(57)【要約】【課題】大きな表示部を有し、可搬性を向上させた電子機器を提供する。また信頼性を向上させた電子機器を提供する。【解決手段】情報処理装置に、第１のフィルムと、表示パネルと、第１の筐体と、第２の筐体と、ヒンジと、を有する。第１のフィルムと、表示パネルと、はいずれも可撓性を備え、表示パネルは、第１のフィルムと重なる領域を備え、第１の筐体は、第１の収納領域を備え、第２の筐体は、第２の収納領域を備える。第１の収納領域は、第１のフィルムと、表示パネルと、を収納可能であり、第２の収納領域は、第１のフィルムと、表示パネルと、を収納可能である。ヒンジは、軸を備え、第２の筐体は、ヒンジを介して、軸を中心に回転可能に第１の筐体と連結され、表示パネルと、第１のフィルムと、は、互いに摺動可能である。表示パネルと、第１のフィルムと、の動摩擦係数は０．０５以上０．２以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフィルムと、表示パネルと、第１の筐体と、第２の筐体と、ヒンジと、を有し、
前記第１のフィルムと、前記表示パネルと、はいずれも可撓性を備え、
前記表示パネルは、前記第１のフィルムと重なる領域を備え、
前記第１の筐体は、第１の収納領域を備え、
前記第２の筐体は、第２の収納領域を備え、
前記第１の収納領域は、前記第１のフィルムと、前記表示パネルと、を収納可能であり、
前記第２の収納領域は、前記第１のフィルムと、前記表示パネルと、を収納可能であり、
前記ヒンジは、軸を備え、
前記第２の筐体は、前記ヒンジを介して、前記軸を中心に回転可能に前記第１の筐体と連結され、
前記表示パネルと、前記第１のフィルムと、は、互いに摺動可能であり、
前記表示パネルと、前記第１のフィルムと、の動摩擦係数は０．０５以上０．２以下である情報処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示パネルと、前記第１のフィルムと、の何れか１または両方は、低摩擦層を有し、
前記低摩擦層は、フッ素を含み、
前記表示パネルと前記第１のフィルムとは、前記低摩擦層を介して接する情報処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のフィルムは、母材フィルムと、ハードコート層と、を有し、
前記母材フィルムは、前記ハードコート層と、前記表示パネルと、に挟まれる情報処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか一において、
前記第２の筐体を、前記軸を中心に回転したとき、
前記第１のフィルムの、前記表示パネル側の面は、平面状、または凸形状となる情報処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一において、
前記表示パネルは、前記軸と交差する方向に、前記軸に平行な方向より大きく摺動可能である、情報処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか一において、
第２のフィルムを有し、
前記第２のフィルムは、可撓性を有し、厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下であり、
前記第１の収納領域は、前記第２のフィルムを収納可能であり、
前記第２の収納領域は、前記第２のフィルムを収納可能であり、
前記表示パネルは、前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に挟まれる情報処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
タッチセンサを有し、
前記表示パネルは、表示部を備え、
前記タッチセンサは、表示部と重なる情報処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
回路基板を有し、
前記回路基板は、前記表示パネルと接続され、
前記回路基板は、前記第１の筐体に収納される情報処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
演算装置を有し、
前記表示パネルは、画素を備え、
前記画素は、第１の表示素子と、第２の表示素子と、を備え、
前記演算装置は、第１の情報と、第２の情報と、を生成し、
前記第１の表示素子は、前記第１の情報に基づいて表示可能であり、
前記第２の表示素子は、前記第２の情報に基づいて表示可能である情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１の表示素子は、反射型の表示素子であり、
前記第２の表示素子は、発光素子である、請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上を含む情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、情報処理装置、表示装置および電子機器に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、表示装置を備える電子機器の多様化が進められている。その一つに携帯電話やスマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル端末などの情報処理装置がある。
【０００４】
表示装置としては、代表的には有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光素子、液晶表示装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパーなどが挙げられる。特許文献１、特許文献２には、有機ＥＬ素子が適用されたフレキシブルな発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１９７５２２号公報
【特許文献２】特開２０１５−０６４５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年では特に、大きな表示部を有する情報処理装置、表示装置および電子機器が求められている。表示部を大きくすることで、一覧性が向上する、表示可能な情報量が増える、などのメリットがある。一方、携帯型の電子機器においては、表示部を大きくすると可搬性（ポータビリティ）が低下してしまう。そのため、表示の一覧性の向上と可搬性の向上を両立することは困難であった。
【０００７】
本発明の一態様は、大きな表示部を有する電子機器を提供することを課題の一とする。または、電子機器の可搬性を向上させることを課題の一とする。または、表示の一覧性の向上と可搬性の向上を両立させることを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供することを課題の一とする。または、電子機器の信頼性を向上させることを課題の一とする。
【０００８】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の情報処理装置は、第１のフィルムと、表示パネルと、第１の筐体と、第２の筐体と、ヒンジと、を有する。第１のフィルムと、表示パネルと、はいずれも可撓性を備え、表示パネルは、第１のフィルムと重なる領域を備え、第１の筐体は、第１の収納領域を備え、第２の筐体は、第２の収納領域を備える。第１の収納領域は、第１のフィルムと、表示パネルと、を収納可能であり、第２の収納領域は、第１のフィルムと、表示パネルと、を収納可能である。ヒンジは、軸を備え、第２の筐体は、ヒンジを介して、軸を中心に回転可能に第１の筐体と連結され、表示パネルと、第１のフィルムと、は、互いに摺動可能である。表示パネルと、第１のフィルムと、の動摩擦係数は０．０５以上０．２以下である。
【００１０】
上記構成において、表示パネルと、第１のフィルムと、の何れか１または両方は、低摩擦層を有し、低摩擦層は、フッ素を含み、表示パネルと第１のフィルムとは、低摩擦層を介して接すると好ましい。
【００１１】
また上記各構成において、第１のフィルムは、母材フィルムと、ハードコート層と、を有し、母材フィルムは、ハードコート層と、表示パネルと、に挟まれると好ましい。
【００１２】
また上記各構成において、第２の筐体を、軸を中心に回転したとき、第１のフィルムの、表示パネル側の面は、平面状、または凸形状となると好ましい。また上記各構成において、表示パネルは、軸と交差する方向に、軸に平行な方向より大きく摺動可能であると好ましい。
【００１３】
また上記各構成において、第２のフィルムを有し、第２のフィルムは、可撓性を有し、厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下であり、第１の収納領域は、第２のフィルムを収納可能であり、第２の収納領域は、第２のフィルムを収納可能であり、表示パネルは、第１のフィルムと第２のフィルムとの間に挟まれると好ましい。
【００１４】
また上記各構成において、タッチセンサを有し、表示パネルは、表示部を備え、タッチセンサは、表示部と重なると好ましい。
【００１５】
また上記各構成において、回路基板を有し、回路基板は、表示パネルと接続され、回路基板は、第１の筐体に収納されると好ましい。
【００１６】
また上記各構成において、演算装置を有し、表示パネルは、画素を備え、画素は、第１の表示素子と、第２の表示素子と、を備え、演算装置は、第１の情報と、第２の情報と、を生成し、第１の表示素子は、第１の情報に基づいて表示可能であり、第２の表示素子は、第２の情報に基づいて表示可能であると好ましい。
【００１７】
また上記各構成において、第１の表示素子は、反射型の表示素子であり、第２の表示素子は、発光素子であると好ましい。
【００１８】
また上記各構成において、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上を含むと好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様によれば、可搬性及び信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。または、操作性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。または、新規な情報処理装置や新規な表示装置などを提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施の形態に係る情報処理装置の断面を説明する図。
【図２】実施の形態に係る情報処理装置の断面を説明する図。
【図３】実施の形態に係る情報処理装置の断面を説明する図。
【図４】実施の形態に係る情報処理装置の筐体を説明する図。
【図５】実施の形態に係るタッチパネルの構成を説明する図。
【図６】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図７】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図８】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図９】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図１０】実施の形態に係る折り曲げ可能な装置を作製する方法を説明する図。
【図１１】実施の形態に係る折り曲げ可能な装置を作製する方法を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る折り曲げ可能な装置を作製する方法を説明する図。
【図１３】実施の形態に係るタッチパネルの折り曲げを説明する図。
【図１４】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示装置の構成を説明するブロック図。
【図１５】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図。
【図１６】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図。
【図１７】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。
【図１８】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。
【図１９】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示パネルの画素の一部を説明する下面図。
【図２０】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図。
【図２１】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる表示パネルの画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図。
【図２２】実施の形態に係る情報処理装置を有する電子機器を説明する図。
【図２３】実施例に係る、摺動による傷の発生の評価を説明する図。
【図２４】実施例に係る、摺動による傷の評価結果を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
本発明の一態様の情報処理装置は表示素子を有する。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置について説明する。
【００２４】
＜表示パネル及びフィルムの断面図の説明＞
本発明の一態様の情報処理装置は、表示パネルと、第１のフィルムと、を有する。表示パネルは、表示素子を含む。
【００２５】
本発明の一態様の情報処理装置において、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、の配置の断面を模式的に図１（Ａ）に示す。第１のフィルム１０２は、表示パネル１０１に傷が発生しないよう保護するためのものである。そのため操作者が情報処理装置を操作するとき、操作者にとって表示パネル１０１より手前側に第１のフィルム１０２が位置する。
【００２６】
第１のフィルム１０２を有することで、不意の接触による表示パネル１０１表面の傷を第１のフィルム１０２により防ぐことができる。
【００２７】
また、第２のフィルム１０３を有し、表示パネル１０１が、第１のフィルム１０２と、第２のフィルム１０３と、に挟まれる構成としてもよい。このとき不意の接触による表示パネル１０１の変形量を小さくすることができる（図１（Ａ）参照）。表示パネル１０１の変形量を小さくすることで、素子の変形量を小さくすることができ、表示パネル１０１に形成される素子の破壊を防ぐことができる。
【００２８】
表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、はいずれも可撓性を有し、かつ折り曲げ可能に筐体に収納される等により、変形することができる。表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、が互いに摺動可能に、配設されることにより、上記変形がなされたとき、互いの内部応力を低減することができる。かつ、上記表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２との摺動による傷の発生を防ぐ構造を有する。
【００２９】
表示パネル１０１と第１のフィルム１０２とが摺動する構造であれば、表示パネルが大きな可撓性を有していなくても良い。例えば、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２とが共に反るような構造の情報処理装置であっても良い。例えば情報処理装置の操作により、第１のフィルム１０２が、第１のフィルム１０２の面に平行な力を受ける情報処理装置であってもよい。
【００３０】
表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、の接触面には、低摩擦層が配設される。低摩擦層は、単層または複数層設けることができる。また、表示パネル１０１と、第２のフィルム１０３との接触面にも同様に低摩擦層を設けることができる。例えば表示パネル１０１に低摩擦層１２５Ａを形成する（図１（Ａ）参照）、または第１のフィルム１０２に低摩擦層１２５Ｂを形成する（図１（Ｂ）参照）、または両方にそれぞれ低摩擦層１２５Ａ、低摩擦層１２５Ｂを形成する（図１（Ｃ）参照）ことができる。
【００３１】
低摩擦層を上記の接触面に形成したときの、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２との間の、及び表示パネル１０１と、第２のフィルム１０３との間の動摩擦係数はそれぞれ、０．０５以上０．２以下、好ましくは０．０５以上０．１以下である。この摩擦を低減することにより、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、の摺動による、両者の接触面における損傷を低減することができる。
【００３２】
図１（Ａ）及び図１（Ｃ）で示される構造において、表示パネル１０１は、素子形成領域１２１と、接合層１２２Ａ、接合層１２２Ｂと、第１の基板１２３と、第２の基板１２４と、低摩擦層１２５Ａと、を有する。図１（Ｂ）で示される構造において、表示パネル１０１は、素子形成領域１２１と、接合層１２２Ａ、接合層１２２Ｂと、第１の基板１２３と、第２の基板１２４と、を有し、第１のフィルム１０２は低摩擦層１２５Ａを有する。接合層１２２Ａは、素子形成領域１２１と第１の基板１２３との間に挟まれ、両者を接合する。また接合層１２２Ｂは、素子形成領域１２１と第２の基板１２４との間に挟まれ、両者を接合する。
【００３３】
素子形成領域１２１は画素を有し、自発光型表示素子、または反射型表示素子、またはこれら両方を画素に有することができる。
【００３４】
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層１２２に用いることができる。
【００３５】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、接合層１２２に用いることができる。
【００３６】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層１２２に用いることができる。
【００３７】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を接合層１２２に用いることができる。
【００３８】
素子形成領域１２１が自発光型表示素子を含む場合、接合層１２２は、水分を透過しにくい材料を含む、または水分を透過しにくい材料との積層構造とすると好ましい。
【００３９】
第１の基板１２３と、第２の基板１２４と、はそれぞれ可撓性を有する基板材料を用いることができる。
【００４０】
可撓性を有する基板材料は、具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
【００４１】
可撓性を有する基板材料は、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【００４２】
低摩擦層は、厚さ５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の厚さにて第１の基板１２３、または第２の基板１２４に接して形成される。フッ素樹脂、またはフッ素、を含む材料にて形成される。
【００４３】
低摩擦層を、液状材料を原料として、スプレー法等により、第１の基板１２３、または第２の基板１２４に塗布する工程において、下地の濡れ性によっては形成された低摩擦層にムラができる場合がある。このムラを抑えるためには、まず第１の基板１２３、または第２の基板１２４上に界面活性剤を塗布し、次いで低摩擦層を形成することが好ましい。
【００４４】
第１のフィルム１０２は、母材フィルム１３１と、ハードコート層１３２と、を有する。ハードコート層１３２は、外部から第１のフィルム１０２への圧力に対して耐久性を向上させるための硬い層である。ハードコート層１３２は、熱や溶剤に強くても良い。ハードコート層１３２は、母材フィルム１３１に比べて耐擦傷性が高い。耐擦傷性は、引っ掻き試験等で定量的に評価できる。
【００４５】
第２のフィルム１０３は、母材フィルム１３６を含む。第２のフィルム１０３にはハードコート層を設けても良い。
【００４６】
母材フィルム１３１、母材フィルム１３６は、それぞれ可撓性を有し、可視光に対する透過性を有する材料を用いることができる。上記材料については、後述の部分にて説明するが、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）にて形成することができる。
【００４７】
ハードコート層１３２の材料については、熱硬化性樹脂を用いることができる。後述の部分にて説明するが、例えばウレタンアクリレートにて形成することができる。または電離放射線硬化樹脂を用いることができる。電離放射線は、紫外線を例とする。
【００４８】
第１の基板１２３に、上記界面活性剤を塗布した際には第１の基板１２３が損傷する場合がある。その場合、第１の基板１２３の表面に耐薬品性を高めるための層１２６を形成することが好ましい（図１（Ｄ）参照）。耐薬品性を高める層１２６として、上述のハードコート層と同様に硬くて熱や溶剤に強い材料を用いることができ、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、の摺動による傷の発生も低減できて良い。耐薬品性を高める層１２６は、可撓性を制限しない範囲で、構造中に複数設けても良い。
【００４９】
以上、表示パネルの構造例として、素子形成領域１２１が、第１の基板１２３と、第２の基板１２４と、の間に配設される構造を示したが、表示パネルは上記と異なる構造でも良い。例えば、第２の基板１２４を、素子形成領域１２１を保護可能な有機樹脂層に変えても良い。例えば、第１の基板１２３を、素子形成領域１２１を保護可能な有機樹脂層に変えても良い。例えば、表示パネルが３以上の複数の可撓性を有する基板を有しても良い。
【００５０】
このような構成により、表示パネル１０１の応力を低減し信頼性を向上させつつ、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、の摺動による、両者の接触面における損傷を低減することができる。上記表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２との損傷の低減により、情報処理装置、または情報処理装置を有する電子機器、の視認性を向上させることができる。また情報処理装置、または情報処理装置を有する電子機器、の信頼性を向上させることができる。
【００５１】
＜筐体の説明＞
ここで、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、第２のフィルム１０３と、を収納できる筐体について説明する。
【００５２】
本発明の一態様の情報処理装置は、筐体１０４と、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２と、第２のフィルム１０３と、を含む。
【００５３】
図２（Ａ）には、筐体１０４の平面図を示す。図２（Ａ）中、Ｐ１とＰ２との間の断面図を図２（Ｂ）に示す。図２（Ａ）中、Ｑ１とＱ２との間の断面図を図２（Ｃ）に示す。ここで示されるように、筐体１０４は、第１の部分１０４Ａと、第２の部分１０４Ｂと、を含む。
【００５４】
収納領域１０８は、第１の部分１０４Ａと、第２の部分１０４Ｂと、で支持される領域である。収納領域１０８は、筐体１０４に囲まれていることから、筐体１０４は収納領域１０８を備えていると言える。この収納領域１０８に、第１のフィルム１０２と、第２のフィルム１０３と、を重ねて収納する。収納領域１０８において、第１のフィルム１０２と、第２のフィルム１０３と、は摺動可能である。
【００５５】
筐体１０４はヒンジを有して、折れ曲がっても良い。また筐体１０４は可撓性を有して、歪む、あるいは曲がっても良い。このとき、収納領域も筐体１０４の形に合わせて変形する。また収納領域内に収納された第１のフィルム１０２と、第２のフィルム１０３と、も変形する。
【００５６】
図２（Ｄ）に、ヒンジを有する筐体１０４を有する、情報処理装置の一状態の断面図を示す。本発明の一態様の情報処理装置は、表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、第１の筐体１０４−１、第２の筐体１０４−２、ヒンジ１０５−１、回路基板１０６、ＦＰＣ１０７（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を有する。表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、はいずれも可撓性を有する。ヒンジ１０５−１の軸を中心に、第１の筐体１０４−１、または第２の筐体１０４−２を回転させる動作をすることができる。図２（Ｄ）はヒンジ１０５−１の軸を中心に、情報処理装置を折り曲げた状態であると言える。
【００５７】
図２（Ｄ）にて、第１の筐体１０４−１は第１の部分１０４−１Ａと第２の部分１０４−１Ｂと端部１１１と、を含む。第２の筐体１０４−２は第１の部分１０４−２Ａと第２の部分（図示しない。）と、端部１１０と、を含む。第１の部分１０４−１Ａ、第１の部分１０４−２Ａ、は、ヒンジ１０５−１に接続されており、第１の部分１０４−１Ａには回路基板１０６と、ＦＰＣ１０７とが収納される。第１の筐体１０４−１に含まれる第２の部分１０４−１Ｂは、第１の部分１０４−１Ａの周辺部と空隙を介して重なる領域である。第２の筐体１０４−２に含まれる第２の部分１０４−２Ｂは、第１の部分１０４−２Ａの周辺部と空隙を介して重なる領域である。端部１１１は、第１の部分１０４−１Ａと第２の部分１０４−１Ｂとの間に位置する。また、端部１１０は、第１の部分１０４−２Ａと第２の部分１０４−２Ｂとの間に位置する。例えば、第１の筐体１０４−１において、第１の部分１０４−１Ａと第２の部分１０４−１Ｂと端部１１０の間は空隙（収納領域）となる。すなわち、第１の筐体１０４−１の有する収納領域１０８−１、第２の筐体１０４−２の有する収納領域１０８−２が、折り曲げ可能な情報処理装置に設けられる。
【００５８】
収納領域１０８−１と、収納領域１０８−２とを含む空間に、第１のフィルム１０２、表示パネル１０１、第２のフィルム１０２、が重ねられ収納される。
【００５９】
表示パネルに駆動回路を設ける場合、インセル型で設けても、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法を用いて設けても良い。図２（Ｄ）にはＣＯＧ法を用いて設ける場合のソケット１０９が示される。
【００６０】
本発明の一態様の情報処理装置は、表示パネル１０１に接して、透明で且つ厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは８０μｍ以上１５０μｍ以下の第１のフィルム１０２を有する。第１のフィルム１０２を有することによって表示パネル１０１の表面の機械的破損を防止し、且つ、表示パネル１０１が第１の筐体１０４−１、第２の筐体１０４−２から浮き上がる状態になることを防止する。
【００６１】
また表示パネル１０１と、第１の筐体１０４−１または第２の筐体１０４−２との間に第２のフィルム１０３が収められる。第１のフィルム１０２と第２のフィルム１０３とに摺動可能に挟まれることにより、表示パネル１０１は、第１の筐体１０４−１、第２の筐体１０４−２に支持される。
【００６２】
フィルムの、押圧に対する変形量は、用いる材料の曲げ弾性率や、曲げ強さ（単位：ＭＰａ）等で定量的に評価できる。例えば第１のフィルム１０２または第２のフィルム１０３に用いることができるポリアミドイミド樹脂は、６９乃至１０８ＭＰａの曲げ強さを有する。またフィルムの厚さによっても、押圧に対する変形量が異なる。上記押圧に対する変形量を小さくするためには、第２のフィルム１０３は、第１のフィルム１０２と同程度の、曲げ弾性率、または曲げ強さ、または厚さであることが好ましい。例えば、第２のフィルム１０３の母材は、第１のフィルム１０２と同じ母材を用いることができる。例えば、第２のフィルム１０３の母材は、厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。
【００６３】
本発明の一態様の情報処理装置は、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３は、それぞれ第１の筐体１０４−１と接する部分に固定することで支持される。図２（Ｄ）に示すように、第１のフィルム１０２は支持部１１６により第１の筐体１０４−１と固定される。第２のフィルム１０３は支持部１１７により第１の筐体１０４−１と固定される。
【００６４】
本発明の一態様の情報処理装置は、表示パネル１０１には回路基板１０６がＦＰＣ１０７により接続される。回路基板１０６は第１の筐体１０４−１に固定される。表示パネル１０１は第１の筐体１０４−１に対して、表示パネル１０１の折りたたまれた部分と端部１１１近傍の第１の筐体１０４−１との摩擦力と、ＦＰＣ１０７部分での回路基板１０６との接続と、により支持される。
【００６５】
第１のフィルム１０２と表示パネル１０１、表示パネル１０１と第２のフィルム１０３、は、第１の筐体１０４−１の有する収納領域１０８−１においては互いに固定されていても良い。なぜなら、情報処理装置の折り曲げの動作を行ったとき、第２の筐体１０４−２の有する収納領域１０８−２内で表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３が互いに摺動することで、応力による表示パネルの破損を防ぐことができるからである。
【００６６】
第１のフィルム１０２は表示パネル１０１に対して固定されていない領域を有する。第１のフィルム１０２と表示パネル１０１とが固定された状態で情報処理装置の折り曲げをおこなうと、表示パネル１０１が応力により破損しやすくなる。本発明の一態様では、上記情報処理装置の折り曲げの動作を行ったとき、第１のフィルム１０２と表示パネル１０１とが摺動することで、応力による表示パネル１０１の破損を低減する。
【００６７】
本発明の一態様の情報処理装置において、表示部分は、第１のフィルム１０２を通して視認されることができる。すなわち第１のフィルム１０２は可視光領域の波長の光に対して透過性をもつ。第１のフィルム１０２を通して表示部分を見たとき、図３（Ａ）は表示される面が凹となるように、情報処理装置を折り曲げた状態である。図３（Ａ）では、第１のフィルム１０２の方が、第２のフィルム１０３より、端部１１０に近くなっている。また図３（Ｂ）は表示される面が凸となるように、情報処理装置を折り曲げた状態である。図３（Ｂ）では、第２のフィルム１０３の方が、第１のフィルム１０２より、端部１１０に近くなっている。このように第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、及び表示パネル１０１が主に折り曲げた軸に対して垂直方向に摺動することにより、表示パネル１０１にかかる曲げ応力、圧縮応力、及び引っ張り応力を低減することができる。
【００６８】
＜筐体の上面図の説明＞
本実施の形態で筐体として用いることのできる構成の一例を図４に示す。図４には、第１の筐体１０４−１、第２の筐体１０４−２、ヒンジ１０５−１、端部１１０、が示される。また、収納領域１０８−１、収納領域１０８−２、が破線で示される。
【００６９】
端部１１０は、収納領域１０８−２において、ヒンジ１０５−１の軸１５１と平行な辺に設けられる。また同様に、端部１１１は、収納領域１０８−１において、ヒンジ１０５−１の軸１５１と並行な辺に設けられる。
【００７０】
表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、および第２のフィルム１０３、はそれぞれ第１の筐体１０４−１の何れかの部分で固定されている。そのため情報処理装置の折り曲げにより、表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、と端部１１１との距離は変化しない。一方、情報処理装置の折り曲げにより、表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３のそれぞれと、端部１１０との距離は変化する。該距離の最大値と最小値は、ヒンジ１０５−１の軸と表示パネル１０１との距離によって変わる。
【００７１】
第２のフィルム１０３を第１の筐体１０４−１と、第２の筐体１０４−２とに固定したとき、情報処理装置の折り曲げ動作によって、第２のフィルム１０３に、強い曲げ応力、圧縮応力、及び引っ張り応力が与えられない場合は、第２のフィルム１０３を第１の筐体１０４−１と、第２の筐体１０４−２とに固定しても良い。
【００７２】
情報処理装置の折り曲げにより表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３が互いに摺動したとき、表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３が、いずれも端部１１０に接触しないよう、端部１１０を第２の筐体１０４−２に設ける。言い換えれば、表示パネル１０１と端部１１０の距離、第１のフィルム１０２と端部１１０の距離、第２のフィルム１０３と端部１１０の距離、はいずれも０より大である。また情報処理装置の折り曲げをしたとき、第１のフィルム１０２の端部は、常に第２の筐体１０４−２の第２の部分１０４−２Ｂと重なるようにする。このような第２の部分１０４−２Ｂを有することで、表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３の端部が第２の部分１０４−２Ｂから脱落する、あるいは第２の部分１０４−２Ｂの端部と衝突することを防止することができる。すなわち本発明の一態様では、表示パネル１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３は、端部１１０との接触によるたわみ、劣化、破損を防ぐことができる。
【００７３】
第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、及び表示パネル１０１が、折り曲げをおこなうヒンジ１０５−１の軸１５１に対して互いに平行に摺動しないよう、収納領域１０８−１、収納領域１０８−２、の、軸１５１に対して平行な方向１５２の長さを、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、及び表示パネル１０１と略一致させても良い。または、軸１５１に平行な方向１５２より、軸１５１と交差する方向１５３に大きく摺動可能であることが好ましい（図４参照）。
【００７４】
表示パネル１０１と第１のフィルム１０２と、または表示パネル１０１と第２のフィルム１０３との接点において摺動が起きることから、方向１５３は、表示パネル１０１が曲面であれば、表示パネル１０１上の位置によって異なる場合がある。方向１５３は表示パネル１０１と第１のフィルム１０２とのある接点においては、該接点における表示パネル表面の接線方向であり、かつ軸１５１と平行ではない方向である。
【００７５】
このように摺動する方向を限定することにより、不要な摺動による第１のフィルム１０２、表示パネル１０１、等の傷を低減し、情報処理装置の視認性を向上させることができる。
【００７６】
本発明の一態様の情報処理装置は、第１のフィルム１０２と表示パネル１０１のみの構成でも良い。このとき表示パネル１０１は、第１のフィルム１０２と摺動可能に接触し、第１の筐体１０４−１、第２の筐体１０４−２に支持される。
【００７７】
本発明の一態様の情報処理装置は、３以上のフィルムと表示パネル１０１のみの構成でも良い。このとき表示パネル１０１は、一面に接触するフィルムと、反対側の一面に接触するフィルムとに摺動可能に接触し、第１の筐体１０４−１、第２の筐体１０４−２に支持される。
【００７８】
本発明の一態様の情報処理装置は、複数のヒンジを設け、筐体を３以上有する構成としても良い。情報処理装置を構成する、接続された筐体の一端を第１の筐体としたとき、第１の筐体以外の収納領域内で、第１のフィルム１０２と表示パネル１０１とが摺動可能な構成としても良い。
【００７９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。特に、本発明の一態様の情報処理装置が表示パネルとタッチセンサを有する場合を説明する。なお、本明細書において、表示部に重ねてタッチセンサを備えたものをタッチパネルという。
【００８０】
＜タッチパネルを含む情報処理装置＞
情報処理装置への、タッチセンサを介した入力操作時に、指や硬質の物体はタッチパネルに近接する。タッチパネルに接して第１のフィルム１０２を有した構成とすることで、第１のフィルム１０２を介して入力操作が可能となり、上記近接によるタッチパネルの破損を低減することができる。
【００８１】
情報処理装置は、タッチセンサを介した表示部における入力操作等により、指や硬質の物体の接触により第１のフィルム１０２とタッチパネルとは表示部において押圧される。このとき第２のフィルム１０３を有することはタッチパネルの変形量を小さくすることができ、好ましい。
【００８２】
また情報処理装置において、第１のフィルム１０２とタッチパネルとは、タッチセンサを介した入力操作時に表示部においてペンや鉛筆等の先端の細い部材で操作されることがある。この時、ハードコート層１３２による第１のフィルム１０２の耐久性の向上は、第１のフィルム１０２の傷を低減する上で特に有効である。
【００８３】
情報処理装置において、タッチセンサは、前記第１の収納領域と、前記第２の収納領域と、の何れか１または両方に収納される。例えば第１のフィルム１０２にタッチパネルの一部の電極や回路を設けることも可能である。しかし、第１のフィルム１０２とタッチパネルとが摺動し、表示部とタッチパネルの電極との位置がずれ、かつずれた表示部上に入力した場合、意図しない入力がなされる可能性がある。そのためタッチセンサの電極及び表示素子は、いずれもタッチパネルに設けることが好ましい。
【００８４】
＜タッチパネルの上面図の説明＞
タッチパネル３００と、タッチパネル４００と、を示す（図５（Ａ）、図５（Ｂ）参照）。タッチパネル３００、タッチパネル４００はそれぞれ表示部３０１を有する。
【００８５】
タッチパネル３００、あるいはタッチパネル４００、において、各表示部と重なる領域にタッチセンサを有していることが好ましい。タッチセンサとしては、シート状の静電容量方式のタッチセンサを表示素子に重ねて設ける構成とすればよい。または、いわゆるインセル型のタッチパネルを用いてもよい。インセル型のタッチパネルとしては、静電容量方式のタッチセンサを適用してもよいし、光電変換素子を用いた光学式のタッチセンサを適用してもよい。図５（Ａ）、図５（Ｂ）では光電変換素子を用いた光学式のタッチセンサの例を示す。光学式のタッチセンサの例として、表示部３０１に、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備えたものが挙げられる。撮像画素３０８は表示部３０１に触れた、または翳された指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用いてタッチセンサを構成することができる。
【００８６】
画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子および発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
【００８７】
画素回路は、選択信号を供給することができる配線および画像信号を供給することができる配線と、電気的に接続される。
【００８８】
図５（Ａ）に示されるタッチパネル３００は、インセル型の回路である、選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）とを有する。また図５（Ｂ）に示されるタッチパネル４００は、選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回路と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路とを、それぞれＣＯＧ法を用いて設ける場合において、ソケット１０９が配置される領域４０１（１）と領域４０１（２）とを有する。
【００８９】
撮像画素３０８は、光電変換素子および光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。
【００９０】
撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線および電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。
【００９１】
制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、および撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
【００９２】
タッチパネル３００、タッチパネル４００は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。
【００９３】
タッチパネル３００、タッチパネル４００は、それぞれ線分４０６、線分４０７で示される付近の領域で折り曲げられる。タッチパネル３００、タッチパネル４００は、線分４０６は端部１１１付近にて、線分４０７はヒンジ１０５−１付近にて、折り曲げられる。
【００９４】
タッチパネル３００は、走査線駆動回路３０３ｇ（１）、画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）が配置される領域と、表示部分との間にて折りたたまれる。タッチパネル４００は、領域４０１（１）と領域４０１（２）とが配置される領域と、表示部分との間に線分４０６が位置する。このような線分４０６の配置により、第１の筐体１０４−１の第２の部分１０４−１Ｂの上面から投影した面積を小さくし、かつタッチパネル３００においては走査線駆動回路３０３ｇ（１）と画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）との面積、タッチパネル４００においては領域４０１（１）と領域４０１（２）との面積、を大きくすることができる。
【００９５】
図６（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置に適用可能なタッチパネルの構造を説明する上面図である。図６（Ａ）にて各部分は、図５（Ａ）に対応している。
【００９６】
図６（Ｂ）は図６（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。
【００９７】
図６（Ｃ）は図６（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面図である。
【００９８】
＜断面図の説明＞
タッチパネル３００は、基板３１０および基板３１０に対向する対向基板３７０を有する（図６（Ｂ）参照）。
【００９９】
基板３１０および対向基板３７０に可撓性を有する材料を適用することにより、可撓性をタッチパネル３００に付与することができる。
【０１００】
なお、可撓性を有するタッチパネル３００を変形すると、タッチパネル３００に設けられた機能素子は応力を受ける。機能素子を基板３１０と対向基板３７０のおよそ中央に配置すると機能素子の変形を抑制することができ好ましい。
【０１０１】
また、線膨張率がおよそ等しい材料を基板３１０および対向基板３７０に用いると好ましい。材料の線膨張率の差は１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下であるとよい。
【０１０２】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板３１０および対向基板３７０に用いることができる。
【０１０３】
基板３１０は、可撓性を有する基板３１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜３１０ａおよび基板３１０ｂとバリア膜３１０ａを貼り合わせる樹脂層３１０ｃが積層された積層体である。
【０１０４】
対向基板３７０は、可撓性を有する基材３７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜３７０ａおよび基材３７０ｂとバリア膜３７０ａを貼り合わせる樹脂層３７０ｃの積層体である（図６（Ｂ）参照）。
【０１０５】
封止材３６０は対向基板３７０と基板３１０を貼り合わせている。また、封止材３６０は空気より大きい屈折率を備え、光学的に接合する機能を有する層を兼ねる。画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板３１０と対向基板３７０の間にある。
【０１０６】
＜画素の構成＞
画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇおよび副画素３０２Ｂを有する（図６（Ｃ）参照）。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。
【０１０７】
例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒおよび第１の発光素子３５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図６（Ｂ）参照）。また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒおよび光学素子（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を備える。
【０１０８】
第１の発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、第１の下部電極３５１Ｒと上部電極３５２の間に発光性の有機化合物を含む層３５３を有する（図６（Ｃ）参照）。
【０１０９】
発光性の有機化合物を含む層３５３は、発光ユニット３５３ａ、発光ユニット３５３ｂおよび発光ユニット３５３ａと発光ユニット３５３ｂの間に中間層３５４を備える。
【０１１０】
発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを対向基板３７０に有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
【０１１１】
例えば、発光モジュール３８０Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒと第１の着色層３６７Ｒに接する封止材３６０を有する。
【０１１２】
第１の着色層３６７Ｒは第１の発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第１の発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学的に接合する機能を有する層を兼ねる封止材３６０および第１の着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。本発明の一態様の情報処理装置は、この矢印の方向に、第１のフィルム１０２を有する。
【０１１３】
＜タッチパネルの構成＞
タッチパネル３００は、遮光層３６７ＢＭを対向基板３７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０１１４】
タッチパネル３００は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
【０１１５】
タッチパネル３００は、絶縁膜３２１を備える。図６（Ｂ）にて絶縁膜３２１はトランジスタ３０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することができる層が積層された絶縁膜を、絶縁膜３２１に適用することができる。
【０１１６】
タッチパネル３００は、発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）を絶縁膜３２１上に有する。
【０１１７】
タッチパネル３００は、第１の下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁膜３２１上に有する（図６（Ｃ）参照）。また、基板３１０と対向基板３７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。
【０１１８】
＜画像信号線駆動回路の構成＞
画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔおよび容量３０３ｃを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
【０１１９】
＜撮像画素の構成＞
撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐおよび光電変換素子３０８ｐに照射された光を検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含む。
【０１２０】
例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。
【０１２１】
＜他の構成＞
タッチパネル３００は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配線３１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。端子３１９に、ＦＰＣ３０９（１）とＦＰＣ３０９（２）で分割して接続する構成でも良いし、ＦＰＣ３０９と一つで接続する構成でも良い。
【０１２２】
なお、ＦＰＣ３０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０１２３】
同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。
【０１２４】
ボトムゲート型、トップゲート型等の構造を有するトランジスタを適用できる。
【０１２５】
様々な半導体をトランジスタに適用できる。例えば、酸化物半導体、単結晶シリコン、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどを適用できる。
【０１２６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１２７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に適用することができる、可撓性を有するタッチパネルの構成について、図７及び図８を参照しながら説明する。
【０１２８】
図７（Ａ）は、本実施の形態で例示するタッチパネル５００の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を図７に示す。図７（Ｂ）は、タッチパネル５００の斜視図である。
【０１２９】
図８は、図７（Ａ）に示すタッチパネル５００のＸ１−Ｘ２における断面図である。
【０１３０】
タッチパネル５００は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図７（Ｂ）参照）。また、タッチパネル５００は、基板５１０、基板５７０および基板５９０を有する。なお、基板５１０、基板５７０および基板５９０はいずれも可撓性を有する。
【０１３１】
表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素および当該画素に信号を供給することができる複数の配線５１１、および画像信号線駆動回路５０３ｓ（１）を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。
【０１３２】
＜タッチセンサ＞
基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図７（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。
【０１３３】
タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０１３４】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０１３５】
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図７（Ｂ）を用いて説明する。
【０１３６】
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。
【０１３７】
投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
【０１３８】
電極５９２は、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。
【０１３９】
電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。
【０１４０】
配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
【０１４１】
なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
【０１４２】
タッチセンサ５９５の構成を、図８を用いて説明する。
【０１４３】
タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。
【０１４４】
樹脂層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。
【０１４５】
電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【０１４６】
透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１及び電極５９２を形成することができる。
【０１４７】
また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０１４８】
また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができる。
【０１４９】
一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている。
【０１５０】
配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。
【０１５１】
一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１を電気的に接続している。
【０１５２】
なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【０１５３】
一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
【０１５４】
なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護することができる。
【０１５５】
また、図８には示していないが接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。
【０１５６】
接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０１５７】
樹脂層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、またはシロキサン結合を有する樹脂などを用いることができる。
【０１５８】
＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
【０１５９】
本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。
【０１６０】
例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。
【０１６１】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の他、電気泳動方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表示素子を表示素子に用いることができる。また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。
【０１６２】
また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
【０１６３】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
【０１６４】
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。
【０１６５】
可撓性を有する材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができる。
【０１６６】
不純物の透過が抑制された材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。
【０１６７】
線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
【０１６８】
基板５１０は、可撓性を有する基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜５１０ａおよび基板５１０ｂとバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃが積層された積層体である。
【０１６９】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、またはシロキサン結合を有する樹脂などを樹脂層５１０ｃに用いることができる。
【０１７０】
基板５７０は、可撓性を有する基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜５７０ａおよび基板５７０ｂとバリア膜５７０ａを貼り合わせる樹脂層５７０ｃの積層体である。
【０１７１】
封止材５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止材５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学的に接合する機能を有する層を兼ねる。画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）は基板５１０と基板５７０の間にある。
【０１７２】
＜画素の構成＞
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
【０１７３】
副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を備える。
【０１７４】
第１の発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。
【０１７５】
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
【０１７６】
また、封止材５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止材５６０は、第１の発光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。
【０１７７】
第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第１の発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。本発明の一態様の情報処理装置は、この矢印の方向に、第１のフィルム１０２を有する。
【０１７８】
＜表示部の構成＞
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０１７９】
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
【０１８０】
表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
【０１８１】
表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する。
【０１８２】
表示部５０１は、下部電極の端部に重なる隔壁５２９を絶縁膜５２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２９上に有する。
【０１８３】
＜走査線駆動回路の構成＞
走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
【０１８４】
＜他の構成＞
表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。
【０１８５】
なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０１８６】
表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々導電膜を配線に用いることができる。
【０１８７】
具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０１８８】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。
【０１８９】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。
【０１９０】
また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いてもよい。
【０１９１】
＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。
【０１９２】
ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に図示する。
【０１９３】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図８（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０１９４】
例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【０１９５】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。
【０１９６】
酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。
【０１９７】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０１９８】
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図８（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０１９９】
トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図８（Ｃ）に図示する。
【０２００】
例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図８（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０２０１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２０２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に適用することができる可撓性を有するタッチパネルの構成について、図９を参照しながら説明する。
【０２０３】
図９は、タッチパネル５００Ｂ断面図である。
【０２０４】
本実施の形態で説明するタッチパネル５００Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５０１を備える点およびタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、実施の形態５で説明するタッチパネル５００とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０２０５】
＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
【０２０６】
＜画素の構成＞
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
【０２０７】
副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。
【０２０８】
発光モジュール５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を備える。
【０２０９】
第１の発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。
【０２１０】
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
【０２１１】
第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図９（Ａ）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、第１の発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。本発明の一態様の情報処理装置は、この矢印の方向に、第１のフィルム１０２を有する。
【０２１２】
＜表示部の構成＞
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０２１３】
表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、例えば第１の着色層５６７Ｒから拡散する不純物によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
【０２１４】
＜タッチセンサ＞
タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図９（Ａ）参照）。
【０２１５】
樹脂層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９５を貼り合わせる。
【０２１６】
＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。
【０２１７】
ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図９（Ａ）および図９（Ｂ）に図示する。
【０２１８】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図９（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。また、一対のゲート電極をトランジスタのチャネルが形成される領域を上下に挟むように設けてもよい。これにより、トランジスタの特性の変動を抑制し、信頼性を高めることができる。
【０２１９】
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図９（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０２２０】
トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図９（Ｃ）に図示する。
【０２２１】
例えば、多結晶シリコンまたは転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図９（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０２２２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２２３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、他の実施の形態で説明される筐体の、回転方向について説明する。
【０２２４】
本実施の形態では、他の実施の形態で示されたタッチパネル３００を有する情報処理装置を例に説明する。タッチパネル３００は第１のフィルム１０２により保護されている。
【０２２５】
第１のフィルム１０２に先端の細い部材が触れたとき、第１のフィルム１０２が破壊されないためには、第１のフィルム１０２の硬度が高いことが求められる。第１のフィルム１０２の硬度は、鉛筆硬度試験にて評価することができる。第１のフィルム１０２の硬度を高めるためには、第１のフィルム１０２が十分な厚さを有すること、かつ十分な硬度を持った材料で形成されることが好ましい。
【０２２６】
タッチパネル３００には、先端の細い部材が触れることによるクラック、配線及び絶縁膜の界面等の、脆弱部６００Ａが複数存在する。また、第１のフィルム１０２にも先端の細い部材が触れること等により生じる、脆弱部６００Ｂが複数存在する。
【０２２７】
タッチパネル３００が、可撓性の基板６０１と、可撓性の基板６０２と、その間の素子形成領域６０３と、を有するとする。素子形成領域６０３には金属層からなる配線や無機絶縁膜等が形成され、それらの界面が存在する。これら界面、段差、結晶粒界等は、脆弱部６００Ａとなりやすい。そのため脆弱部６００Ａは、素子形成領域６０３に多く存在する。素子形成領域６０３の脆弱部６００Ａが破断すると、素子形成領域６０３に含まれる素子（例えば、トラジスタ、容量素子、配線等）は破壊されることがある。
【０２２８】
ここで、タッチパネル３００を、筐体の可動域の範囲で、基板６０２を内側として曲げるときを考える（図１３（Ａ）参照）。タッチパネル３００を曲げようとする作用を曲げモーメント６０４という。
【０２２９】
タッチパネル３００が曲げモーメント６０４を受けて曲がると、曲げモーメント６０４に対抗してタッチパネル３００の内部には、曲がった凸側である基板６０１側に引張応力が、凹側である基板６０２に圧縮応力が生じる。タッチパネル３００の中心付近に、引張応力も圧縮応力も生じない面があり、これを中立面６０５という。
【０２３０】
応力の大きさはタッチパネル３００の中立面６０５で０であり、タッチパネル３００の表面に向かって直線的に分布し、タッチパネル３００の表面で最大になる。このタッチパネル３００の表面における応力をタッチパネル３００の曲げ応力という。
【０２３１】
タッチパネル３００に引っ張り応力が働いたとき、脆弱部６００Ａから亀裂が始まる。一方、膜に圧縮応力が働いたとき、それらがつぶされ、破断の起点になり難い。
【０２３２】
素子形成領域６０３を中立面６０５に形成すれば、素子形成領域６０３の破壊は少さくできる。しかしながら素子形成領域６０３には厚みがあるため、素子形成領域６０３に応力がかかる場合には、この応力は０または圧縮方向であることが望ましい。すなわち、タッチパネルが小さい曲率半径で内側に曲がるとき、素子形成領域６０３を中立面６０５に対して内側に配設した構成は、膜の亀裂が生じにくい。
【０２３３】
タッチパネルの表示部の保護の都合、曲げられたタッチパネル３００の凹側には、第１のフィルム１０２が配設される（図１３（Ｂ）参照）。ここで、第１のフィルム１０２からタッチパネル３００に、外力６０６が加えられると、タッチパネル３００における中立面６０５は、第１のフィルム１０２側に移動する。素子形成領域６０３に引っ張り応力を与えないためには、外力６０６を小さくすることが望ましい。本発明の情報処理装置は、タッチパネル３００に対して第１のフィルム１０２が固定されていないことから、外力６０６を小さくすることができる。このような構成にて、素子形成領域６０３における破断や亀裂を避けることができる。
【０２３４】
一方、第１のフィルム１０２に関して、可撓性を有する母材フィルムの片面にハードコート層を設けた構造においても、同じことが言える。タッチパネルが小さい曲率半径で内側に曲がるとき、ハードコート層にかかる応力は、常に０または圧縮方向であることが望ましい。そのため、母材フィルムにおいて、タッチパネル３００と接する面とは別の面にハードコート層が設けられれば、ペンや鉛筆等の先端の細い部材からの保護も可能となる。
【０２３５】
すなわち、筐体と筐体とを回転させ、第１のフィルム１０２におけるタッチパネル３００と接する面を凸に曲げられる構造にて、タッチパネル３００の中立面より素子形成領域６０３を内側にすることが望ましい。また、タッチパネル３００の内側に第１のフィルム１０２を重ねることが望ましい。
【０２３６】
また、第１のフィルム１０２が含む母材フィルムより内側のみにハードコート層を形成することが望ましい。なぜなら、母材フィルムより外側にハードコート層を形成し、図１３（Ａ）のように内側に曲げたとき、該ハードコート層に引っ張り応力が掛かり、該ハードコート層に亀裂が生じる恐れがあるからである。
【０２３７】
本発明の一態様の情報処理装置が上記構造を有するとき、筐体と筐体を回転させ第１のフィルム１０２におけるタッチパネル３００と接する面を凹に曲げると、上述の引っ張り応力により素子形成領域６０３とハードコート層とが破壊されるため、筐体の可動域を制限する必要がある。言い換えれば、筐体と筐体とを、軸を中心に回転させるとき、第１のフィルム１０２の、タッチパネル３００側の面は、平面状、または凸形状となる範囲を可動域とすると良い。
【０２３８】
第１のフィルム１０２に含まれる母材フィルムは、可撓性を有し、可視光に対する透過性を有する材料を用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いたタッチパネル３００も軽量にすることができる。
【０２３９】
第１のフィルム１０２のハードコート層の材料としては、有機ハードコート剤、無機ハードコート剤、有機材料と無機材料とが結合したハイブリッドハードコート剤、有機材料と無機材料とが混在したコンポジットハードコート剤、のいずれも用いることができる。但し、無機ハードコート剤は高硬度ではあるものの、曲げたときにクラックが発生する欠点がある。そのため、有機ハードコート剤、ハイブリッドハードコート剤、コンポジットハードコート剤、のいずれかを用いると好ましい。特にハイブリッドハードコート剤は、透明性、耐摩耗性に優れ好ましい。
【０２４０】
有機ハードコート剤、ハイブリッドハードコート剤、コンポジットハードコート剤には、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂のいずれも用いることができる。紫外線硬化樹脂は、硬化速度が速いこと、低温で処理できるため樹脂の選択範囲が広いことから、より好ましい。紫外線硬化樹脂には、アクリル系とエポキシ系とがあるが、硬化速度が速く、生産性に優れるアクリル系が好ましい。
【０２４１】
ハイブリッドハードコート剤において、アクリル系紫外線硬化樹脂の構成成分としては、多官能アクリレートを例とするモノマー、変性アクリレートやエラストマーを例とするオリゴマー、反応性微粒子、光重合開始剤、溶剤、添加剤を用いることができる。変性アクリレートの例としては、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートが挙げられる。
【０２４２】
上記反応性微粒子は、シリカ粒子、アルミナ粒子、を例とする透光性の粒子を用いることができる。含有させる粒子量と粒径は最適化する必要があり、例えば含有させるシリカ粒子の粒径が大きくなると、耐擦傷性が低下する。例えばシリカの含有量、表面修飾率、架橋密度が少ないと、溶液粘度、透明性、成形性、溶液安定性、耐衝撃性が改善される。シリカの含有量、表面修飾率、架橋密度が多いと、効果収縮率、表面硬度、耐熱性、耐候性、耐擦傷性、疎水性が改善される。
【０２４３】
光重合開始剤には、一例としてラジカル系、カチオン系のものを用いることができる。溶剤としては、アルコール、ケトン、トルエン、キシレン等を用いることができる。
【０２４４】
添加剤としては、必要に応じてシランカップリング剤、分散剤、増感剤、安定剤、難燃剤、レべリング剤、帯電防止剤、等を用いることができる。
【０２４５】
第１のフィルム１０２は、複数の異なる材料が積層された構造でもよい。例えば、５０μｍ以上１００μｍ以下の厚さのＰＥＴフィルム上に１０μｍ以上５０μｍ以下の厚さのハードコート層を重ねた構造のフィルムを用いることができる。
【０２４６】
また、第１のフィルム１０２表面には、接触した指等に対して、適当な摩擦力を生じさせる加工が施されていることが好ましい。
【０２４７】
指と第１のフィルム１０２との摩擦力が大きいとき、指を第１のフィルム１０２上にて、接触しつつ移動させると、指先が変形して、繊細な入力が困難となる。摩擦力が大きい材質としては、十分研磨され表面平坦性の良いガラスが挙げられる。一方、指と第１のフィルム１０２との摩擦力が小さいとき、指の表面に対する触覚が失われ、特に指を第１のフィルム１０２上にて、接触しつつ移動させたときのタッチの検出がしにくくなる。そのため、第１のフィルム１０２上に適度な凹凸（テクスチャ）を設けてもよい。
【０２４８】
第１のフィルム１０２の表面に適当な摩擦を生じさせる手段として、シリカ粒子の配置などを第１のフィルム１０２の表面に施すことが挙げられる。このとき指が第１のフィルム１０２上を適当な摩擦力を受けつつ、操作することができる。
【０２４９】
情報処理装置がタッチセンサを有していない場合でも、第１のフィルム１０２のハードコート層を片面に有した構成であれば、上記筐体の可動域を制限することは、同様の理由で有効である。
【０２５０】
本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２５１】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置や電子機器などに適用することができる折り曲げ可能な装置を作製する方法について、図１０乃至図１２を参照しながら説明する。なお、折り曲げ可能な装置の例としては、表示装置、発光装置、入力装置などがあげられる。入力装置の例としては、タッチセンサ、タッチパネルなどがあげられる。発光装置の例としては、有機ＥＬパネル、照明装置などがあげられる。表示装置の例としては、発光装置、有機ＥＬパネル、液晶表示装置などがあげられる。なお、表示装置や発光装置の内部に、タッチセンサなどの入力装置の機能が設けられている場合もある。例えば、表示装置や発光装置が有する対向基板（例えば、トランジスタが設けられていない基板）に、タッチセンサが設けられている場合がある。または、表示装置や発光装置が有する素子基板（例えば、トランジスタが設けられている基板）に、タッチセンサが設けられている場合がある。または、表示装置や発光装置が有する対向基板と、表示装置や発光装置が有する素子基板とに、タッチセンサが設けられている場合がある。
【０２５２】
まず、作製基板７０１上に剥離層７０３を形成し、剥離層７０３上に被剥離層７０５を形成する（図１０（Ａ））。また、作製基板７２１上に剥離層７２３を形成し、剥離層７２３上に被剥離層７２５を形成する（図１０（Ｂ））。
【０２５３】
例えば、剥離層としてタングステン膜を用いたときに、タングステン膜上に、Ｎ２Ｏ等の酸素を含むガスにてプラズマ処理を行うことや、酸素を含むガス雰囲気中でアニールすることや、酸素を含むガス雰囲気中でスパッタ等の方法で酸化タングステン膜を形成すること等の酸化方法を用いて、タングステン膜と被剥離層の間に酸化タングステン膜を形成することができる。
【０２５４】
酸化タングステン膜は剥離転置工程を行う時点で、酸化タングステンの組成において、タングステンに対する酸素の比が３より小さい組成を多く含むことが好ましい。酸化タングステンには、ｎを１以上の自然数としたとき、ＷｎＯ（３ｎ−１），ＷｎＯ（３ｎ−２）というホモロガス系列の場合結晶光学的せん断面が存在し、過熱することでせん断が起きやすくなる。Ｎ２Ｏプラズマ処理を行い、酸化タングステン膜を形成することで、小さい力で被剥離層を基板から剥離することができる。
【０２５５】
もしくは、タングステン膜を形成せず、酸化タングステン膜を直接形成することができる。例えば、十分薄いタングステン膜に対して、酸素を含むガスにてプラズマ処理を行うことや、酸素を含むガス雰囲気中でアニール処理を行うことや、酸素を含むガス雰囲気中でスパッタ等の方法で酸化タングステン膜を形成することで、酸化タングステン膜のみを剥離層として形成しても良い。
【０２５６】
このとき、タングステン膜と酸化タングステン膜の界面または酸化タングステン膜の内部で分離することで、被剥離層側に酸化タングステン膜が残存する場合がある。そして、酸化タングステン膜が残存することで、トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことがある。したがって、剥離層と被剥離層の分離工程の後に、酸化タングステン膜を除去する工程を有することが好ましい。なお、上述の基板からの剥離方法では、必ずしもＮ２Ｏプラズマ処理を行わなくてもよいため、酸化タングステン膜を除去する工程も削減することは可能である。この場合、より簡便に装置の作製を行うことができる。
【０２５７】
また、本発明の一態様は、基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上２００ｎｍ未満のタングステン膜を用いる。
【０２５８】
剥離層には、タングステン膜以外では、モリブデン、チタン、バナジウム、タンタル、シリコン、アルミニウムや、これらの合金を含む膜を用いても良い。また、これらの膜と、その酸化膜との積層構造を用いてもよい。剥離層は無機膜に限定されず、ポリイミド等の有機膜を用いても良い。
【０２５９】
剥離層に有機樹脂を用いた場合に、低温ポリシリコンを半導体層として用いようとすると、３５０℃以下でプロセスを処理する必要がある。そのため、シリコン結晶化のための脱水素ベーク、シリコン中欠陥終端のための水素化、ドーピングされた領域の活性化などを十分にすることができず、性能が制限されてしまう。一方、無機膜を用いた場合には、成膜温度は３５０℃に制限されず、優れた特性を発揮することが可能となる。
【０２６０】
剥離層に有機樹脂を用いた場合は、結晶化時のレーザ照射により有機樹脂や機能素子にダメージが入ってしまうことがあるが、剥離層に無機膜を用いた場合には、そのような問題は発生しないので好ましい。
【０２６１】
また、剥離層に有機樹脂を用いた場合は、樹脂の剥離のためのレーザ照射により有機樹脂が収縮してしまい、ＦＰＣ等の端子の接触部に接触不良を発生させることがあるため、高精細なディスプレイなど、端子数が多い機能素子を、歩留り高く剥離転置することが難しい場合がある。剥離層に無機膜を用いた場合には、そのような制限はなく、高精細なディスプレイなど、端子数が多い機能素子に関しても、歩留り高く剥離転置することが可能である。
【０２６２】
本発明の一態様の基板からの機能素子の剥離方法では、作製基板上に絶縁層やトランジスタを６００℃以下で形成することができる。この場合、高温ポリシリコンを半導体層に用いることができる。この場合、従来の高温ポリシリコンのラインを用いて、デバイス動作速度が速く、ガスバリア性が高く、信頼性も高い半導体装置を量産することが可能である。この場合、６００℃以下のプロセスで形成された絶縁層及びトランジスタを用いることで、有機ＥＬ素子の上下に６００℃以下の成膜条件で形成したガスバリア性の高い絶縁層を配置することができる。これにより、有機ＥＬ素子や半導体層に水分等の不純物が混入することを抑制し、剥離層に有機樹脂などを用いた場合と比較して、桁違いに信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０２６３】
もしくは作製基板上に絶縁層やトランジスタを５００℃以下で形成することができる。この場合、低温ポリシリコンや酸化物半導体を半導体層に用いることができ、従来の低温ポリシリコン生産ラインを用いて量産が可能である。この場合も、５００℃以下のプロセスで形成された絶縁層及びトランジスタを用いることで、有機ＥＬ素子の上下に５００℃以下の成膜条件で形成したガスバリア性の高い絶縁層を配置することができる。これにより、有機ＥＬ素子や半導体層に水分等の不純物が混入することを抑制し、剥離層に有機樹脂などを用いた場合と比較して、非常に信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０２６４】
もしくは作製基板上に絶縁層やトランジスタを４００℃以下で形成することが可能である。この場合、アモルファスシリコンや酸化粒半導体を半導体層に用いることができ、従来のアモルファスシリコンの生産ラインを用いて量産が可能である。この場合も、４００℃以下のプロセスで形成された絶縁層及びトランジスタを用いることで、有機ＥＬ素子の上下に４００℃以下の成膜条件で形成したガスバリア性の高い絶縁層を配置することができる。これにより、有機ＥＬ素子や半導体層に水分等の不純物が混入することを抑制し、剥離層に有機樹脂などを用いた場合と比較して、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０２６５】
次に、作製基板７０１と作製基板７２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向するように、接合層７０７及び枠状の接合層７１１を用いて貼り合わせ、接合層７０７及び枠状の接合層７１１を硬化させる（図１０（Ｃ））。ここでは、被剥離層７２５上に枠状の接合層７１１と、枠状の接合層７１１の内側の接合層７０７とを設けた後、作製基板７０１と作製基板７２１とを、対向させ、貼り合わせる。
【０２６６】
なお、作製基板７０１と作製基板７２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【０２６７】
なお、図１０（Ｃ）では、剥離層７０３との剥離層７２３の大きさが異なる場合を示したが、図１０（Ｄ）に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
【０２６８】
接合層７０７は剥離層７０３、被剥離層７０５、被剥離層７２５、及び剥離層７２３と重なるように配置する。そして、接合層７０７の端部は、剥離層７０３又は剥離層７２３の少なくとも一方（先に基板から剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これにより、作製基板７０１と作製基板７２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。
【０２６９】
次に、レーザ光の照射により、基板からの第１の剥離の起点７４１を形成する（図１１（Ａ）、（Ｂ））。
【０２７０】
作製基板７０１及び作製基板７２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離してもよい。ここでは、作製基板７０１を先に剥離する例を示す。
【０２７１】
レーザ光は、硬化状態の接合層７０７又は硬化状態の枠状の接合層７１１と、被剥離層７０５と、剥離層７０３とが重なる領域に対して照射する。ここでは、接合層７０７が硬化状態であり、枠状の接合層７１１が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接合層７０７にレーザ光を照射する（図１１（Ａ）の矢印Ｐ３参照）。
【０２７２】
被剥離層７０５の一部を除去することで、基板からの第１の剥離の起点７４１を形成できる（図１１（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。このとき、被剥離層７０５だけでなく、被剥離層７０５の他の層や、剥離層７０３、接合層７０７の一部を除去してもよい。
【０２７３】
レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層７０３と剥離層７２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層７０５及び被剥離層７２５のうち被剥離層７０５のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板７０１及び剥離層７０３を剥離することができる（図１１（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。
【０２７４】
剥離層７０３と剥離層７２３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、剥離層７０３側の被剥離層７０５と剥離層７２３側の被剥離層７２５の両方に基板からの剥離の起点を形成してしまうと、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したがって、一方の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限される場合がある。第１の基板からの剥離の第１の剥離の起点７４１の形成方法は、レーザ光の照射に限定されず、カッターなどの鋭利な刃物によって形成されてもよい。
【０２７５】
そして、形成した基板からの第１の剥離の起点７４１から、被剥離層７０５と作製基板７０１とを分離する（図１１（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層７０５を作製基板７０１から作製基板７２１に転置することができる。
【０２７６】
図１１（Ｄ）に示す工程で作製基板７０１から分離した被剥離層７０５と、基板７３１とを接合層７３３を用いて貼り合わせ、接合層７３３を硬化させる（図１２（Ａ））。
【０２７７】
次に、カッターなどの鋭利な刃物により、基板からの第２の剥離の起点７４３を形成する（図１２（Ｂ）、（Ｃ））。基板からの第２の剥離の起点７４３の形成方法はカッターなどの鋭利な刃物に限定されず、レーサ光照射などによって形成されてもよい。
【０２７８】
剥離層７２３が設けられていない側の基板７３１が刃物等で切断できる場合、基板７３１、接合層７３３、及び被剥離層７２５に切り込みを入れてもよい（図１２（Ｂ）の矢印Ｐ５参照）。これにより、被剥離層７２５の一部を除去し、基板からの第２の剥離の起点７４３を形成できる（図１２（Ｃ）の点線で囲った領域参照）。
【０２７９】
図１２（Ｂ）、（Ｃ）で示すように、作製基板７２１及び基板７３１が剥離層７２３と重ならない領域で接合層７３３によって貼り合わされている場合、作製基板７２１側と基板７３１側の密着性の高さにより、その後の基板からの剥離工程の歩留まりが低下することがある。したがって、硬化状態の接合層７３３と剥離層７２３とが重なる領域に枠状に切り込みを入れ、実線状に基板からの第２の剥離の起点７４３を形成することが好ましい。これにより、基板からの剥離工程の歩留まりを高めることができる。
【０２８０】
そして、形成した基板からの第２の剥離の起点７４３から、被剥離層７２５と作製基板７２１とを分離する（図１２（Ｄ））。これにより、被剥離層７２５を作製基板７２１から基板７３１に転置することができる。
【０２８１】
例えばタングステン膜等の無機膜上にＮ２Ｏプラズマ等でしっかりとアンカリングされた酸化タングステン膜を形成する場合、成膜時は密着性を比較的高くすることが可能である。その後剥離の起点を形成すると、そこから劈開が発生し、容易に被剥離層を剥離して、作製基板から基板に転置することが可能となる。
【０２８２】
また、剥離層７２３と被剥離層７２５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板７２１と被剥離層７２５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層７２３と被剥離層７２５の間にしみこむことで、基板からの剥離時に生じる静電気が、被剥離層７２５に含まれるＦＥＴ等の機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。
【０２８３】
また、Ｍ−Ｏ−Ｗという結合（Ｍは任意の元素）に物理的力を加えて結合を分断する場合、そのすきまに液体がしみこむことで、Ｍ−ＯＨ及びＨＯ−Ｗという結合となった方が結合距離が遠くなるため、分離を促進することができる。
【０２８４】
なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよい。液体としては、純水や有機溶剤などを用いることができ、中性、アルカリ性、もしくは酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。
【０２８５】
また、力学的に剥離する時の液体および基板の温度は室温から１２０℃の間、好ましくは６０℃以上９０℃以下とすることがよい。
【０２８６】
以上に示した本発明の一態様の基板からの剥離方法では、鋭利な刃物等により基板からの第２の剥離の起点７４３を形成し、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、作製基板の剥離を行う。これにより、基板からの剥離工程の歩留まりを向上させることができる。
【０２８７】
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、それぞれの作製基板を剥離し、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。
【０２８８】
本発明の一態様の基板からの剥離方法は、酸化物層の上層に設けられる被剥離層に、加熱により水素を放出する第１の層及び第２の層を設ける。さらに加熱処理によって当該被剥離層から放出された水素により、酸化物層内のＷＯ３を還元し、ＷＯ２を多く含有する酸化物層を形成することができる。その結果、基板からの剥離性を向上させることができる。
【０２８９】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２９０】
（実施の形態７）
本発明の一態様の情報処理装置の有する表示部については、実施の形態１乃至６と異なる構成としても良い。
【０２９１】
本発明の一態様の情報処理装置は、液晶材料を含む層を用いた反射型の表示素子を第１の表示素子とし、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子とし、これら双方を有してもよい。
【０２９２】
例えば情報処理装置を平面状とした場合、反射型の表示素子を用いて表示を行えるが、ある角度以上折り曲げた状態では、入射光が不十分で反射光の強度が弱くなる、または液晶の視野角依存性による表示色の変化が大きくなる環境を想定する。このとき、情報処理装置が筐体同士の角度センサまたは照度センサを有し、これらから得られた情報を基に、所定の角度を境として、反射型の表示素子と、光を射出する機能を備える表示素子とを表示に使い分けることは、視認性の向上において有効である。
【０２９３】
上記、第１の表示素子と、第２の表示素子と、を有する表示パネル７００の構成について、図１４乃至図２１を参照しながら説明する。
【０２９４】
表示パネル７００は、演算装置等から、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を取得する機能を備える。上記演算装置は、表示パネル７００が映像等を所望の表示方法で表示できるように、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を生成することができる。例えば、映像のうち動画情報を情報Ｖ１１に含ませ、静止画情報を情報Ｖ１２に含ませる、等である。
【０２９５】
表示パネル７００は、情報Ｖ１１に基づいて、第１の表示素子を表示し、情報Ｖ１２に基づいて、第２の表示素子を表示する。
【０２９６】
図１４は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。表示装置は表示パネルを有する。
【０２９７】
図１４は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。表示装置は表示パネルを有する。
【０２９８】
図１５は本発明の一態様の表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図である。図１５は図１４に示す構成とは異なる構成を説明するブロック図である。
【０２９９】
図１６は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図である。図１６（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図１６（Ｃ）は図１６（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。
【０３００】
図１７および図１８は表示パネルの構成を説明する断面図である。図１７（Ａ）は図１６（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の一部を説明する図である。
【０３０１】
図１８（Ａ）は図１６（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）の一部を説明する図である。
【０３０２】
図１９（Ａ）は図１６（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。
【０３０３】
図２０は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【０３０４】
図２１は表示パネルの画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図である。
【０３０５】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【０３０６】
＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示部２３１を有する（図１４参照）。また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。
【０３０７】
また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図１５参照）。
【０３０８】
＜表示部２３１＞
表示部２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図１４、図１９または図２０参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０３０９】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０３１０】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０３１１】
走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０３１２】
列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。
【０３１３】
＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０３１４】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０３１５】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０３１６】
また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示する領域より高い頻度で、動画像を滑らかに表示する領域に選択信号を供給することができる。
【０３１７】
＜駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２＞
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図１４参照）。
【０３１８】
駆動回路ＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０３１９】
駆動回路ＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。
【０３２０】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０３２１】
例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０３２２】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０３２３】
＜画素の構成例＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図１６（Ｃ）、図１７（Ａ）および図１８（Ａ）参照）。
【０３２４】
＜機能層＞
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）参照）。また、機能層５２０は、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。
【０３２５】
なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。
【０３２６】
＜絶縁膜５０１Ｃ＞
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図１８（Ａ）参照）。
【０３２７】
＜第１の導電膜＞
例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０３２８】
＜第２の導電膜＞
例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。
【０３２９】
第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【０３３０】
＜画素回路＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図２０参照）。
【０３３１】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３３２】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０３３３】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図２０参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１８（Ａ）および図２０参照）。
【０３３４】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図２０参照）。
【０３３５】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。
【０３３６】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０３３７】
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３３８】
例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【０３３９】
トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【０３４０】
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【０３４１】
容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３４２】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。
【０３４３】
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０３４４】
＜第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０３４５】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図１７（Ａ）および図１８（Ａ）参照）。
【０３４６】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。
【０３４７】
＜第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０３４８】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図１７（Ａ）参照）。
【０３４９】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図１８（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図１７（Ａ）参照）。
【０３５０】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図１７（Ａ）参照）。
【０３５１】
第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３５２】
発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。
【０３５３】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図２０参照）。
【０３５４】
＜中間膜＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、中間膜７５４Ａと、中間膜７５４Ｂと、中間膜７５４Ｃと、を有する。
【０３５５】
中間膜７５４Ａは、絶縁膜５０１Ｃとの間に第１の導電膜を挟む領域を備え、中間膜７５４Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と接する領域を備える。中間膜７５４Ｂは導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。中間膜７５４Ｃは導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。
【０３５６】
＜絶縁膜５０１Ａ＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ａを有する（図１７（Ａ）参照）。
【０３５７】
絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図１７（Ａ）または図１８（Ａ）参照）。
【０３５８】
第１の開口部５９２Ａは、中間膜７５４Ａおよび第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。
【０３５９】
第２の開口部５９２Ｂは、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【０３６０】
また、開口部５９２Ｃは、中間膜７５４Ｃおよび導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。
【０３６１】
また、絶縁膜５０１Ａは、導電膜５１１Ｂとの間に絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備える。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと接する。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｃにおいて導電膜５１１Ｃと接する。
【０３６２】
絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａの周縁に沿って、中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ａは、第２の開口部５９２Ｂの周縁に沿って、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。
【０３６３】
＜絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等＞
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３６４】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０３６５】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止する。
【０３６６】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３６７】
絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３６８】
＜端子等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。
【０３６９】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０３７０】
端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【０３７１】
導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【０３７２】
＜基板等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。
【０３７３】
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。
【０３７４】
＜接合層、封止材、構造体等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０４と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０３７５】
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０３７６】
封止材７０４は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０３７７】
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０３７８】
＜機能膜等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦ１および着色膜ＣＦ２を有する。
【０３７９】
遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設され、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図１７（Ａ）参照）。
【０３８０】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０３８１】
機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３８２】
機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【０３８３】
＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０４または接合層５０５を有する。
【０３８４】
また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。
【０３８５】
また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。
【０３８６】
また、表示パネル７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。
【０３８７】
また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。
【０３８８】
また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。
【０３８９】
また、表示パネル７００は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。
【０３９０】
また、表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。
【０３９１】
また、表示パネル７００は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。
【０３９２】
また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ａおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。
【０３９３】
また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０３９４】
＜基板５７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０３９５】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０３９６】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。
【０３９７】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。
【０３９８】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。
【０３９９】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。
【０４００】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０４０１】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０４０２】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。
【０４０３】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。
【０４０４】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０４０５】
また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。
【０４０６】
例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。
【０４０７】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０４０８】
＜基板７７０＞
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。
【０４０９】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０４１０】
また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。
【０４１１】
＜構造体ＫＢ１＞
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。
【０４１２】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０４１３】
＜封止材７０４＞
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０４等に用いることができる。
【０４１４】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０４等に用いることができる。
【０４１５】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０４等に用いることができる。
【０４１６】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０４等に用いることができる。
【０４１７】
＜接合層５０５＞
例えば、封止材７０４に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。
【０４１８】
＜絶縁膜５２１＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０４１９】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０４２０】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０４２１】
これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０４２２】
＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０４２３】
＜絶縁膜５０１Ａ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２４】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２５】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２６】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２７】
＜絶縁膜５０１Ｃ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０４２８】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【０４２９】
＜中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ＞
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。
【０４３０】
例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４３１】
例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４３２】
例えば、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４３３】
具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。
【０４３４】
具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。
【０４３５】
なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。
【０４３６】
＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、端子７１９、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。
【０４３７】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０４３８】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０４３９】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０４４０】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０４４１】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０４４２】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０４４３】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０４４４】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０４４５】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。
【０４４６】
＜第１の導電膜、第２の導電膜＞
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０４４７】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０４４８】
また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０４４９】
＜第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０４５０】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４５１】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４５２】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０４５３】
＜液晶材料を含む層７５３＞
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０４５４】
＜第１の電極７５１（ｉ，ｊ）＞
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４５５】
＜反射膜＞
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
【０４５６】
反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０４５７】
例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。
【０４５８】
例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、反射膜に用いることができる。または、液晶材料を含む層７５３との間に透光性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える膜を、反射膜を用いることができる。
【０４５９】
反射膜は、例えば第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。
【０４６０】
例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。
【０４６１】
多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。
【０４６２】
非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０４６３】
また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を損なう場合がある。
【０４６４】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２１（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２１（Ｂ）参照）。
【０４６５】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図２１（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４６６】
または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図２１（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４６７】
なお、例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、反射膜に用いることができる（図２１（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ．ｊ）を反射膜に用いることができる。
【０４６８】
＜第２の電極７５２＞
例えば、導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。可視光について透光性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４６９】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０４７０】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０４７１】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４７２】
＜着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２＞
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜に用いることができる。
【０４７３】
なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。
【０４７４】
＜遮光膜ＢＭ＞
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０４７５】
＜絶縁膜７７１＞
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【０４７６】
＜機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０４７７】
具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【０４７８】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０４７９】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０４８０】
＜第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、発光素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４８１】
例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８２】
例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０４８３】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８４】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８５】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８６】
例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４８７】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４８８】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０４８９】
例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。
【０４９０】
＜駆動回路ＧＤ＞
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０４９１】
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図１７（Ｂ）参照）。
【０４９２】
なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０４９３】
＜トランジスタ＞
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０４９４】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０４９５】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０４９６】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０４９７】
なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【０４９８】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０４９９】
ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。
【０５００】
また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
【０５０１】
また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【０５０２】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０５０３】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０５０４】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１８（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０５０５】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０５０６】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０５０７】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図１７（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続する。
【０５０８】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０５０９】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０５１０】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０５１１】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０５１２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５１３】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成について、図２２を参照しながら説明する。
【０５１４】
＜電子機器＞
図２２は、折り曲げが可能な電子機器９２０を示している。図２２に示す電子機器９２０は、筐体９２１ａ、筐体９２１ｂ、表示部９２２、ヒンジ９２３、等を有する。表示部９２２は筐体９２１ａ、筐体９２１ｂに、組み込まれている。
【０５１５】
筐体９２１ａ、筐体９２１ｂとは、ヒンジ９２３で回転可能に連結されている。電子機器９２０は、筐体９２１ａと、筐体９２１ｂと、が閉じた状態と、図２２に示すように開いた状態と、に変形することができる。これにより、持ち運ぶ際には可搬性に優れ、使用するときには大きな表示部により、視認性に優れる。
【０５１６】
また、ヒンジ９２３は、筐体９２１ａと、筐体９２１ｂと、が開いたときに、これらの角度が所定の角度よりも大きい角度にならないように、ロック機構を有することが好ましい。例えば、ロックがかかる（それ以上に開かない）角度は、９０度以上１８０度未満であることが好ましく、代表的には、９０度、１２０度、１３５度、１５０度、１７５度などとすることができる。これにより、利便性、安全性、及び信頼性を高めることができる。
【０５１７】
また電子機器９２０は、ヒンジ９２３により連結された筐体９２１ａと筐体９２１ｂに亘って、フレキシブルな表示部９２２が設けられている。
【０５１８】
また電子機器９２０は、筐体９２１ａと筐体９２１ｂとを開いたときに、表示部９２２が大きく湾曲した形態で保持されている。例えば、曲率半径を１ｍｍ以上５０ｍｍ以下、好ましくは５ｍｍ以上３０ｍｍ以下の状態で、表示部９２２が保持された状態とすることができる。表示部９２２の一部は、筐体９２１ａから筐体９２１ｂにかけて、連続的に画素が配置され、曲面状の表示を行うことができる。
【０５１９】
ヒンジ９２３は、上述したロック機構を有しているため、表示部９２２に無理な力がかかることなく、表示部９２２が破損することを防ぐことができる。そのため、信頼性の高い電子機器を実現できる。
【０５２０】
表示部９２２は、タッチパネルとして機能し、指やスタイラスなどにより操作することができる。
【０５２１】
筐体９２１ａ、筐体９２１ｂのいずれか一には、無線通信モジュールが設けられ、インターネットやＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｗｉ−Ｆｉ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｆｉｄｅｌｉｔｙ：登録商標）などのコンピュータネットワークを介して、データを送受信することが可能である。また筐体９２１ａ、筐体９２１ｂのいずれか一には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置が設けられていても良い。
【０５２２】
本発明の一態様の電子機器は、表示部９２２の大きさを適宜変更し、様々なものに適用することができる。電子機器の例として、持ち運びが容易な、携帯情報端末が挙げられる。
【０５２３】
例えば表示部９２２に、文書情報を表示することが可能であり、電子書籍端末としても用いることができる。例えば表示部を、Ａ４サイズが２つ折りされた構成とする、教科書として用いることができる。また、表示部９２２に静止画像や動画像を表示することもできる。
【０５２４】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例１】
【０５２５】
本実施例では、実施の形態１で示した表示パネル１０１と第１のフィルム１０２との摺動による傷の発生が、低摩擦層、ハードコート層、の形成により低減できるか、実際に作製した試料にて評価した結果について説明する。作製した試料は、試料Ｘと、試料Ｙと、である。
【０５２６】
試料Ｘは、表示パネル１０１において、素子形成領域１２１上に、接合層１２２Ａにより第１の基板１２３が接合され、接合層１２２Ｂにより第２の基板１２４が接合された。第１の基板１２３には、耐薬品性を高めるための層１２６と、低摩擦層１２５Ａと、が形成された構造とした（図２３（Ａ）参照）。第２の基板１２４には、耐薬品性を高めるための層１２６と、低摩擦層１２５Ａと、が形成された構造とした。
【０５２７】
素子形成領域１２１は、トランジスタと、発光性の有機化合物を含む発光素子と、カラーフィルタと、が形成されたものを用いた。素子形成領域１２１は、実施の形態６で示されるように、まず作製基板で形成され、その後剥離され、第２の基板１２４に接合された。
【０５２８】
接合層１２２Ｂは、日新レジン株式会社製のＣＥＰ−５を用いた。ＣＥＰ−５は、硬度がショアＤ８４乃至８６の２液硬化型エポキシ系樹脂である。素子形成領域１２１と第２の基板１２４とを接合するときの温度は７０℃であった。その後８０℃の温度でＣＥＰ−５を硬化させた。
【０５２９】
第２の基板１２４は、ポリアミドを主成分とした材料で厚さ２０μｍで形成された。
【０５３０】
耐薬品性を高めるための層１２６には、厚さ５μｍ以下の厚さの層を用いた。該層は、耐擦傷性と耐薬品性とを併せ持つ材料を用いた。
【０５３１】
この耐薬品性を高めるための層１２６の上に、フッ素を含むコート剤を塗布した。但し、フッ素を含むコート剤の塗布性を良好にするために、界面活性剤を塗布した。
【０５３２】
第１のフィルム１０２において、母材フィルム１３１は厚さ７５μｍのＰＥＴフィルム、ハードコート層１３２は厚さ２７μｍの樹脂にて形成された（図２３（Ａ）参照）。第１のフィルム１０２の単体での鉛筆硬度は８Ｈである。また第１のフィルム１０２の単体を、折り曲げ試験器にて、ハードコート層１３２に圧縮応力がかかるように、曲率半径２ｍｍにて１０万回の折り曲げ動作を行ったところ、第１のフィルム１０２に傷がつかなかった。
【０５３３】
一方、試料Ｙは、試料Ｘと異なり、表示パネル１０１において、第２の基板１２４上に、耐薬品性を高めるための層１２６と、低摩擦層１２５Ａと、をいずれも有しない構造とした（図２３（Ｂ）参照）。それ以外の構造は、試料Ｘと同じものとした。
【０５３４】
このように準備された試料Ｘ、試料Ｙ、のそれぞれの表示パネル１０１を折り曲げ試験器に設置した（図２３（Ｃ）参照）。折り曲げ試験器のステージ１４１上に、表示パネル１０１を設置し、固定用テープ１４２にて両者を固定した。次いで、表示パネル１０１上に第１のフィルム１０２を重ねて配置し、固定用テープ１４３にてステージ１４１と第１のフィルム１０２とを固定した。このとき、線分１４４に対してＦＰＣ１０７が配置される側には、上記ステージ１４１と第１のフィルム１０２との固定は行わなかった。
【０５３５】
上記折り曲げ試験器は、線分１４４にて、表示パネル１０１側を凹となるように曲げることができる。表示パネル１０１と第１のフィルム１０２とは分離していることから、線分１４４よりＦＰＣ１０７側では、表示パネル１０１と第１のフィルム１０２とが互いに摺動する。
【０５３６】
上記工程で作製した試料Ｘと試料Ｙとを、線分１４４にて、表示パネル１０１側を凹となるように曲率半径２ｍｍにて１０万回の折り曲げ動作を行った。試料Ｘの折り曲げ動作を行った後の、表示パネル１０１の表面を第２の基板１２４側から光学顕微鏡にて、領域１４６にて観察したときの像を図２４（Ａ）に示す。また試料Ｙの、同様に観察したときの像を図２４（Ｂ）に示す。図２４（Ａ）及び図２４（Ｂ）の写真において、線１４８の長さは１．５ｍｍである。
【０５３７】
表示パネル１０１の、第１のフィルム１０２の接する面に発生した傷は、試料Ｘの方が、試料Ｙに比べて少ない。すなわち、耐薬品性を高めるための層１２６と、低摩擦層１２５Ａと、を形成することは、第１のフィルム１０２の傷を減らす効果がある。
【０５３８】
特に低摩擦層１２５Ａを形成し、表示パネル１０１と、第１のフィルム１０２との間の摩擦を減らすことは、摩擦による傷を減らすこと以外にも、表示パネル１０１内に発生するせん断応力を低減することができる。せん断応力が下がれば、図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）にて示される脆弱部６００Ａを中心とする破壊を低減することが可能である。
【符号の説明】
【０５３９】
ＡＣＦ１    導電材料
ＡＦ１    配向膜
ＡＦ２    配向膜
ＡＮＯ    導電膜
Ｃ１    矢印
Ｃ１１    容量素子
Ｃ１２    容量素子
ＣＦ１    着色膜
ＣＦ２    着色膜
ＣＳＣＯＭ    配線
Ｄ８４    ショア
Ｇ１    走査線
Ｇ２    走査線
ＧＤ    駆動回路
ＧＤＡ    駆動回路
ＧＤＢ    駆動回路
ＫＢ１    構造体
Ｍ    トランジスタ
ＭＤ    トランジスタ
Ｐ３    矢印
Ｐ５    矢印
Ｒ１    矢印
Ｓ１    信号線
Ｓ２    信号線
ＳＤ    駆動回路
ＳＤ１    駆動回路
ＳＤ２    駆動回路
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
Ｖ１１    情報
Ｖ１２    情報
ＶＣＯＭ１    配線
ＶＣＯＭ２    導電膜
１０１    表示パネル
１０２    フィルム
１０３    フィルム
１０４    筐体
１０４−１    筐体
１０４−１Ａ    部分
１０４−１Ｂ    部分
１０４−２    筐体
１０４−２Ａ    部分
１０４−２Ｂ    部分
１０５−１    ヒンジ
１０６    回路基板
１０７    ＦＰＣ
１０８    収納領域
１０８−１    収納領域
１０８−２    収納領域
１０９    ソケット
１１０    端部
１１１    端部
１１６    支持部
１１７    支持部
１２１    素子形成領域
１２２    接合層
１２２Ａ    接合層
１２２Ｂ    接合層
１２３    基板
１２４    基板
１２５Ａ    低摩擦層
１２５Ｂ    低摩擦層
１２６    層
１３１    母材フィルム
１３２    ハードコート層
１３６    母材フィルム
１４１    ステージ
１４２    固定用テープ
１４３    固定用テープ
１４４    線分
１４６    領域
１４８    線
１５１    軸
１５２    方向
１５３    方向
２３１    表示部
３００    タッチパネル
３０１    表示部
３０２    画素
３０２Ｂ    副画素
３０２Ｇ    副画素
３０２Ｒ    副画素
３０２ｔ    トランジスタ
３０３ｃ    容量
３０３ｇ    駆動回路
３０３ｓ    駆動回路
３０３ｔ    トランジスタ
３０８    撮像画素
３０８ｐ    光電変換素子
３０８ｔ    トランジスタ
３０９    ＦＰＣ
３１０    基板
３１０ａ    バリア膜
３１０ｂ    基板
３１０ｃ    樹脂層
３１１    配線
３１９    端子
３２１    絶縁膜
３２８    隔壁
３２９    スペーサ
３５０Ｒ    発光素子
３５１Ｒ    下部電極
３５２    上部電極
３５３    層
３５３ａ    発光ユニット
３５３ｂ    発光ユニット
３５４    中間層
３６０    封止材
３６７ＢＭ    遮光層
３６７ｐ    反射防止層
３６７Ｒ    着色層
３７０    対向基板
３７０ａ    バリア膜
３７０ｂ    基材
３７０ｃ    樹脂層
３８０Ｂ    発光モジュール
３８０Ｇ    発光モジュール
３８０Ｒ    発光モジュール
４００    タッチパネル
４０１    領域
４０１（１）    領域
４０１（２）    領域
４０６    線分
４０７    線分
５００    タッチパネル
５００Ｂ    タッチパネル
５０１    表示部
５０１Ａ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０２Ｒ    副画素
５０２ｔ    トランジスタ
５０３ｃ    容量
５０３ｇ    走査線駆動回路
５０３ｓ    駆動回路
５０３ｔ    トランジスタ
５０４    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０９    ＦＰＣ
５１０    基板
５１０ａ    バリア膜
５１０ｂ    基板
５１０ｃ    樹脂層
５１１    配線
５１１Ｂ    導電膜
５１１Ｃ    導電膜
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５１９    端子
５１９Ｂ    端子
５１９Ｃ    端子
５２０    機能層
５２１    絶縁膜
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５２９    隔壁
５５０    表示素子
５５０Ｒ    発光素子
５５１    電極
５５２    電極
５５３    層
５６０    封止材
５６７ＢＭ    遮光層
５６７ｐ    反射防止層
５６７Ｒ    着色層
５７０    基板
５７０ａ    バリア膜
５７０ｂ    基板
５７０ｃ    樹脂層
５８０Ｒ    発光モジュール
５９０    基板
５９１    電極
５９１Ａ    開口部
５９１Ｂ    開口部
５９１Ｃ    開口部
５９２Ａ    開口部
５９２Ｂ    開口部
５９２Ｃ    開口部
５９２    電極
５９３    絶縁層
５９４    配線
５９５    タッチセンサ
５９７    樹脂層
５９８    配線
５９９    接続層
６００Ａ    脆弱部
６００Ｂ    脆弱部
６０１    基板
６０２    基板
６０３    素子形成領域
６０４    曲げモーメント
６０５    中立面
７００    表示パネル
７００Ｂ    表示パネル
７０１    作製基板
７０２    画素
７０３    剥離層
７０４    封止材
７０５    被剥離層
７０７    接合層
７１１    接合層
７１９    端子
７２１    作製基板
７２３    剥離層
７２５    被剥離層
７３１    基板
７３３    接合層
７４１    起点
７４３    起点
７５０    表示素子
７５１    電極
７５１Ｅ    領域
７５１Ｈ    開口部
７５２    電極
７５３    層
７５４Ａ    中間膜
７５４Ｂ    中間膜
７５４Ｃ    中間膜
７７０    基板
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７１    絶縁膜
９２０    電子機器
９２１ａ    筐体
９２１ｂ    筐体
９２２    表示部
９２３    ヒンジ
【図１】
2018081186.tif 000003
【図２】
2018081186.tif 000004
【図３】
2018081186.tif 000005
【図４】
2018081186.tif 000006
【図５】
2018081186.tif 000007
【図６】
2018081186.tif 000008
【図７】
2018081186.tif 000009
【図８】
2018081186.tif 000010
【図９】
2018081186.tif 000011
【図１０】
2018081186.tif 000012
【図１１】
2018081186.tif 000013
【図１２】
2018081186.tif 000014
【図１３】
2018081186.tif 000015
【図１４】
2018081186.tif 000016
【図１５】
2018081186.tif 000017
【図１６】
2018081186.tif 000018
【図１７】
2018081186.tif 000019
【図１８】
2018081186.tif 000020
【図１９】
2018081186.tif 000021
【図２０】
2018081186.tif 000022
【図２１】
2018081186.tif 000023
【図２２】
2018081186.tif 000024
【図２３】
2018081186.tif 000025
【図２４】
2018081186.tif 000026