(57)【要約】【課題】簡便に、かつ短時間で銀からなる電極の硫化の度合いを検出することができる硫化検出センサおよび硫化検出方法を提供する。【解決手段】本発明の硫化検出センサ１０は、網目状電極２０と、網目状電極２０の両端部２０ａ，２０ｂにそれぞれ接続され、両端部２０ａ，２０ｂに沿って延在する電極３０と、を備え、網目状電極２０は、等間隔に形成された複数の第１微細配線２１からなる第１配線群２２と、第１配線群２２に垂直に交わり、等間隔に形成された複数の第２微細配線２３からなる第２配線群２４とからなり、第１微細配線２１の長さ方向および第２微細配線２３の長さ方向と、電極３０の長さ方向とが斜めに交わり、第１微細配線２１および第２微細配線２３は銀からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
網目状電極と、該網目状電極の両端部にそれぞれ接続され、該両端部に沿って延在する電極と、を備えた硫化検出センサであって、
前記網目状電極は、等間隔に形成された複数の第１微細配線からなる第１配線群と、該第１配線群に垂直に交わり、等間隔に形成された複数の第２微細配線からなる第２配線群とからなり、
前記第１微細配線の長さ方向および前記第２微細配線の長さ方向と、前記電極の長さ方向とが斜めに交わり、
前記第１微細配線および前記第２微細配線は銀からなることを特徴とする硫化検出センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の硫化検出センサを用いた硫化検出方法であって、
前記網目状電極の抵抗値を測定して、前記網目状電極の抵抗値の変化から、前記網目状電極の硫化の度合いを検出することを特徴とする硫化検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硫化検出センサおよび硫化検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、抵抗器、コンデンサ等の銀電極を備えた電子部品を多数有している。銀（金属銀）は、硫黄または硫黄原子を含む化合物等の含硫黄化合物と反応して硫化銀を生じ易いことが知られている。また、含硫黄化合物は、大気中に微量とはいえ含まれることがあるばかりでなく、段ボールやゴム等の日常品に含まれることがある。このような含硫黄化合物によって銀電極が硫化し、電子部品が故障することがある。
【０００３】
そこで、含硫黄化合物を検出する装置が種々検討されている。
含硫黄化合物の検出装置としては、例えば、絶縁基板と、硫化検出体と、下面電極と、側面電極と、保護膜とを有する硫化検出センサが知られている（例えば、特許文献１参照）。この硫化検出センサでは、硫化検出体が硫化されやすい銀を主体とした導電体である。また、保護膜が硫化ガス透過性を有するとともに、透明に形成されている。この硫化検出センサは、硫化検出体の色の変化を目視したり、硫化検出体の抵抗値の変化を検出したり、硫化検出体からの反射光を検出したりすることにより、硫化検出体の硫化の度合いを検出する。
【０００４】
また、含硫黄化合物の検出装置としては、例えば、含硫黄化合物との接触により色変化を生じる含硫黄化合物の検出部と、その検出部と色を比較するための比較部との組み合わせを複数個備えた含硫黄化合物検出装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。この含硫黄化合物検出装置では、検出部が、金属銀を含む露出面を有し、露出面の表面粗さが、一部または全ての組み合わせの間で互いに異なるようにしている。この含硫黄化合物検出装置は、露出面（検出部）に含まれる金属銀が、含硫黄化合物との接触により色変化を生じる現象を利用し、表面粗さが互いに異なる露出面が、その表面粗さに依存して、含硫黄化合物の曝露量が同じであっても色変化の度合いに差が生じることを利用して、露出面の硫化の度合いを検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２５０６１１号公報
【特許文献２】特開２０１４−８９０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の硫化検出センサは、電子回路が必要であるため構造が複雑であるばかりでなく、それぞれの検出方法に応じた測定機器が必要である。そのため、この硫化検出センサは、安価かつ簡便に含硫黄化合物を検出できなかった。
また、特許文献２に記載の含硫黄化合物検出装置は、検出部と比較部が必要であるため、狭い場所に設置することができなかった。また、この含硫黄化合物検出装置は、検出部と比較部の色変化の度合いを数値によって客観的に評価することができないため、検出結果のばらつきが大きかった。
さらに、これらの装置は、硫化の度合いを検出するために長時間を要し、数分から数十分程度の短時間で硫化の度合いを検出することができなかった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、簡便に、かつ短時間で銀からなる電極の硫化の度合いを検出することができる硫化検出センサおよび硫化検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の硫化検出センサは、網目状電極と、該網目状電極の両端部にそれぞれ接続され、該両端部に沿って延在する電極と、を備えた硫化検出センサであって、前記網目状電極は、等間隔に形成された複数の第１微細配線からなる第１配線群と、該第１配線群に垂直に交わり、等間隔に形成された複数の第２微細配線からなる第２配線群とからなり、前記第１微細配線の長さ方向および前記第２微細配線の長さ方向と、前記電極の長さ方向とが斜めに交わり、前記第１微細配線および前記第２微細配線は銀からなることを特徴とする。
【０００９】
本発明の硫化検出方法は、本発明の硫化検出センサを用いた硫化検出方法であって、前記網目状電極の抵抗値を測定して、前記網目状電極の抵抗値の変化から、前記網目状電極の硫化の度合いを検出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、簡便に、かつ短時間で銀からなる電極の硫化の度合いを検出することができる硫化検出センサおよび硫化検出方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態の硫化検出センサを示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における領域αの拡大図である。
【図２】実施例において、大気中に曝露した硫化検出センサを構成する網目状電極の抵抗値の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の硫化検出センサおよび硫化検出方法の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１３】
［硫化検出センサ］
以下、図面を参照して、本実施形態の硫化検出センサを具体的に説明する。
図１は、本実施形態の硫化検出センサを示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における領域αの拡大図である。
図１に示すように、本実施形態の硫化検出センサ１０は、網目状電極２０と、網目状電極２０の両端部（図１において、紙面の左右方向の端部）２０ａ，２０ｂにそれぞれ接続され、その両端部２０ａ，２０ｂに沿って延在する電極３０（３０Ａ，３０Ｂ）とから概略構成されている。
【００１４】
網目状電極２０は、平面視正方形状をなしている。網目状電極２０の縦方向の長さ（図１（ａ）におけるＬ１）および網目状電極２０の横方向の長さ（図１（ａ）におけるＬ２）は、特に限定されず、硫化検出センサ１０によって検出する硫化の度合い（硫化の度合いを検出する感度）等に応じて適宜調整される。
【００１５】
網目状電極２０は、等間隔に形成された複数の第１微細配線２１からなる第１配線群２２と、第１配線群２２（第１微細配線２１）に垂直に交わり、等間隔に形成された複数の第２微細配線２３からなる第２配線群２４とから構成されている。これにより、網目状電極２０は、第１微細配線２１と第２微細配線２３によって形成される多数の格子２６を有して、網目状をなしている。本実施形態の硫化検出センサ１０では、図１に示すように、格子２６は、平面視正方形状をなしている。
【００１６】
第１微細配線２１同士の間隔（図１（ｂ）におけるＷ１）および第２微細配線２３同士の間隔（図１（ｂ）におけるＷ２）は、特に限定されず、硫化検出センサ１０によって検出する硫化の度合い（硫化の度合いを検出する感度）等に応じて適宜調整される。第１微細配線２１同士の間隔と第２微細配線２３同士の間隔は、同一であってもよく、異なっていてもよい。第１微細配線２１同士の間隔と第２微細配線２３同士の間隔が同一であれば、格子２６は平面視正方形状をなす。第１微細配線２１同士の間隔と第２微細配線２３同士の間隔が異なっていれば、格子２６は平面視長方形状をなす。
【００１７】
第１微細配線２１の幅、すなわち、第１微細配線２１における、延在する方向（長さ方向）と垂直な長さは、特に限定されず、硫化検出センサ１０によって検出する硫化の度合い等に応じて適宜調整される。同様に、第２微細配線２３の幅、すなわち、第２微細配線２３における、延在する方向（長さ方向）と垂直な長さは、特に限定されず、硫化検出センサ１０によって検出する硫化の度合い等に応じて適宜調整される。第１微細配線２１の幅と第２微細配線２３の幅は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００１８】
また、図１（ｂ）に示すように、第１微細配線２１の長さ方向および第２微細配線２３の長さ方向と、電極３０の長さ方向とが斜めに交わっている。このようにすれば、第１微細配線２１と第２微細配線２３によって形成される格子２６が電極３０と斜めに交わるため、電極３０の近傍において、第１微細配線２１と第２微細配線２３を有効に活用できる。なお、第１微細配線２１の長さ方向または第２微細配線２３の長さ方向と、電極３０の長さ方向とが垂直に交わる場合、格子２６の一辺が電極３０の長さ方向と平行になるため、格子２６の一辺と電極３０が重なり、電極３０の近傍において、第１微細配線２１または第２微細配線２３を有効に活用できないことがある。
【００１９】
第１微細配線２１および第２微細配線２３は、硫化されやすい銀からなる。
【００２０】
電極３０（３０Ａ，３０Ｂ）は、平面視長方形状（帯状）をなしており、その長さ方向の中央部に平面視正方形状の電極タブ３１（３１Ａ，３１Ｂ）が設けられている。
【００２１】
電極３０の長さ（図１（ａ）におけるＬ３）は、特に限定されず、網目状電極２０の大きさに応じて適宜調整される。電極３０の幅（図１（ａ）におけるＷ３）は、特に限定されず、網目状電極２０の大きさに応じて適宜調整される。
【００２２】
電極タブ３１の縦方向の幅（図１（ａ）におけるＷ４）は、特に限定されず、網目状電極２０の大きさに応じて適宜調整される。電極タブ３１の横方向の幅（図１（ａ）におけるＷ５）は、特に限定されず、網目状電極２０の大きさに応じて適宜調整される。
【００２３】
また、網目状電極２０および電極３０は、図示略のフィルム状またはシート状の基材上に設けられていてもよい。
【００２４】
第１微細配線２１および第２微細配線２３の形成には、例えば、金属インク組成物が用いられる。
金属インク組成物としては、例えば、金属の形成材料が配合されてなる組成物が挙げられる。
前記金属の形成材料は、該当する金属原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属を生じるものであればよい。このような金属の形成材料としては、例えば、金属塩、金属錯体、有機金属化合物（金属−炭素結合を有する化合物）等が挙げられる。前記金属塩および金属錯体は、有機基を有する金属化合物および有機基を有しない金属化合物のいずれであってもよい。なかでも金属の形成材料は、金属塩であることが好ましく、銀塩であることがより好ましい。
【００２５】
金属の形成材料は、有機銀化合物であることが好ましい。
前記有機銀化合物は、１分子中に有機基および銀原子を有し、分解等の構造変化によって金属銀を生じる化合物である。このような有機銀化合物としては、例えば、有機酸の銀塩、有機銀錯体等が挙げられる。これらのなかでも、有機酸の銀塩が好ましく、カルボン酸銀（カルボン酸の銀塩）がより好ましい。
【００２６】
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【００２７】
金属インク組成物における金属の形成材料は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【００２８】
金属インク組成物は、金属の形成材料以外に、金属（単体金属または合金）が配合されてなる組成物であってもよい。配合される前記金属は、銀または銅であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
【００２９】
配合される前記金属（単体金属または合金）は、粒子状または繊維状（チューブ状、ワイヤー状等）であることが好ましく、ナノ粒子またはナノワイヤーであることがより好ましく、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤー、銅ナノ粒子または銅ナノワイヤーであることがさらに好ましく、銀ナノ粒子または銀ナノワイヤーであることが特に好ましい。
なお、本明細書において、「ナノ粒子」とは、粒径が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍである粒子を意味し、「ナノワイヤー」とは、幅が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍであるワイヤーを意味する。
【００３０】
金属インク組成物は、例えば、印刷法等の公知の方法で基材に付着させることができる。
前記印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、ジェットディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が挙げられる。これらのなかでも、グラビアオフセット印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。
【００３１】
金属インク組成物は、例えば、金属の形成材料として、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）が配合されてなるものが好ましい。このような金属インク組成物としては、例えば、β−ケトカルボン酸銀（１）、含窒素化合物、還元剤およびアセチレンアルコール（２）が配合されてなる銀インク組成物（Ａ１）が挙げられる。以下、各成分について、説明する。
【００３２】
＜β−ケトカルボン酸銀（１）＞
β−ケトカルボン酸銀（１）は、反応によって金属銀を形成する、金属銀の形成材料であり、一般式（１）で表される。
【００３３】
【化１】
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【００３４】
式（１）中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、または一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基である。
【００３５】
Ｒにおける炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状および環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基および不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。
【００３６】
Ｒにおける直鎖状または分枝鎖状の前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。
【００３７】
Ｒにおける前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が挙げられる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が挙げられる。
【００３８】
Ｒにおける炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、全ての置換基が同一であってもよいし、全ての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【００３９】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、例えば、炭素原子数が１〜１６の飽和または不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が挙げられ、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素原子数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
【００４０】
ＲにおけるＹ１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子または水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」および「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」においては、それぞれ複数個のＹ１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４１】
ＲにおけるＲ１は、炭素原子数１〜１９の脂肪族炭化水素基またはフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）であり、Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素原子数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ２は、炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ３は、炭素原子数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、例えば、炭素原子数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ４およびＲ５は、それぞれ独立に炭素原子数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４およびＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、例えば、炭素原子数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ６は、炭素原子数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基または式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素原子数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
【００４２】
Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基、水酸基またはフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基または式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。
【００４３】
一般式（１）において、Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、または一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘ１における炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
【００４４】
Ｘ１におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
Ｘ１におけるフェニル基およびベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が挙げられ、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４５】
Ｘ１におけるＲ７は、炭素原子数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、または１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ７における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素原子数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。また、Ｒ７におけるフェニル基およびジフェニル基の前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられ、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ７がチエニル基またはジフェニル基である場合、これらの、Ｘ１において隣接する基または原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基および３−チエニル基のいずれでもよい。
【００４６】
一般式（１）において、２個のＸ１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては、例えば、式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基等が挙げられる。
【００４７】
Ｘ１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、ベンジル基、または一般式「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ１が水素原子であることが好ましい。
【００４８】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、またはアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。
【００４９】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された金属銀において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【００５０】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０℃〜２１０℃、より好ましくは６０℃〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。
【００５１】
本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に選択できる。
【００５２】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀およびアセトンジカルボン酸銀からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀およびアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物（Ａ１）の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。
【００５３】
銀インク組成物（Ａ１）において、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量は、特に限定されないが、全成分の合計配合量に対する、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量の割合は、１０質量％〜８０質量％であることが好ましく、１５質量％〜７０質量％であることがより好ましく、２０質量％〜６０質量％であることが特に好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ａ１）の取り扱い性が向上するとともに、高純度の金属銀を容易に形成できる。
【００５４】
＜含窒素化合物＞
前記含窒素化合物は、炭素原子数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素原子数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素原子数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、およびアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に選択できる。
【００５５】
［アミン化合物、第４級アンモニウム塩］
前記アミン化合物は、炭素原子数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミンおよび第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素原子数が４〜２５である。前記アミン化合物および第４級アンモニウム塩は、鎖状および環状のいずれでもよい。また、アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
【００５６】
前記第１級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が挙げられる。
【００５７】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられ、炭素原子数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素原子数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン（２−アミノヘプタン）、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン等が挙げられる。
【００５８】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられ、炭素原子数が６〜１０であることが好ましい。
【００５９】
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子等が挙げられる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、全て同じでもよいし、全て異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状および多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
【００６０】
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、例えば、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、フラニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、チエニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、例えば、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、例えば、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、例えば、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
【００６１】
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、例えば、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミンまたはモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたもの等が挙げられる。
前記ジアミンは炭素原子数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン等が挙げられる。
【００６２】
前記第２級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が挙げられる。
【００６３】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素原子数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素原子数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン１分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン等が挙げられる。
【００６４】
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素原子数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン１分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００６５】
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン１分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００６６】
前記第３級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が挙げられる。
【００６７】
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素原子数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素原子数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン１分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、全てが同じでもよいし、全てが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
【００６８】
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素原子数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素原子数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン１分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素原子数が６〜１０であることが好ましい。
【００６９】
本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が挙げられる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素原子数が１〜１９であることが好ましい。
また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム１分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、全てが同じでもよいし、全てが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。
【００７０】
ここまでは、主に鎖状のアミン化合物および第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物および第４級アンモニウム塩は、アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状および多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環および芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、例えば、ピリジン等が挙げられる。
【００７１】
前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミンおよび第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子の全てが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基は全て同じでもよいし、全て異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【００７２】
前記アミン化合物および第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００７３】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素原子数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、または置換基として好ましくは炭素原子数が１〜５のアルキル基を有する、炭素原子数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
また、置換基である前記アリール基およびアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、例えば、２−ブロモベンジルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００７４】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、前記アリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素原子数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００７５】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基として水酸基またはアリール基を有する、炭素原子数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン等が挙げられる。
【００７６】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミンまたはＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀からなる層の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。
【００７７】
［アミン化合物由来のアンモニウム塩］
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、例えば、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００７８】
［アンモニア由来のアンモニウム塩］
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、例えば、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが挙げられる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、例えば、塩化アンモニウム等が挙げられるが、これに限定されない。
【００７９】
本発明においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩およびアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に選択できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩およびアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に選択できる。
【００８０】
銀インク組成物（Ａ１）において、前記含窒素化合物の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．３モル〜１５モルであることが好ましく、０．３モル〜５モルであることがより好ましい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ａ１）は安定性がより向上し、導電体（金属銀）の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電体を形成できる。
【００８１】
＜還元剤＞
本発明における還元剤は、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２）および下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上のものである。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素原子数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基またはアミノ基である。）
すなわち、配合される還元剤は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に選択できる。
【００８２】
Ｒ２１における炭素原子数２０以下のアルキル基は、炭素原子数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、例えば、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のもの等が挙げられる。
【００８３】
Ｒ２１における炭素原子数２０以下のアルコキシ基は、炭素原子数が１〜２０であり、例えば、Ｒ２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基等が挙げられる。
【００８４】
Ｒ２１における炭素原子数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素原子数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、前記アルキル基はそれぞれ炭素原子数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素原子数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、例えば、炭素原子数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のもの等が挙げられる。
【００８５】
前記還元剤として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
【００８６】
前記還元剤で好ましいものとしては、例えば、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）；ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３）等のギ酸エステル；プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）２ＣＨ３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）４ＣＨ３）等のアルデヒド；ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ３）２）等のホルムアミド類（式「Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（−）−」で表される基を有する化合物）；シュウ酸等が挙げられる。
【００８７】
銀インク組成物（Ａ１）において、前記還元剤の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０４モル〜１．５モルであることが好ましく、０．０６モル〜１．０モルであることがより好ましい。還元剤の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ａ１）は、より容易に、より安定して導電体（金属銀）を形成できる。
【００８８】
＜アセチレンアルコール（２）＞
アセチレンアルコール（２）は、一般式（２）で表される。
【００８９】
【化２】
2018200174.tif 000004
【００９０】
式（２）中、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、または１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’およびＲ’’における炭素原子数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。Ｒ’およびＲ’’における前記アルキル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。
【００９１】
Ｒ’およびＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、例えば、炭素原子数が１〜１６の飽和または不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が挙げられ、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数および位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００９２】
Ｒ’およびＲ’’は、水素原子、または炭素原子数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、または炭素原子数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【００９３】
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、例えば、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、２−プロピン−１−オール、４−エチル−１−オクチン−３−オール、３−エチル−１−ヘプチン−３−オール等が挙げられる。
【００９４】
本発明において、アセチレンアルコール（２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に選択できる。
【００９５】
銀インク組成物（Ａ１）において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０１モル〜０．７モルであることが好ましく、０．０２モル〜０．３モルであることがより好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。
【００９６】
＜他の成分＞
また、銀インク組成物（Ａ１）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、β−ケトカルボン酸銀（１）、前記含窒素化合物、前記還元剤およびアセチレンアルコール（２）以外に、さらに他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記他の成分としては、例えば、アセチレンアルコール（２）以外のアルコール（以下、「他のアルコール」と略記することがある）、アセチレンアルコール（２）および前記他のアルコール以外の溶媒等が挙げられる。
【００９７】
本発明においては、前記他の成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に選択できる。
【００９８】
銀インク組成物（Ａ１）において、前記他のアルコールおよび溶媒以外の成分の配合量は、この成分の種類に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
なかでも、銀インク組成物（Ａ１）において、全成分の総配合量に対する、前記他のアルコールおよび溶媒以外の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。また、銀インク組成物（Ａ１）において、全成分の総配合量に対する、前記他のアルコールおよび溶媒以外の成分の配合量の割合の下限値は、特に限定されず、例えば、０質量％であってもよい。
【００９９】
［他のアルコール］
前記他のアルコールは、アセチレンアルコール（２）以外のアルコールであれば特に限定されない。
ただし、前記他のアルコールは、常温で液状であるものが好ましい。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５℃〜３０℃の温度等が挙げられる。
【０１００】
前記他のアルコールとして、より具体的には、例えば、アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコール、アセチレンアルコール（２）およびそれ以外のアルコール等が挙げられる。
【０１０１】
（アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコール）
アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコールは、前記一般式（２）で表されない、炭素原子間の三重結合（Ｃ≡Ｃ）を有するアルコールであれば特に限定されない。
アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコールは、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよいが、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。
【０１０２】
（アセチレンアルコール（２）およびそれ以外のアルコール）
アセチレンアルコール（２）およびそれ以外のアルコールは、炭素原子間の三重結合（Ｃ≡Ｃ）を有しないアルコールであれば特に限定されず、例えば、一価アルコールおよび二価以上の多価アルコールのいずれでもよく、飽和アルコールおよび不飽和アルコールのいずれでもよく、不飽和アルコールである場合には、脂肪族アルコール（芳香族環式基を有しないアルコール）および芳香族アルコール（芳香族環式基を有するアルコール）のいずれでもよい。
アセチレンアルコール（２）およびそれ以外のアルコールは、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。
【０１０３】
アセチレンアルコール（２）およびそれ以外のアルコールとして、より具体的には、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、１−ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール等の一価アルコール；エチレングリコール、プロピレングリコール等の二価アルコール等が挙げられる。
【０１０４】
アセチレンアルコール（２）およびそれ以外のアルコールは、炭素原子数が１〜７であることが好ましい。
また、アセチレンアルコール（２）およびそれ以外のアルコールは、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。
【０１０５】
銀インク組成物（Ａ１）が、前記他のアルコールが配合されてなるものである場合、銀インク組成物（Ａ１）において、前記他のアルコールの配合量は、特に限定されない。
なかでも、銀インク組成物（Ａ１）において、アセチレンアルコール（２）の配合量に対する、前記他のアルコールの配合量の割合は、１質量％〜１０質量％であることが好ましく、１質量％〜５質量％であることがより好ましい。前記割合が前記下限値以上であることで、前記他のアルコールを用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、前記割合が前記上限値以下であることで、本発明の効果がより顕著に得られる。
【０１０６】
［溶媒］
前記溶媒は、アセチレンアルコール（２）および前記他のアルコール以外のもの（水酸基を有しないもの）であれば、特に限定されない。
ただし、前記溶媒は、常温で液状であるものが好ましい。
【０１０７】
前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；酢酸エチル、グルタル酸モノメチル、グルタル酸ジメチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）等のエーテル；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド等が挙げられる。
【０１０８】
銀インク組成物（Ａ１）が、前記溶媒が配合されてなるものである場合、銀インク組成物（Ａ１）において、前記溶媒の配合量は、特に限定されない。
なかでも、銀インク組成物（Ａ１）において、前記溶媒の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．５モル〜５モルであることが好ましく、０．５モル〜３．５モルであることがより好ましく、０．５モル〜２モルであることが特に好ましい。前記割合が前記下限値以上であることで、前記溶媒を用いたことによる効果がより顕著に得られる。
また、前記割合が前記上限値以下であることで、本発明の効果がより顕著に得られる。
【０１０９】
銀インク組成物（Ａ１）は、配合成分が全て溶解していてもよいし、一部または全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分が全て溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１１０】
銀インク組成物（Ａ１）は、β−ケトカルボン酸銀（１）、前記含窒素化合物、前記還元剤、アセチレンアルコール（２）、および必要に応じて前記他の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀インク組成物（Ａ１）としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを銀インク組成物（Ａ１）としてもよい。上記の各成分の配合時においては、導電性を阻害する不純物が生成しないか、またはこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できるため、精製操作を行っていない銀インク組成物（Ａ１）を用いても、十分な導電性を有する導電体（金属銀）が得られる。
【０１１１】
各成分の配合時には、全ての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、全ての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子または撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダーまたはビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物（Ａ１）において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダーまたはビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。
【０１１２】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されない。例えば、銀インク組成物（Ａ１）において、配合時の温度は、−５℃〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類および量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されない。銀インク組成物（Ａ１）において、配合時間は１０分〜３６時間であることが好ましい。
【０１１３】
銀インク組成物（Ａ１）の製造時における、β−ケトカルボン酸銀（１）、前記含窒素化合物、前記還元剤、アセチレンアルコール（２）、および前記他の成分の配合方法並びに配合順序は、特に限定されない。例えば、これらの成分はいずれも、全量を一括添加してもよいし、分割添加してもよい。そして、一括添加および分割添加のいずれの場合でも、各配合成分の添加順序は、特に限定されない。また、銀インク組成物（Ａ１）の製造時には、２種以上の配合成分を同時に添加してもよい。
【０１１４】
電極３０の形成には、例えば、第１微細配線２１および第２微細配線２３の形成と同様に、金属インク組成物が用いられる。
【０１１５】
網目状電極２０および電極３０が基材上に設けられる場合、基材の材質としては、例えば、ポリチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、二軸延伸ポリスチレン（Ｋ樹脂含有ｂｉａｘｉａｌｌｙ  ｏｒｉｅｎｔｅｄ  ＰＳ；ＢＯＰＳ）、紙、ガラスまたは強化ガラス等が挙げられる。
また、基材に対する第１微細配線２１および第２微細配線２３の接着性を高めるために、基材における第１微細配線２１および第２微細配線２３が形成される面に高周波処理またはプライマー（Ｐｒｉｍｅｒ）処理を施してもよい。
【０１１６】
本実施形態の硫化検出センサ１０によれば、第１配線群２２と、第１配線群２２に垂直に交わる第２配線群２４とから網目状電極２０を備え、第１微細配線２１および第２微細配線２３が銀からなり、網目状電極２０の表面積が大きく、例えば、大気中に含まれる含硫黄化合物と接触しやすいため、簡便に、かつ短時間で銀からなる網目状電極２０の硫化の度合いを検出することができる。これにより、硫化検出センサ１０が設置された環境にて、電子部品等の硫化の度合いを予測することができる。
【０１１７】
［硫化検出方法］
本実施形態の硫化検出方法は、上述の本実施形態の硫化検出センサ１０を用いた硫化検出方法であって、網目状電極２０の抵抗値を測定して、網目状電極２０の抵抗値の変化から、網目状電極２０の硫化の度合いを検出する。
【０１１８】
本実施形態の硫化検出方法では、硫化検出センサ１０の電極タブ３１Ａ，３１Ｂに抵抗計の端子を接続し、電極３０Ａと３０Ｂ電極の間の抵抗値、すなわち、網目状電極２０の抵抗値を測定する。
例えば、特定の雰囲気に硫化検出センサ１０を曝露して、その雰囲気に含まれる含硫黄化合物による網目状電極２０の硫化の度合いを検出するには、曝露直前の網目状電極２０の抵抗値を測定する。硫化検出センサ１０を曝露開始後、所定時間毎、または継続して網目状電極２０の抵抗値を測定することにより、網目状電極２０の硫化の度合いを検出することができる。
【０１１９】
網目状電極２０を硫化する含硫黄化合物の中でも、大気中に含まれるものとしては、例えば、二酸化硫黄（ＳＯ２）、三酸化硫黄（ＳＯ３）、硫化水素（ＨＳ）等が挙げられる。
【０１２０】
本実施形態の硫化検出方法によれば、本実施形態の硫化検出センサ１０を用いて、簡便に、かつ短時間で銀からなる網目状電極２０の硫化の度合いを検出することができる。これにより、硫化検出センサ１０が設置された環境にて、電子部品等の硫化の度合いを予測することができる。なお、銀の硫化は、酸化よりも速いため、食品等の内容物が封入された容器内に硫化検出センサ１０を設置しておくことにより、その容器が開封されたか否かを確認することができる。すなわち、網目状電極２０の抵抗値が容器内に内容物が封入された時と同じであれば、容器が開封されていないと判断でき、網目状電極２０の抵抗値が容器内に内容物が封入れさた時と異なれば、容器が開封されたと判断できる。
【実施例】
【０１２１】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１２２】
［実施例］
（銀インク組成物の製造）
ビーカー中に２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して１．４５倍モル量）と、ｎ−ヘキサン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して１．６３倍モル量）と、をこの順に加えて、メカニカルスターラーを回転させて撹拌しながら、液温が５０℃以下となるように、ビーカー中に２−メチルアセト酢酸銀を添加した。
２−メチルアセト酢酸銀の添加終了後、同様の状態を維持したまま、ビーカー中にシリンジポンプを用いて、ギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．５倍モル量）を１０分かけて滴下し、ギ酸の滴下終了後、さらにそのままの状態で１．５時間撹拌した。
次いで、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（以下、「ＤＭＨＯ」と略記することがある）（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．０３２倍モル量）および４−エチル−１−オクチン−３−オール（以下、「ＥＯＯ」と略記することがある）（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．００４倍モル量）の混合物をビーカー中に添加し、添加終了後、さらにそのままの状態で５分撹拌することにより、銀インク組成物を得た。
なお、ＤＭＨＯとしては、エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」を用い、ＥＯＯとしては、東京化成工業社製のものを用いた。
【０１２３】
（透明導電性基板の製造）
ポリカーボネート製の基材の一方の主面に、グラビアオフセット印刷法により、上記で得られた銀インク組成物を塗工して、図１に示すように、第１配線群２２と第２配線群２４からなる電極２０と、網目状電極２０の両端部２０ａ，２０ｂに沿って延在する電極３０との印刷パターンを形成し、実施例の硫化検出センサ１０を得た。
得られた網目状電極２０は、縦方向の長さ（図１（ａ）におけるＬ１）および横方向の長さ（図１（ａ）におけるＬ２）が２５ｍｍであった。網目状電極２０のピッチ（隣り合う第１微細配線２１同士、第２微細配線２３同士の距離）は１９５μｍ、第１微細配線２１および第２微細配線２３の幅は５μｍであった。電極３０の長さ（図１（ａ）におけるＬ３）は２５ｍｍ、電極３０の幅（図１（ａ）におけるＷ３）は３ｍｍであった。電極タブ３１の縦方向の幅（図１（ａ）におけるＷ４）および横方向の幅（図１（ａ）におけるＷ５）は３ｍｍであった。
【０１２４】
印刷方法の詳細は以下の通りである。
印刷に用いた凹版は、金属製でその表面に導電性薄膜の型となる溝を有する。溝のピッチ（隣り合う溝同士の距離）は１９５μｍである。オフセットロールとしては、金属製の筒体の表面がシリコーン樹脂製のブランケット材で被覆されたものを用いた。
この版に銀インク組成物を供給し、ドクターブレードを用いてドクタリングを行うことによって版の溝に銀インク組成物を充填させた。余剰の金属インク組成物は除去した。
前記版から転写材（ブランケット）へ前記銀インク組成物を転写し、転写材を乾燥し、導電性の被膜を形成した。
転写した銀インク組成物の乾燥方法は二段階で行った。一段階目の加熱処理では、金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、金属銀の形成を最後まで行う。一段階目の加熱処理においては、熱風を用い、加熱温度は１２０℃、加熱時間は５分間とした。二段階目の加熱処理においては、加熱水蒸気にて加湿処理した。加熱温度は１２０℃、加熱時間は１０分間とした。加湿条件下での加熱処理における相対湿度は３０％〜９０％とした。
なお、「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。
【０１２５】
このようにして、同一の構造を有する硫化検出センサ１０を２つ作製した。
【０１２６】
（評価）
得られた硫化検出センサ１０の電極タブ３１Ａ，３１Ｂに抵抗計の端子を接続し、その硫化検出センサ１０を大気中に曝露し、所定時間毎に網目状電極２０の抵抗値を測定した。結果を表１、表２および図２に示す。
【０１２７】
【表１】
2018200174.tif 000005
【０１２８】
【表２】
2018200174.tif 000006
【０１２９】
なお、表１、表２および図において、ｎ１とｎ２は、作製した２つの硫化検出センサ１０のいずれか１つを示している。また、表２における抵抗値変化率は、曝露開始時の網目状電極２０の抵抗値を基準（抵抗値１．０００）とし、その基準値に対する各曝露時間の網目状電極２０の抵抗値の比である。
【０１３０】
表１、表２および図２の結果から、大気中への曝露時間の経過に伴って、網目状電極２０の抵抗値が高くなることが確認された。すなわち、網目状電極２０の抵抗値の変化から、網目状電極２０の硫化の度合いを検出できることが確認された。
【符号の説明】
【０１３１】
１０・・・硫化検出センサ、２０・・・網目状電極、２１・・・第１微細配線、２２・・・第１配線群、２３・・・第２微細配線、２４・・・第２配線群、２６・・・格子、３０，３０Ａ，３０Ｂ・・・電極、３１，３１Ａ，３１Ｂ・・・電極タブ。
【図１】
2018200174.tif 000007
【図２】
2018200174.tif 000008