(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性を有するバックグラインド用基体フィルムを提供することを目的とする。【解決手段】環状オレフィン系樹脂（α−オレフィンと環状オレフィンとの付加共重合体または水素添加物）を含む樹脂組成物であり、さらにビニル芳香族炭化水素系樹脂を含むものからなるバックグラインド用基体フィルムを用いることで、特に薄型半導体ウェハのバックグラインド工程に於いてすぐれた寸法安定性を有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなるバックグラインド用基体フィルム。
【請求項２】
前記環状オレフィン系樹脂が、α-オレフィンと環状オレフィンとの付加共重合体またはその水素添加物である、請求項1に記載のバックグラインド用基体フィルム。
【請求項３】
前記樹脂組成物が、更にビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む請求項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルム。
【請求項４】
前記ビニル芳香族炭化水素系樹脂が、ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物である、請求項3に記載のバックグラインド用基体フィルム。
【請求項５】
請求項1〜4のいずれかに記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの裏面研削（以下、「バックグラインド」という）する際に、該半導体ウェハに貼着して使用されるバックグラインドフィルムを構成するバックグラインド用基体フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の半導体材料は、原料となる半導体ウェハに素子をパターニングし、所望の大きさにダイシングすることによって得られる。このような半導体素子は、製品の高性能化や、情報量の高密度化等の観点から、厚さがより薄いものが求められている。
【０００３】
半導体素子の薄化は、原料となる半導体ウェハの裏面を研削するバックグライディング工程によって、所望の厚さにすることができる。このバックグライディング工程では、半導体ウェハにパターニングされた面を保護する目的で、半導体ウェハのパターン形成面に、バックグラインドフィルムが貼り付けられる。バックグラインドフィルムは、基体フィルム層及び粘着剤層から構成され、半導体ウェハは、その粘着剤層を介して接着される（特許文献1及び2）。
【０００４】
現在、半導体ウェハの超薄型化（50μm程度）により、薄型半導体ウェハのバックグライディング工程で寸法安定性に優れるバックグラインドフィルムが必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】公開特許公報  特開2006-007423
【特許文献２】再公表特許  WO2013/136897
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性を有するバックグラインド用基体フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究を行ったところ、バックグラインド用基体フィルムが、環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなることで、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性を有することを見出した。
【０００８】
項１．
環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなるバックグラインド用基体フィルム。
【０００９】
項２．
前記環状オレフィン系樹脂が、α-オレフィンと環状オレフィンとの付加共重合体またはその水素添加物である、前記項1に記載のバックグラインド用基体フィルム。
【００１０】
項３．
前記樹脂組成物が、更にビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む前記項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルム。
【００１１】
項４．
前記ビニル芳香族炭化水素系樹脂が、ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物である、前記項3に記載のバックグラインド用基体フィルム。
【００１２】
項５．
前記項1〜4のいずれかに記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性を有する。
【００１４】
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、特に薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、バックグラインド用基体フィルムに関する。
【００１６】
（1）バックグラインド用基体フィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなる。
【００１７】
前記環状オレフィン系樹脂は、エチレン又はプロピレンと環状オレフィンとの共重合体であることが好ましい。
【００１８】
バックグラインド用基体フィルムを構成する前記樹脂組成物は、更にビニル芳香族炭化水素系樹脂を含むことが好ましい。
【００１９】
前記ビニル芳香族炭化水素系樹脂は、ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物であることが好ましい。
【００２０】
（1-1）環状オレフィン系樹脂
本発明に係る環状オレフィン系樹脂は、主鎖が炭素-炭素結合からなり、主鎖の少なくとも一部に環状炭化水素構造を有する高分子化合物である。この環状炭化水素構造は、ノルボルネンやテトラシクロドデセンに代表されるような、環状炭化水素構造中に少なくとも一つのオレフィン性二重結合を有する化合物（環状オレフィン）を単量体として用いることで導入される。
【００２１】
環状オレフィン系樹脂は、その製造方法から、環状オレフィンの付加（共）重合体またはその水素添加物、環状オレフィンとα-オレフィンの付加共重合体またはその水素添加物、環状オレフィンの開環（共）重合体またはその水素添加物がある。
【００２２】
環状オレフィンとしては、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、シクロペンタジエン、1,3-シクロヘキサジエン等の1環の環状オレフィンやその他の多環の環状オレフィンが挙げられる。
【００２３】
これら環状オレフィンは、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組合せて用いることができる。特に、ビシクロ［2.2.1］ヘプタ-2-エン（慣用名：ノルボルネン）を単独で使用することが好ましい。
【００２４】
環状オレフィンと共重合可能なα-オレフィンの具体例としては、エチレン、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-へキセン、3-メチル-1-ブテン、3-メチル-1-ペンテン、3-エチル-1-ペンテン、4-メチル-1-ペンテン等の炭素数2〜20、好ましくは炭素数2〜8のエチレンまたはα-オレフィン等が挙げられる。
【００２５】
これらのα-オレフィンは、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。α-オレフィンとして、エチレンの単独使用が好ましい。
【００２６】
以上の環状オレフィン系樹脂の中で、環状オレフィンとα-オレフィンの付加共重合体またはその水素添加物が、特性とコストのバランスが取れている。
【００２７】
なかでもノルボルネンとエチレンとの共重合体である環状オレフィン樹脂は、ノルボルネンとエチレン比率が容易に調整でき、その比率によりガラス転移点（Tg）を容易に調整できるため、特に好ましい。
【００２８】
【化１】
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【００２９】
環状オレフィン系樹脂には、その特性を損なわない範囲で、他の共重合可能な不飽和単量体成分を含有してもよい。また必要に応じて、熱可塑性樹脂、無機あるいは有機充填剤、各種配合剤等を添加してもよい。
【００３０】
環状オレフィン樹脂の製造方法は特に限定されないが、例えば、環状オレフィンとα-オレフィンとを含むモノマー組成物を反応器に導入し、そこに重合触媒や重合溶媒を加え、所定の反応温度、反応圧力で反応させ重合溶液とし、その後溶媒を除去する方法が挙げられる。
【００３１】
反応温度や反応圧力は、環状オレフィンとα-オレフィンとの樹脂中の含有比率が所望の範囲になるように適宜設定することができる。
【００３２】
市販されている環状オレフィン系樹脂としては、TOPAS（ポリプラスチックス社製）、アペル（三井化学社製）、ゼオネックス（日本ゼオン社製）、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（日本合成ゴム社製）等が挙げられる。
【００３３】
環状オレフィン系樹脂の比重は、好ましくは1〜1.06程度である。
【００３４】
GPC（ゲル浸透クロマトグラフィー）法により測定される数平均分子量は、好ましくは1,000〜100万程度である。
【００３５】
環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度（Tg）は、好ましくは50〜180℃程度であり、より好ましくは65〜160℃程度である。
【００３６】
Tgは、試験方法ISO 11357-1,-2,-3に基づき、示差走査熱量計（DSC）を用いて、昇温速度10℃／分で測定することができる。
【００３７】
環状オレフィン系樹脂のTgが50〜180℃程度であることで、フィルム表面の耐熱性は良好であり、熱がかかっても表面が粘着すことがなく好ましい。環状オレフィン系樹脂のTgが50〜180℃程度であることで、成形が良好である。
【００３８】
バックグラインド用基体フィルムを構成する樹脂組成物では、環状オレフィン系樹脂の含有割合は、100〜0重量%程度が好ましい。
【００３９】
環状オレフィン系樹脂を単独で用いる場合には100重量%となる。
【００４０】
他の樹脂との混合物として用いる場合、ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物の含有割合は、90〜10重量%程度が好ましく、80〜20重量%程度がより好ましい。
【００４１】
バックグラインド用基体フィルムを構成する樹脂組成物が、環状オレフィン系樹脂を含むことで、バックグラインド用基体フィルムからなるバックグラインドフィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、フィルムの優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【００４２】
（1-2）ビニル芳香族炭化水素系樹脂
バックグラインド用基体フィルムを構成する前記樹脂組成物は、更にビニル芳香族炭化水素系樹脂を含むことが好ましい。
【００４３】
ビニル芳香族炭化水素系樹脂中のビニル芳香族炭化水素成分の含有量は1〜50重量%程度であることが好ましい。
【００４４】
ビニル芳香族炭化水素系樹脂のガラス転移温度（Tg）は、好ましくは-80〜0℃程度であり、より好ましくは-70〜-5℃程度であり、更に好ましくは-60〜-10℃程度である。
【００４５】
Tgは、試験方法ISO 11357-1,-2,-3に基づき、示差走査熱量計（DSC）を用いて、昇温速度10℃／分で測定することができる。
【００４６】
ビニル芳香族炭化水素系樹脂のTgが前記範囲であることで、これを用いたバックグラインド用基体フィルムからなるバックグラインドフィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、フィルムの優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【００４７】
ビニル芳香族炭化水素系樹脂として、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体の水素添加物、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体、ビニル芳香族炭化水素と脂肪族不飽和カルボン酸エステルとの共重合体等を用いることが好ましい。
【００４８】
ビニル芳香族炭化水素とは、少なくとも1つのビニル基を有する芳香族炭化水素を意味する。例えば、スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1-ジフェニルエチレン、N,N-ジメチル-p-アミノエチルスチレン、N,N-ジエチル-p-アミノエチルスチレン等を用いることが好ましい。
【００４９】
ビニル芳香族炭化水素として、これらは1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。これらの中でも、スチレンが好ましい。
【００５０】
共役ジエン炭化水素とは、一対の共役二重結合を有するジオレフィンである。例えば、1,3-ブタジエン、2-メチル-1,3-ブタジエン（イソプレン）、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、2-メチル-1,3-ペンタジエン、1,3-ヘキサジエン等を用いることが好ましい。
【００５１】
共役ジエン炭化水素として、これらは1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。これらの中でも、1,3-ブタジエン又は2-メチル-1,3-ブタジエンが好ましい。
【００５２】
脂肪族不飽和カルボン酸エステルとは、例えば、メチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、2-エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等を用いることができる。ここで上記（メタ）アクリレートとはアクリレート及び／又はメタクリレートを示している。脂肪族不飽和カルボン酸エステルとして、好ましくはブチル（メタ）アクリレートである。
【００５３】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物
特に、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体の水素添加物（ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物）が好ましい。
【００５４】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素中の二重結合の存在により引き起こされる酸化劣化等に起因してフィルムが脆くなる傾向がある。ビニル芳香族炭化水素系樹脂においてビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体の水素添加物を用いることで、その酸化劣化等を防止することができる。
【００５５】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素に由来の二重結合を、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等による水素添加）して飽和にしておくことが好ましい。これにより、更に耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂にすることができる。
【００５６】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物の水添率は、共重合体中の共役ジエン炭化水素に由来する二重結合の85%程度以上であることが好ましく、より好ましくは90%程度以上、更に好ましくは95%程度以上である。前記水添率（水素添加）は、核磁気共鳴装置（NMR）を用いて測定することができる。
【００５７】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物において、ビニル芳香族炭化水素単位の含有割合は、1〜70重量%程度が好ましく、3〜50重量%程度がより好ましい。
【００５８】
ビニル芳香族炭化水素がスチレンである場合、そのスチレン（St）単位の含有割合は、1〜70重量%程度が好ましく、3〜50重量%程度がより好ましい。スチレン単位の含有割合を1重量%以上に設定することにより、フィルム強度を向上させることができる。
【００５９】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物のガラス転移温度（Tg）は、好ましくは-80〜0℃程度であり、より好ましくは-70〜-5℃程度であり、更に好ましくは-60〜-10℃程度である。
【００６０】
Tgは、試験方法ISO 11357-1,-2,-3に基づき、示差走査熱量計（DSC）を用いて、昇温速度10℃／分で測定することができる。
【００６１】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物のTgが前記範囲であることで、これを用いたバックグラインド用基体フィルムからなるバックグラインドフィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、フィルムの優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【００６２】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物のメルトフローレート（MFR）は、好ましくは0.1〜20g／10分程度であり、より好ましくは1〜10g／10分程度あある。
【００６３】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物のMFRが前記範囲であることで、押出成形時のビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物の流動性は良好である。
【００６４】
MFRは、温度230℃、荷重21.18Nの条件で測定される値である。
【００６５】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物の重量平均分子量（Mw）は、通常10万〜50万程度であり、好ましくは15万〜30万程度である。
【００６６】
Mwは、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）を用いて測定することができる。
【００６７】
ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物として、スチレン系単量体とジエン系単量体とのランダム共重合体の水素添加物がある。また、スチレン系単量体とジエン系単量体とのブロック共重合体の水素添加物がある。共重合体の水素添加物はそれらをいずれも含む。これらを水添ランダム共重合体や水添ブロック共重合体とも呼ぶ。柔軟性、透明性等の点から、ランダム共重合体が好適である。
【００６８】
水添ランダム共重合体は、具体例として、式：-CH(C6H5)CH2-で示されるスチレン系単量体単位と、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位と、式：-CH(C2H5)CH2-で示されるブチレン単位とがランダムに結合している。
【００６９】
水添ランダム共重合体は、例えば、特開2004-59741号公報に記載の方法等、公知の方法により、或いはこれに準じて製造することができる。
【００７０】
また、水添ブロック共重合体としては、該共重合体の一端又は両末端にビニル芳香族炭化水素由来のブロックセグメントを有し、更に共役ジエン炭化水素由来のブロックセグメントを有するもの、或いはこれらをブレンドしたものの水素添加物等が挙げられる。
【００７１】
ブロック共重合体、或いは水添ブロック共重合体は、具体例として、該共重合体の一端に、式：-CH(C6H5)CH2-で示されるスチレン系単量体由来のブロックセグメントを有し、その中程に、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位、及び／又は、式：-CH(C2H5)CH2-で示されるブチレン単位を含むブロックセグメントを有する。
【００７２】
ブロック共重合体、或いは水添ブロック共重合体は、具体例として、該共重合体の他端に、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位を含むセグメントを有する。
【００７３】
水添ブロック共重合体として、スチレン・エチレンブチレン・オレフィン結晶のブロックコポリマー（SEBC）、スチレン・エチレンブチレン・スチレンのブロックコポリマー（SEBS）等を好ましく用いることができる。
【００７４】
バックグラインド用基体フィルムを構成する樹脂組成物では、ビニル芳香族炭化水素系樹脂（好ましくはビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物）の含有割合は、90〜10重量%程度が好ましく、80〜20重量%程度がより好ましい。
【００７５】
バックグラインド用基体フィルムを構成する樹脂組成物が、ビニル芳香族炭化水素系樹脂（好ましくはビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体水素添加物）を含むことで、バックグラインド用基体フィルムからなるバックグラインドフィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、フィルムの優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【００７６】
（1-3）バックグラインド用基体フィルムの層構成
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなる層、環状オレフィン系樹脂及びビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む樹脂組成物からなる層等で構成される。バックグラインド用基体フィルムは単層であっても良い。
【００７７】
バックグラインド用基体フィルムには、必要に応じて、その他の層を設けることができる。バックグラインド用基体フィルムは多層であっても良い。
【００７８】
バックグラインド用基体フィルムを多層構造とする場合、少なくとも一方の表面の層が前記の樹脂組成物から形成される層を有する。3層構造の基体フィルムである場合、両面の層が前記の樹脂組成物から形成される層を有することが好ましい。
【００７９】
バックグラインド用基体フィルムを多層構造とする場合、環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなる層、環状オレフィン系樹脂及びビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む樹脂組成物からなる層の厚みは、製膜性、コスト等を考慮すると、好ましくは基体フィルム厚みの3〜95%程度であり、より好ましくは5〜90%程度である。
【００８０】
バックグラインド用基体フィルムは、単層構造とする場合、或いは多層構造とする場合、基体フィルムの厚みは、好ましくは60〜250μm程度であり、より好ましは100〜200μm程度である。
【００８１】
バックグラインド用基体フィルムの表面抵抗は、好ましくは1013Ω／□程度未満であり、より好ましくは8.0×1012Ω／□程度未満である。
【００８２】
バックグラインド用基体フィルムの破断伸度は、フィルムの流れ方向（MD方向）、幅方向（TD方向）共に1〜95%であり、好ましくは2〜90％、さらに好ましくは3〜90％である。破断伸度がこの範囲であると、半導体ウェハの裏面を研削する際、バックグラインドフィルムが変形することなく好ましい。
【００８３】
（2）バックグラインド用基体フィルムの製法
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、単層構造とする場合、或いは多層構造とする場合、Tダイス又は環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等、従来から用いられている方法で成形することができる。
【００８４】
バックグラインド用基体フィルムの厚み精度を考慮すると、Tダイスを使用した押出法が好ましい。
【００８５】
Tダイスを使用した押出法について説明する。
【００８６】
環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなる層、環状オレフィン系樹脂及びビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む樹脂組成物を、ドライブレンドするか、又は溶融混練し調製することが好ましい。各層を構成する樹脂組成物には、必要に応じて添加剤を加えることができる。
【００８７】
樹脂組成物を、環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度（Tg）+170℃以下、好ましくは（Tg）+150℃以下、さらに好ましくは（Tg）+120℃以下の温度に調整したスクリュー式押出機に供給し、250〜350℃のTダイスからフィルム状に押出し、これを20〜150℃程度の冷却ロールに通しながら冷却して、実質的に無延伸で引き取ることが好ましい（押出成形）。
【００８８】
引き取りの際に、実質的に無延伸とすることで、バックグラインド工程において、延伸したことによるフィルムの収縮を抑制することができる。
【００８９】
この実質的に無延伸は、無延伸、或いは、バックグラインド時のウェハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含む。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。
【００９０】
（3）バックグラインドフィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムでは、その表面に粘着剤層及び離型フィルムを形成することで、バックグラインドフィルムを作製することができる。
【００９１】
バックグラインド用基体フィルムの片方の表面上に、公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成され、更に該粘着剤層上に離型フィルムが設けられて、バックグラインドフィルムが製造される。
【００９２】
本発明のバックグラインドフィルムは、バックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有する。
【００９３】
粘着剤層の厚さは、好ましくは10〜200μm程度である。
【００９４】
離型フィルムの厚さは、好ましくは10〜100μm程度である。
【００９５】
粘着剤として、好ましくは感圧性粘着剤、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を用いることができる。これらのなかでも、半導体ウェハヘの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等を考慮すると、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。
【実施例】
【００９６】
以下に、本発明を、実施例を用いてより詳細に説明する。
【００９７】
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９８】
（1）バックグラインド用基体フィルムの原料
環状オレフィン系樹脂（COC）
シクロオレフィンコポリマー（ポリプラスチックス株式会社製）
ビニル芳香族炭化水素系樹脂（水素添加物）（SEBS）
セプトンシリーズ（株式会社クラレ製）
St含量：50wt%、水添率：95%以上、MFR（210℃）：1.0ｇ/10min、
Tg：-50℃、比重：0.97
St含量とは、ビニル芳香族炭化水素系樹脂中のビニル芳香族炭化水素（スチレンSt）成分の含有量である。
【００９９】
（2）バックグラインド用基体フィルムの作製
実施例１
環状オレフィン系樹脂を配合し、バレル温度230〜290℃のスクリュー式押出機に供給した。295℃のTダイスから押出し、設定温度130℃の引き取りロールにて冷却固化して、厚みが100μm又は200μmのフィルムを無延伸の状態で巻き取った。
【０１００】
実施例2
環状オレフィン系樹脂（80重量%）とビニル芳香族炭化水素系樹脂（SEBS）20重量%とを配合し、バレル温度230〜290℃のスクリュー式押出機に供給した。295℃のTダイスから押出し、設定温度30℃の引き取りロールにて冷却固化して、厚みが125μm又は188μmのフィルムを無延伸の状態で巻き取った。
【０１０１】
（3）バックグラインド用基体フィルムの評価
バックグラインド用基体フィルムの破断伸びを測定した。
【０１０２】
破断伸度（%）の測定
引張試験機（株式会社島津製作所製オートグラフAG-X500N）を用いて測定した。
【０１０３】
バックグラインド用基体フィルムのサンプルを幅10mm×長さ100mmで、標線間距離40mmにカットし、200mm／minの速度で引張試験した際の破断伸度を測定した。
【０１０４】
MDは、バックグラインド用基体フィルムを作製した時の樹脂の流れ方向（フィルム成形の押出方向）の破断強度を示す。TDは、バックグラインド用基体フィルムを作製した時の樹脂の幅方向（フィルム成形により成形されたフィルムの幅方向）の破断伸度を示す。
【０１０５】
これは、バックグラインド用基体フィルムが、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性を有するかどうか、つまり変形が無いことを確認する試験である。また、バックグラインド用基体フィルムの硬さを確認することができる。
【０１０６】
バックグラインド用基体フィルムの破断伸度の値が小さいことは、バックグラインド用基体フィルムが硬いことを表し、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性を有することを表す。
【０１０７】
破断伸度（%）の結果及び考察
【０１０８】
【表１】
2018195705.tif 000003
【０１０９】
本発明のバックグラインド用基体フィルム（実施例1及び2）は、環状オレフィン系樹脂（COC）を含む樹脂組成物からなる層、環状オレフィン系樹脂（COC）及びビニル芳香族炭化水素系樹脂（SEBS）を含む樹脂組成物からなる層で構成される。
【０１１０】
本発明のバックグラインド用基体フィルムの破断伸度の値が小さく、これはフィルムが硬いことを表す。
【０１１１】
本発明のバックグラインド用基体フィルムを用いると、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性を有することがわかる。本発明のバックグラインド用基体フィルムは、特に薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において好適に用いることができる。