(57)【要約】【課題】位置に依存する検出感度の変化を抑制することが可能な入力検出装置を提供する。【解決手段】入力検出装置は、端部ｎＬＬ、ｎＶＬを有し、第１方向に延在するように配置された信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬと、第１方向とは交差する第２方向に、それぞれ延在し、第１方向に平行に配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、駆動電極の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬとの間に接続された複数の第１スイッチと、端部ｎＬＬ、ｎＶＬに駆動信号を供給する駆動信号回路と、外部物体の近接を検出するとき、第１スイッチを制御する選択回路を備える。外部物体の近接を、外部物体からの磁界に基づいて検出するとき、端部ｎＬＬ、ｎＶＬに近接した駆動電極を信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬに電気的に接続する第１スイッチの個数が、端部ｎＬＬ、ｎＶＬから離れた駆動電極を信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬに電気的に接続する第１スイッチの個数に比べて少ない。【選択図】図７
2018032303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端部を有し、平面視において、前記端部から、第１方向に延在するように配置された第１信号配線と、
それぞれ端部を有し、平面視において、前記第１方向とは交差する第２方向に、それぞれ延在し、前記第１方向に平行に配置された複数の駆動電極と、
駆動電極の端部と前記第１信号配線との間に配置された複数の第１スイッチと、
前記第１信号配線の端部に、駆動信号を供給する駆動信号回路と、
外部物体の近接を検出するとき、前記第１スイッチを制御して前記複数の駆動電極の端部と前記第１信号配線とを電気的に接続する選択回路と、
を備え、
前記外部物体の近接を、前記外部物体からの磁界に基づいて検出するとき、前記第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極を前記第１信号配線に電気的に接続する第１スイッチの個数が、前記第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極を前記第１信号配線に電気的に接続する第１スイッチの個数に比べて少ない、入力検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の入力検出装置において、
前記第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極と前記第１信号配線との間に配置されている第１スイッチの個数と、前記第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極と前記第１信号配線との間に配置されている第１スイッチの個数は、同じである、入力検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の入力検出装置において、
前記外部物体の近接を、前記外部物体との間の電界に基づいて検出するとき、前記第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極を前記第１信号配線に電気的に接続する第１スイッチの個数と、前記第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極を前記第１信号配線に電気的に接続する第１スイッチの個数とが同じである、入力検出装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の入力検出装置において、
前記入力検出装置は、
第１電圧を有する駆動信号が供給される第２信号配線と、
前記複数の駆動電極のそれぞれの端部と、前記第２信号配線との間に配置された複数の第２スイッチと、
を備え、
前記外部物体の近接を、前記外部物体との間の電界に基づいて検出するとき、第１スイッチによって電気的に前記第１信号配線に接続されていない駆動電極は、第２スイッチによって電気的に前記第２信号配線に接続される、入力検出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の入力検出装置において、
前記複数の駆動電極のそれぞれは、一対の端部を有し、前記一対の端部のうちの一方の端部と前記第１信号配線との間に前記複数の第１スイッチが配置され、
前記複数の駆動電極の一方の端部と前記第２信号配線との間に前記複数の第２スイッチが配置され、
前記入力検出装置は、
前記駆動信号回路から駆動信号が供給される端部を備え、前記第１方向へ延在する第３信号配線と、
前記複数の駆動電極のそれぞれの他方の端部と前記第３信号配線との間に配置され、前記選択回路によって制御される複数の第３スイッチと
を備え、
前記外部物体の近接を、前記外部物体からの磁界に基づいて検出するとき、前記第３信号配線の端部に近接して配置された駆動電極を前記第３信号配線に電気的に接続する第３スイッチの個数が、前記第３信号配線の端部から離れて配置された駆動電極を前記第３信号配線に電気的に接続する第３スイッチの個数に比べて少ない、入力検出装置。
【請求項６】
請求項５に記載の入力検出装置において、
前記外部物体の近接を、前記外部物体との間の電界に基づいて検出するとき、前記第３信号配線の端部に近接して配置された駆動電極を前記第３信号配線に電気的に接続する第３スイッチの個数と、前記第３信号配線の端部から離れて配置された駆動電極を前記第３信号配線に電気的に接続する第３スイッチの個数とが同じである、入力検出装置。
【請求項７】
請求項６に記載の入力検出装置において、
前記入力検出装置は、
第１電圧を有する駆動信号が供給される第４信号配線と、
前記複数の駆動電極のそれぞれの他方の端部と、前記第４信号配線との間に配置された複数の第４スイッチと、
を備え、
第１スイッチおよび第３スイッチによって電気的に前記第１信号配線および前記第３信号配線に接続されていない駆動電極は、第２スイッチおよび第４スイッチによって電気的に前記第２信号配線および前記第４信号配線に接続される、入力検出装置。
【請求項８】
請求項７に記載の入力検出装置において、
前記入力検出装置は、それぞれ、駆動電極と対向するように配置された画素電極を有する複数の画素を備え、
前記複数の画素で表示が行われるとき、前記複数の駆動電極のそれぞれの一方の端部が前記第２スイッチによって前記第２信号配線に電気的に接続され、前記複数の駆動電極のそれぞれの他方の端部が前記第４スイッチによって前記第４信号配線に電気的に接続される、入力検出装置。
【請求項９】
端部を備え、平面視において、前記端部から第１方向に延在するように配置された第１信号配線と、
それぞれ一対の端部を備え、平面視において、前記第１方向と交差する第２方向へ延在し、前記第１方向に平行に配置された複数の駆動電極と、
外部物体の近接を検出するとき、前記第１信号配線の端部に駆動信号を供給する駆動信号回路と、
前記複数の駆動電極のそれぞれの一方の端部と前記第１信号配線との間に、並列接続された第１個数のスイッチと、
前記複数の駆動電極のそれぞれの一方の端部と前記第１信号配線との間に接続されたスイッチを制御する選択回路と、
を備え、
前記第１個数のスイッチは、第１接続スイッチと、前記外部物体からの磁界に基づいて、外部物体の近接を検出するとき導通状態にされる第２接続スイッチを備え、
前記第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極の一方の端部と前記第１信号配線との間に接続される第２接続スイッチの個数が、前記第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極の一方の端部と前記第１信号配線との間に接続される第２接続スイッチの個数に比べて少ない、入力検出装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の入力検出装置において、
前記外部物体との電界に基づいて、外部物体の近接を検出するとき、前記第１個数のスイッチに含まれる第１接続スイッチおよび第２接続スイッチが導通状態にされる、入力検出装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の入力検出装置において、
前記第１個数のスイッチのそれぞれは、トランジスタを備え、
前記第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極と前記第１信号配線との間に接続された第１接続スイッチは、第１チャンネル幅を有するトランジスタを備え、第２接続スイッチは、前記第１チャンネル幅よりも小さい第２チャンネル幅を有するトランジスタを備え、
前記第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極と前記第１信号配線との間に接続された第１接続スイッチは、第３チャンネル幅を有するトランジスタを備え、第２接続スイッチは、前記第３チャンネル幅よりも大きな第４チャンネル幅を有するトランジスタを備える、入力検出装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の入力検出装置において、
前記外部物体からの磁界に基づいて、前記外部物体の近接を検出するとき、駆動信号が供給される駆動電極の個数が、前記外部物体との電界に基づいて、前記外部物体の近接を検出するときに、駆動信号が供給される駆動電極の個数よりも多い、入力検出装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力検出装置に関し、特に外部物体の近接を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、入力検出装置として、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部物体の近接（以下、接触も含む）を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。
【０００３】
外部物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。
【０００４】
また、外部物体として、指等の検出が可能なタッチ検出装置がある。この場合、検出対象が、ペンと異なるため、タッチを検出する技術としては、電磁誘導方式とは異なる方式が採用される。例えば、指等のタッチにより生じる光学的な変化、抵抗値の変化、あるいは電界の変化を検出する方式が存在する。これらの方式のなかで、電界の変化を検出する方式は、例えば静電容量を用いる静電容量方式がある。静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。
【０００５】
電磁誘導方式のタッチパネルに関する技術は、例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−４９３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電磁誘導方式においては、例えば、入力検出装置に、磁界を発生するコイル（以下、磁界発生コイルとも称する）と磁界を検出するコイル（以下、磁界検出コイルとも称する）が設けられる。また、外部物体であるペンには、共振回路を構成するコイルと容量素子とが内蔵される。磁界発生コイルで発生した磁界によって、ペン内のコイルが誘起電圧を発生し、容量素子が充電される。容量素子に蓄積された電荷量に従ってペン内のコイルが発生した磁界を磁界検出コイルで検出する。これにより、ペンが近接しているか否かの検出が可能となる。
【０００８】
ペンが近接している位置（領域）を抽出するために、入力検出装置は、互いに異なる位置に配置された複数個の磁界発生コイルを備え、それぞれが異なるタイミングで磁界を発生するように、磁界駆動信号によって駆動される。互いに異なる位置に磁界発生コイルが配置されるため、磁界発生コイルと磁界駆動信号を形成する駆動信号回路との配置を、平面視で見た場合、駆動信号回路に近接した磁界発生コイルと、駆動信号回路から離れた磁界発生コイルとが生じることになる。これにより、離れた磁界発生コイルに、駆動信号回路から駆動信号を供給する信号配線は、近接した磁界発生コイルに駆動信号を供給する信号配線に比べて、長くなる。信号配線が長くなることにより、信号配線に付随する抵抗が大きくなるため、離れた磁界発生コイルにおいて、磁界を発生するときに流れる電流は、近接した磁界発生コイルを流れる電流よりも、小さくなってしまう。流れる電流の大小によって、磁界発生コイルが発生する磁界に強弱が発生することになるため、入力検出装置において、位置に応じて発生する磁界に強弱のバラツキが生じることになる。すなわち、タッチを検出する面内において、発生する磁界に、位置に依存した強弱の変化が発生することになる。
【０００９】
位置に依存して発生する磁界に強弱が、生じると、ペン内の容量素子に蓄積される電荷量も、タッチする位置に依存して変わることになる。その結果、ペン内のコイルが発生する磁界も、位置に依存して、強弱が発生することになり、検出感度が、位置に依存して変化してしまい、望ましくない。
【００１０】
特許文献１には、電磁誘導方式のタッチパネルに関する技術が記載されているが、位置に応じて検出感度が変わることは、記載も認識もされていない。
【００１１】
本発明の目的は、位置に依存する検出感度の変化を抑制することが可能な入力検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様に係わる入力検出装置は、端部を有し、平面視において、第１方向に延在するように配置された第１信号配線と、それぞれ端部を有し、平面視において、第１方向とは交差する第２方向に、それぞれ延在し、第１方向に平行に配置された複数の駆動電極と、駆動電極の端部と第１信号配線との間に配置された複数の第１スイッチと、第１信号配線の端部に、駆動信号を供給する駆動信号回路と、外部物体の近接を検出するとき、複数の駆動電極のそれぞれの端部と第１信号配線との間に配置された第１スイッチを制御する選択回路とを備える。ここで、外部物体の近接を、外部物体からの磁界に基づいて検出するとき、第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極を第１信号配線に電気的に接続する第１スイッチの個数が、第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極を第１信号配線に電気的に接続する第１スイッチの個数に比べて少なくされている。
【００１３】
また、本発明の一態様に係わる入力検出装置においては、上記した第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極と第１信号配線との間に並列接続されているスイッチの個数と、第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極と第１信号配線との間に並列接続されているスイッチの個数が同じ（第１個数）にされる。この場合、並列接続されているスイッチは、第１接続スイッチと、外部物体からの磁界に基づいて、外部物体の近接を検出するときに導通状態にされる第２接続スイッチを備える。第１信号配線の端部に近接して配置された駆動電極と第１信号配線との間に接続されている第２接続スイッチの個数が、第１信号配線の端部から離れて配置された駆動電極と第１信号配線との間に接続されている第２接続スイッチの個数に比べて少なくされている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（Ａ）および（Ｂ）は、表示装置の構成を示す平面図および断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、磁界検出の原理を示す説明図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、電界検出の原理を示す説明図である。
【図４】実施の形態に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。
【図５】実施の形態に係わるモジュールの構成を示す平面図である。
【図６】（Ａ）および（Ｂ）は、磁界発生期間の動作を説明するための平面図である。
【図７】実施の形態に係わる表示装置の構成を示す平面図である。
【図８】実施の形態に係わる表示装置の構成を示す平面図である。
【図９】（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係わる第１スキャナ回路および第２スキャナ回路の構成を示すブロック図である。
【図１０】（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係わるスキャナ回路が有するロジック回路の構成を示すブロック図である。
【図１１】実施の形態に係わる第１選択回路の構成を示す回路図である。
【図１２】実施の形態に係わる第２選択回路の構成を示す回路図である。
【図１３】実施の形態に係わる表示装置の動作を示す波形図である。
【図１４】実施の形態に係わる表示装置の動作を示す波形図である。
【図１５】（Ａ）および（Ｂ）は、トランジスタの構造を示す平面図および断面図である。
【図１６】実施の形態の変形例に係わるトランジスタのサイズを説明する図である。
【図１７】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明者が検討した駆動回路の構成を示す平面図である。
【図１８】磁界発生期間において、駆動電極を流れる電流の値を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１６】
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。以下の説明は、入力検出装置として、タッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べるが、これに限定されるものではない。例えば、入力検出装置は、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置でもよいし、表示機能を有していないタッチパネル等であってもよい。
【００１７】
（実施の形態）
実施の形態では、ペンによるタッチと指によるタッチの両方を検出することが可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置（以下、表示装置とも称する）が提供される。先ず、表示装置の基本的な構成を説明し、次に、この基本的な構成を基にして、ペンによるタッチを検出する磁界検出（以下、磁界タッチ検出とも称する）および指によるタッチを検出する電界検出（以下、電界タッチ検出とも称する）の原理を説明する。
【００１８】
＜表示装置の基本的な構成＞
図１は、表示装置の構成を模式的に示す図である。図１において、１は、表示装置を示しており、図１（Ａ）は、表示装置１の平面を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、表示装置１の断面を示す断面図である。表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第１基板または単に第１基板とも称する）ＴＧＢと、第１基板ＴＧＢに積層されたレイヤ（層）、カラーフィルタＣＦＴ、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第２基板または単に第２基板とも称する）ＣＧＢおよび第２基板ＣＧＢに積層されたレイヤ（層）を備えている。
【００１９】
図１（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された駆動電極を示している。また、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された検出電極を示している。理解を容易にするために、図１（Ａ）では、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが分離して、描かれているが、実際には、図１（Ｂ）に示すように、液晶層を挟んで、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように配置されている。
【００２０】
第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と、第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、複数のレイヤと、液晶層等が挟まれているが、図１（Ｂ）では、第１主面ＴＳＦ１と第２主面ＣＳＦ２との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ＋２）、液晶層およびカラーフィルタＣＦＴのみが示されている。また、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、図１（Ａ）に示すように複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と偏光板が配置されている。また、図１（Ｂ）において、１３は検出電極ＲＬ（ｎ）に接続された単位検出回路を示している。
【００２１】
本明細書では、表示装置１を、図１（Ｂ）に示すように、第２基板ＣＧＢおよび第１基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見たときの状態を、平面視として説明する。第１主面ＣＳＦ１およびＴＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。
【００２２】
駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間には、第２基板ＣＧＢ、液晶層等が介在している。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視で見たときには、交差しているが、互いに電気的に分離されている。駆動電極と検出電極との間には、容量が存在するため、図１（Ｂ）では、この容量が容量素子として破線で示されている。
【００２３】
駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とは、平面視で見たとき、直交していることが望ましいが、平面視で見たときに、駆動電極と検出電極とは傾きを持って交差していてもよい。そのため、以下の説明で用いる「直交」は「交差」も含むものと理解されるべきである。
【００２４】
＜磁界検出の原理＞
図２は、磁界検出の原理を示す説明図である。磁界検出の期間は、磁界を発生する磁界発生期間と磁界を検出する磁界検出期間とによって構成される。図２（Ａ）および（Ｃ）は、磁界発生期間のときの動作を示しており、図２（Ｂ）は、磁界検出期間のときの動作を示している。説明の都合上、図２（Ａ）〜（Ｃ）は、図１（Ａ）を９０度回転させた状態が示されている。
【００２５】
磁界発生期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、所定の駆動電極間の端部が、電気的に接続され、端部が接続された駆動電極に、所定の電圧（例えば接地電圧Ｖｓ）と磁界駆動信号が供給される。例えば、図１に示した駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）のそれぞれの端部のうち、他方の端部が、図１の右側において電気的に接続される。これにより、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）が、直列的に接続される。駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部に、図１の左側において、接地電圧Ｖｓを供給し、駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部に、図１の左側において、磁界駆動信号を供給する。ここで、磁界駆動信号は、その電圧が周期的に変化する信号である。駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）により、この駆動電極により挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界発生コイルが構成され、この磁界発生コイルは、磁界駆動信号の電圧の変化に応じた磁界を、その内側で発生する。
【００２６】
図２（Ａ）において、ＧＸ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（２）によって構成された磁界発生コイルを示し、ＧＸ（ｎ）〜ＧＸ（ｎ＋４）のそれぞれは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）と同様に、駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）〜ＴＬ（ｐ）によって構成された磁界発生コイルを示している。
【００２７】
図２（Ａ）において、ＣおよびＬ１は、ペンＰｅｎに内蔵されている容量素子およびコイルを示している。容量素子ＣとコイルＬ１は、共振回路を構成するように、並列接続されている。磁界発生期間において、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）〜ＧＸ（ｎ＋３）のそれぞれの一方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給される。磁界駆動信号ＣＬＫが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）の他方の端部に供給される。これにより、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）が、磁界駆動信号ＣＬＫの電圧変化に応じた磁界φ１を発生する。ペンＰｅｎが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）に近接していれば、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）とコイルＬ１との間は電磁結合され、磁界φ１によってコイルＬ１に相互誘導による誘起電圧が発生し、容量素子Ｃが充電される。
【００２８】
次に、図２（Ｂ）に示す磁界検出期間に移行する。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いて、磁界の検出が行われる。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は一対の端部を有している。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、所定の検出電極間の他方の端部が、互いに電気的に接続される。例えば、図１に示した検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）のそれぞれの他方の端部が、図１の上側において電気的に接続される。これにより、平行に配置された検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）が直列的に接続される。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（３）の一方の端部に所定の電圧Ｖｓが供給され、検出電極ＲＬ（０）の一方の端部が、単位検出回路に接続される。これにより、検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）とによって挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界検出コイルが形成され、この磁界検出コイルによって、ペンＰｅｎからの磁界の検出が行われる。
【００２９】
図２（Ｂ）において、ＤＹ（ｎ−２）は、検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）によって構成された磁界検出コイルを示しており、ＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）は、同様に検出電極ＲＬ（２）〜ＲＬ（ｐ）によって構成された磁界検出コイルを示している。磁界検出期間のとき、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部に、所定の電圧Ｖｓが供給され、それぞれの他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ−２）〜Ｒｘ（ｎ＋１）が、単位検出回路に供給される。
【００３０】
磁界発生期間において、容量素子Ｃに充電が行われていれば、磁界検出期間のとき、コイルＬ１は、容量素子Ｃに充電されている電荷に従って、共振回路の共振周波数に応じて変化する磁界φ２を発生する。図２（Ｂ）では、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に、コイルＬ１の中心（一点鎖線）が存在している。そのため、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）とコイルＬ１との間で電磁結合が発生し、相互誘導によって、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に誘起電圧が発生する。その結果、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ）は、容量素子Ｃに充電されている電荷量に応じて変化することになる。磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に接続された単位検出回路は、この信号Ｒｘ（ｎ）の変化を検出信号として出力する。これにより、ペンＰｅｎが近接（タッチ）しているか否か、および座標を抽出することが可能となる。また、電荷量に応じて検出信号が変化するため、ペンＰｅｎとの距離を求めることが可能となる。
【００３１】
図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）に続いて移行した磁界発生期間を示している。図２（Ａ）と異なるのは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ＋１）に磁界駆動信号ＣＬＫが供給されていることである。ペンＰｅｎの位置は変化していないため、図２（Ｃ）に示した磁界発生期間においては、コイルＬ１に誘起電圧が発生せず、容量素子Ｃは充電されない。これにより、図２（Ｃ）に続いて移行する磁界検出期間においては、ペンＰｅｎが近接していないと検出される。以降、同様にして、ペンＰｅｎの検出が行われる。
【００３２】
＜電界検出の原理＞
図３は、電界検出の原理を示す説明図である。図３（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、電界駆動信号を出力する単位駆動回路を示し、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位検出回路を示している。また、図３（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、駆動電極ＴＬ（２）へ供給される電界駆動信号Ｔｘ（２）の波形を示している。外部物体として、指がＦＧとして示されている。
【００３３】
駆動電極ＴＬ（２）に、電界駆動信号Ｔｘ（２）が供給されると、図３（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と、この駆動電極ＴＬ（２）と直交する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、駆動電極ＴＬ（２）の近傍をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図３（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として表れ、単位検出回路１３−ｎに供給され、検出信号として出力される。
【００３４】
他の駆動電極についても、同様にして、電界駆動信号を供給することにより、指ＦＧがタッチしているが否かに応じた信号の電圧変化が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に生じ、検出信号として出力されることになる。これにより、指ＦＧがタッチしているか否か、および座標を抽出することが可能となる。
【００３５】
上記したように、磁界検出の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、選択された駆動電極に磁界駆動信号が供給され、電界検出の際には、選択された駆動電極に電界駆動信号が供給される。一方、表示の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、表示駆動信号が供給される。表示駆動信号によって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、同じ電圧とされるため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、１個の共通電極と見なすことができる。
【００３６】
＜表示装置の全体構成＞
図４は、実施の形態に係わる表示装置１の構成を示すブロック図である。図４において、表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）、制御装置３、ゲートドライバ４およびタッチ制御装置５を備えている。また、表示装置１は、第１スキャナ回路ＳＣＬ、第２スキャナ回路ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬ、第２選択駆動回路ＳＤＲおよび検出回路ＤＥＴを備えている。表示パネルは、表示を行う表示領域（表示部）と周辺領域（周辺部）とを備えている。表示と言う観点で見た場合、表示領域はアクティブ領域であり、表示領域を包囲する周辺領域は非アクティブ領域である。図４では、２が、表示領域である。
【００３７】
表示領域２は、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有している。画素配列には、複数の信号線、複数の駆動電極、複数の走査線および複数の検出電極が配置されている。図４を参照して述べると、画素配列において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置され、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。この場合、画素は、かかる複数の信号線と複数の走査線とが交差することにより形成される空間に配置されている。表示の期間（以下、表示期間とも称する）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧が印加され、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示が行われる。
【００３８】
制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、表示期間のとき、画像情報に従った画像信号を形成し、複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給する。また、制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置５からの制御信号ＳＷとを受け、種々の信号を形成する。図４には、制御装置３により形成される信号のうち、説明に必要な信号のみが、代表として描かれている。制御装置３は、駆動信号ＴＰＨ、ＴＰＬを形成する駆動信号回路６を備える。また制御装置３は同期信号ＴＳＨＤ、制御信号ＣＯＭＦＬ、電界選択信号ＭＳＥＬ、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２を形成する。また、制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＲ、ＣＫ−ＢＲ、ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬおよびスタート信号ＳＴ−ＡＲ、ＳＴ−ＢＲ、ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＬを形成する。
【００３９】
同期信号ＴＳＨＤは、表示領域２において表示を行う表示期間とタッチ検出を行う期間（以下、タッチ検出期間とも称する）とを識別する同期信号である。制御装置３は、この同期信号ＴＳＨＤによって、タッチ制御装置５が、タッチ検出期間の際に動作するように制御する。同期信号ＴＳＨＤ以外の信号については、後の説明で述べるので、ここでは省略する。
【００４０】
ゲートドライバ４は、表示のとき、制御装置３からのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示領域２内の走査線に供給する。表示期間においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給されている画像信号に従った表示を行う。
【００４１】
検出回路ＤＥＴは、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における信号の変化を検出し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として出力する。
【００４２】
タッチ制御装置５は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受け、タッチされた位置の座標を抽出し、外部端子Ｔｏから出力する。また、タッチ制御装置５は、制御信号ＳＷを出力するとともに、同期信号ＴＳＨＤを受け、表示制御装置３に同期して動作する。
【００４３】
表示領域２は、画素配列の行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列の列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の駆動電極と複数の走査線が配置されている。また、辺２−Ｒと辺２−Ｌも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の信号線と複数の検出電極が配置されている。
【００４４】
第１スキャナ回路ＳＣＬおよび第１選択駆動回路ＳＤＬは、表示領域２の辺２−Ｌに沿って、複数の駆動電極の一方に端部に近接するように配置されており、第１選択駆動回路ＳＤＬは、辺２−Ｌにおいて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部に接続されている。同様に、第２スキャナ回路ＳＣＲおよび第２選択駆動回路ＳＤＲは、表示領域２の辺２−Ｒに沿って、複数の駆動電極の他方の端部に近接するように配置されており、第２選択駆動回路ＳＤＲは、辺２−Ｒにおいて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの他方の端部に接続されている。
【００４５】
第１スキャナ回路ＳＣＬは、一対のスキャナ回路ＳＣＡＬ、ＳＣＢＬを有し、第１選択駆動回路ＳＤＬは、第１選択回路ＳＥＬＬと第１駆動回路ＤＲＶＬを有している。同様に、第２スキャナ回路ＳＣＲは、一対のスキャナ回路ＳＣＡＲ、ＳＣＢＲを有し、第２選択駆動回路ＳＤＲは、第２選択回路ＳＥＬＲと第２駆動回路ＤＲＶＲを有している。
【００４６】
第１スキャナ回路ＳＣＬ、第２スキャナ回路ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲは、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、所望の駆動電極を選択し、選択した駆動電極に磁界駆動信号を供給し、電界タッチ検出のときにも、所望の駆動電極を選択し、選択した駆動電極に電界駆動信号を供給する。そのため、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際には、第１スキャナ回路ＳＣＬ、第２スキャナ回路ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲによって、駆動電極を駆動する駆動回路が構成されていると見なすことができる。
【００４７】
図４において、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれは、信号配線を示している。信号配線ＴＰＬＬおよびＴＳＶＬは、表示領域２の辺２−Ｌに沿って延在しており、第１駆動回路ＤＲＶＬを貫通している。同様に、信号配線ＴＰＬＲおよびＴＳＶＲは、表示領域２の辺２−Ｒに沿って延在しており、第２駆動電極ＤＲＶＲを貫通している。図４を参照にして述べると、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲのそれぞれは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれが延在する横方向と交差する縦方向に延在している。
【００４８】
第１スキャナ回路ＳＣＬ、第２スキャナ回路ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲについては、後で図を用いて詳しく説明するが、第１選択駆動回路ＳＤＬを構成する第１駆動回路ＤＲＶＬは、第１選択回路ＳＥＬＬに対応しており、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、第１選択回路ＳＥＬＬからの選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＰＬＬまたはＴＳＶＬに電気的に接続する。同様に、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する第２駆動回路ＤＲＶＲは、第２選択回路ＳＥＬＲに対応しており、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、第２選択回路ＳＥＬＲからの選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＰＬＲまたはＴＳＶＲに電気的に接続する。
【００４９】
制御装置３に備えられた駆動信号回路６によって形成された駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶが、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれの端部に供給される。後で詳しく説明するが、磁界タッチ検出のときには、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲを伝搬している駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶが、第１駆動回路ＤＲＶＬおよび第２駆動回路ＤＲＶＲを介して、選択された駆動電極に供給され、磁界が発生する。また、電界タッチ検出の際には、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲを伝搬している駆動信号ＴＳＶが、第１駆動回路ＤＲＶＬおよび第２駆動回路ＤＲＶＲを介して、選択された駆動電極に供給され、電界が発生する。また、信号配線ＴＰＬＬは第１信号配線、信号配線ＴＳＶＲは第２信号配線、信号配線ＴＳＶＬは第３信号配線、信号配線ＴＰＬＲは第４信号配線とも称する場合がある。
【００５０】
＜表示装置１のモジュール構成＞
図５は、表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図５は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、５０１は、図１で示した第１基板ＴＧＢの領域を示し、５０２は、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが積層された領域を示している。モジュール５００において、第１基板ＴＧＢは、領域５０１と５０２において一体となっている。また、領域５０２では、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように、第１基板ＴＧＢに第２基板ＣＧＢが搭載されている。図５において、５００−Ｕ、５００−Ｄは、モジュール５００の短辺を示しており、５００−Ｌ、５００−Ｒは、モジュール５００の長辺を示している。
【００５１】
領域５０２であって、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の長辺５００−Ｌとの間の領域には、図４で示したゲートドライバ４、第１スキャナ回路ＳＣＬおよび第１選択駆動回路ＳＤＬが配置されている。表示領域２の辺２−Ｒとモジュール５００の長辺５００−Ｒとの間の領域には、図４で示した第２スキャナ回路ＳＣＲおよび第２選択駆動回路ＳＤＲが配置されている。表示領域２の辺２−Ｄとモジュール５００の短辺５００−Ｄとの間の領域には、図４で示した検出回路ＤＥＴおよび制御装置３が配置されている。検出回路ＤＥＴは、領域５０１の第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された配線および部品により構成されている。平面視で見たとき、検出回路ＤＥＴを覆うように、制御装置３が、第１基板ＴＧＢに実装されている。また、第１スキャナ回路ＳＣＬ、第２スキャナ回路ＳＣＲおよび第１選択駆動回路ＳＤＬ、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する配線および部品も、領域５０２における第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されている。
【００５２】
図４において説明した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ制御装置５に供給される。領域５０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、このフレキシブルケーブルＦＢ２に設けられたコネクタＣＮを介して、タッチ制御装置５と制御装置３との間で信号の送受信が行われる。
【００５３】
表示領域２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配列された画素配列を有しており、画素配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線と、画素配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを備えている。図５には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）と３個の検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）が示されている。図５では、横方向が、画素配列の行方向であり、縦方向が、画素配列の列方向である。そのため、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ），ＴＬ（ｍ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。また、例示した信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置され、例示した検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）のそれぞれは、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。なお、図５では走査線は、省略されているが、走査線は、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と平行して、延在している。
【００５４】
また、図５には、画素配列が、破線ＰＤＭとして示されており、画素配列ＰＤＭに配置されている複数の画素のうち、表示領域２の４個の角に配置されている画素と、例示した駆動電極および信号線との交差部に配置された画素が、Ｐｉｘとして示されている。画素Ｐｉｘのそれぞれは、図示していないが、走査線信号（例えば、図４のＶｓ０）によってスイッチ制御されるスイッチと、このスイッチに接続された画素電極とを備えている。表示期間では、走査線信号Ｖｓ０によってスイッチがオン状態にされると、画素電極は、スイッチを介して信号線に接続される。表示期間のときには、信号線を介して画素電極に供給された画像信号と駆動電極との間の電位差に従って、液晶層が変化し、表示が行われる。
【００５５】
図４に示した信号配線ＴＰＬＬおよびＴＳＶＬのそれぞれは、モジュール５００の長辺５００−Ｌと表示領域２の辺２−Ｌとの間の領域において、縦方向（画素配列の列方向）に延在している。同様に、信号配線ＴＰＬＲおよびＴＳＶＲのそれぞれは、モジュール５００の長辺５００−Ｒと表示領域２の辺２−Ｒとの間の領域において、縦方向（画素配列の方向：第１方向）に延在している。駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の延在方向、すなわち、横方向を第２方向として見た場合、この第２方向と直交（交差を含む）する第１方向に、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）および信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲが延在することになる。このとき、省略されている走査線は、第２方向に沿って延在していることになる。
【００５６】
図４では、制御装置３に備えられた駆動信号回路６が、駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶを形成する例を示したが、これに限定されず、他の回路ブロック等によって形成してもよい。他の回路ブロックで形成する場合、例えば、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、フレキシブルケーブルＦＢ２内の配線に接続され、フレキシブルケーブルＦＢ上、あるいは任意の場所に配置された他の回路ブロックに接続される。図５において、制御装置３に示した破線は、他の回路ブロックによって、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する場合を示している。すなわち、他の回路ブロック（駆動信号回路）によって形成された駆動信号を伝達する信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲにおいて、制御装置３により覆われている部分が、破線として示されている。
【００５７】
図５に示すように、制御装置３およびフレキシブルケーブルＦＢ２は、表示領域２の辺２−Ｄおよびモジュール５００の辺５００−Ｄ側に配置されている。そのため、表示領域２の辺２−Ｄおよびモジュール５００の辺５００−Ｄ側から、駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶが、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲへ供給されることになる。この場合、駆動信号が供給される信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部は、表示領域２の辺２−Ｄおよびモジュール５００の辺５００−Ｄ側に配置されていることになる。従って、平面視で見たとき、図４および図５では、駆動電極ＴＬ（ｐ）が、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部に最も近接して配置されており、駆動電極ＴＬ（０）が、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部から最も離れて配置されていることになる。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｐ）からＴＬ（０）に向けて、駆動電極は、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部から離れた位置（領域）に配置されていることになる。
【００５８】
＜磁界発生期間の概要＞
駆動電極を用いて磁界検出を行う場合の原理を、図２で説明した。理解を容易にするために、図２では、駆動電極間を電気的に接続することにより、磁界発生コイルを構成する例を示した。本発明者は、駆動電極間を電気的に接続せずに、磁界を発生する構成を考え、表示装置１に適用している。表示装置１のより具体的な説明をする前に、本発明者が考えた磁界発生を、説明しておく。
【００５９】
図６は、磁界発生期間の動作を説明するための平面図である。図６において、ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、駆動電極を示している。駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、平面視で見たとき、互いに平行に配置されており、それぞれの駆動電極が、一対の端部ｎ１、ｎ２を備えている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、それぞれの一方の端部ｎ１が、表示領域２の辺２−Ｌに沿い、それぞれの他方の端部ｎ２が、表示領域２の辺２−Ｒに沿うように配置されている。
【００６０】
ここでは、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、ペンＰｅｎ（図２）がタッチしているか否かを検出する磁界タッチ検出の期間（以下、磁界タッチ検出期間とも称する）を例にして説明する。この磁界タッチ検出期間において、磁界発生期間のとき、図６（Ａ）に示す駆動状態と図６（Ｂ）に示す駆動状態が、１回または複数回路発生するように、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）およびＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）が駆動される。
【００６１】
磁界発生期間のとき、磁界を発生する駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域を、その間に挟むように配置された一対の駆動電極が選択され、選択された一対の駆動電極において流れる電流の方向が反対になるように、駆動電極が駆動される。図６においては、隣り合った３個の駆動電極が、束とされ、束の駆動電極（以下、束駆動電極とも称する）が、対を構成する駆動電極として用いられる。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）が束とされ、束駆動電極が構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）が束とされ、束駆動電極が構成されている。
【００６２】
図６（Ａ）では、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）の一方の端部ｎ１に、接地電圧のような第１電圧Ｖｓが供給され、その他方の端部ｎ２に、第１電圧Ｖｓよりも絶対値の大きな第２電圧Ｖｄが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）のそれぞれにおいて、他方の端部ｎ２から一方の端部ｎ１へ向かう方向の電流Ｉ１が流れることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）によって構成された束駆動電極は、図６（Ａ）に破線で示す方向の磁界φ１１を発生することになる。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）では、その一方の端部ｎ１に、第２電圧Ｖｄが供給され、その他方の端部ｎ２に、第１電圧Ｖｓが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）のそれぞれにおいて、一方の端部ｎ１から他方の端部ｎ２へ向かう方向の電流Ｉ２が流れることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）によって構成された束駆動電極は、図６（Ａ）に破線で示す方向の磁界φ１２を発生することになる。
【００６３】
それぞれの束駆動電極が発生した磁界φ１１、φ１２の方向は、電流Ｉ１と電流Ｉ２の方向が反対のため、反対となり、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域においては重畳されることになり、この駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。
【００６４】
図６（Ｂ）では、束駆動電極に供給される電圧が、図６（Ａ）とは反対となるようにする。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）の一方の端部ｎ１に第２電圧Ｖｄが供給され、その他方の端部ｎ２に第１電圧Ｖｓが供給される。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）の一方の端部ｎ１に第１電圧Ｖｓが供給され、その他方の端部ｎ２に第２電圧Ｖｄが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）を流れる電流の方向が、図６（Ａ）のときの電流の方向とは反転し、電流Ｉ２となる。これにより、発生する磁界の方向も反転し、破線で示す方向の磁界φ１２が発生する。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）を流れる電流の方向が反転し、磁界の方向も反転して、破線で示す磁界φ１１となる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、磁界φ１１とφ１２とが重畳され、強い磁界が発生することになる。
【００６５】
これにより、駆動電極間を電気的に接続しなくても、所望の駆動電極の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。なお、図６では、第１電圧Ｖｓは、０で示され、第２電圧Ｖｄは、＋で示されている。
【００６６】
磁界発生期間において発生した磁界によって、ペンＰｅｎの容量素子に電荷が蓄積され、磁界検出期間において、ペンＰｅｎが発生する磁界を、磁界検出コイルで検出するのは、先に図２を用いて説明したのと同様である。
【００６７】
＜本発明者の検討＞
磁界発生期間のとき、図６で説明したように、選択された駆動電極の端部ｎ１、ｎ２に、第１電圧Ｖｓと第２電圧Ｖｄを、交互に供給するよう、図４に示した第１駆動回路ＤＲＶＬおよび第２駆動回路ＤＲＶＲは、第１選択回路ＳＥＬＬおよび第２選択回路ＳＥＬＲによって制御されることになる。このとき、制御装置３は、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを、信号配線ＴＰＬＬおよびＴＰＬＲのそれぞれの端部に供給し、第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶを、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれの端部に供給する。
【００６８】
本発明者は、第１駆動回路ＤＲＶＬおよび第２駆動回路ＤＲＶＲの構成として、先ず、図１７に示すような構成を検討した。図１７は、本発明者が検討した駆動回路の構成を示す平面図である。図１７でも、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示領域２の辺２−Ｕと辺２−Ｄとの間で、縦方向に平行に配置された複数の駆動電極を示している。ここでは、辺２−Ｕ側に近接した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ）が、図１７（Ａ）に示されており、辺２−Ｄ側に近接した駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｐ）が、図１７（Ｂ）に示されている。図１７（Ａ）を図１７（Ｂ）の上側に配置することにより、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の平面図が完成する。
【００６９】
また、図１７において、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶを伝達する信号配線を示している。図１７において、ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬおよびｎＶＲは、上述した駆動信号回路６に接続されている信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲの端部を示しており、端部ｎＬＬおよびｎＬＲに駆動信号ＴＰＬが供給され、端部ｎＶＬおよびｎＶＲに駆動信号ＴＳＶが供給される。そのため、この図では、表示領域２の辺２−Ｌ及び辺２−Ｒに沿って引き回された信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲのうち端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬおよびｎＶＲが駆動信号回路６に最も近接した場所とみなすことができる。平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（ｐ）からＴＬ（０）に向かって、駆動電極は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬおよびｎＶＲから離れて配置されていることになる。
【００７０】
第１駆動回路ＤＲＶＬは、それぞれの駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された複数の第１スイッチＳ１０Ｌと、それぞれの一方の端部ｎ１と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された複数の第２スイッチＳ１１Ｌとを備えている。この場合、対応する第１選択回路ＳＥＬＬからの選択信号によって、第１スイッチＳ１０Ｌまたは第２スイッチＳ１１Ｌがオン状態（導通状態）となる。これにより、選択された駆動電極の一方の端部ｎ１に、第１電圧Ｖｓまたは第２電圧Ｖｄを供給することができる。同様に、第２駆動回路ＤＲＶＲも、それぞれの駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＰＬＲとの間に接続された複数の第１スイッチＳ１０Ｒと、それぞれの他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲとの間に接続された複数の第２スイッチＳ１１Ｒを備えている。第２駆動回路ＤＲＶＲを構成する複数の第１スイッチＳ１０Ｒと第２スイッチＳ１１Ｒを、対応する第２選択回路ＳＥＬＲからの選択信号によってスイッチング制御することにより、選択された駆動電極の他方の端部ｎ２に第２電圧Ｖｄまたは第１電圧Ｖｓが供給される。
【００７１】
上記した第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒを同じサイズにし、それぞれの駆動電極とそれぞれの信号配線との間を１個のスイッチで接続するようにした。なお、図１７では、一部の第１スイッチおよび第２スイッチに対してのみ、符合Ｓ１０Ｌ、Ｓ１１Ｌ、Ｓ１０Ｒ、Ｓ１１Ｒが付されている。
【００７２】
図１７（Ａ）には、駆動電極ＴＬ（４）の領域において磁界を発生する場合の第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒ、第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの状態が示されている。また、図１７（Ｂ）には、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において磁界を発生する場合の第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒ、第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの状態が示されている。
【００７３】
磁界発生期間のとき、制御装置３に備えられる駆動信号回路６は、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＶＬ、ｎＶＲに、第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶを供給し、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲに、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを供給する。これにより、図１７（Ａ）においては、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）のそれぞれに電流Ｉ１Ｆ（例示ＴＬ（２））が流れ、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）のそれぞれに電流Ｉ２Ｆ（例示ＴＬ（６））が流れる。また、図１７（Ｂ）においては、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）のそれぞれに電流Ｉ１Ｎ（例示ＴＬ（ｐ−６））が流れ、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）のそれぞれに電流Ｉ２Ｎ（例示ＴＬ（ｐ−２））が流れる。その結果、図６で説明したように、図１７（Ａ）では、駆動電極ＴＬ（４）の領域で、強い磁界を発生し、図１７（Ｂ）では、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域で、強い磁界が発生する。
【００７４】
図１７において、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ上に示されているＲは、それぞれの信号配線に付随する抵抗成分を、分布定数の抵抗として示している。図面が複雑になるのを避けるために、符合Ｒも、一部の抵抗についてのみ、付されている。
【００７５】
駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において磁界を発生する場合、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）は、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに、平面視において近接しているため、これらの駆動電極の端部ｎ１、ｎ２と信号配線の端部との間に接続される抵抗Ｒは少なくなる。そのため、磁界発生期間において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを流れる電流Ｉ１ＮＬ、Ｉ１ＮＲ、Ｉ２ＮＬ、Ｉ２Ｒとほぼ同じ値の電流が、電流Ｉ１Ｎ、Ｉ２Ｎとして、これらの駆動電極を流れることになる。
【００７６】
これに対して、駆動電極ＴＬ（４）の領域において磁界を発生する場合、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）は、信号配線の端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから、平面視において離れているため、これらの駆動電極の端部ｎ１、ｎ２と信号配線の端部との間に接続される抵抗Ｒが多くなる。そのため、磁界発生期間において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを流れる電流Ｉ１ＮＬ、Ｉ１ＮＲ、Ｉ２ＮＬ、Ｉ２Ｒに比べて小さな値の電流が、電流Ｉ１Ｆ、Ｉ２Ｆとして、これらの駆動電極を流れることになる。
【００７７】
駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）を流れる電流が、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）を流れる電流に比べ、小さくなるため、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）によって発生する磁界が、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）によって発生する磁界に比べて弱くなる。その結果として、駆動電極ＴＬ（４）の領域において発生する磁界が、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において発生する磁界よりも弱くなる。すなわち、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから平面視において離れた位置に配置された駆動電極により発生する磁界は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接した位置に配置された駆動電極により発生する磁界よりも弱くなる。
【００７８】
図１８は、磁界発生期間において、駆動電極を流れる電流の値を示す特性図である。図１８は、本発明者が測定して、作成した特性図である。図１８において、横軸は、駆動電極の位置を示しており、近端は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）を示しており、遠端は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて配置された駆動電極ＴＬ（０）を示している。駆動電極ＴＬ（ｐ）からＴＬ（０）の順に、信号配線の端部から離れて配置されている。すなわち遠端は駆動信号回路６から離れており近端は駆動信号回路６に近接している。図１８の縦軸は、駆動電極を流れる電流の値を示している。図１８から理解されるように、磁界発生期間においては、近端から遠端に向かって、駆動電極を流れる電流の値が小さくなっている。また、本発明者が測定した結果では、近端の駆動電極を流れる電流の値は、遠端の駆動電極を流れる電流に対して、約３倍の値を有している。
【００７９】
駆動電極を流れる電流の値が、近端から遠端に向かって小さくなると、発生する磁界も、近端から遠端に向かって弱くなる。そのため、磁界発生期間において、ペンＰｅｎの容量素子に蓄積される電荷量も、タッチしている位置によって異なることになる。その結果、磁界検出期間において、磁界検出コイルにより検出される変化量も変わることになり、検出感度が位置に依存してばらつくことになる。例えば、図４に示したタッチ制御装置５において、受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を調整することにより、検出感度のバラツキを低減し、位置に対して一定にすることが考えられるが、図１８に示すように、駆動電極を流れる電流が３倍も異なると、発生する磁界の変化が大きく、検出感度が一定となるように、調整するのは容易ではない。
【００８０】
＜表示装置の構成＞
図７および図８は、実施の形態に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図７には、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置された第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第１スキャナ回路ＳＣＬの構成が示されており、図８には、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置された第２選択駆動回路ＳＤＲおよび第２スキャナ回路ＳＣＲの構成が示されている。
【００８１】
図７および図８においては、表示領域２の辺２−Ｕと辺２−Ｄとの間に配列された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｐ）のみが例として示されている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｐ）は、平面視において、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに最も近接して配置された駆動電極を示しており、駆動電極ＴＬ（０）は、平面視において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから最も離れて配置された駆動電極を示している。また、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、平面視において、駆動電極ＴＬ（０）と駆動電極ＴＬ（ｐ）との間に配置された駆動電極を示している。
【００８２】
言い換えると、駆動電極ＴＬ（ｐ）は、平面視において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲの近端付近に配置されている駆動電極の例と見なすことができ、駆動電極ＴＬ（０）は、平面視において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れた遠端付近に配置されている駆動電極の例と見なすことができる。この場合、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、駆動電極ＴＬ（ｐ）とＴＬ（０）との間の中間付近に配置された駆動電極の例と見なすことができる。
【００８３】
ここでは、駆動信号回路６に最も近接した場所として信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを、基準として、駆動電極の位置を述べているが、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲは、駆動信号回路６が配置された場所、例えば図５に示した制御装置３またはフレキシブルケーブルＦＢ２と見なしてもよい。
【００８４】
第１選択駆動回路ＳＤＬは、図４で述べたように、第１選択回路ＳＥＬＬと第１駆動回路ＤＲＶＬを備えているが、第１選択回路ＳＥＬＬは、それぞれの駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応した複数の第１単位選択回路ＳＥＬ（０）〜ＳＥＬ（ｐ）によって構成され、第１駆動回路ＤＲＶＬは、第１単位選択回路ＳＥＬ（０）〜ＳＥＬ（ｐ）にそれぞれ対応した複数の第１単位駆動回路ＤＲＬ（０）〜ＤＲＬ（ｐ）によって構成されている。
【００８５】
同様に、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する第２選択回路ＳＥＬＲも、それぞれの駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応した複数の第２単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）によって構成されている。また、第２駆動回路ＤＲＶＲは、それぞれ第２単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）に対応した複数の第２単位駆動回路ＤＲＲ（０）〜ＤＲＲ（ｐ）によって構成されている。
【００８６】
図７および図８には、第１選択回路ＳＥＬＬおよび第２選択回路ＳＥＬＲのうち、例示した駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｐ）に対応する第１単位選択回路ＳＥＬ（０）、ＳＥＬ（ｎ）、ＳＥＬ（ｐ）および第２単位選択回路ＳＥＲ（０）、ＳＥＲ（ｎ）、ＳＥＲ（ｐ）のみが示されている。同様に、第１駆動回路ＤＲＶＬおよび第２駆動回路ＤＲＶＲのうち、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｐ）に対応する第１単位駆動回路ＤＲＬ（０）、ＤＲＬ（ｎ）、ＤＲＬ（ｐ）および第２単位駆動回路ＤＲＲ（０）、ＤＲＲ（ｎ）、ＤＲＲ（ｐ）のみが示されている。また、図７および図８には、第１スキャナ回路ＳＣＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＲから出力される複数の第１選択信号および複数の第２選択信号のうち、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｐ）に対応した第１選択信号と第２選択信号のみが示されている。
【００８７】
なお、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（ｎ）およびＴＬ（ｐ）は、図７および図８において、共通である。そのため、図８を図７の右側に配置することにより、これらの駆動電極に対応する第１選択駆動回路ＳＤＬ、第２選択駆動回路ＳＤＲおよび第１スキャナ回路ＳＣＬ、第２スキャナ回路ＳＣＲが完成することになる。
【００８８】
＜＜磁界タッチ検出および電界タッチ検出の動作概要＞＞
後で図９〜図１２を用いて、第１スキャナ回路ＳＣＬ、第２スキャナ回路ＳＣＲおよび単位選択回路のそれぞれの構成を説明するので、ここでは、動作概要を述べる。
【００８９】
磁界タッチ検出のとき、第１スキャナ回路ＳＣＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＲが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のなかから、磁界を発生する駆動電極を指定する第１選択信号および第２選択信号を出力する。第１選択信号および第２選択信号は、それぞれ複数の選択信号によって構成されているが、図７および図８では、第１選択信号として、選択信号ＡＬ（０）、ＡＬ（ｎ）、ＡＬ（ｐ）と選択信号ＢＬ（０）、ＢＬ（ｎ）、ＢＬ（ｐ）が例示されている。同様に、第２選択信号として、選択信号ＡＲ（０）、ＡＲ（ｎ）、ＡＲ（ｐ）と選択信号ＢＲ（０）、ＢＲ（ｎ）、ＢＲ（ｐ）が例示されている。
【００９０】
磁界タッチ検出のときには、第１スキャナ回路ＳＣＬを構成するスキャナ回路ＳＣＡＬと、第２スキャナ回路ＳＣＲを構成するスキャナ回路ＳＣＢＲが対となり、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のなかから、駆動電極を指定する。同様に、第１スキャナ回路ＳＣＬを構成するスキャナ回路ＳＣＢＬと、第２スキャナ回路ＳＣＲを構成するスキャナ回路ＳＣＡＲが対となり、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のなかから、駆動電極を指定する。これにより、磁界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、互いに異なった位置（領域）に配置されている複数の駆動電極が指定されることになる。
【００９１】
磁界タッチ検出のとき、複数の第１単位選択回路ＳＥＬ（０）〜ＳＥＬ（ｐ）のうち、駆動電極を指定する第１選択信号が供給されている第１単位選択回路（例えば、ＳＥＬ（ｎ））は、周期的に電圧が変化する第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）および第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）を出力する。このとき、それぞれのロウレベルが、時間的に重ならないように、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）および第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）の電圧を変化させる。
【００９２】
同様に、複数の第２単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）のうち、駆動電極を指定する第２選択信号が供給されている第２単位選択回路（例えば、ＳＥＲ（ｎ））は、周期的に電圧が変化する第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）および第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）を出力する。この場合も、それぞれのロウレベルが、時間的に重ならないように、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）および第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）の電圧を変化させる。また、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルとなっているときに、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）がロウレベルとなり、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルとなっているときに、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）がロウレベルとなるように、それぞれを変化させる。
【００９３】
第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）に対応した第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）は、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）がロウレベルとなることにより、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１を信号配線ＴＰＬＬに電気的に接続し、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルとなることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１を信号配線ＴＳＶＬに電気的に接続する。また、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）に対応した第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）は、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｈ（ｎ）がロウレベルとなることにより、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２を信号配線ＴＰＬＲに電気的に接続し、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）がロウレベルとなることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２を信号配線ＴＳＶＲに電気的に接続する。
【００９４】
これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１に、駆動信号ＴＰＬが供給されているとき、その他方の端部ｎ２には、駆動信号ＴＳＶが供給されることになる。また、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１に、駆動信号ＴＳＶが供給されているとき、その他方の端部ｎ２には、駆動信号ＴＰＬが供給されることになる。その結果、図６で説明したように、磁界発生期間において、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ）には、交互に方向が変化する電流が流れ、磁界が発生する。
【００９５】
駆動電極ＴＬ（ｎ）を例にして説明したが、他の駆動電極が第１スキャナ回路ＳＣＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＲによって指定されている場合も同様に、指定された駆動電極において磁界が発生する。
【００９６】
この実施の形態においては、先に述べたように、磁界タッチ検出のとき、スキャナ回路ＳＣＡＬ、ＳＣＢＲ、ＳＣＢＬおよびＳＣＡＲによって、複数の駆動電極が指定される。そのため、指定された複数の駆動電極のそれぞれにおいて、磁界が発生することになる。これにより、図６で説明したように、複数の駆動電極の間に挟まれた駆動電極の領域において、磁界の重畳が行われる。また、図６で説明したように、複数の駆動電極によって束駆動電極を構成することが可能となる。
【００９７】
電界タッチ検出のときには、スキャナ回路ＳＣＡＬとスキャナ回路ＳＣＡＲが対とされ、スキャナ回路ＳＣＡＬから出力される第１選択信号と、スキャナ回路ＳＣＡＲから出力される第２選択信号によって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から駆動電極が指定される。駆動電極ＴＬ（ｎ）が指定されている場合、この駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応する第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）は、スキャナ回路ＳＣＡＬからの第１選択信号に応答して、ハイレベルの第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）と、ロウレベルの第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）を出力する。また、このとき、第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）は、ハイレベルの第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）とロウレベルの第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）を出力する。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応する第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、スキャナ回路ＳＣＡＲからの第２選択信号に応答して、ハイレベルの第１電界選択信号ＭＧ＿Ｒ（ｎ）と、ロウレベルの第２電界選択信号ＭＨ＿Ｒ（ｎ）を出力するとともに、ハイレベルの第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）と、ロウレベルの第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）を出力する。
【００９８】
第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）は、ロウレベルの第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）とロウレベルの第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）が供給されることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１を、信号配線ＴＳＶＬに電気的に接続する。同様に、第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）は、ロウレベルの第２電界選択信号ＭＨ＿Ｒ（ｎ）とロウレベルの第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）が供給されることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２を、信号配線ＴＳＶＲに電気的に接続する。
【００９９】
電界タッチ検出のときに、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに供給される駆動信号ＴＳＶは、その電圧が周期的に変化する。そのため、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ）の両端部ｎ１、ｎ２における電圧は、駆動信号ＴＳＶに従って、周期的に変化することになり、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、駆動信号ＴＳＶの変化に従った電界を発生することになる。
【０１００】
電界タッチ検出において、駆動電極ＴＬ（ｎ）が選択された場合を説明したが、他の駆動電極が選択された場合も同様である。
【０１０１】
＜＜第１単位駆動回路および第２単位駆動回路の構成＞＞
次に、図７および図８を用いて、第１単位駆動回路および第２駆動回路の構成を説明する。この実施の形態においては、特に制限されないが、第１単位駆動回路および第２単位駆動回路のそれぞれは、１０個のスイッチによって構成されている。また、この実施の形態においては、特に制限されないが、それぞれのスイッチは、Ｐチャンネル型電界効果型トランジスタ（以下、Ｐ型トランジスタとも称する）によって構成されている。
【０１０２】
図７に示した第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）を例にして、第１単位駆動回路の構成を説明する。第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）は、信号配線ＴＰＬＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１との間に、ソース・ドレイン経路が並列的に接続された複数の（この実施形態では５個）のＰ型トランジスタと、信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１との間に、ソース・ドレイン経路が並列的に接続された複数の（この実施形態では５個）のＰ型トランジスタとを備えている。
【０１０３】
この実施の形態においては、この１０個のＰ型トランジスタは、２組に分けて制御される。すなわち、電界タッチ検出のときのみ、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間を電気的に接続する電界用のスイッチ組と、磁界タッチ検出及び電界タッチ検出のときに、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間を電気的に接続する磁界用のスイッチ組とに分けられている。第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）の場合、電界用のスイッチ組を構成するＰ型トランジスタ（以下、電界用トランジスタとも称する）は、符合ＭＧＬ１、ＭＧＬ２、ＭＨＬ１，ＭＨＬ２の４個であり、磁界用のスイッチ組を構成するＰ型トランジスタ（以下、磁界用トランジスタとも称する）は、符合ＳＧＬ１〜ＳＧＬ３およびＳＨＬ１〜ＳＨＬ３の６個とされている。
【０１０４】
磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３は、信号配線ＴＰＬＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間に接続され、それぞれのゲートに、対応する第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）から第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）が供給されている。磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３は、信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間に接続され、それぞれのゲートに、対応する第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）から第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）が供給されている。一方、第１電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２は、信号配線ＴＰＬＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間に接続され、それぞれのゲートに、第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）から第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）が供給されている。また、第２電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２は、信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間に接続され、それぞれのゲートに、第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）から第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）が供給されている。
【０１０５】
磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）が指定されると、上記したように、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）と第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）とは、交互にスイッチのオン状態を示す値となるように周期的に変化する。これにより、磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３と、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３は、それぞれがオンになったタイミングで駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１を、信号配線ＴＰＬＬとＴＳＶＬとに交互に電気的に接続し、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬと第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶが交互に供給する。この間、第１Ｍ電界用トランジスタＭＧＬ１〜２および第２電界用トランジスタＭＨＬ１〜２は、オフ状態となる。
【０１０６】
一方、電界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）が指定されると、上記したように、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）と第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）とが、ロウレベルとなる。これにより、２個の電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２と３個の磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３がオン状態となる。その結果、これらの５個のＰ型トランジスタのそれぞれを介して、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１は、信号配線ＴＳＶＬに電気的に接続されることになり、電界タッチ検出のときには、周期的に電圧の変化する駆動信号ＴＳＶが、駆動電極ＴＬ（ｎ）に供給される。
【０１０７】
残りの駆動電極のそれぞれに対応した第１単位駆動回路も、例示した第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）と同様に、１０個のＰ型トランジスタを備えているが、磁界用のスイッチ組を構成する磁界用トランジスタと電界用のスイッチ組を構成する電界用トランジスタの個数比が、対応する駆動電極の位置に従って変わっている。すなわち、平面視において、端部ｎＬＬ、ｎＶＬから最も離れて配置された駆動電極ＴＬ（０）に接続されている第１単位駆動回路ＤＲＬ（０）から、最も近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）に接続されている第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｐ）に向けて、第１単位駆動回路を構成している磁界用のスイッチ組を構成する磁界用トランジスタの個数が少なくなり、反対に電界用のスイッチ組を構成する電界用トランジスタの個数は多くなっている。
【０１０８】
図７において、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＰＬＬの端部ｎＶＬ、ｎＬＬの先は図４で示した駆動信号回路６に接続されている。すなわち端部ｎＶＬ、ｎＬＬからの距離は駆動信号回路６からの信号配線ＴＳＶＬ、ＴＰＬＬの配線距離に相当する。駆動信号回路６から各駆動電極までの、信号配線の配線距離が長い駆動電極ほど、磁界用トランジスタの数が多くなる。また各駆動電極に配置されるＰ型トランジスタの総数は変わらないので、相対的に電界用トランジスタの数は少なくなる。
【０１０９】
中間付近に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬとの間に接続された第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）では、上記したように、６個の磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３、ＳＨＬ１〜ＳＨＬ３と４個の電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２、ＭＨＬ１、ＭＨＬ２を有している。これに対して、最も遠端に配置された駆動電極ＴＬ（０）と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬとの間に接続された第１単位駆動回路ＤＲＬ（０）では、図７に示すように、１０個の磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ５、ＳＨＬ１〜ＳＨＬ５と、０個の電界用トランジスタを有している。この場合、磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ５のそれぞれは、そのソース・ドレイン経路が、並列接続となるように、駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に配置されている。また、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ５のそれぞれは、そのソース・ドレイン経路が、並列接続となるように、駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＳＶＬとの間に配置されている。磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ５のそれぞれのゲートには、第１単位選択回路ＳＥＬ（０）から第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（０）が供給され、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ５のそれぞれのゲートには、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（０）が供給されている。
【０１１０】
また、最も近端に配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬとの間に接続された第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｐ）では、図７に示すように、２個の磁界用トランジスタＳＧＬ１、ＳＨＬ１と、８個の電界用トランジスタＭＧＬ１〜ＭＧＬ４、ＭＨＬ１〜ＭＨＬ４を有している。この場合、磁界用トランジスタＳＧＬ１のソース・ドレイン経路が、駆動電極ＴＬ（ｐ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続され、磁界用トランジスタＳＨＬ１のソース・ドレイン経路が、駆動電極ＴＬ（ｐ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続されている。また、電界用トランジスタＭＧＬ１〜ＭＧＬ４は、それぞれのソース・ドレイン経路が、並列的に、駆動電極ＴＬ（ｐ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続されるように配置され、電界用トランジスタＭＨＬ１〜ＭＨＬ４は、それぞれのソース・ドレイン経路が、並列的に、駆動電極ＴＬ（ｐ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続されるように配置されている。
【０１１１】
第１単位駆動回路ＤＲＶＬ（ｐ）における磁界用トランジスタＳＧＬ１のゲートには、対応する第１単位選択回路ＳＥＬ（ｐ）からの第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｐ）が供給され、磁界用トランジスタＳＨＬ１のゲートには、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｐ）が供給されている。また、第１単位駆動回路ＤＲＶＬ（ｐ）における電界用トランジスタＭＧＬ１〜ＭＧＬ４のゲートには、対応する第１単位選択回路ＳＥＬ（ｐ）からの第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｐ）が供給され、電界用トランジスタＭＨＬ１〜ＭＨＬ４のゲートには、第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｐ）が供給されている。
【０１１２】
図７には示していないが、平面視において、中間付近に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ）と最も遠端に配置されている駆動電極ＴＬ（０）との間に配置されている駆動電極（例えば、図６の駆動電極ＴＬ（９））に対応する第１単位駆動回路は、１０個と６個の間の個数の磁界用トランジスタと、０個と４個の間の個数の電界用トランジスタを備えている。同様に、中間付近に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ）と最も近端に配置されている駆動電極ＴＬ（ｐ）との間に配置されている駆動電極（例えば、図６の駆動電極ＴＬ（ｐ−９））に対応する第１単位駆動回路は、６個と２個の間の個数の磁界用トランジスタと、８個と４個の間の個数の電界用トランジスタを備えている。
【０１１３】
なお、隣り合う駆動電極に接続された複数の第１単位駆動回路間では、磁界用トランジスタと電界用トランジスタの個数比は同じであってもよい。また、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときの、磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタの動作は、先に説明した第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）における磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタの動作と同じである。
【０１１４】
第１単位駆動回路ＤＲＬ（０）〜ＤＲＬ（ｐ）について説明したが、第２単位駆動回路ＤＲＲ（０）〜ＤＲＲ（ｐ）も同様な構成を有している。すなわち、第２単位駆動回路ＤＲＲ（０）〜ＤＲＲ（ｐ）のそれぞれも１０個のスイッチを有しており、１０個のスイッチは、磁界用のスイッチ組と電界用のスイッチ組に分けられている。それぞれの第２単位駆動回路において、磁界用のスイッチ組を構成する磁界用トランジスタと電界用のスイッチ組を構成する電界用トランジスタの個数比は、対応する駆動電極の位置に従って設定されている。
【０１１５】
図８に示した例では、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応した第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）は、第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）と同様に、６個の磁界用トランジスタＳＧＲ１〜ＳＧＲ３、ＳＨＲ１〜ＳＨＲ３と４個の電界用トランジスタＭＧＲ１、ＭＧＲ２、ＭＨＲ１、ＭＨＲ２を備えている。ここで、磁界用トランジスタＳＧＲ１〜ＳＧＲ３は、それぞれのソース・ドレイン経路が並列に接続されるように、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＰＬＲとの間に配置され、磁界用トランジスタＳＨＲ１〜ＳＨＲ３は、それぞれのソース・ドレイン経路が並列に接続されるように、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲとの間に配置されている。また、電界用トランジスタＭＧＲ１、ＭＧＲ２は、それぞれのソース・ドレイン経路が、並列に接続されるように、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＰＬＲとの間に配置され、電界用トランジスタＭＨＲ１、ＭＨＲ２は、それぞれのソース・ドレイン経路が、並列に接続されるように、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲとの間に配置されている。
【０１１６】
第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）における磁界用トランジスタＳＧＲ１〜ＳＧＲ３のゲートには、対応する第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）から第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）が供給され、磁界用トランジスタＳＨＲ１〜ＳＨＲ３のゲートには、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）が供給されている。また、電界用トランジスタＭＧＲ１、ＭＧＲ２のゲートには、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）から第１電界選択信号ＭＧ＿Ｒ（ｎ）が供給され、電界用トランジスタＭＨＲ１、ＭＨＲ２のゲートには、第２電界選択信号ＭＨ＿Ｒ（ｎ）が供給されている。
【０１１７】
駆動信号回路６から最も遠端に配置された駆動電極ＴＬ（０）に対応する第２単位駆動回路ＤＲＲ（０）は、第１単位駆動回路ＤＲＬ（０）と同様に、駆動電極ＴＬ（０）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＰＬＲ、ＴＳＶＲとの間に並列接続された１０個の磁界用トランジスタＳＧＲ１〜ＳＧＲ５、ＳＨＲ１〜ＳＨＲ５を備えている。これらの磁界用トランジスタのゲートには、対応する第２単位選択回路ＳＥＲ（０）からの第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（０）、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（０）が供給されている。
【０１１８】
駆動信号回路６から最も近端に配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）に対応する第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｐ）は、第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｐ）と同様に、駆動電極ＴＬ（ｐ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＰＬＲ、ＴＳＶＲとの間に並列接続された２個の磁界用トランジスタＳＧＲ１、ＳＨＲ１と、８個の電界用トランジスタＭＧＲ１〜ＭＧＲ４、ＭＨＲ１〜ＭＨＲ４を備えている。これらの磁界用トランジスタのゲートには、対応する第２単位選択回路ＳＥＲ（ｐ）からの第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｐ）、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｐ）が供給されている。また、電界用トランジスタＭＧＲ１〜ＭＧＲ４、ＭＨＲ１〜ＭＨＲ４のゲートには、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｐ）から第１電界選択信号ＭＧ＿Ｒ（ｐ）、第２電界選択信号ＭＨ＿Ｒ（ｐ）が供給されている。
【０１１９】
残りの駆動電極に対応した第２単位駆動回路も、同様になっており、第２単位駆動回路ＤＲＲ（０）から第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｐ）に向けて、磁界用トランジスタの個数が少なくなり、電界用トランジスタの個数は多くなるようにされている。
【０１２０】
磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときの第２単位駆動回路ＤＲＲ（０）〜ＤＲＲ（ｐ）の動作は、第１単位駆動回路ＤＲＬ（０）〜ＤＲＬ（ｐ）と同じである。例えば、磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）が指定されていると、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）が、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）と第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）を周期的に変化させる。このとき、第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）からロウレベルの第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）（または、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ））が出力されていれば、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、ロウレベルの第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）（または、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ））を出力する。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２も、３個の磁界用トランジスタのそれぞれを介して、信号配線ＴＳＶＲまたはＴＰＬＲに電気的に接続される。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）を電流が流れ、磁界が発生することになる。
【０１２１】
また、電界タッチ検出のときには、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）が、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）と第２電界選択信号ＭＨ＿Ｒ（ｎ）をロウレベルにするため、５個のＰ型トランジスタのそれぞれを介して、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２は、信号配線ＴＳＶＲに電気的に接続されることになる。その結果、電界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２にも、周期的に変化する駆動信号ＴＳＶが供給され、駆動信号ＴＳＶの変化に従った電界が発生する。
【０１２２】
磁界タッチ検出および電界タッチ検出において、他の駆動電極が指定された場合の第２単位駆動回路の動作は、上記した第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）と同じであるため、説明は省略する。
【０１２３】
このように、各駆動電極に配置する磁界用トランジスタの個数を変化させることで、駆動信号回路６から駆動電極までの信号配線の配線距離の差による表示領域内での磁界発生強度の不均一性を改善することができる。すなわち、駆動信号回路６からの配線距離が長く、信号配線に多くの抵抗がかかった状態で駆動信号を供給される駆動電極には、並列に接続される磁界用トランジスタの数を増やし、駆動信号回路６からの配線距離が短い駆動電極には、並列的に接続される磁界用トランジスタの数を減らすようにすることで、信号供給源である駆動信号回路６からの距離に関わらず各駆動電極により発生する磁界の強度の均一化をはかり、タッチの検出感度を一定にすることができる。一方、各駆動電極に配置する磁界用トランジスタと電界用トランジスタの数は同一とし、電界発生時には磁界用トランジスタと電界用トランジスタの両方を作動させることにより、各駆動電極で発生する電界の強度の均一化も行うことができる。
【０１２４】
本明細書においては、信号配線ＴＳＶＬを第１信号配線と称し、信号配線ＴＰＬＬを第２信号配線と称し、信号配線ＴＳＶＲを第３信号配線と称し、信号配線ＴＰＬＲを第４信号配線と称する場合もある。また、それぞれの駆動電極の一方の端部ｎ１と第１信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタは、第１スイッチとも称し、それぞれの駆動電極の一方の端部ｎ１と第２信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタは、第２スイッチとも称する場合がある。同様に、それぞれの駆動電極の他方の端部ｎ２と第３信号配線ＴＳＶＲとの間に接続された磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタは、第３スイッチとも称し、それぞれの駆動電極の他方の端部ｎ２と第４信号配線ＴＰＬＲとの間に接続された磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタは、第４スイッチとも称する場合がある。
【０１２５】
駆動電極ＴＬ（ｎ）を例にして述べると、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３および電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２は、第１スイッチとも称し、磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３および電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２は、第２スイッチとも称する。また、磁界用トランジスタＳＨＲ１〜ＳＨＲ３および電界用トランジスタＭＨＲ１、ＭＨＲ２は、第３スイッチとも称し、磁界用トランジスタＳＧＲ１〜ＳＧＲ３および電界用トランジスタＭＧＲ１、ＭＧＲ２は、第４スイッチとも称する。
【０１２６】
また、電界用トランジスタは、第１接続スイッチとも称し、磁界用トランジスタは、第２接続スイッチとも称する場合がある。
【０１２７】
＜＜第１スキャナ回路および第２スキャナ回路の構成＞＞
図９は、実施の形態に係わる第１スキャナ回路ＳＣＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＲの構成を示すブロック図である。図９（Ａ）は、第１スキャナ回路ＳＣＬを構成するスキャナ回路ＳＣＡＬの構成を示すブロック図であり、図９（Ｂ）は、第１スキャナ回路ＳＣＬを構成するスキャナ回路ＳＣＢＬの構成を示すブロック図である。
【０１２８】
第２スキャナ回路ＳＣＲを構成するスキャナ回路ＳＣＡＲは、スキャナ回路ＳＣＡＬと同じ構成を有し、第２スキャナ回路ＳＣＲを構成するスキャナ回路ＳＣＢＲは、スキャナ回路ＳＣＢＬと同じ構成を有している。図９（Ａ）において、（）内の符合は、スキャナ回路ＳＣＡＲの構成を示している。同様に、図９（Ｂ）において、（）内の符合は、スキャナ回路ＳＣＢＲの構成を示している。
【０１２９】
スキャナ回路ＳＣＡＬは、特に制限されないが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに１対１で対応した複数のシフト段ＦＡＬ（０）〜ＦＡＬ（ｐ）を備えている。それぞれのシフト段は、シリーズに接続され、シフトレジスタＳＦＡＬを構成している。シフトレジスタＳＦＡＬの初段に相当するシフト段ＦＡＬ（０）には、制御装置３からスタート信号ＳＴ−ＡＬか供給される。シフト段ＦＡＬ（０）〜ＦＡＬ（ｐ）のそれぞれは、制御装置３から出力されているシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬが変化することにより、前段からのスタート信号を取り込み、保持して、ロジック回路ＬＧ１へ供給する。これにより、シフト段ＦＡＬ（０）に取り込まれたスタート信号ＳＴ−ＡＬは、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬが変化するたびに、順次シフトして、移動する。
【０１３０】
ロジック回路ＬＧ１は、制御装置３から出力されている電界選択信号ＭＳＥＬと、それぞれのシフト段からのスタート信号を受けて、第１選択信号ＡＬ（０）、ＸＡＬ（０）、ＡＭＬ（０）、ＸＡＭＬ（０）〜ＡＬ（ｐ）、ＸＡＬ（ｐ）、ＡＭＬ（ｐ）、ＸＡＭＬ（ｐ）を形成する。
【０１３１】
スキャナ回路ＳＣＡＲも、スキャナ回路ＳＣＡＬと同様に、複数のシフト段ＦＡＲ（０）〜ＦＡＲ（ｐ）と、ロジック回路ＬＧ１を備えている。シフト段ＦＡＲ（０）〜ＦＡＲ（ｐ）によって構成されたシフトレジスタＳＦＡＲの初段に相当するシフト段ＦＡＲ（０）に供給されたスタート信号ＳＴ−ＡＲは、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＲが変化するたびに、シフトして移動する。また、スキャナ回路ＳＣＡＲ内のロジック回路ＬＧ１も、それぞれのシフト段からのスタート信号と、電界選択信号ＭＳＥＬとを受けて、第１選択信号ＡＲ（０）、ＸＡＲ（０）、ＡＭＲ（０）、ＸＡＭＲ（０）〜ＡＲ（ｐ）、ＸＡＲ（ｐ）、ＡＭＲ（ｐ）、ＸＡＭＲ（ｐ）を形成する。
【０１３２】
スキャナ回路ＳＣＢＬは、スキャナ回路ＳＣＡＬと同様に、複数のシフト段ＦＢＬ（０）〜ＦＢＬ（ｐ）と、ロジック回路ＬＧ２を備えている。シフト段ＦＢＬ（０）〜ＦＢＬ（ｐ）は、シリーズに接続され、シフトレジスタＳＦＢＬを構成している。シフトレジスタＳＦＢＬの初段に相当するシフト段ＦＢＬ（０）には、スタート信号ＳＴ−ＢＬが供給され、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬが変化することにより、スタート信号ＳＴ−ＢＬは、シフトレジスタＦＢＬに取り込まれ、順次移動する。ロジック回路ＬＧ２は、それぞれのシフト段ＦＢＬ（０）〜ＦＢＬ（ｐ）からのスタート信号を受けて、第２選択信号ＢＬ（０）、ＸＢＬ（０）、ＢＭＬ（０）、ＸＢＭＬ（０）〜ＢＬ（ｐ）、ＸＢＬ（ｐ）、ＢＭＬ（ｐ）、ＸＢＭＬ（ｐ）を形成する。
【０１３３】
スキャナ回路ＳＣＢＲは、スキャナ回路ＳＣＢＬと同様に、シフトレジスタＳＦＢＲを構成する複数のシフト段ＦＢＲ（０）〜ＦＢＲ（ｐ）と、ロジック回路ＬＧ２を備えている。シフトレジスタＳＦＢＲの初段に供給されたスタート信号ＳＴ−ＢＲが、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＲが変化するたびに、移動する。ロジック回路ＬＧ２は、それぞれのシフト段からのスタート信号を受け、第２選択信号ＢＲ（０）、ＸＢＲ（０）、ＢＭＲ（０）、ＸＢＭＲ（０）〜ＢＲ（ｐ）、ＸＢＲ（ｐ）、ＢＭＲ（ｐ）、ＸＢＭＲ（ｐ）を形成する。
【０１３４】
この実施の形態においては、シフトレジスタＳＦＡＬ、ＳＦＢＬ、ＳＦＡＲおよびＳＦＢＲは、互いに同期して動作するように、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＲは同期して、同じ周波数にされている。また、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、駆動電極を指定する選択情報として、ハイレベルのスタート信号が用いられ、駆動電極の非選択を指定する非選択情報として、ロウレベルのスタート信号が用いられる。
【０１３５】
例えば、シフトレジスタＳＦＡＬの初段にハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬを供給し、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬを変化させると、ハイレベルのスタート信号が、シフト段ＦＡＬ（０）に取り込まれ、出力される。これにより、シフト段ＦＡＬ（０）に対応した駆動電極ＴＬ（０）の選択が指定されることになる。ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬを供給したあと、ロウレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬをフト段ＦＡＬ（０）に供給し、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬを変化させると、先に取り込まれたハイレベルのスタート信号は、次段のシフト段ＦＡＬ（１）に取り込まれ、出力される。これにより、シフト段ＦＡＬ（１）に対応した駆動電極ＴＬ（１）の選択が指定されることになる。このとき、シフト段ＦＡＬ（０）は、ロウレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬを取り込み、出力するため、駆動電極ＴＬ（０）は非選択が指定されることになる。このようにして、ハイレベルのスタート信号をシフトレジスタＳＦＡＬの初段に供給し、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬを変化させることにより、駆動電極の選択を順次指定することが可能となる。また、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬを連続的に、シフトレジスタＳＦＡＬの初段に供給することにより、隣り合った複数の駆動電極を指定することが可能となる。
【０１３６】
シフトレジスタＳＦＡＬを例にして説明したが、シフトレジスタＳＦＢＬ、ＳＦＡＲおよびＳＦＢＲについても同様である。
【０１３７】
図７および図８で説明したように、磁界タッチ検出のとき、この実施の形態においては、スキャナ回路ＳＣＡＬとＳＣＢＲが対となり、スキャナ回路ＳＣＢＬとＳＣＡＲが対となる。磁界タッチ検出のときには、対となるスキャナ回路ＳＣＡＬとＳＣＢＲによって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、磁界を発生する１個あるいは複数の駆動電極が指定され、対となるスキャナ回路ＳＣＢＬとＳＣＡＲによって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、磁界を発生する１個あるいは複数の駆動電極が指定される。スキャナ回路ＳＣＡＬ、ＳＣＢＬ、ＳＣＡＲおよびＳＣＢＲによる駆動電極の指定は、シフトレジスタＳＦＡＬ、ＳＦＢＬ、ＳＦＡＲおよびＳＦＢＲからのスタート信号に基づいて行われる。
【０１３８】
例えば、同じタイミングで、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬとハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＢＲを、シフトレジスタＳＦＡＬとシフトレジスタＳＦＢＲに供給する。シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＢＲを変化させることにより、ハイレベルのスタート信号は、シフトレジスタＳＦＡＬおよびＳＦＢＲを移動する。このとき、シフトレジスタＳＦＡＬとＳＦＢＲは、同じ駆動電極を指定することになる。同様に、同じタイミングで、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＲとハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＢＬを、シフトレジスタＳＦＡＲとシフトレジスタＳＦＢＬに供給する。シフトクロック信号ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＬを変化させることにより、ハイレベルのスタート信号は、シフトレジスタＳＦＡＲおよびＳＦＢＬを移動する。このとき、シフトレジスタＳＦＡＲとＳＦＢＬは、同じ駆動電極を指定することになる。これにより、対となるスキャナ回路によって、同じ駆動電極を指定することが可能となる。
【０１３９】
また、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＲが同期して、同じ周波数になっているため、例えば、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＲおよびＳＴ−ＢＬをシフトレジスタに供給するタイミングを、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬおよびＳＴ−ＢＲをシフトレジスタに供給するタイミングに比べて遅くすることにより、スキャナ回路ＳＣＡＬとＳＣＢＲによって指定される駆動電極と、スキャナ回路ＳＣＡＲとＳＣＢＬによって指定される駆動電極との間に、非選択の駆動電極が挟まれるようにすることができる。これにより、図６で説明したように、非選択の駆動電極の領域において磁界が重畳されるようにすることができる。また、この場合、連続してハイレベルのスタート信号が取り込まれるようにすることにより、図６で説明したように、束駆動電極で磁界が発生するようにすることができる。
【０１４０】
電界タッチ検出のときには、磁界タッチ検出と異なり、スキャナ回路ＳＣＡＬとＳＣＡＲが対とされ、電界を発生する駆動電極を指定する。この場合には、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬおよびＳＴ−ＡＲが、同じタイミングで、シフトレジスタＳＦＡＬおよびＳＦＡＲの初段に供給される。シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＡＲが変化することにより、ハイレベルのスタート信号が、シフトレジスタＳＦＡＬおよびＳＦＡＲを移動する。これにより、電界タッチ検出のときには、シフトレジスタＳＦＡＬおよびＳＦＡＲの両方が、同じ駆動電極を指定することになり、スキャナ回路ＳＣＡＬとＳＣＡＲが、同じ駆動電極を指定することが可能となる。
【０１４１】
図１０は、実施の形態に係わるスキャナ回路が有するロジック回路ＬＧ１およびＬＧ２の構成を示すブロック図である。図１０（Ａ）は、ロジック回路ＬＧ１の構成を示しており、図１０（Ｂ）は、ロジック回路ＬＧ２の構成を示している。
【０１４２】
ロジック回路ＬＧ１は、シフト段（ＦＡＬ（０）〜ＦＡＬ（ｐ）およびＦＡＲ（０）〜ＦＡＲ（ｐ））のそれぞれに１対１で対応した複数の単位ロジック回路ＬＧ１Ｕを備えている。単位ロジック回路ＬＧ１Ｕの構成は、互いに同じであるため、図１０（Ａ）には、シフト段ＦＡＬ（ｎ）に対応した単位ロジック回路ＬＧ１Ｕの構成が示されている。
【０１４３】
単位ロジック回路ＬＧ１Ｕは、アンド回路ＡＮＤとインバータ回路ＩＶ１、ＩＶ２を有している。シフト段ＦＡＬ（ｎ）からのスタート信号は、第１選択信号ＡＬ（ｎ）として出力される。また、第１選択信号ＡＬ（ｎ）は、インバータ回路ＩＶ１によって位相反転され、第１選択信号ＸＡＬ（ｎ）として出力される。第１選択信号ＡＬ（ｎ）と、電界選択信号ＭＳＥＬとがアンド回路ＡＮＤに入力され、アンド回路ＡＮＤの出力が、第１選択信号ＡＭＬ（ｎ）として出力され、第１選択信号ＡＭＬ（ｎ）を、インバータ回路ＩＶ２で位相反転して得られた信号が、第１選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）として出力される。
【０１４４】
本明細書においては、位相反転された信号は、基の信号に、符合Ｘを付けることによって、区別している。また、説明の都合上、第１選択信号ＸＡＬ（ｎ）は、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）とも称する。同様に、第１選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）は、第１反転選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）とも称する。
【０１４５】
この実施の形態においては、制御装置３は、電界タッチ検出のとき、電界選択信号ＭＳＥＬをハイレベルにし、磁界タッチ検出のときに、電界選択信号ＭＳＥＬをロウレベルにする。磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときに、シフトレジスタＳＦＡＬのシフト段ＦＡＬ（ｎ）が、ハイレベルのスタート信号を出力していると、すなわち駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定していると、このシフト段ＦＡＬ（ｎ）に対応する単位ロジック回路ＬＧ１Ｕは、第１選択信号ＡＬ（ｎ）をハイレベルにし、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）をロウレベルにする。このとき、電界タッチ検出であれば、アンド回路ＡＮＤが、ハイレベルの第１選択信号ＡＬ（ｎ）を伝達するため、第１選択信号ＡＭＬ（ｎ）もハイレベルとなり、第１反転選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）はロウレベルとなる。これに対して、このときが、磁界タッチ検出であれば、第１選択信号ＡＬ（ｎ）の論理値とは無関係に、第１選択信号ＡＭＬ（ｎ）はロウレベルとなり、第１反転選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）はハイレベルとなる。
【０１４６】
また、シフトレジスタＳＦＡＬのシフト段ＦＡＬ（ｎ）が、ロウレベルのスタート信号を出力している場合、すなわち駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択を指定している場合、第１選択信号ＡＬ（ｎ）およびＡＭＬ（ｎ）はロウレベルとなり、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）およびＸＡＭＬ（ｎ）はハイレベルとなる。
【０１４７】
ロジック回路ＬＧ２も、シフト段（ＦＢＬ（０）〜ＦＢＬ（ｐ）およびＦＢＲ（０）〜ＦＢＲ（ｐ））のそれぞれに１対１で対応した複数の単位ロジック回路ＬＧ２Ｕを備えている。単位ロジック回路ＬＧ２Ｕの構成も、互いに同じであるため、図１０（Ｂ）には、シフト段ＦＢＬ（ｎ）に対応した単位ロジック回路ＬＧ２Ｕの構成が示されている。
【０１４８】
単位ロジック回路ＬＧ２Ｕは、インバータ回路ＩＶ３を備えており、対応するシフト段ＦＢＬ（ｎ）からのスタート信号を、第１選択信号ＢＬ（ｎ）として出力する。また、単位ロジック回路ＬＧ２Ｕは、第１選択信号ＢＬ（ｎ）をインバータ回路ＩＶ３で位相反転し、第１反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）として出力する。そのため、対応するシフト段ＦＢＬ（ｎ）から、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定するハイレベルのスタート信号が出力されているときに、単位ロジック回路ＬＧ２Ｕは、ハイレベルの第１選択信号ＢＬ（ｎ）とロウレベルの第１反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）を出力することになる。一方、シフト段ＦＢＬ（ｎ）から、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択を指定するロウレベルのスタート信号が出力されているときに、単位ロジック回路ＬＧ２Ｕは、ロウレベルの第１選択信号ＢＬ（ｎ）とハイレベルの第１反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）を出力することになる。
【０１４９】
後で図１１を用いて説明するが、上記した第１選択信号ＡＭＬ（ｎ）および第１反転選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）は、上記した第１電界選択信号および第２電界選択信号を形成するのに用いられる。そのため、以下では、第１選択信号ＡＭＬ（ｎ）は、電界用選択信号ＡＭＬ（ｎ）とも称し、第１反転選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）は、電界用反転選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）とも称する。また、上記した第１選択信号ＡＬ（ｎ）および第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）は、上記した第１磁界選択信号および第２磁界選択信号を形成するのに用いられる。そのため、以下では、第１選択信号ＡＬ（ｎ）は、磁界用選択信号ＡＬ（ｎ）とも称し、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）は、磁界用反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）とも称する。
【０１５０】
＜＜第１選択回路および第２選択回路＞＞
図１１および図１２は、実施の形態に係わる第１選択回路ＳＥＬＬおよび第２選択回路ＳＥＬＲの構成を示す回路図である。既に述べたように、第１選択回路ＳＥＬＬは、複数の第１単位選択回路ＳＥＬ（０）〜ＳＥＬ（ｐ）によって構成され、第２選択回路ＳＥＬＲは、複数の第２単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）によって構成されている。
【０１５１】
第１単位選択回路ＳＥＬ（０）〜ＳＥＬ（ｐ）は、図９（Ａ）に示したシフト段ＦＡＬ（０）〜ＦＡＬ（ｐ）と、図９（Ｂ）に示したシフト段ＦＢＬ（０）〜ＦＢＬ（ｐ）に対応している。例えば、第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）は、シフト段ＦＡＬ（ｎ）とシフト段ＦＢＬ（ｎ）に対応し、シフト段ＦＡＬ（ｎ）に対応した単位ロジック回路ＬＧ１Ｕを介して、シフト段ＦＡＬ（ｎ）に結合され、さらにシフト段ＦＢＬ（ｎ）に対応した単位ロジック回路ＬＧ２Ｕを介して、シフト段ＦＢＬ（ｎ）に結合されている。また、第２単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）は、図９（Ａ）に示したシフト段ＦＡＲ（０）〜ＦＡＲ（ｐ）と、図９（Ｂ）に示したシフト段ＦＢＲ（０）〜ＦＢＲ（ｐ）に対応している。第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）を例にして述べると、この第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、シフト段ＦＡＲ（ｎ）とシフト段ＦＢＲ（ｎ）に対応し、シフト段ＦＡＲ（ｎ）に対応した単位ロジック回路ＬＧ１Ｕを介して、シフト段ＦＡＲ（ｎ）に結合され、さらにシフト段ＦＢＲ（ｎ）に対応した単位ロジック回路ＬＧ２Ｕを介して、シフト段ＦＢＲ（ｎ）に結合されている。残りの第１単位選択回路および第２単位選択回路についても、同様に単位ロジック回路ＬＧ１Ｕ、ＬＧ２Ｕを介して、対応するシフト段に結合されている。
【０１５２】
複数の第１単位選択回路は互いに同じ構成を有しているため、図１１には、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応した第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）の構成が示されている。また、複数の第２単位選択回路は互いに同じ構成を有しているため、図１２には、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応した第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）の構成が示されている。また、説明の都合上、図１１には、第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）に対応した第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）の構成も示され、図１２には、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）に対応した第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）の構成も示されている。
【０１５３】
次に、図１１に示した第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）を例にして、第１単位選択回路の構成を説明する。なお、第１単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）については、図７で説明しているので、詳しい説明は省略する。
【０１５４】
第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）は、特に制限されないが、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）および第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）を形成する磁界選択信号形成部と、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）および第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）を形成する電界選択信号形成部とを備えている。ここで、磁界選択信号形成部は、シフト段ＦＡＬ（ｎ）に対応する単位ロジック回路ＬＧ１Ｕから出力される磁界選択信号ＡＬ（ｎ）および反転磁界選択信号ＸＡＬ（ｎ）とシフト段ＦＢＬ（ｎ）に対応する単位ロジック回路ＬＧ２Ｕから出力される磁界選択信号ＢＬ（ｎ）および反転磁界選択信号ＸＢＬ（ｎ）に基づいて、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）および第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）を形成する。一方、電界選択信号形成部は、シフト段ＦＡＬ（ｎ）に対応する単位ロジック回路ＬＧ１Ｕから出力される電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）および反転電界選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）に基づいて、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）および第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）を形成する。
【０１５５】
上記した磁界選択信号形成部は、Ｎチャンネル型電界効果トランジスタ（以下、Ｎ型トランジスタとも称する）Ｎ１〜Ｎ８、Ｐ型トランジスタＰ１〜Ｐ６およびインバータ回路ＩＶ４〜ＩＶ６を有している。また、電界選択信号形成部は、Ｎ型トランジスタＮ１０〜Ｎ１２、Ｐ型トランジスタＰ１０、Ｐ１１およびインバータ回路ＩＶ７〜ＩＶ９を有している。
【０１５６】
先ず、磁界選択信号形成部について説明する。Ｎ型トランジスタＮ１とＰ型トランジスタＰ１とは、それぞれのソース・ドレイン経路が並列になるように並列接続され、転送スイッチＴＦ１を構成している。Ｎ型トランジスタＮ２〜Ｎ６とＰ型トランジスタＰ２〜Ｐ６も、Ｎ型トランジスタＮ１とＰ型トランジスタＰ１と同様に、それぞれのソース・ドレイン経路が並列となるように並列接続され、転送スイッチＴＦ２〜ＴＦ６を構成している。
【０１５７】
転送スイッチＴＦ１、ＴＦ２を構成するＮ型トランジスタＮ１、Ｎ２のゲートには、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）が供給され、Ｐ型トランジスタＰ１、Ｐ２のゲートには、反転磁界選択信号ＸＡＬ（ｎ）が供給されている。また、転送スイッチＴＦ３、ＴＦ４を構成するＮ型トランジスタＮ３、Ｎ４のゲートには、磁界選択信号ＢＬ（ｎ）が供給され、Ｐ型トランジスタＰ３、Ｐ４のゲートには、反転磁界選択信号ＸＢＬ（ｎ）が供給されている。
【０１５８】
転送スイッチＴＦ１の出力とＴＦ３の出力は共通に、インバータ回路ＩＶ４の入力に接続されており、転送スイッチＴＦ１の入力には、制御装置３によって形成された状態選択信号ＶＳＥＬ１が供給され、転送スイッチＴＦ２の入力には、制御装置３によって形成された状態選択信号ＶＳＥＬ２が供給されている。この実施の形態において、制御装置３は、磁界タッチ検出のとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１の電圧とＶＳＥＬ２の電圧を周期的に変化させる。この場合、状態選択信号ＶＳＥＬ１の電圧とＶＳＥＬ２の電圧が、相補的になるように変化させる。すなわち、状態選択信号ＶＳＥＬ１がハイレベル（またはロウレベル）のとき、状態選択信号ＶＳＥＬ２はロウレベル（またはハイレベル）となるように変化させる。
【０１５９】
磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定する場合、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）またはＢＬ（ｎ）がハイレベルとなる。そのため、磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）が指定されていると、転送スイッチＴＦ１またはＴＦ２がオン状態となり、状態選択信号ＶＳＥＬ１またはＶＳＥＬ２が、インバータ回路ＩＶ４に供給されることになる。このインバータ回路ＩＶ４の出力が、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）となる。そのため、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（ｎ）が指定されると、状態選択信号ＶＳＥＬ１またはＶＳＥＬ２の電圧変化を、インバータ回路ＩＶ４で反転して形成された信号が、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）として出力されることになる。
【０１６０】
また、転送スイッチＴＦ２の出力と転送スイッチＴＦ４の出力が、共通にインバータ回路ＩＶ５の入力に接続されている。また、転送スイッチＴＦ２の入力には、状態選択信号ＶＳＥＬ２が供給され、転送スイッチＴＦ４の入力には、状態選択信号ＶＳＥＬ１が供給されている。磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択が指定されると、転送スイッチＴＦ２またはＴＦ４がオン状態となる。これにより、インバータ回路ＩＶ５の入力には、状態選択信号ＶＳＥＬ２またはＶＳＥＬ１が供給されることになる。供給されている状態選択信号ＶＳＥＬ２またはＶＳＥＬ１は、インバータ回路ＩＶ５によって反転され、反転により得られた信号が、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）として、インバータ回路ＩＶ５から出力されることになる。
【０１６１】
すなわち、磁界タッチ検出のときに、スキャナ回路ＡＣＡＬで駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択が指定されると、状態選択信号ＶＳＥＬ１が反転された信号が、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）として出力され、状態選択信号ＶＳＥＬ２が反転された信号が、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）として出力されることになる。これに対して、磁界タッチ検出のときに、スキャナ回路ＡＣＢＬで駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択が指定されると、状態選択信号ＶＳＥＬ２が反転された信号が、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）として出力され、状態選択信号ＶＳＥＬ１が反転された信号が、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）として出力されることになる。
【０１６２】
状態選択信号ＶＳＥＬ１の電圧とＶＳＥＬ２の電圧は、相補的に変化するため、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３と磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ２とが、交互にオン状態（導通状態）となる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３または磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３を介して、電気的に信号配線ＴＳＶＬまたはＴＰＬＬに接続されることになる。
【０１６３】
Ｎ型トランジスタＮ７とＮ８は、それぞれのソース・ドレイン経路が、インバータ回路ＩＶ４の入力と所定の電圧ＶＧＬＯとの間で直列となるように、接続されている。ここで、所定の電圧ＶＧＬＯは、論理値のロウレベルに相当する電圧である。また、Ｎ型トランジスタＮ７のゲートには、反転磁界選択信号ＸＡＬ（ｎ）が供給され、Ｎ型トランジスタＮ８のゲートには、反転磁界選択信号ＸＢＬ（ｎ）が供給されている。スキャナ回路ＳＣＡＬおよびＳＣＢＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択を指定するとき、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）およびＢＬ（ｎ）は、ロウレベルとなる。言い換えるならば、反転磁界選択信号ＸＡＬ（ｎ）およびＸＢＬ（ｎ）はハイレベルとなる。そのため、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択が指定されると、Ｎ型トランジスタＮ７およびＮ８がオン状態となる。これにより、インバータ回路ＩＶ４の入力には、ロウレベルに相当する所定の電圧ＶＧＬＯが供給され、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）はハイレベルとなる。その結果、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３は、駆動電極ＴＬ（ｎ）が非選択のとき、オフ状態となる。
【０１６４】
転送スイッチＴＦ５の入力には、制御信号ＣＯＭＦＬが供給され、転送スイッチＴＦ５の出力は、転送スイッチＴＦ６の入力に接続され、転送スイッチＴＦ６の出力はインバータ回路ＩＶ６の入力に接続されている。また、インバータ回路ＩＶ６の出力は、インバータ回路ＩＶ５の入力接続されている。
【０１６５】
制御装置３は、磁界タッチ検出のとき、制御信号ＣＯＭＦＬをハイレベルにし、表示のときと電界タッチ検出のときに、制御信号ＣＯＭＦＬをロウレベルにする。転送スイッチＴＦ５を構成するＮ型トランジスタＮ５のゲートには、反転磁界選択信号ＸＡＬ（ｎ）が供給され、Ｐ型トランジスタＰ５のゲートには、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）が供給されている。また、転送スイッチＴＦ６を構成するＮ型トランジスタＮ６のゲートには、反転磁界選択信号ＸＢＬ（ｎ）が供給され、Ｐ型トランジスタＰ６のゲートには、磁界選択信号ＢＬ（ｎ）が供給されている。
【０１６６】
そのため、転送スイッチＴＦ５は、スキャナ回路ＳＣＡＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択を指定しているときにオン状態となる。また、転送スイッチＴＦ６は、スキャナ回路ＳＣＢＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択を指定しているときにオン状態となる。その結果、磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択が指定されている場合、制御信号ＣＯＭＦＬが、転送スイッチＴＦ５およびＴＦ６を介して、インバータ回路ＩＶ６の入力に供給されることになる。磁界タッチ検出のとき、制御信号ＣＯＭＦＬはハイレベルとなるため、インバータ回路ＩＶ６はロウレベルを出力し、インバータ回路ＩＶ５は、ハイレベルの第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）を出力することになる。これにより、磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択が指定されていると、磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３もオフ状態となる。
【０１６７】
次に、電界選択信号形成部について説明する。Ｎ型トランジスタＮ１０、Ｎ１１およびＰ型トランジスタＰ１０、Ｐ１１は、Ｎ型トランジスタＮ１およびＰ型トランジスタＰ１と同様に、それぞれのソース・ドレイン経路が並列となるように並列接続され、転送スイッチＴＦ１０、ＴＦ１１を構成している。転送スイッチＴＦ１０を構成するＮ型トランジスタＮ１０のゲートには、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）が供給され、Ｐ型トランジスタＰ１０のゲートには、反転電界選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）が供給されている。また、転送スイッチＴＦ１１を構成するＮ型トランジスタＮ１１のゲートには、反転電界選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）が供給され、Ｐ型トランジスタＰ１１のゲートには、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）が供給されている。
【０１６８】
転送スイッチＴＦ１０の入力には、状態選択信号ＶＳＥＬ１が供給され、その出力は、インバータ回路ＩＮ７の入力に接続されている。このインバータ回路ＩＶ７の入力と所定の電圧ＶＧＬＯとの間には、そのソース・ドレイン経路が直列となるよう、Ｎ型トランジスタＮ１２が接続されており、このＮ型トランジスタＮ１２のゲートには、反転電界選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）が供給されている。このインバータ回路ＩＶ７の出力が、第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）として、電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２のゲートに供給されている。
【０１６９】
転送スイッチＴＦ１１の入力には、制御信号ＣＯＭＦＬが供給され、その出力は、直列接続されたインバータ回路ＩＶ８、ＩＶ９の初段のインバータ回路ＩＶ８の入力に接続されている。直列接続されたインバータ回路の後段のインバータ回路ＩＶ９からの出力が、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）として、電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２のゲートに供給されている。
【０１７０】
磁界タッチ検出のときには、図１０で説明したように、電界選択信号ＭＳＥＬがロウレベルとなるため、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）はロウレベルとなり、反転電界選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）はハイレベルとなる。これにより、転送スイッチＴＦ１０はオフ状態となり、Ｎ型トランジスタＮ１２はオン状態となる。その結果、インバータ回路ＩＶ７の入力には、Ｎ型トランジスタＮ１２を介して、論理値のロウレベルに相当する所定の電圧ＶＧＬＯが供給され、インバータ回路ＩＶ７は、ハイレベルの第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）を出力し、電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２はオフ状態となる。このとき、転送スイッチＴＦ１１はオン状態となり、この転送スイッチＴＦ１１を介して、ハイレベルの制御信号ＣＯＭＦＬがインバータ回路ＩＶ８の入力に供給される。その結果、インバータ回路ＩＶ９は、ハイレベルの第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）を出力し、電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２はオフ状態となる。
【０１７１】
すなわち、磁界タッチ検出のときには、選択および非選択の指示とは無関係に、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）および第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）は、ともにハイレベルとなり、電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２、ＭＨＬ１およびＭＨＬ２はオフ状態となる。
【０１７２】
電界タッチ検出においては、既に述べたように、スキャナ回路ＳＣＡＬとＳＣＡＲによって、駆動電極が指定される。電界タッチ検出のときに、スキャナ回路ＳＣＡＬにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択が指定されると、図１０から理解されるように、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）だけでなく、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）もハイレベルとなる。電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）がハイレベルとなることにより、転送スイッチＴＦ１０がオン状態となり、状態選択信号ＶＳＥＬ１が転送スイッチＴＦ１０を介して、インバータ回路ＩＶ７の入力に供給される。
【０１７３】
制御装置３は、磁界タッチ検出のときには、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２を周期的に変化させるが、電界タッチ検出のときには、状態選択信号ＶＳＥＬ２を、接地電圧のような第１電圧Ｖｓ（論理値のロウレベルに相当）にし、状態選択信号ＶＳＥＬ１を、第１電圧Ｖｓよりも絶対値が大きな第２電圧Ｖｄ（論理値のハイレベルに相当）にする。また、先に述べたように、制御装置３は、電界タッチ検出のとき、駆動信号ＴＳＶの電圧を周期的に変化させる。
【０１７４】
その結果、電界タッチ検出のときには、ハイレベルの状態選択信号ＶＳＥＬ１が電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２のゲートに供給されることになり、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２を介して、信号配線ＴＳＶＬに電気的に接続される。
【０１７５】
また、電界タッチ検出のときに、スキャナ回路ＳＣＡＬが駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定すると、上記したように、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）もハイレベルとなる。その結果、上記した転送スイッチＴＦ１、ＴＦ２もオン状態となる。この場合、インバータ回路ＩＶ５の入力には、転送スイッチＴＦ２を介してロウレベルに相当する第１電圧Ｖｓを有する状態選択信号ＶＳＥＬ２が供給されるため、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）はハイレベルとなり、磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３はオフ状態となる。これに対して、インバータ回路ＩＶ４の入力には、転送スイッチＴＦ１を介してハイレベルに相当する第２電圧Ｖｄを有する状態選択信号ＶＳＥＬ１が供給されるため、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。その結果、信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間に接続された磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３はオン状態となり、信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）とは、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３によっても、電気的に接続されることになる。
【０１７６】
このように、電界タッチ検出においては、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電信号ＴＳＶを供給する信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された磁界用トランジスタと電界用トランジスタがともにオン状態となり、電気的に接続されることになる。
【０１７７】
なお、電界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）の非選択が指定されている場合には、転送スイッチＴＦ１１がオン状態となり、ロウレベルの制御信号ＣＯＭＦＬが、転送スイッチＴＦ１１を介して、インバータ回路ＩＶ８の入力に供給される。これにより、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルとなり、電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２がオン状態となり、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、所定の第１電圧Ｖｓが供給されている信号配線ＴＰＬＬに電気的に接続されることになる。また、このとき、磁界選択信号ＢＬ（ｎ）もロウレベルとなるようにすることにより、転送スイッチＴＦ５およびＴＦ６がオン状態となり、信号配線ＴＰＬＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）との間に接続された磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３をオン状態にすることができ、これらの磁界用トランジスタによっても、駆動電極ＴＬ（ｎ）を信号配線ＴＰＬＬに電気的に接続することが可能となる。
【０１７８】
このようにして、電界タッチ検出のときに、非選択となる駆動電極を、所定の第１電圧Ｖｓに接続することにより、ノイズの発生を低減することが可能となる。
【０１７９】
また、磁界タッチ検出のときには、非選択となる駆動電極に接続された磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３、ＳＧＬ１〜ＳＧＬ３および電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２、ＭＧＬ１、ＭＧＬ２は、上記したように、オフ状態となる。そのため、磁界タッチ検出のときには、非選択となる駆動電極をフローティング状態にすることが可能となり、充放電する寄生容量を低減することが可能となる。
【０１８０】
図１２に示した第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、図１１に示した第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）と類似している。相違点は、スキャナ回路ＳＣＡＬの代わりにスキャナ回路ＳＣＡＲから磁界選択信号ＡＲ（ｎ）、反転磁界選択信号ＸＡＲ（ｎ）、電界選択信号ＡＭＲ（ｎ）および反転電界選択信号ＸＡＭＴ（ｎ）が供給され、スキャナ回路ＳＣＢＬの代わりにスキャナ回路ＳＣＢＲから磁界選択信号ＢＲ（ｎ）および反転磁界選択信号ＸＢＲ（ｎ）が供給されていることである。また、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）の代わりに第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｒ（ｎ）を形成し、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）の代わりに第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｒ（ｎ）を形成する。さらに、第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）の代わりに第１電界選択信号ＭＧ＿Ｒ（ｎ）を形成し、第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）の代わりに第２電界選択信号ＭＨ＿Ｒ（ｎ）を形成する。第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）の動作は、第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）の動作と同じであるため、説明は省略する。
【０１８１】
例えば、磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）を、スキャナ回路ＳＣＡＬとスキャナ回路ＳＣＢＲとによって指定した場合、図１１に示した転送スイッチＴＦ１、ＴＦ２がオン状態となり、図１２に示した転送スイッチＴＦ３、ＴＦ４がオン状態となる。このとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１がハイレベルであれば、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３がオン状態になり、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＰＬＲとの間に接続された磁界用トランジスタＳＧＲ１〜ＳＧＲ３がオン状態となる。これにより、一方の端部ｎ１から他方の端部ｎ２へ向かう方向の電流が流れ、磁界が発生する。一方、状態選択信号ＶＳＥＬ２がハイレベルになれば、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３がオン状態になり、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲとの間に接続された磁界用トランジスタＳＨＲ１〜ＳＨＲ３がオン状態となる。これにより、他方の端部ｎ２から他方の端部ｎ１へ向かう方向の電流が流れ、磁界が発生することになる。
【０１８２】
また、電界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された磁界発生用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３および電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２がオン状態になる。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲとの間に接続された磁界発生用トランジスタＳＨＲ１〜ＳＨＲ３および電界用トランジスタＭＨＲ１、ＭＨＲ２がオン状態になる。これにより、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに供給される駆動信号ＴＳＶの変化に従って、駆動電極ＴＬ（ｎ）の発生する電界が変化する。
【０１８３】
表示のときには、スキャナ回路ＳＣＡＬ、ＳＣＢＬ、ＳＣＡＲおよびＳＣＢＲのそれぞれから出力される磁界選択信号および電界選択信号が、ロウレベルとなるようにする。これにより、反転磁界選択信号および反転電界選択信号は、ハイレベルとなる。また、制御信号ＣＯＭＦＬは、先に述べたように、表示のときにはロウレベルにする。これにより、駆動電極と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲとの間に接続された磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタがオン状態となり、駆動電極と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲとが電気的に接続されることになる。このとき、制御装置３は、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲに供給される駆動信号ＴＰＬを、表示用の駆動信号にする。これにより、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに、表示に適した電圧を供給することが可能となる。
【０１８４】
なお、表示のときに、スキャナ回路ＳＣＡＬ、ＳＣＢＬ、ＳＣＡＲおよびＳＣＢＲのそれぞれから出力される磁界選択信号および電界選択信号が、ロウレベルにする構成としては、例えば同期信号ＴＳＨＤ（図４）によって、スキャナ回路を制御すればよい。勿論、この構成に限定されるものではない。
【０１８５】
＜表示装置１の動作＞
＜＜磁界タッチ検出および表示＞＞
図１３は、実施の形態に係わる表示装置１の動作を示す波形図である。同図には、表示と磁界タッチ検出が交互に行われているときの波形図が示されている。図１３において、ＴＰ（１）〜ＴＰ（３）は、磁界タッチ検出期間を示し、ＤＰは、表示期間を示している。ここでは、磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）において、スキャナ回路ＳＣＡＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）を指示し、磁界タッチ検出期間ＴＰ（３）において、スキャナ回路ＳＣＢＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）を指示している場合が示されている。磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）およびＴＰ（３）において、ＴＧＤは、磁界発生期間を示し、ＴＤＤは、磁界検出期間を示している。
【０１８６】
制御装置３は、時刻ｔ１において、制御信号ＣＯＭＦＬをハイレベルに変化させて、磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）を開始する。また、制御装置３は、磁界発生期間ＴＧＤにおいて、状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２を周期的に変化させる。この場合、状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２のハイレベルが重ならないように、変化させる。さらに、制御装置３内の駆動信号回路６は、第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶと、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを形成して、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲのそれぞれの端部ｎＶＬ、ｎＶＲ、ｎＬＬ、ｎＬＲ（図７、図８）に供給し、制御装置３は、ロウレベルＬの電界選択信号ＭＳＥＬを出力する。
【０１８７】
スキャナ回路ＳＣＡＬのシフト段ＦＡＬ（ｎ）が、ハイレベルのスタート信号を出力することにより、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）が、ロウレベルからハイレベルへ変化する。このとき、スキャナ回路ＳＣＢＬは、ロウレベルの磁界選択信号ＢＬ（ｎ）を出力している。また、電界選択信号ＭＳＥＬがロウレベルであるため、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）はロウレベルとなる。
【０１８８】
磁界発生期間ＴＧＤにおいて、状態選択信号ＶＳＥＬ１がハイレベルへ変化することにより、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルへ変化し、状態選択信号ＶＳＥＬ２がハイレベルへ変化することにより、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルへ変化する。これにより、上記したように、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３と磁界用トランジスタＳＧＲ１〜ＳＧＲ３とが、交互にオン状態となる。その結果、駆動電極ＴＬＬ（ｎ）は、信号配線ＴＳＶＬとＴＰＬＬとに、交互に電気的に接続される。これによって、駆動電極ＴＬ（ｎ）に、交互に方向が変化する電流が流れ、磁界が発生する。
【０１８９】
磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）においては、電界選択信号ＭＳＥＬがロウレベルＬとなっているため、反転電界選択信号ＸＡＭＬ（ｎ）がハイレベルとなり、制御信号ＣＯＭＦＬがハイレベルのため、図１１で説明したように、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）および第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）は、ともにハイレベルとなる。これにより、図１１に示した電界用トランジスタＭＧＬ１、ＭＧＬ２、ＭＨＬ１、ＭＨＬはオフ状態となる。
【０１９０】
このようにして、磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）の磁界発生期間ＴＧＤにおいては、３個の磁界用トランジスタによって、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、信号配線ＴＳＶＬまたはＴＰＬＬに電気的に接続され、磁界を発生する。
【０１９１】
磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）の磁界検出期間ＴＤＤにおいては、図２で説明したように、ペンＰｅｎからの磁界が検出電極によって検出される。
【０１９２】
表示期間ＤＰにおいては、制御装置３は、制御信号ＣＯＭＦＬ、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２および電界選択信号ＭＳＥＬをロウレベルにし、駆動信号ＴＰＬを表示に適した電圧（図では第１電圧Ｖｓ）にする。表示期間ＤＰにおいては、スキャナ回路ＳＣＡＬ、ＳＣＢＬ、ＳＣＡＲおよびＳＣＢＲは、駆動電極の選択を指定しないため、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）およびＢＬ（ｎ）はロウレベルとなる。また、電界選択信号ＭＳＥＬがロウレベルとなるため、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）もロウレベルとなる。
【０１９３】
これにより、図１１および図１２に示した転送スイッチＴＦ５、ＴＦ６およびＴＦ１１がオン状態となり、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）および第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルとなり、駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲとの間に接続された磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタがオン状態となる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲに電気的に接続され、表示に適した駆動信号ＴＰＬが供給されることになる。表示期間においては、画素が有する画素電極に信号線から画像信号が供給され、駆動電極に供給されている駆動信号ＴＰＬの電圧と画素電極に供給されている画像信号との電圧差に応じた表示が行われる。
【０１９４】
次の磁界タッチ検出期間ＴＰ（２）においては、別の駆動電極（例えば、ＴＬ（ｎ＋１））が磁界を発生し、ペンＰｅｎの検出が行われる。この磁界タッチ検出期間ＴＰ（２）においては、スキャナ回路ＳＣＡＬおよびＳＣＢＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定しないため、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）およびＢＬ（ｎ）はロウレベルとなり、図示しない反転磁界選択信号ＸＡＬ（ｎ）およびＸＢＬ（ｎ）はハイレベルとなる。これにより、図１１および図１２に示したＮ型トランジスタＮ７、Ｎ８、Ｎ１２および転送スイッチＴＦ５、ＴＦ６およびＴＦ１１がオン状態となる。このとき、所定の電圧ＶＧＬＯは論理値のロウレベルに相当する電圧（Ｖｓ）であり、制御信号ＣＯＭＦＬはハイレベルであるため、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）、第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）および第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）はハイレベルとなり、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲから分離され、フローティング状態となる。
【０１９５】
磁界タッチ検出期間ＴＰ（２）のあと、表示期間ＤＰを経過して、磁界タッチ検出期間ＴＰ（３）に到達すると、スキャナ回路ＳＣＢＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定する。すなわち、磁界選択信号ＢＬ（ｎ）がハイレベルになり、磁界選択信号ＡＬ（ｎ）はロウレベルの状態を維持する。これにより、磁界発生期間ＴＧＤにおいては、図１１に示した転送スイッチＴＦ１、ＴＦ２の代わりに転送スイッチＴＦ３、ＴＦ４がオン状態となり、状態選択信号ＶＳＥＬ２、ＶＳＥＬ１に従って、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）が変化し、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３と磁界用トランジスタＳＧＬ１〜ＳＧＬ３とが交互にオン状態となり、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、信号配線ＴＳＶＬとＴＰＬＬとに交互に電気的に接続されることになる。その他の動作は、磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）と同じであるため、説明は省略する。
【０１９６】
また、図１３に示した磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）においては、スキャナ回路ＳＣＢＲが、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定する。これにより、図１２に示した第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）および第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）は、図１３に示した磁界タッチ検出期間ＴＰ（３）と同様な動作を行う。また、図１３に示した表示期間ＤＰにおいては、図１２に示した第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）および第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）は、図１３に示した表示期間ＤＰと同様な動作を行う。さらに、図１３に示した磁界タッチ検出期間ＴＰ（３）においては、スキャナ回路ＳＣＡＲが、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を指定する。これにより、図１２に示した第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）および第２単位駆動回路ＤＲＲ（ｎ）は、図１３に示した磁界タッチ検出期間ＴＰ（１）と同様な動作を行う。
【０１９７】
以降、上記した動作が繰り返され、ペンＰｅｎの検出と表示が、交互に行われる。
【０１９８】
＜＜電界タッチ検出および表示＞＞
図１４は、実施の形態に係わる表示装置１の動作を示す波形図である。同図には、表示と電界タッチ検出が交互に行われているときの波形図が示されている。図１４において、ＴＣ（１）〜ＴＣ（３）は、電界タッチ検出の期間（以下、電界タッチ検出期間とも称する）を示し、ＤＰは、表示期間を示している。ここでは、電界タッチ検出期間ＴＣ（１）において、スキャナ回路ＳＣＡＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）を指示している場合が示されている。表示期間ＤＰの動作は、図１３で説明しているので、ここでは省略する。
【０１９９】
電界タッチ検出期間ＴＣ（１）〜ＴＣ（３）のとき、制御装置３は、制御信号ＣＯＭＦＬをロウレベルにし、これらの電界タッチ検出期間において、電界選択信号ＭＳＥＬがハイレベルとなるよう、電界選択信号ＭＳＥＬの電圧を制御する。また、制御装置３は、電界タッチ検出期間のとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１をハイレベルにし、状態選択信号ＶＳＥＬ２をロウレベルＬに維持する。さらに、制御装置３内の駆動信号回路６は、電界タッチ検出期間のとき、駆動信号ＴＳＶの電圧を周期的に変化させ、駆動信号ＴＰＬを第１電圧Ｖｓに維持する。
【０２００】
電界タッチ検出では、スキャナ回路ＳＣＡＬおよびＳＣＡＲが、選択する駆動電極を指定する。そのため、スキャナ回路ＳＣＢＬおよびＳＣＢＲは、駆動電極の非選択を示すロウレベルＬの磁界選択信号（図１４では、ＢＬ（ｎ））を出力する。図１４では、電界タッチ検出期間ＴＣ（１）において、駆動電極ＴＬ（ｎ）を選択するために、スキャナ回路ＳＣＡＬが、電界タッチ検出期間ＴＣ（１）の間、ハイレベルの磁界選択信号（第１選択信号）ＡＬ（ｎ）を出力している。
【０２０１】
磁界選択信号ＡＬ（ｎ）がハイレベルとなることにより、図１１に示した転送スイッチＴＦ１、ＴＦ２がオン状態となり、ハイレベルの状態選択信号ＶＳＥＬ１が、転送スイッチＴＦ１を介して、インバータ回路ＩＶ４に供給され、ロウレベルの状態選択信号ＶＳＥＬ２が、転送スイッチＴＦ２を介して、インバータ回路ＩＶ５に供給されることになる。その結果、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルとなり、駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３がオン状態となる。
【０２０２】
また、電界タッチ検出期間ＴＣ（１）のとき、電界選択信号ＭＳＥＬがハイレベルとなるため、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）がハイレベルとなる。これにより、図１１に示した転送スイッチＴＦ１０がオン状態となり、ハイレベルの状態選択信号ＶＳＥＬ１が、インバータＩＶ７に供給される。その結果、第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）がロウレベルとなり、駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２がオン状態となる。
【０２０３】
これにより、磁界用トランジスタＳＨＬ１〜ＳＨＬ３と電界用トランジスタＭＨＬ１、ＭＨＬ２とによって、信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（ｎ）とが電気的に接続されることになり、駆動電極ＴＬ（ｎ）には、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶが供給され、駆動信号ＴＳＶの電圧変化に従った電界が発生する。
【０２０４】
電界タッチ検出期間ＴＣ（２）およびＴＣ（３）においては、駆動電極ＴＬ（ｎ）は選択されないため、磁界選択信号（第１選択信号）ＡＬ（ｎ）もロウレベルとなる。その結果、電界選択信号ＡＭＬ（ｎ）もロウレベルとなり、表示期間ＤＰのときと同じように、第１磁界選択信号ＳＧ＿Ｌ（ｎ）と第１電界選択信号ＭＧ＿Ｌ（ｎ）は、ロウレベルとなり、第２磁界選択信号ＳＨ＿Ｌ（ｎ）と第２電界選択信号ＭＨ＿Ｌ（ｎ）は、ハイレベルとなる。これらの選択信号が、表示期間ＤＰと同じになるため、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、信号配線ＴＰＬＬに接続されることになる。
【０２０５】
電界タッチ検出期間ＴＣ（１）〜ＴＣ（３）においては、図２で説明したように、検出電極によって、電界の変化が検出され、指の近接が検出されることになる。以降、同様な電界タッチ検出と表示が交互に行われる。
【０２０６】
図１２に示した第２単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）も、図１１に示した第１単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）と同様な動作が行われる。
【０２０７】
図７および図８では、説明を容易にするために、１個の駆動電極で磁界を発生する場合を説明した。実際には、図６で説明したように、磁界が重畳される駆動電極を挟むように配置された複数の駆動電極のそれぞれが、図７および図８で説明したように駆動され、磁界を発生する。
【０２０８】
この実施の形態においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と駆動信号を供給する信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲとを電気的に接続するスイッチ（トランジスタ）の個数が、遠端に配置された駆動電極ＴＬ（０）を信号配線に電気的に接続するスイッチから、近端に配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）を信号配線に電気的に接続するスイッチに向けて、少なくなっている。これにより、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの抵抗が近端から遠端に向かって大きくなっても、磁界タッチ検出のときに、遠端に配置された駆動電極を流れる電流と、近端に配置された駆動電極を流れる電流との差を低減することが可能となる。その結果、磁界タッチ検出のときに、ペンＰｅｎに蓄積される電荷量が、駆動電極の位置に依存して変化するのを低減することが可能となり、検出感度が位置に依存して変化するのを低減することが可能となる。
【０２０９】
また、実施の形態においては、それぞれの駆動電極と信号配線との間に接続されたスイッチが、磁界用のスイッチ組と電界用のスイッチ組によって構成されている。駆動電極の配置に従って、磁界用のスイッチ組を構成する磁界用トランジスタと電界用のスイッチ組を構成する電界用トランジスタの個数比が設定される。すなわち、磁界用トランジスタは、遠端から近端に向けて、個数が少なくなるのに対して、電界用トランジスタは、近端から遠端に向けて個数が少なくなる。磁界タッチ検出のときには、磁界用トランジスタによって、駆動電極と信号配線とが電気的に接続されるため、遠端に配置された駆動電極を流れる電流と近端に配置された駆動電極を流れる電流との差を低減することが可能となる。
【０２１０】
一方、電界タッチ検出のときには、磁界用トランジスタと電界用トランジスタの両方によって、駆動電極と信号配線とが電気的に接続される。すなわち、磁界用トランジスタのオン抵抗と電界用トランジスタのオン抵抗が並列的に接続され、これらのトランジスタの合成抵抗によって、駆動電極と信号配線とが電気的に接続されることになる。これにより、電界タッチ検出のときに、駆動電極の位置によって、合成抵抗の値が大きく変わるのを抑制することが可能となる。
【０２１１】
駆動電極と信号配線に接続されている駆動用トランジスタのサイズ（例えば、チャンネル長ＣＬ）は、駆動電極の長さに比べて、短いため、磁界用トランジスタのオン抵抗と電界用トランジスタのオン抵抗により形成される合成抵抗は、駆動電極の寄生容量に対して、集中定数の抵抗成分と見なすことができる。駆動電極の位置によって、合成抵抗の値が大きく変わるのを抑制することが可能であるため、駆動電極の寄生容量と駆動用トランジスタの合成抵抗の積で表させる時定数が、駆動電極の位置によって大きく変化するのを抑制することが可能となる。その結果、電界タッチ検出のときの駆動信号ＴＳＶの電圧変化に応答した駆動電極における電圧変化が、駆動電極の位置によって大きく変わるのを抑制することが可能となり、磁界タッチ検出のときの検出性能が悪化するのを低減することが可能となる。
【０２１２】
また、実施の形態においては、表示のときにも、磁界用トランジスタと電界用トランジスタの両方がオン状態となる。これにより、電界タッチ検出のときと同様に、表示のときに、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲに供給される駆動信号ＴＰＬの電圧変化に応答した駆動電極における電圧変化が、駆動電極の位置によって大きく変わるのを抑制することが可能となり、表示のときの性能が悪化するのを低減することが可能となる。
【０２１３】
＜変形例＞
図１５は、図７、図８、図１１および図１２等で示した磁界用トランジスタおよび電界用トランジスタの構造を示す図である。以下、磁界用トランジスタと電界用トランジスタを、駆動用トランジスタと総称する。図１５（Ａ）は、駆動用トランジスタの平面図であり、図１５（Ｂ）は、駆動用トランジスタの断面図である。
【０２１４】
駆動用トランジスタは、図１５（Ｂ）に示すように、第１基板ＴＧＢに形成されたＮ型の半導体層ＰＳＢに形成されたＰ型半導体領域ＳＥ、ＤＥと、ゲート絶縁膜ＧＳＯを介してＮ型の半導体層ＰＳＢ上に形成されたゲート電極ＧＥを備えている。Ｐ型半導体領域ＳＥは、駆動用トランジスタのソースとして機能し、Ｐ型半導体領域ＤＥは、駆動用トランジスタのドレインとして機能する。駆動用トランジスタのゲート電極ＧＥに、上記した第１単位選択回路（または第２単位選択回路）からの選択信号が供給され、ソースＳＥ（またはドレインＤＥ）が、信号配線（例えばＴＰＬＬ）に接続され、ドレインＤＥ（またはソースＳＥ）が、駆動電極の端部ｎ１（またはｎ２）に接続される。
【０２１５】
図１５（Ａ）において、Ａ−Ａ’の部分の断面が、先に説明した図１５（Ｂ）に示した断面を有している。図１５（Ａ）において、ＣＬは、ソース領域ＳＥとドレイン領域ＤＥとの間の長さを示すチャンネル長を表し、ＣＷは、ソース領域ＳＥおよびドレイン領域ＤＥの幅を示すチャンネル幅を表している。
【０２１６】
図７および図８では、平面視において、駆動電極の配置されている位置とは無関係に、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに接続されている駆動用トランジスタのサイズが、同じにされている。すなわち、近端に配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）に接続されている駆動用トランジスタ、中間付近に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ）に接続されている駆動用トランジスタおよび遠端に配置された駆動電極ＴＬ（０）に接続されている駆動用トランジスタのそれぞれにおいて、チャンネル幅ＣＷとチャンネル長ＣＬが同じにされている。
【０２１７】
変形例においては、平面視において、駆動電極の配置されている位置に従って、駆動電極に接続されている駆動用トランジスタのサイズが変更されている。図１６は、変形例に係わる駆動用トランジスタのサイズを説明する図である。ここでは、駆動用トランジスタのサイズは、駆動用トランジスタのチャンネル幅ＣＷを意味している。図１６において、「大」、「中」、「小」は、駆動用トランジスタのチャンネル幅ＣＷの大きさを示している。ここで、「中」は、駆動用トランジスタのチャンネル幅ＣＷが、所定の幅ＣＷ１を有している場合を示しており、「大」は、駆動用トランジスタのチャンネル幅ＣＷが、所定の幅Ｗ１よりも大きいことを示しており、「小」は、駆動用トランジスタのチャンネル幅ＣＷが、所定の幅ＣＷ１よりも小さいことを示している。駆動用トランジスタのチャンネル長ＣＬは、接続されている駆動電極の配置とは無関係に同じ長さになっている。
【０２１８】
遠端に配置された駆動電極に接続された磁界用トランジスタのサイズは、中間付近に配置されている駆動電極に接続された磁界用トランジスタに比べて、大きくなっている。一方、近端に配置された駆動電極に接続された磁界用トランジスタのサイズは、中間付近に配置された駆動電極に接続されている駆動用トランジスタのサイズよりも小さくなっている。すなわち、遠端から近端に向かって、磁界用トランジスタのサイズ（チャンネル幅ＣＷ）が、小さくなっている。
【０２１９】
一方、電界用トランジスタにおいては、遠端に配置された駆動電極に接続されている電界用トランジスタのサイズ（チャンネル幅ＣＷ）は、中間付近に配置された駆動電極に接続されている電界用トランジスタのサイズに比べて、小さくなっている。また、近端に配置された駆動電極に接続されている電界用トランジスタのサイズは、中間付近に配置された駆動電極に接続されている電界用トランジスタのサイズに比べて大きくなっている。すなわち、遠端から近端に向かって、電界用トランジスタのサイズは、磁界用トランジスタとは反対に、大きくなっている。
【０２２０】
最も遠端に配置された駆動電極ＴＬ（０）に近接して配置された遠端付近の駆動電極に接続されている第１および第２単位駆動回路を構成する磁界用トランジスタのサイズ（チャンネル幅ＣＷ）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）に接続されている第１および第２単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）、ＤＲＲ（ｎ）を構成する磁界用トランジスタのサイズに比べて、大きくされている。また、最も近端に配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）に近接して配置された近端付近の駆動電極に接続されている第１および第２単位駆動回路を構成する磁界用トランジスタのサイズは、駆動電極ＴＬ（ｎ）に接続されている第１および第２単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）、ＤＲＲ（ｎ）を構成する磁界用トランジスタのサイズに比べて、小さくされている。
【０２２１】
反対に、遠端付近の駆動電極に接続されている第１および第２単位駆動回路を構成する電界用トランジスタのサイズ（チャンネル幅ＣＷ）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）に接続されている第１および第２単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）、ＤＲＲ（ｎ）を構成する電界用トランジスタのサイズに比べて、小さくされている。また、近端付近の駆動電極に接続されている第１および第２単位駆動回路を構成する電界用トランジスタのサイズは、駆動電極ＴＬ（ｎ）に接続されている第１および第２単位駆動回路ＤＲＬ（ｎ）、ＤＲＲ（ｎ）を構成する電界用トランジスタのサイズに比べて、大きくされている。
【０２２２】
駆動用トランジスタは、そのゲートに供給される選択信号によってオン状態にされたとき、オン抵抗が、チャンネル幅ＣＷの大きさによって変化する。すなわち、チャンネル幅ＣＷを小さく（狭く）すると、オン抵抗が大きくなり、チャンネル幅Ｗを大きく（広く）すると、オン抵抗が小さくなる。
【０２２３】
これにより、磁界タッチ検出期間において、遠端に配置された駆動電極ＴＬ（０）が選択されたときには、中間付近の駆動電極または近端付近の駆動電極が選択されたときに比べて、遠端付近の駆動電極と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲとの間に接続される合成抵抗をより小さくすることが可能となる。同様に、中間付近に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ）が、選択されたときには、近端付近の駆動電極が選択されたときに比べて、駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲとの間に接続される合成抵抗をより小さくすることが可能となる。すなわち、近端から遠端に向かって、駆動電極と信号配線との間を接続する合成抵抗を、より小さくすることが可能となる。
【０２２４】
例えば、図７および図８に示した第１および第２単位駆動回路ＤＲＬ（ｐ）、ＤＲＲ（ｐ）においては、磁界用トランジスタのサイズは、小さくされている（第１チャンネル幅）が、電界用トランジスタのサイズは、第１チャンネル幅よりも大きな第２チャネル幅とされている。反対に、遠端に配置された駆動電極に接続された第１および第２単位駆動回路においては、磁界用トランジスタのサイズは、第１チャンネル幅よりも大きな第３チャンネル幅にされ、電界用トランジスタのサイズは、第３チャンネル幅よりも小さな第４チャンネル幅とされている。これにより、電界タッチ検出期間においては、磁界用トランジスタと電界用トランジスタの両方がオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｐ）と信号配線との間を接続する合成抵抗が、大きくなるのを抑制することが可能となる。
【０２２５】
また、電界用トランジスタのサイズを、遠端付近から近端付近に向けて、大きくなるようにすることにより、磁界用トランジスタのサイズが、近端付近から遠端付近に向けて、大きくなるようしておいても、電界タッチ検出のときには、小さなサイズの磁界用トランジスタによるオン抵抗の上昇を、大きなサイズの電界用トランジスタによるオン抵抗の減少により補償し、駆動電極と信号配線とを接続する合成抵抗をほぼ一定に保つことが可能となる。その結果、電界タッチ検出のときに、駆動電極における電圧の変化が、駆動電極の位置によって変わるのを、より低減することが可能となり、検出能力が悪化するのを低減することが可能となる。また、表示期間においても、それぞれの駆動電極と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲとの間に電気的に接続される合成抵抗を、ほぼ一定にすることが可能となり、表示のときの駆動電極の電圧の変化が、駆動電極の位置によって変わるのを、より低減することが可能となり、表示のときの性能が悪化するのを低減することが可能となる。
【０２２６】
実施の形態においては、磁界タッチ検出のときには、隣り合った駆動電極が束駆動電極とされ、複数の駆動電極によって磁界が発生する。一方、電界タッチ検出のときには、磁界タッチ検出のときに比べて少ない数の駆動電極によって電界が発生する。図６を参照にして述べると、磁界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ−１）と、ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋５）が束とされ、磁界駆動信号が供給され、これらの駆動電極によって挟まれた駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において強い磁界が発生する。これに対して、電界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（ｎ）に電界駆動信号が供給される。すなわち、磁界タッチ検出のときに、駆動信号によって同時に駆動される駆動電極の個数が、電界タッチ検出のときに、駆動信号によって同時に駆動される駆動電極の個数よりも多くなっている。言い換えるならば、駆動信号が同時に供給される駆動電極の個数が、磁界タッチ検出のときは、電界タッチ検出のときに比べて多くなっている。
【０２２７】
これにより、磁界タッチ検出のときには、強い磁界が発生可能であるとともに、例えば磁界タッチ検出のときに磁界を発生する領域（ＴＬ（ｎ））と、電界タッチ検出のときに電界を発生する領域（ＴＬ（ｎ））の大きさを同じにすることが可能となる。その結果、磁界タッチ検出のときと電界タッチ検出のときとで、タッチ検出が行われる範囲が変化するのを防ぐことが可能となる。さらに、実施の形態によれば、駆動信号回路６と駆動電極との間の距離に依存して、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときの検出感度が変化するのを抑制することが可能となる。
【０２２８】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０２２９】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０２３０】
例えば、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、縦方向に延在し、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている場合を説明したが、縦方向および横方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、信号配線および駆動電極の延在方向が変わっても、本発明の範囲に含まれるものである。また、本明細書で用いている「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することを意味する。そのため、一方の線（あるいは電極）の一部又は全部が他方の線（あるいは電極）に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、本明細書においては、この状態も「平行」であるとする。
【符号の説明】
【０２３１】
１  タッチ機能付き液晶表示装置
２  表示領域
３  制御装置
ＤＲＶＬ  第１駆動回路
ＤＲＶＲ  第２駆動回路
ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲ  端部
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）  検出電極
ＳＣＬ  第１スキャナ回路
ＳＣＲ  第２スキャナ回路
ＳＥＬＬ  第１選択回路
ＳＥＬＲ  第２選択回路
ＳＧＬ１〜ＳＧＬ５、ＳＨＬ１〜ＳＨＬ５、ＳＧＲ１〜ＳＧＲ５、ＳＨＲ１〜ＳＨＲ５、ＭＧＬ１〜ＭＧＬ４、ＭＨＬ１〜ＭＨＬ４、ＭＧＲ１〜ＭＧＲ４、ＭＨＲ１〜ＭＨＲ４  トランジスタ
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）  駆動電極
ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ  信号配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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