(57)【要約】【課題】有機ＥＬ層における欠陥の発生を抑制する。【解決手段】本開示に係る表示装置は、複数の画素を含む画素アレイ部を有する表示領域と、前記表示領域の外周側に設けられた額縁領域と、前記画素アレイ部を駆動する駆動部を有する駆動部形成領域と、を有する表示パネルを含み、前記表示パネルは、基板と、前記基板の上方に画素毎に設けられた下部電極と、前記下部電極の上方に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上方に設けられた上部電極と、を含む有機発光ダイオードと、前記表示領域及び前記額縁領域に設けられ、前記有機発光ダイオードの発光領域に開口を有する有機絶縁膜と、前記額縁領域において、前記有機絶縁膜の上面に形成された第１の無機絶縁膜と、を含み、前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において分断された、複数の個片有機絶縁膜を含む。【選択図】図６
2018195418.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む画素アレイ部を有する表示領域と、前記表示領域の外周側に設けられた額縁領域と、前記画素アレイ部を駆動する駆動部を有する駆動部形成領域と、を有する表示パネルを含み、
前記表示パネルは、
基板と、
前記基板の上方に画素毎に設けられた下部電極と、前記下部電極の上方に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上方に設けられた上部電極と、を含む有機発光ダイオードと、
前記表示領域及び前記額縁領域に設けられ、前記有機発光ダイオードの発光領域に開口を有する有機絶縁膜と、
前記額縁領域において、前記有機絶縁膜の上面に形成された第１の無機絶縁膜と、
を含み、
前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において分断された、複数の個片有機絶縁膜を含む、
表示装置。
【請求項２】
前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において、前記表示領域側から前記額縁領域の端部側へと延伸する、複数の前記個片有機絶縁膜を含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において、前記表示領域と前記額縁領域との境界に並走するように延伸する、複数の前記個片有機絶縁膜を含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において、前記表示領域側から前記額縁領域の端部側方向、及び前記表示領域と前記額縁領域との境界に並走する方向に分断された、複数の個片有機絶縁膜を含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板の上方に設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜の上方で且つ前記有機絶縁膜の下方に設けられた第２の無機絶縁膜と、
を更に含み、
前記額縁領域において、前記第２の無機絶縁膜は複数の開口部を有する、
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項６】
前記額縁領域において、前記開口部を少なくとも一部の前記個片有機絶縁膜が塞ぐ、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記有機絶縁膜は、
前記開口部を塞ぐ前記個片有機絶縁膜と、
前記開口部を塞がない前記個片有機絶縁膜と、を含み、
前記開口部を塞ぐ複数の前記個片有機絶縁膜の間に、前記開口部を塞がない前記個片有機絶縁膜が介在する、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記額縁領域における、複数の前記個片有機絶縁膜の間において、
前記上部電極の下面と、前記導電性膜の上面とが電気的に接続された、
請求項５乃至７のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項９】
前記上部電極の下面と、前記導電性膜の上面とが接続されるコンタクト領域を有し、
前記駆動部形成領域から離れた側の前記コンタクト領域が、前記駆動部形成領域に近い側の前記コンタクト領域よりも広い、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記駆動部形成領域から離れた側の前記個片有機絶縁膜の幅が、前記駆動部形成領域に近い側の前記個片有機絶縁膜の幅よりも狭い、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記駆動部形成領域から離れた側の複数の前記個片有機絶縁膜の配置間隔が、前記駆動部形成領域に近い側の複数の前記個片有機絶縁膜の配置間隔よりも広い、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記下部電極と前記導電性膜が同一材料により構成される、
請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記額縁領域における前記有機絶縁膜の形成領域の面積は、前記額縁領域全体の面積の８０％以下である、
請求項１乃至１２のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記額縁領域における前記有機絶縁膜の形成領域の面積は、前記額縁領域全体の面積の６５％以下である、
請求項１乃至１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記額縁領域における前記有機絶縁膜の形成領域の面積は、前記額縁領域全体の面積の３０％以上である、
請求項１乃至１４のいずれか一つに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）表示装置などのフラットパネルディスプレイは基板上に薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）や、画素ごとに設けられた有機発光ダイオード（organic light-emitting diode：ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。
【０００３】
下記特許文献１においては、画素の境界に沿って形成され、画素の発光領域に開口を有する有機絶縁膜が設けられている。この有機絶縁膜は、表示領域の外側に設けられた額縁領域においても形成されている。当該額縁領域において、有機絶縁膜の上方には無機絶縁膜を含む保護膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２３０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記従来の構成においては、有機発光ダイオードに含まれた有機ＥＬ層に欠陥が生じる可能性があった。即ち、上記従来の構成においては、有機発光ダイオードに含まれる有機ＥＬ層、上部電極を形成する際に用いる蒸着マスクが、有機絶縁膜の上面に接触する。その際、蒸着マスクに付着していた異物が絶縁膜に付着すると、この異物の存在により絶縁膜の上面に段差が生じる。あるいは、蒸着マスクの打痕が絶縁膜の上面につき、段差が生じる。この段差に起因して、その後に形成される保護膜に欠陥が生じてしまう可能性がある。保護膜に欠陥が生じると、この欠陥から水分が浸入し、有機物である有機絶縁膜を介して有機発光ダイオードの有機ＥＬ層に水分が到達し、その結果として有機ＥＬ層に欠陥が生じてしまう可能性があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機ＥＬ層における欠陥の発生を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本開示に係る表示装置は、複数の画素を含む画素アレイ部を有する表示領域と、前記表示領域の外周側に設けられた額縁領域と、前記画素アレイ部を駆動する駆動部を有する駆動部形成領域と、を有する表示パネルを含み、前記表示パネルは、基板と、前記基板の上方に画素毎に設けられた下部電極と、前記下部電極の上方に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上方に設けられた上部電極と、を含む有機発光ダイオードと、前記表示領域及び前記額縁領域に設けられ、前記有機発光ダイオードの発光領域に開口を有する有機絶縁膜と、前記額縁領域において、前記有機絶縁膜の上面に形成された第１の無機絶縁膜と、を含み、前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において分断された、複数の個片有機絶縁膜を含む。
【０００８】
（２）上記（１）における表示装置において、前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において、前記表示領域側から前記額縁領域の端部側へと延伸する、複数の前記個片有機絶縁膜を含む構成としてもよい。
【０００９】
（３）上記（１）における表示装置において、前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において、前記表示領域と前記額縁領域との境界に並走するように延伸する、複数の前記個片有機絶縁膜を含む構成としてもよい。
【００１０】
（４）上記（１）における表示装置において、前記有機絶縁膜は、前記額縁領域において、前記表示領域側から前記額縁領域の端部側方向、及び前記表示領域と前記額縁領域との境界に並走する方向に分断された、複数の個片有機絶縁膜を含む構成としてもよい。
【００１１】
（５）上記（１）〜（４）における表示装置において、前記基板の上方に設けられた平坦化膜と、前記平坦化膜の上方で且つ前記有機絶縁膜の下方に設けられた第２の無機絶縁膜と、を更に含み、前記額縁領域において、前記第２の無機絶縁膜は複数の開口部を有する構成としてもよい。
【００１２】
（６）上記（５）における表示装置は、前記額縁領域において、前記開口部を少なくとも一部の前記個片有機絶縁膜が塞ぐ構成としてもよい。
【００１３】
（７）上記（６）における表示装置において、前記有機絶縁膜は、前記開口部を塞ぐ前記個片有機絶縁膜と、前記開口部を塞がない前記個片有機絶縁膜と、を含み、前記開口部を塞ぐ複数の前記個片有機絶縁膜の間に、前記開口部を塞がない前記個片有機絶縁膜が介在する構成としてもよい。
【００１４】
（８）上記（５）〜（７）における表示装置は、前記額縁領域における、複数の前記個片有機絶縁膜の間において、前記上部電極の下面と、前記導電性膜の上面とが電気的に接続された構成としてもよい。
【００１５】
（９）上記（８）における表示装置において、前記上部電極の下面と、前記導電性膜の上面とが接続されるコンタクト領域を有し、前記駆動部形成領域から離れた側の前記コンタクト領域が、前記駆動部形成領域に近い側の前記コンタクト領域よりも広い構成としてもよい。
【００１６】
（１０）上記（８）における表示装置において、前記駆動部形成領域から離れた側の前記個片有機絶縁膜の幅が、前記駆動部形成領域に近い側の前記個片有機絶縁膜の幅よりも狭い構成としてもよい。
【００１７】
（１１）上記（８）における表示装置において、前記駆動部形成領域から離れた側の複数の前記個片有機絶縁膜の配置間隔が、前記駆動部形成領域に近い側の複数の前記個片有機絶縁膜の配置間隔よりも広い構成としてもよい。
【００１８】
（１２）上記（１）〜（１１）における表示装置において、前記下部電極と前記導電性膜が同一材料により構成されもよい。
【００１９】
（１３）上記（１）〜（１２）における表示装置は、前記額縁領域における前記有機絶縁膜の形成領域の面積は、前記額縁領域全体の面積の８０％以下である構成としてもよい。
【００２０】
（１４）上記（１）〜（１３）における表示装置は、前記額縁領域における前記有機絶縁膜の形成領域の面積は、前記額縁領域全体の面積の６５％以下である構成としてもよい。
【００２１】
（１５）上記（１）〜（１４）における表示装置は、前記額縁領域における前記有機絶縁膜の形成領域の面積は、前記額縁領域全体の面積の３０％以上である構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る表示装置における表示パネルの模式的な平面図である。
【図３】図３は、図２に示すIII−III線に沿った位置での表示パネルの模式的な垂直断面図である。
【図４】図４は、本実施形態の一実施例に係る表示装置の額縁領域における有機絶縁膜の形状を示す模式的な平面図である。
【図５】図５は、本実施形態の一実施例に係る表示装置の額縁領域における有機絶縁膜の形状を示す模式的な平面図である。
【図６】図６は、本実施形態の一実施例に係る表示装置の額縁領域における有機絶縁膜の形状を示す模式的な平面図である。
【図７】図７は、本実施形態の一実施例に係る表示装置の額縁領域における有機絶縁膜の形状を示す模式的な平面図である。
【図８】図８は、本実施形態の一実施例に係る表示装置の額縁領域における有機絶縁膜の形状を示す模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第１の実施形態］
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【００２４】
なお、本開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに特に断りのない限り、本発明の実施形態同士は互いに組み合わせることが可能である。
【００２５】
本実施形態に係る表示装置２は、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。図１は本実施形態に係る表示装置２の概略の構成を示す模式図である。表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。表示装置２は、ガラスなどからなる基材を有していてもよい。表示装置２は、可撓性を有するフレキシブルディスプレイであってもよく、その場合は可撓性を有した樹脂フィルムなどからなる基材を有していてもよい。表示装置２は、当該基材の内部又は上方に設けられた配線と、を含む配線層を有する。
【００２６】
画素アレイ部４には画素に対応して有機発光ダイオード６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は、点灯ＴＦＴ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０、駆動ＴＦＴ１２、及びキャパシタ１４などを含む。
【００２７】
一方、駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動し、有機発光ダイオード６の発光を制御する。
【００２８】
走査線駆動回路２０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００２９】
映像線駆動回路２２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は書き込まれた電圧に応じた電流を有機発光ダイオード６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素の有機発光ダイオード６が発光する。
【００３０】
駆動電源回路２４は画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介して有機発光ダイオード６に電流を供給する。
【００３１】
ここで、有機発光ダイオード６の下部電極は駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各有機発光ダイオード６の上部電極は、全画素の有機発光ダイオード６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００３２】
図２は、本実施形態における表示パネル４０の模式的な平面図である。表示パネル４０は、画素アレイ部４に設けられた有機発光ダイオード６が配置された表示領域４２と、その外周側に配置された額縁領域４４とを有する。
【００３３】
図２に示すように、有機発光ダイオード６を含む有機発光ダイオード構造層３００には、ＦＰＣ(Flexible Printed Circuits)５２が接続され、このＦＰＣ５２上には、上述した駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されている。ＦＰＣ５２は、上述した走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００３４】
図３は、図２に示すIII−III線に沿った位置、即ち表示領域４２の一部から額縁領域４４までの表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。図３に示すように、本実施形態の表示パネル４０は、アレイ基板５０を有する。本実施形態においては、アレイ基板５０を構成する材料としてポリイミドを用いている。なお、アレイ基板５０を構成する材料として、他の樹脂材料を用いてもよい。
【００３５】
アレイ基板５０の上方には、アンダーコート層として、第１シリコン酸化膜５４、第１シリコン窒化膜５６、第２シリコン酸化膜５８を含む三層積層構造を設けている。最下層の第１シリコン酸化膜５４は、アレイ基板５０との密着性向上のため、中層の第１シリコン窒化膜５６は、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層の第２シリコン酸化膜５８は、第１シリコン窒化膜５６中に含有される水素原子が半導体層側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられる。なお、アンダーコート層は、特にこの構造に限定されるものではなく、更なる積層を有する構造であってもよいし、単層構造あるいは二層構造としてもよい。
【００３６】
アンダーコート層の上方には、駆動ＴＦＴ１２が設けられる。駆動ＴＦＴ１２は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域が設けられた構造を有する。本実施形態においては、ゲート絶縁膜６０としてシリコン酸化膜を用い、ゲート電極としてＴｉ、Ａｌの積層構造からなる第１配線６２を用いている。第１配線６２は、駆動ＴＦＴ１２のゲート電極としての機能に加え、保持容量線としても機能する。即ち、第１配線６２は、ポリシリコン膜６４との間で、保持容量の形成に用いられる。
【００３７】
駆動ＴＦＴ１２の上方においては、層間絶縁膜となる第２シリコン窒化膜６６、及び第３シリコン酸化膜６８をそれぞれ積層し、さらにソース・ドレイン電極及び引き回し配線となる第２配線７０を形成する。本実施形態においては、第２配線７０が、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの三層積層構造を有する構成とした。層間絶縁膜、第１配線６２と同層の導電層で形成される電極と、駆動ＴＦＴ１２のソース・ドレイン配線と同層の導電層で形成される電極とで、保持容量が形成される。引き回し配線は、アレイ基板５０周縁の端部にまで延在され、図２に示したＦＰＣ５２やドライバＩＣ４８を接続する端子を形成する。
【００３８】
駆動ＴＦＴ１２の上方においては、平坦化膜７２を形成する。平坦化膜７２としては感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。平坦化膜７２は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れる。
【００３９】
平坦化膜７２は、駆動ＴＦＴ１２と有機発光ダイオード６に含まれる下部電極８０とが電気的に接続される画素コンタクト部、及び額縁領域４４の端部においては除去される。画素コンタクト部においては、平坦化膜７２の除去により露出された第２配線７０の上面は、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる透明導電膜７４により被覆される。
【００４０】
続いて、透明導電膜７４と同層に、第３配線７６を設ける。本実施形態においては、この第３配線７６はＭｏ、Ａｌ、Ｍｏの三層積層構造で設けられ、周辺引き回し配線や、画素内で付加的に設けられる容量素子の形成に用いられる。先程、平坦化膜７２を除去した後に露出された第２配線７０の上面を透明導電膜７４で被覆するのは、第３配線７６のパターニング工程から第２配線７０の露出面を保護する意味もある。
【００４１】
透明導電膜７４、及び第３配線７６の上面は、一旦、第３シリコン窒化膜７８（本開示における第２の無機絶縁膜）で被覆される。その後、表示領域４２における透明導電膜７４の画素コンタクト部付近において、第３シリコン窒化膜７８に開口部が設けられ、透明導電膜７４の上面の一部が露出される。更に、本実施形態においては、額縁領域４４においても、第３シリコン窒化膜７８に複数の開口部を設けており、各開口部から、平坦化膜７２の上面が露出される。
【００４２】
その後、開口部から露出された透明導電膜７４の上面に接続されるよう、画素電極となる下部電極８０を形成する。本実施形態においては、下部電極８０は反射電極として形成され、ＩＺＯ、Ａｇ、ＩＺＯからなる三層積層構造を有する。画素コンタクト部においては、透明導電膜７４、第３シリコン窒化膜７８、下部電極８０によって付加容量が形成される。ところで、下部電極８０のパターニング時、一部において透明導電膜７４がエッチング環境にさらされるが、透明導電膜７４の形成工程後から、下部電極８０の形成工程までの間に行われるアニール処理によって、透明導電膜７４は下部電極８０のエッチングに対し耐性を有する。
【００４３】
本実施形態においては、この下部電極８０を形成する際に、額縁領域４４において、下部電極８０と同一の導電性材料からなる導電性膜８１を、第３シリコン窒化膜７８の上に形成する。上述したとおり、額縁領域４４において、第３シリコン窒化膜７８は複数の開口部を有しており、この開口部上には導電性膜８１を形成しない。即ち、導電性膜８１は、第３シリコン窒化膜７８に対応する複数の開口部を有しており、複数の開口部から平坦化膜７２の上面が露出されている。
【００４４】
この開口部は、有機絶縁膜８２の形成工程後の熱処理等を通じて、平坦化膜７２から脱離する水分やガスを、有機絶縁膜８２を通じて引き抜くために設けている。従って、本実施形態に示すように、表示領域４２のみならず、額縁領域４４においても、複数の開口部を設ける構成とすることにより、額縁領域４４における平坦化膜７２から離脱する水分やガスを効率よく除去することが可能となる。
【００４５】
なお、導電性膜８１に用いる導電性材料として、下部電極８０とは異なる導電性材料を用いても構わないが、同一材料とすることにより、導電性膜８１と下部電極８０とを同時に形成することができ望ましい。
【００４６】
下部電極８０の形成工程後、バンク、又はリブと呼ばれる、画素領域の隔壁となる有機絶縁膜８２を形成する。有機絶縁膜８２としては平坦化膜７２と同じく感光性アクリル等が用いられる。有機絶縁膜８２は、下部電極８０の上面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、後で形成される有機ＥＬ層１００のカバレッジ不良を生ずる。
【００４７】
ここで、本実施形態においては、額縁領域４４における導電性膜８１、第３シリコン窒化膜７８に設けられた複数の開口部を塞ぐように、有機絶縁膜８２を形成する。即ち、図３に示すように、開口部内に有機絶縁膜８２の一部が入り込んだ構成としている。第３シリコン窒化膜７８の開口部を塞ぐように有機絶縁膜８２を形成することにより、第３シリコン窒化膜７８の開口部内周面が後の工程において溶解することを抑制することができる。
【００４８】
この額縁領域４４における有機絶縁膜８２の具体的な形状については、後述する。
【００４９】
有機絶縁膜８２の形成後、有機ＥＬ層１００を構成する有機材料を積層形成する。有機ＥＬ層１００を構成する積層構造として、下部電極８０側から順に、正孔輸送層１０２、発光層１０４、電子輸送層１０６を積層形成する。本実施形態において、正孔輸送層１０２と電子輸送層１０６とは、複数のサブ画素に亘って形成され、発光層１０４は、サブ画素ごとに形成される。有機ＥＬ層１００は、蒸着による形成であってもよいし、溶媒分散の上での塗布形成であってもよい。また、有機ＥＬ層１００は、各サブ画素に対して、選択的に形成してもよいし、表示領域４２を覆う全面において、層状に形成されてもよい。有機ＥＬ層１００を層状に形成する場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。本実施形態においては、有機ＥＬ層１００を、各サブ画素に、選択的に形成する構成を採用する。
【００５０】
有機ＥＬ層１００の形成後、上部電極８４を形成する。本実施形態においては、トップエミッション構造としているため、上部電極８４は、透明導電材料、一例としてＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いて形成される。前述の有機ＥＬ層１００の形成順序に従うと、下部電極８０が陽極となり、上部電極８４が陰極となる。これら上部電極８４、有機ＥＬ層１００、下部電極８０により、有機発光ダイオード６を構成している。有機発光ダイオード６の下部電極８０は、駆動ＴＦＴ１２に接続されている。
【００５１】
上部電極８４の形成後、保護層９０を形成する。保護層９０は、先に形成した有機ＥＬ層１００に、外部からの水分が侵入することを防止することをその機能の一つとしており、保護層９０としてはガスバリア性の高いものが要求される。本実施形態においては、保護層９０の積層構造として、第４シリコン窒化膜９２（本開示における第１の無機絶縁膜）、アクリル樹脂などからなる有機樹脂膜９４、第５シリコン窒化膜９６の積層構造を採用した。更に、有機樹脂膜９４と、第５シリコン窒化膜９６との間に、シリコン酸化膜を介在させる構成としてもよい。
【００５２】
以下、図４〜８を用いて、額縁領域４４において形成する有機絶縁膜８２の形状について説明する。
【００５３】
図４は、本実施形態の一実施例に係る表示装置２の額縁領域４４における有機絶縁膜８２の形状を示す模式的な平面図である。
【００５４】
図４に示すように、額縁領域４４における有機絶縁膜８２は、表示領域４２側から額縁領域４４の端部側へと延伸する複数の個片有機絶縁膜８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃに分断されている。個片有機絶縁膜８２Ａと個片有機絶縁膜８２Ｂとの間、及び個片有機絶縁膜８２Ｂと個片有機絶縁膜８２Ｃとの間はスリットとなっており、導電性膜８１の上面が露出している。上述した通り、導電性膜８１には複数の開口部８１Ａが設けられており、個片有機絶縁膜８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃが、各開口部８１Ａを塞いでいる。
【００５５】
このように、図４に示す有機絶縁膜８２が、複数の個片有機絶縁膜８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃに分断され、個片有機絶縁膜８２Ａと個片有機絶縁膜８２Ｂとの間、及び個片有機絶縁膜８２Ｂと個片有機絶縁膜８２Ｃとの間がスリットとなっているため、有機発光ダイオード６に含まれる有機ＥＬ層１００、又は上部電極８４を形成する際に用いる蒸着マスクが、有機絶縁膜８２の上面に接する面積を小さくすることができる。その結果として、有機絶縁膜８２の上面に異物が付着する可能性、及び蒸着マスクの打痕がつく可能性を低減することができ、有機絶縁膜８２の上面に段差が生じることを抑制することができる。そのため、この段差に起因して、その後に形成される無機絶縁膜としての第４シリコン窒化膜９２に欠陥が生じる可能性を低減することができる。その結果として、保護層９０側からの水分浸入のリスクを低減することができ、有機ＥＬ層１００における欠陥の発生を抑制することができるのである。
【００５６】
ここで、この有機ＥＬ層１００における欠陥発生を抑制する観点からは、額縁領域４４における有機絶縁膜８２の形成領域の面積は、額縁領域４４全体の面積の８０％以下とすることが望ましく、６５％以下とすることが更に望ましい。
【００５７】
ただし、額縁領域４４における有機絶縁膜８２は、蒸着マスクに対する緩衝材としての機能を果たしており、下地である導電性膜８１を保護する機能を果たしているため、額縁領域４４全体の面積の３０％以上とすることが望ましい。
【００５８】
なお、図３、４に示すように、導電性膜８１の上方、及び有機絶縁膜８２の上方には、後述する上部電極８４の一部が設けられており、導電性膜８１の上面と上部電極８４の下面とが、有機絶縁膜８２が形成されていないスリットの領域において電気的に接続されている。これにより、上部電極８４からの電流を額縁領域４４における端部へと引き回すことが可能となる。
【００５９】
この導電性膜８１と上部電極８４とが接触する面積を調整することにより、抵抗値を適宜調整することが可能となる。導電性膜８１と上部電極８４とが接触する面積の調整方法としては、例えば有機絶縁膜８２を形成する面積を増やせば、接触する面積を小さくすることができ、また有機絶縁膜８２を形成する面積を小さくし、スリットの面積を大きくすれば、接触する面積を大きくすることができる。あるいは、図４に示すように導電性膜８１と上部電極８４とが接触しうるコンタクト領域８６の幅を変化させることによっても、導電性膜８１と上部電極８４との接触する面積を調整することが可能である。
【００６０】
図４に示す例においては、駆動部形成領域４６から離れた側のコンタクト領域８６の幅を、駆動部形成領域４６に近い側のコンタクト領域８６の幅よりも広くしておくことで、接触抵抗を低減することができる。この効果は、駆動部形成領域４６から離れた側における個片有機絶縁膜８２Ａの形成面積を、駆動部形成領域４６に近い側における個片有機絶縁膜８２Ｃの形成面積よりも小さくすることによっても得ることができる。個片有機絶縁膜８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃの形成面積の調整は、例えば個片有機絶縁膜８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃの幅の調整することにより行うことができる。また、隣り合う個片有機絶縁膜８２Ａと個片有機絶縁膜８２Ｂとの間隔を、個片有機絶縁膜８２Ｂと個片有機絶縁膜８２Ｃとの間隔よりも大きくすることによっても、接触抵抗を低減することが可能である。
【００６１】
図５は、本実施形態の一実施例に係る表示装置２の額縁領域４４における有機絶縁膜８２の形状を示す模式的な平面図である。
【００６２】
図５に示す例においては、額縁領域４４における有機絶縁膜８２は、表示領域４２と額縁領域４４との境界に並走するように延伸する複数の個片有機絶縁膜８２Ｄに分断されている。各個片有機絶縁膜８２Ｄの間はスリットとなっており、導電性膜８１の上面が露出している。上述した通り、導電性膜８１には複数の開口部８１Ａが設けられており、各有機絶縁膜８２Ｄが、各開口部８１Ａを塞いでいる。
【００６３】
この図５に示す構成においても、図４を用いて上述した構成と同様に、有機発光ダイオード６に含まれる有機ＥＬ層１００、又は上部電極８４を形成する際に用いる蒸着マスクが、有機絶縁膜８２の上面に接する面積を小さくすることができる。その結果として、有機絶縁膜８２の上面に異物が付着する可能性、及び蒸着マスクの打痕がつく可能性を低減することができ、有機絶縁膜８２の上面に段差が生じることを抑制することができる。そのため、この段差に起因して、その後に形成される無機絶縁膜としての第４シリコン窒化膜９２に欠陥が生じる可能性を低減することができる。その結果として、保護層９０側からの水分浸入のリスクを低減することができ、有機ＥＬ層１００における欠陥の発生を抑制することができるのである。
【００６４】
また、図５に示す例においても、図４を用いて上述した構成と同様に、導電性膜８１と上部電極８４とが接触する面積の調整を行うことが可能である。
【００６５】
更に、図５に示す例においては、表示領域４２側と額縁領域４４の端部側とにおいて、導電性膜８１と上部電極８４との接触面積の差異を適宜調整することも可能となる。即ち、図５に示す例においては、複数の個片有機絶縁膜８２Ｄが、表示領域４２と額縁領域４４との境界に並走するように延伸するため、表示領域４２側に配置される個片有機絶縁膜８２Ｄの幅と、額縁領域４４の端部側に配置される個片有機絶縁膜８２Ｄの幅を異ならせることにより、導電性膜８１と上部電極８４との接触面積の差異を適宜調整することが可能となる。
【００６６】
更に、この図５に示す例のように、有機絶縁膜８２は、表示領域４２と額縁領域４４との境界に並走するように延伸する複数の個片有機絶縁膜８２Ｄに分断されていることにより、有機ＥＬ層１００への水分浸入リスクを更に低減させることが可能となる。即ち、有機絶縁膜８２は、有機材料からなるため水分との親和性が高く、有機絶縁膜８２自身が水分の経路となってしまうリスクがある。しかし、この図５に示す例のように、有機絶縁膜８２が、表示領域４２と額縁領域４４との境界に並走するように延伸する複数の個片有機絶縁膜８２Ｄに分断されていることにより、額縁領域４４の水分が表示領域４２側へ伝達される経路を断つことができ、その結果として、有機ＥＬ層１００への水分浸入リスクを更に低減させることができる。
【００６７】
図６は、本実施形態の一実施例に係る表示装置２の額縁領域４４における有機絶縁膜８２の形状を示す模式的な平面図である。
【００６８】
図６に示す例においては、額縁領域４４における有機絶縁膜８２は、表示領域４２側から額縁領域４４の端部側方向、及び表示領域４２と額縁領域４４との境界に並走する方向に分断され、複数の個片有機絶縁膜８２Ｅが縦横に配列されている。各個片有機絶縁膜８２Ｅの間からは、導電性膜８１の上面が露出している。上述した通り、導電性膜８１には複数の開口部８１Ａが設けられており、各個片有機絶縁膜８２Ｅが、各開口部８１Ａを塞いでいる。
【００６９】
この図６に示す構成においても、図４、５を用いて上述した構成と同様に、有機発光ダイオード６に含まれる有機ＥＬ層１００、又は上部電極８４を形成する際に用いる蒸着マスクが、有機絶縁膜８２の上面に接する面積を小さくすることができる。その結果として、有機絶縁膜８２の上面に異物が付着する可能性、及び蒸着マスクの打痕がつく可能性を低減することができ、有機絶縁膜８２の上面に段差が生じることを抑制することができる。そのため、この段差に起因して、その後に形成される無機絶縁膜としての第４シリコン窒化膜９２に欠陥が生じる可能性を低減することができる。その結果として、保護層９０側からの水分浸入のリスクを低減することができ、有機ＥＬ層１００における欠陥の発生を抑制することができるのである。
【００７０】
また、図６に示す例においても、図４、５を用いて上述した構成と同様に、導電性膜８１と上部電極８４とが接触する面積の調整を行うことが可能である。特に図６に示す例においては、図４、５に示した例と比較して、縦横に配列された各個片有機絶縁膜８２Ｅの大きさを適宜変更することにより、導電性膜８１と上部電極８４との接触面積の差異を適宜調整することができるため、接触面積の調整に関して自由度が高い構成となっている。
【００７１】
また、図６に示す例においても、図５に示した例のように、有機絶縁膜８２が、表示領域４２と額縁領域４４との境界に並走する方向に分断されているため、額縁領域４４の水分が表示領域４２側へ伝達される経路を断つことができ、その結果として、有機ＥＬ層１００への水分浸入リスクを更に低減させることができる。
【００７２】
図７は、本実施形態の一実施例に係る表示装置２の額縁領域４４における有機絶縁膜８２の形状を示す模式的な平面図である。
【００７３】
図７に示す例は、図６を用いて上述した例と類似した構成であるが、導電性膜８１の開口部８１Ａを塞ぐ個片有機絶縁膜８２Ｅと、導電性膜８１の開口部８１Ａを塞がない個片有機絶縁膜８２Ｆとが混在する構成としている。なお、図７に示す例においては、複数の導電性膜８１の開口部８１Ａを塞ぐ個片有機絶縁膜８２Ｅの間に、導電性膜８１の開口部８１Ａを塞がない個片有機絶縁膜８２Ｆが介在する構成としている。
【００７４】
このような構成とすることにより、開口部８１Ａの存在により、平坦化膜７２側の水分を上方へ逃がす効果と、保護層９０側から平坦化膜７２への水分浸入を抑制する効果とを両立することが可能となる。即ち、上述した通り、下地である導電性膜８１を保護する観点からは、ある一定程度の個片有機絶縁膜８２Ｅ、８２Ｆの面積、数が必要となるが、個片有機絶縁膜８２Ｅ、８２Ｆの全ての下方に平坦化膜７２側の水分を逃がすための開口部８１Ａを設ける構成とするのではなく、下方に開口部８１Ａが無い導電性膜８１も配置させておくことにより、保護層９０側から平坦化膜７２側への水分浸入を抑制することができるのである。
【００７５】
また、個片有機絶縁膜８２Ｅと個片有機絶縁膜８２Ｆとが接触しない構成としておくことにより、保護層９０側から浸入した水分が、個片有機絶縁膜８２Ｆを介して、個片有機絶縁膜８２Ｅに浸入することを抑制することができ、その結果として、平坦化膜７２側に水分が浸入することを抑制することができる。
【００７６】
なお、導電性膜８１の開口部８１Ａを塞ぐ個片有機絶縁膜８２Ｅと、導電性膜８１の開口部８１Ａを塞がない個片有機絶縁膜８２Ｆとが混在する他の実施例として、図８に示すように、各個片有機絶縁膜８２Ｅの周りを囲う、格子状の個片有機絶縁膜８２Ｆを配置する構成としてもよい。
【００７７】
なお、図７、８に示す構成のように、開口部８１Ａを塞ぐ複数の個片有機絶縁膜８２Ｅの間に、開口部８１Ａを塞がない個片有機絶縁膜８２Ｆが介在する構成とすることにより、平坦化膜７２側の水分を上方へ逃がす効果と、保護層９０側から平坦化膜７２への水分浸入を抑制する効果とが、各領域において両効果の内の一方に偏ることなく、両立することができ望ましい。
【００７８】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７９】
２  表示装置、４  画素アレイ部、６  有機発光ダイオード、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４６  駆動部形成領域、４８  ドライバＩＣ、５０  アレイ基板、５４  第１シリコン酸化膜、５６  第１シリコン窒化膜、５８  第２シリコン酸化膜、６０  ゲート絶縁膜、６２  第１配線、６４  ポリシリコン膜、６６  第２シリコン窒化膜、６８  第３シリコン酸化膜、７０  第２配線、７２  平坦化膜、７４  透明導電膜、７６  第３配線、７８  第３シリコン窒化膜、８０  下部電極、８１  導電性膜、８１Ａ  開口部、８２  有機絶縁膜、８２Ａ  個片有機絶縁膜、８２Ｂ  個片有機絶縁膜、８２Ｃ  個片有機絶縁膜、８２Ｄ  個片有機絶縁膜、８２Ｅ  個片有機絶縁膜、８２Ｆ  個片有機絶縁膜、８４  上部電極、８６  コンタクト領域、９０  保護層、９２  第４シリコン窒化膜、９４  有機樹脂膜、９６  第５シリコン窒化膜、１００  有機ＥＬ層、１０２  正孔輸送層、１０４  発光層、１０６  電子輸送層、３００  有機発光ダイオード構造層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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