(57)【要約】【課題】通過帯域を狭帯域化しかつ小型化すること。【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた少なくとも３つのＩＤＴを備え、第１通過帯域を有し、入力端子と出力端子との間に接続された第１多重モードフィルタと、前記圧電基板上に設けられた少なくとも３つのＩＤＴを備え、一部が前記第１通過帯域と重なり一部以外が前記第１通過帯域と重ならない第２通過帯域を有し、前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１多重モードフィルタと直列に接続された第２多重モードフィルタと、を具備する弾性波フィルタ。【選択図】図４
2018157509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた少なくとも３つのＩＤＴを備え、第１通過帯域を有し、入力端子と出力端子との間に接続された第１多重モードフィルタと、
前記圧電基板上に設けられた少なくとも３つのＩＤＴを備え、一部が前記第１通過帯域と重なり一部以外が前記第１通過帯域と重ならない第２通過帯域を有し、前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１多重モードフィルタと直列に接続された第２多重モードフィルタと、
を具備する弾性波フィルタ。
【請求項２】
前記第１通過帯域の中心周波数をｆ１とし前記第２通過帯域の中心周波数をｆ２としたとき、０．００５≦２×｜ｆ１−ｆ２｜／（ｆ１＋ｆ２）≦０．０２である
請求項１記載の弾性波フィルタ。
【請求項３】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた中心のＩＤＴのピッチがＰＴ１である少なくとも３つのＩＤＴを備え、入力端子と出力端子との間に接続された第１多重モードフィルタと、
前記圧電基板上に設けられた中心のＩＤＴのピッチがＰＴ２である少なくとも３つのＩＤＴを備え、０．００５≦２×｜ＰＴ１−ＰＴ２｜／（ＰＴ１＋ＰＴ２）≦０．０２であり、前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１多重モードフィルタと直列に接続された第２多重モードフィルタと、
を具備する弾性波フィルタ。
【請求項４】
前記第１多重モードフィルタの中心のＩＤＴはピッチの異なる複数の領域を有し、前記複数の領域のうち最も対数の多い領域のピッチがＰＴ１であり、
前記第２多重モードフィルタの中心のＩＤＴはピッチの異なる複数の領域を有し、前記複数の領域のうち最も対数の多い領域のピッチがＰＴ２である請求項３記載の弾性波フィルタ。
【請求項５】
前記第１多重モードフィルタと前記第２多重モードフィルタとは単一のノードを介し直列に接続される請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項６】
前記第１多重モードフィルタの少なくとも３つのＩＤＴは３つのＩＤＴであり、３つのＩＤＴのうち中心のＩＤＴは入力端子に接続され、他のＩＤＴは単一のノードに接続され、
前記第２多重モードフィルタの少なくとも３つのＩＤＴは３つのＩＤＴであり、３つのＩＤＴのうち中心のＩＤＴは出力端子に接続され、他のＩＤＴは前記単一のノードに接続される請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項７】
一端が前記入力端子に、他端が前記第１多重モードフィルタの中心のＩＤＴに接続された１ポート共振器を具備する請求項６記載の弾性波フィルタ。
【請求項８】
前記圧電基板は矩形であり、
前記第１多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの配列方向および前記第２多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの配列方向は前記圧電基板の短辺が延伸する方向である請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項９】
前記圧電基板に設けられ前記入力端子に電気的に接続するバンプまたはビア配線である入力接続電極と、
前記圧電基板上に設けられ前記出力端子に電気的に接続するバンプまたはビア配線である出力接続電極と、
を具備し、
前記第１多重モードフィルタは前記少なくとも３つのＩＤＴの両側に設けられた反射器を備え、
前記第２多重モードフィルタは前記少なくとも３つのＩＤＴの両側に設けられた反射器を備え、
前記第１多重モードフィルタの反射器と前記第１多重モードフィルタの前記反射器に最も近い前記圧電基板の長辺との距離および前記第２多重モードフィルタの反射器と前記第２多重モードフィルタの前記反射器に最も近い前記圧電基板の長辺との距離は、前記入力接続電極の幅および前記出力接続電極の幅より小さい請求項８記載の弾性波フィルタ。
【請求項１０】
前記圧電基板の長辺が延伸する長辺方向における前記第１多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの外側の端と前記第２多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの外側の端との距離は、前記圧電基板の短辺の長さより大きい請求項８または９記載の弾性波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波フィルタに関し、例えば多重モードフィルタを有する弾性波フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板上に複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）を弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）の伝搬方向に配置した多重モードフィルタが知られている。多重モードフィルタとしては、縦結合二重モードＳＡＷフィルタ（ＤＭＳ：Dual Mode SAW または Double Mode SAW）がよく用いられる。ＤＭＳにおいて通過帯域外の抑圧を大きくするため、入力端子と出力端子の間に複数のＤＭＳを直列に接続することが知られている。
【０００３】
特許文献１には、群遅延偏差を小さくするために２段縦続接続されたＤＭＳの電極指のピッチを０．２％から０．５％異ならせることが記載されている。特許文献２には、ＤＭＳの通過帯域を合成することで広帯域化することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１３０２０３号公報
【特許文献２】特開平９−２１４２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＤＭＳにおいて、通過帯域を狭くしかつ隣接する他の帯域の減衰量を大きくしようとすると、ＩＤＴの対数を大きくする。しかし、ＩＤＴの対数を大きくするとチップサイズが大きくなる。このように、通過帯域の狭帯域化と小型化とを満たすことは難しい。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、通過帯域を狭帯域化しかつ小型化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた少なくとも３つのＩＤＴを備え、第１通過帯域を有し、入力端子と出力端子との間に接続された第１多重モードフィルタと、前記圧電基板上に設けられた少なくとも３つのＩＤＴを備え、一部が前記第１通過帯域と重なり一部以外が前記第１通過帯域と重ならない第２通過帯域を有し、前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１多重モードフィルタと直列に接続された第２多重モードフィルタと、を具備する弾性波フィルタである。
【０００８】
上記構成において、前記第１通過帯域の中心周波数をｆ１とし前記第２通過帯域の中心周波数をｆ２としたとき、０．００５≦２×｜ｆ１−ｆ２｜／（ｆ１＋ｆ２）≦０．０２である構成とすることができる。
【０００９】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた中心のＩＤＴのピッチがＰＴ１である少なくとも３つのＩＤＴを備え、入力端子と出力端子との間に接続された第１多重モードフィルタと、前記圧電基板上に設けられた中心のＩＤＴのピッチがＰＴ２である少なくとも３つのＩＤＴを備え、０．００５≦２×｜ＰＴ１−ＰＴ２｜／（ＰＴ１＋ＰＴ２）≦０．０２であり、前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１多重モードフィルタと直列に接続された第２多重モードフィルタと、を具備する弾性波フィルタである。
【００１０】
上記構成において、前記第１多重モードフィルタの中心のＩＤＴはピッチの異なる複数の領域を有し、前記複数の領域のうち最も対数の多い領域のピッチがＰＴ１であり、前記第２多重モードフィルタの中心のＩＤＴはピッチの異なる複数の領域を有し、前記複数の領域のうち最も対数の多い領域のピッチがＰＴ２である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１多重モードフィルタと前記第２多重モードフィルタとは単一のノードを介し直列に接続される構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１多重モードフィルタの少なくとも３つのＩＤＴは３つのＩＤＴであり、３つのＩＤＴのうち中心のＩＤＴは入力端子に接続され、他のＩＤＴは単一のノードに接続され、前記第２多重モードフィルタの少なくとも３つのＩＤＴは３つのＩＤＴであり、３つのＩＤＴのうち中心のＩＤＴは出力端子に接続され、他のＩＤＴは前記単一のノードに接続される構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、一端が前記入力端子に、他端が前記第１多重モードフィルタの中心のＩＤＴに接続された１ポート共振器を具備する構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記圧電基板は矩形であり、前記第１多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの配列方向および前記第２多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの配列方向は前記圧電基板の短辺が延伸する方向である構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記圧電基板に設けられ前記入力端子に電気的に接続するバンプまたはビア配線である入力接続電極と、前記圧電基板上に設けられ前記出力端子に電気的に接続するバンプまたはビア配線である出力接続電極と、を具備し、前記第１多重モードフィルタは前記少なくとも３つのＩＤＴの両側に設けられた反射器を備え、前記第２多重モードフィルタは前記少なくとも３つのＩＤＴの両側に設けられた反射器を備え、前記第１多重モードフィルタの反射器と前記第１多重モードフィルタの前記反射器に最も近い前記圧電基板の長辺との距離および前記第２多重モードフィルタの反射器と前記第２多重モードフィルタの前記反射器に最も近い前記圧電基板の長辺との距離は、前記入力接続端子の幅および前記出力接続端子の幅より小さい構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記圧電基板の長辺が延伸する長辺方向における前記第１多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの外側の端と前記第２多重モードフィルタの前記少なくとも３つのＩＤＴの外側の端との距離は、前記圧電基板の短辺の長さより大きい構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、通過帯域を狭帯域化しかつ小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波フィルタの平面図、図１（ｂ）は、ＩＤＴの平面図である。
【図２】図２は、実施例１が用いられるバンドの受信帯域および送信帯域を示す図である。
【図３】図３は、シミュレーションを行った実施例１に係る弾性波フィルタの平面図である。
【図４】図４は、実施例１における通過特性を示す図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１の効果を説明する模式図である。
【図６】図６は、実施例１の変形例１に係る弾性波フィルタの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波フィルタの平面図、図１（ｂ）は、ＩＤＴの平面図である。図１（ａ）に示すように、圧電基板１０上にＤＭＳ２０およびＤＭＳ３０が設けられている。ＤＭＳ２０は、３つのＩＤＴのうち中心のＩＤＴ２２、ＩＤＴ２２の両側のＩＤＴ２１および２３、並びにＩＤＴ２１および２３の外側の反射器２４を備えている。ＤＭＳ３０は、３つのＩＤＴのうち中心のＩＤＴ３２、ＩＤＴ３２の両側のＩＤＴ３１および３３、並びにＩＤＴ３１および３３の外側の反射器３４を備えている。
【００２１】
ＩＤＴの構造について、図１（ｂ）を用い説明する。圧電基板１０上にＩＤＴ５０が設けられている。ＩＤＴ５０は、図１（ａ）のＩＤＴ２１から２３および３１から３３に相当する。ＩＤＴ５０は圧電基板１０上に形成された金属膜１２により形成される。ＩＤＴ５０は、一対の櫛型電極５２を備えている。櫛型電極５２は、複数の電極指５４と複数の電極指５４が接続するバスバー５６とを有する。一方の櫛型電極５２の電極指５４と他方の櫛型電極５２の電極指５４とはほぼ互い違いに配列している。ＩＤＴ５０に高周波信号が加わると電極指５４の配列方向に伝搬する弾性波を励振する。同じ櫛型電極５２の電極指５４のピッチは弾性波の波長λにほぼ対応する。平均ピッチは、ＩＤＴ５０の電極指５４の配列方向の幅を電極指５４の対数で除することで算出できる。対数は、一方の櫛型電極５２の電極指５４の１本と他方の櫛型電極５２の電極指５４の１本とで１対とする。
【００２２】
圧電基板１０としては、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。金属膜１２は例えばアルミニウム膜または銅膜である。圧電基板１０上に金属膜１２を覆う保護膜または温度調整膜が設けられていてもよい。
【００２３】
図１（ａ）のように、ＩＤＴ２１から２３および反射器２４は、ＩＤＴ２１から２３が励振する弾性表面波の伝搬方向に配列されている。ＩＤＴ３１から３３および反射器３４は、ＩＤＴ３１から３３が励振する弾性表面波の伝搬方向に配列されている。ＤＭＳ２０では、３つのＩＤＴ２１から２３が励振した弾性波は反射器２４により反射される。これにより、弾性波のエネルギーはＩＤＴ２１から２３内に閉じ込められる。ＩＤＴ２１から２３間の音響結合により発生する１次および３次の２つの振動モードを利用してバンドパスフィルタを形成する。ＤＭＳ３０も同様である。
【００２４】
ＤＭＳ２０と３０とは圧電基板１０上に設けられた配線１４により電気的に接続されている。ＩＤＴ２２の一方の櫛型電極は配線１４を介し入力端子Ｔｉｎに接続されている。ＩＤＴ２２の他方の櫛型電極は配線１４を介し接地されている。ＩＤＴ２１および２３の一方の櫛型電極は配線１４を介し接地されている。ＩＤＴ２１および２３の他方の櫛型電極は配線１４を介しノードＮ１に接続されている。
【００２５】
ＩＤＴ３２の一方の櫛型電極は配線１４を介し出力端子Ｔｏｕｔに接続されている。ＩＤＴ３２の他方の櫛型電極は配線１４を介し接地されている。ＩＤＴ３１および３３の一方の櫛型電極は配線１４を介し接地されている。ＩＤＴ３１および３３の他方の櫛型電極は配線１４を介しノードＮ１に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間にＤＭＳ２０とＤＭＳ３０とが直列に接続されている。ＤＭＳ２０および３０を直列接続することにより、通過帯域以外の減衰量を大きくできる。
【００２６】
図２は、実施例１が用いられるバンドの受信帯域および送信帯域を示す図である。図２に示すように、バンド１３、１４、１７、２９、３０および３１は、受信帯域および送信帯域が狭い。バンド２９は、受信専用である。受信帯域または送信帯域の帯域幅Ｐａｓｓを各帯域の中心周波数ｆ０で除したＰａｓｓ／ｆ０を％で示すとこれらのＰａｓｓ／ｆ０は２％以下である。さらに、帯域の近くに別の帯域が近接している。例えばバンド１３と１４とは受信帯域同士および送信帯域同士が近接している。バンド２９の受信帯域はバンド１７の送信帯域に近接している。バンド１７、３０および３１では受信帯域と送信帯域とが近接している。このように、帯域幅が狭くかつ他の帯域が近接するバンド用のフィルタは通過帯域が狭く、通過帯域外では減衰量が急峻に大きくなることが求められる。
【００２７】
ＤＭＳにおいて通過帯域を狭くするため、ＤＭＳの電極指の対数を増やすことが考えられる。しかしながら、対数を増やすとチップ面積が大きくなってしまう。そこで、実施例１では、ＤＭＳ２０とＤＭＳ３０との通過帯域をシフトさせる。以下シミュレーションに基づき説明する。
【００２８】
図３は、シミュレーションを行った実施例１に係る弾性波フィルタの平面図である。圧電基板１０上に、ＤＭＳ２０、３０、１ポート共振器４０、配線１４および１６が設けられている。ＤＭＳ２０およびＤＭＳ３０は図１と同じであり説明を省略する。１ポート共振器４０は、ＩＤＴ４１とＩＤＴ４１の両側に設けられた反射器４４を備える。配線１４には接続電極１５が接続されている。接続電極１５は外部と接続するための接続電極であり、入力端子Ｔｉｎ、出力端子Ｔｏｕｔおよびグランド端子Ｔｇｎｄに電気的に接続される。接続電極１５は、配線１４上に設けられたバンプまたは圧電基板１０を貫通するビア配線である。
【００２９】
入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間には共振器４０、ＤＭＳ２０および３０が配線１４および１６を介し直列に接続されている。ＤＭＳ２０と３０との間において、ＤＭＳ２０のＩＤＴ２１、２２、２３および反射器２４が配線１４を介し共通にグランド端子Ｔｇｎｄに接続される。ＤＭＳ３０のＩＤＴ３１、３２、３３および反射器３４が配線１４を介し共通にグランド端子Ｔｇｎｄに接続される。ＩＤＴ２１および２３とＩＤＴ３１および３３とは配線１６を介し接続されている。配線１４と１６との間には絶縁膜１８が設けられている。これにより、配線１４と１６とは電気的に分離されている。
【００３０】
その他のシミュレーション条件は以下である。
圧電基板１０：４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
金属膜１２：膜厚が５３３．５ｎｍのアルミニウム膜
ＤＭＳ２０：
開口長：２００μｍ
ＩＤＴ２１：
ピッチが等しい領域：６領域
ピッチが等しい領域の対数：８．５対、１対、２．５対、２対、２．５対、２対
合計対数：１８．５対
ＩＤＴ２２：
ピッチが等しい領域：９領域
ピッチが等しい領域の対数：２．５対、１対、２対、３対、１３対、４対、３．５対、３．５対、５対
合計対数：３７．５対
ＩＤＴ２３：
ピッチが等しい領域：６領域
ピッチが等しい領域の対数：０．５対、１対、０．５対、１．５対、０．５対、６対
合計対数：１０対
ＩＤＴ２２のうち対数が１３対の領域（最大等ピッチ領域）のピッチ：５２３ｎｍ
ＩＤＴ２１−２３の平均ピッチ：５０９ｎｍ
【００３１】
ＤＭＳ３０：
開口長：１７０μｍ
ＩＤＴ３１：
ピッチが等しい領域：６領域
ピッチが等しい領域の対数：７対、３．５対、１対、４．５対、１対、２対
合計対数：１９対
ＩＤＴ３２：
ピッチが等しい領域：９領域
ピッチが等しい領域の対数：２．５対、２対、３対、２．５対、１１対、４対、２対、２対、１．５対
合計対数：３０．５対
ＩＤＴ３３：
ピッチが等しい領域：６領域
ピッチが等しい領域の対数：１対、２対、１対、１対、１対、５．５対
合計対数：１１．５対
ＩＤＴ２２のうち対数が１１対の領域（最大等ピッチ領域）のピッチ：５１６ｎｍ
ＩＤＴ３１−３３の平均ピッチ：４９１ｎｍ
【００３２】
ＤＭＳ２０および３０においては、中心のＩＤＴ２２および３２が電極指５４の対数が最も大きい。ＩＤＴ２１−２３および３１−３３内の電極指５４のピッチは異なる。ＩＤＴ２２およびＩＤＴ３２内のピッチが等しい領域のうち最も対数の大きい領域を最大等ピッチ領域とする。対数は、最も対数の大きい領域の対数である。ＤＭＳ２０および３０の通過領域の中心周波数は、ほぼ最大等ピッチ領域のピッチで決まる。
【００３３】
図４は、実施例１における通過特性を示す図である。ＤＭＳ２０および３０単体の通過特性と入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間の通過特性（実施例１と記載）を示している。図４に示すように、ＤＭＳ２０とＤＭＳ３０との通過帯域の幅はほぼ同じあるが、通過帯域の中心周波数が約４ＭＨｚ異なっている。実施例１の通過帯域はＤＭＳ２０と３０との通過帯域が重なった帯域となっている。このように、ＤＭＳ２０および／またはＤＭＳ３０の対数を増やさなくても通過帯域の狭い弾性波フィルタを実現できる。
【００３４】
ＤＭＳの通過帯域の両側のスカート特性を急峻にすることに比べ片側のスカート特性を急峻にすることは容易である。そこで、ＤＭＳ２０は低周波数側のスカート特性を急峻となるように設計し、ＤＭＳ３０は高周波数側のスカート特性を急峻となるように設計する。これにより、通過帯域の両側のスカート特性を急峻にできる。
【００３５】
図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１の効果を説明する模式図である。図５（ａ）は、実施例１に係る弾性波フィルタの平面図であり、図３の圧電基板１０、共振器４０、ＤＭＳ２０および３０を図示している。圧電基板１０の短辺の長さをＬ１、ＤＭＳ２０と３０との内側の距離をＬ２、外側の距離をＬ３、およびＤＭＳ３０の長さをＬ４とする。実施例１では、ＤＭＳ２０および３０のＩＤＴは短辺の延伸方向に配列されている。圧電基板１０のチップサイズの要請により、短辺の長さＬ１が決まっている場合がある。
【００３６】
通過帯域を狭くするため、実施例１のようなＤＭＳ２０と３０との通過帯域をシフトさせる方法ではなく、ＤＭＳ３０の対数を増やすことを考える。対数を増やし実施例１と同様の通過帯域とするため、ＤＭＳ３０のＩＤＴの対数を５０％増やしＤＭＳ３０ａとする。ＤＭＳ３０内のＩＤＴと反射器の対数の比が７：３とすると、ＤＭＳ３０ａの長さＬ４ａはＤＭＳ３０の長さＬ４の１．３５倍となる。
【００３７】
図５（ｂ）に示すように、ＤＭＳ３０ａの長さＬ４ａは圧電基板１０の短辺の長さＬ１より大きくなる。このため、ＤＭＳ３０ａを圧電基板１０に形成しようとすると短辺の長さが大きくなってしまう。
【００３８】
図５（ｃ）に示すように、ＤＭＳ２０とＤＭＳ３０とを９０°回転して圧電基板１０に形成することを考える。ＤＭＳ２０とＤＭＳ３０の内側の距離Ｌ２を狭くすることは難しい。これは、図３において、フィルタ特性を確保しようとすると、ＤＭＳ２０と３０を接地するためのグランド端子ＴｇｎｄはＤＭＳ２０と３０との間に設けることになり、かつＤＭＳ２０と３０とのグランド配線を共通にできないためである。このように、フィルタ特性の要求からＤＭＳ２０と３０との内側の距離Ｌ２を小さくできない。このため、ＤＭＳ２０と３０との外側の距離Ｌ３が短辺の長さＬ１より大きくなってしまう。このため、ＤＭＳ３０ａを圧電基板１０に形成しようとすると短辺の長さが大きくなってしまう。
【００３９】
実施例１では、ＤＭＳ２０および／または３０の対数を増やさず通過帯域を小さくできる。これにより、圧電基板１０の短辺の長さを小さくできる。
【００４０】
実施例１によれば、図１（ａ）および図３のように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間にＤＭＳ２０（第１多重モードフィルタ）とＤＭＳ３０（第２多重モードフィルタ）とが直列に接続されている。図４のように、ＤＭＳ３０の通過帯域（第２通過帯域）の一部は、ＤＭＳ２０の通過帯域（第１通過帯域）と重なり、ＤＭＳ３０の通過帯域の一部以外は、ＤＭＳ２０の通過帯域と重ならない。これにより、通過帯域を狭帯域化しかつ小型化することができる。
【００４１】
ＤＭＳ２０の通過帯域の中心周波数をｆ１としＤＭＳ３０の通過帯域の中心周波数をｆ２とする。図２のように、Ｐａｓｓ／ｆ０が２％以下のとき、通過帯域を狭くするため、２×｜ｆ１−ｆ２｜／（ｆ１＋ｆ２）は、０．００５以上が好ましく、０．００１以上がより好ましい。ＤＭＳ２０と３０との通過帯域を重ならせるため、２×｜ｆ１−ｆ２｜／（ｆ１＋ｆ２）は０．０２以下が好ましく、０．０１５以下がより好ましい。
【００４２】
ＤＭＳ２０および３０の通過帯域の中心周波数は中心のＩＤＴ２２および２３のピッチでほぼ決まる。このため、ＩＤＴ２２の電極指のピッチをＰＴ１、ＩＤＴ３２の電極指のピッチをＰＴ２としたとき、２×｜ＰＴ１−ＰＴ２｜／（ＰＴ１＋ＰＴ２）は、０．００５以上が好ましく、０．０１以上がより好ましい。２×｜ＰＴ１−ＰＴ２｜／（ＰＴ１＋ＰＴ２）は０．０２以下が好ましく、０．０１５以下がより好ましい。
【００４３】
ＩＤＴ２２および３２がピッチの異なる複数の領域を有するとき、通過帯域の中心周波数は複数の領域のうち最も対数の多い領域のピッチでほぼ決まる。よってＰＴ１およびＰＴ２は、ＩＤＴ２２および３２の複数の領域のうち最も対数の多い領域のピッチであることが好ましい。
【００４４】
ＤＭＳ２０と３０とは、単一のノードＮ１を介し直列に接続される。これにより、通過帯域を狭帯域化しかつ小型化することができる。
【００４５】
第１多重モードフィルタおよび第２多重モードフィルタの各々のＩＤＴの個数は３個以外でもよい。例えばＩＤＴの個数は５個でもよい。また、ＩＤＴ２１および２３とＩＤＴ３１および３３とが接続される例を説明したが、ＩＤＴ２１および２３とＩＤＴ３２とが接続され、ＩＤＴ３１および３３が出力端子Ｔｏｕｔに接続されていてもよい。
【００４６】
実施例１のように、第１多重モードフィルタおよび第２多重モードフィルタのＩＤＴは各々３つである。ＤＭＳ２０では、ＩＤＴ２２は入力端子Ｔｉｎに接続され、他のＩＤＴ２１および２３は共通に単一のノードＮ１に接続されている。ＤＭＳ３０では、ＩＤＴ３２は出力端子Ｔｏｕｔに接続され、他のＩＤＴ３１および３３は共通に単一のノードＮ１に接続されている。これにより、通過帯域を狭帯域化しかつ小型化することができる。
【００４７】
図３のように、一端が入力端子Ｔｉｎに接続され、他端がＤＭＳ２０に接続された１ポート共振器４０を備えてもよい。
【００４８】
図３および図５（ａ）のように、ＤＭＳ２０および３０の配列方向は圧電基板１０の短辺が延伸する方向である。これにより、圧電基板１０の短辺を短くできる。
【００４９】
図３のように、ＤＭＳ２０の反射器２４と反射器２４に最も近い圧電基板１０の長辺との距離Ｌ５ａ、およびＤＭＳ３０の反射器３４と反射器３４に最も近い圧電基板１０の長辺との距離Ｌ５ｂは、接続電極１５（バンプまたはビア配線）の幅Ｌ６より小さい。実施例１では、ＤＭＳ２０および／または３０の対数を増やさなくても通過帯域を狭くできる。このため、圧電基板１０の短辺の長さＬ１が小さくても、距離Ｌ５ａおよびＬ５ｂを接続電極１５の幅Ｌ６より小さくすることで、ＤＭＳ２０および３０の配列方向を圧電基板１０の短辺が延伸する方向とすることができる。
【００５０】
図５（ａ）のように、ＤＭＳ２０および３０の配列方向は圧電基板１０の短辺が延伸する方向とすることで、ＤＭＳ２０の外側の端とＤＭＳ３０の外側の端との距離Ｌ３が圧電基板１０の短辺の長さＬ１より小さい場合も、圧電基板１０にＤＭＳ２０および３０を配置することができる。
【００５１】
［実施例１の変形例１］
図６は、実施例１の変形例１に係る弾性波フィルタの平面図である。図６に示すように、ＤＭＳ２０と３０とはカスケード接続（縦続接続）されていてもよい。すなわち、ＩＤＴ２１と３１とは配線１４を介し接続され、ＩＤＴ２３と３３とは配線１４を介し接続され、ＩＤＴ２１および３１とＩＤＴ２３および３３とは接続されていない。第１多重モードフィルタおよび第２多重モードフィルタのＩＤＴの数が各々４個以上の場合においても、カスケード接続されていてもよい。このように、カスケード接続も広義の直列接続に含めることができる。
【００５２】
実施例１およびその変形例に係る弾性波フィルタをデュプレクサ等のマルチプレクサに用いてもよい。
【００５３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  基板
１２  金属膜
１４、１６  配線
２０、３０  ＤＭＳ
２１−２３、３１−３３、４１  ＩＤＴ
２４、３４、４４  反射器
４０  共振器
【図１】
2018157509.tif 000003
【図２】
2018157509.tif 000004
【図３】
2018157509.tif 000005
【図４】
2018157509.tif 000006
【図５】
2018157509.tif 000007
【図６】
2018157509.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2018157509.tif 000009
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2018157509.tif 000010
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2018157509.tif 000011