(57)【要約】【課題】反射型マスクに遮光枠を形成してもマスクパターンの位置精度が低下しないようにする。【解決手段】反射型マスクは、波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の露光光を使用するリソグラフィに使用され、基板と、基板の上面に設けられたおもて面多層反射膜と、おもて面多層反射膜の上面に設けられたおもて面保護膜と、おもて面保護膜の上面に設けられたおもて面吸収膜と、基板の下面に形成された裏面多層反射膜と、裏面多層反射膜の下面に設けられた裏面保護膜と、を備え、おもて面吸収膜は、おもて面回路パターンを備え、おもて面回路パターンの形成領域の外周には、おもて面多層反射膜とおもて面保護膜とおもて面吸収膜の一部が除去されて基板の上面を露出させるおもて面遮光枠が設けられている。【選択図】図３
2018005108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の露光光を使用するリソグラフィに使用される反射型フォトマスクであって、
基板と、
前記基板の上面に設けられたおもて面多層反射膜と、
前記おもて面多層反射膜の上面に設けられたおもて面保護膜と、
前記おもて面保護膜の上面に設けられたおもて面吸収膜と、
前記基板の下面に形成された裏面多層反射膜と、
前記裏面多層反射膜の下面に設けられた裏面保護膜と、
を備え、
前記おもて面吸収膜は、おもて面回路パターンを備え、
前記おもて面回路パターンの形成領域の外周には、前記おもて面多層反射膜と前記おもて面保護膜と前記おもて面吸収膜の一部が除去されて前記基板の上面を露出させるおもて面遮光枠が設けられている
反射型フォトマスク。
【請求項２】
前記裏面保護膜の下面に設けられた裏面吸収膜を備える
請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項３】
前記裏面吸収膜は、裏面回路パターンを備える
請求項２に記載の反射型フォトマスク。
【請求項４】
前記おもて面回路パターンの形成領域の外周に対向する位置に、少なくとも前記裏面多層反射膜及び前記裏面保護膜の一部が除去されて前記基板の下面を露出させる裏面遮光枠が設けられている
請求項１から３のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
【請求項５】
波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の露光光を使用するリソグラフィに使用される反射型フォトマスクブランクであって、
基板と、
前記基板の上面に設けられたおもて面多層反射膜と、
前記おもて面多層反射膜の上面に設けられたおもて面保護膜と、
前記おもて面保護膜の上面に設けられたおもて面吸収膜と、
前記基板の下面に形成された裏面多層反射膜と、
前記裏面多層反射膜の下面に設けられた裏面保護膜と、
を備える
反射型フォトマスクブランク。
【請求項６】
前記裏面保護膜の下面に設けられた裏面吸収膜を備える
請求項５に記載の反射型フォトマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型フォトマスクブランクおよび反射型マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術における微細化の要求が高まっている。２０００年頃のフォトリソグラフィの露光光は１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光が主流であった。現在では、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet：極端紫外線）光と呼ばれる、主に１５ｎｍ以下の波長領域の光（以下「ＥＵＶ光という」）、特に１３．５ｎｍのＥＵＶ光の適用が進められている。
【０００３】
ＥＵＶ光は、ほとんどの物質に対して非常に吸収され易い性質をもつ。このため、ＥＵＶ光を露光に用いるフォトマスク（以下「ＥＵＶマスク」という）は、従来の透過型のフォトマスクとは異なり、反射型のフォトマスクである。ＥＵＶマスクは、例えば、ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）層及びシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層した多層反射膜が形成され、その上にタンタル（Ｔａ）を主成分とする光吸収膜が形成され、この光吸収膜に回路パターンが形成されて構成される。
【０００４】
反射型のＥＵＶマスクを用いたリソグラフィでは、一般に、ＥＵＶマスクへのＥＵＶ光の入射角度を６度程度とし、反射したＥＵＶ光を、露光させる対象物であるウェハに導き、ウェハ上に塗布されたＥＵＶ光に感光性を有するレジストを感光させる。
【０００５】
ここで、上述したように、ＥＵＶマスクに入射するＥＵＶ光の入射光軸を傾斜させると、ＥＵＶマスク上の回路パターンでＥＵＶ光が反射する際、反射光の方向によっては、光吸収膜の一部が影となり、ウェハ上に放射されない現象（いわゆる射影効果）が生じることが指摘されている。そこで射影効果を抑制するために、回路パターンが形成される光吸収膜の厚みを薄くして、影の影響を低減する手法が用いられている。
【０００６】
しかし、単に光吸収膜を薄くすると、本来、光吸収膜において必要な光の減衰量が不足するため、ウェハ上のレジストへ放射されるＥＵＶ光の反射光が必要以上に増加し、回路パターンの形成精度が劣化することが懸念される。加えて、実際の露光作業では、一枚のウェハにチップが多面付けされることが多いため、隣接するチップ同士の境界領域におけるレジストの露光量が増加することが特に懸念される。すなわち、チップ同士の境界領域において回路パターンの形成精度に影響を及ぼす多重露光が発生し、この多重露光により、後工程で得られるチップの品質低下やスループットの低下が生じてしまう。
【０００７】
そのため、光吸収膜を薄くする場合には、光吸収膜に加えさらに多層反射膜の一部を除去してガラス基板の表面まで掘り込んだ溝を形成して反射型マスクとするという方法が提案されている（特許文献１参照）。これは、上述した溝を、ＥＵＶ光の波長に対して遮光性の高い遮光枠とすることで、遮光枠におけるＥＵＶ光の反射を抑制し、隣接するチップ同士の境界領域における多重露光を抑制しようとするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２１２２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述したように、遮光枠を形成する製造方法を用いて製造された反射型マスクは、ドライエッチングにより吸収膜、保護膜及び多層反射膜を除去して遮光枠を形成している。このため、吸収膜、多層反射膜及び保護膜の露出部分が遮光枠の方へ膨張もしくは収縮して、反射型マスクに反りが生じる場合がある。この場合、マスクパターンの位置精度が低下するという不具合が発生するおそれがある。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、反射型マスクに遮光枠を形成してもマスクパターンの位置精度が低下しない反射型マスクを提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の露光光を使用するリソグラフィに使用される反射型フォトマスクであって、基板と、基板の上面に設けられたおもて面多層反射膜と、おもて面多層反射膜の上面に設けられたおもて面保護膜と、おもて面保護膜の上面に設けられたおもて面吸収膜と、基板の下面に形成された裏面多層反射膜と、裏面多層反射膜の下面に設けられた裏面保護膜と、を備え、おもて面吸収膜は、おもて面回路パターンを備え、おもて面回路パターンの形成領域の外周には、おもて面多層反射膜とおもて面保護膜とおもて面吸収膜の一部が除去されて基板の上面を露出させるおもて面遮光枠が設けられていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクは、波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の露光光を使用するリソグラフィに使用される反射型フォトマスクブランクであって、基板と、基板の上面に設けられたおもて面多層反射膜と、おもて面多層反射膜の上面に設けられたおもて面保護膜と、おもて面保護膜の上面に設けられたおもて面吸収膜と、基板の下面に形成された裏面多層反射膜と、裏面多層反射膜の下面に設けられた裏面保護膜と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反射型マスクに遮光枠を形成してもマスクパターンの位置精度が低下しない反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの第一の構成例を説明する断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの第二の構成例を説明する断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第一の構成例を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第二の構成例を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第三の構成例を説明する断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第四の構成例を説明する断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第五の構成例を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第六の構成例を説明する断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第一の構成例の製造方法を説明するフローチャートである。
【図１０】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第一の構成例の製造方法を説明する断面工程図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第一の構成例の製造方法を説明する断面工程図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第一の構成例の製造方法を説明する断面工程図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る反射型マスクの第一の構成例の製造方法を説明する断面工程図である。
【図１４】本発明の反射型マスクの平坦度測定について説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
本実施形態において膜として記載している部分については、膜を層としても良い。
【００１６】
［反射型フォトマスクブランク］
まず、本発明の一実施形態に係る反射型フォトマスクブランクについて、図１及び図２を参照して説明する。図１及び図２に示す反射型フォトマスクブランク１０及び反射型フォトマスクブランク２０は、ＥＵＶ光を用いた露光に使用するマスク用のブランクであり、後述する反射型マスク１００から反射型マスク１０５の前駆体となる。ＥＵＶ光の波長は、波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、例えば１３．５ｎｍである。
なお、図１に示す反射型フォトマスクブランク２０は、本発明の一実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの第一の例である。また、図２に示す反射型フォトマスクブランク２０は、本発明の一実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの第二の例である。
以下の図１及び図２において、各膜の図中における上方向の面を上面、下方向の面を下面と記載する場合があるが、本実施形態はその構成に限られるものではない。
【００１７】
（反射型フォトマスクブランクの第一の例）
図１は、反射型フォトマスクブランクの第一の例である反射型フォトマスクブランク１０の断面図である。
反射型フォトマスクブランク１０は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型フォトマスクブランク１０は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、裏面保護膜１３Ｂの下面に設けられた裏面吸収膜１４Ｂと、を備えている。
【００１８】
基板１１は、上面に多層反射膜１２及び裏面導電膜１３を密着性よく均一に成膜でき、いずれの材料で形成されていても構わない。基板１１は、例えば、合成石英ガラスにより形成される。
【００１９】
おもて面多層反射膜１２Ａ、裏面多層反射膜１２Ｂは、反射型マスク１００を形成する際に、反射型マスク１００のおもて面回路パターンＡ（図３（ａ）参照）を形成する面にＥＵＶ領域の露光光を反射するための膜である。多層反射膜１２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）膜及びケイ素（Ｓｉ）膜が交互に数十層ずつ積層され、最上層がケイ素（Ｓｉ）膜となるように積層されて形成される。
【００２０】
おもて面保護膜１３Ａ及び裏面保護膜１３Ｂは、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、シリコン（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の材料やこれら材料の酸化物により形成される。おもて面保護膜１３Ａ及び裏面保護膜１３Ｂの膜厚は、光源波長と材料の屈折率に応じて適切に設定した値を用いる。具体的に、おもて面保護膜１３Ａの膜厚は、おもて面多層反射膜１２Ａの１対または複数対と等価光路長となる膜厚に設定し、裏面保護膜１３Ｂの膜厚は、裏面多層反射膜１２Ｂの１対または複数対と等価光路長となる膜厚に設定する。
【００２１】
おもて面吸収膜１４Ａ及び裏面吸収膜１４Ｂは、露光光であるＥＵＶ光に対して吸収率の高い物質を含み、ＥＵＶ光を吸収する膜である。ＥＵＶに対して吸収率の高い物質としては、タンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）が好適であり、他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。中でも、おもて面吸収膜１４Ａ及び裏面吸収膜１４Ｂは、タンタル（Ｔａ）を母材としてケイ素（Ｓｉ）を含む化合物と、タンタル（Ｔａ）を母材としてケイ素（Ｓｉ）を含む化合物とを順に堆積した二層構造の膜とすることが好ましい。
【００２２】
以上のように、基板１１に対して上下対称の積層膜構造を有する反射型フォトマスクブランク１０は、基板１１のおもて面と裏面の反りがほぼ完全に相殺されるため、高い平坦性を有する。
【００２３】
（反射型フォトマスクブランクの第二の例）
図２は、反射型フォトマスクブランクの第二の例である反射型フォトマスクブランク２０の断面図である。図２に示す反射型フォトマスクブランク２０は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０の下面に裏面吸収膜１４Ｂが形成されていない点で反射型フォトマスクブランク１０と異なる。なお、それ以外の構成については、反射型フォトマスクブランク１０と同様であるため、各部の詳細な説明を省略する。反射型フォトマスクブランク１０と同様の構成を有する部分には、第一の例と同じ符号を付して説明する。
【００２４】
すなわち、反射型フォトマスクブランク２０は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型フォトマスクブランク１０は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、を備えている。
【００２５】
図２に示す反射型フォトマスクブランク２０は、基板１１の下面に裏面吸収膜が設けられていない。このため、反射型フォトマスクブランク２０は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０と比較して、基板１１のおもて面側と裏面側の反りが完全には相殺されない。したがって、反射型フォトマスクブランク２０の平坦性は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０よりは低下する。
しかしながら、反射型フォトマスクブランクの反りに最も大きな影響を与えるのは多層反射膜である。図２に示す反射型フォトマスクブランク２０は、基板１１の両面に多層反射膜（おもて面多層反射膜１２Ａ、裏面多層反射膜１２Ｂ）を備えているため、反りを改善することが十分可能となる。
【００２６】
［反射型フォトマスク］
次に、本発明の一実施形態に係る反射型フォトマスクについて、図３から図８を参照して説明する。図３から図８に示す反射型マスク１００から反射型マスク１０５は、それぞれ、本発明の一実施形態に係る反射型フォトマスクの第一から第五の例である。
図３に示す反射型マスク１００、図４に示す反射型マスク１０１、図６に示す反射型マスク１０３、図７に示す反射型マスク１０４は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０に所望のパターンを形成することによって作製された露光用反射型マスクである。また、図５に示す反射型マスク１０２、図８に示す反射型マスク１０５は、図２に示す反射型フォトマスクブランク２０に所望のパターンを形成することによって作製された露光用反射型マスクである。
以下、第一から第五の例の各反射型マスクについて、それぞれ説明する。
【００２７】
（反射型フォトマスクの第一の例）
図３は、反射型フォトマスクの第一の例である反射型マスク１００の一構成例を示す図であり、図３（ａ）は反射型マスク１００の平面図、図３（ｂ）は反射型マスク１００の断面図である。
反射型マスク１００は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型マスク１００は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、裏面保護膜１３Ｂの下面に設けられた裏面吸収膜１４Ｂと、を備えている。
【００２８】
さらに、反射型マスク１００において、おもて面吸収膜１４Ａは、おもて面回路パターンＡを備えている。おもて面回路パターンＡの形成領域（おもて面回路パターン領域１Ａ）の外周には、おもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａの一部が除去されて基板１１の上面を露出させるおもて面遮光枠２Ａが設けられている。また、反射型マスク１００において、裏面吸収膜１４Ｂは、裏面回路パターンＢを備えている。裏面回路パターンＢの形成領域（裏面回路パターン領域１Ｂ）の外周には、裏面多層反射膜１２Ｂ、裏面保護膜１３Ｂ及び裏面吸収膜１４Ｂの一部が除去されて基板１１の裏面を露出させる裏面遮光枠２Ｂが設けられる。
【００２９】
おもて面回路パターンＡは、回路パターンに合わせておもて面吸収膜１４Ａが選択的に基板１１上に残された凸パターン構造を有している。
おもて面遮光枠２Ａは、ＥＵＶ光の反射を担っているおもて面多層反射膜１２Ａが完全に除去されて形成されている。同様に、裏面遮光枠２Ｂは、同様に、ＥＵＶ光の反射を担っている裏面多層反射膜１２Ｂが完全に除去されて形成されている。このため、おもて面遮光枠２Ａ、裏面遮光枠２Ｂにおいては、ＥＵＶ光の反射率をゼロにすることが出来る。
【００３０】
おもて面遮光枠２Ａは、後述するように、ドライエッチングによりおもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａが除去されて形成されている。このため、おもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａが、おもて面遮光枠２Ａの方向へ膨張するか、もしくはおもて面遮光枠２Ａとは逆の方向に収縮する。
一方、反射型マスク１００の下面には裏面遮光枠２Ｂが設けられている。裏面遮光枠２Ｂも、ドライエッチングにより裏面多層反射膜１２Ｂ、裏面保護膜１３Ｂ及び裏面吸収膜１４Ｂを除去されて形成されている。このため、裏面多層反射膜１２Ｂ、裏面保護膜１３Ｂ及び裏面吸収膜１４Ｂが、裏面遮光枠２Ｂの方向へ膨張するか、もしくは裏面遮光枠２Ｂとは逆の方向に収縮する。
【００３１】
したがって、反射型マスク１００のそれぞれの面に、おもて面遮光枠２Ａ及び裏面遮光枠２Ｂが設けられることで、反射型マスク１００の反りが相殺される。このとき裏面遮光枠２Ｂは、おもて面遮光枠２Ａと同一の幅、深さ、形状で形成されていることがより好ましい。表面裏面の両面で発生する反射型マスク１００の反りがより均等となり、反射型マスク１００の平坦性がより向上するためである。
【００３２】
さらに、反射型マスク１００の上面及び下面のそれぞれにおもて面回路パターンＡ、裏面回路パターンＢがそれぞれ設けられている。これにより、反射型マスク１００の上面においておもて面吸収膜１４Ａが除去され、反射型マスク１００が反るように応力が生じるが、反射型マスク１００の下面においても裏面回路パターンＢが設けられることで、反射型マスク１００の反りが相殺される。このとき、裏面回路パターンＢは、基板１１に対しておもて面回路パターンＡと対称のパターンとされることが好ましい。または、裏面回路パターンＢは、おもて面回路パターンＡと同等の描画パターン密度であることが好ましい。
以上のように、基板１１に対して上下対称の積層膜構造を有する反射型マスク１００は、基板１１のおもて面と裏面の反りがほぼ完全に相殺されるため、高い平坦性を有する。反射型マスク１００の作製が可能となる。また、反射型マスク１００は、高い平坦性を有するため、おもて面回路パターンＡ、裏面回路パターンＢの位置精度が低下しない。
【００３３】
（反射型フォトマスクの第二の例）
図４は、反射型フォトマスクの第二の例である反射型マスク１０１の一構成例を示す図であり、図４（ａ）は反射型マスク１０１の平面図、図４（ｂ）は反射型マスク１０１の断面図である。上述したとおり、反射型マスク１０１は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０に所望のパターンを形成することによって作製された露光用反射型マスクである。反射型マスク１０１は、図３に示す反射型マスク１００の下面に裏面回路パターンＢが形成されていない点で反射型マスク１００と異なる。
【００３４】
反射型マスク１０１は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型マスク１０１は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、裏面保護膜１３Ｂの下面に設けられた裏面吸収膜１４Ｂと、を備えている。
【００３５】
さらに、反射型マスク１０１において、おもて面吸収膜１４Ａは、おもて面回路パターンＡを備えている。おもて面回路パターンＡの形成領域（おもて面回路パターン領域１Ａ）の外周には、おもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａの一部が除去されて基板１１の上面を露出させるおもて面遮光枠２Ａが設けられている。また、反射型マスク１０１において、おもて面遮光枠２Ａと基板１１を介して対向する位置には、裏面多層反射膜１２Ｂ、裏面保護膜１３Ｂ及び裏面吸収膜１４Ｂの一部が除去されて基板１１の裏面を露出させる裏面遮光枠２Ｂが設けられている。
【００３６】
反射型マスク１０１は、裏面吸収膜１４Ｂに回路パターン領域が形成されていない。このため、反射型マスク１０１は、図３に示す反射型マスク１００と比較して、反射型マスク１０１のおもて面と裏面の反りが完全には相殺されない。したがって、反射型マスク１０１の平坦性は図３に示す反射型マスク１００よりは低下する。
しかしながら、反射型フォトマスクブランクの反りに最も大きな影響を与えるのは多層反射膜である。図４に示す反射型マスク１０１は、基板１１の両面に多層反射膜（おもて面多層反射膜１２Ａ、裏面多層反射膜１２Ｂ）を備えているため、反りを改善することが十分可能となる。
【００３７】
（反射型フォトマスクの第三の例）
図５は、反射型フォトマスクの第三の例である反射型マスク１０２の一構成例を示す図であり、図５（ａ）は反射型マスク１０２の平面図、図５（ｂ）は反射型マスク１０２の断面図である。上述したとおり、反射型マスク１０２は、図２に示す反射型フォトマスクブランク２０に所望のパターンを形成することによって作製された露光用反射型マスクである。反射型マスク１０２は、図３に示す反射型マスク１００の下面に設けられた裏面吸収膜１４Ｂ及び裏面回路パターンＢが形成されていない点で反射型マスク１００と異なる。
【００３８】
反射型マスク１０２は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型マスク１０２は、は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、を備えている。
【００３９】
さらに、反射型マスク１０２において、おもて面吸収膜１４Ａは、おもて面回路パターンＡを備えている。おもて面回路パターンＡの形成領域（おもて面回路パターン領域１Ａ）の外周には、おもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａの一部が除去されて基板１１の上面を露出させるおもて面遮光枠２Ａが設けられている。また、反射型マスク１０２において、おもて面遮光枠２Ａと基板１１を介して対向する位置には、裏面多層反射膜１２Ｂ及び裏面保護膜１３Ｂが除去されて基板１１の裏面が露出する裏面遮光枠２Ｂが設けられている。
【００４０】
反射型マスク１０２は、裏面吸収膜及び回路パターン領域が形成されていない。このため、反射型マスク１０２は、図３に示す反射型マスク１００と比較して、反射型マスク１０２のおもて面と裏面の反りが完全には相殺されない。したがって、反射型マスク１０２の平坦性は図３に示す反射型マスク１００よりは低下する。
しかしながら、反射型フォトマスクブランクの反りに最も大きな影響を与えるのは多層反射膜である。図５に示す反射型マスク１０２は、基板１１の両面に多層反射膜（おもて面多層反射膜１２Ａ、裏面多層反射膜１２Ｂ）を備えているため、反りを改善することが十分可能となる。
【００４１】
（反射型フォトマスクの第四の例）
図６は、反射型フォトマスクの第四の例である反射型マスク１０３の一構成例を示す図であり、図６（ａ）は反射型マスク１０３の平面図、図６（ｂ）は反射型マスク１０３の断面図である。上述したとおり、反射型マスク１０３は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０に所望のパターンを形成することによって作製された露光用反射型マスクである。反射型マスク１０３は、図３に示す反射型マスク１００の下面に裏面遮光枠２Ｂが形成されていない点で反射型マスク１００と異なる。
【００４２】
反射型マスク１０３は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型マスク１０３は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、裏面吸収膜１４Ｂとを備えている。
【００４３】
さらに、反射型マスク１０３において、おもて面吸収膜１４Ａは、おもて面回路パターンＡを備えている。おもて面回路パターンＡの形成領域（おもて面回路パターン領域１Ａ）の外周には、おもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａの一部が除去されて基板１１の上面を露出させるおもて面遮光枠２Ａが設けられている。
【００４４】
反射型マスク１０３は、遮光枠領域２Ｂが形成されていない。このため、反射型マスク１０３は、図３に示す反射型マスク１００と比較して、反射型マスク１０３のおもて面と裏面の反りが完全には相殺されない。したがって、反射型マスク１０３の平坦性は図３に示す反射型マスク１００よりは低下する。
しかしながら、反射型フォトマスクブランクの反りに最も大きな影響を与えるのは多層反射膜である。図６に示す反射型マスク１０３は、基板１１の両面に多層反射膜（おもて面多層反射膜１２Ａ、裏面多層反射膜１２Ｂ）を備えているため、反りを改善することが十分可能となる。また、裏面保護膜１３Ｂ及び裏面吸収膜１４Ｂが形成され、裏面吸収膜１４Ｂには裏面回路パターンＢが形成されているため、反射型マスク１０３の平坦性を保つことが十分可能となる。
【００４５】
（反射型フォトマスクの第五の例）
図７は、反射型フォトマスクの第五の例である反射型マスク１０４の一構成例を示す図であり、図７（ａ）は反射型マスク１０４の平面図、図７（ｂ）は反射型マスク１０４の断面図である。上述したとおり、反射型マスク１０４は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０に所望のパターンを形成することによって作製された露光用反射型マスクである。反射型マスク１０４は、図３に示す反射型マスク１００の下面に設けられた裏面回路パターンＢ及び裏面遮光枠２Ｂが形成されていない点で反射型マスク１００と異なる。
【００４６】
反射型マスク１０４は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型マスク１０４は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、裏面吸収膜１４Ｂとを備えている。
【００４７】
さらに、反射型マスク１０４において、おもて面吸収膜１４Ａは、おもて面回路パターンＡを備えている。おもて面回路パターンＡの形成領域（おもて面回路パターン領域１Ａ）の外周には、おもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａの一部が除去されて基板１１の上面を露出させるおもて面遮光枠２Ａが設けられている。
【００４８】
反射型マスク１０４は、回路パターン領域及び遮光枠が形成されていない。このため、反射型マスク１０４は、図３に示す反射型マスク１００と比較して、反射型マスク１０４のおもて面と裏面の反りが完全には相殺されない。したがって、反射型マスク１０４の平坦性は図３に示す反射型マスク１００よりは低下する。
しかしながら、反射型フォトマスクブランクの反りに最も大きな影響を与えるのは多層反射膜である。反射型マスク１０４は、基板１１の両面に多層反射膜（おもて面多層反射膜１２Ａ、裏面多層反射膜１２Ｂ）を備えているため、反りを改善することが十分可能となる。
【００４９】
（反射型フォトマスクの第六の例）
図８は、反射型フォトマスクの第六の例である反射型マスク１０５の一構成例を示す図であり、図８（ａ）は反射型マスク１０５の平面図、図８（ｂ）は反射型マスク１０５の断面図である。上述したとおり、反射型マスク１０５は、図２に示す反射型フォトマスクブランク２０に所望のパターンを形成することによって作製された露光用反射型マスクである。反射型マスク１０５は、図３に示す反射型マスク１００の下面に設けられた裏面吸収膜１４Ｂ、裏面回路パターンＢ及び裏面遮光枠２Ｂが形成されていない点で反射型マスク１００と異なる。
【００５０】
反射型マスク１０５は、基板１１と、基板１１の上面に設けられたおもて面多層反射膜１２Ａと、おもて面多層反射膜１２Ａの上面に設けられたおもて面保護膜１３Ａと、おもて面保護膜１３Ａの上面に設けられたおもて面吸収膜１４Ａと、を備えている。また、反射型マスク１０５は、基板１１の下面に設けられた裏面多層反射膜１２Ｂと、裏面多層反射膜１２Ｂの下面に設けられた裏面保護膜１３Ｂと、を備えている。
【００５１】
さらに、反射型マスク１０５において、おもて面吸収膜１４Ａは、おもて面回路パターンＡを備えている。おもて面回路パターンＡの形成領域（おもて面回路パターン領域１Ａ）の外周には、おもて面多層反射膜１２Ａ、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面吸収膜１４Ａの一部が除去されて基板１１の上面を露出させるおもて面遮光枠２Ａが設けられている。
【００５２】
反射型マスク１０５は、裏面吸収膜、裏面回路パターン及び裏面遮光枠が形成されていない。このため、反射型マスク１０５は、図３に示す反射型マスク１００と比較して、反射型マスク１０５のおもて面と裏面の反りが完全には相殺されない。したがって、反射型マスク１０５の平坦性は図３に示す反射型マスク１００よりは低下する。
しかしながら、反射型フォトマスクブランクの反りに最も大きな影響を与えるのは多層反射膜である。反射型マスク１０５は、基板１１の両面に多層反射膜（おもて面多層反射膜１２Ａ、裏面多層反射膜１２Ｂ）を備えているため、反りを改善することが十分可能となる。
【００５３】
［反射型フォトマスクの製造方法］
以下、図３に示す反射型マスク１００の製造方法を、図９並びに図１０から図１３を参照して説明する。反射型マスク１００の製造方法は、反射型フォトマスクブランク１０の製造方法と、反射型マスク１００の製造方法とに分けて説明する。
ここで、図９は反射型マスク１００の製造工程を示すフローチャートである。また、図１０（ａ）から図１０（ｆ）、図１１（ａ）から図１１（ｅ）、図１２（ａ）から図１２（ｅ）及び図１３（ａ）から図１３（ｅ）は、反射型マスク１００の製造工程における、各工程での加工状態の断面を示す断面工程図である。
【００５４】
＜反射型フォトマスクブランクの製造方法＞
以下、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０の作製工程を説明する。ＥＵＶ領域の露光光の波長は、例えば１３．５ｎｍである。
最初に、石英基板からなる、６インチ角で厚さは６．３５ｍｍの基板１１を準備する。
続いて、基板１１の上面及び下面のそれぞれに、ＥＵＶ領域の露光光を反射するためのおもて面多層反射膜１２Ａ及び裏面多層反射膜１２Ｂを成膜する。おもて面多層反射膜１２Ａ及び裏面多層反射膜１２Ｂは、モリブデン（Ｍｏ）膜と、ケイ素（Ｓｉ）膜とを、イオンビームスパッタリング装置で交互に４０対、合計８０層となるように形成する。このとき、おもて面多層反射膜１２Ａ及び裏面多層反射膜１２Ｂの最上層がケイ素（Ｓｉ）膜となるように、モリブデン（Ｍｏ）膜及びケイ素（Ｓｉ）膜を積層する。
【００５５】
次に、おもて面多層反射膜１２Ａ及び裏面多層反射膜１２Ｂの上に、おもて面保護膜１３Ａ及び裏面保護膜１３Ｂをそれぞれ形成する。おもて面保護膜１３Ａ及び裏面保護膜１３Ｂは、ルテニウム（Ｒｕ）をマグネトロンスパッタにて積層することにより形成される。
【００５６】
続いて、おもて面保護膜１３Ａ及び裏面保護膜１３Ｂの上に、おもて面吸収膜１４Ａ及び裏面吸収膜１４Ｂをそれぞれ形成する。おもて面吸収膜１４Ａ及び裏面吸収膜１４Ｂの形成は、まず、タンタル（Ｔａ）を母材としてケイ素（Ｓｉ）を含む化合物を用い、窒素ガスを混合した雰囲気中でマグネトロンスパッタを行うことにより、合金を堆積させる。続いて、その上層にタンタル（Ｔａ）を母材としてケイ素（Ｓｉ）を含む化合物を用い、窒素ガス及び酸素ガスを混合した雰囲気中でマグネトロンスパッタを行うことにより、さらに合金を堆積させる。
以上により、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０が形成される。
【００５７】
＜反射型フォトマスクの製造方法＞
次に、図３に示す反射型マスク１００の製造方法について図９及び図１０から図１３を参照して説明する。反射型マスク１００の製造方法は、以下の（ｉ）から（iv）の４工程に分けて説明する。
（ｉ）おもて面回路パターンＡ形成工程及びおもて面遮光枠２Ａの第１形成工程
（ii）おもて面遮光枠２Ａの第２形成工程
（iii）裏面回路パターンＢ形成工程及び裏面遮光枠２Ｂの第１形成工程
（iv）裏面遮光枠２Ｂの第２形成工程
【００５８】
また、図９及び図１０から図１３では、反射型マスク１００のおもて面を転写用に使用し、反射型マスク１００の裏面を露光時の静電チャック用に使用する場合について記載する。しかしながら、その使用方法は上述した形態に限定されず、反射型マスク１００のおもて面を静電チャック用に使用し、反射型マスク１００の裏面を転写用に使用しても良い。
また、図９及び図１０から図１３では、反射型マスク１００の上面におもて面回路パターンＡ及びおもて面遮光枠２Ａを形成した後、反射型マスク１００の下面に裏面回路パターンＢ及び裏面遮光枠２Ｂを形成する製造方法を記載する。しかしながら、その製造順は上述した形態に限定されず、反射型マスク１００の下面に裏面回路パターンＢ及び裏面遮光枠２Ｂを形成してから、反射型マスク１００の上面におもて面回路パターンＡ及びおもて面遮光枠２Ａを形成してもよい。
【００５９】
（ｉ）おもて面回路パターンＡ形成工程及びおもて面遮光枠２Ａの第１形成工程
工程（ｉ）では、おもて面吸収膜１４Ａにおもて面回路パターンＡ及びおもて面遮光枠２Ａの一部を形成する。工程（ｉ）は、図９に示すステップＳ１からステップＳ７、及び図１０（ａ）から図１０（ｆ）に対応する。
まず、図１の反射型フォトマスクブランク１０を用意する（図１０（ａ））。次に、紫外線または電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系のレジスト２１を塗布する（図９のステップＳ１及び図１０（ｂ））。続いて、レジスト２１上に、おもて面回路パターンＡとおもて面遮光枠２Ａに対応する所定のパターンを露光または電子線で描画する（図９のステップＳ２及び図１０（ｃ））。その後、アルカリ溶液などで現像を行いパターンを形成する（図９のステップＳ３及び図１０（ｄ））。その後、形成したレジスト２１のパターンをマスクとして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるおもて面吸収膜１４Ａのエッチングを行う（図９のステップＳ４及び図１０（ｅ））。
【００６０】
続いて、酸素プラズマによる灰化、硫酸又はオゾン水等の酸化薬液による分解、もしくは有機溶剤等による溶解除去により、不要なレジスト２１を除去する（図９のステップＳ５及び図１０（ｆ））。その後、必要に応じて、酸・アルカリ系薬品、オゾンガス又は水素ガス等を溶解した超純水、有機アルカリ系薬品又は界面活性剤等による洗浄処理（図９のステップＳ６及び図１０（ｆ））と、遠心力を利用したスピン乾燥（図９のステップＳ７及び図１０（ｆ））とを行う。
以上のステップＳ１からステップＳ７の工程により、おもて面吸収膜１４Ａの一部が除去されて、おもて面回路パターンＡ及びおもて面遮光枠２Ａの一部が形成される。
【００６１】
（ii）おもて面遮光枠２Ａの第２形成工程
工程（ii）では、おもて面多層反射膜１２Ａにおもて面遮光枠２Ａを形成する。工程（ii）は、図９に示すステップＳ７からステップＳ１４、及び図１１（ａ）から図１１（ｅ）に対応する。
まず、おもて面回路パターンＡ及びおもて面遮光枠２Ａの一部が形成されたおもて面吸収膜１４Ａ上に、紫外線または電子線に反応を示すレジスト２２を塗布する（図９のステップＳ８及び図１１（ａ））。次に、レジスト２２上に、おもて面遮光枠２Ａに対応する所定のパターンを露光または電子線で描画する（図９のステップＳ９及び図１１（ｂ））。その後、アルカリ溶液などで現像を行いパターンを形成する（図９のステップＳ１０及び図１１（ｃ））。その後、形成したレジスト２２のパターンをマスクとして、おもて面保護膜１３Ａ及びおもて面多層反射膜１２Ａのエッチングを行う（図９のステップＳ１１及び図１１（ｄ））。ここで、ステップＳ１１のエッチング時には、まずおもて面保護膜１３Ａをフッ素系ガスプラズマを用いて除去し、その後、おもて面多層反射膜１２Ａをフッ素系ガスプラズマ又は塩素ガス系プラズマを交互に用いて除去する。
【００６２】
続いて、ステップＳ５からステップＳ７と同様の方法により、不要なレジスト２２を除去、洗浄処理及びスピン乾燥を行う（図９のステップＳ１２からステップＳ１４及び図１１（ｅ））。
以上のステップＳ８からステップＳ１４の工程により、おもて面遮光枠２Ａが形成される。
【００６３】
（iii）裏面回路パターンＢ形成工程及び裏面遮光枠２Ｂの第１形成工程
工程（iii）では、裏面吸収膜１４Ｂに裏面回路パターンＢ及び裏面遮光枠２Ｂの一部を形成する。工程（iii）は、図９に示すステップＳ１５からステップＳ２１、及び図１２（ａ）から図１２（ｆ）に対応する。
まず、紫外線または電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系のレジスト２１を塗布する（図９のステップＳ１５及び図１２（ａ））。続いて、レジスト２１上に、裏面回路パターンＢと裏面遮光枠２Ｂに対応する所定のパターンを露光または電子線で描画する（図９のステップＳ１６及び図１２（ｂ））。その後、アルカリ溶液などで現像を行いパターンを形成する（図９のステップＳ１７及び図１２（ｃ））。その後、形成したレジスト２１のパターンをマスクとして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによる裏面吸収膜１４Ｂのエッチングを行う（図９のステップＳ１８及び図１２（ｄ））。
【００６４】
続いて、酸素プラズマによる灰化、硫酸又はオゾン水等の酸化薬液による分解、もしくは有機溶剤等による溶解除去により、不要なレジスト２１を除去する（図９のステップＳ１９及び図１２（ｅ））。その後、必要に応じて、酸・アルカリ系薬品、オゾンガス又は水素ガス等を溶解した超純水、有機アルカリ系薬品又は界面活性剤等による洗浄処理（図９のステップＳ２０及び図１２（ｅ））と、遠心力を利用したスピン乾燥（図９のステップＳ２１及び図１２（ｅ））とを行う。
以上のステップＳ１５からステップＳ２１の工程により、裏面吸収膜１４Ｂの一部が除去されて、裏面回路パターンＢ及び裏面遮光枠２Ｂの一部が形成される。
【００６５】
（iv）裏面遮光枠２Ｂの第２形成工程
工程（iv）では、裏面多層反射膜１２Ｂに裏面遮光枠２Ｂを形成する。工程（iv）は、図９に示すステップＳ２２からステップＳ２８、及び図１３（ａ）から図１３（ｅ）に対応する。
まず、裏面回路パターンＢ及び裏面遮光枠２Ｂの一部が形成された裏面吸収膜１４Ｂ上に、紫外線または電子線に反応を示すレジスト２２を塗布する（図９のステップＳ２２及び図１３（ａ））。次に、レジスト２２上に、裏面遮光枠２Ｂに対応する所定のパターンを露光または電子線で描画する（図９のステップＳ２３及び図１３（ｂ））。その後、アルカリ溶液などで現像を行いパターンを形成する（図９のステップＳ２４及び図１３（ｃ））。その後、形成したレジスト２２のパターンをマスクとして、裏面保護膜１３Ｂ及び裏面多層反射膜１２Ｂのエッチングを行う（図９のステップＳ２５及び図１３（ｄ））。ここで、ステップＳ２５のエッチング時には、ステップＳ１１と同様に、まず裏面保護膜１３Ｂをフッ素系ガスプラズマを用いて除去し、その後、裏面多層反射膜１２Ｂをフッ素系ガスプラズマ又は塩素ガス系プラズマを交互に用いて除去する。
【００６６】
続いて、ステップＳ１２からステップＳ１４と同様の方法により、不要なレジスト２２を除去、洗浄処理及びスピン乾燥を行う（図９のステップＳ２６からステップＳ２８及び図１３（ｅ））。
以上のステップＳ２１からステップＳ２８の工程により、裏面遮光枠２Ｂが形成される。
【００６７】
以上の工程により、反射型マスク１００が完成した。反射型マスク１００では、おもて面遮光枠２Ａ及び裏面遮光枠２Ｂにおいて、ＥＵＶ光の反射を担っているおもて面多層反射膜１２Ａ及び裏面多層反射膜１２Ｂがそれぞれ完全に除去されている。このため、おもて面遮光枠２Ａ及び裏面遮光枠２ＢでのＥＵＶ光の反射率をゼロにすることが出来る。また、反射型フォトマスクブランク１０では、基板１１の上面側及び下面側が対称の構造を有する。このため、反射型フォトマスクブランク１０の基板１１上面側及び下面側における反りがほぼ完全に相殺され、反射型フォトマスクブランク１０が高い平坦性を有する。また、平坦性が高い反射型フォトマスクブランク１０により、反射型マスク１００に対して高い精度の転写パターンを形成することが可能となる。
【実施例】
【００６８】
以下、上述の実施形態に係る反射型マスクを、実施例により説明する。
（反射型マスクの作製）
まず、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０と同様の構成を有する反射型フォトマスクブランクを用意した。この反射型フォトマスクブランクは、基板の上に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を４０対交互に堆積させたおもて面多層反射膜が形成されている。また、反射型フォトマスクブランクは、おもて面多層反射膜上に、２．５ｎｍ厚のルテニウム（Ｒｕ）を堆積させたおもて面保護膜が形成され、更にその上に７０ｎｍ厚のＴａＳｉからなるおもて面吸収膜が形成されている。
【００６９】
続いて、反射型フォトマスクブランクの表面に対し、ポジ型化学増幅レジスト（ＦＥＰ１７１、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を３００ｎｍの膜厚で塗布した。続いて、当該レジストに対しておもて面回路パターン及びおもて面遮光枠に対応するパターンを電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）によって描画した。この後、１１０℃、１０分間のＰＥＢ（Post exposure bake)を行い、スプレー現像（ＳＦＧ３０００、シグマメルテック株式会社製）により、レジスト部分にレジストパターンを形成した。
【００７０】
次いで、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ４プラズマとＣｌ２プラズマにより、おもて面吸収膜をエッチングし、レジストを剥離した後、洗浄及び乾燥を行うことで、おもて面回路パターン領域とおもて面遮光枠の一部を形成した。おもて面回路パターン領域は、寸法２００ｎｍの１：１のライン及びスペースのパターンをマスク中心に配置した。パターン領域の大きさは、１０ｃｍ×１０ｃｍとした。
【００７１】
次いで、おもて面遮光枠を形成する工程を行った。おもて面回路パターン領域とおもて面遮光枠の一部を形成したおもて面吸収膜上に、ｉ線レジストを５００ｎｍの膜厚で塗布した。続いて、ｉ線レジストに対して、ｉ線描画機（ＡＬＴＡ）によりおもて面遮光枠に対応するパターンを描画し、現像を行った。これにより、後におもて面遮光枠となる領域が除去されたレジストパターンを形成した。このとき、レジストパターンの開口幅は５ｍｍとし、開口を、おもて面吸収膜中心部に設けられた１０ｃｍ×１０ｃｍのおもて面回路パターンＡから３ｍｍ外周の位置に配置した。
【００７２】
次いで、ドライエッチング装置を用いてＣＨＦ３プラズマにより、レジストの開口部のおもて面保護膜とおもて面多層反射膜を垂直性ドライエッチングで貫通・除去した。このとき、ドライエッチング装置内の圧力を５０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワーを５００Ｗ、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワーを２０００Ｗ、ＣＨＦ３流量を２０ｓｃｃｍ、ドライエッチング処理時間を６分とした。続いて、ｉ線レジストの剥離、洗浄及び乾燥を行い、おもて面遮光枠を形成した。
【００７３】
続いて、反射型フォトマスクブランクの下面に対し、ポジ型化学増幅レジスト（ＦＥＰ１７１、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を３００ｎｍの膜厚で塗布した。続いて、当該レジストに対して裏面回路パターン及び裏面遮光枠に対応するパターンを電子線描画機によって描画した後、おもて面回路パターン形成時と同様にＰＥＢおよびスプレー現像を行い、レジスト部分にレジストパターンを形成した。
【００７４】
次いで、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ４プラズマとＣｌ２プラズマにより、裏面吸収膜をエッチングし、レジストを剥離した後、洗浄及び乾燥を行うことで、裏面回路パターンと裏面遮光枠の一部を形成した。裏面回路パターンは、寸法２００ｎｍの１：１のライン及びスペースのパターンをマスク中心に配置した。裏面回路パターン領域の大きさは、１０ｃｍ×１０ｃｍとした。すなわち、裏面回路パターンは、おもて面回路パターンと基板を介して各ライン及びスペースが対向する位置に形成した。
【００７５】
次いで、裏面遮光枠を形成する工程を行った。裏面回路パターン領域と裏面遮光枠の一部を形成した裏面吸収膜上に、ｉ線レジストを５００ｎｍの膜厚で塗布した。続いて、ｉ線レジストに対して、ｉ線描画機（ＡＬＴＡ）により裏面遮光枠に対応するパターンを描画し、現像を行った。これにより、後に裏面遮光枠となる領域が除去されたレジストパターンを形成した。このとき、レジストパターンの開口幅は５ｍｍとし、開口を、裏面吸収膜中心部に設けられた１０ｃｍ×１０ｃｍのおもて面回路パターンＡから３ｍｍ外周の位置に配置した。
【００７６】
次いで、ドライエッチング装置を用いてＣＨＦ３プラズマにより、レジストの開口部の裏面保護膜と裏面多層反射膜を垂直性ドライエッチングで貫通・除去した。このとき、ドライエッチング装置内の圧力を５０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワーを５００Ｗ、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワーを２０００Ｗ、ＣＨＦ３流量を２０ｓｃｃｍ、ドライエッチング処理時間を６分とした。続いて、ｉ線レジストの剥離、洗浄及び乾燥を行い、裏面遮光枠を形成した。
これにより、反射型マスクが完成した。
【００７７】
（反射型マスクの評価）
上述のようにして作製した反射型フォトマスクの平坦度を測定した。測定の結果を、図１４（ａ）から図１４（ｃ）及び以下の表１を参照して説明する。
図１４（ａ）は、従来の反射型マスクの断面図（遮光枠形成前）であり、基板１１の下面には、導電膜１５を形成した。図１４（ｂ）は、従来の反射型マスクの断面図（遮光枠形成後）であり、基板１１の下面には導電膜１５を形成した。また、反射型マスクの上面には、おもて面回路パターンＡ及びおもて面遮光枠２Ａを形成した。また、図１４（ｃ）は、上述のようにして作製した反射型フォトマスクである。
なお、図１４（ａ）、図１４（ｂ）には、従来の反射マスクの構成を説明するために、便宜的に参照符号を振って説明している。
【００７８】
図１４（ｃ）に示す反射型マスクについて、遮光枠の内側の測定エリア１００ｍｍ×１００ｍｍの領域の平坦度（ＴＩＲ（Total Indicator Reading）値）の測定を実施した。５ｔｈ近似後における平坦度ＴＩＲ（ＴＩＲ値）の測定結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
2018005108.tif 000003
【００８０】
表１に示すように、図１４（ｃ）に示す反射型マスクは、平坦度ＴＩＲ値が１０５ｎｍと、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示す従来の反射型マスクと比較して最も小さく、高い平坦性を有することが確認できた。
【００８１】
以上、各実施形態により本発明を説明したが、本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、ＥＵＶ光を用いる反射型フォトマスクブランクおよび反射型マスクに有用である。
【符号の説明】
【００８３】
１１  基板
１２Ａ  おもて面多層反射膜
１２Ｂ  裏面多層反射膜
１３Ａ  おもて面保護膜
１３Ｂ  裏面保護膜
１４Ａ  おもて面吸収膜
１４Ｂ  裏面吸収膜
２１  レジスト
２２  レジスト
１Ａ  おもて面回路パターン領域
１Ｂ  裏面回路パターン領域
２Ａ  おもて面遮光枠
２Ｂ  裏面遮光枠
【図１】
2018005108.tif 000004
【図２】
2018005108.tif 000005
【図３】
2018005108.tif 000006
【図４】
2018005108.tif 000007
【図５】
2018005108.tif 000008
【図６】
2018005108.tif 000009
【図７】
2018005108.tif 000010
【図８】
2018005108.tif 000011
【図９】
2018005108.tif 000012
【図１０】
2018005108.tif 000013
【図１１】
2018005108.tif 000014
【図１２】
2018005108.tif 000015
【図１３】
2018005108.tif 000016
【図１４】
2018005108.tif 000017