(57)【要約】【課題】電流コラプスの抑制が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に設けられ、第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、第１の電極との間にゲート電極が位置し、第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、ゲート電極と第２の電極との間に設けられ、第１の窒化物半導体層との間に第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が位置し、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記ゲート電極と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁層と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比が前記第１の絶縁層よりも大きい酸化シリコンを含む第２の絶縁層を、更に備える請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の窒化物半導体層との間に前記ゲート電極及び前記第１の絶縁層が位置し、前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極を、更に備える請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の窒化物半導体層と前記第３の電極との間に設けられ、前記第２の電極の側の端部が前記ゲート電極と前記第３の電極の前記第２の電極の側の端部との間に位置し、前記ゲート電極に電気的に接続された第４の電極を、更に備える請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の窒化物半導体層と前記第４の電極との間に設けられ、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第３の絶縁層を、更に備える請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられ、窒素を含む酸化シリコンを含むゲート絶縁層を、更に備える請求項１乃至請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が位置し、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記ゲート電極と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、窒素を含む酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の絶縁層に含まれる酸化シリコンよりも窒素密度が低い酸化シリコンを含む第２の絶縁層と、
を備える半導体装置。
【請求項８】
前記第２の窒化物半導体層との間に前記ゲート電極及び前記第１の絶縁層が位置し、前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極を、更に備える請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられ、窒素を含む酸化シリコンを含むゲート絶縁層を、更に備える請求項７又は請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が位置し、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記ゲート電極と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、正電荷を含む第１の絶縁層と、
前記１の絶縁層と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、正電荷密度が前記第１の絶縁層よりも低い第２の絶縁層と、
を備える半導体装置。
【請求項１１】
前記第２の窒化物半導体層との間に前記ゲート電極及び前記第１の絶縁層が位置し、前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極を、更に備える請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２の窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられ、正電荷を含むゲート絶縁層を、更に備える請求項１０又は請求項１１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いた高電子移動度トランジスタ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）は、チャネル層に２次元電子ガス（２  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｇａｓ：２ＤＥＧ）が形成される。２次元電子ガスにより、低いオン抵抗と速いスイッチング速度が実現される。
【０００３】
ＨＥＭＴのオフ状態では、ソース電極とドレイン電極との間に高電圧が印加され、ドレイン電極に電子が流れ込む。その際、一部の電子が半導体と絶縁層との界面又は絶縁層中にトラップされ負の固定電荷となる。この負の固定電荷により、オン状態においてもチャネルの空乏化が生じ、オン抵抗の増大を引き起こすおそれがある。この現象は電流コラプスと称される。
【０００４】
電子のトラップを防止し、電流コラプスを抑制することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−３２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、電流コラプスの抑制が可能な半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第１の電極との間に前記ゲート電極が位置し、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、前記ゲート電極と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の作用及び効果の説明図。
【図３】第１の実施形態の半導体装置の作用及び効果の説明図。
【図４】第２の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図５】第３の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図６】第４の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図７】第５の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図８】第６の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図９】第７の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図１０】第８の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
【００１０】
本明細書中、「アンドープ」とは、不純物濃度が１×１０１５ｃｍ−３以下であることを意味する。
【００１１】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【００１２】
（第１の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に設けられ、第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、第１の電極との間にゲート電極が位置し、第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、ゲート電極と第２の電極との間に設けられ、第１の窒化物半導体層との間に第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、を備える。
【００１３】
図１は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【００１４】
図１に示すように、ＨＥＭＴ１００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第３の電極）を備える。
【００１５】
基板１０は、例えば、表面の面方位が（１１１）のシリコンである。シリコン以外にも、例えば、サファイアや炭化珪素を適用することも可能である。
【００１６】
バッファ層１２は、基板１０上に設けられる。バッファ層１２は、基板１０とチャネル層１４との間の格子不整合を緩和する機能を備える。バッファ層１２は、例えば、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウムで形成される。
【００１７】
チャネル層１４は、バッファ層１２上に設けられる。チャネル層１４は電子走行層とも称される。
【００１８】
チャネル層１４は、例えば、アンドープのＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）である。より具体的には、例えば、アンドープの窒化ガリウム（ＧａＮ）である。チャネル層１４の厚さは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００１９】
バリア層１６は、チャネル層１４上に設けられる。バリア層１６は電子供給層とも称される。バリア層１６のバンドギャップは、チャネル層１４のバンドギャップよりも大きい。
【００２０】
バンドギャップの大きいバリア層１６は、チャネル層１４と格子定数が異なるため歪み、分極する。この分極による内部電界により、チャネル層１４のバンドが押し下げられ、反転層として２ＤＥＧが形成される。
【００２１】
バリア層１６は、例えば、アンドープのＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Ｙ≦１、Ｘ＜Ｙ）である。バリア層１６は、例えば、アンドープの窒化アルミニウムガリウムである。より具体的には、例えば、アンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎである。バリア層１６の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００２２】
チャネル層１４とバリア層１６との間は、ヘテロ接合界面となる。チャネル層１４には、ヘテロ接合界面の分極電荷によって、２ＤＥＧが形成される。２ＤＥＧは高い電子移動度を有し、デバイス動作中の低オン抵抗と高速スイッチングを可能にする。
【００２３】
ゲート絶縁層２０は、バリア層１６上に設けられる。ゲート絶縁層２０は、バリア層１６に接して設けられる。ゲート絶縁層２０は、バリア層１６とゲート電極２２との間に設けられる。ゲート絶縁層２０は、ＨＥＭＴ１００のゲートリーク電流を抑制する。
【００２４】
ゲート絶縁層２０は、例えば、窒化シリコンである。ゲート絶縁層２０の厚さは、例えば、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。
【００２５】
ゲート電極２２は、ゲート絶縁層２０上に設けられる。ゲート電極２２は、ソース電極２６とドレイン電極２８との間に設けられる。
【００２６】
ゲート電極２２は、例えば、金属電極である。ゲート電極２２は、例えば、白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）の積層構造である。白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）の厚さは、例えば、５０ｎｍ／５００ｎｍである。
【００２７】
ソース電極２６とドレイン電極２８は、バリア層１６上に設けられる。ソース電極２６とドレイン電極２８は、例えば、金属電極である。ソース電極２６とドレイン電極２８は、例えば、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の積層構造である。チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の厚さは、例えば、２５ｎｍ／３００ｎｍ／５０ｎｍ／５０ｎｍである。
【００２８】
ソース電極２６及びドレイン電極２８は、例えば、バリア層１６に接する。ソース電極２６及びドレイン電極２８とバリア層１６との間は、オーミックコンタクトであることが望ましい。ソース電極２６及びドレイン電極２８は、バリア層１６を介してチャネル層１４に電気的に接続される。ソース電極２６及びドレイン電極２８が、チャネル層１４に接する構造とすることも可能である。
【００２９】
ソース電極２６とドレイン電極２８との距離は、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下である。
【００３０】
第１の絶縁層２４は、ゲート電極２２上に設けられる。第１の絶縁層２４の少なくとも一部は、ゲート電極２２とドレイン電極２８との間に設けられる。第１の絶縁層２４の少なくとも一部は、ゲート絶縁層２０上に設けられる。
【００３１】
第１の絶縁層２４は、酸化シリコン層である。第１の絶縁層２４は、酸化シリコンを含む。第１の絶縁層２４の主成分は酸化シリコンである。副成分として、その他の材料を含んでいても構わない。
【００３２】
第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコンは、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下である。第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコンは、シリコンに対する酸素の原子比が、化学量論的組成である２よりも小さい。第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコンは、酸素が欠損している。
【００３３】
第１の絶縁層２４である酸化シリコン層は、酸素が欠損することにより、正電荷を層中に含む。第１の絶縁層２４である酸化シリコン層は、正の固定電荷を層中に含む。第１の絶縁層２４である酸化シリコン層は、正に帯電している。
【００３４】
第１の絶縁層２４である酸化シリコン層は、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される。例えば、シリコンのソースガスに対して、酸素のソースガスの流量を低減することで、酸素が欠損した酸化シリコン層を形成することが可能である。
【００３５】
なお、第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコンの、シリコンに対する酸素の原子比は、例えば、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）による測定から計算により求めることが可能である。また、μＡＥＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ａｕｇｅｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）による測定から求めることも可能である。
【００３６】
ソースフィールドプレート電極３０は、第１の絶縁層２４上に設けられる。ソースフィールドプレート電極３０と、バリア層１６との間に、ゲート電極２２及び第１の絶縁層２４が位置する。
【００３７】
ソースフィールドプレート電極３０は、ソース電極２６と電気的に接続される。ソースフィールドプレート電極３０は、ソース電極２６と物理的に接続される。ソースフィールドプレート電極３０は、ソース電極２６と同電位である。
【００３８】
ソースフィールドプレート電極３０は、ソース電極２６とドレイン電極２８との間の電界強度を緩和させる。したがって、ＨＥＭＴ１００の電流コラプスを抑制する。また、ソースフィールドプレート電極３０は、ＨＥＭＴ１００のオフ耐圧を向上させる。
【００３９】
ソースフィールドプレート電極３０は、例えば、金属電極である。ソースフィールドプレート電極３０は、例えば、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の積層構造である。
【００４０】
次に、本実施形態の半導体装置の作用及び効果について説明する。
【００４１】
図２、図３は本実施形態の半導体装置の作用及び効果の説明図である。図２は比較形態のＨＥＭＴのバンド図、図３は本実施形態のＨＥＭＴ１００のバンド図である。
【００４２】
比較形態のＨＥＭＴは、シリコンに対する酸素の原子比が、化学量論的組成である２の酸化シリコンの絶縁層をゲート絶縁層上に備える。言い換えれば、帯電していない絶縁層をゲート絶縁層上に備える。
【００４３】
図２（ａ）はストレス印加前の比較形態のＨＥＭＴのバンド図である。バリア層（図２中のＡｌＧａＮ）とゲート絶縁層（図２中の絶縁層）との間の界面準位（図２中の×印）には、電子はトラップされていない。
【００４４】
図２（ｂ）はストレス印加後の比較形態のＨＥＭＴのバンド図である。すなわち、オフ状態のＨＥＭＴのソース電極とドレイン電極との間に高電圧を印加した後のバンド図である。
【００４５】
ソース電極とドレイン電極との間に高電圧により、電子がドレイン電極に流れ込む。バリア層とゲート絶縁層との間の界面準位に電子の一部がトラップされる。
【００４６】
界面準位にトラップされた電子は、負の固定電荷となる。この負の固定電荷により、オン状態においてもチャネルの空乏化が生じ、２ＤＥＧの密度が低下する。したがって、オン抵抗が増大する。言い換えれば、電流コラプスが生じる。
【００４７】
図３（ａ）はストレス印加前の本実施形態のＨＥＭＴのバンド図である。本実施形態のＨＥＭＴ１００は、ゲート絶縁層上の絶縁層中に正の固定電荷を含む。この正の固定電荷によりバンドが押し下げられる。したがって、バリア層（図３中のＡｌＧａＮ）とゲート絶縁層（図３中の絶縁層）との間の界面準位（図３中の×印）に、あらかじめ電子をトラップしておくことが可能となる。界面準位にトラップされた電子は、負の固定電荷となる。
【００４８】
ゲート絶縁層と絶縁層との界面の負の固定電荷は、絶縁層中の正の固定電荷とチャージバランスがとられている。したがって、負の固定電荷によりチャネルの空乏化が生じ、２ＤＥＧの密度が低下することはない。
【００４９】
図３（ｂ）はストレス印加後の本実施形態のＨＥＭＴ１００のバンド図である。本実施形態のＨＥＭＴ１００では、バリア層とゲート絶縁層との間の界面準位は、あらかじめ電子で埋まっている。したがって、ストレスを印加しても、更に、電子が界面準位にトラップされることはない。よって、電流コラプスを抑制することが可能となる。
【００５０】
絶縁層中の正電荷（正の固定電荷）の面密度は、電流コラプスを抑制する観点から、１．４×１０１２ｃｍ−２以上であることが望ましい。
【００５１】
本実施形態の第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコンは、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下である。上記範囲を上回ると正の固定電荷量が少なくなりすぎ、電流コラプスの抑制が不十分となるおそれがある。また、上記範囲を下回ると第１の絶縁層２４の膜質が低下し、ＨＥＭＴ１００の信頼性が低下するおそれがある。
【００５２】
ゲート絶縁層２０は、窒化シリコンであることが望ましい。ゲート絶縁層２０を窒化シリコンとすることにより、ＨＥＭＴ１００製造時のバリア層１６の酸化を抑制することができる。また、ゲート絶縁層２０を窒化シリコンとすることにより、ＨＥＭＴ１００製造時のバリア層１６の窒素抜けを抑制することができる。したがって、バリア層１６とゲート絶縁層２０との界面近傍のトラップ準位を低減することが可能となる。
【００５３】
以上、本実施形態によれば、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。
【００５４】
（第２の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第１の絶縁層と第２の電極との間に設けられ、第１の窒化物半導体層との間に第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比が第１の絶縁層よりも大きい酸化シリコンを含む第２の絶縁層を、更に備える以外は第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【００５５】
図４は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【００５６】
図４に示すように、ＨＥＭＴ２００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第３の電極）、第２の絶縁層３２を備える。
【００５７】
第１の絶縁層２４は、ゲート電極２２のドレイン電極２８側の端部とソースフィールドプレート電極３０のドレイン電極２８側の端部との間に設けられる。第１の絶縁層２４は、ゲート電極２２とドレイン電極２８との間、かつ、ソースフィールドプレート電極３０とバリア層１６に挟まれた領域のみに設けられる。
【００５８】
第２の絶縁層３２は、第１の絶縁層２４とドレイン電極２８との間に設けられる。また、第２の絶縁層３２は、第１の絶縁層２４とソース電極２６との間に設けられる。第１の絶縁層２４の少なくとも一部は、ゲート絶縁層２０上に設けられる。
【００５９】
第２の絶縁層３２は、酸化シリコン層である。第２の絶縁層３２は、酸化シリコンを含む。第２の絶縁層３２の主成分は酸化シリコンである。副成分として、その他の材料を含んでいても構わない。
【００６０】
第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコンは、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が第１の絶縁層２４よりも大きい。第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコンのシリコンに対する酸素の原子比は、例えば、１．９以上である。第２の絶縁層３２の酸素欠損は、第１の絶縁層２４の酸素欠損よりも少ない。
【００６１】
第２の絶縁層３２の正電荷密度は、第１の絶縁層２４の正電荷密度よりも低い。
【００６２】
ＨＥＭＴ２００のオフ状態において、高い電界が集中し電子のトラップが生じやすい箇所は、ゲート電極２２のドレイン電極２８側の端部近傍、及び、ソースフィールドプレート電極３０のドレイン電極２８側の端部近傍となる。本実施形態では、ゲート電極２２とドレイン電極２８との間のフィールドプレート電極３０の下のみ、言い換えれば、ゲート電極２２のドレイン電極２８側の領域のみに正の固定電荷を備える第１の絶縁層２４を設けることで、効果的に電流コラプスを抑制することが可能である。
【００６３】
酸化シリコン中の酸素欠損の量が多くなると酸化シリコンの膜質が悪くなるおそれがある。酸化シリコンの膜質が悪くなると外部からの水の侵入などによりデバイスの信頼性が低下するおそれがある。
【００６４】
本実施形態のＨＥＭＴ２００では、酸化シリコンなどに比べ、透水性の低い金属で形成されたフィールドプレート電極３０の下のみに酸素欠損の多い第１の絶縁層２４を設ける。したがって、信頼性の低下が抑制される。
【００６５】
以上、本実施形態によれば、第１の実施形態同様、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。さらに、信頼性の低下の抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。
【００６６】
（第３の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の窒化物半導体層と第３の電極との間に設けられ、第２の電極側の端部がゲート電極と第３の電極の第２の電極側の端部との間に位置し、ゲート電極に電気的に接続された第４の電極を、更に備える以外は第２の実施形態と同様である。以下、第２の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【００６７】
図５は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【００６８】
図５に示すように、ＨＥＭＴ３００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第４の電極）、第２の絶縁層３２、ゲートフィールプレート電極３４を備える。
【００６９】
ゲートフィールプレート電極３４は、バリア層１６とソースフィールドプレート電極３０との間に設けられる。ゲートフィールプレート電極３４のドレイン電極２８側の端部は、ゲート電極２２とソースフィールドプレート電極３０のドレイン電極２８側の端部との間に位置する。
【００７０】
ゲートフィールプレート電極３４は、ゲート電極２２と電気的に接続される。ゲートフィールプレート電極３４は、ゲート電極２２と物理的に接続される。ゲートフィールプレート電極３４は、ゲート電極２２と同電位である。
【００７１】
ゲートフィールプレート電極３４は、ソース電極２６とドレイン電極２８との間の電界強度を緩和させる。したがって、ＨＥＭＴ３００の電流コラプスを抑制する。また、ゲートフィールプレート電極３４は、ＨＥＭＴ３００のオフ耐圧を向上させる。
【００７２】
ゲートフィールプレート電極３４は、例えば、金属電極である。ソースフィールドプレート電極３０は、例えば、白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）の積層構造である。
【００７３】
本実施形態のＨＥＭＴ３００では、ゲートフィールプレート電極３４を設けることにより、第２の実施形態と比較して、さらに電流コラプスが抑制される。また、ＨＥＭＴ３００のオフ耐圧が向上する。
【００７４】
以上、本実施形態によれば、第２の実施形態同様、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。さらに、電流コラプスが抑制され、オフ耐圧の向上したＨＥＭＴが提供される。
【００７５】
（第４の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の窒化物半導体層と第４の電極との間に設けられ、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第３の絶縁層を、更に備える以外は第３の実施形態と同様である。以下、第３の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【００７６】
図６は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【００７７】
図６に示すように、ＨＥＭＴ４００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第４の電極）、第２の絶縁層３２、ゲートフィールプレート電極３４、第４の絶縁層３６を備える。
【００７８】
第４の絶縁層３６は、バリア層１６とゲートフィールプレート電極３４との間に設けられる。第４の絶縁層３６は、ゲート絶縁層２０上に設けられる。第４の絶縁層３６は、ゲート電極２２と第１の絶縁層２４との間に設けられる。
【００７９】
第４の絶縁層３６は、酸化シリコン層である。第４の絶縁層３６は、酸化シリコンを含む。第４の絶縁層３６の主成分は酸化シリコンである。副成分として、その他の材料を含んでいても構わない。
【００８０】
第４の絶縁層３６に含まれる酸化シリコンは、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下である。第４の絶縁層３６に含まれる酸化シリコンは、シリコンに対する酸素の原子比が、化学量論的組成である２よりも小さい。第４の絶縁層３６に含まれる酸化シリコンは、酸素が欠損している。
【００８１】
第４の絶縁層３６である酸化シリコン層は、正電荷を層中に含む。第４の絶縁層３６である酸化シリコン層は、正の固定電荷を層中に含む。第４の絶縁層３６である酸化シリコン層は、正に帯電している。
【００８２】
第４の絶縁層３６である酸化シリコン層は、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成される。例えば、シリコンのソースガスに対して、酸素のソースガスの流量を低減することで、酸素が欠損した酸化シリコン層を形成することが可能である。
【００８３】
なお、第４の絶縁層３６に含まれる酸化シリコンの、シリコンに対する酸素の原子比は、例えば、ＳＩＭＳによる測定から計算により求めることが可能である。
【００８４】
ＨＥＭＴ４００のオフ状態において、高い電界が集中し電子のトラップが生じやすい箇所は、ゲート電極２２のドレイン電極２８側の端部近傍、ソースフィールドプレート電極３０のドレイン電極２８側の端部近傍、及び、ゲートフィールプレート電極３４のドレイン電極２８側の端部近傍となる。
【００８５】
本実施形態のＨＥＭＴ４００では、ゲートフィールプレート電極３４の下に正の固定電荷を含む第４の絶縁層３６を更に備える。したがって、第３の実施形態と比較して、さらに電流コラプスが抑制される。
【００８６】
以上、本実施形態によれば、第３の実施形態同様、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。また、第３の実施形態と比較して、更に電流コラプスが抑制されたＨＥＭＴが提供される。
【００８７】
（第５の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の窒化物半導体層とゲート電極との間に設けられ、窒素を含む酸化シリコンを含むゲート絶縁層を、更に備える以外は第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【００８８】
図７は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【００８９】
図７に示すように、ＨＥＭＴ５００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第３の電極）を備える。
【００９０】
ゲート絶縁層２０は、第１の絶縁膜２０ａと第２の絶縁膜２０ｂとの積層構造である。
【００９１】
第１の絶縁膜２０ａは、例えば、窒化シリコンである。
【００９２】
第２の絶縁膜２０ｂは、窒素を含む酸化シリコン膜である。第２の絶縁膜２０ｂは、窒素を含む酸化シリコンを含む。第２の絶縁膜２０ｂに含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、例えば、０．１以上０．８以下である。
【００９３】
第２の絶縁膜２０ｂである窒素を含む酸化シリコン膜は、窒素を含むことにより、正電荷を膜中に含む。第２の絶縁膜２０ｂである窒素を含む酸化シリコン膜は、正の固定電荷を膜中に含む。第２の絶縁膜２０ｂである窒素を含む酸化シリコン膜は、正に帯電している。
【００９４】
窒素を含む酸化シリコン膜は、例えば、酸化シリコン膜の形成後、アンモニア（ＮＨ３）雰囲気中で熱処理することで形成できる。
【００９５】
なお、第２の絶縁膜２０ｂに含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、例えば、ＳＩＭＳによる測定から計算により求めることが可能である。
【００９６】
本実施形態のＨＥＭＴ５００では、正の固定電荷を有する第２の絶縁膜２０ｂにより、バリア層１６とゲート絶縁層２０との間の界面準位があらかじめ電子で埋められる。したがって、第１の実施形態に比べ、更に電流コラプスが抑制される。
【００９７】
また、ゲート電極２２直下のバリア層１６とゲート絶縁層２０との間の界面準位も、あらかじめ電子で埋められる。したがって、ゲート電極２２直下での電子のトラップによるＨＥＭＴ５００の閾値電圧変動も抑制される。
【００９８】
第２の絶縁膜２０ｂに含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、０．１以上０．８以下であることが望ましく、０．３以上０．６以下であることがより望ましい。上記範囲を下回ると、十分な電流コラプスの抑制効果及び閾値変動の抑制効果が得られないおそれがある。上記範囲を上回ると、ゲートリーク電流が許容範囲を超えるおそれがある。
【００９９】
以上、本実施形態によれば、第１の実施形態同様、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。さらに、閾値電圧変動の抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。
【０１００】
（第６の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の窒化物半導体層とゲート電極との間に設けられたｐ型の第３の窒化物半導体層を、更に備える以外は第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【０１０１】
図８は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【０１０２】
図８に示すように、ＨＥＭＴ６００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第３の電極）、ｐ型層４０（第３の窒化物半導体層）を備える。
【０１０３】
ｐ型層４０は、バリア層１６とゲート電極２２との間に設けられる。ｐ型層４０は、バリア層１６に接して設けられる。
【０１０４】
ｐ型層４０は、例えば、ｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）である。
【０１０５】
本実施形態のＨＥＭＴ６００は、ｐ型層４０を有する接合ゲート構造のＨＥＭＴである。ｐ型層４０を有することで、ノーマリー・オフ特性を実現できる。ノーマリー・オフ特性は、ゲート電極に電圧を印加しない状態では、ソース・ドレイン間に電流が流れない特性である。
【０１０６】
以上、本実施形態によれば、第１の実施形態同様、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。さらに、ノーマリー・オフ特性を実現できるＨＥＭＴが提供される。
【０１０７】
（第７の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に設けられ、第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、第１の電極との間にゲート電極が位置し、第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、ゲート電極と第２の電極との間に設けられ、第１の窒化物半導体層との間に第２の窒化物半導体層が位置し、窒素を含む酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、第１の絶縁層と第２の電極との間に設けられ、第１の絶縁層に含まれる酸化シリコンよりも窒素密度が低い酸化シリコンを含む第２の絶縁層と、を備える。
【０１０８】
本実施形態の半導体装置は、第１の絶縁層の材料が異なる以外は第２の実施形態と同様である。以下、第２の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【０１０９】
図９は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【０１１０】
図９に示すように、ＨＥＭＴ７００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第３の電極）、第２の絶縁層３２を備える。
【０１１１】
第１の絶縁層２４は、ゲート電極２２のドレイン電極２８側の端部とソースフィールドプレート電極３０のドレイン電極２８側の端部との間に設けられる。第１の絶縁層２４は、ゲート電極２２とドレイン電極２８との間、かつ、ソースフィールドプレート電極３０とバリア層１６に挟まれた領域のみに設けられる。
【０１１２】
第１の絶縁層２４は、酸化シリコン層である。第１の絶縁層２４は、酸化シリコンを含む。第１の絶縁層２４の主成分は酸化シリコンである。副成分として、その他の材料を含んでいても構わない。
【０１１３】
第１の絶縁層２４は、窒素を含む酸化シリコン層である。第１の絶縁層２４は、窒素を含む酸化シリコンを含む。第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、例えば、０．１以上０．８以下である。
【０１１４】
第１の絶縁層２４である窒素を含む酸化シリコン層は、窒素を含むことにより、正電荷を層中に含む。第１の絶縁層２４である窒素を含む酸化シリコン層は、正の固定電荷を層中に含む。第１の絶縁層２４である窒素を含む酸化シリコン層は、正に帯電している。
【０１１５】
第２の絶縁層３２は、第１の絶縁層２４とドレイン電極２８との間に設けられる。また、第２の絶縁層３２は、第１の絶縁層２４とソース電極２６との間に設けられる。第１の絶縁層２４の少なくとも一部は、ゲート絶縁層２０上に設けられる。
【０１１６】
第２の絶縁層３２は、酸化シリコン層である。第２の絶縁層３２は、酸化シリコンを含む。第２の絶縁層３２の主成分は酸化シリコンである。副成分として、その他の材料を含んでいても構わない。
【０１１７】
第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコンは、窒素密度が第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコンよりも低い。言い換えれば、第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）が、第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコンよりも低い。第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、例えば、０以上０．１未満である。
【０１１８】
第２の絶縁層３２の正電荷密度は、第１の絶縁層２４の正電荷密度よりも低い。
【０１１９】
なお、第１の絶縁層２４、第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、例えば、ＳＩＭＳによる測定から計算により求めることが可能である。また、第１の絶縁層２４、第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコン中の窒素密度は、ＳＩＭＳによる測定で求めることが可能である。また、第１の絶縁層２４、第２の絶縁層３２に含まれる酸化シリコン中の窒素密度の大小関係は、例えば、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）により測定することが可能である。
【０１２０】
本実施形態のＨＥＭＴ７００は、第２の実施形態同様、第１の絶縁層２４が正の固定電荷を層中に含むことにより、電流コラプスの抑制が可能となる。しかし、窒素を含む酸化シリコンは、リーク電流が大きくなるため、絶縁層に適用するとＨＥＭＴ７００の待機電流や消費電力などのデバイス特性が低下するおそれがある。
【０１２１】
ＨＥＭＴ７００のオフ状態で、高い電界が集中し電子のトラップが生じやすい箇所は、ゲート電極２２のドレイン電極２８側の端部近傍、及び、ソースフィールドプレート電極３０のドレイン電極２８側の端部近傍である。本実施形態のＨＥＭＴ７００は、それらの箇所に近い領域に、選択的に正の固定電荷を備える第１の絶縁層２４を設ける。したがって、他のデバイス特性を低下させずに、効果的に電流コラプスを抑制することが可能である。
【０１２２】
第１の絶縁層２４に含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、０．１以上０．８以下であることが望ましく、０．３以上０．６以下であることがより望ましい。上記範囲を下回ると、十分な電流コラプスの抑制効果及び閾値変動の抑制効果が得られないおそれがある。上記範囲を上回ると、絶縁層のリーク電流が許容範囲を超えるおそれがある。
【０１２３】
以上、本実施形態によれば、第２の実施形態同様、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。さらに、デバイス特性の低下の抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。
【０１２４】
（第８の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の窒化物半導体層とゲート電極との間に設けられ、窒素を含む酸化シリコンを含むゲート絶縁層を、更に備える以外は第７の実施形態と同様である。以下、第７の実施形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【０１２５】
図１０は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いたＨＥＭＴである。
【０１２６】
図１０に示すように、ＨＥＭＴ８００（半導体装置）は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層１４（第１の窒化物半導体層）、バリア層１６（第２の窒化物半導体層）、ゲート絶縁層２０、ゲート電極２２、第１の絶縁層２４、ソース電極２６（第１の電極）、ドレイン電極２８（第２の電極）、ソースフィールドプレート電極３０（第３の電極）、第２の絶縁層３２を備える。
【０１２７】
ゲート絶縁層２０は、第１の絶縁膜２０ａと第２の絶縁膜２０ｂとの積層構造である。
【０１２８】
第１の絶縁膜２０ａは、例えば、窒化シリコンである。
【０１２９】
第２の絶縁膜２０ｂは、窒素を含む酸化シリコン膜である。第２の絶縁膜２０ｂは、窒素を含む酸化シリコンを含む。第２の絶縁膜２０ｂに含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、例えば、０．１以上０．８以下である。
【０１３０】
第２の絶縁膜２０ｂである窒素を含む酸化シリコン膜は、窒素を含むことにより、正電荷を膜中に含む。第２の絶縁膜２０ｂである窒素を含む酸化シリコン膜は、正の固定電荷を膜中に含む。第２の絶縁膜２０ｂである窒素を含む酸化シリコン膜は、正に帯電している。
【０１３１】
窒素を含む酸化シリコン膜は、例えば、酸化シリコン膜の形成後、アンモニア（ＮＨ３）雰囲気中で熱処理することで形成できる。
【０１３２】
なお、第２の絶縁膜２０ｂに含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、例えば、ＳＩＭＳによる測定から計算により求めることが可能である。
【０１３３】
本実施形態のＨＥＭＴ８００では、正の固定電荷を有する第２の絶縁膜２０ｂにより、バリア層１６とゲート絶縁層２０との間の界面準位があらかじめ電子で埋められる。したがって、第１の実施形態に比べ、更に電流コラプスが抑制される。
【０１３４】
また、ゲート電極２２直下のバリア層１６とゲート絶縁層２０との間の界面準位も、あらかじめ電子で埋められる。したがって、ゲート電極２２直下での電子のトラップによるＨＥＭＴ８００の閾値電圧変動も抑制される。
【０１３５】
第２の絶縁膜２０ｂに含まれる酸化シリコン中の酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）は、０．１以上０．８以下であることが望ましく、０．３以上０．６以下であることがより望ましい。上記範囲を下回ると、十分な電流コラプスの抑制効果及び閾値変動の抑制効果が得られないおそれがある。上記範囲を上回ると、ゲートリーク電流が許容範囲を超えるおそれがある。
【０１３６】
以上、本実施形態によれば、第７の実施形態同様、電流コラプスの抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。さらに、閾値電圧変動の抑制が可能なＨＥＭＴが提供される。
【０１３７】
第２の実施形態では、正電荷を含む絶縁層として、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコン層の場合を説明した。第７の実施の形態では、正電荷を含む絶縁層として、窒素を含む酸化シリコン層の場合を説明した。これらの材料にかえて、他の正電荷を含む絶縁層を適用することも可能である。正電荷を含む絶縁層であるか否かは、絶縁層の材料から判定することが可能である。
【０１３８】
第１ないし第８の実施形態では、窒化物半導体層の材料として窒化ガリウムや窒化アルミニウムガリウムを例に説明したが、例えば、インジウム（Ｉｎ）を含有する窒化インジウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウムを適用することも可能である。また、窒化物半導体層の材料として窒化アルミニウムを適用することも可能である。
【０１３９】
また、第１ないし第８の実施形態では、バリア層１６として、アンドープの窒化アルミニウムガリウムを例に説明したが、例えば、ｎ型の窒化アルミニウムガリウムを適用することも可能である。
【０１４０】
第１ないし第８の実施形態では、バリア層１６と第１の絶縁層２４との間にゲート絶縁層２０を有する場合を例に説明したが、第１の絶縁層２４がバリア層１６に直接接する構成とすることも可能である。
【０１４１】
第１ないし第８の実施形態では、ＨＥＭＴの構造としてゲート絶縁層を有するプレーナゲート構造のＨＥＭＴ、又は、ｐ型層を有する接合ゲート構造のＨＥＭＴを例に説明したが、ショットキーゲート構造のＨＥＭＴ、チャネル層又はバリア層に設けられたリセス内にゲート電極を有するリセスゲート構造のＨＥＭＴなど、その他の構造のＨＥＭＴに本発明を適用することも可能である。
【０１４２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４３】
１４      チャネル層（第１の窒化物半導体層）
１６      バリア層（第２の窒化物半導体層）
２０      ゲート絶縁層
２２      ゲート電極
２４      第１の絶縁層
２６      ソース電極（第１の電極）
２８      ドレイン電極（第２の電極）
３０      ソースフィールドプレート電極（第３の電極）
３２      第２の絶縁層
３４      ゲートフィールドプレート電極（第４の電極）
３６      第３の絶縁層
１００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
２００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
３００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
４００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
５００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
６００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
７００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
８００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
【図１】
2018041932.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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