(57)【要約】【課題】動画撮影が可能な放射線画像撮影装置において、重量や消費電力の増加を招くことなく、動画撮影を即座に開始でき、画像データの高速読み出しと温度ドリフトの抑制や低減との両立を実現することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置１の読み出し回路１７は、積分回路１８のリセットが終了してリセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされてから相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutを変化させる機構２５、２６を備える。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線および複数の信号線と、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記走査線を介して前記放射線検出素子のスイッチ素子にオン電圧又はオフ電圧を印加して前記スイッチ素子の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替え可能な走査駆動手段と、
前記各信号線を介して前記各放射線検出素子から流入した電荷を画像データとして読み出す複数の読み出し回路を内蔵する読み出しＩＣと、
を備え、
前記読み出し回路は、
前記放射線検出素子から流入した電荷に応じた電圧値を出力する積分回路と、
前記積分回路をリセットするためのリセットスイッチと、
前記放射線検出素子から電荷が流入する前に前記積分回路から出力される前記電圧値をリファレンス値として保持する第１サンプルホールド回路と、
前記放射線検出素子から電荷が流入した後で前記積分回路から出力される前記電圧値を信号値として保持する第２サンプルホールド回路と、
前記第２サンプルホールド回路が保持する前記信号値と前記第１サンプルホールド回路が保持する前記リファレンス値との差分を出力する差分回路と、
を備え、
さらに、前記積分回路のリセットが終了して前記読み出し回路の前記リセットスイッチがオフ状態とされてから前記第１サンプルホールド回路が前記リファレンス値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値を変化させる機構を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記機構は、前記積分回路のリセットが終了して前記読み出し回路の前記リセットスイッチがオフ状態とされてから前記第１サンプルホールド回路が前記リファレンス値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値を、前記スイッチ素子がオフ状態になってから前記第２サンプルホールド回路が前記信号値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値の変化と略同様に変化させることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記機構は、
一方の端子が前記信号線に接続され、他方の端子が切替手段に接続された容量と、前記容量をオン状態とオフ状態との間で切り替え可能である前記切替手段と、を備え、
前記読み出し回路の前記リセットスイッチがオフ状態とされると同時又は前記第２サンプルホールド回路がオフ状態とされた後に前記容量をオフ状態にすることで、前記第１サンプルホールド回路が前記リファレンス値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値を変化させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記機構は、
前記信号線に接続された擬似スイッチ素子と、前記擬似スイッチ素子の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替え可能な切替手段と、を備え、
前記読み出し回路の前記リセットスイッチがオフ状態とされると同時又は前記第２サンプルホールド回路がオフ状態とされた後に前記擬似スイッチ素子をオフ状態にすることで、前記第１サンプルホールド回路が前記リファレンス値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値を変化させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記走査駆動手段から前記オン電圧を印加する前記走査線を順次切り替えるように構成されており、
前記機構は、前記走査駆動手段から前記走査線にオン電圧を印加させて当該走査線に接続されている前記放射線検出素子の前記スイッチ素子をオン状態として当該放射線検出素子から当該スイッチ素子を介して前記読み出し回路に電荷を放出させて、当該走査線に接続されている前記放射線検出素子の前記画像データを読み出させた後、当該走査線に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えさせて当該スイッチ素子をオフ状態とし、再度、当該走査線に印加する電圧を前記オン電圧に切り替えさせて当該スイッチ素子をオン状態とし、前記読み出し回路の前記リセットスイッチがオフ状態とされると同時又はそれ以後に前記走査駆動手段から当該走査線に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えさせて当該スイッチ素子をオフ状態にすることで、前記第１サンプルホールド回路が前記リファレンス値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値を変化させ、
前記読み出し回路の前記第１サンプルホールド回路は、その際に前記積分回路から出力される前記電圧値を前記リファレンス値として保持し、
前記走査駆動手段は、当該走査線の次に前記オン電圧を印加する次の前記走査線にオン電圧を印加し、
前記読み出し回路の前記第２サンプルホールド回路は、前記次の走査線に接続されている前記放射線検出素子から電荷が流入した後で前記積分回路から出力される前記電圧値を前記信号値として保持するようにして、当該次の走査線に接続されている前記放射線検出素子の前記画像データを読み出すことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記機構は、前記読み出し回路の前記リセットスイッチがオフ状態とされた時点で前記積分回路の入力側と出力側との間に所定の電圧値の電圧を印加することで、前記第１サンプルホールド回路が前記リファレンス値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値を変化させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項７】
前記積分回路は、
オペアンプの入力側端子と出力端子間に、コンデンサーと、前記リセットスイッチに相当し前記積分回路のリセット処理を行うための第１リセットスイッチと、が並列に接続されており、
前記コンデンサーと前記オペアンプの出力端子との間に第２リセットスイッチが設けられており、
前記コンデンサーと前記第２リセットスイッチとの間で配線が分岐されており、分岐された配線には第３リセットスイッチが設けられており、前記第３リセットスイッチには、前記所定の電圧値の電圧を供給する電源が接続されており、
前記機構は、前記第１リセットスイッチと前記第３リセットスイッチの、オン状態からオフ状態への切り替え及びオフ状態からオン状態への切り替えを同じタイミングで行い、前記第２リセットスイッチのオン状態及びオフ状態を、前記タイミングと同じタイミングで、かつ、前記第１リセットスイッチとはオン状態及びオフ状態がそれぞれ逆になるように切り替えることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項８】
前記放射線画像撮影装置は可搬型であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に動画撮影が可能な放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射された放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレーター等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号（すなわち画像データ）に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機型（固定型等ともいう。）として構成されていたが、放射線検出素子等を筐体内に収納し、持ち運び可能とした可搬型（カセッテ型等ともいう。）の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている。
【０００４】
また、放射線画像撮影装置では、撮影ごとに、読み出した画像データをＲＡＭ（Random Access Memory）等の記憶手段に保存したり無線方式や有線方式で外部装置に送信したりすることができるため、近年、放射線画像撮影装置が静止画撮影に用いられるようになっている。また、放射線画像撮影装置を動画撮影に用いる技術の開発が進められている。
【０００５】
ところで、放射線画像撮影装置を動画撮影に用いる場合、撮影動作を複数回連続して行うことに伴い装置内の回路が発熱して、回路の温度上昇が起きる。これが原因で、各フレームごとに読み出される画像データのオフセット値が時間的に（すなわち撮影開始から時間が経過するにつれて）ずれていく現象が現れる場合がある（いわゆる温度ドリフト）。そして、このような温度ドリフトが生じる原因として種々の要素があり得るが、例えば、放射線画像撮影装置内で画像データの読み出し処理を行う読み出しＩＣ（後述する図３や図４の１６参照）の温度が動画撮影中に変化することが原因の一つとして挙げられる（例えば特許文献１等参照）。
【０００６】
そして、このような読み出しＩＣに起因する温度ドリフトが生じることを防止する方法としては、例えば、動画撮影を開始する前から読み出しＩＣに通電して読み出しＩＣのウォームアップを行い、読み出しＩＣの温度を予め上げて安定化させておくように構成することが可能である。また、特許文献２には、装置を冷却させるための冷却機構を備え、放射線検出センサーと冷却機構との接触、非接触に従って動画撮影のフレームレートを上げたりさげたりする制御を行う放射線画像撮影装置等が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４４４９２１５号公報
【特許文献２】特開２０１３−１７６５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のように読み出しＩＣの温度変化等に起因する温度ドリフトを防止するために、動画撮影の開始前に読み出しＩＣのウォームアップを行うように構成すると、放射線技師等の撮影者が動画撮影を直ぐに開始したい場合でも放射線画像撮影装置のウォームアップが完了するまで待たなければならず、撮影者が意図するタイミングで動画撮影を開始することができなくなる可能性がある。また、このように撮影前から読み出しＩＣに通電するように構成すると、放射線画像撮影装置での消費電力が必要以上に増加してしまう可能性がある。
【０００９】
放射線画像撮影装置で動画撮影を行う場合には、寧ろ撮影前のウォームアップ等を必要とせずに動画撮影を即座に開始することができることが要請されている。また、それとともに、１フレームごとの画像データの読み出し処理をできるだけ高速で（すなわち短時間で）行って（以下、高速読み出しという。）、フレームレートを向上させることが可能であることが要請されている。
【００１０】
また、特許文献２のように冷却機構を設ける構成の場合、特に可搬型の放射線画像撮影装置に冷却機構を設けると、放射線画像撮影装置が厚さ方向（放射線の照射方向）に分厚くなる等してしまい、可搬型の放射線画像撮影装置を撮影台のカセッテホルダーに装填できなくなったり重量が重くなったりする等の問題が生じ得る。
【００１１】
本発明は、上記の点を鑑みてなされたものであり、動画撮影が可能な放射線画像撮影装置において、重量や消費電力の増加を招くことなく、動画撮影を即座に開始でき、画像データの高速読み出しと温度ドリフトの抑制や低減との両立を実現することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
複数の走査線および複数の信号線と、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記走査線を介して前記放射線検出素子のスイッチ素子にオン電圧又はオフ電圧を印加して前記スイッチ素子の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替え可能な走査駆動手段と、
前記各信号線を介して前記各放射線検出素子から流入した電荷を画像データとして読み出す複数の読み出し回路を内蔵する読み出しＩＣと、
を備え、
前記読み出し回路は、
前記放射線検出素子から流入した電荷に応じた電圧値を出力する積分回路と、
前記積分回路をリセットするためのリセットスイッチと、
前記放射線検出素子から電荷が流入する前に前記積分回路から出力される前記電圧値をリファレンス値として保持する第１サンプルホールド回路と、
前記放射線検出素子から電荷が流入した後で前記積分回路から出力される前記電圧値を信号値として保持する第２サンプルホールド回路と、
前記第２サンプルホールド回路が保持する前記信号値と前記第１サンプルホールド回路が保持する前記リファレンス値との差分を出力する差分回路と、
を備え、
さらに、前記積分回路のリセットが終了して前記読み出し回路の前記リセットスイッチがオフ状態とされてから前記第１サンプルホールド回路が前記リファレンス値を保持するまでの間に前記積分回路から出力される前記電圧値を変化させる機構を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、動画撮影が可能であり、重量や消費電力の増加を招くことなく、動画撮影を即座に開始でき、画像データの高速読み出しと温度ドリフトの抑制や低減との両立を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の断面図である。
【図２】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図３】フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図４】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図５】読み出し回路の従来の構成例を表す図である。
【図６】図５の構成例におけるリセットスイッチや第１、第２スイッチ、ＴＦＴのオン／オフのタイミングと、積分回路から出力される電圧値やリファレンス値、信号値の変化等を表す図である。
【図７】ＴＦＴを介して走査線と信号線との間で発生する貫通電荷等を説明する図である。
【図８】図５の構成例におけるリセットスイッチ等のオン／オフのタイミングと、読み出しＩＣが低温である場合と高温である場合に積分回路から出力される電圧値やリファレンス値、信号値の変化等を表す図である。
【図９】図５の構成例における（Ａ）信号値、（Ｂ）リファレンス値、（Ｃ）差分の読み出しＩＣの温度に対する依存性を表すグラフである。
【図１０】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の読み出し回路の構成例１を表す図である。
【図１１】容量や切替手段を基板上の各信号線の端部に形成した場合の例を表す図である。
【図１２】図１０の構成例１におけるリセットスイッチや容量等のオン／オフのタイミングと、読み出しＩＣが低温である場合と高温である場合に積分回路から出力される電圧値やリファレンス値、信号値の変化等を表す図である。
【図１３】図１０の構成例１における（Ａ）信号値、（Ｂ）リファレンス値、（Ｃ）差分の読み出しＩＣの温度に対する依存性を表すグラフである。
【図１４】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の読み出し回路の構成例２を表す図である。
【図１５】構成例３におけるリセットスイッチやＴＦＴ等のオン／オフのタイミングと、読み出しＩＣが低温である場合と高温である場合に積分回路から出力される電圧値やリファレンス値、信号値の変化等を表す図である。
【図１６】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の読み出し回路の構成例４を表す図である。
【図１７】図１６の構成例４における各リセットスイッチ等のオン／オフのタイミングと、読み出しＩＣが低温である場合と高温である場合に積分回路から出力される電圧値やリファレンス値、信号値の変化等を表す図である。
【図１８】図１６の構成例４における（Ａ）信号値、（Ｂ）リファレンス値、（Ｃ）差分の読み出しＩＣの温度に対する依存性を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレーター等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の光に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレーター等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。また、放射線画像撮影装置がいわゆる可搬型である場合について説明するが、専用機型の放射線画像撮影装置に対しても、本発明を適用することが可能である。
【００１７】
［放射線画像撮影装置の構成等について］
本実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成等について説明する。図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の断面図であり、図２は、放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。なお、図１や図２および以下の各図では、現実の装置における各部材の相対的な大きさや配置等が必ずしも正確に表されていない。
【００１８】
本実施形態では、放射線画像撮影装置１は、図１に示すように、放射線が照射される側の面である放射線入射面Ｒを有する筐体２内に、シンチレーター３や基板４等で構成されるセンサーパネルＳＰが収納されて構成されている。また、図１では図示を省略するが、本実施形態では、筐体２には、無線方式で画像データＤ等のデータを送信したり信号を送受信するために用いられるアンテナ４１（後述する図３参照）が設けられている。
【００１９】
また、図１では図示を省略するが、本実施形態では、放射線画像撮影装置１は、筐体２の側面等にコネクターを備えており、コネクターを介して有線方式で画像データＤ等のデータを送信したり信号を送受信することもできるようになっている。
【００２０】
図１に示すように、筐体２の内部には、基台３１が配設されており、基台３１の上面側には、図示しない鉛の薄板等を介してセンサー基板４が配置されている。センサー基板４の上面には前述した放射線検出素子７等が設けられているが、この点については後で説明する。そして、センサー基板４の上方には、シンチレーター基板３４に形成されたシンチレーター３とセンサー基板４の放射線検出素子７等とが対向する状態でシンチレーター３やシンチレーター基板３４が配置されている。
【００２１】
基台３１の下面側には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や内蔵電源２４等が取り付けられている。本実施形態では、このようにしてセンサーパネルＳＰが形成されている。また、本実施形態では、センサーパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３５が設けられている。
【００２２】
図２に示すように、センサー基板４の上面（すなわちシンチレーター３に対向する面）４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。また、複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。本実施形態では、このように、各放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されている。
【００２３】
また、本実施形態では、複数のバイアス線９が各信号線６に平行に配設されており、各バイアス線９は結線１０に接続されている。そして、センサー基板４の周縁部に、複数の入出力端子１１が設けられており、各入出力端子１１は、各走査線５に接続するものや、各信号線６に接続するものや、結線１０と接続するものから構成されている。
【００２４】
そして、本実施形態では、各入出力端子１１には、図３に示すように、後述する読み出しＩＣ１６や走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂを構成するゲートＩＣ１５ｄ等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板１２が、異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００２５】
そして、フレキシブル回路基板１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが形成されている。なお、図３では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００２６】
次に、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図４は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図である。各放射線検出素子７では、図示しない被写体を介して照射された放射線の線量（或いはシンチレーター３で変換された電磁波の光量）に応じた電荷が各放射線検出素子７内でそれぞれ発生する。本実施形態では、放射線検出素子７はフォトダイオードで構成されているが、放射線検出素子７を例えばフォトトランジスター等を用いることも可能である。
【００２７】
そして、各放射線検出素子７の一方の電極７ｂには、バイアス線９が接続されており、バイアス線９や結線１０を介してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に逆バイアス電圧Ｖｂが印加されるようになっている。また、各放射線検出素子７の他方の電極７ａには、スイッチ素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという）８のドレイン（Drain）端子Ｄが接続されており、ＴＦＴ８のソース（Source）端子Ｓは信号線６に接続されている。
【００２８】
また、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５から走査線５を介してゲート（Gate）端子Ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させる。また、走査線５を介してオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるようになっている。各信号線６は、それぞれ読み出しＩＣ１６内に内蔵された各読み出し回路１７に接続されている。なお、読み出しＩＣ１６は複数個設けられている。
【００２９】
一方、各走査線５は、それぞれ走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂに接続されている。走査駆動手段１５では、配線１５ｃを介して電源回路１５ａからゲートドライバー１５ｂにオン電圧とオフ電圧が供給されるようになっており、ゲートドライバー１５ｂで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるようになっている。そして、ゲートドライバー１５ｂは、走査線５を介して放射線検出素子７のスイッチ素子であるＴＦＴ８のゲート端子Ｇにオン電圧やオフ電圧を印加してＴＦＴ８の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替えることができるようになっている。
【００３０】
各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際には、ゲートドライバー１５ｂからオン電圧が印加された走査線５に接続されている各ＴＦＴ８がオン状態になると、放射線検出素子７から電荷がＴＦＴ８を介して信号線６に放出されて読み出し回路１７に流入する。そして、読み出し回路１７の積分回路１８では流入した電荷の量に応じた電圧値Ｖoutが出力される。
【００３１】
そして、相関二重サンプリング回路（図４では「ＣＤＳ」と記載されている。）１９は、積分回路１８から出力された電圧値Ｖoutをサンプルホールドしてアナログ値の画像データＤとして読み出して下流側に出力する。なお、本実施形態に係る読み出し回路１７の構成等については後で詳しく説明する。
【００３２】
そして、相関二重サンプリング回路１９から出力された画像データＤはアナログマルチプレクサー２１を介してＡ／Ｄ変換器２０に順次送信され、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値の画像データＤに順次変換されて記憶手段２３に順次保存される。そして、ゲートドライバー１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて画像データＤを読み出す放射線検出素子７を順次切り替えていくことで、各放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤを読み出すように構成されている。
【００３３】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等で構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。また、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー等で構成される記憶手段２３や、リチウムイオンキャパシター等の内蔵電源２４、前述したアンテナ４１等が接続されている。
【００３４】
［本実施形態に係る読み出し回路の構成等について］
次に、本実施形態に係る読み出し回路１７の構成等について説明する。まず、読み出し回路１７の従来の構成例について、図５に基づいて積分回路１８と相関サンプリング回路１９とを備える読み出し回路１７について説明する。
【００３５】
読み出し回路１７は積分回路１８を備えており、積分回路１８は、画像データＤの読み出し処理の際にスイッチ素子であるＴＦＴ８がオン状態とされて放射線検出素子７から電荷が流入するとその電荷に応じた電圧値Ｖoutを出力する。そして、積分回路１８は、電圧値Ｖoutを出力するオペアンプ１８ａの反転入力端子と出力端子間にコンデンサー１８ｂとリセットスイッチ１８ｃとが並列に接続されたチャージアンプ回路として構成されている。
【００３６】
そして、リセットスイッチ１８ｃをオン状態とすると、コンデンサー１８ｂに蓄積された電荷が放出されて、積分回路１８がリセットされるようになっている。なお、オペアンプ１８ａの反転入力端子には信号線６が接続されており、また、オペアンプ１８ａの非反転入力端子には基準電圧Ｖ０が印加されている。なお、そのため、信号線６の電圧は基準電圧Ｖ０になっている。基準電圧Ｖ０としてＧＮＤ電位を印加してもよい。
【００３７】
また、読み出し回路１７は相関二重サンプリング（correlated double sampling）回路１９を備えており、相関二重サンプリング回路１９は、抵抗Ｒと、第１サンプルホールド回路ＳＨＲと、第２サンプルホールド回路ＳＨＳと、差分回路１９ａとを備えている。抵抗Ｒは、積分回路１８のオペアンプ１８ａの出力端子に直列に接続されている。
【００３８】
第１サンプルホールド回路ＳＨＲは、第１スイッチＳｒと第１コンデンサーＣｒとを備えており、第１スイッチＳｒは、オン状態とされると抵抗Ｒと第１コンデンサーＣｒを接続状態とし、抵抗Ｒと第１コンデンサーＣｒで構成されるローパスフィルタ（Low-pass filter：ＬＰＦ）により、高周波のノイズ成分を低減して、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutに近い値（電圧揺らぎを小さく）にさせる。そして、オフ状態とされると積分回路１８と非接続状態となり電圧値（以下、この電圧値をＶcrという。）が保持される。また、第１スイッチＳｒと差分回路１９ａとの間の配線部分に第１コンデンサーＣｒの一方の電極が接続されており、第１コンデンサーＣｒの他方の電極はＧＮＤに接続されている。第１スイッチＳｒをオフ状態にすると積分回路１８と非接続状態となり、その瞬間のノイズ電圧が保持される。
【００３９】
第２サンプルホールド回路ＳＨＳも同様に、第２スイッチＳｓと第２コンデンサーＣｓとを備えており、第２スイッチＳｓは、オン状態とされると抵抗Ｒと第２コンデンサーＣｓを接続状態とし、抵抗Ｒと第２コンデンサーＣｓで構成されるローパスフィルタ（ＬＰＦ）により、高周波のノイズ成分を低減して、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutに近い値（電圧揺らぎを小さく）にさせる。そして、オフ状態とされると積分回路１８と非接続状態となり電圧値（以下、この電圧値をＶcsという。）が保持される。また、第２スイッチＳｓと差分回路１９ａとの間の配線部分に第２コンデンサーＣｓの一方の電極が接続されており、第２コンデンサーＣｓの他方の電極はＧＮＤに接続されている。抵抗Ｒと第２コンデンサＣｓで構成されるＬＰＦはノイズを低減する役割を担う。第２スイッチＳｓをオフ状態にすると積分回路１８と非接続状態となり 、その瞬間のノイズ電圧が保持される。
【００４０】
そして、第１サンプルホールド回路ＳＨＲは、画像データＤの読み出し処理時に放射線検出素子７から積分回路１８に電荷が流入する前に積分回路１８から出力されている電圧値Ｖoutをリファレンス値として第１コンデンサーＣｒに保持する。また、第２サンプルホールド回路ＳＨＳは、放射線検出素子７から電荷が流入した後で積分回路１８から出力されている電圧値Ｖoutを信号値として保持する。
【００４１】
そして、差分回路１９ａは、第２サンプルホールド回路ＳＨＳが保持している信号値としての電圧値Ｖoutと第１サンプルホールド回路ＳＨＲが保持しているリファレンス値としての電圧値Ｖoutとの差分ΔＶを出力する。これが、前述したアナログ値の画像データＤということになる。そして、読み出し回路１７は、このようにしてアナログ値の画像データＤを出力するようになっている。
【００４２】
なお、差分回路１９ａの出力端子には、前述したように、アナログマルチプレクサー２１（図４参照）を介してＡ／Ｄ変換器２０が接続されている。アナログマルチプレクサー２１は、複数の差分回路１９ａの出力の一つを選択的に切り替えてＡ／Ｄ変換器２０に接続するようになっている。
【００４３】
図６を用いてより具体的に説明する。なお、図６では、放射線検出素子７内に電荷（なお、後述する貫通電荷と区別するため、以下、信号電荷という。）が蓄積されていない状態で読み出し回路１７で読み出し動作を行った場合が実線で示されており、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて放射線検出素子７内で信号電荷が発生して蓄積されている状態で読み出し回路１７で読み出し動作を行った場合が破線で示されている。
【００４４】
まず、放射線検出素子７内に信号電荷が蓄積されていない状態で読み出し回路１７で読み出し動作を行った場合（図中の実線参照）について説明する。積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオン状態及びオフ状態にして積分回路１８のリセット処理を行った後、リファレンス値を得るために相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲの第１スイッチＳｒをオン状態にする。
【００４５】
この場合、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力されている電圧値Ｖoutは基準電圧Ｖ０であるから、第１サンプリングホールド回路ＳＨＲの第１コンデンサーＣｒの両電極間の電位差Ｖcr（以下、単に第１コンデンサーＣｒの電圧Ｖcrという。）も基準電圧Ｖ０になる。
【００４６】
そして、第１サンプリングホールド回路ＳＨＲの第１スイッチＳｒがオフ状態にされた時点（図中の矢印Ａ参照）での電圧Ｖcrが第１コンデンサーＣｒにリファレンス値Ｖcrとして保持（サンプルホールド）される。
【００４７】
そして、ＴＦＴ８がオン状態とされるが、この場合は、放射線検出素子７内に信号電荷が蓄積されていないため、放射線検出素子７から積分回路１８のコンデンサー１８ｂに流入する信号電荷はない。しかし、図６に示すようにＴＦＴ８をオフ状態からオン状態に切り替えると積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Voutが低下する。
その主要因として、貫通電荷（Feed through）がある。
【００４８】
図７に示すように、ＴＦＴ８の部分では走査線５と信号線６との間に寄生容量Ｃが存在するため、走査線５にオフ電圧からオン電圧に切り替えると寄生容量を介して、反転増幅された電圧がVoutに出力される。
【００４９】
このように、ＴＦＴ８がオン状態とされた際に上記のように放射線検出素子７から積分回路１８のコンデンサー１８ｂに流入する信号電荷はなくても、ＴＦＴ８がオン状態とされると信号線６を貫通電荷が流れて積分回路１８のコンデンサー１８ｂに蓄積される。そのため、図６に示したように、ＴＦＴ８をオン状態にした時点で積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが下記式（１）で表される電圧値Ｖoutに低下する。
Ｖout＝−Ｃ／Ｃｆ×（オン電圧−オフ電圧）  …（１）
【００５０】
なお、上記式（１）においてＣｆは積分回路１８のコンデンサー１８ｂの静電容量である。また、この後、ＴＦＴ８をオン状態からオフ状態に切り替えると、上記と同様の原理で、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Voutが上昇する。そして、その際、オペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutがその瞬間に所定の値に上昇したり低下したりせず、図６に示すように徐々に上昇したり低下したりする理由は、読み出し回路１７の積分回路のスルーレートや、オペアンプ１８ａの出力抵抗および積分回路のコンデンサー１８ｂに由来する時定数にある。そのため、ＴＦＴ８をオン状態にしたりオフ状態にした時点で、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutはある傾きや時定数をもった状態で上昇したり低下したりする状態になる。
【００５１】
続いて、ＴＦＴ８がオフ状態とされると、走査線５と信号線６との間の電位差がＴＦＴ８がオン状態とされる前の電位差に戻るため、寄生容量Ｃの部分の電荷状態や積分回路１８のコンデンサー１８ｂ部分の電荷状態が元の状態（すなわちＴＦＴ８がオン状態とされる前の状態）に戻る。そのため、積分回路１８のコンデンサー１８ｂに蓄積されていた貫通電荷もなくなるため、ＴＦＴ８がオフ状態とされた時点で、低下していた積分回路１８のオペアンプ１８ａからの電圧値Ｖoutが上昇していき、最終的には元の値（すなわちこの場合は基準電圧Ｖ０）に戻る。
【００５２】
そして、ＴＦＴ８がオフ状態とされた後、今度は信号値を得るために相関二重サンプリング回路１９の第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓをオン状態にすると、この場合、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは上記のように上昇していくため、第２サンプリングホールド回路ＳＨＳの第２コンデンサーＣｓの両電極間の電位差Ｖcs（以下、単に第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcsという。）も電圧値Ｖoutにあわせて上昇していく。第２コンデンサーＣｓの両電極間の電位差Ｖcsは、相関二重サンプリング回路１９が図５に示したようにＬＰＦの構成を有しているため、電圧値Ｖoutに対して時定数による遅れをもって応答する。
【００５３】
なお、第２スイッチＳｓをオン状態にするタイミングは、第１スイッチＳｒをオンする以前でも良く、必ずしも上記の構成にする必要はない。ただし、本発明のオフセットドリフト低減の設計を容易にする点で、第２スイッチＳｓをオン状態にするタイミングは、第１スイッチＳｒをオフ状態にした後が好ましい。このように構成すると、積分回路出力の本サンプルホールド部の負荷が共通になるため設計が容易になる。そして、第２サンプリングホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓがオフ状態にされた時点（図中の矢印Ｂ参照）での電圧Ｖcsが第２コンデンサーＣｓに信号値Ｖcsとして保持（サンプルホールド）される。
【００５４】
その際、第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcsが上昇していき、第２サンプリングホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓがオフ状態にされた時点では第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcsはほぼ基準電圧Ｖ０に戻っている。そのため、差分回路１９ａが、第２サンプルホールド回路ＳＨＳが保持している信号値Ｖcsと第１サンプルホールド回路ＳＨＲが保持しているリファレンス値Ｖcrとの差分ΔＶは両者ともほぼ基準電圧Ｖ０であるから、差分回路１９ａから出力される差分ΔＶはほぼ０になる。なお、この結果は、上記のように放射線検出素子７内に信号電荷が蓄積されていない状態で読み出し処理を行ったことに対応するものになっている（すなわちこの場合、画像データＤはほぼ０になる。）。
【００５５】
一方、撮影が行われて放射線画像撮影装置１に放射線が照射され、放射線検出素子７内で信号電荷が発生して蓄積されている状態で読み出し回路１７で読み出し動作を行った場合（図６中の破線参照）には、まず、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオン状態にすると積分回路１８のオペアンプ１８ａの入力側と出力側とが導通されて、積分回路１８のリセット処理が行われる。そのため、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが低下し、入力側と同じ基準電圧Ｖ０まで下がる。
【００５６】
そして、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオフ状態にした後、相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲの第１スイッチＳｒをオン状態にした後オフ状態にして、第１スイッチＳｒがオフ状態にされた時点（図中の矢印Ａ参照）での電圧Ｖcrが第１コンデンサーＣｒにリファレンス値Ｖcrとして保持（サンプルホールド）される点は上記と同様である。
【００５７】
続いて、ＴＦＴ８がオン状態とされると、放射線検出素子７から放出された信号電荷が信号線６を流れて積分回路１８のコンデンサー１８ｂに流入するが、この信号電荷の流入は積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutを上昇させる方向に働く。一方、この場合も貫通電荷が発生して積分回路１８のコンデンサー１８ｂに流れ込んで溜まるが、この貫通電荷の発生は積分回路１８のオペアンプ１８ａからの電圧値Ｖoutを低下させる方向に働く。
【００５８】
そのため、放射線検出素子７から放出された信号電荷による積分回路１８のオペアンプ１８ａからの電圧値Ｖoutの上昇と、貫通電荷の発生による積分回路１８のオペアンプ１８ａからの電圧値Ｖoutの低下とが互いに打ち消し合う関係になる。そのため、この場合（図６中の破線参照）は、放射線検出素子７内に信号電荷が蓄積されていない場合（図６中の実線参照）ほど、ＴＦＴ８がオン状態とされている間に積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが基準電圧Ｖ０から大きく低下しない。図６に示した例では、基準電圧Ｖ０から僅かだけ低下する状態になっている。
【００５９】
そして、ＴＦＴ８がオフ状態とされると、この場合も積分回路１８のコンデンサー１８ｂに蓄積されていた貫通電荷がなくなるが、放射線検出素子７から流入した信号電荷は積分回路１８のコンデンサー１８ｂに残る。そのため、ＴＦＴ８がオフ状態とされると、上記と同様に積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが上昇していくが、この場合は、最終的には元の基準電圧Ｖ０よりも高い電圧値Ｖoutに収束していく。
【００６０】
そして、ＴＦＴ８がオフ状態とされた後、相関二重サンプリング回路１９の第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓをオン／オフにして第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcsを信号値Ｖcsとして保持すると、差分回路１９ａが出力する差分ΔＶは、放射線検出素子７から積分回路１８に流入した信号電荷（すなわち放射線の照射により放射線検出素子７内で発生した電荷）に依存する差分ΔＶ（すなわち０とは有意に異なる画像データＤ）になる。
【００６１】
図５に示した従来の構成例の読み出し回路１７では、例えば以上のようにして画像データＤの読み出し処理が行われるようになっていた。しかし、動画撮影の高フレームレートで動作させるため、サンプリング時間を短縮すると、前述したように、このような従来の読み出し回路１７では、それを内蔵する読み出しＩＣ１６の温度変化によって読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトが生じていた。
【００６２】
［本発明の基本となる知見について］
上記のように、読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９の第１コンデンサーＣｒの両電極間の電位差Ｖcrや第２コンデンサーＣｓの両電極間の電位差Ｖcsは、相関二重サンプリング回路１９が図５に示したようにＬＰＦの構成を有しているため、電圧値Ｖoutに対して時定数による遅れをもって応答する。
【００６３】
そして、本発明者らの研究により、温度ドリフトが発生する原因が、相関二重サンプリング回路１９の応答性が温度により変化し、応答性に対してサンプリング時間が短いことが原因であることを突き止めた。そして、温度ドリフトが発生する原因に、チャージアンプ回路で構成された積分回路１８の応答性が温度により変化し、入力信号に対して出力信号の追随特性が変化することもあることを突き止めた。
【００６４】
なお、温度ドリフトの発生を防止するために、相関二重サンプリング回路１９の応答性に対してサンプリング時間を長くする方法が考えられるが、この方法では、目的のフレームレートが達成できなくなるといった問題が生じ得る。また、応答性を改善させるための方法として、読み出しＩＣ１６の駆動電流を増やして駆動能力を向上させる方法があるが、放射線画像撮影装置１に大電流を流すことができる電源を搭載したり、読み出しＩＣ１６の発熱量の増加を低減するための放熱や冷却のための機構が必要となり、消費電力が増加したり放射線画像撮影装置１の重量が増加する等の問題を生じてしまう。
【００６５】
［読み出しＩＣに起因する温度ドリフトの発生メカニズムについて］
以下、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトの発生メカニズムについて説明する。このような読み出し回路１７を内蔵する読み出しＩＣ１６の温度変化に起因して温度ドリフトが発生するメカニズムについて本発明者らが研究を重ねた結果、読み出しＩＣ１６の温度変化により、一つは相関二重サンプリング回路１９を構成する第１スイッチＳｒと第２スイッチＳｓのトランジスタのオン時の等価抵抗が変化することによるＬＰＦの時定数が変化することが原因であり、もう一つは積分回路１８の出力等価抵抗が変化することで、コンデンサー１８ｂとの時定数が変化することが原因であることが分かってきた。そのため、積分回路１８のオペアンプ１８ａからの電圧値Ｖoutや、第１コンデンサーＣｒの電圧Ｖcr（すなわちリファレンス値Ｖcr）、第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcs（すなわち信号値Ｖcs）の応答度合いが変化する。
【００６６】
そして、読み出しＩＣ１６の応答性は、読み出しＩＣ１６内の増幅素子とスイッチ素子（図示省略）が温度依存性をもつため、温度特性を有する。本発明者らの検討により、積分回路１８のスルーレートや時定数、相関二重サンプリング回路１９の時定数は、読み出しＩＣ１６が低温である場合には大きなスルーレート、小さな時定数になり、高温である場合には小さなスルーレート、大きな時定数になることが分かってきた。
【００６７】
以下、図８等に基づいて説明する。なお、以下では、放射線検出素子７内に信号電荷が蓄積されていない場合（図６における実線の場合）について説明するが、放射線検出素子７内で発生した信号電荷が放射線検出素子７内に蓄積されている場合（図６における破線の場合）も同様に説明される。そのため、以下の説明は、放射線検出素子７内に信号電荷が蓄積されていない場合に限定されるものではない。
【００６８】
読み出しＩＣ１６の温度がより低温で読み出しＩＣ１６の応答性が良い場合は、図８に実線で示すように、ＴＦＴ８をオフ状態にした時点から、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは比較的急速に上昇する。また、第１コンデンサーＣｒのリファレンス値Ｖcrと第２コンデンサーＣｓの信号値Ｖcsは電圧値Ｖoutに対して追従しやすい。それに対し、読み出しＩＣ１６の温度がより高温で読み出しＩＣ１６の応答性が悪い場合は、図８に破線で示すように、ＴＦＴ８をオフ状態にした時点から、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは比較的緩やかに上昇する状態になる。また、第１コンデンサーＣｒのリファレンス値Ｖcrと第２コンデンサーＣｓの信号値Ｖcsは電圧値Ｖoutに対して追従しにくくなる。
【００６９】
そのため、読み出しＩＣ１６の温度が高温の場合も低温の場合も、ＴＦＴ８をオフ状態にした時点で積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが上昇を開始するが、相関二重サンプリング回路１９の第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcsを信号値Ｖcsとして保持する時点（図中の矢印Ｂ参照）で、読み出しＩＣ１６が低温で応答性が良い場合（実線参照）に保持される信号値Ｖcsよりも、読み出しＩＣ１６が高温で応答性が悪い場合（破線参照）に保持される信号値Ｖcsの方がより小さい値になる。
【００７０】
しかも、図８に示すように、第２サンプルホールド回路ＳＨＳで信号値Ｖcsを保持する時点（図中の矢印Ｂ参照）がより早期になるほど（すなわち矢印Ｂが図のより左側に移動するほど）、読み出しＩＣ１６が低温の場合の信号値Ｖcs（実線）と、読み出しＩＣ１６が高温の場合の信号値Ｖcs（破線）との差が大きくなる。
【００７１】
それに対し、図８に示すように、読み出し回路１７の積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオン／オフして積分回路１８のリセット処理を行う時点ではＴＦＴ８をオン状態にした場合のような貫通電荷が生じないため、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力されるＶoutはほとんど変化しない。そのため、相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲの第２スイッチＳｒをオフ状態にして第１コンデンサーＣｒの電圧Ｖcrをリファレンス値Ｖcrとして保持する時点（図中の矢印Ａ参照）で、読み出しＩＣ１６が低温の応答性が良い場合（実線参照）と、読み出しＩＣ１６が高温で応答性が悪い場合（破線参照）とで、保持されるリファレンス値Ｖcrの差はほとんどない。
【００７２】
そのため、差分回路１９ａからアナログ値の画像データＤとして出力される上記の差分ΔＶ（すなわち信号値Ｖcsとリファレンス値Ｖcrとの差分Ｖcs−Ｖcr）には、相関二重サンプリング回路１９の第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓをオフ状態にして信号値Ｖcsを保持した時点（図中の矢印Ｂ参照）での読み出しＩＣ１６が低温の場合（実線参照）と高温の場合（破線参照）との信号値Ｖcsの差の分だけ違いが生じることになる。そのために読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトが生じる。
【００７３】
以上のことを別の角度から見た場合、例えば、読み出しＩＣ１６の温度Ｔを横軸にとり、信号値Ｖcsを保持した時点（図８中の矢印Ｂ参照）で保持される信号値Ｖcsとの関係をグラフに表すと、例えば図９（Ａ）に示すように、読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど信号値Ｖcsの値が低下していく。一方、読み出しＩＣ１６の温度Ｔを横軸にとり、リファレンス値Ｖcrを保持した時点（図８中の矢印Ａ参照）で保持されるリファレンス値Ｖcrとの関係をグラフに表すと、例えば図９（Ｂ）に示すように、リファレンス値Ｖcrは読み出しＩＣ１６の温度Ｔにほとんど依存しない状態になる。
【００７４】
そのため、差分回路１９ａでそれらの差分ΔＶをとると、図９（Ｃ）に示すように、差分ΔＶ（すなわちアナログ値の画像データＤ）は、読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど低下していく状態になる。これが、従来の場合に、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトが発生するメカニズムであると考えられる。
【００７５】
なお、以上では、前述したように、放射線検出素子７内に信号電荷が蓄積されていない場合について説明した。しかし、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて放射線検出素子７内で信号電荷が発生した場合には図６に示したようにその分信号値Ｖcsが大きくなる。そのため、その場合には図９（Ａ）、（Ｃ）のグラフが全体的に上方に平行移動したような状態になる。なお、リファレンス値ＶcrはＴＦＴ８をオン状態とする前に保持されるため、信号電荷の有無にかかわらず図９（Ｂ）に示した状態からほとんど変わらない。
【００７６】
［本実施形態に係る読み出し回路の構成等について］
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１における読み出し回路１７の構成等について説明する。本実施形態においても、読み出し回路１７は、オペアンプ１８ａやリセットスイッチ１８ｃを備える積分回路１８と、リファレンス値Ｖcrを保持する第１サンプルホールド回路ＳＨＲと信号値Ｖcsを保持する第２サンプルホールド回路ＳＨＳと差分回路１９ａとを備える相関二重サンプリング回路１９を備えている。
【００７７】
そして、本実施形態では、さらに、読み出し回路１７のリセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされて積分回路１８のリセット処理が終了してから第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわち第１サンプルホールド回路ＳＨＲにおけるリファレンス値Ｖcr）を変化させる機構（以下、リファレンス値Ｖcrを変化させるための機構という。）を備えるようになっている。
【００７８】
その際、このリファレンス値Ｖcrを変化させるための機構は、読み出し回路１７のリセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされて積分回路１８のリセット処理が終了してから第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわち第１サンプルホールド回路ＳＨＲにおけるリファレンス値Ｖcr）を、スイッチ素子であるＴＦＴ８がオフ状態になってから第２サンプルホールド回路ＳＨＳが信号値Ｖcsを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutの変化と略同様に変化させるように構成されていることが好ましい。
【００７９】
なお、この場合、「略同様」とは、後述する図１３（Ｃ）等に示すように後述する差分ΔＶが、読み出しＩＣ１６の温度Ｔに依存せず完全に０である場合だけでなく、読み出しＩＣ１６の温度Ｔにほとんど依存しない場合（すなわち温度Ｔの変化に伴って僅かに０からずれる場合）も含まれることを表している。
【００８０】
そして、本実施形態では、このように構成することで、従来は上記のように読み出しＩＣ１６の温度Ｔにほとんど依存しなかったリファレンス値Ｖcr（図９（Ｂ）参照）が、後述する図１３（Ｂ）等に示すように、読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど低下する状態を形成する。
【００８１】
そして、本実施形態では、このような状態を形成にすることで、後述する図１３（Ｃ）等に示すように、差分回路１９ａから出力される、読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど値が低下していく信号値Ｖcs（後述する図１３（Ａ）参照）と上記のリファレンス値Ｖcrとの差分ΔＶが、読み出しＩＣ１６の温度Ｔにほとんど依存しない状態になるようになっている。
【００８２】
本実施形態では、このようにして、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトが生じないようにし（温度ドリフトの抑制）、あるいは温度ドリフトが生じてもその程度がより小さくなるようになっている（温度ドリフトの低減）。
【００８３】
［リファレンス値Ｖcrを変化させるための機構の具体的な構成等について］
以下、リファレンス値Ｖcrを変化させるための機構の具体的な構成例について説明する。以下では、２つの構成例について説明するが、上記の状態を形成できる構成であれば、他の構成を採用することも可能である。
【００８４】
［構成例１］
リファレンス値Ｖcrを変化させるための機構の構成例１として、例えば図１０に示すように構成することができる。すなわち、この場合、リファレンス値Ｖcrを変化させるための機構は、図５に示した従来と同様の構成に対して、一方の端子が信号線６に接続され、他方の端子が切替手段２６に接続された容量２５と、容量２５をオン状態とオフ状態との間で切り替え可能である切替手段２６とを備えるように構成することでできる。なお、オン状態とはオン電圧を容量２５に印加した状態であり、オフ状態とはオフ電圧を容量２５に印加した状態を意味する。また、容量２５は、例えばコンデンサーで形成することができる。
【００８５】
容量２５や切替手段２６は、例えば図１１に示すように、基板４（図２等参照）上の各信号線６の端部に形成することが可能であるが、この他にも、例えばフレキシブル回路基板１２（図３参照）上や読み出しＩＣ１６上等に形成することも可能であり、放射線画像撮影装置１内で容量２５等を形成する場所は特定の場所に限定されない。
【００８６】
また、図１０や図１１では、容量２５が、各放射線検出素子７のスイッチ素子であるＴＦＴ８の部分で走査線５と信号線６との間に生じている寄生容量Ｃとほぼ同じ値の容量値で構成されており、切替手段２６から走査線５ａを介して容量２５に、ゲートドライバー１５ｂからＴＦＴ８に印加するオン電圧やオフ電圧と同じ電圧のオン電圧やオフ電圧を容量２５の片方の端子に印加して容量２５をオン状態やオフ状態とする場合が示されているが、下記の現象（後述する図１２に示される現象）が生じる構成であればよく、必ずしもこの構成に限定されない。たとえば容量２５と切替手段２６の両方もしくは片方は、前述した放射線検出素子７やＴＦＴ８と同様にセンサー基板４の上面に限らず、読み出しＩＣ１６上に形成してもよい。
【００８７】
また、同程度の貫通電荷として、容量と変化させる電圧の積が略同一になるようにしても良いし、信号変化を印加するタイミングを考慮して、容量と変化させる電圧の積を大きくしても、小さくしても良い。
【００８８】
そして、構成例１では、このような構成を用いて、読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲにおけるリファレンス値Ｖcrを変化させるようになっている。その際、構成例１では、上記のような構成を用いて、読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲにおけるリファレンス値Ｖcrを、ＴＦＴ８がオフ状態になってから第２サンプルホールド回路ＳＨＳが信号値Ｖcsを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutの変化（すなわち第１サンプルホールド回路ＳＨＳにおける信号値Ｖcsの変化）と略同様に変化させるようになっている。
【００８９】
具体的には、構成例１では、図１２に示すように、読み出し回路１７のリセットスイッチ１８ｃをオン状態にするのと同時又はそれ以後に、切替手段２６により容量２５の片方の端子にオン電圧を印加してオン状態にする。そして、リセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされると同時に又はそれ以後に、切替手段２６により容量２５の片方の端子にオフ電圧を印加してオフ状態にする。そして、それと同時に、読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲのスイッチＳｒをオン状態にするように制御される。
【００９０】
このように制御すると、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオン状態としている最中は、切替手段２６により容量２５の片方の端子にオン電圧を印加しても、積分回路１８のオペアンプ１８ａから容量２５の他方の端子に電荷が供給されるため、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは変化しない（すなわち基準電圧Ｖ０のままである。）。すなわち、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオン状態とし、容量２５にオン電圧を印加している状態では、容量２５の両電極間に電荷が蓄積されるが、積分回路１８のコンデンサー１８ｂ（図１０参照）には電荷は蓄積されていない。
【００９１】
次に、図１２に示すように、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオフ状態にすると同時に容量２５の片方の端子にオフ電圧を印加してオフ状態にすると、容量２５に蓄積されていた電荷が積分回路１８のコンデンサー１８ｂに流れ込んで蓄積されるため、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが上昇する。
【００９２】
なお、この構成例１では、上記のように積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオフ状態にすると同時に容量２５をオフ状態にする代わりに、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオフ状態にした後で容量２５をオフ状態にするように構成することも可能である。そして、この場合、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオフ状態にしてから容量２５をオフ状態にするまでの間、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃがオフ状態、容量２５がオン状態の状態が形成されるため、図７に示した状態と同じ状態になる。そのため、図示を省略するが、この場合は、容量２５から積分回路１８に貫通電荷が流れ込むため、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオフ状態にした時点で積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが一旦低下する。そして、その後、容量２５をオフ状態にした時点で電圧値Ｖoutが上昇を開始する状態になる。
【００９３】
このように、構成例１では、読み出し回路１７のリセットスイッチ１８ｃがオフ状態とすると同時又はそれ以降に容量２５をオフ状態にすることで、相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまで（図中の矢印Ａ参照）の間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutを変化させるようになっている。
【００９４】
すなわち、従来の場合には、相関二重サンプリング回路１９でリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間、積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）はほとんど変化しなかったが（図８参照）、構成例１では、信号線６に接続された容量２５をオン／オフさせることで、図１２に示すように積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutを意図的に変化させるようになっている。
【００９５】
このように構成すると、図１２に示したように積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力された電圧値Ｖoutが上昇して一定値になる際に、前述したように読み出しＩＣ１６が低温である場合と高温である場合とで時定数が異なるため、読み出しＩＣ１６がより低温である場合（応答性が良い場合）は、図１２に実線で示すように、容量２５をオフ状態にした時点から積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）は比較的急速に上昇するのに対し、読み出しＩＣ１６がより高温である場合（応答性が悪い場合）は、図１２に破線で示すように積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）は比較的緩やかに上昇する状態になる。
【００９６】
そのため、構成例１のように構成することで、容量２５がオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）を変化させることが可能となる。また、容量２５がオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）を、ＴＦＴ８がオフ状態になってから第２サンプルホールド回路ＳＨＳが信号値Ｖcsを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわち信号値Ｖcs）の変化と略同様に変化させることが可能となる。
【００９７】
そのため、図１２に示すように、構成例１においても、従来の場合と同様、相関二重サンプリング回路１９の第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcsを信号値Ｖcsとして保持する時点（図中の矢印Ｂ参照）で、読み出しＩＣ１６が低温である場合（応答性が良い場合。実線参照）に保持される信号値Ｖcsよりも、読み出しＩＣ１６が高温である場合（応答性が悪い場合。破線参照）に保持される信号値Ｖcsの方がより小さい値になる。
【００９８】
しかし、従来の場合とは異なり、相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲの第１コンデンサーＣｒの電圧Ｖcrをリファレンス値Ｖcrとして保持する時点（図中の矢印Ａ参照）でも、読み出しＩＣ１６が低温である場合（応答性が良い場合。実線参照）に保持されるリファレンス値Ｖcrよりも、読み出しＩＣ１６が高温である場合（応答性が悪い場合。破線参照）に保持されるリファレンス値Ｖcrの方がより小さい値になる。
【００９９】
そして、これを図９（Ａ）〜（Ｃ）に示したように信号値Ｖcsやリファレンス値Ｖcrの読み出しＩＣ１６の温度Ｔに対する関係として見た場合、例えば図１３（Ａ）に示すように、信号値Ｖcsは図９（Ａ）に示した場合と同様に読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど低下していくが、構成例１では、図１３（Ｂ）に示すように、リファレンス値Ｖcrも読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど低下していく。
【０１００】
そのため、構成例１では、差分回路１９ａでそれらの差分ΔＶをとると、図１３（Ｃ）に示すように、差分ΔＶ（すなわちアナログ値の画像データＤ）は、読み出しＩＣ１６の温度Ｔに依存せず、一定の値になる。あるいは差分ΔＶが読み出しＩＣ１６の温度Ｔに応じて変化するとしてもその変化量が僅かな状態になる。そのため、構成例１のように構成すれば、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトを抑制し、あるいは温度ドリフトが発生したとしてもそれを低減することが可能となる。
【０１０１】
なお、上記の構成例１で、放射線画像撮影装置１の制御手段２２が、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃや、相関二重サンプリング１９の第１スイッチＳｒや第２スイッチＳｓ、容量２５の片方の端子に印加する電圧の切り替えを行う切替手段２６に対する制御を行うように構成することが可能であるが、制御手段２２とは別の制御手段で上記の切り替え制御を行うように構成することも可能である。
【０１０２】
また、図１２では、読み出し回路１７の積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃがオン状態とされるタイミングと容量２５の片方の電極にオン電圧を印加してオン状態にするタイミングが同時である場合を示したが、容量２５をオン状態にするタイミングは、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオン状態とすると同時又は第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓをオフするタイミング以降であればよい。第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓをオフする以前では、信号値Ｖcsが変化するため、成り立たないが、それ以降では問題ない。
【０１０３】
また、図１２では、容量２５をオフ状態とするタイミングや相関二重サンプリング１９の第１スイッチＳｒをオン状態とするタイミングが、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃをオフ状態にするタイミングと同時である場合について説明したが、これに限定されるものではない。そして、以上のように構成しても、上記の構成例１と全く同様の効果を得ることができる。
【０１０４】
［構成例２］
また、図１４に示すように、上記の構成例１における容量２５の代わりに擬似スイッチ素子２７を設けるように構成することも可能である。このように構成すると、擬似スイッチ素子２７の部分に寄生容量が生じるため、擬似スイッチ素子２７が構成例１における容量２５と同様に作用することになる。
【０１０５】
そして、この場合も、切替手段２６から擬似スイッチ素子２７にオン電圧やオフ電圧を印加することで擬似スイッチ素子２７をオン状態とオフ状態との間で切り替えるように構成し、図１２を用いて説明した容量２５のオン／オフ制御と同様に擬似スイッチ素子２７のオン／オフを制御することで、構成例１の場合と全く同様の効果（図１３（Ａ）〜（Ｃ）参照）を得ることができる。
【０１０６】
なお、擬似スイッチ素子２７の信号線６に接続された端部とは反対側の端部（図１４におけるα参照）は、開放端（すなわち端部に何も接続されていない状態の端部）であってもよく、コンデンサー等に接続されていてもよい。
【０１０７】
［構成例３］
また、上記の構成例１、２では、容量２５や切替手段２６、擬似スイッチ素子２７等を新たに設ける場合について説明したが、それらの新たな構成を必要とせず、図４や図５に示した放射線画像撮影装置１に既存の構成を用いて、上記の構成例１、２と同様に機能させるように構成することも可能である。
【０１０８】
すなわち、構成例３では、構成例１、２の容量２５や擬似スイッチ素子２７等の代わりに、放射線画像撮影装置１に既存の走査駆動手段１５（図４参照）や走査線５、放射線検出素子７のスイッチ素子であるＴＦＴ８等を用いてリファレンス値Ｖcrをサンプルホールドする際に積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutを図１２等に示したように変化させるようになっている。
【０１０９】
ここで、構成例３について説明する前に、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂの構成等について説明する。本実施形態では、前述したように、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂ（図４参照）は、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えることで、各走査線５に接続されている放射線検出素子７のスイッチ素子であるＴＦＴ８の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替えるようになっている。
【０１１０】
具体的には、本実施形態では、ゲートドライバー１５ｂは、クロックパルスに従ってオン電圧を印加する端子を切り替えるようになっている。そして、各端子には走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘがそれぞれ接続されているため、ゲートドライバー１５ｂは、クロックパルスに従ってオン電圧を印加する走査線５のラインＬ１〜Ｌｘを順次切り替えるようになっている。なお、オン電圧を印加する走査線５を縦方向にシフトさせるという意味で、以下、このクロックバルスをＣＰＶ（clock pulse vertical）という。
【０１１１】
そして、従来の場合は、図８等に示したように、ＣＰＶに従ってオン電圧を印加する走査線５をラインＬｎに切り替え、ゲートドライバー１５ｂから走査線５のラインＬｎにオン電圧を印加してそれに接続されている放射線検出素子７のＴＦＴ８をオン状態にする。すると、当該放射線検出素子７から読み出し回路１７に電荷を放出させて画像データＤの読み出し処理が行われる。そして、ゲートドライバー１５ｂは、次のＣＰＶが来るとオン電圧を印加する走査線５を次のラインＬn+1に切り替える。そして、ＣＰＶごとにオン電圧を印加する走査線５を順次切り替えながら以上の処理を繰り返すことで、各放射線検出素子７から画像データＤが読み出されるようになっている。
【０１１２】
構成例３では、以上の構成を利用するが、図１５に示すように、１回のＣＰＶでゲートドライバー１５ｂから走査線５やそれに接続されているＴＦＴ８にオン電圧を１回ではなく２回ずつ印加するように構成される。すなわち、構成例３では、ＴＦＴ８の１回目のオン動作で放射線検出素子７から読み出し回路１７に電荷を放出させて画像データＤの読み出し処理を行い、放射線検出素子７が空になった状態（電荷がなくなった状態）でＴＦＴ８を再度オン状態にする。そして、この２回目のＴＦＴ８のオン状態が、構成例１、２における容量２５や擬似スイッチ素子２７をオン状態とすることに相当するものになる。
【０１１３】
すなわち、図１５に示すように、ゲートドライバー１５ｂは、ＣＰＶに従って走査線５のラインＬｎにオン電圧を印加し、走査線５の当該ラインＬｎに接続されている放射線検出素子７のＴＦＴ８をオン状態にして（図１５の左側のｎ参照）、当該放射線検出素子７から当該ＴＦＴ８を介して読み出し回路１７に電荷を放出させる。そして、ゲートドライバー１５ｂは、走査線５のラインＬｎに印加する電圧をオフ電圧に切り替えて当該ＴＦＴ８をオフ状態とする。
【０１１４】
そして、ゲートドライバー１５ｂは、読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９の第２スイッチＳｓがオフ状態とされて信号値Ｖcsがサンプルホールドされると、再度、走査線５の同じラインＬｎに印加する電圧をオン電圧に切り替えてＴＦＴ８をオン状態とする。図１５では、第１スイッチＳｒと第２スイッチＳｓをリセットスイッチ１８ｃと同時にオン状態にする例を示している。この動作により、積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃがオン状態のとき、相関二重サンプリング回路１９の信号値Ｖcsとリファレンス値Ｖcrが基準電圧にリセットされる。
【０１１５】
そして、ゲートドライバー１５ｂは、構成例１（容量２５）や構成例２（擬似スイッチ素子２７）の場合と同様に、リセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされると同時又はそれ以後に走査線５の当該ラインＬｎに印加する電圧をオフ電圧に切り替えて当該ＴＦＴ８をオフ状態にする。そして、次のＣＰＶに従って、オン電圧を印加する走査線５を次のラインＬn+1に切り替える。
【０１１６】
このように構成することで、走査線５の次のラインＬn+1にオン電圧を印加して（図１５中のｎ＋１参照）そのラインＬn+1に接続されている放射線検出素子７から画像データＤを読み出す前に、第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持する（図１５中の右側の矢印Ａ参照）までの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutを，構成例１、２の場合と同様に変化させることが可能となる。
【０１１７】
そのため、この構成例３の場合も、構成例１、２の場合と全く同様の効果（図１３（Ａ）〜（Ｃ）参照）を得ることが可能となる。また、構成例３では、上記のように新たな構成を必要とせず、放射線画像撮影装置１に既存の構成を用いて、構成例１、２と同様の有益な効果を得ることが可能となる。
【０１１８】
構成例１〜３において、オン電圧を印加するラインは、１ラインで説明したが、複数ラインを同時にオン電圧を印加し、画素サイズを大きくした処理をすることも可能である。例えば、ＬｎとＬn+1ラインを選択し、ＣＰＶパルスを２パルス入力して、次にＬn+2とＬn+3を選択するようにしても良い。
【０１１９】
［構成例４］
一方、リファレンス値Ｖcrを変化させるための機構の構成例４として、例えば図１６に示すように構成することも可能である。すなわち、この場合、リファレンス値Ｖcrを変化させるための機構は、図５に示した積分回路１８のオペアンプ１８ａに接続されるコンデンサー１８ｂやリセットスイッチ１８ｃ等の部分の構成が変更された構成となっている。
【０１２０】
そして、構成例４では、読み出し回路１７の積分回路１８のリセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされた時点で積分回路１８のオペアンプ１８ａの入力側と出力側との間に所定の電圧値Ｖ１の電圧を印加することで、上記の構成例１の場合と同様に、第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）を変化させるようになっている。
【０１２１】
以下、具体的に説明する。構成例４では、従来の場合と同様に、積分回路１８は、オペアンプ１８ａの反転入力端子と出力端子間にリセットスイッチ１８ｃ（なお、後述する第２リセットスイッチ１８ｄ等と区別するために、以下、第１リセットスイッチ１８ｃという。）が接続されて構成されている。さらに、コンデンサー１８ｂと直列に接続された第２リセットスイッチ１８ｄが、オペアンプ１８ａの反転入力端子と出力端子との間に設けられている。
【０１２２】
また、コンデンサー１８ｂと第２リセットスイッチ１８ｄとの間で配線が分岐されており、分岐された配線には第３リセットスイッチ１８ｅが設けられている。そして、第３リセットスイッチ１８ｅには、所定の電圧値Ｖ１の電圧を供給する電源１８ｆが接続されている。
【０１２３】
そして、図１７に示すように、第１リセットスイッチ１８ｃと第３リセットスイッチ１８ｅは、オン状態からオフ状態への切り替え及びオフ状態からオン状態への切り替えが同じタイミングで行われるが、第２リセットスイッチ１８ｄは、第１リセットスイッチ１８ｃ等と同じでオン／オフが切り替えられるが、第１リセットスイッチ１８ｃ等とはオン状態及びオフ状態がそれぞれ逆になるように切り替えられるようになっている。
【０１２４】
具体的には、構成例４では、図１７に示すように、まず、積分回路１７のリセット処理の際には、読み出し回路１７の第１リセットスイッチ１８ｃと第３リセットスイッチ１８ｅとをオン状態とするとともに、第２リセットスイッチ１８ｄをオフ状態とする。このような状態にすると、第１リセットスイッチ１８ｃをオン状態にすることで積分回路１８のオペアンプ１８ａの反転入力端子側と出力側とが導通されるため、オペアンプ１８ａの出力電圧ＶoutがＶ０となり、積分回路１８のリセット処理が行われる。
【０１２５】
また、第３リセットスイッチ１８ｅもオン状態とされる。そのため、コンデンサー１８ｂの出力側の電極には電源１８ｆから所定の電圧値Ｖ１の電圧が印加され、コンデンサー１８ｂの入力側の電極には基準電圧Ｖ０が印加される状態になるため、コンデンサー１８ｂにはＶ１−Ｖ０の電圧差が生じている状態になる。
【０１２６】
しかし、第２リセットスイッチ１８ｄはオフ状態とされているため、この電圧Ｖ１−Ｖ０は積分回路１８のオペアンプ１８ａの出力端子にはかからない。そのため、図１７に示すように、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは、通常の積分回路１７のリセット処理時と同様に基準電圧Ｖ０（すなわち入力側の非反転入力端子の電圧と同じ電圧）になる。
【０１２７】
続いて、積分回路１８のリセット処理が終わると、第１リセットスイッチ１８ｃと第３リセットスイッチ１８ｅとがオフ状態に切り替えられるとともに、第２リセットスイッチ１８ｄがオン状態に切り替えられる。すると、積分回路１８のオペアンプ１８ａの入力側と出力側の間に急にＶ１−Ｖ０の電圧（すなわちコンデンサー１８ｂに加わっている電圧）が加わる状態になる。そのため、積分回路１８のオペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが電圧値Ｖ１（＝Ｖ０＋（Ｖ１−Ｖ０））に向かって上昇し始める。
【０１２８】
このように、構成例１では、第１〜第３の各リセットスイッチ１８ｃ〜１８ｅを上記のように切り替えて読み出し回路１７の第１リセットスイッチ１８ｃ等がオフ状態とされた時点で積分回路１７の出力側に所定の電圧値Ｖ１の電圧を印加することで、相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまで（図中の矢印Ａ参照）の間に積分回路１７から出力される電圧値ＶoutがＶ０からＶ１に上昇するように変化させるようになっている。
【０１２９】
すなわち、従来の場合には、相関二重サンプリング回路１９でリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間、積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）はほとんど変化しなかったが（図８参照）、構成例４では、上記のように読み出し回路１７の第１リセットスイッチ１８ｃ等がオフ状態とされた時点で積分回路１７の入力側と出力側との間に所定の電圧値Ｖ１の電圧を印加するように構成することで、図１７に示すように積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutを意図的に変化させるようになっている。
【０１３０】
なお、この場合、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutは上記の電圧値Ｖ１まで上昇する。また、図１７に示すように、その後、ＴＦＴ８をオン状態とすると、上記と同様に貫通電荷が生じるため、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutは一旦低下するが、ＴＦＴ８をオフ状態とすると貫通電荷がなくなるため、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutは、一旦低下した状態から再度電圧値Ｖ１まで上昇する状態になる。
【０１３１】
上記のように構成すると、積分回路１８のリセット処理が終了し、読み出し回路１７の第１リセットスイッチ１８ｃ等がオフ状態とされた後、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutが上記の電圧値Ｖ１に上昇する際に、前述したように読み出しＩＣ１６が低温である場合と高温である場合とで積分回路１８の応答性や第１サンプリング回路ＳＨＲや第２サンプリング回路ＳＨＳの応答性が異なるため、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutの上昇の度合いに違いが生じる。
【０１３２】
すなわち、読み出しＩＣ１６がより低温である場合（応答性が良い場合）は、図１７に実線で示すように第１リセットスイッチ１８ｃ等をオフ状態にした時点から積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）が比較的急速に上昇するのに対し、読み出しＩＣ１６がより高温である場合（応答性が悪い場合）は、図１７に破線で示すように積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）は比較的緩やかに上昇する状態になる。
【０１３３】
そのため、構成例４のように構成することで、読み出し回路１７の積分回路１８の第１リセットスイッチ１８ｃ等がオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）を変化させることが可能となる。また、読み出し回路１７の積分回路１８の第１リセットスイッチ１８ｃ等がオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲがリファレンス値Ｖcrを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわちリファレンス値Ｖcr）を、ＴＦＴ８がオフ状態になってから第２サンプルホールド回路ＳＨＳが信号値Ｖcsを保持するまでの間に積分回路１８から出力される電圧値Ｖout（すなわち信号値Ｖcs）の変化と略同様に変化させることが可能となる。
【０１３４】
そのため、図１７に示すように、構成例４においても、従来の場合と同様、相関二重サンプリング回路１９の第２サンプルホールド回路ＳＨＳの第２コンデンサーＣｓの電圧Ｖcsを信号値Ｖcsとして保持する時点（図中の矢印Ｂ参照）で、読み出しＩＣ１６が低温である場合（応答性が良い場合。実線参照）に保持される信号値Ｖcsよりも、読み出しＩＣ１６が高温である場合（応答性が悪い場合。破線参照）に保持される信号値Ｖcsの方がより小さい値になる。
【０１３５】
しかし、従来の場合とは異なり、相関二重サンプリング回路１９の第１サンプルホールド回路ＳＨＲの第１コンデンサーＣｒの電圧Ｖcrをリファレンス値Ｖcrとして保持する時点（図中の矢印Ａ参照）でも、読み出しＩＣ１６が低温である場合（応答性が良い場合。実線参照）に保持されるリファレンス値Ｖcrよりも、読み出しＩＣ１６が高温である場合（応答性が悪い場合。破線参照）に保持されるリファレンス値Ｖcrの方がより小さい値になる。
【０１３６】
そして、これを図９（Ａ）〜（Ｃ）に示したように信号値Ｖcsやリファレンス値Ｖcrの読み出しＩＣ１６の温度Ｔに対する関係として見た場合、例えば図１８（Ａ）に示すように、信号値Ｖcsは図９（Ａ）に示した場合と同様に読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど低下していくが、構成例４では、図１８（Ｂ）に示すように、リファレンス値Ｖcrも読み出しＩＣ１６の温度Ｔが高温になるほど低下していく。
【０１３７】
そのため、構成例４では、差分回路１９ａでそれらの差分ΔＶをとると、図１８（Ｃ）に示すように、差分ΔＶ（すなわちアナログ値の画像データＤ）は、読み出しＩＣ１６の温度Ｔに依存せず、一定の値になる。あるいは差分ΔＶが読み出しＩＣ１６の温度Ｔに応じて変化するとしてもその変化量が僅かな状態になる。そのため、構成例４のように構成すれば、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトを抑制し、あるいは温度ドリフトが発生したとしてもそれを低減することが可能となる。
【０１３８】
なお、上記の構成例４においても、放射線画像撮影装置１の制御手段２２が、積分回路１８の第１リセットスイッチ１８ｃ、第２リセットスイッチ１８ｄ、第３リセットスイッチ１８ｅや、相関二重サンプリング１９の第１スイッチＳｒや第２スイッチＳｓのオン／オフの切り替え制御を行うように構成することが可能であるが、制御手段２２とは別の制御手段で上記の切り替え制御を行うように構成することも可能である。
【０１３９】
また、各スイッチのオン／オフタイミングは、上記に限定されるわけではない。第２リセットスイッチ１８ｄがオフして以降に、第１リセットスイッチ１８ｃと第３リセットスイッチ１８ｅを順不同でオンしても良く、第１リセットスイッチ１８ｃをオフして以降に、第２リセットスイッチ１８ｄのオンと第３リセットスイッチ１８ｅのオフを順不同で動作させても良い。
【０１４０】
［画像データの高速読み出しについて］
一方、上記の構成例１〜４のように構成することで、上記のように読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトの抑制や低減を実現することが可能となると同時に、画像データＤの高速読み出しをも実現することが可能となる。以下、この点について説明する。
【０１４１】
画像データＤの高速読み出しは、例えば、図１２や図１７に示した、第１サンプリングホールド回路ＳＨＲの第１スイッチＳｒをオン状態にしてからオフ状態にするまでの期間（以下、第１スイッチＳｒのオン期間という。）を短くしたり、第２サンプリングホールド回路ＳＨＳの第２スイッチＳｓをオン状態にしてからオフ状態にするまでの期間（以下、第２スイッチＳｓのオン期間という。）を短くすることで実現することができる。
【０１４２】
以下、放射線画像撮影装置１が上記の構成例４のように構成されている場合を例として、放射線画像撮影装置１が上記の構成例１〜４のように構成されている場合の上記の各オン期間の決め方（正確には後述する時間ｔ１、ｔ２の決め方）について具体的に説明する。
【０１４３】
本実施形態では、図１８（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、読み出しＩＣ１６が低温である場合の差分ΔＶ（アナログ値の画像データＤ。すなわち第２サンプルホールド回路ＳＨＳが保持している信号値Ｖcsと第１サンプルホールド回路ＳＨＲが保持しているリファレンス値Ｖcrとの差分）と、読み出しＩＣ１６が高温である場合の差分ΔＶが同じ値になるように（あるいはほぼ同じ値になるように）することで、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトの抑制や低減を実現した。
【０１４４】
そして、図１７に示したように、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutは、積分回路１８のリセット処理が終わり積分回路１８の第１リセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲでリファレンス値Ｖcrとして保持されるまでの間、上昇する。これを数式で近似すると、この場合のリファレンス値Ｖcrは、
Ｖcr＝（Ｖ１−Ｖ０）×（１−exp（−ｔ１／τ１））＋Ｖ０…（２）
と表すことができる。ここで、ｔ１は積分回路１８の第１リセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲでリファレンス値Ｖcrとして保持されるまでの時間を表し、τ１は時定数を表す。式（２）の右辺第１項の係数（Ｖ１−Ｖ０）は、第１サンプリングホールド時に積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutで発生する電圧変化に相当する。式（２）において、ｔ１を無限大にするとＶcrはＶ１に収束する。
【０１４５】
なお、リファレンス値Ｖcrの時間応答は、厳密には積分回路１８の応答性と第１サンプルホールド回路ＳＨＲのＬＰＦ時定数によって表わされるが、説明を単純にするために、１つの代表的な時定数τ１で表現できるものとしている。以下のτ２についても同様である。
【０１４６】
一方、図１７に示したように、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutは、ＴＦＴ８がオフ状態とされてから第２サンプルホールド回路ＳＨＳで信号値Ｖcsとして保持されるまでの間も上昇する。これを数式で近似すると、この場合の信号値Ｖcsは、
Ｖcs＝（Ｖ１−Ｖａ）×（１−exp（−ｔ２／τ２））＋Ｖａ…（３）
と表すことができる。ここで、Ｖａは貫通電荷により電圧値Ｖoutが一旦低下する際の電圧値を表し、ｔ２はＴＦＴ８がオフ状態とされてから第２サンプルホールド回路ＳＨＳで信号値Ｖcsとして保持されるまでの時間を表し、τ２は時定数を表す。式（３）の右辺第１項の係数（Ｖ１−Ｖａ）は、第２サンプリングホールド時に積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutで発生する電圧変化に相当する。式（３）において、ｔ２を無限大にするとＶcsはＶ１に収束する。
【０１４７】
そして、読み出しＩＣ１６が低温（所定の温度Ｔlow）の場合の時定数τ１、τ２をτ１Ｌ、τ２Ｌと表し、差分ΔＶをΔＶＬと表すと、上記の差分ΔＶ（すなわちΔＶＬ）は、上記式（３）と式（２）との差として表されるため、
ΔＶＬ＝（Ｖ１−Ｖａ）×（１−exp（−ｔ２／τ２Ｌ）＋Ｖａ
−（Ｖ１−Ｖ０）×（１−exp（−ｔ１／τ１Ｌ）−Ｖ０
＝Ｖ１−（Ｖ１−Ｖａ）×exp（−ｔ２／τ２Ｌ）
−Ｖ１＋（Ｖ１−Ｖ０）×exp（−ｔ１／τ１Ｌ）
∴ΔＶＬ＝−（Ｖ１−Ｖａ）×exp（−ｔ２／τ２Ｌ）
＋（Ｖ１−Ｖ０）×exp（−ｔ１／τ１Ｌ）  …（４）
で表される。
【０１４８】
なお、下記の時定数τ１Ｈ、τ２Ｈの場合も同様であるが、時定数τ１Ｌ、τ２Ｌは、理論的には、相関二重サンプリング回路１９の抵抗Ｒの抵抗値や、第１コンデンサーＣｒや第２コンデンサーＣｓの各静電容量等によって決まるはずであるが、実際には読み出しＩＣ１６の温度Ｔによって変化するため、読み出しＩＣ１６が所定の温度Ｔlowである場合の時定数τ１Ｌ、τ２Ｌを予め実験的に求めておく。
【０１４９】
また、読み出しＩＣ１６が高温（所定の温度Ｔhigh）の場合も同様に、時定数τ１、τ２をτ１Ｈ、τ２Ｈと表し、差分ΔＶをΔＶＨと表すと、上記の差分ΔＶ（すなわちΔＶＨ）は、上記と同様の演算を行って、
ΔＶＨ＝（Ｖ１−Ｖａ）×（１−exp（−ｔ２／τ２Ｈ）＋Ｖａ
−（Ｖ１−Ｖ０）×（１−exp（−ｔ１／τ１Ｈ）−Ｖ０
∴ΔＶＨ＝−（Ｖ１−Ｖａ）×exp（−ｔ２／τ２Ｈ）
＋（Ｖ１−Ｖ０）×exp（−ｔ１／τ１Ｈ）  …（５）
で表される。
【０１５０】
そして、差分ΔＶＬとΔＶＨとが同じ値になるように（あるいはほぼ同じ値になるように）、上記の各パラメーターを調整することで、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトの抑制や低減を実現することができる。すなわち、
ΔＶＨ−ΔＶＬ＝−（Ｖ１−Ｖａ）×exp（−ｔ２／τ２Ｌ）
＋（Ｖ１−Ｖ０）×exp（−ｔ１／τ１Ｌ）
−｛−（Ｖ１−Ｖａ）×exp（−ｔ２／τ２Ｈ）
＋（Ｖ１−Ｖ０）×exp（−ｔ１／τ１Ｈ）｝…（６）
＝−（Ｖ１−Ｖａ）×｛exp（−ｔ２／τ２Ｌ）−exp（−ｔ２／τ２Ｈ）｝
＋（Ｖ１−Ｖ０）×｛exp（−ｔ１／τ１Ｌ）−exp（−ｔ１／τ１Ｈ）｝
＝−ΔVcsH-L  ＋  ΔVcrH-L    …（７）
の値が０に等しくなるように（あるいは０に近い値になるように）、各パラメーターが調整される。
【０１５１】
なお、上記式（７）において、
ΔVcsH-L＝（Ｖ１−Ｖａ）×｛exp（−ｔ２／τ２Ｌ）−exp（−ｔ２／τ２Ｈ）｝
ΔVcrH-L＝（Ｖ１−Ｖ０）×｛exp（−ｔ１／τ１Ｌ）−exp（−ｔ１／τ１Ｈ）｝
である。そして、式（７）のΔVcsH-Lは第１サンプリングホールド回路ＳＨＲで発生する温度起因の電圧差であり、式（７）ΔVcrH-Lは第２サンプリングホールド回路ＳＨＳで発生する温度起因の電圧差である。そして、温度ドリフトの抑制や低減が実現できるのは、上記式（７）の第１項と第２項の値が等しくなる条件（あるいはおよそ等しくなる条件）のときである。なお、（Ｖ１−Ｖａ）と（Ｖ１−Ｖ０）は、それぞれ、第１サンプリングホールド時と第２サンプリングホールド時に、積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutで発生する電圧変化に相当する。
【０１５２】
また、上記式（６）や式（７）において、基準電圧Ｖ０は、放射線画像撮影装置１の各部に印加される電圧の基準となる電圧であるから変更できず、決まった値である。また、貫通電荷により電圧値Ｖoutが一旦低下する際の電圧値Ｖａは、ＴＦＴ８の部分での走査線５と信号線６との間の寄生容量Ｃ（図７参照）等に基づく貫通電荷の量によって予め決まる値であり、実験的に求めても良いし、設計値から算出しても良い。
【０１５３】
また、時定数τ（τ１、τ２。あるいはτ１Ｌ、τ２Ｌ、τ１Ｈ、τ２Ｈ）を変更することで上記のΔＶＨ−ΔＶＬを０にする（あるいは０に近づける）ことも可能である。しかし、時定数τを変更するには、相関二重サンプリング回路１９の抵抗Ｒの抵抗値や、第１コンデンサーＣｒや第２コンデンサーＣｓの各静電容量等を変更しなければならないが、それらを変更すると、ノイズの抑制状態が変わり、場合によってはノイズの影響が深刻になる可能性もあるため、時定数τ、すなわち相関二重サンプリング回路１９の抵抗Ｒの抵抗値や第１コンデンサーＣｒ、第２コンデンサーＣｓの各静電容量等はノイズ等の観点から予め設定された値からは変更しないことが望ましい。
【０１５４】
以上の考察から、上記式（６）において変更可能なパラメーターは、電圧値Ｖ１と時間ｔ１、ｔ２になる。そして、前述したように、第１スイッチＳｒのオン期間や第２スイッチＳｓのオン期間が、ノイズが残り画像データＤの画質の低下が生じないような期間（ノイズによる画像データＤの画質の低下が所定の範囲内に抑制されるような期間）の範囲内で設定されなければならないため、上記の時間ｔ１、ｔ２は、第１スイッチＳｒのオン期間や第２スイッチＳｓのオン期間が上記の範囲内の期間となるように設定されなければならないという制限がある。
【０１５５】
そして、上記の時間ｔ１、ｔ２にはこのような制限があるが、電圧値Ｖ１を適切な値に調整することで、時間ｔ１、ｔ２を可能な限り短い時間に設定し、かつ、上記式（６）や式（７）を０にする（あるいは０に近づける）ことが可能となる。例えば、温度ドリフトを長い時間のサンプリングで抑制する場合、時間ｔ１、ｔ２は時定数の５倍以上が目安になるが、本発明を適用することで、時定数の５倍以下にしても温度ドリフトを抑制することが可能となる。
【０１５６】
すなわち、電源１８ｆ（図１６参照）から第３リセットスイッチ１８ｅを介して積分回路１８に印加する電圧値Ｖ１を適宜の値に変更することで、積分回路１８のリセット処理が終了して積分回路１８の第１リセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲでリファレンス値Ｖcrが保持されるまでの時間ｔ１や、ＴＦＴ８がオフ状態とされてから第２サンプルホールド回路ＳＨＳで信号値Ｖcsが保持されるまでの時間ｔ２をより短くすることが可能となる。
【０１５７】
そのため、本実施形態では、画像データＤの高速読み出しを実現することが可能となる。また、それとともに、上記のように、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトの抑制や低減をも実現することが可能となる。
【０１５８】
なお、ＴＦＴオフとＳＨＳのスイッチＳｓのオンを同時に切り替える構成で説明しているが、この限りではなく、ＴＦＴオンと同時に行ったり、ＴＦＴオンの前後で行っても良いし、Ｓｒオンと同時や前後で行っても良い。設計を容易にする観点で、ＳｒとＳｓは同時にオンしない方が、サンプルホールド回路の負荷が共通になる点で、好ましい。
【０１５９】
［効果］
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、画像データＤの読み出し処理において放射線検出素子７のスイッチ素子であるＴＦＴ８のオン／オフ制御を行う前にリファレンス値Ｖcrを変化させるための機構を設けた。そして、その機構により、従来の場合にはＴＦＴ８のオン／オフ制御前にはほとんど変化しなかった積分回路１８から出力される電圧値Ｖoutを意図的に変化させるように構成した。
【０１６０】
そのため、従来の場合には読み出しＩＣ１６の温度Ｔが変化してもほとんど変化しなかったリファレンス値Ｖcrを、信号値Ｖcsと同様に、読み出しＩＣ１６の温度Ｔに依存させることが可能となるため（図１３（Ａ）〜（Ｃ）や図１８（Ａ）〜（Ｃ）参照）、読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトの抑制や低減を図ることが可能となる。
【０１６１】
また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、上記のように積分回路１８のリセット処理が終了して積分回路１８の第１リセットスイッチ１８ｃがオフ状態とされてから第１サンプルホールド回路ＳＨＲでリファレンス値Ｖcrが保持されるまでの時間ｔ１や、ＴＦＴ８がオフ状態とされてから第２サンプルホールド回路ＳＨＳで信号値Ｖcsが保持されるまでの時間ｔ２をより短くすることが可能となる。そのため、画像データＤの高速読み出し（すなわち画像データＤを短時間で読み出すこと）が可能となる。
【０１６２】
そのため、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、画像データの高速読み出しと温度ドリフトの抑制や低減との両立を実現することが可能となる。
【０１６３】
また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、読み出しＩＣ１６の温度Ｔが変化しても読み出しＩＣ１６に起因する温度ドリフトは発生しないため（あるいは発生してもその程度が非常に小さく抑制されるため）、動画撮影の開始前に読み出しＩＣ１６のウォームアップ等を行う必要がなく、即座に動画撮影を開始することができる。
【０１６４】
また、読み出しＩＣ１６のウォームアップ等を行ったり応答性改善のために読み出しＩＣ１６に大電流を流したりする必要がないため、消費電力が必要以上に増加することがない。さらに、特に放射線画像撮影装置１に冷却装置等を設ける必要もないため、放射線画像撮影装置１の重量が冷却装置等の分だけ増加してしまうことを的確に防止することが可能となる。
【０１６５】
また、放射線画像撮影装置１が可搬型である場合には、放射線画像撮影装置１が図示しない撮影台のカセッテホルダーに装填された状態で撮影に用いられる場合が少なくないが、上記のように放射線画像撮影装置１に冷却装置等を設けると、可搬型の放射線画像撮影装置１が厚さ方向（放射線の照射方向）に分厚くなる等してしまい、撮影台のカセッテホルダーに装填できなくなる場合がある。しかし、本実施形態では、放射線画像撮影装置１にはそのような冷却装置等を設ける必要がないため、このような問題が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１６６】
なお、本実施形態では、前述したように、上記の時間ｔ１、ｔ２は、それらを短くし過ぎて第１スイッチＳｒのオン期間や第２スイッチＳｓのオン期間が短くなりノイズの影響で画像データＤの画質の低下が生じてしまうことがないような時間に設定される。そのため、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、ノイズの影響による画質の低下をも的確に防止することが可能となる。
【０１６７】
また、上記の実施形態や構成例１〜４等において、例えば相関二重サンプリング回路１９の抵抗Ｒの抵抗値を変える等してＬＰＦの時定数を変えるように構成することも可能である。その際、例えば相関二重サンプリング回路１９の第１スイッチＳｒをオン状態としてからリファレンス値Ｖcrをサンプルホールドするまでの間（すなわち上記の第１スイッチＳｒのオン期間）に、ＬＰＦの時定数を、例えば小さい値から大きな値に変化させるように構成することも可能である。
【０１６８】
このように構成すると、第１スイッチＳｒのオン期間前半の時定数が小さい状態では、リファレンス値Ｖcrがより急速に上昇する状態になるため、第１スイッチＳｒのオン期間を短縮することが可能となる。例えば、第１スイッチＳｒのオン期間後半の時間は、この期間で設定されるＬＰＦ時定数の３倍以下にしても、温度ドリフトを抑制することが可能となる。そのため、画像データＤの高速読み出しを的確に実現することが可能となる。また、上記のように構成すると、第１スイッチＳｒのオン期間後半ではＬＰＦの時定数が大きくなるためノイズを抑制することが可能となり、リファレンス値Ｖcrのノイズを低減させることが可能となる。
【０１６９】
そして、以上のことは、相関二重サンプリング回路１９の第２スイッチＳｓをオン状態としてから信号値Ｖcsをサンプルホールドするまでの間（すなわち上記の第２スイッチＳｓのオン期間）においても同様に構成することが可能である。
【０１７０】
なお、本発明が上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１７１】
１  放射線画像撮影装置
５  走査線
６  信号線
７  放射線検出素子
８  ＴＦＴ（スイッチ素子）
１５  走査駆動手段
１６  読み出しＩＣ
１７  読み出し回路
１８  積分回路
１８ａ  オペアンプ
１８ｂ  コンデンサー
１８ｃ  リセットスイッチ、第１リセットスイッチ
１８ｄ  第２リセットスイッチ（機構）
１８ｅ  第３リセットスイッチ（機構）
１８ｆ  電源（機構）
１９ａ  差分回路
２５  疑似スイッチ素子（機構）
２６  切替手段（機構）
Ｄ  画像データ
ＳＨＲ  第１サンプルホールド回路
ＳＨＳ  第２サンプルホールド回路
Ｖ１  所定の電圧値
Ｖcr  リファレンス値
Ｖcs  信号値
Ｖout  電圧値
ΔＶ  差分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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