(57)【要約】【課題】画像における縞状の濃度ムラを抑制した画像形成装置の提供。【解決手段】導電性基体と前記導電性基体上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記電子写真感光体の表面に露光して静電潜像を形成する露光手段であって、前記電子写真感光体の軸方向に配列された複数の光源を有する露光手段と、トナーを含む現像剤を収容し、前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備え、ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に準じて測定された前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍが、前記電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔よりも短い画像形成装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と前記導電性基体上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に露光して静電潜像を形成する露光手段であって、前記電子写真感光体の軸方向に配列された複数の光源を有する露光手段と、
トナーを含む現像剤を収容し、前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備え、
ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に準じて測定された前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍが、前記電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔よりも短い画像形成装置。
【請求項２】
前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍは、前記電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔の０．９倍以下である請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
導電性基体と前記導電性基体上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に露光して静電潜像を形成する露光手段であって、前記電子写真感光体の軸方向に配列された複数の光源を有する露光手段と、を備え、
ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に準じて測定された前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍが、前記電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔よりも短く、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、最表面層が、凹凸形状を有し、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線の切断レベル差Ｒδｃと、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍと、が特定の関係を満たす電子写真感光体が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体、該感光体を突起状電極で帯電する帯電手段、潜像を形成する露光手段、潜像をトナーで現像する現像手段、該感光体に滑剤を供給する供給手段を有する画像形成装置において、該突起状電極の突起間隔Ｐが０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であり、且つ、該突起間隔Ｐを評価長さｌｎとして測定した電子写真感光体表面の粗さ曲線における切断レベルｃ＝２０（％／μｍ）とするときの負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が１％以上２０％以下である画像形成装置が開示されている。
【０００４】
特許文献３には、導電性基体上に感光層を備えてなる電子写真感光体において、前記導電性基体の表面形状が、そのろ波中心線うねり曲線から得られる凹凸の山の高さ（ろ波中心線から上の高さ）ＲＰと谷の深さ（ろ波中心線から下の深さ）ＲＶとの比ＲＶ／ＲＰが１．１以上、隣合う山と山との距離が０．０１ｍｍないし０．２ｍｍ、山と谷との段差（Ｒmax ）が３．０μｍ以下である電子写真感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−０３１３４２号公報
【特許文献２】特開２００９−１５０９６６号公報
【特許文献３】特開平０８−１２３０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば切削加工により外周面が形成された導電性基体は、螺旋状の切削加工跡が外周面に残り、軸方向にうねりを有する場合がある。外周面に軸方向のうねりを有する導電性基体を用いた電子写真感光体を、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）プリントヘッドのように複数の光源が配列された露光手段を備えた画像形成装置に適用すると、画像に縞状の濃度ムラが生じることがある。
【０００７】
本発明の課題は、導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍが電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔と同じである場合に比べ、画像における縞状の濃度ムラを抑制した画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、以下の手段により解決される。
即ち、請求項１に係る発明は、
導電性基体と前記導電性基体上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に露光して静電潜像を形成する露光手段であって、前記電子写真感光体の軸方向に配列された複数の光源を有する露光手段と、
トナーを含む現像剤を収容し、前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備え、
ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に準じて測定された前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍが、前記電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔よりも短い画像形成装置である。
請求項２に係る発明は、
前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍは、前記電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔の０．９倍以下である請求項１に記載の画像形成装置である。
【０００９】
請求項３に係る発明は、
導電性基体と前記導電性基体上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に露光して静電潜像を形成する露光手段であって、前記電子写真感光体の軸方向に配列された複数の光源を有する露光手段と、を備え、
ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に準じて測定された前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍが、前記電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔よりも短く、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１、２、又は３に係る発明によれば、導電性基体の外周面におけるうねり曲線の平均長さＷＳｍが電子写真感光体の軸方向に沿った前記光源の配列間隔と同じである場合に比べ、画像における縞状の濃度ムラを抑制した画像形成装置又はプロセスカートリッジが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。
【００１３】
［画像形成装置］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体（以下、単に「感光体」ともいう）と、感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した感光体の表面に露光して静電潜像を形成する露光手段と、トナーを含む現像剤により感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。
上記感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた感光層とを有する。また、上記露光手段は、感光体の軸方向(以下、単に「軸方向」ともいう）に配列された複数の光源を有する。そして、ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に準じて測定された前記導電性基体の外周面におけるうねり曲線（すなわち、ろ波うねり曲線）の平均長さＷＳｍ（以下、「うねり平均長さＷＳｍ」とも称する）が、感光体の軸方向に沿った光源の配列間隔（以下、単に「配列間隔」ともいう）よりも短い。
【００１４】
ここで、「うねり平均長さＷＳｍ」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に準じて測定された導電性基体の外周面における軸方向に沿ったうねり曲線の平均長さＷＳｍを意味する。なお、導電性基体の外周面における軸方向に沿った断面曲線は、表面粗さ・輪郭形状測定機（（株）東京精密社製、サーフコム１４００）を用い、導電性基体の軸方向における一端から他端まで測定を行う。得られた断面曲線から、評価長さｌｎ：８ｍｍ、カットオフ値λｃ：０．８ｍｍ、カットオフ値λf：２．５μｍとして解析し、うねり曲線の平均長さＷＳｍを算出する。
また、「配列間隔」とは、露光装置が有する複数の光源における、感光体の軸方向に沿った間隔の平均を意味する。すなわち、感光体の軸方向に配列された隣り合う２つの光源における発光部の中心（発光部が面である場合は重心）間の距離を「軸方向における光源の間隔」とし、その平均値を「配列間隔」とする。なお、軸方向に沿った光源の配列が複数列ある場合は、列ごとに光源の間隔を測定し、全列の平均を、配列間隔とする。
【００１５】
本実施形態に係る画像形成装置は、導電性基体の外周面における前記うねり平均長さＷＳｍが光源の配列間隔よりも短いことで、画像における縞状の濃度ムラが抑制される。この理由は定かではないが、以下に示す理由によるものと推測される。
【００１６】
導電性基体の外周面の加工方法として、例えば、導電性基体の軸方向を中心として回転させながら、切削バイト刃等によって軸方向の一端から他端まで切削する切削加工が挙げられる。このような切削加工を施した導電性基体は、外周面に螺旋状の切削加工跡が残ることで、外周面の軸方向にうねりを有する場合が多い。
一方、例えばＬＥＤプリントヘッドのように感光体の軸方向に複数の光源が配列された露光装置を用いると、露光強度が軸方向に周期的に変動した分布が生じる。
そして、外周面に軸方向のうねりを有する導電性基体を用いた電子写真感光体を、複数の光源が軸方向に配列された露光装置を備えた画像形成装置に適用すると、露光強度の強弱と導電性基体のうねりとが干渉して画像に縞状の濃度ムラが発生する場合がある。
【００１７】
一方、本実施形態では、導電性基体の軸方向におけるうねり平均長さＷＳｍが光源の配列間隔よりも短い。そのため、軸方向における露光強度の強弱の周期に比べて、導電性基体のうねり平均長さＷＳｍが短くなり、露光強度の強弱と導電性基体のうねりとの干渉が起こりにくく、画像における縞状の濃度ムラが抑制されると推測される。
【００１８】
以上の理由により、本実施形態の画像形成装置は、導電性基体の外周面における前記うねり平均長さＷＳｍを光源の配列間隔よりも短くすることで、画像における縞状の濃度ムラが抑制されると推測される。
【００１９】
なお、導電性基体のうねり平均長さＷＳｍは、光源の配列間隔よりも短ければとくに限定されないが、例えば光源の配列間隔の０．９倍以下が挙げられ、０．５１倍以上０．９倍以下が好ましく、０．７倍以上０．８倍以下がより好ましい。
【００２０】
ここで、本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【００２１】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【００２２】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【００２３】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体及び露光装置を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体及び露光装置以外に、例えば、帯電手段、現像手段、及び転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【００２４】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【００２５】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図１に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（露光手段の一例）と、転写装置４１（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の内部であり、かつ電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されている。また、転写装置４１は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４１（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【００２６】
図１におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、露光装置９（露光手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【００２７】
なお、図１には、画像形成装置として、潤滑材１４０を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【００２８】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【００２９】
＜電子写真感光体＞
感光体７としては、導電性基体と、導電性基体上に設けられた感光層と、を有する構成の感光体が適用される。
なお、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型の感光層（以下「機能分離型感光層」ともいう）であってもよいし、単層型の感光層（以下「単層型感光層」ともいう）であってもよい。感光層が機能分離型感光層である場合、電荷発生層に電荷発生材料を含み、電荷輸送層に電荷輸送材料を含む。
なお、感光体７は、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、導電性基体と感光層との間に設けられる下引層、感光層上に更に設けられる保護層等が挙げられる。
すなわち、機能分離型感光層を有する感光体は、例えば、導電性基体上に、必要に応じて設けられる下引層、電荷発生層、及び電荷輸送層がこの順序で積層された構造を有し、電荷発生層及び電荷輸送層が機能分離型感光層を構成している。また、単層型感光層を有する感光体は、例えば、導電性基体上に、必要に応じて設けられる下引層及び単層型感光層がこの順序で積層された構造を有する。
【００３０】
以下、感光体７の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００３１】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３２】
本実施形態では、導電性基体の軸方向における前記うねり平均長さＷＳｍが、前記の通り、露光装置９における光源の配列間隔よりも小さい。前記うねり平均長さＷＳｍとしては、例えば２５０μｍ以上７５０μｍ以下の範囲が挙げられ、３００μｍ以上５５０μｍ以下が好ましく、３５０μｍ以上４５０μｍ以下がより好ましい。
また、前記うねり曲線における算術平均高さＷａは特に限定されないが、例えば０．４μｍ以下が挙げられ、０．１μｍ以上０．４μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上０．２μｍ以下がより好ましい。前記うねり曲線における算術平均高さＷａが上記範囲であることにより、上記範囲よりも高い場合に比べ、画像における縞状の濃度ムラが抑制される。
【００３３】
前記うねり平均長さを制御する方法は特に限定されず、導電性基体の製造方法及び導電性基体の外周面の加工方法に応じて適宜選択される。なお、導電性基体の外周面の加工方法としては、例えば、切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、湿式ホーニング等が挙げられる。
【００３４】
以下、本実施形態に係る導電性基体の製法の一例について説明する。
まず、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成された素管を準備する。この素管は、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金をポートホール法又はマンドレル法により熱間押出加工、続いて冷間抽伸加工を施したものを切削前の素管として得られる。
【００３５】
次に、素管の表面に対して切削加工を施す。この切削加工に適用する加工バイトとしては、例えば、多結晶ダイヤモンドにより構成された一般的な加工バイトを適用する。
【００３６】
切削加工は、例えば、回転させた素管と素管表面に当て付けた加工バイトとを相対的に素管軸方向に移動して行う。切削加工は、荒加工及び仕上げ加工の双方を行ってもよく、仕上げ加工のみを行ってもよい。なお、仕上げ加工により導電性基体の外周面における断面曲線が制御される。
【００３７】
また、荒加工及び仕上げ加工の双方を行う場合、切削加工は、一つの加工バイトを導電性基体の一方の軸方向端部から他方の軸方向端部までの移動を往復させて、往路で荒加工、復路で仕上げ加工を行ってもよいが、２つの加工バイトを導電性基体の一方の軸方向端部から他方の軸方向端部まで移動させて、往路のみで荒加工及び仕上げ加工を同時行うことがよい。
【００３８】
素管の表面に対して切削加工を行って本実施形態に係る導電性基体を作製する場合、加工バイトの形状、加工バイトの切込み角度（以下「切削角度」ともいう）、主軸１回転あたりのバイト送り量等を調整することで、前記うねり平均長さＷＳｍが制御される。
主軸１回転あたりのバイト送り量は、素管が軸方向に１回転する間にバイトが軸方向に送られる距離である。主軸１回転あたりのバイト送り量を大きくするほど素管の外周面が短時間で切削され生産性が向上する反面、前記うねり平均長さＷＳｍは長くなり、主軸１回転あたりのバイト送り量を小さくするほど前記うねり平均長さＷＳｍは短くなる。
【００３９】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４０】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４１】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００４２】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００４３】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００４４】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００４５】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００４６】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００４７】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４８】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００５０】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００５１】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００５２】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【００５３】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【００５４】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【００５５】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００５６】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００５７】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００５８】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【００５９】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００６０】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００６１】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００６２】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００６３】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００６４】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００６５】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００６６】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００６７】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００６８】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【００６９】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【００７０】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【００７１】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００７２】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００７３】
（中間層）
下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７４】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【００７５】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００７６】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【００７７】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【００７８】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００７９】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【００８０】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【００８１】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【００８２】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【００８３】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００８４】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【００８５】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【００８６】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【００８７】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【００８８】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【００８９】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００９０】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００９１】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【００９２】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００９３】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【００９４】
【化１】
2018054707.tif 000002
【００９５】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【００９６】
【化２】
2018054707.tif 000003
【００９７】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【００９８】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【００９９】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１００】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０１０１】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１０２】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１０３】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１０４】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１０５】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１０６】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善したりする目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０１０７】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０１０８】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０１０９】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０１１０】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０１１１】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０１１２】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１１３】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０１１４】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０１１５】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１１６】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１１７】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１１８】
＜帯電装置＞
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１１９】
＜露光装置＞
露光装置９としては、例えば、感光体７の外周面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は感光体の分光感度領域にあるものが使用される。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得る面発光型のレーザ光源を用いたものも有効である。
【０１２０】
露光装置９は、前記の通り、感光体７の軸方向に配列された複数の光源を有する。
光源の配列間隔は、特に限定されないが、例えば４００μｍ以上８００μｍ以下が挙げられ、４００μｍ以上６００μｍ以下が好ましく、４００μｍ以上５００μｍ以下がより好ましい。
【０１２１】
露光装置９の光源は特に限定されないが、非干渉性の露光光源を適用することがよい。
非干渉性の露光光源は、インコヒーレント光を照射する光源であり、例えば、非干渉性の露光光源としては、ＬＥＤ（発光ダイオード）、有機ＥＬイメージアレイなどが採用される。
非干渉性の露光光源によって露光される電子写真感光体表面の露光スポットの面積は１０００μｍ２以下であり、且つ非干渉性の露光光源の発光の中心波長は４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下であることがよい。
【０１２２】
以下、露光装置の一例について説明する。
図２は、露光装置の一例を示す図である。図２に示す露光装置は、例えば、発光素子７２が配列された発光素子アレイ７８と、レンズ７７が配列された結像部７６と、を備えている。
発光素子アレイ７８は、例えば、有機ＥＬ素子等の発光素子７２で構成される発光部と発光素子７２が実装される実装基板である発光素子アレイ基板７４とを備える。
発光素子アレイ７８と結像部７６とは、発光素子７２の発光部と結像部７６の光入射面との光学距離が結像部７６の作動距離となるように、離間した状態で保持部材により保持されている。
【０１２３】
ここで、結像部７６の作動距離とは、結像部７６に用いるレンズ７７の焦点から結像部７６の光入射面までの距離である。
なお、結像部７６の光入射面とは、結像部７６における発光素子アレイ７８に近い側の面を意味し、結像部７６の光出射面は、結像部７６における発光素子アレイ７８から遠い側の面（感光体７に近い側の面）を意味する。
結像部７６では、発光素子７２の発光部からの発光を光入射面から入射すると共に光出射面から出射して、予め定められた位置に結像させる。そして、発光素子７２からの発光を感光体７に結像することによって、感光体７が露光されて潜像が形成される。
【０１２４】
発光素子アレイ７８について説明する。
発光素子アレイ７８は、例えば、発光部から照射される光を実装基板である発光素子アレイ基板７４側から取り出す、所謂、ボトムエミッション方式となっている。無論、トップエミッション方式であってもよい。
発光部は、例えば、単一の発光素子７２の群で構成されている。発光素子７２は、実装基板（発光素子アレイ基板７４）の長手方向に沿って線状（直列）又は千鳥格子状に配置して、発光部を構成している。発光素子７２の群で構成された発光部は、感光体７の軸方向において画像形成領域以上の長さとしている。
【０１２５】
次いで、結像部７６について説明する。
結像部７６は、例えば、ロッドレンズが複数配列されたレンズアレイで構成されている。レンズアレイとして具体的には、例えば、セルフォックレンズアレイ（ＳＬＡ：「セルフォック」は、日本板硝子（株）の登録商標）と呼ばれる屈折率分散型レンズアレイを適用することが最もよいが、シリンドリカルレンズを組み合わせても良い。さらに、個々の光源用有機ＥＬ素子上にマイクロレンズを接合しても良い。
【０１２６】
＜現像装置＞
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１２７】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０１２８】
＜クリーニング装置＞
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１２９】
＜転写装置＞
転写装置４１としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１３０】
＜中間転写体＞
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１３１】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【０１３２】
＜画像形成動作（画像形成方法）＞
画像形成装置１００の画像形成動作（画像形成方法）について説明する。
まず、感光体７の表面が帯電装置８により帯電される（帯電工程）。露光装置９は、帯電された感光体７の表面を画像情報に基づいて露光する。これにより、感光体７上に画像情報に応じた静電潜像が形成される（静電潜像形成工程）。現像装置１１では、トナーを含む現像剤が収容され、現像剤により、感光体７の表面に形成された静電潜像が現像される。これにより、感光体７の表面に、トナー画像が形成される（現像工程）。転写装置４１では、感光体７の表面に形成されたトナー画像が記録媒体へ転写される（転写工程）。記録媒体に転写されたトナー画像は、例えば、不図示の定着装置により定着される。
一方、トナー画像を転写した後の感光体７の表面は、クリーニング装置１３により清掃される。
【実施例】
【０１３３】
以下、実施例により本実施形態を詳細に説明するが、本実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。
【０１３４】
＜感光体１の作製＞
（導電性基体の作製）
ポートホール法にて熱間押出加工して管形状を形成し、これを冷間抽伸加工して精度を整え、切削用素管を得た。外径はφ３０．３ｍｍ、内径はφ２８．５ｍｍ、全長は３６７ｍｍであった。
上記素管の外側を把持し、両端にインロー加工を施した。インロー加工された内径はφ２８．５ｍｍで、その深さは１０ｍｍであった。両端加工も施し、加工後の全長は３６５ｍｍであった。
【０１３５】
上記インロー加工済み素管に対し、旋盤（昌運工作所製  ＳＰＡ５）にて外径切削加工を施した。多結晶ダイヤモンドを刃先としたバイトを用い、主軸１回転あたりのバイト送り量を調整し、φ３０ｍｍの外径に仕上げた。
得られた導電性基体の外周面を表面粗度計（東京精密社製  サーフコム１４００）にて、うねり平均長さＷＳｍ（表１中の「ＷＳｍ」）、うねり曲線における算術平均高さＷａ（表１中の「Ｗａ」）を測定した。具体的には、導電性基体の外周面の３箇所でそれぞれ測定を行い、それらの平均値をＷＳｍ及びＷａとした。結果を表１に示す。
【０１３６】
（下引層の形成）
酸化亜鉛（商品名：ＭＺ３００、テイカ株式会社製）１００質量部と、シランカップリング剤として３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリエトキシシランの１０質量％トルエン溶液１０質量部と、トルエン２００質量部と、を混合し、攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付け処理を行い、表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
【０１３７】
得られた表面処理酸化亜鉛粒子３３質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）６質量部と、電子受容性化合物として下記構造式１で表される化合物１質量部と、メチルエチルケトン２５質量部と、を３０分間混合した。その後、結着樹脂としてブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）５質量部と、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）３質量部と、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）０．０１質量部と、を添加し、サンドミルにて３時間の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。
【０１３８】
【化３】
2018054707.tif 000004
【０１３９】
この下引層形成用塗布液を用いて、浸漬塗布法にて、上記導電性基体の外周面上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、厚さ２５μｍの下引層を得た。
【０１４０】
（電荷発生層の形成）
電荷発生材料としてＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と、結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、株式会社ＮＵＣ製）と、溶媒としてｎ−酢酸ブチルと、からなる混合物を、容量１００ｍＬのガラス瓶中に１.０ｍｍφのガラスビーズを充填率５０％で充填したペイントシェーカーに入れて２．５時間分散処理し、電荷発生層形成用塗布液を得た。
【０１４１】
なお、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂との混合物に対して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の含有率を５５．０体積％とし、電荷発生層形成用塗布液における固形分の含有量は６．０質量％とした。含有率は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の比重を１．６０６ｇ／ｃｍ３、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の比重１．３５ｇ／ｃｍ３として計算した。
得られた電荷発生層形成用塗布液を、上記の下引層上に浸漬塗布し、１００℃で５分間乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１４２】
（電荷輸送層の形成）
電荷輸送材料として、下記一般式（ＣＴ１）で表される化合物（ただし、ＲＣ１１〜ＲＣ１４がいずれも４−ＣＨ３、ＲＣ１５及びＲＣ１６が水素原子、ｍ及びｎが１）８質量部と、下記一般式（ＣＴ２）で表される化合物（ただし、ＲＣ２１〜ＲＣ２３が水素原子）３２質量部と、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量４万）６０質量部と、下記構造式（ＨＰ−１）で表されるヒンダードフェノール系酸化防止剤（分子量７７５）３．２質量部（電荷輸送材料合計量に対して８．０質量％）と、をテトラヒドロフラン３４０質量部に加えて溶解した電荷輸送層形成用塗布液を得た。
得られた電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、下端拭き取り装置にて余分な塗膜の除去を行い、１５０℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚２６μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１４３】
【化４】
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【０１４４】
【化５】
2018054707.tif 000006
【０１４５】
【化６】
2018054707.tif 000007
【０１４６】
以上のようにして、導電性基体、下引層、電荷発生層、及び電荷輸送層からなる感光体１を作製した。
【０１４７】
＜感光体２〜５の作製＞
感光体１の導電性基体の作製において、導電性基体におけるＷＳｍ及びＷａを表１に示す値に設定した以外は、感光体１と同様にして感光体２〜５を得た。
【０１４８】
＜評価＞
表１に示す感光体と、表１に示す配列間隔を有する露光装置と、を画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ−Ｖ  Ｃ７７７５）改造機に搭載し、Ａ３用紙に画像濃度５０％のハーフトーン画像を形成した。ハーフトーン画像としては、１５０万線／３００万線のスクリーンで画像形成を行った。
【０１４９】
濃度ムラの評価基準は目視検査により以下の通りであり、Ａ及びＢを実用可能なレベルとした。結果を表１に示す。
Ａ：３００万線で出力し、画質で問題ないレベルである。
Ｂ：１５０万線で出力し、画質上問題ないレベルである。
Ｃ：１５０万線で出力し、縞状の濃度ムラが確認される
【０１５０】
【表１】
2018054707.tif 000008
【０１５１】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、画像における縞状の濃度ムラが抑制されていることが分かる。
なお、比較例Ａ３、比較例Ａ４、比較例Ｂ４、比較例Ｂ５、及び比較例Ｃ５においては、うねり平均長さＷＳｍを長くすることで、うねり曲線における算術平均高さＷａが実施例に比べて高くなったため、縞状の濃度ムラが出やすくなり、万線を高くする事で縞状の濃度ムラがさらに出やすくなったものと考えられる。
【符号の説明】
【０１５２】
７  電子写真感光体、８  帯電装置（帯電手段の一例）、９  露光装置（露光手段の一例）、１１  現像装置（現像手段の一例）、１３  クリーニング装置、４１  転写装置、５０  中間転写体、７２  発光素子、７４  発光素子アレイ基板、７６  結像部、７７  レンズ、７８  発光素子アレイ、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、１４０  潤滑材、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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