(57)【要約】【課題】溶接部における溶込みのばらつきを抑制することができる電極溶接方法を提供する。【解決手段】電極溶接方法は、一端Ｐ１及び他端Ｐ４を有する溶接ラインＬに向けて複数回に分けてエネルギービームを照射することによって、積層状態の複数のタブ同士を溶接する方法であって、溶接ラインＬ上における一端Ｐ１と他端Ｐ４との間の位置Ｐ２を始点として、一端Ｐ１に向かって溶接部を延ばすようにエネルギービームを連続して照射する第１工程と、溶接ラインＬ上における始点よりも一端Ｐ１側と始点よりも他端Ｐ４側との間で溶接部を延ばすようにエネルギービームを連続して照射する第２工程と、を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端及び他端を有する溶接ラインに向けて複数回に分けてエネルギービームを照射することによって、積層状態の複数のタブ同士を溶接する電極溶接方法であって、
前記溶接ライン上における前記一端と前記他端との間の点を始点として、前記一端に向かって溶接部を延ばすように前記エネルギービームを連続して照射する第１工程と、
前記溶接ライン上における前記始点よりも前記一端側と前記始点よりも前記他端側との間で溶接部を延ばすように前記エネルギービームを連続して照射する第２工程と、を備える電極溶接方法。
【請求項２】
前記第２工程では、前記溶接ライン上における前記始点よりも前記他端側から前記始点よりも前記一端側まで溶接部を延ばすように前記エネルギービームを連続して照射する、請求項１に記載の電極溶接方法。
【請求項３】
前記第２工程では、前記溶接ライン上における前記始点よりも前記一端側から前記始点よりも前記他端側まで溶接部を延ばすように前記エネルギービームを連続して照射する、請求項１に記載の電極溶接方法。
【請求項４】
前記第１工程と前記第２工程との２回に分けて前記エネルギービームを照射する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極溶接方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極溶接方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１には、電池ケースの開口部を封口する封口板にリードを溶接する電極溶接方法が記載されている。この電極溶接方法では、正極板及び負極板がセパレータを介して捲回されてなる電極群のいずれか一方の極板に、リードの一端が接続される。そして、電極群を電池ケース内に収容した後、リードの他端を封口板に当接させて、リード表面に対してエネルギービームを連続的に走査しながら照射する。これにより、リードの他端が封口板にレーザ溶接される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０１６１８２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
エネルギービームの照射により溶接を行う場合、ワーク（加工対象）の温度分布は、エネルギービームの照射箇所が最も高温となり、照射箇所より離れるほど温度は下がる。一方で、従来技術のようにエネルギービームを連続的に走査しながら照射した場合において、特にワークが小さいとき、又は、溶接箇所が熱の逃げ難い形状であるとき等、温度が上昇しやすい条件下では、エネルギービームの照射に伴って、ワーク全体又は溶接ラインに沿った溶接箇所全体の温度が上昇する。すなわち、溶接の開始位置である始端から溶接の終了位置である終端までエネルギービームを走査した場合、エネルギービームの照射位置に隣接する箇所のみならず、離れた箇所の温度も徐々に上昇していく。この場合、エネルギービームの照射位置によって、溶接部の溶込みにばらつきが生じることが考えられる。例えば、溶接部の始端では、溶接部の終端に比べて溶込みが不足する虞がある。
【０００５】
本発明は、溶接部における溶込みのばらつきを抑制することができる電極溶接方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、一端及び他端を有する溶接ラインに向けて複数回に分けてエネルギービームを照射することによって、積層状態の複数のタブ同士を溶接する電極溶接方法であって、溶接ライン上における一端と他端との間の点を始点として、一端に向かって溶接部を延ばすようにエネルギービームを連続して照射する第１工程と、溶接ライン上における始点よりも一端側と始点よりも他端側との間で溶接部を延ばすようにエネルギービームを連続して照射する第２工程と、を備える。
【０００７】
このような電極溶接方法によれば、第１工程で照射されたエネルギービームによって形成された溶接部と、第２工程で照射されたエネルギービームによって形成された溶接部とを含む溶接部が溶接ライン上に形成される。ここで、第２工程では、溶接ライン上における始点よりも一端側と始点よりも他端側との間で溶接部が延ばされる。これにより、第１工程によって形成される溶接部の始点側と、第２工程によって形成される溶接部の終点側または始点側とが重複する。そのため、第１工程における溶接部の始点側で溶込み不足が生じていたとしても、第２工程によって当該始点側に再度エネルギービームが照射される。したがって、溶込み不足が解消され、溶接部における溶込みのばらつきを抑制することができる。
【０００８】
また、一側面の電極溶接方法では、第２工程において、溶接ライン上における始点よりも他端側から始点よりも一端側まで溶接部を延ばすようにエネルギービームを連続して照射してもよい。第１工程によって形成される溶接部の始点側と、第２工程によって形成される溶接部の終点側とが重複する。そのため、第１工程における溶接部の始点側での溶込み不足が確実に解消され、溶接部における溶込みのばらつきを確実に抑制することができる。
【０００９】
また、一側面の電極溶接方法では、第２工程において、溶接ライン上における始点よりも一端側から始点よりも他端側まで溶接部を延ばすようにエネルギービームを連続して照射してもよい。第１工程によって形成される溶接部の始点側と、第２工程によって形成される溶接部の始点側とが重複する。そのため、第１工程における溶接部の始点側での溶込み不足が確実に解消され、溶接部における溶込みのばらつきを確実に抑制することができる。
【００１０】
また、一側面の電極溶接方法では、第１工程と第２工程との２回に分けてエネルギービームを照射してもよい。この場合、エネルギービームが３回以上に分けられる場合に比べて、溶接部の重複部分を少なくすることができ、サイクルタイムを短くすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
一形態に係る電極溶接方法によれば、溶接部における溶込みのばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る電極溶接方法を使用して製造される蓄電装置を示す分解斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。
【図３】電極組立体の斜視図である。
【図４】電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図５】電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図６】電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図７】電極組立体の製造方法の変形例の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明する。便宜上、実質的に同一の要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。なお、図面には、必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示されている。Ｚ軸方向は例えば鉛直方向、Ｘ軸方向及びＹ方向は例えば水平方向である。
【００１４】
まず、本実施形態の電極溶接方法を使用して製造され得る蓄電装置について説明する。図１は、電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。図１及び図２に示される蓄電装置１は、例えばリチウムイオン二次電池といった非水電解質二次電池又は電気二重層キャパシタである。
【００１５】
図１及び図２に示されるように、蓄電装置１は、例えば略直方体形状をなす中空のケース２と、ケース２内に収容された電極組立体３とを備えている。ケース２は、例えばアルミニウム等の金属によって形成されている。ケース２は、一方側において開口した本体部２ａと、本体部２ａの開口を塞ぐ蓋部２ｂとを有している。電極組立体３とケース２の内壁との間には、絶縁フィルム（不図示）が設けられる。ケース２の内部には、例えば非水系（有機溶媒系）の電解液が注液されている。ケース２の蓋部２ｂには、正極端子５と負極端子６とが互いに離間して配置されている。正極端子５は、絶縁リング７を介してケース２に固定され、負極端子６は、絶縁リング８を介してケース２に固定されている。
【００１６】
電極組立体３は、積層型の電極組立体である。電極組立体３は、複数の正極１１と、複数の負極１２と、正極１１と負極１２との間に配置された袋状のセパレータ１３とによって構成されている。セパレータ１３内には、例えば正極１１が収容されている。セパレータ１３内に正極１１が収容された状態で、複数の正極１１と複数の負極１２とがセパレータ１３を介して交互に積層されている。
【００１７】
正極１１は、例えばアルミニウム箔からなる金属箔１４と、金属箔１４の両面に形成された正極活物質層１５と、を有している。正極１１の金属箔１４は、矩形状の電極本体１４ａと、電極本体１４ａの一端から突出する矩形状のタブ１４ｂと、を含む。正極活物質層１５は、正極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。正極活物質層１５は、電極本体１４ａの両面において、少なくとも電極本体１４ａの中央部分に正極活物質が担持されて形成されている。
【００１８】
正極活物質としては、例えば複合酸化物、金属リチウム、硫黄等が挙げられる。複合酸化物には、例えばマンガン、ニッケル、コバルト及びアルミニウムの少なくとも１つと、リチウムとが含まれる。ここでは、一例として、タブ１４ｂには正極活物質が担持されていない。ただし、タブ１４ｂにおける電極本体１４ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００１９】
タブ１４ｂは、電極本体１４ａの上縁部から上方に延び、導電部材１６を介して正極端子５に接続されている。導電部材１６はタブ１４ｂと正極端子５との間に配置されている。導電部材１６は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１４ｂは、導電部材１６と、導電部材１６よりも薄い保護板２３との間に配置される（図３参照）。保護板２３は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。
【００２０】
負極１２は、例えば銅箔からなる金属箔１７と、金属箔１７の両面に形成された負極活物質層１８と、を有している。負極１２の金属箔１７は、正極１１の金属箔１４と同様に、矩形状の電極本体１７ａと、電極本体１７ａの一端部から突出する矩形状のタブ１７ｂと、を含む。負極活物質層１８は、電極本体１７ａの両面において、少なくとも電極本体１７ａの中央部分に負極活物質が担持されて形成されている。負極活物質層１８は、負極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。
【００２１】
負極活物質としては、例えば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、ＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．５）等の金属酸化物、ホウ素添加炭素等が挙げられる。ここでは、一例として、タブ１７ｂには、負極活物質が担持されていない。ただし、タブ１７ｂにおける電極本体１７ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００２２】
タブ１７ｂは、電極本体１７ａの上縁部から上方に延び、導電部材１９を介して負極端子６に接続されている。導電部材１９はタブ１７ｂと負極端子６との間に配置されている。導電部材１９は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１７ｂは、導電部材１９と、導電部材１９よりも薄い保護板２７との間に配置される（図３参照）。保護板２７は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。
【００２３】
セパレータ１３は、正極１１を収容している。セパレータ１３は、正極１１及び負極１２の積層方向からみて矩形状である。セパレータ１３は、例えば、一対の長尺シート状のセパレータ部材を互いに溶着して袋状に形成される。セパレータ１３の材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルセルロース等からなる織布又は不織布等が例示される。
【００２４】
図３は、電極組立体の斜視図である。図３に示されるように、タブ１４ｂ，１７ｂは、互いに積層されてタブ積層体２１，２５をそれぞれ構成する。すなわち、電極組立体３は、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１４ｂを有するタブ積層体２１と、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１７ｂを有するタブ積層体２５とを備える。タブ積層体２１，２５は、Ｙ軸方向において、互いに離間して配列される。
【００２５】
タブ積層体２１は、端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃを備える。端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟む面であり、端面２１ｃは端面２１ａ，２１ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２１ａ，２１ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２１ｃは、タブ積層体２１の先端に向かうに連れてタブ積層体２１の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００２６】
タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、導電部材１６と保護板２３との間に配置される。すなわち、タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において導電部材１６上に配置される。保護板２３は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２１上に配置される。保護板２３は、導電部材１６と接触しておらず、保護板２３と導電部材１６とは、タブ積層体２１を積層方向に挟んで離間している。
【００２７】
導電部材１６のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さ（端面２１ａ，２１ｂ間の距離）よりも大きくなっている。導電部材１６のＹ軸方向における外側端部の位置は、電極本体１４ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２３のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さと略同じである。
【００２８】
タブ積層体２１は、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂからそれぞれ内側に位置する溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂに隣接する導電部材１６及び保護板２３の内部まで延びている。端面２１ａ，２１ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しいか、又は保護板２３のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。
【００２９】
同様に、タブ積層体２５は、端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える。端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟む面であり、端面２５ｃは端面２５ａ，２５ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２５ａ，２５ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端に向かうに連れてタブ積層体２５の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００３０】
タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、導電部材１９と保護板２７との間に配置される。すなわち、タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において導電部材１９上に配置される。保護板２７は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２５上に配置される。保護板２７は、導電部材１９と接触しておらず、保護板２７と導電部材１９とは、タブ積層体２５を積層方向に挟んで離間している。
【００３１】
導電部材１９のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さ（端面２５ａ，２５ｂ間の距離）よりも大きくなっている。導電部材１９のＹ軸方向における外側端部の位置は、電極本体１７ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２７のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さと略同じである。
【００３２】
タブ積層体２５は、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂからそれぞれ内側に位置する溶接部Ｗを有する。タブ積層体２５の端面２５ｂは、タブ積層体２１の端面２１ｂと対向している。よって、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂは、Ｙ軸方向に沿って配列される。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂに隣接する導電部材１９及び保護板２７の内部まで延びている。
【００３３】
次に、図４〜６を参照して電極溶接方法について説明する。図４は、タブ積層体２１，２５を示すＸ軸方向からみた側面図であり、端面２５ａにエネルギービームが照射されている状態を示す。以下、端面２５ａにおける溶接工程について説明するが、他の端面２１ａ，２１ｂ，２５ｂについても同様にして溶接が行われる。
【００３４】
図４に示されるように、本実施形態における電極溶接方法では、まず、導電部材１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂを積層することによりタブ積層体２１，２５を形成する。その後、タブ積層体２１，２５上にそれぞれ保護板２３，２７を載置する。タブ積層体２１，２５は、例えば治具により保護板２３，２７を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。そして、照射装置３０は、タブ積層体２５の端面２５ａに向けてエネルギービームＢを照射する。本実施形態においては、エネルギービームＢは、レーザービームである。照射装置３０は、例えばレンズ及びガルバノミラーを含むスキャナヘッドである。スキャナヘッドにはファイバを介してビーム発生装置（レーザ発振器）が接続される。照射装置３０は、例えばプリズム等の屈折式の光学系から構成されてもよい。なお、エネルギービームＢは、溶接を行うことができる高エネルギービームであれば、例えば電子ビームであってもよい。エネルギービームＢの照射は、例えば不活性ガスの雰囲気中で行われる。
【００３５】
図５は、タブ積層体２５を示す平面図である。また、図６は、タブ積層体２５を示すＹ軸方向からみた側面図である。図５及び図６に示すように、端面２５ａでは、一端Ｐ１及び他端Ｐ４を有する溶接ラインＬに向けて複数回に分けてエネルギービームＢを照射することによって、溶接部Ｗを形成している。本実施形態では、第１工程及び第２工程の２回に分けてエネルギービームＢを照射する。第１工程及び第２工程で照射されるエネルギービームＢの出力は一定に保持されている。
【００３６】
第１工程及び第２工程のいずれにおいても、照射装置３０から照射されるエネルギービームＢは、端面２５ａが形成されるＸＺ平面に対して傾斜している。エネルギービームＢは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｚ軸方向に交差する方向（Ｘ軸方向）に沿って走査される。本実施形態では、照射装置３０は、エネルギービームＢをＺ軸方向に変位させながらＸ軸方向に沿って走査する。エネルギービームＢの照射スポットのＺ軸方向における変位量は、タブ積層体２５の厚みよりも大きい。図示例では、エネルギービームＢをＺ軸方向に往復変位（ウォブリング）させながらＸ軸方向に沿って走査する。この場合、エネルギービームＢの照射によって、溶接部ＷはＸ軸方向に沿って延びることになる。また、タブ積層体２５の端面２５ａ、導電部材１９及び保護板２７が全体的に溶接される。
【００３７】
第１工程では、まず、溶接ラインＬ上における一端Ｐ１と他端Ｐ４との間の任意の位置Ｐ２を始点として、一端Ｐ１に向かって溶接部Ｗを延ばすようにエネルギービームＢを連続して照射する。本実施形態では、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１と他端Ｐ４との中間点よりも他端Ｐ４側の位置Ｐ２を始点として設定する。また、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１を終点として設定する。第１工程では、位置Ｐ２から一端Ｐ１に向かって溶接部Ｗが延びるように、照射装置３０によって溶接ラインＬに向けてエネルギービームＢを照射する。
【００３８】
続いて、第２工程では、第１工程における始点よりも他端側の位置と、第１工程における始点よりも一端側の位置との間で溶接部を延ばすようにエネルギービームを連続して照射する。この場合、第２工程における始点から終点までの間に、第１工程における始点が含まれている。本実施形態では、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１と他端Ｐ４との中間点よりも一端Ｐ１側の位置Ｐ３と、溶接ラインＬにおける他端Ｐ４との間で溶接部Ｗを延ばすようにエネルギービームＢを連続して照射する。例えば、溶接ラインＬにおける他端Ｐ４を第２工程の始点として設定し、位置Ｐ３を第２工程の終点として設定することができる。この場合、第１工程における始点（位置Ｐ２）を含む一部が、第２工程における終点（位置Ｐ３）を含む一部と重複している。
【００３９】
また、例えば、溶接ラインＬにおける位置Ｐ３を第２工程の始点として設定し、溶接ラインＬにおける他端Ｐ４を第２工程の終点として設定することができる。この場合、第１工程における始点（位置Ｐ２）を含む一部が、第２工程における終点（位置Ｐ３）を含む一部と重複している。このように、溶接ラインＬにおける位置Ｐ３と他端Ｐ４との間に一方向にエネルギービームＢを照射することによって、タブ積層体２５の端面２５ａ、導電部材１９及び保護板２７を溶接することができる。
【００４０】
照射装置３０は、同様に、タブ積層体２５の端面２５ｂ、導電部材１９及び保護板２７を溶接する。また、照射装置３０は、同様に、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ、導電部材１６及び保護板２３を溶接する。
【００４１】
以上説明した電極溶接方法では、第１工程で照射されたエネルギービームＢによって形成された溶接部と、第２工程で照射されたエネルギービームＢによって形成された溶接部とを含む溶接部Ｗが溶接ラインＬ上に形成される。第２工程において、他端Ｐ４から位置Ｐ３に向かって溶接部を延ばした場合、第１工程によって形成される溶接部の始点（位置Ｐ２）側と、第２工程によって形成される溶接部の終点（位置Ｐ３）側とが重複する。そのため、第１工程における溶接部の始点側で溶込み不足が生じていたとしても、第２工程によって当該始点側に再度エネルギービームが照射されることによって、溶込み不足が解消され、溶接部Ｗにおける溶込みのばらつきを抑制することができる。なお、第２工程は第１工程の後に行われるため、第２工程が開始される際には、すでにタブ積層体２５等、溶接箇所全体の温度も上昇している。そのため第２工程では、溶接の始点における溶込み不足が生じ難くなっている。
【００４２】
また、第２工程において、溶接ラインＬ上における位置Ｐ３から他端Ｐ４に向かって溶接部を延ばす場合、第１工程によって形成される溶接部の始点（位置Ｐ２）側と、第２工程によって形成される溶接部の始点（位置Ｐ３）側とが重複する。そのため、第１工程における溶接部の始点側で溶込み不足が生じていたとしても、第２工程によって当該始点側に再度エネルギービームが照射されることによって、溶込み不足が解消され、溶接部における溶込みのばらつきを抑制することができる。
【００４３】
また、溶接ラインＬの一端から他端までエネルギービームＢを連続して照射する場合、溶接の終盤にタブ積層体が高温になることによって、スパッタが発生し易くなる虞がある。上記実施形態では、エネルギービームＢの照射を２回に分けているので、溶接の終盤、すなわち第２工程の終盤におけるタブ積層体の温度上昇を抑制することができる。これにより、溶接工程の終盤におけるスパッタの発生量を抑制することができる。
【００４４】
以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではない。
【００４５】
上記実施形態では、エネルギービームＢを２回に分けて照射する例を示したが、これに限定されない。例えば、エネルギービームＢは、３回以上に分けて照射されてもよい。エネルギービームＢを３回に分けて照射する場合の一例を図７に示す。図７は、変形例に係るタブ積層体２５を示す平面図である。
【００４６】
図７に示す例では、第１工程として、まず、溶接ラインＬ上における一端Ｐ１１と他端Ｐ１６との間の任意の位置Ｐ１２を始点として、一端Ｐ１１に向かって溶接部を延ばすようにエネルギービームＢを連続して照射する。本変形例では、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１１から他端Ｐ１６側に向かって１／３の位置よりも他端Ｐ１６側の位置Ｐ１２を始点として設定する。また、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１１を終点として設定する。
【００４７】
第１工程の後に行われる第２工程では、第１工程における始点よりも他端側の位置Ｐ１４と、第１工程における始点よりも一端側の位置Ｐ１３との間で溶接部を延ばすようにエネルギービームＢを連続して照射する。本変形例では、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１１から他端Ｐ１６側に向かって１／３の位置よりも一端Ｐ１１側の位置Ｐ１３と、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１１から他端Ｐ１６側に向かって２／３の位置よりも他端Ｐ１６側の位置Ｐ１４と、の間で溶接を延ばすようにエネルギービームＢを連続して照射する。位置Ｐ１３及び位置Ｐ１４のいずれか一方が第２工程の始点であり、位置Ｐ１３及び位置Ｐ１４のいずれか他方が第２工程の終点となる。
【００４８】
第３工程では、溶接ラインＬにおける一端Ｐ１１から他端Ｐ１６側に向かって２／３の位置よりも一端Ｐ１１側の位置Ｐ１５と、溶接ラインＬにおける他端Ｐ１６と、の間で溶接を延ばすようにエネルギービームＢを連続して照射する。位置Ｐ１５及び他端Ｐ１６のいずれか一方が第３工程の始点であり、位置Ｐ１５及び他端Ｐ１６のいずれか他方が第３工程の終点となる。第３工程は、第２工程の後に行ってもよいし、第１工程と第２工程との間に行ってもよい。なお、第２工程に続いて第３工程を行う場合、第２工程の終点が位置Ｐ１４であるときには、第３工程の始点が他端Ｐ１６となる。
【００４９】
上記の変形例においても、実施形態と同様に、第１工程における始点側に再度エネルギービームが照射されることによって、溶込み不足が解消され、溶接部における溶込みのばらつきを抑制することができる。
【００５０】
なお、上記変形例のように、エネルギービームが３回以上に分けられる場合、溶接部の重複部分が多くなるため、エネルギービームが２回に分けられる場合に比べてサイクルタイムが長くなる場合がある。この場合、例えば変形例における位置Ｐ１４と位置Ｐ１５とを同じ位置として、第２工程と第３工程との重複部分をなくしてもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、第１工程によって溶接される溶接部と、第２工程によって溶接される溶接部とが、略同じ長さである例を示したが、各工程によって溶接される溶接部の長さは、異なっていてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１４ｂ，１７ｂ…タブ、Ｂ…エネルギービーム、Ｐ１…一端、Ｐ２…位置（始点）、Ｐ４…他端、Ｗ…溶接部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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