(57)【要約】【課題】金属層が側面から露出することを抑制すること。【解決手段】互いに積層された１または複数の第１絶縁層１４と、前記１または複数の第１絶縁層上に設けられ、側面が前記１または複数の第１絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置する金属層１２と、互いに積層され前記金属層上に設けられ、側面が前記第１絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置し、互いに積層された１または複数の第２絶縁層１６と、前記１または複数の第２絶縁層の側面の少なくとも下部、前記金属層の側面および前記１または複数の第１絶縁層の周縁部の上面を覆う第３絶縁層１８と、を具備する基板。【選択図】図６
2018029140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層された１または複数の第１絶縁層と、
前記１または複数の第１絶縁層上に設けられ、側面が前記１または複数の第１絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置する金属層と、
前記金属層上に設けられ、側面が前記第１絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置し、互いに積層された１または複数の第２絶縁層と、
前記１または複数の第２絶縁層の側面の少なくとも下部、前記金属層の側面および前記１または複数の第１絶縁層の周縁部の上面を覆う第３絶縁層と、
を具備する基板。
【請求項２】
前記金属層は、側方に突出する突出部を有し、
前記第３絶縁層は前記突出部の側面を覆う請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記金属層および前記１または複数の第２絶縁層の側面は略同一平面に設けられ、
前記第３絶縁層の側面および前記１または複数の第１絶縁層の側面の少なくとも下部は略同一平面に設けられている請求項１または２記載の基板。
【請求項４】
前記金属層は前記１または複数の第１絶縁層および前記１または複数の第２絶縁層のそれぞれの絶縁層より厚い請求項１から３のいずれか一項記載の基板。
【請求項５】
前記突出部は、前記金属層の中央部より薄い請求項２記載の基板。
【請求項６】
前記第３絶縁層の弾性率は前記１または複数の第１絶縁層および前記１または複数の第２絶縁層の弾性率より小さい請求項１から５のいずれか一項記載の基板。
【請求項７】
前記第３絶縁層の上面は前記１または複数の第２絶縁層のうち最上の絶縁層の上面より低い請求項１から６のいずれか一項記載の基板。
【請求項８】
前記金属層内に埋め込まれた電子部品を具備する請求項１から７のいずれか一項記載の基板。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項記載の基板と、
前記基板上に設けられた電子部品と、
前記電子部品を封止する第４絶縁層と、
を具備するモジュール。
【請求項１０】
互いに積層された１または複数の第１絶縁層と、
前記１または複数の第１絶縁層上に、平面視において溝部を介し周期的に複数設けられた金属層と、
前記金属層上に設けられ前記溝部を介し周期的に設けられた互いに積層された１または複数の第２絶縁層と、
前記溝部内に充填され、前記金属層と前記１または複数の第２絶縁層との側面を覆う第３絶縁層と、
を具備する基板。
【請求項１１】
互いに積層された１または複数の第１絶縁層と、前記１または複数の第１絶縁層上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられ互いに積層された１または複数の第２絶縁層と、を有する積層基板に、前記１または複数の第２絶縁層および前記金属層が切断されるように溝部を形成する工程と、
前記溝部内に第３絶縁層を充填する工程と、
前記金属層の側面が前記第３絶縁層から露出しないように前記第３絶縁層で切断することで、前記積層基板を個片化する工程と、
を含む基板の製造方法。
【請求項１２】
前記溝部を形成する工程は、前記１または複数の第１絶縁層の少なくとも下部が残存するように溝部を形成する工程であり、
前記積層基板を個片化する工程は、前記１または複数の第１絶縁層の前記少なくとも下部の側面が前記第３絶縁層から露出するように前記第３絶縁層で切断する工程を含む請求項１１記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板およびその製造方法並びにモジュールに関し、例えば金属層と絶縁層が積層された基板およびその製造方法並びにモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
金属層と絶縁層が積層された配線基板が知られている（例えば特許文献１、２）。配線基板には電子部品等が搭載される。例えば、配線基板内の金属層に電子部品が埋め込まれる。また、配線基板の上面に電子部品が搭載される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１１２６４９号公報
【特許文献２】特開２００５−７２０６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板は、複数の絶縁層および金属層が積層された多層基板を所望の形状の配線基板に切断することにより製造される。しかしながら、多層基板を切断すると個片化された配線基板の側面に金属層の側面が露出する。これにより、露出した金属層が外部の部品とカップリングし特性が劣化する。または、露出した金属層が外部と電気的に接触する。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、金属層が側面から露出することを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、互いに積層された１または複数の第１絶縁層と、前記１または複数の第１絶縁層上に設けられ、側面が前記１または複数の第１絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置する金属層と、前記金属層上に設けられ、側面が前記第１絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置し、互いに積層された１または複数の第２絶縁層と、前記１または複数の第２絶縁層の側面の少なくとも下部、前記金属層の側面および前記１または複数の第１絶縁層の周縁部の上面を覆う第３絶縁層と、を具備する基板である。
【０００７】
上記構成において、前記金属層は、側方に突出する突出部を有し、前記第３絶縁層は前記突出部の側面を覆う構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記金属層および前記１または複数の第２絶縁層の側面は略同一平面に設けられ、前記第３絶縁層の側面および前記１または複数の第１絶縁層の側面の少なくとも下部は略同一平面に設けられている構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記金属層は前記１または複数の第１絶縁層および前記１または複数の第２絶縁層のそれぞれの絶縁層より厚い構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記突出部は、前記金属層の中央部より薄い構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第３絶縁層の弾性率は前記１または複数の第１絶縁層および前記１または複数の第２絶縁層の弾性率より小さい構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において前記第３絶縁層の上面は前記１または複数の第２絶縁層のうち最上の絶縁層の上面より低い構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記金属層内に埋め込まれた電子部品を具備する構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、上記基板と、前記基板上に設けられた電子部品と、前記電子部品を封止する第４絶縁層と、を具備するモジュールである。
【００１５】
本発明は、互いに積層された１または複数の第１絶縁層と、前記１または複数の第１絶縁層上に、平面視において溝部を介し周期的に複数設けられた金属層と、前記金属層上に設けられ前記溝部を介し周期的に設けられた互いに積層された１または複数の第２絶縁層と、前記溝部内に充填され、前記金属層と前記１または複数の第２絶縁層との側面を覆う第３絶縁層と、を具備する基板である。
【００１６】
本発明は、互いに積層された１または複数の第１絶縁層と、前記１または複数の第１絶縁層上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられ互いに積層された１または複数の第２絶縁層と、を有する積層基板に、前記１または複数の第２絶縁層および前記金属層が切断されるように溝部を形成する工程と、前記溝部内に第３絶縁層を充填する工程と、前記金属層の側面が前記第３絶縁層から露出しないように前記第３絶縁層で切断することで、前記積層基板を個片化する工程と、を含む基板の製造方法である。
【００１７】
上記構成において、前記溝部を形成する工程は、前記１または複数の第１絶縁層の少なくとも下部が残存するように溝部を形成する工程であり、前記積層基板を個片化する工程は、前記１または複数の第１絶縁層の前記少なくとも下部の側面が前記第３絶縁層から露出するように前記第３絶縁層で切断する工程を含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、金属層が側面から露出することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す平面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す平面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係る基板の側面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１の変形例１に係る配線基板の側面図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る基板の断面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図８】図８は、実施例２に係るモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）から図３（ｂ）は、実施例１に係る基板の製造方法を示す平面図である。図１（ａ）から図１（ｄ）は、図２（ａ）から図３（ｂ）のＡ−Ａ断面に相当する。図２（ａ）は、絶縁層１６を透過して図示している。コアの配列方向をＸ方向およびＹ方向とし、絶縁層１４、１６および金属層１２の積層方向をＺ方向とする。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、多層基板１０は、金属層１２、絶縁層１４および１６を備える。絶縁層１４上に金属層１２が設けられ、金属層１２上に絶縁層１６が積層されている。絶縁層１４は積層された１または複数の絶縁層１４ａおよび１４ｂを含む。絶縁層１６は、積層された１または複数の絶縁層１６ａおよび１６ｂを含む。絶縁層１４ａ、１４ｂ、１６ａおよび１６ｂの間、には配線を形成する金属層（不図示）が設けられている。絶縁層１４ａ、１４ｂ、１６ａおよび１６ｂを貫通するビア配線（不図示）が設けられている。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、コア１２ａはＸ方向およびＹ方向に周期的に配列されている。金属層１２は、コア１２ａ同士を接続するタイバー１２ｂを有する。タイバー１２ｂは金属層１２、絶縁層１４および１６を積層するときに、コア１２ａを機械的に接続しておくためのものである。タイバー１２ｂはコア１２ａの各辺間に１または複数設けられている。タイバー１２ｂはコア１２ａより薄くてもよい。Ｘ方向に隣接するコア１２ａは３本のタイバー１２ｂにより接続され、Ｙ方向に隣接するコア１２ａは４本のタイバー１２ｂにより接続されている。タイバー１２ｂの個数は任意に設定できる。
【００２４】
金属層１２は、例えば銅層である。コア１２ａの厚さは例えば３４０μｍ、タイバー１２ｂの厚さは例えば１７０μｍである。タイバー１２ｂの幅Ｗ４は例えば４００μｍである。タイバー１２ｂのピッチＷ５は例えば２０００μｍである。コア１２ａ間の幅Ｗ１は、例えば５００μｍから６００μmである。絶縁層１４および１６は例えばエポキシ系樹脂である。絶縁層１４ａ、１４ｂ、１６ａおよび１６ｂの厚さは例えば１５μｍから６０μｍである。
【００２５】
図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、多層基板１０の上面から金属層１２のタイバー１２ｂを切断するように、多層基板１０に溝部３０を形成する。溝部３０は、コア１２ａの間に形成する。溝部３０の底面は絶縁層１４に達するが多層基板１０を切断はしない。溝部３０の幅Ｗ２は例えば４００μｍから５００μｍであり、幅Ｗ１より小さい。これにより、溝部３０の両側にタイバー１２ｂが残存する。溝部３０は、例えば幅の広いダイシングブレードを用いハーフカットにより形成する。
【００２６】
図１（ｃ）および図３（ａ）に示すように、溝部３０内に絶縁層１８を充填する。これにより、ダイバー１２ｂの切断面は絶縁層１８で覆われる。絶縁層１８は例えばエポキシ系樹脂等の樹脂である。図１（ｄ）および図３（ｂ）に示すように、絶縁層１８に溝部３２を形成する。溝部３２は多層基板１０を完全に切断する。溝部３０の幅Ｗ３は例えば２００μｍから３００μｍであり、幅Ｗ２より小さい。これにより、絶縁層１８からタイバー１２ｂは露出しない。溝部３２は、例えば幅の狭いダイシングブレードを用いフルカットにより形成する。これにより、多層基板１０が個片化され配線基板５０が形成される。配線基板５０において、多層基板１０の絶縁層１６および金属層１２の側面は絶縁層１８で覆われる。絶縁層１４の側面の一部（下部）は露出する。
【００２７】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係る基板の側面図である。図４（ａ）および図４（ｂ）はそれぞれＹ方向およびＸ方向から配線基板５０をみた側面図であり、絶縁層１８を透過して図示している。図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、金属層１２は絶縁層１４および１６に挟まれている。タイバー１２ｂはコア１２ａより薄い。タイバー１２ｂはコア１２ａ上部と下部とに互い違いに設けられている。金属層１２が厚いと、タイバー１２ｂをエッチングにより形成するときにタイバー１２ｂが太くなる。タイバー１２ｂを薄くすることで、タイバー１２ｂを細くできる。さらに、タイバー１２ｂを互い違いに設けると、タイバー１２ｂのエッチングを金属層１２の上面と下面とから行なうことができる。よって、タイバー１２ｂを密に形成できる。さらに、タイバー１２ｂと絶縁層１４および１６との接触面積が大きくなる。よって、タイバー１２ｂと絶縁層１４および１６との密着強度を大きくできる。
【００２８】
［実施例１の変形例１］
図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１の変形例１に係る配線基板の側面図である。図５（ａ）に示すように、タイバー１２ｂは互い違いに設けられておらず、コア１２ａの下部に接続されている。図５（ｂ）に示すように、タイバー１２ｂは、コア１２ａの上部に接続されている。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、タイバー１２ｂは、互い違いに設けられていなくてもよい。タイバー１２ｂの厚さはコア１２ａと同じでもよい。図５（ｃ）に示すように、タイバー１２ｂを設けなくともよい。この場合、図２（ａ）において、金属層１２は全面に設けられ、図２（ｂ）において、切断された金属層１２がコアとなるコアの側面が溝部３０に露出する。図３（ａ）において、コアの側面は絶縁層１８に接触する。実施例１の変形例１のように、タイバー１２ｂの個数や配置は任意に設定できる。また、タイバー１２ｂは設けなくてもよい。
【００２９】
［実施例１の変形例２］
図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る基板の断面図である。図６（ａ）に示すように、金属層１２のコア１２ａに開口部２１が形成されている。開口部２１内に電子部品２０が搭載されている。電子部品２０は、例えば弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器を含む弾性波デバイスである。弾性波デバイスは、例えば高周波信号を濾過する高周波フィルタである。電子部品２０は、例えばチップコンデンサ、チップインダクタまたはチップ抵抗等のチップ部品でもよい。電子部品２０は、例えばアンプまたはスイッチ等の能動素子でもよい。コア１２ａ内には複数の電子部品２０が搭載されていてもよい。開口部２１内およびダイバー１２ｂの周囲は樹脂層等の絶縁層２２が充填されている。
【００３０】
絶縁層１４ａおよび１４ｂの下面に配線２４ａおよび２４ｂが設けられている。絶縁層１４ｂの上面の開口部２１内に配線２７が設けられている。絶縁層１４ａおよび１４ｂを貫通するビア配線２３ａおよび２３ｂが設けられている。ビア配線２３ａは配線２４ａと２４ｂを電気的に接続する。ビア配線２３ｂは配線２４ｂと配線２７とを電気的に接続する。配線２７は電子部品２０に接続されている。絶縁層１６ａおよび１６ｂの上面に配線２６ａおよび２６ｂが設けられている。絶縁層１６ｂを貫通するビア配線２５ｂが設けられている。ビア配線２５ｂは配線２６ａと２６ｂを電気的に接続する。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００３１】
図６（ｂ）に示すように、絶縁層１４は３層の絶縁層１４ａから１４ｃを含み、絶縁層１６は３層の絶縁層１６ａから１６ｃを含む。絶縁層１４ｃの下面に配線２４ｃが設けられ、絶縁層１４ｃの上面に配線２７が設けられている。絶縁層１４ｃを貫通するビア配線２３ｃが設けられている。絶縁層１６ｃの上面に配線２６ｃが設けられ、絶縁層１６ｃを貫通するビア配線２５ｃが設けられている。その他の構成は図６（ａ）と同じであり説明を省略する。
【００３２】
実施例１の変形例２のように、絶縁層１４および１６内の絶縁層の積層数は任意である。絶縁層１４ａから１４ｃの間には、配線２４ｂおよび２４ｃ等の金属層が設けられていてもよい。絶縁層１６ａから１６ｃの間には、配線２６ａおよび２６ｂ等の金属層が設けられていてもよい。配線基板５０は、金属層１２に電子部品２０が埋め込まれた部品内蔵基板でもよい。
【００３３】
実施例１およびその変形例によれば、図１（ａ）に示すように、多層基板１０は、１または複数の絶縁層（第１絶縁層）１４ａおよび１４ｂ、金属層１２、および１または複数の絶縁層（第２絶縁層）１６ａおよび１６ｂを備えている。金属層１２は絶縁層１４上に設けられ、絶縁層１６は金属層１２上に設けられている。図１（ｂ）および図２（ｂ）のように、多層基板１０に絶縁層１６および金属層１２が切断されるように溝部３０を形成する。図１（ｃ）および図３（ａ）のように、溝部３０内に絶縁層１８（第３絶縁層）を充填する。図１（ｄ）および図３（ｂ）のように、多層基板１０を、金属層１２の側面が絶縁層１８から露出しないように絶縁層１８で切断することで、多層基板１０を個片化し、配線基板５０を形成する。
【００３４】
これにより、図１（ｄ）および図３（ｂ）のように、配線基板５０は、互いに積層された１または複数の絶縁層１４ａおよび１４ｂ（第１絶縁層）と、金属層１２と、互いに積層された１または複数の絶縁層１６ａおよび１６ｂ（第２絶縁層）と、絶縁層１８（第３絶縁層）を備えている。金属層１２は絶縁層１４上に設けられている。金属層１２の側面は、平面視において絶縁層１４の側面の少なくとも下部より内側に位置する。絶縁層１６の側面は、平面視において絶縁層１４の側面の少なくとも下部より内側に位置する。絶縁層１８は、絶縁層１６の側面の少なくとも下部、金属層１２の側面および絶縁層１４の周縁部の上面を覆う。
【００３５】
これにより、タイバー１２ｂ等の金属層１２の側面が絶縁層１８に覆われている。よって、露出した金属層１２が外部の部品とカップリングし特性が劣化する。または、露出した金属層１２が外部と電気的に接触することを抑制できる。
【００３６】
また、図１（ｂ）のように、溝部３０を形成するときに、絶縁層１４の少なくとも下部に溝部３０を形成しない。図１（ｄ）のように、多層基板１０を配線基板５０に個片化するときに、絶縁層１６の少なくとも下部の側面が絶縁層１８から露出するように絶縁層１８で多層基板１０を切断する。これにより、溝部３０を形成するときに、多層基板１０が個片化されてしまうことを抑制できる。また、絶縁層１８が多層基板１０の下面まで流れ込むことを抑制できる。
【００３７】
図４（ａ）から図５（ｂ）のように、金属層１２は、側方に突出するタイバー１２ｂ（突出部）を有し、絶縁層１８はタイバー１２ｂの側面を覆うことが好ましい。
【００３８】
さらに、図１（ｂ）および図２（ｂ）のように、金属層１２と絶縁層１６を同時に切断することで、金属層１２および絶縁層１６の側面は略同一平面に設けられる。図１（ｄ）および図３（ｂ）のように、絶縁層１８と絶縁層１４を同時に切断することで、絶縁層１８の側面および絶縁層１４の側面の少なくとも下部は略同一平面に設けられる。
【００３９】
金属層１２は絶縁層１４ａ、１４ｂ、１６ａおよび１６ｂのそれぞれの絶縁層より厚い。このように、金属層１２が厚い場合、図１（ａ）のように、金属層１２を絶縁層１４および１６と積層させるときに、タイバー１２ｂを介しまたは直接接続されたコア１２ａを絶縁層１４と１６との間に積層する。よって、金属層１２の側面が絶縁層１４および１６から露出してしまう。よって、絶縁層１８を設けることが好ましい。
【００４０】
タイバー１２ｂは、コア１２ａ（金属層１２の中央）より薄い。これにより、金属層１２をエッチングしてタイバー１２ｂを形成するときに、エッチング量が少なくて済むため、タイバー１２ｂを簡単に形成できる。ダイバー１２ｂは、絶縁層１４ａ、１４ｂ、１６ａおよび１６ｂのそれぞれより厚いことが好ましい。これにより、コア１２ａを機械的に接続する強度を大きくできる。
【００４１】
絶縁層１８の弾性率は絶縁層１４および絶縁層１６の弾性率より小さい。これにより、図１（ｃ）および図３（ｂ）の状態における多層基板１０の反りを抑制できる。例えば絶縁層１８は、絶縁層１４および１８より弾性率の小さいエポキシ系樹脂を用いる。
【００４２】
図１（ｃ）および図３（ａ）の状態の多層基板１０において、金属層１２および絶縁層１６は、平面視において溝部３０を介し周期的に複数設けられている。絶縁層１８は、溝部３０内に充填され、金属層１２と絶縁層１６の側面を覆う。これにより、この状態での多層基板１０の運搬が容易となる。
【実施例２】
【００４３】
図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）に示すように、絶縁層１８の上面は多層基板１０の上面より低くなるように絶縁層１８を形成する。絶縁層１８は、金属層１２の側面は全て覆うが、絶縁層１４の側面の上部は露出している。絶縁層１８の上面と多層基板１０の上面との間隔ｄは約１００μｍである。これにより、絶縁層１８を形成する樹脂等が多層基板１０の上面に広がることを抑制できる。
【００４４】
図７（ｂ）に示すように、多層基板１０上に電子部品２８を搭載する。電子部品２８は、実施例１の変形例２の電子部品２０で例示したものと同じである。電子部品２８は、例えば図６（ｂ）の配線２７上に搭載される。図７（ｃ）に示すように、多層基板１０上に電子部品２８を覆うように絶縁層２９を形成する。絶縁層２９は例えばエポキシ系樹脂等の樹脂であり、モールド成形により形成する。絶縁層２９により、絶縁層１８の上面が覆われる。
【００４５】
図７（ｄ）に示すように、溝部３２を形成することで、多層基板１０を個片化しモジュール５２を形成する。モジュール５２の側面には、下から絶縁層１４、絶縁層１８および絶縁層２９が露出しており、金属層１２の側面は露出しない。
【００４６】
図８は、実施例２に係るモジュールの断面図である。図８に示すように、多層基板１０は、部品内蔵基板である。コア１２ａに開口部２１が形成され、開口部２１内に電子部品２０が内蔵されている。電子部品２０は例えば弾性波フィルタである。コア１２ａに開口部３３が形成され、開口部３３内にコア１２ａと電気的に分離されたビア配線３４が設けられている。ビア配線３４は、絶縁層１４内の配線２４ａまたは２４ｂと絶縁層１６内の配線２６ａまたは２６ｂとを電気的に接続する。絶縁層１４の下面および絶縁層１６の上面にはそれぞれソルダーレジスト３５および３９が設けられている。多層基板１０上に複数の電子部品２８ａおよび２８ｂが搭載されている。電子部品２８ａは例えばアンプである。電子部品２８ｂは例えばチップ部品である。多層基板１０のその他の構成は実施例１およびその変形例と同じであり説明を省略する。
【００４７】
実施例２によれば、電子部品２８、２８ａおよび２８ｂが多層基板１０上に設けられている。多層基板１０上に電子部品２８、２８ａおよび２８ｂを覆う絶縁層２９（第４絶縁層）が設けられている。これにより、実施例１およびその変形例を用いたモジュール５２を形成できる。モジュール５２では、金属層１２の側面が露出していないため、金属層１２と外部の部品とカップリングおよび／または電気的な接触を抑制できる。
【００４８】
また、図７（ａ）のように、絶縁層１８の上面は絶縁層１６のうち最上の絶縁層１６ｂの上面より低いことが好ましい。これにより、絶縁層１８が多層基板１０の上面を覆うことを抑制できる。
【００４９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  多層基板
１２  金属層
１２ａ  コア
１２ｂ  タイバー
１４、１４ａ−１４ｃ  絶縁層
１６、１６ａ−１６ｃ  絶縁層
１８、２９  絶縁層
２０、２８、２８ａ、２８ｂ  電子部品
３０、３２  溝部
５０  配線基板
５２  モジュール
【図１】
2018029140.tif 000003
【図２】
2018029140.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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