(57)【要約】【課題】本開示は、硬化処理の有無にかかわらず耐久性に優れたマークを付すことが可能なシートを提供する。【解決手段】本開示のシートは、基材層および基材層上に位置する粘着剤層を含むダイシングフィルムを含む。本開示のシートは、粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムをさらに含む。本開示のシートにおいて、半導体裏面保護フィルムにおけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量は４０Ｊ／ｇ以下である。【選択図】  図１
2018081953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層および前記基材層上に位置する粘着剤層を含むダイシングフィルムと、
前記粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムとを含み、
前記半導体裏面保護フィルムにおけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量が４０Ｊ／ｇ以下である、
シート。
【請求項２】
前記半導体裏面保護フィルムが第１層を含み、
前記第１層は硬化層である、請求項１に記載のシート。
【請求項３】
前記第１層におけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量が４０Ｊ／ｇ以下である、請求項２に記載のシート。
【請求項４】
前記半導体裏面保護フィルムが第２層をさらに含み、
前記第２層は熱硬化促進触媒を含まない、請求項２または３に記載のシート。
【請求項５】
前記第１層は、前記粘着剤層と前記第２層との間に位置する、請求項４に記載のシート。
【請求項６】
はく離ライナーと、
前記はく離ライナー上に位置する、請求項１〜５のいずれかに記載のシートと
を含む、テープ。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載のシートの前記半導体裏面保護フィルムに、改質領域を有する半導体ウエハを固定する工程と、
前記ダイシングフィルムを拡張することにより前記改質領域を起点に前記半導体ウエハを分断する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、シートと、テープと、半導体装置の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを半導体装置製造のために用いる場合、ダイシングフィルム上に位置する半導体裏面保護フィルムと半導体ウエハとをはりあわせ、半導体裏面保護フィルムを硬化し、硬化後半導体裏面保護フィルムにレーザーでマークを付し、半導体ウエハをダイシングし、硬化後半導体裏面保護フィルム付きチップをダイシングフィルムからはく離することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−９７１１号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５１３６０号公報
【特許文献３】特開２０１１−１５１３６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらの工程を踏む方法では、レーザーマーキングに先立って半導体裏面保護フィルムを硬化させるため、レーザーマークがリフローで崩れにくい。
【０００５】
しかしながら、このような方法では、半導体裏面保護フィルムの硬化処理によって、半導体裏面保護フィルムとダイシングフィルムとのはく離力が上昇する。はく離力の上昇は、硬化後半導体裏面保護フィルム付きチップのピックアップ不良をまねく。
【０００６】
本開示は、硬化処理の有無にかかわらず耐久性に優れたマークを付すことが可能なシートを提供することを目的とする。本開示は、テープおよび半導体装置の製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示のシートは、基材層および基材層上に位置する粘着剤層を含むダイシングフィルムを含む。本開示のシートは、粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムをさらに含む。本開示のシートにおいて、半導体裏面保護フィルムにおけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量は４０Ｊ／ｇ以下である。本開示では、半導体裏面保護フィルムの硬化がリフローで実質的にすすまず、リフローでマークが崩れることがないので、耐久性に優れたマークを半導体裏面保護フィルムに付すことができる。
【０００８】
本開示のシートにおいて、半導体裏面保護フィルムが第１層を含むことが好ましい。第１層は硬化された層（以下、「硬化層」という。）であることが好ましい。第１層におけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量は４０Ｊ／ｇ以下である。
【０００９】
本開示のシートにおいて、半導体裏面保護フィルムが第２層を含むことが好ましい。第２層は、熱硬化促進触媒を含まないことが好ましい。第２層と第１層とを半導体裏面保護フィルムが含む場合、第１層が、粘着剤層と第２層との間に位置することが好ましい。
【００１０】
本開示のテープは、はく離ライナーと、はく離ライナー上に位置するシートとを含む。
【００１１】
本開示における半導体装置の製造方法は、シートの半導体裏面保護フィルムに、改質領域を有する半導体ウエハを固定する工程と、ダイシングフィルムを拡張することにより改質領域を起点に半導体ウエハを分断する工程とを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１におけるテープの概略平面図である。
【図２】実施形態１におけるテープの一部の概略断面図である。
【図３】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略斜視図である。
【図４】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図５】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図６】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図７】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図８】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図９】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図１０】実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図１１】変形例１におけるシートの概略断面図である。
【図１２】実施例２における半導体裏面保護フィルムのＤＳＣチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に実施形態を掲げ、本開示を詳細に説明するが、本開示はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００１４】
実施形態１
図１に示すように、テープ１は、はく離ライナー１３と、はく離ライナー１３上に位置するシート７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、……、７１ｍ（以下、「シート７１」と総称する。）とを含む。テープ１はロール状をなすことができる。シート７１ａとシート７１ｂのあいだの距離、シート７１ｂとシート７１ｃのあいだの距離、……シート７１ｌとシート７１ｍのあいだの距離は一定である。
【００１５】
はく離ライナー１３はテープ状をなす。はく離ライナー１３は、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムである。
【００１６】
図２に示すように、シート７１はダイシングフィルム１２を含む。ダイシングフィルム１２は円盤状をなす。ダイシングフィルム１２は、基材層１２１と、基材層１２１上に位置する粘着剤層１２２とを含む。基材層１２１は円盤状をなす。基材層１２１の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。基材層１２１の第１主面は粘着剤層１２２と接している。基材１２１の厚みは、たとえば５０μｍ〜１５０μｍである。基材層１２１はポリプロピレン層を含むことができる。基材層１２１は、ポリプロピレン層とポリプロピレン層以外のプラスチック層とからなることが可能である。いっぽう、基材層１２１は、ポリプロピレン単層からなることもできる。基材層１２１は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、「ＥＶＡ」という）層を含むことができる。基材層１２１は、ＥＶＡ層とＥＶＡ層以外のプラスチック層とからなることが可能である。基材層１２１は、ＥＶＡ単層からなることもできる。基材層１２１は、エネルギー線を透過する性質を有することが好ましい。粘着剤層１２２は円盤状をなす。粘着剤層１２２の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。粘着剤層１２２の第１主面は半導体裏面保護フィルム１１の第１層１１１と接している。粘着剤層１２２の第２主面は基材層１２１と接している。粘着剤層１２２の厚みは好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。粘着剤層１２２の厚みは好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。粘着剤層１２２を構成する粘着剤は、たとえばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤である。なかでもアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤は、たとえば（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体または共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤であることができる。
【００１７】
粘着剤層１２２は第１部分１２２Ａを含むことができる。第１部分は円盤状をなすことができる。第１部分１２２Ａは半導体裏面保護フィルム１１と接している。第１部分１２２Ａは、第２部分１２２Ｂより硬い。第１部分１２２Ａは、エネルギー線により硬化されていることができる。粘着剤層１２２は、第１部分１２２Ａを囲む第２部分１２２Ｂをさらに含むことができる。第２部分１２２Ｂはドーナツ板状をなすことができる。第２部分１２２Ｂは、エネルギー線により硬化する性質を有することができる。エネルギー線として紫外線などを挙げることができる。第２部分１２２Ｂは、ドーナツ板状の第１領域と、第１領域を囲むドーナツ板状の第２領域とからなることができる。第２部分１２２Ｂの第１領域は、半導体裏面保護フィルム１１と接する。いっぽう、第２部分１２２Ｂの第２領域は、半導体裏面保護フィルム１１と接していない。
【００１８】
シート７１は半導体裏面保護フィルム１１を含む。半導体裏面保護フィルム１１は円盤状をなす。半導体裏面保護フィルム１１の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。半導体裏面保護フィルム１１の第１主面は、はく離ライナー１３と接している。半導体裏面保護フィルム１１の第２主面は粘着剤層１２２と接している。
【００１９】
半導体裏面保護フィルム１１の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、さらに好ましくは６μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上である。半導体裏面保護フィルム１１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは８０μｍ以下である。
【００２０】
半導体裏面保護フィルム１１におけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量が４０Ｊ／ｇ以下であることが好ましい。発熱量が４０Ｊ／ｇ以下であるので、半導体裏面保護フィルム１１の硬化がリフローで実質的にすすまず、リフローでマークが崩れることがない。ＤＳＣ測定は、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分でおこなうことができる。発熱量は、実施例の記載にしたがって求める。５０℃〜３００℃に複数の発熱ピークが出現する場合は、これらの発熱ピークの合計発熱量が「発熱量」である。
【００２１】
半導体裏面保護フィルム１１は、第１層１１１と第２層１１２とを含む。第１層１１１は、粘着剤層１２２と第２層１１２との間に位置する。第２層１１２は、はく離ライナー１３と第１層１１１との間に位置する。
【００２２】
第１層１１１を、半導体裏面保護フィルム１１は含む。第１層１１１は円盤状をなす。第１層１１１の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。第１層１１１の第１主面は、第２層１１２と接している。第１層１１１の第２主面は粘着剤層１２２と接している。第１層１１１の厚みは、たとえば１μｍ〜５０μｍである。
【００２３】
第１層１１１は、硬化層であることが好ましい。第１層１１１は、成膜時の加熱で硬化させることができる。第１層１１１は、レーザーでマークを付すための層であることができる。
【００２４】
第１層１１１におけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量が４０Ｊ／ｇ以下である。発熱量は、熱硬化促進触媒の種類・熱硬化促進触媒の添加量・成膜時の加熱条件などで調整できる。
【００２５】
第１層１１１は有色であることが好ましい。有色であると、ダイシングフィルム１２と半導体裏面保護フィルム１１とを簡単に区別できることがある。第１層１１１は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。レーザーマークを視認しやすいからである。
【００２６】
濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。
【００２７】
また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、たとえば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０またはほぼ０）であることが好適である。
【００２８】
なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。
【００２９】
第１層１１１は樹脂成分を含むことができる。第１層１１１における樹脂成分の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。第１層１１１における樹脂成分の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。
【００３０】
樹脂成分は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを硬化前に含むことができる。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量上限は、たとえば７０重量％、好ましくは５０重量％、より好ましくは４０重量％である。熱硬化性樹脂の含有量は、樹脂成分１００重量％において、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。熱硬化性樹脂の含有量上限は、樹脂成分１００重量％において、たとえば９０重量％、好ましくは８０重量％、より好ましくは７０重量％である。
【００３１】
熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂が好適である。
【００３２】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【００３３】
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。
【００３４】
第１層１１１は、２５℃で液状のエポキシ樹脂と、２５℃で固体状のエポキシ樹脂とを硬化前に含むことができる。この場合、作業性に優れる。液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比の値は、たとえば０．４以上、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上である。ここで、液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比は、液状エポキシ樹脂含有量の固体状エポキシ樹脂含有量に対する重量比である。
【００３５】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。
【００３６】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。
【００３７】
第１層１１１は熱硬化促進触媒を硬化前に含むことができる。たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などである。熱硬化促進触媒の含有量は、樹脂成分１００重量部に対してたとえば１〜１００重量部である。
【００３８】
第１層１１１は充填剤を含むことができる。無機充填剤が好適である。無機充填剤は、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などである。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカが好ましく、溶融シリカが特に好ましい。無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
【００３９】
第１層１１１における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。第１層１１１における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。
【００４０】
第１層１１１は、好ましくは着色剤を含む。着色剤は、たとえば、染料、顔料である。なかでも染料が好ましく、黒色染料がより好ましい。第１層１１１における着色剤の含有量は、硬化前において、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。第１層１１１における着色剤の含有量は、硬化前において、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。
【００４１】
第１層１１１は、ほかの添加剤を適宜含むことができる。ほかの添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００４２】
第２層１１２を、半導体裏面保護フィルム１１は含む。第２層１１２は円盤状をなす。第２層１１２の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。第２層１１２の第１主面は、はく離ライナー１３と接している。第２層１１２の第２主面は第１層１１１と接している。第２層１１２の厚みは、たとえば１μｍ〜５０μｍである。
【００４３】
第２層１１２は、熱硬化性を有することができる。第２層１１２は、未硬化の層であることができる。
【００４４】
第２層１１２におけるＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線で５０℃〜３００℃に出現する発熱ピークの発熱量が４０Ｊ／ｇ以下である。
【００４５】
第２層１１２は有色であることができる。有色であると、ダイシングフィルム１２と半導体裏面保護フィルム１１とを簡単に区別できることがある。第２層１１２は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。レーザーマークを視認しやすいからである。Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*の好適範囲は、第１層１１１におけるＬ*の好適範囲と同じである。
【００４６】
第２層１１２は樹脂成分を含むことができる。第２層１１２における樹脂成分の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。第２層１１２における樹脂成分の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。
【００４７】
樹脂成分は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含むことができる。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量上限は、たとえば７０重量％、好ましくは５０重量％、より好ましくは４０重量％である。熱硬化性樹脂の含有量は、樹脂成分１００重量％において、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。熱硬化性樹脂の含有量上限は、樹脂成分１００重量％において、たとえば９０重量％、好ましくは８０重量％、より好ましくは７０重量％である。
【００４８】
熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂が好適である。
【００４９】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【００５０】
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。
【００５１】
第２層１１２は、２５℃で液状のエポキシ樹脂と、２５℃で固体状のエポキシ樹脂とを含むことができる。この場合、作業性に優れる。液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比の値は、たとえば０．４以上、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上である。ここで、液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比は、液状エポキシ樹脂含有量の固体状エポキシ樹脂含有量に対する重量比である。
【００５２】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。
【００５３】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。
【００５４】
第２層１１２は、熱硬化促進触媒を含まないことが好ましい。熱硬化促進触媒は、たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などである。
【００５５】
第２層１１２は、充填剤を含むことができる。無機充填剤が好適である。無機充填剤は、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などである。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカが好ましく、溶融シリカが特に好ましい。無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
【００５６】
第２層１１２における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。第２層１１２における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。
【００５７】
第２層１１２は、着色剤を含むことができる。着色剤は、たとえば、染料、顔料である。なかでも染料が好ましく、黒色染料がより好ましい。第２層１１２における着色剤の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。第２層１１２における着色剤の含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。
【００５８】
第２層１１２は、ほかの添加剤を適宜含むことができる。ほかの添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００５９】
シート７１は、半導体装置を製造するために使用できる。ここからは、半導体装置の製造を説明する。
【００６０】
図３に示すように、照射前半導体ウエハ４Ｐの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ライン４Ｌに沿ってレーザー光１００を照射し、照射前半導体ウエハ４Ｐに改質領域４１を形成し、半導体ウエハ４を得る。照射前半導体ウエハ４Ｐとしては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどを挙げることができる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどを挙げることができる。
【００６１】
レーザー光１００の照射条件は、たとえば、以下の条件の範囲内で適宜調整できる。
（Ａ）レーザー光１００
レーザー光源              半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                      １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積  ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態                  Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数            １００ｋＨｚ以下
パルス幅                  １μｓ以下
出力                      １ｍＪ以下
レーザー光品質            ＴＥＭ００
偏光特性                  直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率                                １００倍以下
ＮＡ                                ０．５５
レーザー光波長に対する透過率        １００％以下
（Ｃ）照射前半導体ウエハ４Ｐが載置される裁置台の移動速度  ２８０ｍｍ／秒以下
【００６２】
図４に示すように、半導体ウエハ４は改質領域４１を含む。改質領域４１は、そのほかの領域とくらべて脆い。半導体ウエハ４は、半導体チップ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、……、４Ｆをさらに含む。
【００６３】
図５に示すように、テープ１からはく離ライナー１３を除き、加熱テーブルで温められた半導体ウエハ４をロールで、シート７１の半導体裏面保護フィルム１１に固定する。半導体ウエハ４の固定は、たとえば４０℃以上、好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは５５℃以上でおこなう。半導体ウエハ４を固定は、たとえば１００℃以下、好ましくは９０℃以下でおこなう。半導体ウエハ４の固定圧力は、たとえば１×１０５Ｐａ〜１×１０７Ｐａである。ロール速度は、たとえば１０ｍｍ／ｓｅｃである。
【００６４】
半導体ウエハ４付きのシート７１を加熱することにより半導体裏面保護フィルム１１の第２層１１２を半導体ウエハ４に密着させる。加熱は、たとえば４０℃以上、好ましくは６０℃以上でおこなう。加熱温度の上限はたとえば２００℃である。加熱は、たとえば１０秒以上おこなう。加熱時間の上限はたとえば１０分である。
【００６５】
半導体裏面保護フィルム１１の第１層１１１にダイシングフィルム１２越しにレーザーを照射し、第１層１１１にマークを付す。レーザーは、気体レーザー、固体レーザー、液体レーザーなどを使用することができる。気体レーザーは、たとえば炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）などである。固体レーザーは、たとえばＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーである。
【００６６】
図６に示すように、突き上げ手段３３でダイシングフィルム１２を押し上げ、ダイシングフィルム１２を拡張する。拡張の温度は、好ましくは１０℃以下、より好ましくは０℃以下である。温度の下限はたとえば−２０℃である。
【００６７】
ダイシングフィルム１２の拡張により、改質領域４１を起点に半導体ウエハ４が分断されるとともに、半導体裏面保護フィルム１１も分断される。この結果、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａがダイシングフィルム１２上に形成される。
【００６８】
図７に示すように、突き上げ手段３３を下降させる。この結果、ダイシングフィルム１２にたるみが生じる。たるみは、ダイシングフィルム１２のウエハ固定領域とダイシングリング固定領域との間に生じる。
【００６９】
図８に示すように、ダイシングフィルム１２を吸着テーブル３２で押し上げ拡張し、拡張を維持しながら吸着テーブル３２にダイシングフィルム１２を吸引固定する。
【００７０】
図９に示すように、吸着テーブル３２にダイシングフィルム１２を吸引固定したまま、吸着テーブル３２を下降させる。
【００７１】
吸着テーブル３２にダイシングフィルム１２を吸引固定したまま、ダイシングフィルム１２のたるみに熱風を当て、たるみを取り除く。熱風の温度は、好ましくは１７０℃以上、より好ましくは１８０℃以上である。熱風温度の上限は、たとえば２４０℃、好ましくは２２０℃である。
【００７２】
粘着剤層１２２に紫外線を照射し、粘着剤層１２２を硬化させる。
【００７３】
分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをダイシングフィルム１２から剥離する。
【００７４】
図１０に示すように、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）で被着体６に固定する。具体的には、半導体チップ４Ａの回路面が被着体６と対向する形態で、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを被着体６に固定する。たとえば、半導体チップ４Ａのバンプ５１を被着体６の導電材（半田など）６１に接触させ、押圧しながら導電材６１を溶融させる。半導体チップ４Ａと被着体６との間には空隙がある。空隙の高さは一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。固定後は、空隙などの洗浄をおこなうことができる。
【００７５】
被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）などの基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、たとえば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板などが挙げられる。
【００７６】
バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、たとえば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材などの半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。なお、導電材６１の溶融時の温度は、通常２６０℃程度である。
【００７７】
半導体チップ４Ａと被着体６との間の空隙を封止樹脂で封止する。通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより封止樹脂を硬化させる。
【００７８】
封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されない。封止樹脂としては、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物などが挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができる。封止樹脂の形状は、フィルム状、タブレット状などである。
【００７９】
以上の方法により得られた半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、被着体６と、被着体６に固定された、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａとを含む。
【００８０】
フリップチップ実装方式で実装された半導体装置は、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄く、小さい。このため、各種の電子機器・電子部品またはそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、フリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」、「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（たとえば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」およびコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（たとえば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤーなど）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品または、電子機器・電子部品の材料・部材としては、たとえば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。
【００８１】
変形例１
図１１に示すように、半導体裏面保護フィルム１１は単層である。半導体裏面保護フィルム１１の好適な構成成分は第２層１１２のそれと同じである。半導体裏面保護フィルム１１における構成成分の好適な含有量は第２層１１２における構成成分のそれと同じである。
【００８２】
変形例２
粘着剤層１２２の第１部分１２２Ａは、エネルギー線により硬化する性質を有する。粘着剤層１２２の第２部分１２２Ｂもエネルギー線により硬化する性質を有する。変形例２では、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを形成する工程の後に、粘着剤層１２２にエネルギー線を照射し分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをピックアップする。エネルギー線を照射するため、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａのピックアップが容易である。
【００８３】
変形例３
粘着剤層１２２の第１部分１２２Ａはエネルギー線により硬化されている。粘着剤層１２２の第２部分１２２Ｂもエネルギー線により硬化されている。
【００８４】
変形例４
粘着剤層１２２の第１主面全体が半導体裏面保護フィルム１１と接している。
【００８５】
（そのほか）
変形例１〜変形例４などは、任意に組み合わせることができる。
【００８６】
以上のとおり、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、シート７１の半導体裏面保護フィルム１１に、改質領域４１を有する半導体ウエハ４を固定する工程と、半導体ウエハ４付きのシート７１を加熱する工程と、ダイシングフィルム１２を拡張することにより改質領域４１を起点に半導体ウエハ４を分断する工程とを含む。実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４を分断する工程で形成された、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをダイシングフィルム１２から剥離する工程をさらに含む。実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、シート７１の半導体裏面保護フィルム１１に半導体ウエハ４を固定する工程と、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをダイシングフィルム１２から剥離する工程との間に、半導体裏面保護フィルム１１を硬化する工程を含まない。
【実施例】
【００８７】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００８８】
原料・薬品を次に示す。
アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製 ＳＧ−Ｐ３)
エポキシ樹脂１（日本化薬社製 ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）
エポキシ樹脂２（東都化成社製 ＫＩ−３０００−４）
エポキシ樹脂３（三菱化学社製 ｊＥＲ ＹＬ９８０）
フェノール樹脂（明和化成社製 ＭＥＨ７８５１−ＳＳ）
フィラー（アドマテックス社製 ＳＯ−２５Ｒ  平均粒径０．５μｍの球状シリカ）
染料(オリエント化学工業社製 ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ)
触媒（四国化成社製 キュアゾール２ＰＺ）
【００８９】
実施例１における半導体裏面保護フィルムの作製
表１にしたがって樹脂組成物の溶液を調製し、樹脂組成物の溶液をはく離ライナー（三菱樹脂社 ダイヤホイルＭＲＡ５０ （シリコーン離型処理した厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム））に塗布し、乾燥し、半導体裏面保護フィルムを得た。具体的には、アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製 ＳＧ−Ｐ３)の固形分―溶剤を除く固形分―１００重量部に対して、エポキシ樹脂３（三菱化学社製 ｊＥＲ ＹＬ９８０）２０重量部と、エポキシ樹脂（東都化成社製 ＫＩ−３０００−４）５０重量部と、フェノール樹脂（明和化成社製 ＭＥＨ７８５１−ＳＳ）７５重量部と、球状シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ−２５Ｒ  平均粒径０．５μｍ）１７５重量部と、染料(オリエント化学工業社製 ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ)１５重量部と、触媒（四国化成社製 ２ＰＺ）７重量部とをメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度２３．６重量％の樹脂組成物の溶液を調製した。樹脂組成物の溶液をはく離ライナー（三菱樹脂社 ダイヤホイルＭＲＡ５０）に塗布した。１３０℃で２分間乾燥させ、半導体裏面保護フィルムを得た。
【００９０】
実施例２〜４・比較例２における半導体裏面保護フィルムの作製
レーザーマーク層とウエハマウント層とを作製し、これらを、１００℃、０．６ＭＰａでラミネータで積層し、半導体裏面保護フィルムを得た。レーザーマーク層は、固形分濃度２３．６重量％の樹脂組成物の溶液を表１にしたがって調製し、樹脂組成物の溶液をはく離ライナー（三菱樹脂社 ダイヤホイルＭＲＡ５０）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥することにより作製した。ウエハマウント層は、レーザーマーク層と同じ手順で作製した。
【００９１】
比較例１における半導体裏面保護フィルムの作製
固形分濃度２３．６重量％の樹脂組成物の溶液を表１にしたがって調製し、樹脂組成物の溶液をはく離ライナー（三菱樹脂社 ダイヤホイルＭＲＡ５０）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させ、半導体裏面保護フィルムを得た。
【００９２】
ダイシングフィルムの作製
冷却管、窒素導入管、温度計、および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）１００重量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）１９重量部、過酸化ベンゾイル０．４重量部およびトルエン８０重量部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。アクリル系ポリマーＡに、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」という。）１２重量部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。次に、アクリル系ポリマーＡ’１００重量部（溶剤を除いた固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）２重量部および光重合開始剤（イルガキュア３６９、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）を２重量部加え、固形分濃度２８％になるようにトルエンを加え、粘着剤溶液を得た。粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、粘着剤層の露出面に、厚さ４０μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングフィルムを得た。
【００９３】
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの作製
半導体裏面保護フィルムを、ダイシングフィルムの粘着剤層にハンドローラーで積層し、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを得た。
【００９４】
実施例１・比較例１におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造
実施例１・比較例１におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造は、図１１に示すそれと同じである。実施例１・比較例１のダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムは、ダイシングフィルムと、ダイシングフィルムの粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムとからなる。ダイシングフィルムは、ポリプロピレンフィルムと粘着剤層とからなる。
【００９５】
実施例２〜４・比較例２におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造
実施例２〜４・比較例２におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造は、図２に示すそれと同じである。実施例２〜４・比較例２のダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムは、ダイシングフィルムと、ダイシングフィルムの粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムとからなる。ダイシングフィルムは、ポリプロピレンフィルムと粘着剤層とからなる。半導体裏面保護フィルムは、レーザーマーク層とウエハマウント層とからなる。レーザーマーク層は、図２の第１層１１１に相当する。ウエハマウント層は、図２の第２層１１２に相当する。
【００９６】
半導体裏面保護フィルムにおける発熱量の測定
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルムをはく離し、半導体裏面保護フィルムから試料を切り出した。実施例２〜４・比較例２においては、切り出し前後で、レーザーマーク層のウエハマウント層に対する重量比が変化しないように、試料を切り出した。示差走査熱量計 ＤＳＣ Ｑ２０００（ＴＡインスツルメンツ社製）にて、窒素雰囲気下、温度範囲 −２０℃〜３００℃、昇温速度 １０℃／分でＤＳＣ測定した。ＤＳＣチャートにおいて５０℃〜３００℃の範囲に出現する発熱ピークにベースラインをひき、発熱量（Ｊ／ｇ）を算出した（図１２参照）。
【００９７】
シリコンウエハ剥離力の測定
半導体裏面保護フィルムから１５０ｍｍ長１０ｍｍ幅の試験片を切り出し、試験片における一方の面に粘着テープ（日東電工社製のＢＴ）をハンドローラーではりあわせ、試験片における他方の面に、７０℃に加熱されたシリコンミラーウエハを２ｋｇローラーではりあわせた。試験片を、粘着テープとともにシリコンウエハから１８０°ピールで剥離したときの剥離荷重（Ｎ/１０ｍｍ）をオートグラフ（島津製作所社製）で測定した。測定値のうち開始端２５ｍｍ分と終端２５ｍｍ分とを除いた１００ｍｍ分の測定値を採用し、剥離荷重の平均値を求めた。
【００９８】
ダイシングフィルム剥離力の測定
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムから１００ｍｍ長２０ｍｍ幅の試験片を切り出した。この試験片は、ダイシングフィルムとダイシングフィルム上に位置する半導体裏面保護フィルムとからなる。試験片の半導体裏面保護フィルムに粘着テープ（日東電工社製のＢＴ）をハンドローラーではりあわせ、３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を、ダイシングフィルムのポリプロピレンフィルム越しで粘着剤層に照射した。半導体裏面保護フィルムをダイシングフィルムからはく離するための剥離荷重を、オートグラフ（島津製作所製）を用いた引張試験で求めた。測定値のうち開始端２０ｍｍ分と終端２０ｍｍ分とを除いた６０ｍｍ分の測定値を採用し、剥離荷重の平均値を求めた。
【００９９】
マウント性評価
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルム上に設けられた剥離ライナーをはく離し、半導体裏面保護フィルムにシリコンウエハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍのシリコンベアミラーウエハ）を７０℃でロール圧着ではりあわせた。シリコンウエハはく離力を測定し、はく離力が５Ｎ／１０ｍｍ以上である場合は○、はく離力が３Ｎ／１０ｍｍ以上５Ｎ／１０ｍｍ未満である場合は△、はく離力が３Ｎ／１０ｍｍ未満である場合は×と判定した。
【０１００】
耐リフロー印字性評価
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルム（実施例２〜４・比較例２ではウエハマウント層）にシリコンウエハを７０℃でロール圧着ではりあわせた。半導体裏面保護フィルム（実施例２〜４・比較例２ではレーザーマーク層）に、ＭＤ−Ｓ９９１０（ＫＥＹＥＮＣＥ社製）にて、レーザーパワー０．２３Ｗ、マーキングスピード３００ｍｍ／ｓ、周波数１０ｋＨｚの条件で印字レーザーをダイシングフィルム越しで照射した。ダイシングフィルムのポリプロピレンフィルム越しで３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を粘着剤層に照射し、ダイシングフィルムをはく離した。リフロー装置（タムラ社製ＴＡＰ３０−４０７ＰＭ）にて、ＰＩＣ/ＪＥＤＥＣ−Ｊ−ＳＴＤ−０２０に対応したピーク温度２６０℃条件でリフローを３回おこない、リフロー前後の印字外観を光学顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ社製 ＶＨＸ−５６００）にて観察した。印字外観がリフローで著しく変化し不明瞭になった場合を×、印字外観がリフローで変化し視認性が悪化している場合を△、リフロー前後で印字外観を維持している場合を○とした。
【０１０１】
【表１】
2018081953.tif 000003
【０１０２】
半導体裏面保護フィルムの発熱量が４０Ｊ／ｇ以下であると、リフローで印字が崩れることがなかった（実施例１〜４参照）。いっぽう、半導体裏面保護フィルムの発熱量が６０Ｊ／ｇであると、リフローで印字が崩れた（比較例２参照）。
【０１０３】
半導体裏面保護フィルムを、レーザーマーク層とウエハマウント層とで構成することで、印字リフロー耐性とマウント性とを両立できた（実施例２〜３参照）。
【図１】
2018081953.tif 000004
【図２】
2018081953.tif 000005
【図３】
2018081953.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2018081953.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2018081953.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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