(57)【要約】【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。【選択図】図１
2018157224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の酸化窒化シリコン層と、
前記酸化窒化シリコン層上の酸化アルミニウム層と、
前記酸化アルミニウム層上の酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶性を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、ｃ軸が前記酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトル、または表面の法線ベクトルに平行な方向に揃う、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層上の酸化シリコン層を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置、及び半導体装置の作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術
が注目されている。該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（表示装置）のよ
うな電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシ
リコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目され
ている。
【０００４】
例えば、トランジスタに用いる半導体薄膜として、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ
３未満であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む非晶質酸
化物を用いたトランジスタが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
一方、トランジスタの性能を左右する膜として、半導体薄膜以外にもゲート絶縁膜が挙
げられる。ゲート絶縁膜に求められる性能として、例えば、しきい値電圧が低いこと、絶
縁耐圧が高いこと、半導体薄膜との界面特性が優れている、等が挙げられる。シリコン系
半導体材料を半導体薄膜として用いる場合、シリコン系半導体材料との界面特性に優れた
酸化シリコン膜が用いられる。
【０００６】
また、シリコン系半導体材料を半導体薄膜として用いた場合、トップゲート構造のトラ
ンジスタにおいて、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを積層したゲート絶縁膜が開示さ
れている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを積層したゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜よりも
誘電率の高い窒化シリコン膜をゲート絶縁膜の一部に用いることができるため、酸化シリ
コン膜単層構造のゲート絶縁膜と比較し、同等の静電容量を得るのに必要な膜厚を厚くす
ることが可能となる。ゲート絶縁膜の膜厚を厚くすることによって、絶縁耐圧の低下を抑
制することができ、且つ絶縁耐圧の向上を図ることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２８号公報
【特許文献２】特開２００６−２２９１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
酸化物半導体を用いた半導体装置を、大量生産（以下、量産と略記する）する場合にお
いて、開発コスト、及び開発スピードを考慮すると、現在実用化されている量産技術であ
る非晶質シリコンや多結晶シリコンといったシリコン系半導体材料を半導体薄膜として用
いている膜構成、プロセス条件、または生産装置等を利用できる方が望ましい。
【００１０】
しかし、酸化物半導体のキャリア生成メカニズムは、シリコン系半導体材料と大きく異
なり、この酸化物半導体が有する特有の物性がトランジスタの特性、またはトランジスタ
の信頼性に大きく影響する。
【００１１】
とくに、シリコン系半導体材料を半導体薄膜として用いた半導体装置のゲート絶縁膜は
、酸化物半導体を用いた半導体装置に適用するには、当該酸化物半導体との界面特性を十
分に満たす構成ではなかった。そのため、酸化物半導体を用いた半導体装置において、よ
り優れたゲート絶縁膜の開発が望まれている。
【００１２】
このような問題に鑑み、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート
絶縁膜を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。また、現在実用化されてい
る量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置
に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする
。また、当該半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
酸化物半導体膜を含む半導体装置において、酸化物半導体膜に接する下地膜として、金
属酸化膜を設ける。金属酸化膜は、酸化物半導体膜を構成する元素と同族からなる元素を
含む材料により形成する。金属酸化膜と酸化物半導体膜との界面は、同族からなる元素を
含んだ構成となるため、界面特性が非常に安定である。また、金属酸化膜は、外部からの
水、水素の侵入を抑制することができる。
【００１４】
また、酸化物半導体膜を含む半導体装置において、ボトムゲート構造のトランジスタを
構成すると、酸化物半導体膜の下地膜は、ゲート絶縁膜となる。すなわち、酸化物半導体
膜の下地膜として金属酸化膜を設けることにより、界面特性が非常に安定し、より優れた
ゲート絶縁膜を提供することができる。より詳細には、以下のとおりである。
【００１５】
本発明の一態様は、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート
絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜
と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に
形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成されるこ
とを特徴とする半導体装置である。
【００１６】
窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、金属酸化膜、酸化物半導体膜の順にゲート
絶縁膜を構成することで、各界面での相性が良く、界面特性が非常に優れた構成となる。
このように窒化酸化シリコン膜から金属酸化膜まで段階的な膜構成とすることで、しきい
値電圧が低く、絶縁耐圧が高く、且つ酸化物半導体膜との界面特性が優れた良質なゲート
絶縁膜を形成することができる。また、窒化酸化シリコン膜、及び酸化窒化シリコン膜は
、従来までのシリコン系半導体材料で用いていた膜構成、プロセス条件、または生産装置
等を利用できるため好ましい。
【００１７】
また、酸化物半導体膜が金属酸化膜上に形成されることによって、当該酸化物半導体膜
の結晶性が向上するため好ましい。例えば、酸化窒化シリコン膜と酸化物半導体膜が、接
してゲート絶縁膜を形成した場合においては、酸化窒化シリコン膜は、酸化物半導体膜と
異種の材料であるため、酸化物半導体膜の界面近傍で結晶化の阻害要因になりえる。一方
、金属酸化膜は、酸化物半導体膜と同族に属する元素であるため、酸化物半導体膜の界面
近傍においても結晶化を阻害しない。
【００１８】
また、上記構成において、酸化物半導体膜上に、さらにソース電極、及びドレイン電極
と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上の保護膜と、を有していてもよい
。
【００１９】
また、上記構成において、金属酸化膜は、酸化アルミニウム膜であり、酸化アルミニウ
ム膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上、更に好ましくは３．６ｇ／ｃｍ３以上であると
よい。
【００２０】
金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜を用い、該酸化アルミニウム膜の膜密度を上述
した数値とすることで、下方に形成された窒化酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン
膜に含有された水、水素の透過を抑制することができる。すなわち、金属酸化膜は、当該
金属酸化膜上に形成された酸化物半導体膜に下方からの水、水素の侵入を抑制することが
できる。
【００２１】
また、本発明の他の一態様は、ガラス基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電
極上に窒化酸化シリコン膜を形成する工程と、窒化酸化シリコン膜上に酸化窒化シリコン
膜を形成する工程と、酸化窒化シリコン膜形成後に加熱処理する工程と、酸化窒化シリコ
ン膜上に金属酸化膜を形成する工程と、金属酸化膜上に酸化物半導体膜を形成する工程と
、を有し、窒化酸化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成し、金
属酸化膜と、酸化物半導体膜は、真空中で連続して形成することを特徴とする半導体装置
の作製方法である。
【００２２】
窒化酸化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜を真空中で連続して形成することで、界面
に不純物が混入するのを抑制することができる。また、金属酸化膜と、酸化物半導体膜を
真空中で連続して形成することで、界面に不純物が混入するのを抑制し、さらに、酸化物
半導体膜を加熱成膜することで、当該酸化物半導体膜を金属酸化膜との界面より結晶化さ
せることができる。
【００２３】
また、本発明の他の一態様は、ガラス基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電
極上に窒化酸化シリコン膜を形成する工程と、窒化酸化シリコン膜上に酸化窒化シリコン
膜を形成する工程と、酸化窒化シリコン膜形成後に加熱処理する工程と、酸化窒化シリコ
ン膜上に金属酸化膜を形成する工程と、金属酸化膜上に酸化物半導体膜を形成する工程と
、酸化物半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極を形成する工程と、ソース電極、及
びドレイン電極形成後、保護膜を形成する工程と、を有し、窒化酸化シリコン膜と、酸化
窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成し、金属酸化膜と、酸化物半導体膜は、真空中
で連続して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２４】
また、上記各構成において、窒化酸化シリコン膜は、酸化窒化シリコン膜よりも膜厚が
厚いと、好ましい。
【００２５】
窒化酸化シリコン膜を酸化窒化シリコン膜よりも膜厚を厚くすることで、ゲート電極の
段差部等による凹凸の被覆性を向上させることができる。また、上記構成とすることで、
酸化シリコン膜単層または酸化窒化シリコン膜単層と同等の静電容量を得るのに必要な膜
厚が大きくなり、絶縁耐圧の低下を抑制することができる。
【００２６】
また、上記各構成において、酸化物半導体膜は、インジウム、亜鉛、ガリウム、ジルコ
ニウム、スズ、ガドリニウム、チタン、及びセリウムの酸化物の中から選ばれた、少なく
ともいずれか一種を含む構成が好ましい。特に、インジウム、または亜鉛のいずれか一方
を含む酸化物であると好適である。
【００２７】
また、上記各構成において、金属酸化膜は、アルミニウム、亜鉛、及びガリウムの酸化
物の中から選ばれた、少なくともいずれか一種を含む構成が好ましい。
【００２８】
また、上記各構成において、加熱処理は、窒素雰囲気下、または真空中で２００℃以上
４５０℃以下の温度であると好ましい。なお、本明細書等において、真空中とは、少なく
とも大気圧よりも減圧された状態であり、例えば、１．０×１０−１Ｐａ以下とすること
ができる。
【発明の効果】
【００２９】
酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装
置を提供することができる。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセ
ス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信
頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、当該半導体装置の作製方法を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】半導体装置の一形態の断面を説明する図。
【図２】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図３】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図４】半導体装置の一形態の平面を説明する図。
【図５】半導体装置の一形態の断面を説明する図。
【図６】半導体装置の一形態の断面を説明する図。
【図７】電子機器を説明する図。
【図８】実施例１の金属酸化膜の一例を説明する図。
【図９】酸化アルミニウム膜の密度測定の結果を示す図。
【図１０】実施例１の金属酸化膜の一例を説明する図。
【図１１】ＳＩＭＳ分析の測定結果を示す図。
【図１２】実施例１の金属酸化膜の一例を説明する図。
【図１３】ＴＤＳ分析の測定結果を示す図。
【図１４】本発明の一態様であるトランジスタの平面、及び断面を示す図。
【図１５】本発明の一態様であるトランジスタの電気測定結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であ
れば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈
されるものではない。
【００３２】
以下に説明する実施の形態において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用
いる場合がある。なお、図面において示す構成要素、すなわち層や領域等の厚さ、幅、相
対的な位置関係等は、実施の形態において説明する上で明確性のために誇張して示される
場合がある。
【００３３】
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に
限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり
、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「
配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
【００３４】
また、本明細書等において、窒化酸化シリコン膜とは、窒素と、酸素と、シリコンと、
を成分として含有し、且つ、窒素の含有量が酸素の含有量よりも多い膜である。また、酸
化窒化シリコン膜とは、酸素と、窒素と、シリコンと、を成分として含有し、且つ、酸素
の含有量が窒素の含有量よりも多い膜である。
【００３５】
また、「ソース」や「ドレイン」の機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合
や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このた
め、本明細書等においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いること
ができるものとする。
【００３６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図１（Ａ）、及び図１（Ｂ）を用いて説明
する。本実施の形態では、酸化物半導体膜を有する半導体装置の断面図を示す。
【００３７】
図１（Ａ）に示す半導体装置は、基板１０２と、基板１０２上に形成された下地絶縁膜
１０４と、下地絶縁膜１０４上に形成されたゲート電極１０６と、下地絶縁膜１０４、及
びゲート電極１０６上に形成された窒化酸化シリコン膜１０８と、窒化酸化シリコン膜１
０８上に形成された酸化窒化シリコン膜１１０と、酸化窒化シリコン膜１１０上に形成さ
れた金属酸化膜１１２と、金属酸化膜１１２上に形成された酸化物半導体膜１１４と、を
有する。
【００３８】
また、窒化酸化シリコン膜１０８と、酸化窒化シリコン膜１１０と、金属酸化膜１１２
と、によりゲート絶縁膜１３０を構成している。
【００３９】
また、酸化窒化シリコン膜１１０は、窒化酸化シリコン膜１０８よりも膜厚が薄い。窒
化酸化シリコン膜１０８は、段差部等において、酸化窒化シリコン膜１１０よりも被覆性
が良い。すなわち、下方に形成されたゲート電極１０６の凹凸を段切れなく覆うことがで
きる。また、窒化酸化シリコン膜１０８は、酸化窒化シリコン膜１１０よりも誘電率が高
いため、酸化シリコン膜単層または酸化窒化シリコン膜単層と同等の静電容量を得るのに
必要な膜厚を大きくすることができる。すなわち、酸化窒化シリコン膜１１０よりも、窒
化酸化シリコン膜１０８を厚く形成することができる。
【００４０】
金属酸化膜１１２は、酸化物半導体膜１１４を構成する元素の一つと同族の１２族、１
３族元素若しくは１３族元素と同様の性質を示す３族元素を含む材料で形成する。例えば
、酸化物半導体膜１１４がインジウム及び亜鉛の酸化物を含む酸化物半導体材料である場
合、金属酸化膜１１２は亜鉛と同じ族に属する元素、すなわち１２族元素でなる絶縁性の
金属酸化膜、またはインジウムと同じ族に属する元素、すなわち１３族元素、若しくは１
３族元素と同様の性質を示す３族元素でなる絶縁性の金属酸化膜を用いることが好ましい
。３族元素としてランタン系の元素、例えばセリウムやガドリニウムを用いると良い。金
属酸化膜１１２として酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化亜鉛膜は好適な一例と
して選択することができる。
【００４１】
また、金属酸化膜１１２は、特に膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上、更に好ましくは３．
６ｇ／ｃｍ３以上の酸化アルミニウム膜を用いるとよい。金属酸化膜１１２として、酸化
アルミニウム膜を用い、当該酸化アルミニウム膜の膜密度を上記数値とすることで、外部
からの水分、及び水素の侵入を抑制することができる。
【００４２】
すなわち、本実施の形態においては、金属酸化膜１１２は、酸化窒化シリコン膜１１０
の表面に付着した吸着水分、または金属酸化膜１１２の下方に形成された酸化窒化シリコ
ン膜１１０、及び窒化酸化シリコン膜１０８内に含有された水素と、を当該金属酸化膜１
１２上に形成された酸化物半導体膜１１４内への侵入を抑制することができる。
【００４３】
また、窒化酸化シリコン膜１０８、酸化窒化シリコン膜１１０、金属酸化膜１１２、酸
化物半導体膜１１４の順で構成することで、各界面での相性が良く、界面特性が非常に優
れている。このように窒化酸化シリコン膜１０８から金属酸化膜１１２まで段階的な膜構
成とすることで、しきい値電圧が低く、絶縁耐圧が高く、且つ酸化物半導体膜との界面特
性が優れた良質なゲート絶縁膜１３０を形成することができる。また、窒化酸化シリコン
膜１０８、及び酸化窒化シリコン膜１１０は、従来までのシリコン系半導体材料で用いて
いた膜構成、プロセス条件、または生産装置等を利用できるため好ましい。
【００４４】
また、酸化物半導体膜１１４が金属酸化膜１１２上に形成されることによって、酸化物
半導体膜１１４の結晶性が向上するため好ましい。例えば、酸化窒化シリコン膜１１０と
酸化物半導体膜１１４が、接してゲート絶縁膜を形成した場合においては、酸化窒化シリ
コン膜１１０は、酸化物半導体膜１１４と異種の材料であるため、酸化物半導体膜１１４
の界面近傍で結晶化の阻害要因になりえる。一方、金属酸化膜１１２は、酸化物半導体膜
１１４と同族に属する元素であるため、酸化物半導体膜１１４の界面近傍においても結晶
化を阻害しない。
【００４５】
次に、図１（Ｂ）の半導体装置について説明を行う。
【００４６】
図１（Ｂ）に示す半導体装置は、図１（Ａ）に示す半導体装置にソース電極、及びドレ
イン電極を形成し、トランジスタを形成し、当該トランジスタ上に保護膜を形成した構成
となる。
【００４７】
図１（Ｂ）に示す半導体装置は、基板１０２と、基板１０２上に形成された下地絶縁膜
１０４と、下地絶縁膜１０４上に形成されたゲート電極１０６と、下地絶縁膜１０４、及
びゲート電極１０６上に形成された窒化酸化シリコン膜１０８と、窒化酸化シリコン膜１
０８上に形成された酸化窒化シリコン膜１１０と、酸化窒化シリコン膜１１０上に形成さ
れた金属酸化膜１１２と、金属酸化膜１１２上に形成された酸化物半導体膜１１４と、金
属酸化膜１１２、及び酸化物半導体膜１１４上に形成されたソース電極１１６と、金属酸
化膜１１２、及び酸化物半導体膜１１４上に形成されたドレイン電極１１８と、酸化物半
導体膜１１４、ソース電極１１６、及びドレイン電極１１８上に形成された保護膜１２０
と、を有する。
【００４８】
また、窒化酸化シリコン膜１０８と、酸化窒化シリコン膜１１０と、金属酸化膜１１２
と、によりゲート絶縁膜１３０を構成している。
【００４９】
また、基板１０２、下地絶縁膜１０４、ゲート電極１０６、窒化酸化シリコン膜１０８
、酸化窒化シリコン膜１１０、金属酸化膜１１２、酸化物半導体膜１１４、ソース電極１
１６、及びドレイン電極１１８により、トランジスタ１５０が形成されている。
【００５０】
なお、トランジスタ１５０のゲート絶縁膜１３０は、図１（Ａ）に示した構成と同様で
あり、先の記載を参酌することで形成できる。
【００５１】
また、ソース電極１１６、及びドレイン電極１１８は、トランジスタ１５０のソース電
極、及びドレイン電極として機能する。本実施の形態においては、ソース電極１１６、及
びドレイン電極１１８として、チタンと、アルミニウムと、チタンの積層膜を用いること
ができる。融点の低いアルミニウム膜を、融点の高いチタン膜と、で上下を挟む構成とす
ることで、耐熱性の高いソース電極１１６、及びドレイン電極１１８とすることができる
。
【００５２】
保護膜１２０は、酸化物半導体膜１１４に水、水素が侵入しない構成が望ましい。また
、保護膜１２０は、酸化物半導体膜１１４に酸素を供給することができると好ましく、例
えば、保護膜１２０としては、化学量論的組成を超える酸素を含有した酸化シリコン膜等
を用いると好適である。化学量論的組成を超える酸素を含有した酸化シリコン膜により、
酸化物半導体膜１１４へ酸素を供給可能とし、酸化物半導体膜１１４の酸素欠損の発生を
防ぐことができる。
【００５３】
以上のように、本実施の形態に示す酸化物半導体を用いた半導体装置において、ゲート
絶縁膜を窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、及び金属酸化膜により構成する。ま
た、酸化物半導体膜は、金属酸化膜と接しているため、界面特性が良い。また、金属酸化
膜は、下方からの水、水素等の不純物を酸化物半導体膜に拡散するのを抑制することがで
きる。したがって、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜
を提供できる。
【００５４】
また、ゲート絶縁膜の構成として、窒化酸化シリコン膜及び酸化窒化シリコン膜を用い
ることにより、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産
装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装
置を提供することができる。
【００５５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００５６】
（実施の形態２）
本実施の形態においては、実施の形態１の図１（Ａ）に示した半導体装置、及び図１（
Ｂ）に示した半導体装置の作製方法について、図２、及び図３を用いて説明を行う。なお
、図１で示した符号については、同様の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００５７】
まず、基板１０２上に下地絶縁膜１０４を形成し、下地絶縁膜１０４上にゲート電極１
０６を形成する（図２（Ａ）参照）。
【００５８】
基板１０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウ
ムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板１０２は、第８世
代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２
４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガ
ラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅
に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、６０
０℃以下、好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望まし
い。
【００５９】
下地絶縁膜１０４は、ＰＥ−ＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて５０ｎｍ以上６
００ｎｍ以下の膜厚で、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、窒化シ
リコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜か
ら選ばれた一層またはこれらの積層膜を用いる。下地絶縁膜１０４により、基板１０２側
からの不純物の侵入を抑制することができる。なお、下地絶縁膜１０４が不要な場合、例
えば、基板１０２の表面吸着した水分、及び基板１０２に含有する水分が少ない場合には
、下地絶縁膜１０４を設けない構成としてもよい。
【００６０】
次に、下地絶縁膜１０４上に、導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程、及びエ
ッチング工程によりゲート電極１０６を形成する（図２（Ａ）参照）。ゲート電極１０６
は、スパッタリング法等により、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、及びスカンジウム等の金属材料、または、これらを含む合金材料
を用いて、単層、または積層して形成することができる。
【００６１】
次に、下地絶縁膜１０４、及びゲート電極１０６上に窒化酸化シリコン膜１０８、及び
酸化窒化シリコン膜１１０を形成する（図２（Ｂ）参照）。
【００６２】
窒化酸化シリコン膜１０８と、酸化窒化シリコン膜１１０は、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用い
て、真空中で連続して形成することができる。窒化酸化シリコン膜１０８と、酸化窒化シ
リコン膜１１０を真空中で連続して形成することで、界面に不純物が混入するのを抑制す
ることができる。
【００６３】
窒化酸化シリコン膜１０８、及び酸化窒化シリコン膜１１０は、例えば、ＳｉＨ４、Ｎ
２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２等のガスを用いて形成することができる。また、窒化酸化シリコン膜
１０８は、酸化窒化シリコン膜１１０よりも膜厚が厚い方が望ましい。
【００６４】
窒化酸化シリコン膜１０８を酸化窒化シリコン膜１１０よりも膜厚を厚くすることで、
ゲート電極１０６の段差部等による凹凸の被覆性を向上させることができる。また、上記
構成とすることで、酸化シリコン膜単層または酸化窒化シリコン膜単層と同等の静電容量
を得るのに必要な膜厚が、大きくなり、絶縁耐圧の低下を抑制することができる。
【００６５】
次に、窒化酸化シリコン膜１０８、及び酸化窒化シリコン膜１１０が形成された基板１
０２に対して、加熱処理を行う。
【００６６】
なお、加熱処理としては、電気炉、もしくは抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導また
は熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いることができる。例えば、ＧＲＴＡ（
Ｇａｓ  Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ  Ｒａ
ｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ
Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタル
ハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ
、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱す
る装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温の
ガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反
応しない不活性気体が用いられる。
【００６７】
加熱処理温度は、基板１０２として、マザーガラスを用いた場合、処理温度が高く、処
理時間が長いと大幅に収縮するため、２００℃以上４５０℃以下、さらに好ましくは、２
５０℃以上３５０℃以下である。
【００６８】
なお、加熱処理を行うことで、窒化酸化シリコン膜１０８と、酸化窒化シリコン膜１１
０膜中の水、水素等の不純物を除去することができる。また、当該加熱処理により、膜中
の欠陥密度を低減することができる。窒化酸化シリコン膜１０８、及び酸化窒化シリコン
膜１１０は、ゲート絶縁膜の一部として機能するため、膜中の不純物、または膜中の欠陥
密度が低減することにより、半導体装置の信頼性が向上する。例えば、半導体装置の信頼
性試験の一つである光負バイアスストレス試験における半導体装置の劣化を抑制させるこ
とができる。
【００６９】
また、上記加熱処理は、のちに形成される金属酸化膜１１２の成膜前処理として、行っ
てもよい。例えば、窒化酸化シリコン膜１０８、及び酸化窒化シリコン膜１１０を形成後
、スパッタリング装置の予備加熱室で、真空中で加熱処理を行った後、金属酸化膜１１２
、及び酸化物半導体膜１１３を形成してもよい。
【００７０】
また、上記加熱処理は、複数回行ってもよい。例えば、窒化酸化シリコン膜１０８、及
び酸化窒化シリコン膜１１０形成後、電気炉等により窒素雰囲気中で加熱処理を行い、そ
の後、スパッタリング装置の予備加熱室で、真空中で加熱処理を行った後、金属酸化膜１
１２、及び酸化物半導体膜１１３を形成してもよい。
【００７１】
次に、酸化窒化シリコン膜１１０上に、金属酸化膜１１２、及び酸化物半導体膜１１３
を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００７２】
金属酸化膜１１２、及び酸化物半導体膜１１３は、マルチチャンバー構造のスパッタリ
ング装置を用いて、真空中で連続して形成することができる。
【００７３】
なお、金属酸化膜１１２成膜前に加熱処理を行う場合、マルチチャンバー構造のスパッ
タリング装置を用いることで、加熱処理、金属酸化膜１１２の成膜、及び酸化物半導体膜
１１３の成膜を、真空中で連続して行うことができる。
【００７４】
また、金属酸化膜１１２は、酸化物半導体膜１１３に接するため、酸化物半導体膜１１
３を構成する元素の一つと同族の元素を含む材料で形成することが好ましい。例えば、イ
ンジウム及び亜鉛の酸化物を含む酸化物半導体膜１１３である場合、亜鉛と同じ族に属す
る元素、すなわち１２族元素でなる絶縁性の金属酸化膜、またはインジウムと同じ族に属
する元素、すなわち１３族元素、若しくは１３族元素と同様の性質を示す３族元素でなる
絶縁性の金属酸化膜１１２を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体膜１１３がＩ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜である場合、金属酸化膜１１２は、Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜とす
ることができる。また、３族元素としてランタン系の元素、例えばセリウムやガドリニウ
ムの酸化膜を用いると良い。金属酸化膜１１２として酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム
膜、酸化亜鉛膜は好適な一例として選択することができる。
【００７５】
金属酸化膜１１２は、スパッタリング法にて、金属酸化物ターゲット、または金属ター
ゲットを用いて形成することができる。スパッタリング時の雰囲気としては、不活性ガス
雰囲気、酸素ガス雰囲気、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気等で行うことができる
。また、スパッタリング法には、スパッタリング用電源に高周波電源を用いるＲＦスパッ
タリング法、直流電源を用いるＤＣスパッタリング法、交流電源を用いるＡＣスパッタリ
ング法等がある。また、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスＤＣスパッタリング法
もある。金属酸化膜１１２は、ＲＦスパッタリング法、ＡＣスパッタリング法を用いるこ
とで、緻密な膜が形成できるので好適である。また、金属酸化膜１１２を形成する際に、
基板を加熱することで、緻密な膜が形成できるので好適である。
【００７６】
また、金属酸化膜１１２、及び酸化物半導体膜１１３の形成工程において、金属酸化膜
１１２、及び酸化物半導体膜１１３に水素、または水がなるべく含まれないようにするた
めに、金属酸化膜１１２を形成するための前処理として、スパッタリング装置の予備加熱
室、すなわち真空中で、酸化窒化シリコン膜１１０が形成された基板１０２の加熱処理を
行い、基板１０２、及び酸化窒化シリコン膜１１０に吸着した水素、水などの不純物を脱
離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好
ましい。
【００７７】
酸化物半導体膜１１３としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）
を含むことが好ましい。特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。また、該酸化物を用いた
トランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加え
てガリウム（Ｇａ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ（Ｓｎ）
を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム（Ｈｆ）を有すること
が好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム（Ａｌ）を有することが好ましい
。また、スタビライザーとしてチタン（Ｔｉ）を有することが好ましい。また、スタビラ
イザーとしてジルコニウム（Ｚｒ）を有することが好ましい。
【００７８】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム
（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウ
ム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホ
ルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、
ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
【００７９】
例えば、酸化物半導体膜１１３として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系
金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚ
ｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三
元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａ
ｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ
−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓ
ｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系
酸化物を用いることができる。
【００８０】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分と
して有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、Ｉｎと
ＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【００８１】
また、酸化物半導体膜１１３として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整
数でない）で表記される材料を用いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏか
ら選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ
２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０、且つ、ｎは整数）で表記される材料を用いてもよい。
【００８２】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）あるいはＩｎ：
Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）の原子比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸
化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１
：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１
／６：１／２）あるいはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５（＝１／４：１／８：５／８）の
原子比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【００８３】
しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性（移動度、しきい値、ばらつき等）
に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、
キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等
を適切なものとすることが好ましい。
【００８４】
例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物では比較的容易に高い移動度が得られる。しかしな
がら、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物でも、バルク内欠陥密度を下げることにより移動度を上
げることができる。
【００８５】
なお、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ
＋ｃ＝１）である酸化物の組成が、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝Ａ：Ｂ：Ｃ（Ａ＋Ｂ＋
Ｃ＝１）の酸化物の組成の近傍であるとは、ａ、ｂ、ｃが、（ａ−Ａ）２＋（ｂ−Ｂ）２
＋（ｃ−Ｃ）２≦ｒ２を満たすことをいう。ｒとしては、例えば、０．０５とすればよい
。他の酸化物でも同様である。
【００８６】
酸化物半導体膜１１３は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者の場合、アモルファスで
も、多結晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非ア
モルファスでもよい。
【００８７】
アモルファス状態の酸化物半導体膜は、比較的容易に平坦な表面を得ることができるた
め、これを用いてトランジスタを作製した際の界面散乱を低減でき、比較的容易に、比較
的高い移動度を得ることができる。
【００８８】
また、結晶性を有する酸化物半導体膜では、よりバルク内欠陥を低減することができ、
表面の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体膜以上の移動度を得ることがで
きる。表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体膜を形成することが
好ましく、具体的には、平均面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下、好ましくは０．３ｎｍ以下の
表面上に形成するとよい。
【００８９】
酸化物半導体膜１１３として、結晶を含み、結晶性を有する酸化物半導体膜（結晶性酸
化物半導体膜）を用いることができる。結晶性酸化物半導体膜における結晶状態は、結晶
軸の方向が無秩序な状態でも、一定の配向性を有する状態であってもよい。
【００９０】
例えば、結晶性酸化物半導体膜として、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅ
ｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜を用いるこ
とができる。
【００９１】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、完全な単結晶ではなく、完全な非晶質でもない。ＣＡＡＣ−ＯＳ
膜は、非晶質相に結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜である。なお、
当該結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また
、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる非晶質部と結晶部との境
界は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には粒界（グレインバウンダ
リーともいう）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、粒界に起因する電子移
動度の低下が抑制される。
【００９２】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベク
トルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見て三
角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層状また
は金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸
およびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、
８５°以上９５°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、−
５°以上５°以下の範囲も含まれることとする。
【００９３】
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被
形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部が非
晶質化することもある。
【００９４】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベク
トルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状（被形
成面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある。
なお、結晶部のｃ軸の方向は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されたときの被形成面の法線ベク
トルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、ま
たは成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
【００９５】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変
動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
【００９６】
酸化物半導体膜１１３として、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を適用する場合、該ＣＡＡＣ−ＯＳ膜
を得る方法としては、三つ挙げられる。一つ目は、成膜温度を１００℃以上４５０℃以下
、更に好ましくは１５０℃以上４００℃以下として酸化物半導体膜の成膜を行い、表面に
概略垂直にｃ軸配向させる方法である。二つ目は、酸化物半導体膜を薄い膜厚で成膜した
後、２００℃以上７００℃以下の熱処理を行い、表面に概略垂直にｃ軸配向させる方法で
ある。三つ目は、一層目として薄い膜厚で成膜した後、２００℃以上７００℃以下の熱処
理を行い、二層目の成膜を行い、表面に概略垂直にｃ軸配向させる方法である。
【００９７】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、例えば、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ター
ゲットを用い、スパッタリング法によって成膜する。当該スパッタリング用ターゲットに
イオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がａ−ｂ面から劈
開し、ａ−ｂ面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子として
剥離することがある。この場合、当該平板状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持し
たまま基板に到達することで、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜することができる。
【００９８】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【００９９】
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制で
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素および窒素など）
を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点
が−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下である成膜ガスを用いる。
【０１００】
また、成膜時の基板加熱温度を高めることで、基板到達後にスパッタリング粒子のマイ
グレーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を１００℃以上７４０℃以下、好まし
くは２００℃以上５００℃以下として成膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、
平板状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり
、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。
【０１０１】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメー
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００
体積％とする。
【０１０２】
なお、酸化物半導体膜１１３として、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜以外の結晶性を有する酸化物半
導体膜（単結晶または微結晶）を成膜する場合には、成膜温度は特に限定されない。
【０１０３】
また、酸化物半導体膜１１３は、エネルギーギャップが２．８ｅＶ乃至３．２ｅＶであ
り、シリコンのエネルギーギャップ１．１ｅＶと比較して大きい。また、酸化物半導体膜
１１３の真性キャリア密度は、１０−９／ｃｍ３であり、シリコンの真性キャリア密度の
１０１１／ｃｍ３と比較して極めて小さい。
【０１０４】
酸化物半導体膜１１３の多数キャリア（電子）は、上述の真性キャリア密度とすること
で、実用的な動作温度で熱的に励起されるキャリアが存在しないため、トランジスタのソ
ースから流れるキャリアのみとすることができる。また、チャネル形成領域を完全空乏化
することが可能であるため、トランジスタのオフ電流を極めて小さくすることが可能であ
る。酸化物半導体膜１１３を用いたトランジスタのオフ電流は、室温において、１０ｙＡ
／μｍ以下、８５℃〜９５℃においても、１ｚＡ／μｍ以下となり、極めて小さい。
【０１０５】
また、本実施の形態においては、酸化物半導体膜１１３の下地膜として金属酸化膜１１
２が設けられている。酸化物半導体膜１１３と同族の金属酸化膜１１２を設けることによ
り、酸化物半導体膜１１３の結晶性を高めることができる。特に、酸化物半導体膜１１３
と金属酸化膜１１２との界面付近の結晶性を高めることができる。例えば、酸化物半導体
膜１１３の下地膜が酸化窒化シリコン膜の場合、酸化物半導体膜１１３と酸化窒化シリコ
ン膜の界面にて結晶性が低下する場合がある。しかし、本実施の形態では、酸化物半導体
膜１１３の下地膜が金属酸化膜であるため、酸化物半導体膜１１３の結晶性を向上させる
ことができ、好適である。
【０１０６】
また、金属酸化膜１１２は、特に膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上、更に好ましくは３．
６ｇ／ｃｍ３以上の酸化アルミニウム膜を用いるとよい。金属酸化膜１１２として、酸化
アルミニウム膜を用い、当該酸化アルミニウム膜の膜密度を上記数値とすることで、外部
からの水、及び水素の侵入を抑制することができる。
【０１０７】
すなわち、本実施の形態においては、金属酸化膜１１２は、酸化窒化シリコン膜１１０
の表面に付着した吸着水分、または金属酸化膜１１２の下方に形成された酸化窒化シリコ
ン膜１１０、及び窒化酸化シリコン膜１０８内に含有された水素と、を当該金属酸化膜１
１２上に形成された酸化物半導体膜１１４内への侵入を抑制することができる。
【０１０８】
酸化物半導体膜１１３の膜厚は、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下（好ましくは１５ｎｍ以上
３０ｎｍ以下）とし、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐ
ｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。また、酸化物半導体膜１１３は
、スパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態
で成膜を行うスパッタ装置を用いて成膜してもよい。
【０１０９】
なお、酸化物半導体膜１１３は、成膜時に酸素が多く含まれるような条件（例えば、酸
素１００％の雰囲気下でスパッタリング法により成膜を行うなど）で成膜して、酸素を多
く含む（好ましくは酸化物半導体膜１１３が結晶状態における化学量論的組成に対し、酸
素の含有量が過剰な領域が含まれている）膜とすることが好ましい。
【０１１０】
酸化物半導体膜１１３をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例え
ば、組成として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ比］の金属酸化
物ターゲットを用い、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。また、このターゲットの材料
及び組成に限定されず、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ
比］の金属酸化物ターゲットを用いてもよい。
【０１１１】
また、酸化物半導体膜１１３を上述した金属酸化物ターゲットを用いて形成した場合、
ターゲットの組成と、基板上に形成される薄膜の組成と、が異なる場合がある。例えば、
Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ比］の金属酸化物ターゲットを用
いた場合、成膜条件にも依存するが、薄膜である酸化物半導体膜１１３の組成は、Ｉｎ２
Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：０．６〜０．８［ｍｏｌ比］となる場合がある。こ
れは、酸化物半導体膜１１３を成膜中において、ＺｎＯが昇華する、またはＩｎ２Ｏ３、
Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯの各成分のスパッタリングレートが異なるためだと考えられる。
【０１１２】
したがって、所望の組成の薄膜を形成したい場合においては、予め金属酸化物ターゲッ
トの組成を調整する必要がある。例えば、薄膜である酸化物半導体膜１１３の組成を、Ｉ
ｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ比］とする場合においては、金属酸
化物ターゲットの組成を、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１．５［ｍｏｌ比
］とすればよい。すなわち、金属酸化物ターゲットのＺｎＯの含有量を予め多くすればよ
い。ただし、ターゲットの組成は、上記数値に限定されず、成膜条件や、形成される薄膜
の組成により適宜調整することができる。また、金属酸化物ターゲットのＺｎＯの含有量
を多くすることにより、得られる薄膜の結晶性が向上するため好ましい。
【０１１３】
また、金属酸化物ターゲットの充填率は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以
上９９．９％以下である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜
した酸化物半導体膜１１３は緻密な膜とすることができる。
【０１１４】
酸化物半導体膜１１３を、成膜する際に用いるスパッタリングガスは水素、水、水酸基
又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１１５】
スパッタリング装置の成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたもの
であってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水（Ｈ
２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等が排気さ
れるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【０１１６】
また、本実施の形態においては、金属酸化膜１１２と、酸化物半導体膜１１３と、を大
気開放せずに連続的に形成することができる。金属酸化膜１１２と酸化物半導体膜１１３
とを大気に暴露せずに真空中で連続して形成することにより、金属酸化膜１１２の表面に
水素や水などの不純物が吸着することを防止することができる。したがって、金属酸化膜
１１２と酸化物半導体膜１１３との界面を清浄に保つことができる。
【０１１７】
また、酸化物半導体膜１１３に、過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去（脱水化また
は脱水素化）するための加熱処理を行ってもよい。加熱処理の温度は、３００℃以上７０
０℃以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は減圧下又は窒素雰囲気下などで行
うことができる。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導
体膜１１３に対して窒素雰囲気下４５０℃において１時間の加熱処理を行う。
【０１１８】
なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または
熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ  
Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ  Ｒａｐｉｄ  
Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎ
ｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライド
ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水
銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置で
ある。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには
、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない
不活性気体が用いられる。
【０１１９】
例えば、加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温に加熱した不活性ガス中に基板を
入れ、数分間加熱した後、基板を不活性ガス中から出すＧＲＴＡを行ってもよい。
【０１２０】
その後、酸化物半導体膜１１３に対して、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工
程を行い、島状の酸化物半導体膜１１４を形成する（図３（Ａ）参照）。この段階で図１
（Ａ）に示す半導体装置が形成される。
【０１２１】
また、窒化酸化シリコン膜１０８、酸化窒化シリコン膜１１０、及び金属酸化膜１１２
により、ゲート絶縁膜１３０が構成されている。
【０１２２】
なお、脱水化又は脱水素化のための加熱処理は、酸化物半導体膜１１３の形成後、島状
の酸化物半導体膜１１４の形成後、（後に形成される）ソース電極１１６、及びドレイン
電極１１８の形成後であれば、どのタイミングで行ってもよい。
【０１２３】
なお、加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、
水、水素などが含まれないことが好ましい。または、熱処理装置に導入する窒素、または
ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上好まし
くは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．
１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【０１２４】
また、加熱処理で酸化物半導体膜１１４を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高
純度の一酸化二窒素ガス、又は超乾燥エア（ＣＲＤＳ（キャビティリングダウンレーザー
分光法）方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が２０ｐｐｍ（露点換算で−５５℃
）以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）を導入しても
よい。酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。
または、熱処理装置に導入する酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスの純度を、６Ｎ以上好ま
しくは７Ｎ以上（即ち、酸素ガスまたは一酸化二窒素ガス中の不純物濃度を１ｐｐｍ以下
、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。酸素ガス又は一酸化二窒素ガス
の作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少し
てしまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化
物半導体膜１１４を高純度化及びＩ型（真性）化することができる。
【０１２５】
次に金属酸化膜１１２、及び酸化物半導体膜１１４上に導電膜を形成し、当該導電膜を
フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程を行い、ソース電極１１６、及びドレイン
電極１１８を形成し、トランジスタ１５０を形成する。（図３（Ｂ）参照）。
【０１２６】
ソース電極１１６、及びドレイン電極１１８に用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素
を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等
を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方
にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜、またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒
化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成としても良い。
【０１２７】
次に、酸化物半導体膜１１４、ソース電極１１６、及びドレイン電極１１８上に保護膜
１２０を形成する（図３（Ｃ）参照）。
【０１２８】
保護膜１２０としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。なお、
これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させてもよい。
【０１２９】
また、保護膜１２０としては、特に化学量論的組成を超える酸素を含有した酸化シリコ
ン膜等を用いると好適である。化学量論的組成を超える酸素を含有した酸化シリコン膜に
より、酸化物半導体膜１１４へ酸素の供給を可能とし、酸化物半導体膜１１４の酸素欠損
の発生を防ぐことができる。
【０１３０】
なお、保護膜１２０上にトランジスタ１５０の凹凸を低減するために、さらに平坦化絶
縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド系樹脂、アクリル樹脂、ベン
ゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。
【０１３１】
以上の工程により、図１（Ｂ）に示した半導体装置を作製することができる。
【０１３２】
以上のように、本実施の形態に示す酸化物半導体を用いた半導体装置において、ゲート
絶縁膜を窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、及び金属酸化膜により構成する。ま
た、酸化物半導体膜は、金属酸化膜と接しているため、界面特性が良い。また、金属酸化
膜は、下方からの水、水素等の不純物を酸化物半導体膜に拡散するのを抑制することがで
きる。したがって、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜
を提供できる。
【０１３３】
また、金属酸化膜と、酸化物半導体膜と、を大気に暴露せずに真空中で連続して形成す
ることにより、金属酸化膜と酸化物半導体膜との界面を清浄に保つことができる。
【０１３４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３５】
（実施の形態３）
実施の形態１で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置（表示装置
ともいう）を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全
体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【０１３６】
図４（Ａ）において、第１の基板４０１上に設けられた画素部４０２を囲むようにして
、シール材４０５が設けられ、第２の基板４０６によって封止されている。図４（Ａ）に
おいては、第１の基板４０１上のシール材４０５によって囲まれている領域とは異なる領
域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された走査線駆
動回路４０４、信号線駆動回路４０３が実装されている。また別途形成された信号線駆動
回路４０３と、走査線駆動回路４０４または画素部４０２に与えられる各種信号及び電位
は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）４１８ａ、及びＦＰ
Ｃ４１８ｂから供給されている。
【０１３７】
図４（Ｂ）、及び図４（Ｃ）において、第１の基板４０１上に設けられた画素部４０２
と、走査線駆動回路４０４とを囲むようにして、シール材４０５が設けられている。また
画素部４０２と、走査線駆動回路４０４の上に第２の基板４０６が設けられている。よっ
て画素部４０２と、走査線駆動回路４０４とは、第１の基板４０１とシール材４０５と第
２の基板４０６とによって、表示素子と共に封止されている。図４（Ｂ）、及び図４（Ｃ
）においては、第１の基板４０１上のシール材４０５によって囲まれている領域とは異な
る領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号
線駆動回路４０３が実装されている。図４（Ｂ）、及び図４（Ｃ）においては、別途形成
された信号線駆動回路４０３と、走査線駆動回路４０４または画素部４０２に与えられる
各種信号及び電位は、ＦＰＣ４１８から供給されている。
【０１３８】
また、図４（Ｂ）、及び図４（Ｃ）においては、信号線駆動回路４０３を別途形成し、
第１の基板４０１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆
動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の
一部のみを別途形成して実装しても良い。
【０１３９】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（Ｃ
ｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法などを用いることができる。図４（Ａ）は、
ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４０３、走査線駆動回路４０４を実装する例であり、図
４（Ｂ）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４０３を実装する例であり、図４（Ｃ）は
、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４０３を実装する例である。
【０１４０】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントロー
ラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【０１４１】
なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは
光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣもしくはＴＡＢテープも
しくはＴＣＰが取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板
が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ方式によりＩＣ（集積回路）が直接実
装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【０１４２】
また、第１の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有
しており、実施の形態１で例示したトランジスタを適用することができる。
【０１４３】
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光素子
（発光表示素子ともいう）、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によっ
て輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等が含まれる。また、電子インクなど、電気的
作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
【０１４４】
半導体装置の一形態について、図５、及び図６を用いて説明する。図５、及び図６は、
図４（Ｂ）に示す破線Ｑ−Ｒにおける断面図に相当する。
【０１４５】
図５、及び図６に示すように、半導体装置は接続端子電極層４１５及び端子電極層４１
６を有しており、接続端子電極層４１５及び端子電極層４１６はＦＰＣ４１８が有する端
子と異方性導電膜４１９を介して、電気的に接続されている。
【０１４６】
接続端子電極層４１５は、第１の電極層４３０と同じ導電膜から形成され、端子電極層
４１６は、トランジスタ４１０、及びトランジスタ４１１のソース電極層、及びドレイン
電極層と同じ導電膜で形成されている。
【０１４７】
また、第１の基板４０１上に設けられた画素部４０２と、走査線駆動回路４０４は、ト
ランジスタを複数有しており、図５、及び図６では、画素部４０２に含まれるトランジス
タ４１０と、走査線駆動回路４０４に含まれるトランジスタ４１１とを例示している。図
５では、トランジスタ４１０、及びトランジスタ４１１上には保護膜４２０が設けられ、
図６ではさらに、保護膜４２４、保護膜４２１が設けられている。なお、絶縁膜４２３は
下地膜として機能する下地絶縁膜である。
【０１４８】
本実施の形態では、トランジスタ４１０、トランジスタ４１１として、実施の形態１で
示したトランジスタを適用することができる。
【０１４９】
トランジスタ４１０、及びトランジスタ４１１は高純度化し、酸素欠損の形成を抑制し
た酸化物半導体膜を有するトランジスタである。よって、トランジスタ４１０、及びトラ
ンジスタ４１１は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
【０１５０】
また、トランジスタ４１０、及びトランジスタ４１１は、ゲート絶縁膜が、窒化酸化シ
リコン膜、酸化窒化シリコン膜、及び金属酸化膜により構成されている。また、酸化物半
導体膜は、金属酸化膜と接しているため、界面特性が良い。また、金属酸化膜は、外部か
らの水、水素等の不純物を酸化物半導体膜に拡散するのを抑制することができる。よって
、トランジスタ４１０、及びトランジスタ４１１は、電気的特性変動が抑制されており、
電気的に安定である。
【０１５１】
このように、図５、及び図６で示す本実施の形態の半導体装置として、トランジスタ４
１０、及びトランジスタ４１１を用いることで信頼性の高い半導体装置を提供することが
できる。
【０１５２】
また、本実施の形態では、絶縁膜上において駆動回路用のトランジスタ４１１の酸化物
半導体膜のチャネル形成領域と重なる位置に導電層が設けられている例である。しかし、
この構成に限定されず、導電層を設けない構成としてもよい。導電層を酸化物半導体膜の
チャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、ＢＴ試験前後におけるトランジス
タ４１１のしきい値電圧の変化量をさらに低減することができる。また、導電層は、電位
がトランジスタ４１１のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第２のゲ
ート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いは
フローティング状態であってもよい。
【０１５３】
また、該導電層は外部の電場を遮蔽する、すなわち外部の電場が内部（薄膜トランジス
タを含む回路部）に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮蔽機能）も有
する。導電層の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によりトランジスタの電
気的な特性が変動することを防止することができる。なお、当該導電層はトランジスタ４
１１と重畳するような広範囲に設けてもよい。これによりさらなる静電遮蔽機能の向上が
見込まれる。
【０１５４】
画素部４０２に設けられたトランジスタ４１０は表示素子と電気的に接続し、表示パネ
ルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
【０１５５】
図５に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図５において、表示
素子である液晶素子４１３は、第１の電極層４３０、第２の電極層４３１、及び液晶層４
０８を含む。なお、液晶層４０８を挟持するように配向膜として機能する絶縁層４３２、
絶縁膜４３３が設けられている。第２の電極層４３１は第２の基板４０６側に設けられ、
第１の電極層４３０と第２の電極層４３１とは液晶層４０８を介して積層する構成となっ
ている。
【０１５６】
また、スペーサ４３５は、絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペ
ーサであり、液晶層４０８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。な
お球状のスペーサを用いていても良い。
【０１５７】
表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子
液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これ
らの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カ
イラルネマチック相、等方相等を示す。
【０１５８】
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよ
い。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリ
ック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発
現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組
成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、
応答速度が短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい
。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によ
って引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や
破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能とな
る。酸化物半導体膜を用いるトランジスタは、静電気の影響によりトランジスタの電気的
な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する恐れがある。よって酸化物半導体膜を用いる
トランジスタを有する液晶表示装置にブルー相の液晶材料を用いることはより効果的であ
る。
【０１５９】
また、液晶材料の固有抵抗は、１×１０９Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは１×１０１
１Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１×１０１２Ω・ｃｍ以上である。なお、本明
細書における固有抵抗の値は、２０℃で測定した値とする。
【０１６０】
液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリ
ーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。保持容量の
大きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。高純度且つ酸素欠損の
形成を抑制した酸化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素におけ
る液晶容量に対して１／３以下、好ましくは１／５以下の容量の大きさを有する保持容量
を設ければ充分である。
【０１６１】
本実施の形態で用いる高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物半導体膜を有する
トランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よっ
て、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み
間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため
、消費電力を抑制する効果を奏する。
【０１６２】
また、本実施の形態で用いる高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能であ
る。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを液晶表示装置に用いることで、
画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライバートランジスタを
同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路として、シリコンウェハ等
により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体装置の部品点数を削減する
ことができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで
、高画質な画像を提供することができる。
【０１６３】
液晶表示装置には、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−
Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉ
ｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ
Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  
Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕ
ｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉ
ｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
【０１６４】
また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用し
た透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが
、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モー
ド、ＡＳＶモードなどを用いることができる。また、ＶＡ型の液晶表示装置にも適用する
ことができる。ＶＡ型の液晶表示装置とは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する
方式の一種である。ＶＡ型の液晶表示装置は、電圧が印加されていないときにパネル面に
対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。また、画素（ピクセル）をいくつかの領域
（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメ
イン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。
【０１６５】
また、表示装置において、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反
射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差
基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを
用いてもよい。
【０１６６】
また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用い
ることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒ
は赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白を表す
）、又はＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお
、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、開示する発
明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用す
ることもできる。
【０１６７】
また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光
素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材
料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機
ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【０１６８】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正
孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキ
ャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形
成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよ
うな発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０１６９】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに
分類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を
有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−
アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み
、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を
利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明
する。
【０１７０】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透光性であればよい。
そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側
の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用
することができる。
【０１７１】
図６に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。表示素子である発光素子
４５３は、画素部４０２に設けられたトランジスタ４１０と電気的に接続している。なお
発光素子４５３の構成は、第１の電極層４３０、電界発光層４５２、第２の電極層４３１
の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子４５３から取り出す光の方向
などに合わせて、発光素子４５３の構成は適宜変えることができる。
【０１７２】
隔壁４５１は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂
材料を用い、第１の電極層４３０上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率
を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【０１７３】
電界発光層４５２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成
されていてもどちらでも良い。
【０１７４】
発光素子４５３に酸素、水素、水、二酸化炭素等が浸入しないように、第２の電極層４
３１及び隔壁４５１上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。また、第１の基板４０１、第２
の基板４０６、及びシール材４０５によって封止された空間には充填材４５４が設けられ
密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護
フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージン
グ（封入）することが好ましい。
【０１７５】
充填材４５４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂また
は熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル樹脂、ポ
リイミド系樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）または
ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を
用いればよい。
【０１７６】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）
、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けても
よい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸によ
り反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１７７】
なお、図５、及び図６において、第１の基板４０１、第２の基板４０６としては、ガラ
ス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチッ
ク基板などを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓ
ｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）
フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシート
を用いることもできる。
【０１７８】
本実施の形態では、保護膜４２０として酸化シリコン膜を用い、保護膜４２４として酸
化アルミニウム膜を用いる。保護膜４２０、保護膜４２４はスパッタリング法やＰＥ−Ｃ
ＶＤ法によって形成することができる。
【０１７９】
酸化物半導体膜上に保護膜４２４として設けられた酸化アルミニウム膜は、水素、水な
どの不純物、及び酸素の両方に対して膜を透過させない遮断効果（ブロック効果）が高い
。
【０１８０】
従って、酸化アルミニウム膜は、作製工程中及び作製後において、変動要因となる水素
、水分などの不純物の酸化物半導体膜への混入、及び酸化物半導体膜を構成する主成分材
料である酸素の酸化物半導体膜からの放出を防止する保護膜として機能する。
【０１８１】
また、保護膜４２０として酸化物半導体膜と接して設けられた酸化シリコン膜は、酸素
を酸化物半導体膜へ供給する機能を有する。よって、保護膜４２０は酸素を多く含む酸化
絶縁膜が好ましい。
【０１８２】
トランジスタ４１０、及びトランジスタ４１１は、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制
した酸化物半導体膜を有する。また、トランジスタ４１０、及びトランジスタ４１１は、
ゲート絶縁膜として、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、及び金属酸化膜により
構成されている。このようなゲート絶縁膜の構成とすることで、特性変動が抑制されてお
り、電気的に安定である。
【０１８３】
また、平坦化絶縁膜として機能する保護膜４２１は、アクリル樹脂、ポリイミド系樹脂
、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有
機材料を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させる
ことで、保護膜４２１を形成してもよい。
【０１８４】
保護膜４２１の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、Ｓ
ＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法等）、
印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カー
テンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。
【０１８５】
表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画
素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対し
て透光性とする。
【０１８６】
表示素子に電圧を印加する第１の電極層及び第２の電極層（画素電極層、共通電極層、
対向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及
び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【０１８７】
第１の電極層４３０、第２の電極層４３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を
添加したインジウム錫酸化物、グラフェンなどの透光性を有する導電性材料を用いること
ができる。
【０１８８】
また、第１の電極層４３０、第２の電極層４３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（
Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ
）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン
（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又
はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができ
る。
【０１８９】
また、第１の電極層４３０、第２の電極層４３１として、導電性高分子（導電性ポリマ
ーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては
、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまた
はその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若し
くはアニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体若しくはその誘導
体などがあげられる。
【０１９０】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回
路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０１９１】
以上のように実施の形態１で示したトランジスタを適用することで、様々な機能を有す
る半導体装置を提供することができる。
【０１９２】
（実施の形態４）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用するこ
とができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョ
ン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともい
う）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機な
どが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について
図７を用いて説明する。
【０１９３】
図７（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体３００１、筐体３００
２、表示部３００３、キーボード３００４などによって構成されている。上記実施の形態
のいずれかで示した半導体装置を表示部３００３に適用することにより、信頼性の高いノ
ート型のパーソナルコンピュータとすることができる。
【０１９４】
図７（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体３０２１には表示部３０２３と、
外部インターフェイス３０２５と、操作ボタン３０２４等が設けられている。また操作用
の付属品としてスタイラス３０２２がある。上記実施の形態のいずれかで示した半導体装
置を表示部３０２３に適用することにより、信頼性の高い携帯情報端末（ＰＤＡ）とする
ことができる。
【０１９５】
図７（Ｃ）は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍は、筐体２７０１およ
び筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７０３は、軸
部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行うことがで
きる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
【０１９６】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組
み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば右側の表示部（図７（Ｃ）では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の
表示部（図７（Ｃ）では表示部２７０７）に画像を表示することができる。上記実施の形
態のいずれかで示した半導体装置を表示部２７０５、表示部２７０７に適用することによ
り、信頼性の高い電子書籍とすることができる。表示部２７０５として半透過型、又は反
射型の液晶表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想されるため、太陽
電池を設け、太陽電池による発電、及びバッテリーでの充電を行えるようにしてもよい。
なおバッテリーとしては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点があ
る。
【０１９７】
また、図７（Ｃ）では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、
筐体２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカー２７２５などを備
えている。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一
面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の
裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部など
を備える構成としてもよい。さらに、電子書籍は、電子辞書としての機能を持たせた構成
としてもよい。
【０１９８】
また、電子書籍は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書
籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能
である。
【０１９９】
図７（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成さ
れている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォ
ン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子
２８０８などを備えている。また、筐体２８００には、携帯電話の充電を行う太陽電池セ
ル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８
０１内部に内蔵されている。上記実施の形態のいずれかで示した半導体装置を表示パネル
２８０２に適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
【０２００】
また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図７（Ｄ）には映像表示され
ている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力
される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０２０１】
表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネ
ル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能で
ある。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話
、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、
図７（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。
【０２０２】
外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可
能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外
部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応で
きる。
【０２０３】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであって
もよい。
【０２０４】
図７（Ｅ）は、デジタルビデオカメラであり、本体３０５１、表示部（Ａ）３０５７、
接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリー３０５６な
どによって構成されている。上記実施の形態のいずれかで示した半導体装置を表示部（Ａ
）３０５７、表示部（Ｂ）３０５５に適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオ
カメラとすることができる。
【０２０５】
図７（Ｆ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体９６
０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映像を表示すること
が可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を
示している。上記実施の形態のいずれかで示した半導体装置を表示部９６０３に適用する
ことにより、信頼性の高いテレビジョン装置とすることができる。
【０２０６】
テレビジョン装置の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操
作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力す
る情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０２０７】
なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一
般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通
信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信
者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０２０８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
【実施例１】
【０２０９】
本実施例においては、本発明の一態様として、用いることのできる金属酸化膜の一例と
して、酸化アルミニウム膜について評価を行った。図８乃至１３を用いて説明を行う。な
お、評価方法としては、Ｘ線反射率測定法（ＸＲＲ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅ
ｔｒｙ）と、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ
Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）と、昇温脱離ガス分光法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅ
ｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いた。
【０２１０】
まず、ＸＲＲ測定による評価を示す。ＸＲＲ測定で用いたサンプルの構造を図８（Ａ）
、及び図８（Ｂ）に示す。
【０２１１】
図８（Ａ）、及び図８（Ｂ）に示すサンプルは、ガラス基板５０２上に、金属酸化膜５
１２ａと、金属酸化膜５１２ｂをそれぞれ形成した。
【０２１２】
金属酸化膜５１２ａは、スパッタリング装置を用いて酸化アルミニウム膜を形成した。
金属酸化膜５１２ａの形成条件としては、基板温度は室温とし、Ｏ２＝５０ｓｃｃｍ（Ｏ
２＝１００％）、電力６ｋＷ（ＤＣ−Ｐｕｌｓｅ電源、Ｐｕｌｓｅ＝３００ｋＨｚ）、圧
力０．６Ｐａ、膜厚１００ｎｍとした。なお、スパッタリングターゲットとしては、金属
アルミニウムターゲットを用いた。
【０２１３】
金属酸化膜５１２ｂは、スパッタリング装置を用いて酸化アルミニウム膜を形成した。
金属酸化膜５１２ｂの形成条件としては、基板温度は１５０℃とし、Ｏ２＝３００ｓｃｃ
ｍ（Ｏ２＝１００％）、電力３０ｋＷ（ＡＣ電源）、圧力０．７Ｐａ、膜厚１００ｎｍと
した。なお、スパッタリングターゲットとしては、金属アルミニウムターゲットを用いた
。
【０２１４】
図８（Ａ）に示す構造を有するサンプルをサンプル１、図８（Ｂ）に示す構造を有する
サンプルをサンプル２とし、ＸＲＲ測定により、各酸化アルミニウム膜の膜密度を評価し
た。なお、ＸＲＲ測定は、各サンプルの面内を３点測定した。また、酸化アルミニウム膜
の組成を、理想的な組成であるＡｌ２Ｏ３（Ｚ／Ａ＝０．４８８２（Ｚ＝原子番号、Ａ＝
質量数））として用い、算出した。
【０２１５】
測定結果を図９に示す。図９より、サンプル１については、酸化アルミニウム膜の膜密
度が約３．０ｇ／ｃｍ３であり、サンプル２については、酸化アルミニウム膜の膜密度が
約３．８ｇ／ｃｍ３であった。
【０２１６】
次に、ＳＩＭＳ分析による評価を示す。ＳＩＭＳ分析に用いたサンプルの構造を図１０
（Ａ）、及び図１０（Ｂ）に示す。
【０２１７】
図１０（Ａ）、及び図１０（Ｂ）に示す評価用サンプルは、ガラス基板５０２上に酸化
シリコン膜５０４ａ、及び酸化シリコン膜５０４ｂをそれぞれ形成し、酸化シリコン膜５
０４ａ、及び酸化シリコン膜５０４ｂ上に、金属酸化膜５１３ａ、及び金属酸化膜５１３
ｂをそれぞれ形成した。なお、図１０（Ａ）に示す構造を有するサンプルをサンプル３、
図１０（Ｂ）に示す構造を有するサンプルをサンプル４とした。
【０２１８】
酸化シリコン膜５０４ａの形成条件として、スパッタリング法を用い、基板温度２００
℃とし、Ｏ２＝３００ｓｃｃｍ（Ｏ２＝１００％）、電力６ｋＷ（ＤＣ−Ｐｕｌｓｅ電源
、Ｐｕｌｓｅ＝３００ｋＨｚ）、圧力０．４Ｐａ、膜厚１００ｎｍとした。
【０２１９】
酸化シリコン膜５０４ｂの形成条件として、スパッタリング法を用い、基板温度２００
℃とし、Ｏ２＝３００ｓｃｃｍ（Ｏ２＝１００％）、電力６ｋＷ（ＤＣ−Ｐｕｌｓｅ電源
、Ｐｕｌｓｅ＝３００ｋＨｚ）、圧力０．４Ｐａ、膜厚４００ｎｍとした。
【０２２０】
金属酸化膜５１３ａは、スパッタリング装置を用いて酸化アルミニウム膜を形成した。
金属酸化膜５１３ａの形成条件としては、基板温度は室温とし、Ｏ２＝５０ｓｃｃｍ（Ｏ
２＝１００％）、電力６ｋＷ（ＤＣ−Ｐｕｌｓｅ電源、Ｐｕｌｓｅ＝３００ｋＨｚ）、圧
力０．６Ｐａ、膜厚５０ｎｍとした。なお、スパッタリングターゲットとしては、金属ア
ルミニウムターゲットを用いた。
【０２２１】
金属酸化膜５１３ｂは、スパッタリング装置を用いて酸化アルミニウム膜を形成した。
金属酸化膜５１３ｂの形成条件としては、基板温度は１５０℃とし、Ｏ２＝３００ｓｃｃ
ｍ（Ｏ２＝１００％）、電力３０ｋＷ（ＡＣ電源）、圧力０．７Ｐａ、膜厚１００ｎｍと
した。なお、スパッタリングターゲットとしては、金属アルミニウムターゲットを用いた
。
【０２２２】
なお、金属酸化膜５１３ａ、及び金属酸化膜５１３ｂの酸化アルミニウム膜の膜密度は
、それぞれ、３．０ｇ／ｃｍ３、３．８ｇ／ｃｍ３とした。
【０２２３】
上述したサンプル３、及びサンプル４の構造を表１に示す。
【０２２４】
【表１】
2018157224.tif 000003
【０２２５】
表１に示す、サンプル３、及びサンプル４について、プレッシャークッカー試験（ＰＣ
Ｔ：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｏｋｅｒ  Ｔｅｓｔ）を行った。本実施例ではＰＣＴ試験と
して、温度１３０℃、湿度８５％、Ｈ２Ｏ（水）：Ｄ２Ｏ（重水）＝３：１（体積比）雰
囲気、２．３気圧（０．２３ＭＰａ）の条件でサンプル３、及びサンプル４を１００時間
保持した。
【０２２６】
ＰＣＴ試験後のサンプル３、及びサンプル４のＳＩＭＳ分析を行い、膜中の水素（Ｈ）
原子、及び重水素（Ｄ）原子の濃度測定を行った。サンプル３、及びサンプル４の評価結
果を、それぞれ図１１（Ａ）、及び図１１（Ｂ）に示す。
【０２２７】
なお、ＳＩＭＳ分析は、その測定原理上、試料表面近傍や、材質が異なる膜との積層界
面近傍のデータを正確に得ることが困難であることが知られている。そこで、膜中におけ
る水素（Ｈ）原子、及び重水素（Ｄ）原子濃度の厚さ方向の分布を、ＳＩＭＳで分析する
場合、対象となる膜の存在する範囲において、極端な変動が無く、ほぼ一定の強度が得ら
れる領域における平均値を採用する。
【０２２８】
図１１（Ａ）より、サンプル３の酸化シリコン膜５０４ａの膜中の水素（Ｈ）原子、及
び重水素（Ｄ）原子の濃度は、それぞれ、１．４×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、２．９
×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２２９】
図１１（Ｂ）より、サンプル４の酸化シリコン膜５０４ｂの膜中の水素（Ｈ）原子、及
び重水素（Ｄ）原子の濃度は、それぞれ、２．２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、検出下
限以下であった。なお、本実施例におけるＳＩＭＳ分析の重水素（Ｄ）原子濃度の検出下
限は、１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
【０２３０】
なお、本実施例のＳＩＭＳ分析結果は、すべて酸化シリコン膜の標準試料により定量し
た結果を示している。
【０２３１】
図１１より、酸化アルミニウム膜の膜密度が約３．０ｇ／ｃｍ３のサンプル３において
は、水素（Ｈ）原子、及び重水素（Ｄ）原子が酸化アルミニウム膜を通過し、酸化シリコ
ン膜中に拡散していることがわかる。一方、酸化アルミニウム膜の膜密度が約３．８ｇ／
ｃｍ３のサンプル４においては、水素（Ｈ）原子、及び重水素（Ｄ）原子が酸化アルミニ
ウム膜中で拡散を抑制していることがわかる。水素（Ｈ）原子、及び重水素（Ｄ）原子と
もに、酸化アルミニウム膜の３０ｎｍ付近で急激に濃度低下が見られることより、サンプ
ル３同様に酸化アルミニウム膜の膜厚が５０ｎｍとしても、水素（Ｈ）原子、及び重水素
（Ｄ）原子を抑制できると示唆している。
【０２３２】
以上のように酸化アルミニウム膜の膜密度により水素（Ｈ）原子、及び重水素（Ｄ）原
子に対し、バリア性が異なることが確認された。
【０２３３】
次に、ＴＤＳ分析による評価を示す。ＴＤＳ分析に用いたサンプルの構造を図１２（Ａ
）、及び図１２（Ｂ）に示す。
【０２３４】
図１２（Ａ）に示すサンプルは、ガラス基板５０２上に、窒化シリコン膜５０５を形成
した。図１２（Ｂ）に示すサンプルは、ガラス基板５０２上に、窒化シリコン膜５０５を
形成し、窒化シリコン膜５０５上に金属酸化膜５１４として酸化アルミニウム膜を形成し
た。
【０２３５】
窒化シリコン膜５０５の成膜条件は、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて、基板温度２２０℃、
ＳｉＨ４＝２７０ｓｃｃｍ、Ｈ２＝４０００ｓｃｃｍ、Ｎ２Ｏ＝２７００ｓｃｃｍ、膜厚
１００ｎｍとした。
【０２３６】
金属酸化膜５１４は、スパッタリング装置を用い酸化アルミニウム膜を形成した。酸化
アルミニウム膜の成膜条件は、基板温度は１５０℃とし、Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ（Ｏ２＝
１００％）、電力３０ｋＷ（ＡＣ電源）、圧力０．７Ｐａ、膜厚１００ｎｍとした。
【０２３７】
なお、図１２（Ａ）に示す構造を有するサンプルをサンプル５、図１２（Ｂ）に示す構
造を有するサンプルをサンプル６とし、サンプル５、及びサンプル６のＴＤＳ分析を行っ
た。なお、ＴＤＳ分析は、各サンプルを真空容器内で加熱し、昇温中に各サンプルから発
生するガス成分を四重極質量分析計で検出する。検出されるガス成分は、ｍ／ｚ（質量／
電荷）のイオン強度で区別される。なお、本実施例では、ｍ／ｚ＝２のイオン強度を水素
（Ｈ２）、ｍ／ｚ＝１８のイオン強度を水（Ｈ２Ｏ）として同定した。図１３（Ａ）に各
サンプルのｍ／ｚ＝２（Ｈ２）のＴＤＳスペクトルを、図１３（Ｂ）にｍ／ｚ＝１８（Ｈ
２Ｏ）のＴＤＳスペクトルを、それぞれ示す。なお、図１３（Ａ）において、横軸が基板
温度（℃）を、縦軸がｍ／ｚ＝２のイオン強度（任意単位）を、それぞれ表す。また、図
１３（Ｂ）において、横軸が基板温度（℃）を、縦軸がｍ／ｚ＝１８のイオン強度（任意
単位）を、それぞれ表す。
【０２３８】
図１３（Ａ）より、サンプル５については、３５０℃付近にピークを有し、水素（Ｈ２
）の検出が確認される。この検出は、窒化シリコン膜５０５膜中に含有されたＨ２と考え
られる。一方、サンプル６については、測定範囲内では、概ねフラットな検出分布となっ
ており、顕著な水素（Ｈ２）の検出は認められない。窒化シリコン膜５０５膜中に含有さ
れたＨ２は、金属酸化膜５１４により、外部への放出を抑制した結果であると考えられる
。
【０２３９】
図１３（Ｂ）より、サンプル５、及びサンプル６ともに、５０℃〜１００℃付近にＨ２
Ｏのピークを有するが、このピークは、サンプル表面に付着している吸着水分と考えられ
る。また、サンプル５とサンプル６を比較した場合、サンプル６の方が、サンプル５より
もＨ２Ｏの検出量が少ない。金属酸化膜５１４を最表面とすることが、表面に付着する吸
着水分が減少する可能性が示唆される。
【０２４０】
以上のように、窒化シリコン膜の上方に金属酸化膜を形成することで、窒化シリコン膜
中に水、水素等を含有していても、当該金属酸化膜により、放出を抑制することが確認さ
れた。
【実施例２】
【０２４１】
本実施例では、本発明の一形態である半導体装置の作製方法により得られた、トランジ
スタの電気特性について説明する。
【０２４２】
本実施例におけるトランジスタの構造を図１４（Ａ）、及び図１４（Ｂ）を用いて説明
を行う。なお、図１４（Ａ）はトランジスタの平面図を示し、図１４（Ｂ）は、図１４（
Ａ）に示す破線Ｘ−Ｙの断面図に相当する。また、図１４（Ａ）において、構成要素の一
部（例えば、ゲート絶縁膜、保護膜など）は、図面の煩雑を避けるために省略している。
【０２４３】
図１４（Ａ）、及び図１４（Ｂ）に示すトランジスタ６５０は、基板６０２と、下地絶
縁膜６０４と、ゲート電極６０６と、窒化酸化シリコン膜６０８と、酸化窒化シリコン膜
６１０と、金属酸化膜６１２と、酸化物半導体膜６１４と、ソース電極６１６と、ドレイ
ン電極６１８と、を有する。また、トランジスタ６５０を覆うように、保護膜６２０ａ、
及び保護膜６２０ｂが形成されている。
【０２４４】
また、窒化酸化シリコン膜６０８と、酸化窒化シリコン膜６１０と、金属酸化膜６１２
と、によりゲート絶縁膜６３０を構成している。
【０２４５】
図１４（Ｂ）を用いて、トランジスタ６５０の作製方法について以下説明を行う。
【０２４６】
基板６０２として０．７ｍｍのガラス基板を用い、基板６０２上に下地絶縁膜６０４を
形成した。下地絶縁膜６０４は、窒化シリコン膜を１００ｎｍと、窒化シリコン膜上に酸
化シリコン膜１５０ｎｍの積層構造とした。
【０２４７】
次に、下地絶縁膜６０４上に導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ工程、及びエッチン
グ工程を行い、ゲート電極６０６を形成した。ゲート電極６０６としては、スパッタリン
グ装置を用い、タングステン膜を１００ｎｍとした。
【０２４８】
次に、下地絶縁膜６０４、及びゲート電極６０６上に窒化酸化シリコン膜６０８、及び
酸化窒化シリコン膜６１０を形成した。窒化酸化シリコン膜６０８、及び酸化窒化シリコ
ン膜６１０は、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用い、真空中で連続して形成した。なお、窒化酸化シ
リコン膜６０８の形成条件としては、ＳｉＨ４＝２７０ｓｃｃｍ、ＮＨ３＝２７００ｓｃ
ｃｍ、Ｎ２＝４０００ｓｃｃｍ、Ｎ２Ｏ＝５００ｓｃｃｍ、圧力２００Ｐａ、基板温度３
００℃、電力２ｋＷ（ＲＦ電源（周波数：２７ＭＨｚ））、電極と基板間距離１５ｍｍ、
膜厚３２５ｎｍとした。また、酸化窒化シリコン膜６１０の形成条件としては、ＳｉＨ４
／Ｎ２Ｏ＝９０／９０００ｓｃｃｍ、圧力８０Ｐａ、基板温度３００℃、電力１ｋＷ（Ｒ
Ｆ電源（周波数：２７ＭＨｚ））、電極と基板間距離１５ｍｍ、膜厚５０ｎｍとした。
【０２４９】
次に、ベーク炉を用いて窒素雰囲気下、３５０℃にて１時間の第１の熱処理を行った。
【０２５０】
次に、酸化窒化シリコン膜６１０上に、金属酸化膜６１２と酸化物半導体膜６１４を真
空中で連続して形成した。
【０２５１】
なお、金属酸化膜６１２は、スパッタリング装置を用い、酸化アルミニウム膜を成膜し
た。
金属酸化膜６１２の形成条件としては、基板温度は１５０℃とし、Ｏ２＝３００ｓｃｃｍ
（Ｏ２＝１００％）、電力３０ｋＷ（ＡＣ電源）、圧力０．７Ｐａ、膜厚５０ｎｍとした
。なお、スパッタリングターゲットとしては、金属アルミニウムターゲットを用いた。
【０２５２】
なお、金属酸化膜６１２は、実施例１のサンプル４で示した酸化アルミニウム膜と同様
の膜であり、その膜密度は、３．８ｇ／ｃｍ３である。
【０２５３】
また、酸化物半導体膜６１４は、スパッタリング装置にて、ＩＧＺＯターゲット（Ｉｎ
２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ比］）を用い、基板温度１７０℃、圧
力０．６Ｐａ、電力５ｋＷ（ＡＣ電源）の条件で成膜した。なお、酸化物半導体膜の膜厚
は３５ｎｍとした。
【０２５４】
次に、酸化物半導体膜にフォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程を行い、酸化物
半導体膜を加工し、酸化物半導体膜６１４を形成した。
【０２５５】
次に、ベーク炉を用いて窒素雰囲気下、３５０℃にて１時間の第２の熱処理を行い、続
けてベーク炉を用いて窒素と酸素雰囲気下、３５０℃にて１時間の第３の熱処理を行った
。
【０２５６】
次に、金属酸化膜６１２、及び酸化物半導体膜６１４上に導電膜を成膜し、フォトリソ
グラフィ工程、及びエッチング工程を行い、ソース電極６１６、及びドレイン電極６１８
を形成した。ソース電極６１６、及びドレイン電極６１８は、チタン、アルミニウム、チ
タンの３層の積層構造とし、それぞれの膜厚は、１００ｎｍ、４００ｎｍ、１００ｎｍと
した。
【０２５７】
次に、ベーク炉を用いて窒素雰囲気下、３００℃にて１時間の第４の熱処理を行い、続
けて保護膜６２０ａを形成した。保護膜６２０ａは、スパッタリング装置を用い、酸化シ
リコン膜を形成した。酸化シリコン膜の形成条件としては、Ｓｉターゲットを用い、基板
温度は室温とし、酸素３００ｓｃｃｍ、圧力０．７Ｐａ、膜厚４００ｎｍとした。
【０２５８】
次に、保護膜６２０ａ上に保護膜６２０ｂを形成した。保護膜６２０ｂは、スピン塗布
法によりアクリル樹脂を形成し、その膜厚は１．５μｍとした。
【０２５９】
その後、ベーク炉を用いて窒素雰囲気下、２５０℃にて１時間の第５の熱処理を行った
。
【０２６０】
以上の工程によりトランジスタ６５０を形成した。なお、本実施例のトランジスタ６５
０は、チャネル長（Ｌ）＝３μｍ、チャネル幅（Ｗ）＝３μｍで形成した。
【０２６１】
上記により得られた本発明の一態様であるトランジスタ６５０の電気測定を行った。ト
ランジスタ６５０の電気測定結果を図１５に示す。
【０２６２】
なお、図１５に示す電気測定結果において、実線は、トランジスタのソース電極とドレ
イン電極間の電圧（Ｖｄ）を１０Ｖとし、ゲート電圧（Ｖｇ）を−１５Ｖから１５Ｖまで
、０．２５Ｖ間隔で変化させた際のドレイン電流（Ｉｄ）−ゲート電圧（Ｖｇ）を示して
おり、破線は、トランジスタのソース電極とドレイン電極間の電圧（Ｖｄ）を１０Ｖとし
、ゲート電圧（Ｖｇ）を−１５Ｖから１５Ｖまで、０．２５Ｖ間隔で変化させた際の電界
効果移動度（μＦＥ）を示している。
【０２６３】
図１５より、本実施例のトランジスタ６５０は、ソース電極とドレイン電極間の電圧（
Ｖｄ）を１０Ｖとし、ゲート電圧（Ｖｇ）を−１５Ｖから１５Ｖの飽和領域での最大の電
界効果移動度（μＦＥ）は、７．５ｃｍ２／Ｖｓであった。また、Ｖｇ＝０Ｖにて、ノー
マリオフのトランジスタであることが確認された。
【０２６４】
上述の通り、本実施例のトランジスタ６５０は、移動度が高く、ノーマリオフのトラン
ジスタであることがわかった。
【０２６５】
本実施例は、他の実施の形態、または他の実施例と適宜組み合わせて実施することがで
きる。
【符号の説明】
【０２６６】
１０２    基板
１０４    下地絶縁膜
１０６    ゲート電極
１０８    窒化酸化シリコン膜
１１０    酸化窒化シリコン膜
１１２    金属酸化膜
１１３    酸化物半導体膜
１１４    酸化物半導体膜
１１６    ソース電極
１１８    ドレイン電極
１２０    保護膜
１３０    ゲート絶縁膜
１５０    トランジスタ
４０１    基板
４０２    画素部
４０３    信号線駆動回路
４０４    走査線駆動回路
４０５    シール材
４０６    基板
４０８    液晶層
４１０    トランジスタ
４１１    トランジスタ
４１３    液晶素子
４１５    接続端子電極層
４１６    端子電極層
４１９    異方性導電膜
４２０    保護膜
４２１    保護膜
４２３    絶縁膜
４２４    保護膜
４３０    電極層
４３１    電極層
４３２    絶縁層
４３３    絶縁膜
４３５    スペーサ
４５１    隔壁
４５２    電界発光層
４５３    発光素子
４５４    充填材
５０２    ガラス基板
５０４ａ    酸化シリコン膜
５０４ｂ    酸化シリコン膜
５０５    窒化シリコン膜
５１２ａ    金属酸化膜
５１２ｂ    金属酸化膜
５１３ａ    金属酸化膜
５１３ｂ    金属酸化膜
５１４    金属酸化膜
６０２    基板
６０４    下地絶縁膜
６０６    ゲート電極
６０８    窒化酸化シリコン膜
６１０    酸化窒化シリコン膜
６１２    金属酸化膜
６１４    酸化物半導体膜
６１６    ソース電極
６１８    ドレイン電極
６２０ａ    保護膜
６２０ｂ    保護膜
６３０    ゲート絶縁膜
６５０    トランジスタ
２７０１    筐体
２７０３    筐体
２７０５    表示部
２７０７    表示部
２７１１    軸部
２７２１    電源
２７２３    操作キー
２７２５    スピーカー
２８００    筐体
２８０１    筐体
２８０２    表示パネル
２８０３    スピーカー
２８０４    マイクロフォン
２８０５    操作キー
２８０６    ポインティングデバイス
２８０７    カメラ用レンズ
２８０８    外部接続端子
２８１０    太陽電池セル
２８１１    外部メモリスロット
３００１    本体
３００２    筐体
３００３    表示部
３００４    キーボード
３０２１    本体
３０２２    スタイラス
３０２３    表示部
３０２４    操作ボタン
３０２５    外部インターフェイス
３０５１    本体
３０５３    接眼部
３０５４    操作スイッチ
３０５６    バッテリー
９６０１    筐体
９６０３    表示部
９６０５    スタンド
【図１】
2018157224.tif 000004
【図２】
2018157224.tif 000005
【図３】
2018157224.tif 000006
【図４】
2018157224.tif 000007
【図５】
2018157224.tif 000008
【図６】
2018157224.tif 000009
【図７】
2018157224.tif 000010
【図８】
2018157224.tif 000011
【図９】
2018157224.tif 000012
【図１０】
2018157224.tif 000013
【図１１】
2018157224.tif 000014
【図１２】
2018157224.tif 000015
【図１３】
2018157224.tif 000016
【図１４】
2018157224.tif 000017
【図１５】
2018157224.tif 000018