(57)【要約】      （修正有）【課題】第１の流体の分流状態の変化に伴って第１の流体に影響が生じることを抑制可能なシャワープレートを提供する。【解決手段】シャワープレートは、複数の吐出口が設けられた底面を有し、第１の通路５１と、第１の通路から分岐部５５で分岐されるとともに複数の吐出口に連通された複数の第２の通路５２Ａ、５２Ｂと、分岐部５５よりも下流で第２の通路５２Ａ、５２Ｂにそれぞれ接続された複数の第３の通路５３Ａ、５３Ｂと、を含む少なくとも一つの分岐通路と、底面と異なる面に連通するとともに第１の通路５１に連通する第１の供給路と、底面と異なる面に連通するとともに複数の第３の通路５３Ａ、５３Ｂに連通する第２の供給路と、が設けられた部材、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の吐出口が設けられた外面を有し、第１の通路と、前記第１の通路から分岐部で分岐されるとともに前記複数の吐出口に連通された複数の第２の通路と、前記分岐部よりも下流で前記第２の通路にそれぞれ接続された複数の第３の通路と、を含む少なくとも一つの分岐通路と、前記外面と異なる面に連通するとともに前記第１の通路に連通する第１の供給路と、前記外面と異なる面に連通するとともに前記複数の第３の通路に連通する第２の供給路と、が設けられた部材、
を具備するシャワープレート。
【請求項２】
前記複数の第２の通路のそれぞれにおいて、前記第３の通路と前記第２の通路との接続部と、前記分岐部と、の間の長さは、前記吐出口と前記接続部との間の長さよりも短い、
請求項１のシャワープレート。
【請求項３】
前記複数の第２の通路はそれぞれ、前記分岐部から延びる第１の延部を有し、
前記複数の第３の通路はそれぞれ、前記分岐部から遠ざかるに従って前記第１の延部から離間する角度で当該第１の延部に接続される、
請求項１又は請求項２のシャワープレート。
【請求項４】
前記複数の第２の通路はそれぞれ、前記分岐部から延びる第１の延部と、前記分岐部の反対側に位置する前記第１の延部の端部に接続されるとともに前記第１の延部と交差する方向に延びる第２の延部と、を有し、
前記複数の第３の通路はそれぞれ、前記第１の延部の端部に接続されるとともに前記第１の延部が延びる方向に延びる第３の延部を有する、
請求項１又は請求項２のシャワープレート。
【請求項５】
前記部材に、複数の前記分岐通路と、接続通路と、が設けられ、
前記複数の分岐通路はそれぞれ、第４の通路と、前記第４の通路と前記複数の第３の通路のそれぞれとを接続する複数の第５の通路と、前記第４の通路に接続された少なくとも一つの制御通路と、を含み、前記制御通路から前記第４の通路への制御流体の供給状態の変化によって前記第４の通路から供給される流体を前記複数の第３の通路のうち一つに供給する前記第５の通路を変更するよう構成され、
前記接続通路は、一つの前記分岐通路の前記複数の第５の通路のうち一つと、他の前記分岐通路の前記少なくとも一つの制御通路と、を接続する、
請求項１乃至請求項４のいずれか一つのシャワープレート。
【請求項６】
対象物が配置されるよう構成された配置部と、
前記配置部に配置された前記対象物へ第１の流体を吐出するよう構成された、請求項１乃至請求項４のいずれか一つのシャワープレートと、
前記第１の通路に供給される前記第１の流体の供給状態を調整可能な第１の調整部と、
前記複数の第３の通路に供給される第２の流体の供給状態を調整可能であり、前記複数の第３の通路から前記複数の第２の通路への前記第２の流体の供給状態を変化させることによって前記第１の通路から前記複数の第２の通路への前記第１の流体の分流状態を変化させるよう構成された第２の調整部と、
を具備する処理装置。
【請求項７】
前記第２の調整部は、前記第１の流体が流される前記第２の通路に接続された前記第３の通路に、他の前記第３の通路から前記第１の流体が流される前記第２の通路に流れる前記第２の流体の流量よりも少ない流量の前記第２の流体を供給する、請求項６の処理装置。
【請求項８】
前記第２の調整部は、前記複数の第３の通路のうち少なくとも一つに前記第２の流体を供給し、前記第２の流体により前記第１の流体を前記複数の第３の通路のうち他の一つが接続された前記第２の通路に流すことが可能であり、
前記第１の流体が前記複数の第２の通路のうち一つに流れる場合、前記複数の第３の通路のうち少なくとも一つから前記第１の流体が流れる前記第２の通路に流れる前記第２の流体の流量は、前記第１の流体の拡散による移送量よりも多い、
請求項６又は請求項７の処理装置。
【請求項９】
前記部材に、複数の前記分岐通路が設けられ、
前記複数の分岐通路はそれぞれ、前記第２の流体を前記複数の第３の通路のうちいずれか一つに供給可能な流体素子を含み、
前記流体素子は、前記第２の流体が供給される第４の通路と、前記第４の通路と前記複数の第３の通路のそれぞれとを接続する複数の第５の通路と、前記第４の通路に接続され当該第４の通路に流体を供給可能な少なくとも一つの制御通路と、を含み、前記制御通路から前記第４の通路への前記流体の供給状態の変化によって前記第２の流体を前記複数の第３の通路のうち一つに供給する前記第５の通路を変更するよう構成され、
一つの前記分岐通路は、前記複数の第５の通路のうち少なくとも一つと、他の前記分岐通路の前記制御通路と、を接続する接続通路を有する、
請求項６乃至請求項８のいずれか一つの処理装置。
【請求項１０】
第１の流体が流れるよう構成された第１の通路と、分岐部で前記第１の通路から分岐された複数の第２の通路と、前記分岐部よりも下流で前記第２の通路にそれぞれ接続され当該第２の通路に第２の流体を供給可能な複数の第３の通路と、を含む少なくとも一つの分岐通路が設けられた部材、
を具備する流路構造。
【請求項１１】
前記部材は、前記複数の第２の通路が連通する複数の吐出口が設けられた外面を有し、
前記複数の第２の通路のそれぞれにおいて、前記第３の通路と前記第２の通路との接続部と、前記分岐部と、の間の長さは、前記吐出口と前記接続部との間の長さよりも短い、
請求項１０の流路構造。
【請求項１２】
前記複数の第２の通路はそれぞれ、前記分岐部から延びる第１の延部を有し、
前記複数の第３の通路はそれぞれ、前記分岐部から遠ざかるに従って前記第１の延部から離間する角度で当該第１の延部に接続される、
請求項１０又は請求項１１の流路構造。
【請求項１３】
前記複数の第２の通路はそれぞれ、前記分岐部から延びる第１の延部と、前記分岐部の反対側に位置する前記第１の延部の端部に接続されるとともに前記第１の延部と交差する方向に延びる第２の延部と、を有し、
前記複数の第３の通路はそれぞれ、前記第１の延部の端部に接続されるとともに前記第１の延部が延びる方向に延びる第３の延部を有する、
請求項１０又は請求項１１の流路構造。
【請求項１４】
前記部材に、複数の前記分岐通路と、接続通路と、が設けられ、
前記複数の分岐通路はそれぞれ、第４の通路と、前記第４の通路と前記複数の第３の通路のそれぞれとを接続する複数の第５の通路と、前記第４の通路に接続された少なくとも一つの制御通路と、を含み、前記制御通路から前記第４の通路への制御流体の供給状態の変化によって前記第４の通路から供給される流体を前記複数の第３の通路のうち一つに供給する前記第５の通路を変更するよう構成され、
前記接続通路は、一つの前記分岐通路の前記複数の第５の通路のうち一つと、他の前記分岐通路の前記少なくとも一つの制御通路と、を接続する、
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一つの流路構造。
【請求項１５】
第１の通路に第１の流体を供給することと、
分岐部で前記第１の通路から分岐された複数の第２の通路の少なくとも一つに、前記分岐部よりも下流で第２の流体を供給することと、
前記第２の流体の供給状態を変化させ、前記第１の通路から前記複数の第２の通路への前記第１の流体の分流状態を変化させることと、
を具備する分配方法。
【請求項１６】
前記第１の流体が流される前記第２の通路に前記分岐部よりも下流で供給される前記第２の流体の流量は、他の前記第２の通路に供給される前記第２の流体の流量よりも少ない、請求項１５の分配方法。
【請求項１７】
前記複数の第２の通路のうち少なくとも一つに前記分岐部よりも下流で前記第２の流体を供給することで、前記第１の流体が当該第２の流体により前記複数の第２の通路のうち他の一つに流され、
前記第１の流体が前記複数の第２の通路のうち一つに流れる場合、他の前記複数の第２の通路から前記第１の流体が流れる前記第２の通路に流れる前記第２の流体の流量は、前記第１の流体の拡散による移送量よりも多い、
請求項１５又は請求項１６の分配方法。
【請求項１８】
前記第１の通路と、前記複数の第２の通路と、前記分岐部よりも下流で前記複数の第２の通路にそれぞれ接続された複数の第３の通路と、前記第２の流体が供給される第４の通路と、前記第４の通路と前記複数の第３の通路のそれぞれとを接続する複数の第５の通路と、前記第４の通路に接続され当該第４の通路に流体を供給可能な少なくとも一つの制御通路と、をそれぞれ含む複数の分岐通路のうち一つにおいて、前記制御通路から前記第４の通路への前記流体の供給状態を変化させ、前記第２の流体を前記複数の第３の通路のうち一つに供給する前記第５の通路を変更することと、
前記複数の分岐通路のうち一つの前記第５の通路に接続された前記複数の分岐通路のうち他の一つの前記制御通路に、前記第５の通路から前記第２の流体を流すことで、前記複数の分岐通路のうち他の一つにおいて、前記第２の流体を前記複数の第３の通路のうち一つに供給する前記第５の通路を変更することと、
をさらに具備する請求項１５乃至請求項１７のいずれか一つの分配方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、シャワープレート、処理装置、流路構造、及び分配方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の開口から流体を吐出するシャワープレートが知られる。例えば流体の種類ごとに流体の吐出位置を変更するため、シャワープレート内のバルブにより複数の開口を開閉するシャワープレートが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３２４５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば駆動部品によるバルブの開閉の切り替えは、開口から吐出される流体に影響を及ぼす可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの実施形態に係るシャワープレートは、複数の吐出口が設けられた外面を有し、第１の通路と、前記第１の通路から分岐部で分岐されるとともに前記複数の吐出口に連通された複数の第２の通路と、前記分岐部よりも下流で前記第２の通路にそれぞれ接続された複数の第３の通路と、を含む少なくとも一つの分岐通路と、前記外面と異なる面に連通するとともに前記第１の通路に連通する第１の供給路と、前記外面と異なる面に連通するとともに前記複数の第３の通路に連通する第２の供給路と、が設けられた部材、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態のシャワープレートを示す断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態のシャワープレートの断面を示す斜視図である。
【図４】図４は、第１の実施形態の分岐通路を模式的に示す斜視図である。
【図５】図５は、第１の実施形態の第１の原料ガスが流される分岐通路を模式的に示す正面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態の第２の原料ガスが流される分岐通路を模式的に示す正面図である。
【図７】図７は、第２の実施形態に係る分岐通路を模式的に示す斜視図である。
【図８】図８は、第２の実施形態の第１の原料ガスが流される分岐通路を模式的に示す平面図である。
【図９】図９は、第３の実施形態に係る分岐通路を模式的に示す斜視図である。
【図１０】図１０は、第３の実施形態の第１の原料ガスが流される分岐通路を模式的に示す平面図である。
【図１１】図１１は、第４の実施形態に係る第１の原料ガスが流される分岐通路を模式的に示す平面図である。
【図１２】図１２は、第５の実施形態に係る複数の分岐通路を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態について、図１乃至図６を参照して説明する。なお、本明細書においては基本的に、鉛直上方を上方向、鉛直下方を下方向と定義する。また、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明について、複数の表現が記載されることがある。複数の表現がされた構成要素及び説明は、記載されていない他の表現がされても良い。さらに、複数の表現がされない構成要素及び説明も、記載されていない他の表現がされても良い。
【０００８】
図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置１０を概略的に示す断面図である。半導体製造装置１０は、処理装置の一例であり、例えば、製造装置、加工装置、吐出装置、供給装置、又は装置とも称され得る。なお、処理装置は半導体製造装置１０に限らず、対象となる物体に、例えば加工、洗浄、及び試験のような処理を行う他の装置であっても良い。
【０００９】
各図面に示されるように、本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、半導体製造装置１０の幅に沿う。Ｙ軸は、半導体製造装置１０の奥行き（長さ）に沿う。Ｚ軸は、半導体製造装置１０の高さに沿う。本実施形態において、Ｚ軸は鉛直方向に延びる。なお、Ｚ軸が延びる方向と、鉛直方向とが異なっても良い。
【００１０】
図１に示される第１の実施形態の半導体製造装置１０は、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）装置である。半導体製造装置１０は、他の装置であっても良い。半導体製造装置１０は、製造部１１と、ステージ１２と、シャワープレート１３と、第１のガス供給装置１４と、第２のガス供給装置１５と、第３のガス供給装置１６と、制御部１８とを有する。
【００１１】
製造部１１は、例えば、筐体とも称され得る。ステージ１２は、配置部の一例であり、例えば、載置部又は台とも称され得る。シャワープレート１３は、シャワープレート、流路構造、及び部材の一例であり、例えば、吐出装置、供給装置、噴出装置、分配装置、排出装置、又は部品とも称され得る。第１乃至第３のガス供給装置１４〜１６は、例えば、供給部とも称され得る。
【００１２】
製造部１１の内部に、気密に密閉可能なチャンバ２１が設けられる。チャンバ２１は、例えば、部屋又は空間とも称され得る。半導体製造装置１０は、例えば、チャンバ２１において、半導体ウェハ（以下、ウェハと称する）Ｗを製造する。ウェハＷは、対象物の一例である。製造部１１は、上壁２３と、側壁２４とを有する。
【００１３】
上壁２３は、内面２３ａを有する。内面２３ａは、下方向に向く略平坦な面である。側壁２４は、内側面２４ａを有する。内側面２４ａは、略水平方向に向く面である。内面２３ａ及び内側面２４ａは、チャンバ２１の一部を形成する。すなわち、内面２３ａ及び内側面２４ａは、チャンバ２１の内部に向く。側壁２４に、複数の排気口２７が設けられる。排気口２７から、チャンバ２１の気体が排出され得る。
【００１４】
ステージ１２及びシャワープレート１３は、チャンバ２１に配置される。なお、図１に示されるように、ステージ１２の一部及びシャワープレート１３の一部が、チャンバ２１の外に位置しても良い。
【００１５】
ステージ１２は、支持部１２ａを有する。支持部１２ａは、チャンバ２１に位置し、上壁２３の内面２３ａに向いてウェハＷを支持する。言い換えると、ステージ１２にウェハＷが配置される。ステージ１２はヒータを有し、支持部１２ａに支持されたウェハＷを加熱することが可能である。
【００１６】
ステージ１２は、例えば、ウェハＷを吸引することにより、当該ウェハＷを支持部１２ａに固定できる。さらに、ステージ１２は、モータのような駆動装置に接続され、ウェハＷを支持した状態で回転可能である。
【００１７】
シャワープレート１３は、例えば、製造部１１の上壁２３に取り付けられる。シャワープレート１３は、ステージ１２の支持部１２ａに支持されたウェハＷに面する。シャワープレート１３は、図１の矢印で示すように、ウェハＷへ複数種類の原料ガスＭＧを吐出可能である。原料ガスＭＧは、第１の流体の一例である。なお、第１の流体は気体に限らず、液体のような他の流体であっても良い。
【００１８】
原料ガスＭＧは、例えば、第１の原料ガスＭＧ１と、第２の原料ガスＭＧ２とを含む。第１の原料ガスＭＧ１は、例えば、ウェハＷに酸化膜を形成する。第２の原料ガスＭＧ２は、例えば、ウェハＷに窒化膜を形成する。なお、第１の原料ガスＭＧ１と第２の原料ガスＭＧ２とは、この例に限らない。また、シャワープレート１３は、一種類の原料ガスＭＧを吐出しても良い。
【００１９】
シャワープレート１３は、拡散部３１と、管部３２とを有する。拡散部３１は、Ｘ‐Ｙ平面上で広がる略円盤状に形成される。管部３２は、拡散部３１の略中央部からＺ軸に沿う正方向（Ｚ軸の矢印が向く方向、上方向）に延びる。
【００２０】
管部３２は、上壁２３を貫通する。例えば、管部３２が上壁２３に固定されることで、シャワープレート１３が製造部１１の上壁２３に取り付けられる。なお、シャワープレート１３は、他の手段により製造部１１に取り付けられても良い。
【００２１】
図２は、第１の実施形態のシャワープレート１３を示す断面図である。図３は、第１の実施形態のシャワープレート１３の断面を示す斜視図である。図２及び図３に示すように、拡散部３１は、底壁３４と、周壁３５と、覆壁３６とを有する。
【００２２】
さらに、拡散部３１の内部に、第１の拡散室３７が設けられる。第１の拡散室３７は、例えば、部屋又は空間とも称され得る。第１の拡散室３７は、底壁３４と、周壁３５と、覆壁３６とによって囲まれる。
【００２３】
底壁３４は、Ｘ‐Ｙ平面上で広がる略円盤状に形成される。底壁３４は、底面３４ａと、第１の内面３４ｂとを有する。底面３４ａは、外面の一例であり、例えば、表面とも称され得る。
【００２４】
底面３４ａは、Ｚ軸に沿う負方向（Ｚ軸の矢印が向く方向の反対方向、下方向）に向く略平坦な面であり、シャワープレート１３のＺ軸に沿う負方向の端に位置する。言い換えると、底面３４ａは、シャワープレート１３の外面の一部を形成する。なお、底面３４ａは、曲面であっても良いし、凹凸を有しても良い。
【００２５】
図１に示すように、底面３４ａは、隙間を介して、ステージ１２の支持部１２ａに支持されたウェハＷに面する。言い換えると、ステージ１２は、底面３４ａが向く位置にウェハＷを支持する。
【００２６】
図２に示すように、第１の内面３４ｂは、底面３４ａの反対側に位置し、Ｚ軸に沿う正方向に向く略平坦な面である。第１の内面３４ｂは、第１の拡散室３７に面し、拡散室４７の内面の一部を形成する。
【００２７】
周壁３５は、底壁３４の縁から、Ｚ軸に沿う正方向に延びる略円筒形の壁である。周壁３５は、第２の内面３５ａを有する。第２の内面３５ａは、拡散室４７に面し、拡散室４７の内面の一部を形成する。
【００２８】
覆壁３６は、Ｘ‐Ｙ平面上で広がる略円盤状に形成される。周壁３５は、覆壁３６の縁と、底壁３４の縁とを接続する。覆壁３６は、上面３６ａと、第３の内面３６ｂとを有する。
【００２９】
上面３６ａは、Ｚ軸に沿う正方向に向く略平坦な面である。上面３６ａは、シャワープレート１３の外面の一部を形成する。管部３２は、上面３６ａからＺ軸に沿う正方向に延びる。
【００３０】
第３の内面３６ｂは、上面３６ａの反対側に位置し、Ｚ軸に沿う負方向に向く略平坦な面である。第３の内面３６ｂは、第１の内面３４ｂに向く。第３の内面３６ｂは、拡散室４７に面し、拡散室４７の内面の一部を形成する。
【００３１】
底壁３４に、複数の導入口４１と、複数の吐出口４２と、複数の分岐通路４３と、第２の拡散室４４と、第３の拡散室４５とが設けられる。複数の導入口４１は、第１の内面３４ｂに設けられる。複数の吐出口４２は、底面３４ａに設けられる。
【００３２】
本実施形態において、吐出口４２の数は、導入口４１の数の二倍である。なお、吐出口４２の数はこの例に限らない。複数の分岐通路４３はそれぞれ、一つの導入口４１と、二つの吐出口４２とを接続する。
【００３３】
図４は、第１の実施形態の分岐通路４３を模式的に示す斜視図である。分岐通路４３は、流体が流れることが可能な流路（通路、孔、空間、空洞）である。しかし説明のため、図３及び図４において、分岐通路４３は立体として示される。言い換えると、図３及び図４は、分岐通路４３内の空間の形を示す。
【００３４】
図４に示すように、複数の分岐通路４３はそれぞれ、第１の通路５１と、二つの第２の通路５２と、二つの第３の通路５３とを含む。第１の通路５１は、例えば、主通路とも称され得る。第２の通路５２は、例えば、分岐通路又は分配通路とも称され得る。第３の通路５３は、例えば、制御通路とも称され得る。
【００３５】
以下の説明において、二つの第２の通路５２は、第２の通路５２Ａ，５２Ｂと個別に称されることがある。また、二つの第３の通路５３は、第３の通路５３Ａ，５３Ｂと個別に称されることがある。
【００３６】
第１の通路５１、第２の通路５２、及び第３の通路５３は、略同一の半径を有する円形断面の通路である。なお、第１の通路５１、第２の通路５２、及び第３の通路５３の形状及び半径は、互いに異なっても良い。
【００３７】
第１の通路５１は、導入口４１からＺ軸に沿う負方向に延びる。言い換えると、第１の通路５１は、導入口４１に連通し、第１の拡散室３７に接続される。なお、第１の通路５１は、他の方向に延びても良いし、他の通路を介して導入口４１に連通されても良い。
【００３８】
二つの第２の通路５２は、分岐部５５で第１の通路５１から分岐される。分岐部５５は、第１の通路５１と、複数の第２の通路５２とが接続された部分である。分岐部５５において、第１の通路５１の端部と、二つの第２の通路５２のそれぞれの端部とが、互いに接続される。
【００３９】
二つの第２の通路５２はそれぞれ、第１の部分６１と、第２の部分６２とを有する。第１の部分６１は、第１の延部の一例である。第１の部分６１は、第１の通路５１に接続された第２の通路５２の一部である。第２の通路５２Ａの第１の部分６１は、分岐部５５からＸ軸に沿う負方向（Ｘ軸の矢印が向く方向の反対方向）に延びる。第２の通路５２Ｂの第１の部分６１は、分岐部５５からＸ軸に沿う正方向（Ｘ軸の矢印が向く方向）に延びる。
【００４０】
上述のように、二つの第２の通路５２は、互いに反対方向に延びる。他の表現によれば、二つの第２の通路５２は、分岐部５５から放射状に延びる。なお、第２の通路５２が延びる方向はこの例に限らない。
【００４１】
第２の部分６２は、Ｚ軸に沿う方向に延びる。第２の部分６２の一方の端部は、第１の部分６１に接続される。第２の部分６２の他方の端部は、吐出口４２に連通する。これにより、吐出口４２は、第２の通路５２及び第１の通路５１を介して、導入口４１に連通される。
【００４２】
第３の通路５３は、接続部６５において、第２の通路５２に接続される。接続部６５は、第２の通路５２と、第３の通路５３とが接続された部分である。第３の通路５３Ａの端部が、接続部６５において、第２の通路５２Ａに接続される。第３の通路５３Ｂの端部が、接続部６５において、第２の通路５２Ｂに接続される。
【００４３】
接続部６５は、分岐部５５から離間するとともに、吐出口４２から離間した位置に設けられる。すなわち、二つの第３の通路５３は、分岐部５５よりも下流で第２の通路５２にそれぞれ接続される。
【００４４】
二つの第２の通路５２のそれぞれにおいて、接続部６５と分岐部５５との間の長さは、吐出口４２と接続部６５との間の長さよりも短い。本実施形態における長さは、通路（第１の通路５１、第２の通路５２、及び第３の通路５３）の断面の中心をつないだ中心線の長さである。
【００４５】
第２の通路５２Ａ及び第３の通路５３Ａの接続部６５と分岐部５５との間の長さは、第２の通路５２Ｂ及び第３の通路５３Ｂの接続部６５と分岐部５５との間の長さと実質的に等しい。なお、接続部６５の位置はこの例に限らない。
【００４６】
二つの第３の通路５３はそれぞれ、第３の部分６７と、第４の部分６８とを有する。第３の部分６７は、第３の延部の一例である。第３の部分６７は、第２の通路５２に接続された第３の通路５３の一部である。第３の部分６７は、接続部６５からＹ軸に沿う負方向（Ｙ軸の矢印の反対方向）に延びる。なお、第３の部分６７は、他の方向に延びても良い。
【００４７】
第３の通路５３Ａの第４の部分６８は、第３の部分６７の端部からＺ軸に沿う正方向に延びる。第３の通路５３Ｂの第４の部分６８は、第３の部分６７の端部からＺ軸に沿う負方向に延びる。
【００４８】
図２及び図３に示すように、第２の拡散室４４と第３の拡散室４５とはそれぞれ、底壁３４の内部に設けられる。第２の拡散室４４及び第３の拡散室４５はそれぞれ、略円盤状に形成された空間である。なお、第２の拡散室４４及び第３の拡散室４５は、他の形状に形成されても良い。
【００４９】
第２の拡散室４４は、Ｚ軸に沿う方向において、第１の内面３４ｂと、第２の通路５２の第１の部分６１と、の間に設けられる。第２の拡散室４４は、第１の通路５１及び第２の通路５２から隔てられる。
【００５０】
第３の拡散室４５は、Ｚ軸に沿う方向において、底面３４ａと、第２の通路５２の第１の部分６１と、の間に設けられる。第３の拡散室４５は、第１の通路５１及び第２の通路５２から隔てられる。
【００５１】
図４に示す第３の通路５３Ａの第４の部分６８は、第２の拡散室４４に接続される。このため、第３の通路５３Ａは、第２の拡散室４４と第２の通路５２Ａとを接続する。一方、第３の通路５３Ｂの第４の部分６８は、第３の拡散室４５に接続される。このため、第３の通路５３Ｂは、第３の拡散室４５と第２の通路５２Ｂとを接続する。
【００５２】
図３に示すように、管部３２は、内筒７１と、外筒７２とを有する。内筒７１及び外筒７２は、略同一の中心軸上に配置された円筒形に形成される。なお、内筒７１及び外筒７２は、互いにずれた中心軸を有しても良いし、他の形状に形成されても良い。
【００５３】
内筒７１は、外筒７２の内側に配置される。内筒７１は、底壁３４の第１の内面３４ｂからＺ軸に沿う正方向に延びる。このため、内筒７１の一部は、第１の拡散室３７に位置する。内筒７１の上端は、覆壁３６の上面３６ａからＺ軸に沿う正方向（上方向）に離間した位置に配置され、Ｚ軸に沿う正方向における管部３２の端面３２ａの一部を形成する。すなわち、内筒７１は、上面３６ａからＺ軸に沿う正方向に突出する。
【００５４】
外筒７２は、覆壁３６の上面３６ａからＺ軸に沿う正方向に延びる。外筒７２の上端は、Ｚ軸に沿う方向において内筒７１の上端と略同一の位置に配置され、管部３２の端面３２ａの一部を形成する。すなわち、管部３２の端面３２ａは、内筒７１の上端であるとともに、外筒７２の上端でもある。
【００５５】
管部３２に、第１の供給路７５が設けられる。第１の供給路７５は、外筒７２と内筒７１との間に設けられる。言い換えると、第１の供給路７５は、外筒７２の内側に設けられる。第１の供給路７５は、覆壁３６の第３の内面３６ｂと、管部３２の端面３２ａとに連通する。端面３２ａは、外面と異なる面の一例である。すなわち、第１の供給路７５は、第１の拡散室３７と、シャワープレート１３の外部とを連通する。第１の供給路７５は、第１の拡散室３７を介して、分岐通路４３の第１の通路５１に連通する。
【００５６】
管部３２に、第２の供給路７６がさらに設けられる。第２の供給路７６は、内筒７１の内側に設けられる。第２の供給路７６は、管部３２の端面３２ａに連通し、Ｚ軸に沿う負方向に延びる。第２の供給路７６は、第２の拡散室４４の略中央と、シャワープレート１３の外部とを連通する。第２の供給路７６は、第２の拡散室４４を介して、分岐通路４３の第３の通路５３Ａに連通する。第２の供給路７６と第１の拡散室３７との間は、内筒７１によって隔てられる。
【００５７】
シャワープレート１３に、第３の供給路７７が設けられる。第２の供給路７６及び第３の供給路７７は、第２の供給路の一例である。第３の供給路７７は、外筒７２の内部と、覆壁３６の内部と、周壁３５の内部とに亘って設けられる。
【００５８】
第３の供給路７７は、管部３２の端面３２ａに連通する。第３の供給路７７は、第３の拡散室４５の外周４５ａと、シャワープレート１３の外部とを連通する。第３の供給路７７は、第３の拡散室４５を介して、分岐通路４３の第３の通路５３Ｂに連通する。
【００５９】
図１に示すように、第１のガス供給装置１４は、タンク１４ａとバルブ１４ｂとを有する。バルブ１４ｂは、第１の調整部の一例である。第１の調整部は、例えば、ポンプのような他の装置であっても良い。タンク１４ａは、第１の原料ガスＭＧ１を収容し、バルブ１４ｂ及び配管を介して第１の供給路７５に接続される。
【００６０】
バルブ１４ｂが開かれることで、第１のガス供給装置１４は、タンク１４ａの第１の原料ガスＭＧ１を第１の供給路７５に供給する。バルブ１４ｂが閉じられると、第１のガス供給装置１４は、第１の原料ガスＭＧ１の供給を停止する。さらに、バルブ１４ｂの開閉量が調整されることで、第１の原料ガスＭＧ１の流量が調整される。このように、バルブ１４ｂは、第１の原料ガスＭＧ１の供給状態を調整可能である。
【００６１】
第２のガス供給装置１５は、タンク１５ａとバルブ１５ｂとを有する。バルブ１５ｂは、第１の調整部の一例である。タンク１５ａは、第２の原料ガスＭＧ２を収容し、バルブ１５ｂ及び配管を介して第１の供給路７５に接続される。
【００６２】
バルブ１５ｂが開かれることで、第２のガス供給装置１５は、タンク１５ａの第２の原料ガスＭＧ２を第１の供給路７５に供給する。バルブ１５ｂが閉じられると、第２のガス供給装置１５は、第２の原料ガスＭＧ２の供給を停止する。さらに、バルブ１５ｂの開閉量が調整されることで、第２の原料ガスＭＧ２の流量が調整される。このように、バルブ１５ｂは、第２の原料ガスＭＧ２の供給状態を調整可能である。
【００６３】
第３のガス供給装置１６は、タンク１６ａと、第１のバルブ１６ｂと、第２のバルブ１６ｃと、第３のバルブ１６ｄとを有する。第１のバルブ１６ｂ及び第２のバルブ１６ｃは、第２の調整部の一例である。第２の調整部は、例えば、ポンプのような他の装置であっても良い。タンク１６ａは、図２に示すキャリアガスＣＧを収容する。
【００６４】
キャリアガスＣＧは、第２の流体の一例であり、例えば、制御流体とも称され得る。なお、第２の流体は気体に限らず、液体のような他の流体であっても良い。本実施形態において、キャリアガスＣＧは、例えば、アルゴンである。なお、キャリアガスＣＧは、この例に限らず、複数種類の流体を含んでも良い。
【００６５】
タンク１６ａは、第１のバルブ１６ｂ及び配管を介して、第２の供給路７６に接続される。タンク１６ａは、第２のバルブ１６ｃ及び配管を介して、第３の供給路７７に接続される。さらに、タンク１６ａは、第３のバルブ１６ｄ及び配管を介して、第１の供給路７５に接続される。
【００６６】
第１のバルブ１６ｂが開かれることで、第３のガス供給装置１６は、タンク１６ａのキャリアガスＣＧを第２の供給路７６に供給する。第１のバルブ１６ｂが閉じられると、第３のガス供給装置１６は、キャリアガスＣＧの供給を停止する。さらに、第１のバルブ１６ｂの開閉量が調整されることで、キャリアガスＣＧの流量が調整される。このように、第１のバルブ１６ｂは、第２の供給路７６へのキャリアガスＣＧの供給状態を調整可能である。同様に、第２のバルブ１６ｃは第３の供給路７７へのキャリアガスＣＧの供給状態を調整可能であり、第３のバルブ１６ｄは第１の供給路７５へのキャリアガスＣＧの供給状態を調整可能である。
【００６７】
制御部１８は、例えば、ＣＰＵのような処理装置と、ＲＯＭやＲＡＭのような記憶装置と、を有する。制御部１８は、例えば、ステージ１２、第１のガス供給装置１４、第２のガス供給装置１５、及び第３のガス供給装置１６を制御する。
【００６８】
半導体製造装置１０は、以下に説明するように、チャンバ２１のウェハＷに原料ガスＭＧを供給する。なお、半導体製造装置１０が原料ガスＭＧを供給する方法は、以下に説明される方法に限らない。
【００６９】
図４に示すように、以下の説明において、複数の吐出口４２は、吐出口４２Ａ，４２Ｂと個別に称されることがある。すなわち、複数の吐出口４２は、複数の吐出口４２Ａと複数の吐出口４２Ｂとを含む。吐出口４２Ａには、第２の通路５２Ａが連通する。吐出口４２Ｂには、第２の通路５２Ｂが連通する。
【００７０】
シャワープレート１３は、第１の原料ガスＭＧ１を吐出口４２ＡからウェハＷに向かって吐出する。例えば、吐出口４２Ａは、第１の原料ガスＭＧ１の吐出に適した位置に設けられる。
【００７１】
シャワープレート１３は、第２の原料ガスＭＧ２を吐出口４２ＢからウェハＷに向かって吐出する。例えば、吐出口４２Ｂは、第２の原料ガスＭＧ２の吐出に適した位置に設けられる。
【００７２】
まず、制御部１８は、図１の第１のガス供給装置１４のバルブ１４ｂを開かせ、タンク１４ａの第１の原料ガスＭＧ１を第１の供給路７５に供給する。このとき、第２のガス供給装置１５のバルブ１５ｂは閉じられる。
【００７３】
さらに、制御部１８は、第３のガス供給装置１６の第１のバルブ１６ｂと第２のバルブ１６ｃとを開かせ、タンク１６ａのキャリアガスＣＧを第２の供給路７６と第３の供給路７７に供給させる。このとき、第３のバルブ１６ｄは閉じられる。
【００７４】
以下の説明において、第１のバルブ１６ｂから第２の供給路７６に供給されるキャリアガスＣＧを、キャリアガスＣＧ１と称することがある。また、第２のバルブ１６ｃから第３の供給路７７に供給されるキャリアガスＣＧを、キャリアガスＣＧ２と称することがある。
【００７５】
図２に示すように、第１の原料ガスＭＧ１は、第１の供給路７５を通って第１の拡散室３７に供給される。第１の原料ガスＭＧ１は第１の拡散室３７で、例えばＸ‐Ｙ平面に沿う方向に拡散する。
【００７６】
第１の拡散室３７の第１の原料ガスＭＧ１は、複数の導入口４１を通り、分岐通路４３の第１の通路５１に供給される。すなわち、第１のガス供給装置１４は、第１の通路５１に第１の原料ガスＭＧ１を供給する。バルブ１４ｂは、第１の通路５１に供給される第１の原料ガスＭＧ１の供給状態を調整できる。
【００７７】
キャリアガスＣＧ１は、第２の供給路７６を通って第２の拡散室４４に供給される。キャリアガスＣＧ１は、第２の拡散室４４で、例えばＸ‐Ｙ平面に沿う方向に拡散する。
【００７８】
第２の拡散室４４のキャリアガスＣＧ１は、複数の第３の通路５３Ａに供給される。すなわち、第３のガス供給装置１６は、第３の通路５３ＡにキャリアガスＣＧ１を供給する。第１のバルブ１６ｂは、第３の通路５３Ａに供給されるキャリアガスＣＧ１の供給状態を調整できる。
【００７９】
キャリアガスＣＧ２は、第３の供給路７７を通って第３の拡散室４５に供給される。キャリアガスＣＧ２は、第３の拡散室４５で、例えばＸ‐Ｙ平面に沿う方向に拡散する。
【００８０】
第３の拡散室４５のキャリアガスＣＧ２は、複数の第３の通路５３Ｂに供給される。すなわち、第３のガス供給装置１６は、第３の通路５３ＢにキャリアガスＣＧ２を供給する。第２のバルブ１６ｃは、第３の通路５３Ｂに供給されるキャリアガスＣＧ２の供給状態を調整できる。
【００８１】
図５は、第１の実施形態の第１の原料ガスＭＧ１が流される分岐通路４３を模式的に示す正面図である。図５に示すように、第１の原料ガスＭＧ１が吐出口４２Ａから吐出されるとき、第２のバルブ１６ｃは、第３の通路５３Ａに供給されるキャリアガスＣＧ１の流量よりも多い流量のキャリアガスＣＧ２を、第３の通路５３Ｂに供給する。
【００８２】
第３の通路５３Ｂは、キャリアガスＣＧ２を、接続部６５から第２の通路５２Ｂの第１の部分６１に供給する。キャリアガスＣＧ２の流れは、当該接続部６５において分岐する。
【００８３】
一方のキャリアガスＣＧ２の流れは、第２の通路５２Ｂの第１の部分６１及び第２の部分６２を通り、吐出口４２Ｂからシャワープレート１３の外部に吐出される。すなわち、吐出口４２Ｂは、キャリアガスＣＧ２を吐出する。
【００８４】
他方のキャリアガスＣＧ２の流れは、第２の通路５２Ｂの第１の部分６１を通って、分岐部５５へ流れる。当該キャリアガスＣＧ２は、分岐部５５において、第１の通路５１を流れる第１の原料ガスＭＧ１と合流する。
【００８５】
キャリアガスＣＧ２は、第１の原料ガスＭＧ１を伴って、第２の通路５２Ａの第１の部分６１及び第２の部分６２を通り、吐出口４２Ａからシャワープレート１３の外部に吐出される。すなわち、キャリアガスＣＧ２は、第１の原料ガスＭＧ１を吐出口４２Ａへ運ぶ。
【００８６】
第３の通路５３Ａは、第２の通路５２ＡにおけるキャリアガスＣＧ２の流量より少ない流量のキャリアガスＣＧ１を、接続部６５から第２の通路５２Ａの第１の部分６１に供給する。すなわち、第１のバルブ１６ｂは、第１の原料ガスＭＧ１が流される第２の通路５２Ａに接続された第３の通路５３Ａに、第３の通路５３Ｂから第２の通路５２Ａに流れるキャリアガスＣＧ２の流量よりも少ない流量のキャリアガスＣＧ１を供給する。
【００８７】
キャリアガスＣＧ１は、第１の原料ガスＭＧ１及びキャリアガスＣＧ２とともに、第２の通路５２Ａの第１の部分６１及び第２の部分６２を通り、吐出口４２Ａからシャワープレート１３の外部に吐出される。このように、吐出口４２Ａは、第１の原料ガスＭＧ１と、キャリアガスＣＧ（キャリアガスＣＧ１，ＣＧ２）とを吐出する。
【００８８】
以上述べたように、第２のバルブ１６ｃは、第３の通路５３ＢにキャリアガスＣＧ２を供給し、キャリアガスＣＧ２により第１の原料ガスＭＧ１を第３の通路５３Ａが接続された第２の通路５２Ａに流す。このとき、第３の通路５３Ｂから第２の通路５２Ｂを通って第２の通路５２Ａに流れるキャリアガスＣＧ２の流量は、第１の原料ガスＭＧ１の拡散による移送量よりも多い。このため、実質的に第１の原料ガスＭＧ１の全てが第２の通路５２Ａに流れる。
【００８９】
吐出口４２Ａから吐出された第１の原料ガスＭＧ１は、ウェハＷの表面に膜を形成する。吐出口４２Ａ，４２Ｂから吐出されたキャリアガスＣＧ（キャリアガスＣＧ１，ＣＧ２）は、成膜に影響を及ぼさず、例えば図１の排気口２７から排出される。
【００９０】
なお、吐出口４２Ａから第１の原料ガスＭＧ１が吐出されるとき、第１のバルブ１６ｂが閉じられても良い。この場合も、第３の通路５３Ｂに供給されたキャリアガスＣＧ２は、分岐部５５において第１の原料ガスＭＧ１と合流し、当該第１の原料ガスＭＧ１を伴って第２の通路５２Ａを通り吐出口４２Ａから吐出される。第３の通路５３ＡにキャリアガスＣＧ１が存在する場合、第３の通路５３Ａに入る第１の原料ガスＭＧ１の量が少なく抑えられる。
【００９１】
次に、制御部１８は、図１の第１のガス供給装置１４のバルブ１４ｂを閉じさせ、第１の原料ガスＭＧ１の供給を停止する。さらに、制御部１８は、第３のガス供給装置１６の第３のバルブ１６ｄを開かせる。これにより、キャリアガスＣＧが第１の供給路７５を通って第１の拡散室３７に供給され、第１の拡散室３７の第１の原料ガスＭＧ１を複数の導入口４１へ流す。第１の原料ガスＭＧ１は、キャリアガスＣＧにより、吐出口４２ＡからウェハＷに向かって吐出される。
【００９２】
シャワープレート１３の内部から第１の原料ガスＭＧ１が排出されると、制御部１８は、第３のガス供給装置１６の第３のバルブ１６ｄを閉じさせる。さらに、制御部１８は、第１のバルブ１６ｂと第２のバルブ１６ｃとを調整する。これにより、第１のバルブ１６ｂは、第３の通路５３Ｂに供給されるキャリアガスＣＧ２の流量よりも多い流量のキャリアガスＣＧ１を、第３の通路５３Ａに供給する。
【００９３】
次に、制御部１８は、第２のガス供給装置１５のバルブ１５ｂを開かせ、タンク１５ａの第２の原料ガスＭＧ２を第１の供給路７５に供給する。このとき、第１のガス供給装置１４のバルブ１４ｂは閉じられる。
【００９４】
図２に示すように、第２の原料ガスＭＧ２が、第１の供給路７５を通って第１の拡散室３７に供給される。第２の原料ガスＭＧ２は第１の拡散室３７で、例えばＸ‐Ｙ平面に沿う方向に拡散する。
【００９５】
第１の拡散室３７の第２の原料ガスＭＧ２は、複数の導入口４１を通り、分岐通路４３の第１の通路５１に供給される。すなわち、第２のガス供給装置１５は、第１の通路５１に第２の原料ガスＭＧ２を供給する。バルブ１５ｂは、第１の通路５１に供給される第２の原料ガスＭＧ２の供給状態を調整できる。
【００９６】
図６は、第１の実施形態の第２の原料ガスＭＧ２が流される分岐通路４３を模式的に示す正面図である。図６に示すように、第２の原料ガスＭＧ２が吐出口４２Ｂから吐出されるとき、第１のバルブ１６ｂは、第３の通路５３Ｂに供給されるキャリアガスＣＧ２の流量よりも多い流量のキャリアガスＣＧ１を、第３の通路５３Ａに供給する。
【００９７】
第３の通路５３Ａは、キャリアガスＣＧ１を、接続部６５から第２の通路５２Ａの第１の部分６１に供給する。キャリアガスＣＧ１の流れは、当該接続部６５において分岐する。
【００９８】
一方のキャリアガスＣＧ１の流れは、第２の通路５２Ａの第１の部分６１及び第２の部分６２を通り、吐出口４２Ａからシャワープレート１３の外部に吐出される。すなわち、吐出口４２Ａは、キャリアガスＣＧ１を吐出する。
【００９９】
他方のキャリアガスＣＧ１の流れは、第２の通路５２Ａの第１の部分６１を通って、分岐部５５へ流れる。当該キャリアガスＣＧ１は、分岐部５５において、第１の通路５１を流れる第２の原料ガスＭＧ２と合流する。
【０１００】
キャリアガスＣＧ１は、第２の原料ガスＭＧ２を伴って、第２の通路５２Ｂの第１の部分６１及び第２の部分６２を通り、吐出口４２Ｂからシャワープレート１３の外部に吐出される。すなわち、キャリアガスＣＧ１は、第２の原料ガスＭＧ２を吐出口４２Ｂへ運ぶ。
【０１０１】
第３の通路５３Ｂは、第２の通路５２ＢにおけるキャリアガスＣＧ１の流量より少ない流量のキャリアガスＣＧ２を、接続部６５から第２の通路５２Ｂの第１の部分６１に供給する。すなわち、第２のバルブ１６ｃは、第２の原料ガスＭＧ２が流される第２の通路５２Ｂに接続された第３の通路５３Ｂに、第３の通路５３Ａから第２の通路５２Ｂに流れるキャリアガスＣＧ１の流量よりも少ない流量のキャリアガスＣＧ２を供給する。
【０１０２】
キャリアガスＣＧ２は、第２の原料ガスＭＧ２及びキャリアガスＣＧ１とともに、第２の通路５２Ｂの第１の部分６１及び第２の部分６２を通り、吐出口４２Ｂからシャワープレート１３の外部に吐出される。このように、吐出口４２Ｂは、第１の原料ガスＭＧ１と、キャリアガスＣＧ（キャリアガスＣＧ１，ＣＧ２）とを吐出する。
【０１０３】
上記のように、第１のバルブ１６ｂは、第３の通路５３ＡにキャリアガスＣＧ１を供給し、キャリアガスＣＧ１により第２の原料ガスＭＧ２を第３の通路５３Ｂが接続された第２の通路５２Ｂに流す。このとき、第３の通路５３Ａから第２の通路５２Ａを通って第２の通路５２Ｂに流れるキャリアガスＣＧ１の流量は、第２の原料ガスＭＧ２の拡散による移送量よりも多い。このため、実質的に第２の原料ガスＭＧ２の全てが第２の通路５２Ｂに流れる。
【０１０４】
吐出口４２Ｂから吐出された第２の原料ガスＭＧ２は、ウェハＷの表面に膜を形成する。吐出口４２Ａ，４２Ｂから吐出されたキャリアガスＣＧ（キャリアガスＣＧ１，ＣＧ２）は、成膜に影響を及ぼさず、例えば図１の排気口２７から排出される。
【０１０５】
なお、吐出口４２Ｂから第２の原料ガスＭＧ２が吐出されるとき、第２のバルブ１６ｃが閉じられても良い。この場合も、第３の通路５３Ａに供給されたキャリアガスＣＧ１は、分岐部５５において第２の原料ガスＭＧ２と合流し、当該第２の原料ガスＭＧ２を伴って第２の通路５２Ｂを通り吐出口４２Ｂから吐出される。第３の通路５３ＢにキャリアガスＣＧ２が存在する場合、第３の通路５３Ｂに入る第２の原料ガスＭＧ２の量が少なく抑えられる。
【０１０６】
以上のように、第１のバルブ１６ｂ及び第２のバルブ１６ｃは、分岐部５５よりも下流の第３の通路５３Ａ，５３Ｂから第２の通路５２Ａ，５２ＢへのキャリアガスＣＧ１及びキャリアガスＣＧ２の供給状態を変化させる。これにより、第１の原料ガスＭＧ１が吐出口４２Ａから吐出され、第２の原料ガスＭＧ２が吐出口４２Ｂから吐出されるように、第１の通路５１から第２の通路５２Ａ，５２Ｂへの第１の原料ガスＭＧ１及び第２の原料ガスＭＧ２の分流状態が変化させられる。従って、第１の原料ガスＭＧ１及び第２の原料ガスＭＧ２は、それぞれに適した位置から吐出されることができる。以上により、ウェハＷに、例えば、酸化膜と窒化膜とが成膜される。
【０１０７】
なお、原料ガスＭＧ（第１の原料ガスＭＧ１及び第２の原料ガスＭＧ２）は、二つの吐出口４２Ａ，４２Ｂの両方から吐出されても良い。例えば、上述の例よりもキャリアガスＣＧ１，ＣＧ２の供給量が少なく設定されることで、原料ガスＭＧは、第２の通路５２Ａ，５２Ｂの両方に流れ、吐出口４２Ａ，４２Ｂから吐出される。
【０１０８】
原料ガスＭＧが吐出口４２Ａ，４２Ｂの両方から吐出されるとき、第１のバルブ１６ｂ及び第２のバルブ１６ｃは、第３の通路５３Ａ，５３Ｂから第２の通路５２Ａ，５２ＢへのキャリアガスＣＧ１及びキャリアガスＣＧ２の供給状態を変化させる。これにより、第２の通路５２Ａに流れる原料ガスＭＧの流量と、第２の通路５２Ｂに流れる原料ガスＭＧの流量と、の比率が調整される。
【０１０９】
以上説明したように、分岐通路４３は、第２の通路５２Ａ，５２Ｂのいずれか一方にのみ流体を流すバルブとしてのみならず、第２の通路５２Ａに流れる流体の流量と第２の通路５２Ｂに流れる流体の流量との比率を変化させ得るバルブとしても用いられ得る。さらに、第３の通路５３Ａ，５３Ｂに供給される第１及び第２のキャリアガスＣＧ１，ＣＧ２の流量が増大させられることで、吐出口４２からの第１及び第２の原料ガスＭＧ１，ＭＧ２の吐出が停止させられることも可能である。
【０１１０】
すなわち、本実施形態における第１のバルブ１６ｂ及び第２のバルブ１６ｃによる供給状態の変化は、例えば、複数の第３の通路５３から複数の第２の通路５２それぞれへのキャリアガスＣＧの供給及び供給停止の切り替えと、キャリアガスＣＧの供給量（流量）の調整と、第３の通路５３Ａに供給されるキャリアガスＣＧ１の流量及び第３の通路５３Ｂに供給されるキャリアガスＣＧ２の流量の比率の変更と、である。
【０１１１】
分流状態の変化は、例えば、第２の通路５２Ａのみへの原料ガスＭＧの供給、第２の通路５２Ｂへの原料ガスＭＧの供給、第２の通路５２Ａ，５２Ｂ両方への原料ガスＭＧの供給、及び原料ガスＭＧの供給停止の切り替えと、第２の通路５２Ａに供給される原料ガスＭＧの流量及び第２の通路５２Ｂに供給される原料ガスＭＧの流量の比率の変更と、である。
【０１１２】
シャワープレート１３は、例えば、三次元プリンタによる積層造形によって製造される。これにより、複数の分岐通路４３を有するシャワープレート１３が容易に製造される。なお、シャワープレート１３の製造方法はこの例に限らない。
【０１１３】
以上説明された第１の実施形態に係る半導体製造装置１０において、複数の第３の通路５３がそれぞれ、第１の通路５１から複数の第２の通路５２が分岐した分岐部５５よりも下流で、前記第２の通路５２に接続される。複数の第３の通路５３から複数の第２の通路５２へのキャリアガスＣＧの供給状態の変化によって、第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態が変化する。例えば、第３の通路５３Ａが第２の通路５２ＡにキャリアガスＣＧ１を供給することで、第１の通路５１から流される第２の原料ガスＭＧ２が、キャリアガスＣＧ１によって第３の通路５３Ｂが接続された第２の通路５２Ｂに流される。キャリアガスＣＧが流される第３の通路５３を変更することで、原料ガスＭＧが流される第２の通路５２を変更することが可能となる。このように、機械式バルブを用いることなく、シャワープレート１３の内部で、第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態を変化させることができる。従って、原料ガスＭＧの分流状態の変化に伴って機械式バルブの駆動が生じさせる熱やパーティクルが原料ガスＭＧに影響を及ぼすことが抑制される。さらに、キャリアガスＣＧの流量を調整することにより、原料ガスＭＧの粘性や流速にかかわらず、第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態を変化させることができる。さらに、三つ以上の第２の通路５２が設けられる場合であっても、第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態を変化させることができ、例えば所望の一つ又は複数の第２の通路５２に原料ガスＭＧを流すことが可能となる。
【０１１４】
第３の通路５３と第２の通路５２との接続部６５と、分岐部５５と、の間の長さは、吐出口４２と接続部６５との間の長さよりも短い。これにより、キャリアガスＣＧの大部分が吐出口４２に向かって流れることが抑制される。従って、キャリアガスＣＧが分岐部５５へ向かいやすくなり、当該キャリアガスＣＧにより原料ガスＭＧをより効率良く所望の第２の通路５２に流すことが可能となる。
【０１１５】
第１及び第２のバルブ１６ｂ，１６ｃは、複数の第３の通路５３に供給されるキャリアガスＣＧの供給状態を調整可能であり、複数の第３の通路５３から複数の第２の通路５２へのキャリアガスＣＧの供給状態を変化させることによって、第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態を変化させる。このように、機械式バルブを用いることなく第１の通路５１から複数の第２の通路５２Ａ，５２Ｂへの原料ガスＭＧの分流状態を変化させることができる。従って、原料ガスＭＧの分流状態の変化に伴って機械式バルブの駆動が生じさせる熱やパーティクルが原料ガスＭＧに影響を及ぼすことが抑制される。
【０１１６】
第１及び第２のバルブ１６ｂ，１６ｃは、原料ガスＭＧが流される第２の通路５２に接続された第３の通路５３に、他の第３の通路５３から原料ガスＭＧが流される第２の通路５２に流れるキャリアガスＣＧの流量よりも少ない流量のキャリアガスＣＧを供給する。これにより、拡散によって原料ガスＭＧが第３の通路５３に流れ込むことが抑制される。
【０１１７】
原料ガスＭＧが複数の第２の通路５２のうち一つに流れる場合、複数の第３の通路５３のうち少なくとも一つから、原料ガスＭＧが流れる第２の通路５２に流れる、キャリアガスＣＧの流量は、原料ガスＭＧの拡散による移送量よりも多い。これにより、拡散によって原料ガスＭＧが望まれぬ第２の通路５２に流れ込むことが抑制される。
【０１１８】
（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態について、図７及び図８を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。
【０１１９】
図７は、第２の実施形態に係る分岐通路４３を模式的に示す斜視図である。図８は、第２の実施形態の第１の原料ガスＭＧ１が流される分岐通路４３を模式的に示す平面図である。説明のため、図７及び図８において、分岐通路４３は立体として示される。
【０１２０】
図８に示すように、第２の実施形態において、第３の通路５３Ａの第３の部分６７は、分岐部５５から遠ざかるに従って第２の通路５２Ａの第１の部分６１から離間する角度で当該第１の部分６１に接続される。言い換えると、第３の部分６７は、分岐部５５から遠ざかるに従って第２の通路５２Ａの第１の部分６１から離間するように延びる。
【０１２１】
第３の通路５３Ｂの第３の部分６７は、分岐部５５から遠ざかるに従って第２の通路５２Ｂの第１の部分６１から離間する角度で当該第１の部分６１に接続される。言い換えると、第３の部分６７は、分岐部５５から遠ざかるに従って第２の通路５２Ｂの第１の部分６１から離間するように延びる。
【０１２２】
Ｘ軸に沿う方向において、第３の通路５３Ａの第３の部分６７を流れるキャリアガスＣＧ１は、分岐部５５に近づく方向に流れる。言い換えると、第３の通路５３Ａから第２の通路５２Ａに流入するキャリアガスＣＧ１の速度成分は、分岐部５５から吐出口４２Ａに向かって流れる方向の反対方向の成分を含む。別の表現によれば、第３の通路５３Ａから第２の通路５２Ａに流入するキャリアガスＣＧ１の速度成分は、第３の通路５３Ａと第２の通路５２Ａとの接続部６５から分岐部５５に向かう方向の成分を含む。このため、第３の通路５３Ａから第２の通路５２Ａに供給されたキャリアガスＣＧ１は、分岐部５５に向かって流れやすい。第１の通路５１に第２の原料ガスＭＧ２が流れる場合、当該第２の原料ガスＭＧ２は、キャリアガスＣＧ１により第２の通路５２Ｂに向かって流されやすい。
【０１２３】
Ｘ軸に沿う方向において、第３の通路５３Ｂの第３の部分６７を流れるキャリアガスＣＧ２は、分岐部５５に近づく方向に流れる。言い換えると、第３の通路５３Ｂから第２の通路５２Ｂに流入するキャリアガスＣＧ２の速度成分は、分岐部５５から吐出口４２Ｂに向かって流れる方向の反対方向の成分を含む。別の表現によれば、第３の通路５３Ｂから第２の通路５２Ｂに流入するキャリアガスＣＧ２の速度成分は、第３の通路５３Ｂと第２の通路５２Ｂとの接続部６５から分岐部５５に向かう方向の成分を含む。このため、第３の通路５３Ｂから第２の通路５２Ｂに供給されたキャリアガスＣＧ２は、分岐部５５に向かって流れやすい。第１の通路５１に第１の原料ガスＭＧ１が流れる場合、当該第１の原料ガスＭＧ１は、キャリアガスＣＧ２により第２の通路５２Ａに向かって流されやすい。
【０１２４】
以上説明された第２の実施形態の半導体製造装置１０において、第３の通路５３はそれぞれ、分岐部５５から遠ざかるに従って第１の部分６１から離間する角度で第１の部分６１に接続される。これにより、第３の通路５３から第２の通路５２に供給されるキャリアガスＣＧの、分岐部５５へ近づく方向に流れる成分は、分岐部５５から遠ざかる方向に流れる成分よりも多くなる。従って、キャリアガスＣＧが分岐部５５へ向かって流れやすくなり、当該キャリアガスＣＧにより原料ガスＭＧを所望の第２の通路５２により効率良く流すことが可能となる。
【０１２５】
（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、第３の実施形態に係る分岐通路４３を模式的に示す斜視図である。図１０は、第３の実施形態の第１の原料ガスＭＧ１が流される分岐通路４３を模式的に示す平面図である。説明のため、図９及び図１０において、分岐通路４３は立体として示される。
【０１２６】
図１０に示すように、第３の実施形態において、二つの第２の通路５２はそれぞれ、第５の部分８１を有する。第５の部分８１は、第２の延部の一例である。第５の部分８１は、第１の部分６１と、第２の部分６２との間に介在する。
【０１２７】
第５の部分８１は、分岐部５５の反対側に位置する第１の部分６１の端部６１ａに接続される。第５の部分８１は、第１の部分６１の端部６１ａから、Ｙ軸に沿う負方向に延びる。すなわち、第５の部分８１は、第１の部分６１と交差する方向に延びる。第５の部分８１は、他の方向に延びても良い。
【０１２８】
第３の実施形態において、第３の通路５３の第３の部分６７は、第１の部分６１の端部６１ａに接続される。第３の通路５３Ａの第３の部分６７は、第２の通路５２Ａの第１の部分６１からＸ軸に沿う負方向に延びる。第３の通路５３Ｂの第３の部分６７は、第２の通路５２Ｂの第１の部分６１からＸ軸に沿う正方向に延びる。すなわち、第３の部分６７は、第１の部分６１が延びる方向に延びる。
【０１２９】
第３の通路５３の第３の部分６７を流れるキャリアガスＣＧは、分岐部５５に近づく方向に流れる。このため、第３の通路５３から第２の通路５２に供給されたキャリアガスＣＧは、分岐部５５に向かって流れやすい。
【０１３０】
第１の通路５１に第２の原料ガスＭＧ２が流れる場合、当該第２の原料ガスＭＧ２は、キャリアガスＣＧ１により第２の通路５２Ｂに向かって流される。第２の通路５２Ｂの第１の部分６１において、キャリアガスＣＧ２は、キャリアガスＣＧ１の反対方向に流れ、キャリアガスＣＧ１及び第２の原料ガスＭＧ２が第３の通路５３Ｂに流れ込むことを抑制する。第２の原料ガスＭＧ２、キャリアガスＣＧ１、及びキャリアガスＣＧ２は、第１の部分６１に接続された第５の部分８１に流れる。
【０１３１】
第１の通路５１に第１の原料ガスＭＧ１が流れる場合、当該第１の原料ガスＭＧ１は、キャリアガスＣＧ２により第２の通路５２Ａに向かって流される。第２の通路５２Ａの第１の部分６１において、キャリアガスＣＧ１は、キャリアガスＣＧ２の反対方向に流れ、キャリアガスＣＧ２及び第１の原料ガスＭＧ１が第３の通路５３Ａに流れ込むことを抑制する。第１の原料ガスＭＧ１、キャリアガスＣＧ２、及びキャリアガスＣＧ１は、第１の部分６１に接続された第５の部分８１に流れる。
【０１３２】
以上説明された第３の実施形態の半導体製造装置１０において、第３の通路５３は、第１の部分６１の端部６１ａに接続されるとともに第１の部分６１が延びる方向に延びる第３の部分６７を有する。これにより、キャリアガスＣＧは、分岐部５５に近づく方向に第３の通路５３から第２の通路５２に供給される。従って、キャリアガスＣＧが分岐部５５へ向かって流れやすくなり、当該キャリアガスＣＧにより原料ガスＭＧをより効率良く所望の第２の通路５２に流すことが可能となる。
【０１３３】
（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態について、図１１を参照して説明する。図１１は、第４の実施形態に係る第１の原料ガスＭＧ１が流される分岐通路４３を模式的に示す平面図である。図１１に示すように、第４の実施形態の分岐通路４３は、第２の通路５２Ｃと、第３の通路５３Ｃとをさらに含む。
【０１３４】
三つの第２の通路５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃは、分岐部５５で第１の通路５１から分岐される。三つの第２の通路５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃは、分岐部５５から放射状に延びる。なお、第２の通路５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃが延びる方向は、この例に限らない。
【０１３５】
第３の通路５３Ｃは、分岐部５５よりも下流で第２の通路５２Ｃに接続される。第３のガス供給装置１６は、第３の通路５３ＣにキャリアガスＣＧを供給する。第３の通路５３Ｃは、キャリアガスＣＧを第２の通路５２Ｃに供給可能である。
【０１３６】
第４の実施形態において、第１の原料ガスＭＧ１が吐出口４２Ａから吐出される場合、第３の通路５３Ｂ，５３Ｃから第２の通路５２Ｂ，５２ＣにキャリアガスＣＧが供給される。キャリアガスＣＧは、第１の原料ガスＭＧ１を伴って、第２の通路５２Ｂ，５２Ｃから第２の通路５２Ａに流れ、吐出口４２Ａから吐出される。
【０１３７】
以上第４の実施形態で説明されたように、分岐通路４３は、三つ以上の第２の通路５２と三つ以上の第３の通路５３とを有しても良い。この場合も、第３のガス供給装置１６は、複数の第３の通路５３から複数の第２の通路５２へのキャリアガスＣＧの供給状態を変化させることによって、第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態を変化させる。
【０１３８】
（第５の実施形態）
以下に、第５の実施形態について、図１２を参照して説明する。図１２は、第５の実施形態に係る複数の分岐通路４３を模式的に示す図である。図１２に示すように、複数の分岐通路４３はそれぞれ、流体素子９１と、二つの接続通路９２とをさらに含む。流体素子９１及び接続通路９２は、シャワープレート１３に設けられる。
【０１３９】
流体素子９１は、例えば、コアンダ効果を利用して、流体の流れる方向を制御する。本実施形態の流体素子９１は、第３のガス供給装置１６から供給されたキャリアガスＣＧを、二つの第３の通路５３Ａ，５３Ｂのうちいずれか一つに供給可能な通路である。流体素子９１は、第４の通路９５と、二つの第５の通路９６と、二つの制御通路９７とを含む。
【０１４０】
第４の通路９５は、例えばバルブを介して、第３のガス供給装置１６のタンク１６ａに接続される。第３のガス供給装置１６は、第４の通路９５にキャリアガスＣＧを供給する。第３のガス供給装置１６は、バルブにより第４の通路９５に供給されるキャリアガスＣＧの流量を変更可能である。
【０１４１】
二つの第５の通路９６は、第４の通路９５の端部から分岐した部分である。二つの第５の通路９６は、第４の通路９５と、二つの第３の通路５３Ａ，５３Ｂのそれぞれとを接続する。
【０１４２】
二つの制御通路９７は、第４の通路９５に接続される。制御通路９７の断面積は、第４の通路９５の断面積よりも小さく、且つ第５の通路９６の断面積よりも小さい。制御通路９７は、第４の通路９５と第５の通路９６との分岐点か、当該分岐点よりも上流で第４の通路９５に接続される。
【０１４３】
以下の説明において、二つの第５の通路９６は、第５の通路９６Ａ，９６Ｂと個別に称されることがある。第５の通路９６Ａは、第４の通路９５と第３の通路５３Ａとを接続する。第５の通路９６Ｂは、第４の通路９５と第３の通路５３Ｂとを接続する。
【０１４４】
さらに、二つの制御通路９７は、制御通路９７Ａ，９７Ｂと個別に称されることがある。二つの制御通路９７Ａ，９７Ｂは、第４の通路９５から互いに反対方向に延びる。例えば、制御通路９７Ａは第４の通路９５からＸ軸に沿う負方向に延び、制御通路９７Ｂは第４の通路９５からＸ軸に沿う正方向に延びる。なお、制御通路９７Ａ，９７Ｂが延びる方向はこの例に限られない。
【０１４５】
制御通路９７Ａが延びる方向と、第５の通路９６Ａが延びる方向とは、斜めに交差する。制御通路９７Ａは、第４の通路９５が延びる方向（図１２におけるＺ軸に沿う方向）に見たときに、第４の通路９５から、第５の通路９６Ａと同じ方向に延びる。言い換えると、第５の通路９６Ａが延びる方向は、制御通路９７Ａが延びる方向の成分（Ｘ軸に沿う負方向の成分）を含む。
【０１４６】
制御通路９７Ｂが延びる方向と、第５の通路９６Ｂが延びる方向とは、斜めに交差する。制御通路９７Ｂは、第４の通路９５が延びる方向に見たときに、第４の通路９５から、第５の通路９６Ｂと同じ方向に延びる。言い換えると、第５の通路９６Ｂが延びる方向は、制御通路９７Ｂが延びる方向の成分（Ｘ軸に沿う正方向の成分）を含む。
【０１４７】
流体素子９１は、制御通路９７から第４の通路９５に流体（制御流体）を供給されることで、キャリアガスＣＧの流れる方向を制御する。例えば、制御通路９７Ａから第４の通路９５に流体が供給されると、第４の通路９５から供給されるキャリアガスＣＧが第５の通路９６Ｂに偏り、キャリアガスＣＧが第５の通路９６Ｂから第３の通路５３Ｂに供給される。一方、制御通路９７Ｂから第４の通路９５に流体が供給されると、第４の通路９５から供給されるキャリアガスＣＧが第５の通路９６Ａに偏り、キャリアガスＣＧが第５の通路９６Ａから第３の通路５３Ａに供給される。
【０１４８】
上記のように、流体素子９１は、制御通路９７から第４の通路９５への流体の供給状態の変化によって、キャリアガスＣＧを二つの第３の通路５３のうち一つに供給する第５の通路９６を変更する。キャリアガスＣＧは、第４の通路から供給される流体の一例である。なお、流体素子９１は上述の構造に限らない。例えば、一つの制御通路９７から流体が供給されるときにキャリアガスＣＧが第５の通路９６Ａに流れ、制御通路９７からの流体の供給が停止したときにキャリアガスＣＧが第５の通路９６Ｂに流れても良い。
【０１４９】
二つの接続通路９２はそれぞれ、第５の通路９６に接続される。接続通路９２の断面積は、第２の通路５２の断面積よりも小さい。なお、接続通路９２はこの例に限らない。一方の接続通路９２は、一つの分岐通路４３の第５の通路９６Ａと、他の分岐通路４３の制御通路９７Ｂとを接続する。また、他方の接続通路９２は、一つの分岐通路４３の第５の通路９６Ｂと、他の分岐通路４３の制御通路９７Ａとを接続する。
【０１５０】
以下に、第５の実施形態における第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態の変化について例示する。一例として、原料ガスＭＧが供給される第２の通路５２を、第２の通路５２Ａから第２の通路５２Ｂに変化させる場合について説明する。
【０１５１】
まず、一つの分岐通路４３の制御通路９７Ｂに、流体が供給される。例えば、第３のガス供給装置１６が、流体（制御流体）としてのキャリアガスＣＧを制御通路９７Ｂに供給する。これにより、流体素子９１は、キャリアガスＣＧを第５の通路９６Ａから第３の通路５３Ａに供給する。
【０１５２】
第３の通路５３Ａに供給されたキャリアガスＣＧは、第２の通路５２Ａから分岐部５５に向かって流れ、第１の通路５１を流れる原料ガスＭＧと合流する。キャリアガスＣＧは、原料ガスＭＧを伴って、第２の通路５２Ｂを通り、吐出口４２Ｂから吐出される。
【０１５３】
第５の通路９６Ａを通るキャリアガスＣＧの一部は、接続通路９２を通って、他の分岐通路４３の制御通路９７Ｂに供給される。キャリアガスＣＧは、第５の通路９６Ｂには流れないため、他の分岐通路４３の制御通路９７Ａに供給されない。
【０１５４】
他の分岐通路４３において、制御通路９７Ｂに流体（制御流体）としてのキャリアガスＣＧが供給されることにより、上記一つの分岐通路４３と同じく、キャリアガスＣＧが第５の通路９６Ａから第３の通路５３Ａに流れる。第３の通路５３Ａに供給されたキャリアガスＣＧは、原料ガスＭＧを伴って、第２の通路５２Ｂを通り、吐出口４２Ｂから吐出される。
【０１５５】
第５の通路９６Ａを通るキャリアガスＣＧの一部は、接続通路９２を通って、さらに他の分岐通路４３の制御通路９７Ｂに供給される。このように、一つの分岐通路４３の制御通路９７Ｂに流体が供給されることで、連鎖的に、第１の通路５１から複数の第２の通路５２への原料ガスＭＧの分流状態が変化する。別の表現によれば、一つの分岐通路４３の第５の通路９６から、当該第５の通路９６に接続された他の分岐通路４３の制御通路９７にキャリアガスＣＧが流される。これにより、他の分岐通路４３において、キャリアガスＣＧを第３の通路５３Ａ，５３Ｂのうち一つに供給する第５の通路９６が変更される。
【０１５６】
以上説明された第５の実施形態の半導体製造装置１０おいて、接続通路９２は、一つの分岐通路４３の複数の第５の通路９６のうち一つと、他の分岐通路４３の制御通路９７と、を接続する。一つの分岐通路４３の第５の通路９６に流れるキャリアガスＣＧの一部は、接続通路９２を流れ、他の分岐通路４３の流体素子９１におけるキャリアガスＣＧの経路を切り替える。これにより、キャリアガスＣＧの経路の切り替えが連鎖的に生じ、第３のガス供給装置１６がキャリアガスＣＧを供給する量を低く抑えることができる。さらに、全ての分岐通路４３の流体素子９１の制御通路９７に個別に流体を供給する場合に比べ、制御通路９７の長さを短くできる。
【０１５７】
以上説明された少なくとも一つの実施形態によれば、複数の第３の通路から複数の第２の通路への第２の流体の供給状態の変化によって第１の通路から複数の第２の通路への第１の流体の分流状態を変化させる。これにより、第１の流体の分流状態の変化に伴って第１の流体に影響が生じることが抑制される。
【０１５８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１５９】
１０…半導体製造装置、１２…ステージ、１３…シャワープレート、１４…第１のガス供給装置、１４ｂ…バルブ、１５…第２のガス供給装置、１５ｂ…バルブ、１６…第３のガス供給装置、１６ｂ…第１のバルブ、１６ｃ…第２のバルブ、１６ｄ…第３のバルブ、３４…底壁、３４ａ…底面、４２，４２Ａ，４２Ｂ…吐出口、４３…分岐通路、５１…第１の通路、５２，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ…第２の通路、５３，５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ…第３の通路、５５…分岐部、６１…第１の部分、６１ａ…端部、６５…接続部、６７…第３の部分、７５…第１の供給路、７６…第２の供給路、７７…第３の供給路、８１…第５の部分、９１…流体素子、９２…接続通路、９５…第４の通路、９６，９６Ａ，９６Ｂ…第５の通路、９７，９７Ａ，９７Ｂ…制御通路、Ｗ…ウェハ、ＭＧ…原料ガス、ＭＧ１…第１の原料ガス、ＭＧ２…第２の原料ガス、ＣＧ，ＣＧ１，ＣＧ２…キャリアガス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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