(57)【要約】【課題】パッケージデバイスチップの側面にモールド樹脂を残存させることを可能とするパッケージデバイスチップの製造方法を提供すること。【解決手段】パッケージデバイスチップの製造方法は、デバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップＳＴ１と、溝にモールド樹脂を充填するとともにウエーハの表面を被覆するパッケージウエーハ形成ステップＳＴ２と、外周縁に沿ってモールド樹脂とウエーハの表面側を溝深さの１／３〜２／３除去し溝を露出させる外周縁除去ステップＳＴ５と、分割溝の位置を外周縁で露出した溝に基づいて割り出すアライメントステップＳＴ６と、割り出した位置に基づいて分割溝を形成する分割ステップＳＴ７とを備え、溝が深さ方向で斜めに形成されていても、アライメントステップＳＴ６で検出される溝の位置が平均化される。【選択図】図４
2018041763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージデバイスチップの製造方法であって、
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該溝にモールド樹脂を充填するとともにウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するパッケージウエーハ形成ステップと、
該パッケージウエーハの外周縁に沿って、該モールド樹脂とウエーハの表面側を該溝深さの１／３〜２／３除去し、該モールド樹脂が充填された該溝を外周縁で露出させる外周縁除去ステップと、
該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周縁で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて該分割溝を該溝に沿って形成する分割ステップと、を備え、
該溝が深さ方向で斜めに形成されていても、該アライメントステップで検出される該溝の位置が平均化されることを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該パッケージウエーハ形成ステップの後で、該外周縁除去ステップの前に、該パッケージウエーハのモールド面側に保護部材を貼着後、該ウエーハの裏面側を研削して薄化し、該モールド樹脂が充填された該溝を露出させる研削ステップを備えることを特徴とする請求項１に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。
【請求項３】
該分割ステップでは、レーザー光線又は切削ブレードによって該モールド樹脂が除去されることを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージデバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハを個々のデバイスチップに分割するのに、切削ブレードやレーザー光線照射による製造方法が知られている。個々に分割されたデバイスチップは、マザー基板等に固定され、ワイヤ等で配線され、モールド樹脂でパッケージされるのが一般的である。しかしながら、デバイスチップの側面の微細なクラックなどにより、長時間デバイスを稼働させると、クラックが伸展しデバイスが破損する虞があるため、デバイスチップの側面をモールド樹脂で覆い、外的環境要因をデバイスに及ぼされなくするパッケージデバイスチップが開発された（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１００７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示されたパッケージデバイスチップを製造する際に、半導体ウエーハに分割予定ラインに沿ってモールド樹脂を充填する溝を形成する必要がある。溝を切削ブレードで形成する場合、切削ブレードの曲がり、切削装置の軸の伸縮、及び位置決め精度の影響で溝の間隔がμｍ単位で変動することがある。特に、半導体ウエーハの表面に低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成され、低誘電率絶縁体被膜をレーザーアブレーションで除去した後、除去された浅溝に沿って切削すると、レーザーアブレーションの熱の影響で浅溝の近傍が硬くなり、切削ブレードの曲がりを発生させやすくなる。
【０００５】
特許文献１に示されたパッケージデバイスチップを製造する際に、切削ブレードの曲がりが発生すると、断面において溝が半導体ウエーハの厚み方向に対して傾くことがある。溝が半導体ウエーハの厚み方向に対して傾くと、溝に充填されたモールド樹脂を更に分割し、個々のパッケージデバイスに分割する際に、パッケージデバイスチップの側面にモールド樹脂が残らない場合がある。特に、１枚の半導体ウエーハから製造できるパッケージデバイスの数を多くするために、分割予定ラインの幅が狭くなると、溝の間隔の変動により、パッケージデバイスチップの側面にモールド樹脂が残らない虞が高くなる。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、パッケージデバイスチップの側面にモールド樹脂を残存させることを可能とするパッケージデバイスチップの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージデバイスチップの製造方法は、パッケージデバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、該溝にモールド樹脂を充填するとともにウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するパッケージウエーハ形成ステップと、該パッケージウエーハの外周縁に沿って、該モールド樹脂とウエーハの表面側を該溝深さの１／３〜２／３除去し、該モールド樹脂が充填された該溝を外周縁で露出させる外周縁除去ステップと、該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周縁で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、該アライメントステップで割り出した位置に基づいて該分割溝を該溝に沿って形成する分割ステップと、を備え、該溝が深さ方向で斜めに形成されていても、該アライメントステップで検出される該溝の位置が平均化されることを特徴とする。
【０００８】
該パッケージウエーハ形成ステップの後で、該外周縁除去ステップの前に、該パッケージウエーハのモールド面側に保護部材を貼着後、該ウエーハの裏面側を研削して薄化し、該モールド樹脂が充填された該溝を露出させる研削ステップを備えても良い。
【０００９】
該分割ステップでは、レーザー光線又は切削ブレードによって該モールド樹脂が除去されても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のパッケージデバイスチップの製造方法では、モールド樹脂が充填された溝が斜めに形成されていたとしても、エッジトリミング（外周縁に沿った除去加工）を深めに実施するだけで、アライメントステップで溝の位置を認識する際に平均化して認識でき、パッケージデバイスチップの側面にモールド樹脂を残存させることを可能とするという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップに用いられる切削装置の概略の構成を示す斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｃ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。
【図７】図７は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のパッケージウエーハ形成ステップにより形成されたパッケージウエーハの斜視図である。
【図８】図８（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図であり、図８（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。
【図９】図９は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。
【図１０】図１０は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の外周縁除去ステップを示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図１０中のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。
【図１２】図１２は、図１０中のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図１３は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップ及び分割ステップで用いられるレーザ加工装置を示す斜視図である。
【図１４】図１４は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップの要部を拡大して示す斜視図である。
【図１５】図１５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップを示す平面図である。
【図１６】図１６は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップで撮像された撮像画像の一例を示す図である。
【図１７】図１７は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップで撮像された撮像画像の他の例を示す図である。
【図１８】図１８は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップで登録された溝の座標の一例を示す図である。
【図１９】図１９は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【図２０】図２０は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法により露出面が形成されたパッケージウエーハの側面図である。
【図２１】図２１は、比較例の製造方法により露出面が形成されたパッケージウエーハの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法を図面を参照して説明する。図１（ａ）は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。図２は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。図３は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
【００１４】
実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象である図２に示すパッケージウエーハＰＷは、図１に示すウエーハＷにより構成される。図１（ａ）に示すウエーハＷは、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板ＳＢとする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図１に示すように、交差（実施形態１では、直交）する複数の分割予定ラインＬによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスＤが形成されたデバイス領域ＤＲと、デバイス領域ＤＲを囲繞する外周余剰領域ＧＲとを表面ＷＳに備える。デバイスＤの表面には、図１（ｂ）に示すように、複数の突起電極であるバンプＢＰが形成されている。
【００１５】
ウエーハＷは、図２に示すように、デバイス領域ＤＲの表面ＷＳ及び分割予定ラインＬに沿って形成された溝ＤＴをモールド樹脂ＭＲで覆われてパッケージウエーハＰＷに構成される。パッケージウエーハＰＷは、分割予定ラインＬに沿って、図３に示すパッケージデバイスチップＰＤに分割される。パッケージデバイスチップＰＤは、基板ＳＢの表面ＷＳと全ての側面ＳＤとがモールド樹脂ＭＲにより覆われ、バンプＢＰがモールド樹脂ＭＲから突出して、バンプＢＰが露出している。
【００１６】
次に、パッケージデバイスチップの製造方法を図面を参照して説明する。図４は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップに用いられる切削装置の概略の構成を示す斜視図である。図６（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図である。図６（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図である。図６（ｃ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。図７は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のパッケージウエーハ形成ステップにより形成されたパッケージウエーハの斜視図である。図８（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。図８（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。図９は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。図１０は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の外周縁除去ステップを示す斜視図である。図１１は、図１０中のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図１０中のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップ及び分割ステップで用いられるレーザ加工装置を示す斜視図である。図１４は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップの要部を拡大して示す斜視図である。図１５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップを示す平面図である。図１６は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップで撮像された撮像画像の一例を示す図である。図１７は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップで撮像された撮像画像の他の例を示す図である。図１８は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップで登録された溝の座標の一例を示す図である。図１９は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【００１７】
実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、図２に示すパッケージウエーハＰＷを分割予定ラインＬに沿って切断して、図３に示すパッケージデバイスチップＰＤを製造する方法である。
【００１８】
製造方法は、図４に示すように、溝形成ステップＳＴ１と、パッケージウエーハ形成ステップＳＴ２と、研削ステップＳＴ３と、貼り替えステップＳＴ４と、外周縁除去ステップＳＴ５と、アライメントステップＳＴ６と、分割ステップＳＴ７とを備える。
【００１９】
溝形成ステップＳＴ１は、ウエーハＷの表面ＷＳに各分割予定ラインＬに沿った溝ＤＴを形成するステップである。溝形成ステップＳＴ１は、各分割予定ラインＬに各分割予定ラインＬの長手方向に沿った溝ＤＴを形成する。溝形成ステップＳＴ１で形成される溝ＤＴの深さＤＰは、パッケージデバイスチップＰＤの基板ＳＢの仕上がり厚さ以上である。また、実施形態１において、溝ＤＴの幅は、４０μｍ以上でかつ８０μｍ以下である。実施形態１において、溝形成ステップＳＴ１は、図５に示す切削装置１０のチャックテーブル１１の保持面１１ａにウエーハＷの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲを吸引保持して、図６（ａ）に示すように、切削手段１２の切削ブレード１３を用いて、図６（ｂ）に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳに溝ＤＴを形成する。
【００２０】
溝形成ステップＳＴ１は、チャックテーブル１１を図示しないＸ軸移動手段により水平方向と平行なＸ軸方向に移動させ、切削手段１２の切削ブレード１３をＹ軸移動手段１４により水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させ、切削手段１２の切削ブレード１３をＺ軸移動手段１５により鉛直方向と平行なＺ軸方向に移動させて、図６（ｃ）に示すように、ウエーハＷの各分割予定ラインＬの表面ＷＳに溝ＤＴを形成する。
【００２１】
また、切削装置１０は、チャックテーブル１１をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する図示しない回転駆動源と、アライメントするためにウエーハＷ及びパッケージウエーハＰＷを撮像する撮像手段１６と、Ｘ軸移動手段、Ｙ軸移動手段１４、Ｚ軸移動手段１５、回転駆動源及び切削手段１２を制御する制御手段１７とを備える。制御手段１７は、ウエーハＷ及びパッケージウエーハＰＷに対する加工動作を切削装置１０に実施させるコンピュータである。
【００２２】
制御手段１７は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御手段１７の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、切削装置１０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して切削装置１０の上述した構成要素に出力する。また、制御手段１７は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００２３】
パッケージウエーハ形成ステップＳＴ２は、図７に示すように、溝ＤＴにモールド樹脂ＭＲを充填するとともにウエーハＷの表面ＷＳをモールド樹脂ＭＲで被覆し、パッケージウエーハＰＷを形成するステップである。実施形態１において、パッケージウエーハ形成ステップＳＴ２は、図示しない樹脂被覆装置の保持テーブルにウエーハＷの裏面ＷＲを保持し、ウエーハＷの表面ＷＳにモールド樹脂ＭＲを滴下して、保持テーブルを鉛直方向と平行な軸心回りに回転することで、モールド樹脂ＭＲで表面ＷＳ全体及び溝ＤＴを覆う。実施形態１において、モールド樹脂ＭＲとして熱硬化性樹脂を用いる。パッケージウエーハ形成ステップＳＴ２は、ウエーハＷの表面ＷＳ全体及び溝ＤＴを覆ったモールド樹脂ＭＲを加熱して、硬化させる。また、実施形態１は、モールド樹脂ＭＲで表面ＷＳ全体及び溝ＤＴを覆った際に、バンプＢＰが露出しているが、本発明は、硬化したモールド樹脂ＭＲに研磨加工を施して、バンプＢＰを確実に露出させるようにしても良い。また、パッケージウエーハ形成ステップＳＴ２は、モールド樹脂ＭＲをウエーハＷに滴下する以外に、型枠にウエーハＷを嵌め、ウエーハＷと型枠の隙間にモールド樹脂ＭＲを充填させた後硬化させても良い。
【００２４】
研削ステップＳＴ３は、パッケージウエーハ形成ステップＳＴ２の後で外周縁除去ステップＳＴ５の前に行われるステップである。研削ステップＳＴ３は、図８（ａ）に示すように、パッケージウエーハＰＷのモールド樹脂ＭＲにより被覆されたモールド面側に保護部材ＰＰを貼着後、ウエーハＷの裏面ＷＲ側を研削し、図８（ｂ）に示すように、モールド樹脂ＭＲが充填された溝ＤＴを裏面ＷＲ側に露出させて、基板ＳＢを仕上げ厚さまで薄化するステップである。研削ステップＳＴ３は、図８（ａ）に示すように、パッケージウエーハＰＷのモールド樹脂ＭＲ側に保護部材ＰＰを貼着した後、保護部材ＰＰを研削装置２０のチャックテーブル２１の保持面２１ａに吸引保持し、パッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲに研削砥石２２を当接させて、チャックテーブル２１及び研削砥石２２を軸心回りに回転して、パッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲに研削加工を施す。研削ステップＳＴ３は、図８（ｂ）に示すように、パッケージウエーハＰＷを薄化する。
【００２５】
貼り替えステップＳＴ４は、パッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲにダイシングテープＴを貼着し、モールド面から保護部材ＰＰを剥がすステップである。貼り替えステップＳＴ４は、図９に示すように、外周に環状フレームＦが貼着されたダイシングテープＴにパッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲを貼着し、保護部材ＰＰをモールド面から剥がす。
【００２６】
外周縁除去ステップＳＴ５は、パッケージウエーハＰＷの外周縁に沿って、モールド樹脂ＭＲとウエーハＷの表面ＷＳ側を溝ＤＴ深さＤＰ（図８（ｂ）に示す）の１／３〜２／３除去し、モールド樹脂ＭＲが充填された溝ＤＴを外周縁で露出させるステップである。実施形態１において、外周縁除去ステップＳＴ５は、パッケージウエーハＰＷの外周余剰領域ＧＲの外周縁の全周に亘ってモールド樹脂ＭＲ及びウエーハＷの表面ＷＳを除去する。実施形態１において、外周縁除去ステップＳＴ５は、溝形成ステップＳＴ１と同様に、図１０に示すように、切削装置１０のチャックテーブル１１の保持面１１ａにパッケージウエーハＰＷの裏面ＷＲを吸引保持し、チャックテーブル１１を回転駆動源にＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ブレード１３が表面ＷＳから溝ＤＴ深さＤＰの１／３〜２／３となる位置に達するまで、切削ブレード１３を外周余剰領域ＧＲの外周縁上のモールド樹脂ＭＲ及びウエーハＷの表面ＷＳに切り込ませる。外周縁除去ステップＳＴ５は、図１１及び図１２に示すように、パッケージウエーハＰＷの外周余剰領域ＧＲの外周縁の全周のモールド樹脂ＭＲ及びウエーハＷの表面ＷＳを除去して、外周余剰領域ＧＲの外周縁の全周に基板ＳＢが露出する露出面１００を形成する。なお、図９から図１２は、バンプＢＰを省略している。
【００２７】
アライメントステップＳＴ６は、溝ＤＴに沿って形成するパッケージウエーハＰＷの図１９に示す分割溝ＤＤの位置を、外周余剰領域ＧＲの外周縁の露出面１００で露出した溝ＤＴに基づいて割り出すステップである。アライメントステップＳＴ６は、図１３に示すように、モールド樹脂ＭＲが充填された溝ＤＴを露出させてパッケージウエーハＰＷをレーザ加工装置３０のチャックテーブル３１の保持面３１ａで吸引保持する。
【００２８】
レーザ加工装置３０は、チャックテーブル３１を割り出し送り方向である水平方向と平行なＹ軸方向にＹ軸移動手段３３により移動させて、複数の分割予定ラインＬのうちの一つの分割予定ラインＬにレーザー光線照射手段３４を対向させる。また、レーザ加工装置３０は、チャックテーブル３１を鉛直方向と平行なＺ軸回りに回転駆動源３５により回転させて、レーザー光線照射手段３４と対向した分割予定ラインＬを加工送り方向である水平方向と平行でかつＹ軸方向と直交するＸ軸方向と平行にする。レーザ加工装置３０は、レーザー光線照射手段３４からレーザー光線ＬＲを照射しながらＸ軸移動手段３６にチャックテーブル３１をＸ軸方向に移動させて、レーザー光線照射手段３４と対向した分割予定ラインＬにレーザー光線ＬＲを照射して、アブレーション加工を施す。
【００２９】
また、レーザ加工装置３０は、アライメントするためにパッケージウエーハＰＷを撮像する撮像手段３７と、Ｘ軸移動手段３６、Ｙ軸移動手段３３、回転駆動源３５及びレーザー光線照射手段３４を制御する制御手段３２とを備える。制御手段３２は、パッケージウエーハＰＷに対する加工動作をレーザ加工装置３０に実施させるコンピュータである。
【００３０】
制御手段３２は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御手段３２の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザ加工装置３０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザ加工装置３０の上述した構成要素に出力する。また、制御手段３２は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００３１】
アライメントステップＳＴ６は、図１４及び図１５に示すように、チャックテーブル３１を回転駆動源３５に軸心回りに回転させ、外周余剰領域ＧＲの外周縁の露出面１００で露出した溝ＤＴの延在方向である長手方向を図１９に示す分割溝ＤＤを形成する際にチャックテーブル３１を加工送りする加工送り方向であるＸ軸方向と平行にする。アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が、撮像手段３７が撮像した分割予定ラインＬに形成された溝ＤＴの画像に基づいて、回転駆動源３５に軸心回りにチャックテーブル３１を回転させて、図１５に示すように、互いに直交する分割予定ラインＬのうちの一方の分割予定ラインＬに形成された溝ＤＴをＸ軸方向と平行にする。
【００３２】
アライメントステップＳＴ６は、外周余剰領域ＧＲの外周縁の露出面１００で露出した複数の溝ＤＴの両端ａ，ｂを撮像手段３７で撮像し、撮像手段３７が撮像した図１６及び図１７に示す撮像画像Ｇ１，Ｇ２からチャックテーブル３１の保持面３１ａにおける溝ＤＴの両端ａ，ｂ又は片側の座標情報（Ｘ，Ｙ）を割り出して登録する。溝ＤＴの座標情報（Ｘ，Ｙ）は、Ｘ軸方向の位置とＹ軸方向の位置とを示す。アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２の演算処理装置が座標情報（Ｘ，Ｙ）を割り出して、記憶装置に記憶即ち登録する。
【００３３】
アライメントステップＳＴ６は、撮像手段３７が撮像した画像からパッケージウエーハＰＷの位置を算出する。例えばパッケージウエーハＰＷの外周縁の３点の座標を検出し、パッケージウエーハＰＷの中心の座標を割り出し、予め登録したパッケージウエーハＰＷの直径からパッケージウエーハＰＷの保持面３１ａでの位置を割り出す。検出したパッケージウエーハＰＷの位置情報に基づき、図１４に示すように、Ｘ軸移動手段３６とＹ軸移動手段３３によりパッケージウエーハＰＷの外周縁に沿ってチャックテーブル３１と撮像手段３７とを相対的に移動させて、パッケージウエーハＰＷの外周縁に沿って周方向に溝ＤＴを順次撮像し、全ての溝ＤＴの両端ａ，ｂを撮像して、座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録する。なお、実施形態１は、アライメントステップＳＴ６は、全ての溝ＤＴの両端ａ，ｂの座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録するが、本発明は、予め定められた所定本数おきの溝ＤＴの両端ａ，ｂの座標情報（Ｘ，Ｙ）を登録しても良い。
【００３４】
アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が図１６の撮像画像Ｇ１から溝ＤＴを抽出し、溝ＤＴの長手方向の一端ａの幅方向の一方の縁ａ１のＸ軸方向の位置Ｘａ１とＹ軸方向の位置Ｙａ１とを算出して、位置Ｘａ１，Ｙａ１を溝ＤＴの一方の縁ａ１の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１８に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が溝ＤＴの長手方向の一端ａの幅方向の他方の縁ｂ１のＸ軸方向の位置Ｘｂ１とＹ軸方向の位置Ｙｂ１とを算出して、位置Ｘｂ１，Ｙｂ１を溝ＤＴの他方の縁ｂ１の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１８に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。
【００３５】
また、アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が図１７の撮像画像Ｇ２から溝ＤＴを抽出し、溝ＤＴの長手方向の他端ｂの幅方向の一方の縁ａ２のＸ軸方向の位置Ｘａ２とＹ軸方向の位置Ｙａ２とを算出して、位置Ｘａ２，Ｙａ２を溝ＤＴの一方の縁ａ２の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１８に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が溝ＤＴの長手方向の他端ｂの幅方向の他方の縁ｂ２のＸ軸方向の位置Ｘｂ２とＹ軸方向の位置Ｙｂ２とを算出して、位置Ｘｂ２，Ｙｂ２を溝ＤＴの他方の縁ｂ２の座標情報（Ｘ，Ｙ）として、図１８に示すように、溝ＤＴと対応付けて登録する。
【００３６】
実施形態１において、アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が全ての溝ＤＴの長手方向の両端ａ，ｂの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２を登録するが、全ての溝ＤＴの長手方向の一端ａの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１を登録しても良い。また、本発明は、予め定められた所定本数おきの溝ＤＴの両端ａ，ｂ又は一端ａの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２を登録しても良い。また、実施形態１において、アライメントステプＳＴ６では、制御手段３２が溝ＤＴの長手方向のパッケージウエーハＰＷの外縁よりも１ｍｍから３ｍｍ程度中心寄りの両端ａ，ｂの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２を登録する。これにより、切削ブレード１３が溝ＤＴがパッケージウエーハＰＷの外周縁に侵入時に曲がり溝ＤＴが入り口付近や出口付近で蛇行したとしても、その影響を排除できる。
【００３７】
アライメントステップＳＴ６は、登録した溝ＤＴの座標情報Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘｂ２，Ｙｂ２に基づいて、溝ＤＴに沿って形成する図１８に示す分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２を算出する。アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が、各溝ＤＴの長手方向の一端ａの幅方向の中央ｃ１のＸ軸方向の位置Ｘｃ１とＹ軸方向の位置Ｙｃ１とを、分割溝ＤＤの位置として算出する。アライメントステップＳＴ６では、制御手段３２が、各溝ＤＴの長手方向の他端ｂの幅方向の中央ｃ２のＸ軸方向の位置Ｘｃ２とＹ軸方向の位置Ｙｃ２とを、分割溝ＤＤの位置として算出する。
【００３８】
分割ステップＳＴ７は、アライメントステップＳＴ６で割り出した分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２に基づいて、分割溝ＤＤを溝ＤＴに沿って形成するステップである。分割溝ＤＤは、溝ＤＴに充填されたモールド樹脂ＭＲを分割して、パッケージウエーハＰＷをパッケージデバイスチップＰＤに分割するものである。実施形態１において、分割溝ＤＤの幅は、１５μｍ以上でかつ３０μｍ以下である。
【００３９】
分割ステップＳＴ７では、制御手段３２が算出した分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２に基づいて、Ｘ軸移動手段３６とＹ軸移動手段３３とを制御して、レーザー光線ＬＲを各溝ＤＴに充填されたモールド樹脂ＭＲに照射させて、図１９に示すように、分割溝ＤＤを形成する。分割ステップＳＴ７は、レーザー光線ＬＲによって、溝ＤＴ内のモールド樹脂ＭＲを二分するように、分割溝ＤＤを形成する。このように、実施形態１に係る製造方法は、ウエーハＷの表面ＷＳから溝ＤＴ深さＤＰの１／３から２／３となる位置まで外周縁のモールド樹脂ＭＲ及びウエーハＷの表面ＷＳを除去して、露出面１００を形成する。実施形態１に係る製造方法は、露出面１００上に露出した溝ＤＴの撮像画像Ｇ１，Ｇ２から制御手段３２が分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２の位置を算出するので、アライメントステップＳＴ６で検出される溝ＤＴの位置が平均化される。実施形態１に係る製造方法は、制御手段３２が算出した分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２の位置に基づいて、Ｘ軸移動手段３６とＹ軸移動手段３３とを制御して、レーザー光線ＬＲを各溝ＤＴに充填されたモールド樹脂ＭＲに照射させるので、溝ＤＴが深さ方向であるウエーハＷの厚み方向で斜めに形成されいても、分割溝ＤＤが溝ＤＴ内のモールド樹脂ＭＲを二分するように、分割溝ＤＤを形成する。
【００４０】
実施形態１において、アライメントステップＳＴ６及び分割ステップＳＴ７において、レーザ加工装置３０を用いたが、本発明では、図５に示す切削装置１０を用いて良い。要するに、本発明では、分割ステップＳＴ７では、切削ブレード１３により溝ＤＴ内に充填されたモールド樹脂ＭＲを除去して、分割溝ＤＤを形成しても良い。
【００４１】
実施形態１に係る製造方法は、ウエーハＷの表面ＷＳから溝ＤＴ深さＤＰの１／３から２／３となる位置まで外周縁のモールド樹脂ＭＲ及びウエーハＷの表面ＷＳを除去して露出面１００を形成する。実施形態１に係る製造方法は、露出面１００上に露出した溝ＤＴの撮像画像Ｇ１，Ｇ２から制御手段３２が分割溝ＤＤの位置Ｘｃ１，Ｙｃ１，Ｘｃ２，Ｙｃ２の位置を算出するので、モールド樹脂ＭＲが充填された溝ＤＴがウエーハＷの厚み方向に対して斜めに形成されていたとしても、分割溝ＤＤにより溝ＤＴ内に充填されたモールド樹脂ＭＲを二分することができ、パッケージデバイスチップＰＤの基板ＳＢの側面ＳＤにモールド樹脂ＭＲを残存させる事が出来るという効果を奏する。
【００４２】
次に、本発明の発明者らは、実施形態１に係る製造方法により露出面１００が形成された図２０に示すパッケージウエーハＰＷと、図２１に示す比較例のパッケージウエーハＰＷ´を比較した。図２０は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法により露出面が形成されたパッケージウエーハの側面図である。図２１は、比較例の製造方法により露出面が形成されたパッケージウエーハの側面図である。
【００４３】
なお、図２０は、実施形態１と同じ符号を付して説明し、図２１は、図２０と対応する部分に図２０の符号の末尾に「´」を付して説明する。図２０に示すパッケージウエーハＰＷ及び図２１に示すパッケージウエーハＰＷ´は、溝ＤＴ，ＤＴ´がウエーハＷ，Ｗ´の厚み方向に対して斜めに形成され、溝ＤＴ，ＤＴ´がウエーハＷ，Ｗ´の厚み方向に対する角度が等しく形成されている。図２０に示すパッケージウエーハＰＷは、露出面１００が溝ＤＴの深さＤＰの１／２となる位置に形成され、図２１に示すパッケージウエーハＰＷ´は、露出面１００´が溝ＤＴ´の深さＤＰ´の１／２となる位置よりも表面ＷＳ´寄りのウエーハＷ´の表面ＷＳ´からの距離が１０μｍとなる位置に形成されている。
【００４４】
図２０のパッケージウエーハＰＷの分割溝ＤＤの位置Ｃ１，Ｃ２を通るウエーハＷの厚み方向と平行な線分ＤＤＰの溝ＤＴの内面からの最短距離ＤＤＫは、図２１のパッケージウエーハＰＷ´の分割溝ＤＤの位置Ｃ１´，Ｃ２´を通るウエーハＷ´の厚み方向と平行な線分ＤＤＰ´の溝ＤＴ´の内面からの最短距離ＤＤＫ´よりも大きくなる。したがって、図２０に示すパッケージウエーハＰＷは、図２１に示すパッケージウエーハＰＷ´に比べて、溝ＤＴ，ＤＴ´が斜めに形成されても、パッケージデバイスチップＰＤの基板ＳＢの側面ＳＤにモールド樹脂ＭＲを残存させることができることが明らかとなった。その結果、モールド樹脂ＭＲとウエーハＷの表面ＷＳ側を溝ＤＴ深さＤＰの１／３未満除去する場合と、モールド樹脂ＭＲとウエーハＷの表面ＷＳ側を溝ＤＴ深さＤＰの２／３を超えて除去する場合とは、モールド樹脂ＭＲとウエーハＷの表面ＷＳ側を表面ＷＳから溝ＤＴ深さＤＰの１／３〜２／３となる位置まで除去する場合よりもパッケージデバイスチップＰＤの側面にモールド樹脂ＭＲが残存しにくくなることが明らかとなった。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、実施形態１は、溝形成ステップＳＴ１において、切削ブレード１３により溝ＤＴを形成したが、本発明は、溝形成ステップＳＴ１において、切削ブレード１３による切削以外に、レーザーアブレーションによる加工により溝ＤＴを形成しても良い。
【符号の説明】
【００４６】
１３  切削ブレード
ＰＷ  パッケージウエーハ
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｌ  分割予定ライン
ＬＲ  レーザー光線
Ｄ  デバイス
ＤＴ  溝
ＤＤ  分割溝
ＭＲ  モールド樹脂
ＰＰ  保護部材
ＤＰ  深さ
ＳＴ１  溝形成ステップ
ＳＴ２  パッケージウエーハ形成ステップ
ＳＴ３  研削ステップ
ＳＴ５  外周縁除去ステップ
ＳＴ６  アライメントステップ
ＳＴ７  分割ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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