態と相違している。第１平面Ｐａ上において、内周面２０Ｉは、第２主面２０Ｂ側に凸の曲面であり、第２直線Ｌｓ２より第２主面２０Ｂ側に突出している。なお、本変形例４においても、４５°≦θ１であり、１３５°≦θ２である。
【００６６】
本変形例４においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。内周面２０Ｉの傾斜は、第１主面２０Ａ側より第２主面２０Ｂ側の方が緩やかである。このため、本変形例４においても、特に第２基板側ＳＵＢにおける接続材Ｃの付着性を向上させることができる。
【００６７】
（第２の実施形態）  
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、第２導電層Ｌ２と接続材Ｃとが一体に形成されている点で、上記第１の実施形態と相違している。
【００６８】
図１８に示すように、第２導電層Ｌ２と接続材Ｃとは、同一材料にて一体に形成され、導電層ＣＬを形成している。導電層ＣＬは、金属で形成されている。導電層ＣＬは、第２主面２０Ｂの上方に形成され、接続用孔Ｖを通って第１導電層Ｌ１にコンタクトしている。本実施形態において、導電層ＣＬは、第２主面２０Ｂ、内周面２０Ｉ、内周面ＯＩＩ、及び上面ＬＴ１に接している。導電層ＣＬは、表示領域ＤＡにて本体部ＲＳとして機能し、非表示領域ＮＤＡにて端子部ＲＴとして機能し、接続用孔Ｖの内部にて接続材Ｃとして機能している。
【００６９】
上記の導電層ＣＬを形成する際、第２主面２０Ｂの上及び接続用孔Ｖの内部に金属膜を形成し、続いて金属膜の上にレジスト膜を形成する。次いで、レジスト膜を利用してレジストマスクを形成する。その後、レジストマスクを利用して上記金属膜をパターニングし、続いてレジストマスクを除去する。
【００７０】
上記のように構成された第２の実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいても、４５°≦θ１である。第２の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。  
また、表示装置ＤＳＰは上記のような角度θ１を有しているため、走査線Ｇや信号線Ｓを形成するためプロセスと同様のプロセスを使用して導電層ＣＬを形成することができる。第１の実施形態と比較して、第２導電層Ｌ２と接続材Ｃとの接触抵抗値に関する懸念を排除することができる。
【００７１】
導電層ＣＬは、第２主面２０Ｂから最も離れた側に反射防止層を有し、反射防止層が導電層ＣＬの最表面を形成していてもよい。導電層ＣＬにおける外光反射を低減することができる。  
その他、本実施形態では、第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを同時に形成することができるため、製造工程の削減を図ることができる。これにより、製造時間の短縮や製造コストの低減を図ることができる。  
【００７２】
（第３の実施形態）  
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉが段差を有している点で、上記第１の実施形態と相違している。
【００７３】
図１９に示すように、接続用孔Ｖ（第１貫通孔ＶＡ）は、平面視にて長軸ＡＸを有している。この例では、長軸ＡＸは、表示領域ＤＡの側縁ＥＳに沿う。接続用孔Ｖは、第１孔部Ｖｔ１と、第１穴部Ｖｐ１と、第２穴部Ｖｐ２と、第３穴部Ｖｐ３とを有している。第１孔部Ｖｔ１、第１穴部Ｖｐ１、第２穴部Ｖｐ２、及び第３穴部Ｖｐ３は、長軸ＡＸに沿って並べられ、互いに繋がっている。
【００７４】
平面視にて長軸ＡＸに直交する方向（第１方向Ｘ）において、第１孔部Ｖｔ１が最も大きい幅Ｗｔ１を有し、第３穴部Ｖｐ３が第１孔部Ｖｔ１より小さい幅Ｗｐ３を有し、第２穴部Ｖｐ２が第３穴部Ｖｐ３より小さい幅Ｗｐ２を有し、第１穴部Ｖｐ１が最も小さい幅Ｗｐ１を有している。本実施形態では、第１方向Ｘにおいて、幅Ｗｔ１は第１孔部Ｖｔ１の最大幅であり、幅Ｗｐ３は第３穴部Ｖｐ３の最大幅であり、幅Ｗｐ２は第２穴部Ｖｐ２の最大幅であり、幅Ｗｐ１は第１穴部Ｖｐ１の最大幅である。例えば、幅Ｗｔ１は、幅Ｗｐ１より大きい。
【００７５】
図２０に示すように、接続用孔Ｖは、第１導電層Ｌ１を貫通する第３貫通孔ＶＣ、及び第１絶縁基板１０に形成された凹部ＣＣをさらに有している。第１貫通孔ＶＡは、第１孔部Ｖｔ１、第１穴部Ｖｐ１、第２穴部Ｖｐ２、及び第３穴部Ｖｐ３で形成されている。第２貫通孔ＶＢは、第１孔部Ｖｔ１及び第３穴部Ｖｐ３で形成されている。第３貫通孔ＶＣ及び凹部ＣＣは、それぞれ第１孔部Ｖｔ１で形成されている。  
第１貫通孔ＶＡを通り第１主面２０Ａの法線に平行である仮想の第１平面Ｐａ上において、角度θ１は４５°以上である。また、第１平面Ｐａ上において、角度θ２は１３５°以上である。
【００７６】
第１平面Ｐａ上において、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉは、段差を有している。本実施形態の第１平面Ｐａ上において、接続用孔Ｖにおける第２絶縁基板２０及び有機絶縁膜ＯＩの内周面２０Ｉ，ＯＩＩは、段差を有している。段差は、第１孔部Ｖｔ１と第３穴部Ｖｐ３とが繋がる個所、第３穴部Ｖｐ３と第２穴部Ｖｐ２とが繋がる個所、及び第２穴部Ｖｐ２と第１穴部Ｖｐ１とが繋がる個所、に形成されている。内周面２０Ｉ，ＯＩＩは段差を有しているが、４５°≦θ１である。このため、内周面２０Ｉ，ＯＩＩに対する接続材Ｃの良好なつきまわり性を得ることができる。
【００７７】
図２１に示すように、一方、第１貫通孔ＶＡを通り第１平面Ｐａに直交し第１主面２０Ａの法線に平行である仮想の第２平面Ｐｂ上において、角度θ１は４５°未満であり、角度θ２は１３５°未満である。  
第２平面Ｐｂ上において、第２絶縁基板２０及び有機絶縁膜ＯＩの内周面２０Ｉ，ＯＩＩは、段差を有していない。
【００７８】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖを形成する方法について説明する。  
図２２に示すように、第２絶縁基板２０をエッチングする前、第２絶縁基板２０は、第２主面２０Ｂの替わりに第２主面２０Ｂａを有している。接続用孔Ｖを形成する際、まず、第２絶縁基板２０の複数の照射領域に、第２主面２０Ｂａの上方からレーザ光を照射する。複数の照射領域としては、第１孔部Ｖｔ１を形成するための領域ＡＶｔ１に対応した照射領域ＲＶｔ１と、第３穴部Ｖｐ３を形成するための領域ＡＶｐ３に対応した照射領域ＲＶｐ３と、第２穴部Ｖｐ２を形成するための領域ＡＶｐ２に対応した照射領域ＲＶｐ２と、第１穴部Ｖｐ１を形成するための領域ＡＶｐ１に対応した照射領域ＲＶｐ１と、を有している。例えば、各々の照射領域は、対応する孔部又は穴部を形成するための領域の中央に位置している。上記レーザ光はパルス状のレーザ光であり、パルス幅は数フェムト秒乃至数百フェムト秒程度である。
【００７９】
図２３に示すように、第３方向Ｚにおいて、エッチングする前の第２絶縁基板２０は、上記第１厚みＴ１より厚い厚みＴ１ａを有している。第３方向Ｚにおいて、照射領域ＲＶｐ１は最も狭い範囲に設定され、照射領域ＲＶｐ２は照射領域ＲＶｐ１より広い範囲に設定され、照射領域ＲＶｐ３は照射領域ＲＶｐ２より広い範囲に設定され、照射領域ＲＶｔ１は最も広い範囲に設定される。照射領域は、第２絶縁基板２０を変質させる領域に相当している。
【００８０】
上記のように、第２絶縁基板２０にレーザ光を照射した後、第２絶縁基板２０をエッチングする。これにより、第１厚みＴ１を有する第２絶縁基板２０が得られる。第２絶縁基板２０のうち変質させた領域のエッチングレートは、変質させていない領域のエッチングレートより高い。このため、第２絶縁基板２０のうち、領域ＡＶｔ１，ＡＶｐ３，ＡＶｐ２，ＡＶｐ１のエッチングが促進される。そして、領域ＡＶｔ１のエッチングが最も促進される。これにより、接続用孔Ｖが形成される。
【００８１】
上記のように構成された第３の実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいても、４５°≦θ１であり、１３５°≦θ２である。第３の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。  
第１貫通孔ＶＡ（接続用孔Ｖ）を形成する際、レーザ光の照射のみで形成するのではなく、レーザ光の照射とエッチングとを行って形成している。このため、第２絶縁基板２０に、第１貫通孔ＶＡを起点としたクラックの発生を抑制することができる。  
なお、上記エッチングは両基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２が大判のままで行う。大判とは、複数の表示パネル個片に分割する前の状態のことを言う。本実施形態では、大判の厚さを薄型化するエッチング工程に伴って接続用孔が形成される。このため、製造工程の簡略化やそれに伴う信頼性の向上が図られる。
【００８２】
（第３の実施形態の変形例１）  
次に、上記第３の実施形態の変形例１について説明する。  
図２４に示すように、本変形例１では、第２開口端ＯＰ２の形状に関して上記第３の実施形態と相違している。接続用孔Ｖは、単個の第１孔部Ｖｔ１、単個の第３穴部Ｖｐ３、単個の第２穴部Ｖｐ２、及び単個の第１穴部Ｖｐ１を有している。
【００８３】
図２５に示すように、第１平面Ｐａ上において、角度θ１Ｌは４５°以上であり、角度θ１Ｒは４５°未満である。第１平面Ｐａ上において、内周面２０Ｉ，ＯＩＩは、図中左側にて段差を有し、図中右側で段差を有していない。  
本変形例１においても、４５°≦θ１Ｌとなる第１平面Ｐａが存在している。このため、本変形例１においても、上記第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８４】
（第４の実施形態）  
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、第２導電層Ｌ２が接続材Ｃを介すること無しに第１導電層Ｌ１に接続されている点、及びレーザ光の照射とエッチングとを併用することにより接続用孔Ｖを形成している点で、上記第３の実施形態と相違している。
【００８５】
図２６に示すように、接続用孔Ｖ（第１貫通孔ＶＡ）は、平面視にて長軸ＡＸを有している。接続用孔Ｖは、第１孔部Ｖｔ１と、第１穴部Ｖｐ１と、第２穴部Ｖｐ２とを有している。第１孔部Ｖｔ１、第１穴部Ｖｐ１、及び第２穴部Ｖｐ２は、長軸ＡＸに沿って並べられ、互いに繋がっている。
【００８６】
図２７に示すように、接続用孔Ｖは、第１貫通孔ＶＡ、及び第２貫通孔ＶＢを有している。第１貫通孔ＶＡは、第１孔部Ｖｔ１、第１穴部Ｖｐ１、及び第２穴部Ｖｐ２で形成されている。第２貫通孔ＶＢは、第１孔部Ｖｔ１から独立して形成され、第１孔部Ｖｔ１に繋がっている。第１平面Ｐａ上において、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉは、段差を有している。段差は、第１孔部Ｖｔ１と第２穴部Ｖｐ２とが繋がる個所、及び第２穴部Ｖｐ２と第１穴部Ｖｐ１とが繋がる個所、に形成されている。内周面２０Ｉは段差を有しているため、内周面２０Ｉに対する接続材Ｃの良好なつきまわり性を得ることができる。
【００８７】
第２導電層Ｌ２は、接続用孔Ｖ（第１貫通孔ＶＡ及び第２貫通孔ＶＢ）を覆っている。本実施形態において、第２導電層Ｌ２は、接続用孔Ｖを完全に覆い、パッドＰの上面ＬＴ１に接触している。本実施形態の表示パネルＰＮＬは、充填材ＦＩ無しに形成されている。保護膜ＰＦは、接続用孔Ｖの中空部分に充填され、接続用孔Ｖの内部及び周囲においても、第２導電層Ｌ２を覆っている。
【００８８】
接続用孔Ｖの内部及び接続用孔Ｖの周囲に上述した接続材Ｃ（例えば、銀）は存在しない。そのため、接続用孔Ｖの内部及び周囲にて、接続材Ｃでの光反射を考慮しなくともよい。本実施形態において、接続用孔Ｖの内部及び周囲にて、第２導電層Ｌ２での光反射を考慮すればよい。
【００８９】
例えば、第２導電層Ｌ２が、金属で形成された金属層と、透明な導電材料で形成された透明導電層と、を有する多層構造であり、透明導電層が保護膜ＰＦに接している場合、透明導電層の作用により、反射光の干渉効果を得ることができる。
反射光の干渉現象は、上記透明導電層の表面で反射した第１反射光と、上記透明導電層と上記金属層との界面で反射した第２反射光と、が互いに干渉を起こすことにより発生する。このため、上記第１反射光と上記第２反射光との位相差が０．５波長であれば両者は打ち消し合い、反射光強度が低下する効果が得られる。上述したことから、第２導電層Ｌ２自体、反射光を抑制するように構成されている。
そのため、第２導電層Ｌ２と異なる部材で、接続用孔Ｖの内部及び周囲における遮光対策を講じなくともよい。例えば、保護膜ＰＦの替わりに、黒色の充填材ＦＩを接続用孔Ｖの内部及び周囲に設けなくともよい。
【００９０】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖを形成する方法について説明する。  
図２８に示すように、第２絶縁基板２０の複数の照射領域に、第２主面２０Ｂａの上方からレーザ光を照射する。これにより、サイズの異なる複数の穴Ｖｕ１，Ｖｕ２，Ｖｕ３が第２絶縁基板２０に形成される。
【００９１】
穴Ｖｕ１は、上述した第１孔部Ｖｔ１に対応し、穴Ｖｕ１，Ｖｕ２，Ｖｕ３のうち最も大きいサイズを有している。例えば、穴Ｖｕ１は、最も深く形成され、第２主面２０Ｂａにおける開口面積が最も大きい。穴Ｖｕ２は、上述した第２穴部Ｖｐ２に対応している。穴Ｖｕ３は、上述した第１穴部Ｖｐ１に対応し、穴Ｖｕ１，Ｖｕ２，Ｖｕ３のうち最も小さいサイズを有している。例えば、穴Ｖｕ３は、最も浅く形成され、第２主面２０Ｂａにおける開口面積が最も小さい。
【００９２】
上記のように、第２主面２０Ｂａに開口した穴Ｖｕ１，Ｖｕ２，Ｖｕ３を第２絶縁基板２０に形成した後、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０をエッチング（研磨加工やスリミング加工など）する。これにより、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０の厚みは、それぞれ減少する。第１絶縁基板１０は、第４主面１０Ｂａより第３主面１０Ａ側に位置した第４主面１０Ｂを得ることができる。第２絶縁基板２０は、第２主面２０Ｂａより第１主面２０Ａ側に位置した第２主面２０Ｂを得ることができる。第２絶縁基板２０においては、第２主面２０Ｂａにおいてだけではなく、穴Ｖｕ１，Ｖｕ２，Ｖｕ３の内部においてもエッチングが促進される。
【００９３】
図２９に示すように、これにより、接続用孔Ｖのうち第１貫通孔ＶＡが形成される。本実施形態においても、第１貫通孔ＶＡを形成する際、レーザ光の照射とエッチングとを併用している。このため、第２絶縁基板２０に、第１貫通孔ＶＡを起点としたクラックの発生を抑制することができる。
【００９４】
次いで、表示パネルＰＮＬの上方から、第１貫通孔ＶＡの内部の有機絶縁膜ＯＩに向けて、レーザ光ＬＡを照射する。これにより、有機絶縁膜ＯＩのうちレーザ光ＬＡが照射された部分が昇華し、有機絶縁膜ＯＩに第２貫通孔ＶＢが形成される。これにより、接続用孔Ｖが形成される。  
図２７に示すように、続いて、接続用孔Ｖの内部及び第２主面２０Ｂの上に、導電層を形成し、上記導電層にパターニングを施す。例えば、導電層は、金属層と透明導電層との積層構造を有している。これにより、接続用孔Ｖの内部及び第２主面２０Ｂの上に、第２導電層Ｌ２が形成される。その後、接続用孔Ｖの内部、並びに第２主面２０Ｂ及び第２導電層Ｌ２の上に、保護膜ＰＦを形成する。
【００９５】
上記のように構成された第４の実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいても、上記第３の実施形態と同様の接続用孔Ｖを得ることができ、上記第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、接続用孔Ｖを形成した後に第２導電層Ｌ２を積層する構成を採用するため、接続用孔Ｖやその周囲に上述した接続材Ｃは存在せず、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とが直接電気的に接合される。かかる構成の結果、接続材Ｃを設ける際の遮光対策を講じる必要がない。また、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２間の接続抵抗の改善も図られる。
【００９６】
（第４の実施形態の変形例１）  
次に、上記第４の実施形態の変形例１について説明する。  
図３０に示すように、本変形例１では、接続用孔Ｖが第３貫通孔ＶＣ及び凹部ＣＣをさらに有している点と、接続材Ｃを利用している点とに関して上記第４の実施形態と相違している。第１貫通孔ＶＡは、第１孔部Ｖｔ１、第１穴部Ｖｐ１、及び第２穴部Ｖｐ２で形成されている。第２貫通孔ＶＢ、第３貫通孔ＶＣ、及び凹部ＣＣは、第１孔部Ｖｔ１から独立して形成されている。第２貫通孔ＶＢ、第３貫通孔ＶＣ、及び凹部ＣＣのうち第２貫通孔ＶＢは、第１孔部Ｖｔ１に繋がっている。接続材Ｃは、接続用孔Ｖの表面に付着し、第１導電層Ｌ１（パッドＰ）に接している。なお、接続材Ｃを形成する際、金属材料の塗布量は調整可能である。何れにおいても、接続材Ｃが第１導電層Ｌ１（パッドＰ）に接していればよい。
【００９７】
第２導電層Ｌ２は、接続用孔Ｖ及び接続材Ｃを覆い、接続材Ｃに接している。本変形例１において、第２導電層Ｌ２は、接続用孔Ｖ及び接続材Ｃを完全に覆っている。このため、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃを介して第１導電層Ｌ１（パッドＰ）に電気的に接続される。また、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃのための遮光層としての機能も有している。
【００９８】
本変形例１の表示装置ＤＳＰの製造方法に関しては、上記第４の実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法を適用することができる。ここでは、上記第４の実施形態の製造方法との相違点について説明する。  
図３１に示すように、本変形例１では、上記レーザ光ＬＡの照射により、第２貫通孔ＶＢだけではなく、第１導電層Ｌ１を貫通する第３貫通孔ＶＣ、及び第１絶縁基板１０における凹部ＣＣも形成されている。そして、図３０に示すように、第２導電層Ｌ２を形成する前に、接続用孔Ｖの内部に接続材Ｃを形成している。  
本変形例１においても、上記第４の実施形態と同様の第１貫通孔ＶＡを得ることができ、上記第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施形態を組合せることも可能である。
【０１００】
例えば、図３２に示すように、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３…は、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいてもよい。本体部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延在している。また、端子部ＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３…は、表示領域ＤＡと配線基板３との間に位置し、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。接続用孔Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３…は、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。なお、接続用孔Ｖが上記長軸ＡＸを有している場合、長軸ＡＸは第１方向Ｘと平行である方が望ましい。
【０１０１】
また、図３３に示すように、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、接続用孔Ｖの第３貫通孔ＶＣにおける第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１と、第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１とにそれぞれ接触していてもよい。  
図３４は、第２絶縁基板２０側からみた第１導電層Ｌ１及び有機絶縁膜ＯＩを示す平面図である。図３４では、第１導電層Ｌ１及び有機絶縁膜ＯＩのみを示している。上面ＬＴ１のうち有機絶縁膜ＯＩで覆われていな領域には右上がりの斜線を付している。図３４に示すように、平面視において、第２貫通孔ＶＢのサイズは、第３貫通孔ＶＣのサイズより大きい。第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１のうち接続材Ｃと接触している領域ＲＡは、第２貫通孔ＶＢにより有機絶縁膜ＯＩで覆われていない領域である。ここでは、領域ＲＡは、平面視にて環状に形成されている。図中、領域ＲＡには、斜線を付している。平面視において、第２貫通孔ＶＢ及び第３貫通孔ＶＣの形状は、真円であるが、これに限らず、楕円形など他の円形状であってもよく、円形以外の形状であってもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
ＤＳＰ…表示装置、
ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１絶縁基板、Ｌ１…第１導電層、ＳＵＢ２…第２基板、
２０…第２絶縁基板、２０Ａ…第１主面、２０Ｂ…第２主面、Ｌ２…第２導電層、
ＯＩ…有機絶縁膜、２０Ｉ，ＯＩＩ…内周面、Ｖ…接続用孔、ＶＡ，ＶＢ…貫通孔、
Ｖｔ１…第１孔部、Ｖｐ１…第１穴部、Ｖｐ２…第２穴部、Ｖｐ３…第３穴部、
Ｃ…接続材、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、
Ｐａ…第１平面、Ｐｂ…第２平面、Ｌｓ１…第１直線、Ｌｓ２…第２直線、
θ１，θ２…角度、ＡＸ…長軸、
ＷＩ１，ＷＩ１ａ，ＷＩ２，ＷＩ２ａ，ＷＩ３，Ｗｔ１，Ｗｐ１，Ｗｐ２，Ｗｐ３…幅。
【図１】
2018169996.tif 000003
【図２】
2018169996.tif 000004
【図３】
2018169996.tif 000005
【図４】
2018169996.tif 000006
【図５】
2018169996.tif 000007
【図６】
2018169996.tif 000008
【図７】
2018169996.tif 000009
【図８】
2018169996.tif 000010
【図９】
2018169996.tif 000011
【図１０】
2018169996.tif 000012
【図１１】
2018169996.tif 000013
【図１２】
2018169996.tif 000014
【図１３】
2018169996.tif 000015
【図１４】
2018169996.tif 000016
【図１５】
2018169996.tif 000017
【図１６】
2018169996.tif 000018
【図１７】
2018169996.tif 000019
【図１８】
2018169996.tif 000020
【図１９】
2018169996.tif 000021
【図２０】
2018169996.tif 000022
【図２１】
2018169996.tif 000023
【図２２】
2018169996.tif 000024
【図２３】
2018169996.tif 000025
【図２４】
2018169996.tif 000026
【図２５】
2018169996.tif 000027
【図２６】
2018169996.tif 000028
【図２７】
2018169996.tif 000029
【図２８】
2018169996.tif 000030
【図２９】
2018169996.tif 000031
【図３０】
2018169996.tif 000032
【図３１】
2018169996.tif 000033
【図３２】
2018169996.tif 000034
【図３３】
2018169996.tif 000035
【図３４】
2018169996.tif 000036