(57)【要約】【課題】  マイコン制御を使用せずに、より広い温度範囲で定着ローラ等の異常温度を精度良く検出する異常温度検出回路を提供すること。【解決手段】  検知用サーミスタの出力と補償用サーミスタの出力との差動出力を検出する差動出力検出回路部Ｃ１と、検知用サーミスタが検知した温度が異常温度であると判定する判定用しきい値を補償用サーミスタの出力に基づいて変えて出力するアナログ回路であるしきい値設定回路部Ｃ２と、差動出力が判定用しきい値より低い場合に異常温度検出信号を出力する異常温度判定回路部Ｃ３とを備え、しきい値設定回路部が、補償温度が所定の第１の温度より低い際に補償用サーミスタの出力に伴って判定用しきい値を変動させ、補償温度が第１の温度以上かつ第２の温度以下の際に判定用しきい値を固定値に設定し、補償温度が第２の温度より高い際に補償用サーミスタの出力に伴って判定用しきい値を変動させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知用サーミスタと補償用サーミスタとを有して前記検知用サーミスタの出力と前記補償用サーミスタの出力との差動出力を検出する差動出力検出回路部と、
前記検知用サーミスタが検知した温度が異常温度であると判定する判定用しきい値を前記補償用サーミスタの出力に基づいて変えて出力するアナログ回路であるしきい値設定回路部と、
前記差動出力が、出力された前記判定用しきい値より低い場合又は高い場合に、異常温度検出信号を出力する異常温度判定回路部とを備え、
前記しきい値設定回路部が、前記補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が所定の第１の温度より低い際に、前記補償用サーミスタの出力に伴って前記判定用しきい値を変動させ、前記補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が前記第１の温度以上かつ第２の温度以下の際に、前記判定用しきい値を一定の固定値に設定し、さらに、前記補償温度が前記第２の温度より高い際に、前記補償用サーミスタの出力に伴って前記判定用しきい値を変動させることを特徴とする異常温度検出回路。
【請求項２】
請求項１に記載の異常温度検出回路において、
前記しきい値設定回路部が、２つの抵抗で構成される分圧回路によって前記補償用サーミスタの出力の入力レベルを調整可能であることを特徴とする異常温度検出回路。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の異常温度検出回路において、
前記検知用サーミスタが、画像形成装置の定着ローラの温度を測定する温度センサであることを特徴とする異常温度検出回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば定着ローラ等が異常温度になったことを判定可能なサーミスタを用いた異常温度検出回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複写機やプリンタ等の定着ローラ等の測定対象物から輻射により放射される赤外線を非接触で検出して測定対象物の温度を測定する温度センサとして、サーミスタが使用されている。このようなサーミスタで定着ローラ等の温度を測定する場合、定着ローラ等が加熱して異常温度に達した際に装置を停止させる必要があるため、サーミスタで検知した温度から定着ローラ等の高温異常を検出する異常温度検出回路が装置に用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、非接触温度センサにおいて温度検出回路と比較演算回路とを用いた技術が記載されている。すなわち、これらの回路では、温度補償用感熱素子と赤外線検知用感熱素子との差動出力に基づいて周囲の温度の影響を相殺した定着ローラの表面温度の出力信号ΔＴを得ると共に、出力信号ΔＴと温度設定回路のしきい値とを比較演算することで、定着装置の温度制御を行っている。また、特許文献１では、他の方法として、マイクロコンピュータを用いたデジタル方式の温度制御回路を用いて定着ローラの表面温度を検出し、定着温度制御を行う技術も記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１１１８４９号公報（段落番号００２９〜００３２、図７、図８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
従来、温度設定回路で固定された一定のしきい値を設定して高温異常を判定しているが、この場合、サーミスタの抵抗−温度特性が非線形であるため、異常温度を判定して定着ローラ等を停止することができる温度範囲が狭いという不都合があった。例えば、図６に示すように、抵抗Ｒ１５ａと抵抗Ｒ１６ａとによって一定のしきい値電圧ＶＴＨＲを設定した異常温度検出回路の場合について説明する。この回路は、検知用サーミスタＲ７ａの出力電圧ＶＤＥＴ（検出温度ＴＤＥＴに対応）と補償用サーミスタＲ２ａの出力電圧ＶＲＥＦ（補償温度ＴＲＥＦに対応）とから算出される差動電圧ＶＤＩＦを出力する温度検出回路と、差動電圧ＶＤＩＦと一定のしきい値電圧ＶＴＨＲとを比較して定着ローラの加熱又は加熱停止を指示する信号出力ＶＣＯＭを出力する比較演算回路とから構成されている。
この回路例では、図７に示すように、検知用サーミスタＲ７ａの出力電圧ＶＤＥＴと補償用サーミスタＲ２ａの出力電圧ＶＲＥＦとから算出される差動電圧ＶＤＩＦの補償温度−出力電圧特性（対象物温度ＴＢＢ（黒体温度）：２６０℃）に対して、「ＶＤＩＦ−ＶＴＨＲ＜０」のときに定着ローラの加熱をＯＦＦにするように設定すると、補償用サーミスタＲ２ａによる補償温度４０℃以下の領域では、差動電圧ＶＤＩＦがしきい値電圧ＶＴＨＲを上回ってしまうために、異常温度を判定できず、定着ローラの加熱をＯＦＦにできない問題があった。すなわち、従来の回路では、周囲温度（補償温度）がまだ高くない状態で定着ローラが異常高温になった場合、高温異常を検出することができなかった。
なお、マイコン制御を使用する場合は各補償温度でしきい値を細かく設定できるが、高コストになってしまう不都合があった。また、マイコン制御による異常温度検出は、熱暴走により動作しない場合があるため避けることが望ましい。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、マイコン制御を使用せずに、より広い温度範囲で定着ローラ等の異常温度を精度良く検出する異常温度検出回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る異常温度検出回路は、検知用サーミスタと補償用サーミスタとを有して前記検知用サーミスタの出力と前記補償用サーミスタの出力との差動出力を検出する差動出力検出回路部と、前記検知用サーミスタが検知した温度が異常温度であると判定する判定用しきい値を前記補償用サーミスタの出力に基づいて変えて出力するアナログ回路であるしきい値設定回路部と、前記差動出力が、出力された前記判定用しきい値より低い場合又は高い場合に、異常温度検出信号を出力する異常温度判定回路部とを備え、前記しきい値設定回路部が、前記補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が所定の第１の温度より低い際に、前記補償用サーミスタの出力に伴って前記判定用しきい値を変動させ、前記補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が前記第１の温度以上かつ第２の温度以下の際に、前記判定用しきい値を一定の固定値に設定し、さらに、前記補償温度が前記第２の温度より高い際に、前記補償用サーミスタの出力に伴って前記判定用しきい値を変動させていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の異常温度検出回路では、検知用サーミスタが検知した温度が異常温度であると判定する判定用しきい値を補償用サーミスタの出力に基づいて変えて出力するアナログ回路であるしきい値設定回路部と、差動出力が、出力された判定用しきい値より低い場合又は高い場合に、異常温度検出信号を出力する異常温度判定回路部とを備えているので、判定用しきい値の設定に補償温度出力を用いることで、サーミスタの抵抗−温度特性の非線形性に対応して判定用しきい値が変化し、従来よりも広い温度範囲で異常温度を簡易な回路により高精度に検出することができる。
特に、しきい値設定回路部が、補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が所定の第１の温度より低い際に、補償用サーミスタの出力に伴って判定用しきい値を変動させ、補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が第１の温度以上かつ第２の温度以下の際に、判定用しきい値を一定の固定値に設定し、さらに、補償温度が第２の温度より高い際に、補償用サーミスタの出力に伴って判定用しきい値を変動させるので、サーミスタの抵抗−温度特性の非線形性に合わせて判定用しきい値を低温の変動領域と中温の一定領域と高温の変動領域との３つの領域に分けて、簡易な回路構成により高精度な高温異常検出又は低温異常検出が可能になる。
【０００９】
第２の発明に係る異常温度検出回路は、第１の発明において、前記しきい値設定回路部が、２つの抵抗で構成される分圧回路によって前記補償用サーミスタの出力の入力レベルを調整可能であることを特徴とする。
すなわち、この異常温度検出回路では、しきい値設定回路部が、２つの抵抗で構成される分圧回路によって補償用サーミスタの出力の入力レベルを調整可能であるので、２つの抵抗の抵抗比に基づいて、補償用サーミスタ電圧の依存部分のしきい値電圧を簡易に変更可能である。
【００１０】
第３の発明に係る異常温度検出回路は、第１又は第２の発明のいずれかにおいて、前記検知用サーミスタが、画像形成装置の定着ローラの温度を測定する温度センサであることを特徴とする。
すなわち、この異常温度検出回路では、検知用サーミスタが、画像形成装置の定着ローラの温度を測定する温度センサであるので、広い温度範囲で定着ローラの高温異常を検知して加熱を停止させることが可能になる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る異常温度検出回路によれば、検知用サーミスタが検知した温度が異常温度であると判定する判定用しきい値を補償用サーミスタの出力に基づいて変えて出力するアナログ回路であるしきい値設定回路部と、出力された差動電圧が、出力された判定用しきい値より低い場合又は高い場合に、異常温度検出信号を出力する異常温度判定回路部とを備えているので、サーミスタの抵抗−温度特性の非線形性に対応して判定用しきい値が変化し、従来よりも広い温度範囲で異常温度を高精度に検出することができる。
特に、しきい値設定回路部が、補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が所定の第１の温度より低い際に、補償用サーミスタの出力に伴って判定用しきい値を変動させ、補償用サーミスタの出力で得られる補償温度が第１の温度以上かつ第２の温度以下の際に、判定用しきい値を一定の固定値に設定し、さらに、補償温度が第２の温度より高い際に、補償用サーミスタの出力に伴って判定用しきい値を変動させるので、サーミスタの抵抗−温度特性の非線形性に合わせて判定用しきい値を低温の変動領域と中温の一定領域と高温の変動領域との３つの領域に分けて、簡易な回路構成により高精度な高温異常検出又は低温異常検出が可能になる。
したがって、検知用サーミスタを、画像形成装置の定着ローラの温度を測定する温度センサとすることで、広い温度範囲で定着ローラの高温異常を検知して加熱を停止させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る異常温度検出回路の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】本実施形態において、異常温度検出回路を示す回路図である。
【図３】本実施形態において、２４０℃及び２６０℃の対象物温度ＴＢＢについて補償温度に対する差動電圧及びしきい値電圧を示すグラフである。
【図４】本実施形態において、第６〜第８演算部Ｅ６〜Ｅ８を設けない回路における補償温度に対するしきい値電圧と差動電圧との関係を示すグラフである。
【図５】本実施形態において、複数の対象物温度ＴＢＢについて補償温度に対する差動電圧及びしきい値電圧を示すグラフである。
【図６】本発明に係る異常温度検出回路の参考例を示す回路図である。
【図７】本発明に係る参考例において、補償温度に対するしきい値電圧と差動電圧との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係る異常温度検出回路の一実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。
【００１４】
本実施形態の異常温度検出回路１は、例えば画像形成装置の定着ローラの高温異常を検出する回路であって、図１及び図２に示すように、検知用サーミスタＴＨ１と補償用サーミスタＴＨ２とを有し検知用サーミスタＴＨ１の出力と補償用サーミスタＴＨ２の出力との差動出力（差動電圧ＶＤＩＦ）を検出する差動出力検出回路部Ｃ１と、検知用サーミスタＴＨ１が検知した温度が異常温度であると判定する判定用しきい値ＶＴＨＲを補償用サーミスタＴＨ２の出力（補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦ）に基づいて変えて出力するアナログ回路であるしきい値設定回路部Ｃ２と、差動出力が、出力された判定用しきい値ＶＴＨＲより低い場合に、異常温度検出信号（信号出力ＶＣＯＭ）を出力する異常温度判定回路部Ｃ３とを備えている。
【００１５】
また、しきい値設定回路部Ｃ２は、補償用サーミスタＴＨ２の出力で得られる補償温度が所定の第１の温度ＴＲＥＦ１より低い際に、補償用サーミスタＴＨ２の出力に伴って判定用しきい値ＶＴＨＲを変動させ、補償用サーミスタＴＨ２の出力で得られる補償温度が第１の温度ＴＲＥＦ１以上かつ第２の温度ＴＲＥＦ２以下の際に、判定用しきい値ＶＴＨＲを一定の固定値に設定し、さらに、補償温度が第２の温度ＴＲＥＦ２より高い際に、補償用サーミスタＴＨ２の出力に伴って判定用しきい値ＶＴＨＲを変動させる演算機能を有している。
なお、第２の温度ＴＲＥＦ２は、当然に第１の温度ＴＲＥＦ１よりも高い温度に設定される。
【００１６】
上記検知用サーミスタＴＨ１は、赤外線を受光して温度を検出可能な非接触温度センサであり、測定対象物の定着ローラに対向配置され、定着ローラからの赤外線を受光して定着ローラの温度を測定可能になっている。また、補償用サーミスタＴＨ２は、検知用サーミスタＴＨ１と同構造であるが、定着ローラからの赤外線を遮断して周囲温度（補償温度）の検出が可能になっている。なお、検知用サーミスタＴＨ１及び補償用サーミスタＴＨ２は、ＮＴＣサーミスタ素子である。
【００１７】
上記差動出力検出回路部Ｃ１は、検知用サーミスタＴＨ１と補償用サーミスタＴＨ２と抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４とにより構成されたブリッジ回路部Ｂ１と、ブリッジ回路部Ｂ１による補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦが入力され増幅率が１で補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦを出力するバッファ部Ｂ２と、バッファ部Ｂ２を経由した補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦが入力されると共に検知用サーミスタ電圧ＶＤＥＴが直接入力されこれらの差分（ＶＤＥＴ−ＶＲＥＦ）を増幅し差動出力として差動電圧ＶＤＩＦを出力する差動増幅部Ｂ３とを備えている。
なお、上記抵抗Ｒ４は、補償用サーミスタＴＨ２のプルアップ抵抗として機能し、差動出力として差動電圧ＶＤＩＦの特性を調整する役割を有している。すなわち、抵抗Ｒ４は、判定用しきい値ＶＴＨＲのうち補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの依存部分（図３の左側及び右側の曲線部分）のカーブの傾きを変える効果を有している。
【００１８】
上記バッファ部Ｂ２は、補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの出力抵抗を小さくするためのインピーダンス変換回路である。
上記差動電圧ＶＤＩＦの増幅率は、抵抗Ｒ１６／抵抗Ｒ９に依存する。
【００１９】
上記しきい値設定回路部Ｃ２は、バッファ部Ｅ５から出力された補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦが入力され判定用しきい値ＶＴＨＲを演算する回路であり、補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦを分圧して判定用しきい値ＶＴＨＲのうち補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの低温側の依存部分（図３の左側の曲線部分）を決める第１演算部Ｅ１と、補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの高温側の依存部分（図３の右側の曲線部分）を決める第６演算部Ｅ６と、入力電圧が中間のときに電流を流さず判定用しきい値ＶＴＨＲ＝一定値（図３の中央の水平部分）とし、入力側が高ければ補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの低温側の依存部分（図３の左側の曲線部分）の電圧を出力するダイオードＤ４である第３演算部Ｅ３と、第１演算部Ｅ１と第３演算部Ｅ３との間に設けられダイオードＤ４の温度依存性を補償する第２演算部Ｅ２と、入力側が低ければ補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの高温側の依存部分（図３の右側の曲線部分）の電圧を出力するダイオードＤ２である第８演算部Ｅ８と、第６演算部Ｅ６と第８演算部Ｅ８との間に設けられダイオードＤ２の温度依存性を補償する第７演算部Ｅ７と、判定用しきい値ＶＴＨＲを抵抗Ｒ１９／抵抗Ｒ２０で分圧して判定用しきい値ＶＴＨＲの一定部分（図３中央の水平部分）を求める第４演算部Ｅ４とを備えている。
【００２０】
上記バッファ部Ｅ５は、補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの出力抵抗を小さくするためのインピーダンス変換回路である。
【００２１】
上記第２演算部Ｅ２は、ダイオードＤ４の順方向電圧降下に温度依存性があるためダイオードＤ４と温度結合された同一パッケージ内のダイオードＤ３を用いてダイオードＤ４の温度依存性を補償する回路である。
上記第７演算部Ｅ７は、ダイオードＤ２の順方向電圧降下に温度依存性があるためダイオードＤ２と温度結合された同一パッケージ内のダイオードＤ１を用いてダイオードＤ２の温度依存性を補償する回路である。
【００２２】
なお、上記第３演算部Ｅ３では、ダイオードであるため差分が０Ｖから電流が流れるわけではなく、入力側が電圧降下分（例えば、０．７Ｖ程度）高くないと電流が流れない。この電圧降下分（例えば、０．７Ｖ程度）は温度依存性があり、温度によって例えば０．６Ｖなどしきい値が異なってしまう。そのため、第２演算部Ｅ２で補正を行っている。
また、上記第８演算部Ｅ８では、ダイオードであるため差分が０Ｖから電流が流れるわけではなく、入力側が電圧降下分（例えば、０．７Ｖ程度）高くないと電流が流れない。この電圧降下分（例えば、０．７Ｖ程度）は温度依存性があり、温度によって例えば０．６Ｖなどしきい値が異なってしまう。そのため、第７演算部Ｅ７で補正を行っている。
【００２３】
第３演算部Ｅ３のダイオードＤ４および第８演算部Ｅ８のダイオードＤ２では、補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦに依存してＯＮ又はＯＦＦ状態となる。すなわち、ダイオードＤ４がＯＮの場合は、補償温度が低い領域（第１の温度ＴＲＥＦ１より低い温度領域）において補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦに依存した電圧値が判定用しきい値ＶＴＨＲとして出力され、ダイオードＤ２がＯＮの場合は、補償温度が高い領域（第２の温度ＴＲＥＦ２より高い温度領域）において補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦに依存した電圧値が判定用しきい値ＶＴＨＲとして出力され、ダイオードＤ４、Ｄ２がオフの場合（第１の温度ＴＲＥＦ１以上かつ第２の温度ＴＲＥＦ２以下の温度領域）は、抵抗Ｒ１９／抵抗Ｒ２０に依存した一定の電圧値が判定用しきい値ＶＴＨＲとして出力される。
【００２４】
上記第１演算部Ｅ１では、抵抗Ｒ１４／抵抗Ｒ１５により、第２演算部Ｅ２への補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの入力レベルが調整可能になっている。すなわち、しきい値設定回路部Ｃ２は、２つの抵抗Ｒ１４，Ｒ１５で構成される分圧回路によって補償用サーミスタＴＨ２の出力の第２演算部Ｅ２に対する入力レベルを調整可能である。
上記第６演算部Ｅ６では、抵抗Ｒ１２／抵抗Ｒ１１により、第７演算部Ｅ７への補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの入力レベルが調整可能になっている。すなわち、しきい値設定回路部Ｃ２は、２つの抵抗Ｒ１２，Ｒ１１で構成される分圧回路によって補償用サーミスタＴＨ２の出力の第７演算部Ｅ７に対する入力レベルを調整可能である。
【００２５】
上記異常温度判定回路部Ｃ３は、差動電圧ＶＤＩＦと判定用しきい値ＶＴＨＲとの大小に応じた加熱を制御する信号出力ＶＣＯＭを出力する機能を有している。
すなわち、この異常温度判定回路部Ｃ３では、ＶＤＩＦ−ＶＴＨＲについてその大小に応じた固定値である信号出力ＶＣＯＭを出力する比較演算部であり、ＶＤＩＦ−ＶＴＨＲ＞０の場合、加熱を指示する信号出力ＶＣＯＭ（例えば、３．３Ｖ）を出力し、ＶＤＩＦ−ＶＴＨＲ＜０の場合、加熱停止を指示する信号出力ＶＣＯＭ（例えば、−３．３Ｖ）を出力する。
【００２６】
本実施形態の異常温度検出回路１では、例えば図３に示すように、検知用サーミスタＴＨ１の検出温度ＴＤＥＴと補償用サーミスタＴＨ２の検出温度ＴＲＥＦとから算出される差動電圧ＶＤＩＦの補償温度−出力電圧特性（対象物（定着ローラ）温度ＴＢＢ（黒体温度）：２６０℃）に対して、「ＶＤＩＦ−ＶＴＨＲ＜０」のときに定着ローラの加熱をＯＦＦにするように設定する。
【００２７】
この際、本実施形態の場合、従来の回路では対応できていなかった補償温度４０℃から０℃までの温度範囲で、定着ローラの加熱をＯＦＦにすることができることがわかる。
なお、比較として、抵抗Ｒ４を設けないと共に、しきい値設定回路部Ｃ２のうち第６〜第８演算部Ｅ６〜Ｅ８を設けない回路における補償温度に対するしきい値電圧と差動電圧との関係を示すグラフを、図４に示す。この第６〜第８演算部Ｅ６〜Ｅ８を設けない比較の回路では、従来の回路では対応できていなかった補償温度４０℃から約１５℃までの温度範囲で、定着ローラの加熱をＯＦＦにすることができている。これに対して、本実施形態の場合、上記第６〜第８演算部Ｅ６〜Ｅ８を設けない比較の回路では対応できていなかった補償温度０℃から約１５℃までの温度範囲でも、定着ローラの加熱をＯＦＦにすることが可能である。
【００２８】
また、本実施形態では、第４演算部Ｅ４の抵抗Ｒ１９と抵抗Ｒ２０との定数を変えることで、しきい値レベルを調整することが可能である。
さらに、本実施形態では、第１演算部Ｅ１の抵抗Ｒ１４と抵抗Ｒ１５との定数を変えることで、第２演算部Ｅ２への補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの入力レベルが調整可能になっている。すなわち、抵抗値一定の抵抗Ｒ１５に対して抵抗Ｒ１４の抵抗値を変えると、抵抗Ｒ１４と抵抗Ｒ１５との抵抗比による分圧によってダイオードＤ３の両端電圧が変化し、ダイオードＤ３がＯＦＦとなる範囲が変化することで、補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの低温側の依存部分のしきい値電圧を変更可能である。すなわち、本実施形態の異常温度検出回路１では、上記依存部分から一定部分に切り替わる上記所定の第１の温度ＴＲＥＦ１となる補償温度を、約５０℃〜約７０℃の範囲に変更することができる。
【００２９】
これらの調整によって、例えば、対象物（定着ローラ）温度ＴＢＢ（黒体温度）が１５０℃〜３００℃までの差動電圧ＶＤＩＦの補償温度−出力電圧特性に対して、図５に示すように判定用しきい値ＶＴＨＲ−補償温度特性を設定することで、補償温度約０℃〜１３０℃の広い範囲において、対象物温度ＴＢＢが２４０℃では高温異常と判定せずに、２６０℃以上となった場合に高温異常と判定する高精度な判定を行うことができる。なお、図５は、補償温度ＴＲＥＦを変化させた場合の応答（検知用サーミスタ電圧ＶＤＥＴ−補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦ）から算出される差動電圧ＶＤＩＦ値を、対象物温度ＴＢＢを変えてプロットしたグラフであり、設定した判定しきい値ＶＴＨＲ  の曲線も破線で示している。
【００３０】
このように本実施形態の異常温度検出回路１では、検知用サーミスタＴＨ１が検知した温度が異常温度であると判定する判定用しきい値ＶＴＨＲを補償用サーミスタＴＨ２の出力に基づいて出力するしきい値設定回路部Ｃ２と、差動出力ＶＤＩＦが、出力された判定用しきい値ＶＴＨＲより低い場合に、異常温度検出の信号ＶＣＯＭを出力する異常温度判定回路部Ｃ３とを備えているので、判定用しきい値ＶＴＨＲの設定に補償温度出力ＶＲＥＦを用いることで、サーミスタの抵抗−温度特性の非線形性に対応して判定用しきい値ＶＴＨＲが変化し、従来よりも広い温度範囲で異常温度を高精度に検出することができる。
【００３１】
特に、しきい値設定回路部Ｃ２が、補償用サーミスタＴＨ２の出力で得られる補償温度が所定の第１の温度ＴＲＥＦ１より低い際に、補償用サーミスタＴＨ２の出力に伴って判定用しきい値ＶＴＨＲを変動させ、補償用サーミスタＴＨ２の出力で得られる補償温度が第１の温度ＴＲＥＦ１以上かつ第２の温度ＴＲＥＦ２以下の際に、判定用しきい値ＶＴＨＲを一定の固定値に設定し、さらに、補償温度が第２の温度ＴＲＥＦ２より高い際に、補償用サーミスタＴＨ２の出力に伴って判定用しきい値ＶＴＨＲを変動させるので、サーミスタの抵抗−温度特性の非線形性に合わせて判定用しきい値を低温の変動領域と中温の一定領域と高温の変動領域との３つの領域に分けて、簡易な回路構成により高精度な高温異常検出が可能になる。
【００３２】
さらに、しきい値設定回路部Ｃ２が、２つの抵抗Ｒ１４，Ｒ１５で構成される分圧回路によって補償用サーミスタＴＨ２の出力の入力レベルを調整可能であるので、２つの抵抗Ｒ１４，Ｒ１５の抵抗比に基づいて、補償用サーミスタ電圧ＶＲＥＦの依存部分のしきい値電圧ＶＴＨＲを簡易に変更可能である。
【００３３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態の異常温度判定回路部では、差動出力が、出力された判定用しきい値より低い場合に、高温異常を検出したとして異常温度検出信号を出力するが、差動出力が、出力された判定用しきい値より高い場合に、低温異常を検出したとして異常温度検出信号を出力するように設定しても構わない。
【符号の説明】
【００３４】
１…異常温度検出回路、Ｃ１…差動出力検出回路部、Ｃ２…しきい値設定回路部、Ｃ３…異常温度判定回路部、ＴＨ１…検知用サーミスタ、ＴＨ２…補償用サーミスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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