(57)【要約】【課題】物理的な温度センサを設けることなく、熱の発生するＳｉ製の構造体の温度を精度よく測定することができる駆動回路、及び、温度測定方法を提供する。【解決手段】Ｓｉ製の構造体を具備するヒータ式アクチュエータに対して、前記構造体に電流を流し、前記構造体の熱膨張による変位を制御する駆動回路であって、前記構造体においてイオンドーピングによりＮ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部とが境界を接するように構成されたダイオードと、前記構造体に流れる電流が所定の制御電流値となるように制御する定電流回路と、前記構造体に印加されている電圧値を検出する電圧検出回路と、前記制御電流値、及び、前記電圧検出回路で検出された電圧である検出電圧値に基づいて、前記ダイオードの温度を算出する温度算出部と、を備えた。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ製の構造体を具備するヒータ式アクチュエータに対して、前記構造体に電流を流し、前記構造体の熱膨張による変位を制御する駆動回路であって、
前記構造体においてイオンドーピングによりＮ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部とが境界を接するように構成されたダイオードと、
前記構造体に流れる電流が所定の制御電流値となるように制御する定電流回路と、
前記構造体に印加されている電圧値を検出する電圧検出回路と、
前記制御電流値、及び、前記電圧検出回路で検出された電圧である検出電圧値に基づいて、前記ダイオードの温度を算出する温度算出部と、を備えた駆動回路。
【請求項２】
前記ダイオードが、前記構造体において最も高温になる部分、又は、その近傍にＮ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部の境界を有する請求項１記載の駆動回路。
【請求項３】
前記温度算出部が、
所定温度における前記ダイオードの順方向降下電圧である基準Ｖｆを記憶する基準Ｖｆ記憶部と、
前記ダイオードの温度に対する順方向降下電圧の勾配を示す温度係数を記憶する温度係数記憶部と、
前記構造体の抵抗値を記憶する抵抗値記憶部と、
前記基準Ｖｆ、前記温度係数、前記抵抗値と前記制御電流値の積、及び、前記検出電圧値に基づいて前記ダイオードの温度を算出する演算部と、を備えた請求項１又は２記載の駆動回路。
【請求項４】
前記構造体が、冷媒の流通する容器内に配置されており、
前記温度算出部で算出される前記ダイオードの温度が、予め定められた所定温度を超えた場合に前記制御電流値を低下させる、又は、前記構造体への電流の供給を停止する電流制限部をさらに備えた請求項１乃至３いずれかに記載の駆動回路。
【請求項５】
Ｓｉ製の構造体を具備するヒータ式アクチュエータに対して、前記構造体に電流を流し、前記構造体の熱膨張による変位を制御する駆動回路により前記構造体の温度を測定する方法であって、
前記構造体においてイオンドーピングによりＮ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部とが境界を接するようにダイオードを構成することと、
前記構造体に流れる電流が所定の制御電流値となるように制御することと、
前記構造体に印加されている電圧値を検出することと、
前記制御電流値、及び、前記電圧検出回路で検出された電圧である検出電圧値に基づいて、前記ダイオードの温度を算出することと、を備えた温度測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｉ製の構造体を具備するヒータ式アクチュエータに対して、前記構造体に電流を流し、前記構造体の熱膨張による変位を制御する駆動回路、及び、その駆動回路を用いた前記構造体の温度測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＥＭＳ技術により微小な変位を実現したバルブ機構が提案されており、様々な用途において具現化されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このようなバルブ機構は、例えばＳｉ製の構造体に対して電流を流し、熱変位を発生させることにより孔部に対する構造体の位置を変化させて弁としての開度を制御できるように構成されている。
【０００４】
ところで、このようなバルブ機構を冷蔵庫等の冷凍サイクルに適用した例はこれまではないが、本出願人は冷蔵庫のさらなる冷凍効率の向上のために上述したような構造のバルブ機構を膨張弁として用いる研究を行っている。
【０００５】
このようなバルブ機構を膨張弁として用いると、発熱が生じる構造体に対して冷媒が接液することになる。近年、冷蔵庫では様々な規制や冷凍効率を勘案して、可燃性冷媒が用いられることもあるので、構造体が高温になるのを防いで可燃性冷媒が発火することを防ぐ必要がある。
【０００６】
しかしながら、ＭＥＭＳ技術で製作される弁機構は非常に微細な構造であるため、変位が生じる構造体自体に対して熱電対やサーミスタ等の物理的な温度センサを設けて、温度保護回路を構成することは難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２０１１−５３０６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は上述したような問題を鑑みてなされたものであり、物理的な温度センサを設けることなく、熱の発生するＳｉ製の構造体の温度を精度よく測定することができる駆動回路、及び、温度測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、本発明に係る駆動回路は、Ｓｉ製の構造体を具備するヒータ式アクチュエータに対して、前記構造体に電流を流し、前記構造体の熱膨張による変位を制御する駆動回路であって、前記構造体においてイオンドーピングによりＮ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部とが境界を接するように構成されたダイオードと、前記構造体に流れる電流が所定の制御電流値となるように制御する定電流回路と、前記構造体に印加されている電圧値を検出する電圧検出回路と、前記制御電流値、及び、前記電圧検出回路で検出された電圧である検出電圧値に基づいて、前記ダイオードの温度を算出する温度算出部と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る温度測定方法は、Ｓｉ製の構造体を具備するヒータ式アクチュエータに対して、前記構造体に電流を流し、前記構造体の熱膨張による変位を制御する駆動回路により前記構造体の温度を測定する方法であって、前記構造体においてイオンドーピングによりＮ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部とが境界を接するようにダイオードを構成することと、前記構造体に流れる電流が所定の制御電流値となるように制御することと、前記構造体に印加されている電圧値を検出することと、前記制御電流値、及び、前記電圧検出回路で検出された電圧である検出電圧値に基づいて、前記ダイオードの温度を算出することと、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
このようなものであれば、変位の発生する前記構造体に対して物理的にセンサを設けることなく、構造体自体を電子的なセンサの一部として利用し、温度を算出できる。したがって、可動する構造体の動きが妨げられることなく、温度を正確に測り、監視することができる。このため、例えば前記温度算出部で算出される温度に基づいて可燃性冷媒が発火しないように保護回路として動作させることが可能となる。
【００１２】
また、Ｎ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部の形成位置を適宜設定することで、前記構造体の任意の位置の温度を測定することもできる。
【００１３】
例えば可燃性冷媒が発火する可能性を最も低く抑えることができるようにするには、前記ダイオードが、前記構造体において最も高温になる部分、又は、その近傍にＮ−ｃｈ部とＰ−ｃｈ部の境界を有するものであればよい。
【００１４】
前記構造体に形成された前記ダイオードの温度特性に基づいて、前記ダイオード及び前記構造体の温度を精度よく算出できるようにするには、前記温度算出部が、所定温度における前記ダイオードの順方向降下電圧である基準Ｖｆを記憶する基準Ｖｆ記憶部と、前記ダイオードの温度に対する順方向降下電圧の勾配を示す温度係数を記憶する温度係数記憶部と、前記構造体の抵抗値を記憶する抵抗値記憶部と、前記基準Ｖｆ、前記温度係数、前記抵抗値と前記制御電流値の積、及び、前記検出電圧値に基づいて前記ダイオードの温度を算出する演算部と、を備えたものであればよい。
【００１５】
例えば前記構造体が、冷蔵庫の膨張弁を構成する場合において、可燃性冷媒が発火しないようにするための保護回路としての機能を実現するには、前記構造体が、冷媒の流通する容器内に配置されており、前記温度算出部で算出される前記ダイオードの温度が、予め定められた所定温度を超えた場合に前記制御電流値を低下させる、又は、前記構造体への電流の供給を停止する電流制限部をさらに備えたものであればよい。
【発明の効果】
【００１６】
このように本発明に係る駆動回路、及び、温度測定方法であれば例えばＭＥＭS技術により作成された微小構造を有し、可動する前記構造体に対して、物理的な温度センサを付加することなく、当該構造体に接続されている電子回路から得られる情報に基づいて正確に測定できる。したがって、前記構造体が例えば可燃性冷媒に接液する場合でも温度が高温になり過ぎる前に電流の供給を停止するといった保護回路としての機能を簡単な構成で実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る冷蔵庫の冷凍回路を示す模式図。
【図２】同実施形態における膨張弁の外観を示す模式的斜視図。
【図３】同実施形態における膨張弁の内部構造を示す模式的斜視図。
【図４】同実施形態における膨張弁の内部構造を示す模式図。
【図５】同実施形態における構造体の構成を示す模式的平面図。
【図６】同実施形態における構造体の孔部に対する動作を示す模式的斜視図。
【図７】同実施形態における駆動回路を示す模式図。
【図８】同実施形態における駆動回路の機能を示す機能ブロック図。
【図９】同実施形態における駆動回路の変形例を示す模式図。
【図１０】同実施形態における構造体の第１変形例を示す模式図。
【図１１】同実施形態における構造体の第２変形例を示す模式図。
【図１２】同実施形態における構造体の第３変形例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の一実施形態に係る駆動回路７を用いた冷蔵庫１００について各図を参照しながら説明する。
【００１９】
本実施形態の冷蔵庫１００は、図１の模式図に示すように圧縮機１、凝縮器２、絞り機構であり、ＭＥＭＳ技術により形成されたＳｉ製の構造体６Ｓからを具備する膨張弁３、前記絞り機構とは別の第２絞り機構であるキャピラリ−チューブ３Ａ、蒸発器４がこの順番で一巡する冷媒回路である。
【００２０】
次に膨張弁３の詳細について説明する。
【００２１】
図２に示すように前記膨張弁３は、概略半球状の中空の外殻部５と、前記外殻部５の底面から外部へと延びる複数の管状部材５３であり、冷凍回路の他の機器と接続される接続手段とを備えている。前記外殻部５は底面に複数の開口を有しており、それぞれの開口に対して接続手段が接続してある。すなわち、前記接続手段の１つの管状部材５３は前記凝縮器２から液体の冷媒が流入する入口となる流入口ＩＰに接続してある。また、もう１つの管状部材５３は前記蒸発器４へ冷媒を供給するための出口となる流出口ＯＰに接続してある。各管状部材５３は冷媒回路として内部圧力に耐えられるように例えば溶接等によって確実に接続される。
【００２２】
前記外殻部５は、図２に示すように、半球状のカバー５１と円板状のケース５２とから構成してあり、複数の部品からなるものである。後述する弁装置６を前記カバー５１とケース５２内に収容した上で、カバー５１とケース５２の嵌め合わされる外縁部を溶接等の接合手段により封止するようにしてある。なお、本実施形態ではケース５２に流入口ＩＰ及び流出口ＯＰが設けてあるが、カバー５１に対して設けても良いし、カバー５１とケース５２のそれぞれに流入口ＩＰあるいは流出口ＯＰを設けるようにしてもよい。
【００２３】
図３及び図４に示すように前記外殻部５の内部底面に開口する流出口ＯＰの上には弁装置６が設けてある。この弁装置６は例えばＳｉ基板上にＭＥＭＳ加工により形成されたものであり、流出口ＯＰを覆うように設けてある。より具体的には、Ｓｉ基板に対してリソグラフィ技術や深堀加工が可能なドライエッチング装置を用いて後述する各形状が形成される。
【００２４】
前記弁装置６は、その一部である前記構造体６Ｓが、前記流出口ＯＰに対して平面的にスライド移動して変位しその隙間が変更されて開度が調節されるように構成してある。より具体的には前記弁装置６は、図５及び図６に示すように、ケース５２の前記流出口ＯＰと連通するように形成された孔部６３と、前記孔部６３を塞ぐように設けられた構造体６Ｓと、前記構造体６Ｓに印加する電流を制御してその変位量を制御する駆動回路７と、を具備するものである。図５及び図６に示すように前記蓋体６２及び前記構造体６Ｓは１つの半導体基板内に平面的に配置してある。なお、駆動回路７については前記外殻部５の外側に設けてあり、配線により外殻部５の内部にある前記構造体６Ｓに接続してある。
【００２５】
また、前記弁装置６は上面からガラス基板、Ｓｉ基板、ガラス基板を３枚重ねた構造で形成してある。より具体的には最下面のガラス基板に形成された前記孔部６３と最上面のガラス基板ＧＳに形成された開口に対して中央のＳｉ基板に形成された前記構造体６Ｓの先端部に位置を合わせて陽極接合技術により接合したものとなっている。なお、各基板の厚みはほぼ同程度に設定してある。
【００２６】
前記孔部６３は、図５及び図６に示すように円形状の開口を有するものであり、その直径は蒸発器４において必要とされる冷媒量に応じて設定してある。
【００２７】
前記構造体６Ｓは、概略Ｕ字アーム状に形成された駆動部６１と、駆動部６１に電流が供給される一対の電極６２とからなる。この構造体６Ｓは、電流を流すことにより発生する熱による熱膨張で所定の方向に変位を発生させるヒータ式アクチュエータとして構成してある。
【００２８】
前記駆動部６１は、前記駆動部６１は２つの幅の異なる梁が前記蓋体６２側で接続された構造を有しており、各梁において接続されていない側の端部に前記電極６２が配置してある。
【００２９】
各梁についてはそれぞれ幅寸法を異ならせており、図６に示すように熱変形量の違いによって駆動部６１に曲げが生じることで先端部が前記孔部６３に対して変位するように構成してある。
【００３０】
また、各梁において電極６２が設けられている上面、又は、全体は、電流が流れた際にヒータとして動作するように構成してある。本実施形態では例えば各梁の上面がヒータとして動作するようにしてあり、表面は所定の抵抗値を有した低抵抗部として形成してあり、それ以外の部分は前記低抵抗部よりも抵抗値の高い高抵抗部としてある。すなわち、前記駆動部６１の所定位置を境界６４としてＢ等のｎ型のドーパントと、Ｐ等のｐ型ドーパントとがそれぞれの領域にイオンドーピングがしてあり、Ｎ−ｃｈ部６ＮとＰ−ｃｈ部６Ｐを形成することで低抵抗部を構造体６Ｓの表面に形成してある。また、駆動部６１において表面以外のイオンドーピングが行われていない部分は高抵抗部となり電流が流れにくくしてある。なお。イオンドーピングされるイオン主については上述したものに限らない。本実施形態ではＮ−ｃｈ部６ＮとＰ−ｃｈ部６Ｐの境界６４は、前記構造体６Ｓにおいて電流が流れた最に最も高温となる部分に定めてあり、２つの梁を接続する部分において中央部に設定してある。したがって、Ｎ−ｃｈ部６ＮとＰ−ｃｈ部６Ｐとの境界６４は各電極６２に対してほぼ中央部に位置するようにして前記ダイオードＤが形成されることになる。
【００３１】
前記駆動回路７は、図７に示すように定電流回路７２と、前記構造体６Ｓ自体に形成された前記ダイオードＤと、前記構造体６Ｓに印加されている電圧値を検出する電圧検出回路７３と、各種制御演算が行われるコンピュータＣＯＭと、から構成してある。
【００３２】
前記定電流回路７２は、前記構造体６Ｓに流れる電流が所定の制御電流値となるように制御するものである。
【００３３】
前記電圧検出回路７３は、前記構造体６Ｓに対して一対の電極６２を介して印加されている電圧値を検出するものである。本実施形態では、前記ダイオードＤと前記構造体６Ｓの抵抗が直列に接続された回路に対して前記電圧検出回路７３が設けられている。
【００３４】
コンピュータＣＯＭは、ＣＰＵ、メモリ、Ａ／Ｄ・Ｄ／Ａコンバータ等を備えたものであって、メモリの所定領域に格納されている駆動回路７用プログラムが実行され、各機器が協業することによって図８に示すように、少なくとも弁制御部７１、温度算出部７４、電流制限部７９としての機能を発揮するように構成してある。
【００３５】
前記弁制御部７１は、例えば周囲温度、冷蔵庫１００の設定温度、庫内温度等の入力に対して前記蒸発器４へ供給すべき冷媒の流量を算出し、その流量に対応する開度が実現されるように前記定電流回路７２の制御電流値を変更するものである。前記弁制御部７１はＤ／Ａコンバータにより前記定電流回路７２を構成するオペアンプのリファレンスに対して入力する制御電流値を適宜変更する。
【００３６】
前記温度算出部７４は、前記構造体６Ｓの現在の温度を前記ダイオードＤの温度特性に基づいて算出するものである。すなわち、前記温度算出部７４は前記制御電流値、及び、前記電圧検出回路７３で検出される電圧である検出電圧値に基づいて、前記ダイオードＤの温度を算出する。
【００３７】
より具体的には、前記温度算出部７４は、基準Ｖｆ記憶部７５と、温度係数記憶部７６と、抵抗値記憶部７７と、演算部７８と、を備えている。
【００３８】
前記基準Ｖｆ記憶部７５は、所定温度における前記ダイオードＤの順方向降下電圧である基準Ｖｆを記憶するものである。本実施形態では、前記構造体６Ｓが２０℃に保たれている状態で前記電圧検出回路７３によって実際に検出された検出電圧値から算出される値が基準Ｖｆとして記憶されている。なお、基準Ｖｆについては任意の温度での検出電圧値であってもよい。
【００３９】
前記温度係数記憶部７６は、前記ダイオードＤの温度に対する順方向降下電圧の勾配を示す温度係数を記憶するものである。例えば複数の異なる温度において前記電圧検出回路７３により実際に検出されたそれぞれの検出電圧値に基づいて算出される勾配が温度係数として記憶される。
【００４０】
前記抵抗値記憶部７７は、前記構造体６Ｓの電気的な抵抗値を記憶するものである。
【００４１】
前記演算部７８は、前記基準Ｖｆ、前記温度係数、前記抵抗値と前記制御電流値の積、及び、前記検出電圧値に基づいて前記ダイオードＤの温度を算出する。より具体的には、前記制御電流値をＩｍ、前記基準ＶｆをＶｆ（２０）、前記抵抗値をＲＭ、前記温度係数をＫ、現在の温度Ｔにおける前記ダイオードＤによる現在の温度での順方向降下電圧をＶｆ（Ｔ）、現在の検出電圧値をＶとすると、
【００４２】
Ｖ＝Ｉｍ＊ＲＭ＋Ｖｆ（Ｔ）・・・（１）
Ｖｆ（ｔ）＝Ｖｆ（２０）＋Ｋ（Ｔ−２０）・・・（２）
の各式が成り立つ。
【００４３】
したがって、（１）（２）式より
Ｔ＝（Ｖｆ（ｔ）―（Ｉｍ＊ＲＭ）―Ｖｆ（２０））／Ｋ―２０・・・（３）
に式変形できる。前記演算部７８は式（３）に各値を代入して現在の温度Ｔを算出するようにしてある。
【００４４】
前記電流制限部７９は、前記温度算出部７４で算出される前記ダイオードＤの温度が、予め定められた所定温度を超えた場合に前記定電流回路７２による前記構造体６Ｓへの電流の供給を停止させるものである。本実施形態では所定温度は、可燃性冷媒の発火温度に対して所定値だけ低く安全率を持たせた温度に設定してある。
【００４５】
このように構成された本実施形態の冷蔵庫１００によれば、ＭＥＭＳ技術により形成された微小な前記構造体６Ｓに対してイオンドーピングによりＮ−ｃｈ部６ＮとＰ−ｃｈ部６Ｐを形成してその境界６４にダイオードＤを形成してあるので、このダイオードＤの温度特性に基づいて前記構造体６Ｓの温度を算出できる。
【００４６】
より具体的には、可燃性冷媒と接液する前記構造体６Ｓの温度について駆動回路７を形成する各電気回路から取得できる値に基づいて算出できる。また、前記Ｎ−ｃｈ部６Ｎ及び前記Ｐ−ｃｈ部６Ｐはイオンドーピングによってその境界６４を任意の位置に設定できるので、構造体６Ｓにおいて温度を測定したい部分を狙って温度のセンシングを容易にできる。
【００４７】
さらに、得られた温度から前記電流制限部７９は冷媒が発火温度に達しないように前記構造体６Ｓに流される電流を制限するので、ヒータ部分と冷媒が接液するよう構造の膨張弁３として、冷媒の流量制御の分解能を小さくしつつ、安全性を保つことができる。
【００４８】
次に前記実施形態の変形例について図９乃至図１２を参照しながら説明する。
【００４９】
前記実施形態では前記電流制限部７９はソフトウェアとしてその機能が実現されるものであったが、例えばハードウェアとしてその機能が実現されるようにしてもよい。より具体的には、図９に示すように電流制限部７９が、ＣＰＵのＤＡ出力である制御電流値の設定信号の分圧信号と、前記電圧検出回路７３の検出電圧値を示す信号とが比較される比較器と、前記比較器の比較結果に応じて前記定電流回路７２への制御電流値の設定信号の入力をＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチとを具備したものである。
【００５０】
このようなものであれば、構造体６Ｓにおけるヒータの抵抗値がクラック等により増加した場合には、前記検出電圧値が上昇して、構造体６Ｓに流れる電流値に応じた制限が働き、前記スイッチにより、制御電流値の設定信号がオフとなり、前記定電流回路７２による前記構造体６Ｓへの電流出力が停止される。したがって、構造体６Ｓにおける温度が上昇し、可燃性冷媒が発火する温度に達する前に前記構造体６Ｓへの電流の供給を停止することができる。
【００５１】
その他の実施形態について説明する。
【００５２】
Ｎ−ｃｈ部６ＮとＰ−ｃｈ部６Ｐの境界６４位置については前記実施形態に示したものに限られず、図１０に示すように例えば駆動部６１の２つのアーム部分において一方に偏らせてもよい。境界６４については温度を駆動部６１において温度を測定したい位置に形成されるようにイオンドーピングを行えばよい。
【００５３】
また、駆動部６１の形状、構造についても前記実施形態に示したものに限られず、図１１に示すように、Ｕ字アーム状の駆動部６１について各梁の幅寸法を同じものにして、熱膨張によって直線状に変位が発生するようにしてもよい。また図１２に示すように駆動部６１における２つのアーム部分についてトラス状に配置し、中央部が図面上において上下に変位するように構成してもよい。すなわち、本発明の駆動回路７であれば、前記構造体６Ｓの構造や形状によらず、構造体６ＳにイオンドーピングによってダイオードＤを形成することでその温度を測定できる。言い換えれば、ＭＥＭＳ技術により形成された熱変形により可動する部分についてダイオードＤをイオンドーピングにより形成しさせすれば、物理的な外部センサを設けなくてもその温度をモニタリングすることができる。
【００５４】
構造体６Ｓに対してダイオードＤを形成する際にドーピングするイオン種については前記実施形態に示したものに限られず、別のイオン種を用いてもよい。
【００５５】
本発明に係る駆動回路は、冷蔵庫に限られるものではなく、空気調和装置に用いても良い。
【００５６】
その他、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、様々な実施形態の組み合わせや変形を行っても構わない。
【符号の説明】
【００５７】
１００・・・冷蔵庫
１    ・・・圧縮機
２    ・・・凝縮器
３    ・・・膨張弁
３Ａ  ・・・キャピラリ−チューブ
４    ・・・蒸発器
６    ・・・弁装置
６Ｓ  ・・・構造体
６１  ・・・駆動部
６２  ・・・電極
６３  ・・・孔部
６４  ・・・境界
６Ｐ  ・・・Ｐ−ｃｈ部
６Ｎ  ・・・Ｎ−ｃｎ部
７    ・・・駆動回路
７１  ・・・弁制御部
７２  ・・・定電流回路
７３  ・・・電圧検出回路
７４  ・・・温度算出部
７５  ・・・基準Ｖｆ記憶部
７６  ・・・温度係数記憶部
７７  ・・・抵抗値記憶部
７８  ・・・演算部
７９  ・・・電流制限部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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