(57)【要約】【課題】実施形態の課題は、熱による表示への影響を抑制し、信頼性の向上した表示装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る表示装置は、表示領域と表示領域を囲む非表示領域とを有する第１基板ＳＵＢ１と、非表示領域に実装された駆動素子２４と、を備えている。駆動素子は、非表示領域における実装部ＭＴに実装され、実装部は、第１基板よりも熱伝導性が低い第１断熱領域ＨＲを有している。【選択図】  図３
2018025604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第１基板と、
前記非表示領域に実装された駆動素子と、を備えた表示装置であって、
前記駆動素子は、前記非表示領域における実装部に実装され、
前記実装部は、前記第１基板よりも熱伝導性が低い第１断熱領域を有している、表示装置。
【請求項２】
前記第１基板に対向して設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、をさらに備え、
前記第１基板は、前記実装部において、前記第２基板と対向しておらず、
前記駆動素子は、前記第１断熱領域に実装されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２基板は、前記駆動素子に対向する第１側面を有し、
前記第１側面は、前記駆動素子から離れる方向に傾斜した傾斜面である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１断熱領域は、前記実装部から前記シール材と重なる位置にまで形成されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記シール材は、前記第１基板よりも熱伝導性の低い断熱材が添加されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２基板は、前記シール材と重なる位置において、前記第１基板よりも熱伝導性の低い断熱領域を有している、請求項２、４、５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板は、前記駆動素子の中央部に対向する第１断熱領域と、前記駆動素子の端部に対向する第２断熱領域と、を有している、請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２断熱領域は、ストライプ状に形成されている、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２断熱領域は、ドット状に形成されている、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記駆動素子は、配線基板を介して前記第１基板に実装される、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここで述べる実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置として、例えば、液晶表示装置は、複数の画素電極や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に設けられた第１基板と、この第１基板に対向して配置された第２基板と、これら第１基板と第２基板との間に封入された液晶層と、を備えている。第１基板と第２基板は、シール材により貼り合わせられ、このシール材の内側に液晶層が封入されている。  
第１基板上には、走査信号を供給する走査線や、映像信号を供給する映像線などが形成されている。走査信号や映像信号を形成するために、ドライバＩＣ等の駆動素子が用いられる。駆動素子は、直接あるいはプリント回路基板（ＦＰＣ）を介して、第１基板に実装されている。多くの場合、駆動素子は、熱圧着により第１基板に実装されている。
【０００３】
駆動素子の熱圧着は、通常、１５０℃程度の高い圧着温度で行われる。熱圧着時の熱が駆動素子の底面(入出力バンプ)から第１基板を伝わってシール材および液晶層へ熱が伝導する懸念がある。このような熱の影響により、液晶材料の特性劣化やシール材のシール性低下等を生じる場合がある。熱の影響を低減するため、駆動素子を第２基板から少なくとも０．４ｍｍ程度離して配置し、圧着している。しかしながら、その分、第１基板を大きくする必要があり、結果として、液晶表示装置の狭額縁化を図る上で障害となり得る。
【０００４】
また、駆動素子の圧着による熱対策として、放熱部材を設ける技術が提案されている。しかし、放熱部材のような、表示装置の基板よりも熱伝導性の良いものを駆動素子近傍に設けると、より表示領域側に熱が伝わり易くなってしまう。その結果、熱により表示に悪影響を与える可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４９９７５８４号公報
【特許文献２】特開２０１５−１２５８６０号公報
【特許文献３】特開平１０−２９４３３３号公報
【特許文献４】特開平１０−２９４３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明の実施形態の課題は、熱による表示への影響を抑制し、信頼性の向上した表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る表示装置は、表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第１基板と、前記非表示領域に実装された駆動素子と、を備えている。前記駆動素子は、前記非表示領域における実装部に実装され、前記実装部は、前記第１基板よりも熱伝導性が低い第１断熱領域を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、液晶表示装置の構成を概略的に示す平面図。
【図２】図２は、液晶表示装置の実装部の一部を拡大して示す平面図。
【図３】図３は、図２の線III-IIIに沿った液晶表示装置の断面図。
【図４】図４は、液晶表示装置の実装部に駆動素子を熱圧着する際の液晶表示装置の各部の温度をシミュレーションした結果を示す図。
【図５】図５は、第１変形例に係る液晶表示装置の一部を示す断面図。
【図６】図６は、第２変形例に係る液晶表示装置の一部を示す断面図。
【図７】図７は、第３変形例に係る液晶表示装置の一部を示す断面図。
【図８】図８は、第４変形例に係る液晶表示装置の実装部の一部を拡大して示す平面図。
【図９】図９は、第５変形例に係る液晶表示装置の実装部の一部を拡大して示す平面図。
【図１０】図１０は、第６変形例に係る液晶表示装置の実装部の一部を拡大して示す平面図。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る表示装置を概略的に示す斜視図。
【図１２】図１２は、図１１の線XII-XIIに沿った表示装置の一部を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。  
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置あるいは有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を開示する。これらの表示装置は、例えば、時計、ナビゲーション等のウエラブルデバイス、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。
【００１１】
（第１の実施形態）  
図１は、液晶表示装置の構成を概略的に示す平面図である。図１においては、互いに交差する第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面における液晶表示装置１０の平面図である。ここでは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。  
液晶表示装置１０は、第１基板（アレイ基板）ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板（対向基板）ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、例えば、ガラス基板のような絶縁基板を用いている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材ＳＥによって貼り合わされている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップにおいてシール材ＳＥによって囲まれた内側に保持されている。
【００１２】
図１に示すように、液晶表示装置１０は、平面視でシール材ＳＥの内側となる領域に、画像を表示する表示領域（アクティブ領域）ＤＡが設けられている。液晶表示装置１０は、表示領域ＤＡにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出するゲート線Ｇ、第２方向に延出するソース線Ｓ、各画素ＰＸにおいてゲート線Ｇおよびソース線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに接続された画素電極ＰＥなどを備えている。コモン電位の共通電極ＣＥは、第１基板ＳＵＢ１または第２基板ＳＵＢ２に備えられ、複数の画素電極ＰＥと対向する。なお、ゲート線Ｇは第１方向Ｘに平行な直線状に形成されていなくても良いし、ソース線Ｓは第２方向Ｙに平行な直線状に形成されていなくても良い。すなわち、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓは、屈曲していてもよいし、一部が分岐していても良い。
【００１３】
駆動素子２４およびフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）２３などの液晶表示装置１０の駆動に必要な信号供給源は、表示領域ＤＡよりも外側の非表示領域（額縁領域）ＥＤに位置している。図１に示した例では、駆動素子２４およびＦＰＣ２３は、第２基板ＳＵＢ２の基板端部５１よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。非表示領域（額縁領域）ＥＤは、表示領域ＤＡを囲むエリアであり、シール材ＳＥが配置されるエリアを含む。
【００１４】
なお、液晶表示装置１０の詳細な構成については説明を省略するが、表示モードとして、主として基板主面に沿った横電界を利用する横電界モードに対応した構成を有していても良いし、主として基板主面に交差する縦電界を利用する縦電界モードに対応した構成を有していても良い。
【００１５】
また、液晶表示装置１０は、例えば、照明装置（バックライトユニット）からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型であっても良いし、外光や補助光といった表示面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型であっても良い。
【００１６】
図２は、液晶表示装置１０の実装部ＭＴの一部を拡大して示す平面図、図３は、図２の線III−IIIに沿った液晶表示装置の断面図である。  
本実施形態においては、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上又は上方と定義し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下又は下方と定義する。
【００１７】
図２および図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに駆動素子（ドライバＩＣ）２４が実装されている。一例では、駆動素子２４は、異方性導電膜（ＡＣＦ）６０を挟んで、実装部ＭＴに熱圧着により実装されている（ＣＯＧ：チップオングラス）。駆動素子２４は、第２基板ＳＵＢ２の端部５１と間隔Ｄ１を置いてほぼ平行に並んだ状態で配置される。また、駆動素子２４は、第１基板ＳＵＢ１の端部から離間して配置される。第２基板ＳＵＢ２の端部５１は、駆動素子２４と間隔Ｄ１を置いて対向する第１側面５１ｂを有している。駆動素子２４の第２方向Ｙにおける幅Ｗ１は、第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴの第２方向Ｙにおける幅Ｗ２よりも小さい。  
第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴには複数の出力端子５２が設けられ、これらの出力端子５２は、表示領域ＤＡに設けられた複数の配線と電気的に接続されている。実装部ＭＴ上に実装された駆動素子２４の複数の出力バンプ２４ａは、実装部ＭＴに設けられ出力端子５２に電気的に接続されている。また、駆動素子２４の複数の入力バンプ２４ｂは、実装部ＭＴに設けられた入力端子５６に電気的に接続されている。
【００１８】
図２および図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１において、駆動素子２４が実装される実装部ＭＴの少なくとも一部は、第１基板ＳＵＢ１を構成するガラスよりも熱伝導性の低い断熱材を有する断熱領域ＨＲを備えている。本実施形態では、断熱領域ＨＲは、実装部ＭＴの第２方向Ｙにおける幅Ｗ２と同じ幅を有している。また、断熱領域ＨＲは、第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘにおいて、駆動素子２４の第１方向Ｘにおける長さよりも長く、実装部ＭＴの第１方向Ｘにおける長さよりも短い。断熱領域ＨＲを構成するための断熱材は、例えば、シリカ等からなる中空ナノ粒子（ナノカプセル）などを用いることができる。中空ナノ粒子を用いる場合、中空ナノ粒子の中にウレタンなどの材料を充填してもよい。また、断熱材は、第１基板ＳＵＢ１内に分散添加されていてもよいし、第１基板ＳＵＢ１上にシート状の断熱材を設けてもよい。
【００１９】
断熱領域ＨＲの熱伝導率は、第１基板ＳＵＢ１を構成するガラスの熱伝導率（０．７５〜１．２５Ｗ／ｍＫ）の半分以下、例えば、０．４〜０．６Ｗ／ｍＫとなるように調整されている。この断熱領域ＨＲの熱伝導率は、上記値に限定されることなく、適宜、変更可能であり、少なくとも第１基板ＳＵＢ１の熱伝導率よりも低く設定されていればよい。
【００２０】
以上のように構成された液晶表示装置１０によれば、第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴの少なくとも一部に、断熱領域ＨＲを設けている。ドライバＩＣ等の駆動素子２４を第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに熱圧着する際、圧着ヘッドから駆動素子２４を通して第１基板ＳＵＢ１に伝わった熱を断熱領域ＨＲで断熱し、シール材ＳＥ、液晶層ＬＱ、第２基板ＳＵＢ２に伝わる熱を大幅に低減することができる。従って、熱の影響によるシール材ＳＥのシール性劣化、液晶層ＬＱの特性変動等を防止し、表示装置の信頼性が向上する。同時に、熱の影響が大幅に低減することから、駆動素子２４を第２基板ＳＵＢ１に近接して配置することが可能となる。例えば、駆動素子２４と第２基板ＳＵＢ２の端部５１との間隔Ｄ１は、従来の表示装置では０．４ｍｍ程度に設定されているが、本実施形態によれば、間隔Ｄ１を０．４−αｍｍに短くした場合でも、第２基板ＳＵＢ２への熱の影響を抑制することが可能となる。また、間隔Ｄ１を短くしたα分だけ、第１基板ＳＵＢ１の長さ（実装部ＭＴの幅Ｗ２）を短くすることが可能となり、その結果、液晶表示装置１０の狭額縁化を図ることができる。なお、αは、例えば、０．１〜０．２ｍｍに設定可能である。
【００２１】
図４は、比較例に係る液晶表示装置および実施例に係る液晶表示装置について、駆動素子２４と第２基板ＳＵＢ２の端部５１との間隔Ｄ１を種々変更して、駆動素子２４の熱圧着時の液晶表示装置の複数点の温度をシミュレーションした結果を示している。  
シミュレーションにおいて、液晶表示装置の第１および第２基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２には０．１５ｍｍ厚のガラス基板を用いている。また、比較例に係る液晶表示装置は、第１基板に断熱領域が設けられていないものとしている。実施例に係る液晶表示装置は、第１基板ＳＵＢ１に設けられた断熱領域ＨＲを有し、この断熱領域ＨＲの熱伝導率を、ガラスの熱伝導率の１／２（０．５Ｗ／ｍＫ）としている。テフロン（登録商標）シート５５を介して、圧着ヘッド５４によって駆動素子２４を押圧し、圧着温度を１５０℃として熱圧着するものとしている。温度測定点は、Ａ点（第２基板ＳＵＢ２の第１側面５１ｂとシール材ＳＥとの間）、Ｂ点（シール材ＳＥと液晶層ＬＱとの間）、およびＣ点（背面側に設けられた偏光板ＰＬ２のシール材ＳＥ側端部）としている。
【００２２】
図４に示すように、断熱領域を備えていない比較例に係る液晶表示装置では、Ａ点およびＢ点ともに、温度が１１０℃を越えている。つまり、比較例に係る液晶表示装置では、シール材、液晶層への熱の影響が大きく、表示に悪影響を与えてしまう。これに対して、実施例に係る液晶表示装置では、間隔Ｄ１が、０．４ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍ、０．１ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０２ｍｍのいずれの場合も、少なくともＢ点の温度が１１０℃よりも低くなっていることが分かる。このように、本実施例に係る液晶表示装置は、比較例に係る液晶表示装置に比べて、熱圧着時の各点の温度が大幅に低下していることが分かる。  
以上のことから、第１の実施形態によれば、シール材、液晶層への熱の影響を低減し、信頼性の向上した液晶表示装置を得ることができる。また、駆動素子２４を第２基板ＳＵＢ２の端部５１の近くに実装することができ、その分、第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴの幅Ｗ２を狭くすることが可能となる。従って、一層の狭額縁化を図ることが可能な液晶表示装置を得ることができる。
【００２３】
次に、変形例に係る表示装置および他の実施形態に係る表示装置について説明する。なお、以下に説明する変形例および他の実施形態において、前述した第１の実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略あるいは簡略化し、第１の実施形態と異なる部分を中心に詳しく説明する。  
【００２４】
（第１変形例）  
図５は、第１変形例に係る液晶表示装置の一部を示す断面図である。第１変形例では、第２基板ＳＵＢ２の第１側面５１ｂを斜めにカットした構成としている。すなわち、第２基板ＳＵＢ２の第１側面５１ｂは、駆動素子２４から離れる方向に傾斜した傾斜面６２になっている。  
このように、駆動素子２４に隣接する第２基板ＳＵＢ２の第１側面５１ｂを斜めにカットすることにより、熱圧着時に圧着ヘッドと第２基板ＳＵＢ２との間の間隔を広くすることができ、駆動素子２４を第２基板ＳＵＢ２に一層近づけた位置に配置することが可能となる。例えば、駆動素子２４と第２基板ＳＵＢ２との間隔Ｄ２を（０．４−βｍｍ）＜Ｄ１程度に小さくすることができ、その結果、第１基板ＳＵＢ１の長さ（実装部ＭＴの幅Ｗ２）を短くし、狭額縁化を図ることができる。
【００２５】
（第２変形例）  
図６は、第２変形例に係る液晶表示装置の一部を示す断面図である。第２変形例では、第１基板ＳＵＢ１の断熱領域ＨＲを、シール材ＳＥと液晶層ＬＱとの境界位置まで延長している。すなわち、第１基板ＳＵＢ１において、実装部ＭＴに加えて、シール材ＳＥと重なる領域にも断熱材を備えている。  
このように断熱領域ＨＲをシール材ＳＥの位置まで設けることにより、第１基板ＳＵＢ１の断熱性がより高くなり、シール材ＳＥおよび液晶層ＬＱへの熱の影響を一層低減することができる。また、駆動素子２４と第２基板ＳＵＢ２との間隔Ｄ３を（０．４−βｍｍ）＜Ｄ１程度に小さくすることが可能となる。
【００２６】
（第３変形例）  
図７は、第３変形例に係る液晶表示装置の一部を示す断面図である。第３変形例では、シール材ＳＥ内、および第２基板ＳＵＢ２のシール材ＳＥと重なる基板端部５１にも断熱材を添加し、それぞれ、断熱領域ＨＲ２、ＨＲ３を形成している。  
このように第１基板ＳＵＢ１の断熱領域ＨＲに加えて、シール材ＳＥおよび第２基板ＳＵＢ２に断熱領域ＨＲ２、ＨＲ３を設けることにより、駆動素子２４および圧着ヘッドから伝わる熱の断熱効果が上がり、シール材ＳＥおよび液晶層ＬＱへの熱の影響を一層低減することができる。これにより、駆動素子２４を第２基板ＳＵＢ２に一層近づけて配置することが可能となり、駆動素子２４と第２基板ＳＵＢ２との間隔Ｄ４を（０．４−βｍｍ）＜Ｄ１程度に小さくすることができる。
【００２７】
（第４変形例）  
図８は、第４変形例に係る液晶表示装置の実装部の一部を拡大して示す平面図である。第４変形例では、第１基板ＳＵＢ１の断熱領域ＨＲを分散して配置させた構成としている。図８に示した例では、駆動素子２４の中央部と重なる領域では、第１の実施形態と同様に、第１断熱領域ＨＲ１を形成し、駆動素子２４の第１方向Ｘにおける端部と重なる領域では、ストライプ状に第２断熱領域ＨＲ４を形成している。ストライプ状の第２断熱領域ＨＲ４は、駆動素子２４の第１方向Ｘに間隔を置いて複数配置されている。各ストライプ状の第２断熱領域ＨＲ４は、実装部ＭＴの幅Ｗ２に亘って延在している。
【００２８】
（第５変形例）
図９は、第５変形例に係る液晶表示装置の実装部の一部を拡大して示す平面図である。第５変形例では、第４変形例と同様に、第１基板ＳＵＢ１の断熱領域ＨＲを分散させた構成としている。分散された断熱領域ＨＲの配置が異なる点以外は、図８に示した第４変形例と同様の構成である。つまり、図９に示した例では、駆動素子２４の中央部と重なる領域では、第１の実施形態及び第４変形例と同様に第１断熱領域ＨＲ１を形成し、駆動素子２４の第１方向Ｘにおける端部と重なる領域では、ドット状に第２断熱領域ＨＲ５を形成している。ドット状の第２断熱領域ＨＲ５は、駆動素子２４の第１方向Ｘに間隔を置いて複数配置されている。また、第２断熱領域ＨＲ５は、実装部ＭＴの幅Ｗ２に亘って形成されている。
【００２９】
駆動素子２４は、熱圧着時に、熱によって膨張し、元の大きさよりも大きくなる。第１基板ＳＵＢ１も駆動素子２４と同様に、熱圧着時に、熱によって膨張する。圧着後、温度が低下すると、駆動素子２４および第１基板ＳＵＢ１は、元の大きさに収縮する。しかし、駆動素子２４と第１基板ＳＵＢ１とでは、熱によって膨張する量が異なる。一般的に、駆動素子２４の方が第１基板ＳＵＢ１よりも膨張しやすい。そのため、熱圧着後に、第１基板ＳＵＢ１が収縮した後にも、駆動素子２４はまだ収縮しきれていない。そうすると、駆動素子２４は、第１基板ＳＵＢ１を伴って収縮し、第１基板ＳＵＢ１が追従変形してしまう。この結果、特に駆動素子２４の第１方向Ｘにおける端部付近で表示ムラが発生し易い。しかし、上記のように、第１基板ＳＵＢ１の第２断熱領域ＨＲ４又はＨＲ５を分散して配置することで、駆動素子２４の第１方向Ｘにおける端部付近で発生する表示ムラを低減することが可能となる。特に、第２断熱領域ＨＲ４又はＨＲ５を構成するための断熱材として、中空ナノ粒子を用いると、駆動素子２４および第１基板ＳＵＢ１が熱によって膨張する量を同等程度にすることができる。すなわち、上記のように、第１基板ＳＵＢ１の第２断熱領域ＨＲ４又はＨＲ５を分散して配置することで、駆動素子２４の収縮による第１基板ＳＵＢ１の追従変形の発生を防止することが可能となる。
【００３０】
（第６変形例）  
図１０は、第６変形例に係る液晶表示装置の実装部の一部を拡大して示す平面図である。第６変形例では、第１基板ＳＵＢ１の断熱領域ＨＲは、第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴの幅Ｗ２よりも短い幅Ｗ３で設けられている。すなわち、実装部ＭＴの第２方向Ｙにおいて、第２基板ＳＵＢ２の端部５１から駆動素子２４を僅かに超える位置まで、幅Ｗ３の領域を断熱領域ＨＲとしている。  
駆動素子２４の熱圧着による熱伝導の影響が生じる位置は、駆動素子２４の底面と対向する位置が主であり、上記のように、第２方向Ｙにおいて、駆動素子２４に対向する領域だけを断熱領域ＨＲとすることにより、充分な断熱効果を発揮することができる。また、本変形例によれば、断熱領域ＨＲの形成箇所を最も効果的な部分に限定することで、実装部ＭＴの幅Ｗ２の全域に断熱領域ＨＲを形成する場合に比較して、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００３１】
なお、前述した第１の実施形態および第１ないし第３変形例においては、第１基板ＳＵＢ１の断熱領域ＨＲは、第１基板ＳＵＢ１の厚さ方向の全域が断熱領域である構成としているが、これに限らず、第１基板ＳＵＢ１の厚さ方向において、第１基板ＳＵＢ１の上面１０Ｂ側（駆動素子２４が実装されている面側）に偏って断熱領域ＨＲが形成された構成としてもよい。この場合でも、前述した第１の実施形態と同様の断熱効果を発揮することが可能である。
【００３２】
（第２の実施形態）  
次に、第２の実施形態に係る表示装置について説明する。  
図１１は、第２の実施形態に係る表示装置の斜視図、図１２は、図１１の線XII−XIIに沿った表示装置の断面図である。図１１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定されている三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していても良い。本実施形態では、表示装置の一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を示している。
【００３３】
図１１に示すように、有機ＥＬ表示装置８０は、表示パネル１２と、表示パネル１２に実装された配線基板８２と、を備えている。表示パネル１２は、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。
【００３４】
本実施形態においては、第３方向Ｚの正の向き、あるいは、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの負の向き、あるいは、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵｂ１に向かう方向を下又は下方と定義する。  
表示パネル１２は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む枠状の非表示領域（額縁領域）ＥＤと、を備えている。表示パネル１２は、表示領域ＤＡにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。配線基板８２は、表示パネル１２の下側において、非表示領域ＥＤおよび表示領域ＤＡに対向して位置している。後述するように、配線基板８２は、非表示領域ＥＤの実装部ＭＴにおいて表示パネル１２に電気的に接続されている。
【００３５】
図１２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板８４、複数のスイッチング素子ＳＷ、反射層８５、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、保護部材ＰＰ等を備えている。第１絶縁基板８４は、例えば、ポリイミド等の有機絶縁材料を用いて形成された樹脂基板である。第１絶縁基板８４の上面８４ａは、第１絶縁膜８６ａによって覆われ、第１絶縁基板８４の下面８４ｂは保護部材ＰＰにより覆われている。
【００３６】
スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁膜８６ａの上に形成されている。各スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣおよび第１絶縁膜８６ａに重ねて第２絶縁膜８６ｂが形成されている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜８６ｂの上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜８６ｃによって覆われている。また、第３絶縁膜８６ｃは、第２絶縁膜８６ｂの上にも配置されている。  
このような第１絶縁膜８６ａ、第２絶縁膜８６ｂ、および、第３絶縁膜８６ｃは、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。
【００３７】
スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳおよびドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜８６ｃの上に形成されている。ソース電極ＷＳおよびドレイン電極ＷＤは、それぞれ第２絶縁膜８６ｂおよび第３絶縁膜８６ｃを貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣと電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷは、第４絶縁膜８６ｄによって覆われている。第４絶縁膜８６ｄは、第３絶縁膜８６ｃの上にも配置されている。第４絶縁膜８６ｄは、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。  
反射層８５は、第４絶縁膜８６ｄの上に形成されている。反射層８５は、アルミニウムや銀等の反射率が高い金属材料で形成される。
【００３８】
複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、表示領域ＤＡにおいて、第４絶縁膜８６ｄの上に形成され、画素ＰＸを構成している。図示した例では、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、各スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、何れも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。
【００３９】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、反射層８５の上に形成された画素電極（陽極）ＰＥと、この画素電極（陽極）ＰＥに順に重ねて形成された有機発光層ＯＲＧおよび共通電極（陰極）ＣＥと、を備えている。画素電極（陽極）ＰＥは、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤと電気的に接続されている。画素電極（陽極）ＰＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、それぞれリブ８８によって区画されている。なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。
【００４０】
図１２に示すように、第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板９０、カラーフィルタ層１００等を備えている。第２絶縁基板９０は、例えば、ガラス基板や樹脂基板であっても良いし、光学フィルムや偏光板等を含んだ光学素子であっても良い。カラーフィルタ層１００は、表示領域ＤＡにおいて、第２絶縁基板９０の下面９０ａ側に配置されている。カラーフィルタ層１００は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、および、カラーフィルタＣＦ３を備えている。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、互いに異なる色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向している。
【００４１】
上記のような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、表示領域ＤＡにおいて、透明な接着剤９２によって互いに接着されている。また、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、接着剤９２に加えて、非表示領域ＥＤにおいて、接着剤９２あるいは表示領域ＤＡを囲むシール材ＳＥによって貼り合わされている。接着剤９２は、エポキシ系、アクリル系、エポキシアクリレート系等の樹脂材料を用いて形成される。また、シール材ＳＥは、紫外線波長のレーザー光に対する耐性を有する材料によって形成され、例えばアクリレート骨格を有する樹脂材料を用いて形成される。
【００４２】
第１基板ＳＵＢ１の保護部材ＰＰは、表示領域ＤＡおよび非表示領域ＥＤの一部に重なって設けられ、非表示領域ＥＤの端子部周縁には配置されていない。  
非表示領域ＥＤの端子部において、第１基板ＳＵＢ１の第４絶縁膜８６ｄと第１〜第３絶縁膜８６ａ〜８６ｃ（絶縁膜ＩＬと総称する）との間にパッド電極ＰＤが設けられている。パッド電極ＰＤは、電極Ｐ１および電極Ｐ２を積層されることによって構成されている。電極Ｐ１は、例えば、ＩＴＯ等の導電材料を用いて形成される。電極Ｐ２は、例えば、アルミニウム等の金属材料を用いて形成される。電極Ｐ１は、例えば、島状に形成されている。
【００４３】
絶縁層ＩＬ上に信号配線９４が形成され、この信号配線９４はパッド電極ＰＤに電気的に接続されている。図示した例では、信号配線９４は、パッド電極ＰＤの電極Ｐ２と一体的に形成されている。信号配線９４は、電源線や各種制御用配線等に相当する。第４絶縁膜８６ｄは、信号配線９４、パッド電極ＰＤ、絶縁膜ＩＬを覆っている。  
第１絶縁基板８４および絶縁膜ＩＬには、パッド電極ＰＤまで貫通するコンタクトホールＣＨａが形成されている。コンタクトホールＣＨａは、第１絶縁基板８４に形成された第１コンタクトホールＣＨａ１と、絶縁膜ＩＬに形成された第２コンタクトホールＣＨａ２とがつながって形成されている。パッド電極ＰＤおよびコンタクトホールＣＨａは、シール材ＳＥの直下に位置している。
【００４４】
図１２に示すように、配線基板８２は、第１絶縁基板８４の下方に配置されている。配線基板８２は、コア基板９６ａと、コア基板９６ａ上に積層された接続配線９６ｂと、コア基板９６ａの下方に配置された駆動素子（ドライバＩＣ）９８と、を備えている。コア基板９６ａは、第１絶縁基板８４の下方で、表示領域ＤＡおよび非表示領域ＥＤに跨って配置されている。
【００４５】
接続配線９６ｂは、凸部Ｔを有している。凸部Ｔは、第１基板ＳＵＢ１側に突出している。凸部Ｔは、少なくとも一部がコンタクトホールＣＨａ内に設けられている。凸部Ｔは、例えば、接続配線９６ｂの上にメッキ等の手法を用いて形成される。
【００４６】
駆動素子９８は、コア基板９６ａに形成されたスルーホール１０１を介して接続配線９６ｂと電気的に接続されている。駆動素子９８は、表示パネル１２を駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。なお、駆動素子９８の配設位置は、特に制限されるものではなく、駆動素子９８は、コア基板９６ａの上方に配置されていても良い。
【００４７】
配線基板８２は、導電材料である異方性導電膜（ＡＣＦ）１０２を介して、表示パネル１２の第１絶縁基板８４に熱圧着され、パッド電極ＰＤに電気的に接続されている。すなわち、配線基板８２と第１絶縁基板８４との間にＡＣＦ１０２を介在させた状態で、配線基板８２および表示パネル１２を第３方向Ｚに上下から加圧し、加熱することによって、両者が電気的および物理的に接続される。ＡＣＦ１０２は、表示パネル１２と配線基板８２との間で、第１絶縁基板８４の下面からコンタクトホールＣＨａの内部に亘って充填され、パッド電極ＰＤと接し、電気的に接続されている。また、ＡＣＦ１０２は、接続配線９６ｂと接し、電気的に接続されている。これにより、駆動素子９８および接続配線９６ｂは、ＡＣＦ１０２を介して、パッド電極ＰＤおよび信号配線９４と電気的に接続されている。
【００４８】
第１絶縁基板８４において、配線基板８２が熱圧着により実装された実装部ＭＴの少なくとも一部は、第１絶縁基板８４を構成する樹脂よりも熱伝導性の低い断熱材を有する断熱領域ＨＲを備えている。本実施形態では、断熱領域ＨＲは、第１絶縁基板８４において、コンタクトホールＣＨａの周囲の領域に設けられている。断熱領域ＨＲを構成するための断熱材は、例えば、シリカ等からなる中空ナノ粒子（ナノカプセル）などを用いることができる。中空ナノ粒子を用いる場合、中空ナノ粒子の中にウレタンなどの材料を充填してもよい。また、断熱材は、第１絶縁基板８４内に分散添加されていてもよいし、第１絶縁基板８４の下面にシート状のものを設けてもよい。
【００４９】
断熱領域ＨＲの熱伝導率は、第１絶縁基板８４を構成する樹脂の熱伝導率（０．２８〜０．５０Ｗ／ｍＫ）の半分以下、例えば、０．１４〜０．２５となるように調整されている。この断熱領域ＨＲの熱伝導率は、上記値に限定されることなく、適宜、変更可能であり、少なくとも第１絶縁基板８４の熱伝導率よりも低く設定されていればよい。
【００５０】
以上のように構成された有機ＥＬ表示装置８０によれば、第１絶縁基板８４の実装部ＭＴの少なくとも一部に、断熱領域ＨＲを設けている。駆動素子２４を備えた配線基板８２を第１絶縁基板８４の実装部ＭＴに熱圧着する際、圧着ヘッドから配線基板８２を通して第１絶縁基板８４に伝わった熱を断熱領域ＨＲで断熱し、シール材ＳＥ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、第２基板ＳＵＢ２に伝わる熱を大幅に低減することができる。従って、熱の影響によるシール材ＳＥのシール性劣化、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性変動等を防止し、表示装置の信頼性が向上する。  
なお、第２の実施形態において、断熱領域ＨＲは、第１絶縁基板８４に形成される構成のみに限定されることなく、実装部ＭＴと重なる第３絶縁膜８６ｄ、リブ８８、シール材ＳＥ等に断熱材を添加して断熱領域を形成してもよい。あるいは、表示領域ＤＡと対向する領域を含み、第１絶縁基板８４の全域に断熱材を添加し、断熱領域ＨＲとしてもよい。
【００５１】
本発明のいくつかの実施形態および変形例を説明したが、これらの実施形態および変形例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００５２】
本発明の実施形態として上述した各構成を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての構成および製造工程も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。また、上述した実施形態によりもたらされる他の作用効果について本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。  
例えば、構成部材の材料、形状、寸法等は、上述した実施形態に限らず、種々選択可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…液晶表示装置、１２…液晶表示パネル、２４…駆動素子、  
ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、５０…端部、６０、１０２…ＡＣＦ、  
７０…断熱材、８０…有機ＥＬ表示装置、８２…配線基板、ＬＱ…液晶層、  
ＤＡ…表示領域、ＥＤ…非表示領域、ＰＸ…画素、ＳＥ…シール材、  
ＨＲ、ＨＲ２、ＨＲ３…断熱領域、ＭＴ…実装部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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