(57)【要約】      （修正有）【課題】外観デザインの自由度を高めた表示装置を提供する。また、信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板１０１上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、複数の画素が配置された表示領域と、複数の画素の各々が備える薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと発光素子との間に位置し、無機絶縁材料からなる保護膜１２４と、発光素子を覆い、無機絶縁材料を含む封止膜１３１と、表示領域に位置し、基板と保護膜と封止膜とを貫通する貫通孔１１０と、を有し、複数の画素と貫通孔との間の水分遮断領域１１１で、封止膜に含まれる無機絶縁材料と保護膜とが直に接する。【選択図】図４
2018087863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、
前記複数の画素が配置された表示領域と、
前記複数の画素の各々が備える薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間に位置し、無機絶縁材料からなる保護膜と、
前記発光素子を覆い、無機絶縁材料を含む封止膜と、
前記表示領域に位置し、前記基板と前記保護膜と前記封止膜とを貫通する貫通孔と、を有し、
前記複数の画素と前記貫通孔との間の第１領域で、前記封止膜に含まれる前記無機絶縁材料と前記保護膜とが直に接していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記保護膜と前記薄膜トランジスタとの間に、有機絶縁材料からなる平坦化膜が位置し、
前記平坦化膜は、前記第１領域に端部を有し、
前記保護膜は、前記平坦化膜の前記端部に接していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記保護膜は、前記第１領域に端部を有し、
前記封止膜は、前記保護膜の前記端部に接して設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタには、ソース電極及びドレイン電極が接続し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記薄膜トランジスタとの間には、前記薄膜トランジスタの一部を露出する層間絶縁膜が位置し、
前記第１領域において、
前記封止膜は、前記保護膜の端部と、前記層間絶縁膜の端部と、前記基板の端部に接して設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板は、可撓性を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１領域は、前記貫通孔の外周と接し、前記封止膜と前記保護膜とが直に接する部分を含む第２領域と、前記第２領域の外側に位置する第３領域とを含み、
前記第３領域には、前記基板から前記封止膜へ向かう方向に突出する凸部が配置され、
前記凸部は、前記保護膜と前記封止膜とに覆われていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、
前記複数の画素が配置された表示領域と、
前記発光素子を覆い、前記発光素子の側から第１無機絶縁層と有機絶縁層と第２無機絶縁層とが積層された封止膜と、
前記表示領域に位置し、前記基板と前記封止膜とを貫通する貫通孔と、を有し、
前記複数の画素と前記貫通孔との間の第１領域で、前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層とが直に接していることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素の各々には、薄膜トランジスタが備えられ、
前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間には、無機絶縁材料からなる保護膜が位置し、
前記薄膜トランジスタには、ソース電極及びドレイン電極が接続し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記薄膜トランジスタとの間には、前記薄膜トランジスタの一部を露出する層間絶縁膜が位置し、
前記第１領域において、
前記第１無機絶縁層は、前記保護膜の端部と、前記層間絶縁膜の端部と、前記基板の端部に接して設けられ、
前記第２無機絶縁層は、前記第１無機絶縁層を介して、前記保護膜の端部と、前記層間絶縁膜の端部と、前記前記基板の端部を覆うことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数の画素の各々には、薄膜トランジスタが備えられ、
前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間には、無機絶縁材料からなる保護膜が位置し、
前記薄膜トランジスタには、ソース電極及びドレイン電極が接続し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記薄膜トランジスタとの間には、前記薄膜トランジスタの一部を露出する層間絶縁膜が位置し、
前記第１領域において、
前記第１無機絶縁層は、前記保護膜の端部に直に接し、
前記第２無機絶縁層は、前記保護膜の端部を覆い、前記第１無機絶縁層の端部と前記層間絶縁膜の端部と前記基板の端部とに直に接していることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１領域は、前記貫通孔の外周と接し、前記封止膜と前記保護膜とが直に接する部分を含む第２領域と、前記第２領域の外側に位置する第３領域とを含み、
前記第３領域には、前記基板から前記封止膜へ向かう方向へ突出する凸部が配置され、
前記凸部は、前記第１無機絶縁層と、前記第２無機絶縁層とに覆われていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記凸部は、前記貫通孔の外周に沿って位置することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記凸部は、第１の凸部と、前記第１の凸部と前記複数の画素との間に位置する第２の凸部とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記複数の画素の各々は薄膜トランジスタを備え、
前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間には、無機絶縁材料からなる保護膜が位置し、
前記保護膜と前記薄膜トランジスタとの間には、有機絶縁材料からなる平坦化膜が位置し、
前記凸部は、前記平坦化膜と同層、且つ前記平坦化膜と同じ材料であり、
前記保護膜は、前記凸部を覆っていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記表示領域には、前記複数の画素を区分するバンクが位置し、
前記凸部は、前記バンクと同層、且つ前記バンクと同じ材料である膜で覆われていることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１領域は、前記基板上に有機材料からなる膜が配置されていない第４領域を有することを特徴とする請求項１から請求項１４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第４領域は、前記貫通孔によって露出された端面を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第４領域は、前記貫通孔を囲むことを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記前記第１領域と前記複数の画素との間に、ダミー画素が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項１７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
複数の画素が配置された表示領域と基板とを備える表示パネルと、
前記表示領域に位置し、前記表示パネルを貫通する貫通孔と、を有し、
前記複数の画素と前記貫通孔との間に、前記基板上に有機材料からなる膜が配置されていない領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
前記複数の画素の各々は、発光素子と薄膜トランジスタとを備え、
前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間には、無機絶縁材料からなる保護膜が位置し、
前記発光素子は、前記発光素子の側から第１無機絶縁層と有機絶縁層と第２無機絶縁層が積層された封止膜によって覆われ、
前記保護膜と前記封止膜とは、前記複数の画素と平面視で重なる部分と前記領域とに連続して位置し、
前記領域で、前記保護膜と前記第１無機絶縁層とが直に接し、前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層とが直に接することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、表示装置における表示領域の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Organic Electroluminescence Display）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
近年、このような有機ＥＬ表示装置において、表示領域に貫通孔が開いた異形ディスプレイが開発されている。例えば、特許文献１には、車両用表示メータのとして、表示領域に表示パネルを貫通する貫通孔が設けられた有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２３５７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子は、大気に曝されると、大気中の水分及び酸素により有機ＥＬ材料を含む発光層や陰極の劣化、ひいては素子の性能低下を招く。特許文献１のように、表示パネルを貫通する貫通孔を形成する場合、貫通孔が形成された領域から水分や酸素が侵入することで有機ＥＬ素子が劣化し、有機ＥＬ表示装置の信頼性が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明の課題の１つは、外観デザインの自由度を高めた表示装置を提供することにある。また、本発明の課題の１つは、有機ＥＬ素子に水分や酸素が侵入することを防止して、信頼性の高い表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態における表示装置は、基板と、基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、複数の画素が配置された表示領域と、複数の画素の各々が備える薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと発光素子との間に位置し、無機絶縁材料からなる保護膜と、発光素子を覆い、無機絶縁材料を含む封止膜と、表示領域に位置し、基板と保護膜と封止膜とを貫通する貫通孔と、を有し、複数の画素と貫通孔との間の第１領域で、封止膜に含まれる無機絶縁材料と保護膜とが直に接していることを含む。
【０００８】
本発明の一実施形態における表示装置は、基板と、基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、複数の画素が配置された表示領域と、発光素子を覆い、発光素子の側から第１無機絶縁層と有機絶縁層と第２無機絶縁層とが積層された封止膜と、表示領域に位置し、基板と封止膜とを貫通する貫通孔と、を有し、複数の画素と貫通孔との間の第１領域で、第１無機絶縁層と第２無機絶縁層とが直に接していることを含む。
【０００９】
本発明の一実施形態における表示装置は、複数の画素が配置された表示領域と基板とを備える表示パネルと、表示領域に位置し、表示パネルを貫通する貫通孔と、を有し、複数の画素と貫通孔との間に、基板上に有機材料からなる膜が配置されていない領域を有することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した概略図である。
【図２】図１におけるＡ１−Ａ２線に沿った断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域を示した図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図１７】表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。
【図１８】表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。
【図１９】表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。
【図２０】表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１３】
なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する第１基板から画素電極に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図であり、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、表示装置１００を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
【００１５】
図１に示すように、表示装置１００は、第１基板１０１の上に形成された、表示領域１０３と、走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０５と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０５に信号を与える制御部として機能する。データ線駆動回路１０５は、ドライバＩＣ１０６内に組み込まれていてもよい。ドライバＩＣ１０６は、ＩＣチップのような形態で第１基板１０１上に配置してもよく、フレキシブルプリント回路（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）１０８に設けて外付けしてもよい。フレキシブルプリント回路１０８は、第１基板１０１上に設けられた端子１０７と接続される。また、第１基板１０１に対向して、後述する対向基板１０２が配置される。なお、第１基板１０１と第１基板１０１の主面に成膜や貼り合わせをされた構成要素とを総称して表示パネルともいう。
【００１６】
ここで、第１基板１０１は絶縁性材料からなり、第１基板１０１の表面上に設けられる画素電極や絶縁層などの各層を支持する。なお、第１基板１０１の表面には、該表面に直に接する絶縁膜（下地膜）を形成しても良い。第１基板１０１の材質や、該絶縁膜を形成する材料は特に限定しない。
【００１７】
図１に示す表示領域１０３には、複数の画素１０９がマトリクス状に配置される。各画素１０９は、後述する画素電極と、該画素電極の一部（アノード）、該画素電極上に積層された発光層を含む有機層（発光部）及び陰極（カソード）からなる発光素子と、を含む。各画素１０９には、データ線駆動回路１０５から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらデータ信号に従って、各画素１０９に設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。
【００１８】
図２は、第１実施形態の表示装置１００における画素の構成の一例を示す図である。具体的には、図１に示した表示領域１０３をＡ１−Ａ２で切断した断面の構成を示す図である。図２に、表示領域１０３の一部として、３つの発光素子１３０の断面を示す。なお、図２では、３つの発光素子１３０について例示しているが、実際には、表示領域１０３では、数百万個以上の発光素子が画素に対応してマトリクス状に配置されている。
【００１９】
図２に示すように、表示装置１００は、第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２を有する。第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２として、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。本実施形態では、第１基板１０１としてポリイミドを用い、第２基板１１２及び対向基板１０２としてポリエチレンテレフタラートを用いる場合について説明する。第１基板１０１の裏面（端子１０７が位置する側とは反対側の面）に第２基板１１２が設けられるので、第２基板１１２は保護フィルム、保護樹脂膜ともいう。
【００２０】
第１基板１０１上には、下地膜１１３が設けられる。下地膜１１３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で構成される絶縁層である。下地膜１１３は、単層に限定されるわけではなく、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを組み合わせた積層構造を有してもよい。この構成は、第１基板１０１との密着性や、後述するトランジスタ１２０に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すれば良い。
【００２１】
下地膜１１３上には、トランジスタ１２０が設けられる。トランジスタ１２０の構造は、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよい。本実施形態では、トランジスタ１２０は、下地膜１１３上に設けられた半導体層１１４、半導体層１１４を覆うゲート絶縁膜１１５、ゲート絶縁膜１１５上に設けられたゲート電極１１６を含む。また、トランジスタ１２０上には、ゲート電極１１６を覆う層間絶縁膜１２２、層間絶縁膜１２２上に設けられ、それぞれ半導体層１１４に接続されたソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８が設けられている。なお、本実施形態では、層間絶縁膜１２２が単層構造を有している例を説明しているが、層間絶縁膜１２２は積層構造を有していてもよい。
【００２２】
なお、トランジスタ１２０を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよく、特に限定はない。例えば、半導体層１１４としては、一般的にはポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜１１５としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極１１６は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。層間絶縁膜１２２としては、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。ソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。
【００２３】
なお、図２には図示しないが、ゲート電極１１６と同じ層には、ゲート電極１１６を構成する金属材料と同一の金属材料で構成された第１配線を設けることができる。第１配線は、例えば、走査線駆動回路１０４によって駆動される走査線等として設けることができる。また、図２には図示しないが、ソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８と同じ層には、第１配線と交差する方向に延在する第２配線を設けることができる。該配線は、例えば、データ線駆動回路１０５によって駆動されるデータ線等として設けることができる。
【００２４】
トランジスタ１２０上には、平坦化膜１２３が設けられる。平坦化膜１２３は、有機樹脂材料を含んで構成される。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。特に図示しないが、平坦化膜１２３は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層との積層構造を有してもよい。
【００２５】
平坦化膜１２３は、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部を露出させるコンタクトホールを有する。コンタクトホールは、後述する画素電極１２５とソース電極又はドレイン電極１１８とを電気的に接続するための開口部である。したがって、コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部に重畳して設けられる。コンタクトホールの底面では、ソース電極又はドレイン電極１１８が露出される。
【００２６】
平坦化膜１２３上には、保護膜１２４が設けられる。保護膜１２４は、平坦化膜１２３に形成されたコンタクトホールに重畳し、該コンタクトホールにおいてソース電極又はドレイン電極１１８の一部を露出させるコンタクトホールを有する。保護膜１２４は、無機絶縁材料、水分や酸素に対するバリア機能を有する材料であることが好ましく、例えば、窒化シリコン膜を用いて形成される。
【００２７】
保護膜１２４上には、画素電極１２５が設けられる。画素電極１２５は、平坦化膜１２３及び保護膜１２４が有するコンタクトホールに重畳し、コンタクトホールの底面で露出されたソース電極又はドレイン電極１１８と電気的に接続する。本実施形態の表示装置１００において、画素電極１２５は、発光素子１３０を構成する陽極（アノード）として機能する。画素電極１２５は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。例えば、トップエミッション型である場合、画素電極１２５として反射率の高い金属膜（例えば銀）を用いるか、酸化インジウム系透明導電膜（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電膜（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電膜と金属膜との積層構造を用いる。逆に、ボトムエミッション型である場合、画素電極１２５として上述した透明導電膜を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。画素電極１２５の端部は、後述する第１絶縁層１２６によって覆われている。
【００２８】
画素電極１２５上には、例えば、有機樹脂材料で構成される、第１絶縁層１２６が設けられる。有機樹脂材料としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の樹脂材料を用いることができる。第１絶縁層１２６は、画素電極１２５上の一部に開口部を有する。第１絶縁層１２６は、互いに隣接する画素電極１２５の間に、画素電極１２５の端部（エッジ部）を覆うように設けられ、隣接する画素電極１２５を離隔する部材として機能する。即ち、第１絶縁層１２６は複数の画素１０９に区分する。このため、第１絶縁層１２６は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。この第１絶縁層１２６から露出された画素電極１２５の一部が、発光素子１３０の発光領域となる。第１絶縁層１２６の開口部は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより後述する発光層の形成時に、画素電極１２５の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。第１絶縁層１２６は、画素電極１２５の端部を覆うだけでなく、平坦化膜１２３及び保護膜１２４が有するコンタクトホールに起因する凹部を埋める充填材として機能させてもよい。
【００２９】
画素電極１２５上には、有機層１２７が設けられる。有機層１２７は、少なくとも有機材料で構成される発光層を有し、発光素子１３０の発光部として機能する。有機層１２７には、発光層以外に、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった各種層も含まれ得る。有機層１２７は、発光領域を覆うように、即ち、発光領域における第１絶縁層１２６の開口部及び第１絶縁層１２６の開口部を覆うように設けられる。
【００３０】
なお、本実施形態では、所望の色の光を発する発光層を有機層１２７に設け、各画素電極１２５上に異なる発光層を有する有機層１２７を形成することで、ＲＧＢの各色を表示する構成とする。つまり、本実施形態において、有機層１２７は、隣接する画素１０９の間では、換言すれば隣接する画素電極１２５の間では不連続である。有機層１２７には、公知の構造や公知の材料を用いることが可能であり、特に本実施形態の構成に限定されるものではない。また、有機層１２７は、白色光を発する発光層を有し、カラーフィルタを通してＲＧＢの各色を表示してもよい。この場合、有機層１２７は、第１絶縁層１２６上を覆い、複数の画素１０９に跨って設けられてもよい。
【００３１】
有機層１２７上及び第１絶縁層１２６上には、対向電極１２８が設けられる。対向電極１２８は、発光素子１３０を構成する陰極（カソード）として機能する。本実施形態の表示装置１００は、トップエミッション型であるため、対向電極１２８としては透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、ＭｇＡｇ薄膜もしくは透明導電膜（ＩＴＯやＩＺＯ）を用いる。対向電極１２８は、各画素１０９間を跨いで第１絶縁層１２６上にも設けられる。対向電極１２８は、表示領域１０３の外側、且つ表示領域１０３の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。上述したように、本実施形態では、第１絶縁層１２６から露出した画素電極１２５の一部（アノード）、有機層１２７（発光部）及び対向電極１２８（カソード）によって発光素子１３０が構成される。
【００３２】
対向電極１２８上には、第１無機絶縁層１３１が設けられる。第１無機絶縁層１３１は、複数の発光素子１３０を覆っており、発光素子１３０を外部の水分や外気等から保護する。従って、第１無機絶縁層１３１は封止膜ともいう。第１無機絶縁層１３１としては、窒化シリコン膜など緻密性の良い無機絶縁膜を用いることが好ましい。なお、封止膜は無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造にしてもよい。後述するように、第１無機絶縁層１３１の上に有機絶縁膜が配置され、更に有機絶縁膜の上に無機絶縁膜が配置される３層構造にしてもよい。
【００３３】
以上説明した第２基板１１２から第１無機絶縁層１３１（封止膜）までをまとめて、本実施形態ではアレイ基板と呼ぶ。
【００３４】
アレイ基板上には、接着材及び保護材として機能する充填材１３５（フィル材ともいう）を介して対向基板１０２が設けられる。充填材１３５としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系の公知の樹脂材料を用いることができる。特に、対向基板１０２が樹脂基板（樹脂フィルム）の場合、充填材１３５には公知の透光性を有する接着材が用いられる。充填材１３５には、アレイ基板と対向基板１０２との間の間隙を確保するためにスペーサを設けてもよい。このようなスペーサは、充填材１３５に混ぜてもよいし、アレイ基板上に樹脂等により形成してもよい。また、アレイ基板と対向基板１０２との基板周辺部分で十分な封止、及びアレイ基板と対向基板１０２との貼り合わせ及びギャップ保持が実現できるのであれば、充填材１３５を用いない構造にしてもよい。充填材１３５を用いない構造では、アレイ基板と対向基板１０２との基板周辺部分に、環状の基板貼り合わせ部材（シール材ともいう）を配置してもよい。該基板貼り合わせ部材は、例えば有機樹脂やフリットガラスが用いられる。また、充填材１３５を用いない構造では、図２において充填材１３５が位置する箇所には、不活性ガス（例えば窒素）を充填させてもよい。
【００３５】
対向基板１０２には、例えば、平坦化を兼ねてオーバーコート層が設けられてもよい。有機層１２７が白色光を出射する場合、対向基板１０２には、主面（第１基板１０１に対向する面）にＲＧＢの各色にそれぞれ対応するカラーフィルタ、及び、カラーフィルタ間に設けられたブラックマトリクスが設けられてもよい。対向基板１０２は、表示装置１００の必須要素ではなく、充填材１３５が十分な膜厚と強度を有しており、封止膜以下の層を外部からの異物の接触等から好適に保護できるのであれば、対向基板１０２は省略することができる。対向基板１０２を省略するとともに、カラーフィルタが必要な場合は、例えば、封止膜上などに直接カラーフィルタを形成し、その上から充填材１３５を形成すればよい。また、対向基板１０２の裏面（表示面側）には、偏光板１３８が設けられている。偏光板１３８は、例えば円偏光板である。対向基板１０２を省略し、アレイ基板に接着材を介して円偏光板を貼り付けてもよい。換言すれば、対向基板１０２が円偏光板である構造にしてもよい。
【００３６】
図３に、表示装置１００の表示領域１０３において、アレイ基板及び対向基板１０２を貫通する貫通孔１１０を設ける構成を示す。図３に、複数の画素１０９、貫通孔１１０、水分遮断領域１１１を示す。
【００３７】
図３に示すように、表示領域１０３は、複数の画素１０９と、複数の走査線１４１と、複数のデータ線１４２と、貫通孔１１０と、水分遮断領域１１１（貫通孔１１０を囲む領域ともいう）と、を含んでいる。走査線１４１は画素１０９が備える画素回路と電気的に接続されている。また、データ線１４２は、走査線１４１と交差し、画素１０９が備える画素回路と電気的に接続されている。
【００３８】
また、図３に示すように、走査線１４１は、貫通孔１１０及び水分遮断領域１１１を迂回し、貫通孔１１０に対向する両側の画素１０９がそれぞれ備える画素回路と接続している。また、データ線１４２も、貫通孔１１０及び水分遮断領域１１１を迂回し、貫通孔１１０と対向する上下の画素１０９がそれぞれ備える画素回路と接続している。これにより、表示領域１０３に、アレイ基板及び対向基板を貫通する貫通孔１１０が設けられた場合であっても、正常に画像信号を出力することができる。なお、図３において、走査線１４１及びデータ線１４２は、水分遮断領域１１１と重ならない構成について示しているが、本発明はこれに限定されない。走査線１４１及びデータ線１４２が、水分遮断領域１１１と重なる構成としてもよい。また、図３に示す表示領域１０３では、貫通孔１１０を一つ設ける例について示しているが、貫通孔１１０を複数設ける構成としてもよい。また、貫通孔１１０を複数設ける場合、貫通孔１１０のそれぞれの大きさが異なる構成としてもよい。また、貫通孔１１０及び水分遮断領域１１１を円形状に形成する例について示しているが、多角形状としてもよい。
【００３９】
図４に、図３に示すＢ１−Ｂ２線に沿った断面図を示す。なお、図４の断面図においては、説明のため、貫通孔１１０の幅を、水分遮断領域１１１の幅よりも狭く図示しているが、実際は、貫通孔１１０の幅は、水分遮断領域１１１の幅よりも広くなる。
【００４０】
図４において、貫通孔１１０を迂回したデータ線１４２が、層間絶縁膜１２２の上に、配置されている。データ線１４２は、例えば、図２に示すソース電極又はドレイン電極１１７、１１８同じ層で形成される。層間絶縁膜１２２上には、平坦化膜１２３が設けられている。画素１０９が形成される領域ＰＸでは、平坦化膜１２３上に、保護膜１２４が設けられており、水分遮断領域１１１では、平坦化膜１２３の端部に接して、換言すれば平坦化膜１２３の上面と側面とに接して、保護膜１２４が設けられている。保護膜１２４は、水分に対するバリア機能を有することが好ましい。
【００４１】
画素１０９が形成される領域ＰＸには、上述の通り、画素電極１２５、第１絶縁層１２６、有機層１２７、及び対向電極１２８が設けられている。画素電極１２５、有機層１２７、及び対向電極１２８によって、発光素子１３０が構成される。発光素子１３０上に、第１無機絶縁層１３１が設けられている。また、第１無機絶縁層１３１は、層間絶縁膜１２２上の保護膜１２４と接して設けられている。また、第１無機絶縁層１３１は、保護膜１２４の端部と接して設けられている。第１無機絶縁層１３１は、発光素子１３０の封止膜として機能する。
【００４２】
画素１０９と貫通孔１１０との間には、ダミー画素Ｄが配置されてもよい。図４に示すダミー画素Ｄは、画素電極１２５、有機層１２７、及び対向電極１２８によって構成されている。ダミー画素Ｄは、必ずしも発光する機能を有する必要はないし、画素１０９や発光素子１３０と同様の構造である必要もない。画素１０９と貫通孔１１０との間にダミー画素Ｄを設けることで、例えば、貫通孔１１０を設けた後の製造工程において、貫通孔１１０の側面、即ち貫通孔１１０によって露出されたアレイ基板の端面から侵入する静電気によって、画素１０９が備える画素回路が破壊されることを防止する効果を得ることができる。
【００４３】
上記構成を有するアレイ基板と、対向基板１０２とが、充填材１３５を介して貼り付けられている。なお、対向基板１０２は、図４に示すように、水分遮断領域１１１において、発光素子１３０に面する側に遮光層１３９が設けられていてもよい。また、対向基板１０２の表示面側には、偏光板１３８が設けられている。
【００４４】
貫通孔１１０は、アレイ基板と対向基板１０２とを貫通する穴である。また、図４に示すように、偏光板１３８にも貫通孔１１０が設けられた位置に、開口を有している。
【００４５】
従来、表示領域に貫通孔が開いた異形ディスプレイにおいては、貫通孔が形成された領域から、水分や酸素が侵入することで、発光素子が劣化し、表示装置の信頼性が低下するという問題があった。
【００４６】
図４に示すように、表示領域１０３にアレイ基板及び対向基板１０２を貫通する貫通孔１１０を囲むように、水分遮断領域１１１を設ける構成とする。これにより、水分や酸素の侵入経路となりうる平坦化膜１２３の端部、第１絶縁層１２６の端部を、水分や酸素に対するバリア機能を有する保護膜１２４で封止することができる。また、発光素子１３０上に、水分や酸素に対するバリア機能を有する第１無機絶縁層１３１（封止膜）を設ける。第１無機絶縁層１３１は水分遮断領域１１１まで延在しており、水分遮断領域１１１において、保護膜１２４と第１無機絶縁層１３１とが接する構成とすることにより、貫通孔１１０から水分や酸素が侵入することを防止することができる。換言すれば、水分遮断領域１１１、即ち貫通孔１１０と画素１０９の間の領域において、第１基板１０１上に形成された各種層が積層された積層構造に有機材料からなる層を配置しないことで、貫通孔１１０から水分や酸素が侵入することを防止することができる。これにより、発光素子の劣化を防止することができるため、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、貫通孔１１０を設けることにより、デザイン性が向上した表示装置を提供することができる。
【００４７】
図５に、図４と一部異なる表示装置の一例を示す。図５に示す表示装置は、発光素子１３０上に設けられる封止膜の構成が、図４に示す発光素子１３０上に設けられる封止膜の構成と、一部異なっている。その他の構成については、図４に示す表示装置と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００４８】
図５に示すように、発光素子１３０上には、第１無機絶縁層１３１、有機絶縁層１３２、第２無機絶縁層１３３が設けられている。第１無機絶縁層１３１、有機絶縁層１３２、及び第２無機絶縁層１３３は、発光素子１３０の封止膜として機能する。発光素子１３０上に、封止膜を設けることにより、発光素子１３０に水分や酸素が侵入することを防止することができるため、発光素子１３０が水分や酸素によって劣化することを防止することができる。有機絶縁層１３２は、有機樹脂材料を含んで構成される。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。また、第２無機絶縁層１３３は、水分や酸素が侵入することを防止できる緻密性の高い膜を用いることが好ましい。例えば、第２無機絶縁層１３３として、窒化シリコン膜を用いることが好ましい。
【００４９】
図５に示すように、有機絶縁層１３２は、第１無機絶縁層１３１を介して、第１絶縁層１２６の端部、及び平坦化膜１２３の端部を覆うように設けられている。また、第２無機絶縁層１３３は、有機絶縁層１３２の上面及び端部を覆うように設けられており、第１無機絶縁層１３１と接するように設けられている。
【００５０】
図５に示すように、発光素子１３０上に封止膜として、第１無機絶縁層１３１、有機絶縁層１３２、及び第２無機絶縁層１３３を設けることによって、発光素子１３０に水分や酸素が侵入することをより防止できる。また、水分遮断領域１１１において、保護膜１２４と第１無機絶縁層１３１、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３がそれぞれ接する構成とすることにより、水分や酸素が発光素子１３０に侵入することを防止することができる。特に、貫通孔１１０の端部（水分遮断領域１１１の内、貫通孔１１０端部と接する領域）において、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３が、有機層（例えば有機絶縁層１３２）を介さず直に接している構造が、貫通孔１１０から表示装置１００の内部への水分侵入を遮断する顕著な効果を有している。また、貫通孔１１０を設けることにより、デザイン性が向上した表示装置を提供することができる。
【００５１】
図６に、図５と一部異なる表示装置の一例を示す。図６に示す表示装置は、水分遮断領域１１１の構成が、図５に示す水分遮断領域１１１の構成と一部異なっている。その他の構成については、図５に示す表示装置と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００５２】
図６に示すように、水分遮断領域１１１において、層間絶縁膜１２２上に、凸部１４３が設けられている。凸部１４３は、平面視においては貫通孔１１０の外周に沿って、複数設けられている。１つの凸部１４３が、貫通孔１１０の外周に沿って環状に設けられてもよい。また、凸部１４３は、平坦化膜１２３を構成する有機絶縁材料と同じ有機絶縁材料で構成される。また、平坦化膜１２３及び凸部１４３を覆うように、保護膜１２４が設けられている。保護膜１２４は、平坦化膜１２３の端部に接して設けられている。また、凸部１４３において、保護膜１２４を介して、凸部１４４が設けられている。凸部１４４は、第１絶縁層１２６と同じ有機絶縁材料で構成される。また、凸部１４４は、凸部１４３の形状に沿った形状となっている。また、第１無機絶縁層１３１は、保護膜１２４の端部に接して設けられている。また、第１無機絶縁層１３１は、凸部１４３が形成されていない領域で、保護膜１２４の上面と接している。また、水分遮断領域１１１において、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３とが接するように設けられている。なお、凸部１４４を設けない構造にしてもよい。
【００５３】
図６に示すように、水分遮断領域１１１に、凸部１４３及び凸部１４４を設けることにより、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３とが、接する領域を増加させることができる。これにより、発光素子１３０に水分や酸素が侵入することをさらに防止できる。また、貫通孔１１０を設けることにより、デザイン性が向上した表示装置を提供することができる。
【００５４】
図７に示すように、水分遮断領域１１１に設ける凸部を複数設ける構成としてもよい。つまり、図７に示す凸部の構造は、平面視においては貫通孔１１０の外周に沿って、凸部１４３が複数設けられており、さらに、複数の凸部１４３を囲むように、凸部１４５が複数設けられれている。凸部１４３と凸部１４４の位置関係、構造と同様に、凸部１４５の上方に凸部１４６を設けてもよい。１つの凸部１４３と１つ凸部１４５とが、貫通孔１１０の外周に沿って環状に設けられてもよい。水分遮断領域１１１に、平坦化膜１２３と同じ材料で形成された凸部を複数設けることにより、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３とが、接する領域を増加させることができる。これにより、発光素子に水分や酸素が侵入することをさらに防止できる。また、貫通孔１１０を設けることにより、デザイン性が向上した表示装置を提供することができる。
【００５５】
［製造方法１］
次に、表示装置１００の製造方法について、図８を参照して説明する。図８は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明するためのプロセスフローである。なお、図８に示すプロセスフローについて、画素１０９の説明については図２の符号を援用し、貫通孔１１０及び水分遮断領域１１１については図６の符号を援用して説明する。
【００５６】
まず、支持基板（図示せず）上に形成された第１基板１０１上に、トランジスタ１２０を形成する（ステップＳ２０１）。本実施形態では、支持基板としてガラス基板を用い、第１基板１０１として、ポリイミドを用いる場合について説明する。次に、トランジスタ１２０上に、層間絶縁膜１２２や、層間絶縁膜１２２の開口を介して接続するソース電極又はドレイン電極１１８などを形成する。次に、層間絶縁膜１２２、並びにソース電極又はドレイン電極１１８上に、平坦化膜１２３を形成する。後に、貫通孔１１０が形成される領域において平坦化膜１２３に開口部が形成されるように、また水分遮断領域１１１において、凸部１４３が形成されるように、平坦化膜１２３を加工する。
【００５７】
次に、平坦化膜１２３及び凸部１４３上に保護膜１２４を形成する（ステップＳ２０２）。保護膜１２４は、水分遮断領域１１１に存在する平坦化膜１２３の端部と、凸部１４３を覆うように、形成される。また、水分遮断領域１１１において、層間絶縁膜１２２と保護膜１２４とが接することが好ましい。
【００５８】
次に、保護膜１２４上に、発光素子１３０を形成する（ステップＳ２０３）。発光素子１３０は、画素電極１２５、第１絶縁層１２６、有機層１２７、対向電極１２８を順に形成する。なお、第１絶縁層１２６を形成するのと同時に、保護膜１２４上に凸部１４４を形成する。
【００５９】
次に、発光素子１３０上に封止膜を形成する（ステップＳ２０４）。封止膜として、第１無機絶縁層１３１、有機絶縁層１３２、第２無機絶縁層１３３を順に形成する。
【００６０】
次に、トランジスタ１２０や発光素子１３０が形成された第１基板１０１と対向基板１０２とを、充填材１３５を介して貼り合わせる（ステップＳ２０５）。
【００６１】
次に、表示装置の形状に合わせて、或いは表示装置の形状よりも大きいサイズで、貼り合わされた第１基板１０１と対向基板１０２とを切断する（ステップＳ２０６）。ステップＳ２０６の切断方法は、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせを用いることができる。
【００６２】
次に、支持基板を切断する（ステップＳ２０７）。支持基板の切断方法は、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせを用いることができる。ステップＳ２０６とステップＳ２０７とは同時に行ってもよい。
【００６３】
次に、対向基板１０２に偏光板１３８を貼り合わせる（ステップＳ２０８）。この後に、第１基板１０１に、ドライバＩＣを実装する工程を含んでいてもよい。
【００６４】
次に、支持基板を介して、第１基板１０１にレーザを照射することにより、支持基板から、第１基板１０１を剥離する（ステップＳ２０９）。ステップＳ２０８とステップＳ２０９は順序が入れ替わってもよい。即ち、支持基板を剥離した後に、偏光板１３８を貼り合わせてもよい。
【００６５】
次に、第１基板１０１の裏面に、第２基板１１２を貼り合わせる（ステップＳ２１０）。本実施形態では、第２基板１１２として、ポリエチレンテレフタラートを用いる場合について説明する。ここで、第２基板１１２から封止膜までの構成をアレイ基板と呼ぶ。この後、ステップＳ２０６で表示装置の形状よりも大きいサイズで切断した場合、表示装置の外形を整えるように、アレイ基板及び対向基板１０２の周辺を切断する。
【００６６】
次に、アレイ基板及び対向基板１０２に貫通孔１１０を形成する（ステップＳ２１１）。貫通孔１１０は、パンチ等による機械的加工法を用いて形成する。また、貫通孔１１０は、水分遮断領域１１１の内部に位置するように形成する。これにより、アレイ基板及び対向基板に一括で貫通孔１１０を形成することができる。
【００６７】
以上の工程により、本実施形態に係る表示装置１００を形成することができる。図８に示す製造方法により、表示領域１０３に貫通孔１１０が設けられ、デザイン性が向上した表示装置を製造することができる。また、貫通孔１１０が形成されていても、水分遮断領域１１１により、貫通孔１１０から水分や酸素が侵入することを防止できるため、発光素子の劣化を防止できる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。なお、ステップＳ２０４において、封止膜をマスクを備えたプラズマＣＶＤ装置を用いて成膜することにより、封止膜のパターニングが不要となるため、封止膜の形成工程を簡略化することができる。
【００６８】
［製造方法２］
また、表示装置１００において、図９に示すプロセスフローにて製造することもできる。図９に示すプロセスフローは、図８のプロセスフローと封止膜の形成後の工程が一部異なるのみであるため、封止膜形成後の工程について詳細に説明し、図８と同様の工程については、詳細な説明を省略する。
【００６９】
図９のプロセスフローでは、ステップＳ２０４において封止膜を形成した後、後に貫通孔１１０が形成される領域に対して、支持基板が露出するまで、即ち支持基板と直に接する第１基板１０１まで、エッチング処理を行う（ステップＳ２２０）。エッチング処理は、ドライエッチングでもよいし、ウェットエッチングでもよい。ステップＳ２２０は、第１無機絶縁層１３１までをエッチングする工程でもよい。また、ステップＳ２２０を行わず、封止膜を成膜する際にマスクを用いて、貫通孔１１０が形成される領域には封止膜を形成しない製造方法にしてもよい。ステップＳ２２０にて、後に貫通孔１１０が形成される領域に対してエッチング処理を行い、第１基板１０１や封止膜を除去する。これにより、ステップＳ２１１の穴あけ工程において、貫通孔１１０を形成する際に、第１基板１０１や封止膜にダメージが生じることを防止することができる。ステップＳ２０５以降の工程は、図８のプロセスフローと同様である。これにより、第１基板１０１や封止膜のダメージから水分や酸素などが侵入し、発光素子１３０に侵入することを防止することができる。これにより、信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【００７０】
〈第２実施形態〉
本実施形態では、実施形態１で説明した表示装置とは、一部異なる構成の表示装置について、図１０乃至図１４を参照して説明する。具体的には、水分遮断領域１１１の構成について、詳細に説明する。その他の構成については、実施形態１で説明した表示装置の構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００７１】
図１０に示す表示装置の水分遮断領域１１１は、図４に示す表示装置の水分遮断領域１１１と一部異なる構成を有している。具体的には、水分遮断領域１１１において、封止膜として機能する第１無機絶縁層１３１が、第１基板１０１の端部と、層間絶縁膜１２２の端部と、保護膜１２４の端部に接して設けられている。図１０に示す構成とすることにより、第１基板１０１の端部と、層間絶縁膜１２２の端部から、水分や酸素が侵入することを防止し、発光素子１３０が劣化することを防止することができる。
【００７２】
次に、図１１に示す表示装置の水分遮断領域１１１は、図１０に示す表示装置の水分遮断領域１１１と一部異なる構成を有している。具体的には、水分遮断領域１１１において、第１無機絶縁層１３１上に、有機絶縁層１３２が設けられ、有機絶縁層１３２上に、第２無機絶縁層１３３が設けられている。第１無機絶縁層１３１は、保護膜１２４の端部と、層間絶縁膜１２２の端部と、第１基板１０１の端部に接して設けられている。また、有機絶縁層１３２の端部は、第２無機絶縁層１３３によって覆われている。また、第２無機絶縁層１３３は、第１無機絶縁層１３１に接して設けられ、第１無機絶縁層１３１とともに、第１基板１０１の端部、層間絶縁膜１２２の端部、保護膜１２４の端部を覆っている。図１１に示す構成とすることにより、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３とが接する領域を増加させることができる。また、第１基板１０１の端部と、層間絶縁膜１２２の端部から、水分や酸素が侵入することを防止し、発光素子１３０が劣化することを防止することができる。
【００７３】
次に、図１２に示す表示装置の水分遮断領域１１１は、図１１に示す表示装置の水分遮断領域１１１と一部異なる構成を有している。具体的には、水分遮断領域１１１において、第１無機絶縁層１３１上に、有機絶縁層１３２が設けられ、有機絶縁層１３２上に、第２無機絶縁層１３３が設けられている。ここで、保護膜１２４の端部を、第１無機絶縁層１３１が覆い、第１無機絶縁層１３１の端部を、第２無機絶縁層１３３が覆う構成となっている。また、第２無機絶縁層１３３は、有機絶縁層１３２の端部と、層間絶縁膜１２２及び第１基板１０１の端部と接して設けられている。第１基板１０１の端部と、層間絶縁膜１２２の端部、保護膜１２４の端部、及び第１無機絶縁層１３１の端部から、水分や酸素が侵入することを防止し、発光素子１３０が劣化することを防止することができる。
【００７４】
次に、図１３に示す表示装置の水分遮断領域１１１は、図１１に示す表示装置の水分遮断領域１１１と一部異なる構成を有している。具体的には、水分遮断領域１１１において、第１無機絶縁層１３１上に、有機絶縁層１３２が設けられ、有機絶縁層１３２上に、第２無機絶縁層１３３が設けられている。第１無機絶縁層１３１は、保護膜１２４の端部と、層間絶縁膜１２２の端部と、第１基板１０１の端部に接して設けられている。また、第２無機絶縁層１３３は、有機絶縁層１３２の端部を覆っているが、第２無機絶縁層１３３の端部はパターニングされている。第１基板１０１の端部と、層間絶縁膜１２２の端部と、保護膜１２４の端部から、水分や酸素が侵入することを防止し、発光素子１３０が劣化することを防止することができる。
【００７５】
次に、図１４に示す表示装置の水分遮断領域１１１は、図１１に示す表示装置の水分遮断領域１１１と一部異なる構成を有している。具体的には、水分遮断領域１１１において、第１無機絶縁層１３１上に、有機絶縁層１３２が設けられ、有機絶縁層１３２上に、第２無機絶縁層１３３が設けられている。図１４においては、第２絶縁層１３４が、第１基板１０１の端部、層間絶縁膜１２２の端部、保護膜１２４の端部、第１無機絶縁層１３１の端部、及び第２無機絶縁層１３３の端部を覆っている。第２絶縁層は、第１無機絶縁層１３１や第２無機絶縁層１３３と同様の材料を用いて形成することが好ましい。複数の絶縁層の端部を覆うように、第２絶縁層１３４を設けることにより、複数の絶縁層の端部を補強することができる。また、複数の絶縁層の端部から水分や酸素が侵入することを防止し、発光素子１３０が劣化することを防止することができる。
【００７６】
なお、図１０乃至図１４においては、水分遮断領域１１１に、図６に示す凸部１４３や、図７に示す凸部１４５を設けない例について示したが、図１０乃至図１４に示す構成においても、適宜、凸部１４３や凸部１４５を設ける構成としてもよい。
【００７７】
［製造方法３］
図１５に、図１０乃至図１４に示す表示装置のプロセスフローについて示す。なお、図１５に示すプロセスフローは、図９に示すプロセスフローとは、封止膜の形成とエッチング処理の順序が異なっている。図１５については、封止膜の形成工程と、エッチング処理工程について説明し、その他の工程については説明を省略する。
【００７８】
図１５に示すように、ステップＳ２０３において発光素子１３０を形成した後、層間絶縁膜１２２及び第１基板１０１に対して、エッチング処理を行う（ステップＳ２３０）。エッチング処理により、後に貫通孔１１０が形成される領域の層間絶縁膜１２２及び第１基板１０１を除去する。
【００７９】
次に、封止膜として機能する第１無機絶縁層１３１を形成する（ステップＳ２０４）。これにより、保護膜１２４の端部、層間絶縁膜１２２の端部、及び第１基板１０１の端部を第１無機絶縁層１３１によって覆うように形成する。これにより、図１０に示す表示装置の構成とすることができる。
【００８０】
また、図１５のステップＳ２０４の工程において、保護膜１２４の端部、層間絶縁膜１２２の端部、及び第１基板１０１の端部を第１無機絶縁層１３１によって覆う。次に、第１無機絶縁層１３１上に、有機絶縁層１３２を形成し、有機絶縁層１３２上に第２無機絶縁層１３３を形成する。第２無機絶縁層１３３は、第１無機絶縁層１３１を介して、保護膜１２４の端部、層間絶縁膜１２２の端部、及び第１基板１０１の端部を覆うように形成する。これにより、図１１に示す表示装置の構成とすることができる。
【００８１】
また、図１５のステップＳ２０４の工程において、第１無機絶縁層１３１の形成後に、第１無機絶縁層１３１をパターニングし、その後、有機絶縁層１３２を形成し、さらに第２無機絶縁層１３３を形成する。第２無機絶縁層１３３は、第１無機絶縁層１３１の端部、保護膜１２４の端部、層間絶縁膜１２２の端部、及び第１基板１０１の端部を覆うように形成する。これにより、図１２に示す表示装置の構成とすることができる。
【００８２】
また、図１５のステップＳ２０４の工程において、第１無機絶縁層１３１を、保護膜１２４の端部、層間絶縁膜１２２の端部、及び第１基板１０１の端部を覆うように形成する。第１無機絶縁層１３１の形成後に、有機絶縁層１３２を形成し、有機絶縁層１３２上に第２無機絶縁層１３３を形成する。その後、第２無機絶縁層１３３をパターニングする。これにより、図１３に示す表示装置の構成とすることができる。
【００８３】
また、図１５のステップＳ２０４の工程において、保護膜１２４の端部、層間絶縁膜１２２の端部、及び第１基板１０１の端部を第１無機絶縁層１３１によって覆う。次に、第１無機絶縁層１３１上に、有機絶縁層１３２を形成し、有機絶縁層１３２上に第２無機絶縁層１３３を形成する。第２無機絶縁層１３３は、第１無機絶縁層１３１を介して、保護膜１２４の端部、層間絶縁膜１２２の端部、及び第１基板１０１の端部を覆うように形成する。さらに、第２無機絶縁層１３３上に、第２絶縁層１３４を、第１基板１０１の端部、層間絶縁膜１２２の端部、保護膜１２４の端部、第１無機絶縁層１３１の端部、及び第２無機絶縁層１３３の端部を覆うように形成する。これにより、図１４に示す表示装置の構成とすることができる。
【００８４】
図１５に示す対向基板貼り付け工程（ステップＳ２０５）以降の工程は、図８に示す工程と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００８５】
［製造方法４］
図１６に、図９に示すプロセスフローとは一部異なるプロセスフローについて説明する。具体的には、図１６に示すステップＳ２０４よりも後の工程が、図９に示すプロセスフローと異なっている。
【００８６】
図９のプロセスフローでは、ステップＳ２０４において封止膜を形成した後、後に貫通孔１１０が形成される領域に対して、支持基板が露出するまで、即ち支持基板と直に接する第１基板１０１まで、エッチング処理を行う（ステップＳ２４０）。エッチング処理は、ドライエッチングでもよいし、ウェットエッチングでもよい。ステップＳ２４０にて、後に貫通孔１１０が形成される領域に対してエッチング処理を行い、第１基板１０１や封止膜を除去する。
【００８７】
次に、トランジスタ１２０や発光素子１３０が形成された第１基板１０１と対向基板１０２とを、充填材１３５を介して貼り合わせる（ステップＳ２５０）。この工程では、対向基板１０２として、後に貫通孔１１０が設けられる領域に、穴が開いた基板を使用する。
【００８８】
次に、表示装置の形状に合わせて、或いは表示装置の形状よりも大きいサイズで、貼り合わされた第１基板１０１と対向基板１０２とをを切断する（ステップＳ２０６）。第１基板１０１の切断方法は、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせを用いることができる。
【００８９】
次に、支持基板を切断する（ステップＳ２０７）。支持基板の切断方法は、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせを用いることができる。
【００９０】
次に、対向基板１０２に偏光板１３８を貼り合わせる（ステップＳ２６０）。この工程でも、偏光板１３８として、後に貫通孔１１０が設けられる領域に、穴が開いた偏光板を使用する。この後に、第１基板１０１に、ドライバＩＣを実装する工程を含んでいてもよい。
【００９１】
次に、支持基板を介して、第１基板１０１にレーザを照射することにより、支持基板から、第１基板１０１を剥離する（ステップＳ２０９）。
【００９２】
次に、第１基板１０１の裏面に、第２基板１１２を貼り合わせる（ステップＳ２７０）。この工程でも、第２基板１１２として、貫通孔１１０が設けられる領域に、穴が開いた基板を使用する。この後、ステップＳ２０６で表示装置の形状よりも大きいサイズで切断した場合、表示装置の外形を整えるように、アレイ基板及び対向基板１０２の周辺を切断する。
【００９３】
以上の工程により、表示装置を製造することができる。図１６に示すプロセスフローでは、貫通孔１１０が設けられる領域に、穴が開いた対向基板１０２、第２基板１１２、及び偏光板１３８を使用する。これにより、アレイ基板及び対向基板１０２に対して、機械的加工法による貫通孔の形成の工程を省略することができる。また、機械的加工法による貫通孔の形成により、第１基板１０１や封止膜などにダメージが生じることを防止することができる。これにより、第１基板１０１や封止膜のダメージから水分や酸素などが侵入し、発光素子１３０に侵入することを防止することができる。これにより、信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【実施例１】
【００９４】
本発明に係る表示装置の実施例について、図１７及び図１８を参照して説明する。図１７に示す表示装置２００には、表示領域１０３において、貫通孔１１０が複数個設けられている。図１７においては、貫通孔１１０が縦に並んで、６つ設けられている。また、表示装置２００は、アレイ基板として、第１基板１０１上に、表示領域１０３と、ドライバＩＣ１０６と、端子１０７と、フレキシブルプリント回路１０８と、を有している。また、対向基板１０２には、アレイ基板と向かい合う側に、遮光層１３９が設けられている。アレイ基板と対向基板１０２とは充填材を介して貼り合わされている。なお、アレイ基板において、対向基板１０２の遮光層１３９と重なる領域に、走査線駆動回路などが形成されていてもよい。
【００９５】
表示装置２００には、アレイ基板と対向基板１０２を貫通する貫通孔１１０が６つ設けられており、貫通孔１１０を囲む領域に、水分遮断領域１１１が設けられている。貫通孔１１０を囲む領域に、水分遮断領域１１１を設けることにより、貫通孔１１０から水分や酸素が侵入することを防止することができる。これにより、表示領域１０３に形成される発光素子に、水分や酸素が侵入することを防止することができるため、発光素子の劣化を防止できる。その結果、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００９６】
図１８に、表示装置２００を、手帳のリフィルとして適用する場合について示す。図１８に示すように、表示装置２００に、アレイ基板と対向基板１０２を貫通する貫通孔１１０が６つ設けられることにより、貫通孔１１０に手帳の金具１５１を貫通させることができる。また、貫通孔１１０を囲む領域に、水分遮断領域１１１が設けられることにより、貫通孔１１０から、水分や酸素が侵入することを防止することができる。例えば、貫通孔１１０の直径を、７０００μｍとする場合、水分遮断領域１１１の幅（貫通孔１１０の端部から、画素が形成される領域までの長さ）を、１２００μｍとする。この場合、表示領域１０３における非表示幅は、９４００μｍとなる。本実施例に示すように、本発明によれば、外観デザインの自由度が高い表示装置とすることができる。
【実施例２】
【００９７】
本発明に係る表示装置の実施例について、図１９及び図２０を参照して説明する。図１９に示す表示装置３００には、表示領域１０３において、貫通孔１１０が３つ設けられている。また、表示装置３００は、アレイ基板として、第１基板１０１上に、表示領域１０３と、ドライバＩＣ１０６と、端子１０７と、フレキシブルプリント回路１０８と、を有している。また、対向基板１０２には、アレイ基板と向かい合う側に、遮光層１３９が設けられている。アレイ基板と対向基板１０２とは充填材を介して貼り合わされている。なお、アレイ基板において、対向基板１０２の遮光層１３９と重なる領域に、走査線駆動回路などが形成されていてもよい。
【００９８】
図１９に示す表示装置３００には、表示領域１０３において、貫通孔が３つ設けられている。貫通孔１５２、貫通孔１５３、貫通孔１５４は、それぞれ直径が異なっている。貫通孔１５２、１５３、１５４のそれぞれを、水分遮断領域１５５、１５６、１５７のそれぞれが囲んでいる。また、水分遮断領域の幅（貫通孔の端部から、画素が形成される領域までの長さ）は、貫通孔の直径に応じて、適宜設定することができる。貫通孔１５２、１５３、１５４を囲む領域に、水分遮断領域１５５、１５６、１５７を設けることにより、貫通孔１５２、１５３、１５４から水分や酸素が侵入することを防止することができる。これにより、表示領域１０３に形成される発光素子に、水分や酸素が侵入することを防止することができるため、発光素子の劣化を防止できる。その結果、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００９９】
図２０に、表示装置３００をスマートフォンに適用する場合について示す。表示装置３００において、貫通孔１５２には、例えば照度センサをはめ込むことができ、貫通孔１５３には、例えばカメラをはめ込むことができる。また、貫通孔１５４には、ホームボタンを設けることができる。貫通孔１５２に照度センサをはめ込む場合には、貫通孔１５２の直径を３０００μｍとして、水分遮断領域１５５を、８００μｍとする。この場合、表示領域における非表示幅は、４６００μｍとなる。貫通孔１５３にカメラをはめ込む場合には、貫通孔１５３の直径を４０００μｍとして、水分遮断領域１５６を、９００μｍとする。この場合、表示領域における非表示幅は、５８００μｍとなる。貫通孔１５３にホームボタンを設ける場合には、貫通孔１５４の直径を１００００μｍとして、水分遮断領域１５７を、１５５０μｍとする。この場合、表示領域における非表示幅は、１３１００μｍとなる。
【０１００】
本発明の実施形態及び実施例として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
【０１０１】
また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１０２】
１００：表示装置、１０１：第１基板、１０２：対向基板、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路、１０５：データ線駆動回路、１０６：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路、１０９：画素、１１０：貫通孔、１１１：  水分遮断領域、１１２：第２基板、１１３：下地膜、１１４：半導体層、１１５：ゲート絶縁膜、１１６：ゲート電極、１１７：ソース電極又はドレイン電極、１１８：ソース電極又はドレイン電極、１２０：トランジスタ、１２１：配線、１２２：層間絶縁膜、１２３：平坦化膜、１２４：保護膜、１２５：画素電極、１２６：第１絶縁層、１２７：有機層、１２８：対向電極、１３０：発光素子、１３１：第１無機絶縁層、１３２：有機絶縁層、１３３：第２無機絶縁層、１３４：第２絶縁層、１３５：充填材、１３８：偏光板、１３９：遮光層、１４１：走査線、１４２：データ線、１４３：凸部、１４４：凸部、１４５：凸部、１４６：凸部、１５１：金具、１５２：貫通孔、１５３：貫通孔、１５４：貫通孔、１５５：水分遮断領域、１５６：水分遮断領域、１５７：水分遮断領域、２００：表示装置、３００：表示装置
【図１】
2018087863.tif 000003
【図２】
2018087863.tif 000004
【図３】
2018087863.tif 000005
【図４】
2018087863.tif 000006
【図５】
2018087863.tif 000007
【図６】
2018087863.tif 000008
【図７】
2018087863.tif 000009
【図８】
2018087863.tif 000010
【図９】
2018087863.tif 000011
【図１０】
2018087863.tif 000012
【図１１】
2018087863.tif 000013
【図１２】
2018087863.tif 000014
【図１３】
2018087863.tif 000015
【図１４】
2018087863.tif 000016
【図１５】
2018087863.tif 000017
【図１６】
2018087863.tif 000018
【図１７】
2018087863.tif 000019
【図１８】
2018087863.tif 000020
【図１９】
2018087863.tif 000021
【図２０】
2018087863.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月16日(2016.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2018087863.tif 000023
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2018087863.tif 000024