(57)【要約】【課題】クレーター欠陥およびピットの少ない磁気ディスク用基板および磁気ディスク用基板の製造方法を提供する。【解決手段】磁気ディスク用基板は、アルミニウム合金基板と、アルミニウム合金基板の表面に配置されたＮｉ−Ｐ膜と、を備える。グロー放電発光分析装置（Glow Discharge Spectroscopy：ＧＤＳ）で、Ｎｉ−Ｐ膜とアルミニウム合金基板との間に存在しているＦｅ原子およびＺｎ原子の発光強度を測定し、Ｆｅ原子の最大発光強度を（ＩＦｅ）、Ｚｎ原子の最大発光強度を（ＩＺｎ）とし、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム合金基板と、前記アルミニウム合金基板の表面に配置されたＮｉ−Ｐ膜と、を備える磁気ディスク用基板において、
グロー放電発光分析装置（Glow Discharge Spectroscopy：ＧＤＳ）で、前記Ｎｉ−Ｐ膜と前記アルミニウム合金基板との間に存在しているＦｅ原子およびＺｎ原子の発光強度を測定し、前記Ｆｅ原子の最大発光強度を（ＩＦｅ）、前記Ｚｎ原子の最大発光強度を（ＩＺｎ）とし、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５である、
ことを特徴とする磁気ディスク用基板。
【請求項２】
前記アルミニウム合金基板は、
Ｍｇ：２．５〜１０．０ｍａｓｓ％、
Ｃｕ：０．００５〜０．２００ｍａｓｓ％、
Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％、
Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％を含有し、
Ｃｒ：０．３００ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｆｅ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｃｌ；０．００５００ｍａｓｓ％以下に規制し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
【請求項３】
１度目のジンケート処理、Ｚｎ剥離処理、２度目のジンケート処理を含み、１度目および２度目のジンケート処理において、ジンケート処理溶液のＣｌ含有量が３．０ｍａｓｓ％以下であり、比液量Ｖ（ｍＬ／ｃｍ２）、アルミニウム合金基板の回転数Ｒ（ｒｐｍ）、ジンケート処理溶液の温度Ｔ（℃）、ジンケート処理時間ｔ（ｓ）とし、０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０であるめっき前処理と、
前記めっき前処理の後に、無電解Ｎｉ−Ｐめっきにより前記アルミニウム合金基板の表面にＮｉ−Ｐ膜を形成するＮｉ−Ｐめっき処理と、
を備えることを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用基板および磁気ディスク用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータやデータセンターの記憶装置として使用されるＨＤＤ（Hard Disk Drive）の磁気ディスクには、アルミニウム合金製の磁気ディスク用基板が用いられている。磁気ディスク用基板は、一般に、良好なめっき性を有するとともに機械的特性や加工性に優れるＪＩＳ５０８６に定められた組成（３．５ｍａｓｓ％以上４．５ｍａｓｓ％以下のＭｇ、０．５０ｍａｓｓ％以下のＦｅ、０．４０ｍａｓｓ％以下のＳｉ、０．２０ｍａｓｓ％以上０．７０ｍａｓｓ％以下のＭｎ、０．０５ｍａｓｓ％以上０．２５ｍａｓｓ％以下のＣｒ、０．１０ｍａｓｓ％以下のＣｕ、０．１５ｍａｓｓ％以下のＴｉ、０．２５ｍａｓｓ％以下のＺｎ、残部Ａｌ及び不可避不純物）を有するアルミニウム合金から形成される。磁気ディスク用基板は、このアルミニウム合金基板に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施した後、表面を平滑に研磨し、磁性体を付着させることにより製造されている。また、めっき前処理工程における金属間化合物の抜け落ちによるピットを削減することを目的に、一部の磁気ディスク用基板は、ＪＩＳ５０８６に定められた組成中のＦｅ、Ｓｉ等の不純物の含有量を制限することで合金中の金属間化合物を小さくしたアルミニウム合金から形成されている。また、めっき性改善を目的にＪＩＳ５０８６に定められた組成の範囲内で、ＣｕやＺｎの含有率を高く設定したアルミニウム合金が用いられることもある。
【０００３】
一般的な磁気ディスク用基板は、円環状のアルミニウム合金基板を作製し、このアルミニウム合金基板にめっきを施し、次いでこのアルミニウム合金基板の表面に磁性体を付着させることにより製造されている。
【０００４】
具体的には、磁気ディスク用基板は、以下の製造工程により製造される。まず、ＪＩＳ５０８６に定められた組成を有するアルミニウム合金の鋳塊を鋳造する。次に、その鋳塊を熱間圧延し、次いで冷間圧延し、磁気ディスク用基板として必要な厚みの圧延材を作製する。冷間圧延の途中で、焼鈍処理を施してもよい。次に、この圧延材を円環状に打抜き、円環状のアルミニウム合金板を成形する。歪み等を除去するために、このアルミニウム合金板を積層し、両面から加圧しながら焼鈍する。
【０００５】
このようにして作製したアルミニウム合金基板に、切削加工、研削加工、脱脂処理、エッチング処理を施す。その後、めっき前処理として、１回目のジンケート処理（Ｚｎ置換処理）、脱ジンケート処理、２回目のジンケート処理を施す。次いで、アルミニウム合金基板に硬質非磁性金属であるＮｉ−Ｐ膜を無電解めっきにより形成し、Ｎｉ−Ｐ膜の表面を研磨する。その後、スパッタリングにより磁性体膜を形成してアルミニウム合金製の磁気ディスクを得る。
【０００６】
近年、クラウドサービスの発展等に伴うデータセンターの記憶容量の増加、競合商品であるＳＳＤ（Solid State Drive）の記憶容量の増加、等に対処するために、ＨＤＤの記憶容量を増加させることが不可欠となっている。ＨＤＤの記憶容量を増加させるために、磁気ディスク１枚あたりの記憶容量を増加させることが求められている。Ｎｉ−Ｐ膜の表面にピット等の欠陥があると、欠陥の周辺部を除外してデータの読み書きを行わなければならず、磁気ディスク１枚あたりの記憶容量が低下するからである。
【０００７】
Ｎｉ−Ｐ膜の表面の欠陥を低減する技術が複数提案されている。例えば、特許文献１には、脱スマット工程と脱ジンケート工程とにおいて、溶液中の鉄イオン濃度と硝酸濃度を管理し、Ｎｉ−Ｐ膜の表面の欠陥を低減する技術が開示されている。また、特許文献２には、アルミニウム合金基板の組成を調整し、更に、Ｓｉ−Ｏ系化合物の大きさを制御することにより、ジンケート性を向上させ、Ｎｉ−Ｐ膜の表面の欠陥を低減する技術が開示されている。また、特許文献３には、アルミニウム合金基板に超音波を印加しながらジンケート処理を実施し、Ｎｉ−Ｐ膜の表面の欠陥を低減する技術が開示されている。
【０００８】
最近では、より高精度の磁気ディスク用基板を作製するため、磁性体膜を形成する前に、研磨したＮｉ−Ｐ膜の表面に対し酸性溶液を用いてより平滑にするエッチング工程が実施されている。エッチング工程において、Ｎｉ−Ｐ膜の表面にクレーター状の欠陥（以下、クレーター欠陥と呼ぶ）が発生することがある。クレーター欠陥が発生すると、Ｎｉ−Ｐ膜の表面の欠陥が増加し、磁気ディスク１枚あたりの記憶容量の増加が困難になってしまうという問題がある。クレーター欠陥は、従来ほとんど注目されていなかったため、発生原因および対策が不明であり、その発生を抑制するまでに至っていない。そのため、磁気ディスクの記憶容量を増加させるためには、Ｎｉ−Ｐ膜の表面にピット等の従来の欠陥に加えクレーター欠陥の発生を抑制することが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第５７９６９６３号公報
【特許文献２】特開平１１−３１５３３８号公報
【特許文献３】特開昭６２−２５６２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、クレーター欠陥およびピットの少ない磁気ディスク用基板および磁気ディスク用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る磁気ディスク用基板は、
アルミニウム合金基板と、前記アルミニウム合金基板の表面に配置されたＮｉ−Ｐ膜と、を備える磁気ディスク用基板において、
グロー放電発光分析装置（Glow Discharge Spectroscopy：ＧＤＳ）で、前記Ｎｉ−Ｐ膜と前記アルミニウム合金基板との間に存在しているＦｅ原子およびＺｎ原子の発光強度を測定し、前記Ｆｅ原子の最大発光強度を（ＩＦｅ）、前記Ｚｎ原子の最大発光強度を（ＩＺｎ）とし、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５である、
ことを特徴とする。
【００１２】
前記アルミニウム合金基板は、
Ｍｇ：２．５〜１０．０ｍａｓｓ％、
Ｃｕ：０．００５〜０．２００ｍａｓｓ％、
Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％、
Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％を含有し、
Ｃｒ：０．３００ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｆｅ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｃｌ；０．００５００ｍａｓｓ％以下に規制し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなるとよい。
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る磁気ディスク用基板の製造方法は、
１度目のジンケート処理、Ｚｎ剥離処理、２度目のジンケート処理を含み、１度目および２度目のジンケート処理において、ジンケート処理溶液のＣｌ含有量が３．０ｍａｓｓ％以下であり、比液量Ｖ（ｍＬ／ｃｍ２）、アルミニウム合金基板の回転数Ｒ（ｒｐｍ）、ジンケート処理溶液の温度Ｔ（℃）、ジンケート処理時間ｔ（ｓ）とし、０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０であるめっき前処理と、
前記めっき前処理の後に、無電解Ｎｉ−Ｐめっきにより前記アルミニウム合金基板にＮｉ−Ｐ膜を形成するＮｉ−Ｐめっき処理と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、クレーター欠陥およびピットの少ない磁気ディスク用基板および磁気ディスク用基板の製造方法を提供することができる。これにより、磁気ディスク１枚あたりの記憶容量を増加させることが可能な磁気ディスク用基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（Ａ）〜（Ｅ）は、実施の形態に係る無電解Ｎｉ−Ｐめっきを説明する図である。
【図２】（Ａ）は、実施の形態に係るジンケート処理装置の正面断面図であり、（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（Ａ）は、実施の形態に係るジンケート処理装置の正面断面図であり、（Ｂ）は、図３（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本願発明者らは、クレーター欠陥およびピットとジンケート処理の条件との関係、並びにピットとアルミニウム合金基板の組成との関係について鋭意研究を重ねた。その結果、ジンケート処理におけるディスクの回転数、比液量、温度、時間の各条件を制御し、ジンケート皮膜のＦｅとＺｎとの比を制御することで、クレーター欠陥およびピットの発生を抑制できることを見出した。更に、アルミニウム合金基板の組成において微量元素を制御することでピットの発生を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】
以下、本発明を実施の形態に基づき詳細に説明する。
本実施の形態の特徴として、ジンケート皮膜のＦｅとＺｎとの比、ジンケート処理の条件、およびアルミニウム合金基板の組成が挙げられる。これらについてクレーター欠陥およびピットの発生メカニズムとともに述べる。
【００１８】
１．クレーター欠陥およびピットの発生メカニズム
１−１．クレーター欠陥の発生メカニズム
クレーター欠陥は、研磨されたＮｉ−Ｐ膜（Ｎｉ−Ｐめっき膜）の表面を酸性溶液でエッチングする際に発生し、Ｎｉ−Ｐ膜の表面を凹凸にする。クレーター欠陥が発生する原因は、Ｎｉ−Ｐ膜の表面に耐酸性の異なる微小領域が存在するためであると考えられる。より詳細に説明すると、クレーター欠陥は、耐酸性に劣る半球状の異物が、Ｎｉ−Ｐ膜の表面領域に位置することにより引き起こされる。半球状の異物は、Ｎｉ−Ｐ膜の表面を研磨する際に、Ｎｉ−Ｐ膜中に埋まっていた球状の異物の上部が研磨されたものである。
【００１９】
球状の異物は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理時の反応により発生するＰ濃度の低いＮｉ−Ｐ粒子であると考えられる。以下、この球状の異物およびクレーター欠陥の発生メカニズムについて説明する。
まず、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理の前処理として、アルミニウム合金基板の表面にＦｅとＺｎとを含むジンケート皮膜を形成する。
次に、図１（Ａ）に示すように、ジンケート皮膜１１０を表面に有するアルミニウム合金基板１２０を、ＮｉおよびＰ（Ｎｉ２＋およびＨ２ＰＯ２−）を含む無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液１３０に浸漬する。これにより、図１（Ｂ）に示すように、ジンケート皮膜１１０に含まれるＦｅおよびＺｎを無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液１３０に含まれるＮｉおよびＰに置換する反応が起こり、アルミニウム合金基板１２０にＮｉ−Ｐ膜１４０が共析する。この時、Ｈ＋がＨ２ガスとして放出されるため、図１（Ｃ）に示すように、アルミニウム合金基板１２０の近傍で、Ｈ＋濃度が減少し、無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液１３０のｐＨが高くなる。ｐＨが高くなると、無電界Ｎｉ−Ｐめっき溶液１３０中で核の生成が開始し、且つ、Ｎｉ−Ｐの共析反応が抑制される。このため、図１（Ｄ）に示すように、この核がＰ濃度の低いＮｉ−Ｐ粒子１５０に成長し、図１（Ｅ）に示すように、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の成長に巻き込まれることで、その中に取り込まれる。Ｎｉ−Ｐ膜１４０の表面の近傍に取り込まれたＮｉ−Ｐ粒子１５０が、研磨により表面に露出した場合、その部分は、周囲よりも酸に溶解しやすく、酸性溶液でのエッチングにより、その部分が優先的に溶解しクレーター欠陥となる。
【００２０】
１−２．ピットの発生メカニズム
ピットは、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の表面からアルミニウム合金基板１２０に伸びるアスペクト比の大きい欠陥である。
以下、ピットの発生メカニズムについて説明する。
ジンケート皮膜１１０の膜厚が不均一であると、アルミニウム合金基板１２０が露出する場合がある。この場合、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理時に、露出しているアルミニウム合金基板１２０の表面に存在する金属間化合物（後述するＭｇ−Ｓｉ系化合物等）が溶解し、または、金属間化合物とアルミニウム合金基板１２０との電池反応によりアルミニウム合金基板１２０が溶解する。これにより、ジンケート皮膜１１０とＮｉ−Ｐとの置換反応が起こる領域と起こらない領域が生じ、局部的にガスが連続的に発生することによりピットが発生する。また、アルミニウム合金基板１２０の近傍における溶液のｐＨが低くなることでも、Ｎｉ−Ｐの置換反応が起こる領域と起こらない領域が生じ、局部的にガスが発生することによりピットが発生する。
【００２１】
２．ジンケート皮膜１１０中のＦｅとＺｎとの構成比
次に、クレーター欠陥およびピットの発生を抑制するジンケート皮膜１１０中のＦｅとＺｎとの構成比について説明する。クレーター欠陥の発生メカニズムによれば、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理において、アルミニウム合金基板１２０の近傍で、溶液のｐＨが高くなければ、Ｎｉ−Ｐ粒子１５０は生成されにくく、クレーター欠陥の発生が抑制される。また、アルミニウム合金基板１２０の近傍で、溶液のｐＨが低くならなければ、ピットは発生しにくい。ジンケート皮膜１１０中のＦｅは、溶液のｐＨを下げる作用があり、Ｚｎは、溶液のｐＨを上げる作用がある。これらのことから、ジンケート皮膜１１０に含まれるＦｅとＺｎとの構成比を規定することで、クレーター欠陥およびピットを少なくすることが可能であると考えられる。
【００２２】
無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理前であれば、ジンケート皮膜１１０中のＦｅとＺｎとの構成比を直接分析することも考えられる。製造した磁気ディスクにクレーター欠陥およびピットの多いものを発見した際、その原因を特定する必要が生じる場合がある。この場合、ＦｅおよびＺｎの大部分は、ＮｉおよびＰに置換され、ジンケート被膜１１０そのものは残っていない。このため、ジンケート被膜１１０そのものを分析して、ＦｅとＺｎとの構成比を特定することはできない。無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を実施した後に、ジンケート皮膜１１０に含まれていたＦｅとＺｎとの構成比を特定するために、以下の方法を採用する。グロー放電発光分析装置（Glow Discharge Spectroscopy：ＧＤＳ）を用いて、Ｎｉ−Ｐ膜１４０とアルミニウム合金基板１２０との間に置換されずに存在（残存）するＦｅ原子およびＺｎ原子の発光強度を測定する。この測定で、Ｆｅ原子の最大発光強度（ＩＦｅ）と、Ｚｎ原子の最大発光強度（ＩＺｎ）と、の値を得る。この（ＩＦｅ）と（ＩＺｎ）との比は、ジンケート皮膜１１０に含まれていたＦｅとＺｎとの構成比に対応するものと考えられる。このため、ジンケート皮膜１１０に含まれるＦｅとＺｎとの構成比は、（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）で表される値として特定される。このようにすることで、磁気ディスクを製造した後でも、ジンケート被膜１１０に含まれていたＦｅとＺｎとの構成比を分析することができ、磁気ディスクの品質管理等の向上に寄与する。
【００２３】
（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）の値が０．２よりも小さい場合、ジンケート皮膜１１０中のＦｅが少ないので、アルミニウム合金基板１２０の近傍で溶液のｐＨが高くなる。この結果、Ｎｉ−Ｐ粒子１５０が大量に生成するため、クレーター欠陥が増加すると考えられる。一方、（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）の値が１．５より大きい場合、ジンケート皮膜１１０中のＦｅが多いので、アルミニウム合金基板１２０の近傍における溶液のｐＨが低くなる。この結果、Ｎｉ−Ｐの置換反応が不均一となり、局部的なガス発生によりピットが発生すると考えられる。従って、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５の条件を満たす場合、クレーター欠陥およびピットの発生原因が取り除かれる。この結果、クレーター欠陥およびピットが少なくなる。好ましくは、０．３≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．０である。なお、ＧＤＳは、グロー放電領域内で試料を高周波スパッタリングし、スパッタされた原子から放出される発光線を分光することにより、試料の深さ方向の元素分布を測定するものである。
【００２４】
３．ジンケート処理溶液のＣｌ含有量
次に、ピットの発生を抑制するジンケート処理溶液のＣｌ含有量について説明する。ジンケート処理では、アルミニウム合金基板１２０の表面にまずＦｅが析出し、ＦｅにＺｎが析出することで、表面にジンケート皮膜１１０が形成される。１度目のジンケート処理で形成したジンケート皮膜１１０を硝酸で溶解し、２度目のジンケート処理を行うと、Ｚｎ析出の起点となるＦｅの析出が促進され、緻密なジンケート皮膜１１０を形成することができる。ジンケート処理溶液は、ＺｎとＦｅを含み、水酸化ナトリウムによりアルカリ性に調整されたものである。Ｚｎは、例えば酸化亜鉛で添加される。Ｆｅは、例えば塩化第二鉄や硝酸鉄等の鉄化合物で添加される。ジンケート溶液は、添加される化合物に含有される不純物により、Ｃｌを含有することがある。Ｃｌを含有するジンケート溶液中では、ＡｌやＺｎなどに孔食が発生し、またはＣｌにより析出させられたＺｎが腐食により溶解し、ピットの原因となる。そのためジンケート溶液中のＣｌ含有量は、３．０ｍａｓｓ％以下が好ましく、より好ましくは０．１ｍａｓｓ％以下である。
【００２５】
４．ジンケート処理条件
次に、ジンケート処理条件（比液量Ｖ、回転数Ｒ、温度Ｔ、および時間ｔ、並びにこれらの最適条件）について説明する。以下に説明するジンケート処理条件でジンケート処理を実施することで、クレーター欠陥およびピットの発生を抑制するジンケート皮膜１１０を作製することができる。
【００２６】
４−１．アルミニウム合金基板１２０に対するジンケート処理溶液の比液量Ｖ（ｍＬ／ｃｍ２）
ジンケート処理を行うアルミニウム合金基板１２０の単位面積あたりのジンケート処理溶液の体積を比液量Ｖとする。比液量Ｖは、５〜３０ｍＬ／ｃｍ２とすることが好ましい。この理由は、比液量Ｖが５ｍＬ／ｃｍ２以上の場合、ＦｅとＺｎとの量が十分であるため均一な膜厚のジンケート皮膜１１０を生成できるからである。一方、比液量Ｖが５ｍＬ／ｃｍ２未満の場合、ジンケート皮膜１１０の生成に必要なＦｅとＺｎとが短時間で消費され、アルミニウム合金基板１２０の表面にＦｅとＺｎとの供給が健全に行われず、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となるからである。比液量Ｖの上限は、特に限定されるものではないが、比液量Ｖを３０ｍＬ／ｃｍ２より大きくすると、一度に処理できるアルミニウム合金基板１２０の数量が少なくなり、生産効率が低下する。
【００２７】
４−２．ジンケート処理中のアルミニウム合金基板１２０の回転数Ｒ（ｒｐｍ）
均一な膜厚のジンケート皮膜１１０を形成するために、アルミニウム合金基板１２０の表面にＦｅとＺｎとを均一に供給する必要がある。このためには、アルミニウム合金基板１２０の表面に対して、平行な液流（層流）を発生させることが好ましい。そのために、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、ジンケート処理溶液を入れる容器１０と回転治具２０とを備えるジンケート処理装置１００を使用し、容器１０にジンケート処理溶液を入れて、アルミニウム合金基板１２０を回転させるとよい。
【００２８】
回転治具２０は、複数の溝３１が等間隔に設けられた軸３０と、軸３０を回転可能に軸支する軸受け４０と、モータ５０と、モータ５０の軸に配置されたプーリ６０と、プーリ６０と軸３０とに掛け渡されたベルト７０を備える。モータ５０がプーリ６０を回転させると、ベルト７０を介して軸３０が回転する。溝３１の径は、アルミニウム合金基板１２０の中心に設けられた円形の穴の径より小さい。アルミニウム合金基板１２０は、その穴に差し込まれた軸３０の溝３１に置かれる。このとき、アルミニウム合金基板１２０の穴の最上部で溝３１と接触する。また、アルミニウム合金基板１２０の中心は、軸３０の中心軸より下に位置する。軸３０が回転すると、アルミニウム合金基板１２０は、溝３１と接触している部分で力をうけて回転する。外径が２．５〜３．５インチである場合、アルミニウム合金基板１２０の回転数Ｒは、５〜６０ｒｐｍとすることが好ましい。回転数Ｒが５ｒｐｍより小さい場合、ＦｅおよびＺｎの供給が少なくなり、ジンケート皮膜１１０の膜厚が不均一になる。回転数Ｒが６０ｒｐｍより大きい場合、乱流となってしまいアルミニウム合金基板１２０毎にジンケート皮膜１１０の膜厚が異なってしまう。なお、表面に対して平行な液流を発生させるためには、アルミニウム合金基板１２０の間隔を２ｍｍ以上とするとよい。上限は特に限定されないが、この距離が大きくなると一度にジンケート処理できるアルミニウム合金基板１２０の数が少なくなり生産性が落ちるため、生産効率に応じて調整すればよい。
【００２９】
また、回転治具２０は、アルミニウム合金基板１２０を回転させられるものであれば特に限定されず、複数の軸３０を備えてもよい。例えば、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、複数の従軸３２が主軸３４を中心として公転しながら自転する回転治具２１を用いてもよい。回転治具２１は、歯車を有する複数の従軸３２と、従軸３２の歯車と歯合する固定歯車３３と、固定歯車３３を固定する主軸３４と、主軸３４に回転可能に軸支される回転盤３５と、主軸３４を固定する軸受け４１と、モータ５０と、プーリ６０と、プーリ６０と回転盤３５とに掛け渡されたベルト７０と、を備える。従軸３２は、主軸３４を中心とした回転盤３５の円周に回転可能に軸支されている。また、従軸３２には、複数の溝３１が等間隔に設けられている。また、アルミニウム合金基板１２０は、溝３１に置かれる。モータ５０がプーリ６０を回転させると、ベルト７０を介して回転盤３５が回転する。回転盤３５が回転すると、従軸３２が主軸３４を中心として公転する。従軸３２が公転すると、固定歯車３３に歯合した従軸３２の歯車に力が加わり、従軸３２が自転（回転）する。従軸３２が公転しながら自転すると、それに伴って、従軸３２の溝３１に置かれたアルミニウム合金基板１２０も公転しながら自転する。
【００３０】
アルミニウム合金基板１２０の自転の回転数Ｒが、公転の回転数の５倍程度となるように、従軸３２の歯車と固定歯車３３とのギア比を決定するとよい。自転の回転数Ｒが公転の５倍程度であると、公転がアルミニウム合金基板１２０の表面に対して平行な液流を発生させることに影響を与えることはほとんど無く、自転の回転数Ｒを制御するだけで良い。この場合、アルミニウム合金基板１２０の外径が２．５〜３．５インチである場合、回転数Ｒは、５〜６０ｒｐｍとすることが好ましい。また、アルミニウム合金基板１２０の間隔も、回転治具２０の場合と同様に２ｍｍ以上とするとよい。
【００３１】
４−３．ジンケート処理溶液の温度Ｔ（℃）
ジンケート処理溶液の温度Ｔは、反応速度に影響する。ジンケート処理溶液の温度Ｔが１５℃より低い場合には、反応速度が遅くなるため処理時間を長くする必要があり、生産効率が低下する。温度をさらに低くすると、反応が起こらなくなり、ジンケート皮膜１１０の生成ができなくなる。ジンケート処理溶液の温度Ｔが高い場合には、反応速度が速くなるため、処理時間を短くすることが可能である。ジンケート処理溶液は強アルカリ性であるため、温度Ｔが３０℃より高くなると、アルミニウム合金基板１２０が溶解する。または、生成したジンケート皮膜１１０のＺｎが溶解し、ジンケート皮膜１１０の膜厚が不均一となる。このため、ジンケート処理溶液の温度Ｔは、１５〜３０℃であることが好ましい。
【００３２】
４−４．ジンケート処理時間ｔ（ｓ）
ジンケート処理時間ｔは、ジンケート皮膜１１０の膜厚の均一性に影響する。ジンケート処理時間ｔが１５ｓより短い場合には、反応時間が不十分であるため不均一な膜厚のジンケート皮膜１１０となる。一方、ジンケート処理時間ｔが６０ｓより長い場合には、ジンケート皮膜１１０のＺｎが強アルカリにより溶解されることで、膜厚が不均一なジンケート皮膜１１０となってしまう。このため、ジンケート処理時間ｔは、１５〜６０ｓであることが好ましい。
【００３３】
４−５．ジンケート処理条件の最適条件
上述した４つのジンケート処理条件（比液量Ｖ、回転数Ｒ、温度Ｔ、および時間ｔ）は、０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０を満たすように規定される。
このように規定した理由を以下に示す。
（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）で表される値が０．１未満の場合、ジンケート皮膜１１０中でＺｎ量に対するＦｅ量が少なくなる。このため、アルミニウム合金基板１２０の近傍で無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液１３０のｐＨが高くなり、Ｎｉ−Ｐ粒子１５０が生成され、クレーター欠陥が発生するためである。一方、（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）で表される値が４．０を超える場合、ジンケート皮膜中においてＺｎ量に対するＦｅ量が多くなる。このため、アルミニウム合金基板１２０の近傍における無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液１３０のｐＨが低くなり、局部的なガス発生により、ピットが発生するためである。従って、０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０を満たす場合、クレーター欠陥およびピットの発生を抑制するジンケート皮膜を生成することができる。また、０．３≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦１．０とすることがより好ましい。
【００３４】
５．アルミニウム合金基板１２０の組成
本実施の形態のアルミニウム合金基板１２０は、Ｍｇ：２．５〜１０．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００５〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％、Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％を含有し、Ｃｒ：０．３００ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｆｅ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｃｌ；０．００５００ｍａｓｓ％以下に規制され、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなることが好ましい。
このようにすることで、クレーター欠陥およびピットの少ない磁気ディスク用基板を得ることができる。この理由は、後述する各元素の説明で述べる。以下、アルミニウム合金基板１２０に含まれる各元素（Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｌ）の作用、効果およびこれらの好ましい含有率について説明する。
【００３５】
Ｍｇは、一般にアルミニウム合金基板１２０の強度を向上させる効果を有する。また、Ｍｇは、ジンケート処理時のジンケート皮膜１１０を均一に薄く、かつ、緻密に付着させる作用を有するので、無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程においてピットの発生を抑制し、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の表面の平滑性を向上させる。Ｍｇの含有量は、好ましくは２．５〜１０．０ｍａｓｓ％である。この理由は、Ｍｇの含有量が２．５ｍａｓｓ％未満では、アルミニウム合金基板１２０の強度が不十分になる虞があるためである。また、１０．０ｍａｓｓ％を超えると、粗大なＭｇ−Ｓｉ系化合物が生成し、ジンケート処理時の反応が不均一になり、切削や研削加工時にこのＭｇ−Ｓｉ系化合物が脱落することで、ピットが発生する虞がある。その結果、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の表面の平滑性が低下する虞があるためである。より好ましいＭｇ含有量は、強度と製造の容易さの兼合いから４．０〜６．０ｍａｓｓ％である。
【００３６】
Ｃｕは、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させ、またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させる効果を有する。その結果、無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程においてピットの発生を抑制し、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の表面を平滑にする作用がある。Ｃｕの含有量は、好ましくは０．００５〜０．２００ｍａｓｓ％である。この理由は、Ｃｕ含有量が０．００５ｍａｓｓ％未満では、上記効果が十分に得られない虞があるためである。また、Ｃｕ含有量が０．２００ｍａｓｓ％を超えると、粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が生成し、ジンケート処理時の反応が不均一になることでピットを発生させる虞がある。更に、材料自体の耐食性を低下させ、ジンケート皮膜１１０の膜厚が不均一となる虞があるためである。より好ましいＣｕ含有量は、０．０１０〜０．１００％である。
【００３７】
Ｚｎは、Ｃｕと同様にジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させ、またジンケート皮膜１１０の膜厚を均一に、薄く、緻密に付着させる効果を有する。その結果、無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程で、ピットの発生が抑制され、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の表面の平滑性が向上する。Ｚｎの含有量は、好ましくは０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％である。この理由は、Ｚｎ含有量が、０．０５ｍａｓｓ％未満では、上記効果が十分に得られない虞があるためである。また、０．６０ｍａｓｓ％を超えると、粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が生成し、ピットを発生させる虞がある。更に、材料自体の耐食性が低下し、ジンケート皮膜１１０の膜厚が不均一となる虞がある。さらに、材料自体の加工性や耐食性を低下させる虞があるためである。より好ましいＺｎ含有量は、０．１０〜０．３５０ｍａｓｓ％である。
【００３８】
Ｂｅは、鋳造時に、Ｍｇの溶湯酸化を抑制する効果を有する。しかしながら、ＢｅはＡｌよりも卑な金属であるため、アルミニウム合金基板１２０の表面にＢｅ濃縮相が形成されると、Ｂｅ濃縮相とアルミニウム合金基板１２０とで電池が形成される。Ｂｅ濃縮相が溶解することでＮｉ−Ｐの置換反応が不均一となり、局部的なガスが連続的に発生することによりピットが発生すると考えられる。Ｂｅ含有量が０．００００１ｍａｓｓ％未満では鋳造時にＭｇの溶湯酸化を抑制する効果が弱くなり、鋳造が困難となる虞がある。一方、Ｂｅ含有量が０．００２００ｍａｓｓ％を超えると、Ｂｅ濃縮相が多く形成され、ピットが発生する虞がある。このため、Ｂｅの含有量は、好ましくは０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％であり、より好ましくは０．００００３〜０．００１００ｍａｓｓ％である。
【００３９】
Ｃｒは、鋳造時に微細な金属間化合物を生成し、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与する。また切削性と研削性とを高め、更に再結晶組織を微細にして、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の密着性を向上させる効果を有する。Ｃｒの含有量は、好ましくは０．３００ｍａｓｓ％以下である。この理由は、Ｃｒ含有量が０．３００ｍａｓｓ％を超えると、鋳造時において過剰分が晶出すると同時に、粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が生成し、ジンケート処理時の反応の不均一および切削や研削加工時に脱落することでピット発生の原因となる虞があるためである。より好ましいＣｒ含有量は、０．２００ｍａｓｓ％以下である。
【００４０】
Ｓｉは、Ｍｇと結合し、Ｎｉ−Ｐ膜１４０で欠陥となる金属間化合物を生成する。このため、アルミニウム合金中にＳｉが含有されることは好ましくない。具体的には、Ｓｉの含有量が０．０５０ｍａｓｓ％を超えると、粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が生成してピットなどの発生原因になる虞がある。従って、Ｓｉ含有量を０．０５０ｍａｓｓ％以下に規制することが好ましく、０．０２５ｍａｓｓ％未満に規制するのがより好ましく、０ｍａｓｓ％がさらに好ましい。
【００４１】
Ｆｅは、アルミニウム合金中には殆ど固溶せず、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物としてアルミニウム合金中に含まれる。このＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物は、Ｎｉ−Ｐ膜１４０において欠陥となるため、アルミニウム合金中にＦｅが含有されることは好ましくない。Ｆｅの含有量が０．０５０ｍａｓｓ％を超えると、粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物が生成してピットなどを発生させる虞がある。従って、Ｆｅ含有量を０．０５０ｍａｓｓ％以下に規制することが好ましく、０．０２５ｍａｓｓ％未満に規制するのがより好ましく、０ｍａｓｓ％がさらに好ましい。
【００４２】
Ｃｌの含有量が多いとＭｇと結合し、一部はＭｇ−Ｃｌ系化合物として存在する。Ｃｌ系化合物は、溶解性が極めて高いため、水溶液に触れると容易に溶解する。溶解に伴いＣｌ−が放出されると、局部的にＣｌ−濃度が大きくなる。これによりアルミニウム合金基板１２０の主面に孔食が発生し、アルミニウム合金基板１２０が溶解する虞がある。無電解Ｎｉ−Ｐめっき初期でアルミニウム合金基板１２０の主面に孔食が発生すると、アルミニウム合金基板１２０が溶解し、ピットが発生する虞がある。一方、Ｃｌ含有量が少ないと、Ｍｇ−Ｃｌ系化合物が含まれないため、上記のようなピットは発生しない。このため、Ｃｌの含有量は、好ましくは０．００５００％以下、より好ましくは０．００２００％以下に規制する。
【００４３】
その他の元素
本実施の形態に係るアルミニウム合金の残部は、アルミニウムと不可避的不純物とからなる。ここで、不可避的不純物（例えばＭｎ等）は、各々が０．０３ｍａｓｓ％以下で、かつ、合計で０．１５ｍａｓｓ％以下であれば、本実施の形態で得られるアルミニウム合金基板１２０としての特性を損なうことはない。
【００４４】
６．磁気ディスク用のアルミニウム合金基板１２０の製造方法
次に、本実施の形態に係るアルミニウム合金基板１２０の製造方法について説明する。まず、所定の合金組成に調製されたアルミニウム合金溶湯を、半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法などの常法に従って鋳造し、鋳塊を得る。鋳造時の冷却速度を０．１℃／秒以上とするのが好ましい。この理由は、冷却速度が０．１℃／秒未満の場合、粗大な金属間化合物が生成し、切削や研削の加工時において、これらの金属間化合物が連続して脱落し大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性が低下する虞があるためである。なお、冷却速度の上限値は、特に限定されるものではなく、鋳造装置の能力によって自ずと決定される。冷却速度は、例えば０．５℃／秒である。
【００４５】
得られた鋳塊に、必要に応じて均質化処理を施す。均質化処理は、好ましくは３５０〜５５０℃の温度で、１〜５時間加熱することにより実施される。鋳造後又は均質化処理後に、鋳塊を熱間圧延する。その条件は、特に限定されるものではなく、例えば、熱間圧延を開始するときの温度を３５０〜５００℃とし、熱間圧延を終了するときの温度を２６０〜３８０℃とする。
【００４６】
熱間圧延の終了後、冷間圧延によって、所望の製品板厚に仕上げる。冷間圧延の条件は、特に限定されるものではなく、製品に必要な強度や板厚に応じて定めれば良く、例えば圧延率を２０〜９０％とする。冷間圧延の前又は冷間圧延の途中において、冷間圧延を実施するときの加工性を確保するために、好ましくは２８０〜４５０℃で、好ましくは０時間超１０時間以下で焼鈍を施してもよい。以上のようにして、アルミニウム合金基板１２０を得る。
【００４７】
７．磁気ディスクの製造方法
以上のようにして得たアルミニウム合金基板１２０を用いて、磁気ディスクを製造する。まず、アルミニウム合金基板１２０を円環状に打ち抜き、円環状のアルミニウム合金基板１２０を作製する。次いで、このアルミニウム合金基板１２０に加圧焼鈍を行なって、平坦化したディスクブランクを作製する。このディスクブランクに切削加工、研削加工を施す。その後、歪みを除去するために、好ましくは３００〜４００℃、５〜１５分の加熱処理を施して、磁気ディスク用基板を得る。次いで、この磁気ディスク用基板に、後述する脱脂処理、エッチング処理、めっき前処理、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理及びスパッタリングによる磁性体膜の形成をこの順序で行い磁気ディスクを作製する。
【００４８】
脱脂処理は、例えば、脱脂液にＡＤ−６８Ｆ（上村工業製）を用い、比液量５〜３０ｍＬ／ｃｍ２、回転数５〜６０ｒｐｍ、温度４０〜７０℃、処理時間３〜１０分、濃度２００〜８００ｍＬ／Ｌの条件で実施される。エッチング処理は、例えば、エッチング液にＡＤ−１０７Ｆ（上村工業製）を用い、比液量５〜３０ｍＬ／ｃｍ２、回転数５〜６０ｒｐｍ、温度５０〜７５℃、処理時間０．５〜５分、濃度２０〜１００ｍＬ／Ｌの条件で実施される。なお、エッチング処理と後述のジンケート処理との間に、通常のデスマット処理を行なってもよい。
【００４９】
めっき前処理は、１度目のジンケート処理と、Ｚｎ剥離処理と、２度目のジンケート処理と、を含む。
【００５０】
１度目のジンケート処理では、水酸化ナトリウム５〜１５ｍａｓｓ％、酸化亜鉛０．５〜２ｍａｓｓ％、酒石酸０．５〜２ｍａｓｓ％、鉄化合物（例えば、塩化第二鉄や硝酸鉄）０．１〜３ｍａｓｓ％を含み、塩化物濃度３ｍａｓｓ％以下に規制し、ｐＨ＝１２〜１５になるように調製したジンケート処理液を用い、比液量Ｖ５〜３０ｍＬ／ｃｍ２、回転数Ｒ５〜６０ｒｐｍ、温度Ｔ１５〜３０℃、処理時間ｔ１５〜６０秒の条件で実施することが好ましい。また、０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０を満たすように比液量Ｖ、回転数Ｒ、温度Ｔ、および処理時間ｔを設定するとより好ましい。
【００５１】
Ｚｎ剥離処理では、１０〜６０ｖｏｌ％ＨＮＯ３水溶液（室温）を用いて、５〜６０秒間、一度目のジンケート処理で形成されたジンケート層を剥離するとよい。
２度目のジンケート処理では、１度目のジンケート処理の条件と同様の条件で実施するとよい。
【００５２】
無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理では、無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液１３０を用い、比液量５〜３０ｍＬ／ｃｍ２、回転数５〜６０ｒｐｍ、温度８０〜９５℃、処理時間３０〜１８０分、Ｎｉ濃度３〜１０ｇ／Ｌの条件で、行うことが好ましい。無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理の後、表面にＮｉ−Ｐ膜１４０が配置された磁気ディスク用基板を得る。最後に、Ｎｉ−Ｐ膜１４０の表面にスパッタリングによって磁性体膜を形成し、磁気ディスクを得る。
【００５３】
本実施の形態に係る磁気ディスク用基板によれば、製造工程中で成形されるジンケート皮膜１１０に含まれるＦｅとＺｎとの構成比が好適である場合、クレーター欠陥およびピットが少なくなる。また、磁気ディスク用基板をＧＤＳで測定し、測定した値が０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５の条件を満たす場合、製造工程中で成形されるジンケート皮膜１１０に含まれるＦｅとＺｎとの構成比が好適であったことが判り、このことによりクレーター欠陥およびピットが少なくなったことを確認できる。従って、製造した磁気ディスクにクレーター欠陥およびピットの多いものが発見された際、ＧＤＳを用いて分析することで、その原因が、製造工程中でのジンケート皮膜１１０中のＦｅとＺｎとの構成比に起因するものかを特定できる。また、本実施の形態に係る磁気ディスク用基板の製造方法によれば、０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０の条件を満たすことで、クレーター欠陥およびピットの発生を抑制するジンケート皮膜１１０を作製することができる。これにより、クレーター欠陥およびピットの発生が少ない磁気ディスク用基板を製造できる。
【実施例】
【００５４】
以下に、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
まず、表１に示す成分組成の各アルミニウム合金（Ａ１〜Ａ２９）を常法に従って溶解し、アルミニウム合金（Ａ１〜Ａ２９）溶湯を溶製した。なお、アルミニウム合金（Ａ１〜Ａ２９）の残部は、Ａｌ及び不可避不純物である。次に、アルミニウム合金（Ａ１〜Ａ２９）溶湯をＤＣ鋳造法により鋳造し、鋳塊を作製した。この鋳塊の両面１５ｍｍを面削し、５１０℃で３時間の均質化処理を施した。次に、この鋳塊に熱間圧延の開始時の温度４６０℃、熱間圧延の終了時の温度３４０℃で熱間圧延を行ない、板厚３．０ｍｍの熱間圧延板を得た。中間焼鈍を行なわずに、熱間圧延板を、板厚１．０ｍｍになるように、冷間圧延（圧延率６７％）し、最終圧延板を得た。このようにして得た最終圧延板を、外径９６ｍｍ、内径２４ｍｍの円環状に打抜き、円環状のアルミニウム合金（Ａ１〜Ａ２９）板を作製した。
【００５６】
【表１】
2018005968.tif 000002
【００５７】
上記のようにして得た円環状のアルミニウム合金（Ａ１〜Ａ２９）板に、１．５ＭＰａの圧力下において４００℃で３時間の加圧焼鈍を施し平坦化したディスクブランクを得た。更に、このディスクブランクに切削加工を施して外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍとし、更に、表面を１０μｍ研削する研削加工を行った。次に、３５０℃で、１０分の歪取り加熱処理した。
【００５８】
その後、脱脂液（ＡＤ−６８Ｆ（上村工業製））を用いて、６０℃で５分の脱脂を行った。その後、エッチング液（ＡＤ−１０７Ｆ（上村工業製））を用いて、６５℃で３分のエッチングを行い、更に３０％ＨＮＯ３水溶液（室温）で５０秒間デスマットを行なった。
【００５９】
その後、水酸化ナトリウム１０ｍａｓｓ％、酸化亜鉛１．５ｍａｓｓ％、酒石酸１ｍａｓｓ％を添加し、硝酸鉄（塩化物濃度０ｍａｓｓ％）または塩化第二鉄で鉄含有率０．１ｍａｓｓ％、塩化ナトリウムで表２に示す塩化物濃度になるように、ジンケート処理液を調製した。このジンケート処理液を用いて、表２および表３に示す条件で、１度目のジンケート処理を行った。ジンケート処理後に、３０％ＨＮＯ３水溶液（室温）で６０秒間ジンケート層の剥離を行った。その後、１度目のジンケート処理と同じ条件で２度目のジンケート処理を行った。２度目のジンケート処理の後、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理液（ニムデンＨＤＸ（上村工業製））を用いてＮｉ−Ｐ膜を１７μｍ厚さに無電解めっきし、次いで、羽布により仕上げ研磨（研磨量４μｍ）を行い、磁気ディスク用基板を得た。
【００６０】
【表２】
2018005968.tif 000003
【００６１】
【表３】
2018005968.tif 000004
【００６２】
（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）の算出
仕上げ研磨後の磁気ディスク用基板について、ＧＤＳ（ＪＹ５０００ＲＦ、ＨＯＲＩＢＡ製）の設定をガス圧力４００Ｐａ、出力３０Ｗとし、３００ｓ測定した。測定後、Ｎｉ−Ｐ膜とアルミニウム合金板との間に存在するＦｅ原子の最大発光強度（ＩＦｅ）とＺｎ原子の最大発光強度（ＩＺｎ）とを測定し、測定した値から（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）を算出した。
【００６３】
Ｎｉ−Ｐ膜表面の評価
仕上げ研磨後の磁気ディスク用基板を５０℃の５０ｖｏｌ％硝酸に３分間浸漬し、Ｎｉ−Ｐ膜の表面をエッチングした。エッチングの後にＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）（ＪＳＭ−６４６０ＬＡ、ＪＥＯＬ製）を用い、５０００倍の倍率で５視野撮影した。５視野撮影した写真からクレーター欠陥とピットの個数を数えた。クレーター欠陥の個数とピットの個数の合計が５個未満／視野であれば優良◎、５個以上１０個未満／視野であれば良好○、１０個以上／視野であれば不良×とした。評価結果を表２および表３に示す。
【００６４】
評価結果
実施例１−５１では、クレーター欠陥とピットの個数の合計が１０個未満／視野（良好○）または５個未満／視野（優良◎）であった。これは、Ｎｉ−Ｐ膜とアルミニウム合金板との間に存在するＦｅ原子の最大発光強度（ＩＦｅ）とＺｎ原子の最大発光強度（ＩＺｎ）との値が、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５を満たしたためと考えられる。
【００６５】
実施例１−５１で、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５を満たしていた理由は、ジンケート処理の条件が好適範囲に設定されていたためと考えられる。
ジンケート処理の条件の好適範囲は、ジンケート処理液のＣｌ含有量が３．０ｍａｓｓ％以下であり、比液量Ｖ５〜３０ｍＬ／ｃｍ２、回転数Ｒ５〜６０ｒｐｍ、温度Ｔ１５〜３０℃、処理時間ｔ１５〜６０秒の条件を満たし、且つ比液量Ｖ、回転数Ｒ、温度Ｔ、および時間ｔが０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０を満たす範囲である。
【００６６】
また、実施例１、実施例２５−３７、実施例４８、実施例５０で、クレーター欠陥とピットの個数の合計が５個未満／視野（優良◎）となった理由は、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５を満たしていたことに加えて、アルミニウム合金板が、Ｍｇ：２．５〜１０．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００５〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％、Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％を含有し、Ｃｒ：０．３００ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｆｅ：０．０５０ｍａｓｓ％以下、Ｃｌ；０．００５００ｍａｓｓ％以下に規制し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるものであったためである。なお、実施例４８、実施例５０は、Ｓｉ、Ｆｅの含有量を限りなく少なくしたものである。
【００６７】
これに対して、比較例１−１０では、クレーター欠陥とピットの個数の合計が１０個以上／視野（不良×）となった。
【００６８】
比較例１、比較例３−１０で、クレーター欠陥とピットの個数が１０個以上／視野（不良×）となった理由は、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５が満されていなかったためと考えられる。比較例２で、クレーター欠陥とピットの個数が１０個以上／視野（不良×）となった理由は、（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）の値が好適範囲の下限値に近く、比液量Ｖが好適範囲より小さかったため、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったためと考えられる。
【００６９】
次に、比較例１、比較例３−１０で、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５を満たしていなかった理由をそれぞれ分析する。
【００７０】
比較例１では、溶液中のＣｌ含有量が３．０ｍａｓｓ％より多かったためジンケート皮膜のＺｎが溶解し、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったためと考えられる。比較例３では、アルミニウム合金板を静止したため、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったためと考えられる。比較例４では、（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）の値が４より大きいため、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったと考えられる。比較例５、比較例６では、ジンケート処理溶液の温度Ｔが好ましい範囲より大きかったため、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったためと考えられる。比較例７では、（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）の値が０．１より小さいため、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったためと考えられる。比較例８では、（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）の値が４より大きいため、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったためと考えられる。比較例９では、アルミニウム合金板の回転数Ｒが好ましい範囲より大きかったため、ジンケート皮膜が不均一となったためと考えられる。比較例１０では、ジンケート処理溶液の温度Ｔが好ましい範囲より小さかったため、ジンケート皮膜の膜厚が不均一となったためと考えられる。
【００７１】
上記の結果から、実施例１〜５１に係る磁気ディスク用基板の製造方法によれば、０．１≦（Ｖ／Ｒ）×（Ｔ／ｔ）≦４．０の条件を満たすことで、ジンケート皮膜中のＦｅとＺｎとの構成比が０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５の条件を満たすことが判った。また、実施例１〜５１に係る磁気ディスク用基板によれば、０．２≦（ＩＦｅ）／（ＩＺｎ）≦１．５の条件を満たす場合、クレーター欠陥およびピットが少ないことが判った。また、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理後であっても、ＧＤＳを用いて、磁気ディスク用基板の製造工程中でのジンケート皮膜１１０中のＦｅとＺｎとの構成比を分析できることが判った。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明に係る磁気ディスク用基板および磁気ディスク用基板の製造方法によれば、クレーター欠陥およびピットを少なくできる。これにより、磁気ディスク１枚あたりの記憶容量を増加させることが可能となる。
【符号の説明】
【００７３】
１０  容器
２０、２１  回転治具
３０  軸
３１  溝
３２  従軸
３３  固定歯車
３４  主軸
３５  回転盤
４０、４１  軸受け
５０  モータ
６０  プーリ
７０  ベルト
１００  ジンケート処理装置
１１０  ジンケート皮膜
１２０  アルミニウム合金基板
１３０  無電解Ｎｉ−Ｐめっき溶液
１４０  Ｎｉ−Ｐ膜
１５０  Ｎｉ−Ｐ粒子
【図１】
2018005968.tif 000005
【図２】
2018005968.tif 000006
【図３】
2018005968.tif 000007