(57)【要約】【課題】遮光層で発生する温度上昇が表示特性に悪影響を与えることを抑制する。【解決手段】電気光学装置（１）は、対向基板（１２）と、画素電極（１１２）への電圧印加を制御するスイッチング素子（１１１）を有する素子基板（１１）と、対向基板（１２）および素子基板（１１）に挟まれた液晶（１５）と、対向基板（１２）および液晶（１５）の間に設けられ、スイッチング素子（１１１）を遮光する遮光層（１２２）と、遮光層（１２２）の対向基板（１２）側に形成された増反射膜（１２１）とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向基板と、
画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子を有する素子基板と、
前記対向基板および前記素子基板に挟まれた液晶と、
前記対向基板および前記液晶の間に設けられ、開口部を有し前記スイッチング素子を遮光する遮光層と、
前記遮光層の前記対向基板側に形成された増反射膜と
を有する電気光学装置。
【請求項２】
前記開口部には、前記増反射膜が形成されていない
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記遮光層の前記素子基板側の面および前記開口部側の側面に形成された反射防止膜を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記開口部に相当する領域にも前記増反射膜が形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光層は前記増反射膜側の面に形成された金属層を含み、
前記増反射膜は、前記対向基板側に形成された第１誘電体層、および前記金属層側に形成され、前記第１誘電体層よりも屈折率が低い第２誘電体層を含む
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記遮光層が、前記対向基板上に形成される
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の電気光学装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遮光層を有する電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に配置された画素電極に対する電圧の印加をスイッチング素子により制御する電気光学装置が知られている。例えば特許文献１には、遮光層を用いてスイッチング素子への光照射を抑制する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２１４２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術においては、例えば高輝度の光源を用いた場合に遮光層における温度上昇により表示特性が悪影響を受けることがあった。
【０００５】
これに対し本発明は、遮光層で発生する温度上昇が表示特性に悪影響を与えることを抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、対向基板と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子を有する素子基板と、前記対向基板および前記素子基板に挟まれた液晶と、前記対向基板および前記液晶の間に設けられ、開口部を有し前記スイッチング素子を遮光する遮光層と、前記遮光層の前記対向基板側に形成された増反射膜とを有する電気光学装置を提供する。
この電気光学装置によれば、遮光層での反射効率を向上され、遮光層の温度上昇を抑制でき、表示特性に悪影響を与えることを抑制することができる。
【０００７】
前記開口部には、前記増反射膜が形成されていなくてもよい。
この電気光学装置によれば、開口部における透過率の低下を抑制することができる。
【０００８】
前記遮光層の前記素子基板側の面および前記開口部側の側面に形成された反射防止膜を有してもよい。
この電気光学装置によれば、遮光層の開口部側の側面における乱反射を抑制することができる。
【０００９】
前記開口部に相当する領域にも前記増反射膜が形成されていてもよい。
この電気光学装置によれば、増反射膜を部分除去することが不要で、容易に遮光層に増反射膜を形成することができる。
【００１０】
前記遮光層は前記増反射膜側の面に形成された金属層を含み、前記増反射膜は、前記対向基板側に形成された第１誘電体層、および前記金属層側に形成され、前記第１誘電体層よりも屈折率が低い第２誘電体層を含んでもよい。
この電気光学装置によれば、金属層における反射率を改善することができる。
【００１１】
前記遮光層が、前記対向基板上に形成されていてもよい。
この電気光学装置によれば、対向基板に形成された遮光層における温度上昇を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明は、上記いずれかの電気光学装置を有する電子機器を提供する。
この電子機器によれば、遮光層の反射効率を向上され、遮光層の温度上昇が抑制でき表示特性に悪影響を与えることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態に係る電気光学装置１の構造を例示する斜視図。
【図２】電気光学装置１の断面構造の概要を例示する模式図。
【図３】対向基板１２の例１に係る詳細な構成を示す模式図。
【図４】開口部１２４と画素電極１１２との位置関係を示す模式図。
【図５】増反射膜１２１の効果を例示する図。
【図６】対向基板１２の例２に係る詳細な構成を示す模式図。
【図７】対向基板１２の例３に係る詳細な構成を示す模式図。
【図８】対向基板１２の例４に係る詳細な構成を示す模式図。
【図９】対向基板１２の例５に係る詳細な構成を示す模式図。
【図１０】対向基板１２の例６に係る詳細な構成を示す模式図。
【図１１】対向基板１２の例７に係る詳細な構成を示す模式図。
【図１２】対向基板１２の例８に係る詳細な構成を示す模式図。
【図１３】対向基板１２の例９に係る詳細な構成を示す模式図。
【図１４】一実施形態に係るプロジェクター２１００を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、一実施形態に係る電気光学装置１の構造を例示する斜視図である。電気光学装置１は、外部から入力される信号に応じて画像を表示する表示装置であり、この例では液晶パネルである。電気光学装置１は、素子基板１１および対向基板１２を有する。素子基板１１と対向基板１２との間には液晶（図１では略）が封入される。素子基板１１には画素電極が、対向基板１２には共通電極が、それぞれ形成される（図１ではいずれも略）。映像信号に応じた電圧が画素電極に書き込まれると、液晶は書き込まれた電圧に応じた光学状態を示す。光学状態を画素毎に制御することにより、電気光学装置１は画像を表示する。
【００１５】
素子基板１１は、対向基板１２よりもＹ方向のサイズが長い。素子基板１１および対向基板１２は、図の奥側（ｈ側）が揃えて貼り合わせられるので、素子基板１１の手前側（Ｈ側）の一辺が対向基板１２から張り出す。この張り出した領域に、複数の端子１７が設けられる。端子１７は、外部から、映像信号、電源電圧、および各種制御信号の入力を受け付けるためのものである。
【００１６】
図２は、電気光学装置１の断面構造の概要を例示する模式図である。図２は、素子基板１１と対向基板１２との積層方向に平行な断面（図１のＨ―ｈ断面）を表す。電気光学装置１は、素子基板１１および対向基板１２に加え、液晶１５およびシール材１９を有する。素子基板１１と対向基板１２とは、シール材１９によって貼り合わせられる。シール材１９にはスペーサーが含まれており、素子基板１１と対向基板１２とは一定の間隙を保つ。液晶１５はこの間隙に封入される。液晶１５は、例えばＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶である。この例で電気光学装置１は透過型の液晶パネルであり、素子基板１１および対向基板１２はいずれもガラスや石英などの透光性を有する材料により形成される。光源（図示略）からの光Ｌは対向基板１２側から入射し、液晶１５によって変調され、素子基板１１側から出射する。
【００１７】
素子基板１１において、対向基板１２と対向する面（液晶１５側の面）には、画素電極１１２が形成される。画素電極１１２は、液晶１５に画素毎の印加電圧を与えるための電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）など透光性を有する導電層により形成される。また、素子基板１１は、画素電極１１２への電圧印加（データの書き込み）を制御するためのスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１１が形成される。ＴＦＴ１１１は、例えばｎチャネル型の電界効果トランジスターである。ＴＦＴ１１１のソース電極はデータ線（図示略）に接続され、ドレイン電極は画素電極１１２に接続され、ゲート電極は走査線（図示略）に接続される。走査線にハイレベルの走査信号が供給されるとＴＦＴ１１１はオン状態になり、データ線と画素電極１１２とが低インピーダンス状態になる。すなわち、画素電極１１２にデータが書き込まれる。走査線にローレベルの走査信号が供給されるとＴＦＴ１１１はオフ状態になり、データ線と画素電極１１２とは高インピーダンス状態になる。
【００１８】
対向基板１２において、素子基板１１と対向する面（液晶１５側の面）には、共通電極１２３が形成される。共通電極１２３は、複数の画素に共通であり、ＩＴＯなど透光性を有する導電層により形成される。液晶１５には、共通電極１２３と画素電極１１２との電位差に相当する電圧が印加され、この電圧に応じて光学的特性（この例では透過率）が変化する。
【００１９】
対向基板１２には、さらに、遮光層１２２が形成される。電気光学装置１は光源（図示略）からの光Ｌを液晶１５により変調することにより画像を形成するものであるが、画素電極１１２が存在しない部分（液晶１５の光学状態が制御されていない部分）については画像形成に寄与しないので、表示のコントラスト向上のため光Ｌは遮られることが望ましい。また、ＴＦＴ１１１等が形成される半導体層に光が照射されるとキャリアが励起され、ＴＦＴ１１１の特性が悪化する場合もある。遮光層１２２は、これらの問題に対処するために設けられる。当然ながら画素電極１１２が存在する部分については画像形成のため光Ｌが必要であり、遮光層１２２においては、画素電極１１２に対応する部分に開口部１２４が形成される。光源からの光Ｌは開口部１２４を介して液晶１５に照射され、液晶１５により変調された後で画素電極１１２および素子基板１１を介して出射される。
【００２０】
光源が高輝度化すると、遮光層における光吸収により遮光層自身の温度上昇も無視できなくなってくる。遮光層の温度上昇は、ひいては電気光学装置１全体の温度上昇を招き、表示特性への悪影響が懸念される。これに対し本実施形態は、遮光層１２２の反射率を増加させることにより、遮光層１２２の温度上昇を抑制する。
【００２１】
図３は、素子基板１１および対向基板１２の例１に係る構成を示す模式図である。この図は、表示面に対し垂直な断面の模式図を示す。ここでは、１つの画素電極１１２に対応する領域のみを示す。対向基板１２の液晶１５側には、増反射膜１２１、遮光層１２２、および共通電極１２３が、この順番で積層される。
【００２２】
遮光層１２２は、主にＴＦＴ１１１を遮光するための層であり、光を反射する層として金属層１２２１を有する。ただし、金属層１２２１の反射率は１００％ではないので、入射した光の一部は金属層１２２１に吸収される。金属層１２２１は、例えばＡｌで形成される。金属層１２２１の厚さは例えば５０〜１５０ｎｍであり、好ましくは１００〜１５０ｎｍである。
【００２３】
金属層１２２１は、複数の開口部１２４を有する（図３では単一の開口部１２４のみ示す）。開口部１２４は、対向基板１２に垂直な方向から見たときに金属層１２２１が形成されていない領域をいう。対向基板１２に垂直な方向から見たとき、金属層１２２１はＴＦＴ１１１と重なる位置に形成されており、開口部１２４は画素電極１１２と重なる位置に形成される。開口部１２４は、例えばフォトリソグラフィー技術により金属層１２２１をパターニングすることにより形成される。開口部１２４は光源（図示略）からの光Ｌを透過し、表示に寄与する領域である。
【００２４】
図４は、開口部１２４と画素電極１１２との位置関係を示す模式図である。この図は、対向基板１２に垂直な方向から見たときの、金属層１２２１と画素電極１１２と位置関係を仮想的に示す図である。図４（Ａ）は金属層１２２１における開口部１２４の位置を示し、図４（Ｂ）は画素電極１１２の位置を示す。図４（Ｂ）において、開口部１２４は破線で示される。開口部１２４は、画素電極１１２と対向基板１２に垂直な方向から見ると、例えば矩形を有する。複数の開口部１２４は、画素電極１１２の配置に対応して、マトリクス状に配置される。形成される画像の明るさを増加させる観点からは、開口部１２４の開口率は大きいことが望ましい。
【００２５】
再び図３を参照する。金属層１２２１に対しては、光源からの光Ｌの入射側すなわち対向基板１２側には増反射膜１２１が形成される。増反射膜１２１は、遮光層１２２の反射率を増加させるための膜であり、いわゆる誘電体多層膜である。誘電体多層膜は、反射率を増加させたい層（この例では遮光層１２２）との屈折率の差により反射率を増加させる効果を得るものであるので、増反射膜１２１単体では入射光をほとんど反射しない。増反射膜１２１は、第１誘電体層１２１１および第２誘電体層１２１２を有する。第１誘電体層１２１１は対向基板１２に形成された層である。第２誘電体層１２１２は第１誘電体層１２１１に形成された層であり、第１誘電体層１２１１よりも屈折率が低い材料で形成される。すなわち、第１誘電体層１２１１は対向基板１２側に形成され、第２誘電体層１２１２は遮光層１２２側に形成される。
【００２６】
一例として、第１誘電体層１２１１は厚さ７０ｎｍのＳｉ３Ｎ４で形成され、第２誘電体層１２１２は厚さ７０ｎｍのＳｉＯ２で形成される。別の例で、第１誘電体層１２１１は厚さ１２０ｎｍのＡｌ２Ｏ３で形成され、第２誘電体層１２１２は厚さ６０ｎｍのＳｉＯ２で形成される。増反射膜１２１を用いることにより、遮光層１２２の反射率を例えば５〜１０％改善することができる。遮光層１２２における光吸収は遮光層１２２の温度上昇を招くおそれがある。しかし、この例によれば遮光層１２２の反射率が改善するため光吸収が抑制され、ひいては遮光層１２２の温度上昇が抑制される。
【００２７】
金属層１２２１に対しては、光Ｌの出射側すなわち液晶１５側に反射防止膜１２２２が形成される。反射防止膜１２２２は、液晶１５側からの光の反射を防止するための層であり、金属層１２２１の上に、例えばＴｉＮで形成される。この例で、反射防止膜１２２２は、対向基板１２に垂直な方向（Ｚ方向）から見たとき、金属層１２２１とほぼ同じ形状を有する。すなわち、反射防止膜１２２２は、金属層１２２１に対して液晶１５側（素子基板１１側）にのみ形成される。この例によれば、開口部１２４を透過した光Ｌの一部が液晶１５または素子基板１１において反射され、その光がさらに金属層１２２１で反射されることを抑制することができる。反射防止膜１２２２の厚さは、例えば１００〜３００ｎｍであり、一例としては２００ｎｍである。
【００２８】
対向基板１２において、液晶１５側のほぼ全面に共通電極１２３が形成される。共通電極１２３は、遮光層１２２が形成される領域においては遮光層１２２に、開口部１２４においては増反射膜１２１に、それぞれ形成される。
【００２９】
図５は、増反射膜１２１の効果を例示する図である。図５（Ａ）は、本実施形態に係る構成すなわち増反射膜１２１を有する例を、図５（Ｂ）は、比較例に係る構成すなわち増反射膜１２１を有さない例を示す。比較例において、光源から入射した光Ｌは、開口部１２４が無い部分においては遮光層１２２（金属層１２２１）に入射する。遮光層１２２は入射した光Ｌの大部分を反射するが、遮光層１２２の反射率をｒｐとすると、光Ｌの一部（１−ｒｐ）は遮光層１２２に吸収される。本実施形態においても、光源から入射した光Ｌは、開口部１２４が無い部分においては遮光層１２２（金属層１２２１）に入射する。ここで、増反射膜１２１の効果により遮光層１２２の反射率はｒｅ（＞ｒｐ）であり、光Ｌのうち遮光層１２２に吸収される割合（１−ｒｐ）は比較例よりも低い。遮光層１２２において吸収される光の割合が比較例よりも低減されるため、本実施形態においては、遮光層１２２における温度上昇が抑制される。既に説明したように、遮光層１２２の温度上昇が電気光学装置１の表示特性に悪影響を与えることがあるが、本実施形態によれば、遮光層１２２における温度上昇が抑制された結果、表示特性への悪影響が低減される。
【００３０】
図６は、対向基板１２の例２に係る構成を示す模式図である。ここでは例１との相違点を中心に説明する。なお図６以降において素子基板１１は省略する。例１において、反射防止膜１２２２は、対向基板１２に垂直な方向（Ｚ方向）から見たとき、反射防止膜１２２２は、金属層１２２１に対して素子基板１１側にのみ形成されていた。これに対し例２において、反射防止膜１２２２は、開口部１２４の側壁、すなわち、金属層１２２１の側面にも形成される。ここで、側面とはＸ方向またはＹ方向に面した面をいう。金属層１２２１の側面にも反射防止膜１２２２を形成することにより、金属層１２２１の側面における乱反射を抑制することができる。
【００３１】
図７は、対向基板１２の例３に係る詳細な構成を示す模式図である。ここでは例１との相違点を中心に説明する。例１において、対向基板１２には全面に、すなわち開口部１２４に相当する領域においても増反射膜１２１が形成されていた。これに対し例３において、増反射膜１２１は、開口部１２４に相当する領域には形成されていない。増反射膜１２１それ自体は表示に寄与する層ではなく、むしろ光Ｌの一部が増反射膜１２１で反射または吸収される可能性もあるので、開口部１２４を透過する光Ｌを考えると、増反射膜１２１は余分な層である。開口部１２４に相当する領域から増反射膜１２１を除去することにより、増反射膜１２１における光Ｌの反射または吸収を無くすことができるので、開口部１２４における透過率を改善することができる。透過率が改善されると、光源の輝度が同じであってもより明るい画像を形成することができる。なお、例１のように対向基板１２の全面に増反射膜１２１を形成する場合でも、第１誘電体層１２１１、第２誘電体層１２１２、および共通電極１２３の屈折率が特定の条件を満たす場合には、増反射膜１２１が共通電極１２３に対する反射防止膜として機能する。このような場合には、例１のように対向基板１２の全面に増反射膜１２１を形成する意義がある。
【００３２】
図８は、対向基板１２の例４に係る詳細な構成を示す模式図である。ここでは例１との相違点を中心に説明する。例４において、対向基板１２にはいわゆるマイクロレンズアレイが形成される。マイクロレンズアレイは、アレイ状に配置された複数のマイクロレンズを有する。図８では単一のマイクロレンズのみを図示する。マイクロレンズは、液晶パネルを透過する光を増加させるための光学部材である。図３、図６、および図７の例のようにマイクロレンズを有さない場合、光源からの光Ｌの一部は遮光層１２２で反射される。遮光層１２２で反射された光はもはや画像形成には寄与しない光であるから、画像形成の観点からは無駄な光である。光源から出力される光を有効に活用し明るい画像を表示するためにはこの無駄を排除したいが、遮光層１２２の反射率を下げるわけにはいかない。そこでこの例では、マイクロレンズを用いて光Ｌの光路を制御することにより、遮光層１２２に入射する光の量を低減し、光源からの光Ｌを有効に活用して明るい画像を表示する。
【００３３】
具体的には、対向基板１２には、増反射膜１２１の対向基板１２側に、透光層１２５、レンズ層１２６、および透光層１２７が形成される。透光層１２５およびレンズ層１２６はマイクロレンズを形成するための層であり、ともに透光性を有し、互いに異なる屈折率を有する材料で形成される（具体的には、例えばレンズ層１２６の方が透光層１２５よりも屈折率が大きい）。透光層１２５においてレンズ形状の凹部が形成され、この凹部内にレンズ層１２６が充填されレンズを形成する。透光層１２７は、マイクロレンズが形成された面を平坦化し、また、光路を調整するための層である。これらの構造は、光源からの光Ｌを開口部１２４へ導くようにその位置およびサイズが設計される。
【００３４】
図９は、対向基板１２の例５に係る詳細な構成を示す模式図である。例５は、例２の対向基板１２にマイクロレンズアレイを形成したものである。マイクロレンズを用いることにより、開口部１２４に光を収束することができる。
【００３５】
図１０は、対向基板１２の例６に係る詳細な構成を示す模式図である。例６は、例２の対向基板１２にマイクロレンズアレイを形成したものである。マイクロレンズを用いることにより、開口部１２４に光を収束することができる。
【００３６】
図１１は、対向基板１２の例７に係る詳細な構成を示す模式図である。例７は、例４の対向基板１２において、素子基板１１および対向基板１２の積層方向（光源からの入射光Ｌの進行方向）にもう１段マイクロレンズを積層したものである。具体的には、対向基板１２には、共通電極１２３の液晶１５側に、レンズ層１２８および透光層１２９が形成される。レンズ層１２８および透光層１２９はマイクロレンズを形成するための層であり、ともに透光性を有し、互いに異なる屈折率を有する材料で形成される（具体的には、例えばレンズ層１２８の方が透光層１２９よりも屈折率が大きい）。共通電極１２３の液晶１５側に形成されたマイクロレンズは、収束された光を平行光にするためのものである。光の進行方向に２枚積層されたマイクロレンズを用いることにより、平行光を出力することができる。
【００３７】
図１２は、対向基板１２の例８に係る詳細な構成を示す模式図である。例８は、例５の対向基板１２にもう１段マイクロレンズを積層したものである。光の進行方向に２枚積層されたマイクロレンズを用いることにより、平行光を出力することができる。
【００３８】
図１３は、対向基板１２の例９に係る詳細な構成を示す模式図である。例９は、例６の対向基板１２にもう１段マイクロレンズを積層したものである。光の進行方向に２枚積層されたマイクロレンズを用いることにより、平行光を出力することができる。
【００３９】
図９−１２の例においては、マイクロレンズを用いることにより、開口部１２４に光を収束することができる。その結果、マイクロレンズが無い例と比較して、遮光層１２２に入射する光を抑制することができる。遮光層１２２は増反射膜１２１により反射率が増加するが、さらにマイクロレンズにより遮光層１２２に入射する光量が低減されるので、遮光層の温度上昇は一層、抑制される。
【００４０】
図１４は、一実施形態に係るプロジェクター２１００を例示する図である。プロジェクター２１００は、電気光学装置１を用いた電子機器の一例である。プロジェクター２１００において、液晶パネル１００がライトバルブとして用いられる。この図に示されるように、プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２が設けられる。ランプユニット２１０２から射出された投写光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投写光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００４１】
プロジェクター２１００において、液晶パネル１００を含む液晶表示装置が、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応して３組設けられる。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した液晶パネル１００と同様である。Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれの原色成分の階調レベルを指定するに映像信号がそれぞれ外部上位回路から供給されて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００がそれぞれ駆動される。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折し、Ｇ色の光は直進する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投写レンズ群２１１４によってカラー画像が投写される。
【００４２】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投写されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投写される。したがって、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向をライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する。
【００４３】
電気光学装置１が用いられる電子機器としては、図１４に例示したプロジェクターの他にも、テレビジョンや、ビューファインダー型・モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【００４４】
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち２つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。
【００４５】
液晶１５は、ＶＡ液晶に限定されない。ＴＮ（Twisted Nematic）液晶等、ＶＡ液晶以外の液晶が用いられてもよい。また、液晶１５は、ノーマリーブラックモードおよびノーマリーホワイトモードのいずれの液晶であってもよい。
【００４６】
実施形態で説明した各層の構造、材料、および寸法はあくまで例示であり、本発明はこれに限定されない。例えば、遮光層１２２は、反射防止膜１２２２を有していなくてもよい。また、増反射膜１２１は、３層遺贈の誘電体層が積層されたものであってもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１…電気光学装置、１１…素子基板、１２…対向基板、１５…液晶、１７…端子、１９…シール材、１１１…ＴＦＴ、１１２…画素電極、１２１…増反射膜、１２２…遮光層、１２３…共通電極、１２４…開口部、１２５…透光層、１２６…レンズ層、１２７…透光層、１２８…レンズ層、１２９…透光層、１２１１…第１誘電体層、１２１２…第２誘電体層、１２２１…金属層、１２２２…反射防止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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