(57)【要約】【課題】半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することを課題とする。【解決手段】コア絶縁板５の上下面に複数のビルドアップ絶縁層６が積層されて成る絶縁基板１と、絶縁基板１の表面および内部に形成された配線導体２と、絶縁基板１の上面中央部に、半導体素子の電極と接続される複数の半導体素子接続パッド３が配設されたパッド形成領域７を有する配線基板Ａであって、コア絶縁板５の上面側において、パッド形成領域７が形成されたビルドアップ絶縁層６の厚みが、コア絶縁板５直上のビルドアップ絶縁層６の厚みよりも小さいとともに、コア絶縁板５の上面側のビルドアップ絶縁層６の層数が、コア絶縁板５の下面側のビルドアップ絶縁層６の層数よりも多く、かつ上面側のビルドアップ絶縁層６の厚みの合計と、下面側のビルドアップ絶縁層６の厚みの合計とが等しい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア絶縁板の上下面に複数のビルドアップ絶縁層が積層されて成る絶縁基板と、
該絶縁基板の表面および内部に形成された配線導体と、
前記絶縁基板の上面中央部に、半導体素子の電極と接続される複数の半導体素子接続パッドが配設されたパッド形成領域を有する配線基板であって、
前記コア絶縁板の上面側において、前記パッド形成領域が形成された前記ビルドアップ絶縁層の厚みが、前記コア絶縁板直上の前記ビルドアップ絶縁層の厚みよりも小さいとともに、前記コア絶縁板の上面側のビルドアップ絶縁層の層数が、前記コア絶縁板の下面側のビルドアップ絶縁層の層数よりも多く、かつ上面側のビルドアップ絶縁層の厚みの合計と、下面側のビルドアップ絶縁層の厚みの合計とが等しいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ビルドアップ絶縁層が全て同一の組成から成ることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体素子が搭載される配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型化および高機能化が進む通信機器やゲーム機等に搭載される半導体素子は、微細な配線パターンが高密度に形成されている。
このため、半導体素子を搭載する配線基板においても、このような配線パターンに対応するために半導体素子を搭載する領域には微細な配線導体を高密度に形成する必要がある。
【０００３】
図２に、上述のような半導体素子を搭載する従来の配線基板Ｂを示す。
配線基板Ｂは、絶縁基板３１と、配線導体３２と、半導体素子接続パッド３３と、外部接続パッド３４とを備えている。
【０００４】
絶縁基板３１は、コア絶縁板３５および複数のビルドアップ絶縁層３６を備えている。絶縁基板３１の上面中央部には、複数の半導体素子接続パッド３３が配設されたパッド形成領域３７を有している。
コア絶縁板３５は、複数のスルーホール３８を有している。
ビルドアップ絶縁層３６は、コア絶縁板３５の上下面に積層されている。ビルドアップ絶縁層３６は、複数のビアホール３９を有している。
コア絶縁板３５の上面側において、上側２層のビルドアップ絶縁層３６の厚みは、下側２層のビルドアップ絶縁層３６の厚みよりも小さい。
これにより、上側２層のビルドアップ絶縁層３６には、下側２層のビルドアップ絶縁層３６のビアホール３９の径よりも小径なビアホール３９を形成することができることから、半導体素子に対応した微細な配線導体３２を高密度に形成することが可能になる。また、配線導体３２同士の間のインピーダンス整合をとることも可能になる。
さらに、下側２層のビルドアップ絶縁層３６においては、上側２層に形成した配線導体３２よりも配線幅の大きな配線導体３２を形成することで、半導体素子と外部回路基板との間における信号の伝送損失を抑制することが可能になる。
【０００５】
配線導体３２は、コア絶縁板３５の表面およびスルーホール３８内、ならびにビルドアップ絶縁層３６の上下表面およびビアホール３９内に形成されている。これにより、絶縁基板３１の上下表面の配線導体３２同士が電気的に接続される。
【０００６】
半導体素子接続パッド３３は、パッド形成領域３７に配線導体３２と一体的に形成されている。半導体素子接続パッド３３は、半導体素子の電極と半田を介して接続される。
【０００７】
外部接続パッド３４は、絶縁基板３１の下面に配線導体３２と一体的に形成されている。外部接続パッド３４は、外部回路基板（不図示）の電極に半田を介して接続される。
これにより、半導体素子と外部回路基板とが電気的に接続されて、両者の間で信号が伝送される。
【０００８】
ところで、半導体素子の発熱や冷熱時には、配線基板Ｂに熱伸縮が生じる。このとき、コア絶縁板３５を中心にして積層された上面側のビルドアップ絶縁層３６の厚みの合計と、下面側のビルドアップ絶縁層３６の厚みの合計とが異なるため、上面側の伸縮量と下面側の伸縮量とに違いが生じる結果、配線基板Ｂに反りを生じさせる一因となっている。この反りにより、半導体素子の電極と半導体素子接続パッド３３との接続部にクラックが生じ、半導体素子が安定的に作動しないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１６−４８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本開示は、配線基板に生じる反りを低減することで、半導体素子と配線基板との電気的な接続を保持して半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本開示の配線基板は、コア絶縁板の上下面に複数のビルドアップ絶縁層が積層されて成る絶縁基板と、絶縁基板の表面および内部に形成された配線導体と、絶縁基板の上面中央部に、半導体素子の電極と接続される複数の半導体素子接続パッドが配設されたパッド形成領域を有する配線基板であって、コア絶縁板の上面側において、パッド形成領域が形成されたビルドアップ絶縁層の厚みが、コア絶縁板直上のビルドアップ絶縁層の厚みよりも小さいとともに、コア絶縁板の上面側のビルドアップ絶縁層の層数が、コア絶縁板の下面側のビルドアップ絶縁層の層数よりも多く、かつ上面側のビルドアップ絶縁層の厚みの合計と、下面側のビルドアップ絶縁層の厚みの合計とが等しいことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本開示の配線基板によれば、コア絶縁板の上面側においてパッド形成領域が形成されたビルドアップ絶縁層の厚みが、コア絶縁板直上のビルドアップ絶縁層の厚みよりも小さい。これにより、半導体素子の配線パターンに対応した微細な配線導体を形成することが可能になる。
さらに、コア絶縁板の上面側のビルドアップ絶縁層の層数が、コア絶縁板の下面側のビルドアップ絶縁層の層数よりも多く、かつ上面側のビルドアップ絶縁層の厚みの合計と、下面側のビルドアップ絶縁層の厚みの合計とが等しい。これにより、微細な配線導体を形成する領域を確保しつつ、コア絶縁板の上面側のビルドアップ絶縁層の熱伸縮量と下面側のビルドアップ絶縁層の熱伸縮量との差を小さくして配線基板の反りを抑制することが可能になる。
その結果、半導体素子と配線基板との電気的な接続を保持して半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本開示に係る配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、本開示に係る配線基板の一例を、図１を基に説明する。
配線基板Ａは、絶縁基板１と、配線導体２と、半導体素子接続パッド３と、外部接続パッド４とを備えている。
【００１５】
絶縁基板１は、コア絶縁板５およびビルドアップ絶縁層６を備えている。絶縁基板１の上面中央部には、複数の半導体素子接続パッド３が配設されたパッド形成領域７を有している。
【００１６】
コア絶縁板５は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて、圧力下で熱硬化させることで形成される。
コア絶縁板５は、複数のスルーホール８を有している。スルーホール８は、例えばドリル加工やブラスト加工等で形成される。
【００１７】
ビルドアップ絶縁層６は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂フィルムをコア絶縁板５の上に貼着して熱硬化させることで形成される。
ビルドアップ絶縁層６は、複数のビアホール９を有している。ビアホール９は、例えばレーザー加工により形成される。
コア絶縁板５の上面側には、４層のビルドアップ絶縁層６が積層されている。その内、上方の３層の各ビルドアップ絶縁層６の厚みは、最下層のビルドアップ絶縁層６の厚みよりも小さい。
これにより、上方の３層のビルドアップ絶縁層６には、最下層のビルドアップ絶縁層６におけるビアホール９の径よりも小径なビアホール９を形成することができることから、半導体素子の配線パターンに対応した微細な配線導体２を高密度に形成することが可能になる。また、上方の３層における配線導体２と、最下層ならびにコア絶縁板５の下面側における配線導体２とのインピーダンス整合をとることも可能になる。
さらに、最下層ならびにコア絶縁板５の下面側においては、上方の３層に形成した配線導体２よりも配線幅の大きな配線導体２を形成することで、半導体素子と外部回路基板との間における信号の伝送損失を抑制することが可能になる。
コア絶縁板５の下面側には、２層のビルドアップ絶縁層６が積層されている。下面側に積層された各ビルドアップ絶縁層６の厚みは、上面側の最下層のビルドアップ絶縁層６の厚みと同じである。
そして、上面側のビルドアップ絶縁層６の厚みの合計と、下面側のビルドアップ絶縁層６の厚みの合計とは等しい。
【００１８】
配線導体２は、例えば周知のセミアディティブ法により、銅等の良導電性金属から成り、コア絶縁板５の表面およびスルーホール８内、ならびに各ビルドアップ絶縁層６の表面およびビアホール９内に形成されている。これにより、絶縁基板１の上下間の配線導体２同士が電気的に接続される。
【００１９】
半導体素子接続パッド３は、パッド形成領域７に配線導体２と一体的に形成されている。半導体素子接続パッド３は、半導体素子の電極と半田を介して接続される。
【００２０】
外部接続パッド４は、絶縁基板１の下面に配線導体２と一体的に形成されている。外部接続パッド４は、外部回路基板（不図示）の電極に半田を介して接続される。
これにより、半導体素子と外部回路基板とが電気的に接続されて両者の間で信号が伝送される。
【００２１】
このように、本開示に係る配線基板Ａによれば、コア絶縁板５の上面側においてパッド形成領域７が形成されたビルドアップ絶縁層６の厚みが、コア絶縁板５直上のビルドアップ絶縁層６の厚みよりも小さい。これにより、半導体素子の配線パターンに対応した微細な配線導体２を形成することが可能になる。
さらに、コア絶縁板５の上面側のビルドアップ絶縁層６の層数が、コア絶縁板５の下面側のビルドアップ絶縁層６の層数よりも多く、かつ上面側のビルドアップ絶縁層６の厚みの合計と、下面側のビルドアップ絶縁層６の厚みの合計とが等しい。これにより、微細な配線導体２を形成する領域を確保しつつ、コア絶縁板５の上面側のビルドアップ絶縁層６の熱伸縮量と下面側のビルドアップ絶縁層６の熱伸縮量との差を小さくして配線基板Ａの反りを抑制することが可能になる。
その結果、半導体素子と配線基板Ａとの電気的な接続を保持して半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板Ａを提供することができる。
なお、ビルドアップ絶縁層６は、全ての層が同一の組成から成る材料によって形成されることが好ましい。これにより、コア絶縁板５の上面側のビルドアップ絶縁層６の熱伸縮量と下面側のビルドアップ絶縁層６の熱伸縮量との差をさらに抑えることができる。
【００２２】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、絶縁基板１の表面にソルダーレジスト層が無い例を示したが、絶縁基板１表面のいずれか一方、あるいは両方にソルダーレジスト層を有していても構わない。
【００２３】
また、上述の実施形態の一例では、半導体素子接続パッド３はランド部分を有する形状を示したが、ランド部分を有さず、絶縁基板１の上面から突出した銅ポスト形状を有するものであっても構わない。
【符号の説明】
【００２４】
１                        絶縁基板
２                        配線導体
３                        半導体素子接続パッド
５                        コア絶縁板
６                        ビルドアップ絶縁層
７                        パッド形成領域
Ａ                        配線基板
【図１】
2018081972.tif 000003
【図２】
2018081972.tif 000004