(57)【要約】      （修正有）【課題】並列接続された複数の高周波増幅用トランジスタの出力信号間の位相差が抑制され、合成効率が改善された高周波増幅器モジュールを提供する。【解決手段】半導体基板２００は、複数の高周波増幅用トランジスタに対するエミッタ用電極ＰｅＤ２１、ＰｅＤ２２、ＰｅＤ２３、ＰｅＤ２４を備える。絶縁性基板８０は、複数のランド電極８１１、８１２、８１３、８１４、グランド電極８３０、８４０、および、複数のインダクタ電極７１１、７２１、７３１、７４１を備える。複数のランド電極は、絶縁性基板の表面または該表面付近に形成され、複数のエミッタ用電極がそれぞれに接合されている。グランド電極は、絶縁性基板の内部に形成されている。複数のインダクタ電極は、複数のランド電極と、グランド電極８３０およびグランド電極８４０のいずれかと個別の長さで接続する。【選択図】図３
2018032916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの高周波信号を増幅する複数の高周波増幅用トランジスタが形成された半導体基板と、
互いに対向する表面および裏面を有する絶縁性基板と、を備え、
前記半導体基板は、前記複数の高周波増幅用トランジスタのエミッタがそれぞれに接続された複数のエミッタ用電極を備え、
前記絶縁性基板は、
前記表面に形成され、前記複数のエミッタ用電極がそれぞれに接合される複数のランド電極と、
前記絶縁性基板の内部に形成されたグランド電極と、
前記複数のランド電極と前記グランド電極とを個別の長さで接続する複数のインダクタ電極と、
を備える、
高周波増幅器モジュール。
【請求項２】
前記複数のインダクタ電極の形状は、前記複数の高周波増幅用トランジスタの接続態様に応じて決定されている、
請求項１に記載の高周波増幅器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を増幅する高周波増幅器モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種の高周波増幅器が実用化されている。高周波増幅器には、送信信号の増幅を行うパワーアンプに用いられるものがあり、例えば、特許文献１に記載された高周波電力増幅器は、このようなパワーアンプに用いられるものである。
【０００３】
特許文献１に記載の高周波電力増幅器は、高周波信号増幅用ＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）を備える。高周波信号増幅用ＨＢＴのベースは、入力整合回路を介して、高周波信号入力端子に接続されている。高周波信号増幅用ＨＢＴのコレクタは、出力整合回路を介して、高周波信号出力端子に接続されている。高周波信号増幅用ＨＢＴのエミッタは、特性調整用のインダクタを介して接地されている。高周波信号増幅用ＨＢＴのベースには、ベースバイアスが印加され、コレクタには、駆動電圧が印加されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５７５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発熱による増幅特性の劣化等を考慮すると、１個の高周波増幅素子（例えば、特許文献１に記載の高周波信号増幅用ＨＢＴ）によって実現可能な出力レベルには限界がある。この場合、複数の高周波増幅素子で１個の高周波信号を増幅し、複数の高周波増幅素子の出力信号を合成する構成が考えられる。
【０００６】
しかしながら、複数の高周波増幅素子の出力信号を合成する場合、これら複数の出力信号の位相を合わさなければ、高周波増幅器としての出力レベルは低下してしまう。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、複数の高周波増幅素子を用いた優れた増幅特性を有する高周波増幅器モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の高周波増幅器モジュールは、半導体基板と絶縁性基板とを備える。半導体基板には、１つの高周波信号を増幅する複数の高周波増幅用トランジスタが形成されている。絶縁性基板は、互いに対向する表面および裏面を有する。半導体基板は、複数の高周波増幅用トランジスタのエミッタがそれぞれに接続された複数のエミッタ用電極を備える。絶縁性基板は、複数のランド電極、グランド電極、および、複数のインダクタ電極を備える。複数のランド電極は、絶縁性基板の表面に形成され、複数のエミッタ用電極がそれぞれに接合されている。グランド電極は、絶縁性基板の内部に形成されている。複数のインダクタ電極は、複数のランド電極とグランド電極とを個別の長さで接続する。
【０００９】
この構成では、複数のインダクタ電極によって、複数の高周波増幅用トランジスタの出力信号毎の位相調整が行われ、合成効率が改善される。
【００１０】
また、この発明の高周波増幅器モジュールでは、複数のインダクタ電極の形状は、複数の高周波増幅用トランジスタの接続態様に応じて決定されていることが好ましい。
【００１１】
この構成では、接続態様に応じた複数の高周波増幅用トランジスタの出力信号間の位相差が抑制され、合成効率が改善される。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、複数の高周波増幅素子を用いて、優れた増幅特性を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールを概略的に示す回路ブロック図である。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅素子の詳細構成を示す回路図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールの概略構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールの概略構成を示す部分的な外観斜視図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールのＡＣＬＲ特性図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る高周波増幅器モジュールの概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールを概略的に示す回路ブロック図である。図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅素子の詳細構成を示す回路図である。
【００１５】
図１に示すように、高周波増幅器モジュール１０は、高周波増幅素子２０、入力整合回路３０、出力整合回路４０、バイアス回路５０、チョークコイル６０、および、特性調整用インダクタ７０を備える。また、高周波増幅器モジュール１０は、高周波信号入力端子Ｐｉｎ、高周波信号出力端子Ｐｏｕｔ、および、駆動電圧印加端子Ｐｖｄを備える。
【００１６】
高周波増幅素子２０は、ベース端子Ｐｂ、コレクタ端子Ｐｃ、および、エミッタ端子Ｐｅを備える。ベース端子Ｐｂは、入力整合回路３０を介して、高周波信号入力端子Ｐｉｎに接続されている。また、ベース端子Ｐｂは、バイアス回路５０に接続されている。コレクタ端子Ｐｃは、チョークコイル６０を介して駆動電圧印加端子Ｐｖｄに接続されている。また、コレクタ端子Ｐｃは、出力整合回路４０を介して、高周波信号出力端子Ｐｏｕｔに接続されている。エミッタ端子Ｐｅは、特性調整用インダクタ７０を介して、グランドに接続されている。
【００１７】
バイアス回路５０からバイアス電圧Ｖｂが印加され、駆動電圧印加端子Ｐｖｄから駆動電圧Ｖｄが印加されることで、高周波増幅素子２０は、バイアス電圧Ｖｂに応じた増幅率で高周波信号を増幅する。この際、特性調整用インダクタ７０がエミッタ端子Ｐｅに接続されていることにより、高周波増幅素子２０の線形性は改善される。これにより、高周波増幅素子２０は、バイアス電圧Ｖｂに応じた所望の増幅率で高周波信号を増幅でき、非線形歪みの発生等の特性劣化が抑制されている。
【００１８】
さらに、高周波増幅素子２０および特性調整用インダクタ７０が次に示す構成を備えることによって、高周波増幅器モジュール１０は、優れた増幅特性を有する。
【００１９】
図２（Ａ）に示すように、高周波増幅素子２０は、個別増幅素子２１、２２、２３、２４を備える。個別増幅素子２１は、ベース端子Ｐｂ２１、コレクタ端子Ｐｃ２１、およびエミッタ端子Ｐｅ２１を備える。個別増幅素子２２は、ベース端子Ｐｂ２２、コレクタ端子Ｐｃ２２、およびエミッタ端子Ｐｅ２２を備える。個別増幅素子２３は、ベース端子Ｐｂ２３、コレクタ端子Ｐｃ２３、およびエミッタ端子Ｐｅ２３を備える。個別増幅素子２４は、ベース端子Ｐｂ２４、コレクタ端子Ｐｃ２４、およびエミッタ端子Ｐｅ２４を備える。
【００２０】
図２（Ａ）に示すように、個別増幅素子２１のベース端子Ｐｂ２１、個別増幅素子２２のベース端子Ｐｂ２２、個別増幅素子２３のベース端子Ｐｂ２３、および、個別増幅素子２４のベース端子Ｐｂ２４は、高周波増幅素子２０のベース端子Ｐｂに接続されている。ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２１との接続距離、ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２２との接続距離、ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２３との接続距離、および、ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２４との接続距離のうち、少なくとも１つの接続距離が他の接続距離と異なっている。図２（Ａ）の場合、ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２２との接続距離およびベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２３との接続距離は略同じであり、ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２１との接続距離およびベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２４との接続距離は略同じである。ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２１との接続距離と、ベース端子Ｐｂとベース端子Ｐｂ２２との接続距離とは異なる。
【００２１】
個別増幅素子２１のコレクタ端子Ｐｃ２１、個別増幅素子２２のコレクタ端子Ｐｃ２２、個別増幅素子２３のコレクタ端子Ｐｃ２３、および、個別増幅素子２４のコレクタ端子Ｐｃ２４は、高周波増幅素子２０のコレクタ端子Ｐｃに接続されている。コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２１との接続距離、コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２２との接続距離、コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２３との接続距離、および、コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２４との接続距離のうち、少なくとも１つの接続距離が他の接続距離と異なっている。図２（Ａ）の場合、コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２２との接続距離およびコレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２３との接続距離は略同じであり、コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２１との接続距離およびコレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２４との接続距離は略同じである。コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２１との接続距離と、コレクタ端子Ｐｃとコレクタ端子Ｐｃ２２との接続距離とは異なる。
【００２２】
個別増幅素子２１のエミッタ端子Ｐｅ２１は、特性調整用インダクタ７１を介してグランドに接続されている。個別増幅素子２２のエミッタ端子Ｐｅ２２は、特性調整用インダクタ７２を介してグランドに接続されている。個別増幅素子２３のエミッタ端子Ｐｅ２３は、特性調整用インダクタ７３を介してグランドに接続されている。個別増幅素子２４のエミッタ端子Ｐｅ２４は、特性調整用インダクタ７４を介してグランドに接続されている。これら特性調整用インダクタ７１、７２、７３、７４によって、高周波増幅素子２０の特性調整用インダクタ７０が構成されている。
【００２３】
なお、個別増幅素子２１、２２、２３、２４は、同じ回路構成からなる。具体的には、図２（Ｂ）に示す回路構成からなる。図２（Ｂ）では個別増幅素子２１を示しており、以下では、個別増幅素子２１の構成を説明する。
【００２４】
個別増幅素子２１は、複数の高周波増幅用トランジスタ２１１、２１２、２１３、２１４を備える。高周波増幅用トランジスタ２１１、２１２、２１３、２１４のベースは、ベース端子Ｐｂ２１に接続されている。高周波増幅用トランジスタ２１１、２１２、２１３、２１４のベースとベース端子Ｐｂ２１との各接続距離は略同じである。高周波増幅用トランジスタ２１１、２１２、２１３、２１４のコレクタは、コレクタ端子Ｐｃ２１に接続されている。高周波増幅用トランジスタ２１１、２１２、２１３、２１４のコレクタとコレクタ端子Ｐｃ２１との各接続距離は略同じである。高周波増幅用トランジスタ２１１、２１２、２１３、２１４のエミッタは、エミッタ端子Ｐｅ２１に接続されている。高周波増幅用トランジスタ２１１、２１２、２１３、２１４のエミッタとエミッタ端子Ｐｅ２１との各接続距離は略同じである。
【００２５】
このような構成の高周波増幅器モジュール１０では、ベース端子Ｐｂに入力された高周波信号は、個別増幅素子２１、２２、２３、２４のそれぞれに入力され増幅される。個別増幅素子２１、２２、２３、２４のそれぞれで増幅された出力信号は、コレクタ端子Ｐｃで合成されて出力される。
【００２６】
ここで、特性調整用インダクタ７１、７２、７３、７４は、個別増幅素子２１、２２、２３、２４の接続態様に応じてインダクタンスが決定されている。具体的には、個別増幅素子２１の出力信号の位相、個別増幅素子２２の出力信号の位相、個別増幅素子２３の出力信号の位相、および、個別増幅素子２４の出力信号の位相が高周波増幅素子２０のコレクタ端子Ｐｃにおいて略同相（より好ましくは同相）となるように、特性調整用インダクタ７１、７２、７３、７４のインダクタンスは決定されている。
【００２７】
これにより、高周波増幅素子２０における個別増幅素子２１、２２、２３、２４の出力信号の合成効率が向上する。したがって、高周波増幅器モジュール１０の増幅特性が向上される。
【００２８】
このような回路構成を実現するため、高周波増幅器モジュール１０は次の構造を備える。図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールの概略構成を示す図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールの概略構成を示す部分的な外観斜視図である。
【００２９】
図３、図４に示すように、個別増幅素子２１、２２、２３、２４は、半導体基板２００に形成されている。個別増幅素子２１、２２、２３、２４の各高周波増幅用トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）の構造を備える。
【００３０】
エミッタ用電極ＰｅＤ２１、ＰｅＤ２２、ＰｅＤ２３、ＰｅＤ２４は、半導体基板２００の裏面に形成されている。エミッタ用電極ＰｅＤ２１、ＰｅＤ２２、ＰｅＤ２３、ＰｅＤ２４の平面面積は、個別増幅素子２１、２２、２３、２４の形成領域の面積よりも大きいことが好ましい。これにより、個別増幅素子２１、２２、２３、２４の放熱効果が向上する。
【００３１】
なお、図４において記号を付していないが、個別増幅素子２１、２２、２３、２４のベース端子Ｐｂ２１、Ｐｂ２２、Ｐｂ２３、Ｐｂ２４は、半導体基板２００の裏面に形成されたベース用の電極パターンによって接続されている。このベース用の電極パターンは、ベース端子Ｐｂを形成する電極パッド（図示せず）に接続されている。個別増幅素子２１、２２、２３、２４のコレクタ端子Ｐｃ２１、Ｐｃ２２、Ｐｃ２３、Ｐｃ２４は、半導体基板２００の裏面に形成されたベース用の電極パターンによって接続されている。このコレクタ用の電極パターンは、コレクタ端子Ｐｃを形成する電極パッド（図示せず）に接続されている。
【００３２】
絶縁性基板８０には、図示していないが、図１に示す高周波増幅器モジュール１０における高周波増幅素子２０以外の回路構成要素が形成または実装されている。
【００３３】
絶縁性基板８０は、互いに対向する表面と裏面とを有する。絶縁性基板８０の表面には、ランド電極８１１、８１２、８１３、８１４が形成されている。ランド電極８１１には、導電性接合材ＡＤを介して、エミッタ用電極ＰｅＤ２１が接合されている。ランド電極８１２には、導電性接合材ＡＤを介して、エミッタ用電極ＰｅＤ２２が接合されている。ランド電極８１３には、導電性接合材ＡＤを介して、エミッタ用電極ＰｅＤ２３が接合されている。ランド電極８１４には、導電性接合材ＡＤを介して、エミッタ用電極ＰｅＤ２４が接合されている。導電性接合材ＡＤは、はんだ等であり、例えば、エミッタ用電極ＰｅＤ２１、ＰｅＤ２２、ＰｅＤ２３、ＰｅＤ２４に予め形成されたはんだバンプ等を用いることができる。
【００３４】
絶縁性基板８０の裏面には、複数のグランド用端子電極８２０が形成されている。複数のグランド用端子電極８２０は、他の回路基板等を介してグランドに接続されている。
【００３５】
絶縁性基板８０の内部には、グランド電極８３０、８４０が形成されている。グランド電極８３０、８４０は、絶縁性基板８０の厚み方向に直交する平面を有する電極パターンである。
【００３６】
グランド電極８３０、８４０は、絶縁性基板８０の厚み方向の途中位置に配置されている。グランド電極８３０は、絶縁性基板８０の裏面付近に配置されている。グランド電極８４０は、グランド電極８３０と絶縁性基板８０の表面との間に配置されている。
【００３７】
グランド電極８３０は、絶縁性基板８０を平面視して（厚み方向に視て）、ランド電極８１１、８１２、８１３、８１４に重なっている。より好ましくは、グランド電極８３０は、絶縁性基板８０を平面視して、絶縁性基板８０の略全面に亘って形成されている。
【００３８】
グランド電極８４０は、絶縁性基板８０を平面視して、ランド電極８１２、８１３に重なっている。グランド電極８４０は、絶縁性基板８０を平面視して、ランド電極８１１、８１４に重なっていない。グランド電極８４０の面積は、グランド電極８３０の面積よりも小さい。
【００３９】
絶縁性基板８０には、インダクタ電極７１１、７２１、７３１、７４１が形成されている。インダクタ電極７１１、７２１、７３１、７４１は、絶縁性基板８０の厚み方向に延びる形状の電極である。
【００４０】
インダクタ電極７１１は、ランド電極８１１とグランド電極８３０とを接続している。インダクタ電極７２１は、ランド電極８１２とグランド電極８４０とを接続している。インダクタ電極７３１は、ランド電極８１３とグランド電極８４０とを接続している。インダクタ電極７４１は、ランド電極８１４とグランド電極８３０とを接続している。
【００４１】
絶縁性基板８０には、複数のグランド用補助電極８５０が形成されている。複数のグランド用補助電極８５０は、絶縁性基板８０の厚み方向に延びる形状の電極である。複数のグランド用補助電極８５０は、絶縁性基板８０を平面視してグランド電極８３０とグランド電極８４０とが重なる領域に形成されている。複数のグランド用補助電極８５０は、グランド電極８３０とグランド電極８４０とを接続している。なお、グランド用補助電極８５０は、短いことが好ましく、グランド用補助電極８５０を短くすることによって、グランド用補助電極８５０のインダクタンスの影響を抑制できる。また、グランド用補助電極８５０の個数は多い方が好ましく、グランド用補助電極８５０の個数を多くすることによって、グランド電極８４０とグランド電極８３０との電位差が小さくなり、グランド電極８４０とグランド電極８３０とを接続する電極部のインダクタンスも小さくなる。
【００４２】
このような構成とすることで、図２の特性調整用インダクタ７１は、インダクタ電極７１１によって実現され、図２の特性調整用インダクタ７２は、インダクタ電極７２１によって実現される。図２の特性調整用インダクタ７３は、インダクタ電極７３１によって実現され、図２の特性調整用インダクタ７４は、インダクタ電極７４１によって実現される。
【００４３】
そして、図３に示すように、インダクタ電極７１１、７４１の形状は同じであり、インダクタ電極７２１、７３１の形状は同じである。さらに、インダクタ電極７１１、７４１の形状と、インダクタ電極７２１、７３１の形状とは異なる。具体的には、インダクタ電極７１１、７４１の長さと、インダクタ電極７２１、７３１の長さとは異なる。これにより、特性調整用インダクタ７１のインダクタンスと特性調整用インダクタ７４のインダクタンスとは同じになり、特性調整用インダクタ７２のインダクタンスと特性調整用インダクタ７３のインダクタンスとは同じになる。さらに、特性調整用インダクタ７１および特性調整用インダクタ７４のインダクタンスと、特性調整用インダクタ７２および特性調整用インダクタ７３のインダクタンスとは異なる。
【００４４】
この構成とすることによって、高周波増幅器モジュール１０では、個別増幅素子２１、２２、２３、２４毎に、特性調整用インダクタ７１、７２、７３、７４のインダクタンスを決定できる。したがって、上述のように、個別増幅素子２１、２２、２３、２４の線形性を確保しながら、各個別増幅素子２１、２２、２３、２４の出力信号の合成効率が向上する。これにより、高周波増幅器モジュール１０は、優れた増幅特性を実現できる。
【００４５】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュールのＡＣＬＲ（隣接チャンネル漏洩電力比）特性を示す図であり、図５（Ａ）は、隣接５ＭＨｚ帯域に対するＡＣＬＲを示し、図５（Ｂ）は、隣接１０ＭＨｚ帯域に対するＡＣＬＲを示す。図５において、実線は本願発明の特性を示し、破線は比較構成の特性を示す。比較構成は、全てのエミッタ用電極がこれらに共通のグランド電極に直接接続された構成である。
【００４６】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、いずれの帯域幅であっても、本実施形態の高周波増幅器モジュール１０のＡＣＬＲは、比較構成のＡＣＬＲよりも改善されている。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波増幅器モジュールについて、図を参照して説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る高周波増幅器モジュールの概略構成を示す図である。
【００４８】
本実施形態に係る高周波増幅器モジュール１０Ａは、第１の実施形態に係る高周波増幅器モジュール１０に対して、特性調整用インダクタの形成方法が異なる。具体的には、インダクタ電極の形状が異なる。高周波増幅器モジュール１０Ａの他の構成は、高周波増幅器モジュール１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【００４９】
図６に示すように、絶縁性基板８０Ａには、インダクタ電極７１１Ａ、７２１Ａ、７３１Ａ、７４１Ａが形成されている。絶縁性基板８０Ａは、第１の実施形態に示したグランド電極８４０を備えていない。
【００５０】
インダクタ電極７１１Ａは、ランド電極８１１とグランド電極８３０とを接続している。インダクタ電極７１１Ａは、厚み方向接続電極７１１１、７１１２、および引き回し電極７１１３を備える。引き回し電極７１１３は、厚み方向に直交する平面内で延びる線状電極である。厚み方向接続電極７１１１の一方端は、ランド電極８１１に接続されている。厚み方向接続電極７１１１の他方端は、引き回し電極７１１３の一方端に接続されている。引き回し電極７１１３の他方端は、厚み方向接続電極７１１２の一方端に接続されている。厚み方向接続電極７１１２の他方端は、グランド電極８３０に接続されている。これにより、インダクタ電極７１１Ａは、ランド電極８１１とグランド電極８３０とを直線で接続するよりも長い形状となる。したがって、直線で接続する形状よりもインダクタンスは大きくなる。
【００５１】
インダクタ電極７２１Ａは、ランド電極８１２とグランド電極８３０とを接続している。インダクタ電極７３１Ａは、ランド電極８１３とグランド電極８３０とを接続している。
【００５２】
インダクタ電極７４１Ａは、ランド電極８１４とグランド電極８３０とを接続している。インダクタ電極７４１Ａは、厚み方向接続電極７４１１、７４１２、および引き回し電極７４１３を備える。引き回し電極７４１３は、厚み方向に直交する平面内で延びる線状電極である。厚み方向接続電極７４１１の一方端は、ランド電極８１４に接続されている。厚み方向接続電極７４１１の他方端は、引き回し電極７４１３の一方端に接続されている。引き回し電極７４１３の他方端は、厚み方向接続電極７４１２の一方端に接続されている。厚み方向接続電極７４１２の他方端は、グランド電極８３０に接続されている。これにより、インダクタ電極７４１Ａは、ランド電極８１１とグランド電極８３０とを直線で接続するよりも長い形状となる。したがって、直線で接続する形状よりもインダクタンスは大きくなる。
【００５３】
このように、本実施形態に係る構成を用いても、各個別増幅素子２１、２２、２３、２４に接続される特性調整用インダクタのインダクタンスを、適宜設定することができる。
【００５４】
なお、上述の各実施形態では、インダクタンスが同じ特性調整用インダクタの組を有する場合を示した。しかしながら、複数の特性調整用インダクタのインダクタンスは、各個別増幅素子２１、２２、２３、２４の接続態様、さらには、各個別増幅素子２１、２２、２３、２４を構成する高周波増幅用トランジスタの接続態様に応じて、合成効率が向上するように、適宜設定すればよい。
【００５５】
また、上述の各実施形態では、高周波増幅素子２０を構成する個別増幅素子の個数、および、個別増幅素子を構成する高周波増幅用トランジスタの個数をそれぞれ４個とする態様を示したが、これらの個数は、高周波増幅器モジュールとして必要な出力レベル、放熱性、および増幅特性等に応じて、適宜設定すればよい。
【００５６】
また、上述の説明では、複数のインダクタ電極の内、少なくとも１つのインダクタ電極が他のインダクタ電極と異なる長さとなる態様を示したが、個別増幅素子の接続態様のよっては、全てのインダクタ電極の形状が同じであってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０、１０Ａ：高周波増幅器モジュール
２０：高周波増幅素子
２１、２２、２３、２４：個別増幅素子
３０：入力整合回路
４０：出力整合回路
５０：バイアス回路
６０：チョークコイル
７０、７１、７２、７３、７４：特性調整用インダクタ
８０、８０Ａ：絶縁性基板
２００：半導体基板
２１１：高周波増幅用トランジスタ
７１１、７１１Ａ、７２１７２１Ａ、７３１、７３１Ａ、７４１、７４１Ａ：インダクタ電極
８１１、８１２、８１３、８１４：ランド電極
８２０：グランド用端子電極
８３０、８４０：グランド電極
８５０：グランド用補助電極
７１１１、７１１２、７４１１、７４１２：厚み方向接続電極
７１１３、７４１３：引き回し電極
ＡＤ：導電性接合材
Ｐｂ、Ｐｂ２１、Ｐｂ２２、Ｐｂ２３、Ｐｂ２４：ベース端子
Ｐｃ、Ｐｃ２１、Ｐｃ２２、Ｐｃ２３、Ｐｃ２４：コレクタ端子
Ｐｅ、Ｐｅ２１、Ｐｅ２２、Ｐｅ２３、Ｐｅ２４：エミッタ端子
ＰｅＤ２１、ＰｅＤ２２、ＰｅＤ２３、ＰｅＤ２４：エミッタ用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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