(57)【要約】【課題】液跳ねを抑制しつつ、保持ピンとスピンベースとの双方を共通のノズルで洗浄する。【解決手段】基板処理装置は、スピンベースと、スピンベースに立設され、基板の周縁部を保持する保持ピンと、スピンベースを回転させる回転機構と、スピンベースの周縁に対向してスピンベースを取り囲むガードと、洗浄液を流量可変に供給する洗浄液供給機構と、少なくとも一部がガードの内側に設けられて、洗浄液供給機構が供給する洗浄液を吐出可能なノズルと、洗浄液供給機構による洗浄液の供給を制御する制御部と、を備え、制御部は、洗浄液を保持ピンに当てて保持ピンを洗浄する第１洗浄動作をノズルが行うように、洗浄液供給機構に第１流量の洗浄液を供給させる第１制御と、洗浄液をスピンベースの側面に当ててスピンベースを洗浄する第２洗浄動作をノズルが行うように、洗浄液供給機構に第１流量よりも少ない第２流量の洗浄液を供給させる第２制御と、を行う。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平な上面を備え、鉛直な回転軸を中心に回転可能なスピンベースと、
前記スピンベースに立設され、前記スピンベースの上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持する保持ピンと、
前記スピンベースを回転させる回転機構と、
前記スピンベースの周縁に対向して前記スピンベースを取り囲むガードと、
洗浄液を流量可変に供給する洗浄液供給機構と、
少なくとも一部が前記ガードの内側に設けられて、前記洗浄液供給機構が供給する前記洗浄液を吐出可能なノズルと、
前記洗浄液供給機構による前記洗浄液の供給を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記洗浄液を前記保持ピンに当てて前記保持ピンを洗浄する第１洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記洗浄液供給機構に第１流量の前記洗浄液を供給させる第１制御と、前記洗浄液を前記スピンベースの側面に当てて前記スピンベースを洗浄する第２洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記洗浄液供給機構に前記第１流量よりも少ない第２流量の前記洗浄液を供給させる第２制御と、を行う、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、前記ガードに取り付けられている、基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記基板の上面に第１処理液を供給する第１処理液供給部をさらに有し、
前記制御部は前記第１処理液の供給と並行して、前記第１洗浄動作または前記第２洗浄動作を行うように前記洗浄液供給機構を制御する、基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記基板の上面に形成された膜をエッチングまたは剥離により除去する除去液である第２処理液を供給する第２処理液供給部をさらに有するとともに、
前記第１処理液は、前記第２処理液を供給した後、前記基板の上面に存在する反応生成物または残渣を前記基板の上面から除去する目的で前記基板の上面に供給される処理液である、基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記回転機構による前記スピンベースの回転を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１処理液供給部により前記第１処理液が前記基板の上面に供給されているときは前記スピンベースを第１回転速度で回転させ、前記第２処理液供給部により前記第２処理液が前記基板の上面に供給されているときは前記スピンベースを前記第１回転速度よりも低い第２回転速度で前記基板を回転させる、基板処理装置。
【請求項６】
請求項３から請求項５の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理液と前記洗浄液とは混合しても安全であり、かつ、反応生成物を生成しない液の組み合わせである、基板処理装置。
【請求項７】
請求項２から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記回転機構を下方から支持するベース面をさらに備え、
前記ノズルが前記第１洗浄動作を行う際の前記ガードの前記ベース面からの高さと、前記ノズルが前記第２洗浄動作を行う際の前記ガードの前記ベース面からの高さとは、略等しい、基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記保持ピンに保持された前記基板の上面と隙間を隔てて対向する主面を含む板状の遮断板をさらに備え、
前記ガードの上部は前記回転軸に向かって延設されており、
前記第１洗浄動作を行う際に、前記ガードの上部の内周縁が前記遮断板の側面に対向する、基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記第１流量は前記ノズルから吐出された洗浄液が、平面視において前記回転軸を隔てて前記ノズルの反対側に位置する保持ピンに直接当てることのできる流量に設定されている、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記スピンベースの上面には前記保持ピンに保持された前記基板の下面に向けて処理液を供給する下面ノズルが設けられており、前記第１洗浄動作において前記ノズルから吐出される洗浄液は前記下面ノズルと干渉しない軌跡で飛翔して、平面視において前記回転軸を隔てて前記ノズルの反対側に位置する保持ピンに直接当たる、基板処理装置。
【請求項１１】
基板処理装置による基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
水平な上面を備え、鉛直な回転軸を中心に回転可能なスピンベースと、
前記スピンベースに立設され、前記スピンベースの上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持する保持ピンと、
前記スピンベースを回転させる回転機構と、
前記スピンベースの周縁に対向して前記スピンベースを取り囲むガードと、
少なくとも一部が前記ガードの内側に設けられ、所定の洗浄液を吐出可能なノズルと、
を備え、
当該基板処理方法は、
前記洗浄液を前記保持ピンに当てて前記保持ピンを洗浄する第１洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記ノズルに第１流量の前記洗浄液を供給する第１工程と、
前記洗浄液を前記スピンベースの側面に当てて前記スピンベースを洗浄する第２洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記ノズルに前記第１流量よりも少ない第２流量の前記洗浄液を供給する第２工程と、
を備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）に、処理を施す基板処理技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板を保持しつつ回転するスピンチャックを備えた基板処理装置が示されている。スピンチャックは、スピンベースと、スピンベースの周縁から立設された保持ピン（「チャックピン」）とを含む。当該装置は、スピンチャックによって回転されている基板に対して、硫酸含有液を供給する硫酸含有液供給工程と、リンス液供給工程と、有機溶剤を供給する有機溶剤供給工程とを順に実行する。当該装置は、スピンベースの側面と下面周縁部との双方に下方から洗浄液を吐出する第１ノズルと、基板を囲む円筒状のガードの内壁に洗浄液を吐出する第２ノズルとをさらに備える。第１ノズルの吐出口と、第２ノズルの吐出口とは、スピンベースを下方から回転させる回転機構を覆うケーシングの外周面にそれぞれ開口している。当該装置は、硫酸含有液供給工程の終了後、有機溶剤供給工程の開始に先立って、または有機溶剤供給工程の実行中もしくは実行後に、第１、第２ノズルから洗浄液を吐出して、ガード内壁およびスピンベースの壁面に洗浄液を供給する。これにより、当該装置は、硫酸含有液供給工程において供給される硫酸含有液と、有機溶剤供給工程において供給される有機溶剤とが混じることの抑制を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４２５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
枚葉式の基板処理装置では、スピンベースの側面だけでなく、基板の周縁を保持する保持ピンも処理液で汚染することがある。しかしながら、特許文献１の基板処理装置においては、スピンベースの側面に洗浄液を吐出する第１ノズルはスピンベースの下部分に設けられている。第１ノズルから吐出される洗浄液は、スピンベースによって遮られ保持ピンに到達することができない。このため、第１ノズルから吐出される洗浄液ではチャックピンを洗浄することができない。
【０００５】
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、スピンベースから立設された保持ピンによって基板を保持し、スピンベースを回転させつつ基板の処理を行う基板処理装置において、保持ピンとスピンベースとの双方を洗浄できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、水平な上面を備え、鉛直な回転軸を中心に回転可能なスピンベースと、前記スピンベースに立設され、前記スピンベースの上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持する保持ピンと、前記スピンベースを回転させる回転機構と、前記スピンベースの周縁に対向して前記スピンベースを取り囲むガードと、洗浄液を流量可変に供給する洗浄液供給機構と、少なくとも一部が前記ガードの内側に設けられて、前記洗浄液供給機構が供給する前記洗浄液を吐出可能なノズルと、前記洗浄液供給機構による前記洗浄液の供給を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記洗浄液を前記保持ピンに当てて前記保持ピンを洗浄する第１洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記洗浄液供給機構に第１流量の前記洗浄液を供給させる第１制御と、前記洗浄液を前記スピンベースの側面に当てて前記スピンベースを洗浄する第２洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記洗浄液供給機構に前記第１流量よりも少ない第２流量の前記洗浄液を供給させる第２制御と、を行う。
【０００７】
第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記ノズルは、前記ガードに取り付けられている。
【０００８】
第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記基板の上面に第１処理液を供給する第１処理液供給部をさらに有し、前記制御部は前記第１処理液の供給と並行して、前記第１洗浄動作または前記第２洗浄動作を行うように前記洗浄液供給機構を制御する。
【０００９】
第４の態様に係る基板処理装置は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記基板の上面に形成された膜をエッチングまたは剥離により除去する除去液である第２処理液を供給する第２処理液供給部をさらに有するとともに、前記第１処理液は、前記第２処理液を供給した後、前記基板の上面に存在する反応生成物または残渣を前記基板の上面から除去する目的で前記基板の上面に供給される処理液である。
【００１０】
第５の態様に係る基板処理装置は、第４の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記回転機構による前記スピンベースの回転を制御可能であり、前記制御部は、前記第１処理液供給部により前記第１処理液が前記基板の上面に供給されているときは前記スピンベースを第１回転速度で回転させ、前記第２処理液供給部により前記第２処理液が前記基板の上面に供給されているときは前記スピンベースを前記第１回転速度よりも低い第２回転速度で前記基板を回転させる。
【００１１】
第６の態様に係る基板処理装置は、第３から第５の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記第１処理液と前記洗浄液とは混合しても安全であり、かつ、反応生成物を生成しない液の組み合わせである。
【００１２】
第７の態様に係る基板処理装置は、第２から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記回転機構を下方から支持するベース面をさらに備え、前記ノズルが前記第１洗浄動作を行う際の前記ガードの前記ベース面からの高さと、前記ノズルが前記第２洗浄動作を行う際の前記ガードの前記ベース面からの高さとは、略等しい。
【００１３】
第８の態様に係る基板処理装置は、第１から第７の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持ピンに保持された前記基板の上面と隙間を隔てて対向する主面を含む板状の遮断板をさらに備え、前記ガードの上部は前記回転軸に向かって延設されており、前記第１洗浄動作を行う際に、前記ガードの上部の内周縁が前記遮断板の側面に対向する。
【００１４】
第９の態様に係る基板処理装置は、第１から第８の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記第１流量は前記ノズルから吐出された洗浄液が、平面視において前記回転軸を隔てて前記ノズルの反対側に位置する保持ピンに直接当てることのできる流量に設定されている。
【００１５】
第１０の態様に係る基板処理装置は、第９の態様に係る基板処理装置であって、前記スピンベースの上面には前記保持ピンに保持された前記基板の下面に向けて処理液を供給する下面ノズルが設けられており、前記第１洗浄動作において前記ノズルから吐出される洗浄液は前記下面ノズルと干渉しない軌跡で飛翔して、平面視において前記回転軸を隔てて前記ノズルの反対側に位置する保持ピンに直接当たる。
【００１６】
第１１の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置による基板処理方法であって、前記基板処理装置は、水平な上面を備え、鉛直な回転軸を中心に回転可能なスピンベースと、前記スピンベースに立設され、前記スピンベースの上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持する保持ピンと、前記スピンベースを回転させる回転機構と、前記スピンベースの周縁に対向して前記スピンベースを取り囲むガードと、少なくとも一部が前記ガードの内側に設けられ、所定の洗浄液を吐出可能なノズルと、を備え、当該基板処理方法は、前記洗浄液を前記保持ピンに当てて前記保持ピンを洗浄する第１洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記ノズルに第１流量の前記洗浄液を供給する第１工程と、前記洗浄液を前記スピンベースの側面に当てて前記スピンベースを洗浄する第２洗浄動作を前記ノズルが行うように、前記ノズルに前記第１流量よりも少ない第２流量の前記洗浄液を供給する第２工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１７】
第１の態様に係る発明によれば、制御部は、洗浄液を保持ピンに当てて保持ピンを洗浄する第１洗浄動作をノズルが行うように、洗浄液供給機構に第１流量の洗浄液を供給させる第１制御と、洗浄液をスピンベースの側面に当ててスピンベースを洗浄する第２洗浄動作をノズルが行うように、洗浄液供給機構に前記第１流量よりも少ない第２流量の洗浄液を供給させる第２制御と、を行う。従って、ノズルは、保持ピンを洗浄する第１動作において高速で洗浄液を供給し、スピンベースを洗浄する第２動作において低速で洗浄液を供給する。従って、第１動作で供給された洗浄液は、重力の影響をあまり受けることなく、直線状の経路に沿って進み、第２動作で供給された洗浄液は、重力の影響を強く受けて、弧状の経路に沿って下方に曲りながら進む。これにより、保持ピンと、保持ピンの下方に位置するスピンベースとの双方を共通のノズルで洗浄することができる。
【００１８】
第２の態様に係る発明によれば、ノズルは、ガードに取り付けられているので、ノズル取り付け用の別部材が不要となる。
【００１９】
第３の態様に係る発明によれば、ノズルによる第１または第２洗浄動作と並行して、第１処理液供給部が基板の上面に第１処理液を供給する。従って、基板の処理時間を短縮できる。
【００２０】
第４の態様による発明によれば、第２処理液（基板の上面に形成された膜をエッチングまたは剥離により除去する液）を供給する第２処理液供給部をさらに有する。第２処理液の供給によりチャックピンやスピンベースが汚染するおそれがあるが、第２処理液を供給した後、第１または第２洗浄を実行することにより第２処理液の供給により汚染されたチャックピンやスピンベースを洗浄することができる。
【００２１】
第５の態様に係る発明によれば、比較的高い回転速度でスピンベースを回転させながら第１または第２洗浄を実行するため、チャックピンやスピンベースを高い効率で洗浄することができる。
【００２２】
第６の態様に係る発明によれば、薬液と洗浄液とは混合しても安全であり、かつ、反応生成物を生成しない液の組み合わせである。従って、薬液と洗浄液とを同一の排出経路で排出できるので、排出経路の構成を簡略化できるとともに、排出された液の取扱いも容易になる。
【００２３】
第７の態様に係る発明によれば、ノズルは、ガードに取り付けられており、ノズルが第１洗浄動作を行う際のガードの高さと、ノズルが第２洗浄動作を行う際のガードの高さとは、略等しい。従って、第１洗浄動作と第２洗浄動作とにおけるノズルの高さを容易に略等しくできる。
【００２４】
第８の態様に係る発明によれば、第１洗浄動作を行う際に、ガードの上部の内周縁が遮断板の側面に対向するので、保持ピンによって跳ね返った洗浄液が、ガードの外に拡散することを抑制できる。
【００２５】
第９の態様による発明によれば、第１洗浄を行う際の第１流量はノズルから吐出された洗浄液が平面視において前記回転軸を隔てて前記ノズルの反対側に位置する保持ピンに直接当てることのできる流量に設定されている。このため、保持ピンの回転軸に対向しない側面を洗浄することができる。
【００２６】
第１０の態様による発明によれば、ノズルから吐出された洗浄液が下面ノズルと干渉することが防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す概略側面図である。
【図２】図１の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】図２の中間（最終）リンス処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】図２のＳＣ１処理における動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】図２の除電処理を説明するための概略側面図である。
【図６】図２のＳＰＭ処理を説明するための概略側面図である。
【図７】図２の中間リンス処理とＳＣ１処理を説明するための概略側面図である。
【図８】図２の有機溶剤置換処理を説明するための概略側面図である。
【図９】図２のスピンドライを説明するための概略側面図である。
【図１０】図２のステップＳ１３０時点でのスピンベースの概念的な側面図である。
【図１１】図１０のスピンベース２１の概念的な上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンベースに対して基板側が上である。
【００２９】
＜１．基板処理装置１の構成＞
図１は、実施形態にかかる基板処理装置１の構成例を示す概略側面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板Ｗの表面形状は略円形である。また、基板Ｗの上面にはレジスト膜等の薄膜が形成されている。図１では、遮断板９０が待避位置に配置されている状態が示されている。また、基板Ｗに対して定められた近接位置に配置された遮断板９０が仮想線で示されている。基板Ｗの基板処理装置１への搬入搬出は、遮断板９０が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置１に搬入された基板Ｗは、スピンチャック２により着脱自在に保持される。
【００３０】
基板処理装置１は、ベース面１ａを備えた箱形のチャンバー１１、スピンチャック２、飛散防止部３、除去液供給部４、薬液供給部５、洗浄液供給部６、リンス液供給部７、有機溶剤供給部８、表面保護部９および制御部１３０を備える。これら各部２〜９は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。制御部１３０としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ（不図示）、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ（不図示）、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ（不図示）、制御用のプログラムＰＧ１やデータなどを記憶しておく磁気ディスク（不図示）、等を備えている。制御部１３０においては、プログラムＰＧ１に記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を制御する。
【００３１】
チャンバー１１は、スピンチャック２やノズル等を収容する。チャンバー１１の上部には、チャンバー１１内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１２が設けられている。ＦＦＵ１２は、基板Ｗの処理中にチャンバー１１内に清浄空気の下向きの気流（「下降流」）を発生させる。
【００３２】
チャンバー１１の下部には、排気口１３が開口している。排気口１３には、排気ダクト１４が接続されている。排気ダクト１４は、基板処理装置１が設置される工場等の排気装置（不図示）に接続されている。チャンバー１１内の雰囲気は、排気口１３から排気ダクト１４を経て排気装置に排気される。
【００３３】
＜スピンチャック２＞
スピンチャック２は、基板Ｗを、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板Ｗを、主面の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に周方向に回転させる。
【００３４】
スピンチャック２は、基板Ｗより若干大きい円板状の部材であるスピンベース（「保持部材」）２１を備える。スピンベース２１は、水平な上面と、下面と、上面と下面との周縁同士を接続する側面とを備えている。スピンベース２１は、その上面、下面の中央にそれぞれ開口する円筒状の貫通孔２１ａが、その中心軸が回転軸ａ１に一致するように形成されている。貫通孔２１ａの下側の開口には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。これにより貫通孔２１ａと回転軸部２２の中空部とが連通する。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転駆動部２３は、回転軸部２２をその軸線を中心に回転駆動する。回転軸部２２の軸線は、回転軸ａ１と一致する。従って、スピンベース２１は、回転軸部２２とともに回転軸ａ１を中心に回転可能である。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。ケーシング２４は、例えば、ＰＶＣ（塩化ビニル）等の樹脂によって形成されている。後述する除去液供給部４は、基板Ｗに高温のＳＰＭを供給する。このＳＰＭが、ケーシング２４に付着すると、ケーシング２４は劣化して、例えば、白く変色する。
【００３５】
スピンチャック２は、回転軸部２２の中空部に貫通して配置された供給管２７を備える。供給管２７の先端（上端）は、供給管２７とスピンベース２１の貫通孔２１ａとが連通するように、貫通孔２１ａの下側の開口に接続されている。貫通孔２１ａの上側（基板Ｗ側）の開口には、下面ノズル５０が接続されている。下面ノズル５０は、スピンベース２１に保持されて回転している基板Ｗの下面に対向する吐出口を備えている。
【００３６】
供給管２７の下端には、配管２７ａの一端が接続されている。配管２７ａの他端には、ＣＯ２水を供給するＣＯ２水供給源２８が接続され、配管２７ａの経路途中には、制御部１３０によって開閉制御される開閉弁２９が設けられている。
【００３７】
したがって、開閉弁２９が開放されると、下面ノズル５０は、ＣＯ２水供給源２８から供給管２７を経てＣＯ２水を供給される。ＣＯ２水は、基板Ｗの除電に用いられる。下面ノズル５０は、その吐出口から基板の下面にＣＯ２水を上向きに吐出する。
【００３８】
スピンベース２１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）のチャックピン２５が設けられている。チャックピン２５は、基板Ｗの端面と当接して基板Ｗの水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース２１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板Ｗを略水平姿勢で着脱可能に保持する。すなわち、チャックピン２５は、スピンベース２１の上面から隙間を隔てた基板Ｗの周縁部を保持する。これにより、スピンベース２１は、チャックピン２５を介して基板Ｗを下方から略水平に保持する。スピンベース２１の上面は、基板Ｗの下面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。
【００３９】
この構成において、スピンベース２１がその上方でチャックピン２５によって基板Ｗを保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸心を中心に回転され、これによって、スピンベース２１の上方に保持された基板Ｗが、その面内の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に回転される。回転駆動部２３と、回転軸部２２とは、スピンベース２１を、回転軸ａ１を中心に回転させる回転機構２３１である。
【００４０】
＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１とともに回転される基板Ｗから飛散する処理液等を受け止める。なお、本明細書で処理液とは基板処理装置１で使用される各種液体（リンス液、除去液、薬液、および有機溶剤など）の総称である。
【００４１】
飛散防止部３は、スプラッシュガード３１を備える。スプラッシュガード３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック２を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード３１は、例えば、底部材３１１、内部材（「内側ガード」、若しくは、単に「ガード」とも称する）３１２、および、外部材（「外側ガード」とも称する）３１３の３個の部材を含んで構成されている。外部材３１３が設けられていなくてもよいし、逆に、外部材３１３の外側に、スピンチャック２を取り囲むようにガードがさらに設けられてもよい。
【００４２】
底部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部と、底部の内側縁部から上方に延びる円筒状の内側壁部と、底部の外側縁部から上方に延びる円筒状の外側壁部と、を備える。内側壁部の少なくとも先端付近は、スピンチャック２のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。
【００４３】
底部材３１１の底部には、内側壁部と外側壁部との間の空間と連通する配管３２が接続されている。配管３２は、配管３３、３４に分岐している。配管３３、３４の先端は、それぞれ別個のタンク（不図示）に接続している。配管３３、３４には、開閉弁３５、３６が設けられている。制御部１３０が開閉弁３５、３６の何れか一方を選択的に開くことによって、底部材３１１の底部に集まった液は、配管３２を通った後、配管３３と配管３４とに選択的に導かれ、各配管が接続する各タンクに回収される。
【００４４】
内部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１２の上部（「上端側部分」、「上端部分」）は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。換言すれば、内部材３１２の上部は回転軸ａ１に向かって延設されている。内部材３１２の下部には、上部の内周面に沿って下方に延びる筒状の内周壁部と、上部の外周面に沿って下方に延びる筒状の外周壁部とが形成されている。内部材３１２と外部材３１３の間には隙間が形成されている。内部材３１２のうち、上部と、内周壁部（外周壁部）とを接続する接続部分には、後述する洗浄液供給部６のノズル６４が取り付けられている。底部材３１１の外側壁部のうち少なくとも上端側の部分は、内部材３１２の内周壁部と外周壁部との間に収容される。当該収容される部分の長さは、内部材３１２が底部材３１１に近づく程、増える。内部材３１２の上部が受けた処理液等は、底部材３１１を介して飛散防止部３の外部に排出される。
【００４５】
外部材３１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１２の外側に設けられている。外部材３１３の上部（「上端側部分」、「上端部分」）は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。換言すれば、外部材３１３の上部は回転軸ａ１に向かって延設されている。下部は、内部材３１２の外周壁部に沿って下方に延びている。外部材３１３の上部が受けた処理液等は、内部材３１２の外周壁部と外部材３１３の下部との隙間から排出される。排出された処理液等は、スピンチャック２を取り囲むように外部材３１３の下方に設けられた円環状の液受部材（不図示）によって受けられ、液受部材の底部に連通する排液溝を経て基板処理装置１の外部に排出される。
【００４６】
スプラッシュガード３１には、これを昇降移動させるガード駆動機構（「昇降駆動部」）３７が連結されている。ガード駆動機構３７は、例えば、ステッピングモータを備えて構成される。この実施の形態では、ガード駆動機構３７は、スプラッシュガード３１が備える３個の部材３１１，３１２，３１３のうち内部材３１２と外部材３１３とを、独立して昇降させる。
【００４７】
ガード駆動機構３７は、上位置Ｐ１（図６参照）と、ガード（内部材３１２、外部材３１３）の上端部が基板Ｗより下方に位置する下位置Ｐ３（図５等参照）との間で、各部材３１２、３１３を昇降させる。各部材３１２、３１３の上位置Ｐ１は、途中位置Ｐ２（図７等参照）よりも上方に設定される位置である。より詳細には、上位置Ｐ１は、除去液供給部４のノズル４４が処理位置に配置されたときのアーム４９の下端面よりも下で、かつ、近接位置に配置された遮断板９０の上面よりも上方の位置である。
【００４８】
一方、各部材３１２，３１３の下位置Ｐ３は、当該部材３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１の上面よりも下方に配置される位置である。外部材３１３の上位置Ｐ１（下位置Ｐ３）は、内部材３１２の上位置Ｐ１（下位置Ｐ３）よりも若干上方に位置する。
【００４９】
各部材３１２、３１３の途中位置Ｐ２は、前記した上位置Ｐ１および下位置Ｐ３の間の高さ位置であって、各部材３１２、３１３の上部の内周縁が、近接位置に配置された遮断板９０の側面に対向する位置である。内部材３１２が途中位置Ｐ２に配置されると、ノズル６４は、チャックピン２５の回転軌跡に水平面で対向する。上位置Ｐ１あるいは途中位置Ｐ２に配置された内部材３１２は、スピンベース２１の周縁(側面)に対向するようにスピンベース２１を取り囲む。外部材３１３の途中位置Ｐ２は内部材３１２の途中位置Ｐ２よりも若干上方に位置する。
【００５０】
ガード駆動機構３７は、上位置Ｐ１と下位置Ｐ３との間の任意の位置で各部材３１２、３１３を保持可能である。具体的には、ガード駆動機構３７は、各部材３１２、３１３を、上位置Ｐ１と、下位置Ｐ３と、上位置Ｐ１と下位置Ｐ３との間に設定された途中位置Ｐ２とに保持する。内部材３１２と外部材３１３とは、互いにぶつからないように同時に、若しくは順次に昇降される。
【００５１】
ガード駆動機構３７は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード３１の位置（具体的には、内部材３１２、および、外部材３１３各々の高さ位置。すなわち、内部材３１２および外部材３１３それぞれのベース面１ａからの鉛直方向の距離。）は、制御部１３０によって制御される。
【００５２】
＜除去液供給部４＞
除去液供給部（「第２処理液供給部」）４は基板Ｗの上面に形成された膜をエッチングまたは剥離により除去する除去液（「第２処理液」）を基板Ｗの上面に供給する手段である。ここでは除去液供給部４は、基板Ｗの上面のレジスト膜を剥離するために、除去液としてＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture）、すなわち硫酸過酸化水素水混合液を基板Ｗの上面に供給する。除去液供給部４は他の除去液（たとえば、塩酸、フッ酸等を含む処理液）を基板Ｗの上面に供給してもよい。除去液供給部４は、除去液供給源４１と、ノズル（「除去液ノズル」）４４と、ノズル４４が先端部に取り付けられたアーム４９と、除去液供給源４１とノズル４４とを接続する配管４２と、配管４２に設けられた開閉弁４３と、ノズル移動機構４７とを備える。ノズル移動機構４７は、アーム４９に接続されており、所定の鉛直軸を中心にアーム４９を双方向に回転させる。これにより、ノズル移動機構４７は、ノズル４４がＳＰＭを吐出している状態で基板Ｗの中心部分の上方を通って基板Ｗに平行な円弧状の経路に沿って、ノズル４４を移動（スキャン）させる。ノズル移動機構４７は、サーボモータ等を含む。
【００５３】
ノズル４４は、例えば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。この実施形態では、ノズル４４のボディの外周面に、吐出口４４ａが形成されており、吐出口４４ａから横向きにＳＰＭを吐出するようになっている。しかし、この構成に代えて、ノズル４４のボディの下端に吐出口が形成されており、当該吐出口から下向きにＳＰＭを吐出する構成が採用されていてもよい。
【００５４】
除去液供給源４１は、配管４２を介してＳＰＭを供給する。この実施形態では、配管４２に供給されるＳＰＭは高温（たとえば約１４０℃〜約１６０℃）である。硫酸と過酸化水素水との反応熱により、前記の高温まで昇温されたＳＰＭが配管４２に供給されている。
【００５５】
開閉弁４３が開かれると、配管４２からノズル４４に供給された高温のＳＰＭが、ノズル４４の吐出口４４ａから吐出される。開閉弁４３が閉じられると、ノズル４４からの、高温のＳＰＭの吐出が停止される。ノズル移動機構４７は、制御部１３０による制御に従って、ノズル４４から吐出された高温のＳＰＭが基板Ｗの上面の中心付近に供給される処理位置と、ノズル４４が平面視でスピンチャック２の側方に退避した退避位置との間で、ノズル４４を移動させる。このように、ノズル４４の位置と、ノズル４４によるＳＰＭの供給は、制御部１３０によって制御される。
【００５６】
＜薬液供給部５＞
薬液供給部（「第１処理液供給部」）５は、パーティクル、若しくは金属などの異物を除去するための薬液（「洗浄薬液」とも、「第１処理液」とも称する）を基板Ｗの上面に供給する。実施形態では、薬液供給部５は、薬液としてＳＣ１（ammonia hydrogen peroxide mixture）、すなわちアンモニア過酸化水素水混合液を基板Ｗの上面に供給する。
【００５７】
薬液供給部５は、ＳＣ１供給源５１と、ノズル（「ＳＣ１ノズル」）５４と、ノズル５４が先端部に取り付けられたアーム５９と、ＳＣ１供給源５１とノズル５４とを接続する配管５２と、配管５２に設けられた開閉弁５３と、ノズル移動機構５７とを備える。ノズル移動機構５７は、アーム５９に接続されており、所定の鉛直軸を中心にアーム５９を双方向に回転させる。これにより、ノズル移動機構５７は、ノズル５４がＳＣ１を吐出している状態で、基板Ｗの中心部分の上方を通って基板Ｗに平行な円弧状の経路に沿って、ノズル５４を移動（スキャン）させる。ノズル移動機構５７は、サーボモータ等を含む。
【００５８】
ノズル５４は、例えば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。この実施形態では、ノズル５４のボディの下端部に吐出口５４ａが形成されており、吐出口５４ａから下向きにＳＣ１を吐出するようになっている。
【００５９】
ＳＣ１供給源５１は、配管５２を介してＳＣ１を供給する。開閉弁５３が開かれると、配管５２からノズル５４に供給されたＳＣ１が、吐出口５４ａから吐出される。開閉弁５３が閉じられると、ノズル５４からのＳＣ１の吐出が停止される。ノズル移動機構５７は、制御部１３０による制御に従って、ノズル５４から吐出されたＳＣ１が基板Ｗの上面の中心付近に供給される処理位置と、ノズル５４が平面視でスピンチャック２の側方に退避した退避位置との間で、ノズル５４を移動させる。このように、ノズル５４の位置と、ノズル５４によるＳＣ１の供給は、制御部１３０によって制御される。薬液供給部５がＳＣ１に代えて、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、希フッ酸（ＤＨＦ）などを薬液として供給してもよい。
【００６０】
＜洗浄液供給部６＞
洗浄液供給部６は、チャックピン２５、若しくはスピンベース２１に当たるように、すなわちスピンチャック２に当たるように洗浄液を供給する。スピンベース２１に当たった洗浄液は、下方に流れてケーシング２４の側面、より具体的には鍔状部材２４１の側面にも供給される。
【００６１】
洗浄液供給部６は、洗浄液を供給する洗浄液供給機構６６と、洗浄液供給機構６６から洗浄液を供給されて、当該洗浄液を吐出可能なノズル（「洗浄液ノズル」）６４とを備える。洗浄液供給機構６６は、ノズル６４に一端が接続する配管６２と、配管６２の他端が接続し、配管６２に洗浄液を供給する洗浄液供給源６１と、配管６２に設けられた流量制御弁（「流量制御器」）６３とを備える。ノズル６４の先端には、洗浄液を吐出する吐出口６４ａが形成されている。
【００６２】
洗浄液供給源６１は、洗浄液として、例えば、純水、オゾン水、還元水（水素水）、ＣＯ２水などを配管６２に供給する。流量制御弁６３は、制御部１３０の制御に従って、その開度を変更可能に構成されている。制御部１３０は、流量制御弁６３の開度を変更して配管６２を流れる洗浄液の流量を変更することによって、ノズル６４が吐出する洗浄液の液量を変更する。なお、流量制御弁６３は開度をゼロにしてノズル６４からの洗浄液を吐出を停止させることもできる。すなわち、洗浄液供給機構６６は、供給する洗浄液の流量を変更することができ、制御部１３０は、洗浄液供給機構６６による洗浄液の供給を制御する。
【００６３】
ノズル６４は、例えば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。ノズル６４は、内部材３１２に取り付けられている。より詳細には、ノズル６４は、内部材３１２のうち、上部と、内周壁部（外周壁部）とを接続する接続部分を貫通して当該接続部分に取り付けられている。ノズル６４の吐出口６４ａは、スピンチャック２の外周面に向けられている、すなわち水平面における吐出口６４ａの吐出方向は好ましくはおよそ回転軸ａ１を向く方向に設定されている。また、上下方向における吐出口６４ａの吐出角度は吐出口６４ａから高流量の液が吐出される際に当該吐出液がおよそ水平軌跡を取るような角度に設定されている。なお、ノズル６４の高さ位置は、後述するように内部材３１２の上下動に伴い変動するが、吐出口６４ａの水平面における吐出方向は一定である。
【００６４】
なお、内部材３１２に囲まれた内側の空間に、内部材３１２から独立して固定されたノズル６４が設けられてもよい。
【００６５】
＜リンス液供給部７＞
リンス液供給部７は、基板Ｗの上面にリンス処理を行うために、リンス液を基板Ｗの上面に供給する。リンス液としては、例えば、純水、オゾン水、還元水（水素水）、ＣＯ２水などが採用される。リンス液供給部７は、リンス液供給源７１と、後述する表面保護部９に取り付けられた円筒状のノズル９４と、リンス液供給源７１とノズル９４とを接続する配管７２と、配管７２に設けられた開閉弁７３とを備える。制御部１３０は、開閉弁７３の開閉を制御する。
【００６６】
ノズル９４は、例えば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。ノズル９４の内部空間は、遮断板９０の中央部に形成された貫通孔９５と連通している。
【００６７】
リンス液供給源７１は、配管７２を介してリンス液を供給する。開閉弁７３が開かれると、配管７２からノズル９４に供給されたリンス液が、スピンチャック２に保持された基板Ｗの上面中央部に当たるようにノズル９４から貫通孔９５を介して吐出される。開閉弁７３が閉じられると、ノズル９４からのリンス液の吐出が停止される。
【００６８】
＜有機溶剤供給部８＞
有機溶剤供給部８は、スピンチャック２に保持された基板Ｗの上面に残留しているリンス液を置換するための有機溶剤を基板Ｗの上面に供給する。この実施形態では、有機溶剤としてイソプロピルアルコール（isopropyl alcohol：ＩＰＡ）が採用されている。有機溶剤としてＩＰＡの他に、メタノール、エタノール、ＨＦＥ（ハイドロフロロエーテル）、アセトン等を採用してもよい。なお、基板処理装置１が有機溶剤供給部８を備えていないとしても本発明の有用性は損なわれない。
【００６９】
有機溶剤供給部８は、有機溶剤供給源８１と、表面保護部９に取り付けられた円筒状のノズル９４と、有機溶剤供給源８１とノズル９４とを接続する配管８２と、配管８２に設けられた開閉弁８３とを備える。すなわち、この実施形態では、有機溶剤供給部８とリンス液供給部７とはノズル９４を共有している。有機溶剤供給部８がノズル９４とは別のノズルを備えてもよい。制御部１３０は、開閉弁８３の開閉を制御する。
【００７０】
有機溶剤供給源８１は、配管８２を介して有機溶剤を供給する。開閉弁８３が開かれると、配管８２からノズル９４に供給された有機溶剤が、ノズル９４から吐出される。開閉弁８３が閉じられると、ノズル９４からの有機溶剤の吐出が停止される。
【００７１】
＜表面保護部９＞
表面保護部９は、基板Ｗの上面を、チャックピン２５に供給された洗浄液等の液跳ねから保護する。洗浄液供給部６がチャックピン２５に洗浄液を供給して、これらを洗浄する際に、表面保護部９は、スピンベース２１上に保持された基板Ｗの上面から僅かに隙間を空けて上面を覆うことによって、基板Ｗの上面を保護する。
【００７２】
表面保護部９は、円筒状のノズル９４を備える。上述のように、リンス液供給部７（有機溶剤供給部８）のリンス液供給源７１（有機溶剤供給源８１）は、リンス液（有機溶剤）をノズル９４に供給する。ノズル９４は、スピンベース２１の上方に保持される基板Ｗの上面の中央付近に向けて、リンス液（有機溶剤）を吐出する。ノズル９４の中心軸は、回転軸ａ１と一致している。表面保護部９は、円筒状の回転部９３と、円板状の遮断板９０とをさらに備える。回転部９３はノズル９４の下端部分を挿通した状態で、ベアリングを介して当該下端部分に取り付けられている。回転部９３の中心軸は、回転軸ａ１と一致している。これにより、回転部９３は、回転軸ａ１を中心としてノズル９４の周囲を周方向に回転可能となっている。
【００７３】
回転部９３の下部には、円板状の遮断板（「対向部材」）９０が回転部９３と一体的に回転可能なように取り付けられている。遮断板９０は、基板Ｗと同等若しくは基板Ｗよりも若干大きい円板状の形状を有しており、その中心を回転軸ａ１が通る。これにより、遮断板９０は、回転軸ａ１を中心とする周方向に回転可能である。遮断板９０は、基板Ｗの上面全域に対向する下面（「主面」）９１と、下面９１の周縁から上方に立設された側面９２とを含んでいる。下面９１は円形である。遮断板９０の中央部には、ノズル９４と連通する貫通孔９５が設けられている。下面９１は、チャックピン２５に保持された基板Ｗの上面と隙間を隔てて対向する。隙間の幅は、表面保護部９の高さに応じて変動する。
【００７４】
回転部９３には、遮断板回転機構９７が結合されている。遮断板回転機構９７は、制御部１３０により動作を制御される電動モーター、ギア等を備えており、回転部９３を、回転軸ａ１を中心に周方向に回転させる。これにより、遮断板９０は、回転部９３と一体的に回転する。より詳細には、遮断板回転機構９７は、制御部１３０の制御に従って、基板Ｗと同じ回転速度で、同じ方向に遮断板９０と回転部９３とを回転させる。
【００７５】
ノズル９４の上端部分には、ノズル９４を保持する保持部材（不図示）を介して、制御部１３０により動作を制御される電動モーター、ボールねじ等を含む構成の遮断板昇降機構９８が結合されている。遮断板昇降機構９８は、遮断板９０、回転部９３と一緒にノズル９４を鉛直方向に昇降する。遮断板昇降機構９８は、遮断板９０の下面９１がスピンチャック２に保持されている基板Ｗの上面に近接する近接位置（図７参照）と、近接位置の上方に設けられた退避位置（図１、図５、図６等参照）の間で、遮断板９０、回転部９３、およびノズル９４を昇降させる。遮断板昇降機構９８は、近接位置と退避位置との間の各位置で遮断板９０を保持可能である。遮断板９０の退避位置は、具体的には、基板Ｗの上面から遮断板９０の下面９１までの高さが、例えば、１５０ｍｍとなる高さ位置である。また、近接位置は、当該高さが、例えば、３ｍｍとなる高さ位置である。
【００７６】
＜２．基板処理装置１の動作＞
図２は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。図３、図４は、図２の中間（最終）リンス処理、ＳＣ１処理における動作の一例をそれぞれ示すフローチャートである。図５、図６、図７、図８、図９は、図２の除電処理、ＳＰＭ処理、中間リンス処理とＳＣ１処理、有機溶剤置換処理、スピンドライをそれぞれ説明するための概略側面図である。図５〜図９では、図１に記載された基板処理装置１の構成要素のうち一部の構成要素は、記載を省略されている。
【００７７】
以下に、図５〜図９を適宜参照しつつ、図２〜図４のフローチャートに基づいて基板処理装置１の動作の一例について説明する。
【００７８】
ここでは、予め、遮断板９０、除去液供給部４のノズル４４、薬液供給部５のノズル５４は、それぞれの退避位置に配置されている。また、スプラッシュガード３１の内部材３１２、外部材３１３は、それぞれの下位置Ｐ３に配置されている。そして、基板処理装置１に基板Ｗが搬入され、スピンチャック２によって保持されている。また、基板Ｗは、予め、デバイス面である上面にレジストを塗布された後、露光、現像、エッチング等の処理を経て、不純物注入と活性化処理をされている。基板Ｗの上面には、エッチングされた導電体の微細パターンの上に、レジストのパターンが残存しており、基板Ｗは、次に、レジスト剥離処理（レジスト除去処理）を施される段階であるものとする。
【００７９】
＜除電処理＞
基板処理装置１は、先ず、基板Ｗの除電処理を行う（図２のステップＳ１０）。回転機構２３１は、所定の回転数でスピンベース２１の回転を開始する。この状態で、除電処理用のＣＯ２水を基板Ｗの下面に供給するために、制御部１３０は、開閉弁２９を開く。これにより、図５に示されるように、ＣＯ２水供給源２８が供給するＣＯ２水が、配管２７ａから供給管２７を経て下面ノズル５０に供給され、下面ノズル５０は、基板Ｗの下面の中央部分に着液するようにＣＯ２水を吐出する。ＣＯ２水は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの下面に沿って下面の中央部から周縁部へ拡がり、周縁から基板Ｗの外部に排出される。
【００８０】
ここで、基板Ｗから排出されるＣＯ２水がスプラッシュガード３１で跳ね返って基板Ｗの上面に飛散しないようにするために、各部材３１２、３１３は、予め、下位置Ｐ３に配置されている。従って、基板Ｗから排出されたＣＯ２水は、各部材３１２、３１３に当たって基板Ｗの上面に跳ね返ることなく、チャンバー１１の床面に排出され、不図示の排出管を経て回収用のタンク等に回収される。所定の処理時間が経過すると、制御部１３０が開閉弁２９を閉じて、下面ノズル５０によるＣＯ２水の吐出を停止し、除電処理を終了する。なお、除電処理における各部材３１２、３１３は下位置Ｐ３でなく、上位置Ｐ１に位置していてもよい。
【００８１】
＜ＳＰＭ処理＞
除電処理が終了すると、基板処理装置１は、基板Ｗの上面にＳＰＭを供給してレジスト膜を剥離するＳＰＭ処理（レジスト剥離処理）を行う（図２のステップＳ２０）。ＳＰＭの供給に先立って、図６に示されるように、ノズル移動機構４７は、除去液供給部４のノズル４４を退避位置から基板Ｗの上方の処理位置に移動させ、ガード駆動機構３７は、スプラッシュガード３１の各部材３１２、３１３をそれぞれの上位置Ｐ１に移動している。回転機構２３１は、スピンベース２１を、例えば、１０回転／分程度の低速の回転速度（「第２回転速度」）で回転させる。また、上述のように、スプラッシュガード３１の底部材３１１に接続された配管３２から配管３３、３４が分岐し、配管３３、３４に開閉弁３５、３６が設けられている。制御部１３０は、開閉弁３５、３６のうち開閉弁３５を開き、開閉弁３６を閉じる。これにより、基板Ｗから排出されたＳＰＭは、底部材３１１に受けられて配管３２、３３を経て配管３３に接続するタンク等に回収されるようになる。
【００８２】
この状態で、制御部１３０が除去液供給部４の開閉弁４３を開くことによって、除去液供給源４１から配管４２を経て高温のＳＰＭがノズル４４に供給される。ノズル４４は、ＳＰＭを吐出口４４ａから基板Ｗの上面の中央部分に吐出する。そして、ノズル移動機構４７は、基板Ｗの中央部分の上方位置と、基板Ｗの周縁の上方位置との間でノズル４４を移動（スキャン）させる。基板Ｗの上面に吐出されたＳＰＭは、着液位置から基板Ｗの回転による遠心力によって、上面に沿って上面周縁部に拡がり、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの外部に排出される。基板Ｗが低速で回転しているために、排出されたＳＰＭの多くは基板Ｗから飛散することなく、基板Ｗの周縁から下方に垂れて流れる。これにより、ＳＰＭは、チャックピン２５、スピンベース２１の側面を順に経て、ケーシング２４（より具体的には鍔状部材２４１）の外周面に沿って、底部材３１１に向けて落液する。ＳＰＭは、底部材３１１から配管３２、３３を経て配管３３に接続するタンク等に回収される。また、基板Ｗの上面に形成されていたレジスト膜は、高温のＳＰＭによって剥離（除去）され、ＳＰＭとともに基板Ｗから排出され配管３２、３３を経て回収される。このようにＳＰＭは上記ＣＯ２水と排液先が分けられている。
【００８３】
基板Ｗの表面に高温のＳＰＭが供給されるとレジストと反応してヒューム（fume）が発生する。ヒュームはＳＰＭ及びレジスト由来のガスまたはミストであるため、チャンバー１１内に拡散しやすい。ヒュームが、遮断板９０などに付着すると基板Ｗを汚染するパーティクルの原因となる。基板処理装置１では、基板Ｗの上面から発生したヒュームは、ＦＦＵ１２が発生させる下降流と、排気ダクト１４に接続する排気設備等が発生する負圧とによって、内部材３１２の内側空間を下方に向かって流れた後、内部材３１２の内周壁部と、底部材３１１の外側壁部との間を流通し、排気口１３から排気ダクト１４を経て排気設備に排気される。なお、外部材３１３に排気ダクト（不図示）を連通させるとともに、ＳＰＭ処理（Ｓ２０）時において内部材３１２を下位置Ｐ３に、外部材３１３を上位置（Ｐ１）に位置させてもよい。
【００８４】
所定の処理時間が経過すると、制御部１３０は、開閉弁４３を閉じて除去液供給源４１からノズル４４へのＳＰＭの供給を停止し、ガード駆動機構３７は、各部材３１２、３１３を、次の中間リンス処理（Ｓ３０）のために途中位置Ｐ２へ移動させ、ノズル移動機構４７がノズル４４を退避位置に移動し、ＳＰＭ処理を終了する。この実施形態では、ＳＰＭを供給するノズル４４は、基板Ｗの上面の中央部と周縁部とのそれぞれの上方の間で移動しつつ、ＳＰＭを吐出するが、ノズル４４が、移動されることなく基板Ｗの上面の中央部にＳＰＭを吐出してもよい。この場合、ノズル４４は、例えば、表面保護部９に取り付けられてもい。
【００８５】
＜中間リンス処理＞
ＳＰＭ処理が終了すると、基板処理装置１は、基板Ｗの上面にリンス液を供給して、基板Ｗに付着しているＳＰＭを洗い流す中間リンス処理を行う（図２のステップＳ３０）。中間リンス処理では、ＳＰＭ処理（Ｓ２０）の後、基板Ｗの上面に存在する反応生成物または残渣の除去も実行する。このような反応生成物または残渣は、例えばＳＰＭ処理（Ｓ２０）によって発生する。
【００８６】
図７には、基板処理装置１の２つの概略側面図が示されており、上側の概略側面図はステップＳ３０の中間リンス処理に対応している。リンス液の供給に先立って、ガード駆動機構３７は、スプラッシュガード３１の各部材３１２、３１３を、それぞれの途中位置Ｐ２に移動させる。ノズル移動機構４７は、除去液供給部４のノズル４４を基板Ｗの上方の処理位置から図外の退避位置に移動させる。また、遮断板昇降機構９８は、表面保護部９を降下させて、遮断板９０を退避位置から基板Ｗに近接する近接位置に移動させる。これにより、内部材３１２に取り付けられたノズル６４の吐出口６４ａが、チャックピン２５の側方（より正確には、チャックピン２５を通る水平面に沿って、チャックピン２５の回転軌跡に対して回転軸ａ１とは反対側の位置）においてチャックピン２５の回転軌跡に対向するように配置される。吐出口６４ａの高さ位置は、スピンベース２１の上面よりも上方で、かつ、基板Ｗの下面よりも下方となる。また、内部材３１２と外部材３１３のそれぞれの上部の内周縁が遮断板９０の側面９２にそれぞれ対向する。
【００８７】
回転機構２３１は、スピンベース２１の回転速度を、ＳＰＭ処理における回転速度よりも速い所定の回転速度（例えば、２５０回転／分）に設定し、当該回転速度でスピンベース２１を回転させる（図３のステップＳ１１０）。また、制御部１３０は、配管３３、３４の開閉弁３５、３６のうち開閉弁３５を閉じ、開閉弁３６を開く。これにより、基板Ｗから排出されたリンス液と、洗浄液供給部６が供給する洗浄液は、底部材３１１に受けられて配管３２、３４を経て配管３４に接続するタンク等に回収できるようになる。
【００８８】
この状態で、制御部１３０がリンス液供給部７の開閉弁７３を開くことによって、リンス液供給源７１から配管７２を経てリンス液がノズル９４に供給される。これにより、ノズル９４は、基板Ｗの上面（主面）の中央部分へのリンス液の吐出を開始する（図３のステップＳ１２０）。基板Ｗの上面中央部に着液したリンス液は、着液位置から基板Ｗの回転による遠心力によって、上面に沿って上面周縁部に拡がる。このリンス液によって、基板Ｗの上面に残留していたＳＰＭ等が基板Ｗの外部へ洗い流される。
【００８９】
また、制御部１３０は、洗浄液供給部６の洗浄液供給機構６６に設けられた配管６２を大流量（例えば、１７００ｍｌ／ｍ）の洗浄液が流れるように、流量制御弁６３を開いてその開度を設定する。これにより、ノズル６４は、洗浄液供給源６１から供給される洗浄液を高速（大流量。第１流量）で吐出してチャックピン２５の洗浄を開始する（図３のステップＳ１３０）。この大流量は、洗浄液が吐出口６４ａからスピンベース２１の上面と基板Ｗの下面との間の空間に入って、当該空間をスピンベース２１の上面（基板Ｗの下面）に沿って直線状に進むことができる高速の吐出速度で吐出される流量である。より具体的には、この高速の吐出速度は、吐出口６４ａから吐出された洗浄液が、直線状の形状を保ちつつ、スピンベース２１と基板Ｗとの間の空間をスピンベース２１の上面に沿って進み、回転しているチャックピン２５の外周面のうち回転軸ａ１に対向している回転軸対向面に到達可能な速度である。図１０はステップＳ１３０時点でのスピンベース２１の概念的な側面図である。図１０に示すように、ノズル６４から吐出した洗浄液Ｌはスピンベース２１の回転軸ａ１を隔ててノズル６４に対向する内部材３１２に到達するような速度で直線状に飛翔する。なお、図１０では下面ノズル５０の図示を省略している。
【００９０】
図１１はステップＳ１３０時点でのスピンベース２１の概念的な上面図である。図１１に示すようにノズル６４から吐出された直線状の洗浄液Ｌの平面視における吐出方向は、洗浄液が下面ノズル５０を避けてチャックピン２５の回転軸対向面に到達可能なように設定されている。すなわち、ノズル６４から吐出された直線状の洗浄液Ｌは、下面ノズル５０と干渉しない軌跡で飛翔して、平面視においてスピンベース２１の回転軸ａ１を隔ててノズル６４の反対側に位置するチャックピン２５の側面に到達し、これを洗浄する。
【００９１】
このようにノズル６４に大流量で供給されて高速度でノズル６４から吐出された洗浄液の直線状の流れは、ノズル６４に近い側と遠い側との２箇所においてチャックピン２５の回転軌跡と交差することができる。洗浄液の液流が、当該２箇所のうちノズル６４に近い側の箇所においてチャックピン２５に当たる場合には、洗浄液は、チャックピン２５の外周面のうち回転軸ａ１とは反対側の面（回転軸ａ１に対向していない面）に当たる。洗浄液の液流が当該２箇所のうちノズルから遠い側においてチャックピン２５に当たる場合には、洗浄液は、上述のように、チャックピン２５の外周面のうち回転軸対向面に当たる。
【００９２】
上述のように、制御部１３０は、ノズル６４が洗浄液をチャックピン２５に当ててチャックピン２５を洗浄する洗浄動作（「第１洗浄動作」、「第１洗浄処理」）を行うように、洗浄液供給機構６６に大流量の洗浄液を供給させる制御（「第１制御」）を行う。
【００９３】
リンス液供給部７から基板Ｗに供給されたリンス液は、基板Ｗが比較的に高速で回転されているために、基板Ｗの周縁から内部材３１２に向けて飛散する。また、洗浄液供給部６が供給する洗浄液もチャックピン２５の外周面のうち回転軸ａ１とは反対側の面に当たった場合には、洗浄液が高速であることから激しく液跳ねする。しかし、遮断板９０がその近接位置に配置されるとともに、内部材３１２と外部材３１３のそれぞれの上部の内周縁が遮断板９０の側面９２にそれぞれ対向しているので、リンス液や、洗浄液が、内部材３１２の内側空間からスプラッシュガード３１の外側へ飛散することを抑制できる。
【００９４】
次に、制御部１３０は、リンス処理に要する所定の処理時間が経過するのを待ち（図３のステップＳ１４０）、その後、リンス液供給部７の開閉弁７３を閉じてノズル９４からのリンス液の吐出を停止し（図３のステップＳ１５０）、洗浄液供給部６の流量制御弁６３を閉じてノズル６４からの洗浄液の吐出を停止する（図３のステップＳ１６０）。これにより、中間リンス処理が終了する。なお、ステップＳ１６０の処理において、制御部１３０は、洗浄液の吐出を停止する代わりに、後述する小流量でノズル６４から洗浄液を吐出させてもよい。また、この実施形態では、リンス処理と第１洗浄処理とは並行して行われているが、これらの処理のうち何れか一方の処理を先に行い、その後、他方の処理を行ってもよい。
【００９５】
＜ＳＣ１処理＞
中間リンス処理が終了すると、基板処理装置１は、基板Ｗの上面にＳＣ１を薬液として供給して、ＳＰＭ処理（Ｓ２０）の後、基板Ｗの上面に存在する反応生成物または残渣と、パーティクルとを除去するＳＣ１処理（「パーティクル除去処理」）を行う（図２のステップＳ４０）。
【００９６】
図７に記載の２つの概略側面図のうち、下側の概略側面図はステップＳ４０のＳＣ１処理に対応している。ＳＣ１の供給に先立って、遮断板昇降機構９８は、遮断板９０が待避位置に配置されるように、表面保護部９を移動する。ノズル移動機構５７は、薬液供給部５のノズル５４を退避位置から基板Ｗの上方の処理位置に移動する。
【００９７】
回転機構２３１は、スピンベース２１の回転速度を、例えば、中間リンス処理における回転速度よりも、さらに速い所定の回転速度（例えば、５００回転／分）に設定し、当該回転速度（「第１回転速度」）でスピンベース２１を回転させる（図４のステップＳ２１０）。
【００９８】
この状態で、制御部１３０が薬液供給部５の開閉弁５３を開くことによって、ＳＣ１供給源５１から配管５２を経てＳＣ１がノズル５４に供給される。これにより、ノズル５４は、基板Ｗの上面（主面）の中央部分へのＳＣ１の吐出を開始する（図４のステップＳ２２０）。そして、ノズル移動機構５７は、基板Ｗの中央の上方位置と、基板Ｗの周縁の上方位置との間でノズル５４を往復移動（スキャン）させる。基板Ｗの上面中央部に当たったＳＣ１は、着液位置から基板Ｗの回転による遠心力によって、上面に沿って上面周縁部に拡がる。このＳＣ１によって、基板Ｗに付着しているレジストの残渣とパーティクルとが除去される。
【００９９】
また、制御部１３０は、洗浄液供給部６の洗浄液供給機構６６に設けられた配管６２を小流量（例えば、４００〜５００ｍｌ／ｍ）の洗浄液が流れるように、流量制御弁６３を開いてその開度を設定する。これにより、ノズル６４は、洗浄液供給源６１から供給される洗浄液を低速（小流量）で吐出してスピンベース２１とケーシング２４の洗浄を開始する（図４のステップＳ２３０）。このときの洗浄液の流量はステップＳ１３０における流量よりも少ない流量（第２流量）である。
【０１００】
この小流量は、吐出口６４ａから吐出された洗浄液が、回転軸ａ１に向かいつつ、下方に曲りながらスピンベース２１の側面に近づく弧状の経路に沿って進むことができる低速の吐出速度で洗浄液が吐出される流量である。換言すれば、制御部１３０は、洗浄液が吐出口６４ａから回転軸ａ１に向かいつつ、下方に曲りながらスピンベース２１の側面に近づく弧状の経路に沿って進むことができる低速で吐出口６４ａから吐出されるように、洗浄液供給部６の洗浄液供給機構６６に小流量の洗浄液を供給させる。
【０１０１】
上述のように、制御部１３０は、ノズル６４が洗浄液をスピンベース２１の側面に当ててスピンベース２１を洗浄する洗浄動作（「第２洗浄動作」、「第２洗浄処理」）を行うように、洗浄液供給機構６６に小流量の洗浄液を供給させる制御（「第２制御」）を行う。また、薬液供給部５は、ノズル６４による第２洗浄動作と並行して、基板Ｗの上面に薬液を供給する。
【０１０２】
薬液供給部５から基板Ｗに供給されたＳＣ１は、基板ＷがＳＰＭ処理（Ｓ２０）時よりも高速で回転されているために、基板Ｗの周縁から内部材３１２に向けて飛散し、当該周縁からは殆ど流下しない。基板Ｗの周縁から飛散したＳＣ１は、内部材３１２の内周面に沿って、下方に流れ、底部材３１１に流れる。
【０１０３】
また、洗浄液供給部６が供給する洗浄液は、低速であるとともに、スピンベース２１の側面に斜め下向きに当たる。このため、スピンベース２１の側面に当たった後、側面からあまり液跳ねすることなく、側面に沿って下方に流れ、さらにケーシング２４の外周面に沿って底部材３１１に流れる。
【０１０４】
底部材３１１に流れ込んだＳＣ１と洗浄液とは、底部材３１１から配管３２、３４を経て配管３４に接続するタンク等に回収される。ＳＣ１（薬液）と洗浄液とは混合しても安全であり、かつ、反応生成物を生成しない液の組み合わせの例である。このような組み合わせとして、他に、フッ酸と水、ＩＰＭと水、などが挙げられる。
【０１０５】
次に、制御部１３０は、リンス処理に要する所定の処理時間が経過するのを待ち（図４のステップＳ２４０）、その後、薬液供給部５の開閉弁５３を閉じてノズル５４からのＳＣ１の吐出を停止し（図４のステップＳ２５０）、洗浄液供給部６の流量制御弁６３を閉じてノズル６４からの洗浄液の吐出を停止する（図４のステップＳ２６０）。これにより、ＳＣ１処理が終了する。この実施形態では、ＳＣ１処理と第２洗浄処理とは並行して行われているが、これらの処理のうち何れか一方の処理を先に行い、その後、他方の処理を行ってもよい。また、この実施形態では、ＳＣ１を供給するノズル５４は、基板Ｗの上面の中央部と周縁部とのそれぞれの上方の間で移動しつつ、ＳＣ１を吐出するが、ノズル５４が、移動されることなく基板Ｗの上面の中央部にＳＣ１を吐出してもよい。この場合、ノズル５４は、例えば、表面保護部９に取り付けられてもよい。
【０１０６】
上述のように、中間リンス処理とＳＣ１処理との双方において内部材３１２、外部材３１３は、途中位置Ｐ２に配置されている。第１洗浄処理と第２洗浄処理とにおいて、内部材３１２の高さを若干変更してもよい。すなわち、ノズル６４が第１洗浄動作を行う際の内部材３１２の高さと、ノズル６４が第２洗浄動作を行う際の内部材３１２の高さとは、好ましくは、略等しく設定される。
【０１０７】
＜最終リンス処理＞
ＳＣ１処理が終了すると、基板処理装置１は、基板Ｗの上面にリンス液を供給して、基板Ｗに付着しているＳＣ１を洗い流す最終リンス処理を行う（図２のステップＳ５０）。
【０１０８】
最終リンス処理は、上述した中間リンス処理と同一の処理であるので詳細な説明は省略する。なお、図７の２つの概略側面図は、上側の概略側面図はステップＳ３０の中間リンス処理だけでなく、ステップＳ５０の最終リンス処理にも対応している。また、図３のフローチャートも、中間リンス処理だけでなく、最終リンス処理の動作を説明する。
【０１０９】
＜有機溶剤置換処理＞
最終リンス処理が終了すると、基板処理装置１は、基板Ｗの上面に有機溶剤を供給して、上面に残留しているリンス液を有機溶剤に置換する処理（有機溶剤置換処理）を行う（図２のステップＳ６０）。この実施形態では、基板処理装置１は、有機溶剤供給部８から有機溶剤としてのＩＰＡを供給する。
【０１１０】
ＩＰＡの供給に先立って、ノズル移動機構５７は、薬液供給部５のノズル５４を基板Ｗの上方から退避位置に移動させ、遮断板昇降機構９８は、表面保護部９を降下させて、遮断板９０を退避位置から近接位置に移動させる。ガード駆動機構３７は、スプラッシュガード３１の内部材３１２を、途中位置Ｐ２から下位置Ｐ３に移動させる。外部材３１３は、移動されず、途中位置Ｐ２に留められている。回転機構２３１は、スピンベース２１を所定の回転速度（例えば、５００回転／分）で回転させる。
【０１１１】
この状態で、制御部１３０が有機溶剤供給部８の開閉弁８３を開くことによって、有機溶剤供給源８１から配管８２を経てＩＰＡがノズル９４に供給される。これにより、ノズル９４は、基板Ｗの上面（主面）の中央部分へのＩＰＡの吐出を開始する。基板Ｗの上面中央部に当たったＩＰＡは、着液位置から基板Ｗの回転による遠心力によって、上面に沿って上面周縁部に拡がる。このＩＰＡによって、基板Ｗの上面に残留していたリンス液が基板Ｗの外部へ流されてＩＰＡに置換される。
【０１１２】
有機溶剤供給部８から基板Ｗに供給されたＩＰＡは、基板Ｗの周縁から外部材３１３に向けて飛散する。外部材３１３に到達したＩＰＡは、外部材３１３の内周面に沿って下方に流れ落ち、スピンチャック２を取り囲むように外部材３１３の下方に設けられた円環状の液受部材（不図示）によって受けられ、液受部材の底部に連通する排液溝を経て基板処理装置１の外部に排出される。
【０１１３】
制御部１３０は、有機溶剤置換処理に要する所定の処理時間が経過するのを待ち、その後、有機溶剤供給部８の開閉弁８３を閉じてノズル９４からのＩＰＡの吐出を停止する。これにより、有機溶剤置換処理が終了する。なお、有機溶剤置換処理が行われないとしても本発明の有用性は損なわれない。
【０１１４】
＜スピンドライ＞
有機溶剤置換処理が終了すると、基板処理装置１は、基板Ｗの上面に残留しているＩＰＡ（有機溶剤）を基板Ｗの回転により基板Ｗの外部に振り切って基板Ｗを乾燥させるスピンドライ処理を行う（図２のステップＳ７０）。
【０１１５】
遮断板９０、スプラッシュガード３１の高さ位置は、有機溶剤置換処理の位置に維持される。すなわち、遮断板９０は、近接位置に留められ、内部材３１２、外部材３１３は、下位置Ｐ３、途中位置Ｐ２にそれぞれ留められる。
【０１１６】
回転機構２３１は、スピンベース２１を所定の高速の回転速度（例えば、１５００回転／分）で回転させる。これにより、基板Ｗの上面に残留していたＩＰＡは、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの周縁に移動し、周縁から外部材３１３に向けて飛散し、基板Ｗの乾燥が行われる。外部材３１３に到達したＩＰＡは、外部材３１３の内周面に沿って下方に流れ落ち、外部材３１３の下方に設けられた円環状の液受部材によって受けられ、液受部材の底部に連通する排液溝を経て基板処理装置１の外部に排出される。
【０１１７】
制御部１３０は、スピンドライに要する所定の処理時間が経過するのを待ち、回転機構２３１にスピンベース２１の回転を停止させる。これにより、基板Ｗのスピンドライが終了する。
【０１１８】
以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、制御部１３０は、洗浄液をチャックピン２５に当ててチャックピン２５を洗浄する第１洗浄動作をノズル６４が行うように、洗浄液供給機構６６に大流量の洗浄液を供給させる第１制御と、洗浄液をスピンベース２１の側面に当ててスピンベース２１を洗浄する第２洗浄動作をノズル６４が行うように、洗浄液供給機構６６に小流量の洗浄液を供給させる第２制御と、を行う。従って、ノズル６４は、チャックピン２５を洗浄する第１動作において高速で洗浄液を供給し、スピンベース２１を洗浄する第２動作において低速で洗浄液を供給する。従って、第１動作で供給された洗浄液は、重力の影響をあまり受けることなく、直線状の経路に沿って進み、第２動作で供給された洗浄液は、重力の影響を強く受けて、弧状の経路に沿って下方に曲りながら進む。これにより、チャックピン２５と、チャックピン２５の下方に位置するスピンベース２１との双方を共通のノズル６４で洗浄することができるとともに、スピンベース２１を洗浄する際には洗浄液が低速であるため、スピンベース２１からの洗浄液の液跳ねを抑制することもできる。
【０１１９】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、ノズル６４は、内部材３１２に取り付けられているので、ノズル６４取り付け用の別部材が不要となる。
【０１２０】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、ノズル６４による第２洗浄動作と並行して、薬液供給部５が基板Ｗの上面に薬液を供給する。従って、基板Ｗの処理時間を短縮できる。
【０１２１】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、薬液と洗浄液とは混合しても安全であり、かつ、反応生成物を生成しない液の組み合わせである。従って、薬液と洗浄液とを同一の排出経路で排出できるので、排出経路の構成を簡略化できるとともに、排出された液の取扱いも容易になる。
【０１２２】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、除去液供給部は、第１洗浄動作の直前にＳＰＭを基板Ｗの上面に供給する。従って、ＳＰＭが基板Ｗから排出されてチャックピン２５にＳＰＭが付着した直後に洗浄液をチャックピン２５に供給できるので、チャックピン２５に付着しているＳＰＭを効率的に除去できる。
【０１２３】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、ノズル６４は、内部材３１２に取り付けられており、ノズル６４が第１洗浄動作を行う際の内部材３１２の高さと、ノズル６４が第２洗浄動作を行う際の内部材３１２の高さとは、略等しい。従って、第１洗浄動作と第２洗浄動作とにおけるノズル６４の高さを容易に略等しくできる。
【０１２４】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、中間リンス処理（Ｓ３０）と並行して第１洗浄処理（Ｓ１３０）を実行し、ＳＣ１処理（Ｓ４０）と並行して第２洗浄処理（Ｓ２３０）を実行した。中間リンス処理（Ｓ３０）およびＳＣ１処理（Ｓ４０）実行時のスピンベース２１の回転速度はそれぞれ２５０ｒｐｍおよび５００ｒｐｍであり、ＳＰＭ処理（Ｓ２０）実行時のスピンベース２１の回転速度１０ｒｐｍよりも大幅に高い。このように本実施形態では、スピンベース２１を比較的高速で回転させながら第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）および（Ｓ２３０）を実行する。これにより、洗浄液を比較的高速でチャックピン２５およびスピンベース２１に衝突させることができる。従って、第１および第２洗浄処理Ｓ１３０およびＳ２３０を高い洗浄効率で実行することができる。
【０１２５】
また、上記のように、中間リンス処理（Ｓ３０）およびＳＣ１処理（Ｓ４０）はスピンベース２１を比較的高速で回転させながら実行するため、基板Ｗからはほとんどの処理液が飛散し、基板Ｗの下方へはゼロまたは微量の処理液しか落液しない。第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）はこのように上方からの処理液の落液がほとんどない状態で実行することができるため、チャックピン２５およびスピンベース２１を効率的に洗浄することが可能である。
【０１２６】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、第１洗浄動作を行う際に、内部材３１２の上部の内周縁が遮断板の側面に対向するので、チャックピン２５によって跳ね返った洗浄液が、内部材３１２の外に拡散することを抑制できる。
【０１２７】
なお、本実施形態では、中間リンス処理（Ｓ３０）と並行して第１洗浄処理（Ｓ１３０）を実行し、ＳＣ１処理（Ｓ４０）と並行して第２洗浄処理（Ｓ２３０）を実行した。しかし、中間リンス処理（Ｓ３０）と並行しつつ、第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を順次実行してもよい。第２洗浄処理（Ｓ２３０）の後に、中間リンス処理（Ｓ３０）と並行しつつ、第１洗浄処理（Ｓ１３０）を実行してもよい。あるいは、ＳＣ１処理（Ｓ４０）と並行しつつ、第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を順次実行してもよい。第２洗浄処理（Ｓ２３０）の後に、ＳＣ１処理（Ｓ４０）と並行しつつ、第１洗浄処理（Ｓ１３０）を実行してもよい。
【０１２８】
また、本実施形態では、除去液の一であるＳＰＭを供給した（ＳＰＭ処理（Ｓ２０））後に、第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を実行した。しかし、他の処理液（例えば、有機溶剤、リンス液など）を基板Ｗに供給した後に、第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を実行してもよい。
【０１２９】
さらに、本実施形態では、基板Ｗの上面への処理液の供給と並行して第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を実行したが、基板Ｗの上面に処理液が供給されていない状態で第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を実行してもよい。
【０１３０】
また、本実施形態ではスピンベース２１に基板Ｗが保持された状態で第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を実行したが、スピンベース２１に基板Ｗが保持されていない状態で第１および第２洗浄処理（Ｓ１３０）、（Ｓ２３０）を実行してもよい。
【０１３１】
本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１３２】
１  基板処理装置
１３０  制御部
２  スピンチャック
２１  スピンベース
２３１  回転機構
２４  ケーシング
２５  チャックピン（保持ピン）
３  飛散防止部
３１  スプラッシュガード
３１２  内部材（ガード）
４  除去液供給部（第２処理液供給部）
５  薬液供給部（第１処理液供給部）
６  洗浄液供給部
６４  ノズル
６６  洗浄液供給機構
７  リンス液供給部
８  有機溶剤供給部
９  表面保護部
９０  遮断板
Ｐ１  上位置
Ｐ２  途中位置
Ｐ３  下位置
Ｗ  基板
ａ１  回転軸
ｃ１  中心
【図１】
2018157129.tif 000003
【図２】
2018157129.tif 000004
【図３】
2018157129.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2018157129.tif 000010
【図９】
2018157129.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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