(57)【要約】【課題】上記のようにＩＴＯ層を分断して配置する場合においても、当該分断部分上方における有機ＥＬ膜の上部電極と下部電極のショートを防止する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、画素開口が形成される領域に分断して配置されたＩＴＯ層と、前記ＩＴＯ層上に配置された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に配置された下部電極と、前記下部電極上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された上部電極と、前記下部電極の断差部分の傾斜を緩やかにするように配置された平坦化部材と、を有することを特徴とする。【選択図】図６
2018032509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素開口が形成される領域に分断して配置されたＩＴＯ層と、
前記ＩＴＯ層上に配置された容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜上に配置された下部電極と、
前記下部電極上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置された上部電極と、
前記下部電極の断差部分の傾斜を緩やかにするように配置された平坦化部材と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記平坦化部材はアクリルで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ＩＴＯ層は前記容量絶縁膜によって分断され、
前記ＩＴＯ層の分断部分上方に前記断差部分が位置することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記分断されたＩＴＯ層のうちの第１のＩＴＯ層は、前記下部電極と前記容量絶縁膜により保持容量を形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記分断されたＩＴＯ層のうちの第２のＩＴＯ層は、前記下部電極に接続されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
画素開口が形成される領域に分断して配置されたＩＴＯ層と、
前記ＩＴＯ層上に配置された容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜上に配置された下部電極と、
前記下部電極上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置された上部電極と、
前記下部電極の断差部分の端に配置された平坦化部材と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記段差部分にて、前記下部電極と前記有機層とが直接接触していることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置においては、各画素間を区切るリブにより画素開口が形成される場合がある。具体的には、例えば、上記のような有機ＥＬ表示装置においては、図８及び図９に示すような構成を有する。なお、図８は、画素開口周辺の断面の一例を示し、図９は、図８の平面図を示す。また、図８は、図９のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面の一例を示す。
【０００３】
図８及び図９に示すように、ＴＦＴ等が形成されるアレイ基板８０１上に所定の間隔で配線８０２が離間して配置される。当該配線８０２が形成されたアレイ基板８０１上には、平坦化膜８０３が形成される。当該配線８０２上の平坦化膜８０３に形成された開口部９０１上にＩＴＯ層８０４が形成される。当該ＩＴＯ層８０４は、配線８０２から画素開口９０２下部を超えて延伸するように形成される。
【０００４】
図８左側の配線８０２が形成される領域においては、平坦化膜８０３に開口部９０１が形成され、当該開口部９０１にアレイ基板８０１側から順に、主に、ＩＴＯ層８０４、容量絶縁膜８０５、下部電極８０６、リブ８０７、上部電極８０９、封止膜８１０が積層される。また、ＩＴＯ層８０４と下部電極８０６は、容量絶縁膜８０５の開口部９０２を介して電気的に接続される。図９右側の配線８０２が形成される領域においては、アレイ基板８０１側から順に、主に、配線８０２、平坦化膜８０３、容量絶縁膜８０５、リブ８０７、上部電極８０９、封止膜８１０が積層される。
【０００５】
画素開口９０２が形成される領域においては、主に、アレイ基板８０１側から順に、平坦化膜８０３、ＩＴＯ層８０４、容量絶縁膜８０５、有機ＥＬ膜８０８の下部電極８０６、有機ＥＬ膜８０８、有機ＥＬ膜８０８の上部電極８０９、封止膜８１０が積層される。なお、図９における９０３は画素の境界を表す。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、上記画素開口９０２下部に形成されるＩＴＯ層８０４を有効に活用するため、図１０に示すように、図８に示すＩＴＯ層８０４を分断して、当該分断したＩＴＯ層１１１と容量絶縁膜８０５と下部電極８０６により画素回路の保持容量を形成することが考えられる。しかしながら、ＩＴＯ層８０４を分断すると、図１１に示すように、ＩＴＯ層１１１の分断部分の上方に形成される下部電極８０６に断差部分１１２が生じ、当該段差部分１１２において上部電極８０９と下部電極８０６がショートする場合がある。
【０００７】
そこで、本発明は、上記のようにＩＴＯ層を分断して配置する場合においても、当該分断部分上方における有機ＥＬ膜の上部電極と下部電極のショートを防止することのできる有機ＥＬ表示装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の有機ＥＬ表示装置は、画素開口が形成される領域に分断して配置されたＩＴＯ層と、前記ＩＴＯ層上に配置された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に配置された下部電極と、前記下部電極上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された上部電極と、前記下部電極の断差部分の傾斜を緩やかにするように配置された平坦化部材と、を有することを特徴とする。
【０００９】
（２）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記平坦化部材はアクリルで形成されていることを特徴とする。
【００１０】
（３）上記（１）または（２）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記ＩＴＯ層は前記容量絶縁膜によって分断され、前記ＩＴＯ層の分断部分上方に前記断差部分が位置することを特徴とする。
【００１１】
（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置において、前記分断されたＩＴＯ層のうちの第１のＩＴＯ層は、前記下部電極と前記容量絶縁膜により保持容量を形成することを特徴とする。
【００１２】
（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置において、前記分断されたＩＴＯ層のうちの第２のＩＴＯ層は、前記下部電極に接続されることを特徴とする。
【００１３】
（６）本発明の有機ＥＬ表示装置は、画素開口が形成される領域に分断して配置されたＩＴＯ層と、前記ＩＴＯ層上に配置された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に配置された下部電極と、前記下部電極上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された上部電極と、前記下部電極の断差部分の端に配置された平坦化部材と、を有することを特徴とする。
【００１４】
（７）上記（６）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記段差部分にて、前記下部電極と前記有機層とが直接接触していることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略図である。
【図２】図１に示した有機ＥＬ表示装置の回路構成の概要について説明するための図である。
【図３Ａ】図１に示した有機ＥＬ表示装置の画素回路の一例を示す図である。
【図３Ｂ】図１に示した有機ＥＬ表示装置の画素回路の他の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の画素周辺の平面構成の一例を示す図である。
【図５】図５は、図４のＶ−Ｖ断面の一例を示す図である。
【図６】図５に示すＩＴＯ層の分断部分上方における断面の一部を拡大した図である。
【図７】本実施の形態における変形例について説明するための図である。
【図８】本発明の比較例としての有機ＥＬ表示装置の画素開口周辺の断面の一例を示す図である。
【図９】図８の平面図の一例を示す。
【図１０】本発明の課題を説明するための図である。
【図１１】本発明の課題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略図である。有機ＥＬ表示装置１は、上フレーム２と、下フレーム３と、上フレーム２と下フレーム３とで挟まれるように固定された有機ＥＬパネル１０とから構成されている。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【００１８】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の回路構成の概要について説明するための図である。有機ＥＬパネル１０は、データ駆動回路１２及びゲート駆動回路１３によって、基板１００上の表示領域１１に形成された各画素を制御し、画像を表示する。ここで、例えば、データ駆動回路１２は、各画素に送るデータ信号を生成・発信するＩＣ（Integrated Circuit）であり、ゲート駆動回路１３は、画素に備えられたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）へのゲート信号を生成・発信するＩＣである。なお、図２において、データ駆動回路１２及びゲート駆動回路１３は、２箇所に形成されるものとして記載されているが、一つのＩＣに組み込まれていてもよい。
【００１９】
ゲート駆動回路１３からの信号を伝えるゲート線１４は、後述するスイッチトランジスタのゲート電極に接続される。また、データ駆動回路１２からの信号を伝えるデータ線１５は、スイッチトランジスタのソース・ドレイン電極に接続される。電位配線１６には、有機発光ダイオードに発光させるための基準電位が印加され、ドライバトランジスタのソース・ドレイン電極に接続される。第１の電位供給配線１７及び第２の電位供給配線１８は電位供給源に接続され、トランジスタを介して電位配線１６に接続される。なお、図２に示した回路構成は一例であって、本実施の形態は上記に限定されるものではない。
【００２０】
図３Ａは、図１に示した有機ＥＬ表示装置の画素回路の一例を示す図である。ここで、当該画素回路は、例えば、図２のゲート線１４及びデータ線１５で区画される領域に相当する。及びなお、図３Ａにおいて、Ｇａｔｅはゲート線１４に相当し、Ｖｓｉｇはデータ線１５に相当する。また、第１の電位供給配線１７または第２の電位供給配線の電位が電位配線１６を介してＰＶＤＤまたはＰＶＳＳに供給されるものとする。
【００２１】
図３Ａに示すように、本実施の形態において画素回路は、例えば、スイッチトランジスタ（Switch TFT）、ドライバトランジスタ(Drive TFT)、蓄積容量(Cs)、有機発光ダイオード(OLED)を有する。
【００２２】
スイッチトランジスタのゲート電極にはゲート線１４が接続され、ソースまたはドレイン電極の一方には、データ線１５が接続される。ドライバトランジスタのゲートには、スイッチトランジスタのソースまたはドレイン電極の他方が接続され、ドライバトランジスタのソースまたはドレイン電極の一方にはＰＶＤＤが供給され、ソースまたはドレイン電極の他方は、蓄積容量を介してスイッチトランジスタの他方に接続される。有機発光ダイオードは、ドライバトランジスタのソースまたはドレイン電極の他方及びＰＶＳＳに接続される。また、蓄積容量と並列に後述する保持容量(Cs’)が形成される。
【００２３】
次に、本実施の形態における画素回路の動作の概要について説明する。ゲート駆動回路１３からゲート線１４に信号が印加されると、スイッチトランジスタがオン状態になる。そこで、データ駆動回路１２からデータ線１５に信号が印加されると、蓄積容量及び保持容量に電荷が蓄積され、ドライバトランジスタのゲート電極に電圧が印加されて、ドライバトランジスタがオン状態になる。ここで、スイッチトランジスタがオフ状態となっても、蓄積容量及び保持容量に蓄えられた電荷により、一定期間はドライバトランジスタがオン状態になる。有機発光ダイオードの陽極はドライバトランジスタのソース・ドレイン間を通じて電位配線１６に接続されており、有機発光ダイオードの陰極は基準電位ＰＶＳＳとされていることから、ドライバトランジスタのゲート電圧に応じて有機発光ダイオード４０に電流が流れ、有機発光ダイオードが発光する。
【００２４】
ここで、本実施の形態の画素回路は、例えば、図３Ｂに示すように構成してもよい。なお、下記において図３Ａと同様である点については説明を省略する。図３Ｂにおける画素回路においては、図３Ａと異なり、保持容量(Cad)を有機発光ダイオードの陽極とＤＣ線の間に形成する。ＤＣ線は、例えば、ＰＶＳＳやグラウンド(GND)である。この場合、保持容量は、蓄積容量に書き込まれる電圧を安定させる効果を発揮し、有機発光ダイオードの安定動作に寄与する。具体的には、蓄積容量の静電容量よりも付加容量の静電容量が大きくなるようにすることで当該効果が発揮される。なお、図３Ａ及び図３Ｂに示した回路構成は一例であって、本実施の形態は上記に限定されるものではない。
【００２５】
図４は、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の画素周辺の平面構成の一例を示す図である。また、図５は、図４のＶ−Ｖ断面の一例を示す図である。なお、図５においては図示の簡略化のため、図６に示す平坦化部材６０２については図示を省略した。
【００２６】
図４及び図５に示すように、アレイ基板５０１上に所定の間隔で配線５０２が配置される。配線５０２が形成されたアレイ基板５０１上には平坦化膜５０３が形成される。
【００２７】
平坦化膜５０３には、配線５０２上に平坦化膜開口部４０１が設けられ、当該平坦化膜開口部４０１上にはＩＴＯ層４０３が配置される。ここで、当該ＩＴＯ層４０３は、画素開口４０２の略中央部で分断されて配置される。なお、下記においては当該分断された一方（図の左側）のＩＴＯ層４０３を第１のＩＴＯ層５０４と称し、他方（図の右側）のＩＴＯ層４０３を第２のＩＴＯ層５０５と称する。そして、当該ＩＴＯ層４０３上には容量絶縁膜５０６が配置され、当該容量絶縁膜５０６上には有機ＥＬ膜（有機層）５０８の下部電極５０７が配置される。当該容量絶縁膜５０６には容量絶縁膜開口部４０４が設けられ、当該容量絶縁膜開口部４０４を介して第１のＩＴＯ層５０４と接続される。また、第２のＩＴＯ層５０５は下部電極５０７と容量絶縁膜５０６とともに、上記保持容量を形成する。
【００２８】
画素開口４０２の両側にはリブ（バンク）５０９が形成され、当該リブ５０９の開口部が画素開口４０２に相当する。画素開口４０２が形成される領域においては、下部電極５０７及びリブ５０９の一部を覆うように有機ＥＬ膜５０８が形成され、当該有機ＥＬ膜５０８を覆うように上部電極５１０が形成される。また、当該上部電極５１０を覆うように封止膜５１１が形成される。なお、封止膜５１１の上層の構成については、通常の有機ＥＬ表示装置と同様であることから、説明を省略する。
【００２９】
図６は、図５に示すＩＴＯ層の分断部分上方における断面の一部を拡大した図である。図６に示すように下部電極５０７の段差部分６０１に、当該段差部分６０１の傾斜を緩やかにするように（例えば、段差部分の端に）、平坦化部材６０２を配置する。ここで、当該平坦化部材６０２は、例えば、アクリル等のポリマー樹脂で形成する。具体的には、下部電極５０７上に液状の平坦化部材６０２を滴下すると、表面張力により、液状の平坦化部材６０２は段差部分６０１に凝集する。その後液状の平坦化部材６０２を紫外線硬化させることにより、段差部分６０１に選択的に平坦化部材６０２を形成する。次に、当該平坦化部材６０２を形成した下部電極５０７上に有機ＥＬ膜５０８及び上部電極５１０を順に配置する。これにより、段差部分６０１における有機ＥＬ膜５０８の下部電極５０７への付きまわりが改善し、段差部分６０１における上部電極５１０と下部電極５０７間のショートを抑制することができる。
【００３０】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。例えば、図７に示すように、分断して配置ＩＴＯ層４０３上に形成される容量絶縁膜７０１を有機平坦化膜や有機平坦化膜と無機膜との積層構造として形成し、ＩＴＯ層４０３の分断部分上方に配置される下部電極５０７に段差部分６０１が生じないように構成してもよい。なお、図７においては、下部電極５０７の上層の構成については通常の有機ＥＬ表示装置と同様であるため、図示を省略する。
【符号の説明】
【００３１】
１  有機ＥＬ表示装置、２  上フレーム、３  下フレーム、１０  有機ＥＬパネル、１１  表示領域、１２  データ駆動回路、１３  ゲート駆動回路、１４  ゲート線、１５  データ線、１６  電位配線、１７  第１の電位供給配線、１８  第２の電位供給配線、１００  基板、４０１  平坦化膜開口部、４０２  画素開口、４０３  ＩＴＯ層、４０４  容量絶縁膜開口部、５０１  アレイ基板、５０２  配線、５０３  平坦化膜、５０４  第１のＩＴＯ層、５０５  第２のＩＴＯ層、５０６、７０１  容量絶縁膜、５０７  下部電極、５０８  有機ＥＬ膜、５０９  リブ、５１０  上部電極、５１１  封止膜、６０１  段差部分。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
2018032509.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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