(57)【要約】【課題】測定ばらつきが十分に小さい温度センサを備え、その測定値によってカソード電流を制御することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】基板上に配列され、発光素子を含む複数の画素と、階調信号が入力される複数の画素回路と、前記基板上に設けられ、温度センサ用配線を有し、前記温度センサ用配線の抵抗変化率の温度依存性に基づいて温度を検出する温度センサ回路と、前記温度に応じて、前記階調信号を補正する階調信号制御回路とを備えた表示装置である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配列され、発光素子を含む複数の画素と、
階調信号が入力される複数の画素回路と、
前記基板上に設けられ、温度センサ用配線を有し、前記温度センサ用配線の抵抗変化率の温度依存性に基づいて温度を検出する温度センサ回路と、
前記温度に応じて、前記階調信号を補正する階調信号制御回路とを備えた表示装置。
【請求項２】
前記温度センサ用配線は、少なくとも一部が表示領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記温度センサ用配線は、少なくとも一部が表示領域の周囲に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記温度センサ用配線は、少なくとも一部が前記複数の画素の各々に接続された走査信号線又は映像信号線と同じ層に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素が配置される表示領域と、
前記表示領域と前記基板の端部との間に位置し、前記複数の画素回路に接続された回路とを更に備え、
前記温度センサ用配線の少なくとも一部は、前記回路の配線と共有されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記回路は、前記複数の画素へ入力される信号が印加される信号線と、複数のスイッチと、複数のダイオードとを有し、且つ前記発光素子の発光、非発光の切替が可能であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記回路は、前記回路へ電源を供給する電源配線を有し、
前記電源配線は、前記温度センサ用配線と共用されることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記前記温度センサ回路に接続され、前記温度に応じて前記階調信号の利得を決定する温度利得取得回路を更に備え、
前記階調信号制御回路は、前記利得に応じて前記階調信号を補正する階調信号補正回路を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光素子は、アノード、発光層及びカソードの順に積層された層構造を有し、
前記温度利得取得回路は、前記アノードを通過する電流の温度依存を低減させるように前記利得を決定することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記温度センサ回路は、前記複数の画素の駆動時において、所定の周期で温度を検出することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記抵抗変化率は、所定の参照温度における前記温度センサ用配線の抵抗値を基準に算出されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記階調信号制御回路は、前記階調信号のガンマ値に応じて、前記階調信号を補正するガンマ補正回路を更に含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
基板上に配置され、発光素子を含む複数の画素と、
前記基板上に位置する配線と、
前記配線の抵抗の変化を検知するセンサ回路と、
前記抵抗の変化に基づき、前記発光素子の輝度を補正する制御回路とを有する表示装置。
【請求項１４】
前記センサ回路は、前記配線の抵抗変化率に基づき温度変化を検知することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記制御回路は、前記複数の画素へ入力される映像信号の階調を補正することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記制御回路は、前記発光素子へ流れる電流を補正することを特徴とする請求項１３から請求項１５の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記配線は、電源配線であることを特徴とする請求項１３から請求項１６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記複数の画素が配置される表示領域と、
前記複数の画素の各々が有する複数の画素回路と、
前記表示領域と前記基板の端部との間に位置し、前記複数の画素回路に接続され、前記発光素子の発光、非発光の切替が可能な回路とを更に備え、
前記配線は、前記回路に含まれることを特徴とする請求項１３から請求項１７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記複数の画素が配置される表示領域を更に備え、
前記配線の一部は、前記表示領域の中に位置し、且つ第１の方向に延びる第１領域と前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２領域とを有することを特徴とする請求項１３から請求項１７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記配線の前記一部は、前記第１領域と前記第２領域とを夫々複数個有することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の駆動方法に関する。特に、複数行の画素を一括で駆動する表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード電極、他方をカソード電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素ごとに画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置は、外部環境や自己の発熱に伴って高温になると、カソード電流が増加する。その結果、有機ＥＬ表示装置の発光輝度が温度によって変化したり、消費電力が増加したり、画素の劣化を促進したりするといった課題がある。
【０００４】
上記のような課題に対し、常温時のカソード電流を低くするように設定することで、高温時でも電流規格を満足するようにしていた。しかしながら、常温時のカソード電流を低くするように設定するため、常温時の発光輝度が低くなってしまう。
【０００５】
また、例えば特許文献１には、出力が時間経過または使用とともに変化する複数の発光素子を備えるＯＬＥＤディスプレイを駆動するための画像信号を補償する方法であって、ａ）個々の発光素子が、既知の画像信号に１回目に応答して消費する電流の第１の測定値または第１の推定値を取得するステップと、ｂ）発光素子からなる複数のグループを指定し、そのとき、指定したそのグループのうちの少なくとも１つが、指定した別のグループと共通する少なくとも１つの発光素子を含んでいるようにするステップと、ｃ）指定したそれぞれのグループが、既知の画像信号に２回目に応答して消費する合計電流を測定するステップと、ｄ）その測定した合計電流に基づき、個々の発光素子が消費する電流の第２の推定値を形成するステップと、ｅ）第１の電流値と第２の電流値の差に基づいて個々の発光素子に関する補正値を計算するステップと、ｆ）その補正値を画像信号に対して用いて発光素子の出力変化を補償し、補償済み画像信号を発生させるステップを含む方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、データ線、走査線、発光制御線の交差部毎に位置する多数の画素を含む画素部と、前記画素部の温度を測定するために備えられる温度センサと、前記温度センサで測定された温度情報をデジタル値に変換する第１アナログデジタル変換器（第１ＡＤＣ）と、前記第１ＡＤＣから出力されるデジタル値の入力を受けてそれに対応する制御信号を出力する制御部と、前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化程度を抽出するためのセンシング部と、前記センシング部から抽出された有機発光ダイオードの劣化情報及び前記制御部から出力される制御信号の入力を受けて温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値を生成する第２アナログデジタル変換器（第２ＡＤＣ）と、前記第２ＡＤＣから出力されるデジタル値を用いて温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換部と、前記変換部から出力される校正データＤａｔａ’の入力を受けて前記画素に供給されるデータ信号を生成するデータ駆動部とを備えることを特徴とする有機電界発光表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１６９３７７
【特許文献２】特表２００９−５１５２１９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これらの従来技術によれば、温度センサをＯＬＥＤパネル内に構成し、その測定値によってカソード電流を制御している。しかしながら、これらの従来技術における温度センサの構成についての詳細は不明である。
【０００９】
温度センサとしては、例えば温度変化に対して電気抵抗値の変化が比較的大きい抵抗体であるサーミスタが従来よく用いられている。しかしながら、その測定ばらつきのために、パネルの温度を正確に測定できない場合がある。
【００１０】
本発明は、上記実情に鑑み、測定ばらつきが十分に小さい温度センサを備え、その測定値によってカソード電流を制御することが可能な表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による表示装置の一態様は、基板上に配列され、発光素子を含む複数の画素と、階調信号が入力される複数の画素回路と、前記基板上に設けられ、温度センサ用配線を有し、前記温度センサ用配線の抵抗変化率の温度依存性に基づいて温度を検出する温度センサ回路と、前記温度に応じて、前記階調信号を補正する階調信号制御回路とを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明するブロック図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素回路の構成を説明する回路図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置が有する検査回路の構成を説明する回路図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る温度センサ用配線の抵抗値の温度依存性を示すデータである。
【図１１】本発明の一実施例に係る温度センサ用配線の抵抗変化率の温度依存性を示すデータである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１４】
＜第１実施形態＞
［構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する斜視図である。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する平面図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、第２基板１０４と、複数の画素１０６と、温度センサ用配線１０８と、複数の接続端子１１０と、ドライバＩＣ１１２とを有している。
【００１５】
第１基板１０２は、複数の画素１０６の支持体としての役割を果たす。第１基板１０２において、複数の画素１０６が配列される領域が表示領域１０２ａである。第１基板１０２としては、ガラス基板、アクリル樹脂基板、アルミナ基板、ポリイミド基板等を用いることができる。
【００１６】
第２基板１０４は、表示領域１０２ａの上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は、第２基板１０４の周辺部を囲むシール材１１４によって、第１基板１０２に固定されている。第２基板１０４としては、第１基板１０２と同様の基板を用いてもよい。尚、本実施形態に係る表示装置１００は前述のような第２基板１０４を有しているが、板状の部材に限定されず、フィルム基材、樹脂等がコーティングされた封止基材に置換えられてもよい。
【００１７】
複数の画素１０６は、第１基板１０２上に行列状に配列されている。複数の画素１０６の各々は、画素回路１２８を有している。詳細は後述するが、画素回路１２８は、少なくとも駆動トランジスタ１３４、選択トランジスタ１３６、発光素子１３８及び保持容量１４０を有している。
【００１８】
温度センサ用配線１０８は、表示領域１０２ａ内に配置されている。詳細は後述するが、本実施形態においては、温度センサ用配線１０８の抵抗変化率に基づいて表示装置１００の、特に表示領域１０２ａの温度が検知される。本実施形態においては、温度センサ用配線１０８は、少なくとも一部が表示領域１０２ａに配置されている。温度センサ用配線１０８は、表示領域１０２ａ内において垂直方向に延びる６本の垂直部１０８ａと、隣接する２本の垂直部１０８ａを連結する５本の水平部１０８ｂとを有している。垂直部１０８ａは、表示領域１０２ａ内においてほぼ等間隔で配置されている。５本の水平部１０８ｂの各々は、表示領域１０２ａの上端又は下端付近に配置されている。このように、６本の垂直部１０８ａがほぼ等間隔に配置されることによって、表示装置１００の、特に表示領域１０２ａ内の温度を正確に検知することができる。
【００１９】
ここで、温度センサ用配線１０８が設けられるための層は特に限定されない。図３は、温度センサ用配線１０８の層構造の一例を説明する断面図であり、図２のＡ−Ａ´に沿った断面を示している。この例では、駆動トランジスタ１３４のゲートと同じ層に走査信号線１３０が配置され、駆動トランジスタ１３４よりも上層に映像信号線１３２が配置され、駆動トランジスタ１３４のソースにコンタクトホールを介して導通している。温度センサ用配線１０８は、少なくとも一部が複数の画素１０６の各々に接続された走査信号線１３０又は映像信号線１３２と同じ層に配置されてもよい。つまり、図３に示すように、垂直部１０８ａを後述する映像信号線１３２と同じ層に設け、水平部１０８ｂを走査信号線１３０と同じ層に設けてもよい。この場合、垂直部１０８ａと水平部１０８ｂとを導通させる必要があり、そのためのコンタクト電極を設けてもよい。このコンタクト電極を形成するためのコンタクトホールは、温度センサ用配線１０８の垂直部１０８ａがエッチングストッパとなるため、駆動トランジスタ１３４のソース及びドレインに到達するコンタクトホールと同時に形成することができる。また、他の例として、温度センサ用配線１０８を配置するための配線層を更に設けても構わない。
【００２０】
複数の接続端子１１０は、第１基板１０２の一端部、且つ第２基板１０４の外側に配置されている。第１基板１０２において、複数の接続端子１１０が配置される領域が端子領域１０２ｂである。複数の接続端子１１０には、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板（図示せず）が接続される。配線基板と接続される複数の接続端子１１０との接点は、外部に露出している。
【００２１】
ドライバＩＣ１１２は、第１基板１０２の一端部、且つ第２基板１０４の外側に配置されている。ドライバＩＣ１１２は、接続端子１１０から入力された映像信号を表示領域１０２ａに出力する。
【００２２】
［回路構成］
図４は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明するブロック図である。本実施形態に係る表示装置１００は、走査信号線駆動回路１１６、映像信号線駆動回路１１８、温度センサ回路１２０、温度利得取得回路１２２、入力回路１２４、階調信号制御回路１２６、複数の画素回路１２８、複数の走査信号線１３０及び複数の映像信号線１３２を備えている。
【００２３】
走査信号線駆動回路１１６は、複数の走査信号線１３０に接続されている。複数の走査信号線１３０は、複数の画素１０６の水平方向の並び（画素行）毎に設けられている。走査信号線駆動回路１１６は、制御装置から入力されるタイミング信号に応じて複数の走査信号線１３０を順番に選択する。
【００２４】
複数の画素回路１２８は、行列状に配列されている。複数の画素回路１２８の各々は、複数の副画素回路１２９を含んでいる。本実施形態においては、画素回路１２８は３個の副画素回路１２９を含んでおり、具体的には、赤の発光を制御する副画素回路１２９、緑の発光を制御する副画素回路１２９及び青の発光を制御する副画素回路１２９を含んでいる。副画素回路１２９は、入力される階調信号に応じた輝度の発光をする。
【００２５】
ここで、本実施形態に係る表示装置１００が有する複数の画素回路１２８の各々の回路構成について詳細に説明する。尚、複数の画素回路１２８の各々は複数のトランジスタを含むが、以下の説明ではトランジスタのゲート端子を制御端子と呼ぶことがある。また、便宜上、トランジスタのソース端子又はドレイン端子のいずれか一方を第１端子と呼び、他方を第２端子と呼ぶことがある。つまり、トランジスタの第１端子は、電圧を印加する条件によってはソース端子として機能する場合もあり、ドレイン端子として機能する場合もある。第２端子についても同様である。
【００２６】
図５は、本実施形態に係る表示装置１００が有する複数の副画素回路１２９の構成を説明する回路図である。本実施形態においては、画素回路１２８は３個の副画素回路１２９を含んでいる。具体的には、３個の副画素回路１２９の各々は、赤、緑及び青の発光を制御する。３個の副画素回路１２９の各々は、駆動トランジスタ１３４、選択トランジスタ１３６、発光素子１３８及び保持容量１４０を含んでいる。本実施形態において、駆動トランジスタ１３４及び選択トランジスタ１３６は、共にｎチャネルトランジスタである。
【００２７】
駆動トランジスタ１３４は、制御端子に印加される電位に応じた電流を発光素子１３８に供給する。また、表示装置１００の駆動時において、駆動トランジスタ１３４は、飽和状態で駆動する。駆動トランジスタ１３４は、制御端子が選択トランジスタ１３６の第２端子に接続され、第１端子が電源電位線に接続され、第２端子が発光素子１３８の陽極に接続されている。
【００２８】
選択トランジスタ１３６は、オンオフ動作により、映像信号線１３２と駆動トランジスタ１３４の制御端子との導通状態を制御する。選択トランジスタ１３６は、制御端子が走査信号線１３０に接続され、第１端子が映像信号線１３２に接続され、第２端子が駆動トランジスタ１３４の制御端子に接続されている。
【００２９】
保持容量１４０は、駆動トランジスタ１３４の制御端子−第２端子間の電圧を保持する。保持容量１４０に蓄積された電荷により、選択トランジスタ１３６が非導通状態となった後も、一定期間は駆動トランジスタ１３４の制御端子に電圧が印加され、駆動トランジスタ１３４の導通状態が保たれる。保持容量１４０は、駆動トランジスタ１３４の制御端子−第２端子間に接続される。
【００３０】
発光素子１３８は、アノード、発光層及びカソードの順に積層された層構造を有している。発光素子１３８は、アノードが駆動トランジスタ１３４の第２端子に接続され、カソードが共通電位線に接続されている。発光素子１３８としては、供給される電流に応じた輝度の光を発する電流駆動型の発光素子１３８を用いることができる。本実施形態においては、発光素子１３８として、有機発光ダイオードを用いる。
【００３１】
以上、本実施形態に係る表示装置１００に含まれる複数の画素回路１２８の各々の回路構成について説明した。
【００３２】
複数の走査信号線１３０の各々は、行列状に配列された画素回路１２８の内、同一行に配列された複数の画素回路１２８に接続されている。ここで、複数の走査信号線１３０の各々は、当該複数の画素回路１２８の各々に含まれる３個の副画素回路１２９に接続されている。
【００３３】
複数の映像信号線１３２の各々は、行列状に配列された画素回路１２８の内、同一列に配列された複数の副画素回路１２９に接続されている。
【００３４】
温度センサ回路１２０は、第１基板１０２上に設けられている。温度センサ回路１２０は、温度センサ用配線１０８を有している。温度センサ用配線１０８のレイアウトについては既に説明した。温度センサ回路１２０は、温度センサ用配線１０８の抵抗変化率の温度依存性に基づいて温度を検出するために設けられている。温度センサ回路１２０は、複数の画素１０６の駆動時において、所定の周期で温度を検出する。所定の周期とは、例えば、１秒以下の周期、１０秒以下の周期、１分以下の周期又は１０分以下の周期であってもよい。
【００３５】
本実施形態において、抵抗変化率は、所定の参照温度（Ｔref）における温度センサ用配線１０８の抵抗値（Ｒref）を基準に算出される。つまり、所定の参照温度（Ｔref）を含む複数のサンプル温度における温度センサ用配線１０８の抵抗値（Ｒ）を予め取得しておき、表示装置１００内に設けられたメモリに格納しておく。例えば、表示装置１００の製造時において、温度センサ用配線１０８に所定の参照電圧（Ｖref）を印加し、温度センサ用配線１０８を流れる参照電流（Ｉref）及び参照抵抗値（Ｒref＝Ｖref／Ｉref）を取得しておく。ここで、所定の参照温度（Ｔref）は特に限定されず、０℃以上７０℃以下の範囲におけるいずれかの温度を用いることができる。好ましくは、１５℃以上３５℃以下の範囲におけるいずれかの温度を用いることができる。
【００３６】
表示装置１００の駆動時において表示装置１００の温度を検出する際は、温度センサ用配線１０８に前述の参照電圧Ｖrefを印加する。これによって検出された温度センサ用配線１０８を流れる電流（検知電流）をＩsense、これによって算出された抵抗値をＲsenseとすると、抵抗変化率は、例えば（Ｒsense−Ｒref）／Ｒrefで定義される。また、この抵抗変化率の定義は、各種電流値を用いると、１／（（Ｉsense／Ｉref）−１）と表現することができる。つまり、抵抗変化率に基づいて温度を算出することは、検知電流と参照電流の比であるＩsense／Ｉrefに基づいて温度を算出することに等しい。温度センサ用配線１０８の抵抗値を検出するための詳細な構成及びその方法については後述する。
【００３７】
温度センサ用配線１０８は、単数であってもよいし、複数であってもよい。複数である場合は、例えば複数の温度センサ用配線１０８の各々によって検出された温度を平均した数値を用いてもよい。また、例えば複数の温度センサ用配線１０８の各々の抵抗変化率を平均した数値から、温度を算出してもよい。
【００３８】
従来の表示装置においては、抵抗値の温度依存を用いることによって表示装置の温度を検出する技術が知られている。本実施形態に係る表示装置１００においては、これに代わり、温度センサ用配線１０８の抵抗変化率の温度依存性を用いることによって、表示装置１００の温度を検出することを特徴としている。詳細は後の実施例において説明するが、本実施形態に係る表示装置１００は、このような構成を有することによって、従来の表示装置よりも検出される温度のばらつきを小さく抑えることができる。つまり、従来の表示装置よりも高精度で温度を検知することができる。
【００３９】
温度利得取得回路１２２は、温度センサ回路１２０に接続され、表示装置１００の温度を決定する。そして、温度利得取得回路１２２は、当該温度に応じて階調信号の利得Ｇを決定する。温度利得取得回路１２２は、センサ電源回路１２２ａ、電流測定回路１２２ｂ及び温度利得演算回路１２２ｃを含んでいる。
【００４０】
センサ電源回路１２２ａは、電流測定回路１２２ｂを駆動するための電源を供給する。電流測定回路１２２ｂは、温度センサ用配線１０８に接続され、温度センサ用配線１０８の２点間に、参照電圧（Ｖref）を印加する。これによって、温度センサ用配線１０８に流れる電流（Ｉsense）を検出する。
【００４１】
そして、検出時における温度センサ用配線１０８の抵抗値を、Ｒsense＝Ｖref／Ｉsenseとして算出する。そして、前述した抵抗変化率の定義（（Ｒsense−Ｒref）／Ｒref）を用いて、温度センサ用配線１０８の抵抗変化率を算出する。この抵抗変化率から、表示装置１００の温度を算出する。また、前述のように、各種電流で表現した抵抗変化率として、１／（（Ｉsense／Ｉref）−１）を用いてもよい。
【００４２】
温度利得演算回路１２２ｃは、カソードを通過する電流の温度依存を低減させるように利得Ｇを決定する。前述のように、発光素子１３８のアノード及びカソード間に印加される電圧が一定であるときに、表示装置１００の温度が上昇すると、カソード及びアノードを流れる電流は増加する。これによって、表示画像に応じて入力される階調は一定であるにも関わらず、発光素子１３８が発する光の輝度が上昇してしまう。このような温度に応じた輝度の変化を抑えるためには、入力される階調を温度に応じて調整すればよい。
【００４３】
前述の利得Ｇは、参照温度における、赤、緑及び青の副画素の各々が２５５階調である場合（白表示時）のアノード電流が、任意の温度環境においても一定に保たれるように、入力される階調を調整する。つまり、参照温度（Ｔref）において２５５階調を入力した場合のアノード電流と、任意の温度環境において、２５５に利得Ｇを乗じた値に最も近い整数の階調を入力した場合のアノード電流とが等しくなるような利得Ｇを算出する。
【００４４】
入力回路１２４は、表示画像に応じた階調信号の入力を外部回路から受付け、当該階調信号を階調信号制御回路１２６に出力する。本実施形態においては、赤、緑及び青の副画素の各々に対応する階調信号は、８ビットで表現される。つまり、階調信号は、離散化された０階調から２５５階調の２５６段階で表現される。ここで、０階調は発光せず、２５５階調は最も輝度が高いとする。
【００４５】
階調信号制御回路１２６は、ガンマ補正回路１２６ａ及び階調信号補正回路１２６ｂを含んでいる。階調信号制御回路１２６は、入力回路１２４から階調信号の入力を受付け、以下に説明するように階調信号を補正する。そして、階調信号制御回路１２６は、補正した階調信号を映像信号線駆動回路１１８に出力する。
【００４６】
階調信号補正回路１２６ｂは、温度センサ回路１２０が検出した温度に応じて、階調信号を補正する。具体的には、階調信号補正回路１２６ｂは、温度利得演算回路１２２ｃが決定した利得Ｇに応じて階調信号を補正する。更に具体的には、温度利得演算回路１２２ｃが算出した利得Ｇを、階調信号に乗じた数値を補正された階調信号とする。ここで、任意の温度環境において用いられる利得Ｇについては、表示装置１００の製造時において予め取得しておき、表示装置１００内に設けられたメモリに格納しておく。ここで、利得Ｇに応じたルックアップテーブルを参照して、階調を補正する。
【００４７】
ガンマ補正回路１２６ａは、階調信号のガンマ値に応じて、階調信号を補正する。具体的には、ガンマ値に応じたルックアップテーブルを参照して、階調を補正する。
【００４８】
映像信号線駆動回路１１８は、ＤＡコンバータ１１８ａ及びアンプ回路１１８ｂを含んでいる。映像信号線駆動回路１１８は、複数の映像信号線１３２に接続されている。
【００４９】
ＤＡコンバータ１１８ａは、階調信号制御回路１２６から、補正された階調信号を受付ける。補正された階調信号は、本実施形態においては８ビットのデジタルデータであり、ＤＡコンバータ１１８ａによって、当該デジタルデータに対応する電位のアナログデータに変換される。
【００５０】
アンプ回路１１８ｂは、ＤＡコンバータ１１８ａから、変換されたアナログデータの入力を受付ける。アンプ回路１１８ｂは、当該アナログデータを所定の電位の映像信号に変換する。
【００５１】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。本実施形態に刈る表示装置１００の構成によれば、温度センサ用配線１０８の抵抗変化率の温度依存性を用いることによって、表示装置１００の温度を検出することを特徴としている。本実施形態に係る表示装置１００は、このような構成を有することによって、従来の表示装置よりも検出される温度のばらつきを小さく抑えることができる。つまり、従来の表示装置よりも高精度で温度を検知することができる。
【００５２】
更に、以上のようにして決定された表示装置１００の温度に基づいて、表示装置１００のカソード電流を一定に保つように調節する。これによって、表示装置１００の置かれる温度環境が変動しても、カソード電流を高精度で一定に保つことができ、表示装置１００が発する光の輝度の変動を抑制することができる。
【００５３】
＜第２実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置２００の構成について説明する。図６は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を説明する平面図である。本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００に比べると、温度センサ用配線１０８のレイアウトが異なっている。
【００５４】
本実施形態においては、２本の温度センサ用配線１０８が設けられている。２本の温度センサ用配線１０８の各々は、表示領域１０２ａ内において垂直方向に延びる４本の垂直部１０８ａと、４本の垂直部１０８ａを連結する３本の水平部１０８ｂとを有している。垂直部１０８ａは、表示領域１０２ａ内においてほぼ等間隔で配置されている。３本の水平部１０８ｂの各々は、表示領域１０２ａの上端又は下端付近に配置されている。このように、４本の垂直部１０８ａがほぼ等間隔に配置されることによって、表示装置２００の、特に表示領域１０２ａ内の温度を正確に検知することができる。本実施形態のように複数の温度センサ用配線１０８が設けられる場合は、例えば複数の温度センサ用配線１０８の各々によって検出された温度を平均した数値を用いてもよい。また、例えば複数の温度センサ用配線１０８の各々の抵抗変化率を平均した数値から、温度を算出してもよい。
【００５５】
＜第３実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置３００の構成について説明する。図７は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する平面図である。本実施形態に係る表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００に比べると、温度センサ用配線１０８のレイアウトが異なっている。
【００５６】
本実施形態においては、温度センサ用配線１０８は、少なくとも一部が表示領域１０２ａの周囲に配置されている。本実施形態のように、表示領域１０２ａ内に温度センサ用配線１０８を設けず、表示領域１０２ａの周囲に温度センサ用配線１０８が設けることによって、表示領域１０２ａ内の配線のレイアウトについて新たに制限が課されることは無い。
【００５７】
＜第４実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置４００の構成について説明する。図８は、本実施形態に係る表示装置４００の構成を説明する平面図である。本実施形態に係る表示装置４００は、第１実施形態に係る表示装置１００に比べると、検査回路１４２を更に備えている点で異なっている。検査回路１４２は、複数の画素回路１２８に接続され、複数の画素回路１２８の品質検査のために設けられている。当該品質検査は、表示装置４００の製造時において、ドライバＩＣ１１２を実装する前に行われる。尚、従来の表示装置においても検査回路１４２が設けられるが、製品としての使用時には検査回路１４２が表示装置の駆動には関わることはない。
【００５８】
本実施形態に係る表示装置４００においては、製品としての使用時に検査回路１４２が表示装置４００の駆動に関わる点で、従来の表示装置とは異なっている。本実施形態に係る表示装置４００においては、温度センサ用配線１０８として、検査回路１４２の配線を利用する。つまり、温度センサ用配線１０８は、少なくとも一部が検査回路１４２と共有されることを特徴としている。以下、検査回路１４２の詳細な構成について説明する。
【００５９】
図９は、本実施形態に係る表示装置４００が有する検査回路１４２の構成を説明する回路図である。本実施形態に係る表示装置４００が有する検査回路１４２は、第１制御信号線１４４ａ、第２制御信号線１４４ｂ、第１アナログ信号線１４６ａ、第２アナログ信号線１４６ｂ、第３アナログ信号線１４６ｃ、初期化信号線１４８、第１電源電位線１５０ａ、第２電源電位線１５０ｂ、複数の第１制御スイッチ１５２ａ、複数の第２制御スイッチ１５２ｂ及び複数の保護ダイオードＰＤを有する。
【００６０】
第１及び第２制御信号線は、複数の映像信号線１３２に交差して配置されている。第１乃至第３アナログ信号線は、複数の映像信号線１３２に交差して配置されている。複数の第１制御スイッチ１５２ａの各々は、複数の映像信号線１３２の各々と、第１乃至第３アナログ信号線のいずれかとを接続している。複数の第１制御スイッチ１５２ａの制御端子は、第１制御信号線１４４ａに接続されている。複数の第２制御スイッチ１５２ｂの各々は、複数の映像信号線１３２の各々と、初期化信号線１４８とを接続している。複数の第２制御スイッチ１５２ｂの制御端子は、第２制御信号線１４４ｂに接続されている。第１及び第２制御信号線と、第１乃至第３アナログ信号線との各々の両端には、保護ダイオードＰＤが接続されている。第１電源電位線１５０ａ及び第２電源電位線１５０ｂは、複数の保護ダイオードＰＤに接続され、保護ダイオードＰＤへ電源ＶＧＨ、ＶＧＬを供給する。
【００６１】
次いで、検査回路１４２を用いた品質検査方法について説明する。第１制御信号線１４４ａの両端には、信号Ｔ＿ＧＡＴＥ１が入力される。信号Ｔ＿ＧＡＴＥ１は、複数の第１制御スイッチ１５２ａのオンオフを制御する。複数の第１制御スイッチ１５２ａがオンのときは、複数の映像信号線１３２の各々に、信号Ｔ＿ＤＡＴＡ１乃至信号Ｔ＿ＤＡＴＡ３のいずれかが入力される。これによって、表示領域１０２ａにおいて選択された画素行に配列された複数の画素１０６の各々に、信号Ｔ＿ＤＡＴＡ１乃至信号Ｔ＿ＤＡＴＡ３のいずれかが入力され、当該複数の画素１０６の発光を検査する。
【００６２】
第２制御信号線１４４ｂの両端には、信号Ｔ＿ＧＡＴＥ２が入力される。信号Ｔ＿ＧＡＴＥ２は、複数の第２制御スイッチ１５２ｂのオンオフを制御する。複数の第２制御スイッチ１５２ｂがオンのときは、複数の映像信号線１３２の各々に、信号ＶＩＮＩが入力される。これによって、表示領域１０２ａにおいて選択された画素行に配列された複数の画素１０６の各々に、信号ＶＩＮＩが入力される。信号ＶＩＮＩは、例えば、画素１０６の閾値補償において、駆動トランジスタ１３４のゲートに印加される初期化電位に相当する。以上、検査回路１４２の構成及びそれを用いた品質検査の方法について説明した。
【００６３】
本実施形態においては、第１及び第２制御信号線、第１乃至第３アナログ信号線、初期化信号線１４８、第１及び第２電源電位線の内、少なくとも一つ以上を温度センサ用配線１０８として用いる。
【００６４】
このような構成を有することによって、温度センサ用配線１０８を別途設ける必要が無い。これによって、例えば表示領域１０２ａの周囲に温度センサ用配線１０８を配置する必要が無いため、表示領域１０２ａの周囲において表示に関わらない額縁領域が増加することなく、温度センサを設けることができる。
【００６５】
上述の各実施形態で説明した通り、本発明に係る表示装置においては、温度センサ用配線１０８を設け、その抵抗変化率の温度依存性に基づいて、表示装置の温度を検出することを特徴の一つとしている。本発明に係る表示装置は、このような構成を有することによって、配線抵抗の値そのものと温度との依存性に基づいて温度を検出するよりも、検出される温度の測定ばらつきを小さく抑えることができる。つまり、本発明に係る表示装置は、高精度で温度を測定することができる。
【００６６】
以下では、温度センサ用配線１０８を設けた表示装置の７台（サンプルＡからサンプルＧ）の温度検出のばらつきにの大小ついて説明する。。図１０は、サンプルＡからサンプルＧの温度センサ用配線１０８における、検知された抵抗値（Ｒsense）と温度（Ｔ）との関係を示す測定データである。図１１は、サンプルＡからサンプルＧの温度センサ用配線１０８における、抵抗変化率と温度との関係を示す測定データである。図１１に示した抵抗変化率は、図１０に示した抵抗値から算出したものである。ここで、抵抗変化率は、（Ｒsense−Ｒref）／Ｒrefとして算出した。ここで、参照温度（Ｔref）を２５℃として、参照抵抗（Ｒref）は、２５℃において検知された温度センサ用配線１０８の抵抗とした。
【００６７】
図１０及び図１１からわかるように、抵抗値及び抵抗変化率はいずれも温度の変化に対してほぼ線形に変化する。ここで、図１０に示す抵抗値と温度との関係は、図１１に示す抵抗変化率と温度との関係に比べ、サンプル間のばらつきが大きいことがわかる。このばらつきは、例えば、温度センサ用配線１０８の長さ及び幅等の形状に起因するものである。つまり、表示装置の温度を検知する際に、温度センサ用配線１０８の抵抗値を用いる場合は、その抵抗変化率を用いる場合に比べて、温度センサ用配線１０８の形状の設計値からのずれが大きく反映される。そこで、抵抗値に代えて抵抗変化率を用いることにより、温度センサ用配線１０８の形状の設計値からのずれが反映されにくくなる。これによって、精度が向上した温度検知が可能になる。
【００６８】
また、用いる温度センサ用配線１０８が複数である表示装置における、当該表示装置が備える複数の温度センサ用配線１０８の間のばらつきも、抵抗値と温度との関係の方が抵抗変化率と温度との関係よりも大きい。よって、抵抗値を用いて温度を検知する場合は、前述のばらつきが大きいために、複数の温度センサ用配線１０８毎に抵抗値と温度との関係を取得し、表示装置内のメモリに格納しておく必要がある。
【００６９】
一方、用いる温度センサ用配線１０８が複数である場合であって、抵抗変化率を用いて温度を検知する場合は、温度センサ用配線１０８の間のばらつきが小さいので、抵抗変化率と温度との関係が殆ど一意的に定まるため、一意的に定まった抵抗変化率と温度との関係のみを、表示装置内のメモリに格納しておけばよい。
【００７０】
以上、表示装置内に設けられた複数の温度センサ用配線１０８について、それらの抵抗値及び抵抗変化率の温度依存性の測定データを示した。上述の実施形態に係る表示装置においては、温度センサ用配線１０８の抵抗値の温度依存性に代わり、温度センサ用配線１０８の抵抗変化率の温度依存性を用いることによって、表示装置の温度を検出することを特徴としている。このような構成を有することによって、検出される温度のばらつきを小さく抑えることができる。つまり、高精度で温度を検知することができる。これによって、表示装置の置かれる温度環境が変動しても、カソード電流を高精度で一定に保つことができ、表示装置が発する光の輝度の変動を抑制することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１００：表示装置  １０２：第１基板  １０２ａ：表示領域  １０２ｂ：端子領域  １０４：第２基板  １０６：画素  １０８：温度センサ用配線  １０８ａ：垂直部  １０８ｂ：水平部  １１０：接続端子  １１２：ドライバＩＣ  １１４：シール材  １１６：走査信号線駆動回路  １１８：映像信号線駆動回路  １１８ａ：ＤＡコンバータ  １１８ｂ：アンプ回路  １２０：温度センサ回路  １２２：温度利得取得回路  １２２ａ：センサ電源回路  １２２ｂ：電流測定回路  １２２ｃ：温度利得演算回路  １２４：入力回路  １２６：階調信号制御回路  １２６ａ：ガンマ補正回路  １２６ｂ：階調信号補正回路  １２８：画素回路  １２９：副画素回路  １３０：走査信号線  １３２：映像信号線  １３４：駆動トランジスタ  １３６：選択トランジスタ  １３８：発光素子  １４０：保持容量  １４２：検査回路  １４４ａ：第１制御信号線  １４４ｂ：第２制御信号線  １４６ａ：第１アナログ信号線  １４６ｂ：第２アナログ信号線  １４６ｃ：第３アナログ信号線  １４８：初期化信号線  １５０ａ：第１電源電位線  １５０ｂ：第２電源電位線  １５２ａ：第１制御スイッチ  １５２ｂ：第２制御スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2018054915.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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