(57)【要約】【課題】回路パターン領域の内外を規定する遮光枠（基板上の多層反射層，吸収層を除去してなるＥＵＶ反射率の極めて低い枠）の掘り込み（エッチング）形成に伴う遮光枠近傍に配置されたパターンの位置ずれが補正された反射型マスクを提供する。【解決手段】遮光枠が形成される反射型マスクにおいて、実験または力学的シミュレーションにより算出された遮光枠近傍のパターンの位置ずれ量をもとに、オリジナルの設計データに対して補正処理を行う、または、設計データを描画する際に描画の打ち込み位置を補正する事で、遮光枠形成時にパターン位置が設計値通りになるような反射型マスクを作製する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、前記吸収層に形成された回路パターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を有する反射型マスクであって、遮光枠の近傍に測長用パターンを具備し、そのマークを計測する事で遮光枠形成による位置変化量の情報を得ることができる事を特徴とする反射型マスク。
【請求項２】
前記反射型マスクの製造方法において、遮光枠の形成による遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を事前に実験もしくは力学シミュレーションで算出し、その結果を元に、遮光枠形成後にパターン位置が設計値通りになるようにパターンの位置を補正して形成する事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項３】
前記反射型マスクの製造方法において、測長用パターンは遮光枠の近傍に請求項２記載の補正がされたパターンと補正なしのパターンから成り、これらのパターンの差分を計算することで位置変化量の情報を得ることができるように測長用パターンを形成する事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、パターン位置の補正手段は、オリジナルの設計データに対して補正処理を行い、補正された設計データを作る事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、パターン位置の補正手段は、オリジナルの設計データを描画する際に、描画打ち込み位置を補正する事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項６】
請求項４乃至５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法において、前記、位置の補正を行う領域（位置補正領域）は、遮光枠の端から大きくとも５０００μm以下である事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項７】
請求項４乃至５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法において、前記位置補正領域を複数のセグメントに分割し、セグメント毎に必要な補正量にて補正する事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項８】
請求項４乃至５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法において、前記セグメント毎に適用する補正量は、実験もしくは力学シミュレーションで算出した位置変化量に多項近似式でフィッティングを行い、その多項近似式を用いて算出された補正量である事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
請求項４乃至５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法において、前記位置補正領域を複数のセグメントに分割する際は、等間隔に位置補正領域を分割することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１０】
請求項４乃至５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法において、前記各セグメントの遮光枠から垂直方向の1辺の長さは、1umから100ｕｍの範囲であることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１１】
請求項４乃至５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法において、位置補正方法は、補正領域の１点あるいは１辺を固定し、補正領域に対し倍率補正を行う事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１２】
請求項４乃至５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法において、位置補正方法は、セグメントに分割して補正を行う方法と倍率補正とを組み合わせた補正方法である事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１３】
請求項５に記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターン位置の変化量を補正するよう作成された補正マップを用いて描画される事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１４】
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を求める実験に用いる反射型マスクブランクの多層反射層の持つ応力は、本番に使用する反射型マスクブランクの多層反射層の持つ応力と同程度であることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１５】
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を求める実験は、遮光枠を形成する前に位置精度測定マークを形成及び測定し、その後に遮光枠を形成し、再度位置精度測定マークを測定することで、位置の変化量を求めることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１６】
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を求める力学シミュレーションは、反射型マスクブランクを構成する各材料のヤング率、ポアソン比、膜厚と多層反射層の内部応力を用いて、遮光枠形成後のマスク表面の位置変化量を見積もる事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１７】
請求項２から１６のいずれかの製造方法を用いて作製した反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等をリソグラフィ技術により製造する際に使用するフォトマスクおよびその製造方法に関する。より詳しくは、極端紫外領域の波長の光を光源としてパターン転写を行う際に適用可能な反射型フォトマスクおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路は性能及び生産性を向上させるために微細化、高集積化が進んでおり、回路パターンを形成するためのリソグラフィ技術についても、より微細なパターンを高精度に形成するための技術開発が進められている。これに伴い、パターン形成に使用される露光装置の光源についても短波長化が進められ、波長１３．５ナノメートル（ｎｍ）の極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ光。以下、「ＥＵＶ光」と称する。）を用いたパターン転写のプロセスが開発されている。
【０００３】
ＥＵＶ光を用いるリソグラフィでは従来の１９３ｎｍ等の深紫外光とは異なり、あらゆる物質の屈折率が１に近い値であり、吸収係数も大きいことから、屈折を用いた透過光学系を用いた露光ができない。そこで、屈折率差の大きい材料を交互に積層した多層膜ミラーを用いた反射光学系の露光装置が用いられている。具体的にはモリブデンとシリコンの多層膜が主に用いられる。
【０００４】
マスクについても同様に基板上にモリブデンとシリコンの多層膜を形成した上にＥＵＶ光を高効率で吸収する材料で露光パターンを形成する。たとえば吸収パターンの材料としてはタンタルを主成分とするものが典型的に用いられ、多層膜の最上層にはルテニウムなどを成分とする保護膜が形成されているものも使用されている。
【０００５】
反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウエハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。
この場合、この領域については複数回（最大で４回）に亘り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光枠と呼ぶ）を設ける必要性が出てきた。
【０００６】
このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２１２２２０号公報
【０００８】
しかしながら、この遮光枠を形成する為に多層反射層をエッチングにより除去すると、遮光枠の端部で多層膜の応力が開放されることによって位置ずれが生じる。また、このような変形においては、遮光枠の端部に近くになるにしたがって、その位置ずれ量は大きくなる事が想定できる。このことから、遮光枠内にあって遮光枠端部に近いパターンは基板中心から外側に向かって設計値よりもずれてしまうことになる。
【０００９】
このようなずれは、複数の層からなる半導体デバイスを順次リソグラフィ工程にて製造する場合に、各層の重ね合わせ誤差による動作不良の原因となってしまう。また、直接デバイスパターンでなくても、たとえばチップアライメントマークを配置してしまうと、露光装置でアライメント調整しても、設計よりやや縮小されて転写されてしまうことになり、ウエハ上に転写される像の位置精度が低下してしまう要因となってしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、反射型マスクに遮光枠部を形成しても遮光枠部近傍のパターン位置がずれない反射型マスクを提供する事を主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による反射型マスクは、
基板と前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、前記吸収層に形成された回路パターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を有する反射型マスクであって、遮光枠の近傍に測長用パターンを具備し、そのマークを計測する事で遮光枠形成による位置変化量の情報を得ることができる事を特徴とする。
マスクパターンの形成（マスクブランクの吸収層のパターニング）にあたっては、遮光枠の形成による遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を事前に実験もしくは力学シミュレーションで算出し、その結果を元に、遮光枠形成後にパターン位置が設計値通りになるようにパターンが補正される。
【００１２】
本発明の請求項２による反射型マスクの製造方法は、
前記反射型マスクの製造方法において、遮光枠の形成による遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を事前に実験もしくは力学シミュレーションで算出し、その結果を元に、遮光枠形成後にパターン位置が設計値通りになるようにパターンの位置を補正して形成する事を特徴とする。
【００１３】
請求項３による反射型マスクの製造方法は、
前記反射型マスクの製造方法において、測長用パターンは遮光枠の近傍に請求項２記載の補正がされたパターンと補正なしのパターンから成り、これらのパターンの差分を計算することで位置変化量の情報を得ることができるように測長用パターンを形成する事を特徴とする。
【００１４】
請求項４による反射型マスクの製造方法は、
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、パターン位置の補正手段は、オリジナルの設計データに対して補正処理を行い、補正された設計データを作る事を特徴とする。
【００１５】
請求項５による反射型マスクの製造方法は、
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、パターン位置の補正手段は、オリジナルの設計データを描画する際に、描画打ち込み位置を補正する事を特徴とする。
【００１６】
請求項６による反射型マスクの製造方法は、
請求項４乃至５に記載の反射型マスクの製造方法において、前記、位置の補正を行う領域（位置補正領域）は、遮光枠の端から大きくとも５０００μm以下である事を特徴とする。
【００１７】
請求項７による反射型マスクの製造方法は、
請求項４乃至５に記載の反射型マスクの製造方法において、前記位置補正領域を複数のセグメントに分割し、セグメント毎に必要な補正量にて補正する事を特徴とする。
【００１８】
請求項８による反射型マスクの製造方法は、
請求項４乃至５に記載の反射型マスクの製造方法において、前記セグメント毎に適用する補正量は、実験もしくは力学シミュレーションで算出した位置変化量に多項近似式でフィッティングを行い、その多項近似式を用いて算出された補正量である事を特徴とする。
【００１９】
請求項９による反射型マスクの製造方法は、
請求項４乃至５に記載の反射型マスクの製造方法において、前記位置補正領域を複数のセグメントに分割する際は、等間隔に位置補正領域を分割することを特徴とする。
【００２０】
請求項１０による反射型マスクの製造方法は、
請求項４乃至５に記載の反射型マスクの製造方法において、前記各セグメントの遮光枠から垂直方向の1辺の長さは、1umから100ｕｍの範囲であることを特徴とする。
【００２１】
請求項１１による反射型マスクの製造方法は、
請求項４乃至５に記載の反射型マスクの製造方法において、位置補正方法は、補正領域の１点あるいは１辺を固定し、補正領域に対し倍率補正を行う事を特徴とする。
【００２２】
請求項１２による反射型マスクの製造方法は、
請求項４乃至５に記載の反射型マスクの製造方法において、位置補正方法は、セグメントに分割して補正を行う方法と倍率補正とを組み合わせた補正方法である事を特徴とする。
【００２３】
請求項１３による反射型マスクの製造方法は、
請求項５に記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターン位置の変化量を補正するよう作成された補正マップを用いて描画される事を特徴とする。
【００２４】
請求項１４による反射型マスクの製造方法は、
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を求める実験に用いる反射型マスクブランクの多層反射層の持つ応力は、本番に使用する反射型マスクブランクの多層反射層の持つ応力と同程度であることを特徴とする。
【００２５】
請求項１５による反射型マスクの製造方法は、
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を求める実験は、遮光枠を形成する前に位置精度測定マークを形成及び測定し、その後に遮光枠を形成し、再度位置精度測定マークを測定することで、位置の変化量を求めることを特徴とする。
【００２６】
請求項１６による反射型マスクの製造方法は、
請求項２記載の反射型マスクの製造方法において、遮光枠近傍のパターンの位置の変化量を求める力学シミュレーションは、反射型マスクブランクを構成する各材料のヤング率、ポアソン比、膜厚と多層反射層の内部応力を用いて、遮光枠形成後のマスク表面の位置変化量を見積もる事を特徴とする。
【００２７】
請求項１７による反射型マスクは、
請求項２から１６のいずれかの製造方法を用いて作製した反射型マスクである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明を実施することにより、（多層反射層の除去による）掘込み式の遮光枠部を形成する反射型マスクにおいて、遮光枠近傍のパターンの位置ずれを制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】一般的なＥＵＶマスクブランクの概略断面図。
【図２】マスク基板上の位置を表す座標軸とマスク上に形成した遮光枠を示す説明図。
【図３】多層膜の応力によるＸ軸方向のずれ量を計算した結果を示すグラフ。
【図４】遮光枠の有無によるＸ軸方向のずれ量の差を計算した結果を示すグラフ。
【図５】反射型マスクの概略平面図。
【図６】反射型マスクの遮光枠近傍の拡大平面図と補正領域を示す説明図。
【図７】遮光枠近傍の補正領域内におけるパターン部のデータを複数のセグメントに分割した図。
【図８】遮光枠近傍の補正領域内におけるパターン部のデータとデータを倍率補正した図。
【図９】補正領域に対して行う倍率補正の倍率算出方法の例を示すグラフ。
【図１０】本発明で使用するＥＵＶマスクブランクの概略断面図。
【図１１】本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（パターン形成まで）を示す概略断面図。
【図１２】本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（遮光枠形成）を示す概略断面図。
【図１３】本発明の実施例（ａ）と従来のマスク（ｂ）の遮光枠形成による位置ずれ結果を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に、本発明を実施する形態について図面を用いてさらに詳しく具体的に説明する。
【００３１】
図１は一般的なＥＵＶマスクブランクの断面を図示したものである。ＥＵＶマスクブランク１００は基板０１の上にＥＵＶ光を反射する多層膜０２、多層膜の保護膜０３、パターンを形成する吸収膜０４があり、また、上記各層を形成する裏側の基板面には静電チャックを使用するための導電膜０５が形成されている。
【００３２】
基板０１としてはたとえば酸化チタンを含む酸化ケイ素からなる超低熱膨張ガラス（LowThermal Expansion Material、以下ＬＴＥＭと略記する場合もある）が用いられる。ＥＵＶ光を反射する多層膜としては、光の波長が１３．５ｎｍの場合、珪素とモリブデンをおおよそ４ｎｍ、３ｎｍとして交互に４０ないし５０対積層したものが用いられる。多層膜の表面には、多層膜表面を保護するための膜が形成されていることが多く、キャッピング層などと称している。吸収膜はＥＵＶ光を吸収する性質の物質であり、たとえばタンタルを主成分とする膜が用いられ、パターン欠陥検査の感度を高める等の目的で多層構造となっている場合もある。
【００３３】
本発明の遮光枠の形態は、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクである。
【００３４】
一般に多層反射層は圧縮方向の内部応力を持っている。反射多層層を枠状にエッチング除去すると、多層膜が途切れる端面のところで圧縮応力が開放される。ＬＴＥＭとして用いられているガラスと反射多層膜の弾性係数を比較すると、反射多層膜の方が数倍大きい。このため、遮光枠内側においては外側に向かって、遮光枠外側では内側に向かって多層膜が伸びる方向に変形し、これに伴う変形にガラスが反発する力がつりあうところで止まることになる。
【００３５】
このような変形はＬＴＥＭや反射多層膜についてのポアソン比やヤング率などの物性値を用いて、構造解析用のシミュレーションソフトウェアで計算する。
【００３６】
また多層膜の応力については、多層膜を形成する前後の表面の平坦度を計測し、応力によって生じたたわみ量から計測することができる。たとえば、曲率半径と応力の関係を表わすストーニーの式と呼ばれる式を適用しても良いし、より精密には構造解析用のソフトウェアで計算した結果とのフィッティングにより求めてもよい。
【００３７】
図２は６インチ角の反射型マスクの中心を原点として、マスク上の位置を表す座標軸とマスク上に形成した遮光枠を示している。上記の構造解析用のシミュレーションを用いて、Ｘ軸上の膜表面の各点についてＸ方向の位置ずれを計算した結果を図３に示す。ここで遮光枠は基板の中心からＸ軸方向に５２ｍｍから５４ｍｍの２ｍｍ幅である。
【００３８】
基板中心から端部に向かって直線的に変位量が大きくなっているのは、反射多層膜基板の圧縮応力によって基板全体が凸状にたわんでいるためである。遮光枠が無い状態で同様にＸ方向のずれ量を計算した結果を図３の結果から差引いたものが図４であり、遮光枠の有無によるＸ軸方向の変位量の差を表わしている。
【００３９】
このように構造解析のシミュレーションから位置ずれの計算は可能である。他の方法として、実際にマスクを作成し、遮光枠形成前後のパターン位置を測定することにより、その遮光枠の有無による位置ずれの差を求める事ができる。
【００４０】
本発明は、このようにして構造解析用のシミュレーションソフトウェアや実験から求められたパターン位置の変化量を用いて、遮光枠形成によるパターン位置ずれを補正する。
【００４１】
図５は反射型マスクの概略平面図であり、反射型マスク２００は遮光枠２１とパターン部２２を含む。図６は遮光枠近傍を拡大図で、パターンの位置ずれを補正する領域２３である。この補正領域は遮光枠の端から垂直方向に大きくとも５０００μｍとする。
【００４２】
本発明の設計データに対して補正処理を行い、補正された設計データを作る方法として、まず図７に示すように遮光枠近傍の補正領域内におけるパターン部のデータを複数のセグメント２４に分割する必要がある。
【００４３】
補正領域内のデータを複数のセグメントに分割する際は等間隔に補正領域内のデータを分割し、そのセグメントの遮光枠から垂直方向の１辺の長さは１μｍから１００μｍの範囲で設定する。
【００４４】
位置ずれの補正は、構造解析シミュレーションや実験から求められたパターン位置の位置ずれ量をもとに、分割されたセグメントを遮光枠形成時にパターン位置が設計値通りになるように、セグメントの配置位置を設定する事によってできる。
【００４５】
セグメントの配置に適用する補正量は、実験もしくは力学シミュレーションで算出した位置変化量と遮光枠の距離の関係に多項近似式でフィッティングを行い、その多項近似式を用いて算出された補正量を用いる。
【００４６】
別の補正方法としては、パターンデータの１点あるいは1辺を固定し、補正領域に倍率補正を行うことでパターン位置の位置ずれを補正する。
【００４７】
図８（ａ）は遮光枠２１と近傍にある補正領域２３を表している。この補正領域２３に対して倍率補正を行う方法は、図８（ｂ）に示すように補正領域の固定する点２６を固定し、倍率補正を行う方法、もしくは図８（ｃ）や図８（ｄ）に示すように補正領域の固定する辺２７を固定し、倍率補正を行う方法がある。
【００４８】
倍率補正を行う際に適用する倍率は、図９に示すように補正領域の遮光枠形成によるパターン位置の位置ずれ量に対して、一次近似式（ｙ＝ａｘ＋ｂ）にてフィッティングを行い、その一次近似式のｘの係数であるａを用いて、補正倍率＝１／（１＋ａ）  から計算する事ができ、この値を補正倍率とする。
【００４９】
ここでは一次近似式にてフィッティングしているが、本発明は近似式を制限するものではなく、二次以上の多項式やその他の関数を用いてもよいし、補正領域を分割して複数の一次近似式を求めてもよい。
【００５０】
このようなデータの複数のセグメントに分割する処理、パターン位置の配置およびデータの倍率補正は、マスクデータ・プレパレーション（ＭＤＰ）ソフトウェアによって行う。
【００５１】
その他のパターン位置の補正方法は、オリジナルの設計データを描画する際に、描画打ち込み位置を補正する方法がある。
【００５２】
描画打ち込み位置の補正方法は、構造解析シミュレーションや実験から求められたパターン位置の位置ずれ量をもとに、遮光枠形成時にパターン位置が設計値通りになるように、描画の打ち込み位置を補正する方法がある。
【００５３】
位置変化量の情報を得る為に形成する遮光枠の近傍に配置する測定用パターンは、補正がされたパターンと補正なしのパターンから成る。補正されていないパターンを作成する方法としては、補正されていないパターンを補正処理したパターンの描画前もしくは後に描画する方法がある。
【００５４】
以上のようにして、遮光枠形成による位置ずれが補正された反射型マスクを得る事ができる。
【実施例】
【００５５】
（実施例１）
以下に本発明の実施例を示す。図１０は本実施例で用意した反射型マスクブランク３００である。このブランクは基板０１の上に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏとＳｉの４０ペアの多層反射層０２が、その上に２．５ｎｍ厚のＲｕの保護層０３が、更にその上に７０ｎｍ厚のＴａＳｉからなる吸収層０４が、順次形成されている。 
【００５６】
まずは遮光枠形成によるパターンの位置ずれを算出する為の条件出しマスクを作製した。
【００５７】
本ブランクに対し、ポジ型化学増幅レジスト０９（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）を３００ｎｍの膜厚で塗布し（図１１（ｂ））、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）によってまずパターン領域と補正領域を描画し、その後補正処理をしていない測定用パターンを補正領域内に描画後、１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック）により、レジスト部分にレジストパターンを形成した（図１１（ｃ））。
【００５８】
次いで、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ4プラズマとＣｌ2プラズマにより、吸収層０４をエッチングし（図１１（ｄ））、レジスト剥離洗浄することで、図１１（ｃ）に示す評価パターンを有する反射型マスク３０１を作製した。評価パターンは幅２μｍの十字パターンを遮光枠の端から１μｍの間隔でマスク全面に配置した。
【００５９】
次いで、評価パターンをパターン位置精度測定機（LMS−ＩＰＲＯ：ケーエルエー・テンコール）で測定した。
【００６０】
次いで、上述の評価パターンを有する反射型マスク３０１のパターン領域に対して、遮光枠を形成する工程を行った。反射型マスクにｉ線レジスト３９を５００ｎｍの膜厚で塗布し（図１２（ｂ））、そこへｉ線描画機（ＡＬＴＡ：アプライドマテリアルズ）により描画、現像を行うことにより、後に遮光枠となる領域を抜いたレジストパターンを形成した（図１２（ｃ））。このときレジストパターンの開口幅は５ｍｍとし、マスク中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍのメインパターン領域から３μｍ（マイクロメートル）の距離に配置した。
【００６１】
次いで、ドライエッチング装置を用いてＣＨＦ3プラズマ（ドライエッチング装置内の圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワー５００Ｗ、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワー２０００Ｗ、ＣＨＦ3：流量２０ｓｃｃｍ、処理時間６分、これらは、以下の表記で同じ。）により、上記レジストの開口部の吸収層０４と多層反射層０２とを垂直性ドライエッチングで貫通・除去し（図１２（ｄ）、（ｅ））、図１２（ｅ）に示すような形状を得た。
【００６２】
次いで、硫酸系の剥離液とアンモニア過酸化水素水により、レジスト剥離・洗浄を実施し、ドライエッチングで残ったレジストを除去し（図１２（ｆ））、反射型マスク３０２を作製した。
【００６３】
最後に、評価パターンをパターン位置精度測定機（LMS−ＩＰＲＯ：ケーエルエー・テンコール）で測定し、遮光枠形成前後の測定結果から遮光枠形成によるパターン位置の位置ずれを算出した。
【００６４】
次いで、マスクデータ・プレパレーション・ソフトウェアを用いて、遮光枠近傍の補正領域内におけるパターン部のデータを複数のセグメントに分割し、そのデータを上記の実験により算出された遮光枠形成によるパターン位置の位置ずれ結果をもとに、遮光枠形成時にパターン位置が設計値通りになるように、セグメントの配置位置を設定したデータを作成した。
【００６５】
次いで、補正処理を行ったデータを用いて、再度補正処理後のマスクを図１１、図１２で説明した工程を適用して作製を行い、評価パターンの形成、遮光枠の形成、遮光枠形成後の評価パターンの測定を行った。
【００６６】
最後に条件出しマスクの遮光枠形成による評価パターンの位置ずれ量の測定結果を図１３（ｂ）に示す。補正処理後のマスクの遮光枠形成後の評価パターンの位置ずれ量の測定結果を図１３（ａ）に示す。従来のマスクでは遮光枠端部（Ｘ＝０付近）では６．０ｎｍ程度の位置ずれが生じていたが、本発明を適用すると改善されて、遮光枠形成によるパターンの位置ずれがないことが確認された。また、遮光枠の近傍に配置した測長用パターンを計測する事で遮光枠形成による位置変化量を確認し、補正量が適切であることも確認された。
【００６７】
（実施例２）
前記実施例１と同様に評価パターンを描画したマスクについて、パターン位置精度測定機で遮光枠形成前後の測定結果から遮光枠形成によるパターン位置のずれ量を算出した。
【００６８】
遮光枠近傍の位置ずれ量について構造解析シミュレーション計算を行った。この計算に必要なパラメータとして、基板およびその表裏に形成した各層のヤング率およびポアソン比は公知の文献より推定した値を初期値とした。
【００６９】
上記シミュレーション計算を多層膜の内部応力を変えて繰り返し計算し、必要に応じて材料の物性値を調整し、位置ずれ量の計測値とシミュレーション計算値の差の二乗和が最小になるような多層膜応力を算出し、４２０ＭＰａの圧縮応力であることを導出した。
【００７０】
ついで上記分割セグメント内の平均ずれ量を算出し、マスクデータ・プレパレーション・ソフトウェアに位置補正パラメータとして入力し、セグメント内のパターン位置を補正した描画データを作成した。
【００７１】
ついで、上記補正した描画データを用いてマスクの作製を行なった。
【００７２】
一方、上記シミュレーション計算を用いることによってパターン位置精度測定機で基板を三点支持する場合の自重によるたわみに起因する見かけの位置ずれ量も計算することができる。この計算結果を用いて、上記補正した描画データを用いて作成したマスクのパターン位置精度を計測したところ、遮光枠を形成したことによる位置ずれが補正されて設計値との位置ずれ量が小さいマスクが作製できていることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明を実施することにより、本発明を実施することにより、遮光枠部を形成する反射型マスクおいて、遮光枠近傍のパターンの位置ずれを制御することが可能となる。
【符号の説明】
【００７４】
０１・・・基板
０２・・・多層反射層
０３・・・保護層
０４・・・吸収層
０５・・・裏面導電膜
０９・・・レジスト
２１・・・遮光枠
２２・・・パターン領域
２３・・・補正領域
２４・・・分割されたパターンデータのセグメント
２５・・・倍率補正された補正領域
２６・・・データに倍率補正する際に固定する点
２７・・・データに倍率補正する際に固定する辺
２９・・・レジスト
１００・・・ＥＵＶマスクブランク
２００・・・反射型マスク
３００・・・本発明で使用するＥＵＶマスクブランク
３０１・・・本発明でパターン形成まで行った反射型マスク
３０２・・・本発明で遮光枠形成まで行った反射型マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月9日(2015.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
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