(57)【要約】【課題】保護膜の上面等へのメッキ付着不良を防止することができると共に、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】抵抗体４に第１トリミング溝６とそれよりも幅広な第２トリミング溝７が同じ位置に形成されているチップ抵抗器１において、第１トリミング溝６の形成時に第１レーザ光の始点座標（ｘ0，ｙ0）とターン座標Ｔ（ｘ0，ｙ1）および停止座標Ｅ（ｘ1，ｙ1）を取得しておき、これら取得座標に基づいて第２トリミング溝７を形成するとき、第２レーザ光を第１レーザの停止座標Ｅ（ｘ1，ｙ1）で停止させず、当該停止座標を越えた位置で第２レーザ光の照射を終了するようにした。【選択図】図３
2018139267.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板の表面に設けられた一対の表電極と、これら一対の表電極に接続する長方形状の抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザ光を照射してトリミング溝を形成することで抵抗値が調整されるチップ抵抗器において、
前記トリミング溝が、前記抵抗体の一側辺から内方に向かって一定幅で形成された第１トリミング溝と、この第１トリミング溝の先端を含めて全体を覆うように形成された幅広の第２トリミング溝とを有しており、
前記第１トリミング溝の溝幅をＷ１、前記第２トリミング溝の溝幅をＷ２、前記第１トリミング溝の先端から突出する前記第２トリミング溝の突出量をＬとすると、これらの関係が、Ｌ＞（Ｗ２−Ｗ１）／２に設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
絶縁基板の表面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する電極形成工程と、
一対の表電極に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体の抵抗値を測定しながら該抵抗体に第１レーザ光を照射し、測定抵抗値が目標値に達した時点で前記第１レーザ光の走査を停止することにより、前記抵抗体の一側辺から内方に向けて延びる第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、
前記抵抗体に前記第１レーザ光よりもビーム径の大きな第２レーザ光を照射し、この第２レーザ光を前記第１トリミング溝の形成時の座標に基づいて走査することにより、前記第１トリミング溝をなぞるように幅広の第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程とを含み、
前記第２トリミング形成工程で、前記第２レーザ光は前記第１トリミング溝の先端座標を越えた位置で走査を停止することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
絶縁基板の表面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する電極形成工程と、
一対の表電極に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体の抵抗値を測定しながら該抵抗体に第１レーザ光を照射し、測定抵抗値が目標値に達した時点で前記第１レーザ光の走査を停止することにより、前記抵抗体の一側辺から内方に向けて延びる第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、
前記抵抗体に前記第１トリミング溝をなぞるように前記第１レーザ光よりもビーム径の大きな第２レーザ光を照射することにより、前記第１トリミング溝よりも幅広の第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程とを含み、
前記第２トリミング形成工程で、前記抵抗体の抵抗値を測定しながら前記第２レーザ光を走査し、測定抵抗値の変化率が急変した時点で前記第２レーザ光の走査を停止することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に設けられた抵抗体にトリミング溝を形成することで抵抗値が調整されるチップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う保護膜等によって主に構成されている。
【０００３】
この種のチップ抵抗器を製造する場合、大判基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りするようにしている。かかるチップ抵抗器の製造過程で、大判基板の片面には抵抗ペーストを印刷・焼成することにより多数の抵抗体が形成されるが、印刷時の膜厚のばらつきや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の抵抗値にばらつきを生じることは避け難いため、大判基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値に設定するという抵抗値調整作業が行われる。
【０００４】
このようなチップ抵抗器の従来例として、特許文献１に記載されているように、抵抗体にトリミング溝を形成する際に、第１レーザ光を走査してＬ字状の第１トリミング溝を形成した後、第１レーザ光よりもビーム径が大きくパワーの小さい第２レーザ光を照射することにより、第１トリミング溝をなぞるように幅広の第２トリミング溝を形成するようにしたものが提案されている。
【０００５】
上記特許文献１に開示されたチップ抵抗器では、抵抗体に第１レーザ光を照射して第１トリミング溝を形成した後、第１レーザ光よりもビーム径が大きくパワーの小さい第２レーザ光を照射して再調整用の第２トリミング溝を形成し、この第２トリミング溝を第１トリミング溝と同じ位置に幅広に形成するようにしているため、第１トリミング溝の周縁に生じた抵抗体の飛散物（角状突起）を第２レーザ光の照射によって取り除くことができる。これにより、保護膜の形成後に端面電極にメッキを施す際に、抵抗体の飛散物がメッキの核となって成長することを抑制できるため、保護膜の上面等へのメッキ付着不良を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２１１０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した従来技術のように抵抗体に第１トリミング溝と第２トリミング溝を形成する場合、第１トリミング溝については抵抗体の抵抗値調整のためであるから、抵抗体の抵抗値を測定しながら第１レーザ光を走査し、測定抵抗値が目標値に達した時点で第１レーザ光の走査を停止するようにしている。これに対し第２トリミング溝については、第１トリミング溝をなぞるように同じ位置に形成する必要があるため、第１トリミング溝の形成時における第１レーザ光の座標（第１トリミング溝のターン位置や終端位置）を基に第２レーザ光を走査するようにしている。
【０００８】
ここで、抵抗値調整用の第１トリミング溝は抵抗値を測定しながら第１レーザ光の走査を制御して形成されるため、測定抵抗値が目標値に達した時点で第１レーザ光の走査を停止するように制御しても、その停止指示位置で第１レーザ光が瞬時に停止せずにオーバーランしてしまい、第１トリミング溝が停止指示位置に対応する座標よりも少し進んだ位置まで形成される傾向にある。その結果、第１トリミング溝の形成時の座標に基づいて第２レーザ光の走査を制御したとき、第２トリミング溝の長さが第１トリミング溝よりも短くなってしまうことがあり、その場合、第１トリミング溝の先端部に生じた抵抗体の飛散物を第２レーザ光によって除去することができなくなるため、保護膜の上面等へのメッキ付着不良を防止することができなくなる。
【０００９】
また、第１トリミング溝の先端部の抵抗体にはマイクロクラックが発生しやすく、第２トリミング溝の長さが第１トリミング溝よりも長くなっていたとしても、第１トリミング溝の先端部に発生したマイクロクラックが第２トリミング溝の先端部を超える位置まで延びてしまうことがあり、さらに、第２トリミング溝の長さが第１トリミング溝よりも短くなってしまうと、第２トリミング溝によって第１トリミング溝の先端部のマイクロクラックの影響を緩和することができなくなり、マイクロクラックによって抵抗体の電気的特性や耐久性に支障をきたすという問題が発生する。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、保護膜の上面等へのメッキ付着不良を確実に防止することができると共に、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができるチップ抵抗器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板の表面に設けられた一対の表電極と、これら一対の表電極に接続する長方形状の抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザ光を照射してトリミング溝を形成することで抵抗値が調整されるチップ抵抗器において、前記トリミング溝が、前記抵抗体の一側辺から内方に向かって一定幅で形成された第１トリミング溝と、この第１トリミング溝の先端を含めて全体を覆うように形成された幅広の第２トリミング溝とを有しており、前記第１トリミング溝の溝幅をＷ１、前記第２トリミング溝の溝幅をＷ２、前記第１トリミング溝の先端から突出する前記第２トリミング溝の突出量をＬとすると、これらの関係が、Ｌ＞（Ｗ２−Ｗ１）／２に設定されていることを特徴としている。
【００１２】
このように構成されたチップ抵抗器では、第１トリミング溝の幅方向の一側縁から外側に突出する第２トリミング溝のはみ出し量に対して、第１トリミング溝の先端から突出する第２トリミング溝の突出量が大きくなるように設定されているため、第１トリミング溝の先端部に生じた抵抗体の飛散物を第２レーザ光によって確実に除去することができると共に、第１トリミング溝の先端部に生じたマイクロクラックが第２レーザ光によって除去または再溶融されるため、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。
【００１３】
また、上記の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法では、絶縁基板の表面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する電極形成工程と、一対の表電極に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体の抵抗値を測定しながら該抵抗体に第１レーザ光を照射し、測定抵抗値が目標値に達した時点で前記第１レーザ光の走査を停止することにより、前記抵抗体の一側辺から内方に向けて延びる第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、前記抵抗体に前記第１レーザ光よりもビーム径の大きな第２レーザ光を照射し、この第２レーザ光を前記第１トリミング溝の形成時の座標に基づいて走査することにより、前記第１トリミング溝をなぞるように幅広の第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程とを含み、前記第２トリミング形成工程で、前記第２レーザ光は前記第１トリミング溝の先端座標を越えた位置で走査を停止することを特徴としている。
【００１４】
このようなチップ抵抗器の製造方法では、第１トリミング溝の形成時の座標に基づいて第２トリミング溝を形成するとき、第２レーザ光を第１トリミング溝の停止指示位置に対応する座標で停止させず、当該先端座標を越える位置まで走査してから停止するようにしたので、第１トリミング溝の先端部に生じた抵抗体の飛散物を第２レーザ光によって確実に除去することができると共に、第１トリミング溝の先端部に生じたマイクロクラックが第２レーザ光によって除去または再溶融されるため、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。
【００１５】
また、上記の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法では、絶縁基板の表面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する電極形成工程と、一対の表電極に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体の抵抗値を測定しながら該抵抗体に第１レーザ光を照射し、測定抵抗値が目標値に達した時点で前記第１レーザ光の走査を停止することにより、前記抵抗体の一側辺から内方に向けて延びる第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、前記抵抗体に前記第１トリミング溝をなぞるように前記第１レーザ光よりもビーム径の大きな第２レーザ光を照射することにより、前記第１トリミング溝よりも幅広の第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程とを含み、前記第２トリミング形成工程で、前記抵抗体の抵抗値を測定しながら前記第２レーザ光を走査し、測定抵抗値の変化率が急変した時点で前記第２レーザ光の走査を停止することを特徴としている。
【００１６】
このようなチップ抵抗器の製造方法では、第１トリミング溝の形成後に第２トリミング溝を形成するとき、抵抗体の抵抗値を測定しながら第１トリミング溝をなぞるように第２レーザ光を走査していき、測定抵抗値の変化率が急変する時点(抵抗値の切り量が変化する第１トリミング溝の先端を超えた時点)のデータを基に第２レーザ光の走査を停止するようにしたので、第１トリミング溝の先端部に生じた抵抗体の飛散物を第２レーザ光によって確実に除去することができると共に、第１トリミング溝の先端部に生じたマイクロクラックが第２レーザ光によって除去または再溶融されるため、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るチップ抵抗器およびその製造方法によれば、保護膜の上面等へのメッキ付着不良を確実に防止することができると共に、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図２】該チップ抵抗器の製造工程を示すである。
【図３】該チップ抵抗器のトリミング方法を示す説明図である。
【図４】該チップ抵抗器のトリミング方法を示すフローチャートである。
【図５】トリミング方法の変形例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１に示すように、本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、この絶縁基板２の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表電極３と、これら一対の表電極３に接続するように絶縁基板２の表面に設けられた長方形状の抵抗体４と、この抵抗体４を覆うように設けられた保護膜５等によって主に構成されており、抵抗体４には抵抗値調整用の第１トリミング溝６と再調整用の第２トリミング溝７とが形成されている。なお、図示省略されているが、絶縁基板２の裏面には表電極３に対応するように一対の裏電極が設けられており、絶縁基板２の長手方向の両端面には対応する表電極と裏電極を橋絡する端面電極が設けられている。
【００２０】
絶縁基板２はセラミック等からなり、この絶縁基板２は後述する大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。表電極３はＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、図示せぬ裏電極も同じくＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。
【００２１】
抵抗体４はＣｕ−Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、詳細については後述するが、この抵抗体４に第１トリミング溝６と第２トリミング溝７を形成することによってチップ抵抗器１の抵抗値が調整されるようになっている。保護膜５はエポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この保護膜５は抵抗体４を外部環境から保護する機能を有している。また、図示せぬ端面電極は、絶縁基板２の端面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成させたものや、Ａｇペーストの代わりにＮｉ／Ｃｒ等をスパッタしたものであり、この端面電極の表面にはＮｉやＡｕあるいはＳｎ等のメッキ層が施されている。
【００２２】
次に、このように構成されたチップ抵抗器１の製造工程について、図２を参照しながら説明する。
【００２３】
まず、絶縁基板２が多数個取りされる大判基板を準備する。この大判基板には予め１次分割溝と２次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図２には１個分のチップ領域に相当する大判基板２Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する大判基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。
【００２４】
すなわち、図２（ａ）に示すように、この大判基板２Ａの表面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成して表電極３を形成する（表電極形成工程）。なお、この電極形成工程と同時あるいは前後して、大判基板２Ａの裏面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成して図示せぬ裏電極を形成する（裏電極形成工程）。
【００２５】
次に、大判基板２Ａの表面にＣｕ−Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図２（ｂ）に示すように、長手方向の両端部が表電極３に重なる抵抗体４を形成する（抵抗体形成工程）。
【００２６】
次に、抵抗体４の表面に第１レーザ光を照射することにより、図２（ｃ）に示すように、抵抗体４にＬ字状の第１トリミング溝６を形成する（第１トリミング形成工程）。この第１トリミング溝６を形成することにより、抵抗体４は所望の抵抗値よりも若干低い値に抵抗値調整される。なお、抵抗体４の表面をガラスペースト等からなるプリコート層で覆い、このプリコート層の上から第１レーザ光を照射することにより、抵抗体４に第１トリミング溝６を形成するようにしても良い。
【００２７】
次に、第１レーザ光の焦点をずらすことで、抵抗体４の表面に第１レーザ光よりもビーム径が大きく且つパワーの小さい第２レーザ光を照射し、この第２レーザ光を第１トリミング溝６をなぞりながら、第１トリミング溝６の先端部を超えてから停止するように走査することにより、図２（ｄ）に示すように、第１トリミング溝６と同じ位置に幅広な第２トリミング溝７を形成する（第２トリミング形成工程）。このような第２トリミング溝７を形成することにより、抵抗体４の抵抗値は所望値に高精度に再調整される。
【００２８】
次に、第１および第２トリミング溝６，７の上からＡｇ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図２（ｅ）に示すように、抵抗体４の全体を覆う保護膜５を形成する（保護膜形成工程）。
【００２９】
ここまでの各工程は多数個取り用の大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２Ａを１次分割溝に沿って短冊状に分割するという１次ブレーク加工を行うことより、複数個分のチップ領域が設けられた図示せぬ短冊状基板を得る（１次分割工程）。次いで、短冊状基板の分割面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成したり、Ａｇペーストの代わりにＮｉ／Ｃｒをスパッタすることにより、表電極３と裏電極を橋絡する図示せぬ端面電極を形成する（端面電極形成工程）。
【００３０】
しかる後、短冊状基板を２次分割溝に沿って分割するという２次ブレーク加工を行うことにより、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体を得る（２次分割工程）。最後に、個片化された各チップ単体の絶縁基板２の長手方向両端部にＮｉとＡｕやＳｎ等の電解メッキを施し、保護膜５から露出する表電極３を覆う図示せぬ外部電極を形成することにより、図１に示すようなチップ抵抗器１が得られる。
【００３１】
次に、上記した第１トリミング形成工程と第２トリミング形成工程について、図３と図４を参照しつつ詳細に説明する。
【００３２】
まず、第１レーザの照射位置の始点座標（ｘ0，ｙ0）を取得した後（Ｓ−１）、一対の表電極３にプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値Ｒを測定しながら（Ｓ−２）、第１レーザ光を始点座標（ｘ0，ｙ0）からＹ軸方向に沿って走査する（Ｓ−３）。これにより、図３（ａ）に示すように、抵抗体４の下辺から上方へ延びる第１スリット６ａが形成され、第１スリット６ａの切込み量に伴って抵抗体４の抵抗値が次第に上昇していく。
【００３３】
そして、抵抗体４の抵抗値Ｒが目標抵抗値を下回る所定値Ｒｔｈに達したら（Ｓ−４）、当該位置を第１レーザ光のターン座標Ｔ（ｘ0，ｙ1）として取得する（Ｓ−５）と共に、第１レーザ光をターン座標Ｔ（ｘ0，ｙ1）で９０°方向変換してＸ軸方向に沿って走査する（Ｓ−６）。これにより、第１スリット６ａの先端から直交方向（左方向）へ延びる第２スリット６ｂが形成され、第２スリット６ｂの切込み量に伴って抵抗体４の抵抗値がさらに次第に上昇していく。
【００３４】
ここで、第２スリット６ｂは電流方向と平行な方向へ延びるスリットであるため、第１スリット６ａに比べると切込み量に対する抵抗値変化量はかなり小さくなり、第２スリット６ｂの切込み量に伴って抵抗値を高精度に微調整することができる。そして、抵抗体４の抵抗値Ｒが目標抵抗値を僅かに下回る所定値Ｒｔｇに達したら（Ｓ−７）、当該位置で第１レーザの照射と抵抗体４の抵抗値測定を終了してＬ字状の第１トリミング溝６を形成すると共に、当該位置を第１レーザの停止座標Ｅ（ｘ1，ｙ1）として取得する（Ｓ−８）。
【００３５】
しかる後、第１トリミング溝６と同じ位置に第１レーザ光よりもビーム径の大きな第２レーザ光を照射することにより、図３（ｂ）に示すように、第１トリミング溝６よりも幅広な第２トリミング溝７を形成する。ここで、第２レーザ光の照光経路は第１トリミング溝６の形成時に取得した座標に基づいて決定されるが、その際、第２レーザ光の照射を終了するタイミングは第１レーザ光の停止座標Ｅ（ｘ1，ｙ1）と同じにせずに、Ｘ軸方向に所定量Δｘだけ進んだ位置が第２レーザ光の停止座標Ｅ（ｘ1＋Δｘ，ｙ1）となるように設定しておく（Ｓ−９）。
【００３６】
すなわち、第２レーザ光の照光経路が始点座標（ｘ0，ｙ0）→ターン座標Ｔ（ｘ0，ｙ1）→停止座標Ｅ（ｘ1＋Δｘ，ｙ1）となるように設定しておき、この照光経路に沿って第２レーザ光を走査する（Ｓ−１０）。そして、第２レーザ光が停止座標Ｅ（ｘ1＋Δｘ，ｙ1）に達したら、当該位置で第２レーザ光の照射を終了することにより（Ｓ−１１）、抵抗体４に対する全てのトリミング工程が完了する。これにより、第２トリミング溝７が第１トリミング溝６の先端部を必ず越えた位置まで形成されるため、第１トリミング溝６の先端部に生じた抵抗体４の飛散物を第２レーザ光によって確実に除去することができると共に、第１トリミング溝６の先端部に生じたマイクロクラックを第２レーザ光によって除去または再溶融することができる。
【００３７】
ここで、本実施形態例に係るチップ抵抗器１では、第１レーザ光の照射により溝幅Ｗ１の第１トリミング溝６を形成した後、第１レーザ光よりビーム径の大きい第２レーザ光の照射により溝幅Ｗ２の第２トリミング溝７を形成したとき、第１トリミング溝６の先端から突出する第２トリミング溝７の突出量をＬとすると、この突出量Ｌが第１トリミング溝６の幅方向の一側縁から外側に突出する第２トリミング溝７のはみ出し量よりも大きくなるように、すなわち、Ｌ＞（Ｗ２−Ｗ１）／２となるように設定されている。これにより、第１トリミング溝６の先端部に生じた抵抗体４の飛散物が第２レーザ光によって確実に除去されるため、保護膜５の形成後に端面電極にメッキを施す際に、抵抗体４の飛散物がメッキの核となって成長することを抑制でき、保護膜５の上面等へのメッキ付着不良を防止することができる。しかも、第１トリミング溝６の先端部に生じたマイクロクラックが第２レーザ光によって除去または再溶融されるため、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。
【００３８】
なお、上記実施形態例では、第１トリミング溝６の形成時に取得した座標に基づいて第２トリミング溝７を形成するとき、第２レーザ光を第１レーザの停止座標Ｅ（ｘ1，ｙ1）で停止させず、当該停止座標を越えた位置で第２レーザ光の照射を終了するようにしているが、以下に説明する変形例のように、抵抗体４の抵抗値を測定しながら第２レーザ光の照射終了位置を決定するようにしても良い。
【００３９】
図５は変形例に係るトリミング方法のフローチャートであり、同図に示すように、第１トリミング溝６を形成するまでの第１トリミング形成工程（Ｓ−１〜Ｓ−７）については上記実施形態例と同じであるが、抵抗体４の抵抗値を測定しながら第２トリミング溝７を形成するようにした点が上記実施形態例と相違している。
【００４０】
すなわち、上記実施形態例と同様の手順（Ｓ−１〜Ｓ−７）によって第１トリミング溝６を形成した後、一対の表電極３にプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値を測定しながら、第１トリミング溝６の形成時に取得した始点座標（ｘ0，ｙ0）とターン座標Ｔ（ｘ0，ｙ1）に基づいて第２レーザ光を走査する（Ｓ−８）。ここで、第２レーザ光がターン座標Ｔ（ｘ0，ｙ1）で第１レーザ光と同じ方向へ９０°方向変換してＸ軸方向に向かって走査されるとき、第２レーザ光は第１トリミング溝６をなぞるように照射されるため、第２レーザ光の切込み量に伴って、抵抗値は僅かずつ変化率が所定値αで比例的に上昇していく。
【００４１】
そして、第２レーザ光が第１トリミング溝６の先端を越えると、それまで比例的に変化していた抵抗値が急上昇するため、抵抗値の変化率が所定値αよりも大きくなったら（Ｓ−９）、この時点で第２レーザ光の照射と抵抗体４の抵抗値測定を終了することにより（Ｓ−１０）、抵抗体４に対する全てのトリミング工程が完了する。これにより、第２トリミング溝７が第１トリミング溝６の先端部を必ず越えた位置まで形成されるため、第１トリミング溝６の先端部に生じた抵抗体４の飛散物を第２レーザ光によって確実に除去することができると共に、第１トリミング溝６の先端部に生じたマイクロクラックを第２レーザ光によって除去または再溶融することができる。
【００４２】
また、図５に基づいて説明した上記変形例の応用例として、抵抗値の変化率が所定値αよりも大きくなった時に、抵抗体４の抵抗値が目標抵抗値とならないように予め設定しておき、第２レーザ光の照射を終了させるタイミングを、抵抗値の変化率が所定値αよりも大きく、かつ、抵抗体４の抵抗値が目標抵抗値になった時点で終了させるようにすると、より高精度の抵抗値調整が可能となる。
【符号の説明】
【００４３】
１  チップ抵抗器
２  絶縁基板
３  表電極
４  抵抗体
５  保護膜
６  第１トリミング溝
７  第２トリミング溝
【図１】
2018139267.tif 000003
【図２】
2018139267.tif 000004
【図３】
2018139267.tif 000005
【図４】
2018139267.tif 000006
【図５】
2018139267.tif 000007