(57)【要約】【課題】樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の樹脂突起をエッチングして溝を形成する際に、配線から金属粒子が分離して樹脂突起の縁部付近に金属残渣が付着することによる配線間の絶縁性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板の所定の領域に犠牲膜を形成し、犠牲膜の周囲を囲む絶縁膜を形成する工程（ａ）と、犠牲膜及び絶縁膜が形成された半導体基板上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、犠牲膜に接する樹脂突起を形成する工程（ｂ）と、所定の領域の両側において樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｃ）と、複数の配線をマスクとして用いて樹脂突起をエッチングすることにより、複数の配線が配置された領域間の樹脂突起に溝を形成する工程（ｄ）と、犠牲膜をエッチングする工程（ｅ）とを備える。【選択図】図１
2018157126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の所定の領域に犠牲膜を形成し、前記犠牲膜の周囲を囲む絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
前記犠牲膜及び前記絶縁膜が形成された前記半導体基板上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、前記犠牲膜に接する樹脂突起を形成する工程（ｂ）と、
前記所定の領域の両側において前記樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｃ）と、
前記複数の配線をマスクとして用いて前記樹脂突起をエッチングすることにより、前記複数の配線が配置された領域間の前記樹脂突起に溝を形成する工程（ｄ）と、
前記犠牲膜をエッチングする工程（ｅ）と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
工程（ｅ）の後に、前記半導体装置をスクラバー洗浄する工程（ｆ）をさらに備える、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
工程（ｅ）が、前記複数の配線に対するエッチングレートよりも前記犠牲膜に対するエッチングレートが高いエッチング選択性を有する薬液を用いて前記犠牲膜をエッチングすることを含む、請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
工程（ａ）が、前記半導体基板に複数のパッドを形成するのと同時に、前記複数のパッドと同一の材料を用いて前記犠牲膜を形成することを含み、
工程（ｃ）が、前記複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される前記複数の配線を形成することを含む、
請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
工程（ｂ）が、前記樹脂突起の２つの長辺が前記犠牲膜に接するように前記樹脂突起を形成することを含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上に絶縁膜を介して配置された樹脂突起と、
前記樹脂突起上に延在する複数の配線と、
を備え、
前記樹脂突起が、前記複数の配線が配置された領域間に溝を有し、
平面視で前記複数の配線間において前記樹脂突起を挟む領域に凹部が設けられている、半導体装置。
【請求項７】
前記凹部が、平面視で、前記樹脂突起の長手方向に沿った中心軸から前記中心軸と直交する第１の方向に向けて前記複数の配線の端部以上の距離まで延在し、前記中心軸から前記第１の方向と反対の第２の方向に向けて前記複数の配線の端部以上の距離まで延在している、請求項６記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装に適した半導体装置及びその製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置をベース基板にフリップチップ実装するために、半導体装置の接続端子として、従来の金バンプや半田バンプに替えてレジン（樹脂）コアバンプを設けることが行われている。樹脂コアバンプの形成においては、例えば、コアとなる樹脂突起上に複数の配線を形成した後に、それらの配線をマスクとして用いて、それらの配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部がエッチングによって除去される。
【０００３】
関連する技術として、特許文献１には、樹脂突起上に導電層が形成された樹脂コアバンプを外部端子とする半導体装置が開示されている。この半導体装置の製造方法は、電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に樹脂層を形成する工程と、樹脂層をキュアすることにより樹脂突起４０を形成する工程と、電極パッド１６に電気的に接続されて樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、導電層５０をマスクとしてエッチングで樹脂突起４０を部分的に除去する工程とを含む。こうして製造された半導体装置は、接着剤を用いてベース基板に実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９１０４号公報（要約書、段落００３５、図１０〜図１２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の半導体装置の製造工程において、導電層（配線）をマスクとしてエッチングで樹脂突起を部分的に除去する際に、配線もわずかにエッチングされる。エッチングされて配線から分離した金属粒子は、樹脂突起の表面に再デポジションされて付着物（金属残渣）となる。この金属残渣を除去するために、樹脂突起をエッチングした後に、半導体装置をスクラバー洗浄することが行われている。しかしながら、樹脂突起の縁部付近に付着した金属残渣はスクラバー洗浄では除去され難いので、複数の配線間に付着した金属残渣によって、配線間の絶縁性が低下するおそれがある。
【０００６】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の第１の目的は、樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の樹脂突起をエッチングして溝を形成する際に、配線から金属粒子が分離して樹脂突起の縁部付近に金属残渣が付着することによる配線間の絶縁性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することである。また、本発明の第２の目的は、実装時における接着剤の流動性を向上させながら、配線間の絶縁性の低下が抑制された半導体装置等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の第１の観点に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の所定の領域に犠牲膜を形成し、犠牲膜の周囲を囲む絶縁膜を形成する工程（ａ）と、犠牲膜及び絶縁膜が形成された半導体基板上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、犠牲膜に接する樹脂突起を形成する工程（ｂ）と、所定の領域の両側において樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｃ）と、複数の配線をマスクとして用いて樹脂突起をエッチングすることにより、複数の配線が配置された領域間の樹脂突起に溝を形成する工程（ｄ）と、犠牲膜をエッチングする工程（ｅ）とを備える。
【０００８】
本発明の第１の観点によれば、半導体基板の所定の領域に犠牲膜が形成され、犠牲膜に接するように樹脂突起が形成された後に、所定の領域の両側において樹脂突起上に延在する複数の配線をマスクとして用いて、樹脂突起がエッチングされて溝が形成される。その際に、配線から金属粒子が分離して樹脂突起の縁部付近に金属残渣が付着しても、犠牲膜をエッチングすることにより、犠牲膜上に付着した金属残渣がリフトオフされるので、配線間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【０００９】
この半導体装置の製造方法は、工程（ｅ）の後に、半導体装置をスクラバー洗浄する工程（ｆ）をさらに備えるようにしても良い。それにより、樹脂突起又は犠牲膜をエッチングする際に金属残渣が半導体装置に付着しても、半導体装置に付着した金属残渣を除去することができる。
【００１０】
また、工程（ｅ）において、複数の配線に対するエッチングレートよりも犠牲膜に対するエッチングレートが高いエッチング選択性を有する薬液を用いて犠牲膜をエッチングすることが望ましい。それにより、複数の配線上にフォトレジストを形成することなく、犠牲膜を選択的にエッチングすることができる。
【００１１】
さらに、工程（ａ）において、半導体基板に複数のパッドを形成するのと同時に、複数のパッドと同一の材料を用いて犠牲膜を形成し、工程（ｃ）において、複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の配線を形成するようにしても良い。それにより、新たな工程を追加することなく、犠牲膜を形成することができる。
【００１２】
また、工程（ｂ）において、樹脂突起の２つの長辺が犠牲膜に接するように樹脂突起を形成することが望ましい。その場合には、樹脂突起をエッチングして溝を形成する際に、金属残渣が樹脂突起の２つの長辺に沿って付着しても、犠牲膜をエッチングすることにより、犠牲膜上に付着した金属残渣をリフトオフすることができる。
【００１３】
本発明の第２の観点に係る半導体装置は、半導体基板上に絶縁膜を介して配置された樹脂突起と、樹脂突起上に延在する複数の配線とを備え、樹脂突起が、複数の配線が配置された領域間に溝を有し、平面視で複数の配線間において樹脂突起を挟む領域に凹部が設けられている。
【００１４】
本発明の第２の観点によれば、複数の配線が配置された領域間の樹脂突起をエッチングして溝を形成する際に、配線から金属粒子が分離して樹脂突起の縁部付近に金属残渣が付着しても、平面視で複数の配線間において樹脂突起を挟む領域に凹部を設けることにより、配線間の絶縁性の低下が抑制される。従って、実装時における接着剤の流動性を向上させながら、配線間の絶縁性の低下が抑制された半導体装置を提供することができる。
【００１５】
ここで、凹部が、平面視で、樹脂突起の長手方向に沿った中心軸から中心軸と直交する第１の方向に向けて複数の配線の端部以上の距離まで延在し、中心軸から第１の方向と反対の第２の方向に向けて複数の配線の端部以上の距離まで延在しても良い。それにより、複数の配線が配置された領域間の樹脂突起をエッチングして溝を形成する際に、樹脂突起の縁部から離れた領域まで金属残渣が分布しても、配線間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図。
【図２】図１に示す半導体装置の実装工程を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程における平面図。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程における平面図。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程における平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図２は、図１に示す半導体装置の実装工程を示す断面図である。図２には、図１に示すII−IIにおける半導体装置の断面が示されている。
【００１８】
図１及び図２に示すように、半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置された複数のパッド（電極）１１と、パッド１１の周囲を囲むパッシベーション膜（絶縁膜）１２と、半導体基板１０上にパッシベーション膜１２を介して配置された樹脂突起１３と、複数のパッド１１にそれぞれ電気的に接続されると共に樹脂突起１３上に延在する複数の配線１４とを含んでいる。
【００１９】
半導体基板１０には、トランジスター又はダイオード等の能動素子、抵抗又はキャパシター等の受動素子、又は、能動素子又は受動素子に電気的に接続された配線を含む回路１０ｃが形成されている。例えば、トランジスターは、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、ゲート電極の両側のシリコン基板内に形成された不純物領域であるソース及びドレインとを有している。
【００２０】
また、複数の配線を含む配線層が、シリコン基板上に層間絶縁膜を介して配置されている。層間絶縁膜及び配線層は、必要に応じて多層構造を有しても良い。層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＸＯＹ）又はＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）膜等で構成される。
【００２１】
複数のパッド１１は、回路１０ｃの最上層の層間絶縁膜上に配置され、回路１０ｃの何れかの配線層の配線に電気的に接続されている。図１には、図中の縦方向に２列に配列された１８個のパッド１１が示されているが、列の数及びパッド１１の数は任意である。回路１０ｃの配線及びパッド１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、又は、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の導電体を含んでいる。
【００２２】
パッシベーション膜１２は、回路１０ｃを保護するために、パッド１１が形成された層間絶縁膜上に配置されている。パッシベーション膜１２には、パッド１１に対応する位置に開口が設けられている。例えば、パッシベーション膜１２は、シリコン酸化膜（ＳｉＸＯＹ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）、又は、それらを含む多層膜で構成される。
【００２３】
樹脂突起１３は、パッシベーション膜１２上に配置されて、樹脂コアバンプの樹脂コアを構成する。例えば、樹脂突起１３は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）、又は、フェノール系樹脂等の樹脂で構成される。
【００２４】
複数の配線１４は、複数のパッド１１及びパッシベーション膜１２上に配置されて、樹脂突起１３上に延在している部分が、半導体装置１の接続端子を構成する。複数の配線１４は、複数のパッド１１をそれぞれ介して、回路１０ｃの何れかの配線層の配線に電気的に接続されている。例えば、配線１４は、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のバリア層と、バリア層上に配置された金（Ａｕ）等の導電層とを含んでいる。
【００２５】
図２に示すように、半導体装置１をベース基板２にフリップチップ実装することにより、電子モジュールが構成される。ベース基板２の主面（図中の上面）上には、複数の接続パッド２１配置されている。ベース基板２の主面上に接着剤３が配置されて、複数の配線１４がそれぞれの接続パッド２１に電気的に接続されるように半導体装置１がベース基板２に実装される。接着剤３としては、例えば、エポキシ系又はアクリル系の熱可塑性の樹脂や紫外線硬化系の樹脂等が用いられる。熱可塑性の樹脂は、加熱によって軟化して成形できるようになり、冷却すれば固化する特性を有する。
【００２６】
例えば、ベース基板２の主面において２列の接続パッド２１の内側の領域に接着剤３が配置される。次に、ベース基板２上に半導体装置１が載置され、加熱によって接着剤３を軟化させながら半導体装置１がベース基板２に押圧される。軟化した接着剤３は、半導体装置１がベース基板２に押圧された際に、半導体装置１の２列の樹脂突起１３の外側の領域まで広がることが望ましい。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３が固化して、半導体装置１がベース基板２に固定される。
【００２７】
あるいは、ベース基板２上に半導体装置１が載置され、半導体装置１がベース基板２に押圧された状態で、加熱によって軟化させられた接着剤３が半導体装置１とベース基板２との隙間に注入されても良い。軟化した接着剤３は、半導体装置１の２列の樹脂突起１３の内側及び外側の広い領域に広がることが望ましい。
【００２８】
本実施形態においては、図１に示すように、樹脂突起１３が、複数の配線１４が配置された領域間に溝１３ａを有している。それにより、接着剤３を用いて半導体装置１をベース基板２に実装する際に、接着剤３の流動性を向上させることができる。また、平面視で複数の配線１４間において樹脂突起１３を挟む領域に凹部１６が設けられている。なお、本願において、「平面視」とは、半導体基板１０の主面（図２における下面）に垂直な方向から各部を透視することをいう。
【００２９】
本実施形態によれば、複数の配線１４が配置された領域間の樹脂突起１３をエッチングして溝１３ａを形成する際に、配線１４から金属粒子が分離して樹脂突起１３の縁部付近に金属残渣が付着しても、平面視で複数の配線１４間において樹脂突起１３を挟む領域に凹部１６を設けることにより、配線１４間の絶縁性の低下が抑制される。従って、実装時における接着剤３の流動性を向上させながら、配線１４間の絶縁性の低下が抑制された半導体装置１を提供することができる。
【００３０】
＜製造方法＞
次に、図１に示す半導体装置の製造方法について説明する。
図３〜図９は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図３、図５、及び、図７は、図１に示すIII−IIIにおける半導体装置の断面を示しており、図４、図６、図８、及び、図９は、図１に示すIV−IVにおける半導体装置の断面を示している。
【００３１】
第１の工程において、図３に示すように、半導体基板１０の主面上に複数のパッド１１が形成される。それと同時に、図４に示すように、複数のパッド１１と同一の材料を用いて、半導体基板１０の所定の領域に犠牲膜１５が形成される。それにより、新たな工程を追加することなく、犠牲膜１５を形成することができる。その場合に、犠牲膜１５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、又は、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の導電体を含んでおり、配線が接続されないダミーパッドに相当する。
【００３２】
あるいは、複数のパッド１１を形成する工程とは別の工程において、パッシベーション膜の材質とは異なる酸化物、又は、窒化物等を用いて犠牲膜１５を形成しても良い。また、図４に示す例においては、２つの犠牲膜１５が互いに分離して形成されているが、それらの犠牲膜１５をつなげて１つの犠牲膜１５を形成しても良い。
【００３３】
続いて、複数のパッド１１及び犠牲膜１５の周囲を囲むパッシベーション膜１２が形成される。例えば、半導体基板１０上に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜が順に形成され、さらに、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターン形状を有するフォトレジストが形成される。
【００３４】
このフォトレジストをマスクとして用いてエッチングを行うことにより、シリコン窒化膜がパターニングされ、さらに、エッチングを行うことにより、シリコン酸化膜がパターニングされる。その後、フォトレジストが除去される。このようにして、パッシベーション膜１２には、パッド１１及び犠牲膜１５に対応する位置に開口が設けられる。図４に示す例においては、犠牲膜１５の外周領域上にパッシベーション膜１２が形成されているが、犠牲膜１５上にはパッシベーション膜１２を形成しないようにしても良い。
【００３５】
次に、第２の工程において、図５及び図６に示すように、パッド１１、犠牲膜１５、及び、パッシベーション膜１２が形成された半導体基板１０上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、犠牲膜１５に接する樹脂突起１３が形成される。例えば、半導体基板１０上に液状の感光性樹脂材料（例えば、感光性ポリイミド）を塗布し、フォトリソグラフィー技術によって露光及び現像を行うことにより、所定の形状を有する樹脂材料が形成される。その後、半導体基板１０を熱処理して、樹脂材料をベークキュアすることにより、樹脂コアバンプの樹脂コアとなる樹脂突起１３が形成される。
【００３６】
第２の工程においては、樹脂突起１３の２つの長辺が犠牲膜１５に接するように樹脂突起１３を形成することが望ましい。その場合には、樹脂突起１３をエッチングして溝を形成する際に、金属残渣が樹脂突起１３の２つの長辺に沿って付着しても、犠牲膜１５をエッチングすることにより、犠牲膜１５上に付着した金属残渣をリフトオフすることができる。なお、樹脂突起１３の２つの長辺とは、図６において樹脂突起１３の左下及び右下に位置し、紙面に直交する２つの辺である。
【００３７】
次に、第３の工程において、図７に示すように、複数のパッド１１にそれぞれ電気的に接続されると共に、犠牲膜１５が形成された所定の領域の両側において樹脂突起１３上に延在する複数の配線１４が形成される。ここで、所定の領域の両側とは、図１に示す樹脂突起１３の長手方向における凹部１６の両側を意味する。
【００３８】
例えば、スパッター法によって、樹脂突起１３等が形成された半導体基板１０の主面の全面に、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のバリア層１４ａ及び金（Ａｕ）等の導電層１４ｂが順に形成される。その後、フォトリソグラフィー技術によって、所望の配線パターンを有するフォトレジストが導電層１４ｂ上に形成される。
【００３９】
このフォトレジストをマスクとして用いて、配線領域以外の導電層１４ｂが、エッチングによって除去される。さらに、フォトレジストが剥離され、配線領域の導電層１４ｂをマスクとして用いて、配線領域以外のバリア層１４ａがエッチングによって除去される。その結果、図７に示すように、パターニングされたバリア層１４ａ及び導電層１４ｂを含む配線１４が形成される。第３の工程におけるエッチングとしては、例えば、ウェットエッチングが用いられる。
【００４０】
次に、第４の工程において、複数の配線１４をマスクとして用いて樹脂突起１３をエッチングすることにより、図８に示すように、複数の配線１４が配置された領域間の樹脂突起１３に溝１３ａが形成される。図８において、破線は、エッチング前における樹脂突起１３の表面の位置を示しており、実線は、エッチング後における樹脂突起１３の表面の位置を示している。従って、破線と実線との間の距離が、溝１３ａの深さを表している。
【００４１】
このように、樹脂突起１３に溝１３ａを形成することにより、実装時における接着剤の流動性及び樹脂コアバンプの圧縮特性が調整される。第４の工程におけるエッチングとしては、例えば、ドライエッチングの一種である反応性イオンエッチング（ＲＩＥ： Reactive Ion Etching）が用いられる。反応性イオンエッチングによれば、通常のドライエッチングと異なり、異方性エッチングも可能となる。
【００４２】
樹脂突起１３をエッチングする際に、配線１４から金属粒子が分離して、破線で示す樹脂突起１３の縁部付近に金属残渣１４ｃが付着して堆積すると、複数の配線１４間の絶縁性が低下する。図８に示すように、金属残渣１４ｃは、犠牲膜１５上にも付着する。そこで、第５の工程において、犠牲膜１５がエッチングされる。それにより、犠牲膜１５上に付着した金属残渣１４ｃがリフトオフされるので、配線１４間の絶縁性の低下が抑制される。
【００４３】
犠牲膜１５をエッチングすることにより、図９に示すように、半導体装置に凹部１６が形成される。ここで、犠牲膜１５は、部分的にエッチングしても良いし、完全にエッチングしても良い。例えば、犠牲膜１５の厚さが数μｍである場合に、犠牲膜１５の厚さの１／１０程度の厚さの表面層だけを除去しても良い。
【００４４】
犠牲膜１５を部分的にエッチングする場合には、パッシベーション膜１２の開口内に犠牲膜１５の一部が残留して凹部１６を構成する。一方、犠牲膜１５を完全にエッチングする場合には、パッシベーション膜１２の開口の内壁と、パッシベーション膜１２の開口の底に位置する層間絶縁膜とが、凹部１６を構成する。
【００４５】
第５の工程においては、複数の配線１４に対するエッチングレートよりも犠牲膜１５に対するエッチングレートが高いエッチング選択性を有する薬液を用いて犠牲膜１５をエッチングすることが望ましい。それにより、複数の配線１４上にフォトレジストを形成することなく、犠牲膜１５を選択的にエッチングすることができる。そのような薬液としては、例えば、アルカリ現像液を用いることができる。アルカリ現像液は、犠牲膜１５に用いられるアルミニウム（Ａｌ）等に対するエッチングレートが高く、配線１４に用いられる金（Ａｕ）等に対するエッチングレートが極めて低い。
【００４６】
次に、第６の工程において、半導体装置をスクラバー洗浄しても良い。それにより、樹脂突起１３又は犠牲膜１５をエッチングする際に金属残渣が半導体装置に付着しても、半導体装置に付着した金属残渣を除去することができる。例えば、半導体装置が洗浄装置内に載置され、洗浄液として水等の溶媒を噴霧して半導体装置が洗浄される。
【００４７】
本実施形態によれば、半導体基板１０の所定の領域に犠牲膜１５が形成され、犠牲膜１５に接するように樹脂突起１３が形成された後に、所定の領域の両側において樹脂突起１３上に延在する複数の配線１４をマスクとして用いて、樹脂突起１３がエッチングされて溝１３ａが形成される。その際に、配線１４から金属粒子が分離して樹脂突起１３の縁部付近に金属残渣１４ｃが付着しても、犠牲膜１５をエッチングすることにより、犠牲膜１５上に付着した金属残渣１４ｃがリフトオフされるので、配線１４間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００４８】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図１０〜図１２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程における平面図である。第２の実施形態においては、配線１４及び犠牲膜１５の形状及び寸法が第１の実施形態におけるのと異なっている。その他の点に関しては、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様でも良い。
【００４９】
図１０に示すように、複数のパッド１１及び犠牲膜１５が配置された半導体基板上に、パッシベーション膜１２を介して樹脂突起１３が配置されている。パッシベーション膜１２には、パッド１１及び犠牲膜１５に対応する位置に開口が設けられている。さらに、複数のパッド１１にそれぞれ電気的に接続されると共に樹脂突起１３上に延在する複数の配線１４が配置されている。図１０〜図１２には、樹脂突起１３の長手方向に沿った中心軸ＡＢが示されている。
【００５０】
次に、複数の配線１４をマスクとして用いて樹脂突起１３をエッチングすることにより、図１１に示すように、複数の配線１４が配置された領域以外において樹脂突起１３の寸法が小さくなって溝１３ａが形成される。その際に、配線１４から金属粒子が分離して、エッチング前における樹脂突起１３の縁部付近に金属残渣１４ｃが付着して堆積すると、複数の配線１４間の絶縁性が低下する。金属残渣１４ｃは、犠牲膜１５上にも付着する。そこで、犠牲膜１５をエッチングすることにより、犠牲膜１５上に付着した金属残渣１４ｃがリフトオフされて、配線１４間の絶縁性の低下が抑制される。
【００５１】
犠牲膜１５をエッチングすることにより、図１２に示すように、半導体装置に凹部１６が形成される。凹部１６は、平面視で、樹脂突起１３の長手方向に沿った中心軸ＡＢから中心軸ＡＢと直交する第１の方向（図中の上方向）に向けて複数の配線１４の端部以上の距離まで延在し、中心軸ＡＢから第１の方向と反対の第２の方向（図中の下方向）に向けて複数の配線１４の端部以上の距離まで延在している。それにより、複数の配線１４が配置された領域間の樹脂突起１３をエッチングして溝１３ａを形成する際に、樹脂突起１３の縁部から離れた領域まで金属残渣１４ｃが分布しても、配線１４間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００５２】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１…半導体装置、２…ベース基板、３…接着剤、１０…半導体基板、１０ｃ…回路、１１…パッド、１２…パッシベーション膜、１３…樹脂突起、１３ａ…溝、１４…配線、１４ａ…バリア層、１４ｂ…導電層、１４ｃ…金属残渣、１５…犠牲膜、１６…凹部、２１…接続パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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