(57)【要約】【課題】高いピークでかつ短い幅のパルス光を出力可能なフラッシュランプ装置を提供する。【解決手段】フラッシュランプ装置（１０１〜１０７）は、蓄電素子（１２）、インダクタ素子（１３、１７）、蓄電素子のエネルギーをインダクタ素子に伝達するためのスイッチ素子（１４）、第１乃至第ｎの可飽和インダクタ（１５−１〜ｎ）並びに第１乃至第ｎ＋１のコンデンサ（１６−１〜ｎ＋１）を含み、１≦ｋ≦ｎ、１≦ｎについて、第ｋのコンデンサ、第ｋの可飽和インダクタ及び第ｋ＋１のコンデンサによって閉ループが構成され、第１のコンデンサがインダクタ素子からエネルギーを受けるように接続され、第ｋのコンデンサと第ｋの可飽和インダクタの接続ノードに第ｋ＋１の可飽和インダクタが接続された、磁気パルス圧縮回路（１）と、第ｎ＋１のコンデンサに並列接続されるフラッシュランプ（２）と、スイッチ素子のオン／オフを制御する制御部（３）とを含む。【選択図】  図１
2018029042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュランプ装置であって、
蓄電素子、インダクタ素子、前記蓄電素子のエネルギーを前記インダクタ素子に伝達するためのスイッチ素子、第１乃至第ｎの可飽和インダクタ並びに第１乃至第ｎ＋１のコンデンサを含み、１≦ｋ≦ｎ、１≦ｎについて、第ｋのコンデンサ、第ｋの可飽和インダクタ及び第ｋ＋１のコンデンサによって閉ループが構成され、前記第１のコンデンサが前記インダクタ素子からエネルギーを受けるように接続され、前記第ｋのコンデンサと前記第ｋの可飽和インダクタの接続ノードに第ｋ＋１の可飽和インダクタが接続された、磁気パルス圧縮回路と、
前記第ｎ＋１のコンデンサに並列接続されるフラッシュランプと、
前記スイッチ素子のオン／オフを制御する制御部と
を備えたフラッシュランプ装置。
【請求項２】
前記フラッシュランプに近接配置されたトリガ線をさらに備え、該トリガ線が前記第ｎの可飽和インダクタと前記第ｎのコンデンサとの接続ノードに電気的に接続されるとともに終端開放された、請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項３】
前記フラッシュランプに近接配置されたトリガ線をさらに備え、該トリガ線が前記フラッシュランプの一方の電極に電気的に接続されるとともに終端開放された、請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項４】
前記フラッシュランプに近接配置されて相互に絶縁された第１及び第２のトリガ線をさらに備え、
前記第１のトリガ線が前記第ｎの可飽和インダクタの一端に電気的に接続されるとともに終端開放され、前記第２のトリガ線が前記第ｎの可飽和インダクタの他端に電気的に接続されるとともに終端開放された、請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項５】
前記フラッシュランプに近接配置されたトリガ線をさらに備え、
前記第ｎ又は第ｎ＋１のコンデンサがコンデンサ分圧回路からなり、前記トリガ線が前記コンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放された、請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項６】
前記フラッシュランプに近接配置されて相互に絶縁された第１及び第２のトリガ線をさらに備え、
前記第ｎのコンデンサが第１のコンデンサ分圧回路からなり、前記第ｎ＋１のコンデンサが第２のコンデンサ分圧回路からなり、前記第１のトリガ線が前記第１のコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放され、前記第２のトリガ線が前記第２のコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放された、請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項７】
前記フラッシュランプに近接配置されたトリガ線と、
作動されると前記トリガ線に所定の高電圧を印加する始動回路と
をさらに備え、
前記制御部が、前記スイッチ素子をオンした時点から、予め決定された所定時間経過後に前記始動回路を作動させる遅延起動部を含む、請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項８】
前記第１乃至第ｎのコンデンサのうちのいずれかのコンデンサに、当該コンデンサよりも容量の大きい検出コンデンサが直列接続され、当該コンデンサ及び検出コンデンサがコンデンサ分圧回路を構成し、
前記フラッシュランプに近接配置されたトリガ線と、
作動されると前記トリガ線に所定の高電圧を印加する始動回路と、
前記検出コンデンサに発生する電圧が所定値を超えた時点で前記始動回路を作動させる起動回路と
をさらに備えた請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項９】
前記第１乃至第ｎの可飽和インダクタのいずれかが補助巻線を備え、
前記フラッシュランプに近接配置されたトリガ線と、
作動されると前記トリガ線に所定の高電圧を印加する始動回路と、
前記補助巻線に発生する電流又は電圧が所定値を超えた時点で前記始動回路を作動させる起動回路と
をさらに備えた請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項１０】
前記磁気パルス圧縮回路の動作前から、前記フラッシュランプに微弱な電流を通電し続けるシマー回路をさらに備えた請求項１に記載のフラッシュランプ装置。
【請求項１１】
第ｎ＋１の可飽和インダクタをさらに備え、該第ｎ＋１の可飽和インダクタと前記フラッシュランプの直列回路が前記第ｎ＋１のコンデンサに並列接続された、請求項１から１０のいずれか一項に記載のフラッシュランプ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュランプ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１のフラッシュランプ装置は、フラッシュランプと、フラッシュランプにエネルギーを供給するためのコンデンサと、コンデンサとフラッシュランプの間に接続されたコイルと、フラッシュランプに巻回されたトリガ電極と、トリガ電極に接続されたトリガ回路を備える。コンデンサが充電された状態でトリガ回路がトリガ電極に高電圧を印加すると、フラッシュランプが絶縁破壊され、コンデンサからの電流が投入される。これにより、フラッシュランプにはコンデンサの容量とコイルのインダクタンスによって決まるパルス状のランプ電流が流れ、閃光点灯が行われる。
【０００３】
特許文献２の熱処理装置は、上記のような構成において、フラッシュランプに直列接続されたＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子をさらに備え、半導体スイッチング素子が所定のパルス幅及びパルス間隔でオン／オフされる。これにより、半導体スイッチング素子のオン期間に対応する幅のパルス電流がフラッシュランプに投入され、このパルス電流に応じた光パルスが被処理物に照射される。すなわち、半導体スイッチング素子のオン期間を調整することによってランプ電流及び出力光のパルス幅が調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許４１４０２７９号公報
【特許文献２】特開２００９−７０９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の装置においては、高いピークで短い幅のパルスからなるランプ電流を生成することが難しく、そのため被照射物に対する高温かつ短時間の閃光照射を実現することができない。例えば、コンデンサの充電電圧を増加させて高いピークのパルス電流及び出力光を生成することは可能であるものの、コンデンサの充電中にフラッシュランプの絶縁破壊が起こる、いわゆる自己絶縁破壊の問題が生じてしまう。また、フラッシュランプの低抵抗化によってもパルス電流の高ピーク化が可能であるが、フラッシュランプを低抵抗化するにはランプ構造の制約としてランプ径を大きくかつランプ長を短くする必要があり、結果としてランプ照射範囲が狭まり、大面積の照射が困難となる。また、コンデンサの容量を増加させることによってもパルス電流の高ピーク化が可能であるが、同時にパルス幅、すなわちパルス波形の裾野が拡がり、詳細を後述するように被照射物における余剰な加熱が問題となる。
【０００６】
また、特許文献２の装置においては、ランプ電流の経路に半導体スイッチング素子が挿入されるため、この半導体スイッチング素子の部品調達及びコストの観点から装置の大容量化（高電圧大電流化）が難しいという問題がある。例えば、ランプ電圧数ｋ〜数１０ｋＶ、ランプ電流数１００Ａ以上が必要となる場合、このような耐電圧及び電流容量の半導体スイッチング素子は、市場での入手が困難であるか、又は非常に高コストとなる。このように、ランプ電流の経路に半導体スイッチング素子が含まれる構成は、理論的には高いピークかつ短い幅のパルス電流を生成することができても、フラッシュランプ装置の出力仕様によっては現実的でない場合がある。
【０００７】
そこで、本発明は、高いピークでかつ短い幅のパルス光を出力可能なフラッシュランプ装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示によるフラッシュランプ装置は、蓄電素子、インダクタ素子、蓄電素子のエネルギーをインダクタ素子に伝達するためのスイッチ素子、第１乃至第ｎの可飽和インダクタ並びに第１乃至第ｎ＋１のコンデンサを含み、１≦ｋ≦ｎ、１≦ｎについて、第ｋのコンデンサ、第ｋの可飽和インダクタ及び第ｋ＋１のコンデンサによって閉ループが構成され、第１のコンデンサがインダクタ素子からエネルギーを受けるように接続され、前記第ｋのコンデンサと前記第ｋの可飽和インダクタの接続ノードに第ｋ＋１の可飽和インダクタが接続された、磁気パルス圧縮回路（１）と、第ｎ＋１のコンデンサに並列接続されるフラッシュランプ（２）と、スイッチ素子のオン／オフを制御する制御部（３）とを備える。なお、第ｎ＋１の可飽和インダクタがさらに設けられ、第ｎ＋１の可飽和インダクタとフラッシュランプの直列回路が第ｎ＋１のコンデンサに並列接続されていてもよい。
【０００９】
本開示のフラッシュランプ装置によると、磁気パルス圧縮回路によって生成される高いピークでかつ短い幅のパルス電流をフラッシュランプに通電することが可能となり、これにより、フラッシュランプ装置は高いピークかつ短い幅のパルス光を出力することができる。
【００１０】
一形態によるフラッシュランプは、フラッシュランプに近接配置されたトリガ線をさらに備え、トリガ線は第ｎの可飽和インダクタと第ｎのコンデンサとの接続ノードに電気的に接続されるとともに終端開放され、又はフラッシュランプの一方の電極に電気的に接続されるとともに終端開放される。これにより、トリガ線に印加されるトリガ電圧によってフラッシュランプの始動が補助される。したがって、フラッシュランプの絶縁破壊電圧が比較的高い場合でも、トランスの昇圧比の増加、すなわち第１〜第ｎ＋１のコンデンサの高耐圧化を回避して、磁気パルス圧縮回路による尖塔化されたパルス電流を簡素な構成で効率的に利用することが可能となる。
【００１１】
また、フラッシュランプに近接配置されて相互に絶縁された第１及び第２のトリガ線が設けられ、第１のトリガ線が第ｎの可飽和インダクタの一端に電気的に接続されるとともに終端開放され、第２のトリガ線が第ｎの可飽和インダクタの他端に電気的に接続されるとともに終端開放されてもよい。これにより、トリガ電圧の印加時間幅を拡げることができ、より確実なランプ始動が可能となる。
【００１２】
一形態によるフラッシュランプは、フラッシュランプに近接配置されたトリガ線をさらに備え、第ｎ又は第ｎ＋１のコンデンサがコンデンサ分圧回路からなり、トリガ線はコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放される。これにより、トリガ線に印加されるトリガ電圧によってフラッシュランプの始動が補助されるので、フラッシュランプの絶縁破壊電圧が比較的高い場合でも、第１〜第ｎ＋１のコンデンサの高耐圧化を回避して尖塔化されたパルス電流を効率的に利用することが可能となる。さらに、コンデンサ分圧回路の分圧比を適正化することによりフラッシュランプの放電開始電圧を所望値とすることができ、フラッシュランプ装置の設計の柔軟性が増す。
【００１３】
また、フラッシュランプに近接配置されて相互に絶縁された第１及び第２のトリガ線が設けられ、第ｎのコンデンサが第１のコンデンサ分圧回路からなり、第ｎ＋１のコンデンサが第２のコンデンサ分圧回路からなり、第１のトリガ線が第１のコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放され、第２のトリガ線が第２のコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放されてもよい。これにより、トリガ電圧の印加時間幅を拡げることができ、より確実なランプ始動が可能となる。
【００１４】
一形態によるフラッシュランプは、フラッシュランプに近接配置されたトリガ線と、作動されるとトリガ線に所定の高電圧を印加する始動回路とをさらに備え、制御部が、スイッチ素子をオンした時点から、予め決定された所定時間経過後に始動回路を作動させる遅延起動部を含む。これにより、磁気パルス圧縮回路のトランスの２次側回路の動作とは独立してランプ始動のトリガタイミングを任意に調整することが可能となり、フラッシュランプ装置の設計の柔軟性が増す。
【００１５】
一形態によるフラッシュランプでは、第１乃至第ｎのコンデンサのうちのいずれかのコンデンサに、当該コンデンサよりも容量の大きい検出コンデンサが直列接続され、当該コンデンサ及び検出コンデンサがコンデンサ分圧回路を構成し、フラッシュランプに近接配置されたトリガ線と、作動されるとトリガ線に所定の高電圧を印加する始動回路と、検出コンデンサに発生する電圧が所定値を超えた時点で始動回路を作動させる起動回路とがさらに設けられる。これにより、ランプ始動のタイミングが、パルス圧縮用の閉ループを構成する第ｋのコンデンサ及び検出コンデンサの充電タイミングに同期し、高精度なタイミングでのランプ始動が可能となる。
【００１６】
一形態によるフラッシュランプでは、第１乃至第ｎの可飽和インダクタのいずれかが補助巻線を備え、フラッシュランプに近接配置されたトリガ線と、作動されるとトリガ線に所定の高電圧を印加する始動回路と、補助巻線に発生する電流又は電圧が所定値を超えた時点で始動回路を作動させる起動回路とがさらに設けられる。これにより、ランプ始動のタイミングが、パルス圧縮用の閉ループを構成する第ｋの可飽和インダクタの飽和タイミングに同期し、高精度なタイミングでのランプ始動が可能となる。
【００１７】
一形態によるフラッシュランプは、磁気パルス圧縮回路の動作前から、フラッシュランプに微弱な電流を通電し続けるシマー回路をさらに備える。これにより、フラッシュランプにおけるスムーズな電源投入が可能となり、磁気パルス圧縮回路からのパルス電流が効率良くランプ点灯に利用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図２】第１の実施形態によるフラッシュランプ装置の動作を説明する図である。
【図３】第１の実施形態の他の例によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図４Ａ】第２の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図４Ｂ】第２の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図４Ｃ】第２の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図５Ａ】第３の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図５Ｂ】第３の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図５Ｃ】第３の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図６Ａ】第４の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図６Ｂ】フラッシュランプ装置における始動回路の一例を示す回路図である。
【図７】第５の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図８】第６の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図９】第７の実施形態によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【図１０】変形例によるフラッシュランプ装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以降に説明する実施形態によるフラッシュランプ装置は、例えば、フレキシブル有機ＥＬ基板をガラス基板等から剥離する工程において使用される。具体的には、この剥離工程の前に、ガラス基板上に柔軟な有機ＥＬ基板が形成される。これは、（後にフレキシブル有機ＥＬ基板となる）有機ＥＬ基板は非常に柔軟であるため、形状的に安定したガラス基板上で有機ＥＬ基板に対する回路部品等の実装処理を行う必要があるためである。有機ＥＬ基板がガラス基板上に形成された後、有機ＥＬ基板及びガラス基板がフラッシュランプによってガラス基板側からパルス照射される。このパルス照射に応じて、有機ＥＬ基板とガラス基板との熱膨張率の差に起因して両基板間に応力が発生し、この応力によって双方の結合が解かれる。そして、このように結合が解かれた状態で有機ＥＬ基板がガラス基板から剥離され、フレキシブル有機ＥＬ基板が完成する。
【００２０】
ここで、フラッシュランプによるパルス照射において、光のパルスのピークが充分に高くない場合、すなわち、ランプ電流のパルス波形のピーク値が充分に高くない場合には、両基板の結合が解除されない。また、光のパルスのピークが充分に高くてもパルス幅が広い場合、すなわち、ランプ電流のパルス波形の半値幅、１／３値幅等が大きい場合には、両基板の結合は解除されるものの、ピーク後に継続する余剰な照射熱によって有機ＥＬ基板内の回路素子が損傷を受ける可能性がある。したがって、有機ＥＬ基板をガラス基板から剥離する工程では、高いピークでかつ短い幅の光のパルス、すなわち、これに対応するランプ電流のパルス波形が生成されることが望ましい。以降の各実施形態によるフラッシュランプ装置は、このようなパルス波形のランプ電流及び光出力を実現するものである。
【００２１】
＜第１の実施形態＞
図１に、本発明の第１の実施形態によるフラッシュランプ装置１０１の回路図を示す。フラッシュランプ装置１０１は、磁気パルス圧縮回路１、フラッシュランプ２（以下、「ランプ２」という）及び制御部３を有する。ランプ２は、キセノンランプ等の閃光放電に適したランプであり、本実施形態では、ガラス基板側から有機ＥＬ基板を照射して加熱するためのランプである。
【００２２】
磁気パルス圧縮回路１は、充電回路１１、蓄電素子１２、トランス１３（インダクタ素子）、スイッチ素子１４、可飽和インダクタ１５−０〜１５−ｎ及びコンデンサ１６−１〜１６−ｎ＋１を含む。なお、本実施形態では、ｎ＝２である。また、最終段のコンデンサ１６−ｎ＋１（すなわち、コンデンサ１６−３）をコンデンサ１６ｐと表記する場合もある。なお、図１においては、トランス１３の１次側の基準電位（すなわち、蓄電素子１２の基準電位）と２次側の基準電位（すなわち、コンデンサ１６−１の基準電位）とを同じ電位としているが、双方を異なる電位としてもよい。
【００２３】
充電回路１１は、制御部３からの充電開始信号に応じて蓄電素子１２を充電する。蓄電素子１２は、オイルコンデンサ、電気二重層コンデンサ、バッテリ、電解コンデンサ等であればよい。充電回路１１には、蓄電素子１２の充電電圧を検出する電圧検出回路（不図示）が設けられ、充電電圧が設定値に達した時点で充電を停止するように構成される。また、充電回路１１が蓄電素子１２の充電完了に応じて充電完了信号を制御部３に出力するようにしてもよい。
【００２４】
トランス１３は、１次巻線１３ｐ及び２次巻線１３ｓを有する昇圧トランスである。スイッチ素子１４は、ＩＧＢＴ等の半導体スイッチである。可飽和インダクタ１５−０は、いわゆる磁気スイッチであり、その両端間の印加電圧の時間積分値が所定値（特性値）を超えると飽和し、インピーダンスが急峻に低下する。蓄電素子１２、可飽和インダクタ１５−０、１次巻線１３ｐ及びスイッチ素子１４はループを構成するように接続される。なお、可飽和インダクタ１５−０は、スイッチ素子１４のオン時において（スイッチ素子１４にかかる電圧と電流の間に位相差を形成して）スイッチング損失を軽減するためのものであり、損失設計によっては省略可能である。
【００２５】
可飽和インダクタ１５−１及び１５−２は、上記の可飽和インダクタ１５−０と同様の機能を有する。コンデンサ１６−１、１６−２及び１６−３（１６ｐ）は、例えば、フィルムコンデンサからなる。また、コンデンサ１６−１、可飽和インダクタ１５−１及びコンデンサ１６−２が直列回路（以下、「第１の閉ループ」という）を構成するように接続され、コンデンサ１６−２、可飽和インダクタ１５−２及びコンデンサ１６−３（１６ｐ）が直列回路（以下、「第２の閉ループ」という）を構成するように接続される。コンデンサ１６−１はトランス１３の２次巻線１３ｓに並列接続され、可飽和インダクタ１５−１と可飽和インダクタ１５−２の接続ノードにコンデンサ１６−２が接続される。この連続構成を一般化すると、１≦ｋ≦ｎ、１≦ｎについて、コンデンサ１６−ｋ、可飽和インダクタ１５−ｋ及びコンデンサ１６−ｋ＋１によって閉ループが構成されるとともに、コンデンサ１６−ｋと可飽和インダクタ１５−ｋの接続ノードに可飽和インダクタ１５−ｋ＋１が接続されることになる。なお、本実施形態では、ｎ＝２であるが、ｎは１又は３以上であってもよい。
【００２６】
制御部３は、充電制御部３１及びスイッチ制御部３２を有する。なお、制御部３は、不図示のＣＰＵ、メモリ及び入出力インターフェイスを含み、ＣＰＵは充電制御部３１及びスイッチ制御部３２を含む。そして、制御部３内の各構成要素は、適宜のバスを介してデータ又は信号のやり取りが可能な態様で構成されている。
【００２７】
充電制御部３１は、充電回路１１に充電開始信号を出力して充電動作の開始を指示する。スイッチ制御部３２は、スイッチ素子１４のオン／オフを制御する。例えば、スイッチ制御部３２は、充電回路１１から（充電制御部３１を介して、又は直接に）入力された充電完了信号に応じて、スイッチ素子１４を所定の時間幅でオンする。あるいは、スイッチ制御部３２は、充電完了後の所定のタイミングにおいて、スイッチ素子１４を所定の間隔（例えば、ガラス基板及び有機ＥＬ基板を搬送する製造ラインの搬送速度に基づいた間隔等）でかつ所定の時間幅でオンするようにしてもよい。
【００２８】
蓄電素子１２が充電され、スイッチ素子１４がオンされた後、可飽和インダクタ１５−０の両端電圧の積分値が特性値を超えるとそのインピーダンスが急峻に低下し、蓄電素子１２の電荷が可飽和インダクタ１５−０、トランス１３の１次巻線１３ｐ及びスイッチ素子１４を介して放電される。これにより、１次巻線１３ｐから２次巻線１３ｓにエネルギーが伝達され、１次巻線１３ｐに対する２次巻線１３ｓの巻数比に応じて蓄電素子１２の電圧が昇圧される。
【００２９】
図２は、磁気パルス圧縮回路１の動作を説明する図であり、上段に各部電流を示し、下段に各部電圧を示し、横軸は時間である。図２において、コンデンサ１６−１の電圧及び電流をそれぞれＶ１及びＩ１で示し、コンデンサ１６−２の電圧及び電流をそれぞれＶ２及びＩ２で示し、コンデンサ１６ｐの電圧及び電流をそれぞれＶ３及びＩ３で示す。
【００３０】
まず、時刻ｔ０においてスイッチ素子１４がオンされ、２次巻線１３ｓに伝達されたエネルギーに基づいて、昇圧された電圧がコンデンサ１６−１に充電されていく。この過程において、コンデンサ１６−２にも、非飽和状態の（すなわち、高インピーダンス状態の）可飽和インダクタ１５−１を介してわずかに電流が流れ得る。
【００３１】
時刻ｔ１において、コンデンサ１６−１の電圧がピーク付近に達すると、可飽和インダクタ１５−１の両端電圧の積分値が特性値を超え、可飽和インダクタ１５−１が飽和してそのインピーダンスが急峻に低下する。トランス１３による昇圧電圧、コンデンサ１６−１の充電速度等を考慮して、可飽和インダクタ１５−１の特性値が選択されているものとする。可飽和インダクタ１５−１のインピーダンスの低下に応じて、コンデンサ１６−１のエネルギーが可飽和インダクタ１５−１を介してコンデンサ１６−２に放電される。このときの電圧Ｖ２及び電流Ｉ２のパルス波形は、第１の閉ループにおける可飽和インダクタ１５−１、コンデンサ１６−１及びコンデンサ１６−２の共振作用に基づく。この過程において、コンデンサ１６ｐにも、非飽和状態の（すなわち、高インピーダンス状態の）可飽和インダクタ１５−２を介してわずかに電流が流れ得る。
【００３２】
時刻ｔ２において、コンデンサ１６−２の電圧がピーク付近に達すると、可飽和インダクタ１５−２の両端電圧の積分値が特性値を超え、可飽和インダクタ１５−２が飽和してそのインピーダンスが急峻に低下する。トランス１３による昇圧電圧、コンデンサ１６−２の充電速度等を考慮して、可飽和インダクタ１５−２の特性値が選択されているものとする。可飽和インダクタ１５−２のインピーダンスの低下により、コンデンサ１６−２のエネルギーが可飽和インダクタ１５−２を介してコンデンサ１６ｐに放電される。このときの電圧Ｖ３及び電流Ｉ３のパルス波形は、第２の閉ループにおける可飽和インダクタ１５−２、コンデンサ１６−２及びコンデンサ１６ｐの共振作用に基づく。
【００３３】
ここで、可飽和インダクタ１５−２の飽和時における第２の閉ループのインピーダンス及び時定数τ２は、可飽和インダクタ１５−１の飽和時における第１の閉ループのインピーダンス及び時定数τ１よりも小さくなるように設計されている。ここで、コンデンサ１６−ｋ及び１６−ｋ＋１の直列合成容量をＣｋとし、可飽和インダクタ１５−ｋのインダクタンスをＬｋとし、このループの浮遊インダクタンスをＬｘとすると、この閉ループの時定数τｋは、τｋ＝π×｛（Ｌｋ＋Ｌｘ）×Ｃｋ｝１／２  となる。したがって、磁気パルス圧縮回路１において、後段の閉ループほど（すなわち、ｋが大きいほど）時定数τが小さくなるように設計される。このような時定数τの設定により、電流Ｉｋ＋１（例えば、電流Ｉ３）のパルス波形は、電流Ｉｋ（例えば、電流Ｉ２）のパルス波形よりも狭幅化及び尖塔化され、より高いピーク及びより短いパルス幅を有することになる。
【００３４】
時刻ｔ２以降のいずれかの時刻において、コンデンサ１６ｐの電圧がランプ２の絶縁破壊電圧を超えると、実質的に電圧Ｖ３及び電流Ｉ３のパルス波形がランプ２に印加及び通電される。ランプ２には、例えば、数１０ｋＶのピーク電圧において、ピーク電流１０００〜４０００Ａ及びパルス幅１μ〜１００μ秒程度のパルス電流が投入可能となる。これにより、ランプ２から、高いピークでかつ短い幅の光のパルスが照射される。
【００３５】
なお、磁気パルス圧縮回路１は、図３に示す回路構成のものであってもよい。図３に示す例では、磁気パルス圧縮回路１は、充電回路１１、蓄電素子１２、スイッチ素子１４、コイル１７（インダクタ素子）、可飽和インダクタ１５−１〜１５−ｎ及びコンデンサ１６−１〜１６−ｎ＋１を含む。本例においてもｎ＝２の場合を示すが、ｎ＝１又はｎ≧３であってもよい。蓄電素子１２、スイッチ素子１４、コイル１７及びコンデンサ１６−１が直列接続されてループを構成する。コンデンサ１６−１の後段側（すなわち、可飽和インダクタ１５−１〜１５−２及びコンデンサ１６−１〜１６ｐ）の構成及び動作は、図１に関して上述したものと同様である。
【００３６】
スイッチ素子１４は、スイッチ制御部３２によって図１の構成と同様の態様でオン／オフ制御される。この構成によると、コイル１７のインピーダンスに起因してスイッチ素子１４の電流が制限されるため、スイッチ素子１４に比較的電流容量の小さいトランジスタ（例えば、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ）等の半導体スイッチ素子を用いることができる。
【００３７】
以上のように、本実施形態のフラッシュランプ装置１０１は、磁気パルス圧縮回路１、フラッシュランプ２及び制御部３を有する。磁気パルス圧縮回路１は、蓄電素子１２、トランス１３又はコイル１７（インダクタ素子）、蓄電素子１２のエネルギーをこのインダクタ素子に伝達するためのスイッチ素子１４、可飽和インダクタ１５−１〜１５−ｎ並びにコンデンサ１６−１〜１６−ｎ＋１を含む。１≦ｋ≦ｎ、１≦ｎについて、コンデンサ１６−ｋ、可飽和インダクタ１５−ｋ及びコンデンサ１６−ｋ＋１によって閉ループが構成され、コンデンサ１６−１が上記インダクタ素子からエネルギーを受けるように接続され、コンデンサ１６−ｋと可飽和インダクタ１５−ｋの接続ノードに可飽和インダクタ１５−ｋ＋１が接続され、ランプ２がコンデンサ１６−ｎ＋１に並列接続される。そして、制御部３がスイッチ素子１４のオン／オフを制御する。
【００３８】
このように、磁気パルス圧縮回路１によって生成される高いピークでかつ短い幅のパルス電流をランプ２に通電することが可能となり、これによりフラッシュランプ装置１０１は高いピークかつ短い幅のパルス光を出力することができる。したがって、フレキシブル有機ＥＬ基板の製造において、有機ＥＬ基板の回路素子を損傷することなく有機ＥＬ基板をガラス基板から剥離することが可能となり、フレキシブル有機ＥＬ基板の生産性が高まる。なお、以降に説明する各実施形態においても上述の効果が得られる。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
上記第１の実施形態では、コンデンサ１６ｐの電圧がランプ２の絶縁破壊電圧を超えるとランプ２が放電を開始する構成を示したが、本実施形態では、さらにトリガ方式によるランプ始動補助が適用される構成を示す。
【００４０】
図４Ａ〜図４Ｃに、本実施形態のフラッシュランプ装置１０２の回路図を示す。フラッシュランプ装置１０２は、トリガ回路４を備える点で第１の実施形態のフラッシュランプ装置１０１と異なる。本実施形態において、第１の実施形態のフラッシュランプ装置１０１と同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００４１】
図４Ａに示すように、トリガ回路４はトリガ線４０からなる。トリガ線４０は導電性の金属線からなり、ランプ２に近接配置される。近接配置の態様は、トリガ線４０がランプ２に這設されるもの、這設及び巻回されるもの、螺旋状に巻回されるもの等であればよい。トリガ線４０の基端はコンデンサ１６−２と可飽和インダクタ１５−１及び１５−２との接続ノードに電気的に接続され、終端はランプ２の他方の電極２ｂ付近で開放される。トリガ線４０の電圧は、図２に示す電圧Ｖ２と等しい。トリガ線４０とランプ２の放電空間内の電位差によって放電空間内に電子が供給され、ランプ２の絶縁破壊電圧が低減される。
【００４２】
あるいは、図４Ｂに示すように、トリガ線４１の基端がランプ２の一方の電極２ａ側に電気的に接続され、終端がランプ２の他方の電極２ｂ付近で開放されてもよい。この場合、トリガ線４１の電圧は、図２に示す電圧Ｖ３と等しい。また逆に、トリガ線４１の基端がランプ２の電極２ｂ側に電気的に接続され、終端がランプ２の電極２ａ付近で開放されるようにしてもよい。なお、トリガ線４１はトリガ線４０と同一の材質であればよい。
【００４３】
また、図４Ｃに示すように、トリガ回路４が、上述のトリガ線４０及び４１で構成されてもよい。トリガ線４０及び４１は、相互に適切な絶縁距離をとって配置される。例えば、トリガ線４０及び４１は、平行に維持された状態でランプ２の発光管に螺旋状に巻回されてもよいし、ランプ２の発光管の対向する側部に平行に這設されてもよい。トリガ線４０及び４１を１つのトリガ要素としてみた場合、図２に示す電圧Ｖ２及びＶ３がトリガ電圧として作用する。
【００４４】
トリガ回路４について、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃのいずれの接続構成を採用するのかは、トリガ線への電圧印加のタイミングとランプ２の放電開始のタイミングとの整合を考慮して適宜決定されればよい。
【００４５】
以上のように、本実施形態のフラッシュランプ装置１０２は、ランプ２に近接配置されたトリガ線４０又は４１を備える。トリガ線４０は、可飽和インダクタ１５−ｎとコンデンサ１６−ｎとの接続ノードに電気的に接続されるとともに終端開放される。トリガ線４１は、ランプ２の一方の電極２ａ（又は電極２ｂ）に電気的に接続されるとともに終端開放される。これにより、トリガ線４０又は４１に印加されるトリガ電圧によってランプ２の始動が補助される。したがって、ランプ２の絶縁破壊電圧が比較的高い場合でも、トランス１３の昇圧比の増加、すなわちコンデンサ１６−１〜１６−ｎ＋１の高耐圧化を回避して、磁気パルス圧縮回路１による尖塔化されたパルス電流を簡素な構成で効率的に利用することが可能となる。
【００４６】
また、ランプ２に近接配置されて相互に絶縁されたトリガ線４０及び４１が設けられ、トリガ線４０が可飽和インダクタ１５−ｎの一端（コンデンサ１６−ｎ）に電気的に接続されるとともに終端開放され、トリガ線４１が可飽和インダクタ１５−ｎの他端（コンデンサ１６−ｎ＋１）に電気的に接続されるとともに終端開放されてもよい。これにより、トリガ電圧の印加時間幅を拡げることができ、より確実なランプ始動が可能となる。
【００４７】
＜第３の実施形態＞
上記第２の実施形態では、トリガ線４０に印加される電圧とランプ２に印加される電圧が同一となる構成を示したが、本実施形態では、トリガ線４０の印加電圧がランプ２の印加電圧よりも低い構成を示す。
【００４８】
図５Ａ〜図５Ｃに、本実施形態のフラッシュランプ装置１０３の回路図を示す。フラッシュランプ装置１０３では、トリガ線４０の接続が第２の実施形態のフラッシュランプ装置１０２と異なる。本実施形態において、第１及び第２の実施形態のフラッシュランプ装置１０１及び１０２と同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００４９】
図５Ａに示すように、本実施形態では、コンデンサ１６−２がコンデンサ１６ａ及び１６ｂの直列回路（コンデンサ分圧回路）からなる。コンデンサ１６ａ及び１６ｂの直列合成容量は、上記各実施形態におけるコンデンサ１６−２の合成容量に等しいものとする。
【００５０】
トリガ回路４はトリガ線４０からなり、トリガ線４０はランプ２に近接配置される。トリガ線４０はコンデンサ１６ａ及び１６ｂの接続ノード（すなわち分圧点）に電気的に接続され、終端開放される。この場合、トリガ線４０の電圧は、図２に示す電圧Ｖ２の分圧値に等しい。コンデンサ１６ａとコンデンサ１６ｂの容量比は、ランプ２の絶縁破壊に必要な電圧を考慮して適宜定められる。
【００５１】
あるいは、図５Ｂに示すように、コンデンサ１６−３がコンデンサ１６ｃ及び１６ｄの直列回路（コンデンサ分圧回路）からなり、トリガ線４１がコンデンサ１６ｃ及び１６ｄの接続ノード（すなわち分圧点）に電気的に接続されていてもよい。コンデンサ１６ｃ及び１６ｄの直列合成容量は、上記各実施形態におけるコンデンサ１６−３の合成容量に等しいものとする。この場合、トリガ線４１の電圧は、図２に示す電圧Ｖ３の分圧値に等しい。また、コンデンサ１６ｃとコンデンサ１６ｄの容量比は、ランプ２の絶縁破壊に必要な電圧を考慮して適宜定められる。
【００５２】
また、図５Ｃに示すように、トリガ回路４が、上述のトリガ線４０及び４１で構成されてもよい。トリガ線４０及び４１は、相互に適切な絶縁距離をとって配置される。例えば、トリガ線４０及び４１は、平行に維持された状態でランプ２の発光管に螺旋状に巻回されてもよいし、ランプ２の発光管の対向する側部に平行に這設されてもよい。トリガ線４０及び４１を１つのトリガ要素としてみた場合、図２に示す電圧Ｖ２の分圧値及び電圧Ｖ３の分圧値がトリガ電圧として作用する。
【００５３】
トリガ回路４について、図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃのいずれの接続構成を採用するのかは、トリガ線への電圧印加のタイミングとランプ２の放電開始のタイミングとの整合を考慮して適宜決定されればよい。
【００５４】
以上のように、本実施形態のフラッシュランプ装置１０３は、ランプ２に近接配置されたトリガ線４０又は４１を備える。そして、コンデンサ１６−ｎ又は１６−ｎ＋１がコンデンサ分圧回路からなり、トリガ線４０又は４１はコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放される。これにより、第２の実施形態で得られる効果に加えて、コンデンサ分圧回路の分圧比を適正化することによりランプ２の放電開始電圧を所望値とすることができ、フラッシュランプ装置の設計の柔軟性が増す。
【００５５】
また、ランプ２に近接配置されて相互に絶縁されたトリガ線４０及び４１が設けられ、コンデンサ１６−ｎが第１のコンデンサ分圧回路（１６ａ、１６ｂ）からなり、コンデンサ１６−ｎ＋１が第２のコンデンサ分圧回路（１６ｃ、１６ｄ）からなり、トリガ線４０が第１のコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放され、トリガ線４１が第２のコンデンサ分圧回路の分圧点に電気的に接続されるとともに終端開放されてもよい。これにより、トリガ電圧の印加時間幅を拡げることができ、より確実なランプ始動が可能となる。
【００５６】
＜第４の実施形態＞
上記第２及び第３の実施形態では、トリガ線への電圧印加タイミングとコンデンサ１６−ｎ又は１６ｐの電圧印加タイミングとが同時となる構成を示したが、本実施形態では、トリガ線への電圧印加タイミングがスイッチ素子１４のオンタイミングに基づいて決定される構成を示す。
【００５７】
図６Ａに、本実施形態のフラッシュランプ装置１０４の回路図を示す。フラッシュランプ装置１０４では、制御部３の構成が第２及び第３の実施形態のフラッシュランプ装置１０２及び１０３とは異なる。本実施形態において、第１〜第３の実施形態のフラッシュランプ装置１０１〜１０３と同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００５８】
本実施形態のトリガ回路４は、トリガ線４０及び始動回路４５を有する。トリガ線４０はランプ２に近接配置され、始動回路４５は、例えばパルストランスを含み、作動されるとトリガ線４０にランプ始動用の所定の高電圧を供給する。この所定の高電圧は、例えば、ピーク値が数１０ｋＶ程度のパルス電圧である。なお、始動回路４５は充電回路１１等から適宜給電されるものとする。例えば、始動回路４５は、ランプ２の点灯時に、制御部３からの始動信号に応じてトリガ線４０に高電圧パルスを発生させ、ランプ２を絶縁破壊させる。始動回路４５は、図６Ｂに一例を示すように、トランス４５１、トランス４５１の１次巻線４５１ｐに直列接続されたコンデンサ４５２及びスイッチ素子４５３、並びにコンデンサ４５２を充電する電圧源４５４及び抵抗４５５を含む。そして、トランス４５１の２次巻線４５１ｓが、トリガ線４０に接続される。コンデンサ４５２が充電された状態でスイッチ素子４５３が導通するとコンデンサ４５２からの放電電流により１次巻線４５１ｐに１次パルス電圧が発生する。１次パルス電圧がトランス４５１の巻数比に応じて昇圧され、２次巻線４５１ｓに発生する昇圧された２次パルス電圧が対応のトリガ線４０に印加される。
【００５９】
本実施形態の制御部３は、充電制御部３１、スイッチ制御部３２及び遅延起動部３３を含む。遅延起動部３３は、スイッチ制御部３２がスイッチ素子１４をオンしてから所定時間だけ遅延させてから始動回路４５を起動（作動）させる（すなわち、スイッチ４５３をオンする）。上記の所定時間は、図２に示すような磁気パルス圧縮回路１の動作時定数及び始動回路４５の動作時定数を考慮して適宜定められる。
【００６０】
以上のように、本実施形態のフラッシュランプ装置１０４は、ランプ２に近接配置されたトリガ線４０、及びトリガ線４０に所定の高電圧を印加可能な始動回路４５をさらに備え、制御部３の遅延起動部３３が、スイッチ素子１４をオンした時点から、予め決定された所定時間経過後に始動回路４５を作動させるように構成される。これにより、磁気パルス圧縮回路１の２次側回路の動作とは独立してランプ始動のトリガタイミングを任意に調整することが可能となり、フラッシュランプ装置の設計の柔軟性が増す。
【００６１】
＜第５の実施形態＞
上記第２又は３の実施形態では、トリガ線への電圧印加タイミングとコンデンサ１６−ｎ又は１６ｐの電圧印加タイミングとが同時となる構成を示したが、本実施形態では、トリガ線への電圧印加タイミングがコンデンサ１６−ｎ又は１６ｐの電圧印加タイミングに基づいて決定される構成を示す。
【００６２】
図７に、本実施形態のフラッシュランプ装置１０５の回路図を示す。フラッシュランプ装置１０５では、トリガ回路４の構成が第２及び第３の実施形態のフラッシュランプ装置１０２及び１０３と異なる。本実施形態において、第１〜第４の実施形態のフラッシュランプ装置１０１〜１０４と同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００６３】
本実施形態のトリガ回路４は、トリガ線４０、始動回路４５、検出コンデンサ４６及び起動回路４７を有する。検出コンデンサ４６はコンデンサ１６−２に直列接続され、コンデンサ１６−２と検出コンデンサ４６はコンデンサ分圧回路を構成する。検出コンデンサ４６の容量は、コンデンサ１６−２の容量の数１００〜数１０００倍程度である。したがって、コンデンサ１６−２と検出コンデンサ４６の直列合成容量はコンデンサ１６−２の容量に近似し、検出コンデンサ４６を含むループにおけるインピーダンス及び時定数は、検出コンデンサ４６の挿入によっては実質的に影響されない。
【００６４】
起動回路４７は、検出コンデンサ４６に発生する検出電圧、すなわち図２に示す電圧Ｖ２の分圧検出値が所定値を超えると、始動回路４５を起動（作動）させる。なお、本例では、コンデンサ１６−２（ｋ＝２）に検出コンデンサ４６が直列接続される構成を示すが、起動回路４７又は始動回路４５の時定数を考慮して、コンデンサ１６−１（ｋ＝１）に検出コンデンサ４６が直列接続されてもよい。言い換えると、検出コンデンサ４６がコンデンサ１６−２又は１６−１のいずれに接続された場合であってもランプ始動が適切なタイミングとなるように、起動回路４７及び始動回路４５の時定数等が設計される。
【００６５】
以上のように、本実施形態のフラッシュランプ装置１０５では、コンデンサ１６−ｋ（１≦ｋ≦ｎ）に、コンデンサ１６−ｋよりも容量の大きい検出コンデンサ４６が直列接続されてコンデンサ１６−ｋ及び検出コンデンサ４６がコンデンサ分圧回路を構成する。そして、ランプ２に近接配置されたトリガ線４０と、作動されるとトリガ線４０に所定の高電圧を印加する始動回路４５と、検出コンデンサ４６に発生する電圧が所定値を超えた時点で始動回路４５を作動させる起動回路４７とが設けられる。これにより、ランプ始動のタイミングが、パルス圧縮用の閉ループを構成するコンデンサ１６−ｋ及び検出コンデンサ４６の充電タイミングに同期し、高精度なタイミングでのランプ始動が可能となる。
【００６６】
＜第６の実施形態＞
上記第５の実施形態では、コンデンサ１６−１〜１６−ｎのいずれかの電圧に基づいて始動回路４５が作動される構成を示したが、本実施形態では、可飽和インダクタ１５−１〜１５−ｎのいずれかの電流又は電圧に基づいて始動回路４５が作動される構成を示す。
【００６７】
図８に、本実施形態のフラッシュランプ装置１０６の回路図を示す。フラッシュランプ装置１０６では、トリガ回路４の構成が第５の実施形態のフラッシュランプ装置１０５と異なる。本実施形態において、第１〜第５の実施形態のフラッシュランプ装置１０１〜１０５と同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００６８】
本実施形態のトリガ回路４は、トリガ線４０、始動回路４５、起動回路４７、可飽和インダクタ１５−１の補助巻線１５ｓ、及びダイオード４８を有する。補助巻線１５ｓに発生する電圧（電流）がダイオード４８によって整流され、起動回路４７に入力される。なお、補助巻線１５ｓは、コンデンサ１６−１の電荷がコンデンサ１６−２に放電される際にダイオード４８がオンするような極性で設けられているものとする。
【００６９】
起動回路４７は、この入力電圧、すなわち図２に示す電流Ｉ１に比例する電圧が所定値を超えると、始動回路４５を作動させる。なお、本例では、補助巻線１５ｓは、可飽和インダクタ１５−１（ｋ＝１）に設けられているが、起動回路４７又は始動回路４５の時定数を考慮して、可飽和インダクタ１５−２（ｋ＝２）に設けられてもよい。言い換えると、補助巻線１５ｓが可飽和インダクタ１５−１又は１５−２のいずれに接続された場合であってもランプ始動が適切なタイミングとなるように、起動回路４７及び始動回路４５の時定数等が設計される。
【００７０】
以上のように、本実施形態のフラッシュランプ装置１０６では、可飽和インダクタ１５−ｋ（１≦ｋ≦ｎ）が補助巻線１５ｓを備える。そして、ランプ２に近接配置されたトリガ線４０と、作動されるとトリガ線４０に所定の高電圧を印加する始動回路４５と、補助巻線１５ｓに発生する電流又は電圧が所定値を超えた時点で始動回路４５を作動させる起動回路４７とが設けられる。これにより、ランプ始動のタイミングが、パルス圧縮用の閉ループを構成する可飽和インダクタ１５−ｋの飽和タイミングに同期し、高精度なタイミングでのランプ始動が可能となる。
【００７１】
＜第７の実施形態＞
上記第２〜第６の実施形態では、ランプ点灯にトリガ方式が採用される構成を示したが、本実施形態ではシマー方式が採用される構成を示す。シマー方式とは、ランプの本点灯前から微弱な電流をランプに流しておき、本点灯の際に絶縁破壊を要さない点灯方式のことである。
【００７２】
図９に、本実施形態のフラッシュランプ装置１０７の回路図を示す。フラッシュランプ装置１０７は、シマー回路５を備える点で、第１の実施形態のフラッシュランプ装置１０１とは異なる。本実施形態において、第１の実施形態のフラッシュランプ装置１０１等と同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００７３】
シマー回路５は、電源回路５１及びトリガ回路５２を有し、磁気パルス圧縮回路１とは独立してランプ２に接続される。電源回路５１は、ランプ２に直流電流を通電可能な定電圧源又は定電流源である。電源回路５１はまた、トリガ回路５２にランプ始動時の高圧パルス発生のための電力を供給する。トリガ回路５２は不図示の始動回路及びトリガ線を有する。この始動回路及びトリガ線の作用は、第５及び第６の実施形態で示した始動回路４５及びトリガ線４０と同様である。蓄電素子１２が充電され、電源回路５１によってランプ２に微弱な電流が通電された状態でスイッチ素子１４がオンされると、磁気パルス圧縮回路１からのパルス電流がランプ２に投入される。
【００７４】
以上のように、本実施形態のフラッシュランプ装置１０７は、磁気パルス圧縮回路１の動作前（非動作時）からランプ２に微弱な電流を通電し続けるシマー回路５をさらに備える。これにより、ランプ２におけるスムーズな電源投入が可能となり、磁気パルス圧縮回路１からのパルス電流が効率良くランプ点灯に利用され得る。
【００７５】
＜変形例＞
以上に本発明の好適な実施形態を示したが、本発明は、例えば以下に示すように種々の態様に変形可能である。
【００７６】
（１）可飽和インダクタ１５−ｎ＋１の追加
上記各実施形態において、図１０に示すように、可飽和インダクタ１５−ｎ＋１（上記の各例では可飽和インダクタ１５−３）がさらに設けられてもよい。具体的には、可飽和インダクタ１５−３は、ランプ２に直列接続され、可飽和インダクタ１５−３とランプ２の直列回路がコンデンサ１６−３（１６ｐ）に並列接続される。これにより、ランプ２を含む最終段の閉ループにおいて、非飽和状態の可飽和インダクタ１５−３に印加される電圧積分値が特性値を超えると、コンデンサ１６−３の電荷が飽和状態の（すなわち低インピーダンスの）可飽和インダクタ１５−３を介してランプ２に通電される。この構成によっても、ランプ電流は尖塔化されたパルス波形となる。
【００７７】
（２）フラッシュランプ装置の光源及び用途の変更
上記各実施形態では、キセノンランプであるランプ２を有するフラッシュランプ装置１０１〜１０７がフレキシブル有機ＥＬ基板の剥離工程に用いられることを想定した。一方、ランプ２は、閃光点灯（フラッシュ点灯）のためのランプであれば他の種類のランプであってもよい。また、本発明のフラッシュランプ装置は、高いピークでかつ短い幅のパルス光を必要とする用途であれば、紫外線硬化（キュアリング）装置などの他の用途にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１  磁気パルス圧縮回路
２  フラッシュランプ
３  制御部
４  トリガ回路
５  シマー回路
１２  蓄電素子
１３  トランス（インダクタ素子）
１３ｐ  １次巻線
１３ｓ  ２次巻線
１４  スイッチ素子
１５−０〜１５−３  可飽和インダクタ
１５ｓ  補助巻線
１６−１〜１６−３、１６ｐ、１６ａ〜１６ｄ  コンデンサ
１７  コイル（インダクタ素子）
３１  充電制御部
３２  スイッチ制御部
３３  遅延起動部
４０、４１  トリガ線
４５  始動回路
４６  検出コンデンサ
４７  起動回路
１０１〜１０７  フラッシュランプ装置
【図１】
2018029042.tif 000003
【図２】
2018029042.tif 000004
【図３】
2018029042.tif 000005
【図４Ａ】
2018029042.tif 000006
【図４Ｂ】
2018029042.tif 000007
【図４Ｃ】
2018029042.tif 000008
【図５Ａ】
2018029042.tif 000009
【図５Ｂ】
2018029042.tif 000010
【図５Ｃ】
2018029042.tif 000011
【図６Ａ】
2018029042.tif 000012
【図６Ｂ】
2018029042.tif 000013
【図７】
2018029042.tif 000014
【図８】
2018029042.tif 000015
【図９】
2018029042.tif 000016
【図１０】
2018029042.tif 000017