(57)【要約】【課題】  電位変動が抑制され、耐摩耗性が向上し、クリーニング不良が抑制された電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】  電子写真感光体の下引き層が特定の組成物の重合物を含有し、電子写真感光体の表面層がアクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する正孔輸送性化合物に放射線を照射することによって硬化させて得られる樹脂を含有し、電子写真感光体の表面に特定の形状が形成されている【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、下記式（１）で示される化合物を含む組成物の重合物を含有し、
【化１】
2018054904.tif 000031
（式（１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、酸素原子、硫黄原子、または、−（Ｎ−Ｒ２０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ２０１は、水素原子、または、アルキル基を示す。Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つは、下記式（Ａ）で示される１価の基である。
該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される基である。
該置換のアリール基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基およびハロゲン化アルキル基からなる群より選択される基である。）
【化２】
2018054904.tif 000032
（式（Ａ）中、α、βおよびγの少なくとも１つは、置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。
ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１である。
αは、主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、または、フェニル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、酸素原子、硫黄原子、または、−（Ｎ−Ｒ３０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ３０１は、水素原子、または、アルキル基を示す。
βは、フェニレン基、炭素原子数が１以上６以下のアルキル置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン化フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
γは、水素原子、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基、または、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、−（Ｎ−Ｒ４０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ４０１は、アルキル基を示す。）
該電子写真感光体の表面層が、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する正孔輸送性化合物に放射線を照射することにより硬化させて得られる樹脂を含有し、
該電子写真感光体の表面が、以下のいずれかを満足する：
（ｉ）該電子写真感光体の表面に、複数の凹部および該凹部以外の部分が形成されている、
（ｉｉ）該電子写真感光体の表面に、複数の凸部および該凸部以外の部分が形成されている、
（ｉｉｉ）該電子写真感光体の表面に、平坦部と溝部とが交互に複数形成されている、
ことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
請求項１に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項３】
請求項１に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、帯電、露光、現像、転写、クリーニングの電気的および／または機械的な外力が加えられるため、これら外力によって引き起こされる多くの課題が発生する。
【０００３】
課題の具体例として、電位変動に起因する画像濃度の変化、表面層の傷や摩耗の発生による耐久性能の劣化、クリーニング不良による画像欠陥が挙げられる。
【０００４】
電位変動を抑制する技術として、特許文献１には、支持体と感光層の間に下引き層を設け、該下引き層に電子輸送物質を含有させる技術が開示されている。
【０００５】
電子写真感光体の周面の耐傷性および耐摩耗性の向上する技術として、特許文献２には、電子写真感光体の表面層を硬化層とする技術が開示されている。
【０００６】
クリーニング不良による画像欠陥を抑制させる技術として、特許文献３〜５には、電子写真感光体の表面を粗面化する（表面に凹凸を付ける）技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−０２９４７９号公報
【特許文献２】特開１９９９−２６５０８５号公報
【特許文献３】特開２００７−２３３３５５号公報
【特許文献４】特開２００９−０１４９７９号公報
【特許文献５】ＷＯ２０１１／０６７８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、電子写真感光体の長寿命化が望まれているため、電子写真感光体の外力に対する性能（耐久性能）の維持がより必要になっている。
【０００９】
本発明者らの検討の結果、特許文献１〜５に開示された技術を組み合わせると、電位変動の抑制、耐摩耗性の向上、クリーニング不良の抑制が十分に達成されることを確認した。
【００１０】
本発明の目的は、電位変動が抑制され、耐摩耗性が向上し、クリーニング不良が抑制された電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、下記式（１）で示される化合物を含む組成物の重合物を含有し、
【００１２】
【化１】
2018054904.tif 000002
【００１３】
（式（１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、酸素原子、硫黄原子、または、−（Ｎ−Ｒ２０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ２０１は、水素原子、または、アルキル基を示す。Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つは、下記式（Ａ）で示される１価の基である。
該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される基である。
該置換のアリール基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基およびハロゲン化アルキル基からなる群より選択される基である。）
【００１４】
【化２】
2018054904.tif 000003
【００１５】
（式（Ａ）中、α、βおよびγの少なくとも１つは、置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。
ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１である。
【００１６】
αは、主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、または、フェニル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、酸素原子、硫黄原子、または、−（Ｎ−Ｒ３０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ３０１は、水素原子、または、アルキル基を示す。
【００１７】
βは、フェニレン基、炭素原子数が１以上６以下のアルキル置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン化フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
【００１８】
γは、水素原子、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基、または、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、−（Ｎ−Ｒ４０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ４０１は、アルキル基を示す。）
該電子写真感光体の表面層が、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する正孔輸送性化合物に放射線を照射することにより硬化させて得られる樹脂を含有し、
該電子写真感光体の表面が、以下のいずれかを満足する：
（ｉ）電子写真感光体の表面に、複数の凹部および該凹部以外の部分が形成されている、
（ｉｉ）該電子写真感光体の表面に、複数の凸部および該凸部以外の部分が形成されている、
（ｉｉｉ）該電子写真感光体の表面に、平坦部と溝部とが交互に複数形成されている、
ことを特徴とする電子写真感光体である。
【００１９】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジである。
【００２０】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、電位変動が抑制され、耐摩耗性が向上し、クリーニング不良が抑制された電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の表面に形成されている各々の凹部の開口の具体的な形状の例を示す図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の表面に形成されている各々の凹部の断面の形状の例を示す図である。
【図４】（Ａ）は、本発明のマスクの配列パターンの例（部分拡大図）を示す図である。（Ｂ）は、本発明のレーザー加工装置の例の概略を示す図である。（Ｃ）は、本発明のマスクの配列パターンの例（部分拡大図）を示す図である。（Ｄ）は、本発明のモールドによる圧接形状転写加工装置の例の概略を示す図である。（Ｅ）は、本発明のモールドによる圧接形状転写加工装置の別の例の概略を示す図である。
【図５】（Ａ）は、本発明のモールド形状の一例を示す図である。（Ｂ）は、本発明のモールド形状の一例を示す図である。
【図６】本発明の電子写真感光体の表面の凸部の開口の形状の例を示す図である。
【図７】本発明の電子写真感光体の表面の凸部の断面の形状の例を示す図である。
【図８】本発明の電子写真感光体の周面に形成された平坦部−溝部形状を表面および断面から見た例を示す図である。
【図９】（Ａ）は、本発明のモールドによる圧接形状転写加工装置の例を示す図である。（Ｂ）は、本発明のモールドによる圧接形状転写加工装置の例を示す図である。
【図１０】実施例または比較例に係る図である。
【図１１】実施例または比較例に係る図である。
【図１２】実施例または比較例に係る図である。
【図１３】実施例または比較例に係る図である。
【図１４】実施例または比較例に係る図である。
【図１５】実施例または比較例に係る図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する。電子写真感光体は、一般的には、円筒状支持体上に下引き層や感光層を形成してなる円筒状の電子写真感光体が広く用いられているが、ベルト状またはシート状の形状にすることも可能である。
【００２４】
感光層は、電子写真特性の観点から、積層型感光層が好ましい。積層型感光層は、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した順層型感光層であってもよいし、支持体側から電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した逆層型感光層であってもよい。また、電荷発生層を積層構造としてもよいし、電荷輸送層を積層構成としてもよい。
【００２５】
［支持体］
支持体の材料としては、導電性を示すもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、鉄、銅、金、銀、アルミニウム、亜鉛、チタン、鉛、ニッケル、スズ、アンチモン、インジウム、クロム、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属製（合金製）の支持体が挙げられる。また、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム−酸化スズ合金を真空蒸着によって被膜形成した層を有する金属製（合金製）の支持体や樹脂製の支持体を用いることもできる。また、カーボンブラック、酸化スズ粒子、酸化チタン粒子、銀粒子などの導電性粒子を樹脂や紙に含浸させてなる支持体や、導電性樹脂製の支持体を用いることもできる。
【００２６】
支持体の表面は、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制を目的として、切削処理、粗面化処理、アルマイト処理を施してもよい。
【００２７】
［導電層］
支持体と下引き層との間には、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制や、支持体の傷の被覆を目的とした導電層を設けてもよい。
【００２８】
導電層は、カーボンブラック、導電性顔料、抵抗調節顔料を結着樹脂に分散および／または溶解させて調製された導電層用塗布液を用いて形成することができる。導電層用塗布液には、加熱または放射線照射により硬化重合する化合物を含有させてもよい。導電性顔料や抵抗調節顔料を含有させた導電層は、その表面が粗面化される傾向にある。
【００２９】
導電層の膜厚は、０．２μｍ以上４５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましい。
【００３０】
導電層に用いられる結着樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体／共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００３１】
導電性顔料および抵抗調節顔料としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、ニッケル、銀、ステンレスなどの金属（合金）の粒子や、これらをプラスチックの粒子の表面に蒸着したものが挙げられる。また、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウムや、アンチモン、タンタルをドープした酸化スズなどの金属酸化物の粒子でもよい。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合するだけでもよいし、固溶体や融着の形にしてもよい。
【００３２】
［下引き層］
支持体または導電層と感光層との間に下引き層が設けられる
下引き層は、下記式（１）で示される化合物を含む組成物の重合物を含有する。
【００３３】
【化３】
2018054904.tif 000004
【００３４】
上記式（１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。あるいは、下記式（Ａ）で示される１価の基を示す。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、酸素原子、硫黄原子、または、−（Ｎ−Ｒ２０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ２０１は、水素原子、または、アルキル基を示す。Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つは、下記式（Ａ）で示される１価の基である。  該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される基である。
該置換のアリール基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基およびハロゲン化アルキル基からなる群より選択される基である。
【００３５】
【化４】
2018054904.tif 000005
【００３６】
上記式（Ａ）中、α、βおよびγの少なくとも１つは、置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。
ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１である。
【００３７】
αは、
主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、
炭素原子数が１以上６以下のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、
ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基、または、
フェニル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、酸素原子、硫黄原子、または、−（Ｎ−Ｒ３０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ３０１は、水素原子、または、アルキル基を示す。
【００３８】
以下に、−（Ｎ−Ｒ３０１）−で示される２価の基の例を挙げる。
【００３９】
【化５】
2018054904.tif 000006
【００４０】
βは、フェニレン基、炭素原子数が１以上６以下のアルキル置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン化フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
【００４１】
γは、水素原子、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基、または、炭素原子数が１以上６以下のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１以上６以下のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、−（Ｎ−（Ｒ４０１）−で示される２価の基で置き換わっていてもよい。Ｒ４０１は、アルキル基を示す。
【００４２】
−（Ｎ−Ｒ４０１）−で示される２価の基の例としては、上記の−（Ｎ−Ｒ３０１）−で示される２価の基の例と同様の基が挙げられる。
【００４３】
上記式（１）中のＲ１０５およびＲ１０６の少なくとも１つは、電位変動の抑制の観点から、上記式（Ａ）で示される１価の基であることが好ましい。
【００４４】
上記式（Ａ）中のα、βおよびγの少なくとも１つは、置換基を有する基であり、電位変動の抑制の観点から、該置換基がヒドロキシ基であることが好ましい。
【００４５】
上記式（１）で示される化合物は２種以上用いてもよい。
【００４６】
以下に、上記式（１）で示される化合物の例を挙げる。
【００４７】
【化６】
2018054904.tif 000007
【００４８】
【化７】
2018054904.tif 000008
【００４９】
【化８】
2018054904.tif 000009
【００５０】
【化９】
2018054904.tif 000010
【００５１】
【化１０】
2018054904.tif 000011
【００５２】
上記式（１）で示される化合物は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報に記載の合成方法を用いて合成することが可能である。また、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，２７０３−２７０５（２００７）に記載の合成方法を用いて合成することも可能である。
【００５３】
また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）およびジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することができる。
【００５４】
上記式（１）で示される化合物は、重合性官能基として、上記式（Ａ）で示される１価の基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシ基）を有する。これらの置換基を導入する方法としては、上記式（１）で示される化合物の重合性官能基を導入する前の前駆体に、直接重合性官能基を導入する方法や、重合性官能基または重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えば、ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法がある。例えば、ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法がある。また、ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシ基を導入する方法がある。ナフチルイミド誘導体を合成する際の原料として、重合性官能基または重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有するナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体またはモノアミン誘導体を用いる方法がある。ナフチルイミド誘導体を合成する際の原料として、重合性官能基または重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有するナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体またはモノアミン誘導体を用いる方法がある。
【００５５】
下引き層に上記式（１）で示される化合物を含む組成物の重合物を含有させる場合、組成物には、さらに架橋剤と樹脂を含有させることが好ましい。
【００５６】
架橋剤としては、重合性官能基を有する電子輸送物質、および、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂と重合または架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三，金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊（１９８１年）等に記載されている化合物などを用いることができる。
【００５７】
架橋剤中の官能基としては、例えば、−ＮＣＯ基（以下、イソシアネート基とも称する。）、−ＮＯＲ基、−ＳｉＯＲ基、アクリル基等が挙げられる。これらの中でも、電位変動の抑制の観点から、イソシアネート基が好ましい。
【００５８】
イソシアネート基（−ＮＣＯ基）またはブロックイソシアネート基（−ＮＨＣＯＸ１基、Ｘ１は保護基）を２個以上６個以下有しているイソシアネート化合物が好ましい。Ｘ１は、イソシアネート基に導入可能な保護基であればいずれでもよいが、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ７）のいずれかで示される基が好ましい。
【００５９】
【化１１】
2018054904.tif 000012
【００６０】
具体例としては、トリイソシアネートベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネートなどのジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンとのアダクト体などの変性体が挙げられる。
【００６１】
イソシアネート化合物は、環状構造であることが好ましい。より好ましくは、イソシアヌレート構造であり、下記式で示される構造である。
【００６２】
【化１２】
2018054904.tif 000013
【００６３】
市販のイソシアネート化合物としては、例えば、住化バイエルウレタン（株）製、ＢＬ３１７５、ＢＬ３４７５、ＢＬ３５７５、旭化成ケミカルズ（株）製、ＴＰＡ−Ｂ８０Ｅ、ＴＰＡ−Ｂ８０Ｘ、ＳＢＮ−７０Ｄ、ＳＢＮ−７０Ｍなどが挙げられる。
【００６４】
樹脂としては、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑線樹脂としては、例えば、下記式（Ｂ）で示される構造単位を有する樹脂（熱可塑性樹脂）が挙げられる。
【００６５】
【化１３】
2018054904.tif 000014
【００６６】
上記式（Ｂ）中、Ｒ１１は、水素原子、または、アルキル基を示す。Ｙは、単結合、または、フェニレン基を示す。Ｗ１は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、または、カルボキシ基を示す。
【００６７】
上記式（Ｂ）で示される構造単位を有する熱可塑性樹脂としては、例えば、アセタール樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミドが挙げられる。
【００６８】
上記式（Ｂ）で示される構造単位は、以下に示す特徴的な構造の中に有してもよいし、特徴的な構造以外に有してもよい。特徴的な構造を以下の（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）に示す。（Ｂ−１）は、アセタール樹脂の構造単位である。（Ｂ−２）は、ポリオレフィンの構造単位である。（Ｂ−３）は、ポリエステルの構造単位である。（Ｂ−４）は、ポリエーテルの構造単位である。（Ｂ−５）は、ポリアミドの構造単位である。
【００６９】
【化１４】
2018054904.tif 000015
【００７０】
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）中、Ｒ５０１〜Ｒ５１０は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアリール基を示す。
【００７１】
上記式（Ｂ）で示される構造単位を有する熱可塑性樹脂のうち、購入可能な樹脂としては、例えば、以下のものが挙げられる。
日本ポリウレタン工業（株）製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業（株）製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、
日立化成工業（株）製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ（株）製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ハリマ化成（株）製ハリディップＷＨ−１１８８などのポリエステルポリオール系樹脂、
ＤＩＣ（株）製バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、
（株）クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのポリビニルアルコール系樹脂、
積水化学工業（株）製ＫＷ−１およびＫＷ−３、ＢＸ−１、ＢＭ−１、ＫＳ−１、ＫＳ−３、ＫＳ−５Ｚなどのポリビニルアセタール系樹脂、
ナガセケムテックス（株）製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド化合物系樹脂、
日本触媒（株）製アクアリック、鉛市（株）製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシ基含有樹脂、
ＤＩＣ（株）製ラッカマイドなどのポリアミン、
東レ（株）製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオール。
【００７２】
下引き層用の組成物には、重合を促進する目的で触媒を含有させてもよい。触媒として、例えば、ジブチルスズジラウレート、アミン触媒、金属石鹸などが挙げられる。
【００７３】
下引き層用塗布液に用いられる溶剤は、例えば、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
【００７４】
重合の形態として、例えば、上記式（１）で示される化合物、架橋剤、および、上記式（Ｂ）で示される構造単位を有する樹脂が反応し、重合物（硬化物）が形成される。
【００７５】
下引き層は、上記式（１）で示される化合物などを含有する下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を加熱乾燥させることによって形成することができる。塗膜形成後、これらの化合物が化学反応により重合（硬化）するが、その際に加熱をすることで、化学反応が促進され、重合が促進される。
【００７６】
下引き層中の上記重合物の含有量は、電位変動の抑制の観点から、下引き層の全質量に対して５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましい。
【００７７】
下引き層には、上記重合物以外にも、下引き層の成膜性や電気的特性を高めるために、有機微粒子、無機微粒子、レベリング剤などを含有させてもよい。ただし、下引き層におけるそれらの含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％未満であることが好ましく、２０質量％未満であることがより好ましい。
【００７８】
なお、支持体と上記下引き層との間や上記下引き層と感光層との間に、本発明に係る重合体を含有しない第２の下引き層などの別の層を設けてもよい。
【００７９】
本発明に係る化合物などの確認は、以下の方法によって行った。
【００８０】
・質量分析
質量分析計（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ：ブルカー・ダルトニクス（株）製、ｕｌｔｒａｆｌｅｘ）を用い、加速電圧：２０ｋＶ、モード：Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、分子量標準品：フラーレンＣ６０の条件で、分子量を測定した。得られたピークトップ値で確認した。
【００８１】
・ＮＭＲ分析
１，１，２，２−テトラクロロエタン（ｄ２）または、ジメチルスルホキシド（ｄ６）中、１２０℃にて１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ分析（ＦＴ−ＮＭＲ：日本電子（株）製、ＪＮＭ−ＥＸ４００型）により構造を確認した。
【００８２】
・ＧＰＣ分析
東ソー（株）製のゲルパーミエーションクロマトグラフィー「ＨＬＣ−８１２０」で測
定し、ポリスチレン換算で計算した。
【００８３】
また、イソシアネート化合物、樹脂、および電子輸送物質を含有する下引き層塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を加熱乾燥させることによって得られた下引き層を、シクロヘキサノンに浸漬し、浸漬前後の下引き層の重量を確認した。浸漬することで下引き層の成分の溶出が無く、硬化（重合）していること確認した。
【００８４】
・表面粗さ
接触式表面粗さ計（商品名：サーフコーダＳＥ３５００、小坂研究所（製））を測定器として用い、Ｒｚｊｉｓ（Ｘ）を確認した。測定長：２．５ｍｍ、測定速度：０．１ｍｍ／秒という条件で、測定箇所は長手方向で塗布上端部より３０ｍｍ、１８５ｍｍ、３４０ｍｍの各３点、円周方向４点で計１２点の平均値をデータとした。
【００８５】
［感光層］
下引き層上には、感光層が設けられる。
【００８６】
感光層に用いられる電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ジスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料、ペリレン顔料、アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体、インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体、各種の中心金属および各種の結晶系（α、β、γ、ε、Ｘ型など）を有するフタロシアニン顔料や、ビスベンズイミダゾール誘導体、キナクリドン顔料、非対称キノシアニン顔料、キノシアニン顔料、ピリリウム、チアピリリウム系染料、アモルファスシリコンなどが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、または、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。これら電荷発生物質は１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。
【００８７】
感光層に用いられる電荷輸送物質としては、例えば、ピレン化合物、Ｎ−アルキルカルバゾール化合物、ヒドラゾン化合物、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリン化合物、ジフェニルアミン化合物、トリフェニルアミン化合物、トリフェニルメタン化合物、ピラゾリン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物などが挙げられる。また、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーも挙げられる。これら電荷輸送物質は１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。
【００８８】
本発明の電子写真感光体に用いられる結着樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００８９】
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、これらの中でも、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールが好ましく、これらの中でも、ポリビニルアセタールがより好ましい。
【００９０】
感光層が積層型感光層である場合、電荷輸送層（正孔輸送層）に用いられる結着樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。また、これらの重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００以上３００，０００以下の範囲であることが好ましい。
【００９１】
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との質量比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００９２】
電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、例えば、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
【００９３】
電荷発生層は、以下の方法で形成することができる。
【００９４】
まず、電荷発生物質を０．３〜４倍量（質量比）の結着樹脂および溶剤とともに分散処理する。分散処理方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルを用いる方法が挙げられる。分散処理して得られた電荷発生層用塗布液を塗布し、塗膜を形成する。この塗膜を乾燥させることによって、電荷発生層を形成することができる。また、電荷発生層は、電荷発生物質の蒸着膜としてもよい。
【００９５】
感光層が積層型感光層である場合、電荷輸送層において、電荷輸送物質と結着樹脂との質量比率（電荷輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０の範囲であることが好ましく、１０／８〜６／１０の範囲であることがより好ましい。電荷輸送層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。
【００９６】
電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤は、例えば、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
【００９７】
電荷輸送層は、以下の方法で形成することができる。
【００９８】
まず、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させることによって電荷輸送層用塗布液を得る。得られた電荷輸送層用塗布液を塗布し、塗膜を形成する。この塗膜を乾燥させることによって、電荷輸送層を形成することができる。また、単独で成膜性を有する電荷輸送物質を用いる場合は、結着樹脂を用いずに、電荷輸送物質単独で成膜し、電荷輸送層を形成することもできる。
【００９９】
［表面層］
本発明において、電子写真感光体の表面層とは、電子写真感光体が有する層のうち、最も表面側に位置する層であり、支持体から最も離隔している層である。
【０１００】
表面層に用いられる正孔輸送性化合物が有するアクリロイルオキシ基およびメタクリロイルオキシ基は、それぞれ、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−で示される１価の基およびＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ−で示される１価の基である。
【０１０１】
本発明において表面層に用いられる正孔輸送性化合物は、アクリロイルオキシ基およびメタクリロイルオキシ基の少なくとも一方を有している。また、放射線が照射されることによって、これらの基が重合反応を起こし、硬化して樹脂になる化合物である。
【０１０２】
アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する化合物は、その構造中の構造単位の繰り返しの有無により、モノマーとオリゴマーに大別される。モノマーとは、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有し、構造単位の繰り返しがなく、比較的小さい分子量を有する。オリゴマーとは、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有し、構造単位の繰り返し数が２〜２０程度の重合体である。また、ポリマーまたはオリゴマーの末端のみにアクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有するマクロモノマーも、本発明において、表面層用の化合物として使用することができる。
【０１０３】
本発明においては、耐久性と電気的特性の両立という観点から、モノマーを使用することが好ましい。ポリマー、オリゴマーおよびマクロモノマーを用いる場合も、モノマーと混合して使用することが好ましい。
【０１０４】
モノマーは、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基以外の部分の構造によって分類される。例えば、
１，４−ブタジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレートなどのアルキル型、ジエチレングリコールジアクリレートなどのアルキレングリコール型、
トリメチロールプロパントリアクリレートなどのトリメチロールプロパン型、
ペンタエリストールトリアクリレートなどのペンタエリストール型、
トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレートなどのイソシアヌレート型、
ジシクロペンタニルジアクリレート、エトキシ化水添ビスフェノールＡジメタクリレートなどの脂環型
などが挙げられる。
【０１０５】
本発明においては、硬度と電子写真感光体の特性のバランスの観点から、これらの中でも、トリメチルロールプロパン型、ペンタエリストール型、イソシアヌレート型、脂環型が好ましい。
【０１０６】
オリゴマーとしては、例えば、エポキシアクリレート（メタクリレート）、ウレタンアクリレート（メタクリレート）、ポリエステルアクリレート（メタクリレート）、ポリエーテルアクリレート（メタクリレート）およびシリコンアクリレート（メタクリレート）などが挙げられる。
【０１０７】
本発明において、オリゴマーは、モノマーと混合して使用することが好ましい。
【０１０８】
マクロモノマーのマクロ部分としては、例えば、エチレン系、スチレン系、アクリル系などが挙げられる。
【０１０９】
本発明において、マクロモノマーは、モノマーと混合して使用することが好ましい。
【０１１０】
また、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する化合物は、１分子中の官能基数（アクリロイルオキシ基およびメタクリロイルオキシ基の数）によっても分類することができる。１分子中に官能基が１つのものは単官能化合物と呼ばれ、２つ以上のものは多官能化合物と呼ばれる。
【０１１１】
本発明においては、耐久性の観点から、多官能化合物を使用することが好ましく、さらには、１分子中に３つ以上のアクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する多官能化合物を使用することが好ましい。
【０１１２】
本発明においては、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する化合物は、単独で使用してもよいし、２種以上を用いてもよい。
【０１１３】
本発明においては、表面層の形成の際、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を有する正孔輸送性化合物を放射線の照射により硬化させる。放射線としては、電子線、ガンマ線が好ましい。本発明においては、吸収率および作用効率などの観点から、電子線を用いることが好ましい。電子線を照射する場合、加速器としては、例えば、スキャニング型、エレクトロカーテン型、ブロードビーム型、パルス型、ラミナー型などの加速器が挙げられる。電子線を照射する場合に、電子写真感光体の優れた電気的特性および耐久性能を発現させるうえで電子線の照射条件が重要である。本発明においては、加速電圧は、２５０ｋＶ以下が好ましく、２００ｋＶ以下がより好ましい。また、照射線量は、０．５Ｍｒａｄ以上１００Ｍｒａｄ以下の範囲が好ましく、０．５Ｍｒａｄ以上１０Ｍｒａｄ以下の範囲がより好ましい。加速電圧が２５０ｋＶ以下であれば、また、照射線量が１００Ｍｒａｄ以下であれば、電子写真感光体の特性に対する電子線照射によるダメージが抑えられる。また、照射線量が０．５Ｍｒａｄ以上であれば、正孔輸送性化合物を十分に硬化させやすい。
【０１１４】
また、本発明においては、表面層には、ピレン化合物、Ｎ−アルキルカルバゾール化合物、ヒドラゾン化合物、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリン化合物、ジフェニルアミン化合物、トリフェニルアミン化合物、トリフェニルメタン化合物、ピラゾリン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物などの電荷輸送物質を併せて含有させてもよい。また、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーなどの電荷輸送物質や、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂を表面層に併せて含有させてもよい。
【０１１５】
表面層の膜厚は、０．１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１１６】
以上のような表面層を有する電子写真感光体は、表面が摩耗しにくくなる。そのため、電子写真感光体の表面に付着した帯電生成物が蓄積しやすく、クリーニングブレードとの摩擦が大きくなり、ビビリやめくれが発生したり、電子写真装置が高湿雰囲気にあると画像流れが発生したりする場合がある。
【０１１７】
そのため、本発明の電子写真感光体は、表面の弾性変形率が、４５％以上６５％以下であることが好ましく、５０％以上であることがさらに好ましい。また、電子写真感光体の表面のユニバーサル硬さ値（ＨＵ）は、１５０Ｎ／ｍｍ２以上２２０Ｎ／ｍｍ２以下であることが好ましい。
【０１１８】
ユニバーサル硬さ値（ＨＵ）が大きすぎたり、弾性変形率が小さすぎたりすると、電子写真感光体の表面の弾性力が不足する場合がある。弾性力が不足すると、電子写真感光体の表面とクリーニングブレードとの間に挟まれた紙粉やトナーが、電子写真感光体の表面を擦ることによって、電子写真感光体の表面に傷が発生しやすくなる。それにともなって、電子写真感光体の表面も摩耗しやすくなる。
【０１１９】
また、ユニバーサル硬さ値（ＨＵ）が大きすぎると、たとえ弾性変形率が高くても弾性変形量は小さくなってしまうため、結果として、電子写真感光体の表面の局部に大きな圧力がかかり、電子写真感光体の表面に深い傷が発生しやすくなる。また、ユニバーサル硬さ値（ＨＵ）が上記範囲にあっても弾性変形率が小さすぎると、塑性変形量が相対的に大きくなってしまうため、電子写真感光体の表面に細かい傷が発生しやすくなり、摩耗も発生しやすくなる。これは、弾性変形率が小さすぎるだけでなく、ユニバーサル硬さ値（ＨＵ）が小さすぎる場合、特に顕著になる。
【０１２０】
以上説明したように、ユニバーサル硬さ値（ＨＵ）と弾性変形率が上記の範囲にあることで、電子写真感光体は、表面が摩耗しにくく、さらに傷が発生しにくくなる。したがって、電子写真感光体の表面形状が初期から繰り返し使用後まで変化が非常に小さく、または変化しないため、長期間繰り返し使用した場合にも、初期の性能を良好に維持することができる。
【０１２１】
本発明の電子写真感光体の各層には各種の添加剤を含有させることができる。添加剤としては、例えば、酸化防止剤や紫外線吸収剤などの劣化防止剤や、フッ素含有樹脂粒子やアクリル樹脂粒子などの有機微粒子、シリカ、酸化チタン、アルミナなどの無機微粒子、フッ化カーボンなどの滑剤などが挙げられる。
【０１２２】
［表面形状］
本発明の電子写真感光体は、表面が以下のいずれかを満足する。
【０１２３】
（ｉ）電子写真感光体の表面に、複数の凹部および該凹部以外の部分が形成されている。
（ｉｉ）電子写真感光体の表面に、複数の凸部および該凸部以外の部分が形成されている。
（ｉｉｉ）電子写真感光体の表面に、平坦部と溝部とが交互に複数形成されている。
【０１２４】
（ｉ）の電子写真感光体の表面に複数の凹部および該凹部以外の部分が形成されていることについて説明する。
【０１２５】
本発明における凹部とは、個々の凹部が、他の凹部と明確に区分されている状態で存在する凹部をいう。
【０１２６】
図２の（Ａ）〜（Ｇ）は、電子写真感光体の表面に形成されている各々の凹部の開口の具体的な形状の例を示す。図３の（Ａ）〜（Ｆ）は、各々の凹部の断面の形状の例を示している。
【０１２７】
図２および図３において、Ｄは凹部の長軸径を表し、Ｈは凹部の深さを表す。各々の凹部の開口の形状としては、例えば、図２の（Ａ）〜（Ｇ）に示すような円、楕円、正方形、長方形、三角形、四角形、六角形などのように種々の形状が挙げられる。また、凹部の断面の形状としては、例えば、図３の（Ａ）〜（Ｆ）に示すような三角形、四角形、多角形などのエッジを有するものが挙げられる。また、連続した曲線からなる波型、三角形、四角形、多角形のエッジの一部または全部に曲線に変形したものなども挙げられる。
【０１２８】
電子写真感光体の表面において形成される複数の凹部は、すべてが同一の形状、大きさ、深さであってもよいし、異なる形状、大きさ、深さのものが混在していてもよい。
【０１２９】
各凹部の開口の長軸径を、図２に示すように、各凹部の開口を横切る直線のうち、最大となる直線の長さと定義する。例えば、円の場合は直径、楕円の場合は長径、四角形の場合は対角線のうち長い方を長軸径として採用する。長軸径の測定において、例えば、図３の（Ｃ）に示すように凹部と非凹部との境界が明瞭でない場合は、その断面形状を考慮し、凹部形成前の平滑面を基準Ｓとして凹部の開口の形状を定め、上記と同様にして得られる最大長さを長軸径と定義する。さらに、図３の（Ｆ）に示すように平坦部が不明瞭である場合は、隣り合う凹部同士の断面図において中心線ｍを設け、長軸径を定義する。
【０１３０】
電子写真感光体の表面の凹部が形成されている領域に関しては、電子写真感光体の表面の全体に形成されていてもよいし、表面の一部に形成されていてもよい。良好な性能を発揮するためには、少なくともクリーニングブレードと接触する部位に形成されていることが好ましい。
【０１３１】
本発明においては、上記凹部の個数が１００μｍ四方あたり７６個以上１０００個以下であることが好ましく、１００個以上５００個以下形成されていることがより好ましい。また、平均長軸径が３．０μｍより大きく１４．０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。平均長軸径が３．０μｍより大きい場合でも、１００μｍ四方あたりの凹部の個数が７６個未満である場合には、上述の電子写真感光体の表面とクリーニングブレードの摩擦力の低減効果が十分に得られないため、本発明の効果が得られにくい傾向にある。また、平均長軸径が３．０μｍ未満の場合においては、１００μｍ四方あたりの凹形状部の個数が７６個以上であっても、トナーの電子写真感光体の表面への融着が発生しやすい傾向にある。特に、高温、高湿環境下においてこの現象は顕著になりやすい。
【０１３２】
本発明において、上記１００μｍ四方の領域は、電子写真感光体の表面を電子写真感光体の回転方向に４等分し、該電子写真感光体の回転方向と直行する方向に２５等分して計１００箇所の領域を得る。そして、得られた計１００箇所の領域のそれぞれの中に一辺１００μｍの正方形の領域を設けることによって設定される。本発明における平均長軸径とは、上記定義に従い、１００μｍ四方当たりの凹部各々の長軸径を統計処理することによって得られた平均値として定義される。
【０１３３】
さらに、本発明においては、上記統計処理において、長軸径が３．０μｍ以下の凹部が少ないことが好ましく、存在しないことがより好ましい。単位面積当たりの平均長軸径が３．０μｍより大きい場合でも、長軸径が３．０μｍ以下の凹部が多くなるに従って、トナーの電子写真感光体の表面への融着が発生しやすい傾向にある。具体的には、長軸径が３．０μｍ以下の凹部が５０個数％以下であることが好ましく、１０個数％以下であることがより好ましい。
【０１３４】
本発明における凹部の深さは、図３の（Ａ）〜（Ｆ）で示すように、上記長軸径についての凹部の断面において、該長軸径と凹部底面との最大距離として定義される。なお、深さの測定は、上記平均長軸径の測定と同様に、電子写真感光体の表面を電子写真感光体の回転方向に４等分し、該電子写真感光体の回転方向と直行する方向に２５等分して計１００箇所の領域を得る。そして、得られた計１００箇所の領域のそれぞれの中に一辺１００μｍの正方形の領域を設け、そこに含まれる凹部について行われる。また、平均深さとは、上記定義に従い、１００μｍ四方当たりの凹部各々の深さを統計処理することによって得られた平均値として定義される。
【０１３５】
本発明においては、凹部の深さは、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましい。深さが０．１μｍより小さい場合には、本発明の効果が得られにくい傾向にある。
【０１３６】
本発明においては、さらに、凹部の開口の面積率が４０％以９９％以下であることが好ましく、６０％以上８０％以下であることがより一層好ましい。凹部の開口の面積率が小さすぎると本発明の効果が得られにくくなる。なお、この「凹部の開口の面積率」とは、上記１００μｍ四方の領域において、下記式によって求められる凹部の開口の合計面積の占める割合をいう。
｛凹部の開口の合計面積／（凹部の開口の合計面積＋非凹部の合計面積）｝×１００
【０１３７】
本発明においては、各々の凹部の配置は任意であり、最適化が可能である。
【０１３８】
本発明において、電子写真感光体の表面の凹部の形状は、例えば、市販のレーザー顕微鏡、白色干渉顕微鏡、光学顕微鏡、電子顕微鏡、原子力間顕微鏡を用いて測定可能である。
【０１３９】
レーザー顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
形状解析レーザー顕微鏡ＶＫ−Ｘ１５０／１６０、ＶＫ−Ｘ２５０／２６０（（株）キーエンス製）
３Ｄ測定レーザー顕微鏡ＯＬＳ４１００（オリンパス（株）製）
レーザーマイクロスコープオプリテクスハイブリッド（レーザーテック（株）製）
白色干渉顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
表面形状測定システムＳｕｒｆａｃｅ  Ｅｘｐｌｏｒｅｒ  ＳＸ−５２０ＤＲ型機（（株）菱化システム製）
走査型白色干渉顕微鏡ＶＳ−１０００シリーズ（（株）日立ハイテクサイエンス製）
白色干渉顕微鏡システムＢＷ−Ｓ５００シリーズ、ＢＷ−Ｄ５００シリーズ（（株）ニコン製）
３次元光学プロファイラーザイゴニュービューシリーズ（キヤノン（株）製）
【０１４０】
光学顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５０００、ワンショット３Ｄ測定マクロスコープＶＲ３０００シリーズ（（株）キーエンス製）
デジタルマイクロスコープライカＤＶＭ６（ライカマイクロシステムズ（株）製）
電子顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
３Ｄリアルサーフェスビュー顕微鏡ＶＥ−９８００、８８００（（株）キーエンス製）
走査型電子顕微鏡ＳＵ３０００、Ｓ−３４００Ｎ（（株）日立ハイテクノロジーズ製）
走査型電子顕微鏡ＪＳＭ−ＩＴ３００、ＪＳＭ−６５１０シリーズ（日本電子（株）製）
走査型電子顕微鏡Ｑｕａｎｔａシリーズ（（株）島津製作所製）
【０１４１】
原子力間顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
走査型プローブ顕微鏡プローブステーションＡＦＭ５０００ＩＩ、ＡＦＭ５０００、汎用小型ユニットＡＦＭ５１００Ｎ（（株）日立ハイテクサイエンス製）
走査型プローブ顕微鏡ＳＰＭ−９７００（（株）島津製作所製）
ＡＦＭシステムマルチモード８ＡＦＭ（ブルーカ−ＡＸＳ（株）製）
【０１４２】
上記顕微鏡を用いて、所定の倍率により、測定視野内の凹部の個数、長軸径および深さを計測することができる。さらには、単位面積あたりの凹部の平均長軸径、平均深さ、開口の面積率を計算により求めることができる。
【０１４３】
一例として、Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｘｐｌｏｒｅｒ  ＳＸ−５２０ＤＲ型機による解析プログラムを利用した測定例について説明する。
【０１４４】
測定対象の電子写真感光体をワーク置き台に設置し、チルト調整して水平を合わせ、ウェーブモードで電子写真感光体の周面の３次元形状データを取り込む。その際、対物レンズの倍率を５０倍とし、１００μｍ×１００μｍ（１００００μｍ２）の視野観察としてもよい。この方法で、測定対象の電子写真感光体の表面を電子写真感光体の回転方向に４等分し、該電子写真感光体の回転方向と直交する方向に２５等分して得られる計１００箇所の領域のそれぞれの中に、一辺１００μｍの正方形の領域を設けて測定する。
【０１４５】
次に、データ解析ソフト中の粒子解析プログラムを用いて電子写真感光体の表面の等高線データを表示する。
【０１４６】
凹部の形状、長軸径、深さおよび開口面積のような凹部の孔解析パラメーターは、形成された凹部によって各々最適化することができる。例えば、長軸径１０μｍ程度の凹部の観察および測定を行う場合、長軸径上限を１５μｍ、長軸径下限を１μｍ、深さ下限を０．１μｍおよび体積下限を１μｍ３以上としてもよい。そして、解析画面上で凹部と判別できる凹部の個数をカウントし、これを凹部の個数とする。
【０１４７】
また、上記と同様の視野および解析条件で、上記粒子解析プログラムを用いて求められる各凹部の開口面積の合計から凹部の合計開口面積を算出し、以下の式から凹部の開口の面積率（以下、単に「面積率」ともいう）を算出してもよい。
｛凹部の合計開口面積／（凹部の合計開口面積＋非凹形状部の合計面積）｝×１００
【０１４８】
〈本発明による電子写真感光体の表面への凹部の形成方法〉
凹部の形成方法としては、上記の凹部に係る要件を満たし得る方法であれば、特に制限はない。例えば、パルス幅が１００ｎｓ（ナノ秒）以下である出力特性を有するレーザー光照射による電子写真感光体の表面形状の形成方法や、所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し、形状転写を行う方法が挙げられる。
【０１４９】
パルス幅が１００ｎｓ（ナノ秒）以下である出力特性を有するレーザー光照射による凹部の形成方法について説明する。この方法で用いるレーザーとしては、例えば、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌなどのガス（特に、ＫｒＦ、ＡｒＦが好ましい。）をレーザー媒質とするエキシマレーザー、または、チタンサファイアを媒質とするフェムト秒レーザーが挙げられる。レーザー照射における、レーザー光の波長は、１，０００ｎｍ以下であることが好ましい。上記エキシマレーザーは、以下の工程で放出されるレーザー光である。まず、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、Ｆ、Ｃｌなどのハロゲンガスとの混合気体に、放電、電子ビーム、Ｘ線のような高エネルギーを与えて、上記の元素を励起させて結合させる。その後、基底状態に落ちることで解離する際、エキシマレーザー光が放出される。
【０１５０】
凹部の形成方法としては、例えば、図４の（Ａ）に示すような、レーザー光遮断部ａとレーザー光透過部ｂとを適宣配列したマスクを使用する。マスクを透過したレーザー光のみがレンズで集光され、被加工物に照射されることにより、所望の形状と配列を有する凹部の形成が可能となる。一定面積内の多数の凹部を、その形状、面積に関わらず瞬時に同時に加工できるため、工程は短時間で行うことができる。マスクを用いたレーザー照射により、１回照射当たり数ｍｍ２から数ｃｍ２が加工される。レーザー加工においては、図４の（Ｂ）に示すように、まず、ワーク回転用モーターｄにより電子写真感光体を自転させる。自転させながら、ワーク移動装置ｅによりレーザー照射位置を電子写真感光体の軸方向上にずらしていくことにより、電子写真感光体の表面全体に効率良く凹部を形成することができる。凹部の深さは、レーザー光の照射時間や照射回数などによって、所望の範囲内に調整が可能である。本発明によれば、凹部の大きさ、形状、配列の制御性が高く、高精度かつ自由度の高い粗面加工が実現できる。
【０１５１】
また、レーザー照射による電子写真感光体の表面への凹部の形成方法では、同じマスクパターンを用いて、上記の凹部の形成方法を、複数の部位または電子写真感光体の表面全体に適用してもよい。この方法により、電子写真感光体の表面全体に均一に凹部を形成することができる。その結果、電子写真装置において使用する際のクリーニングブレードにかかる力学的負荷は均一となる。また、図４の（Ｃ）に示すように、電子写真感光体の任意の周方向線上に、凹部ｈおよび非凹部ｇの双方が存在する配列となるようにマスクパターンを形成することにより、クリーニングブレードにかかる力学的負荷の偏在は一層抑制できる。
【０１５２】
次に、所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し、形状転写を行う凹部の形成方法について説明する。
【０１５３】
図４の（Ｄ）は、本発明におけるモールドによる圧接形状転写加工装置の概略図の例を示す図である。加圧および解除が繰り返し行える加圧装置Ａに所定のモールドＢを取り付けた後、電子写真感光体Ｃに対して所定の圧力でモールドＢを当接させ形状転写を行う。その後、加圧を一旦解除し、電子写真感光体Ｃを回転させた後に、再度加圧し、形状転写工程を行う。この工程を繰り返すことにより、電子写真感光体の全周にわたって所定の凹形状を形成することが可能である。
【０１５４】
また、図４の（Ｅ）に示すように、まず、加圧装置Ａに電子写真感光体Ｃの全周長よりも長いモールドＢを取り付ける。その後、電子写真感光体Ｃに対して所定の圧力をかけながら、電子写真感光体を回転、移動させることにより、電子写真感光体の全周にわたって所定のディンプル形状を形成することも可能である。
【０１５５】
他の例として、シート状のモールドをロール状の加圧装置と電子写真感光体の間に挟み、モールドシートを送りながら表面加工することも可能である。
【０１５６】
なお、形状転写を効率的に行う目的で、モールドや電子写真感光体を加熱してもよい。
【０１５７】
モールド自体の材質や大きさ、形状は適宜選択することができる。材質としては、微細表面加工された金属や樹脂フィルム、シリコンウエハーなどの表面にレジストによりパターニングをしたもの、微粒子が分散された樹脂フィルム、所定の微細表面形状を有する樹脂フィルムに金属コーティングを施与したものが挙げられる。モールド形状の一例を図５に示す。図５の（Ａ）および（Ｂ）において、９Ａ−１および９Ｂ−１はモールドを上から見た図であり、９Ａ−２および９Ｂ−２はモールドを横から見た図である。
【０１５８】
また、電子写真感光体に対して圧力を均一に付与する目的で、モールドと加圧装置の間に弾性体を設置することも可能である。
【０１５９】
（ｉｉ）の電子写真感光体の表面に複数の凸部および該凸部以外の部分が形成されていることについて説明する。
【０１６０】
本発明の電子写真感光体は、表面に複数の凸部および該凸部以外の部分を有し、凸部面積率Ｓｍｒを下記式（２）
Ｓｍｒ＝Ｓｃｕｔ／Ｓｋ（２）
（Ｓｋは基準面積を示し、Ｓｃｕｔは基準面積にて得られた３次元表面形状曲面を平均高さ面（全測定データの高さ値を平均した高さにて構成される面）にて切断して得られる断面積を示す。）
で定義するとき、該凸部面積率Ｓｍｒは下記式（３）
Ｓｍｒ≦０．４０（３）
を満たすことが好ましい。
【０１６１】
ここで、本発明におけるＳｃｕｔとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線の負荷長さＲｍｒ（５０％）を面方向に拡張して得た値である。
【０１６２】
また、測定パラメーターは以下のように定めた。
【０１６３】
基準面積（Ｓｋ）＝１００μｍ２
カットオフ値（λｓ）＝０．２５μｍ
カットオフ値（λｃ）＝０．０８ｍｍ
【０１６４】
測定は、電子写真感光体の表面を電子写真感光体の回転方向に４等分し、該電子写真感光体の回転方向と直交する方向に２５等分して得られる計１００箇所の測定点に対して上記パラメーターに従って行う。そして、各測定点について得られたＳｃｕｔの値を算術平均し、基準面積で割ることで得た値を本発明におけるＳｍｒと定める。
【０１６５】
次に、本発明における電子写真感光体においては、電子写真感光体の長手方向に対する凸形状間隔の標準偏差Ｔσが、下記式（４）
Ｔσ≦Ｌｐｃ（４）
（Ｌｐｃは、表面形状曲面を平均高さ面にて切断して得られる断面積から求めた各凸形状の平均直径を表す）を満たすことが好ましい。
【０１６６】
本発明において、上記標準偏差Ｔσは以下の手順で求めた。
【０１６７】
まず、Ｓｃｕｔの算出に用いた１００μｍ２の表面形状データを電子写真感光体の回転方向と直交する方向に１０分割し、分割線位置での高さ方向に対する輪郭曲線データを抽出する。次に、得られた輪郭曲線を切断レベル５０％で切断し、各凸要素の負荷長さを求める。ここで、隣接する各凸要素負荷長さ線分の中点どうしの距離をＴ（ｉ）と定め、得られたＴ（ｉ）全体に対する標準偏差をＴσと定義する。
【０１６８】
電子写真感光体の表面の凸部の形状測定は、上記の凹部の測定で説明した、市販のレーザー顕微鏡、白色干渉顕微鏡、光学顕微鏡、電子顕微鏡、原子力間顕微鏡を用いて測定可能である。
【０１６９】
図６の（Ａ）〜（Ｇ）は、各凸部の具体的なＳｃｕｔ測定面形状の例を示す。そして、Ｓｃｕｔ測定面の断面積から求めた各凸形状の平均直径をＬｐｃと定義する。
【０１７０】
図７の（Ａ）〜（Ｆ）は、各々の凸部の電子写真感光体の法線方向への断面の具体的な形状の例を示している。Ｓｃｕｔ測定面形状としては、例えば、図６の（Ａ）〜（Ｇ）に示すような円、楕円、正方形、長方形、三角形、六角形などのように種々の形状が挙げられる。また、法線方向への断面形状としては、例えば、図７の（Ａ）〜（Ｆ）に示すような三角形、四角形、多角形などのエッジを有するものが挙げられる。また、連続した曲線からなる波型、三角形、四角形、多角形のエッジの一部または全部を曲線に変形したものなども挙げられる。
【０１７１】
電子写真感光体の表面において形成される複数の凸部は、すべてが同一の形状、大きさ、深さであってもよいし、異なる形状、大きさのものが混在していてもよい。
【０１７２】
また、ここで、図６の（Ａ）〜（Ｇ）に示すように、各凸部の最大となる直線の長さを長軸径Ｒｐｃと定義する。例えば、円の場合は直径、楕円の場合は短径、長方形の場合は辺のうち短い方を短軸径として採用する。また、例えば、円の場合は直径、楕円の場合は長径、四角形の場合は対角線のうち長い方を長軸径Ｒｐｃとして定義する。
【０１７３】
〈本発明による電子写真感光体の表面への凸部の形成方法〉
凸部の形成方法としては、上記の凸部に係る要件を満たし得る方法であれば、特に制限はない。例えば、上述の凹形状の形成法と同様にパルス幅が１００ｎｓ（ナノ秒）以下である出力特性を有するレーザー光照射による電子写真感光体の表面形状の形成方法が挙げられる。また、所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し、形状転写を行う方法も挙げられる。
【０１７４】
（ｉｉｉ）の電子写真感光体の表面（周面）に、平坦部と溝部とが交互に複数形成されていることについて説明する。
【０１７５】
電子写真感光体の表面の形状が平坦部と溝部からなる形状（以下「平坦部−溝部形状」ともいう。）であり、かつ、その平坦部−溝部形状の均一性が高いことにある。具体的には、電子写真感光体の周面に、幅ｅ（μｍ）が０．１≦ｅ≦２５である平坦部と、幅ｗ（μｍ）が０．１≦ｗ≦２５であって深さｄ（μｍ）が０．１≦ｄ≦３．０である溝部とが、交互に複数形成されていることが好ましい。また、該平坦部と該溝部とが電子写真感光体の軸方向に対して８０≦θ≦１００の角度θ（°）をなすように交互に複数形成されていることが好ましい。そして、電子写真感光体の周面の軸方向の幅１００μｍあたりの平坦部の幅ｅの合計値ｅＳｕｍ（μｍ）が５≦ｅＳｕｍ≦７５となっていることが好ましい。また、平坦部の幅ｅの平均値をｅＡｖ（μｍ）とし、その標準偏差をｅσとしたとき、ｅσ／ｅＡｖがｅσ／ｅＡｖ≦０．４６となっていることが好ましい。
【０１７６】
図８に、本発明における電子写真感光体の周面に形成された平坦部−溝部形状を表面および断面から見た例を示す。図８においては、幅ｅ（μｍ）の平坦部と、幅ｗ（μｍ）および深さｄ（μｍ）の溝部とが、電子写真感光体の周面に交互に複数形成されている。
【０１７７】
平坦部の幅ｅ（μｍ）は、０．１≦ｅ≦２５の範囲であることが好ましい。平坦部の幅ｅ（μｍ）が２５μｍを超えると、電子写真感光体の軸方向において、クリーニングブレードと電子写真感光体の周面との接触部分が大きくなり、摩擦力の低減効果が低下する傾向にある。一方、平坦部の幅ｅ（μｍ）が０．１μｍより小さい場合は、上記接触部分が小さくなるため、クリーニングブレードの挙動が不安定になる傾向にある。また、平坦部の幅ｅが０．１μｍより小さい場合、電子写真感光体の周面に形成されたトナー像を転写材に転写する際に、ドットの再現性が低下する傾向にある。幅ｅ（μｍ）が０．１μｍより小さい平坦部は、電子写真感光体の周面に形成されていないことが好ましい。また、幅ｅ（μｍ）が２５μｍより大きい平坦部は、電子写真感光体の周面に形成されていないことが好ましい。
【０１７８】
溝部の幅ｗ（μｍ）は、０．１≦ｗ≦２５の範囲であることが好ましい。溝部の幅ｗ（μｍ）が２５μｍを超えると、画像形成時の像露光に一般的に使用されるレーザーの露光スポット径に近くなるため、散乱の影響や、電子写真感光体の周面に形成されたトナー像の転写性が不均一になる傾向にある。一方、溝部の幅ｗ（μｍ）が０．１μｍより小さい場合は、クリーニングブレードと電子写真感光体の周面との接触部分が大きくなり、摩擦力の低減効果が小さくなるため、クリーニングブレードの挙動が不安定になる傾向にある。幅ｗ（μｍ）が０．１μｍより小さい溝部は、電子写真感光体の周面に形成されていないことが好ましい。また、幅ｗ（μｍ）が２５μｍより大きい溝部は、電子写真感光体の周面に形成されていないことが好ましい。
【０１７９】
溝部の深さｄ（μｍ）は、０．１≦ｄ≦３．０の範囲であることが好ましい。溝部の深さｄ（μｍ）が３．０μｍを超えると、溝部が画像不良として表れる傾向にある。一方、溝部の深さｄ（μｍ）が０．１μｍより小さい場合は、摩擦力の低減効果が小さくなる傾向にある。深さｄ（μｍ）が０．１μｍより小さい溝部は、電子写真感光体の周面に形成されていないことが好ましい。また、深さｄ（μｍ）が３．０μｍより大きい溝部は、電子写真感光体の周面に形成されていないことが好ましい。
【０１８０】
本発明において、溝部は、平坦部とともに、電子写真感光体の軸方向に対して略垂直である９０°±１０°の角度をなして電子写真感光体の周面に形成されている。すなわち、本発明において、溝部は、電子写真感光体の軸方向に対して８０≦θ≦１００の角度θ（°）（例えば図８中のθ）をなすように、電子写真感光体の周面に複数形成されることが好ましい。角度θ（°）が８０≦θ≦１００の範囲を逸脱すると、繰り返し使用によって平坦部−溝部形状が消失しやすく、本発明の効果が得られなくなる傾向にある。
【０１８１】
また、本発明の電子写真感光体の周面に形成される平坦部−溝部形状は、電子写真感光体の周面の軸方向の幅１００μｍあたりの平坦部の幅ｅの合計値ｅＳｕｍ（μｍ）が５≦ｅＳｕｍ≦７５であることが好ましい。合計値ｅＳｕｍ（μｍ）が７５μｍを超えると、クリーニングブレードと電子写真感光体の周面との摩擦力が大きくなり、クリーニング不良が発生しやすい傾向にある。一方、クリーニングブレードと電子写真感光体の周面との摩擦力の低減の観点から、合計値ｅＳｕｍ（μｍ）は小さいことが好ましい。しかしながら、合計値ｅＳｕｍ（μｍ）が５μｍを下回り、平坦部の占める割合が小さくなるに従って、本発明の効果が低減する傾向にあるため、合計値ｅＳｕｍ（μｍ）は５μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは、１０≦ｅＳｕｍ≦５０である。
【０１８２】
さらに、本発明の電子写真感光体の周面に形成される平坦部−溝部形状は、その平坦部の幅ｅ（μｍ）、溝部の幅ｗ（μｍ）、溝部の深さｄ（μｍ）のばらつきが小さい方が好ましい。すなわち、平坦部の幅ｅ、溝部の幅ｗ、溝部の深さｄの平均値ｅＡｖ（μｍ）、ｗＡｖ（μｍ）、ｄＡｖ（μｍ）のそれぞれの標準偏差ｅσ、ｗσ、ｄσの値は小さいことが好ましい。特に、クリーニングブレードと接触する平坦部の幅の均一性を高めることは、本発明の効果に特に直接的に関連するため重要である。具体的には、ｅσ／ｅＡｖ≦０．４６であることが好ましい。好ましくはｅσ／ｅＡｖ≦０．２７であり、より好ましくはｅσ／ｅＡｖ≦０．０８である。さらには、溝部の幅の均一性に関しても、ｗσ／ｗＡｖ≦０．０８であることが好ましい。また、溝部の深さの均一性に関しても、ｄσ／ｄＡｖ≦０．０８であることが好ましい。平坦部の幅、溝部の幅および溝部の深さが均一であることにより、微視的な電子写真感光体の周面とクリーニングブレードとの接触状態が安定化し、本発明の効果が顕著に得られる傾向にある。また、ドット再現性や転写性についても、平坦部の幅、溝部の幅および溝部の深さを均一化することが有効である。
【０１８３】
本発明の効果を顕著に得るため、本発明に係る平坦部−溝部形状は、電子写真感光体の周面のうち、少なくともクリーニングブレードと接触する領域に形成されていることが好ましい。
【０１８４】
次に、本発明における電子写真感光体の周面の平坦部−溝部形状の観察方法およびデータの処理方法について詳細を説明する。
【０１８５】
本発明において、電子写真感光体の周面の平坦部−溝部形状は、上述の凹部の測定で説明した市販のレーザー顕微鏡、白色干渉顕微鏡、光学顕微鏡、電子顕微鏡、原子力間顕微鏡などを用いて測定可能である。
【０１８６】
上記顕微鏡を用いて、所定の倍率により、測定視野内の平坦部および溝部の大きさなどを計測することができる。具体的には、視野内の各々の平坦部の幅ｅ、溝部の幅ｗと深さｄが測定できる。また、視野内の単位長さあたりの平坦部の平均幅ｅＡｖ、その標準偏差ｅσ、溝部の平均溝部の幅ｗＡｖ、その標準偏差ｗσ、平均深さｄＡｖ、その標準偏差ｄσ、平坦部の幅の合計値ｅＳｕｍを計算により求めることができる。
【０１８７】
なお、ｅＡｖ、ｅσ、ｗＡｖ、ｗσ、ｄＡｖ、ｄσ、ｅＳｕｍの値は、測定対象の電子写真感光体の周面を電子写真感光体の回転方向に４等分し、該電子写真感光体の回転方向と直交する方向に２５等分して計１００箇所の領域を得る。そして、得られた計１００箇所の領域のそれぞれの中に、一辺１００μｍの正方形（１００００μｍ２）の領域を設けて各々の観察を行い、最終的に１００箇所の平均値として算出した。
【０１８８】
本発明において、電子写真感光体の周面の平坦部−溝部形状は、例えば、上述の市販のレーザー顕微鏡、光学顕微鏡、電子顕微鏡、原子力間顕微鏡などを用いて測定可能である。
【０１８９】
上記顕微鏡を用いて、所定の倍率により、測定視野内の平坦部および溝部の大きさなどを計測することができる。具体的には、視野内の各々の平坦部の幅ｅ、溝部の幅ｗと深さｄが測定できる。また、視野内の単位長さあたりの平坦部の平均幅ｅＡｖ、その標準偏差ｅσ、溝部の平均溝部の幅ｗＡｖ、その標準偏差ｗσ、平均深さｄＡｖ、その標準偏差ｄσ、平坦部の幅の合計値ｅＳｕｍを計算により求めることができる。
【０１９０】
なお、ｅＡｖ、ｅσ、ｗＡｖ、ｗσ、ｄＡｖ、ｄσ、ｅＳｕｍの値は、測定対象の電子写真感光体の周面を電子写真感光体の回転方向に４等分し、該電子写真感光体の回転方向と直交する方向に２５等分して計１００箇所の領域を得る。そして、得られた計１００箇所の領域のそれぞれの中に、一辺１００μｍの正方形（１００００μｍ２）の領域を設けて各々の観察を行い、最終的に１００箇所の平均値として算出した。
【０１９１】
〈電子写真感光体の周面への平坦部−溝部形状の形成方法〉
本発明においては、所定の凸凹形状を有するモールドを電子写真感光体の周面に圧接し、モールドの形状を転写すること（形状転写）により、周面に平坦部−溝部形状が形成された電子写真感光体を得ることができる。
【０１９２】
図９は、モールドによる圧接形状転写加工装置の例を示す図である。
【０１９３】
これらの圧接形状転写加工装置によれば、形状転写対象の電子写真感光体１３−１を回転させながら、連続的にその周面をモールド１３−２に接触させ、加圧することにより、平坦部−溝部形状を電子写真感光体の周面に形成することができる。
【０１９４】
図９において、加圧部材１３−３は、加工圧力や加工面積に応じて、サイズや形状が決定される。また、加圧部材１３−３の材質としては、例えば、金属、金属酸化物、プラスチック、ガラスを用いることができる。それらの中でも、機械的強度、寸法精度、耐久性の観点から、ステンレス鋼（ＳＵＳ）を用いることが好ましい。加圧部材１３−３は、その上面にモールドが設置され、下面の支持部材（不図示）および加圧システムにより、支持部材１３−４に支持された形状転写対象の電子写真感光体１３−１の周面に所定の圧力で接触させることにより、形状転写を行うことができる。また、電子写真感光体を保持する支持部材を加圧部材に対して押し付けることにより加圧する方法を採ることもできるし、両者をともに加圧する方法を採ることもできる。
【０１９５】
図９の（Ｂ）に示す例は、加圧部材１３−３が移動することにより、形状転写対象の電子写真感光体１３−１が従動または駆動回転しながら、その周面の加工が連続的になされる例である。
【０１９６】
この例の代わりに、支持部材１３−４が移動することにより、形状転写対象の電子写真感光体１３−１の周面の加工を連続的に行うこともできる。
【０１９７】
なお、形状転写を効率的に行う目的で、モールドや電子写真感光体を加熱することが好ましい。
【０１９８】
モールドの材質、大きさ、形状は、適宜選択することができる。モールドの材質としては、例えば、微細な表面加工された金属、樹脂フィルム、シリコンウエハーなどの表面にレジストによりパターニングをしたものが挙げられる。また、微粒子が分散された樹脂フィルムや、所定の微細表面形状を有する樹脂フィルムに金属コーティングを施したものなども挙げられる。
【０１９９】
また、電子写真感光体に対する圧力を均一化する目的で、モールドと加圧装置との間に弾性体を設置することも可能である。
【０２００】
［プロセスカートリッジおよび電子写真装置］
図１に、本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
【０２０１】
図１において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体１の表面（周面）は、帯電手段３（一次帯電手段：帯電ローラーなど）により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。
【０２０２】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。なお、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送される。
【０２０３】
トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外
へプリントアウトされる。
【０２０４】
トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（転写残トナー）の除去を受けて清浄面化される。
【０２０５】
次いで、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図１に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【０２０６】
上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置の本体に対して着脱自在に構成してもよい。
【０２０７】
図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化している。そして、電子写真装置の本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置の本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。
【実施例】
【０２０８】
以下、実施例により、本発明をより詳細に説明する。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。まず、本発明に係る電子輸送物質の合成例を示す。
【０２０９】
（合成例１）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部および２，６−ジイソプロピルアニリン４部、２−アミノ−１，３−プロパンジオール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。
【０２１０】
溶液を調製後、１０時間還流を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル／トルエン）で分離した後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。その濃縮物を酢酸エチル／トルエン混合溶液で再結晶を行い、上記式（１２）で示されるイミド化合物１．５部得た。
【０２１１】
（合成例２）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部および４−ヘプチルアミン４部、２−アミノ−１，３−プロパンジオール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間加熱還流を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル／トルエン）で分離後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。その濃縮物を酢酸エチル／トルエン混合溶液で再結晶を行い、上記式（１４）で示されるイミド化合物２．０部を得た。
【０２１２】
（合成例３）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部およびロイシノール２．６部、２−（２−アミノエチルチオ）エタノール２．７部を加え、室温で１時間撹拌後、７時間還流を行った。得られた黒褐色溶液からジメチルアセトアミドを減圧蒸留で除いた後、酢酸エチル／トルエン混合溶液に溶解させた。
【０２１３】
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル／トルエン）で分離後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。得られた濃縮物をトルエン／ヘキサン混合溶液で再結晶を行い、上記式（１５）で示されるイミド化合物２．５部を得た。
【０２１４】
次に以下のように電子写真感光体を製造し評価した。
【０２１５】
〔支持体例１〕
直径３０ｍｍ、長さ３５７．５ｍｍのアルミニウムシリンダーを支持体（円筒状支持体）とした。
【０２１６】
〔導電層形成例１〕
金属酸化物粒子としての酸素欠損型酸化スズ（ＳｎＯ２）が被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子２１４部、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０質量％）１３２部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れた。そして、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。
【０２１７】
この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着材料の合計質量に対して１０質量％になるように、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子を分散液に添加した。シリコーン樹脂粒子は、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製のシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、平均粒径２μｍ）である。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着材料の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイルを分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。シリコーンオイルは、東レ・ダウコーニング（株）製のシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ）である。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層１を形成した。
【０２１８】
〔導電層形成例２〕
酸化亜鉛粒子（平均一次粒径：５０ｎｍ、比表面積：１９ｍ２／ｇ、テイカ（株）製）１００部をトルエン５００部に撹拌しながら混合した。これに表面処理剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ６０２、信越化学（株）製）１．２５部を添加し、２時間攪拌しながら混合した。その後、トルエンを減圧留去して、３時間１２０℃で乾燥させることによって、シランカップリング剤で表面処理された酸化亜鉛粒子を得た。
【０２１９】
シランカップリング剤で表面処理された酸化亜鉛粒子７５部、下記式（Ｈ）で示されるブロックイソシアネート基を有するイソシアネート化合物１６部、
【０２２０】
【化１５】
2018054904.tif 000016
【０２２１】
ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業（株）製）９部、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン（東京化成工業（株）製）１部を、メチルエチルケトン６０部と１−ブタノール６０部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。
【０２２２】
この分散液に、平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて２３℃雰囲気化、回転数１，５００ｒｐｍで３時間分散処理した。分散処理後、得られた分散液に架橋ポリメタクリル酸メチル粒子（商品名：ＳＳＸ−１０３、平均粒径：３μｍ、積水化学工業（株）製）５部と、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）０．０１部を添加して攪拌することで、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を３０分間１７０℃で加熱、重合させることによって、膜厚が３０μｍの導電層２を形成した。
【０２２３】
〔導電層形成例３〕
酸化亜鉛粒子（平均一次粒径：５０ｎｍ、比表面積：１９ｍ２／ｇ、テイカ（株）製）１００部をトルエン５００部に撹拌しながら混合した。これに表面処理剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ６０２、信越化学（株）製）１．２５部を添加し、２時間攪拌しながら混合した。その後、トルエンを減圧留去して、３時間１２０℃で乾燥させることによって、シランカップリング剤で表面処理された酸化亜鉛粒子を得た。
【０２２４】
シランカップリング剤で表面処理された酸化亜鉛粒子５０部、下記式（Ｉ）で示されるメチロール基がブチルエーテル化された基を重合性官能基として有するトリアジン化合物３０部、
【０２２５】
【化１６】
2018054904.tif 000017
【０２２６】
アルキッド樹脂（商品名：Ｍ−６４０５−５０、ＤＩＣ（株）製）２０部、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン（東京化成工業（株）製）１部を、メチルエチルケトン６０部と１−ブタノール６０部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。
【０２２７】
この分散液に、平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて２３℃雰囲気化、回転数１，５００ｒｐｍで３時間分散処理した。分散処理後、得られた分散液に架橋ポリメタクリル酸メチル粒子（商品名：ＳＳＸ−１０３、平均粒径：３μｍ、積水化学工業（株）製）５部と、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）０．０１部を添加して攪拌することで、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を３０分間１７０℃で加熱、重合させることによって、膜厚が３０μｍの導電層３を形成した。
【０２２８】
〔下引き層形成例１〕
上記式（１１）で示される化合物８．５部、ブロックされたイソシアネート化合物（商品名：ＳＢＮ−７０Ｄ、旭化成ケミカルズ（株）製）１５部、ポリビニルアセタール樹脂（商品名：ＫＳ−５Ｚ、積水化学工業（株）製）０．９７部、触媒としてヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）（商品名：ヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）、三津和化学薬品（株）製）０．１５部とを、１−メトキシ−２−プロパノール８８部とテトラヒドロフラン８８部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。
【０２２９】
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を２０分間１７０℃で加熱し、硬化（重合）させることによって、膜厚が０．６μｍの下引き層１を形成した。下引き層の膜厚および組成を表１に示す。
【０２３０】
〔下引き層形成例２〕
下引き層形成例１において、上記式（１１）で示される化合物を上記式（１３）で示される化合物８．０部に変更した。また、ブロックされたイソシアネート化合物を１５．７部と変更した。その他は、下引き層形成例１と同様に下引き層２を形成した。下引き層の膜厚および組成を表１に示す。
【０２３１】
〔下引き層形成例３〕
下引き層形成例２において、上記式（１３）で示される化合物を上記式（１４）で示される化合物に変更した。その他は、下引き層形成例２と同様に下引き層３を形成した。下引き層の膜厚および組成を表１に示す。
【０２３２】
〔下引き層形成例４〕
下引き層形成例２において、上記式（１３）で示される化合物を上記式（１５）で示される化合物に変更した。その他は、下引き層形成例２と同様に下引き層４を形成した。下引き層の膜厚および組成を表１に示す。
【０２３３】
〔下引き層形成例５〕
下引き層形成例１において、触媒を２−エチルヘキサン酸亜鉛（商品名：ビス（２−エチルヘキサン酸）亜鉛・ミネラルスピリット溶液（Ｚｎ：１５％）、和光純薬工業（株））に変更した。また、上記式（１１）で示される化合物を上記式（３２）示される化合物８．０部に変更した。また、ブロックされたイソシアネート化合物を１５．７部と変更した。その他は、下引き層形成例１と同様に下引き層５を形成した。下引き層の膜厚および組成を表１に示す。
【０２３４】
【表１】
2018054904.tif 000018
【０２３５】
〔電荷発生層形成例１〕
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）４部、および、下記式（Ａ）で示される化合物０．０４部
【０２３６】
【化１７】
2018054904.tif 000019
【０２３７】
を、シクロヘキサノン１００部にポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）２部を溶解させた液に加えた。その後、この液を直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置に入れ、２３±３℃の雰囲気下で１時間分散処理し、分散処理後、酢酸エチル１００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
【０２３８】
この電荷発生層用塗布液を上記下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間９０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２１μｍの電荷発生層を形成した。
【０２３９】
〔電荷輸送層形成例１〕
下記式（Ｂ）で示される化合物（電荷輸送物質）５０部、下記式（Ｃ）で示される化合物（電荷輸送物質）５０部、
【０２４０】
【化１８】
2018054904.tif 000020
【０２４１】
および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ４００、三菱ガス化学（株）製）１００部を、クロロベンゼン６５０部およびジメトキシメタン１５０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
【０２４２】
この電荷輸送層用塗布液を、液が均一になってから１日間放置した後、上記電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６０分間１１０℃で乾燥させることによって、膜厚が１８μｍの電荷輸送層を形成した。
【０２４３】
〔表面層形成例１〕
１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（商品名：ゼオローラＨ、日本ゼオン（株）製）８０部／１−プロパノール８０部の混合溶剤に、下記式（Ｄ）で示される正孔輸送性化合物１００部を加えた。
【０２４４】
【化１９】
2018054904.tif 000021
【０２４５】
これを、ポリフロンフィルター（商品名：ＰＦ−０２０、アドバンテック東洋（株）製）で濾過することによって、表面用塗布液を調製した。
【０２４６】
この表面層用塗布液を上記電荷輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を５分間５０℃で乾燥させた。乾燥後、窒素雰囲気下にて、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量１３０００Ｇｙの条件で１．６秒間アルミニウムシリンダーを回転させながら塗膜に電子線を照射し、塗膜を硬化させた。その後、窒素雰囲気下にて、塗膜が１２０℃になる条件で３分間加熱処理を行った。なお、電子線の照射から３分間の加熱処理までの酸素濃度は２０ｐｐｍであった。次に、大気中において、塗膜が１００℃になる条件で３０分加熱処理を行い、膜厚が５μｍである表面層を形成した。
【０２４７】
なお、得られた電子写真感光体の弾性変形率値は５７％、ユニバーサル硬さ（ＨＵ）値は１８５Ｎ／ｍｍ２であった。
【０２４８】
〔表面層形成例２〕
分散剤として、フッ素原子含有樹脂（商品名：ＧＦ−３００、東亞合成（株）製）０．５部を、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（ゼオローラＨ、日本ゼオン（株）製）２０部および１−プロパノール２０部の混合溶剤に溶解した後、潤滑剤として４フッ化エチレン樹脂粉体（商品名：ルブロンＬ−２、ダイキン工業（株）製）１０部を加えた溶液を作った。そして、その溶液を高圧分散機（商品名：マイクロフルイダイザーＭ−１１０ＥＨ、米Ｍｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｓ製）で５８．８ＭＰａ〔６００ｋｇｆ／ｃｍ２〕の圧力で４回の処理を施し均一に分散させた。これをポリフロンフィルター（商品名ＰＦ−０４０、アドバンテック東洋（株）製）で濾過を行い、潤滑剤分散液を調製した。
【０２４９】
その後、上記式（Ｄ）で示される正孔輸送性化合物９０部、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン７０部および１−プロパノール７０部を上記潤滑剤分散液に加えた。そして、ポリフロンフィルター〔商品名：ＰＦ−０２０、アドバンテック東洋（株）製〕で濾過を行い、表面層用塗布液を調製した。
【０２５０】
この表面層用塗布液を上記電荷輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を５分間５０℃で乾燥させた。乾燥後、窒素雰囲気下にて、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量１００００Ｇｙの条件で１．６秒間アルミニウムシリンダーを回転させながら塗膜に電子線を照射し、塗膜を硬化させた。その後、窒素雰囲気下にて、塗膜が１２０℃になる条件で３分間加熱処理を行った。なお、電子線の照射から３分間の加熱処理までの酸素濃度は２０ｐｐｍであった。次に、大気中において、塗膜が１００℃になる条件で３０分加熱処理を行い、膜厚が５μｍである表面層を形成した。
【０２５１】
なお、得られた電子写真感光体の弾性変形率値は５５％、ユニバーサル硬さ（ＨＵ）値は１８０Ｎ／ｍｍ２であった。
【０２５２】
〔表面層形成例３〕
分散剤として、フッ素原子含有樹脂（商品名：ＧＦ−３００、東亞合成（株）製）１．５部を、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（ゼオローラＨ、日本ゼオン（株）製）４５部および１−プロパノール４５部の混合溶剤に溶解した後、潤滑剤として４フッ化エチレン樹脂粉体（商品名：ルブロンＬ−２、ダイキン工業（株）製）３０部を加えた溶液を作った。そして、その溶液を高圧分散機（商品名：マイクロフルイダイザーＭ−１１０ＥＨ、米Ｍｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｓ製）で５８．８ＭＰａ〔６００ｋｇｆ／ｃｍ２〕の圧力で４回の処理を施し均一に分散させた。これをポリフロンフィルター（商品名ＰＦ−０４０、アドバンテック東洋（株）製）で濾過を行い、潤滑剤分散液を調製した。
【０２５３】
その後、上記式（Ｄ）で示される正孔輸送性化合物７０部、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン３５部および１−プロパノール３５部を上記潤滑剤分散液に加えた。そして、ポリフロンフィルター〔商品名：ＰＦ−０２０、アドバンテック東洋（株）製〕で濾過を行い、表面層用塗布液を調製した。
【０２５４】
この表面層用塗布液を上記電荷輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を５分間５０℃で乾燥させた。乾燥後、窒素雰囲気下にて、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量８５００Ｇｙの条件で１．６秒間アルミニウムシリンダーを回転させながら塗膜に電子線を照射し、塗膜を硬化させた。その後、窒素雰囲気下にて、塗膜が１２０℃になる条件で３分間加熱処理を行った。なお、電子線の照射から３分間の加熱処理までの酸素濃度は２０ｐｐｍであった。次に、大気中において、塗膜が１００℃になる条件で３０分加熱処理を行い、膜厚が５μｍである表面層を形成した。
【０２５５】
なお、得られた電子写真感光体の弾性変形率値は５０％、ユニバーサル硬さ（ＨＵ）値は１７５Ｎ／ｍｍ２であった。
【０２５６】
〔表面層形成例４〕
表面層形成例１で使用した正孔輸送部材を下記式（Ｅ）で示される正孔輸送性化合物とした。その他は、表面層形成例１と同様に表面層を形成した。
【０２５７】
【化２０】
2018054904.tif 000022
【０２５８】
なお、得られた電子写真感光体の弾性変形率値は５５％、ユニバーサル硬さ（ＨＵ）値は１８５Ｎ／ｍｍ２であった。
【０２５９】
〔表面層形成例５〕
表面層形成例１で使用した正孔輸送部材を下記式（Ｆ）で示される正孔輸送性化合物とした。その他は、表面層形成例１と同様に表面層を形成した。
【０２６０】
【化２１】
2018054904.tif 000023
【０２６１】
なお、得られた電子写真感光体の弾性変形率値は５１％、ユニバーサル硬さ（ＨＵ）値は１９５Ｎ／ｍｍ２であった。
【０２６２】
〔表面層形成例６〕
表面層形成例１で使用した正孔輸送部材を下記式（Ｇ）で示される正孔輸送性化合物とした。その他は、表面層形成例１と同様に表面層を形成した。
【０２６３】
【化２２】
2018054904.tif 000024
【０２６４】
なお、得られた電子写真感光体の弾性変形率値は５５％、ユニバーサル硬さ（ＨＵ）値は１７５Ｎ／ｍｍ２であった。
【０２６５】
〔表面形状形成例１〕
〈モールド圧接形状転写による凹部の形成〉
図４の（Ｅ）に示す構成の装置において、図１０の（Ａ）に示す形状転写用のモールド（長軸径Ｄ：５．０μｍ、間隔Ｅ：０．５μｍ、高さＦ：２．０μｍの円柱形状）を設置し、表面加工を行った。図１０の（Ａ）において、１４−１および１４−２はそれぞれモールドを上方向および横方向から見た形状を示す。加工時の電子写真感光体の表面の温度が１１０℃になるように、電子写真感光体およびモールドの温度を制御し、加圧しながら、電子写真感光体を周方向に回転させ形状転写を行った。
【０２６６】
モールド加圧条件は、表面層形成例１の場合は２．７ＭＰａ、表面層形成例２の場合は、３．０ＭＰａ、５．０ＭＰａであった。
【０２６７】
〈形成した凹部の観察〉
得られた電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１０の（Ｂ）に示すように、長軸径Ｄ：５．０μｍ、深さＨ：１．０μｍの円柱状の凹部が間隔Ｅ：０．５μｍで形成されていることがわかった。図１０の（Ｂ）において、１５−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、１５−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹形状部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示すとおりであった。
【０２６８】
〔表面形状形成例２〕
〈モールド圧接形状転写による凹部の形成〉
表面形状形成例１で使用したモールドを、図１０の（Ｃ）に示す形状転写用のモールド（長軸径Ｄ：５．０μｍ、間隔Ｅ：０．５μｍ、高さＦ：２．０μｍの六角柱形状）に変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。図１０の（Ｃ）において、１６−１および１６−２はそれぞれモールドを上方向および横方向から見た形状を示す。
【０２６９】
〈形成した凹部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１０の（Ｄ）に示すように、長軸径Ｄ：５．０μｍ、深さＨ：１．０μｍの六角柱状の凹部が間隔Ｅ：０．５μｍで形成されていることがわかった。図１０の（Ｄ）において、１７−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、１７−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示すとおりであった。
【０２７０】
〔表面形状形成例３〕
〈モールド圧接形状転写による凹部の形成〉
表面形状形成例１で使用したモールドを、図１０の（Ｅ）に示す形状転写用のモールド（裾部長軸径Ｄ：７．５μｍ、間隔Ｅ：０．５μｍ、高さＦ：２．０μｍの山形形状）に変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。図１０の（Ｆ）において、１９−１および１９−２はそれぞれモールドを上方向および横方向から見た形状を示す。
【０２７１】
〈形成した凹部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１０の（Ｆ）に示すように、長軸径Ｄ：７．５μｍ、深さＨ：１．０μｍの山形形状の凹部が間隔Ｅ：０．５μｍで形成されていることがわかった。図１０の（Ｆ）において、１９−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、１９−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示すとおりであった。
【０２７２】
〔表面形状形成例４〕
表面形状形成例２において、使用したモールドを、長軸径：１０．０μｍ、間隔：１．０μｍ、高さ：２．０μｍの六角柱形状を有するモールドに変更した。その他は、表面形状形成例２と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２７３】
〔表面形状形成例５〕
〈モールド圧接形状転写による凹部の形成〉
表面形状形成例１で使用したモールドを、図１１の（Ａ）に示す形状転写用のモールド（長軸径Ｄ：８．０μｍ、間隔Ｅ：１．０μｍ、高さＦ：２．０μｍの四角柱形状）に変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。図１１の（Ａ）において、２０−１および２０−２はそれぞれモールドを上方向および横方向から見た形状を示す。
【０２７４】
〈形成した凹部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１１の（Ｂ）に示すように、長軸径Ｄ：８．０μｍ、深さＨ：１．０μｍの四角柱形状の凹部が間隔Ｅ：１．０μｍで形成されていることがわかった。図１１の（Ｂ）において、２１−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、２１−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示すとおりであった。
【０２７５】
〔表面形状形成例６〕
〈モールド圧接形状転写による凹部の形成〉
表面形状形成例１で使用したモールドを、図１１の（Ｃ）に示す形状転写用のモールド（長軸径Ｄ１：６．０μｍ、短軸径Ｄ２：３．０μｍ、長軸側間隔Ｅ１：１．０μｍ、短軸側間隔Ｅ２：０．５μｍ、高さＦ：２．０μｍの楕円柱形状）に変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。図１１の（Ｃ）において、２２−１および２２−２はそれぞれモールドを上方向および横方向から見た形状を示す。
【０２７６】
〈形成した凹部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１１の（Ｄ）に示すように、長軸径Ｄ１：６．０μｍ／短軸径Ｄ２：３，０μｍ、深さＨ：１．０μｍの楕円柱形状の凹部が長軸側間隔Ｅ１：１．０μｍ／短軸側間隔Ｅ２：０．５μｍ間隔で形成されていることがわかった。図１１の（Ｄ）において、２３−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、２３−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示すとおりであった。
【０２７７】
〔表面形状形成例７〕
表面形状形成例５において、使用したモールドを、長軸径：１２．０μｍ、間隔：２．５μｍ、高さ：２．０μｍの四角柱形状を有するモールドに変更した。その他は、表面形状形成例５と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２７８】
〔表面形状形成例８〕
表面形状形成例５において、使用したモールドを、長軸径：１４．０μｍ、間隔：１．０μｍ、高さ：２．０μｍの四角柱形状を有するモールドに変更した。その他は、表面形状形成例５と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２７９】
〔表面形状形成例９〕
表面形状形成例１において、使用したモールドを、長軸径：４．０μｍ、間隔：１．０μｍ、高さ：２．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２８０】
〔表面形状形成例１０〕
表面形状形成例１において、使用したモールドを、長軸径：３．０μｍ、間隔：０．５μｍ、高さ：２．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２８１】
〔表面形状形成例１１〕
表面形状形成例１において、使用したモールドを、長軸径：１０．０μｍ、間隔：１．０μｍ、高さ：２．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２８２】
〔表面形状形成例１２〕
表面形状形成例１において使用したモールドを、長軸径：５．０μｍ、間隔：２．０μｍ、高さ：２．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２８３】
〔表面形状形成例１３〕
〈エキシマレーザーによる凹部の形成〉
得た電子写真感光体の最表面層にＫｒＦエキシマレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）を用いて凹部を形成した。このとき、図１２の（Ａ）に示すように、直径３０μｍの円形のレーザー光透過部ｂが１０μｍ間隔で配列するパターンを有する石英ガラス製のマスクを用いた。なお、エキシマレーザーの照射エネルギーは、０．９Ｊ／ｃｍ２とし、１回照射当たりの照射面積は、２ｍｍ四方とした。図４の（Ｂ）に示すように、電子写真感光体を回転させ、照射位置を軸方向にずらしつつ照射を行った。
【０２８４】
〈形成した凹部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１２の（Ｂ）に示すように、長軸径Ｄ：８．６μｍ、深さＨ：０．９μｍのエッジを有さない円柱状の凹部が間隔Ｅ：２．９μｍで形成されていることがわかった。
【０２８５】
図１２の（Ｂ）において、２５−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、２５−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹形状部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示す。
【０２８６】
〔表面形状形成例１４〕
表面形状形成例１３において、図１２の（Ａ）に示すマスクを図１２の（Ｃ）に示すマスクに変更した。また、エキシマレーザーの照射エネルギーを１．２Ｊ／ｃｍ２とした。その他は、表面形状形成例１３と同様に、電子写真感光体を加工した。結果を表２に示す。
【０２８７】
〔表面形状形成例１５〕
表面形状形成例１において、使用したモールドを、図１３の（Ａ）に示す形状転写用のモールド（長軸径Ｄ１：７．５μｍ、長軸径Ｄ２：２．５μｍ、間隔Ｅ：１．０μｍ、高さＦ：２．０μｍの２種類の円柱が混合した形状）に変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。図１３の（Ａ）において、２７−１および２７−２はそれぞれモールドを上方向および横方向から見た形状を示す。
【０２８８】
〈形成した凹部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１３の（Ｂ）に示すように、長軸径Ｄ１：７．３μｍ、深さＨ：１．０μｍの円柱状の凹部が間隔Ｅ：１．０μｍで形成されていることがわかった。また、上記円柱状の凹部４個あたり、１個の割合で長軸径Ｄ２：２．２μｍ、深さＨ：１．０μｍの円柱状の凹部が形成されていることがわかった。図１３の（Ｂ）において、２８−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、２８−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示すとおりであった。また、長軸径が３．０μｍ以下の凹形状部の割合は４６個数％であった。
【０２８９】
〔表面形状形成例１６〕
表面形状形成例１において、使用したモールドを、図１３の（Ｃ）に示す形状転写用のモールド（長軸径Ｄ１：７．５μｍ、長軸径Ｄ２：２．５μｍ、間隔Ｅ：１．０μｍ、高さＦ：２．０μｍの２種類の円柱が混合した形状）に変更した。その他は、表面形状形成例１と同様に加工を行った。図１３の（Ｃ）において、２９−１および２９−２はそれぞれモールドを上方向および横方向から見た形状を示す。
【０２９０】
〈形成した凹部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。その結果、図１３の（Ｄ）に示すように、長軸径Ｄ１：７．３μｍ、深さＨ：１．０μｍの円柱状の凹部が間隔Ｅ：１．０μｍで形成されていることがわかった。また、上記円柱状の凹部４個あたり、２個の割合で長軸径Ｄ２：１．５μｍ、深さＨ：１．０μｍの円柱状の凹部が形成されていることがわかった。図１３の（Ｄ）において、３０−１は電子写真感光体の表面の凹部の配列状態を示し、３０−２は電子写真感光体の凹部を有する表面の断面形状を示す。なお、１００μｍ四方あたりの凹部の平均長軸径、平均深さ、個数および面積率は表２に示すとおりであった。また、長軸径が３．０μｍ以下の凹形状部の割合は６３個数％であった。
【０２９１】
〔表面形状形成例１７〕
表面形状形成例１２において、使用したモールドを、長軸径：５．０μｍ、間隔：２μｍ、高さ：３．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．２ＭＰａ、表面層形成例２の場合は３．５ＭＰａ、表面層形成例３の場合は５．６ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例１２と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９２】
〔表面形状形成例１８〕
表面形状形成例１７において、使用したモールドを、長軸径：５．０μｍ、間隔：２μｍ、高さ：４．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．８ＭＰａ、表面層形成例２の場合は４．３ＭＰａ、表面層形成例３の場合は６．０ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例１７と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９３】
〔表面形状形成例１９〕
表面形状形成例６において、使用したモールドを、（長軸径：６．０μｍ、短軸径：３．０μｍ、長軸側間隔：１．０μｍ、短軸側間隔：０．５μｍ、高さ：３．０μｍの楕円柱形状）に変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．２ＭＰａ、表面層形成例２の場合は３．５ＭＰａ、表面層形成例３の場合は５．６ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例６と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９４】
〔表面形状形成例２０〕
表面形状形成例１９において、使用したモールドを、長軸径Ｄ１：６．０μｍ、短軸径Ｄ２：３．０μｍ、長軸側間隔：１．０μｍ、短軸側間隔：０．５μｍ、高さ：４．０μｍの楕円柱形状を有するモールドに変更した。また、モールド加圧条件を表面層形成例１の場合は３．８ＭＰａ、表面層形成例２の場合は４．３ＭＰａ、表面層形成例３の場合は６．０ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例６と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９５】
〔表面形状形成例２１〕
表面形状形成例１１において、使用したモールドを、長軸径：１０．０μｍ、間隔：１μｍ、高さ：３．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．２ＭＰａ、表面層形成例２の場合は３．５ＭＰａ、表面層形成例３の場合は５．６ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例１２と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９６】
〔表面形状形成例２２〕
表面形状形成例２１において、使用したモールドを、長軸径：１０．０μｍ、間隔：１μｍ、高さ：５．０μｍの円柱形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．８ＭＰａ、表面層形成例２の場合は４．３ＭＰａ、表面層形成例３の場合は６．０ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例１２と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９７】
〔表面形状形成例２３〕
表面形状形成例７において、使用したモールドを、長軸径：１２．０μｍ、間隔：２．５μｍ、高さ：３．０μｍの四角柱形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．２ＭＰａ、表面層形成例２の場合は３．５ＭＰａ、表面層形成例３の場合は５．６ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例７と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９８】
〔表面形状形成例２４〕
表面形状形成例２３において、使用したモールドを、長軸径：１２．０μｍ、間隔：２．５μｍ、高さ：４．０μｍの四角柱形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．８ＭＰａ、表面層形成例２の場合は４．３ＭＰａ、表面層形成例３の場合は６．０ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例７と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０２９９】
〔表面形状形成例２５〕
表面形状形成例３において、使用したモールドを、裾部長軸径：７．５μｍ、間隔：０．５μｍ、高さ：３．０μｍの山形形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．２ＭＰａ、表面層形成例２の場合は３．５ＭＰａ、表面層形成例３の場合は５．６ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例３と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０３００】
〔表面形状形成例２６〕
表面形状形成例２５において、使用したモールドを、裾部長軸径：７．５μｍ、間隔：０．５μｍ、高さ：４．０μｍの山形形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．８ＭＰａ、表面層形成例２の場合は４．３ＭＰａ、表面層形成例３の場合は６．０ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例３と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０３０１】
〔表面形状形成例２７〕
表面形状形成例２において、使用したモールドを、長軸径：５μｍ、間隔：０．５μｍ、高さ：３．０μｍの六角柱形状）に変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．２ＭＰａ、表面層形成例２の場合は３．５ＭＰａ、表面層形成例３の場合は５．６ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例２と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０３０２】
〔表面形状形成例２８〕
表面形状形成例２７において、使用したモールドを、長軸径：５μｍ、間隔：０．５μｍ、高さ：４．０μｍの六角柱形状を有するモールドに変更した。また、モールドの加圧条件を表面層形成例１の場合は３．８ＭＰａ、表面層形成例２の場合は４．３ＭＰａ、表面層形成例３の場合は６．０ＭＰａとした。その他は、表面形状形成例２７と同様に加工を行った。結果を表２に示す。
【０３０３】
【表２】
2018054904.tif 000025
【０３０４】
〔表面形状形成例２９〕
表面形状形成例１３のように、電子写真感光体の表面層にＫｒＦエキシマレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）を用いて凹部を形成した。このとき、図１２の（Ｄ）に示すように、直径３０μｍの円形のレーザー光透過部ｂが１０μｍ間隔で配列するパターンを有する石英ガラス製のマスクを用いた。なお、エキシマレーザーの照射エネルギーは、０．９Ｊ／ｃｍ２とし、１回照射当たりの照射面積は、１．４ｍｍ四方とした。図４の（Ｂ）に示すように、電子写真感光体を回転させ、照射位置を軸方向にずらしつつ照射を行った。
【０３０５】
〈形成した凸部の観察〉
電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察した。図１４の（Ａ）に示すように、凸部の平均直径Ｌｐｃが５．６μｍである円柱状の凸部が２．８μｍの間隔で形成されている。図１０の（Ｂ）のＢは、図１０の（Ｂ）のＡの線１５Ｂにおける断面図である。
【０３０６】
凸部の高さＬｄｖの平均値は１．０μｍであった。また、凸形状間隔Ｔの平均値は８．０μｍであり、標準偏差Ｔσは０．４μｍであった。また、１００００μｍ２あたりの凸部の個数は１５６個、Ｓｍｒは３８％であった。
【０３０７】
〔表面形状形成例３０〕
表面形状形成例１のように、図４の（Ｅ）に示す構成の装置において、図１４の（Ａ）および（Ｂ）に示す形状転写用のモールドを設置し、表面加工を行った。図１４において、（Ａ）は上方向から見たモールドの形状を示し、（Ｂ）は横方向から見たモールドの形状を示す。また、Ｄ、ＥおよびＦはそれぞれ凹部の最長径、間隔および高さを表す。
【０３０８】
〈形成した凸部の観察〉
得た電子写真感光体の表面形状をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）で拡大観察したところ、図１４の（Ｃ）および（Ｄ）に示すように、Ｌｐｃ：１．４μｍ、深さＬｄｖ：１．０μｍの凹部が形成されていることがわかった。図１４において、（Ｃ）はＳｃｕｔ面の配列状態を示す。また、（Ｄ）はＳｃｕｔ面の法線方向への電子写真感光体のＳｃｕｔの算出に用いた１００μｍ２の表面形状データを電子写真感光体の回転方向と直交する方向に１０分割し、分割線位置での高さ方向に対する輪郭曲線データ凸部を有する表面の断面形状を示す。結果を表３に示す。
【０３０９】
〔表面形状形成例３１〕
表面形状形成例３０において、エキシマレーザーの照射エネルギーを１．８Ｊ／ｃｍ２とした。その他は、表面形状形成例３０と同様に加工を行った。結果を表３に示す。
【０３１０】
〔表面形状形成例３２〕
表面形状形成例３０において、図１４の（Ｅ）および（Ｆ）に示すモールドに変更した。その他は、表面形状形成例３０と同様な加工を行った。結果を表３に示す。
【０３１１】
【表３】
2018054904.tif 000026
【０３１２】
〔表面形状形成例３３〕
電子写真感光体を図９（Ａ）に示す表面形状加工装置に設置した。加圧部材は、材質をステンレス鋼（ＳＵＳ）製とし、内部に加熱用のヒーターを設置した。モールドとしては、図１５の（Ａ）に示すような形状の、凸部の幅Ｘ：１．０μｍ、凹部の幅Ｙ：１．０μｍ、凸部の高さＺ：２．０μｍの形状を有する厚さ５０μｍのニッケル材質のモールドを使用した。そして、形状転写対象の電子写真感光体の軸方向に対してモールドの凹部が９０°の角度をなす方向になるようにモールドを加圧部材上に固定した。形状転写対象の電子写真感光体の支持体の内部には、支持体の内径と略同直径を有する円柱状のＳＵＳ製の保持部材を挿入した。以上の構成の装置を用いて、モールドの温度１４０℃、加工圧力１０ＭＰａ、加工速度２０ｍｍ／ｓの条件で、形状転写対象の電子写真感光体の周面に、平坦部−溝部形状の形成を行った。
【０３１３】
〈形成した平端部−溝部形状の観察〉
電子写真感光体の周面をレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−９５００、（株）キーエンス製）により拡大観察した。その結果、図８における平坦部の幅ｅが１．０μｍ、溝部の幅ｗが１．０μｍ、溝部の深さｄが１．０μｍの平坦部−溝部形状が電子写真感光体の周面に形成されていることがわかった。また、平坦部および溝部は、電子写真感光体の軸方向に対して９０°の角度をなすように形成されていることがわかった。また、平坦部の幅の平均値ｅＡｖ、その標準偏差ｅσ、溝部の幅の平均値ｗＡｖ、その標準偏差ｗσ、溝部の深さの平均値：ｄＡｖ、その標準偏差ｄσおよび電子写真感
光体の周面の軸方向の幅１００μｍあたりの平坦部の幅ｅの合計値ｅＳｕｍを、上述のようにして算出した。結果を表４に示す。
【０３１４】
〔表面形状形成例３４〜４１〕
表面形状形成例３３において、モールドを表５に示す形状のものに変更した。その他は、表面形状形成例３３と同様にして表面形状形成例３３〜４１を作製した。それらの周面の観察を行った結果を表４に示す。
【０３１５】
〔表面形状形成例４２〜４３〕
表面形状形成例３３において、形状転写時のモールドを、形状転写対象の電子写真感光体の軸方向に対してモールドの凹部が８０°および１００°の角度をなす方向になるように加圧部材上に固定した。その他は、表面形状形成例３３と同様にして表面形状形成例４２〜４３を作製した。それらの周面の観察を行った結果を表４に示す。
【０３１６】
〔表面形状形成例４４〜４６〕
表面形状形成例３３において、モールドを図１５の（Ｂ）および表５に示す形状のものに変更した。その他は、表面形状形成例３３と同様にして表面形状形成例４４〜４６を作製した。それらの周面の観察を行った結果を表４に示す。
【０３１７】
〔表面形状形成例４７〜４８〕
表面形状形成例３３において、モールドを図１５の（Ｃ）および表５に示す形状のものに変更した。その他は、表面形状形成例３３と同様にして表面形状形成例４７〜４８を作製した。それらの周面の観察を行った結果を表４に示す。
【０３１８】
〔表面形状形成例４９〜５０〕
表面形状形成例３３において、モールドを図１５の（Ｄ）および表５に示す形状のものに変更した。その他は、表面形状形成例３３と同様にして表面形状形成例４９〜５０を作製した。それらの周面の観察を行った結果を表４に示す。
【０３１９】
〔表面形状形成例５１〕
表面形状形成例３３において、モールドを図１５の（Ｅ）および表５に示す形状のものに変更した。その他は、表面形状形成例３３と同様にして表面形状形成例５１を作製した。それらの周面の観察を行った結果を表４に示す。
【０３２０】
〔表面形状形成例５２〕
表面形状形成例３３において、モールドを図１５の（Ｆ）および表５に示す形状のものに変更した。その他は、表面形状形成例３３と同様にして表面形状形成例５２を作製した。それらの周面の観察を行った結果を表４に示す。
【０３２１】
【表４】
2018054904.tif 000027
【０３２２】
【表５】
2018054904.tif 000028
【０３２３】
〔電子写真感光体作製例〕
電子写真感光体を各層の形成例を組み合わせて、電子写真感光体とした。具体的には、表６に示す電子写真感光体作製例１〜６０により電子写真感光体を作製した。
【０３２４】
【表６】
2018054904.tif 000029
【０３２５】
〔評価例１〕
上記作製例で作製した、電子写真感光体を温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下において、フルカラー複写機（商品名：ｉｍａｇｅ  ＲＵＮＮＥＲ  ＡＤＶＡＮＣＥ  Ｃ５２５５、キヤノン（株）製）の改造機に装着し、以下のとおりに表面電位の測定を行った。
【０３２６】
表面電位の測定は、上記カラー複写機のブラック用のプロセスカートリッジを改造し、クリーニングブレードを外した。
【０３２７】
ブラック現像器を改造し、現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン（株）製）を装着した。さらに、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。
【０３２８】
電子写真感光体の表面電位は、初期暗部電位（Ｖｄ）が−７００ｖ、初期明部電位（Ｖｌ）が−２００ｖとなるように、帯電手段の出力条件、画像露光の光量を調整した。
【０３２９】
その後、上記の帯電条件、露光条件で、１０００枚通紙相当の繰返し使用を実施し、繰返し使用後の明部電位（Ｖｌｔ）と初期の明部電位（Ｖｌ）の差分をΔＶｌとし、評価した。
【０３３０】
ΔＶｌ＝繰返し使用後の明部電位（Ｖｌｔ）−初期の明部電位（Ｖｌ）
下記に述べる、３００，０００枚の画像を出力した後にも、上記のΔＶｌを測定した。
【０３３１】
〔評価例２〕
上記フルカラー複写機（商品名：ｉｍａｇｅ  ＲＵＮＮＥＲ  ＡＤＶＡＮＣＥ  Ｃ５２５５、キヤノン（株）製）のブラックステーションに電子写真感光体を装着した。そして、Ａ４サイズの普通紙で、３００，０００枚のフルカラー画像（各色印字率５％の画像）の出力を行った。そして、クリーニング不良に起因すると思われる周方向に発生するスジ画像を以下のように評価した。
【０３３２】
Ａ：スジ画像発生無し
Ｂ：ベタ白画像に軽微に発生、ハーフトーン画像発生せず。
Ｃ：ベタ白画像、ハーフトーン画像ともに発生。
【０３３３】
〔評価例３〕
上記作製例で作製した、電子写真感光体の表面層の膜厚を光干渉膜厚計（商品名：ＭＣＰＤ−９８００、大塚電子（株）製）で測定した。評価例２の画像出力を終えた電子写真感光体の表面層の膜厚を測定し、その差分を表面層の削れ量とした。
【０３３４】
「実施例１〜６２」
電子写真感光体作製例１〜６２で作製した電子写真感光体を、評価例１〜３で評価した。その結果を表７に示す。
【０３３５】
【表７】
2018054904.tif 000030
【符号の説明】
【０３３６】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  クリーニング手段
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
１３−１  電子写真感光体
１３−２  モールド
１３−３  加圧部材
１３−４  支持部材
【図１】
2018054904.tif 000033
【図２】
2018054904.tif 000034
【図３】
2018054904.tif 000035
【図４】
2018054904.tif 000036
【図５】
2018054904.tif 000037
【図６】
2018054904.tif 000038
【図７】
2018054904.tif 000039
【図８】
2018054904.tif 000040
【図９】
2018054904.tif 000041
【図１０】
2018054904.tif 000042
【図１１】
2018054904.tif 000043
【図１２】
2018054904.tif 000044
【図１３】
2018054904.tif 000045
【図１４】
2018054904.tif 000046
【図１５】
2018054904.tif 000047