(57)【要約】      （修正有）【課題】インプリント法を用いて配線パターンを安定して形成する。【解決手段】表面に凹凸を有する構造体１００と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層１１０と、を具備し、上記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、インプリント用マスク１０である。また、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、を具備し、所定のエッチング液に対する上記犠牲層のエッチングレートは、上記所定のエッチング液に対する樹脂材料または上記構造体のエッチングレートと比べて高い。【選択図】図１
2018041826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸を有する構造体と、
前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、
を具備し、
前記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、
インプリント用マスク。
【請求項２】
表面に凹凸を有する構造体と、
前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、
を具備し、
所定のエッチング液に対する前記犠牲層のエッチングレートは、前記所定のエッチング液に対する樹脂材料または前記構造体のエッチングレートと比べて高い、
インプリント用マスク。
【請求項３】
前記所定のエッチング液は、アルカリ溶液である、
請求項２に記載のインプリント用マスク。
【請求項４】
前記構造体および前記犠牲層は、感光材を感光させる、紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過する、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のインプリント用マスク。
【請求項５】
前記構造体は、ガラス、石英、または樹脂材料を含む、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のインプリント用マスク。
【請求項６】
前記犠牲層の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のインプリント用マスク。
【請求項７】
基板上に樹脂層を形成し、
表面に凹凸を有する構造体と、前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層とを有する、インプリント用マスクを、前記樹脂層に接触させて加圧し、
前記樹脂層に対して硬化処理を行い、
前記インプリント用マスクを前記樹脂層から剥離し、
前記インプリント用マスクによって前記樹脂層に形成された凹部内の一部において、前記基板を前記樹脂層から露出させるエッチング処理を行い、
前記樹脂層に形成された前記凹部に配線を形成することを含む、
配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング処理は、前記犠牲層を除去する第１のエッチング処理と、前記樹脂層を除去する第２のエッチング処理とをすることを含む、
請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング処理は、前記犠牲層および前記樹脂層を除去する第１のエッチング処理を含む、
請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のエッチング処理は、アルカリ溶液を用いて行う、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記硬化処理は、光照射を含む、
請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂層は、ネガ型の感光材を含み、
前記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、
請求項７乃至請求項１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記犠牲層の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である、
請求項７乃至請求項１２のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
表面に凹凸を有する構造体と、前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する第１犠牲層とを有する、インプリント用マスクから前記第１犠牲層を除去し、
前記インプリント用マスクの表面上に、前記表面の凹凸を反映するように第２犠牲層を形成する、
インプリント用マスクの製造方法。
【請求項１５】
前記第１犠牲層を除去する前に、
前記インプリント用マスクを樹脂層に接触させて加圧し、
前記インプリント用マスクおよび前記樹脂層に光を照射し、
前記インプリント用マスクを前記樹脂層から剥離することを含む、
請求項１４に記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項１６】
前記第１犠牲層および前記第２犠牲層の少なくとも一方は、ポジ型の感光材を含んだ樹脂材料である、
請求項１５に記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項１７】
前記第１犠牲層は、アルカリ溶液を用いたエッチングにより除去されることを含む、
請求項１５または請求項１６に記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項１８】
前記第２犠牲層は、ラングミュア・ブロジェット法により形成される、
請求項１４乃至請求項１７のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項１９】
前記第２犠牲層は、静電噴霧法により形成される、
請求項１４乃至請求項１７のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項２０】
前記第２犠牲層は、真空蒸着法により形成される、
請求項１４乃至請求項１７のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項２１】
前記第２犠牲層は、ＣＶＤ法により形成される、
請求項１４乃至請求項１７のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項２２】
前記第１犠牲層および前記第２犠牲層の少なくとも一方の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である、
請求項１４乃至請求項２１のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。
【請求項２３】
表面に凹凸を有する構造体と、前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する第１犠牲層とを有する、インプリント用マスクから前記第１犠牲層を除去し、
前記インプリント用マスクの表面に、前記表面の凹凸を反映するように第２犠牲層を形成する、
インプリント用マスクの再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、インプリント用マスクの製造方法および配線基板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上の樹脂層に対して、インプリント用マスク（版）といわれる凹凸を有する型を押しつけて、配線パターンを形成する技術がある。この技術は、一般的にインプリント法といわれる。インプリント用マスクが樹脂層に接触加圧する状態では、樹脂層と、インプリント用マスクとは、ある程度の密着力を有している。したがって、樹脂層に押しつけられたインプリント用マスクを樹脂層から剥離するときに、剥離しやすくする処理が行われる。これを離型処理という。例えば、特許文献１には離型処理方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１７９１５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、インプリント用マスク表面に離型処理を行ったとしても、複数回インプリント工程に使用していく中で徐々にインプリント用マスクへの樹脂の付着等が発生するため、インプリント用マスクの品質が安定しない。これにより、配線パターンを安定して形成することができないという課題を有する。
【０００５】
このような課題に鑑み、本開示の実施形態における目的は、インプリント法を用いて配線パターンを安定して形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、を具備し、上記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、インプリント用マスクが提供される。
【０００７】
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、を具備し、所定のエッチング液に対する上記犠牲層のエッチングレートは、上記所定のエッチング液に対する樹脂材料または上記構造体のエッチングレートと比べて高い、インプリント用マスクが提供される。
【０００８】
上記インプリント用マスクにおいて、上記所定のエッチング液は、アルカリ溶液であってもよい。
【０００９】
上記インプリント用マスクにおいて、感光材を感光させる、紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過してもよい。
【００１０】
上記インプリント用マスクにおいて、上記構造体は、ガラス、石英、または樹脂材料を含んでもよい。
【００１１】
上記インプリント用マスクにおいて、上記犠牲層の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であってもよい。
【００１２】
本開示の一実施形態によると、基板上に樹脂層を形成し、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層とを有するインプリント用マスクを、上記樹脂層に接触させて加圧し、上記樹脂層に対して硬化処理を行い、上記インプリント用マスクを上記樹脂層から剥離し、上記インプリント用マスクによって上記樹脂層に形成された凹部内の一部において、上記基板を上記樹脂層から露出させるエッチング処理を行い、上記樹脂層に形成された上記凹部に配線を形成することを含む、配線基板の製造方法が、提供される。
【００１３】
上記配線基板の製造方法において、上記犠牲層を除去する第１のエッチング処理と、上記樹脂層を除去する第２のエッチング処理と、を含んでもよい。
【００１４】
上記配線基板の製造方法において、上記エッチング処理は、上記犠牲層および上記樹脂層を一括でエッチングすることを含んでもよい。
【００１５】
上記配線基板の製造方法において、上記第１のエッチング処理は、アルカリ溶液を用いて行ってもよい。
【００１６】
上記配線基板の製造方法において、上記硬化処理は、光照射を含んでもよい。
【００１７】
上記配線基板の製造方法において、上記樹脂層は、ネガ型の感光材を含み、上記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂で形成されてもよい。
【００１８】
上記配線基板の製造方法において、上記犠牲層の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であってもよい。
【００１９】
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する第１犠牲層とを有する、インプリント用マスクから上記第１犠牲層を除去し、上記インプリント用マスクの表面上に、上記表面の凹凸を反映するように第２犠牲層を形成するインプリント用マスクの製造方法が提供される。
【００２０】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第１犠牲層を除去する前に、上記インプリント用マスクを樹脂層に接触させて加圧し、上記インプリント用マスクおよび上記樹脂層に光を照射し、上記インプリント用マスクを上記樹脂層から剥離することを含んでもよい。
【００２１】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第１犠牲層および上記第２犠牲層の少なくとも一方は、ポジ型の感光材を含んだ樹脂材料であってもよい。
【００２２】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第１犠牲層は、アルカリ溶液を用いたエッチングにより除去されることを含んでもよい。
【００２３】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第２犠牲層は、ラングミュア・ブロジェット法により形成されてもよい。
【００２４】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第２犠牲層は、静電噴霧法により形成されてもよい。
【００２５】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第２犠牲層は、真空蒸着法により形成されてもよい。
【００２６】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第２犠牲層は、ＣＶＤ法により形成されてもよい。
【００２７】
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第１犠牲層および上記第２犠牲層の少なくとも一方の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であってもよい。
【００２８】
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する第１犠牲層とを有する、インプリント用マスクから上記第１犠牲層を除去し、上記インプリント用マスクの表面上に、上記表面の凹凸を反映するように第２犠牲層を形成する、インプリント用マスクの再生方法が提供される。
【発明の効果】
【００２９】
本開示の実施形態によると、インプリント法を用いて配線パターンを安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本開示の一実施形態に係るインプリント用マスクを説明する断面図である。
【図２】本開示の一実施形態に係るインプリント用マスクの製造方法を説明する断面図である。
【図３】図２に続くインプリント用マスクの製造方法を説明する断面図である。
【図４】図３に続くインプリント用マスクの製造方法を説明する断面図である。
【図５】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図６】図５に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図７】図６に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図８】図７に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図９】図８に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】図９に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】図１０に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１１に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】図１２に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本開示の一実施形態に係るインプリント用マスクの製造方法を説明する断面図である。
【図１５】図１４に続くインプリント用マスクの製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１５に続くインプリント用マスクの製造方法を説明する断面図である。
【図１７】図６に続く配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】本開示の一実施形態に係る配線基板を用いた半導体装置を説明する断面図である。
【図１９】本開示の一実施形態に係る配線基板を用いた半導体装置を含む電気機を説明する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本開示の各実施形態に係るインプリント用マスクおよび配線基板の製造方法等について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００３２】
＜第１実施形態＞
（１−１．インプリント用マスクの構成）
図１にインプリント用マスク１０の断面図を示す。図１において、インプリント用マスク１０は、構造体１００と、犠牲層１１０と、を有する。構造体１００は、表面側（断面視において上側）に数１０ｎｍ以上１０μｍ未満の凹凸を有する。犠牲層１１０は、構造体１００上に、構造体１００の有する凹凸を反映した表面形状を有して配置されている。
【００３３】
構造体１００は、凹凸を設けることができる材料であればよい。
【００３４】
犠牲層１１０は、インプリント法で加工される樹脂（例えば後述する樹脂層１３０）、および構造体１００と比べて、所定のエッチング液に対するエッチングレートが高い材料が用いられる。所定のエッチング液としては、例えばアルカリ溶液を用いられる。
【００３５】
犠牲層１１０は、ポジ型感光材を含む樹脂材料が用いられる。
【００３６】
また、構造体１００は、光を透過する性質を有してもよい。透過する光の波長は、紫外領域、可視光領域のいずれの領域を含んでもよい。例えば、構造体１００は、感光材を感光させる、紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過してもよい。
【００３７】
また、犠牲層１１０の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であればよい。
【００３８】
（１−２．インプリント用マスクの製造方法）
次に、インプリント用マスクの製造方法を図２乃至図４を用いて説明する。
【００３９】
まず、図２に示すような構造体１００の基材１００ａを用いる。基材１００ａには、例えば、基材１００ａとして、ガラスが用いられる。なお、基材１００ａとして、ガラス以外に、石英などの無機材料を用いてもよいし、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、またはポリエチレン樹脂などの有機樹脂材料を用いてもよい。これらの材料は、後述する樹脂層１３０を、光照射により硬化するときに、感光材を感光させる紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過する。
【００４０】
次に、図３に示すように、基材１００ａを成型し、表面に凹凸を有する構造体１００を形成する。例えば、基材１００ａ全面に電子線レジストを塗布し、この電子線レジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして基材１００ａをエッチングして凹凸パターンを形成することで構造体１００を形成する。
【００４１】
次に、図４に示すように、構造体１００上に犠牲層１１０を形成する。犠牲層１１０には、感光材を含む樹脂材料が用いられる。例えば、犠牲層１１０として、化学増幅型ポジ型レジスト材料が用いられる。化学増幅型ポジ型レジスト材料として、具体的には感光材としてジアゾメタンを含むポリビニルフェノール（ＰＶＰ：Ｐｏｌｙ−Ｖｉｎｙｌ  Ｐｈｅｎｏｌ）樹脂が用いられる。犠牲層１１０は、ラングミュア・ブロジェット法により形成することができる。他の方法として、静電噴霧法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スピンコーティング法により犠牲層１１０を形成することができる。犠牲層１１０の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満としてもよい。
【００４２】
上記製造方法により、インプリント用マスク１０を製造することができる。
【００４３】
（１−３．配線基板の製造方法）
次に、配線基板の製造方法を図５乃至図１３を用いて説明する。
【００４４】
図５に示すように、まず、基板１２０上に樹脂層１３０を形成する。樹脂層１３０には、有機樹脂材料を用いることができる。樹脂層１３０には、ネガ型の感光材を含む樹脂材料が用いられる。ネガ型の感光材を含む樹脂材料には、化学増幅型ネガ型レジスト材料が用いられる。化学増幅型ネガ型レジスト材料として、具体的にはテトラメトキシグリコユリルを感光材として含むＰＶＰ樹脂が用いられる。感光材であるテトラメトキシグリコユリルは、光が照射された場合に、ＰＶＰ樹脂に架橋することにより、ＰＶＰ樹脂をアルカリ溶液に不溶とする機能を有する。
【００４５】
次に、図６に示すように、樹脂層１３０と、図１に示したインプリント用マスク１０の表面側とを、接触させて加圧する。このときの圧力範囲は、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ未満の範囲としてもよい。また、加熱しながら加圧してもよい。このときの加熱温度は、６０度以上１２０度未満としてもよい。これにより、樹脂層１３０は、インプリント用マスク１０の凹凸を反映して形状が変化する。
【００４６】
なお、上記凹凸を形成する場合、インプリント用マスク１０の犠牲層１１０の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満とすることで、犠牲層１１０を有しない場合と比較したときの樹脂層１３０凹凸形状との違いを小さくすることができる。これにより、太い配線のみならず、数μｍ、さらには数十、数百ｎｍの微細な配線を形成することができる
【００４７】
次に、図７に示すように、インプリント用マスク１０と、樹脂層１３０とが、接触した状態で硬化処理を行う。例えば、硬化処理には光照射処理が用いられる。光照射処理の場合、樹脂層１３０の特性に合わせて、紫外（ＵＶ）領域、または可視光領域の光を用いることができる。例えば、樹脂層１３０として感光材であるテトラメトキシグリコユリルを含むＰＶＰ樹脂を用いる場合には、紫外領域のＫｒＦエキシマレーザーの波長（２４８ｎｍ）の光を用いてもよい。なお、硬化処理として光照射後に熱処理を行ってもよい。これにより、樹脂のアルカリ溶液に対する不溶化性を高めることができる。
【００４８】
次に、図８に示すように、樹脂層１３０から、インプリント用マスク１０を剥離する。このとき、樹脂層１３０または基板１２０上に犠牲層１１０、または犠牲層１１０の残膜１１１が転写される場合がある。そのため、残膜１１１を除去するため、ウェットエッチング法、またはドライエッチング法を用いた第１のエッチング処理を行ってもよい。なお、詳細は後述するが、剥離後のインプリント用マスク１０には、樹脂層１３０の残膜（樹脂層１３１）が付着する場合がある。
【００４９】
次に、図９に示すように、樹脂層１３０に形成された凹凸の一部に、基板１２０まで到達する凹部１２１が設けられる。このとき、樹脂層１３０の残膜１３２が、基板１２０または樹脂層１３０上に存在する場合がある。そのため、基板１２０が樹脂層１３０から露出するように、第２のエッチング処理または洗浄処理をさらに行って残膜１３２を除去してもよい。これにより、基板１２０が露出される。
【００５０】
なお、樹脂層１３０に化学増幅型ネガ型レジストである、感光材としてテトラメトキシグリコユリルを含むＰＶＰ樹脂を用いるとする。また、インプリント用マスク１０の犠牲層１１０に化学増幅型ポジ型レジストである、感光材としてジアゾメタンを含むＰＶＰ樹脂を用いたとする。この場合、紫外領域の光（例えば２４８ｎｍ）を照射することにより、化学増幅型ネガ型レジストは、アルカリ溶液に対して不溶化して硬化し、化学増幅型ポジ型レジストは、アルカリ溶液に溶解する性質を有する。このため、第１のエッチング処理としてアルカリ溶液を用いた場合、硬化した樹脂層１３０は溶解せずに、犠牲層１１０の残膜１１１と、凹部にある樹脂層１３０の残膜を上述した第１のエッチング処理により一度に除去することができる。これにより、基板１２０を露出させることができる。
【００５１】
次に、図１０に示すように、基板１２０および樹脂層１３０上に導電層１４０ａを形成する。例えば、導電層１４０ａとして、スパッタリング法により種となる銅膜の薄膜を形成し、さらに電解めっき法により銅膜を厚く形成する。なお、導電層１４０ａとして、金、銀、ニッケル、パラジウム、錫、タングステンなどの材料を用いてもよい。また、導電層１４０ａの形成方法として、印刷法、無電解めっき法、またはＣＶＤ法により形成してもよい。
【００５２】
次に、図１１に示すように、導電層１４０ａに対して平坦化処理を行い、配線１４０を形成する。平坦化処理には、ドライエッチング法、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法、または物理機械研磨法が用いられる。物理機械研磨法には、バフ研磨法、ラップ研磨法、ウェットブラスト法などがある。例えば、導電層１４０ａが銅膜である場合、ＣＭＰ法を用いることで、平坦な配線を形成することができる。以上の製造方法により、配線基板２０が製造される。
【００５３】
なお、上記製造方法は、順次繰り返すことができる。図１２に示すように、樹脂層１３０および配線１４０上に、第２層となる樹脂層１５０を形成する。そして、上述した各処理を行うことによって、図１３に示すように、樹脂層１５０内に埋め込まれた導電材料で形成された配線１６０が形成されることで、配線基板２１を製造することができる。図１２から図１３に至る製造工程については、上述した第１層の場合と同様であるため、その説明を省略する。この例では、樹脂層１５０に形成された第２層の配線となる配線１６０は、樹脂層１３０に形成された第１層の配線である、配線１４０と電気的に接続されている。なお、配線基板の層数は、２層に限らない。例えば、５層の配線基板を形成する場合には、上記の製造工程を繰り返して、配線が埋め込まれた樹脂層を第５層まで形成すればよい。
【００５４】
（１−４．インプリント用マスク製造方法２）
図５乃至図１１に示す配線基板２０を製造後のインプリント用マスク１０には、図１４に示すように犠牲層１１０のインプリント工程処理後の犠牲層１１２が残存する。また、剥離したときに、樹脂層１３０の一部（樹脂層１３１）がインプリント用マスク１０側に付着する場合がある。そのため、図１５に示すように、犠牲層１１２の除去を行う。犠牲層１１２の除去は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により行うことができる。ウェットエッチング法により除去する場合、犠牲層１１２のエッチングレートは、所定のエッチング液に対する樹脂層１３０または構造体１００のエッチングレートと比べて高いことが望ましい。例えば、所定のエッチング液としてはアルカリ溶液が用いられる。
【００５５】
なお、構造体１００がガラス材料であり、犠牲層１１２が紫外線照射後の化学増幅型ポジ型レジストである場合、アルカリ溶液を用いることにより、構造体１００にダメージを与えることなく、犠牲層１１２を除去できる。また、犠牲層１１２上に樹脂層１３１が存在したとしても、犠牲層１１２のエッチングと同時に除去（リフトオフ）することができるため、構造体１００は、犠牲層１１０を形成する前と同様の状態に戻すことができる。
【００５６】
次に、図１６に示すように、構造体１００上に再度犠牲層１１０を、構造体１００の凹凸を反映するように形成する。犠牲層１１０の形成方法は、図４に示した場合と同様である。
【００５７】
以上の製造方法により、インプリント工程を複数回行っても安定した品質を有するインプリント用マスクを提供することができる。また、配線パターンを安定して形成することができることから、安定した品質を有する配線基板を製造することができる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
第１実施形態においては、犠牲層１１０として化学増幅型ポジレジストを用いる例を述べたが、これに限定されない。本実施形態では、犠牲層１１０として、アルミニウム膜を用いた例を示す。なお、第１実施形態で示したものと同様の方法、材料を用いる場合については、その説明を援用する。
【００５９】
また、アルミニウム膜以外でも、マグネシウム膜、酸化膜などでもよく、所定のエッチング液に対する犠牲層１１０のエッチグレートが、所定のエッチング液に対する構造体または樹脂層のエッチングレートと比較して高いものであればよい。例えば、アルミニウム膜は、スパッタリング法により形成されるが、蒸着法を用いてもよい。アルミニウム膜は、アルカリ溶液にも溶解し、膜厚を薄くすることで感光材を感光させる波長領域の光（例えば紫外光より短波長側の一部の波長の光）を透過する性質を有することができる。
【００６０】
樹脂層１３０として化学増幅型ネガ型レジスト材料を用いた場合、紫外光の照射（例えば２４８ｎｍ）により樹脂層１３０を硬化したとする。この場合、図８に示すように、インプリント用マスク１０を剥離後、インプリント用マスク１０の表面に樹脂層１３０の一部（樹脂層１３１）が付着しても、アルカリ溶液を用いることにより、アルミニウム膜とともに樹脂層１３１の除去（リフトオフ）が可能である。また、樹脂層１３０側に、アルミニウム膜が転写されてしまったとしても、アルカリ溶液を用いてエッチング処理することで、残膜１３２とともに１回のエッチング処理により基板１２０を露出させることができる。
【００６１】
また、犠牲層１１０としてアルミニウム膜を用いる場合、樹脂層１３０には熱硬化樹脂を用いてもよい。熱硬化処理によりアルミニウム膜は反応しない。図６に示すように、インプリント用マスク１０を樹脂層１３０に接触させ加圧する。さらに、図１７に示すように、樹脂層１３０を熱硬化する。次に、図８に示すように、インプリント用マスク１０を樹脂層１３０から剥離する。このとき、インプリント用マスク１０に樹脂層１３１が付着しても、アルカリ溶液を用いることにより、アルミニウム膜とともに樹脂層１３１を除去することができる。アルミニウム膜が樹脂層１３０側に転写されても、アルカリ溶液による第１のエッチング処理により、アルミニウム膜を除去することができる。さらに、第２のエッチング処理により、残膜１３２を除去することができる。なお、熱により樹脂層１３０を硬化させる場合、構造体１００は必ずしも光を透過させる性質を有しなくてもよい。
【００６２】
＜第３実施形態＞
本実施形態では、第１実施形態、第２実施形態で説明した配線基板を用いた半導体装置について説明する。
【００６３】
図１８は、半導体装置５００の断面図である。図１８において、半導体装置５００は、トランジスタを含むチップ化された半導体回路基板６００および半導体回路基板６１０と、配線基板７００と、パッケージ基板８００とを有する。半導体回路基板６００は、中央演算処理装置（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）としての機能を有する。半導体回路基板６１０は、記憶装置としての機能を有する。配線基板７００は、インターポーザとしての機能を有する。半導体回路基板６００および半導体回路基板６１０と、配線基板７００とは、金バンプ６５０などを用いて接続される。また、半導体回路基板６００と、半導体回路基板６１０との間はモールド樹脂によって封止されていてもよい。また、配線基板７００と、パッケージ基板８００とは、錫、銀などを含むはんだバンプ７５０などを用いて接続される。また、配線基板７００と、パッケージ基板８００との間隙には、アンダーフィル樹脂が充填されることにより封止されてもよい。
【００６４】
＜第４実施形態＞
本実施形態では、第３実施形態において説明した半導体装置５００を電気機器に適用した例について説明する。
【００６５】
図１９は、電気機器を説明する図である。半導体装置５００は、例えば、携帯端末（携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等）、家庭用電気機器（電子レンジ、エアコン、洗濯機、冷蔵庫）、自動車等、様々な電気機器に搭載される。図１９（Ａ）はスマートフォン２０００であり、筐体２００１、表示部２００３、マイク２００５、スピーカー２００７、ボタン２００９、カメラ２０１１等を有する。図１９（Ｂ）は携帯用ゲーム機３０００であり、筐体３００１、表示部３００３、表示部３００５、ボタン３００７、ボタン３００９、スピーカー３０１１、マイク３０１３、カメラ３０１５等を有する。図１９（Ｃ）は、ノート型パーソナルコンピュータ４０００であり、筐体４００１、表示部４００３、キーボード４００５、タッチパッド４００７、ボタン４００９、カメラ４０１１等を有する。
【００６６】
これらの電気機器において、半導体装置５００は、アプリケーションプログラムを実行して各種機能を実現するＣＰＵ等で構成される制御部、およびメモリなどで構成される記憶部としての機能を有することができる。
【００６７】
＜変形例＞
また、本実施形態においては、犠牲層１１０を用いる例を述べたが、犠牲層１１０上に離型剤を形成してインプリント用マスク１０を用いてもよい。これにより、さらに安定した品質を有するインプリント用マスク１０を提供することができる。
【００６８】
また、本実施形態においては、基板１２０上面から光を照射する例を述べたが、基板１２０の下面から照射してもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１０・・・インプリント用マスク、２０・・・配線基板、２１・・・配線基板、１００・・・構造体、１１０・・・犠牲層、１１１・・・残膜、１１２・・・犠牲層、１２０・・・基板、１２１・・・凹部、１３０・・・樹脂層、１３１・・・樹脂層、１３２・・・残膜、１４０・・・配線、１４０ａ・・・導電層、１５０・・・樹脂層、１６０・・・配線、５００・・・半導体装置、６００・・・半導体回路基板、６１０・・・半導体回路基板、６５０・・・金バンプ、７００・・・配線基板、７５０・・・はんだバンプ、８００・・・パッケージ基板、９００・・・制御部、２０００・・・スマートフォン、２００１・・・筐体、２００３・・・表示部、２００５・・・マイク、２００７・・・スピーカー、２００９・・・ボタン、２０１１・・・カメラ、３０００・・・携帯用ゲーム機、３００１・・・筐体、３００３・・・表示部、３００５・・・表示部、３００７・・・ボタン、３００９・・・ボタン、３０１１・・・スピーカー、３０１３・・・マイク、３０１５・・・カメラ、４０００・・・ノート型パーソナルコンピュータ、４００１・・・筐体、４００３・・・表示部、４００５・・・キーボード、４００７・・・タッチパッド、４００９・・・ボタン、４０１１・・・カメラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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