(57)【要約】【課題】  梁チップ膜を転写基板上に確実に保持させつつ、一方で、転写工程時の梁チップ膜の破損を抑制するよう、梁チップ膜からの転写基板の脱離（剥離）抵抗を小さく出来る立体構造基板の製造方法を提供すること。【解決手段】  スペーサチップ膜を間に挟んで主基板と対向する梁チップ膜を含む立体構造基板の製造方法である。転写基板の剥離面上に梁チップ膜を与えるとともに、主基板上に与えられたスペーサ膜を梁チップ膜の上に当接させて接合し、転写基板を剥離面から脱離させて転写する工程において、剥離面は自己組織化単分子膜の剥離膜からなり、更に、剥離膜の下部に光触媒層を与えておき、光触媒層に紫外線を与えて剥離膜を分解することで転写基板を脱離させることを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペーサ膜を間に挟んで主基板と対向する梁チップ膜を含む立体構造基板の製造方法であって、
転写基板の剥離面上に前記梁チップ膜を与えるとともに、前記主基板上に与えられた前記スペーサ膜を前記梁チップ膜の上に当接させて接合し、前記転写基板を前記剥離面から脱離させて転写する工程において、
前記剥離面は自己組織化単分子膜の剥離膜からなり、更に、前記剥離膜の下部に光触媒層を与えておき、前記光触媒層に紫外線を与えて前記剥離膜を分解することで前記転写基板を脱離させることを特徴とする立体構造基板の製造方法。
【請求項２】
前記転写基板は紫外線に対して透明な基体の上に前記光触媒層及び前記剥離膜を与えられ、前記基体を介して前記光触媒層に紫外線を与えることを特徴とする請求項１記載の立体構造基板の製造方法。
【請求項３】
前記自己組織化単分子膜はシランカップリング剤からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の立体構造基板の製造方法。
【請求項４】
前記シランカップリング剤は主鎖の炭素数を８以上とするアルキルシラン、又はパーフルオロアルキルシランからなることを特徴とする請求項３記載の立体構造基板の製造方法。
【請求項５】
前記梁チップ膜は樹脂、又は樹脂前駆体であることを特徴とする請求項１乃至４のうちの１つに記載の立体構造基板の製造方法。
【請求項６】
前記梁チップ膜及び前記スペーサ膜の接合は前記樹脂又は前記樹脂前駆体の硬化反応によるものであることを特徴とする請求項５記載の立体構造基板の製造方法。
【請求項７】
前記硬化反応は加熱によることを特徴とする請求項６記載の立体構造基板の製造方法。
【請求項８】
前記梁チップ膜はその端部を前記スペーサ膜に接合されて片持ち支持されることを特徴とする請求項１乃至７のうちの１つに記載の立体構造基板の製造方法。
【請求項９】
前記梁チップ膜はその両端部を２つの前記スペーサ膜に接合されて両持ち支持されることを特徴とする請求項１乃至８のうちの１つに記載の立体構造基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カンチレバーやブリッジのように基板上に間隙をもって対向配置される梁チップ膜の如きを含む立体構造基板の製造方法に関し、特に、接合転写プロセスによる立体構造基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチやセンサなどを組み込んだＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）基板において、カンチレバー（片持ち梁）やブリッジ（両持ち梁）のように基板上に間隙をもって対向配置される梁チップ膜からなる機械接点などを組み込んだ立体構造基板がある。かかる立体構造基板は、微細構造の製造に適した化学エッチングプロセスやプラズマエッチングのような真空プロセスを利用して製造され得る。
【０００３】
例えば、特許文献１では、片持ち梁を含むＭＥＭＳ基板において、犠牲層とこれを除去するエッチャントを用いた化学エッチングプロセスによる立体構造基板の製造方法を開示している。基板に設けた凹部に埋め込まれるシリコン酸化膜からなる犠牲層を介して構造体を設け、該犠牲層をフッ化水素酸溶液によりエッチングすることで凹部を中空空間として間隙を形成するのである。
【０００４】
また、特許文献２では、加速度センサに用い得るＭＥＭＳ基板において、梁チップの一部又は全部を中空とした筒状構造を有する「はり（梁）バネ」を成形する方法を開示している。かかる梁チップの筒状構造は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ成膜技術により中空部分に相当する構造体を形成しこの部分に高分子材料による犠牲層を形成し、更に、これを被覆するように膜厚の小さい薄膜を形成する。最後に犠牲層を除去すると、サブミクロンオーダーの薄膜からなる外殻によって内部に中空構造を与えた筒状構造を得られるとしている。
【０００５】
一方、別々に加工された部材同士を貼り合わせる接合プロセス、又は、一方を他方に転写する接合転写プロセスによる立体構造基板の製造方法も提案されている。
【０００６】
例えば、特許文献３では、片持ち若しくは両持ち梁構造の薄膜の形成方法において、基板上に設けた凹部の空間を維持した状態で開口を閉塞するように薄膜を形成する方法として、ポリイミド薄膜を与える薄膜原料であるポリアミド酸及びこの薄膜原料よりも表面エネルギーの小さい有機化合物であり且つ熱分解で除去可能なポリカプロラクタムを含む１−メチル−２−ピロリドン液を基材上に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を基板に転写する接合転写プロセスによる方法を開示している。ポリカプロラクタムによってポリイミド薄膜を基材から剥離させやすくして転写によるポリイミド薄膜の破損を抑制でき且つ熱分解でこれを除去できるのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３４２８１７号公報
【特許文献２】特開２００７−２２９８２５号公報
【特許文献３】特開２００８−２５１８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記したように、接合転写プロセスではカンチレバーやブリッジのような梁部を構成する梁チップ膜を転写基板上に形成し、主基板上の所定位置に転写させることになる。かかる転写工程では、梁チップ膜を主基板上の所定位置に接合するとともに、転写基板を脱離させるのである。しかしながら、ＭＥＭＳ基板に与えられるような微細且つ薄い梁チップ膜においては、その強度が弱くなるため、これを破損させることなく転写基板を脱離させることが非常に困難となる。
【０００９】
本発明は、以上のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、カンチレバーやブリッジのように基板上に間隙をもって対向配置される梁チップ膜の如きを含む立体構造基板の転写接合プロセスによる製造において、該梁チップ膜を転写基板上に確実に保持させつつ、一方で、転写工程時の該梁チップ膜の破損を抑制するよう、該梁チップ膜からの転写基板の脱離（剥離）抵抗を小さく出来る立体構造基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による立体構造基板の製造方法は、スペーサ膜を間に挟んで主基板と対向する梁チップ膜を含む立体構造基板の製造方法であって、転写基板の剥離面上に前記梁チップ膜を与えるとともに、前記主基板上に与えられた前記スペーサ膜を前記梁チップ膜の上に当接させて接合し、前記転写基板を前記剥離面から脱離させて転写する工程において、前記剥離面は自己組織化単分子膜の剥離膜からなり、更に、前記剥離膜の下部に光触媒層を与えておき、前記光触媒層に紫外線を与えて前記剥離膜を分解することで前記転写基板を脱離させることを特徴とする。
【００１１】
かかる発明によれば、剥離膜の分解によって梁チップ膜を剥離させるので、脱離（剥離）抵抗を小さくできて、梁チップ膜を転写基板上に確実に保持させつつも、転写工程時の該梁チップ膜の破損を抑制できる。
【００１２】
上記した発明において、前記転写基板は紫外線に対して透明な基体の上に前記光触媒層及び前記剥離膜を与えられ、前記基体を介して前記光触媒層に紫外線を与えることを特徴としてもよい。かかる発明によれば、梁チップ膜を含めた主基板側の構造によらず、剥離膜の全面を分解できる。
【００１３】
上記した発明において、前記自己組織化単分子膜はシランカップリング剤からなることを特徴としてもよい。かかる発明によれば、光触媒層への紫外線の照射によって分解する自己組織化単分子膜を剥離膜として容易に得ることができる。
【００１４】
上記した発明において、前記シランカップリング剤は主鎖の炭素数を８以上とするアルキルシラン、又はパーフルオロアルキルシランからなることを特徴としてもよい。かかる発明によれば、光触媒層への紫外線の照射によって剥離膜を比較的容易に分解させることができる。
【００１５】
上記した発明において、前記梁チップ膜は樹脂、又は樹脂前駆体であることを特徴としてもよい。また、上記した発明において、前記梁チップ膜及び前記スペーサ膜の接合は前記樹脂又は前記樹脂前駆体の硬化反応によるものであることを特徴としてもよい。さらに、上記した発明において、前記硬化反応は加熱によることを特徴としてもよい。かかる発明によれば、加熱による硬化反応などの簡単な手順によって梁チップ膜をスペーサ膜に接合させることができる。
【００１６】
上記した発明において、前記梁チップ膜はその端部を前記スペーサ膜に接合されて片持ち支持されることを特徴としてもよい。また、上記した発明において、前記梁チップ膜はその両端部を２つの前記スペーサ膜に接合されて両持ち支持されることを特徴としてもよい。かかる発明によれば、片持ち支持又は両持ち支持の立体構造基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による立体構造基板の製造方法によって得られる立体構造基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明による立体構造基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】シランカップリング剤の構造式である。
【図４】立体構造基板の製造に用いた主基板及びスペーサ膜の平面図である。
【図５】立体構造基板の製造に用いた転写基板及び梁チップ膜の平面図である。
【図６】立体構造基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】紫外線照射の時間と梁チップ膜の転写基板に対する付着力との関係を示すグラフである。
【図８】実施例及び比較例による梁チップ膜の転写成功率の一覧である。
【図９】本発明による製造方法により得られる他の構造の基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明による１つの実施例である立体構造基板の製造方法について、図１及び２を用いて説明する。
【００１９】
図１に示すように、同製造方法によって製造される立体構造基板１０は、例えば、主基板１と、この上に設けられたスペーサ膜２と、スペーサ膜２を間に挟んで主基板１と対向するように取り付けられた梁チップ膜３とを含む。梁チップ膜３はその一端をスペーサ膜２に接合され、片持ち支持されている。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、このような立体構造基板１０の製造方法としては、まず、一方の主面を剥離面４ａとされた転写基板４を用意する。転写基板４は、紫外線に対して透明な板状体である基体４１と、その上面に形成された光触媒層４２と、さらにその上面に形成された自己組織化単分子膜からなる剥離膜４３を含み、剥離膜４３の表面を上記した剥離面４ａとする。さらに、この剥離面４ａ上に梁チップ膜３を形成させる。梁チップ膜３は、後述するスペーサ膜２に接合させ得るものであり、例えば、加熱や光照射によって硬化する樹脂などを用い得る。他方、主基板１の表面にスペーサ膜２を形成させておく。なお、主基板１、スペーサ膜２、梁チップ膜３、転写基板４（基体４１、光触媒層４２、剥離膜４３）の詳細については後述する。
【００２１】
続いて、図２（ｂ）に示すように、主基板１の上に形成されたスペーサ膜２を梁チップ膜３に接合させる。詳細には、梁チップ膜３を上に向けた転写基板４の上から、スペーサ膜２を下に向けた主基板１を位置合わせしつつ近接させ、スペーサ膜２を梁チップ膜３の所定の位置に当接させる。更に、両基板を互いに押し付けながら、梁チップ膜３を硬化させる。すなわち、梁チップ膜３に上記したような加熱や光照射によって硬化する樹脂が含まれていれば、加熱又は光照射して硬化させ、スペーサ膜２に接合させる。
【００２２】
続いて、図２（ｃ）に示すように、基体４１側から紫外線を光触媒層４２に向けて照射し、剥離膜４３を分解させる。剥離膜４３の分解によって梁チップ膜３と転写基板４とが互いに剥離され、付着力を低下させる。
【００２３】
そして、図２（ｄ）に示すように、主基板１を転写基板４から引き離し、転写基板４を梁チップ膜３から脱離させる。剥離膜４３の分解によって付着力が低下しているため、転写基板４の脱離における梁チップ膜３の破損を抑制できるのである。
【００２４】
以上のようにして、梁チップ膜３を転写基板４から主基板１に転写して立体構造基板１０を得ることができる。
【００２５】
以下、このような方法に用い得る主基板１、スペーサ膜２、梁チップ膜３及び転写基板４（基体４１、光触媒層４２、剥離膜４３）の詳細について説明する。
【００２６】
主基板１は、梁チップ膜３の接合における加熱や光照射などに対する耐性と、剥離膜４３の分解のための紫外線照射に対する耐性と、立体構造基板１０を形成するために必要とされる機械強度及び形状と、を有するものである。例えば、ガラス板、樹脂板、樹脂フィルム、金属板、金属箔、紙、フィルムラミネート紙などを用い得る。
【００２７】
スペーサ膜２は、梁チップ膜３の接合における加熱や光照射などに対する耐性と、剥離膜４３の分解のための紫外線照射に対する耐性と、立体構造基板１０を形成するために必要とされる機械強度や形状等を有するものである。例えば、エポキシ系樹脂などによって形成されたレジスト膜などを用いることができる。
【００２８】
梁チップ膜３は、剥離膜４３の分解のための紫外線照射に対する耐性を有し、スペーサ膜２へ接合させ得るものである。例えば、未硬化の低分子材料を用いて転写基板４の剥離膜４３上に形成し、上記したような加熱や光照射により硬化させてスペーサ膜２に接合させることができる。硬化済みの材料を用いる場合は、加熱によってガラス転移温度以上の温度まで昇温させて冷却させることでスペーサ膜２に接合させる。
【００２９】
このような梁チップ膜３の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフッ化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂などを用い得る。さらに、導電性を付与するために、導電性の粒子や繊維などを分散させてもよく、このような導電性の材料としては、金、銀、銅、アルミ、ニッケル、ケイ素、炭化ケイ素、カーボンナノチューブ、グラフェン、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などが挙げられる。また、半導体性を付与するために、カーボンナノチューブ、フラーレン、ルブレンや低分子チオフェン誘導体などの有機半導体、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＩＧＺＯ（インジウムガリウム亜鉛酸化物）などを用いてもよい。
【００３０】
転写基板４については、上記したように基体４１、光触媒層４２、剥離膜４３を含むので、それぞれについて説明する。
【００３１】
基体４１は、梁チップ膜３の接合における加熱や光照射などに対する耐性と、転写基板４の基体４１として必要とされる機械的強度及び平坦性を有するものである。また、剥離膜４３の分解のための紫外線を透過する透明性を有することが好ましい。例えば、石英ガラス板、合成ガラス板、樹脂フィルムなどを好適に用い得る。
【００３２】
光触媒層４２は、その表面に自己組織化単分子膜からなる剥離膜４３を形成させ得るとともに、紫外線による光触媒機能を有するものであり、例えば、アナターゼ型又はルチル型の結晶構造を有する酸化チタンを用い得る。かかる酸化チタンによれば、表面に自己組織化単分子膜を容易に成膜させ得るとともに、吸収波長の光である紫外線を吸収して周囲の物質を酸化することができる。つまり、光触媒層４２は、紫外線の吸収による光触媒作用として、隣接する自己組織化単分子膜からなる剥離膜４３を酸化分解することができる。なお、光触媒層４２は、その厚みを２０ｎｍ以上として均一に成膜されることが好ましい。
【００３３】
剥離膜４３は、上記したように光触媒層４２の表面に形成される自己組織化単分子膜であり、光触媒層４２の光触媒作用によって酸化分解されるものである。また、転写前の梁チップ膜３を転写基板４上に確実に保持できるものである。このような自己組織化単分子膜としては、例えば、シランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤であれば、光触媒層４２の酸化チタンの表面に自己組織化単分子膜を容易に形成し得るとともに、樹脂や樹脂前駆体による梁チップ膜３を確実に保持し得る。
【００３４】
図３に示すように、シランカップリング剤としては、エトキシ基、メトキシ基又はクロロ基などの無機材料と化学結合する３つの反応基Ｒと、有機材料と結合する直鎖状のアルキル基Ｘとを含む。すなわち、反応基Ｒを光触媒層４２に化学吸着させてシランカップリング剤による単分子膜を形成させ、梁チップ膜３をアルキル基Ｘ上で確実に保持できる。シランカップリング剤の主鎖となるアルキル基Ｘは、炭素数を８以上とするアルキル基、又は、パーフルオロアルキル基であると、上記した光触媒作用によって酸素分解を生じやすく好ましい。
【００３５】
［実施例１］
上記した製造方法により、立体構造基板１０を製造し、梁チップ膜３を破損させずに転写できる転写成功率について確認した。その製造方法について図４乃至図６を用いて説明する。
図４に示すように、主基板１及びスペーサ膜２を準備した。まず、１００ｍｍ角×厚さ０.７ｍｍの無アルカリガラス（日本板硝子社製、ＯＡ−１０Ｇ）の表面をＵＶオゾン装置（ＴＡＫＥＤＥＮ社製、ＯＺＢ−０２１）で洗浄し主基板１とする。主基板１の表面に１０００ｒｐｍでスピンコートしてエポキシ系感光性レジスト（日本化薬社製、ＳＵ−８  ５０）を成膜した上で、フォトマスクを介して露光、現像及び乾燥を行って３ｍｍ角×厚さ７０μｍのレジスト膜（スペーサ膜２）を１０ｍｍピッチで５行５列に配列させた。
【００３６】
図５に示すように、転写基板４及び梁チップ膜３を準備した。まず、１００ｍｍ角×厚さ０.７ｍｍの無アルカリガラス（日本板硝子社製、ＯＡ−１０Ｇ）を基体４１として、その表面（剥離面４ａ側）に酸化チタンによる光触媒層４２を厚さ５０ｎｍで成膜した。成膜はスパッタ装置を用いたスパッタ成膜とし、原料として酸化チタンターゲット（デクセリアルズ社製）を用いた。さらに、酸化チタンを結晶化させるため、高温乾燥炉において５００℃で１時間加熱した。ここで、光触媒層４２の結晶性をＸ線回折装置で評価すると、２θ＝２３.５度、５５.１度、７０.３度にピークが得られ、アナターゼ型の結晶を形成していることが明らかになった。
【００３７】
さらに、光触媒層４２の上に自己組織化単分子膜からなる剥離膜４３を形成させた（図２（ａ）参照）。詳細には、１００℃に加熱した密閉容器内に基体４１上に光触媒層４２を成膜した板体を静置し、その周囲に１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシラン（和光純薬製）を１００μＬ滴下し１時間放置した。その後、密閉容器から板体を取出し、表面を２−プロパノール（関東化学社製）にさらして洗浄した。ここで、得られた自己組織化単分子膜を評価するために、同膜の成膜の前後において全自動接触角計を用いて剥離面４ａ側の表面の純水接触角を測定した。純水接触角は成膜前に５度であったが、成膜後に１１０度であった。成膜の前後で純水接触角を著しく変化させたことから、表面に自己組織化単分子膜による剥離膜４３を良好に形成できたことが確認された。
【００３８】
剥離膜４３の上に、エポキシ系銀ペースト（日本ハンダ社製、ＥＣＡ１００）をスクリーン印刷して、幅０.５ｍｍ×長さ５ｍｍ×厚さ７μｍの矩形の梁チップ膜３を形成し、１０ｍｍピッチで５行５列に配列させた。これにオーブンで１００℃×３０分の加熱を行って銀ペーストを硬化させた。
【００３９】
図６（ａ）に示すように、転写基板４上の梁チップ膜３に主基板１上のスペーサ膜２を接合させる。詳細には、転写基板４上の梁チップ膜３の上方に、下に向けた主基板１のスペーサ膜２を配置して水平方向の位置合わせを行いつつ、互いに近接させて当接させる。位置合わせにおいては、梁チップ膜３の長さ５ｍｍのうち２ｍｍの範囲のみがスペーサ膜２に接触するようにした。かかる当接を維持したまま、熱プレス機によって１.５ＭＰａの圧力を加えながら１６０℃×１５分で加熱した。加熱後に、主基板１を上側にしたまま室内に静置し室温まで冷却させた。
【００４０】
図６（ｂ）に示すように、剥離膜４３を酸化分解させるべく、転写基板４の基体４１側（図２参照）から紫外線ランプ（ウシオライティング社製、ＵＸＭ−５０１ＭＤ）を用いて紫外線を照射し、１０分間露光した。
【００４１】
図６（ｃ）に示すように、主基板１を転写基板４から引き離し、梁チップ膜３から転写基板４を脱離させた。これにより、梁チップ膜３が主基板１のスペーサ膜２上に転写された。
【００４２】
得られた立体構造基板１０をレーザー顕微鏡によって観察し、梁チップ膜３がスペーサ膜２の厚さである７０μｍだけ主基板１の表面から離れたカンチレバー構造を形成していることを確認するとともに、５行５列に配列した２５か所の全てにおいて転写に成功していることを確認した。
【００４３】
［梁チップ膜の付着力測定］
上記した実施例１と同様にして、剥離膜４３の上の全面に梁チップ膜３を形成した転写基板４を作成して、紫外線照射の時間と梁チップ膜３の転写基板４に対する付着力との関係を調査した。測定には、剥離力測定装置（協和界面科学社製、ＶＰＡ−３）を使用した。
【００４４】
図７に示すように、紫外線照射していない（照射時間０分）場合の付着力は１７ｍＮ／ｍｍであったが、紫外線の照射時間の増加とともに付着力は低下し、照射時間を８分としたところで５ｍＮ／ｍｍの付着力で飽和していることが確認できた。
【００４５】
［比較例］
実施例１と同様の構造の立体構造基板を一部の製造工程の異なる比較例１及び比較例２のそれぞれの製造方法によって製造し、レーザー顕微鏡での観察によって転写の成功率を算出した。かかる結果について図８を用いて説明する。
【００４６】
図８に示すように、比較例１においては、紫外線の照射を行わずに立体構造基板を得た。また、比較例２においては、剥離膜４３を形成させずに光触媒層４２上に梁チップ膜３を形成して立体構造基板を得た。なお、その他は実施例１と同様である。また、転写の成功率は、５行５列に配列した２５か所中の、破損せずに転写に成功した梁チップ膜３の数の割合とした。
【００４７】
同図に示すように、紫外線照射をしなかった比較例１において転写成功率は２０％（５か所成功）であり、剥離膜４３のない比較例２において、転写成功率は０％（成功箇所なし）であった。つまり、自己組織化単分子膜の剥離膜４３を紫外線照射によって酸化分解させることで、転写における梁チップ膜３の破損を抑制できていることが判る。
【００４８】
以上のように、上記した立体構造基板の製造方法によれば、転写前において梁チップ膜３を転写基板４上に確実に保持させつつ、一方で、自己組織化単分子膜の剥離膜４３を紫外線照射によって酸化分解させるので梁チップ膜３からの転写基板４の脱離抵抗を小さく出来て、梁チップ膜３の破損を抑制できる。
【００４９】
なお、立体構造基板としては、上記のように梁チップ膜３の一端部をスペーサ膜２に接合した片持ち支持構造だけではなく、梁チップ膜の両端部を二つのスペーサ膜に接合させた両持ち支持構造としてもよい。両持ち支持構造であっても上記した製造方法によって同様に梁チップ膜の破損を抑制して製造できる。
【００５０】
また、図９に示すような、梁チップ膜３と同様の膜体３’の全面をスペーサ膜２’に接合させるような上記した立体構造基板とは異なる構造の基板においても、上記した製造方法を用いることができる。例えば、膜体３’が脆く割れやすい材料である場合などに破損を抑制して転写することができる。これにより、例えば、スペーサ膜２’と膜体３’とで厚みを増した電極を形成させることもできる。
【００５１】
ここまで本発明による代表的実施例及びこれに基づく改変例について説明したが、本発明は必ずしもこれらに限定されるものではない。当業者であれば、添付した特許請求の範囲を逸脱することなく、種々の代替実施例を見出すことができるだろう。
【符号の説明】
【００５２】
１  主基板
２  スペーサ膜
３  梁チップ膜
４  転写基板
４ａ  剥離面
１０  立体構造基板
４１  基体
４２  光触媒層
４３  剥離膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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