(57)【要約】【課題】パラメーターの設定値が時間に応じて連続的に変更されるようパラメーターを制御するイオンビーム装置及びこれを利用するパターン形成方法並びにこれを利用する磁気記憶素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるイオンビーム装置は、その内部でイオンビームを利用する工程が遂行されるチャンバーユニットと、前記チャンバーユニットに結合され、前記工程が遂行される間に、前記チャンバーユニット内物質から発生する信号を検出する検出器と、前記チャンバーユニット及び前記検出器に接続され、前記検出器から取得した前記信号を利用して前記チャンバーユニットのパラメーターを制御する制御器と、を有し、前記制御器は、前記工程が遂行される間、前記イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されるよう前記パラメーターを制御する。【選択図】  図１
2018041728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自身の内部でイオンビームを利用する工程が遂行されるチャンバーユニットと、
前記チャンバーユニットに結合され、前記工程が遂行される間に、前記チャンバーユニット内物質から発生する信号を検出する検出器と、
前記チャンバーユニット及び前記検出器に接続され、前記検出器から取得した前記信号を利用して前記チャンバーユニットのパラメーターを制御する制御器と、を有し、
前記制御器は、前記工程が遂行される間、前記イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されるよう前記パラメーターを制御することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項２】
前記工程は、前記チャンバーユニット内に提供される基板上で遂行され、
前記検出器は、前記基板上で前記工程が遂行される間、前記基板の上の物質から発生する信号の強さを検出し、
前記制御器は、前記工程の開始から、前記検出器から取得した前記信号の強さが予め設定した値に到達する時間である特定時間を決定することを特徴とする請求項１に記載のイオンビーム装置。
【請求項３】
前記制御器は、前記特定時間の後、前記工程が終了する時まで、前記パラメーターの設定値（ｓｅｔ−ｐｏｉｎｔ）が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されるよう制御することを特徴とする請求項２に記載のイオンビーム装置。
【請求項４】
前記制御器は、前記工程の開始から前記特定時間まで、前記パラメーターの前記設定値が固定されるよう制御することを特徴とする請求項３に記載のイオンビーム装置。
【請求項５】
前記使用者指定関数は、第１使用者指定関数であり、
前記制御器は、前記工程の開始から前記特定時間まで、前記パラメーターの前記設定値が第２使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されるよう制御することを特徴とする請求項３に記載のイオンビーム装置。
【請求項６】
前記工程は、前記チャンバーユニット内に提供される基板上で遂行され、
前記検出器は、前記基板上で前記工程が遂行される間、前記基板の上の物質から発生する信号の強さを検出し、
前記制御器は、前記工程が遂行されている特定時間の後、前記工程が終了する時まで、前記パラメーターの設定値が前記検出器から取得した前記信号の強さに応じて、時間に応じて連続的に変更されるよう制御することを特徴とする請求項１に記載のイオンビーム装置。
【請求項７】
前記制御器は、前記工程の開始から、前記検出器から取得した前記信号の強さが予め設定された値に到達する時間である前記特定時間を決定することを特徴とする請求項６に記載のイオンビーム装置。
【請求項８】
前記制御器は、前記工程の開始から前記特定時間まで、前記パラメーターの前記設定値が固定されるよう制御することを特徴とする請求項６に記載のイオンビーム装置。
【請求項９】
前記制御器は、前記工程の開始から前記特定時間まで、前記パラメーターの前記設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されるよう制御することを特徴とする請求項６に記載のイオンビーム装置。
【請求項１０】
前記チャンバーユニットは、プラズマを生成するソースチャンバーと、
前記プラズマから生成される前記イオンビームを利用して前記工程が遂行されるプロセスチャンバーと、
前記ソースチャンバーと前記プロセスチャンバーとの間に提供され、前記イオンビームが前記プロセスチャンバーの内部に照射されるよう前記イオンビームを制御するグリッドと、
前記プロセスチャンバーの内部に提供され、基板をロードする（ｌｏａｄ）ためのステージと、を含み、
前記パラメーターは、前記ソースチャンバーに印加されるソースパワー、前記ソースチャンバー内に提供されるソースガスの種類及び流量、前記グリッドに印加されるグリッド電圧、前記グリッドを通じて流れるグリッド電流、及び前記ステージの傾斜角（ｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）の中の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載のイオンビーム装置。
【請求項１１】
前記工程は、前記イオンビームを利用して前記基板の上の薄膜をエッチングするエッチング工程であることを特徴とする請求項１０に記載のイオンビーム装置。
【請求項１２】
基板上に順次に積層される下部膜及びエッチング対象膜を形成する工程と、
前記エッチング対象膜をパターニングして、前記下部膜上に水平に互いに離隔するパターンを形成する工程と、を有し、
前記パターンを形成する工程は、前記エッチング対象膜の表面の上に照射されるイオンビームを利用して前記エッチング対象膜をエッチングする工程を含み、
前記エッチングする工程の間、前記イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１３】
前記エッチングする工程が遂行されている特定時間の後、前記エッチングする工程が終了する時まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されることを特徴とする請求項１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記パターンを形成する工程は、前記エッチングする工程の間、前記下部膜から発生する信号の強さを検出する工程を含み、
前記特定時間は、前記エッチングする工程を開始し、前記信号の強さが予め設定された値に到達するまでの時間であることを特徴とする請求項１３に記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
前記使用者指定関数は、第１使用者指定関数であり、
前記エッチングする工程の開始から前記特定時間まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、第２使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されることを特徴とする請求項１３に記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
前記パターンを形成する工程は、前記エッチングする工程の間、前記下部膜から発生する信号の強さを検出する工程を含み、
前記エッチングする工程が遂行されている特定時間の後、前記エッチングする工程が終了する時まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、前記信号の強さに応じて、時間に応じて連続的に変更されることを特徴とする請求項１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１７】
前記特定時間は、前記エッチングする工程を開始し、前記信号の強さが予め設定された値に到達する時までの時間であることを特徴とする請求項１６に記載のパターン形成方法。
【請求項１８】
前記エッチングする工程の開始から前記特定時間まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されることを特徴とする請求項１６に記載のパターン形成方法。
【請求項１９】
基板上に下部層間絶縁膜を形成する工程と、
前記下部層間絶縁膜を貫通して前記基板に電気的に接続される下部コンタクトプラグを形成する工程と、
前記下部層間絶縁膜上に磁気トンネル接合膜を形成する工程と、
前記磁気トンネル接合膜をパターニングして前記下部層間絶縁膜上に水平に互いに離隔する磁気トンネル接合パターンを形成する工程と、を有し、
前記磁気トンネル接合パターンを形成する工程は、前記磁気トンネル接合膜の表面の上に照射されるイオンビームを利用して前記磁気トンネル接合膜をエッチングする工程を含み、
前記エッチングする工程の間、前記イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されることを特徴とする磁気記憶素子の製造方法。
【請求項２０】
前記エッチングする工程が遂行されている特定時間の後、前記エッチングする工程が終了する時まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少することを特徴とする請求項１９に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【請求項２１】
前記磁気トンネル接合パターンを形成する工程は、前記エッチング工程の間に、前記下部層間絶縁膜から発生する信号の強さを検出する工程を含み、
前記特定時間は、前記エッチングする工程を開始し、前記信号の強さが予め設定された値に到達するまでの時間であることを特徴とする請求項２０に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【請求項２２】
前記使用者指定関数は、第１使用者指定関数であり、
前記エッチングする工程の開始から前記特定時間まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、第２使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少することを特徴とする請求項２０に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【請求項２３】
前記磁気トンネル接合パターンを形成する工程は、前記エッチングする工程の間、前記下部層間絶縁膜から発生する信号の強さを検出する工程を含み、
前記エッチング工程が遂行されている特定時間の後、前記エッチング工程が終了する時まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、前記信号の強さに応じて、時間に応じて連続的に減少することを特徴とする請求項１９に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【請求項２４】
前記特定時間は、前記エッチングする工程を開始し、前記信号の強さが予め設定された値に到達するまでの時間であることを特徴とする請求項２３に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【請求項２５】
前記エッチングする工程の開始から前記特定時間まで、前記イオンビームの前記イオンエネルギー、前記イオン電流、及び前記入射角の中の少なくとも１つは、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少することを特徴とする請求項２３に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンビーム装置及びこれを利用するパターン形成方法に関し、特に、パラメーターの設定値（ｓｅｔ−ｐｏｉｎｔ）が時間に応じて連続的に変更されるようパラメーターを制御するイオンビーム装置及びこれを利用するパターン形成方法並びにこれを利用する磁気記憶素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高速化及び／又は低消費電力化等によって、電気機器に含まれる半導体記憶素子の高速化及び／又は低い動作電圧等に対する要求が増加している。
このような要求を充足させるために、半導体記憶素子として磁気記憶素子が提案された。
磁気記憶素子は、高速動作及び／又は不揮発性等の特性を有するので、次世代半導体記憶素子として脚光を浴びている。
【０００３】
一般的に、磁気記憶素子は、磁気トンネル接合パターン（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｔｕｎｎｅｌ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｐａｔｔｅｒｎ；ＭＴＪ）を含む。
磁気トンネル接合パターンは２つの磁性体とその間に介在する絶縁膜を含む。
２つの磁性体の磁化方向に沿って磁気トンネル接合パターンの抵抗値が異なるようになる。
例えば、２つの磁性体の磁化方向が反平行である場合に磁気トンネル接合パターンは大きい抵抗値を有し、２つの磁性体の磁化方向が平行である場合に磁気トンネル接合パターンは小さい抵抗値を有する。
このような抵抗値の差を利用してデータを書き込む／読み出すことができる。
【０００４】
しかしながら、電子産業が高度に発展することによって、磁気記憶素子に対する高集積化及び／又は低消費電力化に対する要求が深化してきている。
したがって、このような要求を充足させることを課題として、多くの研究、開発が進行している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第９，０７０，８６９号明細書
【特許文献２】米国特許第９，１６６，１５４号明細書
【特許文献３】米国特許第９，２４６，０８２号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２０１５／００９０５８３号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２０１６／０１１１２９４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記従来の半導体記憶素子における課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、パラメーターの設定値が時間に応じて連続的に変更されるようパラメーターを制御するイオンビーム装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、パターン間の下部膜がリセスされることを最小化できるパターン形成方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、製造が容易であり、欠陥の発生を最小化できる磁気記憶素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明によるイオンビーム装置は、自身の内部でイオンビームを利用する工程が遂行されるチャンバーユニットと、前記チャンバーユニットに結合され、前記工程が遂行される間に、前記チャンバーユニット内物質から発生する信号を検出する検出器と、前記チャンバーユニット及び前記検出器に接続され、前記検出器から取得した前記信号を利用して前記チャンバーユニットのパラメーターを制御する制御器と、を有し、前記制御器は、前記工程が遂行される間、前記イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されるよう前記パラメーターを制御することを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明によるパターン形成方法は、基板上に順次に積層される下部膜及びエッチング対象膜を形成する工程と、前記エッチング対象膜をパターニングして、前記下部膜上に水平に互いに離隔するパターンを形成する工程と、を有し、前記パターンを形成する工程は、前記エッチング対象膜の表面の上に照射されるイオンビームを利用して前記エッチング対象膜をエッチングする工程を含み、前記エッチングする工程の間、前記イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されることを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による磁気記憶素子の製造方法は、基板上に下部層間絶縁膜を形成する工程と、前記下部層間絶縁膜を貫通して前記基板に電気的に接続される下部コンタクトプラグを形成する工程と、前記下部層間絶縁膜上に磁気トンネル接合膜を形成する工程と、前記磁気トンネル接合膜をパターニングして前記下部層間絶縁膜上に水平に互いに離隔する磁気トンネル接合パターンを形成する工程と、を有し、前記磁気トンネル接合パターンを形成する工程は、前記磁気トンネル接合膜の表面の上に照射されるイオンビームを利用して前記磁気トンネル接合膜をエッチングする工程を含み、前記エッチングする工程の間、前記イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るイオンビーム装置及びこれを利用するパターン形成方法並びにこれを利用する磁気記憶素子の製造方法によれば、イオンビーム装置のチャンバーユニット内でイオンビームを利用する工程が遂行される間に、イオンビーム装置に接続された制御器はチャンバーユニットのパラメーターの設定値が時間に応じて連続的に変更されるようパラメーターを制御し、したがって、前記工程が遂行される間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つは時間に応じて連続的に変更される。
基板上にパターンを形成するためのエッチングする工程がイオンビーム装置を利用して遂行される場合、エッチングする工程の間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つは時間に応じて連続的に減少するよう制御され、したがって、パターン間の下部膜の上面がリセスされることを最小化することができるという効果がある。
【００１１】
基板上に磁気トンネル接合パターンを形成するためのエッチングする工程がイオンビーム装置を利用して遂行される場合、エッチングする工程の間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つは時間に応じて連続的に減少するよう制御され、したがって、磁気トンネル接合パターン間の下部層間絶縁膜の上面がリセスされることを最小化することができる。
その結果、下部層間絶縁膜内に形成される下部コンタクトプラグの形成が容易であり、さらに、エッチングする工程の間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更される場合、エッチングする工程の間、イオンエネルギー、イオン電流、及び／又は入射角の安定化のための別のステーブルタイム（ｓｔａｂｌｅ  ｔｉｍｅ）が要求されない。したがって、ステーブルタイムの間に発生するパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）等による欠陥の発生を防止することができるという効果がある。
したがって、製造が容易であり、欠陥の発生を最小化することができる磁気記憶素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態によるイオンビーム装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１の制御器がチャンバーユニットのパラメーターを制御する方法を説明するためのグラフである。
【図３】図１の制御器がチャンバーユニットのパラメーターを制御する方法を説明するためのグラフである。
【図４】図１の制御器がチャンバーユニットのパラメーターを制御する方法を説明するためのグラフである。
【図５】図１の制御器がチャンバーユニットのパラメーターを制御する方法を説明するためのグラフである。
【図６】図１のイオンビーム装置を利用するパターン形成方法を説明するための断面図である。
【図７】図１のイオンビーム装置を利用するパターン形成方法を説明するための断面図である。
【図８】図１のイオンビーム装置を利用するパターン形成方法を説明するための断面図である。
【図９】図１のイオンビーム装置を利用するパターン形成方法を説明するためのグラフである。
【図１０】図１のイオンビーム装置を利用する磁気記憶素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１のイオンビーム装置を利用する磁気記憶素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１のイオンビーム装置を利用する磁気記憶素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１のイオンビーム装置を利用する磁気記憶素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の実施形態によって製造された磁気記憶素子の平面図である。
【図１５】図１３の磁気トンネル接合パターンの一例を説明するための図である。
【図１６】図１３の磁気トンネル接合パターンの他の例を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施形態によって製造された磁気記憶素子の単位メモリセルを示す回路図である。
【図１８】本発明の実施形態による磁気記憶素子の製造の一部としてイオンビームエッチング制御を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明に係るイオンビーム装置及びこれを利用するパターン形成方法並びにこれを利用する磁気記憶素子の製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態によるイオンビーム装置の構成を示す概略図である。
図２〜図５は、図１の制御器がチャンバーユニットのパラメーターを制御する方法を説明するためのグラフである。
図１を参照すると、イオンビーム装置５００は、イオンビーム（ＩＢ）を利用する工程が遂行されるチャンバーユニット２００、チャンバーユニット２００に接続される検出器３００、及びチャンバーユニット２００及び検出器３００に接続されるコンピュータシステム４００を含む。
【００１５】
チャンバーユニット２００は、プラズマを生成するソースチャンバー２０２、及びプラズマから生成されるイオンビーム（ＩＢ）を利用して工程が遂行されるプロセスチャンバー２０４を含む。
ソースチャンバー２０２及びプロセスチャンバー２０４は、互いに連結されて通じている。
チャンバーユニット２００は、その内部に提供されるグリッド２０６を含み、グリッド２０６は、ソースチャンバー２０２とプロセスチャンバー２０４との間に提供される。
グリッド２０６は、イオンビーム（ＩＢ）がプロセスチャンバー２０４の内部へ照射されるようイオンビーム（ＩＢ）を制御する。
【００１６】
プロセスチャンバー２０４の内部に基板１００をロード（ｌｏａｄ）するためのステージ２０８が提供される。
ステージ２０８は、チャンバーユニット２００の底面に対して傾斜するように配置される。
ステージ２０８がチャンバーユニット２００の底面に対して所定の傾斜角（ｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）θ１を有するように配置することによって、イオンビーム（ＩＢ）は基板１００上に所定の入射角θ２に照射される。
ここで、入射角θ２は、基板１００の上面に対してイオンビーム（ＩＢ）が照射される角度として定義する。
【００１７】
イオンビーム（ＩＢ）の入射角θ２は、ステージ２０８の傾斜角θ１によって決定される。
イオンビーム（ＩＢ）が基板１００の上面に照射されて基板１００上で工程が遂行される。
工程は、基板１００上に半導体素子を形成するために遂行される。
一例として、工程は、イオンビーム（ＩＢ）を利用して基板１００上に形成された薄膜をエッチングするエッチング工程である。
【００１８】
検出器３００は、工程が遂行される間、チャンバーユニット２００内の物質から発生する信号を検出する。
具体的には、プロセスチャンバー２０４内の基板１００上で工程が遂行される間、検出器３００は、基板１００上の物質から発生する信号を検出する。
検出器３００は、一例として、ＯＥＳ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、又はＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｉｏｎ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を利用して信号を検出することができる。
【００１９】
コンピュータシステム４００は、検出器３００から取得した信号を利用してチャンバーユニット２００のパラメーターを制御する制御器４０２、多様なデータを格納するライブラリ４０４、入出力部４０６、及びインターフェイス部４０８を含む。
ライブラリ４０４は、ハードディスク及び／又は不揮発性半導体記憶素子（例えば、フラッシュメモリ素子、相変化記憶素子、及び／又は磁気記憶素子等）を含む。
制御器４０２及びライブラリ４０４の具体的な機能に対しては後述する。
【００２０】
入出力部４０６は、キーボード（ｋｅｙｂｏａｒｄ）、キーパッド（ｋｅｙｐａｄ）、及び／又はディスプレイ装置（ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）を含む。
検出器３００から取得した信号データは、インターフェイス部４０８を通じてコンピュータ４００に伝達される。
インターフェイス部４０８は、有線要素、無線要素、及び／又はＵＳＢ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｓｅｒｉａｌ  ｂｕｓ）ポート等を含む。
制御器４０２、ライブラリ４０４、入出力部４０６、及びインターフェイス部４０８はデータバス（ｄａｔａ  ｂｕｓ）を通じて互いに接続される。
【００２１】
制御器４０２は、プロセスチャンバー２０４内で工程が遂行される間、イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー（ｉｏｎ  ｅｎｅｒｇｙ）、イオン電流（ｉｏｎ  ｃｕｒｒｅｎｔ）、及び入射角（ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ  ａｎｇｌｅ、θ２）の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されるようチャンバーユニット２００のパラメーターを制御する。
パラメーターは一例として、ソースチャンバー２０２に印加されるソースパワー（ｓｏｕｒｃｅ  ｐｏｗｅｒ）、ソースチャンバー２０２内に提供されるソースガスの種類及び流量、グリッド２０６に印加されるグリッド電圧（ｇｒｉｄ  ｖｏｌｔａｇｅ）、グリッド２０６を通じて流れるグリッド電流（ｇｒｉｄ  ｃｕｒｒｅｎｔ）、及びステージの傾斜角θ１の中の少なくとも１つである。
【００２２】
一例として、制御器４０２は、検出器３００から取得した信号を利用してグリッド電圧（ｇｒｉｄ  ｖｏｌｔａｇｅ）及び／又はソースガスの種類を時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができ、したがってイオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギーを時間に応じて連続的に変更させることができる。
他の例として、制御器４０２は、検出器３００から取得した信号を利用してグリッド電流（ｇｒｉｄ  ｃｕｒｒｅｎｔ）、ソースパワー、及びソースガスの流量を時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができ、したがってイオンビーム（ＩＢ）のイオン電流（ｉｏｎ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を時間に応じて連続的に変更させることができる。
その他の例として、制御器４０２は、検出器３００から取得した信号を利用してステージの傾斜角θ１を時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができ、したがってイオンビーム（ＩＢ）の入射角（ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ  ａｎｇｌｅ、θ２）を時間に応じて連続的に変更させることができる。
【００２３】
以下では、図２〜図５を参照して、制御器４０２がチャンバーユニット２００のパラメーターを制御する方法を具体的に説明する。
先ず、図１及び図２〜図５を参照すると、検出器３００は、基板１００上で工程が遂行される間、基板１００上の物質から発生する信号の強さ（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）Ｉを検出する。
【００２４】
一部の実施形態では、制御器４０２は、工程が遂行され始め、検出器３００から取得する信号の強さＩが予め設定された値Ｉｐｄに到達するまでの時間、特定時間Ｔを決定することができる。
即ち、特定時間Ｔは、ＥＰＤ（ｅｎｄ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方法によって決定される時間である。
しかし、他の実施形態によれば、制御器４０２は、工程遂行の中の任意の時間を特定時間Ｔとして決定することができる。
【００２５】
一例として、図２を参照すると、制御器４０２は工程の開始から特定時間Ｔまで（即ち、第１区間（ｆｉｒｓｔ  ｓｅｃｔｉｏｎ、Ｓ１）で）パラメーターの設定値（ｓｅｔ−ｐｏｉｎｔ）が固定されるよう制御することができ、特定時間Ｔの後、工程が終了する時（Ｔｅｎｄ）まで（即ち、第２区間（ｓｅｃｏｎｄ  ｓｅｃｔｉｏｎ、Ｓ２）で）パラメーターの設定値を使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができる。
【００２６】
使用者指定関数は、一例として、線形、指数、又はログ関数等である。
具体的には、ライブラリ４０４は、使用者によって予め選択された、使用者指定関数を格納することができ、制御器４０２はライブラリ４０４から取得した使用者指定関数によってパラメーターの設定値が時間に応じて変更されるよう制御する。
一部の実施形態によれば、制御器４０２は、第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が固定されるよう制御し、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御する。
【００２７】
他の実施形態によれば、パラメーターがステージ２０８の傾斜角θ１である場合、制御器４０２は、第１区間Ｓ１で傾斜角θ１が固定されるよう制御し、第２区間Ｓ２で傾斜角θ１が、図に示したものと異なり、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御する。
【００２８】
他の例として、図３を参照すると、制御器４０２は工程の開始から特定時間Ｔまで（即ち、第１区間（ｆｉｒｓｔ  ｓｅｃｔｉｏｎ、Ｓ１）で）パラメーターの設定値が第１使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができ、特定時間Ｔの後、工程が終了する時まで（即ち、第２区間（ｓｅｃｏｎｄ  ｓｅｃｔｉｏｎ、Ｓ２）で）パラメーターの設定値が第２使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができる。
【００２９】
第１及び第２使用者指定関数の各々は、一例として、線形、指数、又はログ関数等である。
第１使用者指定関数及び第２使用者指定関数は、図に示したように、互いに異なる関数であるが、本発明の概念はこれに限定されない。
一部の実施形態によれば、制御器４０２は第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が第１使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御し、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が第２使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御する。
【００３０】
他の実施形態によれば、パラメーターがステージ２０８の傾斜角θ１である場合、図に示したものと異なり、制御器４０２は第１区間Ｓ１で傾斜角θ１が第１使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御し、第２区間Ｓ２で傾斜角θ１が第２使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御する。
【００３１】
その他の例として、図４を参照すると、制御器４０２は工程の開始から特定時間Ｔまで（即ち、第１区間（Ｓ１）で）パラメーターの設定値が固定されるよう制御することができ、特定時間Ｔの後に、工程が終了される時まで（即ち、第２区間（Ｓ２）で）パラメーターの設定値が、検出器３００から取得される信号の強さＩに応じて、時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができる。
【００３２】
一部の実施形態によれば、制御器４０２は第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が固定されるよう制御し、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が信号の強さＩに応じて、時間に応じて連続的に減少するよう制御する。
この場合、制御器４０２は第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が減少するよう制御し、信号の強さＩが増加（又は減少）することによってパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御することができる。
【００３３】
他の実施形態によれば、パラメーターがステージ２０８の傾斜角θ１である場合、制御器４０２は第１区間Ｓ１で傾斜角θ１が固定されるよう制御することができ、第２区間Ｓ２で傾斜角θ１が、図に示したものと異なり、信号の強さＩに応じて、時間に応じて連続的に増加するように制御する。
この場合、制御器４０２は第２区間Ｓ２で傾斜角θ１が増加するよう制御し、信号の強さＩが増加（又は減少）することによって、傾斜角θ１の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御する。
【００３４】
その他の例として、図５を参照すれば、制御器４０２は工程の開始から特定時間Ｔまで（即ち、第１区間（Ｓ１）で）パラメーターの設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができ、特定時間Ｔの後、工程が終了する時まで（即ち、第２区間（Ｓ２）で）パラメーターの設定値が、検出器３００から取得される信号の強さＩに応じて、時間に応じて連続的に変更されるよう制御することができる。
【００３５】
使用者指定関数は、一例として、線形、指数、又はログ関数等である。
一部の実施形態によれば、制御器４０２は第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御し、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が信号の強さＩに応じて、時間に応じて連続的に減少するよう制御する。
この場合、制御器４０２は第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が減少するよう制御し、信号の強さＩが増加（又は減少）することによってパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御する。
【００３６】
他の実施形態によれば、パラメーターがステージ２０８の傾斜角θ１である場合、図に示したものと異なり、制御器４０２は第１区間Ｓ１で傾斜角θ１が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御し、第２区間Ｓ２で傾斜角θ１が信号の強さＩに応じて、時間に応じて連続的に増加するよう制御する。
この場合、制御器４０２は第２区間Ｓ２で傾斜角θ１が増加するよう制御し、信号の強さＩが増加（又は減少）することによって傾斜角θ１の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御する。
【００３７】
図６〜図８は、図１のイオンビーム装置を利用するパターン形成方法を説明するための断面図であり、図９は、図１のイオンビーム装置を利用するパターン形成方法を説明するためのグラフである。
先ず、図１及び図６を参照すると、基板１００上に下部膜１０及びエッチング対象膜２０を順次に形成する。
【００３８】
下部膜１０は、基板１００とエッチング対象膜２０との間に形成する。
エッチング対象膜２０上にマスクパターン３０を形成する。
マスクパターン３０は所定の高さＨを有するよう形成する。
下部膜１０、エッチング対象膜２０、及びマスクパターン３０が形成された基板１００を図１のイオンビーム装置５００のプロセスチャンバー２０４内のステージ２０８上にロード（ｌｏａｄ）する。
【００３９】
以後、基板１００上にイオンビーム（ＩＢ）を利用するエッチング工程を遂行する。
エッチング工程の間、マスクパターン３０はエッチングマスクとして利用され、エッチング対象膜２０は、マスクパターン３０間のエッチング対象膜２０の表面で照射されるイオンビーム（ＩＢ）によってエッチングされる。
イオンビーム（ＩＢ）は、基板１００の上面に対して所定の入射角θ２にて照射する。
【００４０】
図７及び図９を参照すると、エッチング対象膜２０をエッチングして下部膜１０上に水平に互いに離隔するパターン２５を形成する。
パターン２５が形成されることによって、パターン２５の間の下部膜１０が露出される。
エッチング工程が遂行される間、図１の検出器３００は、下部膜１０を構成する物質から発生する信号の強さ（１０Ｉ）を検出する。
一部の実施形態によれば、エッチング工程開始からエッチング工程が遂行されている間で、図１の制御器４０２は検出器３００から取得した信号の強さ（１０Ｉ）が予め設定した値Ｉｐｄに到達する時の特定時間Ｔを決定する。
即ち、特定時間Ｔは、ＥＰＤ（ｅｎｄ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方法によって決定される時間である。
この場合、特定時間Ｔは、エッチング工程の中で下部膜１０が露出される時点である。
しかし、他の実施形態によれば、制御器４０２はエッチング工程遂行の中の任意の時間を特定時間Ｔとして決定することもできる。
【００４１】
一部の実施形態によれば、エッチング工程の開始から特定時間Ｔまで（即ち、第１区間Ｓ１で）イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは使用者指定関数（一例として、線形関数）によって時間に応じて連続的に減少する。
具体的には、図１の制御器４０２は、エッチング工程が遂行されている間、イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されるようチャンバーユニット２００のパラメーターを制御する。
【００４２】
制御器４０２は、図２〜図５を参照して説明した方法によって、チャンバーユニット２００のパラメーターを制御する。
一例として、図３及び図５を参照して説明したように、制御器４０２は、第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御し、したがって第１区間Ｓ１でイオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギーは使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する。
他の例として、制御器４０２は、第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、図１のステージ２０８の傾斜角θ１）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御し、したがって第１区間Ｓ１でイオンビームＩＢの入射角θ２は使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する（即ち、θ２＞θ２’）。
エッチング工程の間、エッチング工程によって発生するエッチング副産物４０がパターン２５の側壁上に再蒸着される。
【００４３】
図８及び図９を参照すると、エッチング工程は、パターン２５の側壁上のエッチング副産物４０が除去される時まで遂行される。
一部の実施形態によれば、特定時間Ｔの後、エッチング工程が終了する時まで（即ち、第２区間Ｓ２で）イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは検出器３００から取得した信号の強さ（１０Ｉ）に応じて、時間に応じて減少する。
一例として、図４及び図５を参照して説明したように、制御器４０２は第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が減少するよう制御し、信号の強さ（１０Ｉ）が増加（又は減少）することによってパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御する。
したがって、第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギーは、信号の強さ（１０Ｉ）に応じて、時間に応じて減少する。
【００４４】
他の例として、制御器４０２は、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、図１のステージ２０８の傾斜角θ１）の設定値が増加するよう制御し、信号の強さ（１０Ｉ）が増加（又は減少）することによって設定値（一例として、角度）の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御する。
したがって、第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）の入射角θ２は、信号の強さ（１０Ｉ）に応じて、時間に応じて減少する（即ち、θ２’＞θ２”）。
【００４５】
他の実施形態によれば、特定時間Ｔの後、エッチング工程が終了する時まで（即ち、第２区間Ｓ２で）イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する。
一例として、図２及び図３を参照して説明したように、制御器４０２は第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御し、したがって第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギーは使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する。
他の例として、制御器４０２は、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、図１のステージ２０８の傾斜角θ１）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御し、したがって第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）の入射角θ２は使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する（即ち、θ２’＞θ２”）。
【００４６】
図１及び図８を参照すると、エッチング工程が終了した後、基板１００はステージ２０８からアンロード（ｕｎｌｏａｄ）されて、イオンビーム装置５００の外部へ移送される。
一般的に、イオンビーム（ＩＢ）を利用する物理的エッチングの特性によって、エッチング工程の間、マスクパターン３０の高さが低下する（即ち、Ｈ＞Ｈ’＞Ｈ”）。
この場合、マスクパターン３０の間のエッチング対象膜２０の上に照射されるイオンビーム（ＩＢ）の量が増加する。
したがって、イオンビーム（ＩＢ）が固定されたイオンエネルギー（又はイオン電流、又は入射角θ２）を有して照射される場合、パターン２５の間の下部膜１０の上面がリセスされる。
【００４７】
本発明のパターン形成方法によれば、エッチング工程の間、イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは時間に応じて連続的に減少するよう制御することができる。
したがって、エッチング工程の間に、マスクパターン３０の高さＨが低くなっても、パターン２５の間の下部膜１０の上面がリセスされることを最小化することができる。
【００４８】
図１０〜図１３は、図１のイオンビーム装置を利用する磁気記憶素子の製造方法を説明するための断面図である。
図１０を参照すると、基板１００上に下部層間絶縁膜１０２を形成する。
基板１００は半導体基板を含む。
一例として、基板１００は、シリコン基板、ゲルマニウム基板、又はシリコン−ゲルマニウム基板等を含むことができる。
【００４９】
一実施形態によれば、選択素子（図示せず）を基板１００上に形成し、下部層間絶縁膜１０２を選択素子を覆うように形成する。
選択素子は、電界効果トランジスタである。
これとは異なり、選択素子はダイオードであってもよい。
下部層間絶縁膜１０２は、酸化物、窒化物、及び／又は酸化窒化物を含む単一層又は多層に形成することができる。
【００５０】
下部コンタクトプラグ１０４を下部層間絶縁膜１０２内に形成する。
下部コンタクトプラグ１０４の各々は、下部層間絶縁膜１０２を貫通して選択素子の中の対応する選択素子の一端子に電気的に接続する。
下部コンタクトプラグ１０４は、ドーピングされた半導体物質（例えば、ドーピングされたシリコン）、金属（例えば、タングステン、チタニウム、及び／又はタンタル）、導電性金属窒化膜（例えば、チタニウム窒化物、タンタル窒化物、及び／又はタングステン窒化物）、及び金属−半導体化合物（例えば、金属シリサイド）の中の少なくとも１つを含む。
【００５１】
下部層間絶縁膜１０２上に順次に積層された下部電極膜１０６及び磁気トンネル接合膜１２０を形成する。
下部電極膜１０６は、窒化チタニウム及び／又は窒化タンタル等のような導電性金属窒化物を含む。
下部電極膜１０６は、磁気トンネル接合膜１２０を構成する磁性膜の決定成長を助けることができる物質（一例として、ルテニウム（Ｒｕ）等）を含む。
下部電極膜１０６は、スパッタリング、化学気相蒸着、又は原子層蒸着工程等によって形成することができる。
【００５２】
磁気トンネル接合膜１２０は、下部電極膜１０６上に順次に積層された第１磁性膜１０８、トンネルバリアー膜１１０、及び第２磁性膜１１２を含む。
第１及び第２磁性膜１０８、１１２の中のいずれか１つは一方向に固定された磁化方向を有する基準層に該当し、他の１つは固定された磁化方向に平行又は反平行に変更可能な磁化方向を有する自由層に該当する。
一例として、基準層及び自由層の磁化方向は、トンネルバリアー膜１１０と第２磁性膜１１２との間の界面と実質的に垂直となる。
【００５３】
この場合、基準層及び自由層は、垂直磁性物質（例えば、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ、ＣｏＦｅＤｙ）、Ｌ１０構造を有する垂直磁性物質、稠密六方晶系格子（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ  Ｃｌｏｓｅ  Ｐａｃｋｅｄ  Ｌａｔｔｉｃｅ）構造のＣｏＰｔ、及び垂直磁性構造体の中の少なくとも１つを含む。
Ｌ１０構造を有する垂直磁性物質は、Ｌ１０構造のＦｅＰｔ、Ｌ１０構造のＦｅＰｄ、Ｌ１０構造のＣｏＰｄ、又はＬ１０構造のＣｏＰｔ等の中の少なくとも１つを含む。
垂直磁性構造体は、交互にそして反復的に積層された磁性層及び非磁性層を含む。
例えば、垂直磁性構造体は（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ、（ＣｏＦｅ／Ｐｔ）ｎ、（ＣｏＦｅ／Ｐｄ）ｎ、（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎ、（Ｃｏ／Ｎｉ）ｎ、（ＣｏＮｉ／Ｐｔ）ｎ、（ＣｏＣｒ／Ｐｔ）ｎ又は（ＣｏＣｒ／Ｐｄ）ｎ（ｎは積層数）等の中の少なくとも１つを含む。
ここで、基準層は、自由層に比べて厚いか、或いは基準層の保磁力が自由層の保磁力より大きい。
【００５４】
他の例として、基準層及び自由層の磁化方向は、トンネルバリアー膜１１０と第２磁性膜１１２との界面と実質的に平行である。
この場合、基準層及び自由層は、強磁性物質を含む。
基準層は、基準層内の強磁性物質の磁化方向を固定させるための反強磁性物質をさらに含むことができる。
トンネルバリアー膜１１０は、マグネシウム（Ｍｇ）酸化膜、チタニウム（Ｔｉ）酸化膜、アルミニウム（Ａｌ）酸化膜、マグネシウム亜鉛（Ｍｇ−Ｚｎ）酸化膜、又はマグネシウムホウ素（Ｍｇ−Ｂ）酸化膜の中の少なくとも１つを含むことができる。
第１磁性膜１０８、トンネルバリアー膜１１０、及び第２磁性膜１１２の各々はスパッタリング、物理気相蒸着、又は化学気相蒸着工程等によって形成することができる。
【００５５】
磁気トンネル接合膜１２０上に導電性マスクパターン１３０を形成する。
導電性マスクパターン１３０は、基板１００上に後述するパターン構造体を形成する領域を定義する。
導電性マスクパターン１３０は、所定の高さ（１３０Ｈ）を有するように形成する。
導電性マスクパターン１３０は、タングステン、チタニウム、タンタル、アルミニウム、及び金属窒化膜（ｅｘ、チタニウム窒化物及びタンタル窒化物）の中の少なくとも１つを含むことができる。
【００５６】
図１及び図１０を参照すると、導電性マスクパターン１３０が形成された基板１００が図１のイオンビーム装置５００のプロセスチャンバー２０４内のステージ２０８上にロードされる。
以後、基板１００上にイオンビーム（ＩＢ）を利用するエッチング工程が遂行される。
エッチング工程の間、導電性マスクパターン１３０はエッチングマスクとして利用され、磁気トンネル接合膜１２０及び下部電極膜１０６は、導電性マスクパターン１３０の間の磁気トンネル接合膜１２０の表面に照射されるイオンビーム（ＩＢ）によってエッチングされる。
イオンビーム（ＩＢ）は、基板１００の上面に対して所定の角度、入射角θ２にて照射する。磁気トンネル接合膜１２０及び下部電極膜１０６は、イオンビーム（ＩＢ）によって順次にエッチングされる。
【００５７】
図９及び図１１を参照すると、磁気トンネル接合膜１２０及び下部電極膜１０６をエッチングして下部層間絶縁膜１０２上に水平に互いに離隔するパターン構造体ＰＳを形成する。
パターン構造体ＰＳの各々は、磁気トンネル接合膜１２０がエッチングされて形成される磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び下部電極膜１０６がエッチングされて形成される下部電極ＢＥを含む。
【００５８】
磁気トンネル接合パターンＭＴＪは、下部電極ＢＥ上に順次に積層された第１磁性パターン１０８Ｐ、トンネルバリアーパターン１１０Ｐ、及び第２磁性パターン１１２Ｐを含む。
第１磁性パターン１０８Ｐ、トンネルバリアーパターン１１０Ｐ、及び第２磁性パターン１１２Ｐは、第１磁性膜１０８、トンネルバリアー膜１１０、及び第２磁性膜１１２をエッチング工程によってエッチングして各々形成する。
第１磁性パターン１０８Ｐは、下部電極ＢＥとトンネルバリアーパターン１１０Ｐとの間に配置され、第２磁性パターン１１２Ｐはトンネルバリアーパターン１１０Ｐを介して第１磁性パターン１０８Ｐから離隔される。
【００５９】
パターン構造体ＰＳの各々は、下部コンタクトプラグ１０４の中の対応する下部コンタクトプラグ１０４と電気的に接続する。
パターン構造体ＰＳの各々で、下部電極ＢＥは、対応する下部コンタクトプラグ１０４と磁気トンネル接合パターンＭＴＪとの間に配置される。
一部の実施形態によれば、下部電極ＢＥの下面は、対応する下部コンタクトプラグ１０４の上面と接する。
パターン構造体ＰＳが形成されることによって、パターン構造体ＰＳの間の下部層間絶縁膜１０２が露出する。
【００６０】
エッチング工程が遂行される間、図１の検出器３００は、下部層間絶縁膜１０２を構成する物質から発生する信号の強さ（１０２Ｉ）を検出する。
一部の実施形態によれば、エッチング工程が遂行される間、図１の制御器４０２は、検出器３００から取得した信号の強さ（１０２Ｉ）が予め設定した値Ｉｐｄに到達するまでの時間、特定時間Ｔを決定する。
即ち、特定時間Ｔは、ＥＰＤ（ｅｎｄ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方法によって決定される時間である。
この場合、特定時間Ｔは、エッチング工程の中で下部層間絶縁膜１０２が露出する時点である。
しかし、他の実施形態によれば、制御器４０２はエッチング工程遂行の中の任意の時間を特定時間Ｔとして決定することができる。
【００６１】
一部の実施形態によれば、エッチング工程の開始から特定時間Ｔまで（即ち、第１区間Ｓ１で）イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する。
具体的には、図１の制御器４０２は、エッチング工程が遂行される間、イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されるようチャンバーユニット２００のパラメーターを制御する。
【００６２】
制御器４０２は、図２〜図５を参照して説明した方法によって、チャンバーユニット２００のパラメーターを制御する。
一例として、図３及び図５を参照して説明したように、制御器４０２は、第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御し、したがって第１区間Ｓ１でイオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギーは使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する。
他の例として、制御器４０２は、第１区間Ｓ１でパラメーター（一例として、図１のステージ２０８の傾斜角θ１）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御し、したがって第１区間Ｓ１でイオンビーム（ＩＢ）の入射角θ２は、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する（即ち、θ２＞θ２’）。
エッチング工程の間に、エッチング工程によって発生する導電性エッチング副産物１４０がパターン構造体ＰＳの側壁上に再蒸着され得る。
【００６３】
図９及び図１２を参照すると、導電性エッチング副産物１４０がパターン構造体ＰＳの側壁上に残っている場合、パターン構造体ＰＳの各々の磁気トンネル接合パターンＭＴＪ内の磁性パターン１０８Ｐ、１１２Ｐ間の電気的短絡がもたらす可能性がある。
したがって、パターン構造体ＰＳを形成するためのエッチング工程は、パターン構造体ＰＳの側壁から導電性エッチング副産物１４０が除去される時まで遂行する。
【００６４】
一部の実施形態によれば、特定時間Ｔの後、エッチング工程が終了する時まで（即ち、第２区間Ｓ２で）イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは、検出器３００から取得した信号の強さ（１０２Ｉ）に応じて、時間に応じて減少する。
一例として、図４及び図５を参照して説明したように、制御器４０２は、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が減少するよう制御し、信号の強さ（１０２Ｉ）が増加（又は減少）することによってパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御する。
したがって、第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギーは、信号の強さ（１０２Ｉ）に応じて、時間に応じて減少する。
【００６５】
他の例として、制御器４０２は、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、図１のステージ２０８の傾斜角θ１）の設定値が増加するよう制御し、信号の強さ（１０２Ｉ）が増加（又は減少）することによって設定値（一例として、角度）の変化量の勾配が増加（又は減少）するよう制御する。
したがって、第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）の入射角θ２は、信号の強さ（１０２Ｉ）に応じて、時間に応じて減少する（即ち、θ２’＞θ２”）。
【００６６】
他の実施形態によれば、特定時間Ｔの後、エッチング工程が終了する時まで（即ち、第２区間Ｓ２で）イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する。
一例として、図２及び図３を参照して説明したように、制御器４０２は、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、グリッド電圧）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少するよう制御し、したがって第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギーは、使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する。
【００６７】
他の例として、制御器４０２は、第２区間Ｓ２でパラメーター（一例として、図１のステージ２０８の傾斜角θ１）の設定値が使用者指定関数によって時間に応じて連続的に増加するよう制御し、したがって第２区間Ｓ２でイオンビーム（ＩＢ）の入射角θ２は使用者指定関数によって時間に応じて連続的に減少する（即ち、θ２’＞θ２”）。
【００６８】
図１及び図１２を参照すると、エッチング工程が終了した後、基板１００は、ステージ２０８からアンロードされて、イオンビーム装置５００の外部へ移送される。
以後、基板１００上で後続工程を遂行する。
一般的に、イオンビーム（ＩＢ）を利用する物理的エッチングの特性によって、エッチング工程の間に、導電性マスクパターン１３０の高さが低下する（即ち、１３０Ｈ＞１３０Ｈ’＞１３０Ｈ”）。
【００６９】
この場合、導電性マスクパターン１３０の間の磁気トンネル接合膜１２０の上に照射されるイオンビーム（ＩＢ）の量が増加する。
したがって、イオンビーム（ＩＢ）が固定されたイオンエネルギー（又はイオン電流、又は入射角θ２）を有して照射される場合、パターン構造体ＰＳの間の下部層間絶縁膜１０２の上面がリセスされる可能性がある。
この場合、工程マージンを考慮して、下部層間絶縁膜１０２の厚さを増加させることが要求される。
したがって、下部層間絶縁膜１０２内に形成される下部コンタクトプラグ１０４の横縦比が高くなり、その結果、下部コンタクトプラグ１０４の形成が容易でないこともあり得る。
【００７０】
さらに、エッチング工程の間に、イオンエネルギー、イオン電流、及び／又は入射角θ２が変更される場合、これらの安定化のための別のステーブルタイムが要求される可能性がある。
この場合、ステーブルタイムの間に発生するパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）等によって、基板１００上に欠陥が発生する可能性がある。
【００７１】
本発明の磁気記憶素子の製造方法によれば、パターン構造体ＰＳを形成するためのエッチング工程の間に、イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つは、時間に応じて連続的に減少するよう制御される。
したがって、エッチング工程の間に、導電性マスクパターン１３０の高さ１３０Ｈが低くなっても、パターン構造体ＰＳの間の下部層間絶縁膜１０２の上面がリセスされることを最小化することができる。
したがって、下部層間絶縁膜１０２の厚さを増加させることが要求されないで、下部層間絶縁膜１０２内に形成する下部コンタクトプラグ１０４の形成が容易になる。
【００７２】
さらに、イオンビーム（ＩＢ）のイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角θ２の中の少なくとも１つが時間に応じて連続的に変更されるよう制御することによって、エッチング工程の間に、イオンエネルギー、イオン電流、及び／又は入射角θ２の安定化のための別のステーブルタイム（ｓｔａｂｌｅ  ｔｉｍｅ）が要求されない。
したがって、ステーブルタイムの間に発生するパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）等による欠陥の発生を防止することができる。
【００７３】
図１３を参照すると、後続工程で、基板１００上に上部層間絶縁膜１５０を形成する。
上部層間絶縁膜１５０は、下部層間絶縁膜１０２上に形成された下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び導電性マスクパターン１３０を覆う。
導電性マスクパターン１３０は、上部電極ＴＥとして機能する。
上部層間絶縁膜１５０は、酸化膜（例えば、シリコン酸化膜）、窒化膜（例えば、シリコン窒化膜）、及び／又は酸化窒化膜（例えば、シリコン酸化窒化膜）を含むことができる。
【００７４】
上部層間絶縁膜１５０上に配線１６０を形成する。
配線１６０は、一方向に延長され、一方向に沿って配列された複数の磁気トンネル接合パターンＭＴＪを電気的に接続する。
磁気トンネル接合パターンＭＴＪの各々は、上部電極ＴＥの中の対応する上部電極ＴＥを通じて配線１６０と接続される。
一部の実施形態によれば、配線１６０は、ビットラインとして機能する。
【００７５】
図１４は、本発明の実施形態による製造された磁気記憶素子の平面図である。
図１５は、図１３の磁気トンネル接合パターンの一例を説明するための図であり、図１６は、図１３の磁気トンネル接合パターンの他の例を説明するための図である。
以下では、図１３〜図１６を参照して、本発明の実施形態による製造された磁気記憶素子の構造的な特徴を説明する。
【００７６】
図１３は、図１４のI−I’線に沿った断面図である。
図１３及び図１４を参照すると、基板１００上に下部層間絶縁膜１０２が提供される。
選択素子（図示せず）が基板１００上に提供され、下部層間絶縁膜１０２が選択素子を覆う。
選択素子は、電界効果トランジスタであるか、或いはダイオードである。
下部コンタクトプラグ１０４が下部層間絶縁膜１０２内に提供される。
下部コンタクトプラグ１０４の各々は、下部層間絶縁膜１０２を貫通して選択素子の中の対応する選択素子の一端子に電気的に接続される。
一部の実施形態によれば、下部コンタクトプラグ１０４の上面は、下部層間絶縁膜１０２の上面と実質的に共面をなすことができる。
一断面の観点から、下部コンタクトプラグ１０４の間の下部層間絶縁膜１０２の上面は基板１００から下部コンタクトプラグ１０４の上面と実質的に同一である高さに位置する。
【００７７】
下部コンタクトプラグ１０４の各々の上に下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び上部電極ＴＥが順次に積層される。
下部電極ＢＥは、下部コンタクトプラグ１０４の中の対応する下部コンタクトプラグ１０４の上面に電気的に接続される。
下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合ＭＴＪ、及び上部電極ＴＥの側壁を互いに整列させる。
【００７８】
一断面の観点から、下部コンタクトプラグ１０４、下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び上部電極ＴＥの各々は、基板１００の上面に平行である方向に沿う幅を有する。
下部コンタクトプラグ１０４の各々の幅は、下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び上部電極ＴＥの各々の幅より大きい。
平面的な観点から、下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び上部電極ＴＥの各々は、下部コンタクトプラグ１０４の各々の上面上に局所的に提供され、下部コンタクトプラグ１０４の各々の上面は、下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び上部電極ＴＥの側壁によって露出される。
【００７９】
磁気トンネル接合パターンＭＴＪは、第１磁性パターン１０８Ｐ、第２磁性パターン１１２Ｐ、及びこれらの間のトンネルバリアーパターン１１０Ｐを含む。
第１磁性パターン１０８Ｐは、下部電極ＢＥとトンネルバリアーパターン１１０Ｐとの間に提供され、第２磁性パターン１１２Ｐは、上部電極ＴＥとトンネルバリアーパターン１１０Ｐとの間に提供される。
【００８０】
一例として、図１５を参照すると、第１及び第２磁性パターン１０８Ｐ、１１２Ｐの磁化方向１０８ａ、１１２ａは、トンネルバリアーパターン１１０Ｐと第２磁性パターン１１２Ｐとの界面と実質的に平行である。
図１５は、第１磁性パターン１０８Ｐが基準パターンであり、第２磁性パターン１１２Ｐが自由パターンである場合を例として開示するが、これに限定されない。
【００８１】
図１５に示したものと異なり、第１磁性パターン１０８Ｐが自由パターンであり、第２磁性パターン１１２Ｐが基準パターンであってもよい。
平行である磁化方向１０８ａ、１１２ａを有する第１及び第２磁性パターン１０８Ｐ、１１２Ｐは強磁性物質を含む。
第１磁性パターン１０８Ｐは、第１磁性パターン１０８Ｐ内の強磁性物質の磁化方向を固定させるための反強磁性物質をさらに含む。
【００８２】
他の例として、図１６を参照すると、第１及び第２磁性パターン１０８Ｐ、１１２Ｐの磁化方向１０８ｂ、１１２ｂは、トンネルバリアーパターン１１０Ｐと第２磁性パターン１１２Ｐとの界面と実質的に垂直となる。
図１６は、第１磁性パターン１０８Ｐが基準パターンであり、第２磁性パターン１１２Ｐが自由パターンである場合を例として開示するが、図１６に示したものと異なり、第１磁性パターン１０８Ｐが自由パターンであり、第２磁性パターン１１２Ｐが基準パターンであってもよい。
【００８３】
垂直になる磁化方向１０８ｂ、１１２ｂを有する第１及び第２磁性パターン１０８Ｐ、１１２Ｐは垂直磁性物質（一例として、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ、ＣｏＦｅＤｙ）、Ｌ１０構造を有する垂直磁性物質、稠密六方晶系格子（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ  Ｃｌｏｓｅ  Ｐａｃｋｅｄ  Ｌａｔｔｉｃｅ）構造のＣｏＰｔ、及び垂直磁性構造体の中の少なくとも１つを含むことができる。
Ｌ１０構造を有する垂直磁性物質は、Ｌ１０構造のＦｅＰｔ、Ｌ１０構造のＦｅＰｄ、Ｌ１０構造のＣｏＰｄ、又はＬ１０構造のＣｏＰｔ等で少なくとも１つを含むことができる。
垂直磁性構造体は、交互に、そして反復的に積層された磁性層及び非磁性層を含むことができる。
例えば、垂直磁性構造体は（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ、（ＣｏＦｅ／Ｐｔ）ｎ、（ＣｏＦｅ／Ｐｄ）ｎ、（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎ、（Ｃｏ／Ｎｉ）ｎ、（ＣｏＮｉ／Ｐｔ）ｎ、（ＣｏＣｒ／Ｐｔ）ｎ又は（ＣｏＣｒ／Ｐｄ）ｎ（ｎは積層数）等の中の少なくとも１つを含むことができる。
【００８４】
下部層間絶縁膜１０２上に下部電極ＢＥ、磁気トンネル接合パターンＭＴＪ、及び上部電極ＴＥを覆う上部層間絶縁膜１５０が提供される。
上部層間絶縁膜１５０上に配線１６０が提供される。
配線１６０は一例として、ビットラインである。
平面的な観点から、配線１６０は、第１方向Ｄ１に延長されて、第１方向Ｄ１に沿って配列される複数の磁気トンネル接合パターンＭＴＪに電気的に接続される。
複数の磁気トンネル接合パターンＭＴＪの各々は、対応する上部電極ＴＥを通じて配線１６０に電気的に接続される。
平面的な観点から、複数の配線１６０は、第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に配列される。
【００８５】
図１７は、本発明の実施形態によって製造された磁気記憶素子の単位メモリセルを示す回路図である。
図１７を参照すると、単位メモリセルＭＣは、メモリ素子ＭＥ（ｍｅｍｏｒｙｅｌｅｍｅｎｔ）及び選択素子ＳＥ（ｓｅｌｅｃｔ  ｅｌｅｍｅｎｔ）を含む。
【００８６】
メモリ素子ＭＥは、ビットラインＢＬと選択素子ＳＥとの間に接続され、選択素子ＳＥはメモリ素子ＭＥとワードラインＷＬとの間に接続される。
メモリ素子ＭＥは、これに印加される電気的パルスによって２つの抵抗状態にスイッチングされる可変抵抗素子である。
一実施形態によれば、メモリ素子ＭＥは、それを通過する電流によるスピン伝達過程を利用してその電気的抵抗が変化する薄膜構造を有するよう形成される。
メモリ素子ＭＥは、磁気抵抗（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）特性を示すよう構成される薄膜構造を有し、少なくとも１つの強磁性物質及び／又は少なくとも１つの反強磁性物質を含む。
【００８７】
選択素子ＳＥは、メモリ素子ＭＥを通る電荷の流れを選択的に制御するよう構成される。
例えば、選択素子ＳＥは、ダイオード、ＰＮＰバイポーラトランジスタ、ＮＰＮバイポーラトランジスタ、ＮＭＯＳ電界効果トランジスタ、及びＰＭＯＳ電界効果トランジスタの中の１つである。
選択素子ＳＥが３端子素子であるバイポーラトランジスタ又はＭＯＳ電界効果トランジスタで構成される場合、追加的な配線（図示せず）が選択素子ＳＥに接続される。
【００８８】
具体的には、メモリ素子ＭＥは、第１磁性構造体ＭＳ１、第２磁性構造体ＭＳ２、及びこれらの間のトンネルバリアーＴＢＲを含む。
第１磁性構造体ＭＳ１、第２磁性構造体ＭＳ２、及びトンネルバリアーＴＢＲは、磁気トンネル接合ＭＪＴとして定義される。
第１及び第２磁性構造体ＭＳ１、ＭＳ２の各々は、磁性物質で形成される少なくとも１つの磁性層を含む。
メモリ素子ＭＥは、第２磁性構造体ＭＳ２と選択素子ＳＥとの間に介在する下部電極ＢＥ、及び第１磁性構造体ＭＳ１とビットラインＢＬとの間に介在する上部電極ＴＥを含む。
【００８９】
図１８は、本発明の実施形態による磁気記憶素子の製造の一部としてイオンビームエッチング制御を説明するためのフローチャートである。
段階（Ｓ１８０２）で、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）パターンを製造する。
段階（Ｓ１８０４）で、磁気記憶素子（一例として、ＭＲＡＭ）をＭＴＪパターンに基づいて製造し、ＭＴＪパターンは、製造される磁気記憶素子内に組み込まれる（ｉｎｃｏｐｏｒａｔｅｄ）。
【００９０】
図１８に示すように、段階（Ｓ１８０２）は、段階（Ｓ１８１２〜Ｓ１８２２）の中の１つ以上を遂行することを含む。
段階（Ｓ１８１２）で、少なくとも１つの膜を基板上にロードする。
基板は、チャンバーユニット２００内に含まれた基板１００である。
一部の実施形態によれば、少なくとも１つの膜は、図６に示した、エッチング対象膜２０を含む。
一部の実施形態によれば、少なくとも１つの膜は、図１０に示した、少なくとも磁気トンネル接合膜１２０を含む。
１つ以上の追加的な膜、パターン等を少なくとも１つの膜上にロードする。
１つ以上の追加的な膜は、マスクパターン３０、導電性マスクパターン１３０等を含む。
【００９１】
段階（Ｓ１８１４）で、イオンビーム（ＩＢ）を少なくとも１つの膜のエッチングを開始するために初期化（活性化）する。
段階（Ｓ１８１５）で、イオンビームエッチングが遂行され、チャンバーアセンブリーに関連する少なくとも１つのパラメーターが第１制御関数よって調節され、少なくとも１つの膜のイオンビームエッチングは、第１制御関数に基づいて少なくとも部分的に制御される。
【００９２】
第１制御関数に基づく少なくとも１つのパラメーターの制御は、少なくとも１つのパラメーターの設定値（ｓｅｔ  ｐｏｉｎｔ）を第１制御関数によって表現される値に調節することを含む。
第１制御関数は、設定値を特定時点（一例として、イオンビームが初期化された時点）から経過時間及び発生した信号の強度の中の少なくとも１つに基づいて表現することができる。
一部の実施形態によれば、第１制御関数は、設定値を時間経過にしたがって固定された値に表現することができる。
【００９３】
段階（Ｓ１８１６）で、少なくとも１つの膜によって発生した信号を信号の強さに対応してモニターする。
段階（Ｓ１８１８）で、信号の強さが少なくとも特定（又は、これとは異なり、予め設定された）しきい値に到達したか否かに対しての決定を行う。
信号の強さがしきい値に到達しない場合、段階（Ｓ１８１６）にもどり、継続してモニターリングする。
【００９４】
信号の強さがしきい値に到達する場合、段階（Ｓ１８２０）に示すように、少なくとも１つのパラメーターの制御は、第１制御関数と異なる第２制御関数に基づくようスイッチングする。
第２制御関数に基づく少なくとも１つのパラメーターの制御は、少なくとも１つのパラメーターの設定値を第２制御関数によって表現される値に調節することを含む。
第２制御関数は、特定時点（一例として、イオンビームが初期化された時点）から経過時間及び発生した信号の強さの中の少なくとも１つに基づいて設定値を表現する。
一部の実施形態によれば、第２制御関数は、設定値を時間経過にしたがって固定された値に表現する。
段階（Ｓ１８２２）で、イオンビームを非活性化する。
【００９５】
本発明の概念によれば、イオンビーム装置のチャンバーユニット内でイオンビームを利用する工程が遂行される間、イオンビーム装置に接続された制御器は、チャンバーユニットのパラメーターの設定値が時間に応じて連続的に変更されるようパラメーターを制御することができる。
したがって、工程が遂行される間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つは時間に応じて連続的に変更することができる。
【００９６】
基板上にパターンを形成するためのエッチング工程がイオンビーム装置を利用して遂行される場合、エッチング工程の間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つは、時間に応じて連続的に減少するよう制御することができる。
したがって、パターン間の下部膜の上面がリセスされることを最小化することができる。
同様に、基板上に磁気トンネル接合パターンを形成するためのエッチング工程がイオンビーム装置を利用して遂行される場合、エッチング工程の間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つは、時間に応じて連続的に減少するよう制御することができる。
したがって、磁気トンネル接合パターン間の下部層間絶縁膜の上面がリセスされることを最小化することができる。
【００９７】
その結果、下部層間絶縁膜内に形成される下部コンタクトプラグの形成を容易にすることができる。
さらに、エッチング工程の間、イオンビームのイオンエネルギー、イオン電流、及び入射角の中の少なくとも１つが、時間に応じて連続的に変更される場合、エッチング工程の間に、イオンエネルギー、イオン電流、及び／又は入射角の安定化のための別のステーブルタイム（ｓｔａｂｌｅ  ｔｉｍｅ）が要求されない。
したがって、ステーブルタイムの間に発生するパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）等による欠陥の発生を防止することができる。
したがって、製造が容易であり、欠陥の発生を最小化できる磁気記憶素子の製造方法を提供することができる。
【００９８】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【００９９】
１０    下部膜
２０    エッチング対象膜
３０    マスクパターン
２５    パターン
４０    エッチング副産物
１００    基板
１０２    下部層間絶縁膜
１０４    下部コンタクトプラグ
１０６    下部電極膜
１０８    第１磁性膜
１０８Ｐ    第１磁性パターン
１１０    トンネルバリアー膜
１１０Ｐ    トンネルバリアーパターン
１１２    第２磁性膜
１１２Ｐ    第２磁性パターン
１２０    磁気トンネル接合膜
１３０（ＴＥ）    導電性マスクパターン（上部電極）
１４０    導電性エッチング副産物
１５０    上部層間絶縁膜
１６０    配線
２００    チャンバーユニット
２０２    ソースチャンバー
２０４    プロセスチャンバー
２０６    グリッド
２０８    ステージ
３００    検出器
４００    コンピュータシステム
４０２    制御器
４０４    ライブラリ
４０６    入出力部
４０８    インターフェイス部
５００    イオンビーム装置
θ１    ステージの傾斜角
θ２、θ２’、θ２”    イオンビームの入射角
ＩＢ    イオンビーム
ＢＥ    下部電極
ＭＴＪ    磁気トンネル接合パターン
ＰＳ    パターン構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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