(57)【要約】【課題】１回の測定で正確なＭＴＦカーブを推定することができるＭＴＦ測定方法を提供する。【解決手段】ＣＭＯＳセンサー１と、原稿３からコンタクトガラス４を介して入射される反射光をＣＭＯＳセンサー１に導くレンズ２とを備えたＣＩＳ１０のＭＴＦをＭＴＦ測定方法であって、コンタクトガラス４上に、副走査方向の異なる箇所で厚さＢｃが変化する透明板２０を介してテストチャート３０を載置し、ＣＩＳ１０を副走査方向にスキャンさせ、１回のスキャンで、透明板２０の厚さＢｃが異なる複数の測定箇所ＭでそれぞれＭＴＦを測定させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主走査方向に配列された複数の光電変換素子と、原稿からコンタクトガラスを介して入射される反射光を前記光電変換素子に導くレンズとを備えた密着イメージセンサーのＭＴＦを測定するためのＭＴＦ測定方法であって、
前記コンタクトガラス上に、副走査方向の異なる箇所で厚さが変化する透明板を介してテストチャートを載置し、
前記密着イメージセンサーを副走査方向にスキャンさせ、１回のスキャンで、前記透明板の厚さが異なる複数の測定箇所でそれぞれＭＴＦを測定させることを特徴とするＭＴＦ測定方法。
【請求項２】
前記透明板は、平坦な第１面と、該第１面と対向し所定の角度で傾斜する第２面とを有し、前記透明板の厚さが主走査方向で変化することなく、副走査方向で逓減もしくは逓増するように、前記第１面を前記コンタクトガラスに載置することを特徴とする請求項１記載のＭＴＦ測定方法。
【請求項３】
前記レンズと前記コンタクトガラスとの間隔はスペーサーの厚さによって調整可能に構成されており、
測定時に装着する前記スペーサーの厚さは、想定される前記光電変換素子と前記レンズとの間の距離の最小値から前記コンタクトガラスの厚さを減算した値よりも小さく設定することを特徴とする請求項１又は２記載のＭＴＦ測定方法。
【請求項４】
複数の測定箇所の中で最も厚い前記透明板の厚さは、想定される前記光電変換素子と前記レンズとの間の距離の最大値から測定時に装着する前記スペーサーの厚さと前記コンタクトガラスの厚さとを減算した値よりも大きく設定することを特徴とする請求項３記載のＭＴＦ測定方法。
【請求項５】
請求項３又は４記載のＭＴＦ測定方法による複数の前記測定箇所の中で最もＭＴＦの測定結果が高いものを特定し、特定した前記測定箇所での前記透明板の厚さと、測定時に装着したスペーサーの厚さとを加算した値を原稿読取装置に搭載するスペーサーの厚さとして決定することを特徴とするＭＴＦ調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、密着イメージセンサー（ＣＩＳ：Contact Image Sensor）のＭＴＦを測定するＭＴＦ測定方法及びＭＴＦ調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、低コストのＭＦＰ（Multi-Function Peripheral）やスキャナーで使用される画像読取装置には、ＣＩＳが用いられることが多い。ＣＩＳは、原稿に光を照射するＬＥＤ等の光源と、ＣＭＯＳセンサー等の主走査方向に配列された複数の光電変換素子（以下、ＣＭＯＳセンサーと称す）と、原稿からの反射光をＣＭＯＳセンサーに導くにレンズとを含む画像読取センサーである。そして、ＣＩＳは、原稿が載置されるコンタクトガラスの裏面に沿って副走査方向に往復移動する読取ユニットに搭載される。ＣＩＳは、読取ユニットの移動中に原稿へ向けて光を照射し、原稿からコンタクトガラスを介して入射される反射光を受光することによって、原稿の画像を読み取る。
【０００３】
原稿読取機能にはＭＴＦ（Modulation Transfer Function）と呼ばれる焦点深度とピントに関する性能があるが、ＣＩＳはＣＣＤ（Charge Coupled Device）に比べては焦点距離の変動に対してピントが変動しやすいという特徴がある。ＭＴＦが高いほどピントが合っており、低いほどぼやける。図５を参照すると、ＣＣＤは焦点距離の変化に対してＭＴＦの値が緩やかに変化するが、ＣＩＳは焦点距離の変化に対してＭＴＦの値が激しく変化する。
【０００４】
ＣＩＳにおける焦点距離は、図６に示すＣＭＯＳセンサー１とレンズ２と被写体である原稿３との位置関係で決定される。図６（ａ）に示すように、ＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離Ａと、レンズ２と原稿３の間の距離Ｂとが等しい場合に、図７に示すように、焦点距離０ｍｍでＭＴＦは最大となる。これに対して、図６（ｂ）に示すように、ＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離Ａ１がレンズ２と原稿３の間の距離Ｂよりも０．６ｍｍ短いには、図７に示すように、焦点距離−０.６ｍｍでＭＴＦは最大となり、焦点距離０ｍｍでのＭＴＦが低下してしまう。また、図６（ｃ）に示すように、ＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離Ａ１がレンズ２と原稿３の間の距離Ｂよりも０．６ｍｍ長いには、図７に示すように、焦点距離０.６ｍｍでＭＴＦは最大となり、焦点距離０ｍｍでのＭＴＦが低下してしまう。
【０００５】
一般的にＣＩＳはアッセンブリー部材であり、ＣＭＯＳセンサー１とレンズ２とはアッセンブリーによってハウジングに組み込まれる。従って、ＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離Ａが確定された状態で提供されるが、実際にはこの組み付けに寸法誤差が発生する。
【０００６】
そのため、原稿読取装置にＣＩＳを搭載する際に、主走査方向に対して直交する白黒ラインが形成されたテストチャートを用いてＭＴＦを測定し、レンズ２と原稿３の間の距離ＢをＭＴＦが最大となるように焦点距離を調整していた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−６３１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
レンズ２と原稿３の間の距離Ｂは、図８に示すように、ＣＩＳ１０（レンズ２）とコンタクトガラス４との間隔を決めるスペーサー５の厚さＢａと、コンタクトガラス４の厚さＢｂとを加算した値となる。従って、原稿読取装置に搭載したＣＩＳにおいてＭＴＦが最大となる焦点距離を計測するためには、図５に示すようなＭＴＦカーブを個別に測定し、適した厚さＢａのスペーサー５を取り付ける必要がある。
【０００９】
しかしながら、１回の測定で取得できるＭＴＦの値は、測定時に装着したスペーサー５の厚さＢａによって決まる１点のみである。従って、ＭＴＦカーブを測定するためには、スペーサー５の厚さＢａを変えて、複数回の測定（図８に矢印で示す副走査方向へスキャン）を行わなければならず、測定工数が増えてしまうという問題点があった。また、スペーサー５の変更した厚さＢａの間隔でしか測定できないため、測定工数の削減を目的として測定回数を減らした場合には、正確なＭＴＦカーブを測定することが困難になってしまう。
【００１０】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、１回の測定で正確なＭＴＦカーブを推定することができるＭＴＦ測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のＭＴＦ測定方法は、主走査方向に配列された複数の光電変換素子と、原稿からコンタクトガラスを介して入射される反射光を前記光電変換素子に導くレンズとを備えた密着イメージセンサーのＭＴＦを測定するためのＭＴＦ測定方法であって、前記コンタクトガラス上に、副走査方向の異なる箇所で厚さが変化する透明板を介してテストチャートを載置し、前記密着イメージセンサーを副走査方向にスキャンさせ、１回のスキャンで、前記透明板の厚さが異なる複数の測定箇所でそれぞれＭＴＦを測定させることを特徴とする。
さらに、本発明のＭＴＦ測定方法において、前記透明板は、平坦な第１面と、該第１面と対向し所定の角度で傾斜する第２面とを有し、前記透明板の厚さが主走査方向で変化することなく、副走査方向で逓減もしくは逓増するように、前記第１面を前記コンタクトガラスに載置しても良い。
さらに、本発明のＭＴＦ測定方法において、前記レンズと前記コンタクトガラスとの間隔はスペーサーの厚さによって調整可能に構成されており、測定時に装着する前記スペーサーの厚さは、想定される前記光電変換素子と前記レンズとの間の距離の最小値から前記コンタクトガラスの厚さを減算した値よりも小さく設定しても良い。
さらに、本発明のＭＴＦ測定方法において、複数の測定箇所の中で最も厚い前記透明板の厚さは、想定される前記光電変換素子と前記レンズとの間の距離の最大値から測定時に装着する前記スペーサーの厚さと前記コンタクトガラスの厚さとを減算した値よりも大きく設定しても良い。
さらに、本発明のＭＴＦ調整法は、上述のＭＴＦ測定方法による複数の前記測定箇所の中で最もＭＴＦの測定結果が高いものを特定し、特定した前記測定箇所での前記透明板の厚さと、測定時に装着したスペーサーの厚さとを加算した値を原稿読取装置に搭載するスペーサーの厚さとして決定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、１回の測定で複数深度のＭＴＦを測定することができるため、正確なＭＴＦカーブを簡単に推定することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係るＭＴＦ測定方法の第１の実施の形態を説明するための概略側面図である。
【図２】図１に示すテストチャートの構成を示す図である。
【図３】本発明に係るＭＴＦ測定方法によるＭＴＦの測定結果例を示す図である。
【図４】本発明に係るＭＴＦ測定方法の第２の実施の形態を説明するための概略側面図である。
【図５】ＣＩＳとＣＣＤとにおける焦点距離とＭＴＦとの関係を示す図である。
【図６】ＣＩＳにおける焦点距離を説明する説明図である。
【図７】ＣＩＳにおける焦点距離とＭＴＦとの関係を示す図である。
【図８】従来のＭＴＦ測定方法を説明するための概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施形態において、同様の機能を示す構成には、同一の符号を付してある。
【００１５】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態のＭＴＦ測定方法では、図１に示すように、平坦な第１面としての載置面２０ａと、該載置面２０ａと対向し、所定の角度で傾斜する第２面としての対向面２０ｂとを有するガラス等の透明板２０を検査治具としてコンタクトガラス４上に載置させる。
【００１６】
透明板２０は、副走査方向の位置決め部材６に当接させ、厚さＢｃ（載置面２０ａと対向面２０ｂとの距離）が主走査方向で変化することなく、副走査方向で逓減もしくは逓増するように載置面２０ａをコンタクトガラス４上に載置させる。なお、図１に示す例では、透明板２０の主走査方向から見た断面を厚さＢｃが０から逓増する三角に構成したが、厚さＢｃが所定長から逓増する台形に構成しても良い。
【００１７】
次に、透明板２０上に、図２に示すようなテストチャート３０を載置する。これにより、ＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離Ａに対する、レンズ２とテストチャート３０（原稿）の間の距離Ｂは、レンズ２とコンタクトガラス４との間隔を決めるスペーサー５の厚さＢａと、コンタクトガラス４の厚さＢｂと、透明板２０の厚さＢｃとを加算した値となる。そして、透明板２０の厚さＢｃは、厚さＢｃ１〜厚さＢｃ５のように副走査方向で異なるため、レンズ２とテストチャート３０（原稿）の間の距離ＢもＢ１〜Ｂ５のように副走査方向で変化する。
【００１８】
次に、図１に矢印方向に示す副走査方向にスキャンさせ、１回のスキャンで、副走査方向の異なる箇所でそれぞれＭＴＦを測定する。副走査方向の異なる測定箇所、例えば、図２に示す所定距離Ｌ１毎の測定箇所Ｍ１〜Ｍ5でＭＴＦを測定した場合、透明板２０における載置面２０ａと対向面２０ｂとの角度が既知であるため、測定箇所Ｍ１〜Ｍ5における透明板２０の厚さＢｃ１〜厚さＢｃ５がわかる。従って、測定箇所Ｍ１〜Ｍ5での測定結果は、図３に示すように、横軸を透明板２０の厚さＢｃとした仮想のＭＴＦカーブ上にプロットされたものになる。
【００１９】
そこで、測定箇所Ｍ１〜Ｍ5の中で最もＭＴＦの測定結果が高い箇所を特定する。図３に示す例では、測定箇所Ｍ3が特定されることになる。そして、特定した測定箇所Ｍ3での透明板２０の厚さＢｃ３と、測定時に装着したスペーサー５の厚さＢａとを加算した（Ｂｃ３＋Ｂａ）をスペーサー５の厚さとして決定する。この場合、ＣＩＳ１０を搭載した原稿読取装置でのＭＴＦは、特定した測定箇所Ｍ3で実測値となる。従って、複数の測定結果の中から最も満足できるものを選択し、選択した測定結果を実際の性能として原稿読取装置に組み込むことができる。なお、測定箇所が多い程、より正確なＭＴＦカーブを測定することができることは言うまでもない。
【００２０】
また、測定時に装着するスペーサー５の厚さＢａは、想定されるＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離Ａの最小値をＡｍｉｎとすると、最小値をＡｍｉｎからコンタクトガラス４の厚さＢｂを減算した値（Ａｍｉｎ−Ｂｂ）よりも小さくすると良い。これにより、ＭＴＦのピークの手前側からピークに向けて測定箇所が設定されることになる。
【００２１】
また、測定箇所Ｍ１〜Ｍ5の中で最も厚い透明板２０の厚さＢｃｍａｘは、想定されるＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離Ａの最大値をＡｍａｘとすると、最大値Ａｍａｘから測定時に装着するスペーサー５の厚さＢａとコンタクトガラス４の厚さＢｂとを減算した値（Ａｍａｘ−Ｂａ−Ｂｂ）よりも大きくすると良い。これにより、ＭＴＦのピークを越えて測定箇所が設定されることになる。
【００２２】
さらに、透明板２０にテストチャート３０を張り付けたものを検査治具として用いるようにしても良い。
【００２３】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態のＭＴＦ測定方法では、図４に示すように、平坦な第１面としての載置面２１ａと第２面としての対向面２１ｂとの厚さＢｃが副走査方向で段階的（Ｂｃ１、厚さＢｃ２、厚さＢｃ３、厚さＢｃ４、厚さＢｃ５）に逓減もしくは逓増する透明板２１をコンタクトガラス４上に載置させる。そして、厚さＢｃが異なる透明板２１の各対向面２１ｂに、副走査方向に短いテストチャート３１を載置する。
【００２４】
第２の実施の形態では、測定箇所Ｍの数は限定されることになるが、上記第１の実施の形態と異なり、テストチャート３１をコンタクトガラス４と平行に配置することができる。従って、原稿の読み取りと同じ条件でＭＴＦの測定を行うことができる。
【００２５】
なお、透明板２１は、厚さＢｃ毎に分割したものを用いるようにしても良い。
【００２６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ＣＭＯＳセンサー１と、原稿３からコンタクトガラス４を介して入射される反射光をＣＭＯＳセンサー１に導くレンズ２とを備えたＣＩＳ１０のＭＴＦを測定するためのＭＴＦ測定方法であって、コンタクトガラス４上に、副走査方向の異なる箇所で厚さＢｃが変化する透明板２０、２１を介してテストチャート３０、３１を載置し、ＣＩＳ１０を副走査方向にスキャンさせ、１回のスキャンで、透明板２０、２１の厚さＢｃが異なる複数の測定箇所ＭでそれぞれＭＴＦを測定させる。
この構成により、１回の測定で複数深度のＭＴＦを測定することができるため、正確なＭＴＦカーブを簡単に推定することができる。
【００２７】
さらに、本実施の形態において、透明板２０は、平坦な第１面としての載置面２０ａと、該載置面２０ａと対向し、所定の角度で傾斜する第２面としての対向面２０ｂとを有し、前記透明板の厚さＢｃが主走査方向で変化することなく、副走査方向で逓減もしくは逓増するように、載置面２０ａをコンタクトガラス４に載置する。
この構成により、焦点深度が異なる測定箇所Ｍを簡単に設定することができる。また、副走査方向の位置を変更するだけで、測定箇所Ｍの数や焦点深度を変更することができる。
【００２８】
さらに、本実施の形態において、レンズ２とコンタクトガラス４との間隔はスペーサー５の厚さＢａによって調整可能に構成されており、測定時に装着するスペーサー５の厚さＢａは、想定されるＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離の最小値Ａｍｉｎからコンタクトガラス４の厚さＢｂを減算した値（Ａｍｉｎ−Ｂｂ）よりも小さく設定する。
この構成により、ＭＴＦのピークの手前側からピークに向けて測定箇所が設定することができる。
【００２９】
さらに、本実施の形態において、測定箇所Ｍ１〜Ｍ5の中で最も厚い透明板２０の厚さＢｃｍａｘは、想定されるＣＭＯＳセンサー１とレンズ２との間の距離の最大値Ａｍａｘから測定時に装着するスペーサー５の厚さＢａとコンタクトガラス４の厚さＢｂとを減算した値（Ａｍａｘ−Ｂａ−Ｂｂ）よりも大きく設定する。
この構成により、ＭＴＦのピークを越えて測定箇所が設定することができる。
【００３０】
さらに、本実施の形態において、複数の測定箇所Ｍ１〜Ｍ5の中で最もＭＴＦの測定結果が高いものを特定し、特定した測定箇所Ｍ３での透明板２０の厚さＢｃ３と、測定時に装着したスペーサーの厚さＢａとを加算した値（Ｂｃ３＋Ｂａ）を原稿読取装置に搭載するスペーサー５の厚さとして決定する。
この構成により、複数の測定結果の中からピントが最適となる測定結果を選択し、選択した測定結果を実際の性能として原稿読取装置に組み込むことができる。
【００３１】
なお、本発明が上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。なお、各図において、同一構成要素には同一符号を付している。
【符号の説明】
【００３２】
１  ＣＭＯＳセンサー
２  レンズ
３  原稿
４  コンタクトガラス
５  スペーサー
６  位置決め部材
１０  ＣＩＳ
２０、２１  透明板
２０ａ、２１ａ  載置面
２０ｂ、２１ｂ  対向面
３０、３１  テストチャート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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