(57)【要約】【課題】電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを介してグランド接続部材と導通することができるため、グランド接続が確実となり、グランド接続の信頼性が向上することが可能となる。【解決手段】回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に配置する電磁波シールド積層体であって、前記回路基板の絶縁保護膜上に電磁波シールド層および絶縁層の順に積層され、前記電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、前記スルーホールの上面にグランド部が載置され、前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層と絶縁層とを積層した、電磁波シールド積層体により解決される。【選択図】図１
2018041953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に配置する電磁波シールド積層体であって、
前記回路基板の絶縁保護膜上に電磁波シールド層および絶縁層の順に積層され、
前記電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、
前記スルーホールの上面にグランド部が載置され、
前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層と絶縁層とを積層した、電磁波シールド積層体。
【請求項２】
前記回路パターンは、グランド回路を有し、
回路基板上に形成された前記グランド回路と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とを接続するための電磁波シールド積層体であって、
前記絶縁保護膜に設けられたビアを介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通するように、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層（Ｉ）を少なくとも有する電磁波シールド層と絶縁層とを積層した、請求項１記載の電磁波シールド積層体。
【請求項３】
前記グランド部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）と、グランド接続部材とからなり、
熱圧着により、導電性接着剤層（II）が電磁波シールド層に当接するようにスルーホールに充填され、
前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部が電気的に接続するように、電磁波シールド層と絶縁層とを積層した、請求項１または２記載の電磁波シールド積層体。
【請求項４】
前記電磁波シールド層は、等方導電性接着剤層であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールド積層体。
【請求項５】
前記電磁波シールド層は、接着剤層および金属層からなる積層体であって、接着剤層が前記絶縁保護膜上に載置されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールド積層体。
【請求項６】
前記電磁波シールド層は、異方導電性接着剤層および金属層からなる積層体であって、異方導電性接着剤層が前記絶縁保護膜上に載置されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールド積層体。
【請求項７】
電子機器本体のアース部に、電磁波シールド層付き基板がグランド部により接合された電子機器であって、
前記電磁波シールド層付き基板は、
基板上に形成された回路パターンと、
前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層された電磁波シールド層および該電磁波シールド層上に形成された絶縁層を有する電磁波シールド積層体と、を具備してなり、
前記電磁波シールド積層体は、電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、
前記グランド部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）と、グランド接続部材とからなり、かつ導電性接着剤層（II）が前記スルーホールの上面に載置されてなり、
熱圧着により、導電性接着剤層（II）が電磁波シールド層に当接するように前記スルーホールに充填され、
前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部が電気的に接続してなる電子機器。
【請求項８】
前記導電性接着剤層（II）が回路パターンに当接していないことを特徴とする請求項７記載の電子機器。
【請求項９】
前記回路パターンは、グランド回路を有し、
回路基板上に形成された前記グランド回路と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とを接地するための電磁波シールド積層体を有し、
前記絶縁保護膜に設けられたビアを介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通するように、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層（Ｉ）を少なくとも有する電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を有する、請求項７または８記載の電子機器。
【請求項１０】
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を該電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
前記電磁波シールド積層体の所定の位置に電磁波シールド層と絶縁層を貫通するスルーホールを形成することにより電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１１】
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
熱圧着によって電磁波シールド層を硬化させ、
前記電磁波シールド積層体の所定の位置に電磁波シールド層と絶縁層を貫通するスルーホールを形成することにより電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１２】
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層し、かつ電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する電磁波シールド積層体を、前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置して電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１３】
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層し、かつ電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する電磁波シールド積層体を、前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
熱圧着によって電磁波シールド層を硬化させて電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１４】
前記回路パターンは、グランド回路を有し、
前記グランド回路上の少なくとも一部にビアを有する絶縁保護膜を形成し、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層（Ｉ）を少なくとも有する電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を、
前記導電性接着剤層（Ｉ）が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
熱圧着して前記ビアに導電性接着剤層（Ｉ）を前記グランド回路に当接するように流入させ、
前記絶縁保護膜に設けられたビアを介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する請求項１０〜１３いずれか１項記載の電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールド積層体に関する。また、前述の電磁波シールド積層体を用いてなる電子機器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末、ＰＣ、サーバー等をはじめとする各種電子機器には、フレキシブルプリント配線板等の基板が内蔵されている。これらの基板には、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するために、また、電気信号からの不要輻射を低減するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。
【０００３】
特許文献１においては、図８に示されるように、ベースフィルム１１１上に信号回路１１２とグランド回路１１３を設け、これ等を保護する絶縁フィルム１１５を接着材１１６で取り付けて基体フィルム１１０を形成している。
そして、絶縁フィルム１１５の表面に接着材層１２１を介して金属薄膜層１２３を、この金属薄膜層１２３の表面にカバーフィルム１２２を積層して、シールドフィルム１２０を形成している。
グランド接続部材は、金属箔１５０と、この金属箔１５０の片面から突出する金属フィラー１２６ａと、金属箔１５０と金属フィラ―１２６ａとの間にあって金属箔１５０に金属フィラー１２６ａを接着する接着剤層１２６とを有する。
このグランド接続部材は、金属フィラー１２６ａをカバーフィルム１２２に押し付けることで、金属フィラー１２６ａはカバーフィルム１２２を突き抜けて金属薄膜層１２３に侵入し、金属薄膜層１２３と接続される。そして、外部に露出している金属箔１５０が近傍のアース部４０に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４-０９５５６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の信号の高速化や装置の軽薄短小化に伴い、配線同士の離間距離が狭くなり、回路設計の自由度の高さが求められている。また、高速伝送に伴う電磁妨害（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ（ＥＭＩ））をより効果的に防止する技術の向上を図る技術が求められている。
【０００６】
特許文献１においては、カバーフィルムに押し付けられてカバーフィルムを突き抜ける金属フィラ−を設けているため、押圧の精密な条件設定が必要であり、金属フィラーの突き抜けが不十分でグランド補強が十分でなく高速伝送回路に適応できない問題があった。また、グランド接続の信頼性が低下する問題があった。
【０００７】
本発明は、上記背景に鑑みて成されたものであり、その目的とすることは、電磁波シールド用積層体の厚み方向にグランド接続構造を設け、電磁波シールド用積層体の表面の任意の位置おいて確実にグランド接続できるように構成したもので、回路設計の自由度を向上させ、グランド接続が確実となり、グランド接続の信頼性が高い電磁波シールド積層体、この電磁波シールド積層体を用いて小型化を実現可能な電磁波シールドに優れた電子機器およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
本発明に係る電磁波シールド積層体は、回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に配置される。また、前記回路基板の絶縁保護膜上に電磁波シールド層および絶縁層の順に積層され、前記電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、前記スルーホールの上面にグランド部が載置され、前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなることを特徴とする。
また、前記グランド部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）と、グランド接続部材とからなり、熱圧着により、導電性接着剤層（II）が電磁波シールド層に当接するようにスルーホールに充填され、前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部が電気的に接続しているものである。
【００１０】
上記の電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、導電性接着剤層（Ｉ）を少なくとも有する。電磁波シールド層は、等方導電性接着剤層である。あるいは、異方導電性接着剤層及び金属層からなる積層体であって、異方導電性接着剤層が前記絶縁保護膜上に載置されるものである。
また、電磁波シールド積層体は、必要に応じて、上記の回路パターンにグランド回路を含み、前記グランド回路が露出するように絶縁保護膜にビアを形成し、このビアを介してグランド回路と電磁波シールド層を接続する構成とする。
【００１１】
上記の電子機器は、電子機器本体のアース部に、電磁波シールド層付き基板がグランド部により接合された電子機器であって、前記電磁波シールド層付き基板は、基板上に形成された回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層された電磁波シールド層および該電磁波シールド層上に形成された絶縁層を有する電磁波シールド積層体と、を具備してなり、前記電磁波シールド積層体は、電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、前記グランド部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）と、グランド接続部材とからなり、かつ導電性接着剤層（II）が前記スルーホールの上面に載置されてなり、
熱圧着により、導電性接着剤層（II）が電磁波シールド層に当接するように前記スルーホールに充填され、前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部が電気的に接続してなる。
【００１２】
本発明に係る電磁波シールド層付き基板をアース部に接合する電子機器の製造方法は、回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を該電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、  前記電磁波シールド積層体の所定の位置に電磁波シールド層と絶縁層を貫通するスルーホールを形成することにより電磁波シールド層付き基板を形成し、さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（ＩＩ）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部に電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する方法である。
【００１３】
あるいは、回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、電磁波シールド層と絶縁層とを積層し、かつ電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する電磁波シールド積層体を、前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置して電磁波シールド層付き基板を形成し、さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材に電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部に電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する方法である。
【００１４】
なお、上記のいずれの製造方法においても、スルーホールに導電性接着剤層（II）を電磁波シールド層に当接するように流入させる熱圧着を利用して、電磁波シールド層を硬化させて該電磁波シールド層を絶縁保護層と一体化させる（熱加熱１回方式）他、電磁波シールド層を絶縁保護層に配置した後、上記の熱圧着とは別の熱圧着によって電磁波シールド層を硬化させて絶縁保護層と一体化させる（熱加熱２回方式）いずれの方式も適用できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電磁波シールド積層体は、電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを介してグランド接続部材と導通することができるため、グランド接続が確実となり、グランド接続の信頼性が向上することが可能となる。
また、この電磁波シールド積層体を用いることで、電磁波シールド性に優れた電子機器およびその製造方法を提供できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の電磁波シールド積層体を適用した電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。
【図２】本発明の電磁波シールド積層体を適用した電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。
【図３】本発明の電磁波シールド積層体を適用した電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。
【図４】第１実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の製造工程端面図。
【図５】第２実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の製造工程端面図。
【図６】本発明の電磁波シールド積層体を適用した電磁波シールド層付き電子機器の折り曲げ前の要部の模式的平面図。
【図７】本発明の電磁波シールド積層体を適用した電磁波シールド層付き電子機器の折り曲げ後の要部の模式的断面図。
【図８】従来の電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的端面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、これに限定されるものではない。
【００１８】
≪電磁波シールド積層体≫
本発明の電磁波シールド積層体は、電磁波シールド層と絶縁層を備えたものであり、前記電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する。電磁波シールド積層体は電磁波シールドシートを用いて形成することができる。
【００１９】
図１に、本発明の電磁波シールド積層体を適用した電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図の一例を示す。
電磁波シールド積層体２０は、回路パターン１４および前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜１５が形成された回路基板１０と、電子機器本体のアース部４０に接続されたグランド部７０との間に配置する電磁波シールド積層体であって、前記回路基板１０の絶縁保護膜１５上に電磁波シールド層２５および絶縁層２２の順に積層され、前記電磁波シールド層２５および絶縁層２２を貫通するスルーホール２４を有し、前記スルーホール２４の上面にグランド部７０が載置され、前記スルーホール２４を介して前記電磁波シールド層２５と前記グランド部７０とが電気的に接続するように、電磁波シールド層２５と絶縁層２２とを積層されてなる。
【００２０】
また、前記グランド部７０は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）６０と、グランド接続部材５０とからなり、熱圧着により、導電性接着剤層（II）６０が電磁波シールド層２５に当接するようにスルーホール２４に充填され、前記スルーホール２４を介して前記電磁波シールド層２５と前記グランド部７０が電気的に接続するように、電磁波シールド層２５と絶縁層２２とを積層してなることが好ましい。
【００２１】
また、図２に、本発明の電磁波シールド積層体を適用した電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図の別の一例を示す。
電磁波シールド積層体２０は、回路パターン１４および前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜１６が形成された回路基板１０と、電子機器本体のアース部４０に接続されたグランド部７０との間に配置する電磁波シールド積層体であって、
前記回路パターン１４は、グランド回路１３を有し、回路基板１０上に形成された前記グランド回路１３と、電子機器本体のアース部４０に接続されたグランド部７０とを接地するための電磁波シールド積層体であって、前記絶縁保護膜１５に設けられたビア１７を介して前記電磁波シールド層２５と前記グランド回路１３とが導通するように、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、導電性接着剤層（Ｉ）２１を少なくとも有する電磁波シールド層２５と絶縁層２２との積層体である。
【００２２】
＜スルーホール＞
電磁波シールド層と絶縁層を貫通するスルーホールの形状は特に限定されず、円や四角など、必要に応じて設定できる。スルーホールの開口面積は０．０１〜１００ｍｍ２が好ましく、０．１０〜８０ｍｍ２がより好ましい。スルーホールの開口面積を上記の範囲にすることで、電磁波シールド性とグランド接続部材の接続安定性を高めることができる。
【００２３】
スルーホールを円形で形成する場合の直径は０．５〜５ｍｍが好ましく１〜３ｍｍがより好ましい。
【００２４】
スルーホールは１つでも複数形成してもよい。グランド接続をより強化する点から複数形成することが好ましい。
【００２５】
グランド部の貼り付け面積１００に対するスルーホールの総開口面積は、０．１〜９０が好ましく１〜７０がより好ましい。上記範囲にすることで、グランド部が有する導電性接着剤層（Ｉ）の接着力とグランド信頼性を向上できる。
【００２６】
スルーホールは、例えば電磁波シールドシートを所定の形状に打ち抜き加工する際に、同時にスルーホールも打ち抜き加工し、これを回路基板に熱圧着することでスルーホールが形成された電磁波シールド積層体を得ることができる。打ち抜き加工はハーフカットでも全抜き加工でもよい。一方、スルーホールのない電磁波シールドシートを回路基板に熱圧着して電磁波シールド積層体を形成した場合は、レーザー加工などにより絶縁層と電磁波シールド層にスルーホールを形成することができるが、加工工程の簡略化の点から電磁波シールドシートにあらかじめスルーホールを形成する方法が好ましい。
【００２７】
＜電磁波シールド層＞
電磁波シールド層は、回路パターン１４から発生する電磁波の外部への漏洩を防ぎ、また、外部から回路への電磁波（ノイズ）を遮蔽する役割を担う。電磁波シールド層は次の３つの態様が好ましい。第一の態様は、導電性接着剤層（Ｉ）単層であり、第二の態様は、金属層と導電性接着剤層（Ｉ）の積層体である。異方導電性接着剤層は、絶縁保護膜上に載置される。導電性接着剤層（Ｉ）は、等方導電性接着剤層および、異方導電性接着剤層である。また、第三の態様は、金属層と接着剤層の積層体である。接着剤層および金属層からなる積層体は、接着剤層が絶縁保護膜上に載置される。
【００２８】
ここで等方導電性とは、電磁波シールド層を水平に置いたときに垂直方向（ 縦方向） と水平方向（面方向）に導電することをいう。また、異方導電とは、電磁波シールド層を水平に置いたときに垂直方向（縦方向）に導電することをいう。
【００２９】
電磁波シールド層の厚みは、１〜１００μｍ程度が好ましく、３〜５０μｍ程度がより好ましく、５〜２０μｍ程度がさらに好ましい。これにより、絶縁保護膜１５への被覆性を良好にしつつ、電磁波シールド性を効果的に発揮し、且つ、薄膜化を達成することができる。
【００３０】
［導電性接着剤層（Ｉ）］
導電性接着剤層（Ｉ）は導電性微粒子、バインダー樹脂および硬化剤からなる導電性樹脂組成物によって形成される。
導電性接着剤層（Ｉ）は、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能し、回路パターンがグランド回路を有する場合には、熱圧着により、絶縁保護膜に設けられたビアに導電性接着剤層（Ｉ）が流入し、前記ビアを介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とを導通させることができる。
【００３１】
（導電性微粒子）
導電性微粒子は、金、白金、銀、銅およびニッケル等の導電性金属、およびその合金、ならびに導電性ポリマーの微粒子が好ましい。また単一組成の微粒子ではなく金属や樹脂を核体とし、前記核体の表面を被覆する被覆層を核体よりも導電性が高い素材で形成した複合微粒子がコストダウンの観点から好ましい。核体は、ニッケル、シリカ、銅および樹脂から選択することが好ましく、導電性の金属およびその合金がより好ましい。被覆層は、導電性を有する素材であればよく、導電性金属または導電性ポリマーが好ましい。導電性金属は、例えば、金、白金、銀、錫、マンガン、およびインジウム等、ならびにその合金が挙げられる。また導電性ポリマーは、ポリアニリン、ポリアセチレン等が挙げられる。これらの中でも導電性の面から銀が好ましい。
等方導電性接着剤層は、フレーク状、または樹枝状の導電性微粒子を使用する方法等公知の方法で得られる。また、異方導電性接着剤層は、球状または樹枝状の導電性微粒子を使用する方法等で得られる。なお、電磁波シールド層が樹枝状の導電性微粒子を大量に含む場合、等方導電性が得られる。また電磁波シールド層が樹枝状の導電性微粒子を少量含む場合、異方導電性が得られる。
【００３２】
導電性微粒子の配合量は、例えば異方導電層を形成する場合、バインダー樹脂１００重量部に対して、１０〜 ２００重量部を配合することが好ましく、２０〜１００重量部が
より好ましい。また、等方導電性接着剤層を形成する場合、バインダー樹脂１００重量部に対して、１００〜１５００重量部を配合することが好ましく、１００〜１０００重量部がより好ましい。
【００３３】
導電性微粒子は、単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。導電性微粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、フレーク状、樹枝状等が挙げられる。
【００３４】
（バインダー樹脂）
バインダー樹脂としては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で特に限定されないが、熱硬化性樹脂が好ましい。また、後工程においてリフロー工程等の加熱工程が無い用途においては、熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂は、自己架橋性タイプおよび硬化剤反応タイプが使用できる。硬化剤反応タイプのバインダー樹脂としては、硬化剤と反応可能な反応性官能基が結合された熱硬化性樹脂が好適である。
回路パターンがグランド回路を有する場合、バインダー樹脂は、後述するように、熱圧着によって導電性接着剤層（Ｉ）が、絶縁保護膜に形成したビアに流入し充填することでグランド接続を強化する役割を有するため、熱により軟化する樹脂であることが好ましい。
【００３５】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステル、ウレタンウレア、およびポリイミド等が好ましい。前記熱硬化性樹脂は、通常、自己架橋可能な官能基、または硬化剤と反応可能な官能基を有している。これらの中でも電磁波シールド層付き電子機器１を製造する時（例えば、リフロー時）における過酷な条件を考慮すると、熱硬化性樹脂は、エポキシ、エポキシエステル、ウレタン、ウレタンウレア、およびポリアミドのうちの少なくとも１つを含んでいることが好ましい。また、加熱工程に耐え得る範囲であれば、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を併用することもできる。
【００３６】
熱硬化性樹脂を用いる場合、硬化剤を併用することが好ましい。硬化剤は、前記硬化性官能基と反応可能な官能基を複数有している。硬化剤は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド、芳香族ジアミン等のアミン化合物、またはフェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物等が好ましい。
硬化剤は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して１〜５０重量部含むことが好ましく、３〜３０重量部がより好ましく、３〜２０重量部がさらに好ましい。
【００３７】
熱可塑性樹脂としては、ポリエステル、アクリル、ポリエーテル、ウレタン、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエン、ポリアミド、エステルアミド、イソプレン、またはセルロース等が好ましい。
バインダー樹脂は、単独または混合して用いることができる。
【００３８】
［金属層］
第二の態様は、金属層と導電性接着剤層（Ｉ）の積層体であり、このとき導電性接着剤層（Ｉ）は、異方導電性接着剤層であることが好ましい。
金属層を有することにより、電磁波をさらに高いレベルでシールドでき、特に高周波（例えば、１ＧＨｚ〜１００ＧＨｚ）の信号を伝送する配線板でノイズ等をより抑制できる。金属層の厚みは、１０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００３９】
金属層は、例えば金属箔、金属蒸着膜、金属スパッタ膜を使用できる。金属箔に使用する金属は、例えばアルミニウム、銅、銀、金等の導電性金属が好ましく、シールド性、接続信頼性およびコストの面から銅、銀、アルミニウムがより好ましく、銅がさらに好ましい。銅は、例えば、圧延銅箔または電解銅箔を使用することが好ましく、電解銅箔がより好ましい。電解銅箔を使用すると金属層の厚さをより薄くできる。また、金属箔はメッキで形成してもよい。金属箔の厚みは０．１〜１０μｍが好ましく、０．５〜５μｍがより好ましい。金属蒸着膜に使用する金属は、例えばアルミニウム、銅、銀、金が好ましく、銅、銀がより好ましい。金属蒸着膜の厚みは、０．１〜３μｍが好ましい。金属スパッタ膜に使用する金属は、例えばアルミニウム、銅、銀、クロム、金、鉄、パラジウム、ニッケル、白金、銀、亜鉛、酸化インジウム、アンチモンドープ酸価錫が好ましく、銅、銀がより好ましい。金属スパッタ膜の厚みは、１０〜１０００ｎｍが好ましい。
【００４０】
また、第二の態様は後述するように、グランド接続部材５０と導通を取るために、スルーホール２４に導電性接着剤層（II）６０を流入させて電気的に接続する際、金属層２３が絶縁層２２を補強する下地となるため、熱圧着時の圧力が導電性接着剤層（II）６０に伝わりやすくなり、流入を促進させ、より確実にグランド接続部材５０と導通を確保することができる。
また、第三の態様は、電磁波シールド層を金属層２２で構成し、この金属層２２を導電性を有しない接着剤によって絶縁保護層１５の表面に接着固定し、金属層２２のみによって電磁波シールド機能を発揮させる構成である。
【００４１】
熱圧着により、電磁波シールド層を形成する。また、絶縁保護膜１５にビア１７を形成し、導電性接着剤層（Ｉ）をグランド回路１３に接着することで、グランド回路１３と電磁波シールド層２５を導通させることができる。電磁波シールド層２５の形成位置は、シールド特性を効果的に発揮させる観点からは、回路パターン１４の形成領域に対向配置することが好ましい。回路パターン１４の端部方向からの電磁波の放射や侵入を防止する観点からは、回路パターン１４の形成領域よりも広い範囲に電磁波シールド層２５を形成することがより好ましい。但し、用途に応じて、回路パターン１４の形成領域全てに電磁波シールド層２５を対向配置させなくてもよい。  
【００４２】
＜絶縁層＞
絶縁層２２は、電磁波シールド層２５の表面に設けることにより、電磁波シールド層２５を絶縁保護し、他の導電部材との接触時の短絡を防止できる。
【００４３】
この絶縁層２２を構成するバインダー樹脂、硬化剤は電磁波シールド層２５で説明したものと同じものを使用することができる。
【００４４】
絶縁層２２の厚みは、用途により適宜設計し得るが、絶縁性と薄膜化の観点からは、３〜５０μｍの範囲が好ましく、５〜３０μｍの範囲がより好ましく、７〜２０μｍ範囲がより好ましい。絶縁層の厚みを３〜５０μｍの範囲にすることで、絶縁信頼性が向上し、ＦＰＣの薄膜化を可能とすることができる。
【００４５】
＜電磁波シールドシートの製造方法＞
電磁波シールド積層体は、上記で説明した材料を用いて、電磁波シールドシートにより作製できる。
電磁波シールドシートの第一の態様の作製方法を説明する。具体的には、導電性接着剤層（Ｉ）と絶縁層とを貼り合わせて作製できる。また、導電性接着剤層（Ｉ）に絶縁性樹脂組成物を塗工することで絶縁層を形成することもできる。
【００４６】
電磁波シールドシートの第二の態様の作製方法を説明する。具体的には、剥離性シート上に銅キャリア付電解銅箔の電解銅箔面側に、異方導電性である導電性接着剤層（Ｉ）を重ねてラミネートした後に、銅キャリアを剥がす。そして、銅キャリアを剥がした面と、別途剥離性シート上に形成した絶縁層とを重ねてラミネートする方法がある。また、剥離性シート上に導電性接着剤層（Ｉ）を形成し、その表面に無電解メッキ処理により金属層を形成し、別途剥離性シート上に形成した絶縁層と前記金属層とを重ねてラミネートする方法等が挙げられる。
電磁波シールドシートの第三の態様の作製方法を説明する。具体的には、剥離性シート上に接着剤層を塗工した表面に、無電解メッキ処理等により金属層を形成し、別途剥離性シート上に形成した絶縁層と前記金属層とを重ねてラミネートする方法等が挙げられる。
【００４７】
塗工方法は、例えば、グラビアコート方式、キスコート方式、ダイコート方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレード方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、スプレーコート方式、バーコート方式、スピンコート方式、ディップコート方式等の公知の塗工方法を使用できる。塗工に際して、乾燥工程を行うことが好ましい。乾燥工程は、例えば、熱風乾燥機、赤外線ヒーター等の公知の乾燥装置を使用できる。
【００４８】
電磁波シールドシートは、導電性接着剤層（Ｉ）に含まれる熱硬化性樹脂と硬化剤が未硬化状態で存在し、配線板と加熱圧着により硬化することで、所望の接着強度を得ることが出来る。なお、前記未硬化状態は、硬化剤の一部が硬化した半硬化状態を含む。
【００４９】
剥離性シートは、紙やプラスチック等の基材に、公知の剥離処理を行ったシートを用いることができる。
【００５０】
なお電磁波シールドシートは、異物の付着を防止するため、導電性接着剤層（Ｉ）面および絶縁層面に剥離性シートを貼り付けた状態で保存することが一般的である。
【００５１】
電磁波シールドシートは、導電性接着剤層（Ｉ）および絶縁層のほかに、他の機能層を備えることができる。他の機能層とは、ハードコート性、水蒸気バリア性、酸素バリア性、熱伝導性、低誘電率、高誘電率性または耐熱性等の機能を有する層である。
【００５２】
≪グランド部≫
グランド部は導電性接着剤層（II）とグランド接続部材とからなり、電磁波シールド層と当接し、アース部と接地することでグランド補強する。
【００５３】
＜導電性接着剤層（II）＞
導電性接着剤層（II）６０は電磁波シールド積層体２５のスルーホール２４に充填させ、グランド接続部材５０と導通するためのものであり、スルーホールに充填し硬化することによってグランド接続が確実となり、グランド接続の信頼性が向上する。導電性接着剤層（II）は熱圧着時にスルーホール２４に流入し充填される。これにより、スルーホール内の電磁波シールド層と電気的に接続しグランド接続部材と確実に接続することができる。
【００５４】
すなわち、電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを形成し、前記スルーホールに導電性接着剤（II）を充填させ、熱硬化することでグランド接続部材と導通することができるため、グランド接続が確実となり、グランド接続の信頼性が向上する。
【００５５】
導電性接着剤層（II）は、導電ペーストを塗布する方法や導電性接着シートを用いることができる。工程の簡略化の点で導電性接着シートを用いることが好ましい。
【００５６】
導電ペーストとは導電性接着剤層（Ｉ）で説明した導電性微粒子、バインダー樹脂、硬化剤に加えて、溶剤等を含有した導電性樹脂組成物である。導電ペーストを塗布する場合は、スクリーン印刷によって必要な箇所に所望の厚みで塗布した後、乾燥させ溶剤を除去する方法が好ましい。
【００５７】
導電性接着シートは、熱により軟化するバインダー樹脂と導電性微粒子と、必要に応じて硬化剤を含む導電性樹脂組成物を剥離性シート上に塗工して乾燥することで作製できる。バインダー樹脂および導電性微粒子は導電性接着剤層（Ｉ）と同様の材料が使用できる。
【００５８】
導電性接着シートはその他の機能層を積層することもできる。機能層とはハードコート性、水蒸気バリア性、酸素バリア性、低誘電率、高誘電率性、耐熱性等を有する層のことである。
【００５９】
導電性接着シートの加熱圧着前の厚みは、１０〜１００μｍが好ましく、２０〜８０μｍがより好ましい。
【００６０】
＜グランド接続部材＞
グランド接続部材５０は、例えば金、銀、銅、アルミ、鉄、ニッケルおよびこれらの合金からなる金属板が挙げられる。これらの中でグランド接続部材としての導電性とコストおよび化学的安定性の面で銅、アルミ、ニッケル、銀が好ましい。グランド補強部材の厚みは、グランド接続信頼性と形状保持性の観点から０．０４〜２ｍｍが好ましく、０．１〜１ｍｍがより好ましい。
【００６１】
グランド接続部材は、あらかじめ上述した導電性接着シートと張り合わせて積層体とした後、所定の大きさにカットして電磁波シールド積層体に載置することが、工程数の簡略化の点から好ましい。
【００６２】
≪回路基板≫
回路基板１０は、回路パターン１４が形成された基板１１と、これらの上層を被覆するように接着剤１６によって取り付けた絶縁保護膜（カバーレイ）１５等からなる。
【００６３】
基板１１としては、本発明の趣旨に適合する限り特に限定されず、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板等に広く適用できる。回路パターン１４の形成方法は特に限定されず公知の方法を利用できる。
【００６４】
基板１１としてフレキシブルプリント基板を用いる場合には、例えば、厚み５〜１００μｍ程度の絶縁性ベースフィルムと厚み５〜１００μｍ程度の回路パターン１４が接着層を介して接合された構造を用いることができる。絶縁性ベースフィルムの材料は特に限定されないが、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド等の樹脂が例示できる。基板１１は、折り曲げた状態等で使用してもよい。
【００６５】
基板１１としてリジッド基板を用いる場合には、例えば、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、テフロン（登録商標）基板、セラミックス基板等が挙げられる。基板１１上には、信号回路１２に接続される能動素子を含む電子素子が実装されていてもよい。
【００６６】
回路パターン１４は、信号回路１２の他に、グランド回路を設けることもできる。回路パターンにグランド回路を設けない場合、高密度配線にすることができるため、電子機器の小型化に寄与する。一方グランド回路を形成し、電磁波シールド層とグランド接続することで、電磁波シールド性がより向上するため高周波ノイズの抑制に効果的である。
【００６７】
回路パターン１４の材料は特に限定されないが、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｗ，Ｆｅ，ＴｉおよびＳＵＳ材等の金属ならびにその合金等の導電材料が例示できる。
回路パターンにグランド回路１３を設ける場合の形成位置は、電磁波シールド積層体２０の電磁波シールド層２５にグランドコンタクトが取れればよく、基板１１の表面の他、基板の内部あるいは基板の裏面でもよい。
【００６８】
絶縁保護膜１５は、回路パターン１４を保護する役割を担い、絶縁性を有し、後述する熱圧着工程に耐え得る層であれば特に限定されない。好適な例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、窒素含有酸化シリコン等の無機材料膜もしくはポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等の有機材料膜などが例示できる。ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体等の樹脂、光重合性化合物、光重合開始剤等を含む感光性樹脂組成物を用いてもよい。絶縁保護膜１５は単層としてもよく、同一又は異なる複数の層を積層してもよい。回路パターンにグランド回路を設ける場合、絶縁保護膜１５には、グランド回路１３に対向してビア１７が設けられている。
【００６９】
≪電子機器≫
本発明に係る電子機器は、電子機器本体のアース部に、電磁波シールド層付き基板がグランド部により接合された電子機器であって、前記電磁波シールド層付き基板は、基板上に形成された回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層された電磁波シールド層および該電磁波シールド層上に形成された絶縁層を有する電磁波シールド積層体と、を具備してなり、前記電磁波シールド積層体は、電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、前記グランド部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）と、グランド接続部材とからなり、かつ導電性接着剤層（II）が前記スルーホールの上面に載置されてなり、熱圧着により、導電性接着剤層（II）が電磁波シールド層に当接するように前記スルーホールに充填され、前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部が電気的に接続してなる。
【００７０】
図１は、本発明の電子機器の要部の模式的断面図の一例を示し、電子機器本体のアース部４０に、電磁波シールド層付き基板３０が、グランド部７０により接合されたものである。
【００７１】
なお、前記導電性接着剤層（II）が回路パターンに当接していない場合、流入する高さが低いため、穴内部への流入不足による気泡混入を防止でき、例えば、ハンダリフロー工程で界面剥離を抑制し安定した接続抵抗値信頼性を得ることができる。
【００７２】
また、図２は、本発明の電子機器の要部の模式的断面図の別の一例を示し、信号回路１２とグランド回路１３とを有する回路パターン１４が形成された基板１１と絶縁保護膜１５に、グランド回路１３が露出するようにビア１７が設けられている。ビア１７には電磁波シールド積層体の導電性接着剤層（Ｉ）２１が熱圧着によって流入し、電磁波シールド層とグランド回路が導通している。
【００７３】
図３は、図２で説明した電子機器とは、電磁波シールド積層体が異なる例であり、具体的には、絶縁層２２と等方導電性の導電性接着剤層（Ｉ）からなる電磁波シールド積層体である。上記の構成とすることで、導電性接着剤層（Ｉ）を径の小さいビアに埋め込む場合に確実なグランド接続を得ることができる。
また、図２の電磁波シールド積層体とは異なる例として、図は省略するが、具体的には絶縁層２２と金属層２３および接着剤層からなる電磁波シールド積層体である。つまり、図２の導電性接着剤層（Ｉ）２１の代わりに絶縁性の接着剤層を用いたもので、接着剤層によって、絶縁保護膜１５の表面に接着固定することにより、金属層２３のみによって十分な電磁波シールド効果を得ることができる。必要に応じて金属層２３がグランドパターンに接触するよう凸状に成形することができる。
【００７４】
本発明の電子機器は、グランド部を用いてグランド接続を強化するとともに、電磁波シールド層付き基板に形状保持性を付与することができる。電磁波シールド積層体の上面に一定の面積のグランド部を張り付けることで、電磁波シールド層付き基板を折り曲げた際に、これら積層体の形状が戻ろうとする力を抑制し、折り曲げたままの状態の形状を保持することができる。
【００７５】
図６は電磁波シールド積層体２０の上面にグランド部７０が接続され、さらにグランド部上面にアース部４０が接続された平面図である。図６（ａ）においてグランド部７０は、所定の箇所一面に張り付けられている。図示しないが、導電性接着剤層（II）は電磁波シールド付き基板３０に接着し、電磁波シールド層に当接しグランド接続部材５０と導通している。
【００７６】
図７は図６の積層体（ａ）をＤ−Ｄ’のラインに沿って１８０°に山折りした、電磁波シールド付き基板３０の、Ｅ−Ｅ’における断面図である。グランド部を形状保持部材として併用しているため、アース部４０に接続しグランド接続を強化するとともに、電磁波シールド層付き基板の折り曲げた形状を保持する。狭い筐体に電磁波シールド層付き基板を折り曲げて使用する場合に、電磁波シールド層付き積層体の反発力が強く接続した電子機器の不具合を起こすなどの課題がある場合に用いることができる。また図７では積層体（ａ）をＤ−Ｄ’のラインに沿って１８０°に山折りしたが、アース部と接続可能な設計であれば、谷折りしても良い。
【００７７】
形状保持するためにグランド部を使用する場合、図６（ｂ）や（ｃ）に示すようにグランド部に開口部を設けても良い。グランド部の面積は張り付ける電磁波シールド層付き基板の積層数や厚みおよび面積と、グランド接続部材の素材と厚みに依存する。アース部と接地しない部分はその他の電子部品との短絡を防止するため絶縁被膜を設けることが好ましい。
【００７８】
≪電子機器の製造方法≫
本発明に係る電磁波シールド層付き基板をアース部に接合する電子機器の製造方法は、回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールドシートを該電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
前記電磁波シールド積層体の所定の位置に電磁波シールド層と絶縁層を貫通するスルーホールを形成することにより電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（ＩＩ）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材と電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する方法（製造方法１）である。
【００７９】
あるいは、回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層し、かつ電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する電磁波シールド積層体を、前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置して電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材と電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する方法（製造方法２）が挙げられる。
【００８０】
以下、回路パターンがグランド回路を有する場合を例に、図面を用いて具体的に説明するが、これに限定されるものではない。
【００８１】
＜製造方法１＞
まず、図４（ａ）に示すように、信号回路１２とグランド回路１３を有する回路パターン１４が形成された基板１１上に、回路パターン１４を保護し、グランド回路１３が露出するように形成されたビア１７を有する絶縁保護膜１５を形成する。ビア１７は、例えば、レーザー加工等により形成できる。別の方法として、予めビア１７を形成した絶縁保護膜をラミネートしてもよい。
【００８２】
次に、図４（ｂ）に示すように、異方導電性である導電性接着剤層（Ｉ）２１と金属層２３よりなる電磁波シールド層２５および絶縁層２２の積層体である電磁波シールドシートを絶縁保護膜１５上に載置し、熱圧着を行う。熱圧着は、例えば、熱圧着機を用いて電磁波シールドシートを加熱しつつ加圧することにより行う。この熱圧着を行うことにより、熱圧着後の導電性接着剤層（Ｉ）２１が絶縁保護層１５を被覆しビア１７に充填された、電磁波シールド積層体２０が形成され、電磁波シールド層付き基板３０が得られる。
【００８３】
圧力の範囲は、平滑性・製造効率の観点から、１ｋｇ／ｃｍ２以上であることが好ましく、３ｋｇ／ｃｍ２以上であることがより好ましく、５ｋｇ／ｃｍ２以上であることが更に好ましい。また、上限値としては、回路パターン１４および基板１１の耐圧性の観点から、１００ｋｇ／ｃｍ２以下であることが好ましく、８０ｋｇ／ｃｍ２以下であることがより好ましく、５０ｋｇ／ｃｍ２以下であることが更に好ましい。
【００８４】
熱圧着の温度は、導電性接着剤層（Ｉ）および導電性接着剤層（II）に用いるバインダー樹脂、ならびに硬化剤の種類に応じて適宜設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、１４０〜１８０℃の範囲が好適である。
【００８５】
熱圧着時間は、電子部品の耐熱性、電磁波シールド層に用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、１分〜２時間程度の範囲が好適である。なお、熱圧着時間は、１分〜１時間程度がより好ましい。この熱圧着により熱硬化性樹脂は、硬化する。但し、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば熱圧着前に硬化してもよい。
【００８６】
次に図４（ｃ）に示すように、導電性接着剤層（Ｉ）２１と金属層２３よりなる電磁シールド層２５および絶縁層２２の積層体である電磁波シールド積層体２０のグランド接続部材５０の取り付け部に、レーザー加工等によって絶縁保護層１５に達するように、絶縁層２３、電磁波シールド層２５を貫通するスルーホール２４を形成する。
【００８７】
その後、図４（ｄ）に示すように、導電性接着剤層（II）を有する導電性接着シートとグランド接続部材５０とを張り合わせ所定のサイズにカットしたグランド部７０の導電性接着剤層（II）の面を、スルーホール２４を覆うように絶縁層２２の表面に配置する。
そして、グランド接続部材５０を熱圧着することで、加熱により軟化した導電性接着剤層（II）が、同時に加えられる圧力によってスルーホール２４内に流入充填し、グランド接続部材５０と電磁波シールド層付き基板３０内の電磁波シールド層２５との導通が確保される。
そして、上記グランド部７０が取り付けられた電磁波シールド付き基板３０を設計に基づいて組立て、この電磁波シールド層２５を上記グランド接続部材５０を通してアース部４０に接続し接地する。グランド接続部材５０とアース部４０は不図示のガスケット及び導電粘着テープで接続する。
【００８８】
＜製造方法２＞
製造方法２は、図５（ａ）に示すように、導電性接着剤層（Ｉ）２１と金属層２３よりなる電磁シールド層２５および絶縁層２２の積層体である電磁波シールドシートのグランド接続部材５０の取り付け部に、打ち抜き加工やレーザ加工等によって、絶縁層２３、電磁波シールド層２５を貫通するスルーホール２４を形成する。
続く図５（ｂ）〜（ｃ）の工程は、それぞれ図４（ｃ）〜（ｄ）で説明した方法と同様である。
【００８９】
なお、上記のいずれの製造方法においても、スルーホールに導電性接着剤層（II）を電磁波シールド層に当接するように流入させるための熱圧着を利用して、電磁波シールド層２５を硬化させて該電磁波シールド層を絶縁保護層１５と一体化させる（熱加熱１回方式）他、電磁波シールド層２５を絶縁保護層１５上に配置した後、上記の熱圧着とは別の熱圧着によって電磁波シールド層２５を硬化させて絶縁保護層１５と一体化させる（熱加熱２回方式）のいずれの方式も適用できる。
【００９０】
アース部４０は、電子機器１を構成する部材であり、少なくとも導電性の部材であればよい。好適な例としては、電子機器本体内部に配置された導電性を有するボード、筐体部の金属メッキ部、筐体に張り付けられた金属板、着脱自在に構成された蓋等の部材等が例示できる。
【００９１】
電子機器１のアース部４０側に接続されたグランド接続部材５０は、グランド回路１３をアース部４０に接地するための導体部であり、グランド電位となる。
【００９２】
本発明によれば、積層された電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する電磁波シールド積層体を用いて、上記絶縁層の表面に配置したグランド接続部材によって上記スルーホールを通じて該絶縁層の厚み方向に導電路を形成しているので、金属フィラー等を絶縁保護膜に突き刺す従来の方法と比較して、信号回路等に悪影響を与えることなく、シールド層とグランド部の接続信頼性が高い電子機器を製造することができるようになる。加えて、絶縁保護膜にエキシマーレーザを用いて開口部を設ける従来の方法と比較して、電子機器及び回路基板の製造歩留りを高めることができる。また、上記のグランド部は絶縁層の表面のいずれの位置に配置しても、上記と同様にスルーホールを通じて該絶縁層の厚み方向に導電路を形成することができるもので、グランド回路の位置に影響を受けることなく、グランド補強が可能となる。
【００９３】
また、本発明に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、基板の厚み方向にグランド電位を逃すルートを形成するので、グランドの接地のための領域を基板端部に確保せずとも接地することができ、小型化を実現できる。なお、グランド回路の接地のために、基板端部で導通を図る構造を排除する趣旨ではなく、本発明と併用して用いることも可能である。基板の端部にグランド接続構造を設ける構造と併用することにより、電磁波シールド効果をより効果的に実現できる。
また、本発明に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、回路パターンと、電磁波シールド層と、グランド部を構成する導電性接着剤層（II）およびグランド接続部材とが、互いに対向配置される構造を有し、且つグランド電位を逃す構造を採用しているので、ＥＭＩをより効果的に抑制し、且つＥＭＣの向上をより効果的に図ることができる。
また、本発明の第１の電子機器の製造方法によれば、グランド接続部材の取り付け位置が決まっている場合は、電磁波シールド積層体に予めスルーホールを形成しておくことができるので、電子機器の製造工程中にスルーホールの形成作業がなく、電子機器の製造工程を簡略化して迅速に製造することができる。
また、本発明の第２の電子機器の製造方法によれば、グランド接続部材の取り付け位置に応じてスルーホールを形成するので、電磁波シールド積層体の任意の位置からグランド回路の接地を行うことができる。
【００９４】
本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、上記実施形態は、互いに好適に組み合わせられる。
【符号の説明】
【００９５】
１      電子機器
１０    回路基板
１１    基板
１２    信号回路
１３    グランド回路
１４    回路パターン
１５    絶縁保護膜（カバーレイ）
１６    接着剤
１７    ビア
２０    電磁波シールド積層体
２１    導電性接着剤層（Ｉ）
２２    絶縁層
２３    金属層
２４    スルーホール
２５    電磁波シールド層
３０    電磁波シールド層付き基板
４０    アース部
５０    グランド接続部材
６０    導電性接着剤層（II）
７０    グランド部
【図１】
2018041953.tif 000003
【図２】
2018041953.tif 000004
【図３】
2018041953.tif 000005
【図４】
2018041953.tif 000006
【図５】
2018041953.tif 000007
【図６】
2018041953.tif 000008
【図７】
2018041953.tif 000009
【図８】
2018041953.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月22日(2017.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に配置する電磁波シールド積層体であって、
前記グランド部と回路パターンとは当接しておらず、
前記回路基板の絶縁保護膜上に電磁波シールド層および絶縁層の順に積層され、
前記電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、
前記スルーホールの上面にグランド部が載置され、
前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層と絶縁層とを積層した、電磁波シールド積層体。
【請求項２】
前記回路パターンは、グランド回路を有し、
回路基板上に形成された前記グランド回路と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とを接続するための電磁波シールド積層体であって、
前記絶縁保護膜に設けられたビアを介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通するように、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層（Ｉ）を少なくとも有する電磁波シールド層と絶縁層とを積層した、請求項１記載の電磁波シールド積層体。
【請求項３】
前記グランド部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）と、グランド接続部材とからなり、
熱圧着により、導電性接着剤層（II）が電磁波シールド層に当接するようにスルーホールに充填され、
前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部が電気的に接続するように、電磁波シールド層と絶縁層とを積層した、請求項１または２記載の電磁波シールド積層体。
【請求項４】
前記電磁波シールド層は、等方導電性接着剤層であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールド積層体。
【請求項５】
前記電磁波シールド層は、接着剤層および金属層からなる積層体であって、接着剤層が前記絶縁保護膜上に載置されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールド積層体。
【請求項６】
前記電磁波シールド層は、異方導電性接着剤層および金属層からなる積層体であって、
異方導電性接着剤層が前記絶縁保護膜上に載置されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールド積層体。
【請求項７】
電子機器本体のアース部に、電磁波シールド層付き基板がグランド部により接合された電子機器であって、
前記電磁波シールド層付き基板は、
基板上に形成された回路パターンと、
前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層された電磁波シールド層および該電磁波シールド層上に形成された絶縁層を有する電磁波シールド積層体と、を具備してなり、
前記グランド部と回路パターンとは当接しておらず、
前記電磁波シールド積層体は、電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有し、
前記グランド部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性微粒子を含む導電性接着剤層（II）と、グランド接続部材とからなり、かつ導電性接着剤層（II）が前記スルーホールの上面に載置されてなり、
熱圧着により、導電性接着剤層（II）が電磁波シールド層に当接するように前記スルーホールに充填され、
前記スルーホールを介して前記電磁波シールド層と前記グランド部が電気的に接続してなる電子機器。
【請求項８】
前記グランド部の導電性接着剤層（II）が回路パターンに当接していないことを特徴とする請求項７記載の電子機器。
【請求項９】
前記回路パターンは、グランド回路を有し、
回路基板上に形成された前記グランド回路と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とを接地するための電磁波シールド積層体を有し、
前記絶縁保護膜に設けられたビアを介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通するように、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層（Ｉ）を少なくとも有する電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を有する、請求項７または８記載の電子機器。
【請求項１０】
回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に電磁波シールド積層体とを具備し、かつ前記グランド部と回路パターンとが当接していない電子機器の製造方法であって、
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を該電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
前記電磁波シールド積層体の所定の位置に電磁波シールド層と絶縁層を貫通するスルーホールを形成することにより電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１１】
回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に電磁波シールド積層体とを具備し、かつ前記グランド部と回路パターンとが当接していない電子機器の製造方法であって、
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
熱圧着によって電磁波シールド層を硬化させ、
前記電磁波シールド積層体の所定の位置に電磁波シールド層と絶縁層を貫通するスルーホールを形成することにより電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１２】
回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に電磁波シールド積層体とを具備し、かつ前記グランド部と回路パターンとが当接していない電子機器の製造方法であって、
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層し、かつ電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する電磁波シールド積層体を、前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置して電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１３】
回路パターンおよび前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜が形成された回路基板と、電子機器本体のアース部に接続されたグランド部との間に電磁波シールド積層体とを具備し、かつ前記グランド部と回路パターンとが当接していない電子機器の製造方法であって、
回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護する絶縁保護膜を形成し、
電磁波シールド層と絶縁層とを積層し、かつ電磁波シールド層および絶縁層を貫通するスルーホールを有する電磁波シールド積層体を、前記電磁波シールド層が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
熱圧着によって電磁波シールド層を硬化させて電磁波シールド層付き基板を形成し、
さらに導電性接着剤層（II）を有するグランド部を、導電性接着剤層（II）が基板側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記スルーホールに導電性接着剤層（II）を前記電磁波シールド層に当接するように流入させ、前記電磁波シールド層と前記グランド接続部材とを電気的に接続させ、このグランド接続部材を電子機器本体のアース部に接続されたグランド部とが電気的に接続するように、電磁波シールド層付き基板を前記アー
ス部に接合する電子機器の製造方法。
【請求項１４】
前記回路パターンは、グランド回路を有し、
前記グランド回路上の少なくとも一部にビアを有する絶縁保護膜を形成し、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性微粒子とを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着剤層（Ｉ）を少なくとも有する電磁波シールド層と絶縁層とを積層してなる電磁波シールド積層体を、
前記導電性接着剤層（Ｉ）が基板側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、
熱圧着して前記ビアに導電性接着剤層（Ｉ）を前記グランド回路に当接するように流入させ、
前記絶縁保護膜に設けられたビアを介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通するように、電磁波シールド層付き基板を前記アース部に接合する請求項１０〜１３いずれか１項記載の電子機器の製造方法。