(57)【要約】【課題】一つの実施形態は、磁気ディスク装置の性能を安定させることができる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態によれば、磁気ディスクとヘッドスライダと制御部とを有する磁気ディスク装置が提供される。ヘッドスライダは、第１の素子と第２の素子と第１のヒータと第２のヒータとを有する。第１の素子は、磁気ディスクに対向する。第２の素子は、磁気ディスクに対向する。第１のヒータは、第１の素子の近傍に配されている。第２のヒータは、第２の素子の近傍に配されている。制御部は、第１の素子、又は、第２の素子による、ディスクに対する処理が実行されている間に、第１のヒータ及び第２のヒータへ供給する電力の割合を制御する。【選択図】図１
2018032452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクに対向する第１の素子と前記磁気ディスクに対向する第２の素子と前記第１の素子の近傍に配された第１のヒータと前記第２の素子の近傍に配された第２のヒータとを有するヘッドスライダと、
前記第１の素子、又は、前記第２の素子による、前記ディスクに対する処理が実行されている間に、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給する電力の割合を制御する制御部と、
を備えた磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給する電力の合計をさらに制御する
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ヘッドスライダの前記磁気ディスクへの吸着又は接触に対応する状態を検出したことに応じて、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給する電力の割合を変更する
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記状態を検出したことに応じて、前記割合を変更するとともに前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給する電力の合計を変更する
請求項３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記状態を検出し且つ前記ヘッドスライダにおける前記磁気ディスクへ突出する端面が第１の面積を有する場合、前記端面の面積が前記第１の面積より小さい第２の面積になるように前記割合を変更する
請求項３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記状態を検出し且つ前記端面が第１の面積を有する場合、前記端面の面積が前記第２の面積になるように前記割合を変更するとともに前記端面から前記磁気ディスクへの距離が目標距離に近づくように前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給する電力の合計を変更する
請求項５に記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記制御部は、リード動作又はライト動作において前記状態を検出した場合、前記割合を変更して、リードリトライ動作又はライトリトライ動作を行う
請求項３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記リードリトライ動作又は前記ライトリトライ動作において前記状態を検出した場合、前記割合をさらに変更して、リードリトライ動作又はライトリトライ動作を再び行う
請求項７に記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記ヘッドスライダにより前記磁気ディスクから読み出されたサーボ信号に対するゲインが閾値より低くなったことに応じて、前記状態を検出する
請求項３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記状態を検出した場合、前記割合を決定し、決定された割合に応じて、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給すべき電力の合計を求める
請求項４に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに対する電力の割合と電力の合計とが対応付けられた対応情報を有し、前記対応情報における前記決定された割合に対応する電力の合計を前記供給すべき電力の合計として求める
請求項１０に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１２】
前記第１の素子は、前記磁気ディスクから情報を読み出すリーダを含み、
前記第２の素子は、前記磁気ディスクに情報を書き込むライタを含み、
前記第１のヒータは、前記ヘッドスライダにおける前記リーダの近傍に配されたリーダ用ヒータを含み、
前記第２のヒータは、前記ヘッドスライダにおける前記ライタの近傍に配されたライタ用ヒータを含む
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１３】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクに対向するリーダと前記磁気ディスクに対向するライタと前記リーダの近傍に配されたリーダ用ヒータと前記ライタの近傍に配されたライタ用ヒータとを有するヘッドスライダと、
前記リーダによる前記ディスクに対するリード処理が実行されている間、又は、前記ライタによる前記ディスクに対するライト処理が実行されている間に、前記磁気ディスクから前記リーダを介して読み出されたリード信号のレベルがスライスレベルより高くなったことに応じて、前記リーダ用ヒータ及び前記ライタ用ヒータへ供給する電力の割合を変更する制御部と、
を備えた磁気ディスク装置。
【請求項１４】
前記制御部は、前記リード信号のレベルが前記スライスレベルより高くなったことに応じて、前記割合を変更するとともに前記リーダ用ヒータ及び前記ライタ用ヒータへ供給する電力の合計を変更する
請求項１３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１５】
磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対向する第１の素子と前記磁気ディスクに対向する第２の素子と前記第１の素子の近傍に配された第１のヒータと前記第２の素子の近傍に配された第２のヒータとを有するヘッドスライダと、を有する磁気ディスク装置における前記ヘッドスライダの前記磁気ディスクへの吸着又は接触に対応する状態を検出することと、
前記状態を検出したことに応じて、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給する電力の割合を変更することと、
を備えた制御方法。
【請求項１６】
前記状態を検出したことに応じて、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータへ供給する電力の合計を変更することをさらに備えた
請求項１５に記載の制御方法。
【請求項１７】
前記割合の変更は、
前記状態を検出し且つ前記ヘッドスライダにおける前記磁気ディスクへ突出する端面が第１の面積を有する場合、前記端面の面積が前記第１の面積より小さい第２の面積になるように前記割合を変更することを含む
請求項１５に記載の制御方法。
【請求項１８】
前記合計の変更は、
前記状態を検出した場合、前記ヘッドスライダにおける前記磁気ディスクへ突出する端面から前記磁気ディスクへの距離が目標距離に近づくように前記合計を変更することを含む
請求項１６に記載の制御方法。
【請求項１９】
前記状態の検出は、
リード動作又はライト動作において前記ヘッドスライダの前記磁気ディスクへの吸着又は接触に対応する状態を検出することを含み、
前記制御方法は、
前記割合が変更された状態でリードリトライ動作又はライトリトライ動作を行うことを含む
請求項１５に記載の制御方法。
【請求項２０】
前記制御方法は、
前記リードリトライ動作又は前記ライトリトライ動作において前記ヘッドスライダの前記磁気ディスクへの吸着又は接触に対応する状態を検出することと、
前記状態を検出したことに応じて、前記割合をさらに変更することと、
前記割合がさらに変更された状態でリードリトライ動作又はライトリトライ動作を行うことと、
をさらに含む
請求項１９に記載の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、磁気ディスク装置及び制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、ＤＦＨ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｆｌｙｉｎｇ  Ｈｅｉｇｈｔ）制御を行うことがある。ＤＦＨ制御では、ヘッドスライダに搭載したヒータに通電し、ヘッドスライダに熱膨張を行わせることで、ヘッドスライダの磁気ディスクからの磁気スペーシングを調節する。このとき、磁気ディスク装置の性能を安定させることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第８７４９９２０号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／００９９２１８号明細書
【特許文献３】特開２００９−１２９５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一つの実施形態は、磁気ディスク装置の性能を安定させることができる磁気ディスク装置及び制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの実施形態によれば、磁気ディスクとヘッドスライダと制御部とを有する磁気ディスク装置が提供される。ヘッドスライダは、第１の素子と第２の素子と第１のヒータと第２のヒータとを有する。第１の素子は、磁気ディスクに対向する。第２の素子は、磁気ディスクに対向する。第１のヒータは、第１の素子の近傍に配されている。第２のヒータは、第２の素子の近傍に配されている。制御部は、第１の素子、又は、第２の素子による、ディスクに対する処理が実行されている間に、第１のヒータ及び第２のヒータへ供給する電力の割合を制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態にかかる磁気ディスク装置の構成を示すブロック図。
【図２】実施形態におけるヘッドスライダの構成を示す平面図。
【図３】実施形態におけるヘッドスライダの構成を示す断面図。
【図４】実施形態におけるＤＦＨ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｆｌｙｉｎｇ  Ｈｅｉｇｈｔ）制御及びスナッピング現象を示す側面図。
【図５】ＤＦＨ制御時におけるスナッピング現象を示す図。
【図６】実施形態におけるスナッピング現象の検出を示す図。
【図７】実施形態におけるヘッドスライダの突出端面の面積（ＴＤＡ）とスナッピング現象の発生率との関係を示す図。
【図８】実施形態におけるヒータ電力の割合（ＨＰｒａｔｉｏ）とヘッドスライダの突出端面の面積（ＴＤＡ）との関係を示す図。
【図９】実施形態におけるヒータ電力の割合（ＨＰｒａｔｉｏ）とヘッドスライダの突出端面の断面形状との関係を示す図。
【図１０】実施形態におけるヒータ電力の割合（ＨＰｒａｔｉｏ）とヒータ電力の合計（ＴｏｔａｌＨＰ）の調整値との関係を示す図。
【図１１】実施形態にかかる磁気ディスク装置の動作を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（実施形態）
実施形態にかかる磁気ディスク装置について図１を用いて説明する。図１は、磁気ディスク装置１の構成を示す図である。
【０００９】
磁気ディスク装置１は、例えばハードディスクドライブであり、ホスト４０に対する外部記憶装置として機能する。
【００１０】
具体的には、磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１１、スピンドルモータ１２、ヘッドスライダ２２、アクチュエータアーム１５、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６、ランプ２３、制御部３３を備える。磁気ディスク１１、スピンドルモータ１２、ヘッドスライダ２２、アクチュエータアーム１５、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６、ランプ２３、制御部３３の一部は、筐体（図示せず）の内部に収容されている。制御部３３の他の部分は、基板上（筐体の外部）に配置される。
【００１１】
制御部３３は、ヘッドアンプ２４、モータドライバ２１、及びコントローラ３２を有する。ヘッドアンプ２４は、バイアス回路２４ａ、バイアスレジスタ２４ｂ、及び電力供給部２４ｅを有する。コントローラ３２は、リードライトチャネル（ＲＤＣ）２５と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）３１と、ＣＰＵ２６、ＳＲＡＭ２７、フラッシュＲＯＭ２８、及びバッファＲＡＭ２９を有する。
【００１２】
なお、ヘッドアンプ２４のパッケージは、アクチュエータアーム１５に固定される基板上に配され得る。コントローラ３２は、１チップの集積回路（システムオンチップ）として構成され得る。コントローラ３２のパッケージは、筐体の外側のプリント基板上に配され得る。
【００１３】
磁気ディスク１１は、各種情報を磁気的に記録する円盤状の記録媒体であり、スピンドルモータ１２により回転駆動される。磁気ディスク１１は、スピンドルモータ１２の回転中心近傍を中心とする同心円状の複数のトラックまたはらせん状の１本のトラックを有する。各トラックでは、データ領域ＤＴとサーボ領域ＳＶとが周方向に交互に複数設けられている。
【００１４】
アクチュエータアーム１５は、ピボット１７に回動自在に取り付けられている。このアクチュエータアーム１５の一端にヘッドスライダ２２が取り付けられている。アクチュエータアーム１５の他端にはＶＣＭ１６が接続されている。このＶＣＭ１６がアクチュエータアーム１５をピボット１７周りに回転させ、ヘッドスライダ２２を磁気ディスク１１の任意の半径位置上に浮上した状態で位置決めする。このとき、ＣＰＵ２６は、サーボ領域ＳＶ（図６参照）からヘッドスライダ２２内のリーダ２０２（図２を参照）で読み出されたサーボ信号（サーボ情報）を用いて、ヘッドスライダ２２の位置決めのためのサーボ制御（位置決め制御）を行う。
【００１５】
モータドライバ２１は、ＣＰＵ２６からの指令により、スピンドルモータ１２を駆動して、回転軸を中心に磁気ディスク１１を所定の回転数で回転させる。また、モータドライバ２１は、ＣＰＵ２６からの指令により、ＶＣＭ１６を駆動して、アクチュエータアーム１５の一端のヘッドスライダ２２を磁気ディスク１１の半径方向に移動させる。
【００１６】
ヘッドスライダ２２は、磁気ディスク１１に対してユーザデータを書き込んだり、磁気ディスク１１に記録された情報（ユーザデータ及びサーボ情報）を読み出したりする。ヘッドスライダ２２は、例えば、図２及び図３に示す構成を有する。図２は、磁気ディスク１１の記録面側から見たヘッドスライダ２２の構成を示す平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ線で切ったヘッドスライダ２２の構成を示す断面図である。
【００１７】
図２及び図３に示すように、ヘッドスライダ２２は、デュアルヒータ構造を採用し、スライダ２０５に、ライタ２０１とリーダ（ＭＲヘッド）２０２とライタヒータ２０３とリーダヒータ２０４とが設けられた構成となっている。
【００１８】
ライタ２０１は、磁気ディスク１１に対向している。ライタ２０１は、その磁極から発生する磁界により、磁気ディスク１１のデータ領域ＤＴにデータを書き込む。リーダ２０２は、磁気ディスク１１に対向している。リーダ２０２は、磁気ディスク１１上の磁界の変化をデータとして読み取ることで、磁気ディスク１１に記録された情報（ユーザデータ及びサーボ情報）を読み出す。なお、磁気ディスク１１の回転が停止しているときなどは、ヘッドスライダ２２は、ランプ２３（図１参照）上に退避される。
【００１９】
ライタヒータ２０３は、ライタ２０１の近傍に設けられている。リーダヒータ２０４は、リーダ２０２の近傍に設けられている。ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４の通電がいずれもオフされている場合、図３に示すように、ライタ２０１における磁気ディスク１１側の先端２０１ａがリーダ２０２における磁気ディスク１１側の先端２０２ａより磁気ディスク１１に近い位置となる。図３では、リーダ２０２の基準高さ位置Ｈｒに対するライタ２０１の基準高さ位置Ｈｗの差を基準オフセットΔＯＦとして示している。基準高さ位置Ｈｒは、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４の通電がいずれもオフされている場合におけるリーダ２０２の先端２０２ａの高さ位置である。基準高さ位置Ｈｗは、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４の通電がいずれもオフされている場合におけるライタ２０１の先端２０１ａの高さ位置である。
【００２０】
このとき、スライダ２０５における磁気ディスク１１への対向面は、ライタ２０１の先端２０１ａを含む第１の領域２０５ｗとリーダ２０２の先端２０２ａを含む第２の領域２０５ｒとを有する。リーダ２０２の先端２０２ａから磁気ディスク１１までの距離を磁気スペーシングΔＳＰと呼ぶことにする。
【００２１】
ライタヒータ２０３は、電力供給部２４ｅからバイアス回路２４ａ（何れも図１を参照）経由で電力供給を受けてスライダ２０５におけるライタ２０１の近傍の領域を加熱する。この加熱により、スライダ２０５が熱変形するため、ライタ２０１の近傍において、ヘッドスライダ２２のうちライタ２０１近傍の磁気ディスク１１からの磁気スペーシングΔＳＰが変化する。
【００２２】
リーダヒータ２０４は、電力供給部２４ｅからバイアス回路２４ａ経由で電力供給を受けてスライダ２０５におけるリーダ２０２の近傍の領域を加熱する。この加熱により、スライダ２０５が熱変形するため、リーダ２０２の近傍において、ヘッドスライダ２２のうちリーダ２０２近傍の磁気ディスク１１からの磁気スペーシングΔＳＰが変化する。
【００２３】
図１に戻り、ヘッドアンプ２４は、リード動作時に、リーダ２０２が磁気ディスク１１から読み取った信号（リード信号）を増幅してＲＤＣ２５に出力する。このとき、ＣＰＵ２６は、電力供給部２４ｅからバイアス回路２４ａを介してリーダ２０２にバイアス電流が通電されるように制御する。ＲＤＣ２５は、ヘッドアンプ２４からの信号をさらに増幅する。ＲＤＣ２５は、ＡＧＣ回路２５ａを有し、ＡＧＣ回路２５ａを用いてＡＧＣ（Ａｕｔｏ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）制御を行い、信号レベルが目標レベルになるようにＣＰＵ２６で決定されたゲインで信号（リード信号）を増幅する。
【００２４】
また、ヘッドアンプ２４は、ライト動作時に、ＲＤＣ２５から供給された書き込み信号（ライト信号）をライト電流に変換して、ライタ２０１に出力する。
【００２５】
磁気ディスク装置１では、リード動作時及びライト動作時において、ＤＦＨ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｆｌｙｉｎｇ  Ｈｅｉｇｈｔ）制御を行うことがある。ＤＦＨ制御では、ＣＰＵ２６が、電力供給部２４ｅからバイアス回路２４ａ経由でライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４に対して電力供給を行うように制御する。すなわち、ＣＰＵ２６は、ヘッドスライダ２２に搭載されたライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４に電力供給部２４ｅからバイアス回路２４ａ経由でＤＦＨパワーを通電し、ヘッドスライダ２２に熱膨張を行わせる。これにより、磁気スペーシングΔＳＰを調節できる。
【００２６】
例えば、磁気ディスク装置１は、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すような制御を行う。図４（ａ）、図４（ｂ）は、アクチュエータアーム１５及びヘッドスライダ２２を側方から見た側面図であり、ＤＦＨ制御を説明するための図である。ヘッドスライダ２２では、ライタ２０１とリーダ２０２との近傍に、それぞれ、ライタヒータ２０３、リーダヒータ２０４が実装されている。そして、ＣＰＵ２６は、図１に示すように、電力供給部２４ｅに電力供給指令を送出し、これを受けた電力供給部２４ｅがバイアス回路２４ａ経由でライタヒータ２０３、リーダヒータ２０４に電力供給を行って、ライタヒータ２０３、リーダヒータ２０４を加熱する。この加熱により、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ヘッドスライダ２２のスライダ２０５が熱変形し、磁気スペーシングΔＳＰをＳＰ１からＳＰ２（＜ＳＰ１）へ短縮させることができる。
【００２７】
ライト動作時に、ライタヒータ２０３の加熱によりライタ２０１の磁気ディスク１１からの距離（≒磁気スペーシングΔＳＰ）を小さくすれば、その分、ライタ２０１からの磁束が磁気ディスク１１に対して強く働くので、書き込み特性を向上でき、書き込まれたデータをリードした際のエラーレイトを改善でき、磁気ディスク１１への高面密度の達成が可能となる。
【００２８】
また、リード動作時に、リーダヒータ２０４の加熱によりリーダ２０２の磁気ディスク１１からの距離（≒磁気スペーシングΔＳＰ）を小さくすれば、その分、磁気ディスク１１の磁力がリーダ２０２に対して強く働くので、読み出し特性を改善でき、リード動作時のデータ及びサーボ情報のエラーレイトを改善でき、磁気ディスク１１への高面密度の達成が可能となる。このようにしてＤＦＨ制御によりコントロールされた磁気スペーシングΔＳＰはバックオフと呼ばれることがある。
【００２９】
ここで、磁気スペーシングΔＳＰをＳＰ２へ短縮すると、図４（ｃ）に示すように、ヘッドスライダ２２と磁気ディスク１１との間に吸引力が働きヘッドスライダ２２が磁気ディスク１１に吸着するスナッピング現象が発生することがある。図４（ｃ）は、アクチュエータアーム１５及びヘッドスライダ２２を側方から見た側面図であり、スナッピング現象を説明するための側面図である。ヘッドスライダ２２と磁気ディスク１１との間の吸引力は、ヘッドスライダ２２と磁気ディスク１１との間に働き得る様々な力（例えば、静電的引力、ファンデルワールス力、化学的な吸着力など）を含み得る。磁気スペーシングΔＳＰがＳＰ２付近になることなどにより、スナッピング現象が頻繁に発生すると、磁気ディスク１１の回転が妨げられたり磁気ディスク１１やスライダ２０５が物理的に損傷したりすることなどにより、ライト動作又はリード動作を適正に行うことが困難になる。
【００３０】
スナッピング現象の発生を抑制するためには、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４へ供給する電力を下げ、磁気スペーシングΔＳＰをＳＰ２からＳＰ３（ＳＰ２＜ＳＰ３＜ＳＰ１）へ増加させることが考えられる。
【００３１】
しかし、磁気スペーシングΔＳＰをＳＰ３へ増加させると、スナッピング現象の発生は抑制されるが、リード性能が低下してアンリカバードなリードエラーを誘発したり、ライト性能が低下してＷｅａｋ  Ｗｒｉｔｅなどのライトエラーを誘発したりする可能性が大きくなる。
【００３２】
そこで、実施形態では、デュアルヒータ構造を有する磁気ディスク装置１において、スナッピング現象を検出してライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４に供給する電力の割合及び合計を制御することで、磁気スペーシングΔＳＰを目標値（ＳＰ２）に近づけながらスナッピング現象の発生の抑制を図る。
【００３３】
具体的には、制御部３３は、データのライト動作／リード動作中にスナッピング現象を検出した際に、スナッピング現象が発生しにくくなるように、ライタヒータ２０３へ供給する電力とリーダヒータ２０４へ供給する電力との割合（Ｒ／Ｗヒータ電力比）を変更する。例えば、ヘッドスライダ２２（スライダ２０５）における磁気ディスク１１への対向面のうち最も磁気ディスク１１に近い位置に突出した端面を突出端面と呼ぶことにする。制御部３３は、ヘッドスライダ２２における突出端面の面積が現在の面積より狭くなるように、Ｒ／Ｗヒータ電力比を変更する。このとき、供給される電力とその加熱量との特性について、ライタヒータ２０３とリーダヒータ２０４との間で若干差がある。ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４の合計電力が一定であっても、Ｒ／Ｗヒータ電力比が変化することで、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４による加熱量の合計が変化することがあり、磁気スペーシングΔＳＰが変化し得る。そのため、制御部３３は、変更後のＲ／Ｗヒータ電力比に応じて、ヘッドスライダ２２における突出端面から磁気ディスク１１までの距離（磁気スペーシングΔＳＰ）が目標値（ＳＰ２）に近づくように、ライタヒータ２０３へ供給すべき電力とリーダヒータ２０４へ供給すべき電力との合計を変更する。制御部３３は、それらの変更を行った状態で、リードリトライ動作又はライトリトライ動作を行う。
【００３４】
ここで、スナッピング現象を検出するためには、スナッピング現象の発生の前後で変化するパラメータが必要になる。例えば、制御部３３は、ＤＦＨ制御を行い、「ＴｏｔａｌＨＰ」（トータルヒータパワー）を増加させていく。但し、このとき、Ｒ／Ｗヒータ電力比は維持しておく。「ＴｏｔａｌＨＰ」は、ライタヒータ２０３へ供給すべき電力とリーダヒータ２０４へ供給すべき電力と合計を表すパラメータである。例えば、ライタヒータ２０３へ供給すべき電力をＰ２０３、リーダヒータ２０４へ供給すべき電力をＰ２０４とすると、次の数式１が成り立つ。
ＴｏｔａｌＨＰ＝Ｐ２０３＋Ｐ２０４・・・数式１
【００３５】
制御部３３が「ＴｏｔａｌＨＰ」を増加させていくと、ＴｏｔａｌＨＰ＝ＨＰ２になり磁気スペーシングΔＳＰがＳＰ２（例えば、ＳＰ２＝１．５ｎｍ）になった際に、図５（ａ）に破線で囲って示すように、スナッピング現象が発生して磁気スペーシングΔＳＰが急激に減少して０に近づく。すなわち、ライト動作／リード動作において磁気スペーシングΔＳＰが適正なライト動作／リード動作に適した値ＳＰ２に維持される場合、磁気スペーシングΔＳＰがＳＰ２でもスナッピング現象がみられることから、ライト動作／リード動作中でもスナッピング現象が起こる可能性があると考えられる。
【００３６】
スナッピング現象が発生して磁気スペーシングΔＳＰが急激に減少して０に近づくと、リーダ２０２を介して磁気ディスク１１から読み出されるリード信号のレベルが急激に大きくなるので、ＡＧＣ回路２５ａ（図１参照）において信号レベルが目標レベルになるように増幅する際のゲインが、図５（ｂ）に破線で囲って示すように、急激に小さくなり０に近づく。すなわち、磁気スペーシングΔＳＰの変化に追従してＡＧＣ回路２５ａのゲインが変化するため、ＡＧＣ回路２５ａのゲインをモニターすることでスナッピング現象を検出可能であることが分かる。
【００３７】
例えば、図５（ｂ）及び図６に示すように、ＴｏｔａｌＨＰ＝ＨＰ２であるときのゲインＧ２と０との間の任意のゲインを閾値Ｇｔｈとして制御部３３に設定しておく。このことは、ＴｏｔａｌＨＰ＝ＨＰ２であるときに各トラックにおけるサーボ領域ＳＶから読み出されるリード信号（サーボ信号）のレベルＳ２より高いスライスレベルＳｔｈを設けることに相当する。
【００３８】
このとき、図６に示すように、サーボ信号のレベルは、磁気スペーシングΔＳＰが略一定値であれば略一定（例えば、レベルＳ２）になり、磁気スペーシングΔＳＰが急激に減少して０に近づくと急激に増加してスライスレベルＳｔｈを超える。ＡＧＣ回路２５ａにおけるサーボ信号に対するゲイン（サーボゲイン）は、磁気スペーシングΔＳＰが略一定値であれば略一定（例えば、ゲイン値Ｇ２）になり、磁気スペーシングΔＳＰが急激に減少して０に近づくと急激に減少して閾値Ｇｔｈより低くなる。このため、ＡＧＣ回路２５ａにおけるサーボゲインをモニターして閾値Ｇｔｈと比較することでスナッピング現象を正確に検出できる。すなわち、スナッピング現象を検出するためのパラメータとして、サーボゲインを用いることができる。
【００３９】
例えば、制御部３３は、ヘッドスライダ２２が目標トラックにオントラックしたら、目標トラックのサーボ領域ＳＶからサーボ信号が読み出されるサーボタイミング毎に、サーボ信号に対してＡＧＣ回路２５ａのゲインを決定する。制御部３３は、サーボタイミング毎に、サーボ信号のゲイン（サーボゲイン）と閾値Ｇｔｈとを比較する。制御部３３は、サーボゲインが閾値Ｇｔｈより大きければ、スナッピング現象が発生していないと判断し、サーボゲインが閾値Ｇｔｈより小さければ、スナッピング現象が発生していると判断する。
【００４０】
制御部３３は、スナッピング現象が発生していると判断した場合、スナッピング現象が発生しにくくなるように「ＨＰｒａｔｉｏ」（ヒータパワー比率）［％］を変更する。「ＨＰｒａｔｉｏ」は、ＴｏｔａｌＨＰのうちリーダヒータ２０４へ供給すべき電力の割合を表すパラメータである。例えば、ライタヒータ２０３へ供給すべき電力をＰ２０３、リーダヒータ２０４へ供給すべき電力をＰ２０４とすると、数式２が成り立つ。
ＨＰｒａｔｉｏ［％］＝｛Ｐ２０４／（ＴｏｔａｌＨＰ）｝×１００
＝｛Ｐ２０４／（Ｐ２０３＋Ｐ２０４）｝×１００
・・・数式２
また、ライタヒータ２０３へ供給すべき電力の割合は、次の数式３で表される。
１−ＨＰｒａｔｉｏ［％］＝１−｛Ｐ２０４／（ＴｏｔａｌＨＰ）｝×１００
＝｛Ｐ２０３／（Ｐ２０３＋Ｐ２０４）｝×１００
・・・数式３
【００４１】
ここで、スナッピング現象を発生しにくくするようにＨＰｒａｔｉｏ［％］を変更するにはどうしたらよいかを考える。ヘッドスライダ２２の突出端面の面積とスナッピング現象の発生率との関係を検討したところ、図７に示す結果が得られた。図７は、ヘッドスライダ２２の突出端面の面積とスナッピング現象の発生率との関係を示す図である。図７に示されるように、ヘッドスライダ２２における突出端面の面積ＴＤＡを狭くするほどスナッピング現象の発生率が減少する傾向にある。スナッピング現象を発生しにくくするためには、ヘッドスライダ２２における突出端面の面積ＴＤＡを狭くすればよいと考えられる。
【００４２】
ヘッドスライダ２２における突出端面の面積ＴＤＡは、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４によるスライダ２０５の加熱量に依存して変化すると考えられる。ＨＰｒａｔｉｏ［％］と突出端面の面積ＴＤＡとの関係について検討を行ったところ、図８に示す結果が得られた。図８に示されるように、突出端面の面積ＴＤＡは、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０（例えば、Ｒ１０＝約５０％）のときに最大値Ａｍａｘとなり、ＨＰｒａｔｉｏがＲ１０から減少すると最大値Ａｍａｘから減少していき、ＨＰｒａｔｉｏがＲ１０から増加すると最大値Ａｍａｘから減少していく傾向にあることが分かる。
【００４３】
例えば、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１２（＜Ｒ１０）のとき、突出端面の面積ＴＤＡ＝Ａ１２（＜Ａｍａｘ）となり、ＨＰｒａｔｉｏ＝０（＜Ｒ１２）のとき、突出端面の面積ＴＤＡ＝Ａ０（＜Ａ１２）となる。また、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１１（＞Ｒ１０）のとき、突出端面の面積ＴＤＡ＝Ａ１１（＜Ａｍａｘ）となり、ＨＰｒａｔｉｏ＝１００（＞Ｒ１１）のとき、突出端面の面積ＴＤＡ＝Ａ１００（＜Ａ１１）となる。
【００４４】
図８に示す関係は、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４に対する電力の割合と突出端面の面積ＴＤＡとが対応付けられた第１の対応情報として磁気ディスク１１の管理情報格納領域に格納しておくことができる。制御部３３は、管理情報格納領域から図８に示すような第１の対応情報を読み出し、第１の対応情報に応じて変更すべきＨＰｒａｔｉｏの値を求めることができる。なお、図８に示す第１の対応情報は、磁気ディスク１１の複数トラックを含んで同心円状に設けられたゾーンごとに用意してもよい。
【００４５】
ＨＰｒａｔｉｏに応じた突出端面の面積ＴＤＡの変化を、ヘッドスライダ２２の突出端面の断面形状及び平面形状との関係で示すと図９（ａ）〜図９（ｊ）のようになる。図９（ａ）〜図９（ｅ）は、ＨＰｒａｔｉｏとヘッドスライダ２２の突出端面の断面形状との関係を示す図である。図９（ｆ）〜図９（ｊ）は、ＨＰｒａｔｉｏとヘッドスライダ２２の突出端面の平面形状との関係を示す図である。なお、図９（ａ）〜図９（ｊ）において、ＴｏｔａｌＨＰ＝ＨＰｍａｘである。ＨＰｍａｘは、突出端面の面積ＴＤＡが最大値ＡｍａｘとなるＨＰｒａｔｉｏの値に対応した、磁気スペーシングΔＳＰが目標値（ＳＰ２）に略等しくなるようなＴｏｔａｌＨＰの調整値（図８、図１０の場合、ＴＤＡ＝ＡｍａｘとなるＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０に対応したＴｏｔａｌＨＰの調整値＝ＨＰｍａｘ）である。
【００４６】
図９（ｃ）及び図９（ｈ）に示すように、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０（図８を参照）［％］（例えば、５０％）である場合、ライタヒータ２０３の加熱による、ライタ２０１近傍の基準高さ位置Ｈｗからの突出量がＰＪｗ１であり、リーダヒータ２０４の加熱による、リーダ２０２近傍の基準高さ位置Ｈｒからの突出量がＰＪｒ１（≒ＰＪｗ１＋ΔＯＦ）である。このとき、第１の領域２０５ｗと第２の領域２０５ｒとを合わせた領域が突出端面を形成しており、突出端面の面積ＴＤＡが最大値Ａｍａｘになっている。
【００４７】
図９（ｂ）及び図９（ｇ）に示すように、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１２［％］（０＜Ｒ１２＜Ｒ１０）である場合、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ１ａであり、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ２ａ（＜ＰＪｗ１ａ＋ΔＯＦ）である。このとき、第１の領域２０５ｗと第２の領域２０５ｒの一部２０５ｒ’とを合わせた領域が突出端面を形成しており、突出端面の面積ＴＤＡがＡ１２（＜Ａｍａｘ）になっている。
【００４８】
図９（ａ）及び図９（ｆ）に示すように、ＨＰｒａｔｉｏ＝０［％］である場合、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ１ｂであり、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ３ｂ（＜＜ＰＪｗ１ｂ＋ΔＯＦ）である。このとき、第１の領域２０５ｗが突出端面を形成しており、突出端面の面積ＴＤＡがＡ０（＜Ａ１２）になっている。
【００４９】
図９（ｄ）及び図９（ｉ）に示すように、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１１［％］（Ｒ１０＜Ｒ１１＜１００）である場合、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ１ａであり、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ２ａ（＜ＰＪｒ１ａ−ΔＯＦ）である。このとき、第１の領域２０５ｗの一部２０５ｗ’と第２の領域２０５ｒとを合わせた領域が突出端面を形成しており、突出端面の面積ＴＤＡがＡ１１（＜Ａｍａｘ）になっている。
【００５０】
図９（ｅ）及び図９（ｊ）に示すように、ＨＰｒａｔｉｏ＝１００［％］である場合、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ１ｂであり、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ３ｂ（＜＜ＰＪｒ１ｂ−ΔＯＦ）である。このとき、第２の領域２０５ｒが突出端面を形成しており、突出端面の面積ＴＤＡがＡ１００（＜Ａ１１）になっている。
【００５１】
各条件において、供給される電力とその加熱量との特性について、ライタヒータ２０３とリーダヒータ２０４との間で若干差がある。ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４の合計電力が一定であっても、Ｒ／Ｗヒータ電力比の変化に応じて、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４による加熱量の合計が変化することがあり、ヘッドスライダ２２の突出端面の高さ位置が変化し得る。すなわち、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４の合計電力及びそれぞれへの供給電力の割合に応じて、ヘッドスライダ２２のリーダ２０２の先端２０２ａから磁気ディスク１１までの磁気スペーシングΔＳＰが変化し得る。
【００５２】
磁気ディスク装置１のライト性能及びリード性能を安定させるために、磁気スペーシングΔＳＰを目標値（ＳＰ２）に略等しく維持させることを考える。ＨＰｒａｔｉｏ［％］と、磁気スペーシングΔＳＰが目標値（ＳＰ２）に略等しくなるようなＴｏｔａｌＨＰの値と、の関係について検討を行ったところ、図１０に示す結果が得られた。図１０は、ＨＰｒａｔｉｏ［％］と、磁気スペーシングΔＳＰが目標値（ＳＰ２）に略等しくなるようなＴｏｔａｌＨＰの調整値と、の関係を示す図である。図１０は、ＨＰｒａｔｉｏ［％］ごとに調整すべきＴｏｔａｌＨＰの値を示す図とみなすことができる。図１０に示されるように、ＴｏｔａｌＨＰの調整値は、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０（例えば、約５０％）のときに最大値ＨＰｍａｘとなり、ＨＰｒａｔｉｏがＲ１０から減少すると最大値ＨＰｍａｘから減少していき、ＨＰｒａｔｉｏがＲ１０から増加すると最大値ＨＰｍａｘから減少していく傾向にあることが分かる。
【００５３】
例えば、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１２（＜Ｒ１０）のとき、ＴｏｔａｌＨＰの調整値＝ＨＰ１２（＜ＨＰｍａｘ）となり、ＨＰｒａｔｉｏ＝０（＜Ｒ１２）のとき、ＴｏｔａｌＨＰの調整値＝ＨＰ０（＜ＨＰ１２）となる。また、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１１（＞Ｒ１０）のとき、ＴｏｔａｌＨＰの調整値＝ＨＰ１１（＜ＨＰｍａｘ）となり、ＨＰｒａｔｉｏ＝１００（＞Ｒ１１）のとき、ＴｏｔａｌＨＰの調整値＝ＨＰ１００（＜ＨＰ１１）となる。
【００５４】
図１０に示す関係は、ライタヒータ２０３及びリーダヒータ２０４に対する電力の割合とそれぞれの電力の合計とが対応付けられた第２の対応情報として磁気ディスク１１の管理情報格納領域に格納しておくことができる。制御部３３は、管理情報格納領域から図１０に示すような第２の対応情報を読み出し、第２の対応情報に応じて所望のＨＰｒａｔｉｏに対応するＴｏｔａｌＨＰの値を求めることができる。なお、図１０に示す第２の対応情報は、磁気ディスク１１の複数トラックを含んで同心円状に設けられたゾーンごとに用意してもよい。
【００５５】
例えば、ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１２［％］（０＜Ｒ１２＜Ｒ１０）である場合、ＴｏｔａｌＨＰの値をＨＰｍａｘ→ＨＰ１２に変更する。これにより、図９（ｂ）及び図９（ｇ）に示すように、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ１ａ→ＰＪｗ１になり、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ２ａ→ＰＪｒ２になる。この結果、突出端面の高さ位置がＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０［％］のときと略等しくなり、磁気スペーシングΔＳＰを目標値（ＳＰ２）に略等しくできる。
【００５６】
ＨＰｒａｔｉｏ＝０［％］である場合、ＴｏｔａｌＨＰの値をＨＰｍａｘ→ＨＰ０に変更する。これにより、図９（ａ）及び図９（ｆ）に示すように、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ１ｂ→ＰＪｗ１になり、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ３ｂ→ＰＪｒ３になる。この結果、突出端面の高さ位置がＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０［％］のときと略等しくなり、磁気スペーシングΔＳＰを目標値（ＳＰ２）に略等しくできる。
【００５７】
ＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１１［％］（Ｒ１０＜Ｒ１１＜１００）である場合、ＴｏｔａｌＨＰの値をＨＰｍａｘ→ＨＰ１１に変更する。これにより、図９（ｄ）及び図９（ｉ）に示すように、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ１ａ→ＰＪｒ１になり、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ２ａ→ＰＪｗ２になる。この結果、突出端面の高さ位置がＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０［％］のときと略等しくなり、磁気スペーシングΔＳＰを目標値（ＳＰ２）に略等しくできる。
【００５８】
ＨＰｒａｔｉｏ＝１００［％］である場合、ＴｏｔａｌＨＰの値をＨＰｍａｘ→ＨＰ１００に変更する。これにより、図９（ｅ）及び図９（ｊ）に示すように、リーダヒータ２０４の加熱によるリーダ２０２近傍の突出量がＰＪｒ１ｂ→ＰＪｒ１になり、ライタヒータ２０３の加熱によるライタ２０１近傍の突出量がＰＪｗ３ｂ→ＰＪｗ３になる。この結果、突出端面の高さ位置がＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０［％］のときと略等しくなり、磁気スペーシングΔＳＰを目標値（ＳＰ２）に略等しくできる。
【００５９】
次に、磁気ディスク装置１の動作について図１１を用いて説明する。図１１は、磁気ディスク装置１の動作を示すフローチャートである。
【００６０】
磁気ディスク装置１では、動作に先立ち、次の４つの情報ＩＮＦ１〜ＩＮＦ４を磁気ディスク１１の管理情報格納領域に格納しておくことができる。
ＩＮＦ１：ＨＰｒａｔｉｏ［％］とヘッドスライダ２２における突出端面の面積ＴＤＡとの関係を示す情報（図８に示す第１の対応情報）
ＩＮＦ２：ＨＰｒａｔｉｏ［％］と磁気スペーシングΔＳＰが目標値（ＳＰ２）に略等しくなるようなＴｏｔａｌＨＰの調整値との関係を示す情報（図１０に示す第２の対応情報）
ＩＮＦ３：ＨＰｒａｔｉｏ変更時の変更許容範囲Ｒ１０±Ｘ［％］
ＩＮＦ４：リトライ時の許容連続スナッピング数Ｙ
【００６１】
磁気ディスク装置１は、ライト動作／リード動作を開始する（Ｓ１）と、ライト動作／リード動作を行いながらスナッピング現象の発生の有無を検出する（Ｓ２）。例えば、制御部３３は、サーボゲインが閾値Ｇｔｈより大きければ、スナッピング現象が発生していない（Ｓ２でＮｏ）と判断し、サーボゲインが閾値Ｇｔｈより小さければ、スナッピング現象が発生している（Ｓ２でＹｅｓ）と判断する。あるいは、例えば、制御部３３は、リード信号がスライスレベルＳｔｈより低ければ、スナッピング現象が発生していない（Ｓ２でＮｏ）と判断し、リード信号がスライスレベルＳｔｈより高ければ、スナッピング現象が発生している（Ｓ２でＹｅｓ）と判断する。
【００６２】
制御部３３は、スナッピング現象が発生していない（Ｓ２でＮｏ）と判断した場合、次のサーボタイミング（図６参照）まで待機する。
【００６３】
制御部３３は、スナッピング現象が発生している（Ｓ２でＹｅｓ）と判断した場合、ライト動作／リード動作を一端停止して、スナッピング現象が発生しにくくなるようにＨＰｒａｔｉｏ［％］を変更する（Ｓ３）。すなわち、制御部３３は、管理情報格納領域から情報ＩＮＦ１，ＩＮＦ３を読み出し、図８に示す第１の対応情報に基づいて、変更許容範囲Ｒ１０±Ｘ［％］内で変更すべきＨＰｒａｔｉｏの値を決定する。
【００６４】
例えば、現在のＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１０であり、
Ｒ１０−Ｘ≦Ｒ１２＜Ｒ１０＜Ｒ１１≦Ｒ１０＋Ｘ
である場合、制御部３３は、図８に示す第１の対応情報を参照して、突出端面の面積ＴＤＡが現在の値Ａｍａｘより小さいＡ１１になるように、ＨＰｒａｔｉｏの値をＲ１０からＲ１１（＞Ｒ１０）に変更することができる。あるいは、制御部３３は、図８に示す第１の対応情報を参照して、突出端面の面積ＴＤＡが現在の値Ａｍａｘより小さいＡ１２になるように、ＨＰｒａｔｉｏの値をＲ１０からＲ１２（＜Ｒ１０）に変更することができる。
【００６５】
そして、制御部３３は、変更後のＨＰｒａｔｉｏに応じて、ヘッドスライダ２２における突出端面から磁気ディスク１１までの距離（磁気スペーシングΔＳＰ）が目標値（ＳＰ２）に近づくように、ＴｏｔａｌＨＰを変更する（Ｓ４）。すなわち、制御部３３は、管理情報格納領域から情報ＩＮＦ２を読み出し、図１０に示す第２の対応情報に基づいて、変更後のＨＰｒａｔｉｏに対応したＴｏｔａｌＨＰの調整値を決定する。
【００６６】
例えば、現在のＴｏｔａｌＨＰ＝ＨＰｍａｘであり、変更後のＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１１である場合、制御部３３は、図１０に示す第２の対応情報を参照して、磁気スペーシングΔＳＰが目標値（ＳＰ２）に近づくように、ＴｏｔａｌＨＰの値をＨＰｍａｘからＨＰ１１に変更する。あるいは、現在のＴｏｔａｌＨＰ＝ＨＰｍａｘであり、変更後のＨＰｒａｔｉｏ＝Ｒ１２である場合、制御部３３は、図１０に示す第２の対応情報を参照して、磁気スペーシングΔＳＰが目標値（ＳＰ２）に近づくように、ＴｏｔａｌＨＰの値をＨＰｍａｘからＨＰ１２に変更する。
【００６７】
磁気ディスク装置１は、Ｓ３，Ｓ４の変更が行われた状態でライトリトライ動作／リードリトライ動作を行いながら（Ｓ５）、スナッピング現象の発生の有無を検出する（Ｓ６）。例えば、制御部３３は、サーボゲインが閾値Ｇｔｈより大きければ、スナッピング現象が発生していない（Ｓ６でＮｏ）と判断し、サーボゲインが閾値Ｇｔｈより小さければ、スナッピング現象が発生している（Ｓ６でＹｅｓ）と判断する。あるいは、例えば、制御部３３は、リード信号がスライスレベルＳｔｈより低ければ、スナッピング現象が発生していない（Ｓ６でＮｏ）と判断し、リード信号がスライスレベルＳｔｈより高ければ、スナッピング現象が発生している（Ｓ６でＹｅｓ）と判断する。
【００６８】
制御部３３は、スナッピング現象が発生していない（Ｓ６でＮｏ）と判断した場合、ライトリトライ動作／リードリトライ動作が完了した後に次のライト動作／リード動作を継続して行い（Ｓ７）処理を終了する。
【００６９】
制御部３３は、スナッピング現象が発生している（Ｓ６でＹｅｓ）と判断した場合、スナッピング現象の連続発生回数が許容回数（許容連続スナッピング数）を超えているか否か判断する（Ｓ８）。すなわち、制御部３３は、カウンタ（図示せず）を有し、Ｓ６でスナッピング現象が発生していると検出されたことに応じてカウンタのカウント値をカウントアップする。制御部３３は、管理情報格納領域から情報ＩＮＦ４を読み出し、カウンタのカウント値をリトライ時の許容連続スナッピング数Ｙと比較する。
【００７０】
制御部３３は、カウンタのカウント値が許容連続スナッピング数Ｙ以下であれば（Ｓ８でＮｏ）、ＨＰｒａｔｉｏを他の値に変更し（Ｓ３）、それに応じてＴｏｔａｌの値を変更して（Ｓ４）、再び、ライトリトライ動作／リードリトライ動作を行う（Ｓ５）。
【００７１】
制御部３３は、カウンタのカウント値が許容連続スナッピング数Ｙを超えていれば（Ｓ８でＹｅｓ）、他のＨＰｒａｔｉｏの値及び他のＴｏｔａｌの値を試す余地がないものとして、スナッピング現象による「装置ＮＧ」のエラーをホストに報知して（Ｓ９）処理を終了する。
【００７２】
以上のように、実施形態では、磁気ディスク装置１において、制御部３３は、データのライト動作／リード動作中にスナッピング現象を検出した際に、スナッピング現象が発生しにくくなるように、ライタヒータ２０３へ供給する電力とリーダヒータ２０４へ供給する電力との割合（Ｒ／Ｗヒータ電力比）を変更する。そして、制御部３３は、変更後のＲ／Ｗヒータ電力比に応じて、ヘッドスライダ２２におけるリーダ２０２の先端２０２ａから磁気ディスク１１までの距離（磁気スペーシングΔＳＰ）が目標値（ＳＰ２）に近づくように、ライタヒータ２０３へ供給すべき電力とリーダヒータ２０４へ供給すべき電力との合計を変更する。これにより、磁気スペーシングΔＳＰを目標値（ＳＰ２）に近づけながらスナッピング現象の発生を抑制することができる。この結果、磁気ディスク装置１のライト性能／リード性能を良好に維持しながらスナッピング現象の発生を抑制できるので、磁気ディスク装置１の性能を安定させることができる。
【００７３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７４】
１  磁気ディスク装置、１１  磁気ディスク、２２  ヘッドスライダ、３３  制御部、２０１  ライタ、２０２  リーダ、２０３  ライタヒータ、２０４  リーダヒータ。
【図１】
2018032452.tif 000003
【図２】
2018032452.tif 000004
【図３】
2018032452.tif 000005
【図４】
2018032452.tif 000006
【図５】
2018032452.tif 000007
【図６】
2018032452.tif 000008
【図７】
2018032452.tif 000009
【図８】
2018032452.tif 000010
【図９】
2018032452.tif 000011
【図１０】
2018032452.tif 000012
【図１１】
2018032452.tif 000013