(57)【要約】【課題】半田付けに際して半田が溶融する前に硬化するのを抑制することができ、さらに半田付け後に形成される半田接合部を補強することができる熱硬化性樹脂組成物を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂と、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する熱硬化性樹脂組成物である。熱硬化性樹脂は、主剤及び硬化剤を含む。主剤は、２官能以上のオキセタン化合物を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂と、
活性剤と、
チクソ性付与剤と、を含有する熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂は、主剤及び硬化剤を含み、
前記主剤は、２官能以上のオキセタン化合物を含む
熱硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
前記オキセタン化合物は、下記式（Ｏ１）〜（Ｏ４）からなる群より選ばれた１種以上の化合物である
請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【化１】
2018195789.tif 000006
【請求項３】
前記主剤の全質量に対して、前記オキセタン化合物は５０質量％以上である
請求項１又は２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
前記硬化剤は、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む
請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
前記主剤は、２官能以上のエポキシ化合物を含む
請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項６】
前記活性剤は、グルタル酸及びトリエタノールアミンからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含む
請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項７】
前記チクソ性付与剤は、アミド系ワックスを含む
請求項１〜６のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項８】
熱硬化性樹脂と、
活性剤と、
チクソ性付与剤と、を含有する熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂は、主剤及び硬化剤を含み、
前記硬化剤は、２個以上のベンゾオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む
熱硬化性樹脂組成物。
【請求項９】
前記ベンゾオキサジン化合物は、下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物である
請求項８に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【化２】
2018195789.tif 000007
【請求項１０】
前記主剤１００質量部に対して、前記ベンゾオキサジン化合物は１０質量部以上４０質量部以下である
請求項８又は９に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１１】
前記主剤は、２官能以上のオキセタン化合物を含む
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１２】
前記主剤は、２官能以上のエポキシ化合物を含む
請求項８〜１１のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１３】
前記活性剤は、グルタル酸及びトリエタノールアミンからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含む
請求項８〜１２のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１４】
前記チクソ性付与剤は、アミド系ワックスを含む
請求項８〜１３のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１５】
熱硬化性シートであって、
前記熱硬化性シートは、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物の半硬化物で形成されている
熱硬化性シート。
【請求項１６】
半導体パッケージと、
第１面を有し、前記第１面に第１パッドが形成された第１基板と、
前記半導体パッケージと前記第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、
前記第１半田接合部に接触する第１樹脂部と、を備え、
前記第１樹脂部は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含む第１熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されている
半導体部品。
【請求項１７】
前記第１半田接合部の融点は１００℃以上２４０℃以下である
請求項１６に記載の半導体部品。
【請求項１８】
前記第１半田接合部は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されている
請求項１６又は１７に記載の半導体部品。
【請求項１９】
前記第１熱硬化性樹脂組成物が、２官能以上のエポキシ化合物を更に含む
請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の半導体部品。
【請求項２０】
半導体パッケージと、
第１面及び前記第１面の反対側に第２面を有し、前記第１面に第１パッドが形成され、前記第２面にランドが形成された第１基板と、
前記半導体パッケージと前記第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、
前記第１半田接合部に接触する第１樹脂部と、
第１面を有し、前記第１面に第２パッドが形成された第２基板と、
前記ランドと前記第２パッドとを電気的に接続する第２半田接合部と、
前記第２半田接合部に接触する第２樹脂部と、を備え、
前記第１樹脂部は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含む第１熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されており、
前記第２樹脂部は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含む第２熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されている
半導体実装品。
【請求項２１】
前記第１半田接合部及び前記第２半田接合部のうちの少なくともいずれかの融点は１００℃以上２４０℃以下である
請求項２０に記載の半導体実装品。
【請求項２２】
前記第１半田接合部及び前記第２半田接合部のうちの少なくともいずれかは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されている
請求項２０又は２１に記載の半導体実装品。
【請求項２３】
前記第１熱硬化性樹脂組成物及び前記第２熱硬化性樹脂組成物のうちの少なくともいずれかは、２官能以上のエポキシ化合物を更に含む
請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の半導体実装品。
【請求項２４】
以下の工程Ａ１〜工程Ｄ１を含む半導体部品の製造方法。
工程Ａ１：第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、第１面を有し、前記第１面に第１パッドが形成された第１基板と、を準備する。
工程Ｂ１：２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する第１熱硬化性樹脂組成物を、前記第１基板の前記第１面に塗布又は配置する。
工程Ｃ１：前記第１半田バンプを前記第１パッドに配置する。
工程Ｄ１：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ及び前記第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。
【請求項２５】
前記第１半田バンプは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されている
請求項２４に記載の半導体部品の製造方法。
【請求項２６】
前記第１熱硬化性樹脂組成物は、２官能以上のエポキシ化合物を含む
請求項２４又は２５に記載の半導体部品の製造方法。
【請求項２７】
前記ピーク温度に至るまでの昇温速度は１℃／秒以上４℃／秒以下である
請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の半導体部品の製造方法。
【請求項２８】
以下の工程Ａ２〜工程Ｉ２を含む半導体実装品の製造方法。
工程Ａ２：第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、第１面及び前記第１面の反対側に第２面を有し、前記第１面に第１パッドが形成され、前記第２面にランドが形成された第１基板と、を準備する。
工程Ｂ２：２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第１熱硬化性樹脂組成物を、前記第１基板の前記第１面に塗布又は配置する。
工程Ｃ２：前記第１半田バンプを前記第１パッドに配置する。
工程Ｄ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ及び前記第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。
工程Ｅ２：前記ランドに第２半田バンプを形成する。
工程Ｆ２：第１面を有し、前記第１面に第２パッドが形成された第２基板を準備する。
工程Ｇ２：２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する第２熱硬化性樹脂組成物を、前記第２基板の前記第１面に塗布又は配置する。
工程Ｈ２：前記第２半田バンプを前記第２パッドに配置する。
工程Ｉ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ、前記第１基板及び前記第２基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。
【請求項２９】
前記第１半田バンプ及び前記第２半田バンプの少なくともいずれかは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されている
請求項２８に記載の半導体実装品の製造方法。
【請求項３０】
前記第１熱硬化性樹脂組成物及び前記第２熱硬化性樹脂組成物の少なくともいずれかは、２官能以上のエポキシ化合物を更に含む
請求項２８又は２９に記載の半導体実装品の製造方法。
【請求項３１】
前記ピーク温度に至るまでの昇温速度は１℃／秒以上４℃／秒以下である
請求項２８〜３０のいずれか１項に記載の半導体実装品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を基板に実装する際に用いられる熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性シート、半導体部品、半導体実装品、半導体部品の製造方法、及び、半導体実装品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体部品を回路基板に実装するにあたって、はんだ粒子を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部の周囲を、樹脂硬化部が被覆するので、半導体部品の実装構造の耐落下衝撃性が向上している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１７６０５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半田粉を含有するペースト状熱硬化性樹脂組成物については、次のような問題点がある。半田付けの際に半田粉は溶融し、半田同士が凝集して一体化（メタライズ）する。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のように比較的融点の高い半田粉を用いる場合に、一般的なエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を用いると、この熱硬化性樹脂が上記の半田同士の凝集を阻害するようになる。このように半田粉の自己凝集が阻害されてしまうと、電気的な導通不良が発生する。
【０００５】
上記の原因の１つとして、溶融した半田同士が凝集する速度に比べて、熱硬化性樹脂の硬化速度が速すぎることが挙げられる。この場合、半田粉が溶融して自己凝集するよりも速く、熱硬化性樹脂の硬化反応が終了し得るため、熱硬化性樹脂の硬化物が半田粉同士の間に絶縁物として形成されてしまうと考えられる。
【０００６】
半田粉の自己凝集が阻害される別の原因として、半田粉の融点に比べて、熱硬化性樹脂の硬化開始温度が低すぎることが挙げられる。この場合、半田付けの際の加熱により、先に熱硬化性樹脂の硬化開始温度に達し、その後、半田粉の融点に達することが起こり得る。そのため、半田粉が溶融する前に、熱硬化性樹脂が先に硬化し始めて、半田粉同士の間に電気的な絶縁物が形成されてしまうと考えられる。
【０００７】
これまでの技術では、熱硬化性樹脂の硬化速度を遅くしたり、熱硬化性樹脂の硬化開始温度を高めたりすることが困難である。
【０００８】
本発明の目的は、半田付けに際して半田が溶融する前に硬化するのを抑制することができ、さらに半田付け後に形成される半田接合部を補強することができる熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性シート、半導体部品、半導体実装品、半導体部品の製造方法、及び、半導体実装品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。前記熱硬化性樹脂は、主剤及び硬化剤を含む。前記主剤は、２官能以上のオキセタン化合物を含む。
【００１０】
本発明の第２の態様に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。前記熱硬化性樹脂は、主剤及び硬化剤を含む。前記硬化剤は、２個以上のベンゾオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。
【００１１】
本発明に係る熱硬化性シートは、第１又は第２の態様に係る熱硬化性樹脂組成物の半硬化物で形成されている。
【００１２】
本発明に係る半導体部品は、半導体パッケージと、第１面を有し、前記第１面に第１パッドが形成された第１基板と、前記半導体パッケージと前記第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、前記第１半田接合部に接触する第１樹脂部と、を備える。前記第１樹脂部は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含む熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されている。
【００１３】
本発明に係る半導体実装品は、半導体パッケージと、第１面及び前記第１面の反対側に第２面を有し、第１面に第１パッドが形成され、第２面にランドが形成された第１基板と、前記半導体パッケージと前記第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、前記第１半田接合部に接触する第１樹脂部と、第１面を有し、前記第１面に第２パッドが形成された第２基板と、前記ランドと前記第２パッドとを電気的に接続する第２半田接合部と、前記第２半田接合部に接触する第２樹脂部と、を備える。前記第１樹脂部は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含む第１熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されている。前記第２樹脂部は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含む第２熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されている。
【００１４】
本発明に係る半導体部品の製造方法は、以下の工程Ａ１〜工程Ｄ１を含む。
【００１５】
工程Ａ１：第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、第１面を有し、前記第１面に第１パッドが形成された第１基板と、を準備する。
【００１６】
工程Ｂ１：２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する第１熱硬化性樹脂組成物を、前記第１基板の前記第１面に塗布又は配置する。
【００１７】
工程Ｃ１：前記第１半田バンプを前記第１パッドに配置する。
【００１８】
工程Ｄ１：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ及び前記第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。
【００１９】
本発明に係る半導体実装品の製造方法は、以下の工程Ａ２〜工程Ｉ２を含む。
【００２０】
工程Ａ２：第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、第１面及び前記第１面の反対側に第２面を有し、前記第１面に第１パッドが形成され、前記第２面にランドが形成された第１基板を準備する。
【００２１】
工程Ｂ２：２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する第１熱硬化性樹脂組成物を、前記第１基板の前記第１面に塗布又は配置する。
【００２２】
工程Ｃ２：前記第１半田バンプを前記第１パッドに配置する。
【００２３】
工程Ｄ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ及び前記第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。
【００２４】
工程Ｅ２：前記ランドに第２半田バンプを形成する。
【００２５】
工程Ｆ２：第１面を有し、前記第１面に第２パッドが形成された第２基板を準備する。
【００２６】
工程Ｇ２：２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する第２熱硬化性樹脂組成物を、前記第２基板の前記第１面に塗布又は配置する。
【００２７】
工程Ｈ２：前記第２半田バンプを前記第２パッドに配置する。
【００２８】
工程Ｉ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ、前記第１基板及び前記第２基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、半田付けに際して半田が溶融する前に硬化するのを抑制することができ、さらに半田付け後に形成される半田接合部を補強することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の第４実施形態に係る半導体部品を示す概略断面図である。
【図２】図２Ａは、同上の半導体部品の一部を示す概略断面図である。図２Ｂは、同上の半導体部品の他の一部を示す概略断面図である。
【図３】図３は、同上の半導体部品の製造方法における工程Ａ１を示す概略断面図である。
【図４】図４Ａは、同上の半導体部品の製造方法における工程Ｂ１−１を示す概略断面図である。図４Ｂは、同上の半導体部品の製造方法における工程Ｃ１を示す概略断面図である。
【図５】図５Ａは、同上の半導体部品の製造方法における工程Ｂ１−２の一例を示す概略断面図である。図５Ｂは、同上の半導体部品の製造方法における工程Ｃ１を示す概略断面図である。
【図６】図６Ａは、同上の半導体部品の製造方法における工程Ｂ１−２の他の一例を示す概略断面図である。図６Ｂは、同上の半導体部品の製造方法における工程Ｃ１を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る半導体実装品を示す概略断面図である。
【図８】図８Ａは、同上の半導体実装品の製造方法における工程Ｇ２−１を示す概略断面図である。図８Ｂは、同上の半導体実装品の製造方法における工程Ｈ２を示す概略断面図である。
【図９】図９Ａは、同上の半導体実装品の製造方法における工程Ｇ２−２の一例を示す概略断面図である。図９Ｂは、同上の半導体実装品の製造方法における工程Ｈ２を示す概略断面図である。
【図１０】図１０Ａは、同上の半導体実装品の製造方法における工程Ｇ２−２の他の一例を示す概略断面図である。図１０Ｂは、同上の半導体実装品の製造方法における工程Ｈ２を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００３２】
〔第１実施形態〕
［熱硬化性樹脂組成物］
第１実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。以下では、熱硬化性樹脂組成物を構成するこれらの成分について説明する。
【００３３】
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂は、後述の第１樹脂部５１及び第２樹脂部５２を形成する主要な材料となる。熱硬化性樹脂は、主剤及び硬化剤を含む。以下では、主剤及び硬化剤について説明する。
【００３４】
＜主剤＞
主剤は、２官能以上のオキセタン化合物を含む。２官能以上のオキセタン化合物は、オキセタン環を２つ以上持っている化合物である。オキセタン環は、酸素を１つ含む飽和の４員環である。以下では、特に断らない限り、単にオキセタン化合物といえば、２官能以上のオキセタン化合物を意味する。オキセタン化合物の４員環が開環して架橋することにより硬化反応が進行する。４員環は３員環に比べて開環する速度が遅いため、３員環を有する主剤に比べて４員環を有する主剤の方が硬化反応の速度を遅くすることができる。具体的には、３員環を有する化合物の代表例としてエポキシ化合物が挙げられる。このエポキシ化合物を主剤として使用する場合に比べて、オキセタン化合物を主剤として使用する方が、熱硬化性樹脂の硬化速度を遅くすることができる。このように、硬化速度が遅くなると、半田付けに際して半田が溶融する前に、熱硬化性樹脂組成物が硬化するのを抑制することができる。
【００３５】
ここで、半田には、後述の第１半田バンプ６及び第２半田バンプ８のそれぞれを形成している半田が含まれる。以下でも、特に断らない限り、半田といえば上記と同様の意味である。
【００３６】
半田付けには、後述の第１半田バンプ６を加熱溶融して第１半田接合部４１を形成する場合と、後述の第２半田バンプ８を加熱溶融して第２半田接合部４２を形成する場合と、が含まれる。
【００３７】
オキセタン化合物は常温（例えば２０℃以上４０℃以下）で液状でも固体でもよい。なお、オキセタン環を１つのみ持つ１官能のオキセタン化合物が主剤に含まれていてもよい。
【００３８】
オキセタン化合物は、下記式（Ｏ１）〜（Ｏ４）からなる群より選ばれた１種以上の化合物であることが好ましい。
【００３９】
【化１】
2018195789.tif 000002
【００４０】
式（Ｏ１）のオキセタン化合物は、４，４’−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル］ビフェニルである。式（Ｏ１）のオキセタン化合物は、２つのベンゼンが単結合でつながった構造（ビフェニル骨格）を持っており、このビフェニル骨格は、ビスフェノールの基本骨格と類似している。そのため、式（Ｏ１）のオキセタン化合物は、ビスフェノールＦ型などのエポキシ化合物との相溶性が良好である。
【００４１】
式（Ｏ２）のオキセタン化合物は、ビス［（３−エチルオキセタン−３−イル）メチル］ベンゼン−１，３−ジカルボキシレートである。
【００４２】
式（Ｏ３）のオキセタン化合物は、キシリレンビスオキセタンである。
【００４３】
式（Ｏ４）のオキセタン化合物は、３−エチル−３｛［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル｝オキセタンである。
【００４４】
主剤の全質量に対して、オキセタン化合物は５０質量％以上であることが好ましく、１００質量％でもよい。オキセタン化合物が５０質量％以上を占めていれば、主剤にオキセタン化合物以外の成分が含まれていても、オキセタン化合物以外の成分の影響を受けにくくなり、熱硬化性樹脂の硬化速度を遅くすることができる。
【００４５】
主剤は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含むことが好ましい。２官能以上のエポキシ化合物は、エポキシ基を２つ以上持つ化合物である。エポキシ基は、３員環のエーテルであるオキサシクロプロパン（オキシラン）である。以下では、特に断らない限り、単にエポキシ化合物といえば、２官能以上のエポキシ化合物を意味する。上述のように、硬化反応の過程において、オキセタン化合物の４員環の開環速度は遅く、エポキシ化合物の３員環の開環速度は速い。そのため、オキセタン化合物とエポキシ化合物の量を調整して両者を併用すれば、熱硬化性樹脂の硬化速度を遅めにしたり速めにしたりして調整することができる。さらにエポキシ化合物が含まれていると、最終的に熱硬化性樹脂の未硬化部分の発生を抑制し、硬化物の強度を高めることもできる。オキセタン化合物とエポキシ化合物とを併用する場合、相溶性を高めるため、両者の構造は類似していることが好ましい。例えば、上述のようにビフェニル骨格を持つオキセタン化合物は、ビスフェノールＦ型などのエポキシ化合物との相溶性が良好である。
【００４６】
＜硬化剤＞
第１実施形態において硬化剤は特に限定されないが、好ましくは硬化剤は、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。ベンゾオキサジン化合物については、第２実施形態で詳しく説明する。
【００４７】
（活性剤）
活性剤は、フラックスとも呼ばれる。活性剤は、半田の表面を覆っている酸化膜を除去し、酸化を抑制し、かつ、表面張力を下げてぬれ性を促進させるための溶剤である。このような働きを有するものであれば、活性剤は特に限定されない。活性剤は、好ましくは、グルタル酸及びトリエタノールアミンからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含む。活性剤は、より好ましくは、相乗効果の観点から、グルタル酸及びトリエタノールアミンの両方を含む。この場合、主としてグルタル酸が半田表面の酸化膜を除去する作用を有し、この作用を維持するようにトリエタノールアミンが働く。これらの活性剤は、半田の融点が２４０℃でも分解せずに安定しており、このような高温でも上記の働きを維持することができる。しかもこれらの活性剤は、半田付け後に変性物（フラックス残渣）として残存しにくく、熱硬化性樹脂組成物の粘度を低くするのにも有効である。
【００４８】
（チクソ性付与剤）
チクソ性付与剤は、熱硬化性樹脂組成物にチクソ性を付与する添加剤である。チクソ性は、特に液状の熱硬化性樹脂組成物の塗布（例えば印刷）時に重要となる性質の１つである。チクソ性が熱硬化性樹脂組成物に付与されていると、例えば、スクリーン印刷による印刷後において、印刷面からスクリーン版を離す際に、糸引きが発生することを抑制することができる。チクソ性付与剤は特に限定されない。好ましくは、チクソ性付与剤は、アミド系ワックスを含む。アミド系ワックスの具体例として、Ｎ−ヒドロキシエチル−１２−ヒドロキシステアリルアミドが挙げられる。
【００４９】
（その他）
熱硬化性樹脂組成物は、半田粉等の導体を実質的に含有しない。そのため、熱硬化性樹脂組成物は、硬化前後にわたって、電気的な絶縁性を有している。
【００５０】
熱硬化性樹脂、活性剤及びチクソ性付与剤は、相互に相溶性を有していることが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物にチクソ性を付与しやすくなる。
【００５１】
熱硬化性樹脂組成物は、ゴム粉を実質的に含有しないことが好ましい。ゴム粉は、熱硬化性樹脂、活性剤及びチクソ性付与剤に対する相溶性があまり高くない。そこで、熱硬化性樹脂組成物にゴム粉を実質的に含有させないことによって、チクソ性の低下を抑制することができる。
【００５２】
熱硬化性樹脂組成物は、シリカ等の無機フィラーを実質的に含有しないことが好ましい。これにより、後述の半田付けに際して、第１半田バンプ６と第１パッド２１との間の接合、及び、第２半田バンプ８と第２パッド２２との間の接合が、無機フィラーで阻害されることを抑制することができる。
【００５３】
熱硬化性樹脂組成物は、揮発性有機化合物を実質的に含有しないことが好ましい。これにより、後述の第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２の導通信頼性の低下を抑制することができる。さらに後述の第１樹脂部５１及び第２樹脂部５２内にボイドが発生することも抑制することができる。揮発性有機化合物の具体例として、二価アルコール（グリコール）、多価アルコール、グリコールエステル、グリコールエーテルが挙げられる。
【００５４】
熱硬化性樹脂組成物は、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン  イソシアヌル酸付加物、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールのような硬化促進剤を実質的に含有しないことが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂の硬化反応の急速な進行を抑制することができる。
【００５５】
［熱硬化性樹脂組成物の製造方法］
第１実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、次のようにして製造することができる。
【００５６】
まず、チクソ性付与剤と、主剤となるオキセタン化合物と、必要に応じてその他の主剤（例えばエポキシ化合物）とを配合し、加温してチクソ性付与剤を溶解させることにより、第１混合物を得る。
【００５７】
次に、第１混合物に、活性剤と硬化剤（例えばベンゾオキサジン化合物）とを配合し、これをプラネタリーミキサー等の混練機で混練することにより、熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。なお、活性剤及び硬化剤については、固形の場合、均一に分散させる観点から、例えば、規格番号ＪＩＳＺ ８８０１、目開き１２５μｍ、線径９０μｍ、平織の篩を通過したものを用いることが好ましい。
【００５８】
第１実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、Ａステージの未硬化物（液状）でもよいし、Ｂステージの半硬化物でもよい。Ａステージは、硬化反応の開始前の段階を意味する。Ａステージの未硬化物が加熱されると、Ｂステージの半硬化物となる。Ｂステージは、硬化反応の中間段階を意味する。Ｂステージの半硬化物がさらに加熱されると、一度溶融した後、Ｃステージの硬化物（固体）となる。Ｃステージは、完全に硬化した後の段階を意味する。このように、Ｂステージは、ＡステージとＣステージとの間の段階を意味する。
【００５９】
〔第２実施形態〕
［熱硬化性樹脂組成物］
第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。活性剤及びチクソ性付与剤については、第１実施形態と同様であるので説明を省略し、以下では、熱硬化性樹脂について説明する。なお、第１実施形態のその他で説明した事項は、第２実施形態にも当てはまる。
【００６０】
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂は、主剤及び硬化剤を含む。以下では、主剤及び硬化剤について説明する。
【００６１】
＜主剤＞
第２実施形態において主剤は特に限定されないが、好ましくは主剤は、２官能以上のオキセタン化合物を含む。オキセタン化合物については、第１実施形態で説明したとおりである。
【００６２】
主剤は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含むことが好ましい。エポキシ化合物についても、第１実施形態で説明したとおりである。
【００６３】
＜硬化剤＞
硬化剤は、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。オキサジン環は、下記式（Ｂ０）の矢印の左側に示すように、１つの酸素原子と１つの窒素原子を含む６員環の複素環である。以下では、特に断らない限り、単にベンゾオキサジン化合物といえば、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を意味する。下記式（Ｂ０）に示すように、ベンゾオキサジン化合物は加熱されて２００℃前後になると、オキサジン環の−Ｏ−ＣＩ２−間の結合が切断されて開環し、フェノール性水酸基及び第三級アミンが生成する。
【００６４】
【化２】
2018195789.tif 000003
【００６５】
このようにして生成された第三級アミンが硬化促進剤として働くので、他の硬化促進剤の添加は不要である。フェノール性水酸基は主剤と反応して硬化反応が進行し、硬化物の架橋密度を上げることができる。このように硬化剤がベンゾオキサジン化合物を含む場合、２００℃前後にならないとオキサジン環が開環しないので、硬化反応の開始温度を高めることができる。従来は半田の融点に比べて熱硬化性樹脂の硬化開始温度が著しく低かったため、先に熱硬化性樹脂が硬化反応を開始していた。しかし、硬化開始温度が２００℃前後であれば、半田の融点が２４０℃であっても、熱硬化性樹脂の硬化反応は進行しにくくなる。つまり、半田の融点に到達した時点では、熱硬化性樹脂の硬化反応は進行していない。しかも、硬化剤がベンゾオキサジン化合物を含む場合、主剤と硬化剤とを常温で混合しただけでは硬化反応は進行しにくくなるので、ポットライフを長くすることができる。なお、一般的な硬化剤としてジシアンジアミドが知られているが、ジシアンジアミド単独では硬化反応が進行しないので、硬化促進剤の添加が必要となる。しかし、ジシアンジアミドに硬化促進剤を添加すると硬化反応が急速に進行するため、ベンゾオキサジン化合物と同様の効果を得ることは困難である。
【００６６】
ベンゾオキサジン化合物は、下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物であることが好ましい。
【００６７】
【化３】
2018195789.tif 000004
【００６８】
式（Ｂ１）のベンゾオキサジン化合物は、Ｐ−ｄ型のベンゾオキサジン化合物である。式（Ｂ１）のベンゾオキサジン化合物は、オキサジン環が開環しても、アニリンを発生させないので、硬化物の耐湿性の低下を抑制することができる。
【００６９】
式（Ｂ２）のベンゾオキサジン化合物は、ビスフェノールＦ型のベンゾオキサジン化合物である。
【００７０】
式（Ｂ３）のベンゾオキサジン化合物は、ビスフェノールＳ型のベンゾオキサジン化合物である。
【００７１】
式（Ｂ２）と式（Ｂ３）のベンゾオキサジン化合物は、化学構造的に式（Ｏ１）のオキセタン化合物及びビスフェノールＦ型などのエポキシ化合物と類似しているため、これらの化合物との相溶性が良好である。
【００７２】
主剤１００質量部に対して、ベンゾオキサジン化合物が１０質量部以上４０質量部以下であることが好ましい。ベンゾオキサジン化合物が１０質量部以上であることによって、最終的に熱硬化性樹脂の未硬化部分の発生を抑制し、熱硬化性樹脂の硬化物の強度を高めることができる。ベンゾオキサジン化合物が４０質量部以下であることによって、熱硬化性樹脂が急速に硬化することを抑制することができる。
【００７３】
［熱硬化性樹脂組成物の製造方法］
第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、次のようにして製造することができる。
【００７４】
まず、チクソ性付与剤と、主剤（例えばオキセタン化合物）と、必要に応じてその他の主剤（例えばエポキシ化合物）とを配合し、加温してチクソ性付与剤を溶解させることにより、第１混合物を得る。
【００７５】
次に、第１混合物に、活性剤と、硬化剤となるベンゾオキサジン化合物とを配合し、これをプラネタリーミキサー等の混練機で混練することにより、熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。なお、活性剤及び硬化剤については、固形の場合、均一に分散させる観点から、例えば、規格番号ＪＩＳＺ ８８０１、目開き１２５μｍ、線径９０μｍ、平織の篩を通過したものを用いることが好ましい。
【００７６】
第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、第１実施形態と同様に、Ａステージの未硬化物（液状）でもよいし、Ｂステージの半硬化物でもよい。
【００７７】
〔第３実施形態〕
［熱硬化性シート］
第３実施形態に係る熱硬化性シート１００は、第１実施形態又は第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物の半硬化物で形成されている。熱硬化性シート１００は、耐熱性及び剥離性を有する支持体の表面に、Ａステージの未硬化物である熱硬化性樹脂組成物を塗布し、１５０〜１７０℃で１５〜３０分間加熱することによって製造することができる。このようにして得られた熱硬化性シート１００は、アンダーフィルと呼ばれる液状硬化性樹脂の代わりに用いることができる。
【００７８】
〔第４実施形態〕
［半導体部品］
図１は、本発明の第４実施形態に係る半導体部品２を示す概略断面図である。半導体部品２は、半導体パッケージ５と、第１基板３１と、第１半田接合部４１と、第１樹脂部５１と、を備えている。半導体部品２は、図１に示すように第２半田バンプ８を更に備えていてもよい。以下では、半導体部品２を構成するこれらの要素について説明する。なお、半導体部品２において、半導体パッケージ５を上、第１基板３１を下にして上下方向を規定するが、これは、説明する上での便宜的な規定に過ぎない。上下方向から視た場合を平面視という。さらに「第１」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
【００７９】
（半導体パッケージ）
半導体パッケージ５は特に限定されない。半導体パッケージ５の具体例として、ＢＧＡ（ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（ｃｈｉｐｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。半導体パッケージ５は、第１面５０１を有する。半導体パッケージ５は、第１面５０１の反対側に第２面５０２を有する。つまり、第１面５０１及び第２面５０２は、それぞれ半導体パッケージ５の上面及び下面であり、半導体パッケージ５の表裏を成している。
【００８０】
（第１基板）
第１基板３１は、プリント配線板であり、特に限定されない。第１基板３１は、第１面３１１を有する。第１基板３１は、第１面３１１の反対側に第２面３１２を有する。つまり、第１面３１１及び第２面３１２は、それぞれ第１基板３１の上面及び下面であり、第１基板３１の表裏を成している。第１基板３１の第１面３１１には第１パッド２１が形成されている。第１パッド２１は、少なくとも１つ以上形成されている。
【００８１】
（第１半田接合部）
第１半田接合部４１は、半導体パッケージ５と、第１基板３１の第１パッド２１とを電気的に接続している。さらに第１半田接合部４１は、半導体パッケージ５と、第１基板３１と、を物理的に接合している。
【００８２】
第１半田接合部４１の融点は、１００℃以上２４０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上２４０℃以下であることがより好ましい。第１半田接合部４１の融点が１００℃以上であることにより、第１半田接合部４１の強度を十分に得ることができる。第１半田接合部４１の融点が２４０℃以下であることにより、後述の第１樹脂部５１を形成する第１熱硬化性樹脂組成物１１が、半田付けに際して半田が溶融する前に硬化するのを抑制することができる。
【００８３】
第１半田接合部４１は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されていることが好ましい。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の融点は２１８〜２１９℃である。Ｓｎ−Ｂｉ系半田の融点は１３８〜１３９℃である。このような半田であれば、第１半田接合部４１の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。さらにこれらの半田は鉛フリー半田であるので、人体及び環境に無害であるという利点がある。
【００８４】
（第１樹脂部）
第１樹脂部５１は、第１半田接合部４１に接触している。より詳しくは、第１樹脂部５１は、第１半田接合部４１の周囲の面に接触している。好ましくは、第１樹脂部５１は、半導体パッケージ５及び第１基板３１の少なくともいずれかと接着されている。これにより、第１樹脂部５１は、第１半田接合部４１を補強することができる。なお、図１に示す半導体部品２では、半導体パッケージ５の第２面５０２と第１樹脂部５１との間に空洞部８９０を有しているが、この空洞部８９０はなくてもよい。すなわち、半導体パッケージ５と第１基板３１との間は、第１半田接合部４１を除き、第１樹脂部５１で充填されていてもよい。
【００８５】
第１樹脂部５１は、電気的絶縁性を有している。したがって、図１に示すように、第１樹脂部５１が２つ以上の第１半田接合部４１に接触していても、短絡（ショート）を抑制することができる。
【００８６】
第１樹脂部５１は、第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化物で形成されている。第１熱硬化性樹脂組成物１１は、第１実施形態又は第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物と同様である。したがって、第１熱硬化性樹脂組成物１１は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含んでいる。これにより、第１半田接合部４１と第１パッド２１との間で、第１熱硬化性樹脂組成物１１が硬化するのを抑制し、第１半田接合部４１と第１パッド２１とを良好に接続することができる。言い換えると、第１熱硬化性樹脂組成物１１が、第１半田接合部４１と第１パッド２１との電気的な接続を阻害しないようにすることができる。
【００８７】
第１熱硬化性樹脂組成物１１が、２官能以上のエポキシ化合物を更に含んでいる場合には、第１熱硬化性樹脂組成物１１の未硬化部分の発生を抑制し、第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化物である第１樹脂部５１の強度を高めることができる。
【００８８】
ここで、図２Ａは、図１に示す半導体部品２の一部を示す概略断面図である。図２Ａに示すように、第１半田接合部４１が外部に露出しないように、第１半田接合部４１の側面全体が第１樹脂部５１で被覆されていてもよい。この場合、第１樹脂部５１は、半導体パッケージ５の第２面５０２及び第１基板３１の第１面３１１とも接触しているため、第１樹脂部５１による第１半田接合部４１の補強効果が向上する。
【００８９】
また図２Ｂは、図１に示す半導体部品２の他の一部を示す概略断面図である。図２Ｂに示すように、第１半田接合部４１の一部が外部に露出するように、第１樹脂部５１に隙間９が形成されていてもよい。この隙間９は、空洞部８９０に連続している。第１半田接合部４１は、融点以上に加熱されると再度溶融して膨張する。そのため、第１半田接合部４１の側面全体が第１樹脂部５１で被覆されて、第１半田接合部４１が密封されていると、溶融した半田の行き場がなくなり、第１樹脂部５１が破裂して半田フラッシュ又は半田ブリッジが発生するおそれがある。図２Ｂのように、第１樹脂部５１に隙間９が形成されていると、第１半田接合部４１が溶融しても、体積が増加した分の半田は隙間９を通って一旦、空洞部８９０等の外部に出る。その後、融点未満の温度に冷却されると、外部に出ていた半田は隙間９を通って元の場所に戻って第１半田接合部４１を再度形成するので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生が抑制される。
【００９０】
図２Ｂでは、第１樹脂部５１が半導体パッケージ５の第２面５０２に接触しないようにして隙間９が形成されているが、隙間９の形成箇所は特に限定されない。
【００９１】
１次実装後に２次実装を行う場合には、１次実装した箇所が２次実装時に再度加熱され得るので、１次実装では図２Ｂに示す形態が採用されることが好ましい。ここで、１次実装とは、半導体パッケージ５を第１基板３１に実装することを意味する。２次実装とは、半導体部品２を後述の第２基板３２に実装することを意味する。
【００９２】
なお、一旦形成された第１半田接合部４１が再度、融点以上に加熱されない場合であれば、第１樹脂部５１に隙間９が形成されていなくてもよい。この場合には、２次実装を行わない場合、１次実装のリフロー半田付けの加熱温度よりも２次実装のリフロー加熱温度の方が低い場合などが含まれる。
【００９３】
（第２半田バンプ）
上述のように、半導体部品２は、第２半田バンプ８を更に備えていてもよい。この場合、第１基板３１の第２面３１２に少なくとも１つ以上のランド６１が形成されている。そして、各ランド６１に第２半田バンプ８が形成されている。第２半田バンプ８によって、半導体部品２を後述の第２基板３２に実装することができる。この場合、第１基板３１は、インターポーザとなり得る。このようなインターポーザとしての第１基板３１によって、半導体部品２における半導体パッケージ５の配線ピッチを第２基板３２の配線ピッチに変換することができる。
【００９４】
［半導体部品の製造方法］
第４実施形態に係る半導体部品２の製造方法は、工程Ａ１〜工程Ｄ１を含む。以下では、各工程について順に説明する。
【００９５】
（工程Ａ１）
図３は、工程Ａ１を示す概略断面図である。工程Ａ１では、半導体パッケージ５と、第１基板３１と、を準備する。
【００９６】
半導体パッケージ５は、具体的にはチップサイズパッケージ（ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ（ＣＳＰ））などである。半導体パッケージ５には第１半田バンプ６が形成されている。より詳しくは、第１半田バンプ６は、半導体パッケージ５の第２面５０２に形成されている。第１半田バンプ６は、少なくとも１つ以上形成されている。第１半田バンプ６は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第１半田接合部４１の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。
【００９７】
第１基板３１は、具体的にはプリント配線板である。第１基板３１の第１面３１１には第１パッド２１が形成されている。第１パッド２１は、第１半田バンプ６と同数形成されている。第１半田バンプ６と第１パッド２１とは、半導体パッケージ５の第２面５０２と第１基板３１の第１面３１１とを対向させたときに１対１に対応するように形成されている。つまり、第１半田バンプ６及び第１パッド２１の位置関係は同じである。第１基板３１の第２面３１２にはランド６１が形成されていてもよい。ランド６１は、２次実装に利用することができる。
【００９８】
（工程Ｂ１）
工程Ｂ１では、第１熱硬化性樹脂組成物１１を第１基板３１の第１面３１１に塗布又は配置する。
【００９９】
ここで、工程Ｂ１は、工程Ｂ１−１と、工程Ｂ１−２とに分けられる。工程Ｂ１−１では、第１熱硬化性樹脂組成物１１を第１基板３１の第１面３１１に塗布する。工程Ｂ１−２では、第１熱硬化性樹脂組成物１１を第１基板３１の第１面３１１に配置する。つまり、第１熱硬化性樹脂組成物１１の性状（液状であるか否か）に応じて、工程Ｂ１−１又は工程Ｂ１−２のいずれかを採用する。具体的には、第１熱硬化性樹脂組成物１１がＡステージの未硬化物（液状）である場合には、工程Ｂ１−１を採用し、第１熱硬化性樹脂組成物１１がＢステージの半硬化物である場合には、工程Ｂ１−２を採用する。以下では、工程Ｂ１−１及び工程Ｂ１−２について順に説明する。
【０１００】
まず工程Ｂ１−１について説明する。工程Ｂ１−１の様子を図４Ａに示す。この場合、第１熱硬化性樹脂組成物１１は、Ａステージの未硬化物であり、第１実施形態又は第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物と同様である。したがって、第１熱硬化性樹脂組成物１１は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。第１熱硬化性樹脂組成物１１は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含有することが好ましい。
【０１０１】
上述のように第１熱硬化性樹脂組成物１１は液状である。図４Ａに示すように、第１熱硬化性樹脂組成物１１を第１基板３１の第１面３１１に塗布する。この場合、第１パッド２１を避けて第１熱硬化性樹脂組成物１１を第１基板３１の第１面３１１に塗布してもよいが、第１熱硬化性樹脂組成物１１を第１パッド２１の表面に塗布してもよい。第１熱硬化性樹脂組成物１１は、２つ以上の第１パッド２１に接触するように塗布されてもよい。その理由は、第１熱硬化性樹脂組成物１１は電気的絶縁性を有しているからであり、２つ以上の第１パッド２１に接触したまま第１熱硬化性樹脂組成物１１が硬化して第１樹脂部５１が形成されても、短絡（ショート）を抑制することができる。第１基板３１の第１面３１１への第１熱硬化性樹脂組成物１１の塗布の方法は特に限定されない。塗布方法の具体例として、スクリーン印刷、及びディスペンス法が挙げられる。
【０１０２】
次に工程Ｂ１−２について説明する。工程Ｂ１−２の様子を図５Ａに示す。この場合、第１熱硬化性樹脂組成物１１は、Ｂステージの半硬化物であり、第３実施形態に係る熱硬化性シート１００と同様である。したがって、熱硬化性シート１００は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。熱硬化性シート１００は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含有することが好ましい。
【０１０３】
図５Ａに示すように、熱硬化性シート１００を第１基板３１の第１面３１１に配置する。この場合、第１パッド２１の表面に熱硬化性シート１００を配置してもよい。熱硬化性シート１００は、２つ以上の第１パッド２１に接触するように配置されてもよい。その理由は、熱硬化性シート１００は電気的絶縁性を有しているからであり、２つ以上の第１パッド２１に接触したまま熱硬化性シート１００が硬化して第１樹脂部５１が形成されても、短絡（ショート）を抑制することができる。なお、図６Ａに示すように、第１パッド２１を避けて熱硬化性シート１００を第１基板３１の第１面３１１に配置してもよい。より詳しくは、１枚の熱硬化性シート１００に貫通孔をあけ、この貫通孔から第１パッド２１が露出するようにして、熱硬化性シート１００を第１基板３１の第１面３１１に配置してもよいし、複数枚の熱硬化性シート１００を第１パッド２１の周囲に配置してもよい。
【０１０４】
（工程Ｃ１）
工程Ｃ１では、第１半田バンプ６を第１パッド２１に配置する。このとき、図４Ｂ及び図５Ｂに示すように、第１半田バンプ６は、第１熱硬化性樹脂組成物１１を介して第１パッド２１に配置されてもよいし、図６Ｂに示すように、第１半田バンプ６は、直接、第１パッド２１に配置されてもよい。
【０１０５】
ここで、図４Ｂは、図４Ａの後の様子を示している。すなわち、図４Ｂでは、第１半田バンプ６と第１パッド２１との間に、Ａステージの未硬化物（液状）である第１熱硬化性樹脂組成物１１が介在している。この介在している部分の第１熱硬化性樹脂組成物１１は、後述の工程Ｄ１において、第１半田バンプ６によって第１パッド２１の周囲に押し退けられる。
【０１０６】
また図５Ｂは、図５Ａの後の様子を示している。すなわち、図５Ｂでは、第１半田バンプ６と第１パッド２１との間に、Ｂステージの半硬化物である第１熱硬化性樹脂組成物１１、具体的には熱硬化性シート１００が介在している。この介在している部分の熱硬化性シート１００は、後述の工程Ｄ１において溶融しながら、第１半田バンプ６によって第１パッド２１の周囲に押し退けられる。
【０１０７】
また図６Ｂは、図６Ａの後の様子を示している。すなわち、図６Ｂでは、第１半田バンプ６と第１パッド２１とは直接接触している。
【０１０８】
（工程Ｄ１）
工程Ｄ１では、図４Ｂ、図５Ｂ及び図６Ｂのいずれかに示す状態で、ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ５及び第１基板３１を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。加熱時間の上限は特に限定されないが、例えば１０分であり、特にピーク温度での加熱時間の上限は例えば１分である。ピーク温度は、好ましくは、第１半田バンプ６を形成する半田の融点より２０〜３０℃高い温度に設定される。
【０１０９】
ピーク温度に至るまでの昇温速度は、１℃／秒以上４℃／秒以下であることが好ましい。昇温速度が１℃／秒以上であることによって、半田の融点に到達する前に、第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化反応が進行して、粘度が上昇することを抑制することができる。昇温速度が４℃／秒以下であることによって、活性剤の還元作用で半田の酸化膜を除去する時間を十分に確保することができる。これにより、半田のぬれ性をさらに促進することができる。加熱開始温度は通常は常温であるが、特に限定されない。
【０１１０】
ここで、第１熱硬化性樹脂組成物１１は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含有している。これは３つの場合に分けられる。すなわち、第１の場合は、第１熱硬化性樹脂組成物１１が、オキセタン化合物を含有し、かつ、ベンゾオキサジン化合物を含有しない場合である。第２の場合は、第１熱硬化性樹脂組成物１１が、オキセタン化合物を含有せず、ベンゾオキサジン化合物を含有する場合である。第３の場合は、第１熱硬化性樹脂組成物１１が、オキセタン化合物及びベンゾオキサジン化合物の両方を含有する場合である。
【０１１１】
第１の場合には、半田付けのための加熱時には、半田が溶融する速度に比べて、オキセタン化合物によって第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化速度が遅くなる。
【０１１２】
第２の場合には、半田付けのための加熱時には、ベンゾオキサジン化合物によって第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化開始温度が高くなる。このことは、半田の融点に比べて第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化開始温度が高いことを必ずしも意味するのではなく、半田の融点に比べて第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化開始温度が低すぎないことを意味する。第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化反応の進行具合にもよるが、一応の目安として、半田の融点が高く、第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化開始温度が低い場合、両者の差は４０℃以内であることが好ましい。
【０１１３】
第３の場合には、第１及び第２の場合の相乗効果として、第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化速度が遅くなり、硬化開始温度が高くなる。
【０１１４】
第１〜第３のいずれの場合においても、半田付けに際して、第１半田バンプ６の半田が溶融する前に、第１熱硬化性樹脂組成物１１が硬化するのを抑制することができる。
【０１１５】
より詳しくは、図４Ｂでは、第１半田バンプ６が、液状の第１熱硬化性樹脂組成物１１を第１パッド２１の周囲に押し退けながら溶融して、第１パッド２１に接触する。その後、第１熱硬化性樹脂組成物１１が硬化し始め、第１樹脂部５１が形成される。溶融して第１パッド２１に接触していた半田は、その後の冷却により固化して第１半田接合部４１が形成される。
【０１１６】
また図５Ｂでは、第１半田バンプ６が、溶融し始めた熱硬化性シート１００を第１パッド２１の周囲に押し退けながら溶融して、第１パッド２１に接触する。その後、溶融していた熱硬化性シート１００が硬化し始め、第１樹脂部５１が形成される。溶融して第１パッド２１に接触していた半田は、その後の冷却により固化して第１半田接合部４１が形成される。
【０１１７】
また図６Ｂでは、第１パッド２１に接触していた第１半田バンプ６が加熱により溶融し、その後の冷却により固化して第１半田接合部４１が形成される。第１パッド２１の周囲に配置されていた第１熱硬化性樹脂組成物１１は、加熱により溶融し、形成されつつある第１半田接合部４１の周囲に接触しながら、硬化し始めて第１樹脂部５１が形成される。
【０１１８】
第１〜第３のいずれの場合においても、第１熱硬化性樹脂組成物１１は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含んでいることが好ましい。これにより、最終的に第１熱硬化性樹脂組成物１１の未硬化部分の発生を抑制し、第１熱硬化性樹脂組成物１１の硬化物である第１樹脂部５１の強度を高めることができる。
【０１１９】
そして、リフロー半田付けが終了すると、半導体部品２を得ることができる。図１に示す半導体部品２では、第１基板３１の第２面３１２にランド６１が形成され、このランド６１に第２半田バンプ８が形成されているが、２次実装しない場合には、ランド６１及び第２半田バンプ８は不要である。
【０１２０】
第１樹脂部５１には活性剤及びチクソ性付与剤が実質的に残存していないことが好ましい。しかし、信頼性を損なわなければ、微量の活性剤及びチクソ性付与剤が残存していてもよい。したがって、これらを洗浄により除去する必要はない。
【０１２１】
〔第５実施形態〕
［半導体実装品］
図７は、本発明の第５実施形態に係る半導体実装品３を示す概略断面図である。半導体実装品３は、半導体パッケージ５と、第１基板３１と、第１半田接合部４１と、第１樹脂部５１と、第２基板３２と、第２半田接合部４２と、第２樹脂部５２と、を備えている。以下では、半導体実装品３を構成するこれらの要素について説明する。なお、半導体実装品３において、半導体パッケージ５と、第１基板３１と、第１半田接合部４１と、第１樹脂部５１と、を備えた構成は、第４実施形態に係る半導体部品２の構成と同様である。半導体実装品３において、半導体パッケージ５を上、第２基板３２を下にして上下方向を規定するが、これは、説明する上での便宜的な規定に過ぎない。上下方向から視た場合を平面視という。さらに「第１」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
【０１２２】
（半導体パッケージ）
半導体パッケージ５は、第４実施形態の半導体パッケージ５と同様である。
【０１２３】
（第１基板及び第２基板）
第１基板３１は、第４実施形態の第１基板３１と同様である。
【０１２４】
第２基板３２は、プリント配線板であり、特に限定されない。第２基板３２は、第１面３２１を有する。第２基板３２は、第１面３２１の反対側に第２面３２２を有する。つまり、第１面３２１及び第２面３２２は、それぞれ第２基板３２の上面及び下面であり、第２基板３２の表裏を成している。第２基板３２の第１面３２１には第２パッド２２が形成されている。第２パッド２２は、少なくとも１つ以上形成されている。第２パッド２２は、第１基板３１のランド６１と同数形成されている。
【０１２５】
第１基板３１は、インターポーザとして機能するので、半導体パッケージ５の配線ピッチを第２基板３２の配線ピッチに変換することができる。第２基板３２は、マザーボード又はメインボードとなり得る。
【０１２６】
（第１半田接合部及び第２半田接合部）
第１半田接合部４１は、第４実施形態の第１半田接合部４１と同様である。
【０１２７】
第２半田接合部４２は、第１基板３１のランド６１と第２基板３２の第２パッド２２とを電気的に接続している。さらに第２半田接合部４２は、第１基板３１と、第２基板３２と、を物理的に接合している。
【０１２８】
第２半田接合部４２の融点は、１００℃以上２４０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上２４０℃以下であることがより好ましい。第２半田接合部４２の融点が１００℃以上であることにより、第２半田接合部４２の強度を十分に得ることができる。第２半田接合部４２の融点が２４０℃以下であることにより、後述の第２樹脂部５２を形成する第２熱硬化性樹脂組成物１２が、２次実装の半田付けに際して半田が溶融する前に硬化するのを抑制することができる。
【０１２９】
第２半田接合部４２は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されていることが好ましい。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の融点は２１８〜２１９℃である。Ｓｎ−Ｂｉ系半田の融点は１３８〜１３９℃である。このような半田であれば、第２半田接合部４２の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。さらにこれらの半田は鉛フリー半田であるので、人体及び環境に無害であるという利点がある。
【０１３０】
第１半田接合部４１の融点と、第２半田接合部４２の融点とは、同じでも異なっていてもよい。
【０１３１】
第２半田接合部４２の融点が第１半田接合部４１の融点よりも低い場合には、２次実装の半田付けに際して、第１半田接合部４１の融点ほど加熱しなくてもよいので、第１半田接合部４１の再溶融を避けることができる。
【０１３２】
第２半田接合部４２の融点が第１半田接合部４１の融点以上である場合には、２次実装の半田付けに際して、第１半田接合部４１が再溶融し得る。この場合、第１樹脂部５１が半導体パッケージ５及び第１基板３１に接着されていれば、第１半田接合部４１が再溶融しても、半導体パッケージ５と第１基板３１との分離を第１樹脂部５１によって抑制することができる。
【０１３３】
（第１樹脂部及び第２樹脂部）
第１樹脂部５１は、第４実施形態の第１樹脂部５１と同様である。
【０１３４】
第２樹脂部５２は、第２半田接合部４２に接触している。より詳しくは、第２樹脂部５２は、第２半田接合部４２の周囲の面に接触している。好ましくは、第２樹脂部５２は、第１基板３１及び第２基板３２の少なくともいずれかと接着されている。これにより、第２樹脂部５２は、第２半田接合部４２を補強することができる。なお、図７に示す半導体実装品３では、第１基板３１の第２面３１２と第２樹脂部５２との間に空洞部８９１を有しているが、この空洞部８９１はなくてもよい。すなわち、第１基板３１と第２基板３２との間は、第２半田接合部４２を除き、第２樹脂部５２で充填されていてもよい。
【０１３５】
第２樹脂部５２は、電気的絶縁性を有している。したがって、図７に示すように、第２樹脂部５２が２つ以上の第２半田接合部４２に接触していても、短絡（ショート）を抑制することができる。
【０１３６】
第２樹脂部５２は、第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化物で形成されている。第２熱硬化性樹脂組成物１２は、第１実施形態又は第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物と同様である。したがって、第２熱硬化性樹脂組成物１２は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含んでいる。これにより、第２半田接合部４２と第２パッド２２との間で、第２熱硬化性樹脂組成物１２が硬化するのを抑制し、第２半田接合部４２と第２パッド２２とを良好に接続することができる。言い換えると、第２熱硬化性樹脂組成物１２が、第２半田接合部４２と第２パッド２２との電気的な接続を阻害しないようにすることができる。
【０１３７】
第２熱硬化性樹脂組成物１２が、２官能以上のエポキシ化合物を更に含んでいる場合には、第２熱硬化性樹脂組成物１２の未硬化部分の発生を抑制し、第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化物である第２樹脂部５２の強度を高めることができる。
【０１３８】
ここで、図２Ａに示す第１樹脂部５１の場合と同様に、第２半田接合部４２も外部に露出しないように、第２半田接合部４２の側面全体が第２樹脂部５２で被覆されていてもよい。この場合、第２樹脂部５２は、第１基板３１の第２面３１２及び第２基板３２の第１面３２１とも接触しているため、第２樹脂部５２による第２半田接合部４２の補強効果が向上する。
【０１３９】
また図２Ｂに示す第１樹脂部５１の場合と同様に、第２半田接合部４２の一部が外部に露出するように、第２樹脂部５２に隙間が形成されていてもよい。この場合も、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生が抑制される。
【０１４０】
なお、一旦形成された第２半田接合部４２が再度、融点以上に加熱されないのであれば、第２樹脂部５２に隙間が形成されていなくてもよい。
【０１４１】
［半導体実装品の製造方法］
第５実施形態に係る半導体実装品３の製造方法は、工程Ａ２〜工程Ｉ２を含む。ここで、工程Ａ２〜工程Ｄ２は、第４実施形態の工程Ａ１〜工程Ｄ１と同様である。ただし、第１基板３１の第２面３１２には少なくとも１つ以上のランド６１が形成されている。このように、第５実施形態は、半導体部品２を製造する工程までは第４実施形態と同様である。したがって、工程Ａ２〜工程Ｄ２についての説明は省略し、その後の工程Ｅ２〜工程Ｉ２の各工程について順に説明する。
【０１４２】
（工程Ｅ２）
工程Ｅ２では、図８Ａに示すように、ランド６１に第２半田バンプ８を形成する。第１基板３１の第２面３１２に複数のランド６１が形成されている場合には、ランド６１ごとに第２半田バンプ８を形成する。第２半田バンプ８は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田又はＳｎ−Ｂｉ系半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第２半田接合部４２の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。
【０１４３】
（工程Ｆ２）
工程Ｆ２では、図８Ａに示すように、第２基板３２を準備する。
【０１４４】
第２基板３２は、具体的にはプリント配線板である。第２基板３２の第１面３２１には第２パッド２２が形成されている。第２パッド２２は、第２半田バンプ８と同数形成されている。第２半田バンプ８と第２パッド２２とは、第１基板３１の第２面３１２と第２基板３２の第１面３２１とを対向させたときに１対１に対応するように形成されている。つまり、第２半田バンプ８及び第２パッド２２の位置関係は同じである。図示省略しているが、第２基板３２の第２面３２２にはランドが形成されていてもよい。ランドは、３次実装に利用することができる。ここで、３次実装とは、半導体実装品３をさらに別の基板に実装することを意味する。
【０１４５】
（工程Ｇ２）
工程Ｇ２では、第２熱硬化性樹脂組成物１２を第２基板３２の第１面３２１に塗布又は配置する。
【０１４６】
ここで、工程Ｇ２は、工程Ｇ２−１と、工程Ｇ２−２とに分けられる。工程Ｇ２−１では、第２熱硬化性樹脂組成物１２を第２基板３２の第１面３２１に塗布する。工程Ｇ２−２では、第２熱硬化性樹脂組成物１２を第２基板３２の第１面３２１に配置する。つまり、第２熱硬化性樹脂組成物１２の性状（液状であるか否か）に応じて、工程Ｇ２−１又は工程Ｇ２−２のいずれかを採用する。具体的には、第２熱硬化性樹脂組成物１２がＡステージの未硬化物（液状）である場合には、工程Ｇ２−１を採用し、第２熱硬化性樹脂組成物１２がＢステージの半硬化物である場合には、工程Ｇ２−２を採用する。以下では、工程Ｇ２−１及び工程Ｇ２−２について順に説明する。
【０１４７】
まず工程Ｇ２−１について説明する。工程Ｇ２−１の様子を図８Ａに示す。この場合、第２熱硬化性樹脂組成物１２は、Ａステージの未硬化物であり、第１実施形態又は第２実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物と同様である。したがって、第２熱硬化性樹脂組成物１２は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。第２熱硬化性樹脂組成物１２は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含有することが好ましい。なお、第２熱硬化性樹脂組成物１２の組成は、第１熱硬化性樹脂組成物１１の組成と同じでも異なっていてもよい。
【０１４８】
上述のように第２熱硬化性樹脂組成物１２は液状である。図８Ａに示すように、第２熱硬化性樹脂組成物１２を第２基板３２の第１面３２１に塗布する。この場合、第２パッド２２を避けて第２熱硬化性樹脂組成物１２を第２基板３２の第１面３２１に塗布してもよいが、第２熱硬化性樹脂組成物１２を第２パッド２２の表面に塗布してもよい。第２熱硬化性樹脂組成物１２は、２つ以上の第２パッド２２に接触するように塗布されてもよい。その理由は、第２熱硬化性樹脂組成物１２は電気的絶縁性を有しているからであり、２つ以上の第２パッド２２に接触したまま第２熱硬化性樹脂組成物１２が硬化して第２樹脂部５２が形成されても、短絡（ショート）を抑制することができる。第２基板３２の第１面３２１への第２熱硬化性樹脂組成物１２の塗布の方法は特に限定されない。塗布方法の具体例として、スクリーン印刷、及びディスペンス法が挙げられる。
【０１４９】
次に工程Ｇ２−２について説明する。工程Ｇ２−２の様子を図９Ａに示す。この場合、第２熱硬化性樹脂組成物１２は、Ｂステージの半硬化物であり、第３実施形態に係る熱硬化性シート１００と同様である。したがって、熱硬化性シート１００は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかと、活性剤と、チクソ性付与剤と、を含有する。熱硬化性シート１００は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含有することが好ましい。
【０１５０】
図９Ａに示すように、熱硬化性シート１００を第２基板３２の第１面３２１に配置する。この場合、第２パッド２２の表面に熱硬化性シート１００を配置してもよい。熱硬化性シート１００は、２つ以上の第２パッド２２に接触するように配置されてもよい。その理由は、熱硬化性シート１００は電気的絶縁性を有しているからであり、２つ以上の第２パッド２２に接触したまま熱硬化性シート１００が硬化して第２樹脂部５２が形成されても、短絡（ショート）を抑制することができる。なお、図１０Ａに示すように、第２パッド２２を避けて熱硬化性シート１００を第２基板３２の第１面３２１に配置してもよい。より詳しくは、１枚の熱硬化性シート１００に貫通孔をあけ、この貫通孔から第２パッド２２が露出するようにして、熱硬化性シート１００を第２基板３２の第１面３２１に配置してもよいし、複数枚の熱硬化性シート１００を第２パッド２２の周囲に配置してもよい。
【０１５１】
（工程Ｈ２）
工程Ｈ２では、第２半田バンプ８を第２パッド２２に配置する。このとき、図８Ｂ及び図９Ｂに示すように、第２半田バンプ８は、第２熱硬化性樹脂組成物１２を介して第２パッド２２に配置されてもよいし、図１０Ｂに示すように、第２半田バンプ８は、直接、第２パッド２２に配置されてもよい。
【０１５２】
ここで、図８Ｂは、図８Ａの後の様子を示している。すなわち、図８Ｂでは、第２半田バンプ８と第２パッド２２との間に、Ａステージの未硬化物（液状）である第２熱硬化性樹脂組成物１２が介在している。この介在している部分の第２熱硬化性樹脂組成物１２は、後述の工程Ｉ２において、第２半田バンプ８によって第２パッド２２の周囲に押し退けられる。
【０１５３】
また図９Ｂは、図９Ａの後の様子を示している。すなわち、図９Ｂでは、第２半田バンプ８と第２パッド２２との間に、Ｂステージの半硬化物である第２熱硬化性樹脂組成物１２、具体的には熱硬化性シート１００が介在している。この介在している部分の熱硬化性シート１００は、後述の工程Ｉ２において溶融しながら、第２半田バンプ８によって第２パッド２２の周囲に押し退けられる。
【０１５４】
また図１０Ｂは、図１０Ａの後の様子を示している。すなわち、図１０Ｂでは、第２半田バンプ８と第２パッド２２とは直接接触している。
【０１５５】
（工程Ｉ２）
工程Ｉ２では、図８Ｂ、図９Ｂ及び図１０Ｂのいずれかに示す状態で、ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ５、第１基板３１及び第２基板３２を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。加熱時間の上限は特に限定されないが、例えば１０分であり、特にピーク温度での加熱時間の上限は例えば１分である。ピーク温度は、好ましくは、第２半田バンプ８を形成する半田の融点より２０〜３０℃高い温度に設定される。
【０１５６】
ピーク温度に至るまでの昇温速度は、１℃／秒以上４℃／秒以下であることが好ましい。昇温速度が１℃／秒以上であることによって、半田の融点に到達する前に、第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化反応が進行して、粘度が上昇することを抑制することができる。昇温速度が４℃／秒以下であることによって、活性剤の還元作用で半田の酸化膜を除去する時間を十分に確保することができる。これにより、半田のぬれ性をさらに促進することができる。加熱開始温度は通常は常温であるが、特に限定されない。
【０１５７】
ここで、第２熱硬化性樹脂組成物１２は、２官能以上のオキセタン化合物、及び、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの少なくともいずれかを含有している。これは３つの場合に分けられる。すなわち、第１の場合は、第２熱硬化性樹脂組成物１２が、オキセタン化合物を含有し、かつ、ベンゾオキサジン化合物を含有しない場合である。第２の場合は、第２熱硬化性樹脂組成物１２が、オキセタン化合物を含有せず、ベンゾオキサジン化合物を含有する場合である。第３の場合は、第２熱硬化性樹脂組成物１２が、オキセタン化合物及びベンゾオキサジン化合物の両方を含有する場合である。
【０１５８】
第１の場合には、半田付けのための加熱時には、半田が溶融する速度に比べて、オキセタン化合物によって第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化速度が遅くなる。
【０１５９】
第２の場合には、半田付けのための加熱時には、ベンゾオキサジン化合物によって第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化開始温度が高くなる。このことは、半田の融点に比べて第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化開始温度が高いことを必ずしも意味するのではなく、半田の融点に比べて第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化開始温度が低すぎないことを意味する。第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化反応の進行具合にもよるが、一応の目安として、半田の融点が高く、第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化開始温度が低い場合、両者の差は４０℃以内であることが好ましい。
【０１６０】
第３の場合には、第１及び第２の場合の相乗効果として、第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化速度が遅くなり、硬化開始温度が高くなる。
【０１６１】
第１〜第３のいずれの場合においても、半田付けに際して、第２半田バンプ８の半田が溶融する前に、第２熱硬化性樹脂組成物１２が硬化するのを抑制することができる。
【０１６２】
より詳しくは、図８Ｂでは、第２半田バンプ８が、液状の第２熱硬化性樹脂組成物１２を第２パッド２２の周囲に押し退けながら溶融して、第２パッド２２に接触する。その後、第２熱硬化性樹脂組成物１２が硬化し始め、第２樹脂部５２が形成される。溶融して第２パッド２２に接触していた半田は、その後の冷却により固化して第２半田接合部４２が形成される。
【０１６３】
また図９Ｂでは、第２半田バンプ８が、溶融し始めた熱硬化性シート１００を第２パッド２２の周囲に押し退けながら溶融して、第２パッド２２に接触する。その後、溶融していた熱硬化性シート１００が硬化し始め、第２樹脂部５２が形成される。溶融して第２パッド２２に接触していた半田は、その後の冷却により固化して第２半田接合部４２が形成される。
【０１６４】
また図１０Ｂでは、第２パッド２２に接触していた第２半田バンプ８が加熱により溶融し、その後の冷却により固化して第２半田接合部４２が形成される。第２パッド２２の周囲に配置されていた第２熱硬化性樹脂組成物１２は、加熱により溶融し、形成されつつある第２半田接合部４２の周囲に接触しながら、硬化し始めて第２樹脂部５２が形成される。
【０１６５】
第１〜第３のいずれの場合においても、第２熱硬化性樹脂組成物１２は、２官能以上のエポキシ化合物を更に含んでいることが好ましい。これにより、最終的に第２熱硬化性樹脂組成物１２の未硬化部分の発生を抑制し、第２熱硬化性樹脂組成物１２の硬化物である第２樹脂部５２の強度を高めることができる。
【０１６６】
そして、リフロー半田付けが終了すると、図７に示すような半導体実装品３を得ることができる。
【０１６７】
第２樹脂部５２には活性剤及びチクソ性付与剤が実質的に残存していないことが好ましい。しかし、信頼性を損なわなければ、微量の活性剤及びチクソ性付与剤が残存していてもよい。したがって、これらを洗浄により除去する必要はない。
【実施例】
【０１６８】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【０１６９】
［熱硬化性樹脂組成物］
熱硬化性樹脂組成物の構成成分として以下のものを用いた。
【０１７０】
（熱硬化性樹脂）
＜主剤＞
・式（Ｏ１）のオキセタン化合物（宇部興産株式会社製「ＥＴＥＲＮＡＣＯＬＬ ＯＸＢＰ」（略号ＯＸＢＰ））
・式（Ｏ２）のオキセタン化合物（宇部興産株式会社製「ＥＴＥＲＮＡＣＯＬＬ ＯＸＩＰＡ」（略号ＯＸＩＰＡ））
・式（Ｏ３）のオキセタン化合物（東亞合成株式会社製「ＯＸＴ−１２１」（略号ＸＤＯ））
・式（Ｏ４）のオキセタン化合物（東亞合成株式会社製「ＯＸＴ−２２１」（略号ＤＯＸ））
・エポキシ化合物（三菱化学株式会社製「エピコート８０６」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂））
＜硬化剤＞
・式（Ｂ１）のベンゾオキサジン化合物（四国化成工業株式会社製「Ｐｄ型」）
・式（Ｂ２）のベンゾオキサジン化合物（小西化学工業株式会社製「ＢＦ−ＢＸＺ」（ビスフェノールＦタイプ））
・式（Ｂ３）のベンゾオキサジン化合物（小西化学工業株式会社製「ＢＳ−ＢＸＺ」（ビスフェノールＳタイプ））
（硬化促進剤）
・２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製「２ＰＨＺ−ＰＷ」）
（活性剤）
・グルタル酸
・トリエタノールアミン
（チクソ性付与剤）
・アミド系ワックス（伊藤製油株式会社製「ＩＴＯＨＷＡＸ Ｊ−４２０」（Ｎ−ヒドロキシエチル−１２−ヒドロキシステアリルアミド））
（実施例１〜２０）
実施例１〜２０の熱硬化性樹脂組成物は、次のようにして製造した。各構成成分の含有量は表１に示すとおりである。
【０１７１】
チクソ性付与剤と、オキセタン化合物とエポキシ化合物（実施例１０では不使用）とを配合し、加温してチクソ性付与剤を溶解させることにより、第１混合物を得た。
【０１７２】
第１混合物に活性剤と、硬化剤とを配合し、これをプラネタリーミキサーで混練することにより、常温で液状の熱硬化性樹脂組成物を得た。なお、活性剤及び硬化剤については、１２０メッシュの篩を通過したものを用いた。
【０１７３】
（比較例１）
比較例１の熱硬化性樹脂組成物は、次のようにして製造した。各構成成分の含有量は表１に示すとおりである。
【０１７４】
チクソ性付与剤と、エポキシ化合物を配合し、加温してチクソ性付与剤を溶解させることにより、第１混合物を得た。
【０１７５】
第１混合物に活性剤と、硬化促進剤とを配合し、これをプラネタリーミキサーで混練することにより、常温で液状の熱硬化性樹脂組成物を得た。なお、活性剤及び硬化促進剤については、１２０メッシュの篩を通過したものを用いた。
【０１７６】
（フラックス効力確認試験）
上記のようにして得られた熱硬化性樹脂組成物について、次のような手順でフラックス効力確認試験を行った。
【０１７７】
１．銅製の円形状のランド（直径２ｍｍ）が表面に形成された矩形状の基板（２ｃｍ×５ｃｍ）を用意した。
【０１７８】
２．上記の基板のランド上を覆うように熱硬化性樹脂組成物を塗布した。
【０１７９】
３．ランド上の熱硬化性樹脂組成物の上に球状の半田ボール（直径０．７６ｍｍ）を３個載せた。各半田ボールは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田で形成されている。より詳しくは各半田ボールの半田合金組成はＳＡＣ３０５、すなわちＳｎ９６．５質量％、Ａｇ３．０質量％、Ｃｕ０．５質量％である。
【０１８０】
４．上記の半田ボールの液相線温度よりも５０℃高い温度に設定されたホットプレートで上記の基板を３０秒程度加温し、半田ボールの様子を観察した。
【０１８１】
フラックス効力が最も良いものから順に、以下のように「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」として評価した。
【０１８２】
「Ａ」：３個の半田ボールが溶融して一体化し、さらにランド上に濡れ広がる。
【０１８３】
「Ｂ」：３個の半田ボールが溶融するが一体化が不十分であるか、又は、３個の半田ボールが溶融して一体化するが、ランド上への濡れ広がりが不十分である。
【０１８４】
「Ｃ」：３個の半田ボールが溶融せず、一体化せず、ランド上に濡れ広がらない。
【０１８５】
（樹脂硬化度合い）
フラックス効力確認試験後の樹脂の硬化度合いが最も良いものから順に、以下のように「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」として評価した。
【０１８６】
「Ａ」：十分に硬化している。
【０１８７】
「Ｂ」：未硬化部分がわずかに残っている。
【０１８８】
「Ｃ」：未硬化部分が残っており、タック性がある。
【０１８９】
【表１】
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【０１９０】
表１から明らかなように、オキセタン化合物及びベンゾオキサジン化合物のいずれも使用しないで、硬化促進剤を使用した比較例１では、半田ボールが一体化できないことが確認された。これは、硬化促進剤によって熱硬化性樹脂の硬化反応が促進されることで、フラックス効力が働きにくくなり、半田ボール表面の酸化膜が十分に除去されないためであると考えられる。
【０１９１】
これに対して、オキセタン化合物及びベンゾオキサジン化合物を使用し、硬化促進剤を使用しない実施例１〜２０では、半田ボールが一体化できることが確認された。これは、オキセタン化合物及びベンゾオキサジン化合物によって熱硬化性樹脂の硬化反応の進行が抑えられ、熱硬化性樹脂組成物が、溶融した半田ボールがランド上に濡れ広がるのを邪魔しないためであると考えられる。
【０１９２】
実施例１、１０、１１と実施例１２との対比から、主剤の全質量に対して、オキセタン化合物が５０質量％以上であることが好ましいことが確認された。すなわち、実施例１、１０、１１では、オキセタン化合物による硬化反応の遅延が優勢となり、溶融した半田ボールの凝集が阻害されにくくなっている。これに対して、実施例１２では、エポキシ化合物による硬化反応の促進が若干優勢となり、溶融した半田ボールの凝集がわずかに阻害されている。
【０１９３】
実施例１５の評価結果から、主剤１００質量部に対して、ベンゾオキサジン化合物が１０質量部未満であると、熱硬化性樹脂の硬化物にわずかに未硬化部分が発生することが確認された。
【０１９４】
実施例１６の評価結果から、主剤１００質量部に対して、ベンゾオキサジン化合物が４０質量部を超えると、熱硬化性樹脂の硬化が若干速くなり、溶融した半田ボールの凝集がわずかに阻害されることが確認された。
【符号の説明】
【０１９５】
２  半導体部品
３  半導体実装品
５  半導体パッケージ
６  第１半田バンプ
８  第２半田バンプ
９  隙間
１１  第１熱硬化性樹脂組成物
１２  第２熱硬化性樹脂組成物
２１  第１パッド
２２  第２パッド
３１  第１基板
３２  第２基板
４１  第１半田接合部
４２  第２半田接合部
５１  第１樹脂部
５２  第２樹脂部
６１  ランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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