(57)【要約】【課題】許容される回路部品の温度の上限値が、正常な動作が確保される制御素子の温度の上限値によって制限されず、かつ、耐熱性が低い制御素子を用いることができる回路装置を提供する。【解決手段】電気接続箱１では、放熱体１２の上面１２ａに導電体１４が絶縁部材１３を介して載置されており、導電体１４にＦＥＴ１７が電気的に接続されている。制御素子２５が配置されている第２回路基板２４は、導電体１４が載置されている載置部分とは異なる上面１２ａの部分と間隔を隔てて対向する。収容体１０は、一面が開放された箱体状をなし、ＦＥＴ１７を収容する。開放された収容体１０の一面には上面１２ａが配置されており、収容体１０には、開口３０ｆ，３０ｅが設けられている。載置部分とは異なる上面１２ａの部分は、開口３０ｆ，３０ｅを連絡する通路の一部分を構成する。第２回路基板２４と、上面１２ａとの間に通路が形成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱体の載置面に絶縁部材を介して載置されている導電体に回路部品が電気的に接続されている回路装置であって、
該回路部品の動作を制御する制御信号を出力する制御素子と、
該制御素子が配置され、前記導電体が載置されている載置部分とは異なる前記載置面の部分と間隔を隔てて対向する回路基板と、
一面が開放された箱体状をなし、前記回路部品を収容する収容体と
を備え、
開放された該収容体の一面には前記載置面が配置されており、前記収容体には複数の開口が設けられ、
該複数の開口を連絡する通路が設けられており、
前記載置部分とは異なる前記載置面の部分は該通路の一部分を構成し、
前記回路基板と、前記載置面との間に前記通路が形成されている
回路装置。
【請求項２】
前記収容体内を仕切る仕切り板を備え、
該仕切り板によって形成された１つの空間内に前記回路部品が配置され、
該仕切り板によって形成された他の空間に前記通路が形成されている
請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記導電体の数は２以上であり、
前記回路部品は、２つの前記導電体に電気的に接続される半導体スイッチであり、
前記制御信号は、前記回路部品のオン又はオフを指示する信号である
請求項１又は請求項２に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両には、電源と、ヘッドランプ又はワイパー等の負荷とに接続される電気接続箱が搭載されている。電気接続箱は、電源及び負荷の電気的な接続と、この接続の遮断とを行う。電気接続箱に収容される回路構成体は、例えば、特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の回路構成体では、放熱体の載置面に、絶縁部材を介して、板状をなす複数の導電体が載置され、複数の導電体夫々の一方の板面は載置面に対向している。複数の導電体中の２つの導電体夫々に半導体スイッチの一端及び他端が接続されている。半導体スイッチの一端は、２つの導電体中の一方を介してバッテリに接続され、半導体スイッチの他端は、２つの導電体中の他方を介して負荷に接続されている。
【０００３】
複数の導電体の他方の板面に回路基板が配置され、回路基板の一方の板面は複数の導電体の他方の板面に対向している。回路基板の他方の板面には、制御素子が配置され、制御素子は、半導体スイッチのオン又はオフを指示する制御信号を出力する。半導体スイッチのオンを指示する制御信号を制御素子が出力した場合、半導体スイッチはオンに切替わり、バッテリから負荷に電力が供給され、半導体スイッチを介して電流が流れる。半導体スイッチのオフを指示する制御信号を制御素子が出力した場合、半導体スイッチはオフに切替わり、バッテリから負荷への電力供給が停止され、半導体スイッチを介して流れる電流が遮断される。
【０００４】
半導体スイッチを介して電流が流れている場合、半導体スイッチは発熱する。半導体スイッチから発生した熱は、導電体及び放熱体の順に伝導し、放熱体から放出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６４０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の回路構成体では、放熱体、導電体、回路基板及び制御素子の順に配置されている。このため、半導体スイッチから発生した熱は、導電体及び回路基板を介して制御素子に伝導する。従って、半導体スイッチの温度が上昇した場合、制御素子は半導体スイッチの温度上昇の影響を受け、制御素子の温度も上昇する。
【０００７】
制御素子の耐熱性が低い場合、正常な動作が確保される半導体スイッチの温度の上限値は、正常な動作が確保される制御素子の温度の上限値よりも高い。この場合、半導体スイッチの動作は、半導体スイッチの温度が制御素子の温度の上限値以上にならないように制御される。例えば、制御素子は、半導体スイッチの温度が、制御素子の温度の上限値に近い温度になった場合、半導体スイッチのオフを指示する制御信号を出力し、半導体スイッチをオフに切替え、半導体スイッチを介した通電を停止する。
【０００８】
以上のように、制御素子の耐熱性が低い場合、許容される半導体スイッチの温度の上限値が、正常な動作が確保される制御素子の温度の上限値によって制限されるという問題がある。
この問題を解決する対策として、耐熱性が高い制御素子を用いることができる。しかしながら、耐熱性が高い制御素子は高価であるため、製造費用が嵩むという問題がある。
【０００９】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、許容される回路部品の温度の上限値が、正常な動作が確保される制御素子の温度の上限値によって制限されず、かつ、耐熱性が低い制御素子を用いることができる回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係る回路装置は、放熱体の載置面に絶縁部材を介して載置されている導電体に回路部品が電気的に接続されている回路装置であって、該回路部品の動作を制御する制御信号を出力する制御素子と、該制御素子が配置され、前記導電体が載置されている載置部分とは異なる前記載置面の部分と間隔を隔てて対向する回路基板と、一面が開放された箱体状をなし、前記回路部品を収容する収容体とを備え、開放された該収容体の一面には前記載置面が配置されており、前記収容体には複数の開口が設けられ、該複数の開口を連絡する通路が設けられており、前記載置部分とは異なる前記載置面の部分は該通路の一部分を構成し、前記回路基板と、前記載置面との間に前記通路が形成されている。
【発明の効果】
【００１１】
上記の態様によれば、許容される回路部品の温度の上限値が、正常な動作が確保される制御素子の温度の上限値によって制限されず、かつ、耐熱性が低い制御素子を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態における電気接続箱の斜視図である。
【図２】電気接続箱の下側の外観図である。
【図３】電気接続箱の後側の外観図である。
【図４】図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。
【図５】図１におけるＢ−Ｂ線の断面図である。
【図６】蓋体が外された電気接続箱の平面図である。
【図７】放熱体を外した電気接続箱の下側の外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列挙して説明する。以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
【００１４】
（１）本発明の一態様に係る回路装置は、放熱体の載置面に絶縁部材を介して載置されている導電体に回路部品が電気的に接続されている回路装置であって、該回路部品の動作を制御する制御信号を出力する制御素子と、該制御素子が配置され、前記導電体が載置されている載置部分とは異なる前記載置面の部分と間隔を隔てて対向する回路基板と、一面が開放された箱体状をなし、前記回路部品を収容する収容体とを備え、開放された該収容体の一面には前記載置面が配置されており、前記収容体には複数の開口が設けられ、該複数の開口を連絡する通路が設けられており、前記載置部分とは異なる前記載置面の部分は該通路の一部分を構成し、前記回路基板と、前記載置面との間に前記通路が形成されている。
【００１５】
上記の一態様にあっては、回路基板が載置面と間隔を隔てて対向しているので、回路部品から発生した熱は、導電体又は放熱体を介して制御素子に伝導することはない。このため、回路部品の温度が上昇した場合であっても、制御素子の温度が上昇することはない。結果、許容される回路部品の温度の上限値は、正常な動作が確保される制御素子の温度の上限値によって制限されない。更に、回路部品から発生した熱は制御素子に伝導しないため、耐熱性が低い制御素子を用いることができる。
【００１６】
また、放熱体の載置面において、導電体が載置されている載置部分とは異なる部分は、複数の開口を連絡する通路の一部分を構成している。この通路を空気又は水等の冷却媒体が流れている場合、放熱体の載置面の一部分は、常に、温度が低い冷却媒体に接触しているため、放熱体の載置面から熱が放出される。結果、放熱体において熱を放出する部分が大きく、放熱体から熱が効率的に放出される。
更に、回路基板と載置面との間に通路が形成されているので、通路の空間が広く、放熱体の載置面から放出される熱量が大きい。このため、放熱体から熱がより効率的に放出される。
【００１７】
（２）本発明の一態様に係る回路装置は、前記収容体内を仕切る仕切り板を備え、該仕切り板によって形成された１つの空間内に前記回路部品が配置され、該仕切り板によって形成された他の空間に前記通路が形成されている。
【００１８】
上記の一態様にあっては、収容体内の空間が、仕切り板によって、回路部品が配置される空間と、通路が形成される空間とに分離されている。このため、回路部品との接触によって回路部品に悪影響を与える水又は埃等の侵入が防止される。
【００１９】
（３）本発明の一態様に係る回路装置では、前記導電体の数は２以上であり、前記回路部品は、２つの前記導電体に電気的に接続される半導体スイッチであり、前記制御信号は、前記回路部品のオン又はオフを指示する信号である。
【００２０】
上記の一態様にあっては、２つの導電体と、回路部品として機能する半導体スイッチを介して電流が流れる。半導体スイッチがオンである場合、２つの導電体を介して電流が流れることが可能であり、半導体スイッチがオフである場合、２つの導体を介して電流が流れることはない。
【００２１】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る電気接続箱（回路装置）の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００２２】
図１は、本実施形態における電気接続箱１の斜視図である。電気接続箱１は、車両に好適に搭載され、回路装置として機能する。電気接続箱１は、一面が開放された箱体状をなす収容体１０を備える。収容体１０は、矩形状の枠体３０と、一面が開放された箱体状をなす蓋体３１とを有する。蓋体３１は、電気接続箱１の上側に配置され、蓋体３１の一部分は枠体３０の内側に嵌め込まれ、蓋体３１は枠体３０の内側を覆っている。蓋体３１の底壁は上側に位置し、開放されている蓋体３１の一面は下側に位置している。
【００２３】
蓋体３１において、前側の側壁の下辺部分には、２つの切欠き３１ａが設けられている。２つの切欠き３１ａは左右方向に並んでいる。２つの切欠き３１ａ夫々から導線１１が前側に突出している。
【００２４】
図２は電気接続箱１の下側の外観図である。枠体３０では、電気接続箱１の前側、左側、右側及び後側夫々に前壁３０ａ、左壁３０ｂ、右壁３０ｃ及び後壁３０ｄが配置されている。これらは矩形板状をなす。前壁３０ａの左辺部及び右辺部夫々には、左壁３０ｂ及び右壁３０ｃの前辺部に連結している。左壁３０ｂ及び右壁３０ｃ夫々の後辺部は、後壁３０ｄの左辺部及び右辺部に連結している。
【００２５】
電気接続箱１は矩形状の放熱体１２を更に有している。放熱体１２は、枠体３０内に嵌め込まれ、放熱体１２の板面は枠体３０の軸方向に対して略垂直である。放熱体１２の前側、左側、右側及び後側夫々の端面は、収容体１０の枠体３０の前壁３０ａ、左壁３０ｂ、右壁３０ｃ及び後壁３０ｄの板面に当接している。図１及び図２に示すように、前壁３０ａには、前後方向に貫通する２つの開口３０ｅが設けられ、２つの開口３０ｅは左右方向に並んでいる。
【００２６】
図３は電気接続箱１の後側の外観図である。後壁３０ｄには、前後方向に貫通する３つの開口３０ｆが設けられ、３つの開口３０ｆは左右方向に並んでいる。また、蓋体３１において、後側の側壁の下辺部には、切欠き３１ｂが設けられている。枠体３０の後壁３０ｄの上辺部には、切欠き３０ｇが設けられている。蓋体３１の一部分が枠体３０の内側に嵌め込まれている電気接続箱１では、切欠き３０ｇ，３１ｂによって、前後方向に貫通する開口が形成されており、この開口からコネクタＫ１が突出している。
【００２７】
コネクタＫ１には、図示しない信号線の端部に設けられた図示しないコネクタが嵌め込まれる。この信号線を介して、２つの導線１１の電気的な接続を指示する接続信号と、２つの導線１１の電気的な接続の遮断を指示する遮断信号とが電気接続箱１に出力される。
【００２８】
電気接続箱１では、例えば、一方の導線１１は図示しないバッテリの正極に接続され、他方の導線１１は図示しない負荷の一端に接続される。バッテリの負極と、負荷の他端とは接地される。電気接続箱１では、接続信号が入力された場合、２つの導線１１が電気的に接続される。これにより、バッテリの正極が負荷の一端に電気的に接続され、バッテリから負荷に電流が流れ、負荷に電力が供給される。また、電気接続箱１では、遮断信号が入力された場合、２つの導線１１の電気的な接続は遮断される。これにより、バッテリの正極と、負荷の一端との電気的な接続が遮断される。結果、バッテリから負荷に電流が流れず、負荷に電力が供給されることはない。
【００２９】
図４は、図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。放熱体１２の上面１２ａには、絶縁部材１３を介して、板状をなす３つの導電体１４，１５，１６が載置されている。上面１２ａは載置面として機能する。導電体１４，１６夫々は複数回屈曲している。導電体１４，１６夫々の板面の一部分は放熱体１２の上面１２ａと対向している。導電体１５の板面も放熱体１２の上面１２ａと対向している。絶縁部材１３は接着剤としても機能し、導電体１４，１５，１６の下面は、絶縁部材１３によって放熱体１２の上面１２ａに接着している。導電体１４，１５，１６夫々は、他の２つの導電体から離れている。また、導電体１４，１５，１６夫々と、放熱体１２とは絶縁部材１３によって絶縁されている。導電体１４，１５，１６夫々は所謂バスバーである。
【００３０】
電気接続箱１は、半導体スイッチとして機能するチップ状のＦＥＴ(Field Effective Transistor)１７，１８を更に備える。ＦＥＴ１７のドレイン端子は導電体１４に電気的に接続されている。ＦＥＴ１７，１８夫々のソース端子は導電体１５に電気的に接続されている。ＦＥＴ１８のドレイン端子は導電体１６に電気的に接続されている。導電体１４，１５，１６の上面には、第１回路基板１９が載置されている。第１回路基板１９の板面は放熱体１２の上面に対向し、第１回路基板１９には、上下方向に貫通する開口１９ａ，１９ｂが設けられている。開口１９ａ，１９ｂは左右方向に並んでいる。開口１９ａ内にＦＥＴ１７が配置され、開口１９ｂ内にＦＥＴ１８が配置されている。ＦＥＴ１７，１８について、ゲート端子は第１回路基板１９の上面に接続されている（図６参照）。ＦＥＴ１７，１８夫々は回路部品として機能する。
【００３１】
ＦＥＴ１７，１８夫々では、固定電位、例えば、接地電位を基準としたゲート端子の電圧が調整される。ゲート端子の電圧を調整することによって、ＦＥＴ１７，１８をオン又はオフに切替えることができる。ＦＥＴ１７，１８は略同時にオンに切替えられ、ＦＥＴ１７，１８は略同時にオフに切替えられる。ＦＥＴ１７がオンである場合、２つの導電体１４，１５は電気的に接続されている。ＦＥＴ１７がオフである場合、２つの導電体１４，１５の電気的な接続は遮断されている。ＦＥＴ１８がオンである場合、２つの導電体１５，１６は電気的に接続されている。ＦＥＴ１８がオフである場合、２つの導電体１５，１６の電気的な接続は遮断されている。
【００３２】
ＦＥＴ１７，１８がオンである場合、３つの導電体１４，１５，１６及びＦＥＴ１７，１８を介して電流は流れることが可能である。ＦＥＴ１７，１８がオフである場合、３つの導電体１４，１５，１６及びＦＥＴ１７，１８を介して電流は流れることはない。ＦＥＴ１７，１８を介して電流が流れた場合、ＦＥＴ１７，１８夫々は発熱する。ＦＥＴ１７が発した熱は、導電体１４、絶縁部材１３及び放熱体１２の順に伝導すると共に、導電体１５、絶縁部材１３及び放熱体１２の順に伝導する。ＦＥＴ１８が発した熱は、導電体１５、絶縁部材１３及び放熱体１２の順に伝導すると共に、導電体１６、絶縁部材１３及び放熱体１２の順に伝導する。放熱体１２に伝導した熱は、放熱体１２から放出される。
【００３３】
ＦＥＴ１７，１８の導電型は同一であり、ＦＥＴ１７，１８のソース端子は、前述したように導電体１５に接続されている。このため、ＦＥＴ１７，１８の導電型がＮチャネル型である場合、ＦＥＴ１７の寄生ダイオードのアノードはＦＥＴ１８の寄生ダイオードのアノードと接続されている。ＦＥＴ１７，１８の導電型がＰチャネル型である場合、ＦＥＴ１７の寄生ダイオードのカソードはＦＥＴ１８の寄生ダイオードのカソードと接続されている。このため、ＦＥＴ１７，１８がオフである場合において、ＦＥＴ１７，１８の寄生ダイオードを介して電流が流れることはない。
【００３４】
前述したように、収容体１０は、一面が開放された箱体状をなす。開放された収容体１０の一面には、放熱体１２の上面１２ａが配置され、図２に示すように、収容体１０の開口は上面１２ａによって塞がっている。収容体１０は、図４に示すようにＦＥＴ１７，１８を覆っている。ＦＥＴ１７，１８は収容体１０によって収容されている。
【００３５】
図５は、図１におけるＢ−Ｂ線の断面図であり、図６は、蓋体３１が外された電気接続箱１の平面図である。図５及び図６に示すように、ＦＥＴ１７，１８及び開口１９ａ，１９ｂ夫々の数は３である。第１回路基板１９の左側では、３つの開口１９ａが前後方向に並んでおり、各開口１９ａ内に１つのＦＥＴ１７が配置されている。第１回路基板１９の右側では、３つの開口１９ｂが前後方向に並んでおり、各開口１９ｂ内に１つのＦＥＴ１８が配置されている。６つのＦＥＴ１７，１８は、略同時にオンに切替わると共に、略同時にオフに切替わる。
【００３６】
収容体１０内では、枠体３０の前壁３０ａ、左壁３０ｂ、右壁３０ｃ及び後壁３０ｄの中途から、支持板３２が枠体３０の内側に突出している。支持板３２の板面は、放熱体１２の上面１２ａと間隔を隔てて対向している。図４に示すように、導電体１４は支持板３２の左側の一部分の上側を覆っており、導電体１６は支持板３２の右側の一部分の上側を覆っている。
【００３７】
導電体１４には、上下方向に貫通する図示しない開口が設けられており、支持板３２の左側では、図４に示すように、支持板３２の上面から上側に円柱状のスタッドボルト２０が突出している。導電体１４の開口にはスタッドボルト２０が挿通している。スタッドボルト２０には、螺子溝が設けられている。スタッドボルト２０は、更に、環状の接続端子２１内を挿通している。スタッドボルト２０が環状の接続端子２１内を挿通している状態で図示しないナットがスタッドボルト２０に装着される。このナットを締めることによって、接続端子２１が導電体１４とナットとによって挟まれ、接続端子２１は導電体１４に接触する。これにより、導電体１４及び接続端子２１は電気的に接続する。接続端子２１は、２つの導線１１中の一方に電気的に接続している。
【００３８】
同様に、導電体１６には、上下方向に貫通する図示しない開口が設けられており、支持板３２の右側では、図４に示すように、支持板３２の上面から上側に円柱状のスタッドボルト２２が突出している。導電体１６の開口には、スタッドボルト２２が挿通している。スタッドボルト２２には、螺子溝が設けられている。スタッドボルト２２は、更に、環状の接続端子２３内を挿通している。スタッドボルト２２が環状の接続端子２３内を挿通している状態で図示しないナットがスタッドボルト２２に装着される。このナットを締めることによって、接続端子２３が導電体１６とナットとによって挟まれ、接続端子２３は導電体１６に接触する。これにより、導電体１６及び接続端子２３は電気的に接続する。接続端子２３は、２つの導線１１中の他方に電気的に接続している。
２つのスタッドボルト２０，２２の上側の端面は、蓋体３１の底壁に当接している。
【００３９】
６つのＦＥＴ１７，１８がオンである場合、電流が一方の導線１１から接続端子２１、導電体１４、ＦＥＴ１７、導電体１５、ＦＥＴ１８、導電体１６、接続端子２３及び他方の導線１１の順に流れることが可能であり、２つの導線１１は電気的に接続している。６つのＦＥＴ１７，１８がオフである場合、６つのＦＥＴ１７，１８を介して電流が流れることはないため、２つの導線１１の電気的な接続が遮断されている。
【００４０】
電気接続箱１は第２回路基板２４を更に備え、第２回路基板２４は支持板３２の上面の後側に載置されている。第２回路基板２４の板面は支持板３２の上面に対向している。第２回路基板２４の上面には、チップ状の制御素子２５が配置されている。制御素子２５は、例えば、マイクロコンピュータである。第２回路基板２４には、６つのＦＥＴ１７，１８を略同時にオンに切替えると共に、６つのＦＥＴ１７，１８を略同時にオフに切替える図示しない駆動回路が設けられている。
【００４１】
第１回路基板１９及び第２回路基板２４夫々の上面には、図示しない導電パターンが設けられている。第１回路基板１９の導電パターンは、導電性を有する４つの接続体２６によって、第２回路基板２４の導電パターンに電気的に接続されている。コネクタＫ１は、第２回路基板２４の導電パターンによって、制御素子２５に電気的に接続され、制御素子２５は第２回路基板２４の導電パターンによって駆動回路に電気的に接続されている。駆動回路は、第２回路基板２４の導電パターンと、接続体２６と、第１回路基板１９の導電パターンによって、６つのＦＥＴ１７，１８のゲート端子に電気的に接続されている。
【００４２】
前述したように、コネクタＫ１には、信号線の端部に設けられたコネクタが嵌め込まれる。信号線を介して電気接続箱１に出力された接続信号及び遮断信号は、コネクタＫ１を介して制御素子２５に入力される。制御素子２５は、接続信号が入力された場合、６つのＦＥＴ１７，１８のオンを指示する制御信号を駆動回路に出力し、遮断信号が入力された場合、６つのＦＥＴ１７，１８のオフを指示する制御信号を駆動回路に出力する。
【００４３】
制御素子２５が６つのＦＥＴ１７，１８のオンを指示する制御信号を駆動回路に出力した場合、駆動回路は、固定電位を基準とした６つのＦＥＴ１７，１８のゲート端子の電圧を調整し、６つのＦＥＴ１７，１８を略同時にオンに切替える。制御素子２５が６つのＦＥＴ１７，１８のオフを指示する制御信号を出力した場合、駆動回路は、固定電位を基準とした６つのＦＥＴ１７，１８のゲート端子の電圧を調整し、６つのＦＥＴ１７，１８を略同時にオフに切替える。制御信号はＦＥＴ１７，１８の動作を制御する信号である。
【００４４】
一方の導線１１がバッテリの正極に接続され、他方の導線１１が負荷の一端に接続され、バッテリの負極と、負荷の他端とが接地していると仮定する。この場合において、６つのＦＥＴ１７，１８がオンであるとき、６つのＦＥＴ１７，１８を介してバッテリから負荷に電流が流れ、負荷に電力が供給される。このとき、６つのＦＥＴ１７，１８は発熱する。同様の場合において、６つのＦＥＴ１７，１８がオフであるとき、６つのＦＥＴ１７，１８を介して電流が流れることはなく、６つのＦＥＴ１７，１８が発熱することはない。
【００４５】
図７は、放熱体１２を外した電気接続箱１の下側の外観図である。収容体１０内には、図４及び図７に示すように、板面が枠体３０の左壁３０ｂの板面と対向する矩形状の左側仕切り板３３ａと、板面が枠体３０の右壁３０ｃの板面と対向する矩形状の右側仕切り板３３ｂとが配置されている。収容体１０内には、更に、図５及び図７に示すように、板面が枠体３０の後壁３０ｄの板面と対向する矩形状の後側仕切り板３３ｃが配置されている。
【００４６】
図７に示すように、左側仕切り板３３ａ及び右側仕切り板３３ｂの前辺部は枠体３０の前壁３０ａの板面に連結している。左側仕切り板３３ａの後辺部は後側仕切り板３３ｃの左辺部に連結し、右側仕切り板３３ｂの後辺部は後側仕切り板３３ｃの右辺部に連結している。
支持板３２の前辺部には、矩形状の切欠きが設けられている。左側仕切り板３３ａ、右側仕切り板３３ｂ及び後側仕切り板３３ｃの上辺部は、支持板３２の切欠きの縁部分に連結している。
【００４７】
図４に示すように、左側仕切り板３３ａ及び右側仕切り板３３ｂの下側の端面は放熱体１２の上面１２ａに当接している。また、図５に示すように、後側仕切り板３３ｃの下側の端面は放熱体１２の上面１２ａに当接している。図７に示すように、左側仕切り板３３ａ、右側仕切り板３３ｂ及び後側仕切り板３３ｃは、収容体１０内、具体的には、枠体３０内を仕切り、枠体３０内では第１空間及び第２空間が形成されている。
【００４８】
第１空間は、左側仕切り板３３ａと、右側仕切り板３３ｂと、後側仕切り板３３ｃと、枠体３０の前壁３０ａとによって囲まれた空間である。第２空間は、枠体３０の前壁３０ａ、左壁３０ｂ、右壁３０ｃ及び後壁３０ｄと、左側仕切り板３３ａと、右側仕切り板３３ｂと、後側仕切り板３３ｃとによって囲まれた空間である。
【００４９】
図４及び図５に示すように、第１空間内には、絶縁部材１３、ＦＥＴ１７，１８及び第１回路基板１９が配置されている。導電体１４の板面は、第１空間における放熱体１２の左側部分と、左側仕切り板３３ａにおける右側の板面と、支持板３２の左側部分の上面とを覆っている。また、導電体１６の板面は、第１空間における放熱体１２の右側部分と、右側仕切り板３３ｂにおける左側の板面と、支持板３２の右側部分の上面とを覆っている。
【００５０】
前述したように、枠体３０の前壁３０ａには２つの開口３０ｅが設けられている。図７に示すように、一方の開口３０ｅは、枠体３０の左壁３０ｂと、左側仕切り板３３ａとの間に位置し、他方の開口３０ｅは、枠体３０の右壁３０ｃと、右側仕切り板３３ｂとの間に位置する。また、前述したように、枠体３０の後壁３０ｄには３つの開口３０ｆが設けられている。図７に示すように、第２空間内に、３つの開口３０ｆ及び２つの開口３０ｅを連絡する通路３４が形成されている。
【００５１】
以上のように、電気接続箱１には通路３４が設けられている。通路３４は、放熱体１２の上面１２ａにおいて、３つの導電体１４，１５，１６が載置されている載置部分と異なる部分と、枠体３０の前壁３０ａ、左壁３０ｂ、右壁３０ｃ及び後壁３０ｄと、支持板３２と、左側仕切り板３３ａと、右側仕切り板３３ｂと、後側仕切り板３３ｃとによって構成される。空気又は水等の冷却媒体は、通路３４を、例えば、図７の矢印で示す経路に沿って流れる。
なお、空気又は水等の冷却媒体を後側から前側に流さなくてもよく、例えば、冷却媒体を前側から後側に流してもよい。例えば、図７の矢印で示す経路とは反対の経路に沿って冷却媒体を流してもよい。
【００５２】
以上のように構成された電気接続箱１では、第２回路基板２４が放熱体１２の上面１２ａと間隔を隔てて対向している。このため、ＦＥＴ１７，１８から発生した熱は、放熱体１２又は導電体１４，１５，１６を介して制御素子２５に伝導することはない。このため、ＦＥＴ１７，１８の温度が上昇した場合であっても、制御素子２５の温度が上昇することはない。結果、許容されるＦＥＴ１７，１８の温度の上限値は、正常な動作が確保される制御素子２５の温度の上限値によって制限されない。また、ＦＥＴ１７，１８から発生した熱は制御素子２５に伝導することはないので、制御素子２５として、耐熱性が低い素子を用いることができる。
【００５３】
更に、放熱体１２の上面１２ａにおいて、導電体１４，１５，１６が載置されている載置部分とは異なる部分が通路３４の一部分を構成している。空気又は水等の冷却媒体が通路３４を流れている場合、放熱体１２の上面１２ａの一部分は、常に、温度が低い冷却媒体に接触している。このため、放熱体１２の下面からだけではなく、放熱体１２の上面１２ａからも熱が放出される。結果、放熱体１２において熱を放出する部分が大きく、放熱体１２から熱が効率的に放出される。
【００５４】
また、図５に示すように、第２回路基板２４の下面は、放熱体１２の上面１２ａにおいて、３つの導電体１４，１５，１６が載置されている載置部分とは異なる部分と間隔を隔てて対向している。更に、第２回路基板２４と放熱体１２の上面１２ａとの間に通路３４が形成されている。このため、収容体１０内における通路３４の空間が広く、放熱体１２の上面１２ａから放出される熱量が大きい。結果、放熱体１２から熱がより効率的に放出される。
【００５５】
また、前述したように、収容体１０内の空間、具体的には、枠体３０内の空間が、左側仕切り板３３ａ、右側仕切り板３３ｂ及び後側仕切り板３３ｃによって、第１空間と第２空間とに分離されている。このため、ＦＥＴ１７，１８との接触によってＦＥＴ１７，１８に悪影響を与える水又は埃等の侵入が防止される。悪影響として、例えば、ＦＥＴ１７，１８に水又は埃等が接触することによって生じるＦＥＴ１７，１８の故障が挙げられる。
【００５６】
なお、電気接続箱１において、第１空間が設けられる場所は、収容体１０内の前側の中央部に限定されず、例えば、収容体１０内の中央部、左前側又は右前側等であってもよい。第１空間が設けられる場所に応じて、仕切り板が適宜設けられる。
【００５７】
また、左側仕切り板３３ａ、右側仕切り板３３ｂ及び後側仕切り板３３ｃは設けられていなくてもよく、例えば、通路３４に６つのＦＥＴ１７，１８が配置されていてもよい。この場合であっても、第２回路基板２４が放熱体１２の上面１２ａと間隔を隔てて対向しているので、許容されるＦＥＴ１７，１８の温度の上限値は、正常な動作が確保される制御素子２５の温度の上限値によって制限されない。更に、放熱体１２の上面１２ａにおいて載置部分とは異なる部分が通路３４の一部分を構成するので、放熱体１２は効率的に熱を放出する。
【００５８】
更に、枠体３０及び蓋体３１に設けられる開口の数は、５に限定されず、２以上であればよい。また、開口が設けられる場所は、枠体３０の前壁３０ａ及び後壁３０ｄに限定されず、左壁３０ｂ又は右壁３０ｃ等に設けられてもよい。
【００５９】
また、導電体１５に接続するＦＥＴ１７，１８の端子は、ソース端子に限定されず、ドレイン端子であってもよい。この場合、ＦＥＴ１７のソース端子は導電体１４に接続され、ＦＥＴ１８のソース端子は導電体１６に接続される。ＦＥＴ１７，１８のドレイン端子が接続されている場合も、ＦＥＴ１７の寄生ダイオードのカソードがＦＥＴ１８の寄生ダイオードのカソードに接続されるか、又は、ＦＥＴ１７の寄生ダイオードのアノードがＦＥＴ１８の寄生ダイオードのアノードに接続される。従って、ＦＥＴ１７，１８がオフである場合において、ＦＥＴ１７，１８の寄生ダイオードを介して電流が流れることはない。
【００６０】
更に、ＦＥＴ１７，１８夫々の数は、３に限定されず、１、２又は４以上であってもよい。また、ＦＥＴ１７の数はＦＥＴ１８の数と一致していなくてもよい。
【００６１】
更に、ＦＥＴ１７，１８は半導体スイッチとして機能すればよいため、ＦＥＴ１７，１８の代わりに、バイポーラトランジスタ又はＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)等を用いてもよい。半導体スイッチ内において、寄生ダイオードが形成されていない場合においては、半導体スイッチがオフであるとき、半導体スイッチを介して電流が流れることはない。このため、半導体スイッチ内において、寄生ダイオードが形成されていない場合、導電体１５，１６間に電気的に接続される半導体スイッチを設けなくてもよい。この場合、導電体１５，１６は、一体化され、１つの導電体として扱われる。この場合、導電体の数は２つである。
【００６２】
電気接続箱１の回路構成については、放熱体の載置面に絶縁部材を介して載置される導電体、発熱する回路部品が電気的に接続されている装置に適用することができる。この場合、導電体１４，１５，１６に接続される回路部品は、半導体スイッチに限定されず、発熱する部品であればよい。また、導電体の数は、２又は３に限定されず、１又は４以上であってもよい。
【００６３】
開示された実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６４】
１  電気接続箱（回路装置）
１０  収容体
１１  導線
１２  放熱体
１２ａ  上面（載置面）
１３  絶縁部材
１４，１５，１６  導電体
１７，１８  ＦＥＴ（回路部品、半導体スイッチ）
１９  第１回路基板
１９ａ，１９ｂ，３０ｅ，３０ｆ  開口
２０，２２  スタッドボルト
２１，２３  接続端子
２４  第２回路基板
２５  制御素子
２６  接続体
３０  枠体
３０ａ  前壁
３０ｂ  左壁
３０ｃ  右壁
３０ｄ  後壁
３０ｇ，３１ａ，３１ｂ  切欠き
３１  蓋体
３２  支持板
３３ａ  左側仕切り板
３３ｂ  右側仕切り板
３３ｃ  後側仕切り板
３４  通路
Ｋ１  コネクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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