(57)【要約】【課題】スパッタの発生を抑制することができる電極溶接装置を提供する。【解決手段】電極溶接装置３０は、複数の正極８のタブ１４ｂが積層されたタブ積層体２１にレーザ溶接用のレーザＬを照射すると共に、複数の負極９のタブ１６ｂが積層されたタブ積層体２２にレーザ溶接用のレーザＬを照射するレーザ照射器３１と、レーザ照射器３１によるレーザＬの照射終端位置に向けて冷却ガスＧｃを噴射する冷却ガス噴射ノズル３３とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層状態の複数の電極のタブ同士を溶接する電極溶接装置において、
前記複数の電極の前記タブが積層されたタブ積層体にレーザ溶接用のレーザを照射するレーザ照射部と、
前記レーザ照射部による前記レーザの照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射部とを備えることを特徴とする電極溶接装置。
【請求項２】
前記冷却ガス噴射部は、前記レーザ照射部による前記レーザの照射始端位置を避けるように前記照射終端位置に向けて前記冷却ガスを噴射することを特徴とする請求項１記載の電極溶接装置。
【請求項３】
前記レーザ照射部による前記レーザの照射箇所にアシストガスを噴射するアシストガス噴射部を更に備えることを特徴とする請求項１または２記載の電極溶接装置。
【請求項４】
前記冷却ガス及び前記アシストガスは、同じガスであることを特徴とする請求項３記載の電極溶接装置。
【請求項５】
前記冷却ガス噴射部による前記冷却ガスの噴射量が前記アシストガス噴射部による前記アシストガスの噴射量よりも多くなるように、前記冷却ガス噴射部及び前記アシストガス噴射部を制御する制御部を更に備えることを特徴とする請求項３または４記載の電極溶接装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極溶接装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電極溶接装置としては、例えば特許文献１に記載されている技術が知られている。特許文献１に記載の電極溶接装置は、正極板及び負極板がセパレータを介して捲回されてなる電極群のいずれか一方の極板から導出されたリードを、電極群を収容する電池ケースの開口部をかしめ封口する封口板に当接させた状態で、リード側からレーザを照射することにより、リードを封口板にレーザ溶接する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特再公表２０１０−１６１８２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、レーザの照射により溶接を行う場合、ワーク（加工対象）の温度分布としては、レーザの照射箇所が最も高温となり、照射箇所から離れるほど温度は下がる。一方で、レーザを走査しながら連続して照射する際、特にワークが小さい場合または溶接箇所が熱が逃げ難い形状を呈している場合等、温度が上昇しやすい条件下では、レーザの照射に伴って、ワーク全体または溶接ラインに沿った溶接箇所全体の温度も次第に上昇する。すなわち、溶接の開始位置である始端から溶接の終了位置である終端までレーザを走査した場合、エネルギービームの照射位置に隣接する箇所のみならず、照射位置から離れた箇所の温度も次第に上昇する。このため、レーザの出力を一定としていても、溶接後半、特に溶接の終端付近では、溶接の始端と比較して温度が上昇し、スパッタが発生しやすくなる。
【０００５】
本発明の目的は、スパッタの発生を抑制することができる電極溶接装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、積層状態の複数の電極のタブ同士を溶接する電極溶接装置において、複数の電極のタブが積層されたタブ積層体にレーザ溶接用のレーザを照射するレーザ照射部と、レーザ照射部によるレーザの照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射部とを備えることを特徴とする。
【０００７】
このような電極溶接装置においては、複数の電極のタブが積層されたタブ積層体にレーザ溶接用のレーザを照射することにより、タブ積層体に溶接部が形成される。このとき、タブ積層体におけるレーザの照射終端付近では、レーザが照射終端に至るまでにタブ積層体の温度が上昇しているため、レーザの照射により必要以上に温度が上昇しやすく、スパッタが発生しやすくなる。そこで、レーザが照射終端位置に至る前より、照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射することにより、タブ積層体におけるレーザの照射終端付近が温度上昇することを抑える。これにより、スパッタの発生を抑制することができる。
【０００８】
冷却ガス噴射部は、レーザ照射部によるレーザの照射始端位置を避けるように照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射してもよい。タブ積層体におけるレーザの照射始端付近では、温度が上昇しにくいため、レーザの溶け込み量が少ない。そこで、レーザの照射始端位置を避けるようにレーザの照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射することにより、レーザの照射始端位置に冷却ガスが与えられることはない。従って、タブ積層体におけるレーザの照射始端付近の温度低下が抑えられるため、タブ積層体におけるレーザの照射始端付近に対するレーザの溶け込み量が必要以上に減少することが防止される。
【０００９】
電極溶接装置は、レーザ照射部によるレーザの照射箇所にアシストガスを噴射するアシストガス噴射部を更に備えてもよい。この場合には、アシストガスによってタブ積層体におけるレーザの照射箇所の酸化が防止されるため、各電極のタブ同士の溶接強度の低下を防ぐことができる。
【００１０】
冷却ガス及びアシストガスは、同じガスであってもよい。この場合には、複数種類のガスを用意しなくて済むため、コスト的に有利である。
【００１１】
電極溶接装置は、冷却ガス噴射部による冷却ガスの噴射量がアシストガス噴射部によるアシストガスの噴射量よりも多くなるように、冷却ガス噴射部及びアシストガス噴射部を制御する制御部を更に備えてもよい。この場合には、タブ積層体におけるレーザの照射終端付近の温度上昇が十分に抑えられるため、スパッタの発生を一層抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、スパッタの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る電極溶接装置を使用して製造される蓄電装置の内部構成を示す断面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】図１に示された電極組立体の斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電極溶接装置を示す概略平面図である。
【図５】レーザ照射器によりタブ積層体にレーザを照射する様子を示す正面図である。
【図６】アシストガス噴射ノズルによりレーザの照射箇所にアシストガスを噴射すると共に、冷却ガス噴射ノズルによりレーザの照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射する様子を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る電極溶接装置を使用して製造される蓄電装置の内部構成を示す断面図である。図２は、図１のII−II線断面図である。図１及び図２において、蓄電装置１は、積層型の電極組立体を有するリチウムイオン二次電池である。
【００１６】
蓄電装置１は、例えば略直方体形状をなすケース２と、このケース２内に収容された電極組立体３とを備えている。ケース２は、例えばアルミニウム等の金属により形成されている。ケース２の内部には、図示はしないが、例えば非水系（有機溶媒系）の電解液が注液されている。ケース２上には、正極端子４及び負極端子５が互いに離間して配置されている。正極端子４は、絶縁リング６を介してケース２に固定され、負極端子５は、絶縁リング７を介してケース２に固定されている。また、図示はしないが、電極組立体３の側面及び底面は絶縁フィルムにより覆われており、絶縁フィルムによってケース２と電極組立体３との間が絶縁されている。図１では便宜上、電極組立体３の底面とケース２の内側底面との間には僅かな隙間が設けられているが、実際には電極組立体３の底面が絶縁フィルムを介してケース２の内側底面に接触している。なお、電極組立体３とケース２との間にスペーサを配置することで、電極組立体３とケース２との間に隙間を形成してもよい。
【００１７】
電極組立体３は、複数の正極８と複数の負極９とが袋状のセパレータ１０を介して交互に積層された構造を有している。正極８及び負極９は、電極である。正極８は、袋状のセパレータ１０に包まれている。袋状のセパレータ１０に包まれた状態の正極８は、セパレータ付き正極１１として構成されている。従って、電極組立体３は、複数のセパレータ付き正極１１と複数の負極９とが交互に積層された構造を有している。なお、電極組立体３の両端に位置する電極は、負極９である。
【００１８】
正極８は、例えばアルミニウム箔からなる金属箔１４と、この金属箔１４の両面に形成された正極活物質層１５とを有している。金属箔１４は、平面視矩形状の箔本体部１４ａと、この箔本体部１４ａと一体化されたタブ１４ｂとを有している。タブ１４ｂは、箔本体部１４ａの長手方向の一端部近傍の縁から突出している。そして、タブ１４ｂは、セパレータ１０を突き抜けている。タブ１４ｂは、導電部材１２を介して正極端子４に接続されている。なお、図２では、便宜上タブ１４ｂを省略している。
【００１９】
正極活物質層１５は、箔本体部１４ａに形成されている。正極活物質層１５は、正極活物質とバインダとを含んで形成された多孔質の層である。正極活物質としては、例えば複合酸化物、金属リチウムまたは硫黄等が挙げられる。複合酸化物には、例えばマンガン、ニッケル、コバルト及びアルミニウムの少なくとも１つとリチウムとが含まれる。
【００２０】
負極９は、例えば銅箔からなる金属箔１６と、この金属箔１６の両面に形成された負極活物質層１７とを有している。金属箔１６は、平面視矩形状の箔本体部１６ａと、この箔本体部１６ａと一体化されたタブ１６ｂとを有している。タブ１６ｂは、箔本体部１６ａの長手方向の一端部近傍の縁から突出している。タブ１６ｂは、導電部材１３を介して負極端子５に接続されている。なお、図２では、便宜上タブ１６ｂを省略している。
【００２１】
負極活物質層１７は、箔本体部１６ａに形成されている。負極活物質層１７は、負極活物質とバインダとを含んで形成された多孔質の層である。負極活物質としては、例えば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、ＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．５）等の金属酸化物またはホウ素添加炭素等が挙げられる。
【００２２】
セパレータ１０は、平面視矩形状を呈している。セパレータ１０の形成材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、或いはポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルセルロース等からなる織布または不織布等が例示される。
【００２３】
図３は、電極組立体３の斜視図である。図３において、電極組立体３は、複数の正極８と複数の負極９とがセパレータ１０を介して交互に積層された組立体本体２０と、複数の正極８のタブ１４ｂが積層されたタブ積層体２１と、複数の負極９のタブ１６ｂが積層されたタブ積層体２２とを有している。
【００２４】
タブ積層体２１，２２は、組立体本体２０の一側面からＸ軸方向に突出している。Ｘ軸方向は、組立体本体２０の長手方向（Ｙ軸方向）及び正極８及び負極９の積層方向（Ｚ軸方向）に垂直な方向である。タブ積層体２１，２２は、Ｙ軸方向に離間して配置されている。タブ積層体２１，２２は、図示しない加圧ユニットにより加圧されている。これにより、タブ積層体２１の各タブ１４ｂ同士が接触し、タブ積層体２２の各タブ１６ｂ同士が接触している。
【００２５】
タブ積層体２１は、２つの側面２１ａ、先端面２１ｂ及び上面２１ｃを有している。先端面２１ｂ及び上面２１ｃは、各側面２１ａを繋いでいる。タブ１４ｂには、正極活物質層１５が設けられていない。また、タブ積層体２１を構成するタブ１４ｂの枚数は、電極組立体３を構成する電極の枚数の約半分である。従って、組立体本体２０の一側面の高さに合わせてタブ１４ｂを積層してなるタブ積層体２１の先端面２１ｂは、タブ積層体２１の先端に向かうに従ってタブ積層体２１の厚みが小さくなるような傾斜面となっている。タブ積層体２１は、導電部材１２上に載置されている。タブ積層体２１の上面２１ｃには、保護板２３が載置されている。従って、タブ積層体２１は、導電部材１２及び保護板２３によってＺ軸方向に挟まれている。
【００２６】
導電部材１２の厚みは、タブ１４ｂの厚みよりも大きい。保護板２３の厚みは、タブ１４ｂの厚みよりも大きいが、導電部材１２の厚みよりも小さい。導電部材１２のＹ軸方向の長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向の長さよりも大きい。タブ積層体２１の先端位置は、導電部材１２の縁部に一致している。保護板２３のＹ軸方向の長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向の長さと等しい。導電部材１２及び保護板２３の材料は、金属箔１４の材料と同じである。
【００２７】
タブ積層体２１の両側面２１ａには、タブ積層体２１の各タブ１４ｂ同士を溶接した溶接部２４が設けられている。溶接部２４は、保護板２３から導電部材１２まで延びている。溶接部２４は、レーザ溶接により形成されている。
【００２８】
タブ積層体２２は、２つの側面２２ａ、先端面２２ｂ及び上面２２ｃを有している。先端面２２ｂ及び上面２２ｃは、各側面２２ａを繋いでいる。タブ１６ｂには、負極活物質層１７が設けられていない。また、タブ積層体２２を構成するタブ１６ｂの枚数は、電極組立体３を構成する電極の枚数の約半分である。従って、組立体本体２０の一側面の高さに合わせてタブ１６ｂを積層してなるタブ積層体２２の先端面２２ｂは、タブ積層体２２の先端に向かうに従ってタブ積層体２２の厚みが小さくなるような傾斜面となっている。タブ積層体２２は、導電部材１３上に載置されている。タブ積層体２２の上面２２ｃには、保護板２５が載置されている。従って、タブ積層体２２は、導電部材１３及び保護板２５によってＺ軸方向に挟まれている。
【００２９】
導電部材１３の厚みは、タブ１６ｂの厚みよりも大きい。保護板２５の厚みは、タブ１６ｂの厚みよりも大きいが、導電部材１３の厚みよりも小さい。導電部材１３のＹ軸方向の長さは、タブ積層体２２のＹ軸方向の長さよりも大きい。タブ積層体２２の先端位置は、導電部材１３の縁部に一致している。保護板２５のＹ軸方向の長さは、タブ積層体２２のＹ軸方向の長さと等しい。導電部材１３及び保護板２５の材料は、金属箔１６の材料と同じである。
【００３０】
タブ積層体２２の両側面２２ａには、タブ積層体２２の各タブ１６ｂ同士を溶接した溶接部２６が設けられている。溶接部２６は、保護板２５から導電部材１３まで延びている。溶接部２６は、レーザ溶接により形成されている。
【００３１】
図４は、本発明の一実施形態に係る電極溶接装置を示す概略平面図である。図４において、本実施形態の電極溶接装置３０は、積層状態の複数の正極８のタブ１４ｂ同士を溶接すると共に、積層状態の複数の負極９のタブ１６ｂ同士を溶接する。なお、図４〜図６では、複数の正極８のタブ１４ｂ同士を溶接する構成のみを示しているが、複数の負極９のタブ１７ｂ同士を溶接する構成についても同様である。
【００３２】
電極溶接装置３０は、４つのレーザ照射器３１（レーザ照射部）と、４つのアシストガス噴射ノズル３２（アシストガス噴射部）と、４つの冷却ガス噴射ノズル３３（冷却ガス噴射部）と、コントローラ３４（制御部）とを備えている。なお、図４では、レーザ照射器３１、アシストガス噴射ノズル３２及び冷却ガス噴射ノズル３３は、２つずつ示されている。レーザ照射器３１、アシストガス噴射ノズル３２及び冷却ガス噴射ノズル３３は、例えば３軸方向（ＸＹＺ軸方向）に移動可能な可動式であってもよいし、何らかの部品に取り付けられた固定式であってもよい。
【００３３】
レーザ照射器３１は、タブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａにレーザ溶接用のレーザＬをそれぞれ照射する。これにより、タブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａに溶接部２４，２６がそれぞれ形成される。レーザ照射器３１は、図５に示されるように、タブ積層体２１，２２の上方からレーザＬをタブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａに向けてそれぞれ照射する。レーザ照射器３１からのレーザＬの照射方向は、タブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａに対して所定の角度で傾斜している。
【００３４】
レーザ照射器３１は、図６に示されるように、タブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａに対してレーザＬをそれぞれＸ軸方向に沿って照射始端位置Ｐ１から照射終端位置Ｐ２まで走査させて照射する。具体的には、レーザ照射器３１は、タブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａに対してレーザＬをそれぞれＺ軸方向に往復変位させながらＸ軸方向に沿って走査させる。このとき、レーザＬのＺ軸方向の変位量は、タブ積層体２１，２２の厚みよりも大きい。
【００３５】
照射始端位置Ｐ１は、レーザ照射器３１によるレーザＬの照射を開始する位置である。照射始端位置Ｐ１は、保護板２３，２５のＸ軸方向の一端に対応した位置である。照射終端位置Ｐ２は、レーザ照射器３１によるレーザＬの照射を終了する位置である。照射終端位置Ｐ２は、保護板２３，２５のＸ軸方向の他端に対応した位置である。照射始端位置Ｐ１及び照射終端位置Ｐ２は、タブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａにおけるＺ軸方向の中心に位置している。照射始端位置Ｐ１及び照射終端位置Ｐ２を通る線Ｈは、Ｘ軸方向に延びている。
【００３６】
アシストガス噴射ノズル３２は、レーザ照射器３１によるレーザＬの照射箇所にアシストガスＧａを噴射する。アシストガス噴射ノズル３２は、図６に示されるように、タブ積層体２１，２２に対応する高さ位置に配置されている。アシストガス噴射ノズル３２は、Ｘ軸方向に沿って照射始端位置Ｐ１側から照射終端位置Ｐ２側に向けてアシストガスＧａを噴射する。このとき、アシストガス噴射ノズル３２は、アシストガスＧａをタブ積層体２１，２２の側面２１ａ，２２ａの中心位置を通るように噴射する。アシストガスＧａとしては、Ｎ２ガスが使用される。なお、アシストガスＧａを噴射する理由は、レーザＬの熱により溶融した箇所の酸化を防止するためである。
【００３７】
冷却ガス噴射ノズル３３は、レーザ照射器３１によるレーザＬの照射終端位置Ｐ２に向けて冷却ガスＧｃを噴射する。冷却ガス噴射ノズル３３は、図６に示されるように、タブ積層体２１，２２の上方に配置されている。従って、冷却ガス噴射ノズル３３は、アシストガス噴射ノズル３２よりも高い位置に配置されている。
【００３８】
具体的には、冷却ガス噴射ノズル３３は、レーザ照射器３１によるレーザＬの照射始端位置Ｐ１を避けるようにレーザＬの照射終端位置Ｐ２に向けて冷却ガスＧｃを噴射する。冷却ガス噴射ノズル３３からの冷却ガスＧｃの噴射方向は、照射始端位置Ｐ１及び照射終端位置Ｐ２を通る線Ｈに対して傾斜している。つまり、冷却ガス噴射ノズル３３からの冷却ガスＧｃの噴射方向は、アシストガス噴射ノズル３２からのアシストガスＧａの噴射方向に対して傾斜している。なお、本実施形態においては、冷却ガスＧｃとして、アシストガスＧａと供給源を同じとするＮ２ガスが使用される。
【００３９】
コントローラ３４は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ及び入出力インターフェース等により構成されている。コントローラ３４は、レーザ照射器３１を作動させるときに、アシストガス噴射ノズル３２及び冷却ガス噴射ノズル３３を同時に作動させるように、レーザ照射器３１、アシストガス噴射ノズル３２及び冷却ガス噴射ノズル３３を制御する。このとき、コントローラ３４は、冷却ガス噴射ノズル３３による冷却ガスＧｃの噴射量がアシストガス噴射ノズル３２によるアシストガスＧａの噴射量よりも多くなるように、アシストガス噴射ノズル３２及び冷却ガス噴射ノズル３３を制御する。
【００４０】
以上のように本実施形態にあっては、複数の正極８のタブ１４ｂが積層されたタブ積層体２１にレーザ溶接用のレーザＬを照射することにより、タブ積層体２１に溶接部２４が形成されると共に、複数の負極９のタブ１６ｂが積層されたタブ積層体２２にレーザ溶接用のレーザＬを照射することにより、タブ積層体２２に溶接部２６が形成される。このとき、タブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射終端付近では、レーザＬが照射終端に至るまでにタブ積層体２１，２２の温度が上昇しているため、レーザＬの照射により必要以上に温度が上昇しやすく、スパッタが発生しやすくなる。そこで、レーザＬが照射終端位置Ｐ２に至る前より、照射終端位置Ｐ２に向けて冷却ガスＧｃを噴射することにより、レーザＬが照射終端位置Ｐ２に至るまでに、タブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射終端付近が温度上昇することを抑える。これにより、スパッタの発生を抑制することができる。その結果、レーザＬによる溶接品質を向上させることが可能となる。
【００４１】
一方で、タブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射始端付近では、温度が上昇しにくいため、レーザＬの溶け込み量が少ない。そこで、レーザＬの照射始端位置Ｐ１を避けるようにレーザＬの照射終端位置Ｐ２に向けて冷却ガスＧｃを噴射することにより、レーザＬの照射始端位置Ｐ１に冷却ガスＧｃが与えられることはない。従って、タブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射始端付近の温度低下が抑えられるため、タブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射始端付近に対するレーザＬの溶け込み量が必要以上に減少することが防止される。これにより、レーザＬによる溶接品質を更に向上させることが可能となる。
【００４２】
また、本実施形態では、レーザ照射器３１によるレーザＬの照射箇所にアシストガスＧａを噴射するので、アシストガスＧａによってタブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射箇所の酸化が防止される。従って、各正極８のタブ１４ｂ同士及び各負極９のタブ１６ｂ同士の溶接強度の低下を防ぐことができる。これにより、レーザＬによる溶接品質を一層向上させることが可能となる。
【００４３】
また、本実施形態では、冷却ガスＧｃ及びアシストガスＧａとして同じガスを使用するので、複数種類のガスを用意しなくて済む。従って、コスト的に有利である。
【００４４】
また、本実施形態では、冷却ガス噴射ノズル３３による冷却ガスＧｃの噴射量をアシストガス噴射ノズル３２によるアシストガスＧａの噴射量よりも多くするので、タブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射終端付近の温度上昇が十分に抑えられる。従って、スパッタの発生を一層抑制することができる。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施形態には限定されない。例えば上記実施形態では、アシストガス噴射ノズル３２は、Ｘ軸方向に沿って照射始端位置Ｐ１側から照射終端位置Ｐ２側に向けてアシストガスＧａを噴射しているが、特にその形態には限られず、例えばタブ積層体２１，２２に対するレーザＬの照射箇所に合わせて、アシストガス噴射ノズル３２によるアシストガスＧａの噴射位置をずらしていく様にしてもよい。
【００４６】
また、上記実施形態では、アシストガスＧａ及び冷却ガスＧｃとして、同じＮ２ガスを使用しているが、特にその形態には限られず、アシストガスＧａと冷却ガスＧｃとで異なるガスを使用してもよい。例えば、アシストガスＧａ及び冷却ガスＧｃの一方をＮ２ガスとし、アシストガスＧａ及び冷却ガスＧｃの他方をＡｒガスとしてもよい。
【００４７】
さらに、上記実施形態では、冷却ガス噴射ノズル３３による冷却ガスＧｃの噴射量がアシストガス噴射ノズル３２によるアシストガスＧａの噴射量よりも多くなっているが、冷却ガスＧｃによってレーザＬの照射終端付近の温度上昇が抑えられるのであれば、冷却ガスＧｃの噴射量がアシストガスＧａの噴射量と同じでもよいし、或いは冷却ガスＧｃの噴射量がアシストガスＧａの噴射量よりも少なくてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、アシストガス噴射ノズル３２によってレーザＬの照射箇所にアシストガスＧａを噴射しているが、特にその形態には限られず、タブ積層体２１，２２におけるレーザＬの照射箇所の酸化の影響が少ないような場合には、アシストガス噴射ノズル３２は特に無くてもよい。
【００４９】
さらに、上記実施形態では、蓄電装置１がリチウムイオン二次電池であるが、本発明は、特にリチウムイオン二次電池には限られず、例えばニッケル水素電池等の他の二次電池、電気二重層キャパシタまたはリチウムイオンキャパシタ等の蓄電装置における電極の溶接にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
８…正極（電極）、９…負極（電極）、１４ｂ…タブ、１６ｂ…タブ、２１…タブ積層体、２２…タブ積層体、３０…電極溶接装置、３１…レーザ照射器（レーザ照射部）、３２…アシストガス噴射ノズル（アシストガス噴射部）、３３…冷却ガス噴射ノズル（冷却ガス噴射部）、３４…コントローラ（制御部）、Ｐ１…照射始端位置、Ｐ２…照射終端位置、Ｌ…レーザ、Ｇａ…アシストガス、Ｇｃ…冷却ガス。
【図１】
2018032594.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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