(57)【要約】【課題】高指向性を有する波長フィルタを提供する。【解決手段】  実施形態の波長フィルタは、第１の材料を含む複数の第１の領域と、複数の第１の領域の間のそれぞれに設けられ第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む複数の第２の領域と、を有する第１の層と、第１の層上に設けられ、第１の材料を含む第２の層と、第２の層上の、複数の第１の領域のそれぞれの上に設けられ第１の材料を含む複数の第３の領域と、複数の第３の領域の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第４の領域と、を有する第３の層と、を備える。【選択図】図１
2018155805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料を含む複数の第１の領域と、複数の前記第１の領域の間のそれぞれに設けられ前記第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む複数の第２の領域と、を有する第１の層と、
前記第１の層の上に設けられ、前記第１の材料を含む第２の層と、
前記第２の層の上の、複数の前記第１の領域のそれぞれの上に設けられ前記第１の材料を含む複数の第３の領域と、複数の前記第３の領域の間のそれぞれに設けられ前記第２の材料を含む複数の第４の領域と、を有する第３の層と、
を備える波長フィルタ。
【請求項２】
前記第１の層の膜厚ｄ１と前記第３の層の膜厚ｄ３は互いに異なる請求項１記載の波長フィルタ。
【請求項３】
前記第１の材料は酸化シリコンであり、前記第２の材料はアモルファスシリコンである請求項１又は請求項２記載の波長フィルタ。
【請求項４】
前記第２の層の膜厚ｄ２と、前記第１の材料の屈折率ｎ１と、前記波長フィルタに入射する光の波長λは、以下の式
（１／４ｎ１）・λ＜ｄ２＜（１／２ｎ１）・λ      （１）
を満たす請求項１ないし請求項３いずれか一項に記載の波長フィルタ。
【請求項５】
温度制御機構をさらに備える請求項１ないし請求項４いずれか一項に記載の波長フィルタ。
【請求項６】
電流注入機構をさらに備える請求項１ないし請求項５いずれか一項に記載の波長フィルタ。
【請求項７】
前記第２の領域の幅又は前記第４の領域の幅が異なる部分を有する請求項１ないし請求項６いずれか一項に記載の波長フィルタ。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７いずれか一項に記載の波長フィルタと、
受光部と、
前記波長フィルタと前記受光部の間に設けられ前記第１の材料を含む第４の層と、
を備える受光素子。 
【請求項９】
前記第４の層の膜厚ｄ４と、前記第１の材料の前記屈折率ｎ１と、前記波長フィルタに入射する前記光の前記波長λは、以下の式
ｅｘｐ（−２πｎ１ｄ４／λ）＜０．５      （２）
を満たす請求項８記載の受光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、波長フィルタ及び受光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザー・レーダー（ＬｉＤＡＲ）は、自動運転の際に目の役割を果たすセンサーのキー技術の一つとなっている。このセンサーに用いられる、発光素子と、受光素子と、波長フィルタと、光入出力制御のための光学系を組み合わせた集積化デバイスの技術開発は重要である。
【０００３】
この場合、センサーの光源である発光素子は、大気中で透過が容易な波長のウインドウ（例えば０．２μｍ以上１．２μｍ以下、１．６μｍ以上１．８μｍ以下、２μｍ以上２．５μｍ以下又は８μｍ以上１４μｍ以下）の光を選択的に放射する。波長フィルタは、障害物となる物体から反射した光を選択的に受光する。これにより、センサーは、物体までの距離を測定しながら、移動体の進む方向や速度を決めるために必要な情報を収集する。
【０００４】
波長フィルタは、光源からの反射光に対してはできるだけ高い透過率を有することが望ましい。一方、その他の波長を有するノイズとなる光に対しては、できるだけ低い透過率を有することが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−０３１５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、高指向性を有する波長フィルタ及び受光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の波長フィルタは、第１の材料を含む複数の第１の領域と、複数の第１の領域の間のそれぞれに設けられ第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む複数の第２の領域と、を有する第１の層と、第１の層上に設けられ、第１の材料を含む第２の層と、第２の層上の、複数の第１の領域のそれぞれの上に設けられ第１の材料を含む複数の第３の領域と、複数の第３の領域の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第４の領域と、を有する第３の層と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態の受光素子の模式断面図である。
【図２】第１の実施形態の受光素子の製造方法を示す模式図である。
【図３】第１の実施形態の波長フィルタの作用を説明する図である。
【図４】第２の実施形態の受光素子の要部を上方から見た模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。
【００１０】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
本実施形態の波長フィルタは、第１の材料を含む複数の第１の領域と、複数の第１の領域の間のそれぞれに設けられ第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む複数の第２の領域と、を有する第１の層と、第１の層上に設けられ、第１の材料を含む第２の層と、第２の層上の、複数の第１の領域のそれぞれの上に設けられ第１の材料を含む複数の第３の領域と、複数の第３の領域の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第４の領域と、を有する第３の層と、を備える。
【００１２】
本実施形態の受光素子は、上述の波長フィルタと、受光部と、波長フィルタと受光部の間に設けられ第１の材料を含む第４の層と、を備える。
【００１３】
図１は、本実施形態の受光素子１００の模式断面図である。
【００１４】
受光素子１００は、波長フィルタ５０と、第１の電極６０と、第２の電極６２と、受光部７０と、温度制御機構９０と、電流注入機構９６と、を備える。
【００１５】
波長フィルタ５０は、第１の層１０と、第２の層２０と、第３の層３０と、保護膜４２と、を有する。
【００１６】
第１の層１０は、複数の第１の領域１２と、複数の第２の領域１４と、を有する。
【００１７】
第３の層３０は、複数の第３の領域３２と、複数の第４の領域３４と、を有する。
【００１８】
受光部７０は、第１のコンタクト層７２と、第１のクラッド層７４と、活性層７６と、第２のクラッド層７８と、第２のコンタクト層８０と、を有する。
【００１９】
温度制御機構９０は、温度計９２と、加熱機構９４と、を有する。
【００２０】
複数の第１の領域１２は、第１の材料を含む。第１の材料は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）である。
【００２１】
複数の第２の領域１４は、複数の第１の領域１２の間のそれぞれに設けられている。第２の領域１４は、第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む。第２の材料は、例えばアモルファスシリコンである。
【００２２】
第２の層２０は、第１の層１０の上に設けられている。第２の層２０は、第１の材料を含む。
【００２３】
第３の層３０は、第２の層２０の上に設けられている。複数の第３の領域３２は、複数の第１の領域１２のそれぞれの上に設けられている。第３の領域３２は、第１の材料を含む。複数の第４の領域３４は、複数の第３の領域３２の間のそれぞれに設けられている。第４の領域３４は、第２の材料を含む。
【００２４】
第１の層１０と第３の層３０は、それぞれ屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶薄膜である。そして、第１の層１０と第３の層３０の間には、屈折率の低い第１の材料を含む第２の層２０が設けられている。
【００２５】
第１の層１０の膜厚ｄ１と第３の層３０の膜厚ｄ３は互いに異なることが好ましい。
【００２６】
第２の層２０の膜厚ｄ２と、第１の材料の屈折率ｎ１と、前記波長フィルタに入射する光の波長λは、以下の式（１）を満たすことが好ましい。
【００２７】
【数１】
2018155805.tif 000003
【００２８】
第１のクラッド層７４は、第１のコンタクト層７２の上に設けられている。活性層７６は、第１のクラッド層７４の上に設けられている。第２のクラッド層７８は、活性層７６の上に設けられている。第２のコンタクト層８０は、第２のクラッド層７８の上に設けられている。
【００２９】
第１のコンタクト層７２は、例えばｎ型ＩｎＰ（インジウム燐）である。第１のクラッド層７４は、例えばｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓ（インジウムアルミニウムガリウムヒ素）である。活性層７６は、例えばＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ多重量子井戸層である。第２のクラッド層７８は、例えばｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓである。第２のコンタクト層８０は、例えばｐ型ＩｎＰである。なお受光部７０の構成はこれに限定されない。
【００３０】
波長フィルタ５０は、受光部７０の上に設けられている。
【００３１】
第１の電極６０は、第１のコンタクト層７２に電気的に接続されている。第１の電極６０は、ｎ電極である。第２の電極６２は、第２のコンタクト層８０に電気的に接続されている。第２の電極６２は、ｐ電極である。
【００３２】
第４の層４０は、波長フィルタ５０と受光部７０の間に設けられている。第４の層４０は、第１の材料を含む。
【００３３】
第４の層４０の膜厚ｄ４と、第１の材料の屈折率ｎ１と、波長フィルタ５０に入射する光の波長λは、以下の式（２）を満たすことが好ましい。
【００３４】
【数２】
2018155805.tif 000004
【００３５】
保護膜４２は、波長フィルタ５０及び第４の層４０の周囲に設けられている。保護膜４２は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む。
【００３６】
温度制御機構９０は、温度計９２及び加熱機構９４に接続されている。温度計９２及び加熱機構９４は、例えば波長フィルタ５０に接して設けられている。温度計９２は、波長フィルタ５０の温度を測定する。加熱機構９４は、波長フィルタ５０を加熱する。加熱機構９４は、例えば公知のヒーターである。温度制御機構９０は、温度計９２により測定された波長フィルタの温度に基づき加熱機構９４の加熱の出力を制御する。これにより、温度制御機構９０は、波長フィルタの温度を制御する。
【００３７】
電流注入機構９６は、第２の領域１４又は第４の領域３４に接続されている。電流注入機構９６は、電流又はキャリアを第２の領域１４又は第４の領域３４に注入する。これにより、第２の領域１４又は第４の領域に熱が発生する。電流又はキャリアの量を制御することにより、波長フィルタ５０の温度を制御することが可能になる。
【００３８】
温度制御機構９０には回路基板を用いることが出来るが、回路基板に限定されるものではなく、たとえば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）を中心とするマイクロプロセッサと、処理プログラムを記憶するＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、入出力ポート及び通信ポートを用いてもよい。
【００３９】
次に、本実施形態の受光素子の製造方法を記載する。図２は、本実施形態の受光素子の製造方法を示す模式図である。
【００４０】
本実施形態の波長フィルタの製造方法は、第１の材料を含む第４の層を形成し、第４の層上に第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む第１の層を形成し、第１の層上に第１の材料を含む第２の層を形成し、第２の層上に第２の材料を含む第３の層を形成し、第１の層、第２の層及び第３の層の一部を除去して第４の層上に複数の溝又は穴の格子からなる一定の周期を有する開口部を形成し、開口部内に第１の材料を形成して、第１の層内に、第１の材料を含む複数の第１の領域と、複数の第１の領域の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第２の領域を形成し、第３の層内に、複数の第１の領域のそれぞれの上に設けられ第１の材料を含む複数の第３の領域と、複数の第３の領域の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第４の領域を形成する。
【００４１】
本実施形態の受光素子の製造方法は、受光部を形成し、波長フィルタと受光部を接合し、波長フィルタ及び第４の層の周囲に保護膜を形成し、第１の電極と第２の電極を形成し、温度制御機構及び電流注入機構を波長フィルタに接続する。
【００４２】
まず、Ｓｉ基板等の第１の基板Ｗ１上に、第１の材料を含む第４の層４０を形成する。次に、第４の層４０上に、第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む第１の層１０を形成する。次に、第１の層１０上に、第１の材料を含む第２の層２０を形成する。次に、第２の層２０上に、第２の材料を含む第３の層３０を形成する（図２（ａ））。
【００４３】
次に、例えばリソグラフィ及びドライエッチングにより、第１の層１０、第２の層２０及び第３の層３０の一部を除去し、第４の層４０上に複数の溝又は穴の格子からなる一定の周期を有する開口部４４を形成する（図２（ｂ））。
【００４４】
次に、上述の除去された開口部４４内に第１の材料を形成する。これにより、第１の層１０内に、第１の材料を含む複数の第１の領域１２と、複数の第１の領域１２の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第２の領域１４を形成する。また、第３の層３０内に、複数の第１の領域１２のそれぞれの上に設けられ第１の材料を含む複数の第３の領域３２と、複数の第３の領域３２の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第４の領域３４を形成する。次に、第１の基板Ｗ１を除去する。これにより、本実施形態の波長フィルタ５０が製造される（図２（ｃ））。
【００４５】
次に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板等の第２の基板Ｗ２上に、第２のコンタクト層８０を形成する。次に第２のコンタクト層８０上に、第２のクラッド層７８を形成する。次に、第２のクラッド層７８上に、活性層７６を形成する。次に、活性層７６上に第１のクラッド層７４を形成する。次に、第１のクラッド層７４上に、第１のコンタクト層７２を形成する。このようにして、第２の基板Ｗ２上に、受光部７０を形成する。
【００４６】
次に、波長フィルタ５０と受光部７０を、第４の層４０と第２のコンタクト層８０が接するように接合する。次に、第１の基板及び第２の基板を除去する。
【００４７】
次に、波長フィルタ５０及び第４の層４０の周囲に保護膜４２を形成する。次に、第１のコンタクト層７２に電気的に接続される第１の電極６０と、第２のコンタクト層８０に電気的に接続される第２の電極６２を形成する。次に、温度制御機構９０及び電流注入機構９６を波長フィルタ５０に接続する。これにより、本実施形態の受光素子１００が製造される（図２（ｄ））。
【００４８】
次に、本実施形態の作用効果を記載する。
【００４９】
本実施形態のごとく、屈折率が周期的に変化する２枚のフォトニック結晶薄膜からなる層と、上述の２枚のフォトニック結晶薄膜の間に設けられた屈折率の低い材料を含む第２の層２０を備えることにより、高指向性を有し、狭帯域かつ高感度であり、集積化が容易な波長フィルタ５０及び受光素子１００の実現が可能となる。
【００５０】
以下、作用効果についてさらに詳細に説明する。
【００５１】
波長フィルタとしては、光源からの反射光に対しては高い透過率を有し、その他の波長のノイズとなる光に対してはできるだけ遮断することが望ましい。このために、例えば、分布ブラッグ反射膜等の多層反射膜を組み合わせたエタロンや共振器を用いる方法がある。
【００５２】
しかし、素子が厚くなり、指向性が低下する。また、波長フィルタのターゲット波長を可変にしたり安定化させたりするため、構成が複雑になる。
【００５３】
図３は、本実施形態の波長フィルタ５０の作用を説明する図である。
【００５４】
図３（ａ）は、第３の層３０の膜厚に垂直な方向に光が入射した場合の、波長フィルタ５０の反射率の波長依存性である。入射角が０度の場合は、透過率は約８０％であった。これに対して、入射角が３度の場合は、透過率は２４％に低下した。このように、本実施形態の波長フィルタ５０は、高い指向性を有する。また、入射角が０度の場合での透過率は約８０％、波長帯域は約０．００６μｍであった。このように、本実施形態の波長フィルタ５０では、狭帯域かつ高感度の波長フィルタが実現可能である。
【００５５】
図３（ｂ）は、第３の層３０の膜厚に垂直な方向での、第１の領域１２の長さ及び第３の領域３２の長さｄ５と第２の領域１４の長さ及び第４の領域３４の長さｄ６の和ｄ５＋ｄ６を一定として、ｄ６を変化させたときの、反射率の波長依存性である。
【００５６】
ｄ６＝２５５ｎｍでは、反射率が最も小さくなる波長すなわち波長フィルタ５０のターゲット波長は１．２６２μｍであった。一方、ｄ６＝２６５ｎｍ及びｄ６＝２７５ｎｍでは、波長フィルタ５０のターゲット波長は、それぞれ１．２７８μｍ及び１．２９２μｍと変化した。
【００５７】
上述の多層反射膜でターゲット波長を変化させる場合には、多層反射膜の膜厚や積層数等を変化させるため、構造が複雑になる。しかし、本実施形態の波長フィルタ５０ではｄ５又はｄ６の長さを変化させることにより、ターゲット波長を容易に変化させることが可能である。そのため、同一の膜構造でリソグラフィのマスクパターン等を変化させることにより、ターゲット波長の変化が可能である。
【００５８】
図３（ｃ）は、第２の材料の屈折率ｎ２を変化させた場合の、反射率の波長依存性である。第２の材料の屈折率ｎ２が３．５１の場合、波長フィルタ５０のターゲット波長は１．２９１μｍであった。第２の材料の屈折率ｎ２がそれぞれ３．５２及び３．５３の場合、波長フィルタ５０のターゲット波長はそれぞれ１．３０２μｍ及び１．３０４μｍと変化した。このように、第２の材料の屈折率ｎ２を変化させることによっても、ターゲット波長を容易に変化させることが可能である。
【００５９】
また、本実施形態の波長フィルタ５０は、２枚のフォトニック結晶薄膜と、上述の２枚のフォトニック結晶薄膜の間に設けられた第２の層２０を備えるものである。そのため、上述の多層反射膜と比較して薄型化が可能である。そのため、集積化が容易である。
【００６０】
第１の層１０の膜厚ｄ１と第３の層３０の膜厚ｄ３が等しい場合、波長フィルタ５０内で光が共鳴し干渉してしまう。上述の干渉を抑制するため、第１の層１０の膜厚ｄ１と第３の層３０の膜厚ｄ３は互いに異なることが好ましい。
【００６１】
第２の層２０の膜厚ｄ２と、第１の材料の屈折率ｎ１と、波長フィルタ５０に入射する光の波長λが以下の式（１）を満たすことにより、ターゲットとなる光の波長の選択性を増加させることが出来る。
【００６２】
【数３】
2018155805.tif 000005
【００６３】
温度制御機構９０を備えることにより、材料の屈折率を変化させることが出来る。そのため、上述の図３（ｃ）のように、波長フィルタ５０のターゲット波長を変化させることが可能となる。また、波長フィルタ５０が設置される環境の温度が変化すると、ターゲット波長が変化することとなる。そのため、温度制御機構９０を備えることにより、波長フィルタ５０のターゲット波長が環境の温度に依存して変化しないように制御することが可能となる。
【００６４】
第２の領域１４又は第４の領域３４に電気的に接続された電流注入機構９６をさらに備えることにより、キャリアを第２の領域１４又は第４の領域３４に注入して熱を発生させて第２の領域１４又は第４の領域３４の屈折率を変化させることが出来る。これにより、波長フィルタ５０のターゲット波長を変化させることが可能となる。
【００６５】
なお、キャリアの注入量を変化させることにより、波長フィルタ５０のターゲット波長を所定の波長に制御することも可能である。例えば、１０１８／ｃｍ−３以上の高密度のキャリアを注入すると屈折率のキャリア密度依存性から十分の数％以上の屈折率変化が生じるため、屈折率変化によってもターゲット波長を変化させることができる。
【００６６】
本実施形態の波長フィルタ５０と、受光部７０と、波長フィルタ５０と受光部７０の間に設けられ第１の材料を含む第４の層４０と、を備える受光素子により、高指向性を有し、狭帯域かつ高感度であり、集積化が容易な受光素子１００の提供が可能となる。
【００６７】
第４の層４０の膜厚ｄ４は、あまりにも小さい場合、波長フィルタ５０が正常に機能しなくなる。第４の層４０の膜厚ｄ４と、第１の材料の屈折率ｎ１と、波長フィルタ５０に入射する光の波長λが以下の式（２）を満たすことにより、正常に機能する波長フィルタ５０を有する受光素子の提供が可能となる。
【００６８】
【数４】
2018155805.tif 000006
【００６９】
以上、本実施形態によれば、高指向性を有する波長フィルタ及び受光素子の提供が可能となる。
【００７０】
（第２の実施形態）
本実施形態の波長フィルタは、第２の領域１４又は第４の領域３４の幅が異なる部分を有することで、第１の実施形態の波長フィルタと異なっている。ここで、第１の実施形態と異なる点については、記載を省略する。
【００７１】
図４は、本実施形態の受光素子２００の要部を上方から見た模式図である。受光素子２００は、波長フィルタ５０ａと、波長フィルタ５０ｂと、波長フィルタ５０ｃと、波長フィルタ５０ｄと、を備える。
【００７２】
波長フィルタ５０ａが有する第４の領域３４ａの幅と、波長フィルタ５０ｂが有する第４の領域３４ｂと、波長フィルタ５０ｃが有する第４の領域３４ｃと、波長フィルタ５０ｄが備える第４の領域３４ｄの幅は、それぞれ互いに異なっている。なお、第１の領域１２及び第２の領域１４についても同様である。これにより、波長フィルタ５０ａのターゲット波長、波長フィルタ５０ｂのターゲット波長、波長フィルタ５０ｃのターゲット波長、及び波長フィルタ５０ｄのターゲット波長を互いに異なるものとすることが出来る。
【００７３】
上述の多層反射膜を用いた波長フィルタの場合は、ターゲット波長に基づいて多層反射膜の積層数や膜厚が異なる。そのため、構造や製造プロセスが複雑となる。
【００７４】
本実施形態の波長フィルタでは、同一の層構造（第１の層１０、第２の層２０、第３の層３０）であっても、リソグラフィ又はドライエッチング等により第１の領域１２、第２の領域１４、第３の領域３２又は第４の領域３４の幅を変化させることで、ターゲット波長の異なる波長フィルタを並べることが出来る。言い換えれば、波長フィルタのアレイ化が容易となる。
【００７５】
以上述べた少なくとも一つの実施形態の波長フィルタによれば、第１の材料を含む複数の第１の領域と、複数の第１の領域の間のそれぞれに設けられ第１の材料より屈折率の高い第２の材料を含む複数の第２の領域と、を有する第１の層と、第１の層上に設けられ、第１の材料を含む第２の層と、第２の層上の、複数の第１の領域のそれぞれの上に設けられ第１の材料を含む複数の第３の領域と、複数の第３の領域の間のそれぞれに設けられ第２の材料を含む複数の第４の領域と、を有する第３の層と、を備えることにより、高指向性を有する波長フィルタ及び受光素子の提供が可能となる。
【００７６】
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態及び実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態や実施例及びその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７７】
１０        第１の層
１２        第１の領域
１４        第２の領域
２０        第２の層
３０        第３の層
３２        第３の領域
３４        第４の領域
４０        第４の層
５０        波長フィルタ
６０        第１の電極
６２        第２の電極
７０        受光部
９０        温度制御機構
９２        温度計
９４        加熱機構
９６        電流注入機構
１００      受光素子
２００      受光素子
【図１】
2018155805.tif 000007
【図２】
2018155805.tif 000008
【図３】
2018155805.tif 000009
【図４】
2018155805.tif 000010