(57)【要約】【課題】端子部の基部と第２回路基板とを絶縁するに際して、第１回路基板に対して端子部や第２回路基板を組み付けるための製造工程の煩雑化を抑制する。【解決手段】電子機器は、回路層２３を有している第１回路基板２１を備えている。第１回路基板２１の回路層２３には、Ｕ相出力端子部６０が実装されている。第１回路基板２１の上側には、第２回路基板４１が対向配置されている。Ｕ相出力端子部６０は、第１回路基板２１と第２回路基板４１との間に位置する基部６１を備えている。基部６１からは第２回路基板４１側に向かってスペーサ部６６が突出している。スペーサ部６６は、第２回路基板４１の当接回路層４４ａに当接している。第２回路基板４１の下面には、スペーサ部６６を外側から囲むように絶縁部４５が設けられている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に導電性の回路層を有している第１回路基板と、前記第１回路基板の前記回路層に実装されている端子部と、前記第１回路基板における前記端子部が実装されている側に対向配置されている第２回路基板とを備えている電子機器であって、
前記端子部は、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間に位置する基部を備え、
前記基部及び前記第２回路基板の一方には、前記基部及び前記第２回路基板の他方側に向かって突出し、前記基部及び前記第２回路基板の他方に当接しているスペーサ部が設けられ、
前記第２回路基板における前記第１回路基板側の表面には、前記スペーサ部を外側から囲むように絶縁部が設けられている
ことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記スペーサ部は、前記基部から前記第２回路基板側に向かって突出しているとともに、前記基部との一体成形物である
請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第２回路基板は、前記第１回路基板側の表面に導電性の回路層を備え、
前記絶縁部は、前記第２回路基板の厚み方向において前記回路層と同一の層に位置している絶縁性の樹脂層である
請求項１又は請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第１回路基板における前記第２回路基板とは反対側には支持ベースが配置されており、
前記第２回路基板、前記基部、及び前記第１回路基板は、前記第２回路基板、前記基部、及び前記第１回路基板を貫通しているねじによって前記支持ベースに固定されており、
前記基部には、前記第１回路基板側の面から前記第２回路基板側に向かって窪んだ凹部が設けられており、
前記凹部の底面には、前記ねじが貫通されている挿通孔が開口しており、
前記凹部の底面と当該底面に対して立ち上がる側面との境界部は、前記底面側に向かうほど前記挿通孔に近くなるように傾斜する傾斜面になっている
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記凹部における前記第１回路基板側の開口縁は、円弧状に延びている
請求項４に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１の半導体装置は、絶縁性の基板の表面に導電性の回路層が形成されている第１回路基板を備えている。第１回路基板の回路層には、ＭＯＳトランジスタ等の複数の半導体素子が実装されている。また、第１回路基板の回路層には、複数の端子部が実装されている。端子部は、第１回路基板上に配置されている長方形板状（帯状）の基部と、その基部の中央から上側に立設されている略円柱状の外部接続部とを備えている。
【０００３】
また、特許文献１の半導体装置は、第１回路基板の上側に配置された第２回路基板を備えている。第２回路基板における上側の面（第１回路基板とは反対側の面）には、コンデンサ等の電子部品が実装されている。第２回路基板には、当該第２回路基板を厚み方向に貫通する貫通孔が設けられている。第２回路基板の貫通孔には、第１回路基板に実装されている端子部の外部接続部が挿通されており、端子部の外部接続部の突出先端側の一部は、第２回路基板よりも上側へと突出している。また、端子部の基部は、第１回路基板と第２回路基板との間に位置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−０１１３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の半導体装置のような電子機器においては、第２回路基板における下側（第１回路基板側）の回路層が、端子部の基部や第１回路基板の回路層に接触して短絡することを防ぐ必要がある。そこで、端子部の基部と第２回路基板との間に、両者を絶縁するためのインシュレータを介在させることが考えられる。このようにインシュレータを介在させることによって、端子部の基部と第２回路基板とが直接接触することがなく、両者が絶縁される。また、インシュレータの厚みによって、第１回路基板と第２回路基板との間にある程度の間隔が確保され、第１回路基板の回路層と第２回路基板の回路層とが不用意に接触することが抑制される。
【０００６】
しかしながら、端子部の基部と第２回路基板との間にインシュレータが介在されている場合、インシュレータを含めた電子機器全体での部品点数が増加してしまう。そのため、第１回路基板に対してインシュレータや第２回路基板を組み付けるための製造工程が煩雑化するおそれがあり、好ましくない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための電子機器は、表面に導電性の回路層を有している第１回路基板と、前記第１回路基板の前記回路層に実装されている端子部と、前記第１回路基板における前記端子部が実装されている側に対向配置されている第２回路基板とを備えている電子機器であって、前記端子部は、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間に位置する基部を備え、前記基部及び前記第２回路基板の一方には、前記基部及び前記第２回路基板の他方側に向かって突出し、前記基部及び前記第２回路基板の他方に当接しているスペーサ部が設けられ、前記第２回路基板における前記第１回路基板側の表面には、前記スペーサ部を外側から囲むように絶縁部が設けられている。
【０００８】
上記構成によれば、第２回路基板と端子部の基部との間には、少なくともスペーサ部の突出長さ以上の間隔が確保される。したがって、第１回路基板と第２回路基板との間には、端子部の基部の厚み寸法にスペーサ部の突出長さを加算した長さ以上の間隔が確保できる。そのため、第１回路基板と第２回路基板との間に相応の間隔を確保して、第１回路基板の回路層と第２回路基板の回路層とが不用意に接触することを抑制できる。また、第２回路基板における第１回路基板側の面には、絶縁部がスペーサ部を囲むように設けられている。そのため、スペーサ部を介して端子部の基部と第２回路基板の回路層とが短絡することはなく、両者の間の絶縁性を確保できる。
【０００９】
そして、上記構成のスペーサ部は、端子部の基部又は第２回路基板から突出するものであり、端子部の基部及び第２回路基板のいずれか一方と一体的なものである。したがって、端子部の基部と第２回路基板との間の絶縁性や間隔を確保するための別体の部品を両者の間に介在させる構成に比べて電子機器全体での部品点数を抑制でき、第１回路基板に対してインシュレータや第２回路基板を組み付けるための製造工程が煩雑化することを抑制できる。
【００１０】
上記電子機器において、前記スペーサ部は、前記基部から前記第２回路基板側に向かって突出しているとともに、前記基部との一体成形物であることが好ましい。
上記構成によれば、端子部の形状を変更するのみで、第１回路基板や第２回路基板の形状や製造方法等を大きく変えなくても、上記スペーサ部に関する構成を採用できる。したがって、上記スペーサ部に関する構成を採用するにあたって必要となるコスト等を抑えることができる。
【００１１】
上記電子機器において、前記第２回路基板は、前記第１回路基板側の表面に導電性の回路層を備え、前記絶縁部は、前記第２回路基板の厚み方向において前記回路層と同一の層に位置している絶縁性の樹脂層であることが好ましい。
【００１２】
上記構成によれば、例えば、空隙（空気）によって絶縁性を確保するのに比べて、より確実な絶縁性を確保できる。また、上記構成によれば、例えば、第２回路基板の回路層を形成する過程で、絶縁部（樹脂層）も形成することができるため、絶縁部（樹脂層）を含めた第２回路基板の製造工程が煩雑化しにくい。
【００１３】
上記電子機器において、前記第１回路基板における前記第２回路基板とは反対側には支持ベースが配置されており、前記第２回路基板、前記基部、及び前記第１回路基板は、前記第２回路基板、前記基部、及び前記第１回路基板を貫通しているねじによって前記支持ベースに固定されており、前記基部には、前記第１回路基板側の面から前記第２回路基板側に向かって窪んだ凹部が設けられており、前記凹部の底面には、前記ねじが貫通されている挿通孔が開口しており、前記凹部の底面と当該底面に対して立ち上がる側面との境界部は、前記底面側に向かうほど前記挿通孔に近くなるように傾斜する傾斜面になっていてもよい。
【００１４】
上記構成では、ねじによる締結力が、端子部における基部にも作用する。特に、上記構成では、基部に凹部が設けられているため、当該凹部における底面とその底面から立ち上がる側面との境界部に、ねじによる締結力が集中して作用しやすい。上記構成によれば、この凹部の底面と側面との境界部が傾斜面となっているため、ねじによる締結力を傾斜面全体に分散して作用させることができる。そのため、凹部の特定の部分にねじによる締結力が集中して作用して基部が変形してしまうといった事態は生じにくい。
【００１５】
上記電子機器において、前記凹部における前記第１回路基板側の開口縁は、円弧状に延びていてもよい。
上記構成では、端子部の凹部の開口縁が円弧形状になっていて、尖った部分が存在しない。そのため、ねじによる締結力によって端子部における凹部の開口縁が第１回路基板に押し付けられても、第１回路基板が端子部における凹部の開口縁によって傷つけられることは抑制できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、端子部の基部と第２回路基板との間の絶縁性や間隔を確保するための別体の部品を両者の間に介在させる構成に比べて電子機器全体での部品点数を抑制でき、第１回路基板に対してインシュレータや第２回路基板を組み付けるための製造工程が煩雑化することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】電子機器の分解斜視図。
【図２】Ｕ相出力端子部の斜視図。
【図３】Ｕ相出力端子部の斜視図。
【図４】電子機器の部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の電子機器を産業車両に搭載される半導体素子に具体化した一実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１に示すように、電子機器としての半導体装置１０は、支持ベースとして、長方形板状のヒートシンク１１を備えている。ヒートシンク１１は、アルミニウム系金属や銅等で形成されている。このヒートシンク１１の上面には、半導体モジュール２０が支持されている。半導体モジュール２０は、ヒートシンク１１に固定されている略長方形板状の第１回路基板２１を備えている。なお、本実施形態では、第１回路基板２１の長辺方向を長さ方向とし、長辺方向に直交する短辺方向を幅方向として説明する。また、第１回路基板２１の面方向に直交する方向を上下方向として説明する。
【００１９】
図４に示すように、第１回路基板２１は、金属基板の上面に絶縁コーティングが施されている基板部２２を備えている。なお、図４では、金属基板とその上面の絶縁コーティングとの積層構造を省略し、基板部２２を一枚の板材として図示している。基板部２２の上面には、銅又はアルミニウムから構成された導電性の回路層２３が形成されている。
【００２０】
図１に示すように、第１回路基板２１の回路層２３には、複数の半導体素子３１が実装されている。複数の半導体素子３１はそれぞれ、四角形状であり、第１回路基板２１の回路層２３にはんだ付けにて実装されている。なお、本実施形態では、半導体素子３１としてＭＯＳトランジスタを採用している。
【００２１】
複数の半導体素子３１は、６つの半導体素子群Ｇ１〜Ｇ６に分かれて配置されている。各半導体素子群Ｇ１〜Ｇ６において、各半導体素子３１は、第１回路基板２１の幅方向に沿って一列に並んでいる。半導体素子群Ｇ１〜Ｇ６は、第１回路基板２１の長さ方向の一端側から他端側に向かって複数列（６列）並ぶように配設されている。
【００２２】
第１回路基板２１の長さ方向の一端側には、アルミニウム製の正極側入力電極９１が実装されている。正極側入力電極９１は、第１回路基板２１の回路層２３に配置されている略板状の接続用電極部９２を備えている。接続用電極部９２の略中央からは、略円柱状の外部接続用電極部９３が立設されている。
【００２３】
第１回路基板２１の長さ方向の他端側には、アルミニウム製の負極側入力電極９６が実装されている。負極側入力電極９６は、第１回路基板２１の回路層２３に配置されている略板状の接続用電極部９７を備えている。接続用電極部９７の略中央からは、略円柱状の外部接続用電極部９８が立設されている。
【００２４】
第１回路基板２１における正極側入力電極９１と負極側入力電極９６との間には、産業車両の車載モータに接続されるアルミニウム製のＵ相出力端子部６０、Ｖ相出力端子部７０、及びＷ相出力端子部８０が実装されている。すなわち、本実施形態では、３つの出力端子部が第１回路基板２１の回路層２３に実装されている。
【００２５】
Ｕ相出力端子部６０は、第１半導体素子群Ｇ１と第２半導体素子群Ｇ２との間において、第１回路基板２１の回路層２３に実装されている。Ｕ相出力端子部６０は、第１回路基板２１の幅方向に沿って延びている略長方形板状（略帯状）の基部６１を備えている。基部６１の略中央からは、円柱状の外部接続部６９が立設されている。
【００２６】
Ｖ相出力端子部７０は、第３半導体素子群Ｇ３と第４半導体素子群Ｇ４との間において、第１回路基板２１の回路層２３に実装されている。Ｖ相出力端子部７０は、第１回路基板２１の幅方向に沿って延びている略長方形板状（略帯状）の基部７１を備えている。基部７１の略中央からは、円柱状の外部接続部７９が立設されている。
【００２７】
Ｗ相出力端子部８０は、第５半導体素子群Ｇ５と第６半導体素子群Ｇ６との間において、第１回路基板２１の回路層２３に実装されている。Ｗ相出力端子部８０は、第１回路基板２１の幅方向に沿って延びている略長方形板状（略帯状）の基部８１を備えている。基部８１の略中央からは、円柱状の外部接続部８９が立設されている。
【００２８】
図１に示すように、第２半導体素子群Ｇ２と第３半導体素子群Ｇ３との間には、略長方形板状（略帯状）の負極側中継端子５２が配設されている。負極側中継端子５２は、第１回路基板２１の幅方向に沿って延びている。第４半導体素子群Ｇ４と第５半導体素子群Ｇ５との間には、略長方形板状（略帯状）の正極側中継端子５１が配設されている。正極側中継端子５１は、第１回路基板２１の幅方向に沿って延びている。
【００２９】
各半導体素子群Ｇ１〜Ｇ６の電気的な接続構造について説明する。第１半導体素子群Ｇ１のドレイン用の回路層２３は、正極側入力電極９１の接続用電極部９２に電気的に接続されている。第４半導体素子群Ｇ４及び第５半導体素子群Ｇ５のドレイン用の回路層２３は、正極側中継端子５１を介して正極側入力電極９１に電気的に接続されている。第２半導体素子群Ｇ２及び第３半導体素子群Ｇ３のソース用の回路層２３は、負極側中継端子５２を介して負極側入力電極９６と電気的に接続されている。第６半導体素子群Ｇ６のソース用の回路層２３は、負極側入力電極９６の接続用電極部９７と電気的に接続されている。
【００３０】
第１半導体素子群Ｇ１のソース電極は、Ｕ相出力端子部６０の基部６１に電気的に接続されている。第２半導体素子群Ｇ２のドレイン電極はＵ相出力端子部６０の基部６１に電気的に接続されている。第４半導体素子群Ｇ４のソース電極は、Ｖ相出力端子部７０の基部７１に電気的に接続されている。第３半導体素子群Ｇ３のドレイン電極はＶ相出力端子部７０の基部７１に電気的に接続されている。第５半導体素子群Ｇ５のソース電極は、Ｗ相出力端子部８０の基部８１に電気的に接続されている。第６半導体素子群Ｇ６のドレイン電極はＷ相出力端子部８０の基部８１に電気的に接続されている。
【００３１】
図１に示すように、半導体モジュール２０の上側には、コンデンサモジュール４０が配置されている。コンデンサモジュール４０は、第１回路基板２１と平行となるように対向配置されている略長方形板状の第２回路基板４１を備えている。第２回路基板４１は、第１回路基板２１と略同じ形状になっており、第１回路基板２１の長さ方向に沿って延びている。
【００３２】
図４に示すように、第２回路基板４１は、金属基板の上面に絶縁コーティングが施されている基板部４２を備えている。なお、第１回路基板２１の基板部２２と同様に、図４では、金属基板とその上面の絶縁コーティングとの積層構造を省略し、基板部４２を一枚の板材として図示している。基板部４２の上面には、銅又はアルミニウムから構成された導電性の上回路層４３が形成されている。また、基板部４２の下面には、銅又はアルミニウムから構成された導電性の下回路層４４が形成されている。図１に示すように、第２回路基板４１の上回路層４３又は下回路層４４には、半導体素子群Ｇ１〜Ｇ６に対応して複数のコンデンサＣが実装されている。
【００３３】
図１に示すように、第２回路基板４１には、当該第２回路基板４１の厚み方向に貫通する貫通孔４７が設けられている。貫通孔４７は、Ｕ相出力端子部６０、Ｖ相出力端子部７０、及びＷ相出力端子部８０に対応して３つ設けられており、第１回路基板２１の長さ方向に並んでいる。また、第２回路基板４１の長さ方向の両縁部には、第２回路基板４１の長さ方向の内側中央側へ凹んだ切欠部４８が形成されている。各切欠部４８は、第２回路基板４１における幅方向の中央域に位置している。
【００３４】
第２回路基板４１の両切欠部４８には、正極側入力電極９１及び負極側入力電極９６の外部接続用電極部９３、９８がそれぞれ配置されている。また、第２回路基板４１の各貫通孔４７には、第１回路基板２１に実装されているＵ相出力端子部６０の外部接続部６９、Ｖ相出力端子部７０の外部接続部７９、及びＷ相出力端子部８０の外部接続部８９が挿通されている。Ｕ相出力端子部６０の外部接続部６９、Ｖ相出力端子部７０の外部接続部７９、及びＷ相出力端子部８０の外部接続部８９の突出先端側の一部は、第２回路基板４１よりも上側へと突出している。Ｕ相出力端子部６０の基部６１、Ｖ相出力端子部７０の基部７１、及びＷ相出力端子部８０の基部８１は、第１回路基板２１と第２回路基板４１との間に位置している。
【００３５】
上記のように構成された半導体装置１０においては、Ｕ相出力端子部６０、Ｖ相出力端子部７０、及びＷ相出力端子部８０の外部接続部６９、７９、８９が、制御回路に電気的に接続されている。この制御回路を通じた制御によって半導体装置１０から車載走行モータに電力が供給される。
【００３６】
次に、Ｕ相出力端子部６０の基部６１、Ｖ相出力端子部７０の基部７１、及びＷ相出力端子部８０の基部８１の構成とその周辺構成とについてより具体的に説明する。なお、Ｕ相出力端子部６０、Ｖ相出力端子部７０、及びＷ相出力端子部８０は同様の構成になっているため、Ｕ相出力端子部６０の基部６１を例にして説明し、Ｖ相出力端子部の基部７１、及びＷ相出力端子部８０の基部８１の説明については省略する。
【００３７】
図２に示すように、Ｕ相出力端子部６０における基部６１の上面からは、上側（第２回路基板４１側）に向かってスペーサ部６６が突出している。この実施形態では、スペーサ部６６は、基部６１との一体成形物となっている。スペーサ部６６は、基部６１の長手方向において基部６１の中央と端部との間に位置しており、外部接続部６９を挟んで一対設けられている。スペーサ部６６は、基部６１を上側から平面視したときに略楕円形状になっている。図４に示すように、スペーサ部６６の上面は、第２回路基板４１の下面（下回路層４４の下面）に当接している。
【００３８】
図３に示すように、Ｕ相出力端子部６０における基部６１には、基部６１の下面（第１回路基板２１側の面）から上側（第２回路基板４１側）に向かって窪んだ凹部６２が設けられている。凹部６２は、スペーサ部６６の下方に位置しており、スペーサ部６６に対応して一対設けられている。凹部６２は、基部６１を下側から底面視したときに略楕円形状になっている。また、凹部６２は、基部６１の短手方向の一方の側面に開口しているとともに他方の側面にも開口している。すなわち、凹部６２は、基部６１の短手方向に開放したような形状になっている。また、凹部６２における下側（第１回路基板２１側）の縁である開口縁６２ｄの端部は、基部６１を下側から底面視したときにＲ面取りしたような形状になっている。すなわち、開口縁６２ｄの全域は、略円弧状に延びていて、尖った角形状となる箇所が存在しないようになっている。また、凹部６２の底面６２ａは基部６１の下面に対して平行になっており、凹部６２の側面６２ｂは底面６２ａに対して略垂直に立ち上がっている。
【００３９】
図４に示すように、基部６１及びスペーサ部６６には、上下方向に貫通している挿通孔６３が設けられている。挿通孔６３は、スペーサ部６６の中央に位置するとともに凹部６２の中央に位置している。すなわち、凹部６２の底面６２ａの中央には、挿通孔６３が開口している。
【００４０】
図３及び図４に示すように、凹部６２における底面６２ａと側面６２ｂとの境界部には、傾斜面６２ｃが設けられている。図４に示すように、凹部６２の傾斜面６２ｃは、底面６２ａ側（上側）に向かうほど挿通孔６３に近くなるように直線状に傾斜している。なお、傾斜面６２ｃは、底面６２ａに対しておよそ４５°の傾きとなっている。
【００４１】
図４に示すように、第１回路基板２１には、当該第１回路基板２１の厚み方向に貫通している挿通孔２６が設けられている。挿通孔２６は、Ｕ相出力端子部６０の２つの挿通孔６３に対応して、２つ設けられている。各挿通孔２６は、Ｕ相出力端子部６０の各挿通孔６３の下方において、各挿通孔６３に対して対向配置されている。なお、第１回路基板２１の挿通孔２６は、Ｕ相出力端子部６０の挿通孔６３、Ｖ相出力端子部７０の挿通孔、及びＷ相出力端子部８０の挿通孔に対応して合計６つ設けられている。
【００４２】
ヒートシンク１１には、当該ヒートシンク１１の上面から下面側に向かって窪んだねじ穴１２が設けられている。ねじ穴１２は、Ｕ相出力端子部６０の各挿通孔６３の下方に位置している。なお、ねじ穴１２は、Ｕ相出力端子部６０の挿通孔６３、Ｖ相出力端子部７０の挿通孔、及びＷ相出力端子部８０の挿通孔に対応して合計６つ設けられている。
【００４３】
第２回路基板４１には、当該第２回路基板４１の厚み方向に貫通している挿通孔４６が設けられている。挿通孔４６は、Ｕ相出力端子部６０の２つの挿通孔６３に対応して、２つ設けられている。各挿通孔２６は、Ｕ相出力端子部６０の各挿通孔６３の上方において、各挿通孔６３に対して対向配置されている。なお、挿通孔４６は、Ｕ相出力端子部６０の挿通孔６３、Ｖ相出力端子部７０の挿通孔、及びＷ相出力端子部８０の挿通孔に対応して合計６つ設けられている。
【００４４】
第２回路基板４１の挿通孔４６及びＵ相出力端子部６０の挿通孔６３には、ねじ用インシュレータ５３が取り付けられている。ねじ用インシュレータ５３は、絶縁性の樹脂材料により形成されている。ねじ用インシュレータ５３は、円筒状の円筒部５４を備えている。円筒部５４の外径は挿通孔４６及び挿通孔６３の内径と略同じになっており、円筒部５４は挿通孔４６及び挿通孔６３に嵌め込まれている。円筒部５４の上縁からは、径方向外側に向かって板状のフランジ部５５が延びている。フランジ部５５の下面は、第２回路基板４１の上回路層４３の上面に当接している。ねじ用インシュレータ５３の円筒部５４の内部には、ねじ５６が挿通されている。ねじ５６は、第２回路基板４１の挿通孔４６、Ｕ相出力端子部６０の挿通孔６３、第１回路基板２１の挿通孔２６を貫通してヒートシンク１１のねじ穴１２に螺合されている。すなわち、第２回路基板４１、Ｕ相出力端子部６０の基部６１、及び第１回路基板２１は、ねじ５６によってヒートシンク１１に固定されている。なお、ねじ用インシュレータ５３及びねじ５６は、Ｕ相出力端子部６０の挿通孔６３、Ｖ相出力端子部７０の挿通孔、及びＷ相出力端子部８０の挿通孔に対応して合計６つ設けられている。
【００４５】
図４に示すように、第２回路基板４１の下面（第１回路基板２１側の面）には、下回路層４４の一部であってスペーサ部６６に当接している当接回路層４４ａが設けられている。当接回路層４４ａは、挿通孔６３を囲む円環形状になっており、当接回路層４４ａの外径は略楕円形状であるスペーサ部６６の楕円の長径と同じになっている。また、当接回路層４４ａの内径は、Ｕ相出力端子部６０の挿通孔６３の内径と同じになっている。
【００４６】
第２回路基板４１の下面（第１回路基板２１側の面）には、当接回路層４４ａの径方向外側に絶縁性の絶縁部４５が設けられている。絶縁部４５は、下回路層４４のうちのスペーサ部６６が当接していない回路パターン層４４ｂと当接回路層４４ａとの間の隙間を埋める樹脂層として設けられている。すなわち、絶縁部４５は、第２回路基板４１の厚み方向において下回路層４４と同一の層に位置している絶縁性の樹脂層である。この実施形態では、絶縁部４５は、当接回路層４４ａを囲む円環形状になっており、Ｕ相出力端子部６０のスペーサ部６６を外側から囲っている。なお、第２回路基板４１の下回路層４４に実装されているコンデンサＣは、下回路層４４のうちの回路パターン層４４ｂに実装されている。
【００４７】
次に、本実施形態の効果を作用とともに説明する。なお、以下の説明では、Ｕ相出力端子部６０の効果等について説明するが、Ｖ相出力端子部７０やＷ相出力端子部８０についても同様のことがいえる。
【００４８】
（１）図４に示すように、第２回路基板４１とＵ相出力端子部６０の基部６１との間には、スペーサ部６６の突出長さ分の間隔が確保されている。したがって、第１回路基板２１と第２回路基板４１との間には、Ｕ相出力端子部６０の基部６１の厚み寸法にスペーサ部６６の突出長さを加算した長さの間隔が確保できる。そのため、第１回路基板２１と第２回路基板４１との間に相応の間隔を確保して、第１回路基板２１の回路層２３と第２回路基板４１の下回路層４４とが不用意に接触することを抑制できる。
【００４９】
また、第２回路基板４１の下面（第１回路基板２１側の面）には、絶縁部４５がスペーサ部６６を囲むように設けられている。すなわち、絶縁部４５によって、当接回路層４４ａと回路パターン層４４ｂとが絶縁されている。そのため、スペーサ部６６を介してＵ相出力端子部６０の基部６１と第２回路基板４１における下回路層４４の回路パターン層４４ｂとが短絡することはなく、両者の間の絶縁性を確保できる。
【００５０】
ここで、Ｕ相出力端子部６０の基部６１と第２回路基板４１における下回路層４４の回路パターン層４４ｂとを絶縁するための構成として、例えば、第２回路基板４１とＵ相出力端子部６０の基部６１との間に板状のインシュレータを介在させる構成が考えられる。しかしながら、この構成の場合、インシュレータを含めた電子機器全体での部品点数が増加してしまう。そして、第１回路基板２１に対してインシュレータや第２回路基板４１を組み付けるための製造工程が煩雑化するおそれがある。
【００５１】
これに対して本実施形態においては、スペーサ部６６は、Ｕ相出力端子部６０の基部６１から突出するものであり、Ｕ相出力端子部６０の基部６１と一体的なものである。よって、Ｕ相出力端子部６０の基部６１と第２回路基板４１における下回路層４４の回路パターン層４４ｂとの間の絶縁性や間隔を確保するために両者の間に別体のインシュレータを介在させる構成に比べて電子機器全体での部品点数を抑制できる。そして、第１回路基板２１に対してインシュレータや第２回路基板４１を組み付けるための製造工程が煩雑化することを抑制できる。
【００５２】
（２）スペーサ部６６は、Ｕ相出力端子部６０の基部６１から突出しており、Ｕ相出力端子部６０の基部６１との一体成形物である。そのため、第１回路基板２１や第２回路基板４１の形状や製造方法等を大きく変えなくても、Ｕ相出力端子部６０の形状を変更することでスペーサ部６６に関する構成を採用できる。したがって、スペーサ部６６に関する構成を採用するにあたって必要となるコスト等を抑えることができる。
【００５３】
（３）絶縁部４５は絶縁性の樹脂層であるため、例えば、空隙（空気）によって絶縁性を確保するのに比べて、より確実な絶縁性を確保できる。
（４）絶縁部４５は、第２回路基板４１の厚み方向において下回路層４４と同一の層に位置している。そのため、第２回路基板４１の下回路層４４を形成する過程で、絶縁部４５（樹脂層）も形成しやすい。例えば、第２回路基板４１の下回路層４４の製造工程において、第２回路基板４１の下面の銅又はアルミニウムから構成された導電層のうちの下回路層４４となる部分以外の部分をエッチングによって除去加工する。すなわち、この除去加工において絶縁部４５が設けられる部分もエッチングによって除去加工される。そして、下回路層４４における当接回路層４４ａと回路パターン層４４ｂとの間の部分に樹脂材を充填することで、絶縁部４５（樹脂層）を形成することができる。このような製造方法であれば、例えば、絶縁部４５を有していない第２回路基板４１を製造した後に、別体の絶縁部４５を取り付ける場合に比較して、絶縁部４５（樹脂層）を含めた第２回路基板４１の製造工程が煩雑化しにくい。
【００５４】
（５）第２回路基板４１、Ｕ相出力端子部６０の基部６１、及び第１回路基板２１は、ねじ５６によってヒートシンク１１に固定されている。そのため、ねじ５６による締結力は、Ｕ相出力端子部６０の基部６１にも作用する。特に、Ｕ相出力端子部６０の基部６１には凹部６２が設けられているため、仮に傾斜面６２ｃが設けられていない場合には、凹部６２における底面６２ａと側面６２ｂとの境界部にねじ５６による締結力が集中して作用しやすい。
【００５５】
これに対して、凹部６２における底面６２ａと側面６２ｂとの境界部が傾斜面６２ｃとなっているため、ねじ５６による締結力を傾斜面６２ｃに分散して作用させることができる。そのため、凹部６２の特定の部分にねじ５６による締結力が集中して基部６１が変形してしまうといった事態は生じにくい。
【００５６】
（６）Ｕ相出力端子部６０における凹部６２の開口縁６２ｄは円弧状になっていて、尖った部分が存在しない。そのため、ねじ５６の締結力によってＵ相出力端子部６０における凹部６２の開口縁６２ｄが第１回路基板２１に押し付けられても、第１回路基板２１がＵ相出力端子部６０における凹部６２の開口縁６２ｄによって傷つけられることは抑制できる。
【００５７】
上記の実施形態は、以下のように変更できる。
○  上記実施形態では、Ｕ相出力端子部６０における基部６１の上面から上側（第２回路基板４１側）に向かってスペーサ部６６が突出していたが、第２回路基板４１の下面から下側（基部６１側）にスペーサ部が突出していてもよい。この場合には、第２回路基板４１とスペーサ部とが一体成形物となっていることが好ましい。
【００５８】
○  第２回路基板４１からスペーサが突出する構成の場合、例えば、第２回路基板４１の下面に対して別体のスペーサ部を接着固定することで、両者を一体化してもよい。この場合、ねじ５６によって第１回路基板２１と第２回路基板４１とを組み付ける作業よりも前に第２回路基板４１とスペーサ部６６とが一体となっていれば、第１回路基板２１に第２回路基板４１を組み付ける作業においては、製造工程が煩雑化することを抑制できる。
【００５９】
○  上記実施形態では、絶縁部４５が絶縁性の樹脂層であったが、これに限らない。例えば、下回路層４４における当接回路層４４ａと回路パターン層４４ｂとの間に樹脂を充填することなく、空気（空隙）によって絶縁部４５を構成してもよい。
【００６０】
○  配線基板においては、回路層に配線パターンを形成した後、電子部品をはんだ付けする箇所（ランド）以外の領域に、絶縁性の樹脂（レジスト）を塗布して、はんだ付け時の短絡を防止することがある。下回路層４４における当接回路層４４ａと回路パターン層４４ｂとの間に、上記絶縁性の樹脂（レジスト）が充填された場合には、この絶縁性の樹脂の一部が絶縁部４５としても機能し得る。
【００６１】
○  上記実施形態では、絶縁部４５が円環形状になっていたが、絶縁部４５が楕円環形状や多角形環形状になっていてもよい。この場合にも、絶縁部４５がスペーサ部６６を外側から囲むように設けられていればよい。
【００６２】
○  上記実施形態では、スペーサ部６６が第２回路基板４１の当接回路層４４ａに当接していたが、これに限らない。例えば、第２回路基板４１の当接回路層４４ａが設けられていない場合には、スペーサ部６６が第２回路基板４１の基板部４２に当接してもよい。
【００６３】
○  上記実施形態では、凹部６２の開口縁６２ｄが円弧状に延びていたが、これに限らない。例えば、ねじ５６の締結力がそれほど強くなく、凹部６２の開口縁６２ｄによって第１回路基板２１が傷つけられるおそれがなければ、凹部６２の開口縁６２ｄが直線状に延びていてもよい。
【００６４】
○  上記実施形態では、傾斜面６２ｃが底面６２ａに対しておよそ４５°で傾いていたが、底面６２ａに対する傾斜面６２ｃの傾きは適宜変更してもよい。
○  また、傾斜面６２ｃは底面６２ａに対して直線状に傾斜していたが、傾斜面６２ｃは底面６２ａ側（上側）に向かうほど挿通孔６３に近くなるように円弧状に傾斜していてもよい。
【００６５】
○  上記実施形態では、凹部６２に傾斜面６２ｃが設けられていたが、傾斜面６２ｃを省略してもよい。例えば、ねじ５６の締結力がそれほど強くなく、基部６１が過度に変形するおそれがないのであれば、傾斜面６２ｃを省略できる。
【００６６】
○  上記実施形態では、Ｕ相出力端子部６０の基部６１に凹部６２が設けられていたが、凹部６２を省略してもよい。
○  上記実施形態では、３つの出力端子部が第１回路基板２１の回路層２３に実装されていたが、電子機器の種類等によっては、出力端子部の数は変わり得る。
【００６７】
○  第１回路基板２１や第２回路基板４１は、絶縁性の基板と導電性の回路層とが複数層に亘って繰り返し配置された多層配線基板であってもよい。
【符号の説明】
【００６８】
Ｃ…コンデンサ、Ｇ１…第１半導体素子群、Ｇ２…第２半導体素子群、Ｇ３…第３半導体素子群、Ｇ４…第４半導体素子群、Ｇ５…第５半導体素子群、Ｇ６…第６半導体素子群、１０…半導体装置、１１…ヒートシンク、１２…ねじ穴、２０…半導体モジュール、２１…第１回路基板、２２…基板部、２３…回路層、２６…挿通孔、３１…半導体素子、４０…コンデンサモジュール、４１…第２回路基板、４２…基板部、４３…上回路層、４４…下回路層、４４ａ…当接回路層、４４ｂ…回路パターン層、４５…絶縁部、４６…挿通孔、４７…貫通孔、４８…切欠部、５１…正極側中継端子、５２…負極側中継端子、５３…ねじ用インシュレータ、５４…円筒部、５５…フランジ部、５６…ねじ、６０…Ｕ相出力端子部、６１…基部、６２…凹部、６２ａ…底面、６２ｂ…側面、６２ｃ…傾斜面、６２ｄ…開口縁、６３…挿通孔、６６…スペーサ部、６９…外部接続部、７０…Ｖ相出力端子部、７１…基部、７９…外部接続部、８０…Ｗ相出力端子部、８１…基部、８９…外部接続部、９１…正極側入力電極、９２…接続用電極部、９３…外部接続用電極部、９６…負極側入力電極、９７…接続用電極部、９８…外部接続用電極部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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