(57)【要約】【課題】残存液体に起因する欠陥を、リソグラフィ装置のスループットに悪影響なく低減する。【解決手段】リソグラフィ装置は、基板テーブル、露光後ハンドリングモジュール、基板ハンドリングロボット、及び乾燥ステーションを備える。基板テーブルは、露光プロセスのために基板を支持するよう構成されている。露光後ハンドリングモジュールは、露光後に基板をハンドリングするためにある。基板ハンドリングロボットは、基板を基板テーブルから基板アンロード経路に沿って露光後ハンドリングモジュールへと搬送するよう構成されている。乾燥ステーションは、基板の表面から液体を能動的に除去するよう構成されている。乾燥ステーションは、基板アンロード経路に配置されている。乾燥ステーションは、露光後ハンドリングモジュールに配置されている。露光後ハンドリングモジュールは、ウェーハハンドラであってもよい。【選択図】図８
2018032047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを形成するよう液体を介して放射ビームで基板が露光される露光プロセスのために基板を支持するよう構成された基板テーブルと、
露光後に基板をハンドリングするための露光後ハンドリングモジュールと、
基板を前記基板テーブルから基板アンロード経路に沿って前記露光後ハンドリングモジュールへと搬送するよう構成された基板ハンドリングロボットと、
基板の表面から液体を能動的に除去するよう構成された乾燥ステーションと、を備え、
前記乾燥ステーションは、前記基板アンロード経路に沿う搬送中に基板が前記乾燥ステーションを完全に通過するように前記基板アンロード経路及び前記露光後ハンドリングモジュールに配置されているリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記基板アンロード経路は、前記基板アンロード経路に沿う前記基板ハンドリングロボットの直線移動が、前記乾燥ステーションが基板の表面から液体を能動的に除去するように基板に前記乾燥ステーションを通過させることになるように、実質的に直線である請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記基板ハンドリングロボットは、位置決め部と、前記位置決め部と連結しているホルダと、を備え、前記ホルダは、基板を保持するよう構成され、前記位置決め部は、前記ホルダが前記基板テーブル上の基板を保持するロボットアンロード位置と、前記ホルダが前記露光後ハンドリングモジュール内に基板を保持するロボットハンドリング位置との間を移動するよう構成されている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記乾燥ステーションは、前記基板アンロード経路において前記ロボットアンロード位置の上流に配置されている請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記露光後ハンドリングモジュールは、基板ハンドラであり、及び／または、前記露光後ハンドリングモジュールは、前記基板ハンドリングロボットに関連したパラメータを計測するよう構成された少なくとも１つの基板ハンドラセンサを備え、前記少なくとも１つの基板ハンドラセンサが前記基板アンロード経路に配置され、前記乾燥ステーションは、前記少なくとも１つの基板ハンドラセンサの近傍に配置されている請求項１から４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記露光後ハンドリングモジュールは、前記基板ハンドリングロボットに関連したパラメータを計測するよう構成された少なくとも１つの基板ハンドラセンサを備え、前記少なくとも１つの基板ハンドラセンサは、前記基板アンロード経路に配置されたセンサフレームに取り付けられ、前記乾燥ステーションは、ロボットアンロード位置と前記センサフレームの間に配置されている請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記パラメータは、前記基板ハンドリングロボットのホルダの位置及び前記基板ハンドリングロボットの前記ホルダの傾きのうち一つである請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記乾燥ステーションは、基板の表面から液体を能動的に除去するよう構成された乾燥ステーションアーム及び基板の表面に平行な回転平面を通って前記乾燥ステーションアームを回転させるよう構成された回転機の形をとる請求項１から７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
基板を回転させるよう構成された基板ターンテーブルを備え、前記乾燥ステーションは、基板が前記基板ターンテーブルで回転するとき乾燥ステーションアームが基板の表面から液体を能動的に除去するよう構成されるように前記基板ターンテーブルの半径にわたり延在する乾燥ステーションアームの形をとる請求項１から８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記乾燥ステーションは、前記基板テーブルから基板がアンロードされる基板アンロード位置の近傍に配置されている請求項１から９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記リソグラフィ装置は、前記露光後ハンドリングモジュールと連結している露光モジュールを備え、前記基板テーブルは、前記露光モジュール内にあり、前記乾燥ステーションは、前記露光モジュールと前記露光後ハンドリングモジュールとの連結部の近傍に配置されている請求項１から１０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記乾燥ステーションは、前記露光モジュールと前記露光後ハンドリングモジュールとの前記連結部から間隔をあけている請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記乾燥ステーションは、前記乾燥ステーションが基板の表面から液体を能動的に除去する乾燥位置と、非乾燥位置との間を基板に対し上下に前記乾燥ステーションに移動させるよう構成された乾燥ステーションアクチュエータを備える請求項１から１２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記基板ハンドリングロボットは、前記基板アンロード経路を通る基板の速度を基板が前記乾燥ステーションを通過するとき低減させるよう構成されている請求項１から１３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記乾燥ステーションは、ガスナイフ、ウォーターバス、及び液体の連続流れのうち１つ又は複数を備える請求項１から１４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１４年６月１６日に出願された欧州出願第１４１７２６２６．５号、２０１４年７月２５日に出願された欧州出願第１４１７８５５４．３号、及び２０１４年１２月１８日に出願された欧州出願第１４１９８７７９．２号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、リソグラフィ装置、基板を搬送する方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。
【０００４】
液浸リソグラフィにおいては、液体例えば水が、露光プロセス後の基板上のレジストに残されうる。液体は、レジストを劣化させる原因となりうる。レジストの劣化は、液体が残存した場所に欠陥をもたらしうる。
【０００５】
望まれるのは、残存液体に起因する欠陥を、リソグラフィ装置のスループットに悪影響なく低減することである。
【発明の概要】
【０００６】
本発明のある態様によると、パターンを形成するよう液体を介して放射ビームで基板が露光される露光プロセスのために基板を支持するよう構成された基板テーブルと、露光後に基板をハンドリングするための露光後ハンドリングモジュールと、基板を前記基板テーブルから基板アンロード経路に沿って前記露光後ハンドリングモジュールへと搬送するよう構成された基板ハンドリングロボットと、基板の表面から液体を能動的に除去するよう構成された乾燥ステーションと、を備え、前記乾燥ステーションは、前記基板アンロード経路に沿う搬送中に基板が前記乾燥ステーションを完全に通過するように前記基板アンロード経路及び前記露光後ハンドリングモジュールに配置されているリソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
本発明のある態様によると、リソグラフィ装置において基板を搬送する方法であって、パターンを形成するよう液体を介して放射ビームで基板が露光される露光プロセスのために基板を基板テーブルに支持することと、露光後に基板をハンドリングするための露光後ハンドリングモジュールへと基板を前記基板テーブルから基板アンロード経路に沿って搬送することと、乾燥ステーションによって基板の表面から液体を能動的に除去することと、を備え、能動的な液体の除去が、前記基板アンロード経路に沿う搬送中に基板が前記乾燥ステーションを完全に通過するようにして前記基板アンロード経路及び前記露光後ハンドリングモジュールにおいて行われる方法が提供される。
【０００８】
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【００１０】
【図２】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【００１１】
【図３】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【００１２】
【図４】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【図５】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【００１３】
【図６】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。
【図７】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。
【図８】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。
【００１４】
【図９】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【図１０】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【図１１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【図１２】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【図１３】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【図１４】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。
【００１５】
【図１５】本発明のある実施の形態に係る乾燥ステーションを示す。
【図１６】本発明のある実施の形態に係る乾燥ステーションを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００を概略的に示す。リソグラフィ装置１００は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、または、他の適する放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１位置決め装置ＰＭに接続されているマスク支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、を含む。またリソグラフィ装置１００は、基板（例えば、レジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴを含む。リソグラフィ装置１００は、さらに、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳを含む。
【００１７】
照明システムＩＬは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００１８】
マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持する（すなわち、パターニングデバイスの重量を支える）。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置１００の設計、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。マスク支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いることができる。マスク支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされうる。
【００１９】
本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗの目標部分Ｃにパターンを形成すべく放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用可能ないかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、放射ビームＢに付与されるパターンが基板Ｗの目標部分Ｃに所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよいことに留意すべきである。アシストフィーチャは、パターニングされるべき孤立及び／または半孤立のデザインフィーチャを、あたかも実際よりも密であるかのようにすることができるようにパターニングデバイスＭＡに配置されうる。一般には、放射ビームＢに付与されるパターンは、目標部分Ｃに形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００２０】
パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野で周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００２１】
本書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に関して又は液浸液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムＰＳをも包含するよう広く解釈されるべきであり、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む。本書における「投影レンズ」との用語の使用はいかなる場合も、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされうる。
【００２２】
照明システムＩＬは、放射ビームＢの角強度分布を調整するよう構成されたアジャスタＡＤを含んでもよい。一般には、照明システムＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ-outer）」、「シグマ−インナ（σ-inner）」と呼ばれる）を調整することができる。加えて照明システムＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＮ等その他の各種構成要素を含んでもよい。照明システムＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調整するために使用されてもよい。照明システムＩＬは、リソグラフィ装置１００の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、照明システムＩＬは、リソグラフィ装置１００に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置１００とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置１００は照明システムＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。照明システムＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、または他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。
【００２３】
図示されるように、リソグラフィ装置１００は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。これに代えて、リソグラフィ装置１００は、（例えば、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ、または反射型マスクを用いる）反射型であってもよい。
【００２４】
リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）又はそれより多くの基板テーブルＷＴ（及び／または２つ以上のマスク支持構造ＭＴ、例えばマスクテーブル）を有する形式のものであってもよい。このような多重ステージ型のリソグラフィ装置１００においては、追加された基板テーブルＷＴ及び／またはマスク支持構造ＭＴは並行して使用されるか、あるいは１以上の基板テーブルＷＴ及び／またはマスク支持構造ＭＴが露光のために使用されている間に１以上の他の基板テーブルＷＴ及び／またはマスク支持構造ＭＴで準備工程が実行されてもよい。
【００２５】
パターニングデバイスＭＡは、マスク支持構造ＭＴに保持される。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡに入射する。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡによりパターン形成される。パターニングデバイスＭＡからの反射後に放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第１位置決め装置ＰＭと第１位置センサ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）は、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。第１位置センサは図１には明示されていない。第２位置決め装置ＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）により、例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。
【００２６】
一般にマスク支持構造ＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現されうる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されうる。ステッパでは（スキャナとは異なり）、マスク支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２を用いてアライメントされてもよい。基板Ｗは、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークＰ１、Ｐ２が専用の目標部分Ｃを占拠しているが、それらは目標部分Ｃ間の配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはマスクアライメントマークＭ１、Ｍ２がダイ間に配置されてもよい。
【００２７】
液浸技術は投影システムＰＳの開口数ＮＡを増大させるために使用することができる。図１に示されるように、ある実施の形態ではリソグラフィ装置１００は、基板Ｗの少なくとも一部が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすよう覆われうる形式のものであってもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間などのリソグラフィ装置１００の他の空間に適用されてもよい。本書で使用される「液浸」との用語は、基板Ｗ等の構造体が液体に浸されなければならないことを意味するのではなく、液体が投影システムＰＳと基板Ｗとの間に露光中に配置されることを意味するにすぎない。
【００２８】
図１を参照すると、イルミネータＩＬはソースモジュールＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、ソースモジュールＳＯとリソグラフィ装置１００とは別体であってもよい。この場合、ソースモジュールＳＯはリソグラフィ装置１００の一部を構成しているとはみなされなく、放射は、ビーム搬送系ＢＤを介してソースモジュールＳＯから照明システムＩＬへと受け渡される。ある実施の形態においては、ビーム搬送系ＢＤは例えば、適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。あるいはソースモジュールＳＯが例えば水銀ランプである場合には、ソースモジュールＳＯはリソグラフィ装置１００に一体に構成されていてもよい。ソースモジュールＳＯと照明システムＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。
【００２９】
投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間に液体を提供する構成は３種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。浴槽型の構成においては基板Ｗの実質的に全体と任意的に基板テーブルＷＴの一部とが液槽に浸される。
【００３０】
図１に示されるように液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗ、基板テーブルＷＴまたはこれら両者との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造ＩＨが設けられている。こうした構成を図２に示す。図２に示され後述される構成は、図１に示す上述のリソグラフィ装置に適用されうる。
【００３１】
図２は、液体閉じ込め構造ＩＨを有する局所液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを模式的に示す。液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルＷＴの表面にも言及するものと留意されたい）。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面との間にシールが形成される。このシールはガスシール１６（ガスシールを持つこうしたシステムは欧州特許出願公開第１，４２０，２９８号に開示されている）のような非接触シールまたは液体シールであってもよい。
【００３２】
液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１において少なくとも部分的に液体を収容する。空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む液体閉じ込め構造ＩＨにより形成される。液体が、投影システムＰＳ下方かつ液体閉じ込め構造ＩＨ内部の空間１１に、液体入口／出口１３によって供給される。液体は液体入口／出口１３によって除去されてもよい。ある実施の形態においては、スキャン方向に依存して２つの液体入口／出口１３のうち一方が液体を供給するとともに他方の液体入口／出口１３が液体を除去する。
【００３３】
液体は、ガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。使用時にはガスシール１６が液体閉じ込め構造ＩＨの底部と基板Ｗの表面との間に形成される。ガスシール１６における気体は、圧力の作用で入口１５を介して液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４を介して抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４での真空レベル、及び当該隙間の幾何形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れが存在するように構成される。液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。こうしたシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示され、その全体が本明細書に援用される。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨは、ガスシールを有しない。
【００３４】
局所領域液体供給システムにおいては、基板Ｗが投影システムＰＳと液体供給システムの下を移動する。基板Ｗの端部に結像がなされようとするとき、基板Ｗ（または他の物体）の端部が、空間１１の下を通過することになる。基板テーブルＷＴ上（または計測テーブル上）のセンサに結像がなされようとするとき、基板Ｗ（または他の物体）の端部が、空間１１の下を通過することになる。ダミー基板またはいわゆるクロージングプレートが、例えば基板交換を行うことを可能とするために、液体供給システムの下に位置決めされてもよい。ダミー基板またはいわゆるクロージングプレートを液体供給システムの下に位置決めするように基板テーブルＷＴが移動されようとするとき、基板Ｗ（または他の物体）の端部が、空間１１の下を通過することになる。液体が基板Ｗと基板テーブルＷＴとの隙間へと漏出しうる。この液体は、静的または動的な流体圧、または、ガスナイフまたはその他の気体流れ生成装置の力の作用で、強制的に入り込みうる。
【００３５】
図３は、ある実施の形態に係る更なる液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを示す部分側断面図である。図３に示され後述される構成は、図１に示される上述のリソグラフィ装置１００に適用されうる。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造ＩＨが設けられている（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルＷＴの表面にも言及するものと留意されたい）。
【００３６】
液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１において少なくとも部分的に液体を収容する。空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む液体閉じ込め構造ＩＨにより形成される。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨは、本体部材５３と多孔質部材８３とを備える。多孔質部材８３は、プレート形状であり、複数の穴（すなわち開口または細孔）を有する。ある実施の形態においては、多孔質部材８３は、多数の小穴８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。こうしたシステムは、米国特許出願公開第２０１０／００４５９４９号に開示され、その全体が本明細書に援用される。
【００３７】
本体部材５３は、空間１１への液体の供給を可能とする複数の供給ポート７２と、空間１１からの液体の回収を可能とする回収ポート７３と、を備える。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続されている。液体供給装置７５は、供給ポート７２への液体の供給を可能とする。液体供給装置７５から送出される液体は、供給ポート７２の各々へと、対応する通路７４を通じて供給される。供給ポート７２は、光路の近傍において光路に面する本体部材５３の所定位置に配置されている。回収ポート７３は、空間１１から液体を回収することを可能とする。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続されている。液体回収装置８０は、真空システムを備え、回収ポート７３を介して吸引することによって液体を回収することを可能とする。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介し通路７９を通じて回収された液体ＬＱを回収する。多孔質部材８３は、回収ポート７３に配置されている。
【００３８】
ある実施の形態においては、液体をもつ空間１１を、投影システムＰＳと片側の液体閉じ込め構造ＩＨと他方側の基板Ｗとの間に形成するために、液体が供給ポート７２から空間１１に供給され、液体閉じ込め構造ＩＨ内の回収チャンバ８１における圧力が、多孔質部材８３の穴８４（すなわち回収ポート７３）を介して液体を回収するよう負圧に調整されている。供給ポート７２を用いた液体供給動作と多孔質部材８３を用いた液体回収動作を実行することによって、投影システムＰＳと片側の液体閉じ込め構造ＩＨと他方側の基板Ｗとの間に空間１１が形成される。
【００３９】
リソグラフィ装置１００を使用する際には、基板Ｗに種々のリソグラフィ工程及びプロセス工程が行われる。基板Ｗは例えば湿式化学処理によって清掃されてもよい。基板Ｗは基板Ｗの表面に存在しうる水分を消散させるのに十分な温度に加熱されてもよい。基板Ｗはレジスト（例えばフォトレジスト）の層で覆われてもよい。基板Ｗは余分なフォトレジスト溶剤を消散させるようプリベークされてもよい。そして基板Ｗは、放射ビームＢにおけるパターンが基板Ｗに転写されるよう露光される。その後基板Ｗには現像、エッチング、及びレジスト除去が行われてもよい。これらの工程は基板Ｗに更なる層を設けるために繰り返されてもよい。
【００４０】
図１に示されるように、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、基板テーブルＷＴを備える。基板テーブルＷＴは、露光プロセスのために基板Ｗを支持するよう構成されている。露光プロセスにおいては、基板Ｗは、基板Ｗ上にパターンを形成するよう液体（すなわち液浸液）を介して放射ビームＢで露光される。ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００において基板Ｗを搬送する方法が提供される。この方法は、露光プロセスのために基板テーブルＷＴに基板Ｗを支持することを備える。露光プロセスにおいては、放射ビームＢにおけるパターンが基板Ｗに転写される。
【００４１】
いくらかの液体例えば水が露光プロセス後に基板Ｗ上のレジストに取り残される。液体はレジストを劣化させる原因となりうる。レジストの劣化は液体の残存した場所に欠陥をもたらしうる。各基板Ｗには多数の層が形成されうる。１つの層に欠陥が生じる確率がたとえ低かったとしても、層が多数であれば、欠陥が生じる合計の確率は顕著となりうる。
【００４２】
ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、露光後ハンドリングモジュール９４を備える（図６に示す）。露光後ハンドリングモジュールは、露光後に基板Ｗをハンドリングするためにある。露光プロセス後に基板Ｗは露光後ハンドリングモジュール９４によってハンドリングされる。例えば、ある実施の形態においては、露光後ハンドリングモジュール９４は、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１（ウェーハハンドラセンサとも呼ばれる）を備える。少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、基板ハンドリングロボット４１に関連したパラメータ（例えば、ホルダ４３の位置、ホルダ４３の傾き）を計測するよう構成されている。ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、センサフレームＳＦ（図１に示す）に搭載されている。センサフレームＳＦは、メトロロジフレームと呼ばれてもよい。代替的に、ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、リソグラフィ装置１００のベースフレームＢＦ（図１に示す）に搭載されている。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨは、センサフレームＳＦに取り付けられている。ある実施の形態においては、投影システムＰＳは、センサフレームＳＦに取り付けられている。ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴは、ベースフレームＢＦに取り付けられている。ある実施の形態においては、センサフレームＳＦは、ベースフレームＢＦから力学的に絶縁されている。ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、基板交換中に基板ハンドリングロボット４１のホルダ４３の位置及び傾きが固定された公差内にあるか否かを調べるために使用される。
【００４３】
ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、１つ又は複数（例えば２つ）の光学センサを備える。光学センサは、Ｙ軸まわりのホルダ４３の傾きを計測するよう構成されている。ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、１つ又は複数（例えば３つ）の他のセンサを備える。ある実施の形態においては、この少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１の他のセンサは、静電容量式である。この少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１の他のセンサは、ＸＹ平面におけるホルダ４３の位置を計測するよう構成されている。
【００４４】
ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、２つの基板ハンドリングロボット４１を備える。ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、各基板ハンドリングロボット４１に関連付けられた２つの基板ハンドラセンサ５１を備える。各基板ハンドリングロボット４１は、関連する一組の基板ハンドラセンサ５１を有する。
【００４５】
図４は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００の一部を模式的に示す。ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、基板ハンドリングロボット４１を備える。基板ハンドリングロボット４１は、基板Ｗを基板テーブルＷＴから基板アンロード経路に沿って露光後ハンドリングモジュール９４へと搬送するよう構成されている。ある実施の形態においては、基板Ｗを搬送する方法は、基板Ｗを基板テーブルＷＴから基板アンロード経路に沿って、露光後に基板Ｗをハンドリングするための露光後ハンドリングモジュール９４へと搬送することを備える。
【００４６】
図４に示されるように、ある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１は、ロボットアーム４２（または基板ハンドリングアーム）を備える。ある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１は、位置決め部４４（図６に示す）と、ホルダ４３とを備える。位置決め部４４は、ホルダ４３と連結している。例えば、位置決め部４４は、ロボットアーム４２を介してホルダ４３と連結していてもよい。ある実施の形態においては、ロボットアーム４２は、位置決め部４４のアクチュエータによって駆動され、基板Ｗを基板テーブルＷＴと露光後ハンドリングモジュール９４内のアンロードドックとの間で搬送するために使用される。
【００４７】
ある実施の形態においては、ホルダ４３は、実質的に水平な平面において間隔を空けて配置された一組の突起を備える。ある実施の形態においては、各突起の上面またはその一部には、レーザー焼結により形成されたバールを有する領域が設けられていてもよい。バールを用いることにより、真空及び静電固定技術を用いることが可能となり、基板Ｗを変形させる粒子状物質が防止される。
【００４８】
ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、乾燥ステーション９０を備える。乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６から液体を能動的に除去するよう構成されている。例えば、液浸液の滴５０が基板Ｗの表面４６に存在しうる。乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６から滴５０を能動的に除去するよう構成されている。乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６から液膜を能動的に除去するよう構成されている。
【００４９】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板アンロード経路に配置されている。とくに、乾燥ステーション９０は、基板アンロード経路に沿う搬送中に基板Ｗが乾燥ステーション９０を完全に通過するように、基板アンロード経路に配置されている。基板Ｗを基板アンロード経路において乾燥することができる。本発明のある実施の形態は、基板テーブルＷＴと露光後ハンドリングモジュール９４との間の基板アンロード経路から基板Ｗを逸脱させることなく基板Ｗの乾燥を達成するものと期待される。
【００５０】
基板アンロード経路に沿う搬送中に基板Ｗが乾燥ステーション９０を完全に通過できることによって、乾燥を行うために提供される特定の場所（例えば保持テーブル）が不要である。基板Ｗが乾燥ステーション９０を完全に通過できるということが意味するのは、基板アンロード経路には乾燥ステーション９０を越えたところに基板Ｗに適合する十分なスペースがあるということである。これは、基板Ｗの一部が乾燥ステーション９０の下を通過してから基板Ｗと乾燥ステーション９０との相対移動（例えば基板Ｗの回転）を伴って基板Ｗの表面４６を乾燥させることができるのとは異なる。そうではなく、基板Ｗが乾燥ステーション９０を完全に通過し、それにより、基板アンロード経路に沿って搬送されている基板Ｗの針路のなかで基板Ｗを乾燥することができる。
【００５１】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、露光後ハンドリングモジュール９４に配置されている。基板アンロード経路は、基板テーブルＷＴの端部から露光後ハンドリングモジュール９４の内部の場所へと延びている。基板アンロード経路の一部は、露光後ハンドリングモジュール９４の内部にある。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、露光後ハンドリングモジュール９４の内部にある基板アンロード経路の部分に配置されている。能動的な液体の除去は、基板アンロード経路において、かつ露光後ハンドリングモジュール９４において行われる。
【００５２】
ある実施の形態においては、露光後ハンドリングモジュール９４は、基板ハンドラ（ウェーハハンドラとも呼ばれる）である。乾燥ステーション９０の形式はとくに限定されない。乾燥ステーション９０を基板ハンドラに配置したことによって、本発明のある実施の形態は、露光される基板Ｗの改善されたスループットを達成するものと期待される。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、例えば基板ハンドラに配置されることによって、スループットを維持するように構成されている。
【００５３】
乾燥ステーション９０は、ウェーハドライヤーとも呼ばれる。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ（例えばウェーハテーブル）から出る場所の近傍にある基板ハンドラにある。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴから出る場所の近傍にある基板ハンドラのちょうど内側にある。
【００５４】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、ガスナイフ９１、ウォーターバス、及び液体の連続流れのうち１つ又は複数を備える。図４は、ガスナイフ９１を備える乾燥ステーション９０を示す。
【００５５】
図５は、液体の連続流れ（ウォーターラインとも呼ばれる）を備える乾燥ステーション９０を示す。図５に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、流れ供給開口部９２と流れ抽出開口部９３とを備える。流れ供給開口部９２は、乾燥ステーション９０と基板Ｗの表面４６との間の空間に液体例えば水の流れを供給するよう構成されている。流れ抽出開口部９３は、乾燥ステーション９０と基板Ｗの表面４６との間の空間から液体例えば水を抽出するよう構成されている。
【００５６】
流れ供給開口部９２及び流れ抽出開口部９３は、乾燥ステーション９０と基板Ｗの表面４６との間の空間に液体の連続流れを提供するよう構成されている。液体の連続流れは、ウォーターラインまたはウォーターバスとも呼ばれる。基板Ｗの表面４６と接触する液体の流れは、滴５０より大きい。液体流れが滴５０と接触するとき、滴５０は液体流れの一部となる。表面張力によって滴５０は基板Ｗの表面４６から能動的に除去される。
【００５７】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６から液体のみを抽出する液体抽出器（単相抽出器とも呼ばれる）を備える。あるいは、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６から液体と気体の両方を抽出する二相抽出器を備える。
【００５８】
乾燥ステーション９０が液槽を備える場合、液槽は、上述の液体閉じ込め構造ＩＨの構成と同様の構成により設けられてもよい。使用時に液体（例えば水）が、基板Ｗと乾燥ステーション９０の液体抽出器との隙間を水で満たすようにして、基板Ｗに供給される。基板Ｗと液体抽出器との隙間が常に水で満たされることを保証するために乾燥プロセスの間水は継続して提供される。隙間を満たす水はウォーターバスとも呼ばれる。基板から除去されるべき液体と、乾燥ステーション９０によって供給される水とが１つの液体のかたまり（すなわちウォーターバス）となる。液体抽出器は、基板Ｗと乾燥ステーション９０との隙間から水を抽出する。ウォーターバスは、それ自身では基板Ｗと液体抽出器との隙間に相当するほどではない厚さをもつ液体を液体抽出器が抽出することを可能にする。ウォーターバスを用いることは、たとえ基板Ｗの表面４６から除去されるべき液体の厚さが液体抽出器に届くほど高くなかったとしても基板Ｗと液体抽出器との隙間が満たされることを保証するのに役立つ。
【００５９】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６から液体を除去するガスナイフを備える。
【００６０】
ある実施の形態においては、乾燥ステーションは、基板Ｗの表面４６を加熱するよう構成されたヒータを備える。基板Ｗの表面４６上の液体は、加熱され基板Ｗの表面４６から蒸発する。
【００６１】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、乾燥ステーションアームと回転機の形をとる。乾燥ステーションアームは、基板Ｗの表面４６から液体を能動的に除去するよう構成されている。回転機は、基板Ｗの表面４６に平行な回転平面を通って乾燥ステーションアームを回転させるよう構成されている。乾燥ステーションアーム及び回転機は図１１及び図１３に示されており、更なる詳細は後述される。
【００６２】
ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、図１１に示されるように、基板Ｗを回転させるよう構成された基板ターンテーブル１２０を備える。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗが基板ターンテーブル１２０で回転するとき乾燥ステーションアームが基板Ｗの表面４６から液体を能動的に除去するよう構成されるように、基板ターンテーブル１２０の半径にわたり延在する乾燥ステーションアームの形をとる。
【００６３】
ある実施の形態においては、基板アンロード経路は、実質的に直線である。基板アンロード経路を実質的に直線とすることによって、基板アンロード経路に沿う基板ハンドリングロボット４１の直線移動が基板Ｗの乾燥ステーション９０の通過をもたらす。乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面から液体を能動的に除去する。基板Ｗは、基板テーブルＷＴから基板ハンドリングモジュール９４へと直接移動することができる。この直接移動の間に基板Ｗを乾燥することができる。基板Ｗを乾燥ステーション９０に、または乾燥ステーション９０から移動するのに時間が浪費されない。基板Ｗが基板アンロード経路に沿って直線で搬送されるときに、乾燥ステーション９０が基板Ｗの表面４６から液体を能動的に除去するように基板Ｗが乾燥ステーション９０を通過する。本発明のある実施の形態は、向上されたスループットを達成するものと期待される。
【００６４】
しかし、基板アンロード経路が実質的に直線であることは、必須ではない。ある実施の形態においては、基板アンロード経路は、曲がっていてもよい。基板アンロード経路が曲がっていることによって、リソグラフィ装置１００内の他の構成要素のレイアウトへの制限が少なくなる。
【００６５】
上述するとともに図６に示すように、ある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１は、位置決め部４４と、位置決め部４４と連結しているホルダ４３とを備える。ホルダ４３は、基板Ｗを保持するよう構成されている。ある実施の形態においては、ホルダ４３は、基板Ｗを把持するよう構成されたグリッパを備える。例えば、グリッパは、基板Ｗの端部を把持してもよい。ある代替的な実施の形態においては、ホルダ４３は、基板Ｗを固定するクランプを備える。例えば、クランプは、下側から基板Ｗを固定してもよい。クランプは、真空パッドを備えてもよいし、または、静電クランプであってもよい。位置決め部４４は、基板ハンドリングロボット４１の手関節とも呼ばれる。位置決め部４４は、ロボットアンロード位置とロボットハンドリング位置とを移動するよう構成されている。ロボットアンロード位置においてホルダ４３は基板テーブルＷＴ上の基板Ｗを保持する。ロボットハンドリング位置においてホルダ４３は露光後ハンドリングモジュール９４内に基板Ｗを保持する。図４及び図５においては、位置決め部４４（図４及び図５には図示せず）は、ロボットアンロード位置とロボットハンドリング位置との間の場所にある。
【００６６】
基板Ｗの露光後には、位置決め部４４はロボットアンロード位置にあり、ホルダ４３は基板Ｗを保持する。基板Ｗは、基板テーブルＷＴから取り外される。位置決め部４４は、ロボットアンロード位置からロボットハンドリング位置へと移動する。ある実施の形態においては、位置決め部４４は、基板アンロード経路に沿って移動する。ある実施の形態においては、ロボットハンドリング位置は、露光後ハンドリングモジュール９４の内部にある。
【００６７】
基板テーブルＷＴの端部は、基板アンロード経路の上流端にある。基板アンロード経路の下流端は、露光後ハンドリングモジュール９４の内部にある。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板アンロード経路においてロボットアンロード位置の上流に配置されている。位置決め部４４は、乾燥ステーション９０を通って移動しない。位置決め部４４が基板テーブルＷＴに向かって移動するとき、位置決め部４４は乾燥ステーション９０に到達しない。位置決め部４４が乾燥ステーション９０に到達しないことによって、乾燥ステーション９０は、位置決め部４４の移動範囲の外側にある。乾燥ステーション９０は、基板ハンドリングロボット４１の位置決め部４４の移動を妨げない。
【００６８】
ある実施の形態においては、基板Ｗは、基板ハンドリングロボット４１によって実質的に水平に移動する。ある実施の形態においては、ホルダ４３は、基板Ｗが搬送されているとき基板Ｗの下にある。ある実施の形態においては、位置決め部４４のｚ方向高さは、ホルダ４３のｚ方向高さより高い。ある実施の形態においては、位置決め部４４の頂部は、基板Ｗの表面４６より高い。ある実施の形態においては、位置決め部４４の頂部は、乾燥ステーション９０の底部より高い。乾燥ステーション９０が位置決め部４４の移動範囲にある場合、乾燥ステーション９０は潜在的に位置決め部の移動を妨げうる。乾燥ステーション９０を基板アンロード経路においてロボットアンロード位置の上流に配置したことによって、乾燥ステーション９０は、位置決め部４４の移動範囲の外側にある。乾燥ステーション９０は、基板ハンドリングロボット４１の位置決め部４４の移動を妨げない。
【００６９】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、ロボットアンロード位置に隣接して配置されている。乾燥ステーション９０をロボットアンロード位置に隣接して配置したことによって、乾燥ステーション９０は、基板ハンドリングロボット４１の移動を妨げることなく基板テーブルＷＴにできるだけ近接しうる。本発明のある実施の形態は、スループットへの悪影響なくできるだけ速やかに基板Ｗの表面４６からの液体の除去を達成するものと期待される。液体例えば水はできるだけ速やかに基板Ｗから取り除かれることが望ましい。
【００７０】
乾燥ステーション９０は、ドライヤーとも呼ばれるが、装置すなわちリソグラフィ装置１００のスループットに影響することなく、ステージ例えば基板テーブルＷＴからの基板Ｗのアンロード後にできるだけ速やかに基板Ｗから液体を除去する。乾燥ステーション９０は、基板Ｗがアンロードされる位置にできるだけ近接して配置されることが望ましい。乾燥ステーション９０の流体流れのもとで基板ハンドリングロボット４１の移動が基板Ｗの表面４６を引き出すことが望ましい。滴５０をできるだけ速やかに除去することによって、レジストが水滴にさらされる時間が最小化され、欠陥が生じるリスクが低減される。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板ハンドラ（ウェーハハンドラとも呼ばれる）にある。
【００７１】
乾燥ステーション９０の形は実現可能であれば何でもよい。図４及び図５に示される上述の２つの形式は、乾燥ステーション９０の簡単な例である。
【００７２】
乾燥ステーション９０が基板ハンドラに付属しているのは、それが基板テーブルＷＴとともに（例えば基板テーブルＷＴに、またはその上方に）あった場合にはスループットに悪影響がありうるためである。なぜなら、露光プロセス後にウェーハステージで基板Ｗを乾燥するのに余分な時間が必要となりうるからである。基板Ｗが乾燥されているときにはそうでないときよりもゆっくりと移動される。仮に乾燥ステーション９０がウェーハステージ（例えば液体閉じ込め構造ＩＨまたは基板テーブルＷＴ）にあったとすると、基板Ｗを乾燥するよう基板Ｗは基板テーブルＷＴからゆっくりと取り除かれなければならないであろう。
【００７３】
乾燥ステーション９０を露光後ハンドリングモジュール９４に設けることによって、基板Ｗを基板テーブルＷＴからより迅速に取り除くことができる。後続の基板Ｗを次の露光プロセスのためにより迅速に基板テーブルＷＴにロードすることができる。本発明の実施の形態は、リソグラフィ装置１００のスループットに向上を達成するものと期待される。
【００７４】
ある実施の形態においては、露光後ハンドリングモジュール９４は、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１を備える。例えば、基板ハンドラセンサ５１は、基板交換センサ（ウェーハ交換センサとも呼ばれる）であってもよい。少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、基板ハンドリングロボット４１に関連したパラメータを計測するよう構成されている。例えば、ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、ＸＹ平面に対する基板ハンドリングロボット４１のホルダ４３の傾きを計測するよう構成されている。ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、基板アンロード経路に配置されている。ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、露光プロセス後に基板Ｗが基板テーブルＷＴから搬送されているときに計測を行う。
【００７５】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１の近傍に配置されている。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板交換センサの中または近傍にある。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１に隣接して配置されている。ある実施の形態においては、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１は、センサフレームＳＦに取り付けられている。センサフレームＳＦは、基板アンロード経路に配置されている。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、ロボットアンロード位置とセンサフレームＳＦの間に配置されている。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、センサフレームＳＦに固定されている。乾燥ステーション９０がセンサフレームＳＦに固定されていることによって、乾燥ステーション９０が占めるスペースが最小化される。
【００７６】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１とリソグラフィ装置１００のベースフレームＢＦとの間に配置されている。ある実施の形態においては、ベースフレームＢＦは、空気ダクトを備える。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、空気ダクトと少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１との間に配置されている。
【００７７】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗの幅よりも大きい幅を有する。例えば、基板Ｗの幅が約３００ｍｍである場合、乾燥ステーション９０は、約３００ｍｍより大きい幅、例えば３２０ｍｍの幅を有する。基板Ｗの幅が約４５０ｍｍである場合、乾燥ステーション９０は、約４５０ｍｍより大きい幅を有する。乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６の全体から液体を能動的に除去することができる。乾燥ステーション９０は、基板Ｗが乾燥ステーション９０の下方を通過するとき基板Ｗの表面４６から液体を能動的に除去する。
【００７８】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、幅、長さ、及び高さを有する。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、細長く、幅が長さまたは高さより大きい。ある実施の形態においては、幅は、約３００ｍｍより大きく、または約４５０ｍｍより大きい。例えば、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０の幅は、約３２０ｍｍである。ある実施の形態においては、長さは、約５０ｍｍより小さく、例えば約２０ｍｍである。ある実施の形態においては、高さは、約５０ｍｍより小さく、例えば約３０ｍｍである。
【００７９】
ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、露光後ハンドリングモジュール９４と連結している露光モジュール９５を備える。基板テーブルＷＴは、露光モジュール９５内にある。液体閉じ込め構造ＩＨは、露光モジュール９５内にある。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、露光モジュール９５と露光後ハンドリングモジュール９４との連結部の近傍または中に配置されている。
【００８０】
乾燥ステーション９０は、基板Ｗを露光モジュール９５の中で乾燥することで時間を無駄にしないよう露光モジュール９５の中には配置されていない。本発明のある実施の形態は、露光モジュール９５を通る基板Ｗのスループット向上を達成するものと期待される。
【００８１】
乾燥ステーション９０は、できるだけ乾燥ステーション９０が基板テーブルＷに近接して配置されるように露光モジュール９５と露光後ハンドリングモジュール９４との連結部の近傍に配置されている。乾燥ステーション９０を基板テーブルＷとできるだけ近接して配置することによって、滴５０が基板Ｗの表面４６に滞在する時間が最小化される。
【００８２】
露光後ハンドリングモジュール９４内部での乾燥ステーション９０の位置は、リソグラフィ装置１００の他の構成要素と干渉するスペースを最小化するよう選択されてもよい。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、露光モジュール９５と露光後ハンドリングモジュール９４との連結部から間隔をあけている。
【００８３】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、乾燥ステーションアクチュエータ４５を備える（図６に示す）。乾燥ステーションアクチュエータ４５は、リソグラフィ装置１００の静止した構成要素に対し乾燥ステーション９０を上下に移動させるよう構成されている。例えば、ある実施の形態においては、基板ハンドラセンサ５１がリソグラフィ装置１００の使用中に静止している。乾燥ステーションアクチュエータ４５は、基板ハンドラセンサ５１に対し乾燥ステーション９０を上下に移動させるよう構成されている。ある実施の形態においては、乾燥ステーションアクチュエータ４５は、基板Ｗに対し乾燥ステーション９０を上下に移動させるよう構成されている。乾燥ステーションアクチュエータ４５は、乾燥ステーション９０を乾燥位置と非乾燥位置との間で移動させるよう構成されている。乾燥位置において乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面４６から液体を能動的に除去する。
【００８４】
乾燥ステーションアクチュエータ４５を設けることによって、乾燥ステーション９０は、基板ハンドリングロボット４１が乾燥位置を通って移動したとすると基板ハンドリングロボット４１の移動と干渉するであろう乾燥位置をとりうる。上述のように、ある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１の位置決め部４４は乾燥ステーション９０に到達せず、乾燥ステーション９０は位置決め部４４の移動範囲の外側にある。よって乾燥ステーション９０は、基板ハンドリングロボット４１の位置決め部４４の移動を妨げない。しかし、乾燥ステーションアクチュエータ４５を設けることによって、基板ハンドリングロボット４１がＸＹ平面内で乾燥ステーション９０に到達したとしても、乾燥ステーション９０は、基板ハンドリングロボット４１の位置決め部４４の移動を妨げない。非乾燥位置では乾燥ステーション９０は、基板ハンドリングロボット４１の移動と干渉しない。なぜなら、乾燥ステーション９０と基板ハンドリングロボット４１はｚ方向に異なる位置にあるからである。基板ハンドリングロボット４１がＸＹ平面内で乾燥ステーション９０に到達するある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１の位置決め部４４が乾燥ステーション９０を通過するとき、乾燥ステーション９０は、非乾燥位置にある。位置決め部４４が乾燥ステーション９０を通過した後に、乾燥ステーションアクチュエータ４５は乾燥ステーション９０を乾燥位置に移動させることができる。乾燥ステーション９０は、基板Ｗが乾燥ステーション９０を通過するとき乾燥位置にある。
【００８５】
ある実施の形態においては、基板Ｗを搬送する方法は、乾燥ステーション９０が基板Ｗの表面４６から液体を能動的に除去する乾燥位置と、非乾燥位置との間を（リソグラフィ装置１００の静止した構成要素に対し）上下に乾燥ステーション９０に移動させることを備える。
【００８６】
ある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１は、基板アンロード経路を通る基板Ｗの速度を基板Ｗが乾燥ステーション９０を通過するとき低減させるよう構成されている。速度を低減させるとスループットが低下しうるが、基板Ｗの表面４６から除去される液体の割合をより高めることができる。ある実施の形態においては、基板Ｗは、基板Ｗが乾燥ステーション９０を通過するとき基板アンロード経路をある低減された速度で搬送される。例えば、基板ハンドリングロボット４１は、基板Ｗが乾燥ステーション９０を通過するとき約１ｍｓ−１の速度で基板Ｗを搬送してもよい。速度を低減させることによって、基板Ｗが乾燥ステーション９０を通過するとき基板Ｗの表面４６から除去される液体の割合をより高めることができる。
【００８７】
乾燥位置において乾燥ステーション９０と下方を通過する基板Ｗとの距離はできるだけ小さいことが望ましい。ある実施の形態においては、距離は、約１０ｍｍより小さく、好ましくは約５ｍｍより小さい。ある実施の形態においては、距離は、約１ｍｍより小さく、例えば約０．３ｍｍである。
【００８８】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、少なくとも１つの基板ハンドラセンサ５１の近傍に配置されている。乾燥ステーション９０の場所は基板ハンドラセンサ５１が位置する区域の内部にある。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、リソグラフィ装置１００の固定された構成要素に接続されている。例えば、ある実施の形態においては、乾燥ステーション１００は、図１に示されるベースフレームＢＦに接続されている。
【００８９】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、リソグラフィ装置１００の内部で固定された位置をとる。こうした実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、リソグラフィ装置１００の使用中または乾燥ステーション９０の使用中に移動しない。リソグラフィ装置１００の使用時に、基板ハンドリングロボット４１は、乾燥ステーション９０が基板Ｗの表面から液体を能動的に除去するように基板Ｗを基板テーブルＷＴから乾燥ステーション９０の下方に搬送する。乾燥ステーション９０は、基板Ｗと乾燥ステーション９０との間にある定められた距離を生成する気体静力学的なベアリングを有する。基板Ｗが乾燥ステーション９０の下方を移動するとともに液体が基板Ｗの表面から能動的に除去される。
【００９０】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板センサが配置された区域にあり、乾燥ステーション９０は、乾燥ステーションアクチュエータ４５によって鉛直方向に駆動される。乾燥ステーションアクチュエータ４５は図６に関連して上で説明している。基板センサは、基板Ｗに関連したパラメータ（例えば高さ）を計測するよう構成されている。基板ハンドラセンサ５１が基板センサとして使用されてもよい。あるいは、基板センサは基板ハンドラセンサ５１とは別個のセンサであってもよい。基板センサは、基板テーブルＷＴと乾燥ステーション９０の間に位置する。基板Ｗが基板テーブルＷＴからアンロードされた後、基板Ｗが乾燥ステーション９０を通過する前に、基板Ｗは基板センサを通過する。ある実施の形態においては、基板センサは、基板Ｗの高さを計測するよう構成されている。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板センサによりなされた高さ計測に基づいて乾燥ステーションアクチュエータ４５によって駆動される。ある実施の形態においては、乾燥ステーションアクチュエータ４５は、基板センサによりなされた高さ計測に基づいて制御される。乾燥ステーション９０は、基板Ｗと乾燥ステーション９０との間にある定められた距離を生成する気体静力学的なベアリングを有する。乾燥ステーション９０は鉛直方向に駆動されるが、乾燥ステーション９０は水平方向には静止している。基板Ｗが乾燥ステーション９０の下を移動するとともに液体が基板Ｗの表面から能動的に除去される。
【００９１】
ある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１のホルダ４３は、基板Ｗの平坦性を高めるための形状を有する。ホルダ４３は、基板Ｗの非平坦性に抗する機械的な支持を提供する。例えば、ある実施の形態においては、ホルダ４３は、基板Ｗの平面においてより広範に基板に機械的支持を提供するように水平方向に延在する網状の支柱１４０を備える。支柱は図１４に示されている。
【００９２】
図７は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００を模式的に示す。図７に示されるように、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、液浸後洗浄モジュール９６を備える。液浸後洗浄モジュール９６は、露光後ハンドリングモジュール９４と連結している。液浸後洗浄モジュール９６は、液浸後洗浄ステーション（図示せず）を備える。液浸後洗浄モジュール９６例えば液浸後洗浄ステーションでは、望まれないウォーターマークが基板Ｗの表面から除去されうる。望まれないウォーターマークは基板Ｗに印刷された構造に損傷を与えうる。したがって、ウォーターマークは製品歩留まりに望ましくない影響を与えうる。望まれないウォーターマークは露光プロセス後に基板Ｗの表面に残存する液浸液などの液体によって生じうる。
【００９３】
図８は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００を示す。図８に示されるように、ある実施の形態においては、露光後ハンドリングモジュール９４は、保管ユニット１１０を備える。保管ユニット１１０は、複数の基板Ｗを保管するよう構成されている。保管ユニット１１０は、複数の基板収容ユニットを備える。基板Ｗをそれぞれ保管ユニット１１０の基板収容ユニットに保管することができる。
【００９４】
図９は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００の保管ユニット１１０を模式的に示す。図９に示されるように、ある実施の形態においては、保管ユニット１１０は、基板収容ユニットの１つとして、上部クロージング基板収容ユニット１１１を備える。上部クロージング基板収容ユニット１１１は、クロージング基板を保管または収容するよう構成されている。ある実施の形態においては、保管ユニット１１０は、基板収容ユニットの１つとして、下部クロージング基板収容ユニット１１２を備える。下部クロージング基板収容ユニット１１２は、クロージング基板を保管または収容するよう構成されている。ある実施の形態においては、保管ユニット１１０は、ゼロ個、１個、または２個以上の、クロージング基板を保管する基板収容ユニットを備える。
【００９５】
クロージング基板は、異なる基板Ｗの露光プロセスと露光プロセスの間の期間にリソグラフィ装置１００の部分の温度を安定化させるために使用されてもよい。例えば、基板Ｗの１つのバッチが露光プロセスにおいて露光されうる。基板Ｗの次のバッチが露光される前に、クロージング基板が温度安定化のために基板テーブルＷＴ上に位置決めされてもよい。例えば、クロージング基板は、基板テーブルＷＴの温度を安定化させることに役立ちうる。ある実施の形態においては、基板Ｗは、液浸後洗浄モジュール９６から底部収容ユニット１１４へとロードされてもよい。
【００９６】
図９に示されるように、ある実施の形態においては、保管ユニット１１０は、基板収容ユニットの１つとして、排出ユニット１１３を備える。排出ユニット１１３は、基板Ｗが露光プロセスにおいて露光された後にその基板Ｗを収容するよう構成されている。ある実施の形態においては、基板ハンドリングロボット４１は、露光された基板Ｗを基板テーブルＷＴから排出ユニット１１３へと搬送するよう構成されている。ある実施の形態においては、露光された基板Ｗは続いて排出ユニット１１３から液浸後洗浄モジュール９６に搬送される。
【００９７】
図９に示されるように、ある実施の形態においては、保管ユニット１１０は、基板収容ユニットの１つとして、底部収容ユニット１１４を備える。ある実施の形態においては、底部収容ユニット１１４は、基板Ｗを保管または収容するよう構成されている。
【００９８】
図１０に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、保管ユニット１１０に配置されている。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、排出ユニット１１３の区域に配置されている。乾燥ステーション９０は、保管ユニット１１０の他の部分に配置されていてもよい。例えば、乾燥ステーション９０は、底部収容ユニット１１４に配置されていてもよい。あるいは、乾燥ステーション９０は、保管ユニット１１０の排出ユニット１１３の出入口またはその近傍に配置されていてもよい。
【００９９】
図９及び図１０は、基板収容ユニットのある具体的な配列を示す。しかし、保管ユニット１１０は、基板収容ユニットの別の配列の形式をとる。例えば、ある実施の形態においては、排出ユニット１１３は、保管ユニット１１０の頂部に配設されてもよい。このようにして、乾燥ステーション９０が保管ユニット１１０の頂部に位置してもよい。
【０１００】
図１１は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００の一部の平面図を模式的に示す。図１１は、乾燥プロセスが行われている基板Ｗを示す。図１１に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、細長く、乾燥ステーションアームの形をとる。乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面から液体を能動的に除去するよう構成されている。例えば、乾燥ステーション９０は、ガスナイフ９１または液体の連続流れを備えてもよい。
【０１０１】
図１１に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーションアームの形をとる乾燥ステーション９０は、ピボット点９７まわりに回転するよう構成されている。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、乾燥ステーションアームの形をとる乾燥ステーション９０を基板Ｗの表面に平行な回転平面を通って回転させるよう構成された回転機（図示せず）を備える。乾燥ステーション９０が使用されていないときは、乾燥ステーション９０は、排出ユニット１１３において基板Ｗの上方に配置されない位置へと後退されるように回転されてもよい。乾燥ステーション９０が使用されようとするときに、乾燥ステーションアームの形をとる乾燥ステーション９０はピボット点９７まわりに回転する。
【０１０２】
例えば、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０の回転は、乾燥ステーション９０の一部が基板Ｗの中央または中心点の上方に配置されるように制御される。乾燥ステーション９０が必要とされないときには、乾燥ステーション９０は、基板Ｗが排出ユニット１１３へと搬送されているとき基板Ｗなど他の構成要素の進路に入らないように後退することができる。続いて、基板Ｗが排出ユニット１１３において定位置にあるときに、乾燥ステーション９０は、乾燥ステーション９０が基板Ｗの表面から液体を能動的に除去することができる場所へと回転する。
【０１０３】
図１１に示されるように、ある実施の形態においては、排出ユニット１１３は、基板ターンテーブル１２０を備える。基板ターンテーブル１２０は、基板Ｗを回転させるよう構成されている。基板Ｗは、乾燥ステーション９０の回転によって、または基板Ｗの回転によって、または乾燥ステーション９０の回転と基板Ｗの回転の組み合わせによって、乾燥ステーション９０に対して移動する。
【０１０４】
図１１に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーションアームの形をとる乾燥ステーション９０は、基板ターンテーブル１２０の半径にわたり延在する。乾燥ステーション９０は、使用時に基板Ｗの直径全体にわたっては延在しない。その代わりに乾燥ステーション９０は、基板Ｗの半径より若干大きい長さを有する。乾燥ステーション９０は、基板Ｗが基板ターンテーブル１２０で回転するとき基板Ｗの表面から液体を能動的に除去することができる。
【０１０５】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗを支持する基板支持部と一体に移動する。例えば、図１１に示される乾燥ステーションアームは、基板支持部と一体に形成されていてもよい。こうした実施の形態においては、基板支持部は、基板ターンテーブル１２０の一部を形成してもよい。図１１に示される基板ターンテーブル１２０の部分は、基板Ｗを把持し回転させる回転装置を形成する。
【０１０６】
あるいは、基板Ｗは、プレート及び／または支持ポールによって基板Ｗの下方で支持されてもよい。こうした実施の形態においては、プレート及び／または支持ポールは、基板ターンテーブル１２０の一部を形成してもよい。こうした実施の形態は、乾燥ステーション９０が基板Ｗを支持するプレート及び支持ポールから独立しているから、上の段落で説明した乾燥ステーションよりも複雑でない乾燥ステーション９０を達成するものと期待される。
【０１０７】
ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、基板Ｗに平行な平面で回転しない。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、リソグラフィ装置１００の使用中に定位置に固定されている。こうした実施の形態においては、ピボット点９７は設けられなくてもよい。こうした実施の形態においては、乾燥ステーション９０の下方での基板Ｗの回転によって基板Ｗの表面から液体が能動的に除去される。こうした実施の形態は、乾燥ステーション９０を回転させる必要がないので、乾燥ステーション９０についてより単純な構成を達成するものと期待される。
【０１０８】
図１２は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００の一部を示す。図１２に示されるように、ある実施の形態においては、排出ユニット１１３には基板ターンテーブル１２０が設けられていない。それに代えて、排出ユニット１１３の内部で基板Ｗは実質的に静止していてもよい。基板Ｗを回転させる代わりに、乾燥ステーション９０が基板Ｗの上を移動するよう構成されている。乾燥ステーション９０は、基板Ｗの上方を水平に平行移動するよう構成されている。乾燥ステーション９０が基板Ｗの上方で基板Ｗを横断して移動して、基板Ｗの表面から液体が能動的に除去される。
【０１０９】
図１２では両矢印が乾燥ステーション９０が移動するよう構成された方向を示す。方向はとくに限定されない。移動方向は水平である。一例として、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０の移動方向は、水平であり、かつ基板Ｗが排出ユニット１１３に進入する水平方向に垂直である。ある代替的な実施の形態においては、乾燥ステーション９０の移動方向は、水平であり、かつ基板Ｗが排出ユニット１１３に進入する水平方向に平行である。
【０１１０】
図１３は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００の一部を模式的に示す。図１３に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、ピボット点９７まわりに回転可能な乾燥ステーションアームの形をとる。図１３に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、細長く、基板Ｗの直径より長い。こうした実施の形態は、保管ユニット１１０についてより単純な構成を達成するものと期待される。とくに、排出ユニット１１３（または乾燥ステーション９０を収容する他のユニット）が基板ターンテーブル１２０を有する必要がない。
【０１１１】
図１３に示される構成においては、基板Ｗは、排出ユニット１１３内部で実質的に静止していてもよい。乾燥ステーション９０が使用されようとするとき、乾燥ステーション９０は、基板Ｗの表面全体の上を回転することができる。例えば、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、少なくとも９０°の弧にわたりピボット点９７まわりに回転してもよい。
【０１１２】
図１５及び図１６はそれぞれ本発明のある実施の形態に係る乾燥ステーション９０を示す。図１５及び図１６に示される乾燥ステーション９０の特徴は、乾燥ステーション９０が流れ供給開口部９２及び流れ抽出開口部９３を備える上述の実施の形態のいずれにも適用することができる。
【０１１３】
図１５に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、複数の流れ供給開口部９２を備える。流れ供給開口部９２は、細長く、スリット形状を有する。流れ供給開口部９２の細長い方向は、乾燥ステーション９０の幅及び長さの方向に対し斜めの角度にある。図１５に示される小矢印は、流れ供給開口部９２から流れ抽出開口部９３への流れ方向を表す。
【０１１４】
図１５に示されるように、流れ供給開口部９２は、乾燥ステーションの長さ方向に対し鋭角αを形成してもよい。このようにして、流れ供給開口部９２の細長方向に垂直な方向は、乾燥ステーション９０の長さ方向に対し角度αをなす。ある実施の形態においては、鋭角αは、約４０°から約８０°の範囲にある。
【０１１５】
図１５に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、複数の流れ抽出開口部９３を備える。流れ抽出開口部９３は、細長く、スリット形状を有する。ある実施の形態においては、流れ抽出開口部９３の形状は、流れ供給開口部９２の形状と実質的に同じである。図１５に示されるように、ある実施の形態においては、流れ抽出開口部９３は、乾燥ステーション９０の長さ及び幅方向に対し斜めの角度をなす。
【０１１６】
図１５に示されるように、ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２は互いに実質的に平行である。ある実施の形態においては、流れ抽出開口部９３は互いに実質的に平行である。ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２は流れ抽出開口部９３と実質的に平行である。本発明のある実施の形態は、乾燥ステーション９０が基板Ｗの表面４６に対し走査する所要時間の低減を達成するものと期待される。
【０１１７】
ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２の幅が互いに重なっている。これが意味するのは、乾燥ステーション９０を長さ方向（図１５に示される乾燥ステーションの短辺）に見るとき流れ供給開口部９２が互いに重なって見えるということである。ある実施の形態においては、流れ抽出開口部９３は同様に乾燥ステーション９０の幅方向に互いに重なっている。幅方向は図１５に示される長辺の方向である。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、乾燥ステーション９０が基板Ｗの表面４６に対し直線移動で（乾燥ステーション９０の長さ方向に）移動するとき基板Ｗの表面４６の幅全体が流れ供給開口部９２及び流れ抽出開口部９３にさらされるように配設されている。
【０１１８】
ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２は、対応する流れ抽出開口部９３から２０ｍｍより小さい距離だけ間隔をあけている。ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２と対応する流れ抽出開口部９３との間隔は、約５ｍｍより小さく、任意的に約２ｍｍより大きい。本発明のある実施の形態は、乾燥ステーション９０が基板Ｗの表面４６に対し走査する所要時間の低減を達成するものと期待される。許容できる乾燥性能を達成しつつ、より高速で乾燥ステーション９０の下方を基板Ｗに通過させることができる。基板Ｗの表面４６の幅全体が流れ供給開口部９２にさらされるという効果を達成しつつ、各流れ供給開口部９２を比較的小さくすることができる。
【０１１９】
図１６は、乾燥ステーション９０の流れ供給開口部９２及び流れ抽出開口部９３についての代替的な幾何学配置の変形例を示す。図１６に示されるように、ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、複数の流れ供給開口部９２を備える。各流れ供給開口部９２は、実質的に円形の開口部を備える。ある実施の形態においては、乾燥ステーション９０は、複数の流れ抽出開口部９３を備え、各流れ抽出開口部９３は対応する流れ供給開口部９２のまわりでリングを形成する。例えば、ある実施の形態においては、各流れ抽出開口部９３は、流れ供給開口部９２を囲む環状の形状を有する。本発明のある実施の形態は、流れ供給開口部９２により供給される流体がリソグラフィ装置１００の意図されない部位に到達する可能性を低減しつつ、十分な乾燥性能を達成するものと期待される。
【０１２０】
あるいは、ある実施の形態においては、流れ抽出開口部９３は、より小さい円形開口部を形成し、流れ供給開口部９２が対応する流れ抽出開口部９３を囲む。ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２は、対応する流れ抽出開口部９３の外側にある。
【０１２１】
図１６に示されるように、ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２及び対応する流れ抽出開口部９３は組をなす。ある実施の形態においては、それらの組が線を形成するよう配列されている。図１６に示されるように、ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２と流れ抽出開口部９３の組は、千鳥状の列または線を形成するよう配列されている。ある実施の形態においては、流れ抽出開口部または流れ供給開口部９２は、幅方向に互いに重なるように配列されている。乾燥ステーション９０が基板Ｗに対し移動するとき、基板Ｗの表面４６の幅全体が流れ供給開口部９２及び／または流れ抽出開口部９３の下を通過する。
【０１２２】
ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２は、対応する流れ抽出開口部９３から２０ｍｍより小さい距離だけ間隔をあけている。ある実施の形態においては、流れ供給開口部９２と対応する流れ抽出開口部９３との間隔は、約５ｍｍより小さく、任意的に約２ｍｍより大きい。
【０１２３】
そうではないと言明しない限り、上述した本発明の実施の形態は、基板の表面からの能動的な液体の除去を行うよう気体または液体のいずれかを使用する乾燥ステーション９０と互換性がある。例えば、図４に示される構成においてはガスナイフ９１は、（気体の代わりに）液体の流れを提供するよう変更されてもよい。こうした実施の形態においては、液体は液体回収システムによって回収される。
【０１２４】
図５に示される構成は、流れ供給開口部９２及び流れ抽出開口部９３がそれらの間に（液体に代えて）気体の流れを提供するよう変更されてもよい。乾燥ステーション９０の配置にかかわらず、基板Ｗの表面からの能動的な液体の除去を行うために気体または液体が使用されてもよい。
【０１２５】
ある実施の形態においては、上述のリソグラフィ装置１００を使用することを備えるデバイス製造方法によって、デバイスが製造される。リソグラフィ装置１００は、パターニングデバイスＭＡから基板Ｗへとパターンを転写する。ある実施の形態においては、デバイス製造方法は、上述の基板Ｗを搬送する方法を備える。
【０１２６】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。当業者であればこれらの他の適用に際して、本書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及される基板は、露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は処理済みの多数の層を既に含む基板をも意味する。
【０１２７】
本書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）含むあらゆる種類の電磁放射、さらにはイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを包含する。
【０１２８】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【図１】
2018032047.tif 000003
【図２】
2018032047.tif 000004
【図３】
2018032047.tif 000005
【図４】
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【図５】
2018032047.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018032047.tif 000009
【図８】
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【図９】
2018032047.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2018032047.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2018032047.tif 000017
【図１６】
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【外国語明細書】
2018032047000001.pdf