(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子への配線の断線が防止され、高寿命かつ高品質な半導体装置を提供する。【解決手段】第１のパッド電極が形成されたベース基板１１と、ベース基板上に形成され、半導体素子が搭載されたサブマウント基板１３と、サブマウント基板上に形成され、半導体素子に接続された第２のパッド電極Ｐ２と、第１及び第２のパッド電極間に接続されたボンディングワイヤＷ１と、サブマウント基板、半導体素子２０及びボンディングワイヤを埋設するようにベース基板上に形成された樹脂体１４と、少なくともベース基板上における第１及び第２のパッド電極間の領域に形成され、樹脂体に埋設され、樹脂体よりも小さなヤング率を有する応力緩和部材１５と、を有する。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパッド電極が形成されたベース基板と、
前記ベース基板上に形成され、半導体素子が搭載されたサブマウント基板と、
前記サブマウント基板上に形成され、前記半導体素子に接続された第２のパッド電極と、
前記第１及び第２のパッド電極間に接続されたボンディングワイヤと、
前記サブマウント基板、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを埋設するように前記ベース基板上に形成された樹脂体と、
少なくとも前記ベース基板上における前記第１及び第２のパッド電極間の領域に形成され、前記樹脂体に埋設され、前記樹脂体よりも小さなヤング率を有する応力緩和部材と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記応力緩和部材は、前記ベース基板上における前記ボンディングワイヤの直下の領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記応力緩和部材は、前記ベース基板上において前記サブマウント基板を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記応力緩和部材は、前記第１のパッド電極を埋設するように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記サブマウント基板上に形成され、前記第２のパッド電極に接続された配線及び前記配線に接続された第３のパッド電極と、
前記半導体素子に設けられた第４のパッド電極と、
前記第３及び第４のパッド電極間に接続されたボンディングワイヤと、
前記サブマウント基板上における前記第３及び第４のパッド電極間の領域に形成された応力緩和部材と、を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記サブマウント基板は、前記第３及び第４のパッド電極間の前記領域に凹部を有し、
前記応力緩和部材は、前記凹部に充填されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記応力緩和部材は、ゲル化された樹脂材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体素子は発光素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記発光素子の光取り出し面上に形成された波長変換板を有し、
前記樹脂体は、前記発光素子からの放出光に対して反射性を有し、
前記樹脂体は、前記波長変換板の側面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子などの半導体素子を含む半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光素子、当該発光素子を封止及び保護する封止部、及び当該発光素子と外部回路とを接続する配線部を有する発光装置が知られている。また、発光素子に限らず、種々の機能素子を含む電子装置は、封止部及び配線部を有する場合が多い。例えば、特許文献１には、センサチップと、第１及び第２のワイヤとを含む半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2008-107183号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置は、種々の使用環境においても長時間安定した動作を行うことが好ましい。例えば、発光装置は、熱や振動、腐食などに対して高い耐性を有することが好ましい。例えば、温度変化が激しい環境、又は常時振動するような環境であっても、ボンディングワイヤなどの配線の断線が防止され、また、半導体素子が安定して導通されることが好ましい。
【０００５】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、半導体素子への配線の断線が防止され、高寿命かつ高品質な半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による半導体装置は、第１のパッド電極が形成されたベース基板と、ベース基板上に形成され、半導体素子が搭載されたサブマウント基板と、サブマウント基板上に形成され、半導体素子に接続された第２のパッド電極と、第１及び第２のパッド電極間に接続されたボンディングワイヤと、サブマウント基板、半導体素子及びボンディングワイヤを埋設するようにベース基板上に形成された樹脂体と、少なくともベース基板上における第１及び第２のパッド電極間の領域に形成され、樹脂体に埋設され、樹脂体よりも小さなヤング率を有する応力緩和部材と、を有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】実施例１に係る半導体装置の模式的な上面図である。
【図１Ｂ】実施例１に係る半導体装置の模式的な断面図である。
【図２】実施例１に係る半導体装置に生じ得る応力の方向成分を示す図である。
【図３】実施例１の変形例に係る半導体装置の模式的な断面図である。
【図４】実施例２に係る半導体装置の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下においては、半導体装置が半導体素子として半導体発光素子を有する場合、すなわち半導体装置が発光装置である場合について説明する。しかし、本発明は、半導体発光素子のみならず、センサ素子やスイッチ素子など、種々の半導体素子を含む半導体装置に適用することができる。
【実施例１】
【０００９】
図１Ａは、実施例１に係る半導体装置１０の模式的な上面図である。また、図１Ｂは、半導体装置１０の模式的な断面図である。図１Ｂは、図１ＡのＶ−Ｖ線に沿った断面図である。半導体装置１０は、機能素子である半導体素子２０を有する。以下においては、半導体素子２０は発光素子である場合について説明する。
【００１０】
半導体装置１０は、発光素子２０及び発光素子２０からの放出光に対して波長変換を行う波長変換板３０を有する。発光素子２０は、例えば、発光ダイオードや半導体レーザなどの半導体発光素子を含む。また、波長変換板３０は、例えば、蛍光体粒子及びバインダ（図示せず）を含む板状の部材、又は単結晶の蛍光体プレートを含む。
【００１１】
半導体装置１０は、外部（例えば電源回路や駆動回路）との接続端子（図示せず）に接続された配線（接続配線）Ｔ１、及び接続配線Ｔ１に接続されたパッド電極（第１のパッド電極）Ｐ１が設けられたベース基板（第１の基板）１１を有する。配線Ｔ１及びパッド電極Ｐ１は、例えばＡｕ、Ａｌ及びＣｕからなる。
【００１２】
本実施例においては、ベース基板１１は、熱伝導性の高い材料、例えばＣｕなどの金属材料からなる。また、ベース基板１１上には、絶縁材料からなる絶縁層１２が形成されている。配線Ｔ１及びパッド電極Ｐ１は、絶縁層１２上に形成されている。なお、ベース基板１１は、金属材料からなる場合に限定されず、例えば絶縁材料から構成されていてもよい。この場合、絶縁層１２が設けられる必要はなく、ベース基板１１上に配線Ｔ１及びパッド電極Ｐ１が形成されていてもよい。
【００１３】
半導体装置１０は、ベース基板１１上に形成されたサブマウント基板（第２の基板）１３を有する。本実施例においては、ベース基板１１上の所定の領域を発光素子２０のマウント領域Ａ１とし、マウント領域Ａ１内にサブマウント基板１３が固定されている。サブマウント基板１３は、熱伝導性の高い材料、例えばセラミックスなどからなる。
【００１４】
本実施例においては、絶縁層１２は、ベース基板１１の表面を露出させる開口部を有する。従って、図１Ａに示すように、ベース基板１１の上面には、絶縁層１２の当該開口部から露出した領域（露出領域）１１Ａが設けられている。本実施例においては、この露出領域１１Ａがマウント領域Ａ１である。サブマウント基板１３は、この露出領域１１Ａ内においてベース基板１１に固定されている。また、本実施例においては、サブマウント基板１３は、接着層（図示せず）を介してベース基板１１に接着されている。
【００１５】
発光素子２０は、サブマウント基板１３上に実装されている。また、サブマウント基板１３上には、発光素子２０に接続されたパッド電極（第２のパッド電極）Ｐ２が設けられている。サブマウント基板１３上のパッド電極Ｐ２は、ボンディングワイヤＷ１によって、ベース基板１１上のパッド電極Ｐ１に接続されている。ボンディングワイヤＷ１は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの材料からなる。
【００１６】
換言すれば、半導体装置１０は、パッド電極Ｐ１が形成されたベース基板１１と、ベース基板１１上に形成され、発光素子２０（半導体素子）が搭載されたサブマウント基板１３と、サブマウント基板１３上に形成され、発光素子２０に接続されたパッド電極Ｐ２と、パッド電極Ｐ１及びＰ２間に接続されたボンディングワイヤ（第１のボンディングワイヤ）Ｗ１と、を有する。
【００１７】
また、図１Ｂに示すように、本実施例においては、発光素子２０は、サブマウント基板１３上に固定された支持基板（第３の基板）２１と、支持基板２１上に順次積層されたｎ型半導体層（第１の半導体層）２２、発光層２３及びｐ型半導体層（第２の半導体層、第１の半導体層とは反対の導電型を有する半導体層）２４と、を含む。発光素子２０の支持基板２１は、接合層（図示せず）を介して、サブマウント基板１３に接合されている。例えば、ｎ型半導体層２２、発光層２３及びｐ型半導体層２４は、窒化物系半導体からなる。
【００１８】
なお、本実施例においては、支持基板２１上にｎ型半導体層２２、発光層２３及びｐ型半導体層２４が積層されている場合について説明するが、発光素子２０の構成はこれに限定されない。例えば、支持基板２１上に、ｐ型半導体層２４、発光層２３及びｎ型半導体層２２が積層されていてもよい。また、発光素子２０はフリップチップ実装によって実装されたフリップチップ素子であってもよい。
【００１９】
また、サブマウント基板１３上には、パッド電極Ｐ２に接続された配線Ｔ２と、配線Ｔ２に接続されたパッド電極（第３のパッド電極）Ｐ３とが形成されている。また、発光素子２０の支持基板２１上には、ｎ型半導体層２２上に形成されたパッド電極（第４のパッド電極）Ｐ４が設けられている。また、パッド電極Ｐ３及びＰ４は、ボンディングワイヤ（第２のボンディングワイヤ）Ｗ２によって接続されている。
【００２０】
換言すれば、本実施例においては、半導体装置１０は、サブマウント基板１３上に形成され、パッド電極Ｐ２に接続された配線Ｗ２及び配線Ｗ２に接続されたパッド電極Ｐ３と、発光素子２０に設けられたパッド電極Ｐ４と、パッド電極Ｐ３及びＰ４間に接続されたボンディングワイヤＷ２と、を有する。
【００２１】
また、本実施例においては、図１Ａに示すように、半導体装置１０は、それぞれ２つのパッド電極Ｐ１及びＰ２、それぞれ１つのパッド電極Ｐ３及びＰ４、並びに、それぞれ２つの配線Ｔ１及びＴ２を有する。また、半導体装置１０は、それぞれ２つのボンディングワイヤＷ１及びＷ２を有する。
【００２２】
なお、本実施例においては、発光素子２０のｐ型半導体層２４は、ｐ型半導体層２４から支持基板２１の底面に延びる貫通電極（図示せず）を介して、支持基板２１とサブマウント基板１３との間において、ｎ型半導体２２に接続された配線Ｔ２とは異なる他の配線Ｔ２に接続されている。
【００２３】
波長変換板３０は、発光素子２０上に形成されている。本実施例においては、発光素子２０のｐ型半導体層２４の上面が発光素子２０の光取り出し面として機能する。波長変換板２０は、この発光素子２０の光取り出し面上に形成されている。
【００２４】
また、図１Ｂに示すように、半導体装置１０は、サブマウント基板１３、パッド電極Ｐ１〜Ｐ４、配線Ｔ１及びＴ２、ボンディングワイヤＷ１及びＷ２並びに発光素子２０を埋設するようにベース基板１１上に形成された樹脂体１４を有する。樹脂体１４は、ベース基板１１上において、発光素子２０、ボンディングワイヤＷ１及びＷ２を封止する。
【００２５】
本実施例においては、ベース基板１１上には、発光素子２０及びサブマウント基板１３の領域（マウント領域Ａ１）並びにパッド電極Ｐ１の領域の全体を取り囲むように環状の形成されたフレームＦＬが設けられている。フレームＦＬは、例えばセラミックスなどの材料からなる。また、フレームＦＬは、接着剤（図示せず）を介してベース基板１１（本実施例においては絶縁層１２）に接着されている。なお、フレームＦＬは、樹脂材料からなってもよく、例えば、樹脂を所望の高さになるように塗布及び効果させることで形成されていてもよい。
【００２６】
ベース基板１１上におけるフレームＦＬに囲まれた領域Ａ２には、樹脂体１４が充填される。すなわち、この領域Ａ２は、発光素子２０、並びにボンディングワイヤＷ１及びＷ２の樹脂体１４による（埋設領域）封止領域として機能する。なお、本実施例においては、フレームＦＬによって樹脂体１４の埋設領域Ａ２が画定される場合について説明する。しかし、樹脂体１４は、発光素子２０並びにボンディングワイヤＷ１及びＷ２を埋設するようにベース基板１１上に形成されていればよい。例えば、ベース基板１１上にはフレームＦＬが設けられていなくてもよい。
【００２７】
また、本実施例においては、図１Ｂに示すように、樹脂体１４は、波長変換板３０の側面を覆うように形成されている。そして、波長変換板３０の上面は、樹脂体１４には覆われておらず、外部に露出している。なお、図１Ａにおいては、樹脂体１４の図示を省略している。
【００２８】
波長変換板３０の上面は、半導体装置１０の光出射面として機能する。具体的には、発光素子２０の発光層２２から放出された光は、波長変換板３０の底面、すなわち発光素子２０側の主面から波長変換板３０に入射される。波長変換板３０に入射した光は、波長変換板３０内の蛍光体によって部分的に波長が変換される。波長変換板３０内の光は、その上面、すなわち樹脂体１４から露出した主面から外部に出射される。
【００２９】
なお、発光素子２０が窒化物系半導体からなる半導体発光素子である場合、波長変換板３０は、蛍光体としてＹＡＧ蛍光体を有する。例えば、発光素子２０からは、青色光が放出される。また、波長変換板３０は、波長変換光として黄色光を生成する。そして、波長変換板３０からは、当該青色光及び黄色光の両方が出射される。この場合、外部に取り出される光は、白色光として認識されることができる。
【００３０】
なお、本実施例においては、樹脂体１４は、発光素子２０の放出光に対して反射性を有する。従って、発光素子２０からの放出光及び波長変換板３０による波長変換光の大部分は、波長変換板３０の上面から外部に出射される。従って、例えば波長変換板３０の上面形状に応じた形状の光が出射されることとなる。これによって、例えば、波長変換板３０の上面形状を用途に応じて設計することで、所望の配光形状で光を出射させることができる。
【００３１】
なお、本実施例においては、フレームＦＬは、その上端の位置が波長変換板３０の上面位置と同程度となるように構成されている。樹脂体１４は、波長変換板３０の上面位置と同程度の位置に上面を有する。また、樹脂体１４は、上面が外部に露出している。
【００３２】
また、本実施例においては、半導体装置１０は、ベース基板１１上におけるパッド電極Ｐ１及びＰ２間のパッド間領域（第１のパッド間領域）Ａ１１に形成された応力緩和部材１５を有する。応力緩和部材１５は、樹脂体１４に埋設されており、樹脂体１４よりも小さなヤング率を有する。本実施例においては、応力緩和部材１５は、ゲル化された樹脂材料、例えばゲル状のシリコーン樹脂からなる。
【００３３】
本実施例においては、応力緩和部材１５は、サブマウント基板１３とパッド電極Ｐ１との間のベース基板１１上の領域に設けられている。また、図１Ａに示すように、本実施例においては、応力緩和部材１５は、パッド間領域Ａ１１のみならず、サブマウント基板１３を取り囲むように形成されている。また、図１Ｂに示すように、応力緩和部材１５は、パッド間領域Ａ１１におけるボンディングワイヤＷ１とベース基板１１との間の空間に設けられている。すなわち、本実施例においては、応力緩和部材１５は、ベース基板１１上におけるボンディングワイヤＷ１の直下の領域に形成されている。
【００３４】
図２を用いて、応力緩和部材１５について説明する。半導体装置１０は、種々の環境で使用されることで、半導体装置１０の内部に応力が生ずる。応力緩和部材１５は、当該半導体装置１０内の応力の発生を抑制する機能を有する。
【００３５】
具体的には、樹脂体１４は、発光素子２０及び波長変換板３０の動作時に発生する熱や、使用される環境の温度によって、他の部材に比べて大きく膨張及び収縮を行う場合が多い。すなわち、樹脂体１４は、この温度変化によって比較的大きく歪む（体積変化を起こす）こととなる。従って、樹脂体１４は応力を生じさせやすい。また、半導体装置１０が発光素子２０ではなく他の半導体素子を有する場合でも、外部環境温度の影響で樹脂体１４が歪、応力を生じさせやすい。
【００３６】
また、樹脂体１４の上面は外部に露出している（開放されている）。従って、樹脂体１４は、図２に示すように、ベース基板１１に垂直な方向Ｄに大きく歪み、これによって当該方向Ｄに沿って大きな応力が生ずる。
【００３７】
また、ボンディングワイヤＷ１は、その表面が樹脂体１４に囲まれているため、樹脂体１４に生ずる応力の影響を大きく受ける。また、半導体装置１０を長期間に亘って使用する場合、ボンディングワイヤＷ１は、方向Ｄに沿って繰り返し何度も応力を受ける。特に、ほぼ全体が樹脂体１４に覆われているボンディングワイヤＷ１の中間部分（パッド電極Ｐ１及びＰ２から離れた部分）は、大きく応力を受ける。従って、繰り返しの使用によるボンディングワイヤＷ１の断線が懸念される。
【００３８】
これに対し、半導体装置１０は、ベース基板１１上におけるボンディングワイヤＷ１の直下の領域であるパッド間領域Ａ１１に設けられた応力緩和部材１５を有する。この応力緩和部材１５は、樹脂体１４よりも小さなヤング率を有する。従って、樹脂体１４よりも歪に対する応力の発生が小さい。これによって、ボンディングワイヤＷ１が受ける方向Ｄに沿った応力の成分を小さくすることができる。
【００３９】
なお、仮に、応力緩和部材１５が設けられない場合、例えば樹脂体１４によってパッド間領域Ａ１１を含むベース基板１１上の領域を埋設する場合が考えられる。この場合、ボンディングワイヤＷ１の近傍のベース基板１１上の空間で、方向Ｄに沿った大きな応力が生ずる。従って、応力緩和部材１５が設けられない場合に比べて、ボンディングワイヤＷ１が早期に損傷及び破損する可能性が高い。
【００４０】
なお、本願の発明者らは、半導体装置１０に対して数千回に亘る温度変化テストを行った場合でも、ボンディングワイヤＷ１が断線することなく発光素子２０に通電を行うことができたことを確認している。一方、応力緩和部材１５を有さない半導体装置に同様のテストを行ったところ、千回を超えたところでボンディングワイヤの断線が確認された。
【００４１】
また、本実施例においては、半導体装置１０が発光素子２０及び波長変換板３０を有する。発光素子２０及び波長変換板３０は、発光動作時及び波長変換動作時に大きな熱を発生させる。従って、仮に、室温下でかつ安定した外部環境で動作させる（通電させる）場合など、外部環境が過酷ではないであっても、通電時には樹脂体１４が熱を持つこととなる。従って、半導体装置１０の半導体素子２０が発光素子である場合に効果が大きい。
【００４２】
また、発光素子２０、ボンディングワイヤＷ１及びＷ２並びに応力緩和部材１５を振動や腐食などから保護することを考慮すると、樹脂体１４が応力緩和部材１５を埋設していることが好ましい。すなわち、応力緩和部材１５が外部に露出しておらず、樹脂体１４によって封止されていることが好ましい。
【００４３】
例えば、半導体装置１０を灯具（街灯や車両用灯具）として用いる場合、半導体装置１０の全体が振動する。この場合、樹脂体１４よりもヤング率の小さな応力緩和部材１５は、樹脂体１４に比べて破損又は脱落する可能性が高い。応力緩和部材１５のみならず、発光素子２０などを樹脂体１４で埋設することで、これらを安定して保護することができる。
【００４４】
なお、本実施例においては、応力緩和部材１５がサブマウント基板１３を取り囲むように形成されている場合について説明した。これによって、サブマウント基板１３の内部の部材、例えば発光素子２０やボンディングワイヤＷ２、パッド電極Ｐ２〜Ｐ４に対する応力を低減することができる。
【００４５】
しかし、応力緩和部材１５は、少なくともパッド間領域Ａ１１に設けられていればよい。また、応力緩和部材１５は、ベース基板１１上におけるボンディングワイヤＷ１の直下の領域に設けられていることが好ましい。これによって、半導体装置１０の高寿命化を妨げるネックとなり得るボンディングワイヤＷ１の断線を防止することができる。
【００４６】
また、本実施例においては、発光素子２０がボンディングワイヤＷ２を介してサブマウント基板１３上のパッド電極Ｐ２に接続される場合について説明した。しかし、発光素子２０の接続形態はこれに限定されない。例えば、発光素子２０は、フリップチップ実装によって、配線Ｔ２（ｎ型及びｐ側の両方）に接触されていてもよい。また、発光素子２０のｎ型半導体層２２及びｐ型半導体層２４の両方がパッド電極Ｐ３及びＰ４並びにボンディングワイヤＷ２によって配線Ｔ２に接続されていてもよい。
【００４７】
また、本実施例においては、半導体装置１０が波長変換板３０を有する場合について説明したが、半導体装置１０は波長変換板３０を有していなくてもよい。例えば、半導体装置１０が発光素子以外の半導体素子を有する場合、波長変換板３０が設けられる必要はない。また、例えば、半導体装置１０は、波長変換板３０を有さない場合、樹脂体１４が、埋設領域Ａ２内の部材の全てを埋設するように設けられていてもよい。
【００４８】
上記したように、本実施例においては、半導体装置１０は、サブマウント基板１３、発光素子２０（半導体素子）及びボンディングワイヤＷ１を埋設するようにベース基板１１上に形成された樹脂体１４と、ベース基板１１上におけるパッド電極Ｐ１及びＰ２間の領域Ａ１１に形成され、樹脂体１４に埋設され、樹脂体１４よりも小さなヤング率を有する応力緩和部材１５と、を有する。従って、半導体素子（発光素子２０）への配線の断線が防止され、高寿命かつ高品質な半導体装置１０を提供することができる。
【００４９】
図３は、実施例１の変形例に係る半導体装置１０Ａの模式的な断面図である。半導体装置１０Ａは、応力緩和部材１５Ａの構成を除いては、半導体装置１０と同様の構成を有する。本変形例においては、応力緩和部材１５Ａは、パッド電極Ｐ１を埋設するように形成されている。また、応力緩和部材１５Ａは、ボンディングワイヤＷ１におけるパッド電極Ｐ１側の一部を覆うように形成されている。
【００５０】
換言すれば、本変形例においては、応力緩和部材１５Ａは、パッド電極Ｐ１及びＰ２並びにボンディングワイヤＷ１の一部を覆うように形成されている。例えば、応力緩和部材１５Ａがパッド電極Ｐ１を覆っている場合、パッド電極Ｐ１及びパッド電極Ｐ１近傍のボンディングワイヤＷ１の部分に樹脂体１４が与える応力を低減することができる。従って、ボンディングワイヤＷ１の断線が防止される。
【００５１】
なお、応力緩和機能を優先すると、応力緩和部材１５Ａは、例えばボンディングワイヤＷ１を埋設していることが好ましい。しかし、樹脂体１４の領域に対する応力緩和部材１５Ａの領域の比率を上げると、樹脂体１４の保護機能が低下する。応力緩和部材１５Ａと樹脂体１４との形成比率は、必要な応力緩和機能及び保護機能の程度に応じて定めればよい。
【００５２】
しかし、両機能を得ることを考慮すると、応力緩和部材１５Ａは、樹脂体１４に埋設されていることが好ましい。
【００５３】
本変形例においては、半導体装置１０Ａの応力緩和部材１５Ａは、ボンディングワイヤＷ１におけるパッド電極Ｐ１側の一部を覆うように形成されている。従って、発光素子２０への配線の断線が防止され、高寿命かつ高品質な半導体装置１０Ａを提供することができる。
【実施例２】
【００５４】
図４は、実施例２に係る半導体装置４０の模式的な断面図である。半導体装置４０は、サブマウント基板４１及び応力緩和部材群４２の構成を除いては、半導体装置１０と同様の構成を有する。
【００５５】
本実施例においては、半導体装置４０は、サブマウント基板４１上に形成され、パッド電極（第２のパッド電極）Ｐ２に接続された配線Ｔ２及び配線Ｔ２に接続されたパッド電極（第３のパッド電極）Ｐ３と、発光素子２０上に形成されたパッド電極（第４のパッド電極）Ｐ４と、パッド電極Ｐ３及びＰ４間に接続されたボンディングワイヤＷ２と、を有する。また、半導体装置４０は、サブマウント基板４１上におけるパッド電極Ｐ３及びＰ４間のパッド間領域（第２のパッド間領域）Ａ１２に形成された応力緩和部材４２Ｂを有する。
【００５６】
換言すれば、本実施例においては、応力緩和部材群４２は、パッド間領域Ａ１１に設けられた応力緩和部材１５と同様の第１の応力緩和部材４２Ａと、サブマウント基板４１上におけるパッド間領域Ａ１２に設けられた第２の応力緩和部材４２Ｂとを有する。
【００５７】
第２の応力緩和部材４２Ｂは、応力緩和部材１５（又は４２Ａ）と同様に、樹脂体１４に埋設され、樹脂体１４よりも小さなヤング率を有する。また、本実施例においては、サブマウント基板４１は、パッド間領域Ａ１２に凹部４１Ａを有する。第２の応力緩和部材４２Ｂは、この凹部４１Ａに充填されている。
【００５８】
なお、パッド間領域Ａ１２に凹部４１Ａが設けられていることで、第２の応力緩和部材４２Ｂを安定して設けることができる。例えば、第２の応力緩和部材４２Ｂをゲル化された樹脂材料で構成する場合、凹部４１Ａが設けられていることで、当該樹脂材料の塗布形成時の塗布ムラや意図しない領域への溢れなどが抑制される。従って、所望の位置に所望の量の第２の応力緩和部材４２Ｂを設けることができる。
【００５９】
本実施例においては、ボンディングワイヤＷ１の直下の領域（パッド間領域Ａ１１）に加え、ボンディングワイヤＷ２の直下の領域（パッド間領域Ａ１２）に第２の応力緩和部材４２Ｂが形成されている。発光素子２０をボンディングワイヤＷ２によってパッドＰ２に接続する場合、このボンディングワイヤＷ２に生じ得る応力が緩和される。従って、ボンディングワイヤＷ１及びＷ２の断線を防止することができる。
【００６０】
なお、本実施例においては、サブマウント基板４１がパッド間領域Ａ１２に凹部４１Ａを有する場合について説明したが、サブマウント基板４１は凹部４１Ａを有していなくてもよい。第２の応力緩和部材４２Ｂは、パッド間領域Ａ１２に形成されていればよい。
【００６１】
このように、本実施例においては、発光装置４０は、サブマウント基板４１上におけるパッド電極Ｐ３及びＰ４間の領域Ａ１２に形成された応力緩和部材４２Ｂを有する。従って、半導体素子（発光素子２０）への配線の断線が防止され、高寿命かつ高品質な半導体装置４０を提供することができる。
【００６２】
なお、上記した実施例及びその変形例は、互いに組み合わせることができる。例えば、実施例２に係る半導体装置４０の第２の応力緩和部材４２Ｂが、実施例１の変形例に係る半導体装置１０Ａの応力緩和部材１５Ａのように、パッド電極Ｐ３やボンディングワイヤＷ２の一部を埋設していてもよい。また、ベース基板１１がパッド間領域Ａ１１に凹部を有し、応力緩和部材１５又は４２Ａが凹部に充填されていてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１０、１０Ａ、２０  半導体装置
１１  ベース基板
１３  サブマウント基板
Ｐ１〜Ｐ４  パッド電極
２０  半導体素子（発光素子）
１４  樹脂体
１５、１５Ａ、４２  応力緩和部材
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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