(57)【要約】【課題】表示装置の折り曲げ時に、配線や層間絶縁層にクラックが生じにくく、信頼性の高い表示装置を提供する【解決手段】複数の画素が配列された表示領域を有し、可撓性を有する基板と、前記複数の画素を駆動するための信号を送信する複数の引き回し配線とを備え、前記基板の前記複数の画素が配列された面、または前記基板の前記複数の画素が配列された側とは反対の面の一部には屈曲領域が設けられ、前記屈曲領域は、前記基板の厚さが異なる領域を交互に配置した領域を含む凹凸パターンを有し、前記複数の引き回し配線は、前記屈曲領域において、前記凹凸パターンの凸部であって、凸形状の頂上部または底辺部に配置されることを特徴とする表示装置である。【選択図】図５
2018054675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列された表示領域を有し、可撓性を有する基板と、
前記複数の画素を駆動するための信号を送信する複数の引き回し配線とを備え、
前記基板の前記複数の画素が配列された面、または前記基板の前記複数の画素が配列された側とは反対の面の一部には屈曲領域が設けられ、
前記屈曲領域は、前記基板の厚さが異なる領域を交互に配置した領域を含む凹凸パターンを有し、
前記複数の引き回し配線は、前記屈曲領域において、前記凹凸パターンの凸部であって、凸形状の頂上部または底辺部に配置されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の引き回し配線と前記凹凸パターンの凸部の凸形状の頂上部との間、または前記複数の引き回し配線と前記凹凸パターンの凸部の凸形状の底辺部との間に配置された絶縁層を更に備えた請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の引き回し配線の各々は、前記屈曲領域において平面視で屈曲又は蛇行して配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記凹凸パターンの凸部は、テーパー形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
可撓性を有し、第１面に複数の画素が配列される表示領域、及び屈曲領域が配置される基板の前記第１面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、前記複数の画素を駆動するための信号を送信する複数の引き回し配線を形成し、
前記屈曲領域において、前記第１面側から、前記複数の引き回し配線間をエッチングして、前記基板に凹凸パターンを形成することを含む表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の引き回し配線を形成する前に、前記屈曲領域の前記絶縁層を除去することを更に含む請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の引き回し配線の各々は、前記屈曲領域において屈曲又は蛇行して配置されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記凹凸パターンの凸部は、テーパー形状を有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。特に、表示装置の配線の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００４】
近年、折り曲げ可能なフレキシブル表示装置が盛んに開発されている。フレキシブル表示装置の支持基板は、折り曲げた箇所に応力が集中し、クラックが生じ易いという問題がある。
【０００５】
例えば特許文献１には、銅張りポリイミド基材に、セミアデティブ法またはサブトラクティブ法で両面または片面に金属配線回路パターンを形成した後、当該金属配線回路パターン部を耐熱性絶縁樹脂で被覆補強し、さらに、金属配線回路が形成されていないポリイミド基材部分をケミカルエッチングで薄膜化して同一基板内で膜厚みが異なるポリイミド絶縁層を形成することを特徴とするポリイミドフィルム回路基板およびその製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１７７０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載された発明は、フレキシブルプリント基板に各種部品を実装する工程の改善に係るものである。特許文献１によれば、基材の薄膜化を必要な部分のみに施し、薄い基材であっても高い寸法安定性を確保できるとともに接合電子デバイス等との高い適合性を確保できる。特許文献１に記載された発明は、一方で、折り曲げ可能なフレキシブル表示装置を想定していない。
【０００８】
本発明は、可撓性に優れ、折り曲げ時に支持基板にクラックが生じにくく、信頼性の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、複数の画素が配列された表示領域を有し、可撓性を有する基板と、前記複数の画素を駆動するための信号を送信する複数の引き回し配線とを備え、前記基板の前記複数の画素が配列された面、または前記基板の前記複数の画素が配列された側とは反対の面の一部には屈曲領域が設けられ、前記屈曲領域は、前記基板の厚さが異なる領域を交互に配置した領域を含む凹凸パターンを有し、前記複数の引き回し配線は、前記屈曲領域において、前記凹凸パターンの凸部であって、凸形状の頂上部または底辺部に配置されることを特徴とする表示装置である。
【００１０】
本発明の一態様は、可撓性を有し、第１面に複数の画素が配列される表示領域、及び屈曲領域が配置される基板の前記第１面に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に、前記複数の画素を駆動するための信号を送信する複数の引き回し配線を形成し、前記屈曲領域において、前記第１面側から、前記複数の配線間をエッチングして、前記基板に凹凸パターンを形成することを含む表示装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する折り曲げ状態の側面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する回路図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素回路の構成を説明する回路図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の平面構成を説明する平面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の平面構成を説明する平面図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の平面構成を説明する平面図である。
【図６Ｄ】本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の平面構成を説明する平面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｆ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｇ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｈ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｉ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｊ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれ  ている場合も含む。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置１００の概略構成、回路構成、詳細な構成及び製造方法について説明する。
【００１５】
［概略構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、第２基板１０４と、複数の画素１０８と、複数の引き回し配線１０６と、複数の接続端子１１６とを有している。
【００１６】
第１基板１０２は、可撓性を有している。第１基板１０２の一表面には、後述する表示領域１０２ａ、屈曲領域１０２ｂ及び端子領域１０２ｃが設けられている。可撓性を有する基板としては、樹脂材料が用いられる。樹脂材料としては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例えば、ポリイミドが用いられる。具体的には、第１基板１０２として、ポリイミドをシート状に成形したフィルム基板が用いられる。
【００１７】
複数の画素１０８は、第１基板１０２上に配列されている。複数の画素１０８が配列される領域が表示領域１０２ａである。複数の画素１０８の各々は、詳細は後述するが、少なくとも選択トランジスタ、駆動トランジスタ、発光素子及び保持容量を有する画素回路から構成される。
【００１８】
複数の引き回し配線１０６の各々は、第１基板１０２上に設けられている。複数の引き回し配線１０６の各々は、複数の接続端子１１６の各々に接続され、複数の画素１０８を駆動するための信号を送信する。
【００１９】
第２基板１０４は、可撓性を有している。可撓性を有する基板としては、第１基板１０２と同様の基板を用いることができる。第２基板１０４は、表示領域１０２ａの上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は表示領域１０２ａを囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に配置された表示領域１０２ａは、第２基板１０４とシール材１１０とによって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により複数の画素１０８の各々に設けられる発光素子の劣化を抑制している。なお、前記第１基板１０２と前記第２基板の固定手段については前記シール材１１０を用いる方法でなくてもよい。例えば前記シール材１１０と異なる材料の粘着材を含む材料を前記第１基板１０２と前記第２基板の間の全面や少なくとも一部に設けてもよいし、他の手段でもよい。
【００２０】
複数の接続端子１１６は、第１基板１０２の一端部、且つ第２基板１０４の外側に配置されている。複数の接続端子１１６が設けられる領域が端子領域１０２ｃである。複数の接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板１５２（図２に図示）が配置される。配線基板１５２と接続する複数の接続端子１１６との接点は、外部に露出している。
【００２１】
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する折り曲げ状態の側面図である。図１に示したように、本実施形態に係る表示装置１００は、表示領域１０２ａ及び端子領域１０２ｃの間に、屈曲領域１０２ｂを有している。屈曲領域１０２ｂを折り曲げることによって、図２に示したように、端子領域１０２ｃと表示領域１０２ａとが重畳するように表示装置１００を折り曲げることができる。
【００２２】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成について説明した。次いで、本実施形態に係る表示装置１００の回路構成及び複数の画素１０８の各々が有する画素回路１３０の回路構成について説明する。
【００２３】
［回路構成］
図３は、本実施形態に係る表示装置１００の回路構成の一例を説明する平面図である。表示装置１００は、複数の接続端子１１６から表示装置１００を駆動する信号が走査信号線駆動回路１１８及び映像信号線駆動回路１２０に入力される。走査信号線駆動回路１１８は複数の走査信号線１２２に信号を出力し、映像信号線駆動回路１２０は複数の映像信号線１２４に信号を出力する。複数の走査信号線１２２及び複数の映像信号線１２４は、複数の画素１０８にこれらの信号を送信する。
【００２４】
複数の画素１０８は、行方向及び列方向に配列されている。画素１０８の配列数は任意である。例えば、行方向にｍ個、列方向にｎ個の画素１０８が配列される（ｍ及びｎは整数）。表示領域１０２ａにおいて、複数の走査信号線１２２は行方向に延びて列方向に整列され、複数の映像信号線１２４は列方向に延びて行方向に整列される。なお画素配列は本例のようなマトリクス配列に限らず、ペンタイル配列やデルタ配列であっても良い。
【００２５】
図４は、本実施形態に係る表示装置１００が含む画素回路１３０の構成を説明する回路図である。尚、以下で説明する画素回路１３０の回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。
【００２６】
複数の画素回路１３０の各々は、少なくとも駆動トランジスタ１３２、選択トランジスタ１３４、発光素子１３６及び保持容量１３８を含む。
【００２７】
駆動トランジスタ１３２は、発光素子１３６に接続され、発光素子１３６の発光輝度を制御するトランジスタである。駆動トランジスタ１３２は、ゲート−ソース間電圧によってドレイン電流が制御される。駆動トランジスタ１３２は、ゲートが選択トランジスタ１３４のドレインに接続され、ソースが駆動電源線１２８に接続され、ドレインが発光素子１３６の陽極に接続されている。
【００２８】
選択トランジスタ１３４は、オンオフ動作により、映像信号線１２４と駆動トランジスタ１３２のゲートとの導通状態を制御するトランジスタである。選択トランジスタ１３４は、ゲートが走査信号線１２２に接続され、ソースが映像信号線１２４に接続され、ドレインが駆動トランジスタ１３２のゲートに接続されている。
【００２９】
発光素子１３６は駆動トランジスタ１３２のソース−ドレイン間を流れる電流に応じた輝度の光を発する自発光素子である。発光素子１３６は、陽極が駆動トランジスタ１３２のドレインに接続され、陰極が基準電位線１２６に接続されている。
【００３０】
保持容量１３８は、駆動トランジスタ１３２のゲート−ドレイン間に接続される。保持容量１３８は、駆動トランジスタ１３２のゲート−ドレイン間電圧を保持する。
【００３１】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の回路構成及び複数の画素１０８の各々が有する画素回路１３０の回路構成について説明した。次いで、本実施形態に係る表示装置１００の詳細な構成について説明する。
【００３２】
［断面構成］
図５は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図である。この図においては、図１に示したＡ−Ａ´に沿った断面を示している。
【００３３】
本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の引き回し配線１０６と、第１絶縁層１４０とを備えている。
【００３４】
第１基板１０２は、可撓性を有している。第１基板１０２には、表示領域１０２ａ、及び屈曲領域１０２ｂが配置されている。第１基板１０２に用いることができる材料の例は、外観の構成の説明の際に説明した。
【００３５】
第１基板１０２の表示領域１０２ａは、複数の画素１０８が配列された領域である。複数の画素１０８の各々は、少なくとも、駆動トランジスタ１３２、選択トランジスタ１３４、発光素子１３６及び保持容量１３８（図５には示されていない。）を含んでいる。本実施例では駆動トランジスタ１３２と選択トランジスタ１３４をそれぞれ異なる構成として説明するが、駆動トランジスタ１３２と選択トランジスタ１３４に同じ構成のトランジスタを配置してもよい。また、画素中央部からみて駆動トランジスタ１３２が選択トランジスタ１３４よりもバンク１５０に近い側に配置されてもよい。
【００３６】
駆動トランジスタ１３２は、第１絶縁層１４０の上層に配置されている。駆動トランジスタ１３２のドレインは、発光素子１３６の陽極に接続されている。
【００３７】
本実施形態においては、駆動トランジスタ１３２は、半導体層の上層にゲート絶縁層を介してゲートが配置される、所謂トップゲート構造を有している。本実施形態においては、駆動トランジスタ１３２の半導体層１３２ｄは、多結晶シリコンである。
【００３８】
駆動トランジスタ１３２のゲート絶縁層（以下では、第１ゲート絶縁層１３２ｅと呼称する。）は、断面構造については、駆動トランジスタ１３２の半導体層１３２ｄの上層、且つ選択トランジスタ１３４の下層に配置されている。また、第１ゲート絶縁層１３２ｅは、平面構造については、表示領域１０２ａに亘って配置されている。つまり、第１ゲート絶縁層１３２ｅは、屈曲領域１０２ｂには延びていない。
【００３９】
第１ゲート絶縁層１３２ｅの材料としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。または、これらを組み合わせた積層構造としてもよい。
【００４０】
選択トランジスタ１３４は、第１ゲート絶縁層１３２ｅの上層に配置されている。選択トランジスタ１３４は、半導体層の下層にゲート絶縁層を介してゲートが配置される、所謂ボトムゲート構造を有している。本実施形態においては、選択トランジスタ１３４の半導体層１３４ｄは、酸化物半導体である。
【００４１】
選択トランジスタ１３４のゲート絶縁層（以下では、第２ゲート絶縁層１３４ｅと呼称する。）は、断面構造については、選択トランジスタ１３４のゲート１３４ａの上層、且つ駆動トランジスタ１３２のゲート１３２ａの上層に配置されている。また、第２ゲート絶縁層１３４ｅは、平面構造については、表示領域１０２ａに亘って配置されている。つまり、第２ゲート絶縁層１３４ｅは、屈曲領域１０２ｂには延びていない。
【００４２】
発光素子１３６は、平坦化絶縁層１４４の上に設けられる。平坦化絶縁層１４４は、第２絶縁層１４２の上に設けられる。第２絶縁層１４２は、駆動トランジスタ１３２及び選択トランジスタ１３４を覆うように設けられる。
【００４３】
第２絶縁層１４２の材料としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。または、これらを組み合わせた積層構造としてもよい。
【００４４】
平坦化絶縁層１４４は、下層に配置された各種トランジスタや配線等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。平坦化絶縁層１４４の材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００４５】
発光素子１３６は、自発光型の発光素子である。自発光型の発光素子としては、例えば有機ＥＬ発光素子を用いることができる。有機ＥＬ発光素子は、画素電極１３６ａ、共通電極１３６ｂ及び発光層１３６ｃを有している。
【００４６】
画素電極１３６ａは、複数の画素１０８の各々に対して配置されている。画素電極１３６ａの材料としては、発光層１３６ｃで発生した光を共通電極１３６ｂ側に反射させるために、反射率の高い金属層を含むことが好ましい。反射率の高い金属層としては、例えば銀（Ａｇ）や銀を含む合金を用いることができる。
【００４７】
更に、前述の反射率の高い金属層に加え、透明導電層が積層されてもよい。透明導電層としては、例えばＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等を用いることが好ましい。また、それらの任意の組み合わせを用いてもよい。
【００４８】
共通電極１３６ｂは、複数の画素１０８に亘って配置されている。共通電極１３６ｂの材料としては、発光層１３６ｃで発生した光を透過させるために、透光性を有し、且つ導電性を有する材料が好ましい。共通電極１３６ｂの材料としては、例えばＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等が好ましい。又は、共通電極１３６ｂとして、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いても良い。なお、共通電極１３６ｂは画素領域全体で同一の電圧が印加される構成であれば複数の区画に分割されていてもよく各々の画素毎に設けられても良い。
【００４９】
発光層１３６ｃは、画素電極１３６ａ及び共通電極１３６ｂに挟持されて配置されている。発光層１３６ｃの材料は、電流が供給されると発光する有機ＥＬ材料である。有機ＥＬ材料としては、低分子系又は高分子系の有機材料を用いることができる。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１３６ｃは発光性の有機材料に加え、発光性の有機材料を挟持するように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。
【００５０】
尚、本実施形態においては、平坦化絶縁層１４４と画素電極１３６ａとの間に、下層から透明導電層１４６、第２絶縁層１４２が配置される。透明導電層１４６、第２絶縁層１４２及び画素電極１３６ａによって容量を形成することができる。
【００５１】
隣接する２つの画素１０８間には、バンク１５０が設けられている。バンク１５０は、画素電極１３６ａの周縁部を覆うように設けられている。更に、駆動トランジスタ１３２のドレイン１３２ｃと画素電極１３６ａとの接続部を覆うように設けられている。
【００５２】
バンク１５０の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁材料としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、又はそれらの組み合わせ等を用いることができる。有機絶縁材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、又はそれらの組み合わせ等を用いることができる。無機絶縁材料と有機絶縁材料との組み合わせを用いてもよい。
【００５３】
絶縁材料で形成されたバンク１５０が配置されることによって、共通電極１３６ｂと画素電極１３６ａとが、画素電極１３６ａの端部において短絡することを防止することができる。更に、隣接する画素１０８間を確実に絶縁することができる。
【００５４】
屈曲領域１０２ｂは、第１基板１０２の複数の画素１０８が配列された面、または第１基板１０２の複数の画素１０８が配列された側とは反対の面の一部に設けられている。第１基板１０２の屈曲領域１０２ｂは、その少なくとも一表面に凹凸パターンを有する。（凹凸形成は第１基板１０２の観察者側の面であっても、観察者側と反対の面であっても良い）凹凸パターンは、第１基板１０２の厚さが異なる領域を交互に配置した領域を含む。凹凸パターンは、第１基板１０２に対して複数の凹部１０２ｄが形成されることによって形成されている。以下では、屈曲領域１０２ｂにおいて凹部１０２ｄを除く領域を凸部１０２ｅと呼称する。屈曲領域１０２ｂの凹部１０２ｄは、屈曲領域１０２ｂに配置される複数の引き回し配線１０６の間に形成されている。また、凹凸パターンの凸部１０２ｅは、テーパー形状を有していてもよい。
【００５５】
第１基板１０２が屈曲領域１０２ｂに以上のような凹凸パターンを有することによって、屈曲領域１０２ｂにおける柔軟性が向上する。これによって、屈曲領域１０２ｂを折り曲げた際に、折り曲げた箇所にクラックが生じることを抑制することができる。
【００５６】
ここで、凹凸パターンの最適な形状について説明する。先ず、図５に示すように、第１基板１０２の厚さをａ、凹部１０２ｄの深さをｂ、凹部１０２ｄの厚さをｃ（＝ａ−ｂ）とする。また、凸部１０２ｅのテーパー角をθとする。
【００５７】
第１基板１０２の厚さａとしては、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。このとき、凹部１０２ｄの深さｂは、５μｍ以上９５μｍ以下であり、かつａ＞ｂであることが好ましい。更にこのとき、凹部１０２ｄの厚さとしては、少なくとも５μｍとすることが好ましい。
【００５８】
第１基板１０２の厚さａとしては、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが更に好ましい。このとき、凹部１０２ｄの深さｂは、１０μｍ以上２０μｍ以下であり、かつａ＞ｂであることが好ましい。
【００５９】
第１基板１０２の厚さａ及び凹部１０２ｄの深さｂの比ｂ／ａとしては、０．５以上０．９５以下であることが好ましい。当該比は小さい方が、より高い柔軟性を得ることができる。
【００６０】
テーパー角θは、４５°以上９０°以下であることが好ましい。テーパー角θがこの範囲よりも小さいと、凹凸パターンの効果が十分に発揮されず、屈曲領域１０２ｂの柔軟性が十分に向上しない。
【００６１】
複数の引き回し配線１０６は、複数の画素１０８を駆動するための信号を送信する。複数の引き回し配線１０６は、屈曲領域１０２ｂにおいて、凹凸パターンの凸部１０２ｅ上に配置されている。
【００６２】
尚、複数の引き回し配線１０６は、凹凸パターンの凸部１０２ｅ上の一部の領域に配置されていてもよい。換言すると、凹凸パターンの凹部１０２ｄは、複数の引き回し配線１０６の間の一部の領域に配置されていればよい。
【００６３】
第１絶縁層１４０は、第１基板１０２の一表面側に配置されている。表示領域１０２ａにおいては、第１絶縁層１４０は、複数の画素１０８に亘って配置されている。一方、屈曲領域１０２ｂにおいては、第１絶縁層１４０は、凹凸パターンの凸部１０２ｅ上に配置されている。つまり、第１絶縁層１４０は、複数の引き回し配線１０６及び凹凸パターンの凸部１０２ｅの間に配置されている。
【００６４】
第１絶縁層１４０の材料としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。または、これらを組み合わせた積層構造としてもよい。これによって、表示領域１０２ａにおいては、第１基板１０２の裏面側から画素１０８への水分の侵入や、第１基板１０２内から画素１０８への不純物の拡散を抑制することができ、これによる画素１０８の劣化を抑制することができる。
【００６５】
［引き回し配線の平面構成］
本実施形態に係る表示装置１００が含む引き回し配線１０６の平面構成について説明する。図６Ａ乃至図６Ｄは、本実施形態に係る表示装置１００が含む引き回し配線１０６の平面構成の例を説明する平面図である。これらの図においては、図３に示した領域Ｃにおける引き回し配線の平面構成の例を示している。
【００６６】
図６Ａは、屈曲領域１０２ｂにおける複数の引き回し配線１０６の平面構成の一例である。この例では、複数の引き回し配線１０６は、直線状に延びている。
【００６７】
図６Ｂは、屈曲領域１０２ｂにおける複数の引き回し配線２０６の平面構成の他の例である。この例では、複数の引き回し配線２０６の各々は、屈曲領域１０２ｂにおいて平面視で屈曲して配置されている。更に、複数の引き回し配線２０６の各々は、周期的な屈曲を繰り返して配置されている。このような構成を有することによって、屈曲領域１０２ｂにおける複数の引き回し配線２０６の柔軟性が向上する。
【００６８】
図６Ｃは、屈曲領域１０２ｂにおける複数の引き回し配線３０６の平面構成の他の例である。この例では、複数の引き回し配線３０６の各々は、屈曲領域１０２ｂにおいて平面視で蛇行して配置されている。更に、複数の引き回し配線３０６の各々は、周期的な蛇行を繰り返して配置されている。このような構成を有することによって、屈曲領域１０２ｂにおける複数の引き回し配線３０６の柔軟性が向上する。
【００６９】
図６Ｄは、屈曲領域１０２ｂにおける複数の引き回し配線４０６の平面構成の他の例である。この例では、複数の引き回し配線４０６の各々は、屈曲領域１０２ｂにおいて、屈曲して配置された２本の配線が互いに交差して配置されている。更に、複数の引き回し配線４０６の各々は、周期的な交差を繰り返して配置されている。また、複数の引き回し配線４０６の各々は、屈曲領域１０２ｂにおいて、周期的に配置された複数の開口部を有しているとも言える。このような構成を有することによって、屈曲領域１０２ｂにおける複数の引き回し配線４０６の柔軟性が向上する。
【００７０】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の詳細な構成について説明した。次いで、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。
【００７１】
［製造方法］
図７Ａ乃至図７Ｊは、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。これらの図において、図１のＡ−Ａ´間の断面を示している。
【００７２】
先ず、支持基板上に樹脂層を塗布形成する。支持基板としては、ガラス基板、金属基板等を用いることができる。樹脂層の膜厚は５μｍ以上１００μｍ以下程度であり、好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。ここで形成した樹脂層が、可撓性を有する第１基板１０２となる。第１基板１０２には、表示領域１０２ａ、及び屈曲領域１０２ｂが配置される。表示領域１０２ａは、第１面に複数の画素１０８が配列される領域である。
【００７３】
次いで、第１基板１０２の第１面に、第１絶縁層１４０を形成し、その上に多結晶シリコン層を成膜及びパターニングし、駆動トランジスタ１３２の半導体層１３２ｄとなる多結晶シリコン層を形成する（図７Ａ）。
【００７４】
ここで、第１絶縁層１４０の材料としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。または、これらを組み合わせた積層構造を用いることができる。成膜方法としては、例えばＣＶＤ法を用いることができる。
【００７５】
多結晶シリコン層の形成は、先ず、ＣＶＤ法によってアモルファスシリコン層を形成する。その後、熱処理やＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌ）法によって多結晶化し、多結晶シリコン層を得る。
【００７６】
次いで、フォトリソグラフィ工程によって、多結晶シリコン層をパターニングして、島状の多結晶シリコン層を形成する。
【００７７】
次いで、島状の多結晶シリコン層に対し、必要回数のイオン注入処理を行う。リン（Ｐ）等の不純物を注入してｎ型領域を形成し、ホウ素（Ｂ）等の不純物を注入してｐ型領域を形成する。図面においては、駆動トランジスタ１３２の半導体層１３２ｄが示されており、ソース及びドレインとなる領域に多結晶シリコン層に対してリン（Ｐ）等の不純物が高濃度に注入され、ｎ型の導電性が付与されている。
【００７８】
尚、以上の工程において、多結晶シリコン層のパターニングの後にイオン注入を行う例を示したが、順序はこれに限られず、逆であってもよい。
【００７９】
次いで、駆動トランジスタ１３２のゲート絶縁層（第１ゲート絶縁層１３２ｅ）を形成し、その上に駆動トランジスタ１３２のゲート１３２ａ及び選択トランジスタ１３４のゲート１３４ａを同時に形成する（図７Ｂ）。
【００８０】
第１ゲート絶縁層１３２ｅとしては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。成膜方法としては、例えばＣＶＤ法を用いることができる。
【００８１】
駆動トランジスタ１３２のゲート１３２ａ及び選択トランジスタ１３４のゲート１３４ａを形成する工程は、第１金属層を成膜及びパターニングする。第１金属層としては、例えばＷ、ＭｏＷ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等を用いることができる。成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いることができる。
【００８２】
次いで、フォトリソグラフィ工程によって、第１金属層をパターニングする。エッチングの方法としては、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いることができる。この工程によって、駆動トランジスタ１３２のゲート１３２ａ、選択トランジスタ１３４のゲート１３４ａが形成される。
【００８３】
次いで、選択トランジスタ１３４のゲート絶縁層（第２ゲート絶縁層１３４ｅ）を形成し、その上に選択トランジスタ１３４の半導体層１３４ｄである酸化物半導体層を形成する（図７Ｃ）。
【００８４】
第２ゲート絶縁層１３４ｅの材料及び成膜方法としては、前述した第１ゲート絶縁層１３２ｅを同様の材料及び成膜方法を用いることができる。
【００８５】
酸化物半導体層の成膜方法としては、スパッタリング法を用いることができる。スパッタリング法による成膜においては成膜時に基板加熱を行い、混合ガスＡｒ／Ｏ２を利用し、ガス比はＡｒ＜Ｏ２とする。スパッタリング用の電源としてはＤＣ電源を用いてもＲＦ電源を用いても良く、スパッタリングターゲットの形成条件に合わせて決めることができる。スパッタリングターゲットは、例えばＩｎＧａＺｎＯであれば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ=１：１：１：４（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ=１：１：２）等とすることができ、組成比は目的（トランジスタ特性など）に応じて決めることができる。
【００８６】
酸化物半導体層１７４から脱水素及び密度向上等の膜質改善のため、アニール処理を行ってもよい。アニール条件としては、雰囲気（真空、窒素、ドライエアー、大気のいずれか）、温度（２５０〜５００℃）、時間(１５分〜１時間)を目的に合わせて決めることができる。
【００８７】
次いで、フォトリソグラフィ工程によって、酸化物半導体層をパターニングする。これによって、選択トランジスタ１３４の半導体層１３４ｄを形成する。
【００８８】
尚、本実施形態においては、酸化物半導体層のパターニングの前にアニールを行う例を示したが、これに限られず、アニールはパターニング前後のどちらでも良い。尚、温度が高い場合、酸化物半導体層のシュリンクによるパターンずれを抑えるため、パターニング前が好ましい。
【００８９】
次いで、選択トランジスタ１３４のソース１３４ｂ及びドレイン１３４ｃを形成する（図７Ｄ）。この工程は、第２金属層を成膜及びパターニングする。第２金属層としては、例えばＷ、ＭｏＷ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等を用いることができる。成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いることができる。
【００９０】
次いで、フォトリソグラフィ工程によって、第２金属層をパターニングする。エッチングの方法としては、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いることができる。この工程によって、選択トランジスタ１３４のソース１３４ｂ及びドレイン１３４ｃが形成される。
【００９１】
次いで、第２絶縁層１４２を形成し、所望のパターニングを行う（図７Ｅ）。ここで、第２絶縁層１４２の材料としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。成膜方法としては、例えばＣＶＤ法を用いることができる。
【００９２】
第２絶縁層１４２のパターニングは、フォトリソグラフィ工程によって、第２絶縁層１４２から、複数のコンタクトホールを形成すると共に、屈曲領域１０２ｂの第１ゲート絶縁層１３２ｅ、第２ゲート絶縁層１３４ｅ及び第２絶縁層１４２を除去する。複数のコンタクトホールの形成については、具体的には、駆動トランジスタ１３２のソース１３２ｂ及びドレイン１３２ｃに到達するコンタクトホール、及び選択トランジスタ１３４のソース１３４ｂ及びドレイン１３４ｃに到達するコンタクトホールを同時に形成する。
【００９３】
次いで、第２絶縁層１４２上に、映像信号線１２４、基準電位線１２６等を形成すると共に、引き回し配線１０６を形成する（図７Ｆ）。引き回し配線１０６は、複数の画素１０８を駆動するための信号を送信する配線である。この工程は、第３金属層を成膜及びパターニングする。第３金属層としては、例えばＷ、ＭｏＷ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等を用いることができる。成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いることができる。
【００９４】
次いで、フォトリソグラフィ工程によって、第３金属層をパターニングする。エッチングの方法としては、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いることができる。この工程によって、映像信号線１２４、基準電位線１２６が形成されると共に、複数の引き回し配線１０６が形成される。
【００９５】
次いで、上記の各種配線上に平坦化絶縁層１４４を成膜し、所望のコンタクト開口部を形成すると共に、屈曲領域１０２ｂの平坦化絶縁層１４４を除去する（図７Ｇ）。
【００９６】
平坦化絶縁層１４４は、下層に配置された各種トランジスタや配線等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。平坦化絶縁層１４４の材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。成膜方法としては、例えば塗布法を用いることができる。
【００９７】
次いで、平坦化絶縁層１４４上に透明導電層１４６を成膜及びパターニングする（図７Ｈ）。透明導電層１４６のパターニングの際は、屈曲領域１０２ｂの透明導電層１４６は除去する。透明導電層１４６の材料としては、ＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、又はそれらの積層等を用いることができる。
【００９８】
次いで、第３絶縁層１４８を成膜及びパターニングする（図７Ｉ）。第３絶縁層１４８としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。成膜方法としては、例えばＣＶＤ法を用いることができる。第３絶縁層１４８のパターニングにおいては、屈曲領域１０２ｂにおいて、引き回し配線１０６上に第３絶縁層１４８を残すようにパターニングする。
【００９９】
次いで、第１基板１０２の屈曲領域１０２ｂに凹凸パターンを形成する（図７Ｊ）。この工程においては、フォトリソグラフィ工程によって、複数の引き回し配線１０６間に凹部１０２ｄを形成する。本実施形態においては、屈曲領域１０２ｂにおいて、第１基板１０２の第１面側から、複数の引き回し配線１０６間をエッチングする。このとき、第１基板１０２の凹部１０２ｄが所望の深さになるように、第１絶縁層１４０及び第１基板１０２を一括でエッチングする。
【０１００】
この工程においては、表示領域１０２ａ及び屈曲領域１０２ｂの凸部１０２ｅとなる領域がエッチングされないよう、それらの領域をフォトレジストで保護する。
【０１０１】
次いで、第２絶縁層１４２上に発光素子１３６を形成して、図５に示したアレイ基板が完成する。発光素子１３６の形成は、画素電極１３６ａの形成、バンク１５０の形成、発光層１３６ｃの形成及び共通電極の形成をこの順で含む。
【０１０２】
画素電極１３６ａの材料としては、銀（Ａｇ）等の反射率の高い金属層を含むことが好ましい。更に、ＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電層が積層されてもよい。成膜方法としては、スパッタリング法を用いることができる。
【０１０３】
バンク１５０は、隣接する２つの画素１０８間に形成する。バンク１５０は、画素電極１３６ａの周縁部を覆うように設けられる。バンク１５０の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁材料としては、前述のように、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いることができる。
【０１０４】
発光層１３６ｃは、画素電極１３６ａ及びバンク１５０を覆うように形成する。発光層１３６ｃの成膜方法としては蒸着法を用いることができる。
【０１０５】
共通電極１３６ｂは、表示領域１０２ａ内の複数の画素１０８を覆ように形成する。共通電極１３６ｂの材料としては、例えばＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等が好ましい。又は、共通電極１３６ｂとして、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いてもよい。共通電極１３６ｂの成膜方法としては、スパッタリング法を用いることができる。
【０１０６】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成及び製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の構成によれば、折り曲げ時に第１基板にクラック等が発生しにくく、信頼性の向上した表示装置１００を提供することができる。
【０１０７】
尚、本実施形態に係る表示装置１００においては、引き回し配線１０６を保護するための絶縁層として、第３絶縁層１４８を用いる例について説明した。しかし、引き回し配線１０６を保護するための絶縁層はこれに限られるものではない。引き回し配線１０６を形成する工程の後に成膜される絶縁層であれば、引き回し配線１０６を保護するための絶縁層として用いることができる。他の例として、平坦化絶縁層１４４をそれに用いてもよい。
【０１０８】
また、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法においては、第３絶縁層１４８の形成後に凹凸パターンを形成する例について説明した。しかし、凹凸パターンを形成する工程はこれに限られるものではない。他の例として、引き回し配線１０６を形成する前に第１基板１０２に凹凸パターンを形成してもよい。また、他の例として、バンク１５０を形成した後に第１基板１０２に凹凸パターンを形成してもよい。
【０１０９】
＜第２実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置２００の構成について説明する。図８は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を説明する断面図である。本実施形態に係る表示装置２００と、第１実施形態に係る表示装置１００との相違点について詳細に説明し、それ以外の説明は省略する場合がある。
【０１１０】
本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、屈曲領域１０２ｂの層構造が異なっている。つまり、本実施形態に係る表示装置２００においては、屈曲領域１０２ｂにおいて、第１基板１０２の上に引き回し配線１０６が接して設けられている。
【０１１１】
このような構成を有することによって、引き回し配線１０６の下に無機絶縁層が存在しないため、無機絶縁層にクラックが生じた場合に、それに伴って引き回し配線１０６が断線したり剥離したりすることが無い。
【０１１２】
本実施形態に係る表示装置２００の製造方法としては、第１実施形態に係る表示装置１００の製造方法とほぼ同様であり、引き回し配線１０６を形成する前に、屈曲領域１０２ｂの第１絶縁層１４０を除去する。例えば、第２絶縁層１４２のパターニングの際に、屈曲領域１０２ｂの第１絶縁層１４０も同時に除去すればよい。
【０１１３】
＜第３実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置３００の構成について説明する。図９は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する断面図である。本実施形態に係る表示装置３００と、第１実施形態に係る表示装置１００との相違点について詳細に説明し、それ以外の説明は省略する場合がある。
【０１１４】
本実施形態に係る表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、屈曲領域１０２ｂの層構造が異なっている。つまり、本実施形態に係る表示装置３００においては、屈曲領域１０２ｂにおいて、引き回し配線１０６の上面及び側面を覆うように第３絶縁層１４８が設けられている。
【０１１５】
このような構成を有することによって、屈曲領域１０２ｂにおいて引き回し配線１０６が外部に露出される部分が無いため、その腐食を防止することができる。
【０１１６】
＜第４実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置４００の構成について説明する。図１０は、本実施形態に係る表示装置４００の構成を説明する断面図である。本実施形態に係る表示装置４００と、第１実施形態に係る表示装置１００との相違点について詳細に説明し、それ以外の説明は省略する場合がある。
【０１１７】
本実施形態に係る表示装置４００は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、屈曲領域１０２ｂの層構造が異なっている。つまり、本実施形態に係る表示装置４００においては、屈曲領域１０２ｂにおいて、画素１０８が配置される面とは反対側の面に凹凸パターンが形成されている。そして、複数の引き回し配線１０６は、凹凸パターンの凸部であって、凸形状の底辺部に配置されている。ここで底辺部とは、基板１０２の凹凸パターンが形成された面とは反対側の面において、当該凸形状の頂上部に対向する領域を意味する。つまり、複数の引き回し配線１０６は、凹凸パターンの凸部であって、凸形状の頂上部の反対側に配置されている。更に、複数の引き回し配線１０６と、当該頂上部の反対側との間に絶縁層が配置されている。
【０１１８】
このような構成を有することによって、屈曲領域１０２ｂにおいて引き回し配線１０６が外部に露出される部分が無いため、その腐食を防止することができる。
【０１１９】
＜第５実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置５００の構成について説明する。図１１は、本実施形態に係る表示装置５００の構成を説明する断面図である。本実施形態に係る表示装置５００と、第１実施形態に係る表示装置１００との相違点について詳細に説明し、それ以外の説明は省略する場合がある。
【０１２０】
本実施形態に係る表示装置５００は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、第１基板１０２の層構造が異なっている。つまり、本実施形態に係る表示装置５００においては、第１基板１０２は３層の絶縁層１０２ｆ、１０２ｇ及び１０２ｈが積層された構造を有している。３層の絶縁層の積層としては、例えば、無機絶縁層が有機絶縁層に挟持された構造を用いることができる。無機絶縁層としては、例えば窒化シリコン層を用い、有機絶縁層としては、例えばポリイミドを用いることができる。
【０１２１】
このような構成を有することによって、表示領域１０２ａにおいては、第１基板１０２の裏面側から画素１０８への水分の侵入を効果的に抑制することができ、これによる画素１０８の劣化を抑制することができる。
【０１２２】
このような構成を有することによって、屈曲領域１０２ｂにおいて引き回し配線１０６が外部に露出される部分が無いため、その腐食を防止することができる。
【０１２３】
以上、本発明の好ましい態様を第１実施形態乃至第５実施形態によって説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。例えば、各実施形態を任意に組み合わせることもできる。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【０１２４】
１００、２００、３００、４００、５００・・・表示装置  １０２、１０４・・・基板  １０２ａ・・・表示領域  １０２ｂ・・・屈曲領域  １０２ｃ・・・端子領域  １０２ｄ・・・凹部  １０２ｅ・・・凸部  １０６・・・引き回し配線  １０８・・・画素  １１０・・・シール材  １１６・・・接続端子  １１８・・・走査信号線駆動回路  １２０・・・映像信号線駆動回路  １２２・・・走査信号線  １２４・・・映像信号線  １２６・・・基準電位線  １３０・・・画素回路  １３２・・・駆動トランジスタ  １３４・・・選択トランジスタ  １３６・・・発光素子  １３６ａ・・・画素電極  １３６ｂ・・・共通電極  １３６ｃ・・・発光層  １３８・・・保持容量  １４０・・・第１絶縁層  １４２・・・第２絶縁層  １４４・・・平坦化絶縁層  １４６・・・透明導電層  １４８・・・第３絶縁層  １５０・・・バンク  １５２・・・配線基板
【図１】
2018054675.tif 000003
【図２】
2018054675.tif 000004
【図３】
2018054675.tif 000005
【図４】
2018054675.tif 000006
【図５】
2018054675.tif 000007
【図６Ａ】
2018054675.tif 000008
【図６Ｂ】
2018054675.tif 000009
【図６Ｃ】
2018054675.tif 000010
【図６Ｄ】
2018054675.tif 000011
【図７Ａ】
2018054675.tif 000012
【図７Ｂ】
2018054675.tif 000013
【図７Ｃ】
2018054675.tif 000014
【図７Ｄ】
2018054675.tif 000015
【図７Ｅ】
2018054675.tif 000016
【図７Ｆ】
2018054675.tif 000017
【図７Ｇ】
2018054675.tif 000018
【図７Ｈ】
2018054675.tif 000019
【図７Ｉ】
2018054675.tif 000020
【図７Ｊ】
2018054675.tif 000021
【図８】
2018054675.tif 000022
【図９】
2018054675.tif 000023
【図１０】
2018054675.tif 000024
【図１１】
2018054675.tif 000025