(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品へ到達する磁界ノイズの到達量を安価に低減することができる電子部品の実装構造を提供する。【解決手段】開口部１０１が形成された回路基板１００と、回路基板１００の上に実装され、回路基板１００の側に接続部２０２を有する電子部品２００と、接合部３０１と、支持部３０３と、接合部３０１と支持部３０３とを連結する連結部３０２とを有する金属部品３００とを有し、回路基板１００の開口部１０１を介して、電子部品２００の接続部２０２と金属部品３００の接合部３０１とが接続されており、金属部品３００の支持部３０３の平均比透磁率が、金属部品３００の連結部３０２の平均比透磁率よりも大きい。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部が形成された回路基板と、
前記回路基板の上に実装され、前記回路基板の側に接続部を有する電子部品と、
接合部と、支持部と、前記接合部と前記支持部とを連結する連結部とを有する金属部品とを有し、
前記回路基板の前記開口部を介して、前記電子部品の前記接続部と前記金属部品の前記接合部とが接続されており、
前記金属部品の前記支持部の平均比透磁率が、前記金属部品の前記連結部の平均比透磁率よりも大きいことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
開口部が形成された回路基板と、
前記回路基板の上に実装され、前記回路基板の側に接続部を有する電子部品と、
接合部と、支持部と、前記接合部と前記支持部とを連結する連結部とを有する金属部品とを有し、
前記回路基板の前記開口部を介して、前記電子部品の前記接続部と前記金属部品の前記接合部とが接続されており、
前記金属部品の前記接合部の平均比透磁率が、前記金属部品の前記連結部の平均比透磁率及び前記金属部品の前記支持部の平均比透磁率よりも小さいことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記金属部品の前記接合部における平均比透磁率が、前記金属部品の前記連結部の前記平均比透磁率よりも小さく、
前記金属部品の前記連結部の前記平均比透磁率が、前記金属部品の前記支持部の前記平均比透磁率よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記金属部品が、非磁性体の本体部と、前記本体部の表面に形成された強磁性状態又は常磁性状態の被覆層とを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
前記被覆層がめっき層であることを特徴とする請求項４に記載の電子部品の実装構造。
【請求項６】
前記電子部品が撮像素子を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の実装構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラやビデオカメラは、ＩＳＯ（International Organization for Standardization）感度の高感度化が求められている。そのため、従来にも増して、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の撮像素子への微弱な磁界ノイズの入射による画像乱れの発生が問題となる。
【０００３】
従来、撮像素子への磁界ノイズの入射を低減する技術としては、磁束を発生するコイルと撮像素子との間に板状又はフィルム状の強磁性材を配置する技術が提案されている（特許文献１）。特許文献１に提案される技術では、ノイズ源であるコイルの駆動周波数等で決まる表皮深さ未満の厚さの強磁性部材が、撮像素子に対する磁束の迂回路となる。これにより、コイルにて発生した磁束が撮像素子へ到達する到達量を低減され、撮像画像における乱れの発生が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−６０６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に提案される技術では、撮像素子の周囲に別部材として比透磁率の高い強磁性部材を配置する。このため、特許文献１に提案される技術では、部材コストの増加及び取り付け工程の増加が発生するため、製造コストの増加を抑制することは困難である。
【０００６】
本発明は、電子部品へ到達する磁界ノイズの到達量を安価に低減することができる電子部品の実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、開口部が形成された回路基板と、前記回路基板の上に実装され、前記回路基板の側に接続部を有する電子部品と、接合部と、支持部と、前記接合部と前記支持部とを連結する連結部とを有する金属部品とを有し、前記回路基板の前記開口部を介して、前記電子部品の前記接続部と前記金属部品の前記接合部とが接続されており、前記金属部品の前記支持部の平均比透磁率が、前記金属部品の前記連結部の平均比透磁率よりも大きいことを特徴とする電子部品の実装構造が提供される。
【０００８】
本発明の他の観点によれば、開口部が形成された回路基板と、前記回路基板の上に実装され、前記回路基板の側に接続部を有する電子部品と、接合部と、支持部と、前記接合部と前記支持部とを連結する連結部とを有する金属部品とを有し、前記回路基板の前記開口部を介して、前記電子部品の前記接続部と前記金属部品の前記接合部とが接続されており、前記金属部品の前記接合部の平均比透磁率が、前記金属部品の前記連結部の平均比透磁率及び前記金属部品の前記支持部の平均比透磁率よりも小さいことを特徴とする電子部品の実装構造が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電子部品へ到達する磁界ノイズの到達量を安価に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態による電子部品の実装構造を示す平面図である。
【図１Ｂ】本発明の第１実施形態による電子部品の実装構造を示す図１ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図１Ｃ】本発明の第１実施形態による電子部品の実装構造を示す図１ＡのＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。
【図１Ｄ】本発明の第１実施形態による電子部品の実装構造を示す図１ＡのＢ−Ｂ′線に沿った断面図の他の例である。
【図２】電子部品に入射する磁界ノイズを説明する図である。
【図３Ａ】実施例１による電子部品の実装構造を示す平面図である。
【図３Ｂ】実施例１による電子部品の実装構造を示す図３ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図４】磁界ノイズ源のモデルを説明する図である。
【図５】実施例１及び比較例１の電磁界シミュレーションの結果を示すグラフである。
【図６Ａ】本発明の第２実施形態による電子部品の実装構造を示す平面図である。
【図６Ｂ】本発明の第２実施形態による電子部品の実装構造を示す図６ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第２実施形態による電子部品の実装構造を示す図６ＡのＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。
【図７Ａ】実施例２による電子部品の実装構造を示す平面図である。
【図７Ｂ】実施例２による電子部品の実装構造を示す図７ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図８】実施例２〜４及び比較例２の電磁界シミュレーションの結果を示すグラフである。
【図９】実施例４及び比較例２の電磁界シミュレーションの結果を示すグラフである。
【図１０Ａ】本発明の第３実施形態による電子部品の実装構造を示す平面図である。
【図１０Ｂ】本発明の第３実施形態による電子部品の実装構造を示す図１０ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図１０Ｃ】本発明の第３実施形態による電子部品の実装構造を示す図１０ＡのＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。
【図１１】実施例５、実施例６及び比較例３の電磁界シミュレーションの結果を示すグラフである。
【図１２】実施例６及び実施例７の電磁界シミュレーションの結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下で説明する図面において、同じ機能を有するものは同一の符号を付し、その説明を省略又は簡潔にすることもある。
【００１２】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による電子部品の実装構造について図１及び図２を用いて説明する。
【００１３】
本実施形態による電子部品の実装構造は、例えば、デジタルカメラ等の撮像装置である電子機器に含まれ、電子部品として固体撮像素子のパッケージが実装されたものである。図１は、本実施形態における電子部品の実装構造を説明する図である。具体的には、図１Ａは、本実施形態による電子部品の実装構造を示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。図１Ｃは、図１ＡのＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。図１Ｄは、図１ＡのＢ−Ｂ′線に沿った断面図の他の例であり、図１Ｃとは別の構造を示すものである。
【００１４】
図１Ａ乃至図１Ｄに示すように、本実施形態による電子部品の実装構造１０は、回路基板１００と、パッケージ２００と、金属部品３００とを含んでいる。
【００１５】
パッケージ２００は、固体撮像素子２０１がパッケージングされた撮像素子パッケージである。パッケージ２００は、固体撮像素子２０１と、本体部２０５と、蓋部２０６とを有している。固体撮像素子２０１は、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサ、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサ等である。本体部２０５は、固体撮像素子２０１を収容する凹状の収容部２０７を有している。固体撮像素子２０１は、その受光面を収容部２０７の開口側に向けて収容部２０７の底に固定されている。固体撮像素子２０１は、例えば、ボンディングワイヤ２０８により、本体部２０５に設けられた不図示の内部端子に電気的に接続されている。本体部２０５には、収容部２０７の開口を塞ぐように、ガラス板等の透明板である蓋部２０６が、接着剤等による接着層２０９により本体部２０５に貼り付けられている。こうして、固体撮像素子２０１を収容した収容部２０７が蓋部２０６により封止されている。なお、パッケージ２００の構造は、図１Ａ乃至図１Ｄに示す構成に限定されるものではなく、種々の構造を採用することができる。
【００１６】
回路基板１００の上には、パッケージ２００、その他の電子部品が実装されている。回路基板１００には、実装された電子部品間を電気的に接続する導体パターン１０５が、その絶縁基板１０６の表面、又はその絶縁基板１０６の表面及び内部に形成されている。絶縁基板１０６の表面に形成された導体パターン１０５の一部は、導体パッド１０５ａになっている。回路基板１００は、絶縁性基板と、その絶縁性基板の少なくとも表面及び内部の一方に形成された配線パターンを有するものであり、例えばプリント回路板である。
【００１７】
パッケージ２００は、例えば表面実装により回路基板１００上に実装されている。この場合、パッケージ２００の本体部２０５の蓋部２０６とは反対の下面に形成された複数の接続導体２１０のそれぞれが、回路基板１００上の導体パッド１０５ａに、はんだ等の接続材２１１により接合されている。他の電子部品も同様に回路基板１００上に実装されている。なお、パッケージ２００その他の電子部品の実装方法は、表面実装に限定されるものではなく、そのほか、挿入実装等を用いることができる。
【００１８】
金属部品３００は、デジタルカメラ等の筐体に対して、固体撮像素子２０１の位置を確定させるために用いられるものである。金属部品３００の材料は、磁性特性を有する金属、すなわち強磁性体の金属である例えばステンレスＳＵＳ４３０等である。金属部品３００は、その全体が同一材料の金属により構成されている。ただし、後述するように、金属部品３００は、部分的に常磁性状態になっている。金属部品３００には、以下のように、回路基板１００上に実装された固体撮像素子２０１を含むパッケージ２００が固定されている。
【００１９】
金属部品３００に固定されるパッケージ２００の回路基板１００の側の下面には、金属パッド２０２が複数形成されている。金属パッド２０２は、パッケージ２００を金属部品３００に固定して接続するための接続部として機能する。回路基板１００の一部には、回路基板１００を上面側から下面側に貫通し、回路基板１００の下面側から複数の金属パッド２０２をそれぞれ露出する複数の開口部１０１が形成されている。なお、回路基板１００のパッケージ２００が実装された面側を上面側とし、回路基板１００のパッケージ２００が実装された面とは反対の面側を下面側とする。
【００２０】
金属部品３００は、回路基板１００に形成された開口部１０１を介して、パッケージ２００の下面に形成された金属パッド２０２に接続材２０３で接合されている。金属部品３００は、パッケージ２００の下面に形成された金属パッド２０２に接合されて接続される部位である接合部３０１を有している。金属部品３００は、複数の金属パッド２０２に対応して複数の接合部３０１を有している。接合部３０１は、例えば、図１Ｃに示すように、金属部品３００のうち、接続材２０３が付着する金属平面を略垂直方向に立ち上げた部位全体を指す。
【００２１】
さらに、金属部品３００は、接合部３０１のほか、支持部３０３と、連結部３０２とを有している。支持部３０３は、少なくとも複数の接合部３０１を結ぶ線よりも外側に位置し、金属部品３００を電子機器の筐体等の周辺部材と固定するための部位である。連結部３０２は、複数の接合部３０１を支持部３０３に連結するための部位であり、複数の接合部３０１に応じて複数箇所に設けられている。金属部品３００における接合部３０１、連結部３０２及び支持部３０３は、例えば同一の部材により一体的に形成されている。接合部３０１、連結部３０２及び支持部３０３が同一の部材により一体的に形成されているため、部材点数が増加することなく、電子部品の実装構造１０を安価に得ることができる。
【００２２】
金属部品３００の形状は、特に限定されるものではなく、種々の形状を採ることができる。例えば、金属部品３００は、支持部３０３を含む部分が枠状に形成されている。さらに、金属部品３００は、枠状部分から開口部１０１側に向けて突出した突出部分を有している。連結部３０２は、突出部分と、突出部分に接続する枠状部分の一部とにより構成されている。
【００２３】
また、接合部３０１を含む接合部分の金属部品３００の構造も、特に限定されるものではなく、種々の構造を採ることができる。例えば、接合部３０１を含む接合部分の金属部品３００の構造は、図１Ｃに示す構造のほか、図１Ｄに示す構造を採ることもできる。図１Ｄに示す構造では、連結部３０２が曲げ加工された形状を有している。この場合、接合部３０１は、金属パッド２０２までの金属部品３００の一部である、接続材２０３が付着する金属平面を略垂直方向に立ち上げた部位になっている。
【００２４】
上記金属部品３００において、連結部３０２の比透磁率は、支持部３０３の比透磁率とは異なっている。具体的には、支持部３０３の比透磁率が、連結部３０２の比透磁率よりも大きくなっている。実効的には、支持部３０３の平均比透磁率Ｂが、連結部３０２の平均比透磁率Ａよりも大きくなっている。すなわち、本実施形態では、連結部３０２の平均比透磁率Ａ及び支持部３０３の平均比透磁率Ｂについて、Ａ＜Ｂの大小関係が成立する。この場合において、支持部３０３が強磁性状態であるのに対して、連結部３０２は常磁性状態になっている。なお、金属部品３００の磁性状態はこれに限定されるものではない。例えば、支持部３０３及び連結部３０２が強磁性状態であっても、各部の平均比透磁率について上記の大小関係が成立するものであればよい。
【００２５】
金属部品３００の比透磁率を上述のように部分的に異ならせる方法は、特に限定されるものではない。その方法としては、金属部品３００の単体時での局所的な熱処理や、金属部品３００の接合時における局所加熱により、連結部３０２となる部分を、部材のキュリー温度以上に局所的に加熱することが例示される。例えば、金属部品３００の全体がニッケルにより構成される場合、ニッケルのキュリー温度である３５４℃又はそれ以上の温度に部分的に熱処理することができる。このように部材のキュリー温度以上に局所的に加熱することにより、被加熱部の比透磁率を低減することができる。これにより、連結部３０２の平均比透磁率Ａを、支持部３０３の平均比透磁率Ｂよりも小さくすることができ、金属部品３００における比透磁率を部分的に異ならせることができる。なお、局所加熱は、はんだごてによる加熱、ヒータによる加熱、通電加熱のような接触加熱により行うことができる。また、局所加熱は、温風吹付け、高周波誘導加熱、レーザー加熱などの非接触加熱により行うこともできる。
【００２６】
本実施形態では、上述のように金属部品３００において、連結部３０２の比透磁率が、支持部３０３の比透磁率とは異なる、すなわち、支持部３０３の平均比透磁率Ｂが、連結部３０２の平均比透磁率Ａよりも大きくなっている。これにより、固体撮像素子２０１及びこれを含むパッケージ２００に入射して到達する磁界ノイズの到達量を低減することができる。
【００２７】
図２は、電子部品に入射する磁界ノイズを説明する図である。電子部品である固体撮像素子２０１及びこれを含むパッケージ２００には、上下面から磁界ノイズ４００が入射する。仮に、開口部１０１が形成されていない回路基板１００の場合、裏面から入射した磁界ノイズ４００は、回路基板１００内に配される金属部材に渦電流が流れることで、反磁界が発生して減衰される。
【００２８】
しかしながら、回路基板１００に上下貫通するように形成された開口部１０１が存在すると、渦電流が流れず、反磁界が発生しない。このため、開口部１０１が存在する場合、支持部３０３の平均比透磁率Ｂが連結部３０２の平均比透磁率Ａよりも大きくない通常の金属部品３００′では、固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に下面から入射する磁界ノイズ４０１の入射量が増加してしまう。具体的には、回路基板１００における開口部１０１が形成された部分は、それ以外の部分と比較して、入射する磁界ノイズ量が２倍以上増加してしまう。
【００２９】
これに対して、本実施形態による電子部品の実装構造１０では、支持部３０３の平均比透磁率Ｂが、連結部３０２の平均比透磁率Ａよりも大きくなっている。これにより、磁界ノイズ４０１は、磁気抵抗の小さな比透磁率の高い開口部１０１とは離れた部分に磁界ノイズが収束する。つまり、開口部１０１の近傍に到達する磁界ノイズ量は減少して、開口部１０１へ入射する磁界ノイズの入射量も減少する。こうして、本実施形態では、開口部１０１を介して固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に入射する磁界ノイズの入射量を低減して固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に到達する磁界ノイズの到達量を低減することができる。
【００３０】
また、本実施形態では、金属部品３００の接合時の熱を利用するだけで、比透磁率を部分的に異ならせることができる。このため、磁界ノイズ対策シート等の別部材を設ける必要がなく、貼り付け工程等を削減することができる。しがって、本実施形態では、安価にノイズ対策を行うことが可能である。
【００３１】
このように、本実施形態によれば、電子部品である固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に到達する磁界ノイズの到達量を安価に低減することができる。
【００３２】
（実施例１）
上記第１実施形態に関する実施例１として、回路基板１００の開口部１０１へ入射する磁束量を低減する効果を検証するために磁界解析を行った。解析ツールとしては、市販の電磁界シミュレータであるＡＮＳＹＳ社のＭａｘｗｅｌｌ  ３Ｄを使用した。
【００３３】
図３を用いて実施例１による電子部品の実装構造の詳細について説明する。図３Ａは、実施例１による電子部品の実装構造を示す平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。なお、以下に示す寸法表示において、乗算記号の前の数値はｘ方向における寸法を示し、乗算記号の後の数値はｙ方向における寸法を示している。
【００３４】
固体撮像素子２０１は、３０．６［ｍｍ］×４１．８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。パッケージ２００は、４０［ｍｍ］×５０．３［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。また、パッケージ２００の内部配線２０４として、厚さ１０［μｍ］のタングステンのプレーンを５層配置した。
【００３５】
回路基板１００は、４９．５［ｍｍ］×７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとして、内部配線１０４として厚さ２０［μｍ］の銅箔を６層配置した。回路基板１００には、一方の長辺側の端部中央に１つの開口部１０１−１を形成し、他方の長辺側の端部に開口部１０１−１と対称に２つの開口部１０１−２、１０１−３を形成した。開口部１０１−１は、１０［ｍｍ］×１０．４５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。開口部１０１−２、１０１−３は、それぞれ９．８［ｍｍ］×６．６５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。
【００３６】
金属部品３００の厚さは１．６［ｍｍ］とした。金属部品３００は、回路基板１００の開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３にそれぞれ対応して、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３、及び連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３を有するものとした。接合部３０１−１は、８．６［ｍｍ］×５．６８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。接合部３０１−２、３０１−３は、それぞれ６．６［ｍｍ］×７．７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−１は、２０．４４［ｍｍ］×７．７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−２、３０２−３は、それぞれ２０．４４［ｍｍ］×５．８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。なお、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の矩形状の平面形状とは、それぞれ開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３に向かって突出した部分以外の部分の形状のことである。
【００３７】
金属部品３００の材質はステンレスであるＳＵＳ４３０とし、導電率は１６６６６６７［Ｓ／ｍ］とした。また、平均比透磁率については、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３でそれぞれ４００、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３及び支持部３０３でそれぞれ６００とした。
【００３８】
ここで、磁界ノイズ源のモデルについて図４を用いて説明する。図４は、磁界ノイズ源のモデルを説明する図である。図４に示すように、磁界ノイズ源は、ヘルムホルツコイル５００を模擬したモデルとした。このモデルにおいて、電子部品であるパッケージ２００にほぼ垂直かつ一様に磁界ノイズ５０２が入射する場合を想定した。ヘルムホルツコイル５００のサイズについては、コイル半径を２００ｍｍ、コイルを構成する銅配線の太さを２０ｍｍとした。ヘルムホルツコイル５００には、磁界ノイズ源の周波数として１００ｋＨｚの正弦波電流５０１を１［Ａ］流した。
評価量として、開口部１０１−１への磁束Φを下記式（１）から算出した。
Φ＝Ｂ・Ｓ      ・・・式（１）
ここで、Φは磁束［Ｗｂ］、Ｂは磁束密度［Ｔ］、Ｓは開口部１０１−１の面積［ｍ２］である。
【００３９】
（比較例１）
上記第１実施形態に関する比較例１として、金属部品３００の各部位の平均比透磁率を一律６００とした。具体的には、比較例１として、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率をそれぞれ６００、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の平均比透磁率もそれぞれ６００、支持部３０３の平均比透磁率も６００とした。その他の条件は、実施例１と同一であるため省略する。
【００４０】
図５に、実施例１及び比較例１の電磁界シミュレーションの結果を示す。実施例１における回路基板１００の開口部１０１−１への入射磁束は、比透磁率が金属部品３００内で一様である比較例１の場合に比べて、９．７％程度減少している。
【００４１】
実施例１では、支持部３０３の平均比透磁率が、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率よりも大きくなっている。これにより、磁界ノイズ５０２は、磁気抵抗の小さくなる比透磁率の高い開口部１０１とは離れた金属部品３００の部位に収束していく。つまり、開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３の近傍に到達する磁界ノイズの到達量は減少して、開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３へ入射する磁界ノイズの入射量も減少する。これにより、固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に到達する磁界ノイズの到達量を低減することができる。
【００４２】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による電子部品の実装構造について図６を用いて説明する。なお、上記第１実施形態による電子部品の実装構造と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。
【００４３】
本実施形態による電子部品の実装構造も、第１実施形態と同様に、例えば、デジタルカメラ等の撮像装置である電子機器に含まれ、電子部品として固体撮像素子のパッケージが実装されたものである。図６は、本実施形態による電子部品の実装構造を説明する図である。具体的には、図６Ａは、本実施形態による電子部品の実装構造を示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。図６Ｃは、図６ＡのＣ−Ｃ′線に沿った断面図であり、金属部品の断面を示すものである。
【００４４】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、本実施形態による電子部品の実装構造２０の基本的構造は、第１実施形態による電子部品の実装構造１０と同様である。本実施形態においても、第１実施形態と同様に、回路基板１００上に、固体撮像素子２０１を含むパッケージ２００が実装されている。回路基板１００には、回路基板１００を上面側から下面側に貫通し、回路基板１００の下面側から複数の金属パッド２０２をそれぞれ露出する複数の開口部１０１が形成されている。金属部品３００は、回路基板１００に形成された開口部１０１を介して、パッケージ２００の下面に形成された金属パッド２０２に接続材２０３で接合されている。金属部品３００は、第１実施形態と同様に、接合部３０１と、支持部３０３と、連結部３０２とを有している。
【００４５】
ただし、本実施形態では、金属部品３００は、図６Ｃに示すように、磁性特性を有しない金属、すなわち非磁性体の金属である例えばアルミニウム等により構成される本体部３０８と、本体部３０８の表面に形成された被覆層３０９とを有している。被覆層３０９は、磁性特性を有する金属、すなわち強磁性体の金属である例えばニッケルにより構成されている。ただし、後述するように、金属部品３００の被覆層３０９は、部分的に常磁性状態になっている。被覆層３０９は、具体的には、例えば、本体部３０８の表面全体にめっき法により形成されたニッケルめっき層である。なお、金属部品３００の本体部３０８及び被覆層３０９の材料は、それぞれ特に限定されるものではなく、種々の材料を用いることができる。また、被覆層３０９を形成する方法も特に限定されるものではなく、めっき法のほか、種々の方法を用いることができる。
【００４６】
本実施形態では、上記金属部品３００において、連結部３０２の比透磁率が支持部３０３の比透磁率とは異なるように、例えばニッケルめっき層である被覆層３０９が形成されている。具体的には、支持部３０３の比透磁率が、連結部３０２の比透磁率よりも大きくなっている。実効的には、金属部品３００の本体部３０８を構成する母材の比透磁率と例えばニッケルめっき層である被覆層３０９の比透磁率との関係から、支持部３０３の平均比透磁率Ｂが、連結部３０２の平均比透磁率Ａよりも大きくなっている。すなわち、本実施形態では、連結部３０２の平均比透磁率Ａ及び支持部３０３の平均比透磁率Ｂについて、Ａ＜Ｂの大小関係が成立する。この場合において、支持部３０３の被覆層３０９が強磁性状態であるのに対して、連結部３０２の被覆層３０９は常磁性状態になっている。なお、金属部品３００の被覆層３０９の磁性状態はこれに限定されるものではない。例えば、支持部３０３及び連結部３０２の被覆層３０９が強磁性状態であっても、各部の平均比透磁率について上記の大小関係が成立するものであればよい。
【００４７】
金属部品３００の比透磁率を上述のように部分的に異ならせる方法は、特に限定されるものではない。その方法としては、第１実施形態で記載したように、金属部品３００の単体時での局所的な熱処理や、金属部品３００の接合時における局所加熱により、連結部３０２となる部分を、部材のキュリー温度以上に局所的に加熱することが例示される。例えば、金属部品３００の被覆層３０９がニッケルめっき層である場合、ニッケルのキュリー温度である３５４℃又はそれ以上の温度に部分的に熱処理することができる。
【００４８】
また、被覆層３０９がニッケルめっき層である場合、その層内のリン濃度を調整することで比透磁率を上述のように調整することができる。また、ニッケルめっき層を部分的に２層形成する等の部分めっきにより比透磁率を上述のように調整することもできる。
【００４９】
本実施形態では、ニッケルめっき層等による被覆層３０９を有する金属部品３００を用いることで、磁性特性を有しない非磁性体である金属部材を用いても、比透磁率を部分的に異ならせた金属部品３００を容易に作り出すことができる。また、本実施形態によれば、金属部品３００の本体部３０８及び被覆層３０９の材料を適宜選択し又は被覆層３０９の厚さ若しくは層数を適宜選択することにより、平均比透磁率を高い自由度で調整することができる。したがって、本実施形態には、平均比透磁率の制御範囲を拡大することができるという利点がある。つまり、例えば、磁界ノイズの強度、周波数、位置が異なっていても、比透磁率を部分的に異ならせた金属部品３００を容易に作製することが可能である。
【００５０】
また、本実施形態では、金属部品３００の接合時の熱を利用したり、例えばめっき工程等の被覆層３０９の形成工程の調整を行ったりすることにより、比透磁率を部分的に異ならせることができる。このため、磁界ノイズ対策シート等の別部材を設ける必要がなく、部分的な貼り付け工程等を削減することができる。したがって、本実施形態では、安価にノイズ対策を行うことが可能である。
【００５１】
このように、本実施形態によれば、電子部品である固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に到達する磁界ノイズの到達量を安価に低減することができる。
【００５２】
（実施例２）
上記第２実施形態に関する実施例２として、実施例１と同様に、回路基板１００の開口部１０１へ入射する磁束量を低減する効果を検証するために磁界解析を行った。
【００５３】
図７を用いて実施例２による電子部品の実装構造の詳細について説明する。図７Ａは、実施例２による電子部品の実装構造を示す平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。なお、以下に示す寸法表示において、乗算記号の前の数値はｘ方向における寸法を示し、乗算記号の後の数値はｙ方向における寸法を示している。
【００５４】
実施例１と同様に、実施例２でも、固体撮像素子２０１は、３０．６［ｍｍ］×４１．８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。パッケージ２００は、４０［ｍｍ］×５０．３［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。また、パッケージ２００の内部配線２０４として、厚さ１０［μｍ］のタングステンのプレーンを５層配置した。
【００５５】
回路基板１００は、４９．５［ｍｍ］×７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとして、内部配線１０４として厚さ２０［μｍ］の銅箔を６層配置した。回路基板１００には、一方の長辺側の端部中央に１つの開口部１０１−１を形成し、他方の長辺側の端部に開口部１０１−１と対称に２つの開口部１０１−２、１０１−３を形成した。開口部１０１−１は、１０［ｍｍ］×１０．４５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。開口部１０１−２、１０１−３は、それぞれ９．８［ｍｍ］×６．６５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。
【００５６】
金属部品３００の本体部３０８の厚さは、１．６［ｍｍ］とした。金属部品３００は、回路基板１００の開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３にそれぞれ対応して、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３、及び連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３を有するものとした。接合部３０１−１は、８．６［ｍｍ］×５．６８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。接合部３０１−２、３０１−３は、それぞれ６．６［ｍｍ］×７．７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−１は、２０．４４［ｍｍ］×７．７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−２、３０２−３は、それぞれ２０．４４［ｍｍ］×５．８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の矩形状の平面形状については、実施例１で説明したとおりである。
【００５７】
実施例２では、金属部品３００の本体部３０８の材質はアルミニウムとし、導電率は３８００００００［Ｓ／ｍ］、比透磁率は１とした。図７Ｂに示すように、金属部品３００の本体部３０８の表面にはニッケルめっき層である被覆層３０９を８．５［μｍ］の厚さで形成した。また、平均比透磁率については、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３でそれぞれ８０、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３及び支持部３０３でそれぞれ１００とした。
【００５８】
実施例２でも、実施例１と同様、図４に示すように、磁界ノイズ源は、ヘルムホルツコイル５００を模擬したモデルとして、電子部品であるパッケージ２００にほぼ垂直かつ一様に磁界ノイズ５０２が入射する場合を想定した。ヘルムホルツコイル５００のサイズについては、半径を２００ｍｍ、コイルを構成する銅配線の太さを２０ｍｍとした。ヘルムホルツコイル５００には、磁界ノイズ源の周波数として１００ｋＨｚの正弦波電流５０１を１［Ａ］流した。
【００５９】
（実施例３）
上記第２実施形態に関する実施例３として、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率をそれぞれ５０、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３及び支持部３０３の平均比透磁率をそれぞれ１００とした。その他の条件は、実施例２と同一であるため省略する。
【００６０】
（実施例４）
上記第２実施形態に関する実施例４として、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率をそれぞれ１０、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３及び支持部３０３の平均比透磁率をそれぞれ１００とした。ヘルムホルツコイル５００には、磁界ノイズ源の周波数として１００ｋＨｚ、１ＭＨｚ、１ＧＨｚの正弦波電流５０１を１［Ａ］流した。その他の条件は、実施例２と同一であるため省略する。
【００６１】
（比較例２）
上記第２実施形態に関する比較例２として、金属部品３００の各部位の比透磁率を一律１００とした。具体的には、比較例１として、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率をそれぞれ１００、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の平均比透磁率もそれぞれ１００、支持部３０３の平均比透磁率も１００とした。その他の条件は、実施例４と同一であるため省略する。
【００６２】
図８に、実施例２〜４及び比較例２の電磁界シミュレーションの結果を示す。なお、比較例２の結果も、実施例２〜４の結果と同様に、１００ｋＨｚの正弦波電流５０１をヘルムホルツコイル５００に１［Ａ］流した場合の結果を示している。実施例２〜４における回路基板１００の開口部１０１への入射磁束は、比較例２の場合に比べて、減少している。特に、実施例４においては、比透磁率が一律である比較例２に対して１２．２％程度、入射磁束が低減されている。つまり、支持部３０３の平均比透磁率を連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率よりも大きくすることで、固体撮像素子２０１を含むパッケージ２００に入射する磁界ノイズを低減することができ、画像乱れを抑制することができる。
【００６３】
また、実施例２、実施例３、及び実施例４の順に、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率の値を小さくするにつれて、開口部１０１への入射磁束は比例して減少している。
【００６４】
図９に、実施例４及び比較例２の電磁界シミュレーション結果を示す。実施例４における回路基板１００の開口部１０１への入射磁束は、比較例２の場合に比べて減少している。具体的には、周波数１００ｋＨｚでは１２．２％程度、１ＭＨｚでは１７．５％程度、１ＧＨｚでは８．７％程度低減している。つまり、支持部３０３の平均比透磁率を連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率よりも大きくすることで、電子部品が搭載される製品内の磁界ノイズに対して、幅広いノイズ帯にわたって入射磁束を低減することができる。
【００６５】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による電子部品の実装構造について図１０を用いて説明する。なお、上記第１及び第２実施形態による電子部品の実装構造と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。
【００６６】
本実施形態による電子部品の実装構造も、第１実施形態と同様に、例えば、デジタルカメラ等の撮像装置である電子機器に含まれ、電子部品として固体撮像素子のパッケージが実装されたものである。図１０は、本実施形態による電子部品の実装構造を説明する図である。具体的には、図１０Ａは、本実施形態による電子部品の実装構造を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。図１０Ｃは、図１０ＡのＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。
【００６７】
図１０Ａ乃至図１０Ｃに示すように、本実施形態による電子部品の実装構造３０の基本的構造は、第１実施形態による電子部品の実装構造１０と同様である。本実施形態においても、第１実施形態と同様に、回路基板１００上に、固体撮像素子２０１を含むパッケージ２００が実装されている。回路基板１００には、回路基板１００を上面側から下面側に貫通し、回路基板１００の下面側から複数の金属パッド２０２をそれぞれ露出する複数の開口部１０１が形成されている。金属部品３００は、回路基板１００に形成された開口部１０１を介して、パッケージ２００の下面に形成された金属パッド２０２に接続材２０３で接合されている。金属部品３００は、第１実施形態と同様に、接合部３０１と、支持部３０３と、連結部３０２とを有している。
【００６８】
ただし、本実施形態では、金属部品３００は、磁性特性を有しない金属、すなわち非磁性体の金属である例えばステンレスＳＵＳ３０４等により構成される本体部３０８と、本体部３０８の表面に形成された被覆層３０９とを有している。被覆層３０９は、磁性特性を有する金属、すなわち強磁性体の金属である例えばニッケルにより構成されている。ただし、後述するように、金属部品３００の被覆層３０９は、部分的に常磁性状態になっている。被覆層３０９は、具体的には、例えば、本体部３０８の表面全体にめっき法により形成されたニッケルめっき層である。なお、第２実施形態と同様に、金属部品３００の本体部３０８及び被覆層３０９の材料はそれぞれ特に限定されるものではなく、また、被覆層３０９を形成する方法も特に限定されるものではない。
【００６９】
本実施形態では、上記金属部品３００において、接合部３０１の比透磁率が、連結部３０２の比透磁率及び支持部３０３の比透磁率とは異なるように、例えばニッケルめっき層である被覆層３０９が形成されている。具体的には、接合部３０１の比透磁率が、支持部３０３の比透磁率及び連結部３０２の比透磁率よりも小さくなっている。実効的には、金属部品３００の本体部３０８を構成する母材の比透磁率と被覆層３０９の比透磁率との関係から、接合部３０１の平均比透磁率Ｃが、支持部３０３の平均比透磁率Ｂ及び連結部３０２の平均比透磁率Ａよりも小さくなっている。支持部３０３の平均比透磁率Ｂは、第１及び第２実施形態と同様に、連結部３０２の平均比透磁率Ａよりも大きくすることができる。すなわち、本実施形態では、連結部３０２の平均比透磁率Ａ、支持部３０３の平均比透磁率Ｂ及び接合部３０１の平均比透磁率Ｃについて、Ｃ＜Ａ、かつＣ＜Ｂの大小関係が成立し、好ましくは、Ｃ＜Ａ＜Ｂの大小関係が成立することができる。この場合において、支持部３０３の被覆層３０９が強磁性状態であるのに対して、接合部３０１の被覆層３０９は常磁性状態になっている。また、連結部３０２の被覆層３０９は、支持部３０３よりも平均比透磁率が小さい強磁性状態又は接合部３０１よりも平均比透磁率が大きい常磁性状態になっている。なお、金属部品３００の被覆層３０９の磁性状態はこれに限定されるものではない。例えば、支持部３０３、連結部３０２及び接合部３０１の被覆層３０９が強磁性状態であっても、各部の平均比透磁率について上記の大小関係が成立するものであればよい。
【００７０】
金属部品３００の比透磁率を上述のように部分的に異ならせる方法としては、特に限定されるものではない。その方法としては、第１実施形態で説明したように、金属部品３００の単体時での局所的な熱処理や、金属部品３００の接合時における局所加熱により、接合部３０１を、部材のキュリー温度以上に局所的に加熱することが例示される。例えば、金属部品３００の被覆層３０９がニッケルめっき層である場合、ニッケルのキュリー温度である３５４℃又はそれ以上の温度に部分的に熱処理することができる。例えば、接合部３０１及び連結部３０２を部材のキュリー温度以上に局所的に加熱し、その際、接合部３０１を、連結部３０２の加熱温度よりも高温の加熱温度で加熱する。
【００７１】
このように接合部３０１と連結部３０２とで加熱温度の異なる局所的な熱処理により、上述のように平均比透磁率Ａ、Ｂ、ＣについてＣ＜Ａ＜Ｂの大小関係が成立する金属部品３００を得ることができる。
【００７２】
また、第２実施形態で説明したように、被覆層３０９がニッケルめっき層である場合、その層内のリン濃度を調整することで上述のように比透磁率を調整することができる。また、ニッケルめっき層を部分的に２層形成する等の部分めっきにより比透磁率を上述のように調整することもできる。
【００７３】
本実施形態では、第２実施形態と同様に、ニッケルめっき層等による被覆層３０９を有する金属部品３００を用いることで、磁性特性を有しない非磁性体である金属部材を用いても、比透磁率を部分的に異ならせた金属部品３００を容易に作り出すことができる。また、本実施形態によれば、金属部品３００の本体部３０８及び被覆層３０９の材料を適宜選択し又は被覆層３０９の厚さ若しくは層数を適宜選択することにより、平均比透磁率を高い自由度で調整することができる。したがって、本実施形態には、平均比透磁率の制御範囲が広がる利点がある。つまり、例えば、磁界ノイズの強度、周波数、位置が異なっていても、比透磁率を部分的に異ならせた金属部品３００を容易に作製することが可能である。
【００７４】
また、本実施形態では、金属部品３００の接合時の熱を利用したり、例えばめっき工程等の被覆層３０９の形成工程の調整を行ったりすることにより、比透磁率を部分的に異ならせることができる。このため、磁界ノイズ対策シート等の別部材を設ける必要がなく、部分的な貼り付け工程等を削減することができる。したがって、本実施形態では、安価にノイズ対策を行うことが可能である。
【００７５】
このように、本実施形態によれば、電子部品である固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に到達する磁界ノイズの到達量を安価に低減することができる。
【００７６】
なお、本実施形態では、金属部品３００が被覆層３０９を有する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第１実施形態と同様に金属部品３００が被覆層３０９を有しない場合であっても、金属部品３００の接合部３０１、連結部３０２及び支持部３０３の比透磁率について、本実施形態と同様の関係を有するものとすることができる。
【００７７】
すなわち、第１実施形態においても、連結部３０２の平均比透磁率Ａ、支持部３０３の平均比透磁率Ｂ及び接合部３０１の平均比透磁率Ｃについて、Ｃ＜Ａ、かつＣ＜Ｂの大小関係が成立し、好ましくは、Ｃ＜Ａ＜Ｂの大小関係が成立することができる。この場合において、支持部３０３が強磁性状態であるのに対して、接合部３０１は常磁性状態になっている。連結部３０２は、支持部３０３よりも比透磁率が小さい強磁性状態又は接合部３０１よりも平均比透磁率が大きい常磁性状態になっている。なお、この場合も、金属部品３００の磁性状態はこれに限定されるものではない。例えば、支持部３０３、連結部３０２及び接合部３０１が強磁性状態であっても、各部の平均比透磁率について上記の大小関係が成立するものであればよい。
【００７８】
（実施例５）
上記第３実施形態に関する実施例５として、実施例１と同様に、回路基板１００の開口部１０１へ入射する磁束量を低減する効果を検証するために磁界解析を行った。
【００７９】
実施例５による電子部品の実装構造の詳細について説明する。実施例５による電子部品の実装構造の基本的構造は、比透磁率に関する点を除き、図７に示す実施例２による電子部品の実装構造と同様である。
【００８０】
実施例２と同様に、固体撮像素子２０１は、３０．６［ｍｍ］×４１．８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。パッケージ２００は、４０［ｍｍ］×５０．３［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。また、パッケージ２００の内部配線２０４として、厚さ１０［μｍ］のタングステンのプレーンを５層配置した。
【００８１】
回路基板１００は、４９．５［ｍｍ］×７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとして、内部配線１０４として厚さ２０［μｍ］の銅箔を６層配置した。回路基板１００には、一方の長辺側の端部中央に１つの開口部１０１−１を形成し、他方の長辺側の端部に開口部１０１−１と対称に２つの開口部１０１−２、１０１−３を形成した。開口部１０１−１は、１０［ｍｍ］×１０．４５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。開口部１０１−２、１０１−３は、それぞれ９．８［ｍｍ］×６．６５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。
【００８２】
金属部品３００の本体部３０８の厚さは、１．６［ｍｍ］とした。金属部品３００は、回路基板１００の開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３にそれぞれ対応して、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３、及び連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３を有するものとした。接合部３０１−１は、８．６［ｍｍ］×５．６８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。接合部３０１−２、３０１−３は、それぞれ６．６［ｍｍ］×７．７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−１は、２０．４４［ｍｍ］×７．７５［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−２、３０２−３は、それぞれ２０．４４［ｍｍ］×５．８［ｍｍ］の矩形状の平面形状を有するものとした。連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の矩形状の平面形状については、実施例１で説明したとおりである。
【００８３】
実施例５では、実施例２とは異なり、金属部品３００の本体部３０８の材質はステンレスであるＳＵＳ３０４とし、導電率は１３８８８８８９［Ｓ／ｍ］とした。金属部品３００の表面には、ニッケルめっき層である被覆層３０９を８．５［μｍ］の厚さで形成した。また、平均比透磁率については、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３でそれぞれ１００、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３でそれぞれ６００、支持部３０３で６００とした。
【００８４】
実施例５でも、実施例１と同様、図４に示すように、磁界ノイズ源は、ヘルムホルツコイル５００を模擬したモデルとして、電子部品であるパッケージ２００にほぼ垂直かつ一様に磁界ノイズ５０２が入射する場合を想定した。ヘルムホルツコイル５００のサイズについては、半径を２００ｍｍ、コイルを構成する銅配線の太さを２０ｍｍとした。ヘルムホルツコイル５００には、磁界ノイズ源の周波数として１００ｋＨｚの正弦波電流５０１を１［Ａ］流した。
【００８５】
（実施例６）
上記第３実施形態に関する実施例６として、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の平均比透磁率をそれぞれ１００、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率をそれぞれ４００、支持部３０３の平均比透磁率を６００とした。その他の条件は、実施例５と同一であるため省略する。
【００８６】
（比較例３）
上記第３実施形態に関する比較例３として、金属部品３００の各部位の比透磁率を一律６００とした。具体的には、比較例３として、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率をそれぞれ６００、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の平均比透磁率もそれぞれ６００、支持部３０３の平均比透磁率も６００とした。その他の条件は、実施例５と同一であるため省略する。
【００８７】
図１１に、実施例５、実施例６及び比較例３の電磁界シミュレーションの結果を示す。実施例５及び実施例６における回路基板１００の開口部１０１への入射磁束は、比透磁率が金属部品３００内で一様である比較例３に比べて、それぞれ、２８．１％程度、３１．９％程度減少している。
【００８８】
実施例５及び実施例６では、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の平均比透磁率が、支持部３０３の平均比透磁率及び連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率よりも小さくなっている。これにより、磁界ノイズ５０２は、磁気抵抗の小さくなる比透磁率の高い開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３とは離れた金属部品３００の部位に収束していく。つまり、開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３の近傍に到達する磁界ノイズ量は減少して、開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３への入射する磁界ノイズの入射量も減少する。これにより、固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に到達する磁界ノイズの到達量を低減することができる。
【００８９】
（実施例７）
上記第３実施形態に関する実施例７として、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の平均比透磁率をそれぞれ１００、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率を４００、支持部３０３の平均比透磁率を６００とした。その際、金属部品３００の表面のニッケルめっき層である被覆層３０９については、接合部３０１、３０１−２、３０１−３では５．０［μｍ］、連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３及び支持部３０３では１５．０［μｍ］の厚さで形成した。その他の条件は、実施例５及び実施例６と同一であるため省略する。
【００９０】
図１２に、実施例６及び実施例７の電磁界シミュレーションの結果を示す。実施例７における回路基板１００の開口部１０１への入射磁束は、比透磁率の分布は同一であるが、ニッケルめっき層である被覆層３０９の厚さが一様である実施例６に比べて、１１．３％程度減少している。
【００９１】
実施例７では、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の平均比透磁率が、支持部３０３の平均比透磁率、及び連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の平均比透磁率よりも小さくなっている。さらに、実施例７では、支持部３０３及び連結部３０２−１、３０２−２、３０２−３の被覆層３０９の厚さよりも、接合部３０１−１、３０１−２、３０１−３の被覆層３０９の厚さが薄くなっている。磁界ノイズ５０２は、磁気抵抗の小さくなる比透磁率の高い開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３とは離れた、金属部品３００の被覆層３０９の厚い部位に収束していく。つまり、開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３の近傍に到達する磁界ノイズの到達量は減少して、開口部１０１−１、１０１−２、１０１−３へ入射する磁界ノイズの入射量も減少する。これにより、固体撮像素子２０１及びパッケージ２００に到達する磁界ノイズの到達量を低減することができる。
【００９２】
［変形実施形態］
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、電子部品として固体撮像素子２０１が実装される場合を例に説明したが、実装される電子部品は固体撮像素子２０１に限定されるものではなく、種々の電子部品を実装することができる。
【００９３】
また、上記実施形態では、固体撮像素子２０１をパッケージ２００に収容して実装する場合を例に説明したが、電子部品を実装する方法はこれに限定されるものではない。例えば、電子部品は、ベアチップ実装により実装することもできる。
【００９４】
また、上記実施形態では、電子部品の実装構造が、デジタルカメラ等の撮像装置である電子機器に含まれるものである場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。電子機器の実装構造は、撮像装置のほか、種々の電子機器に含まれうる。
【符号の説明】
【００９５】
１００…回路基板
１０１…開口部
２００…パッケージ
２０１…固体撮像素子
３００…金属部品
３０１…接合部
３０２…連結部
３０３…支持部
３０８…本体部
３０９…被覆層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２】
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