(57)【要約】【課題】簡易かつ正確に解析対象の特性を解析することができる解析方法、解析プログラム、および解析装置を提供すること。【解決手段】第１周波数の交流電気信号を第１コイルに印加して解析対象を励磁し、前記解析対象に第１渦電流を生成し、前記第１渦電流により発生した磁界により第２コイルに発生した電圧に応じた第１電気的状態量を測定し、第２周波数の交流電気信号を前記第１コイルに印加して前記解析対象を励磁し、前記解析対象に第２渦電流を生成し、前記第２渦電流により発生した磁界により前記第２コイルに発生した電圧に応じた第２電気的状態量を測定し、前記第１電気的状態量および前記第２電気的状態量に基づいて、前記解析対象の厚さ方向の特性を解析する、解析方法。【選択図】図１０
2018025434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１周波数の交流電気信号を第１コイルに印加して解析対象を励磁し、前記解析対象に第１渦電流を生成し、
前記第１渦電流により発生した磁界により第２コイルに発生した電圧に応じた第１電気的状態量を測定し、
第２周波数の交流電気信号を前記第１コイルに印加して前記解析対象を励磁し、前記解析対象に第２渦電流を生成し、
前記第２渦電流により発生した磁界により前記第２コイルに発生した電圧に応じた第２電気的状態量を測定し、
前記第１電気的状態量および前記第２電気的状態量に基づいて、前記解析対象の厚さ方向の特性を解析する、
解析方法。
【請求項２】
前記第１電気的状態量および前記第２電気的状態量と、参照データとを比較することにより、前記解析対象の厚さ方向の特性を解析する、請求項１に記載の解析方法。
【請求項３】
前記第２周波数は、前記第１周波数よりも低く、
前記第１電気的状態量に基づいて、前記解析対象のリフトオフを測定し、
前記第２電気的状態量に基づいて、前記解析対象の板厚を測定する、
を含む、請求項１または２に記載の解析方法。
【請求項４】
前記第１コイルに印加する交流電気信号の周波数を連続的に変化させ、前記解析対象における渦電流により発生した磁界により前記第２コイルに発生した電圧に応じた時系列の電気的状態量を測定する、請求項１または２に記載の解析方法。
【請求項５】
前記時系列の電気的状態量をウェーブレット変換することによって得られるウェーブレット係数と前記周波数との関係を求め、前記周波数に対する前記ウェーブレット係数の変化率に基づいて、前記第１周波数および前記第２周波数を決定する、請求項４に記載の解析方法。
【請求項６】
前記時系列の電気的状態量に基づいて、前記解析対象の厚さ方向の構造を走査する、請求項４または５に記載の解析方法。
【請求項７】
コンピュータに、第１電気的状態量および第２電気的状態量に基づいて、解析対象の厚さ方向の特性を解析させる解析プログラムであって、前記第１電気的状態量は、第１周波数の交流電気信号を第１コイルに印加して前記解析対象を励磁させて、前記解析対象に第１渦電流を生成させ、前記第１渦電流により発生した磁界により第２コイルに発生した電圧に基づいて測定され、前記第２電気的状態量は、第２周波数の交流電気信号を前記第１コイルに印加して前記解析対象を励磁させて、前記解析対象に第２渦電流を生成させ、前記第２渦電流により発生した磁界により前記第２コイルに発生した電圧に基づいて測定される、
解析プログラム。
【請求項８】
交流電流が流れることにより解析対象に印加する磁界を生成する第１コイルと、
前記解析対象に発生する渦電流に応じて電圧を生成する第２コイルと、
少なくとも２つの周波数の交流電気信号を前記第１コイルに印加する電源部と、
前記電源部により生成される前記交流電気信号の周波数を制御する制御部と、
前記第２コイルにおいて検出された前記電圧に基づく電気的状態量に基づいて前記解析対象の厚さ方向の特性を解析する解析部と
を備える解析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、解析方法、解析プログラム、および解析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、橋梁、道路、ビル、工業施設などの各種構造物の経年劣化の診断を行う手法について研究が進められている。経年劣化を監視することは、安全性や耐久性を把握する上で重要である。例えば、橋梁において生じる劣化の態様としては、亀裂や傷といった物理的な損傷、雨水の滞水や塩分の付着などにより生じる局所的な腐食、腐食の進行に伴う板厚の減少などがある。特に、腐食に起因する劣化は、橋梁の安全性や耐久性に大きな影響を及ぼすため、この腐食状態を検知することが重要である。
【０００３】
上記の構造物の腐食状態（例えば、板厚）を検知する方法としては、超音波試験法が知られている。しかしながら、この超音波試験法では、試験前にさび層などの腐食生成物および付着物の除去処理、浸透材の塗布といった事前処理と、それに伴う事後処理とが必要である。また、試験装置を測定対象に接触させて計測する必要がある。さらに、大型の試験装置が必要であるため利便性が低く、測定対象が、高所、閉所、海中などの空間的制約などによって作業者が近接しづらい場所に存在する場合には測定を行うことができないという課題がある。
【０００４】
構造物の腐食状態を検知する他の方法として、渦流探傷法などの非接触の測定方法が知られている。しかしながら、この渦流探傷法では、測定対象と試験装置との距離（リフトオフ）の影響により正確に測定対象の板厚を検知できないという課題がある。また、測定対象に塗膜が施されている場合や、腐食層が発生している場合には、リフトオフの影響を除去することが容易ではないという課題がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２２４８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情を考慮してなされたものであり、簡易かつ正確に解析対象の特性を解析することができる解析方法、解析プログラム、および解析装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、第１周波数の交流電気信号を第１コイルに印加して解析対象を励磁し、前記解析対象に第１渦電流を生成し、前記第１渦電流により発生した磁界により第２コイルに発生した電圧に応じた第１電気的状態量を測定し、第２周波数の交流電気信号を前記第１コイルに印加して前記解析対象を励磁し、前記解析対象に第２渦電流を生成し、前記第２渦電流により発生した磁界により前記第２コイルに発生した電圧に応じた第２電気的状態量を測定し、前記第１電気的状態量および前記第２電気的状態量に基づいて、前記解析対象の厚さ方向の特性を解析する、解析方法である。
【０００８】
本発明の一態様において、前記第１電気的状態量および前記第２電気的状態量と、参照データとを比較することにより、前記解析対象の厚さ方向の特性を解析してもよい。
【０００９】
本発明の一態様において、前記第２周波数は、前記第１周波数よりも低く、前記第１電気的状態量に基づいて、前記解析対象のリフトオフを測定し、前記第２電気的状態量に基づいて、前記解析対象の板厚を測定してもよい。
【００１０】
本発明の一態様において、前記第１コイルに印加する交流電気信号の周波数を連続的に変化させ、前記解析対象における渦電流により発生した磁界により前記第２コイルに発生した電圧に応じた時系列の電気的状態量を測定してもよい。
【００１１】
本発明の一態様において、前記時系列の電気的状態量をウェーブレット変換することによって得られるウェーブレット係数と前記周波数との関係を求め、前記周波数に対する前記ウェーブレット係数の変化率に基づいて、前記第１周波数および前記第２周波数を決定してもよい。
【００１２】
本発明の一態様において、前記時系列の電気的状態量に基づいて、前記解析対象の厚さ方向の構造を走査してもよい。
【００１３】
本発明の他の態様は、コンピュータに、第１電気的状態量および第２電気的状態量に基づいて、解析対象の厚さ方向の特性を解析させる解析プログラムであって、前記第１電気的状態量は、第１周波数の交流電気信号を第１コイルに印加して前記解析対象を励磁させて、前記解析対象に第１渦電流を生成させ、前記第１渦電流により発生した磁界により第２コイルに発生した電圧に基づいて測定され、前記第２電気的状態量は、第２周波数の交流電気信号を前記第１コイルに印加して前記解析対象を励磁させて、前記解析対象に第２渦電流を生成させ、前記第２渦電流により発生した磁界により前記第２コイルに発生した電圧に基づいて測定される、解析プログラムである。
【００１４】
本発明のさらに他の態様は、交流電流が流れることにより解析対象に印加する磁界を生成する第１コイルと、前記解析対象に発生する渦電流に応じて電圧を生成する第２コイルと、少なくとも２つの周波数の交流電気信号を前記第１コイルに印加する電源部と、前記電源部により生成される前記交流電気信号の周波数を制御する制御部と、前記第２コイルにおいて検出された前記電圧に基づく電気的状態量に基づいて前記解析対象の厚さ方向の特性を解析する解析部とを備える解析装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様によれば、簡易かつ正確に解析対象の特性を解析することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態の解析装置の一例の機能ブロック図である。
【図２】第１実施形態の第１コイルに印加される電気信号の周波数と、検出電圧との関係を示すグラフである。
【図３】第１実施形態の第１コイルに印加される電気信号の周波数と、リフトオフの違いによる検出電圧の差の関係を示すグラフである。
【図４】第１実施形態の第１コイルに印加される電気信号の周波数と、板厚の違いによる検出電圧の差の関係を示すグラフである。
【図５】第１実施形態の第１コイルに印加される電気信号の周波数と、ΔＶｔ／ΔＶＬとの関係を示すグラフである。
【図６】第１実施形態において、リフトオフ推定周波数の交流電気信号を第１コイルに印加した場合における、リフトオフ−検出電圧関係を示すグラフである。
【図７】第１実施形態におけるリフトオフ参照データの一例を示すグラフである。
【図８】第１実施形態において、板厚推定周波数の交流電気信号を第１コイルに印加した場合における、板厚−検出電圧関係を示すグラフである。
【図９】第１実施形態における板厚参照データの一例を示すグラフである。
【図１０】第１実施形態の解析装置の処理の流れを示すフローチャートである。
【図１１】本発明の第２実施形態の解析装置の処理の流れを示すフローチャートである。
【図１２】第２実施形態の第１コイルに印加されるスイープ波を示す図である。
【図１３】第２実施形態において、検出電圧波形をウェーブレット変換することにより得られた周波数周波数−ウェーブレット係数関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
［構成］
以下、図面を参照し、本発明の第１実施形態の解析方法、解析プログラム、および解析装置について説明する。図１は、本実施形態の解析装置１の一例の機能ブロック図である。解析装置１は、解析対象における、板厚、リフトオフといった各種特性を解析する装置であり、例えば、解析対象となる各種構造物の保守作業を行う作業者によって操作される。解析装置１は、交流電流に応じた磁界により解析対象において発生する渦電流が、解析対象のリフトオフおよび板厚に応じて変化する性質を利用して解析を行う。具体的には、解析装置１は、解析対象の板厚が大きいほど渦電流の変化に伴う検出電圧が大きくなり、リフトオフが大きいほど検出電圧が小さくなる傾向を利用することで腐食状態の検査を行う。
【００１８】
解析装置１は、任意の形状の、鉄鋼材，非鉄金属，黒鉛などの様々な導電性材料の解析を行うことができる。なお、解析装置１は、保守作業を行う作業者によって操作される検査装置として使用される他、解析対象となる構造物に予め設置されて検出結果を継続的に外部に出力するようなセンシング機器として使用されてもよい。
【００１９】
ここで、「リフトオフ」とは、解析装置１のプローブ（後述する第１コイル１２および第２コイル１３）と解析対象である導電性材料の構造物の表面との間の距離を言う。例えば、解析対象である導電性材料の構造物の表面に腐食層が形成されている場合、「リフトオフ」とは、解析装置１のプローブと腐食層の表面との距離ではなく、解析装置１のプローブと導電性材料の構造物の表面（腐食層を含まない）との距離を言う。また、解析対象である導電性材料の構造物の表面が塗膜で覆われている場合、「リフトオフ」とは、解析装置１のプローブと塗膜との距離ではなく、解析装置１のプローブと導電性材料の構造物の表面との距離を言う。
【００２０】
解析装置１は、例えば、制御部１０と、電源部１１と、第１コイル１２と、第２コイル１３と、検出部１４と、演算部１５（解析部）と、記憶部１６とを備える。
【００２１】
制御部１０は、解析装置１の各部の動作の制御を行う。制御部１０は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）などで実現される。
【００２２】
電源部１１は、制御部１０の制御下において、第１コイル１２に交流電流または交流電圧といった交流電気信号を印加する。電源部１１は、第１コイル１２に印加する交流電気信号の周波数を変更することができる。電源部１１は、例えば、交流電源である。
【００２３】
第１コイル１２は、電源部１１から入力された交流電気信号に応じて、交流磁界を発生するドライバコイルである。この交流磁界により検査対象Ｔが励磁され、検査対象Ｔに渦状の誘導電流（渦電流ＥＣ：Eddy Current）が発生する。
【００２４】
第２コイル１３は、第１コイル１２おいて発生した交流磁界と、渦電流ＥＣに起因して発生した交流磁界と、の双方の影響を受けて励磁され電圧を生成するレシーバコイルである。
【００２５】
検出部１４は、第２コイル１３において発生した電圧に基づく電気的状態量を検出する。例えば、検出部１４は、第２コイル１３において発生した電圧を測定する電圧計である。
【００２６】
演算部１５は、記憶部１６に記憶されたリフトオフと検出電圧との間の関係を示すリフトオフ参照データおよび板厚と検出電圧との間の関係を示す板厚参照データと、検出部１４により検出された検出電圧とに基づいて、検査対象Ｔの板厚、リフトオフを演算する。
【００２７】
記憶部１６は、リフトオフ推定周波数ｆＬ（第１周波数）、板厚推定周波数ｆt（第２周波数）、リフトオフ参照データ、板厚参照データ、演算部１５の演算結果、検出部１４の検出結果などを記憶する。記憶部１６は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、フラッシュメモリなどで実現される。
【００２８】
上記の解析装置１の各機能部のうち一部または全部は、プロセッサがプログラム（ソフトウェア）を実行することにより実現されてよい。また、解析装置１の各機能部のうち一部または全部は、ＬＳＩ（Large Scale Integration）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせによって実現されてもよい。
【００２９】
リフトオフ推定周波数ｆＬは、解析対象のリフトオフを推定する場合に第１コイル１２に印加される交流電気信号の周波数である。板厚推定周波数ｆtは、解析対象の板厚を推定する場合に第１コイル１２に印加される交流電気信号の周波数である。リフトオフ推定周波数ｆＬおよび板厚推定周波数ｆtの各々は、解析対象の材料毎に予め設定されている。リフトオフ推定周波数ｆＬおよび板厚推定周波数ｆtは、以下のような手順により設定される。
【００３０】
［リフトオフ推定周波数ｆＬおよび板厚推定周波数ｆtの設定］
板厚ｔとリフトオフＬとを調整した複数の試験体に対して試験を行い電圧を検出することで、リフトオフＬと板厚ｔとを推定するのに適したリフトオフ推定周波数ｆＬおよび板厚推定周波数ｆtを設定する手法を説明する。図２は、第１コイル１２に印加される交流電気信号の周波数と、第２コイル１３に生じる検出電圧との関係を示すグラフである。図２では、板厚ｔ（６ｍｍ，９ｍｍ）とリフトオフＬ（０ｍｍ，０．１ｍｍ，０．３ｍｍ）とを変化させた第１から第６試験体に対して測定を行ったデータを示している。比較的高周波域（例えば、周波数１００Ｈｚ以上）においては、リフトオフＬの違いによる検出電圧への影響が大きく表れていることが分かる。具体的には、板厚ｔが同一（６ｍｍ）であり、リフトオフＬが互いに異なる第１，第３，第５試験体を比較すると、検出電圧の値に差が生じていることが分かる。
【００３１】
リフトオフＬの違いによる検出電圧への影響について詳細に説明する。図３は、第１コイル１２に印加される交流電気信号の周波数と、リフトオフＬの違いによる検出電圧の差の関係を示すグラフである。図３における縦軸ΔＶＬは、リフトオフＬの違いによる検出電圧の差を示す。具体的には、ΔＶＬは、各周波数において、第２試験体（板厚９ｍｍ，リフトオフ０ｍｍ）の検出電圧から、第６試験体（板厚９ｍｍ，リフトオフ０．３ｍｍ）の検出電圧を減算した値を示す。比較的高周波域（例えば、周波数１００Ｈｚ以上）においては、ΔＶＬの値が大きくなっていることがわかる。すなわち、比較的高周波域においては、リフトオフＬの違いによる検出電圧への影響が大きく表れていることが分かる。
【００３２】
次に、板厚ｔの違いによる検出電圧への影響について詳細に説明する。図４は、第１コイル１２に印加される交流電気信号の周波数と、板厚ｔの違いによる検出電圧の差の関係を示すグラフである。図４における縦軸ΔＶｔは、板厚ｔの違いによる検出電圧の差を示す。具体的には、ΔＶｔは、各周波数において、試験体（板厚９ｍｍ，リフトオフ０ｍｍ）の検出電圧から、試験体（板厚８ｍｍ，リフトオフ０ｍｍ）の検出電圧を減算した値を示す。比較的低周波域（例えば、周波数１０Ｈｚ以下）においては、ΔＶｔの値が大きくなっていることがわかる。すなわち、比較的低周波域においては、板厚ｔの違いによる検出電圧への影響が大きく表れていることが分かる。
【００３３】
図５は、第１コイル１２に印加される交流電気信号の周波数と、ΔＶｔ／ΔＶＬとの関係を示すグラフである。図５より、リフトオフＬおよび板厚ｔの各々が検出電圧にどの程度寄与しているのかが分かる。例えば、５００Ｈｚ付近の周波数におけるΔＶｔ／ΔＶＬの値は１０−５のオーダーとなっていることから、検出電圧の大部分がリフトオフＬに起因するものであることがわかる。一方、１０Ｈｚ付近の周波数におけるΔＶｔ／ΔＶＬの値は１０−１のオーダーとなっていることから、板厚ｔに起因する検出電圧への影響もリフトオフＬに起因する検出電圧への影響の１０％程度を占めていることが分かる。すなわち、高周波域では、検出電圧の大部分がリフトオフＬに起因するものであるのに対して、低周波域では、板厚ｔに起因する影響を含む割合が増加する。上記の内容を考慮し、比較的板厚ｔに起因する影響を多く含む検出電圧が得られる周波数（板厚推定周波数）ｆｔ（１００Ｈｚ未満、例えば、１０Ｈｚ）と、リフトオフＬに起因する影響を多く含む（板厚ｔに起因する影響が殆ど含まれない）検出電圧が得られる周波数（リフトオフ推定周波数）ｆＬ（１００Ｈｚ〜５００Ｈｚ程度のΔＶｔ／ΔＶＬの値がゼロになる付近の周波数帯、例えば、１００Ｈｚ）とを設定する。
【００３４】
図６は、リフトオフ推定周波数ｆＬ（１００Ｈｚ）の交流電気信号を第１コイル１２に印加した場合における、リフトオフ−検出電圧関係を示すグラフである。図６では、４つの板厚（６ｍｍ，７ｍｍ，８ｍｍ，９ｍｍ）の試験体におけるリフトオフ−検出電圧関係を示している。図６から、板厚ｔに因らず、ほぼ同様のリフトオフ−検出電圧関係を示していることが分かる。すなわち、リフトオフ推定周波数ｆＬにおいては、板厚ｔの影響が少なく、リフトオフＬに起因する影響を多く含む検出電圧が得られることが分かる。ここで、例えば、図７に示すように、このようにして得られたリフトオフ−検出電圧関係を指数関数で近似して、以下のような式（１）を、リフトオフ参照データとして準備しておくことで、検出電圧の値からリフトオフＬを推定することができる。なお、リフトオフ参照データは、解析対象となる部材毎（材料毎）に準備される。
【数１】
2018025434.tif 000003
ここで、係数ａ，ｂは、図７のグラフから求められる定数である。
【００３５】
図８は、板厚推定周波数ｆＬ（１０Ｈｚ）の交流電気信号を第１コイル１２に印加して試験体（リフトオフ０ｍｍ）を励磁した場合における、板厚−検出電圧関係の一例を示すグラフである。板厚−検出電圧関係に関しては、線形補間によって多直線で近似を行う。例えば、測定により得られたデータを点０（板厚ｔ０，検出電圧Ｖ０）と点１（板厚ｔ１，検出電圧Ｖ１）とすると、その２点間の線形関係を仮定した場合、板厚ｔと検出電圧との関係は以下の式（２）により表される。
【数２】
2018025434.tif 000004
【数３】
2018025434.tif 000005
ここで、係数ａ，ｂは以下のとおりである。
【数４】
2018025434.tif 000006
【数５】
2018025434.tif 000007
【００３６】
板厚−検出電圧関係は、周波数だけでなく、リフトオフＬによっても変化することから、係数ａ，ｂは、リフトオフＬの関数として表す。リフトオフＬと係数ａ，ｂの関係も上記と同様に線形補間を行うと、以下のように線形１次式として表される。
【数６】
2018025434.tif 000008
【数７】
2018025434.tif 000009
ここで、係数ｃ，ｄ，ｅ，ｆは以下のとおりである。
【数８】
2018025434.tif 000010
【数９】
2018025434.tif 000011
【数１０】
2018025434.tif 000012
【数１１】
2018025434.tif 000013
【００３７】
図９に示すように、線形補間によって多直線で近似することより得られた以下の式（１２）から（１４）を、板厚参照データとして準備しておくことで、検出電圧の値から板厚ｔを推定することができる。なお、板厚参照データは、解析対象となりうる部材毎（材料毎）かつリフトオフの値毎に複数準備される。
【数１２】
2018025434.tif 000014
【数１３】
2018025434.tif 000015
【数１４】
2018025434.tif 000016
【００３８】
なお、上記のリフトオフ参照データおよび板厚参照データは、コンピュータによる解析（シミュレーション）により求めてもよい。また、板厚参照データは、曲線近似により求めてもよい。
【００３９】
［処理の流れ］
以下、本実施形態における解析装置１の処理の流れについて、フローチャートに即して説明する。図１０は、解析装置１により実行される処理の流れを示すフローチャートである。
【００４０】
まず、作業者は、解析装置１を解析対象となる構造物に近接して配置し、解析装置１に設けられた操作を受け付ける受付部（図示しない）を操作して測定開始を指示する。測定開始の指示を受け付けた解析装置１では、制御部１０が、解析対象の材料に応じてリフトオフを推定するためのリフトオフ推定周波数ｆL（第１周波数）と、板厚を推定するための板厚推定周波数ｆt（第２周波数）とを記憶部１６から読み出す（ステップＳ１０１）。なお、解析対象となる構造物が、高所、閉所、海中などの空間的制約などによって作業者が近接しづらい場所に存在する場合には、解析装置１を移動式ロボットなどに搭載して、作業者がこの移動式ロボットおよび解析装置１を遠隔操作することにより、測定開始を指示してもよい。
【００４１】
次に、制御部１０の制御下において、電源部１１は、リフトオフ推定周波数ｆLの交流電気信号を第１コイル１２に印加する（ステップＳ１０３）。これにより、第１コイル１２には交流磁界（第１磁界）が誘起され、この交流磁界に基づいて解析対象Ｔにおいて交流の渦電流ＥＣ（第１渦電流）が発生する。
【００４２】
渦電流ＥＣにより発生した交流磁界と、第１コイル１２により発生した交流磁界との双方の磁界の影響を受け、第２コイル１３に電圧が発生する。ここで、検出部１４は、第２コイル１３において発生した電圧（第１検出電圧，第１電気的状態量）を検出する（ステップＳ１０５）。検出された第１検出電圧は、記憶部１６に記憶される。
【００４３】
次に、制御部１０の制御下において、電源部１１は、板厚推定周波数ｆｔの交流電気信号を第１コイル１２に印加する（ステップＳ１０７）。これにより、第１コイル１２には交流磁界（第２磁界）が誘起され、この交流磁界に基づいて解析対象Ｔにおいて交流の渦電流ＥＣ（第２渦電流）が発生する。
【００４４】
渦電流ＥＣにより発生した交流磁界と、第１コイル１２により発生した交流磁界との双方の影響を受け、第２コイル１３に電圧が発生する。ここで、検出部１４は、第２コイル１３において発生した電圧（第２検出電圧，第２電気的状態量）を検出する（ステップＳ１０９）。検出された第２検出電圧は、記憶部１６に記憶される。
【００４５】
次に、演算部１５は、記憶部１６に記憶された第１検出電圧と、リフトオフ参照データとを用いて、解析対象ＴのリフトオフＬを推定する。具体的には、図７に示すリフトオフ−検出電圧関係に基づいて、解析対象ＴのリフトオフＬを推定する（ステップＳ１１１）。
【００４６】
次に、演算部１５は、記憶部１６に記憶された第２検出電圧と、推定したリフトオフＬと関連付けされた板厚参照データとを用いて、解析対象Ｔの板厚ｔを推定する。具体的には、図９に示す板厚−検出電圧関係に基づいて、解析対象Ｔの板厚ｔを推定する（ステップＳ１１３）。ここで、推定した板厚ｔおよびリフトオフＬを解析装置１に設けられた表示部（図示しない）に表示してもよい。また、推定した板厚ｔおよびリフトオフＬを外部の管理装置に出力してもよい。以上により、本フローチャートの処理を終了する。
【００４７】
以上の本実施形態の解析装置１によれば、予め設定されたリフトオフ推定周波数ｆLおよび板厚推定周波数ｆtの交流電気信号を用いることで、解析処理を簡易かつ正確に解析対象の特性を解析することができる。また、解析装置１を小型化することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態における解析装置１は、第１実施形態の解析装置１と比較して、第１コイル１２に印加する交流電気信号の周波数の制御方法が異なる。具体的には、第２実施形態における解析装置１は、第１コイル１２に印加する交流電気信号の周波数を連続的に変化させる。すなわち、第１コイル１２に対してスイープ波による励磁処理を行う。このため、第２実施形態の説明において、上記の第１実施形態と同様の部分には同じ参照番号を付与し、その説明を省略あるいは簡略化する。
【００４９】
［処理の流れ］
以下、本実施形態における解析装置１の処理の流れについて、フローチャートに即して説明する。図１１は、解析装置１により実行される処理の流れを示すフローチャートである。
【００５０】
まず、作業者は、解析装置１を解析対象となる各種構造物に近接して配置し、解析装置１に設けられた操作を受け付ける受付部（図示しない）を操作して測定開始を指示する。測定開始の指示を受け付けた解析装置１では、制御部１０の制御下において、電源部１１が、図１２に示すように周波数を連続的に変化させた交流電気信号（スイープ波）を第１コイル１２に印加する（ステップＳ２０１）。周波数の浸透深さの関係から、徐々に渦電流ＥＣを深さ方向に浸透させるために、高周波から低周波に変化させる。これにより、第１コイル１２には交流磁界が連続的に誘起され、この交流磁界に基づいて解析対象Ｔにおいて交流の渦電流ＥＣが発生する。
【００５１】
渦電流ＥＣにより発生した交流磁界と、第１コイル１２により発生した交流磁界との双方の磁界の影響を受け、第２コイル１３に電圧が発生する。ここで、検出部１４は、第２コイル１３において発生した電圧を連続的に検出する（ステップＳ２０３）。連続的に検出された電圧（検出電圧波形）は、記憶部１６に記憶される。
【００５２】
次に、演算部１５は、記憶部１６に記憶された検出電圧波形（時系列データ）に対してウェーブレット変換を行う（ステップＳ２０５）。スイープ波を印加した場合に得られる検出電圧波形は、周波数が一定ではなく、かつ信号が時間的に変化する。そのために、時間−周波数領域で検出結果を表すことができるウェーブレット変換を行う。ウェーブレット変換では、検出結果を局在波（ウェーブレット）に変換する。基準となる局在波をマザーウェーブレットと称し、これが平行移動および伸縮することで構成成分を形成する。周波数に応じて窓幅が変化するために、時間情報を残したまま、周波数領域を表すことができる。すなわち、時間−周波数領域で成分分布を表すことができる。
【００５３】
例えば、以下の式（１５）で表される連続ウェーブレット変換を使用することができる。
【数１５】
2018025434.tif 000017
ここで、以下のとおりである。
x(t)：元信号
Wψ[x(t)]：ウェーブレット係数
a：スケールパラメータ
b：シフトパラメータ
ψ(t)：マザーウェーブレット
また、マザーウェーブレットとして、以下の式（１６）で表されるメキシカンハットを使用することができる。
【数１６】
2018025434.tif 000018
【００５４】
図１３は、検出電圧波形をウェーブレット変換することにより得られた周波数−ウェーブレット係数関係を示すグラフである。図１３では、板厚ｔ（６ｍｍ，９ｍｍ）とリフトオフＬ（０ｍｍ，０．１ｍｍ，０．３ｍｍ）とを変化させた第１から第６試験体における周波数−ウェーブレット係数関係を示している。
【００５５】
次に、演算部１５は、図１３に示すウェーブレット変換により得られた周波数−ウェーブレット係数関係に基づいて、板厚推定周波数ｆtと、リフトオフ推定周波数ｆLとを決定する（ステップＳ２０７）。具体的には、周波数に対するウェーブレット係数の変化率に基づいて、板厚推定周波数ｆtと、リフトオフ推定周波数ｆLとを決定する。例えば、図１３において、板厚ｔに起因する影響が多く含まれる比較的低周波域の周波数（１００Ｈｚ未満、例えば、周波数１０Ｈｚ）を板厚推定周波数ｆtと決定し、リフトオフＬに起因する影響を多く含む（板厚ｔに起因する影響が殆ど含まれない）比較的高周波域の周波数（１００Ｈｚ〜５００Ｈｚ程度、例えば、周波数１００Ｈｚ）をリフトオフ推定周波数ｆLと決定する。
【００５６】
ここで、記憶部１６には、リフトオフ参照データとして、リフトオフＬが互いに異なる複数の試験体の各々にスイープ波を励磁することにより得られた複数の波形データが記憶されている。このリフトオフ参照データは、リフトオフ−ウェーブレット係数関係を示したものである。また、記憶部１６には、板厚参照データとして、リフトオフＬおよび板厚ｔが互いに異なる複数の試験体の各々にスイープ波を励磁することにより得られた複数の波形データが記憶されている。この板厚参照データは、板厚−ウェーブレット係数関係を示したものである。
【００５７】
演算部１５は、上記のウェーブレット変換により得られた周波数−ウェーブレット係数関係と、リフトオフ推定周波数ｆLと、記憶部１６に記憶されたリフトオフ参照データとを用いて、解析対象ＴのリフトオフＬを推定する（ステップＳ２０９）。次に、演算部１５は、上記のウェーブレット変換により得られた周波数−ウェーブレット係数関係と、板厚推定周波数ｆtと、推定したリフトオフＬに関連付けされた板厚参照データとを用いて、解析対象Ｔの板厚ｔを推定する（ステップＳ２１１）。ここで、推定した板厚ｔおよびリフトオフＬを解析装置１に設けられた表示部（図示しない）に表示してもよい。また、推定した板厚ｔおよびリフトオフＬを外部の管理装置に出力してもよい。以上により、本フローチャートの処理を終了する。
【００５８】
以上の本実施形態の解析装置１によれば、解析処理を簡易かつ正確に解析対象の特性を解析することができる。また、本実施形態では、スイープ波を第１コイル１２に印加した結果に応じて、リフトオフ推定周波数ｆLおよび板厚推定周波数ｆtが動的に設定されるため、様々な解析対象に対する解析処理を実現することができる。
【００５９】
また、本実施形態においては、解析処理としてリフトオフおよび板厚を解析する場合を例に説明したが、解析装置１は、解析対象の深さ方向の構造を走査（スキャニング）することもできる。すなわち、スイープ波を第１コイル１２に印加しつつ電圧を検出し、この検出結果と、予め記憶部１６に記憶された正常な（欠陥のない）試験体の参照データとを比較することで、解析対象の内部状態、例えば、空洞、亀裂などの欠陥の有無を検知することができる。
【００６０】
また、本実施形態においては、周波数−ウェーブレット係数関係に基づいて板厚推定周波数ｆtおよびリフトオフ推定周波数ｆLを決定する例を説明した。しかしながら、板厚推定周波数ｆtおよびリフトオフ推定周波数ｆLを使用せずに、検出結果と、参照データとを直接比較することで解析対象の特性を解析してもよい。
【００６１】
また、上記のいくつかの実施形態においては、第１コイル１２に印加する交流電気信号として正弦波またはスイープ波を印加する例を説明したが、２段階の周波数を利用する周波数ステップ波を用いてもよい。また、解析装置１が単一の装置である例を説明したが、解析装置１は複数の装置により構成されるものであってもよい。
【００６２】
以上、本発明を実施するための形態について実施形態を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形および置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  解析装置
１０  制御部
１１  電源部
１２  第１コイル
１３  第２コイル
１４  検出部
１５  演算部
１６  記憶部
【図１】
2018025434.tif 000019
【図２】
2018025434.tif 000020
【図３】
2018025434.tif 000021
【図４】
2018025434.tif 000022
【図５】
2018025434.tif 000023
【図６】
2018025434.tif 000024
【図７】
2018025434.tif 000025
【図８】
2018025434.tif 000026
【図９】
2018025434.tif 000027
【図１０】
2018025434.tif 000028
【図１１】
2018025434.tif 000029
【図１２】
2018025434.tif 000030
【図１３】
2018025434.tif 000031