(57)【要約】【課題】炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを精製するに際して、大量のクロロシランを系外に排出する必要がなく、且つ、反応制御も容易に行えるトリクロロシランの精製技術を提供すること。【解決手段】本発明では、クロロシラン留分中に含まれる炭化水素類の分離を容易化すべく熱分解により低沸点化する工程を精製システムの中に設けることとした。これにより、炭化水素類の熱分解による低沸点化と分離がトリクロロシランの精製サイクル中で行われることとなり、多量のクロロシラン類を系外に排出する必要がない。その結果、トリクロロシランの製造効率が高められ、多結晶シリコンの収率低下という問題も生じない。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを得るためのシステムであって、
前記クロロシラン留分中の炭化水素類を熱分解して低沸点化する熱分解反応器と、
前記熱分解反応器から送られた前記クロロシラン留分中に含まれるトリクロロシランを他の成分と分離する蒸留器とを備えている、トリクロロシランの精製システム。
【請求項２】
前記熱分解反応器は、少なくとも、イソペンタン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシランの低沸点化が可能である、請求項１に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項３】
前記熱分解反応器は、前記低沸点化時の圧力を０．０１〜２ＭＰａの範囲に制御可能である、請求項１または２に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項４】
前記熱分解反応器は、前記低沸点化時の温度を３００〜１２００℃の範囲に制御可能である、請求項１〜３の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項５】
前記熱分解反応器の内壁材質中の鉄の含有量が６５ｗｔ％以下である、請求項１〜４の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項６】
前記熱分解反応器の内壁材質中の鉄の含有量が５０ｗｔ％以下である、請求項５に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項７】
前記熱分解反応器内に、テトラクロロシランおよび水素を導入するガスラインを備えている、請求項１〜６の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項８】
前記ガスラインから前記熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＴＣＳ］）との比（［Ｈ2］／［ＴＣＳ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能である、請求項７に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項９】
金属珪素の存在下でテトラクロロシランと水素を反応させて粗トリクロロシランを得る水素化反応器を更に備え、前記低沸点化された炭化水素類を含有するクロロシラン類を前記水素化反応器に送るガスラインを備えている、請求項１〜８の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載のシステムを用いたトリクロロシランの精製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９の何れか１項に記載のシステムで精製されたトリクロロシランを原料として用いる多結晶シリコンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トリクロロシランの精製技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
トリクロロシランは、半導体グレードの高純度多結晶シリコンの製造用原料として広く用いられている。高純度トリクロロシランは、例えば、冶金グレードの金属シリコンをテトラクロロシランと水素や塩化水素と反応させて得られた粗トリクロロシランを、蒸留等の工程を経て精製されることで得られる。
【０００３】
このような高純度トリクロロシランを、シーメンス法等の手法で析出させて多結晶シリコンが得られるが、この析出反応において、副生物としてテトラクロロシランが発生する。このような副生物としてのテトラクロロシランは、還元してトリクロロシランとし、これを精製して再度、多結晶シリコンの析出反応に利用することができる。
【０００４】
多結晶シリコンの製造には低コスト化が求められている一方で、半導体デバイスの高集積化等に伴って更なる高品質化も求められている。具体的には、多結晶シリコン中の不純物（炭素、ドーパント、重金属等）の濃度は極限まで低減させることが求められる傾向にある。このため、トリクロロシランの高純度化は、多結晶シリコンの製造技術において極めて重要な意義をもつ。
【０００５】
トリクロロシラン中の炭素不純物の大部分は、上述した粗トリクロロシラン製造に用いる金属シリコンに含まれる不純物炭素や、反応炉等の内壁材に含まれる炭素から副生される炭化水素類である。
【０００６】
従って、高純度トリクロロシランを製造するためには、このような炭化水素類を除去することが必要となる。一般に、トリクロロシランの精製は蒸留によって行われるが、不純物として含有されている炭化水素類の沸点がトリクロロシランの沸点に近い場合、蒸留により炭化水素類を充分に除去することは困難である。
【０００７】
特に、炭素数が５の炭化水素類やこれに近い炭素数の炭化水素類の沸点は、トリクロロシランの沸点に極めて近いため、蒸留により分離することは容易ではないのが実情である。例えば、炭素数が５の分岐鎖アルカンで炭化水素類であるイソペンタン(ｉ−Ｃ5Ｈ12）の沸点は２７．７℃であり、トリクロロシランの沸点（３１．８℃）に極めて近く、蒸留による分離が困難な物質のひとつである。
【０００８】
このような事情に鑑み、トリクロロシランの精製技術として、下記のような手法が提案されてきている。
【０００９】
特許文献１（特開２００９−０６２２１２号公報）には、塩素化工程においてイソペンタンを光塩素化により高沸化することでトリクロロシランからの蒸留分離を容易なものとする手法が提案されている。
【００１０】
また、特許文献２（ＤＥ１２２２４８１Ｂ公報）には、第１の析出反応器からのオフガス（排ガス）を第２の析出反応器へと導入し、この第２の析出反応器において、より高い純度の多結晶シリコンを製造する方法が記載されており、この方法においては、収率向上のため、上記第２の析出反応器には新たに高純度の水素を添加することとされている。
【００１１】
さらに、特許文献３（特開２０１２−０５６８３６号公報）には、第１の反応器中での第１の析出プロセスからの精製された凝縮液を、第２の反応器に供給し、この第２の反応器中での第２の析出プロセスに際して使用することとした多結晶シリコンの製造法が開示されている。この方法では、第１の反応器及び第２の反応器に別個に水素循環させており、未消費の水素は精製して再度使用される。
【００１２】
しかし、これらの方法は何れも、反応の制御等が難しい上に、精製に際して大量のクロロシランが系外に排出されるため、多結晶シリコンの収率が低下するという難点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００９−０６２２１２号公報
【特許文献２】ＤＥ１２２２４８１Ｂ公報
【特許文献３】特開２０１２−０５６８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は斯かる問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを精製するに際して、大量のクロロシランを系外に排出する必要がなく、且つ、反応制御も容易に行えるトリクロロシランの精製技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明に係るトリクロロシランの精製システムは、炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを得るためのシステムであって、前記クロロシラン留分中の炭化水素類を熱分解して低沸点化する熱分解反応器と、前記熱分解反応器から送られた前記クロロシラン留分中に含まれるトリクロロシランを他の成分と分離する蒸留器とを備えている、ことを特徴とする。
【００１６】
好ましくは、前記熱分解反応器は、少なくとも、イソペンタン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシランの低沸点化が可能である。
【００１７】
また、好ましくは、前記熱分解反応器は、前記低沸点化時の圧力を０．０１〜２ＭＰａの範囲に制御可能である。
【００１８】
また、好ましくは、前記熱分解反応器は、前記低沸点化時の温度を３００〜１２００℃の範囲に制御可能である。
【００１９】
また、好ましくは、前記熱分解反応器の内壁材質中の鉄の含有量が６５ｗｔ％以下であり、さらに好ましくは５０ｗｔ％以下である。
【００２０】
ある態様では、前記熱分解反応器内に、テトラクロロシランおよび水素を導入するガスラインを備えている。
【００２１】
また、ある態様では、前記ガスラインから前記熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＴＣＳ］）との比（［Ｈ2］／［ＴＣＳ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能である。
【００２２】
さらに、ある態様では、金属珪素の存在下でテトラクロロシランと水素を反応させて粗トリクロロシランを得る水素化反応器を更に備え、前記低沸点化された炭化水素類を含有するクロロシラン類を前記水素化反応器に送るガスラインを備えている。
【００２３】
本発明に係るトリクロロシランの精製方法では、上述のシステムを用いてトリクロロシランの精製を行う。
【００２４】
また、本発明に係る多結晶シリコンの製造方法では、上述のシステムで精製されたトリクロロシランを原料として用いる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明では、クロロシラン留分中に含まれる炭化水素類の分離を容易化すべく熱分解により低沸点化する工程を精製システムの中に設けることとした。これにより、炭化水素類の熱分解による低沸点化と分離がトリクロロシランの精製サイクル中で行われることとなり、多量のクロロシラン類を系外に排出する必要がない。その結果、トリクロロシランの製造効率が高められ、多結晶シリコンの収率低下という問題も生じない。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】粗トリクロロシランを蒸留・精製して高純度化トリクロロシランを製造するシステム例のブロック図（Ａ）、および、多結晶シリコンを析出させる工程で生成するガスを蒸留・精製して高純度トリクロロシランを分離し、得られた高純度トリクロロシランを再度、多結晶シリコンの製造工程に供給するシステム例のブロック図（Ｂ）である。
【図２】粗トリクロロシランの製造工程から供給されるガスを精製して高純度トリクロロシランとして多結晶シリコンの製造用ガスとして用い、多結晶シリコンの析出工程から排出されたガスを精製して、再度、多結晶シリコンの析出工程に供給して用いるシステム例のブロック図である。
【図３】粗トリクロロシランの製造工程が、水素化工程と塩素化工程の少なくとも一方を備える態様を説明するためのブロック図である。
【図４】粗トリクロロシランの精製により分離される炭化水素類含有クロロシラン留分を、テトラクロロシランおよび水素とともに熱分解工程へ供給し、得られる熱分解炭化水素類含有クロロシラン類を粗トリクロロシラン製造工程の水素化工程へと供給する態様を説明するためのブロック図である。
【図５】多結晶シリコン析出反応後に回収されるテトラクロロシランを、熱分解工程を介して水素化工程へと供給する態様を説明するためのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、図面を参照して、本発明に係るトリクロロシランの精製システムについて説明する。
【００２８】
多結晶シリコンの製造等に用いられるトリクロロシラン（ＴＣＳ）は、金属シリコンの塩素化を伴う反応で得られる粗トリクロロシランを、蒸留・精製して高純度化されて多結晶シリコンの製造工程に供給される。また、多結晶シリコンを析出させる工程で生成するガスを蒸留・精製して高純度トリクロロシランを分離することとすれば、当該高純度トリクロロシランを再度、多結晶シリコンの製造工程に供給することができる。
【００２９】
しかし、上述のような粗トリクロロシラン中には、原料とされる金属シリコンに含まれる炭素不純物から副生した炭化水素類が混入する。また、多結晶シリコンを析出させる工程で生成するガス中には、反応器材等に含まれる炭素から副生した炭化水素類が混入する。このような炭化水素類のうち、イソペンタン等の炭素数５付近のものは、精製対象であるトリクロロシランと近い沸点をもち、トリクロロシランとの分離が容易ではない。特に、イソペンタンの沸点は２７．７℃であり、トリクロロシランの沸点３１．８℃に極めて近い。
【００３０】
そして、このような粗トリクロロシラン中や多結晶シリコンを析出させる工程で生成するガス中に含まれる炭化水素類は、微量ではあっても、トリクロロシランの精製プロセス中で次第に濃縮されるため、結果的にトリクロロシランの高純度精製の阻害要因となる。
【００３１】
本発明では、クロロシラン類中に含まれる炭化水素類を熱分解により低沸化し、トリクロロシランとの沸点差を大きくすることで、トリクロロシランとの分離を容易なものとしている。炭素数５の炭化水素類の熱分解生成物としては、炭素数１〜４のアルカンおよびアルケンが得られるが、これらの熱分解生成物の沸点はトリクロロシランのそれに比較して低くなる。これらの熱分解生成物の中で最も沸点の高い化合物は炭素数４のｃｉｓ−２ブテンであるが、その沸点は３．７℃であるからトリクロロシランの沸点差（約２８℃）は分離の観点からは十分に大きい。そこで、本発明では、クロロシラン類中に含まれる炭化水素類を熱分解により炭素数が４以下の炭化水素類とし、低沸化を図ることとする。これにより、沸点差を上述の２８℃程度以上にすることができる。
【００３２】
よって、本発明に係るトリクロロシランの精製システムでは、クロロシラン留分中の炭化水素類を熱分解して低沸点化する熱分解反応器と、この熱分解反応器から送られたクロロシラン留分中に含まれるトリクロロシランを他の成分と分離する蒸留器とを備えることにより、炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを得ることを可能としている。
【００３３】
図１は、粗トリクロロシランを蒸留・精製して高純度化されたトリクロロシランを製造するシステム例のブロック図（Ａ）、および、多結晶シリコンを析出させる工程で生成するガスを蒸留・精製して高純度トリクロロシランを分離し、得られた高純度トリクロロシランを再度、多結晶シリコンの製造工程に供給するシステム例のブロック図（Ｂ）である。
【００３４】
熱分解工程（熱分解反応器）には、炭化水素類（例えば、イソペンタン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシラン）含むクロロシラン類が供給され、３００℃〜１２００℃に加熱した反応器中で上記炭化水素類が熱分解されて沸点の低い物質へと転化される。そして、この低沸点化された炭化水素類を含むクロロシラン留分が生成工程（蒸留器）へと送られ、トリクロロシランが他の成分と分離される。
【００３５】
上述のとおり、トリクロロシランと沸点の近い炭化水素類は熱分解工程を経ることで低沸化されているため容易に分離され、トリクロロシランの高純度化が容易なものとなる。
【００３６】
本発明で用いられる熱分解反応器は、少なくとも、イソペンタン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシランの低沸点化が可能であることが好ましい。これらの炭化水素類は、精製対象であるトリクロロシランと近い沸点をもち、一般的な手法では分離が容易ではないためである。
【００３７】
また、上述の熱分解は、例えば、３００〜１２００℃の温度範囲において、０．０１〜２ＭＰａの圧力範囲で行われるから、熱分解反応器は、低沸点化時の圧力を０．０１〜２ＭＰａの範囲に制御可能であることが好ましい。
【００３８】
図２は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示した工程を組合せ、粗トリクロロシランの製造工程から供給されるガスを精製して高純度トリクロロシランとして多結晶シリコンの製造用ガスとして用い、多結晶シリコンの析出工程から排出されたガスを精製して、再度、多結晶シリコンの析出工程に供給して用いる循環システム例のブロック図である。
【００３９】
なお、図２に示した粗トリクロロシランの製造工程は、図３に示した態様のように、水素化工程（水素化反応器）と塩素化工程（塩素化反応器）の何れか一方のみを備えるものでも、両工程を備えるものでもよい。この場合、水素化工程では金属シリコンとテトラクロロシランおよび水素が供給され、金属珪素の存在下でテトラクロロシランと水素を反応させてトリクロロシランを含む粗トリクロロシランを得て、該粗トリクロロシランを熱分解反応器に送るガスラインが設けられる。また、塩素化工程では金属シリコンと塩化水素が供給され、トリクロロシランを含む粗トリクロロシラン類が得られる。
【００４０】
また、図４に示す態様のように、熱分解反応器内に、テトラクロロシランおよび水素を導入するガスラインを設け、粗トリクロロシランの精製により分離される炭化水素類含有クロロシラン留分を、テトラクロロシランおよび水素とともに熱分解工程へ供給し、得られる熱分解炭化水素類含有クロロシラン類を粗トリクロロシラン製造工程の水素化工程へと供給する態様とすることもできる。なお、この場合、上述のガスラインから熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＴＣＳ］）との比（［Ｈ2］／［ＴＣＳ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能であることが好ましい。
【００４１】
さらに、図５に示す態様のように、多結晶シリコン析出反応後に回収されるテトラクロロシランを、熱分解工程を介して水素化工程へと供給する態様としてもよい。なお、この場合も、上述のガスラインから熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＴＣＳ］）との比（［Ｈ2］／［ＴＣＳ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能であることが好ましい。
【実施例】
【００４２】
以下に、実施例及び比較例により、テトラクロロシランと水素の混合ガス中に炭化水素類としてのイソペンタンを所定濃度添加した試験ガスを、本発明のシステムにより、イソペンタンを熱分解により低沸点化する具体例を示す。
【００４３】
（実施例１）
４５０〜６５０℃の熱分解温度条件下で、イソペンタン濃度を５ｐｐｍ添加した試験ガス（テトラクロロシラン：水素＝１：６）を石英管に流通させ、排出されるガス中のイソペンタン濃度を、水素炎イオン化型検出器を用いたガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ−ＧＣ）にて測定し、イソペンタンの分解率を調べた。
【００４４】
（実施例２）
４５０〜６５０℃の熱分解温度条件下で、イソペンタン濃度を５ｐｐｍ添加した試験ガス（テトラクロロシラン：水素＝１：６）を内壁を純ニッケルで被覆した石英管に流通させ、排出されるガス中のイソペンタン濃度を、ＦＩＤ−ＧＣにて測定し、イソペンタンの分解率を調べた。
【００４５】
（実施例３）
４５０〜６５０℃の熱分解温度条件下で、イソペンタン濃度を５ｐｐｍ添加した試験ガス（テトラクロロシラン：水素＝１：６）を内壁をSUS316で被覆した石英管に流通させ、排出されるガス中のイソペンタン濃度を、ＦＩＤ−ＧＣにて測定し、イソペンタンの分解率を調べた。
【００４６】
（実施例４）
４５０〜６５０℃の熱分解温度条件下で、イソペンタン濃度を５ｐｐｍ添加した試験ガス（テトラクロロシラン：水素＝１：６）を内壁を純鉄で被覆した石英管に流通させ、排出されるガス中のイソペンタン濃度を、ＦＩＤ−ＧＣにて測定し、イソペンタンの分解率を調べた。
【００４７】
（比較例１）
熱分解温度を室温とした条件下で、イソペンタン濃度を５ｐｐｍ添加した試験ガス（テトラクロロシラン：水素＝１：６）を石英管に流通させ、排出されるガス中のイソペンタン濃度を、ＦＩＤ−ＧＣにて測定し、イソペンタンの分解率を調べた。
【００４８】
（比較例２）
熱分解温度を室温とした条件下で、イソペンタン濃度を５ｐｐｍ添加した試験ガス（テトラクロロシラン：水素＝１：６）を内壁をSUS316で被覆した石英管に流通させ、排出されるガス中のイソペンタン濃度を、ＦＩＤ−ＧＣにて測定し、イソペンタンの分解率を調べた。
【００４９】
上記実施例１〜４および比較例１〜２の結果を、表１に纏めた。
【００５０】
【表１】
2018052765.tif 000003
【００５１】
表１に示した結果によれば、温度が高くなるにつれてクロロシラン類中のイソペンタンの熱分解が促進されることが確認できる。また、反応器内壁表面の材質の鉄の含有量が低い程、熱分解が促進されやすいことが確認できる。ＳＵＳ３１６の鉄の含有量は概ね６５ｗｔ％以下であるから、表１に示した結果は、少なくとも、熱分解反応器の内壁材質中の鉄の含有量が６５ｗｔ％以下である場合にi-C5H12分解率の向上効果が認められることを示している。このような材質としては、例えばＩｎｃｏｌｏｙ（登録商標）８００Ｈがあり、その鉄含有量は概ね４５ｗｔ％である。本発明者らがＩｎｃｏｌｏｙ（登録商標）８００Ｈを内壁材質とした熱分解反応器で実験を行ったところ、純鉄やSUS316を内壁材質とした熱分解反応器での結果に比較して、６５０℃での分解率の向上が認められた。よって、実用に際しては、鉄の含有量が６５ｗｔ％以下である内壁材質を用いることが好ましいと考えられ、より好ましくは、鉄の含有量が５０ｗｔ％以下である内壁材質を用いる。
【００５２】
上述のシステムを用いて、高純度のトリクロロシランが精製され、このトリクロロシランを原料として多結晶シリコンが製造される。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを精製するに際して、大量のクロロシランを系外に排出する必要がなく、且つ、反応制御も容易に行えるトリクロロシランの精製技術を提供する。
【図１】
2018052765.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年6月8日(2017.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを得るためのシステムであって、
前記クロロシラン留分中の炭化水素類を熱分解して低沸点化する熱分解反応器と、
前記熱分解反応器から送られた前記クロロシラン留分中に含まれるトリクロロシランを他の成分と分離する蒸留器とを備えている、トリクロロシランの精製システム。
【請求項２】
前記熱分解反応器は、少なくとも、イソペンタン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシランの低沸点化が可能である、請求項１に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項３】
前記熱分解反応器は、前記低沸点化時の圧力を０．０１〜２ＭＰａの範囲に制御可能である、請求項１または２に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項４】
前記熱分解反応器は、前記低沸点化時の温度を３００〜１２００℃の範囲に制御可能である、請求項１〜３の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項５】
前記熱分解反応器の内壁材質中の鉄の含有量が６５ｗｔ％以下である、請求項１〜４の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項６】
前記熱分解反応器の内壁材質中の鉄の含有量が５０ｗｔ％以下である、請求項５に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項７】
前記熱分解反応器内に、テトラクロロシランおよび水素を導入するガスラインを備えている、請求項１〜６の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項８】
前記ガスラインから前記熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＳＴＣ］）との比（［Ｈ2］／［ＳＴＣ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能である、請求項７に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項９】
金属珪素の存在下でテトラクロロシランと水素を反応させて粗トリクロロシランを得る水素化反応器を更に備え、前記低沸点化された炭化水素類を含有するクロロシラン類を前記水素化反応器に送るガスラインを備えている、請求項１〜８の何れか１項に記載のトリクロロシランの精製システム。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載のシステムを用いたトリクロロシランの精製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９の何れか１項に記載のシステムで精製されたトリクロロシランを原料として用いる多結晶シリコンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、ある態様では、前記ガスラインから前記熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＳＴＣ］）との比（［Ｈ2］／［ＳＴＣ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、図４に示す態様のように、熱分解反応器内に、テトラクロロシランおよび水素を導入するガスラインを設け、粗トリクロロシランの精製により分離される炭化水素類含有クロロシラン留分を、テトラクロロシランおよび水素とともに熱分解工程へ供給し、得られる熱分解炭化水素類含有クロロシラン類を粗トリクロロシラン製造工程の水素化工程へと供給する態様とすることもできる。なお、この場合、上述のガスラインから熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＳＴＣ］）との比（［Ｈ2］／［ＳＴＣ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
さらに、図５に示す態様のように、多結晶シリコン析出反応後に回収されるテトラクロロシランを、熱分解工程を介して水素化工程へと供給する態様としてもよい。なお、この場合も、上述のガスラインから熱分解反応器内に導入する水素の量（［Ｈ2］）を、テトラクロロシランの量（［ＳＴＣ］）との比（［Ｈ2］／［ＳＴＣ］）が、１〜６の範囲となるように制御可能であることが好ましい。