(57)【要約】【課題】積層されている基板において、大きな曲げ応力を必要せずウエハを個片化することが可能なパッケージ及びパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】パッケージ１は、第一基板２と、第二基板３と、第一基板と第二基板を接合し、キャビティＣを形成する枠状の接合体１２０と、各基板の外周部の斜面に形成され、基板より熱膨張係数の大きい個片化補助材４１ａ、４１ｂを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板を接合する接合体により接合された封止空間を有し、
前記第１基板と前記第２基板とが接合されている面と反対側の面の外周部の斜面上に、前記第１基板および前記第２基板より熱膨張係数が大きな個片化用補助材と、を備えることを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
前記個片化用補助材が、金属材料であることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記第１基板および前記第２基板が、シリコン材料であることを特徴とする請求項１または２に記載のパッケージ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のパッケージと、
前記パッケージの前記第２の基板にセンサ素子を有することを特徴とするセンサ。
【請求項５】
第１基板の上面と下面のスクライブライン上に凹部を設ける工程と、
第２基板の上面と下面のスクライブライン上の凹部を設ける工程と、
前記第１基板と前記第２基板との接合面と反対側に設けられた前記凹部上に、前記第１基板および前記第２基板より熱膨張係数が大きな個片化用補助材を形成する工程と、
前記個片化用補助材料を局所的に熱する加熱工程と、
前記スクライブラインに沿って、前記第１基板および第２基板を切断する個片化工程と、を備えることを特徴とするパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ及びパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品の製造にはレーザービームを照射して、改質層を形成することで、ウエハを個片化するステルスダイシングが用いられている。
【０００３】
しかしＭＥＭＳデバイスで、ガラス基板やシリコン基板を積層されている場合に、ウエハからの個片化や、改質層に沿って分割することができないことがあった。そこで、ウエハの内部にレーザービームを照射することによって改質部を形成し、ウエハ裏面に張り付けた粘着性樹脂テープをウエハリングよりも内側に配置された粘着性樹脂テープを裏面側から押圧する押圧面が凸面である押圧ステージを上昇させて粘着性樹脂テープを伸張させるとともにウエハに曲げ応力を加えることで個々のチップに分割する。さらに、分割過程の後でウエハリングを更に上昇させることで粘着性樹脂テープをウエハリングに再び張設することで個片化することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１７７３４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の手法では、レーザービームをウエハ内部に照射することができる設備が必要となることや、個片化するために、ウエハに大きな曲げ応力を必要である為、特に、メンブレン構造を有しているボロメータ型赤外線センサなどのＭＥＭＳデバイスでは破損する可能性がある。
【０００６】
本願発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、大きな曲げ応力を必要せずウエハを個片化することが可能なパッケージ及びパッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明のパッケージは、第１基板と第２基板を接合する接合体により接合された封止空間を有し、前記第１基板と前記第２基板とが接合されている面と反対側の面の外周部の斜面上に、前記第１基板および前記第２基板より熱膨張係数が大きな個片化用補助材とを備えることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、Ｖ字形状の凹部上に形成された個片化用補助材料を加熱することで、基板と個片化用補助材料との熱膨張係数の差による熱応力により、Ｖ字形状の凹部先端に応力が加えられ、亀裂を発生させる。その亀裂を利用することで、少ないウエハ曲げ応力であっても、その亀裂から、接合面に形成したＶ字形状の凹部先端に沿って、亀裂が進み、個片化することが可能である。よって、ＭＥＭＳデバイスの破損を防止することが可能となる。
【０００９】
また、前記個片化補助材は、金属材料であることを特徴としている。
【００１０】
この構成によれば、応力により破損しやすい基板材料を使用しても、パッケージや特にパッケージの外周部のクラックや破損を防止することができる。
【００１１】
また、前記第一基板と前記第二基板がシリコン材料であることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、半導体製造に係る製造プロセスをパッケージ製造に利用することができ、パッケージの外周部の斜面形成や、斜面上の個片化補助材の密着性を向上することができ、信頼性の高い小型のパッケージを得ることができる。
【００１３】
また、前記第二基板の表面に、センサ素子、電子素子、圧電素子から選らばれる素子を有することを特徴としている。
【００１４】
この構成によれば、小型で気密性にすぐれた電子部品を提供することができる。
【００１５】
また、本発明のパッケージの製造方法は、第１基板を準備する工程と、第２基板を準備する工程と、前記第１基板および前記第２基板のスクライブライン上の表裏にＶ字形状の凹部を設け、前記第１基板と前記第２基板の接合面と反対側に設けられた前記Ｖ字形状の凹部上に前記個片化用補助材と、を形成する工程と、前記個片化用補助材料を局所的に熱する加熱工程と、前記スクライブラインに沿って、前記第１基板および第２基板を切断する個片化工程と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
この工程によれば、ウエハからの個片化の際、パッケージの反りや大きな熱応力を加えることなく、破損の少ないパッケージを得ることができる。さらにこの工程によれば、ウエハのスクライブラインを最小幅として、同一ウエハから得られるパッケージの取り個数を最大にして、製造のコストダウンを図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＭＥＭＳデバイスを破損させることなく、ウエハを個片化することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第一実施形態のパッケージの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】第一基板と第二基板を製造する工程の説明する図である。
【図４】第一基板と第二基板を製造する工程の説明する図である。
【図５】第一基板と第二基板を接合する工程の説明する図である
【図６】本発明の第一実施例のウエハの個片化を説明する図である。
【図７】本発明の第二実施形態のパッケージの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第一実施形態）
以下、図１から図６を参照し、本発明の第一実施形態のパッケージ１について説明する。
【００２０】
図１は、パッケージ１の上側の基板となる第一基板２（リッド基板）を除いた状態を表した平面図である。第二基板３（ベース基板）は、シリコンからなり矩形状に形成されている。素子５は、赤外線検出素子からなり、第二基板３の上面の中央部分に矩形状に形成されている。赤外線検出素子は、赤外線を検出して検出信号を出力する。
【００２１】
第二基板３の外周部は、斜面を構成する凹部３１ｂが設けられている。凹部３１と素子５の間の第二基板３の表面には、第一基板２と第二基板３を接合する接合体１２０が設けられている。接合体１２０は、金属膜であり、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕが挙げられる。
【００２２】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
【００２３】
図２に示すようにパッケージ１は、第一基板２と第二基板３を備える。また、第一基板２と第二基板３の間には、素子５を封入する封止空間Ｃ（キャビティ）が形成される。
【００２４】
上面に素子５が設けられた第二基板３は、素子５の周囲に設けられた接合体１２０により第１基板２と接合され、素子５を封止する。この封止によって形成される封止空間Ｃは気密空間であり、減圧雰囲気を維持することができる。封止空間Ｃは、封止を真空中で行うことで、真空環境下にすることができる。また、封止空間Ｃに希ガス、窒素ガス（Ｎ2）等の不活性ガスを封入してもよい。
【００２５】
本実施形態において、第二基板３は、例えば、シリコン基板である。
【００２６】
第二基板３の表面１０ａに素子５が設けられている。素子５は、第一基板１の構成材料から構成された部分を有してもよく、外部から供給された材料から構成された部分を有してもよく、第二基板３の構成材料と外部から供給された材料とを混合して構成された部分を有してもよい。素子５は、センサ素子、電子素子、圧電素子、集積回路、ＳＡＷフィルタ等が挙げられる。センサ素子としては、例えば光センサ、赤外線センサ、加速度センサ、角速度センサや、ダイヤフラムやカンチレバーを有する素子等が挙げられる。
【００２７】
ここで第一基板２と第二基板３は、シリコン基板やゲルマニウム基板の他、ＧａＡｓ、ＳｉＣなどの化合物半導体基板や、ガラス、石英などの絶縁基板の利用可能である。
【００２８】
また、第二基板３の厚さ方向に不図示の貫通電極いわゆるＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）が設けられている。貫通電極の一端は、第二基板３の素子５が設けられた面、すなわち第二基板の上面１０ａに配されている。貫通電極の他端は、素子５が設けられた表面とは反対側である第二基板３の下面１０ｂに配されている。貫通電極と素子５とは、ボンディングワイヤや埋め込み電極など、不図示の配線で接続されている。第二基板３の１０ｂ側における貫通電極の他端には、パッケージ１の外部に接続される外部電極として、不図示の電極を設けてもよい。
【００２９】
貫通電極は、例えば、第二基板３に形成された貫通穴の内面に接する下地層の上に充填層を積層した積層構造であってもよい。下地層としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等の単一層、チタン（Ｔｉ）及びプラチナ（Ｐｔ）等の２種以上の金属膜が積層された複合層が挙げられる。下地層は、スパッタリング等により薄く成膜される。充填層としては、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等をメッキ、スパッタリング等により成膜することで形成することができる。
【００３０】
また、第二基板３に埋め込まれた配線材を形成し、その配線材とパッケージ１の外部に接続される外部電極とを接続する配線構成としてもよい。
【００３１】
第二基板３において、下地膜１１ｂ上に第一の接合材１２ｂが配置されている。
【００３２】
下地膜１１ｂは、金属薄膜である。下地膜１１ｂは、メッキで形成する第一の接合材１２ｂを形成するための下地膜となる材料であり、例えば、クロム（Ｃr）と銅（Ｃｕ）、またはチタン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）である。ＣｒとＣｕの場合の膜厚それぞれは、例えばＣｒが数十ｎｍ〜数百ｎｍ、Ｃｕが数十ｎｍ〜数百ｎｍである。また、ＴｉとＰｔとＡｕの場合の膜厚それぞれは、例えばＴｉが数十ｎｍ〜数百ｎｍ、Ｐｔが数十ｎｍ〜数百ｎｍ、Ａｕが数十ｎｍ〜数百ｎｍである。
【００３３】
また、下地膜１１ｂ上にメッキにて形成される第二の接合材１２ｂは、形成される下地膜１１ｂの材料によって異なる。また、第二の接合材１２ｂは、拡散接合しやすい材料であり、例えば、下地膜１１ｂがＣｒとＣｕの場合は、第二の接合材１２ｂは、Ｃｕ、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｕである。Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕの膜厚は、それぞれ、例えばＣｕが数百ｎｍ〜数十μｍ、Ｎｉが数百ｎｍ〜数μｍ、Ａｕが数十ｎｍ〜数百ｎｍである。そして、下地膜１１ｂがＴｉとＰｔとＡｕの場合は、第二の接合材１２ｂは、Ａｕである。Ａｕの膜厚は、数μｍ〜数十μｍである。
【００３４】
また、スパッタリングで形成する場合は、例えば、金（Ａｕ）とタンタル（Ｔａ）の二層構成である。その薄膜構成は、タンタル（Ｔａ）薄膜の下地層上に金（Ａｕ）薄膜を形成、または窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜の下地層上にＡｌ（アルミニウム）形成されている。ＡｕとＴａの場合の膜厚それぞれは、例えばＡｕが数百ｎｍ〜数μｍ、Ｔａが数百ｎｍである。
【００３５】
そして、第二基板３において、スクライブラインＳ上に、接合面側にＶ字形状の凹部３１ｂ、その反対面側にはＶ字形状の凹部３２ｂが形成されている。そのＶ字形状の凹部３１ｂおよびＶ字形状の凹部３２ｂの幅寸法は、数μｍ〜数十μｍである。さらにＶ字形状の凹部３２ｂ上には、第二の個片化用補助材４１ｂが形成され、その膜厚は数百ｎｍ〜数十μｍである。
【００３６】
この第一の個片化用補助材４１ｂは、金属薄膜であり、ＡｕＳｎペーストやＡｇペーストといった材料をスクリーン印刷にて形成することができる。また、第２の個片化用補助材料４１ｂは、前述の下地膜１１ｂと第二の接合材１２ｂと同様の材料および構成で形成することができ、工程の効率化や材料コストの削減を図ることが可能である。
【００３７】
本実施形態において、第一基板２は、例えばシリコン基板であり、第二基板３と略平行に配置されている。
【００３８】
第一基板２の下地膜１１ａは、金属薄膜である。下地膜１１ａは、メッキ形成する場合は、例えば、クロム（Ｃr）と銅（Ｃｕ）、またはチタン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）である。ＣｒとＣｕの場合の膜厚それぞれは、例えばＣｒが数十ｎｍ〜数百ｎｍ、Ｃｕが数十ｎｍ〜数百ｎｍである。また、ＴｉとＰｔとＡｕの場合の膜厚それぞれは、例えばＴｉが数十ｎｍ〜数百ｎｍ、Ｐｔが数十ｎｍ〜数百ｎｍ、Ａｕが数十ｎｍ〜数百ｎｍである。
【００３９】
また、下地膜１１ａ上にメッキにて形成される第一の接合材１２ａは、形成される下地膜１１ａの材料によって異なる。また、第一の接合材１２ａは、拡散接合しやすい材料であり、例えば、下地膜１１ａがＣｒとＣｕの場合は、第一の接合材１２ａは、Ｃｕ、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｕである。Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕの膜厚は、それぞれ、例えばＣｕが数百ｎｍ〜数十μｍ、Ｎｉが数百ｎｍ〜数μｍ、Ａｕが数十ｎｍ〜数百ｎｍである。そして、下地膜１１ａがＴｉとＰｔとＡｕの場合は、第一の接合材１２ａは、Ａｕである。Ａｕの膜厚は、数μｍ〜数十μｍである。
【００４０】
また、スパッタで形成する場合は、例えば、金（Ａｕ）とタンタル（Ｔａ）の二層構成である。その薄膜構成は、タンタル（Ｔａ）薄膜の下地層上に金（Ａｕ）薄膜を形成、または窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜の下地層上にＡｌ（アルミニウム）形成されている。ＡｕとＴａの場合の膜厚それぞれは、例えばＡｕが数百ｎｍ〜数μｍ、Ｔａが数百ｎｍである。
【００４１】
そして、第一基板２において、第二基板３と同様にスクライブラインＳ上に、接合面側にＶ字形状の凹部３１ａ、その反対面側にはＶ字形状の凹部３２ａが形成されている。そのＶ字形状の凹部３１ａおよびＶ字形状の凹部３２ａの幅寸法は、数μｍ〜数十μｍである。さらにＶ字形状の凹部３２ａ上には、第２の個片化用補助材料４１ａが形成されている。その膜厚は、数百ｎｍ〜数十μｍである。
【００４２】
この第１の個片化用補助材料４１ａは、金属薄膜である。ＡｕＳｎペーストやＡｇペーストといった材料をスクリーン印刷にて形成することができる。また、第１の個片化用補助材料４１ａは、前述の下地膜１１ａと第一の接合材１２ａと同様の材料および構成で形成することができ、工程の効率化や材料コストの削減を図ることが可能である。
【００４３】
第一基板２と第二基板３は、それぞれに形成されている第一の接合材１２ａおよび第二の接合材１２ｂを介して、第一の接合材１２ａと第二の接合材１２ｂとを拡散接合することにより封止空間Ｃを形成する。ここで封止空間Ｃは気密空間として、減圧雰囲気を維持することができる。
【００４４】
次に、第一の接合材１２ａと第二の接合材１２ｂが接合した状態を説明する。
【００４５】
図２に示すように第一基板２と第二基板３は、それぞれに形成されている下地膜１１ａおよび下地膜１１ｂ上に形成された第一の接合材１２ａおよび第二の接合材１２ｂとが拡散接合により形成される接合体１２０を介して、接合される。
【００４６】
第１基板に形成されているＶ字形状の凹部３１ａ上に形成している第一の個片化用補助材４１ａが形成されている。一方、第二基板に形成されているＶ字形状の凹部３１ｂ上に形成されている個片化用補助材４１ｂが形成されている。この第一の個片化補助材４１ａに局所的に加熱をすることで第一基板２と第一の個片化用補助材４１ａとの熱膨張係数の差により、Ｖ字形状の凹部の先端に応力が加えられ、第一基板に亀裂を発生させる。また、同様に、第二の個片化補助材４１ｂに局所的に加熱をすると第二基板３と第二の個片化用補助材４１ｂとの熱膨張係数の差により、Ｖ字形状の凹部先端に応力が加えられ、第二の基板に亀裂を発生させる。
【００４７】
個片化のためのウエハの幅方向へのエキスパンド時、各基板の亀裂を利用することで、少ないウエハ曲げ応力であっても、元の亀裂から、接合面に形成したＶ字形状の凹部先端に沿って、亀裂基板の厚み方向に進行し、個片化することが可能である。よって、ＭＥＭＳデバイスの破損を防止することが可能となる。
【００４８】
（２：製造工程）
次に、図３から図５を参照して、本実施形態に係るパッケージの製造工程を説明する。
【００４９】
図３は、本実施形態に係るパッケージの製造工程を説明する図である。
【００５０】
まず、図３に示すように、第一基板２（リッド基板）の下面と上面にＶ字形状の凹部３１ａおよびＶ字形状の凹部３２ａを形成する。レジストをスピンコートで塗布し、所望の形状にレジストが残るように形成し、アルカリ系溶液、例えばＴＭＡＨ水溶液、ＫＯＨ水溶液など、によるウエットエッチング加工で第一基板２の表面にＶ字形状の凹部３１ａ、３２ａを形成する。凹部は、断面がＶ字形状の溝である。この場合、シリコンの結晶方位に沿ってエッチングされるため、斜面部が形成される。通常、シリコン基板の基板表面が、結晶面＜１００＞面が使用されることが多く、その場合、ウエットエッチングによる斜面角度は５４．７度で形成される。ここで凹部３１ａと凹部３２ａは、個片化のために第一基板２の上面から見た場合、同じ位置となるよう配置し、後の工程のスクライブラインの元となる。
【００５１】
その後、第一基板２上に下地膜となる材料を成膜（スパッタリングや蒸着など）した後、例えばドライフィルムレジストを貼付し、フォトリソグラフィで所望の形状にフィルムレジストが残るように形成する。また、ドライフィルムレジストの代わりに厚膜レジストをスピンコートして塗布し形成してもよい。その後、メッキ法にて接合材を形成する。それから、フィルムレジストを除去した後、不要部分の金属をドライエッチングあるいはウエットエッチング加工で除去して、第一基板の下面に下地膜１１ａと第一の接合材１２ａの積層構造を形成する。
【００５２】
一方、第二基板３（ベース基板）に、第一基板２と同様にして、Ｖ形状の凹部３１ｂおよびＶ字形状３２ｂをアルカリ系溶液（例えば、ＴＭＡＨ水溶液、ＫＯＨ水溶液など）によるウエットエッチング加工で形成する。その後、センサ５を形成する。
【００５３】
図４に示すように、さらに第二基板３に、第一基板２と同様に、第二基板３上に下地膜となる材料を成膜（スパッタリングや蒸着など）した後、例えばドライフィルムレジストを貼付し、フォトリソグラフィで所望の形状にフィルムレジストが残るように形成する。また、ドライフィルムレジストの代わりに厚膜レジストをスピンコートして塗布し形成してもよい。その後、メッキ法にて接合材を形成する。それから、フィルムレジストを除去した後、不要部分の金属をドライエッチングあるいはウエットエッチング加工で除去して、下地膜１１ｂと第一の接合材１２ｂの積層構造を形成する。
【００５４】
なお、第一の接合材１２ａおよび第二の接合材１２ｂは、スパッタリングや蒸着などで形成することも可能である。
【００５５】
続けて、図５に示すように、第一基板２と第二基板３の凹部３１ａと３１ｂ及び、第一の接合膜１２ａと第二の接合膜１２ｂの位置を合わせた後、減圧環境下において、第一基板２を第二基板３を厚み方向に加圧し、さらに加熱する。これにより、第一の接合材１２ａと第二の接合材１２ｂとが接触し、第一の接合材１２ａと第二の接合材１２ｂとが金属拡散接合されることにより、接合体１２０が形成される。この接合体１２０によりパッケージ１が気密封止される。
【００５６】
次に、図６用いて、個片化工程を説明する。
【００５７】
第一基板２および第二基板３を接合した後、不図示の粘着性樹脂テープを第二基板３の下面１０ｂ側に貼り付ける。その状態で、レーザー照射装置ＬＨから照射されるレーザー光Ｌにより、第１の個片化補助材４１ａを加熱し、熱応力を発生させ、その応力により第一基板の、Ｖ字形状の凹部の先端に亀裂を発生させる。
【００５８】
その後、第二基板３に貼り付けた粘着性樹脂テープを紫外線照射などで剥がした後、第１基板２に粘着性樹脂テープを貼りつける。その状態で、第一基板２における処置と同様に、レーザー照射装置ＬＨから照射されるレーザー光Ｌにより、第１の個片化補助材料４１ａを加熱し、熱応力を発生させ、その応力により、Ｖ字形状の凹部での先端部に亀裂を発生させる。そして、第一基板２に粘着性テープを貼りつけたまま、エキスパンド装置に、わずかな曲げ応力を加えることで、第１の個片化補助材４１ａ第２の個片化補助材料４１ｂのＶ字形状の凹部での先端部より、Ｖ字形状の凹部３１ａに亀裂が進む。また、同時に、第２の個片化補助材４１ｂのＶ字形状の凹部での先端部より、Ｖ字形状の凹部３１ｂに亀裂が進むことにより個片化する。
【００５９】
以上のように、本実施形態によれば、積層されている基板においても、わずかなウエハ曲げ応力で個片化することが可能である。よって、ＭＥＭＳデバイスの破損を防止することが可能となる。
【００６０】
上述の実施形態では、第一基板２の第一の接合材１２ａと第二基板３の第二の接合材１２ｂとの接合方法については金属拡散接合に限定されることはなく、また、第一基板２の第一の接合材１２ａと第二基板３の第二の接合材１２ｂとをそれぞれ金錫合金（ＡｕＳｎ）で形成し、共晶温度まで加熱および溶融することで接合する、いわゆる共晶接合で接合してもよい。
【００６１】
また、第一の個片化補助材４１ａおよび第２の個片化補助材料４１ｂを加熱方法については、レーザー光に限定されることはなく、真空雰囲気下あるいは窒素雰囲気下において、ヒータープレート等における加熱方法でもよい。
【００６２】
（第二実施形態）
次に、パッケージ１の変形例を説明する。図７を参照して、第二実施形態に係るパッケージ１０１について説明する。第二実施形態は、第一実施形態のパッケージの構造で、下地層と接合膜を凹部の表面に直接形成した構造を有する。なお、構成は第一実施形態で説明した構成を適宜採用することが可能であるので、ここではその説明を省略する。
【００６３】
図７は、第二実施形態におけるパッケージの構成断面図である。
【００６４】
図７に示すようにパッケージ１０１は、第一基板２と第二基板３を備える。また、第一基板２と第二基板３の間には、素子５を封入する封止空間Ｃが形成される。
【００６５】
第一基板２において、スクライブラインＳ上に、第二基板との個片化接合面側にＶ字形状の凹部３１ａ、その反対面側の面にはＶ字形状の凹部３２ａと、その上部に第一の個片化用補助材料４１ａが形成されている。
【００６６】
また、第一基板２と同様に第二基板３のスクライブラインＳ上に、接合面側にＶ字形状の凹部３１ｂ、その反対面側にはＶ字形状の凹部３２ｂが形成されている。さらにＶ字形状の凹部３２ｂ上には、第２の個片化用補助材４１ｂが形成されている。
【００６７】
そして、第一基板２上に形成の下地膜１１ａおよび第二基板３上に形成の下地膜１１ｂがスクライブラインＳ上に形成されている。その下地膜１１ａおよび下地膜１１ｂ上に第一の接合材１２ａと第二の接合材１２ｂとが形成さており、金属拡散接合により、接合体１２０が形成される。
【００６８】
第一基板２と第二基板の凹部に直接下地膜を形成し、パッケージの上方から見て凹部の位置に接合体１２０を形成する。そこで、パッケージの側面に接合膜を設けることができる。そのため、基板の凹部あるいはスクライブラインの位置と接合体の位置をウエハの幅方向に移動することなく、チップの幅方向より狭くすることができ、パッケージの小型化が可能となり、その結果ウエハ１枚当たりの取れ個数が増加されるので、コスト低減に効果的である。
【００６９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【００７０】
上述のパッケージを用いたセンサ装置、半導体装置等は、携帯端末、スマートフォン、センサネットワーク・デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）技術等に応用することも可能である。
【符号の説明】
【００７１】
１、１０1・・・パッケージ
２・・・第一基板
３・・・第二基板
５・・・素子
１０ａ・・・第二基板の上面
１０ｂ・・・第二基板の下面
１１ａ，１１ｂ・・・下地膜
１２ａ・・・第一の接合材
１２ｂ・・・第二の接合材
１２０・・・接合体
３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ・・・凹部
４１ａ・・・第一の個片化補助材
４１ｂ・・・第二の個片化補助材
Ｃ・・・封止空間
Ｓ・・・スクライブライン
【図１】
2018157159.tif 000003
【図２】
2018157159.tif 000004
【図３】
2018157159.tif 000005
【図４】
2018157159.tif 000006
【図５】
2018157159.tif 000007
【図６】
2018157159.tif 000008
【図７】
2018157159.tif 000009