(57)【要約】【課題】高精細、または視認性、または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供する。【解決手段】入出力パネルは、画素と、第１の配線と、第２の配線と、を有し、画素は、液晶表示素子と、画素回路と、絶縁膜と、導電膜と、を備え、液晶表示素子は、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、液晶を含む層と、を備える。第２の電極は、液晶を含む層の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極との間に形成するように配置され、液晶を含む層は、第２の電極と、第３の電極との間に挟まれる。第１の配線は、第２の電極と接続される。第２の配線は、第３の電極と接続される。第２の配線は、第１の配線と電気的に分離される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素と、第１の配線と、第２の配線と、を有し、
前記画素は、液晶表示素子と、画素回路と、絶縁膜と、導電膜と、を備え、
前記液晶表示素子は、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、液晶を含む層と、を備え、
前記第２の電極は、前記液晶を含む層の厚さ方向と交差する方向の電界を、前記第１の電極との間に形成するように配置され、
前記液晶を含む層は、前記第２の電極と、前記第３の電極との間に挟まれ、
前記絶縁膜は、前記液晶を含む層との間に前記第１の電極を挟む領域を備え、
前記絶縁膜は、前記第１の電極と接する界面を有し、
前記絶縁膜は、開口部を有し、
前記界面は、前記開口部の側面との境界を有し、
前記導電膜は、前記開口部の側面を覆い、
前記導電膜は、前記開口部の底部にて、前記第１の電極と接し、
前記導電膜は、前記第１の電極および前記画素回路を接続し、
前記第１の配線は、前記第２の電極と接続され、
前記第２の配線は、前記第３の電極と接続され、
前記第２の配線は、前記第１の配線と分離される、入出力パネル。
【請求項２】
請求項１において、
反射膜と、円偏光板を有し、
前記液晶を含む層は、液晶分子を有し、
前記液晶表示素子は、前記液晶分子の長軸の配向を、前記基板と略垂直な方向と、前記基板と略水平な方向と、の何れにも制御可能であり、
前記液晶を含む層を透過し前記反射膜が反射する光を制御する入出力パネル。
【請求項３】
請求項２において、
前記反射膜は、前記第１の電極と分離され、前記第１の電極と、前記画素回路と、に挟まれる入出力パネル。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に示す入出力パネルと、
共通配線と、発振回路と、検知回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路とを有し、
前記第１の選択回路は、前記第１の配線、前記共通配線および前記発振回路と接続され、
前記第１の選択回路は、前記共通配線または前記発振回路の一と第１の配線とを選択的に接続し、
前記第２の選択回路は、前記第２の配線、前記共通配線および前記検知回路と接続され、
前記第２の選択回路は、前記共通配線または前記検知回路の一と第２の配線とを選択的に接続し、
前記発振回路は、制御信号を供給し、
前記検知回路は、前記第３の電極の電位の変化を基に、被検知体の前記画素への近接または接触を検知する、入出力装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に示す入出力パネルと、
共通配線と、発振回路と、検知回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路とを有し、
前記第１の選択回路は、前記第２の配線、前記共通配線および前記発振回路と接続され、
前記第１の選択回路は、前記共通配線、または前記発振回路と第２の配線とを選択的に接続し、
前記第２の選択回路は、前記第１の配線、前記共通配線および前記検知回路に接続され、
前記第２の選択回路は、前記共通配線、または前記検知回路と第１の配線とを選択的に接続し、
前記発振回路は、制御信号を供給し、
前記検知回路は、前記第２の電極の電位の変化を基に、被検知体の前記画素への近接または接触を検知する、入出力装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
演算装置を有し、
前記画素は、副表示素子を備え、
前記演算装置は、第１の情報と、第２の情報と、を生成し、
前記液晶表示素子は、前記第１の情報に基づいて表示可能であり、
前記副表示素子は、前記第２の情報に基づいて表示可能である入出力装置。
【請求項７】
前記副表示素子は、発光型の表示素子である、請求項６に記載の入出力装置。
【請求項８】
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項４乃至請求項７のいずれか一に記載の入出力装置と、を含む、情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示パネル、入出力パネル、入出力装置または情報処理装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
表示ユニットとタッチセンサユニットとを組み合わせた表示装置が、使用されている。表示ユニットの表示領域に、タッチセンサユニットの検出領域を重ねることで、表示領域において画像の表示を行うとともに、使用者が、表示領域のどの位置を指したかを情報として得ることができる。使用者は、指やスタイラス等を用いて、表示装置に入力を行う。特許文献１乃至５には、液晶素子が適用された表示ユニットと、タッチセンサユニットとを組み合わせた表示装置（タッチパネルともいう）が記載されている。
【０００４】
表示ユニットとして反射型の液晶表示パネルを用いる場合、表示装置は、液晶の光学変調作用を利用して、外光、すなわち入射光が画素電極で反射して表示装置外部に出力される状態と、入射光が表示装置外部に出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行う。反射型の液晶表示パネルは、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライトを使用しないため、表示装置は消費電力が少ないといった長所を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１９７６８５号公報
【特許文献２】特開２０１４−４４５３７号公報
【特許文献３】特開２０１４−１７８８４７号公報
【特許文献４】米国特許第７９２０１２９号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２０１３／０３２８８１２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
タッチセンサ部の設け方として、表示装置の表示画面上にタッチセンサユニットを重畳させるアウトセル型、表示装置の内部にタッチセンサユニットを設けるオンセル型、などがある。更に、液晶素子を有する表示装置の場合、液晶素子のコモン電極を、タッチセンサ電極として使用して、表示装置にタッチセンサ機能を付するフルインセル型も存在する。特に、フルインセル型は製造工程が少なく、プロセスコストの低減には有効である。
【０００７】
本発明の一態様は、高精細、視認性、低消費電力化、または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、高精細、視認性、低消費電力化、若しくは信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、高精細、視認性、低消費電力化、若しくは信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、高精細、視認性、若しくは信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な入出力パネル、新規な入出力装置、新規な情報処理装置若しくは新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【０００８】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
表示パネルまたは入出力パネルに、横電界方式の電界で駆動する液晶を用いた液晶表示素子を有する。液晶を含む層に対して一方の面に第１の電極と、第２の電極とを配設し、他方の面に第３の電極を配設する。第２の電極は液晶を含む層の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極との間に形成するように配置する。
【００１０】
表示パネルにおいては、第２の電極と、第３の電極とは、共通電位が与えられる配線（または共通配線）に接続される。
【００１１】
入出力パネルにおいては、第２の電極と、第３の電極と、のうち一方は、発振回路または共通配線に選択的に接続される。他方は、検知回路または共通配線に選択的に接続される。
【００１２】
表示期間においては、第２の電極と、第３の電極とを共通電位とし、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、の間の電圧を用いて液晶の配向を制御する。センシング期間は、第２の電極と、第３の電極と、の一方に入力電圧が入力され、他方の電極に流れる電流（または、他方の電極の電位）を検出する。
【００１３】
液晶表示素子は、透過型または反射型を用いることができる。反射型の液晶表示素子に縦方向の電界で駆動するｔｗｉｓｔｅｄ−ＥＣＢモード液晶を採用すると、液晶を含む層の両面の電界により液晶の配向を駆動させるため、インセル方式のタッチセンサを駆動させることが出来ない。本発明の一態様の入出力装置は、液晶表示素子の動作モードとしてＶＡ−ＩＰＳモードを採用する。ＶＡ−ＩＰＳモードは横電界で駆動するため、インセル方式のタッチセンサを駆動できるが、駆動電圧が高いといった課題がある。そこで上記のように第３の電極を配置すると、駆動電圧を低くすることができる。
【００１４】
本発明の一態様の入出力パネルは、画素と、第１の配線と、第２の配線と、を有し、画素は、液晶表示素子と、画素回路と、絶縁膜と、導電膜と、を備え、液晶表示素子は、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、液晶を含む層と、を備える。第２の電極は、液晶を含む層の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極との間に形成するように配置され、液晶を含む層は、第２の電極と、第３の電極との間に挟まれる。絶縁膜は、液晶との間に第１の電極を挟む領域を備え、第１の電極と接する界面を有し、開口部を有する。界面は、開口部の側面との境界を有する。導電膜は、開口部の側面を覆い、開口部の底部にて第１の電極と接し、第１の電極および画素回路を接続する。第１の配線は、第２の電極と接続される。第２の配線は、第３の電極と接続される。第２の配線は、第１の配線と分離される。
【００１５】
上記構成において、入出力パネルは、反射膜と、円偏光板を有し、液晶を含む層は、液晶分子を有し、液晶表示素子は、液晶分子の長軸の配向を、基板と略垂直な方向と、基板と略水平な方向と、の何れにも制御可能であり、液晶を含む層を透過し反射膜が反射する光を、制御すると好ましい。このとき、反射膜は、第１の電極と分離され、第１の電極と、画素回路と、に挟まれると好ましい。
【００１６】
本発明の一態様の入出力装置は、上記各入出力パネルと、共通配線と、発振回路と、検知回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路とを有する入出力装置である。第１の選択回路は、第１の配線、共通配線および発振回路と接続される。第１の選択回路は、共通配線、または発振回路、と第１の配線とを選択的に接続する。第２の選択回路は、第２の配線、共通配線および検知回路と接続される。第２の選択回路は、共通配線、または検知回路、と第２の配線とを選択的に接続する。発振回路は、制御信号を供給し、検知回路は、第３の電極の電位の変化を基に、被検知体の画素への近接または接触を検知する。
【００１７】
本発明の一態様の入出力装置は、上記各入出力パネルと、共通配線と、発振回路と、検知回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路とを有する入出力装置である。第１の選択回路は、第２の配線、共通配線および発振回路と接続される。第１の選択回路は、共通配線、または発振回路、と第２の配線とを選択的に接続する。第２の選択回路は、第１の配線、共通配線および検知回路と接続される。第２の選択回路は、共通配線、または検知回路、と第１の配線とを選択的に接続する。発振回路は、制御信号を供給し、検知回路は、第２の電極の電位の変化を基に、被検知体の画素への近接または接触を検知する。
【００１８】
上記各構成の入出力装置において、演算装置を有し、画素は、副表示素子を備え、演算装置は、第１の情報と、第２の情報と、を生成し、液晶表示素子は、第１の情報に基づいて表示可能であり、副表示素子は、第２の情報に基づいて表示可能であると好ましい。
【００１９】
上記各構成の入出力装置において、副表示素子は、発光型の表示素子であると好ましい。
【００２０】
本発明の一態様の情報処理装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記入出力装置と、を含む。
【００２１】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００２２】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００２３】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００２４】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００２５】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００２６】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００２７】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一態様によれば、高精細、視認性、低消費電力化、または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、高精細、視認性、低消費電力化、若しくは信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。または、高精細、視認性、低消費電力化、若しくは信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、高精細、視認性、低消費電力化、若しくは信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な入出力パネル、新規な入出力装置、新規な情報処理装置若しくは新規な半導体装置を提供することができる。
【００２９】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する断面図。
【図２】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する断面図。
【図３】実施の形態に係る入出力パネルの画素の構成を説明する断面図。
【図４】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する上面図および断面図。
【図５】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図６】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図７】実施の形態に係る入出力パネルの画素回路を説明する回路図。
【図８】実施の形態に係る入出力パネルの画素と副画素を説明する上面図。
【図９】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。
【図１０】実施の形態に係る電極の構成を説明する上面図。
【図１１】実施の形態に係る相互容量方式のタッチセンサの構成を示す模式図と、入出力波形の模式図。
【図１２】実施の形態に係る配線のブロック図及び入出力波形のタイミングチャート。
【図１３】実施の形態に係る入出力波形のタイミングチャート。
【図１４】実施の形態に係る入出力波形のタイミングチャート。
【図１５】実施の形態に係る入出力波形のタイミングチャート。
【図１６】実施の形態に係る入出力パネルの動作を説明する図。
【図１７】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する上面図および断面図。
【図１８】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図１９】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図２０】実施の形態に係る入出力パネルの画素の構成を説明する下面図。
【図２１】実施の形態に係る入出力パネルの画素回路を説明する回路図。
【図２２】実施の形態に係る入出力パネルの反射膜の構成を説明する上面図。
【図２３】実施の形態に係る入出力パネルを用いた表示装置の構成を説明するブロック図。
【図２４】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明するブロック図。
【図２５】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。
【図２６】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。
【図２７】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。
【図２８】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図２９】実施例に係る作製したサンプルの構成を説明する図。
【図３０】実施例に係る反射率の電極間電圧依存性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の一態様の表示パネルは、画素を有し、画素は、機能層、液晶表示素子を備える。画素回路は液晶表示素子と接続される。液晶表示素子は第１の電極、第２の電極、第３の電極、液晶を含む層を備える。
【００３２】
また、本発明の一態様の入出力装置は、入出力パネルを備える。本発明の一態様の入出力パネルは、画素を有し、画素は、機能層、液晶表示素子を備える。画素回路は液晶表示素子と接続される。液晶表示素子は第１の電極、第２の電極、第３の電極、液晶を含む層を備える。
【００３３】
液晶表示素子は、光を透過または反射する機能を備える。第１の電極と、第２の電極と、はそれぞれ、機能層と、液晶を含む層に挟まれる。液晶を含む層は、第２の電極と、第３の電極と、に挟まれる領域を備える。
【００３４】
反射型の液晶表示素子は表示面から入射した光を反射させる光の強度を制御する機能を備える。第２の電極は液晶を含む層の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極との間に形成するように配置される。
【００３５】
本発明の一態様の入出力パネルは、被検知体の近接または接触を検知可能なセンサ（以降、タッチセンサと呼ぶ）を有する。本発明の一態様のタッチセンサは、静電容量方式を用いる。上記構成にて、第２の電極と、第３の電極と、の間の容量の変化を検知する構成とすることができる。
【００３６】
反射型の液晶表示素子を用いたとき、反射膜が反射する光の強度を制御して、表示をすることができる。その結果、高精細、または視認性、または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【００３７】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の反射型の表示パネルの構成について、図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、及び図２（Ｂ）を参照しながら説明する。
【００３９】
＜表示パネルの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００Ｔは、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図１（Ａ）参照）。
【００４０】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）及び液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える。
【００４１】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【００４２】
液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜７５１Ｂ、第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂ、液晶を含む層７５３、を備える。また、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に接する反射膜７５１Ｂを有するため、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、表示面からの方向Ｒ０から入射した光を選択的に反射する機能を備える。
【００４３】
液晶を含む層７５３に対して一方の面に第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２Ａとを配設し、他方の面に第３の電極７５２Ｂを配設する。
【００４４】
第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と反射膜７５１Ｂとは、同じ形状で設けられても良い。また、反射膜７５１Ｂを有さず、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）が光を反射する特性を有しても良い。
【００４５】
第２の電極７５２Ａは、液晶を含む層７５３の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配置される。これにより、液晶を含む層７５３の厚さ方向と交差する方向の電界（本明細書中では横電界とも呼ぶ）を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成することができる。液晶については、横電界で動作する液晶を用いることができる。後述の部分で説明するが、特に反射型の表示パネルにおいては、ＶＡ−ＩＰＳ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作する表示素子を液晶表示素子に用いると好ましい。
【００４６】
表示パネル７００Ｔの作製方法の一部として、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２Ａ、反射膜７５１Ｂ、画素回路５３０（ｉ，ｊ）、及び絶縁膜５２１を順に作製用の基板に形成し、形成された上記構成を基板５７０に転置する。この作製方法によれば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２Ａ、反射膜７５１Ｂにおいて、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と画素回路５３０（ｉ，ｊ）との接続に起因する凹凸を小さくすることができる。またこれにより、例えば基板５７０として可撓性を有する基板を用いることができる。
【００４７】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と画素回路５３０（ｉ，ｊ）との間に挟まれる絶縁膜５０１Ｃを有する。絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える。
【００４８】
第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、開口部５９１Ａに設けられた導電膜５１２Ｂにより電気的に接続される。開口部５９１Ａにおいて、開口部５９１Ａを充填するように導電膜５１２Ｂが形成される。
【００４９】
そのため開口部５９１Ａと重なる部分においては、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、または第２の電極７５２Ａ、反射膜７５１Ｂがおよそ平坦である。これにより、開口部５９１Ａと重なる領域においても、開口部５９１Ａと重ならない領域と同等に、液晶の配向を制御することができる。すなわち、画素の開口率を上げ、視認性を高め、より高精細化を行っても良好な表示を得ることができる。
【００５０】
また、絶縁膜５２１を有する。絶縁膜５２１は、基板５７０と画素回路５３０（ｉ，ｊ）との間に、挟まれる領域を有する。絶縁膜５２１は画素回路５３０（ｉ，ｊ）に由来する段差を平坦化することができる。これにより、上記作製用の基板と基板５７０とを貼りあわせることが容易となる。
【００５１】
表示パネル７００Ｔにて液晶表示素子への画像信号の書き込みを行う際、画像信号が、信号線から画素回路５３０（ｉ，ｊ）を介して第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に供給される。
【００５２】
第２の電極７５２Ａと、第３の電極７５２Ｂと、はいずれも共通配線に接続される。第３の電極７５２Ｂの電位に起因する電界が発生することにより、横電界で動作する液晶を用いたとしても、より効果的に液晶の配向を制御することができる。特に、上層部７５３Ｕに位置する液晶の配向も、第３の電極７５２Ｂが設けられることで効果的に制御することができる。
【００５３】
表示パネル７００Ｔは、より効果的に液晶の配向を制御できることから、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と共通電位の間の電圧を小さくすることができる。該電圧を小さくすることで、表示パネル７００Ｔの消費電力を小さくすることができる。また、より小さい電圧で駆動する駆動回路を用いることができ、駆動回路の動作の高速化を図ることが容易となる。駆動回路は、表示パネル７００Ｔに形成されたものでも、表示パネル７００Ｔに接続されたものでも良い。すなわち、上記表示パネル７００Ｔの構成を有することで、より高精細化に優れた表示パネルを提供することができる。
【００５４】
また後述の部分にて説明するが、金属酸化物を半導体膜に用いたトランジスタを用いた場合、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。すなわち、低消費電力化に優れた表示パネルを提供することができる。
【００５５】
また、図１（Ｂ）に示す表示パネル７０１Ｔの構成のように、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に分離された反射膜７５１Ｂを配設し、反射膜７５１Ｂと第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に容量を形成してもよい。尚、図１（Ｂ）に示す表示パネル７０１Ｔ以下、特に説明のない構成は図１（Ａ）に示す表示パネル７００Ｔと同じである。
【００５６】
また、図２（Ａ）に示す表示パネル７０２Ｔの構成のように、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２Ａとを、同じ材料にて同時に形成しても良い。例えば第２の電極７５２Ａは図１０に示すような櫛歯状にし、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は第２の電極７５２Ａと重ならないような櫛歯状とすることができる。
【００５７】
このとき反射膜７５１Ｂは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に分離され、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と異なる形状にて配設される。この構造により、表示パネル７０２Ｔは、表示パネル７０１Ｔと同様に、反射膜７５１Ｂと第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に容量を形成しつつも、表示パネル７０１Ｔより１回少ない露光回数にて作製することができる。
【００５８】
また表示パネル７０２Ｔにおいて、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２Ａとの間にも、反射膜７５１Ｂを重ねることができる。このように、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の面積、、または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と第２の電極７５２Ａとの合計の面積、より、反射膜７５１Ｂの面積を大きくできることから、より反射光強度を高めることができる。
【００５９】
本明細書中では、分離されている、または電気的に分離されているとは、異なる電位を与えることが可能であることを意味する。すなわち、容量を形成することができる一対の電極は、互いに電気的に分離されているものとする。
【００６０】
図示しないが、図２（Ａ）に示す表示パネル７０２Ｔの構成にて、第２の電極７５２Ａと、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）とは、光を反射する機能を備えてもよい。このとき、反射膜７５１Ｂの形成を省略することができる。
【００６１】
また、図２（Ｂ）に示す表示パネル７０３Ｔの構成のように、反射膜７５１Ｂと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）内の導電膜とを、同じ材料にて同時に形成しても良い。この構造により、表示パネル７０１Ｔと同様に、反射膜７５１Ｂと第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に容量を形成しつつも、表示パネル７０１Ｔより２回少ない露光回数にて表示パネル７０３Ｔを作製することができる。
【００６２】
以上の構成により、画素の開口率が大きい、反射型液晶表示素子を提供することができる。その結果、高精細、または視認性、または低消費電力化、または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００６３】
上記の反射膜の代わりに、光透過性と導電性とを有する膜を用いることで、透過型の液晶表示素子を提供することもできる。この場合も、高精細、視認性、低消費電力化、または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００６４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置が有する入出力パネルの構成について、図３（Ａ）、図３（Ｂ）を参照しながら説明する。
【００６５】
入出力パネル７００ＴＰ２（図３（Ａ）参照）は、画素において、表示パネル７００Ｔ（図１（Ａ）参照）と同じ構成である。但し、画素は、静電容量方式であるタッチセンサを有する。
【００６６】
入出力パネル７００ＴＰ２の第２の電極７５２Ａ及び第３の電極７５２Ｂの一方は、セレクタを介して、発振回路または共通配線に接続される。また、第２の電極７５２Ａ及び第３の電極７５２Ｂの他方は、セレクタを介して、検知回路または共通配線に接続される。例えば、第２の電極７５２Ａを上記一方とし、第３の電極７５２Ｂを上記他方とすることができる。なお、上記接続構成の代わりに、上記一方は、セレクタを介して検知回路と接続されてもよく、また、上記他方は、セレクタを介して発振回路と接続されてもよい。
【００６７】
入出力パネル７００ＴＰ２にて液晶表示素子への画像信号の書き込みを行う期間は、画像信号が、信号線から画素回路５３０（ｉ，ｊ）を介して第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に供給される。また、タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間以外は、共通電位が、共通配線から第２の電極７５２Ａと第３の電極７５２Ｂに供給される。これにより、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【００６８】
入出力パネル７００ＴＰ２の備えるタッチセンサにて、被検知体の画素への近接または接触を検知（センシング）するとき、発振回路は、制御信号を第２の電極７５２Ａに供給する。このとき第３の電極７５２Ｂの電位の変化に基づいた検知信号が、検知回路に供給され、検知回路はこの検知信号を基にセンシングを行う。このように入出力パネル７００ＴＰ２は、第２の電極７５２Ａ及び第３の電極７５２Ｂを一対の電極として、被検知体をセンシングすることができる（図３（Ａ）参照）。
【００６９】
本発明の一態様の入出力パネル７０１ＴＰ２（図３（Ｂ）参照）は、発振回路が第２の電極７５２Ａに接続され、検知回路が第３の電極７５２Ｂに接続され、画素部における他の構成は、表示パネル７０１Ｔ（図１（Ｂ）参照）と同様とする構成例である。このときも第２の電極７５２Ａ及び第３の電極７５２Ｂを一対の電極とした、静電容量方式であるタッチセンサを備えることができる。また、表示パネル７０２Ｔ（図２（Ａ）参照）、表示パネル７０３Ｔ（図２（Ｂ）参照）においても同様に、画素に、静電容量方式であるタッチセンサを備えることができる。
【００７０】
後述の部分にて説明するが、センシングは、画素において画像情報を元とした表示を行っている期間に行うことができる。センシングのとき、表示の状態は維持することができる。これにより、視認性に優れた入出力パネルを提供することができる。
【００７１】
また後述の部分にて説明するが、金属酸化物を半導体膜に用いたトランジスタを用いた画素回路は、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを用いた画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持する時間を長くすることができる。すなわち、画素回路が画像信号を保持する間に、複数回のセンシングが可能となり、低消費電力化に優れた入出力パネルを提供することができる。
【００７２】
以上の構成により、タッチセンサを有し、画素の開口率が大きい、反射型液晶表示素子を有する、入出力パネルを提供することができる。その結果、高精細、視認性、低消費電力化、または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【００７３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの構成について、図４乃至図１０を参照しながら説明する。
【００７４】
図４は本発明の一態様の入出力パネルの構成を説明する図である。図４（Ａ）は入出力パネルの上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）に示す入出力パネルの画素の一部を説明する上面図である。図４（Ｃ）は図４（Ａ）に示す入出力パネルの断面の構成を説明する模式図である。
【００７５】
図５（Ａ）および図６（Ａ）は入出力パネルの構成を説明する断面図である。図５（Ａ）は図４（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４における断面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部を説明する図である。
【００７６】
図６（Ａ）は図４（Ｂ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図４（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。
【００７７】
図７（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一態様の入出力パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【００７８】
図８は本発明の一態様の入出力パネルの画素と副画素を説明する上面図である。
【００７９】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【００８０】
また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する（図４（Ｃ）参照）。
【００８１】
また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８Ａ、絶縁膜５１８Ｂ、および絶縁膜５１６を含む。
【００８２】
＜絶縁膜５０１Ｂ＞
絶縁膜５０１Ｂは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｂは開口部５９１Ａを備える（図６（Ａ）参照）。
【００８３】
＜第１の導電膜＞
第１の導電膜は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１の導電膜は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。または、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜と兼ねることができる。
【００８４】
＜第２の導電膜＞
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。
【００８５】
＜開口部５９１Ａ、境界５９５＞
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す開口部５９１Ａを拡大し示している。
【００８６】
開口部５９１Ａにおいて、導電膜５１２Ｂは開口部５９１Ａの側面５９１Ｂを覆うように、または開口部５９１Ａを充填するように形成される。
【００８７】
また図６（Ｂ）には、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５０１Ｃとが接する界面５９３が示されている。このとき、上記界面５９３と、側面５９１Ｂとは、境界５９５で交わる。また開口部５９１Ａの底部にて、導電膜５１２Ｂと、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、が接する界面５９４が示されている。尚、図６（Ｂ）、（Ｃ）で示されるように、開口部５９１Ａを導電膜５１２Ｂにて充填するとき、導電膜５１２Ｂは側面５９１Ｂと、界面５９４とを覆うように形成される。開口部５９１Ａが形成された直後において、この界面５９４のように、開口部５９１Ａを成す側面５９１Ｂ以外の面を、本明細書中では底部と呼ぶ。
【００８８】
開口部５９１Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５０１Ｃと、が成膜された後に形成される。そのため、開口部５９１Ａと重なる第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２Ａ、または液晶を含む層７５３とに挟まれる配向膜ＡＦ１は、開口部５９１Ａ由来の凹凸または段差を有さない。但し、開口部５９１Ａの近傍に段差が形成されている場合、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２Ａ、または配向膜ＡＦ１には、段差由来の凹凸が形成される。
【００８９】
開口部５９１Ａの形成は、絶縁膜５０１Ｃから第１の電極７５１（ｉ，ｊ）方向へのエッチングによってなされる。該エッチングの条件によっては、図６（Ｃ）で示されるように、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）にも開口部５９１Ａが形成される。このときも、上記界面５９３と、側面５９１Ｂとは、境界５９５で交わる。
【００９０】
絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて、第１の導電膜と電気的に接続される第２の導電膜を、貫通電極ということができる。
【００９１】
第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【００９２】
＜絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等＞
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および接合層５０５の間に挟まれる領域を備える（図５（Ａ）参照）。例えば、単層の膜または積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる。
【００９３】
なお、単層の膜または積層膜を絶縁膜５１８Ａまたは絶縁膜５１８Ｂに用いることができる。また、例えば、絶縁膜５１８Ａ１および絶縁膜５１８Ａ２を絶縁膜５１８Ａに用いることができる（図６（Ａ）参照）。
【００９４】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える。
【００９５】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、絶縁膜５０１Ｂを有することができる。絶縁膜５０１Ｂは、開口部５９２Ｂを備える（図５（Ａ）参照）。
【００９６】
開口部５９２Ｂは、導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【００９７】
＜画素回路＞
図７（Ａ）では、図１（Ａ）にて示される液晶を含む層７５３に対して、第２の電極７５２Ａが配設される側の回路を実線にて説明している。図７（Ｂ）では、同様に第３の電極７５２Ｂが配設される側の回路を実線にて説明している。
【００９８】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示される回路では、第２の電極７５２Ａは配線７６１およびセレクタＳＥ１を介して発振回路ＯＳＣに接続され、第３の電極７５２Ｂは配線７６２およびセレクタＳＥ２を介して検知回路ＤＣに接続される。
【００９９】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子の一以上を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１００】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０１０１】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、と電気的に接続される。また画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、配線７６１およびセレクタＳＥ１を介して共通配線ＶＣＯＭと電気的に接続される。導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図６（Ａ）および図７（Ａ）参照）。
【０１０２】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量Ｃ１１を含む。
【０１０３】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０１０４】
容量Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、別の電極と、にて形成される。別の電極は、例えば第２の電極７５２Ａでも良い。
【０１０５】
入出力パネル７０１ＴＰ２（図１（Ｂ）参照）の構成では、絶縁膜５２１と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に分離された反射膜を配設し、該反射膜と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に容量Ｃ１１が形成されている。例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、光透過性及び導電性を有する材料にて形成し、反射膜を、光反射性及び導電性を有する材料にて形成することができる。このとき該容量は容量Ｃ１１の一部となるため、より大きな保持容量を確保することができる。
【０１０６】
図１（Ａ）に示す入出力パネル７００ＴＰ２にて、絶縁膜５２１と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に分離された導電膜を有してもよい。このときも容量Ｃ１１は、より大きな保持容量を確保することができる。
【０１０７】
液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。
【０１０８】
また第２の電極７５２Ａと容量Ｃ１１とは、配線７６１を介してセレクタＳＥ１に接続する（図７（Ａ）参照）。第３の電極７５２Ｂは、配線７６２を介してセレクタＳＥ２に接続される（図７（Ｂ）参照）。第２の電極７５２Ａと、第３の電極７５２Ｂとは、電気的に分離されており、それぞれセレクタＳＥ１、セレクタＳＥ２、より異なる電位を供給されることができる。尚、第２の電極７５２ＡとセレクタＳＥ１とを接続する配線７６１と、第３の電極７５２ＢとセレクタＳＥ２とを接続する配線７６２と、は同様に電気的に分離されている。
【０１０９】
セレクタＳＥ１及びセレクタＳＥ２は、いずれも選択回路である。セレクタＳＥ１は、選択信号ＳＥＬ１の入力により、第２の電極７５２Ａ及び容量Ｃ１１が、共通配線ＶＣＯＭまたはセンシング用の信号を供給する発振回路ＯＳＣに接続されることを選択する。セレクタＳＥ２は、選択信号ＳＥＬ２の入力により、第３の電極７５２Ｂが、共通配線ＶＣＯＭまたは検知回路ＤＣに接続されることを選択する。
【０１１０】
上記選択において、タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間には、セレクタＳＥ１及びセレクタＳＥはそれぞれ、発振回路ＯＳＣ及び検知回路ＤＣを選択する。タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間以外は、セレクタＳＥ１及びセレクタＳＥはそれぞれ、共通配線ＶＣＯＭを選択する。このような条件を満たす、選択信号ＳＥＬ１がセレクタＳＥ１に入力され、選択信号ＳＥＬ２がセレクタＳＥ２に入力される。
【０１１１】
セレクタＳＥ１とセレクタＳＥ２とは、入出力パネル７００ＴＰ２の表示領域の外に配設することができる。または、入出力パネル７００ＴＰ２以外に配設することができる。すなわち、本発明の一態様の入出力装置が、セレクタＳＥ１とセレクタＳＥ２と、発振回路ＯＳＣと、検知回路ＤＣと、を備えていればよい。
【０１１２】
静電容量方式センサである、タッチセンサの容量部分は一対の電極を有し、一方の電極を第２の電極７５２Ａとし、他方の電極を第３の電極７５２Ｂとする。この一対の電極は、入出力パネル７００ＴＰ２の近傍に容量Ｃ１２を形成する。この容量Ｃ１２の成す電界に伝導性を有する被検知体が接触したとき、検出回路ＤＣは容量の変化を検知できる（図７（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０１１３】
＜入出力パネルの構成例２＞
本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、色相が異なる色を表示する機能を備える複数の画素を備えることができる。または、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を用いて、それぞれの画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。
【０１１４】
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。具体的には、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図８参照）。
【０１１５】
例えば、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【０１１６】
また、例えば、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【０１１７】
また、例えば、白色を表示する副画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。
【０１１８】
＜入出力パネルの構成例３＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、表示領域２３１を有する（図９参照）。
【０１１９】
＜表示領域２３１＞
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、信号線Ｓ１（ｊ）と、を有する（図９参照）。また、セレクタＳＥ１を介して共通配線ＶＣＯＭに接続する配線７６１を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０１２０】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０１２１】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０１２２】
走査線Ｇ１（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０１２３】
信号線Ｓ１（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１２４】
＜入出力パネルの構成例４＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる（図４（Ａ）および図９参照）。
【０１２５】
＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０１２６】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０１２７】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０１２８】
＜駆動回路ＳＤ＞
駆動回路ＳＤは、情報Ｖ１１を供給される機能と、画像信号を供給する機能を有する（図９参照）。情報Ｖ１１は、例えばビデオ信号に基づいたものとすることができる。
【０１２９】
駆動回路ＳＤは、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０１３０】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１３１】
例えば、駆動回路ＳＤが集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１３２】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０１３３】
＜入出力パネルの構成例５＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、機能層７２０、端子５１９Ｂ、基板５７０、基板７７０、接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１、機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ等を備える（図５（Ａ）または図６（Ａ）参照）。
【０１３４】
＜機能層７２０＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、機能層７２０を有する。機能層７２０は、基板７７０および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。機能層７２０は、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、着色膜ＣＦ１と、を有する（図５（Ａ）または図６（Ａ）参照）。
【０１３５】
遮光膜ＢＭは、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０１３６】
着色膜ＣＦ１は、基板７７０および液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。なお、機能層７２０および基板７７０の間に接合層７７０Ｂを用いることができる。接合層７７０Ｂは、機能層７２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０１３７】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０１３８】
単層または積層膜を絶縁膜７７１に用いることができる。例えば、絶縁膜７７１Ａおよび絶縁膜７７１Ｂを絶縁膜７７１に用いることができる。
【０１３９】
＜端子５１９Ｂ＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、端子５１９Ｂを有する（図５（Ａ）参照）。
【０１４０】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０１４１】
＜基板５７０、基板７７０＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。
【０１４２】
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。
【０１４３】
基板７７０は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。
【０１４４】
＜接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０１４５】
接合層５０５は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０１４６】
封止材７０５は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０１４７】
構造体ＫＢ１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０１４８】
＜機能膜７７０ＰＡ、機能膜７７０ＰＢ、機能膜７７０Ｄ等＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、機能膜７７０ＰＡと、機能膜７７０ＰＢと、機能膜７７０Ｄと、を有する。
【０１４９】
機能膜７７０ＰＡおよび機能膜７７０ＰＢは、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０１５０】
機能膜７７０Ｄは、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【０１５１】
＜構成要素の例＞
入出力パネル７００ＴＰ２は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。
【０１５２】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、絶縁膜５２１を有する。
【０１５３】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、セレクタＳＥ１を介して共通配線ＶＣＯＭに接続する配線７６１を有する。
【０１５４】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。
【０１５５】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂを有する。
【０１５６】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。
【０１５７】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、液晶を含む層７５３または第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂ、を有する。
【０１５８】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。
【０１５９】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、絶縁膜５０１Ｂおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。
【０１６０】
また、入出力パネル７００ＴＰ２は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０１６１】
＜基板５７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０１６２】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０１６３】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。
【０１６４】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。
【０１６５】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。
【０１６６】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。
【０１６７】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０１６８】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０１６９】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。
【０１７０】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。
【０１７１】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０１７２】
また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。
【０１７３】
例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。
【０１７４】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０１７５】
＜基板７７０＞
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した材料を基板７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。または、基板５７０に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基板７７０に用いることができる。
【０１７６】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、入出力パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う入出力パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０１７７】
例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０１７８】
また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。
【０１７９】
＜構造体ＫＢ１＞
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。
【０１８０】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０１８１】
＜封止材７０５＞
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０１８２】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０１８３】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０１８４】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０１８５】
＜接合層５０５、接合層７７０Ｂ＞
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５または接合層７７０Ｂに用いることができる。
【０１８６】
＜絶縁膜５２１＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０１８７】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０１８８】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸湿性などの特性において優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。
【０１８９】
これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０１９０】
＜絶縁膜５０１Ｂ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０１９１】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０１９２】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０１９３】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０１９４】
＜絶縁膜５０１Ｃ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路への不純物の拡散を抑制することができる。
【０１９５】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【０１９６】
＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、セレクタＳＥ１を介して共通配線ＶＣＯＭに接続する配線７６１、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂ等に用いることができる。
【０１９７】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０１９８】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０１９９】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０２００】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０２０１】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０２０２】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０２０３】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０２０４】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０２０５】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。
【０２０６】
＜第１の導電膜、第２の導電膜＞
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０２０７】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０２０８】
また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０２０９】
＜液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
反射型の液晶表示素子を液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、横電界方式の駆動方法にて動作を可能とする。
【０２１０】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０２１１】
＜液晶を含む層７５３＞
液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０２１２】
液晶としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶を用いればよい。
【０２１３】
液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【０２１４】
なお、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）にゲスト−ホストモードで動作する液晶を用いることにより、光拡散層や偏光板などの機能性部材を省略することができる。よって、表示装置の生産性を高めることができる。また、偏光板などの機能性部材を設けないことにより、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）の反射輝度を高めることができる。よって、表示装置の視認性を高めることができる。
【０２１５】
また、円偏光板を用いる反射型の液晶表示装置のオン状態とオフ状態の切り替え（明状態と暗状態の切り替え）は、液晶分子の長軸を基板と略垂直な方向にそろえるか、基板と略水平な方向にそろえるか、によって行なわれる。一般に、ＩＰＳモードなどの横電界方式で動作する液晶素子は、オン状態およびオフ状態ともに液晶分子の長軸が基板と略水平な方向にそろうため、反射型の液晶表示装置に用いることが難しい。
【０２１６】
ＶＡ−ＩＰＳモードで動作する液晶素子は、横電界方式で動作し、かつ、オン状態とオフ状態の切り替えを、液晶分子の長軸を基板と略垂直な方向にそろえる（配向させる）か、基板と略水平な方向にそろえるか、を選択的に行うことができる。このため、反射型の液晶表示装置に横電界方式で動作する液晶素子を用いる場合は、ＶＡ−ＩＰＳモードで動作する液晶素子を用いることが好ましい。
【０２１７】
換言すれば、ＶＡ−ＩＰＳモードで動作する液晶素子は、円偏光板を有し、液晶分子の長軸の配向を、基板と略垂直な方向と、基板と略水平な方向と、の何れにも制御可能である。
【０２１８】
液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶を含む層と、を有する。液晶を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶を含む。例えば、液晶を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶の配向を制御する電界に用いることができる。
【０２１９】
例えば、１．０×１０１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶を、液晶を含む層７５３に用いる。これにより、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過率の変動を抑制することができる。または、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）のチラツキを抑制することができる。または、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）の書き換える頻度を低減することができる。
【０２２０】
＜第１の電極７５１（ｉ，ｊ）＞
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０２２１】
＜反射膜＞
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
【０２２２】
反射膜は、例えば、液晶を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０２２３】
例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。
【０２２４】
＜第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂ＞
例えば、配線等に用いることができる材料を、第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂに用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂに用いることができる。
【０２２５】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂに用いることができる。
【０２２６】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂに用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂに用いることができる。または、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂに用いることができる。
【０２２７】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂに用いることができる。
【０２２８】
例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と同様の材料を、第２の電極７５２Ａに用いることができる。
【０２２９】
＜配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２＞
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０２３０】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【０２３１】
＜着色膜ＣＦ１＞
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。
【０２３２】
例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料または赤色の光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を透過する光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を鮮やかにすることができる。
【０２３３】
また、例えば、青色の光を吸収する材料、緑色の光を吸収する材料または赤色の光を吸収する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。具体的には、イエローの光を透過する材料、マゼンタの光を透過する材料またはシアンの光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１に吸収される光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を明るくすることができる。
【０２３４】
＜遮光膜ＢＭ＞
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０２３５】
具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜に用いることができる。
【０２３６】
または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。
【０２３７】
＜絶縁膜７７１＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜７７１に用いることができる。例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。または、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７７１に用いることができる。
【０２３８】
＜機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０２３９】
具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【０２４０】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０２４１】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。液晶にＶＡ−ＩＰＳモードで駆動する液晶を用いた場合、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることが好ましい。
【０２４２】
＜駆動回路ＧＤ＞
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０２４３】
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。
【０２４４】
＜トランジスタ＞
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０２４５】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０２４６】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、金属酸化物を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、金属酸化物を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０２４７】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０２４８】
なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【０２４９】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０２５０】
ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。
【０２５１】
また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２５２】
また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２５３】
例えば、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、金属酸化物を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０２５４】
例えばインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｍ系酸化物、Ｍ−Ｚｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｚｎ酸化物で表記される膜とすることができる。
【０２５５】
半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０２５６】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、静止画像を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。あるいは特別な信号を受信したときに画面の書き換えを行えばよく、フレーム周波数に対応した画面の書き換えが不要となり、画面の書き換えに要する電力を大幅に削減できる。
【０２５７】
その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。このような表示装置の消費電力を減らす技術を、アイドリングストップ（ＩＤＳ）と呼称する。
【０２５８】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図５（Ａ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０２５９】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０２６０】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０２６１】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図５（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。
【０２６２】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２６３】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２６４】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０２６５】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０２６６】
＜液晶を含む層７５３＞
例えば、ネマチック液晶、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶等を、液晶を含む層に用いることができる。または、コレステリック相等を示す液晶を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶を用いることができる。
【０２６７】
また、例えば、二色性色素を液晶を含む層７５３に用いることができる。なお、二色性色素を含む液晶をゲスト・ホスト液晶という。
【０２６８】
具体的には、分子の長軸方向に大きな吸光度を備え、長軸方向と直交する短軸方向に小さな吸光度を備える材料を、二色性色素に用いることができる。好ましくは、１０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができ、より好ましくは、２０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができる。
【０２６９】
例えば、アゾ系色素、アントラキノン系色素、ジオキサジン系色素等を、二色性色素に用いることができる。
【０２７０】
また、ホモジニアス配向した二色性色素を含む二層の液晶層を、配向方向が互いに直交するように重ねた構造を、液晶を含む層に用いることができる。これにより、全方位について光を吸収しやすくすることができる。または、コントラストを高めることができる。
【０２７１】
また、相転移型ゲスト・ホスト液晶や、ゲスト・ホスト液晶を含む液滴を高分子に分散した構造を、液晶を含む層７５３に用いることができる。
【０２７２】
図９は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【０２７３】
＜入出力装置の構成例＞
入出力装置は表示領域２３１に近接するものを検知する機能を備える。
【０２７４】
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０２７５】
入出力装置は、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える。発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣは、入出力パネル７００ＴＰ２に設けられても良い（図９参照）。または、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣは、入出力装置内に設けられ、入出力パネル７００ＴＰ２と接続されても良い。
【０２７６】
入出力装置は近接するポインタを、静電容量方式の近接センサを用いて検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。具体的には、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
【０２７７】
＜入出力パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、表示領域２３１を有する。
【０２７８】
＜表示領域２３１＞
表示領域２３１は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２Ａと、第３の電極７５２Ｂと備える（図９参照）。第２の電極７５２Ａと、第３の電極７５２Ｂと、は例えば、櫛歯状の形状を備える導電膜を用いることができる（図１０参照）。
【０２７９】
表示領域２３１に画像情報を表示する際には、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は画像情報が駆動回路ＳＤから供給される。また第２の電極７５２Ａと、第３の電極７５２Ｂとは、共通電位が与えられる。第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と第２の電極７５２Ａと、第３の電極７５２Ｂとの間で形成される電界は、液晶の配向を制御する。
【０２８０】
一方、静電容量方式の近接センサを用いて検知する際には、所定の電位が駆動回路ＳＤから、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に供給される。制御信号が発振回路ＯＳＣから、第２の電極７５２Ａに供給される。例えば、制御信号が第２の電極７５２Ａに供給されると、第２の電極７５２Ａと第３の電極７５２Ｂとの間に電界が形成される（図１参照）。また、第２の電極７５２Ａと第３の電極７５２Ｂとの間に形成される電界の一部は、近接する指等によって遮られる。
【０２８１】
＜発振回路ＯＳＣ＞
発振回路ＯＳＣは、各画素７０２（ｉ，ｊ）の第２の電極７５２ＡとセレクタＳＥ１を介して電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
【０２８２】
＜検知回路ＤＣ＞
検知回路ＤＣは、各画素７０２（ｉ，ｊ）の第３の電極７５２ＢとセレクタＳＥ２を介して電気的に接続され、第３の電極７５２Ｂの電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報Ｐ１を含む。
【０２８３】
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、高精細、または視認性、または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０２８４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルのタッチセンサの構成及びセンシングの方法について説明する。
【０２８５】
［センサの検知方法の例］
静電容量方式のタッチセンサとしては、代表的には表面型静電容量方式、投影型静電容量方式などがある。また、投影型静電容量方式としては、主に駆動方法の違いから、自己容量方式、相互容量方式などがある。ここで、相互容量方式を用いると、同時に多点を検出すること（多点検出（マルチタッチ）ともいう）が可能となるため好ましい。
【０２８６】
図１１（Ａ）、（Ｂ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示す模式図と、入出力波形の模式図である。タッチセンサは一対の電極を備え、これらの間に容量が形成されている。一対の電極のうち一方の電極に入力電圧が入力される。また、他方の電極に流れる電流（または、他方の電極の電位）を検出する検知回路を備える。
【０２８７】
例えば図１１（Ａ）に示すように、入力電圧の波形として矩形波を用いた場合、出力電流波形として鋭いピークを有する波形が検出される。
【０２８８】
また図１１（Ｂ）に示すように、伝導性を有する被検知体が容量に近接または接触した場合、電極間の容量値が減少するため、これに応じて出力の電流値が減少する。
【０２８９】
このように、本発明の一態様のタッチセンサは、入力電圧に対する出力電流（または電位）の変化を用いて、容量の変化を検出することにより、被検知体の近接、または接触を検知することができる。
【０２９０】
［タッチセンサの構成例］
図１１（Ｃ）は、マトリクス状に配置された複数の容量を備えるタッチセンサの構成例を示す。
【０２９１】
タッチセンサは、Ｘ方向（紙面横方向）に延在する複数の配線３５１０と、これら複数の配線と交差し、Ｙ方向（紙面縦方向）に延在する複数の配線３５１１とを有する。交差する２つの配線間には容量３５０３が形成される。例えば、入出力パネル７００ＴＰ２（図１、図９参照）においては、配線３５１０は第３の電極７５２Ｂに接続し、配線３５１１は第２の電極７５２Ａに接続する。容量３５０３は、第２の電極７５２Ａと第３の電極７５２Ｂとの成す容量である。
【０２９２】
また、Ｘ方向に延在する配線３５１０には、入力電圧または共通電位（接地電位、基準電位を含む）のいずれか一方がセレクタを介して入力される。この電位は、例えば矩形波を入力するようなパルス電圧出力回路３５０１から供給することができる。また、Ｙ方向に延在する配線３５１１には、電流検出回路３５０２（例えば、ソースメータ、センスアンプなど）が電気的に接続され、当該配線に流れる電流（または電位）を検出することができる。尚、本発明の入出力パネルにおいては、容量３５０３と、電流検出回路３５０２との間にセレクタを有するが、図１１では省略する。
【０２９３】
タッチセンサは、Ｘ方向に延在する複数の配線３５１０に対して順に入力電圧が入力されるように走査し、Ｙ方向に延在する配線に流れる電流（または電位）の変化を検出することで、２次元的な被検知体の検出（センシング）が可能となる。
【０２９４】
図１２（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１２（Ａ）では、タッチセンサはパルス電圧出力回路３５０１、電流検出回路３５０２を有する。また、パルス電圧が与えられる配線３５１０をＸ１−Ｘｎとして、それぞれｎ本の配線で例示している。電流の変化を検知する配線３５１１をＹ１−Ｙｍとして、それぞれｍ本の配線で例示している。また、図１２（Ａ）は、複数ある配線３５１０と、複数ある配線３５１１とが重畳することで、複数形成される容量３５０３を示している。なお、配線３５１０と配線３５１１とはその機能を互いに置き換えてもよい。
【０２９５】
パルス電圧出力回路３５０１は、Ｘ１−Ｘｎの配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘｎの配線にパルス電圧が印加されることで、容量３５０３を形成する配線３５１０と配線３５１１との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量３５０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
【０２９６】
電流検出回路３５０２は、容量３５０３での相互容量の変化による、Ｙ１−Ｙｍの配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙｍの配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、積分回路等を用いて行えばよい。
【０２９７】
次に、図１２（Ｂ）には、図１２（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図１２（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図１２（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）の期間３６０１と被検知体を検出する場合（タッチ）の期間３６０２との２つの場合について示している。なおＹ１−Ｙｍの配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。
【０２９８】
Ｘ１−Ｘｎの配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−Ｙｍの配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘｎの配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙｍの波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。
【０２９９】
図１２（Ａ）に示すブロック図中のＸ１−Ｘｎまでの配線３５１０は、他の実施の形態に示された入出力パネル７００ＴＰ２においては、第３の電極７５２Ｂに接続する。図１２（Ａ）で示される容量３５０３の座標と、各配線との配置を説明するため、Ｘ１−Ｘｎの配線３５１０はそれぞれＸ１−Ｘｎ行に配設され、Ｙ１−Ｙｍの配線３５１１はそれぞれＹ１−Ｙｍ列に配設されるものとする。
【０３００】
図１３に示されるタイミングチャートは、入出力パネル７００ＴＰ２の駆動方法の一例を示す。Ｙ１−Ｙｍの配線は、表示素子およびタッチセンサにおいて共通電極３５２２に相当する。
【０３０１】
本発明の一態様の入出力パネルのある画素においては、表示素子への画像信号の書き込みを行う期間３６２１以外の部分が、表示期間３６２２となる。図１３に示されるタイミングチャートにおいては、表示素子への画像信号の書き込みを行う期間３６２１以外において、タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間３６２３が設けられる。
【０３０２】
画像信号の書き込みを行う期間３６２１は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の電位が変化し、この電界の変化に伴い図１１（Ｂ）に示すような出力電流波形が正しく得られない可能性があるから、期間３６２１においてのセンシングは適さない。そのため、この構造においては、タッチセンサでの被検知体の検出と、表示素子への書き込みと、は時間差を有して行う。
【０３０３】
本発明の一態様の入出力パネルにおいて、タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間３６２３はおよそ０．５μｓｅｃ以上１０μｓｅｃ以下であり、ＶＡ−ＩＰＳモードの液晶ＬＣが配向を変えるために要する時間である２ｍｓｅｃ乃至８ｍｓｅｃに比べて小さい。つまり、センシングによる液晶表示素子の表示の変化は十分小さい。
【０３０４】
すなわち入出力パネル７００ＴＰ２は、ＶＡ−ＩＰＳモードの液晶ＬＣを有することにより、表示期間３６２２の間に、タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間３６２３を設けても、良好に表示することができる。
【０３０５】
例えば、ある配線３５１０が接続する画素において、期間３６２１、期間３６２２には、配線３５１０に共通電位（接地電位、基準電位を含む）が与えられ、但し期間３６２２内の期間３６２３には、配線３５１０に入力電圧が与えられることができる（図１１（Ｃ）、図１３参照）。
【０３０６】
図１４に示されるタイミングチャートは、別の駆動方法の例を示す。この方法において、タッチセンサでの被検知体の検出を行う期間３６２３は、一群の隣り合う行において同時である。一群の隣り合う行分の信号が、電流の変化を検知する配線３５１１に流れるので、検出の空間分解能は、その分低くなる。但し、合計のセンシング期間３６２６は短くなるため、高速センシングが可能となる。
【０３０７】
一群の隣り合う行としては、図１２（Ａ）のブロック図に示される構造を例にすると、ＸｒからＸｓまでの連続した行とすることができる。ここでｒは１以上かつｓ以下の整数、ｓはｒ以上かつｎ−１以下の整数である。このとき好ましくはｓはｒ＋１以上である。ＸｒからＸｓまでの連続した行の処理が終了したとき、次いで未処理の行の処理を行うことができる。例えば、Ｘ（ｓ＋１）から同様に一群の隣り合う行にて処理を行うことができる。こうしてＸ１からＸｎ行までの処理を終了させる。尚、上記処理を終了させるまでに、ｓ＝ｒであるような、途中で１の行の処理を行っても良い。また、ｓ−ｒの値が一定でなくても良い。
【０３０８】
図１５に示されるタイミングチャートは、別の駆動方法の例を示す。この方法において、一群の隣り合う行分のセンシングを一度に行い、その後一群の隣り合う行分の表示素子への画像信号の書き込みを順次行う。これらを期間３６２７にて行い、同様に次の数行分の処理を行う。
【０３０９】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３１０】
（実施の形態５）
＜入出力パネルの動作例＞
本発明の一態様の入出力パネルの動作について、図１６を参照しながら説明する。
【０３１１】
図１６は、本発明の一態様の入出力パネルの動作を説明する図である。図１６（Ａ）は画素７０２（ｉ，ｊ）の一部の動作状態を説明する断面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）に示す動作状態とは異なる動作状態を説明する断面図である。また、図１６（Ｃ）は図１６（Ａ）または図１６（Ｂ）に示す動作状態と異なる動作状態を説明する断面図である。なお、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す。
【０３１２】
＜動作状態１＞
液晶を含む層７５３の厚さ方向に液晶ＬＣが配向する動作状態を図１６（Ａ）に示す。例えば、配向膜を用いて液晶ＬＣの配向を制御する。
【０３１３】
例えば、円偏光板、反射膜７５１ＢおよびＶＡ−ＩＰＳモードを利用する場合、電界を印加しないこの動作状態において、暗い階調を表示することができる。言い換えると、ノーマリーブラックの液晶表示素子の動作をすることができる。
【０３１４】
なお、図示しないが、例えば、反射膜７５１Ｂおよびゲスト・ホスト液晶モードを利用する場合、電界を印加しないこの動作状態において、明るい階調を表示することができる。言い換えると、ノーマリーホワイトの液晶表示素子の動作をすることができる。
【０３１５】
＜動作状態２＞
液晶を含む層７５３の厚さ方向と交差する方向に液晶ＬＣが配向する動作状態を図１６（Ｂ）に示す。例えば、電界を用いて液晶ＬＣの配向を制御する。
【０３１６】
本発明の一態様の入出力パネルは、共通電位を与えることのできる第２の電極７５２Ａと第３の電極７５２Ｂとを有するため、横方向の液晶モードで駆動しても、上層部７５３Ｕの液晶の配向を、効果的に制御することができる。
【０３１７】
例えば、円偏光板、反射膜７５１ＢおよびＶＡ−ＩＰＳモードを利用する場合、明るい階調を表示することができる。
【０３１８】
なお、図示しないが、例えば、反射膜７５１Ｂおよびゲスト・ホスト液晶モードを利用する場合、偏光板を用いることなく暗い階調を表示することができる。
【０３１９】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３２０】
（実施の形態６）
本発明の一態様の入出力パネルは、画素に液晶表示素子と、副表示素子と、を有する構成とすることができる。液晶表示素子の例としては、反射型の表示素子とすることができ、また副表示素子の例としては、光を射出する機能を備えた表示素子とすることができる。また本明細書中では、液晶表示素子を第１の表示素子、副表示素子を第２の表示素子と表することがある。
【０３２１】
このとき、本発明の一態様の入出力パネルの画素回路は液晶表示素子および副表示素子と電気的に接続される。
【０３２２】
副表示素子は光を射出する機能を備え、副表示素子は液晶表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、当該副表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。
【０３２３】
これにより、液晶表示素子を用いて、反射膜が反射する光の強度を制御して、表示をすることができる。または、副表示素子を用いて、液晶表示素子を用いた表示を補うことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【０３２４】
＜画素の構成例１＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える。
【０３２５】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０３２６】
＜副表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例１＞
副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は光を射出する機能を備え、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、副表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。
【０３２７】
これにより、液晶表示素子を用いて、反射膜が反射する光の強度を制御して、表示をすることができる。または、副表示素子を用いて、液晶表示素子を用いた表示を補うことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【０３２８】
図１７は本発明の一態様の入出力パネル７１０ＴＰ２の構成を説明する図である。図１７（Ａ）は入出力パネル７１０ＴＰ２の上面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）に示す入出力パネル７１０ＴＰ２の画素の一部を説明する上面図である。図１７（Ｃ）は図１７（Ａ）に示す入出力パネル７１０ＴＰ２の断面の構成を説明する模式図である。
【０３２９】
図１８および図１９は入出力パネル７１０ＴＰ２の構成を説明する断面図である。図１８（Ａ）は図１７（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図１７（Ｂ）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）はいずれも図１８（Ａ）の一部を説明する図である。
【０３３０】
図１９（Ａ）は図１７（Ｂ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図１７（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。
【０３３１】
図２０は図１７（Ａ）に示す入出力パネル７１０ＴＰ２に用いることができる画素の一部を説明する下面図である。
【０３３２】
図２１は本発明の一態様の入出力パネル７１０ＴＰ２が備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【０３３３】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【０３３４】
＜画素の構成例３＞
また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図１７（Ｃ）参照）。
【０３３５】
＜副表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例２＞
また、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図１８（Ａ）および図２１参照）。副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、基板７７０に向けて光を射出する機能を備える。副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、例えば、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える。
【０３３６】
副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す（図１９（Ａ）参照）。また、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に副表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印を用いて図中に示す（図１８（Ａ）参照）。
【０３３７】
これにより、液晶表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、副表示素子を用いた表示を視認することができる。または、入出力パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。または、液晶表示素子が反射する光が表現する物体色と、副表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わせることができる。または、物体色および光源色を用いて絵画的な表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【０３３８】
例えば、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）と、電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図１８（Ａ）参照）。
【０３３９】
電極５５２は、電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３４０】
発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間に挟まれる領域を備える。
【０３４１】
電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極５５２は、共通配線ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１８（Ａ）、図２１参照）。
【０３４２】
＜絶縁膜５２１、絶縁膜５２８等＞
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３４３】
例えば、積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる。例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂおよび絶縁膜５２１Ｃの積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる（図１８（Ａ）参照）。
【０３４４】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止する。
【０３４５】
＜反射膜＞
反射膜は、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｈが形成される形状を備える（図１８、図２２（Ａ）乃至図２２（Ｃ）参照）。
【０３４６】
例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。具体的には、多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。
【０３４７】
反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０３４８】
また、反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性が損なわれてしまう場合がある。
【０３４９】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２２（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２２（Ｂ）参照）。
【０３５０】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向に延びる直線上に配設される（図２２（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０３５１】
または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図２２（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０３５２】
このように配置された光を遮らない領域に重なるように副表示素子を配設することにより、一の画素に隣接する他の画素の第２の素子を、一の画素の副表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の副表示素子に、一の画素の副表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する際に生じる難易度を軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０３５３】
または、領域７５１Ｈが形成されるように、端部が短く切除されたような形状を反射膜に用いることができる（図２２（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された形状を用いることができる。
【０３５４】
＜入出力パネルの構成例２＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７１０ＴＰ２は、表示領域２３１を有する（図２３参照）。
【０３５５】
＜表示領域２３１＞
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、信号線Ｓ１（ｉ）と、を有する（図２３参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、セレクタＳＥ１を介して共通配線ＶＣＯＭに接続する配線７６１と、導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０３５６】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０３５７】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０３５８】
走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０３５９】
信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０３６０】
副表示素子を有する場合、液晶表示素子を含む複数の画素を用いて、それぞれの画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。
【０３６１】
例えば、シアンを表示する液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と青色を表示する副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える副画素、イエローを表示する液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ＋１）と緑色を表示する副表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を備える副画素およびマゼンタを表示する液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）と赤色を表示する副表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を備える副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。これにより、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）乃至液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、明るくすることができる。または、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）乃至副表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、鮮やかにすることができる。
【０３６２】
＜駆動回路ＧＤ＞
入出力パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、入出力パネル７１０ＴＰ２Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図２４（Ａ）参照）。
【０３６３】
また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。
【０３６４】
＜駆動回路ＳＤ＞
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図２３参照）。
【０３６５】
駆動回路ＳＤ１または駆動回路ＳＤ２は、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０３６６】
例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０３６７】
＜構成要素の例＞
入出力パネル７１０ＴＰ２は、絶縁膜５２８を有する。
【０３６８】
また、入出力パネル７１０ＴＰ２は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）または導電膜ＡＮＯを有する。
【０３６９】
また、入出力パネル７１０ＴＰ２は、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）、電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。
【０３７０】
＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０３７１】
＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、信号線Ｓ１（ｊ）に用いる材料と同様の導電性を備える材料を、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）、共通配線ＶＣＯＭ２、導電膜ＡＮＯに用いることができる。
【０３７２】
＜副表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を副表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｂｔｕｍｎ  Ｄｏｔ  ＬＥＤ）等を、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３７３】
例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０３７４】
例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０３７５】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０３７６】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０３７７】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０３７８】
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３７９】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３８０】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を副表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０３８１】
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、電極５５２に用いることができる。
【０３８２】
＜駆動回路ＧＤ＞
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。トランジスタＭを駆動回路ＧＤに用いることができる。スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭに用いることができる。
【０３８３】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の液晶表示素子と、副表示素子とを有する、入出力装置の構成について、図２３および図２４を参照しながら説明する。
【０３８４】
図２３（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。図２３（Ｂ）は、図２３（Ａ）に示す画素の構成を説明するブロック図である。
【０３８５】
図２４（Ａ）は図２３（Ａ）に示す入出力パネル７１０ＴＰ２の構成とは異なる構成を説明するブロック図である。図２４（Ｂ−１）乃至図２４（Ｂ−３）は本発明の一態様の入出力装置の外観を説明する図である。
【０３８６】
＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、制御部２３８と、入出力パネル７１０ＴＰ２と、を有する（図２３（Ａ）参照）。
【０３８７】
＜制御部２３８＞
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＳＳを供給される機能を備える。
【０３８８】
制御部２３８は、画像情報Ｖ１に基づいて第１の情報Ｖ１１および第２の情報Ｖ１２を生成する機能を備える。制御部２３８は、第１の情報Ｖ１１および第２の情報Ｖ１２を供給する機能を備える。
【０３８９】
例えば、制御部２３８は、伸張回路２３４および画像処理回路２３５Ｍを備える。
【０３９０】
＜入出力パネル７１０ＴＰ２＞
入出力パネル７１０ＴＰ２は、第１の情報Ｖ１１および第２の情報Ｖ１２を供給される機能を備える。また、入出力パネル７１０ＴＰ２は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。
【０３９１】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図２３（Ｂ）参照）。
【０３９２】
液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の情報Ｖ１１に基づいて表示する機能を備え、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）は反射型の表示素子である。
【０３９３】
副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第２の情報Ｖ１２に基づいて表示する機能を備え、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）は発光型の表示素子（発光素子）である。
【０３９４】
例えば、テレビジョン受像システム（図２４（Ｂ−１）参照）、映像モニター（図２４（Ｂ−２）参照）またはノートブックコンピュータ（図２４（Ｂ−３）参照）などを提供することができる。
【０３９５】
これにより、液晶表示素子を用いて、反射膜が反射する光の強度を制御して、画像情報を表示することができる。または、液晶表示素子は外光を表示に利用することができる。または、外光の映り込みを認識しにくくすることができる。または、副表示素子を用いて画像情報を表示することができる。または、液晶表示素子を用いて表示される画像情報と重なるように、副表示素子を用いて画像情報を表示することができる。または、液晶表示素子を用いて表示される画像情報を副表示素子を用いて補うことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０３９６】
ところで、ハイブリッド表示とは、１つのパネルにおいて、反射光と、自発光とを併用して、色調または光強度を互いに補完して、文字または画像を表示する方法である。  または、ハイブリッド表示とは、同一画素または同一副画素において複数の表示素子から、それぞれの光を用いて、文字及び／または画像を表示する方法である。ただし、ハイブリッド表示を行っているハイブリッドディスプレイを局所的にみると、複数の表示素子のいずれか一方を用いて表示される画素または副画素と、複数の表示素子の双方を用いて表示される画素または副画素と、を有する場合がある。
【０３９７】
なお、本明細書等において、上記構成のいずれか１つまたは複数の表現を満たすものを、ハイブリッド表示という。
【０３９８】
また、ハイブリッドディスプレイは、同一画素または同一副画素に複数の表示素子を有する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出する自発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、自発光素子とは、それぞれ独立に制御することができる。ハイブリッドディスプレイは、表示部において、反射光、及び自発光のいずれか一方または双方を用いて、文字及び／または画像を表示する機能を有する。
【０３９９】
＜伸張回路２３４＞
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
【０４００】
＜画像処理回路２３５Ｍ＞
画像処理回路２３５Ｍは、例えば、領域２３５Ｍ（１）および領域２３５Ｍ（２）を備える。
【０４０１】
領域２３５Ｍ（１）または領域２３５Ｍ（２）は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。
【０４０２】
また、画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能と、を備える。具体的には、液晶表示素子が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１１を生成する機能を備える。
【０４０３】
画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１２を生成する機能と、情報Ｖ１２を供給する機能と、を備える。具体的には、副表示素子が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１２を生成する機能を備える。
【０４０４】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４０５】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の液晶表示素子と、副表示素子とを有する、情報処理装置の構成について、図２５乃至図２７を参照しながら説明する。
【０４０６】
図２５（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図２５（Ｂ）および図２５（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説明する投影図である。
【０４０７】
図２６は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２６（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図２６（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０４０８】
図２７は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０４０９】
＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図２５（Ａ）参照）。入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図２５（Ｂ）または図２５（Ｃ）参照）。
【０４１０】
入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図２５（Ａ）参照）。入出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。
【０４１１】
入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＳＳを供給される機能を備え、位置情報Ｐ１または検知情報ＤＴ１を供給する機能を備える。
【０４１２】
演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報ＤＴ１を供給させる機能を備える。演算装置２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ１または検知情報ＤＴ１に基づいて動作する機能を備える。
【０４１３】
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
【０４１４】
表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＳＳに基づいて画像を表示する機能を備える。
【０４１５】
入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。
【０４１６】
検知部２５０は検知情報ＤＴ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
【０４１７】
これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。具体的には、液晶表示素子を用いる表示方法を選択し、例えば、電力の消費を抑制することができる。または、副表示素子を用いる方法を選択し、例えば、暗い場所で表示をすることができる。または、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を選択し、例えば、使用者の好みに応じた快適に感じる表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０４１８】
以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが入出力パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
【０４１９】
＜構成例＞
本発明の一態様の情報処理装置２００は、筐体または演算装置２１０を有する。
【０４２０】
演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェース２１５を備える。
【０４２１】
また、本発明の一態様の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。
【０４２２】
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を備える。
【０４２３】
＜情報処理装置＞
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置２１０または入出力装置２２０を備える。
【０４２４】
＜演算装置２１０＞
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
【０４２５】
＜演算部２１１＞
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【０４２６】
＜記憶部２１２＞
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
【０４２７】
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
【０４２８】
＜入出力インターフェース２１５、伝送路２１４＞
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
【０４２９】
伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
【０４３０】
＜入出力装置２２０＞
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を備える。これにより、消費電力を低減することができる。
【０４３１】
＜表示部２３０＞
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、入出力パネル７１０ＴＰ２と、を有する（図２３参照）。
【０４３２】
＜入力部２４０＞
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図２５参照）。
【０４３３】
例えば、キーボード、マウス、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。
【０４３４】
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【０４３５】
例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【０４３６】
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
【０４３７】
＜検知部２５０＞
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。
【０４３８】
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
【０４３９】
＜通信部２９０＞
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
【０４４０】
＜プログラム＞
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図２６（Ａ）参照）。
【０４４１】
［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図２６（Ａ）（Ｓ１）参照）。
【０４４２】
例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。また、第１の表示方法、第２の表示方法または第３の表示方法を所定の表示方法に用いることができる。
【０４４３】
［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図２６（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
【０４４４】
なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
【０４４５】
［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図２６（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１、情報Ｖ１１または情報Ｖ１２を表示する情報に用いることができる。
【０４４６】
例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
【０４４７】
例えば、画像情報Ｖ１を表示する異なる３つの方法を、第１の表示方法乃至第３の表示方法に関連付けることができる。これにより、選択された表示方法に基づいて表示をすることができる。
【０４４８】
＜第１のモード＞
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
【０４４９】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
【０４５０】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。
【０４５１】
＜第２のモード＞
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。
【０４５２】
３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
【０４５３】
例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。
【０４５４】
ところで、例えば発光素子を副表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
【０４５５】
＜第１の表示方法＞
具体的には、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第１の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、消費電力を低減することができる。または、明るい環境下において、高いコントラストで画像情報を良好に表示することができる。
【０４５６】
＜第２の表示方法＞
具体的には、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第２の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。
【０４５７】
なお、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する場合、照度情報に基づいて画像情報Ｖ１を表示する明るさを決定することができる。例えば、照度が５千ルクス以上１０万ルクス未満の場合、照度が５千ルクス未満の場合より明るくなるように、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する。
【０４５８】
＜第３の表示方法＞
具体的には、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第３の表示方法に用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。または、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、使用者が快適に感じる表示をすることができる。
【０４５９】
ところで、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の明るさを調節する機能を、調光機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の明るさを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて補うことができる。
【０４６０】
また、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）および副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の色味を調節する機能を、調色機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の色合いを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて変えることができる。具体的には、反射型の液晶素子が表示する黄味を帯びた色合いを、青色の有機ＥＬ素子を用いて白色に近づけることができる。これにより、例えば、文字情報を普通紙に印刷された文字のように表示することができる。または、目にやさしい表示をすることができる。
【０４６１】
また、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）と副表示素子５５０（ｉ，ｊ）とを表示に用いると、物体が反射する色と物体が発光する色とが掛け合わされる。これにより、絵画的な表示をすることができる。
【０４６２】
ところで、現代型ホモサピエンスは１６万年前に熱帯雨林に登場した。したがって、熱帯雨林の環境を本来の環境ということができる。本来の環境は、現代の生活環境では損なわれてしまった様々な刺激、例えば、可聴周波数以上の高周波数の音のようなハイパーソニックを含んでいる。そして、ヒトは人類が登場した環境に安心を覚える傾向を備えている。これにより、現代の生活環境において、本来の環境に含まれていた刺激に遭遇すると、ヒトは快さを感じる。
【０４６３】
ところで、表示装置の使用者は、画像情報に忠実に表現された赤色、緑色および青色の表示に、疲労を覚える場合がある。または、疲労を覚える前に、表示に飽きてしまう場合がある。
【０４６４】
なお、液晶表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いて表示する画像情報Ｖ１に重ねて表示する、副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて表示する画像情報Ｖ１の明るさを、照度情報および使用者の好みに応じて決定することができる。これにより、使用者が快適に感じる表示をすることができる。
【０４６５】
［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図２６（Ａ）（Ｓ４）参照）。
【０４６６】
例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
【０４６７】
［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図２６（Ａ）（Ｓ５）参照）。
【０４６８】
＜割り込み処理＞
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図２６（Ｂ）参照）。
【０４６９】
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図２６（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
【０４７０】
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する。例えば、照度が所定の値以上の場合に、第１の表示方法に決定し、照度が所定の値未満の場合、第２の表示方法に決定する。または、照度が所定の範囲の場合、第３の表示方法に決定してもよい（図２６（Ｂ）（Ｓ７）参照）。
【０４７１】
具体的には、照度が１０万ルクス以上の場合、第１の表示方法に決定し、照度が５千ルクス未満の場合、第２の表示方法に決定し、照度が１０万ルクス未満５千ルクス以上の場合、第３の表示方法に決定してもよい。
【０４７２】
なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、第３の表示方法において副表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて、表示の色味を調節してもよい。
【０４７３】
また、例えば、第１の表示方法を用いる場合は、第１のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第２の表示方法を用いる場合は、第２のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第３の表示方法を用いる場合は、第３のステータスの制御情報ＳＳを供給する。
【０４７４】
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２６（Ｂ）（Ｓ８）参照）。
【０４７５】
＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２７を参照しながら説明する。
【０４７６】
図２７は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２７は、図２６（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０４７７】
なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図２６（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０４７８】
＜割り込み処理＞
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図２７参照）。
【０４７９】
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図２７（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
【０４８０】
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図２７（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。
【０４８１】
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２７（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
【０４８２】
＜所定のイベント＞
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
【０４８３】
また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
【０４８４】
例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。
【０４８５】
具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。
【０４８６】
＜所定のイベントに関連付ける命令＞
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。
【０４８７】
例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０４８８】
例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０４８９】
例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
【０４９０】
例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
【０４９１】
なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図２５（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。
【０４９２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４９３】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２８を参照しながら説明する。
【０４９４】
図２８は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図２８（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図２８（Ｂ）乃至図２８（Ｄ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【０４９５】
＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図２８（Ａ）参照）。
【０４９６】
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【０４９７】
入出力装置５２２０は、入出力パネル５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
【０４９８】
入出力パネル５２３０は画像情報を表示し、かつ静電容量方式を用いたタッチセンサを有し、被検知体の近接または接触を検知する機能を備える。例えば、実施の形態３において説明する入出力パネルを入出力パネル５２３０に用いることができる。
【０４９９】
入力部５２４０は、上記タッチセンサを補足して、操作情報を供給する機能を備える。具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、音声入力装置、視点入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【０５００】
すなわち入出力パネル５２３０と、入力部５２４０と、は情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【０５０１】
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【０５０２】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
【０５０３】
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【０５０４】
＜情報処理装置の構成例１＞
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を入出力パネル５２３０に適用することができる（図２８（Ｂ）参照）。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【０５０５】
＜情報処理装置の構成例２＞
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図２８（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【０５０６】
＜情報処理装置の構成例３＞
入出力パネル５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図２８（Ｄ）参照）。または、入出力パネル５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【０５０７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５０８】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０５０９】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５１０】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０５１１】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０５１２】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０５１３】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０５１４】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０５１５】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５１６】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５１７】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５１８】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【実施例】
【０５１９】
本実施例では、本発明の一態様である反射型液晶表示素子の反射率について、シミュレーションを行った結果について説明する。
【０５２０】
シミュレーションソフトは、Ｓｈｉｎｔｅｃｈ製ＬＣＤ  Ｍａｓｔｅｒ／３Ｄを用いて計算を行った。シミュレーションで想定した反射型液晶表示素子は、サンプルＤ１、サンプルＤ２、の２つである。サンプルＤ１の断面構造を図２９（Ａ）に、サンプルＤ２の断面構造を図２９（Ｂ）に示す。
【０５２１】
サンプルＤ１を構成する構造物は、以下のとおりである。
【０５２２】
絶縁膜５０１Ｂは、窒化シリコン膜の物性を有するものとした。
【０５２３】
反射膜７５１Ｂは、可視光反射率を１００％とした。
【０５２４】
第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂ、はそれぞれ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（以下ＩＴＳＯと略記する）をスパッタリング法にて成膜した、膜厚１００ｎｍの膜の物性を有するものとした。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＳｉＯ２＝８５：１０：５［重量％］とした。
【０５２５】
第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および反射膜７５１Ｂの平面上の寸法は、２９μｍ×８７μｍとした。第２の電極７５２Ａの平面上の寸法は、Ｌ／Ｓ＝２μｍ×３μｍとし、一端で電気的に接続するようにした。尚、Ｌ／Ｓ（Ｌｉｎｅ  ＆  Ｓｐａｃｅ）とは、配線の幅と隣り合う配線同士の間隔のことである。Ｌはライン（Ｌｉｎｅ）を示し、Ｓはスペース（Ｓｐａｃｅ）を示す。
【０５２６】
第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２Ａと、の距離は、３００ｎｍとした。
【０５２７】
液晶を含む層７５３は厚さ２μｍとした。液晶を含む層７５３の有する液晶は、弾性定数Ｋ１１＝１２．８、弾性定数Ｋ３３＝１４．４、誘電率異方性Δε＝０．０９９８、屈折率異方性Δｎ＝−３の物性を有するものとした。
【０５２８】
第３の電極７５２Ｂは、サンプルＤ１の平面上での寸法と同じとした。サンプルＤ１は、第２の電極７５２Ａ、第３の電極７５２Ｂ、は同じ電位が与えられる。
【０５２９】
一方、サンプルＤ２を構成する構造物は、第３の電極７５２Ｂを有さない以外は、サンプルＤ１を構成する構造物と同じである。
【０５３０】
以上の構造を有するサンプルＤ１、サンプルＤ２、のいずれも、液晶の配向は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２Ａと、の電極間電圧により制御される。該電極間電圧を変えたときの、サンプルＤ１、サンプルＤ２の可視領域の反射率の変化を図３０に示す。図３０の縦軸は、入射光の強度を１００％としたときの反射光強度であり、横軸は第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２Ａと、の電極間電圧である。入射光として用いる光源はＤ６５であり、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の面に垂直方向から入射させた。
【０５３１】
図３０より、所定の電極間電圧において、サンプルＤ１は、サンプルＤ２より高い反射率を示した。これは、サンプルＤ１がサンプルＤ２より低い電圧にて表示が可能であり、低消費電力化を実現可能であることを意味する。
【０５３２】
本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０５３３】
ＡＣＦ１    導電材料
ＡＦ１    配向膜
ＡＦ２    配向膜
ＡＮＯ    導電膜
Ｃ１    矢印
Ｃ１１    容量
Ｃ１２    容量
ＣＦ１    着色膜
ＣＦ２    着色膜
Ｄ１    サンプル
Ｄ２    サンプル
ＤＴ１    検知情報
ＦＰＣ１    基板
Ｇ１    走査線
Ｇ２    走査線
ＧＤ    駆動回路
ＧＤＡ    駆動回路
ＧＤＢ    駆動回路
ＫＢ１    構造体
Ｐ１    位置情報
Ｒ０    方向
Ｒ１    矢印
Ｓ１    信号線
Ｓ２    信号線
ＳＤ    駆動回路
ＳＤ１    駆動回路
ＳＤ２    駆動回路
ＳＥ１    セレクタ
ＳＥ２    セレクタ
ＳＷ１    スイッチ
ＳＳ    制御情報
Ｖ１    画像情報
Ｖ１１    情報
Ｖ１２    情報
ＶＣＯＭ    共通配線
ＶＣＯＭ２    共通配線
２００    情報処理装置
２１０    演算装置
２１１    演算部
２１２    記憶部
２１４    伝送路
２１５    入出力インターフェース
２２０    入出力装置
２３０    表示部
２３１    表示領域
２３４    伸張回路
２３５Ｍ    画像処理回路
２３５Ｍ（１）    領域
２３５Ｍ（２）    領域
２３８    制御部
２４０    入力部
２５０    検知部
２９０    通信部
５０１Ｂ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０４    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０８    半導体膜
５１１Ｂ    導電膜
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５１８Ａ    絶縁膜
５１８Ａ１    絶縁膜
５１８Ａ２    絶縁膜
５１８Ｂ    絶縁膜
５１９Ｂ    端子
５２１    絶縁膜
５２１Ａ    絶縁膜
５２１Ｂ    絶縁膜
５２１Ｃ    絶縁膜
５２２    接続部
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５３０    画素回路
５５０    副表示素子
５５１    電極
５５２    電極
５５３    層
５７０    基板
５９１Ａ    開口部
５９１Ｂ    側面
５９２Ｂ    開口部
５９３    界面
５９４    界面
５９５    境界
７００Ｔ    表示パネル
７００ＴＰ２    入出力パネル
７０１Ｔ    表示パネル
７０１ＴＰ２    入出力パネル
７０２    画素
７０２Ｔ    表示パネル
７０３    画素
７０３Ｔ    表示パネル
７０５    封止材
７１０ＴＰ２    入出力パネル
７１０ＴＰ２Ｂ    入出力パネル
７２０    機能層
７５０    液晶表示素子
７５０（ｉ，ｊ）    液晶表示素子
７５１    電極
７５１Ｂ    反射膜
７５１Ｈ    領域
７５２Ａ    電極
７５２Ｂ    電極
７５３    層
７５３Ｕ    上層部
７６１    配線
７６２    配線
７７０    基板
７７０Ｂ    接合層
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７０ＰＡ    機能膜
７７０ＰＢ    機能膜
７７１    絶縁膜
７７１Ａ    絶縁膜
７７１Ｂ    絶縁膜
３５０１    パルス電圧出力回路
３５０２    電流検出回路
３５０３    容量
３５１０    配線
３５１１    配線
３５２２    共通電極
３６０１    期間
３６０２    期間
３６２１    期間
３６２２    表示期間
３６２３    期間
３６２６    センシング期間
３６２７    期間
５２００Ｂ    情報処理装置
５２１０    演算装置
５２２０    入出力装置
５２３０    入出力パネル
５２４０    入力部
５２５０    検知部
５２９０    通信部
【図１】
2018112679.tif 000003
【図２】
2018112679.tif 000004
【図３】
2018112679.tif 000005
【図４】
2018112679.tif 000006
【図５】
2018112679.tif 000007
【図６】
2018112679.tif 000008
【図７】
2018112679.tif 000009
【図８】
2018112679.tif 000010
【図９】
2018112679.tif 000011
【図１０】
2018112679.tif 000012
【図１１】
2018112679.tif 000013
【図１２】
2018112679.tif 000014
【図１３】
2018112679.tif 000015
【図１４】
2018112679.tif 000016
【図１５】
2018112679.tif 000017
【図１６】
2018112679.tif 000018
【図１７】
2018112679.tif 000019
【図１８】
2018112679.tif 000020
【図１９】
2018112679.tif 000021
【図２０】
2018112679.tif 000022
【図２１】
2018112679.tif 000023
【図２２】
2018112679.tif 000024
【図２３】
2018112679.tif 000025
【図２４】
2018112679.tif 000026
【図２５】
2018112679.tif 000027
【図２６】
2018112679.tif 000028
【図２７】
2018112679.tif 000029
【図２８】
2018112679.tif 000030
【図２９】
2018112679.tif 000031
【図３０】
2018112679.tif 000032