(57)【要約】【課題】金属性の物質を多く含有する被処理物を処理する場合でも、誘導コイルからの誘電体窓を通してプラズマ処理空間へ投入される誘導電力が低減することがなく、また、プラズマ処理室の内壁や被処理物を汚染することの少ない誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】誘導結合型プラズマ処理装置１は、誘導コイル１６とプラズマ処理空間Ｖを隔てる誘電体窓１５の誘導コイル１６側に設けられたクリーニング電極３と、クリーニング電極３に高周波電力を供給する高周波電源１６２と、誘電体窓１５のプラズマ処理室Ｖ側に設けられた交換可能な前置板２と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
a) 誘導コイルとプラズマ処理空間を隔てる誘電体窓の前記誘導コイル側に設けられたクリーニング電極と、
b) 前記クリーニング電極に高周波電力を供給するクリーニング高周波電源と、
c) 前記誘電体窓の前記プラズマ処理空間側に設けられた交換可能な前置板と、
を備えることを特徴とする、誘導結合型プラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の誘導結合型プラズマ処理装置であって、
前記クリーニング高周波電源が、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と共用されている、
誘導結合型プラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の誘導結合型プラズマ処理装置であって、
前記クリーニング高周波電源が、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とは別に設けられており、
前記クリーニング高周波電源の周波数が、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源の周波数よりも低周波である、
誘導結合型プラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の誘導結合型プラズマ処理装置であって、
前記前置板に、スリットが形成されている、
誘導結合型プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導結合型プラズマ処理装置に関し、特に該装置において、被処理物が収容されるプラズマ処理室の内部空間（プラズマ処理空間）と誘導コイルを隔てる誘電体窓に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘導結合型プラズマ処理装置では、被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理空間を内部に形成するプラズマ処理室の外部に、プラズマを生成するための誘導コイルが置かれ、該誘導コイルとプラズマ処理空間の間には、誘導コイルにより生起される誘導電力をプラズマ処理空間に導入するための誘電体窓が配置される。
【０００３】
プラズマ処理空間で被処理物にエッチングやスパッタ等の処理を行うと、この誘電体窓の内側（プラズマ処理空間側、すなわち、被処理物側）の面にエッチングされた物質やスパッタされた物質が徐々に付着し、付着膜を形成する。また、被処理物の表面に成膜処理を行う場合も、そのような成膜のための物質が付着する。これらの物質に金属性の物質が含まれている場合、こうして形成された付着膜により、誘導コイルにより生起された誘導電力がプラズマ処理空間に投入されることが阻止される。
【０００４】
これに関連して、特許文献１には、誘電体窓と誘導コイルの間にプラズマと静電的に結合させる電極（クリーニング電極）を設け、そこに誘導コイルと同様の高周波を供給することが開示されている。これにより、プラズマ処理中には上記のような付着物質の付着（付着膜の形成）を阻止するとともに、プラズマ処理を行っていない間には誘電体窓の内側のクリーニング（付着膜の除去）を行うことができるとしている（以下、便宜上、付着膜の形成の阻止と形成された付着膜の除去を併せて「クリーニング」と呼ぶ。）。
【０００５】
また、特許文献２及び３には、誘電体窓の内側にスリット板を置き、誘電体窓の内側に形成された付着膜のパターンが誘導コイルによる該付着膜内での誘導電流の生成（渦電流の生成）を阻止するようなパターンとなるようにした誘導結合型プラズマ処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平08-316210号公報
【特許文献２】特開2001-254188号公報
【特許文献３】特開2013-129897号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、プラズマ処理が施される被処理物の中には、金属性の物質を多く含むものが増えてきている。例えば、半導体基板にキャパシターを形成する場合、金属層のエッチングプロセスが多く含まれる。このような被処理物をプラズマ処理する場合、前記の誘電体窓の内側への付着膜の形成は一層大きな問題となる。
【０００８】
特許文献１に記載の方法では、付着膜の形成を防止し、また、形成された付着膜を除去する効果があるものの、クリーニング電極には誘導コイルと同様の高周波が供給されるため、該高周波で生成されたプラズマにより誘電体窓の内側もエッチングされる。このため、エッチングされた誘電体窓の構成物質が被処理物に付着するという問題がある他、誘電体窓が徐々に薄くなり、プラズマ処理室内外の圧力差により破損するという事態も生じ得る。このような事態を避けるため、クリーニング電極に供給する高周波電力は控えめにせざるを得ず、プラズマ処理の対象によっては、十分なクリーニング効果が得られない。
【０００９】
特許文献２や３に記載の方法では、誘導コイルからプラズマ処理空間へ投入される誘導電力の減少という事態は避けられるものの、誘電体窓やスリット板の内側（被処理物側）には付着膜が形成されるため、そのように付着した膜が剥がれ、プラズマ処理室の内壁や被処理物を汚染する可能性がある。
【００１０】
本発明はこのような課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、金属性の物質を多く含有する被処理物を処理する場合でも、誘導コイルからの誘電体窓を通してプラズマ処理空間へ投入される誘導電力が低減することがなく、また、プラズマ処理室の内壁や被処理物を汚染することの少ない誘導結合型プラズマ処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために成された本発明に係る誘導結合型プラズマ処理装置は、
a) 誘導コイルとプラズマ処理空間を隔てる誘電体窓の前記誘導コイル側に設けられたクリーニング電極と、
b) 前記クリーニング電極に高周波電力を供給するクリーニング高周波電源と、
c) 前記誘電体窓の前記プラズマ処理空間側に設けられた交換可能な前置板と
を備えることを特徴とする。
【００１２】
ここで、クリーニング電極に高周波電力を供給するクリーニング高周波電源は、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と共用してもよいし、別の電源を用意してもよい。
【００１３】
クリーニング高周波電源として、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とは別の電源を用意する場合には、その周波数をプラズマ処理用の高周波（通常、13.56MHzが使用される）よりも低周波（例えば、100kHz〜1MHz程度）とすることが望ましい。
【００１４】
前記前置板は、スリットを有していてもよい。この場合、このスリットは、前記誘電体窓の内側に形成される付着膜のパターンが前記誘導コイルによる該付着膜内での誘導電流の生成（渦電流の生成）を阻止するようなパターンを有するものとしておくことが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る誘導結合型プラズマ処理装置では、誘電体窓の内側（プラズマ処理空間側、すなわち、被処理物側）に前置板が設けられており、クリーニング高周波電源から高周波電力を供給されるクリーニング電極が、この前置板（の、特に内側＝被処理物側）への付着物の付着を阻止し、或いは、付着した付着物（付着膜）を除去する。本発明に係る誘導結合型プラズマ処理装置では、その際、やや強力な阻止及び除去処理を行うことができる。なぜなら、前置板は交換可能であるため、そのような処理により前置板が薄くなれば、交換すれば済むためである。また、前置板の素材として、仮にプラズマ処理の被処理物に付着したとしても、それに対して影響を与えることが少ない物質を選択することができる。
【００１６】
ここで、クリーニング高周波電源からクリーニング電極に供給する高周波を、前記誘導コイルに供給される高周波よりも低い周波数（例えば、100kHz〜1MHz程度）とすることにより、被処理物に対して行う本来のプラズマ処理への干渉が少ない、前置板及び誘電体窓のクリーニングを行うことができる。
【００１７】
前置板に前記のようなスリットを設けた場合には、クリーニング電極による付着物阻止作用を弱くし、誘電体窓の内側への付着を許すような強さのクリーニング処理を行うことができる。これにより、汚染に弱い被処理物に対するプラズマ処理も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ＩＣＰ処理装置の構成を示す概略図。
【図２】窓材の付近の様子を拡大して示す断面図。
【図３】前置板をプラズマ処理空間側から見た平面図。
【図４】クリーニング電極の形状例を示す平面図。
【図５】前置板に形成されるスリットのパターン例を示す図。
【図６】他の実施形態に係るＩＣＰ処理装置の構成を示す概略図。
【図７】他の実施形態に係るＩＣＰ処理装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００２０】
＜１．ＩＣＰ処理装置＞
実施形態に係る誘導結合型プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ICP）処理装置（以下、「ＩＣＰ処理装置」ともいう）の全体構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、ＩＣＰ処理装置１の構成を示す概略図である。
【００２１】
ＩＣＰ処理装置１は、内部にプラズマ処理空間Ｖを形成する気密な処理チャンバー（処理室）１１を備える。処理チャンバー１１には、処理ガス通路を介して、処理ガス（例えば、プラズマエッチング処理用のガス等）を供給する処理ガス供給部１２が接続されており、処理ガス供給部１２から供給された処理ガスが、処理ガス通路を介してプラズマ処理空間Ｖに供給される。また、処理チャンバー１１には、ロータリポンプ１３１、ターボ分子ポンプ１３２、弁１３３、これを制御する圧力制御器１３４、等を含む圧力制御機構１３が接続されており、これによってプラズマ処理空間Ｖが所定の低圧状態に維持される。
【００２２】
処理チャンバー１１の底部には、下部電極１４が設けられている。ＩＣＰ処理装置１における処理対象物（ここでは、例えば、金属または金属酸化物を含む基板）９は、この下部電極１４上に載置される。つまり、下部電極１４の上面は、処理対象物９を載置するための載置面を構成する。下部電極１４は、第１の整合回路１４１を介して、第１の高周波電源（ＲＦ発生器）１４２に接続されている。第１の高周波電源１４２が下部電極１４に高周波電力を供給すると、プラズマ処理空間Ｖに発生しているプラズマイオンが処理対象物９に向かう方向に加速される。つまり、第１の高周波電源１４２は、プラズマイオンを処理対象物９に向けて加速するためのバイアス電圧を印加するための要素である。
【００２３】
処理チャンバー１１の上壁面（天井）１１１には、円形状の開口が形成されており、ここに、プラズマ処理空間Ｖと後述する誘導コイル１６を隔てる円形平板状の窓１５が配置される。この窓１５は、誘電体により形成されており、以下「誘電体窓１５」と呼ぶ。
誘電体窓１５は、例えば、窓枠１５１（図２参照）を介して上壁面１１１に対して固定されている。すなわち、窓枠１５１は、リング状の側壁とその下端から内方に張り出す掛止部とから成る断面Ｌ字形状の部材であり、掛止部上に誘電体窓１５が支持され、側壁が上壁面１１１の開口の縁に沿って固定される。
【００２４】
処理チャンバー１１の上側であって、誘電体窓１５の上方の位置には、渦巻き状のコイル電極である誘導コイル１６が配置されている。誘導コイル１６は、第２の整合回路１６１を介して、第２の高周波電源１６２に接続されている。第２の高周波電源１６２が供給する高周波の周波数は、例えば、13.56MHzである。第２の高周波電源１６２が誘導コイル１６に高周波電力を供給すると、誘導コイル１６から誘電体窓１５を通してプラズマ処理空間Ｖへ誘導電力が投入されて、プラズマ処理空間Ｖに高周波磁界が発生する。これによってプラズマ処理空間Ｖに供給されている処理ガスがプラズマ化され、下部電極１４に載置された処理対象物９がプラズマ処理される。
【００２５】
処理対象物９が金属または金属酸化物を含んでいる場合、処理対象物９がプラズマ処理によりエッチングあるいはスパッタされることにより金属パーティクルが飛散して、誘電体窓１５や処理チャンバー１１の内壁などに付着する可能性がある。誘電体窓１５に金属パーティクルなどが付着すると、誘導コイル１６からの誘電体窓１５を通してプラズマ処理空間Ｖへ投入される誘導電力が低減してしまう。そこで、このような事態を回避するべく、ＩＣＰ処理装置１は、前置板２およびクリーニング電極３を備える。以下に、これらの各要素について詳述する。
【００２６】
＜２．前置板２＞
前置板２について、図１に加え、図２、図３を参照しながら説明する。図２は、ＩＣＰ処理装置１における誘電体窓１５の付近の様子を拡大して示す断面図である。図３は、前置板２をプラズマ処理空間Ｖ側から見た平面図である。
【００２７】
前置板２は、円板状の部材であって、その直径は、好ましくは、誘電体窓１５の直径と略同一かこれより小さいものとする。前置板２の形成材料は任意に選択できる。好ましい前置板２の形成材料として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、石英、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、などが挙げられる。特に、処理対象物９に付着したとしても、それに対して影響を与えることが少ない物質を前置板２の形成材料として選択することが好ましい。ここでは、前置板２は、例えば、石英にイットリア（Ｙ２Ｏ３）を蒸着することにより形成されるものとする。イットリアの蒸着膜は柔らかいため、これを前置板２に形成しておけば、プラズマ処理において前置板２に金属パーティクルなどが付着したとしても、これが落下しにくくなる。したがって、前置板２から付着物が落下して処理対象物９を汚染する、といった事態を回避できる。もっとも、イットリアの蒸着は必須ではなく、前置板２を例えば石英のみから形成してもよい。
【００２８】
前置板２は、誘電体窓１５のプラズマ処理空間Ｖ側（すなわち、処理チャンバー１１の内側）に設けられている。つまり、前置板２は、誘電体窓１５を挟んで、誘導コイル１６の逆側に設けられている。また、前置板２は、側方から見て、その上面と誘電体窓１５の下面とが互いに平行となる姿勢で、これらの面が当接するような位置、あるいは、定められた距離（好ましくは、０〜５mm程度）だけ離間するような位置に、配置される。また、前置板２は、上方から見て、誘電体窓１５と同心に配置される。
【００２９】
前置板２は、例えば、支持枠２１を介して、上記の姿勢で上記の位置に支持されている。すなわち、支持枠２１は、例えば、平板リング状の固定部分２１１とその内側縁から内方に張り出すリング状の支持部分２１２とから成る部材であり、支持部分２１２の内縁部分によって前置板２の外縁部分が下方側から支持され、固定部分２１１が窓枠１５１（あるいは、処理チャンバー１１の上壁面１１１であってもよい）の下面に、複数のネジ２２によって固定される。支持枠２１を、窓枠１５１などに対してネジ２２によって固定する態様としておけば、ネジ２２を外すことで支持枠２１を取り外して、前置板２を容易に交換することができる。
【００３０】
なお、このときに、前置板２と誘電体窓１５との間に捨て板２００が挿入されてもよい。この場合、前置板２の周縁に沿って土手２０１を形成しておき、この土手２０１と誘電体窓１５との間で、捨て板２００を挟み込むようにして支持すればよい。この場合、前置板２の上面と捨て板２００の下面との離間距離は、土手２０１の高さで調整することが可能である。
【００３１】
＜３．クリーニング電極３＞
クリーニング電極３について、図１、図２に加え、図４を参照しながら説明する。図４は、クリーニング電極３の形状例を示す平面図である。
【００３２】
クリーニング電極３は、金属により形成される。また、クリーニング電極３は、誘電体窓１５の誘導コイル１６側（すなわち、処理チャンバー１１の外側）であって、誘電体窓１５と誘導コイル１６の間に配置される。また、クリーニング電極３は、側方から見て、その下面と誘電体窓１５の上面とが互いに平行となる姿勢で、これらの面が当接するような位置、あるいは、定められた距離（好ましくは、０〜５mm程度）だけ離間するような位置に、配置される。また、クリーニング電極３は、上方から見て、誘電体窓１５と同心に配置される。
【００３３】
クリーニング電極３は、上下面が平坦な長尺の板状部分が複数個結合して、平面視にて誘電体窓１５の全体を満遍なく網羅するようなパターンを形成していることが好ましい。
具体的には例えば、図４（ａ）に示されるクリーニング電極３ａのように、平面視にて放射状のパターンを形成するものであってもよい。また例えば、放射状のパターンにおいて、放射状に伸びる各直線部分の先端が枝分かれしたパターンを形成するものであってもよい（図４（ｂ）に示されるクリーニング電極３ｂ）。また例えば、放射状のパターンにおいて、放射状に伸びる各直線部分から複数の枝部分がさらに伸びるパターン（雪の結晶状のパターン）を形成するものであってもよい（図４（ｃ）に示されるクリーニング電極３ｃ）。
【００３４】
クリーニング電極３は、上述した第２の整合回路１６１を介して、上述した第２の高周波電源１６２に接続されている。つまり、第２の高周波電源１６２は、第２の整合回路１６１を介して、誘導コイル１６およびクリーニング電極３に接続されており、クリーニング電極３には、第２の高周波電源１６２から高周波電力が供給される。つまり、この実施形態では、第２の高周波電源１６２が本発明に係るクリーニング高周波電源に相当する。また、この実施形態では、クリーニング電極３に高周波電力を供給するクリーニング高周波電源が、誘導コイル１６に高周波電力を供給する高周波電源と共用されている。
第２の高周波電源１６２がクリーニング電極３に高周波電力を供給することによって、プラズマ処理空間Ｖ内に存在している金属パーティクル等が、前置板２に付着することが阻止される、あるいは、前置板２に付着している付着物が除去される。
【００３５】
＜４．クリーニング＞
ＩＣＰ処理装置１において処理対象物９をプラズマ処理する態様について、図１および図２を参照しながら説明する。
【００３６】
まず、図示しない搬入口を介して処理対象物９が処理チャンバー１１内に搬入され、下部電極１４上に載置される。処理対象物９が搬入されると、搬入口が閉鎖されて処理チャンバー１１が密閉される。その後、処理ガス供給部１２からプラズマ処理空間Ｖへ処理ガスの導入が開始されるとともに、圧力制御機構１３によってプラズマ処理空間Ｖが排気される。
【００３７】
プラズマ処理空間Ｖが所定の低圧状態となると、第２の高周波電源１６２が誘導コイル１６およびクリーニング電極３への高周波電力の供給を開始する。また、必要に応じて、第１の高周波電源１４２が下部電極１４への高周波電力の供給を開始する。
【００３８】
誘導コイル１６に高周波電力が供給されることによって、プラズマ処理空間Ｖに供給されている処理ガスがプラズマ化され、下部電極１４に載置されている処理対象物９がプラズマ処理される。また、下部電極１４にも高周波電力が供給されている場合、プラズマ処理空間Ｖに発生しているプラズマイオンが処理対象物９に向かう方向に加速され、処理対象物９のプラズマ処理によるエッチングあるいはスパッタが促進される。
【００３９】
ここでは、処理対象物９に対するプラズマ処理が進行する間、クリーニング電極３にも高周波電力が供給されている。これによって、プラズマ処理によって処理対象物９がエッチングあるいはスパッタされることによって生じた金属パーティクルが、前置板２に付着することが阻止される、あるいは、前置板２に付着している付着物が除去される。
ここでは、前置板２が存在するために、クリーニング電極３に供給される高周波電力が比較的大きくても、誘電体窓１５のエッチングが進行しにくい。したがって、誘電体窓１５がエッチングされないように、クリーニング電極３に供給される高周波電力を小さく抑える必要がない。クリーニング電極３に供給される高周波電力が大きくなると、前置板２に対する上記の阻止（あるいは、除去）の強さ（クリーニング力）が大きくなる。
上記の通り、クリーニング電極３に供給される高周波電力が大きくなると、クリーニング力が大きくなるという利点がある反面、前置板２のエッチングが進行する可能性がある。しかしながら、上述したとおり、前置板２においては、その形成材料として、処理対象物９に付着したとしても、それに対して影響を与えることが少ない物質を選択することが可能であり、そのような物質を前置板２の形成材料として選択しておけば、前置板２がエッチングされても問題が生じない。また、ここでは、前置板２が交換可能に設けられているので、エッチングによって前置板２が薄肉化した場合は、これを難なく交換することができる。
【００４０】
＜５．他の実施形態＞
上記の実施形態において、前置板２には、スリットが形成されてもよい。このスリットは、誘電体窓１５の内側に形成される付着膜のパターンが誘導コイル１６による該付着膜内での誘導電流の生成（渦電流の生成）を阻止するようなパターンを有するものとしておくことが好ましい。このようなパターンの具体例が、図５に示されている。
図５（ａ）に示される前置板２ａに形成されるパターンにおいては、相対的に短いスリット（例えば、前置板２ａの直径の約１／７の長さを有する直線状のスリット）４１と、相対的に長いスリット（例えば、前置板２ａの直径の約１／３の長さを有する直線状のスリット）４２が、前置板２の周方向に沿って交互に配置される。このとき、短いスリット４１は前置板２の外周側に寄せて配置し、長いスリット４２は前置板２の中心と外周縁との中間部分に配置する。また、長いスリット４２のうちの一部（図の例では、９０度おきに現れる長いスリット４２）を、残りの長いスリット４２よりもさらに長い寸法として、当該一部の長いスリット４２の各端部が残りの長いスリット４２の端部よりも前置板２の中心側に配置されるようにすることも好ましい。
図５（ｂ）に示される前置板２ｂに形成されるパターンにおいては、相対的に短いスリット４３と、相対的に長いスリット４４が、前置板２ｂの周方向に沿って交互に配置され、さらに、各スリット４３，４４が、前置板２ｂの径方向に対して同じ方向に一定の角度（例えば、約１０°）だけ傾けて、全体として放射渦巻状に配置される。
図５（ａ）および図５（ｂ）に示されるパターンにおいて、例えば、短いスリット４１，４３を形成せずに、長いスリット４２，４４のみを形成してもよい。
スリット４１，４２，４３，４４を設けた前置板２ａ，２ｂによると、誘電体窓１５の内側に付着膜が形成されたとしても、該付着膜内での誘導電流が生成されることがない。したがって、クリーニング電極３によるクリーニング力を弱くしても（つまりは、誘電体窓１５の内側への付着物が付着することを許すような強さにしても）、問題が生じない。クリーニング力を弱くすると、前置板２ａ，２ｂがエッチングされることが十分に回避されるので、汚染に特に弱い処理対象物９に対するプラズマ処理も可能となる。
【００４１】
上記の実施形態において、図６に示されるように、クリーニング電極３と第２の整合回路１６１との間に、可変コンデンサ１７等を介挿して、クリーニング電極３に供給される高周波電力を調整可能としてもよい。
【００４２】
上記の実施形態では、クリーニング電極３に高周波電力を供給する高周波電源は、誘導コイル１６に高周波電力を供給する高周波電源と共用されていたが（第２の高周波電源１６２）、クリーニング電極３に高周波電力を供給する高周波電源を、誘導コイル１６に高周波電力を供給する高周波電源とは別に設けてもよい。すなわち、図７に示されるように、クリーニング電極３は、第３の整合回路３１を介して、第３の高周波電源３２に接続されてもよい。この実施形態では、第３の高周波電源３２が本発明に係るクリーニング高周波電源に相当することになる。
この場合、第２の高周波電源１６２が供給する高周波の周波数は13.56MHzとし、第３の高周波電源３２が供給する高周波の周波数はこれよりも低周波（例えば、100kHz〜1MHz程度、特に好ましくは400kHz）とすることが好ましい。この構成によると、前置板２や誘電体窓１５のクリーニングと、処理対象物９に対して行われる本来のプラズマ処理とが干渉しにくい。
別々の高周波電源１６２，３２から誘導コイル１６およびクリーニング電極３の各々に高周波電力を供給する場合、誘導コイル１６とクリーニング電極３の間に、石英板１８を設けることも好ましい。石英板１８を設けることによって、誘導コイル１６とクリーニング電極３の間の放電を抑制することができる。
このような石英板１８は、図１、図６に示される構成（すなわち、共通の高周波電源１６２から誘導コイル１６およびクリーニング電極３に高周波電力を供給する構成）においても設けることができる。
【００４３】
上記の実施形態においては、前置板２は円板状であるとしたが、前置板２の形状は必ずしも円板状である必要はなく、例えば、矩形板状であってもよいし、多角形板状であってもよい。
【００４４】
上記の実施形態においては、誘電体窓１５は円板状であるとしたが、誘電体窓１５の形状は必ずしも円板状である必要はなく、例えば、ドーム型であってもよい。この場合、クリーニング電極３も当該ドーム型に沿って曲がった形状とすればよい。
【符号の説明】
【００４５】
１…ＩＣＰ処理装置
１１…処理チャンバー
１１１…上壁面
１２…処理ガス供給部
１３…圧力制御機構
１４…下部電極
１４１…第１の整合回路
１４２…第１の高周波電源
１５…誘電体窓
１５１…窓枠
１６…誘導コイル
１６１…第２の整合回路
１６２…第２の高周波電源（クリーニング高周波電源）
１７…可変コンデンサ
１８…石英板
２…前置板
２１…支持枠
２２…ネジ
３…クリーニング電極
３１…第３の整合回路
３２…第３の高周波電源（クリーニング高周波電源）
４１，４２，４３，４４…スリット
９…処理対象物
Ｖ…プラズマ処理空間
【図１】
2018029119.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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