(57)【要約】【課題】光学的手段を用いて研磨終点の検出を正確に行うことができ、また、透過窓の位置合わせをすることなく研磨装置の定盤に容易に貼り合わされる研磨パッドを提供する。【解決手段】ウエハを研磨するための研磨パッドであって、ウエハに接触する研磨面を有する研磨層と研磨装置の定盤に貼り合わせるための第１の粘着材層とを少なくとも備え、研磨面のウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％である研磨パッド。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを研磨するための研磨パッドであって、
前記ウエハに接触する研磨面を有する研磨層と研磨装置の定盤に貼り合わせるための第１の粘着材層とを少なくとも備え、
前記研磨面の前記ウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％であることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
前記光透過率が、１２〜２０％である請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記研磨層は、無発泡樹脂成形体の均質な層からなる請求項１または２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記無発泡樹脂成形体は熱可塑性ポリウレタン成形体である請求項３に記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記研磨層は、埋め込まれたプラグを含まない請求項１〜４の何れか１項に記載の研磨パッド。
【請求項６】
前記研磨面のウエハと接触する全領域に、複数の凹部が３０ｍｍ以下のピッチで存在する請求項１〜５の何れか１項に記載の研磨パッド。
【請求項７】
前記研磨面に対する反対側に、クッション層を備える請求項１〜６の何れか１項に記載の研磨パッド。
【請求項８】
前記クッション層は第２の粘着材層を介して前記研磨層に接着されている請求項７に記載の研磨パッド。
【請求項９】
前記クッション層は開孔部または埋め込まれたプラグを含まない請求項７または８に記載の研磨パッド。
【請求項１０】
前記クッション層は無発泡樹脂を主体とする請求項７〜９の何れか１項に記載の研磨パッド。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の研磨パッドを前記第１の粘着材層により研磨装置の定盤上に固定する工程と、
前記研磨パッドの研磨面に対面するように前記ウエハを研磨装置のホルダに保持させる工程と、
前記研磨パッドと前記ウエハとの間に研磨スラリーを供給しながら、前記研磨面と前記ウエハとを相対的に摺動させることにより前記ウエハを研磨する工程と、を備えることを特徴とする研磨方法。
【請求項１２】
前記研磨装置は、研磨中の前記ウエハの定位置からのウエハ飛び出しを光学的に検出するウエハの飛び出し検出手段を備える研磨装置である請求項１１に記載の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体や集積回路におけるウエハに形成された絶縁膜や導電体膜等の表面を平坦化する際に、in-situで研磨終点を光学的に検出することが可能な研磨パッド及び研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリに代表される大規模集積回路（ＬＳＩ）においては、回路の高集積化や微細化が年々進行している。それに伴い、ＬＳＩの回路の高集積化や微細化を実現する製造工程における要求もますます複雑化している。また、半導体デバイスの多層化により、製造時におけるウエハ表面の凹凸が回路の断線や抵抗値のバラツキを発生させるという問題も生じている。そのため、ウエハ表面には高い精度の平坦化が求められている。
【０００３】
また、ＬＳＩを製造する際に、フォトマスクのパターンをウエハ表面に転写する技術としてフォトリソグラフィ（投光露光）が広く用いられている。短い露光波長を用いる微細な半導体集積回路のフォトリソグラフィにおいては、露光の焦点深度が非常に浅くなる。ウエハ表面に凹凸が存在する場合、フォトマスクのパターンの解像度が低下するためにウエハ表面には高い精度の平坦化が求められている。
【０００４】
ウエハ表面は、通常、化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）を利用したＣＭＰ研磨装置によって研磨される。図５を参照すれば、ＣＭＰ研磨装置２０は、例えば、回転する定盤（研磨テーブル）５の上面に固定された研磨パッド２１の面上に、トップリング（ホルダ）６に吸着されたウエハ１０を当接させ、スラリーノズル７からスラリーSを供給しながら、定盤５及びトップリング６の回転によりウエハ１０の被研磨面を研磨するように構成されている。また、定盤５の内部には研磨の終点を光学的手段によって検出するための光照射部８とその反射光を検知する図略の光センサが設けられている。
【０００５】
また、ＣＭＰ研磨装置２０には、トップリング６に吸着されたウエハ１０が、ウエハ１０’のように研磨中にトップリング６から飛び出ることを検出するためのウエハ飛び出し検出手段が設けられている。このようなウエハ飛び出し検出手段は、例えば、ウエハ１０が、ウエハ１０’のように研磨中にトップリング６から飛び出た場合には、図略のカメラで所定の領域を撮影して画像処理し、飛び出したウエハ１０’がその領域に検出された場合にはウエハが飛び出したと判断し、研磨工程を停止させる。
【０００６】
光照射部から光を出射させ、その反射光により終点を検出するためには、研磨パッドの少なくとも一部分に光透過部を設け、ウエハの表面で光を反射させる必要がある。例えば、下記特許文献１は、ウエハ表面を研磨しながら研磨の終点を決定するための技術としてレーザー干渉計を利用した方法を開示する。また、下記特許文献２や下記特許文献３は、光に対して透明な透過窓を一部分に形成した研磨パッドを用いてウエハ表面からの反射光により終点を検出する方法を開示する。特許文献２や特許文献３に開示された研磨パッドは、透過窓を形成するためのプラグを研磨パッドに埋め込んでいるためにその製造が煩雑であったり、プラグとその周辺との間に隙間が生じた場合に研磨スラリーが漏れる原因になったり、プラグを構成する材料とそれ以外の部分を構成する材料とが異なるために研磨中にこれらが異なる速度で摩耗することにより透過窓周辺にクラックや裂け目が発生したりするという問題があった。
【０００７】
下記特許文献４や下記特許文献５は、研磨表面部分と透過窓が同一の樹脂からなる研磨パッドを開示する。具体的には、特許文献４や特許文献５は、ポリマー材料が透明である領域（透過窓）と、ポリマー材料が不透明である隣接した領域とを有する成形体を含む研磨パッドを開示する。特許文献４は、研磨表面部分と透過窓が同一の樹脂からなり、一部分について急速な冷却処理をすることによりその一部分を非晶質として透明性を付与する方法や、透過窓を形成する部分の反応温度を他の部分と異なる温度とすることによりその部分に透明性を付与する方法を開示する。また、特許文献５はシート状に押し出された樹脂の少なくとも一部を圧縮することによりその部分のみに透明性を付与する方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５４１３９４１号明細書
【特許文献２】特表平１１−５１２９７７号公報
【特許文献３】米国特許第５８９３７９６号明細書
【特許文献４】特表２００３−５０７１９９号公報
【特許文献５】特許第５３１８７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＣＭＰ研磨装置の定盤に透過窓を有する研磨パッドを配置する場合、定盤の内部に配設された終点検出用の光照射部と研磨パッドの透過窓の場所を一致させるように定盤に研磨パッドを貼り付ける必要があり、貼り付け位置が不正確な場合には終点検出が正確にされないという問題があった。また、透過窓を有する研磨層とクッション層とを含む研磨パッドにおいては、研磨層の透過窓に対応する部分にクッション層に開口を形成する必要があるために、製造が煩雑になったり、クッション層の開口位置が透過窓に一致しない場合には終点検出が正確に行われなくなったり、透過窓を中心として研磨パッドが過度に変形して研磨均一性などが悪化したりするおそれがあった。
【００１０】
本発明は、上述したような課題を解決すべく、光学的手段を用いて研磨終点の検出を正確に行うことができ、また、透過窓の位置合わせをすることなく研磨装置の定盤に容易に貼り合わされる研磨パッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一局面は、ウエハを研磨するための研磨パッドであって、ウエハに接触する研磨面を有する研磨層と研磨装置の定盤に貼り合わせるための第１の粘着材層とを少なくとも備え、研磨面のウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％である研磨パッドである。このような研磨パッドによれば、ＣＭＰ研磨装置に具備される、透過光を用いた終点検出手段のような光学的手段を採用することができ、その際に、研磨パッドは透過窓の位置合わせをすることなく研磨装置の定盤に容易に貼り合わせられる。また、ウエハの飛び出し検出手段の誤作動も抑制される。光透過率は、１２〜２０％であることがさらに好ましい。
【００１２】
研磨層は、無発泡樹脂成形体の均質な層からなることが、透光窓の位置合わせをすることなく研磨装置の定盤に容易に貼り合わせられる点から好ましい。無発泡樹脂成形体としては、熱可塑性ポリウレタン成形体が光透過性及び研磨特性に優れる点から好ましい。
【００１３】
また、研磨層は、透光窓となるような埋め込まれたプラグを含まないことが、プラグの周辺でスラリー漏れを起こしたり、長時間使用した際に研磨特性が不安定になったりすることが起こらない点から好ましい。
【００１４】
また、研磨面のウエハと接触する全領域には、複数の溝または穴のような凹部が３０ｍｍ以下のピッチで存在することが、光透過性を維持しながら、研磨面に研磨スラリーを均一かつ充分に供給できるとともに、スクラッチ発生の原因となる研磨屑の排出や、研磨パッドの吸着によるウエハ破損を防止することに役立つ点から好ましい。
【００１５】
また、研磨面に対する反対側に、クッション層を備えることが、被研磨面の局所的な凹凸を硬質の研磨層が平坦化しつつ、被研磨基材全体の反りやうねりに対してはクッション層が追従するためにグローバル平坦性とローカル平坦性とのバランスに優れた研磨を実現できる点から好ましい。クッション層は第２の粘着材層を介して研磨層に接着されていることが好ましい。
【００１６】
また、クッション層は開孔部または埋め込まれたプラグを含まないことが、透過窓の位置合わせをすることなく研磨装置の定盤に容易に貼り合わせられる点から好ましい。
【００１７】
また、クッション層は無発泡樹脂を主体とすることが光透過性に優れる点から好ましい。
【００１８】
また、本発明の他の一局面は、上述した何れかの研磨パッドを第１の粘着材層により研磨装置の定盤上に固定する工程と、研磨パッドの研磨面に対面するようにウエハを研磨装置のホルダに保持させる工程と、研磨パッドとウエハとの間に研磨スラリーを供給しながら、研磨面とウエハとを相対的に摺動させることによりウエハを研磨する工程と、を備える。このような研磨方法においては、研磨中のウエハの定位置からのウエハ飛び出しを光学的に検出するウエハの飛び出し検出手段を備える研磨装置を用いても、ウエハの飛び出し検出手段の誤作動を防止することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の研磨パッドによれば、研磨中におけるウエハの検査や研磨終点の測定を光学的手段により行うことができ、また、研磨パッドの研磨装置への取り付けが容易になる。さらに、ウエハの飛び出し検出手段の誤作動を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、実施形態の研磨パッドの一例の積層構造を説明するための模式断面図を示す。
【図２】図２は、実施形態の研磨パッドの他の一例の積層構造を説明するための模式断面図を示す。
【図３】図３は、実施形態の研磨パッドの他の一例の積層構造を説明するための模式断面図を示す。
【図４】図４は、実施形態の研磨方法に用いる研磨装置の構成を説明する説明図を示す。
【図５】図５は、従来の研磨パッドを用いた研磨装置の構成を説明する説明図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本実施形態の研磨パッド及びそれを用いた研磨方法について詳しく説明する。本実施形態の研磨パッドは、ウエハを研磨するための研磨パッドであって、ウエハに接触する研磨面を有する研磨層と研磨装置の定盤に貼り合わせるための第１の粘着材層とを少なくとも備え、研磨面のウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％である研磨パッドである。このような研磨パッドによれば、透過光による研磨終点の検出を容易且つ精度よく行うことができる。
【００２２】
図１〜図３を参照して、本実施形態の研磨パッドを、その積層構造を説明するための模式断面図を参照して説明する。本実施形態の研磨パッドは、少なくとも研磨層１と研磨装置の定盤５に貼り合わせるための第１の粘着材層２とを備え、必要に応じて、クッション層やクッション層を研磨層に接着するための第２の粘着材層４を備える積層構造を有する。具体的には、本実施形態の研磨パッドは、図１に示すような研磨層１と定盤５に貼り合わせるための第１の粘着材層２とを備える研磨パッド１１のような形態であっても、図２に示すような、研磨層１と、クッション層３と、研磨層１とクッション層３とを接着する第２の粘着材層４と、研磨パッドを定盤に接着する第１の粘着材層２とを備える研磨パッド１２のような形態であっても、図３に示すような、研磨層１とクッション層３とが融着等により直接接着されており、さらに、研磨パッドを定盤に接着する第１の粘着材層２を備える研磨パッド１３のような形態であってもよい。そして、各研磨パッドの研磨面には、通常、研磨面に研磨スラリーを均一かつ充分に供給するとともに、スクラッチ発生の原因となる研磨屑の排出や、研磨パッドの吸着によるウエハ破損を防止することに寄与する溝及び／または穴Ｇが形成されている。そして、これらのような少なくとも研磨層１と第１の粘着材層２とを備える各研磨パッドは、研磨面のウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％である。
【００２３】
研磨層に用いられる材料としては、研磨パッドの研磨面のウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％の研磨パッドを得ることができるような材料である限り特に限定されない。その具体例としては、例えば、ポリウレタン，ポリエチレン，ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレア等の高分子材料のうち、光透過性に優れた材料が挙げられる。これらは単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、熱可塑性ポリウレタンや熱硬化性ポリウレタン等のポリウレタンが光透過性に優れ、耐摩耗性に優れる点から好ましく、とくに熱可塑性ポリウレタンは高い研磨速度と低スクラッチ性の両立を実現しやすい点から好ましい。本実施形態では、上述したような光透過性の研磨パッドを実現できる研磨層の材料として熱可塑性ポリウレタンについて代表例として詳しく説明する。
【００２４】
波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％である研磨パッドを得るための、光透過性に優れた研磨層の製造に用いられる熱可塑性ポリウレタンとしては、アミノ基を含有しない鎖伸長剤と高分子ジオールと有機ジイソシアネートとを少なくとも含む原料を重合させた反応物が好ましい。このような熱可塑性ポリウレタンは、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する光透過性に優れている。
【００２５】
アミノ基を含有しない鎖伸長剤としては、アミノ基を有さず水酸基を２個有する分子量３００以下の低分子化合物が好ましく用いられる。その具体例としては、例えば、エチレングリコール，ジエチレングリコール，トリエチレングリコール，テトラエチレングリコール，1,2-プロパンジオール，1,3-プロパンジオール，ネオペンチルグリコール，1,2-ブタンジオール，1,3-ブタンジオール，2,3-ブタンジオール，1,4-ブタンジオール，1,5-ペンタンジオール，1,6-ヘキサンジオール，3-メチル-1,5-ペンタンジオール，1,4-ビス（β−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン，1,4-シクロヘキサンジオール，1,4-シクロヘキサンジメタノール，ビス（β−ヒドロキシエチル）テレフタレート，1,9-ノナンジオールなどが挙げられる。これらは単独で用いても２種以上を組合せて用いてもよい。これらの中では、1,4-ブタンジオール，ネオペンチルグリコール，1,5-ペンタンジオール，1,6-ヘキサンジオール，3-メチル−1,5-ペンタンジオールが、とくには、1,4-ブタンジオール，3-メチル−1,5-ペンタンジオールが好ましい。また、鎖伸長剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、アミノ基を含有する鎖伸長剤を併用してもよい。
【００２６】
また、高分子ジオールの具体例としては、例えば、ポリ（エチレングリコール），ポリ（プロピレングリコール），ポリ（テトラメチレングリコール），ポリ（メチルテトラメチレングリコール）等のポリエーテルジオール；ポリブチレンアジペート，ポリカプロラクトン，ポリ（３−メチル−１，５−ペンタメチレンアジペート）等のポリエステルジオール；ポリヘキサメチレンカーボネートジオール等のポリカーボネートジオール等が挙げられる。これらは単独で用いても２種以上を組合せて用いてもよい。これらの中では、ポリエーテルジオールやポリエステルジオール、とくにはポリエーテルジオールが好ましい。また、高分子ジオールの数平均分子量としては、５００〜１５００、さらには５５０〜１２００、とくには６００〜１０００であることが好ましい。高分子ジオールの数平均分子量が高すぎる場合は、研磨層の光透過性が低下する傾向がある。一方、高分子ジオールの数平均分子量が低すぎる場合は、研磨層の硬度が高くなりすぎて研磨中に研磨傷が発生しやすくなる傾向がある。
【００２７】
また、有機ジイソシアネートとしては、従来ポリウレタンの製造に用いられている有機ジイソシアネートであれば特に限定なく用いられる。その具体例としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート，イソホロンジイソシアネート，4,4’-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート等の脂肪族または脂環式ジイソシアネート；4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート，2,4’-トリレンジイソシアネート，2,6’-トリレンジイソシアネート，m-キシリレンジイソシアネート，等の芳香族ジイソシアネートが挙げられる。これらは単独で用いても２種以上を組合せて用いてもよい。これらの中では、得られる研磨パッドの耐摩耗性に優れる点から4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートがとくに好ましい。
【００２８】
熱可塑性ポリウレタンのイソシアネート基に由来する窒素原子の含有率としては、５．０〜７．０質量％、さらには５．２〜６．７質量％、とくには５．４〜６．４質量％であることが好ましい。窒素原子の含有率が低すぎる場合には研磨層が柔らかくなりすぎ、被研磨面の平坦性や研磨効率が低下する傾向がある。一方、窒素原子の含有率が７．０質量％を超える場合には、研磨層が硬くなりすぎて被研磨面にスクラッチが発生しやすくなる傾向があり、また、研磨層の光透過率が低下する傾向がある。
【００２９】
熱可塑性ポリウレタンは、上述したような鎖伸長剤と、高分子ジオールと、有機ジイソシアネートとを少なくとも含む原料を用い、公知のプレポリマー法またはワンショット法を用いたウレタン化反応により重合することにより得られる。好ましくは、実質的に溶剤の不存在下で、上述した各成分を所定の比率で配合して単軸又は多軸スクリュー型押出機を用いて溶融混合しながら連続溶融重合する方法によって得られる。
【００３０】
各成分の配合割合は目的とする特性に応じて適宜調整されるが、例えば、高分子ジオールと鎖伸長剤とに含まれる活性水素原子１モルに対して、有機ジイソシアネートに含まれるイソシアネート基が０．９５〜１．３モル、さらには０．９６〜１．１モル、とくには０．９７〜１．０５モルとなる割合で配合することが好ましい。有機ジイソシアネートに含まれるイソシアネート基の割合が低すぎる場合には熱可塑性ポリウレタンの機械的強度および耐摩耗性が低下する傾向があり、高すぎる場合には、熱可塑性ポリウレタンの生産性、保存安定性が低下する傾向がある。
【００３１】
また、熱可塑性ポリウレタンは、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、架橋剤，充填剤，架橋促進剤，架橋助剤，軟化剤，粘着付与剤，老化防止剤，発泡剤，加工助剤，密着性付与剤，無機充填剤，有機フィラー，結晶核剤，耐熱安定剤，耐候安定剤，帯電防止剤，着色剤，滑剤，難燃剤，難燃助剤（酸化アンチモンなど），ブルーミング防止剤，離型剤，増粘剤，酸化防止剤，導電剤等の添加剤を含有してもよい。熱可塑性ポリウレタンの添加剤の含有割合は特に限定されないが、５０質量％以下、さらには２０質量％以下、とくには５質量％以下であることが好ましい。
【００３２】
上述のように連続溶融重合することにより得られた熱可塑性ポリウレタンは、例えば、ペレット化された後、押出成形法，射出成形法，カレンダー成形法などの各種の成形法によりシート状の成形体に成形される。とくには、Ｔダイを用いた押出成形によれば厚さの均一なシート状の成形体が得られる点から好ましい。
【００３３】
熱可塑性ポリウレタンの成形体の密度としては、１．０ｇ／ｃｍ３以上、さらには１．１ｇ／ｃｍ３以上、とくには、１．２ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。熱可塑性ポリウレタンの成形体の密度が低すぎる場合には、研磨層が柔らかくなってローカル平坦性が低下する傾向がある。また、熱可塑性ポリウレタンとしては無発泡の熱可塑性ポリウレタンが、空隙により光透過が阻害されず、光透過性に優れた研磨層が得られる点からとくに好ましい。
【００３４】
研磨層は、上述したような熱可塑性ポリウレタンのシート状の成形体を切削，スライス，打ち抜き加工等により寸法、形状、厚さ等を調整することにより仕上げられる。研磨パッドの厚さは特に限定されないが、１．０〜２．５ｍｍ、さらには１．２〜２．２ｍｍ、とくには１．４〜２．０ｍｍであることが好ましい。
【００３５】
研磨層には、ウエハと接触する研磨面のウエハと接触する全領域に、研削加工やレーザー加工により、同心円状のような所定のパターンで図１〜図３のＧで示したような溝や穴のような凹部が形成されることが好ましい。このような凹部は、研磨面に研磨スラリーを均一かつ充分に供給するとともに、スクラッチ発生の原因となる研磨屑の排出や、研磨パッドの吸着によるウエハ破損の防止に役立つ。溝および穴の配置パターンとしては、例えば、同心円状、格子状、螺旋状、放射状など、または、これらの複数を組み合わせたパターンが挙げられる。また、例えば同心円状に凹部を形成する場合、凹部間のピッチとしては３０ｍｍ以下、さらには１〜２０ｍｍ、とくには２〜１０ｍｍ程度であることが好ましい。また、凹部の幅としては、０．１〜５ｍｍ、さらには０．２〜３ｍｍ、とくには０．３〜１ｍｍ程度であることが好ましい。また、凹部の深さとしては、０．３〜２ｍｍ、さらには０．４〜１．８ｍｍ、とくには０．５〜１．５ｍｍ程度であることが好ましい。また、溝の断面形状としては、例えば、長方形，台形，三角形，半円形等の形状が目的に応じて適宜選択される。
【００３６】
また、第１の粘着材層及び第２の粘着材層としては、従来研磨パッドを定盤に接着するためや研磨層とクッション層とを接着するために用いられている粘着材が用いられ、とくには基材の両面に粘着材を有する両面粘着テープが好ましく用いられる。両面粘着テープの基材としては、例えば、樹脂フィルム，不織布，紙などが挙げられる。また、粘着材としては、例えば、アクリル系，ゴム系，スチレン系，シリコーン系，ウレタン系の粘着材が挙げられる。第１の粘着材層及び第２の粘着材層の厚さは特に限定されないが、１０〜５００μｍ、さらには３０〜３００μｍ程度であることが好ましい。
【００３７】
図２や図３に示したように、研磨パッドがクッション層３を有する場合、クッション層３および第２の粘着材層も含めて、研磨パッドのウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の光に対する、厚み方向の光透過率が１０〜２５％である必要がある。このため、クッション層３が無発泡樹脂成形体からなることが、高い光透過性を有する点から好ましい。また、クッション層としては、研磨層の硬度よりも低い硬度を有する樹脂成形体であることが好ましい。このような無発泡樹脂成形体の具体例としては、例えば、ポリウレタンエラストマー，ポリスチレンエラストマー，ポリエステルエラストマー，ポリアミドエラストマー，ポリオレフィンエラストマー，軟質塩化ビニル，シリコーンゴム等からなる無発泡樹脂成形体のうち光透過性に優れているものが選ばれる。これらの中では、光透過性に優れ、研磨層の硬度より低い硬度に調整でき、さらに、柔軟性と耐久性にも優れる点から熱可塑性ポリウレタン等のポリウレタンエラストマーからなる無発泡樹脂成形体がとくに好ましい。
【００３８】
クッション層の厚さは特に限定されないが、研磨の平坦性と均一性を両立させる観点から、０．４〜３ｍｍ、さらには０．５〜２ｍｍ、とくには０．６〜１．５ｍｍであることが好ましい。また、クッション層は開孔を有さない、第２の無発泡樹脂成形体の均質な層からなることが、透光窓の位置合わせをすることなく研磨装置の定盤に容易に貼り合わせられ、また、研磨パッドの全面で均一な変形性を有し、研磨均一性が向上する点から好ましい。
【００３９】
以上説明したような本実施形態の研磨パッドにおける、研磨面のウエハと接触する全領域における、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する、厚み方向の光透過率は、研磨パッドの研磨面のウエハと接触する全領域から厚み方向に入射する４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する光透過率を意味する。このような光透過率は、分光光度計「ＵＶ−２４５０」を用いた波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光透過率を測定することにより求められる。
【００４０】
本実施形態の研磨パッドは、研磨面のウエハと接触する全領域において、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する、厚み方向の光透過率は１０〜２５％であり、１１〜２３％、さらには１２〜２０％、とくには１３〜１９％であることが好ましい。波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する厚み方向の光透過率が１０％未満になる波長が存在する場合には、透過光の強度が低くなって終点検出が困難となったり安定しなくなったりする。また、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲の光に対する厚み方向の光透過率が２５％を超える波長が存在する場合には、研磨装置における定盤の終点検出部以外の部分における研磨パッドの光透過性が高くなりすぎることにより定盤の表面が透けてくっきりと濃く判別されることにより、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサが誤作動して装置が停止することがある。
【００４１】
以上説明したような本実施形態の研磨パッドは、従来の終点検出用の研磨パッドのように、透過窓を形成しなくとも研磨面全体が光透過性を有するために、研磨装置の定盤に埋め込まれた終点検出用の光照射部に合わせて貼り付けるような必要がないために研磨装置への取り付けが容易である。また、光透過性が高すぎないために定盤の表面がくっきりと判別されず、そのために、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動も抑制される。
【００４２】
次に、図４を参照して、代表例として本実施形態の研磨パッド１１を用いたＣＭＰの一例について説明する。
【００４３】
本実施形態の研磨パッド１１を用いたＣＭＰに用いられる研磨装置２０は、図４に示すような研磨パッド１１を固定する円形の回転する定盤５と、ウエハ１０を吸着保持するトップリング６と、トップリング６を上下に揺動させながらウエハ１０を研磨パッド１１に圧接させるキャリア１７と、固定された研磨パッド１１の上面にスラリーSを供給するためのスラリーノズル７と、を備える。研磨パッド１１は定盤５に第１の粘着材層２により接着されている。研磨装置２０は、定盤５及びトップリング６の回転によりウエハ１０の被研磨面を研磨パッド１１の研磨面に圧し当てて研磨するように構成されている。また、研磨装置２０は図略のパッドコンディショナーを備える。さらに、定盤５の内部には研磨の終点を光学的手段によって検出するための光照射部８とその反射光を検知する図略の光センサが設けられている。
【００４４】
また、研磨装置２０には、トップリング６に吸着されたウエハ１０が、ウエハ１０’のように研磨中にトップリング６から飛び出ることを検出するためのウエハ飛び出し検出手段が設けられている。このようなウエハ飛び出し検出手段は、例えば、ウエハ１０が、ウエハ１０’のように研磨中にトップリング６から飛び出た場合には、図略のカメラで所定の領域を撮影して画像処理し、ウエハ１０’がその領域に検出された場合には、ウエハが飛び出したと判定し、研磨工程を停止させる。
【００４５】
研磨装置２０を用いたＣＭＰにおいては、はじめに、定盤５の表面に研磨パッド１１を第１の粘着材層２を介して貼り合わせる。このとき、研磨パッド１１は透過窓を有さないために、透過窓の位置合わせをすることなく研磨装置の定盤に容易に貼り合わせられる。そして、定盤５を図略のモータにより矢印に示す方向に回転させ、回転する研磨パッド１１の表面に蒸留水を流しながら研磨パッド１１の表面に、例えば、ダイヤモンド粒子をニッケル電着等により担体表面に固定した図略のパッドコンディショナーを圧し当てて、研磨パッド１１の表面のコンディショニングを行う。コンディショニングにより、研磨パッド表面を被研磨面の研磨に好適な表面粗さに調整する。次に、回転する研磨パッド１１の表面にスラリーノズル７から研磨スラリーｓを供給する。またＣＭＰを行うに際し、必要に応じ、研磨スラリーと共に、潤滑油、冷却剤などを併用してもよい。
【００４６】
ここで、研磨スラリーは、例えば、水やオイル等の液状媒体；シリカ，アルミナ，酸化セリウム，酸化ジルコニウム，炭化ケイ素等の砥粒；過酸化水素水等の酸化剤；グリシン、ＥＤＴＡ等のキレート剤：塩基、酸等のｐＨ調整剤；界面活性剤、水溶性ポリマー等の分散剤等を含有しているＣＭＰに用いられる研磨スラリーであれば特に限定なく用いられる。
【００４７】
そして、研磨スラリーｓが満遍なく行き渡った研磨パッド１１の被研磨面にトップリング６に吸着保持されて回転するウエハ１０を圧し当てて研磨を開始する。このとき、定盤５の内部の光照射部８からウエハ１０の被研磨面に光が照射され、その反射光を図略の光センサで検知する。光センサは、例えば、反射強度変化をモニタすることにより膜厚変化量を測定する。そして、研磨を続け、所定の膜厚変化量になるような反射強度変化を検出したときに、キャリア１７はトップリング６を上昇させて研磨を終了させる。そして、キャリア１７はトップリング６に吸着保持された研磨されたウエハ１０を所定の場所で吸着を解除してその場に放置した後、次工程で新たに研磨される未研磨のウエハがトップリング６により吸着保持される。このとき、新たに研磨されるウエハが正確に保持されなかった場合や、吸着力が研磨パッドの摩擦力に負けた場合、ウエハがトップリング６から飛び出してしまうことがある。このような場合には、ウエハ飛び出し検出手段が、所定の領域に研磨パッド１１に重なるウエハ１０’を検出し、研磨工程を停止させる。
【００４８】
このような本実施形態のＣＭＰは、各種半導体装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等の製造プロセスにおける研磨に好ましく用いられる。研磨対象の例としては、水晶、シリコン、ガラス、光学基板、電子回路基板、多層配線基板、ハードディスクなどが挙げられる。特に、ウエハは、シリコンウエハや半導体ウエハであることが好ましい。半導体ウエハとしては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、有機ポリマー等の絶縁膜；銅、アルミニウム、タングステン等の配線材金属膜；タンタル、チタン、窒化タンタル、窒化チタン等のバリアメタル膜などを表面に有するものが挙げられる。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。なお、本発明の範囲はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００５０】
はじめに、本実施例で用いたポリウレタンからなる研磨層の製造についてまとめて説明する。
【００５１】
［製造例１］
数平均分子量８５０のポリテトラメチレングリコール（ＰＴＭＧ８５０）、１，４−ブタンジオール（ＢＤ）、及び４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）を、ＰＴＭＧ８５０：ＢＤ：ＭＤＩ＝３２．５：１５．６：５１．９（質量比）となる割合で用い、且つそれらの合計供給量が３００ｇ／分になるようにして、同軸で回転する二軸押出機（３０ｍｍφ、Ｌ／Ｄ＝３６、シリンダー温度：７５〜２６０℃）に定量ポンプで連続的に供給して、連続溶融重合を行って熱可塑性ポリウレタンを製造した。生成した熱可塑性ポリウレタンの溶融物をストランド状に水中に連続的に押出した後、ペレタイザーでペレット状に細断し、得られたペレットを７０℃で２０時間除湿乾燥することにより、熱可塑性ポリウレタン（以下、これをＰＵ−１という）を製造した。なお、原料配合比から算出したイソシアネート基由来の窒素原子含有量は５．８質量％であった。
【００５２】
そして、得られた熱可塑性ポリウレタンのペレットを単軸押出機（９０ｍｍφ）に仕込み、シリンダー温度２１５〜２２５℃、ダイス温度２２５℃にてリップ幅３．０ｍｍのＴ−ダイより速度４０ｃｍ／分で下向きに押出し、厚さ２．０ｍｍのシートを作製した。
【００５３】
このシートの表面を研削して厚さが１．８ｍｍで均一なシートを作製し、直径５１０ｍｍの円盤状に切り出した後、円盤状シートの研磨面となる片面に幅１．０ｍｍ、深さ１．１ｍｍ、ピッチ６．０ｍｍの同心円溝を形成して無発泡の研磨層を作製した。
【００５４】
［製造例２］
製造例１において、ＰＴＭＧ８５０：ＢＤ：ＭＤＩ＝３５．５：１４．５：５０．０（質量比）となる割合で用いること以外は実施例１と同様にして熱可塑性ポリウレタン（ＰＵ−２）を製造した。なお、原料配合比から算出したイソシアネート基由来の窒素原子含有量は５．６質量％であった。そして、ＰＵ−１の代わりにＰＵ−２を用いた以外は同様にして、熱可塑性ポリウレタンのシートを作製した。このシートの表面を研削して厚さが１．６ｍｍで均一なシートを作製し、直径５１０ｍｍの円盤状に切り出した後、円盤状シートの研磨面となる片面に幅０．３ｍｍ、深さ０．８ｍｍ、ピッチ２．０ｍｍの同心円溝を形成して無発泡の研磨層を作製した。
【００５５】
［製造例３］
製造例１において、さらに数平均分子量１０００のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を配合し、ＰＴＭＧ８５０：ＰＥＧ：ＢＤ：ＭＤＩ＝１９．７：７．３：１７．６：５５．４（質量比）となる割合で用いること以外は実施例１と同様にして熱可塑性ポリウレタン（ＰＵ−３）を製造した。なお、原料配合比から算出したイソシアネート基由来の窒素原子含有量は６．２質量％であった。そして、ＰＵ−１の代わりにＰＵ−３を用いた以外は同様にして、熱可塑性ポリウレタンのシートを作製した。このシートの表面を研削して厚さが１．４ｍｍで均一なシートを作製し、直径５１０ｍｍの円盤状に切り出した後、円盤状シートの研磨面となる片面に幅２．０ｍｍの、深さ０．６ｍｍ、ピッチ８．０ｍｍの同心円溝を形成して無発泡の研磨層を作製した。
【００５６】
［製造例４］
製造例１において、ＰＴＭＧ８５０に代えて数平均分子量２０００のポリテトラメチレングリコール（ＰＴＭＧ２０００）を用いるとともに３−メチル−１，５−ペンタンジオール（ＭＰＤ）を配合し、ＰＴＭＧ２０００：ＢＤ：ＭＰＤ：ＭＤＩ＝３１．７：１２．７：５．６：５０．０（質量比）となる割合で用いること以外は実施例１と同様にして熱可塑性ポリウレタン（ＰＵ−４）を製造した。なお、原料配合比から算出したイソシアネート基由来の窒素原子含有量は５．６質量％であった。そして、ＰＵ−１の代わりにＰＵ−４を用いた以外は同様にして、熱可塑性ポリウレタンのシートを作製した。このシートの表面を研削して厚さが１．４ｍｍで均一なシートを作製し、直径５１０ｍｍの円盤状に切り出した後、円盤状シートの研磨面となる片面に幅１．０ｍｍ、深さ１．１ｍｍ、ピッチ６．０ｍｍの同心円溝を形成して無発泡の研磨層を作製した。
【００５７】
［実施例１］
ＰＵ−１を用いて得られた研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープとして不織布の両面にアクリル系粘着材を塗工したものを積層し、クッション層を有さない研磨パッドを製造した。得られた研磨パッドは埋め込まれたプラグなどを有さない均一な構造であった。そして、研磨パッドを切り抜き、粘着材の離型紙を剥がした状態で、島津製作所製の分光光度計「ＵＶ−２４５０」を用いて波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率を測定した。研磨パッドの波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率は最大値が２０％（波長７００ｎｍ）、最小値が１６％（波長４５０ｎｍ）であった。
【００５８】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にすることなく簡単に行うことができた。そして、旭ダイヤモンド工業（株）製ダイヤモンドドレッサー「ＣＭＰ−Ｍ」を用い、超純水を２００ｍＬ／分の流速で流しながらドレッサー回転数１２０ｒｐｍ、研磨パッド回転数５０ｒｐｍ、ドレッサー荷重５．０ｌｂｆにて３０分間、研磨パッドの表面をコンディショニングした。次に、研磨パッドの回転数８０ｒｐｍ、ウエハ回転数７０ｒｐｍ、研磨圧力２０ｋＰａの条件において、研磨スラリー（（株）フジミインコーポレーテッド製「ＰＬ−７１０５」、超純水、過酸化水素水（濃度３１質量％）を１：２：０．０９の質量比で混合したもの）を２００ｍＬ／分の流速で流しながら、ＳＥＭＡＴＥＣＨ８５４パターンウエハを１３０秒間研磨した。この研磨において、銅膜が除去されてバリア膜が露出した時のレーザー光の反射率が１０％以上変化した場合を終点検出が可能であると評価した。パターンウエハを研磨した結果、表面の銅膜が除去された段階で検出レーザー強度の明確な変化が認められ、光による研磨終点検出が可能であった。また、表面の銅膜が除去されるまでに要した時間は９６秒であり、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動は起こらなかった。結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
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【００６０】
［実施例２］
ＰＵ−１を用いて得られた研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープ、クッション層および両面粘着テープをこの順に積層し、クッション層を有する研磨パッドを製造した。両面粘着テープとしては厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面にアクリル系粘着材を塗工したものを用い、クッション層としては厚み１．０ｍｍの無発泡ポリウレタンエラストマーシートを用いた。得られた研磨パッドは埋め込まれたプラグなどを有さない均一な構造であり、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率が、最大値が１７％（波長７００ｎｍ）、最小値が１４％（波長４５０ｎｍ）であった。
【００６１】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にすることなく簡単に行うことができた。そして、実施例１と同様にして、研磨を行った。パターンウエハを研磨した結果、表面の銅膜が除去された段階で検出レーザー強度の明確な変化が認められ、光による研磨終点検出が可能であった。また、表面の銅膜が除去されるまでに要した時間は８５秒であり、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動は起こらなかった。
【００６２】
［実施例３］
ＰＵ−２を用いて得られた研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープ、クッション層および両面粘着テープをこの順に積層し、クッション層を有する研磨パッドを製造した。両面粘着テープとしては厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面にアクリル系粘着材を塗工したものを用い、クッション層としては厚み１．０ｍｍの無発泡ポリウレタンエラストマーシートを用いた。得られた研磨パッドは埋め込まれたプラグなどを有さない均一な構造であり、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率が、最大値が１５％（波長７００ｎｍ）、最小値が１３％（波長４５０ｎｍ）であった。
【００６３】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にすることなく簡単に行うことができた。そして、実施例１と同様にして、研磨を行った。パターンウエハを研磨した結果、表面の銅膜が除去された段階で検出レーザー強度の明確な変化が認められ、光による研磨終点検出が可能であった。また、表面の銅膜が除去されるまでに要した時間は８２秒であり、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動は起こらなかった。
【００６４】
［実施例４］
ＰＵ−３を用いて得られた研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープとして厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面にゴム系粘着材を塗工したものを積層し、クッション層を有さない研磨パッドを製造した。得られた研磨パッドは埋め込まれたプラグなどを有さない均一な構造であり、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率が、最大値が１４％（波長７００ｎｍ）、最小値が１２％（波長４５０ｎｍ）であった。
【００６５】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にすることなく簡単に行うことができた。そして、実施例１と同様にして、研磨を行った。パターンウエハを研磨した結果、表面の銅膜が除去された段階で検出レーザー強度の明確な変化が認められ、光による研磨終点検出が可能であった。また、表面の銅膜が除去されるまでに要した時間は９９秒であり、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動は起こらなかった。
【００６６】
［比較例１］
ＰＵ−１を用いて得られた研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープとして厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面にアクリル系粘着材を塗工したものを積層し、クッション層を有さない研磨パッドを製造した。得られた研磨パッドは埋め込まれたプラグなどを有さない均一な構造であり、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率が、最大値が２９％（波長７００ｎｍ）、最小値が２６％（波長４５０ｎｍ）であった。
【００６７】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にすることなく簡単に行うことができた。そして、実施例１と同様にして、研磨を行った。しかしながら、パターンウエハを研磨しようとしたとき、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動により装置が停止した。
【００６８】
［比較例２］
ＰＵ−３を用いて得られた研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープ、クッション層および両面粘着テープをこの順に積層し、クッション層を有する研磨パッドを製造した。両面粘着テープとしては不織布の両面にアクリル系粘着材を塗工したものを用い、クッション層としては厚み１．５ｍｍの無発泡ポリウレタンエラストマーシートを用いた。得られた研磨パッドは埋め込まれたプラグなどを有さない均一な構造であり、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率が、最大値が７％（波長７００ｎｍ）、最小値が６％（波長４５０ｎｍ）であった。
【００６９】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にすることなく簡単に行うことができた。そして、実施例１と同様にして、研磨を行った。そして、パターンウエハを研磨したが、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動は起こらなかったが、表面の銅膜が除去された段階での検出レーザー強度の変化が小さく、光による研磨終点検出ができなかった。
【００７０】
［比較例３］
ＰＵ−４を用いて得られた研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープとして厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面にアクリル系粘着材を塗工したものを積層し、クッション層を有さない研磨パッドを製造した。得られた研磨パッドは埋め込まれたプラグなどを有さない均一な構造であり、波長４５０〜７００ｎｍの全範囲における厚み方向の光透過率が、最大値が３％（波長７００ｎｍ）、最小値が２％（波長４５０ｎｍ）であった。
【００７１】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にすることなく簡単に行うことができた。そして、実施例１と同様にして、研磨を行った。そして、パターンウエハを研磨したが、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動は起こらなかったが、表面の銅膜が除去された段階での検出レーザー強度の明確な変化が認められず、光による研磨終点検出ができなかった。
【００７２】
［比較例４］
ＰＵ−４を用いて得られた研磨層の研磨装置定盤の光照射部に相当する位置に、打ち抜きにより貫通した開口部（長辺５６ｍｍ、短辺１９ｍｍの長方形）を作製した。次いで、研磨層の溝を加工していない側の面に両面粘着テープおよびクッション層をこの順に積層した後、研磨層の開口部の中央に、粘着層とクッション層にも打ち抜きにより貫通した開口部（長辺５０ｍｍ、短辺１３ｍｍの長方形）を設けた。さらに、クッション層の研磨層と反対側の面に両面粘着テープを積層してから、研磨層の開口部にＰＴＭＧ２０００：ＢＤ：ＭＤＩ＝４７．５：１２．５：４０．０（質量比）となる割合で用いて製造された熱可塑性ポリウレタンの無発泡成形体（長さ５５ｍｍ、幅１８ｍｍ、厚み１．３ｍｍ）を終点検知窓のプラグとしてはめ込んで、開口部のあるクッション層と埋め込まれたプラグを有する研磨パッドを製造した。両面粘着テープとしては厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面にアクリル系粘着材を塗工したものを用い、クッション層としては厚み１．５ｍｍの無発泡ポリウレタンエラストマーシートを用いた。
【００７３】
この研磨パッドをアプライドマテリアルズ社製研磨装置「ＭＩＲＲＡ」に装着したところ、透過窓の位置を気にしなければ設置することができず、完了までに時間を要した。そして、実施例１と同様にして、研磨を行った。パターンウエハを研磨した結果、表面の銅膜が除去された段階で検出レーザー強度の明確な変化が認められ、光による研磨終点検出が可能であった。また、表面の銅膜が除去されるまでに要した時間は９０秒であり、研磨装置のウエハ飛び出し感知センサの誤作動は起こらなかった。しかしながら、研磨パッドに埋め込まれたプラグと両面粘着テープの間に剥がれがやや生じ、クッション層の開口部に研磨スラリーが少し漏れていた。
【符号の説明】
【００７４】
１                      研磨層
２                      第１の粘着材層
３                      クッション層
４                      第２の粘着材層
５                      定盤
６                      トップリング
７                      スラリーノズル
８                      光照射部
１０，１０’            ウエハ
１１，１２，１３，２１  研磨パッド
１７                    キャリア
２０                    研磨装置
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明の研磨パッドを用いれば、研磨中におけるウエハの検査や研磨終点測定を光学的手段により精度良く行うことができる。また、研磨装置への取り付けや研磨パッドの製造も容易である。このような研磨パッドは、例えば半導体デバイス製造時におけるシリコンウエハや半導体ウエハの化学的機械的研磨などに有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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