(57)【要約】【課題】  封止樹脂の天面に形成された、文字、数字、記号、マークの少なくとも１つを表示した線状の溝の視認性が高い電子部品モジュールを提供する。【解決手段】  基板１と、基板１の主面に実装された電子部品６、７と、電子部品６、７を覆って基板の主面に形成された封止樹脂９と、封止樹脂９の天面に形成され、文字、数字、記号、マークの少なくとも１つを表示した、底面と１対の壁面とからなる少なくとも１つの線状の溝１０と、を備え、溝１０の幅が、底面において８５μｍ以上となるようにした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面に実装された電子部品と、
前記電子部品を覆って前記基板の主面に形成された封止樹脂と、
前記封止樹脂の天面に形成され、文字、数字、記号、マークの少なくとも１つを表示した、底面と１対の壁面とからなる少なくとも１つの線状の溝と、を備えた電子部品モジュールであって、
前記溝の幅が、前記底面において８５μｍ以上である、電子部品モジュール。
【請求項２】
前記溝の幅が、前記底面において１２０μｍ以下である、請求項１に記載された電子部品モジュール。
【請求項３】
前記溝の前記底面の表面粗さが、前記封止樹脂の前記天面の前記溝が形成されていない部分の表面粗さよりも大きい、請求項１または２に記載された電子部品モジュール。
【請求項４】
前記溝の前記底面に、前記溝の延びる方向に延びる、少なくとも１つの凸部が設けられた、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品モジュール。
【請求項５】
前記溝の前記底面に、前記溝の延びる方向に延びる、少なくとも１つの凹部が設けられた、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された電子部品モジュール。
【請求項６】
前記封止樹脂の外表面の少なくとも一部に、前記溝を覆う、導電性シールド層が形成された、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された電子部品モジュール。
【請求項７】
２つ以上の前記電子部品を有し、前記電子部品の高さは少なくとも２つ以上あり、
最も背の高い前記電子部品を、最高背電子部品としたとき、
前記溝が、前記封止樹脂の前記天面の、前記最高背電子部品の直上以外の領域に形成されている、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された電子部品モジュール。
【請求項８】
前記最高背電子部品がＩＣである、請求項７に記載された電子部品モジュール。
【請求項９】
前記溝の前記底面の位置が、前記最高背電子部品の天面の位置よりも低い、請求項７または８に記載された電子部品モジュール。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の主面に実装された電子部品と、
前記電子部品を覆って前記基板の主面に形成された封止樹脂と、
前記封止樹脂の天面に形成され、文字、数字、記号、マークの少なくとも１つを表示した、底面と１対の壁面とからなる少なくとも１つの線状の溝と、を備えた電子部品モジュールの製造方法であって、
前記溝が、前記封止樹脂の前記天面に照射されたレーザー光を走査させることによって形成され、
前記レーザー光の走査が、１つの前記溝において、２回以上繰り返される、電子部品モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記溝の幅が、前記底面において８５μｍ以上である、請求項１０に記載された電子部品モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品モジュールに関し、さらに詳しくは、封止樹脂の天面に形成された、文字、数字、記号、マークの少なくとも１つを表示した線状の溝の視認性が高い、電子部品モジュールに関する。
【０００２】
また、本発明の電子部品モジュールの製造方法は、本発明の電子部品もジュールを製造するのに適した、電子部品モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
電子部品を実装した基板上に封止樹脂を形成し、天面に、文字、数字、記号、マークなどを表した溝を形成した電子部品モジュールが、特許文献１（特開２０１０-８７１２３号公報）や特許文献２（特開２０１５-２３３１６４号公報）に開示されている。
【０００４】
図９（Ａ）、（Ｂ）に、特許文献１に開示された電子部品モジュール１１００を示す。
【０００５】
電子部品モジュール１１００は、第１基板１０１と第２基板１０２とが積層された多層基板１０３を備え、多層基板１０３上に電子部品（半導体素子；不図示）が実装されている。実装された電子部品は、ワイヤ（金属細線）１０４によって、基板に接続されている。そして、電子部品を覆うように、多層基板１０３上に、フィラー１０５を含有した封止樹脂１０６が形成されている。
【０００６】
電子部品モジュール１１００では、封止樹脂１０６の天面に、文字、数字、記号、マークなどを表した線状の溝１０７が形成されている。
【０００７】
図１０（Ａ）、（Ｂ）に、特許文献２に開示された電子部品モジュール１２００を示す。
【０００８】
電子部品モジュール１２００は、基板（不図示）を備え、基板上に電子部品（半導体チップ；不図示）が実装されている。そして、電子部品を覆うように、基板上に、封止樹脂（封止樹脂層）２０１が形成されている。
【０００９】
電子部品モジュール１２００では、さらに、封止樹脂２０１上に、導電性シールド層２０２が形成されている。なお、導電性シールド層２０２は、外部からノイズが侵入するのを抑制するとともに、外部にノイズを放出するのを抑制するためのものである。そして、電子部品モジュール１２００では、導電性シールド層２０２の天面に、文字、数字、記号、マークなどを表した線状の溝２０３が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０-８７１２３号公報
【特許文献２】特開２０１５-２３３１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
電子部品モジュール１１００には、線状の溝１０７の幅が小さく、文字、数字、記号、マークなどの視認性が低いという問題があった。同様に、電子部品モジュール１２００にも、線状の溝２０３の幅が小さく、文字、数字、記号、マークなどの視認性が低いという問題があった。
【００１２】
電子部品モジュール１１００の溝１０７は、封止樹脂１０６上に照射したレーザー光を走査させることによって形成される。同様に、電子部品モジュール１２００の溝２０３は、導電性シールド層２０２上に照射したレーザー光を走査させることによって形成される。溝１０７、２０３の形成は、生産性を維持する必要から、１回のレーザー光の走査によっておこなわれる。
【００１３】
溝１０７、２０３の線幅は、照射するレーザー光の焦点径に依存する。レーザー光の焦点径は、レーザー光の種類によって異なるが、ＵＶレーザー光で２５μｍ程度、Ｇｒｅｅｎレーザー光で３０μｍ程度、ＩＲレーザー光で６０〜８０μｍ程度である。したがって、溝１０７、２０３の幅は最大でも８０μｍ程度にしかならない。溝１０７、溝２０３の視認性は、一般に、幅が大きいほど高くなるが、溝１０７、溝２０３は幅が小さいため、視認性が低かった。
【００１４】
また、電子部品モジュール１２００には、導電性シールド層２０２に溝２０３を形成するために、導電性シールド層２０２の厚みを大きくしなければならないという問題もあった。そして、電子部品モジュール１２００は、導電性シールド層２０２の厚みを大きくすることによって、自身の高さが大きくなってしまい、近時の電子部品に強く求められる低背化の要求を満たすことができないという問題があった。
【００１５】
電子部品モジュール１２００のこの問題を解消する方法として、導電性シールド層ではなく、封止樹脂の天面に溝を形成しておき、溝が形成された封止樹脂の天面を含む外表面に、厚みの小さい導電性シールド膜を形成する方法がある。この方法によれば、導電性シールド膜の厚みを小さくすることができるため、導電性シールド膜の厚みに起因して、電子部品モジュール自身の高さが大きくなることを回避することができる。すなわち、天面に文字、数字、記号、マークなどを表示し、かつ、外表面にノイズの透過を抑制する導電性シールド層を備えながら、電子部品モジュールの低背化をはかることができる。
【００１６】
しかしながら、この方法は、封止樹脂の天面に形成された、もともと幅の小さい溝の壁面にも導電性シールド層が形成されるものであるため、溝の幅がさらに小さくなってしまい、文字、数字、記号、マークなどの表示の視認性が、さらに低下してしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の電子部品モジュールは、基板と、基板の主面に実装された電子部品と、電子部品を覆って基板の主面に形成された封止樹脂と、封止樹脂の天面に形成され、文字、数字、記号、マークの少なくとも１つを表示した、底面と１対の壁面とからなる少なくとも１つの線状の溝と、を備え、溝の幅が、底面において８５μｍ以上となるようにした。
【００１８】
なお、溝の幅は、底面において１２０μｍ以下であることが好ましい。１２０μｍを超えると、溝の形成に負担がかかるにもかかわらず、大きな視認性の向上をはかることができないからである。
【００１９】
溝の底面の表面粗さが、封止樹脂の天面の溝が形成されていない部分の表面粗さよりも大きいことが好ましい。この場合には、表面粗さの違いによって、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性を向上させることができる。
【００２０】
溝の底面に、溝の延びる方向に延びる、少なくとも１つの凸部が設けられることが好ましい。この場合には、凸部によって、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性を向上させることができる。
【００２１】
また、溝の底面に、溝の延びる方向に延びる、少なくとも１つの凹部が設けられることも好ましい。この場合には、凹部によって、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性を向上させることができる。
【００２２】
封止樹脂の外表面の少なくとも一部に、溝を覆う、導電性シールド層を形成しても良い。この場合には、導電性シールド層によって、外部からノイズが侵入するのを抑制するとともに、外部にノイズを放出するのを抑制することができる。また、本発明の電子部品モジュールにおいては、封止樹脂の天面に形成された溝の幅がもともと大きいため、導電性シールド層によって溝を覆っても、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの必要な視認性が維持される。
【００２３】
２つ以上の電子部品を有し、電子部品の高さは少なくとも２つ以上あり、最も背の高い電子部品を、最高背電子部品としたとき、溝を、封止樹脂の天面の、最高背電子部品の直上以外の領域に形成することが好ましい。最高背電子部品が、溝を形成する際のレーザー光の照射によって、故障したり、特性が低下したりするのを回避できるからである。特に、最高背電子部品がＩＣ（Integrated circuit；集積回路）である場合には、レーザー光の照射によって影響を受けやすいので、その直上に溝を形成しないことが好ましい。一方、封止樹脂に形成された溝の直下に実装された電子部品（最高背電子部品以外の電子部品）は、溝の底面との間に比較的大きな距離を設けることができるため、溝を形成する際のレーザー光の照射によって、故障したり、特性が低下したりする虞は小さい。
【００２４】
溝の底面の位置が、最高背電子部品の天面の位置よりも低くなることも好ましい。この場合には、溝の深さを大きくすることができるため、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性を向上させることができる。すなわち、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性は、溝の深さによっても変化し、溝の深さが大きいほど視認性が高くなる。
【００２５】
本発明の電子部品モジュールの製造方法は、基板と、基板の主面に実装された電子部品と、電子部品を覆って基板の主面に形成された封止樹脂と、封止樹脂の天面に形成され、文字、数字、記号、記号、マークの少なくとも１つを表示した、底面と１対の壁面とからなる少なくとも１つの線状の溝と、を備えた電子部品モジュールの製造方法であって、溝が、封止樹脂の天面に照射されたレーザー光を走査させることによって形成され、レーザー光の走査が、１つの溝において、２回以上繰り返されるものとした。
【００２６】
溝の幅が、底面において８５μｍ以上であることが好ましい。この場合には、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の電子部品モジュールは、封止樹脂の天面に形成された溝の幅が、底面において８５μｍ以上であるため、溝によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性が高い。
【００２８】
また、本発明の電子部品モジュールの製造方法によれば、本発明の電子部品モジュールを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（Ａ）は、第１実施形態にかかる電子部品モジュール１００の平面図である。図１（Ｂ）は、電子部品モジュール１００の断面図である。
【図２】図２は、電子部品モジュール１００の要部断面図であり、図１（Ｂ）の一点鎖線Ｙで示す円で囲んだ部分を拡大して示している。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、電子部品モジュール１００の製造方法の一例において、溝１０を形成する工程を示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、第２実施形態にかかる電子部品モジュール２００の平面図である。図４（Ｂ）は、電子部品モジュール２００の断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、電子部品モジュール２００の要部断面図であり、図４（Ｂ）の一点鎖線Ｙで示す円で囲んだ部分を拡大して示している。図５（Ｂ）は、電子部品モジュール２００の要部分解断面図であり、図５（Ａ）から導電性シールド層１１を省略して示している。
【図６】図６（Ａ）は、第３実施形態にかかる電子部品モジュール３００の平面図である。図６（Ｂ）は、電子部品モジュール３００の断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、電子部品モジュール３００の要部断面図であり、図６（Ｂ）の一点鎖線Ｙで示す円で囲んだ部分を拡大して示している。図７（Ｂ）は、電子部品モジュール３００の要部分解断面図であり、図７（Ａ）から導電性シールド層１１を省略して示している。
【図８】図８（Ａ）は、第４実施形態にかかる電子部品モジュール４００の平面図である。図８（Ｂ）は、電子部品モジュール４００の断面図である。
【図９】図９（Ａ）は、特許文献１に開示された電子部品モジュール１１００の斜視図である。図９（Ｂ）は、電子部品モジュール１１００の断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、特許文献２に開示された電子部品モジュール１２００の平面図である。図１０（Ｂ）は、電子部品モジュール１２００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。
【００３１】
［第１実施形態］
図１（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかる電子部品モジュール１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、電子部品モジュール１００の平面図である。図１（Ｂ）は、電子部品モジュール１００の断面図であり、図１の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。また、図２に、図１（Ｂ）の一点鎖線Ｙで示す円で囲んだ部分を拡大した、電子部品モジュール１００の要部断面図を示す。
【００３２】
電子部品モジュール１００は、基板１を備えている。本実施形態においては、基板１に、３層のセラミック層１ａ〜１ｃが積層されたセラミック多層基板を使用した。ただし、基板１の材質は任意であり、セラミック製ではなく、樹脂製であっても良い。また、基板１の構造も任意であり、多層基板ではなく、単層基板であっても良い。
【００３３】
基板１の下側主面に、電子部品モジュール１００を電子機器の基板などに実装する際に使用する、実装用電極２が形成されている。実装用電極２の表面には、めっき層２ａが形成されている。
【００３４】
基板１の上側主面に、電子部品を実装するために使用する、ランド電極３が形成されている。ランド電極３の表面には、めっき層３ａが形成されている。
【００３５】
基板１の内部に、ビア電極４と配線電極５とで、内部配線が形成されている。内部配線は、実装用電極２およびランド電極３に、それぞれ接続されている。
【００３６】
実装用電極２、ランド電極３、ビア電極４、配線電極５の材質は任意であるが、たとえばＣｕなどによって形成することができる。また、めっき層２ａ、めっき層３ａの材質、構造も任意であるが、たとえば、第１層がＮｉ層、第２層がＳｎの２層構造に形成することができる。
【００３７】
ランド電極３（めっき層３ａ）に、電子部品６と、２つの電子部品７とが、はんだ８によって実装されている。電子部品６はＩＣであり、底面に外部電極が形成されている。電子部品７は、キャパシタ、インダクタ、抵抗などの受動部品であり、両端に外部電極が形成されている。電子部品６は、電子部品７よりも背が高く、本発明における最高背電子部品に該当する。
【００３８】
基板１の主面に、電子部品６、７を覆うように、封止樹脂９が形成されている。封止樹脂９には、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを使用することができる。
【００３９】
封止樹脂９の天面に、線状の溝１０が形成されている。溝１０は、溝１０の延びる方向に対して垂直な断面を見たとき、底面と、底面の両側に位置する１対の壁面とを備えている。
【００４０】
本実施形態においては、溝１０は、図１（Ａ）に示すように、文字と数字とを表示している。ただし、溝１０は、文字、数字に代えて、あるいは、文字、数字に加えて、記号、マークなどを表示しても良い。これらの文字、数字、記号、マークは、たとえば、電子部品モジュール１００の、製造者、製品番号、製造年月日、製造工場、方向性（実装用電極２の配置に方向性がある場合の方向性マーク）などを表示している。
【００４１】
封止樹脂９の天面および側面に、導電性シールド層１１が形成されている。導電性シールド層１１は、溝１０を覆っている。すなわち、導電性シールド層１１は、溝１０の底面および側面の上にも形成されている。導電性シールド層１１は、外部からノイズが侵入するのを抑制するとともに、外部にノイズを放出するのを抑制するために設けられたものである。
【００４２】
実施形態においては、導電性シールド層１１を、密着層と、導電層と、保護層との３層に形成し、３層合計の厚みを８μｍとした。ただし、封止樹脂９との密着性が良好である場合は、密着層を省略しても良い。密着層および保護層の材料には、たとえば、ＳＵＳ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉなどを使用することができる。導電層の材料には、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌなどを使用することができる。
【００４３】
図２に示すように、電子部品モジュール１００の封止樹脂９の天面に形成された溝１０は、幅Ｗを備えている。本実施形態においては、幅Ｗを９０μｍとした。電子部品モジュール１００の製造方法については後述するが、溝１０は、封止樹脂９の天面に、レーザー光を照射し、レーザー光の照射を走査させることによって形成したものである。溝１０の幅Ｗの９０μｍという値は、レーザー光の照射を１回走査させただけでは得られない大きな値である。すなわち、本実施形態においては、レーザー光の照射を、焦点をずらして２回走査させることによって、幅Ｗが９０μｍと大きい溝１０を形成した。
【００４４】
本実施形態においては、溝１０の深さＤを８０μｍとした。
【００４５】
再び、図１（Ｂ）を参照して、電子部品モジュール１００においては、溝１０が、封止樹脂９の天面の、最高背電子部品である電子部品６の直上以外の領域に形成されている。すなわち、溝１０の下には、電子部品が配置されていない、あるいは、最高背電子部品である電子部品６よりも背の低い電子部品７が配置されている。そのため、電子部品モジュール１００では、溝１０の深さＤを、上述したように８０μｍと十分に大きくすることが可能になっている。
【００４６】
図１（Ｂ）から分かるように、電子部品モジュール１００においては、溝１０の底面の位置Ｂが、最高背電子部品である電子部品６の天面の位置Ｔよりも、低くなっている。仮に、溝１０を、最高背電子部品である電子部品６の直上に形成していた場合には、レーザー光の照射によって、電子部品６が破損していた虞がある。
【００４７】
電子部品モジュール１００は、溝１０の幅Ｗが大きいため、導電性シールド層１１によって溝１０を覆っても、溝１０によって表示された文字、数字、記号、マークが、十分に高い視認性を備えている。また、電子部品モジュール１００においては、溝１０の深さＤが大きいことも、溝１０によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性を向上させるのに寄与している。
【００４８】
電子部品モジュール１００は、たとえば、次の方法によって製造することができる。
【００４９】
まず、基板１を用意する。基板１は、多数の電子部品モジュール１００を一括して製造するために、多数の基板１がマトリックス状に配置されたマザー基板として用意する。
【００５０】
次に、基板１のランド電極３（めっき層３ａ）に、電子部品６、７を実装する。具体的には、ランド電極３の上にクリームはんだを塗布する。続いて、クリームはんだを塗布したランド電極３の上に、電子部品６、７の外部電極部分を載せる。次に、加熱して、クリームはんだを溶融させ、続いて冷却してクリームはんだを固化させて、はんだ８を形成し、ランド電極３と電子部品６、７の外部電極とを接続する。
【００５１】
次に、電子部品６、７を実装した基板１の主面に、電子部品６、７を覆って封止樹脂９を形成する。具体的には、基板１に実装した電子部品６、７上に半溶融状態の樹脂を配置し、電子部品６、７の周囲を樹脂で覆う。続いて加熱して、樹脂を硬化させて、封止樹脂９を形成する。
【００５２】
次に、封止樹脂９の天面に溝１０を形成する。この工程を、図３（Ａ）〜（Ｅ）に示す。
【００５３】
まず、図３（Ａ）に示すように、封止樹脂９の天面に、１回目のレーザー光の照射をおこなう。具体的には、レーザー光Ｌを封止樹脂９の天面に照射し、走査させる。レーザー光Ｌは、４５μｍの焦点径を備えている。なお、レーザー光には、Ｇｒｅｅｎレーザーを使用した。
【００５４】
この結果、図３（Ｂ）に示すように、封止樹脂９の天面に、溝１０の幅Ｗの半分の幅を備えた溝１０’が形成される。レーザー光Ｌはコリメートされた平行な光であるが、溝１０’は開口から底面にゆくほど幅が小さくなり、溝１０’の壁面に極めて小さなテーパーが形成される。
【００５５】
次に、図３（Ｃ）に示すように、封止樹脂９の天面に、２回目のレーザー光の照射をおこなう。具体的には、封止樹脂９の天面の溝１０’に隣接した部分に、１回目と焦点位置を水平方向にずらしてレーザー光Ｌを照射し、走査させる。
【００５６】
この結果、図３（Ｄ）に示すように、封止樹脂９の天面に、幅Ｗを備えた溝１０が形成される。溝１０も、開口から底面にゆくほど幅が小さくなり、壁面に極めて小さなテーパーが形成される。なお、形成された溝１０は、底面の表面粗さが、封止樹脂の天面の溝が形成されていない部分の表面粗さよりも大きくなる。この表面粗さの違いは、後述する導電性シールド層１１を形成した後にも残り、溝１０の底面に形成された導電性シールド層１１の表面粗さが、封止樹脂の天面に形成された導電性シールド層１１の表面粗さよりも大きくなり、この表面粗さの違いにより、溝１０によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性がさらに向上する。
【００５７】
以上の方法により、封止樹脂９の天面に溝１０を形成する。
【００５８】
次に、マザー基板を、個々の電子部品モジュール（電子部品６、７が実装された基板１の主面に封止樹脂９を形成したもの）に分割する。
【００５９】
最後に、個々の電子部品モジュールを、たとえば上側主面に粘着性を備えた固定治具に固定したうえで、たとえばスパッタリングによって、封止樹脂９の外表面に導電性シールド層１１を形成し、電子部品モジュール１００を完成させる。このとき、導電性シールド層１１は、溝１０の底面および側壁にも形成される。
【００６０】
［第２実施形態］
図４（Ａ）、（Ｂ）に、第２実施形態にかかる電子部品モジュール２００を示す。ただし、図４（Ａ）は、電子部品モジュール２００の平面図である。図４（Ｂ）は、電子部品モジュール２００の断面図であり、図４（Ａ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。また、図５（Ａ）に、図４（Ｂ）の一点鎖線Ｙで示す円で囲んだ部分を拡大した、電子部品モジュール２００の要部断面図を示す。さらに、図５（Ｂ）に、図５（Ａ）から導電性シールド層１１を省略した、電子部品モジュール２００の要部分解断面図を示す。
【００６１】
電子部品モジュール２００は、第１実施形態にかかる電子部品モジュール１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、電子部品モジュール１００では、封止樹脂９の天面に形成された溝１０の底面が平坦であり、溝１０の底面に形成された導電性シールド層１１も平坦であったが、電子部品モジュール２００では、封止樹脂９の天面に形成された溝１０の底面に、溝１０の延びる方向に延びる凸部９ａを形成し、さらに溝１０の底面に形成された導電性シールド層１１に、溝１０の延びる方向に延びる凸部１１ａを形成した。
【００６２】
凸部９ａは、封止樹脂９の天面にレーザー光を照射して溝１０を形成する際に、１回目のレーザー光の照射位置と、２回目のレーザー光の照射位置とを、第１実施形態のときよりも、水平方向に大きくずらすことによって形成した。すなわち、照射位置を水平方向に大きくずらすことによって、図５（Ｂ）に示すように、溝１０の底面に、１回目のレーザー光の照射および２回目のレーザー光の照射のいずれにおいても削除されない部分が発生し、凸部９ａが形成される。
【００６３】
溝１０の底面に形成された導電性シールド層１１の凸部１１ａは、スパッタリングなどによって導電性シールド層１１を形成することによって、溝１０の底面に形成された凸部９ａの上に自然に形成される。
【００６４】
電子部品モジュール２００は、図４（Ａ）から分かるように、溝１０の底面に凸部９ａおよび凸部１１ａを形成したことによって、溝１０によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性が、電子部品モジュール１００よりも、さらに向上している。
【００６５】
［第３実施形態］
図６（Ａ）、（Ｂ）に、第３実施形態にかかる電子部品モジュール３００を示す。ただし、図６（Ａ）は、電子部品モジュール３００の平面図である。図６（Ｂ）は、電子部品モジュール３００の断面図であり、図６（Ａ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。また、図７（Ａ）に、図６（Ｂ）の一点鎖線Ｙで示す円で囲んだ部分を拡大した、電子部品モジュール３００の要部断面図を示す。さらに、図７（Ｂ）に、図７（Ａ）から導電性シールド層１１を省略した、電子部品モジュール３００の要部分解断面図を示す。
【００６６】
電子部品モジュール３００も、第１実施形態にかかる電子部品モジュール１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、電子部品モジュール１００では、封止樹脂９の天面に形成された溝１０の底面が平坦であり、溝１０の底面に形成された導電性シールド層１１も平坦であったが、電子部品モジュール３００では、封止樹脂９の天面に形成された溝１０の底面に、溝１０の延びる方向に延びる凹部９ｂを形成し、さらに溝１０の底面に形成された導電性シールド層１１に、溝１０の延びる方向に延びる凹部１１ｂを形成した。
【００６７】
凹部９ｂは、封止樹脂９の天面にレーザー光を照射して溝１０を形成する際に、１回目のレーザー光の照射位置と、２回目のレーザー光の照射位置とを、第１実施形態のときよりも、水平方向に小さくずらすことによって形成した。すなわち、照射位置を水平方向に小さくずらすことによって、図７（Ｂ）に示すように、溝１０の底面に、１回目のレーザー光の照射および２回目のレーザー光の照射によって、重複して２回削除される部分が発生し、凹部９ｂが形成される。
【００６８】
溝１０の底面に形成された導電性シールド層１１の凹部１１ｂは、スパッタリングなどによって導電性シールド層１１を形成することによって、溝１０の底面に形成された凹部９ｂの上に自然に形成される。
【００６９】
電子部品モジュール３００は、図６（Ａ）から分かるように、溝１０の底面に凹部９ｂおよび凹部１１ｂを形成したことによって、溝１０によって表示された文字、数字、記号、マークの視認性が、電子部品モジュール１００よりも、さらに向上している。
【００７０】
［第４実施形態］
図８（Ａ）、（Ｂ）に、第４実施形態にかかる電子部品モジュール４００を示す。ただし、図８（Ａ）は、電子部品モジュール４００の平面図である。図８（Ｂ）は、電子部品モジュール４００の断面図であり、図８（Ａ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。
【００７１】
電子部品モジュール４００は、第１実施形態にかかる電子部品モジュール１００から、導電性シールド層１１を省略した。すなわち、本発明において、導電性シールド層１１は必須の構成要素ではない。電子部品モジュール４００の他の構成は、電子部品モジュール１００と同じにした。
【００７２】
電子部品モジュール４００も、溝１０の幅が大きく、かつ、深さが大きいため、溝１０によって表示される文字、数字、記号、マークが、高い視認性を備えている。また、溝１０の底面の表面粗さが、封止樹脂９の天面の溝１０が形成されていない部分の表面粗さよりも大きいことも、溝１０によって表示される文字、数字、記号、マークの視認性の向上に寄与している。
【００７３】
以上、第１実施形態〜第４実施形態にかかる電子部品モジュール１００、２００、３００、４００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００７４】
たとえば、電子部品モジュール１００、２００、３００、４００では、レーザー光の照射を２回走査させて溝１０を形成したが、走査の回数は２回には限られず、３回以上走査させて、溝１０の幅をさらに大きくしても良い。
【００７５】
また、電子部品モジュール２００では、封止樹脂９の天面に形成された溝１０の底面に、溝１０の延びる方向に延びる１つの凸部９ａを形成したが、凸部９ａの数は１つには限定されず、２つ以上であっても良い。この場合には、溝１０によって表示される文字、数字、記号、マークの視認性が、さらに向上する。
【００７６】
また、電子部品モジュール３００では、封止樹脂９の天面に形成された溝１０の底面に、溝１０の延びる方向に延びる１つの凹部９ｂを形成したが、凹部９ｂの数は１つには限定されず、２つ以上であっても良い。この場合には、溝１０によって表示される文字、数字、記号、マークの視認性が、さらに向上する。
【００７７】
また、電子部品モジュール２００と電子部品モジュール３００とを組み合わせて、溝１０の底面に、凸部９ａと凹部９ｂとの両方を形成しても良い。
【符号の説明】
【００７８】
１・・・基板
１ａ、１ｂ、１ｃ・・・セラミック層
２・・・実装用電極
２ａ・・・めっき層
３・・・ランド電極
３ａ・・・めっき層
４・・・ビア電極
５・・・配線電極
６・・・電子部品（ＩＣ）
７・・・電子部品（キャパシタ、インダクタ、抵抗などの受動部品）
８・・・はんだ
９・・・封止樹脂
９ａ・・・凸部
９ｂ・・・凹部
１０・・・溝
１１・・・導電性シールド層
１１ａ・・・凸部
１１ｂ・・・凹部
１００、２００、３００、４００、５００・・・電子部品モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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