(57)【要約】【課題】発光効率に優れた有機ＥＬ表示装置を実現する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の光の出射側に配置される上部電極と、発光材料を含み、前記上部電極の前記有機ＥＬ層が配置される側とは反対側に配置される発光材料含有層とを有し、前記発光材料が前記有機ＥＬ層から発光した光により発光する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の光の出射側に配置される上部電極と、
発光材料を含み、前記上部電極の前記有機ＥＬ層が配置される側とは反対側に配置される発光材料含有層とを有する、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記発光材料が、前記有機ＥＬ層から発光した光が照射されることによって発光する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記発光材料含有層が前記上部電極に直に接してして配置される、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記発光材料含有層が、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲の光に対して、屈折率が１．７５以上のキャッピング層形成材料を含む、請求項１から３の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記発光材料含有層の屈折率が１．７５以上である、請求項１から４の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記発光材料含有層が、屈折率の異なるキャッピング層が積層された積層構造を有する、請求項１から５の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記積層構造が、前記上部電極に近い位置に配置される第１のキャッピング層と、該第１のキャッピング層よりも前記上部電極から遠い位置に配置される第２のキャッピング層とを有し、
前記第１のキャッピング層の屈折率が前記第２のキャッピング層の屈折率よりも大きく、
前記発光材料が少なくとも前記第１のキャッピング層に含まれている、請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記発光材料含有層が、発光波長のピークが４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲内の発光材料を含む、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記発光材料含有層が、青色の光を発光する発光材料を含む、請求項１から８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記第１のキャッピング層が、複数の色の画素に跨って配置される、請求項７から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
青色の画素と、前記青色とは異なる他の色の画素とを備え、
前記第１のキャッピング層が、前記青色の画素に配置され、前記他の色の画素には配置されない、請求項７から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記第２のキャッピング層は、前記発光材料を含まず、且つ前記青色の画素と前記他の色の画素とに跨って配置される、請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記第２のキャッピング層は、前記青色の画素に位置する領域と前記他の色の画素に位置する領域とで、厚さが異なる、請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
第１の色の画素と、前記第１の色とは異なる第２の色の画素とを備え、
前記第１のキャッピング層は、
前記第１の色を発光する発光材料を含み、前記第１の色の画素に配置される第１領域と、
前記第２の色を発光する発光材料を含み、前記第２の色の画素に配置され、前記第１の領域とは分断して位置する第２領域とを有する、請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記第１の領域と前記第２の領域とは、厚さが異なる、請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
下部電極と、
上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に位置する有機ＥＬ層と、
前記上部電極の上に直に接して位置する第１のキャッピング層と、
前記第１のキャッピング層の上に位置する第２のキャッピング層と、を有し、
前記第１のキャッピング層と前記第２のキャッピング層との少なくとも一方は、発光材料を含む、有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
前記第１のキャッピング層と前記第２のキャッピング層とは屈折率が異なる、請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１８】
前記第１のキャッピング層の屈折率が１．７５以上である、請求項１６または１７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１９】
前記第２のキャッピング層の屈折率が１．５０以下である、請求項１６から１８の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２０】
前記第１のキャッピング層は有機化合物であり、
前記第２のキャッピング層は無機化合物である、請求項１６から１９の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、例えば、液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような照明装置を要しないため、薄型化が可能となっている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、発光効率を向上させるため、種々の検討がなされている。例えば、下記特許文献１に開示されるように、キャッピング層を設ける方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３０２８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記方法によれば、有機発光ダイオードからの光を効率良く外部に出射させて発光効率を向上させ得るが、さらなる発光効率の向上が求められている。そこで、本発明は、発光効率に優れた有機ＥＬ表示装置を実現する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の光の出射側に配置される上部電極と、発光材料を含み、前記上部電極の前記有機ＥＬ層が配置される側とは反対側に配置される発光材料含有層とを有する、有機ＥＬ表示装置。
【０００７】
１つの実施形態においては、上記発光材料は、上記有機ＥＬ層から発光した光が照射されることによって発光する。
【０００８】
１つの実施形態においては、上記発光材料含有層は、屈折率が１．７５以上のキャッピング層形成材料を含む。特に、キャッピング層形成材料の屈折率は、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲の光に対して１．７５以上であることが望ましい。
【０００９】
１つの実施形態においては、上記発光材料含有層は、屈折率の異なるキャッピング層が積層された積層構造を有する。
【００１０】
１つの実施形態においては、上記積層構造は、上記上部電極に近い位置に配置される第１のキャッピング層と、この第１のキャッピング層よりも上記上部電極から遠い位置に配置される第２のキャッピング層とを有し、上記第１のキャッピング層の屈折率は上記第２のキャッピング層の屈折率よりも大きく、上記発光材料は少なくとも上記第１のキャッピング層に含まれている。
【００１１】
１つの実施形態においては、上記発光材料含有層は、発光波長のピークが４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲内の発光材料を含む。
【００１２】
１つの実施形態においては、上記発光波長のピークが４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲内の発光材料を含む発光材料含有層は、複数の画素領域に跨って形成されている。
【００１３】
１つの実施形態においては、上記発光波長のピークが４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲内の発光材料を含む発光材料含有層は、青色画素領域に選択的に形成されている。
【００１４】
本発明の他の有機ＥＬ表示装置は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に位置する有機ＥＬ層と、前記上部電極の上に直に接して位置する第１のキャッピング層と、前記第１のキャッピング層の上に位置する第２のキャッピング層と、を有し、前記第１のキャッピング層と前記第２のキャッピング層との少なくとも一方は、発光材料を含む、有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
１つの実施形態においては、上記第１のキャッピング層は有機化合物であり、上記第２のキャッピング層は無機化合物である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】有機ＥＬ表示装置の回路構成の一例を示す概要図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置の回路図の一例を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態における有機ＥＬ素子構造の断面の一部を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の各発光素子を対比して示す層構成図である。
【図５】本発明の第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の各発光素子を対比して示す層構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は有機ＥＬ表示装置の回路構成の一例を示す概要図であり、図２に有機ＥＬ表示装置の回路図の一例を示す。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置１０は、データ駆動回路１２および走査駆動回路１３によって、基板１００上の表示領域１１に形成された各画素を制御して画像を表示する。ここで、例えば、データ駆動回路１２は、各画素に送るデータ信号を生成・発信するＩＣ（Integrated Circuit）であり、走査駆動回路１３は、画素に備えられたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）へのゲート信号を生成・発信するＩＣである。なお、図１において、データ駆動回路１２および走査駆動回路１３は、２箇所に形成されるものとして記載されているが、１つのＩＣに組み込まれていてもよいし、基板１００上に直接配線された回路によって形成されたものであってもよい。
【００１９】
走査駆動回路１３からの信号を伝える走査線１４は、図２に示すようにスイッチトランジスタ３０のゲート電極に接続される。また、データ駆動回路１２からの信号を伝えるデータ線１５は、スイッチトランジスタ３０のソース・ドレイン電極に接続される。電位配線１６には、有機発光ダイオード６０に発光させるための基準電位が印加され、ドライバトランジスタ２０のソース・ドレイン電極に接続される。第１の電位供給配線１７および第２の電位供給配線１８は電位供給源に接続され、トランジスタを介して電位配線１６に接続される。なお、図２に示した構成は一例であって、本実施の形態は上記に限定されるものではない。
【００２０】
図示するように、有機ＥＬ表示装置１０の表示領域１１には、データ線１５がＤ１からＤｎまでｎ本形成されており、走査線１４がＧ１からＧｍまでｍ本形成されている。複数の画素ＰＸがマトリクス状に、走査線１４の延在方向およびデータ線１５延在方向に配置されている。例えば、Ｇ１とＧ２、Ｄ１とＤ２で囲まれる部分に画素ＰＸが形成される。
【００２１】
第１の走査線Ｇ１はスイッチトランジスタ３０のゲート電極に接続されており、走査駆動回路１３から信号が印加されると、スイッチトランジスタ３０がオン状態になる。そこでデータ駆動回路１２から第１のデータ線Ｄ１に信号が印加されると、蓄積容量４０に電荷が蓄積され、ドライバトランジスタ２０のゲート電極に電圧が印加されて、ドライバトランジスタ２０がオン状態になる。ここでスイッチトランジスタ３０がオフ状態となっても、蓄積容量４０に蓄えられた電荷により、一定期間はドライバトランジスタ２０がオン状態になる。有機発光ダイオード６０の陽極はドライバトランジスタ２０のソース・ドレイン間を通じて電位配線１６に接続されており、有機発光ダイオード６０の陰極は基準電位Ｖｃに固定されているから、ドライバトランジスタ２０のゲート電圧に応じて有機発光ダイオード６０に電流が流れ、有機発光ダイオード６０が発光する。また、例えば、付加容量５０が有機発光ダイオード６０の陽極と陰極との間に形成される。付加容量５０は、蓄積容量４０に書き込まれる電圧を安定させる効果を発揮し、有機発光ダイオード６０の安定動作に寄与する。具体的には、蓄積容量４０の静電容量よりも付加容量５０の静電容量が大きくなるようにすることで当該効果が発揮される。
【００２２】
図３は、本発明の第１実施形態における有機ＥＬ素子構造の断面の一部を示す断面図である。なお、図３に示した構成は一例であって、本実施の形態は図３に示す構成に限定されるものではない。
【００２３】
図３に示すように、基板１００上に画素を駆動するためのＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ層４０１が設けられ、ＴＦＴ層４０１上に平坦層４０２が形成される。平坦層４０２上には、金属層４０３、絶縁層４０４、アノード電極４０５（下部電極）がこの順で形成される。金属層４０３は、例えば、Ａｌを含み、金属層４０３の表面で後述する有機ＥＬ層４０７（発光層）からの光を反射する。
【００２４】
金属層４０３と後述するカソード電極４０８（上部電極）を電気的に接続することにより、金属層４０３はカソード電極４０８の電源配線の補助配線として用いてもよい。また、金属層４０３とアノード電極４０５で絶縁層４０４を挟んで容量層（付加容量５０）を形成してもよい。金属層４０３とカソード電極４０８との電気的接続は、例えば、表示領域の外側でスルーホールを設けて行う。絶縁層４０４は、例えば、ＳｉＮｘで形成される。アノード電極４０５は、例えば、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ(Indium Zinc Oxide)等の透過性導電材料で形成される。また、金属配線４０３を配置せず、アノード電極４０５がＩＴＯと金属との積層構造、例えばＩＴＯ、銀、ＩＴＯの３層からなる積層構造で、形成されてもよい。
【００２５】
平坦層４０２には、図３に示すようにソース電極２１へのスルーホールが形成される。ソース電極２１は、ＴＦＴ層４０１に設けられた図示しないＴＦＴのソース領域と接続する電極である。このスルーホールの底部で、アノード電極４０５とソース電極２１とが絶属している。
【００２６】
上記構造上には画素を分離すると共に、アノード電極４０５の一部を覆うバンク層４０６が形成され、バンク層４０６およびアノード電極４０５上に有機ＥＬ層４０７が形成される。ここで、アノード電極４０５と有機ＥＬ層４０７とが接触する領域が発光領域となり、バンク層４０６は発光領域の外縁を規定する。
【００２７】
有機ＥＬ層４０７の上には、カソード電極４０８が形成される。カソード電極４０８は、例えば、Ｍｇ−Ａｇ合金等の半透過性導電材料や、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透過性導電材料で形成される。カソード電極４０８は、画素ＰＸの幾つか、あるいは、マトリクス状に配置された画素ＰＸの全部に跨って形成されてもよい。
【００２８】
カソード電極４０８の上には、発光材料含有層４２０が形成される。発光材料含有層４２０の詳細については、後述する。
【００２９】
発光材料含有層４２０の上には、封止層が形成される。具体的には、第１の封止膜４０９を設け、第１の封止膜４０９上には有機材料を含む第２の封止膜４１０が設けられ、第２の封止膜４１０上には第３の封止膜４１１が設けることにより、封止層が形成される。
【００３０】
図４は、本発明の第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の各発光素子を対比して示す層構成図である。基板１００上に、第１の発光素子２０１（例えば、赤色発光素子）、第２の発光素子２０２（例えば、緑色発光素子）および第３の発光素子２０３（例えば、青色発光素子）が形成されている。なお、図４における１つの発光素子が、図３に示す素子構造に対応し、図４においては、図３に記載した構成要素のうち、基板１００、アノード電極４０５、有機ＥＬ層４０７、カソード電極４０８および発光材料含有層４２０を示す。
【００３１】
各発光素子２０１，２０２，２０３は、アノード電極４０５、有機ＥＬ層４０７およびカソード電極４０８をこの順に有する積層構造を有し、この積層構造の光の出射側（有機ＥＬ層から発光する光を出射させる側）には、発光材料を含む発光材料含有層４２０が形成されている。本実施形態では、発光材料含有層４２０は、カソード電極４０８上に（カソード電極４０８に隣接して）形成されている。
【００３２】
有機ＥＬ層４０７は、アノード電極４０５側から順に、ホール輸送層４０７ａ、発光層４０７ｂおよび電子輸送層４０７ｃを積層して形成されている。図示しないが、有機ＥＬ層４０７は、その他の層を有し得る。その他の層としては、例えば、アノード電極と発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソード電極と発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。
【００３３】
発光材料含有層４２０に含まれる発光材料としては、代表的には、有機ＥＬ層４０７（発光層４０７ｂ）で発光した光が照射されると発光する材料、が用いられる。例えば、発光材料として、発光層４０７ｂに含まれるドーパント材料が用いられる。このように、別途、発光し得る層を形成することにより、発光効率を向上させることができる。
【００３４】
各発光素子の発光材料含有層４２０に含まれる発光材料は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。１つの実施形態においては、各発光素子２０１，２０２，２０３の発光材料含有層４２０には、同じ発光材料が含まれる。このような形態によれば、例えば、発光材料含有層４２０の製膜効率を向上させることができる。具体的には、複数の色の画素領域に跨って発光材料含有層４２０を形成することができる。このような形態において用いられる発光材料としては、好ましくは、発光波長、或いは発光波長のピークが、４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲内（青色領域）にある発光材料が用いられる。発光材料の発光波長よりも長波長領域（具体的には、赤色画素領域および緑色画素領域）において発光し得ないからである。上記発光波長を満足する発光材料としては、例えば、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン、４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル、４，４’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニルが挙げられる。また、このような青色領域の光を発光する発光材料を用い、さらには、後述するように発光材料含有層４２０をキャッピング層（光路調整層、キャップ層ともいう）として機能させることができる。ここで述べるキャッピング層は、アノード電極４０５の上方に設けられる層であり、キャッピング層とアノード電極４０５との間、或いはキャッピング層とカソード電極４０８との間で光を反射させることで光干渉成分を発生させ、光共振を強めることを可能とする機能、即ち光利用効率を向上させる機能を有する層である。
【００３５】
例えば、発光材料含有層４２０に青色領域の光を発光する発光材料を用い、発光材料含有層４２０の厚みを、他の色（例えば、緑色）の波長で光共振が強くなり、光利用効率が最適になるように設定することができる。このような形態では、青色発光素子は発光材料が青色領域の光を発光することで発光効率を向上させることができ、他の色の発光素子は光共振が強くなるように発光材料の厚みが設定されることで光利用効率を向上させることができる。尚、発光材料含有層４２０の厚みを青色の波長で光共振が強くなるように設定して、青色発光素子の発光効率を選択的に高める構造にしてもよい。
【００３６】
別の実施形態においては、各発光素子２０１，２０２，２０３の発光材料含有層４２０は、それぞれの発光素子の色に対応させた発光材料を含む。例えば、第１の発光素子（赤色発光素子）２０１に含まれる発光材料含有層４２０は、発光波長、或いは発光波長のピークが、５８０ｎｍ〜６３０ｎｍの範囲内にある発光材料を含み、第２の発光素子（緑色発光素子）２０２に含まれる発光材料含有層４２０は、発光波長、或いは発光波長のピークが、５００ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲内にある発光材料を含み、第３の発光素子（青色発光素子）２０３に含まれる発光材料含有層４２０は、発光波長、或いは発光波長のピークが、４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲内にある発光材料を含む。このような形態によれば、例えば、全ての色において、発光効率を向上させることができる。この場合、各発光素子２０１，２０２，２０３の発光材料含有層４２０の厚みは、同じであってもよいし、異なっていても（それぞれの発光素子の色の波長に対応させて設定しても）よい。
【００３７】
発光材料含有層４２０は、任意の適切な他の材料を含み得る。好ましくは、発光材料含有層４２０は、キャッピング層形成材料を含む。具体的には、発光材料含有層４２０を、キャッピング層として機能させ得る。上述のキャッピング層の機能を得るには、入射する光に対して、最適な膜厚で形成すると共に最適な屈折率の材料を用いる必要がある。屈折率を最適にすることで、光共振が強くなるように光路長を調整できるからである。このような形態によれば、光取り出し効率をより向上させることができる。その結果、発光材料の発光性を高めることができる。キャッピング層形成材料としては、例えば、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲の光に対して屈折率が１．７５以上である材料が用いられる。この場合のキャッピング層形成材料の具体例としては、４ ， ４ ’− ビス［ Ｎ − （ ３ − メチルフェニル） − Ｎ − フェニルアミノ］ ビフェニル（ Ｔ Ｐ Ｄ ） 、４， ４ '， ４ ' '− トリス［ （ ３ − メチルフェニル） フェニルアミノ］ トリフェニルアミン（ｍ − Ｍ Ｔ Ｄ Ａ Ｔ Ａ ） 、１ ， ３ ， ５ − トリス［ Ｎ ， Ｎ − ビス（ ２ − メチルフェニル） − アミノ］ − ベンゼン（ ｏ − Ｍ Ｔ Ｄ Ａ Ｂ ）等の有機化合物が挙げられる。尚、発光材料含有層４２０の屈折率が１．７５以上であってもよい。また、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲の光に対して屈折率が１．５０以下である材料が用いられる場合もある。この場合のキャッピング層形成材料の具体例としては、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、ＭｇＦ２（フッ化マグネシウム）等の無機化合物が挙げられる。尚、発光材料含有層４２０の屈折率が１．５０以下であってもよい。更に、各発光素子の発光材料含有層４２０に含まれる他の材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００３８】
本実施形態では、各発光素子２０１，２０２，２０３の発光材料含有層４２０は、カソード電極４０８側から順に、第１のキャッピング層４２１および第２のキャッピング層４２２が積層された積層構造を有し、発光材料は、第１のキャッピング層４２１に選択的に含まれている。第１のキャッピング層４２１における発光材料の含有量は、例えば、キャッピング層形成材料１００重量部に対して、０．５重量部〜２０重量部とされる。各キャッピング層の厚みは、任意の適切な値に設定され得る。例えば、各発光素子２０１，２０２，２０３の各キャッピング層４２１，４２２の厚みは、特定の色またはそれぞれの発光素子の色の波長に対応させて設定される。各キャッピング層の厚みは、例えば、２０ｎｍ〜１５０ｎｍに設定される。なお、発光材料は、第１のキャッピング層４２１および第２のキャッピング層４２２のいずれか一方のみに含まれていてもよいし、両方に含まれていてもよい。また、第１のキャッピング層４２１は、発光素子２０１，２０２，２０３に跨って配置されてもよいし、発光素子２０１，２０２，２０３毎に分断して配置されてもよい。発光素子２０１，２０２，２０３毎に分断して配置する場合、分断された第１のキャッピング層４２１の各々には、対応する発光素子２０１，２０２，２０３の色を発光する発光材料が含有される。分断された第１のキャッピング層４２１の各々は、対応する色の波長で光共振が強くなるように、互いに厚さを異ならせてもよい。
【００３９】
本実施形態では、第１のキャッピング層４２１の屈折率は、第２のキャッピング層４２２の屈折率よりも大きく設定されている。カソード電極４０８により近い第１のキャッピング層を高屈折率（例えば、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲の光に対して１．７５以上）とするとで、光取り出し効率を高くし、第１のキャッピング層４２１に含まれる発光材料の発光性をより高め得る。この場合、屈折率が高い第１のキャッピング層４２１を上述の屈折率が１．７５以上である材料を用い、屈折率が低い第２のキャッピング層４２２を上述の屈折率が１．５０以下である材料を用いることが好適である。なお、各キャッピング層の屈折率は任意の適切な値に設定され得、例えば、第１のキャッピング層４２１の屈折率を第２のキャッピング層４２２の屈折率よりも低く設定してもよい。この場合、第１のキャッピング層４２１には発光材料を含有させず、第２のキャッピング層４２２に発光材料を含有させる構造にしてもよい。第２のキャッピング層４２２は、発光素子２０１，２０２，２０３に跨って配置されてもよいし、発光素子２０１，２０２，２０３毎に分断して配置されてもよい。発光素子２０１，２０２，２０３毎に分断して配置する場合、分断された第２のキャッピング層４２２の各々には、対応する発光素子２０１，２０２，２０３の色を発光する発光材料が含有される。分断された第２のキャッピング層４２２の各々は、対応する色の波長で光共振が強くなるように、互いに厚さを異ならせてもよい。
【００４０】
また、図示例とは異なり、各発光素子において、発光材料含有層４２０を単層構造としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。
【００４１】
図３および図４に示す積層構造は、代表的には、基板１００上に各層を任意の適切な方法により積層することで形成される。発光材料含有層４２０（第１のキャッピング層４２１）は、その形成材料に応じて任意の適切な方法により形成され得る。例えば、発光材料と他の材料（キャッピング層形成材料）とを共蒸着させることにより形成される。
【００４２】
発光材料を含有させる層を、発光層と電極（上部電極と下部電極との何れか）との間に形成しても、発光層が発光した光によっては当該発光材料を光らせることができる。しかしながら、この様な配置にすると、有機ＥＬ層内の発光層以外の層に発光材料が配置されることで、有機ＥＬ層の中に発光層と共に位置する電子輸送層、電子注入層、ホール輸送層、ホール注入層、電子ブロック層、ホールブロック層の機能を低下させてしまう。本実施形態では、カソード電極４０８の上、即ち、カソード電極４０８の有機ＥＬ層４０７とは反対の側に、発光材料含有層４２０を配置しているので、電子輸送層、電子注入層などの機能を低下させることなく、発光効率、光利用効率を向上させることができる。発光効率を大きく向上させるためには、なるべく発光層４０７ｂの近くに発光材料含有層４２０を配置することが望ましい。本実施形態では、カソード電極４０８の上に直に接して発光材料含有層４２０が配置されているので、発光効率を大きく向上させることができる。
【００４３】
従来技術には、カソード電極（上部電極）の上にキャッピング層（光路調整層）を配置する構造がある。よって、本実施形態は、キャッピング層（光路調整層）に発光材料を含有させた構造ということもできる。本実施形態では、図４に示す第１のキャッピング層４２１と第２のキャッピング層４２２との一方に発光材料を含有させても、両方に発光材料を含有させてもよい。なるべく発光層４０７ｂの近くに発光材料含有層４２０を配置することを鑑みると、カソード電極４０８に直に接する第１のキャッピング層４２１に、少なくとも発光材料を含有させることが好適である。
【００４４】
図５は、本発明の第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の各発光素子を示す層構成図である。本実施形態は、第３の発光素子２０３に、選択的に発光材料含有層４２０（第１のキャッピング層４２１）が形成されている点で、上記第１実施形態と異なる。即ち、第３の発光素子２０３には、第１のキャッピング層４２１と第２のキャッピング層４２２とが配置され、第１の発光素子２０１と第２の発光素子２０２の何れか、或いは両方には、第１のキャッピング層４２１が配置されず、第２のキャッピング層４２２が配置される構造にしてもよい。第２のキャッピング層４２２は、第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２、及び第３の発光素子２０３に跨って配置される。第１のキャッピング層４２１に第３の発光素子２０３の色（例えば青色）の光が発光する発光材料を含有させ、第２のキャッピング層４２２には発光材料を含有させない構造にしてもよい。このような形態によれば、特定の色（例えば、青色）の発光素子の発光効率を選択的に向上させることができる。
【００４５】
上記実施形態では、発光材料含有層４２０をキャッピング層として機能させているが、単に発光材料を含有する層としてもよいし、他の任意の適切な機能を持たせてもよい。例えば、上記封止層に発光材料を含有させて、発光材料含有層４２０を封止層として機能させてもよい。
【００４６】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１０  有機ＥＬ表示装置、１１  表示領域、１２  データ駆動回路、１３  走査駆動回路、１４  走査線、１５  データ線、１６  電位配線、１７  第１の電位供給配線、１８  第２の電位供給配線、２０  ドライバトランジスタ、２１  ソース電極、３０  スイッチトランジスタ、４０  蓄積容量、５０  付加容量、６０  有機発光ダイオード、１００  基板、２０１  第１の発光素子、２０２  第２の発光素子、２０３  第３の発光素子、４０１  ＴＦＴ層、４０２  平坦層、４０３  金属層、４０４  絶縁層、４０５  アノード電極、４０６  バンク層、４０７  有機ＥＬ層、４０８  カソード電極、４０９  第１の封止膜、４１０  第２の封止膜、４１１  第３の封止膜、４２１  第１のキャッピング層、４２２  第２のキャッピング層、４２０  発光材料含有層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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