(57)【要約】【課題】メッキ層の研磨におけるクラックの発生を抑制できる多数個取り配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本開示は、セラミック層と導電パターンとを備える多数個取り配線基板の製造方法である。多数個取り配線基板の製造方法は、電解メッキを用い、導電性の下地層が形成されたセラミック層にメッキ層を形成する工程と、メッキ層の表面を一定方向に研磨する工程とを備える。セラミック層は、複数の凹部を側面に有する。複数の凹部は、それぞれ下地層が凹面及びセラミック層の表面における凹部の周辺領域に形成されている。メッキ層形成工程では、複数の凹部をメッキ電極として使用し、周辺領域に凹部メッキ層を形成する。複数の凹部メッキ層は、セラミック層の表面において側面より内側に位置する内側外縁を有する。内側外縁は、研磨方向との成す鋭角が８０°以上９０°以下である直線、又は曲率半径が凹部の深さの３倍以上である曲線を１本以上含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック層と、前記セラミック層に配置された導電パターンとを備える多数個取り配線基板の製造方法であって、
電解メッキを用い、表面及び裏面のうち少なくとも表面に導電性の下地層が形成された前記セラミック層にメッキ層を形成する工程と、
前記メッキ層の表面を一定方向に研磨する工程と、
を備え、
前記セラミック層は、複数の凹部を側面に有し、
前記複数の凹部は、それぞれ前記下地層が凹面及び前記セラミック層の表面における前記凹部の周りの周辺領域に形成されており、
前記メッキ層を形成する工程では、前記複数の凹部をメッキ電極として使用すると共に、前記周辺領域にそれぞれ凹部メッキ層を形成し、
前記複数の凹部メッキ層は、前記セラミック層の表面において前記セラミック層の側面よりも内側に位置する内側外縁をそれぞれ有し、
前記内側外縁は、前記研磨する工程での研磨方向との成す鋭角が８０°以上９０°以下である直線、又は曲率半径が前記凹部の深さの３倍以上である曲線を１本以上含む、多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数の凹部メッキ層それぞれにおいて、前記研磨方向に沿った前記凹部から前記内側外縁までの最短距離は、前記研磨する工程前における前記凹部メッキ層の平均厚みの２０倍以上である、請求項１に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項３】
隣接する前記複数の凹部メッキ層は、帯状に連続している、請求項１又は請求項２に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記研磨する工程後における前記複数の凹部メッキ層の最大厚みは、１５０μｍ以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項５】
セラミック層と、前記セラミック層に配置された導電パターンとを備える多数個取り配線基板であって、
前記セラミック層は、複数の凹部を側面に有し、
前記導電パターンは、複数の配線部と、前記セラミック層の表面における前記複数の凹部の周りの周辺領域にそれぞれ配置された複数の凹部メッキ層とを有し、
前記複数の配線部及び前記複数の凹部メッキ層は、それぞれ、表面に一定方向の研磨痕を有し、
前記複数の凹部メッキ層は、前記セラミック層の表面において前記セラミック層の側面よりも内側に位置する内側外縁をそれぞれ有し、
前記内側外縁は、前記研磨痕との成す鋭角が８０°以上９０°以下である直線、又は曲率半径が前記凹部の深さの３倍以上である曲線を１本以上含む、多数個取り配線基板。
【請求項６】
前記複数の凹部メッキ層の最大厚みは、１５０μｍ以下である、請求項５に記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、多数個取り配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック層と配線部とを備える配線基板の製造工程において、通常、複数の配線基板が１つのシートにまとめられた多数個取り配線基板が製造される。最終製品の配線基板は、多数個取り配線基板が複数に分割されることで得られる。
【０００３】
セラミック層に配線部を形成する方法として、メッキを用いたセミアディティブ法が公知である。セミアディティブ法では、セラミック層に導電性の下地層を形成し、メッキレジストを形成し、電解メッキを行うことで、配線部を形成する。
【０００４】
そのため、多数個取り配線基板には、メッキにおける接点（つまり電極）が設けられる。この接点は、多数個取り配線基板の側面に凹部として設けられている。この凹部には、メッキ前において、凹面及びセラミック層の表面における凹部の周りの周辺領域に下地層が形成されている（特許文献１参照）。
【０００５】
従来の多数個取り配線基板では、図８に示すように、セラミック層１０２の表面において、凹部１０４の周辺領域の下地層の上に、メッキによって凹部メッキ層１０５が形成される。この凹部メッキ層１０５は、凹部１０４の外縁と略平行な外縁を有する半円リング状の平面形状を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−２０４３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
配線基板に実装される部品又は配線基板を実装する製品によっては、電解メッキによって形成されたメッキ層の厚みを一定に調整することが求められる。このメッキ層の厚みの調整は、メッキ層表面の研磨により行われる。
【０００８】
メッキ層表面の研磨では、凹部メッキ層の表面も研磨される。この際、他の部分に比べて凹部メッキ層の外縁には砥石（つまりバフ）の衝突による応力が集中しやすい。そのため、研磨時に凹部メッキ層にクラックが発生し、これが基板のクラックに発展することがある。
【０００９】
本開示の一局面は、メッキ層の研磨におけるクラックの発生を抑制できる多数個取り配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一態様は、セラミック層と、セラミック層に配置された導電パターンとを備える多数個取り配線基板の製造方法である。多数個取り配線基板の製造方法は、電解メッキを用い、表面及び裏面のうち少なくとも表面に導電性の下地層が形成されたセラミック層にメッキ層を形成する工程と、メッキ層の表面を一定方向に研磨する工程と、を備える。セラミック層は、複数の凹部を側面に有する。複数の凹部は、それぞれ下地層が凹面及びセラミック層の表面における凹部の周りの周辺領域に形成されている。メッキ層を形成する工程では、複数の凹部をメッキ電極として使用すると共に、周辺領域にそれぞれ凹部メッキ層を形成する。また、複数の凹部メッキ層は、セラミック層の表面においてセラミック層の側面よりも内側に位置する内側外縁をそれぞれ有する。内側外縁は、研磨する工程での研磨方向との成す鋭角が８０°以上９０°以下である直線、又は曲率半径が凹部の深さの３倍以上である曲線を１本以上含む。
【００１１】
このような構成によれば、凹部メッキ層の内側外縁が、研磨痕との成す鋭角が８０°以上９０°以下である直線（以下、「対向直線」ともいう。）、又は曲率半径が凹部の深さの３倍以上である曲線（以下、「緩衝曲線」ともいう。）を１本以上含むので、研磨工程で砥石が凹部メッキ層に対し上記対向直線又は上記緩衝曲線において点接触ではなく線接触する。そのため、研磨によって凹部メッキ層に生じる応力を凹部メッキ層内に分散できる。結果として、メッキ層の研磨時における凹部でのクラックの発生を抑制できる。
【００１２】
本開示の一態様では、複数の凹部メッキ層それぞれにおいて、研磨方向に沿った凹部から内側外縁までの最短距離は、研磨する工程前における凹部メッキ層の平均厚みの２０倍以上であってもよい。このような構成によれば、砥石が凹部メッキ層に接触した際に基板に発生する応力を分散できる。その結果、クラックの発生をさらに抑制できる。
【００１３】
本開示の一態様では、隣接する複数の凹部メッキ層は、帯状に連続していてもよい。このような構成によれば、砥石の線接触する距離が長くなり応力がより分散される。加えて、凹部メッキ層におけるメッキ面積が増大するので、電解メッキ後の凹部メッキ層の厚みを低減することができる。その結果、研磨時に砥石が接触する段差が小さくなり、凹部メッキ層における応力の分散を促進できる。
【００１４】
本開示の一態様では、研磨する工程後における複数の凹部メッキ層の最大厚みは、１５０μｍ以下であってもよい。このような構成によれば、研磨工程前における凹部メッキ層の厚みが低減されるので、研磨時に砥石が接触する段差が小さくなる。その結果、研磨工程での応力をより確実に分散できる。
【００１５】
本開示の別の態様は、セラミック層と、セラミック層に配置された導電パターンとを備える多数個取り配線基板である。セラミック層は、複数の凹部を側面に有する。導電パターンは、複数の配線部と、セラミック層の表面における複数の凹部の周りの周辺領域にそれぞれ配置された複数の凹部メッキ層とを有する。複数の配線部及び複数の凹部メッキ層は、それぞれ、表面に一定方向の研磨痕を有する。複数の凹部メッキ層は、セラミック層の表面においてセラミック層の側面よりも内側に位置する内側外縁をそれぞれ有する。内側外縁は、研磨痕との成す鋭角が８０°以上９０°以下である直線、又は曲率半径が凹部の深さの３倍以上である曲線を１本以上含む。
【００１６】
このような構成によれば、凹部の内側外縁が上記対向直線又は緩衝曲線を１本以上含むので、メッキ層の研磨時に砥石の衝突によって凹部メッキ層に発生する応力が対向直線又は緩衝曲線によって分散される。そのため、メッキ層の研磨時における凹部でのクラックの発生が抑制される。
【００１７】
本開示の一態様では、複数の凹部メッキ層の最大厚みは、１５０μｍ以下であってもよい。このような構成によれば、研磨工程前における凹部メッキ層の厚みが低減されるので、研磨時に砥石が接触する段差が小さくなる。その結果、研磨工程での応力をより確実に分散できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態の多数個取り配線基板の模式的な平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線での模式的な部分断面図である。
【図３】図１の多数個取り配線基板における凹部の周辺の模式的な部分拡大平面図である。
【図４】図４Ａは、図３のＩＶ−ＩＶ線での模式的な断面図であり、図４Ｂは、図４Ａとは異なる実施形態の多数個取り配線基板における図３のＩＶ−ＩＶ線での模式的な断面図である。
【図５】実施形態の多数個取り配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図１とは異なる実施形態の多数個取り配線基板における凹部の周辺の模式的な部分拡大平面図である。
【図７】図１及び図６とは異なる実施形態の多数個取り配線基板における凹部の周辺の模式的な部分拡大平面図である。
【図８】従来の多数個取り配線基板における凹部メッキ層の形状を示す模式的な部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．多数個取り配線基板］
図１及び図２に示す多数個取り配線基板１は、セラミック層２と、セラミック層２に配置された導電パターン３とを備える。導電パターン３は、独立した複数の配線基板がそれぞれ有する複数の配線部３１，３２，３３と、複数の凹部メッキ層５との集合体である。多数個取り配線基板１が含む複数の配線基板は、例えば、ＬＥＤ照明装置用の基板として使用される。
【００２０】
多数個取り配線基板１は、複数の配線部３１，３２，３３が形成された製品領域１Ａと、複数の配線部３１，３２，３３が形成されていない外枠領域１Ｂとで構成される。外枠領域１Ｂは、製品領域１Ａの周囲を囲むように配置され、セラミック層２の側面を含む領域である。
【００２１】
＜セラミック層＞
セラミック層２は、図２に示すように、第１セラミック層２Ａと第２セラミック層２Ｂとが重ね合わされた多層構造を有する。セラミック層２は、第１セラミック層２Ａが表出した表面と、第２セラミック層２Ｂが表出した裏面とを有する。
【００２２】
セラミック層２を構成するセラミックとしては、例えばアルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、ガラス等が挙げられる。これらのセラミックは単体で、又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２３】
セラミック層２は、図１に示すように、複数の凹部４を側面に有する。本実施形態では、セラミック層２の対向する１対の側面に２つずつ、計４つの凹部４が設けられている。上記１対の側面のうち、一方の側面に設けられた凹部４は、他方の側面に設けられた凹部４とそれぞれ対向する位置に形成されている。
【００２４】
（凹部）
複数の凹部４は、セラミック層２の側面をセラミック層２の内部に向かう向きに凹ませた部位である。
【００２５】
複数の凹部４は、全て多数個取り配線基板１の外枠領域１Ｂに形成されている。また、各凹部４の平面形状は、半円状である。各凹部４の寸法は、電解メッキ用の電極が内側に配置できる大きさとされる。
【００２６】
＜導電パターン＞
導電パターン３は、上述のように、複数の配線部３１，３２，３３と、複数の凹部メッキ層５とを有する。
【００２７】
（配線部）
複数の配線部は、第１セラミック層２Ａの第２セラミック層２Ｂとは反対側の面（つまり、セラミック層２の表面）に配置された第１配線部３１と、第２セラミック層２Ｂの第１セラミック層２Ａとは反対側の面（つまり、セラミック層２の裏面）に配置された第２配線部３２と、第１セラミック層２Ａ及び第２セラミック層２Ｂの間に配置された内部配線部３３とから構成される。
【００２８】
第１配線部３１は、セラミック層２に配置された下地層３１Ａと、下地層３１Ａのセラミック層２とは反対側に配置されたメッキ層３１Ｂとにより構成されている。また、第２配線部３２は、第１配線部３１と同様に、下地層３２Ａとメッキ層３２Ｂとにより構成されている。
【００２９】
第１配線部３１及び第２配線部３２は、それぞれ複数のビア導体３４により、内部配線部３３に電気的に接続されている。第１配線部３１、第２配線部３２及び内部配線部３３は、１つの配線基板に形成される回路を構成する。
【００３０】
第１配線部３１、第２配線部３２、内部配線部３３及びビア導体３４は、主成分として金属を含む。この金属としては、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、これらの合金等が挙げられる。なお、第１配線部３１及び第２配線部３２は、表出面にニッケル（Ｎｉ）メッキ膜又は金（Ａｕ）メッキ膜が被覆されてもよい。
【００３１】
また、第１配線部３１及び第２配線部３２は、多数個取り配線基板１の製造過程においてメッキ層の研磨により仕上げられている。そのため、第１配線部３１及び第２配線部３２は、表面に一定方向の研磨痕を有する。
【００３２】
（凹部メッキ層）
複数の凹部メッキ層５は、図３に示すように、セラミック層２の表面及び裏面における複数の凹部４の周りの周辺領域Ｒにそれぞれ配置されている。
【００３３】
凹部メッキ層５は、図４Ａ，４Ｂに示すように、周辺領域Ｒに配置された下地層６のうち、第１セラミック層２Ａ又は第２セラミック層２Ｂの表面に配置された部分と、第１セラミック層２Ａ又は第２セラミック層２Ｂの側面（つまり、凹部４の凹面４Ａ）に配置された部分との表面に配置されている。なお、「凹部４の凹面４Ａ」とは、凹部４の内周面、つまり凹部４においてセラミック層２の側面の一部を構成する面を意味する。
【００３４】
周辺領域Ｒにおける下地層６の平面形状と、凹部メッキ層５の平面形状とは、図４Ａに示すように同一でもよい。また、図４Ｂに示すように、凹部メッキ層５は、下地層６の側面を含む全体を覆うと共に、第１セラミック層２Ａ又は第２セラミック層２Ｂの表面にも配置されてもよい。図４Ａの場合は、下地層６及び凹部メッキ層５が、後述する対向外縁５３を含む内側外縁５１を構成する。また、図４Ｂの場合は、凹部メッキ層５のみが、内側外縁５１を構成する。
【００３５】
凹部メッキ層５は、図３に示すように、セラミック層２の表面又は裏面においてセラミック層２の側面よりも内側に位置する内側外縁５１を有する。また、凹部メッキ層５は、第１配線部３１及び第２配線部３２と同様に、表面に一定方向の研磨痕５２を有する。本実施形態では、研磨痕５２は、凹部４が形成されたセラミック層２の側面と垂直な方向（つまり多数個取り配線基板１の長手方向）に形成されている。
【００３６】
本実施形態では、内側外縁５１は、凹部４が形成されたセラミック層２の側面と平行な対向外縁５３と、この対向外縁５３と垂直な１対の側縁５４とで構成されている。１対の側縁５４は、それぞれ一端が対向外縁５３に連続し、他端がセラミック層２の側面に連続している。
【００３７】
内側外縁５１の一部を構成する対向外縁５３は、研磨痕５２との成す鋭角θが８０°以上９０°以下である「対向直線」である。つまり、内側外縁５１は、対向直線を１本含んでいる。
【００３８】
図４に示す複数の凹部メッキ層５それぞれの研磨後における平均厚みＴの上限としては、１２０μｍが好ましく、１００μｍがより好ましく、７０μｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みＴの下限としては、例えば３０μｍとされる。また、複数の凹部メッキ層５それぞれの研磨後における最大厚みの上限としては、１５０μｍが好ましく、１１０μｍがより好ましく、６０μｍがさらに好ましい。
【００３９】
凹部メッキ層５の研磨後における平均厚みＴ又は最大厚みが上記上限よりも大きいと、研磨前の凹部メッキ層５の厚みが増大し、砥石が接触する段差が大きくなるため、凹部メッキ層５への応力集中が発生しやすくなる。その結果、凹部メッキ層５にクラックが発生するおそれがある。
【００４０】
複数の凹部メッキ層５それぞれにおいて、研磨方向、つまり研磨痕５２の方向に沿った凹部４から内側外縁５１までの最短距離Ｄ１（図３参照）は、凹部メッキ層５の平均厚みＴの２０倍以上が好ましく、３０倍以上がより好ましい。
【００４１】
上記最短距離Ｄ１が上記比より小さい場合、凹部メッキ層５の研磨時に周辺領域Ｒにおいてセラミック層２に発生する応力が分散されず、セラミック層２にクラックが発生するおそれがある。
【００４２】
また、上記最短距離Ｄ１の下限としては、１．５ｍｍが好ましく、２ｍｍがより好ましく、２．５ｍｍがさらに好ましい。一方、上記最短距離Ｄ１の上限としては、例えば５ｍｍとされる。
【００４３】
上記最短距離Ｄ１が上記下限より小さい場合、電解メッキにおいて凹部メッキ層５が厚く形成され、研磨工程で凹部メッキ層５の内側外縁５１に応力が集中しやすくなるおそれがある。逆に、最短距離Ｄ１が上記上限より大きい場合、多数個取り配線基板１の外枠領域１Ｂの面積が大きくなって製品領域１Ａが減少するおそれがある。
【００４４】
［１−２．多数個取り配線基板の製造方法］
次に、多数個取り配線基板１の製造方法について説明する。
本実施形態の多数個取り配線基板の製造方法は、図５に示すように、セラミック層形成工程Ｓ１０と、セラミック層研磨工程Ｓ２０と、下地層形成工程Ｓ３０と、メッキ層形成工程Ｓ４０と、メッキ層研磨工程Ｓ５０と、切断工程Ｓ６０と、を備える。
【００４５】
＜セラミック層形成工程＞
本工程では、最初に、未焼結セラミックをセラミック基板状に成形する。具体的には、セラミック粉末、有機バインダ、溶剤、及び可塑剤等の添加剤を混合して、スラリーを得る。このスラリーを周知の方法によりシート状に成形することで、基板状の未焼結セラミックであるセラミックグリーンシートが得られる。
【００４６】
上述の手順で成形した２枚のセラミックグリーンシートそれぞれに対し、ビアホールとなる複数の貫通孔と、複数の凹部４とを設ける。複数の貫通孔は、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する。複数の貫通孔及び複数の凹部４は、例えば打ち抜き加工により形成できる。
【００４７】
次に、２枚のセラミックグリーンシートの貫通孔に、それぞれビア導体３４となる未焼結ビア導体を形成する。具体的には、ビア導体の構成材料に溶剤等を加えた導電ペーストを貫通孔に充填する。
【００４８】
また、２枚のセラミックグリーンシートの一方の表面に、内部配線部３３となる未焼結配線部を形成する。具体的には、導電ペーストをセラミックグリーンシートの表面に例えばスクリーン印刷等の方法で印刷する。
【００４９】
続いて、未焼結ビア導体及び未焼結配線部を形成した２枚のセラミックグリーンシートを未焼結配線部が間に位置するように重ね合わせ、圧着することで、グリーンシート積層体を形成する。
【００５０】
本工程ではさらに、グリーンシート積層体の複数の凹部４の凹面４Ａに、導電ペーストの印刷又は塗布により、未焼結メタライズ層を形成する。この未焼結メタライズ層は、焼結により凹部４の周辺領域Ｒに配置される下地層６のうち、凹部４の凹面４Ａに配置される部分を構成する。
【００５１】
未焼結メタライズ層の形成後、グリーンシート積層体を焼成する。この焼成は、セラミックグリーンシートが焼結する温度に加熱することで行われる。これにより、グリーンシート積層体が焼結され、セラミック層２が形成される。また、未焼結ビア導体及び未焼結配線部、並びに未焼結メタライズ層が焼結され、ビア導体３４、内部配線部３３、及び下地層６の一部が形成される。
【００５２】
＜セラミック層研磨工程＞
本工程では、セラミック層２の表面及び裏面をそれぞれ研磨する。研磨により、セラミック層２の表面及び裏面が粗面化される。また、研磨後にはセラミック層２の空焼きが行われる。
【００５３】
＜下地層形成工程＞
本工程では、セラミック層２の表面、裏面及び凹部４の凹面４Ａに、第１配線部３１の下地層３１Ａ及び第２配線部３２の下地層３２Ａを含む下地層を形成する。また、この下地層は、凹部４の周辺領域Ｒに配置される下地層６のうち、セラミック層２の表面又は裏面に配置される部分を含む。下地層は、例えば公知のスパッタリング方法により形成できる。
【００５４】
＜メッキ層形成工程＞
本工程では、電解メッキを用い、表面、裏面及び凹部４の凹面４Ａに導電性の下地層が形成されたセラミック層２にメッキ層を形成する。
【００５５】
メッキ層の形成方法としては、公知の方法が使用でき、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法が使用できる。電解メッキでは、セラミック層２の凹部４に電極であるメッキラックが接触され、通電が行われる。
【００５６】
本工程により、セラミック層２に形成された下地層の上に、第１配線部３１のメッキ層３１Ｂ、第２配線部３２のメッキ層３２Ｂ、及び複数の凹部メッキ層５が重ねて形成される。
【００５７】
複数の凹部メッキ層５それぞれのメッキ層研磨工程Ｓ５０前（つまりメッキ層形成直後）における平均厚みの上限としては、１５０μｍが好ましく、１３０μｍがより好ましく、１００μｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、例えば６０μｍである。また、複数の凹部メッキ層５それぞれのメッキ層研磨工程Ｓ５０前における最大厚みの上限としては、１８０μｍが好ましく、１４０μｍがより好ましく、９０μｍがさらに好ましい。
【００５８】
凹部メッキ層５の研磨前における平均厚み又は最大厚みが上記上限よりも大きいと、砥石が接触する段差が大きくなるため、凹部メッキ層５への応力集中が発生しやすくなる。その結果、凹部メッキ層５にクラックが発生するおそれがある。
【００５９】
複数の凹部メッキ層５それぞれにおいて、研磨方向に沿った凹部４から内側外縁５１までの最短距離Ｄ１は、メッキ層研磨工程Ｓ５０前における凹部メッキ層５の平均厚みの２０倍以上が好ましく、３０倍以上がより好ましい。
【００６０】
上記最短距離Ｄ１が上記比より小さい場合、メッキ層の研磨時に、周辺領域Ｒにおいてセラミック層２に発生する応力が分散されず、セラミック層２にクラックが発生するおそれがある。
【００６１】
＜メッキ層研磨工程＞
本工程では、セラミック層２に形成された第１配線部３１のメッキ層３１Ｂ、第２配線部３２のメッキ層３２Ｂ、及び複数の凹部メッキ層５の表面を一定方向（本実施形態では凹部４が形成されたセラミック層２の側面と垂直な方向）に研磨する。この研磨により、これらのメッキ層の表面に研磨痕が形成される。
【００６２】
複数の凹部メッキ層５それぞれの研磨後における平均厚みＴの上限としては、１２０μｍが好ましく、１００μｍがより好ましく、７０μｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みＴの下限としては、例えば３０μｍとされる。また、複数の凹部メッキ層５それぞれの研磨後における最大厚みの上限としては、１５０μｍが好ましく、１１０μｍがより好ましく、６０μｍがさらに好ましい。
【００６３】
なお、セミアディティブ法でメッキ層を形成した場合は、本工程の後に導電パターン３に含まれない余分な下地層をエッチングにより除去する。ただし、エッチングは本工程の前に行ってもよい。また、本工程後に、Ｎｉメッキ又はＡｕメッキによりメッキ層を被覆する工程を行ってもよい。
【００６４】
＜切断工程＞
本工程では、メッキ層の研磨後、複数の配線部３１，３２，３３が形成されていない外枠領域１Ｂを切断する。これにより、製品領域１Ａが取り出される。さらに、製品領域１Ａを個片化することで、各配線基板が得られる。
【００６５】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）凹部メッキ層５の内側外縁５１が、研磨痕５２との成す鋭角θが８０°以上９０°以下である対向直線を含むので、メッキ層研磨工程Ｓ５０で砥石が凹部メッキ層５に対し対向直線において点接触ではなく線接触する。そのため、研磨によって凹部メッキ層５に生じる応力を凹部メッキ層５内に分散できる。結果として、メッキ層の研磨時における凹部４でのクラックの発生を抑制できる。
【００６６】
［２．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００６７】
（２ａ）上記実施形態の多数個取り配線基板１において、凹部メッキ層５の内側外縁５１は、対向直線に替えて、図６に示すように、曲率半径が凹部４の深さＤ２の３倍以上である緩衝曲線を含んでもよい。なお、図６では、内側外縁５１全体が緩衝曲線となっている。
【００６８】
ここで、「凹部４の深さＤ２」とは、凹部４において、セラミック層２の側面と垂直な方向においてセラミック層２の側面と最も離間した点と、セラミック層２の側面との距離を意味する。したがって、凹部４の平面形状が半円の場合は、凹部４の深さＤ２は、この半円の半径に相当する。
【００６９】
このように内側外縁５１が緩衝曲線を含む場合は、メッキ層研磨工程Ｓ５０において、砥石が凹部４の縁に直接接触するよりは緩やかな形で緩衝曲線に接触する。そのため、研磨によって凹部メッキ層５に生じる応力を凹部メッキ層５内に分散できる。結果として、メッキ層の研磨時における凹部４でのクラックの発生を抑制できる。
【００７０】
（２ｂ）上記実施形態の多数個取り配線基板１において、隣接する複数の凹部メッキ層５は帯状に連続していてもよい。つまり、図７に示すように、隣接する複数の凹部４に跨るように１つの帯状の凹部メッキ層５Ａを設けてもよい。
【００７１】
このような凹部メッキ層５Ａによれば、メッキ層研磨工程Ｓ５０において砥石の線接触する距離が長くなり応力がより分散される。加えて、凹部メッキ層５Ａにおけるメッキ面積が増大するので、電解メッキ後の凹部メッキ層５Ａの厚みを低減することができる。その結果、研磨時に砥石が接触する段差が小さくなり、凹部メッキ層５Ａにおける応力の分散を促進できる。
【００７２】
（２ｃ）上記実施形態の多数個取り配線基板１において、凹部メッキ層５は、複数の対向直線を含んでもよいし、対向直線と緩衝曲線とを共に含んでもよい。また、凹部４の平面形状は半円状に限定されず、角形状としてもよい。
【００７３】
（２ｄ）上記実施形態の多数個取り配線基板１において、研磨痕５２の方向、すなわちメッキ層研磨工程Ｓ５０における研磨方向は、凹部４が形成されたセラミック層２の側面と垂直な方向に限定されない。つまり、研磨方向は、セラミック層２の側面と平行であってもよいし、セラミック層２の側面に対し傾斜した方向でもよい。
【００７４】
（２ｅ）上記実施形態の多数個取り配線基板１において、凹部４の位置及び数は任意に設計することができる。したがって、多数個取り配線基板１は、３つ又は５つ以上の凹部４を備えてもよい。
【００７５】
（２ｆ）上記実施形態の多数個取り配線基板１において、セラミック層２は２層構造に限定されず、単層構造でもよいし、３層以上の多層構造であってもよい。また、セラミック層２は、必ずしも表面及び裏面の両方に下地層及びメッキ層を含む導電パターン３を備えなくてもよい。
【００７６】
（２ｇ）上記実施形態の多数個取り配線基板の製造方法において、セラミック層２の材質によっては、セラミック層研磨工程Ｓ２０は省略することができる。また、切断工程Ｓ６０も、任意の工程である。
【００７７】
（２ｈ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【００７８】
［３．実施例］
以下に、本開示の効果を確認するために行った試験の内容とその評価とについて説明する。
【００７９】
（実施例１）
図１に示す多数個取り配線基板１を上述の製造方法に沿って製造した。製造した８枚の多数個取り配線基板において、メッキ層の研磨でクラックが発生したものはなかった。なお、メッキ層研磨後の凹部メッキ層５の最大厚みは１０３．４μｍ、平均厚みは８７．３μｍ、最小厚みは６９．１μｍであった。
【００８０】
（実施例２）
図１に示す多数個取り配線基板１において、凹部メッキ層５を図７に示す凹部メッキ層５Ａにした多数個取り配線基板を実施例１と同じ手順で製造した。製造した８枚の多数個取り配線基板において、メッキ層の研磨でクラックが発生したものはなかった。なお、メッキ層研磨後の凹部メッキ層５Ａの最大厚みは５４．５μｍ、平均厚みは５２．４μｍ、最小厚みは４７．９μｍであった。
【００８１】
（比較例１）
図１に示す多数個取り配線基板１において、凹部メッキ層５を図８に示す凹部メッキ層１０５にした多数個取り配線基板を実施例１と同じ手順で製造した。製造した８枚の多数個取り配線基板において、メッキ層の研磨で５枚の多数個取り配線基板にクラックが発生した。なお、メッキ層研磨後の凹部メッキ層１０５の最大厚みは１７７．２μｍ、平均厚みは１３９．２μｍ、最小厚みは１０３．８μｍであった。
【００８２】
（考察）
実施例１及び実施例２では、凹部メッキ層の内側外縁が対向直線を含むため、メッキ層の研磨におけるクラックの発生が抑制された。一方、内側外縁が対向直線を含まない比較例１では、メッキ層の研磨時にクラックが発生した。
【００８３】
また、実施例１及び実施例２は、比較例１よりも研磨後の凹部メッキ層の最大厚み、平均厚み及び最小厚みが小さい。したがって、実施例１及び実施例２では、凹部メッキ層の厚みが低減されていることも、クラック発生の抑制に寄与していると推測される。
【符号の説明】
【００８４】
１…多数個取り配線基板、１Ａ…製品領域、１Ｂ…外枠領域、２…セラミック層、
２Ａ…第１セラミック層、２Ｂ…第２セラミック層、３…導電パターン、４…凹部、
４Ａ…凹面、５，５Ａ…凹部メッキ層、６…下地層、３１…第１配線部，
３２…第２配線部、３１Ａ，３２Ａ…下地層、３１Ｂ，３２Ｂ…メッキ層、
３３…内部配線部、３４…ビア導体、５１…内側外縁、５２…研磨痕、
５３…対向外縁、５４…側縁、
１０２…セラミック層、１０４…凹部、１０５…凹部メッキ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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