(57)【要約】【課題】信頼性を向上すること。【解決手段】配線基板１は、絶縁層３０の上面３０ａ側に、その絶縁層３０に埋設された第１の配線層１０を有している。また、配線基板１は、絶縁層３０の下面３０ｂ側に配設された第２の配線層２０を有している。第２の配線層２０は、絶縁層３０の下面３０ｂより下方に配設された配線部２１と、絶縁層３０に埋設された突起部２２とを有している。【選択図】図１
2018195600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
上面が前記絶縁層から露出した状態で前記絶縁層に埋め込まれた第１の配線層と、
前記絶縁層の下面より下側に位置する端子部と、前記絶縁層に埋め込まれた埋込部と、を有する第２の配線層と、
前記第１の配線層と前記第２の配線層の前記埋込部とを接続する接続ビアと、
を含み、
前記絶縁層は、前記第２の配線層の前記埋込部と前記第１の配線層の下面との間の延在部を有し、
前記絶縁層の前記延在部は、厚さ方向に前記延在部を貫通する貫通孔を有し、
前記接続ビアは、前記延在部を貫通する前記貫通孔内に形成されていること、
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１の配線層は、前記延在部の前記貫通孔と同位置に、厚さ方向に前記第１の配線層を貫通する貫通孔を有し、
前記接続ビアは、前記第１の配線層の前記貫通孔内と前記絶縁層の前記貫通孔内とに一体的に配設されていること、
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記接続ビアは、前記第１の配線層の前記貫通孔内に配設された貫通部と、前記絶縁層の前記貫通孔内に配設された接続部とを有し、
前記第１の配線層の前記貫通孔の内径と前記絶縁層の前記貫通孔の内径は互いに等しいこと、
を特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記接続ビアは、前記第１の配線層の前記貫通孔内に配設された貫通部と、前記絶縁層の前記貫通孔内に配設された接続部とを有し、
前記第１の配線層の前記貫通孔の内径より前記絶縁層の前記貫通孔の内径の方が大きいこと、
を特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１の配線層の上面の高さは、前記絶縁層の上面の高さと等しいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１の配線層の上面の高さは、前記絶縁層の上面の高さよりも低いことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記接続ビアの上面は、前記第１の配線層の上面よりも前記絶縁層側に位置していることを特徴とする請求項２〜６の何れか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有する第１の金属板を前記第１の面の側からエッチングして第１の配線層を形成する工程と、
第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有する第２の金属板を前記第１の面の側からエッチングして突起部を形成する工程と、
半硬化状態の樹脂層の上面に前記第１の配線層を向けて前記第１の金属板を配置し、前記樹脂層の下面に前記突起部を向けて前記第２の金属板を配置し、前記第１の金属板と前記第２の金属板とを前記樹脂層に押圧し、前記樹脂層を硬化して前記第１の配線層と前記突起部とが埋設された絶縁層を形成する工程と、
前記第１の金属板と前記絶縁層を貫通して前記突起部の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、
電解めっき法により前記貫通孔にめっき金属を形成して前記第１の金属板と前記第２の金属板とを接続する接続ビアを形成する工程と、
前記第１の金属板を前記第２の面の側からエッチングして前記絶縁層に埋設された前記第１の配線層を残す工程と、
前記第２の金属板を前記第２の面の側からパターニングして前記絶縁層の下面より下に位置する配線部を形成する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
キャリア板と、前記キャリア板の上面に剥離層を介して積層された金属箔とを含む支持板に対して、前記金属箔の表面に電解めっき法により第１の配線層を形成する工程と、
第２の金属板をエッチングして突起部を形成する工程と、
半硬化状態の樹脂層の上面に前記第１の配線層を向けて前記支持板を配置し、前記樹脂層の下面に前記突起部を向けて前記第２の金属板を配置し、前記支持板と前記第２の金属板とを前記樹脂層に押圧し、前記樹脂層を硬化して前記第１の配線層と前記突起部とが埋設された絶縁層を形成する工程と、
前記キャリア板を前記金属箔から剥離する工程と、
前記金属箔と前記第１の配線層と前記絶縁層を貫通して前記突起部の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、
電解めっき法により前記貫通孔にめっき金属を形成して前記第１の配線層と前記第２の金属板とを接続する接続ビアを形成する工程と、
前記金属箔を除去する工程と、
前記第２の金属板をパターニングして前記絶縁層の下面より下に位置する配線部を形成する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
配線基板、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄型の配線基板として、例えば半導体チップ等の電子部品を搭載する配線基板が各種提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２９８１４３号公報
【特許文献２】特開２００９−１９４３１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、配線基板において、信頼性の向上が求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、配線基板は、絶縁層と、上面が前記絶縁層から露出した状態で前記絶縁層に埋め込まれた第１の配線層と、前記絶縁層の下面より下側に位置する端子部と、前記絶縁層に埋め込まれた埋込部と、を有する第２の配線層と、前記第１の配線層と前記第２の配線層の前記埋込部とを接続する接続ビアと、を含み、前記絶縁層は、前記第２の配線層の前記埋込部と前記第１の配線層の下面との間の延在部を有し、前記絶縁層の前記延在部は、厚さ方向に前記延在部を貫通する貫通孔を有し、前記接続ビアは、前記延在部を貫通する前記貫通孔内に形成されている。
【０００６】
本発明の別の一観点によれば、配線基板の製造方法は、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有する第１の金属板を前記第１の面の側からエッチングして第１の配線層を形成する工程と、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有する第２の金属板を前記第１の面の側からエッチングして突起部を形成する工程と、半硬化状態の樹脂層の上面に前記第１の配線層を向けて前記第１の金属板を配置し、前記樹脂層の下面に前記突起部を向けて前記第２の金属板を配置し、前記第１の金属板と前記第２の金属板とを前記樹脂層に押圧し、前記樹脂層を硬化して前記第１の配線層と前記突起部とが埋設された絶縁層を形成する工程と、前記第１の金属板と前記絶縁層を貫通して前記突起部の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、電解めっき法により前記貫通孔にめっき金属を形成して前記第１の金属板と前記第２の金属板とを接続する接続ビアを形成する工程と、前記第１の金属板を前記第２の面の側からエッチングして前記絶縁層に埋設された前記第１の配線層を残す工程と、前記第２の金属板を前記第２の面の側からパターニングして前記絶縁層の下面より下に位置する配線部を形成する工程と、とを有する。
【０００７】
本発明の別の一観点によれば、配線基板の製造方法は、キャリア板と、前記キャリア板の上面に剥離層を介して積層された金属箔とを含む支持板に対して、前記金属箔の表面に電解めっき法により第１の配線層を形成する工程と、第２の金属板をエッチングして突起部を形成する工程と、半硬化状態の樹脂層の上面に前記第１の配線層を向けて前記支持板を配置し、前記樹脂層の下面に前記突起部を向けて前記第２の金属板を配置し、前記支持板と前記第２の金属板とを前記樹脂層に押圧し、前記樹脂層を硬化して前記第１の配線層と前記突起部とが埋設された絶縁層を形成する工程と、前記キャリア板を前記金属箔から剥離する工程と、前記金属箔と前記第１の配線層と前記絶縁層を貫通して前記突起部の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、電解めっき法により前記貫通孔にめっき金属を形成して前記第１の配線層と前記第２の金属板とを接続する接続ビアを形成する工程と、前記金属箔を除去する工程と、前記第２の金属板をパターニングして前記絶縁層の下面より下に位置する配線部を形成する工程と、とを有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一観点によれば、信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は第１実施形態の配線基板の概略断面図、（ｂ）は一部拡大断面図。
【図２】半導体装置の概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）は第２実施形態の配線基板の概略断面図、（ｂ）は一部拡大断面図。
【図１２】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１８】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１９】（ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２０】（ａ）（ｂ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２１】第２実施形態の配線基板の一部拡大平面図。
【図２２】（ａ）〜（ｃ）は変形例の配線基板の製造方法を示す断面図。
【図２３】（ａ）は変形例の配線基板を示す断面図、（ｂ）は半導体装置の概略断面図。
【図２４】（ａ）は変形例の配線基板を示す断面図、（ｂ）は半導体装置の概略断面図。
【図２５】（ａ）〜（ｄ）は変形例の配線基板の一部拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。また、各形態において同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する場合がある。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から視た形状のことを言う。
【００１１】
（第１実施形態）
第１実施形態を説明する。
図１（ａ）に示すように、配線基板１は、第１の配線層１０、第２の配線層２０、絶縁層３０、接続ビア４０、ソルダーレジスト層５１，５２、表面処理層６１，６２を有している。
【００１２】
絶縁層３０は、薄い平板状である。絶縁層３０の材料としては、例えば熱硬化性を有する樹脂を用いることができる。熱硬化性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。
【００１３】
第１の配線層１０は、絶縁層３０の上面３０ａの側に配設されている。第１の配線層１０は、絶縁層３０に埋設されている。第１の配線層１０の上面１０ａは、絶縁層３０から露出している。本実施形態において、第１の配線層１０の上面１０ａは、絶縁層３０の上面と同じ高さに位置している。
【００１４】
図１（ｂ）に示すように、第１の配線層１０の側面１０ｃは、第１の配線層１０の下面１０ｂの端部から上面１０ａに向かって広がるように湾曲した曲面状に形成されている。詳述すると、第１の配線層１０は、平面視における断面が、第１の配線層１０の下面１０ｂから絶縁層３０の上面３０ａに向かって広がるように形成されている。さらに、第１の配線層１０の側面１０ｃは、下端から第１の配線層１０の上面１０ａにかけて、絶縁層３０に対して第１の配線層１０の内側に向かって凹状に湾曲している。第１の配線層１０の下面１０ｂ及び側面１０ｃは、絶縁層３０に接している。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、第２の配線層２０は、絶縁層３０の下面３０ｂの側に配設されている。第２の配線層２０は、絶縁層３０の下面３０ｂより下方に配設された配線部２１と、絶縁層３０に埋設された突起部２２とを有している。
【００１６】
図１（ｂ）に示すように、突起部２２の側面２２ｂは、配線部２１に向かって広がるように湾曲した曲面状に形成されている。詳述すると、突起部２２は、平面視における断面形状が、突起部２２の上面２２ａから配線部２１に向かって広がるように形成されている。さらに、突起部２２の側面２２ｂは、上端から配線部２１にかけて、絶縁層３０に対して突起部２２の内側に向かって凹状に湾曲して形成されている。突起部２２の側面２２ｂ及び上面２２ａは、絶縁層３０に接している。
【００１７】
第２の配線層２０は、突起部２２の上面２２ａが第１の配線層１０の下面１０ｂと対向している。そして、第２の配線層２０の突起部２２の上面２２ａと第１の配線層１０との間には、絶縁層３０の延在部３１が介在されている。
【００１８】
第１の配線層１０は、所望の位置に第１の配線層１０を上下方向に貫通する貫通孔１０Ｘを有している。絶縁層３０の延在部３１は、平面視において第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘと同じ位置に、延在部３１を上下方向に貫通する貫通孔３１Ｘを有している。本実施形態において、貫通孔１０Ｘの内径と貫通孔３１Ｘの内径は互いに等しい。
【００１９】
第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘと絶縁層３０の貫通孔３１Ｘには、接続ビア４０が配設されている。接続ビア４０は、絶縁層３０（延在部３１）の貫通孔３１Ｘに配設された貫通部としてのビア部４１と、第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘに配設された貫通部としてのビア部４２とを含む。なお、両ビア部４１，４２は一体的に形成されている。
【００２０】
接続ビア４０（ビア部４１）は、第２の配線層２０の突起部２２の上面２２ａに接続されている。ビア部４１の周面は絶縁層３０（延在部３１）の貫通孔３１Ｘの内周面と接している。ビア部４２の周面は、第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘの内周面に接続されている。接続ビア４０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。この接続ビア４０は、第１の配線層１０と第２の配線層２０とを互いに接続する。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、ソルダーレジスト層５１は、絶縁層３０の上面３０ａに、第１の配線層１０の一部を被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層５１は、第１の配線層１０の上面１０ａの一部を露出する開口部５１Ｘを有している。
【００２２】
ソルダーレジスト層５２は、絶縁層３０の下面３０ｂに、第２の配線層２０の一部を被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層５２は、第２の配線層２０の下面２０ｂの一部を露出する開口部５２Ｘを有している。
【００２３】
ソルダーレジスト層５１の材料としては、例えば感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等が用いられる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層３０と第１の配線層１０とを、熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部５１Ｘを有するソルダーレジスト層５１を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、ソルダーレジスト層５１が形成される。
【００２４】
ソルダーレジスト層５２の材料としては、例えばソルダーレジスト層５１の材料と同じものを用いることができる。つまり、ソルダーレジスト層５２の材料としては、例えば感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等が用いられる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層３０と第２の配線層２０とを、熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部５２Ｘを有するソルダーレジスト層５２を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、ソルダーレジスト層５２が形成される。なお、ソルダーレジスト層５１，５２について互いに異なる材料を用いることもできる。
【００２５】
ソルダーレジスト層５１の開口部５１Ｘから露出する第１の配線層１０の上面１０ａには、表面処理層６１が形成されている。表面処理層６１の上面は、半導体チップなどの電子部品等を接続する外部接続端子Ｐ１として機能する。
【００２６】
表面処理層６１としては、金（Ａｕ）層や、ニッケル（Ｎｉ）/Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ/パラジウム（Ｐｄ）/Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層６１を形成するようにしてもよい。例えば、ＯＳＰ処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層６１が形成される。
【００２７】
ソルダーレジスト層５２の開口部５２Ｘから露出する第２の配線層２０の配線部２１の下面２１ｂには、表面処理層６２が形成されている。表面処理層６２の下面は、配線基板１を他の回路基板等に搭載するための外部接続端子Ｐ２として機能する。
【００２８】
表面処理層６２としては、例えば金（Ａｕ）層や、ニッケル（Ｎｉ）/Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ/パラジウム（Ｐｄ）/Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。また、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層６２を形成するようにしてもよい。例えば、ＯＳＰ処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層６２が形成される。
【００２９】
図２に示すように、半導体装置は、配線基板１と、配線基板１に搭載された半導体チップ８１を含む。半導体チップ８１は、バンプ８２により外部接続端子Ｐ１に接続される。つまり、半導体チップ８１は、配線基板１にたいしてフリップチップ接続される。半導体チップ８１と配線基板１との間にはアンダーフィル樹脂８３が形成されている。半導体チップ８１は、ＣＰＵ等のロジックチップや、メモリチップ、等である。バンプ８２は、例えば、はんだバンプや金バンプである。はんだバンプの材料は、例えば、鉛を含む合金、錫と金との合金、錫と銅との合金、錫と銀との合金、錫と銀と銅の合金などである。アンダーフィル樹脂８３の材料は、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂である。
【００３０】
（配線基板の製造方法）
次に、上述の配線基板１の製造方法を説明する。
なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。また、各図の説明に必要な部材について符号を付し、説明しない部材については符号を省略する場合がある。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、第１の金属板１００を用意する。この第１の金属板１００は、図１（ａ）に示す第１の配線層１０のためのものである。第１の金属板１００の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。第１の金属板１００の厚さは、例えば５０〜７０μｍとすることができる。なお、第１の金属板１００の厚さは、例えば図１（ａ）に示す第２の配線層２０の配線部２１の厚さと等しくすることができる。
【００３２】
図３（ｂ）に示すように、第１の金属板１００の下面１００ｂに、開口部１０１Ｘを有するエッチングマスク１０１を形成する。エッチングマスク１０１は、図１（ａ）に示す第１の配線層１０の部分に対応する位置に形成される。
【００３３】
エッチングマスク１０１は、例えばレジスト層である。レジスト層の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、第１の金属板１００の下面１００ｂにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層を形成することができる。
【００３４】
また、第１の金属板１００の上面１００ａに、保護層１０２を形成する。保護層１０２は、第１の金属板１００に対するエッチング処理において、第１の金属板１００の上面１００ａを保護する。この保護層１０２の材料としては、例えばエッチングマスク１０１と同じものを用いることができる。なお、保護層１０２として、エッチングマスク１０１の材料と異なる材料が用いられてもよい。
【００３５】
図３（ｃ）に示すように、エッチングマスク１０１の開口部１０１Ｘから第１の金属板１００にエッチング処理を施し、第１の金属板１００に所要の深さの凹部１００ｃを形成する。第１の金属板１００として銅板を用いた場合、エッチング液として、塩化第二鉄溶液、又は塩化第二銅溶液などを用いることができる。エッチング装置としては、スプレーエッチング装置を用いることができる。このエッチング処理において第１の金属板１００の下面１００ｂの側に残された部分、つまりエッチングマスク１０１により覆われた部分が、図１（ａ）に示す第１の配線層１０となる。
【００３６】
図３（ｄ）に示すように、第１の金属板１００からエッチングマスク１０１及び保護層１０２（図３（ｃ）参照）を除去する。エッチングマスク１０１としてレジスト層を用いた場合、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いてエッチングマスク１０１を除去することができる。保護層１０２についても、エッチングマスク１０１と同様である。これにより、第１の配線層１０を有する第１の金属板１００を得る。
【００３７】
図４（ａ）に示すように、第２の金属板１１０を用意する。この第２の金属板１１０は、図１（ａ）に示す第２の配線層２０のためのものである。第２の金属板１１０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。第２の金属板１１０の厚さは、例えば１００〜１５０μｍとすることができる。
【００３８】
図４（ｂ）に示すように、第２の金属板１１０の上面１１０ａに、開口部１１１Ｘを有するエッチングマスク１１１を形成する。エッチングマスク１１１は、図１（ａ）に示す第２の配線層２０の部分、詳しくは、突起部２２の部分に対応する位置に形成される。
【００３９】
エッチングマスク１１１は、例えばレジスト層である。レジスト層の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、第２の金属板１１０の上面１１０ａにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層を形成することができる。
【００４０】
また、第２の金属板１１０の下面１１０ｂに、保護層１１２を形成する。保護層１１２は、第２の金属板１１０に対するエッチング処理において、第２の金属板１１０の下面１１０ｂを保護する。この保護層１１２の材料としては、例えばエッチングマスク１１１と同じものを用いることができる。なお、保護層１１２として、エッチングマスク１１１の材料と異なる材料が用いられてもよい。
【００４１】
図４（ｃ）に示すように、エッチングマスク１１１の開口部１１１Ｘから第２の金属板１１０にエッチング処理を施し、第２の金属板１１０に所要の深さの凹部１１０ｃを形成する。第２の金属板１１０として銅板を用いた場合、エッチング液として、塩化第二鉄溶液、又は塩化第二銅溶液などを用いることができる。エッチング装置としては、スプレーエッチング装置を用いることができる。このエッチング処理において第２の金属板１１０の上面１１０ａの側に残された部分、つまりエッチングマスク１１１により覆われた部分が、図１（ａ）に示す第２の配線層２０の突起部２２となる。
【００４２】
図４（ｄ）に示すように、第２の金属板１１０からエッチングマスク１１１及び保護層１１２（図４（ｃ）参照）を除去する。エッチングマスク１１１としてレジスト層を用いた場合、アッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いてエッチングマスク１１１を除去することができる。保護層１１２についても、エッチングマスク１１１と同様である。これにより、突起部２２を有する第２の金属板１１０を得る。
【００４３】
図５（ａ）に示すように、モールドシート１２０を用意する。モールドシート１２０としては、熱硬化性を有する半硬化状態の樹脂を用いることができる。また、モールドシート１２０の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、半硬化状態の樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。また、シリカの粒子等の無機フィラーを含有する半硬化状態の樹脂層、等を用いることができる。無機フィラーとして、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。また、複数種類の粒子を用いてもよい。また、モールドシート１２０の材料として、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００４４】
そして、モールドシート１２０の上面１２０ａ側に、その上面１２０ａに第１の配線層１０を向けて第１の金属板１００を配置する。また、モールドシート１２０の下面１２０ｂ側に、その下面１２０ｂに突起部２２を向けて第２の金属板１１０を配置する。
【００４５】
図５（ｂ）に示すように、例えば真空雰囲気で第１の金属板１００と第２の金属板１１０とをモールドシート１２０に向けて押圧し、所定の温度（例えば１９０〜２３０度）に加熱してモールドシート１２０を硬化させ、絶縁層３０とする。この工程により、構造体１３０を得る。この構造体１３０は、絶縁層３０と、絶縁層３０の上面３０ａの側に積層された第１の金属板１００と、絶縁層３０の下面３０ｂの側に積層された第２の金属板１１０とを有する。第１の金属板１００の第１の配線層１０は、絶縁層３０の上面３０ａの側に埋設される。また、第２の金属板１１０の突起部２２は、絶縁層３０の下面３０ｂの側に埋設される。そして、第１の金属板１００の下面１００ｂと、第２の金属板１１０の突起部２２の上面２２ａとの間に、絶縁層３０が挟まれる。この挟まれた部分が延在部３１となる。
【００４６】
図６（ａ）に示すように、第１の金属板１００の上面１００ａに、開口部１４１Ｘを有するエッチングマスク１４１を形成する。エッチングマスク１４１の開口部１４１Ｘは、図１（ａ）に示す第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘに対応する位置に形成される。エッチングマスク１４１としては、上述のエッチングマスクと同様に、例えばレジスト層を用いることができる。
【００４７】
また、第２の金属板１１０の下面１１０ｂに、保護層１４２を形成する。保護層１４２は、第２の金属板１１０の下面１１０ｂの全体を覆うように形成される。保護層１４２として、エッチングマスク１４１と同じものを用いることができる。なお、保護層１４２として、エッチングマスク１４１の材料と異なる材料が用いられてもよい。
【００４８】
図６（ｂ）に示すように、エッチングマスク１４１の開口部１４１Ｘから第１の金属板１００にエッチング処理を施し、第１の金属板１００を貫通する貫通孔１０Ｘを形成する。この貫通孔１０Ｘを形成するエッチング処理において、上述したエッチング処理と同様に、エッチング液として、塩化第二鉄溶液、又は塩化第二銅溶液などを用い、エッチング装置として、スプレーエッチング装置を用いることができる。
【００４９】
図６（ｃ）に示すように、エッチングマスク１４１の開口部１４１Ｘから露出する絶縁層３０の延在部３１に貫通孔３１Ｘを形成する。貫通孔３１Ｘは、既存の樹脂除去プロセスを用いることができる。樹脂除去プロセスとしては、例えば、過マンガン酸カリウム溶液などを用いたデスミア処理や、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工、等が挙げられる。
【００５０】
図７（ａ）に示すように、第１の金属板１００の上面１００ａを覆い開口部１５１Ｘを有するレジスト層１５１を形成する。また、第２の金属板１１０の下面１１０ｂの全体を覆うレジスト層１５２を形成する。レジスト層１５１，１５２の材料としては、例えば次工程のめっき処理に対して対めっき性を有する材料を用いることができる。例えば、レジスト層１５２，１５２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジスト）等を用いることができる。例えば、ドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、レジスト層１５１，１５２を形成する。なお、上述のエッチング処理において用いられるエッチングマスク１４１と保護層１４２を剥離せず、レジスト層１５１，１５２として利用してもよい。
【００５１】
そして、構造体１３０に対して第２の金属板１１０をめっき給電層に利用した電解めっき法を施す。この電解めっきにより、貫通孔１０Ｘ，３１Ｘ内に露出した第２の金属板１１０の突起部２２の上面２２ａから徐々に電解めっき膜（銅めっき膜、めっき金属）１５３が析出成長する。絶縁層３０の延在部３１は薄いため、析出成長する電解めっき膜１５３は、第１の金属板１００の貫通孔１０Ｘの内面につながる。そして、図７（ｂ）に示すように、電解めっき膜１５３により貫通孔１０Ｘ，３１Ｘを充填する。この電解めっき膜１５３は、第２の金属板１１０の突起部２２と、第１の金属板１００とを接続する。つまり、貫通孔１０Ｘ、３１Ｘ内に形成しためっき金属としての電解めっき膜１５３は、図１（ａ）に示す接続ビア４０となる。
【００５２】
そして、レジスト層１５１，１５２を除去する。例えば、レジスト層１５１，１５２を例えばアルカリ性の剥離液によって除去する。
本実施形態において、接続ビア４０は、例えばめっき金属（電解めっき膜１５３）よりなり、シード層を含まない。例えば、絶縁層の両面に銅箔が貼り付けられた銅張りコアを用いて配線基板を製造する場合、絶縁層に形成した貫通孔に接続ビアを形成するため、絶縁層の貫通孔の内面にシード層を形成する工程を必要とする。これに対し、本実施形態の製造工程では、シード層を形成する工程が不要であるため、製造に要する時間が短い。
【００５３】
図８（ａ）に示すように、第２の金属板１１０の下面１１０ｂに、保護層１６１を形成する。保護層１６１は、第２の金属板１１０の下面１１０ｂの全体を覆うように形成される。保護層１６１は、例えばレジスト層である。レジスト層の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、第２の金属板１１０の下面１１０ｂにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層を形成することができる。
【００５４】
次に、第１の金属板１００を上面１００ａの側からエッチングする。これにより、図８（ｂ）に示すように、絶縁層３０に埋設された第１の配線層１０を有する構造体１３１を得ることができる。つまり、第１の金属板１００を上面１００ａの側からエッチングし、絶縁層３０に埋設された第１の配線層１０を残す。第１の金属板１００に銅板を用いた場合、エッチング液として、塩化第二鉄溶液、又は塩化第二銅溶液などを用い、エッチング装置として、スプレーエッチング装置を用いることができる。そして、保護層１６１を除去する。保護層１６１としてレジスト層を用いた場合、例えばアルカリ性の剥離液によって保護層１６１を除去する。
【００５５】
図９（ａ）に示すように、第２の金属板１１０の下面１１０ｂに、開口部１７１Ｘを有するエッチングマスク１７１を形成する。エッチングマスク１７１は、図１（ａ）に示す第２の配線層２０の配線部２１に対応する位置に形成される。エッチングマスク１７１としては、上述のエッチングマスクと同様に、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。また、構造体１３１の上面、つまり絶縁層３０及び配線層１０を保護層１７２により被覆する。保護層１７２としては、上述の保護層と同様に、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。
【００５６】
次に、エッチングマスク１７１の開口部１７１Ｘから第２の金属板１１０にエッチング処理を施す。このエッチング処理により、図９（ｂ）に示すように、絶縁層３０の下面３０ｂを露出させる、第２の配線層２０の配線部２１を形成する。
【００５７】
図９（ｃ）に示すように、エッチングマスク１７１及び保護層１７２（図９（ｂ）参照）を除去する。エッチングマスク１７１としてレジスト層を用いた場合、例えばアルカリ性の剥離液によって除去する。また、保護層１７２としてレジスト層を用いた場合、例えばアルカリ性の剥離液によって除去する。
【００５８】
図１０（ａ）に示すように、開口部５１Ｘを有するソルダーレジスト層５１と、開口部５２Ｘを有するソルダーレジスト層５２を形成する。ソルダーレジスト層５１の開口部５１Ｘは、第１の配線層１０の一部を露出するように形成される。ソルダーレジスト層５２の開口部５２Ｘは、第２の配線層２０の配線部の一部を露出するように形成される。ソルダーレジスト層５１は、例えば、感光性の樹脂フィルムをラミネートし、又は液状やペースト状の樹脂を塗布し、当該樹脂をフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。同様に、ソルダーレジスト層５２は、例えば、感光性の樹脂フィルムをラミネートし、又は液状やペースト状の樹脂を塗布し、当該樹脂をフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。
【００５９】
図１０（ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層５１の開口部５１Ｘから露出する第１の配線層１０の上面１０ａに、表面処理層６１を形成する。例えば、表面処理層６１がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、第１の配線層１０の上面１０ａに、Ｎｉ層とＡｕ層とをこの順番で積層して表面処理層６１を形成する。なお、これらＮｉ層、Ａｕ層は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。
【００６０】
また、ソルダーレジスト層５２の開口部５２Ｘから露出する第２の配線層２０の配線部２１の下面２１ｂに、表面処理層６２を形成する。例えば、表面処理層６２がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、配線部２１の下面２１ｂに、Ｎｉ層とＡｕ層とをこの順番で積層して表面処理層６２を形成する。なお、これらＮｉ層、Ａｕ層は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。
【００６１】
（作用）
次に、上記の配線基板１の作用を説明する。
配線基板１は、絶縁層３０の上面３０ａ側に、その絶縁層３０に埋設された第１の配線層１０を有している。従って、配線層を絶縁層の上面に形成するものに比べ、第１の配線層１０が絶縁層３０から剥離し難い。
【００６２】
配線基板１は、絶縁層３０の下面３０ｂ側に配設された第２の配線層２０を有している。第２の配線層２０は、絶縁層３０の下面３０ｂより下方に配設された配線部２１と、絶縁層３０に埋設された突起部２２とを有している。従って、配線層を絶縁層の下面に形成するものに比べ、第２の配線層２０が絶縁層３０から剥離し難い。
【００６３】
第１の配線層１０と第２の配線層２０は、接続ビア４０を介して接続されている。接続ビア４０は、第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘと、第１の配線層１０と第２の配線層２０の突起部２２との間の延在部３１の貫通孔３１Ｘに形成されている。従って、第１の配線層１０と第２の配線層２０の突起部２２とは、延在部３１を介して相互に接着されている。このため、配線部２１及び突起部２２が絶縁層３０から脱落し難い。
【００６４】
配線基板１の製造工程において、第１の金属板１００の厚さを、第２の金属板１１０において、配線部２１を形成する部分の厚さを等しくした。従って、モールドシート１２０を挟んで第１の金属板１００と第２の金属板１１０を積層した構造体１３０（図５（ｂ）参照）において、モールドシート１２０の両面の厚さがひとしいため、構造体１３０に反りが発生し難い。
【００６５】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）配線基板１は、絶縁層３０の上面３０ａ側に、その絶縁層３０に埋設された第１の配線層１０を有している。従って、配線層を絶縁層の上面に形成するものに比べ、第１の配線層１０が絶縁層３０から剥離し難いため、配線基板１の信頼性を向上できる。
【００６６】
（１−２）配線基板１は、絶縁層３０の下面３０ｂ側に配設された第２の配線層２０を有している。第２の配線層２０は、絶縁層３０の下面３０ｂより下方に配設された配線部２１と、絶縁層３０に埋設された突起部２２とを有している。従って、配線層を絶縁層の下面に形成するものに比べ、第２の配線層２０が絶縁層３０から剥離し難いため、配線基板１の信頼性を向上できる。また、突起部２２が絶縁層３０に埋設されているため、第２の配線層２０において、絶縁層３０の下面３０ｂの配線を形成することが可能となる。
【００６７】
（１−３）第１の配線層１０と第２の配線層２０は、接続ビア４０を介して接続されている。接続ビア４０は、第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘと、第１の配線層１０と第２の配線層２０の突起部２２との間の延在部３１の貫通孔３１Ｘに形成されている。従って、第１の配線層１０と第２の配線層２０の突起部２２とは、延在部３１を介して相互に接着されている。このため、配線部２１及び突起部２２が絶縁層３０から脱落し難く、配線基板１の信頼性が向上する。
【００６８】
（１−４）配線基板１の製造工程において、第１の金属板１００の厚さを、第２の金属板１１０において、配線部２１を形成する部分の厚さを等しくした。従って、モールドシート１２０を挟んで第１の金属板１００と第２の金属板１１０を積層した構造体１３０（図５（ｂ）参照）において、モールドシート１２０の両面の厚さがひとしいため、構造体１３０の反りの発生を抑制できる。
【００６９】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する場合がある。
【００７０】
図１１（ａ）に示すように、配線基板２０１は、第１の配線層２１０、第２の配線層２０、絶縁層３０、接続ビア４０、ソルダーレジスト層５１，５２、表面処理層６１，６２を有している。
【００７１】
絶縁層３０は、薄い平板状である。絶縁層３０の材料としては、例えば熱硬化性を有する樹脂を用いることができる。熱硬化性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。
【００７２】
第１の配線層２１０は、絶縁層３０の上面３０ａの側に配設されている。第１の配線層２１０は、絶縁層３０に埋設されている。第１の配線層２１０の上面２１０ａは、絶縁層３０から露出している。本実施形態において、第１の配線層２１０の上面２１０ａは、絶縁層３０の上面と同じ高さに位置している。
【００７３】
図２１に示すように、第１の配線層２１０は、パッド部２１１と、配線部２１２とを含む。パッド部２１１は平面視において円形状に形成されている。配線部２１２は、パッド部２１１と適宜接続される。配線部２１２の線幅は、例えば、３０ミクロンとすることができる。
【００７４】
図１１（ｂ）に示すように、パッド部２１１の側面２１１ｃは、上下方向に延びるように形成されている。同様に、配線部２１２の側面２１２ｃは、上下方向に延びるように形成されている。パッド部２１１の側面２１１ｃ及び下面２１１ｂは、絶縁層３０に接している。同様に配線部２１２の側面２１２ｃ及び下面２１２ｂは、絶縁層３０に接している。
【００７５】
図１１（ａ）に示すように、第２の配線層２０は、絶縁層３０の下面３０ｂの側に配設されている。第２の配線層２０は、絶縁層３０の下面３０ｂより下方に配設された配線部２１と、絶縁層３０に埋設された突起部２２とを有している。
【００７６】
図１１（ｂ）に示すように、突起部２２の側面２２ｂは、配線部２１に向かって広がるように湾曲した曲面状に形成されている。詳述すると、突起部２２は、平面視における断面形状が、突起部２２の上面２２ａから配線部２１に向かって広がるように形成されている。さらに、突起部２２の側面２２ｂは、上端から配線部２１にかけて、絶縁層３０に対して突起部２２の内側に向かって凹状に湾曲して形成されている。突起部２２の側面２２ｂ及び上面２２ａは、絶縁層３０に接している。
【００７７】
第２の配線層２０は、突起部２２の上面２２ａが第１の配線層２１０のパッド部２１１の下面２１１ｂと対向している。そして、第２の配線層２０の突起部２２の上面２２ａと第１の配線層２１０との間には、絶縁層３０の延在部３１が介在されている。
【００７８】
第１の配線層２１０において、パッド部２１１は、所望の位置に第１の配線層２１０を上下方向に貫通する貫通孔２１１Ｘを有している。
絶縁層３０の延在部３１は、平面視において第１の配線層２１０の貫通孔２１１Ｘと同じ位置に、延在部３１を上下方向に貫通する貫通孔３１Ｘを有している。第１の配線層２１０（パッド部２１１）の貫通孔２１１Ｘと絶縁層３０（延在部３１）の貫通孔３１Ｘには、接続ビア４０が配設されている。接続ビア４０は、絶縁層３０（延在部３１）の貫通孔３１Ｘに配設されたビア部４１と、第１の配線層２１０のパッド部２１１の貫通孔２１１Ｘに配設されたビア部４２とを含む。なお、両ビア部４１，４２は一体的に形成されている。
【００７９】
接続ビア４０（ビア部４１）の下面は、第２の配線層２０の突起部２２の上面２２ａに接続されている。ビア部４１の周面は、絶縁層３０（延在部３１）の貫通孔３１Ｘの内周面と接している。ビア部４２の周面は、第１の配線層２１０のパッド部２１１の貫通孔２１１Ｘの内周面に接続されている。接続ビア４０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。この接続ビア４０は、第１の配線層２１０と第２の配線層２０とを互いに接続する。
【００８０】
図１１（ａ）に示すように、ソルダーレジスト層５１は、絶縁層３０の上面３０ａに、第１の配線層２１０の一部を被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層５１は、第１の配線層２１０の上面２１０ａの一部を露出する開口部５１Ｘを有している。
【００８１】
ソルダーレジスト層５２は、絶縁層３０の下面３０ｂに、第２の配線層２０の一部を被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層５２は、第２の配線層２０の下面２０ｂの一部を露出する開口部５２Ｘを有している。
【００８２】
ソルダーレジスト層５１の材料としては、例えば感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等が用いられる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層３０と第１の配線層２１０とを、熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部５１Ｘを有するソルダーレジスト層５１を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、ソルダーレジスト層５１が形成される。
【００８３】
ソルダーレジスト層５２の材料としては、例えばソルダーレジスト層５１の材料と同じものを用いることができる。つまり、ソルダーレジスト層５２の材料としては、例えば感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等が用いられる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層３０と第１の配線層２１０とを、熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部５２Ｘを有するソルダーレジスト層５２を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、ソルダーレジスト層５２が形成される。なお、ソルダーレジスト層５１，５２について互いに異なる材料を用いることもできる。
【００８４】
ソルダーレジスト層５１の開口部５１Ｘから露出する第１の配線層２１０の上面２１０ａには、表面処理層６１が形成されている。表面処理層６１の上面は、半導体チップなどの電子部品等を接続する外部接続端子Ｐ１として機能する。
【００８５】
表面処理層６１としては、金（Ａｕ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層６１を形成するようにしてもよい。例えば、ＯＳＰ処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層６１が形成される。
【００８６】
ソルダーレジスト層５２の開口部５２Ｘから露出する第２の配線層２０の配線部２１の下面２１ｂには、表面処理層６２が形成されている。表面処理層６２の下面は、配線基板２０１を他の回路基板等に搭載するための外部接続端子Ｐ２として機能する。
【００８７】
表面処理層６２としては、例えば金（Ａｕ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。また、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層６２を形成するようにしてもよい。例えば、ＯＳＰ処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層６２が形成される。
【００８８】
（製造方法）
次に、上述の配線基板２０１の製造方法を説明する。
図１２（ａ）に示すように、支持体３０１の上面３０１ａと下面３０１ｂとに支持基板としてのキャリア付金属箔３０２を積層する。支持体３０１としては、例えば半硬化状態の樹脂層を用いることができる。半硬化状態の樹脂層としては、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、半硬化状態の樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。また、シリカの粒子等の無機フィラーを含有する半硬化状態の樹脂層、等を用いることができる。無機フィラーとして、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。また、複数種類の粒子を用いてもよい。また、支持体３０１の材料として、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００８９】
キャリア付金属箔３０２は、キャリア板３０３と、キャリア板３０３の一方の面に剥離層（図示略）を介して積層された極薄の金属箔３０４とを有している。キャリア板３０３の厚さは、例えば３５μｍである。キャリア板３０３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。金属箔３０４の厚さは、例えば５μｍである。金属箔３０４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００９０】
キャリア板３０３を支持体３０１に向けてキャリア付金属箔３０２を配置する。そして、例えば真空雰囲気でキャリア付金属箔３０２を支持体３０１に向けて所定の圧力で押圧し、所定の温度（例えば１９０〜２３０℃）に加熱して支持体３０１を硬化させる。
【００９１】
図１２（ｂ）に示すように、金属箔３０４の表面に、開口部３０５Ｘを有するレジスト層３０５を形成する。レジスト層３０５の材料としては、例えば次工程のめっき処理に対して対めっき性を有する材料を用いることができる。例えば、レジスト層３０５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジスト）等を用いることができる。例えば、金属箔３０４の表面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、レジスト層３０５を形成する。なお、液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等の液状レジスト）を用いてレジスト層３０５を形成してもよい。
【００９２】
図１３（ａ）に示すように、レジスト層３０５をめっきマスクとして、金属箔３０４の表面に、金属箔３０４を給電層に利用した電解めっき法（電解銅めっき法）を施し、レジスト層３０５の開口部３０５Ｘ内に、第１の配線層２１０を形成する。そして、図１３（ｂ）に示すように、レジスト層３０５を、例えばアッシング処理やアルカリ性の剥離液を用いて除去する。
【００９３】
図１４に示すように、支持体３０１の上面側の第１の配線層２１０の上方に、モールドシート１２０と第２の金属板１１０を配置する。また、支持体３０１の下面側の第１の配線層２１０の下方に、モールドシート１２０と第２の金属板１１０を配置する。モールドシート１２０は、熱硬化性を有する半硬化状態の樹脂を用いることができる。また、モールドシート１２０の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、半硬化状態の樹脂層の材料としては、上述以外の樹脂を用いてもよい。また、シリカの粒子等の無機フィラーを含有する半硬化状態の樹脂層、等を用いることができる。無機フィラーとして、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。また、複数種類の粒子を用いてもよい。また、モールドシート１２０の材料として、上記以外の樹脂を用いてもよい。第２の金属板１１０は、配線部２１と突起部２２を有している。第２の金属板１１０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００９４】
図１５（ａ）に示すように、例えば真空雰囲気で第２の金属板１１０を支持体に向けて押圧し、所定の温度（例えば１９０〜２３０度）に加熱してモールドシート１２０を硬化させ、絶縁層３０とする。この工程により、構造体３１０を得る。この構造体３１０は、支持体３０１を中心として、支持体３０１の上面側に、キャリア付金属箔３０２、第１の配線層２１０、絶縁層３０、第２の金属板１１０が積層されるとともに、支持体３０１の下面側に、キャリア付金属箔３０２、第１の配線層２１０、絶縁層３０、第２の金属板１１０が積層されている。キャリア付金属箔３０２の金属箔３０４と第１の配線層２１０は、第２の金属板として機能する。
【００９５】
そして、キャリア付金属箔３０２の金属箔３０４を剥離層によりキャリア板３０３から剥離する。これにより、図１５（ｂ）に示す２枚の構造体３１１を得る。
図１６（ａ）に示すように、構造体３１１において、金属箔３０４の上面３０４ａに、開口部３２１Ｘを有するエッチングマスク３２１を形成する。エッチングマスク３２１の開口部３２１Ｘは、図１１（ａ）に示す第１の配線層２１０の貫通孔２１１Ｘに対応する位置に形成される。エッチングマスク３２１としては、上述のエッチングマスクと同様に、例えばレジスト層を用いることができる。
【００９６】
また、第２の金属板１１０の下面１１０ｂに、保護層３２２を形成する。保護層３２２は、第２の金属板１１０の下面１１０ｂの全体を覆うように形成される。保護層３２２として、エッチングマスク３２１と同じものを用いることができる。なお、保護層３２２として、エッチングマスク３２１の材料と異なる材料が用いられてもよい。
【００９７】
図１６（ｂ）に示すように、エッチングマスク３２１の開口部３２１Ｘから金属箔３０４及びパッド部２１１にエッチング処理を施し、金属箔３０４及びパッド部２１１を貫通する貫通孔２１１Ｘを形成する。この貫通孔２１１Ｘを形成するエッチング処理において、上述したエッチング処理と同様に、エッチング液として、塩化第二鉄溶液、又は塩化第二銅溶液などを用い、エッチング装置として、スプレーエッチング装置を用いることができる。
【００９８】
図１６（ｃ）に示すように、エッチングマスク３２１の開口部３２１Ｘから露出する絶縁層３０の延在部３１に貫通孔３１Ｘを形成する。貫通孔３１Ｘは、既存の樹脂除去プロセスを用いることができる。樹脂除去プロセスとしては、例えば、過マンガン酸カリウム溶液などを用いたデスミア処理や、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工、等が挙げられる。
【００９９】
図１７（ａ）に示すように、金属箔３０４の上面を覆い開口部３３１Ｘを有するレジスト層３３１を形成する。また、第２の金属板１１０の下面１１０ｂの全体を覆うレジスト層３３２を形成する。レジスト層３３１，３３２の材料としては、例えば次工程のめっき処理に対して対めっき性を有する材料を用いることができる。例えば、レジスト層３３１，３３２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジスト）等を用いることができる。例えば、ドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、レジスト層３３１，３３２を形成する。なお、上述のエッチング処理において用いられるエッチングマスク３２１と保護層３２２を剥離せず、レジスト層３３１，３３２として利用してもよい。
【０１００】
そして、構造体３１１に対して第２の金属板１１０をめっき給電層に利用した電解めっき法を施す。この電解めっきにより、貫通孔３１Ｘ，２１１Ｘ内に露出した第２の金属板１１０の突起部２２の上面２２ａから徐々に電解めっき膜（銅めっき膜、めっき金属）１５３が析出成長する。絶縁層３０の延在部３１は薄いため、析出成長する電解めっき膜１５３は、パッド部２１１及び金属箔３０４の貫通孔２１１Ｘの内面につながる。そして、図１７（ｂ）に示すように、電解めっき膜１５３により貫通孔３１Ｘ，２１１Ｘを充填する。この電解めっき膜１５３は、第２の金属板１１０の突起部２２と、パッド部２１１及び金属箔３０４とを接続する。つまり、貫通孔３１Ｘ，２１１Ｘ内に形成しためっき金属としての電解めっき膜１５３は、図１１（ａ）に示す接続ビア４０となる。
【０１０１】
そして、レジスト層３３１，３３２を除去する。例えば、レジスト層３３１，３３２を例えばアルカリ性の剥離液によって除去する。
本実施形態において、接続ビア４０は、例えばめっき金属（電解めっき膜１５３）よりなり、シード層を含まない。例えば、絶縁層の両面に銅箔が貼り付けられた銅張りコアを用いて配線基板を製造する場合、絶縁層に形成した貫通孔に接続ビアを形成するため、絶縁層の貫通孔の内面にシード層を形成する工程を必要とする。これに対し、本実施形態の製造工程では、シード層を形成する工程が不要であるため、製造に要する時間が短い。
【０１０２】
図１８（ａ）に示すように、第２の金属板１１０の下面１１０ｂに、保護層３４１を形成する。保護層３４１は、第２の金属板１１０の下面１１０ｂの全体を覆うように形成される。保護層３４１は、例えばレジスト層である。レジスト層の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、第２の金属板１１０の下面１１０ｂにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層を形成することができる。
【０１０３】
次に、金属箔３０４をエッチングする。これにより、図１８（ｂ）に示すように、絶縁層３０に埋設された配線層２１０を有する構造体３１２を得ることができる。金属箔３０４に銅箔を用いた場合、エッチング液として、塩化第二鉄溶液、又は塩化第二銅溶液などを用い、エッチング装置として、スプレーエッチング装置を用いることができる。そして、保護層３４１を除去する。保護層３４１としてレジスト層を用いた場合、例えばアルカリ性の剥離液によって保護層３４１を除去する。
【０１０４】
図１９（ａ）に示すように、第２の金属板１１０の下面１１０ｂに、開口部３５１Ｘを有するエッチングマスク３５１を形成する。エッチングマスク３５１は、図１１（ａ）に示す第２の配線層２０の配線部２１に対応する位置に形成される。エッチングマスク３５１としては、上述のエッチングマスクと同様に、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。また、構造体３１２の上面、つまり絶縁層３０及び配線層２１０を保護層３５２により被覆する。保護層３５２としては、上述の保護層と同様に、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。
【０１０５】
次に、エッチングマスク３５１の開口部３５１Ｘから第２の金属板１１０にエッチング処理を施す。このエッチング処理により、図１９（ｂ）に示すように、絶縁層３０の下面３０ｂを露出させる、第２の配線層２０の配線部２１を形成する。
【０１０６】
図１９（ｃ）に示すように、エッチングマスク３５１及び保護層３５２（図１９（ｂ）参照）を除去する。エッチングマスク３５１としてレジスト層を用いた場合、例えばアルカリ性の剥離液によって除去する。また、保護層３５２としてレジスト層を用いた場合、例えばアルカリ性の剥離液によって除去する。
【０１０７】
図２０（ａ）に示すように、開口部５１Ｘを有するソルダーレジスト層５１と、開口部５２Ｘを有するソルダーレジスト層５２を形成する。ソルダーレジスト層５１の開口部５１Ｘは、第１の配線層２１０の一部を露出するように形成される。ソルダーレジスト層５２の開口部５２Ｘは、第２の配線層２０の配線部の一部を露出するように形成される。ソルダーレジスト層５１は、例えば、感光性の樹脂フィルムをラミネートし、又は液状やペースト状の樹脂を塗布し、当該樹脂をフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。同様に、ソルダーレジスト層５２は、例えば、感光性の樹脂フィルムをラミネートし、又は液状やペースト状の樹脂を塗布し、当該樹脂をフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。
【０１０８】
図２０（ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層５１の開口部５１Ｘから露出する第１の配線層２１０の上面２１０ａに、表面処理層６１を形成する。例えば、表面処理層６１がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、第１の配線層２１０の上面２１０ａに、Ｎｉ層とＡｕ層とをこの順番で積層して表面処理層６１を形成する。なお、これらＮｉ層、Ａｕ層は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。
【０１０９】
また、ソルダーレジスト層５２の開口部５２Ｘから露出する第２の配線層２０の配線部２１の下面２１ｂに、表面処理層６２を形成する。例えば、表面処理層６２がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、配線部２１の下面２１ｂに、Ｎｉ層とＡｕ層とをこの順番で積層して表面処理層６２を形成する。なお、これらＮｉ層、Ａｕ層は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。
【０１１０】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（２−１）上述の第１実施形態と同様の効果をそうする。
（２−２）金属箔３０２を給電層とする電解めっき法により第１の配線層２１０を形成した。従って、金属板をエッチングして配線層を形成する場合と比べ、第１の配線層２１０に含まれる配線部２１２を微細化することができる。このため、配線密度の高い配線基板２０１を得ることができる。
【０１１１】
（２−２）支持体３０１の両面にキャリア付金属箔３０２を貼付し、それらのキャリア付金属箔３０２の金属箔３０４を用いて２枚の構造体３１１を形成するようにした。従って、構造体３１１を得るまでの製造工程において、反り等の発生を抑制できる。
【０１１２】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記各実施形態では、第１の配線層１０，２１０の上面１０ａ，２１０ａに表面処理層６１を形成したが、表面処理層６１を省略してもよい。この場合、第１の配線層１０，２１０の上面１０ａ，２１０ａが外部接続端子Ｐ１として機能し、この外部接続端子に半導体チップ等の電子部品や別の配線基板を搭載することができる。
【０１１３】
・上記各実施形態では、第２の配線層２０の配線部２１の下面２１ｂに表面処理層６２を形成したが、表面処理層６２を省略してもよい。この場合、第２の配線層２０の配線部２１の下面２１ｂが外部接続端子Ｐ２として機能し、この外部接続端子Ｐ２にはんだ等のバンプによりマザーボード等の回路基板に実装することができる。
【０１１４】
・上記各実施形態では、第２の配線層２０の配線部２１の下面２１ｂに形成した表面処理層６２の表面を外部接続端子Ｐ２としたが、第２の配線層２０の配線部２１を回路基板等に実装するバンプとして利用するようにしてもよい。
【０１１５】
図２２（ａ）〜図２２（ｂ）は、バンプとして利用する配線部を形成する工程の一例を示す。
図２２（ａ）に示すように、第２の金属板１１０の下面１１０ｂの所望位置にレジスト層３６１を形成する。このレジスト層３６１は、バンプを形成する位置に対応する。
【０１１６】
次に、図２２（ｂ）に示すように、第２の金属板１１０にエッチング処理を施す。このエッチング処理により、絶縁層３０の下面３０ｂより下方に位置する配線部２５が形成される。この配線部２５は、突起部２２と同様に、配線部２５の側面２５ｂは、絶縁層３０の下面３０ｂに向かって広がるように湾曲した曲面状に形成されている。詳述すると、配線部２５は、平面視における断面形状が、配線部２５の下面２０ｂから絶縁層３０の下面３０ｂに向かって広がるように形成されている。さらに、配線部２５の側面２５ｃは、下端から絶縁層３０の下面３０ｂにかけて、配線部２５の内側に向かって凹状に湾曲して形成される。そして、図２２（ｃ）に示すように、レジスト層３６１（図２２（ｂ）参照）を除去する。
【０１１７】
・上記各実施形態に対し、半導体チップを搭載するパッド（ダイパッド）を形成してもよい。
図２３（ａ）に示すように、配線基板４０１は、第１の配線層４１０と第２の配線層４２０とを有している。第１の配線層４１０は、パッド部４１１を有している。第２の配線層４２０は、パッド部４２１を有している。ソルダーレジスト層５１は、絶縁層３０の上面と第１の配線層４１０の一部を被覆し、パッド部４１１の上面を露出する開口部５１Ｘを有している。ソルダーレジスト層５２は、絶縁層３０の下面と第２の配線層４２０の一部を被覆し、パッド部４２１の下面を露出する開口部５２Ｘを有している。
【０１１８】
図２３（ｂ）に示すように、パッド部４１１の上には、半導体チップ４８１がフェースアップにて実装される。半導体チップ４８１は、半導体チップ４８１の下面４８１ｂとパッド部４１１の上面４１１ａとの間の接着層（図示略）を介してパッド部４１１上に搭載されている。半導体チップ４８１の上面４８１ａの電極端子（図示略）は、金属線４８２を介して、ソルダーレジスト層５１の開口部５１Ｘから露出する第１の配線層４１０の上面４１０ａに接続されている。この第１の配線層４１０の上面４１０ａには、第１実施形態の配線基板１と同様の表面処理層（図示略）が形成されている。接着層としては、例えば、エポキシ樹脂等のダイボンド材（ダイアタッチ材）やエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂に銀フィラーを分散させた銀ペーストを用いることができる。金属線４８２としては、例えば、金（Ａｕ）ワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤや銅（Ｃｕ）ワイヤなどを用いることができる。なお、半導体チップ４８１と金属線４８２とを覆う樹脂層（例えばエポキシ樹脂）が形成されてもよい。
【０１１９】
このように、第１の配線層４１０にダイパッドとしてパッド部４１１を形成することで、半導体チップ４８１を搭載するモジュール基板として配線基板４０１を利用することができる。そして、第２の配線層４２０にパッド部４２１を形成することにより、第１の配線層４１０のパッド部４１１に搭載した半導体チップ４８１の熱を効率よく外部へと放熱することができる。なお、第２の配線層４２０のパッド部４２１に放熱部材を直接接続することもできる。
【０１２０】
図２４（ａ）に示す配線基板５０１は、第１の配線層５１０と第２の配線層５２０とにそれぞれパッド部５１１，５２１を有している。第２の配線層５２０は、絶縁層３０の下面より下方に位置する配線部５２２がバンプとして利用可能に形成されている。図２４（ｂ）に示すように、第１の配線層５１０のパッド部５１１の上には、半導体チップ５８１がフェースアップにて実装される。半導体チップ５８１は、半導体チップ５８１の下面５８１ｂとパッド部５１１の上面５１１ａの間の接着層（図示略）を介してパッド部５１１上に搭載されている。半導体チップ５８１の上面５８１ａの電極端子（図示略）は、金属線５８２を介して、第１の配線層５１０の上面５１０ａに接続されている。この第１の配線層５１０の上面５１０ａには、第１実施形態の配線基板１と同様の表面処理層（図示略）が形成されている。接着層としては、例えば、エポキシ樹脂等のダイボンド材（ダイアタッチ材）やエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂に銀フィラーを分散させた銀ペーストを用いることができる。金属線５８２としては、例えば、金（Ａｕ）ワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤや銅（Ｃｕ）ワイヤなどを用いることができる。なお、半導体チップ４８１と金属線４８２とを覆う樹脂層（例えばエポキシ樹脂）が形成されてもよい。
【０１２１】
このように、第１の配線層５１０にダイパッドとしてパッド部５１１を形成することで、半導体チップ５８１を搭載するモジュール基板として配線基板５０１を利用することができる。第２の配線層５２０にパッド部５２１を形成することにより、第１の配線層５１０のパッド部５１１に搭載した半導体チップ５８１の熱を効率よく外部へと放熱することができる。なお、第２の配線層５２０のパッド部５２１に放熱部材を直接接続することもできる。
【０１２２】
・上記各実施形態に対し、構成部材の形状を適宜変更してもよい。
図２５（ａ）に示すように、絶縁層３０が接する面を粗化面としてもよい。つまり、第１の配線層１０において、下面１０ｂ及び側面１０ｃを粗化面とする。第２の配線層２０において、突起部２２の側面２２ｂ及び上面２２ａを粗化面とする。粗化面により配線層１０，２０と絶縁層３０との間の密着性が向上する。粗化面を形成する粗化処理として、例えば、黒化処理、エッチング処理、レーザ処理、ブラスト処理等を用いることができる。なお、第１の配線層１０と第２の配線層２０の何れか一方を粗化面としてもよい。
【０１２３】
図２５（ｂ）に示すように、絶縁層３０の延在部３１の貫通孔３１Ｘの内径を、第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘの内径より大きくしてもよい。例えば、第１の配線層１０の貫通孔１０Ｘを形成した後の樹脂除去プロセスの処理時間を調整することで、貫通孔１０Ｘの内径より大きな内径の貫通孔３１Ｘを形成することができる。このように貫通孔１０Ｘ，３１Ｘを形成することで、第１の配線層１０と第２の配線層２０の突起部２２との間において絶縁層３０の延在部３１を形成しつつ、貫通孔１０Ｘ，３１Ｘに形成した接続ビア４０と第１の配線層１０との間、接続ビア４０と第２の配線層２０との間の接続部分の面積を大きくすることができる。
【０１２４】
図２５（ｃ）に示すように、第１の配線層１０の上面１０ａより絶縁層３０の上面３０ａを上方に位置するようにしてもよい。このようにすると、例えばフェースダウン状態にて半導体チップを搭載する際に必要となるリセスを形成することができる。
【０１２５】
図２５（ｄ）に示すように、接続ビア４０の上面４０ａを、第１の配線層１０の上面１０ａより下方に位置するようにしてもよい。このようにしても、接続ビア４０と第１の配線層１０との間の接続性、つまり第１の配線層１０と第２の配線層２０との間において必要とする接続性が確保される。そして、接続ビア４０の上面４０ａが第１の配線層１０の上面１０ａより低い分、接続ビア４０の形成に要する時間、つまり電解めっき法を施す時間が短くてすみ、製造に要する時間を短縮できる。
【０１２６】
・上記各実施形態では、例えば図６（ｂ）に示す工程において、第１の金属板１００にエッチングを施して貫通孔１０Ｘを形成したが、レーザ加工によって貫通孔１０Ｘを形成してもよい。この場合、レーザ加工法によって絶縁層３０に貫通孔３１Ｘを形成することができる。レーザ加工法に、例えばＣＯ２レーザを用いることができる。なお、必要に応じて、デスミア処理を施し、貫通孔１０Ｘ，３１Ｘの残渣を除去するようにしてもよい。
【０１２７】
・上記第２の実施形態では、支持体３０１の両面にそれぞれキャリア付金属箔３０２を積層し、それらのキャリア付金属箔３０２の金属箔３０４を用いて第１の配線層２１０を有する２枚の構造体３１１（図１５（ｂ）参照）を製造し、構造体３１１から配線基板２０１（図１１（ａ）参照）を形成するようにした。これに対し、支持体３０１の上面にキャリア付金属箔３０２を積層し、そのキャリア付金属箔３０２の金属箔３０４を用いて配線基板を形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１  配線基板
１０  第１の配線層
２０  第２の配線層
２１  配線部
２２  突起部
３０  絶縁層
４０  接続ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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