(57)【要約】【課題】樹脂密着性を低下させることなく、樹脂封止を行った際に、樹脂剥離の発生を抑制することができる発光素子及を提供する【解決手段】  化合物半導体からなる発光部と、電極と、保護膜とを有する発光素子であって、前記発光素子の少なくとも一部を覆う前記保護膜の表面に、Ｒｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されているものであることを特徴とする発光素子。【選択図】  図１
2018029162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体からなる発光部と、電極と、保護膜とを有する発光素子であって、
前記発光素子の少なくとも一部を覆う前記保護膜の表面に、Ｒｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されているものであることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記保護膜がＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光部の表面の少なくとも一部が粗面化されているものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
化合物半導体からなる発光部と、電極と、保護膜とを有する発光素子の製造方法であって、
前記発光素子の少なくとも一部を覆う前記保護膜であるＳｉＯ２膜に、弗酸と１価〜４価の無機酸あるいは有機酸とを混合した液によりフロスト処理することで、前記ＳｉＯ２膜の表面に凹凸を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記無機酸として、硫酸、塩酸、燐酸のうちの少なくともいずれか１種を用い、前記有機酸として、マロン酸、酢酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸のうちの少なくともいずれか１種を用いることを特徴とする請求項４に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体からなる発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体、例えばＡｌＧａＩｎＰからなる発光素子（ＬＥＤ）は湿度やプロセス中の異物不着による劣化もしくはリークを防止するため、ＳｉＯ２保護膜を形成している（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
特に発光層側面を保護するために使用するＳｉＯ２膜は形状追随性が高い材料及び反応系で形成するのが好適で、ＴＥＯＳと酸素を用いたプラズマＣＶＤで形成する。このことにより、発光層側面を良好に被覆し、保護膜としての機能を十分に果たすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６６６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
その一方、上記のＳｉＯ２膜は形状追随性が高いため、光取り出し面として粗面化した表面をも一様に被覆するため、凹凸（Ｒｚ）が小さくなる効果も有する。ＳｉＯ２膜表面の凹凸が小さくなることで、樹脂を被覆した際のアンカー効果が小さくなり、樹脂密着性を低下させ、樹脂封止を行った際に、既存技術では高湿環境下において樹脂剥離が発生するといった問題があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、樹脂密着性を低下させることなく、樹脂封止を行った際に、高湿環境下において樹脂剥離の発生を抑制することができる発光素子及び発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、化合物半導体からなる発光部と、電極と、保護膜とを有する発光素子であって、前記発光素子の少なくとも一部を覆う前記保護膜の表面に、Ｒｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されているものであることを特徴とする発光素子を提供する。
【０００８】
このように、保護膜の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されていることで樹脂を被覆した際のアンカー効果が大きくなり、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる。
【０００９】
このとき、前記保護膜がＳｉＯ２であることが好ましい。
【００１０】
保護膜として、ＳｉＯ２を好適に用いることができる。
【００１１】
このとき、前記発光部の表面の少なくとも一部が粗面化されているものであることが好ましい。
【００１２】
このような構成により、発光素子の発光効率を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明は、化合物半導体からなる発光部と、電極と、保護膜とを有する発光素子の製造方法であって、前記発光素子の少なくとも一部を覆う前記保護膜であるＳｉＯ２膜に、弗酸と１価〜４価の無機酸あるいは有機酸とを混合した液によりフロスト処理することで、前記ＳｉＯ２膜の表面に凹凸を形成することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
【００１４】
このような方法であれば、比較的簡便にＳｉＯ２膜表面に凹凸を形成することができ、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる発光素子を製造することができる。
【００１５】
このとき、前記無機酸として、硫酸、塩酸、燐酸のうちの少なくともいずれか１種を用い、前記有機酸として、マロン酸、酢酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸のうちの少なくともいずれか１種を用いることが好ましい。
【００１６】
無機酸あるいは有機酸として、上記のようなものを用いれば、より確実にＳｉＯ２膜表面に凹凸を形成することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明の発光素子であれば、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる。また、本発明の発光素子の製造方法を用いれば、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる発光素子を比較的簡便に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の発光素子の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の発光素子の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の発光素子の第三の実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の発光素子の第四の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態を示す工程断面図である。
【図６】本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態を示す工程断面図（図５の続き）である。
【図７】本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態を示す工程断面図（図６の続き）である。
【図８】本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態を示す工程断面図（図７の続き）である。
【図９】本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態を示す工程断面図（図９の続き）である。
【図１１】本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態を示す工程断面図（図１０の続き）である。
【図１２】本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態を示す工程断面図（図１１の続き）である。
【図１３】本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す工程断面図（図１３の続き）である。
【図１５】本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す工程断面図（図１４の続き）である。
【図１６】本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す工程断面図（図１５の続き）である。
【図１７】本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す工程断面図（図１６の続き）である。
【図１８】本発明の発光素子の製造方法の第四の実施形態を示す工程断面図である。
【図１９】本発明の発光素子の製造方法の第四の実施形態を示す工程断面図（図１８の続き）である。
【図２０】本発明の発光素子の製造方法の第四の実施形態を示す工程断面図（図１９の続き）である。
【図２１】本発明の発光素子の製造方法の第四の実施形態を示す工程断面図（図２０の続き）である。
【図２２】フロスト処理条件と、樹脂剥離率の関係を示す図である。
【図２３】比較例１の発光素子を示す概略断面図である。
【図２４】比較例２の発光素子を示す概略断面図である。
【図２５】比較例３の発光素子を示す概略断面図である。
【図２６】比較例４の発光素子を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
前述したように、発光層側面を保護するために使用するＳｉＯ２膜は形状追随性が高い材料であり、ＴＥＯＳと酸素の反応を用いたプラズマＣＶＤで形成するのが好適である。一方で、上記のＳｉＯ２膜は形状追随性が高いため、光取り出し面として粗面化した表面をも一様に被覆するため、ＳｉＯ２膜表面の凹凸が小さくなる。このため、樹脂を被覆した際のアンカー効果が小さくなり、樹脂密着性を低下させ、樹脂封止を行った際に、既存技術では樹脂剥離が発生するといった問題があった。
【００２０】
本発明者らは、樹脂密着性を低下させることなく、樹脂封止を行った際に、樹脂剥離の発生を抑制することができる発光素子について鋭意検討した。その結果、ＳｉＯ２膜の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されていることで、樹脂を被覆した際のアンカー効果が大きくなり、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できることを見出し、本発明を完成させた。なお、本願におけるＲｚは表面の十点平均粗さ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４）を示すものとする。
【００２１】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２２】
（第一の実施形態）
まず、図１を参照しながら、本発明の第一の実施形態となる発光素子について説明する。
図１に本発明の第一の実施形態となる発光素子１０を示す。
この発光素子１０は、第二電極１６２と第二接合金属層１３１を有する支持基板１３０と、第一接合金属層１２２上に面内の一部に導電部１２１を有する界面ＳｉＯ２部１２０が設けられ、その上に第二導電型電流伝播層１０７（厚さ０．５〜５．０μｍ）、電流伝播層１０７との格子不整を緩和する第二導電型緩衝層１０６、第二導電型第二半導体層１０５（厚さ０．５〜１．０μｍ）、活性層１０４（厚さ層０．１〜１．０μｍ）、第一導電型第一半導体層１０３（厚さ０．５〜１．０μｍ）が積層され、その上に第一電極１６１が形成され、半導体層表面にＳｉＯ２膜１７０が形成された基板とが接合された発光素子であり、ＳｉＯ２膜１７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されている。ここで、形成される凹凸のＲｚは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。
このようにＳｉＯ２膜１７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されていることで、樹脂を被覆した際のアンカー効果が大きくなり、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる。
【００２３】
なお、第一導電型第一半導体層１０３、活性層１０４、第二導電型第二半導体層１０５、第二導電型緩衝層１０６の材料は（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）とすることができる。また、電流伝播層１０７はＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１−ｗ（０≦ｗ≦１）とすることができる。また、例えば、第一半導体層１０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層１０４に近い側に層（第二の層）１０３Ｂを、第一電極１６１に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）１０３Ａを有する構成とすることができる（図１参照）。第二の層１０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層であり、単一組成あるいは単一条件層を意味しない。
【００２４】
ここで、発光部１０８の表面の少なくとも一部（すなわち、第一半導体層１０３の表面の一部）が粗面化されているものであることが好ましい。このような構成により、発光素子の発光効率を向上させることができる。
【００２５】
次に、このような第一の実施形態となる発光素子の製造方法を図５〜８により説明する。
【００２６】
図５に示すように結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板（出発基板）１０１を準備する（基板１０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる）。基板１０１を上記材料から選択すれば、活性層１０４の材料を格子整合系でエピタキシャル成長を行うことができるため、活性層の品質を向上させやすく、輝度上昇や寿命特性の向上が得られる。
【００２７】
次に、出発基板１０１上に、基板と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二導電型の第二半導体層１０５、電流伝播層１０７をエピタキシャル成長により順次形成する。また、出発基板１０１と第一半導体層１０３の間には、基板除去用の選択エッチング層１０２が挿入される。選択エッチング層１０２は二層以上の層構造からなり、出発基板１０１に接する層１０２Ａ、第一半導体層１０３に接する層１０２Ｂを少なくとも有する層１０２Ａと層１０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
【００２８】
更に具体的に説明すると、出発基板１０１上に例えばＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）やＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＣＢＥ（化学線エピタキシー法）により第一導電型の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二導電型の第二半導体層１０５から成る発光部１０８上に、緩衝層１０６、電流伝播層１０７をこの順にエピタキシャル成長したエピタキシャル基板１０９を作製する。
【００２９】
活性層１０４は発光波長に応じて（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）またはＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦０．４５）で形成される。可視光照明に適用する場合、ＡｌＧａＩｎＰを選択するのが好適であり、赤外照明に適用する場合、ＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓを選択するのが好適である。ただし、活性層の設計に関しては、超格子等の利用により波長は材料組成に起因する波長以外に調整可能であるため、上記の材料に限られない。
【００３０】
第一半導体層１０３、第二半導体層１０５はＡｌＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＡｓが選択され、その選択は活性層１０４と必ずしも同一の材料系でなくともよい。
【００３１】
なお、第一半導体層１０３、活性層１０４あるいは第二半導体層１０５は特性向上のため、各層内には複数層が含まれるのが一般的であり、第一半導体層１０３、活性層１０４あるいは第二半導体層１０５が単一層であることに限定されない。
【００３２】
電流伝播層１０７としては、ＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓＰまたはＧａＰを好適に用いる事ができる。
【００３３】
電流伝播層１０７をＧａＡｓｘＰ１−ｘ（０≦ｘ＜１）で形成した場合、緩衝層１０６はＩｎＧａＰあるいはＡｌＩｎＰで形成するのが最も好適である。ＧａＡｓｘＰ１−ｘ（ｘ≠１）と、ＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＡｓ系材料との間には格子不整が存在するため、ＧａＡｓｘＰ１−ｘ（ｘ≠１）には高密度のひずみや貫通転位が入る。貫通転位密度は組成ｘにより調整可能である。
【００３４】
次に図６に示すように、エピタキシャル基板１０９における電流伝播層１０７上の少なくとも一部に界面ＳｉＯ２部１２０を堆積し、界面ＳｉＯ２部を有しない領域の少なくとも一部に界面金属部（導電部）１２１を設け、界面ＳｉＯ２部１２０と界面金属部１２１の少なくとも一部を被覆する第一接合金属層１２２を設けて、第一積層体１２３を形成する。
【００３５】
次に、永久基板（支持基板）１３０上に第二接合金属層１３１を設けて、第二積層体１３２を形成する。第一接合金属層１２２と第二接合金属層１３１の少なくとも一部を接して、第一積層体１２３と第二積層体１３２とを１０００Ｎの圧力と１５０℃以上の熱を加えて接合した接合基板１４０を形成する。
【００３６】
次に図７に示すように接合基板１４０より出発基板１０１をウェットエッチング法により除去して、第一半導体層１０３を露出させる。エッチングに際しては、アンモニアと過酸化水素水の混合液（過酸化水素水の割合がアンモニア比２倍以上）にてエッチングを行う。エッチングストップ層１０２Ａを出発基板１０１と異なる材料にしておくことで、アンモニアと過酸化水素水の混合液によるエッチングを選択的に停止させることができる。エッチングストップ層１０２ＡとしてＡｌＩｎＰを用いることができる。
【００３７】
出発基板１０１除去後、エッチングストップ層１０２Ａを除去する。エッチングストップ層１０２ＡとしてＡｌＩｎＰを用いた場合、除去には塩酸を用いることができる。エッチングストップ層１０２Ｂは塩酸によるエッチングを停止させるため、ＧａＡｓを用いることができる。
【００３８】
次に、第一半導体層１０３に接する第一電極１６１を形成し、永久基板１３０に接する第二電極１６２を形成し、第一半導体層１０３の少なくとも一部を被覆する絶縁層１７０を形成して発光素子基板１７１を作製する。
【００３９】
第一導電型がｎ型の場合、第一電極１６１はＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎのうちの少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第一導電型がｐ型の場合、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎのうちの少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がｎ型の場合、第二電極１６２はＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎのうちの少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がｐ型の場合、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎのうちの少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
【００４０】
次に図８に示すように発光素子基板１７１の絶縁層１７０に対して弗酸と１価〜４価の無機酸あるいは有機酸を混合した液を用いてフロスト処理する。ここで無機酸は硫酸・塩酸・燐酸のうちの少なくともいずれか１種であり、有機酸はマロン酸、酢酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸のうちの少なくともいずれか１種とすることができる。こうして、絶縁層１７０の表面に凹凸を有するフロスト処理基板１８０を作製する。次にフロスト処理基板１８０を個別ダイスに分離し、第一電極１６１にワイヤーを設け、第二電極１６２を導電性樹脂でステムに固定したのち、エポキシ樹脂で封止して発光ダイオードを作製する。
【００４１】
（第二の実施形態）
次に、図２を参照しながら、本発明の第二の実施形態となる発光素子について説明する。
図２に本発明の第二の実施形態となる発光素子２０を示す。
この発光素子２０は、第二電極２６２と第二接合金属層２３１を有する支持基板２３０と、第一接合金属層２２２上にコンタクト部２０８を有する界面透明導電膜層２２０、その上に第二導電型電流伝播層２０７（厚さ０．５〜５．０μｍ）、電流伝播層２０７との格子不整を緩和する第二導電型緩衝層２０６、第二導電型第二半導体層２０５（厚さ０．５〜１．０μｍ）、活性層２０４（厚さ層０．１〜１．０μｍ）、第一導電型第一半導体層２０３（厚さ０．５〜１．０μｍ）が積層され、その上に第一電極２６１が形成され、半導体層表面にＳｉＯ２膜２７０が形成された基板とが接合された発光素子であり、ＳｉＯ２膜２７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されている。ここで、形成される凹凸のＲｚは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。第二の実施形態においても、ＳｉＯ２膜２７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されていることで、第一の実施形態と同様に樹脂を被覆した際のアンカー効果が大きくなり、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる。
【００４２】
なお、第一導電型第一半導体層２０３、活性層２０４、第二導電型第二半導体層２０５、第二導電型緩衝層２０６の材料は（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）とすることができる。また、電流伝播層２０７はＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１−ｗ（０≦ｗ≦１）とすることができる。また、例えば、第一半導体層２０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層２０４に近い側に層（第二の層）２０３Ｂを、第一電極２６１に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）２０３Ａを有する構成とすることができる（図２参照）。第二の層２０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層であり、単一組成あるいは単一条件層を意味しない。
また、界面透明導電膜層２２０は、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのうちいずれか一種類以上を含む酸化物から構成される。
【００４３】
次に、このような第二の実施形態となる発光素子２０の製造方法を図９〜１２により説明する。
【００４４】
図９に示すように結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板（出発基板）２０１を準備する（基板２０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる）。
【００４５】
次に、出発基板２０１上に、基板と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層２０３、活性層２０４、第二導電型の第二半導体層２０５、電流伝播層２０７、コンタクト層２０８をエピタキシャル成長により順次形成し、エピタキシャル基板２１０を形成する。なお、第一半導体層２０３、活性層２０４、第二半導体層２０５は、発光部２０９を構成する。また、出発基板２０１と第一半導体層２０３の間には、基板除去用の選択エッチング層２０２が挿入される。選択エッチング層は二層以上の層構造からなり、出発基板に接する層２０２Ａ、第一半導体層に接する層２０２Ｂを少なくとも有する。層２０２Ａと層２０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
【００４６】
第一半導体層２０３、活性層２０４、第二半導体層２０５、電流伝播層２０７は、第一の実施形態の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二半導体層１０５、電流伝播層１０７と同様の材料を用いることができ、同様の構成とすることができる。コンタクト層２０８は電流伝播層２０７と同一の材料で構成しても良いし、異なる材料で構成してもかまわない。
【００４７】
次に図１０に示すようにエピタキシャル基板２１０において、コンタクト層２０８の一部を除去し、コンタクト部２０８と電流伝播層２０７の両者の少なくとも一部に接するように第一透明導電膜２２０を堆積し、第一透明導電膜２２０の少なくとも一部を被覆する第一接合金属層２２２を設けて、第一積層体２２３を形成する。
【００４８】
次に、永久基板（支持基板）２３０上に第二接合金属層２３１を設けて、第２積層体２３２を形成する。第一接合金属層２２２と第二接合金属層２３１の少なくとも一部を接して、第一積層体２２３と第２積層体２３２とを１０００Ｎの圧力と１５０℃以上の熱を加えて接合した接合基板２４０を形成する。
【００４９】
次に図１１に示すように接合基板２４０より出発基板２０１をウェットエッチング法により除去して、第一半導体層２０３を露出させる。エッチングに際しては、第一の実施形態と同様にして行うことができる。
【００５０】
出発基板２０１除去後、エッチングストップ層２０２Ａを除去する。エッチングストップ層２０２Ａ、２０２Ｂは、第一の実施形態のエッチングストップ層１０２Ａ、１０２Ｂと同様の材料を用いることができる。
【００５１】
次に、第一半導体層２０３に接する第一電極２６１を形成し、永久基板２３０に接する第二電極２６２を形成し、第一半導体層２０３の少なくとも一部を被覆する絶縁層２７０を形成して発光素子基板２７１を作製する。第一電極２６１、第二電極２６２は、第一の実施形態の第一電極１６１、第二電極１６２と同様な材料を用いることができ、同様の膜厚とすることができる。
【００５２】
次に図１２に示すように、発光素子基板２７１の絶縁層２７０に対して、第一の実施形態と同様にしてフロスト処理する。こうして、絶縁層２７０の表面に凹凸を有するフロスト処理基板２８０を作製する。次にフロスト処理基板２８０を個別ダイスに分離し、第一電極２６１にワイヤーを設け、第二電極２６２を導電性樹脂でステムに固定したのち、エポキシ樹脂で封止した発光ダイオードを作製する。
【００５３】
（第三の実施形態）
次に、図３を参照しながら、本発明の第三の実施形態となる発光素子について説明する。
図３に本発明の第三の実施形態となる発光素子３０を示す。
この発光素子３０は、第二誘電体膜３２１と第二接着層３２５を有する支持基板３３０と、第一接着層３２４上に第一誘電体膜３２０、その上に第二導電型電流伝播層３０７（厚さ０．５〜５．０μｍ）、電流伝播層３０７との格子不整を緩和する第二導電型緩衝層３０６、第二導電型第二半導体層３０５（厚さ０．５〜１．０μｍ）、活性層３０４（厚さ層０．１〜１．０μｍ）、第一導電型第一半導体層３０３（厚さ０．５〜１．０μｍ）が積層されその上に第一電極３５０が形成され、また、一部半導体層が第二導電型電流伝播層３０７まで切り欠かれており、切り欠かれた第二導電型電流伝播層３０７上に第二電極３５１が形成され、さらに半導体層表面にＳｉＯ２膜３７０が形成された基板とが接合された発光素子であり、ＳｉＯ２膜３７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されている。ここで、形成される凹凸のＲｚは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。第三の実施形態においても、ＳｉＯ２膜３７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されていることで、第一の実施形態と同様に樹脂を被覆した際のアンカー効果が大きくなり、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる。
【００５４】
なお、第一導電型第一半導体層３０３、活性層３０４、第二導電型第二半導体層３０５、第二導電型緩衝層３０６の材料は（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）とすることができる。また、電流伝播層３０７はＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１−ｗ（０≦ｗ≦１）とすることができる。また、例えば、第一半導体層３０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層３０４に近い側に層（第二の層）３０３Ｂを、第一電極３５０に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）３０３Ａを有する構成とすることができる（図３参照）。第二の層３０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層であり、単一組成あるいは単一条件層を意味しない。
【００５５】
次に、このような第三の実施形態となる発光素子３０の製造方法を図１３〜１７により説明する。
【００５６】
図１３に示すように結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板（出発基板）３０１を準備する（基板３０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる）。
【００５７】
次に、出発基板３０１上に、基板と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層３０３、活性層３０４、第二導電型の第二半導体層３０５、電流伝播層３０７をエピタキシャル成長により順次形成し、エピタキシャル基板３０９を形成する。なお、第一半導体層３０３、活性層３０４、第二半導体層３０５は、発光部３０８を構成する。また、出発基板３０１と第一半導体層３０３の間には、基板除去用の選択エッチング層３０２が挿入される。選択エッチング層３０２は二層以上の層構造からなり、出発基板に接する層３０２Ａ、第一半導体層に接する層３０２Ｂを少なくとも有する。層３０２Ａと層３０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
【００５８】
第一半導体層３０３、活性層３０４、第二半導体層３０５、電流伝播層３０７は、第一の実施形態の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二半導体層１０５、電流伝播層１０７と同様の材料を用いることができ、同様の構成とすることができる。
【００５９】
次に図１４に示すようにエピタキシャル基板３０９における電流伝播層３０７上に第一ＳｉＯ２膜３２０を堆積する。第一ＳｉＯ２膜３２０は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することができる。
【００６０】
次に第一ＳｉＯ２膜３２０上に透明接着層３２５を形成し、第一接合基板３２６を形成する。透明接着層３２５はＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）あるいはエポキシ等が選択可能である。形成方法はディップ法あるいはスピンコート法により形成可能な材料を選択することが好適である。例えばスピンコート法により堆積が可能なＢＣＢ材であるシクロテンの場合、第一ＳｉＯ２膜３２０上にシクロテンを滴下し、１，０００〜５，０００ｒｐｍの回転数によりスピンコートを実施する。接着剤が均一に塗布できればよいため、前述のどの回転数でも選択可能だが、３，０００ｒｐｍ以上の回転数が好適である。スピンコート後、ホットプレート上に８０〜１１０℃の範囲で３０秒以上保持して溶剤を揮発させる。溶剤が揮発すればよいため、前述のどの条件でも選択可能だが、温度９０℃以上、６０秒以上の保持時間を選択することが好適である。
【００６１】
次に透明基板（支持基板）３３０上に第二ＳｉＯ２膜３２１を堆積し、第二接合基板３３１を形成する。第二ＳｉＯ２膜３２１は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することができる。
【００６２】
第一接合基板３２６のみに透明接着層３２５を設けた例を開示したが、第二接合基板３３１に透明接着層を設けても同様の効果が得られる。また、第一接合基板３２６及び第二接合基板３３１の両方に透明接着層を設けることもできる。
【００６３】
次に、図１４に示すように、第一接合基板３２６と第二接合基板３３１を透明接着層３２５と第二ＳｉＯ２膜３２１を対向させ、かつ接触しないように設置し、３０Ｐａ以下の真空雰囲気にする。真空雰囲気後、透明接着層３２５と第二ＳｉＯ２膜３２１を接触させ、かつ、５０００Ｎの圧力と１００〜２００℃の間の温度になる様に制御して５分以上保持した後、３００℃以上の熱を加えて第一接合基板３２６と第二接合基板３３１を圧着して接合基板３４０を形成する。
【００６４】
接合基板３４０より出発基板３０１をエッチングにより除去する。エッチングに際しては、第一の実施形態と同様にして行うことができる。
【００６５】
出発基板３０１除去後、エッチングストップ層３０２Ａを除去する。エッチングストップ層３０２Ａ、３０２Ｂは、第一の実施形態のエッチングストップ層１０２Ａ、１０２Ｂと同様の材料を用いることができる。
【００６６】
次に図１５に示すように、第一半導体層３０３に接する第一電極３５０を形成する。第一電極３５０は、第一の実施形態の第一電極１６１と同様な材料を用いることができ、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。次にドライ法あるいはウェット法によるエッチングによって、第一電極３５０が存在する以外の領域３６０の第一半導体層３０３、活性層３０４を切り欠いたパターンを形成する。図１５では電流伝播層３０７まで切り欠いた例を示しているが、第二半導体層３０５あるいは緩衝層３０６が露出した状態でエッチングを止めても同様の機能を有する。図１５において、領域３６０以外の領域を平坦面として表しているが、平坦面に限定されるものではなく、領域３６０以外の領域を粗面あるいは凹凸面としても良い。
【００６７】
次に図１６に示すように、第一半導体層３０３の少なくとも一部を被覆する絶縁層３７０を形成する。絶縁層３７０は、ＳｉＯ２である。図１６では、活性層３０４、第二半導体層３０５、緩衝層３０６、電流伝播層３０７の一部を被覆する例を図示しているが、この形態に限定されない。
【００６８】
次に領域３６０の一部に第二電極３５１を形成した発光素子基板３７１を形成する。第二電極３５１は、第一の実施形態の第二電極１６２と同様な材料を用いることができ、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
【００６９】
次に図１７に示すように、発光素子基板３７１の絶縁層３７０に対して第一の実施形態と同様にして表面にフロスト処理を施し、絶縁層３７０の表面に凹凸を有するフロスト処理基板３８０を作製する。
【００７０】
次に、フロスト処理基板３８０をステルスダイシング法、あるいはブレードダイシング法等によって個別ダイスに分割したのち、ダイスをステムに固定し、第一電極３５０、第二電極３５１にワイヤーを設け、エポキシ樹脂で封止した発光ダイオードを作製する。
【００７１】
（第四の実施形態）
次に、図４を参照しながら、本発明の第四の実施形態となる発光素子について説明する。
図４に本発明の第四の実施形態となる発光素子４０を示す。
この発光素子４０は、第二導電型電流伝播層４０７（厚さ３０〜１５０μｍ）、電流伝播層４０７との格子不整を緩和する第二導電型緩衝層４０６、第二導電型第二半導体層４０５（厚さ０．５〜１．０μｍ）、活性層４０４（厚さ層０．１〜１．０μｍ）、第一導電型第一半導体層４０３（厚さ０．５〜１．０μｍ）が積層され、その上に第一電極４５０が形成され、また、一部半導体層が第二導電型電流伝播層４０７まで切り欠かれており、切り欠かれた第二導電型電流伝播層４０７上に第二電極４５１が形成され、さらに半導体層表面にＳｉＯ２膜４７０が形成された発光素子であり、ＳｉＯ２膜４７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されている。ここで、形成される凹凸のＲｚは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。第四の実施形態においても、ＳｉＯ２膜４７０の表面にＲｚが５ｎｍを超える凹凸が形成されていることで、第一の実施形態と同様に樹脂を被覆した際のアンカー効果が大きくなり、樹脂密着性を増大させ、樹脂封止を行った際に樹脂剥離が発生することを抑制できる。
【００７２】
なお、第一導電型第一半導体層４０３、活性層４０４、第二導電型第二半導体層４０５、第二導電型緩衝層４０６の材料は（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）とすることができる。また、電流伝播層４０７はＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１−ｗ（０≦ｗ≦１）とすることができる。また、例えば、第一半導体層４０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層４０４に近い側に層（第二の層）４０３Ｂを、第一電極４５０に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）４０３Ａを有する構成とすることができる（図４参照）。第二の層４０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層であり、単一組成あるいは単一条件層を意味しない。
【００７３】
次に、このような第四の実施形態となる発光素子４０の製造方法を図１８〜２１により説明する。
【００７４】
図１８に示すように結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板（出発基板）４０１を準備する（基板４０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる。
【００７５】
次に、出発基板４０１上に、基板と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層４０３、活性層４０４、第二導電型の第二半導体層４０５、電流伝播層４０７をエピタキシャル成長により順次形成し、エピタキシャル基板４０９を形成する。なお、第一半導体層４０３、活性層４０４、第二半導体層４０５は、発光部４０８を構成する。また、出発基板４０１と第一半導体層４０３の間には、基板除去用の選択エッチング層４０２が挿入される。選択エッチング層は二層以上の層構造からなり、出発基板に接する層４０２Ａ、第一半導体層に接する層４０２Ｂを少なくとも有する。層４０２Ａと層４０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
【００７６】
第一半導体層４０３、活性層４０４、第二半導体層４０５、電流伝播層４０７は、第一の実施形態の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二半導体層１０５、電流伝播層１０７と同様の材料を用いることができ、同様の構成とすることができる。
また、第一半導体層４０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層４０４に近い側に層（第二の層）４０３Ｂを、出発基板４０１に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）４０３Ａを有する構成とすることができる。層４０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層であり、単一組成あるいは単一条件層を意味しない。
【００７７】
次に図１９に示すように、出発基板４０１をエッチングにより除去する。エッチングに際しては、第一の実施形態と同様にして行うことができる。
【００７８】
出発基板４０１除去後、エッチングストップ層４０２Ａを除去する。エッチングストップ層４０２Ａ、４０２Ｂは、第一の実施形態のエッチングストップ層１０２Ａ、１０２Ｂと同様の材料を用いることができる。
【００７９】
次に、ドライ法あるいはウェット法によるエッチングによって第一半導体層４０３、活性層４０４の領域４６０を切り欠いたパターンを形成する。図１９では電流伝播層４０７まで切り欠いた例を図示しているが、第二半導体層４０５あるいは緩衝層４０６が露出した状態でエッチングを止めても同様の機能を有する。図１９の例において、領域４６０以外の領域を平坦面として表しているが、平坦面に限定されるものではなく、領域４６０以外の領域を粗面あるいは凹凸面としても良い。
【００８０】
次に、図２０に示すように、第一半導体層４０３の少なくとも一部に接する第一電極４５０と、領域４６０の少なくとも一部と、領域４６０以外の領域の少なくとも一部を被覆する様に絶縁層４７０を形成する。絶縁層４７０は、ＳｉＯ２である。そして領域４６０の一部に第二電極４５１を形成した発光素子基板４７１を形成する。
【００８１】
第一電極４５０は、第一の実施形態の第一電極１６１と同様な材料を用いることができ、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二電極４５１は、第一の実施形態の第二電極１６２と同様な材料を用いることができ、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
【００８２】
次に、図２１に示すように、発光素子基板４７１の絶縁層４７０に対して第一の実施形態と同様にして表面にフロスト処理を施し、絶縁層４７０の表面に凹凸を有するフロスト処理基板４８０を作製する。
【００８３】
次に、ステルスダイシング法、スクライブ法、あるいはブレードダイシング法等によって個別ダイスに分割したのちダイスをステムに固定し、第一電極４５０、第二電極４５１にワイヤーを設け、エポキシ樹脂で封止した発光ダイオードを作製する。
【実施例】
【００８４】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８５】
（実施例１）
図１に示すような発光素子１０を作製した。この発光素子１０の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二半導体層１０５は同一材料であるＡｌＩｎＧａＰとした。また、第一半導体層１０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層１０４に近い側に層（第二の層）１０３Ｂを、第一電極１６１に近い側にＡｌ組成の低い層（第１の層）１０３Ａを有する。第二の層１０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層である。また、第一導電型はｎ型で第一電極１６１の電極材料はＡｕＧｅＮｉの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。第二導電型はｐ型で第二電極１６２の電極材料はＡｕＢｅの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。絶縁層１７０はＴＥＯＳとＯ２を原料とするＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成した。また、膜厚は３００ｎｍとした。
【００８６】
この発光素子は製造過程でエピタキシャル基板に表１に示す条件１〜８のフロスト加工によりＳｉＯ２膜１７０の表面に凹凸を形成した８枚のウェーハから製造したものである。なお、表１には、各フロスト処理条件（１価の有機酸である酢酸、３価の有機酸であるリンゴ酸、４価の有機酸である酒石酸、４価の有機酸であるクエン酸のいずれかと、弗酸又はバッファード弗酸とを混合した液によるフロスト処理）における表面ラフネス（Ｒｚ）も示されている。
【００８７】
【表１】
2018029162.tif 000003
【００８８】
上記のようにして製造した発光素子について、各フロスト処理条件における樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【００８９】
（実施例２）
図２に示すような発光素子２０を作製した。この発光素子の第一半導体層２０３、活性層２０４、第二半導体層２０５は同一材料であるＡｌＩｎＧａＰとした。また、第一半導体層２０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層２０４に近い側に層（第二の層）２０３Ｂを、第一電極２６１に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）２０３Ａを有する構成とした。層２０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層である。第一導電型はｎ型で第一電極２６１の電極材料はＡｕＧｅＮｉの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。第二導電型はｐ型で第二電極２６２の電極材料はＡｕＢｅの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。絶縁層２７０はＴＥＯＳとＯ２を原料とするＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成した。また、膜厚は３００ｎｍとした。
この発光素子は製造過程でエピタキシャル基板に表１に示す条件１〜８のフロスト加工によりＳｉＯ２膜２７０の表面に凹凸を形成した８枚のウェーハから製造したものである。
【００９０】
上記のようにして製造した発光素子について、各フロスト処理条件における樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【００９１】
（実施例３）
図３に示すような発光素子３０を作製した。この発光素子の第一半導体層３０３、活性層３０４、第二半導体層３０５は同一材料であるＡｌＩｎＧａＰとした。また、第一半導体層３０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層３０４に近い側に層（第二の層）３０３Ｂを、第一電極３５０に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）３０３Ａを有する構成とした。層３０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層である。透明接着層３２５はスピンコート法により堆積が可能なＢＣＢ材であるシクロテンとした。第一ＳｉＯ２膜３２０上にシクロテンを滴下し、３，０００ｒｐｍの回転数によりスピンコートを実施した。スピンコート後、ホットプレート上に９０℃で６０秒以上保持して溶剤を揮発させた。第一導電型はｎ型で第一電極３５０の電極材料はＡｕＧｅＮｉの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。第二導電型はｐ型で第二電極３５１の電極材料はＡｕＢｅの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。絶縁層３７０はＴＥＯＳとＯ２を原料とするＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成した。また、膜厚は３００ｎｍとした。
この発光素子は製造過程でエピタキシャル基板に表１に示す条件１〜８のフロスト加工によりＳｉＯ２膜３７０の表面に凹凸を形成した８枚のウェーハから製造したものである。
【００９２】
上記のようにして製造した発光素子について、各フロスト処理条件における樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【００９３】
（実施例４）
図４に示すような発光素子４０を作製した。この発光素子の第一半導体層４０３、活性層４０４、第二半導体層４０５は同一材料であるＡｌＩｎＧａＰとした。また、第一半導体層４０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層４０４に近い側に層（第二の層）４０３Ｂを、第一電極４５０に近い側にＡｌ組成の低い層（第一の層）４０３Ａを有する構成とした。層４０３Ｂはクラッド層の機能を有する機能層である。第一導電型はｎ型で第一電極４５０の電極材料はＡｕＧｅＮｉの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。第二導電型はｐ型で第二電極４５１の電極材料はＡｕＢｅの合金を選択し、その膜厚を５００ｎｍとした。絶縁層４７０はＴＥＯＳとＯ２を原料とするＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成した。また、膜厚は３００ｎｍとした。
この発光素子は製造過程でエピタキシャル基板に表１に示す条件１〜８のフロスト加工によりＳｉＯ２膜４７０の表面に凹凸を形成した８枚のウェーハから製造したものである。
【００９４】
上記のようにして製造した発光素子について、各フロスト加工条件における樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【００９５】
（比較例１）
図２３に示すような発光素子５０を作製した。この発光素子はＳｉＯ２保護膜１７０の表面にフロスト加工を行わない点を除き実施例１と同じ構造である。またこの発光素子はフロスト加工を行わなかった１枚のエピタキシャルウェーハから製造したものである。
【００９６】
上記のようにして製造した発光素子について、樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【００９７】
（比較例２）
図２４に示すような発光素子６０を作製した。この発光素子はＳｉＯ２保護膜２７０の表面にフロスト加工を行わない点を除き実施例２と同じ構造である。またこの発光素子はフロスト加工を行わなかった１枚のエピタキシャルウェーハから製造したものである。
【００９８】
上記のようにして製造した発光素子について、樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【００９９】
（比較例３）
図２５に示すような発光素子７０を作製した。この発光素子はＳｉＯ２保護膜３７０の表面にフロスト加工を行わない点を除き実施例３と同じ構造である。またこの発光素子はフロスト加工を行わなかった１枚のエピタキシャルウェーハから製造したものである。
【０１００】
上記のようにして製造した発光素子について、樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【０１０１】
（比較例４）
図２６に示すような発光素子８０を作製した。この発光素子はＳｉＯ２保護膜４７０にフロスト加工を行わない点を除き実施例４と同じ構造である。またこの発光素子はフロスト加工を行わなかった１枚のエピタキシャルウェーハから製造したものである。
【０１０２】
上記のようにして製造した発光素子について、樹脂剥離率を調べた。その結果を図２２に示す。
【０１０３】
図２２に示すように、フロスト処理条件が条件１〜条件８のいずれの条件においても、フロスト処理を行った実施例１はフロスト処理を行なわない比較例１に比べて剥離率が大幅に改善されたのが分かる。
また、図２２に示すように、フロスト処理条件が条件１〜条件８のいずれの条件においても、フロスト処理を行った実施例２はフロスト処理を行なわない比較例２に比べて剥離率が大幅に改善されたのが分かる。
また、図２２に示すように、フロスト処理条件が条件１〜条件８のいずれの条件においても、フロスト処理を行った実施例３はフロスト処理を行なわない比較例３に比べて剥離率が大幅に改善されたのが分かる。
また、図２２に示すように、フロスト処理条件が条件１〜条件８のいずれの条件においても、フロスト処理を行った実施例４はフロスト処理を行なわない比較例４に比べて剥離率が大幅に改善されたのが分かる。
【０１０４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１０５】
１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０…発光素子、
１０１…出発基板（基板）、  １０２…選択エッチング層、
１０２Ａ、１０２Ｂ…エッチングストップ層、  １０３…第一半導体層、
１０３Ａ…出発基板（第一電極）側の層、  １０３Ｂ…活性層側の層、
１０４…活性層、  １０５…第二半導体層、  １０６…緩衝層、
１０７…電流伝播層、  １０８…発光部、  １０９…エピタキシャル基板、
１２０…界面ＳｉＯ２部、  １２１…導電部（界面金属部）、
１２２…第一接合金属層、  １２３…第一積層体、  １３０…支持基板（永久基板）、
１３１…第二接合金属層、  １３２…第二積層体、  １４０…接合基板、
１６１…第一電極、  １６２…第二電極、  １７０…ＳｉＯ２膜（絶縁層）、
１７１…発光素子基板、  １８０…フロスト処理基板、
２０１…出発基板（基板）、  ２０２…選択エッチング層、
２０２Ａ、２０２Ｂ…エッチングストップ層、  ２０３…第一半導体層、
２０３Ａ…出発基板（第一電極）側の層、  ２０３Ｂ…活性層側の層、
２０４…活性層、  ２０５…第二半導体層、
２０６…緩衝層、  ２０７…電流伝播層、  ２０８…コンタクト部（コンタクト層）、
２０９…発光部、  ２１０…エピタキシャル基板、  ２２０…界面透明導電膜層、
２２２…第一接合金属層、  ２２３…第一積層体、
２３０…支持基板（永久基板）、  ２３１…第二接合金属層、  ２３２…第二積層体、
２４０…接合基板、  ２６１…第一電極、  ２６２…第二電極、
２７０…表面ＳｉＯ２部（絶縁層）、  ２７１…発光素子基板、
２８０…フロスト処理基板、
３０１…出発基板（基板）、  ３０２…選択エッチング層、
３０２Ａ、３０２Ｂ…エッチングストップ層、  ３０３…第一半導体層、
３０３Ａ…第一の層、  ３０３Ｂ…第二の層、
３０４…活性層、  ３０５…第二半導体層、  ３０６…緩衝層、
３０７…電流伝播層、  ３０８…発光部、  ３０９…エピタキシャル基板、
３２０…第一誘電体膜（第一ＳｉＯ２膜）、
３２１…第二誘電体膜（第二ＳｉＯ２膜）、  ３２４…第一接着層、
３２５…第二接着層（透明接着層）、  ３２６…第一接合基板、
３３０…支持基板（透明基板）、  ３３１…第二接合基板、  ３４０…接合基板
３５０…第一電極、  ３５１…第二電極、  ３６０…領域、
３７０…ＳｉＯ２膜（絶縁層）、  ３７１…発光素子基板、
３８０…フロスト処理基板、
４０１…出発基板（基板）、  ４０２…選択エッチング層、
４０２Ａ、４０２Ｂ…エッチングストップ層、
４０３…第一半導体層、  ４０３Ａ…第一の層、  ４０３Ｂ…第二の層、
４０４…活性層、  ４０５…第二半導体層、
４０６…緩衝層、  ４０７…電流伝播層、  ４０８…発光部、
４０９…エピタキシャル基板、  ４５０…第一電極、  ４５１…第二電極、
４６０…領域、  ４７０…ＳｉＯ２膜（絶縁層）、  ４７１…発光素子基板、
４８０…フロスト処理基板。
【図１】
2018029162.tif 000004
【図２】
2018029162.tif 000005
【図３】
2018029162.tif 000006
【図４】
2018029162.tif 000007
【図５】
2018029162.tif 000008
【図６】
2018029162.tif 000009
【図７】
2018029162.tif 000010
【図８】
2018029162.tif 000011
【図９】
2018029162.tif 000012
【図１０】
2018029162.tif 000013
【図１１】
2018029162.tif 000014
【図１２】
2018029162.tif 000015
【図１３】
2018029162.tif 000016
【図１４】
2018029162.tif 000017
【図１５】
2018029162.tif 000018
【図１６】
2018029162.tif 000019
【図１７】
2018029162.tif 000020
【図１８】
2018029162.tif 000021
【図１９】
2018029162.tif 000022
【図２０】
2018029162.tif 000023
【図２１】
2018029162.tif 000024
【図２２】
2018029162.tif 000025
【図２３】
2018029162.tif 000026
【図２４】
2018029162.tif 000027
【図２５】
2018029162.tif 000028
【図２６】
2018029162.tif 000029