(57)【要約】【課題】高品位の画像を低消費電力で表示することができる表示装置を提供する。【解決手段】発光素子を有する画素がマトリクス状に配列された表示部を有し、画素は副画素を有する。表示装置を使用する者が注視している部分である第１の部分を算出するステップと、第１の部分が表示部に含まれるか否かを判定するステップとを有する。第１の部分が表示部に含まれる場合は、第１の部分に含まれる副画素の階調数と、その他の部分に含まれる副画素の階調数と、を異ならせる。また、第１の部分にテキストが含まれる場合は、第１の部分に含まれるテキストが属する行または列を算出し、第１の部分に含まれるテキストが属する行または列に記載されたテキストを表示するために用いる副画素の階調数と、その他の行または列に記載されたテキストを表示するために用いる副画素の階調数と、を異ならせる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する第１の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置において、
前記第１の画素は、副画素を有し、
前記表示装置を使用する者が注視している部分である第１の部分を算出するステップと、
前記第１の部分が、前記表示部に含まれるか否かを判定するステップと、を有し、
前記第１の部分が前記表示部に含まれる場合は、前記第１の部分に含まれる前記副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、前記第１の部分および前記第１の部分の近傍の部分のいずれにも含まれない前記副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、を異ならせることを特徴とする表示方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の部分の近傍の部分の大きさおよび形状は、前記第１の部分の大きさおよび形状により設定されることを特徴とする表示方法。
【請求項３】
発光素子を有する第１の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置において、
前記第１の画素は、副画素を有し、
前記表示装置を使用する者が注視している部分である第１の部分を算出するステップと、
前記第１の部分に含まれるテキストが属する行または列を算出するステップと、を有し、
前記第１の部分に含まれるテキストが属する行または列に設けられた前記副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、前記第１の部分に含まれるテキストが属する行または列ではなく、さらに前記第１の部分に含まれるテキストが属する行または列の近傍ではない行または列に設けられた前記副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、を異ならせることを特徴とする表示方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の部分に含まれるテキストが属する行の前後１行を、前記第１の部分に含まれるテキストが属する行の近傍の行とすることを特徴とする表示方法。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記第１の部分に含まれるテキストが属する列の前後１列を、前記第１の部分に含まれるテキストが属する列の近傍の列とすることを特徴とする表示方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
センサを有し、
前記センサを用いて前記表示装置を使用する者の瞳孔を検出するステップを有することを特徴とする表示方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の部分を、前記表示装置を使用する者と、前記表示部との間の距離をもとに算出することを特徴とする表示方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
第２の画素を有し、
前記第２の画素は液晶素子を有し、
前記第１の画素と、前記第２の画素と、は積層されていることを特徴とする表示方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記発光素子は、ＯＬＥＤであることを特徴とする表示方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の表示方法により画像を表示する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
トランジスタと、赤外線源と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の表示装置と、
操作ボタンまたはバッテリと、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の表示方法を実行する機能を有するプログラムが保持された非一時的記憶媒体。
【請求項１５】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の表示方法を実行する機能を有するプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示方法、表示装置、電子機器、非一時的記憶媒体およびプログラムに関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
表示装置を使用する者を検出して、当該表示装置に表示されている画像の中で使用者が注視している部分以外の表示のリフレッシュレートを低下させる技術が開示されている。これにより、表示装置の消費電力を低減することができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１２５３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
表示装置を使用する者が注視していない部分に高コントラストな画像、つまり高品位な画像を表示させることにより、当該表示装置の消費電力が増大する。
【０００６】
そこで、本発明の一態様は、消費電力を低減することができる表示方法および表示装置を提供することを課題の一とする。または、高品位な画像を表示することができる表示方法および表示装置を提供することを課題の一とする。または、コントラストの急激な変化を抑制することができる表示方法および表示装置を提供することを課題の一とする。または、高速に動作することができる表示方法または表示装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示方法および表示装置を提供することを課題の一とする。
【０００７】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項等の記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項等の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、発光素子を有する第１の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置において、第１の画素は、副画素を有し、表示装置を使用する者が注視している部分である第１の部分を算出するステップと、第１の部分が、表示部に含まれるか否かを判定するステップと、を有し、第１の部分が表示部に含まれる場合は、第１の部分に含まれる副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、第１の部分および第１の部分の近傍の部分のいずれにも含まれない副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、を異ならせる表示方法である。
【０００９】
また、上記態様において、第１の部分の近傍の部分の大きさおよび形状は、第１の部分の大きさおよび形状により設定されてもよい。
【００１０】
また、本発明の一態様は、発光素子を有する第１の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置において、第１の画素は、副画素を有し、表示装置を使用する者が注視している部分である第１の部分を算出するステップと、第１の部分に含まれるテキストが属する行または列を算出するステップと、を有し、第１の部分に含まれるテキストが属する行または列に設けられた副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、第１の部分に含まれるテキストが属する行または列ではなく、さらに第１の部分に含まれるテキストが属する行または列の近傍ではない行または列に設けられた副画素から射出される光の輝度を表現する階調数と、を異ならせる表示方法である。
【００１１】
また、上記態様において、第１の部分に含まれるテキストが属する行の前後１行を、第１の部分に含まれるテキストが属する行の近傍の行としてもよい。
【００１２】
また、上記態様において、第１の部分に含まれるテキストが属する列の前後１列を、第１の部分に含まれるテキストが属する列の近傍の列としてもよい。
【００１３】
また、上記態様において、センサを有し、センサを用いて表示装置を使用する者の瞳孔を検出するステップを有してもよい。
【００１４】
また、上記態様において、第１の部分を、表示装置を使用する者と、表示部との間の距離をもとに算出してもよい。
【００１５】
また、上記態様において、第２の画素を有し、第２の画素は液晶素子を有し、第１の画素と、第２の画素と、は積層されていてもよい。
【００１６】
また、上記態様において、発光素子は、ＯＬＥＤであってもよい。
【００１７】
また、本発明の一態様の表示方法により画像を表示する機能を有する表示装置も、本発明の一態様である。
【００１８】
また、本発明の一態様の表示装置と、トランジスタと、赤外線源と、を有する表示装置も、本発明の一態様である。
【００１９】
また、上記態様において、トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有してもよい。
【００２０】
また、本発明の一態様の表示装置と、操作ボタンまたはバッテリと、を有する電子機器も、本発明の一態様である。
【００２１】
また、本発明の一態様の表示方法を実行する機能を有するプログラムが保持された非一時的記憶媒体も、本発明の一態様である。
【００２２】
また、本発明の一態様の表示方法を実行する機能を有するプログラムも、本発明の一態様である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の一態様は、消費電力を低減することができる表示方法および表示装置を提供することができる。または、高品位な画像を表示することができる表示方法および表示装置を提供することができる。または、コントラストの急激な変化を抑制することができる表示方法および表示装置を提供することができる。または、高速に動作することができる表示方法または表示装置を提供することができる。または、新規な表示方法および表示装置を提供することができる。
【００２４】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項等の記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項等の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】表示装置の構成例を説明するブロック図。
【図２】表示装置の構成例を説明するブロック図。
【図３】表示装置の構成例を説明する模式図。
【図４】表示方法の一例を説明するフローチャート。
【図５】表示装置が有する表示部の各部分を説明する図。
【図６】表示装置が有する表示部がテキストを表示している場合について説明する図。
【図７】表示装置の構成例を説明する模式図。
【図８】表示方法の一例を説明するフローチャート。
【図９】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図１０】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図１１】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図１２】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図１３】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図１４】表示装置の構成例を説明する上面図。
【図１５】画素の構成例を説明する回路図。
【図１６】画素の構成例を説明する回路図およびブロック図。
【図１７】表示装置の構成例を説明する上面図。
【図１８】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図１９】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２０】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２１】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２２】表示モジュールの構成例を説明する図。
【図２３】電子機器を説明する図。
【図２４】電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の一態様について図面を参照しながら説明する。但し、本発明の一態様は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２７】
本明細書等に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００２８】
本明細書等においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性および各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書等では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００２９】
本明細書等においてトランジスタのソースとは、半導体層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００３０】
本明細書等においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００３１】
本明細書等において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタ等の回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００３２】
本明細書等において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合等、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書等において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００３３】
また、本明細書等において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【００３４】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【００３５】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、等）であるとする。
【００３６】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷等）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷等）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【００３７】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷等）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【００３８】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路等）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路等）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路等）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路等）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量等を大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路等）、信号生成回路、記憶回路、制御回路等）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【００３９】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【００４０】
なお、例えば、トランジスタのソース（または第１の端子等）が、Ｚ１を介して（または介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）が、Ｚ２を介して（または介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（または第１の端子等）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【００４１】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（または第１の端子等）とドレイン（または第２の端子等）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子等）、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子等）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子等）、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（または第１の端子等）とドレイン（または第２の端子等）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子等）、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子等）と、ドレイン（または第２の端子等）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【００４２】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（または第１の端子等）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（または第１の端子等）とトランジスタのドレイン（または第２の端子等）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子等）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子等）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（または第１の端子等）からトランジスタのドレイン（または第２の端子等）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（または第２の端子等）からトランジスタのソース（または第１の端子等）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子等）と、ドレイン（または第２の端子等）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【００４３】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、等）であるとする。
【００４４】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、および電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００４５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例および表示方法について図１乃至図８を用いて説明する。
【００４６】
本発明の一態様は、使用者が注視している部分と、注視していない部分と、で表示する画像の輝度を変更する機能を有する表示方法および表示装置に関する。これにより、例えば、使用者が注視している部分にのみ高コントラストな画像を表示し、その他の部分には低輝度な画像を表示することができる。または、例えば使用者が注視している部分およびその近傍の部分にのみ高コントラストな画像を表示し、その他の部分には低輝度な画像を表示することができる。以上により、使用者が認識する画像の表示品位を落とすことなく、本発明の一態様の表示装置の消費電力を低減することができる。
【００４７】
また、本発明の一態様の表示装置は、テキストを表示する機能を有してもよい。当該表示装置においても、使用者が注視している部分と、注視していない部分と、で表示するテキストの輝度を変更する機能を有することができる。表示装置にテキストが表示されている場合、例えば、使用者が注視しているテキストが属する行または列のみ高コントラストな表示を行い、その他の行または列を低輝度で表示することができる。例えば、使用者が注視しているテキストが属する行または列およびその近傍の行または列のみ高コントラストな表示を行い、その他の行または列を低輝度で表示することができる。以上により、使用者が認識するテキストの表示品位を落とすことなく、本発明の一態様の表示装置の消費電力を低減することができる。
【００４８】
本明細書等において、画像という用語には、テキストが含まれる場合がある。
【００４９】
［表示装置の構成例１］
図１（Ａ）は、表示装置１０の構成例を示すブロック図である。表示装置１０は、表示部１１と、センサ１３と、記憶回路１４と、演算回路１５と、ソースドライバ回路１７と、ゲートドライバ回路１８とを有する。表示部１１にはマトリクス状に配列した複数の画素１２が設けられる。なお、表示部１１は、画素１２を用いて画像を表示する機能を有する。
【００５０】
画素１２は、第１の表示素子を有する。第１の表示素子として、例えば発光する機能を有する発光素子を用いることができる。例えば、第１の表示素子としては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＩＥＬ（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、半導体レーザ等の自発光性の発光素子を用いることができる。以上に示すような発光素子を有する表示素子から発せられる光は、その輝度や色度が外光に左右されることがない。このため、色再現性が高く（色域が広く）、かつコントラストの高い画像を表示部１１に表示することができる。つまり、高品位な画像を表示部１１に表示することができる。
【００５１】
画素１２は、副画素を有する構成とすることができる。例えば、図１（Ｂ）に示すように、画素１２は副画素１２Ｒ、副画素１２Ｇおよび副画素１２Ｂの３種類の副画素を有する構成とすることができる。例えば、副画素１２Ｒ、副画素１２Ｇおよび副画素１２Ｂにそれぞれ白色を表示する機能を有する表示素子を設け、さらに副画素１２Ｒには赤色（波長６２０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）の光を透過する着色層を、副画素１２Ｇには緑色（波長５００ｎｍ以上５７０ｎｍ未満）の光を透過する着色層を、副画素１２Ｂには青色（波長４５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満）の光を透過する着色層をそれぞれ設けることができる。これにより、副画素１２Ｒは例えば赤色の光を射出する機能を有し、副画素１２Ｇは例えば緑色の光を射出する機能を有し、副画素１２Ｂは例えば青色の光を射出する機能を有する。なお、例えば紫色（３８０ｎｍ以上４５０ｎｍ未満）、黄色（５７０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満）、橙色（５９０ｎｍ以上６２０ｎｍ未満）等の光を射出する機能を有する副画素を、副画素１２Ｒ、副画素１２Ｇまたは副画素１２Ｂのいずれかと代えて設けてもよいし、副画素１２Ｒ、副画素１２Ｇおよび副画素１２Ｂに加えて設けてもよい。
【００５２】
画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度は、後述する演算回路１５から生成されるデジタルデータに応じて特定の階調数で表現することができる。例えば、画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を、副画素１個につき８ビットのデジタルデータで表現する場合、画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を２５６階調で表現することができる。この場合、例えば最も低い輝度を輝度０と表現し、最も高い輝度を輝度２５５と表現することができる。
【００５３】
なお、例えば画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を２５６階調で表現することができる場合であっても、もっと少ない階調数、例えば６４階調で表現することができる。この場合、例えば最も低い輝度を輝度０とし、最も高い輝度を輝度６３とすることができる。つまり、画素１２が有する各副画素から、輝度６４乃至輝度２５５の光が射出されないようにすることができる。このように、画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を表現する階調数を減少させることにより、画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を低下させることができる。これにより、低消費電力で表示を行うことができる。
【００５４】
本明細書等において、各副画素から射出される光の輝度を表現する階調数を、各副画素の階調数と呼ぶ場合がある。
【００５５】
本明細書等において、演算回路１５から生成されるデジタルデータにより表現可能な階調数を最大階調数と呼ぶ場合がある。例えば、画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を、副画素１個につき８ビットのデジタルデータで表現する場合、最大階調数を２５６とすることができる。また、例えば画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度をそれぞれｍ（ｍは自然数）ビットのデジタルデータで表現する場合、最大階調数を２ｍとすることができる。つまり、最大階調数とは、階調数を減少させる前の階調数を示す。
【００５６】
また、本明細書等において、階調数を減少させずに表示した画像、つまり階調数を最大階調数として表示した画像を高コントラストの画像と呼ぶ場合がある。また、階調数を減少させて表示した画像を低輝度の画像と呼ぶ場合がある。
【００５７】
また、本明細書等において、階調数を最大階調数より減少させた場合であっても、低輝度の画像を表示させた場合の階調数より大きな階調数で表示させた画像を高コントラストの画像と呼ぶ場合がある。例えば、最大階調数が２５６、低輝度の画像を表示させた場合の階調数が６４である場合、階調数を１００として表示させた画像は高コントラストの画像と呼ぶことができる。
【００５８】
画素１２が有する各副画素の階調数を減少させる場合、例えば演算回路１５から生成されるデジタルデータに所定の値を乗ずることにより画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を調整することができる。例えば、最大階調数２５６の場合において、階調数６４で画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を表現する場合、演算回路１５から生成されるデジタルデータに０．２５を乗ずることにより画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を調整することができる。この場合、例えば階調数を減少させる前では輝度２００の光を射出する副画素は、階調数を減少させた後では輝度５０の光を射出することができる。また、例えば最大階調数Ｍ（Ｍは２以上の整数）の場合において、階調数Ｎ（Ｎは２以上の整数）で画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を表現する場合、演算回路１５から生成されるデジタルデータにＮ／Ｍを乗ずることにより画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を調整することができる。
【００５９】
表示装置１０では、例えばすべての画素１２が有する副画素において、射出される光の輝度を表現する階調数を減少させることができる。つまり、表示部１１の全体において、低輝度の画像を表示することができる。当該表示モードを、本明細書等において全画面低輝度表示モードと呼ぶ場合がある。
【００６０】
また、表示装置１０では、例えば一部の画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数のままとし、その他の画素１２が有する各副画素の階調数を減少させることができる。また、一部の画素１２が有する各副画素の階調数を、その他の画素１２が有する各副画素の階調数より大きくすることができる。つまり、表示部１１の一部にのみ高コントラストの画像を表示し、その他の部分には低輝度の画像を表示することができる。当該表示モードを、本明細書等において部分的高コントラスト表示モードと呼ぶ場合がある。
【００６１】
また、表示装置１０では、例えばすべての画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数のままとすることができる。つまり、表示部１１の全体において、高コントラストの画像を表示することができる。また、表示部１１に画像を表示しなくてもよい。
【００６２】
なお、いずれの表示モードで画像を表示する場合においても、１つの画素１２が有する各副画素の階調数は互いに同一であることが好ましい。
【００６３】
画素１２は、図１（Ｃ）に示すように、副画素１２Ｒ、副画素１２Ｇおよび副画素１２Ｂの他、副画素１２Ｗを有する構成としてもよい。例えば、副画素１２Ｗには白色を表示する機能を有する表示素子を設け、着色層を設けない構成とすることができる。当該構成とすることにより、副画素１２Ｗは白色の光を射出する機能を有する。これにより、表示部１１に表示される画像の明度を高めることができる。
【００６４】
なお、副画素１２Ｒ、副画素１２Ｇおよび副画素１２Ｂが有する表示素子は、白色を表示する機能を有していなくてもよい。例えば、副画素１２Ｒに赤色を表示する機能を有する表示素子を設け、副画素１２Ｇに緑色を表示する機能を有する表示素子を設け、副画素１２Ｂに青色を表示する機能を有する表示素子を設けてもよい。この場合、画素１２が着色層を有しない構成とすることができる。
【００６５】
なお、画素１２の一部が、図１（Ｄ）に示すように、副画素１２Ｒ、副画素１２Ｇおよび副画素１２Ｂを有さず、副画素１２Ｗのみを有する構成としてもよい。つまり、画素１２の一部を、白色光のみを射出する機能を有する構成としてもよい。以上により、表示部１１に表示される画像の明度を高めることができる。
【００６６】
センサ１３は、例えば可視光線を検出することにより、表示装置１０の周囲の風景を撮影する機能を有する。なお、センサ１３は、例えば赤外線を検出する機能を有することにより、表示装置１０の周囲の風景を赤外撮影する機能を有してもよい。また、センサ１３は、外光の明るさを検出する機能を有してもよい。センサ１３は、例えば光電変換素子を有する構成とすることができる。
【００６７】
記憶回路１４は、例えば表示装置１０の表示方法に関する情報を有するプログラムを保持する機能を有する。記憶回路１４として、非一時的記憶媒体を用いることができる。例えばＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の不揮発性メモリを用いることができる。ＲＯＭとして、マスクＲＯＭ、ＯＴＰＲＯＭ（Ｏｎｅ  Ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等を用いることができる。ＥＰＲＯＭとしては、紫外線照射により記憶データの消去を可能とするＵＶ−ＥＰＲＯＭ（Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）の他、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等を用いることができる。
【００６８】
また、記憶回路１４は、例えばチャネルが形成される領域に金属酸化物を用いたトランジスタを有するメモリとしてもよい。金属酸化物は、シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度が小さい。このため、チャネル形成領域に金属酸化物を用いたトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを用いたトランジスタよりオフ電流が小さい。したがって、記憶回路１４への電力の供給を停止した場合においても、記憶回路１４にデータを保持することが可能となり、記憶回路１４は非一時的記憶媒体としての機能を有する。
【００６９】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）等に分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、およびスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【００７０】
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【００７１】
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）、およびＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。
【００７２】
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【００７３】
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、および絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【００７４】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【００７５】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、および高い電界効果移動度を得ることができる。
【００７６】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【００７７】
演算回路１５は、表示部１１に表示される画像に関する情報を有するデジタルデータを生成する機能を有する。当該デジタルデータは、例えば画素１２が有する各副画素が射出する光の輝度に関する情報を有する。前述のように、例えば画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を、副画素１個につき８ビットのデジタルデータで表現する場合、画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度を２５６階調で表現することができる。
【００７８】
また、演算回路１５は、記憶回路１４に保持された、表示装置１０の表示方法に関する情報を有するプログラムを読み出し、当該プログラムをもとに表示装置１０を動作させる機能を有する。例えば、センサ１３により撮影された周囲の風景の画像を分析する機能を有する。例えば、センサ１３により撮影された周囲の風景の画像をもとに、表示装置１０を使用する者が注視している表示部１１の部分を求め、これをもとに表示部１１の各部分に表示される画像の輝度を決定する機能を有する。
【００７９】
演算回路１５として、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等を用いることができる。またこれらをＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）やＦＰＡＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ａｎａｌｏｇ  Ａｒｒａｙ）といったＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）によって実現した構成としてもよい。
【００８０】
ソースドライバ回路１７は、演算回路１５により生成された表示データをＤ／Ａ変換し、Ｄ／Ａ変換された表示データを画素１２に送信する機能を有する。ゲートドライバ回路１８は、画素１２に選択信号を供給する機能を有する。
【００８１】
なお、表示装置１０は、記憶回路１４、演算回路１５、ソースドライバ回路１７およびゲートドライバ回路１８の一部またはすべてを２以上有する構成とすることができる。
【００８２】
画素１２には、２以上の画素が設けられていてもよい。例えば、図２に示すように、画素１２は、画素１２ａと画素１２ｂが積層された構成としてもよい。画素１２が図２に示す構成の場合、表示部１１は表示部１１ａおよび表示部１１ｂを有する。表示部１１ａには画素１２ａが設けられており、表示部１１ｂには画素１２ｂが設けられている。つまり、表示部１１は、表示部１１ａと表示部１１ｂが積層された構成となっている。なお、図２では、表示部１１および画素１２以外の要素は省略している。
【００８３】
画素１２ａは、第２の表示素子を有する。第２の表示素子として、例えば非発光型の表示素子を用いることができる。例えば外光を反射して画像を表示する機能を有する非発光型の表示素子を用いることができる。非発光型の表示素子として、例えば液晶素子を用いることができる。または、例えば反射型の液晶素子を用いることができる。または、例えば透過型の液晶素子または半透過型の液晶素子等を用いることができる。または、例えば液晶素子以外の反射型の表示素子を用いることができる。第２の表示素子として当該素子を用いることにより、外光を利用して表示部１１に画像を表示することができるため、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【００８４】
なお、画素１２ａは、電子シャッター、機械シャッター等を有してもよい。また、画素１２ａは、ピエゾ素子を有してもよい。ピエゾ素子は圧電体を有し、当該圧電体に加えられた電圧を力に変換する機能を有する。ピエゾ素子は、例えば機械シャッターを動作させる機能を有する。
【００８５】
画素１２ｂは、第１の表示素子を有する。第１の表示素子は、前述のように例えば発光素子とすることができる。
【００８６】
画素１２ａおよび画素１２ｂは、図１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように副画素を有する構成とすることができる。なお、１つの画素１２において、画素１２ａが有する副画素と、画素１２ｂが有する副画素とは異なっていてもよい。例えば、画素１２ａを図１（Ｄ）に示す構成とし、画素１２ｂを図１（Ｂ）に示す構成としてもよい。
【００８７】
画素１２を例えば図２に示す構成とする場合、それぞれの画素１２において、画素１２ａのみを用いて画像を表示してもよいし、画素１２ｂのみを用いて画像を表示してもよいし、画素１２ａおよび画素１２ｂの両方を用いて画像を表示してもよい。つまり、画素１２が有する画素のうちどの画素を用いて画像を表示するかは、画素１２ごとに個別に決めることができる。
【００８８】
なお、表示部１１に設けられたすべての画素１２のうち、画素１２ａを用いて画像を表示する画素１２の比率は、例えば外光の明るさにより決定することができる。例えば、外光が明るい場合は、画素１２ａを用いて画像を表示する画素１２の比率を増加させることにより、画素１２ｂが有する各副画素の階調数を大きく減少させることができる。これにより、表示装置１０の消費電力を低減することができる。また、画素１２ａを用いて画像を表示する画素１２の比率は、例えば表示装置１０の使用者が任意に設定してもよい。
【００８９】
図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、表示装置１０の構成例を示す模式図である。図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）では、表示部１１、画素１２およびセンサ１３以外の構成要素を省略している。
【００９０】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、センサ１３は２以上のセンサとすることができる。これにより、例えば表示装置１０を使用する者と、表示部１１との間の距離を算出することができる。これにより、例えば表示装置１０を使用する者が注視している表示部１１の部分を正確に算出することができる。
【００９１】
例えば、図３（Ａ）に示すように、表示装置１０はセンサ１３ａおよびセンサ１３ｂの２個のセンサを有し、それぞれ表示装置１０の左上および右上に設けられていてもよい。例えば、図３（Ｂ）に示すように、表示装置１０はセンサ１３ａ、センサ１３ｂ、センサ１３ｃおよびセンサ１３ｄの４個のセンサを有し、それぞれ表示装置１０の左上、右上、左下および右下に設けられていてもよい。なお、センサ１３が有するセンサの数は、３個でもよいし、５個以上でもよい。
【００９２】
また、図３（Ｃ）に示すように、表示装置１０はセンサ１３を１個のみ有してもよい。例えば、センサ１３を表示装置１０の上部に設けることができる。表示装置１０がセンサを１個のみ有する場合、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【００９３】
なお、表示装置１０がセンサ１３を１個のみ有する構成である場合でも、例えばセンサ１３により撮影した画像における、表示装置１０を使用する者の目の一方と、表示装置１０を使用する者の目の他方との間の距離を算出することにより、表示装置１０を使用する者と、表示部１１との間の距離を算出することができる。
【００９４】
なお、表示装置１０について、上述したセンサ１３の機能を有することができるのであれば、任意の位置にセンサを設けることができる。また、センサ１３は、例えば固定焦点式あるいは可変焦点式の光学装置（レンズ等）と、可視光および／または二次元的に検出できるイメージセンサを備えてもよい。
【００９５】
［表示方法の一例１］
次に、図１（Ａ）に示す構成の表示装置１０の表示方法を実行するプログラムの一例について、図４乃至図６を用いて説明する。なお、例えば図２に示すように、画素１２に２以上の画素が設けられる場合、本表示方法の説明において画素１２を、発光素子を有する画素（図２では画素１２ｂ）と読み替えてもよい。
【００９６】
図４は、図１（Ａ）に示す構成の表示装置１０の表示方法を実行するプログラムの一例を説明するフローチャートである。まず、センサ１３により、表示装置１０の表示部１１から観察される風景を撮影する（ステップＳ０１）。次に、センサ１３により撮影された画像を、演算回路１５により分析する（ステップＳ０２）。例えば、センサ１３により撮影された画像に、表示装置１０を使用する者の目が含まれているか否かを判定する（ステップＳ０３）。表示装置１０を使用する者の目が含まれていない場合、表示装置１０を使用する者の視界に表示部１１が含まれていないとみなすことができる。このため、例えば表示部１１に画像を表示しなくてもよい（ステップＳ０４）。これにより、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【００９７】
表示装置１０を使用する者の目が含まれている場合、表示装置１０を使用する者の視界に表示部１１が含まれているとみなすことができる。この場合、演算回路１５により、当該目に含まれる瞳孔を分析する（ステップＳ０５）。例えば、センサ１３により撮影された画像から、表示装置１０を使用する者の目に含まれる瞳孔が検出されるか否かを判定する（ステップＳ０６）。瞳孔が検出されない場合、表示装置１０を使用する者が、表示部１１から大きく離れているとみなすことができる。この場合、表示部１１に表示される画像が高コントラストでなくても大きな問題は無く、例えば全画面低輝度表示モードで画像を表示することができる（ステップＳ０７）。これにより、表示装置１０の消費電力を低減することができる。または、ステップＳ０７において、表示部１１に画像を表示しなくてもよい。この場合、表示装置１０の消費電力をさらに低減することができる。
【００９８】
瞳孔が検出される場合には、演算回路１５により当該瞳孔の向き、位置および、表示部１１までの距離等を分析して、表示装置１０を使用する者が注視している部分を算出する（ステップＳ０８）。瞳孔から表示部１１までの距離は、センサ１３によって撮影した画像における、表示装置１０を使用する者の目の一方に含まれる瞳孔と、表示装置１０を使用する者の目の他方に含まれる瞳孔との間の距離をもとに算出することができる。なお、センサ１３が２以上のセンサを含む場合、表示装置１０を使用する者の目の一方に含まれる瞳孔のみ検出した場合であっても、瞳孔から表示部１１までの距離を算出することができる。
【００９９】
次に、表示装置１０を使用する者が注視している部分が表示部１１に含まれるか否かを判定する（ステップＳ０９）。表示部１１に含まれない場合は、表示装置１０を使用する者の視界に表示部１１が含まれているが、表示装置１０を使用する者の注意は表示部１１からそれているとみなすことができる。この場合、表示部１１に表示される画像が高コントラストでなくても大きな問題は無く、例えば全画面低輝度表示モードで画像を表示することができる（ステップＳ１０）。これにより、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【０１００】
表示装置１０を使用する者が注視している部分が表示部１１に含まれる場合は、当該注視している部分にテキストが表示されているか否かを判定する（ステップＳ１１）。テキストが表示されていない場合は、部分的高コントラスト表示モードで画像を表示することができる（ステップＳ１２）。例えば、表示装置１０を使用する者が注視している部分およびその近傍の部分にのみ高コントラストの画像を表示し、その他の部分には低輝度の画像を表示することができる。または、例えば表示装置１０を使用する者が注視している部分にのみ高コントラストの画像を表示し、その他の部分には低輝度の画像を表示することができる。
【０１０１】
本明細書等において、テキストという用語は、表示部１１に表示される文字のまとまりを示す。
【０１０２】
ステップＳ１２について、図５を用いて詳細に説明する。図５は、表示部１１に、表示装置１０を使用する者が注視している部分２０ａと、部分２０ａの近傍の部分２０ｂと、部分２０ａおよび部分２０ｂ以外の部分である部分２０ｃとを示した図である。
【０１０３】
部分２０ａは、前述のようにステップＳ０８により算出することができる。部分２０ｂは、部分２０ａの外側の特定部分とすることができる。例えば、部分２０ａを円形とする場合、部分２０ｂは、中心が部分２０ａと同一で、部分２０ａの半径に数値ｘ（ｘは０以上）を加えた円形とすることができる。数値ｘは固定されていてもよいし、表示装置１０を使用する者が任意に設定できるようにしてもよいし、外光の明るさ等、何らかの条件により自動的に設定できるようにしてもよい。
【０１０４】
なお、部分２０ａの形状は円形に限らず、楕円、矩形、三角形、四角形、多角形等の形状とすることができる。また、部分２０ｂの形状は、部分２０ａの形状に応じて設定することができる。
【０１０５】
部分的高コントラスト表示モードで画像を表示する場合、例えば、部分２０ａおよび部分２０ｂに高コントラストな画像を表示し、部分２０ｃに低輝度な画像を表示することができる。つまり、部分２０ａおよび部分２０ｂに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数とし、部分２０ｃに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数から減少させることができる。または、部分２０ａおよび部分２０ｂに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を、部分２０ｃに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数より大きくすることができる。
【０１０６】
また、部分的高コントラスト表示モードで画像を表示する場合、例えば部分２０ａに高コントラストな画像を表示し、部分２０ｂおよび部分２０ｃに低輝度な画像を表示することができる。つまり、部分２０ａに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数とし、部分２０ｂおよび部分２０ｃに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数から減少させることができる。または、部分２０ａに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を、部分２０ｂおよび部分２０ｃに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数より大きくすることができる。
【０１０７】
また、部分的高コントラスト表示モードで画像を表示する場合、部分２０ｂに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を、部分２０ａに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数以下とし、部分２０ｃに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数以上とすることができる。つまり、例えば部分２０ａに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を２５６、部分２０ｃに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を６４とする場合、部分２０ｂに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数は６４以上２５６以下とすることができる。つまり、例えば部分２０ｂに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数を、低輝度な画像を表示する場合の階調数以上かつ最大階調数以下とすることができる。これにより、部分２０ｂに表示される画像の輝度は、例えば部分２０ｃに表示される画像の輝度以上かつ部分２０ａに表示される画像の輝度以下とすることができる。
【０１０８】
例えば、部分２０ｂに含まれる画素１２について、部分２０ａに近い部分に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を大きくして、部分２０ｃに近い部分（部分２０ａから遠い部分）に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を小さくすることができる。これにより、部分２０ａと部分２０ｂの境界におよび部分２０ｂと部分２０ｃの境界においてコントラストが急激に変化することを抑制することができる。
【０１０９】
なお、部分２０ａに含まれる画素１２であっても、一部の画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数より小さくしてもよいし、部分２０ｃに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数より小さくしてもよい。または、部分２０ｃに含まれる画素１２であっても、一部の画素１２が有する各副画素の階調数を、部分２０ａに含まれる画素１２が有する各副画素の階調数より大きくしてもよいし、最大階調数としてもよい。
【０１１０】
ステップＳ１１において、表示装置１０を使用する者が注視している部分にテキストが表示されている場合は、当該テキストが横書きか縦書きかを判定する（ステップＳ１３）。テキストが横書きで表示されている場合は、例えば一部の行を高コントラストで表示し、その他の行を低輝度で表示することができる（ステップＳ１４）。テキストが縦書きで表示されている場合は、例えば一部の列を高コントラストで表示し、その他の列を低輝度で表示することができる（ステップＳ１５）。例えば、表示装置１０を使用する者が注視している部分に含まれるテキストが属する行または列およびその近傍の行または列を高コントラストで表示し、他の行または列を低輝度で表示することができる。
【０１１１】
ステップＳ１４およびステップＳ１５において、表示部１１の各部分に表示されるテキストおよび当該テキストの背景の輝度を、例えば表示装置１０を使用する者が任意に設定してもよい。また、横書きの場合は同一行、縦書きの場合は同一列に記載されたテキストであっても、文字ごとに当該文字および当該文字の背景の輝度を変えてもよい。
【０１１２】
本明細書等において、行を高コントラストで表示するとは、当該行に記載されたテキストおよび当該行の背景の階調数を最大階調数として表示することを示す。例えば、最大階調数を２５６（最も低い輝度を輝度０とし、最も高い輝度を輝度２５５とする）とすると、当該行に設けられた画素１２が有する各副画素から射出される光の輝度の最大値を、それぞれ輝度２５５とすることができる。
【０１１３】
また、本明細書等において、行を低輝度で表示するとは、当該行に記載されたテキストおよび当該行の背景の階調数を最大階調数より減少させて表示することを示す。
【０１１４】
本明細書等において、列を高コントラストで表示するとは、当該列に記載されたテキストおよび当該列の背景の階調数を最大階調数として表示することを示す。また、本明細書等において、列を低輝度で表示するとは、当該列に記載されたテキストおよび当該列の背景の階調数を最大階調数より減少させて表示することを示す。
【０１１５】
なお、本明細書等において、行または列を低輝度で表示させた場合の階調数より大きな階調数で行または列を表示する場合は、最大階調数で表示しない場合であっても行または列を高コントラストで表示すると呼ぶ場合がある。
【０１１６】
ステップＳ１４について、図６を用いて詳細に説明する。図６は、テキストを横書きに表示した表示部１１を示す。
【０１１７】
部分２０ａは、図５で説明したように表示装置１０を使用する者が注視している部分を示す。例えば、部分２０ａに含まれるテキストが属する行を高コントラストで表示し、他の行を低輝度で表示することができる。
【０１１８】
本明細書等において、同じ符号の要素の中で特に区別する必要があるときに、［１］、［２］等の符号を用いて区別している。例えば、複数の部分２０ａ等を区別するために、部分２０ａ［１］、部分２０ａ［２］等と記載して区別している。なお、表示装置１０の使用者は、複数の部分２０ａのすべてを注視しているわけではなく、例えば１つの部分２０ａを注目しているとすることができる。
【０１１９】
例えば、図６に示す部分２０ａ［１］が表示装置１０を使用する者が注視している部分である場合を考える。部分２０ａ［１］には“Ｗｈｅｔｈｅｒ”の一部が含まれている。このため、“Ｗｈｅｔｈｅｒ  ’ｔｉｓ  ｎｏｂｌｅｒ  ｉｎ  ｔｈｅ  ｍｉｎｄ  ｔｏ  ｓｕｆｆｅｒ”と記載された行を高コントラストで表示し、他の行を低輝度で表示することができる。つまり、例えば“Ｗｈｅｔｈｅｒ  ’ｔｉｓ  ｎｏｂｌｅｒ  ｉｎ  ｔｈｅ  ｍｉｎｄ  ｔｏ  ｓｕｆｆｅｒ”と記載された行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数とし、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数から減少させることができる。または、例えば“Ｗｈｅｔｈｅｒ  ’ｔｉｓ  ｎｏｂｌｅｒ  ｉｎ  ｔｈｅ  ｍｉｎｄ  ｔｏ  ｓｕｆｆｅｒ”と記載された行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数より大きくすることができる。
【０１２０】
また、例えば、部分２０ａに含まれるテキストが属する行の他、その近傍の行を高コントラストで表示し、他の行を低輝度で表示することができる。例えば、部分２０ａに含まれるテキストが属する行の前後１行を、近傍の行とすることができる。例えば、部分２０ａ［１］が表示装置１０を使用する者が注視している部分である場合、“Ｔｏ  ｂｅ，  ｏｒ  ｎｏｔ  ｔｏ  ｂｅ：  ｔｈａｔ  ｉｓ  ｔｈｅ  ｑｕｅｓｔｉｏｎ：”と記載された行および“Ｔｈｅ  ｓｌｉｎｇｓ  ａｎｄ  ａｒｒｏｗｓ  ｏｆ  ｏｕｔｒａｇｅｏｕｓ  ｆｏｒｔｕｎｅ，”と記載された行を、部分２０ａ［１］が含まれる行である“Ｗｈｅｔｈｅｒ  ’ｔｉｓ  ｎｏｂｌｅｒ  ｉｎ  ｔｈｅ  ｍｉｎｄ  ｔｏ  ｓｕｆｆｅｒ”と記載された行の近傍の行とすることができる。この場合における、部分２０ａ［１］に含まれるテキストが属する行およびその近傍の行（計３行）を行２２［１］と記載している。
【０１２１】
例えば、行２２［１］を高コントラストで表示し、他の行を低輝度で表示することができる。つまり、例えば行２２［１］に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数とし、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数から減少させることができる。または、例えば行２２［１］に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数より大きくすることができる。
【０１２２】
なお、部分２０ａに含まれるテキストが属する行の前後２行を近傍の行としてもよいし、３行以上を近傍の行としてもよい。
【０１２３】
部分２０ａに含まれるテキストは、１行分でなくてもよい。例えば、部分２０ａ［２］のように、２行分のテキストが含まれていてもよい。また、部分２０ａには３行分以上のテキストが含まれていてもよい。
【０１２４】
図６に示す部分２０ａ［２］が表示装置１０を使用する者が注視している部分である場合を考える。この場合、例えば、“Ａｎｄ  ｂｙ  ｏｐｐｏｓｉｎｇ  ｅｎｄ  ｔｈｅｍ？  Ｔｏ  ｄｉｅ：  ｔｏ  Ｓｌｅｅｐ；”と記載された行および“Ｎｏ  ｍｏｒｅ；  ａｎｄ  ｂｙ  ａ  ｓｌｅｅｐ  ｔｏ  ｓａｙ  ｗｅ  ｅｎｄ”と記載された行を高コントラストで表示し、他の行を低輝度で表示することができる。つまり、例えば“Ａｎｄ  ｂｙ  ｏｐｐｏｓｉｎｇ  ｅｎｄ  ｔｈｅｍ？  Ｔｏ  ｄｉｅ：  ｔｏ  Ｓｌｅｅｐ；”と記載された行および“Ｎｏ  ｍｏｒｅ；  ａｎｄ  ｂｙ  ａ  ｓｌｅｅｐ  ｔｏ  ｓａｙ  ｗｅ  ｅｎｄ”と記載された行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数とし、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数から減少させることができる。または、例えば“Ａｎｄ  ｂｙ  ｏｐｐｏｓｉｎｇ  ｅｎｄ  ｔｈｅｍ？  Ｔｏ  ｄｉｅ：  ｔｏ  Ｓｌｅｅｐ；”と記載された行および“Ｎｏ  ｍｏｒｅ；  ａｎｄ  ｂｙ  ａ  ｓｌｅｅｐ  ｔｏ  ｓａｙ  ｗｅ  ｅｎｄ”と記載された行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数より大きくすることができる。
【０１２５】
また、例えば“Ａｎｄ  ｂｙ  ｏｐｐｏｓｉｎｇ  ｅｎｄ  ｔｈｅｍ？  Ｔｏ  ｄｉｅ：  ｔｏ  Ｓｌｅｅｐ；”の１行前の、“Ｏｒ  ｔｏ  ｔａｋｅ  ａｒｍｓ  ａｇａｉｎｓｔ  ａ  ｓｅａ  ｏｆ  ｔｒｏｕｂｌｅｓ，”が記載された行、および“Ｎｏ  ｍｏｒｅ；  ａｎｄ  ｂｙ  ａ  ｓｌｅｅｐ  ｔｏ  ｓａｙ  ｗｅ  ｅｎｄ”の１行後の、“Ｔｈｅ  ｈｅａｒｔ−ａｃｈｅ  ａｎｄ  ｔｈｅ  ｔｈｏｕｓａｎｄ  ｎａｔｕｒａｌ”が記載された行を、部分２０ａに含まれるテキストが属する行の近傍の行とすることができる。この場合における、部分２０ａ［２］に含まれるテキストが属する行およびその近傍の行（計４行）を行２２［２］と記載している。
【０１２６】
例えば、行２２［２］を高コントラストで表示し、他の行を低輝度で表示することができる。つまり、例えば行２２［２］に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数とし、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を最大階調数から減少させることができる。または、例えば行２２［２］に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数を、他の行に設けられた画素１２が有する各副画素の階調数より大きくすることができる。
【０１２７】
部分２０ａに３行分以上のテキストが含まれている場合においても、部分２０ａに１行分または２行分のテキストが含まれている場合と同様に、高コントラストで表示するか低輝度で表示するかを各行ごとに決定することができる。
【０１２８】
なお、例えば部分２０ａに含まれるテキストが属する行ではなく、その近傍の行でもない行であっても、一部を高コントラストで表示してもよい。
【０１２９】
ステップＳ１５に示す手順で表示装置１０を動作させる場合、つまり表示装置１０を使用する者が注視している部分に縦書きのテキストが表示されている場合については、「行」を「列」と置き換えることでステップＳ１４の説明を参照することができる。
【０１３０】
なお、ステップＳ０３、ステップＳ０６、ステップＳ０９、ステップＳ１１およびステップＳ１３に示した判定は、例えばＡＩ（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ  Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）を用いて行うことができる。
【０１３１】
また、ステップＳ０５において、表示装置１０を使用する者の目に含まれる瞳孔を分析せずに、代わりに表示装置１０を使用する者の目と、表示部１１との間の距離を算出してもよい。表示装置１０を使用する者の目から表示部１１までの距離は、例えばセンサ１３により撮影した画像における、表示装置１０を使用する者の目の一方と、表示装置１０を使用する者の目の他方との間の距離をもとに算出することができる。なお、センサ１３が２以上のセンサを含む場合、表示装置１０を使用する者の目の一方のみ検出した場合であっても、瞳孔から表示部１１までの距離を算出することができる。
【０１３２】
上記の場合、ステップＳ０６において、例えば表示装置１０を使用する者の目と、表示部１１との間の距離が規定値以上か否かを判定し、規定値以上である場合はステップＳ０７に進んで例えば表示部１１ａでのみ画像を表示することができる。一方、規定値未満である場合は、ステップＳ０８に進み、表示装置１０を使用する者の目の位置および、表示部１１までの距離等をもとにして、表示装置１０を使用する者が注視している部分を算出することができる。
【０１３３】
以上、本発明の一態様の表示方法では、表示装置１０を使用する者が注視している部分では高コントラストの画像を表示し、その他の部分では低輝度の画像を表示することができる。または、本発明の一態様の表示方法では、表示装置１０を使用する者が注視している部分およびその近傍の部分では高コントラストの画像を表示し、その他の部分では低輝度の画像を表示することができる。以上より、表示装置１０を使用する者が認識する画像の品位を落とすことなく、表示装置１０の消費電力を低減することができる。特に、表示部１１の解像度が大きい場合は、表示装置１０の消費電力を大きく低減することができる。
【０１３４】
また、本発明の一態様の表示方法では、表示装置１０を使用する者が注視している部分にテキストが表示されている場合、使用者が注視しているテキストが属する行または列は高コントラストな表示を行い、その他の行または列は低輝度で表示を行うことができる。または、本発明の一態様の表示方法では、使用者が注視しているテキストが属する行または列およびその近傍の行または列は高コントラストな表示を行い、その他の行または列は低輝度で表示を行うことができる。以上より、表示装置１０を使用する者が認識するテキストの表示品位を落とすことなく、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【０１３５】
［表示装置の構成例２］
表示装置１０は、赤外線を用いて動作させてもよい。図７（Ａ）、（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す表示装置１０に、赤外線源２１を設けた場合の表示装置１０の模式図の一例である。
【０１３６】
例えば、表示装置１０に赤外線源２１を１個設けることができる。例えば、図７（Ａ）に示すように、表示装置１０の上部に赤外線源２１を設けることができる。また、例えば赤外線源２１は２以上の赤外線源とすることができる。例えば、図７（Ｂ）に示すように、表示装置１０の左側に赤外線源２１ａを設け、表示装置１０の右側に赤外線源２１ｂを設けることができる。なお、赤外線源２１が有する赤外線源の数は、３個以上でもよい。また、表示装置１０について、後述する赤外線源２１の機能を有することができるのであれば、任意の位置に赤外線源を設けることができる。
【０１３７】
赤外線源２１は、赤外線等の光を放射する機能を有する。赤外線源２１は、例えば近赤外線を放射する機能を有する。赤外線源２１は、例えば波長０．９μｍ以上１．６μｍ以下の光を放射する機能を有する。赤外線源２１として、例えば半導体レーザ等を用いることができる。赤外線源２１としてレーザを用いることにより、赤外線源２１から放射される光のスペクトル幅を極めて小さくすることができる。
【０１３８】
表示装置１０に赤外線源２１を設ける場合、赤外線源２１から放出される光を例えばセンサ１３により検出することができる。例えば、赤外線源２１から放出された光が表示装置１０の使用者等に当たることにより反射され、反射された光をセンサ１３により検出することができる。また、表示装置１０に、例えば赤外線等を検出する専用のセンサを設け、当該センサにより赤外線源２１から放出される光を検出することができる。なお、赤外線源２１から放出される光を検出する機能を有するセンサの一部またはすべてには、赤外線源２１から放出される波長の光を選択的に透過するフィルタを設けてもよい。これにより、外界に存在する赤外線等によるノイズを抑制することができる。
【０１３９】
［表示方法の一例２］
次に、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、赤外線源２１が設けられた表示装置１０の表示方法を実行するプログラムの一例について、図８を用いて説明する。なお、例えば図２に示すように、画素１２に２以上の画素が設けられる場合、本表示方法の説明において画素１２を、発光素子を有する画素（図２では画素１２ｂ）と読み替えてもよい。
【０１４０】
図８は、赤外線源２１が設けられた表示装置１０の表示方法を実行するプログラムの一例を説明するフローチャートである。
【０１４１】
まず、赤外線源２１を点灯させ、センサ１３により表示装置１０の表示部１１から観察される風景を赤外撮影する（ステップＳ２１）。次に、センサ１３により赤外撮影された画像を、演算回路１５により分析する（ステップＳ２２）。例えば、センサ１３により赤外撮影された画像に、表示装置１０を使用する者の目の瞳孔が含まれているか否かを判定する（ステップＳ２３）。
【０１４２】
人間の瞳孔は、赤色から近赤外の波長の光の反射率が極めて高い。このため、表示装置１０を使用する者の目を検出しなくても、当該目に含まれる瞳孔を精度よく検出することができる。また、表示装置１０を使用する者の目を検出せずに短時間で当該目に含まれる瞳孔を検出することができるので、表示装置１０の動作を高速化することができる。
【０１４３】
センサ１３により赤外撮影された画像に表示装置１０を使用する者の目の瞳孔が含まれていない場合は、表示装置１０を使用する者の視界に表示部１１が含まれていないとみなすことができる。このため、表示部１１に画像を表示しなくてもよい（ステップＳ２４）。これにより、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【０１４４】
表示装置１０を使用する者の目の瞳孔が含まれている場合、表示装置１０を使用する者の視界に表示部１１が含まれているとみなすことができる。この場合、演算回路１５により当該瞳孔から表示部１１までの距離を算出して（ステップＳ２５）、当該距離が規定値以上である場合は例えば全画面低輝度表示モードで画像を表示することができる（ステップＳ２６）。これにより、表示装置１０の消費電力を低減することができる。または、ステップＳ２６において、表示部１１に画像を表示しなくてもよい。この場合、表示装置１０の消費電力をさらに低減することができる。
【０１４５】
なお、前述のように、瞳孔から表示部１１までの距離は、例えばセンサ１３により撮影した画像における、表示装置１０を使用する者の目の一方に含まれる瞳孔と、表示装置１０を使用する者の目の他方に含まれる瞳孔との間の距離をもとに算出することができる。なお、センサ１３が２以上のセンサを含む場合、表示装置１０を使用する者の目の一方に含まれる瞳孔のみ検出した場合であっても、瞳孔から表示部１１までの距離を算出することができる。
【０１４６】
瞳孔から表示部１１までの距離が規定値未満である場合は、当該瞳孔の向き、位置および、表示部１１までの距離等をもとに、表示装置１０を使用する者が注視している部分を算出する（ステップＳ２７）。
【０１４７】
ステップＳ２７以降の動作であるステップＳ２８乃至ステップＳ３４は、図４に示すステップＳ０９乃至ステップＳ１５と同様の動作とすることができる。
【０１４８】
以上、図８に示した表示方法では、赤外線を用いることにより、表示装置１０を使用する者の目を検出しなくても、当該目に含まれる瞳孔を精度よく検出することができる。
【０１４９】
なお、ステップＳ２３、ステップＳ２５、ステップＳ２８、ステップＳ３０およびステップＳ３２に示した判定は、例えばＡＩを用いて行うことができる。
【０１５０】
図４および図８に示した各ステップは、表示装置１０の機能を損なわない範囲であれば適宜追加、省略および順番の入れ替えを行うことができる。
【０１５１】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、およびその作製方法について図９乃至図１３を用いて説明する。
【０１５３】
本発明の一態様の表示装置は、非発光型の表示素子を有する画素１２ａが設けられた第１の表示パネルと、発光素子を有する画素１２ｂが設けられた第２の表示パネルとが、接着層を介して貼り合わされた構成を有する。非発光型の表示素子として、例えば外光を反射して画像を表示する機能を有する非発光型の表示素子を用いることができる。例えば、液晶素子等を用いることができる。例えば反射型の液晶素子、透過型の液晶素子または半透過型の液晶素子等を用いることができる。特に、反射型の液晶素子を用いる場合、反射光の光量を制御することにより階調を表現することができる。なお、発光素子は、発する光の光量を制御することにより階調を表現することができる。
【０１５４】
表示装置は、例えば反射光のみを利用して表示を行うこと、発光素子からの光のみを利用して表示を行うこと、および反射光と発光素子からの光の両方を利用して表示を行うことができる。
【０１５５】
第１の表示パネルは視認側に設けられ、第２の表示パネルは視認側とは反対側に設けられる。第１の表示パネルは、最も接着層側に位置する第１の樹脂層を有する。また第２の表示パネルは、最も接着層側に位置する第２の樹脂層を有する。
【０１５６】
また、第１の表示パネルの表示面側に第３の樹脂層を設け、第２の表示パネルの裏面側（表示面側とは反対側）に第４の樹脂層を設けることが好ましい。これにより、表示装置を極めて軽くすることが可能で、また表示装置を割れにくくすることが可能となる。
【０１５７】
第１の樹脂層乃至第４の樹脂層（以下、まとめて樹脂層とも表記する）は、極めて薄いことを特徴とする。より具体的には、それぞれ厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下とすることが好ましい。そのため、２つの表示パネルを積層した構成であっても、厚さを薄くすることができる。また、画素１２ｂの発光素子が発する光の経路上に位置する樹脂層による光の吸収が抑制され、より高い効率で光を取り出すことができ、消費電力を小さくすることができる。
【０１５８】
樹脂層は、例えば以下のように形成することができる。すなわち、支持基板上に低粘度の熱硬化性の樹脂材料を塗布し、熱処理により硬化させて樹脂層を形成する。そして樹脂層上に、構造物を形成する。その後、樹脂層と、支持基板との間で剥離を行うことにより、樹脂層の一方の面を露出させる。
【０１５９】
支持基板と樹脂層とを剥離する際、これらの密着性を低下させる方法として、レーザ光を照射することが挙げられる。例えば、レーザ光に線状のレーザを用い、これを走査することにより、レーザ光を照射することが好ましい。これにより、支持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。レーザ光としては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に用いることができる。
【０１６０】
樹脂層に用いることのできる材料としては、代表的には熱硬化性のポリイミドが挙げられる。特に感光性のポリイミドを用いることが好ましい。感光性のポリイミドは、表示パネルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、形成装置や材料を共有することができる。そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置や材料を必要としない。
【０１６１】
また、樹脂層に感光性の樹脂材料を用いることにより、露光および現像処理を施すことで、樹脂層を加工することが可能となる。例えば、開口部を形成することや、不要な部分を除去することができる。さらに露光方法や露光条件を最適化することで、表面に凹凸形状を形成することも可能となる。例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いた露光技術や、多重露光技術等を用いればよい。
【０１６２】
なお、非感光性の樹脂材料を用いてもよい。このとき、樹脂層上にレジストマスクやハードマスクを形成して開口部や凹凸形状を形成する方法を用いることもできる。
【０１６３】
またこのとき、発光素子からの光の経路上に位置する樹脂層を、部分的に除去することが好ましい。すなわち、第１の樹脂層および第２の樹脂層に、発光素子と重なる開口部を設ける。これにより、発光素子からの光の一部が樹脂層に吸収されることに伴う色再現性の低下や、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【０１６４】
または、樹脂層の発光素子からの光の経路上に位置する部分が、他の部分よりも薄くなるように、樹脂層に凹部が形成された構成としてもよい。すなわち、樹脂層は厚さの異なる２つの部分を有し、厚さの薄い部分が発光素子と重なる構成とすることもできる。この構成としても、樹脂層による発光素子からの光の吸収を低減できる。
【０１６５】
また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、上記と同様に発光素子と重なる開口部を設けることが好ましい。これにより、さらに色再現性や光取り出し効率を向上させることができる。
【０１６６】
また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、液晶素子における光の経路上に位置する第３の樹脂層の一部を除去することが好ましい。すなわち、第３の樹脂層に、液晶素子と重なる開口部を設ける。これにより、例えば液晶素子が反射型である場合、反射率を向上させることができる。また、例えば液晶素子が透過型である場合、透過率を向上させることができる。
【０１６７】
樹脂層に開口部を形成する場合、支持基板上に光吸収層を形成し、当該光吸収層上に開口部を有する樹脂層を形成し、さらに開口部を覆う透光性の層を形成する。光吸収層は、光を吸収して加熱されることで、水素または酸素等のガスを放出する層である。したがって、支持基板側から光を照射し、光吸収層からガスを放出させることで、光吸収層と支持基板の界面、または光吸収層と透光性の層との間の密着性が低下し、剥離を生じさせることができる。または、光吸収層自体が破断して、剥離させることができる。
【０１６８】
または、以下の方法を用いることもできる。すなわち、樹脂層の開口部となる部分を、部分的に薄く形成し、上述した方法により支持基板と樹脂層とを剥離する。そして樹脂層の剥離した表面にプラズマ処理等を行うことで、樹脂層を薄膜化すると、樹脂層の薄い部分に開口を形成することができる。
【０１６９】
また、画素１２ａおよび画素１２ｂは、それぞれトランジスタを有することが好ましい。さらに、当該トランジスタのチャネルを形成する半導体として、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物はトランジスタの作製工程にかかる最高温度を低温化（例えば４００℃以下、好ましくは３５０℃以下）しても、高いオン電流を実現でき、また高い信頼性を確保することができる。また、金属酸化物を用いることで、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層に用いる材料として、高い耐熱性が要求されないため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、平坦化膜として用いる樹脂材料と兼ねることもできる。
【０１７０】
ここで、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いた場合では、高い電界効果移動度が得られるものの、レーザ結晶化工程、結晶化の前処理のベーク工程、不純物の活性化のためのベーク工程等が必要であり、トランジスタの作製工程にかかる最高温度が上記金属酸化物を用いた場合よりも高い（例えば５００℃以上、または５５０℃以上、または６００℃以上）。そのため、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層には高い耐熱性が必要となる。さらに、レーザ結晶化工程において、当該樹脂層にもレーザが照射されるため、当該樹脂層は比較的厚く形成する必要がある（例えば１０μｍ以上、または２０μｍ以上）。
【０１７１】
一方、金属酸化物を用いた場合では、耐熱性の高い特殊な材料が不要で、かつ厚く形成する必要がないため、表示パネル全体に対する当該樹脂層にかかるコストの割合を小さくできる。
【０１７２】
また、金属酸化物は、バンドギャップが広く（例えば２．５ｅＶ以上、または３．０ｅＶ以上）、光を透過する性質を有する。そのため、支持基板と樹脂層の剥離工程において、レーザ光が金属酸化物に照射されても吸収しにくいため、その電気的特性への影響を抑制できる。したがって、上述のように樹脂層を薄く形成することが可能となる。
【０１７３】
本発明の一態様は、感光性のポリイミドに代表される低粘度な感光性樹脂材料を用いて薄く形成した樹脂層と、低温であっても電気特性に優れたトランジスタを実現できる金属酸化物と、を組み合わせることにより、極めて生産性に優れた表示装置を実現できる。
【０１７４】
続いて、画素の構成について説明する。実施の形態１の図２に示したように、画素１２ａおよび画素１２ｂは、それぞれマトリクス状に複数配置され、表示部１１を構成する。また、表示装置１０は、画素１２ａを駆動する第１の駆動部と、画素１２ｂを駆動する第２の駆動部を有することが好ましい。第１の駆動部は第１の表示パネルに設けられ、第２の駆動部は第２の表示パネルに設けられていることが好ましい。
【０１７５】
また、画素１２ａと画素１２ｂは、実施の形態１の図２に示したように同じ周期で表示領域内に配置されていることが好ましい。さらに、画素１２ａおよび画素１２ｂは表示装置の表示領域に混在して配置されていることが好ましい。これにより、後述するように複数の画素１２ａのみで表示された画像と、複数の画素１２ｂのみで表示された画像、および複数の画素１２ａおよび複数の画素１２ｂの両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。
【０１７６】
続いて、第１の表示パネルおよび第２の表示パネルに用いることのできるトランジスタについて説明する。第１の表示パネルの画素１２ａに設けられるトランジスタと、第２の表示パネルの画素１２ｂに設けられるトランジスタとは、同じ構成のトランジスタであってもよいし、それぞれ異なるトランジスタであってもよい。
【０１７７】
トランジスタの構成としては、例えばボトムゲート構造のトランジスタが挙げられる。ボトムゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも下側（被形成面側）にゲート電極を有する。また、例えばソース電極およびドレイン電極が、半導体層の上面および側端部に接して設けられていることを特徴とする。
【０１７８】
また、トランジスタの他の構成としては、例えばトップゲート構造のトランジスタが挙げられる。トップゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも上側（被形成面側とは反対側）にゲート電極を有する。また、例えば第１のソース電極および第１のドレイン電極が、半導体層の上面の一部および側端部を覆う絶縁層上に設けられ、かつ当該絶縁層に設けられた開口を介して半導体層と電気的に接続されることを特徴とする。
【０１７９】
また、トランジスタとして、半導体層を挟んで対向して設けられる第１のゲート電極および第２のゲート電極を有していることが好ましい。
【０１８０】
以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について、図面を参照して説明する。
【０１８１】
［構成例１］
図９に、表示装置１０の断面概略図を示す。表示装置１０は、表示パネル１００と表示パネル２００とが接着層５０によって貼り合わされた構成を有する。また、表示装置１０は、裏側（視認側とは反対側）に基板６１１と、表側（視認側）に基板６１２と、を有する。
【０１８２】
表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２との間に、トランジスタ１１０と、発光素子１２０と、を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２との間にトランジスタ２１０と、液晶素子２２０と、を有する。樹脂層１０１は、接着層５１を介して基板６１１と貼り合わされている。また樹脂層２０２は、接着層５２を介して基板６１２と貼り合わされている。
【０１８３】
また、樹脂層１０２、樹脂層２０１、および樹脂層２０２は、それぞれ開口部が設けられている。図９に示す領域８１は、発光素子１２０と重なる領域であって、かつ樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、および樹脂層２０２の開口部と重なる領域である。
【０１８４】
〔表示パネル１００〕
樹脂層１０１には、トランジスタ１１０、発光素子１２０、絶縁層１３１、絶縁層１３２、絶縁層１３３、絶縁層１３４、絶縁層１３５等が設けられている。また、樹脂層１０２には、遮光層１５３、および着色層１５２等が設けられている。樹脂層１０１と樹脂層１０２とは、接着層１５１により接着されている。
【０１８５】
トランジスタ１１０は、絶縁層１３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２の一部と、半導体層１１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。
【０１８６】
半導体層１１２は、金属酸化物を含むことが好ましい。
【０１８７】
絶縁層１３３および絶縁層１３４は、トランジスタ１１０を覆って設けられている。絶縁層１３４は、平坦化層として機能する。
【０１８８】
発光素子１２０は、導電層１２１と、ＥＬ層１２２と、導電層１２３と、が積層された構成を有する。導電層１２１は可視光を反射する機能を有し、導電層１２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、発光素子１２０は、被形成面側とは反対側に光を射出する上面射出型（トップエミッション型ともいう）の発光素子である。
【０１８９】
導電層１２１は、絶縁層１３４および絶縁層１３３に設けられた開口を介して導電層１１３ｂと電気的に接続されている。絶縁層１３５は、導電層１２１の端部を覆い、かつ導電層１２１の上面が露出するように開口が設けられている。ＥＬ層１２２および導電層１２３は、絶縁層１３５および導電層１２１の露出した部分を覆って、順に設けられている。
【０１９０】
樹脂層１０２の樹脂層１０１側には、絶縁層１４１が設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０１側には、遮光層１５３と、着色層１５２とが設けられている。着色層１５２は、発光素子１２０と重なる領域に設けられている。遮光層１５３は、発光素子１２０と重なる部分に開口を有する。
【０１９１】
絶縁層１４１は、樹脂層１０２の開口部を覆って設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接している。
【０１９２】
〔表示パネル２００〕
樹脂層２０１には、トランジスタ２１０、導電層２２１、配向膜２２４ａ、絶縁層２３１、絶縁層２３２、絶縁層２３３、絶縁層２３４等が設けられている。また、樹脂層２０２には、絶縁層２０４、導電層２２３、配向膜２２４ｂ等が設けられている。また配向膜２２４ａと配向膜２２４ｂとの間に液晶２２２が挟持されている。樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、図示しない領域で接着層により接着されている。
【０１９３】
トランジスタ２１０は、絶縁層２３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層２１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２３２の一部と、半導体層２１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層２１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層２１３ｂと、を有する。
【０１９４】
半導体層２１２は、金属酸化物を含むことが好ましい。
【０１９５】
絶縁層２３３および絶縁層２３４は、トランジスタ２１０を覆って設けられている。絶縁層２３４は、平坦化層として機能する。
【０１９６】
液晶素子２２０は、導電層２２１と、導電層２２３と、これらの間に位置する液晶２２２と、により構成されている。導電層２２１は可視光を反射する機能を有し、導電層２２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、図９に示す構成の液晶素子２２０は反射型の液晶素子とすることができる。なお、導電層２２１を、可視光を透過する機能を有する導電層とする場合、液晶素子２２０は透過型の液晶素子とすることができる。
【０１９７】
導電層２２１は、絶縁層２３４および絶縁層２３３に設けられた開口を介して導電層２１３ｂと電気的に接続されている。配向膜２２４ａは、導電層２２１および絶縁層２３４の表面を覆って設けられている。
【０１９８】
樹脂層２０２の樹脂層２０１側には、導電層２２３と配向膜２２４ｂとが積層されて設けられている。なお、樹脂層２０２と導電層２２３との間に絶縁層２０４が設けられている。また、液晶素子２２０の反射光を着色するための着色層を設けてもよい。
【０１９９】
絶縁層２３１は、樹脂層２０１の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２３１の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接して設けられている。また、絶縁層２０４は、樹脂層２０２の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２０４の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５２と接して設けられている。
【０２００】
〔表示装置１０〕
表示装置１０は、上面から見たときに、発光素子１２０が、液晶素子２２０と重ならない部分を有する。これにより、図９に示すように、発光素子１２０からは、着色層１５２によって着色された発光６２１が、視認側に射出される。また、液晶素子２２０では、導電層２２１により外光が反射された反射光６２２が液晶２２２を介して射出される。
【０２０１】
発光素子１２０から射出された発光６２１は、樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、および樹脂層２０２の開口部を通って視認側に射出される。したがって、樹脂層１０２、樹脂層２０１、および樹脂層２０２が可視光の一部を吸収する場合であっても、発光６２１の光路上にこれら樹脂層が存在しないため、光取り出し効率や、色再現性を高いものとすることができる。
【０２０２】
なお、基板６１２が偏光板、または円偏光板として機能する。または、基板６１２よりも外側に、偏光板または円偏光板を設けてもよい。
【０２０３】
ここでは、表示パネル２００が着色層を有さず、カラー表示を行わない構成としているが、樹脂層２０２側に着色層を設け、カラー表示可能な構成としてもよい。
【０２０４】
以上が構成例についての説明である。
【０２０５】
［構成例の変形例］
以下では、図９で示した構成例と比較して、一部の構成の異なる構成例について説明する。
【０２０６】
図９では、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層に、開口部を設ける構成としたが、液晶素子２２０における光の経路上に位置する樹脂層にも開口部を設けてもよい。
【０２０７】
図１０には、領域８１に加えて領域８２を有する例を示している。領域８２は、樹脂層２０２の開口部、および液晶素子２２０と重なる領域である。
【０２０８】
なお、図１０では樹脂層２０２に、発光素子１２０および液晶素子２２０の両方を包含する１つの開口部が設けられている例を示したが、発光素子１２０と重なる開口部と、液晶素子２２０と重なる開口部とが別々に設けられた構成としてもよい。
【０２０９】
図９では、表示装置１０が表示パネル１００および表示パネル２００を有する構成としたが、図１１に示すように表示パネル２００を有さない構成としてもよい。当該構成とすることにより、表示装置１０の作製工程を簡略化することができる。
【０２１０】
［トランジスタについて］
図９で例示した表示装置１０は、トランジスタ１１０とトランジスタ２１０の両方に、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合の例である。
【０２１１】
トランジスタ１１０は、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも被形成面側（樹脂層１０１側）に位置する。また、絶縁層１３２が導電層１１１を覆って設けられている。また半導体層１１２は、導電層１１１を覆って設けられている。半導体層１１２の導電層１１１と重なる領域が、チャネル形成領域に相当する。また、導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、それぞれ半導体層１１２の上面および側端部に接して設けられている。
【０２１２】
なお、トランジスタ１１０は、導電層１１１よりも半導体層１１２の幅が大きい場合の例を示している。このような構成により、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂの間に半導体層１１２が配置されるため、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。
【０２１３】
トランジスタ１１０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができる。
【０２１４】
トランジスタ２１０は、トランジスタ１１０と共通の特徴を有している。
【０２１５】
ここで、トランジスタ１１０およびトランジスタ２１０に適用可能な、トランジスタの構成例について説明する。
【０２１６】
図１２（Ａ）に示したトランジスタ１１０ａは、トランジスタ１１０と比較して、導電層１１４および絶縁層１３６を有する点で相違している。導電層１１４は、絶縁層１３３上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３６は、導電層１１４および絶縁層１３３を覆って設けられている。
【０２１７】
導電層１１４は、半導体層１１２を挟んで導電層１１１とは反対側に位置している。導電層１１１を第１のゲート電極とした場合、導電層１１４は、第２のゲート電極として機能することができる。導電層１１１と導電層１１４に同じ電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのオン電流を高めることができる。また導電層１１１および導電層１１４の一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのしきい値電圧を制御することができる。
【０２１８】
ここで、導電層１１４として、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これにより、導電層１１４を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層１３３に酸素を供給することができる。好適には、成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層１３３に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層１１２に供給され、半導体層１１２中の酸素欠損の低減を図ることができる。
【０２１９】
特に、導電層１１４には低抵抗化された金属酸化物を用いることが好ましい。このとき、絶縁層１３６に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ましい。絶縁層１３６の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層１１４中に水素が供給され、導電層１１４の電気抵抗を効果的に低減することができる。
【０２２０】
図１２（Ｂ）に示すトランジスタ１１０ｂは、トップゲート構造のトランジスタである。
【０２２１】
トランジスタ１１０ｂは、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも上側（被形成面側とは反対側）に設けられている。また、絶縁層１３１上に半導体層１１２が形成されている。また半導体層１１２上には、絶縁層１３２および導電層１１１が積層して形成されている。また、絶縁層１３３は、半導体層１１２の上面および側端部、絶縁層１３２の側面、および導電層１１１を覆って設けられている。導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、絶縁層１３３上に設けられている。導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、絶縁層１３３に設けられた開口を介して、半導体層１１２の上面と電気的に接続されている。
【０２２２】
なお、ここでは絶縁層１３２が、導電層１１１と重ならない部分に存在しない場合の例を示しているが、絶縁層１３２が半導体層１１２の上面および側端部を覆って設けられていてもよい。
【０２２３】
トランジスタ１１０ｂは、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。
【０２２４】
図１２（Ｃ）に示すトランジスタ１１０ｃは、トランジスタ１１０ｂと比較して、導電層１１５および絶縁層１３７を有している点で相違している。導電層１１５は絶縁層１３１上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３７は、導電層１１５および絶縁層１３１を覆って設けられている。
【０２２５】
導電層１１５は、上記導電層１１４と同様に第２のゲート電極として機能する。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御すること等が可能である。
【０２２６】
ここで、表示装置１０において、表示パネル１００が有するトランジスタと、表示パネル２００が有するトランジスタとを、異なるトランジスタで構成してもよい。一例としては、発光素子１２０と電気的に接続するトランジスタは、比較的大きな電流を流す必要があるためトランジスタ１１０ａやトランジスタ１１０ｃを適用し、その他のトランジスタには、トランジスタの占有面積を低減するために、トランジスタ１１０を適用することができる。
【０２２７】
一例として、図１３には、図９のトランジスタ２１０に代えてトランジスタ１１０ａを適用し、トランジスタ１１０に代えてトランジスタ１１０ｃを適用した場合の例を示している。
【０２２８】
以上がトランジスタについての説明である。
【０２２９】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２３０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について、図１４乃至図２１を用いて説明する。以下では、液晶素子と、発光素子の両方を有する表示装置について説明する。
【０２３１】
実施の形態１で示した画素１２が液晶素子と発光素子を有する場合、液晶素子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
【０２３２】
図１４（Ａ）は、画素１２が有する電極３１１の構成例を示す。電極３１１は、画素１２における液晶素子の反射電極として機能する。また電極３１１には、開口４５１が設けられている。
【０２３３】
図１４（Ａ）には、電極３１１と重なる領域に位置する発光素子１２０を破線で示している。発光素子１２０は、電極３１１が有する開口４５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子１２０が発する光は、開口４５１を介して表示面側に射出される。
【０２３４】
図１４（Ａ）では、方向Ｒに隣接する画素１２が異なる色に対応する画素である。このとき、図１４（Ａ）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口４５１が一列に配列されないように、電極３１１の異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子１２０を離すことが可能で、発光素子１２０が発する光が隣接する画素１２が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子１２０を離して配置することができるため、発光素子１２０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
【０２３５】
また、図１４（Ｂ）に示すような配列としてもよい。
【０２３６】
非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子１２０を用いた表示が暗くなってしまう。
【０２３７】
また、反射電極として機能する電極３１１に設ける開口４５１の面積が小さすぎると、発光素子１２０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
【０２３８】
開口４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口４５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
【０２３９】
［回路構成例］
図１５は、画素１２の構成例を示す回路図である。画素１２は、液晶素子を有する画素１２ａと、発光素子を有する画素１２ｂとを有する。画素１２ａは、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子２２０（液晶素子２２０Ｒ、液晶素子２２０Ｇ、液晶素子２２０Ｂ、および液晶素子２２０Ｗ）等を有する。画素１２ｂは、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、発光素子１２０（発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂ、および発光素子１２０Ｗ）等を有する。
【０２４０】
画素１２ａには、配線Ｇａ１、配線Ｇａ２、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓａ１、および配線Ｓａ２が電気的に接続されている。画素１２ｂには、配線Ｇｂ１、配線Ｇｂ２、配線ＡＮＯ、配線Ｓｂ１、および配線Ｓｂ２が電気的に接続されている。
【０２４１】
また、図１５では、液晶素子２２０Ｒ、液晶素子２２０Ｇ、液晶素子２２０Ｂ、および液晶素子２２０Ｗと電気的に接続されている配線ＶＣＯＭ１を示している。また、図１５では、発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂ、および発光素子１２０Ｗと電気的に接続されている配線ＶＣＯＭ２を示している。
【０２４２】
図１５では、スイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を示している。
【０２４３】
スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇａ１または配線Ｇａ２と接続され、ソースまたはドレインの一方が配線Ｓａ１または配線Ｓａ２と接続され、ソースまたはドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、および液晶素子２２０Ｒ、液晶素子２２０Ｇ、液晶素子２２０Ｂ、または液晶素子２２０Ｗの一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子２２０Ｒ、液晶素子２２０Ｇ、液晶素子２２０Ｂ、および液晶素子２２０Ｗは、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
【０２４４】
またスイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇｂ１または配線Ｇｂ２と接続され、ソースまたはドレインの一方が配線Ｓｂ１または配線Ｓｂ２と接続され、ソースまたはドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソースまたはドレインの一方、および配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソースまたはドレインの他方が発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂ、または発光素子１２０Ｗの一方の電極と接続されている。発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂ、および発光素子１２０Ｗは、他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
【０２４５】
図１５では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。
【０２４６】
配線Ｇａ１および配線Ｇａ２には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１および配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。配線Ｓａ１および配線Ｓａ２には、液晶素子２２０Ｒ、液晶素子２２０Ｇ、液晶素子２２０Ｂ、および液晶素子２２０Ｗが有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。図１５は、配線Ｓａ１に、液晶素子２２０Ｒおよび液晶素子２２０Ｂが有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができ、配線Ｓａ２に、液晶素子２２０Ｇおよび液晶素子２２０Ｗが有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる場合を示している。
【０２４７】
配線Ｇｂ１および配線Ｇｂ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２および配線ＡＮＯには、発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂおよび発光素子１２０Ｗが発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓｂ１および配線Ｓｂ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。
【０２４８】
図１５に示す画素１２について、例えば画素１２ａを用いて画像を表示する場合には、配線Ｇａ１、配線Ｇａ２、配線Ｓａ１、および配線Ｓａ２に与える信号により駆動し、液晶素子２２０Ｒ、液晶素子２２０Ｇ、液晶素子２２０Ｂ、および液晶素子２２０Ｗによる光学変調を利用して表示することができる。また、画素１２ｂを用いて画像を表示する場合には、配線Ｇｂ１、配線Ｇｂ２、配線Ｓｂ１、および配線Ｓｂ２に与える信号により駆動し、発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂ、および発光素子１２０Ｗを発光させて表示することができる。また画素１２ａおよび画素１２ｂの両方を用いて画像を表示する場合には、配線Ｇａ１、配線Ｇａ２、配線Ｇｂ１、配線Ｇｂ２、配線Ｓａ１、配線Ｓａ２、配線Ｓｂ１、および配線Ｓｂ２、のそれぞれに与える信号により駆動することができる。
【０２４９】
図１５に示す例では、例えば液晶素子２２０Ｒおよび発光素子１２０Ｒを、赤色を呈する表示素子とし、液晶素子２２０Ｇおよび発光素子１２０Ｇを、緑色を呈する表示素子とし、液晶素子２２０Ｂおよび発光素子１２０Ｂを、青色を呈する表示素子とし、液晶素子２２０Ｗおよび発光素子１２０Ｗを、白色を呈する表示素子とすることができる。
【０２５０】
図１５では１つの画素１２に、４つの液晶素子２２０（液晶素子２２０Ｒ、液晶素子２２０Ｇ、液晶素子２２０Ｂ、および液晶素子２２０Ｗ）と４つの発光素子１２０（発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂ、および発光素子１２０Ｗ）とを有する例を示したが、これに限られない。図１６（Ａ）は、１つの画素１２に１つの液晶素子２２０と４つの発光素子１２０（発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、発光素子１２０Ｂ、および発光素子１２０Ｗ）を有する例を示している。これにより、例えば液晶素子２２０として白色を呈する反射型の液晶素子を用い、画素１２ａにより画像を表示する場合、反射率の高い白色の表示を行うことができる。なお、画素１２が図１６（Ａ）に示す構成である場合、配線Ｇａ２および配線Ｓａ２を省略した構成とすることができる。
【０２５１】
また、図１６（Ｂ）には、図１６（Ａ）に示す構成の画素１２の構成例を示している。画素１２は、電極３１１が有する開口部と重なる発光素子１２０Ｗと、電極３１１の周囲に配置された発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、および発光素子１２０Ｂとを有する。発光素子１２０Ｒ、発光素子１２０Ｇ、および発光素子１２０Ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。
【０２５２】
なお、図１５に示す構成の画素１２では、液晶素子２２０Ｗおよび発光素子１２０Ｗを有しない構成としてもよい。また、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示す構成の画素１２では、発光素子１２０Ｗを有しない構成としてもよい。以上により、１個の画素１２の占有面積を減少させることができ、表示装置１０により表示される画像の解像度を高めることができる。
【０２５３】
また、画素１２が有するトランジスタ、容量素子等の各素子の数は、必要に応じて、または適宜変更することができる。また、画素１２と電気的に接続されている配線の数は、必要に応じて、または適宜変更することができる。
【０２５４】
［表示装置の構成例］
図１７は、本発明の一態様の表示装置１０の斜視概略図の一例である。表示装置１０は、基板３５１と基板３６１とが貼り合わされた構成を有する。図１７では、基板３６１を破線で明示している。
【０２５５】
表示装置１０は、実施の形態１で示した表示部１１の他、回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７等を有する。基板３５１には、例えば回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７および画素電極として機能する電極３１１等が設けられる。また図１７では基板３５１上にＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５およびＦＰＣ３７４が実装されている例を示している。そのため、図１７に示す構成は、表示装置１０とＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５およびＦＰＣ３７４を有する表示モジュールと言うこともできる。
【０２５６】
回路部３６４は、例えばゲートドライバとして機能する回路を用いることができる。
【０２５７】
配線３６５は、表示部や回路部３６４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部、またはＩＣ３７３から配線３６５に入力される。
【０２５８】
また、図１７では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板３５１にＩＣ３７３が設けられている例を示している。ＩＣ３７３は、例えばゲートドライバ、またはソースドライバ等としての機能を有するＩＣを適用できる。なお表示装置１０がゲートドライバおよびソースドライバとして機能する回路を備える場合や、ゲートドライバやソースドライバとして機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ３７２を介して表示装置１０を駆動するための信号を入力する場合等では、ＩＣ３７３を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ３７３を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ３７２に実装してもよい。
【０２５９】
図１７には、表示部１１の一部の拡大図を示している。表示部１１には、複数の表示素子が有する電極３１１がマトリクス状に配置されている。電極３１１は、可視光を反射する機能を有し、液晶素子２２０の反射電極として機能する。
【０２６０】
また、図１７に示すように、電極３１１は開口を有する。さらに電極３１１よりも基板３５１側に、発光素子１２０を有する。発光素子１２０からの光は、電極３１１の開口を介して基板３６１側に射出される。
【０２６１】
［断面構成例］
図１８に、図１７で例示した表示装置の、ＦＰＣ３７２を含む領域の一部、回路部３６４を含む領域の一部、表示部１１を含む領域の一部、回路部３６６を含む領域の一部、およびＦＰＣ３７４を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
【０２６２】
図１８に示す表示装置は、表示パネル１００と、表示パネル２００とが積層された構成を有する。表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２を有する。樹脂層１０２と樹脂層２０１とは、接着層５０によって接着されている。また樹脂層１０１は、接着層５１により基板３５１と接着されている。また樹脂層２０２は、接着層５２により基板３６１と接着されている。
【０２６３】
〔表示パネル１００〕
表示パネル１００は、樹脂層１０１、絶縁層４７８、複数のトランジスタ、容量素子４０５、絶縁層４１１、絶縁層４１２、絶縁層４１３、絶縁層４１４、絶縁層４１５、発光素子１２０、スペーサ４１６、接着層４１７、着色層４２５、遮光層４２６、絶縁層４７６、および樹脂層１０２を有する。
【０２６４】
樹脂層１０２は、発光素子１２０と重なる領域に開口部を有する。
【０２６５】
回路部３６４はトランジスタ４０１を有する。表示部１１は、トランジスタ４０２およびトランジスタ４０３を有する。
【０２６６】
各トランジスタは、ゲート、絶縁層４１１、半導体層、ソース、およびドレインを有する。ゲートと半導体層は、絶縁層４１１を介して重なる。絶縁層４１１の一部は、ゲート絶縁層としての機能を有し、他の一部は、容量素子４０５の誘電体としての機能を有する。トランジスタ４０２のソースまたはドレインとして機能する導電層は、容量素子４０５の一方の電極を兼ねる。
【０２６７】
図１８では、ボトムゲート構造のトランジスタを示す。回路部３６４と表示部１１とで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。回路部３６４および表示部１１は、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。
【０２６８】
容量素子４０５は、一対の電極と、その間の誘電体とを有する。容量素子４０５は、トランジスタのゲートと同一の材料、および同一の工程で形成した導電層と、トランジスタのソースおよびドレインと同一の材料、および同一の工程で形成した導電層と、を有する。
【０２６９】
絶縁層４１２、絶縁層４１３、および絶縁層４１４は、それぞれ、トランジスタ等を覆って設けられる。トランジスタ等を覆う絶縁層の数は特に限定されない。絶縁層４１４は、平坦化層としての機能を有する。絶縁層４１２、絶縁層４１３、および絶縁層４１４のうち、少なくとも一層には、水または水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高めることができる。
【０２７０】
絶縁層４１４として有機材料を用いる場合、表示装置の端部に露出した絶縁層４１４を通って発光素子１２０等に表示装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子１２０が劣化すると、表示装置の劣化につながる。そのため、図１８に示すように、絶縁層４１４が、表示装置の端部に位置しないことが好ましい。図１８の構成では、有機材料を用いた絶縁層が表示装置の端部に位置しないため、発光素子１２０に不純物が侵入することを抑制できる。
【０２７１】
発光素子１２０は、電極４２１、ＥＬ層４２２、および電極４２３を有する。発光素子１２０は、光学調整層４２４を有していてもよい。発光素子１２０は、着色層４２５側に光を射出する、トップエミッション構造である。
【０２７２】
トランジスタ、容量素子、および配線等を、発光素子１２０の発光領域と重ねて配置することで、表示部１１の開口率を高めることができる。
【０２７３】
電極４２１および電極４２３のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。電極４２１および電極４２３の間に、発光素子１２０の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層４２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層４２２において再結合し、ＥＬ層４２２に含まれる発光物質が発光する。
【０２７４】
電極４２１は、トランジスタ４０３のソースまたはドレインと電気的に接続される。これらは、直接接続されてもよいし、他の導電層を介して接続されてもよい。電極４２１は、画素電極として機能し、発光素子１２０ごとに設けられている。隣り合う２つの電極４２１は、絶縁層４１５によって電気的に絶縁されている。
【０２７５】
ＥＬ層４２２は、発光性の物質を含む層である。
【０２７６】
電極４２３は、共通電極として機能し、複数の発光素子１２０にわたって設けられている。電極４２３には、定電位が供給される。
【０２７７】
発光素子１２０は、接着層４１７を介して着色層４２５と重なる。スペーサ４１６は、接着層４１７を介して遮光層４２６と重なる。図１８では、電極４２３と遮光層４２６との間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。図１８では、スペーサ４１６を基板３５１側に設ける構成を示したが、基板３６１側（例えば遮光層４２６よりも基板３６１側）に設けてもよい。
【０２７８】
カラーフィルタ（着色層４２５）とマイクロキャビティ構造（光学調整層４２４）との組み合わせにより、表示装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層４２４の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。
【０２７９】
着色層４２５は特定の波長域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、または黄色の波長域の光を透過するカラーフィルタ等を用いることができる。
【０２８０】
なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、または量子ドット方式等を適用してもよい。
【０２８１】
遮光層４２６は、隣接する着色層４２５の間に設けられている。遮光層４２６は隣接する発光素子１２０からの光を遮光し、隣接する発光素子１２０間における混色を抑制する。ここで、着色層４２５の端部を、遮光層４２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層４２６としては、発光素子１２０が発する光を遮る材料を用いることができる。なお、遮光層４２６は、回路部３６４等の表示部１１以外の領域に設けると、導波光等による意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
【０２８２】
樹脂層１０１の一方の表面には絶縁層４７８が形成されている。また、樹脂層１０２の一方の表面には絶縁層４７６が形成されている。絶縁層４７６および絶縁層４７８に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に発光素子１２０およびトランジスタ等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【０２８３】
防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、および、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０２８４】
例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０２８５】
接続部４０６は、配線３６５を有する。配線３６５は、トランジスタのソースおよびドレインと同一の材料、および同一の工程で形成することができる。接続部４０６は、回路部３６４に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ３７２を設ける例を示している。接続層４１９を介してＦＰＣ３７２と接続部４０６は電気的に接続する。
【０２８６】
接続層４１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）および異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
【０２８７】
以上が表示パネル１００についての説明である。
【０２８８】
〔表示パネル２００〕
表示パネル２００は、縦電界方式が適用された液晶表示装置である。
【０２８９】
表示パネル２００は、樹脂層２０１、絶縁層５７８、複数のトランジスタ、容量素子５０５、配線３６７、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４、液晶素子２２０、配向膜５６４ａ、配向膜５６４ｂ、接着層５１７、絶縁層５７６、および樹脂層２０２を有する。
【０２９０】
樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、接着層５１７によって貼り合わされている。樹脂層２０１、樹脂層２０２、および接着層５１７に囲まれた領域に、液晶５６３が封止されている。基板３６１の外側の面には、偏光板５９９が位置する。
【０２９１】
また樹脂層２０１には、発光素子１２０と重なる開口部が設けられている。また、樹脂層２０２には、液晶素子２２０および発光素子１２０と重なる開口部が設けられている。
【０２９２】
液晶素子２２０は、電極３１１、電極５６２、および液晶５６３を有する。電極３１１は画素電極として機能する。電極５６２は共通電極として機能する。電極３１１と電極５６２との間に生じる電界により、液晶５６３の配向を制御することができる。液晶５６３と電極３１１の間には配向膜５６４ａが設けられている。液晶５６３と電極５６２の間には、配向膜５６４ｂが設けられている。
【０２９３】
樹脂層２０２には、絶縁層５７６、電極５６２、および配向膜５６４ｂ等が設けられている。
【０２９４】
樹脂層２０１には、電極３１１、配向膜５６４ａ、トランジスタ５０１、トランジスタ５０３、容量素子５０５、接続部５０６、および配線３６７等が設けられている。
【０２９５】
樹脂層２０１上には、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４等の絶縁層が設けられている。
【０２９６】
ここで、トランジスタ５０３のソースまたはドレインのうち、電極３１１と電気的に接続されていない方の導電層は、信号線の一部として機能してもよい。また、トランジスタ５０３のゲートとして機能する導電層は、走査線の一部として機能してもよい。
【０２９７】
図１８では、表示部１１の例として、着色層を設けない構成を示している。そのため、液晶素子２２０は、白黒の階調表示を行う素子である。
【０２９８】
図１８では、回路部３６６の例としてトランジスタ５０１が設けられている例を示している。
【０２９９】
各トランジスタを覆う絶縁層５１２、絶縁層５１３のうち少なくとも一方は、水や水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。
【０３００】
絶縁層５１４上には、電極３１１が設けられている。電極３１１は、絶縁層５１４、絶縁層５１３、絶縁層５１２等に形成された開口を介して、トランジスタ５０３のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。また電極３１１は、容量素子５０５の一方の電極と電気的に接続されている。
【０３０１】
表示パネル２００が反射型の液晶表示装置である場合、電極３１１に可視光を反射する導電性材料を用い、電極５６２に可視光を透過する導電性材料を用いる。また、表示パネル２００が透過型の液晶表示装置である場合、電極３１１に可視光を透過する導電性材料を用いる。
【０３０２】
可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛等が挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。
【０３０３】
可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、またはこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。そのほか、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、およびランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。
【０３０４】
ここで、偏光板５９９として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、偏光板５９９の種類に応じて、液晶素子２２０に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。
【０３０５】
電極５６２は、樹脂層２０２の端部に近い部分において、樹脂層２０１側に設けられた導電層と接続体５４３により電気的に接続されている。これにより、樹脂層２０１側に配置されるＦＰＣ３７４やＩＣ等から電極５６２に電位や信号を供給することができる。
【０３０６】
接続体５４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカ等の粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆する等、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体５４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体５４３は、図１８に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体５４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良等の不具合の発生を抑制することができる。
【０３０７】
接続体５４３は、接着層５１７に覆われるように配置することが好ましい。例えば硬化前の接着層５１７に接続体５４３を分散させておけばよい。
【０３０８】
樹脂層２０１の端部に近い領域には、接続部５０６が設けられている。接続部５０６は、接続層５１９を介してＦＰＣ３７４と電気的に接続されている。図１８に示す構成では、配線３６７の一部と、電極３１１と同一の導電膜を加工して得られた導電層を積層することで接続部５０６を構成している例を示している。
【０３０９】
以上が表示パネル２００についての説明である。
【０３１０】
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【０３１１】
〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂等の材料を用いることができる。
【０３１２】
厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。
【０３１３】
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【０３１４】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金等を好適に用いることができる。
【０３１５】
また、金属基板の表面を酸化する、または表面に絶縁膜を形成する等により、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法等の塗布法、電着法、蒸着法、またはスパッタリング法等を用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置するまたは加熱するほか、陽極酸化法等によって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。
【０３１６】
可撓性および可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示パネルも軽量にすることができる。
【０３１７】
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０３１８】
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属等を基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
【０３１９】
可撓性を有する基板に、表示パネルの表面を傷等から保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウム等）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂等）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
【０３２０】
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示パネルとすることができる。
【０３２１】
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
【０３２２】
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０３２３】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０３２４】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、金属酸化物を用いることができる。代表的には、インジウムを含む金属酸化物等を適用できる。
【０３２５】
特にシリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０３２６】
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各画素の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
【０３２７】
半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛およびＭ（ガリウム、アルミニウム、シリコン、チタン、ゲルマニウム、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、鉄、ニッケル、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該金属酸化物を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０３２８】
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ランタノイドである、プラセオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
【０３２９】
半導体層を構成する金属酸化物として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｖ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｂｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｆｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｉ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０３３０】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０３３１】
また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタおよび容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
【０３３２】
半導体層を構成する金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０３３３】
半導体層を構成する金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０３３４】
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのとき金属酸化物を用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できる、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板等を好適に用いることができる。
【０３３５】
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極等の導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金等が挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０３３６】
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等の導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタン等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜等を用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極等の導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
【０３３７】
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、シリコーン樹脂等の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることもできる。
【０３３８】
また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。
【０３３９】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０３４０】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０３４１】
〔表示素子について〕
画素１２ａが有する表示素子には、例えば外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。画素１２ａが有する表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、画素１２ａが有する表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子等を用いることができる。
【０３４２】
また、画素１２ｂが有する表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。このような画素が射出する光は、実施の形態１で述べたようにその輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、かつコントラストの高い、つまり高品位な表示を行うことができる。画素１２ｂが有する表示素子には、前述のように例えばＯＬＥＤ、ＬＥＤ、ＱＬＥＤ、ＩＥＬ、半導体レーザ等の自発光性の発光素子を用いることができる。または、画素１２ｂが有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。
【０３４３】
〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モード等を用いることができる。
【０３４４】
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。
【０３４５】
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０３４６】
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
【０３４７】
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【０３４８】
本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。なお、透過型の液晶素子または半透過型の液晶素子等を用いてもよい。また、液晶素子以外の非発光型表示素子を用いてもよい。
【０３４９】
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
【０３５０】
〔発光素子〕
発光素子としては、前述のように自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。
【０３５１】
本発明の一態様では、特に発光素子は、トップエミッション型の発光素子を用いることが好ましい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０３５２】
発光素子がＯＬＥＤおよびＩＥＬ等のＥＬ層を有する素子である場合、当該ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０３５３】
ＥＬ層には低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０３５４】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０３５５】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色および赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
【０３５６】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、かついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。
【０３５７】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【０３５８】
なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、および電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドット等の無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。量子ドットを発光層に用いた発光素子をＱＬＥＤと呼ぶ。
【０３５９】
なお、量子ドットは、数ｎｍサイズの半導体ナノ結晶であり、１×１０３個から１×１０６個程度の原子から構成されている。量子ドットはサイズに依存してエネルギーシフトするため、同じ物質から構成される量子ドットであっても、サイズによって発光波長が異なり、用いる量子ドットのサイズを変更することによって容易に発光波長を調整することができる。
【０３６０】
また、量子ドットは、発光スペクトルのピーク幅が狭いため、色純度のよい発光を得ることができる。さらに、量子ドットの理論的な外部量子効率はほぼ１００％であると言われており、蛍光発光を呈する有機化合物の２５％を大きく上回り、燐光発光を呈する有機化合物と同等となっている。このことから、量子ドットを発光材料として用いることによって発光効率の高い発光素子を得ることができる。その上、無機化合物である量子ドットはその本質的な安定性にも優れているため、寿命の観点からも好ましい発光素子を得ることができる。
【０３６１】
量子ドットを構成する材料としては、周期表第１４族元素、周期表第１５族元素、周期表第１６族元素、複数の周期表第１４族元素からなる化合物、周期表第４族から周期表第１４族に属する元素と周期表第１６族元素との化合物、周期表第２族元素と周期表第１６族元素との化合物、周期表第１３族元素と周期表第１５族元素との化合物、周期表第１３族元素と周期表第１７族元素との化合物、周期表第１４族元素と周期表第１５族元素との化合物、周期表第１１族元素と周期表第１７族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン類、カルコゲナイドスピネル類、各種半導体クラスター等を挙げることができる。
【０３６２】
具体的には、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化水銀、セレン化水銀、テルル化水銀、砒化インジウム、リン化インジウム、砒化ガリウム、リン化ガリウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、リン化アルミニウム、砒化アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、セレン化鉛、テルル化鉛、硫化鉛、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化砒素、セレン化砒素、テルル化砒素、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウム、錫、セレン、テルル、ホウ素、炭素、リン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ホウ素、窒化アルミニウム、硫化アルミニウム、硫化バリウム、セレン化バリウム、テルル化バリウム、硫化カルシウム、セレン化カルシウム、テルル化カルシウム、硫化ベリリウム、セレン化ベリリウム、テルル化ベリリウム、硫化マグネシウム、セレン化マグネシウム、硫化ゲルマニウム、セレン化ゲルマニウム、テルル化ゲルマニウム、硫化錫、セレン化錫、テルル化錫、酸化鉛、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、セレン化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、硫化コバルト、四酸化三鉄、硫化鉄、酸化マンガン、硫化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、セレンと亜鉛とカドミウムの化合物、インジウムと砒素とリンの化合物、カドミウムとセレンと硫黄の化合物、カドミウムとセレンとテルルの化合物、インジウムとガリウムと砒素の化合物、インジウムとガリウムとセレンの化合物、インジウムとセレンと硫黄の化合物、銅とインジウムと硫黄の化合物およびこれらの組合せ等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、組成が任意の比率で表される、いわゆる合金型量子ドットを用いても良い。例えば、カドミウムとセレンと硫黄の合金型量子ドットは、元素の含有比率を変化させることで発光波長を変えることができるため、青色発光を得るには有効な手段の一つである。
【０３６３】
量子ドットの構造としては、コア型、コア−シェル型、コア−マルチシェル型等があり、そのいずれを用いても良いが、コアを覆ってより広いバンドギャップを持つ別の無機材料でシェルを形成することによって、ナノ結晶表面に存在する欠陥やダングリングボンドの影響を低減することができる。これにより、発光の量子効率が大きく改善するためコア−シェル型やコア−マルチシェル型の量子ドットを用いることが好ましい。シェルの材料の例としては、硫化亜鉛や酸化亜鉛が挙げられる。
【０３６４】
また、量子ドットは、表面原子の割合が高いことから、反応性が高く、凝集が起こりやすい。そのため、量子ドットの表面には保護剤が付着しているまたは保護基が設けられていることが好ましい。当該保護剤が付着しているまたは保護基が設けられていることによって、凝集を防ぎ、溶媒への溶解性を高めることができる。また、反応性を低減させ、電気的安定性を向上させることも可能である。保護剤（または保護基）としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、トリ（ｎ−ヘキシル）アミン、トリ（ｎ−オクチル）アミン、トリ（ｎ−デシル）アミン等の第３級アミン類、トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデシルホスフィンオキシド等の有機リン化合物、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類、また、ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類等の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類、ジブチルスルフィド等のジアルキルスルフィド類、ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジアルキルスルホキシド類、チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸、アルコール類、ソルビタン脂肪酸エステル類、脂肪酸変性ポリエステル類、３級アミン変性ポリウレタン類、ポリエチレンイミン類等が挙げられる。
【０３６５】
量子ドットは、サイズが小さくなるに従いバンドギャップが大きくなるため、所望の波長の光が得られるようにそのサイズを適宜調節する。結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトするため、量子ドットのサイズを変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長領域にわたって、その発光波長を調節することができる。量子ドットのサイズ（直径）は０．５ｎｍ乃至２０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲のものが通常良く用いられる。なお、量子ドットはそのサイズ分布が狭いほど、より発光スペクトルが狭線化し、色純度の良好な発光を得ることができる。また、量子ドットの形状は特に限定されず、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。なお、棒状の量子ドットである量子ロッドはｃ軸方向に偏光した指向性を有する光を呈するため、量子ロッドを発光材料として用いることにより、より外部量子効率が良好な発光素子を得ることができる。
【０３６６】
また、ＥＬ素子では多くの場合、発光材料をホスト材料に分散することによって発光効率を高めるが、ホスト材料は発光材料以上の一重項励起エネルギーまたは三重項励起エネルギーを有する物質であることが必要である。特に青色の燐光材料を用いる場合においては、それ以上の三重項励起エネルギーを有する材料であり、且つ、寿命の観点で優れたホスト材料の開発は困難を極めている。一方で、量子ドットはホスト材料を用いずに量子ドットのみで発光層を構成しても発光効率を保つことができるため、この点でも寿命という観点から好ましい発光素子を得ることができる。量子ドットのみで発光層を形成する場合には、量子ドットはコア−シェル構造（コア−マルチシェル構造を含む）であることが好ましい。
【０３６７】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜等を用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０３６８】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、またはマグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜または金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタン等が挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜等を用いることができる。
【０３６９】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法等の吐出法、スクリーン印刷法等の印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。
【０３７０】
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０３７１】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分等の不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
【０３７２】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０３７３】
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
【０３７４】
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料等が挙げられる。
【０３７５】
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属等の無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
【０３７６】
以上が各構成要素についての説明である。
【０３７７】
［変形例］
以下では、上記断面構成例で例示した表示装置とは一部の構成の異なる例を説明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点のみ説明する。
【０３７８】
〔断面構成例の変形例１〕
図１９は、図１８と比較してトランジスタの構成および樹脂層２０２の構成が異なる点、ならびに着色層５６５、遮光層５６６、および絶縁層５６７を有する点で相違している。
【０３７９】
図１９に示すトランジスタ４０１、トランジスタ４０３、トランジスタ５０１は、第２のゲート電極を有する。このように、回路部３６４や回路部３６６に設けるトランジスタ、および発光素子１２０に流れる電流を制御するトランジスタに、一対のゲートを有するトランジスタを適用することが好ましい。
【０３８０】
樹脂層２０２は、液晶素子２２０と重なる開口部と、発光素子１２０と重なる開口部とが、別々に設けられている。これにより、液晶素子２２０の反射率を向上させることができる。
【０３８１】
また、絶縁層５７６の液晶素子２２０側の面には、遮光層５６６と、着色層５６５が設けられている。着色層５６５は、液晶素子２２０と重ねて設けられている。これにより、表示パネル２００はカラー表示を行うことができる。また、遮光層５６６は、液晶素子２２０と重なる開口部と、発光素子１２０と重なる開口部を有する。これにより、隣接画素間の混色を抑制し、色再現性の高い表示装置を実現できる。
【０３８２】
〔断面構成例の変形例２〕
図２０は、各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。また、例えば８インチ以上の大型の表示パネルに好適に用いることができる。
【０３８３】
〔断面構成例の変形例３〕
図２１は、各トランジスタに第２のゲート電極を有するトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例を示している。
【０３８４】
各トランジスタは、樹脂層１０１上または樹脂層２０１上に、導電層５９１を有する。また導電層５９１を覆って、絶縁層４１１または絶縁層５７８が設けられている。
【０３８５】
また、表示パネル２００の接続部５０６において、樹脂層２０１の一部が開口され、当該開口を埋めるように導電層５９２が設けられている。導電層５９２は、その裏面側（表示パネル１００側）の表面が露出するように設けられている。導電層５９２は、配線３６７と電気的に接続されている。ＦＰＣ３７４は、導電層５９２の露出した表面と、接続層５１９を介して電気的に接続されている。導電層５９２は導電層５９１と同一の導電膜を加工して形成することができる。導電層５９２は、裏面電極とも呼ぶことのできる電極として機能する。
【０３８６】
このような構成は、樹脂層２０１に感光性の有機樹脂を用いることにより実現することができる。例えば、支持基板上に樹脂層２０１を形成する際に、樹脂層２０１に開口部を形成し、当該開口を埋めるように導電層５９２を形成する。そして樹脂層２０１と支持基板とを剥離する際、導電層５９２と支持基板とも同時に剥離されることにより、図２１に示すような導電層５９２を形成することができる。例えば、光吸収層を用いた方法や、または凹部を有する樹脂層または２層構造の樹脂層を形成した後に導電層５９２の裏面が露出するように樹脂層の一部をエッチングする方法等を用いることができる。
【０３８７】
このような構成とすることで、表示面側に位置する表示パネル２００に接続するＦＰＣ３７４を、表示面とは反対側に配置することができる。そのため、表示装置を電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ３７４を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる。
【０３８８】
以上が変形例についての説明である。
【０３８９】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３９０】
（実施の形態４）
［ＣＡＣ−ＯＳの構成］
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【０３９１】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０３９２】
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０３９３】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）などと、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０３９４】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０３９５】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０３９６】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０３９７】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０３９８】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０３９９】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０４００】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０４０１】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０４０２】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０４０３】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０４０４】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０４０５】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０４０６】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０４０７】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０４０８】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０４０９】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０４１０】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４１１】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて図２２を用いて説明する。
【０４１２】
図２２に示す表示モジュール７００は、上部カバー７０１と下部カバー７０２との間に、ＦＰＣ７０３に接続されたタッチパネル７０４、ＦＰＣ７０５に接続された表示パネル７０６、フレーム７０９、プリント基板７１０、およびバッテリ７１１を有する。
【０４１３】
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル７０６に用いることができる。これにより、高品位の画像を低消費電力で表示することができる。
【０４１４】
上部カバー７０１および下部カバー７０２は、タッチパネル７０４および表示パネル７０６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０４１５】
タッチパネル７０４としては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル７０６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル７０４を設けず、表示パネル７０６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
【０４１６】
フレーム７０９は、表示パネル７０６の保護機能の他、プリント基板７１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム７０９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０４１７】
プリント基板７１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ７１１による電源であってもよい。バッテリ７１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０４１８】
また、表示モジュール７００は、偏光板、位相差板、プリズムシート等の部材を追加して設けてもよい。
【０４１９】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４２０】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器について図２３および図２４を用いて説明する。
【０４２１】
図２３（Ａ）は、タブレット型の情報端末８００であり、筐体８０１、表示部８０２、操作ボタン８０３、スピーカ８０４を有する。また、表示部８０２に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、例えば表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、光電変換素子を表示部８０２に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン８０３に情報端末８００を起動する電源スイッチ、情報端末８００のアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部８０２を点灯、あるいは消灯するスイッチ等のいずれかを備えることができる。また、図２３（Ａ）に示した情報端末８００では、操作ボタン８０３の数を４個示しているが、情報端末８００の有する操作ボタンの数および配置は、これに限定されない。
【０４２２】
また、図示していないが、図２３（Ａ）に示した情報端末８００は、マイクおよびスピーカを有する構成であってもよい。この構成により、例えば、情報端末８００に携帯電話のような通話機能を付することができる。
【０４２３】
また、図示していないが、図２３（Ａ）に示した情報端末８００は、カメラを有する構成であってもよい。また、図示していないが、図２３（Ａ）に示した情報端末８００は、フラッシュライト、または照明の用途として発光装置を有する構成であってもよい。
【０４２４】
また、図示していないが、図２３（Ａ）に示した情報端末８００は、筐体８０１の内部に実施の形態１で示したセンサ１３を有する。また、筐体８０１の内部に実施の形態１で示した赤外線源２１を有してもよい。また、筐体８０１の内部にセンサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動またはにおい等を測定する機能を含むもの）を有する構成であってもよい。特に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、図２３（Ａ）に示す情報端末８００の向き（鉛直方向に対して情報端末がどの向きに向いているか）を判断して、表示部８０２の画面表示を、情報端末８００の向きに応じて自動的に切り替えるようにすることができる。
【０４２５】
また、図示していないが、図２３（Ａ）に示した情報端末８００は、指紋、静脈、虹彩、または声紋等生体情報を取得する装置を有する構成であってもよい。この構成を適用することによって、生体認証機能を有する情報端末８００を実現することができる。
【０４２６】
また、図示していないが、図２３（Ａ）に示した情報端末８００は、マイクを有する構成であってもよい。この構成を適用することによって、情報端末８００に通話機能を付することができる。また、情報端末８００に音声解読機能を付することができる場合がある。情報端末８００に音声解読機能を設けることで、音声認識によって情報端末８００を操作する機能、更には、音声や会話を判読して会話録を作成する機能、等を情報端末８００に有することができる。これにより、例えば、会議等の議事録作成として活用することができる。
【０４２７】
また、表示部８０２として、可撓性を有する基材を用いてもよい。具体的には、表示部８０２は、可撓性を有する基材上にトランジスタ、容量素子、および表示素子等を設けた構成としてもよい。この構成を適用することによって、図２３（Ａ）に示した情報端末８００のように平らな面を有する筐体８０１だけでなく、曲面を有するような筐体の電子機器を実現することができる。
【０４２８】
また、情報端末８００は、表示部８０２として可撓性を有する基材を用いて、表示部８０２を自由に折りたたむことができる構造を有してもよい。このような構成を図２３（Ｂ）に示す。情報端末８１０は、情報端末８００と同様のタブレット型の情報端末であり、筐体８１１ａ、筐体８１１ｂ、表示部８１２、操作ボタン８１３、スピーカ８１４を有している。
【０４２９】
筐体８１１ａと筐体８１１ｂと、は、ヒンジ部８１１ｃにより結合されており、ヒンジ部８１１ｃによって、２つ折りが可能となっている。また、表示部８１２は、筐体８１１ａ、筐体８１１ｂ、およびヒンジ部８１１ｃに設けられている。
【０４３０】
表示部８０２に適用できる可撓性を有する基材としては、可視光に対する透光性を有する材料として、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリハロゲン化ビニル樹脂、アラミド樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。また、これらの材料を混合または積層して用いてもよい。
【０４３１】
情報端末８００または情報端末８１０に本発明の一態様の表示装置を適用することにより、高品位の画像を低消費電力で表示することができる。
【０４３２】
図２４（Ａ）、（Ｂ）に、情報端末９００の一例を示す。情報端末９００は、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、表示部９０４、およびヒンジ部９０５等を有する。なお、図示していないが、筐体９０１および／または筐体９０２の内部に実施の形態１で示したセンサ１３を有する。また、筐体９０１および／または筐体９０２の内部に実施の形態１で示した赤外線源２１を有してもよい。
【０４３３】
筐体９０１と筐体９０２は、ヒンジ部９０５で連結されている。情報端末９００は、図２４（Ａ）に示すように折り畳んだ状態から、図２４（Ｂ）に示すように筐体９０１と筐体９０２を開くことができる。
【０４３４】
例えば表示部９０３および表示部９０４に、文書情報を表示することが可能であり、電子書籍端末としても用いることができる。例えば、教科書として用いることができる。また、表示部９０３および表示部９０４に静止画像や動画像を表示することもできる。
【０４３５】
このように、情報端末９００は、持ち運ぶ際には折り畳んだ状態にできるため、汎用性に優れる。
【０４３６】
なお、筐体９０１および筐体９０２には、電源ボタン、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク等を有していてもよい。
【０４３７】
情報端末９００に本発明の一態様の表示装置を適用することにより、高品位の画像を低消費電力で表示することができる。
【０４３８】
図２４（Ｃ）に情報端末の一例を示す。図２４（Ｃ）に示す情報端末９１０は、筐体９１１、表示部９１２、操作ボタン９１３、外部接続ポート９１４、スピーカ９１５、マイク９１６、カメラ９１７等を有する。なお、図示していないが、筐体９１１の内部に実施の形態１で示したセンサ１３を有する。また、筐体９１１の内部に実施の形態１で示した赤外線源２１を有してもよい。
【０４３９】
情報端末９１０は、表示部９１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力する等のあらゆる操作は、指やスタイラス等で表示部９１２に触れることで行うことができる。
【０４４０】
また、操作ボタン９１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部９１２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０４４１】
また、情報端末９１０の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、情報端末９１０の向き（縦か横か）を判断して、表示部９１２の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部９１２を触れること、操作ボタン９１３の操作、またはマイク９１６を用いた音声入力等により行うこともできる。
【０４４２】
情報端末９１０は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。情報端末９１０は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧および作成、音楽再生、動画再生、インターネット通信、ゲーム等の種々のアプリケーションを実行することができる。
【０４４３】
情報端末９１０に本発明の一態様の表示装置を適用することにより、高品位の画像を低消費電力で表示することができる。
【０４４４】
図２４（Ｄ）に、カメラの一例を示す。カメラ９２０は、筐体９２１、表示部９２２、操作ボタン９２３、シャッターボタン９２４等を有する。またカメラ９２０には、着脱可能なレンズ９２６が取り付けられている。なお、筐体９２１の内部に実施の形態１で示したセンサ１３を有する。また、筐体９２１の内部に実施の形態１で示した赤外線源２１を有してもよい。
【０４４５】
ここではカメラ９２０として、レンズ９２６を筐体９２１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ９２６と筐体が一体となっていてもよい。
【０４４６】
カメラ９２０は、シャッターボタン９２４を押すことにより、静止画、または動画を撮像することができる。また、表示部９２２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部９２２をタッチすることにより撮像することも可能である。
【０４４７】
なお、カメラ９２０は、ストロボ装置や、ビューファインダー等を別途装着することができる。または、これらが筐体９２１に組み込まれていてもよい。
【０４４８】
カメラ９２０に本発明の一態様の表示装置を適用することにより、高品位の画像を低消費電力で表示することができる。
【０４４９】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０４５０】
１０    表示装置
１１    表示部
１１ａ    表示部
１１ｂ    表示部
１２    画素
１２ａ    画素
１２ｂ    画素
１２Ｂ    副画素
１２Ｇ    副画素
１２Ｒ    副画素
１３    センサ
１３ａ    センサ
１３ｂ    センサ
１３ｃ    センサ
１３ｄ    センサ
１４    記憶回路
１５    演算回路
１７    ソースドライバ回路
１８    ゲートドライバ回路
２０ａ    部分
２０ｂ    部分
２０ｃ    部分
２１    赤外線源
２１ａ    赤外線源
２１ｂ    赤外線源
５０    接着層
５１    接着層
５２    接着層
６３    輝度
６４    輝度
８１    領域
８２    領域
１００    表示パネル
１０１    樹脂層
１０２    樹脂層
１１０    トランジスタ
１１０ａ    トランジスタ
１１０ｂ    トランジスタ
１１０ｃ    トランジスタ
１１１    導電層
１１２    半導体層
１１３ａ    導電層
１１３ｂ    導電層
１１４    導電層
１１５    導電層
１２０    発光素子
１２０Ｂ    発光素子
１２０Ｇ    発光素子
１２０Ｒ    発光素子
１２１    導電層
１２２    ＥＬ層
１２３    導電層
１３１    絶縁層
１３２    絶縁層
１３３    絶縁層
１３４    絶縁層
１３５    絶縁層
１３６    絶縁層
１３７    絶縁層
１４１    絶縁層
１５１    接着層
１５２    着色層
１５３    遮光層
２００    表示パネル
２０１    樹脂層
２０２    樹脂層
２０４    絶縁層
２１０    トランジスタ
２１１    導電層
２１２    半導体層
２１３ａ    導電層
２１３ｂ    導電層
２２０    液晶素子
２２０Ｂ    液晶素子
２２０Ｇ    液晶素子
２２０Ｒ    液晶素子
２２１    導電層
２２２    液晶
２２３    導電層
２２４ａ    配向膜
２２４ｂ    配向膜
２３１    絶縁層
２３２    絶縁層
２３３    絶縁層
２３４    絶縁層
２５５    輝度
３１１    電極
３５１    基板
３６１    基板
３６４    回路部
３６５    配線
３６６    回路部
３６７    配線
３７２    ＦＰＣ
３７３    ＩＣ
３７４    ＦＰＣ
３７５    ＩＣ
４０１    トランジスタ
４０２    トランジスタ
４０３    トランジスタ
４０４    発光素子
４０５    容量素子
４０６    接続部
４１１    絶縁層
４１２    絶縁層
４１３    絶縁層
４１４    絶縁層
４１５    絶縁層
４１６    スペーサ
４１７    接着層
４１９    接続層
４２１    電極
４２２    ＥＬ層
４２３    電極
４２４    光学調整層
４２５    着色層
４２６    遮光層
４５１    開口
４７６    絶縁層
４７８    絶縁層
５０１    トランジスタ
５０３    トランジスタ
５０５    容量素子
５０６    接続部
５１１    絶縁層
５１２    絶縁層
５１３    絶縁層
５１４    絶縁層
５１７    接着層
５１９    接続層
５４３    接続体
５６２    電極
５６３    液晶
５６４ａ    配向膜
５６４ｂ    配向膜
５６５    着色層
５６６    遮光層
５６７    絶縁層
５７６    絶縁層
５７８    絶縁層
５９１    導電層
５９２    導電層
５９９    偏光板
６１１    基板
６１２    基板
６２１    発光
６２２    反射光
７００    表示モジュール
７０１    上部カバー
７０２    下部カバー
７０３    ＦＰＣ
７０４    タッチパネル
７０５    ＦＰＣ
７０６    表示パネル
７０９    フレーム
７１０    プリント基板
７１１    バッテリ
８００    情報端末
８０１    筐体
８０２    表示部
８０３    操作ボタン
８０４    スピーカ
８１０    情報端末
８１１ａ    筐体
８１１ｂ    筐体
８１１ｃ    ヒンジ部
８１２    表示部
８１３    操作ボタン
８１４    スピーカ
９００    情報端末
９０１    筐体
９０２    筐体
９０３    表示部
９０４    表示部
９０５    ヒンジ部
９１０    情報端末
９１１    筐体
９１２    表示部
９１３    操作ボタン
９１４    外部接続ポート
９１５    スピーカ
９１６    マイク
９１７    カメラ
９２０    カメラ
９２１    筐体
９２２    表示部
９２３    操作ボタン
９２４    シャッターボタン
９２６    レンズ
【図１】
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【図２】
2018025779.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2018025779.tif 000007
【図６】
2018025779.tif 000008
【図７】
2018025779.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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