(57)【要約】【課題】フレキシブル性を有する液晶表示装置を容易に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板上の第１領域に、第１樹脂から成る第１樹脂部を形成するとともに、前記ガラス基板上の第２領域に、前記第１樹脂よりも赤外線の吸収率が小さい第２樹脂から成る第２樹脂部を形成することにより前記フレキシブル基板を形成する第１工程と、前記第１工程の後に、前記第１樹脂部に赤外線を照射して、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する第２工程と、を含む。【選択図】図１３
2018169458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれがフレキシブル基板を含み、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、
ガラス基板上の第１領域に、赤外線を吸収する性質を有する第１樹脂から成る第１樹脂部を形成するとともに、前記ガラス基板上の第２領域に、前記第１樹脂よりも赤外線の吸収率が小さい第２樹脂から成る第２樹脂部を形成することにより前記フレキシブル基板を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１樹脂部に赤外線を照射して、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する第２工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記第２工程の後に、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離する第３工程を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１樹脂部にはスリットが形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１領域は、表示パネルの外周の外側に相当する領域であり、前記第２領域は、前記外周より内側の領域である、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程では、前記第１樹脂部に赤外線を吸収させて体積膨張させることにより、前記第１樹脂部上に形成された前記２樹脂部にクラックを発生させて、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１基板は、電子部品を接続するための端子部を含み、
前記第１基板に含まれる第１フレキシブル基板を構成する前記第１樹脂部は、平面視で前記端子部より外側に形成されており、
前記第２基板に含まれる第２フレキシブル基板を構成する前記第１樹脂部は、平面視で前記第１フレキシブル基板を構成する前記第１樹脂部より内側に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
それぞれがフレキシブル基板を含み、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、
ガラス基板上の第１領域に、紫外線を吸収する性質を有する光吸収膜から成り、スリットを有する第１剥離部を形成するとともに、前記ガラス基板上の第２領域に、前記第１剥離部と同一材料から成る第２剥離部を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１剥離部及び前記第２剥離部上に樹脂材料から成るフレキシブル基板を形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記第１剥離部及び前記第２剥離部に紫外線を照射して、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離するとともに、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する第３工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第３工程では、
前記第１剥離部及び前記第２剥離部に紫外線を照射することにより前記第１剥離部及び前記第２剥離部を結晶化させて、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離し、かつ、
前記第１剥離部に紫外線を照射することにより、前記第１剥離部を結晶化させるとともに、前記スリットの端部に応力集中を生じさせることにより、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する、
ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第３工程の前に、薄膜トランジスタを構成する半導体層と同一材料から成り、スリットを有する半導体層部を、平面視で前記第１剥離部に重なるように形成する第４工程をさらに含み、
前記第３工程では、
前記第１剥離部及び前記第２剥離部に紫外線を照射することにより前記第１剥離部及び前記第２剥離部を結晶化させて、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離し、かつ、
前記第１剥離部及び前記半導体層部に紫外線を照射することにより、前記第１剥離部及び前記半導体層部を結晶化させるとともに、前記第１剥離部及び前記半導体層部のそれぞれの前記スリットの端部に応力集中を生じさせることにより、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する、
ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタ基板を製造する工程と、カラーフィルタ基板を製造する工程と、両基板を貼り合せる工程と、両基板を貼り合せた後に、表示パネルのサイズに切断する工程とを含んでいる。切断工程では、一般的に、カッターにより薄膜トランジスタ基板及びカラーフィルタ基板を切断している。また、切断工程では、薄膜トランジスタ基板に形成された、電子回路を接続するための端子部を露出させるために、カラーフィルタ基板における、平面視で上記端子部に重なる部分を切断している（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１１８１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年提案されているフレキシブル性を有する液晶表示装置では、薄膜トランジスタ基板及びカラーフィルタ基板のそれぞれに、ガラス基板の代わりにフレキシブル材料（例えば、ポリイミド系樹脂材料）から成るフレキシブル基板が含まれている。このような液晶表示装置では、フレキシブル材料をガラスのようにカッターで簡単に切断することが難しいため、製造工程が複雑化する恐れがある。また例えばフレキシブル材料にカッターの刃を深く入れてフレキシブル材料を切断しようとすると、フレキシブル材料の下に配置された上記端子部に破損や断線が生じる等、製造ミスにつながる恐れもある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フレキシブル性を有する液晶表示装置を容易に製造することができる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、それぞれがフレキシブル基板を含み、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、ガラス基板上の第１領域に、赤外線を吸収する性質を有する第１樹脂から成る第１樹脂部を形成するとともに、前記ガラス基板上の第２領域に、前記第１樹脂よりも赤外線の吸収率が小さい第２樹脂から成る第２樹脂部を形成することにより前記フレキシブル基板を形成する第１工程と、前記第１工程の後に、前記第１樹脂部に赤外線を照射して、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する第２工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、さらに、前記第２工程の後に、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離する第３工程を含んでもよい。
【０００８】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１樹脂部にはスリットが形成されてもよい。
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１領域は、表示パネルの外周の外側に相当する領域であり、前記第２領域は、前記外周より内側の領域であってもよい。
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第２工程では、前記第１樹脂部に赤外線を吸収させて体積膨張させることにより、前記第１樹脂部上に形成された前記２樹脂部にクラックを発生させて、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断してもよい。
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１基板は、電子部品を接続するための端子部を含み、前記第１基板に含まれる第１フレキシブル基板を構成する前記第１樹脂部は、平面視で前記端子部より外側に形成されており、前記第２基板に含まれる第２フレキシブル基板を構成する前記第１樹脂部は、平面視で前記第１フレキシブル基板を構成する前記第１樹脂部より内側に形成されてもよい。
【００１２】
また上記課題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、それぞれがフレキシブル基板を含み、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、ガラス基板上の第１領域に、紫外線を吸収する性質を有する光吸収膜から成り、スリットを有する第１剥離部を形成するとともに、前記ガラス基板上の第２領域に、前記第１剥離部と同一材料から成る第２剥離部を形成する第１工程と、前記第１工程の後に、前記第１剥離部及び前記第２剥離部上に樹脂材料から成るフレキシブル基板を形成する第２工程と、前記第２工程の後に、前記第１剥離部及び前記第２剥離部に紫外線を照射して、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離するとともに、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断する第３工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第３工程では、前記第１剥離部及び前記第２剥離部に紫外線を照射することにより前記第１剥離部及び前記第２剥離部を結晶化させて、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離し、かつ、前記第１剥離部に紫外線を照射することにより、前記第１剥離部を結晶化させるとともに、前記スリットの端部に応力集中を生じさせることにより、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断してもよい。
【００１４】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第３工程の前に、薄膜トランジスタを構成する半導体層と同一材料から成り、スリットを有する半導体層部を、平面視で前記第１剥離部に重なるように形成する第４工程をさらに含み、前記第３工程では、前記第１剥離部及び前記第２剥離部に紫外線を照射することにより前記第１剥離部及び前記第２剥離部を結晶化させて、前記ガラス基板を前記フレキシブル基板から剥離し、かつ、前記第１剥離部及び前記半導体層部に紫外線を照射することにより、前記第１剥離部及び前記半導体層部を結晶化させるとともに、前記第１剥離部及び前記半導体層部のそれぞれの前記スリットの端部に応力集中を生じさせることにより、前記フレキシブル基板における前記第１領域に対応する部分を切断してもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、フレキシブル性を有する液晶表示装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２】本実施形態に係る表示パネルの表示領域の概略構成を示す平面図である。
【図３】本実施形態に係る表示パネルの画素の構成を示す平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ´断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ´断面図である。
【図６】（ａ）は本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における基板貼り合せ工程後の状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ´断面図である。
【図７】図６（ｂ）の詳細を示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１４】本実施形態に係る液晶表示装置の他の製造方法を説明するための図である。
【図１５】本実施形態に係る液晶表示装置の他の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本発明の実施形態では、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶表示装置を例に挙げるが、これに限定されず、例えばＣＯＦ（Chip On Film）方式又はＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式の液晶表示装置であってもよい。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図及び断面図である。液晶表示装置１は、表示パネル１０、ソースドライバＩＣ２０、ゲートドライバＩＣ３０、及び、バックライト（図示せず）を含んで構成されている。表示パネル１０は、薄膜トランジスタ基板１００（ＴＦＴ基板）（第１基板）、カラーフィルタ基板２００（ＣＦ基板）（第２基板）、及び、両基板間に挟持された液晶層３００を含んでいる。表示パネル１０は、画像を表示する表示領域１０ａと、表示領域１０ａの周囲の非表示領域１０ｂとを含んでいる。ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、薄膜トランジスタ基板１００に搭載されている。ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０の数は限定されない。
【００１９】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。薄膜トランジスタ基板１００は、フレキシブル材料により形成されたフレキシブル基板１０３と、フレキシブル基板１０３の表示面側に形成されたＴＦＴ素子層１０５と、フレキシブル基板１０３の背面側に形成された偏光板１３０と、を含んでいる。ＴＦＴ素子層１０５の非表示領域１０ｂには、端子部３１と、端子部３１に電気的に接続されたソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０とが設けられている。カラーフィルタ基板２００は、フレキシブル材料により形成されたフレキシブル基板２０３と、フレキシブル基板２０３の背面側に形成されたＣＦ素子層２０５と、フレキシブル基板２０３の表示面側に形成された偏光板２３０と、を含んでいる。薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００との間には液晶層３００が配置されており、液晶層３００の周囲にはシール材３１０が形成されている。
【００２０】
図２は、表示パネル１０における表示領域１０ａの概略構成を示す平面図（等価回路図）である。表示パネル１０には、第１方向（例えば列方向）に延在する複数のソース線１１と、第２方向（例えば行方向）に延在する複数のゲート線１２とが設けられている。各ソース線１１と各ゲート線１２との各交差部には、薄膜トランジスタ１３（ＴＦＴ）が設けられている。各ソース線１１はソースドライバＩＣ２０（図１参照）に電気的に接続されており、各ゲート線１２はゲートドライバＩＣ３０（図１参照）に電気的に接続されている。
【００２１】
表示パネル１０には、各ソース線１１と各ゲート線１２との各交差部に対応して、複数の画素１４がマトリクス状（行方向及び列方向）に配置されている。薄膜トランジスタ基板１００には、画素１４ごとに配置された複数の画素電極１５と、複数の画素１４に共通する共通電極１６とが設けられている。
【００２２】
各ソース線１１には、ソースドライバＩＣ２０からデータ信号（データ電圧）が供給され、各ゲート線１２には、ゲートドライバＩＣ３０からゲート信号（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。共通電極１６には、コモンドライバ（図示せず）から共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。ゲート信号のオン電圧（ゲートオン電圧）がゲート線１２に供給されると、ゲート線１２に接続された薄膜トランジスタ１３がオンし、薄膜トランジスタ１３に接続されたソース線１１を介して、データ電圧が画素電極１５に供給される。画素電極１５に供給されたデータ電圧と、共通電極１６に供給された共通電圧Ｖｃｏｍとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素１４の画素電極１５に接続されたそれぞれのソース線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。
【００２３】
図３は、画素１４の構成を示す平面図である。図４は図３のＢ−Ｂ´断面図であり、図５は図３のＣ−Ｃ´断面図である。図３〜図５を参照しつつ、表示パネル１０の具体的な構成について説明する。
【００２４】
図３において、隣り合う２本のソース線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、薄膜トランジスタ１３が設けられている。図３に示すように、薄膜トランジスタ１３は、絶縁膜１２１（図４参照）上に形成された半導体層１７と、半導体層１７上に形成されたドレイン電極１８及びソース電極１９とを含んで構成されている。ドレイン電極１８はソース線１１に電気的に接続されており、ソース電極１９はスルーホール２１を介して画素電極１５に電気的に接続されている。
【００２５】
各画素１４には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。各画素１４に共通して、表示領域全体にＩＴＯ等の透明導電膜からなる１つの共通電極１６が形成されている。なお、共通電極１６における、スルーホール２１及び薄膜トランジスタ１３のソース電極１９に重なる領域には、画素電極１５とソース電極１９とを電気的に接続させるための開口部が形成されている。
【００２６】
図４及び図５に示すように、表示パネル１０は、背面側に配置された薄膜トランジスタ基板１００と、表示面側に配置されたカラーフィルタ基板２００と、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んでいる。
【００２７】
薄膜トランジスタ基板１００では、フレキシブル基板１０３の表示面側に拡散防止層１０４を介してゲート線１２（図５）が形成され、ゲート線１２を覆うように絶縁膜１２１が形成されている。絶縁膜１２１上にはソース線１１（図４）が形成され、ソース線１１を覆うように絶縁膜１２２が形成されている。絶縁膜１２２上には共通電極１６が形成され、共通電極１６を覆うように絶縁膜１２３が形成されている。絶縁膜１２３上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１２４が形成されている。フレキシブル基板１０３の背面側には、偏光板１３０が形成されている。
【００２８】
カラーフィルタ基板２００では、フレキシブル基板２０３の背面側に拡散防止層２０４を介してブラックマトリクス２２２及びカラーフィルタ２０６（例えば、赤色カラーフィルタ２０６ｒ、緑色カラーフィルタ２０６ｇ、青色カラーフィルタ２０６ｂ）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２２３が形成されている。オーバコート層２２３上には配向膜２２４が形成されている。フレキシブル基板２０３の表示面側には、偏光板２３０が形成されている。
【００２９】
液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。
【００３０】
配向膜１２４、２２４は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。
【００３１】
画素１４を構成する各部の積層構造は、図４及び図５の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。また上記のように、液晶表示装置１は、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の構成を有している。液晶表示装置１の構成は、上記構成に限定されない。
【００３２】
次に、液晶表示装置１の製造方法について説明する。液晶表示装置１の製造方法は、薄膜トランジスタ基板１００（第１基板）を製造する薄膜トランジスタ基板製造工程と、カラーフィルタ基板２００（第２基板）を製造するカラーフィルタ基板製造工程と、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００を貼り合せる基板貼り合わせ工程と、下地のガラス基板を剥離する剥離工程と、表示パネル１０（液晶セル）ごとに切断する切断工程と、を含んでいる。
【００３３】
図６（ａ）は、基板貼り合せ工程後の状態を示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ´断面図である。図６に示す例では、９枚分の表示パネル１０を製造する工程を示している。以下では、便宜上、図６の点線で囲んだ１枚の表示パネル１０に着目して説明する。図７は、図６（ｂ）の詳細な構成を示す断面図である。
【００３４】
薄膜トランジスタ基板製造工程及びカラーフィルタ基板製造工程では、先ず、図８に示すように、ガラス基板（マザーガラス）上に、ａ−Ｓｉ、ａ−Ｇｅ等の紫外線又は近紫外線を吸収する性質を有する光吸収膜を、ＣＶＤ、スパッタ、或いは塗布・焼成等のいずれかの方法を用いて成膜し、剥離層を形成する。剥離層は、ａ−Ｓｉ、ａ−Ｇｅ等から成り、紫外線又は近紫外線を吸収して、急激に体積変化や構造変化を起こす性質を有する。続いて、アクリル系樹脂を主成分とする樹脂（第１樹脂）により、液晶表示装置１（表示パネル１０）の外周に相当する領域を取り囲むように帯状又は格子状にパターン化した第１樹脂パターン（第１樹脂部）を形成する。第１樹脂は、赤外線を吸収する性質を有し、例えば有機材料を用いることができる。第１樹脂パターンの形成方法は、特に限定されず、例えば、感光性を付加した樹脂と所定のマスクを用いてフォトリソプロセスで形成する方法や、非感光性の樹脂をインクジェットやディスペンサ等で直接描画する方法を採用することができる。第１樹脂パターンを焼成後、剥離層が形成されたガラス基板上に、完成時の樹脂基板（フレキシブル基板）となるポリイミド系樹脂を主成分とする樹脂（第２樹脂）を塗布及び焼成して、第２樹脂部を形成する。第２樹脂部は、第１樹脂よりも赤外線の吸収率が小さい性質を有する。ガラス基板は樹脂基板の補強層となるため、０．５〜１．０ｍｍの厚みを有するガラス基板を用いる。また剥離層の層厚は５０〜４００ｎｍとし、第１樹脂パターンの厚みは２〜１０ｕｍとし、第２樹脂部の厚みは５０〜２００ｕｍとする。このように、第１樹脂パターンは、スリットを有し第２樹脂部に埋め込まれた状態となる。
【００３５】
続いて、水分及びイオン性不純物等がＴＦＴ素子層１０５及びＣＦ素子層２０５に浸入することを防ぐために、第２樹脂部の表面にＳｉＮ膜等の拡散防止層を形成する。
【００３６】
薄膜トランジスタ基板製造工程では、図８に示す工程に続いて、図９（ａ）に示すように、図８に示す基板上にＴＦＴ素子層１０５を形成する。ＴＦＴ素子層１０５には、図４及び図５等に示した、各構成部材（ソース線１１、ゲート線１２、薄膜トランジスタ１３、画素電極１５、共通電極１６等）が含まれる。薄膜トランジスタ１３は、例えば、真空プロセス、有機材料を用いた塗布プロセス等により形成する。次に、ＴＦＴ素子層１０５上における非表示領域１０ｂ（図１参照）に端子部３１を形成する。端子部３１は、平面視で引き出し配線１０７に重なり、スルーホール（図示せず）を介して引き出し配線１０７に電気的に接続される。尚、第１樹脂パターン１０３Ａは、平面視で、端子部３１及び引き出し配線１０７の端部（図９（ａ）の点線部Ｌ１）より外側の領域に形成されている。以上の工程を経て、薄膜トランジスタ基板１００が製造される。
【００３７】
カラーフィルタ基板製造工程では、図８に示す工程に続いて、図９（ｂ）に示すように、図８に示す基板上にＣＦ素子層２０５を形成する。ＣＦ素子層２０５には、図４及び図５等に示した、各構成部材（カラーフィルタ２０６、ブラックマトリクス２２２等）が含まれる。尚、第１樹脂パターン２０３Ａは、薄膜トランジスタ基板１００を貼り合せたときに平面視で端子部３１に重なる領域（図９（ｂ）の領域Ｗ）が露出するように、第１樹脂パターン１０３Ａよりも表示領域１０ａに近い位置（内側）に形成されている。以上の工程を経て、カラーフィルタ基板２００が製造される。
【００３８】
基板貼り合わせ工程では、先ず、薄膜トランジスタ基板製造工程を経て製造された薄膜トランジスタ基板１００と、カラーフィルタ基板製造工程を経て製造されたカラーフィルタ基板２００との表面に配向膜（図４及び図５参照）を塗布し焼成する。その後、薄膜トランジスタ基板１００上の所定の位置にシール材３１０を塗布し（図１０（ｂ））、カラーフィルタ基板２００上の表示領域１０ａ（図１参照）に液晶３０１を滴下する（図１０（ａ））。次に、薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００とを貼り合わせ、紫外線を照射してシール材３１０を硬化させる（図１０（ｃ））。
【００３９】
切断工程では、図１１に示すように、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００のそれぞれの第１樹脂パターン１０３Ａ、２０３Ａに赤外線を照射する。赤外線を照射する処理は、赤外ランプを用いてもよいし、赤外線レーザを用いてもよい。第１樹脂パターン１０３Ａ、２０３Ａは赤外線を吸収して体積膨張又は脆化を起こし、第１樹脂パターン１０３Ａ、２０３Ａ上の第２樹脂部１０３Ｂ、２０３Ｂにクラックが発生する。これにより、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００のそれぞれは、クラックの部分で容易に切断、分離される。
【００４０】
剥離工程では、図１２に示すように、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００のそれぞれのガラス基板１０１、２０１側からライン状の光（例えば紫外線）を走査してガラス基板１０１、２０１とフレキシブル基板１０３、２０３との間に形成した剥離層１０２、２０２（光吸収膜）を結晶化させる。尚、上記ライン状の光は、レーザ光のように光の指向性が高く、エネルギー密度の高い光（コヒーレント光）であって、波長が２５０〜３５０ｎｍの範囲の光であることが望ましい。光吸収膜は結晶化の際に構造変化（収縮）が起こり内部歪が生じるため、フレキシブル基板１０３、２０３と剥離層１０２、２０２との間で剥離が起こる。これにより、ガラス基板１０１、２０１が剥離される。尚、薄膜トランジスタ基板１００上には端子部３１が露出される。端子部３１には、電子部品（例えばゲートドライバＩＣ３０）が搭載される。
【００４１】
以上の工程を経て、図１３に示す、第２樹脂部１０３Ｂ、２０３Ｂを基材（フレキシブル基板）としたフレキシブル性を有する液晶表示装置１（液晶セル）が完成する。
【００４２】
以上のように、上記製造方法では、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００を切断する部分に、基材（フレキシブル基板１０３、２０３）を構成する樹脂（第２樹脂部１０３Ｂ、２０３Ｂ）よりも赤外線の吸収率が大きい性質を有する樹脂（第１樹脂パターン１０３Ａ、２０３Ａ）を予め形成しておく。その後、第１樹脂パターン１０３Ａ、２０３Ａに赤外線を照射すると赤外線の吸収により熱せられた第１樹脂パターン１０３Ａ、２０３Ａが構造変化を起こし、第１樹脂パターン１０３Ａ上の第２樹脂部１０３Ｂ及びＴＦＴ素子層１０５と、第１樹脂パターン２０３Ａ上の第２樹脂部２０３Ｂ及びＣＦ素子層２０５とにクラックが入る。これにより、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００の一部が容易に切断、分離される。よって、フレキシブル性を有する液晶表示装置１を容易に製造することができ、製造ミスも防ぐことができる。
【００４３】
本発明は上記製造方法に限定されない。図１４は、液晶表示装置１の他の製造方法を示す図である。図１４に示す製造方法では、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００を切断、分離する位置（分離部）に、剥離層パターン１０２Ａ、２０２Ａ（第１剥離部）を形成し、分離部の内側のパネル部の領域に、第２剥離部１０２Ｂ，２０２Ｂを形成する。剥離層パターン１０２Ａ、２０２Ａは、アイランド状又はライン状に形成する。また剥離層パターン１０２Ａ、２０２Ａには、スリットを設ける。尚、フレキシブル基板１０３、２０３には、第１樹脂パターン１０３Ａ、２０３Ａ（図７参照）は含まれない。図１４に示す製造方法では、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００の裏面側から例えば紫外線を照射し、ａ−Ｓｉ等から成る剥離層（第２剥離部１０２Ｂ，２０２Ｂ）を結晶化させる。これにより、第２剥離部１０２Ｂ，２０２Ｂにおいて急激に構造変化が起こることで内部歪が生じ、パネル部においてガラス基板１０１、２０１から樹脂基板（フレキシブル基板１０３、２０３）が剥離する。一方、剥離層パターン１０２Ａ、２０２Ａが形成された分離部では、剥離層パターン１０２Ａ、２０２Ａのスリットの端部（エッジ部）において応力集中が生じ結晶化の際に樹脂基板（フレキシブル基板１０３、２０３）にクラックが入ることで、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００の一部が切断、分離される。
【００４４】
図１５は、液晶表示装置１の他の製造方法を示す図である。図１５に示す製造方法では、図１４に示す薄膜トランジスタ基板１００において、さらに、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００を切断、分離する位置（分離部）に、半導体層パターン１２０（半導体層部）を形成する。半導体層パターン１２０は、アイランド状又はライン状に形成する。また半導体層パターン１２０には、スリットを設ける。半導体層パターン１２０は、紫外線又は近紫外線を吸収して急激に体積・構造変化を起こす性質を有する材料であり、例えば、薄膜トランジスタ１３を構成する半導体層１７（図３参照）と同一材料で形成する。図１５に示す製造方法によれば、特に薄膜トランジスタ基板１００において、剥離層パターン１０２Ａ上の半導体層パターン１２０でも結晶化が起こるため、図１４に示す製造方法と比較して、樹脂基板（フレキシブル基板１０３）にクラックが入り易くなり、薄膜トランジスタ基板１００の一部を容易に切断、分離することができる。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４６】
１  液晶表示装置、１０  表示パネル、１０ａ  表示領域、１０ｂ  非表示領域、１１  ソース線、１２  ゲート線、１３  薄膜トランジスタ、１４  画素、１５  画素電極、１６  共通電極、２０  ソースドライバＩＣ、３０  ゲートドライバＩＣ、３１  端子部、  １００  薄膜トランジスタ基板、２００  カラーフィルタ基板、３００  液晶層、１０１，２０１  ガラス基板、１０２，２０２  剥離層、１０２Ａ，２０２Ａ  剥離層パターン、１０２Ｂ，２０２Ｂ  第２剥離部、１２０  半導体層パターン、１０３，２０３  フレキシブル基板、１０３Ａ，２０３Ａ  第１樹脂パターン、１０３Ｂ，２０３Ｂ  第２樹脂部、１０５  ＴＦＴ素子層、２０５  ＣＦ素子層、１０７  引き出し配線、３０１  液晶、３１０  シール材。
【図１】
2018169458.tif 000003
【図２】
2018169458.tif 000004
【図３】
2018169458.tif 000005
【図４】
2018169458.tif 000006
【図５】
2018169458.tif 000007
【図６】
2018169458.tif 000008
【図７】
2018169458.tif 000009
【図８】
2018169458.tif 000010
【図９】
2018169458.tif 000011
【図１０】
2018169458.tif 000012
【図１１】
2018169458.tif 000013
【図１２】
2018169458.tif 000014
【図１３】
2018169458.tif 000015
【図１４】
2018169458.tif 000016
【図１５】
2018169458.tif 000017