(57)【要約】【課題】ディーゼル排ガス触媒等として有用なＣｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造するバナジン酸セシウムの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のバナジン酸セシウムの製造方法は、セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩とを、Ｃｓ／Ｖ原子比０．５以上で混合し、７００〜９００℃の範囲で加熱処理することを特徴とした。これにより、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩とを、Ｃｓ／Ｖ原子比０．５以上で混合し、酸化雰囲気において、温度７００〜９００℃の範囲で加熱処理することを特徴とするバナジン酸セシウムの製造方法。
【請求項２】
前記セシウム硫酸塩が、硫酸セシウムであることを特徴とする請求項１記載のバナジン酸セシウムの製造方法。
【請求項３】
前記バナジウム硫酸塩が、酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）であることを特徴とする請求項１または２記載のバナジン酸セシウムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディーゼル排ガス触媒等として有用なバナジン酸セシウムの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セシウム（元素記号：Ｃｓ）とバナジウム（元素記号：Ｖ）の複合金属酸化物であるバナジン酸セシウムは、様々な組成比のものが存在するが、安定相として代表的なものは、Ｃｓ／Ｖ原子比が小さいものから順に、ＣｓＶ３Ｏ８、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１、ＣｓＶＯ３、Ｃｓ３２Ｖ１８Ｏ６１、Ｃｓ４Ｖ２Ｏ７、Ｃｓ３ＶＯ４の６種類である（非特許文献１参照）。
【０００３】
これらのいくつかは、ディーゼル排ガス触媒として触媒活性を有することが報告されている（非特許文献２参照）。特にＣｓ２Ｖ４Ｏ１１は、高い触媒活性と耐久性を有するため有用であり、非特許文献２では、炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３）と酸化バナジウム（Ｖ）（Ｖ２Ｏ５）とを量論比で混合し、加熱処理することで製造している。
【０００４】
またＣｓＶＯ３は高効率な蛍光体材料であることが知られており、室温、空気中においてＣｓ２ＣＯ３とＶ２Ｏ５とを接触混合するだけで、固相反応により製造できることが報告されている（特許文献１参照）。
【０００５】
本明細書および特許請求項範囲において、化学物質名を表すための「名称（）」の記載において（）内は、ローマ数字を表す。つまり、（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）は、それぞれローマ数字で（１）、（２）、（３）、（４）、（５）を表す。たとえば、上記化学物質名の「酸化バナジウム（Ｖ）」では、「酸化バナジウム（ローマ数字：５）」を意味する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１６６７０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｂｅｒｔｉｌ  Ｆｏｒｓｌｕｎｄ、「Ｓｔｕｄｉｅｓ  ｏｆ  Ｐｈａｓｅ  Ｒｅｌａｔｉｏｎｓ  ｉｎ  ｔｈｅ  Ｃｓ２Ｏ−Ｖ２Ｏ５−Ｖ２Ｏ３  Ｓｙｓｔｅｍ」、Ｃｈｅｍｉｃａ  Ｓｃｒｉｐｔａ．  Ｖｏｌ．２４、１０７−１１４頁、１９８４年
【非特許文献２】Ｄｅｂｏｒａ  Ｆｉｎｏ  他、「Ｃｓ−Ｖ  ｃａｔａｌｙｓｔｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｃｏｍｂｕｓｔｉｏｎ  ｏｆ  ｄｉｅｓｅｌ  ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ」、Ｔｏｐｉｃｓ  ｉｎ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ  Ｖｏｌｓ．３０／３１、２５１−２５５頁、２００４年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のとおり、バナジン酸セシウムの製造には、原料として炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）がよく用いられるが、この場合、バナジン酸セシウムの中でも特に安定相であるＣｓＶＯ３が優先的に生成するため、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造できないという課題を有していた。
【０００９】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造するバナジン酸セシウムの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして、この目的を達成するために、本発明のバナジン酸セシウムの製造方法は、セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩とを、Ｃｓ／Ｖ原子比０．５以上で混合し、酸化雰囲気において、温度７００〜９００℃の範囲で加熱処理することを特徴としたものであり、これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩とを、Ｃｓ／Ｖ原子比０．５以上で混合し、酸化雰囲気において、温度７００〜９００℃の範囲で加熱処理することにより、バナジン酸セシウムＣｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１〜３、比較例１〜７の出発原料および加熱処理温度を示す表
【図２】本発明の実施例１〜３のバナジン酸セシウムのＸ線回折パターンを示すグラフ
【図３】比較例１〜３のバナジン酸セシウムのＸ線回折パターンを示すグラフ
【図４】比較例４、５のバナジン酸セシウムのＸ線回折パターンを示すグラフ
【図５】比較例６、７のバナジン酸セシウムのＸ線回折パターンを示すグラフ
【図６】比較例４〜７および実施例１のバナジン酸セシウムの２θ＝３４．３°付近を拡大したＸ線回折パターンを示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の請求項１に記載の発明は、セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩とを、Ｃｓ／Ｖ原子比０．５以上で混合し、酸化雰囲気において、温度７００〜９００℃の範囲で加熱処理することを特徴とするバナジン酸セシウムの製造方法である。
【００１４】
原料として炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）を用いた場合、ＣｓＶＯ３が優先的に生成する。これはＣｓＶＯ３が、室温、空気中において、原料粉末を接触混合するだけで生成するほど安定結晶相であるためだと考えられる。しかし実験の結果、セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩を用いた場合、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１が優先的に生成することを見出した。
【００１５】
Ｃｓ／Ｖ原子比０．５で原料を混合し、加熱処理すれば、高純度にＣｓ２Ｖ４Ｏ１１が生成する。Ｃｓ／Ｖ原子比が０．５より大きい場合、優先的にＣｓ２Ｖ４Ｏ１１が生成した上で、原料のセシウム硫酸塩が残存する。この場合、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１とセシウム硫酸塩は水溶解度に大きな差があり、セシウム硫酸塩が水に易溶であるため、水洗すれば高純度にＣｓ２Ｖ４Ｏ１１を抽出することができる。逆に、Ｃｓ／Ｖ原子比が０．５より小さい場合、Ｃｓ不足のため、Ｃｓ／Ｖ原子比がより小さい結晶相ＣｓＶ３Ｏ８等が副生成する。これらの水溶解度はＣｓ２Ｖ４Ｏ１１と大差ないため、一度生成してしまうと分離が困難である。したがって、原料のセシウム硫酸塩を残存しないようにした場合も含めて、Ｃｓ／Ｖ原子比は０．５以上が好ましい。
【００１６】
加熱処理としては、大気等の酸化雰囲気において、温度７００〜９００℃の範囲で処理するのが好ましい。７００℃より低い温度ではＣｓＶ３Ｏ８が副生成し、９００℃より高い温度ではＣｓＶＯ３が副生成する。ディーゼル排ガス触媒として活用する場合、これらはいずれもＣｓ２Ｖ４Ｏ１１に比べて、触媒活性や耐久性が劣るため、別相の副生成は好ましくない。
【００１７】
上記のとおり、本発明によれば、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造することができる。なお本発明における高純度の定義は、純度９０重量％以上とした。これは一般的な化学物質法規制のうち、純物質と認められる最低要求事項として、不純物１０重量％以下との要求に基づき定義した。
【００１８】
本発明の請求項２に記載の発明は、前記セシウム硫酸塩が、硫酸セシウムであることを特徴とする請求項１記載のバナジン酸セシウムの製造方法である。
【００１９】
従来原料の炭酸セシウムは強い潮解性があり、製造作業中にも容易に吸水するため、正しく秤量することが困難である等、取り扱いが難しかった。また強塩基性であるため、作業者の安全に配慮する必要があった。硫酸セシウム（Ｃｓ２ＳＯ４）は水吸着の影響が小さく、安定で、また強い酸塩基性も示さないため、本発明のセシウム硫酸塩として有用である。
【００２０】
本発明の請求項３に記載の発明は、前記バナジウム硫酸塩が、酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）であることを特徴とする請求項１または２記載のバナジン酸セシウムの製造方法である。
【００２１】
従来原料の酸化バナジウム（Ｖ）は、毒物及び劇物取締法の劇物に指定される等、いくつかの国内法令に該当し、法令順守や作業者の安全確保の観点で配慮が必要であった。酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）は酸化バナジウム（Ｖ）に比べて該当法令が少なく、有害性も低いため、本発明のバナジウム硫酸塩として有用である。
【００２２】
これにより、取り扱いが容易な材料のみを用いて、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造することができる。
【００２３】
なお、請求項１乃至３のいずれかに記載の混合方法としては、セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩とを、乳鉢やメディアミルで物理的に混合してもよいが、いったん水に溶解させ水溶液とすることで、均一な前駆体を形成することができる。水溶液の固形分濃度としては、低濃度では溶媒の水を除去するために余分な時間やエネルギーを使用するため、好ましくない。逆に６０重量％を超えると、粘度が高く撹拌が困難になったり、製造作業中に成分が析出したりするため、好ましくない。したがって濃度は１０〜６０重量％の範囲が好ましい。なお前駆体水溶液は、予めオーブン等を用いて蒸発乾固し乾燥物とした上で、次工程の加熱処理を実施してもよいし、加熱処理の中で乾燥を兼ねてもよい。
【００２４】
また、原料として硫酸セシウムと酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）を用いた場合、前者は水に易溶、後者は水に難溶であるが、両者を同時に溶解させることで、ほとんど任意の濃度で水溶液を調製することができる。
【００２５】
（実施の形態１）
まず、特許文献１によれば、原料として炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）をモル比１：１で接触混合した場合、室温、空気中において、下記化学反応式（式１）のようにＣｓＶＯ３が生成する。
【００２６】
Ｃｓ２ＣＯ３＋Ｖ２Ｏ５→２ＣｓＶＯ３＋ＣＯ２・・・・（式１）
非特許文献２によれば、原料として炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）をモル比１：２で混合し、加熱処理した場合、下記化学反応式（式２）のようにＣｓ２Ｖ４Ｏ１１が生成する。
【００２７】
Ｃｓ２ＣＯ３＋２Ｖ２Ｏ５→Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１＋ＣＯ２・・・・（式２）
しかしながら特許文献１のとおり、ＣｓＶＯ３が室温、空気中において、原料粉末を接触混合するだけで生成するほど安定結晶相であるため、非特許文献２に従って炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）をモル比１：２で混合し、文献値４５０℃で加熱処理した場合でも、実際には化学反応式（式２）とともに下記化学反応式（式３）の反応が協奏的に生じる。このためＣｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に生成することは難しい。
【００２８】
Ｃｓ２ＣＯ３＋２Ｖ２Ｏ５→ＣｓＶＯ３＋ＣｓＶ３Ｏ８＋ＣＯ２・・・・（式３）
上記（式１）〜（式３）の化学反応式は、いずれも炭酸塩が分解して二酸化炭素ＣＯ２が脱離する反応である。
【００２９】
次に、本実施の形態では、原料としてセシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩を混合し、加熱処理した場合に、硫酸塩が分解して二酸化硫黄ＳＯ２が脱離する反応である。例えば、セシウム硫酸塩として硫酸セシウム、バナジウム硫酸塩として酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）をモル比１：２で混合し、加熱処理した場合、下記化学反応式（式４）のようにＣｓ２Ｖ４Ｏ１１が生成する。
【００３０】
Ｃｓ２ＳＯ４＋４ＶＯＳＯ４→Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１＋５ＳＯ２＋１．５Ｏ２・・・・（式４）
これは、出発原料の違いによって塩の分解反応挙動が異なり、生成しやすい結晶相に違いが生じたものと推定される。硫酸塩の分解は、炭酸塩に比べてより高温での加熱処理が必要になるが、分解反応が進行すれば、一定の結晶相を形成すると推定される。高温での加熱処理は、実施例で示すように、７００〜９００℃が適切である。
【００３１】
化学反応式（式４）では、Ｃｓ／Ｖ原子比は０．５であればよい。この点について次のように考える。Ｃｓ／Ｖ原子比が０．５より大きい場合、優先的にＣｓ２Ｖ４Ｏ１１が生成した上で、原料のセシウム硫酸塩が残存する。この場合、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１とセシウム硫酸塩は水溶解度に大きな差があり、セシウム硫酸塩が水に易溶であるため、水洗すれば高純度にＣｓ２Ｖ４Ｏ１１を抽出することができる。逆に、Ｃｓ／Ｖ原子比が０．５より小さい場合、Ｃｓ不足のため、Ｃｓ／Ｖ原子比がより小さい結晶相ＣｓＶ３Ｏ８等が副生成する。これらの水溶解度はＣｓ２Ｖ４Ｏ１１と大差ないため、一度生成してしまうと分離が困難である。つまり、原料のセシウム硫酸塩を残存しないようにした場合も含めて、Ｃｓ／Ｖ原子比は０．５以上が好ましい。
【００３２】
バナジウム硫酸塩としては、硫酸バナジウム（ＩＩ）ＶＳＯ４、硫酸バナジウム（ＩＩＩ）Ｖ２（ＳＯ４）３、酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）ＶＯＳＯ４およびこれらの水和物がある。このうち酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）ｎ水和物ＶＯＳＯ４・ｎＨ２Ｏ（ｎ＝１〜６．５）、特にｎ＝３または５の水和物は室温、空気中で安定であり、取り扱いが容易なため、本発明のバナジウム硫酸塩として好適である。
【００３３】
セシウム硫酸塩としては、硫酸セシウムＣｓ２ＳＯ４、硫酸水素セシウムＣｓＨＳＯ４および他の金属との複塩がある。このうち硫酸セシウムＣｓ２ＳＯ４は室温、空気中で安定であり、取り扱いが容易なため、本発明のセシウム硫酸塩として好適である。
【００３４】
なお、硫酸セシウムは水に溶けて他の金属硫酸塩と複塩を形成する。例えば、本発明においてセシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩を混合する際、水溶液を介すると、水中で複合硫酸塩ＣｓＶ（ＳＯ４）２・１２Ｈ２Ｏ等が形成すると推定される。セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩を別々に準備するのではなく、予めこのような複塩を用いても、化学反応式（式４）と同様の反応が生じると考えられる。
【実施例１】
【００３５】
硫酸セシウムと酸化硫酸バナジウム（ＩＶ）をモル比１：２（Ｃｓ／Ｖ原子比０．５）、濃度５０重量％となるように水に溶解させ、前駆体水溶液を調製した。次に、前駆体水溶液を白金皿に入れ、電気炉を用いて大気雰囲気下９００℃で加熱処理した。加熱処理の詳細は、まず水を除去するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で９００℃まで昇温した。９００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。加熱処理後の試料を白金皿から回収し、乳鉢で粉砕して、実施例１のバナジン酸セシウムを製造した。
【実施例２】
【００３６】
加熱処理を８００℃で行ったこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず水を除去するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で８００℃まで昇温した。８００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
【実施例３】
【００３７】
加熱処理を７００℃で行ったこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず水を除去するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で７００℃まで昇温した。７００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
（比較例１）
【００３８】
加熱処理を６００℃で行ったこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず水を除去するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で６００℃まで昇温した。６００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
（比較例２）
【００３９】
加熱処理を５００℃で行ったこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず水を除去するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で５００℃まで昇温した。５００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
（比較例３）
【００４０】
非特許文献２を参照し、炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）をＣｓ／Ｖ原子比０．５で乳鉢混合した。次に、混合粉末を白金皿に入れ、電気炉を用いて大気雰囲気下４５０℃で加熱処理した。加熱処理の詳細は、まず乾燥するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で４５０℃まで昇温した。４５０℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。加熱処理後の試料を白金皿から回収し、乳鉢で粉砕して、比較例３のバナジン酸セシウムを製造した。
（比較例４）
【００４１】
加熱処理を９００℃で行ったこと以外は、比較例３と同様にして、比較例４のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず乾燥するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で９００℃まで昇温した。９００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
（比較例５）
【００４２】
加熱処理を８００℃で行ったこと以外は、比較例３と同様にして、比較例５のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず乾燥するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で８００℃まで昇温した。８００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
（比較例６）
【００４３】
加熱処理を７００℃で行ったこと以外は、比較例３と同様にして、比較例６のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず乾燥するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で７００℃まで昇温した。７００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
（比較例７）
【００４４】
加熱処理を６００℃で行ったこと以外は、比較例３と同様にして、比較例７のバナジン酸セシウムを製造した。すなわち、加熱処理の詳細は、まず乾燥するため１１０℃で１時間保持した後、速度２００℃／時間で６００℃まで昇温した。６００℃で５時間保持した後、速度２００℃／時間で室温まで降温した。
（評価例１）
【００４５】
実施例１〜３、比較例１〜７の出発原料および加熱処理温度を一覧にして図１に示す。
【００４６】
実施例１〜３、比較例１〜７のバナジン酸セシウムについて、Ｘ線回折測定を行った。
【００４７】
実施例１〜３のＸ線回折パターンを、図２に示す。
【００４８】
比較例１〜３のＸ線回折パターンを、図３に示す。
【００４９】
比較例４、５のＸ線回折パターンを、図４に示す。
【００５０】
比較例６、７のＸ線回折パターンを、図５に示す。
【００５１】
いずれの図にも、検出された主な結晶相について、回折ピーク上に記号（▼、▽、◆）付記して指し示した。
【００５２】
実施例１〜３（９００〜７００℃）のＸ線回折パターンでは、ほぼＣｓ２Ｖ４Ｏ１１のみが検出され、わずかにＣｓＶＯ３の回折か検出された。実施例１〜３のＸ線回折パターンに対して、全パターンプロファイルフィッティングによるリートベルト解析を行い、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１の含有量を算出した。その結果、いずれも含有量９６重量％と算出され、セシウム硫酸塩とバナジウム硫酸塩を用いることで、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１が９０重量％以上の高純度で製造できた。また加熱処理温度が７００〜９００℃の範囲で、高純度が維持されていることが確認できた。ただし解析計算上は誤差範囲で含有量は一致したが、回折パターンを詳細に見比べると、実施例１では実施例２、３に比べてわずかにＣｓＶＯ３のピークが増大しており、さらなる高温では純度低下が示唆された。
【００５３】
一方、原料として実施例１〜３と同様の硫酸塩を用いた比較例１、２（６００、５００℃）では、ＣｓＶ３Ｏ８が主として検出された。比較例１のＸ線回折パターンを用いて含有量を算出したところ、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１が４１重量％、ＣｓＶ３Ｏ８が５９重量％であった。なお、比較例１のＸ線回折パターンは適切にリートベルト解析が実施できなかったため、含有量は各結晶相の回折ピークの積分強度比から概算した。さらに、比較例２のＸ線回折パターンには、低角領域に非晶質に由来すると考えられるハローが見られ、未反応原料の残存が示唆された。この場合、含有量算出は非常に精度が悪くなるが、積分強度比から概算したところ、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１は５重量％未満であると推定された。
【００５４】
また、比較例３は従来技術を模したものであり、非特許文献２記載のとおり、原料に炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）を用い、文献値４５０℃で加熱処理を行ったものである。比較例３のＸ線回折パターンでは、主としてＣｓ２Ｖ４Ｏ１１が検出されるものの、同時にＣｓＶＯ３とＣｓＶ３Ｏ８が検出された。各結晶相の回折ピークの積分強度比から含有量を概算したところ、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１が６５重量％、ＣｓＶＯ３が１３重量％、ＣｓＶ３Ｏ８が２２重量％であった。
【００５５】
比較例４〜７は、従来技術を基に、加熱処理をより高温（文献値４５０℃に対し、６００〜９００℃）に変更して処理したものである。いずれのＸ線回折パターンも、従来技術を模した比較例３に比べて、ＣｓＶＯ３やＣｓＶ３Ｏ８の回折が大幅に減少し、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１が主として検出された。しかしながら、特に比較例４、５において、２θ＝３４．３°付近のピーク（図４、５中の破線部）が非常に大きくなる現象が見られた。このピークがＣｓ２Ｖ４Ｏ１１由来と仮定すると、この物質の最強線（２θ＝２５．０°付近のピーク）の約１５％積分強度となるのが妥当であるが、特に比較例４、５では最強線と同程度またはそれ以上の強度として検出されている。比較例４〜７および実施例１の２θ＝３４．３°付近を拡大したＸ線回折パターンを図６に示す。この現象の理由としては、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１が結晶面に極端に配向している、または別の結晶相（不純物）のピークが重なっている、ことが考えられる。いずれの場合も、物質本来の特性を変質させるものであり、好ましくない。
【００５６】
比較例６、７は、２θ＝３４．３°付近のピークが、実施例１に比べてやや大きいが、実施例１〜３の回折パターンに類似している。比較例６のＸ線回折パターンに対してリートベルト解析を行ったところ、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１の含有量は９７重量％と算出された。比較例７については、配向影響に起因し解析精度が低いため参考値だが、含有量は９０重量％未満になる可能性が示唆された。
【００５７】
以上から、従来技術を模して、出発原料に炭酸セシウムと酸化バナジウム（Ｖ）を用いた場合も、加熱処理を４５０℃でなく７００℃に変更して行うことにより、Ｃｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造することができた。しかし、高純度を維持できる温度範囲は、出発原料に硫酸塩を用いる本発明のほうが広範であり、有用と言える。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明にかかるバナジン酸セシウムの製造方法は、ディーゼル排ガス触媒等として有用なＣｓ２Ｖ４Ｏ１１を高純度に製造することができる。したがってディーゼル排ガス触媒の製造方法等として有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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