(57)【要約】【課題】高密度化に対応したポストバンプを形成でき、配線の高集積化を図ることができるバンプ付き配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】ベース基板上にプラズマを照射するプラズマ処理工程と、プラズマ処理工程後のベース基板に無電解銅めっきを施してシード層を形成するシード層形成工程と、絶縁層の上に電極用めっきレジストを形成する電極用めっきレジスト形成工程と、電極用めっきレジストが形成されたベース基板に電解めっきを施してポストバンプを形成するポストバンプ形成工程と、ポストバンプ形成工程後に電極用めっきレジストを除去するめっきレジスト除去工程と、めっきレジスト除去工程後に露出したシード層を除去するエッチング工程とを有し、プラズマ処理工程において、絶縁層の表面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするとともに、該絶縁層の表面の接触角を３０°以下に形成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上にパッド部を除く部分が絶縁層により被覆されているとともに、前記パッド部が前記絶縁層に形成された第１開口部により露出させられてなるベース基板上にプラズマを照射するプラズマ処理工程と、
前記プラズマ処理工程後の前記ベース基板に無電解銅めっきを施して前記絶縁層とパッド部との表面上にシード層を形成するシード層形成工程と、
前記第１開口部を除く部分を電極用めっきレジストで被覆するとともに、前記第１開口部を前記電極用めっきレジストに形成した第２開口部により露出して、前記絶縁層の上に前記電極用めっきレジストを形成する電極用めっきレジスト形成工程と、
前記電極用めっきレジストが形成された前記ベース基板に電解めっきを施して前記パッド部上の前記第１開口部と前記第２開口部とにより囲まれた部分にポストバンプを形成するポストバンプ形成工程と、
前記ポストバンプ形成工程後に前記電極用めっきレジストを除去するめっきレジスト除去工程と、
前記めっきレジスト除去工程後に露出した前記シード層を除去するエッチング工程とを有し、
前記プラズマ処理工程において、前記絶縁層の表面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするとともに、該絶縁層の表面の接触角を３０°以下に形成することを特徴とするバンプ付き配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマには、酸素プラズマを用いることを特徴とする請求項１に記載のバンプ付き配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記シード層の膜厚は、５０ｎｍ以上１μｍ以下で形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のバンプ付き配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に微細な電極が形成されたバンプ付き配線基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ネットワーク情報社会の急速な進展に伴い、半導体デバイスの高機能・小型化に対応した高密度実装としてフリップチップ実装が普及している。フリップチップ実装では、配線基板に形成された配線層の一部のパッド部（電極）上にシード層を介して多数のポストバンプを形成しておき、その上に半導体デバイスを搭載した後、ポストバンプを介して配線基板に半導体デバイスを接合する。
【０００３】
そして、このような配線基板においては、半導体デバイスの端子数の増加や端子間の挟ピッチ化（ファインピッチ化）により、さらなる配線の挟ピッチ化や高密度化が進められており、微細な配線パターンの形成とともに、その微細にパターニングされた配線層のパッド部上にも微細な（直径の小さな）ポストバンプを形成することが求められている。しかし、微細化されたポストバンプを形成する場合、従来のものと比較してパッド部の表面積も小さく、パッド部とポストバンプとの密着性が確保し難い。
このため、パッド部の表面とポストバンプとの密着性を向上させるため、以前から、無電解めっきによるシード層の形成前に、パッド部の表面や絶縁層の表面を粗化するデスミア処理やプラズマ処理を施し、パッド部及び絶縁層とポストバンプとの密着性を高めることが行われている。
【０００４】
例えば特許文献１では、無電解めっきによりシード層を形成する前に、絶縁層（外郭絶縁層）から露出したパッド部の表面や絶縁層の表面にデスミア処理（プラズマ処理）を行うことが記載されている。また、特許文献１には、このように粗化された絶縁層の表面にシード層を形成することにより、シード層と外郭絶縁層との結着力が高くなることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４‐１３１０３４号公報
【特許文献２】特開２０１４‐７８６７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１に記載されるように、パッド部の表面と絶縁層の表面とが粗化され、このように粗化されたパッド部及び絶縁層に無電解銅めっき処理を施してシード層を形成すると、絶縁層の開口部内部のパッド部の表面及び絶縁層の開口部内部だけでなく、絶縁層の上面にもシード層が強固に形成される。また、この際、絶縁層の上面のシード層の表面は、絶縁層の粗化された上面に追従して微細な凹凸面で形成されることから、絶縁層上にシード層を介して電極用めっきレジスト（ドライフィルムレジスト）を形成すると、シード層の微細な凹凸面に電極用めっきレジストが入り込んで、シード層と電極用めっきレジストとの密着性も高められ、電極用めっきレジストの剥離性が悪くなる。このため、電解銅めっき処理後に、電極用めっきレジストを剥離しようしても、均一に除去することが難しくなり、シード層上に電極用めっきレジストが残りやすくなる。そして、電極用めっきレジストがシード層上に残ることで、絶縁層上のシード層をエッチング除去する際にも、シード層の凹凸面に入り込んだ電極用めっきレジストを除去することに時間を要し、パッド部の表面に形成したポストバンプも多くエッチング除去されることから、微細なポストバンプを形成することが難しくなる。
【０００７】
なお、特許文献２にも、シード層（銅めっき層）を形成する前に、絶縁層の表面を過マンガン酸系ウェットエッチングプロセスにより粗化処理して粗面化することにより、絶縁層と銅めっき層との密着性が高まることが記載されている。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、絶縁層とシード層との適切な密着性を確保しつつ、シード層から電極用めっきレジストを容易に除去できるバンプ付き配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のバンプ付き配線基板の製造方法は、絶縁基板上にパッド部を除く部分が絶縁層により被覆されているとともに、前記パッド部が前記絶縁層に形成された第１開口部により露出させられてなるベース基板上にプラズマを照射するプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程後の前記ベース基板に無電解銅めっきを施して前記絶縁層とパッド部との表面上にシード層を形成するシード層形成工程と、前記第１開口部を除く部分を電極用めっきレジストで被覆するとともに、前記第１開口部を前記電極用めっきレジストに形成した第２開口部により露出して、前記絶縁層の上に前記電極用めっきレジストを形成する電極用めっきレジスト形成工程と、前記電極用めっきレジストが形成された前記ベース基板に電解めっきを施して前記パッド部上の前記第１開口部と前記第２開口部とにより囲まれた部分にポストバンプを形成するポストバンプ形成工程と、前記ポストバンプ形成工程後に前記電極用めっきレジストを除去するめっきレジスト除去工程と、前記めっきレジスト除去工程後に露出した前記シード層を除去するエッチング工程とを有し、前記プラズマ処理工程において、前記絶縁層の表面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするとともに、該絶縁層の表面の接触角を３０°以下に形成する。
【００１０】
絶縁層の形成には、液状レジストとドライフィルムレジストとの双方を適用できるが、液状レジストを用いる場合は、絶縁層の膜厚を均一に形成することが難しく、比較的厚く形成されやすい。そこで、スペース効率を向上させるため、絶縁層の形成にドライフィルムレジストが多く用いられるようになっている。
ドライフィルムレジストは、表面が平滑に形成されていることから、液状レジストよりもベース基板上に均一な膜厚により形成できるが、その一方で、前述したように、ドライフィルムレジストの表面は平滑であることから、シード層との密着性が確保し難い。このため、従来から、ドライフィルムレジストにより形成された絶縁層の表面を粗化処理することが行われているが、絶縁層の表面を粗化すると、シード層との密着性が向上することに伴い、電極用めっきレジストとの密着性が高くなりすぎる。そこで、本発明では、プラズマ処理工程において、絶縁層の表面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とし、絶縁層の表面の接触角を３０°以下とすることにより、プラズマ処理工程の前後で表面粗さを変化させることを回避するとともに、プラズマ処理工程後の絶縁層の表面の接触角を向上させることにより、絶縁層とシード層との適切な密着性を確保することにしている。また、プラズマ処理工程では、絶縁層の表面が粗化されにくいので、絶縁層の表面に形成したシード層の表面の表面粗さが大きくなることを回避できる。これにより、電極用めっきレジストをシード層の表面から除去する際に、電極用めっきレジストをシード層上に残すことなく容易に剥離させることができる。したがって、絶縁層上のシード層の除去作業を短時間で行うことが可能となり、パッド部の表面に形成したポストバンプが多くエッチング除去されることを回避できることから、微細なポストバンプを形成できる。
【００１１】
本発明のバンプ付き配線基板の製造方法において、前記プラズマには、酸素プラズマを用いるとよい。
プラズマ処理に酸素プラズマを用いることで、絶縁層の表面の表面粗さを大きく変化させることなく、絶縁層の表面の接触角を向上させることができる。
【００１２】
本発明のバンプ付き配線基板の製造方法において、前記シード層の膜厚は、５０ｎｍ以上１μｍ以下で形成する。
シード層の膜厚を５０ｎｍ未満と薄く形成すると、絶縁層の表面に均一な膜厚のシード層を形成することが難しくなる。また、シード層の膜厚を１μｍを超えて厚く形成すると、絶縁層とシード層との密着性が低下し、シード層が剥離しやすくなる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、絶縁層とシード層との適切な密着性を確保しつつ、シード層と電極用めっきレジストとの密着性を低く保つことができるので、電極用めっきレジストを容易に除去でき、高密度化に対応した微細なポストバンプを形成でき、配線の高集積化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態のバンプ付き配線基板の製造方法のフロー図である。
【図２】本発明のバンプ付き配線基板の製造方法の前半工程を説明する基板の要部断面図である。
【図３】本発明のバンプ付き配線基板の製造方法の後半工程を説明する基板の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のバンプ付き配線基板の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
バンプ付き配線基板１０１は、例えば図３（ｃ）に示すように、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板１１上に配線層１２が積層され、さらに配線層１２の表面がパッド部１２ａを除いて絶縁層１３により被覆されたベース基板１０と、パッド部１２ａ上にシード層２１を介して形成されたポストバンプ２２とを有する。このバンプ付き配線基板１０１において、配線層１２は銅により形成される。また、絶縁層１３はドライフィルムレジストにより形成され、配線層１２を保護するとともに、電気的な絶縁のために形成される。そして、絶縁層１３には、パッド部１２ａの形成部分に積層方向に貫通し、パッド部１２ａを露出させるための第１開口部１３ｈが形成されており、この第１開口部１３ｈを通してパッド部１２ａ上にポストバンプ２２が接続されている。また、ポストバンプ２２は、絶縁層１３の上面１３ｓよりも高く突出して形成されている。
【００１６】
なお、絶縁層１３に用いられるドライフィルムレジストとしては、日立化成社製のＦＺ‐２７００Ｇ、太陽インキ社製のＰＳＲ‐８００  ＡＵＳ  ４１０等を好適に用いることができ、これらのドライフィルムレジストは膜厚が薄く、バンプ付き配線基板１０１の高集積化に有利である。また、ドライフィルムレジストにより形成された絶縁層１３の表面は平滑性が高く、絶縁層１３の表面の算術平均粗さＲａは、例えば２０ｎｍ以上４５ｎｍ以下となっている。
【００１７】
次に、このように構成されるバンプ付き配線基板１０１を製造する方法（バンプ付き配線基板の製造方法）の実施形態について説明する。
本実施形態のバンプ付き配線基板の製造方法は、図１のフロー図と図２及び図３の要部図とに示すように、ベース基板１０上にプラズマを照射するプラズマ処理工程Ｓ１１と、プラズマ処理工程Ｓ１１後のベース基板１０にシード層２１を形成するシード層形成工程Ｓ１２と、絶縁層１３の上に電極用めっきレジスト３１を形成する電極用めっきレジスト形成工程Ｓ１３と、電極用めっきレジスト３１が形成されたベース基板１０にポストバンプ２２を形成するポストバンプ形成工程Ｓ１４と、ポストバンプ形成工程Ｓ１４後に電極用めっきレジスト３１を除去するめっきレジスト除去工程Ｓ１５と、めっきレジスト除去工程Ｓ１５後に露出したシード層２１を除去するエッチング工程Ｓ１６とを有する。
【００１８】
なお、ポストバンプ形成工程Ｓ１４において、スズ又はスズ合金によりポストバンプ２２を形成する場合には、ポストバンプ２２をリフローするリフロー工程Ｓ１７を実施する。リフロー工程Ｓ１７は、図１に示すように、ポストバンプ形成工程Ｓ１４とめっきレジスト除去工程Ｓ１５との間に実施するか、あるいは、エッチング工程Ｓ１６後に実施するか、いずれかを選択することができる。
【００１９】
［プラズマ処理工程］
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１１上に配線層１２のパッド部１２ａを除く部分が絶縁層１３により被覆されているとともに、パッド１２ａが絶縁層１３に形成された第１開口部１３ｈにより露出させられてなるベース基板１０を用意して、このベース基板１０上にプラズマを照射し、絶縁層１３の表面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするとともに、絶縁層１３の表面の接触角を３０°以下に形成する。
【００２０】
プラズマ処理に用いるプラズマは、酸素、アルゴン、ＣＦ４（テトラフルオロメタン）等のプラズマを用いることができ、ベース基板１０上にこれらのプラズマを照射することにより、絶縁層１３の表面の親水性（接触角）を向上させることができる。つまり、プラズマを酸素雰囲気中で放電することにより酸素原子が励起し、表面分子の化学結合を切断することにより親水性のＯＨ、ＣＯ、ＣＯＯ、ＣＯＯＨ等が生成され、親水化が行われる。このように、絶縁層１３の表面の親水性を向上させることにより、無電解めっきにより、高密度で、かつ高密着性を有するシード層２１を形成できる。なお、プラズマ処理工程Ｓ１１では絶縁層１３の表面が粗化されにくく、前述したように、絶縁層１３の表面の表面算術粗さＲａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とできる。
【００２１】
絶縁層１３の表面の算術平均粗さＲａが２０ｎｍ未満であると、シード層２１との密着性が不足し、１００ｎｍを超えると電極用めっきレジスト３１との密着性が高くなりすぎるので好ましくない。また、接触角が３０°を超えると、シード層２１との密着性が不足するため、好ましくない。この場合、シード層２１との密着性に寄与するためには、接触角は小さいほど好ましく、接触角が測定不可となる場合（０°に近い場合）が最も密着性が高くなる。このため、接触角の下限には特に制限はないが、シード層２１との密着性に寄与することについての達成の容易性から、接触角の下限は例えば１°であることが望ましい。
【００２２】
また、プラズマ処理には、特に酸素プラズマを好適に用いることができ、酸素プラズマを用いることで、絶縁層１３の表面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を大きく変化させることなく、絶縁層１３の表面の接触角を向上させることができる。
【００２３】
［シード層形成工程］
プラズマ処理工程Ｓ１１後のベース基板１０に無電解銅めっきを施して、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１３とパッド部１２ａとの表面上にシード層２１を形成する。この際、シード層２１の膜厚を５０ｎｍ以上１μｍ以下で形成することで、良好な密着性を有し、均一な膜厚のシード層２１とできる。なお、シード層２１の膜厚を５０ｎｍ未満とし薄く形成すると、絶縁層１３の表面に均一な膜厚のシード層２１を形成することが難しくなる。また、シード層２１の膜厚を１μｍを超えて厚く形成すると、絶縁層１３とシード層２１との密着性が低下し、シード層２１が剥離しやすくなる。
【００２４】
［電極用めっきレジスト形成工程］
図２（ｃ）に示すように、第１開口部１３ｈを除く部分を電極用めっきレジスト３１で被覆するとともに、第１開口部１３ｈを電極用めっきレジスト３１に形成した第２開口部３１ｈにより露出させて、絶縁層１３の上に電極用めっきレジスト３１を形成する。つまり、絶縁層１３の上に、ポストバンプ２２の形成予定部であるパッド部１２ａを除いて、電極用めっきレジスト３１を重ねて形成し、配線層１２のパッド部１２ａのみを露出させた状態とする。電極用めっきレジスト３１は、電気的な絶縁のために形成され、例えばデュポン社製のＬＤＩ７３３０、ＬＤＩ８０３０、ＰＭ３３８、日立化成社製のＳＬ−１８２９、Ｈ−７０３４、ＨＭ−４０３５等のドライフィルムレジストを使用できる。具体的には、シード層２１の表面にドライフィルムレジストをラミネートすることにより積層し、露光現像処理により第２開口部３１ｈを形成する。
【００２５】
［ポストバンプ形成工程］
電極用めっきレジスト３１が形成されたベース基板１０に電解めっき、例えば銅、スズ、スズ合金等からなる電解めっきを施して、図３（ａ）に示すように、パッド部１２ａ上の第１開口部１３ｈと第２開口部３１ｈとにより囲まれた部分にポストバンプ２２を形成する。
【００２６】
［リフロー工程］
なお、ポストバンプ形成工程Ｓ１４において、スズ又はスズ合金の電解めっきによりポストバンプ２２を形成した場合は、ポストバンプ形成工程Ｓ１４後のベース基板１０を加熱してポストバンプ２２をリフローするリフロー工程Ｓ１７（リフロー処理）を実施する。なお、リフロー工程Ｓ１７は、ポストバンプ形成工程Ｓ１４の直後ではなく、エッチング工程Ｓ１６後に実施することもできる。なお、ポストバンプ形成工程Ｓ１４において、銅の電解めっきを施してポストバンプ２２を形成した場合には、リフロー工程Ｓ１７を行わずに、次工程のめっきレジスト除去工程Ｓ１５に進む。
【００２７】
［めっきレジスト除去工程］
ポストバンプ形成工程Ｓ１４後に、又はリフロー工程Ｓ１７後に、電極用めっきレジスト３１を剥離して除去し、図３（ｂ）に示すように、ポストバンプ２２を絶縁層１３の表面よりも高く突出させた状態とするとともに、シード層２１を露出させる。
【００２８】
［エッチング工程］
めっきレジスト除去工程Ｓ１５後に、表面に露出したシード層２１を除去し、図３（ｃ）に示すように、配線基板１０１を製造する。シード層２１の除去は、フラッシュエッチングにより行うことが好適である。
なお、エッチング方法にもよるが基本的には、エッチング工程Ｓ１６後の絶縁層１３の表面の算術表面粗さＲａの値は、シード層形成工程Ｓ１２前であってプラズマ処理工程Ｓ１１後の絶縁層１３の表面の算術平均表面粗さＲａの値と変化がなく、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下となる。
【００２９】
このように、本実施形態のバンプ付き配線基板の製造方法では、プラズマ処理工程Ｓ１１において、絶縁層１３の表面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とし、絶縁層１３の表面の接触角を３０°以下の範囲内とすることにより、プラズマ処理工程Ｓ１１の前後で絶縁層１３の表面の表面粗さを変化させることを回避できるとともに、プラズマ処理工程Ｓ１１後の絶縁層１３の表面の接触角を向上させることにより、絶縁層１３とシード層２１との密着性を損なうことなく、適切な密着性を確保することができる。また、プラズマ処理工程Ｓ１１では、絶縁層１３の表面を粗化しないので、絶縁層１３の表面に形成したシード層２１の表面の表面粗さが大きくなることを回避でき、シード層２１と電極用めっきレジスト３１との密着性が高くなることを回避できる。これにより、電極用めっきレジスト３１をシード層２１の表面から除去する際に、電極用めっきレジスト３１をシード層２１上に残すことなく容易に剥離させることができる。したがって、絶縁層上１３のシード層２１の除去作業を短時間で行うことが可能となり、エッチング工程Ｓ１６の際にパッド部１２ａの表面に形成したポストバンプ２２が多くエッチング除去されることを回避できることから、微細なポストバンプ２２を形成できる。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明の効果を確認するために行った実施例及び比較例について説明する。
実験に用いたベース基板及び配線基板のサンプルは、表１に示す評価ごとに５個とした。
各サンプルを構成するベース基板は、絶縁基板をガラスエポキシ樹脂基板により形成し、配線層を銅により形成し、絶縁層を太陽インキ社製のＰＳＲ‐８００  ＡＵＳ  ４１０により形成して作製した。また、ベース基板の平面サイズは１００ｍｍ×２００ｍｍで形成した。そして、このように構成されたベース基板に対して、プラズマ処理工程、シード層形成工程、電極用めっきレジスト形成工程を順に実施した。
【００３１】
プラズマ処理工程は、ヤマト科学社製のプラズマドライクリーナーＰＤＣ‐２１０を用いて、到達真空度２０Ｐａ〜２５Ｐａで、ベース基板上に酸素プラズマを照射して行った。表１に示す「実施弱」のサンプルは、プラズマ強度を弱く設定したサンプルであり、プラズマ照射条件を、出力５０Ｗ、ガス流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、電極間距離１２０ｍｍ、照射時間１分としてプラズマ処理を行った。また、「実施中１」、「実施中２」、「実施中３」のサンプルは、プラズマ強度を中程度の範囲内で設定したサンプルである。このうち「実施中１」は、プラズマ照射条件を、出力１００Ｗ、ガス流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、電極間距離１２０ｍｍ、照射時間１分とした。また、「実施中２」は、プラズマ照射条件を、出力１００Ｗ、ガス流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、電極間距離１２０ｍｍ、照射時間２分とした。さらに「実施中３」は、プラズマ照射条件を、出力１５０Ｗ、ガス流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、電極間距離１２０ｍｍ、照射時間２分とした。また、「実施強」のサンプルは、プラズマ強度を強く設定したサンプルであり、プラズマ照射条件を、出力４００Ｗ、ガス流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、電極間距離１２０ｍｍ、照射時間５分としてプラズマ処理を行った。なお、表１の「未実施」のサンプルについては、プラズマ処理を行わなかった。
【００３２】
シード層形成工程は、銅めっき溶液（日立化成社製のＣＵＳＴ−４６００、温度２５℃）に、各サンプルのベース基板を５分間浸漬することにより、各サンプルのベース基板の表面に無電解銅めっきを施して、膜厚１００ｎｍのシード層を形成した。
【００３３】
電極用めっきレジスト形成工程は、日立化成社製のドライフィルムレジストＨＭ４０３５をシード層の表面にラミネートすることにより積層し、各サンプルのベース基板（シード層）の表面に電極用めっきレジストを形成した。
【００３４】
（絶縁層の表面粗さ）
シード層形成工程前の、プラズマ処理工程を実施していないサンプル（未実施）、プラズマ強度を弱く設定したサンプル（実施弱）、プラズマ強度を中程度に設定したサンプル（実施中１〜３）、プラズマ強度を強く設定したサンプル（実施強）の５種類のサンプルについて、絶縁層の表面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａを測定した。表面粗さＲａの測定は、キーエンス社製のレーザー顕微鏡ＶＫ‐Ｘ２００を使用した。
【００３５】
（絶縁層の接触角）
また、各サンプルについて、絶縁層の表面の接触角を測定した。接触角の測定は、協和界面化学社製の接触角計ＤＭ‐７００を使用した。
【００３６】
（シード層の密着性）
ＪＩＳ  Ｈ８５０４に記載された引き剥がし試験方法に準拠したテープ試験方法を使用し、絶縁層とシード層との密着性を評価した。密着性の具体的な評価は、シード層形成工程後で、かつ電極用めっきレジスト形成工程前のベース基板の各サンプルについて、めっき面に一辺が２ｍｍの正方形ができるように、鋭利な刃物により素地まで達する条こんを形成する。絶縁層の表面に形成されたシード層に粘着テープを密着させて剥離した際に、シード層が剥がれたり、めくれ上がったりする状態が１個も見られなかったものを「◎」、シード層の剥がれやめくれ上がりが１個又は２個見られたものを「○」、粘着テープにシード層が付着し、シード層の剥がれやめくれ上がりが３個以上見られたものを「×」とし、「◎」又は「○」の場合を合格、「×」の場合を不合格と評価した。
【００３７】
（電極用めっきレジストの剥離性）
３ｗｔ％ＮａＯＨ水溶液をホットスターラーを用いて撹拌しながら液温５０℃にて保持し、その液に、電極用めっきレジスト形成工程後のベース基板の各サンプルを２分間浸漬した。そして、この浸漬処理後のベース基板について、電極用めっきレジストがシード層上から剥離したものを合格「○」、電極用めっきレジストが残っていたものを不合格「×」と評価した。
これらの評価結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
2018157051.tif 000003
【００３９】
表１からわかるように、プラズマ処理工程を「実施弱」、「実施中１」、「実施中２」及び「実施中３」で行ったサンプルについては、絶縁層の表面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするとともに、絶縁層の接触角を３０°以下にでき、親水性を向上させることができた。また、これらのサンプルについては、シード層の密着性と、電極用めっきレジストの剥離性との双方を良好に維持できることがわかった。
一方、プラズマ処理工程を「実施強」で行ったサンプルについては、絶縁層の接触角を小さくできたが、絶縁層の表面粗さＲａが１００ｎｍを超えて大きくなった。このため、シード層の密着性は良好に維持できるが、電極用めっきレジストの剥離性が阻害される結果となった。
【００４０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  ベース基板
１１  バンプ付き絶縁基板
１２  配線層
１２ａ  パッド部
１３  絶縁層
１３ｈ  第１開口部
２１  シード層
２２  ポストバンプ
３１  電極用めっきレジスト
３１ｈ  第２開口部
１０１  配線基板
【図１】
2018157051.tif 000004
【図２】
2018157051.tif 000005
【図３】
2018157051.tif 000006