(57)【要約】【課題】半導体レーザを複数備える光源装置の良否を判定することができる判定装置及び判定方法を得ること。【解決手段】判定装置１は、複数の半導体レーザが発生するレーザ光を集積した加工用レーザ光Ｌａを出射する光源装置５０の良否を判定する装置である。判定装置１は、加工用レーザ光Ｌａを出射中の光源装置５０から加工用レーザ光Ｌａの波長と強度との分布を示すスペクトル分布を取得する取得手段２を備える。判定装置１は、スペクトル分布から加工用レーザ光Ｌａの最大強度よりも弱い設定強度の波長を算出する算出手段３と、算出手段３が算出した波長と良品の光源装置５０の設定強度の波長との差が予め設定された第１の閾値を超えていると不良であると判定し、差が予め設定された第１の閾値以下であると良品であると光源装置５０の良否を判定する判定手段５とを備える。【選択図】図１
2018031622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザが発生するレーザ光を集積した加工用レーザ光を出射する光源装置の良否を判定する判定装置であって、
前記加工用レーザ光を出射中の前記光源装置から前記加工用レーザ光の波長と強度との分布を示すスペクトル分布を取得する取得手段と、
前記スペクトル分布から前記加工用レーザ光の最大強度よりも弱い設定強度の波長を算出する算出手段と、
前記算出手段が算出した波長と良品の光源装置の前記設定強度の波長との差が予め設定された第１の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出手段が算出した波長と良品の光源装置の前記設定強度の波長との差が予め設定された第１の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする判定装置。
【請求項２】
前記良品の光源装置の前記設定強度と、前記良品の光源装置の前記設定強度の波長との設定される値を受け付ける設定手段を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の判定装置。
【請求項３】
前記取得した光源装置のスペクトル分布を表示する表示手段を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の判定装置。
【請求項４】
前記光源装置の前記加工用レーザ光の基準となる波長と強度との分布を示す基準スペクトル分布を記憶する記憶手段を備え、
前記算出手段は、前記基準スペクトル分布の強度と前記スペクトル分布の強度との差の平方和を算出し、
前記判定手段は、前記算出手段が算出した前記差の平方和が予め設定された第２の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出手段が算出した前記差の平方和が予め設定された第２の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する
ことを特徴とする請求項１に記載の判定装置。
【請求項５】
複数の半導体レーザが発生するレーザ光を集積した加工用レーザ光を出射する光源装置の良否を判定する判定装置であって、
前記光源装置の前記加工用レーザ光の基準となる波長と強度との分布を示す基準スペクトル分布を記憶する記憶手段と、
前記加工用レーザ光を出射中の前記光源装置から前記加工用レーザ光の波長と強度との分布を示すスペクトル分布を取得する取得手段と、
前記基準スペクトル分布の強度と前記スペクトル分布の強度との差の平方和を算出する算出手段と、
前記算出手段が算出した平方和が予め設定された第２の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出手段が算出した前記差の平方和が予め設定された第２の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする判定装置。
【請求項６】
前記取得した光源装置のスペクトル分布を表示する表示手段を備える
ことを特徴とする請求項５に記載の判定装置。
【請求項７】
前記算出手段は、前記スペクトル分布から中心波長を算出し、
前記判定手段は、前記算出手段が算出した前記中心波長と良品の光源装置の前記中心波長との差が予め設定された第３の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出手段が算出した中心波長と良品の光源装置の前記中心波長との差が予め設定された第３の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の判定装置。
【請求項８】
複数の半導体レーザが発生するレーザ光を集積した加工用レーザ光を出射する光源装置の良否を判定する判定方法であって、
前記加工用レーザ光を出射中の前記光源装置から前記加工用レーザ光の波長と強度との分布を示すスペクトル分布を取得する取得ステップと、
前記スペクトル分布から前記加工用レーザ光の最大強度よりも弱い設定強度の波長を算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出した波長と良品の光源装置の前記設定強度の波長との差が予め設定された第１の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出ステップで算出した波長と良品の光源装置の前記設定強度の波長との差が予め設定された第１の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する判定ステップと、
を備えることを特徴とする判定方法。
【請求項９】
前記算出ステップでは、前記光源装置の前記加工用レーザ光の基準となる波長と強度との分布を示す基準スペクトル分布の強度と前記スペクトル分布の強度との差の平方和を算出し、
前記判定ステップでは、前記算出ステップで算出した前記差の平方和が予め設定された第２の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出ステップで算出した前記差の平方和が予め設定された第２の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する
ことを特徴とする請求項８に記載の判定方法。
【請求項１０】
複数の半導体レーザが発生するレーザ光を集積した加工用レーザ光を出射する光源装置の良否を判定する判定方法であって、
前記加工用レーザ光を出射中の前記光源装置から前記加工用レーザ光の波長と強度との分布を示すスペクトル分布を取得する取得ステップと、
前記光源装置の前記加工用レーザ光の基準となる波長と強度との分布を示す基準スペクトル分布の強度と前記スペクトル分布の強度との差の平方和を算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出した前記差の平方和が予め設定された第２の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出ステップで算出した前記差の平方和が予め設定された第２の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する判定ステップと、
を備えることを特徴とする判定方法。
【請求項１１】
前記算出ステップでは、前記スペクトル分布から中心波長を算出し、
前記判定ステップでは、前記算出ステップで算出した前記中心波長と良品の光源装置の前記中心波長との差が予め設定された第３の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、前記算出ステップで算出した中心波長と良品の光源装置の前記中心波長との差が予め設定された第３の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する
ことを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１つに記載の判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工用レーザ光を出射する光源装置の良否を判定する判定装置及び判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を出射する半導体レーザを備える光源装置の良否を判定する判定装置が用いられている（特許文献１参照）。特許文献１に示された判定装置は、判定対象となる半導体レーザにレーザ光を連続的に出射させ、モニタ用の半導体レーザに完結的にレーザ光を出射させ、レーザ光同士の波長を比較して、判定対象である半導体レーザを備える光源装置の良否を判定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３４４２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示された判定装置は、判定対象となる半導体レーザが出射したレーザ光の波長と、モニタ用の半導体レーザが出射したレーザ光との波長を比較する。このために、特許文献１に示された判定装置は、複数の半導体レーザが出射するレーザ光を集積する光源装置の一部の半導体が劣化しても光源装置全体が出射する加工用レーザ光の波長の変化が僅かであるために、半導体レーザを複数備える光源装置の一部の半導体レーザの劣化を検出することが困難で、半導体レーザを複数備える光源装置の良否を判定できない、という問題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体レーザを複数備える光源装置の良否を判定することができる判定装置及び判定方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の半導体レーザが発生するレーザ光を集積した加工用レーザ光を出射する光源装置の良否を判定する判定装置である。判定装置は、加工用レーザ光を出射中の光源装置から加工用レーザ光の波長と強度との分布を示すスペクトル分布を取得する取得手段と、スペクトル分布から加工用レーザ光の最大強度よりも弱い設定強度の波長を算出する算出手段とを備える。判定装置は、算出手段が算出した波長と良品の光源装置の設定強度の波長との差が予め設定された第１の閾値を超えていると、スペクトル分布を取得した光源装置が不良であると判定し、算出手段が算出した波長と良品の光源装置の設定強度の波長との差が予め設定された第１の閾値以下であると、スペクトル分布を取得した光源装置が良品であると判定する判定手段を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る判定装置は、半導体レーザを複数備える光源装置の良否を判定することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る判定装置を備える加工設備の構成を示す図
【図２】図１に示されたレーザ加工機の光源装置の構成を示す図
【図３】図２に示された光源装置の各半導体レーザが発生したレーザ光を示す図
【図４】図２に示された光源装置が出射した加工用レーザ光を示す図
【図５】図３に示された光源装置の一部の半導体レーザが劣化した時のレーザ光を示す図
【図６】図５に示された光源装置が出射した加工用レーザ光を示す図
【図７】図４に示された加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図
【図８】図６に示された加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図
【図９】実施の形態１に係る判定装置の判定方法を示すフローチャート
【図１０】図９に示されたステップＳＴ１において、設定強度及び設定強度の波長との設定される値を受け付ける状態を説明する図
【図１１】図９に示されたステップＳＴ２において取得したスペクトル分布を表示手段に表示した状態を示す図
【図１２】実施の形態２に係る判定装置の記憶手段が記憶した基準スペクトル分布を示す図
【図１３】実施の形態２に係る判定装置の判定方法を示すフローチャート
【図１４】図１３に示されたステップＳＴ２において取得したスペクトル分布を表示手段に表示した状態を示す図
【図１５】実施の形態３に係る判定装置の判定方法を示すフローチャート
【図１６】実施の形態４に係る判定装置が取得した加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図
【図１７】実施の形態４に係る判定装置が取得した一部の半導体レーザが劣化した光源装置の加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図
【図１８】各実施の形態に係る判定装置のハードウェアの構成の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態に係る判定装置及び判定方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る判定装置を備える加工設備の構成を示す図である。図２は、図１に示されたレーザ加工機の光源装置の構成を示す図である。
【００１１】
実施の形態１に係る判定装置１は、図１に示す加工設備１００を構成する。加工設備１００は、複数のレーザ加工機１０と、レーザ加工機１０の光源装置５０の良否を判定する判定装置１とを備える。レーザ加工機１０は、加工対象物Ｗに加工用レーザ光Ｌを照射して、加工対象物Ｗを加工するものである。実施の形態１において、レーザ加工機１０は、加工対象物Ｗに加工用レーザ光Ｌを照射して、加工対象物Ｗに孔を形成する又は加工対象物Ｗを切断する装置であるが、加工対象物Ｗを溶接する装置でも良い。
【００１２】
レーザ加工機１０は、図１に示すように、加工対象物Ｗを支持する加工対象物支持部２０と、加工対象物Ｗに加工用レーザ光Ｌを照射する加工ヘッド３０と、加工対象物支持部２０と加工ヘッド３０とを相対的に移動可能な相対移動部４０と、加工用レーザ光Ｌを発生する光源装置５０と、コンバイナ６０とを備える。
【００１３】
加工対象物支持部２０は、加工対象物Ｗが置かれて、加工対象物Ｗを支持する。加工対象物支持部２０は、加工対象物Ｗを水平方向と平行になる姿勢で支持することにより、支持した加工対象物Ｗの移動を抑制する。
【００１４】
加工ヘッド３０は、加工対象物Ｗに加工用レーザ光Ｌを照射して、加工対象物Ｗを加工する。相対移動部４０は、加工ヘッド３０と加工対象物支持部２０とを相対的に移動させる。実施の形態１において、相対移動部４０は、加工対象物支持部２０を移動させるが、加工ヘッド３０を移動させても良く、加工ヘッド３０と加工対象物支持部２０との双方を移動させても良い。
【００１５】
光源装置５０は、レーザ加工機１０に複数設けられている。実施の形態１において、光源装置５０は、各レーザ加工機１０に４つ設けられているが、光源装置５０の数は、４つに限定されない。光源装置５０は、図２に示すように、それぞれレーザ光Ｌｂを発生する複数の半導体レーザ５１と、レーザ光Ｌｂを集光する光学部品５２と、光学部品５２に接続した光ファイバ５３とを備える。光源装置５０は、複数の半導体レーザ５１が発生するレーザ光Ｌｂを集積した加工用レーザ光Ｌａを出射する。
【００１６】
半導体レーザ５１は、レーザ光Ｌｂを発生する。実施の形態１において、全ての半導体レーザ５１が発生するレーザ光Ｌｂの波長は、等しくても良く、全ての半導体レーザ５１が発生するレーザ光Ｌｂの波長は、互いに異なっても良い。本発明は、各光源装置５０を構成する複数の半導体レーザ５１が発生するレーザ光Ｌｂの波長は、任意に設定することができる。
【００１７】
光学部品５２は、各半導体レーザ５１が発生したレーザ光Ｌｂを、同軸上に重畳して、一本の加工用レーザ光Ｌａに形成して、光ファイバ５３のコアに出射する。光学部品５２は、レンズ、回折格子（グレーティング）又はプリズムにより構成される。複数の光源装置５０が出射する加工用レーザ光Ｌａの波長及び強度は、互いに等しい。コンバイナ６０は、複数の光源装置５０が出射した加工用レーザ光Ｌａを集積して、一本の加工用レーザ光Ｌの出力とするものである。
【００１８】
次に、各光源装置５０が出射する加工用レーザ光Ｌａを説明する。図３は、図２に示された光源装置の各半導体レーザが発生したレーザ光を示す図である。図４は、図２に示された光源装置が出射した加工用レーザ光を示す図である。図５は、図３に示された光源装置の一部の半導体レーザが劣化した時のレーザ光を示す図である。図６は、図５に示された光源装置が出射した加工用レーザ光を示す図である。図７は、図４に示された加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図である。図８は、図６に示された加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図である。
【００１９】
実施の形態１において、各光源装置５０は、半導体レーザ５１を１０個備える。各光源装置５０が備える１０個の半導体レーザ５１が出射するレーザ光Ｌｂの波長は、図３に示すように、互いに異なる。実施の形態１において、各光源装置５０が備える１０個の半導体レーザ５１が出射するレーザ光Ｌｂの強度は、図３に示すように、互いに等しいが、本発明は、各光源装置５０が備える１０個の半導体レーザ５１が出射するレーザ光Ｌｂの強度が互いに異なっても良い。各光源装置５０が出射する加工用レーザ光Ｌａの波長及び強度は、図４に示すように、１０個の半導体レーザ５１が出射するレーザ光Ｌｂの波長及び強度が集積されたものとなる。
【００２０】
各光源装置５０を構成する半導体レーザ５１のうちの劣化した半導体レーザ５１が出射したレーザ光Ｌｂ´の強度が、図５に示すように、劣化前のレーザ光Ｌｂの強度よりも弱くなる。また、各光源装置５０を構成する半導体レーザ５１のうちの劣化した半導体レーザ５１は、図５に一例を示すように、発生するレーザ光Ｌｂ´の強度が弱くなると、発熱して、発生するレーザ光Ｌｂ´の波長が劣化前のレーザ光Ｌｂの波長よりも長くなる。このために、各光源装置５０は、半導体レーザ５１の一部が劣化すると、劣化前の図４に示す加工用レーザ光Ｌａの波長及び強度が図６に一例を示す加工用レーザ光Ｌａ´の波長及び強度に変化する。
【００２１】
判定装置１は、各レーザ加工機１０の加工中に各光源装置５０の半導体レーザ５１の劣化を検出して、各光源装置５０の良否を判定する装置である。実施の形態１において、判定装置１は、加工設備１００に一つ設けられて、複数の光源装置５０の良否を判定するが、一つの光源装置５０の良否を判定しても良い。実施の形態１において、判定装置１は、各光源装置５０の良否を判定するが、レーザ加工機１０が複数の光源装置５０を備える場合には、各レーザ加工機１０毎に各レーザ加工機１０が備える複数の光源装置５０の良否をまとめて判定しても良い。即ち、判定装置１は、加工用レーザ光Ｌに基づいて、複数の光源装置５０の良否を判定しても良い。
【００２２】
判定装置１は、光パワーメータ７０に接続している。光パワーメータ７０は、各光源装置５０が出射した加工用レーザ光Ｌａの一部が入力する。光パワーメータ７０は、各光源装置５０が出射した加工用レーザ光Ｌａの一部の図７及び図８に示すスペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´を検出し、検出したスペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´を判定装置１に出力する。スペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´は、加工用レーザ光Ｌａの波長と強度との分布を示すものである。なお、図７に示すスペクトル分布ＳＤは、良品の光源装置５０の加工用レーザ光Ｌａのスペクトル分布である。図８に示すスペクトル分布ＳＤ´は、図６に一例を示す加工用レーザ光Ｌａ´のスペクトル分布である。図７及び図８の横軸は、加工用レーザ光Ｌａ，Ｌａ´の波長を示し、図７及び図８の縦軸は、加工用レーザ光Ｌａ，Ｌａ´の強度を示している。また、図７及び図８の縦軸は、加工用レーザ光Ｌａ，Ｌａ´の最大強度ＳＭを、１．０として示している。光パワーメータ７０は、加工設備１００を構成する複数のレーザ加工機１０の複数の光源装置５０のうち任意の順番で、一つずつスペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´を検出し、検出したスペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´を判定装置１に出力する。
【００２３】
判定装置１は、図１に示すように、加工用レーザ光Ｌａを出射中の光源装置５０から加工用レーザ光Ｌａのスペクトル分布ＳＤを取得する取得手段２と、スペクトル分布ＳＤから加工用レーザ光Ｌａの最大強度ＳＭよりも弱い設定強度ＳＳの波長の長波長側の波長λＬを算出する算出手段３とを備える。判定装置１は、良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを記憶する記憶手段４と、光源装置５０の良否を判定する判定手段５とを備える。判定装置１は、良品の光源装置５０の設定強度ＳＳと設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとの設定される値を受け付けて、記憶手段４に記憶させる設定手段６と、取得手段２が取得した光源装置５０のスペクトル分布ＳＤを表示する表示手段７とを備える。
【００２４】
取得手段２は、光パワーメータ７０を介して、加工設備１００を構成する複数の光源装置５０の任意の順番で一つずつ光源装置５０からスペクトル分布ＳＤを検出取得する。算出手段３は、取得手段２が取得したスペクトル分布ＳＤから設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを算出する。設定強度ＳＳは、極力弱い強度でかつノイズよりも強い強度であり、予め設定されている。実施の形態１において、設定強度ＳＳは、最大強度ＳＭの１／１０の強度であるが、最大強度ＳＭの１／１０以上かつ１／２以下の強度でも良い。設定強度ＳＳは、加工用レーザ光Ｌａをノイズと区別できる強度でかつ極力弱い強度であるのが望ましく、加工用レーザ光Ｌａをノイズと区別できる場合には、最大強度ＳＭの１／１０未満でも良い。なお、設定強度ＳＳが、最大強度ＳＭの１／１０以上かつ１／２以下の強度である場合は、加工用レーザ光Ｌａをノイズと確実に区別でき、光源装置５０の良否を正確に判定できる。
【００２５】
記憶手段４は、良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを記憶する。また、記憶手段４は、各光源装置５０から取得したスペクトル分布ＳＤから算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを、各光源装置５０と対応付けて記憶する。判定手段５は、算出手段３が算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと、記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとに基づいて、光源装置５０の良否を判定する。実施の形態１において、判定手段５は、算出手段３が算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと、記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとの差が、予め設定された第１の閾値を超えていると、スペクトル分布ＳＤを取得した光源装置５０が不良であると判定する。実施の形態１において、判定手段５は、算出手段３が算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと、記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとの差が、予め設定された第１の閾値以下であると、スペクトル分布ＳＤを取得した光源装置５０が良品であると判定する。なお、第１の閾値は、加工不良となる前に半導体レーザ５１の劣化傾向が明らかになる値であり、実施の形態１において、第１の閾値は、１個の半導体レーザ５１の光出力が１０％低下した時にスペクトル分布ＳＤに現れる影響を検知できる値である。
【００２６】
また、実施の形態１において、判定手段５は、各光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬの標準偏差を算出し、標準偏差が予め設定された閾値を超えた光源装置５０を不良であると判定する。標準偏差が閾値以下の光源装置５０を良品であると判定する。設定手段６は、良品の光源装置５０の加工用レーザ光Ｌａのスペクトル分布ＳＤを取得し、取得した良品の光源装置５０の加工用レーザ光Ｌａのスペクトル分布ＳＤに基づいて設定強度ＳＳの設定される値及び設定強度ＳＳの波長λＬの設定される値を受け付け、受け付けた値を記憶手段４に記憶する。表示手段７は、取得した光源装置５０のスペクトル分布ＳＤを表示する表示画面７ａを備える。
【００２７】
次に、実施の形態１に係る判定装置１の光源装置５０の良否を判定する方法を説明する。図９は、実施の形態１に係る判定装置の判定方法を示すフローチャートである。図１０は、図９に示されたステップＳＴ１において、設定強度及び設定強度の波長との設定される値を受け付ける状態を説明する図である。図１１は、図９に示されたステップＳＴ２において取得したスペクトル分布を表示手段に表示した状態を示す図である。
【００２８】
判定装置１は、設定手段６が良品の光源装置５０の加工用レーザ光Ｌａのスペクトル分布ＳＤに基づいて設定強度ＳＳの設定される値及び設定強度ＳＳの波長λＬの設定される値を受け付け、記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ１）。実施の形態１において、判定装置１は、図１０に示すように、取得した良品の光源装置５０の加工用レーザ光Ｌａのスペクトル分布ＳＤを表示手段７の表示画面７ａに表示し、設定手段６がユーザからの入力である設定強度ＳＳの設定される値及び設定強度ＳＳの波長λＬの設定される値を受け付ける。なお、図１０は、受け付けた設定強度ＳＳの設定される値及び設定強度ＳＳの波長λＬの設定される値を平行斜線で示している。
【００２９】
判定装置１は、取得手段２が光パワーメータ７０から複数の光源装置５０のうちの一つのスペクトル分布ＳＤを順に取得する（ステップＳＴ２）。ステップＳＴ２は、スペクトル分布ＳＤを取得する取得ステップである。判定装置１は、図１１に示すように、表示手段７が表示画面７ａにステップＳＴ２において取得したスペクトル分布ＳＤを表示する。なお、図１１は、良品の光源装置５０のスペクトル分布ＳＤを表示している。判定装置１は、算出手段３が取得したスペクトル分布ＳＤから設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを算出し、算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを光源装置５０と対応付けて記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ３）。ステップＳＴ３は、設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを算出する算出ステップである。
【００３０】
判定装置１は、判定手段５がステップＳＴ３において算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬに基づいて、ステップＳＴ２においてスペクトル分布ＳＤを取得した光源装置５０の良否を判定する（ステップＳＴ４）。ステップＳＴ４は、設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬに基づいて、光源装置５０の良否を判定する判定ステップである。ステップＳＴ４において、判定装置１の判定手段５は、複数の光源装置５０のうちの任意に選択される一つの光源装置５０の算出手段３が算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと、記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとの差が、第１の閾値を超えているか否かを判定する（ステップＳＴ４Ａ）。判定装置１の判定手段５は、算出手段３が算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとの差が、第１の閾値を超えていると判定する（ステップＳＴ４Ａ：Ｙｅｓ）と、選択された光源装置５０が不良であると判定し、不良である旨を記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ４Ｂ）。判定装置１の判定手段５は、算出手段３が算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとの差が、第１の閾値以下であると判定する（ステップＳＴ４Ａ：Ｎｏ）と、選択された光源装置５０が良品であると判定し、良品である旨を記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ４Ｃ）。判定装置１の判定手段５は、全ての光源装置５０の良否の判定を行ったか否かを判定する（ステップＳＴ４Ｄ）。判定装置１の判定手段５は、全ての光源装置５０の良否の判定を行っていないと判定する（ステップＳＴ４Ｄ：Ｎｏ）と、ステップＳＴ４Ａに戻り、全ての光源装置５０の良否の判定を行ったと判定する（ステップＳＴ４Ｄ：Ｙｅｓ）と、図９に示すフローチャートを終了する。また、判定装置１は、ステップＳＴ４において、記憶手段４が記憶した各光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬに基づいて、標準偏差を算出し、各光源装置５０の良否を判定する。即ち、判定方法は、ステップＳＴ２とステップＳＴ３とステップＳＴ４とを備える。
【００３１】
実施の形態１に係る判定装置１及び判定方法によれば、スペクトル分布ＳＤの加工用レーザ光Ｌａの最大強度ＳＭよりも弱い設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬに基づいて、各光源装置５０の良否を判定する。このために、実施の形態１に係る判定装置１及び判定方法は、個々の半導体レーザ５１の劣化によりスペクトル分布ＳＤの中心波長よりも変化しやすい設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬに基づいて、各光源装置５０の良否を判定することとなる。その結果、実施の形態１に係る判定装置１及び判定方法は、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の個々の半導体レーザ５１の劣化を検出でき、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の良否を判定することができる。
【００３２】
また、実施の形態１に係る判定装置１及び判定方法によれば、光源装置５０から取得したスペクトル分布ＳＤの最大強度ＳＭよりも弱い設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬに基づいて、各光源装置５０の良否を判定するので、光源装置５０の良否を判定するために、モニタ用の光源装置を用いる必要が無い。
【００３３】
また、実施の形態１に係る判定装置１及び判定方法によれば、レーザ加工機１０の加工中に加工用レーザ光Ｌａの一部を光パワーメータ７０が取得して、スペクトル分布ＳＤを取得する。このために、レーザ加工機１０の加工中に光源装置５０の良否を判定することができる。
【００３４】
また、実施の形態１に係る判定装置１及び判定方法によれば、各光源装置５０から取得したスペクトル分布ＳＤの設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと、良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとに基づいて各光源装置５０の良否を判定するので、各光源装置５０の良否を判定することができる。また、実施の形態１に係る判定装置１及び判定方法によれば、各光源装置５０から取得したスペクトル分布ＳＤの設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬの標準偏差に基づいて各光源装置５０の良否を判定するので、他の光源装置５０と設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬが極端に異なる光源装置５０を見つけることができる。
【００３５】
実施の形態２．
次に、本発明の実施の形態２に係る判定装置１を図面に基づいて説明する。図１２は、実施の形態２に係る判定装置の記憶手段が記憶した基準スペクトル分布を示す図である。図１３は、実施の形態２に係る判定装置の判定方法を示すフローチャートである。図１４は、図１３に示されたステップＳＴ２において取得したスペクトル分布を表示手段に表示した状態を示す図である。なお、図１２から図１４は、実施の形態１と同一部分に同一符号を付して説明する。
【００３６】
実施の形態２に係る判定装置１の記憶手段４は、良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを記憶する代わりに、図１２に示す基準スペクトル分布ＳＳＤを記憶している。基準スペクトル分布ＳＳＤは、光源装置５０の加工用レーザ光Ｌａの基準となる波長と強度との分布を示すものであり、良品である光源装置５０が出射した加工用レーザ光Ｌａの波長と強度との分布を示すものである。実施の形態２に係る判定装置１は、記憶手段４が基準スペクトル分布ＳＳＤを記憶し、図１３に示す判定方法の処理が一部異なること以外、実施の形態１に係る判定装置１と同じ構成である。
【００３７】
次に、実施の形態２に係る判定装置１の光源装置５０の良否を判定する方法を説明する。判定装置１は、設定手段６が基準スペクトル分布ＳＳＤを受け付け、記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ１−２）。判定装置１は、取得手段２が光パワーメータ７０から複数の光源装置５０のうちの一つのスペクトル分布ＳＤを順に取得する（ステップＳＴ２）。判定装置１は、図１４に示すように、表示手段７が表示画面７ａにステップＳＴ２において取得したスペクトル分布ＳＤを表示する。なお、図１４は、取得したスペクトル分布ＳＤとして、不良の光源装置５０のスペクトル分布ＳＤ´を表示している。なお、以下、本明細書は、不良の光源装置５０のスペクトル分布ＳＤ´の各箇所の符号を、良品の光源装置５０のスペクトル分布ＳＤの対応する箇所の符号の末尾に「´」をつけて示す。判定装置１は、算出手段３が基準スペクトル分布ＳＳＤの強度と取得したスペクトル分布ＳＤの強度との差の平方和ＳＯＤを、以下の式１に基づいて算出し、算出した差の平方和ＳＯＤを光源装置５０と対応付けて記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ３−２）。ステップＳＴ３−２は、差の平方和ＳＯＤを算出する算出ステップである。
【００３８】
【数１】
2018031622.tif 000003
【００３９】
式１のＰ（ｔ，λｉ）は、取得したスペクトル分布ＳＤの波長λｉの時の強度を示している。式１のＰ（０，λｉ）は、基準スペクトル分布ＳＳＤの波長λｉの時の強度を示している。λｍｉｎは、基準スペクトル分布ＳＳＤの最小強度の短波長側の波長を示している。λｍａｘは、取得したスペクトル分布ＳＤの最小強度の長波長側の波長を示している。
【００４０】
判定装置１は、判定手段５がステップＳＴ３−２において算出した差の平方和ＳＯＤに基づいて、ステップＳＴ２においてスペクトル分布ＳＤを取得した光源装置５０の良否を判定する（ステップＳＴ４−２）。ステップＳＴ４−２は、差の平方和ＳＯＤに基づいて、光源装置５０の良否を判定する判定ステップである。実施の形態２に係る判定装置１の判定手段５は、ステップＳＴ４−２において、複数の光源装置５０のうちの任意に選択される一つの光源装置５０の算出手段３が算出した差の平方和ＳＯＤが予め設定された第２の閾値を超えているか否かを判定する（ステップＳＴ４Ａ−２）。判定装置１の判定手段５は、算出手段３が算出した差の平方和ＳＯＤが予め設定された第２の閾値を超えていると判定する（ステップＳＴ４Ａ−２：Ｙｅｓ）と、選択された光源装置５０が不良であると判定し、不良である旨を記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ４Ｂ−２）。判定装置１の判定手段５は、算出手段３が算出した差の平方和ＳＯＤが第２の閾値以下であると判定する（ステップＳＴ４Ａ−２：Ｎｏ）と、選択された光源装置５０が良品であると判定し、良品である旨を記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ４Ｃ−２）。判定装置１の判定手段５は、全ての光源装置５０の良否の判定を行ったか否かを判定する（ステップＳＴ４Ｄ−２）。判定装置１の判定手段５は、全ての光源装置５０の良否の判定を行っていないと判定する（ステップＳＴ４Ｄ−２：Ｎｏ）と、ステップＳＴ４Ａ−２に戻り、全ての光源装置５０の良否の判定を行ったと判定する（ステップＳＴ４Ｄ−２：Ｙｅｓ）と、図１３に示すフローチャートを終了する。
【００４１】
なお、第２の閾値は、加工不良となる前に半導体レーザ５１の劣化傾向が明らかになる値であり、実施の形態２において、第２の閾値は、１個の半導体レーザ５１の光出力が１０％低下した時にスペクトル分布ＳＤに現れる影響を検知できる値である。また、判定装置１は、ステップＳＴ４−２において、記憶手段４が記憶した各光源装置５０の差の平方和ＳＯＤの標準偏差を算出し、差の平方和ＳＯＤの標準偏差が予め設定された閾値を超えた光源装置５０を不良と判定し、差の平方和ＳＯＤの標準偏差が閾値以下の光源装置５０を良品と判定する。ステップＳＴ４−２は、差の平方和ＳＯＤに基づいて、光源装置５０の良否を判定する判定ステップである。即ち、実施の形態２に係る判定方法は、ステップＳＴ２とステップＳＴ３−２とステップＳＴ４−２とを備える。
【００４２】
実施の形態２に係る判定装置１及び判定方法によれば、基準スペクトル分布ＳＳＤの強度と取得したスペクトル分布ＳＤの強度との差の平方和ＳＯＤに基づいて、各光源装置５０の良否を判定する。このために、実施の形態２に係る判定装置１及び判定方法は、個々の半導体レーザ５１の劣化によりスペクトル分布ＳＤの中心波長よりも変化しやすいスペクトル分布ＳＤ，ＳＳＤの強度の差の平方和ＳＯＤに基づいて、各光源装置５０の良否を判定することとなる。その結果、実施の形態２に係る判定装置１及び判定方法は、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の個々の半導体レーザ５１の劣化を検出でき、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の良否を判定することができる。
【００４３】
また、実施の形態２に係る判定装置１及び判定方法によれば、光源装置５０から取得したスペクトル分布ＳＤと基準スペクトル分布ＳＳＤとに基づいて、各光源装置５０の良否を判定するので、光源装置５０の良否を判定するために、モニタ用の光源装置を用いる必要が無いとともに、レーザ加工機１０の加工中に光源装置５０の良否を判定することができる。
【００４４】
また、実施の形態２に係る判定装置１及び判定方法によれば、スペクトル分布ＳＤ，ＳＳＤの強度の差の平方和ＳＯＤの標準偏差に基づいて各光源装置５０の良否を判定するので、他の光源装置５０とスペクトル分布ＳＤ，ＳＳＤの強度の差の平方和ＳＯＤが極端に異なる光源装置５０を見つけることができる。
【００４５】
実施の形態３．
次に、本発明の実施の形態３に係る判定装置１を図面に基づいて説明する。図１５は、実施の形態３に係る判定装置の判定方法を示すフローチャートである。なお、図１５は、実施の形態１と同一部分に同一符号を付して説明する。
【００４６】
実施の形態３に係る判定装置１の記憶手段４は、良品の光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと基準スペクトル分布ＳＳＤとを記憶している。実施の形態３に係る判定装置１は、図１５に示す判定方法の処理が一部異なること以外、実施の形態１に係る判定装置１と同じ構成である。
【００４７】
次に、実施の形態３に係る判定装置１の光源装置５０の良否を判定する方法を説明する。判定装置１は、設定手段６が設定強度ＳＳの設定される値及び設定強度ＳＳの波長λＬの設定される値を受け付け、記憶手段４に記憶するとともに、設定手段６が基準スペクトル分布ＳＳＤを受け付け、記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ１−３）。判定装置１は、取得手段２が光パワーメータ７０から複数の光源装置５０のうちの一つのスペクトル分布ＳＤを順に取得する（ステップＳＴ２）。判定装置１は、算出手段３が取得したスペクトル分布ＳＤから設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを算出し、算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬを光源装置５０と対応付けて記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ３−３）。また、判定装置１は、ステップＳＴ３−３において、算出手段３が基準スペクトル分布ＳＳＤの強度と取得したスペクトル分布ＳＤの強度との差の平方和ＳＯＤを実施の形態２と同様に算出し、算出した差の平方和ＳＯＤを光源装置５０と対応付けて記憶手段４に記憶する。ステップＳＴ３−３は、設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤとを算出する算出ステップである。
【００４８】
判定装置１は、判定手段５がステップＳＴ３−３において算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤとに基づいて、ステップＳＴ２においてスペクトル分布ＳＤを取得した光源装置５０の良否を判定する（ステップＳＴ４−３）。ステップＳＴ４−３は、設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤとに基づいて、光源装置５０の良否を判定する判定ステップである。実施の形態３に係る判定装置１の判定手段５は、ステップＳＴ４−３において、複数の光源装置５０のうちの任意に選択される一つの光源装置５０の記憶手段４が記憶した良品の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬと取得したスペクトル分布ＳＤの設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとの差が第１の閾値を超えている場合と、差の平方和ＳＯＤが予め設定された第２の閾値を超えている場合との少なくとも一方に該当するか否かを判定する（ステップＳＴ４Ａ−３）。
【００４９】
判定装置１の判定手段５は、波長λＬの差が第１の閾値を超えている場合と差の平方和ＳＯＤが第２の閾値を超えている場合とのうちの少なくとも一方に該当すると判定する（ステップＳＴ４Ａ−３：Ｙｅｓ）と、選択された光源装置５０が不良であると判定し、不良である旨を記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ４Ｂ−３）。判定装置１の判定手段５は、波長λＬの差が第１の閾値を超えている場合と差の平方和ＳＯＤが第２の閾値を超えている場合との双方に該当しないと判定する（ステップＳＴ４Ａ−３：Ｎｏ）と、選択された光源装置５０が良品であると判定し、良品である旨を記憶手段４に記憶する（ステップＳＴ４Ｃ−３）。判定装置１の判定手段５は、全ての光源装置５０の良否の判定を行ったか否かを判定する（ステップＳＴ４Ｄ−３）。判定装置１の判定手段５は、全ての光源装置５０の良否の判定を行っていないと判定する（ステップＳＴ４Ｄ−３：Ｎｏ）と、ステップＳＴ４Ａ−３に戻り、全ての光源装置５０の良否の判定を行ったと判定する（ステップＳＴ４Ｄ−３：Ｙｅｓ）と、図１５に示すフローチャートを終了する。
【００５０】
また、判定装置１は、ステップＳＴ４−３において、記憶手段４が記憶した各光源装置５０の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬの標準偏差を算出し、長波長側の波長λＬの標準偏差が予め設定された閾値を超えた光源装置５０を不良と判定し、長波長側の波長λＬの標準偏差が閾値以下の光源装置５０を良品と判定する。また、判定装置１は、ステップＳＴ４−３において、記憶手段４が記憶した各光源装置５０の差の平方和ＳＯＤの標準偏差を算出し、差の平方和ＳＯＤの標準偏差が予め設定された閾値を超えた光源装置５０を不良と判定し、差の平方和ＳＯＤの標準偏差が閾値以下の光源装置５０を良品と判定する。ステップＳＴ４−３は、長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤとに基づいて、光源装置５０の良否を判定する判定ステップである。即ち、実施の形態３に係る判定方法は、ステップＳＴ２とステップＳＴ３−３とステップＳＴ４−３とを備える。
【００５１】
実施の形態３に係る判定装置１及び判定方法によれば、設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬに加え、スペクトル分布ＳＤ，ＳＳＤの強度の差の平方和ＳＯＤに基づいて、各光源装置５０の良否を判定する。このために、実施の形態３に係る判定装置１及び判定方法は、個々の半導体レーザ５１の劣化によりスペクトル分布ＳＤの中心波長よりも変化しやすい設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬとスペクトル分布ＳＤ，ＳＳＤの強度の差の平方和ＳＯＤとに基づいて、各光源装置５０の良否を判定することとなる。その結果、実施の形態３に係る判定装置１及び判定方法は、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の個々の半導体レーザ５１の劣化を検出でき、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の良否を判定することができる。
【００５２】
実施の形態４．
次に、本発明の実施の形態４に係る判定装置１を図面に基づいて説明する。図１６は、実施の形態４に係る判定装置が取得した良品の光源装置の加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図である。図１７は、実施の形態４に係る判定装置が取得した一部の半導体レーザが劣化した光源装置の加工用レーザ光のスペクトル分布を示す図である。なお、図１６及び図１７は、実施の形態１と同一部分に同一符号を付して説明する。
【００５３】
実施の形態４に係る判定装置１及び判定方法は、実施の形態１のステップＳＴ３、実施の形態２のステップＳＴ３−２、及び実施の形態３のステップＳＴ３−３では、図１６及び図１７に示す取得したスペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´の中心波長λＣ，λＣ´を算出する。実施の形態４において、判定装置１は、スペクトル分布ＳＤの最大強度ＳＭの１／２の強度となる短波長側の波長λ１／２Ｓと長波長側の波長λ１／２Ｌとの中心の波長を中心波長λＣと算出し、スペクトル分布ＳＤ´の最大強度ＳＭの１／２の強度となる短波長側の波長λ１／２Ｓ´と長波長側の波長λ１／２Ｌ´との中心の波長を中心波長λＣ´と算出する。判定装置１は、スペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´の最大強度ＳＭの１／２の強度となる短波長側の波長λ１／２Ｓ，λ１／２Ｓ´と長波長側の波長λ１／２Ｌ，λ１／２Ｌ´との中心の波長に限定されることなく、スペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´の最大強度ＳＭの１／１０の強度となる短波長側の波長λ１／１０Ｓ，λ１／１０Ｓ´と長波長側の波長λ１／１０Ｌ，λ１／１０Ｌ´との中心の波長を中心波長λＣ，λＣ´と算出しても良い。
【００５４】
実施の形態４に係る判定装置１及び判定方法は、実施の形態１のステップＳＴ４、実施の形態２のステップＳＴ４−２、及び実施の形態３のステップＳＴ４−３では、長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤの少なくとも一方に加え、中心波長λＣ，λＣ´に基づいて、実施の形態１から実施の形態３と同様に、各光源装置５０の良否を判定する。実施の形態４において、判定手段５は、算出手段３が算出した中心波長λＣ，λＣ´と、記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の中心波長λＣとの差が、予め設定された第３の閾値を超えていると、スペクトル分布ＳＤを取得した光源装置５０が不良であると判定する。実施の形態４において、判定手段５は、算出手段３が算出した中心波長λＣ，λＣ´と、記憶手段４が記憶した良品の光源装置５０の中心波長λＣとの差が、予め設定された第３の閾値以下であると、スペクトル分布ＳＤを取得した光源装置５０が良品であると判定する。なお、第３の閾値は、加工不良となる前に半導体レーザ５１の劣化傾向が明らかになる値であり、実施の形態４において、第３の閾値は、１個の半導体レーザ５１の光出力が１０％低下した時にスペクトル分布ＳＤに現れる影響を検知できる値である。
【００５５】
実施の形態４に係る判定装置１及び判定方法によれば、長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤの少なくとも一方に加え、取得したスペクトル分布ＳＤ，ＳＤ´の中心波長λＣ，λＣ´に基づいて、各光源装置５０の良否を判定するので、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の個々の半導体レーザ５１の劣化を検出でき、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の良否を判定することができる。
【００５６】
実施の形態５．
次に、本発明の実施の形態５に係る判定装置１を説明する。実施の形態５に係る判定装置１は、実施の形態４の中心波長λＣの代わりに以下の式２を用いて算出される中心波長である加重平均中心波長λＷＡを実施の形態１のステップＳＴ３、実施の形態２のステップＳＴ３−２、及び実施の形態３のステップＳＴ３−３において算出する。
【００５７】
【数２】
2018031622.tif 000004
【００５８】
式２のＰ（λ）は、取得したスペクトル分布ＳＤの波長λの時の強度を示している。
【００５９】
実施の形態５に係る判定装置１は、実施の形態１のステップＳＴ４、実施の形態２のステップＳＴ４−２、及び実施の形態３のステップＳＴ４−３において、長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤの少なくとも一方に加え、加重平均中心波長λＷＡに基づいて、実施の形態１から実施の形態３と同様に、予め設定された閾値との比較と標準偏差とにより、各光源装置５０の良否を判定する。
【００６０】
実施の形態５に係る判定装置１及び判定方法によれば、長波長側の波長λＬと差の平方和ＳＯＤの少なくとも一方に加え、取得したスペクトル分布ＳＤの加重平均中心波長λＷＡに基づいて、各光源装置５０の良否を判定するので、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の個々の半導体レーザ５１の劣化を検出でき、半導体レーザ５１を複数備える光源装置５０の良否を判定することができる。
【００６１】
次に、各実施の形態に係る判定装置１の構成を説明する。図１８は、各実施の形態に係る判定装置のハードウェアの構成の一例を示す図である。判定装置１は、図１８に示す入出力インタフェース１５に接続された入力装置１１と表示装置１２とを備える。判定装置１は、入力装置１１から良品の設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬ、及び基準スペクトル分布ＳＳＤが入力される。入力装置１１は、タッチパネル、キーボード、マウス、トラックボール又はこれらの組み合わせにより構成される。表示装置１２は、取得したスペクトル分布ＳＤを表示する。各実施の形態において、表示装置１２は、液晶表示装置であるが、液晶表示装置に限定されない。
【００６２】
判定装置１は、図１８に示すように、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）１３と、メモリ１４と、入出力インタフェース１５とを備えるコンピュータである。メモリ１４は、ソフトウェア、ファームウェア、又はソフトウェアとファームウェアとの組み合わせをプログラムとして格納する。また、メモリ１４は、入力装置１１から入力された設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬ、基準スペクトル分布ＳＳＤを記憶するとともに、算出手段３が算出した設定強度ＳＳの長波長側の波長λＬ、スペクトル分布ＳＤ，ＳＳＤの強度の差の平方和ＳＯＤ、中心波長λＣ及び加重平均中心波長λＷＡを記憶する。メモリ１４は、不揮発性又は揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、又は光磁気ディスクにより構成される。不揮発性又は揮発性の半導体メモリとしては、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read Only Memory）、又はＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）が用いられる。判定装置１は、メモリ１４に格納されたプログラムをＣＰＵ１３が実行して、取得手段２、算出手段３及び判定手段５の機能を実現する。判定装置１は、メモリ１４により記憶手段４の機能を実現する。また、判定装置１は、入力装置１１により設定手段６の機能を実現する。判定装置１は、表示装置１２により表示手段７の機能を実現する。
【００６３】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００６４】
１  判定装置、２  取得手段、３  算出手段、４  記憶手段、５  判定手段、６  設定手段、７  表示手段、５０  光源装置、５１  半導体レーザ、Ｌｂ  レーザ光、Ｌａ  加工用レーザ光、ＳＤ  スペクトル分布、ＳＳＤ  基準スペクトル分布、ＳＭ  最大強度、ＳＳ  設定強度、λＬ  長波長側の波長（波長）、ＳＯＤ  差の平方和、ＳＴ２  取得ステップ、ＳＴ３，ＳＴ３−２，ＳＴ３−３  算出ステップ、ＳＴ４，ＳＴ４−２，ＳＴ４−３  判定ステップ。
【図１】
2018031622.tif 000005
【図２】
2018031622.tif 000006
【図３】
2018031622.tif 000007
【図４】
2018031622.tif 000008
【図５】
2018031622.tif 000009
【図６】
2018031622.tif 000010
【図７】
2018031622.tif 000011
【図８】
2018031622.tif 000012
【図９】
2018031622.tif 000013
【図１０】
2018031622.tif 000014
【図１１】
2018031622.tif 000015
【図１２】
2018031622.tif 000016
【図１３】
2018031622.tif 000017
【図１４】
2018031622.tif 000018
【図１５】
2018031622.tif 000019
【図１６】
2018031622.tif 000020
【図１７】
2018031622.tif 000021
【図１８】
2018031622.tif 000022