(57)【要約】【課題】ドロップレシピを効率的に決定するために有利な技術を提供する。【解決手段】インプリント材の配置を示すドロップレシピをインプリント装置において決定する決定方法は、暫定ドロップレシピに従って基板の上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、前記パターンに基づいて前記暫定ドロップレシピを変更する処理を、前記パターンの品質が所定条件を満たすまで反復して実行する反復工程と、前記パターンの品質が前記所定条件を満たした段階における最新の前記暫定ドロップレシピに基づいて前記ドロップレシピを決定する決定工程と、を含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント材の配置を示す情報をインプリント装置において決定する決定方法であって、
前記インプリント装置が、暫定配置に従って基板の上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、前記パターンに基づいて前記暫定配置を変更する処理を、前記パターンの品質が所定条件を満たすまで反復して実行する反復工程と、
前記インプリント装置が、前記パターンの品質が前記所定条件を満たした段階における最新の前記暫定配置に基づいて前記インプリント材の配置を示す情報を決定する決定工程と、
を含むことを特徴とする決定方法。
【請求項２】
前記反復工程は、変更後の前記暫定配置に従ってインプリント材を配置しパターンを形成するための空き領域が前記基板に存在する場合は、前記基板を使って実行される、
ことを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項３】
前記基板が前記インプリント装置の基板保持部によって保持された後、前記基板を使って前記反復工程が実行される間は、前記基板が前記基板保持部によって保持された状態が維持される、
ことを特徴とする請求項２に記載の決定方法。
【請求項４】
前記反復工程は、変更後の前記暫定配置に従ってインプリント材を配置しパターンを形成するための空き領域が前記基板に存在しない場合は、前記基板に代えて他の基板を使って実行される、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の決定方法。
【請求項５】
矩形形状を有する完全ショット領域のための第１配置が完全ショット領域を使って決定されるように前記反復工程が実行され、その後、
一部が基板エッジによって規定された部分ショット領域のための第２配置が部分ショット領域を使って決定されるように前記反復工程が実行され、
前記第２配置を決定するための最初の前記暫定配置が前記第１配置に基づいて決定される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の決定方法。
【請求項６】
矩形形状を有する完全ショット領域のための第１配置が基板の完全ショット領域を使って決定されるように前記反復工程が実行され、その後、
一部が基板エッジによって規定された部分ショット領域のための第２配置が前記基板の部分ショット領域を使って決定されるように前記反復工程が実行され、
前記第２配置を決定するための最初の前記暫定配置が前記第１配置に基づいて決定される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の決定方法。
【請求項７】
一部が基板エッジによって規定された部分ショット領域のためのインプリント材の配置を示す情報が決定されるように前記反復工程が実行され、
前記部分ショット領域のためのインプリント材の配置を示す情報の決定のための前記反復工程の全部または一部おいて、矩形形状を有する完全ショット領域が使われる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の決定方法。
【請求項８】
前記パターンの品質が前記所定条件を満たすかどうかを検査するための検査領域を指定する情報を、ユーザインターフェースを介して取得する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の決定方法。
【請求項９】
前記パターンの品質が前記所定条件を満たすかどうかを検査するための検査領域を前記モールドの設計情報に基づいて決定する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の決定方法。
【請求項１０】
インプリント材の配置を示す情報をインプリント装置において決定する決定方法であって、
前記インプリント装置が、暫定配置に従って基板の上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、前記暫定配置を変更する処理を、前記基板が前記インプリント装置の基板保持部によって保持された後、前記基板の複数のショット領域に対して反復して実行する反復工程と、
前記インプリント装置が、前記複数のショット領域のそれぞれの上に形成された前記パターンの評価結果のうち所定条件を満たす評価結果を示す前記パターンが形成されたショット領域に対するインプリント材の配置のために使用された前記暫定配置に基づいて前記インプリント材の配置を示す情報を決定する決定工程と、
を含むことを特徴とする決定方法。
【請求項１１】
前記反復工程では、指定されたインプリント条件で前記パターンを形成し、
前記インプリント条件は、前記基板と前記モールドの位置合わせの完了時の前記基板と前記モールドの相対位置、前記インプリント材に前記モールドを接触させてから硬化させるまでの時間、前記インプリント材に前記モールドを接触する時の圧力、前記インプリント材に前記モールドを接触させる時の前記モールドの変形、の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の決定方法。
【請求項１２】
前記所定条件は、前記インプリント材の未充填、ショット領域からの前記インプリント材の浸み出し、アライメント結果、ショット領域における残膜の厚さのバラツキ、の少なくとも１つに関する条件を含むことを特徴とする請求項１０に記載の決定方法。
【請求項１３】
基板の上にモールドを用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント機構と、前記インプリント機構を制御する制御部とを備えるインプリント装置であって、
前記制御部は、インプリント材の配置を示す情報を決定する機能を有し、
前記制御部は、暫定配置に従って基板の上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、前記パターンに基づいて前記暫定配置を変更する処理を、前記パターンの品質が所定条件を満たすまで反復する反復工程を前記インプリント機構に実行させ、
前記制御部は、前記パターンの品質が前記所定条件を満たした段階における最新の前記暫定配置に基づいて前記インプリント材の配置を示す情報を決定する、
を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１４】
前記制御部は、変更後の前記暫定配置に従ってインプリント材を配置しパターンを形成するための空き領域が前記基板に存在する場合は、前記基板を使って前記反復工程を実行する、
ことを特徴とする請求項１３に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
前記基板が前記インプリント装置の基板保持部によって保持された後、前記基板を使って前記反復工程が実行される間は、前記基板が前記基板保持部によって保持された状態が維持される、
ことを特徴とする請求項１４に記載のインプリント装置。
【請求項１６】
前記制御部は、変更後の前記暫定配置に従ってインプリント材を配置しパターンを形成するための空き領域が前記基板に存在しない場合は、前記基板に代えて他の基板を使って前記反復工程を実行する、
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載のインプリント装置。
【請求項１７】
前記制御部は、矩形形状を有する完全ショット領域のための第１配置が完全ショット領域を使って決定されるように前記反復工程を実行し、その後、一部が基板エッジによって規定された部分ショット領域のための第２配置が部分ショット領域を使って決定されるように前記反復工程を実行し、
前記制御部は、前記第２配置を決定するための最初の前記暫定配置を前記第１配置に基づいて決定する、
ことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１８】
前記制御部は、矩形形状を有する完全ショット領域のための第１配置が基板の完全ショット領域を使って決定されるように前記反復工程を実行し、その後、一部が基板エッジによって規定された部分ショット領域のための第２配置が前記基板の部分ショット領域を使って決定されるように前記反復工程を実行し、
前記制御部は、前記第２配置を決定するための最初の前記暫定配置を前記第１配置に基づいて決定する、
ことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１９】
前記制御部は、一部が基板エッジによって規定された部分ショット領域に供給されるインプリント材の配置を示す情報が決定されるように前記反復工程を実行し、前記部分ショット領域のためのインプリント材の配置を示す情報の決定のための前記反復工程の全部または一部おいて、矩形形状を有する完全ショット領域を使う、
ことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項２０】
前記パターンの品質が前記所定条件を満たすかどうかを検査するための検査領域を指定する情報を取得するためのユーザインターフェースを更に備える、
ことを特徴とする請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項２１】
前記制御部は、前記パターンの品質が前記所定条件を満たすかどうかを検査するための検査領域を前記モールドの設計情報に基づいて決定する、
ことを特徴とする請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項２２】
請求項１３乃至２１のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンを形成された基板の処理を行う工程と、
を含み、前記処理を行われた基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドロップレシピの決定方法、インプリント装置および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、基板の上にインプリント材を供給し、インプリント材にモールドを接触させ、インプリント材を硬化させることによって基板の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成する。基板の上へのインプリント材の供給は、ドロップレシピに従ってディスペンサからインプリント材を吐出することによってなされうる。ドロップレシピは、基板の上におけるインプリント材の配置を示す情報である。特許文献１には、基板に転写されたパターンの欠陥を検査し、欠陥の輪郭を抽出し、この輪郭が反映された半導体集積回路のパターンデータに基づいてドロップレシピを生成するインプリント方法が記載されている。特許文献２には、テンプレートに形成されたテンプレートパターンの情報に基づいてレジスト塗布分布を設定するパターン形成方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−６９７０１号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５９７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
新規のパターンに適合したドロップレシピを作成するためには、そのパターンの仕様、インプリント装置の仕様、インプリント材の仕様等に応じて初期のドロップレシピが作成される。その後、インプリント処理およびそれによって基板の上に形成されるパターンの評価を繰り返しながらドロップレシピが最適化され最終的なドロップレシピが決定されうる。この作業には、膨大な時間とコストがかかる。
【０００５】
本発明は、インプリント材の配置を効率的に決定するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、インプリント材の配置を示す情報をインプリント装置において決定する決定方法に係り、前記決定方法は、前記インプリント装置が、暫定配置に従って基板の上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、前記パターンに基づいて前記暫定配置を変更する処理を、前記パターンの品質が所定条件を満たすまで反復して実行する反復工程と、前記インプリント装置が、前記パターンの品質が前記所定条件を満たした段階における最新の前記暫定配置に基づいて前記インプリント材の配置を示す情報を決定する決定工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、インプリント材の配置を効率的に決定するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図２】インプリント処理を模式的に示す図。
【図３】インプリント材供給部の吐出ヘッドの構成例を示す図。
【図４】インプリント装置の制御部の構成例を示す図。
【図５Ａ】ショットレイアウトを例示する図。
【図５Ｂ】完全ショットレイアウトを例示する図。
【図５Ｃ】部分ショットレイアウトを例示する図。
【図６】インプリント装置によって実行されるドロップレシピ生成方法の手順を示す図。
【図７】インプリント装置によって実行されるドロップレシピ生成方法の手順のより具体的な例を示す図。
【図８】インプリント装置によって実行されるドロップレシピ生成方法の手順のより具体的な例を示す図。
【図９】ショット領域の外縁近傍に配置されたアライメントマークにおいて発生しうる未充填欠陥を低減するための暫定ドロップレシピの変更方法を例示する図。
【図１０】ショット領域の外縁において発生するインプリント材のはみ出しを低減するための暫定ドロップレシピの変更方法を例示する図。
【図１１】ショット領域の外縁において発生するインプリント材のはみ出しを低減するための暫定ドロップレシピの変更方法を例示する図。
【図１２】ショット領域の外縁において発生するインプリント材のはみ出しを低減するための暫定ドロップレシピの変更方法を例示する図。
【図１３】変更後の暫定ドロップレシピに従って形成されたパターンを撮像した画像データを例示する図。
【図１４】ユーザインターフェースによって提供される設定画面を例示する図。
【図１５】物品製造方法を例示する図。
【図１６】他の物品製造方法を例示する図。
【図１７Ａ】部分ショット領域のドロップレシピの生成方法を説明するための図。
【図１７Ｂ】部分ショット領域のドロップレシピの生成方法を説明するための図。
【図１７Ｃ】部分ショット領域のドロップレシピの生成方法を説明するための図。
【図１８】インプリント装置によって実行されるドロップレシピ生成方法の手順のより具体的な例を示す図。
【図１９】ユーザインターフェースによって提供される設定画面を例示する図。
【図２０】評価条件と評価指標を示すデータテーブルの一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明のその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１０】
図１には、本発明の第１実施形態のインプリント装置２００の構成が示されている。インプリント装置２００は、基板１の上にインプリント材ＩＭを配置し、インプリント材ＩＭにモールド１８を接触させた状態でインプリント材ＩＭに硬化用のエネルギーを与えることによってインプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンを形成する。これにより、モールド１８のパターンが基板１に転写される。このようにして基板１の上にインプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンを形成する処理をインプリント処理と呼ぶ。
【００１１】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添モールド離モールド剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給部（ディスペンサ）により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１２】
以下では、インプリント材ＩＭを硬化させるためのエネルギーとして紫外光を使用する例を説明する。本明細書および添付図面では、基板１の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせ（アライメント）は、基板およびモールドの少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。
【００１３】
インプリント装置２００は、計測器４、計測器６、基板ステージ７、ブリッジ構造体８、計測器９、硬化用光源１１、アライメント計測部１２、ハーフミラー１３、排気ダクト１４、連結部材１５およびモールドヘッド１６を有する。更に、インプリント装置２００は、空気ばね１９、ベース定盤２０、ガス供給部２１、ホルダ２２、インプリント材供給部（ディスペンサ）２３、オフアクシススコープ２４、圧力センサ２５、検出部２６、制御部４００およびユーザインターフェース３４を有する。制御部４００は、ネットワーク３０１を介して、統括コンピュータ３００と接続されている。モールドヘッド１６は、パターン面Ｐを有するモールド１８を保持するモールドチャック１７を含む。モールド１８のパターン面Ｐには、基板１に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されている。
【００１４】
検出部２６は、基板上のインプリント材に対するモールド１８の接触状態、基板上のインプリント材のモールド１８への充填状態、基板上のインプリント材からのモールド１８の分離状態を画像情報として観察することが可能である。また、基板ステージ７が移動することで、基板周辺部と基板チャックの位置関係を観察することも可能である。モールドチャック１７は、例えば、真空吸着によってモールド１８を保持する。モールドチャック１７は、モールドチャック１７からのモールド１８の脱落を防止する構造を有していてもよい。本実施形態では、モールドチャック１７は、モールドヘッド１６と強固に結合している。モールドヘッド１６は、ブリッジ構造体８を基準として、少なくとも、Ｚ軸、θＸ及びθＹの３軸方向に移動（駆動）することが可能な機構を有しうる。モールドヘッド１６は、連結部材１５を介して、ブリッジ構造体８に連結され、ブリッジ構造体８によって支持されている。また、アライメント計測部１２もブリッジ構造体８によって支持されている。
【００１５】
アライメント計測部１２は、モールド１８と基板１との位置合わせ（アライメント）のためのアライメント計測を行う。アライメント計測部１２は、本実施形態では、モールド１８に設けられたマーク及び基板ステージ７および基板１に設けられたマークを検出してアライメント信号を生成するアライメント検出系を含む。また、アライメント計測部１２は、カメラ（撮像装置）を含み、検出部２６と同様、紫外線の照射による基板１上のインプリント材ＩＭの硬化状態（インプリント状態）を観察する機能を有しうる。また、アライメント計測部１２は、基板１上のインプリント材に対するモールド１８の接触状態、基板上のインプリント材のモールド１８への充填状態および基板上のインプリント材からのモールド１８の分離状態も観察する機能も有しうる。連結部材１５の上方には、ハーフミラー１３が配置されている。硬化用光源１１からの光は、ハーフミラー１３で反射され、モールド１８を透過して基板１の上のインプリント材ＩＭに照射される。基板１の上のインプリント材ＩＭは、硬化用光源１１からの光の照射によって硬化する。
【００１６】
ブリッジ構造体８は、床からの振動を絶縁するための空気ばね１９を介して、ベース定盤２０に支持されている。空気ばね１９は、アクティブ防振機能として露光装置で一般的に採用されている構造を有しうる。例えば、空気ばね１９は、ブリッジ構造体８及びベース定盤２０に設けられたＸＹＺ相対位置測定センサ、ＸＹＺ駆動用リニアモータ、空気ばねの内部のエア容量を制御するサーボバルブなどを含む。ブリッジ構造体８には、ホルダ２２を介して、基板１にインプリント材ＩＭを供給（塗布）するためのノズルと、その供給タイミングおよび供給量を制御する制御部とを含むインプリント材供給部２３（ディスペンサ）が取り付けられている。インプリント材供給部２３は、例えば、インプリント材ＩＭの液滴を基板１に供給する。インプリント材供給部２３からインプリント材ＩＭを基板１に供給しながら基板ステージ７（即ち、基板１）を移動させることによって、基板１上の矩形形状等の任意形状のショット領域にインプリント材ＩＭを配置することができる。
【００１７】
基板１は、例えば、円形状を有しうる。ショット領域は、矩形形状を有する完全ショット領域と、一部が基板１のエッジ（基板エッジ、基板の外周）によって規定される部分ショット領域とを含みうる。完全ショット領域は、例えば、３３ｍｍ×２６ｍｍの寸法を有しうる。１つのショット領域は、複数のチップ領域を有しうる。
【００１８】
また、インプリント装置２００で実施されるインプリントプロセスでは、基板１の表面上にインプリント材ＩＭの硬化物で形成される凹凸パターンの凹部に膜が残りうる。この膜は残膜と呼ばれる。残膜は、エッチングによって除去されうる。残膜の厚さは、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれる。必要なＲＬＴに相当する厚さの膜がショット領域に形成されていない場合には、エッチングによって基板１がえぐられてしまう。本実施形態では、インプリント材供給部２３によるインプリント材ＩＭの吐出と基板ステージ７の移動との組み合わせによって、基板１の適切な領域にインプリント材ＩＭが配置される。
【００１９】
基板ステージ７は、基板チャック（基板保持部）を有し、該基板チャックによって基板１を保持する。基板ステージ７は、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θＸ、θＹ及びθＺの６軸方向に移動することが可能な機構を有する。本実施形態では、基板ステージ７は、Ｘ方向の移動機構を含むＸスライダー３、及び、Ｙ方向の移動機構を含むＹスライダー５を介して、ブリッジ構造体８によって支持されている。Ｘスライダー３には、Ｘスライダー３とＹスライダー５との相対位置を計測する計測器４が設けられている。また、Ｙスライダー５には、Ｙスライダー５とブリッジ構造体８との相対位置を計測する計測器６が設けられている。従って、計測器４及び６は、ブリッジ構造体８を基準として、基板ステージ７の位置を計測する。計測器４及び６のそれぞれは、本実施形態では、エンコーダ（リニアエンコーダ）で構成されている。
【００２０】
基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向における距離は、ブリッジ構造体８、Ｘスライダー３及びＹスライダー５によって決まる。Ｘスライダー３及びＹスライダー５のＺ方向、チルト方向の剛性を十ｎｍ／Ｎ程度に高く維持することによって、基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向におけるインプリント動作の変動を数十ｎｍ程度の変動に抑えることができる。
【００２１】
計測器９は、ブリッジ構造体８に設けられ、本実施形態では、干渉計で構成されている。計測器９は、基板ステージ７に向けて計測光１０を照射し、基板ステージ７の端面に設けられた干渉計用ミラーで反射された計測光１０を検出することで、基板ステージ７の位置を計測する。計測器９は、基板ステージ７の基板１の保持面に対して計測器４及び６よりも近い位置において、基板ステージ７の位置を計測する。なお、図１では、計測器９から基板ステージ７に照射される計測光１０を１つしか図示されていないが、計測器９は、少なくとも基板ステージ７のＸＹ位置、回転量及びチルト量が計測できるように構成されうる。
【００２２】
ガス供給部２１は、モールド１８のパターンへのインプリント材ＩＭの充填性を向上させるために、モールド１８の近傍、具体的には、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。充填用ガスは、モールド１８とインプリント材との間に挟み込まれた充填用ガス（気泡）を迅速に低減させ、モールド１８のパターン（凹部）へのインプリント材の充填を促進させるために、透過性ガス及び凝縮性ガスの少なくとも１つを含む。ここで、透過性ガスとは、モールド１８に対して高い透過性を有し、基板１上のインプリント材にモールド１８を接触させた際にモールド１８を透過するガスである。また、凝縮性ガスとは、基板１上のインプリント材にモールド１８を接触させた際に液化（即ち凝縮）するガスである。
【００２３】
オフアクシススコープ２４は、モールド１８を介さずに、基板ステージ７に配置された基準プレートに設けられた基準マークやアライメントマークを検出する。また、オフアクシススコープ２４は、基板１（の各ショット領域）に設けられたアライメントマークを検出することも可能である。圧力センサ２５は、本実施形態では、基板ステージ７に設けられ、モールド１８を基板１上のインプリント材に接触させることで基板ステージ７に作用する圧力を検出する。圧力センサ２５は、基板ステージ７に作用する圧力を検出することによって、モールド１８と基板１上のインプリント材との接触状態を検出するセンサとして機能する。また、圧力センサ２５は、モールドヘッド１６に設けてもよく、モールドヘッド１６及び基板ステージ７のうち少なくとも一方に設けられていればよい。
【００２４】
ガス供給部２１から供給される充填用ガスの屈折率は、空気の屈折率とは大きく異なるため、計測器４及び６が充填用ガスに曝されると（即ち、計測器４及び６の計測光路に充填用ガスが漏れると）、計測器４及び６の計測値（計測結果）が変動してしまう。このような問題は、特に、計測光路長が長い干渉計に対して顕著であり、基板ステージ７の位置を制御する際にハイゲインとなるため、サーボエラーを起こしてしまう。また、計測光路長が短いエンコーダであっても、ナノメートルオーダーの計測精度が要求されるインプリント装置では、その影響を無視することができない。但し、エンコーダの計測光路長は干渉計の計測光路長よりも短いため、干渉計よりも影響は軽微である。また、図１に示すように、本実施形態では、ガス供給部２１（の充填用ガスの供給口）から計測器４及び６までの距離を十分にとることができ、且つ、計測器４及び６をエンコーダで構成している。従って、計測器４及び６は、充填用ガスによる計測値の変動の影響を受けにくい構成となっているため、サーボエラーが起こりにくくなっている。
【００２５】
ガス供給部２１は、上述したように、インプリント処理を行っている間において、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。モールド１８と基板１との間に供給された充填用ガスは、モールドヘッド１６の上部から排気ダクト１４を介して吸引されて、インプリント装置２００の外部に排出される。また、モールド１８と基板１との間に供給された充填用ガスを外部に排出するのではなく、ガス回収機構（不図示）で回収してもよい。
【００２６】
図２には、インプリント処理が模式的に示されている。図２（ａ）は、インプリント材供給部２３によってインプリント材２７ａが供給された基板１のショット領域にモールド１８のパターン面Ｐが接触を開始する前の状態を示している。図２（ｂ）は、モールド１８のパターン面Ｐと基板１のショット領域上のインプリント材とが接触した状態を示している。この状態で、硬化用光源１１からの光が基板１のショット領域上のインプリント材に照射される。これによって、インプリント材２７ｂが硬化する。図２（ｃ）は、モールドヘッド１６を上昇させて、基板１のショット領域上の硬化したインプリント材からモールド１８が引き離される様子を示している。これにより、基板１のショット領域には、モールド１８のパターン面Ｐのパターンに対応したパターン２７ｃが残る。図２（ｄ）は、モールド１８のパターン面Ｐのパターンと、硬化後のインプリント材を示している。モールド１８のパターンは、基板に形成すべき凸パターンに対応する凸形成パターン３５と、基板に形成すべき凹パターンに対する凹形成パターン３６とを有する。Ｐｄは、パターン深さ（Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｄｅｐｔｈ）を表し、ＲＬＴは残膜厚（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ：  ＲＬＴ）を表す。
【００２７】
図３には、インプリント材供給部２３の吐出ヘッド３２の構成例が示されている。吐出ヘッド３２は、複数の吐出口３３を有する。複数の吐出口３３の配置間隔を狭くすると、モールド１８の凸形成パターン内へのインプリント材の充填に要する時間が短くなる。一方、該配置間隔が狭すぎると、吐出ヘッド３２の製造が困難になるし、隣接する吐出口３３から吐出されたインプリント材の液滴が干渉しうる。複数のインプリント材の液滴が干渉すると、それらが相互に結合することによって基板上に配置される液滴の位置がずれる恐れがある。図３の例では、２つの列を構成するように複数の吐出口３３が配列され、列方向における吐出口３３の中心間距離Ｌ１、２つの列の中心線の間隔Ｌ２が吐出口３３の配置情報として使用される。
【００２８】
図４には、制御部４００の構成例が示されている。制御部４００は、例えば、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
【００２９】
制御部４００は、主制御部４１０、ドロップレシピ生成部４２０、インプリント制御部４３０および入出力インターフェース４４０を含みうる。主制御部４１０は、ドロップレシピ生成部４２０、インプリント制御部４３０および入出力インターフェース４４０を制御しうる。ドロップレシピ生成部４２０は、インプリント材供給部２３によって基板１の上に供給されるインプリント材ＩＭ（液滴）の配置を示すドロップレシピを生成する。インプリント制御部４３０は、インプリント処理を行うようにインプリント機構ＩＭＭを制御する。インプリント機構ＩＭＭは、インプリント処理のための機構である。インプリント機構ＩＭＭは、図１を参照しながら説明された構成要素、例えば、基板１の搬送、基板１へのインプリント材ＩＭの供給、基板ステージ７の駆動、アライメント、インプリント材ＩＭへの光の照射、モールド１８の駆動等のための構成要素を含みうる。
【００３０】
入出力インターフェース４４０は、ユーザインターフェース３４に接続されるとともに、ネットワーク３０１を介して統括コンピュータ３００に接続される。ユーザインターフェース３４は、例えば、ドロップレシピの生成に関する情報をユーザから受け取ったり、ユーザに提供したりする。統括コンピュータ３００は、インプリント処理を制御するための制御情報（プロセスレシピ）を制御部４００に提供する。オフアクシススコープ２４は、基板１の上に形成されたパターンを撮像した画像データをドロップレシピ生成部４２０に提供する。基板１の上に形成されたパターンを撮像した画像データは、検出部２６またはアライメント計測部１２からドロップレシピ生成部４２０に提供されてもよい。あるいは、基板１の上に形成されたパターンを撮像した画像データをドロップレシピ生成部４２０に提供する他の撮像部が設けられてもよい。
【００３１】
図５Ａには、ショットレイアウトが例示されている。ショットレイアウトは、基板１上の複数のショット領域の配置である。前述のように、基板１上の複数のショット領域は、矩形形状を有する完全ショット領域と、一部が基板エッジ１’（基板１のエッジ、外周）によって規定される部分ショット領域とを含みうる。完全ショット領域は、フルフィールドショット領域（ＦＦショット領域）とも呼ばれる。部分ショット領域は、パーシャルフィールドショット領域（ＰＦショット領域）とも呼ばれる。図５Ａの例では、ショット領域番号＝１〜２０が完全ショット領域であり、ショット領域番号＝２２〜４４が部分ショット領域である。ショット領域の配置を示すショットレイアウト情報は、プロセスレシピの一部として統括コンピュータ３００またはユーザインターフェース３４からインプリント装置２００の制御部４００に提供されうる。プロセスレシピは、その他、インプリント材ＩＭを硬化させるための制御情報（例えば、露光量（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｄｏｓｅ））、アライメント条件を示す情報、インプリント材にモールドを接触させてからインプリント材を硬化させるまでの待ち時間（Ｓｐｒｅａｄ  Ｔｉｍｅ）、インプリント材にモールドを接触する時の圧力（Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｆｏｒｃｅ）、パターン面Ｐがインプリント材に接触する時にパターン面を変形させるための圧力（Ｃａｖｉｔｙ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）を示す情報を含みうる。
【００３２】
基板１上の複数の完全ショット領域は、互いに同じ形状を有するので、通常は、複数の完全ショット領域に対して共通のドロップレシピが決定されうる。完全ショット領域のための共通のドロップレシピの決定は、基板の複数の完全ショット領域を使って試験的にインプリント処理を行い、これによって形成されるパターンを評価することによってなされうる。
【００３３】
より具体的には、完全ショット領域に供給されるインプリント材の液滴の配置情報を示すドロップレシピを決定する決定方法は、暫定ドロップレシピ（暫定配置）を準備した後、
（ａ）暫定ドロップレシピに従って完全ショット領域上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、
（ｂ）該パターンに基づいて該暫定ドロップレシピを変更する、
という単位処理を、使用する完全ショット領域を変更しながら、該パターンの品質が所定条件を満たすまで反復して実行する反復工程を含みうる。
【００３４】
また、該決定方法は、該パターンの品質が該所定条件を満たした段階における最新の暫定ドロップレシピに基づいてドロップレシピを決定する決定工程を含みうる。図５Ａの例では、ショット領域番号＝１〜２０が与えられた完全ショット領域の全部または一部を使用して反復工程を実施することができる。ここで、ショット領域番号＝１〜２０が与えられた完全ショット領域の全部を使用して反復工程を実施してもパターンの品質が所定条件を満たさなかった場合には、他の基板１を使用して反復工程を続けることになりうる。
【００３５】
完全ショット領域とは異なり、基板１上の複数の部分ショット領域は、互いに異なる形状を有するので、通常は、個々の部分ショット領域に対して個別のドロップレシピ（部分ショット領域に供給されるインプリント材の液滴の配置情報）を決定する必要がある。
【００３６】
部分ショット領域のためのドロップレシピの決定は、基板１の個々の部分ショット領域を使って試験的にインプリント処理を行い、これによって形成されるパターンを評価することによってなされうる。
【００３７】
より具体的には、部分ショット領域のためのドロップレシピを決定する決定方法は、暫定ドロップレシピを準備した後、
（ａ）暫定ドロップレシピに従って当該部分ショット領域上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、
（ｂ）該パターンに基づいて該暫定ドロップレシピを変更する、
という単位処理を、使用する基板を変更しながら、該パターンの品質が所定条件を満たすまで反復して実行する反復工程を含みうる。
【００３８】
また、該決定方法は、該パターンの品質が該所定条件を満たした段階における最新の暫定ドロップレシピに基づいてドロップレシピを決定する決定工程を含みうる。図５Ａの例では、ショット領域番号＝２１〜４４のうち指定された部分ショット領域のドロップレシピを決定するためにＮ回（Ｎは自然数）にわたって単位処理を実行する場合、Ｎ枚の基板を要する。
【００３９】
よって、部分ショット領域のためのドロップレシピを決定する処理は、完全ショット領域のためのドロップレシピを決定する処理より効率が低い。しかし、完全ショット領域のためのドロップレシピを決定するための処理の全部または一部を実行した後に、部分ショット領域を決定するための処理を行えば、効率を改善することができる。ここで、部分ショット領域を決定するための処理は、完全ショット領域のために最終決定されたドロップレシピ（または、まだ最終決定されていない場合には、最新の暫定ドロップレシピ）を最初の暫定ドロップレシピとして使って行われうる。部分ショット領域のための最初の暫定ドロップレシピは、完全ショット領域のためのドロップレシピにおけるインプリント材の配置の一部（基板に配置することができない液滴）を取り除くことによって形成されうる。
【００４０】
図５Ｂには、完全ショット領域の配置を示す完全ショットレイアウトが例示されている。図５Ｃには、部分ショット領域の配置を示す部分ショットレイアウトが例示されている。本実施形態では、完全ショットレイアウトに関するプロセスレシピと、部分ショット領域に関するプロセスレシピとが、統括コンピュータ３００またはユーザインターフェース３４からインプリント装置２００の制御部４００に制御部４００に提供される。
【００４１】
図６には、インプリント装置２００によって実行されるドロップレシピ生成方法の手順が示されている。この動作は、制御部４００によって制御される。工程Ｓ１０では、主制御部４１０がドロップレシピ生成部４２０、インプリント制御部４３０および入出力インターフェース４４０を制御して反復工程を実行する。具体的には、工程Ｓ１０では、主制御部４１０は、入出力インターフェース４４０により、統括コンピュータ３００および／またはユーザインターフェース３４から暫定ドロップレシピを含む調整レシピを取得する。そして、主制御部４１０は、
（ａ）暫定ドロップレシピに従ってショット領域上にインプリント材を配置し、該インプリント材にモールドを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによってパターンを形成し、
（ｂ）該パターンに基づいて該暫定ドロップレシピを変更する、
という単位処理を、使用する完全ショット領域を変更しながら、該パターンの品質が所定条件を満たすまで反復して実行する。ここで、（ａ）の処理は、主制御部４１０がインプリント制御部４３０を介してインプリント機構ＩＭＭを制御することによって実行されうる。（ｂ）の処理は、（ａ）の処理で基板１の上に形成されたパターンを主制御部４１０がオフアクシススコープ２４（計測部）に撮像させ、これによって得られる画像データをドロップレシピ生成部４２０に処理させることによってなされうる。
【００４２】
ドロップレシピ生成部４２０は、オフアクシススコープ２４から提供される画像データに基づいて基板１の上に形成されたパターンを評価し、欠陥が除去されるように暫定ドロップレシピを変更する。例えば、ドロップレシピ生成部４２０は、インプリント材ＩＭが不足している領域にインプリント材ＩＭの液滴（ドロップ）を追加し、インプリント材ＩＭが過剰な領域のインプリント材ＩＭの液滴（ドロップ）を取り除く。上記の所定条件は、基板１の上に形成されるパターンに存在する欠陥領域の面積および個数等の許容範囲でありうる。
【００４３】
工程Ｓ２０では、主制御部４１０は、ドロップレシピ生成部４２０に、基板１の上に形成されたパターンの品質が上記の所定条件を満たした段階における最新の暫定ドロップレシピに基づいてドロップレシピを決定される。
【００４４】
調整レシピは、完全ショット領域のためのドロップレシピを決定するＦＦショット調整レシピ、および、部分ショット領域のためのドロップレシピを決定するＰＦショット調整レシピ、の少なくも１つを含みうる。調整レシピがＦＦショット調整レシピおよびＰＦショット領域レシピの双方の実行指令を含む場合は、完全ショット領域のためのドロップレシピの決定のための処理が先行され、その後、部分ショット領域のためのドロップレシピの決定のための処理がなされうる。調整レシピがＦＦショット調整レシピおよびＰＦショット調整レシピの一方のみ実行指令を含む場合は、その一方のみに関してドロップレシピの決定のための処理がなされうる。
【００４５】
図７および図８には、インプリント装置２００によって実行されるドロップレシピ生成方法の手順のより具体的な例が示されている。この動作は、制御部４００によって制御される。図７において、工程Ｓ１０１〜Ｓ１１８が工程Ｓ１０に相当し、工程Ｓ２００が工程Ｓ２０に相当する。工程Ｓ１０１では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０にモールド１８と基板ステージ７とのアライメントを実行させる。具体的には、モールド搬送系（不図示）によってモールド１８がインプリント装置２００に搬入され、モールドチャック１７に渡され、モールドチャック１７によって保持される。そして、アライメント計測部１２を使ってモールド１８と基板ステージ７とがアライメントされる。ここで、アライメント計測部１２によって検出されるマークは、専用の基準マークとして基板ステージ７に設けておいてもよいし、専用のアライメント基板に設けておいてもよい。
【００４６】
工程Ｓ１０２では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０に基板１を搬入させる。基板１は、基板ステージ７の基板チャックによって保持される。工程Ｓ１０３では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０にプリアライメントを実行させる。プリアライメントでは、基板１がオフアクシススコープ２４の下に移動され、オフアクシススコープ２４によって基板１の位置が計測される。プリアライメントは、モールド１８と基板１の各ショット領域との相対位置を計測する処理である。
【００４７】
工程Ｓ１０４では、主制御部４１０は、プロセスレシピに含まれるショットレイアウト情報に基づいて、インプリント処理の対象のショット領域（対象ショット領域）を選択する。工程Ｓ１０５では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０にインプリント材の配置処理を実行させる。配置処理では、インプリント制御部４３０は、暫定ドロップレシピに従って対象ショット領域にインプリント材ＩＭが配置されるように、基板ステージ７の移動とインプリント材供給部２３からのインプリント材ＩＭの吐出を制御する。この段階では、ガス供給部２１によって、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスが供給されうる。
【００４８】
工程Ｓ１０６では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０に、基板１の対象ショット領域の上のインプリント材ＩＭとモールド１８との接触処理を実行させる。この接触処理では、インプリント制御部４３０は、モールドヘッド１６を下降させて対象ショット領域の上のインプリント材ＩＭにモールド１８のパターン面Ｐを接触させる。また、インプリント制御部４３０は、アライメント計測部１２に対象ショット領域とモールド１８との相対位置を計測させ、その結果に基づいて対象ショット領域とモールド１８とのアライメントを行う。このようなアライメントは、ダイバイダイアライメントと呼ばれる。
【００４９】
工程Ｓ１０７では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０にインプリント材ＩＭの硬化処理を実行させる。硬化処理では、インプリント制御部４３０は、インプリント材ＩＭに硬化用の光が照射されるように硬化用光源１１を制御する。これにより、インプリント材ＩＭが硬化して、硬化したインプリント材ＩＭからなるパターンが対象ショット領域の上に形成される。
【００５０】
工程Ｓ１０８では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０に、基板１の対象ショット領域の上のインプリント材ＩＭとモールド１８との分離処理を実行させる。この分離処理では、インプリント制御部４３０は、モールドヘッド１６を上昇させて、基板１の対象ショット領域の上の硬化したインプリント材ＩＭからモールド１８を分離させる。これにより、基板１の対象ショット領域の上には、モールド１８のパターン面Ｐに対応したパターンが残る。即ち、モールド１８のパターン面Ｐに対応したパターンが基板１の対象ショット領域の上に形成される。モールド１８を硬化したインプリント材ＩＭから分離する際には、硬化したインプリント材ＩＭからなるパターンが破断しないように、モールド１８のパターン面Ｐにかかるせん断力を該パターンの破断応力以下に維持しながらモールドヘッド１６を上昇させる。
【００５１】
工程Ｓ１０９では、主制御部４１０は、オフアクシススコープ２４に対象ショット領域の上の硬化したインプリント材ＩＭからなるパターンを撮像させ、これにより得られる画像データに基づいて該パターンの品質を評価する。この評価は、本実施形態では、画像データから抽出される欠陥領域の大きさの評価を含む。工程Ｓ１１０では、主制御部４１０は、工程Ｓ１０９でパターンを評価した評価した欠陥領域の大きさが規格内であるかどうか（所定条件を満たすかどうか）を判断する。そして、欠陥領域の大きさが規格内である場合は、工程Ｓ２００に進み、規格外である場合は、工程Ｓ１１１に進む。
【００５２】
工程Ｓ１１１の詳細は、図８に示されている。まず、図７を参照しながら工程Ｓ１１１〜Ｓ１１８を概略的に説明する。工程Ｓ１１１では、現在の基板１にインプリント材を配置しパターンを形成するための空き領域が存在するかどうかを判断し、ドロップレシピが決定していないショット領域の空き領域が存在する場合には工程Ｓ１１２に進み、存在しない場合には工程Ｓ１１３に進む。ドロップレシピが決定していないショット領域は、部分ショット領域の空き領域および／または完全ショット領域の空き領域でありうる。工程Ｓ１１２では、主制御部４１０は、ドロップレシピ生成部４２０に暫定ドロップレシピを変更させ、工程Ｓ１０４に戻る。ドロップレシピ生成部４２０は、現在の暫定ドロップレシピ（最新のドロップレシピ）を工程Ｓ１０９における評価の結果に基づいて変更する。工程Ｓ１１１から工程Ｓ１１２を経て工程Ｓ１０４に戻る処理は、変更後の暫定ドロップレシピに従ってインプリント材を配置しパターンを形成するための空き領域が現在の基板に存在する場合に、その基板を使って工程Ｓ１０４〜Ｓ１１０を繰り返すことを意味する。
【００５３】
工程Ｓ１１３では、主制御部４１０は、予め設定されている指定枚数（後述の”Ｃｏｎｔｉｎｕａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ”）の基板を処理したかどうかを判断し、指定枚数の基板を既に処理した場合には工程Ｓ１１４に進む。一方は、まだ指定枚数の基板を処理していない場合には、主制御部４１０は、工程Ｓ１１６に進む。ここで、指定枚数の基板を既に処理したということは、指定枚数の基板を処理したが、異常領域が規格内にならなかったこと、つまり、適切なドロップレシピの決定に失敗したことを意味する。工程Ｓ１１４では、主制御部４１０は、ユーザインターフェース３４および／または統括コンピュータ３００にエラー情報を出力する。エラー情報は、適切なドロップレシピの決定に失敗したことを示す情報を含みうる。工程Ｓ１１２では、現在の暫定ドロップレシピ（最新のドロップレシピ）を工程Ｓ１０９における評価の結果に基づいて変更し、工程Ｓ１０４に戻る。
【００５４】
工程Ｓ１１６では、主制御部４１０は、ドロップレシピ生成部４２０に暫定ドロップレシピを変更させる。ドロップレシピ生成部４２０は、現在の暫定ドロップレシピ（最新のドロップレシピ）を工程Ｓ１０９における評価の結果に基づいて変更する。工程Ｓ１１７では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０に基板１を搬出させ、工程Ｓ１０２に戻る。工程Ｓ１１３から工程Ｓ１１７を経て工程Ｓ１０２に戻る処理は、変更後の暫定ドロップレシピに従ってインプリント材を配置しパターンを形成するための空き領域が現在の基板に存在しない場合に、基板を変更して工程Ｓ１０４〜Ｓ１１０を繰り返すことを意味する。このように、本実施形態では、工程Ｓ１０２で基板１がインプリント装置の基板チャック（基板保持部）によって保持された後、その基板１を使って反復工程が実行される間は、その基板１が該基板保持部によって保持された状態が維持される。
【００５５】
工程Ｓ１１０において、工程Ｓ１０９でパターンを評価した欠陥領域の大きさが規格内であると判断された場合、工程Ｓ２００において、主制御部４１０は、現在のドロップレシピ（最新のドロップレシピ）を調整済のドロップレシピとして決定する。工程Ｓ１１５では、主制御部４１０は、全てのショット領域についてドロップレシピを決定したかどうかを判断し、全てのショット領域についてドロップレシピを決定したと判断した場合は、工程Ｓ１１８に進む。一方、全てのショット領域についてドロップレシピをまだ決定していないと判断した場合は、工程Ｓ１０４に戻る。
【００５６】
工程Ｓ１１８では、主制御部４１０は、インプリント制御部４３０に基板１を搬出させる。このように、本実施形態では、工程Ｓ１０２で基板１がインプリント装置の基板チャック（基板保持部）によって保持された後、その基板１を使って反復工程が実行される間は、その基板１が該基板保持部によって保持された状態が維持される。
【００５７】
次に、図８を参照しながら工程Ｓ１１１の詳細を説明する。工程Ｓ１２１では、主制御部４１０は、対象ショット領域が完全ショット領域であるか部分ショット領域であるかを判断する。そして、主制御部４１０は、対象ショット領域が完全ショット領域である場合は、工程Ｓ１２２に進み、対象ショット領域が部分ショット領域である場合は、工程Ｓ１２５に進む。
【００５８】
工程Ｓ１２２では、主制御部４１０は、現在の基板１に空きの完全ショット領域が存在するかどうかを判断し、完全ショット領域が存在する場合は、工程Ｓ１１２に進み、完全ショット領域が存在しない場合は、工程Ｓ１１３に進む。
【００５９】
工程Ｓ１２５では、主制御部４１０は、現在の基板１にドロップレシピが決定していない空きの部分ショット領域があるかどうかを判断し、現在の基板１に空きの部分ショット領域がある場合は工程Ｓ１１２に進む。一方、現在の基板１に空きの部分ショット領域がない場合は、主制御部４１０は、工程Ｓ１１３に進む。
【００６０】
ここで、部分ショット領域のためのドロップレシピの決定のための反復工程においては、完全ショット領域のためのドロップレシピの決定のための反復工程よりも多くの基板を必要としうる。そこで、主制御部４１０は、完全ショット領域を使って部分ショット領域のためのドロップレシピを決定するための反復工程の全部または一部を実行してもよい。これは、部分ショット領域のための暫定ドロップレシピを使って完全ショット領域に対してインプリント処理を行い、これによって形成されるパターンを評価することによってなされうる。
【００６１】
以下、図１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、図７および図８を参照しながら部分ショット領域のためのドロップレシピの生成処理について捕捉する。図１７Ａには、部分ショット領域のためのドロップレシピを決定するための１枚目の基板が例示されている。図１７Ｂには、部分ショット領域のためのドロップレシピを決定するための２枚目の基板が例示されている。図１７Ｃには、部分ショット領域のためのドロップレシピを決定するための３枚目の基板が例示されている。
【００６２】
実線で示された部分ショット領域は、工程Ｓ１１０で欠陥領域の大きさが規格外（不合格）であると判断された部分ショット領域である。破線で示された部分ショット領域は、工程Ｓ１１０で欠陥領域の大きさが規格内（合格）であると判断された部分ショット領域である。ここで、欠陥領域の大きさが規格外（不合格）であると判断されたことは、その部分ショット領域についての現在のドロップレシピを変更する必要があることを意味する。一方、欠陥領域の大きさが規格内（合格）であると判断されたことは、その部分ショット領域についての現在のドロップレシピを調整済のドロップレシピとして良いことを意味する。一点鎖線で示された部分ショット領域は、既にそれに対するドロップレシピが決定しており、ドロップレシピの調整の対象から外れた部分ショット領域である。
【００６３】
Ｎ枚目の基板の処理において、どのショット領域をインプリント対象のショット領域とするかは、プロセスレシピに含まれるショットレイアウト情報と処理順番情報とに基づいて工程Ｓ１０４で判断されうる。処理順番情報は、ショットレイアウト情報における複数のショット領域をどの順番で処理するかを示す情報であり、図１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃでは、ショット領域を示す矩形の中に記載された数字で示されている。また、工程Ｓ１１０において欠陥領域の大きさが規格内であると判断されたショット領域については、そのショット領域番号がプロセスレシピに反映され、Ｎ＋１枚目の基板の処理の工程Ｓ１０４において、インプリント対象のショット領域の候補から除外される。
【００６４】
図１７Ａに示された１枚目の基板に対する判断結果に基づいて、２枚目の基板では、ショット領域番号＝２２とショット領域番号＝３２のショット領域がインプリント対象のショット領域から除外される。図１７Ｂに示された２枚目の基板に対する判断結果に基づいて、３枚目の基板では、ショット領域番号＝２２、２５、３２、３９、４０のショット領域がインプリント対象のショット領域から除外される。図１７Ｃに示された３枚目の基板に対する判断結果に基づいて、４枚目の基板（不図示）では、ショット領域番号＝２２、２５、３２、３４、３６、３９、４０のショット領域がインプリント対象のショット領域から除外される。
【００６５】
図１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃに示された判断結果が得られた場合における図７に示されたドロップレシピ決定処理の流れを説明する。部分ショット領域のためのドロップレシピの決定処理に使われる１枚目の基板について最初に実行される工程Ｓ１０４では、最もショット領域番号が小さいショット領域番号＝２２のショット領域が選択される。ショット領域番号＝２２のショット領域については、工程Ｓ１１０において欠陥領域の大きさが規格内と判断され、工程Ｓ２００において、暫定ドロップレシピが調整済のドロップレシピとして決定される。次いで、工程Ｓ１１５において、１枚目の基板はまだ全てのショット領域についてドロップレシピが決定されていないので、工程Ｓ１０４に進み、ショット領域番号＝２２の次にショット領域番号が小さいショット領域番号＝２３のショット領域が選択される。ショット領域番号＝２３のショット領域については、工程Ｓ１１０において欠陥領域の大きさが規格外と判断され、工程Ｓ１１１内の工程Ｓ１２１において対象ショット領域が完全ショット領域ではないと判断され、工程Ｓ１２５へ進む。工程Ｓ１２５では、ショット領域番号＝２３は基板内の最終ショット領域であるショット領域番号＝４４ではないので、工程Ｓ１１２へ進む。工程Ｓ１１２では、暫定ドロップレシピが変更され、工程Ｓ１０４へ進む。工程Ｓ１０４では、ショット領域番号＝２３の次にショット領域番号が小さいショット領域番号＝２４のショット領域が選択される。以上のようにして、１枚目の基板の部分ショット領域のドロップレシピ決定処理が行われる。
【００６６】
部分ショット領域のためのドロップレシピ決定に使われる２枚目の基板においては、工程Ｓ１０４では、最適なドロップレシピが決定していない最もショット領域番号が小さいショット領域番号として、ショット領域番号＝２３が決定される。１枚目の基板と同様に、２枚目の基板では、ショット領域番号２３、３２を除くショット領域のドロップレシピの決定のための処理が実行される。
【００６７】
以下、欠陥領域の検出と暫定ドロップレシピの変更方法（ドロップレシピの決定方法）を説明する。暫定ドロップレシピの変更（ドロップレシピの決定）は、ドロップレシピ生成部４２０によってなされうる。欠陥領域の種類には、モールド１８と基板１との間にインプリント材ＩＭが充填されない未充填欠陥領域と、ショット領域からインプリト材ＩＭがはみ出すはみ出し欠陥領域とが含まれうる。まず、図９を参照しながらショット領域の外縁近傍に配置されたアライメントマークにおいて発生しうる未充填欠陥領域を低減するための暫定ドロップレシピの変更方法を例示的に説明する。
【００６８】
図９（ａ）には、工程Ｓ１０９においてショット領域の上の硬化したインプリト材からなるパターンをオフアクシススコープ２４で撮像することによって得られる画像データが例示されている。ここで、画像データは、オフアクシススコープ２４によってショット領域の全域について取得されてもよいし、オフアクシススコープ２４によってショット領域の全域のうち指定された部分領域について取得されてもよい。部分領域は、後述の「Ｄｅｔｅｃｔ  Ａｒｅａ  ＜１＞」〜「Ｄｅｔｅｃｔ  Ａｒｅａ  ＜５＞」に対するユーザによる入力によって指定されうる。部分領域の指定は、経験的あるいは統計的に欠陥領域となりやすい領域に対してなされうる。経験的あるいは統計的に欠陥領域となりやすい領域は、例えば、完全ショット領域および部分ショット領域の外縁付近であり、部分ショット領域については、基板エッジの近傍領域である。
【００６９】
図９（ｂ）には、オフアクシススコープ２４によって得られた画像データをドロップレシピ生成部４２０が二値化して得られた二値画像データが例示されている。ドロップレシピ生成部４２０は、二値画像データと予め設定された基準画像データとを比較し、単位領域ごとに欠陥の有無を判定し、欠陥領域２８（未充填欠陥領域）の面積を算出する。単位領域は、欠陥の有無を判定する単位であり、図９（ｂ）には、グリッドで規定された矩形領域として示されている。欠陥領域２８（未充填欠陥領域）の面積は、欠陥（未充填欠陥）を有する単位領域をカウントすることによって求めることができる。図９（ｂ）において、ＵｎｉｔＣｅｌｌ１は、その全域が欠陥を有する単位領域であり、ＵｎｉｔＣｅｌｌ２は、その一部が欠陥を有する単位領域である。
【００７０】
ドロップレシピ生成部４２０は、次のステップ１〜４で暫定ドロップレシピを変更しうる。
【００７１】
ステップ１：欠陥領域の面積と各種情報に基づいて液滴数を算出（式１）
ステップ２：欠陥領域を算出された液滴数で分割し分割領域を決定
ステップ３：分割領域毎に重心位置を算出（式２）〜（式４）
ステップ４：重心位置に最も近い未配置グリットに液滴配置
ドロップレシピ生成部４２０は、ステップ１において、（式１）に従って液滴数を算出しうる。
【００７２】
液滴数＝欠陥領域の面積×（ＲＬＴ＋Ｐｄ×欠陥領域の凹凸比率）÷一滴量  ・・・（式１）
ＲＬＴ  ：残膜の厚さ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）
Ｐｄ    ：パターン深さ（Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｄｅｐｔｈ）
一滴量  ：図３の吐出口３３から一回の吐出で排出されるインプリント材の液量
凹凸比率：モールド１８のパターンの凹凸比率。全て凸は０％、全て凹は１００％
ドロップレシピ生成部４２０は、ステップ３において、（式２）、（式３）、式（４）に従って重心位置を算出しうる。
【００７３】
Ｗｔ  ＝  ΣＷｉ                ・・・（式２）
Ｘｇ  ＝  （Σ（Ｘｉ×Ｗｉ））÷  Ｗｔ  ・・・（式３）
Ｙｇ  ＝  （Σ（Ｙｉ×Ｗｉ））÷  Ｗｔ  ・・・（式４）
総重量            ：Ｗｔ
重心位置          ：（Ｘｇ，Ｙｇ）
分割領域の中心座  ：（Ｘｉ，Ｙｉ）
分割領域の重量    ：Ｗｉ 
分割領域の番号    ：１〜ｎ
分割領域の重量については、単位領域の全域が欠陥を有する場合は１００、単位領域の全域のうちの一が欠陥を有する場合には、その百分率を０〜１００の範囲で割り当てる。
【００７４】
図９（ｂ）の例は、（式１）で計算された液滴数の近似整数が２である例を示している。欠陥領域は、ＡＣで指定される白抜きの分割領域と、ＢＣで指定される白抜きの分割領域とに分割されている。
【００７５】
欠陥領域の分割方法は、インプリント材が平面上で均等に広がることを想定し、重心から境界までの距離のバラつきがもっとも小さくなるように区分する方法でありうる。あるいは、欠陥領域の分割方法は、特表２０１２−５０６６００で開示されている重心ボロノイ分割法であってもよいし、他の方法であってもよい。また、モールドのパターンの方向に沿った向きにインプリント材が広がり易い性質を考慮し、モールドのパターンの方向における分割領域の長さをモールドのパターンの方向に対して直交する方向における分割領域の長さより長くする方法も有用である。
【００７６】
図９（ｂ）の例では、ＡＣで指定される白抜きの領域では、追加の液滴が、重心位置に最も近い位置２７ｄに配置される。また、ＢＣで指定される白抜きの領域では、位置２７ｆが重心位置に最も近いと計算された場合であって、位置２７ｆに既に液滴が配置されている場合、直近の未配置の位置２７ｅが選択される。
【００７７】
以下、図１０を参照しながらショット領域の外縁において発生するインプリント材のはみ出しを低減するための暫定ドロップレシピの変更方法を例示的に説明する。図１０（ａ）には、工程Ｓ１０９においてショット領域の上の硬化したインプリト材からなるパターンをオフアクシススコープ２４で撮像することによって得られる画像データが例示されている。
【００７８】
Ｅ−Ａｒｅａは、ショット領域の外周領域に食み出しが発生している部分の画像データであり、該画像データを拡大し、二値化して得られた二値画像データが図１０（ｂ）に例示されている。ドロップレシピ生成部４２０は、二値画像データと予め設定された基準画像データとを比較し、単位領域ごとに欠陥の有無を判定し、欠陥領域（はみ出し欠陥領域）の面積を算出する。
【００７９】
ドロップレシピ生成部４２０は、次のステップ１〜５で暫定ドロップレシピを変更しうる。なお、この例では、算出された液滴数の近似整数が２であった場合で以降説明する。
【００８０】
ステップ１：欠陥領域の面積と各種情報から液滴数を算出（式１）
ステップ２：欠陥領域を液滴数で分割し分割領域を決定
ステップ３：分割領域毎に重心位置を算出（式２）〜（式４）
ステップ４：重心位置に最も近い外周配置液滴を抽出
ステップ５：外周配置液滴をショット領域の中心方向に移動
図１０（ｂ）の例は、（式１）で計算された液滴数の近似整数が２である例を示している。図１０（ｂ）の例では、領域２９ａは、指定された許容値（はみ出し面積）以内であると判断され、補正対象とされない箇所である。また、領域２９ｂは、指定された許容値を外れるはみ出し欠陥領域であると判断され補正対象とされる箇所である。
【００８１】
図１１には、図１０（ｂ）の領域２９ｂ（許容値を外れるはみ出し欠陥領域）と、その近傍の液滴配置との位置関係が例示されている。領域２９ｂ１、領域２９ｂ２は、はみ出し欠陥領域である判断された領域２９ｂを（式１）で計算された液滴数の近似整数である２で分割した分割領域である。それぞれの部分領域の重心位置は、（Ｘｇ１、Ｙｇ１）と（Ｘｇ２，Ｙｇ２）である。ここで、（Ｘｇ１、Ｙｇ１）に最も近い、変更前の暫定ドロップレシピにおける液滴の位置は、位置２７ｇである。また、（Ｘｇ２，Ｙｇ２）に最も近い、変更前の暫定ドロップレシピにおける液滴の位置は、位置２７ｈである。図１２（ａ）には、変更前の暫定ドロップレシピが例示されている。図１２（ｂ）には、変更後の暫定ドロップレシピが例示されている。図１２（ａ）における位置２７ｇ、２７ｈをショット領域の中心方向における液滴を配置可能な位置２７ｉ、２７ｊに移動することによって、図１２（ｂ）に例示される変更後の暫定ドロップレシピが得られる。
【００８２】
図１３には、図１０〜図１２を参照しながら説明された変更後の暫定ドロップレシピに従って工程Ｓ１０４〜Ｓ１０９を実行し、工程Ｓ１０９でオフアクシススコープ２４によって得られた画像データが例示されている。図１３では、欠陥領域は存在しない。
【００８３】
ここでは、はみ出し欠陥領域が存在する場合に、液滴を移動させることによってはみ出し領域を解消する方法を例示したが、はみ出し領域に対応する液滴数を計算し、はみ出し領域の近傍の液滴を削除する方法も有用である。
【００８４】
図１４は、ユーザインターフェース３４によって提供される設定画面が例示されている。この設定画面を通して、ユーザは、ドロップレシピを調整するための条件を設定することができる。以下、設定画面における設定可能項目を説明する。「Ｍａｘ  Ｉｔｅｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｕｎｔ  ｏｆ  Ｏｎｅ  Ｗａｆｅｒ」は、１枚の基板について工程Ｓ１０４〜Ｓ１０９の工程を、対象ショット領域を変更しながら、繰り返す回数を指定するパラメータである。工程Ｓ１１１では、「Ｍａｘ  Ｉｔｅｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｕｎｔ  ｏｆ  Ｏｎｅ  Ｗａｆｅｒ」に基づいて、空き領域の有無が判断されうる。  「Ｄｅｔｅｃｔ  Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ  Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ」は、１つの欠陥領域の面積の許容値（規格）を指定するパラメータである。工程Ｓ１１０では、「Ｄｅｔｅｃｔ  Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ  Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ」に基づいて、欠陥領域の面積が規格内であるどうかが判断されうる。工程Ｓ１１０では、「Ｄｅｔｅｃｔ  Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ  Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ」を超える欠陥領域が１箇所でも存在したら、欠陥領域の面積が規格内ではないと判断されうる。
【００８５】
「Ｄｅｆｅｃｔ  Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ  Ｔｏｔａｌ  Ａｒｅａ」は、対象ショット領域が有する全ての欠陥領域の面積の合計に対する許容値（規格）を指定するパラメータである。工程Ｓ１１０では、「Ｄｅｔｅｃｔ  Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ  Ｔｏｔａｌ  Ａｒｅａ」に基づいて、欠陥領域の合計面積が規格内であるどうかが判断されうる。「Ｄｅｔｅｃｔ  Ａｒｅａ  ＜１＞    ＵＬ／ＤＲ」〜「Ｄｅｔｅｃｔ  Ａｒｅａ  ＜５＞    ＵＬ／ＤＲ」は、ショット領域における欠陥の検査を実施すべき検査対象領域を指定するためのパターメータである。検査対象領域は、左上の座標（ＵＬ）と右下の座標（ＤＲ）とで指定される矩形領域として設定される。ここで、＜１＞〜＜５＞は、検査を行うべき順番を示す。「Ａｄｄ  Ｄｅｔｅｃｔ  Ａｒｅａ」は、検査対象領域の追加を指示するためのチェックボックスであり、このチェックボックスがチェックされると、「Ｄｅｔｅｃｔ  Ａｒｅａ  ＜Ｘ＞    ＵＬ／ＤＲ」が追加される。
【００８６】
「Ｓｈｏｔ  Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ  Ｃｈｅｃｋ」は、モールドのパターンの外側領域の検査を実施するか否かを設定するためのチェックボックスであり、このチェックボックスがチェックされると、モールドのパターンの外側領域の検査が実施される。「Ｃｏｎｔｉｎｕａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ」は、ドロップレシピの決定のために使用する基板の枚数を指定するためのパラメータである。工程Ｓ１１３では、「Ｃｏｎｔｉｎｕａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ」に基づいて、指定枚数の基板を処理したかどうかが判断される。「ＦＦ  Ｒｅｃｉｐｅ  Ｎａｍｅ」は、完全ショット領域（ＦＦショット領域）のためのドロップレシピを決定するための調整レシピ名を設定するための入力領域である。「ＰＦ  Ｒｅｃｉｐｅ  Ｎａｍｅ」は、部分ショット領域（ＰＦショット領域）のためのドロップレシピを決定するための調整レシピ名を設定するための入力領域である。
【００８７】
図１４の例では、欠陥検査を実施すべき領域がユーザによる画面操作により入力される。しかし、欠陥が発生しやすい領域は、モールドのパターンの領域境界、アライメントマーク位置及びその近傍であることが実験により判明している。こうした特定の領域を指定するために、制御部４００は、入出力インターフェース４４０によってユーザインターフェース３４または統括コンピュータ３００からモールドの設計情報を取得し、この設計情報に基づいて特定の領域を指定してもよい。このような方法によれば、検査領域を設定する手間が省け、効率よくドロップレシピを決定することができる。モールドのパターンの境界領域は、領域ブロックによりパターン線幅が異なる場合や領域ブロックによりパターンの方向が異なる場合に、それぞれの領域ブロックが近接する領域である。
【００８８】
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、モールド等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。光学素子としては、マイクロレンズ、導光体、導波路、反射防止膜、回折格子、偏光素子、カラーフィルタ、発光素子、ディスプレイ、太陽電池等が挙げられる。ＭＥＭＳとしては、ＤＭＤ、マイクロ流路、電気機械変換素子等が挙げられる。記録素子としては、ＣＤ、ＤＶＤのような光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気ヘッド等が挙げられる。センサとしては、磁気センサ、光センサ、ジャイロセンサ等が挙げられる。モールドとしては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００８９】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００９０】
次に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図１５（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００９１】
図１５（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１５（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１とモールド４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚはモールド４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールド４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００９２】
図１５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、モールド４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚにモールド４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００９３】
図１５（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１５（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００９４】
次に、物品の別の製造方法について説明する。図１６Ａに示すように、石英ガラス等の基板１ｙを用意し、続いて、インクジェット法等により、基板１ｙの表面にインプリント材３ｙを付与する。必要に応じて、基板１ｙの表面に金属や金属化合物等の別の材料の層を設けても良い。
【００９５】
図１６Ｂに示すように、インプリント用のモールド４ｙを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｙに向け、対向させる。図１６Ｃに示すように、インプリント材３ｙが付与された基板１ｙとモールド４ｙとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｙはモールド４ｙと基板１ｙとの隙間に充填される。この状態で光をモールド４ｙを透して照射すると、インプリント材３は硬化する。
【００９６】
図１６Ｄに示すように、インプリント材３ｙを硬化させた後、モールド４ｙと基板１ｙを引き離すと、基板１ｙ上にインプリント材３ｙの硬化物のパターンが形成される。こうして硬化物のパターンを構成部材として有する物品が得られる。なお、図１６Ｄの状態で硬化物のパターンをマスクとして、基板１ｙをエッチング加工すれば、モールド４ｙに対して凹部と凸部が反転した物品、例えば、インプリント用のモールドを得ることもできる。
【００９７】
以下、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。基板１上の複数の完全ショット領域は、互いに同じ形状を有するので、通常は、複数の完全ショット領域に対して共通のドロップレシピが決定されうる。第１実施形態では、完全ショット領域のための共通のドロップレシピの決定は、基板の複数の完全ショット領域を使って試験的にインプリント処理を行い、これによって形成されるパターンを評価することによってなされる。
【００９８】
第２実施形態では、基板１上の複数の完全ショット領域に対して、互いに異なるインプリント条件に従って試験的にインプリント処理を行い、これによって形成されるパターンを評価することによって最適なドロップレシピを選択あるいは決定する。互いに異なるインプリント条件は、プロセスレシピにおいて設定されうる。互いに異なるインプリント条件は、個々のショット領域に対して他のショット領域とは異なるインプリント条件が設定されるように設定されうる。
【００９９】
各インプリント条件は、
・基板とモールドの位置合わせの完了時の基板とモールドの相対位置、
・インプリント材にモールドを接触させてから硬化させるまでの時間、
・インプリント材にモールドを接触する時の圧力、
・インプリント材にモールドを接触させる時のモールドの変形、
の少なくとも１つを含みうる。
【０１００】
図１８には、第２実施形態のインプリント装置２００によって実行されるドロップレシピ生成方法の手順の具体的な例が示されている。この動作は、制御部４００によって制御される。図１８における工程Ｓ１０１〜Ｓ１０８及びＳ１１８は、図７における工程Ｓ１０１〜Ｓ１０８及びＳ１１８と同じであるので、それらについての説明を省略する。工程Ｓ３０１において、制御部４００は、インプリント条件情報をプロセスレシピから読み取り、内部データとして格納する。
【０１０１】
工程Ｓ３０２において、制御部４００は、レシピ判定条件、優先順位条件情報を、入出力インターフェース４４０によってユーザインターフェース３４または統括コンピュータ３００から取得する。
【０１０２】
工程Ｓ３０３において、主制御部４１０は、オフアクシススコープ２４に対象ショット領域の上の硬化したインプリント材ＩＭからなるパターンを撮像させ、これにより得られる画像データに基づいて該パターンの品質を評価する。
【０１０３】
パターンの品質の評価は、本実施形態では、画像データから抽出される欠陥の大きさ、欠陥の大きさ毎に分類された各ランクにおける欠陥の数、ショット領域からのインプリント材の浸み出しにおいてはその浸み出し領域の面積の総和、に関する評価を含みうる。また、パターンの品質の評価は、膜厚計測部（不図示）によって対象ショット領域の複数の指定箇所の膜厚を計測し、その計測値の分散値を得ることを含みうる。また、上記の他、工程Ｓ１０６で実施されたダイダイバイアライメントの位置残差情報の評価がなされてもよい。
【０１０４】
工程Ｓ３０４では、主制御部４１０は、ドロップレシピ生成部４２０に暫定ドロップレシピを変更させる。ドロップレシピ生成部４２０は、現在の暫定ドロップレシピ（最新のドロップレシピ）を工程Ｓ３０３における、画像データから抽出される欠陥領域の大きさの評価の結果に基づいて変更する。
【０１０５】
工程Ｓ３０５では、主制御部４１０は、全てのインプリント条件（ショット領域）に対して処理が終了したか否かを判断し、終了した場合は工程Ｓ３０６へ進む。終了していない場合は工程Ｓ１０４へ戻る。工程Ｓ１０４へ戻ることは、変更後の暫定ドロップレシピに従ってインプリント材を配置しパターンを形成し評価する処理（Ｓ１０４〜Ｓ３０４）を、プロセスレシピで設定されたショット領域の全てに対してその基板を使って繰り返すことを意味する。
【０１０６】
工程Ｓ３０６では、主制御部４１０は、複数のショット領域のそれぞれの上に形成されたパターンの評価結果のうち所定条件を満たす評価結果を示すパターンを特定する。そして、主制御部４１０が、当該特定したパターンが形成されたショット領域に対するインプリント材の配置のための使用された暫定ドロップレシピに基づいてドロップレシピを決定する。
【０１０７】
工程Ｓ３０６では、例えば、予め設定された評価指標の優先順位情報に基づいて、全ての評価指標が規格に入っているインプリント条件で、最も優れた評価結果を示したインプリント条件に対応する暫定ドロップレシピを選択し、ドロップレシピとして決定する。
【０１０８】
図１９の例では、最適なドロップレシピを選択あるいは決定するための、評価指標の優先順位情報、それぞれの評価指標の満足すべき規格値がユーザによる画面の操作により入力される。予め評価指標毎にＰｒｉｏｒｉｔｙ欄に優先順位が入力されていると、主制御部４１０は、Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ欄で指定された規格値を満たすショット領域の中から、Ｐｒｉｏｒｉｔｙ欄の優先順位の高い評価項目の中から最も優れたものを選択する。
【０１０９】
評価指標は、相互に影響し合うかもしれない。例えば、欠陥を防止する目的でインプリント材を多く配置し過ぎると、残膜厚のバラツキが大きくなる場合がある。ショット領域からのインプリント材の浸み出しを防止する目的でインプリント材を少なめに配置すると、同様に残膜厚のバラツキが大きくなり、欠陥が発生する場合がある。またインプリト条件としての、モールドとインプリント材の接触から硬化までの時間が長くなると欠陥は減る傾向にあるが、浸み出しは増加する傾向がある。アライメント精度を高めるためのモールドおよび基板の傾き制御は浸み出しの傾向に変化を与えうる。また、半導体製造においてはその半導体パターン幅、密度、その他の傾向によって、アライメント精度を重視すべき半導体デバイスがあったり、残膜厚のバラツキを重視すべき半導体デバイスがあったりしうる。換言すると、評価指標の影響の度合いは、製造しようとする半導体デバイスによって異なりうる。こうした場合、評価項目に優先順位を付け、これに基づいてドロップパターンを決定する方法が有利となりえる。
【０１１０】
主制御部４１０は以下の手順でドロップレシピを決定しうる。
【０１１１】
ステップ１：評価された全てのショット領域の中から、全評価項目が基準を満たすショット領域を抽出する。
【０１１２】
ステップ２：抽出されたショット領域において、最も優先したい評価指標の値で最も規格からの余裕があるショット領域を抽出する。
【０１１３】
ステップ３：最も規格からの余裕があるショット領域の評価値が同値で複数ある場合は、順次優先順位の高い順に、選択された評価値で最も規格からの余裕があるショット領域を抽出する。
【０１１４】
ステップ４：抽出されたショット領域に対するインプリント時に使用された暫定ドロップレシピをドロップレシピとして決定する。
【０１１５】
ステップ１〜ステップ４は工程Ｓ３０６で実行されうる。
【０１１６】
図２０は、主制御部４１０が制御部４００のメモリ上で管理する、評価条件と評価指標が格納されるデータテーブルの一例である。Ｐｒｉｏｒｉｔｙ欄の値、Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ欄の値は、図１９の画面を使って入力されうる。Ｓｈｏｔ欄には、完全ショット領域のみを使ってインプリントした場合のショット領域を特定するショット番号が示されうる。Ｄｒｏｐ  Ｒｅｃｉｐｅ欄には、使用する暫定ドロップレシピのレシピ名が示されうる。各ショット番号で使用された暫定ドロップレシピはドロップレシピ決定まで保存される。
【０１１７】
Ｓｐｒｅａｄ  Ｔｉｍｅの欄には、インプリント材にモールドを接触させてからインプリント材を硬化させるまでの待ち時間が示される。Ｃａｖｉｔｙ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅの欄には、パターン面Ｐがインプリント材に接触する時にパターン面を変形させるための圧力が示される。Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｆｏｒｃｅの欄には、インプリント材にモールドを接触させる時の圧力が示される。Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｄｏｓｅの欄には、硬化露光量が示される。これらの情報は、主制御部４１０がプロセスレシピから取得しうる。
【０１１８】
Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ欄の評価値は、其々のショット領域における以下の情報が示されうる。
Ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ：浸み出し面積の総和
Ｖｏｉｄ  Ｄｅｆｅｃｔｓ：欠陥の大きさにおいて分類されたランクＡ、Ｂ、Ｃごとの欠陥の個数
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ：Ｘ、Ｙそれぞれのダイダイバイアライメントの位置残差（アライメント結果）
ＲＬＴＵ：ショット領域内の残膜の厚さのバラツキ
この例において、主制御部４１０は、例えば、以下の手順でドロップレシピを決定しうる。
【０１１９】
ステップ１：評価された全てのショット領域（ショット番号）において、全評価項目が基準を満たすショット領域４〜８、１２〜１４、１９、２０を抽出する。
【０１２０】
ステップ２：抽出されたショット領域において、最も優先したい評価指標のＶｏｉｄ  ＤｅｆｅｃｔｓのＲａｎｋ  Ａ、次に優先したい評価指標のＲａｎｋ  Ｂは同値なので、その次の評価指標Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｘ値で規格から余裕があるショット領域５、６を抽出する。
【０１２１】
ステップ３：最も余裕があるショット領域の評価値が同値で複数あるので、次に優先順位の高いＲａｎｋ  Ｃの規格でショット領域４を抽出する。
【０１２２】
ステップ４：抽出されたショット領域４をインプリントする時に使用された暫定ドロップレシピをドロップレシピとして決定する。
【０１２３】
第２実施形態のドロップレシピの決定方法によれば、評価指標が相互に影響し合う半導体製造プロセスで使われるドロップレシピを効率的に決定することが可能となる。
【符号の説明】
【０１２４】
２００：インプリント装置、３４：ユーザインターフェース、４００：統括コンピュータ、２４：オフアクシススコープ、１：基板、１８：モールド、ＩＭＭ：インプリント材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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