(57)【要約】【課題】本発明は所望する輝度の映像が表示できる画素に関する。【解決手段】本発明の画素は、有機発光ダイオードと、第１ノードの電圧に応じて第１電極に接続された第１駆動電源から有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源に流れる電流量を制御し、Ｎ型ＬＴＰＳの第１トランジスタと、データ線と第１ノードの間に接続され、第１走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体の第２トランジスタと、第１トランジスタの第２電極と初期化電源の間に接続され、第２走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型ＬＴＰＳの第３トランジスタと、第１駆動電源と第１トランジスタの第１電極の間に接続され、発光制御線に発光制御信号が供給されるときターンオフされ、Ｎ型ＬＴＰＳの第４トランジスタと、第１トランジスタの第２電極に接続された第２ノードと第１ノードの間に接続されるストレージキャパシタと、を備える。【選択図】図２
2018005235.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオードと、
第１ノードの電圧に応じて、第１電極に接続された第１駆動電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源に流れる電流量を制御し、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第１トランジスタと、
データ線と前記第１ノードの間に接続され、第１走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第２トランジスタと、
前記第１トランジスタの第２電極と初期化電源の間に接続され、第２走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第３トランジスタと、
前記第１駆動電源と前記第１トランジスタの第１電極の間に接続され、発光制御線に発光制御信号が供給されるときターンオフされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第４トランジスタと、
前記第１トランジスタの第２電極に接続された第２ノードと前記第１ノードの間に接続されるストレージキャパシタと、を備えることを特徴とする画素。
【請求項２】
基準電源と前記第１ノードの間に接続され、第３走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第５トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項３】
前記第１駆動電源と前記第２ノードの間に接続される第１キャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項４】
前記第１走査線がｉ（ｉは自然数）番目の水平ラインに位置する場合、前記第２走査線はｉ−１番目の水平ラインに位置する第１走査線に設定されることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項５】
信号生成部の制御によって第１入力端子または第２入力端子を出力端子と接続させるためのバッファ部を備えるステージ回路において、
前記バッファ部は、
前記第１入力端子と前記出力端子の間に並列接続される第１１トランジスタ及び第１２トランジスタと、
前記第２入力端子と前記出力端子の間に並列接続される第１３トランジスタ及び第１４トランジスタと、を備え、
前記第１１トランジスタ及び第１３トランジスタは、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタであって、
前記第１２トランジスタ及び第１４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタであることを特徴とするステージ回路。
【請求項６】
前記第１１トランジスタのゲート電極及び前記第１２トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載のステージ回路。
【請求項７】
前記第１３トランジスタのゲート電極及び前記第１４トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載のステージ回路。
【請求項８】
走査線、発光制御線、及びデータ線と接続されるように位置する画素と、
前記走査線及び前記発光制御線を駆動するための走査駆動部と、
前記データ線を駆動するためのデータ駆動部と、を備え、
前記画素のうち少なくとも１つの画素は、
有機発光ダイオードと、
第１ノードの電圧に応じて第１電極に接続された第１駆動電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源に流れる電流量を制御し、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第１トランジスタと、
データ線と前記第１ノードの間に接続され、第１走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第２トランジスタと、
前記第１トランジスタの第２電極と初期化電源の間に接続され、第２走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第３トランジスタと、
前記第１駆動電源と前記第１トランジスタの第１電極の間に接続され、発光制御線に発光制御信号が供給されるときターンオフされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第４トランジスタと、
前記第１トランジスタの第２電極に接続された第２ノードと前記第１ノードの間に接続されるストレージキャパシタと、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記画素は、
基準電源と前記第１ノードの間に接続され、第３走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第５トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記画素は、
前記第１駆動電源と前記第２ノードの間に接続される第１キャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１走査線がｉ（ｉは自然数）番目の水平ラインに位置する場合、前記第２走査線はｉ−１番目の水平ラインに位置する第１走査線に設定されることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記走査駆動部は、前記走査線及び発光制御線を駆動するためのステージ回路を備えることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記ステージ回路の少なくとも１つは、信号生成部の制御によって第１入力端子または第２入力端子を出力端子と接続させるためのバッファ部を備え、
前記バッファ部は、
前記第１入力端子と前記出力端子の間に並列接続される第１１トランジスタ及び第１２トランジスタと、
前記第２入力端子と前記出力端子の間に並列接続される第１３トランジスタ及び第１４トランジスタと、を備え、
前記第１１トランジスタ及び第１３トランジスタは、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタであって、
前記第１２トランジスタ及び第１４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１１トランジスタのゲート電極及び前記第１２トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１３トランジスタのゲート電極及び前記第１４トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオードに流れる電流量を制御する第１トランジスタと、
第２トランジスタと、を備え、
前記第１トランジスタは、アクティブ層がポリシリコンであるＬＴＰＳ薄膜トランジスタであって、前記第２トランジスタは、前記アクティブ層が前記ポリシリコンではない他の物質で構成されることを特徴とする画素。
【請求項１７】
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、同じ導電型であることを特徴とする請求項１６に記載の画素。
【請求項１８】
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、Ｎ型トランジスタであることを特徴とする請求項１７に記載の画素。
【請求項１９】
前記第２トランジスタは、前記アクティブ層が酸化物酸化物半導体薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１６に記載の画素。
【請求項２０】
前記第２トランジスタは、前記第１トランジスタのゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１６に記載の画素。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素及びステージ回路並びにこれを有する有機電界発光表示装置に関し、特に、所望する輝度の映像が表示できる画素及びステージ回路並びにこれを有する有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化技術が発達するにつれて、ユーザーと情報の間の接続媒体である表示装置の重要性が浮き彫りになっている。これに応じて、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの表示装置（Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）の使用が増えている。
【０００３】
表示装置のうち有機電界発光表示装置は、電子と正孔の再結合により光を発生させる有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いて映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は、速い応答速度を有するとともに低い消費電力で駆動されるメリットがある。
【０００４】
有機電界発光表示装置は、データ線及び走査線に接続される画素を備える。通常、画素は有機発光ダイオード、及び有機発光ダイオードに流れる電流量を制御するための駆動トランジスタを含む。駆動トランジスタは、データ信号に応じて、第１駆動電源から有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源に流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードは、駆動トランジスタからの電流量に応じて所定の輝度の光を生成する。
【０００５】
最近では、例えば、第２駆動電源の電圧を低く設定して高輝度を実現したり、有機電界発光表示装置を低周波で駆動して、消費電力を最小化する方法が用いられている。しかし、第２駆動電源を低く設定したり、有機電界発光表示装置を低周波で駆動したりすると、駆動トランジスタのゲート電極から所定のリーク電流が発生する。この場合、データ信号の電圧が一フレームの間保持されず、所望する輝度の映像が表示されない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許第１０−１１０１０７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明は、リーク電流を最小化して所望する輝度の映像が表示できる画素及びステージ回路並びにこれを有する有機電界発光表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による画素は、有機発光ダイオードと、第１ノードの電圧に応じて、第１電極に接続された第１駆動電源から上記有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源に流れる電流量を制御し、Ｎ型ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタである第１トランジスタと、データ線と上記第１ノードの間に接続され、第１走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第２トランジスタと、上記第１トランジスタの第２電極と初期化電源の間に接続され、第２走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第３トランジスタと、上記第１駆動電源と上記第１トランジスタの第１電極の間に接続され、発光制御線に発光制御信号が供給されるときターンオフされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第４トランジスタと、上記第１トランジスタの第２電極に接続された第２ノードと上記第１ノードの間に接続されるストレージキャパシタと、を備える。
【０００９】
また、基準電源と上記第１ノードの間に接続され、第３走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第５トランジスタをさらに備えてもよい。
【００１０】
また、上記第１駆動電源と上記第２ノードの間に接続される第１キャパシタをさらに備えてもよい。
【００１１】
また、上記第１走査線がｉ（ｉは自然数）番目の水平ラインに位置する場合、上記第２走査線はｉ−１番目の水平ラインに位置する第１走査線に設定されてもよい。
【００１２】
本発明の一実施形態による信号生成部の制御によって第１入力端子または第２入力端子を出力端子と接続させるためのバッファ部を備えるステージ回路において、上記バッファ部は、上記第１入力端子と上記出力端子の間に並列接続される第１１トランジスタ及び第１２トランジスタと、上記第２入力端子と上記出力端子の間に並列接続される第１３トランジスタ及び第１４トランジスタと、を備え、上記第１１トランジスタ及び第１３トランジスタは、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタであって、上記第１２トランジスタ及び第１４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである。
【００１３】
また、上記第１１トランジスタのゲート電極及び上記第１２トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されてもよい。
【００１４】
また、上記第１３トランジスタのゲート電極及び上記第１４トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されてもよい。
【００１５】
本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置は、走査線、発光制御線、及びデータ線と接続されるように位置する画素と、上記走査線及び上記発光制御線を駆動するための走査駆動部と、上記データ線を駆動するためのデータ駆動部と、を備え、上記画素のうち少なくとも１つの画素は、有機発光ダイオードと、第１ノードの電圧に応じて、第１電極に接続された第１駆動電源から上記有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源に流れる電流量を制御し、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第１トランジスタと、データ線と上記第１ノードの間に接続され、第１走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第２トランジスタと、上記第１トランジスタの第２電極と初期化電源の間に接続され、第２走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第３トランジスタと、上記第１駆動電源と上記第１トランジスタの第１電極の間に接続され、発光制御線に発光制御信号が供給されるときターンオフされ、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタである第４トランジスタと、上記第１トランジスタの第２電極に接続された第２ノードと上記第１ノードの間に接続されるストレージキャパシタと、を備える。
【００１６】
また、基準電源と上記第１ノードの間に接続され、第３走査線に走査信号が供給されるときターンオンされ、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタである第５トランジスタをさらに備えてもよい。
【００１７】
また、上記第１駆動電源と上記第２ノードの間に接続される第１キャパシタをさらに備えてもよい。
【００１８】
また、上記第１走査線がｉ（ｉは自然数）番目の水平ラインに位置する場合、上記第２走査線はｉ−１番目の水平ラインに位置する第１走査線に設定されてもよい。
【００１９】
また、上記走査駆動部は、上記走査線及び発光制御線を駆動するためのステージ回路を備える。
【００２０】
また、上記ステージ回路の少なくとも１つは、信号生成部の制御によって第１入力端子または第２入力端子を出力端子と接続させるためのバッファ部を備え、上記バッファ部は、上記第１入力端子と上記出力端子の間に並列接続される第１１トランジスタ及び第１２トランジスタと、上記第２入力端子と上記出力端子の間に並列接続される第１３トランジスタ及び第１４トランジスタと、を備え、上記第１１トランジスタ及び第１３トランジスタは、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタであって、上記第１２トランジスタ及び第１４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタであってもよい。
【００２１】
また、上記第１１トランジスタのゲート電極及び上記第１２トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されてもよい。
【００２２】
また、上記第１３トランジスタのゲート電極及び上記第１４トランジスタのゲート電極は、電気的に接続されてもよい。
【００２３】
本発明の他の一実施形態による画素は、有機発光ダイオードと、上記有機発光ダイオードに流れる電流量を制御する第１トランジスタと、第２トランジスタと、を備え、上記第１トランジスタは、アクティブ層がポリシリコンであるＬＴＰＳ薄膜トランジスタであって、上記第２トランジスタは、上記アクティブ層が上記ポリシリコンではない他の物質で構成される。
【００２４】
また、上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタは、同じ導電型であってもよい。
【００２５】
また、上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタは、Ｎ型トランジスタであってもよい。
【００２６】
また、上記第２トランジスタは、上記アクティブ層が酸化物酸化物半導体薄膜トランジスタであってもよい。
【００２７】
また、上記第２トランジスタは、上記第１トランジスタのゲート電極と電気的に接続されてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一実施形態によれば、画素は、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びＬＴＰＳ薄膜トランジスタを含む。ここで、オフ特性の良い酸化物半導体薄膜トランジスタは、電流のリーク経路に位置することで、リーク電流を最小化して所望する輝度の映像を表示することができる。
【００２９】
また、駆動特性の良いＬＴＰＳ薄膜トランジスタは、有機発光ダイオードに電流を供給する電流供給経路に位置する。この場合、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタの速い駆動特性によって安定的に有機発光ダイオードに電流を供給することができる。
【００３０】
また、本発明の一実施形態によれば、バッファは酸化物半導体薄膜トランジスタ及びＬＴＰＳ薄膜トランジスタを含む。この場合、駆動特性が向上するとともに実装面積を最小化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図２】本発明の実施例による画素を示す図である。
【図３】図２に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。
【図４】本発明の他の実施例による画素を示す図である。
【図５】図４に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例による画素を示す図である。
【図７】図６に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。
【図８】本発明の実施例によるステージ回路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下では、添付の図面を参照して本発明の実施形態及びその他に当業者が本発明の内容を理解するために必要な事項について詳細に記載する。ただし、本発明は、請求の範囲に記載の範囲内で様々な異なる形態で実現されることができるため、以下に説明する実施形態は、その表現の有無に関わらず、例示的なものである。
【００３３】
即ち、本発明は、以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、異なる多様な形態で実現されてもよい。また、以下の説明において、ある部分が他の部分と接続されているというときは、直接接続されている場合だけでなく、その中間に他の素子を挟んで電気的に接続されている場合も含む。さらに、図面における同じ構成要素に対しては、たとえ他の図面上に示されているとしても、できる限り同じ参照番号及び符号で示していることに留意すべきである。
【００３４】
図１は、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【００３５】
図１を参照すると、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置は、走査線Ｓ１１〜Ｓ１ｎ、Ｓ２１〜Ｓ２ｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ、及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍと接続されるように位置する画素１４０と、走査線Ｓ１１〜Ｓ１ｎ、Ｓ２１〜Ｓ２ｎ及び発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを駆動するための走査駆動部１１０と、データ線Ｄ１〜Ｄｍを駆動するのためのデータ駆動部１２０と、走査駆動部１１０及びデータ駆動部１２０を制御するためのタイミング制御部１５０と、を備える。
【００３６】
タイミング制御部１５０は、外部から供給される同期信号に応じてデータ駆動制御信号ＤＣＳ及び走査駆動制御信号ＳＣＳを生成する。タイミング制御部１５０で生成されたデータ駆動制御信号ＤＣＳはデータ駆動部１２０に供給され、走査駆動制御信号ＳＣＳは走査駆動部１１０に供給される。また、タイミング制御部１５０は、外部から供給されるデータＤａｔａを再整列してデータ駆動部１２０に供給する。
【００３７】
走査駆動制御信号ＳＣＳには、スタートパルス及びクロック信号が含まれる。スタートパルスは走査信号及び発光制御信号の最初のタイミングを制御する。クロック信号はスタートパルスをシフトさせるために用いられる。
【００３８】
データ駆動制御信号ＤＣＳには、ソーススタートパルス及びクロック信号が含まれる。ソーススタートパルスはデータのサンプリングの開始時点を制御する。クロック信号はサンプリング動作を制御するために用いられる。
【００３９】
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０から走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受ける。走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部１１０は、第１走査線Ｓ１１〜Ｓ１ｎ及び第２走査線Ｓ２１〜Ｓ２ｎに走査信号を供給する。例えば、走査駆動部１１０は、第１走査線Ｓ１１〜Ｓ１ｎに第１走査信号を順に供給し、第２走査線Ｓ２１〜Ｓ２ｎに第２走査信号を順に供給することができる。第１走査信号が順に供給されると、画素１４０が水平ライン単位で選択される。
【００４０】
走査駆動部１１０は、ｉ（ｉは自然数）番目の第１走査線Ｓ１ｉに供給される第１走査信号と重ならないように、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号を供給することができる。例えば、走査駆動部１１０は、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号を供給した後、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号を供給してもよい。ここで、第１走査信号及び第２走査信号はゲートオン電圧に設定される。例えば、第１走査信号及び第２走査信号はハイ電圧に設定されることができる。
【００４１】
走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部１１０は、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに発光制御信号を供給する。例えば、走査駆動部１１０は、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに発光制御信号を順に供給することができる。このような発光制御信号は、画素１４０の発光時間を制御するとともに駆動トランジスタのしきい値電圧を補償するために用いられる。
【００４２】
このため、ｉ番目の発光制御線Ｅｉに供給される発光制御信号は、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに供給される第１走査信号及びｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに供給される第２走査信号と少なくとも一部期間が重なるように供給される。発光制御信号はゲートオフ電圧、例えば、ロー電圧に設定されてもよい。
【００４３】
また、ｉ番目の発光制御線Ｅｉに供給される発光制御信号は、第１発光制御信号及び第２発光制御信号に分かれてもよい。第１発光制御信号及び第２発光制御信号は連続的に供給され、第１発光制御信号及び第２発光制御信号の間の所定期間には発光制御信号が供給されない。所定期間の間、ｉ番目の発光制御線Ｅｉはゲートオン電圧に設定される。さらに、所定期間は、駆動トランジスタのしきい値電圧を補償するための期間に設定され、第１走査信号と一部期間が重なってもよい。
【００４４】
走査駆動部１１０は、薄膜工程により基板に実装されることができる。また、走査駆動部１１０は、画素部１３０の両側に配置されてもよい。
【００４５】
また、図１では、走査駆動部１１０が走査信号及び発光制御信号を供給する例が示されているが、本発明はこの例に限定されない。例えば、走査信号及び発光制御信号は、異なる駆動部によって供給されてもよい。
【００４６】
データ駆動部１２０は、データ駆動制御信号ＤＣＳに応じてデータ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を供給する。データ線Ｄ１〜Ｄｍに供給されたデータ信号は、第１走査信号によって選択された画素１４０に供給される。このため、データ駆動部１２０は、第１走査信号と同期するようにデータ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を供給することができる。また、データ駆動部１２０は、データ信号が供給される前にデータ線Ｄ１〜Ｄｍに基準電源の電圧をさらに供給してもよい。
【００４７】
画素部１３０は、走査線Ｓ１１〜Ｓ１ｎ、Ｓ２１〜Ｓ２ｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ、及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍと接続される画素１４０を備える。画素１４０は、外部から第１駆動電源ＥＬＶＤＤ、第２駆動電源ＥＬＶＳＳ、及び初期化電源Ｖｉｎｔの供給を受ける。
【００４８】
画素１４０のそれぞれは、駆動トランジスタ（図示せず）及び有機発光ダイオード（図示せず）を備える。駆動トランジスタは、データ信号に応じて第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。また、初期化電源Ｖｉｎｔは、しきい値電圧を補償するために用いられ、基準電源より低い電圧に設定されてもよい。
【００４９】
一方、図１には、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置が、それぞれｎ個の走査線Ｓ１１〜Ｓ１ｎ、Ｓ２１〜Ｓ２ｎ及びｎ個の発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを有する例が示されているが、本発明はこの例に限定されない。例えば、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置は、画素１４０の回路構造に応じてダミー走査線及びまたはダミー発光制御線がさらに形成されてもよい。
【００５０】
また、図１には、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置が、第１走査線Ｓ１１〜Ｓ１ｎ及び第２走査線Ｓ２１〜Ｓ２ｎを有する例が示されているが、本発明はこの例に限定されない。例えば、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置では、画素１４０の回路構造に応じて第３走査線（図示せず）がさらに備えられてもよい。
【００５１】
図２は本発明の一実施形態による画素を示す図である。図２では、理解の促進のため、ｉ番目の水平ラインに位置し、第ｍデータ線Ｄｍと接続された画素を図示する。
【００５２】
図２を参照すると、本発明の一実施形態による画素１４０は、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタを含む。
【００５３】
酸化物半導体薄膜トランジスタはゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含む。酸化物半導体薄膜トランジスタは、酸化物半導体で形成されたアクティブ層を備える。ここで、酸化物半導体は、非晶質または結晶酸化物半導体であってもよい。酸化物半導体薄膜トランジスタはＮ型トランジスタからなっている。
【００５４】
ＬＴＰＳ薄膜トランジスタはゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む。ＬＴＰＳ薄膜トランジスタは、ポリシリコンで形成されたアクティブ層を備える。このようなＬＴＰＳ薄膜トランジスタは、Ｐ型薄膜トランジスタまたはＮ型薄膜トランジスタからなってもよい。本発明の一実施形態では、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタがＰ型トランジスタからなっていると仮定する。
【００５５】
ＬＴＰＳ薄膜トランジスタは高い電子移動度を有するため、速い駆動特性を有する。
【００５６】
酸化物半導体薄膜トランジスタは低温工程で形成することが可能で、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに比べて低い電荷移動度を有する。このような酸化物半導体薄膜トランジスタはオフ電流特性に優れる。
【００５７】
本発明の一実施形態による画素１４０は、画素回路１４２及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを備える。
【００５８】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１４２に接続され、カソード電極は第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路１４２から供給される電流量に応じて所定の輝度の光を発光する。
【００５９】
画素回路１４２は、データ信号に応じて第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このため、画素回路１４２は、第１トランジスタ（駆動トランジスタ）Ｍ１（Ｌ）、第２トランジスタＭ２（Ｏ）、第３トランジスタＭ３（Ｌ）、第４トランジスタＭ４（Ｌ）、及びストレージキャパシタＣｓｔを備える。
【００６０】
第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第１電極は第４トランジスタＭ４（Ｌ）の第２電極に接続され、第２電極は第２ノードＮ２を経由して有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。また、第１トランジスタＭ１（Ｌ）のゲート電極は第１ノードＮ１に接続される。この第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、第１ノードＮ１の電圧に応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。速い駆動速度を確保するために、第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成される。
【００６１】
第２トランジスタＭ２（Ｏ）は、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１の間に接続される。また、第２トランジスタＭ２（Ｏ）のゲート電極は第１走査線Ｓ１ｉに接続される。この第２トランジスタＭ２（Ｏ）は、第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されるときターンオンされる。第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされると、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１が電気的に接続される。
【００６２】
第２トランジスタＭ２（Ｏ）は酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。この場合、第２トランジスタＭ２（Ｏ）はＮ型薄膜トランジスタで形成される。第２トランジスタＭ２（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、リーク電流によって第１ノードＮ１の電圧が変化することを防止することができるため、所望する輝度の映像を表示することができる。
【００６３】
第３トランジスタＭ３（Ｌ）は、第２ノードＮ２と初期化電源Ｖｉｎｔの間に接続される。また、第３トランジスタＭ３（Ｌ）のゲート電極は第２走査線Ｓ２ｉに接続される。この第３トランジスタＭ３（Ｌ）は、第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されるときターンオンされる。第３トランジスタＭ３（Ｌ）がターンオンされると、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が第２ノードＮ２に供給される。速い駆動速度を確保するために、第３トランジスタＭ３（Ｌ）は、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成される。
【００６４】
第４トランジスタＭ４（Ｌ）は、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第１電極の間に接続される。また、第４トランジスタＭ４（Ｌ）のゲート電極は発光制御線Ｅｉに接続される。この第４トランジスタＭ４（Ｌ）は、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されるときターンオフされ、発光制御信号が供給されないときはターンオンされる。速い駆動速度を確保するために、第４トランジスタＭ４（Ｌ）は、Ｎ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成される。
【００６５】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に接続される。このストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号及び第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧を保存する。
【００６６】
上述した本発明の一実施形態では、第１ノードＮ１と接続された第２トランジスタＭ２（Ｏ）を酸化物半導体薄膜トランジスタで形成する。このように第２トランジスタＭ２（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、リーク電流による第２ノードＮ２の電圧変動が最小化されるため、所望する輝度の映像を表示することができる。
【００６７】
また、本発明の一実施形態では、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するための電流供給経路に配置されたトランジスタＭ４（Ｌ）、及びＭ１（Ｌ）をＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成する。このように、電流供給経路に配置されたたトランジスタＭ４（Ｌ）、及びＭ１（Ｌ）をＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成すると、それらのトランジスタの速い駆動特性によって、安定的に有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給することができる。
【００６８】
図３は、図２に示された画素の駆動方法の一実施形態を示す波形図である。
【００６９】
図３を参照すると、まず、発光制御線Ｅｉに発光制御信号（ロー電圧）が供給され、これにより、Ｎ型で形成された第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされる。第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第１トランジスタＭ１（Ｌ）の電気的な接続が遮断される。したがって、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給される間、画素１４０は非発光状態に設定される。
【００７０】
第１期間Ｔ１１には、第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給される。第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されると、Ｎ型で形成された第３トランジスタＭ３（Ｌ）がターンオンされる。第３トランジスタＭ３（Ｌ）がターンオンされると、第２ノードＮ２に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給される。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤの寄生キャパシタ（以下、「有機キャパシタＣｏｌｅｄ」とする）に蓄積されていた電荷が放電される。このため、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧は、第２駆動電源ＥＬＶＳＳに有機発光ダイオードＯＬＥＤのしきい値電圧を合わせた電圧より低い電圧に設定されることができる。第１期間Ｔ１１の後、第２走査線Ｓ２ｉへの第２走査信号の供給が中断され、これにより、第３トランジスタＭ３（Ｌ）はターンオフ状態を保持する。
【００７１】
第２期間Ｔ１２には、第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給される。第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されると、Ｎ型で形成された第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされる。第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされると、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１が電気的に接続される。そうすると、データ線Ｄｍから基準電源Ｖｒｅｆの電圧が第１ノードＮ１に供給される。ここで、基準電源Ｖｒｅｆの電圧は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンできる電圧に設定される。例えば、基準電源Ｖｒｅｆの電圧から初期化電源Ｖｉｎｔの電圧を引いた電圧（Ｖｒｅｆ−Ｖｉｎｔ）は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧より高い電圧に設定される。第２期間Ｔ１２の間、第１トランジスタＭ１（Ｌ）のＶｇｓ（第１トランジスタのゲート電極と第１トランジスタの第２電極との間の電圧）は自分のしきい値電圧より高いＶｒｅｆ−Ｖｉｎｔの電圧に設定される。
【００７２】
一方、第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給される期間は、第２期間Ｔ１２、第３期間Ｔ１３、第４期間Ｔ１４、及び第５期間Ｔ１５に分かれる。ここで、第２期間Ｔ１２及び第４期間Ｔ１４の間である第３期間Ｔ１３の間、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断される。
【００７３】
したがって、第３期間Ｔ１３の間、一時的に第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされて、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第１電極に第１駆動電源ＥＬＶＤＤの電圧が供給される。このとき、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオン状態に設定されるため、第１駆動電源ＥＬＶＤＤからの電流によって第２ノードＮ２の電圧が上昇する。
【００７４】
一方、第３期間Ｔ１３の間、第１ノードＮ１は基準電源Ｖｒｅｆの電圧を保持する。したがって、第２ノードＮ２は、基準電源Ｖｒｅｆから第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧を引いた電圧まで上昇する。この場合、ストレージキャパシタＣｓｔには、第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧が保存される。
【００７５】
第４期間Ｔ１４には、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給され、これにより、第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされる。また、第４期間Ｔ１４には、データ線Ｄｍにデータ信号ＤＳが供給される。第４期間Ｔ１４の間、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオン状態に設定されるため、データ線Ｄｍからのデータ信号は第１ノードＮ１に供給される。第１ノードＮ１に供給されたデータ信号は、ストレージキャパシタＣｓｔに保存される。即ち、第３期間Ｔ１３及び第４期間Ｔ１４の間、ストレージキャパシタＣｓｔにはデータ信号及び第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧が保存される。
【００７６】
第５期間Ｔ１５には、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断される。ここで、第５期間Ｔ１５は、第１走査信号の供給期間と重なる。したがって、第５期間Ｔ１５の間、第２トランジスタＭ２（Ｏ）はターンオン状態に設定され、これにより、第１ノードＮ１はデータ信号の電圧を保持する。発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされる。
【００７７】
第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤ及び第１トランジスタＭ１（Ｌ）が電気的に接続される。このとき、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンされて所定の電流が第２ノードＮ２に流れる。第１トランジスタＭ１（Ｌ）から流れる電流は、ストレージキャパシタＣｓｔと有機キャパシタＣｏｌｅｄとを結合した容量（Ｃ＝Ｃｓｔ＋Ｃｏｌｅｄ）に保存され、これにより、第２ノードＮ２の電圧が上昇する。
【００７８】
ここで、第２ノードＮ２の電圧の上昇幅は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の移動度に応じてそれぞれの画素１４０毎に異なるように設定されてもよい。即ち、本発明の一実施形態では、第５期間Ｔ１５は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の移動度を補償する期間に設定される。このため、第５期間Ｔ１５に割り当てられる時間は、画素１４０のそれぞれに含まれた第１トランジスタＭ１（Ｌ）の移動度が補償されるように実験的に決められてもよい。
【００７９】
第６期間Ｔ１６には、第１走査線Ｓ１ｉへの第１走査信号の供給が中断され、これにより、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオフされる。第６期間Ｔ１６の間、第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、第１ノードＮ１の電圧に応じて第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。そうすると、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、電流量に応じて所定の輝度の光を発光する。
【００８０】
一方、本発明の一実施形態では、第１ノードＮ１と接続された第２トランジスタＭ２（Ｏ）を酸化物半導体薄膜トランジスタで形成する。この場合、第１ノードＮ１からのリーク電流が最小化されるため、第１ノードＮ１は、一フレーム期間の間、一定電圧を保持することができる。即ち、本発明の一実施形態では、第１ノードＮ１からのリーク電流を最小化することができ、これにより、所望する輝度の映像を表示することができる。
【００８１】
図４は本発明の他の一実施形態による画素を示す図である。図４を説明するにあたり、図２と同様の構成に対しては同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８２】
図４を参照すると、本発明の他の一実施形態による画素１４０は、画素回路１４２’及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを備える。
【００８３】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１４２’に接続され、カソード電極は第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路１４２’から供給される電流量に応じて所定の輝度の光を発光する。
【００８４】
画素回路１４２’は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）、第２トランジスタＭ２（Ｏ）、第３トランジスタＭ３（Ｌ）、第４トランジスタＭ４（Ｌ）、第５トランジスタＭ５（Ｏ）、及びストレージキャパシタＣｓｔを備える。
【００８５】
このような本発明の他の一実施形態による画素回路１４２’は、図２に示した画素回路１４２に対して、第５トランジスタＭ５（Ｏ）をさらに備え、それ以外の構成は図２と同様である。第５トランジスタＭ５（Ｏ）は、基準電源Ｖｒｅｆの電圧を第１ノードＮ１に供給するために用いられる。この場合、データ線Ｄｍに基準電源Ｖｒｅｆが供給されない。したがって、データ線Ｄｍに十分な時間データ信号ＤＳを供給することができるため、駆動の信頼性が向上する。
【００８６】
第５トランジスタＭ５（Ｏ）は、基準電源Ｖｒｅｆと第１ノードＮ１の間に接続される。また、第５トランジスタＭ５（Ｏ）のゲート電極は第３走査線Ｓ３ｉに接続される。この第５トランジスタＭ５（Ｏ）は、第３走査線Ｓ３ｉに第３走査信号が供給されるときターンオンされて、第１ノードＮ１に基準電源Ｖｒｅｆの電圧を供給する。
【００８７】
第５トランジスタＭ５（Ｏ）は、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。第５トランジスタＭ５（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、リーク電流によって第１ノードＮ１の電圧が変化することを防止することができ、これにより、所望する輝度の映像を表示することができる。
【００８８】
図５は、図４に示された画素の駆動方法の一実施形態を示す波形図である。図５を説明するにあたり、図２と同じ構成については簡単に説明する。
【００８９】
図５を参照すると、まず、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されて第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされる。第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第１トランジスタＭ１（Ｌ）の電気的接続が遮断される。したがって、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給される期間の間、画素１４０は非発光状態に設定される。
【００９０】
第１期間Ｔ１１’には、第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給され、第３走査線Ｓ３ｉに第３走査信号が供給される。
【００９１】
第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されると、第３トランジスタＭ３（Ｌ）がターンオンされる。第３トランジスタＭ３（Ｌ）がターンオンされると、第２ノードＮ２に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給される。このとき、有機キャパシタＣｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が放電される。
【００９２】
第３走査線Ｓ３ｉに第３走査信号が供給されると、第５トランジスタＭ５（Ｏ）がターンオンされる。第５トランジスタＭ５（Ｏ）がターンオンされると、基準電源Ｖｒｅｆの電圧が第１ノードＮ１に供給される。
【００９３】
第２期間Ｔ１２’には、第２走査信号の供給が中断され、第３トランジスタＭ３（Ｌ）がターンオフ状態に設定される。また、第２期間Ｔ１２’の一部期間の間、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断される。
【００９４】
発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされる。第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第１電極に第１駆動電源ＥＬＶＤＤの電圧が供給される。第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第１電極に第１駆動電源ＥＬＶＤＤの電圧が供給されると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンされ、これにより、第２ノードＮ２の電圧が上昇する。
【００９５】
ここで、第１ノードＮ１が基準電源Ｖｒｅｆの電圧を保持するため、第２ノードＮ２は基準電源Ｖｒｅｆから第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧を引いた電圧まで上昇する。この場合、ストレージキャパシタＣｓｔには、第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧が保存される。
【００９６】
第２期間Ｔ１２’の後、第３走査線Ｓ３ｉへの第３走査信号の供給が中断される。第３走査線Ｓ３ｉへの第３走査信号の供給が中断されると、第５トランジスタＭ５（Ｏ）がターンオフされる。
【００９７】
第３期間Ｔ１３’には、第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給される。第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されると、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされる。第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされると、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１が電気的に接続される。このとき、データ線Ｄｍからのデータ信号ＤＳが第１ノードＮ１に供給される。
【００９８】
第１ノードＮ１に供給されたデータ信号は、ストレージキャパシタＣｓｔに保存される。即ち、第２期間Ｔ１２’及び第３期間Ｔ１３’の間、ストレージキャパシタＣｓｔには、データ信号及び第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧が保存される。
【００９９】
第４期間Ｔ１４’には、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断される。発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされる。
【０１００】
第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤ及び第１トランジスタＭ１（Ｌ）が電気的に接続される。このとき、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンされて所定の電流が第２ノードＮ２に流れる。第１トランジスタＭ１（Ｌ）から流れる電流は、ストレージキャパシタＣｓｔと有機キャパシタＣｏｌｅｄとを結合した容量（Ｃ＝Ｃｓｔ＋Ｃｏｌｅｄ）に保存され、これにより、第２ノードＮ２の電圧が上昇する。ここで、第２ノードＮ２の電圧の上昇幅は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の移動度に応じてそれぞれの画素１４０毎に異なるように設定され、これにより、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の移動度が補償されることができる。このため、第４期間Ｔ１４’に割り当てられる時間は、画素１４０のそれぞれに含まれた第１トランジスタＭ１（Ｌ）の移動度が補償されるように実験的に決められてもよい。
【０１０１】
第５期間Ｔ１５’には、第１走査線Ｓ１ｉへの第１走査信号の供給が中断され、これにより、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオフされる。第５期間Ｔ１５’の間、第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、第１ノードＮ１の電圧に応じて第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。そうすると、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、電流量に応じて所定の輝度の光を発光する。
【０１０２】
一方、本発明の一実施形態では、第１ノードＮ１と接続された第２トランジスタＭ２（Ｏ）及び第５トランジスタＭ５（Ｏ）は、酸化物半導体薄膜トランジスタで形成する。この場合、第１ノードＮ１からのリーク電流が最小化され、これにより、第１ノードＮ１は、一フレーム期間の間、一定電圧を保持することができる。即ち、本発明の一実施形態では、第１ノードＮ１からのリーク電流を最小化することができるため、所望する輝度の映像を表示することができる。
【０１０３】
図６は本発明のさらに他の一実施形態による画素を示す図である。図６では、理解の促進のため、ｉ番目の水平ラインに位置し、第ｍデータ線Ｄｍと接続された画素を図示する。
【０１０４】
図６を参照すると、本発明のさらに他の一実施形態による画素１４０は、画素回路１４２’’及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを備える。
【０１０５】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１４２’’に接続され、カソード電極は第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路１４２’’から供給される電流量に応じて所定の輝度の光を発光する。
【０１０６】
このような本発明のさらに他の一実施形態による画素１４０は、図２と比較して、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第２ノードＮ２の間に第１キャパシタＣ１をさらに備える。第１キャパシタＣ１は有機キャパシタＣｏｌｅｄと直列接続され、これにより、第２ノードＮ２と接続されるキャパシタの容量を下げることができる。
【０１０７】
通常、第１トランジスタＭ１（Ｌ）のＶｇｓ電圧を安定的に保持するためには、第１ノードＮ１の電圧変化に応じて第２ノードＮ２の電圧が変化しなければならない。
【０１０８】
画素回路１４２’’に第１キャパシタＣ１が含まれない場合、第２ノードＮ２は有機キャパシタＣｏｌｅｄと接続される。ここで、有機キャパシタＣｏｌｅｄはストレージキャパシタＣｓｔより高い容量を有する。したがって、第１ノードＮ１の電圧変化に応じて第２ノードＮ２の電圧変化が最小化される。例えば、第１ノードＮ１の電圧が１Ｖ変化するとき、第２ノードＮ２の電圧は０．５Ｖ変化することができる。
【０１０９】
一方、画素回路１４２’’に第１キャパシタＣ１が含まれる場合、第２ノードＮ２は第１キャパシタＣ１及び有機キャパシタＣｏｌｅｄと接続される。ここで、第１キャパシタＣ１と有機キャパシタＣｏｌｅｄが直列接続されるため、第２ノードＮ２と接続されるキャパシタの容量が低くなる。したがって、第１ノードＮ１の電圧変化に応じて第２ノードＮ２の電圧が安定的に変化することができるため、駆動の安定性を確保することができる。例えば、画素回路１４２’’に第１キャパシタＣ１が含まれる場合、第１ノードＮ１の電圧が１Ｖ変化すると、第２ノードＮ２の電圧は０．５Ｖより高い０．８Ｖ変化することができる。
【０１１０】
さらに、第１キャパシタＣ１は、図２及び図４の画素回路１４２、１４２’にそれぞれ含まれてもよい。
【０１１１】
一方、本発明のさらに他の一実施形態では、第３トランジスタＭ３（Ｌ）のゲート電極がｉ−１番目の第１走査線Ｓ１ｉ−１に接続されてもよい。その場合、図２の画素回路１４２で第２走査線Ｓ２ｉが省略されてもよい。
【０１１２】
図７は図６に示された画素の駆動方法の一実施形態を示す波形図である。図７では、理解の促進のため、ｉ−１番目の水平ライン及びｉ番目の水平ラインに対応するデータ信号のみを図示する。
【０１１３】
図７を参照すると、第１走査線Ｓ１には２つの走査信号、即ち、最初の走査信号及び２番目の走査信号が所定期間をおいて連続的に供給される。ここで、ｉ−１番目の第１走査線Ｓ１ｉ−１に供給される２番目の走査信号は、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに供給される最初の走査信号と重なる。
【０１１４】
動作過程を説明すると、まず、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されて第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされる。第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第１トランジスタＭ１（Ｌ）の電気的接続が遮断される。したがって、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給される期間の間、画素１４０は非発光状態に設定される。
【０１１５】
第１期間Ｔ１１’’には、ｉ−１番目の第１走査線Ｓ１ｉ−１に２番目の走査信号が供給され、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに最初の走査信号が供給される。
【０１１６】
ｉ−１番目の第１走査線Ｓ１ｉ−１に２番目の走査信号が供給されると、第３トランジスタＭ３’（Ｌ）がターンオンされる。第３トランジスタＭ３’（Ｌ）がターンオンされると、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が第２ノードＮ２に供給される。
【０１１７】
ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに最初の走査信号が供給されると、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされる。第２トランジスタＭ２がターンオンされると、データ線Ｄｍからの基準電源Ｖｒｅｆの電圧が第１ノードＮ１に供給される。
【０１１８】
その後、第２期間Ｔ１２’’には、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉへの最初の走査信号の供給が中断され、これにより、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオフされる。ここで、ｉ−１番目の第１走査線Ｓ１ｉ−１に供給される２番目の走査信号によって第３トランジスタＭ３’’（Ｌ）はターンオン状態を保持し、これにより、第２ノードＮ２は初期化電源Ｖｉｎｔの電圧を保持する。また、第２期間Ｔ１２’’の間、第２ノードＮ２の電圧が変化しないため、フローティング状態に設定された第１ノードＮ１も基準電源Ｖｒｅｆの電圧を保持する。
【０１１９】
第３期間Ｔ１３’’には、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断され、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに２番目の走査信号が供給される。
【０１２０】
ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに２番目の走査信号が供給されると、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされる。第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされると、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１が電気的に接続される。そうすると、データ線Ｄｍからの基準電源Ｖｒｅｆの電圧が第１ノードＮ１に供給される。
【０１２１】
発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされる。第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第１電極に第１駆動電源ＥＬＶＤＤの電圧が供給される。第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第１電極に第１駆動電源ＥＬＶＤＤの電圧が供給されると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンされ、これにより、第２ノードＮ２の電圧が上昇する。
【０１２２】
一方、第３期間Ｔ１３’’の間、第１ノードＮ１は基準電源Ｖｒｅｆの電圧を保持する。したがって、第２ノードＮ２は、基準電源Ｖｒｅｆから第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧を引いた電圧まで上昇する。この場合、ストレージキャパシタＣｓｔには、第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧が保存される。
【０１２３】
第４期間Ｔ１４’’には、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給され、これにより、第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオフされる。また、第４期間Ｔ１４’’には、データ線Ｄｍにデータ信号ＤＳが供給される。第４期間Ｔ１４’’の間、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオン状態に設定されるため、データ線Ｄｍからのデータ信号は第１ノードＮ１に供給される。第１ノードＮ１に供給されたデータ信号は、ストレージキャパシタＣｓｔに保存される。即ち、第３期間Ｔ１３’’及び第４期間Ｔ１４’’の間、ストレージキャパシタＣｓｔには、データ信号及び第１トランジスタＭ１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧が保存される。
【０１２４】
第５期間Ｔ１５’’には、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断される。発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされる。第４トランジスタＭ４（Ｌ）がターンオンされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤ及び第１トランジスタＭ１（Ｌ）が電気的に接続される。このとき、第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、第１ノードＮ１の電圧に応じて第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。そうすると、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、電流量に応じて所定の輝度の光を発光する。
【０１２５】
一方、本発明の一実施形態では、第１ノードＮ１と接続された第２トランジスタＭ２（Ｏ）を酸化物半導体薄膜トランジスタで形成する。この場合、第１ノードＮ１からのリーク電流が最小化され、これにより、第１ノードＮ１は、一フレーム期間の間、一定電圧を保持することができる。即ち、本発明の一実施形態では、第１ノードＮ１からのリーク電流を最小化することができ、これにより、所望する輝度の映像を表示することができる。
【０１２６】
一方、本発明の走査駆動部１１０は、走査信号及び発光制御信号を生成するための複数のステージ回路（図示せず）を備える。ステージ回路は、信号（走査信号及びまたは発光制御信号）を生成するための信号生成部及びバッファを備える。
【０１２７】
図８は、本発明の実施例によるステージ回路を示す図である。
【０１２８】
図８を参照すると、本発明の一実施形態によるステージ回路は、信号生成部３００及びバッファ２００を備える。
【０１２９】
信号生成部３００は、クロック信号（図示せず）及びスタートパルス（図示せず）などによってバッファ２００を制御する。このような信号生成部３００は、公知の多様な形態の回路で実現されてもよい。
【０１３０】
バッファ２００は、信号生成部３００の制御に応じて、第１入力端子２０２または第２入力端子２０４を出力端子２０６と電気的に接続させる。このため、バッファ２００は、第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）、第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）、第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）、及び第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）を備える。
【０１３１】
第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）及び第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）は、第１入力端子２０２と出力端子２０６の間に並列接続される。また、第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）及び第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）のゲート電極は電気的に接続される。
【０１３２】
第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）及び第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）は、同時にターンオンまたはターンオフされながら、第１入力端子２０２と出力端子２０６の電気的接続を制御する。このように、第１入力端子２０２と出力端子２０６の間に並列接続された第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）及び第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）を用いて第１入力端子２０２と出力端子２０６の電気的接続を制御する場合、駆動の信頼性を確保することができる。
【０１３３】
また、第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）はＮ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成され、第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）はＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。ＬＴＰＳ薄膜トランジスタはトップゲート（ｔｏｐ  ｇａｔｅ）構造で形成され、酸化物半導体薄膜トランジスタはボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）構造で形成されてもよい。
【０１３４】
この場合、トランジスタを作成する工程の過程で第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）及び第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）は、少なくとも一部分が重なってもよい。例えば、第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極の少なくとも１つは、第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極の少なくとも１つと重なってもよい。このように第１１トランジスタＭ１１（Ｌ）及び第１２トランジスタＭ１２（Ｏ）が重なるように形成されると、バッファ２００の実装面積が最小化され、これにより、デッドスペース（ｄｅａｄ  ｓｐａｃｅ）を最小化することができる。
【０１３５】
第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）及び第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）は、出力端子２０６と第２入力端子２０４の間に並列接続される。また、第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）及び第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）のゲート電極は電気的に接続される。
【０１３６】
第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）及び第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）は、同時にターンオンまたはターンオフされながら、第２入力端子２０４と出力端子２０６の電気的接続を制御する。このように、第２入力端子２０４と出力端子２０６の間に並列接続された第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）及び第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）を用いて第２入力端子２０４と出力端子２０６の電気的接続を制御する場合、駆動の信頼性を確保することができる。
【０１３７】
また、第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）はＮ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成され、第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）はＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。ＬＴＰＳ薄膜トランジスタはトップゲート（ｔｏｐ  ｇａｔｅ）構造で形成され、酸化物半導体薄膜トランジスタはボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）構造で形成されてもよい。
【０１３８】
この場合、トランジスタを作成する工程の過程で第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）及び第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）は少なくとも一部分が重なってもよい。例えば、第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極の少なくとも１つは、第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極の少なくとも１つと重なってもよい。このように第１３トランジスタＭ１３（Ｌ）及び第１４トランジスタＭ１４（Ｏ）が重なるように形成されると、バッファ２００の実装面積が最小化され、これにより、デッドスペース（ｄｅａｄ  ｓｐａｃｅ）を最小化することができる。
【０１３９】
本発明の技術思想は上記の好ましい実施形態を参照して具体的に述べた。上記の実施形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を制限するためのものではないことに注意すべきである。また、本発明の技術分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形例が可能であることが理解できるだろう。
【０１４０】
上述した本発明の権利範囲は添付の特許請求の範囲により定められるものであって、明細書の本文の記載に拘束されず、請求の範囲の均等な範囲に属する変形や変更はすべて本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１４１】
１１０走査駆動部
１２０データ駆動部
１３０画素部
１４０画素
１４２画素回路
１５０タイミング制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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