(57)【要約】【課題】視認性の高い、または低消費電力の表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、自発光型の表示素子と、反射型の表示素子と、を有する。反射型の表示素子は、光反射層と、液晶材料を含む層と、を有する。自発光型の表示素子は可視光を透過する。液晶材料を含む層は、光反射層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有する。また偏光板を有し、偏光板は、液晶材料を含む層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。あるいは、自発光型の表示素子は、液晶材料を含む層と、偏光板との間に挟まれる領域を有すると好ましい。１層または２層以上の着色膜を有し、着色膜の１層は、少なくとも液晶材料を含む層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。【選択図】図１
2018005227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光型の表示素子と、
反射型の表示素子と、
を有し、
前記反射型の表示素子は、光反射層と、液晶材料を含む層と、を備え、
前記液晶材料を含む層は、前記光反射層と、前記自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有し、
前記自発光型の表示素子は可視光を透過する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
偏光板を有し、
前記偏光板は、前記液晶材料を含む層と、前記自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有する表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
偏光板を有し、
前記自発光型の表示素子は、前記液晶材料を含む層と、前記偏光板との間に挟まれる領域を有する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか一において、
１層または２層以上の着色膜を有し、
前記着色膜の１層は、少なくとも前記液晶材料を含む層と、前記自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有する表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３の何れか一において、
１層または２層以上の着色膜を有し、
前記自発光型の表示素子は、少なくとも前記着色膜の１層と、前記液晶材料を含む層との間に挟まれる領域を有する表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか一において、
支持基板を有し、
前記支持基板は、少なくとも前記液晶材料を含む層と、前記自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有する表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れか一において、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、
を有し、
前記反射型の表示素子は、第１の電極および第２の電極を備え、
前記第１の電極と、前記第２の電極と、は前記反射型の表示素子内に電界を生成することができ、
前記電界は、前記液晶材料を含む層に含まれる液晶材料の配向を制御することができ、
前記自発光型の表示素子は、第３の電極を備え、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第３の電極は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート絶縁膜を備え、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート絶縁膜を備え、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜と重なる領域を備え、
前記液晶材料を含む層は、前記第１のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜との間に挟まれた領域を有し、
前記第３の電極は、前記液晶材料を含む層と、前記第２のゲート絶縁膜との間に挟まれた領域を有する表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６の何れか一において、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、
を有し、
前記反射型の表示素子は、第１の電極および第２の電極を備え、
前記第１の電極と、前記第２の電極と、は、前記液晶材料を含む層に含まれる液晶材料の配向を制御する電界を生成することができ、
前記自発光型の表示素子は、第３の電極を備え、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第３の電極は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第１のトランジスタは、ゲート絶縁膜を備え、
前記第２のトランジスタは、前記ゲート絶縁膜を備え、
前記ゲート絶縁膜は、前記液晶材料を含む層と、前記第３の電極と、の間に挟まれた領域を有する表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６の何れか一において、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、
第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、
を有し、
前記反射型の表示素子は、前記第１の電極および前記第２の電極を備え、
前記第１の電極と、前記第２の電極と、は、前記液晶材料を含む層に含まれる液晶材料の配向を制御する電界を生成することができ、
前記自発光型の表示素子は、前記第３の電極を備え、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第３の電極は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート絶縁膜を備え、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート絶縁膜を備え、
前記液晶材料を含む層は、前記第１のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜との間に挟まれた領域を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記液晶材料を含む層と、前記第３の電極との間に挟まれた領域を有する表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６の何れか一において、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、
を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート絶縁膜を備え、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート絶縁膜を備え、
前記反射型の表示素子は、第１の電極および第２の電極を備え、
前記第１の電極と、前記第２の電極と、は前記反射型の表示素子内に電界を生成することができ、
前記電界は、前記液晶材料を含む層に含まれる液晶材料の配向を制御することができ、
前記自発光型の表示素子は、第３の電極を備え、
前記第３の電極は、前記自発光型の表示素子の一の電極であり、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第３の電極は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記液晶材料を含む層は、前記第１のゲート絶縁膜と、前記第３の電極との間に挟まれた領域を有し、
前記第３の電極は、前記液晶材料を含む層と、前記第２のゲート絶縁膜との間に挟まれた領域を有する表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６の何れか一において、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、
第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、
を有し、
前記第１の電極と、前記第２の電極と、は前記反射型の表示素子内に電界を生成することができ、
前記電界は、前記液晶材料を含む層に含まれる液晶材料の配向を制御することができ、
前記第３の電極は、前記自発光型表示素子の一の電極であり、
前記第２の電極は、前記自発光型表示素子の別の一の電極であり、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、
前記第３の電極は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続する表示装置。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１の何れか一において、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記液晶材料を含む層と、前記自発光型表示素子と、はいずれも前記偏光板と、前記光反射層との間に挟まれる表示装置。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２の何れか一において、
第１の基板と、第２の基板とを有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記液晶材料を含む層と、前記自発光型表示素子と、はいずれも前記第１の基板と、前記第２の基板との間に挟まれる表示装置。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１３の何れか一において、
バックライトを有し、
前記光反射層は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対し、
反射率が５％以上１００％未満であり、かつ透過率が１％以上９５％未満であり、
前記バックライトは、前記液晶材料を含む層から前記自発光型表示素子の方向に光を照射可能な表示装置。
【請求項１５】
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、
請求項７乃至請求項１４の何れか一に記載の表示装置と、を含む半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、表示装置、入出力装置、半導体装置、発光装置、電子機器、照明装置、それらの駆動方法、またはそれらの作製方法に関する。特に、表示装置（表示パネル）に関する。または、表示装置を備える入出力装置、半導体装置、電子機器、発光装置、照明装置、またはそれらの作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、発光装置、表示装置、電子機器および照明装置は半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００３】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、大きく分けて透過型と反射型の二種類のタイプが知られている。透過型の液晶表示装置は、冷陰極蛍光ランプやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などのバックライトを用い、液晶の光学変調作用を利用して、バックライトからの光が液晶を透過して液晶表示装置外部に出力される状態と、出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行う。
【０００４】
また、反射型の液晶表示装置は、液晶の光学変調作用を利用して、外光、すなわち入射光が画素電極で反射して装置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行う。反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライトを使用しないため、消費電力が少ないといった長所を有する。また、特許文献１には、フィルム基板上にトランジスタおよび有機ＥＬ素子を備えた、可撓性を有するアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表示装置を有する電子機器において、その消費電力を低減することが求められている。特に、バッテリを電源に用いる機器においては、表示装置の消費電力が大きな割合を占めるため、表示装置の低消費電力化が求められている。また、携帯型の電子機器は、屋内外を問わず、視認性の高い表示が行える表示装置を有することが望まれている。
【０００７】
本発明の一態様は、視認性の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。または、多様な表示が可能な表示装置を提供することを目的の一つとする。または、低消費電力の表示装置を提供することを目的の一つとする。または、新規な表示装置を提供することを目的の一つとする。または上記表示装置（表示パネル）を備えた半導体装置を提供することを目的の一つとする。または、新規な半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【０００８】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の表示装置は、自発光型の表示素子と、反射型の表示素子と、を有する。反射型の表示素子は、光反射層と、液晶材料を含む層と、を有する。自発光型の表示素子は可視光を透過する。液晶材料を含む層は、光反射層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有する。このような構成の表示装置が上記課題を解決できる。
【００１０】
本発明の一態様である上記構成の表示装置において、自発光型の表示素子から出た光は、液晶材料を含む層を通過しない光と、液晶材料を含む層の方向に進み、光反射層にて反射して自発光型の表示素子に戻りかつ透過する光と、に分けられる。使用者はこの両方を視認できる。
【００１１】
例えば、基板と反射型の表示素子との間に自発光型の表示素子が形成された表示装置を考える。またこの反射型の表示素子は液晶材料を含む層を有するとする。この自発光型の表示素子から出た光は、反射型の表示素子を通過するため、視認される光の強度は視野角に依存する。
【００１２】
一方、本発明の一態様の表示装置は、自発光型の表示素子から出た光のうち、液晶材料を含む層を通過しない光を視認することができる。この光の強度は視野角に依存することはない。本発明の一態様の表示装置の表示は視野角に依存しない、すなわち高い視認性を実現することができる。
【００１３】
液晶材料を含む層を有する表示装置は、一層の偏光板（偏光フィルタともいう）を有する。偏光板は、液晶層を通過した光を、特定方向の偏光成分の光だけに制限し表示光として視認させることが目的であり、反射型の表示素子の構成要素の一である。偏光板の光透過率は５０％以下である。自発光型の表示素子を偏光板と液晶材料を含む層との間に形成した構造では、自発光型の表示素子、反射型の表示素子、によるいずれの表示光も偏光板を通過する。
【００１４】
上記構成において、偏光板を有し、偏光板は、液晶材料を含む層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。この構造にて自発光型の表示素子から出た光のうち、自発光型の表示素子から使用者に向けて照射された光は、偏光板の通過による光強度の低減を避けることができる。すなわち自発光型の表示素子の消費電力を低減し、かつ表示素子の信頼性を高めることができる。あるいは、自発光型の表示素子は、液晶材料を含む層と、偏光板との間に挟まれる領域を有すると好ましい。外光が表示装置の表面にて反射した場合、表示装置の画像の視認性の低下が起きるが、この構成としたときには偏光板が外光を吸収するため、上記低下を防ぐことができる。
【００１５】
上記各構成において、１層または２層以上の着色膜を有し、この着色膜の１層は、少なくとも液晶材料を含む層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。あるいは、自発光型の表示素子は、少なくとも着色膜の１層と、液晶材料を含む層との間に挟まれる領域を有すると好ましい。着色膜を所望の個所に配設することで、色純度を向上させることができる。
【００１６】
上記各構成において、支持基板を有し、支持基板は、少なくとも液晶材料を含む層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。このとき表示装置の製造工程を簡略化できる。ただし、液晶材料を含む層と、自発光型の表示素子と、の間隔が大きくなると視差が生じるので、上記支持基板を配設させる場合の上記支持基板の厚さは０より大であり０．７ｍｍ以下であることが望ましい。
【００１７】
上記各構成において、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、反射型の表示素子は、第１の電極および第２の電極を備え、第１の電極と、第２の電極と、は反射型の表示素子内に電界を生成し、液晶材料を含む層の含む、液晶材料の配向を制御することができ、自発光型の表示素子は、第３の電極を備えると好ましい。
【００１８】
上記各構成において、第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、第１の電極と電気的に接続し、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、第３の電極と電気的に接続し、液晶材料を含む層は、第１のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜との間に挟まれた領域を有し、第３の電極は、液晶材料を含む層と、第２のゲート絶縁膜との間に挟まれた領域を有すると好ましい。
【００１９】
上記各構成において、第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、それぞれゲート絶縁膜を有し、第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、第１の電極と電気的に接続し、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、第３の電極と電気的に接続し、ゲート絶縁膜は、液晶材料を含む層と、第３の電極と、の間に挟まれた領域を有すると好ましい。
【００２０】
上記各構成において、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、液晶材料を含む層と、自発光型表示素子と、はいずれも偏光板と、光反射層との間に挟まれると好ましい。
【００２１】
上記各構成において、第１の基板と、第２の基板とを有し、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、液晶材料を含む層と、自発光型表示素子と、はいずれも第１の基板と、第２の基板との間に挟まれると好ましい。
【００２２】
本発明の一態様の半導体装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記表示装置と、を含む。
【発明の効果】
【００２３】
視認性の高い表示装置を提供することができる。または、多様な表示が可能な表示装置を提供することができる。または、低消費電力の表示装置を提供することができる。または、新規な表示装置を提供することができる。または上記表示装置（表示パネル）を備えた半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一態様の表示装置の画素の簡略図。
【図２】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図３】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図４】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図５】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図６】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図７】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図８】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図９】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図１０】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図１１】本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。
【図１２】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入力部の構成を説明するブロック図。
【図１３】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図。
【図１４】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図１５】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図１６】実施の形態に係る発光素子を説明する図。
【図１７】実施の形態に係る、電子機器及び照明装置の一例を示す図。
【図１８】実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。
【図１９】実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。
【図２０】実施の形態に係る、導電膜あるいは絶縁膜の積層構造を示す図。
【図２１】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図。
【図２２】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２６】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２７】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２８】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
【００２９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）を用いて説明する。
【００３０】
本発明の一態様の表示装置は、表示パネルを有する。本発明の一態様の表示装置は、２以上の基板を含む。本実施の形態で説明する表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する。なお、ｉ，ｊは、いずれも独立した変数であり、いずれも１以上の整数である。図１（Ａ）には、本発明の一態様の表示装置の、一つの画素７０２（ｉ，ｊ）の構造と光路との簡略図を示す。
【００３１】
画素７０２（ｉ，ｊ）には、反射型の表示素子である、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。
【００３２】
画素７０２（ｉ，ｊ）には、自発光型の表示素子である、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を有する。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は可視光を透過する。
【００３３】
画素７０２（ｉ，ｊ）には、着色膜ＣＦ、機能膜Ｐを有する。本発明の一態様の表示装置では機能膜Ｐは偏光板である。偏光板の厚さは、一例では１００μｍ程度であるが、本明細書の図においては配置を示したものであり、厚さは正確には表されていない。また画素７０２（ｉ，ｊ）には、光反射膜７５０Ｒを有する。
【００３４】
本発明の一態様の表示装置にて画像表示に用いられる光の一は、外光である光Ｌ１を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）により選択的に、光反射膜７５０Ｒにて矢印７５０Ａ方向に反射させた、光Ｌ２である。
【００３５】
また、本発明の一態様の表示装置にて画像表示に用いられる光の一は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）により矢印７５０Ａ方向に照射された、光Ｌ３である。
【００３６】
また、本発明の一態様の表示装置にて画像表示に用いられる光の一は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から照射された光Ｌ４を、光反射膜７５０Ｒにて矢印７５０Ａ方向に反射させた、光Ｌ５である。
【００３７】
図１（Ａ）に示される構造では、光Ｌ３は、機能膜Ｐおよび第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を透過せず視認することができる。すなわち機能膜Ｐの透過による光強度の低減、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過による光強度の視野角依存性の低減を成すことができる。
【００３８】
図１（Ａ）に示される構造では、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）とは、基板７１０と基板７７０との間に形成されている。また第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、機能膜Ｐが形成されている。
【００３９】
また、図１（Ｂ）のように、着色膜ＣＦ１と着色膜ＣＦ２とを有するような、複数の着色膜を有する構造としても良い。このとき第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から照射される光Ｌ３及び光Ｌ４を白色光としても色表示ができる。また、着色膜を複数有することで、所望の光の色純度を向上させることができる。
【００４０】
また、図１（Ｃ）のように、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、基板７７０を有しても良い。このとき第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は基板７７０上に作製することができ、かつ後に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と基板７７０を分離する工程が不要となるため、歩留まりを向上させることができる。但し、基板７７０の厚さが大きい場合、光Ｌ２と光Ｌ３、光Ｌ５の、それぞれの間に表示の視差が生じるため、基板７７０の厚さを小さく、好ましくは０．７ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００４１】
また、図１（Ｄ）のように、機能膜Ｐと、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、の間に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を配置させても良い。このとき製造工程において機能膜Ｐの厚さを考慮する必要がなく、使用できる機能膜Ｐの多様化など、設計の自由度を高めることができる。光Ｌ３は、機能膜Ｐの透過による光強度の低減を受けるものの、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過による光強度の視野角依存性の低減をなすことができる。
【００４２】
上記図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）、の構造の特徴は、互いに適宜組み合わせることができる。
【００４３】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【００４４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、基板上に、反射型の表示素子が、基板に対して反射型の表示素子が形成されている方向に光を反射させるように形成され、反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成された表示装置の構成について説明する。
【００４５】
＜表示装置の構成例１＞
本発明の一態様の表示パネルに用いることができる画素７０２（ｉ，ｊ）の構成の一例を、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）を参照しながら説明する。図２（Ａ）には構造体６０１が示される。
【００４６】
本発明の一態様の表示パネルの画素７０２（ｉ，ｊ）には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える。
【００４７】
本発明の一態様の表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）において、トランジスタＳＷ、トランジスタＭ、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）、液晶材料を含む層７５３を有する。第２の電極７５２（ｉ，ｊ）は第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。図２（Ａ）では、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードでの表示を可能とするために、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）が配設されている。図２（Ａ）には第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）、液晶材料を含む層７５３を含む点線が描かれており、およそこの領域が第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示領域である。
【００４８】
本発明の一態様の表示パネルは、着色膜ＣＦ、遮光膜ＢＭ、機能膜７７０Ｐを有する。また配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２を有する。
【００４９】
本発明の一態様の表示パネルは、絶縁膜７７１、絶縁膜７２１、絶縁膜７１８、絶縁膜７１６、絶縁膜７０１、構造体ＫＢ１、絶縁膜７０６を有する。
【００５０】
また、本発明の一態様の表示パネルは、基板７１０または基板７７０を有する。
【００５１】
トランジスタＳＷは、ゲート電極が走査線と電気的に接続され、第１の電極が信号線と電気的に接続される。
【００５２】
半導体膜７０８、導電膜７０４、絶縁膜７０６、導電膜７１２Ａおよび導電膜７１２Ｂを備えるトランジスタを、トランジスタＳＷに用いることができる（図２（Ｂ）参照）。なお、導電膜７０４は半導体膜７０８と重なる領域を備え、導電膜７１２Ａおよび導電膜７１２Ｂは半導体膜７０８と電気的に接続される。また、絶縁膜７０６は、半導体膜７０８および導電膜７０４の間に挟まれる領域を備える。
【００５３】
なお、導電膜７０４はゲート電極の機能を備え、絶縁膜７０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜７１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜７１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【００５４】
着色膜ＣＦは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【００５５】
遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【００５６】
また、絶縁膜７７１は、液晶材料を含む層７５３および遮光膜ＢＭに挟まれる領域または、液晶材料を含む層７５３および着色膜ＣＦに挟まれる領域を備える。
【００５７】
機能膜７７０Ｐは、基板７１０との間に第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。
【００５８】
基板７７０は、基板７１０と重なる領域を備え、基板７１０との間に第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。
【００５９】
絶縁膜７２１は、液晶材料を含む層７５３およびトランジスタＳＷに挟まれる領域を備える。絶縁膜７１８は、絶縁膜７２１およびトランジスタＳＷに挟まれる領域を備える。絶縁膜７１６は、絶縁膜７１８およびトランジスタＳＷの間に挟まれる領域を備える。絶縁膜７０１は、トランジスタＳＷおよび基板７１０の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜７０６は、絶縁膜７１６および絶縁膜７０１の間に挟まれる領域を備える。
【００６０】
本発明の一態様の表示パネルは、接合層５０５を有する。接合層５０５は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を基板７７０上に貼り合せる機能を備える。
【００６１】
本発明の一態様の表示パネルは絶縁層５０１Ｃと、絶縁層５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁層５１８および絶縁層５１６を有する。絶縁層５０１Ｃ上には、樹脂層５００Ａを有する。
【００６２】
本発明の一態様の表示パネルは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電層５１２Ａおよび導電層５１２Ｂを備えるトランジスタＭを有する。なお、絶縁層５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。
【００６３】
本発明の一態様の表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を有する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、トランジスタＭの導電層５１２Ｂと電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を共通電位を与える配線と電気的に接続する。また第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、の間に有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）と、を有する。図２（Ａ）中には第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、の間に有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）を含む点線が描かれており、およそこの領域が第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示領域である。
【００６４】
これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。また機能膜７７０Ｐと接合層５０５との間に、保護層５６０を備える。
【００６５】
＜反射型表示素子＞
以下、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の各構成の詳細について説明する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は反射型の表示素子である。
【００６６】
＜配線、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。但し図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）、における光Ｌ１及び光Ｌ４を透過させる経路における配線は光透過性の導電性材料を用いることができる。
【００６７】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【００６８】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【００６９】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【００７０】
光透過性の材料の例として、具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【００７１】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【００７２】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【００７３】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【００７４】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【００７５】
＜トランジスタＳＷ＞
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタＳＷ等に用いることができる。
【００７６】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。
【００７７】
例えば、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む金属酸化物またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む金属酸化物を半導体膜に用いることができる。
【００７８】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタと比較して小さいトランジスタをトランジスタＳＷ等に用いることができる。具体的には、金属酸化物を半導体膜７０８に用いたトランジスタをトランジスタＳＷ等に用いることができる。
【００７９】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、表示装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【００８０】
例えば、半導体膜７０８、導電膜７０４、絶縁膜７０６、導電膜７１２Ａおよび導電膜７１２Ｂを備えるトランジスタを、トランジスタＳＷ等に用いることができる。なお、導電膜７０４は半導体膜７０８と重なる領域を備え、導電膜７１２Ａおよび導電膜７１２Ｂは半導体膜７０８と電気的に接続される。また、絶縁膜７０６は、半導体膜７０８および導電膜７０４の間に挟まれる領域を備える。
【００８１】
なお、導電膜７０４はゲート電極の機能を備え、絶縁膜７０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜７１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜７１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【００８２】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を導電膜７０４に用いることができる。
【００８３】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜７０６に用いることができる。
【００８４】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜７０８に用いることができる。
【００８５】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜７１２Ａまたは導電膜７１２Ｂに用いることができる。
【００８６】
＜第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成を用いることができる。
【００８７】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【００８８】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【００８９】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２（ｉ，ｊ）の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【００９０】
＜液晶材料を含む層７５３＞
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【００９１】
＜第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）＞
図２（Ａ）で示される第１の電極７５１（ｉ，ｊ）及び第２の電極７５２（ｉ，ｊ）の配置の場合、光反射性を備える導電性の材料をそれぞれに用いることができる。
【００９２】
表示パネルは、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐを有する。
【００９３】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を垂直配向（ＶＡ）モードとする場合、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）と液晶材料を含む層７５３との間に、配向膜ＡＦ２を配設するよう、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）を形成する。この場合、光透過性を備える導電性の材料を第２の電極７５２（ｉ，ｊ）に用いることができる。このような電極を用いることで、矢印７５０Ａの方向に、光を反射することができる。
【００９４】
＜着色膜ＣＦ＞
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。これにより、着色膜ＣＦを例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。
【００９５】
＜遮光膜ＢＭ＞
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【００９６】
＜絶縁膜７７１＞
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【００９７】
＜機能膜７７０Ｐ＞
機能膜７７０Ｐは偏光フィルムであるが、これに加えて、例えば、反射防止フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を積層した膜を機能膜７７０Ｐに用いても良い。
【００９８】
例えば、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、偏光フィルムと積層して機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【００９９】
＜基板７１０、基板７７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．１ｍｍ以上厚さ０．７ｍｍ以下の材料を基板７１０または基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０１００】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０１０１】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１０２】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１０３】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板７１０または基板７７０等に形成することができる。
【０１０４】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１０５】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１０６】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、基板と基板に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１０７】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１０８】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１０９】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１１０】
また、紙または木材などを基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１１１】
例えば、可撓性を有する基板を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。
【０１１２】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板７１０または基板７７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０１１３】
＜絶縁膜７２１＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。
【０１１４】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７２１等に用いることができる。
【０１１５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜７２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０１１６】
これにより、例えば絶縁膜７２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０１１７】
＜絶縁膜７０１＞
例えば、絶縁膜７２１に用いることができる材料を絶縁膜７０１に用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜７０１に用いることができる。これにより、トランジスタＳＷやトランジスタＭへの不純物の拡散を抑制することができる。
【０１１８】
＜バックライト＞
図示しないが、バックライトやフロントライトを設けても良い。バックライトとしては、直下型やサイドライト型を用いることが出来る。光源としては、冷陰極管やＬＥＤ（発光ダイオード）を用いることができる。ＬＥＤとしては、白色ＬＥＤや、色ごとのＬＥＤ（例えば、白、赤、青、緑、シアン、マゼンタ、イエローなど）を組み合わせて用いればよい。ＬＥＤを用いると、光の波長のピークが鋭いため、色純度を上げることが出来る。サイドライト型の場合は、導光板を配置し、均一な面光源を実現する。このようにして、液晶表示装置が形成される。
【０１１９】
＜自発光型表示素子＞
以下、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の各構成の詳細について説明する。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は自発光型の表示素子である。
【０１２０】
＜樹脂層５００Ａ＞
樹脂層５００Ａは、自発光型の表示素子の保護層として機能する他、自発光型の表示素子を作製する工程において、剥離される部分である。材料は感光性樹脂を用いることができる。詳細は後述の部分にて説明する。
【０１２１】
＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２、及び有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）を有する。本発明の一態様では、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を、発光素子とも言う。有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）については、後述の部分で詳細な説明をする。
【０１２２】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２、は、可視光を透過する材料を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０１２３】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２として、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する、半透過性の層を形成することにより、有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）からの発光を多重反射させて共振させる、所謂微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を有してもよい。後述の部分で説明するが、このマイクロキャビティとしての機能は、反射型表示素子の第２の電極７５２（ｉ，ｊ）を例とする電極を半透過性とし、多重反射させて共振させることでなされてもよい。
【０１２４】
＜接合層５０５＞
接合層５０５には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。
【０１２５】
＜絶縁層５２１＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁層５２１等に用いることができる。
【０１２６】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁層５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁層５２１等に用いることができる。
【０１２７】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁層５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０１２８】
これにより、例えば絶縁層５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０１２９】
＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁層５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０１３０】
＜絶縁層５０１Ｃ＞
例えば、絶縁層５２１に用いることができる材料を絶縁層５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁層５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０１３１】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁層５０１Ｃに用いることができる。
【０１３２】
＜トランジスタＭ＞
また、トランジスタＳＷと同じ材料にて、トランジスタＭを形成することができる。第２の表示素子５５０の第１の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０の第２の電極を共通電位を供給する配線と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０を駆動することができる。
【０１３３】
＜駆動回路ＳＤ＞
図示していないが、駆動回路ＳＤは、例えば、画像情報に基づいて、画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０１３４】
例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１３５】
例えば、集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１３６】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法を用いて、駆動回路ＳＤを端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。または、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。
【０１３７】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、基板上に、反射型の表示素子が、基板に対して反射型の表示素子が形成されている方向に光を反射させるように形成され、反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成された表示装置の作製方法について説明する。本実施の形態では、本発明の一態様の、図２に示される表示装置の作製方法について説明する。
【０１３９】
図３（Ａ）には、基板５００に自発光型表示素子を有した構造体６０１Ａを示す。図３（Ｂ）には、基板７７０に着色膜ＣＦ、構造体ＫＢ１、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、を有した構造体６０１Ｂを示す。図３（Ｃ）には、基板７１０に反射型表示素子を駆動するための回路を形成した構造体６０１Ｃを示す。
【０１４０】
図３（Ｂ）に示される構造体６０１Ｂ中、配向膜ＡＦ２を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状の構造体ＫＢ１が所望の位置に形成されている。
【０１４１】
構造体６０１Ａ、構造体６０１Ｂ、構造体６０１Ｃを得た後、構造体６０１Ｂと構造体６０１Ｃとを対向させ、シール材で貼り合わせる。また構造体６０１Ｂと構造体６０１Ｃおよびシール材の内側に液晶材料を封入する。
【０１４２】
上記のように構造体６０１Ｂと構造体６０１Ｃを貼りあわせ、液晶材料を封入した後、構造体６０１Ｂ側に機能膜７７０Ｐを形成すると、反射型表示素子を有する構造体６０１Ｄとなる（図４（Ａ）参照）。次いで構造体６０１Ｄに、構造体６０１Ａを貼りあわせる。すると図４（Ｂ）に示される構造体６０１Ｅのような構造となる。
【０１４３】
以下に、構造体６０１Ａの作製方法、構造体６０１Ａと構造体６０１Ｄとを貼りあわせる方法、構造体６０１Ｅから、基板５００を剥離する方法、を説明する。
【０１４４】
＜構造体６０１Ａの作製方法＞
後述するが、構造体６０１Ａは基板５００と、その上に作製された構造とを分離（剥離）する。その際、構造体６０１Ａの中の樹脂層５００Ａに対しレーザを用いて光を照射する。本発明の一態様の表示装置は、トランジスタＭのチャネル形成領域に、金属酸化物を有することが好ましい。なぜなら樹脂層５００Ａの耐熱温度以下でトランジスタＭを形成することができるからである。
【０１４５】
トランジスタのチャネル形成領域に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いる場合、５００℃から５５０℃程度の温度をかける必要があるため、樹脂層に耐熱性が求められる。また、レーザ結晶化の工程でのダメージを緩和するため、樹脂層の厚膜化が必要となる。
【０１４６】
一方、金属酸化物を用いたトランジスタは、３５０℃以下、さらには３００℃以下で形成することができる。そのため、樹脂層に高い耐熱性は求められない。したがって、樹脂層の耐熱温度を低くすることができ、材料の選択の幅が広がる。また、金属酸化物を用いたトランジスタは、レーザ結晶化の工程が不要であるため、樹脂層の厚さを薄くすることができる。樹脂層に高耐熱性が要求されず、薄膜化できることで、デバイス作製の大幅なコストダウンが期待できる。また、ＬＴＰＳを用いる場合に比べて、工程が簡略化でき好ましい。
【０１４７】
絶縁層を介して樹脂層の凹部の底面と重なる導電層は、トランジスタが有する電極または金属酸化物と同一の材料及び同一の工程で形成することができる。
【０１４８】
例えば、トランジスタの電極として用いる金属、合金、酸化物導電層等の各種導電材料を該導電層に用いることができる。
【０１４９】
または、例えば、同一の材料及び同一の工程で、導電層として用いる金属酸化物層と、トランジスタの半導体層として用いる金属酸化物層と、を形成する。その後、導電層として用いる金属酸化物層のみを低抵抗化させる（酸化物導電層にする、ともいえる）。
【０１５０】
または、例えば、同一の材料及び同一の工程で、導電層として用いる金属酸化物層と、トランジスタの電極（例えばゲート電極）として用いる金属酸化物層と、を形成する。その後、導電層として用いる金属酸化物層と、トランジスタの電極として用いる金属酸化物層と、の双方を、低抵抗化させる。
【０１５１】
金属酸化物は、膜中の酸素欠損、及び膜中の不純物濃度（代表的には水素、水等）のうち少なくとも一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、金属酸化物層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処理、または酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによって、金属酸化物層の有する抵抗率を制御することができる。
【０１５２】
具体的には、プラズマ処理を用いて、金属酸化物の抵抗率を制御することができる。例えば、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リン、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。プラズマ処理は、例えば、Ａｒ雰囲気下、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下、アンモニア雰囲気下、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下、または窒素雰囲気下等で行うことができる。これにより、金属酸化物層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。
【０１５３】
または、イオン注入法、イオンドーピング法、もしくはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リン、または窒素を金属酸化物層に注入して、金属酸化物層の抵抗率を低くすることができる。
【０１５４】
または、水素及び窒素のうち少なくとも一方を含む膜を金属酸化物層に接して形成し、当該膜から金属酸化物層に水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させる方法を用いることができる。これにより、金属酸化物層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。
【０１５５】
金属酸化物層に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。これにより、金属酸化物層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。
【０１５６】
表示装置の作製工程で加熱処理を行う場合、金属酸化物層が加熱されることで、金属酸化物層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これにより、金属酸化物層の抵抗率を低くすることができる。
【０１５７】
なお、このように、金属酸化物層を用いて形成された酸化物導電層は、キャリア密度が高く低抵抗な金属酸化物層、導電性を有する金属酸化物層、または導電性の高い金属酸化物層ということもできる。
【０１５８】
本発明の一態様の表示装置が有する樹脂層５００Ａの厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下である。樹脂層を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。
【０１５９】
本発明の一態様では、樹脂層の耐熱温度以下の温度で、トランジスタ等を形成する。樹脂層の耐熱性は、例えば、加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等で評価できる。本発明の一態様では、樹脂層の５％重量減少温度は、４５０℃以下が好ましく、４００℃以下がより好ましく、４００℃未満がより好ましく、３５０℃未満がさらに好ましい。
【０１６０】
本発明の一態様では、線状レーザを用いてレーザ光を照射する。ＬＴＰＳ等の製造ラインのレーザ装置を使用することができるため、これらの装置の有効利用が可能である。線状レーザは、矩形長尺状に集光（線状レーザビームに成形）して、樹脂層に光を照射する。
【０１６１】
［作製方法例１］
まず、基板５００上に、感光性を有する材料を用いて、樹脂層５００Ａを形成する。
【０１６２】
特に、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いることが好ましい。本実施の形態では、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いる例を示す。
【０１６３】
具体的には、材料を成膜した後に膜を加熱し、樹脂層５００Ａを形成する。
【０１６４】
加熱処理により、樹脂層５００Ａ中の脱ガス成分（例えば、水素、水等）を低減することができる。特に、樹脂層５００Ａ上に形成する各層の作製温度よりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば、トランジスタの作製温度が３５０℃までである場合、樹脂層５００Ａとなる膜を３５０℃より高く４５０℃以下で加熱することが好ましく、４００℃以下がより好ましく、３７５℃以下がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層５００Ａからの脱ガスを大幅に抑制することができる。
【０１６５】
樹脂層５００Ａは、可撓性を有する。基板５００は、樹脂層５００Ａよりも可撓性が低い。
【０１６６】
樹脂層５００Ａは、感光性のポリイミド樹脂（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＳＰＩともいう）を用いて形成されることが好ましい。
【０１６７】
そのほか、樹脂層５００Ａの形成に用いることができる感光性を有する材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
【０１６８】
樹脂層５００Ａは、スピンコータを用いて形成することが好ましい。スピンコート法を用いることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。
【０１６９】
樹脂層５００Ａは、粘度が５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下の溶液を用いて形成することが好ましい。溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。
【０１７０】
樹脂層５００Ａの厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層５００Ａを薄く形成することが容易となる。樹脂層５００Ａの厚さを上記範囲とすることで、表示装置の可撓性を高めることができる。ただし、これに限定されず、樹脂層５００Ａの厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、樹脂層５００Ａの厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。樹脂層５００Ａの厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である。
【０１７１】
そのほか、樹脂層５００Ａの形成方法としては、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。
【０１７２】
樹脂層５００Ａの熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層５００Ａの熱膨張係数が低いほど、加熱により、トランジスタ等を構成する層にクラックが生じることや、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
【０１７３】
表示装置の表示面側に樹脂層５００Ａが位置する場合、樹脂層５００Ａは、可視光に対する透光性が高いことが好ましい。
【０１７４】
基板５００は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する。基板５００に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
【０１７５】
次に、樹脂層５００Ａ上に、絶縁層５０１Ｃを形成する。
【０１７６】
絶縁層５０１Ｃは、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。前述の加熱処理（ポストベーク処理）における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。
【０１７７】
絶縁層５０１Ｃは、樹脂層５００Ａに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁層５０１Ｃは、樹脂層５００Ａを加熱した際に、樹脂層５００Ａに含まれる水分等がトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層５０１Ｃは、バリア性が高いことが好ましい。
【０１７８】
絶縁層５０１Ｃとしては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。特に、樹脂層５００Ａ上に窒化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成することが好ましい。
【０１７９】
無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成することが好ましい。
【０１８０】
絶縁層５０１Ｃの成膜時の基板温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０１８１】
次に、絶縁層５０１Ｃ上に、トランジスタＭを形成する。
【０１８２】
表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０１８３】
ここではトランジスタＭとして、半導体膜５０８を有する、トップゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。
【０１８４】
本発明の一態様において、トランジスタの半導体には、金属酸化物を用いる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０１８５】
トランジスタＭは、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。トランジスタＭは、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。
【０１８６】
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０１８７】
表示装置が有する導電膜には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、酸化インジウム、ＩＴＯ、タングステンを含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、ＺｎＯ、ガリウムを含むＺｎＯ、またはシリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは金属酸化物等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた金属酸化物等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
【０１８８】
半導体膜５０８は、金属酸化物膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該金属酸化物膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
【０１８９】
金属酸化物膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。
【０１９０】
金属酸化物膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方を用いて成膜することができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。
【０１９１】
金属酸化物膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。金属酸化物膜は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。
【０１９２】
また導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０１９３】
トランジスタＭにおいて、導電膜５０４はゲート電極として機能し、絶縁層５０６はゲート絶縁層として機能し、導電層５１２Ａ及び導電層５１２Ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する（図２（Ｃ））。
【０１９４】
以上の工程により、樹脂層５００Ａ上に絶縁層５０１Ｃ、トランジスタＭを形成することができる。
【０１９５】
次に、トランジスタＭを覆う絶縁層５１６を形成する。絶縁層５１６は、絶縁層５０１Ｃと同様の方法により形成することができる。
【０１９６】
また、絶縁層５１６として、酸素を含む雰囲気下で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁層５１８を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化物絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、半導体膜５０８に酸素を供給することができる。その結果、半導体膜５０８中の酸素欠損、及び半導体膜５０８と絶縁層５０６の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。
【０１９７】
本発明の一態様では、絶縁層５１６の上に、さらに絶縁層５１８を形成する。
【０１９８】
次に、絶縁層５１８上に絶縁層５２１を形成する。絶縁層５２１は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層５２１は、絶縁層５０１Ｃに用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
【０１９９】
絶縁層５２１は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層５２１は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。
【０２００】
絶縁層５２１に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層５２１の形成時に樹脂層５００Ａにかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０２０１】
絶縁層５２１に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０２０２】
次に、絶縁層５２１、絶縁層５１８、絶縁層５１６に、導電層５１２Ｂに達する開口を形成する。
【０２０３】
その後、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を形成する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、その一部が自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）の画素電極として機能する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０２０４】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。
【０２０５】
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０２０６】
次に、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の端部を覆う絶縁膜５２８を形成する。絶縁膜５２８は、絶縁層５０１Ｃに用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
【０２０７】
絶縁膜５２８は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁膜５２８は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。
【０２０８】
絶縁膜５２８に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁膜５２８の形成時に樹脂層５００Ａにかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０２０９】
絶縁膜５２８に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０２１０】
次に、有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）及び第４の電極５５２を形成する。第４の電極５５２は、その一部が自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）の共通電極として機能する。
【０２１１】
有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。
【０２１２】
有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。
【０２１３】
第４の電極５５２は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【０２１４】
第４の電極５５２は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度かつ有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。
【０２１５】
以上のようにして、自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）を形成することができる。自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、一部が画素電極として機能する第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）、及び一部が共通電極として機能する第４の電極５５２が積層された構成を有する。
【０２１６】
ここでは、自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）として、トップエミッション型の発光素子を作製する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。
【０２１７】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０２１８】
図示しないが、第４の電極５５２を覆って絶縁層を形成してもよい。この絶縁層は、自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁層によって封止される。
【０２１９】
絶縁層は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度かつ自発光型表示素子５５０（ｉ，ｊ）の耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。
【０２２０】
次に、第４の電極５５２上に保護層５６０を形成する。保護層５６０は、表示装置の最表面に位置する層として用いることができる。保護層５６０は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。
【０２２１】
保護層５６０として、上述した絶縁層５０１Ｃに用いることのできる有機絶縁膜を用いると、表示装置の表面に傷がつくことや、クラックが生じてしまうことを抑制できるため好ましい。
【０２２２】
＜構造体６０１Ｄと、構造体６０１Ａとの貼りあわせ＞
図４（Ｂ）には、接合層５０５を用いて保護層５６０上に構造体６０１Ｄを貼り合わせた例を示す。
【０２２３】
接合層５０５には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。
【０２２４】
＜基板５００の剥離＞
次に、基板５００を介して樹脂層５００Ａにレーザ光６１１を照射する。レーザ光６１１は、例えば、図５（Ａ）においては、左側から右側に走査される線状レーザビームで、その長軸は、その走査方向及びその入射方向（上から下）に垂直である。
【０２２５】
樹脂層５００Ａは、レーザ光６１１を吸収する。
【０２２６】
レーザ光６１１の照射により、樹脂層５００Ａは脆弱化される。または、レーザ光６１１の照射により、樹脂層５００Ａと基板５００の密着性が低下する。
【０２２７】
レーザ光６１１としては、少なくともその一部が基板５００を透過し、かつ樹脂層５００Ａに吸収される波長の光を選択して用いる。レーザ光６１１は、可視光線から紫外線の波長領域の光であることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の光を用いることができる。特に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。固体レーザはガスを用いないため、エキシマレーザに比べて、ランニングコストを約１／３にでき、好ましい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレーザーを用いてもよい。
【０２２８】
レーザ光６１１として、線状のレーザ光を用いる場合には、基板５００と光源とを相対的に移動させることでレーザ光６１１を走査し、剥離したい領域に亘ってレーザ光６１１を照射する。
【０２２９】
次に、基板５００を構造体６０１Ｅから分離する。
【０２３０】
例えば、基板５００に垂直方向に引っ張る力をかけることにより、基板５００を構造体６０１Ｅから剥離することができる。具体的には、基板５００の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、基板５００を引き剥がすことができる。
【０２３１】
基板５００と絶縁層５０１Ｃとの間に、刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで分離の起点を形成してもよい。または、鋭利な形状の器具で樹脂層５００Ａを切り込み、分離の起点を形成してもよい。
【０２３２】
分離面は、樹脂層５００Ａ及び基板５００等の材料及び形成方法、並びに、光照射の条件等によって、様々な位置となり得る。
【０２３３】
樹脂層５００Ａは、構造体６０１Ｅの保護層となるが、透過率等を考慮し、樹脂層５００Ａを完全に除去してもよい。
【０２３４】
これにより図５（Ｂ）に示される構造体６０１Ｆを得る。以上の工程により、基板上に、反射型の表示素子が、基板に対して反射型の表示素子が形成されている方向に光を反射させるように形成され、反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成された表示装置を作製することができる。
【０２３５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２３６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図２の構造とは異なる、本発明の一態様の表示装置について説明する。
【０２３７】
＜表示装置の構成例２＞
図６には、構造体６０１と構成要素の一部が異なる構造体６０２を示す。構造体６０２も、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードでの表示を可能とするために、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）が配設されている。
【０２３８】
本発明の一態様の図６で示される構造体６０２を含む表示パネルは、基板７７０を有する。
【０２３９】
トランジスタＳＷは第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を制御する。トランジスタＭは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示を制御する。トランジスタＳＷと、トランジスタＭと、の半導体層はいずれも絶縁層５０１Ｄ上に接して形成される。
【０２４０】
トランジスタＳＷと基板７７０との間、あるいはトランジスタＭと基板７７０との間に、液晶材料を含む層７５３を有する。すなわち、絶縁層５０１Ｄと、基板７７０との間に、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が配設される。
【０２４１】
トランジスタＳＷとトランジスタＭとを、同じ材料及び構造で形成した、本発明の一態様の構造体６０２を含む表示装置は、構造体６０１を含む表示装置に比べて工程数が少なく、生産性が良い。
【０２４２】
構造体６０２の作製方法について、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）を用いて説明する。
【０２４３】
図７（Ａ）の構造体６０２Ａの作製方法として、まず基板７７０上に、樹脂層５００Ａを形成する。構造体６０１同様、樹脂層５００Ａは感光性のポリイミド樹脂を用いて形成されることが好ましい。次いで、絶縁層５０１Ｃ上に、構造体６０１同様の方法で、トランジスタＳＷとトランジスタＭとを形成する。トランジスタＳＷとトランジスタＭと、は、ポリイミド樹脂の耐熱温度以下で形成する。一例として、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。
【０２４４】
次いで、絶縁層５１８、絶縁層５２１を形成する。絶縁層５１８、絶縁層５２１には開口部を設け、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を形成する。次いで絶縁膜５２８を形成した後、有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２、を形成する。
【０２４５】
次いで保護層５６０、樹脂層５００Ｂを形成し、さらに形成した接合層５０５Ｂを用いて基板５００を貼りあわせる。すると、構造体６０２Ａが形成される。尚、構造体６０２Ａでは樹脂層５００Ｂと接合層５０５Ｂとを形成しているが、接合層５０５Ｂのみを形成しても良い。
【０２４６】
ここで、構造体６０２Ａの基板７７０側からレーザ光６１１（図示せず）を照射する。樹脂層５００Ａは、樹脂層５００Ｂより、レーザ光６１１の照射にて剥離しやすい材料を用いる。すると、樹脂層５００Ａを境に、構造体６０２Ａから基板７７０が剥離される。
【０２４７】
樹脂層５００Ａを酸素プラズマ処理等で除去後、露出した絶縁層５０１Ｃに接して絶縁層５０１Ｄを形成する。絶縁層５０１Ｄは、不純物の拡散防止および平坦化のために形成する。絶縁層５０１Ｄは絶縁層５０１Ｃと同じ材料を用いることができる。但し、不純物の拡散防止および平坦化が不要であれば形成しなくても良い。
【０２４８】
次いで、機能膜７７０Ｐを形成する。機能膜７７０Ｐは、本発明の一態様では偏光板である。その上に、絶縁膜７２１を形成する。絶縁膜７２１は不純物の拡散防止および平坦化を目的としている。機能膜７７０Ｐは、樹脂状のシートを貼り付けるなどで形成することができる。
【０２４９】
絶縁膜７２１、機能膜７７０Ｐ、絶縁層５０１Ｄ、とを開口し、トランジスタＳＷのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続するように、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を形成する。このとき、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）も同じ材料で同時に形成する。第２の電極７５２（ｉ，ｊ）は、共通電位を与える配線と電気的に接続する。
【０２５０】
次いで配向膜ＡＦ１を形成すると、構造体６０２Ｂのような構造となる。その後、構造体６０１の作製方法と同様に、シール材で基板７７０と基板５００とを貼りあわせ、配向膜ＡＦ１と配向膜ＡＦ２との間に液晶材料を含む層７５３を封入する。このような工程で、構造体６０２のような構造となる。
【０２５１】
本発明の一態様では、機能膜７７０Ｐを絶縁膜７２１と絶縁層５０１Ｄとの間に設けたが、機能膜７７０Ｐと接合層５０５Ｂとの間に基板５００が位置するよう、機能膜７７０Ｐを設けても良い。
【０２５２】
＜表示装置の構成例３＞
図８（Ａ）には、構造体６０１と構成要素の一部が異なる構造体６０３を示す。構造体６０３も、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードでの表示を可能とするため、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）が配設されている。
【０２５３】
本発明の一態様の構造体６０３を含む表示パネルは、基板７１０と、基板７７０と、を有する。
【０２５４】
トランジスタＳＷは第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を制御する。トランジスタＭは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示を制御する。トランジスタＭの半導体層は絶縁層５０１Ｃに接して形成される。トランジスタＳＷの半導体層は絶縁膜７０６に接して形成される。
【０２５５】
構造体６０３は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、絶縁層５０１Ｃが配設される。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、基板７１０との間に、絶縁膜７０６が配設される。
【０２５６】
＜表示装置の構成例４＞
図８（Ｂ）には、構造体６０１と構成要素の一部が異なる構造体６０４を示す。構造体６０４も、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードでの表示を可能とするため、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）が配設されている。
【０２５７】
本発明の一態様の構造体６０４を含む表示パネルは、構造体６０１と同様に、絶縁層５０１Ｃと、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）とが配設される。
【０２５８】
構造体６０４は、基板７１０と、基板５００と、を有する。また、構造体６０４の作製方法において、レーザー処理を用いた剥離工程は有しない。
【０２５９】
すなわち、構造体６０１では基板５００をレーザー処理により分離し基板７７０を貼り付けたが、構造体６０４では基板５００を残存させ、基板５００上に機能膜（偏光板）７７０Ｐ、および着色膜ＣＦを形成し、基板５００と、基板７１０との間に液晶材料を含む層７５３が封入される。
【０２６０】
構造体６０４は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が基板５００と基板７１０とに挟まれており、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が高湿度に対して劣化しやすい場合、構造体６０１に比べて信頼性が高い。
【０２６１】
＜表示装置の構成例５＞
図９（Ａ）には、構造体６０１と構成要素の一部が異なる構造体６０５を示す。構造体６０５も、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードでの表示を可能とするため、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）が配設されている。
【０２６２】
本発明の一態様の構造体６０５を含む表示パネルは、構造体６０１と異なり、機能膜７７０Ｐが樹脂層５００Ａの上部に形成されている。機能膜７７０Ｐは、工程の最後の段階にて樹脂層５００Ａの上部に、接着剤で貼り付ける等により、形成することができる。
【０２６３】
構造体６０５は、製造工程において機能膜７７０Ｐの厚さを考慮する必要がなく、使用できる機能膜７７０Ｐの多様化など、設計の自由度を高めることができる。
【０２６４】
＜表示装置の構成例６＞
図９（Ｂ）には、構造体６０５と構成要素の一部が異なる構造体６０６を示す。
【０２６５】
本発明の一態様の構造体６０６を含む表示パネルは、構造体６０５と異なり、絶縁膜７７２が樹脂層５００Ａの上部に形成されている。絶縁膜７７２に接して着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ２が形成される。すなわち、基板７７０に接して形成された着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ１と合わせて、着色膜と遮光膜とがそれぞれ２層、基板と垂直方向にて重なっている領域を有する。
【０２６６】
着色膜ＣＦ２と、遮光膜ＢＭ２とに接して、絶縁膜７７３を有する。絶縁膜７７３上に、機能膜７７０Ｐを有する。
【０２６７】
構造体６０６は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を白色光を照射する自発光型の表示素子とすることができる。また、着色膜を複数有することで、所望の光の色純度を向上させることができる。
【０２６８】
＜表示装置の構成例７＞
図１０（Ａ）には、構造体６０６と構成要素の一部が異なる構造体６０７を示す。
【０２６９】
本発明の一態様の構造体６０７を含む表示パネルは、構造体６０６と異なり、共通電位を与える配線と電気的に接続された第４の電極５５２と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料を含む層７５３に含まれる液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。
【０２７０】
すなわち構造体６０７では、垂直配向（ＶＡ）モードで反射型の表示素子を駆動させることができる。
【０２７１】
本発明の一態様の構造体６０７を含む表示パネルは、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ２が形成される。着色膜と遮光膜とをそれぞれ１層、基板と垂直方向にて有する。
【０２７２】
＜表示装置の構成例８＞
図１０（Ｂ）には、構造体６０６と構成要素の一部が異なる構造体６０８を示す。
【０２７３】
本発明の一態様の構造体６０８を含む表示パネルは、構造体６０７と同様に、共通電位を与える配線と電気的に接続された第４の電極５５２と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料を含む層７５３に含まれる液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。
【０２７４】
すなわち構造体６０８では、垂直配向（ＶＡ）モードで反射型の表示素子を駆動させることができる。
【０２７５】
構造体６０８では、構造体６０６同様に、着色膜が２層、基板と垂直方向にて重なっている領域を有する。同様に、遮光膜が２層、基板と垂直方向にて重なっている領域を有しても良い。
【０２７６】
＜表示装置の構成例９＞
図１１には、構造体６０７と構成要素の一部が異なる構造体６０９を示す。
【０２７７】
本発明の一態様の構造体６０９を含む表示パネルは、構造体６０７と同様に、共通電位を与える配線と電気的に接続された第４の電極５５２と、第３の電極７５５（ｉ，ｊ）との間に液晶材料を含む層７５３に含まれる液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。
【０２７８】
構造体６０９では第３の電極７５５（ｉ，ｊ）を、光反射層としての特性において、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対する反射率が１％以上好ましくは５％以上１００％未満であって、且つ透過率が１％以上好ましくは１０％以上１００％未満である導電膜を用いる。第３の電極７５５（ｉ，ｊ）には、光を透過する程度（好ましくは、厚さが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることができる。
【０２７９】
また、機能膜７１０Ｐを、機能膜７１０Ｐと機能膜７７０Ｐとの間に液晶材料を含む層７５３が挟まれるように形成する。
【０２８０】
第３の電極７５５（ｉ，ｊ）を、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対する反射率が１％以下としても良い。このとき第３の電極７５５（ｉ，ｊ）と機能膜７１０Ｐとの間に、反射率が１％以上好ましくは５％以上１００％未満の膜（図示無し）を設ける。
【０２８１】
また機能膜７１０Ｐを通して、矢印７５０Ａの方向に光Ｌ６を照射することが可能である、バックライトＢＬを設ける。バックライトＢＬとしては、直下型やサイドライト型を用いることが出来る。
【０２８２】
このような構造体６０９を含む表示パネルは、構造体６０１乃至構造体６０７と同等の使用ができるほか、バックライトＢＬの照射により第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を鮮明に視認させることができる。また、バックライトをフィールドシーケンシャル方式で各発色にて発光させることにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）上に着色膜を形成しなくても色表示が可能となる。このとき、バックライトを各発色にて全色発光としたとき、白色での表示が可能となる。また、着色膜を形成しないことにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）において光Ｌ１に対する光Ｌ２の強度を高めることができる。すなわち、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を明るくすることができる。
【０２８３】
本発明の一態様である表示素子を含む構造体は、いずれも基板上に、反射型の表示素子が、基板に対して反射型の表示素子が形成されている方向に光を反射させるように形成され、また反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成されている。本発明の一態様は、この構成を特徴とする構造体であり、着色膜、機能膜（偏光板）、トランジスタＭ、トランジスタＳＷ、が構造体のどこに形成されていても良い。
【０２８４】
本発明の一態様の表示素子を含む構造体は、感光性樹脂を用い、レーザー処理による剥離工程により作製されることが好ましい。
【０２８５】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２８６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１２乃至図１５を参照しながら説明する。本発明の一態様の入出力装置は、図６に示される構造体６０２のように、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、トランジスタＳＷとトランジスタＭとが形成された構造を有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）とは、基板７７０と基板５７０との間に形成される。機能膜７７０Ｐと、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、基板５７０を有する。
【０２８７】
図１２は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【０２８８】
図１３は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図１３（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図１３（Ｂ−１）は入出力パネルの入力部の一部を説明する模式図であり、図１３（Ｂ−２）は図１３（Ｂ−１）の一部を説明する模式図である。図１３（Ｃ）は入出力装置に用いることができる画素７０２（ｉ，ｊ）の構成を説明する模式図である。
【０２８９】
図１４および図１５は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図１４（Ａ）は図１３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一部の構成を説明する断面図である。
【０２９０】
図１５は図１３（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。
【０２９１】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に到達する光の透過路は、一例として図１５中で破線で示されているが、これは奥行きを考慮されて示されており、したがって光の透過路と別の素子が重なって示されていても、透過路は確保されることを意味する。
【０２９２】
＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、表示部２３０と、入力部２４０と、を有する（図１２参照）。なお、入出力装置は、入出力パネル７００ＴＰ２を備える。
【０２９３】
＜表示部２３０＞
例えば、実施の形態１乃至実施の形態４において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
【０２９４】
表示部２３０は、制御部２３８を備える。表示部２３０は駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。制御部２３８は画像情報Ｖ１と制御情報ＳＳとを取得し、これら情報を基に駆動回路ＳＤを制御する機能を備える。
【０２９５】
表示部２３０の一群の複数の画素は行方向（矢印Ｒ１で示す方向）と、行方向と交差する列方向（矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０２９６】
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０２９７】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０２９８】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０２９９】
駆動回路ＳＤは、例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０３００】
具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０３０１】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０３０２】
導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【０３０３】
また導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板を電気的に接続することができる。
【０３０４】
＜検知領域＞
入力部２４０は検知領域２４１を備え、検知領域２４１は表示部２３０の表示領域２３１と重なる領域を備える（図１２参照）。検知領域２４１は、表示領域２３１と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える（図１４（Ａ）参照）。
【０３０５】
＜入力部２４０＞
入力部２４０は、検知領域２４１、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図１２参照）。
【０３０６】
検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
【０３０７】
一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１２に矢印Ｒ２で示す方向は、図１２に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【０３０８】
また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
【０３０９】
行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む（図１３（Ｂ−２）参照）。
【０３１０】
列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。
【０３１１】
制御線ＣＬ（ｇ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１４（Ａ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と重なる領域を備える。
【０３１２】
絶縁膜７０６は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。
【０３１３】
＜検知素子７７５（ｇ，ｈ）＞
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。
【０３１４】
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は透光性を備える。
【０３１５】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。また、入出力装置の厚さを薄くすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０３１６】
電極Ｃ（ｇ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。
【０３１７】
電極Ｍ（ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、電極Ｍ（ｈ）は、表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される。
【０３１８】
制御線ＣＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。
【０３１９】
検知信号線ＭＬ（ｈ）は検知信号を供給される機能を備える。
【０３２０】
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離および制御信号に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。
【０３２１】
これにより、表示装置を用いて画像情報を表示しながら、表示装置と重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０３２２】
＜発振回路ＯＳＣ＞
発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
【０３２３】
＜検知回路ＤＣ＞
検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報を含む。
【０３２４】
＜入出力パネル７００ＴＰ２＞
入出力パネル７００ＴＰ２は、機能層７２０を備える。またトップゲート型のトランジスタを有する。
【０３２５】
＜機能層７２０＞
機能層７２０は、例えば、制御線ＣＬ（ｇ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える。
【０３２６】
なお、制御線ＣＬ（ｇ）および第２の電極７５２の間または検知信号線ＭＬ（ｈ）および第２の電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。
【０３２７】
＜導電膜５１１Ｄ＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、導電膜５１１Ｄを有する（図１５参照）。
【０３２８】
なお、制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、制御線ＣＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、検知信号線ＭＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。
【０３２９】
＜光反射膜７５０Ｒ＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、光反射膜７５０Ｒを有する（図１４参照）。光反射性を備える材料を光反射膜７５０Ｒに用いることができる。
【０３３０】
図１５に示される入出力パネル７００ＴＰ２の構成では、外光がパネルに入射してから光反射膜７５０Ｒにて反射する過程で、光反射膜７５０Ｒに到達する前と、光反射膜７５０Ｒにて反射した後と、の計２回、着色膜ＣＦ１を通過することになる。
【０３３１】
＜端子等＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、端子５１９Ｃと、端子５１９Ｄと、を有する。
【０３３２】
端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【０３３３】
端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する。端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと、中間膜７５４Ｄと、を備え、中間膜７５４Ｄは、導電膜５１１Ｄと接する領域を備える。
【０３３４】
中間膜７５４Ｃ、中間膜７５４Ｄには、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。また、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。例えば、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を用いることができる。より具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。
【０３３５】
端子５１９Ｄには、例えば、配線等に用いることができる材料を用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる（図１５参照）。
【０３３６】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＣＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給されることができる。
【０３３７】
＜スイッチＳＷ１、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ＞
スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁層５０１Ｃと重なる領域を備える導電膜５０４と、絶縁層５０１Ｃおよび導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える半導体膜５０８と、を備える。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える（図１４（Ｂ）参照）。
【０３３８】
半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。
【０３３９】
トランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃおよび導電膜５０４の間に絶縁層５０６を備える。なお、絶縁層５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０３４０】
第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。
【０３４１】
例えば、金属酸化物膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを半導体膜５０８に形成することができる。
【０３４２】
また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。
【０３４３】
トランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａと接する導電層５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂと接する導電層５１２Ｂと、を備える。導電層５１２Ａおよび導電層５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。
【０３４４】
例えば、トランジスタＭＤと同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる。
【０３４５】
このように作製されるタッチセンサを有する表示装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と組み合わせて、半導体装置を作製することができる。
【０３４６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３４７】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできる発光素子、特に有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）について、図１６を用いて説明する。
【０３４８】
＜発光素子の構成例＞
まず、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできる発光素子の構成について、図１６を用いて説明する。図１６は、発光素子１６０の断面模式図である。
【０３４９】
なお、発光素子１６０としては、無機化合物及び有機化合物のいずれか一方または双方を用いることができる。発光素子１６０に用いる有機化合物としては、低分子化合物または高分子化合物が挙げられる。高分子化合物は、熱的に安定で、塗布法等により容易に均一性に優れた薄膜を形成することができるため好適である。
【０３５０】
図１６に示す発光素子１６０は、一対の電極（導電膜１３８及び導電膜１４４）を有し、該一対の電極間に設けられたＥＬ層１４２を有する。ＥＬ層１４２は、少なくとも発光層１５０を有する。
【０３５１】
また、図１６に示すＥＬ層１４２は、発光層１５０の他に、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、電子輸送層１５３、及び電子注入層１５４等の機能層を有する。
【０３５２】
なお、本実施の形態においては、一対の電極のうち、導電膜１３８を陽極として、導電膜１４４を陰極として説明するが、発光素子１６０の構成としては、その限りではない。つまり、導電膜１３８を陰極とし、導電膜１４４を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層１５１と、正孔輸送層１５２と、発光層１５０と、電子輸送層１５３と、電子注入層１５４と、が積層する順番とすればよい。
【０３５３】
なお、ＥＬ層１４２の構成は、図１６に示す構成に限定されず、発光層１５０の他に、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、電子輸送層１５３、及び電子注入層１５４の中から選ばれた少なくとも一つを有する構成とすればよい。あるいは、ＥＬ層１４２は、正孔または電子の注入障壁を低減する、正孔または電子の輸送性を向上する、正孔または電子の輸送性を阻害する、または電極による消光現象を抑制する、ことができる等の機能を有する機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。
【０３５４】
発光層１５０には、低分子化合物および高分子化合物を用いることができる。
【０３５５】
なお、本明細書等において、高分子化合物とは、分子量分布を有し、平均分子量が、１×１０３乃至１×１０８である重合体である。また、低分子化合物とは、分子量分布を有さず、分子量が、１×１０４以下の化合物である。
【０３５６】
また、高分子化合物は、一つまたは複数の構成単位が重合している化合物である。すなわち、該構成単位とは、高分子化合物が１以上有する単位をいう。
【０３５７】
また、高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよく、その他の態様であってもよい。
【０３５８】
高分子化合物の末端基が重合活性基を有する場合、発光素子において発光特性または輝度寿命の低下を引き起こす可能性がある。したがって、高分子化合物の末端基は、安定な末端基であると好ましい。該安定な末端基としては、主鎖と共有結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合する基が好ましい。
【０３５９】
発光層１５０に低分子化合物を用いる場合、ホスト材料として機能する低分子化合物に加えて、発光性の低分子化合物をゲスト材料として有すると好ましい。発光層１５０中では、ホスト材料が、少なくともゲスト材料より重量比で多く存在し、ゲスト材料は、ホスト材料中に分散される。
【０３６０】
ゲスト材料としては、発光性の有機化合物を用いればよく、該発光性の有機化合物としては、蛍光を発することができる物質（以下、蛍光性化合物ともいう）または燐光を発することができる物質（以下、燐光性化合物ともいう）を用いることができる。
【０３６１】
本発明の一態様の発光素子１６０においては、一対の電極（導電膜１３８及び導電膜１４４）間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）が、それぞれＥＬ層１４２に注入され、電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔が再結合することによって、励起子が形成される。キャリア（電子および正孔）の再結合によって生じる励起子のうち、一重項励起子と三重項励起子の比（以下、励起子生成確率）は、統計的確率により、１：３となる。そのため、蛍光性化合物を用いた発光素子において、発光に寄与する一重項励起子が生成する割合は２５％であり、発光に寄与しない三重項励起子が生成する割合は７５％となる。一方、燐光性化合物を用いた発光素子においては、一重項励起子及び三重項励起子の双方が発光に寄与することができる。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子より、燐光性化合物を用いた発光素子の方が、高い発光効率となるため好ましい。
【０３６２】
なお、励起子はキャリア（電子および正孔）対のことである。励起子はエネルギーを有するため、励起子が生成した材料は励起状態となる。
【０３６３】
発光層１５０に高分子化合物を用いる場合、該高分子化合物は、構成単位として、正孔を輸送する機能（正孔輸送性）を有する骨格と、電子を輸送する機能（電子輸送性）を有する骨格とを有すると好ましい。あるいは、π電子過剰型複素芳香族骨格または芳香族アミン骨格の少なくとも一つを有し、π電子不足型複素芳香族骨格を有すると好ましい。これらの骨格が、直接または他の骨格を介して結合する。
【０３６４】
また、高分子化合物が、正孔輸送性を有する骨格と、電子輸送性を有する骨格と、を有する場合、キャリアバランスを容易に制御することが可能となる。そのため、キャリア再結合領域の制御も簡便に行うことができる。そのためには、正孔輸送性を有する骨格と、電子輸送性を有する骨格と、の構成比率は、１：９から９：１（モル比）の範囲が好ましく、電子輸送性を有する骨格が、正孔輸送性を有する骨格より、構成比率が高いことが、さらに好ましい。
【０３６５】
また、高分子化合物は、構成単位として、正孔輸送性を有する骨格および電子輸送性を有する骨格の他に、発光性の骨格を有しても良い。高分子化合物が、発光性の骨格を有する場合、高分子化合物の全構成単位に対する発光性の骨格の構成比率は低いことが好ましく、具体的には、好ましくは０．１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは０．１ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下である。
【０３６６】
なお、発光素子１６０に用いる高分子化合物としては、各構成単位の結合方向、結合角、結合長などが異なる場合がある。また、各構成単位が異なる置換基を有してもよく、各構成単位の間に異なる骨格を有していてもよい。また、各構成単位の重合法が異なっていてもよい。
【０３６７】
また、発光層１５０は、ホスト材料として機能する高分子化合物に加えて、発光性の低分子化合物をゲスト材料として有してもよい。このとき、ホスト材料として機能する高分子化合物中に、発光性の低分子化合物がゲスト材料として分散され、該高分子化合物が、少なくとも発光性の低分子化合物より重量比で多く存在する。発光性の低分子化合物の含有量は、高分子化合物に対する重量比で、好ましくは０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、より好ましくは０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である。
【０３６８】
このようにして得られた高い発光効率を有する発光素子を、本発明の一態様の表示装置に用いることにより、液晶層による偏光を受けることがなく視認できる、すなわちより視認性が向上された表示装置を作製することができる。
【０３６９】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３７０】
（実施の形態７）
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができる半導体層について説明する。
【０３７１】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【０３７２】
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【０３７３】
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。
【０３７４】
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０３７５】
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０３７６】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０３７７】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０３７８】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０３７９】
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【０３８０】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０３８１】
なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０３８２】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０３８３】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０３８４】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０３８５】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０３８６】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０３８７】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０３８８】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０３８９】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０３９０】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０３９１】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０３９２】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０３９３】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０３９４】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０３９５】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０３９６】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０３９７】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０３９８】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０３９９】
このような高い電界効果移動度を有する半導体素子を本発明の一態様の表示装置に用いることにより、視認性と高精細化を両立する、新規な表示装置を作製することができる。
【０４００】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４０１】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできる導電膜あるいは絶縁膜を積層構造とし、該導電膜あるいは絶縁膜に光を半透過性とした材料を用いることで、色純度を高め、色再現性の良好な表示装置を実現する例を、図２０を用いて説明する。図２０（Ａ）は、図２で示された構造体６０１である。図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）に示した部位５３１の拡大図である。
【０４０２】
発光素子（自発光型表示素子）をマイクロキャビティ構造とする場合、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を入射光量のうち一定光量の光を透過して一定光量の光を反射する（半透過）導電性材料を用いて形成し、第４の電極５５２を、反射率の高い（可視光の反射率が５０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下）導電性材料と、透過率の高い（可視光の透過率が５０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下）導電性材料の積層で形成する。ここでは、第４の電極５５２を、光を反射する導電性材料で形成された第４の電極５５２ａと、光を透過する導電性材料で形成された第４の電極５５２ｂの積層としている。第４の電極５５２ｂは、有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）と第４の電極５５２ａの間に設ける（図２０（Ｂ）参照）。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は半反射電極として、第４の電極５５２ａは反射電極として機能できる。
【０４０３】
例えば、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）として、厚さ１ｎｍ乃至３０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１５ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用いればよい。本実施の形態では、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）として厚さ１０ｎｍの銀とマグネシウムを含む導電性材料を用いる。
【０４０４】
また、第４の電極５５２ａとして厚さ５０ｎｍ乃至５００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ乃至２００ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用いればよい。本実施の形態では、第４の電極５５２ａとして厚さ１００ｎｍの銀を含む導電性材料を用いる。
【０４０５】
また、第４の電極５５２ｂとして厚さ１ｎｍ乃至２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ乃至１００ｎｍのインジウム（Ｉｎ）を含む導電性酸化物、または亜鉛（Ｚｎ）を含む導電性酸化物などを用いればよい。本実施の形態では、第４の電極５５２ｂとしてインジウム錫酸化物を用いる。また、第４の電極５５２ａの下に、さらに導電性酸化物を設けてもよい。
【０４０６】
第４の電極５５２ｂの厚さｔを変えることで、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）の界面から第４の電極５５２ａと第４の電極５５２ｂの界面までの光学的距離ｄを任意の値に設定することができる。画素ごとに第４の電極５５２ｂの厚さｔを変えることで、同じ有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）を用いても、画素ごとに異なる発光スペクトルを有する発光素子を設けることができる。よって、各発光色の色純度を高め、色再現性の良好な表示装置を実現することができる。また、画素ごと（発光色ごと）に有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）を形成する必要がないため、表示装置の作製工程を少なくし、生産性を高めることができる。また、表示装置の高精細化を容易とすることができる。
【０４０７】
なお、光学的距離ｄの調整方法は上記の調整方法に限定されない。例えば、有機化合物を含む層５５３（ｉ，ｊ）の膜厚を変えることで光学的距離ｄを調整してもよい。
【０４０８】
また、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）を半透過材料（光半透過性材料）を用いて形成し第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射率の高い材料を用いて形成し、絶縁膜７２１の膜厚を変えることで光学的距離ｄを調整してもよい（図２０（Ｃ）参照）。
【０４０９】
あるいは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、半透過材料にて第１の電極７５１（ｉ，ｊ）Ａ、透過率の高い材料にて第１の電極７５１（ｉ，ｊ）Ｂ、反射率の高い材料にて第１の電極７５１（ｉ，ｊ）Ｃを形成し、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）Ｂの膜厚を変えることで光学的距離ｄを調整してもよい（図２０（Ｄ）参照）。あるいは、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）を、半透過材料にて第２の電極７５２（ｉ，ｊ）Ａ、透過率の高い材料にて第２の電極７５２（ｉ，ｊ）Ｂ、反射率の高い材料にて第２の電極７５２（ｉ，ｊ）Ｃを形成し、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）Ｂの膜厚を変えることで光学的距離ｄを調整してもよい（図２０（Ｅ）参照）。
【０４１０】
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重畳する位置に着色膜ＣＦを設けて、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が照射する光が着色膜ＣＦを透過して外部に射出する構成としてもよい。
【０４１１】
このような構成では、自発光型表示素子、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２（ｉ，ｊ）の組み合わせでマイクロキャビティ構造とすることができ、各発色にて自由度の高い色純度の調整ができる。このような構成により、表示装置の視認性を高めることができる。本発明の一態様によれば、偏光の影響を受けにくく色純度の高い、より表示品位の良好な表示装置を実現することができる。
【０４１２】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、タッチセンサの構成について説明する。表示装置とは別にタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、アウトセル型タッチパネル（またはアウトセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。
【０４１３】
なおタッチパネルとは、タッチセンサを搭載した表示装置（または表示モジュール）を指す。タッチパネルは、タッチスクリーンという場合がある。なお、表示装置を有しておらず、タッチセンサのみで構成されている部材に対して、そのような部材のことをタッチパネルと呼ぶ場合もある。または、タッチセンサを搭載した表示装置は、タッチセンサ付表示装置、表示装置付タッチパネル、または、表示モジュール、などとも呼ばれる場合もある。
【０４１４】
なお表示装置の素子基板側にタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、フルインセル型タッチパネル（またはフルインセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。フルインセル型タッチパネルは、例えば、素子基板側に作り込まれる電極をタッチセンサ用の電極としても用いているものである。
【０４１５】
また表示装置の素子基板側のみならず、対向基板側にもタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、ハイブリッドインセル型タッチパネル（またはハイブリッドインセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。ハイブリッドインセル型タッチパネルは、例えば、素子基板側に作り込まれる電極と、対向基板側に作り込まれる電極とをタッチセンサ用の電極としても用いているものである。
【０４１６】
また対向基板側にタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、オンセル型タッチパネル（またはオンセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。オンセル型タッチパネルは、例えば、対向基板側に作り込まれる電極をタッチセンサ用の電極としても用いているものである。
【０４１７】
図２１には、上述したフルインセル型、ハイブリッドインセル型またはオンセル型のように、表示装置にタッチセンサの機能を組み込んだ、タッチパネルを有する表示モジュール９０００Ｂを示す。表示モジュール９０００Ｂは、上部カバー９００１と下部カバー９００２との間に、ＦＰＣ９０１２に接続されたタッチパネル９０１１、フレーム９００５、プリント基板９００６、バッテリー９００７を有する。なおタッチパネル９０１１が有する表示素子が液晶素子の場合、バックライトユニットなどを設けてもよい。
【０４１８】
上記実施の形態で説明した半導体装置は、表示装置、あるいはタッチパネルに用いることができる。そのため、表示モジュール９０００Ａ、表示モジュール９０００Ｂは、狭額縁化や、表示品質の向上を図ることができる。
【０４１９】
上部カバー９００１及び下部カバー９００２は、表示装置９００４またはタッチパネル９０１１等のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０４２０】
タッチセンサ９０１０およびタッチパネル９０１１は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを用いることができる。
【０４２１】
フレーム９００５は、表示装置９００４またはタッチパネル９０１１等の保護機能の他、プリント基板９００６の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム９００５は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０４２２】
プリント基板９００６は、表示装置９００４またはタッチパネル９０１１等を駆動するための各種信号を出力する回路を有する。プリント基板９００６上の各回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリー９００７による電源であってもよい。バッテリー９００７は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０４２３】
また、表示モジュール９０００Ａ、９０００Ｂには、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０４２４】
また、図２２で説明されるように、タッチパネルと、本発明の表示装置とを貼りつける構成でもよい。
【０４２５】
入出力パネル７００ＴＰ１は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図２２（Ｂ）参照）。また、入出力パネル７００ＴＰ１は、基板５１０、基板５７０および基板５９０を有する。
【０４２６】
基板５１０および基板５７０に、画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子）が形成されており、実施の形態３で示された作製方法により、既に貼り合わされている。基板５９０にはタッチセンサが形成されている。すなわち、基板５１０および基板５７０に、基板５９０が貼り合わさり、入出力パネル７００ＴＰ１が作製される。貼りあわせた後、このような構成において、タッチセンサを基板５９０から分離する、もしくは基板５９０を薄くすることにより、入出力パネル７００ＴＰ１の厚さを小さくすることができる。
【０４２７】
表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素および当該画素に信号を供給することができる複数の配線５１１、および画像信号線駆動回路５０３ｓ（１）を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。
【０４２８】
＜タッチセンサ＞
基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図２２（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。
【０４２９】
タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０４３０】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０４３１】
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図２２（Ｂ）を用いて説明する。
【０４３２】
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。
【０４３３】
投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
【０４３４】
電極５９２は、図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。
【０４３５】
電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。
【０４３６】
配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
【０４３７】
なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
【０４３８】
接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０４３９】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４４０】
（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
【０４４１】
本発明の一態様の表示装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。本発明の一態様の表示装置において可撓性を有する基板を用いることにより、可撓性を有する電子機器や照明装置を作製できる。
【０４４２】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０４４３】
本発明の一態様の電子機器または照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
【０４４４】
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
【０４４５】
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
【０４４６】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０４４７】
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【０４４８】
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
【０４４９】
さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができる。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０４５０】
図１７（Ａ）乃至（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
【０４５１】
表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
【０４５２】
図１７（Ａ）、（Ｂ）に携帯電話機の一例を示す。図１７（Ａ）に示す携帯電話機７１００及び図１７（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、それぞれ、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。図１７（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、さらに、カメラ７１０７を有する。
【０４５３】
各携帯電話機は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０４５４】
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０４５５】
また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部７０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声入力等により行うこともできる。
【０４５６】
図１７（Ｃ）、（Ｄ）に携帯情報端末の一例を示す。図１７（Ｃ）に示す携帯情報端末７２００及び図１７（Ｄ）に示す携帯情報端末７２１０は、それぞれ、筐体７２０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０４５７】
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
【０４５８】
携帯情報端末７２００及び携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図１７（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面に表示することができる。図１７（Ｃ）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図１７（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよい。
【０４５９】
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
【０４６０】
例えば、携帯情報端末７２００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７２００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７２０３）を確認することができる。
【０４６１】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末７２００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７２００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０４６２】
図１７（Ｅ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７３０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７３０１を支持した構成を示している。
【０４６３】
図１７（Ｅ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
【０４６４】
なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０４６５】
図１７（Ｆ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示す。
【０４６６】
図１７（Ｆ）に示す照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。
【０４６７】
図１７（Ｆ）に示す照明装置７４００の備える発光部７４１１は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４００を中心に全方位を照らすことができる。
【０４６８】
また、照明装置７４００が備える発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材または可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０４６９】
照明装置７４００は、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部７４１１を有する。
【０４７０】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、または天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、または発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０４７１】
図１８（Ａ）乃至（Ｉ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。
【０４７２】
表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
【０４７３】
図１８（Ａ）、（Ｂ）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
【０４７４】
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができる。
【０４７５】
また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号及び電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０４７６】
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図１８（Ａ）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。
【０４７７】
図１８（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図１８（Ａ）の状態と表示部７００１を引き出した図１８（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図１８（Ａ）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。
【０４７８】
なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０４７９】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。
【０４８０】
図１８（Ｃ）乃至（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図１８（Ｃ）では、展開した状態、図１８（Ｄ）では、展開した状態または折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図１８（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
【０４８１】
表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
【０４８２】
図１８（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図１８（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図１８（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。
【０４８３】
図１８（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。
【０４８４】
筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、及び携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側または外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、または意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
【０４８５】
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、または、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。
【０４８６】
図１８（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。
【０４８７】
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
【０４８８】
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
【０４８９】
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０４９０】
また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。
【０４９１】
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。
【０４９２】
図１９（Ａ）に自動車７９００の外観を示す。図１９（Ｂ）に自動車７９００の運転席を示す。自動車７９００は、車体７９０１、車輪７９０２、フロントガラス７９０３、ライト７９０４、フォグランプ７９０５等を有する。
【０４９３】
本発明の一態様の表示装置は、自動車７９００の表示部などに用いることができる。例えば、図１９（Ｂ）に示す表示部７９１０乃至表示部７９１７に本発明の一態様の表示装置を設けることができる。
【０４９４】
表示部７９１０と表示部７９１１は、自動車のフロントガラスに設けられている。本発明の一態様では、表示装置が有する電極を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示装置であれば、自動車７９００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置を自動車７９００のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置に、トランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、または金属酸化物を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。
【０４９５】
表示部７９１２はピラー部分に設けられている。表示部７９１３はダッシュボード部分に設けられている。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部７９１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。同様に、表示部７９１３では、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができ、表示部７９１４では、ドアで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０４９６】
また、表示部７９１７は、ハンドルに設けられている。表示部７９１５、表示部７９１６、または表示部７９１７はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部７９１０乃至表示部７９１４にも表示することができる。
【０４９７】
なお、表示部７９１０乃至表示部７９１７は照明装置として用いることも可能である。
【０４９８】
本発明の一態様の表示装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発明の一態様の表示装置は、曲面及び可撓性を有さない構成であってもよい。
【０４９９】
図１９（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。デジタルサイネージは、筐体８０００、表示部８００１、及びスピーカ８００３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【０５００】
図１９（Ｄ）は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。
【０５０１】
表示部８００１が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部８００１が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
【０５０２】
表示部８００１にタッチパネルを適用することで、表示部８００１に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
【０５０３】
図１９（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、表示部８１０４、マイクロフォン８１０５、スピーカ８１０６、操作キー８１０７、スタイラス８１０８等を有する。
【０５０４】
図１９（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部８１０３と表示部８１０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様の表示装置を有していればよい。
【０５０５】
図１９（Ｆ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体８１１１、表示部８１１２、キーボード８１１３、ポインティングデバイス８１１４等を有する。
【０５０６】
表示部８１１２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０５０７】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０５０８】
ＡＣＦ１    導電材料
ＡＣＦ２    導電材料
ＡＦ１    配向膜
ＡＦ２    配向膜
ＢＬ    バックライト
ＢＭ    遮光膜
ＢＭ１    遮光膜
ＢＭ２    遮光膜
ＢＲ    導電膜
ＢＲ（ｇ，ｈ）    導電膜
Ｃ    電極
Ｃ（ｇ）    電極
Ｃ１    矢印
Ｃ２    矢印
ＣＦ    着色膜
ＣＦ１    着色膜
ＣＦ２    着色膜
ＣＰ    導電材料
ＧＤ    駆動回路
ＦＰＣ２    プリント基板
ＫＢ１    構造体
Ｌ１    光
Ｌ２    光
Ｌ３    光
Ｌ４    光
Ｌ５    光
Ｌ６    光
Ｍ    トランジスタ
ＭＤ    トランジスタ
Ｍ（ｈ）    電極
ＭＬ    信号線
ＭＬ（ｈ）    信号線
Ｐ    機能膜
Ｒ１    矢印
Ｒ２    矢印
ＳＤ    駆動回路
ＳＳ    情報
ＳＷ    トランジスタ
ＳＷ１    スイッチ
Ｖ１    情報
ＶＣＯＭ１    配線
１３８    導電膜
１４４    導電膜
２３０    表示部
２３１    表示領域
２４０    入力部
２４１    検知領域
５００    基板
５００Ａ    樹脂層
５００Ｂ    樹脂層
５０１    表示部
５０１Ｃ    絶縁層
５０１Ｄ    絶縁層
５０３ｓ    駆動回路
５０４    導電膜
５０５    接合層
５０５Ｂ    接合層
５０６    絶縁層
５０８    半導体膜
５０８Ａ    領域
５０８Ｂ    領域
５０８Ｃ    領域
５０９    ＦＰＣ
５１０    基板
５１１    配線
５１１Ｄ    導電膜
５１２Ａ    導電層
５１２Ｂ    導電層
５１６    絶縁層
５１８    絶縁層
５１９    端子
５１９Ｂ    端子
５１９Ｃ    端子
５１９Ｄ    端子
５２１    絶縁層
５２２    接続部
５２８    絶縁膜
５３１    部位
５５０    表示素子
５５０（ｉ，ｊ）    表示素子
５５１    電極
５５２    電極
５５２ａ    電極
５５２ｂ    電極
５５３    有機化合物を含む層
５５３（ｉ，ｊ）    有機化合物を含む層
５６０    保護層
５９０    基板
５９１    電極
５９２    電極
５９３    絶縁層
５９４    配線
５９５    タッチセンサ
５９８    配線
５９９    接続層
５７０    基板
６０１    構造体
６０１Ａ    構造体
６０１Ｂ    構造体
６０１Ｃ    構造体
６０１Ｄ    構造体
６０１Ｅ    構造体
６０１Ｆ    構造体
６０２    構造体
６０２Ａ    構造体
６０２Ｂ    構造体
６０３    構造体
６０４    構造体
６０５    構造体
６０６    構造体
６０７    構造体
６０８    構造体
６０９    構造体
６１１    レーザ光
７００ＴＰ１    入出力パネル
７００ＴＰ２    入出力パネル
７０１    絶縁膜
７０２    画素
７０２（ｉ，ｊ）    画素
７０４    導電膜
７０６    絶縁膜
７０８    半導体膜
７１０    基板
７１０Ｐ    機能膜
７１２Ａ    導電膜
７１２Ｂ    導電膜
７１６    絶縁膜
７１８    絶縁膜
７２０    機能層
７２１    絶縁膜
７５０    表示素子
７５０Ａ    矢印
７５０Ｒ    光反射膜
７５０（ｉ，ｊ）    表示素子
７５１    電極
７５１（ｉ，ｊ）    電極
７５２    電極
７５２（ｉ，ｊ）    電極
７５３    液晶材料を含む層
７５４Ｄ    中間膜
７５５    電極
７５５（ｉ，ｊ）    電極
７７０    基板
７７０Ｐ    機能膜
７７１    絶縁膜
７７２    絶縁膜
７７３    絶縁膜
７７５    検知素子
６０００    表示モジュール
６００１    上部カバー
６００２    下部カバー
６００６    表示パネル
６００９    フレーム
６０１０    プリント基板
６０１１    バッテリ
６０１５    発光部
６０１６    受光部
６０１７ａ    導光部
６０１７ｂ    導光部
６０１８    光
７０００    表示部
７００１    表示部
７１００    携帯電話機
７１０１    筐体
７１０３    操作ボタン
７１０４    外部接続ポート
７１０５    スピーカ
７１０６    マイク
７１０７    カメラ
７１１０    携帯電話機
７２００    携帯情報端末
７２０１    筐体
７２０２    操作ボタン
７２０３    情報
７２１０    携帯情報端末
７３００    テレビジョン装置
７３０１    筐体
７３０３    スタンド
７３１１    リモコン操作機
７４００    照明装置
７４０１    台部
７４０３    操作スイッチ
７４１１    発光部
７５００    携帯情報端末
７５０１    筐体
７５０２    部材
７５０３    操作ボタン
７６００    携帯情報端末
７６０１    筐体
７６０２    ヒンジ
７６５０    携帯情報端末
７６５１    非表示部
７７００    携帯情報端末
７７０１    筐体
７７０３ａ    ボタン
７７０３ｂ    ボタン
７７０４ａ    スピーカ
７７０４ｂ    スピーカ
７７０５    外部接続ポート
７７０６    マイク
７７０９    バッテリ
７８００    携帯情報端末
７８０１    バンド
７８０２    入出力端子
７８０３    操作ボタン
７８０４    アイコン
７８０５    バッテリ
７９００    自動車
７９０１    車体
７９０２    車輪
７９０３    フロントガラス
７９０４    ライト
７９０５    フォグランプ
７９１０    表示部
７９１１    表示部
７９１２    表示部
７９１３    表示部
７９１４    表示部
７９１５    表示部
７９１６    表示部
７９１７    表示部
８０００    筐体
８００１    表示部
８００３    スピーカ
８１０１    筐体
８１０２    筐体
８１０３    表示部
８１０４    表示部
８１０５    マイクロフォン
８１０６    スピーカ
８１０７    操作キー
８１０８    スタイラス
８１１１    筐体
８１１２    表示部
８１１３    キーボード
８１１４    ポインティングデバイス９０００Ａ    表示モジュール
９０００Ｂ    表示モジュール
９００１    上部カバー
９００２    下部カバー
９００４    表示装置
９００５    フレーム
９００６    プリント基板
９００７    バッテリー
９０１０    タッチセンサ
９０１１    タッチパネル
９０１２    ＦＰＣ
【図１】
2018005227.tif 000003
【図２】
2018005227.tif 000004
【図３】
2018005227.tif 000005
【図４】
2018005227.tif 000006
【図５】
2018005227.tif 000007
【図６】
2018005227.tif 000008
【図７】
2018005227.tif 000009
【図８】
2018005227.tif 000010
【図９】
2018005227.tif 000011
【図１０】
2018005227.tif 000012
【図１１】
2018005227.tif 000013
【図１２】
2018005227.tif 000014
【図１３】
2018005227.tif 000015
【図１４】
2018005227.tif 000016
【図１５】
2018005227.tif 000017
【図１６】
2018005227.tif 000018
【図１７】
2018005227.tif 000019
【図１８】
2018005227.tif 000020
【図１９】
2018005227.tif 000021
【図２０】
2018005227.tif 000022
【図２１】
2018005227.tif 000023
【図２２】
2018005227.tif 000024