(57)【要約】【課題】半導体装置において、封止樹脂の剥離を抑制し製品寿命を大きく改善することが可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に配置された金属ブロック２と、金属ブロック２の上面に搭載された半導体素子３と、半導体素子３、金属ブロック２および絶縁基板１を囲むケース１０と、半導体素子３および金属ブロック２を封止する封止樹脂９とを備えている。金属ブロック２における封止樹脂９と接触する面に溝部２ａが設けられ、溝部２ａの開口の幅Ｗ１は、溝部２ａの底面の幅Ｗ２よりも狭い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上面に配置された金属ブロックと、
前記金属ブロックの上面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子、前記金属ブロックおよび前記絶縁基板を囲むケースと、
前記半導体素子および前記金属ブロックを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記金属ブロックにおける前記封止樹脂と接触する面に溝部が設けられ、
前記溝部の開口の幅は、前記溝部の底面の幅よりも狭い、半導体装置。
【請求項２】
前記溝部は、前記金属ブロックにおける前記半導体素子の搭載面に設けられた、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属ブロックは平面視にて矩形形状であり、
前記金属ブロックの４つの側面のうち少なくとも１つの側面の上部は、対向する側面側に傾斜する傾斜状をなす、請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記溝部は、前記金属ブロックにおける前記半導体素子の搭載面から前記金属ブロックの側面に沿って下方に延びる縦溝であり、
前記溝部は、断面視にて台形形状であり、
前記溝部の上底の長さは、前記溝部の下底の長さよりも短い、請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝部は、前記金属ブロックの側面から対向する側面に渡って貫通する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記溝部は複数であり、２つの前記溝部は直交した状態で設けられ、
２つの前記溝部の一方は前記金属ブロックの側面から対向する側面に渡って貫通し、２つの前記溝部の他方は前記金属ブロックの側面側から対向する側面側に渡って貫通しない、請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子は、Ｓｉ、ＳｉＣ、またはＧａＮにより構成された、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発電および送電に関する装置から、効率的なエネルギーの利用および再生に関する装置まであらゆる場面で利用される半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、封止樹脂と、封止樹脂により封止された部品が熱収縮することにより、部品から封止樹脂が剥離するという問題がある。そのため、封止樹脂と、封止樹脂により封止された部品との密着性を確保する技術が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体素子が固着される金属ブロックの表面における半導体素子搭載領域以外の部分に、複数の方形凹部を略等間隔でＸ方向およびＹ方向に配置した半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の技術では、半田の流れ止め効果を向上させることで、半田厚みの安定性をさらに向上させ、かつ、金属ブロックと封止樹脂との密着性を確保している。なお、Ｘ方向とは水平方向における横方向、Ｙ方向とは水平方向における縦方向、Ｚ方向とは鉛直方向をいうものとする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１８６６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の技術では、封止樹脂の剥離対策としてＸ方向およびＹ方向のアンカー効果が作用しているものの、最も剥離対策の必要なＺ方向にはアンカー効果が作用していない。そのため、特許文献１に記載の技術では、製品寿命を大きく改善することはできなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、半導体装置において、封止樹脂の剥離を抑制することで製品寿命を大きく改善することが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配置された金属ブロックと、前記金属ブロックの上面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子、前記金属ブロックおよび前記絶縁基板を囲むケースと、前記半導体素子および前記金属ブロックを封止する封止樹脂とを備え、前記金属ブロックにおける前記封止樹脂と接触する面に溝部が設けられ、前記溝部の開口の幅は、前記溝部の底面の幅よりも狭い。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、金属ブロックにおける封止樹脂と接触する面に溝部が設けられたため、金属ブロックと封止樹脂との接触面積が大きくなり、金属ブロックと封止樹脂との密着性が向上する。これにより、封止樹脂の剥離を抑制することができる。また、溝部の開口の幅は、溝部の底面の幅よりも狭いため、溝部に充填された封止樹脂が剥離しにくくなり、封止樹脂の剥離を一層抑制することができる。これにより、半導体装置の製品寿命を大きく改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】金属ブロックの斜視図である。
【図３】金属ブロックに傾斜部が設けられた場合と傾斜部が設けられていない場合におけるワイヤの長さを説明するための説明図である。
【図４】金属ブロックに溝部が設けられていない場合における樹脂の流動を説明するための説明図である。
【図５】金属ブロックに溝部が設けられた場合における樹脂の流動を説明するための説明図である。
【図６】金属ブロックの別の方向から視た斜視図である。
【図７】実施の形態１の変形例１に係る半導体装置の金属ブロックの斜視図である。
【図８】溝部の拡大図である。
【図９】実施の形態１の変形例２に係る半導体装置の金属ブロックの斜視図である。
【図１０】実施の形態１の変形例３に係る半導体装置の金属ブロックの斜視図である。
【図１１】実施の形態２に係る半導体装置の金属ブロックの斜視図である。
【図１２】溝部の拡大図である。
【図１３】実施の形態３に係る半導体装置の金属ブロックの斜視図である。
【図１４】溝部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【００１１】
図１に示すように、半導体装置は、絶縁基板１、金属ブロック２、半導体素子３、ケース６、電極７ａ，７ｂ、および封止樹脂９を備えている。
【００１２】
絶縁基板１は、ベース板１ａ、絶縁シート１ｂ、および回路パターン１ｃ，１ｄを備えている。ベース板１ａは、例えば銅などの金属により構成されており、高い熱伝導性を有している。絶縁シート１ｂは、ベース板１ａの上面に設けられている。絶縁シート１ｂは、例えばエポキシ樹脂などにより構成されており、高い絶縁性を有している。回路パターン１ｃ，１ｄは、絶縁シート１ｂの上面に設けられている。回路パターン１ｃ，１ｄは、例えば銅などの金属により構成されており、高い熱伝導性を有している。
【００１３】
金属ブロック２は、接合材４ａを介して回路パターン１ｄの上面に配置されている。半導体素子３は、接合材４ｂを介して金属ブロック２の上面に搭載されている。半導体素子３は、例えばＳｉにより構成されている。なお、半導体素子３は、Ｓｉに代えてＳｉＣまたはＧａＮにより構成されていてもよい。
【００１４】
ケース６は、例えば樹脂により構成されている。絶縁基板１はケース６に取り付けられており、ケース６は半導体素子３、金属ブロック２および絶縁基板１を囲んでいる。
【００１５】
電極７ａ，７ｂは、半導体装置の外部との電気的接続のためのものである。電極７ａ，７ｂはケース６に取り付けられており、電極７ａ，７ｂの先端部はケース６から露出している。電極７ａと回路パターン１ｃはワイヤ８ａにより接続され、半導体素子３と回路パターン１ｃはワイヤ８ｂにより接続されている。電極７ｂと回路パターン１ｄは、ワイヤ８ｃにより接続されている。
【００１６】
封止樹脂９は、例えばエポキシ樹脂である。封止樹脂９は、ケース６の内部に充填され、半導体素子３および金属ブロック２を封止している。
【００１７】
次に、図２を用いて、金属ブロック２の詳細について説明する。図２は、金属ブロック２の斜視図である。
【００１８】
図２に示すように、金属ブロック２は、略直方体形状に形成され、平面視にて矩形形状に形成されている。金属ブロック２は、溝部２ａおよび傾斜部２ｂを２つずつ備えている。２つの溝部２ａは、金属ブロック２における封止樹脂９と接触する面に設けられている。より具体的には、２つの溝部２ａは、金属ブロック２における半導体素子３の搭載面である上面に設けられている。２つの溝部２ａは、金属ブロック２の左右両端部にそれぞれ設けられ、かつ、金属ブロック２の前側面から対向する後側面に渡って貫通するように設けられている。
【００１９】
２つの傾斜部２ｂは、金属ブロック２の４つの側面のうち２つの側面の上部に設けられ、対向する側面側に傾斜する傾斜状に形成されている。より具体的には、２つの傾斜部２ｂは、金属ブロック２の左右両端部の上部に設けられ、金属ブロック２の上端部側へ行く程、対向する辺側に行くようにそれぞれ傾斜している。
【００２０】
また、２つの傾斜部２ｂは、２つの溝部２ａの周辺部に設けられている。より具体的には、２つの傾斜部２ｂは、２つの溝部２ａにおける幅方向外側の側壁をそれぞれ形成している。２つの傾斜部２ｂは、２つの溝部２ａに沿って金属ブロック２の左右両端部の上部が対向する辺側にそれぞれ折り曲げられることで、対向する辺側にそれぞれ傾斜するように形成されている。
【００２１】
２つの溝部２ａの周辺部に２つの傾斜部２ｂがそれぞれ設けられたことで、溝部２ａの開口の幅Ｗ１は、溝部２ａの底面の幅Ｗ２よりも狭くなっている。金属ブロック２に溝部２ａが設けられたことにより、溝部２ａが設けられていない場合と比べて、金属ブロック２と封止樹脂９との接触面積が増加する。さらに、図２に示すように、溝部２ａの開口の幅Ｗ１が、溝部２ａの底面の幅Ｗ２よりも狭くなるように形成されたことで、封止樹脂９および金属ブロック２の熱収縮時に封止樹脂９が金属ブロック２から剥離しようとする際にアンカー効果が得られる。
【００２２】
次に、図３を用いて、金属ブロック２に傾斜部２ｂが設けられた場合と傾斜部２ｂが設けられていない場合のワイヤ８ｂの長さについて説明する。図３は、金属ブロック２に傾斜部２ｂが設けられた場合と傾斜部２ｂが設けられていない場合におけるワイヤ８ｂの長さを説明するための説明図である。なお、実線は傾斜部２ｂが設けられた場合を示し、点線は傾斜部２ｂが設けられていない場合を示す。
【００２３】
図３に示すように、絶縁性を保つためにワイヤ８ｂと金属ブロック２との間に一定の距離が必要である。傾斜部２ｂが設けられていない場合、金属ブロック２の上部の角部からワイヤ８ｂを一定の距離だけ離す必要がある。これに対して、上記のように、傾斜部２ｂが設けられた場合は、傾斜部２ｂからワイヤ８ｂを一定の距離だけ離せばよいことがわかる。そのため、傾斜部２ｂが設けられた場合は傾斜部２ｂが設けられていない場合に比べてワイヤ８ｂの長さを短くすることができる。これにより、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００２４】
次に、半導体装置の製造時に発生するボイドの低減について説明する。図４は、金属ブロック５２に溝部が設けられていない場合における樹脂９ａの流動を説明するための説明図である。図５は、金属ブロック２に溝部２ａが設けられた場合における樹脂９ａの流動を説明するための説明図である。なお、樹脂９ａは、封止樹脂９が硬化する前の状態を示すものである。
【００２５】
最初に、金属ブロック５２に溝部が設けられていない場合について説明する。図４に示すように、樹脂９ａが注入されると、金属ブロック５２の上側では、樹脂９ａは半導体素子３の方へ流動する。樹脂９ａの注入時に空気が樹脂９ａ内に入り、この空気が樹脂９ａとともに流動するが、樹脂９ａの流動途中にある半導体素子３および接合材４ｂが障害物となるため、接合材４ｂの周辺部にボイドが残留しやすくなる。封止樹脂９（図１参照）は、元々接合材４ｂから剥離しやすいことからボイド９ｂが接合材４ｂの周辺部にあると、接合材４ｂからの封止樹脂９の剥離が通常よりも早く進行する。そのため、半導体装置の寿命に影響を及ぼす。
【００２６】
また、特許文献１に記載の技術では、半導体装置の製造時に樹脂が方形凹部に流れ込む際に空気の逃げ場がなく、逃げ場のなくなった空気がボイドとして方形凹部に残留する。そのため、製品によって半導体装置の製品寿命にバラツキがあるだけでなく、製品寿命が想定よりも短かった。
【００２７】
これに対して、図５に示すように、金属ブロック２に溝部２ａが設けられた場合、すなわち、半導体素子３および接合材４ｂの周辺部に溝部２ａが設けられた場合は、ボイド９ｂが溝部２ａに残留するため、接合材４ｂの周辺部に残留するボイド９ｂを低減することができる。これにより、半導体装置の製品寿命を大きく改善することができる。
【００２８】
また、図６に示すように、溝部２ａは、金属ブロック２における２つ以上の面、より具体的には、金属ブロック２の前側面と、半導体素子３の搭載面である上面と、後側面とに渡って形成されている。すなわち、溝部２ａは、金属ブロック２の前側面から対向する後側面に渡って貫通するように設けられている。そのため、溝部２ａにおいて樹脂９ａが流動しやすくなり、空気が溝部２ａから金属ブロック２の外部へ排出されやすくなる。これにより、ボイド９ｂの発生を抑制することができる。図６は、金属ブロック２の別の方向から視た斜視図である。
【００２９】
次に、実施の形態１の変形例について説明する。図７は、実施の形態１の変形例１に係る半導体装置の金属ブロック２Ａの斜視図である。図８は、溝部２ｃの拡大図である。
【００３０】
図７と図８に示すように、金属ブロック２Ａには、２つの傾斜部２ｂの前後方向中央部に、鉛直方向に延びる２つの溝部２ｃがそれぞれ設けられている。２つの溝部２ｃは、金属ブロック２における半導体素子３の搭載面から金属ブロック２の左右側面に沿ってそれぞれ下方に延びる縦溝である。図８に示すように、溝部２ｃの開口の幅Ｗ３は、溝部２ｃの底面の幅Ｗ４よりも狭くなるように形成されている。
【００３１】
溝部２ｃが追加されたことで空気の逃げ道ができるため、図２と図６の場合よりもボイドを一層抑制できる。溝部２ｃが追加されたことで、図２と図６の場合よりも金属ブロック２Ａと封止樹脂９との接触面積が増加する。さらに、溝部２ｃによりアンカー効果も得られる。
【００３２】
なお、溝部２ａは２つに限定されることなく、金属ブロック２の左右両端部のいずれか一方にのみ設けられていてもよいし、さらに金属ブロック２の前後両端部のいずれか一方または両方にも設けられていてもよい。また、傾斜部２ｂは２つに限定されることなく、金属ブロック２の４つの側面のうち少なくとも１つの側面の上部に形成されていればよい。
【００３３】
次に、図９と図１０を用いて、４つの溝部２ａが金属ブロックの左右両端部と前後両端部にそれぞれ設けられ、かつ、４つの傾斜部２ｂが金属ブロックの４つの側面にそれぞれ設けられた場合の例を示す。図９は、実施の形態１の変形例２に係る半導体装置の金属ブロック２Ｂの斜視図である。図１０は、実施の形態１の変形例３に係る半導体装置の金属ブロック２Ｃの斜視図である。
【００３４】
図９に示すように、４つの溝部２ａは金属ブロック２Ｂの左右両端部と前後両端部にそれぞれ設けられ、かつ、４つの傾斜部２ｂは金属ブロック２Ｂの４つの側面にそれぞれ設けられている。左右方向に延びる２つの溝部２ａと前後方向に延びる２つの溝部２ａは直交した状態で設けられ、前後方向に延びる２つの溝部２ａは、金属ブロック２Ｂの前側面から対向する後側面に渡って貫通するように設けられている。左右方向に延びる２つの溝部２ａは、左右の傾斜部２ｂの間に設けられており、金属ブロック２Ｂの左側面側から対向する右側面側に渡って貫通しないように設けられている。
【００３５】
溝部２ｃは、前側面および後側面の傾斜部２ｂの左右方向中央部と、左側面および右側面の傾斜部２ｂの前部および後部に設けられている。溝部２ａおよび溝部２ｃの個数が増加することで、図７の場合よりも、ボイドを一層抑制でき、かつ、金属ブロック２Ｂと封止樹脂９との接触面積が増加する。さらに、傾斜部２ｂが設けられたためアンカー効果も得られる。半導体素子３および金属ブロック２Ｂの寸法に余裕があれば本形状を選択することも可能である。
【００３６】
なお、溝部２ａを金属ブロック２Ｂの左右両端部と前後両端部に設ける場合は、金属ブロック２Ｂの角部の強度および金属ブロック２Ｂの作製しやすさを考慮し、図９に示すように、溝部２ａを一方向のみ貫通させることが望ましい。または、図１０に示すように、金属ブロック２Ｃの４つの角部の形状を予め加工しておくことが望ましい。具体的には、金属ブロック２Ｃの４つの角部を予め取り除いておき、４つの角部の位置に溝部２ｃを設けておくことが望ましい。
【００３７】
以上のように、実施の形態１に係る半導体装置では、金属ブロック２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃにおける封止樹脂９と接触する面に溝部２ａが設けられたため、金属ブロック２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃと封止樹脂９との接触面積が大きくなり、金属ブロック２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃと封止樹脂９との密着性が向上する。これにより、封止樹脂９の剥離を抑制することができる。また、溝部２ａの開口の幅Ｗ１は、溝部２ａの底面の幅Ｗ２よりも狭いため、溝部２ａに充填された封止樹脂９が剥離しにくくなり、封止樹脂９の剥離を一層抑制することができる。これにより、半導体装置の製品寿命を大きく改善することができる。
【００３８】
溝部２ａは、金属ブロック２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃにおける半導体素子３の搭載面に設けられた。半導体素子３の周辺部では熱応力が大きくなり、半導体素子３の周辺部において封止樹脂９が剥離しやすくなるが、溝部２ａが半導体素子３の搭載面、すなわち、半導体素子３の周辺部に設けられたことで効果的に封止樹脂９の剥離を低減することができる。
【００３９】
金属ブロック２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃは平面視にて矩形形状であり、金属ブロック２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃの４つの側面のうち少なくとも１つの側面の上部は、対向する側面側に傾斜する傾斜状をなす。したがって、傾斜部２ｂからワイヤ８ｂを一定の距離だけ離せばよいことから、傾斜部２ｂが設けられていない場合と比べて、ワイヤ８ｂの長さを短くすることができる。これにより、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００４０】
溝部２ａは、金属ブロック２Ｂ，２Ｃの側面から対向する側面に渡って貫通するため、溝部２ａにおいて樹脂９ａが流動しやすくなり、空気が溝部２ａから金属ブロック２Ｂ，２Ｃの外部へ排出されやすくなる。これにより、ボイド９ｂの発生を抑制することができる。
【００４１】
溝部２ａは複数であり、２つの溝部２ａは直交した状態で設けられ、２つの溝部２ａの一方は金属ブロック２Ｂの側面から対向する側面に渡って貫通し、２つの溝部２ａの他方は金属ブロック２Ｂの側面側から対向する側面側に渡って貫通しない。直交した状態の溝部の両方を貫通するように設けた場合、金属ブロック２Ｂの厚みが薄くなり金属ブロック２Ｂの強度が低下する可能性があるが、これを回避することで金属ブロック２Ｂを安定して製作することができる。
【００４２】
半導体素子３は、Ｓｉ、ＳｉＣ、またはＧａＮにより構成されたため、半導体装置は種々の半導体素子を採用可能である。また、半導体素子３がＳｉＣにより構成された場合、半導体装置の動作温度範囲が従来と比べて高くなり、さらに熱応力が増大するため、封止樹脂９が剥離しやすくなるが、効果的に封止樹脂９の剥離を低減することができる。
【００４３】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置について説明する。図１１は、実施の形態２に係る半導体装置の金属ブロック２２の斜視図である。図１２は、溝部２２ａの拡大図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４４】
実施の形態２は、金属ブロックの厚みが確保することができず、上記のような加工が難しい場合の例である。図１１と図１２に示すように、金属ブロック２２は、略直方体形状に形成され、平面視にて矩形形状に形成されている。金属ブロック２２は、複数の溝部２２ａおよび４つの傾斜部２２ｂを備えている。
【００４５】
４つの傾斜部２２ｂは、金属ブロック２２の４つの側面の上部にそれぞれ設けられ、対向する側面側に傾斜する傾斜状に形成されている。より具体的には、４つの傾斜部２２ｂは、金属ブロック２２の前後両端部および左右両端部の上部にそれぞれ設けられている。前後の２つの傾斜部２２ｂは、金属ブロック２２の上端部側へ行く程、対向する辺側に行くようにそれぞれ傾斜している。左右の２つの傾斜部２２ｂは、金属ブロック２２の上端部側へ行く程、対向する辺側に行くようにそれぞれ傾斜している。
【００４６】
複数の溝部２２ａは、金属ブロック２２における封止樹脂９と接触する面に設けられている。より具体的には、複数の溝部２２ａは、金属ブロック２２における半導体素子３の搭載面である上面に設けられている。複数の溝部２２ａは、金属ブロック２２における半導体素子３の搭載面から金属ブロック２２の前後左右側面に沿ってそれぞれ下方に延びる縦溝である。
【００４７】
図１２に示すように、溝部２２ａは、断面視にて台形形状に形成され、溝部２２ａの上底の長さＷ５は、溝部２２ａの下底の長さＷ６よりも短くなるように形成されている。金属ブロック２２に溝部２２ａが設けられたことにより、溝部２２ａが設けられていない場合と比べて、金属ブロック２２と封止樹脂９との接触面積が増加する。さらに、溝部２２ａの上底の長さＷ５は、溝部２２ａの下底の長さＷ６よりも短くなるように形成されたことで、封止樹脂９および金属ブロック２２の熱収縮時に封止樹脂９が金属ブロック２２から剥離しようとする際にアンカー効果が得られる。また、傾斜部２２ｂが設けられたことで傾斜部２２ｂが設けられていない場合に比べてワイヤ８ｂの長さを短くすることができる。これにより、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００４８】
以上のように、実施の形態２に係る半導体装置では、溝部２２ａは、金属ブロック２２における半導体素子３の搭載面から金属ブロック２２の側面に沿って下方に延びる縦溝であり、溝部２２ａは、断面視にて台形形状であり、溝部２２ａの上底の長さは、溝部２２ａの下底の長さよりも短い。
【００４９】
したがって、金属ブロック２２の厚みが薄いまたは半導体素子３と金属ブロック２２との外径寸法が近似しているため水平方向に延びる溝部を形成することが難しい場合、省スペースでアンカー効果が得られる金属ブロック２２の形状を形成することができる。
【００５０】
＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体装置について説明する。図１３は、実施の形態３に係る半導体装置の金属ブロック３２の斜視図である。図１４は、溝部３２ａの拡大図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００５１】
実施の形態３は、封止樹脂９と金属ブロックとの密着力を向上させるためにアンカー形状を一辺につき二箇所設けた場合の例である。図１３と図１４に示すように、金属ブロック３２は、略直方体形状に形成され、平面視にて矩形形状に形成されている。金属ブロック３２は、４つの溝部３２ａ、４つの台形部３２ｂ、４つの溝部３２ｃ、および４つの隙間３２ｄを備えている。
【００５２】
４つの台形部３２ｂは、上底の長さが下底の長さよりも長い台形形状に形成され、金属ブロック３２の上端部の周縁部よりも半導体素子３の搭載面側にそれぞれ設けられている。４つの台形部３２ｂの両側面は、下端部側へ行く程、対向する側面側に行くようにそれぞれ傾斜している。４つの溝部３２ａは、金属ブロック３２における半導体素子３の搭載面と４つの台形部３２ｂとの間にそれぞれ設けられている。
【００５３】
左右方向に延びる溝部３２ａと前後方向に延びる溝部３２ａは直交した状態で設けられ、左右方向に延びる溝部３２ａは金属ブロック３２の側面から対向する側面に渡って貫通するように設けられ、前後方向に延びる溝部３２ａは金属ブロック３２の側面側から対向する側面側に渡って貫通しないように設けられている。
【００５４】
４つの溝部３２ｃは、４つの台形部３２ｂの中央部にそれぞれ設けられている。また、４つの隙間３２ｄは、金属ブロック３２の上端部の周縁部と４つの台形部３２ｂとの間にそれぞれ設けられている。
【００５５】
図１４に示すように、溝部３２ａの開口の幅Ｗ７は、溝部３２ａの底面の幅Ｗ８よりも狭くなるように形成されている。また、台形部３２ｂの高さ位置は、半導体素子３の搭載面の高さ位置よりも低くなるように形成されている。これにより、ワイヤ８ｂの長さを短くすることができるため、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００５６】
以上のように、実施の形態３に係る半導体装置では、金属ブロック３２の一辺につきアンカー形状を二箇所、すなわち、辺方向に延びる溝部３２ａと隙間３２ｄとを設けたため、封止樹脂９と金属ブロック３２との密着力をさらに向上させることができる。
【００５７】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１  絶縁基板、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ  金属ブロック、２ａ  溝部、３  半導体素子、６  ケース、９  封止樹脂、２２  金属ブロック、２２ａ  溝部、３２  金属ブロック、３２ａ  溝部。
【図１】
2018157004.tif 000003
【図２】
2018157004.tif 000004
【図３】
2018157004.tif 000005
【図４】
2018157004.tif 000006
【図５】
2018157004.tif 000007
【図６】
2018157004.tif 000008
【図７】
2018157004.tif 000009
【図８】
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【図９】
2018157004.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2018157004.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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