(57)【要約】      （修正有）【課題】薄型化を図りつつ、色度のバラツキを低減しながら、後方散乱を抑制することのできる波長変換シート、長期信頼性に優れるシート被覆素子、および、良好な光の取出効率を有する光半導体装置を提供する。【解決手段】波長変換シート１は、光半導体素子を被覆するための蛍光体層３と、蛍光体層３に対して光半導体素子の反対側に配置される光拡散層２とを厚み方向に順に備える。光拡散層２は、第１の樹脂および光拡散粒子を含有する。光拡散層２は、３０μｍ以上、１００μｍ以下の厚みＴを有する。第１の樹脂と光拡散粒子との屈折率差の絶対値Ｄ１が、０．１２以上、０．１８以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子を被覆するための蛍光体層と、
前記蛍光体層に対して前記光半導体素子の反対側に配置される前記光拡散層と
を厚み方向に順に備え、
前記光拡散層は、第１の樹脂および光拡散粒子を含有し、
前記光拡散層は、３０μｍ以上、１００μｍ以下の厚みを有し、
前記第１の樹脂と前記光拡散粒子との屈折率差の絶対値が、０．１２以上、０．１８以下であることを特徴とする、波長変換シート。
【請求項２】
厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの前記波長変換シートに存在する前記光拡散粒子の体積が、０．０００４ｃｍ３以上、０．００１８ｃｍ３以下であることを特徴とする、請求項１に記載の波長変換シート。
【請求項３】
前記蛍光体層は、前記光拡散粒子を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の波長変換シート。
【請求項４】
前記光拡散層は、充填材およびチクソ付与粒子からなる群から選択される少なくとも１つをさらに含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長変換シート。
【請求項５】
前記蛍光体層は、Ｂステージの第２の樹脂を含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の波長変換シート。
【請求項６】
前記蛍光体層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、
前記極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、
前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあることを特徴とする、請求項５に記載の波長変換シート。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の波長変換シートと、
前記波長変換シートの前記蛍光体層に上面が被覆される光半導体素子と
を備えることを特徴とする、シート被覆素子。
【請求項８】
前記光半導体素子の側面に接触する反射層をさらに備えることを特徴とする、請求項７に記載のシート被覆素子。
【請求項９】
請求項７または８に記載のシート被覆素子と、
前記シート被覆素子の前記光半導体素子が実装される基板と
を備えることを特徴とする、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換シート、シート被覆素子および光半導体装置、詳しくは、波長変換シート、それに被覆される光半導体素子を備えるシート被覆素子、および、それを備える光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
蛍光体を含有する熱硬化性シリコーン樹脂シートをＬＥＤ素子上に貼り付け、その後、硬化させて、発光半導体装置を得ることが知られている。
【０００３】
例えば、蛍光体を含有する蛍光体層と、酸化チタンを含有する白色顔料層とを有する熱硬化性シリコーン樹脂シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載の熱硬化性シリコーン樹脂シートによれば、蛍光体層により、ＬＥＤ素子の表面に容易に蛍光体を分散できる。また、特許文献１に記載の熱硬化性シリコーン樹脂シートによれば、白色顔料層により、色度のバラツキを低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１７９３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載される熱硬化性シリコーン樹脂シートでは、ＬＥＤから上方に向かって発光された光が白色顔料層に至り、その後、下方に向かって散乱する後方散乱が発生するため、光の取出効率が低下するという不具合がある。
【０００７】
また、熱硬化性シリコーン樹脂シートには、薄型化も要求される。
【０００８】
さらに、熱硬化性シリコーン樹脂シートは、長期信頼性も要求される。
【０００９】
本発明の目的は、薄型化を図りつつ、色度のバラツキを低減しながら、後方散乱を抑制することのできる波長変換シート、長期信頼性に優れるシート被覆素子、および、良好な光の取出効率を有する光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明（１）は、光半導体素子を被覆するための蛍光体層と、前記蛍光体層に対して前記光半導体素子の反対側に配置される前記光拡散層とを厚み方向に順に備え、前記光拡散層は、第１の樹脂および光拡散粒子を含有し、前記光拡散層は、３０μｍ以上、１００μｍ以下の厚みを有し、前記第１の樹脂と前記光拡散粒子との屈折率差の絶対値が、０．１２以上、０．１８以下である、波長変換シートを含む。
【００１１】
この波長変換シートでは、光拡散層が、３０μｍ以上の厚みを有するので、光拡散層を十分に保形することができる。
【００１２】
また、光拡散層が、１００μｍ以下の厚みを有するので、波長変換シートの薄型化、さらには、シート被覆素子の薄型化、ひいては、光半導体装置の薄型化を図ることができる。さらに、光拡散層が、１００μｍ以下の厚みを有するので、長期信頼性に優れる。
【００１３】
この波長変換シートでは、第１の樹脂と光拡散粒子との屈折率差の絶対値が、０．１２以上であるので、色度のバラツキを低減できる。また、上記した屈折率差の絶対値が、０．１８以下であるので、波長変換シートで光半導体素子を被覆したシート被覆素子、および、それを備える光半導体装置において、後方散乱を抑制することができる。
【００１４】
本発明（２）は、厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの前記波長変換シートに存在する前記光拡散粒子の体積が、０．０００４ｃｍ３以上、０．００１８ｃｍ３以下である、（１）に記載の波長変換シートを含む。
【００１５】
厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シートに存在する光拡散粒子の体積が、０．０００４ｃｍ３以上であるので、色度のバラツキを低減することができる。
【００１６】
また、厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シートに存在する光拡散粒子の体積が０．００１８ｃｍ３以下であるので、後方散乱を効率的に抑制することができる。
【００１７】
本発明（３）は、前記蛍光体層は、前記光拡散粒子を含有する、（１）または（２）に記載の波長変換シートを含む。
【００１８】
また、蛍光体層が光拡散粒子を含有する。つまり、光拡散層および蛍光体層がともに、光拡散粒子を含有する。そのため、光拡散層における光拡散粒子の含有割合を、蛍光体層が光拡散粒子を含有せず、光拡散層のみが光拡散粒子を含有する場合に比べて、低減することができる。その結果、光拡散樹脂組成物の取扱性を良好にすることができる。
【００１９】
本発明（４）は、前記光拡散層は、充填材およびチクソ付与粒子からなる群から選択される少なくとも１つをさらに含有する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の波長変換シートを含む。
【００２０】
光拡散層が、充填材およびチクソ付与粒子からなる群から選択される少なくとも１つをさらに含有するので、光拡散層を強化できたり、あるいは、光拡散樹脂組成物の取扱性を良好にすることができる。
【００２１】
本発明（５）は、前記蛍光体層は、Ｂステージの第２の樹脂を含有する、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の波長変換シートを含む。
【００２２】
また、蛍光体層が、Ｂステージの第２の樹脂を含有するので、蛍光体層に光半導体素子を容易に感圧接着させることができる。
【００２３】
本発明（６）は、前記蛍光体層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、前記極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある、（５）に記載の波長変換シートを含む。
【００２４】
蛍光体層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあれば、蛍光体層の厚みを均一としながら、蛍光体層に光半導体素子を確実に感圧接着させることができる。
【００２５】
本発明（７）は、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の波長変換シートと、前記波長変換シートの前記蛍光体層に上面が被覆される光半導体素子とを備える、シート被覆素子を含む。
【００２６】
このシート被覆素子によれば、上記した波長変換シートを備えるので、薄型化を図りながら、色度のバラツキを低減できるとともに、後方散乱を抑制することができる。さらに、このシート被覆素子は、長期信頼性に優れる。
【００２７】
本発明（８）は、前記光半導体素子の側面に接触する反射層をさらに備える、（７）に記載のシート被覆素子を含む。
【００２８】
シート被覆素子が光反射性層を備えるので、光の取出効率を向上させることができる。
【００２９】
本発明（９）は、（７）または（８）に記載のシート被覆素子と、前記シート被覆素子の前記光半導体素子が実装される基板とを備える、光半導体装置を含む。
【００３０】
光半導体装置によれば、上記したシート被覆素子を備えるので、薄型化を図りながら、色度のバラツキを低減できるとともに、後方散乱を抑制して、良好な光の取出効率を有する。さらに、この光半導体装置は、長期信頼性に優れる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の波長変換シートによれば、波長変換シートの薄型化を図り、色度のバラツキを低減しながら、長期信頼性に優れ、後方散乱を抑制することができる。
【００３２】
本発明のシート被覆素子によれば、薄型化を図りながら、色度のバラツキを低減できるとともに、長期信頼性に優れ、後方散乱を抑制することができる。
【００３３】
本発明の光半導体装置によれば、薄型化を図りながら、色度のバラツキを低減できるとともに、後方散乱を抑制して、長期信頼性に優れ、良好な光の取出効率を有する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態の波長変換シートの断面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す波長変換シートの製造工程図を示す。
【図３】図３は、図１に示す波長変換シートを備えるシート被覆素子の断面図を示す。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは、図３に示すシート被覆素子の製造工程図であり、図４Ａが、波長変換シートを切断する第１工程、図４Ｂが、波長変換シートを第３剥離シートに配置する第２工程、図４Ｃが、光半導体素子を蛍光体層の厚み方向一方面に固定する第３工程を示す。
【図５】図５Ｄ〜図５Ｆは、図４Ｃに引き続き、図３に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図５Ｄが、光反射性層によって複数の光半導体素子および複数の波長変換シートを封止する第４工程、図５Ｅが、素子集合体を切断する第５工程、図５Ｆが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。
【図６】図６は、第１実施形態の変形例の波長変換シート（透明層をさらに備える態様）の断面図を示す。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態のシート被覆素子の断面図を示す。
【図８】図８Ａ〜図８Ｄは、図７に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図８Ａが、光半導体素子を蛍光体層に感圧接着させる工程、図８Ｂが、光反射性層を配置する工程、図８Ｃが、光反射性層の上部を除去する工程、図８Ｄが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。
【図９】図９は、本発明の第３実施形態のシート被覆素子の断面図を示す。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｆは、図９に示すシート被覆素子の製造工程図、および、光半導体装置の製造工程図であり、図１０Ａが、第２剥離シートを剥離する工程、図１０Ｂが、光半導体素子を蛍光体層に感圧接着させる工程、図１０Ｃが、光拡散層を第５剥離シートに載置する工程、図１０Ｄが、光反射性層を配置する工程、図１０Ｅが、光反射性層の上部を除去する工程、図１０Ｆが、シート被覆素子を基板に実装する工程を示す。
【図１１】図１１は、実施例１における蛍光体層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
＜第１実施形態＞
本発明の波長変換シート、シート被覆素子および光半導体装置の第１実施形態を説明する。
【００３６】
１．波長変換シート
図１に示すように、波長変換シート１は、面方向（厚み方向に直交する方向であり、左右方向および前後方向を含む）に延びる略板（シート）形状を有する。波長変換シート１は、光拡散層２と、蛍光体層３とを厚み方向一方側に向かって順に備える。また、波長変換シート１は、好ましくは、光拡散層２と、蛍光体層３とのみからなる。
【００３７】
２．光拡散層
光拡散層２は、波長変換シート１において、厚み方向他方側に位置する厚み方向他方側層を形成する。光拡散層２は、面方向に延びる略板（シート）形状を有する。光拡散層２は、後述する光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光され、蛍光体層３を透過した光、および、蛍光体層３によって波長変換された光を拡散させる拡散層である。
【００３８】
光拡散層２は、１００μｍ厚みとして４５０ｎｍ波長の光で照射したときの光透過率が、例えば、３０％超過、好ましくは、４０％以上であり、また、例えば、８０％以下、好ましくは、７０％以下である。
【００３９】
光拡散層２は、第１の樹脂および第１の光拡散粒子（光拡散粒子の一例）を含有する。具体的には、光拡散層２は、第１の樹脂および第１の光拡散粒子を含有する光拡散樹脂組成物からなる。
【００４０】
２−１．第１の樹脂
第１の樹脂としては、第１の光拡散粒子を分散できるマトリクスを構成できる透明樹脂が挙げられる。そのような第１の樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４１】
熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
【００４２】
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、ＡステージからＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、ＢステージからＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージとなることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージは、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
【００４３】
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、ＡステージからＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、ＡステージからＢステージとなることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、ＢステージからＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージとなることができる１段反応硬化性樹脂である。また、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、すなわち、Ｂステージとなることができず、一度に、ＡステージからＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂も含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージとなることができない１段反応硬化性樹脂である。
【００４４】
好ましくは、熱硬化性樹脂としては、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂（２段反応硬化性樹脂および１段反応硬化性樹脂）が挙げられる。
【００４５】
Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００４６】
また、Ｂステージ状態となることができるシリコーン樹脂としては、例えば、熱可塑性および熱硬化性を併有するシリコーン樹脂（熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂）、熱可塑性を有さず・熱硬化性を有するシリコーン樹脂（非熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂）が挙げられる。
【００４７】
熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂は、Ｂステージにおいて、加熱により、一旦可塑化（あるいは液状化）し、その後、さらなる加熱によって硬化（Ｃステージ化）する。具体的には、１段反応硬化型樹脂として、例えば、特開２０１６−０３７５６２号公報、特開２０１６−１１９４５４号公報などに記載されるフェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられ、２段反応硬化型樹脂として、例えば、特開２０１４−７２３５１号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報に記載される第１〜第６の熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂組成物（例えば、両末端アミノ型シリコーン樹脂を含有する組成物、かご型オクタシルセスキオキサンを含有する組成物）などが挙げられる。
【００４８】
フェニル系シリコーン樹脂組成物がＣステージ化したフェニル系シリコーン樹脂硬化体（生成物）は、例えば、シロキサン結合である主骨格にメチル基およびフェニル基を有し、あるいは、例えば、シロキサン結合である主骨格にフェニル基のみを有する。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂硬化体は、シロキサン結合である主骨格にメチル基およびフェニル基を有する。フェニル系シリコーン樹脂組成物としては、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。具体的には、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有し、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの少なくとも一方がフェニル基を有する付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
【００４９】
フェニル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上、より好ましくは、１．５３以上、さらに好ましくは、１．５５以上であり、また、例えば、１．７５以下、好ましくは、１．６５以下である。
【００５０】
フェニル系シリコーン樹脂組成物（特に後述する貯蔵剪断弾性率Ｇ’が１，０００Ｐａ以上のもの）は、上記したさらなる加熱において、軟化する（極小点を示す）ものの、一般的な熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂よりも硬い。
【００５１】
メチル系シリコーン樹脂組成物がＣステージ化したメチル系シリコーン樹脂硬化体（生成物）は、シロキサン結合である主骨格に実質的にメチル基のみを有する。具体的には、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基におけるメチル基の含有割合が、例えば、９０モル％以上、好ましくは、９５モル％以上、より好ましくは、９９モル％以上であり、さらに好ましくは、１００モル％である。メチル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、１．５０未満、好ましくは、１．４５以下であり、また、例えば、１．３以上、好ましくは、１．３５以上である。
【００５２】
非熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂としては、２段反応硬化型樹脂として、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００５３】
そして、第１の樹脂は、少なくともＢステージ（半硬化）状態にあるとき、固体状である。そして、このような第１の樹脂は、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、第１の樹脂は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。より具体的には、第１の樹脂は、昇温とともに、粘度が次第に下降し、その後、昇温を継続すると、粘度が次第に上昇する。
【００５４】
なお、第１の樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、Ａステージ、ＢステージおよびＣステージの屈折率は、同一である。
【００５５】
第１の樹脂の含有割合は、光拡散樹脂組成物に対して、例えば、５０体積％以上、好ましくは、８０体積％以上、より好ましくは、９０体積％以上であり、例えば、９７体積％以下、好ましくは、９４体積％以下、より好ましくは、９３体積％以下、さらに好ましくは、９２体積％以下である。
【００５６】
２−２．第１の光拡散粒子
第１の光拡散粒子は、光拡散層２において、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光され、蛍光体層３を透過した光を拡散させることができる粒子である。具体的には、第１の光拡散粒子は、第１の樹脂との屈折率差の絶対値Ｄ１が、０．１２以上であり、平均粒子径が、０．２５μｍ以上である粒子である。なお、平均粒子径は、Ｄ５０値として算出され、具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。以降の粒子の平均粒子径も、上記と同様に求められる。
【００５７】
そのような粒子として、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。
【００５８】
無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
【００５９】
有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。
【００６０】
第１の光拡散粒子の形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
【００６１】
第１の光拡散粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００６２】
第１の光拡散粒子は、上記した例示から、第１の樹脂との屈折率差Ｄ１に基づいて、適宜選択され、具体的には、好ましくは、有機粒子、より好ましくは、シリコーン系樹脂粒子が挙げられる。
【００６３】
第１の光拡散粒子の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、０．３μｍ以上、より好ましくは、０．５μｍ以上、さらに好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下である。
【００６４】
第１の光拡散粒子と第１の樹脂との屈折率差の絶対値Ｄ１は、０．１２以上、好ましくは、０．１５以上であり、また、０．１８以下、好ましくは、０．１６以下である。
【００６５】
第１の光拡散粒子の平均粒子径が上記した下限以上で、かつ、第１の光拡散粒子と第１の樹脂との屈折率差の絶対値Ｄ１が上記した下限以上であれば、第１の光拡散粒子が光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光を確実にかつ効率的に拡散させることができる。
【００６６】
第１の光拡散粒子と第１の樹脂との屈折率差の絶対値Ｄ１が、上記した下限を下回れば、色度のバラツキを低減できない。また、第１の光拡散粒子と第１の樹脂との屈折率差の絶対値Ｄ１が、上記した上限を上回れば、後方散乱を抑制することができない。
【００６７】
具体的には、第１の光拡散粒子の屈折率は、例えば、１．２以上、例えば、１．７以下である。
【００６８】
また、第１の光拡散粒子が２種以上併用される場合には、いずれの種の第１の光拡散粒子も、第１の樹脂との屈折率差の絶対値Ｄ１が上記した範囲内となる。具体的には、第１の光拡散粒子が、Ａ種およびＢ種からなれば、Ａ種と第１の樹脂の屈折率差の絶対値Ｄ１Ａが上記した範囲内となり、かつ、Ｂ種と第１の樹脂の屈折率差の絶対値Ｄ１Ｂが上記した範囲内となる。
【００６９】
第１の光拡散粒子の割合は、第１の樹脂１００体積部に対して、例えば、２．５体積部以上、好ましくは、５体積部以上であり、また、例えば、４０体積部以下、好ましくは、２０体積部以下である。第１の光拡散粒子の光拡散樹脂組成物における含有割合は、例えば、１体積％以上、好ましくは、５体積％超過、より好ましくは、６体積％以上、さらに好ましくは、７体積％以上であり、また、例えば、４０体積％以下、好ましくは、２０体積％以下、より好ましくは、１０体積％以下である。
【００７０】
２−３．第１の光拡散粒子以外の粒子
また、光拡散樹脂組成物は、第１の光拡散粒子以外の粒子を含有することができる。
【００７１】
そのような粒子は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光を十分に拡散することができない粒子（光拡散不十分粒子）である。具体的には、そのような粒子としては、例えば、第１の充填材、第１のチクソ付与粒子が挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。
【００７２】
（１）第１の充填材
第１の充填材は、光拡散層２の強化や、光拡散樹脂組成物を増量させるために、光拡散樹脂組成物に任意的に配合される。具体的には、第１の充填材は、光拡散樹脂組成物において、第１の樹脂と屈折率が実質的に同一である粒子である。
【００７３】
第１の充填材としては、上記した第１の光拡散粒子の中から、第１の樹脂と実質的に同一の屈折率を有するものが選択される。第１の充填材として、好ましくは、無機粒子、より好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。
【００７４】
第１の充填材の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、０．３μｍ以上、より好ましくは、０．５μｍ以上、さらに好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００７５】
第１の充填材の割合は、第１の樹脂１００体積部に対して、例えば、３体積部以上、好ましくは、１０体積部以上であり、また、例えば、４０体積部以下、好ましくは、２０体積部以下である。第１の充填材の光拡散樹脂組成物における含有割合は、例えば、２．５体積％以上、好ましくは、７．５体積％以上であり、また、例えば、３０体積％以下、好ましくは、１５体積％以下である。
【００７６】
（２）第１のチクソ付与粒子
第１のチクソ付与粒子は、光拡散樹脂組成物に揺変性（ｔｈｉｘｏｔｒｏｐｙ、チクソ性）を付与または向上させる揺変剤である。揺変性は、せん断応力を受け続けると粘度が次第に低下し、静止すると粘度が次第に上昇する性質である。第１のチクソ付与粒子は、光拡散樹脂組成物に任意的に配合される。
【００７７】
第１のチクソ付与粒子としては、ヒュームドシリカ（煙霧シリカ）などのナノシリカなどが挙げられる。
【００７８】
ヒュームドシリカとしては、例えば、ジメチルジクロロシラン、シリコーンオイルなどの表面処理剤により表面が疎水化された疎水性煙霧シリカ、および、表面処理されていない親水性煙霧シリカのいずれであってもよい。
【００７９】
第１のチクソ付与粒子の平均粒子径は、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上である。
【００８０】
第１のチクソ付与粒子の割合は、第１の樹脂１００体積部に対して、例えば、０．０１体積部以上、好ましくは、０．１体積部以上であり、また、例えば、５体積部以下、好ましくは、１体積部以下である。第１のチクソ付与粒子の光拡散樹脂組成物における含有割合は、例えば、０．１体積％以上、好ましくは、０．２体積％以上であり、また、例えば、２体積％以下、好ましくは、１体積％以下である。
【００８１】
２−４．光拡散樹脂組成物
光拡散樹脂組成物は、第１の樹脂と、光拡散粒子と、必要により、光拡散粒子以外の粒子（第１の充填材、第１のチクソ付与粒子）とを配合して、混合することにより、調製される。
【００８２】
３．蛍光体層
蛍光体層３は、図１に示すように、波長変換シート１において、厚み方向一方側に位置する厚み方向一方側層を形成する。蛍光体層３は、光拡散層２の厚み方向一方面の全面に接触するように、光拡散層２の厚み方向一方面に配置されている。蛍光体層３は、面方向に延びる略板（シート）形状を有する。蛍光体層３は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）を被覆するための層である。蛍光体層３は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光の波長を変換する波長変換層である。
【００８３】
蛍光体層３は、例えば、蛍光体を粒子として有する。具体的には、蛍光体層３は、例えば、蛍光体を有する蛍光体樹脂組成物からなる。
【００８４】
３−１．蛍光体樹脂組成物
蛍光体樹脂組成物は、例えば、第２の樹脂および蛍光体を含有する。
【００８５】
３−２．第２の樹脂
第２の樹脂としては、蛍光体を分散できるマトリクスを構成できる透明樹脂が挙げられる。第２の樹脂としては、第１の樹脂と同様の樹脂が挙げられる。第２の樹脂として、好ましくは、Ｂステージとなることができる熱硬化性樹脂が挙げられ、より好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００８６】
第２の樹脂の蛍光体樹脂組成物における含有割合は、例えば、５０体積％以上、好ましくは、６０体積％以上であり、また、例えば、９５体積％以下、好ましくは、９０体積％以下である。
【００８７】
３−３．蛍光体
蛍光体は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光の波長を変換することのできる粒子（波長変換可能粒子）である。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【００８８】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００８９】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００９０】
蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
【００９１】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
【００９２】
蛍光体の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。蛍光体の平均粒子径が上記した下限以上であれば、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光の波長を確実に変換することができる。
【００９３】
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
蛍光体の割合は、第２の樹脂１００体積部に対して、例えば、１体積部以上、好ましくは、５体積部以上であり、また、例えば、４０体積部以下、好ましくは、２０体積部以下である。蛍光体の含有割合は、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、１体積％以上、好ましくは、５体積％以上であり、例えば、５０体積％以下、好ましくは、２０体積％以下である。
【００９４】
３−４．蛍光体以外の粒子
蛍光体樹脂組成物は、さらに、蛍光体以外の粒子を含有することができる。
【００９５】
そのような粒子は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光の波長を十分変換することができない粒子（波長変換不十分粒子）である。具体的には、そのような粒子としては、例えば、第２の充填材、第２の光拡散粒子（光拡散粒子の一例）、第２のチクソ付与粒子などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。
【００９６】
（１）第２の充填材
第２の充填材は、蛍光体層３の強化や、蛍光体樹脂組成物の増量のために、蛍光体樹脂組成物に任意的に配合される。一方、蛍光体樹脂組成物において、第２の充填材は、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光を拡散できない粒子である。そのため、第２の充填材は、その屈折率が第２の樹脂と実質的に同一である粒子である。つまり、第２の充填材は、上記した第１の光拡散粒子の中から、第２の樹脂と実質的に同一の屈折率を有するものが選択される。第２の充填材として、好ましくは、無機粒子、より好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。第２の充填材の平均粒子径は、第１の平均粒子径と同様である。
【００９７】
第２の充填材の割合は、第２の樹脂１００体積部に対して、例えば、０体積部超過、好ましくは、１０体積部以上であり、また、例えば、１００体積部以下、好ましくは、２０体積部以下である。第２の充填材の蛍光体樹脂組成物における含有割合は、例えば、０体積％超過、好ましくは、５体積％以上であり、また、例えば、４０体積％以下、好ましくは、２０体積％以下である。
【００９８】
（２）第２の光拡散粒子
第２の光拡散粒子は、蛍光体層３において、光半導体素子５（図５Ｆ参照）から発光された光を拡散させることができる粒子である。第２の光拡散粒子は、上記した光の拡散に基づいて、後方散乱をより一層抑制させるために、蛍光体樹脂組成物に任意的に配合される。
【００９９】
また、第２の光拡散粒子としては、第１の光拡散粒子の同様のものが挙げられ、好ましくは、同一種類が挙げられる。つまり、光拡散層２および蛍光体層３がともに、同一の光拡散粒子を含有する。そうすると、光拡散層２における第１の光拡散粒子の含有割合を、蛍光体層３が第２の光拡散粒子を含有せず、光拡散層２のみが第１の光拡散粒子を含有する場合に比べて、低減することができる。その結果、光拡散樹脂組成物の取扱性を良好にすることができ、具体的には、光拡散樹脂組成物の粘度を低減することができる。
【０１００】
第２の光拡散粒子は、第１の樹脂との屈折率差の絶対値Ｄ１が、０．１２以上であり、平均粒子径が、０．２５μｍ以上である粒子である。
【０１０１】
第２の光拡散粒子は、上記した第１の光拡散粒子の中から、用途および目的に応じて適宜選択され、好ましくは、有機粒子、より好ましくは、シリコーン系樹脂粒子が挙げられる。
【０１０２】
第２の光拡散粒子の屈折率および平均粒子径のそれぞれは、第１の光拡散粒子の屈折率および平均粒子径のそれぞれと同一である。
【０１０３】
第２の光拡散粒子の割合は、第２の樹脂１００体積部に対して、例えば、０体積部超過、好ましくは、５体積部以上であり、また、例えば、２０体積部以下、好ましくは、１０体積部以下である。第２の光拡散粒子の蛍光体樹脂組成物における含有割合は、例えば、０体積％超過、好ましくは、２体積％以上であり、また、例えば、１０体積％以下、好ましくは、５体積％以下である。
【０１０４】
（３）第２のチクソ付与粒子
第２のチクソ付与粒子は、蛍光体樹脂組成物に揺変性を付与または向上させる揺変剤である。第２のチクソ付与粒子は、蛍光体樹脂組成物に任意的に配合される。第２のチクソ付与粒子は、上記した第１のチクソ付与粒子の中から、用途および目的に応じて適宜選択される。第２のチクソ付与粒子の平均粒子径は、第１のチクソ付与粒子の平均粒子径と同一である。
【０１０５】
第２のチクソ付与粒子の割合は、第２の樹脂１００体積部に対して、例えば、０．０１体積部以上、好ましくは、０．１体積部以上であり、また、例えば、５体積部以下、好ましくは、１体積部以下である。第２のチクソ付与粒子の蛍光体樹脂組成物における含有割合は、例えば、０．１体積％以上、好ましくは、０．２体積％以上であり、また、例えば、２体積％以下、好ましくは、１体積％以下である。
【０１０６】
３−５．蛍光体樹脂組成物の調製
蛍光体樹脂組成物は、例えば、蛍光体と、第２の樹脂と、必要により、蛍光体以外の粒子（第２の充填材、第２の光拡散粒子および第２のチクソ付与粒子）とを配合して、混合することにより、調製される。
【０１０７】
４．波長変換シートの製造方法
波長変換シート１を製造するには、例えば、図２に示すように、まず、光拡散層２を作製し、別途、蛍光体層３を作製し、その後、光拡散層２および蛍光体層３を互いに貼り合わせる。
【０１０８】
（１）  光拡散層の作製
光拡散層２を作製するには、例えば、まず、上記した光拡散樹脂組成物（ワニス）を調製する。
【０１０９】
光拡散樹脂組成物の２５℃における粘度は、例えば、１Ｐａ・ｓ以上、好ましくは、５Ｐａ・ｓ以上であり、また、例えば、１００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、６０Ｐａ・ｓ未満、より好ましくは、５０Ｐａ・ｓ以下である。粘度は、例えば、Ｅ型粘度計で測定される。
【０１１０】
光拡散樹脂組成物の粘度が上記した下限以上であれば、塗膜が過度に薄くなることを抑制することができる。一方、光拡散樹脂組成物の粘度が上記した上限以下であれば、ワニスの取扱性を向上させ、所望の厚みの薄い塗膜を作製でき、そのため、薄型の光拡散層２を作製することができる。
【０１１１】
次いで、光拡散樹脂組成物を、第１剥離シート２１の表面に塗布する。
【０１１２】
第１剥離シート２１としては、第２剥離シート２２と同様のものが挙げられる。
【０１１３】
次いで、光拡散樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、光拡散樹脂組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、Ａステージの光拡散樹脂組成物を、加熱（ベイク）して、Ｂステージ化する。
【０１１４】
加熱（ベイク）条件は、用途および目的に応じて、適宜設定される。具体的には、加熱温度が、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上、より好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、４時間以下、好ましくは、１時間以下、より好ましくは、３０分以下、さらに好ましくは、１０分以下である。加熱温度が上記下限以上、および／または、上記上限以下であり、また、加熱時間が上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、光拡散層２の貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値（後述）を所望の範囲に設定することができる。
【０１１５】
これにより、光拡散層２が第１剥離シート２１の表面に作製される。具体的には、Ｂステージの光拡散層２が作製される。
【０１１６】
光拡散層２の厚みＴは、３０μｍ以上、例えば、４０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上である。光拡散層２の厚みＴが上記した下限を下回れば、光拡散層２を均一な膜として保形できない不具合がある。一方、光拡散層２の厚みＴが上記した下限以上であれば、光拡散層２を均一な膜として保形できる。また、光拡散層２がその機能を十分に奏することができる。
【０１１７】
光拡散層２の厚みＴは、１００μｍ以下、好ましくは、９５μｍ以下、より好ましくは、９０μｍ以下、さらに好ましくは、８５μｍ以下である。光拡散層２の厚みＴが上記した上限を上回れば、波長変換シート１の薄型化を図れず、また、長期信頼性が低下するという不具合がある。一方、光拡散層２の厚みＴが上記した上限以下であれば、波長変換シート１の薄型化を図ることができ、さらに、長期信頼性の低下を抑制することができる。
【０１１８】
（２）Ｂステージの光拡散層の物性（動的粘弾性）
Ｂステージの光拡散層２の動的粘弾性は、Ｂステージの蛍光体層３の動的粘弾性（後述）と同一である。
【０１１９】
（３）  蛍光体層の作製
蛍光体層３を作製するには、まず、蛍光体樹脂組成物（ワニス）を調製する。次いで、蛍光体樹脂組成物を、第２剥離シート２２の表面に塗布する。
【０１２０】
第２剥離シート２２としては、第１剥離シート２１と同様のものが挙げられる。
【０１２１】
次いで、蛍光体樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、蛍光体樹脂組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、Ａステージの蛍光体樹脂組成物を、加熱（ベイク）して、Ｂステージ化する。
【０１２２】
加熱（ベイク）条件は、蛍光体層３において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が所望の範囲となるように、適宜設定される。
【０１２３】
つまり、加熱温度は、蛍光体樹脂組成物における熱硬化性樹脂組成物の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上、より好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記下限以上、および／または、加熱温度が上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。
【０１２４】
加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、４時間以下、好ましくは、１時間以下、より好ましくは、３０分以下、さらに好ましくは、１０分以下である。加熱時間が上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。
【０１２５】
これにより、蛍光体層３が第２剥離シート２２の厚み方向他方面に作製される。好ましくは、Ｂステージの蛍光体層３が作製される。
【０１２６】
蛍光体層３の厚みは、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、９５μｍ以下、より好ましくは、９０μｍ以下、さらに好ましくは、８５μｍ以下である。
【０１２７】
（４）Ｂステージの蛍光体層の物性（動的粘弾性）
蛍光体層３がＢステージである場合、詳しくは、蛍光体層３がＢステージの第２樹脂を含有する場合には、この蛍光体層３を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線は、図１１が参照されるように、極小値を有する。
【０１２８】
そして、そのような極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、例えば、５Ｐａ以上、好ましくは、２０Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。
【０１２９】
さらに、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、好ましくは、１，０００Ｐａ以上、より好ましくは、１０，０００Ｐａ以上、さらに好ましくは、２０，０００Ｐａ以上、とりわけ好ましくは、３０，０００Ｐａ以上であり、また、好ましくは、７０，０００Ｐａ以下の範囲にある。
【０１３０】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した下限以上であれば、次に説明する熱プレス工程において、蛍光体層３のしわを防止して、蛍光体層３の厚みが均一となり、得られるシート被覆素子４および光半導体装置８（図５Ｆ参照）の色均一性が優れる。
【０１３１】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した上限以下であれば、図４Ｃに示す第３工程（後述）において、蛍光体層３に光半導体素子５を確実に感圧接着させることができる。
【０１３２】
（５）光拡散層および蛍光体層の貼り合わせ
その後、光拡散層２および蛍光体層３を貼り合わせる。
【０１３３】
具体的には、第１剥離シート２１に支持された光拡散層２の露出面と、第２剥離シート２２に支持された蛍光体層３の露出面とを、例えば、ラミネータなどによって、互いに貼り合わせる。
【０１３４】
これにより、光拡散層２および蛍光体層３を備える波長変換シート１が、第１剥離シート２１および第２剥離シート２２により挟まれた（支持された）状態で、製造される。
【０１３５】
６．光拡散粒子の体積
厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シート１（光拡散層２および蛍光体層３）に存在する第１の光拡散粒子および第２の光拡散粒子の総体積（以下、単に光拡散粒子の体積という）は、例えば、０．０００４ｃｍ３以上、好ましくは、０．０００５ｃｍ３以上、より好ましくは、０．０００５ｃｍ３超過であり、また、例えば、０．００１８ｃｍ３以下、好ましくは、０．００１５ｃｍ３以下、より好ましくは、０．００１０ｃｍ３以下である。
【０１３６】
厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シート１に存在する光拡散粒子の体積が上記した下限以上であれば、色度のバラツキを低減することができる。
【０１３７】
一方、厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シート１に存在する光拡散粒子の体積が上記した上限以下であれば、後方散乱を効率的に抑制することができる。
【０１３８】
なお、厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シート１に存在する光拡散粒子の体積とは、体積（厚み）にかかわらず、波長変換シート１  １ｃｍ２を厚み方向に投影した体積中に存在する光拡散粒子の量をいう。
【０１３９】
光拡散粒子の体積は、光拡散樹脂組成物の仕込み量から計算することができる。具体的には、（１）光拡散樹脂組成物に含有される各組成の体積割合を測定する。なお、光拡散粒子などの粒子については、真比重および質量から体積を測定することができる。（２）次いで、光拡散樹脂組成物１ｃｍ３に含有される光拡散粒子の体積割合Ｘ（／ｃｍ３）を測定する。（３）次いで、波長変換シート１の厚み（ｃｍ）を、上記光拡散粒子の体積割合Ｘ（／ｃｍ３）に乗じる。
【０１４０】
なお、第１実施形態において、波長変換シート１に存在する光拡散粒子の総体積は、光拡散層２が第１の光拡散粒子を含有する一方、蛍光体層３が第２の光拡散粒子を含有しない場合には、光拡散層２のみに含有される第１の光拡散粒子の総体積に等しい。
【０１４１】
７．  シート被覆素子、光半導体装置およびそれらの製造方法
次に、波長変換シート１を用いて製造されるシート被覆素子４、光半導体装置８およびそれらの製造方法について説明する。
【０１４２】
７−１．シート被覆素子
シート被覆素子４は、図３に示すように、光半導体素子５が上記した波長変換シート１により被覆された素子であり、図５Ｇに示すように、光半導体素子５が波長変換シート１によって被覆された後、基板９（後述）に実装される。
【０１４３】
なお、シート被覆素子４は、光半導体装置８ではなく、つまり、光半導体装置８に備えられる基板９を含んでいない。具体的には、シート被覆素子４は、光半導体素子５と、波長変換シート１（光拡散層２および光拡散層３）と、光反射性層７とを備える。シート被覆素子４は、好ましくは、光半導体素子５と、波長変換シート１と、光反射性層７とからなる。つまり、光半導体素子５は、光半導体装置８の基板９に備えられる電極とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、シート被覆素子４は、光半導体装置８の一部品、すなわち、光半導体装置８を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０１４４】
光半導体素子５は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤ（発光ダイオード素子）またはＬＤ（半導体レーザー素子）である。好ましくは、光半導体素子５は、青色光を発光する青色ＬＥＤである。なお、光半導体素子５は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。
【０１４５】
光半導体素子５は、左右方向および前後方向に沿う略平板形状を有している。また、光半導体素子５は、平面視略矩形状（好ましくは、平面視略正方形状）を有している。光半導体素子５は、電極１０が設けられる電極面１１と、電極面１１の厚み方向（上下方向）に対向する対向面１２と、電極面１１および対向面１２の周端縁を連結する側面１３とを一体的に有する。
【０１４６】
電極面１１は、光半導体素子５における下面の一例である。電極面１１には、複数（２個）の電極１０が設けられている。複数の電極１０のそれぞれは、電極面１１から下側に向かってわずかに突出する形状を有する。
【０１４７】
対向面１２は、光半導体素子５における上面の一例である。
【０１４８】
光半導体素子５の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（上下方向長さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子５の左右方向および／または前後方向における長さは、それぞれ、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下である。
【０１４９】
波長変換シート１は、シート被覆素子４において、光半導体素子５から発光された光を面方向に拡散させながら、波長変換する光拡散−波長変換シートである。波長変換シート１は、平面視略矩形の平板状を有する。波長変換シート１は、厚み方向に投影したときに、光半導体素子５を含んでいる。波長変換シート１では、光半導体素子５の対向面１２から上方に向かって、蛍光体層３および光拡散層２が順に配置されている。光拡散層２は、シート被覆素子４の上面の中央部を形成する。光拡散層２の上面は、後述する光反射性層７の上面と面一となっている。光拡散層３の中央部は、対向面１２と接触している。波長変換シート１の周端部は、光半導体素子５よりも外側に位置しており、光反射性層７と接触している。
【０１５０】
光反射性層７は、光半導体素子５および波長変換シート１の側方に配置され、光半導体素子５から主として側方に放射される光を反射することができる白色層である。光反射性層７は、平面視略矩形枠状を有している。光反射性層７は、下部１４と、および、その上側に設けられる上部１５とを一体的に備えている。
【０１５１】
下部１４は、光半導体素子５の側方（周囲、すなわち、左右方向外側および前後方向外側）に配置されている。具体的には、下部１４は、光半導体素子の側面１３と接触し、それを被覆している。下部１４の内側部は、蛍光体層３の下面と接触している。下部１４の外側部は、上部１５と連続している。下部１４は、平面視略枠形状を有している。下部１４は、厚み方向に投影したときに、その内形が光半導体素子５と一致し、その外形が上部１５の外形と一致するように形成されている。下部１４の厚みは、光半導体素子５の厚みと同一である。
【０１５２】
上部１５は、波長変換シート１の側方（周囲、すなわち、左右方向外側および前後方向外側）に配置されている。具体的には、上部１５は、波長変換シート１の周側面と接触し、それらを被覆している。上部１５は、平面視略枠形状を有している。上部１５は、厚み方向に投影したときに、その内形が波長変換シート１と一致し、その外形が下部１４の外形と一致するように形成されている。上部１５の開口は、下部１４の開口に対して大きい。上部１５の厚みは、光拡散層２の厚みＴおよび蛍光体層３の厚みの合計と同一である。
【０１５３】
光反射性層７は、１００μｍ厚みとして４５０ｎｍ波長の光で照射したときの光透過率が、例えば、２０％以下、好ましくは、１０％以下であり、また、例えば、０％以上である。
【０１５４】
光反射性層７は、例えば、樹脂と光反射性粒子とを含有する光反射樹脂組成物から形成（調製）されている。樹脂としては、上記した第１の樹脂と同様の樹脂、好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂が挙げられる。光反射性粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などの、無機物が挙げられる。好ましくは、酸化チタンが挙げられる。光反射性粒子の屈折率は、例えば、２．０以上、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５．０以下である。
【０１５５】
樹脂と光反射性粒子との含有割合は、用途および目的に応じて適宜設定される。
【０１５６】
７−２．  シート被覆素子の製造方法
そして、このシート被覆素子４は、波長変換シート１を切断する第１工程（図４Ａ参照）、複数の波長変換シート１における光拡散層２を第３剥離シート２３の表面に配置する第２工程（図４Ｂ参照）、複数の光半導体素子５のそれぞれを複数の蛍光体層３のそれぞれの厚み方向一方面に固定する第３工程（図４Ｃ参照）、光反射性層７によって、複数の光半導体素子５および複数の波長変換シート１を被覆する第４工程（図５Ｄ参照）、素子集合体１７を切断して、複数のシート被覆素子４を製造する第５工程（図５Ｅ参照）を順に備える、シート被覆素子４の製造方法によって、製造される。
【０１５７】
（１）第１工程
図４Ａの太い一点破線で示すように、第１工程では、１枚の波長変換シート１を、用途および目的に応じたサイズに切断して、複数枚の波長変換シート１を作製する。波長変換シート１の切断では、光拡散層２および蛍光体層３とともに、第１剥離シート２１および第２剥離シート２２を切断する。
【０１５８】
（２）第２工程
第２工程では、まず、第１剥離シート２１を光拡散層２から剥離し、次いで、図４Ｂに示すように、光拡散層２を、第３剥離シート２３に配置する。具体的には、光拡散層２の厚み方向他方面を、第３剥離シート２３の厚み方向一方面に接触させる。また、波長変換シート１を、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置する。
【０１５９】
第３剥離シート２３としては、第１剥離シート２１と同様のものが挙げられる。
【０１６０】
（３）第３工程
第３工程では、図４Ｃに示すように、光半導体素子５を、蛍光体層３の厚み方向一方面に配置する。具体的には、まず、第２剥離シート２２（図４Ｂ参照）を蛍光体層３から剥離し、その後、光半導体素子５の対向面１２を、蛍光体層３の厚み方向一方面に接触させる。これにより、光半導体素子５は、Ｂステージの蛍光体層３に対して仮固定（密着）される。光拡散層２は、蛍光体層３に対して光半導体素子５の反対側に位置する。なお、電極１０は、光半導体素子５に対して波長変換シート１の反対側に位置する。
【０１６１】
その後、光拡散層２および蛍光体層３がＢステージである場合、具体的には、光拡散層２が含有する第１の樹脂、および、蛍光体層３が含有する第２の樹脂が、Ｂステージである場合には、光拡散層２および蛍光体層３をＣステージ化させる。
【０１６２】
具体的には、Ｂステージの光拡散層２およびＢステージの蛍光体層３を加熱する。加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。
【０１６３】
第３工程によって、Ｃステージの光拡散層２、Ｃステージの蛍光体層３を備える複数の波長変換シート１が、第３剥離シート２３に支持された状態で、作製される。
【０１６４】
（Ｃステージの生成物）
蛍光体層３に含有されるフェニル系シリコーン樹脂組成物が反応（Ｃステージ化反応）して、生成物（あるいは硬化物）が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。
【０１６５】
Ｃステージの生成物において、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。フェニル基の含有割合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。フェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などに記載される。
【０１６６】
蛍光体層３に含有されるフェニル系シリコーン樹脂組成物のＣステージ化によって、蛍光体層３が光半導体素子５と接着する。
【０１６７】
光拡散層２に含有されるフェニル系シリコーン樹脂組成物の反応および生成物も、蛍光体層３に含有されるそれらと同一である。
【０１６８】
（４）第４工程
図５Ｄに示すように、第４工程では、例えば、まず、光反射シート１６（仮想線）を、複数の光半導体素子５および複数の波長変換シート１に対して、上下方向に間隔を隔てて対向配置する。
【０１６９】
まず、光反射シート１６を、光反射性層７を構成する光反射樹脂組成物（好ましくは、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂および光反射性粒子（屈折率が、例えば、２．０以上、好ましくは、２．３以上、例えば、５．０以下）を含有する光反射樹脂組成物）から、面方向（上下方向に直交する方向）に沿うシート状に、形成する。
【０１７０】
次いで、複数の光半導体素子５、複数の波長変換シート１および第３剥離シート２３と、光反射シート１６とを、熱プレス機（図示せず）にセットする。具体的には、複数の光半導体素子５と、光反射シート１６とが対向配置される。
【０１７１】
次いで、図５Ｄの矢印で示すように、光反射シート１６を、複数の光半導体素子５および複数の波長変換シート１に対して、熱プレスする。
【０１７２】
熱プレスの条件は、光反射シート１６が複数の光半導体素子５および複数の波長変換シート１を埋設して変形するように、設定される。
【０１７３】
この熱プレスによって、光反射シート１６は、下部１４および上部１５を有する光反射性層７に形成される。
【０１７４】
これによって、複数の光半導体素子５と、複数の波長変換シート１と、１つの光反射性層７とを備える素子集合体１７が、第３剥離シート２３に支持された状態で、得られる。
【０１７５】
次いで、素子集合体１７における光反射性層７を加熱してＣステージ化する。具体的には、素子集合体１７をプレス機３０から取り出し、オーブンなどによって、加熱する。
【０１７６】
その後、光反射性層７の上部を、例えば、グラインド加工、溶媒による拭き取り加工、粘着シートによる引き剥がし加工によって、除去する。これによって、光半導体素子５の電極面１１を露出させる。
【０１７７】
（５）第５工程
第５工程では、図５Ｆに示すように、面方向に隣接する光半導体素子５の間と、面方向に隣接する波長変換シート１の間とに位置する光反射性層７を、例えば、ダイシングなどによって切断する。これにより、素子集合体１７を個片化する。
【０１７８】
これによって、１つの光半導体素子５、１つの波長変換シート１と、１つの光反射性層７とを備えるシート被覆素子４が得られる。
【０１７９】
７−３．光半導体装置の製造方法
その後、図５Ｇに示すように、シート被覆素子４を基板９に実装する。具体的には、光半導体素子５を基板９にフリップチップ実装する。より具体的には、光半導体素子５の電極１０を基板９に設けられる端子（図示せず）と電気的に接続する。
【０１８０】
これによって、基板９と、シート被覆素子４と、光反射性層７とを備える光半導体装置８が得られる。
【０１８１】
光半導体装置８は、好ましくは、基板９と、光半導体素子５と、波長変換シート１と、光反射性層７とからなる。
【０１８２】
８．第１実施形態の作用効果
この波長変換シート１では、光拡散層２が、３０μｍ以上の厚みＴを有するので、光拡散層２を十分に保形することができる。また、光拡散層２が、１００μｍ以下の厚みＴを有するので、波長変換シート１の薄型化、さらには、シート被覆素子４の薄型化、ひいては、光半導体装置８の薄型化を図ることができる。さらに、光拡散層２が、１００μｍ以下の厚みを有するので、長期信頼性に優れる。
【０１８３】
この波長変換シート１では、第１の樹脂と光拡散粒子との屈折率差の絶対値Ｄ１が、０．１２以上であるので、色度のバラツキを低減できる。また、上記した屈折率差の絶対値Ｄ１が、０．１８以下であるので、波長変換シート１で光半導体素子５を被覆したシート被覆素子４、および、それを備える光半導体装置８において、後方散乱を抑制することができる。
【０１８４】
また、厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シート１に存在する光拡散粒子の体積が、０．０００４ｃｍ３以上であれば、色度のバラツキを低減することができる。
【０１８５】
また、厚み方向から見たときの１ｃｍ２当たりの波長変換シート１に存在する光拡散粒子の体積が０．００１８ｃｍ３以下であれば、後方散乱を効率的に抑制することができる。
【０１８６】
また、蛍光体層３が第２光拡散粒子を含有すれば、光拡散層２および蛍光体層３がともに、光拡散粒子を含有する。そのため、光拡散層２における第１の光拡散粒子の含有割合を、蛍光体層３が第２の光拡散粒子を含有せず、光拡散層２のみが第１の光拡散粒子を含有する場合に比べて、低減することができる。その結果、光拡散樹脂組成物の取扱性を良好にすることができ、具体的には、光拡散樹脂組成物の粘度を低減することができる。
【０１８７】
光拡散層２が、充填材およびチクソ付与粒子からなる群から選択される少なくとも１つをさらに含有すれば、光拡散層２を強化できたり、あるいは、光拡散樹脂組成物の取扱性を良好にすることができる。
【０１８８】
また、蛍光体層３が、Ｂステージの第２の樹脂を含有すれば、図４Ｃに示すように、蛍光体層３に光半導体素子５を容易に感圧接着させることができる。
【０１８９】
蛍光体層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあれば、蛍光体層３の厚みを均一としながら、蛍光体層３に光半導体素子５を確実に感圧接着させることができる。
【０１９０】
このシート被覆素子４によれば、上記した波長変換シート１を備えるので、薄型化を図りながら、色度のバラツキを低減できるとともに、後方散乱を抑制することができる。
【０１９１】
シート被覆素子４が光反射性層７を備えれば、光の取出効率を向上させることができる。さらに、このシート被覆素子４は、長期信頼性に優れる。
【０１９２】
光半導体装置８によれば、上記したシート被覆素子４を備えるので、薄型化を図りながら、色度のバラツキを低減できるとともに、後方散乱を抑制することができる。さらに、この光半導体装置８は、長期信頼性に優れる。
【０１９３】
９．変形例
変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９４】
第１実施形態において、第１の充填材は、第１の樹脂と実質的に同一の屈折率を有する。具体的には、第１の充填材は、光を実質的に拡散できない屈折率を有してればよく、例えば、第１の樹脂の屈折率と近似する屈折率を有することが許容される。詳しくは、第１の充填材と第１の樹脂との屈折率差が、例えば、０．０２以下、さらには、０．０１以下の微小値となることが、許容される。
【０１９５】
第２の充填材は、第２の樹脂と実質的に同一の屈折率を有する。具体的には、第２の充填材は、光を実質的に拡散できない屈折率を有してればよく、例えば、第２の樹脂の屈折率と近似する屈折率を有することが許容される。詳しくは、第２の充填材と第２の樹脂との屈折率差が、例えば、０．０２以下、さらには、０．０１以下の微小値となることが、許容される。
【０１９６】
第１実施形態では、図１に示すように、波長変換シート１は、光拡散層２と、蛍光体層３とを備える。しかし、図６に示すように、波長変換シート１は、さらに、透明層６を備えることもできる。
【０１９７】
この波長変換シート１は、透明層６と、光拡散層２と、蛍光体層３とを厚み方向一方側に向かって順に備える。また、波長変換シート１は、好ましくは、透明層６と、光拡散層２と、蛍光体層３とのみからなる。
【０１９８】
透明層６は、上記した透明樹脂を含有する透明樹脂組成物から、面方向に延びるシート形状を有する。透明層６は、光拡散層２の厚み方向他方面の全面に接触している。透明層６は、波長変換シート１において、厚み方向他方側面を形成する。
【０１９９】
透明層６は、１００μｍ厚みとして４５０ｎｍ波長の光で照射したときの光透過率が、例えば、８０％超過、好ましくは、９０％以上である。
【０２００】
厚み２５μｍの透明層６の全光線透過率は、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上である。透明層６の厚みは、用途および目的に応じて適宜設定され、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【０２０１】
一方、光拡散層２は、波長変換シート１において、透明層６および蛍光体層３に介在される中間層を形成する。
【０２０２】
第１実施形態では、波長変換シート１の製造方法において、図２に示すように、光拡散層２および蛍光体層３のそれぞれを作製し、その後、光拡散層２および蛍光体層３を貼り合わせている。
【０２０３】
しかし、例えば、図示しないが、第１剥離シート２１の厚み方向一方側に、光拡散層２および蛍光体層３を順に積層することもできる。具体的には、まず、光拡散層２を第１剥離シート２１の厚み方向一方面に配置し、次いで、蛍光体樹脂組成物を光拡散層２の厚み方向一方面に塗布し、その後、加熱する。
【０２０４】
あるいは、第２剥離シート２２の厚み方向他方側に、蛍光体層３および光拡散層２を順に積層することもできる。
【０２０５】
また、第１実施形態では、蛍光体層３を蛍光体樹脂組成物から形成しているが、例えば、蛍光体層３を蛍光体セラミックから、蛍光体セラミックプレートとして形成することもできる。
【０２０６】
蛍光体セラミックから蛍光体層３を形成するには、セラミック材料としての蛍光体を焼結することにより蛍光体セラミックプレートを生成する。あるいは、蛍光体の原材料を焼結し、それによる化学反応により蛍光体セラミックプレートを生成する。
【０２０７】
第１実施形態では、図５Ｄおよび図５Ｅに示すように、光反射シート１６を用いて、光反射性層７を作製しているが、例えば、図示しないが、光反射シート１６を用いず、光反射樹脂組成物を複数の光半導体素子５および複数の波長変換シート１の上に塗布などにより直接配置し、次いで、光反射樹脂組成物をＣステージ化することにより、光反射性層７を作製することもできる。
【０２０８】
上記した各変形例によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０２０９】
＜第２実施形態＞
第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２１０】
第１実施形態では、図３に示すように、シート被覆素子４において、波長変換シート１が、平面視において、光反射性層７より小さく、かつ、光半導体素子５より大きいサイズを有している。
【０２１１】
一方、第２実施形態では、図７に示すように、シート被覆素子４において、波長変換シート１が、平面視において、光反射性層７と同一サイズの外形形状を有する。
【０２１２】
波長変換シート１の側面と、光反射性層７の側面とは、厚み方向に連続している。具体的には、波長変換シート１の側面と、光反射性層７の側面とは、面一である。
【０２１３】
光反射性層７は、第１実施形態における上部１５（図３参照）を有さない。
【０２１４】
このシート被覆素子４を波長変換シート１を用いて製造するには、図１が参照されるように、まず、第２剥離シート２２を蛍光体層３から剥離する。
【０２１５】
次いで、図８Ａに示すように、蛍光体層３の厚み方向一方面に光半導体素子５を配置する。具体的には、Ｂステージの蛍光体層３の厚み方向一方面に光半導体素子５の対向面１２を密着（感圧接着）させる。
【０２１６】
続いて、Ｂステージの蛍光体層３およびＢステージの光拡散層２をＣステージ化させる。
【０２１７】
次いで、図８Ｂに示すように、光反射性層７を、複数の波長変換シート１および複数の光半導体素子５を被覆するように、蛍光体層３の厚み方向一方面に配置する。具体的には、光反射性層７を、隣接する波長変換シート１間と、隣接する光半導体素子５間とに充填する。
【０２１８】
次いで、図８Ｃに示すように、光反射性層７の上部を除去して、複数の光半導体素子５の電極面１１を露出させる。
【０２１９】
次いで、図８Ｃの太い一点破線で示すように、隣接する光半導体素子５間の光反射性層７および波長変換シート１を切断する。
【０２２０】
これにより、光半導体素子５、波長変換シート１および光反射性層７を備える複数のシート被覆素子４を、第１剥離シート２１で支持された状態で、得る。
【０２２１】
その後、図８Ｃの矢印で示すように、シート被覆素子４を第１剥離シート２１から剥離する。
【０２２２】
その後、図８Ｄに示すように、シート被覆素子４を基板９にフリップチップ実装する。
【０２２３】
これによって、基板９およびシート被覆素子４を備える光半導体装置８を得る。
【０２２４】
この第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０２２５】
＜第３実施形態＞
第３実施形態において、上記した第１実施形態および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２２６】
第２実施形態では、図７に示すように、波長変換シート１の側面と、光反射性層７の側面とは、面一である。
【０２２７】
一方、第３実施形態では、図９に示すように、波長変換シート１の側面と、光反射性層７の側面１３とが、面一である。
【０２２８】
波長変換シート１は、厚み方向に投影したときに、光半導体素子５と同一形状を有する。
【０２２９】
光反射性層７において、下部１４および上部１５の内側面は、厚み方向に沿って面一である。
【０２３０】
このシート被覆素子４を製造するには、図１０Ａの仮想線で示すように、まず、第２剥離シート２２を蛍光体層３から剥離する。
【０２３１】
次いで、図１０Ｂに示すように、蛍光体層３の厚み方向一方面に光半導体素子５を配置する。具体的には、Ｂステージの蛍光体層３の厚み方向一方面に光半導体素子５の対向面１２を密着（感圧接着）させる。
【０２３２】
続いて、Ｂステージの蛍光体層３およびＢステージの光拡散層２をＣステージ化させる。
【０２３３】
図１０Ｃに示すように、次いで、第１剥離シート２１を光拡散層２から剥離して、光拡散層２を別の第４剥離シート２４に載置する。
【０２３４】
第４剥離シート２４は、第１剥離シート２１と同様のものが挙げられる。第４剥離シート２４は、平面視において、波長変換シート１および光半導体素子５より大きいサイズを有する。
【０２３５】
その後、図１０Ｄに示すように、光反射性層７によって、波長変換シート１および光半導体素子５を埋設するように、光反射性層７を第４剥離シート２４の厚み方向一方側に配置する。
【０２３６】
続いて、図１０Ｅに示すように、光反射性層７の上部を除去して、光半導体素子５の電極面１１を露出させる。
【０２３７】
これによって、光半導体素子５、波長変換シート１および光反射性層７を備えるシート被覆素子４を、第４剥離シート２４に支持された状態で得る。
【０２３８】
その後、図１０Ｅの矢印で示すように、第４剥離シート２４をシート被覆素子４から剥離する。
【０２３９】
その後、図１０Ｆに示すように、シート被覆素子４を基板９にフリップチップ実装する。
【０２４０】
これにより、基板９と、シート被覆素子４と、光反射性層７とを備える光半導体装置８が得られる。
【０２４１】
この第３実施形態によっても、第１実施形態および第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【実施例】
【０２４２】
以下に調製例、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら調製例、実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２４３】
調製例１
特開２０１６−０３７５６２号公報の実施例に記載の調製例１に準拠して、第１および第２の樹脂としての、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ（Ｂステージとなることができる１段反応硬化性樹脂）を調製した。
【０２４４】
続いて、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物を、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。
【０２４５】
次いで、得られた生成物の２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定して、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出したところ、４８％であった。
【０２４６】
また、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物の屈折率を、多波長アッベ屈折率計（ＡＴＡＧＯ社製ｉＤＲ−Ｍ４）を使用し、波長５８９ｎｍにて２５℃で、測定したところ、１．５６であった。
【０２４７】
実施例１
（１）光拡散層の作製
第１の光拡散粒子としてのシリコーン系樹脂粒子、および、第１のチクソ付与粒子としての煙霧シリカを、調製例１のＡステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａに、表１に記載の体積割合となるように、配合して混合することにより、光拡散性樹脂組成物（ワニス）を調製した。光拡散性樹脂組成物の２５℃における、Ｅ型粘度計で測定される粘度は、２０Ｐａ・ｓであった。
【０２４８】
続いて、図２に示すように、光拡散性樹脂組成物を、第１剥離シート２１（ＰＥＴフィルム、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、加熱後の厚みが７５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、９０℃、５．７分（５分４２秒）加熱（ベイク）した。これにより、Ｂステージの光拡散層２を、第１剥離シート２１に支持された状態で、作製した。
【０２４９】
（２）蛍光体層の作製
第２の充填材としてのガラス粒子、および、第２のチクソ付与粒子としての煙霧シリカを、調製例１のＡステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａに、表１に記載の体積割合となるように、配合して混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。
【０２５０】
続いて、図２に示すように、蛍光体樹脂組成物を、第２剥離シート２２（ＰＥＴフィルム、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、加熱後の厚みが７５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、９０℃、５．７分（５分４２秒）加熱（ベイク）した。これにより、Ｂステージの蛍光体層３を、第２剥離シート２２に支持された状態で、作製した。
【０２５１】
（３）光拡散層および蛍光体層の貼り合わせ
次いで、光拡散層２および蛍光体層３をラミネータにより貼り合わせた。
【０２５２】
これによって、光拡散層２および蛍光体層３を備える波長変換シート１を、第１の剥離シートおよび第２の剥離シートで挟まれた状態で、製造した。
【０２５３】
その後、図４〜図５に示すように、波長変換シート１を用いて、光半導体素子５、波長変換シート１および光反射性層７を備えるシート被覆素子４を製造した。
【０２５４】
実施例２〜１１、および、比較例１〜９
表１〜表３に記載の処方に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、波長変換シート１を製造し、続いて、シート被覆素子４を製造した。
【０２５５】
なお、比較例９では、実施例１と同様に処理して、波長変換シート１を製造したが、光拡散層２を光半導体素子５に接触させて、光半導体素子５、光拡散層２および蛍光体層３を厚み方向に順に備える光半導体装置８を得た。つまり、実施例１の光半導体装置８における波長変換シート１では、光拡散層２および蛍光体層３の配置を逆転させた。
【０２５６】
評価
１．蛍光体層の動的粘弾性（貯蔵剪断弾性率Ｇ’）
実施例１で得られたＢステージの蛍光体層３を、下記の条件で、動的粘弾性測定した。
【０２５７】
［条件］
粘弾性装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
サンプル形状：円板形状
サンプル寸法：厚み２２５μｍ、直径８ｍｍ
歪量：１０％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：８ｍｍ
プレート間ギャップ：２００μｍ
昇温速度２０℃／分
温度範囲：２０〜２００℃
貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線を図１１に示す。
【０２５８】
貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値は、２，０００Ｐａであった。
【０２５９】
２．  色度のバラツキ
各実施例および各比較例のシート被覆素子４に関し、正面方向（０度：上方向）から斜め方向（−６０度〜６０度）に放射する光の色度（ＣＩＥ、ｙ）を、５度刻みで測定して、−６０度〜６０度の範囲における色度の最大と最小との差（Δｕ’ｖ’）を算出した。なお、色度は、瞬間マルチ測光システム（「ＭＣＰＤ−９８００」、大塚電子社製）を用いた。また、シート被覆素子４には、３００ｍＡの電流を印加した。その結果を表１〜表３に示す。
【０２６０】
３．取り出し効率の低下率
各実施例および各比較例のシート被覆素子４を、図５Ｆに示すように、基板９にフリップチップ実装して、光半導体装置８を得た。この光半導体装置８を、３００ｍＡの電流を通電して、積分球により、明るさ（ＬＯＰ）を測定した。
【０２６１】
同時に、比較例８の明るさ（ＬＯＰ）を１００％として、他の実施例および比較例の光半導体装置８に対するＬＯＰの比率を求めた。
【０２６２】
その結果を表１〜表３に示す。
【０２６３】
表１〜表３における各成分の詳細を以下に示す。
フェニル系シリコーン樹脂Ａ：屈折率１．５６、特開２０１６−０３７５６２号公報の調製例１に準拠して製造。
メチル系シリコーン樹脂Ｂ：屈折率１．４１、ＫＥＲ２５００（信越シリコーン社製）
シリコーン系樹脂粒子：屈折率１．４２、平均粒子径２．０μｍ、トスパールＴＳ１２０（東芝シリコーン社製）
酸化チタン粒子：屈折率２．７、平均粒子径０．３６μｍ、Ｒ７０６（デュポン社製）
シリカ粒子：屈折率１．４５、平均粒子径３．４μｍ、ＦＢ−３ｓｄｃ（デンカ社製）
ガラス粒子：屈折率１．５５、平均粒子径２０μｍ、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子
煙霧シリカ：屈折率１．４５、平均粒子径２０ｎｍ、Ｒ９７６ｓ（日本アエロジル社製）
蛍光体：平均粒子径１７μｍ、Ｙ４６８（ネモト・ルミマテリアル社製）
【０２６４】
【表１】
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【０２６５】
【表２】
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【０２６６】
【表３】
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【０２６７】
なお、表１に記載の成分の数値は、各層における体積％を示す。
【符号の説明】
【０２６８】
１     波長変換シート
２     光拡散層
３     蛍光体層
４     シート被覆素子
５     光半導体素子
７     光反射性層
８     光半導体装置
１２   対向面（上面）
１３   側面
Ｄ１   屈折率差の絶対値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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