(57)【要約】【課題】簡易的且つ安価にめっき液にインジウムイオンを供給する【解決手段】不溶性アノードを用いた電解めっきのめっき液にインジウムイオンを供給する方法が提供される。この方法は、酸性のめっき液を準備する工程と、前記めっき液にインジウム金属を浸漬して、前記インジウム金属に電圧を印加することなく前記めっき液にインジウム金属を溶解する工程と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不溶性アノードを用いた電解めっきのめっき液にインジウムイオンを供給し、該めっき液を用いて基板をめっきする方法であって、
前記不溶性アノードと基板とを対向して収容するように構成されためっき槽と、前記めっき槽と流体連通するインジウム金属溶解槽とを有するめっき装置を準備する工程と、
酸性のめっき液を準備する工程と、
前記インジウム金属溶解槽に収容された前記めっき液にインジウム金属を浸漬して、前記インジウム金属に電圧を印加することなく前記めっき液にインジウム金属を溶解する工程と、
前記めっき槽に、前記インジウム金属が溶解したインジウム金属溶解槽のめっき液を供給する工程と、
を有する、めっき方法。
【請求項２】
請求項１に記載された方法において、さらに、
前記インジウム金属溶解槽において前記インジウム金属を浸漬した前記めっき液を撹拌する工程を有する、めっき方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された方法において、
前記インジウム金属は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の粒径を有する、めっき方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載された方法において、さらに、
前記インジウム金属溶解槽において、前記インジウム金属を前記めっき液に溶解する際に生じるスラッジを、前記不溶性アノード及び基板が浸漬されためっき液から分離する工程を有する、めっき方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載された方法において、
前記めっき槽にインジウム金属溶解槽のめっき液を供給する工程は、前記めっき槽内のめっき液中のインジウムイオン濃度が所定の値を下回った場合に、前記めっき槽に前記インジウム金属が溶解したインジウム金属溶解槽のめっき液を供給する工程を含む、めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法及びめっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ等の基板の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、基板の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成することが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、挟ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
【０００３】
電解めっきを行う装置は、一般的に、めっき液を収容するめっき槽内に対向配置されたアノードと基板を備え、アノードと基板とに電圧が印加される。これにより、基板表面にめっき膜が形成される。
【０００４】
従来、電解めっき法でインジウムをめっきすることが知られている。電解めっき法でインジウムをめっきする場合、めっき処理の経過に伴いめっき液中のインジウムイオンが消費される。このため、めっき処理の経過に伴ってめっき液中にインジウムイオンを供給する必要がある。
【０００５】
インジウムイオンをめっき液に供給する方法として、例えば、市販されているインジウム濃厚溶液をめっき液に供給する方法、及びインジウム金属を電解により溶解する方法等が知られている。また、インジウム金属を含む可溶性アノードを使用する場合は、アノードに電圧を印加することでアノードが溶解し、これにより、インジウムイオンをめっき液に供給することも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２８７１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、インジウム濃厚溶液は一般的に高価であるので、めっき処理に要するランニングコストが高いという問題がある。また、インジウム濃厚溶液をめっき液に供給することで、めっき液中のアニオン種の濃度が上昇し、場合によってはめっき液及びめっき膜に悪影響を与える可能性がある。
【０００８】
また、インジウム金属を電解により溶解する場合は、アノードとインジウム金属に負電圧を印加しアノードに正電圧を印加するための電源をめっき装置に設ける必要がある。このため、電解溶解のための設備が必要になり、めっき装置の構成が複雑になるという問題がある。インジウム金属を含む可溶性アノードを使用する場合は、可溶性アノードに電圧を印加している間インジウム濃度が上昇するので、めっき液中のインジウム濃度の制御が困難である。
【０００９】
また、酸化インジウムをめっき液に溶解させることも考えられる。しかしながら、金属酸化物は一般的に水に難溶性であり、酸性溶液に対しても溶解速度が遅い。したがって、酸化インジウムもめっき液中での溶解速度が遅いと考えられ、めっき速度に対して十分な
インジウムイオンの供給が困難である可能性がある。また、酸化インジウムをめっき液に溶解すると、インジウム化合物のアニオン種がめっき液中に増加するので、めっき液及びめっき膜に悪影響を与える可能性もある。
【００１０】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものである。その目的の一つは、簡易的且つ安価にめっき液にインジウムイオンを供給することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一形態によれば、不溶性アノードを用いた電解めっきのめっき液にインジウムイオンを供給する方法が提供される。この方法は、インジウムイオンを含む酸性のめっき液を準備する工程と、前記めっき液にインジウム金属を浸漬して、前記インジウム金属に電圧を印加することなく前記めっき液にインジウム金属を溶解する工程と、を有する。
【００１２】
本発明の他の一形態によれば、めっき装置が提供される。このめっき装置は、不溶性アノードと基板とを対向して収容するように構成されためっき槽と、前記めっき槽と流体連通するインジウム金属溶解槽と、を有する。前記インジウム金属溶解槽は、インジウム金属が電圧を印加されることなく溶解されるめっき液を保持するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。
【図２】図１に示しためっきユニットの概略図である。
【図３】インジウム金属を酸性のインジウムめっき液に浸漬したときの時間に対するインジウム金属の減少量を示すグラフである。
【図４】インジウム金属を酸性のインジウムめっき液に浸漬したときの時間に対するめっき液中のインジウム金属濃度の変化を示すグラフである。
【図５】他の実施形態に係るめっきユニットの溶解槽を示す概略図である。
【図６】他の実施形態に係るめっきユニットの溶解槽を示す概略図である。
【図７】他の実施形態に係るめっきユニットの溶解槽を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。図１は、本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。図１に示すように、このめっき装置は、２台のカセットテーブル１０２と、アライナ１０４と、スピンリンスドライヤ１０６とを有する。カセットテーブル１０２は、半導体ウェハ等の基板を収納したカセット１００を搭載する。アライナ１０４は、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。スピンリンスドライヤ１０６は、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥する。スピンリンスドライヤ１０６の近くには、基板ホルダ３０を載置して基板の着脱を行う基板着脱部１２０が設けられている。これらのユニット１００，１０４，１０６，１２０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置１２２が配置されている。
【００１５】
基板着脱部１２０は、レール１５０に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート１５２を備えている。２個の基板ホルダ３０は、この載置プレート１５２に水平状態で並列に載置され、一方の基板ホルダ３０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われた後、載置プレート１５２が横方向にスライドされ、他方の基板ホルダ３０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われる。
【００１６】
めっき装置は、さらに、ストッカ１２４と、プリウェット槽１２６と、プリソーク槽１２８と、第１洗浄槽１３０ａと、ブロー槽１３２と、第２洗浄槽１３０ｂと、めっきユニ
ット１１０と、を有する。ストッカ１２４では、基板ホルダ３０の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェット槽１２６では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽１２８では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。第１洗浄槽１３０ａでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ３０と共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽１３２では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第２洗浄槽１３０ｂでは、めっき後の基板が基板ホルダ３０と共に洗浄液で洗浄される。基板着脱部１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、ブロー槽１３２、第２洗浄槽１３０ｂ、及びめっきユニット１１０は、この順に配置されている。めっきユニット１１０は、基板表面にインジウムめっきを行うように構成され、後述するように、めっき槽と、管理槽と、溶解槽とを有する。
【００１７】
めっき装置は、これらの各機器の側方に位置した例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置１４０を有する。基板ホルダ搬送装置１４０は、各機器の間で基板ホルダ３０を基板とともに搬送する。この基板ホルダ搬送装置１４０は、第１トランスポータ１４２と、第２トランスポータ１４４を有している。第１トランスポータ１４２は、基板着脱部１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、及びブロー槽１３２との間で基板を搬送するように構成される。第２トランスポータ１４４は、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっきユニット１１０との間で基板を搬送するように構成される。めっき装置は、第２トランスポータ１４４を備えることなく、第１トランスポータ１４２のみを備えるようにしてもよい。
【００１８】
めっきユニット１１０の両側には、各めっき槽の内部に位置してめっき槽内のめっき液を攪拌する掻き混ぜ棒としてのパドルを駆動する、パドル駆動部１６０及びパドル従動部１６２が配置されている。
【００１９】
このめっき装置による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、カセットテーブル１０２に搭載したカセット１００から、基板搬送装置１２２で基板を１つ取出し、アライナ１０４に基板を搬送する。アライナ１０４は、オリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ１０４で方向を合わせた基板を基板搬送装置１２２で基板着脱部１２０まで搬送する。
【００２０】
基板着脱部１２０においては、ストッカ１２４内に収容されていた基板ホルダ３０を基板ホルダ搬送装置１４０の第１トランスポータ１４２で２基同時に把持して、基板着脱部１２０まで搬送する。そして、２基の基板ホルダ３０を基板着脱部１２０の載置プレート１５２の上に同時に水平に載置する。この状態で、それぞれの基板ホルダ３０に基板搬送装置１２２が基板を搬送し、搬送した基板を基板ホルダ３０で保持する。
【００２１】
次に、基板を保持した基板ホルダ３０を基板ホルダ搬送装置１４０の第１トランスポータ１４２で２基同時に把持し、プリウェット槽１２６に収納する。次に、プリウェット槽１２６で処理された基板を保持した基板ホルダ３０を、第１トランスポータ１４２でプリソーク槽１２８に搬送し、プリソーク槽１２８で基板上の酸化膜をエッチングする。続いて、この基板を保持した基板ホルダ３０を、第１洗浄槽１３０ａに搬送し、この第１洗浄槽１３０ａに収納された純水で基板の表面を水洗する。
【００２２】
水洗が終了した基板を保持した基板ホルダ３０は、第２トランスポータ１４４により、第１洗浄槽１３０ａからめっきユニット１１０に搬送され、インジウムめっき液を満たしためっき槽に収納される。第２トランスポータ１４４は、上記の手順を順次繰り返し行って、基板を保持した基板ホルダ３０を順次めっきユニット１１０の各めっき槽に収納する。
【００２３】
各々のめっき槽では、めっき槽内のアノードと基板との間にめっき電圧を印加し、同時にパドル駆動部１６０及びパドル従動部１６２によりパドルを基板の表面と平行に往復移動させることで、基板の表面にインジウムめっきを行う。
【００２４】
めっきが終了した後、めっき後の基板を保持した基板ホルダ３０を第２トランスポータ１４４で２基同時に把持し、第２洗浄槽１３０ｂまで搬送し、第２洗浄槽１３０ｂに収容された純水に浸漬させて基板の表面を純水洗浄する。次に、基板ホルダ３０を、第２トランスポータ１４４によってブロー槽１３２に搬送し、エアーの吹き付け等によって基板ホルダ３０に付着した水滴を除去する。その後、基板ホルダ３０を、第１トランスポータ１４２によって基板着脱部１２０に搬送する。
【００２５】
基板着脱部１２０では、基板搬送装置１２２によって基板ホルダ３０から処理後の基板が取り出され、スピンリンスドライヤ１０６に搬送される。スピンリンスドライヤ１０６は、高速回転によってめっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させる。乾燥した基板は、基板搬送装置１２２によりカセット１００に戻される。
【００２６】
図２は、図１に示しためっきユニット１１０の概略図である。図示のように、めっきユニット１１０は、めっき液を保持するめっき槽５０と、めっき液中のインジウム金属の濃度を制御するための管理槽６０と、インジウム金属をめっき液に溶解するための溶解槽７０と、を有する。めっき槽５０は、図示しないアノードを保持したアノードホルダ４０と、図示しない基板を保持した基板ホルダ３０と、めっき槽５０内のめっき液を撹拌するパドル４５と、を収容する。
【００２７】
本実施形態に係るめっき槽５０、管理槽６０、及び溶解槽７０は、インジウムイオンを含む酸性のめっき液を収容する。本実施形態のめっき液は、ホウフッ化浴、有機酸浴、酸性の硫酸浴等を採用することができる。具体的には、例えば、めっき液は、５〜７％のインジウム化合物と、５〜７％の有機酸と、３〜７％の無機酸と、８０〜９０％の水等を含む。
【００２８】
図示のように、アノードホルダ４０と基板ホルダ３０は対向して配置される。パドル４５は、アノードホルダ４０と基板ホルダ３０との間に配置され、基板の面に沿って水平方向に揺動するように構成される。アノードと基板との間に図示しない電源により電圧が印加されることにより、アノードと基板との間にめっき液を介して電流が流れて基板にインジウムめっき膜が形成される。本実施形態に係るアノードは、例えば、酸化イリジウムでコーティングされたチタン、白金でコーティングされたチタンである。
【００２９】
めっき槽５０と管理槽６０は、図示しない管路により互いに流体連通するように構成されている。また、管理槽６０と溶解槽７０は、図示しない管路により互いに流体連通するように構成されている。したがって、めっき槽５０は、管理槽６０を介して溶解槽７０と流体連通していることになる。めっき槽５０、管理槽６０、及び溶解槽７０を互いに接続する管路には、管路を開閉する弁、例えばポンプ等のめっき液を輸送する手段、管路中のめっき液の温度を調節する温度コントローラ、管路中のめっき液をろ過するためのフィルタ等を設けることができる。
【００３０】
図示のように、溶解槽７０に収容されたインジウムイオンを含む酸性のめっき液には、インジウム金属６５を浸漬することができる。本実施形態において、インジウム金属６５は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の粒径を有する球状の形態を有する。
【００３１】
次に、図２に示しためっきユニット１１０において基板にインジウムめっきを行う方法
について説明する。まず、めっき槽５０、管理槽６０、及び溶解槽７０に、インジウムイオンを含む酸性のめっき液を収容する。続いて、めっき槽５０には、アノードを保持したアノードホルダ４０と基板を保持した基板ホルダ３０を、互いに対向するように配置する。アノードと基板に、図示しない電源により電圧を印加することで、アノードと基板との間に電流が流れ、基板の表面にインジウムがめっきされる。
【００３２】
基板へのめっき中、めっき槽５０と管理槽６０との間ではめっき液が循環され、めっき液の温度管理及びめっき液の濾過等が行われる。基板へのめっきが進むにつれて、めっき槽５０及び管理槽６０内のめっき液中のインジウムイオンが消費され、インジウム濃度が低下する。このため、めっき液には定期的にインジウムイオンを供給する必要がある。
【００３３】
上述したように、従来から、めっき液にインジウムイオンを供給する複数の方法が知られている。しかしながら、インジウム濃厚溶液をめっき液に供給する方法では、めっき処理のランニングコストが高く、また、めっき液中のアニオン種の濃度が上昇してめっき液及びめっき膜に悪影響を与える可能性がある。インジウム金属を電解により溶解する場合は、電解溶解のための設備が必要になり、めっき装置の構成が複雑になるという問題がある。また、本実施形態のように不溶性アノードを使用する場合は、インジウム金属を含む溶解性アノードによりインジウムイオンをめっき液に供給することはできない。これらの従来の問題に対して、本発明者らは、インジウム金属６５を酸性のめっき液に浸漬することで、インジウム金属６５がめっき液に溶解することを見出した。
【００３４】
図３は、インジウム金属を酸性のインジウムめっき液に浸漬したときの時間に対するインジウム金属の減少量を示すグラフである。具体的には、図３に示すグラフは、温度３０℃の酸性めっき液１リットルに、金属粒径１ｍｍ以上２０ｍｍ以下、金属純度９９．９９％のインジウム金属２０ｇを浸漬させて、撹拌したときのインジウム金属の減少量を示す。図３に示すように、酸性のめっき液にインジウム金属を浸漬した場合、インジウム金属１ｇに対する１日あたりのインジウム金属の減少量は、約０．２６ｇ／ｄａｙであった。
【００３５】
図４は、インジウム金属を酸性のインジウムめっき液に浸漬したときの時間に対するめっき液中のインジウム金属濃度の変化を示すグラフである。具体的には、図４に示すグラフは、図３に示したグラフと同一の条件におけるインジウム濃度の変化、即ちインジウム金属の溶解量を示す。図４に示すように、酸性のめっき液にインジウム金属を浸漬した場合の、インジウム金属１グラムに対する１日あたりのめっき液のインジウム金属の溶解量は、約０．２２ｇ／ｄａｙであった。
【００３６】
なお、図３に示すインジウム金属の減少量は、図４に示すインジウム金属の溶解量よりも多くなった。これは、インジウム金属に比べてめっき液に溶けにくいスラッジが、減少量と溶解量の差分だけ発生したためと考えられる。このスラッジは、インジウム金属とめっき液との化合物であると推測される。図３及び図４に示す減少量及び溶解量は、めっき液に投入するインジウム金属量を増やすこと、めっき液に投入するインジウム金属の表面積を増やすこと、めっき液を循環させる（循環流量を増加させる）こと、撹拌速度を増加させること、及びめっき液の温度を高くすることで、増加すると考えられる。
【００３７】
図３及び図４を参照して説明したように、図２に示すインジウム金属６５は溶解槽７０中の酸性のめっき液に浸漬することで、インジウム金属６５に電圧を印加することなく、溶解する。したがって、溶解槽７０中のめっき液のインジウムイオン濃度は、管理槽６０中のめっき液のインジウムイオン濃度よりも高くなる。このため、管理槽６０と溶解槽７０との間でめっき液を循環させることで、管理槽６０中のめっき液のインジウムイオン濃度を高くすることができる。また、管理槽６０とめっき槽５０との間では、めっき液が循環しているので、めっき槽５０内のめっき液のインジウムイオン濃度を高くすることがで
きる。具体的には、例えば、めっき槽５０内のめっき液中のインジウムイオン濃度を測定し、このインジウムイオン濃度が所定値を下回った場合に、管理槽６０と溶解槽７０との間でめっき液を循環させて、溶解槽７０内のめっき液を、管理槽６０を介してめっき槽５０内に供給することができる。このようにして、本実施形態では、めっき槽５０内のめっき液にインジウムイオンを供給することができる。
【００３８】
インジウム金属６５は、インジウムイオンが透過する袋又はかご等に入れた状態で溶解槽７０中に浸漬してもよい。この場合において、管理槽６０内のめっき液へのインジウムイオンの供給を停止する必要があるときは、インジウム金属６５を収容した袋又はかごを溶解槽７０から取り出せばよい。或いは、管理槽６０と溶解槽７０との間のめっき液の循環を停止させることで、管理槽６０へのインジウムイオンの供給を停止してもよい。このようにして、管理槽６０及びめっき槽５０へのインジウムイオンの供給を制御し、めっき液中のインジウムイオン濃度を容易に調整することができる。
【００３９】
以上で説明したように、本実施形態に係るめっき装置においては、インジウム金属６５を酸性のめっき液に浸漬することで、インジウム金属６５に電圧を印加することなく、めっき液にインジウムイオンを供給することができる。このため、簡易的且つ安価にインジウムイオンをめっき液に供給することができる。また、本実施形態では、インジウム金属そのものを溶解することができるので、めっき液における不要なアニオン種の濃度上昇を防止することができる。
【００４０】
また、本実施形態で説明したように、溶解槽７０では、インジウム金属６５をめっき液に浸漬した状態でめっき液を撹拌するので、インジウム金属６５の溶解速度を増加させることができる。さらに、本実施形態では、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の粒径を有する球状の形態を有するインジウム金属６５を使用している。インジウム金属６５が１ｍｍ未満の粒径を有する場合、体積あたりの表面積が大きくなり溶解し易さは向上するが、粒径が小さいことにより取り扱いが困難である。また、インジウム金属６５が２０ｍｍ超の粒径を有する場合、体積あたりの表面積が小さくなるので、溶解速度が小さくなりすぎる。
【００４１】
図３及び図４に関連して説明したように、インジウム金属６５を酸性のめっき液に溶解させるとスラッジが発生する。このスラッジはめっき液への溶解速度が比較的遅いので、溶解槽７０で発生したスラッジが、管理槽６０を介してめっき槽５０へ移動する可能性がある。このようなスラッジがめっき槽５０の基板に付着すると、基板に対するめっき不良を引き起こす可能性がある。そこで、溶解槽７０で発生したスラッジのめっき槽５０への移動を防止することが好ましい。
【００４２】
図５は、他の実施形態に係るめっきユニット１１０の溶解槽７０を示す概略図である。このめっきユニット１１０で用いられるめっき槽５０及び管理槽６０は、図２に示したものと同様である。図５に示すように、溶解槽７０は、金属溶解槽７１と、スラッジ沈殿槽７２とから構成される。金属溶解槽７１とスラッジ沈殿槽７２とは、隔壁７６によって仕切られる。また、図示のように、金属溶解槽７１には、インジウム金属６５が浸漬される。
【００４３】
管理槽６０からのめっき液は、まず金属溶解槽７１に入り込む。金属溶解槽７１においては、めっき液が撹拌され、インジウム金属６５がめっき液に溶解する。このとき、めっき液が撹拌されているので、発生したスラッジは金属溶解槽７１中のめっき液に拡散した状態にある。金属溶解槽７１中のめっき液は発生したスラッジと共に、図示しないポンプ等により、スラッジ沈殿槽７２に移送される。スラッジ沈殿槽７２では、めっき液が撹拌されていないので、めっき液中のスラッジが沈殿する。スラッジ沈殿槽７２中のめっき液の上澄み液が、図示しないポンプ等により管理槽６０に移送される。このように、図５に
示す溶解槽７０は、発生したスラッジが管理槽６０及びめっき槽５０へ移送されることを防止することができる。
【００４４】
図６は、他の実施形態に係るめっきユニット１１０の溶解槽７０を示す概略図である。このめっきユニット１１０で用いられるめっき槽５０及び管理槽６０は、図２に示したものと同様である。図６に示す溶解槽７０は、溶解槽本体７４と、溶解槽本体７４の内部に設けられた個別槽７３とを有する。個別槽７３は、その内部にインジウム金属６５が浸漬されており、例えばメッシュ金属等で構成されたかごをイオン交換膜によって取り囲むことで構成される。
【００４５】
管理槽６０からのめっき液は、まず個別槽７３に入り込む。個別槽７３において、インジウム金属６５がめっき液に溶解する。なお、このとき個別槽７３内のめっき液を撹拌してもよい。個別槽７３のめっき液中のインジウムイオンは、イオン交換膜を通じて溶解槽本体７４内のめっき液に移動することができる。一方で、個別槽７３内で発生したスラッジは、イオン交換膜を通過することができないので、個別槽７３内に留まる。溶解槽本体７４内のインジウム濃度が増加しためっき液は、図示しないポンプ等により管理槽６０に移送される。このように、図６に示す溶解槽７０は、発生したスラッジが管理槽６０及びめっき槽５０へ移送されることを防止することができる。
【００４６】
図７は、他の実施形態に係るめっきユニット１１０の溶解槽７０を示す概略図である。図７に示す溶解槽７０は、図６に示した溶解槽７０に比べて、ポンプ７５が設けられている点のみが異なる。具体的には、図７に示す溶解槽７０では、ポンプ７５によって、溶解槽本体７４内のめっき液を個別槽７３内に戻す処理を行う。これにより、スラッジの管理槽６０及びめっき槽５０への移動を防止しつつ、めっき液が溶解槽本体７４と個別槽７３との間で循環し、個別槽７３におけるインジウム金属の溶解速度を向上させることができる。
【００４７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
【００４８】
以下に本明細書が開示する形態のいくつかを記載しておく。
第１形態によれば、不溶性アノードを用いた電解めっきのめっき液にインジウムイオンを供給し、該めっき液を用いて基板をめっきする方法が提供される。この方法は、前記不溶性アノードと基板とを対向して収容するように構成されためっき槽と、前記めっき槽と流体連通するインジウム金属溶解槽とを有するめっき装置を準備する工程と、酸性のめっき液を準備する工程と、前記インジウム金属溶解槽に収容された前記めっき液にインジウム金属を浸漬して、前記インジウム金属に電圧を印加することなく前記めっき液にインジウム金属を溶解する工程と、前記めっき槽に、前記インジウム金属が溶解したインジウム金属溶解槽のめっき液を供給する工程と、を有する。
【００４９】
第１形態によれば、インジウム金属を酸性のめっき液に浸漬することで、めっき液にインジウムイオンを供給してめっきすることができる。このため、簡易的且つ安価にインジウムイオンをめっき液に供給することができる。また、インジウム金属そのものを溶解することができるので、めっき液における不要なアニオン種の濃度上昇を防止することができる。
【００５０】
第２形態によれば、第１形態の方法において、さらに、前記インジウム金属溶解槽において前記インジウム金属を浸漬した前記めっき液を撹拌する工程を有する。第２形態によれば、インジウム金属の溶解速度を増加させることができる。
【００５１】
第３形態によれば、第１形態又は第２形態の方法において、前記インジウム金属は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の粒径を有する。インジウム金属が１ｍｍ未満の粒径を有する場合、体積あたりの表面積が大きくなり溶解し易さは向上するが、粒径が小さいことにより取り扱いが困難である。また、インジウム金属６５が２０ｍｍ超の粒径を有する場合、体積あたりの表面積が小さくなるので、溶解速度が小さくなりすぎる。したがって、第３形態によれば、十分な取り扱い易さと溶解速度を維持することができる。
【００５２】
第４形態によれば、第１形態から第３形態のいずれかの方法において、さらに、前記インジウム金属溶解槽において、前記インジウム金属を前記めっき液に溶解する際に生じるスラッジを、前記不溶性アノード及び基板が浸漬されためっき液から分離する工程を有する。第４形態によれば、インジウム金属がめっき液に溶解する際に生じるスラッジを、基板が浸漬されためっき液から分離するので、スラッジが基板に付着することで生じ得るめっき不良を防止することができる。
【００５３】
第５形態によれば、第１形態から第４形態のいずれかの方法において、前記めっき槽にインジウム金属溶解槽のめっき液を供給する工程は、前記めっき槽内のめっき液中のインジウムイオン濃度が所定の値を下回った場合に、前記めっき槽に前記インジウム金属が溶解したインジウム金属溶解槽のめっき液を供給する工程を含む。
【符号の説明】
【００５４】
３０…基板ホルダ
４０…アノードホルダ
５０…めっき槽
６０…管理槽
６５…インジウム金属
７０…溶解槽
１１０…めっきユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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