(57)【要約】      （修正有）【課題】チャンバコンポーネントの耐腐食性及び／又は耐浸食性を改善するためのコーティングの提供。【解決手段】耐プラズマ性コーティングが、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを使用して、多孔質チャンバコンポーネントの表面上及び多孔質チャンバコンポーネント内の細孔壁上に堆積される物品、システム、及び方法を説明する。多孔質チャンバコンポーネントは、多孔質体内に複数の細孔を含む多孔質体を含み、複数の細孔はそれぞれ、細孔壁を含むことができる。多孔質体は、ガスを透過可能である。耐プラズマ性コーティングは、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含むことができ、約５ｎｍ〜約３μｍの厚さを有することができ、細孔壁を浸食から保護することができる。耐プラズマ性コーティングを有する多孔質体は、ガスを透過可能なままである。【選択図】図２Ａ
2018168472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質体内に複数の細孔を含む多孔質体であって、複数の細孔は、それぞれ細孔壁を含み、多孔質体は、ガスを透過可能である多孔質体と、
多孔質体の表面上及び多孔質体内の複数の細孔の細孔壁上の耐プラズマ性コーティングであって、耐プラズマ性コーティングは約５ｎｍ〜約３μｍの厚さを有し、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含み、耐プラズマ性コーティングは、細孔壁を浸食から保護し、耐プラズマ性コーティングを有する多孔質体は、ガスを透過可能のままである耐プラズマ性コーティングを含む物品。
【請求項２】
Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体が、４０〜８０モル％のＹ２Ｏ３と２０〜６０モル％のＺｒＯ２の混合物を含む請求項１記載の物品。
【請求項３】
Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体が、６０〜７０モル％のＹ２Ｏ３と３０〜４０モル％のＺｒＯ２の混合物を含む請求項１記載の物品。
【請求項４】
物品が、静電チャック用のセラミックプラグである請求項１記載の物品。
【請求項５】
耐プラズマコーティングが、
Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含む希土類金属含有酸化物層と、
高純度金属酸化物層を含む請求項１記載の物品。
【請求項６】
多孔質体は５％〜６０％の空孔率を有する請求項１記載の物品。
【請求項７】
耐プラズマ性コーティングが、
第１のタイプの層と第２のタイプの層の交互層のスタックを含み、
第１のタイプの層は、１オングストローム〜２０オングストロームの厚さを有する高純度金属酸化物を含み、
第２のタイプの層はＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含み、５オングストローム〜１００オングストロームの厚さを有する請求項１記載の物品。
【請求項８】
多孔質体は、第１の酸化物の焼結粒子と、第１の酸化物の焼結粒子に対して結合剤として作用する第２の酸化物とを含む二相材料から本質的になり、第１の酸化物は、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選択され、第２の酸化物は二酸化ケイ素である、請求項１記載の物品。
【請求項９】
多孔質体は、ａ）酸化アルミニウムと二酸化ケイ素との混合物、ｂ）酸化アルミニウムと酸化マグネシウムと二酸化ケイ素との混合物、ｃ）炭化ケイ素、ｄ）窒化ケイ素、及びｅ）窒化アルミニウムと二酸化ケイ素との混合物からなる群から選択される、請求項１記載の物品。
【請求項１０】
複数の細孔を含む多孔質チャンバコンポーネント上にＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体を含む耐プラズマ性コーティングを堆積させるために原子層堆積を実行するステップであって、複数の細孔は、それぞれ細孔壁を含み、多孔質チャンバコンポーネントは、ガスを透過可能であり、原子層堆積を実行するステップは、
耐プラズマ性コーティングを多孔質チャンバコンポーネントの表面上に堆積させるステップと、
多孔質チャンバコンポーネント内の複数の細孔の細孔壁上に耐プラズマ性コーティングを堆積させるステップを含み、
耐プラズマ性コーティングは、約５ｎｍ〜約３μｍの厚さを有し、耐プラズマ性コーティングは、細孔壁を浸食から保護し、耐プラズマ性コーティングを有する多孔質チャンバコンポーネントは、原子層堆積を実施した後にガスを透過可能のままである原子層堆積を実行するステップを含む方法。
【請求項１１】
耐プラズマ性コーティングを堆積させるステップは、Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２の交互の堆積によりＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体を形成するステップを有し、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体を形成するステップは、堆積サイクルを実行するステップであって、
イットリウム含有前駆体を細孔壁上に吸着させるために、チャンバコンポーネントを含む堆積チャンバ内にイットリウム含有前駆体を注入するステップと、
酸素含有反応物質をイットリウム含有前駆体と反応させてＹ２Ｏ３の第１の層を形成するために、酸素含有反応物質を堆積チャンバ内に注入するステップと、
ジルコニウム含有前駆体を第１の層の表面上に吸着させるために、堆積チャンバ内にジルコニウム含有前駆体を注入するステップと、
前記酸素含有反応物質又は他の酸素含有反応物質をジルコニウム含有前駆体と反応させてＺｒＯ２の第２の層を形成するために、前記酸素含有反応物質又は他の前記酸素含有反応物質を堆積チャンバ内に注入するステップと、
目標厚さが達成されるまで堆積サイクルを１回以上繰り返すステップとを含む堆積サイクルを実行するステップを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
耐プラズマ性コーティングをアニールして、Ｙ２Ｏ３の第１の層とＺｒＯ２の第２の層を相互拡散して、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含む単一相を形成するステップを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
多孔性チャンバ構成要素の初期空孔度又は初期浸透性のうちの少なくとも１を決定するステップと、
多孔性チャンバ構成要素の目標空孔率または目標浸透性の少なくとも１を決定するステップと、
初期空孔率から目標空孔率まで、又は、初期透過性から目標透過性までの少なくとも１を低下させる耐プラズマ性コーティングの目標厚さを決定するステップを含み、プラズマ耐性コーティングは目標厚さを有する請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体が、４０〜８０モル％のＹ２Ｏ３と２０〜６０モル％のＺｒＯ２の混合物を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
プラズマ耐性コーティングを堆積させるステップは、
Ｙ２Ｏ３及びＺｒＯ２を共堆積して、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含む相を形成するステップを含み、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含む相を形成するステップは堆積サイクルを実行するステップであって、
Ｙ２Ｏ３の第１前駆体とＺｒＯ２の第２前駆体との混合物をチャンバ構成要素を含む堆積チャンバに同時注入して、第１前駆物質と第２前駆物質を細孔壁に吸着させるステップと、
酸素含有反応物を堆積チャンバに注入し、第１の前駆体および第２の前駆体と反応させてＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を形成するステップと、
目標厚さに到達するまで堆積サイクルを１回以上繰り返すステップとを含む堆積サイクルを実行するステップを含む請求項１０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、物品、コーティングされたチャンバコンポーネント、及び耐プラ
ズマ性コーティングをチャンバコンポーネントにコーティングする方法に関する。耐プラ
ズマ性コーティングは、コンポーネント内の細孔壁を含む多孔質コンポーネントの全ての
表面をコーティングする高純度酸化物層を含むことができる。オプションとして、耐プラ
ズマ性コーティングは、希土類金属含有酸化物層及び／又は酸化アルミニウム層を含むこ
とができる。このコーティングは、原子層堆積のような非直線性技術を用いて形成される
。
【背景】
【０００２】
様々な製造プロセスは、高温、高エネルギープラズマ、腐食性ガスの混合物、高ストレ
ス、及びそれらの組み合わせに半導体処理チャンバコンポーネントを曝露させる。これら
の極端な条件は、チャンバコンポーネントを腐食及び／又は浸食させ、チャンバコンポー
ネントの欠陥に対する感受性を増加させる可能性がある。このような極端な環境において
、これらの欠陥を低減し、コンポーネントの耐腐食性及び／又は耐浸食性を改善すること
が望ましい。
【０００３】
保護コーティング膜は、典型的には、様々な方法（例えば、溶射、スパッタリング、イ
オンアシスト蒸着（ＩＡＤ）、プラズマ溶射、又は蒸発技術）によってチャンバコンポー
ネント上に堆積される。これらの技術は、一般的に、そのようなチャンバコンポーネント
内の細孔の細孔壁上にコーティングを堆積させることができない。
【概要】
【０００４】
本明細書に記載のいくつかの実施形態は、コーティングされた多孔質物品（例えば、静
電チャックからの多孔質プラグ）を含む。物品は、多孔質体内に複数の細孔を含み、複数
の細孔のそれぞれが細孔壁を含む多孔質体を含む。多孔質体はガスを透過可能である。物
品は、多孔質体の表面上及び多孔質体内の複数の細孔の細孔壁上に耐プラズマ性コーティ
ングを更に含む。耐プラズマ性コーティングは、約５ｎｍ〜約３μｍの厚さを有すること
ができる。耐プラズマ性コーティングは、細孔壁を浸食から保護する。耐プラズマ性コー
ティングを有する多孔質体は、ガスを透過可能のままである
【０００５】
いくつかの実施形態では、方法は、複数の細孔を含む多孔質チャンバコンポーネント上
に耐プラズマ性コーティングを堆積させるために原子層堆積を実行するステップを含み、
複数の細孔は、それぞれ細孔壁を含む。多孔質体は、ガスを透過可能である。原子層堆積
を実行するステップは、耐プラズマ性コーティングを多孔質チャンバコンポーネントの表
面上に堆積させるステップと、多孔質チャンバコンポーネント内の複数の細孔の細孔壁上
に耐プラズマ性コーティングを堆積させるステップとを含む。耐プラズマ性コーティング
は、約５ｎｍ〜約３μｍの厚さを有することができ、耐プラズマ性コーティングは、細孔
壁を浸食から保護し、耐プラズマ性コーティングを有する多孔質チャンバコンポーネント
は、原子層堆積を実施した後にガスを透過可能のままである。
【０００６】
いくつかの実施形態では、方法は、複数の多孔質セラミックスプラグを一緒に堆積チャ
ンバ内にロードするステップを含む。複数の多孔質セラミックスプラグのうちの１つの多
孔質セラミックスプラグはガスを透過可能であり、複数の細孔を含み、複数の細孔はそれ
ぞれ細孔壁を含む。本方法は、複数の多孔質セラミックスプラグ上に酸化アルミニウムコ
ーティングを同時に堆積させるために原子層堆積を実行するステップを更に含む。複数の
多孔質セラミックスプラグのうちの１つの多孔質セラミックスプラグのための原子層堆積
を実行するステップは、多孔質セラミックスプラグの表面上に酸化アルミニウムコーティ
ングを堆積させるステップと、多孔質セラミックスプラグ内の複数の細孔の細孔壁上に酸
化アルミニウムコーティングを堆積させるステップとを含む。酸化アルミニウムコーティ
ングは、約５ｎｍ〜約３μｍの厚さを有することができる。酸化アルミニウムコーティン
グは、細孔壁を浸食から保護し、耐プラズマ性コーティングを有する多孔質セラミックス
プラグは、原子層堆積を行った後、ガスを透過可能なままである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示は、同様の参照符号が同様の要素を示す添付図面の図において、限定としてでは
なく例として示されている。本開示における「１つの」又は「一」実施形態への異なる参
照は、必ずしも同じ実施形態への参照ではなく、そのような参照は少なくとも１つを意味
することが留意されるべきである。
【図１】処理チャンバの断面図を示す。
【図２Ａ】本明細書に記載の原子層堆積技術に係る堆積プロセスの一実施形態を示す。
【図２Ｂ】本明細書に記載の原子層堆積技術に係る堆積プロセスの別の一実施形態を示す。
【図２Ｃ】本明細書に記載の原子層堆積技術に係る堆積プロセスの別の一実施形態を示す。
【図２Ｄ】本明細書に記載の原子層堆積技術に係る堆積プロセスの別の一実施形態を示す。
【図３Ａ】本明細書に記載の原子層堆積を使用して耐プラズマ性コーティングを生成する方法を示す。
【図３Ｂ】本明細書に記載の原子層堆積を使用して耐プラズマ性コーティングを生成する方法を示す。
【図４Ａ】実施形態に係る、静電チャックチャンバコンポーネントのためのプラグを示す。
【図４Ｂ】静電チャック用のプラグ内の細孔の拡大図を示し、各細孔の内面は、本明細書に記載されているような耐プラズマ性コーティングでコーティングされている。
【図４Ｃ】本明細書に記載の実施形態に従ってコーティングされた複数の多孔質セラミックスプラグを含む基板支持アセンブリを示す。
【図５Ａ】本明細書に記載の実施形態に従ってコーティングされた多孔質プラグの形態を示す上面図である。
【図５Ｂ】本明細書に記載の実施形態に従ってコーティングされた多孔質プラグの断面図である。
【図６】新規及び使用済みのセラミックス多孔質プラグのエネルギー分散型Ｘ線微量分析の結果を示すチャートである。
【詳細な説明】
【０００８】
本明細書に記載の実施形態は、物品の多孔質セラミックス体内の細孔の細孔壁上に耐プ
ラズマ性コーティングを堆積させた物品、コーティングされたチャンバコンポーネント、
及び方法を網羅する。耐プラズマ性コーティングは、高純度金属酸化物層（例えば、高純
度酸化アルミニウム）又は希土類金属含有酸化物層（例えば、イットリウム含有酸化物層
）とすることができる。耐プラズマ性コーティングはまた、１以上の金属酸化物層並びに
１以上の希土類金属含有酸化物層を含む多層コーティングであってもよい。本明細書で使
用される場合、耐プラズマ性という用語は、少なくとも１つのタイプのガス並びに少なく
とも１つのタイプのガスの化学物質及びラジカルのプラズマに耐性があることを意味する
。物品は、多孔質セラミック材料とすることができる。堆積プロセスは、非直線的プロセ
ス（例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス）である。
【０００９】
耐プラズマ性コーティングの厚さは、いくつかの実施形態では、約５ｎｍ〜約３００ｎ
ｍとすることができる。耐プラズマ性コーティングは、チャンバコンポーネントの表面な
らびにチャンバコンポーネント内の細孔の細孔壁を実質的に均一な厚さでコンフォーマル
に覆うことができる。一実施形態では、耐プラズマ性コーティングは、±２０％未満の厚
さ変動、又は±１０％未満の厚さ変動、又は±５％未満の厚さ変動、又はより小さい厚さ
変動を有する均一な厚さでコーティングされた下地表面（コーティングされた細孔壁を含
む）のコンフォーマルな被覆を有する。
【００１０】
本明細書に記載の実施形態は、多孔質セラミックス体（例えば、静電チャック用の多孔
質セラミックスプラグ）内の細孔壁が、耐プラズマ性コーティングで効果的にコーティン
グされることを可能にする。多孔質セラミックス体は、１以上のガスを透過可能とするこ
とができる。細孔壁上の耐プラズマ性コーティングは、多孔質セラミックス体を詰まらせ
ることなく、細孔壁を１以上のガスによる浸食から保護することができる。したがって、
多孔質セラミックス体は、耐プラズマ性コーティングによってコーティングされた後、１
以上のガスを透過可能なままとすることができる。耐プラズマ性コーティングはまた、約
０％の空孔率で緻密である（例えば、耐プラズマ性コーティングは、実施形態では空孔無
しとすることができる）。耐プラズマ性コーティングは、プラズマエッチング化学物質（
例えば、ＣＣｌ４／ＣＨＦ３プラズマエッチング化学物質、ＨＣｌ３Ｓｉエッチング化学
物質、及びＮＦ３エッチング化学物質）からの腐食及び浸食に対して耐性があることが可
能である。
【００１１】
ＡＬＤは、物品の表面との化学反応を介して材料の制御された自己制限的堆積を可能に
する。コンフォーマルプロセスではなく、ＡＬＤも均一プロセスである。高アスペクト比
構造（例えば、約３：１〜３００：１）を含む物品の露出された全ての面は、堆積された
材料と同じ又はほぼ同じ量を有する。本明細書で述べるように、多孔質セラミックス体内
の細孔の内壁も、多孔質セラミックス体を詰まらせることなく、又は多孔質セラミックス
体の透過性を低下させることなく、ＡＬＤプロセスを用いてコーティングされる。ＡＬＤ
プロセスの典型的な反応サイクルは、前駆体（すなわち、単一の化学物質Ａ）をＡＬＤチ
ャンバ内に溢れさせて、（物品内の細孔壁の表面を含む）物品の表面上に吸着されること
から始まる。その後、反応物質（すなわち、単一の化学物質Ｒ）がＡＬＤチャンバに導入
され、続いて洗い流される（フラッシュされる）前に、過剰の前駆体はＡＬＤチャンバか
ら洗い流される。ＡＬＤの場合、材料の最終的な厚さは、各反応サイクルが１原子層又は
１原子層の一部とすることができるある一定の厚さの層を成長するため、実行される反応
サイクルの数に依存する。
【００１２】
高アスペクト比構造（例えば、細孔）を有する多孔質コンポーネント上にコーティング
を堆積するために典型的に使用される他の技術（例えば、プラズマ溶射コーティング及び
イオンアシスト蒸着）とは異なり、ＡＬＤ技術は、そのような構造内（すなわち、多孔質
コンポーネント内の細孔の細孔壁上）に材料の層を堆積させることができる。更に、ＡＬ
Ｄ技術は、堆積中の亀裂形成を排除することができる、空隙の無い（すなわち、ピンホー
ルの無い）比較的薄い（すなわち、１μｍ以下の）コーティングを生成する。本明細書で
使用される「空孔の無い」という用語は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定され
たとき、コーティングの深さ全体に沿って、細孔、ピンホール、空隙、又は亀裂が無いこ
とを意味する。ＴＥＭは、明視野、暗視野、又は高解像度モードで、２００ｋＶで操作さ
れるＴＥＭを用いて、集束イオンビームミリングによって調製された厚さ１００ｎｍのＴ
ＥＭ薄片を用いて行うことができる。対照的に、従来の電子ビームＩＡＤ又はプラズマ溶
射技術では、多孔質コンポーネント内の細孔の細孔壁はコーティングされない。その代わ
りに、多孔質コンポーネントの表面は、細孔を覆って塞ぐようにコーティングされ、多孔
質コンポーネントの透過性を減少又は排除する。
【００１３】
多孔質の処理チャンバコンポーネント（例えば、静電チャック（ＥＳＣ）用のプラグ）
は、これらの耐プラズマ性コーティングを有することにより、それらの性能に影響を与え
ずに過酷なエッチング環境内でコンポーネントを保護することからの恩恵を受ける。従来
の堆積方法はまた、プラグの空孔率を減少させ、したがってそれらの性能に影響を及ぼす
コーティングをもたらす可能性がある。プラグは、少なくともいくつかのガスを透過可能
であり、ガス粒子を濾過するか、又はＥＳＣの空洞内へのラジカル浸透を遮断し、ＥＳＣ
における二次プラズマ光を防止するように設計される。したがって、いくつかの実施形態
の目的は、プラグの空孔率及び／又は透過率を維持することである。本明細書に記載され
た実施形態は、多孔質セラミック物品（例えば、前述の多孔質チャンバコンポーネント）
の内部細孔壁が、それらの空孔率又は透過率に影響を及ぼすことなく物品を保護する耐プ
ラズマ性コーティングでコーティングされることを可能にする。
【００１４】
図１は、実施形態に係る耐プラズマ性コーティングでコーティングされた１以上のチャ
ンバコンポーネントを有する半導体処理チャンバ１００の断面図である。処理チャンバ１
００は、プラズマ処理条件を有する腐食性プラズマ環境が提供されるプロセスに使用する
ことができる。例えば、処理チャンバ１００は、プラズマエッチング装置又はプラズマエ
ッチングリアクタ、プラズマ洗浄装置、プラズマ強化ＣＶＤ、又はＡＬＤリアクタなどの
ためのチャンバとすることができる。耐プラズマ性コーティングを含むことができるチャ
ンバコンポーネントの例には、静電チャック（ＥＳＣ）１５０の多孔質セラミックスプラ
グが含まれる。以下でより詳細に説明される耐プラズマ性コーティングは、ＡＬＤプロセ
スによって施される。ＡＬＤは、複雑な形状及び高アスペクト比を有する構造を有する多
孔質コンポーネントを含む全てのタイプのコンポーネントに空孔の無い実質的に均一な厚
さのコンフォーマルなコーティングを施すことができる。
【００１５】
耐プラズマ性コーティングは、金属酸化物層用の前駆体（例えば、アルミニウム含有前
駆体）を用いてＡＬＤを用いて成長させるか又は堆積させることができる。耐プラズマ性
コーティングは、追加的又は代替的に、希土類金属含有酸化物を堆積するための、又は希
土類金属含有酸化物を１以上の追加の酸化物と組み合わせて同時堆積するための１以上の
前駆体を用いてＡＬＤを用いて成長又は堆積させ、希土類含有酸化物層を形成することが
できる。一実施形態では、希土類金属含有酸化物層は、多結晶構造を有する。あるいはま
た、希土類含有酸化物層は、非晶質構造を有していてもよい。希土類金属含有酸化物は、
イットリウム、タンタル、ジルコニウム、及び／又はエルビウムを含むことができる。例
えば、希土類金属含有酸化物は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３
）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等とすることができる
。実施形態では、希土類金属含有酸化物は、多結晶イットリアである。他の実施形態では
、希土類金属含有酸化物は、アモルファスイットリアである。希土類金属含有酸化物はま
た、１以上の希土類元素（例えば、イットリウム、ジルコニウム、及び／又はエルビウム
）と混合されたアルミニウムを含むことができる。希土類金属含有酸化物層を形成するた
めに、希土類金属含有酸化物と同時堆積することができる追加の１又は複数の酸化物は、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅ
ｒ２Ｏ３）、又はそれらの組み合わせを含むことができる。多層耐プラズマ性コーティン
グのためのイットリウム含有酸化物層は、例えば、ＹｘＺｒｙＯｚ、ＹａＺｒｘＡｌｙＯ
ｚ、ＹｘＡｌｙＯｚ、又はＹｘＥｒｙＯｚとすることができる。イットリウム含有酸化物
は、空間群Ｉａ−３（２０６）を有する立方体構造を有するイットリア石を有するイット
リア（Ｙ２Ｏ３）であってもよい。
【００１６】
一実施形態では、希土類金属含有酸化物層は、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１
２（ＹＡＧ）、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２（ＥＡＧ）、又はＹ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）のうちの
１つである。希土類金属含有酸化物層はまた、ＹＡｌＯ３（ＹＡＰ）、Ｅｒ４Ａｌ２Ｏ９
（ＥＡＭ）、ＥｒＡｌＯ３（ＥＡＰ）、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体、及び／又はＹ４Ａ
ｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体とを含むセラミックス化合物であってもよい。
【００１７】
Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体に関して、希土類金属含有酸化物層は、１０〜９０モル分
率（モル％）の濃度のＹ２Ｏ３と、１０〜９０モル％のＺｒＯ２とを含むことができる。
いくつかの例では、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体は、１０〜２０モル％のＹ２Ｏ３と、８
０〜９０モル％のＺｒＯ２とを含むことができる、２０〜３０モル％のＹ２Ｏ３と、７０
〜８０モル％のＺｒＯ２とを含むことができる、３０〜４０モルのＹ２Ｏ３と、６０〜７
０モル％のＺｒＯ２とを含むことができる、４０〜５０モル％のＹ２Ｏ３と、５０〜６０
モル％のＺｒＯ２とを含むことができる、６０〜７０モル％のＹ２Ｏ３と、３０〜４０モ
ル％のＺｒＯ２とを含むことができる、７０〜８０モル％のＹ２Ｏ３と、２０〜３０モル
％のＺｒＯ２とを含むことができる、８０〜９０モル％のＹ２Ｏ３と、１０〜２０モル％
のＺｒＯ２とを含むことができる、などである。
【００１８】
Ｙ４Ａｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体とを含むセラミックス化合物に関して、一
実施形態では、セラミックス化合物は、６２．９３モル分率（モル％）のＹ２Ｏ３と、２
３．２３モル％のＺｒＯ２と、１３．９４モル％のＡｌ２Ｏ３とを含む。別の一実施形態
では、セラミックス化合物は、５０〜７５モル％の範囲のＹ２Ｏ３と、１０〜３０モル％
のＺｒＯ２と、１０〜３０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３とを含むことができる。別の一実施
形態では、セラミックス化合物は、４０〜１００モル％の範囲のＹ２Ｏ３と、０．１〜６
０モル％のＺｒＯ２と、０．１〜１０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３とを含むことができる。
別の一実施形態では、セラミックス化合物は、４０〜６０モル％の範囲のＹ２Ｏ３と、３
０〜５０モル％のＺｒＯ２と、１０〜２０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３とを含むことができ
る。別の一実施形態では、セラミックス化合物は、４０〜５０モル％の範囲のＹ２Ｏ３と
、２０〜４０モル％のＺｒＯ２と、２０〜４０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３とを含むことが
できる。別の一実施形態では、セラミックス化合物は、７０〜９０モル％の範囲のＹ２Ｏ
３と、０．１〜２０モル％のＺｒＯ２と、１０〜２０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３とを含む
ことができる。別の一実施形態では、セラミックス化合物は、６０〜８０モル％の範囲の
Ｙ２Ｏ３と、０．１〜１０モル％のＺｒＯ２と、２０〜４０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３と
を含むことができる。別の一実施形態では、セラミックス化合物は、４０〜６０モル％の
範囲のＹ２Ｏ３と、０．１〜２０モル％のＺｒＯ２と、３０〜４０モル％の範囲のＡｌ２
Ｏ３とを含むことができる。他の実施形態では、セラミックス化合物に対して他の配分を
使用することもできる。
【００１９】
一実施形態では、希土類金属含有酸化物層に対して、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｅｒ２Ｏ３
、Ｇｄ２Ｏ３、及びＳｉＯ２の組み合わせを含む代替のセラミックス化合物が使用される
。一実施形態では、代替のセラミックス化合物は、４０〜４５モル％の範囲のＹ２Ｏ３と
、０〜１０モル％のＺｒＯ２と、３５〜４０モル％のＥｒ２Ｏ３と、５〜１０モル％の範
囲のＧｄ２Ｏ３と、５〜１５モル％のＳｉＯ２とを含むことができる。第１の例では、代
替のセラミックス化合物は、４０モル％のＹ２Ｏ３と、５モル％のＺｒＯ２と、３５モル
％のＥｒ２Ｏ３と、５モル％のＧｄ２Ｏ３と、１５モル％のＳｉＯ２とを含む。第２の例
では、代替のセラミックス化合物は、４５モル％のＹ２Ｏ３と、５モル％のＺｒＯ２と、
３５モル％のＥｒ２Ｏ３と、１０モル％のＧｄ２Ｏ３と、５モル％のＳｉＯ２とを含む。
第３の例では、代替のセラミックス化合物は、４０モル％のＹ２Ｏ３と、５モル％のＺｒ
Ｏ２と、４０モル％のＥｒ２Ｏ３と、７モル％のＧｄ２Ｏ３と、８モル％のＳｉＯ２とを
含む。
【００２０】
上記希土類金属含有酸化物層のいずれも、微量の他の物質（例えば、ＺｒＯ２、Ａｌ２
Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ
３、Ｙｂ２Ｏ３、又は他の酸化物）を含んでいてもよい。
【００２１】
金属酸化物層は、単独で使用される場合、少なくともいくつかのプラズマに対するプラ
ズマ浸食からコンポーネントを保護する高純度酸化アルミニウム又は同様の材料を含むこ
とができる。これはまた、希土類金属含有酸化物層（使用された場合）のチャンバコンポ
ーネントへの接着を改善し、実施形態では最高約３５０℃（又は約２００℃又は約２００
℃〜約３５０℃）の温度で耐プラズマ性コーティングの割れ及び剥離に対する耐熱性を提
供する。
【００２２】
一実施形態では、処理チャンバ１００は、内部容積１０６を囲むチャンバ本体１０２と
シャワーヘッド１３０とを含む。シャワーヘッド１３０は、シャワーヘッドベース及びシ
ャワーヘッドガス分配プレートを含むことができる。あるいはまた、シャワーヘッド１３
０は、いくつかの実施形態では、蓋及びノズルによって置き換えてもよく、又は他の実施
形態では、複数のパイ形のシャワーヘッド区画及びプラズマ生成ユニットによって置き換
えてもよい。チャンバ本体１０２は、アルミニウム、ステンレス鋼、又は他の適切な材料
から製造することができる。チャンバ本体１０２は、一般的に、側壁１０８及び底部１１
０を含む。
【００２３】
外側ライナー１１６は、側壁１０８に隣接して配置され、チャンバ本体１０２を保護す
ることができる。外側ライナー１１６は、二層コーティングで製造及び／又はコーティン
グすることができる。一実施形態では、外側ライナー１１６は、酸化アルミニウムから製
造される。
【００２４】
排気ポート１２６は、チャンバ本体１０２内に画定されることができ、内部容積１０６
をポンプシステム１２８に結合することができる。ポンプシステム１２８は、排気して処
理チャンバ１００の内部容積１０６の圧力を調節するために使用される１以上のポンプ及
びスロットルバルブを含むことができる。
【００２５】
シャワーヘッド１３０は、チャンバ本体１０２の側壁１０８上に支持することができる
。シャワーヘッド１３０（又は蓋）は、処理チャンバ１００の内部容積１０６へのアクセ
スを可能にするように開放することができ、閉じている間は、処理チャンバ１００に対し
てシールを提供することができる。ガスパネル１５８は、処理チャンバ１００に結合され
て、処理ガス及び／又は洗浄ガスを、シャワーヘッド１３０又は蓋及びノズルを介して内
部容積１０６に提供することができる。シャワーヘッド１３０は、誘電体エッチング（誘
電体材料のエッチング）に使用される処理チャンバ用に使用することができる。シャワー
ヘッド１３０は、ガス分配プレート（ＧＤＰ）１３３を含み、ＧＤＰ１３３は、ＧＤＰ１
３３の全域にわたって複数のガス供給穴１３２を有する。シャワーヘッド１３０は、アル
ミニウムベース又は陽極酸化アルミニウムベースに接合されたＧＤＰ１３３を含むことが
できる。ＧＤＰ１３３は、Ｓｉ又はＳｉＣから製造することができる、又はセラミックス
（例えば、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）など）とすることができ
る。
【００２６】
導体エッチング（導電性材料のエッチング）用に使用される処理チャンバでは、シャワ
ーヘッドではなく蓋を使用することができる。蓋は、蓋の中心穴に嵌合する中心ノズルを
含むことができる。蓋は、セラミックス（例えば、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＹＡＧ）、又
はＹ４Ａｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体とを含むセラミックス化合物とすること
ができる。ノズルもまた、セラミックス（例えば、Ｙ２Ｏ３、ＹＡＧ）、又はＹ４Ａｌ２
Ｏ９とＹ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体とを含むセラミックス化合物とすることができる。
【００２７】
処理チャンバ１００内で基板を処理するために使用することができる処理ガスの例は、
ハロゲン含有ガス（例えば、とりわけ、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、ＳｉＣｌ４、ＨＢｒ、ＮＦ３
、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、Ｆ、ＮＦ３、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＢＣｌ３、及びＳｉ
Ｆ４）、及び他のガス（例えば、Ｏ２又はＮ２Ｏ）を含む。キャリアガスの例は、Ｎ２、
Ｈｅ、Ａｒ、及び処理ガスに対して不活性な他のガス（例えば、非反応性ガス）を含む。
基板支持アセンブリ１４８は、シャワーヘッド１３０又は蓋の下方の処理チャンバ１００
の内部容積１０６内に配置される。基板支持アセンブリ１４８は、処理中に基板１４４を
保持する。リング１４６（例えば、単一のリング）は、静電チャック１５０の一部を覆う
ことができ、覆われた部分が処理中にプラズマに曝露されないように保護することができ
る。一実施形態では、リング１４６はシリコン又は石英であってもよい。
【００２８】
内側ライナー１１８は、基板支持アセンブリ１４８の周囲を覆うことができる。内側ラ
イナー１１８は、ハロゲン含有ガス耐性材料（例えば、外側ライナー１１６を参照して論
じられたもの）とすることができる。一実施形態では、内側ライナー１１８は、外側ライ
ナー１１６と同じ材料から製造されてもよい。
【００２９】
一実施形態では、基板支持アセンブリ１４８は、台座１５２を支持する取り付けプレー
ト１６２と、静電チャック１５０とを含む。静電チャック１５０は、熱伝導ベース１６４
と、熱伝導ベースに接合剤１３８によって接合された静電パック１６６とを更に含み、接
合剤１３８は、一実施形態では、シリコーン接合剤とすることができる。静電パック１６
６の上面は、図示の実施形態では、耐プラズマ性コーティング１３６によって覆うことが
できる。耐プラズマ性コーティング１３６は、熱伝導性ベース１６４及び静電パック１６
６の外側及び側部周縁部を含む静電チャック１５０の露出面全体、ならびに静電チャック
内でアスペクト比の大きい他の幾何学的に複雑な部品又は穴に配置することができる。一
実施形態では、耐プラズマ性コーティングは、静電パック１６６の１以上の穴に挿入され
るセラミックスプラグ（図示せず）内の細孔の細孔壁をコーティングする。セラミックス
プラグは、図４Ａ〜図４Ｃに関連して、以下でより詳細に説明する。取り付けプレート１
６２は、チャンバ本体１０２の底部１１０に結合され、ユーティリティ（例えば、流体、
電力線、センサリードなど）を熱伝導ベース１６４及び静電パック１６６に経路付ける（
ルーティングする）ための通路を含む。
【００３０】
熱伝導ベース１６４及び／又は静電パック１６６は、１以上のオプションの埋設された
加熱素子１７６、埋設された熱アイソレータ１７４、及び／又は導管１６８、１７０を含
み、基板支持アセンブリ１４８の横方向の温度プロファイルを制御することができる。導
管１６８、１７０は、導管１６８、１７０を介して温度調節流体を循環させる流体源１７
２に流体的に結合することができる。一実施形態では、埋設されたアイソレータ１７４は
、導管１６８、１７０の間に配置することができる。ヒータ１７６は、ヒータ電源１７８
によって調整される。導管１６８、１７０及びヒータ１７６を使用して、熱伝導ベース１
６４の温度を制御することができる。導管及びヒータは、静電パック１６６及び処理され
る基板（例えば、ウェハ）１４４を加熱及び／又は冷却する。静電パック１６６及び熱伝
導ベース１６４の温度は、コントローラ１９５を使用して監視することができる複数の温
度センサ１９０、１９２を使用して監視することができる。
【００３１】
静電パック１６６は、複数のガス通路（例えば、溝、メサ、及びパック１６６の上面に
形成することができる他の表面構造）を更に含むことができる。ガス通路は、静電パック
１６６内に穿孔された孔を介して熱伝達（又は裏面）ガス（例えば、Ｈｅ）の供給源に流
体結合させることができる。動作中、裏面ガスは、制御された圧力でガス通路内に供給さ
れ、静電パック１６６と基板１４４との間の熱伝達を向上させることができる。Ｈｅビア
孔は、Ｈｅを透過可能な多孔質セラミックスプラグによって塞がれてもよい。多孔質セラ
ミックスプラグはまた、半導体処理チャンバ１００を洗浄するために使用される腐食性ガ
ス及びプラズマを少なくとも部分的に透過可能とすることができる。多孔質セラミックス
プラグは、腐食性ガスのガス粒子を濾過し、そのような腐食性ガスが基板支持体アセンブ
リ内に侵入するのを防止することができる。多孔質セラミックスプラグは、静電パック１
６６内のＨｅビア内に二次プラズマが形成されるのを更に防止することができる。しかし
ながら、多孔質セラミックスプラグは、繰り返しの洗浄サイクルの後に腐食する可能性が
ある。更に、多孔質セラミックスプラグの化学的性質は、多孔質セラミックスプラグがフ
ッ素に曝されると変化する可能性がある（例えば、多孔質セラミックスプラグは、Ｓｉを
失い、フッ素を獲得する可能性がある）。したがって、多孔質セラミックスプラグは、多
孔質セラミックスプラグの寿命を延ばすために、本明細書の実施形態に従ってコーティン
グすることができる。
【００３２】
静電パック１６６は、チャッキング電源１８２によって制御される少なくとも１つのク
ランプ電極１８０を含む。クランプ電極１８０（又は静電パック１６６又はベース１６４
内に配置された他の電極）は、処理チャンバ１００内の処理ガス及び／又は他のガスから
形成されたプラズマを維持するための整合回路１８８を介して１以上のＲＦ電源１８４、
１８６に更に結合することができる。ＲＦ電源１８４、１８６は、一般的に、約５０ｋＨ
ｚ〜約３ＧＨｚの周波数と、最大約１００００ワットの電力を有するＲＦ信号を生成する
ことができる。
【００３３】
図２Ａは、（物品内の細孔壁を含む）物品上に耐プラズマ性コーティングを成長又は堆
積させるためのＡＬＤ技術による堆積プロセスの一実施形態を示す。図２Ｂは、（物品内
の細孔壁を含む）物品上に多層耐プラズマ性コーティングを成長又は堆積させるためのＡ
ＬＤ技術による堆積プロセスの一実施形態を示す。図２Ｃは、本明細書に記載されるよう
な原子層堆積技術による堆積プロセスの別の一実施形態を示す。図２Ｄは、本明細書に記
載されるような原子層堆積技術による堆積プロセスの別の一実施形態を示す。
【００３４】
様々なタイプのＡＬＤプロセスが存在し、特定のタイプは、いくつかの要因（例えば、
コーティングされるべき表面、コーティング材料、表面とコーティング材料との間の化学
的相互作用など）に基づいて選択することができる。様々なＡＬＤプロセスの一般的な原
理は、自己限定的に一度に１つずつ表面と化学的に反応するガス状化学前駆体のパルスに
コーティングされる表面を繰り返し曝露させることによって薄膜層を成長させることを含
む。
【００３５】
図２Ａ〜図２Ｄは、表面を有する物品２１０を示す。物品２１０は、静電チャック又は
基板支持アセンブリのための多孔質セラミックスプラグを含むが、これに限定されない種
々の多孔質処理チャンバコンポーネント（例えば、半導体処理チャンバコンポーネント）
を表すことができる。物品２１０は、セラミックス、金属−セラミックス複合材料（例え
ば、ＡｌＯ／ＳｉＯ、ＡｌＯ／ＭｇＯ／ＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ／ＳｉＯなど）
、金属（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼）、ポリマー、ポリマーセラミック複合材
料、マイラー、ポリエステル、又は他の適切な材料から製造され、ＡｌＮ、Ｓｉ、ＳｉＣ
、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの材料を更に含むことができる。一実施形態では、物品２１
０は、第１の酸化物の焼結粒子と、第１の酸化物の焼結粒子の結合剤として作用する第２
の酸化物とを含む二相材料から構成されるセラミックス多孔質プラグである。二相材料は
、多孔質マトリックス中に配置することができる。例えば、第１の酸化物はＡｌ２Ｏ３又
はＡｌＮとすることができ、第２の酸化物はＳｉＯ２とすることができる。これらの材料
の課題は、ＳｉＯ２含有相がフッ素化学物質に対してほとんど耐性が無く、非常に速くエ
ッチング除去されて多孔質マトリックスを破壊し、微粒子の生成を招くことである。
【００３６】
ＡＬＤの場合、表面上への前駆体の吸着又は吸着された前駆体との反応物質の反応は、
「半反応」と呼ぶことができる。第１の半反応の間、前駆体は、前駆体を表面上に完全に
吸着可能にするのに十分な時間の間、（物品２１０内の細孔壁の表面上を含む）物品２１
０の表面上にパルスされる。前駆体が表面上の有限数の利用可能な部位に吸着され、表面
上に均一な連続吸着層を形成するので、吸着は自己限定的である。前駆体によって既に吸
着された任意の部位は、吸着した部位が均一な連続コーティング上に新たな利用可能な部
位を形成する処理に付されない限り、及び／又はそのような処理に付されるまで、同じ前
駆体によって更に吸着することができなくなる。例示的な処理は、プラズマ処理、均一な
連続吸着層をラジカルに曝露することによる処理、又は表面に吸着された直近の均一な連
続層と反応することができる異なる前駆体の導入とすることができる。
【００３７】
いくつかの実施形態では、２以上の前駆体が共に注入され、物品の表面上に吸着される
。過剰な前駆体は、酸素含有反応物質が注入されて固体の単相又は多相層（例えば、ＹＡ
Ｇの層、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の相など）を形成するために吸着物と反応するまで汲み出さ
れる。この新鮮な層は、次のサイクルで前駆体を吸着する準備ができている。
【００３８】
図２Ａにおいて、物品２１０の表面が第１の前駆体２６０で完全に吸着されて吸着層２
１４を形成するまで、物品２１０は、第１の期間の間、前駆体２６０に導入することがで
きる。続いて、物品２１０は、第１の反応物質２６５に導入され、吸着層２１４と反応し
て、固体層２１６を成長させることができる（例えば、これによって層２１６は、完全に
成長又は堆積される。ここで成長及び堆積という用語は、本明細書内で交換可能に使用す
ることができる）。第１前駆体２６０は、高純度金属酸化物（例えば、高純度酸化アルミ
ニウム）のための前駆体とすることができる。層２１６が酸化物である場合、第１の反応
物質２６５は、酸素、水蒸気、オゾン、純酸素、酸素ラジカル、又は別の酸素源とするこ
とができる。従って、ＡＬＤを用いて層２１６を形成することができる。層２１６は、耐
プラズマ性コーティングとすることができるか、又は多層耐プラズマ性コーティングのう
ちの１つの層とすることができる。
【００３９】
層２１６が高純度アルミナ（ＨＰ−Ａｌ２Ｏ３）層である一例では、（細孔の内部を含
む）物品の表面上のすべての反応部位が消費されるまでの第１の期間の間、第１の前駆体
２６０（例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ））に物品２１０（例えば、ＥＳＣ用
の多孔質セラミックスプラグ）を導入することができる。残りの第１の前駆体２６０を洗
い流し、次いでＨ２Ｏの第１の反応物質２６５をリアクタに注入して、第２の半サイクル
を開始する。Ｈ２Ｏ分子が第１の半反応によって生成されたＡｌ含有吸着層と反応した後
、ＨＰ−Ａｌ２Ｏ３の層２１６が形成される。
【００４０】
層２１６は、均一で、連続的であり、コンフォーマルとすることができる。層２１６は
、実施形態において空孔が無い（例えば、ゼロの空孔率を有する）、又は約ゼロの空孔率
（例えば、０％〜０．０１％の空孔率）を有することができる。層２１６は、単一のＡＬ
Ｄ堆積サイクル後、いくつかの実施形態では、１原子層未満〜数原子の厚さを有すること
ができる。いくつかの有機金属前駆体分子は大きい。反応物質２６５と反応した後、大き
な有機配位子は無くなり、はるかに小さな金属原子を残す可能性がある。（例えば、前駆
体２６０の導入に続いて反応物質２６５が導入されるステップを含む）１つの完全なＡＬ
Ｄサイクルは、単一の原子層未満になる可能性がある。例えば、ＴＭＡ及びＨ２Ｏによっ
て成長させたＡｌ２Ｏ３単分子層は、典型的には、約０．９Å／サイクル〜約１．３Å／
サイクルの成長速度を有し、一方、Ａｌ２Ｏ３格子定数は、ａ＝４．７Å及びｃ＝１３Å
（三方晶構造の場合）である。
【００４１】
複数の完全なＡＬＤ堆積サイクルを実施して、１原子〜数原子の追加の部分によって厚
さに追加する（例えば、前駆体２６０の導入、洗い流し、反応物質２６５の導入、及び再
び洗い流しを含む）各完全サイクルによって、より厚い層２１６を堆積させることができ
る。図示されているように、最高ｎ回の完全サイクルが実行され、層２１６を成長させる
ことができ、ただし、ｎは１よりも大きい整数値である。実施形態では、層２１６は、約
５ｎｍ〜約３μｍの厚さを有する。更なる一実施形態では、層２１６は、約５ｎｍ〜約３
００ｎｍの厚さを有する。層２１６は、実施形態において約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍ、他
の実施形態において約５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有することができる。
【００４２】
層２１６は、堅牢な耐プラズマ性及び機械的特性を提供する。層２１６は、腐食からコ
ンポーネントを保護し、絶縁耐力を向上させることができ、希土類金属含有酸化物層の（
例えば、多孔質セラミックス、又はＡｌ６０６１、Ａｌ６０６３で形成された）コンポー
ネントへのより良好な接着力を提供することができ、及び最高約２００℃、又は最高約２
５０℃、又は約２００℃〜約２５０℃の温度で耐プラズマ性コーティングの割れを防止す
ることができる。更なる実施形態では、層２１６は、最高約３５０℃の温度で耐プラズマ
性コーティングの割れを防止することができる。堆積のためにＡＬＤが使用されるので、
高アスペクト比の構造（例えば、シャワーヘッド内のガス送出孔又は多孔質材料内の細孔
）の内面をコーティングすることができ、従って、コンポーネントの全体を腐食環境への
曝露から保護することができる。
【００４３】
層２１６は、実施形態において約８９．９９％〜約９９．９９％の純度を有するＨＰ−
Ａｌ２Ｏ３とすることができる。高純度のＡ２Ｏ３は、ＥＳＣプラグに使用される典型的
なセラミックス材料よりも、プラズマ腐食に対して著しく耐性がある。更に、ＨＰ−Ａｌ
２Ｏ３は、共通元素（例えば、アルミニウム及び酸素）のために、セラミックス及びアル
ミニウムベースのコンポーネントに対して良好な接着性を有する。同様に、ＨＰ−Ａｌ２
Ｏ３は、これもまた共通元素（すなわち、酸化物）のために、希土類金属含有酸化物に対
して良好な接着性を有する。これらの改良された界面は、ひび割れを開始しやすい界面欠
陥を減少させる。
【００４４】
図２Ｂは、図２Ａを参照して説明したような層２１６の堆積を含む堆積プロセス２０１
を説明する。しかしながら、図２Ｂの堆積プロセス２０１は、多層耐プラズマ性コーティ
ングを形成するための追加層２２０の堆積を更に含む。したがって、層２１６が完成した
後、層２１６を有する物品２１０は、層２１６が１以上の追加の前駆体２７０で完全に吸
着されて吸着層２１８を形成するまで、第２の持続時間の間に追加の１以上の前駆体２７
０に導入させることができる。続いて、物品２１０を反応物質２７５に導入して、吸着層
２１８と反応させて、固体希土類金属含有酸化物層２２０（単純化のために第２の層２２
０とも呼ばれる）を成長させることができる（例えば、これによって第２の層２２０は完
全に成長又は堆積される）。この実施形態では、層２１６は、アモルファス金属酸化物（
例えば、アモルファスＨＰ−Ａｌ２Ｏ３）とすることができる。したがって、第２の層２
２０は、ＡＬＤを用いて層２１６上に完全に成長又は堆積される。一例では、前駆体２７
０は、第１の半サイクルで使用されるイットリウム含有前駆体とすることができ、反応物
質２７５は、第２の半サイクルで使用されるＨ２Ｏとすることができる。
【００４５】
第２の層２２０は、イットリウム含有酸化物層又は他の希土類金属含有酸化物層を形成
し、これは、均一で、連続的、かつコンフォーマルとすることができる。第２の層２２０
は、実施形態では１％未満、更なる実施形態では０．１％未満、及び実施形態では約０％
の非常に低い空孔率を有する、又は更なる別の実施形態では空孔が無いことが可能である
。第２の層２２０は、単一の完全なＡＬＤ堆積サイクルの後に、１原子未満〜数原子（例
えば、２〜３原子）の厚さを有することができる。複数のＡＬＤ堆積段階を実施して、よ
り厚い第２の層２２０を堆積させることができ、各段階で１原子〜数原子の追加の部分が
厚さに追加される。図示されるように、完全堆積サイクルは、ｍ回繰り返されて、第２の
層２２０が目標厚さを有するようにすることができ、ただし、ｍは１より大きい整数値で
ある。実施形態では、第２の層２２０は、約５ｎｍ〜３μｍの厚さを有することができる
。他の実施形態では、第２の層２２０は、約５ｎｍ〜約３００ｎｍの厚さを有することが
できる。第２の層２２０は、実施形態では、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚さを有すること
ができ、又はいくつかの実施形態では、約５０ｎｍ〜約６０ｎｍの厚さを有することがで
きる。他の実施形態では、第２の層２２０は、約９０ｎｍ〜約１１０ｎｍの厚さを有する
ことができる。
【００４６】
層２１６の厚さに対する第２の層２２０の厚さの比は、２００：１〜１：２００とする
ことができる。層２１６の厚さに対する第２の層２２０の厚さのより高い比（例えば、２
００：１、１００：１、５０：１、２０：１、１０：１、５：１、２：１など）は、より
良好な耐腐食性及び耐浸食性を提供し、一方、層２１６の厚さに対する第２の層２２０の
厚さのより低い比（例えば、１：２、１：５、１：１０、１：２０、１：５０、１：１０
０、１：２００）は、より良好な耐熱性（例えば、熱サイクルによって引き起こされる割
れ及び／又は層間剥離に対する改善された耐性）を提供する。
【００４７】
第２の層２２０は、上述の希土類金属含有酸化物層のいずれかであってもよい。例えば
、第２の層２２０は、単独又は１以上の他の希土類金属酸化物と組み合わせたＹ２Ｏ３と
することができる。いくつかの実施形態では、第２の層２２０は、ＡＬＤによって同時堆
積された少なくとも２つの希土類金属含有酸化物前駆体の混合物から形成された単相材料
（例えば、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２のうちの１以上の組み合わせ）
である。例えば、第２の層２２０は、ＹｘＺｒｙＯｚ、ＹｘＥｒｙＯｚ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１
２（ＹＡＧ）、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）、Ｙ２Ｏ３安定化ＺｒＯ２（ＹＳＺ）、又はＹ
４Ａｌ２Ｏ９と、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体とを含むセラミックス化合物のうちの１つ
とすることができる。一実施形態では、層２１６はアモルファスＨＰ−Ａｌ２Ｏ３であり
、第２の層２２０は、単独又は１以上の他の希土類金属酸化物材料と単相にある多結晶又
はアモルファスのイットリウム含有酸化物化合物（例えば、Ｙ２Ｏ３、ＹｘＡｌｙＯｚ、
ＹｘＺｒｙＯｚ、ＹｘＥｒｙＯｚ）である。従って、層２１６は、イットリウム含有酸化
物層の堆積前に堆積された応力緩和層とすることができる。
【００４８】
いくつかの実施形態では、第２の層２２０は、Ｅｒ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、又
はＺｒＯ２を含むことができる。いくつかの実施形態では、第２の層２２０は、ＥｒｘＡ
ｌｙＯｚ（例えば、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＥｒｘＺｒｙＯｚ、ＥｒａＺｒｘＡｌｙＯｚ
、ＹｘＥｒｙＯｚ、又はＥｒａＹｘＺｒｙＯｚ（例えば、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、及びＥｒ
２Ｏ３の単相固溶体）のうちの少なくとも１つの多成分材料である。第２の層２２０はま
た、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）、Ｙ２Ｏ３安定化ＺｒＯ２
（ＹＳＺ）、又はＹ４Ａｌ２Ｏ９と、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体とを含むセラミックス
化合物のうちの１つであってもよい。一実施形態では、第２の層２２０は、エルビウム含
有化合物（例えば、Ｅｒ２Ｏ３、ＥｒｘＡｌｙＯｚ、ＥｒｘＺｒｙＯｚ、ＥｒａＺｒｘＡ
ｌｙＯｚ、ＹｘＥｒｙＯｚ、又はＥｒａＹｘＺｒｙＯｚ）である。
【００４９】
図２Ｃ〜図２Ｄを参照すると、いくつかの実施形態では、耐プラズマ性コーティングは
、３以上の層を含む。具体的には、耐プラズマ性コーティングは、酸化物層と希土類金属
含有酸化物層との交互層のシーケンスを含むことができる、又は層２１６と、希土類金属
含有酸化物層のための交互層のシーケンスとを含むことができる。いくつかの実施形態で
は、希土類金属含有酸化物層は交互サブ層の層である。例えば、希土類金属含有酸化物層
は、Ｙ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３の一連の交互サブ層、Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２の一連の交互サブ層
、Ｙ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との一連の交互サブ層などとすることができる。
【００５０】
図２Ｃを参照すると、層２１６を有する物品２１０を堆積チャンバに挿入することがで
きる。表面層２１６は、図２Ａ又は図２Ｂを参照して説明したように形成することができ
る。あるいはまた、層が上に形成されていない物品２１０を提供することができる。物品
２１０は、層２１６又は物品２１０が１以上の追加の前駆体２８０に完全に吸着されて吸
着層２２２を形成するまでの間、１以上の前駆体２８０に導入することができる。続いて
、物品２１０は、反応物質２８２に導入されて、吸着層２２２と反応して、固体金属酸化
物層２２４を成長させることができる。従って、金属酸化物層２２４は、ＡＬＤを使用し
て表面層２１６の上に完全に成長又は堆積される。一例では、前駆体２８０は、第１の半
サイクルで使用されるイットリウム含有前駆体とすることができ、反応物質２８２は、第
２の半サイクルで使用されるＨ２Ｏとすることができる。金属酸化物層２２４は、Ｙ２Ｏ
３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、又は別の酸化物のうちの第１のも
のであってもよい。
【００５１】
層２１６及び金属酸化物層２２４を有する物品２１０は、金属酸化物層２２４の表面が
１以上の前駆体２８４で完全に吸着されて吸着層２２６を形成するまでの間、１以上の前
駆体２８４に導入することができる。続いて、物品２１０は、反応物質２８６に導入され
て、吸着層２２６と反応して、追加の固体金属酸化物層２２８を成長させることができる
。従って、追加の金属酸化物層２２８は、ＡＬＤを用いて金属酸化物層２２４の上に完全
に成長又は堆積される。一例では、前駆体２８４は、第１の半サイクルで使用されるジル
コニウム含有前駆体とすることができ、反応物質２８６は、第２の半サイクルで使用され
るＨ２Ｏとすることができる。金属酸化物層２２４は、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３
、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、又は別の酸化物のうちの第２のものであってもよい。
【００５２】
図示のように、金属酸化物２２４及び第２の金属酸化物２２８の堆積は、ｎ回繰り返し
て、交互層のスタック２３７を形成することができる（ただし、ｎは２より大きい整数値
である）。ｎは、目標とされる厚さ及び特性に基づいて選択される有限数の層を表すこと
ができる。交互層のスタック２３７は、複数の交互サブ層を含む希土類金属含有酸化物層
と考えることができる。従って、前駆体２８０、反応物質２８４、前駆体２８４、及び反
応物質２８６は、順次繰り返して導入され、追加の交互層２３０、２３２、２３４、２３
６などを成長又は堆積させることができる。層２２４、２２４、２３０、２３２、２３４
、２３６等の各々は、単一原子層未満から数原子層の厚さを有する非常に薄い層とするこ
とができる。例えば、ＴＭＡ及びＨ２Ｏによって成長させたＡｌ２Ｏ３単分子層は、典型
的には、約０．９〜約１．３Å／サイクルの成長速度を有し、一方、Ａｌ２Ｏ３格子定数
は、ａ＝４．７Å及びｃ＝１３Å（三方晶構造の場合）である。
【００５３】
上述の交互層２２４〜２３６は１：１の比を有し、第２の金属酸化物の各単一層に対し
て第１の金属酸化物の単一層が存在する。しかしながら、他の実施形態では、異なる種類
の金属酸化物層の間に他の比（例えば、２：１、３：１、４：１など）が存在してもよい
。例えば、一実施形態では、各ＺｒＯ２層に対して２つのＹ２Ｏ３層を堆積させることが
できる。また、交互層２２４〜２３６のスタック２３７は、２種類の金属酸化物層の交互
の連なりとして記載されている。しかしながら、他の実施形態では、３種類以上の金属酸
化物層が交互スタック２３７内に堆積されてもよい。例えば、スタック２３７は、３つの
異なる交互層（例えば、Ｙ２Ｏ３の第１の層、Ａｌ２Ｏ３の第１の層、ＺｒＯ２の第１の
層、Ｙ２Ｏ３の第２の層、Ａｌ２Ｏ３の第２の層、ＺｒＯ２の第２の層など）を含むこと
ができる。
【００５４】
交互層のスタック２３７が形成された後、アニール処理が実行され、異なる材料の交互
層を互いに拡散させ、単相又は多相を有する複合酸化物を形成させることができる。従っ
て、アニール処理後、交互層２３７のスタックは、単一の希土類金属含有酸化物層２３８
となることができる。例えば、スタック中の層がＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、及びＺｒＯ２で
ある場合、得られる希土類金属含有酸化物層２３８は、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９と、Ｙ２Ｏ３−Ｚ
ｒＯ２の固溶体とを含むセラミックス化合物となることができる。スタック中の層がＹ２
Ｏ３及びＺｒＯ２である場合、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を形成することができる。
【００５５】
図２Ｄを参照すると、層２１６を有する物品２１０を堆積チャンバに挿入することがで
きる。あるいはまた、このような層２１６を有さない物品２１０を堆積チャンバに挿入す
ることができる。層２１６は、図２Ａ又は図２Ｂを参照して説明したように形成すること
ができる。物品２１０は、層２１６又は物品２１０が１以上の前駆体２９０で完全に吸着
されて吸着層２４０を形成するまでの間、１以上の前駆体２９０に導入することができる
。その後、物品２１０は、反応物質２９２に導入されて、吸着層２４０と反応して固体希
土類酸化物層２４２を成長させることができる。前駆体２９０及び反応物質２９２は、実
施形態では、前駆体２７０及び反応物質２７５に対応することができる。従って、希土類
酸化物層２４２は、ＡＬＤを用いて層２１６の上に完全に成長又は堆積される。前駆体２
９０を導入し、次いで反応物質２９２を導入するプロセスは、ｎ回繰り返して、希土類酸
化物層２４２を目標厚さにすることができる（ただし、ｎは１より大きい整数）。
【００５６】
層２１６及び／又は希土類酸化物層２４２を有する物品２１０は、希土類酸化物層２４
２の表面が１以上の前駆体２９４で完全に吸着されて吸着層２４４を形成するまでの間、
１以上の前駆体２９４に導入することができる。続いて、物品２１０を反応物質２９６に
導入して、吸着層２４４と反応させてバリア層２４６を成長させることができる。前駆体
２９４及び反応物質２９６は、実施形態では、前駆体２６０及び反応物質２６５に対応す
ることができる。従って、バリア層２４４は、表面層２１６と同じ材料組成を有してもよ
い。バリア層２４６は、ＡＬＤを用いて希土類酸化物層２４２の上に完全に成長又は堆積
される。前駆体２９４を導入し、次いで反応物質２９６を導入するプロセスは、１〜２回
実行して、希土類酸化物層内の結晶成長を防止することができる薄いバリア層２４６を形
成することができる。
【００５７】
図示のように、希土類酸化物２４２及びバリア層２２８の堆積をｍ回繰り返して、交互
層のスタック２４８を形成することができる（ただし、ｍは１より大きい整数値である）
。Ｎは、目標とされた厚さ及び特性に基づいて選択される有限数の層を表すことができる
。交互層のスタック２４８は、複数の交互のサブ層を含む希土類金属含有酸化物層と考え
ることができる。
【００５８】
図２Ｄに示される最終構造は、表面高純度金属酸化物層２１６（例えば、アモルファス
金属酸化物）と、希土類金属含有酸化物２４２と第２の酸化物又は他のセラミックス２２
８との交互層のスタック２４８とを含む耐プラズマ性コーティングでコーティングされた
物品２１０の断面側面図である。
【００５９】
第２の酸化物又は他のセラミックスは、いくつかの実施形態において表面層を形成する
ために使用される酸化物（例えば、Ａｌ２Ｏ３）と同じ酸化物であってもよい。あるいは
また、第２の酸化物又はセラミックスは、表面層を形成するために使用される酸化物とは
異なる酸化物であってもよい。
【００６０】
希土類金属含有酸化物の各層は、約５〜１０オングストロームの厚さを有することがで
き、ＡＬＤプロセスの約５〜約１０サイクルを実行することによって形成することができ
、各サイクルは、希土類金属含有酸化物の１つのナノレイヤー（又は、１つのナノレイヤ
ーよりもわずかに少ない又は多いナノレイヤー）を形成する。一実施形態では、希土類金
属含有酸化物の各層は、約６〜約８ＡＬＤサイクルを使用して形成される。第２の酸化物
又は他のセラミックスの各層は、単一のＡＬＤサイクル（又は数回のＡＬＤサイクル）か
ら形成することができ、１原子未満〜数原子の厚さを有することができる。希土類金属含
有酸化物の層は、それぞれ、約５〜１００オングストロームの厚さを有することができ、
第２の酸化物の層は、実施形態では、それぞれ約１〜２０オングストロームの厚さを有す
ることができ、更なる実施形態では、１〜４オングストロームの厚さを有することができ
る。希土類金属含有酸化物２４２及び第２の酸化物又は他のセラミックス２２８の交互層
のスタック２４８は、約５ｎｍ〜約３μｍの合計厚さを有することができる。希土類金属
含有酸化物の層２４２の間の第２の酸化物又は他のセラミックス２４６の薄層は、希土類
金属含有酸化物層における結晶形成を防止することができる。これにより、アモルファス
イットリア層を成長可能にすることができる。
【００６１】
図２Ａ〜図２Ｄを参照して説明された実施形態では、表面反応（例えば、半反応）が順
次行われ、様々な前駆体及び反応物質は、実施形態においては接触していない。新しい前
駆体又は反応物質の導入に先立って、ＡＬＤプロセスが行われるチャンバは、不活性キャ
リアガス（例えば、窒素又は空気）でパージして、未反応の前駆体及び／又は表面前駆体
反応副生成物を除去することができる。前駆体は各層で異なり、イットリウム含有酸化物
層又は他の希土類金属含有酸化物層のための第２の前駆体は、２つの希土類金属含有酸化
物前駆体の混合物として、これらの化合物の同時堆積を促進して、単相材料層を形成する
ことができる。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの前駆体が使用され、他の実施
形態では、少なくとも３つの前駆体が使用され、更に別の実施形態では、少なくとも４つ
の前駆体が使用される。
【００６２】
ＡＬＤプロセスは、プロセスのタイプに応じて様々な温度で行うことができる。特定の
ＡＬＤプロセスに対して最適な温度範囲は、「ＡＬＤ温度ウィンドウ」と呼ばれる。ＡＬ
Ｄ温度ウィンドウより低い温度は、不良な成長速度と非ＡＬＤタイプの堆積をもたらす可
能性がある。ＡＬＤ温度ウィンドウより高い温度は、化学気相成長（ＣＶＤ）機構を介し
て起こる反応をもたらす可能性がある。ＡＬＤ温度ウィンドウは、約１００℃〜約４００
℃の範囲とすることができる。いくつかの実施形態では、ＡＬＤ温度ウィンドウは、約１
２０〜３００℃である。いくつかのＡＬＤプロセスは、約２０℃〜約４００℃の温度で実
施することもできる。
【００６３】
ＡＬＤプロセスは、複雑な幾何学的形状、高アスペクト比の孔（例えば、細孔）、及び
三次元構造を有する物品及び表面上に均一な厚さを有するコンフォーマルな耐プラズマ性
コーティングを可能にする。各前駆体の表面への十分な曝露時間は、前駆体が分散し、そ
の三次元の複雑な構造の全てを含む表面全体と完全に反応することを可能にする。高アス
ペクト比の構造においてコンフォーマルＡＬＤを得るために利用される曝露時間は、アス
ペクト比の２乗に比例し、モデリング技術を使用して予測することができる。また、ＡＬ
Ｄ技術は、原材料（例えば、粉末原料及び焼結されたターゲット）の長期かつ困難な製造
を必要とせずに、特定の組成物又は配合物のインサイチューでオンデマンドの材料合成を
可能にするので、他の通常使用されるコーティング技術よりも有利である。いくつかの実
施形態では、ＡＬＤを使用して、約３：１〜約３００：１のアスペクト比の物品をコーテ
ィングする。
【００６４】
本明細書に記載のＡＬＤ技術を用いて、多成分膜（例えば、ＹｘＡｌｙＯｚ（例えば、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＹｘＺｒｙＯｚ、ＹａＺｒｘＡｌｙＯｚ、ＹｘＥｒｙＯｚ、ＹｘＥ
ｒｙＦｚ、又はＹｗＥｒｘＯｙＦｚ）を、上記で説明され、以下の例においてより詳細に
説明されるように、（例えば、希土類金属含有酸化物を単独で又は１以上の他の酸化物と
組み合わせて成長させるために使用される前駆体の適切な混合物によって）成長、堆積、
又は同時堆積することができる。
【００６５】
図３Ａは、多孔質の物品（例えば、実施形態に係る多孔質処理チャンバコンポーネント
（例えば、ＥＳＣ用プラグ））内の多孔質壁上に耐プラズマ性コーティングを形成する方
法３００を示す。方法３００は、本明細書に記載される任意の物品をコーティングするた
めに使用することができる。本方法は、オプションとして、耐プラズマ性コーティングに
対する組成を選択することによって開始してもよい。組成の選択及び形成方法は、同じエ
ンティティによって、又は複数のエンティティによって実行されてもよい。
【００６６】
本方法は、ブロック３０５において、酸性溶液で物品を洗浄することをオプションとし
て含むことができる。一実施形態では、物品は酸性溶液の浴中に浸される。酸性溶液は、
実施形態において、フッ化水素酸（ＨＦ）溶液、塩酸（ＨＣｌ）溶液、硝酸（ＨＮＯ３）
溶液、又はそれらの組み合わせとすることができる。酸性溶液は、物品から表面汚染物質
を除去することができる、及び／又は物品の表面から酸化物を除去することができる。物
品を酸性溶液で洗浄することにより、ＡＬＤを用いて堆積されたコーティングの品質を改
善することができる。一実施形態では、約０．１体積％〜約５．０体積％のＨＦを含む酸
性溶液を使用して、石英から作られたチャンバコンポーネントを洗浄する。一実施形態で
は、約０．１体積％〜約２０体積％のＨＣｌを含む酸性溶液を使用して、Ａｌ２Ｏ３から
作られた物品を洗浄する。一実施形態では、約５体積％〜約１５体積％のＨＮＯ３を含む
酸性溶液を使用して、アルミニウム及び他の金属から作られた物品を洗浄する。
【００６７】
ブロック３１０において、物品は、ＡＬＤ堆積チャンバ内にロードされる。ブロック３
２０において、本方法は、ＡＬＤを使用して物品の表面上に耐プラズマ性コーティングを
堆積させるステップを含む。耐プラズマ性コーティングは更に、物品内の細孔の細孔壁上
に堆積される。一実施形態では、ブロック３２５において、ＡＬＤが実行され、金属酸化
物層（例えば、Ａｌ２Ｏ３層などの）を堆積させる。一実施形態では、ブロック３３０に
おいて、ＡＬＤは、オプションとして実行され、希土類金属含有酸化物層を単独で、又は
１以上の他の酸化物と共に堆積又は同時堆積させる。ＡＬＤは、耐プラズマ性コーティン
グの表面粗さを、コーティングされる物品の下地の表面の表面粗さと一致させることがで
きる、実施形態において実行されるような非常にコンフォーマルなプロセスである。耐プ
ラズマ性コーティングは、いくつかの実施形態では、約５ｎｍ〜約３μｍの合計厚さを有
することができる。耐プラズマ性コーティングは、実施形態では約０％の空孔率を有して
もよく、又は実施形態では空孔が無くてもよく、約±５％以下、±１０％以下、又は±２
０％以下の厚さばらつきを有してもよい。
【００６８】
一実施形態では、ブロック３３５において、ＡＬＤを実行して、希土類金属含有酸化物
と追加の酸化物の交互層のスタックを堆積させる。追加の酸化物は、本明細書に記載の酸
化物のいずれであってもよい。あるいはまた、単一層を形成してもよい。
【００６９】
いくつかの例では、多孔質物品の空孔率及び／又は透過率を減少させることが有益な場
合がある。いくつかの実施形態では、細孔の細孔壁上の耐プラズマ性コーティングの厚さ
は、多孔質材料の空孔率及び透過率に影響を及ぼす可能性がある。コーティングの厚さを
空孔率の減少及び／又は透過率の減少に対してマッピングする特徴付けを行うことができ
る。特徴付けは、その後、多孔質物品の初期空孔率及び／又は初期透過率を目標空孔率及
び／又は透過率まで減少させるために使用することができる。例えば、第１のコーティン
グ厚さは、６０％から５０％まで空孔率を減少させることができ、第２のコーティング厚
さは、６０％から４０％まで空孔率を減少させることができる。出発空孔率及び目標空孔
率（又は出発透過率及び目標透過率）を決定することができる。出発空孔率（又は出発透
過率）を目標の空孔率（又は目標透過率）に低下させるコーティング厚さを決定すること
ができる。耐プラズマ性コーティングは、次に、空孔率及び／又は透過率が目標空孔率及
び／又は目標透過率を達成するように、目標厚さまで堆積させることができる。
【００７０】
イットリウム含有酸化物層は、イットリウム含有酸化物を含み、１以上の追加の希土類
金属酸化物を含むことができる。イットリウムを含む希土類含有酸化物材料は、イットリ
ウム含有酸化物が一般的に高い安定性、高い硬度、及び優れた耐浸食特性を有するので、
実施形態において耐プラズマ性コーティングを形成するために使用することができる。例
えば、Ｙ２Ｏ３は、最も安定な酸化物の１つであり、標準生成ギブス自由エネルギー（Δ
Ｇｆ）が−１８１６．６５ｋＪ／ｍｏｌであり、Ｙ２Ｏ３と大部分のプロセス化学物質と
の反応が標準条件下では熱力学的に不利であることを示している。本明細書の実施形態に
従って堆積されたＹ２Ｏ３を有する第１の金属酸化物層及び希土類金属含有酸化物層を含
む耐プラズマ性コーティングはまた、多くのプラズマ及び化学環境に対して低い浸食速度
（例えば、２００ワットのバイアス及び５００℃で直接ＮＦ３プラズマ化学物質に曝露さ
れたときの約０μｍ／秒の浸食速度）を有することができる。例えば、２００ワットと５
００℃での直接ＮＦ３プラズマの１時間の試験では、測定可能な浸食は生じなかった。耐
プラズマ性コーティングを形成することができるイットリウム含有酸化物化合物の例とし
ては、Ｙ２Ｏ３、ＹｘＡｌｙＯｚ（例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＹｘＺｒｙＯｚ、Ｙａ
ＺｒｘＡｌｙＯｚ、又はＹｘＥｒｙＯｚを含む。耐プラズマ性コーティング中のイットリ
ウム含有量は、約０．１原子％から１００原子％近くまで及ぶことができる。イットリウ
ム含有酸化物の場合、イットリウム含有量は、約０．１原子％から１００原子％近くまで
及び、酸素含有量は、約０．１原子％から１００原子％近くまで及ぶことができる。
【００７１】
耐プラズマ性コーティングを形成することができるエルビウム含有酸化物化合物の例と
しては、Ｅｒ２Ｏ３、ＥｒｘＡｌｙＯｚ（例えば、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＥｒｘＺｒｙ
Ｏｚ、ＥｒａＺｒｘＡｌｙＯｚ、ＹｘＥｒｙＯｚ、及びＥｒａＹｘＺｒｙＯｚ（例えば、
Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、及びＥｒ２Ｏ３の単相固溶体）を含む。耐プラズマ性コーティング
中のエルビウム含有量は、約０．１原子％から約１００原子％近くまで及ぶことができる
。エルビウム含有酸化物の場合、エルビウム含有量は、約０．１原子％から１００原子％
近くまで及ぶことができ、酸素含有量は、約０．１原子％〜１００原子％近くまで及ぶこ
とができる。
【００７２】
有利には、Ｙ２Ｏ３及びＥｒ２Ｏ３は混和性である。Ｙ２Ｏ３とＥｒ２Ｏ３との任意の
組み合わせに対して単相固溶体を形成することができる。例えば、わずかに０モル％を超
えるＥｒ２Ｏ３とわずかに１００モル％を下回るＹ２Ｏ３との混合物を組み合わせて同時
堆積して、単相固溶体である耐プラズマ性コーティングを形成することができる。また、
わずかに０モル％を超えるＥ２Ｏ３とわずかに１００モル％を下回るＹ２Ｏ３との混合物
を組み合わせて、単相固溶体である耐プラズマ性コーティングを形成することができる。
ＹｘＥｒｙＯｚの耐プラズマ性コーティングは、０モル％超〜１００モル％未満のＹ２Ｏ
３と、０モル％超〜１００モル％未満のＥｒ２Ｏ３とを含むことができる。いくつかの顕
著な例には、９０〜９９モル％のＹ２Ｏ３と１〜１０モル％のＥｒ２Ｏ３、８０〜８９モ
ル％のＹ２Ｏ３と１１〜２０モル％のＥｒ２Ｏ３、７０〜７９モル％のＹ２Ｏ３と２１〜
３０モル％のＥｒ２Ｏ３、６０〜６９モル％のＹ２Ｏ３と３１〜４０モル％のＥｒ２Ｏ３
、５０〜５９モル％のＹ２Ｏ３と４１〜５０モル％のＥｒ２Ｏ３、４０〜４９モル％のＹ
２Ｏ３と５１〜６０モル％のＥｒ２Ｏ３、３０〜３９モル％のＹ２Ｏ３と６１〜７０モル
％のＥｒ２Ｏ３、２０〜２９モル％のＹ２Ｏ３と７１〜８０モル％のＥｒ２Ｏ３、１０〜
１９モル％のＹ２Ｏ３と８１〜９０モル％のＥｒ２Ｏ３、及び１〜１０モル％のＹ２Ｏ３
と９０〜９９モル％のＥｒ２Ｏ３を含む。ＹｘＥｒｙＯｚの単相固溶体は、約２３３０℃
未満の温度で単斜立方状態を有することができる。
【００７３】
有利には、ＺｒＯ２をＹ２Ｏ３及びＥｒ２Ｏ３と組み合わせて、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、
及びＥｒ２Ｏ３の混合物を含む単相固溶体を形成することができる（例えば、ＥｒａＹｘ
ＺｒｙＯｚ）。ＹａＥｒｘＺｒｙＯｚの固溶体は、立方晶系、六方晶系、正方晶系及び／
又は立方体の蛍石構造を有することができる。ＹａＥｒｘＺｒｙＯｚの固溶体は、０モル
％超〜６０モル％のＺｒＯ２と、０モル％超〜９９モル％のＥｒ２Ｏ３と、０モル％超〜
９９モル％のＹ２Ｏ３とを含むことができる。使用することができるＺｒＯ２のいくつか
の顕著な量は、２モル％、５モル％、１０モル％、１５モル％、２０モル％、３０モル％
、５０モル％、及び６０モル％を含む。使用することができるＥｒ２Ｏ３及び／又はＹ２
Ｏ３のいくつかの顕著な量は、１０モル％、２０モル％、３０モル％、４０モル％、５０
モル％、６０モル％、７０モル％、８０モル％、及び９０モル％を含む。
【００７４】
ＹａＺｒｘＡｌｙＯｚの耐プラズマ性コーティングは、０モル％超〜６０モル％のＺｒ
Ｏ２、０モル％超〜９９モル％のＹ２Ｏ３、及び０モル％超〜６０モル％のＡｌ２Ｏ３を
含むことができる。使用することができるＺｒＯ２のいくつかの顕著な量は、２モル％、
５モル％、１０モル％、１５モル％、２０モル％、３０モル％、５０モル％、及び６０モ
ル％を含む。使用することができるＹ２Ｏ３のいくつかの顕著な量は、１０モル％、２０
モル％、３０モル％、４０モル％、５０モル％、６０モル％、７０モル％、８０モル％、
及び９０モル％を含む。使用することができるＡｌ２Ｏ３のいくつかの顕著な量は、２モ
ル％、５モル％、１０モル％、２０モル％、３０モル％、４０モル％、５０モル％、及び
６０モル％を含む。一例では、ＹａＺｒｘＡｌｙＯｚの耐プラズマ性コーティングは、４
２モル％のＹ２Ｏ３、４０モル％のＺｒＯ２、及び１８モル％のＡｌ２Ｏ３を含み、層状
構造を有する。別の一例では、ＹａＺｒｘＡｌｙＯｚの耐プラズマ性コーティングは、６
３モル％のＹ２Ｏ３、１０モル％のＺｒＯ２、及び２７モル％のＡｌ２Ｏ３を含み、層状
構造を有する。
【００７５】
実施形態では、表面層及びＹ２Ｏ３、ＹｘＡｌｙＯｚ（例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、
ＹｘＺｒｙＯｚ、ＹａＺｒｘＡｌｙＯｚ、又はＹｘＥｒｙＯｚの希土類金属含有酸化物層
を含む耐プラズマ性コーティングは、低いガス放出速度、約１０００Ｖ／μｍのオーダー
の絶縁破壊電圧、約１Ｅ−８トール／秒未満の気密性（リークレート）、約６００〜約９
５０又は約６８５のビッカース硬さ、スクラッチテストで測定して約７５ｍＮ〜約１００
ｍＮ又は約８５ｍＮの接着力、及び室温でのＸ線回折によって測定して約−１０００〜−
２０００ＭＰａ（例えば、約−１１４０ＭＰａ）膜応力を有する。
【００７６】
いくつかの実施形態では、耐プラズマ性コーティングは、ＡＬＤのために、ジエチルア
ルミニウムエトキシド、トリス（エチルメチルアミド）アルミニウム、アルミニウムｓｅ
ｃ−ブトキシド、アルミニウムトリブロミド、アルミニウムトリクロライド、トリエチル
アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリメチルアルミニウム、又はトリス（ジ
エチルアミド）アルミニウムから選択される酸化アルミニウム前駆体から形成することが
できる。
【００７７】
いくつかの実施形態では、耐プラズマ性コーティングは、イットリアであるか、又はイ
ットリアを含み、希土類金属含有酸化物層を形成するために使用される酸化イットリウム
前駆体は、ＡＬＤのために、トリス（Ｎ、Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）イット
リウム（ＩＩＩ）、又はイットリウム（ＩＩＩ）ブトキシドから選択されることができる
。
【００７８】
いくつかの実施形態では、耐プラズマ性コーティングは、酸化ジルコニウムを含む。耐
プラズマ性コーティングが酸化ジルコニウムを含む場合、酸化ジルコニウム前駆体は、Ａ
ＬＤのために、臭化ジルコニウム（ＩＶ）、塩化ジルコニウム（ＩＶ）、ジルコニウム（
ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシド、テトラキス（ジエチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、テ
トラキス（ジメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、又はテトラキス（エチルメチルアミ
ド）ジルコニウム（ＩＶ）を含む。これらの酸化ジルコニウム前駆体のうちの１以上は、
酸化イットリウム前駆体と共に同時堆積させてもよい。
【００７９】
いくつかの実施形態では、耐プラズマ性コーティングは、酸化エルビウムを更に含むこ
とができる。酸化エルビウム前駆体は、ＡＬＤのために、トリス−メチルシクロペンタジ
エニルエルビウム（ＩＩＩ）（Ｅｒ（ＭｅＣｐ）３）、エルビウムボランアミド（Ｅｒ（
ＢＡ）３）、Ｅｒ（ＴＭＨＤ）３、エルビウム（ＩＩＩ）トリス（２，２，６，６−テト
ラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）、又はトリス（ブチルシクロペンタジエニル）
エルビウム（ＩＩＩ）から選択することができる。
【００８０】
図３Ｂは、一実施形態に係る多孔質セラミックス物品（例えば、ＥＳＣ用の多孔質セラ
ミックスプラグ）上に耐プラズマ性コーティングを形成する方法３５０を示す。本方法は
、オプションとして耐プラズマ性コーティング用の組成物を選択することによって開始す
ることができる。組成物の選択及び形成方法は、同じエンティティによって、又は複数の
エンティティによって実行されてもよい。
【００８１】
方法３５０のブロック３５２では、（例えば、多孔質ＥＳＣプラグの）物品の表面を、
酸性溶液を用いて洗浄する。酸性溶液は、方法３００のブロック３０５に関して上述した
酸性溶液のいずれであってもよい。その後、物品をＡＬＤ堆積チャンバにロードすること
ができる。
【００８２】
ブロック３５５によると、本方法は、ＡＬＤを介して（物品内の細孔の細孔壁を含む）
物品の表面上にアモルファスＨＰ−Ａｌ２Ｏ３の第１の層を堆積させるステップを含む。
アモルファスＨＰ−Ａｌ２Ｏ３は、約５ｎｍ〜約３００ｎｍの厚さを有することができる
。ブロック３６０によると、本方法は、ＡＬＤを介してアモルファスＨＰ−Ａｌ２Ｏ３の
表面層上にイットリウム含有酸化物前駆体及び別の酸化物前駆体の混合物を同時堆積させ
る（すなわち、１ステップ内で堆積させる）ことによって第２の層を形成するステップを
更に含む。第２の層は、例えば、Ａｌ２Ｏ３又はＥｒ２Ｏ３又はＺｒＯ２との単一相内に
Ｙ２Ｏ３を含むことができる。あるいはまた、第２の層は、複数の相（例えば、Ｙ４Ａｌ
２Ｏ９の相）と、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体を含む別の相とを含むことができる。
【００８３】
上述のように、希土類金属含有酸化物層は、複数の異なる酸化物の混合物を含むことが
できる。このような希土類金属含有酸化物層を形成するために、前述のイットリア前駆体
、酸化エルビウム前駆体、アルミナ前駆体、及び／又は酸化ジルコニウム前駆体の任意の
組み合わせを、ＡＬＤ堆積チャンバに共に導入して、様々な酸化物を同時堆積させ、単相
又は多相を有する層を形成することができる。ＡＬＤ堆積又は同時堆積は、オゾン、水、
Ｏ−ラジカル、又は酸素供与体として機能し得る他の前駆体の存在下で実行することがで
きる。
【００８４】
ブロック３７０では、追加の層が追加されるべきかどうか（例えば、多層スタックが形
成されるべきかどうか）を決定することができる。追加の層を追加する場合、本方法はブ
ロック３５５に戻ることができ、追加のＡｌ２Ｏ３層を形成することができる。さもなけ
れば、本方法はブロック３７５に進むことができる。
【００８５】
ブロック３７５では、チャンバコンポーネント上の物品（例えば、チャンバコンポーネ
ント）及び耐プラズマ性コーティングの両方の層が加熱される。加熱は、アニーリングプ
ロセス、熱サイクルプロセス、及び／又は半導体処理中の製造ステップを介して行われて
もよい。一実施形態では、熱サイクルプロセスは、製造後のチェックとして試験片（クー
ポン）に対して実行され、品質管理のための割れを検出し、試験片は、部品が処理中に経
験する可能性のある最高温度に循環（サイクル）される。熱サイクル温度は、部品が使用
される特定の１つのアプリケーション又は複数のアプリケーションに依存している。例え
ば、（図４Ａ〜図４Ｃに示す）セラミックスＥＳＣの場合、試験片は、室温と２５０℃と
の間で循環させることができる。温度は、物品、表面、及び膜層の構成材料に基づいて選
択され、これによってそれらの完全性を維持し、これらのコンポーネントのいずれか又は
全てを変形、分解、又は溶融させないようにすることができる。
【００８６】
図４Ａ〜図４Ｃは、一実施形態に係るＥＳＣ用のコーティングされた多孔質セラミック
スプラグ４０５を示す。図４Ａは、ＥＳＣ用の多孔質セラミックスプラグ４０５を示す。
多孔質セラミックスプラグ４０５は、セラミックス材料（例えば、ＡｌＯ／ＳｉＯ、Ａｌ
Ｏ／ＭｇＯ／ＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ／ＳｉＯなど）で作ることができる。セラ
ミックスプラグ４０５は、本明細書の実施形態に記載されたような耐プラズマ性コーティ
ングの使用によって性能が改善され得る多孔質セラミックチャンバコンポーネントの一例
に過ぎない。本明細書に開示された耐プラズマ性コーティングでコーティングしたときに
、他の多孔質セラミックチャンバコンポーネントの性能も改善され得ることが理解される
べきである。本明細書に示されるようなプラグ４０５は、高いアスペクト比を有する複雑
な形状及び穴（すなわち、細孔）を有する表面を有する半導体処理チャンバコンポーネン
トの図として選択された。セラミックスプラグ４０５は、腐食性化学物質（例えば、フッ
素）に曝される可能性があり、耐プラズマ性コーティングでコーティングされていないと
きは、プラグとのプラズマ相互作用のために浸食される。
【００８７】
セラミックスプラグ４０５は、複数の細孔を有し、そのうちの１つ４０８が図４Ｂに示
されている。セラミックスプラグ４０５は、約５％〜約６０％の空孔率を有することがで
きる。細孔４０８（及び／又は細孔によって形成されたセラミックスプラグ４０５を通る
チャネル）は、長さの直径に対する比（Ｌ：Ｄ）として定義される高いアスペクト比を有
することができ、高いアスペクト比は、約３：１〜約３００：１、又は約５０：１〜約１
００：１の範囲とすることができる。細孔４０８の表面４１５は、耐プラズマ性コーティ
ング４２０を有し、これは本明細書で上記の耐プラズマ性コーティングのいずれかに対応
することができる。耐プラズマ性コーティング４２０は、細孔４０８の表面４１５上にＨ
Ｐ−Ａｌ２Ｏ３材料などを含んでもよく、それは実施形態において非晶質とすることがで
きる。いくつかの実施形態では、ＨＰ−Ａｌ２Ｏ３層の純度は、約８９．９９％〜約９９
．９９％とすることができる。単層コーティング４２０は、単層コーティング４２０があ
っても、細孔４０８はその通常の動作中にＨｅガスを透過可能であるように、細孔４０８
を通る流路４１２に殆ど又は全く影響を及ぼさない。耐プラズマ性コーティング４２０は
、ＡＬＤ技術を用いて、セラミックスプラグ４０５の外面上ならびにセラミックスプラグ
４０５内の細孔４０８の細孔壁４１５上に成長又は堆積される。
【００８８】
ＡＬＤ技術は、複雑な幾何学的形状及び細孔の大きなアスペクト比にもかかわらず、細
孔４０８の細孔壁４１５上に比較的均一な厚さ及びゼロ空孔率の（すなわち、空孔の無い
）コンフォーマルなコーティングを可能にする。耐プラズマ性コーティング４２０は、プ
ラズマ相互作用を低減し、その性能に影響を与えることなくプラグの耐久性を向上させる
ことができる。ＡＬＤで堆積された耐プラズマ性コーティング４２０は、その機能を妨げ
ないように、細孔４０８及びセラミックスプラグ４０５の外面の相対的な形状及び幾何学
的構成を維持する。同様に、耐プラズマ性コーティングは、他の多孔質セラミックスチャ
ンバコンポーネントに施される場合、コンポーネントの機能を損なわないように、コンポ
ーネントの表面及び細孔壁の形状及び幾何学的構成を維持することができる。コーティン
グはまた、耐プラズマ性を提供し、多孔質物品の内部に対する耐浸食性及び／又は耐腐食
性を改善することができる。
【００８９】
耐プラズマ性コーティング４２０のプラズマに対する耐性は、コーティングされたコン
ポーネントの操作及びプラズマへの曝露期間全体を通じて、「ミクロン／時間（μｍ／時
）」の単位を有することができる「エッチング速度」（ＥＲ）を通して測定される。異な
る処理時間の後に測定を行ってもよい。例えば、測定は、処理前、又は約５０処理時間に
、又は約１５０処理時間に、又は約２００処理時間などとすることができる。ＥＳＣプラ
グ又は任意の他の処理チャンバコンポーネント上に成長又は堆積された耐プラズマ性コー
ティングの組成の変化は、複数の異なるプラズマ抵抗又は浸食速度値をもたらすことがで
きる。また、様々なプラズマに曝露された単一の組成を有する耐プラズマ性コーティング
４２０は、複数の異なるプラズマ抵抗又は浸食速度値を有することができる。例えば、耐
プラズマ性材料は、第１のタイプのプラズマに関連する第１のプラズマ抵抗又は浸食速度
、及び第２のタイプのプラズマに関連する第２のプラズマ抵抗又は浸食速度を有すること
ができる。
【００９０】
いくつかの実施形態では、耐プラズマ性コーティング４２０は、第１の層と、オプショ
ンとして第１の層の上にある第２の希土類金属含有酸化物層（図示せず）を含むことがで
きる。第１の層はＨＰ−Ａｌ２Ｏ３を含むことができ、希土類金属含有酸化物層が存在す
るとき、第１の層は非晶質ＨＰ−Ａｌ２Ｏ３層を含むことができる。希土類金属含有酸化
物層は、単独で又は追加の希土類金属酸化物（例えば、酸化エルビウム、酸化ジルコニウ
ムなど）と共に酸化イットリウムを含むことができる。希土類金属含有酸化物層は、任意
の希土類金属含有酸化物材料（例えば、本明細書で上記したもの）を有することができる
。各層は、ＡＬＤプロセスを用いてコーティングすることができる。ＡＬＤプロセスは、
その高いアスペクト比にもかかわらず、細孔壁がセラミックスプラグ４０５の内側にある
にもかかわらず、各細孔４０８の細孔壁全体にわたって空孔の無い均一な厚さのコンフォ
ーマルなコーティング層を成長させることができ、同時に、多成分コーティングは、セラ
ミックスプラグの細孔を塞がないように十分に薄くすることができることを確実にする。
【００９１】
図４Ｃは、本明細書に記載の実施形態に係る耐プラズマ性コーティングでコーティング
された複数の多孔質セラミックスプラグ４０５、４３５を含む基板支持アセンブリ４２２
を示す。基板支持アセンブリ４２２は、取り付けプレート４６５、絶縁プレート４６０、
設備プレート４５８、及び熱伝導ベース４５５と静電パック４３０から構成された静電チ
ャックを含み、静電パック４３０は、接着剤４５０（例えば、シリコーン接着剤）によっ
て熱伝導性ベース４５５に接合される。Ｏリング４４５を熱伝導性ベース４５５及び静電
パック４３０の周囲の接着４５０の周りに配置して、接着剤４５０を保護してもよい。絶
縁プレート４６０は、例えば、レクソライト（ｒｅｘｏｌｉｔｅ）又は他のプラスチック
とすることができ、接地されたハードウェアの下から（例えば、取り付けプレート４６５
から）電気的絶縁を提供することができる。基板支持アセンブリ４２２は、静電パック４
３０、接着剤４５０、熱伝導ベース４５５、設備プレート４５８、絶縁プレート４６０、
及び／又は取り付けプレート４６５を貫通する１以上の孔を含むことができる。１つ又は
複数の多孔質セラミックスプラグ４３５、４０５が孔に挿入され、腐食性ガス及びプラズ
マが貫通孔に侵入するのを防ぐことができる。耐プラズマ性コーティングは、１以上の孔
に挿入されたセラミックスプラグ４０５、４３５内の細孔の細孔壁をコーティングする。
取り付けプレート４６５は、ユーティリティ（例えば、流体、電力線、センサリードなど
）を熱伝導ベース４６０及び静電パック４５５に経路付け（ルーティング）するための通
路を含む。
【００９２】
静電パック４５５は、複数のガス通路（例えば、静電パック４３０の上面に形成するこ
とができる溝、メサ、及び他の表面構造）を更に含むことができる。ガス通路は、前述の
細孔を介して熱伝達（又は裏面）ガス（例えば、Ｈｅ）の供給源に流体結合することがで
きる。動作中、裏面ガスは、制御された圧力でガス通路に供給されて、静電パック４３０
と支持された基板との間の熱伝達を向上させることができる。上述したように、孔は、Ｈ
ｅを透過可能な多孔質セラミックスプラグ４０５、４３５によって塞がれたＨｅビアホー
ルとすることができる。多孔質セラミックスプラグはまた、半導体処理チャンバ４３０を
洗浄するために使用される腐食性ガス及びプラズマを少なくとも部分的に透過可能とする
ことができる。多孔質セラミックスプラグは、腐食性ガスのガス粒子を濾過し、そのよう
な腐食性ガスが基板支持体アセンブリ内に浸透するのを防止することができる。多孔質セ
ラミックスプラグ４０５、４３５は更に、二次的なプラズマが基板支持アセンブリ４２２
の孔内に形成されるのを更に防止することができる。
【００９３】
静電パック４３０は、少なくとも１つのクランプ電極４４０を含む。クランプ電極４４
０（又は静電パック４３０に配置された他の電極）は更に、処理チャンバ内で処理ガス及
び／又は他のガスから形成されたプラズマを維持するための整合回路を介して１以上のＲ
Ｆ電源に結合することができる。多孔質セラミックスプラグ４０５、４３５上の耐プラズ
マ性コーティングは、処理中にプラズマに対して耐腐食性を提供する。
【００９４】
以下の実施例は、本明細書に記載された実施形態の理解を助けるために記載されており
、本明細書に記載され特許請求される実施形態を具体的に限定するものとして解釈される
べきではない。当業者の知識の範囲内にある、現在知られているか又は後に開発される全
ての均等物の置換を含むそのような変形、及び実験設計における処方の変更又は軽微な変
更は、本明細書に組み込まれた実施形態の範囲内にあるとみなされるべきである。これら
の実施例は、上述の方法３００又は方法３５０を実行することによって達成することがで
きる。
【００９５】
実施例１−多孔質セラミック基板上でのＨＰ−Ａｌ２Ｏ３表面層を形成
図５Ａは、本明細書に記載の実施形態に従ってコーティングされた多孔質プラグの形態
を示す上面図である。図５Ｂは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を使用して画像化された本
明細書に記載の実施形態に従ってコーティングされた多孔質プラグの断面図である。アモ
ルファス酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）コーティングの耐プラズマ性コーティング５２
０を、アルミナ及び二酸化ケイ素から構成される多孔質プラグ５１５上に堆積させた。Ａ
ｌ２Ｏ３の耐プラズマ性コーティング５２０は、原子層堆積を使用して多孔質プラグ５１
５上に堆積され、約４０ｎｍの厚さを有する。耐プラズマ性コーティング用の前駆体は、
１〜数ｍトールから１〜数トールのスケールの圧力及び約１００〜２５０℃の温度で基板
に導入された。図示のように、コーティング５２０は、多孔質プラグ５１５の細孔を塞が
ない。
【００９６】
図６は、新しい多孔質プラグ５０５、第１の使用済み多孔質プラグ５１０、及び第２の
使用済み多孔質プラグ５１５に対するエネルギー分散型Ｘ線微量分析の結果を示す。この
結果は、新しい多孔質プラグと比較して、ケイ素（Ｓｉ）の著しく低い含有量と、フッ素
（Ｆ）の高い含有量を示している。このようなケイ素の喪失及びフッ素の添加は、本明細
書に記載されているように、多孔質プラグ内の細孔の細孔壁上に耐プラズマ性コーティン
グを施すことによって緩和される。
【００９７】
前述の説明は、本発明のいくつかの実施形態の良好な理解を提供するために、具体的な
システム、コンポーネント、方法等の例などの多数の具体的な詳細を説明している。しか
しながら、本発明の少なくともいくつかの実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実施
することができることが当業者には明らかであろう。他の例において、周知のコンポーネ
ント又は方法は、本発明を不必要に不明瞭にしないために、詳細には説明しないか、単純
なブロック図形式で提示されている。従って、説明された具体的な詳細は、単なる例示で
ある。特定の実装では、これらの例示的な詳細とは異なる場合があるが、依然として本発
明の範囲内にあることが理解される。
【００９８】
本明細書全体を通して「１つの実施形態」又は「一実施形態」への参照は、その実施形
態に関連して記載された特定の構成、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含ま
れることを意味している。従って、本明細書を通じて様々な場所における「１つの実施形
態では」又は「一実施形態では」という語句の出現は、必ずしも全て同じ実施形態を指す
ものではない。また、用語「又は」は、排他的な「又は」ではなく包含的な「又は」を意
味することを意図している。「約」又は「ほぼ」という用語が本明細書で使用される場合
、これは提示される公称値が±１０％以内で正確であることを意味することを意図してい
る。
【００９９】
本明細書内の本方法の操作は、特定の順序で図示され説明されているが、特定の操作を
逆の順序で行うように、又は特定の操作を少なくとも部分的に他の操作と同時に実行する
ように、各方法の操作の順序を変更することができる。別の一実施形態では、異なる操作
の命令又は副操作は、断続的及び／又は交互の方法とすることができる。
【０１００】
なお、上記の説明は例示であり、限定的ではないことを意図していることが理解される
べきである。上記の説明を読み理解することにより、多くの他の実施形態が当業者にとっ
て明らかとなるであろう。従って、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を、そのよう
な特許請求の範囲が権利を与える均等物の全範囲と共に参照して決定されるべきである。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2018168472.tif 000005
【図２Ｃ】
2018168472.tif 000006
【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
2018168472.tif 000008
【図３Ｂ】
2018168472.tif 000009
【図４Ａ】
2018168472.tif 000010
【図４Ｂ】
2018168472.tif 000011
【図４Ｃ】
2018168472.tif 000012
【図５Ａ】
2018168472.tif 000013
【図５Ｂ】
2018168472.tif 000014
【図６】
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