(57)【要約】【課題】各相の励磁インダクタンスが均等になる高効率で小型の三相インダクタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】対向配置され、第１の磁性材料を含む一対の端部コアと、前記一対の端部コア間に互いに離間して配置され、前記端部コアとともに環状の磁心を形成し、前記第１の磁性材料を含み、それぞれに導線が巻きつけられる両脚と、前記両脚と実質的に平行になるように前記両脚の中間に配置され、前記一対の端部コアの一方から他方までの間に取付けられ、前記第１の磁性材料とは異なる磁性を有する第２の磁性材料を含み、導線が巻きつけられる中央脚と、を有する三相インダクタ。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置され、第１の磁性材料を含む一対の端部コアと、
前記一対の端部コア間に互いに離間して配置され、前記端部コアとともに環状の磁心を形成し、前記第１の磁性材料を含み、それぞれに導線が巻きつけられる両脚と、
前記両脚と実質的に平行になるように前記両脚の中間に配置され、前記一対の端部コアの一方から他方までの間に取付けられ、前記第１の磁性材料とは異なる磁性を有する第２の磁性材料を含み、導線が巻きつけられる中央脚と、
を有することを特徴とする三相インダクタ。
【請求項２】
前記第２の磁性材料は、前記第１の磁性材料よりも高飽和磁化特性を有することを特徴とする請求項１記載の三相インダクタ。
【請求項３】
前記第２の磁性材料は、純鉄粉粒子、Ｆｅ-Ｓｉ系合金粒子、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｃｒ-Ｂアモルファス粒子、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｃｒ-Ｐアモルファス粒子、およびFe-Si-Al系合金粒子からなる群より選択されるいずれかであることを特徴とする請求項２記載の三相インダクタ。
【請求項４】
前記第１の磁性材料は、Ｆｅ-Ｓｉ系合金粒子、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｃｒ-Ｂアモルファス粒子、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｃｒ-Ｐアモルファス粒子、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｓｉ-Ｂアモルファス粒子、パーマロイ粒子、Fe-Si-Al系合金粒子、およびフェライト粒子からなる群より選択されるいずれかであることを特徴とする請求項２記載の三相インダクタ。
【請求項５】
前記中央脚の横断面積が前記両脚の横断面積より小さいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の三相インダクタ。
【請求項６】
前記第１の磁性材料の最大飽和磁束密度と前記第２の磁性材料の最大飽和磁束密度との差分に応じて、前記中央脚の横断面積を前記両脚の横断面積より小さくすることを特徴とする請求項５記載の三相インダクタ。
【請求項７】
（ａ）第１及び第２の磁粉をそれぞれ準備し、
（ｂ）前記第１の磁粉に第１の成形助剤を混合し、該混合粉を第１の金型でプレス成形し、該プレス成形品を熱処理し、これにより両脚および端部コアとなるべきコ字型またはＩ字型の第１の磁心を形成し、
（ｃ）前記第２の磁粉に第２の成形助剤を混合し、該混合粉を第２の金型でプレス成形し、該プレス成形品を熱処理し、これにより中央脚となるべきＩ字型の第２の磁心を形成し、
（ｄ）前記第１の磁心の両脚となるべき部分にそれぞれ直接または間接に導線を巻きつけるとともに、前記第２の磁心に直接または間接に導線を巻きつけ、これにより合計３つの巻線部を形成し、
（ｅ）複数個の前記第１の磁心を組合せて環状の両脚／端部コアアッセンブリを形成するとともに、前記両脚／端部コアアッセンブリの両脚の中間に前記両脚と実質的に平行に前記第２の磁心を取り付ける、
ことを特徴とする三相インダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ACフィルタとして無停電電源装置(UPS)等の三相PWMインバータ回路に組み込まれる三相インダクタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の三相インダクタは、例えば非特許文献１に記載されているように、基本設計において三相変圧器の設計思想をそのまま利用していることから、その構造が三相変圧器に近似したものとなっている。
【０００３】
三相変圧器の設計では、負荷電流に対して励磁電流をいかに小さくするかが重要なポイントである。三相変圧器において、励磁電流が十分に小さい場合は、励磁電流が多少アンバランスであっても実質的に問題ないものとされている。そのため、三相変圧器の設計では各相の励磁電流を合わせこむ必要性がなく、各相の励磁インダクタンス間に多少の差分が存在していても実用上問題を生じないものとして無視されている。
【０００４】
これに対して三相インダクタの設計では、各相の励磁インダクタンスを均等化することが重要なポイントになっている。そのため、三相インダクタの設計に対して、三相の各巻線の電流リプルをできるだけ均等に揃えることが要求される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS VOL.29, NO.7, 3657-3668, JULY 2014, “Loss Estimation Method for Three-Phase AC Reactors of Two Types of Structures Using Amorphous Wound Cores in 400-kVA UPS”, Kenichi Onda et al.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、現在流通している無停電電源装置(UPS)に用いられている従来構造の三相インダクタでは、変圧器の設計思想に従って巻線される各脚の横断面積が一定の面積に固定化されているために、各相の励磁インダクタンスを均等化することができない。同一磁性体材料で構成されることが前提条件とされる三相変圧器では、三相の最大磁束密度を均一にする必要があるため、必然的に各脚の横断面積が等しくなるからである。
【０００７】
また、実際の回路設計では多くの場合に三相インダクタの代用品として３個の単相インダクタを接続して用いる例がみられるが、多数の部品で構成される三相PWMインバータ回路において１つの部品が多くのスペースを占有するのは装置の大型化を招くという問題点がある。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、各相の励磁インダクタンスが均等になる高効率で小型の三相インダクタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る三相インダクタは、対向配置され、第１の磁性材料を含む一対の端部コア(11,12)と、前記一対の端部コア間に互いに離間して配置され、前記端部コアとともに環状の磁心を形成し、前記第１の磁性材料を含み、それぞれに導線が巻きつけられる両脚(32,33)と、前記両脚と実質的に平行になるように前記両脚の中間に配置され、前記一対の端部コアの一方から他方までの間に取付けられ、前記第１の磁性材料とは異なる磁性を有する第２の磁性材料を含み、導線が巻きつけられる中央脚(31)と、を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の三相インダクタによれば、いわゆる内鉄形の構造において巻線部を有する中央脚および両脚に生成される三相の励磁インダクタンスが均等になるため、インダクタ損失が低減され、高い電力変換効率を実現することができる。
【００１１】
また、本発明の三相インダクタは、同特性、同損失であれば従来品に比べて小型であり、三相インバータ回路に対する省スペースの要求を満たすことができる。
【００１２】
本発明構造の三相インダクタでは、両脚Ｂ，Ｃの磁束密度の最大値を中央脚Ａの磁束密度の最大値よりも小さくしているため、外側に位置する両脚に低損失材料を用いることが可能になり、磁心全体を単一の材料で作製する従来構造の三相インダクタに比べて鉄損が低減する。
【００１３】
また、本発明構造の三相インダクタでは、中央脚部の横断面積を両脚部／横脚部よりも小さくすることで、中央脚の磁束密度を上昇させ、外側にある両脚の磁束密度を減少させる。これにより、中央脚の磁束密度の最大値と両脚の磁束密度の最大値との間に差分をもうけることができる。一般に鉄損が少ない磁性体材料は飽和磁束密度が低い傾向にあるからである。また、熱がこもりやすい中央脚の温度上昇が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る三相インダクタを示す外観斜視図。
【図２】本発明の実施形態に係る三相インダクタを示す平面模式図。
【図３】本発明の実施形態に係る三相インダクタの製造方法を示すフローチャート。
【図４】他の実施形態に係る三相インダクタの製造方法を示すフローチャート。
【図５】従来構造の三相インダクタを示す外観斜視図。
【図６】三相インダクタが組み込まれた三相インバータの回路図。
【図７】三相インダクタの作用を説明するために磁心を示す平面模式図。
【図８】三相インダクタの等価回路図。
【図９】各種インダクタ損失の計算結果を示すプロット図。
【図１０】（ａ）はＳA＝1cm2のときに三相インダクタの各脚に生じる磁束密度波形を示す波形図、（ｂ）はＳA＝2cm2のときの各脚の磁束密度波形を示す波形図。
【図１１】各種磁心に矩形波励磁かつバイアス磁界印加時の鉄損特性を示す特性プロット線図。
【図１２】各種インダクタ損失の計算結果を示すプロット図。
【図１３】各種磁心の効率を調べた結果を示す特性プロット線図。
【図１４】単相インバータの三角波の磁束密度波形を示す波形図。
【図１５】三相PWMインバータ励磁下の磁束密度波形を示す波形図。
【図１６】従来構造の三相インダクタの各脚に生じる磁束密度波形を示す波形図。
【図１７】比較例試料の各種損失の理論値を示す特性プロット線図。
【図１８】実施例試料の各種損失の理論値を示す特性プロット線図。
【図１９】インダクタ損失全体の理論値を本発明品と従来品とで比較した特性プロット線図。
【図２０】電力変換効率の実測値と理論値を比較する特性プロット線図。
【図２１】三相インバータの各損失の分析結果を示す棒グラフ図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照しながら本発明の好ましい実施の形態を説明する。
【００１６】
図１と図２に本発明の実施形態に係る三相インダクタを示す。本実施形態の三相インダクタ４０Ａは、磁心の三脚にそれぞれ導線が巻きつけられて３つのコイルを形成するいわゆる内鉄形と呼ばれる構造を有するものである。図１に示すように、三相インダクタ４０Ａは、中央脚用カバーケース４１Ａ、一対の両脚用カバーケース４２，４３、一対の導線取出しスリット付プレート４４，４５、一対の端部コア用カバーケース４６，４７を備えている。各ケース４１Ａ，４２，４３内には巻線されたコイルボビンが収容されている。各コイルボビンからの導線の両端は一対の導線取出しスリット付プレート４４，４５を介して外部にそれぞれ導出されるようになっている。
【００１７】
中央脚用カバーケース４１Ａは、両側に配置された両脚用カバーケース４２，４３よりもＸ軸方向の幅が約３０％狭くなっている。これは、収容される中央脚３１（図示せず）のＸ軸方向の幅が両脚３２，３３のそれに比べて約３０％狭いからである。
【００１８】
これに対して、図５に示す従来構造の三相インダクタ４０Ｂでは、中央脚用カバーケース４１ＢのＸ軸方向の幅は両脚用カバーケース４２，４３のそれと同じ幅である。これは、収容される中央脚（図示せず）のＸ軸方向の幅が両脚３２，３３のそれと等しいからである。
【００１９】
図２に示すように、三相インダクタの磁心１０は、中央脚３１および中央脚の両側に左右対称に配置された一対の両脚３２，３３および一対の端部コア２１，２２を有する。一対の端部コア１１，１２は、互いに離間して対向配置され、それぞれＸ軸方向に平行に延び出している。
【００２０】
両脚３２，３３は、一対の端部コア１１，１２の間に互いに離間して配置され、それぞれＹ軸方向に平行に延び出し、端部コア１１，１２とともに環状の磁心を形成する。両脚３２，３３にはそれぞれ導線が巻きつけられ、２つのコイルが形成される。両脚３２，３３および端部コア１１，１２は、第１の磁性材料を含むものであり、一体成形することも可能であるが、別々に成形するようにしてもよい。
【００２１】
中央脚３１は、両脚３２，３３と実質的に平行になるように両脚３２，３３の中間に配置され、一方の端部コア１１から他方の端部コア１２までの間に取付けられる。中央脚３１には、導線が巻きつけられ、１つのコイルが形成される。中央脚３１は、第１の磁性材料とは異なる磁性を有する第２の磁性材料を含む。
【００２２】
図６に実施形態の三相インダクタを含む三相インバータ回路を示す。
【００２３】
UPSでは交流出力回路にACLとコンデンサを挿入して正弦波に近い波形が得られるようにしている。また、モータ用インバータにおいても高周波リプルによるモータの異常発熱や不要なノイズ発生を防ぐ目的からACLが使用されている。三相インバータ回路は、
PWM変調で動作する三相３線方式の構成をとるように設計されている。三相インダクタ４０Ａは、三相インバータ回路中において電源スイッチング素子回路と各種負荷との間に接続され、ＡＣフィルタとして機能するようになっている。
【００２４】
次に、三相インダクタの各相の励磁インダクタンスの発生原理およびそれらを均等化するために必要となる理論的根拠について説明する。
【００２５】
まず、三相インダクタに流れる電流リプルが同一となる条件を導き出す。対称三相負荷であるとすると、三相インダクタの各相の電圧は下式（１）〜（３）でそれぞれ与えられ、電流は下式（４）で与えられる。三相インダクタの磁脚断面積を変化させても、各相のインダクタに流れる電流リプルを同一にするには三相インバータ運転時におけるＡ相，Ｂ相，Ｃ相のインダクタのインダクタンス値LTotalA，LTotalB，LTotalCを揃える必要がある。
【数１】
2018041773.tif 000003
【００２６】
次に各相のインダクタンスの導出手順を説明する。
【００２７】
図７に示す三相インダクタの等価回路を用いると、各磁脚の磁束は式（５）〜（７）で与えられる。
【数２】
2018041773.tif 000004
【００２８】
【数３】
2018041773.tif 000005
【００２９】
ただし、記号laは中央脚Ａの部分（Ｉ字形）の実効磁路長、記号lb,lcは三相インダクタコアの両脚／横脚部分（コ字形）の実効磁路長をそれぞれ示す。
【００３０】
鎖交磁束数をψA＝ＮAφA，ψB＝ＮBφB，ψC＝ＮCφCとすると式（８）で与えられる。
【数４】
2018041773.tif 000006
【００３１】
相互インダクタンスは対称性を有することから上式（８）は下式（９）で書き表すことができる。
【数５】
2018041773.tif 000007
【００３２】
三相インダクタの自己インダクタンスをLA，LB，LCとし、相互インダクタンスをMAB，MBC，MCAとすると、各相のインダクタ電圧vLA，vLB，vLCはインダクタ電流iLA(t)，iLB(t)，iLC(t)を用いて式（１０）〜（１２）でそれぞれ与えられる。
【数６】
2018041773.tif 000008
【００３３】
三相３線回路の場合、vLA(t)＋vLB(t)＋vLC(t)＝０であるから式（１３）のように示すことができる。
【数７】
2018041773.tif 000009
【００３４】
また、iLA(t)＋iLB(t)＋iLC(t)＝０であるから式（１３）は式（１４）のように示すことができる。
【数８】
2018041773.tif 000010
【００３５】
対称三相負荷の場合、Ａ相，Ｂ相，Ｃ相のインダクタ電圧はＡ相，Ｂ相，Ｃ相の電流によって与えられることから、式（１５）〜（１７）のように示すことができる。
【数９】
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【００３６】
このときＡ相，Ｂ相，Ｃ相の端子からみた見掛けの上のインダクタンスLTotalA，LTotalB，LTotalCは式（１８）〜（２０）でそれぞれ示される。
【数１０】
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【００３７】
対称三相電流を流すためにはLTotalA＝LTotalB＝LTotalCである必要があるから、各相の見掛け上のインダクタンスLTotalA＝LTotalB＝LTotalC＝Lが等しいとおいたとき、見掛け上のインダクタンスLと各相の巻き数NA，NB，NCの関係は式（２１）〜（２３）となる。
【数１１】
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【００３８】
ただし、三相インダクタのコアは内鉄形で中央をＡ脚とし、両側の脚をＢ脚，Ｃ脚とした対称構造であり、Ｂ相とＣ相の電気抵抗をRB＝RC＝R、巻き数をNB＝NCとしている。この制約条件では、各相の巻き数比が等しいならば各相における見掛け上のインダクタンス比が同一となる。
【００３９】
インダクタの中央脚の断面積が変化しても式（２１）〜（２３）から得られた値を用いれば、インダクタ電流のリプルは変わらない。しかし、インダクタの各磁脚の磁束は式（２４）で示すように構造に依存して変化するため、インダクタの鉄損も構造に依存して変化する。三相インダクタは磁性体生体材料が飽和しない限り,構造や材料を任意に組み合わせることができる。なお，磁性体材料は飽和磁束密度が低い程，鉄損が低減する傾向がある。インダクタの励磁に対して適切な磁性体材料を用いると鉄損を低減することができる。
【数１２】
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【００４０】
三相PWMインバータ励磁下の三相インダクタ損失の算出方法について説明する。
【００４１】
三相インダクタ全損失はコイル内のジュール損失による銅損とコアに誘導される鉄損の合計値で示される。さらに、鉄損はインバータ出力電流の基本波成分に起因する低周波鉄損と、半導体のスイッチングによる電流リプル成分に起因する高周波鉄損に分類される。低周波鉄損を考える場合は磁性体メーカーが提供しているデータシートより損失が計算できる。高周波鉄損を考える場合、励磁電圧は矩形波成分が主体であり、励磁磁界中にバイアス成分を含んでいることから、ロスマップ法により鉄損を算定する。なお、銅損の計算方法と低周波鉄損の計算方法は、ともに一般に広く知られている常用の方法であるためここでは説明を省略した。
【００４２】
単相インバータや降圧チョッパの場合、磁束密度の波形は図１４に示すような三角波になる。拡張スタインメッツ方程式（iGSE）によると、図１４の三角波の区間a〜cにおける瞬時鉄損QHF(abc)は、式（２５）に示すように各セグメントにおける鉄損の和として考えることができる。
【数１３】
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【００４３】
ロスマップ法では、この概念を用いて各dB/dtの区間の磁束密度リプルΔＢ、磁界バイアスHo、およびその区間の等価周波数feqより瞬時鉄損QHF(ΔB,Ho,feq)をロスマップデータより算出することができる。ロスマップデータは大きさの等しいdB/dtセグメント２つ分の鉄損であるので、図１４の三角波の区間a〜cにおける瞬時鉄損QHF(abc)は式（２６）を用いて算出することができる。
【数１４】
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【００４４】
これに対して三相PWMインバータでは、励磁波形が他相の影響を受けるため、磁束密度波形の磁束密度Ｂが増加中または減少中であってもそのdB/dtは複数回変化する。例えば図１５に示すように、ｃからｆまでの区間では、磁束密度の減少中にdB/dtが２回変わる。
【００４５】
そこで、このような区間では式（２７）に示すように、各dB/dtの期間ｔと磁束密度変化リプルΔＢから導出した等価周波数feqと、減少（増加）区間全体の磁束密度変化量ΔＢとを用いて瞬時鉄損を算出する。
【数１５】
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【００４６】
その他の区間では従前と同様であり、区間ａ〜ｇにおける瞬時鉄損は式（２８）で与えられる。
【数１６】
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【００４７】
なお、下式（２９）に示す正弦波電流出力一周期間中の瞬時鉄損QHF(J/m3)の和にインダクタの磁心体積Ve(m3)の乗算と出力電流一周期TLF(sec)の除算した値を高周波鉄損PHF(W)とする。
【数１７】
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【００４８】
次に、三相PWMインバータ励磁下の三相インダクタの構造の変更による鉄損の変化について説明する。
【００４９】
図６の三相PWMインバータの回路定数を表４に示す。なお，三相インダクタのインダクタンス値は1.65mHとしている。図３に示した三相インダクタの中央脚Ａの幅ｗ2を種々変えて中央脚Ａの横断面積SAを0.1〜2.0cm2の範囲で各種の値に調整する。この場合に、両側の脚Ｂ，Ｃの横断面積SB,SCは2.0cm2で一定とする。ちなみに、図５に示した従来の内鉄形の三相インダクタ４０Ｂでは、Ａ脚、Ｂ脚、Ｃ脚の横断面積は全て等しい（SA＝SB＝SC＝2.0cm2）。
【００５０】
三相インダクタの鉄損はインダクタに励磁される電圧波形をシミュレーションから求め、下式（３０）と（３１）とで得られる磁束密度と磁界強度の値から上記ロスマップ法を用いて算出する。ただし、インダクタンスの非線形性、漏れ磁束、コア中の磁束密度不均一性による磁気抵抗の変化、巻線抵抗によるインダクタ電圧の降下の影響などは無視するものとする。ロスマップ法で用いるロスマップデータには三相インダクタと同材料の純鉄粉（東邦亜鉛株式会社のSK材）と（東邦亜鉛株式会社のHK材）を用いた。
【数１８】
2018041773.tif 000020
【００５１】
図９に出力電流正弦波一周期分の各種インダクタ損失を示す。図中の黒丸（●）は鉄粉両脚Ｂ，Ｃの鉄損、クロス（×）は鉄粉中央脚Ａの鉄損、黒四角はコア全体の合計鉄損、ひし形（◇）は銅損、黒三角（▲）はインダクタ損失をそれぞれ示す。図から明らかなように、横断面積SAを小さくしていくと銅損が徐々に増加する傾向となった。横断面積SAの減少は、上式（２６）で示されるように所望のインダクタンス値を得るために必要な巻き数が増えることから巻き線抵抗の増加にともない銅損が増加する。高周波鉄損については横断面積SA＝2 cm2の場合には3.30 Wであるが、SA＝1 cm2の場合には3.15 Wの最小値を示した。SA＝1 cm2の場合、SA＝２cm2の場合と比較して高周波鉄損が約４．５％減少する結果となった。なお、インダクタ全体でみるとSA＝1.4 cm2において損失が最小となり、損失は6.06 Wである。
【００５２】
図１０の（ａ）に横断面積がSA＝1 cm2のときの磁束密度波形Ａ１，Ｂ１，Ｃ１を、図１０の（ｂ）にSA＝２cm2のときの磁束密度波形Ａ２，Ｂ２，Ｃ２をそれぞれ示す。横断面積SAの増加は中央脚Ａの磁束密度リプルが減少し、両脚Ｂ，Ｃの磁束密度リプルが増加に寄与する。一般に鉄損は磁束密度リプルΔＢの二乗に比例していくことから、鉄損も図９の結果から明らかなように横断面積SAの増加にともない、中央脚Ａの鉄損は減少し、両脚Ｂ，Ｃの鉄損は増加する。とくに両脚Ｂ，Ｃは中央脚Ａに比べて体積が大きいので、横断面積SAの減少は三相インダクタ全体としての鉄損削減効果に大きく寄与する。また、横断面積SAの減少は中央脚Ａの磁束密度波形の基本波振幅が増加し、両脚Ｂ，Ｃの振幅が減少する。
【００５３】
図９の領域Ａにおいて、両脚Ｂ，Ｃの振幅の基本波振幅を中央脚Ａよりも２０％以上低減できるため、中央脚Ａには飽和磁束密度の高い材料を用い、両脚Ｂ，Ｃには中央脚Ａよりも飽和磁束密度の低い材料を用いることが可能になる。
【００５４】
次に、異種材料を組み合わせた三相インダクタの損失について説明する。
【００５５】
Ｆｅ-Ｓｉ-Ａｌ系合金（例えばＦｅ-9.5%Ｓｉ-5.5%Ａｌ合金）は、飽和磁束密度が純鉄粉（純度９７％以上）より約２０％低いが、鉄損は鉄粉材料と比べて大幅に低い特性を有している。そこで、図９の領域Ａにおいて中央脚Ａには飽和磁束密度の高い鉄粉材料を用い、両脚Ｂ，ＣにはＦｅ-Ｓｉ-Ａｌ合金を用いた三相インダクタの鉄損について検討してみる。Ｆｅ-Ｓｉ-Ａｌ合金コア（ＨＫ材）および鉄粉コア（ＳＫ材）における矩形波励磁かつバイアス磁界印加時の鉄損特性を示したロスマップを図１１に示す。磁界バイアスＨｏ＝２０００Ａ／ｍにおいて、Ｆｅ-Ｓｉ-Ａｌ合金の鉄損は純鉄粉よりも約７０％小さい。なお、Ｆｅ-Ｓｉ-Ａｌ合金のバイアス励磁下における透磁率は純鉄粉材料とほぼ等しいことから、両脚Ｂ，Ｃの磁性体材料を純鉄粉からＦｅ-Ｓｉ-Ａｌ合金に変えても構造および回路パラメータに影響が及ばず、純粋に高周波鉄損の材料依存性を評価することができる。
【００５６】
図９の領域Ａの条件において、両脚Ｂ，Ｃの磁性体材料にＦｅ-Ｓｉ-Ａｌ合金を用いたときの各種インダクタ損失の計算結果を図１２に示す。図中の黒丸（●）は鉄粉両脚Ｂ，Ｃの鉄損、クロス（×）は鉄粉中央脚Ａの鉄損、黒四角は鉄粉コア全体の合計鉄損、黒ひし形（◆）は銅損、白三角（△）はＦｅ-Ｓｉ-Ａｌ合金の両脚Ｂ，Ｃの鉄損、白四角（□）は複合磁性体コア全体の鉄損、白ひし形（◇）は複合磁性体コアのインダクタ損失、黒三角（▲）は鉄粉コアのインダクタ損失をそれぞれ示す。図から明らかなように、とくに横断面積SA＝1.7 cm2の場合には、本発明の三相インダクタは両脚Ｂ，Ｃの鉄損を低減できることから鉄粉材料のみのインダクタ全体の損失と比べて１．６８Ｗほど低減できていることが判明した。
【００５７】
図１０（ａ）の波形図から明らかなように、中央脚Ａの横断面積SAが大きくなるに従って中央脚Ａの磁束密度リプルは減少するが、両側の脚Ｂ，Ｃの磁束密度リプルは増加する。鉄損は磁束密度リプルΔＢの二乗に比例することから、鉄損においても同様に中央脚の横断面積SAを大きくするにつれて中央脚Ａの鉄損は減少していき、逆に両脚Ｂ，Ｃの鉄損は増加していく。
【００５８】
また、図５の従来構造（SA＝2.0cm2）の三相インダクタ４０Ｂでは、各相における磁束密度波形の基本波振幅が等しいが、中央脚の横断面積SAを小さくしていくと、中央脚Ａの磁束密度波形の基本波振幅が増加する。とくに純鉄粉コアの飽和磁束密度は1.2テスラ程度であるため、中央脚の横断面積SAを小さくしていくとインダクタが飽和する。中央脚の横断面積SAの最小値は、インダクタの飽和磁束密度の値によって制限を受けるため、無制限に小さくすることはできない。
【００５９】
三相インダクタのインダクタンスの設定方法および調整方法についてさらに説明する。
【００６０】
三相インダクタに励磁される磁束密度Bnは下式（３２）に示すようにインダクタ電圧ＶLN，巻き数Ｎ，横断面積Snによって定義される。
【数１９】
2018041773.tif 000021
【００６１】
三相インダクタの各巻線の巻き数を等しくすると、見掛けのインダクタンス値は同一になり、インダクタンスに印加されるインダクタ電圧は変化しない。
【００６２】
三相インダクタにおおいて、中央脚の横断面積SAを小さくすると中央脚の磁気抵抗RAが増加することから、式（３３）に示すように同一のインダクタンス値を得るために巻き数を多く巻く必要がある。
【数２０】
2018041773.tif 000022
【００６３】
各磁脚に励磁される磁束密度については、図１６に示すように、中央脚Ａの磁束密度が増加し、逆に両側の脚Ｂ，Ｃの磁束密度は減少する。よって、中央脚Ａの磁束密度の最大値と両側の脚Ｂ，Ｃの磁束密度の最大値との間に差分をもたせることができる。なお、図中にて波形Ａ４は本発明構造インダクタ（実施例）の中央脚の磁束密度波形、波形Ａ５は従来構造インダクタ（比較例）の中央脚の磁束密度波形、波形Ｂ４は本発明構造インダクタ（実施例）の両脚の一方の磁束密度波形、波形Ｂ５は従来構造インダクタ（比較例）の両脚の一方の磁束密度波形、波形Ｃ４は本発明構造インダクタ（実施例）の両脚の他方の磁束密度波形、波形Ｃ５は従来構造インダクタ（比較例）の両脚の他方の磁束密度波形をそれぞれ示す。
【００６４】
単一の磁性体材料で作る従来構造の三相インダクタでも単位体積当たりの磁心損失は磁束密度の低減効果と相まってインダクタ全体の磁心損失を低減することができる。三相インダクタにおいては中央脚Ａを小さくすることでインダクタの総合損失を低減することができるようになる。また，励磁条件に応じて異種材料を組み合わせることで，さらなる損失低減ができるようになる。
【００６５】
インダクタの励磁に対して適切な磁性体材料を選定する方法について言及する。
【００６６】
図６の三相PWMインバータの回路定数を表３に示す。ここで，表３の各値は実際のUPSに用いる三相インバータ動作を想定とするパラメータとしている。
【００６７】
なお，三相インダクタのインダクタンス値は2.52mHとしている。図３に示した三相インダクタは中央脚Ａの幅ｗ2を変えて中央脚Ａの横断面積SAを1.4 cm2および2.0cm2の値とした2種類を用意する。この場合に、両側の脚Ｂ，Ｃの横断面積SB,SCは2.0cm2で一定とする。ちなみに、図５に示した従来の内鉄形の三相インダクタ４０Ｂでは、Ａ脚、Ｂ脚、Ｃ脚の横断面積は全て等しい（SA＝SB＝SC＝2.0cm2）。２種類の三相インダクタの各磁脚における磁束密度波形を図１６にしめす。なお、図中にて波形Ａ４は横断面積SAが1.4cm2とする三相インダクタの中央脚Ａの磁束密度波形、波形Ａ５は横断面積SAが2cm2とする三相インダクタの中央脚の磁束密度波形、波形Ｂ４は横断面積SAが1.4cm2とする三相インダクタの両脚の一方の磁束密度波形、波形Ｂ５は断面積SAが2cm2とする三相インダクタの両脚の一方の磁束密度波形、波形Ｃ４は横断面積SAが1.4cm2とする三相インダクタの両脚の他方の磁束密度波形、波形Ｃ５は断面積SAが2cm2とする三相インダクタの両脚の他方の磁束密度波形をそれぞれ示す。中央脚Ａの横断面積SAが両側の脚Ｂ，Ｃの横断面積SB,SCと比べて小さい場合において各磁脚に励磁される磁束密度については、図１６に示すように、中央脚Ａの磁束密度が増加し、逆に両側の脚Ｂ，Ｃの磁束密度は減少する。
【００６８】
三相インダクタは中央脚Ａの幅が変化することによって各磁脚に励磁される磁束密度が上記のように変化する原理について説明する。三相インダクタに励磁される磁束密度Bnは上式（３２）に示すようにインダクタ電圧ＶLN，巻き数Ｎ，横断面積Snによって定義される。
【００６９】
三相インダクタの各巻線の巻き数を等しくすると、見掛けのインダクタンス値は同一になり、インダクタに印加されるインダクタ電圧は変化しない。
【００７０】
三相インダクタにおいて、中央脚の横断面積SAを小さくすると中央脚の磁気抵抗RAが増加することから、上式（３３）に示すように同一のインダクタンス値を得るために巻き数を多く巻く必要がある。
【００７１】
中央脚の横断面積SAを小さくすると巻き数が増えることから，中央脚Ａの磁束密度が増加し、逆に両側の脚Ｂ，Ｃの磁束密度は減少している。中心脚の磁束密度の最大値と外脚の磁束密度の最大値に差を持たせることができるので，複数の磁性体材料の組み合わせた三相インダクタの設計が可能になる。なお，中央脚Ａの幅ｗ2は組み合わせたい磁性体材料の飽和磁束密度の比よって決まる。たとえば、実施例１で示している鉄粉材料とFe-Si-Al系合金材料を用い、磁性体の磁気飽和を考慮した三相インダクタを作成する場合は，両材料の最大飽和磁束密度の差は約３０％なので，中心脚の磁束密度と両脚の磁束密度の差が３０％となるように中心脚の断面積ｗ2を調整する。
【００７２】
三相インダクタは磁脚の一部に低損失材料が使用可能になり，単一の磁性体材料で作る従来の三相インダクタよりも鉄損を削減できる。
【００７３】
図１７に従来構造の三相インダクタ（比較例１；三脚とも純鉄粉コア）における各種損失の理論値を示す。図中の特性線Ｐ１は低周波鉄損、特性線Ｑ１は高周波鉄損、特性線Ｒ１は銅損、特性線Ｓ１は全インダクタ損失をそれぞれ示す。
【００７４】
図１８に本発明構造の三相インダクタ（実施例２；純鉄粉の中央脚とFe-Si-Al系合金の両脚とを組合せた複合磁性体コア）における各種損失の理論値を示す。図中の特性線Ｐ２は低周波鉄損、特性線Ｑ２は高周波鉄損、特性線Ｒ２は銅損、特性線Ｓ２は全インダクタ損失をそれぞれ示す。
【００７５】
図１９にインダクタ損失全体での理論値について実施例２と比較例１とで比べた結果を示す。ただし、１ｐ．ｕを定格運転（８３５Ｗ）とする。図中の特性線Ｔは比較例１の全インダクタ損失、特性線Ｕは実施例１の全インダクタ損失を示す。
【００７６】
作製した本発明構造の三相インダクタと従来構造の三相インダクタとについて効率をそれぞれ測定し、それらを比較検討した。効率は、直流入力側の消費電力値と２電力系法によって計測した三相負荷の消費電力値とを用いて、下式（３４）により導出した。測定機器として高精度パワーメータ（NEWTONS4th社のPPA5530）を用いた。
【数２１】
2018041773.tif 000023
【００７７】
図２０は、実施例または比較例の三相インダクタを組み込んだ三相インバータの電力変換器の損失をそれぞれ調べるために、実施例と比較例の電力変換効率の実測値と理論値を対比して示した特性プロット線図である。図中の特性線Ｋは従来構造の三相インダクタ（比較例）の実測値、特性線Ｌは本発明構造の三相インダクタ（実施例）の実測値、特性線Ｍは本発明構造の三相インダクタ（実施例）の理論値、特性線Ｎは従来構造の三相インダクタ（比較例）の理論値をそれぞれ示す。これらの結果から明らかなように、本発明構造の三相インダクタを用いると、最大負荷では従来構造の三相インダクタを用いた場合に比べて効率が約０．７％向上し、最低負荷では効率が約１％向上した。
【００７８】
次に、三相インバータの各損失について分析を行った。三相インダクタのインダクタ全損失はインダクタ電圧および電流を一次巻線から検出することによって測定し、半導体デバイス損失は式（３５）に示すようにインバータの全損失からインダクタ全損失の差分を求めることにより導き出した。
【数２２】
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【００７９】
図２１に各種三相インダクタの損失の分析結果を示す。図中の棒グラフは下から順にスイッチングデバイス損失、銅損、鉄損、インダクタ損失を順次積算して全損失を表したものである。また、図中の記号ａは実施例の理論値の結果、記号ｂは実施例の実測値の結果、記号ｃは比較例の理論値の結果、記号ｄは比較例の実測値の結果をそれぞれ示す。
【００８０】
これらの分析結果から明らかなようにインダクタ全損失については理論値と実測値とがよく一致している。本発明構造の三相インダクタを用いたインバータの効率向上効果は最大負荷時においてはインダクタ全損失で銅損が支配的になるために大きい。その結果、低負荷の効率向上率は最大負荷時の効率向上率よりも０．３％ほど高くなった。
【００８１】
次に、実施形態の三相インダクタを構成する構成材料についてそれぞれ説明する。
【００８２】
［第１の磁粉］
三相インダクタの両脚および端部コアに含ませる第１の磁粉材料として、３〜８質量％Ｓｉ含有のＦｅ−Ｓｉ系合金粉、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−ＢまたはＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−ＰのようなＦｅ基アモルファス、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｓｉ−ＢのようなＣｏ基アモルファス、ハイフラックス（50%Fe-50%Ni）、Fe-Si-Al系合金、パーマロイ、およびフェライトのいずれかを用いることができる（表１）。
【００８３】
［第２の磁粉］
三相インダクタの中央脚に含ませる第２の磁粉材料として、純度９７％以上の純鉄粉、３〜８質量％Ｓｉ含有のＦｅ−Ｓｉ系合金粉、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−ＢまたはＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−ＰのようなＦｅ基アモルファス、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｓｉ−ＢのようなＣｏ基アモルファス、ハイフラックス（50%Fe-50%Ni）、およびFe-Si-Al系合金のいずれかを用いることができる（表１）。第２の磁粉材料は、第１の磁粉材料に比べて飽和磁化特性がより高い材料である必要があるため、上記第１の磁粉材料との組合せが重要である。
【表１】
2018041773.tif 000025
【００８４】
［成形助剤］
磁心を成形するために使用される成形助剤として、無機系の非磁性バインダおよび有機系の樹脂バインダのいずれか一方または両方を組み合わせて用いることができる。無機系の非磁性バインダには、シリコーン樹脂および水ガラスのいずれかを用いることができる。また、有機系の樹脂バインダには、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、メチルセルロース、水溶性アクリル、パラフィン、グリセリン、およびポリエチレングリコールのいずれかを用いることができる（表２）。
【表２】
2018041773.tif 000026
【００８５】
［導線］
導線は、三相インダクタの三脚にそれぞれ巻きつけられ、コイルを形成するものである。導線は、絶縁性の被膜で覆われた純Ｃｕ線（0.9mm径）であり、ＪＩＳ規格番号Ｃ３２０２の被膜の厚みが厚いもの（１種：０．０２５ｍｍ）および薄いもの（２種：０．０１７ｍｍ）を用いることができる。
【００８６】
［製造方法］
三相インダクタの製造方法を以下に説明する。
【００８７】
（第１の実施形態）
まず図１を参照して第１の実施形態の製造方法を説明する。
【００８８】
両脚および端部コアを作製するための第１の磁粉を準備する（工程Ｓ１）。第１の磁粉として、表１中に示す各種の材料を用いることができる。
【００８９】
第１の磁粉に成形助剤を添加し、撹拌混合する（工程Ｓ２）。成形助剤として、表２中に示す各種の材料を用いることができる。
【００９０】
コ字型の金型を準備し、混合粉を金型のキャビティに供給し、室温下でプレス成形する（工程Ｓ３）。本実施形態ではプレス成形を冷間で行うが、これ以外の方法として予熱を施す温間または熱間でプレス成形することも可能である。
【００９１】
金型からプレス成形品を取り出し、熱処理炉内に装入し、100〜1000℃×2〜5hrの条件で熱処理する（工程Ｓ４）。これにより成形助剤の一部または全部が溶融し、磁粉粒子の相互間隙に溶融物が浸入し、磁粉粒子間の結合力が強化される。
【００９２】
コ字型の磁心２１，２２を炉内から取り出し、これらより少し大きい相似形状の２つの絶縁ケース４内にそれぞれ収容する（工程Ｓ５）。絶縁ケースの材料としてポリエチレンテレフタレート(PET)およびポリカーボネード樹脂のような樹脂を用いることができる。これにより２組の両脚／端部コアアッセンブリ２７，２８が得られる。なお、絶縁ケースに収容するとともに、または絶縁ケースに収容する代わりに、エポキシ樹脂やウレタン樹脂のような絶縁性樹脂を含有する塗料をコア表面に塗布する絶縁処理を施すこともできる。
【００９３】
中央脚を作製するための第２の磁粉を準備する（工程Ｓ６）。第２の磁粉として、表１中に示す各種の材料を用いることができる。
【００９４】
第２の磁粉に成形助剤を添加し、撹拌混合する（工程Ｓ７）。成形助剤として、上記と同様に表２の各種材料を用いることができる。
【００９５】
Ｉ字型の金型を準備し、混合粉を金型のキャビティに供給し、室温下でプレス成形する（工程Ｓ８）。プレス成形は、本実施形態では冷間で行うが、これ以外の方法として予熱を施す温間または熱間で行うことも可能である。
【００９６】
金型からプレス成形品を取り出し、熱処理炉内に装入し、100〜1000℃×2〜5hrの条件で熱処理する（工程Ｓ９）。ちなみに、鉄およびアモルファスは100〜500℃、それ以外の磁性材料は500〜1000℃の条件でそれぞれ熱処理することが好ましい。
【００９７】
Ｉ字型の磁心３１を炉内から取り出し、これより少し大きい相似形状の絶縁ケース５内に収容する（工程Ｓ１０）。これにより中央脚アッセンブリ２５が得られる。この中央脚アッセンブリ２５の一方端部を両脚／端部コアアッセンブリ２７の端部コア２１の長手中央に接着剤で接着する。なお、本実施形態では中央脚アッセンブリ２５の取り付けを接着剤により接着するが、ケース５をケース４に嵌め込む嵌め合い構造として取り付けを行うようにしてもよい。
【００９８】
ポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリカーボネートのような絶縁性樹脂でつくられたボビン６に所定量の絶縁被覆導線７を巻きつけ、全部で３個のコイルボビン８を得る（工程Ｓ１１）。
【００９９】
３個のコイルボビン８のうちの１個の中空部には中央脚アッセンブリ２５を挿入し、残り２個のコイルボビン８の中空部には両脚／端部コアアッセンブリ２７の両脚をそれぞれ挿入する（工程Ｓ１２）。
【０１００】
さらに、他方の両脚／端部コアアッセンブリ２８の両脚をそれぞれコイルボビン８の中空部に挿入し、図示のように磁心を組み立てる（工程Ｓ１３）。この組み立ては、接着剤を用いる接着によるのが一般的であるが、ケース５をケース４に嵌め込む嵌め合い構造として組み立てるようにしてもよい。これにより図示のようにインダクタアッセンブリ３８が形成される。
【０１０１】
インダクタアッセンブリ３８の外周にポリエステルテープ９を巻きつけて各部材が脱離しないようにインダクタアッセンブリ３８をしっかりと固定保持する（工程Ｓ１４）。
【０１０２】
（第２の実施形態）
次に図２を参照して第２の実施形態の製造方法を説明する。
【０１０３】
工程Ｋ１〜Ｋ４は、上記第１の実施形態と同様である。
【０１０４】
熱処理後、室温または室温近傍まで温度降下したコ字型磁心の表面に絶縁性塗料を塗布する（工程Ｋ５）。
【０１０５】
工程Ｋ６〜Ｋ９は、上記第１の実施形態と同様である。
【０１０６】
熱処理後、室温または室温近傍まで温度降下したＩ字型磁心の表面に絶縁性塗料を塗布する（工程Ｋ１０）。
【０１０７】
磁心に導線を巻きつける（工程Ｋ１１）。
【０１０８】
中央脚アッセンブリ２６を両脚／端部コアアッセンブリ２９に取り付ける（工程Ｋ１２）。この取付けは、接着剤を用いる接着によるのが一般的である。これにより図示のようにインダクタアッセンブリ３９が形成される。
【０１０９】
インダクタアッセンブリ３９の外周にポリエステルテープ９を巻きつけて各部材が脱離しないようにインダクタアッセンブリ３９をしっかりと固定保持する（工程Ｋ１３）。
【実施例】
【０１１０】
以下に実施例を比較例と対比して説明する。
【０１１１】
（実施例１）
第１の磁粉にFe-Si-Al系合金（東邦亜鉛株式会社のHK材）を用い、成形助剤にシリコーンまたは水ガラスのうちから１種、およびＰＶＡまたはＰＶＢまたはメチルセルロースのうちから１種を選択し、２種類の成形助剤を第１の磁粉に混合し、混合粉をプレス成形し、プレス成形品を800℃×120分の条件で熱処理し、コ字型に一体成形した両脚／端部コアを２つ作製した（表５）。
【０１１２】
また、第２の磁粉に純鉄粉（東邦亜鉛株式会社のSK材）を用い、成形助剤にシリコーンまたは水ガラスのうちから１種、およびＰＶＡまたはＰＶＢまたは水溶性アクリルのうちから１種を選択し、２種類の成形助剤を第２の磁粉に混合し、混合粉をプレス成形し、プレス成形品を200℃×120分の条件で熱処理し、Ｉ字型の中央脚コアを１つ作製した（表５）。
【０１１３】
次いで、作製した２つの両脚／端部コアと１つの中央脚コアを上記第１の実施形態の製造方法を用いて実施例１の三相インダクタ（ボビン型）を作製した。作製した三相インダクタのコアのサイズは、長さＬ１を6.3mm、両脚と端部コアの幅Ｗ１をそれぞれ1.0mm、中央脚の幅Ｗ２を0.7mmとした。
【０１１４】
（比較例１）
第１の磁粉に純鉄粉（東邦亜鉛株式会社のSK 材）を用い、成形助剤にシリコーンまたは水ガラスのうちから１種、およびＰＶＡまたはＰＶＢまたは水溶性アクリルのうちから１種を選択し、２種類の成形助剤を第１の磁粉に混合し、混合粉をプレス成形し、プレス成形品を200℃×120分の条件で熱処理し、コ字型に一体成形した両脚／端部コアを２つ作製した（表５）。
【０１１５】
また、第２の磁粉に純鉄粉（東邦亜鉛株式会社のSK材）を用い、成形助剤にシリコーンまたは水ガラスのうちから１種、およびＰＶＡまたはＰＶＢまたは水溶性アクリルのうちから１種を選択し、２種類の成形助剤を第２の磁粉に混合し、混合粉をプレス成形し、プレス成形品を200℃×120分の条件で熱処理し、Ｉ字型の中央脚コアを１つ作製した（表５）。
【０１１６】
次いで、作製した２つの両脚／端部コアと１つの中央脚コアを上記第１の実施形態の製造方法を用いて比較例１の三相インダクタ（ボビン型）を作製した。作製した三相インダクタのコアのサイズは、長さＬ１を6.3mm、両脚と端部コアの幅Ｗ１をそれぞれ1.0mm、中央脚の幅Ｗ２を1.0mmとした。
【０１１７】
（実施例２）
第１の磁粉にＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｐアモルファスを用い、成形助剤にシリコーンまたは水ガラスのうちから１種、およびＰＶＡまたはＰＶＢまたはメチルセルロースのうちから１種を選択し、２種類の成形助剤を第１の磁粉に混合し、混合粉をプレス成形し、プレス成形品を400〜500℃×120分の条件で熱処理し、コ字型に一体成形した両脚／端部コアを２つ作製した（表５）。
【０１１８】
また、第２の磁粉に純鉄粉（東邦亜鉛株式会社のSK材）を用い、成形助剤にシリコーンまたは水ガラスのうちから１種、およびＰＶＡまたはＰＶＢまたは水溶性アクリルのうちから１種を選択し、２種類の成形助剤を第２の磁粉に混合し、混合粉をプレス成形し、プレス成形品を200℃×120分の条件で熱処理し、Ｉ字型の中央脚コアを１つ作製した（表５）。
【０１１９】
次いで、作製した２つの両脚／端部コアと１つの中央脚コアを上記第１の実施形態の製造方法を用いて実施例２の三相インダクタ（ボビン型）を作製した。作製した三相インダクタのコアのサイズは、長さＬ１を6.3mm、両脚と端部コアの幅Ｗ１をそれぞれ1.0mm、中央脚の幅Ｗ２を0.7mmとした。
【０１２０】
上記のようにして作製した実施例１，２および比較例１の各三相インダクタ４０Ａ，４０Ｂを図６の三相PWMインバータ回路に組み込み、通電時の電力変換効率をそれぞれ測定し、評価した。なお、三相PWMインバータの回路定数を表３と表４にそれぞれ示した。
【０１２１】
評価試験結果を表６、表７、表８、表９、表１０にそれぞれ示した。これらの結果によれば、実施例１，２ともに比較例１に比べて損失が少なく、電力変換効率特性に優れていることが確認された。
【表３】
2018041773.tif 000027
【０１２２】
【表４】
2018041773.tif 000028
【０１２３】
【表５】
2018041773.tif 000029
【０１２４】
【表６】
2018041773.tif 000030
【０１２５】
【表７】
2018041773.tif 000031
【０１２６】
【表８】
2018041773.tif 000032
【０１２７】
【表９】
2018041773.tif 000033
【０１２８】
【表１０】
2018041773.tif 000034
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
本発明の三相インダクタは、無停電電源装置(UPS)等の三相PWMインバータ回路に利用することができる。
【符号の説明】
【０１３０】
4,5…絶縁ケース、6…ボビン、7…巻線（コイル）、8…コイルボビン、9…固定保護テープ、
10…磁心（コア）、11,12…端部コア（横脚）、21,22…両脚／端部コア（コ字型磁心セグメント）、27,28,29…両脚／端部コアアッセンブリ、31…中央脚（Ｉ字型磁心セグメント）、32,33…両脚、39…中央脚アッセンブリ、
40A,40B…三相インダクタ、41A,41B…中央脚用カバーケース、42,43…両脚用カバーケース、44,45…導線取出しスリット付プレート、46,47…端部コア用カバーケース。
【図１】
2018041773.tif 000035
【図２】
2018041773.tif 000036
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2018041773.tif 000042
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2018041773.tif 000047
【図１４】
2018041773.tif 000048
【図１５】
2018041773.tif 000049
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2018041773.tif 000053
【図２０】
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【図２１】
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