(57)【要約】【課題】接着剤により他の部材に仮接着されている半導体ウェハにシランカップリング剤処理を行う場合であっても、接着剤が剥がれないようにしてシランカップリング剤処理された半導体ウェハを製造する方法、及び該方法に用いるシランカップリング剤処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハの一方の面をシランカップリング剤処理する装置であって、閉空間形成部材と、前記閉空間形成部材の１以上に接続した減圧手段と、前記閉空間形成部材の１以上に接続したガス状シランカップリング剤供給手段と、を備えたシランカップリング剤処理装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの一方の面をシランカップリング剤処理する装置であって、閉空間形成部材と、前記閉空間形成部材の１以上に接続した減圧手段と、前記閉空間形成部材の１以上に接続したガス状シランカップリング剤供給手段と、を備えたシランカップリング剤処理装置。
【請求項２】
前記ガス状シランカップリング剤供給手段が、液状シランカップリング剤中への不活性ガスのバブリングによりガス状シランカップリング剤を発生させ前記閉空間形成部材により形成された閉空間内に供給する手段である、請求項１に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項３】
前記閉空間形成部材の１以上に接続した水蒸気供給手段を備えた、請求項１又は２に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項４】
前記水蒸気供給手段が、水中への不活性ガスのバブリングにより水蒸気を発生させ前記閉空間形成部材により形成された閉空間内に供給する手段である、請求項３に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項５】
前記閉空間形成部材の１以上が、前記閉空間形成部材により形成される閉空間内部となる位置に紫外線照射器を備えた、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項６】
前記閉空間形成部材の１以上に接続した酸素供給手段と、前記閉空間形成部材の１以上と前記減圧手段の間に接続したオゾントラップと、を備えた、請求項５に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項７】
前記閉空間形成部材が、前記半導体ウェハを載置する下部プレートと、前記下部プレートとで前記閉空間を形成する上部カバーと、を備え、前記上部カバーが、前記閉空間形成部材により形成される閉空間内部となる位置に紫外線照射器を備えた、請求項１〜６のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項８】
前記下部プレートが加熱手段を備えた、請求項７に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項９】
前記上部カバーが周縁にフランジ部を有し、前記下部プレートが前記半導体ウェハを載置する載置台と、該載置台の周囲に前記フランジ部と接触して前記閉空間を形成する溝と、を備える、請求項７又は８に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項１０】
前記下部プレートの内部の、前記閉空間と通気が遮断される位置に熱電対を有する、請求項７〜９のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項１１】
前記上部カバーの、前記閉空間の天井となる部分が曲面であり、前記天井となる部分が金属製であり、厚さが２ｍｍ以下である、請求項７〜１０のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項１２】
さらに、フックユニット及びボールユニットを有し且つ前記上部カバーを上下させて前記閉空間を開閉させる上下駆動ユニットを備え、前記上部カバーは、前記減圧手段と、前記閉空間内を常圧に戻す解圧手段と、前記ガス状シランカップリング剤供給手段と、に接続した分岐管に接続している、請求項７〜１１のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項１３】
前記フックユニットが、アームを介してジャッキに接続している、請求項１２に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項１４】
前記上部カバーが、ガスが流れ込む部分の内側にガス流入ガードを有する、請求項７〜１３のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置を備えた半導体チップ製造ライン。
【請求項１６】
一方の面がシランカップリング剤で処理された半導体ウェハの製造方法であって、減圧下で半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理するシランカップリング剤処理工程を含む、半導体ウェハの製造方法。
【請求項１７】
オゾン処理により半導体ウェハ表面の有機物を除去する表面浄化工程、及び前記シランカップリング剤処理工程を、連続してこの順に含む、請求項１６に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項１８】
前記シランカップリング剤処理工程において、水蒸気の存在下でシランカップリング剤処理を行う、請求項１７に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項１９】
一方の面がシランカップリング剤で処理された半導体ウェハの製造方法であって、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のシランカップリング剤処理装置を用いて、減圧下で半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理するシランカップリング剤処理工程を含む、半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シランカップリング剤処理装置、半導体チップ製造ライン、及び半導体ウェハの製造方法に関する。より具体的には、半導体ウェハの少なくとも一方の面をシランカップリング剤で処理する装置（シランカップリング剤処理装置）、該シランカップリング剤処理装置を有する半導体チップ製造ライン、及び、少なくとも一方の面がシランカップリング剤で処理された半導体ウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層半導体チップの作製には、シリコンウェハを積み重ね、接着剤により貼り合せることが行われる。特に、ウェハ・オン・ウェハ方式（ＷＯＷ方式）においては、トランジスタ回路が形成されたシリコンウェハをチップの形に切り出すことなく、ウェハ単位で、接着剤を介して積層される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、一般に、大気中にさらされているガラスやシリコンウェハは、表面に油分が付着しており、水の接触角が４０〜５０°と水をはじきやすい状態となっている。このため、例えば接着剤等の各種材料をウェハ表面にコーティングした際、各種材料とウェハとの密着性が低下するという問題があった。
【０００４】
ウェハの表面の水接触角を低くするために、溶剤洗浄、界面活性剤を用いた水洗浄、超純水による洗浄等を施す技術が広く知られているが、この方法ではある程度の油分を除去することができるものの、水の接触角は３０°程度が限界であり、各種材料との密着性の向上効果はあまり期待できない（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
さらにウェハ表面の密着性を向上させるためには、シランカップリング剤（例えば、アルコキシシラン誘導体等）をウェハ表面に塗布しウェハ表面と反応させる処理（いわゆる「シランカップリング剤処理」。「プライマー処理」とも称される）が行われている。通常、シランカップリング剤はスピンコートで塗布されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５６９３９６１号公報
【特許文献２】特開２０１０−２２６０６０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】大和田薫、外１名、「ガラスの洗浄技術」、ＮＥＷ  ＧＬＡＳＳ、ニューガラスフォーラム、２００８年、Ｖｏｌ．２３、Ｎｏ．２
【非特許文献２】八柳晃、外３名、「クリーンルームにおける有機ガス汚染評価に関する研究」、清水建設研究報告、平成１２年１０月、第７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、シランカップリング剤処理を行うウェハが、処理を行う面とは反対の面に接着剤で他の部材に仮接着されている場合には、従来の方法（例えば、スピンコート等）でシランカップリング剤溶液を塗布した際に、該溶液中の溶媒により仮接着している接着剤の外周部分が一部剥がれることがあるという問題があった。
【０００９】
従って、本発明の目的は、接着剤により他の部材に仮接着されている半導体ウェハにシランカップリング剤処理を行う場合であっても、接着剤が剥がれないようにしてシランカップリング剤処理された半導体ウェハを製造する方法、及び該方法に用いるシランカップリング剤処理装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記シランカップリング剤処理装置を有する半導体チップ製造ラインを提供することにある。
【００１０】
また、ウェハ表面に油分が多く付着している場合、油分で覆われたウェハ表面部分にはシランカップリング剤が結合できないため、シランカップリング剤処理による密着性向上効果が得られにくいという問題もあった。このため、シランカップリング剤処理の前に、紫外線照射により発生したオゾン等による有機物の酸化分解が行われており（例えば、非特許文献１参照）、そのための装置も数多く市販されている。
【００１１】
しかしながら、半導体ウェハは洗浄後や有機物の分解後、シランカップリング剤を塗布するまでの間大気にさらされることになるが、洗浄後等のウェハ表面は各種のガス及びオイルミストが付着しやすく、クリーンルーム環境では除去しきれない空気中のオイルミスト等の有機物が再付着し、シランカップリング剤が付着・反応するための結合サイトが埋まってしまうため、洗浄後等のウェハ表面にシランカップリング剤処理した場合も十分な密着性向上効果が得られないという問題があった。また、洗浄後等は大気との接触直後から有機物の付着が開始し、時間の経過と共に付着量は増加していき、約１０時間で飽和すると言われている（例えば、非特許文献２参照）。従って、接着剤等の各種部材の密着性の向上効果に優れる半導体ウェハの製造方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、減圧下でガス状シランカップリング剤を用いてシランカップリング剤処理することにより、接着剤により他の部材に仮接着されている半導体ウェハにシランカップリング剤処理を行う場合であっても、接着剤が剥がれないようにしてシランカップリング剤処理された半導体ウェハを製造することができることを見出した。また、半導体ウェハの表面の有機物を除去した後、減圧下で連続して半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理することにより、シランカップリング剤処理された半導体ウェハであって、接着剤等の各種部材の密着性の向上効果に優れる半導体ウェハを製造することができることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
【００１３】
すなわち、本発明は、半導体ウェハの一方の面をシランカップリング剤処理する装置であって、閉空間形成部材と、前記閉空間形成部材の１以上に接続した減圧手段と、前記閉空間形成部材の１以上に接続したガス状シランカップリング剤供給手段と、を備えたシランカップリング剤処理装置を提供する。
【００１４】
前記ガス状シランカップリング剤供給手段は、液状シランカップリング剤中への不活性ガスのバブリングによりガス状シランカップリング剤を発生させ前記閉空間形成部材により形成された閉空間内に供給する手段であることが好ましい。
【００１５】
前記シランカップリング剤処理装置は、前記閉空間形成部材の１以上に接続した水蒸気供給手段を備えていることが好ましい。
【００１６】
前記水蒸気供給手段は、水中への不活性ガスのバブリングにより水蒸気を発生させ前記閉空間形成部材により形成された閉空間内に供給する手段であることが好ましい。
【００１７】
前記閉空間形成部材の１以上は、前記閉空間形成部材により形成される閉空間内部となる位置に紫外線照射器を備えていることが好ましい。
【００１８】
前記シランカップリング剤処理装置は、前記閉空間形成部材の１以上に接続した酸素供給手段と、前記閉空間形成部材の１以上と前記減圧手段の間に接続したオゾントラップと、を備えていることが好ましい。
【００１９】
前記シランカップリング剤処理装置は、前記閉空間形成部材が、前記半導体ウェハを載置する下部プレートと、前記下部プレートとで前記閉空間を形成する上部カバーと、を備え、前記上部カバーが、前記閉空間形成部材により形成される閉空間内部となる位置に紫外線照射器を備えていることが好ましい。
【００２０】
前記下部プレートは加熱手段を備えていることが好ましい。
【００２１】
前記シランカップリング剤処理装置は、前記上部カバーが周縁にフランジ部を有し、前記下部プレートが前記半導体ウェハを載置する載置台と、該載置台の周囲に前記フランジ部と接触して前記閉空間を形成する溝と、を備えることが好ましい。
【００２２】
前記シランカップリング剤処理装置は、前記下部プレートの内部の、前記閉空間と通気が遮断される位置に熱電対を有することが好ましい。
【００２３】
前記シランカップリング剤処理装置は、前記上部カバーの、前記閉空間の天井となる部分が曲面であり、前記天井となる部分が金属製であり、厚さが２ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
前記シランカップリング剤処理装置は、さらに、フックユニット及びボールユニットを有し且つ前記上部カバーを上下させて前記閉空間を開閉させる上下駆動ユニットを備え、前記上部カバーは、前記減圧手段と、前記閉空間内を常圧に戻す解圧手段と、前記ガス状シランカップリング剤供給手段と、に接続した分岐管に接続していることが好ましい。
【００２５】
前記フックユニットは、アームを介してジャッキに接続していることが好ましい。
【００２６】
前記上部カバーは、ガスが流れ込む部分の内側にガス流入ガードを有することが好ましい。
【００２７】
また、本発明は、前記シランカップリング剤処理装置を備えた半導体チップ製造ラインを提供する。
【００２８】
また、本発明は、一方の面がシランカップリング剤で処理された半導体ウェハの製造方法であって、減圧下で半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理するシランカップリング剤処理工程を含む、半導体ウェハの製造方法を提供する。
【００２９】
前記半導体ウェハの製造方法は、オゾン処理により半導体ウェハ表面の有機物を除去する表面浄化工程、及び前記シランカップリング剤処理工程を、連続してこの順に含むことが好ましい。
【００３０】
前記シランカップリング剤処理工程において、水蒸気の存在下でシランカップリング剤処理を行うことが好ましい。
【００３１】
また、本発明の半導体ウェハの製造方法は、一方の面がシランカップリング剤で処理された半導体ウェハの製造方法であって、前記シランカップリング剤処理装置を用いて、減圧下で半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理するシランカップリング剤処理工程を含む、半導体ウェハの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明のシランカップリング剤処理装置及び本発明の製造方法によれば、上記構成を有するため、接着剤により他の部材に仮接着されている半導体ウェハにシランカップリング剤処理を行う場合であっても、接着剤が剥がれないようにしてシランカップリング剤処理された半導体ウェハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明のシランカップリング剤処理装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明のシランカップリング剤処理装置の一例を示す概略図（正面断面図）である。
【図３】（ａ）はドーム部９ａ、筒状部９ｆ、及びフランジ部９ｂで構成される上部カバー９の上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ’断面の断面正面図である。
【図４】ガス流入ガード９ｅの拡大図（斜視図）である。
【図５】（ａ）は下部プレート８の上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ’断面の断面正面図（ｂ）である。
【図６】下部プレート８の下側に加熱プレート１３を設ける態様を示す概略図である。
【図７】上下駆動ユニット１１のフックユニット１１ｂとジャッキ１４ａとがアーム１４ｂを介して接続している一例を示す概略図である。
【図８】（ａ）は上下駆動ユニット１１がアーム１４ｂと接続した状態の正面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ’断面の断面側面図、（ｃ）は（ａ）におけるｃ−ｃ’断面の断面上面図である。
【図９】本発明のシランカップリング剤処理装置を用いて半導体ウェハのシランカップリング剤処理をする過程を示す概略図である。
【図１０】（ａ）は搬送手段により半導体ウェハを本発明のシランカップリング剤処理装置から接着剤組成物塗布装置に搬送する前後の態様を示す概略図（上面図）であり、（ｂ）は搬送手段により半導体ウェハを接着剤組成物塗布装置から接着剤層形成装置に搬送する前後の態様を示す概略図（上面図）であり、（ｃ）は搬送手段により半導体ウェハを接着剤層形成装置から半導体ウェハ積層装置に搬送する前後の態様を示す概略図（上面図）である。
【図１１】（ａ）はピックアップ治具の上面図であり、（ｂ）は左側側面図である。
【図１２】密着力評価における点数の例を示した図である。
【図１３】シリコンウェハを仮接着剤で基板ウェハに仮接着した積層ウェハの一例を示す概略図（正面断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
［シランカップリング剤処理装置］
本発明のシランカップリング剤処理装置は、半導体ウェハの一方の面をシランカップリング剤処理する装置（シランカップリング剤処理装置）である。本発明のシランカップリング剤処理装置は、閉空間形成部材と、前記閉空間形成部材の１以上に接続した減圧手段と、前記閉空間形成部材の１以上に接続したガス状シランカップリング剤供給手段と、を備える。なお、本発明のシランカップリング剤処理装置を、単に「本発明の装置」と称する場合がある。
【００３５】
図１は、本発明の装置の一例を示す模式図である。図１に示す本発明の装置は、閉空間１を形成する閉空間形成部材１ａと、減圧手段２と、ガス状シランカップリング剤供給手段３と、を備える。閉空間１内には、加熱手段を有する載置台１ｃ及び紫外線照射器１ｂが備えられている。載置台１ｃ上には、シランカップリング剤処理が施される半導体ウェハ１ｄが載置されている。
【００３６】
減圧手段２は、閉空間１内を減圧するための手段であり、シランカップリングをトラップする手段（シランカップリング剤トラップ）６と、オゾントラップ７と、を介して、閉空間形成部材１ａに接続している。減圧手段２としては、市販の真空ポンプ、吸引ポンプ等が使用可能である。
【００３７】
ガス状シランカップリング剤供給手段３は、閉空間１内にガス状シランカップリング剤を供給することができるように、閉空間形成部材１ａに接続している。ガス状シランカップリング剤供給手段３は、液状シランカップリング剤３ａが入った容器と、一方の開口部が該液状シランカップリング剤中に浸入するように設けられた配管と、該配管の他方の開口部に接続したの不活性ガス３ｃ（窒素、アルゴン等）供給器と、一方の開口部が上記容器内に上記液状シランカップリング剤３ａ中に浸入しないように設けられ且つ他方の開口部が閉空間１に接続するように設けられた配管と、上記液状シランカップリング剤を加熱するオイルバス等の加熱手段３ｂと、を有する。すなわち、ガス状シランカップリング剤供給手段３では、不活性ガス３ｃを、加熱手段３ｂにより加熱された液状シランカップリング剤３ａ中にバブリングしてガス状シランカップリング剤を発生させ、発生したガス状シランカップリング剤を、ガス状シランカップリング剤及び不活性ガスを含むガスとして閉空間１内へ供給する。なお、本発明において、ガス状シランカップリング剤供給手段は図１に示す態様には限られない。
【００３８】
図１に示す本発明の装置は、シランカップリング剤と半導体ウェハの結合反応を促進するための水蒸気を供給する、水蒸気供給手段４を備えている。水蒸気供給手段４は、閉空間１内に水蒸気を供給することができるように、閉空間形成部材１ａに接続している。水蒸気供給手段４は、水４ａが入った容器と、一方の開口部が水４ａ中に浸入するように設けられた配管と、該配管の他方の開口部に接続した窒素等の不活性ガス４ｃ供給器と、一方の開口部が上記容器内に水４ａ中に浸入しないように設けられ且つ他方の開口部が閉空間１に接続するように設けられた配管と、水を加熱するオイルバス等の加熱手段４ｂと、を有する。すなわち、水蒸気供給手段４では、不活性ガス４ｃを、加熱手段４ｂにより加熱された水４ａ中にバブリングして水蒸気を発生させ、発生した水蒸気を、水蒸気及び不活性ガスを含むガスとして閉空間１内へ供給する。なお、本発明において、水蒸気供給手段は図１に示す態様には限られない。
【００３９】
図１に示す本発明の装置は、シランカップリング剤と半導体ウェハとの結合反応前に行う半導体ウェハ表面に対する紫外線照射やオゾン処理の際に用いる酸素を供給する、酸素供給手段５Ａと、閉空間１内のオゾン及びガス状シランカップリング剤を除去するための不活性ガス供給手段５Ｂと、を備えている。酸素供給手段５Ａ及び不活性ガス供給手段５Ｂは、閉空間１内に酸素又は不活性ガスを供給することができるように、閉空間形成部材１ａに接続している。酸素供給手段及び不活性ガス供給手段としては、例えば、酸素ボンベと、窒素等の不活性ガスが詰められたボンベと、３以上の開口部を有し、１つの開口部が上記酸素ボンベに、１つの開口部が上記不活性ガスが詰められたボンベに、１つ開口部が閉空間１内にそれぞれ接続した配管と、を有するものが挙げられる。酸素供給手段５Ａによりオゾン処理を行うための酸素５ａを閉空間１内に供給する。また、不活性ガス供給手段５Ｂにより、オゾン処理の完了後には閉空間１内の残存オゾンを除去したり、閉空間１内を解圧したりするための不活性ガス５ｂを、閉空間１内に供給する。
【００４０】
シランカップリング剤処理終了後に解圧する（常圧に戻す）際に、過剰なシランカップリング剤が大気中に放出する事を防止するためのシランカップリング剤トラップ６は、閉空間形成部材１ａと減圧手段２の間に接続するように備えられている。シランカップリング剤トラップ６は、容器と、一方の開口部が容器内に接続し他方の開口部が閉空間１内に接続した配管と、一方の開口部が該配管よりも上方となるように上記容器内に接続し他方の開口部が減圧手段２に接続した配管と、冷却手段６ａとを備えており、閉空間１内から流れてくるガス状シランカップリング剤を冷却手段６ａによって冷却し凝縮して液状シランカップリング剤６ｂとして回収する。
【００４１】
図１を用いて、本発明の装置により半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理する方法、すなわち、一方の面がシランカップリング剤で処理された半導体ウェハを製造する方法を説明する。まず、閉空間１を開放した状態で、図示しない加熱手段により加熱された載置台１ｃ上に半導体ウェハ１ｄを載置し、その後閉空間１を形成する（閉空間形成工程）。次に、減圧手段２に続く２つのコックを開き、減圧手段２により閉空間１内を減圧する（閉空間減圧工程）。そして、減圧手段２に続く２つのコックを閉じ、続いて、酸素供給手段５Ａに続く２つのコックを開いて酸素供給手段５Ａから閉空間１内に酸素５ａを十分に供給し、その後コックを閉じ、紫外線照射器１ｂを起動して半導体ウェハ１ｄ表面に紫外線を照射する。なお、酸素供給手段として任意の酸素濃度に調整された酸素供給用混合ガスを用いてもよく、この場合、酸素供給手段５Ａと不活性ガス供給手段５Ｂを同時に用いてもよく、また、酸素供給用混合ガスは予め作成し、ボンベにつめたものを用いてもよい。酸素が紫外線照射されることによりオゾンが発生し、発生したオゾン及び紫外線照射の相乗効果により半導体ウェハ１ｄ表面の有機物が分解され、半導体ウェハ１ｄ表面が浄化される。なお、この際、加熱手段により半導体ウェハ１ｄを加熱することにより、有機物の分解が促進される（表面浄化工程）。また、加熱手段による加熱は、半導体ウェハ１ｄを載置台１ｃ上に載置する前には限定されず、載置してから昇温してもよい。また、紫外線照射器１ｂは、酸素への紫外線照射により閉空間１内でオゾンを発生させるために用いており、上記紫外線照射器としては、低圧水銀ランプ等の市販の水銀ランプを用いることができる。
【００４２】
半導体ウェハ１ｄ表面の浄化が完了した後、紫外線照射をやめ、酸素供給手段５Ａに続く２つのコックを閉じる。続いて、減圧手段２に続く２つのコックを開け、減圧させたまま、不活性ガス供給手段５Ｂに続く２つのコックを開け、不活性ガス５ｂを閉空間１に導入・排出する事で残留しているオゾンを完全に除去する。この際、オゾンはオゾントラップ７により捕捉され、外気にオゾンが漏れないようにすることができる。そして、不活性ガス供給手段５Ｂに続く２つのコックを閉じ、次いで、減圧手段２に続く２つのコックを閉じ、ガス状シランカップリング剤供給手段３内の２つのコックを開き、閉空間１内にガス状シランカップリング剤を供給し、その後２つのコックを閉じる。これにより、半導体ウェハ１ｄ表面の浄化後に有機物が表面に再付着する前にガス状シランカップリング剤を半導体ウェハ１ｄ表面に付着させることができる。そして、ガス状シランカップリング剤導入と同時に水蒸気供給手段４内の２つのコックを開き、閉空間１内に水蒸気を供給し、その後２つのコックを閉じる。これにより、ガス状シランカップリング剤の半導体ウェハ１ｄ表面への反応性を高めることができる。また、この際、加熱手段により半導体ウェハ１ｄを加熱することにより、シランカップリング剤と水蒸気との加水分解によりシランカップリング剤からアルコキシ基を脱離させる反応が促進される。これに際して、しばらくの間（数分間）、減圧手段２に続くコックも開いて減圧をしながら、ガス状シランカップリング剤及び水蒸気を閉空間１に導入させる（フロー状態とする）ことにより、加熱状態にある半導体ウェハ１ｄに反応させるシランカップリング剤の量を増やすこともできる。シランカップリング剤処理が完了した後、次の工程（ｉ）及び（ii）を数回繰り返す事でガス状シランカップリング剤を完全に除去する。（ｉ）減圧手段２に続く２つのコックを開き、減圧手段２により閉空間１内を減圧する。工程（ｉ）により、ガス状シランカップリング剤が除去される。この際、ガス状シランカップリング剤はシランカップリング剤トラップ６において、冷却手段６ａにより冷却され、凝縮して液状シランカップリング剤６ｂとして回収され、外気中にシランカップリング剤が漏れないようにすることができる。（ii）不活性ガス供給手段５Ｂに続く２つのコックを開き、不活性ガス５ｂを閉空間１に導入した後、不活性ガス供給手段５Ｂに続く２つのコックを閉じ、減圧手段２に続くコックを開く。これにより、閉空間１に残留しているガス状シランカップリング剤を除去する。      
【００４３】
なお、図１に示すように、シランカップリング剤トラップ、オゾントラップ、及び減圧手段は、この順に設けられていてもよいし、シランカップリング剤トラップとオゾントラップは逆に設けられていてもよい。
【００４４】
図２は、本発明の装置の一例を示す概略図（正面断面図）である。図２に示す本発明の装置は、閉空間形成部材として、板状の下部プレート８と、上部カバー９とを有する。上部カバー９を下方に移動させて下部プレート８上に接触させることにより、上部カバー９と下部プレート８とで閉空間（図１の閉空間１に相当）を形成することができる。即ち、図２の上部カバー９及び下部プレート８の両方が図１の閉空間形成部材１ａに相当する。また、閉空間の形成及び開放は上部カバー９の上下動により行うため、開閉扉の設置が不要となる。なお、閉空間形成部材としては、下部プレートと上部カバーの組み合わせには限定されず、例えば開閉扉が設置されたチャンバーであってもよい。
【００４５】
上部カバー９と下部プレート８とで形成される閉空間の容積は、特に限定されないが、１５リットル以下（例えば、３〜１５リットル）であり、好ましくは１０リットル以下（例えば、３〜１０リットル）、より好ましく６リットル以下（例えば、３〜６リットル）である。
【００４６】
上部カバー９は、上記閉空間の天井となる部分がドーム型（椀型）であり、ドーム型であるドーム型部９ａ、筒状部９ｆ、及びフランジ部９ｂを有する。また、上部カバー９の内側（即ち、閉空間を形成した際の内側）に紫外線照射器９ｄが設けられており、ドーム型部９ａに固定されている。紫外線照射器９ｄの電極は、上部カバー９を貫通するように取り付けられたパイプ内を通り、絶縁性と気密性を兼ね備えた接着剤により封止され取り付けられており、紫外線ランプの電極を挟み込むようにセットされている。上部カバー９には、さらに、孔９ｃから閉空間内に流れ込むガスが半導体ウェハ表面に直接吹き付けられるのを防ぐためのガス流入ガード９ｅが、ガスが流れ込む部分の内側（即ち、上部カバー９の孔９ｃが設けられている部分の、ドーム型部９ａの内側）に、溶接により設けられている。
【００４７】
図３に、ドーム型部９ａ、筒状部９ｆ、及びフランジ部９ｂから構成される上部カバー９の上面図（ａ）、及び上面図（ａ）におけるｂ−ｂ’断面の断面正面図（ｂ）を示す。図３に示すように、上部カバー９は、上方から見て中央に円形であるドーム型部９ａがあり、ドーム型部９ａの円の中心には孔９ｃが設けられており、ドーム型部９ａの周縁に沿って筒状部９ｆがあり、筒状部９ｆ下部の円周に沿ってフランジ部９ｂが設けられている。なお、本明細書において、「ドーム型」とは、上方から見たときの中心部（孔９ｃ）から外側に向かって、水平面に対する角度が徐々に大きくなっていき、断面正面から見たとき（例えば図３（ｂ））の上記円の中心部が緩やかな凸形状になっている形状をいい、半球状や半楕円球状のものも含まれる。上部カバー９がドーム型部９ａを有することにより、上部カバー９と下部プレート８とで閉空間を形成した際に、閉空間内には厚さ１ｍｍ弱の半導体ウェハを設置するに十分な空間を有し、且つ内容積を極小化した閉空間を形成できる。なお、本発明の装置は、上部カバー９はドーム型部９ａを有するものには限定されず、閉空間を形成できるものであれば他の形状であってもよい。
【００４８】
図３（ｂ）に示すように、ドーム型部９ａは、ドーム型の縁付近（筒状部９ｆ付近）ｒ１と、ドーム型の底部付近（孔９ｃ付近）ｒ２とで異なる曲率を有し、底部付近ｒ２の曲率半径は縁付近ｒ１の曲率半径よりも大きい。縁付近ｒ１の曲率半径はＲ＝２０〜４０が好ましい。底部付近ｒ２の曲率半径はＲ＝２５０〜４００が好ましい。また、ドーム型内部の底部から筒状部９ｆの底部（フランジ部９ｂ付近）までの高さｈは、ガス状シランカップリング剤による表面処理を行いやすい観点から、８０〜２００ｍｍが好ましい。ドーム型内部の縁表面の直径ｗ１は、半導体ウェハの大きさよりも少し大きい程度が好ましく、例えば１００〜５００ｍｍである。フランジ部９ｂの、内側の縁を円周とする円の直径と外側の縁を円周とする円の直径の差（フランジ部９ｂの幅）ｗ２は、１０〜１００ｍｍが好ましい。フランジ部９ｂの厚さｔは、３〜２０ｍｍが好ましい。ドーム型部９ａの厚さは、軽量化の観点から、１０ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは２ｍｍ以下である。
【００４９】
上部カバー９のドーム型部９ａを構成する材料及び筒状部９ｆを構成する材料は、金属、樹脂、ガラス等が挙げられるが、軽量化、閉空間の減圧に対する強度の観点から、金属が好ましく、特に好ましくはＳＵＳである。即ち、ドーム型部９ａ及び筒状部９ｆは、金属製が好ましく、特に好ましくはＳＵＳ製である。
【００５０】
本発明の装置は、上部カバー９のドーム型部９ａが薄い金属板が曲面加工されたものであっても、閉空間が減圧下において大気圧との差による凹みを防止することができ、また、このようなドーム型部９ａを用いることにより上部カバー９が軽量化され、上部カバー９の上下に必要な動力及び機構も最小限とすることができる。
【００５１】
図４に、ガス流入ガード９ｅの拡大図（斜視図）を示す。ガス流入ガード９ｅは、正方形の四つの角を三角形に折り曲げられた形状を有しており、三角形の先端をドーム型部９ａの内部に溶接されている。なお、ガス流入ガード９ｅの形状は、特に限定されず、円形、楕円形、多角形のいずれあってもよい。また、折り曲げる角の形状も、三角形には限定されない。ガス流入ガード９ｅを設けることにより、解圧時に孔９ｃから閉空間内に流れ込むガスは、上部カバー９とガス流入ガード９ｅとで形成される、溶接点の間のスリット状の隙間から、下部プレート８の表面に対して平行なガス流として上部カバー９内壁面に沿って流れ込むようにして閉空間内に流入し、半導体ウェハ表面に直接吹き付けられるのを防ぐことができる。上記スリット状の隙間の高さ（ガス流入ガード９ｅの底面から上部カバー９内壁までの高さ）は、例えば０．５〜３ｍｍ程度、好ましくは０．７〜１．５ｍｍ程度である。
【００５２】
図２に示す本発明の装置において、下部プレート８は、上面から見て四角形状であり、半導体ウェハを載置するための載置台８ａを中央に有する。また、下部プレート８は、載置台８ａの周囲に上部カバー９のフランジ部９ｂ（特に、フランジ部９ｂの底部）と接触して閉空間を形成する溝８ｂを有する。図５に、下部プレート８の上面図（ａ）、及び上面図（ａ）におけるｂ−ｂ’断面の断面正面図（ｂ）を示す。載置台８ａは円状に、他の部分よりも高くなるように設けられており、溝８ｂは載置台８ａの周囲に、リング状に設けられている。上部カバー９がフランジ部９ｂを、下部プレート８が溝８ｂをそれぞれ有することにより、閉空間１を形成する際には上部カバー９と下部プレート８とはフランジ部９ｂと溝８ｂとで接触するため、上部カバー９と下部プレート８との密着性が向上し、減圧下で閉空間に空気が浸入しにくくなる。なお、本発明の装置では、下部プレート８は溝８ｂを有していなくてもよいし、また、上部カバー９はフランジ部９ｂを有していなくてもよい。本発明の装置は図示しない加熱手段を有する。そして、下部プレート８の内部には、形成される閉空間と通気が遮断される位置に熱電対８ｃが埋め込まれている。従って、下部プレート８には、熱電対８ｃを設置するための穴が設けられる。熱電対８ｃを用いた場合、半導体ウェハにより近い温度を測定することができる。
【００５３】
図５に示す下部プレート８において、シランカップリング剤処理される半導体ウェハの大きさに依存するが、下部プレート８の幅ｗ３及び長さｗ４は、それぞれ、例えば２００〜６００ｍｍである。載置台８ａの直径ｗ５は、閉空間の容積を極小とし、且つ半導体ウェハの載置及びピックアップを容易とする観点から半導体ウェハの大きさよりも少し小さい程度が好ましく、例えば８０〜４７０ｍｍである。溝８ｂの、内側の縁を円周とする円の直径ｗ６は、ｗ５よりも大きく且つ半導体ウェハに接触しない限り小さいことが好ましい。溝８ｂの、内側の縁を円周とする円の直径ｗ６と外側の縁を円周とする円の直径の差（溝８ｂの幅）ｗ７は、フランジ９ｂの幅ｗ２よりも僅かに大きい程度が好ましく、例えば１２〜６０ｍｍである。載置台８ａの高さｈ２は、５〜２０ｍｍが好ましい。溝８ｂの深さｈ３は、１〜１０ｍｍが好ましい。
【００５４】
半導体ウェハを加熱する上記加熱手段は、特に限定されないが、図６に示すような下部プレート８の下側に加熱プレート１３を設ける態様（即ち、加熱プレート１３が加熱手段である態様）、下部プレート８内に加熱手段を埋め込む態様（即ち、下部プレート８が加熱手段でもある態様）等が挙げられる。このように、加熱手段は、下部プレート８と一体となっていてもよいし、下部プレート８とは分離していてもよい。
【００５５】
下部プレート８を構成する材料は、金属、樹脂、ガラス等が挙げられるが、閉空間の減圧に対する強度、熱伝導性の観点から、金属が好ましく、特に好ましくはＳＵＳである。即ち、下部プレート８は、金属製が好ましく、特に好ましくはＳＵＳ製である。
【００５６】
また、フランジ部９ｂの底部と溝８ｂの表面とは、共ずり研磨等により一対の表面加工を行っている。これにより、真空用のグリース等のシール剤を用いなくてもフランジ部９ｂと溝８ｂとが隙間がなく接触でき、減圧下で閉空間に空気が浸入しにくくなる。また、上部カバー９を下部プレート８と接触させて閉空間を形成する際には、初期に軽く荷重をかけるだけでよく、上部カバー９の自重及び大気圧により上部カバー９のフランジ部９ｂが下部プレート８に密着するため、０．１気圧以下の圧力を保つ事ができる。このため、閉空間を密閉するための押さえ治具も不要となり、シランカップリング剤処理にかかる時間も短縮することができる。なお、さらなる減圧が必要な場合は、フランジ部９ｂの底部等にシリコーングリース等のシール剤を塗布してもよく、テフロンシート等のパッキングをセットすることもできる。
【００５７】
閉空間形成部材の１つである上部カバー９には、チューブ分岐ユニット１０及びスパイラルチューブ１２ａを介して、ガス状シランカップリング剤供給手段と、水蒸気供給手段とが、並列に接続している。
【００５８】
また、閉空間形成部材の１つである上部カバー９には、酸素供給手段５Ａ及び不活性ガス供給手段５Ｂが、チューブ分岐ユニット１０及びスパイラルチューブ１２ａを介して、ガス状シランカップリング剤供給手段及び水蒸気供給手段と並列に接続している。
【００５９】
図２に示す本発明の装置において、上部カバー９は、チューブ分岐ユニット１０に吊り下げられている。そして、上部カバー９の孔９ｃには、スパイラルチューブ１２ａ及び１２ｂに接続している分岐管１０ｂに通じるパイプ１０ｃが挿入されており、このパイプ１０ｃを介して閉空間の減圧等が行われる。パイプ１０ｃと上部カバー９とは、減圧時に閉空間内に空気が浸入しないように溶接されている。なお、孔９ｃは、図２に示すように上部カバー９のドーム型の中心部に設けられている必要は無く、上部カバー９のいずれの箇所に設けられていてもよいが、上部カバー９を吊り下げながら、上部カバー９を吊り下げているチューブ分岐ユニット１０の内部を通じて減圧等を行える観点、及び、上下動により上部カバー９のフランジ部９ｂが下部プレート８の溝８ｂ上に自動的に収まることとなる観点、から、ドーム型の中心部が好ましい。
【００６０】
チューブ分岐ユニット１０は、ユニット本体１０ａの内部に分岐管１０ｂを有する。ユニット本体１０ａは３つの雌ネジ部を有し、該雌ネジ部に雄ネジ部を有するチューブジョイント１０ｄ、１０ｅ、及び１０ｆ（例えばワンタッチジョイント）が螺合されており、分岐管１０ｂの３つの末端はそれぞれチューブジョイント１０ｄ、１０ｅ、及び１０ｆに接続している。そして、分岐管１０ｂの一端はチューブジョイント１０ｆを介してパイプ１０ｃが接続しており、パイプ１０ｃは、上部カバー９の孔９ｃに挿通されている。そして、分岐管１０ｂの他の一端は、チューブジョイント１０ｅを介して、図１に示す減圧手段２に繋がっているスパイラルチューブ１２ｂに接続しており、また他の一端は、チューブジョイント１０ｄを介して、常圧に戻す手段（解圧手段）として用いる図１に示す不活性ガス供給手段５Ｂに繋がっているスパイラルチューブ１２ａに接続している。スパイラルチューブ１２ａ及び１２ｂを用いることにより、上部カバー９の自由な上下動が妨げられることなく上下動をスムーズに行うことができる。解圧手段は、不活性ガス供給手段５Ｂ以外に、例えば、塵埃侵入防止のためのエアフィルタを介して大気中に接続していてもよい。
【００６１】
チューブ分岐ユニット１０は、ボールユニット１１ａとフックユニット１１ｂとを有する上下駆動ユニット１１により上下に可動する。詳細には、ボールユニット１１ａの棒部の先端は雄ネジ部となっており、該雄ネジ部をチューブ分岐ユニット１０内部のユニット本体１０ａの雌ネジ部に螺合して固定されており、フックユニット１１ｂを持ち上げた際にはフックにボールユニット１１ａのボール部が引っかかることによってチューブ分岐ユニット１０及び上部カバー９が持ち上がる（図２に示す状態）。一方、フックユニット１１ｂを下ろした際には、上部カバー９が下部プレート８に接触しそれよりも上部カバー９が下降しなくなるまで、チューブ分枝ユニット１０及び上部カバー９が下降し、フックに引っかかったボール部がフックから離れ、上部カバー９のフランジ部９ｂが自重のみで下部プレート８の溝８ｂに嵌まり込み、下部プレート８と上部カバー９とで閉空間が形成される。従って、上下駆動ユニット１１を上下させることにより、上部カバー９を上下させることができ、これによって閉空間の開閉を操作することができる。なお、本発明の装置は、未使用時は、図２に示すように上部カバー９が持ち上がった状態であってもよいが、通常はフランジ部９ｂが下部プレート８の溝８ｂに嵌まり込んだ状態とする。
【００６２】
上下駆動ユニット１１のフックユニット１１ｂは、ジャッキに接続したアームと繋がっており、ジャッキによりアームを上下させることでフックユニット１１ｂが上下し、上下駆動ユニット１１が上下に駆動する。
【００６３】
図７に示すように、上下駆動ユニット１１のフックユニット１１ｂとジャッキ１４ａとはアーム１４ｂを介して接続している。ジャッキ１４ａによりアーム１４ｂを上昇させると上下駆動ユニット１１が上昇し、ジャッキ１４ａによりアーム１４ｂを下降させると上下駆動ユニット１１が下降する。なお、本発明の装置において、上下駆動ユニット１１は上下に駆動可能であれば特に限定されず、ジャッキ以外の手段によって上下に駆動可能となっていてもよい。
【００６４】
図８に、上下駆動ユニット１１がアーム１４ｂと接続した状態の正面図（ａ）、（ａ）におけるｂ−ｂ’面の断面側面図（ｂ）、及び（ａ）におけるｃ−ｃ’面の断面上面図（ｃ）をそれぞれ示す。フックユニット１１ｂには、フックユニット１１ｂの中心付近に底部が曲面である窪み１１ｃが形成されており、窪み１１ｃ中にボールユニット１１ａがフックユニット１１ｂと固着することなく固定されている。また、窪み１１ｃは、ボール部が前面に落ちないように前部にガードを有し、且つボールユニット１１ａがフックユニット１１ｂから容易に着脱できるようにボール部の直径よりも細くボールユニットの棒部の断面直径よりも太い柱状の隙間を前部に有する。上下駆動ユニット１１がこのような構造を有することにより、上部カバー９の上下動に際し、上部カバー９はボールユニット１１ａのボール部を支点として比較的自由な動きができる。そして、上部カバー９を下降させ下部プレート８に接触した後は、ボールユニット１１ａがフックユニット１１ｂから離れ、上部カバー９のフランジ部９ｂが自重のみで下部プレート８の溝８ｂに嵌まり込み、閉空間が形成される。そして、シランカップリング剤処理を行い、閉空間内の減圧を解除した後は、フックユニット１１ｂによりボールユニット１１ａを引き上げるだけで閉空間が開き、シランカップリング剤処理された半導体ウェハを取り出すことができる。また、フックユニット１１ｂの後部にはアーム１４ｂが取り付けネジ１４ｃにより固定されている。
【００６５】
図９を用いて、図２に示す本発明の装置を用いた際の半導体ウェハのシランカップリング剤処理を行う過程を説明する。図９（ａ）は、上下駆動ユニット１１によりチューブ分岐ユニット１０及び上部カバー９が持ち上げられている状態であり、閉空間は形成されていない状態（図２に示す状態と同じ）である。この状態で、半導体ウェハ１５ａを下部プレート８の載置台８ａに載せる（図９（ｂ））。なお、載置台８ａの載置面の面積は、半導体ウェハ１５ａの底面の面積よりもわずかに小さくなっている。
【００６６】
次に、フックユニット１１ｂを、上部カバー９のフランジ９ｂが下部プレート８の溝８ｂに接触し、その後ボールユニット１１ａのボール部がフックユニット１１ｂのフックから離れるまで下降させ、閉空間が形成される（図９（ｃ））。なお、形成された閉空間内には、半導体ウェハ１５ａが載置台８ａ上に載置されている。そして、閉空間が形成された図９（ｃ）の状態下、半導体ウェハ１５ａ表面の浄化及びシランカップリング剤処理が行われる（図９（ｄ））。
【００６７】
具体的には、図９（ｃ）のように閉空間が形成された後、パイプ１０ｃ、分岐管１０ｂ、及びスパイラルチューブ１２ｂを通じて、図１に示す減圧手段２により孔９ｃから閉空間内を減圧される。そして、上記減圧状態で、図１に示す酸素供給手段により酸素を閉空間内に供給され、酸素存在下で紫外線照射器により半導体ウェハ１５ａ表面に紫外線を照射する。酸素が紫外線照射されることによりオゾンが発生し、発生したオゾンにより半導体ウェハ１５ａ表面の有機物が分解され、半導体ウェハ１５ａ表面が浄化される。この際、半導体ウェハ１５ａを図６に示すような加熱手段により加熱して浄化することにより浄化が促進される。半導体ウェハ１５ａ表面の浄化後、閉空間を形成した状態で続けて図１に示す減圧手段２により閉空間内を再び減圧することで、閉空間内の有機物の分解物、酸素、オゾン等を除去する。そして閉空間内を減圧下、図１に示すガス状シランカップリング剤供給手段３によりガス状シランカップリング剤を閉空間内に供給され、浄化された半導体ウェハ１５ａ表面がシランカップリング剤処理される。この際、図１に示す水蒸気供給手段４により閉空間内に水蒸気を供給することによりガス状シランカップリング剤の半導体ウェハ１５ａ表面への反応性を高めることができる。その後、図１に示す減圧手段２により閉空間内を減圧することで閉空間のガス状シランカップリング剤を除去する。このようにして表面がシランカップリング剤処理された半導体ウェハ１５ｂを得ることができる。このように、本発明の装置を用いた場合、半導体ウェハ表面の浄化からシランカップリング剤処理までの間に外気に触れることがないため、半導体ウェハ表面に有機物等が再付着する前にシランカップリング剤処理を行うことができる。
【００６８】
減圧後の上記閉空間内の圧力、即ちガス状シランカップリング剤によるシランカップリング剤処理時の閉空間内の圧力は、特に限定されないが、０．１〜０．７気圧が好ましく、より好ましくは０．１〜０．５気圧である。
【００６９】
シランカップリング剤処理を行った後、パイプ１０ｃ、分岐管１０ｂ、及びスパイラルチューブ１２ａを通じて、図１に示す不活性ガス供給手段５Ｂのような解圧手段により孔９ｃから閉空間内を常圧に戻す。そして、フックユニット１１ｂを持ち上げ、上部カバー９を上昇させ、シランカップリング剤処理された半導体ウェハ１５ｂを移動可能な状態とする（図９（ｅ））。
【００７０】
なお、図１〜９を用いて本発明の装置の一例を示したが、本発明の装置はこのような装置に限定されるものではない。例えば、円盤状の半導体ウェハを用いた場合は図１〜９に示す装置が好ましいが、四角形等の多角形状の半導体ウェハを用いる場合は、上部カバーとして上面から見た形状が当該多角形状である上部カバーを用い、下部プレートとしてこのような上部カバーの形状に対応する形状の載置台や溝を有する下部プレートを用いてもよい。
【００７１】
本発明の装置が、閉空間を形成できる上部カバー及び下部プレートを有するという構成である場合（例えば、図２に示す本発明の装置の場合）、開閉扉を設ける必要が無く、半導体ウェハのセッティング、閉空間の形成、閉空間内の減圧、半導体ウェハ表面の浄化、シランカップリング剤処理、閉空間内の解圧、及び閉空間からの半導体ウェハの取り出しを簡単に行うことができ、タクトタイムを短くすることができる。また、本発明の装置は、簡素な構造であるため、半導体チップ製造ラインに容易に組み込むことができる。
【００７２】
［半導体チップ製造ライン］
本発明の装置を半導体チップ製造ラインに組み込むことで、本発明の半導体チップ製造ラインとすることができる。なお、本明細書において、本発明の装置を有する半導体チップ製造ラインを、「本発明の半導体チップ製造ライン」と称する場合がある。
【００７３】
本発明の半導体チップ製造ラインは、本発明の装置の後に、半導体ウェハの一方の面に接着成分及び溶媒を含む接着剤組成物を塗布して塗膜を形成する装置（接着剤組成物塗布装置）、及び塗布形成された塗膜中の溶媒を除去して接着剤層を形成する装置（接着剤層形成装置）を有することが好ましい。また、本発明の半導体チップ製造ラインは、形成された接着剤層を有する半導体ウェハを他の半導体ウェハ等と貼り合わせる装置（半導体ウェハ積層装置）を有することが好ましい。上記半導体ウェハ積層装置は、上記接着剤層形成装置の後に有することがより好ましい。即ち、本発明の半導体チップ製造ラインは、本発明の装置（本発明のシランカップリング剤処理装置）、接着剤組成物塗布装置、接着剤層形成装置、及び半導体ウェハ積層装置をこの順に有することが好ましい。
【００７４】
上記接着剤組成物塗布装置は、半導体ウェハの一方の面に接着成分及び溶媒を含む接着剤組成物を塗布して塗膜を形成する装置である。接着剤組成物塗布装置としては、公知乃至慣用のコーターを有する装置を用いることができ、中でもスピンコーターを有することが好ましい。
【００７５】
半導体ウェハは、上記接着剤組成物塗布装置により表面に接着剤組成物を塗布して塗膜が形成された後、搬送手段によって接着剤層形成装置に搬送され、接着剤層形成装置により塗膜が脱溶媒され接着剤層が形成される。また、接着剤層が形成された半導体ウェハは、その後、搬送手段によって半導体ウェハ積層装置に搬送される。
【００７６】
図１０に、接着剤組成物塗布装置、本発明の接着剤層形成装置、及び半導体ウェハ積層装置をこの順に有する本発明の半導体チップ製造ラインに、搬送手段を組み込んだ一例の概略図（上面図）を示す。図１０（ａ）は搬送手段により半導体ウェハを接着剤組成物塗布装置から本発明の接着剤層形成装置に搬送する前後の態様を示す概略図（上面図）であり、図１０（ｂ）は搬送手段により半導体ウェハを本発明の接着剤層形成装置から半導体ウェハ積層装置に搬送する前後の態様を示す概略図（上面図）である。なお、図中の矢印は可動方向を示し、破線で示す部分は搬送された後の状態を示す。
【００７７】
図１０（ａ）では、搬送手段１６がアーム１６ａを伸ばして、本発明のシランカップリング剤処理装置１７上にある表面がシランカップリング剤処理された半導体ウェハ１５ｂをピックアップした後、半導体ウェハ１５ｂが接着剤組成物塗布装置１８上に来るように回転し、そして接着剤組成物塗布装置１８上に半導体ウェハ１５ｂを載置する。その後、搬送手段１６は、再び本発明のシランカップリング剤処理装置１７上にある表面がシランカップリング剤処理された半導体ウェハ１５ｂをピックアップする位置へと戻る。
【００７８】
図１０（ｂ）では、搬送手段２０がアーム２０ａを伸ばして、接着剤組成物塗布装置１８上にある塗膜が形成された半導体ウェハ１５ｃをピックアップした後、半導体ウェハ１５ｃが接着剤層形成装置１９上に来るように回転し、そして接着剤層形成装置１９上に半導体ウェハ１５ｃを載置する。その後、搬送手段２０は、再び接着剤組成物塗布装置１８上にある塗膜が形成された半導体ウェハ１５ｃをピックアップする位置へと戻る。
【００７９】
図１０（ｃ）では、搬送手段２２がアーム２２ａを伸ばして、接着剤層形成装置１９上にある接着剤層が形成された半導体ウェハ１５ｄをピックアップした後、半導体ウェハ１５ｄが半導体ウェハ積層装置２１上に来るように回転し、そして半導体ウェハ積層装置２１上に半導体ウェハ１５ｄを載置する。その後、搬送手段２２は、再び接着剤層形成装置２２上にある接着剤層が形成された半導体ウェハ１５ｄをピックアップする位置へと戻る。
【００８０】
搬送手段１６が半導体ウェハ１５ｂをピックアップしその後載置する際、搬送手段２０が半導体ウェハ１５ｃをピックアップしその後載置する際、及び搬送手段２２が半導体ウェハ１５ｄをピックアップしその後載置する際には、図１１に示すピックアップ治具を用いることができる。図１１（ａ）はピックアップ治具の上面図を示し、図１１（ｂ）は左側側面図を示す。なお、図１１に記載の各数値は、各部分の距離（ｍｍ）を表し、直径３００ｍｍの円盤状の半導体ウェハの搬送に好ましい数値である。従って、搬送手段１６、２０、及び２２は、アームの先端に、図１１に示すピックアップ治具（半導体ウェハが直径３００ｍｍの円盤状である場合は図中に示す距離のもの）を有することが好ましい。図１１に記載の各部分の距離は、搬送する半導体ウェハのサイズによって適宜変更してもよい。また、半導体ウェハの搬送を手動で行う場合、図１１に示すピックアップ治具であって握り部を有するものを使用することができる。
【００８１】
本発明のシランカップリング剤処理装置及び本発明の半導体チップ製造ラインは、メモリー、演算素子等の各種半導体素子を製造するための装置であるが、板状、ウェハ形状、又はディスク形状の基板に塗布された塗膜の形成にも使用することができる。
【００８２】
［半導体ウェハの製造方法］
本発明の、一方の面がシランカップリング剤で処理された半導体ウェハの製造方法は、減圧下で半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理するシランカップリング剤処理工程を含む。なお、本明細書において、上記半導体ウェハの製造方法を、単に「本発明の製造方法」と称する場合がある。本発明の製造方法は、シランカップリング剤処理工程の前に、半導体ウェハの表面を浄化する表面浄化工程を含むことが好ましい。
【００８３】
シランカップリング剤処理を行う半導体ウェハとしては、板状であり、シリコン、ガラス、プラスチックのいずれを用いたものであってもよい。
【００８４】
上記表面浄化工程では、半導体ウェハの表面を浄化する。浄化方法としては、例えば、有機溶剤による洗浄、界面活性剤を用いた水洗浄、超純水による洗浄、紫外線照射による浄化、オゾン処理による浄化等が挙げられる。紫外線照射及び／又はオゾン処理により、半導体ウェハ表面に付着した有機物を分解し、除去することができる。オゾン処理に用いるオゾンは、酸素を紫外線照射することにより発生させてもよいし、オゾン発生器により発生させてもよい。中でも、発生したオゾン及び紫外線照射の相乗効果により半導体ウェハ１ｄ表面の有機物がより分解される観点から、紫外線照射によりオゾンを発生させる方法が好ましい。
【００８５】
上記表面浄化工程は、シランカップリング剤処理までの間に半導体ウェハ表面に有機物が再付着するのを防止する観点から、外気と遮断された空間内で行うことが好ましい。このため、外気と遮断された空間内での浄化が容易である観点から、上記表面浄化工程における浄化方法としては、紫外線照射、オゾン処理が好ましい。紫外線照射及びオゾン処理は、有機物を分解しやすい観点から、半導体ウェハが加熱された状態で行うことが好ましい。
【００８６】
紫外線照射及びオゾン処理の際の加熱される半導体ウェハの温度は、特に限定されないが、５０〜３００℃が好ましく、より好ましくは１００〜２５０℃である。上記温度が５０℃以上（特に、１００℃以上）であると、有機物の分解がより促進される。上記温度が３００℃以下であると、半導体ウェハに形成されている半導体回路の損傷を防止することができる。
【００８７】
また、オゾン処理を行う場合、表面浄化を行う空間内（図２に示す本発明の装置の場合、上部カバー９と下部プレート８とで構成される空間内）に酸素を含むガスを導入した後導入を停止し、紫外線照射によりオゾンを発生させてオゾン処理を行い、その後減圧手段及び不活性ガス供給手段により該空間内の酸素及びオゾンを含むガスを排出することが好ましい。また、酸素を含むガスは減圧系に排出しながら流入させてもよい。
【００８８】
上記紫外線照射には、低圧水銀ランプ等の市販の水銀ランプを用いることができる。紫外線照射の際の出力は、特に限定されないが、５０Ｗ〜１ｋＷが好ましく、より好ましくは１００〜５００Ｗである。
【００８９】
オゾンを含む空間内のガスを排出する際、オゾンが外気に排出されるのを防止するため、オゾンを捕捉することが好ましい。オゾンの捕捉は、上述のオゾントラップを用いることができる。
【００９０】
上記表面浄化工程後は、上記シランカップリング剤処理工程に移行する。浄化後の半導体ウェハの表面に有機物が再付着するのを防止するために、上記表面浄化工程から連続して（他の工程を挟まず）上記シランカップリング剤処理工程へ移行することが好ましい。従って、上記表面浄化工程と上記シランカップリング剤処理工程は、外気に触れることなく、同一空間内で行うことが好ましい。上記表面浄化工程と上記シランカップリング剤処理工程を同一空間内で行う場合、本発明の装置等一つの装置を用いて両工程を行うことができ、両工程にかかる時間を短縮することができる。
【００９１】
上記シランカップリング剤処理工程では、減圧下で半導体ウェハの一方の面をガス状シランカップリング剤で処理するため、ガス状シランカップリング剤を導入する前のシランカップリング剤処理を行う空間内は減圧状態となっている。上記表面浄化工程から連続して上記シランカップリング剤処理工程へ移行する場合、この減圧状態は、表面浄化工程においてオゾンを含むガスを除去するための減圧手段による減圧を行うことにより作ることができる。
【００９２】
シランカップリング剤処理は、上記空間内が減圧下である状態で、上記空間内にガス状シランカップリング剤を導入することで行われる。減圧下ガス状シランカップリング剤を空間内に導入することにより、浄化された半導体ウェハ表面にシランカップリング剤が付着する。本発明の製造方法では、ガス状シランカップリング剤でシランカップリング剤処理を行うため、シランカップリング処理に有機溶剤を用いる必要が無く、半導体ウェハがシランカップリング剤処理を行う表面とは反対の面に接着剤で他の部材に仮接着されている場合、ガス状シランカップリング剤は仮接着している接着剤を溶解しないため、接着剤の外周部分が剥がれるという問題も起こらない。また、半導体ウェハ表面が均一に処理され、厚みムラが極めて小さい。また、ガス状シランカップリング剤を用いることにより、スピンコーター等のコーターを用いずにシランカップリング剤処理できるため、外気に触れずにシランカップリング剤処理できる。このため、上記表面浄化工程からシランカップリング剤処理の間に半導体ウェハが外気に触れる機会を無くすことが可能となり、有機物が半導体ウェハ表面に再付着しないため、シランカップリング剤と半導体ウェハ表面との密着性を向上させることができる。導入するガス状シランカップリング剤は、キャリアーとして不活性ガス（窒素等）を用いて導入することが好ましい。
【００９３】
ガス状シランカップリング剤を上記空間内に導入すると共に、上記空間内に水蒸気を導入することが好ましい。水蒸気の存在下では、シランカップリング剤と半導体ウェハ表面との密着性がより向上する傾向がある。なお、水蒸気の導入は、ガス状シランカップリング剤の導入の前後あるいは同時のいずれであってもよい。導入する水蒸気は、不活性ガス（窒素等）をキャリアーとして導入されることが好ましい。
【００９４】
上記空間内にガス状シランカップリング剤及び水蒸気を導入した状態の空間内の圧力は、特に限定されないが、０．０１〜０．５気圧が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．２気圧である。空間内の圧力が上記範囲内であれば、シランカップリング剤及び水蒸気がガス状で存在しやすい。なお、上記圧力の範囲内において閉空間内のシランカップリング剤の濃度が低い場合、シランカップリング剤処理が不十分になることが考えられる。この場合は、一旦閉空間内にガス状シランカップリング剤と水蒸気を導入し、所定の圧力となったところで、再度閉空間内にガス状シランカップリング剤と水蒸気を少量ずつ閉空間内に導入しつつ排出することとしてもよい。
【００９５】
シランカップリング剤処理の際、半導体ウェハを加熱することが好ましい。これにより、シランカップリング剤と水蒸気との加水分解によりシランカップリング剤からアルコキシ基を脱離させる反応が促進される。このときの半導体ウェハの温度の好ましい範囲は、上述の紫外線照射及びオゾン処理の際の加熱される半導体ウェハの温度と同様である。
【００９６】
シランカップリング剤処理を行った後、減圧手段により空間内のガス状シランカップリング剤を除去することが好ましい。ガス状シランカップリング剤の除去の際、シランカップリング剤を回収することが好ましい。シランカップリング剤の回収には、上述のシランカップリング剤トラップを用いることができる。
【００９７】
上記ガス状シランカップリング剤の除去の完了後、上記閉空間内を常圧に戻すことにより、表面がシランカップリング剤処理された半導体ウェハが得られる。
【００９８】
本発明の製造方法は、表面浄化工程及びシランカップリング剤処理工程以外の工程（その他の工程）を含んでいてもよい。上記その他の工程としては、上記閉空間形成工程、上記閉空間減圧工程、シランカップリング剤処理された表面に接着剤層を形成する工程、接着剤層が形成された半導体ウェハを、他の半導体ウェハ等と積層する工程（半導体ウェハ積層工程）等が挙げられる。これにより、複層の半導体ウェハを有する積層半導体チップを製造することができる。
【００９９】
本発明の装置及び本発明の製造方法によれば、減圧下ガス状シランカップリング剤を用いて半導体ウェハ表面のシランカップリング剤処理を行うため、シランカップリング剤処理に有機溶剤を用いる必要が無く、接着剤により他の部材に仮接着されている半導体ウェハにシランカップリング剤処理を行う場合であっても、接着剤が剥がれないようにしてシランカップリング剤処理された半導体ウェハを製造することができる。また、ガス状シランカップリング剤を用いた場合、スピンコーター等のコーターを用いずにシランカップリング剤処理できるため、外気に触れずに半導体ウェハ表面をシランカップリング剤処理できる。このため、オゾン処理や紫外線照射と組み合わせ、上記シランカップリング処理に先立ち、オゾン処理や紫外線照射等、外気とは遮断された閉空間（特に、減圧下の閉空間）で半導体ウェハ表面の有機物を除去する表面浄化を行うことにより、表面浄化の後連続してシランカップリング処理を行うことができるため、半導体ウェハの表面浄化からシランカップリング処理までの間に外気に触れることなく有機物の再付着を防止でき、シランカップリング剤処理された表面に接着剤を塗布した場合には半導体ウェハと接着剤の密着性に優れ、接着剤を介して半導体ウェハを各種部材に接着させた際には各種部材と半導体ウェハの密着性にも優れることとすることが可能となる。
【実施例】
【０１００】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０１０１】
実施例１
（シランカップリング剤処理装置）
シランカップリング剤処理装置として、図３に示す上部カバー（ｒ１の曲率半径：Ｒ＝３２、ｒ２の曲率半径：Ｒ＝３２０、ｗ１：３２０ｍｍ、ｗ２：２５ｍｍ、ｈ：８０ｍｍ）の孔の内側にガス流入ガード（底面積３０ｃｍ2）を設置したもの、及び図５に示す下部プレート（ｗ３：４００ｍｍ、ｗ４：４００ｍｍ、ｗ５：２９４ｍｍ、ｗ６：３１０ｍｍ、ｗ７：３２．５ｍｍ、ｈ２：１５ｍｍ、ｈ３：２ｍｍ）を用い、これらを図７に示すように組み立てたものを用いた。また、図７に示す一方のスパイラルチューブには、図１に示すように、シランカップリング剤トラップ、オゾントラップ、及び減圧手段としての真空ポンプをこの順に接続した。また、酸素ボンベ、窒素ボンベ、窒素で満たされたボトルに液状シランカップリング剤を入れたシランカップリング剤ボトル、及び窒素で満たされたボトルに水を入れた水ボトルを準備し、これらを他方のスパイラルチューブに、それぞれ単独で接続することができるように並列に接続した。他方のスパイラルチューブには、外気に続く解圧手段も接続した。なお、加熱手段として、下部プレートの下側に加熱プレートを設けて使用した。
【０１０２】
（表面浄化処理）
半導体ウェハとして、シリコンウェハを仮接着剤（商品名「ＷａｆｅｒＢＯＮＤ  ＨＴ−１０．１０」、Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ, Ｉｎｃ.製）で基板ウェハに仮接着した積層ウェハ（図１３参照）を用いた。上記シランカップリング剤処理装置を用い、表面温度１５０℃に加熱された下部プレートの載置台に積層ウェハを載置し、上部カバーを下ろして閉空間を形成し、閉空間内の圧力が０．１気圧以下になるまで真空ポンプにより一方のスパイラルチューブから減圧した。その後、真空ポンプへ続くコックを閉じ、減圧下で、酸素ボンベに続くコックを開き、他方のスパイラルチューブから酸素を閉空間内に導入し（流量５００ｍｌ／ｈ）、酸素ボンベに続くコックを閉じ、この状態で閉空間に合わせて設計した紫外線照射装置を用いて３０分間紫外線照射（出力：１１０Ｗ）してオゾンを発生させ、紫外線照射とオゾン処理によってシリコンウェハの表面浄化を行った。紫外線照射及びオゾン処理の後、窒素ボンベに続くコックを開き、真空ポンプにより一方のスパイラルチューブから閉空間内のオゾン、窒素、及び酸素を含むガスを排出した。なお、上記ガスを排出する際、オゾンはオゾントラップにより捕捉される。
【０１０３】
（シランカップリング剤処理）
オゾン処理後の減圧により閉空間内が減圧された状態（圧力０．１気圧以下）で、オイルバスを用いて１５０℃に加熱されたシランカップリング剤ボトル内の液状シランカップリング剤中に窒素を送り込むための管を挿入し、窒素を送り込みながら他方のスパイラルチューブからシランカップリング剤ボトルに続くコックを開くことで、液状シランカップリング剤中に連続的に窒素を送り込んでバブリングを行いガス状シランカップリング剤を発生させ、ガス状シランカップリング剤を閉空間内に導入した。閉空間内の圧力が０．３気圧程度になった時点でシランカップリング剤ボトルに続くコックを閉じた。次に、オイルバスを用いて８０℃に加熱された水ボトル内の水中に窒素を送り込むための管を挿入し、窒素を送り込みながら他方のスパイラルチューブから水ボトルに続くコックを開くことで、水中に連続的に窒素を送り込んでバブリングを行い水蒸気を発生させ、水蒸気を閉空間内に導入した。閉空間内の圧力が０．４気圧程度になった時点で水ボトルに続くコックを閉じ、そのまま３０分間維持し、シランカップリング剤処理を行った。シランカップリング剤処理後、真空ポンプにより一方のスパイラルチューブから閉空間内のガス状シランカップリング剤、窒素、及び水蒸気を含むガスを排出した。なお、上記ガスを排出する際、ガス状シランカップリング剤はシランカップリング剤トラップにより液状シランカップリング剤として回収される。その後、他方のスパイラルチューブから外気に続くコックを開き、窒素ボンベに続くコックを開くことにより閉空間内を解圧し常圧に戻した。このようにして、表面がシランカップリング剤処理された積層ウェハを得た。
【０１０４】
比較例１
実施例１と同様の積層ウェハを用い、実施例１と同様のオゾン処理を行った後、窒素ボンベに続くコックを開くことにより閉空間内を解圧し常圧に戻して積層ウェハを取り出した。次いで、実施例１で用いた液状シランカップリング剤をメシチレンと混合して調製したシランカップリング剤溶液（シランカップリング剤１０重量％）をスピンコーターで積層ウェハのオゾン処理を行った表面に塗布し、１６０℃に設定されたホットプレートに載せて５分間放置して、表面がシランカップリング剤処理された積層ウェハを得た。
【０１０５】
実施例１及び比較例１で得られた表面がシランカップリング剤処理された積層ウェハについて、以下の通り評価を行った。
【０１０６】
（１）仮接着剤の剥離性評価
実施例１及び比較例１で得られた積層ウェハについて、積層ウェハのエッジ部分の仮接着剤の剥離状態を観察した。なお、比較例１で得られた積層ウェハはエッジ部にシランカップリング剤が付着していたため、メシチレンで洗浄（エッジリンス）を行った後に仮接着剤の剥離状態を観察した。その結果、実施例１で得られた積層ウェハではエッジ部において仮接着剤の剥離は観察されなかった。一方、比較例１で得られた積層ウェハではエッジ部から５ｍｍの範囲で仮接着剤が溶解、剥離していることが確認された。
【０１０７】
実施例２
積層ウェハに代えて、基板ウェハに仮接着させない状態のシリコンウェハを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、シランカップリング剤処理されたシリコンウェハを得た。
【０１０８】
実施例３
実施例２と同様のシリコンウェハを用い、実施例１と同様のオゾン処理を行った後、窒素ボンベに続くコックを開くことにより閉空間内を解圧し常圧に戻してシリコンウェハを取り出し、クリーンルームの大気中に一昼夜放置した。その後、実施例１と同様のシランカップリング剤処理を行い、表面がシランカップリング剤処理されたシリコンウェハを得た。
【０１０９】
比較例２
実施例２と同様のシリコンウェハを用い、オゾン処理を行わずに、比較例１と同様のシランカップリング剤処理を行い、表面がシランカップリング剤処理されたシリコンウェハを得た。
【０１１０】
実施例４
実施例２と同様のシリコンウェハを用い、オゾン処理を行わずに、実施例１と同様のシランカップリング剤処理を行い、表面がシランカップリング剤処理されたシリコンウェハを得た。
【０１１１】
実施例２〜４及び比較例１〜２で得られた表面がシランカップリング剤処理されたシリコンウェハについて、以下の通り評価を行った。なお、オゾン処理及びシランカップリング剤処理を行わなかったシリコンウェハを用いて評価を行ったものを比較例３とした。
【０１１２】
（２）密着力評価
（接着剤層の形成）
接着剤（シルセスキオキサン構成単位としてケイ素原子上にエポキシ基を含有する基を有するものを含むポリオルガノシルセスキオキサン）１００重量部及び重合開始剤（アンチモン系スルホニウム塩（商品名「ＳＩ−１５０Ｌ」、三新化学工業（株）製）０．４５重量部）、重合安定剤（４−ヒドロキシフェニル）ジメチルスルホニウムメチルサルファイト（商品名「サンエイドＳＩ助剤」、三新化学工業（株）製）０．０５重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した接着剤組成物（溶媒濃度：６７．９重量％）を、実施例及び比較例で得られたシリコンウェハのシランカップリング剤処理された表面（比較例３は未処理のシリコンウェハ表面）にスピンコーターを用いて塗布、乾燥し、厚み５μｍの接着剤層を形成した。
【０１１３】
（密着力評価）
接着剤層とシリコンウェハとの密着力を、付着性（クロスカット法）試験（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６（１９９９）に準拠）により、接着剤層の剥がれから密着性を以下の基準で評価した。なお、クロスカットは１１種の並行カット（格子数１００個）とした。また、以下の基準における点数の例を図１２に示した。結果を表１に示す。
１０点：カットの縁が完全に滑らかでどの格子の目にも剥がれがない
９点：カットの交差点において小さな剥がれがあるが完全に剥がれた格子はない
８点：完全に剥がれた格子の数が１個又は２個
７点：完全に剥がれた格子の数が３個又は４個
６点：完全に剥がれた格子の数が５〜８個
５点：完全に剥がれた格子の数が９〜１３個
４点：完全に剥がれた格子の数が１４〜２０個
３点：完全に剥がれた格子の数が２１〜３０個
２点：完全に剥がれた格子の数が３１〜４０個
１点：完全に剥がれた格子の数が４１〜５０個
０点：完全に剥がれた格子の数が５０〜１００個
【０１１４】
【表１】
2018195615.tif 000003
【０１１５】
表１に示す通り、シリコンウェハ表面をオゾン処理で表面浄化した後連続してガス状シランカップリング剤を用いてシランカップリング剤処理を行った場合（実施例２）、接着剤層とシリコンウェハの密着性に特に優れていた。一方、オゾン処理からシランカップリング剤処理までの間、外気に触れた状態で一昼夜保管した場合（実施例３）、実施例２よりも密着性が若干低下したが十分な密着性を有していた。また、オゾン処理をしなかった場合（比較例２、実施例４）、実施例３よりもさらに密着性が低下したが、ガス状シランカップリング剤を用いてシランカップリング剤処理を行った実施例４の方が比較例２よりも密着性に優れていた。また、オゾン処理もシランカップリング剤処理も行わなかった場合（比較例３）、密着性が極めて劣っていた。
【符号の説明】
【０１１６】
１  閉空間
１ａ  閉空間形成部材
１ｂ  紫外線照射器
１ｃ  載置台
１ｄ  半導体ウェハ
２  減圧手段
３  ガス状シランカップリング剤供給手段
３ａ  液状シランカップリング剤
３ｂ  加熱手段
３ｃ  不活性ガス
４  水蒸気供給手段
４ａ  水
４ｂ  加熱手段
４ｃ  不活性ガス
５Ａ  酸素供給手段
５ａ  酸素
５Ｂ  不活性ガス供給手段
５ｂ  不活性ガス
６  シランカップリング剤トラップ
６ａ  冷却手段
６ｂ  液状シランカップリング剤
７  オゾントラップ
８  下部プレート
８ａ  載置台
８ｂ  溝
８ｃ  熱電対
９  上部カバー
９ａ  ドーム型部
９ｂ  フランジ部
９ｃ  孔
９ｄ  紫外線照射器
９ｅ  ガス流入ガード
９ｆ  筒状部
１０  チューブ分岐ユニット
１０ａ  ユニット本体
１０ｂ  分岐管
１０ｃ  パイプ
１０ｄ  チューブジョイント
１０ｅ  チューブジョイント
１０ｆ  チューブジョイント
１１  上下駆動ユニット
１１ａ  ボールユニット
１１ｂ  フックユニット
１１ｃ  窪み
１２ａ  スパイラルチューブ
１２ｂ  スパイラルチューブ
１３  加熱プレート
１４ａ  ジャッキ
１４ｂ  アーム
１４ｃ  取り付けネジ
１５ａ  半導体ウェハ
１５ｂ  シランカップリング剤処理された半導体ウェハ
１５ｃ  塗膜が塗布形成された半導体ウェハ
１５ｄ  接着剤層が形成された半導体ウェハ
１６  搬送手段
１６ａ  アーム
１７  本発明のシランカップリング剤処理装置
１８  接着剤組成物塗布装置
１９  接着剤層形成装置
２０  搬送手段
２０ａ  アーム
２１  半導体ウェハ積層装置
２２  搬送手段
２２ａ  アーム
２３  積層ウェハ
２３ａ  シリコンウェハ
２３ｂ  仮接着剤
２４ｃ  基板ウェハ
【図１】
2018195615.tif 000004
【図２】
2018195615.tif 000005
【図３】
2018195615.tif 000006
【図４】
2018195615.tif 000007
【図５】
2018195615.tif 000008
【図６】
2018195615.tif 000009
【図７】
2018195615.tif 000010
【図８】
2018195615.tif 000011
【図９】
2018195615.tif 000012
【図１０】
2018195615.tif 000013
【図１１】
2018195615.tif 000014
【図１２】
2018195615.tif 000015
【図１３】
2018195615.tif 000016