(57)【要約】【課題】半導体発光素子の配置及び半導体発光素子の電気接続によって求められる寸法増加の必要なく、ペルチェデバイス及び半導体発光素子を含む発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、第１面及び第２面を有するペルチェデバイス、第１エリア及び第２エリアを含む主面を有する支持体、並びに半導体発光素子を含むモジュールと、前記モジュールを収容するパッケージと、を備え、前記第１エリアは、前記ペルチェデバイスの前記第１面を支持し、前記第２エリアは、前記半導体発光素子を支持する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置であって、
第１面及び第２面を有するペルチェデバイス、第１エリア及び第２エリアを含む主面を有する支持体、並びに半導体発光素子を含むモジュールと、
前記モジュールを収容するパッケージと、
を備え、
前記第１エリアは、前記ペルチェデバイスの前記第１面を支持し、
前記第２エリアは、前記半導体発光素子を支持する、発光装置。
【請求項２】
前記パッケージは、前記ペルチェデバイスの前記第２面を支持する支持面と、リード端子とを有し、
前記支持体は、配線基板を含み、前記半導体発光素子及び前記ペルチェデバイスは、前記配線基板に接続され、前記配線基板は、前記パッケージ内において前記リード端子に導電体を介して接続されている、請求項１に記載された発光装置。
【請求項３】
前記配線基板は、第１面及び第２面を有する多層配線基板を含み、前記半導体発光素子は、前記多層配線基板の前記第２面上に配置され、
前記多層配線基板の前記第１面は、前記多層配線基板の一辺に沿って設けられた第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する段差とを有し、前記多層配線基板は前記第１領域にパッド電極を有し、
前記パッド電極は、導電性ワイヤを介して前記リード端子に接続される、請求項２に記載された発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、前記多層配線基板に導電性ワイヤを介して接続される、請求項３に記載された発光装置。
【請求項５】
前記モジュールは、前記支持体の前記第２エリア上に設けられ前記半導体発光素子に光学的に結合されたレンズを含む、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載された発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子は、量子カスケード半導体レーザを含む、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載された発光装置。
【請求項７】
発光装置であって、
ペルチェデバイスと、
前記ペルチェデバイスによって支持される支持体と、
前記支持体によって支持される半導体発光素子と、
を備え、
前記半導体発光素子及び前記ペルチェデバイスは、基準面に沿って配列される、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、熱電変換モジュールを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−８６７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の熱電変換モジュールは絶縁性基板を含み、絶縁性基板は、熱電半導体素子を搭載するエリアと、電極パッドと搭載する別エリアを有する。電極パッドは、熱電変換モジュールを外部に電気的に接続するために用いられる。絶縁性基板の別エリアは、ヒートシンク、キャリア及び配線基板を搭載し、ヒートシンクは半導体レーザを搭載する。
【０００５】
ペルチェモジュールを含む発光装置では、半導体レーザが、パッケージ内に配置されたペルチェモジュール上に配置される。この配置の発光装置は、熱電半導体素子を含むペルチェモジュールの厚さに加えて、半導体レーザそれ自体の高さ及び半導体レーザの電気接続から求められる高さを必要とする。
【０００６】
本発明の一側面は、半導体発光素子の配置及び半導体発光素子の電気接続から求められる寸法増加を避けることができる構造を有する発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る発光装置は、第１面及び第２面を有するペルチェデバイス、第１エリア及び第２エリアを含む主面を有する支持体、並びに半導体発光素子を含むモジュールと、前記モジュールを収容するパッケージと、を備え、前記第１エリアは、前記ペルチェデバイスの前記第１面を支持し、前記第２エリアは、前記半導体発光素子を支持する。
【０００８】
本発明の一側面に係る発光装置は、ペルチェデバイスと、前記ペルチェデバイスによって支持される支持体と、前記支持体によって支持される半導体発光素子と、を備え、前記半導体発光素子及び前記ペルチェデバイスは、基準面に沿って配列される。
【０００９】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、半導体発光素子の配置及び半導体発光素子の電気接続によって求められる寸法増加を避けることができる構造を有する発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態に係る発光装置の部品を模式的に示す図面である。
【図２】図２は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す図面である。
【図３】図３は、実施形態に係る半導体発光素子、レンズ及び受光素子の配置を示す図面である。
【図４】図４は、実施例に係る発光装置を模式的に示す図である。
【図５】図５は、実施例に係る発光装置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
引き続き、いくつかの形態の具体例を説明する。
【００１３】
一形態に係る発光装置は、（ａ）第１面及び第２面を有するペルチェデバイス、第１エリア及び第２エリアを含む主面を有する支持体、並びに半導体発光素子を含むモジュールと、（ｂ）前記モジュールを収容するパッケージと、を備え、前記第１エリアは、前記ペルチェデバイスの前記第１面を支持し、前記第２エリアは、前記半導体発光素子を支持する。
【００１４】
この発光装置によれば、ペルチェデバイス及び半導体発光素子の両方が、支持体の主面上に配置される。この配置によれば、半導体発光素子が、ペルチェデバイスを支持する支持体上において支持体より外側に突出することを避けることができる。
【００１５】
一形態に係る発光装置では、前記パッケージは、前記ペルチェデバイスの前記第２面を支持する支持面と、リード端子とを有し、前記支持体は、配線基板を含み、前記半導体発光素子及び前記ペルチェデバイスは、前記配線基板に接続され、前記配線基板は、前記パッケージ内において前記リード端子に導電体を介して接続されていてもよい。
【００１６】
この発光装置によれば、パッケージは、ペルチェデバイスの第２面からの放熱経路を提供できる。ペルチェデバイスの間に位置する半導体発光素子は、支持体の配線基板を介してリード端子に接続される。
【００１７】
一形態に係る発光装置では、前記配線基板は、第１面及び第２面を有する多層配線基板を含み、前記半導体発光素子は、前記多層配線基板の前記第２面上に配置され、前記多層配線基板の前記第１面は、前記多層配線基板の一辺に沿って設けられた第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する段差とを有し、前記多層配線基板は前記第１領域にパッド電極を有し、前記パッド電極は、導電性ワイヤを介して前記リード端子に接続されてもよい。
【００１８】
この発光装置によれば、パッド電極は、第２領域より低い第１領域に配置され、段差により、導電性ワイヤの高さを下げることができる。
【００１９】
一形態に係る発光装置では、前記半導体発光素子は、前記多層配線基板に導電性ワイヤを介して接続されてもよい。
【００２０】
この発光装置によれば、多層配線基板は、多層配線基板の第２面上に、ペルチェデバイス及び半導体発光素子を搭載する。導電性ワイヤが、多層配線基板の第１面から突出することを避けることができる。
【００２１】
一形態に係る発光装置では、前記モジュールは、前記支持体の前記第２エリア上に設けられ前記半導体発光素子に光学的に結合されたレンズを含んでもよい。
【００２２】
この発光装置によれば、レンズが、支持体の表面から突出することを避けることができる。
【００２３】
一形態に係る発光装置では、前記半導体発光素子は、量子カスケード半導体レーザを含んでもよい。
【００２４】
この発光装置によれば、中赤外の波長領域及び中赤外より長波の波長領域の光を提供する小型の光モジュールを提供できる。
【００２５】
本発明の一側面に係る発光装置は、（ａ）ペルチェデバイスと、（ｂ）前記ペルチェデバイスによって支持される支持体と、（ｃ）前記支持体によって支持される半導体発光素子と、を備え、前記半導体発光素子及び前記ペルチェデバイスは、基準面に沿って配列される。
【００２６】
この発光装置によれば、ペルチェデバイス及び半導体発光素子が、支持体の主面上に配置される。この配置によれば、ペルチェデバイス及び半導体発光素子を基準面に沿って配置するが可能になる。半導体発光素子が、ペルチェデバイスによって支持される支持体上において支持体より外側に突出することを避けることができる。
【００２７】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、発光装置に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２８】
図１は、実施形態に係る発光装置の構成部品を模式的に示す図面である。図２は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す一部破断図である。発光装置１は、モジュール１０及びパッケージ２０を備える。パッケージ２０は、モジュール１０を収容する。モジュール１０は、ペルチェデバイス３０、支持体４０、及び半導体発光素子５０を含む。ペルチェデバイス３０は、第１面３０ａ及び第２面３０ｂを有し、第２面３０ｂは、第１面３０ａの反対側にある。支持体４０は、主面４０ａを有し、この主面４０ａは、第１エリアＡ１と、第１エリアＡ１と異なる第２エリアＡ２を含む。第１エリアＡ１は、ペルチェデバイス３０の第１面３０ａを支持し、第２エリアＡ２は、半導体発光素子５０を支持する。
【００２９】
発光装置１によれば、支持体４０の主面４０ａが、ペルチェデバイス３０及び半導体発光素子５０の配列を搭載することを可能にする。この配置によれば、半導体発光素子５０が、ペルチェデバイス３０を支持する支持体４０上において支持体４０の表面より外側に突出することを避けることができる。具体的には、支持体４０上の半導体発光素子５０及びペルチェデバイス３０は、基準面ＲＥＦに沿って第１軸Ａｘ１の方向に配列される。半導体発光素子５０は、支持体４０の主面４０ａ上に設けられ、支持体４０の主面４０ａの反対側の裏面４０ｂに設けられない。
【００３０】
ペルチェデバイス３０は、複数の熱電子冷却素子３１と、電気接続のための第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂと、第１支持板３３ａと、第２支持板３３ｂとを有する。第１支持板３３ａ及び第２支持板３３ｂは、第１軸Ａｘ１の方向に交差する第２軸Ａｘ２の方向に配列される。熱電子冷却素子３１は、第１支持板３３ａと第２支持板３３ｂとの間に設けられ、第２軸Ａｘ２に交差する基準面ＲＥＦに沿って配列される。熱電子冷却素子３１の配列は、第１支持板３３ａ及び第２支持板３３ｂに温度変化を引き起こす。第１支持板３３ａは支持体４０を支持しており、第２支持板３３ｂはパッケージに支持される。第１支持板３３ａは、ペルチェデバイス３０の第１面３０ａを提供し、第２支持板３３ｂは、ペルチェデバイス３０の第２面３０ｂを提供する。第１支持板３３ａ及び第２支持板３３ｂは、例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３を含む。第２支持板３３ｂは、熱電子冷却素子３１の配列を搭載する第１領域Ｒ１、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂを搭載する第２領域Ｒ２、並びに残りの第３領域Ｒ３を有する。第３領域Ｒ３は、ペルチェデバイス３０の構成物を搭載しない。第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂは、第２支持板３３ｂ上に搭載されており、パッケージのリード端子との接続を容易にするために、第１支持板３３ａの上面より突出している。第１支持板３３ａは、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂと接触することなく、第１支持板３３ａの縁は、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂを避けるように、第２支持板３３ｂの形状に比べて内側に後退する窪み３４ａ及び窪み３４ｂを有する。第１支持板３３ａは、熱電子冷却素子３１の配列を支持する第１領域Ｒ１を有し、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂを支持する領域の代わりに窪み３４ａ及び窪み３４ｂを有し、第２支持板３３ｂの第３領域Ｒ３の代わりに追加の窪み３４ｃを有する。追加の窪み３４ｃを規定するために、第１支持板３３ａは、本体３３ｐ、第１アーム３３ｑ及び第２アーム３３ｒを有する。第１アーム３３ｑ及び第２アーム３３ｒは、本体３３ｐから延出する。第１支持板３３ａのサイズ及び形状は、熱電子冷却素子３１が配列される範囲を規定する。
【００３１】
ペルチェデバイス３０は、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂを介して外部電力を受けると共に、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂは、第１支持板３３ａ及び第２支持板３３ｂの導電体を介して熱電子冷却素子３１に接続される。電力の供給によって、熱電子冷却素子３１は、発熱及び吸熱のいずれかを行って、支持体４０の温度を調整する。支持体４０の温度変化に応じて、支持体４０の主面４０ａ上の半導体発光素子５０の温度が変更される。
【００３２】
支持体４０の第２エリアＡ２は、支持体４０の前縁４０ｆに面して位置する一辺を有しており、支持体４０の前縁４０ｆに沿った第２エリアＡ２は、第２エリアＡ２上の半導体発光素子５０からの光の出射を容易にする。また、第２エリアＡ２は、ペルチェデバイス３０の第１面３０ａを支持する第１エリアＡ１に隣接する。本実施例では、第２エリアＡ２は、一辺の反対側の別辺を有しており、別辺が第１エリアＡ１に隣接する。半導体発光素子５０の発熱は、支持体４０の第２エリアＡ２から第１エリアＡ１に伝搬して、支持体４０の第１エリアＡ１を介してペルチェデバイス３０に到達する。また、ペルチェデバイス３０からの熱は、支持体４０の第１エリアＡ１から第２エリアＡ２に伝搬して、支持体４０の第２エリアＡ２を介して半導体発光素子５０に到達する。本実施例では、第２エリアＡ２は、一辺及び別辺の一方を他方に接続する側辺を有しており、熱伝搬の経路を幅広くするために、側辺が第１エリアＡ１に隣接する。支持体４０は、例えば、ＡｌＮ、Ｃｕ、ＳｉＣ、ＣｕＷ、又はＣｕＭｏを含む。
【００３３】
支持体４０では、主面４０ａの第１エリアＡ１は、第１部分Ｐ１を有する。第１エリアＡ１の第１部分Ｐ１及び第２エリアＡ２は、第１軸Ａｘ１の方向に配列される。第１エリアＡ１の第１部分Ｐ１は、第２エリアＡ２に接している。主面４０ａの第１エリアＡ１は、第２部分Ｐ２及び第３部分Ｐ３を有しており、第２部分Ｐ２及び第３部分Ｐ３は、第１軸Ａｘ１の方向に交差する方向に延在する。第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２は、第１軸Ａｘ１の方向に配列され、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３は、第１軸Ａｘ１の方向に配列される。第２エリアＡ２は、第２部分Ｐ２と第３部分Ｐ３との間に設けられる。本実施例では、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２及び第３部分Ｐ３は、第２エリアＡ２に接している。支持体４０は、第２支持板３３ｂの形状に比べて内側に後退する窪み４０ｐ及び窪み４０ｑを有し、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂとの接触を避ける。
【００３４】
半導体発光素子５０は、例えば量子カスケードレーザを含む。量子カスケードレーザは、中赤外及び中赤外より長波の波長領域の光、具体的には３〜１１マイクロメートルの波長の光を提供する小型の光モジュールを提供できる。
【００３５】
パッケージ２０は、ペルチェデバイス３０及び半導体発光素子５０を収容するキャビティを有する。具体的には、パッケージ２０は、前壁２０ａ、後壁２０ｂ、底板２０ｃ、天板２０ｄ、第１側壁２０ｅ及び第２側壁２０ｆを備える。第１側壁２０ｅ及び第２側壁２０ｆは、第１軸Ａｘ１の方向に配列されており、前壁２０ａ及び後壁２０ｂは、第１軸Ａｘ１に交差する方向に延在する。第１側壁２０ｅ及び第２側壁２０ｆは、それぞれ、前壁２０ａの一端及び他端を後壁２０ｂの一端及び他端に接続する。底板２０ｃは、ペルチェデバイス３０を搭載し、ペルチェデバイス３０は、支持体４０を搭載する。支持体４０は、半導体発光素子５０及び熱電子冷却素子３１が基準面ＲＥＦに沿って第１軸Ａｘ１の方向に配列されるように、半導体発光素子５０を支持する。
【００３６】
前壁２０ａは、光学窓２１を有する。後壁２０ｂ、第１側壁２０ｅ及び第２側壁２０ｆの少なくともいずれかは、リード端子２４を有する。前壁２０ａの光学窓２１は、半導体発光素子５０に光学的に結合される。光学窓２１は、例えば、Ｇｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、Ｓｉ、ＣａＦ２、ＢａＦ２、サファイア、ダイヤモンド、又はカルコゲナイドガラスの少なくとも一つを含み、これらの材料の光学窓２１は、例えば３〜１１マイクロメートルの波長の光の透過を可能にする。底板２０ｃは、ペルチェデバイス３０の第２面３０ｂを支持する。底板２０ｃは、ペルチェデバイス３０の第２面３０ｂからの熱伝導経路を提供できる。底板２０ｃは、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕ、ＣｕＷ、又はＣｕＭｏを含む。天板２０ｄは、例えばＫｏｖａｒ又はＮｉＦｅ合金を含む。
【００３７】
図２に示されるように、支持体４０は、配線基板４１を含むことができる。配線基板４１は、セラミック基板、メタル基板、及びプリント基板などのいずれかを備える。セラミック基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、サファイア、又はＡｌ２Ｏ３を含み、メタル基板は、Ｃｕ、Ａｌを含む。プリント基板は、ガラスエポキシを含む。発熱量が大きい量子カスケードレーザを含む半導体発光素子５０では、配線基板４１は、熱伝導率が高く放熱性がよい基板、例えば、ＡｌＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、又はメタル基板を含むことが好ましい。配線基板４１は、第１面４１ａ及び第２面４１ｂを有する。配線基板４１は、第１面４１ａ上を延在する配線層４１ｐを含み、配線基板４１は、第２面４１ｂ上において半導体発光素子５０を搭載する。配線基板４１は、第２面４１ｂ上の半導体発光素子５０を第１面４１ａ上の配線層４１ｐに接続する導電体を含む。配線基板４１の配線層４１ｐは、リード端子２４に接続されると共に、ペルチェデバイス３０の第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂは、リード端子２４に接続される。必要な場合には、配線基板４１は、多層配線基板を含むことができる。
【００３８】
図３は、実施形態に係る発光サブアセンブリを示す図面である。発光サブアセンブリＳＬ１は、支持体４０の主面４０ａ上の第２エリアＡ２に設けられる。発光サブアセンブリＳＬ１は、半導体発光素子５０及びレンズ５１を含み、必要な場合には、受光素子５２を含むことができる。本実施例では、熱電子冷却素子３１、半導体発光素子５０及びレンズ５１は、基準面ＲＥＦに沿って配列される。半導体発光素子５０の第１出射面５０ａは、レンズ５１に光学的に結合され、半導体発光素子５０の第２出射面５０ｂは、受光素子５２に光学的に結合される。受光素子５２は、第２出射面５０ｂからの出射光をモニターする。受光素子５２は、例えばＨｇＣｄＴｅ素子、ＩｎＳｂ素子、ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超格子のセンサ素子、サーモパイル素子、又は焦電センサ素子を含む。ＨｇＣｄＴｅ素子、ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超格子のセンサ素子、サーモパイル素子、焦電センサ素子は、３〜１５マイクロメートルの波長の光を、ＩｎＳｂ素子は、３〜６マイクロメートルの波長の光を検知できる。
【００３９】
発光サブアセンブリＳＬ１は、サーミスタといった温度感知素子５３を更に含むことができる。温度感知素子５３は、第２エリアＡ２上に搭載され、半導体発光素子５０の温度をモニターすることができる。
【００４０】
半導体発光素子５０は、第２エリアＡ２上の第１サブマウント２８ａ上に搭載されており、第２エリアＡ２上の第１配線ポスト２９ａ及び第２配線ポスト２９ｂを介して配線基板４１に接続される。受光素子５２は、第２エリアＡ２上の第２サブマウント２８ｂ上に搭載されており、第２エリアＡ２上の第３配線ポスト２９ｃを介して配線基板４１に接続される。温度感知素子５３は、第２エリアＡ２上の第３サブマウント２８ｃ上に搭載されており、第２エリアＡ２上の第４配線ポスト２９ｄを介して配線基板４１に接続される。
【００４１】
図１及び図２に示されるように、後壁２０ｂは、底板２０ｃに交差する第２軸Ａｘ２の方向に、底板２０ｃ上において延在する。後壁２０ｂは、底板２０ｃに搭載される台座２２を有し、台座２２の高さは、リード端子２４の高さに関連している。台座２２は、第２軸Ａｘ２の方向に交差する第１軸Ａｘ１の方向にパッケージ２０の内側に向けて延出する第１配線面２２ａを有する。後壁２０ｂは、第１配線面２２ａ上に設けられた第１導電体２７ａ及び第２導電体２７ｂを有し、第１導電体２７ａ及び第２導電体２７ｂは、それぞれ、ペルチェデバイス３０の第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂに接続される。第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂは、それぞれ、第１導電体２７ａ及び第２導電体２７ｂを介してリード端子２４に接続される。後壁２０ｂは、第１配線面２２ａ上に設けられた複数の第３導電体２３を有する。第３導電体２３は、後壁２０ｂに設けられたリード端子２４に接続される。配線基板４１は、第３導電体２３に接続され、第３導電体２３を介してリード端子２４に接続される。第１導電体２７ａ、第３導電体２３及び第２導電体２７ｂは、第１軸Ａｘ１及び第２軸Ａｘ２に交差する方向に延在する第３軸Ａｘ３の方向に配列される。
【００４２】
図１〜図３に示されるように、発光装置１では、半導体発光素子５０が支持体４０によって支持され、支持体４０がペルチェデバイス３０によって支持される。ペルチェデバイス３０及び半導体発光素子５０は、基準面ＲＥＦに沿って配列される。具体的には、ペルチェデバイス３０は、第１支持板３３ａ、第２支持板３３ｂ及び熱電子冷却素子３１を有する。ペルチェデバイス３０の熱電子冷却素子３１は、第１支持板３３ａと第２支持板３３ｂとの間に設けられ、熱電子冷却素子３１及び半導体発光素子５０は、基準面ＲＥＦに沿って配列される。この発光装置１によれば、ペルチェデバイス３０及び半導体発光素子５０が、支持体４０の主面上に配置される。この配置によれば、熱電子冷却素子３１及び半導体発光素子５０を基準面ＲＥＦに沿って配列されることが可能になる。半導体発光素子５０が、ペルチェデバイス３０を支持する支持体４０上において支持体４０より外側に突出することを避けることができる。
【００４３】
引き続き、発光装置のいくつかの実施例を説明する。これらの実施例では、図１〜図３に示された発光装置における配線基板４１とパッケージ２０のリード端子２４との電気的に接続を説明する。
【００４４】
（実施例１）
図４の（ａ）部は、図２に示されたＩＶａ−ＩＶａ線に沿ってとられた断面を示す図面であって、実施例１に係る発光装置を示す。台座２２の第１配線面２２ａの第１高さＨ１は、パッケージ２０の底板２０ｃを基準にして既定され、配線基板４１の第１面４１ａの第２高さＨＳは、パッケージ２０の底板２０ｃを基準にして既定され、第１電極３２ａ（第２電極３２ｂ）の第３高さＨＥは、パッケージ２０の底板２０ｃを基準にして既定される。台座２２の第１配線面２２ａが配線基板４１の第１面４１ａに位置合わせされている。
【００４５】
配線基板４１は、導電性ワイヤ２５によって第３導電体２３に接続され、第３導電体２３を介してリード端子２４に接続される。第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂは、それぞれ、複数の導電性ワイヤ２６によって第１導電体２７ａ及び第２導電体２７ｂに接続され、第１導電体２７ａ及び第２導電体２７ｂを介してリード端子２４に接続される。台座２２の第１配線面２２ａの高さ合わせによれば、導電性ワイヤ２５、２６の最高位（パッケージ２０の底板２０ｃを基準にして既定される導電性ワイヤの高さの最大値）は、配線基板４１の第１面４１ａ及び第１配線面２２ａの高さより僅かに高くなる。
【００４６】
（実施例２）
図４の（ｂ）部は、図２のＩＶａ−ＩＶａ線に沿ってとられた断面であって、実施例２に係る発光装置を模式的に示す図面である。台座２２の第１配線面２２ａの第１高さＨ１は、配線基板４１の第１面４１ａの第２高さＨＳより低く、また第１電極３２ａ（第２電極３２ｂ）の第３高さＨＥより低い。台座２２の第１配線面２２ａを低くすることによれば、導電性ワイヤ２５、２６の最高位（パッケージ２０の底板２０ｃを基準にして既定される導電性ワイヤの高さの最大値）は、配線基板４１の第１面４１ａ及び第１配線面２２ａの高さに比べてほとんど高くならない。
【００４７】
（実施例３）
図５は、実施例３に係る発光装置を模式的に示す図であり、図５の（ｂ）部は、図５の（ａ）部のＶ−Ｖ線に沿ってとられた断面を示す図面である。配線基板４１は、多層配線基板４１Ｍを含む。多層配線基板４１Ｍは、第１領域Ｅ１及び第２領域Ｅ２を含み、第１領域Ｅ１及び第２領域Ｅ２は、第１軸Ａｘ１の方向に配列される。第２領域Ｅ２は、第１領域Ｅ１に隣接する。多層配線基板４１Ｍは、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２との境界に位置する段差４２を有し、段差４２は、第３軸Ａｘ３の方向に延在する。半導体発光素子５０は、第１領域Ｅ１上に設けられる。配線基板４１は、第２領域Ｅ２の表面上に複数の導電層４３を有し、導電層４３は、配線基板４１内において配線層４１ｐに接続される。多層配線基板４１Ｍの第２領域Ｅ２の第４高さＨＳＤは、パッケージ２０の底板２０ｃを基準にして既定され、多層配線基板４１Ｍの第１領域Ｅ１の第２高さＨＳより小さい。台座２２の第１配線面２２ａの第１高さＨ１は、第１領域Ｅ１の第２高さＨＳ及び第２領域Ｅ２の第４高さＨＳＤより小さい。多層配線基板４１Ｍの段差によれば、導電性ワイヤ２５、２６の最高位（パッケージ２０の底板２０ｃを基準にして既定される導電性ワイヤの高さの最大値）は、配線基板４１の第１面４１ａの高さより低くできる。
【００４８】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上説明したように、本実施形態によれば、半導体発光素子の配置及び半導体発光素子の電気接続から求められる寸法増加の必要なく、ペルチェデバイス及び半導体発光素子を含む発光装置が提供される。
【符号の説明】
【００５０】
１…発光装置、１０…モジュール、２０…パッケージ、２３…第３導電体、２４…リード端子、２６…導電性ワイヤ、３０…ペルチェデバイス、３０ａ…第１面、３０ｂ…第２面、３１…熱電子冷却素子、４０…支持体、４１…配線基板、４１Ｍ…多層配線基板、４２…段差、４３…導電層、５０…半導体発光素子、５１…レンズ、Ａ１…第１エリア、Ａ２…第２エリア、Ｅ１…第１領域、Ｅ２…第２領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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