(57)【要約】【課題】クラックが発生し難く、且つ低いＥＳＲを有する電子部品を提供する。【解決手段】第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上に設けられている。第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上に設けられている。第１の外部電極１３は、セラミック粒子を含む第１の導電層１３ａを含んでいる。第２の外部電極１４は、セラミック粒子を含む第２の導電層１４ａを含んでいる。第１の内部電極１１の端部が、第１の導電層１３ａの内部に位置している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有し、セラミック粒子を含む電子部品本体と、
前記電子部品本体内に設けられた第１の内部電極と、
前記電子部品本体内に設けられ、前記第１の内部電極とセラミック層を介して積層方向に対向する第２の内部電極と、
前記第１の内部電極と長さ方向において対向し、前記第１の内部電極と離間して設けられた第１の補助電極と、
前記第２の内部電極と長さ方向において対向し、前記第２の内部電極と離間して設けられた第２の補助電極と、
前記第１の端面の上に設けられた第１の外部電極と、
前記第２の端面の上に設けられた第２の外部電極と、
を備え、
前記第１の外部電極は、セラミック粒子を含む第１の導電層を含み、
前記第２の外部電極は、セラミック粒子を含む第２の導電層を含み、
前記第１の内部電極の端部が、前記第１の導電層の内部に位置している、電子部品。
【請求項２】
前記第２の補助電極の端部が、前記第１の導電層の内部に位置している、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２の内部電極の端部が、前記第２の導電層の内部に位置している、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１の補助電極の端部が、前記第２の導電層の内部に位置している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１の外部電極は、前記第１の導電層の上に設けられた第３の導電層をさらに含み、
前記第１の導電層における前記セラミック粒子の含有量が、前記第３の導電層における前記セラミック粒子の含有量よりも多い、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第２の外部電極は、前記第２の導電層の上に設けられた第４の導電層をさらに含み、
前記第２の導電層における前記セラミック粒子の含有量が、前記第４の導電層における前記セラミック粒子の含有量よりも多い、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第３の導電層は、前記第１の導電層により前記電子部品本体と隔離されている、請求項５に記載の電子部品。
【請求項８】
前記第４の導電層は、前記第２の導電層により前記電子部品本体と隔離されている、請求項６に記載の電子部品。
【請求項９】
長さ方向及び積層方向に沿った断面を幅方向から視た際に、前記第１の内部電極の前記第１の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第１の補助電極の前記第２の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有する、請求項２に記載の電子部品。
【請求項１１】
長さ方向及び積層方向に沿った断面を幅方向から視た際に、前記第２の内部電極の前記第２の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有する、請求項３に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記第２の補助電極の前記第１の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有する、請求項４に記載の電子部品。
【請求項１３】
長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び積層方向に沿
って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有する電子部品本体と、
前記電子部品本体内に設けられた第１の内部電極と、
前記電子部品本体内に設けられ、前記第１の内部電極とセラミック層を介して積層方向に対向する第２の内部電極と、
前記第１の内部電極と長さ方向において対向し、前記第１の内部電極と離間して設けられた第１の補助電極と、
前記第２の内部電極と長さ方向において対向し、前記第２の内部電極と離間して設けられた第２の補助電極と、
前記第１の端面の上に設けられた第１の外部電極と、
前記第２の端面の上に設けられた第２の外部電極と、
を備え、
前記第１の外部電極は、セラミック粒子を含む第１の導電層を含み、
前記第２の外部電極は、セラミック粒子を含む第２の導電層を含み、
前記第１の内部電極の端部が、前記第１の導電層の内部に位置している、電子部品の製造方法であって、
前記セラミック層を構成するための第１のセラミックペースト層と、前記第１の導電層を構成するための第１の導電性ペースト層と、前記第２の導電層を構成するための第２の導電性ペースト層とを含む第１のグリーンシートを形成する第１のグリーンシート形成工程と、
前記第１のグリーンシートの上に、前記第１のセラミックペースト層の上及び前記第１の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、前記第１の内部電極を構成するための第３の導電性ペースト層と、前記第１のセラミックペースト層の上及び前記第２の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、前記第１の補助電極を構成するための第４の導電性ペースト層とを形成する工程と、
前記第１の導電性ペースト層の上方に位置し、前記第１の導電層を構成するための第５の導電性ペースト層と、前記第１のセラミックペースト層の上に位置し、前記セラミック層を構成するための第２のセラミックペースト層と、前記第２の導電性ペースト層の上方に位置し、前記第２の導電層を構成するための第６の導電性ペースト層とを含む第２のグリーンシートを形成する第２のグリーンシート形成工程と、
前記第２のグリーンシートの上に、前記第２のセラミックペースト層の上及び前記第６の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、前記第２の内部電極を構成するための第７の導電性ペースト層と、前記第２のセラミックペースト層の上及び前記第５の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、前記第２の補助電極を構成するための第８の導電性ペースト層とを形成する工程と、
前記第５の導電性ペースト層の上方に位置し、前記第１の導電層を構成するための第９の導電性ペースト層と、前記第２のセラミックペースト層の上方に位置し、前記セラミック層を構成するための第３のセラミックペースト層と、前記第６の導電性ペースト層の上方に位置し、前記第２の導電層を構成するための第１０の導電性ペースト層とを含む第３のグリーンシートを形成する第３のグリーンシート形成工程と、
を含む、電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の補助電極の端部が前記第１の導電層の内部に位置している、請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記セラミックペースト層並びに前記導電性ペースト層をインクジェット法により形成する、請求項１４に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、種々の電子機器に、例えば、積層セラミックコンデンサなどの電子部品が多数使用されている。例えば、特許文献１には、電子部品の一例として、直方体状のコンデンサ本体の端面の上のみに設けられており、内部電極が接続された導電層を含む外部電極を備える積層セラミック電子部品が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２７７３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の積層セラミック電子部品では、積層体のクラックが抑制できるものの、外部電極がセラミック材料である共材を含有するため、等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ：ＥＳＲ）が高いという課題が生じることがある。
【０００５】
本発明の主な目的は、クラックが発生し難く、且つ低いＥＳＲを有する電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１の補助電極と、第２の補助電極と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える。電子部品本体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びている。第１及び第２の側面は、長さ方向及び積層方向に沿って延びている。第１及び第２の端面は、幅方向及び積層方向に沿って延びている。電子部品本体は、セラミック粒子を含む。第１の内部電極は、電子部品本体内に設けられている。第２の内部電極は、電子部品本体内に設けられている。第２の内部電極は、第１の内部電極とセラミック層を介して積層方向に対向している。第１の補助電極は、第１の内部電極と長さ方向において対向している。第１の補助電極は、第１の内部電極と離間して設けられている。第２の補助電極は、第２の内部電極と長さ方向において対向している。第２の補助電極は、第２の内部電極と離間して設けられている。第１の外部電極は、第１の端面の上に設けられている。第２の外部電極は、第２の端面の上に設けられている。第１の外部電極は、セラミック粒子を含む第１の導電層を含んでいる。第２の外部電極は、セラミック粒子を含む第２の導電層を含んでいる。第１の内部電極の端部が、第１の導電層の内部に位置している。
【０００７】
本発明に係る電子部品では、第１の内部電極の端部が、第１の導電層内部に位置しているため、第１の外部電極の表面と第１の内部電極との間に位置している、比較的高い電気抵抗を有する第１の導電層の長さが短い。よって、第１の内部電極と第１の外部電極の表面との間の電気抵抗が低い。このため、第１の外部電極と第２の外部電極との間の電気抵抗が低い。従って、本発明に係る電子部品は、低いＥＳＲを有する。
【０００８】
例えば、ＥＳＲをより低くし、第１の内部電極と第１の外部電極との接続信頼性をより高める観点からは、第１の内部電極を第１の導電層を貫通するように設けることも考えられる。その場合は、第１の導電層に占める第１の内部電極の割合が高くなる。このため、第１の導電層と、電子部品本体との間の焼成時における熱収縮率の差が大きくなる。よって、焼成時にクラックが生じやすくなる。
【０００９】
それに対して本発明に係る電子部品では、第１の内部電極が第１の導電層を貫通しておらず、端部が第１の導電層内に位置するように第１の内部電極が設けられている。このため、第１の導電層に占める第１の内部電極の割合を低くすることができる。よって、第１の導電層と、電子部品本体との間の焼成時における熱収縮率の差を小さくすることができる。従って、本発明に係る電子部品では、焼成時にクラックが生じ難い。以上のように、本発明に係る電子部品では、第１の内部電極の端部が、第１の導電層内部に位置している。このため、本発明に係る電子部品は、クラックが発生し難く、且つ低いＥＳＲを有する。
【００１０】
本発明に係る電子部品では、第２の補助電極の端部が、第１の導電層の内部に位置していることが好ましい。この場合、第１の内部電極の端部のみならず、第２の補助電極の端部が、第１の導電層の内部に位置しているため、電子部品本体と外部電極との接合強度が高められており、その結果、第１の内部電極と第１の外部電極との接続信頼性が高められている。
【００１１】
本発明に係る電子部品では、第２の内部電極の端部が、第２の導電層の内部に位置していることが好ましい。この場合、第２の外部電極の表面と第２の内部電極との間に位置している、比較的高い電気抵抗を有する第２の導電層の長さが短い。よって、第２の内部電極と第２の外部電極の表面との間の電気抵抗が低い。このため、第１の外部電極と第２の外部電極との間の電気抵抗がより低い。従って、より低いＥＳＲが実現される。
【００１２】
また、第２の内部電極が第２の導電層を貫通しておらず、端部が第２の導電層内に位置するように第２の内部電極が設けられている。このため、第２の導電層に占める第２の内部電極の割合を低くすることができる。よって、第２の導電層と、電子部品本体との間の焼成時における熱収縮率の差を小さくすることができる。従って、焼成時にクラックがより生じ難い。
【００１３】
本発明に係る電子部品では、第１の補助電極の端部が、第２の導電層の内部に位置していることが好ましい。この場合、第２の内部電極の端部のみならず、第１の補助電極の端部が、第２の導電層の内部に位置しているため、電子部品本体と外部電極との接合強度が高められており、その結果、第２の内部電極と第２の外部電極との接続信頼性が高められている。
【００１４】
本発明に係る電子部品では、第２の内部電極と端部と第１の補助電極の端部とが、それぞれ、第２の導電層の内部に位置していることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る電子部品では、第１の外部電極は、第１の導電層の上に設けられた第３の導電層をさらに含んでいてもよい。その場合、第１の導電層におけるセラミック粒子の含有量は、第３の導電層におけるセラミック粒子の含有量よりも多い。
【００１６】
本発明に係る電子部品では、第２の外部電極は、第２の導電層の上に設けられた第４の導電層をさらに含んでいてもよい。その場合、第２の導電層におけるセラミック粒子の含有量が、第４の導電層におけるセラミック粒子の含有量よりも多い。
【００１７】
本発明に係る電子部品では、第３の導電層は、第１の導電層により電子部品本体と隔離されていることが好ましい。
【００１８】
本発明に係る電子部品では、第４の導電層は、第２の導電層により電子部品本体と隔離されていることが好ましい。
【００１９】
本発明に係る電子部品では、長さ方向及び積層方向に沿った断面を幅方向から視た際に、第１の内部電極の第１の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有することが好ましい。
【００２０】
本発明に係る電子部品では、長さ方向及び積層方向に沿った断面を幅方向から視た際に、第１の補助電極の第２の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有することが好ましい。
【００２１】
本発明に係る電子部品では、長さ方向及び積層方向に沿った断面を幅方向から視た際に、第２の内部電極の第２の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有することが好ましい。
【００２２】
本発明に係る電子部品では、長さ方向及び積層方向に沿った断面を幅方向から視た際に、第２の補助電極の第１の導電層の内部に位置する部分が、湾曲した形状を有することが好ましい。
【００２３】
本発明に係る電子部品の製造方法は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有する電子部品本体と、電子部品本体内に設けられた第１の内部電極と、電子部品本体内に設けられ、第１の内部電極とセラミック層を介して積層方向に対向する第２の内部電極と、第１の内部電極と長さ方向において対向し、第１の内部電極と離間して設けられた第１の補助電極と、第２の内部電極と長さ方向において対向し、第２の内部電極と離間して設けられた第２の補助電極と、第１の端面の上に設けられた第１の外部電極と、第２の端面の上に設けられた第２の外部電極と、を備え、第１の外部電極は、セラミック粒子を含む第１の導電層を含み、第２の外部電極は、セラミック粒子を含む第２の導電層を含み、第１の内部電極の端部が、第１の導電層の内部に位置している、電子部品の製造方法に関する。
【００２４】
本発明に係る電子部品の製造方法では、セラミック層を構成するための第１のセラミックペースト層と、第１の導電層を構成するための第１の導電性ペースト層と、第２の導電層を構成するための第２の導電性ペースト層とを含む第１のグリーンシートを形成する第１のグリーンシート形成工程を行う。第１のグリーンシートの上に、第１のセラミックペースト層の上及び第１の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、第１の内部電極を構成するための第３の導電性ペースト層と、第１のセラミックペースト層の上及び第２の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、第１の補助電極を構成するための第４の導電性ペースト層とを形成する工程を行う。第１の導電性ペースト層の上方に位置し、第１の導電層を構成するための第５の導電性ペースト層と、第１のセラミックペースト層の上に位置し、セラミック層を構成するための第２のセラミックペースト層と、第２の導電性ペースト層の上方に位置し、第２の導電層を構成するための第６の導電性ペースト層とを含む第２のグリーンシートを形成する第２のグリーンシート形成工程を行う。第２のグリーンシートの上に、第２のセラミックペースト層の上及び第６の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、第２の内部電極を構成するための第７の導電性ペースト層と、第２のセラミックペースト層の上及び第５の導電性ペースト層の長さ方向における外側端部を除いた一部の上に位置し、第２の補助電極を構成するための第８の導電性ペースト層とを形成する工程を行う。第５の導電性ペースト層の上方に位置し、第１の導電層を構成するための第９の導電性ペースト層と、第２のセラミックペースト層の上方に位置し、セラミック層を構成するための第３のセラミックペースト層と、第６の導電性ペースト層の上方に位置し、第２の導電層を構成するための第１０の導電性ペースト層とを含む第３のグリーンシートを形成する第３のグリーンシート形成工程を行う。
【００２５】
本発明に係る電子部品の製造方法によれば、本発明に係る電子部品を容易かつ好適に製造することができる。
【００２６】
本発明に係る電子部品の製造方法では、第２の補助電極の端部が第１の導電層の内部に位置していることが好ましい。
【００２７】
本発明に係る電子部品の製造方法では、セラミックペースト層並びに導電性ペースト層をインクジェット法により形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、クラックが発生し難く、且つ低いＥＳＲを有する電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る電子部品の模式的平面図である。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける模式的断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る電子部品の模式的平面図である。
【図５】図４の線Ｖ−Ｖにおける模式的断面図である。
【図６】第３の実施形態に係る電子部品の模式的平面図である。
【図７】図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける模式的断面図である。
【図８】第４の実施形態に係る電子部品の模式的断面図である。
【図９】比較例１において作製した電子部品の模式的平面図である。
【図１０】図９の線Ｘ−Ｘにおける模式的断面図である。
【図１１】比較例２において作製した電子部品の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００３１】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００３２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る電子部品の模式的平面図である。図３は、図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける模式的断面図である。
【００３３】
電子部品１は、直方体状の電子部品本体１０を備える。この電子部品本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ（図３を参照）と、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ（図２を参照）と、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、積層方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、積層方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びている。長さ方向Ｌ、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔは、それぞれ直交している。
【００３４】
なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【００３５】
電子部品本体１０の寸法は特に限定されない。例えば電子部品本体１０の厚み寸法は０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましく、長さ寸法は０．３ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることが好ましく、幅寸法は０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３６】
図１〜図３に示す電子部品１は、セラミック粒子を含む電子部品本体１０を有する部品であれば特に限定されない。電子部品１は、例えば、コンデンサであってもよいし、圧電部品、サーミスタまたはインダクタ等であってもよい。
【００３７】
電子部品本体１０は、電子部品１の機能に応じた適宜のセラミックス等の絶縁体により構成することができる。具体的には、電子部品１がコンデンサである場合は、電子部品本体１０を誘電体セラミックスにより形成することができる。誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＣａＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。電子部品１がコンデンサである場合は、電子部品本体１０には、電子部品１に要求される特性に応じて、例えばＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ａｌ化合物、Ｖ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
【００３８】
電子部品１が圧電部品である場合は、電子部品本体を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックスなどが挙げられる。
【００３９】
電子部品１が例えばサーミスタである場合は、電子部品本体を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００４０】
電子部品１が例えばインダクタである場合は、電子部品本体を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
【００４１】
以下、本実施形態では、電子部品１が、積層セラミックコンデンサである例について説明する。具体的には、本実施形態では、電子部品１が、２つの外部電極１３，１４を有する積層セラミックコンデンサである例について説明する。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明に係る電子部品は、３つ以上の外部電極を有するコンデンサであってもよい。
【００４２】
図３に示すように、電子部品本体１０の内部には、内部電極１１，１２が設けられている。具体的には、電子部品本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが設けられている。
【００４３】
第１の内部電極１１は矩形状である。第１の内部電極１１は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第２の端面１０ｆには露出していない。
【００４４】
第２の内部電極１２は矩形状である。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第２の内部電極１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。よって、第２の内部電極１２と第１の内部電極１１とは互いに平行である。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１の端面１０ｅには露出していない。
【００４５】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、積層方向Ｔに沿って交互に設けられている。積層方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック層１０ｇを介して対向している。セラミック層１０ｇの厚みは、例えば、０．２μｍ以上４０μｍ以下程度とすることができる。最も第１の主面１０ａ側に位置する内部電極１１，１２と、第１の主面１０ａとの間の距離、及び最も第２の主面１０ｂ側に位置する内部電極１１，１２と、第２の主面１０ｂとの間の距離は、例えば、２０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１、１２は、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた金属、またはＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金など）により構成することができる。
【００４７】
また、第１及び第２の内部電極１１，１２は、セラミック粒子をさらに含んでいてもよい。セラミック粒子は、電子部品本体１０に含まれるセラミックスと同種の成分であるセラミックス（「共材」と呼ぶ場合がある。）を含んでいることが好ましい。第１及び第２の内部電極１１，１２におけるセラミック粒子の含有量は、３体積％以上であることが好ましく、５体積％以上であることがより好ましい。第１及び第２の内部電極１１，１２に含まれるセラミック粒子の含有量は、２０体積％以下であることが好ましく、１５体積％以下であることがより好ましい。
【００４８】
第１及び第２の内部電極１１、１２の厚みは、それぞれ、例えば、０．２μｍ以上３μｍ以下程度であることが好ましい。
【００４９】
図３に示すように、電子部品本体１０の内部には、補助電極１５，１６が設けられている。具体的には、電子部品本体１０の内部には、複数の第１の補助電極１５と、複数の第２の補助電極１６とが設けられている。
【００５０】
第１の補助電極１５は、長さ方向Ｌにおいて、第１の内部電極１１と対向し、第１の内部電極１１と離間して設けられている。第２の補助電極１６は、長さ方向Ｌにおいて、第２の内部電極１２と対向し、第２の内部電極１２と離間して設けられている。換言すれば、第１の内部電極１１と第１の補助電極１５とは、同一のセラミック層１０ｇの上において、長さ方向Ｌにおいて離間して設けられている。第２の内部電極１２と第２の補助電極１６とは、同一のセラミック層１０ｇの上に置いて、長さ方向Ｌにおいて離間して設けられている。
【００５１】
第１の補助電極１５は、第２の内部電極１２と積層方向Ｔにおいて対向しているが、同じ第２の外部電極１４に接続されており、同電位であるため、容量形成に実質的に寄与していない。第２の補助電極１６は、第１の内部電極１１と積層方向Ｔにおいて対向しているが、同じ第１の外部電極１３に接続されており、同電位であるため、容量形成に実質的に寄与していない。
【００５２】
図２及び図３に示すように、電子部品１は、第１及び第２の外部電極１３、１４を備えている。第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６に電気的に接続されている。一方、第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５に電気的に接続されている。
【００５３】
第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上に形成されている。本実施形態では、第１の外部電極１３が、第１の端面１０ｅの上にのみ形成されている例について説明する。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、第１の外部電極は、第１の端面と、第１及び第２の主面並びに第１及び第２の側面の少なくともひとつとに跨がって形成されていてもよい。
【００５４】
第１の外部電極１３は、第１の導電層１３ａと、第３の導電層１３ｂとを有する。第１の導電層１３ａは、第１の端面１０ｅの上に形成されている。第３の導電層１３ｂは、第１の導電層１３ａの上に形成されている。すなわち、第１及び第３の導電層１３ａ、１３ｂは、第１の端面１０ｅの上にこの順番で積層されている。第３の導電層１３ｂは、第１の導電層１３ａにより電子部品本体１０と隔離されている。
【００５５】
第１の導電層１３ａの厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。第３の導電層１３ｂの厚みは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。第１の導電層１３ａの厚みは、第３の導電層１３ｂの厚みの等倍以上２００倍以下であることが好ましく、１０倍以上２００倍以下であることがより好ましい。
【００５６】
本実施形態では、第１の導電層１３ａと、第３の導電層１３ｂとは、それぞれ、焼成された電極（焼成電極）により構成されている。第１及び第３の導電層１３ａ、１３ｂは、それぞれ、金属等の導電性粒子を含んでいる。第１及び第３の導電層１３ａ、１３ｂに含まれる導電性粒子は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＡｕの少なくとも一種を含むことが好ましく、Ｃｕを含むことがより好ましい。
【００５７】
第１及び第３の導電層１３ａ、１３ｂは、それぞれ、導電性粒子に加えて、セラミックスやガラス等を含んでいてもよい。第１及び第３の導電層１３ａ、１３ｂのうち、少なくとも第１の導電層１３ａは、セラミック粒子を含んでいることが好ましい。この場合、セラミック粒子は、電子部品本体１０に含まれるセラミック粒子と同種のセラミック粒子である共材であることが好ましい。第３の導電層１３ｂがセラミック粒子を含んでいる必要は必ずしもない。
【００５８】
第１の導電層１３ａにおけるセラミック粒子の含有量は、３０体積％以上７０体積％以下であることが好ましく、４０体積％以上６０体積％以下であることがさらに好ましい。
【００５９】
第３の導電層１３ｂにおけるセラミック粒子の含有量は、０体積％以上２０体積％以下であることが好ましく、０体積％以上１０体積％以下であることがより好ましい。
【００６０】
第１の導電層１３ａにおけるセラミック粒子の含有量が、第３の導電層１３ｂにおけるセラミック粒子の含有量よりも多いことが好ましく、第３の導電層１３ｂにおけるセラミック粒子の含有量の１．５倍以上であることがより好ましく、２倍以上であることがさらに好ましい。
【００６１】
なお、セラミック粒子の含有量は、以下の要領で求めることができる。
【００６２】
まず、電子部品の第１の側面を第１の側面と平行に幅が１／２となるまで研磨していき、イオンミリングを行うことにより研磨ダレを除去することにより断面を露出させる。
【００６３】
次に、露出させた断面のうちの面積が５．０×１０−４ｍｍ２の部分を測定範囲として選択する。測定範囲の選択に際しては、空隙や変形が少ない部分を選択する。
【００６４】
次に、測定範囲において、電極において、セラミック粒子が占めている面積と金属が占めている面積とを求める。具体的には、断面を走査型顕微鏡により観察し、反射電子像における撮像コントラストの相違から金属が占めている部分と、セラミック粒子が占めている部分とを判別する。そして、画像解析を行うことにより、金属が占めている部分と、セラミック粒子が占めている部分とのそれぞれの面積を算出する。そして、下記式に基づき、セラミック粒子の含有量を求める。なお、測定範囲内に空隙がある場合や、焼成時に生じる変形等に起因して電極内にセラミック層の材料が入り込んでいる場合は、その部分の面積を無視して、セラミック粒子の含有量を算出する。
【００６５】
（セラミック粒子の含有量）＝（電極内のセラミック粒子の面積）／（電極の面積）
第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上に形成されている。本実施形態では、第２の外部電極１４が第２の端面１０ｆの上にのみ形成されている例について説明する。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、第２の外部電極は、第２の端面と、第１及び第２の主面並びに第１及び第２の側面の少なくともひとつとに跨がって形成されていてもよい。
【００６６】
第２の外部電極１４は、第２の導電層１４ａと、第４の導電層１４ｂとを有する。第２の導電層１４ａは、第１の端面１０ｅの上に形成されている。第４の導電層１４ｂは、第２の導電層１４ａの上に形成されている。すなわち、第２及び第４の導電層１４ａ、１４ｂは、第２の端面１０ｆの上にこの順番で積層されている。第４の導電層１４ｂは、第２の導電層１４ａにより電子部品本体１０と隔離されている。
【００６７】
第２の導電層１４ａの厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。第４の導電層１４ｂの厚みは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。第２の導電層１４ａの厚みは、第４の導電層１４ｂの厚みの等倍以上２００倍以下であることが好ましく、１０倍以上２００倍以下であることがより好ましい。
【００６８】
本実施形態では、第２の導電層１４ａと、第４の導電層１４ｂとは、それぞれ、焼成された電極（焼成電極）により構成されている。第２及び第４の導電層１４ａ、１４ｂは、それぞれ、金属等の導電性粒子を含んでいる。第２及び第４の導電層１４ａ、１４ｂに含まれる導電性粒子は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＡｕの少なくとも一種を含むことが好ましく、Ｃｕを含むことがより好ましい。
【００６９】
第２及び第４の導電層１４ａ、１４ｂは、それぞれ、導電性粒子に加えて、セラミックスやガラスをさらに含んでいてもよい。第２及び第４の導電層１４ａ、１４ｂのうち、少なくとも第２の導電層１４ａは、セラミック粒子を含んでいることが好ましい。その場合、セラミック粒子は、電子部品本体１０に含まれるセラミック粒子と同種のセラミック粒子である共材であることが好ましい。
【００７０】
第２の導電層１４ａにおけるセラミック粒子の含有量は、３０体積％以上７０体積％以下であることが好ましく、４０体積％以上６０体積％以下であることがさらに好ましい。第４の導電層１４ｂにおけるセラミック粒子の含有量は、０体積％以上２０体積％以下であることが好ましく、０体積％以上１０体積％以下であることがより好ましい。
【００７１】
第２の導電層１４ａにおけるセラミック粒子の含有量が、第４の導電層１４ｂにおけるセラミック粒子の含有量よりも多いことが好ましく、第４の導電層１４ｂにおけるセラミック粒子の含有量の１．５倍以上であることがより好ましく、２倍以上であることがさらに好ましい。
【００７２】
本実施形態に係る電子部品１では、第１の内部電極１１の端部が、第１の導電層１３ａ内に位置している。具体的には、第１の内部電極１１の端部が、第１の導電層１３ａ内に位置しており、第１の導電層１３ａを貫通していない。このように、第１の内部電極１１の端部が、第１の導電層１３ａ内に位置している。このため、第１の外部電極１３の表面と第１の内部電極１１との間に位置している、比較的高い電気抵抗を有する第１の導電層１３ａの長さが短い。よって、第１の内部電極１１と第１の外部電極１３の表面との間の電気抵抗が低い。このため、第１の外部電極１３の表面と第２の外部電極１４の表面との間の電気抵抗が低い。従って、電子部品１は、低いＥＳＲを有する。
【００７３】
同様に、電子部品１では、第２の内部電極１２の端部が、第２の導電層１４ａ内に位置している。具体的には、第２の内部電極１２の端部が、第２の導電層１４ａ内に位置しており、第２の導電層１４ａを貫通していない。このように第２の内部電極１２の端部が、第２の導電層１４ａ内に位置している。このため、第２の外部電極１４の表面と第２の内部電極１２との間に位置している、比較的高い電気抵抗を有する第２の導電層１４ａの長さが短い。よって、第２の内部電極１２と第２の外部電極１４の表面との間の電気抵抗が低い。このため、第１の外部電極１３の表面と第２の外部電極１４の表面との間の電気抵抗がさらに低い。従って、電子部品１は、さらに低いＥＳＲを有する。
【００７４】
また、第１の内部電極１１の端部のみならず、第２の補助電極１６の端部が、第１の導電層１３ａの内部に位置している。具体的には、第２の補助電極１６の端部が、第１の導電層１３ａの内部に位置ており、第１の導電層１３ａを貫通していない。このため、電子部品本体１０と第１の外部電極１３との接合強度が高められており、その結果、第１の内部電極１１と第１の外部電極１３との接続信頼性が高められている。
【００７５】
同様に、第２の内部電極１２の端部のみならず、第１の補助電極１５の端部が、第２の導電層１４ａの内部に位置している。具体的には、第１の補助電極１５の端部が、第２の導電層１４ａの内部に位置ており、第２の導電層１４ａを貫通していない。このため、電子部品本体１０と第２の外部電極１４との接合強度が高められており、その結果、第２の内部電極１２と第２の外部電極１４との接続信頼性が高められている。
【００７６】
例えば、電子部品１のＥＳＲをより低くし、第１の内部電極１１と第１の外部電極１３との接続信頼性並びに第２の内部電極１２と第２の外部電極１４との接続信頼性をより高める観点からは、第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６を第１の導電層１３ａを貫通するように設けると共に、第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５を第２の導電層１４ａを貫通するように設けることも考えられる。しかし、その場合は、第１の導電層１３ａに占める第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６の割合が高くなると共に、第２の導電層１４ａに占める第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５の割合が高くなる。このため、第１の導電層１３ａと、電子部品本体１０との間の焼成時における熱収縮率の差が大きくなる。よって、焼成時にクラックが生じやすくなる。
【００７７】
それに対して電子部品１では、第１の内部電極１１が第１の導電層１３ａを貫通しておらず、端部が第１の導電層１３ａ内に位置するように第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６が設けられている。また、第２の内部電極１２が第２の導電層１４ａを貫通しておらず、端部が第２の導電層１４ａ内に位置するように第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５が設けられている。このため、第１の導電層１３ａに占める第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６の割合を低くすることができる。第２の導電層１４ａに占める第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５の割合を低くすることができる。よって、第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａと、電子部品本体１０との間の焼成時における熱収縮率の差を小さくすることができる。従って、電子部品１では、焼成時にクラックが生じ難い。以上のように、電子部品１では、第１の内部電極１１の端部が、第１の導電層１３ａ内部に位置しており、第２の内部電極１２の端部が、第２の導電層１４ａ内に位置している。このため、クラックの発生を抑制しつつ、電子部品１のＥＳＲを低くすることができる。
【００７８】
電子部品１のＥＳＲをより低くする観点からは、第１の内部電極１１のうち、第１の導電層１３ａの内部に位置している部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬａとし、第１の導電層１３ａの長さ方向Ｌにおける長さをＬ１とした際に、Ｌａ／Ｌ１が０．３以上であることが好ましい。但し、Ｌａ／Ｌ１が大きすぎると、焼成時に電子部品本体１０等にクラックが生じやすくなる。このため、Ｌａ／Ｌ１が０．７以下であることが好ましい。
【００７９】
同様に、第２の内部電極１２のうち、第２の導電層１４ａの内部に位置している部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬｂとし、第２の導電層１４ａの長さ方向Ｌにおける長さをＬ２とした際に、Ｌｂ／Ｌ２が０．３以上であることが好ましい。但し、Ｌｂ／Ｌ２が大きすぎると、焼成時に電子部品本体１０等にクラックが生じやすくなる。このため、Ｌｂ／Ｌ２が０．７以下であることが好ましい。
【００８０】
電子部品本体１０と第２の外部電極１４との接合強度を高める観点からは、第１の補助電極１５を第２の導電層１４ａの内部に位置させることが好ましく、第１の補助電極１５のうち、第２の導電層１４ａの内部に位置している部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬｃとし、第２の導電層１４ａの長さ方向Ｌにおける長さをＬ２とした際に、Ｌｃ／Ｌ２が０．３以上であることが好ましい。但し、Ｌｃ／Ｌ２が大きすぎると、焼成時に電子部品本体１０等にクラックが生じやすくなる。このため、Ｌｃ／Ｌ２が０．７以下であることが好ましい。
【００８１】
同様に、電子部品本体１０と第２の外部電極１４との接合強度を高める観点からは、第２の補助電極１６を第１の導電層１３ａの内部に位置させることが好ましく、第２の補助電極１６のうち、第１の導電層１３ａの内部に位置している部分の長さ方向Ｌにおける長をＬｄとし、第１の導電層１３ａの長さ方向Ｌにおける長さをＬ１とした際に、Ｌｄ／Ｌ１が０．３以上であることが好ましい。但し、Ｌｄ／Ｌ１が大きすぎると、焼成時に電子部品本体１０等にクラックが生じやすくなる。このため、Ｌｄ／Ｌ１が０．７以下であることが好ましい。
【００８２】
なお、本明細書において、「Ｌａ／Ｌ１」、「Ｌｂ／Ｌ２」、「Ｌｃ／Ｌ２」、「Ｌｄ／Ｌ１」を「進入度」と定義している。
【００８３】
Ｌａ／Ｌ１、Ｌｂ／Ｌ２、Ｌｃ／Ｌ２、Ｌｄ／Ｌ１等の進入度は、以下の要領で測定することができる。
【００８４】
すなわち、電子部品の側面を、その側面に対して平行に、電子部品の幅寸法が１／２となる位置まで研磨し、研磨後の断面を光学顕微鏡を用いて観察することにより、Ｌａ、Ｌ１、Ｌｂ、Ｌ２、Ｌｃ、Ｌ２、Ｌｄ、Ｌ１の寸法を測定する。その後、Ｌａ、Ｌ１、Ｌｂ、Ｌ２、Ｌｃ、Ｌ２、Ｌｄ、Ｌ１を平均値化し、その値からＬａ／Ｌ１、Ｌｂ／Ｌ２、Ｌｃ／Ｌ２、Ｌｄ／Ｌ１の値を求めることができる。
【００８５】
電子部品１では、第１の導電層１３ａの上に、第１の導電層１３ａよりもセラミック粒子の含有量が少なく、電気抵抗が低い第３の導電層１３ｂが設けられている。同様に、第２の導電層１４ａの上に、第２の導電層１４ａよりもセラミック粒子の含有量が少なく、電気抵抗が低い第４の導電層１４ｂが設けられている。このため、第１の外部電極１３の表面と第２の外部電極１４の表面との間の電気抵抗がより低くされている。従って、電子部品１のさらなる低ＥＳＲ化が図られている。
【００８６】
さらに、電子部品１では、セラミック粒子の含有量が少なく、電子部品本体１０と焼成時における熱収縮率が大きく異なる第３の導電層１３ｂと、電子部品本体１０とが、第３の導電層１３ｂよりもセラミック粒子の含有量が多い第１の導電層１３ａにより隔離されている。すなわち、第１の導電層１３ａの焼成時における熱収縮率が、電子部品本体１０の熱収縮率と、第３の導電層１３ｂの熱収縮率との間である。このため、焼成時にクラックが発生することがより効果的に抑制されている。
【００８７】
同様に、電子部品１では、セラミック粒子の含有量が少なく、電子部品本体１０と焼成時における熱収縮率が大きく異なる第４の導電層１４ｂと、電子部品本体１０とが、第４の導電層１４ｂよりもセラミック粒子の含有量が多い第２の導電層１４ａにより隔離されている。すなわち、第２の導電層１４ａの熱収縮率が、電子部品本体１０の熱収縮率と第４の導電層１４ｂの熱収縮率との間である。このため、焼成時にクラックが発生することがより効果的に抑制されている。
【００８８】
また、第３の導電層１３ｂや第４の導電層１４ｂにおけるセラミック粒子の含有量が比較的少ない。このため、第３の導電層１３ｂや第４の導電層１４ｂの表面へのめっき付き性が良好であり、かつ、第３の導電層１３ｂや第４の導電層１４ｂと金属端子とを接続する際の接合強度が高い。
【００８９】
（電子部品１の製造方法の一例）
次に、電子部品１の製造方法の一例について説明する。
【００９０】
例えば、インクジェット法を用いて電子部品１を製造することができる。
【００９１】
具体的には、セラミック粉末を含むセラミック層１０ｇを構成するためのセラミックペーストと、第１及び第２の内部電極１１，１２、第１〜第４の導電層１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ及び第１及び第２の補助電極１５，１６を構成するための導電性ペーストを用意する。
【００９２】
次に、インクジェット法を用いて、電子部品本体１０を構成するためのセラミックペースト層（第１のセラミックペースト層）と、第１の導電層１３ａを構成するための導電性ペースト層（第１の導電性ペースト層）と、第２の導電層１４ａを構成するための導電性ペースト層（第２の導電性ペースト層）とを含む第１のグリーンシートを形成する（第１のグリーンシート形成工程）。第１のグリーンシートでは、長さ方向Ｌの両端部が導電性ペースト層により構成されており、それら二つの導電性ペースト層の間がセラミックペ
ースト層により構成されている。なお、第１のグリーンシート形成工程において、ペーストの印刷を複数回繰り返すことにより、第１のグリーンシートを複数層積層してもよい。
【００９３】
次に、第１のグリーンシートの上に、第１の内部電極１１を構成するための導電性ペースト層（第３の導電性ペースト層）と、第１の補助電極１５を構成するための導電性ペースト層（第４の導電性ペースト層）とをインクジェット法により印刷する（工程Ａ）。なお、この工程Ａにおいては、第１の内部電極１１を構成するための導電性ペースト層の端部が、第１のグリーンシートに含まれる、第１の導電層１３ａを構成するための導電性ペースト層の上に位置し、第１の補助電極１５を構成するための導電性ペースト層の端部が、第１のグリーンシートに含まれる、第２の導電層１４ａを構成するための導電性ペースト層の上に位置するように、導電性ペースト層を印刷する。換言すれば、第３の導電性ペースト層を、第１のセラミックペースト層の上及び第１の導電性ペースト層の長さ方向Ｌにおける外側端部を除いた一部の上に位置するように印刷する。第４の導電性ペースト層を、第１のセラミックペースト層の上及び第２の導電性ペースト層の長さ方向Ｌにおける外側端部を除いた一部の上に位置するように印刷する。そうすることにより、端部が第１の導電層１３ａの内部に位置する第１の内部電極１１と、端部が第２の導電層１４ａの内部に位置する第１の補助電極１５とを形成することができる。
【００９４】
次に、第３及び第４の導電性ペースト層を形成した第１のグリーンシートの上に、インクジェット法を用いて、セラミック層１０ｇを構成するためのセラミックペースト層と、第１の導電層１３ａを構成するための導電性ペースト層（第５の導電性ペースト層）と、第２の導電層１４ａを構成するための導電性ペースト層（第６の導電性ペースト層）と、第３の導電層１３ｂを構成するための導電性ペースト層と、第４の導電層１４ｂを構成するための導電性ペースト層とを含む第２のグリーンシートを形成する（第２のグリーンシート形成工程）。第２のグリーンシート形成工程においては、第５の導電性ペースト層を第１の導電性ペースト層の上方に位置するように印刷する。第２のセラミックペースト層を第１のセラミックペースト層の上方に位置するように印刷する。第６の導電性ペースト層を、第２の導電性ペースト層の上方に位置するように印刷する。
【００９５】
次に、第２のグリーンシートの上に、第２の内部電極１２を構成するための導電性ペースト層（第７の導電性ペースト層）と、第２の補助電極１６を構成するための導電性ペースト層（第８の導電性ペースト層）とをインクジェット法により印刷する（工程Ｂ）。この工程Ｂにおいては、第２の内部電極１２を構成するための導電性ペースト層の端部が、第２のグリーンシートに含まれる、第６の導電層を構成するための導電性ペースト層の上に位置し、第２の補助電極１６の端部が、第２のグリーンシートに含まれる、第５の導電性ペースト層の上に位置するように、導電性ペースト層を印刷する。換言すれば、第７の導電性ペースト層を、第２のセラミックペースト層の上及び第６の導電性ペースト層の長さ方向Ｌにおける外側端部を除いた一部の上に位置するように印刷する。第８の導電性ペースト層を、第２のセラミックペースト層の上及び第５の導電性ペースト層の長さ方向Ｌにおける外側端部を除いた一部の上に位置するように印刷する。そうすることにより、端部が第２の導電層１４ａの内部に位置する第２の内部電極１２と、端部が第１の導電層１３ａの内部に位置する第２の補助電極１６を形成することができる。
【００９６】
上記工程Ａ、第２のグリーンシート形成工程、工程Ｂ及び第２のグリーンシート形成工程をこの順番で複数回繰り返し行う。
【００９７】
次に、インクジェット法を用いて、電子部品本体１０を構成するためのセラミックペースト層（第３のセラミックペースト層）と、第１の導電層１３ａを構成するための導電性ペースト層（第９の導電性ペースト層）と、第２の導電層１４ａを構成するための導電性ペースト層（第１０の導電性ペースト層）とを含む第３のグリーンシートを形成する（第３のグリーンシート形成工程）。第３のグリーンシート形成工程では、第３のセラミックペースト層を第２のセラミックペースト層の上方に位置するように印刷する。第９の導電性ペースト層を第５の導電性ペースト層の上方に位置するように印刷する。第１０の導電性ペースト層を第６の導電性ペースト層の上方に位置するように印刷する。なお、第３のグリーンシート形成工程において、ペーストの印刷を複数回繰り返すことにより、第３のグリーンシートを複数層積層してもよい。
【００９８】
以上の工程を行うことにより、積層体を形成する。その後、必要に応じて、形成した積層体をプレスする。
【００９９】
次に、積層体を焼成することにより、電子部品１を作製する（焼成工程）。
【０１００】
なお、積層体の焼成温度や焼成時間は、用いる材料等によって適宜設定することができる。焼成体の焼成温度は、例えば、１１００℃以上１４００℃以下程度とすることができる。焼成体の焼成時間は、例えば、１時間以上２０時間以下とすることができる。また、積層体の焼成に先立って、積層体に含まれているバインダー等の有機成分を除去するための脱脂をさらに行ってもよい。
【０１０１】
本実施形態のように、電子部品１の造形をインクジェット法を用いて行うことにより、電子部品１を容易に造形することができる。なお、インクジェット法の他の例えばスクリーン印刷法等を用いて電子部品１の造形を行ってもよい。
【０１０２】
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【０１０３】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る電子部品の模式的平面図である。図５は、図４の線Ｖ−Ｖにおける模式的断面図である。
【０１０４】
図４及び図５に示す電子部品１ａは、第１の外部電極１３が、導電層１３ａ、１３ｂを覆う第５の導電層１３ｃをさらに有し、第２の外部電極１４が、第２及び第４の導電層１４ａ、１４ｂを覆う第６の導電層１４ｃをさらに有する点で、第１の実施形態に係る電子部品１と異なる。第５の導電層１３ｃは、第１及び第３の導電層１３ａ、１３ｂが形成された第１の端面１０ｅの上から、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。第６の導電層１４ｃは、第２及び第４の導電層１４ａ、１４ｂが形成された第２の端面１０ｆの上から、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。これらのような第５及び第６の導電層１３ｃ、１４ｃを設けることにより、例えば、実装基板への電子部品１ａの実装が容易となる。また、電子部品１ａの実装基板への実装強度を高めることができる。
【０１０５】
なお、第５及び第６の導電層１３ｃ、１４ｃは、例えば、インクジェット法やスクリーン印刷法等により印刷した導電性ペースト層を焼成することにより形成してもよいし、積層体の端部に導電性ペーストを接触させることにより導電性ペースト層を形成し、それを焼成することにより形成してもよい。
【０１０６】
また、第５及び第６の導電層１３ｃ、１４ｃの表面の上にめっき層を形成してもよい。
【０１０７】
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態に係る電子部品の模式的平面図である。図７は、図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける模式的断面図である。
【０１０８】
第３の実施形態に係る電子部品１ｂは、第１の内部電極１１の端部が位置している導電層のみにより第１の外部電極１３が構成されており、第２の内部電極１２の端部が位置している導電層のみにより第２の外部電極１４が構成されている点で、第１の実施形態に係る電子部品１とは異なる。本発明においては、第１の外部電極が、第１の内部電極の端部又は第２の補助電極の端部が位置している導電層を少なくとも有していればよく、第２の外部電極が、第２の内部電極の端部又は第１の補助電極の端部が位置している導電層を少なくとも有していればよい。
【０１０９】
なお、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４の少なくとも一方の表面にめっき層を形成してもよい。
【０１１０】
（第４の実施形態）
図８は、第４の実施形態に係る電子部品の模式的平面図である。
【０１１１】
図８に示す電子部品１ｃは、幅方向Ｗから視た際に、第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６のうち、第１の導電層１３ａ内に位置する端部と、第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５のうち、第１の導電層１４ａ内に位置する端部とのそれぞれが湾曲した形状を有している点で、第１の実施形態に係る電子部品１と異なる。
【０１１２】
本実施形態では、第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６のうち、第１の導電層１３ａ内に位置する端部が湾曲した形状を有しているため、第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６と第１の導電層１３ａとの接触面積が大きい。また、第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６の端部の湾曲部によりアンカー効果が発生する。従って、第１の内部電極１１及び第２の補助電極１６と第１の外部電極１３の接続信頼性がさらに高い。
【０１１３】
同様に、本実施形態では、第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５のうち、第１の導電層１４ａ内に位置する端部が湾曲した形状を有しているため、第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５と第１の導電層１４ａとの接触面積が大きい。また、第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５の端部の湾曲部によりアンカー効果が発生する。従って、第２の内部電極１２及び第１の補助電極１５と第２の外部電極１４との接続信頼性がさらに高い。
【０１１４】
なお、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４の少なくとも一方の表面の上にめっき層を形成してもよい。
【０１１５】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【０１１６】
（実施例１）
インクジェット法を用いて、以下の条件で、第１の実施形態に係る電子部品１と実質的に同様の構成を有する積層セラミックコンデンサを作製した。なお、実施例１では、第１の補助電極１５と第２の補助電極１６も、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２と同様に、第１の導電層および第２の導電層の内部に位置させた。
【０１１７】
積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）：８ｍｍ×６ｍｍ×４ｍｍ
セラミック層の厚み：平均１０μｍ
内部電極の厚み：平均２．０μｍ
内部電極の積層数：３０５枚
最も主面側に位置している内部電極と主面との間の距離：３００μｍ
セラミック層：ジルコン酸カリウム
内部電極及び外部電極：セラミック粒子として共材（ジルコン酸カリウム）を含むＮｉ
Ｌａ／Ｌ１：０．５
Ｌｂ／Ｌ２：０．５
Ｌｃ／Ｌ２：０．５
Ｌｄ／Ｌ１：０．５
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａの、積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌにおける長さ：７０μｍ
第３及び第４の導電層１３ｂ、１４ｂの、積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌにおける長さ：７０μｍ
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量：４０体積％
第３及び第４の導電層１３ｂ、１４ｂにおける共材の含有量：０体積％（導電層１３ｂ、１４ｂに共材を含有させなかった。）
積層体の焼成：まず、窒素雰囲気下、２８０℃で５時間低温脱脂を行った後に、８００℃で５時間高温脱脂を行った。その後、還元雰囲気下において、１３３０℃で５時間焼成を行った。
【０１１８】
（実施例２）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量を５５体積％としたこと以外は、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１９】
（実施例３）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａｂにおける共材の含有量を７０体積％としたこと以外は、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２０】
（実施例４）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量を４０体積％とし、第３及び第４の導電層１３ｂ、１４ｂにおける共材の含有量を１０体積％としたこと以外は、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２１】
（実施例５）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量を５５体積％としたこと以外は、実施例４と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２２】
（実施例６）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量を７０体積％としたこと以外は、実施例４と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２３】
（実施例７）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量を４０体積％とし、導電層１３ｂ、１４ｂにおける共材の含有量を２０体積％としたこと以外は、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２４】
（実施例８）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量を５５体積％としたこと以外は、実施例７と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２５】
（実施例９）
第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａにおける共材の含有量を７０体積％としたこと以外は、実施例７と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２６】
（実施例１０）
第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６の進入度を表１に示す値としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２７】
（実施例１１）
第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６の進入度を表１に示す値としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２８】
（実施例１２）
第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６の進入度を表１に示す値としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２９】
（実施例１３）
第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６の進入度を表１に示す値としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１３０】
（実施例１４）
第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６の進入度を表１に示す値としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１３１】
（実施例１５）
第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６の進入度を表１に示す値としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１３２】
（実施例１６）
第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６の進入度を表１に示す値としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１３３】
（比較例１）
図９及び図１０に示すように、第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６を第１又は第２の導電層１３ａ、１４ａの内部に設けなかったこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１３４】
（比較例２）
図１１に示すように、第１及び第２の内部電極１１，１２及び第１及び第２の補助電極１５，１６が第１又は第２の導電層１３ａ、１４ａを貫通している構造としたこと以外は、実施例５と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１３５】
（内部電極の厚みの測定方法）
積層セラミックコンデンサの側面を、側面に対して平行に積層セラミックコンデンサの幅寸法が１／２となる位置まで研磨を行う。その後、研磨により露出させた断面を走査型電子顕微鏡にて観察する。次に、積層体の断面の長さ方向Ｌにおける中心を通る積層方向Ｔに沿った中心線、およびこの中心線から両側に等間隔に２本ずつ引いた直線の合計５本の各直線上における、積層方向の上部に位置するひとつの内部電極の厚み、中央部に位置するひとつの内部電極の厚み、及び下部に位置するひとつの内部電極の厚みを測定する。測定した１５の厚みの平均値を内部電極の厚み（内部電極の平均厚み）とした。
【０１３６】
（セラミック層の厚みの測定方法）
内部電極の厚みの測定方法と同様の方法で測定した。
【０１３７】
（第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａの、積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌにおける長さの測定方法）
積層セラミックコンデンサの側面を側面に対して平行に積層セラミックコンデンサの幅寸法が１／２Ｗとなる位置まで研磨を行う。その後、露出した断面を走査型電子顕微鏡にて観察する。その断面において、端面の積層方向における中央に位置する第１及び第２の導電層１３ａ、１４ａの、積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌにおける長さを測定した。
【０１３８】
（第３及び第４の導電層１３ｂ、１４ｂの、積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌにおける長さの測定方法）
積層セラミックコンデンサの側面を側面に対して平行に積層セラミックコンデンサの幅寸法が１／２Ｗとなる位置まで研磨を行う。その後、露出した断面を走査型電子顕微鏡にて観察する。その断面において、端面の積層方向における中央に位置する第１及び第３及び第４の導電層１３ｂ、１４ｂの、積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌにおける長さを測定した。
【０１３９】
（共材の含有量の測定）
第１の実施形態に記載の方法により、共材の含有量を求めた。走査型顕微鏡による観察は、倍率を１０００倍として行った。
【０１４０】
（ＥＳＲの測定）
各実施例及び比較例において作製したサンプルのＥＳＲを、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｓ社製：プレシジョンＬＣＲメータ「Ｅ４９８０Ａ」ならびに、テスト・フィクスチャ「１６０４４Ａ」を用いて、１ＭＨｚで計測した。このＥＳＲ計測を、各実施例及び比較例につき５個ずつ行い、その平均値をＥＳＲ値とした。結果を表１に示す。
【０１４１】
（クラック発生の有無の評価）
各実施例及び比較例において作製した１０個の各サンプルを第１の側面を第１の側面と平行に幅が１／２となるまで研磨していき、イオンミリングを行うことにより研磨ダレを除去することにより断面を露出させた。その断面を観察し、クラックの発生の有無を確認した。結果を表１に示す。
【０１４２】
【表１】
2018081951.tif 000003
表１に示すように、内部電極の端部と補助電極の端部とを、それぞれ、導電層の内部に位置させることにより、クラックの発生を抑制することができると共に、ＥＳＲを低減することができることが分かる。
【符号の説明】
【０１４３】
１、１ｂ、１ｃ      ：電子部品
１０    ：電子部品本体
１０ａ  ：第１の主面
１０ｂ  ：第２の主面
１０ｃ  ：第２の側面
１０ｄ  ：第２の側面
１０ｅ  ：第１の端面
１０ｆ  ：第２の端面
１０ｇ  ：セラミック層
１１    ：第１の内部電極
１２    ：第２の内部電極
１３    ：第１の外部電極
１３ａ  ：第１の導電層
１３ｂ  ：第３の導電層
１３ｃ  ：第５の導電層
１４    ：第２の外部電極
１４ａ  ：第２の導電層
１４ｂ  ：第４の導電層
１４ｃ  ：第６の導電層
１５    ：第１の補助電極
１６    ：第２の補助電極
【図１】
2018081951.tif 000004
【図２】
2018081951.tif 000005
【図３】
2018081951.tif 000006
【図４】
2018081951.tif 000007
【図５】
2018081951.tif 000008
【図６】
2018081951.tif 000009
【図７】
2018081951.tif 000010
【図８】
2018081951.tif 000011
【図９】
2018081951.tif 000012
【図１０】
2018081951.tif 000013
【図１１】
2018081951.tif 000014