(57)【要約】【課題】画素電極のバックゲート効果によるトランジスタ特性の変動、例えばオフ電流の増加やしきい値電圧のシフトを抑制しうる薄膜トランジスタと、これを用いた表示品質の優れた画像表示装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、絶縁基板と、絶縁基板上に設けられた、少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、および、有機半導体層と、ドレイン電極上に設けられた、貫通孔を有する層間絶縁層と、ドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを含む薄膜トランジスタであって、画素電極は少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域に開口部を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた、少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、および、有機半導体層と、前記ドレイン電極上に設けられた、貫通孔を有する層間絶縁層と、前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを含む薄膜トランジスタであって、
前記画素電極は少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域に開口部を有する、薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記有機半導体層を被覆する保護層をさらに含み、前記保護層がフッ素を含有する樹脂で構成される、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記層間絶縁層が少なくとも、平面視において前記チャネルと重なる領域に開口部を有する、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記層間絶縁層の少なくとも、平面視において前記チャネルと重なる領域が不透明な遮光材料で形成されている、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に配列された薄膜トランジスタアレイを含む、画像表示装置。
【請求項６】
マイクロカプセル型電気泳動方式の電子ペーパーである、請求項５に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ及び画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、一般的な平面薄型画像表示装置は非晶質シリコンや多結晶シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタアレイにより駆動されている。
【０００３】
また、平面薄型画像表示装置のさらなる薄型化、軽量化、耐破損性、フレキシブル化の向上を求めて、ガラス基板の替わりに樹脂基板を用いる試みが近年なされている。
【０００４】
特にマイクロカプセル型電気泳動方式の電子ペーパーにおいては、前面板がフレキシブル性を有するため、背面板となる薄膜トランジスタアレイのフレキシブル化が求められている。
【０００５】
しかし、上述のシリコンを用いる薄膜トランジスタアレイの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
【０００６】
そこで、低温形成が可能な有機半導体を用いた薄膜トランジスタ（有機薄膜トランジスタ）の開発が活発に行われている。
【０００７】
薄膜トランジスタの構造としてはトップゲート型、ボトムゲート型等が挙げられるが、有機薄膜トランジスタの場合は、ボトムゲート型であることが一般的である。トップゲート型の場合、有機半導体層の上にゲート絶縁層を形成することになるが、その際に、ゲート絶縁材料に含まれる溶剤や焼成時の加熱が有機半導体層に損傷を与える可能性が高いためである。
【０００８】
しかしボトムゲート型有機薄膜トランジスタは、同構造のシリコン系薄膜トランジスタと比較して、トランジスタ上部に画素電極を形成した際に生じるバックゲート効果の影響を大きく受けてしまうという問題がある。
【０００９】
バックゲート効果とは、画素電極や配線を薄膜トランジスタの上部に設けた場合に、画素電極や配線の電位の影響を受けて、薄膜トランジスタの半導体層と半導体層上部に設けられた絶縁層との間に形成されたチャネル（バックチャネル）のリーク電流が増加することによって、薄膜トランジスタのオフ電流の増加やしきい値電圧のシフト等が生じる現象のことである。これにより、画像表示装置の表示品質の劣化が生じることとなる。
【００１０】
画素電極形成によるバックゲート効果を抑制する方法として、例えば、シリコン系ボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、半導体表面にイオンを照射して多孔質化し、バックチャネル側のダングリングボンドを増加させて、バックチャネル側のリークを防ぐという方法が報告されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第３７１６７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし有機薄膜トランジスタにおいては、チャネル部に影響を与えずバックチャネル側の膜質のみを改質させることは容易ではない。
【００１３】
そこで本発明は、画素電極のバックゲート効果によるトランジスタ特性の変動、例えばオフ電流の増加やしきい値電圧のシフトを抑制できる薄膜トランジスタと、これを用いた表示品質の優れた画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するための本発明の一局面は、絶縁基板と、絶縁基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、および、有機半導体層と、ドレイン電極上に設けられた、貫通孔を有する層間絶縁層と、ドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを含む薄膜トランジスタであって、画素電極は少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域に開口部を有する、薄膜トランジスタである。
【００１５】
また、有機半導体層を被覆する保護層さらに含み、保護層がフッ素を含有する樹脂で構成されてもよい。
【００１６】
また、層間絶縁層が少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域に開口部を有してもよい。
【００１７】
また、層間絶縁層の少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域が不透明な遮光材料で形成されてもよい。
【００１８】
また、本発明の他の局面は、上述の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に配列された薄膜トランジスタアレイを含む画像表示装置である。
【００１９】
また、マイクロカプセル型電気泳動方式の電子ペーパーであってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、画素電極のバックゲート効果によるトランジスタ特性の変動、例えばオフ電流の増加やしきい値電圧のシフトを抑制しうる薄膜トランジスタと、これを用いた表示品質の優れた画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態を示す薄膜トランジスタの断面構造を表す概略図
【図２】実施例１に係る薄膜トランジスタの平面構造を表す概略図
【図３】実施例１に係る薄膜トランジスタの断面構造を表す概略図
【図４】実施例１に係る画像表示装置の一画素の断面構造を表す概略図
【図５】実施例２に係る薄膜トランジスタの一画素の平面構造を表す概略図
【図６】実施例２に係る薄膜トランジスタの断面構造を表す概略図
【図７】実施例２に係る画像表示装置の一画素の断面構造を表す概略図
【図８】比較例に係る薄膜トランジスタの一画素の平面構造を表す概略図
【図９】比較例に係る薄膜トランジスタの断面構造を表す概略図
【図１０】比較例に係る画像表示装置の一画素の断面構造を表す概略図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。実施の形態において、同一または対応する構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。
【００２３】
図１に本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ１００の断面構造を表す概略図を示す。薄膜トランジスタ１００は、絶縁基板１０上にゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、ソース電極１３、ドレイン電極１４、半導体層１５、保護層１６、層間絶縁層１７、画素電極１８を備えたボトムゲート−ボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタである。ただし薄膜トランジスタ１００の構造はボトムゲート−トップコンタクト構造等の他の構造でも構わない。また保護層１６は形成しなくても構わない。
【００２４】
なお、薄膜トランジスタ１００は、典型的には、薄膜トランジスタ１００を複数マトリクス状に並べた薄膜トランジスタアレイとして製造される。また、薄膜トランジスタアレイは、例えば、対向電極及び画像表示媒体とともに画像表示装置を構成できる。画像表示装置としては、例えば、マイクロカプセル型電気泳動方式の電子ペーパーを製造できる。
【００２５】
絶縁基板１０としてガラス基板または樹脂基板を用いることができる。特に有機薄膜トランジスタの利点を活かしたフレキシブルなデバイスを形成する場合は、樹脂基板を用いることとなる。樹脂基板の材料としては、例えば、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂等を使用することができる。これらの基板は単独で使用することもでき、２種以上を積層した複合基板を使用することもできる。
【００２６】
ゲート電極１１、ソース電極１３、ドレイン電極１４は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の金属材料、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の金属酸化物材料、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）等の有機導電性材料をインキ状、ペースト状にしたものをスクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等で塗布し、焼成することにより形成することができる。またゲート電極１１はスパッタ法等の真空成膜法により成膜したＡｌ、Ｍｏ、Ａｇ等の金属膜やＩＴＯ等の金属酸化物膜を、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより得ることもできるが、これらに限定されるものではない。
【００２７】
ゲート絶縁層１２は、例えば、ポリビニルフェノール、ポリメタクリル酸メチル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、パリレン、フッ素樹脂、エポキシ樹脂などの高分子溶液、アルミナやシリカゲル等の粒子を分散させた溶液、または酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム等の無機材料の前駆体溶液を、スピンコート法やスリットダイコート法等を用いて塗布し、焼成することにより形成することができる。またパリレン等の有機材料や酸化シリコン等の無機材料を蒸着法等の真空成膜法を用いて形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
【００２８】
有機半導体層１５の材料としては、ポリチオフェン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子有機半導体材料、およびペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、およびそれらの誘導体のような低分子有機半導体材料を用いることができる。また、カーボンナノチューブあるいはフラーレンなどの炭素化合物も半導体層の材料として用いることができるがこれらに限定されるものではない。
【００２９】
有機半導体層１５は上述の有機半導体材料をテトラリンなどの芳香族系の溶媒に溶解又は分散させてインキ状の溶液又は分散液として、グラビア印刷、凸版印刷、スクリーン印刷およびインクジェット法などを用いて形成することができる。溶媒に適当な分散剤や安定剤等の添加剤を加えてもよい。また有機半導体層１５は、蒸着法等の真空成膜法やスピンコート法により有機半導体材料を全面形成した後、フォトリソグラフィー法等によりパターニングを行うという方法を用いて形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
【００３０】
保護層１６はフッ素を含む樹脂材料で形成されることが好ましい。形成方法としては例えば、フッ素を含む樹脂材料をインク化し、グラビア印刷、凸版印刷、スクリーン印刷およびインクジェット法などを用いて形成する方法が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
層間絶縁層１７は、例えば、ポリビニルフェノール、ポリメタクリル酸メチル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、パリレン、フッ素樹脂、エポキシ樹脂などの高分子溶液、アルミナやシリカゲル等の粒子を分散させた溶液、または酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム等の無機材料の前駆体溶液を、スピンコート法やスリットダイコート法等を用いて塗布し、焼成することにより形成することができる。またパリレン等の有機材料や酸化シリコン等の無機材料を蒸着法等の真空成膜法を用いて形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
層間絶縁層１７は遮光性を有する材料であるとさらに好ましい。遮光性を有する材料としては、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、ケイ化タンタル（ＴａＳｉ）、窒化ケイ化タンタル（ＴａＳｉＮ）、酸化窒化ケイ化タンタル（ＴａＳｉＮＯ）、ケイ化ジルコニウム（ＺｒＳｉ）、窒化ケイ化ジルコニウム（ＺｒＳｉＮ）、カーボンブラックを分散した樹脂等を用いることができる。層間絶縁層１７は上述の材料を２層以上積層してもよいし、平面視においてチャネルと重なる領域のみ遮光材料で形成するなど同層中に２種以上の材料を用いて形成してもよい。層間絶縁層１７の少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域を、不透明な遮光材料で形成することで、有機半導体層１５に含まれる材料が高い光導電性を有する場合でも、外光照射による薄膜トランジスタ１００の誤作動を防ぐことができる。
【００３３】
ドレイン電極１４と画素電極１８とを接続するために、ドレイン電極１４の上に層間絶縁層１７の開口部２５を設ける必要がある。開口部２５を設ける場合には、印刷法の場合には、開口部２５にパターンが形成されないように設計された版を使用することにより設けることができる。また真空成膜法やスピンコート法を用いる場合には、層間絶縁層１７の形成と同時に、又は形成後にフォトリソグラフィー法等の公知の方法を用いて設けることができるがこれらに限定されるものではない。
【００３４】
画素電極１８はＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の属材料、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の金属酸化物材料、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）等の有機導電性材料をインキ状、ペースト状にしたものをスクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等で塗布し、焼成することにより形成することができる。また画素電極１８はスパッタ法等の真空成膜法により成膜したＡｌ、Ｍｏ、Ａｇ等の金属膜やＩＴＯ等の金属酸化物膜を、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより得ることもできるが、これらに限定されるものではない。
【００３５】
画素電極１８は少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域に開口部１９を有する。開口部１９を形成する方法は、特に限定されないが、例えば、層間絶縁層１７の少なくとも、平面視においてチャネルと重なる領域に開口部２０を設けることにより形成することができる。半導体層１５上にフッ素を含む樹脂からなる保護層１６を設け、チャネルに重なる領域に開口部２０を設けた層間絶縁層１７を形成した場合、開口部２０から保護層１６が露出することとなる。この状態で、Ａｇインク等の画素電極材料を用いてインクジェット法等の印刷法により画素電極１８を形成すると、フッ素を含有する樹脂は表面エネルギーが低いため、保護層１６上には材料が転写されない。よってチャネルに重なる領域に微小な開口部１９を有する画素電極１８を容易に形成することができる。
【００３６】
このように、画素電極１８が少なくともチャネルと重なる領域に開口部１９を有することで、チャネル領域に対するバックゲート効果を抑制することができる。こうして製造された薄膜トランジスタ１００を含む薄膜トランジスタアレイを用いて、画像表示装置を作成することで、表示品質の優れた画像表示装置を提供することができる。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明に係る薄膜トランジスタの具体的な実施例及び比較例について説明する。なお、本発明は各実施例に限るものではない。
【００３８】
（実施例１）
実施例１について説明する。図２には、実施例１に係る薄膜トランジスタ１０１の平面構造を表す概略図を示し、図３には、断面構造を表す概略図を示し、図４には、これを用いた画像表示装置２０１の一画素の断面構造を表す概略図を示す。図２、３に示すようなボトムゲート−ボトムコンタクト型薄膜トランジスタ１０１を用いて、図４に示すような画像表示装置２０１を作成した。絶縁基板１０となるポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポン製）上に、インクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を吐出し、焼成して、ゲート電極１１、キャパシタ電極２１、ゲート配線２２、キャパシタ配線２３、を得た。次にポリイミド（三菱ガス化学製ネオプリム）をダイコーターにより塗布し、焼成して、ゲート絶縁膜１２を形成した。次に銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を用い、インクジェット法を用いてソース電極１３、ドレイン電極１４およびソース配線２４を形成した。次に６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）（Ａｌｄｒｉｃｈ製）をテトラリンに溶解させた溶液を、凸版印刷法を用いて印刷し、乾燥させて半導体層１５を形成した。次にフッ素系樹脂材料（旭硝子製）を、スクリーン印刷法を用いて印刷し、乾燥させて保護層１６を設けた。次にエポキシ樹脂（味の素ファインテクノ製）、グラビア印刷を用いてパターン形成し、乾燥させて層間絶縁層１７を形成した。層間絶縁層１７は、ドレイン電極１４上の貫通孔２５とチャネルと重なる領域の開口部２０とを有している。次にインクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を吐出し、焼成して、画素電極１８を形成し、薄膜トランジスタアレイ３１を作製した。画素電極１８は、少なくともチャネルと重なる領域に開口部１９を有している。作製した薄膜トランジスタ１０１のチャネル長（図２の紙面上下方向における長さ）は８０μｍ、チャネル幅（図２の紙面左右方向における長さ）は１０μｍ、画素電極１８のサイズ（図２の紙面上下方向×左右方向における長さ）は２５０μｍ×２５０μｍ、開口部１９のサイズ（図２の紙面上下方向×左右方向における長さ）は１００μｍ×３０μｍである。
【００３９】
作製した薄膜トランジスタアレイ３１内の薄膜トランジスタ１０１の素子特性はオン電流２．３Ｅ−６Ａ、オフ電流は１．２Ｅ−１２Ａ、しきい値電圧は０．８Ｖであった。
【００４０】
最後に、作製したトランジスタアレイ基板３１と、対向電極３３との間に電気泳動媒体３２を挟んで画像表示装置２０１を作製し、駆動を行ったところ、良好な表示を行うことができた。
【００４１】
（実施例２）
実施例２について説明する。図５には、実施例２に係る薄膜トランジスタ１０２の平面構造を表す概略図を示し、図６には、断面構造を表す概略図を示し、図７には、これを用いた画像表示装置２０２の一画素の断面構造を表す概略図を示す。図５、６に示すようなボトムゲート−ボトムコンタクト型薄膜トランジスタ１０２を用いて、図７に示すような画像表示装置２０２を作成した。絶縁基板１０となるポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポン製）上に、インクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を吐出し、焼成して、ゲート電極１１、キャパシタ電極２１、ゲート配線２２、キャパシタ配線２３、を得た。次にポリイミド（三菱ガス化学製ネオプリム）をダイコーターにより塗布し、焼成して、ゲート絶縁膜１２を形成した。次に銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を用い、インクジェット法を用いてソース電極１３、ドレイン電極１４およびソース配線２４を形成した。次に６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）（Ａｌｄｒｉｃｈ製）をテトラリンに溶解させた溶液を、凸版印刷法を用いて印刷し、乾燥させて半導体層１５を形成した。次にフッ素系樹脂材料（旭硝子製）を、スクリーン印刷法を用いて印刷し、乾燥させて保護層１６を設けた。次にエポキシ樹脂（味の素ファインテクノ製）、グラビア印刷を用いてパターン形成し、乾燥させて層間絶縁層１７を形成した。層間絶縁層１７は、ドレイン電極１４上の貫通孔２５とチャネルと重なる領域の開口部２０とを有している。次にインクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を吐出し、焼成して、画素電極１８を形成し、薄膜トランジスタアレイ３２を作製した。画素電極１８は、少なくともチャネルと重なる領域に開口部１９を有している。作製した薄膜トランジスタ１０１のチャネル長（図５の紙面上下方向における長さ）は８０μｍ、チャネル幅（図５の紙面左右方向における長さ）は１０μｍ、画素電極１８のサイズ（図５の紙面上下方向×左右方向における長さ）は２５０μｍ×２５０μｍ、開口部１９のサイズ（図５の紙面上下方向×左右方向における長さ）は１５０μｍ×１５０μｍである。
【００４２】
作製した薄膜トランジスタアレイ３２内の薄膜トランジスタ１０２の素子特性はオン電流２．４Ｅ−６Ａ、オフ電流は１．２Ｅ−１２Ａ、しきい値電圧は０．９Ｖであった。
【００４３】
最後に、作製したトランジスタアレイ基板３１と、対向電極３３との間に電気泳動媒体３２を挟んで画像表示装置２０２を作製し、駆動を行ったところ、実施例１と比較すると１画素内にぼやけた領域が発生したが、表示面全体のコントラストは高く、良好な表示ができた。
【００４４】
（比較例）
比較例について説明する。図８には、比較例に係る薄膜トランジスタ１０３の平面構造を表す概略図を示し、図９には、断面構造を表す概略図を示し、図１０には、これを用いた画像表示装置２０３の一画素の断面構造を表す概略図を示す。図８、９に示すようなボトムゲート−ボトムコンタクト型薄膜トランジスタ１０３を用いて、図１０に示すような画像表示装置２０３を作成した。絶縁基板１０となるポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポン製）上に、インクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を吐出し、焼成して、ゲート電極１１、キャパシタ電極２１、ゲート配線２２、キャパシタ配線２３、を得た。次にポリイミド（三菱ガス化学製ネオプリム）をダイコーターにより塗布し、焼成して、ゲート絶縁膜１２を形成した。次に銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を用い、インクジェット法を用いてソース電極１３、ドレイン電極１４およびソース配線２４を形成した。次に６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）（Ａｌｄｒｉｃｈ製）をテトラリンに溶解させた溶液を、凸版印刷法を用いて印刷し、乾燥させて半導体層１５を形成した。次にフッ素系樹脂材料（旭硝子製）を、スクリーン印刷法を用いて印刷し、乾燥させて保護層１６を設けた。次にエポキシ樹脂（味の素ファインテクノ製）、グラビア印刷を用いてパターン形成し、乾燥させて層間絶縁層１７を形成した。層間絶縁層１７は、ドレイン電極１４上の貫通孔２５を有している。次にインクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインキ（ハリマ化成製）を吐出し、焼成して、画素電極１８を形成し、薄膜トランジスタアレイ３３を作製した。作製した薄膜トランジスタのチャネル長（図８の紙面上下方向における長さ）は８０μｍ、チャネル幅（図８の紙面左右方向における長さ）は１０μｍ、画素電極のサイズ（図８の紙面上下方向×左右方向における長さ）は２５０μｍ×２５０μｍである。
【００４５】
作製した薄膜トランジスタアレイ３３内の薄膜トランジスタ１０３の素子特性はオン電流２．８Ｅ−６Ａ、オフ電流は５．０Ｅ−８Ａ、しきい値電圧は８．０Ｖであった。
【００４６】
最後に、作製したトランジスタアレイ基板３３と、対向電極３３との間に電気泳動媒体３２を挟んで作製し、駆動を行ったところ、実施例と比較してコントラストの低い表示となった。
【００４７】
以上、説明したように、本発明によれば、画素電極によるバックゲート効果が原因で生じる特性の変動、例えばオフ電流の増加やしきい値電圧のシフトを抑制することができる薄膜トランジスタ及びこれを用いた表示品質の優れた画像表示装置を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、ディスプレイやフレキシブル電子ペーパー、圧力センサ等のスイッチング素子として利用できる。
【符号の説明】
【００４９】
１０    絶縁基板
１１    ゲート電極
１２    ゲート絶縁層
１３    ソース電極
１４    ドレイン電極
１５    半導体層
１６    保護層
１７    層間絶縁層
１８    画素電極
１９    開口部（画素電極）
２０    開口部（層間絶縁層）
２１    キャパシタ電極
２２    ゲート配線
２３    キャパシタ配線
２４    ソース配線
２５    貫通孔
３１〜３３    トランジスタアレイ基板
４０    電気泳動媒体
５０    対抗電極
１００〜１０３    薄膜トランジスタ
２０１〜２０３    画像表示装置
【図１】
2018041759.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018041759.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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