(57)【要約】【課題】静電気等の電磁ノイズに対する耐性を向上させることができるタッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置を提供する。【解決手段】タッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置は、基板と、基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有するタッチ検出電極と、金属配線と接して重畳し、基板に対し垂直な方向において、基板と金属配線との間に設けられる第１導電層と、金属配線の上側に設けられる第２導電層と、を有し、第１導電層及び第２導電層の少なくとも一方は、金属配線よりも高いシート抵抗値を有する。【選択図】図７
2018112791.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有するタッチ検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線の上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有する、
タッチ検出装置。
【請求項２】
前記第２導電層のシート抵抗値は、前記第１導電層のシート抵抗値以下である、請求項１に記載のタッチ検出装置。
【請求項３】
前記第１導電層及び前記第２導電層のそれぞれは、透光性導電層である、請求項１又は請求項２に記載のタッチ検出装置。
【請求項４】
前記第１導電層及び前記第２導電層のそれぞれは、酸化スズ又は酸化インジウムを含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項５】
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた保護層と、
前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板と前記保護層との間に設けられた絶縁層と、
を有し、
前記第２導電層は、前記絶縁層と前記偏光板との間に設けられる、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項６】
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記カバー基板の上側に設けられた第３導電層と、
を有する、
請求項５に記載のタッチ検出装置。
【請求項７】
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた保護層と、
前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板と前記保護層との間に設けられた絶縁層と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
を有し、
前記第２導電層は、カバー基板の上側に設けられる、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項８】
前記タッチ検出電極は、センサ部と、前記センサ部と離隔して設けられたダミー部とを含み、
前記第１導電層は、前記センサ部と前記ダミー部とに重畳して連続して設けられる、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項９】
前記金属配線は、第１方向と第１の角度をなす少なくとも１つの第１細線と、前記第１方向と第２の角度をなす少なくとも１つの第２細線と、が接続されている、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１０】
前記金属配線は、金属層をパターン形成したものであり、
前記第１導電層及び前記金属層は、連続して積層される、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１１】
前記金属層のパターン形成は、エッチングによって行われ、
前記第１導電層のエッチングレートは、前記金属層のエッチングレートより小さい、請求項１０に記載のタッチ検出装置。
【請求項１２】
前記第１導電層は、表示領域の全面に設けられている請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のタッチ検出装置と、
前記基板と平行な面上において、前記タッチ検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、
画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、を有するタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１４】
前記基板と平行な面上に設けられ、前記タッチ検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極を有する、
請求項１３に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１５】
前記基板と平行な面上に設けられ、前記画素電極との間に横電界を発生させる駆動電極を有し、
前記横電界により前記表示機能層を駆動する
請求項１３又は請求項１４に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている。下記特許文献１には、薄型化、大画面化又は高精細化のため、タッチ検出電極に金属材料を使用したタッチ検出機能付き表示装置が記載されている。これにより、特許文献１のタッチ検出機能付き表示装置は、タッチ検出電極の低抵抗化を図るとともにパターンの不可視化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１０９９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のタッチ検出機能付き表示装置は、タッチ検出電極が細幅の金属配線を有しており、タッチ検出電極の面積が小さくなっている。このため、タッチ検出機能付き表示装置の製造時及び使用時においてタッチ検出電極に静電気が印加された場合、タッチ検出電極に帯電した電荷が外部に流れにくくなり、タッチ検出精度又は表示装置の表示性能が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明は、静電気などの電磁ノイズに対する耐性を向上させることができるタッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様のタッチ検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有するタッチ検出電極と、前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、前記金属配線の上側に設けられる第２導電層と、を有し、前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有する。
【０００７】
本発明の一態様のタッチ検出機能付き表示装置は、上記のタッチ検出装置と、前記基板と平行な面上において、前記タッチ検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。
【図３】図３は、図２に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。
【図５】図５は、図４に示す指が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図６】図６は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【図７】図７は、タッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図８】図８は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配列を表す回路図である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示し、駆動電極の一例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示し、タッチ検出電極の一例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。
【図１２】図１２は、タッチ検出機能付き表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。
【図１３】図１３は、第１の実施形態に係る第１導電層及びタッチ検出電極の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】図１４は、第２の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図１５】図１５は、第２の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。
【図１６】図１６は、第３の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図１７】図１７は、第３の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。
【図１８】図１８は、第４の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の、駆動電極の一例を示す平面図である。
【図１９】図１９は、第４の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部４０とを備えている。
【００１１】
タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０がタッチ検出機能を内蔵した表示装置である。タッチ検出機能付き表示部１０は、いわゆる液晶表示装置と呼ばれる表示パネル２０と、静電容量型のタッチ検出装置であるタッチパネル３０とを一体化した装置である。具体的には、タッチ検出機能付き表示部１０において、表示パネル２０の電極や基板等の部材の一部が、タッチパネル３０の電極や基板等に兼用される。なお、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示パネル２０の上にタッチパネル３０を装着した装置であってもよい。また、表示パネル２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。
【００１２】
表示パネル２０は、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う。制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４及びタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。
【００１３】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００１４】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、各副画素ＳＰｉｘ（図８参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００１５】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の駆動電極ＣＯＭＬ（図９参照）に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。なお、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動電極ドライバ１４の機能の一部はタッチ検出機能付き表示部１０に搭載されていてもよい。
【００１６】
タッチパネル３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によりタッチ検出動作を行う。これにより、表示領域に対する指等の被検出体の接触又は接近を検出する。
【００１７】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチパネル３０から供給されるタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、タッチパネル３０に対するタッチの有無を検出する回路である。また、タッチ検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。
【００１８】
タッチ検出部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。
【００１９】
タッチ検出において、タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出機能付き表示部１０から供給されたタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
【００２０】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体の接触状態又は近接状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０はタッチ検出が可能となる。
【００２１】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。
【００２２】
上述のとおり、タッチパネル３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作する。ここで、図２から図６を参照して、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。図３は、図２に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。図５は、図４に示す指が接触又は近接した上態の等価回路の例を示す説明図である。図６は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明する。ただし、これに限定されず、被検出体は、静電容量を発生させる物体であればよい。例えば被検出体は、スタイラスペン等の導体を含む物体が挙げられる。
【００２３】
例えば、図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された駆動電極Ｅ１及びタッチ検出電極Ｅ２を備えている。図３に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００２４】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、タッチ検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、図６に示すような出力波形（タッチ検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、駆動電極ドライバ１４から入力される駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。
【００２５】
指が接触又は近接していない状態（非接触状態）では、図２及び図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。図３に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０（図６参照））に変換する。
【００２６】
一方、指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、図４に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が、タッチ検出電極Ｅ２と接触し、又はタッチ検出電極Ｅ２の近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１とタッチ検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が指（導体）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１’として作用する。そして、図５及び図６に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１）に変換する。
【００２７】
この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する外部物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする。このような期間Ｒｅｓｅｔを設けることにより、電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜が精度よく検出される。
【００２８】
タッチ検出部４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、外部近接物体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、タッチ検出部４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。
【００２９】
なお、静電容量型タッチ検出方式として、上述した相互容量方式に限定されず、自己静電容量方式（セルフ方式ともいう）であってもよい。この場合、駆動電極Ｅ１又はタッチ検出電極Ｅ２のいずれか一方のみを用いてタッチ検出が行われる。以下の例では、タッチ検出電極Ｅ２によりタッチ検出を行う場合を説明する。交流信号源Ｓはタッチ検出電極Ｅ２に駆動信号としての交流矩形波Ｓｇを供給する。タッチ検出電極Ｅ２が有する静電容量値に応じた電流が電圧検出器ＤＥＴに流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動に変換する。
【００３０】
非接触状態において、タッチ検出電極Ｅ２が有する静電容量値に応じた電流が流れる。一方、接触状態では、タッチ検出電極Ｅ２が有する容量値に、指とタッチ検出電極Ｅ２との間に形成される容量値が付加される。このため、タッチ検出電極Ｅ２は、接触状態において、非接触状態での容量値よりも大きい容量素子として作用する。電圧検出器ＤＥＴは、容量変化に応じたタッチ検出信号Ｖｄｅｔ２を出力する。これにより、タッチ検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜に基づいてタッチ検出を行うことができる。
【００３１】
次に、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１の構成例を詳細に説明する。図７は、タッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図７に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。
【００３２】
画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、駆動電極ＣＯＭＬと、偏光板６５とを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図７では省略して示す）が設けられる。
【００３３】
駆動電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して駆動電極ＣＯＭＬの上側に設けられる。画素電極２２は、駆動電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられ、平面視で、駆動電極ＣＯＭＬと重畳して配置される。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板６５は、接着層６６を介して第１基板２１の下側に設けられる。画素電極２２及び駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、本実施の形態では、画素電極２２が駆動電極ＣＯＭＬの上側に設けられる例について説明したが、駆動電極ＣＯＭＬが画素電極２２の上側に設けられていてもよい。
【００３４】
また、第１基板２１には、表示用ＩＣ１９と、フレキシブル基板７２が設けられる。表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１として機能する。
【００３５】
なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。
【００３６】
対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた第１導電層５１と、タッチ検出電極ＴＤＬと、保護層３８と、接着層３９と、第２導電層５２と、偏光板３５とを有する。第２電極ＴＤＬは、第２基板３１の上に複数配列されている。タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチパネル３０の検出電極として機能する。第２基板３１にはフレキシブル基板７１が接続されている。フレキシブル基板７１には、検出用ＩＣ１８が搭載されている。タッチ検出電極ＴＤＬは、端子部３６を介して、検出用ＩＣ１８に電気的に接続される。なお、タッチ検出電極ＴＤＬの詳細な構成については後述する。第１導電層５１は、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第２基板３１とタッチ検出電極ＴＤＬとの間に設けられる。
【００３７】
タッチ検出電極ＴＤＬは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを有している（図１０参照）。さらに、タッチ検出電極ＴＤＬの上には、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを含むタッチ検出電極ＴＤＬを保護するための保護層３８が設けられている。保護層３８は、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層３８の上に、接着層３９を介して偏光板３５が設けられている。第２導電層５２は、偏光板３５と接着層３９との間に設けられる。ここで、接着層３９は、タッチ検出電極ＴＤＬよりも高い抵抗値を有する絶縁層である。
【００３８】
第１導電層５１及び第２導電層５２は、後述するようにＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）対策のために設けられる。第１導電層５１及び第２導電層５２は、それぞれ透光性導電層であり、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ、有機導電膜などを含む。第１導電層５１及び第２導電層５２は、これらの材料の１種以上に加え絶縁性酸化物を含有してもよい。第１導電層５１及び第２導電層５２は、例えば、特開２００７−１４８２０１号公報、特開２０１３−１４２１９４号公報に記載されている、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする酸化物層や、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）及び酸化スズ（ＳｎＯ２）を主成分とする酸化物層や、ＩＴＯを主材料としケイ素（Ｓｉ）を含有する透光性の導電層等を用いてもよい。
【００３９】
第１導電層５１と第２導電層５２とは、同じ材料で形成されていてもよく、或いは互いに異なった材料で形成されていてもよい。例えば、第１導電層５１として上述した酸化物材料を用い、第２導電層５２としてＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）等を含む導電性高分子材料を用いてもよい。
【００４０】
なお、タッチ検出電極ＴＤＬが設けられた領域を検出電極領域とすると、第１導電層５１と第２導電層５２が設けられる領域は、平面視で検出電極領域より大きいことが好ましい。
【００４１】
第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間の空間は、シール部６１により封止される。第１基板２１、第２基板３１、及びシール部６１によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図７に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設される。本実施の形態では、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとの間に発生する横電界により、液晶層６が駆動される。
【００４２】
第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
【００４３】
次にタッチ検出機能付き表示装置１の表示動作について説明する。図８は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図７参照）には、図８に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延出する。
【００４４】
図８に示す表示パネル２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図８に示す保持容量６ｂが形成される。
【００４５】
図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【００４６】
この表示動作を行う際、図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに対して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる直流の電圧信号である。これにより、各駆動電極ＣＯＭＬは、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、駆動電極ドライバ１４は、表示領域１０ａの全ての第１電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。
【００４７】
図７に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図８に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
【００４８】
次に、駆動電極ＣＯＭＬ、タッチ検出電極ＴＤＬの構成と、タッチ検出動作について説明する。図９は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示し、駆動電極の一例を示す平面図である。図１０は、第１の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示し、タッチ検出電極の一例を示す平面図である。図１１は、図１０に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。
【００４９】
図９に示すように、第１基板２１は、表示パネル２０（図１参照）の表示領域１０ａと、表示領域１０ａの外側に設けられた周辺領域１０ｂとに対応する領域が形成されている。表示用ＩＣ１９は第１基板２１の周辺領域１０ｂに搭載されている。表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１や、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３の機能の一部等、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。なお、周辺領域１０ｂは表示領域１０ａを囲っていてもよく、その場合は、周辺領域１０ｂは額縁領域とも言える。
【００５０】
ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は、駆動電極ドライバ１４は、ガラス基板である第１基板２１に形成される。表示用ＩＣ１９及び駆動電極ドライバ１４は、周辺領域１０ｂに設けられる。なお、表示用ＩＣ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵していてもよい。この場合、周辺領域１０ｂを狭くすることが可能である。フレキシブル基板７２は、表示用ＩＣ１９と接続されており、フレキシブル基板７２を介して、外部から映像信号Ｖｄｉｓｐや、電源電圧が表示用ＩＣ１９に供給される。
【００５１】
図９に示すように、第１基板２１の表示領域１０ａに重畳する領域に複数の駆動電極ＣＯＭＬが設けられている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、それぞれ、表示領域１０ａの長辺に沿った方向（第２方向Ｄｙ）に延出しており、表示領域１０ａの短辺に沿った方向（第１方向Ｄｘ）において、間隔を設けて配列されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは駆動電極ドライバ１４にそれぞれ接続されている。
【００５２】
本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは、ゲート線ＧＣＬと交差する方向に延出する。言い換えると、駆動電極ＣＯＭＬは、信号線ＳＧＬと平行な方向に延出する。これにより、駆動電極ＣＯＭＬに接続される配線や駆動電極ドライバ１４を、ゲートドライバ１２と異なる位置の周辺領域１０ｂに設けることができる。具体的には、例えば、図９に示すように、ゲートドライバ１２は周辺領域１０ｂの長辺に設けられ、駆動電極ドライバ１４及びソースドライバ１３は、周辺領域１０ｂの短辺のうち、フレキシブル基板７２が接続された辺に設けられる。したがって、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、駆動電極ＣＯＭＬに沿った部分の周辺領域１０ｂの狭額縁化に有利である。
【００５３】
図１０に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０において、第２基板３１の表示領域１０ａと重畳する領域に複数のタッチ検出電極ＴＤＬが設けられている。複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、それぞれ、図９に示す駆動電極ＣＯＭＬの延出方向と交差する方向（第１方向Ｄｘ）に延出している。また、図１０に示すように、複数の検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの延出方向（第２方向Ｄｙ）において間隔ＳＰを設けて配列されている。つまり、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとは、平面視で交差するように配置されており、互いに重畳する部分で静電容量が形成される。
【００５４】
タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作の際に、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを順次印加することにより、１検出ラインずつ順次走査を行う。つまり、タッチ検出機能付き表示部１０は、タッチ検出走査を、タッチ検出機能付き表示部１０の一辺に沿った第１方向Ｄｘと平行に行う。
【００５５】
そして、タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出部４０にタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。これにより、１検出ブロックのタッチ検出が行われるようになっている。つまり、駆動電極ＣＯＭＬは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出電極Ｅ２に対応する。互いに交差したタッチ検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチパネル３０のタッチ検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触又は近接が生じた位置の検出が可能となっている。
【００５６】
タッチ検出機能付き表示装置１の動作方法の一例として、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作（タッチ検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。
【００５７】
なお、本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは表示パネル２０の共通電極を兼用するので、表示動作期間においては、駆動電極ドライバ１４を介して選択される駆動電極ＣＯＭＬに、制御部１１が表示用の共通電極電位である駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。
【００５８】
タッチ検出期間に駆動電極ＣＯＭＬを用いず、タッチ検出電極ＴＤＬのみで検出動作を行う場合、例えば、自己静電容量方式のタッチ検出原理に基づいてタッチ検出を行う場合、駆動電極ドライバ１４は、タッチ検出電極ＴＤＬにタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給してもよい。
【００５９】
図１０及び図１１に示すように、本実施形態のタッチ検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを有している。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。第１導電性細線３３Ｕは第１方向Ｄｘと第１の角度をなし、第２導電性細線３３Ｖは第１方向Ｄｘと第２の角度をなす。
【００６０】
複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ細幅の金属配線である。表示領域１０ａにおいて、複数の第１導電性細線３３Ｕは、第１導電性細線３３Ｕの延出方向と交差する方向、すなわち第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置される。また、複数の第２導電性細線３３Ｖは、第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置されている。
【００６１】
タッチ検出電極ＴＤＬは、少なくとも１つの第１導電性細線３３Ｕと、第１導電性細線３３Ｕと交差する少なくとも１つの第２導電性細線３３Ｖと、を含む。第１導電性細線３３Ｕと、第２導電性細線３３Ｖとは、接続部３３Ｘで電気的に接続されている。複数の第１導電性細線３３Ｕと、複数の第２導電性細線３３Ｖとがそれぞれ複数交差すると、タッチ検出電極ＴＤＬの１つの網目の形状が平行四辺形となる。
【００６２】
複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延出方向の両端は、周辺領域１０ｂに配置された接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。タッチ検出電極ＴＤＬの主検出部である第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、細線３３ａを介して接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。これにより、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは互いに電気的に接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。
【００６３】
第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。又は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成される。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、これらの金属材料又はこれらの材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。なお、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物の導電層が積層されていてもよい。また、上述した金属材料及び導電層を組み合わせた黒色化膜、黒色有機膜又は黒色導電有機膜が積層されていてもよい。
【００６４】
上述した金属材料は、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性又はタッチ検出電極ＴＤＬのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、１つのタッチ検出電極ＴＤＬが、複数の幅細の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを有しており、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが、線幅よりも大きい間隔を設けて配置されることで、低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、タッチ検出電極ＴＤＬが低抵抗化し、タッチ検出機能付き表示装置１は、薄型化、大画面化又は高精細化することができる。また上述した金属材料と第１導電層５１の組み合わせによっては、電池反応などによりタッチ検出電極ＴＤＬの金属材料を腐食させてしまうことがあるが、第１導電層５１を高抵抗化させておくことで腐蝕しにくくさせることが可能である。
【００６５】
第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、さらに１μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることがより好ましい。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１０μｍ以下であると、表示領域１０ａのうちブラックマトリックス又はゲート線ＧＣＬ及び信号線ＳＧＬで光の透過を抑制されない領域である開口部を覆う面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１μｍ以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。
【００６６】
図８、図１０及び図１１を参照して説明すると、タッチ検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが所定のピッチで配置されており、タッチ検出電極ＴＤＬは、全体として、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延出方向と交差する方向に延びている。つまり、タッチ検出電極ＴＤＬは、図８に示す信号線ＳＧＬと交差する第１方向Ｄｘに延出する。各第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖがカラーフィルタ３２の特定の色領域を遮光してしまわないように、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、互いに逆向きに傾斜する細線片が交差して接続された網目状となっている。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延出方向（第２方向Ｄｙ）と平行な方向に対して、角度θを有して互いに逆向きに傾斜する。例えば、角度θは、５度以上７５度以下であり、好ましくは２５度以上４０度以下、さらに好ましくは５０度以上６５度以下である。
【００６７】
このように、タッチ検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延出方向がカラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂの延出方向に対して角度をもつようになる。その結果、タッチ検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂを順に遮光することから、カラーフィルタ３２の特定色領域における透過率の低下を抑制することができる。また、タッチ検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、好ましい範囲でゆらぎをもたせて配置してもよい。すなわち、タッチ検出電極ＴＤＬは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ同士の間隔を異ならせてもよい。
【００６８】
図１１に示すように、タッチ検出電極ＴＤＬは、センサ部ＴＤＬｓと、ダミー部ＴＤＬｄとを含む。センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに交互に配置されている。センサ部ＴＤＬｓは、図１０に示す接続配線３４ａ、３４ｂに接続され、主として検出電極として機能する。ダミー部ＴＤＬｄは、センサ部ＴＤＬｓ及び接続配線３４ａ、３４ｂと電気的に離隔して設けられる。ダミー部ＴＤＬｄは、検出電極として機能しないダミー電極である。
【００６９】
センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、上述した第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを含み、互いに類似したメッシュ状の構成である。これにより、表示領域１０ａにおける透光率のばらつきを抑制して、良好な視認性を得ることができる。センサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄとは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに設けられたスリットＳＬにより、電気的に離隔される。ダミー部ＴＤＬｄの１つの網目を構成する第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに、それぞれ、スリットＳＬが設けられている。このような構成により、タッチ検出において、ダミー部ＴＤＬｄは、電圧信号が供給されないフローティング状態となる。
【００７０】
タッチ検出電極ＴＤＬの配置率（単位面積当たりの占有率）は１０％以下が好ましく、配置率が高過ぎると透過率が低くなってしまい暗い表示になったり、バックライトの消費電力が増えてしまう。また、電極間距離は３００μｍ以下が好ましく、電極間距離が大きい場合には電極間抵抗を下げるために第１導電層５１の抵抗を下げる必要がある。第１導電層５１の抵抗を下げるとタッチ信号の低下を引き起こす。
【００７１】
図１０に示すように、複数の接続配線３４ａには、それぞれ第１配線３７ａが接続される。また複数の接続配線３４ｂには、それぞれ第２配線３７ｂが接続される。つまり、本実施形態において、タッチ検出電極ＴＤＬの一端側に第１配線３７ａが接続され、他端側に第２配線３７ｂが接続される。第１配線３７ａは、周辺領域１０ｂの長辺の一方に沿って設けられる。また、第２配線３７ｂは、周辺領域１０ｂの長辺の他方に沿って設けられる。
【００７２】
１つのタッチ検出電極ＴＤＬに接続された第１配線３７ａと第２配線３７ｂとは、一つの端子部３６に接続される。つまり、タッチ検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６は、ループ状に接続される。タッチ検出電極ＴＤＬは、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６を介してフレキシブル基板７１と接続される。
【００７３】
第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに用いられる金属材料、或いは合金等と同じ材料を用いることができる。また、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、良好な導電性を有する材料であればよく、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと異なる材料が用いられてもよい。
【００７４】
このように、１つのタッチ検出電極ＴＤＬに第１配線３７ａと第２配線３７ｂとが接続されているので、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂの一方が断線した場合であっても、他方の配線により、タッチ検出電極ＴＤＬとフレキシブル基板７１との接続が確保される。したがって、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出電極ＴＤＬとフレキシブル基板７１との接続信頼性を向上させることができる。
【００７５】
なお、１つのタッチ検出電極ＴＤＬに第１配線３７ａ又は第２配線３７ｂのいずれか一方が接続される構成であってもよい。また、タッチ検出電極ＴＤＬは、メッシュ状の金属細線に限定されず、例えば、ジグザグ線状或いは、波線状の金属細線を複数含む構成であってもよい。図１１では、１つのタッチ検出電極ＴＤＬに含まれるセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄを示したが、タッチ検出電極ＴＤＬ同士の間隔ＳＰにダミー電極を配置してもよい。
【００７６】
次に第１導電層５１及び第２導電層５２について説明する。図１２は、タッチ検出機能付き表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、図１２は、１つのタッチ検出電極ＴＤＬに含まれるセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに対応する箇所を拡大して示している。
【００７７】
第１導電層５１及び第２導電層５２は、タッチ検出機能付き表示装置１の製造時及び使用時におけるＥＳＤ対策のために設けられる。製造時では、例えば、偏光板３５やカバー基板１０１（図１４参照）からカバーフィルムを剥がす際や、カバー基板１０１を接着する際に、偏光板３５が帯電する可能性がある。また、検査の際に人の指がタッチ検出面（カバー基板１０１の表面）に接触した場合にも、偏光板３５が帯電する可能性がある。また、使用時には、帯電したユーザの指がタッチ検出面に接触した場合に偏光板３５が帯電する可能性がある。
【００７８】
第１導電層５１及び第２導電層５２を設けない場合、外部から静電気などの電磁ノイズが侵入すると、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ（図１０、１１参照）は低抵抗かつ細幅であるため、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに帯電した電荷が除去されにくくなる。また、ダミー部ＴＤＬｄは、センサ部ＴＤＬｓ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと接続されていないフローティング状態であるため、帯電した電荷が除去されにくくなる。このため、偏光板３５やダミー部ＴＤＬｄに帯電した静電気によって、液晶層６の配向が変化して表示パネル２０の表示品質が低下する可能性がある。また、帯電した静電気によってタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１が変化することで、タッチパネル３０のタッチ検出精度が低下する可能性がある。
【００７９】
本実施形態では、図１２に示すように、第２基板３１の上に第１導電層５１が設けられ、第１導電層５１の上にタッチ検出電極ＴＤＬのセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄが設けられる。また、偏光板３５の下に第２導電層５２が設けられる。言い換えると、第１導電層５１は、第２基板３１に対し垂直な方向において、第２基板３１と第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖとの間に設けられる。また、第２導電層５２は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの上側において、偏光板３５と接着層３９との間に設けられる。
【００８０】
第１導電層５１は、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと直接接して、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳する。第１導電層５１は、第２基板３１のほぼ全面に形成され、表示領域１０ａの全面及び周辺領域１０ｂ（図１０参照）に亘って連続して設けられている。すなわち、第１導電層５１は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳する部分と、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳しない部分とを有している。第１導電層５１の、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳しない部分が、隣り合って配置された第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ同士を接続する。また、第１導電層５１は、図１０に示すように、接続配線３４ａ、３４ｂ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと重畳する位置に設けられていることが好ましい。第１導電層５１の平面視での面積は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの合計の面積よりも大きい。
【００８１】
また、第２導電層５２は、偏光板３５と直接接して設けられている。第２導電層５２は、表示領域１０ａの全面に設けられる。より好ましくは、第２導電層５２は、表示領域１０ａの全面及び周辺領域１０ｂ（図１０参照）に亘って連続して設けられる。第１導電層５１及び第２導電層５２は、平面視で互いに重畳して配置される。第１導電層５１及び第２導電層５２の平面形状は互いに異なっていてもよく、この場合、第１導電層５１又は第２導電層５２の少なくとも一部は、平面視で互いに重ならない位置に設けられていてもよい。
【００８２】
図１２に示すように、偏光板３５の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、静電気ＳＥは、偏光板３５を介して第２導電層５２に伝わる。そして、第２導電層５２に伝わった静電気ＳＥは、接着層３９及び保護層３８を介して、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。このように、第２導電層５２が偏光板３５に直接接して設けられているので、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。
【００８３】
図１２に示すように、第１導電層５１は、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと直接接して重畳するとともに、隣り合うセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄとの間に連続して設けられる。
【００８４】
このような構成により、外部から静電気ＳＥがダミー部ＴＤＬｄに伝わった場合、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから第１導電層５１に流れてセンサ部ＴＤＬｓに伝わる。センサ部ＴＤＬｓには、外部からの静電気ＳＥ及びダミー部ＴＤＬｄからの静電気ＳＥｂが伝わる。センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥ、ＳＥｂは、タッチ検出部４０に含まれる抵抗素子や、ＥＳＤ保護回路（図示しない）を介して、電源やＧＮＤ（接地電位）に流れる、すなわち放電される。また、第１導電層５１は、例えば、タッチ検出機能付き表示装置１の筐体などに接地されていてもよい。
【００８５】
また、第１導電層５１は、第２基板３１の端部まで配置されることが好ましい。さらに、第１導電層５１は、周辺領域１０ｂから、導電テープ等により、電源やＧＮＤに電気的に接続されていてもよい。
【００８６】
このように、静電気ＳＥが、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに印加された場合であっても、第１導電層５１を設けることによりセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄから静電気ＳＥ、ＳＥｂを短時間に除去することができる。したがって、ダミー部ＴＤＬｄが帯電することを抑制して、ダミー部ＴＤＬｄから液晶層６を介して駆動電極ＣＯＭＬに伝わる静電気ＳＥａを抑制することができる。これにより、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。したがって、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、静電気などの電磁ノイズに対する耐性を向上させることができる。
【００８７】
上述した酸化物材料を主成分とする第１導電層５１及び第２導電層５２は、タッチ検出電極ＴＤＬに含まれる第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを変質又は腐食させにくい。また、仮に第２導電層５２を設けない場合、導電性を有する接着層３９を用いることにより、偏光板３５の帯電を抑制する構成とする場合がある。この場合、接着層３９に含まれる酸成分やイオン性物質が溶出して、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが変質又は腐食する可能性がある。本実施形態では、第２導電層５２を設けているので、接着層３９として、導電性を有さない材料を用いることができる。つまり、接着層３９は酸やイオン性物質を含まない材料が用いられる。このため、イオン性物質が第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに溶出しないので、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの変質又は腐食を抑制できる。
【００８８】
図１２に示すように、センサ部ＴＤＬｓには電圧検出器ＤＥＴが接続されている。センサ部ＴＤＬｓが例えばアルミの場合、固定電位を負にすることで、イオン性物質の浸入を抑制することも可能である。センサ部ＴＤＬｓの材料及びイオン性物質の成分などの組み合わせで、腐食を抑制することも可能である。
【００８９】
第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値は、例えば１０８Ω／□以上、１０１４Ω／□以下である。より好ましくは、第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値は、例えば１０９Ω／□以上、１０１３Ω／□以下である。第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値は、偏光板３５の抵抗値よりも低い。第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのシート抵抗値よりも高い。
【００９０】
第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値が、例えば１０８Ω／□よりも低い場合、第１導電層５１及び第２導電層５２がシールドとして機能し、タッチ検出性能が低下する可能性がある。また、第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値が、１０１４Ω／□よりも高い場合、静電気ＳＥ、ＳＥｂが第１導電層５１及び第２導電層５２を良好に流れない可能性がある。また、第２導電層５２のシート抵抗値は、第１導電層５１のシート抵抗値以下であることが好ましい。こうすれば、静電気ＳＥが偏光板３５に帯電することを抑制して、静電気ＳＥを短時間に偏光板３５からセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝えることができる。
【００９１】
第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値が、偏光板３５の抵抗値よりも低いので、静電気ＳＥ、ＳＥｂが第１導電層５１及び第２導電層５２を良好に流れる。第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのシート抵抗値よりも高いので、第１導電層５１及び第２導電層５２はシールドとして機能せず、タッチ検出性能が低下することはない。より具体的には、上述のシート抵抗値の範囲であれば、偏光板３５の静電気ＳＥが第２導電層５２に流れ、かつ、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの静電気ＳＥが第１導電層５１に流れることとなり、静電気を短時間に除去することができる。
【００９２】
さらに、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ同士の間に連続して第１導電層５１を設けた場合であっても、タッチ検出電極ＴＤＬ（図１０参照）同士の短絡及びセンサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄとの短絡を防止することができる。なお、シート抵抗とは、平面視で正方形状の抵抗体について、向かい合う２辺間の抵抗値をいう。第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値は、例えば第２基板３１に、スパッタ法などにより成膜した導電層を用いて、公知の四端子法により測定することができる。
【００９３】
以上説明したように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、第２基板３１と、第２基板３１と平行な面上に設けられ、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ（金属配線）を有するタッチ検出電極ＴＤＬと、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと接して重畳し、第２基板３１に対し垂直な方向において、第２基板３１と、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖとの間に設けられる第１導電層５１と、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの上側に設けられる第２導電層５２と、を有し、第１導電層５１及び第２導電層５２のそれぞれは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖよりも高いシート抵抗値を有する。
【００９４】
このように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、第２導電層５２を設けることにより、静電気ＳＥが偏光板３５から第２導電層５２を介してセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。このため、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥｂが第１導電層５１に流れることでセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの静電気ＳＥを短時間に除去することができる。以上のように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
【００９５】
（製造方法）
図１３は、第１の実施形態に係る導電層及びタッチ検出電極の製造方法を説明するための工程図である。図１３は、タッチ検出電極ＴＤＬの２つの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖについて拡大して示す断面図である。
【００９６】
図１３に示すように、まず、第２基板３１の上面に、上述の酸化物を含む材料を用いて第１導電層５１を形成し、第１導電層５１の上に上述の金属材料を用いて金属層１３３を形成する（ステップＳＴ１）。第１導電層５１及び金属層１３３はスパッタ法等により、１工程で連続して成膜することができる。
【００９７】
次に、金属層１３３の上にレジスト１３７を形成する（ステップＳＴ２）。レジスト１３７は、フォトリソグラフィによりパターニングされ、図１０及び図１１に示す第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのパターンと重なる位置に形成される。
【００９８】
その後、金属層１３３のうち、レジスト１３７から露出する部分を、エッチングにより除去する（ステップＳＴ３）。レジスト１３７と重畳する部分の金属層１３３はエッチングにより除去されず、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのパターンに形成される。金属層１３３のエッチング液は、金属材料によって適宜変える必要があるが、例えばアルミを含む金属膜の場合は、燐酸系のエッチング液、例えば燐酸酢酸を用いることができる。本実施形態において、第１導電層５１は、上述の酸化物を含む透光性の導電性材料が用いられ、多結晶構造を含む。このため、金属層１３３のエッチング液に対して、第１導電層５１は、金属層１３３よりもエッチングレート（エッチング液に接触している単位時間あたりの膜減り量）が小さい。レジスト１３７と重畳しない部分の金属層１３３が除去されると、第１導電層５１はエッチングストッパとなり、エッチングの進行が抑制される。この際、レジスト１３７と重畳しない部分の第１導電層５１は、わずかにエッチングされる。エッチングレート差は１００倍以上が好ましい。
【００９９】
次に、レジスト１３７を除去することにより、第１導電層５１の上に第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖがパターン形成される（ステップＳＴ４）。なお図１３では、２つの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖについて示しているが、第２基板３１の全面について、上記の工程が同時に行われる。これにより、図１０に示すような、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを有する複数のタッチ検出電極ＴＤＬが形成される。
【０１００】
以上の工程で第１導電層５１、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが形成されることにより、図１３に示すように、第１導電層５１は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳する第１の部分５１ａと、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳しない第２の部分５１ｂとを有する。そして、第１導電層５１の第１の部分５１ａの厚さは、第２の部分５１ｂの厚さよりも厚くなっている。第１導電層５１は、多結晶構造を含む材料が用いられているため、金属層１３３のエッチング液に対してエッチングされにくい。したがって、第１導電層５１の第１の部分５１ａはサイドエッチングされず、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと略等しい幅、若しくはわずかに大きい幅を有する。このため、第１導電層５１及び第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの上に、保護層３８（図７、１２参照）を印刷等により塗布した際に、第１の部分５１ａの側面と保護層３８との間に空隙が発生することを抑制することができる。
【０１０１】
また、図１３に示すように、第１導電層５１の上に第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが形成されるため、第１導電層５１及び金属層１３３はスパッタ法等により、１工程で連続して積層される（図１３、ステップＳＴ１参照）。このため、第１導電層５１を形成するためのスパッタ工程の増加を抑制して、製造コストの増大を抑制できる。
【０１０２】
（第２の実施形態）
図１４は、第２の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１５は、第２の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した第１の実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１０３】
図１４に示すように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ａにおいて、偏光板３５の上に接着層１０２を介してカバー基板１０１が設けられる。カバー基板１０１の上には、保護層１０３を介して第３導電層５３が設けられる。また、偏光板３５の下には接着層３９が設けられ、接着層３９を介して偏光板３５と保護層３８とが貼り合わされる。すなわち、本実施形態において偏光板３５の下に第２導電層５２（図７参照）が設けられていない。なお、駆動電極ＣＯＭＬ、タッチ検出電極ＴＤＬ及び第１導電層５１の構成は、第１の実施形態と同様である。
【０１０４】
カバー基板１０１は、画素基板２及び対向基板３を覆って設けられ、画素基板２及び対向基板３を保護する。カバー基板１０１は、例えば、ガラス基板や樹脂基板が用いられる。カバー基板１０１の平面視での外形形状は、第１基板２１及び第２基板３１よりも大きい。
【０１０５】
第３導電層５３は、ＥＳＤ対策のために設けられ、上述した第１導電層５１と同様の材料が用いられる。第３導電層５３は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）等の酸化物を含む透光性導電層である。第３導電層５３は、タッチ検出面であるカバー基板１０１の上面に設けられている。タッチ検出において、指等の被検出体は第３導電層５３の表面に接触又は近接する。第３導電層５３は、少なくとも表示領域１０ａ（図１０等参照）の全面に設けられる。第３導電層５３は、表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂ（図１０等参照）の全面に設けられることが好ましい。
【０１０６】
保護層１０３は、例えば汚染防止フィルムである。保護層１０３は、例えば、指等が接触した場合に、指紋がタッチ検出面に付着しない防指紋機能を有する。保護層１０３は、表面に微細な凹凸が形成される場合があり、この凹凸により保護層１０３が帯電しやすくなる可能性がある。なお、カバー基板１０１の上に保護層１０３が設けられず、カバー基板１０１の上に直接、第３導電層５３が設けられていてもよい。
【０１０７】
図１５に示すように、カバー基板１０１の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、静電気ＳＥは、第３導電層５３、カバー基板１０１、接着層１０２、偏光板３５、接着層３９及び保護層３８を介して、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから第１導電層５１に流れてセンサ部ＴＤＬｓに伝わる。センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥ、ＳＥｂは、上述したように、タッチ検出部４０に含まれる抵抗素子や、ＥＳＤ保護回路（図示しない）を介して、電源やＧＮＤに流れる。
【０１０８】
本実施形態では、第３導電層５３がカバー基板１０１の上に設けられている。このため、指がタッチ検出面（カバー基板１０１の表面）に接触又は近接した場合に、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を流れて指に戻る。これにより、指からの静電気ＳＥｃがタッチ検出電極ＴＤＬに伝わることを抑制できる。また、指からの静電気ＳＥｃに限らず、例えば、カバー基板１０１の表面に設けられた保護フィルムを剥がす際に発生する静電気等についても、第３導電層５３を設けることにより、タッチ検出機能付き表示装置１Ａの内部に伝わることを抑制できる。
【０１０９】
第３導電層５３のシート抵抗値は、例えば１０８Ω／□以上、１０１４Ω／□以下である。より好ましくは、第３導電層５３のシート抵抗値は、例えば１０９Ω／□以上、１０１３Ω／□以下である。第３導電層５３のシート抵抗値は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのシート抵抗値よりも高い。第３導電層５３のシート抵抗値が、例えば１０８Ω／□よりも低い場合、第３導電層５３がシールドとして機能し、タッチ検出性能が低下する可能性がある。また、第３導電層５３のシート抵抗値が、１０１４Ω／□よりも高い場合、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を良好に流れない可能性がある。
【０１１０】
このように、第１導電層５１及び第３導電層５３を設けることにより、指からの静電気ＳＥｃが偏光板３５に伝わることを抑制するとともに、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに印加される静電気ＳＥを短時間に除去することができる。したがって、ダミー部ＴＤＬｄからの静電気ＳＥａが、駆動電極ＣＯＭＬに伝わることを抑制できる。これにより、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ａは、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
【０１１１】
（第３の実施形態）
図１６は、第３の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１７は、第３の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した第１の実施形態及び第２の実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１１２】
本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｂは、第１導電層５１と、第２導電層５２と、第３導電層５３とを含む。第１導電層５１は、第１の実施形態と同様に、第２基板３１の表面に垂直な方向において、第２基板３１とタッチ検出電極ＴＤＬとの間に設けられる。第２導電層５２は、第１の実施形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬよりも上側において、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。偏光板３５の上側にカバー基板１０１が設けられており、第３導電層５３は、カバー基板１０１の上側に設けられる。つまり、第３導電層５３は、第１導電層５１及び第２導電層５２よりも上側に設けられる。
【０１１３】
第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３は、平面視で、互いに重畳して設けられる。第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３は、いずれも、表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂ（図１０等参照）の全面に設けられることが好ましい。これに限定されず、第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３の少なくとも一つは、周辺領域１０ｂに設けられていない構成であってもよい。また、第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３は、平面視で、互いに異なる外形形状を有していてもよい。
【０１１４】
図１７に示すように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｂにおいて、第３導電層５３がカバー基板１０１の上に設けられている。このため、指がタッチ検出面（カバー基板１０１の表面）に接触又は近接した場合に、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を流れて指に戻る。
【０１１５】
また、第２導電層５２が偏光板３５と直接接して設けられている。このため、カバー基板１０１を介して偏光板３５に伝わった静電気ＳＥは、偏光板３５を介して第２導電層５２に伝わる。これにより、偏光板３５自体が帯電することを抑制できるので、偏光板３５の静電気による表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。そして、静電気ＳＥは、第２導電層５２を介してセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。
【０１１６】
第１導電層５１は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと直接接して重畳するとともに、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの間に連続して設けられる。このため、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから第１導電層５１に流れてセンサ部ＴＤＬｓに伝わる。ダミー部ＴＤＬｄに伝わった静電気ＳＥ、ＳＥｂは、上述したようにタッチ検出部４０に含まれる抵抗素子や、ＥＳＤ保護回路（図示しない）を介して、電源やＧＮＤに流れる。このように、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに印加される静電気ＳＥを短時間に除去することができる。したがって、ダミー部ＴＤＬｄからの静電気ＳＥａが、液晶層６を介して駆動電極ＣＯＭＬに伝わることを抑制できる。
【０１１７】
このように、本実施形態では、第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３を有するため、指等の外部から印加される静電気がタッチ検出機能付き表示装置１Ｂの内部の部材に帯電することを抑制できる。これにより、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。したがって、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１は、静電気などの電磁ノイズに対する耐性を向上させることができる。
【０１１８】
（第４の実施形態）
図１８は、第４の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の、駆動電極の一例を示す平面図である。図１９は、第４の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。なお、上述した第１の実施形態から第３の実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１１９】
図１８に示すように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｃにおいて、駆動電極ＣＯＭＬＡは、第１基板２１の表示領域１０ａに行列状に複数配置される。言い換えると、駆動電極ＣＯＭＬＡは、第１方向Ｄｘに複数配列されるとともに、第２方向Ｄｙに複数配列される。１つの駆動電極ＣＯＭＬＡに重畳して、複数の画素電極２２が配列される。なお、図１８では、一部の駆動電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２を示しているが、駆動電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２は、表示領域１０ａの全領域に行列状に配置される。
【０１２０】
駆動電極ＣＯＭＬＡは、それぞれ配線３７を介して駆動電極ドライバ１４に接続される。表示動作において、駆動電極ドライバ１４は、全ての駆動電極ＣＯＭＬＡに対して、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、タッチ検出において、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬＡに対して、同時又は順次に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。駆動電極ＣＯＭＬＡは、駆動電極ＣＯＭＬＡの静電容量変化に応じたタッチ検出信号Ｖｄｅｔ２をタッチ検出部４０に出力する。各駆動電極ＣＯＭＬＡからのタッチ検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、タッチ検出面のタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ＣＯＭＬＡは、表示動作の際に共通電極として機能するとともに、自己静電容量方式によるタッチ検出の際に検出電極として機能する。
【０１２１】
なお、配線３７は、駆動電極ＣＯＭＬＡと絶縁層（図示しない）を介して異なる層に設けられ、平面視で駆動電極ＣＯＭＬＡと重畳して設けられる。これに限られず、配線３７は、駆動電極ＣＯＭＬＡと同じ層に設けられていてもよい。この場合、配線３７は、隣り合う駆動電極ＣＯＭＬＡ同士の間を通って駆動電極ドライバ１４に接続される。
【０１２２】
図１９に示すように、第２基板３１の上に接着層３９及び第２導電層５２を介して偏光板３５が設けられている。言い換えると、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第２導電層５２は、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。また、偏光板３５の上に接着層１０２を介してカバー基板１０１が設けられる。カバー基板１０１の上に保護層１０３を介して第３導電層５３が設けられる。本実施形態では、駆動電極ＣＯＭＬＡが検出電極としての機能を兼ねるので、第２基板３１にタッチ検出電極ＴＤＬ及び第１導電層５１が設けられていない。
【０１２３】
本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｃにおいて、第３導電層５３がカバー基板１０１の上に設けられている。このため、図１７に示す静電気ＳＥｃの流れと同様に、指がタッチ検出面（カバー基板１０１の表面）に接触又は近接した場合に、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を流れて指に戻る。
【０１２４】
また、第２導電層５２は、偏光板３５に直接接して設けられている。このため、外部から印加された静電気ＳＥは、偏光板３５を介して第２導電層５２に流れる。第２導電層５２は、例えば、タッチ検出機能付き表示装置１Ｃの筐体などに接地される。これにより、偏光板３５が帯電することを抑制できる。
【０１２５】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０１２６】
例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有するタッチ検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線の上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有する、
タッチ検出装置。
（２）前記第２導電層のシート抵抗値は、前記第１導電層のシート抵抗値以下である、上記（１）に記載のタッチ検出装置。
（３）前記第１導電層及び前記第２導電層のそれぞれは、透光性導電層である、上記（１）又は上記（２）に記載のタッチ検出装置。
（４）前記第１導電層及び前記第２導電層のそれぞれは、酸化スズ又は酸化インジウムを含む、上記（１）乃至上記（３）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置。
（５）前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた保護層と、
前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板と前記保護層との間に設けられた絶縁層と、
を有し、
前記第２導電層は、前記絶縁層と前記偏光板との間に設けられる、
上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置。
（６）前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記カバー基板の上側に設けられた第３導電層と、
を有する、
上記（５）に記載のタッチ検出装置。
（７）前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた保護層と、
前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板と前記保護層との間に設けられた絶縁層と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
を有し、
前記第２導電層は、カバー基板の上側に設けられる、
上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置。
（８）前記タッチ検出電極は、センサ部と、前記センサ部と離隔して設けられたダミー部とを含み、
前記第１導電層は、前記センサ部と前記ダミー部とに重畳して連続して設けられる、
上記（１）乃至上記（７）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置。
（９）前記金属配線は、第１方向と第１の角度をなす少なくとも１つの第１細線と、前記第１方向と第２の角度をなす少なくとも１つの第２細線と、が接続されている、上記（１）乃至上記（８）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置。
（１０）前記金属配線は、金属層をパターン形成したものであり、
前記第１導電層及び前記金属層は、連続して積層される、上記（１）乃至上記（９）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置。
（１１）前記金属層のパターン形成は、エッチングによって行われ、
前記１導電層のエッチングレートは、前記金属層のエッチングレートより小さい、上記（１０）に記載のタッチ検出装置。
（１２）前記第１導電層は、表示領域の全面に設けられている上記（１）乃至上記（１１）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置。
（１３）上記（１）乃至上記（１２）のいずれか１つに記載のタッチ検出装置と、
前記基板と平行な面上において、前記タッチ検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、
画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、を有するタッチ検出機能付き表示装置。
（１４）前記基板と平行な面上に設けられ、前記タッチ検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極を有する、
上記（１３）に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
（１５）前記基板と平行な面上に設けられ、前記画素電極との間に横電界を発生させる駆動電極を有し、
前記横電界により前記表示機能層を駆動する
上記（１３）又は上記（１４）に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【符号の説明】
【０１２７】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  タッチ検出機能付き表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  タッチ検出機能付き表示部
１１  制御部
１４  駆動電極ドライバ
１８  検出用ＩＣ
１９  表示用ＩＣ
２０  表示パネル
２１  第１基板
２２  画素電極
３０  タッチパネル
３１  第２基板
３３Ｕ  第１導電性細線
３３Ｖ  第２導電性細線
３５、６５  偏光板
３８  保護層
３９  接着層
４０  タッチ検出部
５１  第１導電層
５２  第２導電層
５３  第３導電層
１０１  カバー基板
ＣＯＭＬ  駆動電極
Ｓ  交流信号源
ＳＤ  直流電源
ＴＤＬ  タッチ検出電極
ＴＤＬｓ  センサ部
ＴＤＬｄ  ダミー部
【図１】
2018112791.tif 000003
【図２】
2018112791.tif 000004
【図３】
2018112791.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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