(57)【要約】【課題】パッケージデバイスの側面にモールド樹脂を残存させることを可能とするパッケージウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】パッケージウエーハの加工方法は、パッケージウエーハのモールド樹脂が充填された溝を外周余剰領域で露出させるモールド樹脂除去ステップＳＴ３と、溝を露出させてパッケージウエーハを保持する保持ステップＳＴ５と、溝と分割溝を形成する際にチャックテーブルを加工送りする加工送り方向とを平行にする向き調整ステップＳＴ６と、外周縁で露出した複数の溝の両端を撮像し、撮像画像から溝の両端又は片側の座標情報を登録する座標登録ステップＳＴ７と、登録した溝の座標情報に基づいて、溝に沿って形成する分割溝の位置を算出し、溝に沿って分割溝を形成する分割溝形成ステップＳＴ８と、を備え、隣接する溝の間隔が変動しても溝の位置に対応して分割溝を形成する。【選択図】図４
2018032776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハが該デバイス領域の表面及び該分割予定ラインに沿って形成された溝をモールド樹脂で覆われたパッケージウエーハの加工方法であって、
パッケージウエーハの外周縁に沿って該モールド樹脂を除去し、該モールド樹脂が充填された溝を該外周余剰領域で露出させるモールド樹脂除去ステップと、
該モールド樹脂が充填された該溝を露出させて該パッケージウエーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該チャックテーブルを回転させ、該溝の延在方向と分割溝を形成する際に該チャックテーブルを加工送りする加工送り方向とを平行にする向き調整ステップと、
該向き調整ステップを実施した後、外周縁で露出した複数の該溝の両端を撮像し、撮像画像から該チャックテーブルの保持面における該溝の両端又は片側の座標情報を登録する座標登録ステップと、
登録した該溝の座標情報に基づいて、該溝に沿って形成する分割溝の位置を算出し、該溝に沿って該分割溝を形成する分割溝形成ステップと、を備え、
隣接する該溝の間隔が変動しても該溝の位置に対応して該分割溝を形成することを特徴とするパッケージウエーハの加工方法。
【請求項２】
該座標登録ステップでは、全ての該溝の両端の座標情報を登録することを特徴とする請求項１に記載のパッケージウエーハの加工方法。
【請求項３】
該座標登録ステップを実施する際に、パッケージウエーハの外周縁に沿って周方向に該溝を順次撮像することを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージウエーハの加工方法。
【請求項４】
該分割溝形成ステップでは、レーザー光線又は切削ブレードによって該モールド樹脂が除去されることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のパッケージウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハを個々のデバイスチップに分割するのに、切削ブレードやレーザー光線照射による加工方法が知られている。個々に分割されたデバイスチップは、マザー基板等に固定され、ワイヤ等で配線され、モールド樹脂でパッケージされるのが一般的である。しかしながら、デバイスチップの側面の微細なクラックなどにより、長時間デバイスを稼働させると、クラックが伸展しデバイスが破損する虞があるため、デバイスチップの側面をモールド樹脂で覆い、外的環境要因をデバイスに及ぼされなくするパッケージデバイスが開発された（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１００７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示されたパッケージデバイスを製造する際に、半導体ウエーハに分割予定ラインに沿ってモールド樹脂を充填する溝を形成する必要がある。溝を切削ブレードで形成する場合、切削ブレードの曲がり、切削装置の軸の伸縮、及び位置決め精度の影響で溝の間隔がμｍ単位で変動することがある。特に、半導体ウエーハの表面に低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成され、低誘電率絶縁体被膜をレーザーアブレーションで除去した後、除去された浅溝に沿って切削すると、レーザーアブレーションの熱の影響で浅溝の近傍が硬くなり、切削ブレードの曲がりを発生させやすくなる。
【０００５】
特許文献１に示されたパッケージデバイスを製造する際に、溝に充填されたモールド樹脂を更に分割し、個々のパッケージデバイスに分割する加工では、溝の幅方向の中心から離れた位置を分割すると、パッケージデバイスの側面にモールド樹脂が残らない場合がある。特に、１枚の半導体ウエーハから製造できるパッケージデバイスの数を多くするために、分割予定ラインの幅が狭くなると、溝の間隔の変動により、パッケージデバイスの側面にモールド樹脂が残らない虞が高くなる。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、パッケージデバイスの側面にモールド樹脂を残存させることを可能とするパッケージウエーハの加工方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージウエーハの加工方法は、交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハが該デバイス領域の表面及び該分割予定ラインに沿って形成された溝をモールド樹脂で覆われたパッケージウエーハの加工方法であって、パッケージウエーハの外周縁に沿って該モールド樹脂を除去し、該モールド樹脂が充填された溝を該外周余剰領域で露出させるモールド樹脂除去ステップと、該モールド樹脂が充填された該溝を露出させて該パッケージウエーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該チャックテーブルを回転させ、該溝の延在方向と分割溝を形成する際に該チャックテーブルを加工送りする加工送り方向とを平行にする向き調整ステップと、該向き調整ステップを実施した後、外周縁で露出した複数の該溝の両端を撮像し、撮像画像から該チャックテーブルの保持面における該溝の両端又は片側の座標情報を登録する座標登録ステップと、登録した該溝の座標情報に基づいて、該溝に沿って形成する分割溝の位置を算出し、該溝に沿って該分割溝を形成する分割溝形成ステップと、を備え、隣接する該溝の間隔が変動しても該溝の位置に対応して該分割溝を形成することを特徴とする。
【０００８】
該座標登録ステップでは、全ての該溝の両端の座標情報を登録しても良い。
【０００９】
該座標登録ステップを実施する際に、パッケージウエーハの外周縁に沿って周方向に該溝を順次撮像しても良い。
【００１０】
該分割溝形成ステップでは、レーザー光線又は切削ブレードによって該モールド樹脂を除去しても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のパッケージウエーハの加工方法では、モールド樹脂が充填された溝の位置を確実に登録してから分割溝を形成するため、溝の中心に分割溝が形成されるためパッケージデバイスの側面にモールド樹脂を残存させる事が出来るという効果を奏する。さらに、パッケージウエーハの外周縁に沿って溝を検出するため、効率的に座標位置を登録することができると言う効果もある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（ａ）は、実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【図３】図３は、図２に示されたパッケージウエーハが分割されて得られるパッケージデバイスを示す斜視図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップに用いられる切削装置の概略の構成を示す斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｂ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｃ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。
【図７】図７は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【図８】図８（ａ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法のモールド樹脂除去ステップを示す斜視図であり、図８（ｂ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法のモールド樹脂除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【図９】図９（ａ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の薄化ステップを示す側面図であり、図９（ｂ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の薄化ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。
【図１０】図１０は、図９（ｂ）に示されたパッケージウエーハをダイシングテープに貼り替える状態を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の保持ステップを示す斜視図である。
【図１２】図１２は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の向き調整ステップを示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップを示す斜視図である。
【図１４】図１４は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップを示す平面図である。
【図１５】図１５は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップで撮像された撮像画像の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップで撮像された撮像画像の他の例を示す図である。
【図１７】図１７は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップで登録された溝の座標の一例を示す図である。
【図１８】図１８は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１４】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１（ａ）は、実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。図２は、実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。図３は、図２に示されたパッケージウエーハが分割されて得られるパッケージデバイスを示す斜視図である。
【００１５】
実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法の加工対象である図２に示すパッケージウエーハＰＷは、図１に示すウエーハＷにより構成される。図１（ａ）に示すウエーハＷは、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板ＳＢとする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図１に示すように、交差（実施形態１では、直交）する複数の分割予定ラインＬによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスＤが形成されたデバイス領域ＤＲと、デバイス領域ＤＲを囲繞する外周余剰領域ＧＲとを表面ＷＳに備える。デバイスＤの表面には、図１（ｂ）に示すように、複数の突起電極であるバンプＢＰが形成されている。
【００１６】
ウエーハＷは、図２に示すように、デバイス領域ＤＲの表面ＷＳ及び分割予定ラインＬに沿って形成された溝ＤＴをモールド樹脂ＭＲで覆われてパッケージウエーハＰＷに構成される。パッケージウエーハＰＷは、分割予定ラインＬに沿って、図３に示すパッケージデバイスＰＤに分割される。パッケージデバイスＰＤは、基板ＳＢの表面ＷＳと全ての側面ＳＤとがモールド樹脂ＭＲにより覆われ、バンプＢＰがモールド樹脂ＭＲから突出して、バンプＢＰが露出している。
【００１７】
次に、パッケージウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図４は、実施形態１に係るパッケージウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図５は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップに用いられる切削装置の概略の構成を示す斜視図である。図６（ａ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図である。図６（ｂ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図である。図６（ｃ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。図７は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。図８（ａ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法のモールド樹脂除去ステップを示す斜視図である。図８（ｂ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法のモールド樹脂除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。図９（ａ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の薄化ステップを示す側面図である。図９（ｂ）は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の薄化ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。図１０は、図９（ｂ）に示されたパッケージウエーハをダイシングテープに貼り替える状態を示す斜視図である。図１１は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の保持ステップを示す斜視図である。図１２は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の向き調整ステップを示す斜視図である。図１３は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップを示す斜視図である。図１４は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップを示す平面図である。図１５は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップで撮像された撮像画像の一例を示す図である。図１６は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップで撮像された撮像画像の他の例を示す図である。図１７は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の座標登録ステップで登録された溝の座標の一例を示す図である。図１８は、図４に示されたパッケージウエーハの加工方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【００１８】
実施形態１に係るパッケージウエーハＰＷの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図２に示すパッケージウエーハＰＷを分割予定ラインＬに沿って切断して、パッケージウエーハＰＷを図３に示すパッケージデバイスＰＤに分割（個片化ともいう）する方法である。
【００１９】
加工方法は、図４に示すように、溝形成ステップＳＴ１と、モールド樹脂層形成ステップＳＴ２と、モールド樹脂除去ステップＳＴ３と、薄化ステップＳＴ４と、保持ステップＳＴ５と、向き調整ステップＳＴ６と、座標登録ステップＳＴ７と、分割溝形成ステップＳＴ８とを備える。実施形態１に係る加工方法は、モールド樹脂除去ステップＳＴ３を実施した後に薄化ステップＳＴ４を実施するが、本発明は、モールド樹脂除去ステップＳＴ３の前に薄化ステップＳＴ４を実施しても良い。
【００２０】
溝形成ステップＳＴ１は、ウエーハＷの各分割予定ラインＬに表面ＷＳから溝ＤＴを形成するステップである。溝形成ステップＳＴ１は、各分割予定ラインＬに各分割予定ラインＬの長手方向に沿った溝ＤＴを形成する。溝形成ステップＳＴ１で形成される溝ＤＴの深さは、パッケージデバイスＰＤの基板ＳＢの仕上がり厚さ以上である。実施形態１において、溝形成ステップＳＴ１は、図５に示す切削装置１０のチャックテーブル１１の保持面１１ａにウエーハＷの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲを吸引保持して、図６（ａ）に示すように、切削手段１２の切削ブレード１３を用いて、図６（ｂ）に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳに溝ＤＴを形成する。
【００２１】
溝形成ステップＳＴ１は、チャックテーブル１１を図示しないＸ軸移動手段により水平方向と平行なＸ軸方向に移動させ、切削手段１２の切削ブレード１３をＹ軸移動手段１４により水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させ、切削手段１２の切削ブレード１３をＺ軸移動手段１５により鉛直方向と平行なＺ軸方向に移動させて、図６（ｃ）に示すように、ウエーハＷの各分割予定ラインＬの表面ＷＳに溝ＤＴを形成する。なお、本発明では、溝形成ステップＳＴ１は、レーザー光線を用いたアブレーション加工で溝ＤＴを形成しても良い。
【００２２】
また、切削装置１０は、チャックテーブル１１をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する図示しない回転駆動源と、アライメントするためにウエーハＷ及びパッケージウエーハＰＷを撮像する撮像手段１６と、Ｘ軸移動手段、Ｙ軸移動手段１４、Ｚ軸移動手段１５、回転駆動源及び切削手段１２を制御する制御手段１７とを備える。制御手段１７は、ウエーハＷ及びパッケージウエーハＰＷに対する加工動作を切削装置１０に実施させるコンピュータである。
【００２３】
制御手段１７は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）又はＲＡＭ（Random  Access  Memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御手段１７の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、切削装置１０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して切削装置１０の上述した構成要素に出力する。また、制御手段１７は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００２４】
モールド樹脂層形成ステップＳＴ２は、図７に示すように、ウエーハＷのデバイス領域ＤＲの表面ＷＳ及び溝ＤＴをモールド樹脂ＭＲで覆って、ウエーハＷをパッケージウエーハＰＷに加工するステップである。実施形態１において、モールド樹脂層形成ステップＳＴ２は、図示しない樹脂被覆装置の保持テーブルにウエーハＷの裏面ＷＲを保持し、ウエーハＷの表面ＷＳにモールド樹脂ＭＲを滴下して、保持テーブルを鉛直方向と平行な軸心回りに回転することで、モールド樹脂ＭＲで表面ＷＳ全体及び溝ＤＴを覆う。実施形態１において、モールド樹脂ＭＲとして熱硬化性樹脂を用いる。モールド樹脂層形成ステップＳＴ２は、ウエーハＷの表面ＷＳ全体及び溝ＤＴを覆ったモールド樹脂ＭＲを加熱して、硬化させる。また、実施形態１は、モールド樹脂ＭＲで表面ＷＳ全体及び溝ＤＴを覆った際に、バンプＢＰが露出しているが、本発明は、硬化したモールド樹脂ＭＲに研磨加工を施して、バンプＢＰを確実に露出させるようにしても良い。
【００２５】
モールド樹脂除去ステップＳＴ３は、パッケージウエーハＰＷの外周縁に沿ってモールド樹脂ＭＲを除去し、モールド樹脂ＭＲが充填された溝ＤＴを外周余剰領域ＧＲで露出させるステップである。実施形態１において、モールド樹脂除去ステップＳＴ３は、パッケージウエーハＰＷの外周余剰領域ＧＲの外周縁の全周に亘ってモールド樹脂ＭＲを除去する。実施形態１において、モールド樹脂除去ステップＳＴ３は、溝形成ステップＳＴ１と同様に、図８（ａ）に示すように、切削装置１０のチャックテーブル１１の保持面１１ａにパッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲを吸引保持し、チャックテーブル１１を回転駆動源にＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ブレード１３を基板ＳＢに達するまで外周余剰領域ＧＲの外周縁上のモールド樹脂ＭＲに切り込ませる。モールド樹脂除去ステップＳＴ３は、図８（ｂ）に示すように、パッケージウエーハＰＷの外周余剰領域ＧＲの外周縁のモールド樹脂ＭＲを除去する。なお、図８（ａ）及び図８（ｂ）は、バンプＢＰを省略している。
【００２６】
薄化ステップＳＴ４は、パッケージウエーハＰＷの基板ＳＢを仕上げ厚さまで薄化するステップである。薄化ステップＳＴ４は、図９（ａ）に示すように、パッケージウエーハＰＷのモールド樹脂ＭＲ側に保護部材ＰＰを貼着した後、保護部材ＰＰを研削装置２０のチャックテーブル２１の保持面２１ａに吸引保持し、パッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲに研削砥石２２を当接させて、チャックテーブル２１及び研削砥石２２を軸心回りに回転して、パッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲに研削加工を施す。薄化ステップＳＴ４は、図９（ｂ）に示すように、溝ＤＴの充填したモールド樹脂ＭＲが露出するまでパッケージウエーハＰＷを薄化する。
【００２７】
薄化ステップＳＴ４の後に、図１０に示すように、外周に環状フレームＦが貼着されたダイシングテープＴにパッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲを貼着し、保護部材ＰＰを表面ＷＳから剥がす。保持ステップＳＴ５は、モールド樹脂ＭＲが充填された溝ＤＴをパッケージウエーハＰＷの外周で露出させてパッケージウエーハＰＷをレーザ加工装置３０のチャックテーブル３１の保持面３１ａで吸引保持するステップである。
【００２８】
レーザ加工装置３０は、チャックテーブル３１を割り出し送り方向である水平方向と平行なＹ軸方向にＹ軸移動手段３３により移動させて、複数の分割予定ラインＬのうちの一つの分割予定ラインＬにレーザー光線照射手段３４を対向させる。また、レーザ加工装置３０は、チャックテーブル３１を鉛直方向と平行なＺ軸回りに回転駆動源３５により回転させて、レーザー光線照射手段３４と対向した分割予定ラインＬを加工送り方向である水平方向と平行でかつＹ軸方向と直交するＸ軸方向と平行にする。レーザ加工装置３０は、レーザー光線照射手段３４からレーザー光線ＬＲを照射しながらＸ軸移動手段３６にチャックテーブル３１をＸ軸方向に移動させて、レーザー光線照射手段３４と対向した分割予定ラインＬにレーザー光線ＬＲを照射して、アブレーション加工を施す。
【００２９】
また、レーザ加工装置３０は、アライメントするためにパッケージウエーハＰＷを撮像する撮像手段３７と、Ｘ軸移動手段３６、Ｙ軸移動手段３３、回転駆動源３５及びレーザー光線照射手段３４を制御する制御手段３２とを備える。制御手段３２は、パッケージウエーハＰＷに対する加工動作をレーザ加工装置３０に実施させるコンピュータである。
【００３０】
制御手段３２は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御手段３２の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザ加工装置３０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザ加工装置３０の上述した構成要素に出力する。また、制御手段３２は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００３１】
向き調整ステップＳＴ６は、チャックテーブル３１を回転駆動源３５に軸心回りに回転させ、外周余剰領域ＧＲの外周縁で露出した溝ＤＴの延在方向である長手方向を図１８に示す分割溝ＤＤを形成する際にチャックテーブル３１を加工送りする加工送り方向であるＸ軸方向と平行にするステップである。向き調整ステップＳＴ６では、制御手段３２が、撮像手段３７が撮像した分割予定ラインＬに形成された溝ＤＴの画像に基づいて、回転駆動源３５に軸心回りにチャックテーブル３１を回転させて、図１２に示すように、互いに直交する分割予定ラインＬのうちの一方の分割予定ラインＬに形成された溝ＤＴをＸ軸方向と平行にする。
【００３２】
座標登録ステップＳＴ７は、向き調整ステップＳＴ６を実施した後、外周余剰領域ＧＲの外周縁で露出した複数の溝ＤＴの両端ａ，ｂを撮像手段３７で撮像し、撮像手段３７が撮像した図１５及び図１６に示す撮像画像Ｇ１，Ｇ２からチャックテーブル３１の保持面３１ａにおける溝ＤＴの両端ａ，ｂ又は片側の座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録するステップである。溝ＤＴの座標情報（Ｘ，Ｙ）は、Ｘ軸方向の位置とＹ軸方向の位置とを示す。座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２の演算処理装置が座標情報（Ｘ，Ｙ）を算出して、記憶装置に記憶即ち登録する。
【００３３】
座標登録ステップＳＴ７は、撮像手段３７が撮像した画像からパッケージウエーハＰＷの位置を算出する。これは、例えばパッケージウエーハＰＷの外周縁の３点の座標を検出し、パッケージウエーハＰＷの中心の座標を割り出し、予め登録したパッケージウエーハＰＷの直径からパッケージウエーハＰＷの保持面３１ａでの位置を割り出す。検出したパッケージウエーハＰＷの位置情報に基づき、図１３に示すように、Ｘ軸移動手段３６とＹ軸移動手段３３によりパッケージウエーハＰＷの外周縁に沿ってチャックテーブル３１と撮像手段３７とを相対的に移動させて、パッケージウエーハＰＷの外周縁に沿って周方向に溝ＤＴを順次撮像する。また、実施形態１において、図１４に示すように、座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２が撮像手段３７にＸ軸方向と平行な一方の分割予定ラインＬに形成されている溝ＤＴを撮像させた後、回転駆動源３５にチャックテーブル３１を軸心回りに９０度回転させて、制御手段３２が撮像手段３７にＸ軸方向と平行な他方の分割予定ラインＬに形成されている溝ＤＴを撮像させて、全ての溝ＤＴの両端ａ，ｂを撮像して、座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録する。なお、実施形態１は、座標登録ステップＳＴ７は、全ての溝ＤＴの両端ａ，ｂの座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録するが、本発明は、予め定められた所定本数おきの溝ＤＴの両端ａ，ｂの座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録しても良い。
【００３４】
座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２が図１５の撮像画像Ｇ１から溝ＤＴを抽出し、溝ＤＴの長手方向の一端ａの幅方向の一方の縁ａ１のＸ軸方向の位置Ｘａ１とＹ軸方向の位置Ｙａ１とを算出して、位置Ｘａ１，Ｙａ１を溝ＤＴの一方の縁ａ１の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１７に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２が溝ＤＴの長手方向の一端ａの幅方向の他方の縁ｂ１のＸ軸方向の位置Ｘｂ１とＹ軸方向の位置Ｙｂ１とを算出して、位置Ｘｂ１，Ｙｂ１を溝ＤＴの他方の縁ｂ１の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１７に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。
【００３５】
また、座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２が図１６の撮像画像Ｇ２から溝ＤＴを抽出し、溝ＤＴの長手方向の他端ｂの幅方向の一方の縁ａ２のＸ軸方向の位置Ｘａ２とＹ軸方向の位置Ｙａ２とを算出して、位置Ｘａ２，Ｙａ２を溝ＤＴの一方の縁ａ２の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１７に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２が溝ＤＴの長手方向の他端ｂの幅方向の他方の縁ｂ２のＸ軸方向の位置Ｘｂ２とＹ軸方向の位置Ｙｂ２とを算出して、位置Ｘｂ２，Ｙｂ２を溝ＤＴの他方の縁ｂ２の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１７に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。
【００３６】
実施形態１において、座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２が全ての溝ＤＴの長手方向の両端ａ，ｂの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２を登録するが、全ての溝ＤＴの長手方向の一端ａの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１を登録しても良い。また、本発明は、予め定められた所定本数おきの溝ＤＴの両端ａ，ｂ又は一端ａの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２を登録しても良い。また、実施形態１において、座標登録ステップＳＴ７では、制御手段３２が溝ＤＴの長手方向のパッケージウエーハＰＷの外縁よりも１ｍｍから３ｍｍ程度中心寄りの両端ａ，ｂの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２を登録する。これにより、切削ブレード１３が溝ＤＴがパッケージウエーハＰＷの外周縁に侵入時に曲がり溝ＤＴが入り口付近や出口付近で蛇行したとしても、その影響を排除できる。
【００３７】
分割溝形成ステップＳＴ８は、登録した溝ＤＴの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２に基づいて、溝ＤＴに沿って形成する図１８に示す分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２を算出し、溝ＤＴに沿って分割溝ＤＤを形成するステップである。分割溝ＤＤは、溝ＤＴに充填されたモールド樹脂ＭＲを分割して、パッケージウエーハＰＷをパッケージデバイスＰＤに分割するものである。
【００３８】
分割溝形成ステップＳＴ８では、制御手段３２が、各溝ＤＴの長手方向の一端ａの幅方向の中央ｃ１のＸ軸方向の位置Ｘｃ１とＹ軸方向の位置Ｙｃ１とを、分割溝ＤＤの位置として算出する。分割溝形成ステップＳＴ８では、制御手段３２が、各溝ＤＴの長手方向の他端ｂの幅方向の中央ｃ２のＸ軸方向の位置Ｘｃ２とＹ軸方向の位置Ｙｃ２とを、分割溝ＤＤの位置として算出する。
【００３９】
分割溝形成ステップＳＴ８では、制御手段３２が算出した分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２に基づいて、Ｘ軸移動手段３６とＹ軸移動手段３３とを制御して、レーザー光線ＬＲを各溝ＤＴに充填されたモールド樹脂ＭＲに照射させて、図１８に示すように、分割溝ＤＤを形成する。分割溝形成ステップＳＴ８は、レーザー光線ＬＲによって、溝ＤＴ内のモールド樹脂ＭＲを二分するように、分割溝ＤＤを形成する。このように、実施形態１に係る加工方法は、制御手段３２が算出した分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２に基づいて、Ｘ軸移動手段３６とＹ軸移動手段３３とを制御して、レーザー光線ＬＲを各溝ＤＴに充填されたモールド樹脂ＭＲに照射させるので、隣接する溝ＤＴの間隔が変動しても、溝ＤＴの位置に対応して分割溝ＤＤが溝ＤＴ内のモールド樹脂ＭＲを二分するように、分割溝ＤＤを形成する。
【００４０】
実施形態１において、保持ステップＳＴ５、向き調整ステップＳＴ６、座標登録ステップＳＴ７及び分割溝形成ステップＳＴ８において、レーザ加工装置３０を用いたが、本発明では、図５に示す切削装置１０を用いて良い。要するに、本発明では、分割溝形成ステップＳＴ８では、切削ブレード１３により溝ＤＴ内に充填されたモールド樹脂ＭＲを除去して、分割溝ＤＤを形成しても良い。
【００４１】
実施形態１に係る加工方法は、モールド樹脂ＭＲが充填された溝ＤＴの座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録してから分割溝ＤＤを形成するため、分割溝ＤＤにより溝ＤＴ内に充填されたモールド樹脂ＭＲを二分することができ、パッケージデバイスＰＤの基板ＳＢの側面ＳＤにモールド樹脂ＭＲを残存させる事が出来るという効果を奏する。さらに、加工方法は、パッケージウエーハＰＷの外周縁に沿って、溝ＤＴを検出するため、効率的に座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録することができると言う効果を奏する。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１１，３１  チャックテーブル
１１ａ，３１ａ  保持面
１３  切削ブレード
ＰＷ  パッケージウエーハ
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｌ  分割予定ライン
ＬＲ  レーザー光線
Ｄ  デバイス
ＳＢ  基板
ＤＲ  デバイス領域
ＧＲ  外周余剰領域
ＤＴ  溝
ＤＤ  分割溝
ＭＲ  モールド樹脂
ＳＴ３  モールド樹脂除去ステップ
ＳＴ５  保持ステップ
ＳＴ６  向き調整ステップ
ＳＴ７  座標登録ステップ
ＳＴ８  分割溝形成ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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