(57)【要約】【課題】樹脂部に積層された配線における電気接続の信頼性の低下を抑制できるＭＥＭＳデバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  一の面から突出した樹脂からなる樹脂部（３８）、及び、樹脂部（３８）の表面の少なくとも一部を覆う第１の配線（電極膜５６）を有する基板（封止板３３）を備え、第１の配線（電極膜５６）は、樹脂部（３８）と重なる位置から樹脂部（３８）から外れた位置まで前記一の面における第１の方向に沿って延設され、樹脂部（３８）の幅（ｗ５）は、第１の方向に交差する第２の方向おいて、当該樹脂部（３８）を覆う第１の配線（電極膜５６）の幅（ｗ３）以上であることを特徴とするＭＥＭＳデバイス（液体噴射ヘッド３）。【選択図】図５
2018052033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の表面の少なくとも一部を覆う第１の配線を有する基板を備え、
前記第１の配線は、前記樹脂部と重なる位置から前記樹脂部から外れた位置まで前記一の面における第１の方向に沿って延設され、
前記樹脂部の幅は、前記第１の方向に交差する第２の方向おいて、当該樹脂部を覆う第１の配線の幅以上であることを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記樹脂部は、第１の部分と、前記第２の方向に沿って前記第１の部分と隣り合うとともに前記一の面からの高さが前記第１の部分より低い第２の部分と、を備え、
前記第１の配線は、前記第１の部分と重なる位置に設けられ、
前記第１の部分の幅は、前記第２の方向おいて、当該第１の部分を覆う第１の配線の幅以上であることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記第１の部分と前記第１の配線との間に第２の配線を有し、
前記第２の配線の幅は、前記第２の方向おいて、前記第１の部分を覆う第１の配線の幅以上であることを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
前記第２の配線の幅は、前記第２の方向おいて、前記第１の部分の幅よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記第２の配線の幅は、前記第２の方向おいて、前記第１の部分の幅以下であることを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
液体を噴射するノズルを備えた液体噴射ヘッドであって、
請求項１から請求項５の何れか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの構造を備えたことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする液体噴射装置。
【請求項８】
一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、前記樹脂部の表面の少なくとも一部を覆う第１の配線、及び前記樹脂部と前記第１の配線との間に配置された第２の配線を有する基板を備え、前記第１の配線及び前記第２の配線が、前記樹脂部と重なる位置から前記樹脂部から外れた位置まで前記一の面における第１の方向に沿って延設されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記第１の基板の前記一の面に前記樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
前記樹脂部が形成された領域を含む前記一の面に、前記第２の配線となる第２の導電層を成膜した後に、前記第１の配線となる第１の導電層を前記第２の導電層に重ねて成膜する導電層成膜工程と、
前記第１の導電層及び第２の導電層をエッチングして前記第１の配線及び前記第２の配線を形成する第１のエッチング工程と、
前記第１のエッチング工程後に、前記第１の配線をエッチングして、前記第１の方向に交差する第２の方向における前記第１の配線の幅を前記第２の方向における前記第２の配線の幅よりも小さくする第２のエッチング工程と、
前記第２のエッチング工程後に、前記第１の配線及び前記第２の配線をマスクとして、前記樹脂部をエッチングする第３のエッチング工程と、を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第３のエッチング工程後に、前記第２の配線をエッチングして、前記第２の配線の前記第２の方向における幅を前記樹脂部の前記第２の方向における幅より小さくする第４のエッチング工程を含むことを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂及びこの樹脂の表面を覆う配線を例えばバンプ電極として備えたＭＥＭＳデバイスの製造方法、及び、液体噴射ヘッドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２つの基板間を電気的に接続するバンプ電極を備えたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスは、各種の装置（例えば、液体噴射装置やセンサー等）に応用されている。例えば、ＭＥＭＳデバイスの一種である液体噴射ヘッドは、上記のバンプ電極及び圧電素子等のアクチュエーターを備え、バンプ電極を介してアクチュエーターに駆動信号（電気信号）を送信する。また、このような液体噴射ヘッドが搭載される液体噴射装置としては、例えば、インクジェット式プリンターやインクジェット式プロッター等の画像記録装置がある。また、最近では、ごく少量の液体を所定位置に正確に着弾させることができるという特長を生かして各種の製造装置にも液体噴射ヘッドが応用されている。例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターを製造するディスプレイ製造装置、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイやＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極を形成する電極形成装置、バイオチップ（生物化学素子）を製造するチップ製造装置に応用されている。そして、画像記録装置用の記録ヘッドでは液状のインクを噴射し、ディスプレイ製造装置用の色材噴射ヘッドではＲ（Red）・Ｇ（Green）・Ｂ（Blue）の各色材の溶液を噴射する。また、電極形成装置用の電極材噴射ヘッドでは液状の電極材料を噴射し、チップ製造装置用の生体有機物噴射ヘッドでは生体有機物の溶液を噴射する。
【０００３】
上記のバンプ電極としては、基板の表面に形成された一連の樹脂部（樹脂層）と、この樹脂部上に形成された配線と、を備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。ここで、樹脂部のうち隣り合う配線の間（すなわち、バンプ電極間）に対応する部分は、エッチングにより表面の一部が削られて、小さくなっている。すなわち、隣り合う配線の間における樹脂部の高さ（基板から樹脂部の上面までの寸法）は、配線の直下に位置する樹脂部（換言すると、配線に覆われた部分の樹脂部）の高さよりも、低くなるように形成されている（特許文献１参照）。そして、このような形状は、樹脂部上に配線を形成した後、この配線をマスクとして、樹脂部をエッチングすることにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６０３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、樹脂部のエッチングにおいて、ドライエッチングを用いたとしても、配線の直下に位置する樹脂部がサイドエッチングされる。すなわち、図１９に示すように、例えば、酸素プラズマを用いて基板９０上に形成された樹脂部９１をエッチングする際に、この酸素プラズマが配線９２の直下に位置する樹脂部９１の側面を僅かに削っていく。このため、配線９２の直下に位置する樹脂部９１の幅がこれを覆う配線９２の幅よりも小さく（細く）なり、配線９２の一部が樹脂部９１の外側に突出した形状になっていた。その結果、例えば、バンプ電極９３の配線９２を対向する基板に形成された端子に接続するべく、樹脂部９１を潰す方向に加圧した場合に、バンプ電極９３が傾いたり倒れたりしてその形状が崩れる虞があった。そして、バンプ電極９３の形状が崩れると、電気接続の信頼性が低下する。なお、図１９に示す破線矢印は、酸素プラズマの飛翔イメージを表している。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂部に積層された配線における電気接続の信頼性の低下を抑制できるＭＥＭＳデバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のＭＥＭＳデバイスは、上記目的を達成するために提案されたものであり、一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の表面の少なくとも一部を覆う第１の配線を有する基板を備え、
前記第１の配線は、前記樹脂部と重なる位置から前記樹脂部から外れた位置まで前記一の面における第１の方向に沿って延設され、
前記樹脂部の幅は、前記第１の方向に交差する第２の方向おいて、当該樹脂部を覆う第１の配線の幅以上であることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、樹脂部の幅が当該樹脂部を覆う第１の配線の幅以上に形成されたので、樹脂部の形状が崩れることを抑制できる。すなわち、配線を支持する樹脂部が支持台として安定し、幅方向における応力等に対して強くなるため、樹脂部の形状が崩れ難くなる。その結果、樹脂部に積層された第１の配線における電気接続の信頼性の低下を抑制でき、ひいては、ＭＥＭＳデバイスの信頼性の低下を抑制できる。
【０００９】
また、上記構成において、前記樹脂部は、第１の部分と、前記第２の方向に沿って前記第１の部分と隣り合うとともに前記一の面からの高さが前記第１の部分より低い第２の部分と、を備え、
前記第１の配線は、前記第１の部分と重なる位置に設けられ、
前記第１の部分の幅は、前記第２の方向おいて、当該第１の部分を覆う第１の配線の幅以上であることが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、第１の配線の端子となる部分における一の面からの高さが相対的に高くなり、対応する端子との電気的な接続を取り易くできる。また、第２の部分が第１の部分を支えるので、樹脂部を潰す方向に加圧をした際に樹脂部の形状が崩れることを抑制できる。
【００１１】
さらに、上記構成において、前記第１の部分と前記第１の配線との間に第２の配線を有し、
前記第２の配線の幅は、前記第２の方向おいて、前記第１の部分を覆う第１の配線の幅以上であることが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、第２の配線を第１の配線と樹脂部との間の密着層として機能させる場合、第１の配線の密着性をより確実に確保することができる。
【００１３】
また、上記構成において、前記第２の配線の幅は、前記第２の方向おいて、前記第１の部分の幅よりも大きいことが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、第１の配線及び第２の配線をマスクとして樹脂部をエッチングする際に、第１の部分がサイドエッチングされたとしても、第１の部分の幅が第１の配線の幅よりも小さく（細く）なることを抑制できる。
【００１５】
さらに、上記構成において、前記第２の配線の幅は、前記第２の方向おいて、前記第１の部分の幅以下であることが望ましい。
【００１６】
この構成によれば、第２の配線が第１の部分から剥がれることを抑制できる。
【００１７】
また、本発明の液体噴射ヘッドは、液体を噴射するノズルを備えた液体噴射ヘッドであって、
上記各構成の何れかのＭＥＭＳデバイスの構造を備えたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、液体噴射ヘッドの信頼性の低下を抑制できる。
【００１９】
さらに、本発明の液体噴射装置は、上記構成の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、液体噴射装置の信頼性の低下を抑制できる。
【００２１】
そして、本発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、前記樹脂部の表面の少なくとも一部を覆う第１の配線、及び前記樹脂部と前記第１の配線との間に配置された第２の配線を有する基板を備え、前記第１の配線及び前記第２の配線が、前記樹脂部と重なる位置から前記樹脂部から外れた位置まで前記一の面における第１の方向に沿って延設されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記第１の基板の前記一の面に前記樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
前記樹脂部が形成された領域を含む前記一の面に、前記第２の配線となる第２の導電層を成膜した後に、前記第１の配線となる第１の導電層を前記第２の導電層に重ねて成膜する導電層成膜工程と、
前記第１の導電層及び第２の導電層をエッチングして前記第１の配線及び前記第２の配線を形成する第１のエッチング工程と、
前記第１のエッチング工程後に、前記第１の配線をエッチングして、前記第１の方向に交差する第２の方向における前記第１の配線の幅を前記第２の方向における前記第２の配線の幅よりも小さくする第２のエッチング工程と、
前記第２のエッチング工程後に、前記第１の配線及び前記第２の配線をマスクとして、前記樹脂部をエッチングする第３のエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
【００２２】
この方法によれば、樹脂部の幅が第１の配線の幅以上に形成されたＭＥＭＳデバイスを作製できる。すなわち、信頼性の低下が抑制されたＭＥＭＳデバイスを作製できる。
【００２３】
また、上記製造方法において、前記第３のエッチング工程後に、前記第２の配線をエッチングして、前記第２の配線の前記第２の方向における幅を前記樹脂部の前記第２の方向における幅より小さくする第４のエッチング工程を含むことが望ましい。
【００２４】
この方法によれば、第２の配線の幅が樹脂部の幅以下に形成されたＭＥＭＳデバイスを作製できる。その結果、第２の配線が樹脂部から剥がれることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】プリンターの構成を説明する斜視図である。
【図２】記録ヘッドの構成を説明する断面図である。
【図３】封止板の要部を拡大した平面図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ断面図である。
【図５】図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図６】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図７】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図８】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図９】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１０】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１１】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１２】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１３】バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１４】第２の実施形態における封止板の要部を拡大した断面図である。
【図１５】第２の実施形態におけるバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１６】第２の実施形態におけるバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１７】第２の実施形態におけるバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における封止板の断面の状態遷移図である。
【図１８】第３の実施形態における封止板の要部を拡大した断面図である。
【図１９】従来のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下においては、ＭＥＭＳデバイスの一つのカテゴリーである液体噴射ヘッド、特に、液体噴射ヘッドの一種であるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッド）３を例に挙げて説明する。図１は、記録ヘッド３を搭載した液体噴射装置の一種であるインクジェット式プリンター（以下、プリンター）１の斜視図である。
【００２７】
プリンター１は、記録紙等の記録媒体２（着弾対象の一種）の表面に対してインク（液体の一種）を噴射して画像等の記録を行う装置である。このプリンター１は、記録ヘッド３、この記録ヘッド３が取り付けられるキャリッジ４、キャリッジ４を主走査方向に移動させるキャリッジ移動機構５、記録媒体２を副走査方向に移送する搬送機構６等を備えている。ここで、上記のインクは、液体供給源としてのインクカートリッジ７に貯留されている。このインクカートリッジ７は、記録ヘッド３に対して着脱可能に装着される。なお、インクカートリッジがプリンターの本体側に配置され、当該インクカートリッジからインク供給チューブを通じて記録ヘッドに供給される構成を採用することもできる。
【００２８】
上記のキャリッジ移動機構５はタイミングベルト８を備えている。そして、このタイミングベルト８はＤＣモーター等のパルスモーター９により駆動される。したがってパルスモーター９が作動すると、キャリッジ４は、プリンター１に架設されたガイドロッド１０に案内されて、主走査方向（記録媒体２の幅方向）に往復移動する。キャリッジ４の主走査方向の位置は、位置情報検出手段の一種であるリニアエンコーダー（図示せず）によって検出される。リニアエンコーダーは、その検出信号、即ち、エンコーダーパルス（位置情報の一種）をプリンター１の制御部に送信する。
【００２９】
次に記録ヘッド３について説明する。図２は、記録ヘッド３の構成を説明する断面図である。なお、以下の説明においては、適宜、各部材の積層方向を上下方向として説明する。本実施形態における記録ヘッド３は、図２に示すように、アクチュエーターユニット１４及び流路ユニット１５が積層された状態でヘッドケース１６に取り付けられている。
【００３０】
ヘッドケース１６は、合成樹脂製の箱体状部材であり、その内部には各圧力室３０にインクを供給する液体導入路１８が形成されている。この液体導入路１８は、後述する共通液室２５と共に、複数形成された圧力室３０に共通なインクが貯留される空間である。本実施形態においては、２列に並設された圧力室３０の列に対応して液体導入路１８が２つ形成されている。また、ヘッドケース１６の下側（流路ユニット１５側）の部分には、当該ヘッドケース１６の下面（流路ユニット１５側の面）からヘッドケース１６の高さ方向の途中まで直方体状に窪んだ収容空間１７が形成されている。後述する流路ユニット１５がヘッドケース１６の下面に位置決めされた状態で接合されると、連通基板２４に積層されたアクチュエーターユニット１４（圧力室形成基板２９、封止板３３、駆動ＩＣ３４等）が収容空間１７内に収容されるように構成されている。なお、図示を省略するが、収容空間１７の天井面の一部には、ヘッドケース１６の外側の空間と収容空間１７とを連通する開口が開設されている。この開口を通じて図示しないＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）等の配線基板が収容空間１７内に挿通され、当該収容空間１７内のアクチュエーターユニット１４に接続される。このため、収容空間１７は大気に開放された空間となっている。
【００３１】
本実施形態における流路ユニット１５は、連通基板２４及びノズルプレート２１を有している。ノズルプレート２１は、連通基板２４の下面（圧力室形成基板２９とは反対側の面）に接合されたシリコン製の基板である。本実施形態では、このノズルプレート２１により、後述する共通液室２５となる空間の下面側の開口が封止されている。また、ノズルプレート２１には、複数のノズル２２が直線状（列状）に開設されている。この複数のノズル２２からなるノズル２２の列（すなわち、ノズル列）は、ノズルプレート２１に２列形成されている。各ノズル列を構成するノズル２２は、一端側のノズル２２から他端側のノズル２２までドット形成密度に対応したピッチで、例えば副走査方向に沿って等間隔に設けられている。なお、ノズルプレートを連通基板における共通液室から内側に外れた領域に接合し、共通液室となる空間の下面側の開口を、例えば可撓性を有するコンプライアンスシート等の部材で封止することもできる。
【００３２】
連通基板２４は、流路ユニット１５の上部（ヘッドケース１６側の部分）を構成するシリコン製の基板である。この連通基板２４には、図２に示すように、液体導入路１８と連通し、各圧力室３０に共通なインクが貯留される共通液室２５と、この共通液室２５を介して液体導入路１８からのインクを各圧力室３０に個別に供給する個別連通路２６と、圧力室３０とノズル２２とを連通するノズル連通路２７とが、エッチング等により形成されている。共通液室２５は、ノズル列方向に沿った長尺な空部であり、図２に示すように、２列に並設された圧力室３０の列に対応して２列に形成されている。また、個別連通路２６及びノズル連通路２７は、ノズル列方向に沿って複数形成されている。
【００３３】
本実施形態におけるアクチュエーターユニット１４は、図２に示すように、圧力室形成基板２９、振動板３１、アクチュエーターの一種である圧電素子３２、封止板３３及び駆動ＩＣ３４等が積層されてユニット化された状態で、連通基板２４に接合されている。なお、アクチュエーターユニット１４は、収容空間１７内に収容可能なように、収容空間１７よりも小さく形成されている。
【００３４】
圧力室形成基板２９は、アクチュエーターユニット１４の下部（流路ユニット１５側の部分）を構成するシリコン製の基板である。この圧力室形成基板２９には、エッチング等により一部が板厚方向に除去されて、圧力室３０となるべき空間がノズル列方向に沿って複数並設されている。この空間は、下方が連通基板２４により区画され、上方が振動板３１により区画されて、圧力室３０を構成する。また、この空間、すなわち圧力室３０は、２列に形成されたノズル列に対応して２列に形成されている。各圧力室３０は、ノズル列方向に直交する方向に長尺な空部であり、長手方向の一側の端部に個別連通路２６が連通すると共に、他側の端部にノズル連通路２７が連通する。
【００３５】
振動板３１は、弾性を有する薄膜状の部材であり、圧力室形成基板２９の上面（流路ユニット１５側とは反対側の面）に積層されている。この振動板３１によって、圧力室３０となるべき空間の上部開口が封止されている。換言すると、振動板３１によって、圧力室３０が区画されている。この振動板３１における圧力室３０（詳しくは、圧力室３０の上部開口）に対応する部分は、圧電素子３２の撓み変形に伴ってノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に変位する変位部として機能する。すなわち、振動板３１における圧力室３０の上部開口に対応する領域が、撓み変形が許容される駆動領域３５となる。一方、振動板３１における圧力室３０の上部開口から外れた領域が、撓み変形が阻害される非駆動領域３６となる。
【００３６】
また、振動板３１は、例えば、圧力室形成基板２９の上面に形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜と、この弾性膜上に形成された酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜と、からなる。そして、この絶縁膜上（振動板３１の圧力室形成基板２９側とは反対側の面）における各圧力室３０に対応する領域、すなわち駆動領域３５に圧電素子３２がそれぞれ積層されている。本実施形態における圧電素子３２は、所謂撓みモードの圧電素子である。この圧電素子３２は、例えば、振動板３１上に、下電極層、圧電体層及び上電極層が順次積層されてなる。この上電極膜または下電極膜のうち何れか一方が各圧電素子３２に共通に形成された共通電極となり、他方が各圧電素子３２に個別に形成された個別電極となっている。そして、下電極層と上電極層との間に両電極の電位差に応じた電界が付与されると、圧電素子３２はノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に撓み変形する。なお、本実施形態における圧電素子３２は、ノズル列方向に沿って２列に並設された圧力室３０に対応して、当該ノズル列方向に沿って２列に形成されている。
【００３７】
また、図２及び図４に示すように、振動板３１上には、圧電素子３２の個別電極又は共通電極に接続されるリード配線４０が形成されている。このリード配線４０は、振動板３１の非駆動領域３６まで延在（延設）され、この非駆動領域３６において、バンプ電極３７（後述）と接続される端子となる。すなわち、図２に示すように、振動板３１の上面（封止板３３に対向する面）における非駆動領域３６には、圧電素子３２の個別電極に接続される個別端子４１及び圧電素子３２の共通電極に接続される共通端子４２が形成されている。具体的には、ノズル列方向に直交する方向において、一方の圧電素子３２の列の外側及び他方の圧電素子３２の列の外側に個別端子４１が形成され、両圧電素子３２の列間に共通端子４２が形成されている。個別端子４１は、圧電素子３２の個別電極に接続されるため、圧電素子３２毎に形成されている。例えば、個別端子４１は、ノズル列方向に沿って複数形成されている。一方、共通端子４２は、圧電素子３２の共通電極に接続されるため、少なくとも１つ以上形成されている。なお、本実施形態における共通端子４２は、一方の圧電素子３２の列の共通電極及び他方の圧電素子３２の列の共通電極の両方に接続されている。
【００３８】
封止板３３（本発明における基板に相当）は、図２に示すように、振動板３１との間に絶縁性を有する感光性接着剤４３を介在させた状態で、振動板３１に対して間隔を開けて配置されたシリコン製の基板である。本実施形態における封止板３３の圧力室形成基板２９側の面である下面（本発明における一の面に相当）には、駆動ＩＣ３４からの駆動信号を圧電素子３２側に出力するバンプ電極３７が複数形成されている。このバンプ電極３７は、図２に示すように、一方の圧電素子３２の外側に形成された一方の個別端子４１に対応する位置、他方の圧電素子３２の外側に形成された他方の個別端子４１に対応する位置、及び両方の圧電素子３２の列間に形成された共通端子４２に対応する位置等に形成されている。そして、各バンプ電極３７は、それぞれ対応する個別端子４１又は共通端子４２に接続されている。より詳しくは、後述する導電膜３９（下地膜５５及び電極膜５６）が、対応する個別端子４１又は共通端子４２に導通されている。なお、封止板３３と圧力室形成基板２９とは、各バンプ電極３７とこれに対応する個別端子４１及び共通端子４２とが確実に導通されるように、両者が近づく方向に加圧された状態で接合されている。
【００３９】
本実施形態におけるバンプ電極３７は、図４に示すように、封止板３３の下面から突出した樹脂からなる樹脂部３８、及び、樹脂部３８の表面（詳しくは、封止板３３の下面に接触する表面とは反対側の表面）の少なくとも一部を覆う導電膜３９からなる、いわゆる樹脂コアバンプである。この導電膜３９は、樹脂部３８の表面における個別端子４１又は共通端子４２に対応する位置に形成されている。具体的には、個別端子４１に導通するバンプ電極３７の導電膜３９は、ノズル列方向に沿って並設された個別端子４１に対応して、当該ノズル列方向に沿って複数形成されている。また、共通端子４２に導通する導電膜３９は、共通端子４２に対応して、少なくとも１つ以上形成されている。そして、樹脂部３８は、導電膜３９を間に挟んで、高さ方向に僅かにつぶれた状態で個別端子４１又は共通端子４２に接続されている。すなわち、バンプ電極３７は、高さ方向に僅かにつぶれた状態で、個別端子４１又は共通端子４２に接続されている。なお、バンプ電極３７の導電膜３９は、図２に示すように、樹脂部３８から外れた位置まで延在（延設）され、封止板３３を板厚方向に貫通する貫通配線４５の下端を覆っている。これにより、導電膜３９は、貫通配線４５を介して、封止板３３の上面（圧力室形成基板２９とは反対側の面）に積層された上面側配線４６に接続される。なお、バンプ電極３７の構成に関し、詳しくは後述する。
【００４０】
封止板３３と圧力室形成基板２９（より詳しくは圧力室形成基板２９に積層された振動板３１）とを接着する感光性接着剤４３は、光の照射により硬化度が変化する感光性、及び、加熱により硬化度が変化する熱硬化性を有する接着剤である。このような感光性接着剤４３としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、スチレン樹脂等を主成分に含む樹脂が好適に用いられる。また、本実施形態における感光性接着剤４３は、図２に示すように、封止板３３の外周部分、及び、ノズル列方向に直交する方向におけるバンプ電極３７の両側に設けられている。そして、封止板３３の外周部分に設けられた感光性接着剤４３により、封止板３３と圧力室形成基板２９との間に封止空間４４が形成される。すなわち、封止空間４４は、封止板３３、圧力室形成基板２９（振動板３１）及び封止板３３の外周部分に設けられた感光性接着剤４３により区画される。このため、圧電素子３２は、この封止空間４４内に収容される。なお、封止空間４４は、封止板３３を貫通する小径な大気開放路（図示せず）を介して大気に開放されているため、完全に密封された空間ではない。また、バンプ電極３７の両側に設けられた感光性接着剤４３は、それぞれ樹脂部３８の延在方向に沿って長尺に形成されている。
【００４１】
封止板３３の上面には、駆動ＩＣ３４が積層されている。駆動ＩＣ３４は、圧電素子３２を駆動するためのＩＣチップであり、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等の接着剤４８を介して封止板３３の上面に固定されている。図２に示すように、この駆動ＩＣ３４の下面（封止板３３側の面）には、上面側配線４６の端子部に接続されるＩＣ端子４７が、複数形成されている。ＩＣ端子４７のうち個別端子４１に対応するＩＣ端子４７は、ノズル列方向に沿って複数並設されている。本実施形態では、２列に並設された圧電素子３２の列に対応して、ＩＣ端子４７の列が２列形成されている。
【００４２】
そして、上記のような構成の記録ヘッド３は、インクカートリッジ７からのインクを、液体導入路１８、共通液室２５及び個別連通路２６等を介して圧力室３０に導入する。この状態で、駆動ＩＣ３４からの駆動信号を、バンプ電極３７、リード配線４０等を介して圧電素子３２に供給すれば、圧電素子３２が駆動されて圧力室３０内のインクに圧力変動が生じる。この圧力変動を利用することで、記録ヘッド３はノズル２２からインク滴を噴射する。
【００４３】
次に、バンプ電極３７の構成について詳しく説明する。図３は、一方（図２における左側）の個別端子４１に接続されるバンプ電極３７が形成された領域の一部を封止板３３の下面側（圧力室形成基板２９側）から見た平面図である。また、図４は、図３におけるＡ−Ａ断面図、図５は、図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００４４】
個別端子４１に接続されるバンプ電極３７の樹脂部３８は、例えば、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の弾性を有する樹脂からなり、図３等に示すように、封止板３３の表面においてノズル列方向（本発明における第２の方向に相当）に沿って突条に形成されている。本実施形態における樹脂部３８は、圧電素子３２の列の外側において２列に形成された感光性接着剤４３の間に配置されている。また、図４に示すように、樹脂部３８は、ノズル列方向に交差する方向における断面においてその表面（詳しくは、振動板３１側の表面）が円弧状に形成されている。さらに、図３〜図５に示すように、樹脂部３８のうち個別端子４１に対応する部分の表面には、導電膜３９が積層されている。導電膜３９は、個別端子４１に対応して、ノズル列方向に間隔を空けて複数形成されている。このため、樹脂部３８には、導電膜３９に覆われた第１の部分５１と、導電膜３９から外れて覆われず、導電膜３９から露出した第２の部分５２とが、ノズル列方向に沿って交互に形成される。なお、各導電膜３９は、樹脂部３８と重なる領域からその外側の貫通配線４５に対応する領域まで、ノズル列方向に交差する方向（本発明における第１の方向に相当）に沿って延在されている。本実施形態においては、隣り合うバンプ電極３７の導電膜３９が異なる方向に引き出されている。すなわち、樹脂部３８と重なる領域から一側に引き出される導電膜３９と、樹脂部３８と重なる領域から他側に引き出される導電膜３９とがノズル列方向に沿って交互に形成されている。なお、各導電膜３９は、上記の構成に限られず、それぞれ同じ側に引き出された構成を採用することもできる。
【００４５】
また、図３〜図５に示すように、樹脂部３８のうち導電膜３９に覆われていない第２の部分５２は、ドライエッチングにより導電膜３９に覆われた第１の部分５１よりも小さく形成されている。すなわち、第２の部分５２のノズル列方向に交差する方向における寸法ｗ２は、第１の部分５１のノズル列方向に交差する方向における寸法ｗ１よりも小さく形成されている。換言すると、第１の部分５１のノズル列方向に交差する方向における寸法ｗ１は、第２の部分５２のノズル列方向に交差する方向における寸法ｗ２よりも大きく形成されている。また、第２の部分５２の高さ（封止板３３の下面から頂部までの寸法）ｈ２は、第１の部分５１の高さｈ１よりも低く形成されている。換言すると、第１の部分５１の高さｈ１は、第２の部分５２の高さｈ２よりも高く形成されている。要するに、樹脂部３８には、封止板３３の下面からの高さが相対的に高い第１の部分５１と、封止板３３の下面からの高さが相対的に低い第２の部分５２とがノズル列方向に沿って交互に形成されている。そして、導電膜３９は、第１の部分５１と重なる位置に形成されている。
【００４６】
さらに、図４及び図５に示すように、導電膜３９は、封止板３３の下面側から順に、下地膜５５（本発明における第２の配線に相当）及び電極膜５６（本発明における第１の配線に相当）が積層されてなる。すなわち、下地膜５５は、電極膜５６と樹脂部３８（より詳しくは、第１の部分５１）との間、及び、電極膜５６と封止板３３の下面との間に形成されている。また、電極膜５６は、導電膜３９の最表層を構成する層であり、個別端子４１等の端子に当接されている。なお、下地膜５５は、例えば、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、及び、これらの合金やこれらが積層されたもの等からなり、耐食性及び導電性を有する。また、電極膜５６は、金（Ａｕ）等からなる。このため、下地膜５５は、貫通配線４５の端を覆って保護する保護膜として機能するほか、電極膜５６の密着性を高める密着層としても機能する。さらに、下地膜５５は、電極膜５６と貫通配線４５との間に生じる金属拡散を抑制するバリア層としても機能させることができる。金属拡散を抑制することで、抵抗値の変動を低減して信頼性を向上させることができる。
【００４７】
ここで、バンプ電極３７は、ノズル列方向（すなわち、樹脂部３８の延在方向）において、当該バンプ電極３７を構成する樹脂部３８の幅（具体的には、第１の部分５１の幅）ｗ５が第１の部分５１を覆う電極膜５６の幅ｗ３以上となるように構成されている。本実施形態においては、図５に示すように、第１の部分５１の幅ｗ５と第１の部分５１を覆う電極膜５６の幅ｗ３とが、ほぼ同じ幅に形成されている。また、ノズル列方向において、下地膜５５の幅ｗ４は、第１の部分５１の幅ｗ５及び第１の部分５１を覆う電極膜５６の幅ｗ３よりも大きく形成されている。換言すると、第１の部分５１の幅ｗ５及び第１の部分５１を覆う電極膜５６の幅ｗ３は、下地膜５５の幅ｗ４よりも小さく形成されている。なお、電極膜５６の幅ｗ３と下地膜５５の幅ｗ４とは、同じ幅に形成することもできる。すなわち、下地膜５５の幅ｗ４は、第１の部分５１を覆う電極膜５６の幅ｗ３以上であればよい。
【００４８】
このように、第１の部分５１の幅ｗ５を電極膜５６の幅ｗ３以上となるように構成することで、バンプ電極３７の形状が崩れることを抑制できる。例えば、バンプ電極３７を対向する端子（個別端子４１等）に接続する際に、この端子に当接する電極膜５６をバンプ電極３７の高さ方向に押圧したとしても、第１の部分５１がこの圧力を受けることができる。これにより、バンプ電極３７が傾いたり倒れたりすることを抑制できる。すなわち、電極膜５６を支持する第１の部分５１が支持台として安定し、特に幅方向（樹脂部３８の延在方向）における応力等に対して強くなるため、バンプ電極３７の形状が崩れ難くなる。その結果、バンプ電極３７（樹脂部３８に積層された電極膜５６）における電気接続の信頼性の低下を抑制でき、ひいては、記録ヘッド３の信頼性の低下を抑制できる。また、バンプ電極３７間の樹脂部３８を封止板３３の下面からの高さが相対的に低い第２の部分５２としたので、バンプ電極３７の高さ、詳しくは、電極膜５６の端子となる部分（すなわち、対応する端子（個別端子４１等）に接続される部分）の高さが相対的に高くなり、対応する端子との電気的な接続が取り易くなる。また、第２の部分５２により第１の部分５１のノズル列方向における強度を補強でき、第１の部分５１の形状が崩れることを抑制できる。すなわち、第２の部分５２が第１の部分５１を支えるので、樹脂部３８を潰す方向に加圧をした際に樹脂部３８の形状が崩れることを抑制できる。これにより、バンプ電極３７における電気接続の信頼性の低下を一層抑制できる。さらに、下地膜５５の幅ｗ４を電極膜５６の幅ｗ３以上となるように構成したので、下地膜５５を密着層として十分に機能させることができ、電極膜５６の密着性をより確実に確保することができる。そして、下地膜５５の幅ｗ４を第１の部分５１の幅ｗ５よりも大きく形成したので、第２の部分５２を形成すべく導電膜３９をマスクとして樹脂部３８をエッチングする際に、第１の部分５１がサイドエッチングされたとしても、第１の部分５１の幅ｗ５が電極膜５６の幅ｗ３よりも小さく（細く）なることを抑制できる。これにより、バンプ電極３７の形状が崩れることを抑制できる。なお、この点に関しては、以下で詳しく説明する。
【００４９】
次に、記録ヘッド３の製造法、特に、バンプ電極３７の形成方法について詳しく説明する。図６〜図１３は、バンプ電極３７の形成方法を説明する封止板３３の断面の状態遷移図である。なお、図６、図８、図１２は、図３におけるＡ−Ａ断面に対応する封止板３３の断面図（すなわち、樹脂部３８の延在方向に直交する方向おける封止板３３の断面図）であり、図７、図９〜図１１、図１３は、図３におけるＢ−Ｂ断面に対応する封止板３３の断面図（すなわち、樹脂部３８の延在方向における封止板３３の断面図）である。また、図６〜図１３においては、説明の都合上、図４及び図５と上下が反転して表されている。すなわち、図６〜図１３においては、封止板３３の下面側（圧力室形成基板２９側）が上方、上面側（駆動ＩＣ３４側）が下方となっている。
【００５０】
まず、樹脂部形成工程において、貫通配線４５等が形成された封止板３３となるシリコン基板（以下、単に封止板３３と称する）の下面（図６及び図７における上方の面）に樹脂部３８を形成する。具体的には、例えば、封止板３３の表面に樹脂層を成膜し、フォトリソグラフィー工程等を経て、所定の位置に樹脂層を形成する。すなわち、ノズル列方向に沿って延在した、断面が矩形状の樹脂層を形成する。このような樹脂層を形成したならば、封止板３３を加熱する。この熱により樹脂層の粘度が低くなり、その角がだれる。その後、封止板３３を冷却することで、樹脂層を固化する。その結果、図６及び図７に示すように、樹脂部３８の延在方向に交差する断面において、表面が円弧状となった樹脂部３８が形成される。
【００５１】
次に、樹脂部３８上に導電膜３９を形成する。具体的には、まず、第１の成膜工程において、樹脂部３８が形成された領域を含む封止板３３の下面（図８及び図９における上方の面）の全面に、スパッタリング法等により下地膜５５となる金属層５５′（本発明における第２の導電層に相当）を成膜する。続いて、第２の成膜工程において、下地膜５５となる金属層５５′上に、スパッタリング法等により電極膜５６となる金属層５６′（本発明における第１の導電層に相当）を成膜する。これにより、図８及び図９に示すように、封止板３３の下面に金属層５５′及び金属層５６′がこの順に積層される。なお、第１の成膜工程及び第２の成膜工程からなる一連の工程が本発明における導電層成膜工程に相当する。
【００５２】
封止板３３の表面に下地膜５５となる金属層５５′及び電極膜５６となる金属層５６′を成膜したならば、第１のエッチング工程において、下地膜５５となる金属層５５′及び電極膜５６となる金属層５６′をエッチングして下地膜５５及び電極膜５６（すなわち、導電膜３９）を形成する。具体的には、電極膜５６となる金属層５６′上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィー工程等を経て、所定の位置にレジスト層を残す。この状態で、ドライエッチング又はウェットエッチングにより下地膜５５となる金属層５５′及び電極膜５６となる金属層５６′をエッチングする。これにより、図１０に示すように、所定の位置に導電膜３９（下地膜５５及び電極膜５６）が形成される。次に、第２のエッチング工程において、電極膜５６をエッチングして、樹脂部３８の延在方向における電極膜５６の幅を同方向における下地膜５５の幅よりも小さくする。具体的には、第１のエッチング工程において形成されたレジスト層を残したまま、電極膜５６のみと反応するエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、電極膜５６をサイドエッチングする。これにより、図１１に示すように、樹脂部３８の延在方向における幅が同方向における下地膜５５の幅よりも小さくなった電極膜５６が形成される。ここで、電極膜５６のエッチング時間等を調整することで、樹脂部３８の延在方向における電極膜５６の幅が、後の工程で形成される第１の部分５１の幅よりも大きくならないようにする。なお、レジスト層は、電極膜５６をサイドエッチングした後に除去される。
【００５３】
その後、第３のエッチング工程において、導電層３９（下地膜５５及び電極膜５６）をマスクとして、樹脂部３８をエッチングする。例えば、導電層３９をマスクとして、酸素プラズマを用いたドライエッチングを行い、樹脂部３８のうち導電層３９の間の部分（第２の部分５２に対応する部分）を高さ方向に削る。これにより、図１２及び図１３に示すように、導電層３９間の樹脂部３８の表面部分がエッチングされて、導電層３９直下の樹脂部３８よりも一回り小さくなる。すなわち、導電層３９間の樹脂部３８の封止板３３の表面からの高さが、導電層３９直下の樹脂部３８の封止板３３の表面からの高さよりも低くなる。換言すると、封止板３３の下面からの高さが相対的に高い第１の部分５１と、封止板３３の下面からの高さが相対的に低い第２の部分５２とが形成される。この際、図１３に示すように、樹脂部３８の延在方向における第１の部分５１の側面がサイドエッチングされ、下地膜５５よりも内側にえぐれた状態となる。すなわち、樹脂部３８の延在方向における第１の部分５１の幅が、同方向における下地膜５５の幅よりも小さくなる。なお、この幅（樹脂部３８の延在方向における第１の部分５１の幅）は、樹脂部３８のエッチング条件を調整することで、変更できる。本実施形態では、電極膜５６のエッチング条件と併せて、樹脂部３８の延在方向における第１の部分５１の幅が、同方向における電極膜５６の幅と略同じになるように調整されている。
【００５４】
このように、第１のエッチング工程の後、電極膜５６をエッチングする第２のエッチング工程を行ったので、第３のエッチング工程により、第１の部分５１がサイドエッチングされたとしても、樹脂部３８の延在方向における第１の部分５１の幅を同方向における電極膜５６の幅以上にすることができる。すなわち、第１の部分５１の幅が電極膜５６の幅以上に形成されたバンプ電極３７を作製できる。
【００５５】
そして、封止板３３の下面にバンプ電極３７を作製したならば、基板接合工程において、圧電素子３２や振動板３１等が形成された圧力室形成基板２９と封止板３３との間に感光性接着剤４３を挟んだ状態で感光性接着剤４３を加熱して、感光性接着剤４３を硬化させる。詳しくは、まず、圧力室形成基板２９又は封止板３３の何れか一方の基板の所定の位置に、露光工程及び現像工程等を経て、感光性接着剤４３を形成する。次に、感光性接着剤４３を間に挟んで圧力室形成基板２９と封止板３３とを対向させ、圧力室形成基板２９と封止板３３とを両者が近づく方向に押圧（加圧）すると共に、加熱する。この押圧により、感光性接着剤４３及びバンプ電極３７が高さ方向に押し潰され、バンプ電極３７とこれに対応する個別端子４１及び共通端子４２とが導通する。ここで、第１の部分５１の幅を電極膜５６の幅以上となるように構成したので、バンプ電極３７の形状が崩れることを抑制できる。そして、加熱により、感光性接着剤４３が本硬化し、圧力室形成基板２９と封止板３３とが接合される。
【００５６】
感光性接着剤４３が本硬化したならば、押圧及び加熱を停止し、接合された圧力室形成基板２９と封止板３３とを常温まで冷却する。その後、圧力室形成基板２９を下面側（封止板３３側とは反対側）から研磨し、圧力室形成基板２９を薄くする。次に、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程等を経て、薄くなった圧力室形成基板２９に圧力室３０を形成する。圧力室形成基板２９に圧力室３０を形成したならば、封止板３３に駆動ＩＣ３４を接合し、アクチュエーターユニット１４を作成する。そして、アクチュエーターユニット１４と流路ユニット１５とを接合した後、アクチュエーターユニット１４が接合された流路ユニット１５をヘッドケース１６の下面に接合する。これにより、収容空間１７内にアクチュエーターユニット１４が収容され、上記した記録ヘッド３が作成される。
【００５７】
ところで、上記した第１の実施形態では、樹脂部３８の延在方向において、下地膜５５の幅ｗ４は、第１の部分５１の幅ｗ５よりも大きく形成されたが、これには限られない。例えば、図１４に示す第２の実施形態では、樹脂部３８の延在方向において、下地膜５５の幅ｗ４′が、第１の部分５１の幅ｗ５′よりも小さく形成されている。また、樹脂部３８の延在方向において、電極膜５６の幅ｗ３′は、下地膜５５の幅ｗ４′よりも小さく形成されている。すなわち、樹脂部３８の延在方向において、第１の部分５１の幅ｗ５′が、下地膜５５の幅ｗ４′及び電極膜５６の幅ｗ３′よりも大きくなっている。このように、第１の部分５１の幅ｗ５を下地膜５５の幅ｗ４′及び電極膜５６の幅ｗ３′よりも大きくすることで、バンプ電極３７の形状が崩れることを更に抑制できる。すなわち、バンプ電極３７を高さ方向に押圧したとしても、第１の部分５１がこの圧力を受けることができる。その結果、電極膜５６を支持する第１の部分５１が支持台としてより安定し、バンプ電極３７の形状が崩れ難くなる。その結果、バンプ電極３７における電気接続の信頼性の低下を更に抑制でき、ひいては、記録ヘッド３の信頼性の低下を更に抑制できる。なお、その他の構成は上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００５８】
次に、第２の実施形態におけるバンプ電極３７の形成方法について詳しく説明する。図１５〜図１７は、第２の実施形態におけるバンプ電極３７の形成方法を説明する封止板３３の断面の状態遷移図である。なお、図１５〜図１７においても、封止板３３の下面側（圧力室形成基板２９側）が上方、上面側（駆動ＩＣ３４側）が下方となっている。また、所定の位置に導電膜３９（下地膜５５及び電極膜５６）を形成した後、樹脂部３８の延在方向における電極膜５６の幅を小さくする工程、すなわち第２のエッチング工程までは、上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００５９】
具体的には、第１の実施形態と同様に、樹脂部形成工程、第１の成膜工程、第２の成膜工程、第１のエッチング工程、及び、第２のエッチング工程等を経て、図１５に示すように、樹脂部３８、下地膜５５、及び、樹脂部３８の延在方向における幅が同方向における下地膜５５の幅よりも小さくなった電極膜５６を封止板３３の下面に形成する。次に、第１の実施形態と同様に、第３のエッチング工程において、導電層３９（下地膜５５及び電極膜５６）をマスクとして、樹脂部３８をエッチングする。これにより、図１６に示すように、封止板３３の下面からの高さが相対的に高い第１の部分５１と、封止板３３の下面からの高さが相対的に低い第２の部分５２とが形成される。また、本実施形態でも、樹脂部３８の延在方向における第１の部分５１の幅が、同方向における下地膜５５の幅よりも小さく形成される。そして、本実施形態では、第１の実施形態と異なり、樹脂部３８のエッチング条件及び電極膜５６のエッチング条件等を調整することで、樹脂部３８の延在方向における第１の部分５１の幅が、同方向における電極膜５６の幅よりも大きくなるように形成されている。
【００６０】
その後、第４のエッチング工程において、下地膜５５をエッチングして樹脂部３８の延在方向における下地膜５５の幅を、同方向における第１の部分５１の幅よりも小さくする。例えば、フォトリソグラフィー工程等を経て、所定の位置にレジスト層を形成し、ドライエッチング又はウェットエッチングにより下地膜５５をエッチングする。これにより、図１７に示すように、樹脂部３８の延在方向における幅が、同方向における第１の部分５１の幅よりも小さく、且つ、同方向における電極膜５６の幅よりも大きい下地膜５５が形成される。すなわち、第１の部分５１の幅が、下地膜５５の幅及び電極膜５６の幅よりも大きく形成されたバンプ電極３７が形成される。
【００６１】
また、図１８に示す第３の実施形態では、樹脂部３８の延在方向において、下地膜５５の幅ｗ４″が、第１の部分５１の幅ｗ５″と略同じ大きさに形成されている。また、樹脂部３８の延在方向において、電極膜５６の幅ｗ３″は、下地膜５５の幅ｗ４″及び第１の部分５１の幅ｗ５″よりも小さく形成されている。このように、第１の部分５１の幅ｗ５″を電極膜５６の幅ｗ３″よりも大きくすることで、本実施形態でもバンプ電極３７の形状が崩れることを更に抑制できる。なお、その他の構成は上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。また、本実施形態におけるバンプ電極３７の形成方法は、第４のエッチング工程において、第１の部分５１の幅と略同じ大きさになるように下地膜５５をエッチングすること以外は、上記した第２の実施形態におけるバンプ電極３７の形成方法と同じであるため、説明を省略する。
【００６２】
ところで、上記した各実施形態では、封止板３３側にバンプ電極３７を形成したが、これには限られない。例えば、圧力室形成基板側にバンプ電極を形成しても良い。この場合、振動板及び圧力室形成基板からなる基板が本発明における基板に相当する。また、上記した各実施形態では、バンプ電極３７の導電膜３９を下地膜５５と電極膜５６との２層で構成したが、これには限られない。導電膜、すなわち樹脂部を覆う配線としては、少なくとも１層以上の層で構成されていれば良い。そして、端子に当接する最表層の配線の幅が樹脂部の幅以下になっていれば良い。すなわち、最表層の配線が本発明における第１の配線に相当する。さらに、上記した実施形態では、樹脂部３８が第１の部分５１と第２の部分５２とを備えたが、これには限られない。例えば、第２の部分を高さ方向に全て除去し、第１の部分のみを残した状態に形成することもできる。
【００６３】
また、以上においては、バンプ電極３７の構成及び形成方法の説明として、複数のバンプ電極３７のうち一方の個別端子４１に接続されるバンプ電極３７に注目して説明したが、その他のバンプ電極３７（他方の個別端子４１に接続されるバンプ電極３７や共通端子４２に接続されるバンプ電極３７等）の構成等も一方の個別端子４１に接続されるバンプ電極３７とほぼ同じであるため、説明を省略する。
【００６４】
そして、以上においては、液体噴射ヘッドとしてインクジェット式記録ヘッド３を例に挙げて説明したが、本発明は、その他の液体噴射ヘッドにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、ＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。ディスプレイ製造装置用の色材噴射ヘッドでは液体の一種としてＲ（Red）・Ｇ（Green）・Ｂ（Blue）の各色材の溶液を噴射する。また、電極形成装置用の電極材噴射ヘッドでは液体の一種として液状の電極材料を噴射し、チップ製造装置用の生体有機物噴射ヘッドでは液体の一種として生体有機物の溶液を噴射する。
【００６５】
その他、第１の基板と第２の基板とを備え、第１の基板及び第２の基板のいずれか一方の基板に樹脂部と樹脂部の一部を覆う電極と備えたＭＥＭＳデバイスにも本発明を適用できる。例えば、第１の基板又は第２の基板の何れか一方に駆動領域及び圧電素子を備え、この圧電素子を駆動領域の圧力変化、振動、あるいは変位等を検出するセンサー等に応用したＭＥＭＳデバイスにも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１…プリンター，２…記録媒体，３…記録ヘッド，４…キャリッジ，５…キャリッジ移動機構，６…搬送機構，７…インクカートリッジ，８…タイミングベルト，９…パルスモーター，１０…ガイドロッド，１４…アクチュエーターユニット，１５…流路ユニット，１６…ヘッドケース，１７…収容空間，１８…液体導入路，２１…ノズルプレート，２２…ノズル，２４…連通基板，２５…共通液室，２６…個別連通路，２７…ノズル連通路，２９…圧力室形成基板，３０…圧力室，３１…振動板，３２…圧電素子，３３…封止板，３４…駆動ＩＣ，３５…駆動領域，３６…非駆動領域，３７…バンプ電極，３８…樹脂部，３９…導電膜，４０…リード配線，４１…個別端子，４２…共通端子，４３…感光性接着剤，４４…封止空間，４５…貫通配線，４６…上面側配線，４７…ＩＣ端子，４８…接着剤，５１…第１の部分，５２…第２の部分，５５…下地膜，５５′…金属層，５６…電極膜，５６′…金属層 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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