(57)【要約】【課題】折り曲げに強い配線を有する半導体装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】  絶縁表面上に、半導体層、絶縁層、及び導電層を有するトランジスタを用いて形成された回路を有する半導体装置であって、絶縁表面上に、第１の方向に沿って延在する配線部を有し、配線部は、第１の方向に交差する第２の方向に沿った断面視で、樹脂材料を含む芯部と、芯部を被覆する導電部とを含むことを特徴とする、半導体装置が提供される。【選択図】図１
2018054963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に沿って延在する配線部を有し、
前記配線部は、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿った断面視で、樹脂材料を含む芯部と、前記芯部を被覆する導電部とを含むことを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に、半導体層、絶縁層、及び導電層を有するトランジスタを用いて形成された回路を有する半導体装置であって、
前記絶縁表面上に、第１の方向に沿って延在する配線部を有し、
前記配線部は、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿った断面視で、樹脂材料を含む芯部と、前記芯部を被覆する導電部とを含むことを特徴とする、
半導体装置。
【請求項３】
前記導電部の上部または下部に接して設けられた絶縁層をさらに含むことを特徴とする、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電部は、第１導電層と、第２導電層を有し、
前記第１導電層上に、前記第２導電層が設けられ、
前記第１導電層と、前記第２導電層とは、接続する領域を有し、
前記第１導電層と、前記第２導電層との間に前記芯部を有することを特徴とする、
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電層の端部は、前記第２導電層の端部を同一とすることを特徴とする、
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１導電層の端部は、前記第２導電層の端部より内側または外側にあることを特徴とする、
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に、半導体層、絶縁層、及び導電層を有するトランジスタを用いて形成された複数の画素が設けられた表示領域を有する表示装置であって、
前記表示領域は、第１の方向に沿って延在する複数の走査線と、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って延在する複数の信号線と、前記第１の方向または前記第２の方向に沿って延在する複数の電源線と、を有し、
前記複数の走査線の各々、前記複数の信号線の各々、または前記複数の電源線の各々は、それぞれの延在方向に交差する方向に沿った断面視で、樹脂材料を含む芯部と、前記芯部を被覆する導電部とを含むことを特徴とする、
表示装置。
【請求項８】
前記導電部の上部または下部に接して設けられた絶縁層をさらに含むことを特徴とする、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記導電部は、第１導電層と、第２導電層を有し、
前記第１導電層上に、前記第２導電層が設けられ、
前記第１導電層と、前記第２導電層とは、接続する領域を有し、
前記第１導電層と、前記第２導電層との間に前記芯部を有することを特徴とする、
請求項７または請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１導電層の端部は、前記第２導電層の端部を同一とすることを特徴とする、
請求項７乃至請求項９のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１導電層の端部は、前記第２導電層の端部より内側または外側にあることを特徴とする、
請求項７乃至請求項１０のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１２】
絶縁表面上に、第１の方向に沿って延在する第１導電層を形成し、
前記第１導電層上に、前記第１の方向に沿う前記第１導電層の端部を露出するように樹脂層を形成し、
前記第１導電層及び前記樹脂層上に、前記第１の方向に沿って延在する第２導電層を形成し、前記樹脂層の両側で、前記第１導電層の端部と前記第２導電層の端部とを接触させること、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁表面上及び前記第２導電層上を覆う絶縁層を形成することをさらに含む、
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、半導体装置、表示装置、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気器具及び電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示装置や、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機エレクトロルミネセンス表示装置などが開発されている。
【０００３】
特に、表示素子として有機ＥＬ素子を用いた場合、高い視野角と高精細な表示が可能であるとともにフレキシブル基板上に形成できるという特徴を有する。特許文献１には、フレキシブル基板上に設けた有機ＥＬ素子を用いたディスプレイが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１５８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方で、フレキシブルディスプレイにおいて、モジュールを曲げた際にＴＦＴ回路の配線破損、発光画素の破損の虞がある。特に、配線部を曲げた際に配線にクラックが入って高抵抗化又は非導通化（断線）してしまう課題を有する。
【０００６】
このような課題に鑑み、本発明は、配線の曲げ耐性を向上させた表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、第１の方向に沿って延在する配線部を有し、配線部は、第１の方向に交差する第２の方向に沿った断面視で、樹脂材料を含む芯部と、芯部を被覆する導電部とを含むことを特徴とする半導体装置が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る、表示装置の上面図と、配線層およびその周辺部を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る、表示装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る、表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る、表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る、表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る、表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部の製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る、配線層およびその周辺部の製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る、表示装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１０】
また、本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る、表示装置１０の模式図を示す。図１（Ａ）は、表示装置１０の上面図を示す。
【００１２】
（１．表示装置の構成）
図１（Ａ）において、表示装置１０は、基板１００と、画素１０２を有する表示領域１０３と、周縁部１０４と、ソースドライバとしての機能を有する駆動回路１０５と、ゲートドライバとしての機能を有する駆動回路１０７と、フレキシブルプリント基板１０８とを有する。表示装置１０において、表示領域１０３と、駆動回路１０５、駆動回路１０７、およびフレキシブルプリント基板１０８は、それぞれ電気的に接続されている。
【００１３】
表示領域１０３に画像を表示する場合、駆動回路１０７からのアドレス信号が配線層１４６を介して供給される。また、駆動回路１０５から配線層１４８を介して、表示領域１０３にデータ信号が供給される。図１（Ａ）において、配線層１４６は、走査線としての機能を有する。配線層１４８は、信号線としての機能を有する。配線層１４８は、駆動回路１０７の長辺方向に延在している。なお図１（Ａ）では、駆動回路１０７は表示領域１０３を挟むように両側に配置され、走査線１４６は両側から駆動される構成となっているが、これに限定するものではなく、駆動回路１０７を表示領域１０３に対して片側のみに配置しても構わない。
【００１４】
（２．配線層の構成）
次に、図１（Ｂ）にＡ１−Ａ２間の配線層１４８およびその周辺部の断面図を示す。Ａ１−Ａ２間において、表示装置１０は、少なくとも基板１００、配線層１４８、絶縁層１４９、絶縁層１５０、および絶縁層１５１を有している。
【００１５】
絶縁層１４９は、基板１００上に設けられる。絶縁層１４９には、無機絶縁層である酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などが用いられるが、これに限定されない。また、基板１００と、絶縁層１４９との間に、半導体層、絶縁層、導電層を含むトランジスタが設けられてもよい。
【００１６】
また、配線層１４８は、絶縁層１４９上に設けられる。配線層１４８は、下側の導電層１４７ａと、上側の導電層１４７ｂとを有する。導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂは、金属材料でもよいし、酸化物系の導電性材料でもよい。例えば、導電層１４７ａ、および導電層１４７ｂには、アルミニウム膜、チタン膜、アルミニウム膜などの積層膜が用いられる。
【００１７】
なお、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂの端部は、図１（Ｂ）に示すように同じ位置に有してもよいし、図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように導電層１４７ｂの端部が、導電層１４７ａと異なる位置に設けられてもよい。例えば、図２（Ａ）に示すように、導電層１４７ｂの端部が導電層１４７ａよりも内側に設けられてもよいし、図２（Ｂ）に示すように、導電層１４７ｂの端部が導電層１４７ａよりも外側に設けられてもよい。また、図２（Ｃ）に示すように、導電層１４７ｂの端部が導電層１４７ａよりも外側なものと、内側のものとが混在してもよい。
【００１８】
導電層１４７ａと、導電層１４７ｂとの間に、絶縁層１５１が設けられる。絶縁層１５１には、有機樹脂材料、または有機樹脂材料と無機材料の混合材料が設けられる。絶縁層１５１の厚さは、導電層１４７ａと同じとしてもよいし、薄くしてもよいし、厚くしてもよい。
【００１９】
なお、上記構造において、絶縁層１５１は、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂにより、覆われた状態を有する。これにより、配線層１４８は、絶縁層１５１が芯部となり、導電層１４７ａ、導電層１４７ｂが芯部を被覆する導電部となる構造を有するということができる。
【００２０】
また、絶縁層１５１の断面視の形状は、図１（Ｂ）に示すように台形状でもよいし、矩形でもよい。絶縁層１５１の断面視の形状が、台形状、すなわちテーパー形状を有する場合、導電層１４７ｂの側面被覆率を向上させることができる。
【００２１】
また、図３に示すように、絶縁層１５１の断面視の形状は半円状でもよい。
【００２２】
絶縁層１５０は、配線層１４８および絶縁層１４９上に設けられる。絶縁層１５０は、平坦化膜としての機能を有し、絶縁層１５０には有機絶縁層などが用いられる。例えば、絶縁層１５０には、アクリル樹脂が用いられるが、これに限定されない。
【００２３】
なお、絶縁層１５０と絶縁層１５１は、同一の材料が設けられてもよいし、異なる材料が設けられてもよい。異なる材料が設けられた場合、絶縁層１５１の方が硬度の高い材料が設けられてもよい。
【００２４】
上記構造を有する配線層１４８は、導電層１４７ａが単独で、または導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂの積層で用いられる場合と比較して、断面視における配線の厚さを大きくすることができ、配線の剛性を高めることができる。これにより、配線層１４８は、曲げ耐性が向上する。したがって、配線層１４８を有する表示装置１０は局所的な変形やクラックの発生を抑えることができる。
【００２５】
また、配線層１４８は、芯部となる絶縁層１５１に樹脂層を有することで、曲げ時のひずみ（圧縮ひずみ、引っ張りひずみ）に対する影響を緩和することができる。これにより、表示装置１０は、保護部材を設けずして、配線の曲げ耐性を向上させることができる。
【００２６】
また、配線層１４８は、導電層１４７ａ、導電層１４７ｂ、および絶縁層１５１により構成されるので、導電層１４７ａが、単独で用いられる場合、または導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂが積層して用いられるよりも、導電層１４７ａと導電層１４７ｂとの合計断面積を大きくすることができる。これにより、配線抵抗を下げることができる。
【００２７】
上述した配線層１４８と同様の効果は、配線層１４６や、電源線などにも適用することができる。したがって、駆動回路の小型化による狭額縁化が可能となり、また画素の高精細化が可能となる。
【００２８】
なお、上記配線構造は、一方向に延在しているものであるため、配線層１４８の延伸方向と垂直の方向に対しては、曲げやすい構造とすることができ、曲げやすい性質と、曲げに強い性質の両方を有することができる。
【００２９】
（３．配線層形成プロセス）
次に、配線層１４８およびその周辺構造の形成方法について、図面を用いて説明する。
【００３０】
まず、基板１００上に絶縁層１４９を形成する（図４（Ａ）参照）。基板１００と、絶縁層１４９の間には、後述するように絶縁表面上に設けられたトランジスタ１１０、トランジスタ１１１など有していてもよい、絶縁層１４９は、無機絶縁材料、有機絶縁材料のいずれを用いてもよい。無機絶縁材料では、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、またはシロキサンなどが用いられる。有機絶縁材料の場合、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、またはポリイミドなどが用いられる。絶縁層１４９は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法、または印刷法により、形成することができる。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜を用いることができる。
【００３１】
次に、図４（Ｂ）に示すように、絶縁層１４９上に導電層１４７ａを成膜する。導電層１４７ａは、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、または亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、導電層１４７ａは、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものを用いてもよい。導電層１４７ａは、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、またはＣＶＤ法などにより形成することができる。例えば、導電層１４７ａとして、スパッタリング法により形成したチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、チタン層（Ｔｉ）の３層の積層膜が用いられる。
【００３２】
次に、図４（Ｃ）に示すように、絶縁層１４９、導電層１４７ａ上に絶縁層１５１を形成する。絶縁層１５１は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、またはポリイミドなどの有機絶縁材料が用いられる。絶縁層１５１は、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。例えば、絶縁層１５１として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。また、絶縁層１５１は、１００ｎｍ程度から１μｍ程度の厚さが好ましい。
【００３３】
また、絶縁層１５１は、フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、印刷法、およびエッチング法などを組み合わせることにより、所定の形状となるように加工される（図５（Ａ）参照）。なお、絶縁層１５１が感光性樹脂を含んでいる場合には、フォトリソグラフィ法のみにより加工することができる。また、絶縁層１５１は、テーパー形状を有するように形成することが好ましい。
【００３４】
次に、図５（Ｂ）に示すように、導電層１４７ａおよび絶縁層１５１上に、導電層１４７ｂを形成する。導電層１４７ｂは、導電層１４７ａと同様の材料および方法により形成することができる。なお、導電層１４７ｂは、導電層１４７ａと接触するように形成する。これにより、絶縁層１５１の両側で、導電層１４７ａと、導電層１４７ｂとが接続することとなる。
【００３５】
次に、図５（Ｃ）に示すように、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂを所定の形状となるように加工する。このとき、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂは、一括で加工してもよいし、別々に加工してもよい。例えば、フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて加工する場合、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂを一括で加工することにより、加工プロセスを一部省略することができる。導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂの加工に際しては、絶縁層１５１の両側で導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂが接している部分を残すように加工する。これにより、絶縁層１５１は、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂによって被覆された状態となる。
【００３６】
次に、図５（Ｄ）に示すように、絶縁層１４９、導電層１４７ｂ上に絶縁層１５０を形成する。絶縁層１５０は、絶縁層１５１と同様の方法により形成することができる。例えば、絶縁層１５１として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。このとき、絶縁層１５０の上面が平坦となるように形成する。絶縁層１５０は、１μｍ以上の厚みで形成することが好ましい。
【００３７】
上記製造方法により配線層１４８およびその周辺部が形成される。このとき、絶縁層１５１は、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂにより覆われた状態となる。したがって、絶縁層１５１を芯部として、導電層１４７ａ、導電層１４７ｂを導電部とする配線構造が形成される。上記製造方法により形成した配線層１４８は、延伸する方向に対して曲げ耐性の向上が期待できる。また、上記製造方法により形成した配線層１４８は、断面積の向上に伴い、配線抵抗の低減が期待できる。
【００３８】
（４．表示装置のその他の構成）
次に、表示装置１０のその他の構成について、以下に示す。図６は、図１（Ａ）のＢ１−Ｂ２間の画素１０２および駆動回路１０７の断面図を示す。なお、図１（Ｂ）に示した絶縁層１４９、導電層１４７ａ、導電層１４７ｂ、配線層１４８、絶縁層１５１、絶縁層１５０は、図６においても同様の構成、材料、および機能を有する。
【００３９】
（４−１．トランジスタ部分の構成）
トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、およびゲート電極層１４５ａ等を有する。トランジスタ１１１についても同様である。図５において、トランジスタ１１０およびトランジスタ１１１は、トップゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、ボトムゲート構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。
【００４０】
基板１００は、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。絶縁層１４１は、基板１００上に設けられ、下地膜としての機能を有する。これにより、基板１００から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の半導体層１４２への拡散を抑制することができる。基板１０１も同様と同様の材料が用いられる。
【００４１】
また、半導体層１４２は、絶縁層１４１上に設けられ、シリコン、酸化物半導体、または有機物半導体などが用いられる。ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１、半導体層１４２上に設けられる。ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの高誘電率の無機材料を用いることができる。ゲート電極層１４５ａは、ゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極層１４５ａは、図１における配線層１４６と同様の機能を有する。なお、ゲート電極層１４５ａと容量電極層１４５ｂは、同じくゲート絶縁層１４３上に設けられる。なお、配線層１４８は、ソース・ドレイン電極としての機能も有する。この場合、配線層１４８は、絶縁層１５１を含まなくてもよい。
【００４２】
（４−２．容量素子部の構成）
容量素子１２０には、ゲート絶縁層１４３を誘電体として半導体層１４２のソースまたはドレイン領域および容量電極層１４５ｂが用いられる。また、容量素子１２１には、絶縁層１５４を誘電体として、導電層１５３、および画素電極層１５５が用いられる。
【００４３】
（４−３．表示素子の構成）
表示素子１３０には、画素電極層１５５、有機ＥＬ層１５９、および対向電極層１６０が用いられる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を対向電極層１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。なお、表示素子１３０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型の構造としてもよい。
【００４４】
画素電極層１５５は、表示素子１３０の陽極としての機能を有し、さらにトップエミッション型においては光を反射させる性質を有することが好ましい。有機ＥＬ層１５９は、画素電極層１５５上に設けられ、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を有する。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。対向電極層１６０は、表示素子１３０の陰極としての機能を有し、画素電極層１５５に重畳し、画素電極層１５５を覆うように設けられている。また、対向電極層１６０は、トップエミッション型においては有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有し、かつ導電性を有する材料が設けられる。また、バンク層１５７は、画素電極層１５５の周縁部を覆っている。バンク層１５７には、有機樹脂材料が用いられる。
【００４５】
（４−４．封止層および接着層の構成）
無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４、および無機絶縁層１６６は、順に積層され、封止層としての機能を有する。また、無機絶縁層１６６上に接着層１７４を介して他の基板１０１が設けられても良い。接着層１７４には、無機材料、有機材料、または有機材料と無機材料の複合材料が用いられる。基板１０１は、表示装置の対向基板としての目的の他、電子機器のカバーガラスや、タッチパネル基板としての目的を有していても良い。
【００４６】
（５．表示装置の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図７乃至１０を用いて説明する。
【００４７】
（５−１．トランジスタの形成）
図７に示すように、基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３を形成後、ゲート絶縁層１４３上にゲート電極層１４５ａを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法、エッチング法などを用いて、所定の形状にすることができる。なお、絶縁層１４９、導電層１４７ａ、導電層１４７ｂ、絶縁層１５１、および絶縁層１５０は、上述した材料および方法を用いて形成することができる。
【００４８】
例えば、基板１００として有機樹脂基板を用いる場合、ポリイミド基板が用いられる。有機樹脂基板は、板厚を数μｍから数十μｍにすることができ、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。なお、樹脂材料で構成されるフレキシブル基板上にトランジスタ１１０を形成する場合は、基板１００上にポリイミド等の樹脂膜を形成し、最終的に表示装置１０が完成した時点で基板１００を剥離すればよい。
【００４９】
絶縁層１４１は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等を用いて形成される。絶縁層１４１は、単層であってもよいし、積層であってもよい。絶縁層１４１は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法、印刷法などにより形成することができる。
【００５０】
半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。
【００５１】
ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化ハフニウムなどを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。絶縁層１４１と同様の方法により形成することができる。
【００５２】
ゲート電極層１４５ａは、導電層１４７ａと同様の材料、方法により形成、加工することができ、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、または亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。例えば、ゲート電極層１４５ａとして、スパッタリング法により形成したアルミニウム（Ａｌ）層、チタン層（Ｔｉ）の積層膜を用いることができる。
【００５３】
（５−２．配線層の形成）
次に、図８に示すようにゲート電極層１４５ａおよびゲート絶縁層１４３上に絶縁層１４９、配線層１４８、および絶縁層１５０を形成する。なお、この工程については、図４および図５において説明した方法を援用することができる。なお、導電層１４７ａと、導電層１４７ｂとを組み合わせてソース・ドレイン電極層に用いることができる。
【００５４】
（５−３．表示素子の形成）
次に、絶縁層１５０上に、容量素子１２１（導電層１５３、絶縁層１５４、画素電極層１５５で形成される）、表示素子１３０（画素電極層１５５、有機ＥＬ層１５９、対向電極層１６０で形成される）、バンク層１５７を形成する。
【００５５】
まず、絶縁層１５０上に導電層１５３を形成する。導電層１５３は、ゲート電極層１４５ａと同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。導電層１５３に加え、特に図示していないが、前述のソース・ドレイン電極と接合される他の配線もこの導電層を用いて形成されるため、低抵抗であること、導電層１４７ｂを構成する導電材料との接合性の良いこと、等が求められる。例えば、導電層１５３として、スパッタリング法により形成したモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層膜を用いることができる。
【００５６】
次に、導電層１５３上に絶縁層１５４を形成する。絶縁層１５４は、絶縁層１４１やゲート絶縁層１４３と同様の方法により形成することができる。例えば、絶縁層１５４として、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜を用いることができる。
【００５７】
次に、図９に示すように、絶縁層１５４上に、画素電極層１５５を形成する。例えば、導電層１５３は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料を用いてもよいし、正孔注入性に優れるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム亜鉛）による透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有していてもよい。
【００５８】
次に、絶縁層１５４および画素電極層１５５上に、バンク層１５７を形成する。有機樹脂材料としては、アクリルやポリイミドなどが用いられる。バンク層１５７は、画素電極層１５５の端部を被覆すると共に、上面を露出するように開口部が形成される。バンク層１５７の開口部の端部は、なだらかなテーパー形状となるのが好ましい。例えば、バンク層１５７として、スピンコーティング法により形成したポリイミド膜を用いることができる。
【００５９】
次に、画素電極層１５５、バンク層１５７上に有機ＥＬ層１５９を形成する。有機ＥＬ層１５９として、低分子系の有機材料を用いる場合、発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されていてもよい。例えば、有機ＥＬ層１５９は、発光層をホール注入層と電子注入層とで挟んだ構造とすることができる。また、有機ＥＬ層１５９は、ホール注入層と電子注入層に加え、ホール輸送層、電子輸送層、ホールブロック層、および電子ブロック層などを適宜付加されていていてもよい。
【００６０】
また、有機ＥＬ層１５９は、少なくともバンク層１５７の開口部から露出した画素電極層１５５と重畳するように形成される。例えば、有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、またはスピンコーティング法などにより成膜することができる。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、適宜シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けながら形成してもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成してもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いてもよい。
【００６１】
次に、画素電極層１５５および有機ＥＬ層１５９に重畳するように、対向電極層１６０を形成する。対向電極層１６０は、透光性を有する導電層としてＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透明導電膜、またはマグネシウムと銀との合金を用いることができる。また、対向電極層１６０は、スパッタリング法、真空蒸着法により形成することができる。
【００６２】
（５−４．封止層の形成）
次に、図１０に示すように、対向電極層１６０、バンク層１５７上に、封止層となる無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４、無機絶縁層１６６を順に形成する。
【００６３】
無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、などを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。このとき、表示領域１０３は、無機絶縁層１６２により、覆われていることが好ましい。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコーティング法、スプレー法、または印刷法を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることができる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の膜厚は、数十ｎｍから数μｍとすることができる。
【００６４】
有機絶縁層１６４には、アクリル、ポリイミド、エポキシ等の材料を用いることができる。また、有機絶縁層１６４は、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、印刷法などを用いて数μｍから数十μｍ程度の厚さに形成することができる。
【００６５】
最後に、無機絶縁層１６６上に接着層１７４を形成し、基板１０１と貼り合わせることにより、表示装置１０が製造される。上記製造方法により製造された表示装置は、配線の曲げ耐性を向上させることができ、かつ局所的な変形を抑えることができる。これにより、有機ＥＬ層の下側にも設けることができるため、発光画素の破損、特に有機ＥＬ層の膜はがれ抑制効果が期待できる。また、折り曲げ用の保護シートを貼り付けることなく、曲げ耐性を向上させることができ、部材の節約が可能となる。また、配線の断面積が増加することにより配線が低抵抗化するため、駆動回路の小型化などによる狭額縁化が可能となり、また画素の高精細化が可能となる。
【００６６】
なお、上記配線構造を有する表示装置は、一方向に延在しているものであるため、配線の延伸方向と垂直の方向に対しては、曲げやすい構造とすることができ、曲げやすい性質と、曲げに強い性質の両方を有することができる。したがって、折り曲げたい場所と折り曲げたくない場所で選択的に用いることができ、フレキシブルディスプレイの設計における自由度を高めることができる。
【００６７】
（第２実施形態）
配線層１４８の異なる構造および製造方法について、図１１乃至図１４を用いて説明する。なお、第１実施形態で用いた構造および方法は、本実施形態にも援用することができる。
【００６８】
図１１（Ａ）、（Ｂ）に配線層１４８およびその周辺部の断面図を示す。図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、絶縁層１５２は、配線層１４８の下側の導電層１４７ａの下部と接するように、畝状の形状をもって絶縁層１４９上に設けられる。これにより、導電層１４７ａおよび絶縁層１５１は、下に凸状の形状を有する。絶縁層１５２には、絶縁層１５１と同様の材料を用いることができる。
【００６９】
導電層１４７ｂは、図１１（Ａ）に示すように、断面視で平面状に設けられてもよいし、図１１（Ｂ）に示すように、上に凸状の形状を有してもよい。図１１（Ｂ）に示す形状の場合、曲げ耐性をさらに向上させることができるほか、導電層１４７ｂの断面積をさらに増やすことができ、配線抵抗をさらに低減することができる。
【００７０】
図１２および図１３に配線層１４８およびその周辺部の形成プロセスを示す。
【００７１】
図１２（Ａ）に示すように、まず、基板１００上に絶縁層１４９を形成する。次に、図１２（Ｂ）に示すように、絶縁層１４９上に絶縁層１５２を形成する。絶縁層１５２は、絶縁層１５０、絶縁層１５１と同様の材料および方法を用いることができる。絶縁層１５２として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。また、絶縁層１５２は、フォトリソグラフィ法、エッチング法などにより、所定の形状に加工することができる。
【００７２】
次に、絶縁層１４９および絶縁層１５２上に、導電層１４７ａを形成し（図１２（Ｃ）参照）、さらに絶縁層１５１を形成する（図１２（Ｄ）参照）。絶縁層１５１は、図１３（Ａ）に示すように、所定の形状に加工する。
【００７３】
次に、導電層１４７ａおよび絶縁層１５１上に、導電層１４７ｂを形成する（図１３（Ｂ）参照）。このとき、導電層１４７ｂは、導電層１４７ａと接触するように形成する。次に、図１４（Ａ）に示すように、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂが所定の形状となるように加工する。このとき、導電層１４７ａおよび導電層１４７ｂは、一括で加工してもよいし、それぞれ別々で加工してもよい。
【００７４】
最後に、図１４（Ｂ）に示すように、絶縁層１４９、絶縁層１５２、および導電層１４７ｂ上に絶縁層１５０を形成する。
【００７５】
図１５に、表示装置１０に図１１（Ｂ）の配線層１４８を適用した場合の断面図を示す。第１実施形態に示す表示装置の断面図である図６と比較した場合、絶縁層１５２を有している点、導電層１４７ａおよび絶縁層１５１が下に凸状の形状を有する点において異なる。
【００７６】
上記構造を有することにより、配線の曲げ耐性をさらに向上させることができ、かつ配線のさらなる低抵抗化が可能となる。これにより、表示不良の抑制や、画素の高精細化、狭額縁化が期待できる。
【００７７】
また、本実施形態において、絶縁層１４９上に配線層１４８を形成することで発明が実現されている例を述べたが、この例に限られない。例えば、異なる絶縁層上に設けてもよいし、組み合わせて用いてもよい。
【００７８】
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気英同表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００７９】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８０】
１０・・・表示装置、１００・・・基板、１０１・・・基板、１０２・・・画素、１０３・・・表示領域、１０４・・・周縁部、１０５・・・駆動回路、１０７・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１１０・・・トランジスタ、１１１・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２１・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５ａ・・・ゲート電極層、１４５ｂ・・・容量電極層、１４６・・・配線層、１４７ａ・・・導電層、１４７ｂ・・・導電層、１４８・・・配線層、１４９・・・絶縁層、１５０・・・絶縁層、１５１・・・絶縁層、１５２・・・絶縁層、１５３・・・導電層、１５４・・・絶縁層、１５５・・・画素電極層、１５７・・・バンク層、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・対向電極層、１６２・・・無機絶縁層、１６４・・・有機絶縁層、１６６・・・無機絶縁層、１７４・・・接着層、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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