(57)【要約】【課題】コストを抑えつつ、ヒートシンクのフィンの表面及びフィン間に形成された絶縁皮膜の形成状態を精度良く検査することが可能になるヒートシンクの検査方法を提供する。【解決手段】外表面に複数の冷却フィン８ａが並べて配置された金属製の筐体８と、冷却フィン８ａの表面及び冷却フィン８ａ間に形成された絶縁皮膜９と、を含むヒートシンク３の検査方法であって、冷却フィン８ａ間に挿入可能な複数の電極フィン３２ａが並べて配置された検査用電極３２を、冷却フィン８ａと電極フィン３２ａとが互い違いになるように、電解質液３６中において筐体８に対して所定の間隔で対向配置させる工程と、対向配置された筐体８と検査用電極３２との間に電圧を印加し、測定された電流の値に基づいて、絶縁皮膜９の形成状態を検査する工程と、を備える。【選択図】図６
2018032710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外表面に複数の第１のフィンが並べて配置された金属製の筐体と、前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に形成された絶縁皮膜と、を含むヒートシンクの検査方法であって、
前記第１のフィン間に挿入可能な複数の第２のフィンが並べて配置された検査用電極を、前記第１のフィンと前記第２のフィンとが互い違いになるように、電解質液中において前記筐体に対して所定の間隔で対向配置させる工程と、
対向配置された前記筐体と前記検査用電極との間に電圧を印加し、測定された電流の値に基づいて、前記絶縁皮膜の形成状態を検査する工程と、を備えた、
ヒートシンクの検査方法。
【請求項２】
対向配置された前記筐体と前記検査用電極との間に電圧を印加している際に、前記第１のフィンと前記第２のフィンとの間隔を変更する、請求項１に記載のヒートシンクの検査方法。
【請求項３】
外表面に複数の第１のフィンが並べて配置された金属製の筐体と、前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に形成された絶縁皮膜と、を含むヒートシンクの検査装置であって、
前記第１のフィン間に挿入可能な複数の第２のフィンが並べて配置された検査用電極と、
前記筐体と前記検査用電極との間に流れる電流値を測定する電流計、とを備え、
前記第１のフィンと前記第２のフィンとが互い違いになるように、電解質液中において前記筐体と前記検査用電極とを所定の間隔で対向配置させて電圧を印加し、前記電流計によって測定された電流の値に基づいて、前記絶縁皮膜の形成状態を検査する、
ヒートシンクの検査装置。
【請求項４】
外表面に複数の第１のフィンが並べて配置された金属製の筐体と、前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に形成された絶縁皮膜と、を含むヒートシンクの製造方法であって、
前記筐体を成形する工程と、
前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に前記絶縁皮膜を形成する工程と、
前記第１のフィン間に挿入可能な複数の第２のフィンが並べて配置された検査用電極を、前記第１のフィンと前記第２のフィンとが互い違いになるように、電解質液中において前記筐体に対して所定の間隔で対向配置させる工程と、
対向配置された前記筐体と前記検査用電極との間に電圧を印加し、測定された電流の値に基づいて、前記絶縁皮膜の形成状態を検査する工程と、を備えた、
ヒートシンクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートシンクの検査方法、検査装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱伝導性の高い金属からなるヒートシンクが知られている。特許文献１には、放熱面がフッ素樹脂で被覆されたアルミニウム製のヒートシンクが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５７−２０２６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者らは、図１４に示す形状のヒートシンク１０３を開発した。ヒートシンク１０３は、外表面に複数のフィン１０８ａが櫛歯状に並べて配置された金属製の筐体１０８と、フィン１０８ａの表面及びフィン１０８ａ間に形成された放熱性に優れた絶縁皮膜１０９とを含む。絶縁皮膜１０９において、欠陥が生じているとヒートシンク１０３の冷却性能が低下する。このため、ヒートシンク１０３の製造工程において、絶縁皮膜１０９の形成状態を検査する必要がある。
【０００５】
発明者らは、絶縁皮膜１０９の形成状態を検査するために、図１５および図１６に示す検査装置１３０を用いてヒートシンク１０３の検査を行った。なお、図１５は検査装置１３０の概略構成を示す側面図、図１６は図１５の矢印Ｊの方向から見た矢視図である。検査装置１３０は、検査槽１３１と、検査用電極１３２と、電極端子１３３と、電源１３４と、電流計１３５と、を備えている。検査槽１３１には、電解質液１３６が入っている。検査用電極１３２の形状は、平板または丸棒である。電極端子１３３は、筐体１０８における絶縁皮膜１０９が形成されていない非皮膜箇所１１０（図１４参照）に取り付けられる。
【０００６】
ヒートシンク１０３の検査では、まず、電解質液１３６中においてフィン１０８ａの先端と検査用電極１３２とが対向するように、ヒートシンク１０３と検査用電極１３２とを検査槽１３１内に配置する。そして、電源１３４により筐体８と検査用電極１３２との間に電圧を印加し、そのときに発生する電流に基づいて絶縁皮膜１０９の形成状態を検査する。
【０００７】
絶縁皮膜１０９に欠陥があり下地の金属部分（筐体１０８の表面）が露出している場合、電解質液１３６を介して露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との間には電流が流れる。絶縁皮膜１０９の欠陥により露出した下地の金属部分の面積が相対的に大きければ、露出した下地の金属部分と検査用電極３２との間を流れる電流は相対的に大きくなる。一方、絶縁皮膜１０９の欠陥により露出した下地の金属部分の面積が相対的に小さければ、露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との間を流れる電流は相対的に小さくなる。
【０００８】
一般的に、電解質液中に浸した電極間に電圧を印加した場合、電極間の距離が大きくなると電極間に電圧を印加した際に発生する電流値が小さくなる傾向がある。このため、露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との距離が相対的に短ければ、露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との間を流れる電流は相対的に大きくなる。一方、露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との距離が相対的に長くなれば、露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との間を流れる電流は相対的に小さくなる。露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との距離が欠陥を適正に検出するために予め定めた距離（所定の距離）よりもずっと長い場合、電解質液１３６を介して露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との間を流れる電流は微弱になるので電流計１３５によって精度良く検出することができない。
【０００９】
検査装置１３０を用いてヒートシンク１０３の検査を行う場合、フィン１０８ａの先端部分には検査用電極１３２の対向面１３２ａを所定の距離まで近づけることができるが、フィン１０８ａ間における隙間底部１０８ｂには検査用電極１３２の対向面１３２ａを十分に近づけることができない。図１７は、図１６の領域Ｃを拡大した図である。図１７に示すように、フィン１０８ａの先端部分と検査用電極１３２との間の距離を所定の距離ｄ１０１にしても、隙間底部１０８ｂと検査用電極１３２との間の距離は所定の距離ｄ１０１よりも長い距離ｄ１０２になる。
【００１０】
フィン１０８ａの先端部分と検査用電極１３２との間の距離を所定の距離ｄ１０１とすると、フィン１０８ａの先端部分において下地の金属が露出している欠陥部位がある場合に、露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との間に流れる電流は電流計１３５によって精度良く検出できる。一方、隙間底部１０８ｂと検査用電極１３２との間の距離はｄ１０２（ｄ１０２＞ｄ１０１）なので、隙間底部１０８ｂにおいて下地の金属が露出している欠陥部位があっても、露出した下地の金属部分と検査用電極１３２との間に流れる電流が微弱になり電流計１３５によって精度良く検出できない場合がある。
【００１１】
絶縁皮膜１０９の検査を行うために、例えば、５００万画素レベルの高画素のカメラを有する外観検査装置を使用することも考えられる。すなわち、当該カメラによって絶縁皮膜１０９を撮影し、撮影された画像に対して欠陥検出のための画像処理を行い絶縁皮膜１０９に生じた個々の欠陥を検出する。そして、検出した個々の欠陥がヒートシンク１０３の冷却性能に影響を与えるレベルであるか否かをそれぞれ判断し、それらの判断結果により絶縁皮膜１０９の形成状態を判定する判定処理を行う。しかしながら、問題となる欠陥のサイズは非常に微小であるため、外観検査装置を用いたヒートシンクの検査では検出処理、判定処理に多大な時間を要する。検出処理、判定処理に費やす時間を短縮するためには高性能な処理装置を導入する必要があるが、そのようにすると導入コストが増大する。
【００１２】
以上の背景に鑑み、本発明の目的は、コストを抑えつつ、ヒートシンクのフィンの表面及びフィン間に形成された絶縁皮膜の形成状態を精度良く検査することが可能になるヒートシンクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、外表面に複数の第１のフィンが並べて配置された金属製の筐体と、前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に形成された絶縁皮膜と、を含むヒートシンクの検査方法であって、前記第１のフィン間に挿入可能な複数の第２のフィンが並べて配置された検査用電極を、前記第１のフィンと前記第２のフィンとが互い違いになるように、電解質液中において前記筐体に対して所定の間隔で対向配置させる工程と、対向配置された前記筐体と前記検査用電極との間に電圧を印加し、測定された電流の値に基づいて、前記絶縁皮膜の形成状態を検査する工程と、を備えたものである。
第１のフィン間に挿入可能な複数の第２のフィンが並べて配置された検査用電極を、第１のフィンと第２のフィンとが互い違いになるように対向配置させることにより、検査用電極の一部である第２のフィンの先端を筐体における第１のフィン間の底に近づけて検査を行うことができる。そのため、第１のフィン間の底または第１のフィンの側面に欠陥が生じている場合に、当該欠陥において筐体の表面が露出した箇所と第２のフィンとの間に流れる電流値を精度良く検出することができる。これにより、絶縁皮膜の形成状態を精度良く検査することが可能になるとともに、外観検査装置を用いて個々の欠陥を検出する検査方法と比べてコストを抑えることができる。
【００１４】
さらに、上記ヒートシンクの検査方法は、対向配置された前記筐体と前記検査用電極との間に電圧を印加している際に、前記第１のフィンと前記第２のフィンとの間隔を変更するものである。
第１のフィンの一方の側面と第２のフィンの一方の側面との間隔が狭くなるように間隔の変更を行うと、第１のフィンの一方の側面に欠陥が生じている場合に、当該欠陥において筐体の表面が露出した箇所と第２のフィンとの間に流れる電流値をより精度良く検出することができる。第１のフィンの他方の側面と第２のフィンの他方の側面との間隔が狭くなるように間隔の変更を行うと、第１のフィンの他方の側面に欠陥が生じている場合に、当該欠陥において筐体の表面が露出した箇所と第２のフィンとの間に流れる電流値をより精度良く検出することができる。これにより、第１のフィンの側面における欠陥をより精度良く検出することが可能になる。
【００１５】
本発明は、外表面に複数の第１のフィンが並べて配置された金属製の筐体と、前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に形成された絶縁皮膜と、を含むヒートシンクの検査装置であって、前記第１のフィン間に挿入可能な複数の第２のフィンが並べて配置された検査用電極と、前記筐体と前記検査用電極との間に流れる電流値を測定する電流計、とを備え、前記第１のフィンと前記第２のフィンとが互い違いになるように、電解質液中において前記筐体と前記検査用電極とを所定の間隔で対向配置させて電圧を印加し、前記電流計によって測定された電流の値に基づいて、前記絶縁皮膜の形成状態を検査するものである。
上記ヒートシンクの検査装置において、第１のフィンと第１のフィン間に挿入可能な第２のフィンとが互い違いになるように検査用電極を配置させると、検査用電極の一部である第２のフィンの先端を筐体における第１のフィン間の底に近づけて検査を行うことができる。第２のフィンの先端を筐体における第１のフィン間の底に近づけて検査を行うと、第１のフィン間の底または第１のフィンの側面に欠陥が生じている場合に、当該欠陥において筐体の表面が露出した箇所と第２のフィンとの間に流れる電流値を精度良く検出することができる。これにより、第１のフィンの側面における欠陥をより精度良く検出することが可能になる。
【００１６】
本発明は、外表面に複数の第１のフィンが並べて配置された金属製の筐体と、前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に形成された絶縁皮膜と、を含むヒートシンクの製造方法であって、前記筐体を成形する工程と、前記第１のフィンの表面及び前記第１のフィン間に前記絶縁皮膜を形成する工程と、前記第１のフィン間に挿入可能な複数の第２のフィンが並べて配置された検査用電極を、前記第１のフィンと前記第２のフィンとが互い違いになるように、電解質液中において前記筐体に対して所定の間隔で対向配置させる工程と、対向配置された前記筐体と前記検査用電極との間に電圧を印加し、測定された電流の値に基づいて、前記絶縁皮膜の形成状態を検査する工程と、を備えたものである。
ヒートシンクの製造方法において、上記のように、コストを抑えつつ絶縁皮膜の形成状態を精度良く検査することが可能なヒートシンクの検査を実施することで、検査コストの大幅な増加を招くことなく絶縁皮膜の形成状態が良好なヒートシンクを製造することが可能になる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、コストを抑えつつ、ヒートシンクのフィンの表面及びフィン間に形成された絶縁皮膜の形成状態を精度良く検査することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ヒートシンクの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１の矢印Ａで示す方向から見た矢視図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】本実施の形態にかかるヒートシンクを備えたＤＣ／ＤＣコンバータの概略構成を示す分解斜視図である。
【図５】本実施の形態にかかるヒートシンクの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図６】本実施の形態にかかるヒートシンクの検査装置の概略構成の一例を示す側面図である。
【図７】図６の矢印Ｃから見た矢視図である。
【図８】図６の領域Ｂを拡大した図である。
【図９】本実施の形態にかかるヒートシンクの検査方法の流れを示すフローチャートである。
【図１０】本実施の形態にかかるヒートシンクの検査装置において、絶縁被膜の形成状態の良否判定を行う判定部が設けられている場合について示す図である。
【図１１】本実施の形態にかかるヒートシンクの検査方法において、電流の測定中における電極の移動のさせ方について説明する図である。
【図１２】筐体の外表面における複数の冷却フィンの配置の、図２とは別の例を示す図である。
【図１３】本実施の形態にかかるヒートシンクの検査方法において用いる検査装置の検査用電極の、図７とは別の例を示す図である。
【図１４】発明者らが開発したヒートシンクの概略構成を示す斜視図である。
【図１５】発明者らが開発したヒートシンクの検査装置の試作品の概略構成を示す側面図である。
【図１６】図１５の矢印Ｊの方向から見た矢視図である。
【図１７】図１６の領域Ｃを拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
まず、本実施の形態にかかるヒートシンクの概略構成について説明する。
図１は、ヒートシンク３の概略構成を示す斜視図である。図２は、図１の矢印Ａで示す方向から見た矢視図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図１〜図３に示すように、ヒートシンク３は、外表面に複数の冷却フィン（第１のフィン）８ａが並べて配置された金属製の筐体８と、冷却フィン８ａの表面及び冷却フィン８ａ間の隙間底部８ｂに形成された絶縁皮膜９と、を含む。本実施の形態では、冷却フィン８ａは櫛歯状に並べて配置されている。
【００２１】
筐体８は、アルミニウム、銅、それらを主成分とする合金など熱伝導性の優れた金属材料により形成される。なお、図３に示した筐体８において、後述するヒートシンク３の検査にて電極端子を取り付けする非皮膜箇所１０を除く表面全体に対して絶縁皮膜９が形成されている。非皮膜箇所１０は、ヒートシンク３の冷却性能に影響しない部位に形成する。絶縁皮膜９の材質は、放熱性に優れた窒化物、樹脂などであってもよい。
【００２２】
次に、上述のヒートシンク３を適用したＤＣ／ＤＣコンバータの概略構成について説明する。
図４は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の概略構成を示す分解斜視図である。図４に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ１は、スイッチング方式の電気回路部２と、ヒートシンク３と、カバー４と、高熱伝導樹脂クッション材５と、を備えている。電気回路部２は、基板６と、基板６に取り付けられた電子部品７と、を含む。
【００２３】
電気回路部２はヒートシンク３の筐体８の内部に収容される。高熱伝導樹脂クッション材５は、電子部品７と筐体８の内面との間に生じた空隙を埋めるために電子部品７と筐体８の内面との間に配置され、電子部品７において発生した熱を筐体８へと伝える。高熱伝導樹脂クッション材５は、熱伝導性に優れた樹脂材料で形成される。
【００２４】
次に、図５を参照してヒートシンク３の製造方法の概略について説明する。図５は、ヒートシンク３の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、ヒートシンク３の構成については、以下の説明においても図１〜図３を適宜参照する。
図５に示すように、まず、筐体８の成形を行う（ステップＳ１０１）。筐体８は、例えば、鋳造、鍛造、機械加工などにより成形する。一般的には、ダイキャスト鋳造により成形される。ダイキャスト鋳造は、型組された分割可能な鋳込み成形型の型締めを行う型締め工程と、型締めされた鋳込み成形型の内部に溶融アルミなどの溶融した金属を注ぎ込む鋳込み工程と、鋳込み成形型内の溶融金属の温度が冷えたら鋳込み成形型を開いてエジェクトピンにより型内の成形物を取り出す成形物取出し工程と、を備えている。次に、冷却フィン８ａの表面及び冷却フィン８ａ間の隙間底部８ｂに、絶縁性の物質をスプレー等によって塗布し、絶縁皮膜９を形成する（ステップＳ１０２）。そして、ヒートシンク３の検査を実施する（ステップＳ１０３）。
【００２５】
次に、図５のステップＳ１０３における、ヒートシンク３に対して実施する検査の詳細について説明する。なお、以下の説明では図１〜図３についても適宜参照する。
冷却フィン８ａの表面及び冷却フィン８ａ間の隙間底部８ｂに形成された絶縁皮膜９において、ピンホールなどの欠陥が生じているとヒートシンク３の冷却能力が低下する。このようなことから、ヒートシンク３において、絶縁皮膜９の形成状態を検査する必要がある。
【００２６】
図６は、ヒートシンク３の検査装置３０の概略構成の一例を示す側面図である。図７は、図６の矢印Ｃから見た矢視図である。図６および図７に示すように、検査装置３０は、検査槽３１と、検査用電極３２と、電極端子３３と、電源３４と、電流計３５と、を備えている。検査槽３１には、例えばミョウバン（ＡｌＫＳＯ４）などの電解質液３６が入っている。検査用電極３２は、冷却フィン８ａ間に挿入可能な複数の電極フィン（第２のフィン）３２ａが並べて配置されている。
【００２７】
電極端子３３は、筐体８における絶縁皮膜９が形成されていない非皮膜箇所１０（図１参照）に取り付けられる。電源３４は、直流電源で、一方の極には検査用電極３２が、他方の極には電極端子３３が接続されている。電流計３５は、筐体８と検査用電極３２との間に流れる電流を測定するためのものである。
【００２８】
図６の領域Ｂを拡大した図である。図８に示すように、検査用電極３２は、冷却フィン８ａと電極フィン３２ａとが互い違いになるように、電解質液３６中において筐体８に対して所定の間隔ｄ１で対向配置される。ヒートシンク３と検査用電極３２とは、絶縁性治具３７によって検査槽３１内に固定される。
【００２９】
ここで、図９を参照してヒートシンク３の検査方法の流れについて説明する。図９は、ヒートシンク３の検査方法の流れを示すフローチャートである。なお、ヒートシンク３の構成については、以下の説明においても図１〜図３を適宜参照する。
図９に示すように、まず、検査用電極３２を、冷却フィン８ａと電極フィン３２ａとが互い違いになるように、電解質液３６中において筐体８に対して所定の間隔で対向配置させる（ステップＳ２０１）。次に、対向配置された筐体８と検査用電極３２との間に電圧を印加し、測定された電流の値に基づいて、絶縁皮膜９の形成状態を検査する（ステップＳ２０２）。なお、ステップＳ２０１に先立って、ヒートシンク３を、超音波洗浄などの手段で洗浄を行ってもよい。また、ステップＳ２０２の後に、ヒートシンク３に付着した電解質液３６を洗い流すための超音波洗浄を行ってもよい。
【００３０】
ステップＳ２０１において、冷却フィン８ａの表面及び冷却フィン８ａ間の隙間底部８ｂに形成された絶縁皮膜９において欠陥が生じている場合、筐体８と検査用電極３２との間に電圧を印加すると、絶縁皮膜９の欠陥によって露出した下地の金属部分（筐体８の表面）と検査用電極３２との間には電解質液３６を介して電流が流れる。絶縁皮膜９の欠陥によって露出した下地の金属部分の面積が相対的に大きければ、露出した下地の金属部分と検査用電極３２との間を流れる電流は相対的に大きくなる。一方、絶縁皮膜９の欠陥により露出した下地の金属部分の面積が相対的に小さければ、露出した下地の金属部分と検査用電極３２との間を流れる電流は相対的に小さくなる。つまり、電流計３５により、絶縁皮膜９の欠陥により露出した下地の金属部分と検査用電極３２との間を流れる電流値を測定することで、絶縁皮膜９の形成状態の検査を行うことができる
【００３１】
ステップＳ２０２において、電流の測定中、電源３４により電極端子３３と検査用電極３２との間に印加される電圧Ｖはほぼ一定に維持される。絶縁皮膜９の形成状態の検査において、絶縁皮膜９の形成状態の良否の判定は、検査者が、電流計３５により測定された電流値Ａと予め定められた閾値Ａｔｈとを比較することにより行ってもよい。すなわち、電流計３５により測定された電流値Ａが予め定められた閾値Ａｔｈ以下である場合（Ａ≦Ａｔｈ）、絶縁皮膜９の形成状態は良好であると判定する。また、電流計３５により測定された電流値Ａが予め定められた閾値Ａｔｈより大きい場合（Ａ＞Ａｔｈ）、絶縁皮膜９の形成状態は良好ではないと判定する。
【００３２】
電流計３５により測定される電流値が、電流計３５において検出可能な電流値の下限を上回るように、電圧Ｖを調整してもよい。絶縁皮膜９の形成状態の検査において電圧Ｖを調整する場合、絶縁皮膜９の形成状態の良否の判定は、検査者が、電圧Ｖおよび電流計３５により測定された電流値Ａを用いて抵抗Ｒを算出し（Ｒ＝Ｖ／Ａ）、算出した抵抗値Ｒと予め定められた閾値Ｒｔｈとを比較することにより行ってもよい。すなわち、算出した抵抗Ｒが閾値Ｒｔｈ以上である場合（Ｒ≧Ｒｔｈ）、絶縁皮膜の形成状態は良好であると判定する。また、算出した抵抗Ｒが予め定められた閾値Ｒｔｈより小さい場合（Ｒ＜Ｒｔｈ）、絶縁皮膜の形成状態は良好ではないと判定する。
【００３３】
なお、図１０に示すように、ヒートシンク３の検査装置３０において、上述した、絶縁皮膜９の形成状態の良否の判定を行う判定部３６を設けてもよい。
【００３４】
本実施の形態にかかるヒートシンク３の検査方法では、冷却フィン８ａ間に挿入可能な複数の電極フィン３２ａが並べて配置された検査用電極３２を、冷却フィン８ａと電極フィン３２ａとが互い違いになるように、電解質液３６中において筐体８に対して所定の間隔で対向配置させる。検査用電極３２をこのように配置させることにより、検査用電極３２の一部である電極フィン３２ａの先端を筐体８における冷却フィン８ａ間の隙間底部８ｂに近づけて検査を行うことができるので、冷却フィン８ａ間の隙間底部８ｂまたは冷却フィン８ａの側面に欠陥が生じている場合に、当該欠陥において筐体８の表面が露出した箇所と電極フィン３２ａとの間に流れる電流値を精度良く検出することができる。これにより、絶縁皮膜９の形成状態を精度良く検査することが可能になるとともに、外観検査装置を用いて個々の欠陥を検出する検査方法と比べてコストを抑えることができる。また、ヒートシンクの製造方法において、上記のように、コストを抑えつつ絶縁皮膜の形成状態を精度良く検査することが可能なヒートシンクの検査を実施することで、検査コストの大幅な増加を招くことなく絶縁皮膜の形成状態が良好なヒートシンクを製造することが可能になる。
【００３５】
対向配置された筐体８と検査用電極３２との間に電圧を印加している際に、図１１に示すように、冷却フィン８ａと電極フィン３２ａとの間隔を変更するようにしてもよい。冷却フィン８ａと電極フィン３２ａとの間隔の変更はアクチュエータにより行ってもよい。検査用電極３２を筐体８における複数の冷却フィン８ａの並び方向の一方の向き（図中の矢印Ｄで示す向き）に移動させると、冷却フィン８ａの側面部８ｃＲと検査用電極３２の側面部３２ｃＲとの間隔が短くなるので、冷却フィン８ａの側面部８ｃＲにおける欠陥を精度良く検出することが可能になる。検査用電極３２を筐体８における複数の冷却フィン８ａの並び方向の他方の向き（図中の矢印Ｅで示す向き）に移動させると、冷却フィン８ａの側面部８ｃＬと検査用電極３２の側面部３２ｃＬとの間隔が短くなるので、冷却フィン８ａの側面部８ｃＬにおける欠陥を精度良く検出することが可能になる。
【００３６】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【００３７】
上記実施の形態では、図２に示すように、筐体８の外表面において、複数の冷却フィン８ａが櫛歯状に並べて配置されているが、本発明の検査対象であるヒートシンクは、このようにフィンが配置されたものに限らない。例えば、図１２に示すように、ヒートシンク２０３の筐体２０８において、複数の冷却フィン２０８ａが隙間底部２０８ｂを挟んで放射状に並べて配置されていてもよい。複数の冷却フィン２０８ａが隙間底部２０８ｂを挟んで放射状に並べて配置されている場合、検査用電極２３２においても、電極フィン２３２ａが冷却フィン２０８ａ間に挿入可能なように、放射状に並べて配置されている必要がある。
【００３８】
上記実施の形態では、図７に示すように、検査用電極３２において、全ての冷却フィン８ａ間に電極フィン３２ａが挿入されるように電極フィン３２ａを形成しているが、これに限るものではない。図１３に示すように、電極３３２において、一部の冷却フィン８ａ間にのみ電極フィン３２ａが挿入されるように電極フィン３２ａを形成してもよい。
【符号の説明】
【００３９】
３  ヒートシンク
８  筐体
８ａ  冷却フィン
８ｂ  隙間底部
９  絶縁皮膜
１０  非皮膜箇所
３０  検査装置
３１  検査槽
３２  検査用電極
３２ａ  電極フィン
３３  電極端子
３４  電源
３５  電流計
３６  電解質液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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