(57)【要約】【課題】接続部の抵抗を小さく抑え、かつ、機械的な信頼性を確保した端子構造を実現する。【解決手段】表示領域と端子領域を有する表示装置であって、前記端子領域に形成された端子は、端子金属５０と、端子金属５０の端部を覆う第１の酸化物導電膜６１と、前記第１の酸化物導電膜６１と前記端子金属５０を覆って第２の酸化物導電膜６２が形成されており、前記第１の酸化物導電膜６１は、前記端子の中央部に開口部を有することを特徴とする表示装置。【選択図】図１０
2018025671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と端子領域を有する表示装置であって、
前記端子領域に形成された端子は、前記表示領域中の配線と電気的に接続された端子配線と、前記端子配線上に形成された端子金属と、前記端子金属の端部を覆う第１の酸化物導電膜と、前記第１の酸化物導電膜と前記端子金属を覆って第２の酸化物導電膜が形成されており、
前記第１の酸化物導電膜は、前記端子金属上において開口部を有し、前記端子金属と前記第２の酸化物導電膜が、前記開口部を介して電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記端子金属はＡｌ合金層を含み、かつ、前記Ａｌ合金層よりも融点の高い金属層との積層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記端子金属は、Ａｌ合金層を含み、前記Ａｌ合金層の両面に、前記Ａｌ合金よりも融点の高い金属層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記端子配線は、金属または合金で形成され、前記第１の酸化物導電膜と前記第２の酸化物導電膜はＩＴＯで形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記端子配線の端部は第１の絶縁膜によって覆われていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記端子金属と前記第２の酸化物導電膜間には、第２の絶縁膜によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記端子領域は、外部から信号を供給するためのフレキシブル配線基板が接続される第１の端子群と、当該表示装置を駆動するための半導体チップの入力側に接続される第２の端子群と、前記半導体チップの出力側に接続される第３の端子群を有し、
少なくとも前記第２の端子群に、前記第１の酸化物導電膜の前記開口部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に液晶層を有する液晶表示装置であって、
前記第１の基板は、表示領域と端子領域を有し、
前記表示領域には、複数の走査線と複数の映像信号線と、前記走査線と前記映像信号線で囲まれた複数の画素領域が形成され、
前記画素領域内には、画素電極と、コモン電極が形成され、
前記端子領域には、前記走査線および／又は前記映像信号線と電気的に接続された端子配線と、前記端子配線上に形成された端子金属と、前記端子金属の端部を覆う第１の酸化物導電膜と、前記第１の酸化物導電膜と前記端子金属を覆って第２の酸化物導電膜が形成されており、
前記第１の酸化物導電膜は、前記端子金属上において開口部を有し、前記端子金属と前記第２の酸化物導電膜が、前記開口部を介して電気的に接続されるを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記端子金属はＡｌ合金層を含み、かつ、前記Ａｌ合金層よりも融点の高い金属層との積層であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記端子金属は、前記映像信号線と同じ層構造を有していることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記端子配線は、金属または合金で形成され、前記第１の酸化物導電膜と前記第２の酸化物導電膜はＩＴＯで形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記端子配線は、前記走査線と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記端子配線の端部は第１の絶縁膜によって覆われていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記端子金属と前記第２の酸化物導電膜間には、第２の絶縁膜によって覆われていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１の酸化物導電膜は前記コモン電極と同じ材料で形成され、前記第２の酸化物導電膜は前記画素電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記表示領域の前記コモン電極の上には、前記コモン電極と接触してＡｌ合金を含む金属配線が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記金属配線と前記端子金属は同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記端子領域は、外部から信号を供給するためのフレキシブル配線基板が接続される第１の端子群と、当該表示装置を駆動するための半導体チップの入力側に接続される第２の端子群と、前記半導体チップの出力側に接続される第３の端子群を有し、
少なくとも前記第２の端子群に、前記第１の酸化物導電膜の前記開口部が形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に、端子部における抵抗の増大の防止し、かつ、接続の信頼性を向上した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている構成となっている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
ＴＦＴ基板において、スルーホールを介して、層間の配線を接続する構成がある。スルーホールではストレスが生じやすく、絶縁膜の剥離が生じやすい。
【０００４】
特許文献１には、厚く形成された有機パッシベーション膜にスルーホールを形成し、このスルーホールを覆って無機絶縁膜を形成し、無機パッシベーション膜にスルーホールを形成することによって画素電極とＴＦＴ基板を接続する構成において、無機絶縁膜が剥離する現象を対策する構成が記載されている。特許文献１に記載の構成は、有機パッシベーション膜内に形成されたスルーホールにおいて、無機絶縁膜と有機パッシベーション膜の間に第１のＩＴＯを形成し、かつ、無機パッシベーション膜の上に第２のＩＴＯを形成し、ＩＴＯによって無機絶縁膜をサンドイッチすることによって、スルーホール内における無機絶縁膜の剥離を防止するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−８５５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶表示装置あるいは有機ＥＬ表示装置等では、表示領域と端子領域が形成され、端子領域に表示装置を駆動するための半導体チップおよび半導体チップに外部から電源や映像信号等を供給するためのフレキシブル配線基板を接続している。半導体チップは、ＴＦＴ基板に形成された端子に異方性導電フィルム等を用いて接続される。これをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）と呼んでいる。また、フレキシブル配線基板は、ＴＦＴ基板に形成された端子に異方性導電フィルム等を用いて接続される。これをＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）と呼んでいる。
【０００７】
このようなＣＯＧあるいはＦＯＧは専ら熱圧着によって行われるので、機械的なストレスが加わる。また、端子部は、表示領域内と異なり、外部環境に晒される。したがって、端子部は、機械的にも信頼性が高いことが要求される。一方、端子部では、接続部分の電気抵抗が小さいことが要求される。
【０００８】
本発明の課題は、接続部の抵抗を小さく抑え、かつ、機械的な信頼性を確保した端子構造を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１０】
（１）表示領域と端子領域を有する表示装置であって、前記端子領域に形成された端子は、前記表示領域中の配線と電気的に接続された端子配線と、前記端子配線上に形成された端子金属と、前記端子金属の端部を覆う第１の酸化物導電膜と、前記第１の酸化物導電膜と前記端子金属を覆って第２の酸化物導電膜が形成されており、前記第１の酸化物導電膜は、前記端子金属上において開口部を有し、前記端子金属と前記第２の酸化物導電膜が、前記開口部を介して電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【００１１】
（２）第１の基板と、第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に液晶層を有する液晶表示装置であって、前記第１の基板は、表示領域と端子領域を有し、前記表示領域には、複数の走査線と複数の映像信号線と、前記走査線と前記映像信号線で囲まれた複数の画素領域が形成され、前記画素領域内には、画素電極と、コモン電極が形成され、前記端子領域には、前記走査線および／又は前記映像信号線と電気的に接続された端子配線と、前記端子配線上に形成された端子金属と、前記端子金属の端部を覆う第１の酸化物導電膜と、前記第１の酸化物導電膜と前記端子金属を覆って第２の酸化物導電膜が形成されており、前記第１の酸化物導電膜は、前記端子金属上において開口部を有し、前記端子金属と前記第２の酸化物導電膜が、前記開口部を介して電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の液晶表示装置の平面図である。
【図２】画素部の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面に相当する液晶表示装置の断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ断面に相当する液晶表示装置の断面図である。
【図５】図１の端子領域付近の拡大平面図である。
【図６】端子の配列を示す模式平面図である。
【図７】比較例１の端子の断面図である。
【図８】比較例２の端子の断面図である。
【図９】比較例２の端子の問題点を示す断面図である。
【図１０】本発明による端子の断面図である。
【図１１】本発明の適用例を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。以下の説明では、液晶表示装置を例にとって説明するが、本発明は有機ＥＬ表示装置についても適用することが出来る。
【実施例１】
【００１４】
図１は本発明が適用される液晶表示パネルの例を示す平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材１６０によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持され、この部分で表示領域５００を形成している。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００と重畳していない部分は端子領域１５０が形成される。
【００１５】
表示領域５００では、走査線７０が横方向に延在し、所定の間隔で縦方向に配列している。また、映像信号線７１が縦方向に延在し、所定の間隔で横方向に配列している。走査線７０と映像信号線７１に囲まれた領域に画素７２が形成されている。本明細書では、本発明を、視野角特性に優れた、いわゆるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置について説明するが、本発明は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に限定されるものではなく、他の液晶表示装置、さらには有機ＥＬ表示装置等に対しても適用することが出来る。ＩＰＳの画素構成については後で説明する。
【００１６】
端子領域１５０には、液晶表示パネルを駆動する半導体チップ１０００が異方性導電フィルム等を用いて接続されている。また、端子領域１５０には、半導体チップ１０００に電源や信号を供給するフレキシブル配線基板２０００が異方性導電膜等を用いて接続されている。表示領域５００の走査線７０、映像信号線７１は、端子線４０によって、半導体チップ１０００と接続している。また、フレキシブル配線基板２０００は端子配線４０によって半導体チップ１０００と接続している。
【００１７】
端子領域１５０は、表示領域５００と同時に形成される。したがって、表示領域５００における層構造をまず説明する。図２は、図１における画素７２の平面図である。図２において、走査線７０が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線７１が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線７０と映像信号線７１に囲まれた領域が画素であり、画素電極１１０が存在している。画素電極１１０は透明酸化物導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）によって形成されている。画素電極１１０はスルーホール１３０において、映像信号線７１からの映像信号を画素電極１１０に印加するタイミングを制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴと接続する。図２では、図を複雑化しないために、その他の構成、例えばＴＦＴを構成する半導体層あるいはＴＦＴと画素電極を接続する種々の層構成は省略されている。
【００１８】
図２において、画素電極１１０の下層に絶縁膜を介してコモン電極１０７が平面状に形成されている。コモン電極１０７は、画素電極１１０と対になる電極であり、映像信号が印加される画素電極１１０に対する基準電位が印加される。コモン電極１０７は、スルーホール１３０部分を除いて複数の画素に跨って、表示領域全面に形成されている。コモン電極１０７は透明導電膜であるＩＴＯによって形成されている。ＩＴＯは金属よりも抵抗が大きく、かつ、画面の透過率を確保するために厚く形成することは困難であるため、コモン電極１０７に印加される電圧の低下が問題になる。
【００１９】
コモン電極１０７における電圧低下を防止するために、図２では、平面で視て、走査線７０あるいは映像信号線７１と重複してコモン金属配線１０８が形成されている。図２では、コモン金属配線１０８は走査線７０および映像信号線７１の両方と重複している例を示すが、走査線７０あるいは映像信号線７１の何れかの線だけに重畳するようにしても良い。また、図２では、コモン金属配線１０８の幅は、走査線７０あるいは映像信号線７１の幅よりもやや小さく形成されているが、走査線７０あるいは映像信号線７１と同じ幅か、それよりもやや大きい幅で形成されることもある。走査線７０および映像信号線７１の部分はもともと透過率には寄与しないので、コモン金属配線１０８を形成しても画面の透過率を低下させることは無い。
【００２０】
図３は、図２のＡ−Ａに相当する液晶表示装置の断面図である。図３において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上にＳｉＮからなる第１下地膜１０１およびＳｉＯ２からなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割はガラス基板１００からの不純物が図４に示す半導体層１０３を汚染することを防止することである。
【００２１】
図３において、第２下地膜１０２の上にゲート絶縁膜１０４が形成され、その上に層間絶縁膜１０５が形成されている。層間絶縁膜１０５は端子領域においても保護膜として使用される。層間絶縁膜１０５の上に映像信号線７１が紙面と垂直方向に延在している。映像信号線７１は、抵抗を小さくするためにＡｌ合金を主体とし、また、他の電極との接続の安定のため、および、Ａｌ合金からヒロックを防止するために、Ａｌ合金の上下を高融点金属で覆ったものが使用される。Ａｌ合金としては、例えばＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ等が使用され、高融点金属としては、Ｍｏ合金、Ｗ合金、Ｃｒ合金、Ｔｉ等が使用される。後で述べるように、映像信号線７１の形成と同時に端子金属５０が形成されるので、端子金属５０は映像信号線７１と同じ層構造となっている。
【００２２】
映像信号線７１を覆って有機パッシベーション膜１０６が形成される。有機パッシベーション膜１０６は平坦化膜としての役割と、コモン電極１０７と映像信号線７１間の浮遊容量を低減するという役割があるので、２乃至４μｍと厚く形成される。有機パッシベーション膜１０６の上にコモン電極１０７が透明酸化物導電膜であるＩＴＯによって平面状に形成されている。コモン電極１０７は各画素共通に、厚さ５０ｎｍ程度に形成される。ＩＴＯは導電膜であるが、金属に比べて抵抗率が大きいので、表示領域内におけるコモン電圧の低下が問題となる。
【００２３】
これを対策するために、コモン金属配線１０８がコモン電極１０７と接触して、かつ、平面で視て、映像信号線７１に沿って形成されている。コモン金属配線１０８は、映像信号線７１に沿って形成されるので、透過率が減少することは無い。図３では、コモン金属配線１０８の幅は映像信号線７１の幅よりも小さいが、コモン金属配線１０８の幅は映像信号線７１の幅と同じとしてもよいし、透過率に影響しない程度に、映像信号線７１の幅よりもやや大きくとも良い。
【００２４】
コモン金属配線１０８は、抵抗が小さい必要があるので、Ａｌ合金が使用され、また、映像信号線７１と同じ金属で形成される場合が多い。すなわち、Ａｌ合金の上下を、Ｍｏ合金、Ｗ合金、Ｃｒ合金、Ｔｉ等の高融点金属でサンドイッチした構成である。したがって、コモン金属配線１０８をパターニングするときは、端子領域において、映像信号線７１と同じ層構造で形成された端子金属を保護する必要がある。
【００２５】
コモン電極１０７およびコモン金属配線１０８を覆って容量絶縁膜１０９がＳｉＮ等によって形成される。この容量絶縁膜１０９は端子領域においても保護膜として使用される。容量絶縁膜１０９の上に櫛歯状の画素電極１１０が透明導電膜であるＩＴＯによって形成される。画素電極１１０の平面形状は図２に例示したとおりである。画素電極１１０とコモン電極１０７との間に容量絶縁膜１０９を介して保持容量が形成されている。画素電極１１０および容量絶縁膜１０９を覆って配向膜１１１が形成される。配向膜１１１は液晶分子を初期配向させるものである。
【００２６】
図３において、液晶層３００を挟んで、対向基板２００が配置している。対向基板２００の内側にはカラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２が形成されている。ブラックマトリクス２０２は平面で視て、映像信号線７１およびコモン金属配線１０８と重複して形成されているので、コモン金属配線１０８からの反射等によるコントラストの低下は抑えることが出来る。
【００２７】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３はカラーフィルタ２０２から顔料等が液晶層３００に浸み出すことを防止する。オーバーコート膜２０３を覆って配向膜１１１が形成されている。
【００２８】
図４は図２のＢ−Ｂ断面に相当する液晶表示装置の断面図である。図４において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上に第１下地膜１０１と第２下地膜１０２が形成されている。第２下地膜１０２の上に、図２では記載を省略している半導体層１０３が横方向に延在している。図２には記載されていないが、半導体層１０３は屈曲して図２における画素電極１１０側に延在し、図示しない接続用の金属電極を介して、電気的に画素電極１１０と接続する。半導体層１０３を覆ってゲート絶縁膜１０４が形成され、その上に走査線７０が形成されている。走査線７０は紙面垂直方向に延在している。走査線７０が半導体層１０３と交差する部分にＴＦＴが形成され、この部分では、走査線７０はゲート電極の役割をしている。走査線７０はＭｏＷ等のＭｏ合金あるいはＷ合金、Ｃｒ合金、あるいは、高融点金属でサンドイッチしたＡｌ合金等で形成される。
【００２９】
図４において、走査線７０を覆って層間絶縁膜１０５が形成され、走査線７０と交差して映像信号線７１が横方向に延在している。図２におけるＢ−Ｂ断面部分では、半導体層１０３は映像信号線７１の下側で同じ方向に延在している。図４において、映像信号線７１の上に有機パッシベーション膜１０６が形成され、その上にコモン電極１０７が平面状に形成されている。
【００３０】
コモン電極１０７の上側に、コモン電極１０７と接して、映像信号線７１と同じ方向にコモン金属配線１０８が延在している。コモン金属配線１０８を覆って容量絶縁膜１０９が形成され、その上に配向膜１１１が形成されている。
【００３１】
図４において、液晶層３００を挟んで、対向基板２００が配置し、対向基板２００の内側にはブラックマトリクス２０２が形成されている。図４は図２のＢ−Ｂ断面に対応しているので、対向基板２００のこの部分にはブラックマトリクス２０２が存在し、カラーフィルタは存在していない。対向基板２００側のその他の構成は図３で説明したとおりである。
【００３２】
図５は、図１の端子領域１５０を示す拡大図である。図５において、ＴＦＴ基板１００の半導体チップ１０００に対応した部分には、ＣＯＧ出力端子３０とＣＯＧ入力端子２０が形成されている。ＣＯＧ出力端子３０は、表示領域３００における走査線７０と映像信号線７１の数に対応して存在しているので、非常に多く、例えば１０００個以上である。これに対してＣＯＧ入力端子２０は、ＦＯＧ端子１０の端子に対応した数なので、例えば２０〜３０個程度である。したがって、ＣＯＧ出力端子３０は大きさもピッチもＣＯＧ入力端子２０に比べて小さい。なお、表示領域５００の映像信号線等は半導体チップ１０００の出力端子１０と端子線４０によって接続し、また、半導体チップ１０００の入力端子２０はフレキシブル配線基板２０００のＦＯＧ端子１０と端子配線４０で接続している。
【００３３】
図５において、フレキシブル配線基板２０００と接続するＦＯＧ端子１０は数が２０〜３０個程度であるから、端子の大きさもピッチもＣＯＧ出力端子３０に比較して大きくすることが出来る。また、ＦＯＧ端子１０は、ＣＯＧ入力端子２０あるいはＣＯＧ出力端子３０に比べて、端子用スペースを広くとることが出来るので、ＣＯＧ入力端子２０あるいはＣＯＧ出力端子３０よりも端子のサイズ及び端子間ピッチを大きくすることが出来る。
【００３４】
図６は、端子部の拡大平面図である。図６では、ＣＯＧ出力端子３０の場合を例にとって記載しているが、他の端子である、ＣＯＧ入力端子、ＦＯＧ端子の場合もサイズは異なるが、基本的な構成は同じである。図６は説明のための端子部の例示であるから、詳細な平面構造は省略している。図６では、表示領域から延在してくる端子配線４０および端子部における最上層である、第２ＩＴＯ６２のみを記載している。また、図７は、比較例１としての端子の断面を示す、図６のＡ−Ａ断面図である。
【００３５】
図６および図７において、端子配線４０が表示領域から延在している。端子配線４０は図４で説明した走査線７０と同じ層で形成され、この場合は、例えばＭｏＷ合金であり、厚さは２５０ｎｍ程度である。端子配線４０は図４で説明した層間絶縁膜１０５によって覆われている。そして、端子部において、層間絶縁膜１０５にスルーホールを形成し、端子配線４０を露出し、半導体チップと接続することを可能としている。
【００３６】
しかし、端子配線４０を露出させたままでは、接続部が不安定になるので、接続の信頼性を向上するために、端子部には、種々の層が形成されている。
【００３７】
図７において、端子配線４０の上の層には層間絶縁膜１０５が形成されているが、端子配線４０上では層間絶縁膜１０５にスルーホールが形成されて端子配線４０が露出する。層間絶縁膜１０５の厚さは、例えば３００乃至４００ｎｍ程度である。スルーホール部分を覆って、端子金属５０が形成される。端子金属５０は映像信号線７１と同じ材料で同時に形成される。この場合、端子金属５０は、例えば、Ａｌ合金５２をベースメタル５１を構成するＴｉおよびキャップメタル５３を構成するＴｉによってサンドイッチした構成である。Ａｌ合金５２の厚さは例えば５００ｎｍ、ベースメタル５１の厚さは、例えば１００ｎｍ、キャップメタルの厚さは、例えば１００ｎｍである。
【００３８】
このようなＡｌ合金５２を主体とした端子金属５０を外気に晒すと端子部が腐食するので、図７においては、端子金属５０の表面を第１ＩＴＯ６１と第２ＩＴＯ６２で覆っている。第１ＩＴＯ６１は、図３および図４で説明したコモン電極１０７と同時に形成され、第２ＩＴＯ６２は画素電極１１０と同時に形成される。第１ＩＴＯ６１と第２ＩＴＯ６２の間には、容量絶縁膜１０９が存在しているが、端子部分では、容量絶縁膜１０９にスルーホールを形成して、第１ＩＴＯ６１と第２ＩＴＯ６２の接続している。
【００３９】
つまり、図７では、端子金属５０は、第１ＩＴＯ６１と第２ＩＴＯ６２によって保護されているので、化学的には安定である。しかし、第１ＩＴＯ６１と第２ＩＴＯ６２によるＩＴＯの２層構造となるため、端子部表面の電気抵抗が大きくなる。端子部の抵抗が大きくなると、液晶表示装置の動作が不安定になる。
【００４０】
図８はこれを対策するために、第１ＩＴＯを端子部から省略した構成である。図８の構成によれば、第２ＩＴＯ６２が直接、端子金属５０に接続するので、第１ＩＴＯ６１による抵抗増加は無い。この構成を比較例２という。しかし、比較例２の構成は、図９に示すような問題がある。
【００４１】
図９は、比較例２の問題点を示す端子部の断面図である。図９において、端子金属５０の端部において、容量絶縁膜１０９との間にボイド５５が存在している。このボイド５５は、図３および図４に示すコモン金属配線１０８をパターニングしたときに発生したものである。すなわち、端子金属５０は映像信号線７１と同じ材料で形成され、コモン金属配線１０８も映像信号線７１と同じか、似た金属によって形成される。いずれの場合にもＡｌ合金が使用される。
【００４２】
映像信号線７１と同時に端子金属５０をパターニングした後は、端子金属５０の端部は保護されていない。この状態で、コモン金属配線１０８をパターニングすると、端子金属５０の端部において、特に、Ａｌ合金がコモン金属配線１０８のエッチング液に侵され、Ａｌ合金に対するサイドエッチングが発生する。その後、容量絶縁膜１０９を成膜すると、サイドエッチングが形成された部分にボイド５５と呼ばれる腐蝕部分が発生することになり、端子部が機械的に、あるいは、化学的に不安定になる。
【００４３】
図１０は、以上の問題点を対策した本発明による端子部の断面図である。図１０において、端子金属５０の形成までは図７で説明したのと同様である。図１０の特徴は、第１ＩＴＯ７１によって端子金属５０を覆ったあと、層間絶縁膜１０５のスルーホール部分において、第１ＩＴＯ７１を除去し、かつ、端子金属５０の端部においては、第１ＩＴＯ６１を残存させていることである。このパターニングは、コモン電極１０７のパターニングと同時に行われるので、プロセス負荷が増すことは無い。
【００４４】
その後、第１ＩＴＯ６１および端子金属５０を覆って、容量絶縁膜１０９を形成して、その後、端子部においてスルーホールを形成し、その後、第２ＩＴＯ６２を形成して、端子部を形成するようにパターニングすることは図７と同様である
図１０の構成であれば、端子部の接続部分では第１ＩＴＯ６１が存在していないので、端子部における抵抗の増大は抑制することが出来る。一方、端子金属５０の端部は第１ＩＴＯ６１によって覆われているので、コモン金属配線１０８のパターニング時に、端子金属５０の端部においてＡｌ合金がサイドエッチングされる現象は回避することが出来る。したがって、図９に示すようなボイド５５の発生は避けることが出来、安定した端子部を形成することが出来る。
【００４５】
図１０では、端子金属５０の凹部の内壁の途中まで、第１ＩＴＯ６１は形成されているが、第１ＩＴＯ６１の役割は端子金属５０の端部を覆えばよいので、プロセスの要請から第１ＩＴＯ６１の範囲は決めればよい。あるいは、第１ＩＴＯ６１の端部による段差の影響が小さい部分を第１ＩＴＯの境界とすればよい。しかし、端子の中央部からは第１ＩＴＯ６１を除去しておく必要がある。
【００４６】
以上の説明は、図５における端子３０の場合を例にとって説明したが、本発明は、図５における端子２０および端子１０にも適用することが出来る。一方、本発明は、端子部において、第１ＩＴＯ６１をパターニングするので、比較例１等に比べて、端子構造がやや複雑になる。したがって、端子１０、２０、３０の内、特に、効果の大きい端子のみに使用することも出来る。
【００４７】
図１１は、図１０に示す本発明の端子構造を適用する例である。図１１におけるＣＯＧ ＯＵＴは図５における端子３０、ＣＯＧ ＩＮは図５における端子２０、ＦＯＧは図５における端子１０に相当する。図１１に示す実施形態１では、本発明の端子構造を端子１０、２０、３０の全てに適用した場合である。
【００４８】
図１１に示す実施形態２は、本発明を端子２０と端子１０に適用し、端子３０は比較例１である図７に示す端子構造とした場合である。端子３０は面積が小さいので、端子内において第１ＩＴＯ６１のパターニングがしにくい場合を考慮したものである。なお、端子３０では、主に、交流信号が通過するので、容量カップリングが存在するために、直流抵抗は致命的な問題にならない場合もある。
【００４９】
図１１に示す実施形態３は、端子２０にのみ、本発明の端子構造とし、端子１０と３０は比較例１である図７の端子構造を適用した場合である。端子１０、２０、３０の内、端子１０は最も面積が大きいので、端子抵抗の増大を端子面積増大によって抑制することが可能である。端子３０については、実施形態２で説明したとおりである。一方、端子２０には直流電流が加わる場合もあり、また、端子面積も、端子３０よりは大きいが、端子１０よりも小さいので、本発明を適用する必要性が非常に大きい。
【００５０】
尚、本明細書では、半導体チップとフレキシブル配線基板が端子領域に接続される例を示したが、端子領域に半導体チップが搭載されず、全ての信号（映像信号、ゲート信号、コモン信号など）がフレキシブル配線基板から供給される形態も有り得る。この場合は、端子領域には、ＦＯＧの端子１０相当の端子のみが形成される。このような形態においては、端子１０内で、本発明の端子と比較例１の端子を混在させることも可能である。
【００５１】
以上の説明では、透明導電膜がＩＴＯであるとして説明したが、透明導電膜はＩＴＯの以外に、他の酸化物導電膜が使用される場合がある。例えば、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等である。これらの酸化物導電膜が使用される場合は、本明細書における第１ＩＴＯ６１、第２ＩＴＯ６２等をこれらの酸化物導電膜に置き換えればよい。
【００５２】
また、以上の説明では、液晶表示装置を例にとって説明したが、有機ＥＬ表示装置においても本発明を適用することは可能である。すなわち、有機ＥＬ表示装置では、酸化物導電膜で形成されたカソードと、酸化物導電膜で形成されたアノードの間に有機ＥＬ層が挟持された構成であり、カソードを構成する酸化物導電膜を端子における第１の酸化物導電膜とし、アノードを構成する酸化物導電膜を端子における第２の酸化物導電膜とすることが出来る。
【００５３】
さらに、アノードは、各画素共通に形成するが、透過率を低下させないために、アノードを構成する酸化物導電膜は薄く形成される。したがって、アノードの抵抗が問題となるので、平面で視て、映像信号線あるいは走査線等と重複して、アノードの上に金属配線を形成することによって、アノードの電圧低下を防止している。つまり、有機ＥＬ表示装置においても、以上で述べた液晶表示装置の場合と同様な課題が存在し、端子において、以上で説明した本発明の構成を適用することが出来る。したがって、本発明を適用することによって、端子抵抗が小さく、かつ、信頼性の高い端子を実現することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１０…ＦＯＧ端子、  ２０…ＣＯＧ入力端子  ３０…ＣＯＧ出力端子、  ４０…端子配線、  ５０…端子金属、  ５１…ベースメタル、  ５２…Ａｌ合金、  ５３…キャップメタル、  ５５…ボイド、  ６１…第１ＩＴＯ、  ６２…第２ＩＴＯ、  ７０…走査線、  ７１…映像信号線、  ７２…画素、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １００…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…層間絶縁膜、  １０６…有機パッシベーション膜、  １０７…コモン電極、  １０８…コモン金属配線、  １０９…容量絶縁膜、  １１０…画素電極、  １１１…配向膜、  １５０…端子領域、  １６０…シール材、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ５００…表示領域、  １０００…半導体チップ、  ２０００…フレキシブル配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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