(57)【要約】【課題】型と基板の位置決め精度と装置のスループットの両立に有利な技術を提供する。【解決手段】型を用いて基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置が提供される。インプリント装置は、基板を保持して移動可能な基板保持部と、案内面に向けて気体を噴出することにより、基板保持部を案内面に対して非接触で支持する静圧軸受と、静圧軸受が噴出する気体の圧力を調整する調整部とを有し、調整部は、被処理領域と型とが対向した後かつ型と被処理領域との位置合わせが完了するまでの間に気体の圧力を低下させる。【選択図】  図５
2018041811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動可能な基板保持部と、
案内面に向けて気体を噴出することにより、前記基板保持部を前記案内面に対して非接触で支持する静圧軸受と、
前記静圧軸受が噴出する気体の圧力を調整する調整部と、
を有し、
前記調整部は、前記被処理領域と前記型とが対向した後かつ前記型と前記被処理領域との位置合わせが完了するまでの間に前記気体の圧力を低下させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記基板保持部を搭載する定盤と、
前記定盤の上面によって構成される第１案内面の上を、前記第１案内面と直交する第２案内面に沿って前記基板保持部を移動させる第１スライダと、
前記第１スライダによって案内されながら、前記第１案内面と前記第２案内面とに直交する、前記第１スライダの側面によって構成される第３案内面に沿って前記基板保持部を移動させる第２スライダと、
を更に有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記静圧軸受は、前記第２案内面又は前記第３案内面に向けて気体を噴出する静圧軸受を含み、前記調整部は、該静圧軸受が前記第２案内面又は前記第３案内面に向けて噴出する気体の圧力を調整することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記インプリント材を前記基板に供給する供給部を更に有し、
前記第２案内面は、前記基板保持部が前記供給部と対向する位置から前記型と対向する位置に向かう方向に沿って設けられ、
前記静圧軸受は、前記第３案内面に向けて気体を噴出する静圧軸受を含み、前記調整部は、該静圧軸受が前記第３案内面に向けて噴出する気体の圧力を調整する
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記静圧軸受は、
前記第１案内面に向けて気体を噴出することにより、前記第１スライダを前記第１案内面に対して非接触で支持する第１静圧軸受と、
前記第２案内面に向けて気体を噴出することにより、前記第１スライダを前記第２案内面に対して非接触で支持する第２静圧軸受と、
前記第３案内面に向けて気体を噴出することにより、前記第２スライダを前記第３案内面に対して非接触で支持する第３静圧軸受と、
前記第１案内面に向けて気体を噴出することにより、前記第２スライダを前記第１案内面に対して非接触で支持する第４静圧軸受と、
を含み、
前記調整部は、前記被処理領域と前記型とが対向した後かつ前記型と前記被処理領域との位置合わせが完了するまでの間に、前記第１乃至第４静圧軸受の少なくともいずれかにおける前記気体の圧力を低下させることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記圧力を低下させたことによる前記静圧軸受による浮上位置のオフセットに基づいて、前記位置合わせのための位置の指令値を補正する補正部を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記オフセットを計測するオフセット計測部を更に有することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記位置合わせが完了した後に、前記インプリント材を硬化させる硬化部を更に有し、
前記調整部は、前記硬化部による前記インプリント材の硬化が完了した後、前記低下された圧力を増加させる
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記圧力を検出する圧力センサと、
前記圧力センサを用いて前記圧力の低下を確認してから前記位置合わせを行う制御部と、
を更に有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記型と前記基板の上のインプリント材との間に加わる荷重を検出するロードセルを更に有し、
前記調整部は、前記ロードセルを用いて前記型と前記基板の上のインプリント材との接触が確認されてから前記圧力を低下させる
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記静圧軸受の振動量を計測する振動量計測部を更に有し、
前記調整部は、前記振動量計測部により計測された振動量が許容値を超えている場合に、前記圧力を低下させる
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記調整部は、前記振動量計測部により計測された振動量が前記許容値を超えている場合、前記振動量計測部により計測される前記振動量が前記許容値以下となるまで前記圧力を段階的に低下させる
ことを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、及び物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ技術の一つとして、型（モールド）を基板上のインプリント材に接触させることでパターンを形成するインプリント装置が実用化されつつある。
【０００３】
インプリント装置では、型と基板の位置決め精度の向上が求められている。特許文献１は、基板を露光して該基板にパターンを転写する露光装置におけるステージ装置に係り、ステージの移動状態（加速度）に応じてエアパッドの供給圧力を調整する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０６６５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、空圧系統には応答遅れが生じる。特許文献１に開示されるような露光装置においては加減速動作時間が非常に短いので、このような応答遅れによって供給圧力の切り替えが間に合わない可能性がある。そのため、加減速動作時間を延ばす必要があり、スループットの向上が難しいという問題がある。また、特許文献１の技術では、エアパッドの微小振動の改善のためにエアパッドの供給圧力を大幅に落とす結果、エアパッドの剛性が低下してサーボの帯域が低下し、位置決め偏差が大きくなるという問題がある。
【０００６】
本発明は、例えば、型と基板の位置決め精度と装置のスループットの両立に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、型を基板の上のインプリント材に接触させて前記基板の上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、案内面を有する定盤と、前記基板保持部を支持し前記案内面に沿って移動することによって前記基板保持部を移動させることが可能な可動部と、前記可動部と前記案内面との間に加圧気体を噴出し、該加圧気体により前記可動部を前記案内面に対して非接触で支持する静圧軸受と、前記加圧気体の圧力を調整する調整部と、制御部とを有し、前記制御部は、前記基板のショット領域の上に供給されたインプリント材と前記型とを接触させた後に、前記ショット領域と前記型との位置合わせを行うように構成され、前記制御部は、前記ショット領域が前記接触が行われる前記型の下に位置するように前記基板保持部を移動させた後、前記位置合わせが完了するまでの間のタイミングで、前記加圧気体の圧力を低下させるよう前記調整部を制御することを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、型と基板の位置決め精度と装置のスループットの両立に有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】実施形態における基板ステージ装置の制御系の構成を示す図。
【図３】実施形態における基板ステージ装置の構成を示す平面図。
【図４】実施形態における基板ステージ装置の構成を示す下面図。
【図５】実施形態における基板ステージ装置の構成を示す断面図。
【図６】実施形態における基板ステージ装置の静圧軸受の圧力制御系の変形例を示す図。
【図７】インプリント処理におけるエアパッドの圧力制御の例を説明するフローチャート。
【図８】インプリント処理におけるエアパッドの圧力制御の変形例を説明するフローチャート。
【図９】インプリント処理におけるエアパッドの圧力制御の変形例を説明するフローチャート。
【図１０】インプリント処理におけるエアパッドの圧力制御の変形例を説明するフローチャート。
【図１１】インプリント処理におけるエアパッドの圧力制御の変形例を説明するフローチャート。
【図１２】インプリント処理におけるエアパッドの圧力制御の変形例を説明するフローチャート。
【図１３】インプリント処理におけるエアパッドの圧力制御の変形例を説明するフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１１】
以下、本実施形態に係るインプリント装置について説明する。インプリント装置は、基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成する装置である。より具体的には、インプリント装置は、基板上に配置されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。インプリント材は、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂とも呼ばれうる）でありうる。硬化用のエネルギーは、電磁波または熱等でありうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光（赤外線、可視光線、紫外線など）でありうる。
【００１２】
硬化性組成物は、電磁波または熱等の硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて、更に非重合性化合物または溶剤を含有しうる。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種でありうる。
【００１３】
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与されうる。或いは、インプリント材は、液体噴射ヘッドにより、液滴状態で、または、複数の液滴が繋がってできた島状態又は膜状態で基板の上に供給されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。
【００１４】
基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体または樹脂等で構成される部材でありうる。必要に応じて、該部材の表面に該部材とは別の材料からなる層が形成されていてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、または、石英ガラスプレートなどである。
【００１５】
図１に、本実施形態におけるインプリント装置ＩＭＰの構成例を示す。インプリント装置ＩＭＰの本体構造体１は、複数（典型的には、３又は４）の除振部２を介して床の上に設置される。基板３は、基板ステージ装置１４における基板チャック２８ｂの上に置かれる。基板３は、その表面が水平面（ＸＹ平面）に平行になるように基板チャック２８ｂの上に置かれる。基板ステージ装置１４は、基板３のロードおよびアンロードを行うための基板交換位置や、基板３の上にインプリント材を配置するための滴下位置に基板３を移動させるために十分なストロークをＸ軸およびＹ軸に関して有しうる。
【００１６】
基板を保持する基板保持部２８は、天板２８ａと、天板２８ａの上に搭載された上記した基板チャック２８ｂとを含みうる。基板ステージ装置１４は、定盤１３と、定盤１３の上に配置されＸ方向に移動するＸスライダ１２（第１スライダ）と、Ｘスライダ１２によって案内されながらＹ方向に移動可能なＹスライダ４（第２スライダ）とを含みうる。基板保持部２８は、Ｙスライダ４の上に搭載され、Ｘスライダ１２とＹスライダ４によって定盤１３の上を移動可能である。天板２８ａ（ＸＹθステージ）とＸスライダ１２の位置は、例えば、Ｘスライダ１２とともに移動する検出ヘッド１５と、定盤１３上に設けられたスケール１６とを含むリニアエンコーダのような計測器ＭＤによって計測される。Ｙスライダ４の位置も計測器ＭＤによって同様に計測されるが、図１にはＹスライダ４の位置を計測する構成が表れていないため、計測器ＭＤの構成については図３を参照して後述することする。なお、上記したリニアエンコーダに代えて、レーザヘッドと基板ステージ装置１４の可動体（例えば、Ｙスライダ４）に設けられたミラーとによって構成されうるレーザ干渉計が設けられてもよい。
【００１７】
インプリント材は、供給部７によって基板３のショット領域の上に供給（配置）されうる。インプリント材は、インプリント装置ＩＭＰの外部装置によって基板３のショット領域の上に供給されてもよい。本実施形態に係るインプリント装置ＩＭＰは、一回のインプリント処理あたりの被処理領域としての１つのショット領域上にパターンを形成する。当該被処理領域が複数のショット領域を含んでいてもよい。インプリント処理は、基板の上のインプリント材に型であるモールド８を接触させる動作および硬化したインプリント材からモールド８を分離する動作を含みうる。
【００１８】
インプリント装置ＩＭＰは、モールド８を駆動するインプリントヘッド９を備えうる。型保持部であるインプリントヘッド９は、モールド８を保持し、モールド８を複数の軸（例えば、Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸，θＸ軸，θＹ軸，θＺ軸の６軸。）について駆動するように構成されうる。とりわけ、インプリントヘッド９は、モールド８をＺ軸に関して駆動（すなわち基板３に対して下降および上昇）することができる。これによって、基板３の上のインプリント材へのモールド８の接触、および、基板３の上の硬化したインプリント材からのモールド８の分離を制御することができる。
【００１９】
インプリント装置ＩＭＰは、インプリントヘッド９における、モールド８を保持する部分の近傍に、モールド８と基板３の上のインプリント材との間に加わる荷重を計測するロードセル８１を備えうる。また、インプリント装置ＩＭＰは、インプリントヘッド９の近傍に、ＸＹ方向におけるモールド８の変位を検出するセンサ６を備えうる。さらに、インプリント装置ＩＭＰは、モールド８と基板３のショット領域とのＸ方向およびＹ方向の相対位置を検出するアライメント検出器１０を備えうる。リソグラフィ装置によって層が形成された基板３は、アライメントマークを有する。アライメント検出器１０は、基板３のアライメントマークとモールド８のアライメントマークとを用いて基板３のショット領域とモールド８との相対位置を検出するように構成されうる。
【００２０】
インプリント装置ＩＭＰは、インプリント材を硬化させるエネルギーをインプリント材に供給する硬化部１１を備えうる。硬化部１１は、基板３の上のインプリント材にモールド８を接触させ、モールド８の凹凸パターンの凹部にインプリント材が充填された後に、インプリント材を硬化させるエネルギーをインプリント材に供給する。
【００２１】
図２は、基板ステージ装置１４の制御系ＣＳの構成を示す図である。インプリント装置ＩＭＰの動作と併せて制御系ＣＳの動作を説明する。天板２８ａの位置（Ｙスライダ４または基板３の位置として考えることもできる）の制御は、ステージ制御部２０によって行われうる。ステージ制御部２０は、主制御部１９から送られてくるステージ位置（天板２８ａの位置）の指令値と計測器ＭＤによるステージ位置の計測結果との偏差に基づいて基板ステージ装置１４を制御するフィードバック制御系を構成しうる。
【００２２】
まず、主制御部１９は、基板交換位置を示すステージ位置の指令値をステージ制御部２０に供給し、ステージ制御部２０は、この指令値および計測器ＭＤから供給されるステージ位置の計測結果に基づいて、天板２８ａを移動させる。基板交換位置では、不図示の搬送機構により基板３が天板２８ａの上の基板チャック２８ｂに搭載される。この際、搬送機構の位置決め精度により、基板３は、基板チャック２８ｂの上に、Ｘ軸、Ｙ軸およびθＺ軸に関して誤差を持って配置されうる。この誤差は、天板２８ａ上に設けられた不図示の基準マークと基板３のアライメントマークとの相対位置をアライメント検出器１０によって検出することよって計測されうる。
【００２３】
アライメント検出器１０によって計測された誤差は、ステージ位置補正部１７に送られる。ステージ位置補正部１７は、この誤差をオフセット値としてステージ制御部２０に提供する。ステージ制御部２０は、主制御部１９からのステージ位置の指令値をオフセット値によって補正することにより、前述の誤差が相殺されうる。このような動作に代えて、アライメント検出器１０によって計測された誤差に基づいてインプリントヘッド９にモールド８の位置を調整させてもよい。また、アライメント検出器１０によって計測された誤差に基づいて、ステージ制御部２０による天板２８ａの制御とインプリントヘッド９によるモールド８の制御の双方によって該誤差が相殺されてもよい。
【００２４】
次いで、主制御部１９は、ステージ制御部２０を介して、基板３のショット領域が供給部７の下に位置するように基板ステージ装置１４を制御し、ショット領域の上にインプリント材が供給されるように供給部７を制御する。次いで、主制御部１９は、ステージ制御部２０を介して、ショット領域がモールド８と対向するように基板ステージ装置１４を制御し、ショット領域上のインプリント材にモールド８が接触するようにインプリントヘッド９を制御する。ここで、一例においては、基板３の上面とモールド８のパターン面との間隙を１μｍ以下とすることによって、基板３の上のインプリント材とモールド８とが接触し、パターン面の凹凸パターンの凹部にインプリント材が充填される。
【００２５】
ここで、基板３の上のインプリント材とモールド８のパターン面とが接触した直後においては、モールド８と基板３のショット領域との間のＸＹ平面内の相対的な位置ずれが大きい。この位置ずれをアライメント検出器１０で計測し、その計測結果に基づいて、ステージ位置補正部１７およびステージ制御部２０を介して基板ステージ装置１４が制御される。このような動作を繰り返すことによって、モールド８と基板３のショット領域との間のＸＹ平面内の相対的な位置ずれが許容範囲内に収まりうる。このような動作に代えて、アライメント検出器１０によって計測された誤差に基づいて、ＸＹ平面内の相対的な位置ずれが小さくなるように、インプリントヘッド９にモールド８の位置を調整させてもよい。また、アライメント検出器１０によって計測された誤差に基づいて、ステージ制御部２０による天板２８ａの制御とインプリントヘッド９によるモールド８の制御の双方によってＸＹ平面内の相対的な位置ずれが制御されてもよい。
【００２６】
モールド８と基板３のショット領域との間の相対的な位置ずれが許容範囲内に収まった後、主制御部１９は、硬化用のエネルギーがインプリント材に供給されるように硬化部１１を制御する。これによりインプリント材が硬化する。その後、主制御部１９は、硬化したインプリント材からモールド８が分離されるようにインプリントヘッド９を制御する。
【００２７】
図３〜図５に、基板ステージ装置１４の具体的な構成例を示す。図３は基板ステージ装置１４の平面図、図４は図３における可動部ＭＰの下面図、図５は図３におけるＡ−Ａ線に沿う可動部ＭＰの断面である。基板ステージ装置１４は、基板３の位置決めを行う位置決め装置として構成されている。基板ステージ装置１４は、定盤１３の上面によって構成される第１案内面ＢＰＧＳの上で可動部ＭＰを移動させるように構成されている。可動部ＭＰは、基板保持部２８を支持し第１案内面ＢＰＧＳに沿って移動することによって基板保持部２８を移動させることを可能にしている。第１案内面ＢＰＧＳは、互いに直交するＸ方向およびＹ方向に平行な面（ＸＹ面に平行な面）である。定盤１３は、例えば、封孔処理されたグラナイト定盤、または、ケイ素鋼板にセラミック溶射やめっきを施して構成された定盤でありうる。
【００２８】
基板ステージ装置１４は、Ｙ方向における可動部ＭＰの位置を拘束するガイドＧを備える。ガイドＧは、定盤１３に形成された、第１案内面ＢＰＧＳに垂直かつＸ方向に平行な第２案内面２６を含みうる。なお、ガイドＧは、定盤１３とは別体で構成され、定盤１３に固定されたものであってもよい。
【００２９】
可動部ＭＰは、Ｘ可動体２２と、Ｘスライダ１２と、Ｙスライダ４とを含む。Ｘ可動体２２は、ガイドＧ（第２案内面２６）によって案内されながらＸ方向（第１方向）に移動可能である。基板ステージ装置１４は、可動部ＭＰにおけるＸスライダ１２及びＹスライダ４と第１案内面ＢＰＧＳ及び第２案内面２６との間に加圧気体を噴出する、以下で説明する複数種類のエアパッドを有する。これらのエアパッドは、案内面に向けて気体を噴出することにより、基板保持部２８を案内面に対して非接触で支持する静圧軸受として機能する。Ｘスライダ１２は、定盤１３の第１案内面ＢＰＧＳに向けて気体を噴出する第１静圧軸受を構成するＸ底エアパッド３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄによって、第１案内面ＢＰＧＳに対して非接触で支持される。Ｘスライダ１２の第１端（＋Ｙ方向側の端部）は、回転軸受２３を介してＸ可動体２２に接続されている。Ｘ可動体２２は、第２案内面２６に向けて気体を噴出する第２静圧軸受を構成するＸ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃによって、ガイドＧ（第２案内面２６）によって案内されうる。つまり、Ｘ可動体２２は、ガイドＧ（第２案内面２６）に対して非接触で、ガイドＧ（第２案内面２６）によって案内されうる。したがって、Ｘスライダ１２は、定盤１３の第１案内面ＢＰＧＳの上を、第２案内面２６に沿って移動しうる。Ｙスライダ４は、Ｘスライダ１２によって案内されながら第１端と第２端（−Ｙ方向側の端部）との間の所定範囲内でＹ方向（第１方向に直交する第２方向）に移動可能である。Ｙスライダ４については図５を参照して後ほど説明する。
【００３０】
基板ステージ装置１４は、可動部ＭＰを駆動する駆動部ＤＰを備える。駆動部ＤＰは、Ｘスライダ１２の第１端をＸ方向に駆動する第１駆動部ＤＰ１と、Ｘスライダ１２の第２端をＸ方向に駆動する第２駆動部ＤＰ１とを含む。第１駆動部ＤＰ１は、例えば、リニアモータで構成されうる。より具体的には、第１駆動部ＤＰ１は、第１可動子２４Ｒおよび第１固定子２５Ｒを含むリニアモータで構成されうる。第１可動子２４Ｒは、Ｘスライダ１２の第１端に接続され、第１固定子２５Ｒは、定盤１３の側面に接続されうる。ガイドＧの第２案内面２６は、第１固定子２５ＲとＸ可動体２２との間に配置されうる。換言すると、第１固定子２５Ｌは、可動部ＭＰから見て第２案内面２６の外側に配置される。このような構成は、熱源となりうる第１固定子２５Ｒを可動部ＭＰ、特に、基板３を保持したＹスライダ４（天板２８ａ）から遠ざけ、基板３への熱の影響を低減するために有利である。
【００３１】
第２駆動部ＤＰ２は、例えば、リニアモータで構成されうる。より具体的には、第２駆動部ＤＰ２は、第２可動子２４Ｌおよび第２固定子２５Ｌを含むリニアモータで構成されうる。第２可動子２４Ｌは、Ｘスライダ１２の第２端に接続され、第２固定子２５Ｌは、定盤１３の側面に接続されうる。Ｘスライダ１２の第２端の側には、該第２端のＹ方向における位置を拘束するガイドが存在しない。よって、第２固定子２５ＬとＸスライダ１２の第２端との距離は、回転軸受２３の回転軸を中心としてＸスライダ１２が回動することに応じて変化する。このような構成は、Ｙスライダ４の上にθＺステージを配置する構成などに比べて単純な構成で、θＺ軸の関するストロークを大きくするために有利である。
【００３２】
ステージ位置の計測を行う計測器ＭＤは、第１計測器ＭＤ１と、第２計測器ＭＤ２と、第３計測器ＭＤ３とを含む。Ｘ方向におけるＸスライダ１２の第１端の位置は、第１計測器ＭＤ１によって計測されうる。第１計測器ＭＤ１は、例えば、Ｘスライダ１２の第１端とともに移動する検出ヘッド１５Ｒと、定盤１３に設置されたスケール１６Ｒとで構成される第１リニアエンコーダでありうる。Ｘ方向におけるＸスライダ１２の第２端の位置は、第２計測器ＭＤ２によって計測されうる。第２計測器ＭＤ２は、例えば、Ｘスライダ１２の第２端とともに移動する検出ヘッド１５Ｌと、定盤１３に設置されたスケール１６Ｌとで構成される第２リニアエンコーダでありうる。また、Ｙ方向におけるＹスライダ４の位置は、第３計測器ＭＤ３によって計測されうる。第３計測器ＭＤ３は、例えば、Ｙスライダ４に配置された検出ヘッド４１と、Ｘスライダ１２の上面に配置されたスケール４０とで構成される第３リニアエンコーダでありうる。
【００３３】
Ｘスライダ１２は、回転軸受２３の回転軸を中心として定盤１３の第１案内面ＢＰＧＳの上で回動することができる。Ｘスライダ１２の回動量は、第１計測器ＭＤ１および第２計測器ＭＤ２による計測結果に基づいて計算することができる。Ｙスライダ４は、Ｘスライダ１２に設けられた案内面によって案内されながらＹ方向に移動することができる。Ｙスライダ４は、リニアモータのアクチュエータによってＹ方向に駆動されうる。Ｙスライダ４、及び、基板保持部２８によって保持された基板３は、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸に関して位置決めされうる。
【００３４】
図５に例示されているように、Ｙスライダ４は、Ｘスライダ１２を部分的に囲包するように配置されている。換言すると、Ｘスライダ１２は、Ｙスライダ４を貫通するように配置されている。Ｙスライダ４の側壁内面には、第３静圧軸受を構成するＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃが対向して配置されている。これによりＹスライダ４は、第１案内面ＢＰＧＳと第２案内面２６とに直交する、Ｘスライダ１２の側面で構成される第３案内面２７に沿って、非接触で案内される。Ｙスライダ４の底には、第４静圧軸受を構成するＹ底エアパッド２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄが配置され、これによりＹスライダ４は、定盤１３の第１案内面ＢＰＧＳによって非接触で支持および案内される。
【００３５】
したがって、基板３は、基板保持部２８、Ｙスライダ４、Ｙ底エアパッド２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄを介して、定盤１３によって支持される。Ｙスライダ４の下面には、予圧マグネット３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄが配置されている。予圧マグネット３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、Ｙ底エアパッド２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄを挟むように配置されている。予圧マグネット３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄによるＺ方向への吸着力は、第１案内面ＢＰＧＳとＹスライダ４の底面との間に、所定のギャップが確保されるように決定されている。定盤１３の第１案内面ＢＰＧＳおよびガイドＧの第２案内面２６は、この実施形態のように、予圧マグネットによって予圧を発生させる場合は、例えばケイ素鋼によって構成されうる。予圧機構としては、予圧マグネットに代えて、排気によってＺ軸方向に吸引力を働かせるバキューム機構が採用されてもよい。また、Ｘスライダ１２には、Ｙスライダ４をＹ方向に駆動する推力を発生するリニアモータコイル３９が設置され、Ｙスライダ４の内部には、可動マグネット４２が配置されている。
【００３６】
Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃのための予圧機構としては、予圧マグネット３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄが採用されうる。Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃが発生する圧力は、例えば０．３〜０．４ＭＰａのように高圧になる場合が多い。そのため、予圧マグネット３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄをＸ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃの内側に配置するとＸ可動体２２に反りが発生し、端部において第２案内面２６とＸ可動体２２とのギャップが広がり、パッド面が不均一な圧力分布となりうる。これによって、圧力が不安定になり振動を引き起こし、位置決め精度が低下しうる。そこで、Ｘ可動体２２のＸ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃの外側に予圧マグネット３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄを配置することが好ましい。これにより、第２案内面２６とＸ可動体２２とのギャップを均一にすることができるので、振動が低減され、位置決め精度が向上しうる。
【００３７】
次に、静圧軸受（エアパッド）の供給圧力の制御について説明する。上述したように、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃは、Ｘスライダ１２を挟むように対向して配置されている（両側拘束式エアパッド）。Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃから供給される加圧気体を低圧にすると、Ｙスライダ４のＸ方向への微小振動は低減するが、剛性は低下する。しかし、インプリント時にモールド８と基板保持部２８上の基板３とがインプリント材を介して接触することにより、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃの微小振動は低減しうる。このため、インプリント材が存在しない露光装置と比較して供給圧力の下げ幅を小さくできるため、剛性低下の影響も低減できる。
【００３８】
図５において、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃは、配管３３を介して調整部５１に接続されている。調整部５１は、Ｙスライダ４、Ｘスライダ１２、定盤１３のいずれかに配置されうる。調整部５１がＹスライダ４上に配置される場合は、配管３３はＹスライダ４に固定されうる。調整部５１がＸスライダ１２又は定盤１３に配置される場合は、配管３３はＹ方向への可動配管又はＸ方向への可動配管を含むことになる。調整部５１は例えば電動比例レギュレータを含み、加圧気体発生源であるコンプレッサ５３から供給される気体の圧力を、主制御部１９から圧力制御部５２を介して指定された値に変更することができる。また、配管３３には配管３３内の加圧気体の圧力を検出する圧力センサ５５が設けられている。主制御部１９は、圧力制御部５２を介して、圧力センサ５５の出力値によりエアパッドの圧力を計測することができる。図５の構成によれば、調整部５１と圧力制御部５２によりＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃから供給される加圧気体の圧力を任意に変更することが可能である。
【００３９】
図６には、図５に示された圧力制御系の変形例が示されている。図６において、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃは、配管３３を介して調整部６１に接続されている。調整部６１には、第１圧力に設定された第１レギュレータ６２と、第１圧力より高い第２圧力に設定された第２レギュレータ６３とが接続されている。調整部６１、第１レギュレータ６２、第２レギュレータ６３は、Ｙスライダ４、Ｘスライダ１２、定盤１３のいずれかに配置されうる。調整部６１は例えば電磁弁を含み、圧力制御部５２により第１レギュレータ６２又は第２レギュレータ６３のいずれかを配管３３に連通させることで、低圧又は高圧の加圧気体をＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃに供給することができる。図６の構成によれば、調整部６１と圧力制御部５２によりＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃから供給される加圧気体の圧力を高圧もしくは低圧のいずれかに変更することが可能である。
【００４０】
図５に例示された構成では、高圧、低圧のみではなく任意に圧力を変更可能なので、微小振動を低減するための圧力設定、あるいは剛性を向上させるための圧力設定を、多段階に行うことができる。一方、図６に例示された構成では、高圧、低圧の２段階のみの圧力変更が可能となっている。しかしこの構成によれば、流路切り替え動作のみでＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃに供給する気体の圧力を変更することができるので、より高速に圧力を変更することが可能になる。
【００４１】
なお、第１レギュレータ６２及び第２レギュレータ６３は、手動レギュレータでもよいし、電動比例レギュレータでもよい。電動比例レギュレータを用いる場合、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃに供給していない方の電動比例レギュレータを予め所定の圧力に変更しておき、その後、調整部６１で切り替えを行うようにするとよい。これにより、調整部６１の切り替え動作と同時に当該所定の圧力で加圧気体を供給することができ、高速に圧力を変更することが可能になる。
【００４２】
Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃ、Ｘ底エアパッド３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ、及びＹ底エアパッド２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄ）は、エアパッドの負荷容量を予圧磁石にて吸引力とつりあわせて案内する方式である（片側拘束式エアパッド）。したがって、これら３種類のエアパッドのおいては、供給圧力を低圧に切り替えることにより浮上量が減るため、エアパッドの流量が減り、エアパッドの微小振動が低減されうる。そして流量が減ることにより浮上量も減るため、エアパッドの剛性は圧力を低圧に切り替える前と比較し、さほど変化しない。したがって、片側拘束式エアパッドでは、圧力を落とすことにより、剛性を低下させずに微小振動を低減できる。
【００４３】
なお、ステージの姿勢誤差および位置誤差に応じて必要なエアパッドのみ圧力を調整する構成を採用してもよい。また、片側拘束式エアパッドの場合、浮上位置のオフセットは、事前に測定しておくとよい。あるいは、計測器ＭＤをオフセット計測部として用い、浮上位置のオフセットを計測し、アライメント検出器１０を用いた基板３とモールド８との位置合わせの際に、ステージ位置の指令値を該オフセットで補正してもよい。
【００４４】
次に、図７のフローチャートを参照して、実施形態におけるインプリント装置におけるインプリント処理の動作フローを説明する。
【００４５】
工程１において、主制御部１９は、ステージ制御部２０を介して、基板保持部２８を基板交換位置に移動させる。基板交換位置では、不図示の搬送機構により基板３が基板チャック２８ｂに搭載される。この際、搬送機構の位置決め精度により、基板３は、基板チャック２８ｂの上に、Ｘ軸、Ｙ軸およびθＺ軸に関して誤差（搭載誤差）を持って配置されうる。
【００４６】
この搭載誤差は、工程２において、図２を用いて前述したように、天板２８ａ上に設けられた不図示の基準マークと基板３のアライメントマークとの相対位置をアライメント検出器１０によって検出することよって計測される。以下の位置決めを行う工程においては、ステージ制御部２０は、この搭載誤差に相当するオフセット値によってステージ位置の指令値を補正することができる。
【００４７】
工程３において、主制御部１９は、ステージ制御部２０を介して、基板３がアライメント検出器１０の下の位置から移動して、基板３のショット領域が供給部７の下に位置するように位置決めする。この際、スループット向上のため、高加速度かつ高速度で基板３を移動させうる。工程４において、供給部７は、基板３のショット領域にインプリント材を供給する。
【００４８】
工程５において、主制御部１９は、ステージ制御部２０を介して、基板３のショット領域とモールド８とが対向するように基板３のショット領域をモールド８の直下に位置させる。この際も、スループット向上のため、高加速度かつ高速度で基板３を移動させうる。工程６において、主制御部１９は、インプリントヘッド９を制御して、モールド８を基板３に向けて下降させる。これにより、工程７において、基板３のショット領域上のインプリント材とモールド８とを接触させ、パターン面の凹凸パターンの凹部にインプリント材が充填される。
【００４９】
工程８において、モールド８と基板３のショット領域との位置合わせ（アライメント）が行われる。具体的には、アライメント検出器１０によりモールド８と基板３のショット領域との間の相対的な位置ずれを計測し、その計測結果に基づき、ステージ位置補正部１７及びステージ制御部２０を介してモールド８とショット領域との位置合わせが行われる。工程９において、主制御部１９は、硬化用のエネルギーがインプリント材に供給されるように硬化部１１を制御する。これによりインプリント材が硬化する。その後、工程１０において、主制御部１９は、インプリントヘッド９を制御してモールド８を上昇させ、硬化したインプリント材からモールド８を分離させる（離型）。
【００５０】
工程３〜工程１０は、基板３の全ショット領域に対して繰り返し実行される。そして、工程１１において、全ショット領域のインプリントが完了したことが確認されると、次の基板に対する処理として、処理は工程１に戻る。
【００５１】
次に、上記したインプリント処理におけるエアパッドの圧力制御について説明する。以下では、エアパッド圧力制御の例として、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃ（第３静圧軸受）の圧力を制御する例を中心に説明する。しかし、以下に説明するエアパッド圧力制御は、Ｘ底エアパッド３０ａ〜３０ｄ（第１静圧軸受）、Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃ（第２静圧軸受）、Ｙ底エアパッド２９ａ〜２９ｄ（第４静圧軸受）にも適用可能である。したがって、以下の説明では、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃ、Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃ、Ｙ底エアパッド２９ａ〜２９ｄ、Ｘ底エアパッド３０ａ〜３０ｄ（第１乃至第４静圧軸受）を総称して、単に「エアパッド」という。また、以下の説明において、例えば「エアパッドの圧力を低下させる」との表現は、第１乃至第４静圧軸受の少なくともいずれかにおける気体の圧力を低下させる」ことも含みうる。
【００５２】
上記したとおり、工程３及び工程５においては、スループット向上のため、高加速度かつ高速度で基板３を移動させることができる。これを可能にするため、主制御部１９は、調整部５１を制御して、工程３の実行前に、エアパッドの圧力を高圧に設定しておく。その後、調整部５１は、工程５によりモールド８と基板３のショット領域とが対向した後、かつ、工程８でアライメントを行う工程８が完了するまでの間のタイミングで、エアパッドの圧力を低下させる（低圧に切り替える）。例えば工程６では、モールド８を基板３に向けて下降させる時間を、エアパッドの圧力切り替えの時間として確保できる。また、工程７では、モールド８とインプリント材とを接触させる際の位置制御あるいは当該接触の力の制御の工程の時間を、エアパッドの圧力切り替えの時間として確保できる。さらに、工程８では、基板３とモールド８とのアライメントにおける位置決めの追い込みには、インプリント材の粘弾性の影響により時間がかかるため、エアパッドの圧力切り替えの時間として確保できる。
【００５３】
以上のインプリント処理によれば、モールド８とショット領域を対向させた後でエアパッド（例えばＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃ）からの気体の圧力を下げることにより、エアパッドが気体を噴出している方向への振動を抑制することができる。これにより、マークの検出を精度良く行うことができ、モールド８とショット領域との位置決め精度が向上する。特に、モールド８とショット領域が対向するように基板３を位置決めした後かつモールドの下降前に、主制御部５２がエアパッドからの気体の圧力の低下を指示することで、モールド８の下降動作の時間を利用してエアパッドからの気体の圧力低下を実現させる。このようにして、モールド８と基板３との位置合わせ動作の完了前までにエアパッドの圧力変化の応答を間に合わせることができる。
【００５４】
以上のように、工程５の完了直後から工程８の完了前に確保される時間は、空圧応答にかかる時間より長いため、エアパッドの圧力の切り替え時間として利用できる。そのため、エアパッドの圧力の切り替えがスループットに与える影響をなくすことが可能である。また、モールド８と基板３がインプリント材を介して接触するため、微小振動が低減され、これにより位置決め精度が向上する。さらに、インプリント材が存在しない露光装置と比較してエアパッドの供給圧力の下げ幅が小さくできるため、剛性低下の影響も低減される結果、位置決め精度が向上する。
【００５５】
以下では、図８〜図１３のフローチャートを参照して、エアパッドの圧力制御の変形例を説明する。まず、図８のフローチャートには、図７のフローチャートに対して、工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃ、工程Ｄが追加されており、エアパッドの圧力の切り替えタイミングが明示されている。図７における工程と同じ工程については説明を省略する。
【００５６】
工程Ａでは、基板３を高加速度で高速移動させる前に、主制御部１９は、圧力制御部５２を介して、圧力センサ５５を用いてエアパッドに高圧エアが供給されていること確認する。ここで高圧エアが供給されていなければ、次の工程には進んでエアパッドが低圧のまま基板の高速移動が行われないようにすることができる。これにより、エアパッドの可動側と固定側の接触による装置の損傷を防止することができる。
【００５７】
工程５における基板３の高速移動の完了後、工程Ｂで、主制御部１９は、圧力制御部５２を介して、調整部５１を制御してエアパッドの圧力を低圧に切り替える。このように工程６でのインプリントヘッド９の動作前に工程Ｂを実施することにより、エアパッドの圧力の切り替え時間を最大源確保することができる。
【００５８】
工程７でモールド８とインプリント材とが接触した後、工程８のアライメントを実施する前に、工程Ｃで、主制御部１９は、圧力制御部５２を介して、エアパッドの圧力が低圧として設定された値で安定していることを確認する。そして、工程９でインプリント材が硬化した後、工程Ｄでは、次工程の高加速度で高速移動を行うために、主制御部１９は、圧力制御部５２を介して、調整部５１を制御してエアパッドの圧力を増加させる（高圧に切り替える）。
【００５９】
以上のエアパッドの圧力制御によれば、位置決め精度と装置のスループットを両立させることが可能である。
【００６０】
図９の例は、追加の工程Ｅを有する。工程Ｅでは、主制御部１９は、ロードセル８１の出力に基づいて、モールド８と基板３の上のインプリント材とが接触したことを確認する。この確認が行われた後、工程Ｂで、エアパッドの圧力を低圧に切り替える。工程Ｅで接触が確認されなければ工程Ｂには進まないようにすることで、まだ接触が完了していない時点でエアパッドの圧力の切り替えが行われるのを防止することができる。
【００６１】
次に、図１０の例は、追加の工程Ｆを有する。工程Ｆでは、主制御部１９は、エアパッドの振動量を測定する。例えばアライメント検出器１０を振動量計測部として用い、モールド８と基板３との位置ずれを計測することにより、エアパッドの振動量を測定することができる。振動量が許容値を超えていれば、工程Ｂで、主制御部１９は、圧力制御部５２を介して調整部５１を制御してエアパッドを低圧に切り替える。振動量が許容値以下であれば、工程Ｂ，Ｃを行う必要はなく、工程Ｂ，Ｃはスキップされる。エアパッドの剛性が高い方が基板３とモールド８の位置決めまでの時間が短縮されるためである。図１０の例によれば、エアパッドを低圧に切り替えることをなるべく減らすことができ、装置のスループットの向上に有利である。
【００６２】
図１１の例は、図８の例に対して工程Ｇが追加されている。工程Ｂでエアパッドの圧力が低圧にされたことに伴い、エアパッドの浮上位置が変化しうる。なお、本明細書において「浮上」とは、Ｘ底エアパッド３０ａ〜３０ｄやＹ底エアパッド２９ａ〜２９ｄがその案内面からＺ軸方向に浮き上がる場合だけを言わない。本明細書において「浮上」とは、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃやＸ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃがエアの供給圧力によってそれらの案内面からＸ方向またはＹ方向に浮くことも含む概念である。例えば片側拘束式のエアパッドであれば、１０００ｎｍレベルで浮上位置がオフセットし、両側拘束式のエアパッドであっても数１０〜数１００ｎｍレベルでオフセットしうる。従って、例えばＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃの圧力を高圧から低圧に変更すると、両拘束式のエアパッドであるＹ横エアパッド３６ａ，３６ｃの浮上位置（Ｘスライダ１２の側面に対するＸ方向への浮上量）は、数１０〜数１００ｎｍレベルでオフセットしうる。Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃの浮上位置がオフセットすると、Ｘスライダ１２に対するＹスライダ４の位置がＸ方向に数１０〜数１００ｎｍレベルでずれる。Ｙスライダ４の位置がずれるとＹスライダ上の基板３の位置がずれるため、基板３とモールド８の位置関係がずれることになる。
【００６３】
そこで、工程Ｇでは、主制御部１９は、エアパッドの浮上位置を計測し、ステージ位置の指令値を補正することにより、基板３とモールド８の位置ずれを低減させる。基板３とモールド８の位置ずれが大きいと、インプリント材の粘弾性の影響で、スループットが低下するためである。Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃの浮上位置の計測は、例えば、浮上位置計測センサ３７により行われる。Ｘスライダ１２上には計測ターゲット３８が配置され、計測ターゲット３８のＸ方向の位置を浮上位置計測センサ３７で計測する。浮上位置計測センサ３７は、１軸以上の方向の変位が計測できればよいので、静電容量センサやレーザ変位計等のセンサを用いることができる。
【００６４】
同様に、Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃの浮上位置を計測するための浮上位置計測センサを配置してもよい。Ｘスライダ１２に浮上位置計測センサを配置し、定盤１３のＹ方向の位置を計測することで、供給する圧力を変化することによるＸ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃの浮上位置のオフセットを計測することができる。
【００６５】
また、計測器ＭＤを用いて浮上位置のオフセットを計測することも可能である。Ｙ方向に関しては、第３計測器ＭＤ３をＸＹの２方向を観測可能なエンコーダシステムにすることで、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃの浮上位置のオフセットを計測することが可能になる。Ｘ方向に関しては、第１計測器ＭＤ１及び第２計測器ＭＤ２の少なくともいずれかをＸＹの２方向を観測可能なエンコーダシステムにすることで、Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃの浮上位置のオフセットを計測することが可能になる。また、Ｙスライダ４のＹ底エアパッド２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄと定盤１３の位置を測定する不図示の変位センサにより、姿勢変動の影響も測定することができる。これにより、高精度にオフセットを計測することができる。
【００６６】
次に、図１２の例について説明する。図１２では、追加の工程Ｈ，Ｉ，Ｊを有する。工程Ｃでエアパッドの圧力が低圧になっていることを確認した後、工程Ｈでは、主制御部１９は、例えばアライメント検出器１０を用いてモールド８と基板３との位置ずれを計測することにより、エアパッドの振動量を測定する。ここで振動量が許容値を超えていれば、工程Ｉに進み、振動量が許容値を超えていなければ、工程Ｊに進む。
【００６７】
工程Ｉでは、主制御部１９は、エアパッドの微小振動を低減させるべく、圧力制御部５２を介して調整部５１を制御して、現在のエアパッドの圧力をさらに低い圧力に変更する。その後、処理は工程Ｃに戻り、振動量が許容値以下になるまで工程Ｃ，Ｈ，Ｉが繰り返され、エアパッドの圧力が段階的に低下される。
【００６８】
工程Ｊでは、エアパッドの振動量が許容値以下になった際の圧力値を、例えば主制御部１９内の不図示のメモリに記録する。次のショット領域ではその圧力設定値がメモリから読み出されてエアパッドの圧力設定値に反映される。これにより、２回目以降のショット領域におけるスループットが向上する。
【００６９】
図１３の例は、図１０の例と図１２の例を組み合わせたものである。に工程Ｌが追加されている。工程Ｆにおいて、計測した振動量が許容値以下であれば、工程Ｂ〜Ｇはスキップされ、処理は工程８へと進む。図１３の例によれば、エアパッドの圧力調整の回数をなるべく減らすことができ、装置のスループットの向上に有利である。
【００７０】
上述のエアパッド圧力制御の各例は、上記したとおり、Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃのみならず、Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃ、Ｘ底エアパッド３０ａ〜３０ｄ、Ｙ底エアパッド２９ａ〜２９ｄにも適用可能である。なお、Ｚ方向の振動よりも、ＸＹ方向の振動のほうが重ね合わせ誤差に影響を及ぼしやすいことを考慮すると、以下の優先順位で上述のエアパッド圧力制御を実施することも可能である。
【００７１】
（１）Ｙ横エアパッド３６ａ，３６ｃ（水平方向を拘束するエアパッドのうち基板に近い方のエアパッド）
（２）Ｘ横エアパッド３１ａ，３１ｂ，３１ｃ（水平方向を拘束するエアパッドのうち基板から遠い方のエアパッド）
（３）Ｘ底エアパッド３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ、Ｙ底エアパッド２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄ
【００７２】
＜物品製造方法の実施形態＞
以下、物品製造方法について説明する。ここでは、一例として、物品としてデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）を製造する物品製造方法を説明する。物品製造方法は、上述したインプリント装置等のリソグラフィ装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンが形成された基板を処理（例えば、エッチング）する工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。
【００７３】
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００７４】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、インプリント材マスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、インプリント材マスクは除去される。
【符号の説明】
【００７５】
ＩＭＰ：インプリント装置、ＭＰ：可動部、３：基板、４：Ｙスライダ、９：インプリントヘッド、１０：アライメント検出器、１１：硬化部、１２：Ｘスライダ、１３：定盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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