(57)【要約】【課題】  接合の導通信頼性を高めることが可能なバンプ及びその形成方法、並びに前記バンプを用いて得られる基板を提供すること。【解決手段】  第一のバンプと、前記第一のバンプ、及びチップのパッドに金属接合された複数の第二のバンプと有するバンプである。前記第二のバンプは、前記主成分金属以外に、銀、パラジウム、銅、及び白金の少なくともいずれかを含む態様が好ましい。前記第二のバンプに含まれる前記主成分金属の含有割合が、前記第一のバンプに含まれる前記主成分金属の含有割合より少ない態様がより好ましい。【選択図】図３Ｂ
2018195673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のバンプと、
前記第一のバンプ、及びチップのパッドに金属接合された複数の第二のバンプと、を有することを特徴とするバンプ。
【請求項２】
前記第二のバンプが、主成分金属を含み、
前記第二のバンプが、前記主成分金属以外に、銀、パラジウム、銅、及び白金の少なくともいずれかを含む請求項１に記載のバンプ。
【請求項３】
前記第一のバンプが、前記第二のバンプに含まれる前記主成分金属と同じ金属を主成分金属として含み、
前記第二のバンプに含まれる前記主成分金属の前記第二のバンプにおける含有割合が、前記第一のバンプに含まれる前記主成分金属の前記第一のバンプにおける含有割合より少ない請求項２に記載のバンプ。
【請求項４】
前記第一のバンプの投影面積円相当径が、複数の前記第二のバンプの各投影面積円相当径のうち最大の投影面積円相当径以上である請求項１から３のいずれかに記載のバンプ。
【請求項５】
第一のバンプと、前記第一のバンプ及びチップのパッドに金属接合された複数の第二のバンプと、を有するバンプの形成方法であって、
前記チップのパッドと金属接合されるように複数の前記第二のバンプを形成する第二のバンプ形成工程と、
複数の前記第二のバンプと金属接合されるように前記第一のバンプを形成する第一のバンプ形成工程と、を含むことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項６】
チップと、
前記チップのパッドと、
前記パッドに接する又は接しない第一のバンプと、
前記パッド及び前記第一のバンプに金属接合された複数の第二のバンプと、
前記第一のバンプに接着された基板本体と、を有することを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ及びその形成方法、並びに基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器又は電子部品には、チップと呼ばれる素子を基板に実装したものがよく用いられている。素子を基板に実装する方法の一つに、フリップチップ法（ＦＣ法）がある。フリップチップ法においては、シリコン製のチップと金属製のパッドとが、金属組成物からなるバンプと呼ばれる突起状の端子により接続される。バンプにより接続されると、バンプとチップ及びバンプと基板との接続界面に合金層が生成され、電気的な接合が起きる。フリップチップ法は、実装面積が小さい、素子と基板との間隔が狭く、電気的特性が良いなどの長所を有することから広く用いられている。
【０００３】
フリップチップ法により実装された電子部品が多くなるにつれて、チップ又は基板は様々な大きさのものが求められるようになっている。例えば、以下の理由などにより接合の導通信頼性が低下するという問題があった。
チップと基板とは、通常、その素材や厚みが異なることから熱膨張係数が異なる。このため、チップと基板とをバンプにより接合した基板を電子機器に実装した後においては、電子機器内の熱により温められることがある。電子機器が温められると、チップ及び基板が反り、チップと基板との間隔が大きくなる。チップと基板との間隔が大きくなると、チップと基板との接合が破断され、導通が取れなくなる問題がある。これは、チップ及び基板のサイズが大きい時に顕在化しやすい。
また、チップと基板とが小さい場合には、バンプのサイズを小さくするため、バンプとチップ又は基板との接触面積が小さくなり、導通が取りにくくなる問題がある。
【０００４】
これらの問題を解決するため、バンプの構造として、積層構造のバンプが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。しかし、提案では、チップの同一の箇所に対して合金層を形成するためのエネルギーを複数回かける必要があり、図１Ｂのようにチップの破壊が起きる問題がある。また、バンプを形成するためのエネルギーが小さいと、図１Ａに示すようにバンプの未着が起きるという問題がある。これらのことから、提案では、基板の反り又はバンプの小型化による接合の導通信頼性の低下は避けられていない。
【０００５】
チップと基板との接合の導通信頼性の低下は、バンプに含まれる金属が、合金層内に拡散し、侵食することにより合金層内部に空隙（ボイド）が生成する現象によっても起きる。ボイドが発生すると、合金層の抵抗値が上昇し、接合の導通信頼性が低下する。
近年になり、電子機器又は電子部品が使用される場面は更に拡大し、電子部品に要求される性能もより高度なものとなっている。このことから、基板に用いられる材料が変化している。材料としては、従来用いられているシリコンより出力を上げることができる材料（例えば、ＳｉＣ、ＧａＮなど）が用いられるようになってきた。これらの材料にあわせ、バンプと接続するチップの材料も変化している。ボイドの発生は、例えば、金を含有するバンプを、アルミニウムを含むチップに形成するときに顕在化する。したがって、これまでのバンプでは接合の導通信頼性を保つことが難しくなっているのが実情である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２５７２２９号公報
【特許文献２】特開２０００−１６４６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、接合の導通信頼性を高めることが可能なバンプ及びその形成方法、並びにバンプを用いて得られる基板を提供することを目的とする。
接合の導通信頼性とは、バンプが基板に物理的に接合していること、及びバンプの抵抗が低いこと（例えば、チップと基板間の導通が取れること）の両方を満たしていることを指す。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
課題を解決するための手段として一つの態様では、バンプは、
第一のバンプと、前記第一のバンプ、及びチップのパッドに金属接合された複数の第二のバンプと、を有する。
【０００９】
また、一つの態様では、バンプ形成方法は、
第一のバンプと、前記第一のバンプ及びチップのパッドに金属接合された複数の第二のバンプと、を有するバンプの形成方法であって、
前記チップのパッドと金属接合されるように複数の前記第二のバンプを形成する第二のバンプ形成工程と、
複数の前記第二のバンプと金属接合されるように前記第一のバンプを形成する第一のバンプ形成工程と、を含む。
【００１０】
また、一つの態様では、基板は、
チップと、
前記チップのパッドと、
前記パッドに接する又は接しない第一のバンプと、
前記パッド及び前記第一のバンプに金属接合された複数の第二のバンプと、
前記第一のバンプに接着された基板本体と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
開示のバンプによると、接合の導通信頼性を高めることが可能なバンプを提供できる。
開示のバンプ形成方法によると、接合の導通信頼性を高めることが可能なバンプ形成方法を提供できる。
開示の基板によると、接合の導通信頼性を高めることが可能な基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、バンプの未着の一例の写真である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、バンプと基板とが剥れた一例の写真である。
【図２Ａ】図２Ａは、開示のバンプを形成する一例の概略図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、開示のバンプを形成する一例の概略図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、開示のバンプを形成する一例の概略図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、開示のバンプを形成する一例の概略図である。
【図３Ａ】図３Ａは、開示のバンプの一例である実施例１のバンプを上から見た概略図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、開示のバンプの一例である実施例１のバンプ側面から見た概略図である。
【図４Ａ】図４Ａは、開示のバンプの一例である実施例２のバンプを上から見た概略図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、開示のバンプの一例である実施例２のバンプ側面から見た概略図である。
【図５Ａ】図５Ａは、開示のバンプの一例である実施例３のバンプを上から見た概略図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、開示のバンプの一例である実施例３のバンプ側面から見た概略図である。
【図６】図６は、開示のバンプの適用例の一例を側面から見た概略図である。
【図７】図７は、開示のバンプの適用例の一例を側面から見た概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（バンプ）
開示のバンプは、第一のバンプと複数の第二のバンプとが、金属接合されたバンプである（以下、複合バンプとも称する）。第二のバンプは、チップのパッドに金属接合されている。なお、金属接合しているとは、物理的に接合している、かつ電気的に接合していることを指す。
【００１４】
＜第一のバンプ＞
第一のバンプは、主成分金属を含み、更に必要に応じてその他の成分を含有する。
主成分金属としては、通常のバンプに用いられる材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、導電性、耐腐食性等の点から、金が好ましい。
第一のバンプに含まれる主成分金属の含有割合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、後述する第二のバンプの主成分金属の含有割合より多いことが好ましい。
なお、本明細書において、「主成分」とは、第一のバンプ又は後述する第二のバンプに含まれる成分のうち、最も含有割合が多い成分とする。本明細書において、「主成分金属」とは、第一のバンプ又は後述する第二のバンプに含まれる金属のうち、最も含有割合が多い金属と定義する。なお、主成分金属の含有割合のことを、純度とも称する。
その他の成分としては、例えば、銀などが挙げられる。
【００１５】
第一のバンプの形状としては、通常のバンプの形状であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、一般的にバンプは、図２Ｄに示すような円錐のような形状をしている。
【００１６】
第一のバンプの大きさとしては、通常のバンプの大きさであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、大きさとは、投影面積相当径とする。一般的なバンプの投影面積相当径は、３０μｍ〜８５μｍ程度である。
第一のバンプの投影面積円相当径としては、後述する第二のバンプの投影面積円相当径以上であることが好ましい。
【００１７】
投影面積円相当径（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ  ａｒｅａ  ｄｉａｍｅｔｅｒ）は、測定する粒子の投影面積と同じ面積を持つ円の直径として定義される。この定義は、Ｈｅｙｗｏｏｄ（ヘイウッド）が初めて提案したため、Ｈｅｙｗｏｏｄ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ（ヘイウッド径）とも呼ばれる。
投影面積円相当径の測定方法としては、一般的な粉体等の測定で行われている装置及びプログラムを用いることができ、例えば、第一のバンプを光学顕微鏡で撮影して得られる写真画像を画像処理して求めることができる。対象となる粒径により最適倍率が異なるため、顕微鏡はどのようなものでも構わない。
【００１８】
＜第二のバンプ＞
第二のバンプは、複数であり、チップのパッドに金属接合される。
第二のバンプは、第一のバンプと金属接合される。複数の第二のバンプは、すべて第一のバンプと金属接合していることが好ましいが、少なくとも２個の第二のバンプが第一のバンプと金属接合されていてもよい。
第二のバンプの個数としては、２個〜４個が好ましい。
【００１９】
第二のバンプは、主成分金属を含み、更に必要に応じてその他の成分を含有する。
第二のバンプに含まれる主成分金属は、上述の第一のバンプと同様である。
第一のバンプ及び第二のバンプに含まれる主成分金属は、同じであっても違っていてもよいが、同じであることが好ましい。第一のバンプ及び第二のバンプの主成分金属が同じであることで、第一のバンプと第二のバンプとを金属接合する際に、第一のバンプをチップのパッドに電気的に接続する際のエネルギーより小さいエネルギーで金属接合できる。
【００２０】
第二のバンプに含まれる主成分金属の含有割合（質量％）は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、９９．００質量％〜９９．９８質量％が好ましい。また、第二のバンプに含まれる主成分金属の含有割合は、第一のバンプに含まれる主成分金属の含有割合より少ないことが好ましい。なお、第一のバンプ及び第二のバンプに含まれる主成分金属の含有割合の単位は、第一のバンプ及び第二のバンプと同じ単位系にて比較する（例えば、第一のバンプの含有量が質量％単位で算出するならば、第二のバンプも質量％単位で算出し、比較する）。
【００２１】
第二のバンプに含まれるその他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、主成分金属拡散防止の点から、銀、パラジウム、銅、白金が好ましい。
第一のバンプ及び第二のバンプに含まれる主成分金属の含有割合の関係、及び第二のバンプに主成分金属以外の成分を含有することの少なくともいずれかについて調節することで、第一のバンプに含まれる主成分金属の拡散を防止できる。
【００２２】
主成分金属の拡散とは、以下のようなことを指す。一般的に、バンプはパッド（「電極パッド」とも称する）に含まれる成分とバンプの主成分金属とが合金層を作ることで電極パッドとバンプとを金属接合する。金属接合した直後は、合金層の体積はバンプの体積に対してごくわずかであるが、バンプ形成条件によっては、電極パッドに含まれる成分と主成分金属との反応が進み、増加する。このバンプ形成後の主成分金属の反応が更に進むことを主成分金属の拡散と言う。
合金層の体積が増加すると、合金層に空隙（ボイド）が生成することが知られている。ボイドが生成すると、基板とバンプとの抵抗値が上昇する、及び基板とバンプとの物理的な接着が弱くなることがある。このため、主成分金属の拡散を防止することは、バンプ形成において重要である。
【００２３】
第二のバンプの投影面積円相当径としては、複数ある第二のバンプの投影面積円相当径のうち、最大のものを第二のバンプの投影面積相当径とする。
【００２４】
＜チップ＞
チップは、パッド（以下、「電極パッド」とも称する）を有する。
チップの材質、大きさ、形状などとしては、通常のチップとして用いられているものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
パッドの材質としては、導電性組成物であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、金などが挙げられる。
パッドの形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、平面状が好ましい。
パッドの大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、４０μｍ四方〜１２０μｍ四方が好ましい。
パッドの平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ〜３μｍが好ましい。
パッドの位置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２５】
（バンプ形成方法）
開示のバンプ形成方法は、上述の複合バンプを形成する方法であり、第一のバンプ形成工程と第二のバンプ形成工程を含み、必要に応じてその他の工程を含む。第一のバンプ形成工程は、第二のバンプ形成工程の後に行う。
【００２６】
＜第二のバンプ形成工程＞
第二のバンプ形成工程は、チップのパッドと金属接合されるように複数の第二のバンプを形成する工程である。第二のバンプの形成工程の手段としては、通常のバンプ形成手段であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択でき、例えば、前述のとおり、金属ワイヤを用いたボールボンディングにより形成することができる。
【００２７】
金属ワイヤを用いたボールボンディングでは、金属ワイヤと電極パッドとを接合（金属接合）させる際に、電極パッドに熱、超音波、及び荷重をかける。この際には、下記の５つの条件を適宜調節し電極パッドにかかるエネルギーを調節する。
１．バンプを形成する部分（「電極パッド」）の温度
２．超音波の出力（振動数）
３．超音波をかける時間
４．荷重の大きさ
５．荷重をかける時間
上記の条件（エネルギー）は、大きいと電極パッドを破壊することがあり、小さいとバンプが電極パッドに付着しないことがある。また、エネルギーは、バンプの大きさ（投影面積円相当径）にある程度比例する。つまり、大きいバンプを形成する際には大きなエネルギーを必要とし、小さいバンプを形成する際には、小さなエネルギーで形成することができる。
【００２８】
第二のバンプの大きさ（投影面積円相当径）が、第一のバンプの大きさより小さいと、第二のバンプの形成時に電極パッドを破壊することを防止できる。
【００２９】
＜第一のバンプ形成工程＞
第一のバンプ形成工程は、複数の第二のバンプと金属接合されるように第一のバンプを形成する工程である。第一のバンプは、少なくとも２つの第二のバンプと金属接合されるように形成することが好ましい。第一のバンプは、複数の第二のバンプのそれぞれと金属接合されるように形成することがより好ましい。
第一のバンプ形成工程の手段としては、通常のバンプ形成手段であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。具体的には、例えば、以下のように形成することができる。
複数の第二のバンプの中心になるように、第一のバンプを第二のバンプの形成と同様に金属ワイヤを用いたボールボンディングにより形成する。
【００３０】
第一のバンプは、チップのパッドに接していてもよく、接していなくてもよい。
第一のバンプが、チップのパッドに接している態様であるときは、第一のバンプの形成工程における超音波の振動方向としては、隣接する２つの第二のバンプを結んだ線分に対して直交方向が好ましい。
【００３１】
第一のバンプを形成するエネルギーは、第一のバンプと第二のバンプとの主成分金属が同じである場合では、第一のバンプを直接パッドに形成するエネルギーより小さい。これは、第二のバンプの形成は、バンプの材料となる金属ワイヤとチップとの合金層を作ること（金属接合されること）である。これに対して、第一のバンプの形成は、第一のバンプに含有される主成分金属と第二のバンプに含有される主成分金属との金属接合である。同種の金属による金属接合と、異種の金属による金属接合では、同種の金属による金属接合の方がより少ないエネルギーで行える。このため、第一のバンプを直接電極パッドに形成するよりも、第一のバンプより小さい第二のバンプの上に第一のバンプを形成する方が、電極パッドを破壊することなく、導通の信頼性が高い大きなサイズのバンプを形成できる。
また、第二のバンプを複数個形成しているため、第一のバンプ形成時のエネルギーを複数の第二のバンプに分散させることができる。このため、電極パッドの破壊を防ぐことができる。
【００３２】
＜その他の工程＞
その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、形成した複合バンプを洗浄する工程などが挙げられる。
【００３３】
（基板）
開示の基板は、上述の複合バンプがチップのパッド及び基板本体に電気的に接続されている。第一のバンプは基板本体と接着しており、第二のバンプはチップのパッドと金属接合している。
複合バンプは、上述の特徴を有する。
第一のバンプは、電気的に接合されていれば、基板本体に金属接合してもよく、物理的に接着しているだけでもよい。
【００３４】
＜基板本体＞
基板本体としては、複合バンプと電気的に接続することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性組成物、プリント基板などが挙げられる。また、基板本体としては、基板本体にパッド（電極パッド）を形成した基板本体であってもよい。この場合には、第一のバンプは基板本体のパッドと接着することが好ましい。
【００３５】
（基板の製造方法）
基板の製造方法としては、第一のバンプ形成工程と、第二のバンプ形成工程と、接着工程とを含む。第一のバンプ形成工程及び第二のバンプ形成工程は、上述したとおりである。
【００３６】
＜接着工程＞
接着工程としては、第一のバンプを基板本体に接着する工程である。
基板本体に接着する方法としては、通常の基板の実装に用いられる方法であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、超音波により圧着させる超音波接合、接着剤により接着する接着剤固定、はんだにより接着するはんだ接合などが挙げられる。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００３８】
（実施例１）
平均厚み１μｍ、１００μｍ四方のアルミニウム基板（以下、電極パッドと称する）に、第二のバンプを２つ、第一のバンプを１つ有するバンプを以下のようにして形成した。
第二のバンプ１３ｂの形成を、金属ワイヤを用いたボールボンディングにより行った。即ち、図２Ａに示すように、ボンディングキャピラリ１８Ａより導出された、主成分金属として金を含むワイヤ１９（ワイヤ径２０μｍ、金の純度が９９質量％、銀も含有する）の先端を、高電圧（スパーク）でボール形状に溶融し、ボール部１９Ａを形成した。そして、図２Ｂに示すように、半導体チップ（不図示）上の電極パッド１２にボール部１９Ａを当接させ、図２Ｃに示すように、ボンディングキャピラリ１８Ａにより、ボール部１９Ａに荷重と超音波を図中矢印方向に印加し、ワイヤと電極パッド１２とを接合（金属接合）した。接合後、図２Ｄに示すように、ボンディングキャピラリ１８Ａを垂直方向に引き上げ、ワイヤ１９を引きちぎることにより、１つ目の第二のバンプ１３ｂを形成した。
１つ目の第二のバンプを形成した後、上記と同様な方法により、図３Ａに示すように、電極パッドにおいて１つ目の第二のバンプの位置に対して、対角線上になるようにして、２つ目の第二のバンプを形成した。
２つの第二のバンプを形成した後、金属ワイヤを用いたボールボンディングにより図３Ａに示す位置に、電極パッドには触れないように、第一のバンプを形成した。なお、第一のバンプの主成分金属の含有割合は、第二のバンプの主成分金属の含有割合より多い。実施例１のバンプの側面の概略図を図３Ｂに示した。なお、図３Ｂ中の黒い太線のうち、濃い黒の線はアルミニウムと金との合金層が形成された金属接合を示し、薄い黒の線は金同士の金属接合を示す。
第一のバンプ及び第二のバンプの投影面積円相当径（バンプ径）、及び各バンプを形成する際に印加した荷重及び超音波、並びに温度の条件を表１に示した。
【００３９】
【表１】
2018195673.tif 000003
【００４０】
実施例１のバンプは、第二のバンプが第一のバンプより小さく、第二のバンプが複数個であり第一のバンプ形成時のエネルギーを分散させることができたため、電極パッドの破壊が起こらなかった。また、第二のバンプは、第一のバンプより主成分金属（金）の含有割合が少なく、銀を含むため、第一のバンプからの主成分金属の拡散を防ぐことができた。したがって、接合の導通信頼性が高いバンプ形成ができた。
【００４１】
（実施例２）
平均厚み１μｍ、１００μｍ四方のアルミニウム基板（以下、電極パッドと称する）に、図４Ａに示すように、第二のバンプを４つ、第一のバンプを１つ有するバンプを、実施例１と同様の金属ワイヤを用いたボールボンディングにより形成した。なお、第一のバンプは、電極パッドに接していない。
実施例２のバンプの側面の概略図を図４Ｂに示した。なお、図４Ｂ中の黒い太線のうち、濃い黒の線はアルミニウムと金との合金層が形成された金属接合を示し、薄い黒の線は金同士の金属接合を示す。
第一のバンプ及び第二のバンプの投影面積円相当径（バンプ径）、及び各バンプを形成する際に印加した荷重及び超音波、並びに温度の条件を表２に示した。
【００４２】
【表２】
2018195673.tif 000004
【００４３】
実施例２のバンプは、第二のバンプが第一のバンプより小さく、第二のバンプが複数個であり第一のバンプ形成時のエネルギーを分散させることができたため、電極パッドの破壊が起こらなかった。また、第二のバンプは、第一のバンプより主成分金属（金）の含有割合が少なく、銀を含むため、第一のバンプからの主成分金属の拡散を防ぐことができた。したがって、接合の導通信頼性が高いバンプ形成ができた。
【００４４】
（実施例３）
平均厚み１μｍ、１００μｍ四方のアルミニウム基板（以下、電極パッドと称する）に、図５Ａに示すように、第二のバンプを２つ、第一のバンプを１つ有するバンプを実施例１と同様の金属ワイヤを用いたボールボンディングにより形成した。なお、第一のバンプは、電極パッドには接している。
実施例２のバンプの側面の概略図を図５Ｂに示した。なお、図５Ｂ中の黒い太線のうち、濃い黒の線はアルミニウムと金との合金層が形成された金属接合を示し、薄い黒の線は金同士の金属接合を示す。
第一のバンプ及び第二のバンプの投影面積円相当径（バンプ径）、及び各バンプを形成する際に印加した荷重及び超音波、並びに温度の条件を表３に示した。
【００４５】
【表３】
2018195673.tif 000005
【００４６】
実施例３のバンプは、第一のバンプが接合しているのは第二のバンプのみであり、電極パッドには接しているのみである（電極パッドとの合金層は形成していない）ため、第一のバンプ形成時のエネルギーは、第二のバンプに分散させることができており、電極パッドの破壊が起こらなかった。また、第二のバンプは、第一のバンプより主成分金属（金）の含有割合が少なく、銀を含むため、第一のバンプからの主成分金属の拡散を防ぐことができた。したがって、接合の導通信頼性が高いバンプ形成ができた。
【００４７】
本発明の複合バンプを有するチップを、基板本体に実装する場合の適用例を図６、７により説明する。
【００４８】
図６は、超音波接合を用いた場合の図である。図６は、第一のバンプ１３ａ、複数の第二のバンプ１３ｂからなる複合バンプを電極パッド（不図示）上に有するチップ１４を基板本体１５に実装した図を示している。ここでは、第一のバンプは、超音波接合により基板本体と接着している。第二のバンプは、チップの電極パッドと金属接合している。この態様では、基板本体とチップが圧着された場合であっても、チップ（電極パッド）にかかる圧力（ストレス）を複数の第二のバンプで受けることができる。このため、ストレスが分散し、電極パッドの破壊を防止でき、接合信頼性が向上する。
【００４９】
図７は、はんだ接合を用いた場合の図である。図７は、第一のバンプ１３ａ、複数の第二のバンプ１３ｂからなる複合バンプを電極パッド（不図示）上に有するチップ１４を基板本体１５に実装した図を示している。また、チップと基板との間にある薄いグレーで塗られた図形１７は、はんだを表す。ここでは、第一のバンプは、はんだと基板本体とに接している。第二のバンプは、チップの電極パッドと金属接合している。
一般的に、電極パッド上にバンプを有するチップを、半導体などに実装する際にはんだ接合がよく行われている。しかし、特にアルミニウムを含む電極パッドにはんだが接着すると接合が破断することがあることが知られている。また、開示のバンプに含まれる主成分金属が金である場合、はんだとバンプとが接すると、主成分金属とはんだが反応し、バンプ内にはんだが侵食し、バンプがはんだに吸い込まれる（「飲み込まれる」とも言われる）現象が起こる。その結果、バンプを飲み込んだはんだと電極パッドとが接着する。
開示のバンプでは、第二のバンプ１３ｂは第一のバンプ１３ａより主成分金属の含有割合を少なくしていることから、上述のはんだの飲み込みが起こりにくい。即ち、第一のバンプがはんだに飲み込まれる現象が起きたとしても、第二のバンプがのみこまれないため接続は保たれる。したがって、はんだ接合に対する信頼性を向上させることができる。
【００５０】
更に以下の付記を開示する。
（付記１）
第一のバンプと、
前記第一のバンプ、及びチップのパッドに金属接合された複数の第二のバンプと、を有することを特徴とするバンプ。
（付記２）
前記第二のバンプが、主成分金属を含み、
前記第二のバンプが、前記主成分金属以外に、銀、パラジウム、銅、及び白金の少なくともいずれかを含む付記１に記載のバンプ。
（付記３）
前記第一のバンプが、前記第二のバンプに含まれる前記主成分金属と同じ金属を主成分金属として含み、
前記第二のバンプに含まれる前記主成分金属の前記第二のバンプにおける含有割合が、前記第一のバンプに含まれる前記主成分金属の前記第一のバンプにおける含有割合より少ない付記２に記載のバンプ。
（付記４）
前記第二のバンプにおける主成分金属が、金である付記２から３のいずれかに記載のバンプ。
（付記５）
前記第一のバンプの投影面積円相当径が、複数の前記第二のバンプの各投影面積円相当径のうち最大の投影面積円相当径以上である付記１から４のいずれかに記載のバンプ。
（付記６）
第一のバンプと、前記第一のバンプ及びチップのパッドに金属接合された複数の第二のバンプと、を有するバンプの形成方法であって、
前記チップのパッドと金属接合されるように複数の前記第二のバンプを形成する第二のバンプ形成工程と、
複数の前記第二のバンプと金属接合されるように前記第一のバンプを形成する第一のバンプ形成工程と、を含むことを特徴とするバンプ形成方法。
（付記７）
前記第二のバンプが、主成分金属を含み、
前記第二のバンプが、前記主成分金属以外に、銀、パラジウム、銅、及び白金の少なくともいずれかを含む付記６に記載のバンプ形成方法。
（付記８）
前記第一のバンプが、前記第二のバンプに含まれる前記主成分金属と同じ金属を主成分金属として含み、
前記第二のバンプに含まれる前記主成分金属の前記第二のバンプにおける含有割合が、前記第一のバンプに含まれる前記主成分金属の前記第一のバンプにおける含有割合より少ない付記７に記載のバンプ形成方法。
（付記９）
前記第一のバンプの投影面積円相当径が、複数の前記第二のバンプの各投影面積円相当径のうち最大の投影面積円相当径以上である付記６から８のいずれかに記載のバンプ形成方法。
（付記１０）
チップと、
前記チップのパッドと、
前記パッドに接する又は接しない第一のバンプと、
前記パッド及び前記第一のバンプに金属接合された複数の第二のバンプと、
前記第一のバンプに接着された基板本体と、を有することを特徴とする基板。
（付記１１）
チップと、
前記チップのパッドと、
前記パッドに接する又は接しない第一のバンプと、
前記パッド及び前記第一のバンプに金属接合された複数の第二のバンプと、
前記第一のバンプに接着された基板本体と、を有する基板の製造方法であって、
前記チップのパッドに金属接合されるように複数の前記第二のバンプを形成する第二のバンプの形成工程と、
複数の前記第二のバンプと金属接合されるように前記第一のバンプを形成する第一のバンプ形成工程と、
前記第一のバンプを前記基板本体に接着する接着工程と、含むことを特徴とする基板の製造方法。
（付記１２）
前記第一のバンプ形成工程において、前記第一のバンプが前記パッドに接触せずに複数の前記第二のバンプに金属接合される工程を含む付記１１に記載の基板の製造方法。
（付記１３）
前記第一のバンプ形成工程において、前記第一のバンプが前記パッドに接触し、かつ複数の前記第二のバンプに金属接合される工程を含む付記１１に記載の基板の製造方法。
（付記１４）
前記第一のバンプ形成工程が、隣接する２つの前記第二のバンプを結んだ線分に対して直交方向に振動する超音波を印加する工程を含む付記１３に記載の基板の製造方法。
【符号の説明】
【００５１】
１２  電極パッド
１３  バンプ
１３ａ  第一のバンプ
１３ｂ  第二のバンプ
１４  チップ
１５  基板本体
１７  はんだ
１８Ａ  ボンディングキャピラリ
１９  ワイヤ
１９Ａ  （ワイヤの）ボール部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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