(57)【要約】      （修正有）【課題】折り曲げに対して良好な信頼性を有するタッチセンサおよびタッチセンサ付き表示装置を提供する。【解決手段】タッチセンサ２００は、可撓性を有すると共に第１の方向Ｄ１に屈曲軸が規定された基板上に設けられる、複数のタッチ電極２０２、２０４を備える。複数のタッチ電極の各々は、第１の方向に延在する導電体部及び第１の方向と交差すると共に第１の方向に直交する方向と交差する第２の方向Ｄ２に延在する導電体部を含んで構成されるメッシュ構造を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板上に設けられる、複数のタッチ電極を備え、
前記複数のタッチ電極の各々は、第１の方向に延在する導電体部、及び前記第１の方向と交差すると共に前記第１の方向に直交する方向と交差する第２の方向に延在する導電体部を含んで構成されるメッシュ構造を有することを特徴とするタッチセンサ。
【請求項２】
前記複数のタッチ電極は、遮光性を有する金属を含むことを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサ。
【請求項３】
前記第１の方向および前記第２の方向のなす鋭角側の角は、２０度以上６０度以下であることを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサ。
【請求項４】
可撓性を有する基板と、
前記基板上に設けられ、各々が発光素子を有し、マトリクス状に配列された複数の副画素を有する表示領域と、
前記表示領域を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた複数のタッチ電極とを備え、
前記複数のタッチ電極の各々は、第１の方向に延在する導電体部、および前記第１の方向と交差すると共に前記第１の方向に直交する方向と交差する第２の方向に延在する導電体部を含んで構成されるメッシュ構造を有し、
前記導電体部は、平面視において前記複数の副画素の各々が有する発光素子の外側に設けられることを特徴とするタッチセンサ付表示装置。
【請求項５】
前記複数のタッチ電極は、遮光性を有する金属を含むことを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項６】
前記複数の副画素は、第１の光を発するように構成された第１の副画素、第２の光を発するように構成された第２の副画素、及び第３の光を発するように構成された第３の副画素を含み、
前記第１の副画素、前記第２の副画素、及び前記第３の副画素のうち少なくとも二つは、発光領域の形状が互いに異なることを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項７】
前記第１の方向および前記第２の方向のなす鋭角側の角は、２０度以上６０度以下であることを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素は、前記第１の方向及び前記第１の方向に交差する方向にマトリクス状に配列されていることを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ付表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、タッチセンサが搭載された表示装置に関する。例えば、タッチセンサが搭載された有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチセンサが知られている。タッチセンサを表示装置の画面と重なるように設置することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。
【０００３】
例えば特許文献１では、横方向に平行に配置された複数の配線パターンと、縦方向に平行に配置された複数の配線パターンとを、マトリクス状に基材の表裏に設け、マトリクス端部より引き出し配線でそれぞれ電極部に配線され、少なくともいずれかの引き出し配線部で基材が折れ曲がった構成をしているタッチパネルであって、折れ曲がった部位で、引き出し配線が折れ曲がり線に対し傾斜をもって配線されたタッチパネルが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−０７６１４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一実施形態は、折り曲げに対して良好な信頼性を有するタッチセンサを提供することを課題の一とする。また、前述のタッチセンサを表示領域上に良好に形成することのできるタッチセンサ付き表示装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係るタッチセンサは、可撓性を有すると共に第１の方向に屈曲軸が規定された基板上に設けられる、複数のタッチ電極を備え、前記複数のタッチ電極の各々は、前記第１の方向に延在する導電体部、及び前記第１の方向と交差すると共に前記第１の方向に直交する方向と交差する第２の方向に延在する導電体部を含んで構成されるメッシュ構造を有する。
【０００７】
本発明の一実施形態に係るタッチセンサ付き表示装置は、可撓性を有すると共に第１の方向に屈曲軸が規定された基板と、前記基板上に設けられ、各々が発光素子を有し、マトリクス状に配列された複数の副画素を有する表示領域と、前記表示領域を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた複数のタッチ電極とを備え、前記複数のタッチ電極の各々は、前記第１の方向に延在する導電体部、および前記第１の方向と交差すると共に前記第１の方向に直交する方向と交差する第２の方向に延在する導電体部を含んで構成されるメッシュ構造を有し、前記導電体部は、平面視において前記複数の副画素の各々が有する発光素子の外側に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態の表示装置の上面模式図。
【図２】本発明の実施形態の表示装置の構成を示す模式図。
【図３】本発明の実施形態の表示装置の画素の模式図。
【図４】本発明の実施形態の表示装置のタッチ電極の上面模式図。
【図５】本発明の実施形態の表示装置のタッチ電極の断面模式図。
【図６】本発明の実施形態の表示装置のタッチ電極の上面模式図。
【図７】本発明の実施形態の表示装置のタッチ電極の断面模式図。
【図８】本発明の実施形態の表示装置の断面模式図。
【図９】本発明の実施形態の表示装置のタッチ電極と画素のレイアウト図。
【図１０】本発明の実施形態の表示装置のタッチ電極と画素のレイアウト図。
【図１１】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１２】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１３】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１４】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１５】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１６】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１７】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１２】
本明細書および特許請求の範囲の記載において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１３】
１．第１実施形態
１−１．全体構成
図１は、本発明の第１実施形態のタッチセンサ搭載の表示装置（以下、単に表示装置と記す）１００の模式的な上面図である。表示装置１００は、映像を表示するための表示領域１０２を有している。表示領域１０２上に重なるように、Ｘ方向に延在すると共に、Ｘ方向と交差するＹ方向に配列された複数の第１のタッチ電極２０２と、Ｙ方向に延在すると共に、Ｘ方向に配列された複数の第２のタッチ電極２０４が設けられる。各第１のタッチ電極２０２と各第２のタッチ電極２０４は互いに異なる層に配置されても良いし、互いに同じ層に配置されると共に、互いが交差する部分のみ、別層を用いて互いが短絡しないように交差させても良い。複数の第１のタッチ電極２０２と複数の第２のタッチ電極２０４によっていわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ２００が形成される。投影型静電容量方式は、自己容量方式および相互容量方式に大別される。
【００１４】
自己容量方式においては、人の指などの検出対象が第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を介して表示領域１０２に触れる、又は接近する（以下、触れる場合および接近する場合をまとめてタッチと記す）ことで第１のタッチ電極２０２または第２のタッチ電極２０４と当該検出対象とが形成する容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。
【００１５】
相互容量方式においては、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。人の指などの検出対象が第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を介して表示領域１０２にタッチすることで第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４とが形成する容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。
【００１６】
本実施形態の表示装置１００は、自己容量方式および相互容量方式のいずれの方式にも適用することが可能である。
【００１７】
第１のタッチ電極２０２は、表示領域１０２外から延びる第１の配線２０６と電気的に接続される。第１の配線２０６は表示領域１０２の外を延伸し、コンタクトホール２０８において第１の端子配線２１０と電気的に接続される。第１の端子配線２１０は表示装置１００の端部付近で露出されて第１の端子２１２を形成する。第１の端子２１２はフレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ２１４と接続され、外部回路（図示せず）からタッチセンサ用信号が第１の端子２１２を経由して第１のタッチ電極２０２に与えられる。
【００１８】
同様に、第２のタッチ電極２０４は、表示領域１０２外から延びる第２の配線２１６と電気的に接続される。第２の配線２１６は表示領域１０２の外を延伸し、コンタクトホール２１８において第２の端子配線２２０と電気的に接続される。第２の端子配線２２０は表示装置１００の端部付近で露出されて第２の端子２２２を形成する。第２の端子２２２はコネクタ２１４と接続され、外部回路からタッチセンサ用信号が第２の端子２２２を経由して第２のタッチ電極２０４に与えられる。
【００１９】
図１（Ａ）にはさらに、表示領域１０２内の画素１２０へ信号を供給するための第３の端子１２２や、画素１２０の駆動を制御するためのＩＣチップ１２４が示されている。図１（Ａ）に示すように、第１の端子２１２、第２の端子２２２、第３の端子１２２は、表示装置１００の一つの辺に並ぶように形成することができ、このため、単一のコネクタ２１４を用いて表示領域１０２とタッチセンサ２００へ信号を供給することができる。
【００２０】
図２に、表示装置１００の模式的な斜視図を示す。ここでは理解の促進ため、基板１０４、表示領域１０２を含む第１の層１１０、タッチセンサ２００を含む第２の層１１２を互いに分離して示している。
【００２１】
基板１０４は、可撓性を有すると共にＹ方向に屈曲軸が規定されている。この屈曲軸に沿った方向を、第１の方向Ｄ１とする。ここで基板１０４の屈曲軸とは、平面状の基板１０４を折り曲げる際に、折り曲げの前後において曲率半径が変化しない方向を意味する。ここで、基板１０４上に設けられる表示領域が有する複数の画素１２０の配列を考慮して、第１の方向Ｄ１を規定してもよい。一例として、複数の画素１２０が、互いに交差する２つの方向、つまりＸ方向及びＹ方向にマトリクス状に配列される場合に、当該２つの方向のうち一方を第１の方向Ｄ１と規定してもよい。他の例として、表示画面ににおける上下方向または左右方向を第１の方向Ｄ１と規定してもよい。
【００２２】
第１の層１１０は基板１０４上に設けられる。第１の層１１０は上述した表示領域１０２を有しており、表示領域１０２は、マトリクス状に配列された複数の画素１２０を有する。表示領域１０２の外側には、画素１２０の駆動を制御するための走査線駆動回路１２６が設けられる。走査線駆動回路１２６は基板１０４の上に直接形成される必要はなく、基板１０４とは異なる基板（半導体基板など）上に形成された駆動回路を基板１０４やコネクタ２１４上に設け、これらの駆動回路によって各画素１２０を制御してもよい。ここでは図示していないが、第１の層１１０には画素１２０内に設けられる発光素子を制御するための各種半導体素子が形成される。
【００２３】
上述したように、タッチセンサ２００は複数の第１のタッチ電極２０２と複数の第２のタッチ電極２０４によって形成される。タッチセンサ２００は表示領域１０２とほぼ同じ大きさ、形状を有することができる。
【００２４】
１−２．画素
本実施形態では、画素１２０は複数の副画素を有し、副画素は例えば図３（Ａ）に示すように、三つの副画素１３０、１３２、１３４で一つの画素１２０が形成されるように配置される。各副画素には発光素子や液晶素子などの表示素子が一つ備えられる。副画素が与える色は発光素子、あるいは副画素上に設けられるカラーフィルタの特性によって決定される。本明細書および請求項では、画素１２０とは、それぞれ一つの表示素子を有し、かつ、少なくとも一つは異なる色を与える副画素を複数備え、表示領域１０２で再現される映像の一部を構成する最小単位である。表示領域１０２内の副画素はいずれかの画素１２０に含まれる。
【００２５】
図３（Ａ）に例示する配列では、三つの副画素１３０、１３２、１３４が互いに異なる色を与えるように構成することができ、例えば副画素１３０、１３２、１３４にそれぞれ、赤色、緑色、青色の三原色を発する発光素子を備えることができる。これにより、各画素１２０で任意の色を作り出すことが可能となる。
【００２６】
図３（Ｂ）に示した配列では、与える色が異なる二つの副画素が一つの画素１２０に含まれている。例えば一つの画素１２０は赤色と緑色を与える副画素１３０、１３２を備え、それに隣接する画素１２０には青色と緑色を与える副画素１３４と１３２を設けることができる。この場合、再現される色域が隣接する画素１２０間で異なることになる。
【００２７】
各画素１２０内の副画素の形状は同一である必要はない。例えば図３（Ｃ）に示すように、一つの副画素が他の二つの副画素と異なる形状を有してもよい。この場合、例えば青色を与える副画素１３４を最も大きな面積で形成し、緑色と赤色を与える副画素１３２と１３０は同一の面積を有するように形成してもよい。
【００２８】
１−３．タッチ電極
図１（Ａ）の一部の領域を拡大した態様を図１（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）に示すように、第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４はそれぞれ、ほぼ四角形の形状を有する複数の四角形領域（ダイヤモンド電極）２４０と、複数の接続領域２４２を有しており、これらは互いに交互する。第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４は互いに離間しており、電気的に独立している。
【００２９】
図４に、第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４の上面拡大図を模式的に示す。第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４はともにメッシュ状の形状を有する。すなわち、これらはメッシュ状の配線であり、複数の開口２５０を有している。配線の幅は、１μｍから１０μｍあるいは２μｍから８μｍ、典型的には５μｍである。
【００３０】
さらに具体的には、複数のタッチ電極の各々は、第１の方向Ｄ１に延在する導電体部、及び第２の方向Ｄ２に延在する導電体部を含んで構成されるメッシュ構造を有している。導電体部は、平面視において複数の副画素の各々が有する発光素子の外側に設けられる。ここで第２の方向Ｄ２は、第１の方向Ｄ１と交差すると共に、第１の方向Ｄ１に直交する方向と交差する。つまり、第１の方向Ｄ１および第２の方向Ｄ２のなす角は、直角ではない。
【００３１】
このような構成を有することによって、第１の方向Ｄ１を屈曲軸とする表示装置１００の折り曲げによって、メッシュ構造を有する複数のタッチ電極にクラックや断線等が生じにくくなる。第１の方向Ｄ１を屈曲軸として表示装置１００を折り曲げた場合、折り曲げの前後において最も曲率の変化が大きい基板１０４上の方向は、第１の方向に直交する方向である。
【００３２】
本実施形態においては、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２とのなす角が直角ではない。これによって、第１の方向Ｄ１を屈曲軸とする表示装置１００の折り曲げに対し、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２とのなす角が直角である場合に比べ、第２の方向に延在する導電体部の曲率の変化量を低減することができる。これによって、第２の方向に延在する導電体部のクラックや断線等が生じにくくなる。
【００３３】
第１の方向Ｄ１および前記第２の方向Ｄ２のなす鋭角側の角は、好ましくは２０度以上６０度以下である。当該角がこの範囲よりも大きいと、第２の方向Ｄ２に延在する導電体部のクラックや断線等を抑制する効果が薄くなる。一方、当該角がこの範囲よりも小さいと、メッシュ配線のレイアウト設計が困難になる。
【００３４】
図５（Ａ）、（Ｂ）に、図４の鎖線Ａ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´に沿った断面をそれぞれ示す。図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は、ダイヤモンド電極２４０、接続領域２４２ともに絶縁膜１９０（後述）上に設けられる。第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は絶縁膜１９０と接してもよい。ここで、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は同一層内に存在することができる。より具体的には、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４のダイヤモンド電極２４０は互いに同一層内に存在することができる。第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を同一層内に設けることで、両者の反射特性などの光学特性がほぼ同じとなる。その結果、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を視認しにくくなる、すなわち、目立たなくすることができる。
【００３５】
第１のタッチ電極２０２上に層間絶縁膜２４６が設けられ、層間絶縁膜２４６上にブリッジ配線２４８が形成される。ブリッジ配線２４８は層間絶縁膜２４６内に設けられる開口２４４において第２のタッチ電極２０４の隣接する二つのダイヤモンド電極２４０と電気的に接続される。したがって、ブリッジ配線２４８は第２のタッチ電極２０４の接続領域２４２と認識することも可能である。層間絶縁膜２４６は第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を電気的に絶縁し、かつ、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４との間で容量を形成するための誘電体としても機能する。
【００３６】
図４、図５（Ａ）、（Ｂ）では、第２のタッチ電極２０４が第１のタッチ電極２０２の上に形成され、ブリッジ配線２４８が第２のタッチ電極２０４のダイヤモンド電極２４０を電気的に接続する例が示されているが、第１のタッチ電極２０２が第２のタッチ電極２０４の上に形成され、ブリッジ配線２４８が第１のタッチ電極２０２のダイヤモンド電極２４０を電気的に接続するように構成してもよい。また、タッチ電極とブリッジ配線との上下関係については、どちらが上層であっても構わない。
【００３７】
さらに図６、および図６の鎖線Ａ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´に沿った断面模式図である図６（Ａ）、（Ｂ）で示されるように、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は互いに異なる層内に存在してもよい。より具体的には、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４のダイヤモンド電極２４０と接続領域２４２は、互いに異なる層内に存在してもよい。この場合、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４の間に層間絶縁膜２４６が配置される。このような構造を採用した場合、コンタクトホール２４４を形成する必要がないため、工程が簡潔になり、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００３８】
第２実施形態でも述べるが、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は遮光性を有する金属（０価金属）を含んでもよい。これは、第１のタッチ電極２０２および第２のタッチ電極２０４のメッシュ構造を有する配線が、発光素子の外側に配置されるため、従来用いられる透光性を有する導電性酸化物を用いる必要が無いことによる。遮光性を有する金属の例としては、モリブデンやチタン、クロム、タンタル、銅、アルミニウム、タングステンなどが挙げられる。０価の金属を主成分として含むように第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を形成することにより、従来用いられる透光性を有する導電性酸化物に比べ、クラックや断線等が生じにくくなる。さらに、これらの電気抵抗を大幅に低減することができ、応答の時定数を小さくすることができる。その結果、センサーとしての応答速度を向上させることができる。
【００３９】
１−４．断面構造
図８に表示装置１００の断面模式図を示す。図８は、図１における鎖線Ｅ−Ｅ´に沿った断面であり、表示領域１０２から第１の配線２０６、第１の端子配線２１０、第１の端子２１２に至る断面を模式的に示す。
【００４０】
表示装置１００は基板１０４上に第１の層１１０、第２の層１１２を有している。基板１０４が可塑性を有する場合、基板１０４は基材、ベースフィルム、あるいはシート基材と呼ばれることがある。後述するように、第１の層１１０は各副画素１３０、１３２、１３４を制御するためのトランジスタや発光素子が設けられ、映像の再現に寄与する。一方第２の層１１２にはタッチセンサ２００が設けられ、タッチの検出に寄与する。
【００４１】
１−４−１．第１の層
基板１０４上には、任意の構成である下地膜１０６を介してトランジスタ１４０が設けられる。トランジスタ１４０は半導体膜１４２、ゲート絶縁膜１４４、ゲート電極１４６、ソース／ドレイン電極１４８などを含む。ゲート電極１４６はゲート絶縁膜１４４を介して半導体膜１４２と重なっており、ゲート電極１４６と重なる領域が半導体膜１４２のチャネル領域１４２ａである。半導体膜１４２はチャネル領域１４２ａを挟むようにソース／ドレイン領域１４２ｂを有してもよい。ゲート電極１４６上には層間膜１０８を設けることができ、層間膜１０８とゲート絶縁膜１４４に設けられる開口において、ソース／ドレイン電極１４８はソース／ドレイン領域１４２ｂと接続される。
【００４２】
層間膜１０８上には、第１の端子配線２１０が設けられる。図８に示すように、第１の端子配線２１０はソース／ドレイン電極１４８と同一の層内に存在することができる。図示していないが、第１の端子配線２１０はゲート電極１４６と同一の層内に存在するよう構成してもよい。
【００４３】
図８では、トランジスタ１４０はトップゲート型のトランジスタとして図示されているが、トランジスタ１４０の構造に限定はなく、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１４６を複数有するマルチゲート型トランジスタ、半導体膜１４２の上下を二つのゲート電極１４６で挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタでもよい。また、図８では、各副画素１３０、１３２、１３４それぞれに一つのトランジスタ１４０が設けられる例が示されているが、各副画素１３０、１３２、１３４は複数のトランジスタや容量素子などの半導体素子をさらに有してもよい。
【００４４】
トランジスタ１４０上には、平坦化膜１１４が備えられる。平坦化膜１１４はトランジスタ１４０やその他の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える機能を有する。
【００４５】
平坦化膜１１４上には無機絶縁膜１５０を形成してもよい。無機絶縁膜１５０はトランジスタ１４０などの半導体素子を保護する機能を有するとともに、後述する発光素子１６０の第１の電極１６２と、無機絶縁膜１５０の下層に、第１の電極１６２とで無機絶縁膜１５０を挟むように形成される電極（図示せず）との間で容量を形成する。
【００４６】
平坦化膜１１４、および無機絶縁膜１５０には複数の開口が設けられる。そのうちの一つはコンタクトホール１５２であり、後述する発光素子１６０の第１の電極１６２とソース／ドレイン電極１４８の電気的接続に用いられる。開口の一つはコンタクトホール２０８であり、第１の配線２０６と第１の端子配線２１０の電気的接続に用いられる。他の一つは開口１５４であり、第１の端子配線２１０の一部を露出するように設けられる。開口１５４で露出した第１の端子配線２１０は、例えば異方性導電膜２５２などによりコネクタ２１４と接続される。
【００４７】
平坦化膜１１４、および無機絶縁膜１５０上に発光素子１６０が形成される。発光素子１６０は、第１の電極（画素電極）１６２、機能層１６４、第２の電極（対向電極）１６６によって構成される。より具体的には、第１の電極１６２は、コンタクトホール１５２を覆い、ソース／ドレイン電極１４８と電気的に接続されるように設けられる。これにより、トランジスタ１４０を介して電流が発光素子１６０へ供給される。第１の電極１６２の端部を覆うように隔壁１６８が設けられる。隔壁１６８は第１の電極１６２の端部を覆うことで、その上に設けられる機能層１６４や第２の電極１６６の断線を防ぐことができる。機能層１６４は第１の電極１６２と隔壁１６８を覆うように設けられ、その上に第２の電極１６６が形成される。第１の電極１６２と第２の電極１６６からキャリアが機能層１６４へ注入され、キャリアの再結合が機能層１６４内で生じる。これにより、機能層１６４内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。したがって、第１の電極１６２と機能層１６４が接する領域が各副画素１３０、１３２、１３４における発光領域となる。
【００４８】
機能層１６４の構成は適宜選択することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などを組み合わせて構成することができる。図８では、機能層１６４が三つの層１７０、１７２、１７４を有する例が示されている。この場合、例えば層１７０はキャリア（ホール）注入／輸送層、層１７２は発光層、層１７４はキャリア（電子）注入／輸送層とすることができる。発光層である層１７２は、図８に示すように、副画素１３０、１３２、１３４で異なる材料を含むように構成することができる。この場合、他の層１７０や１７４は副画素１３０、１３２、１３４で共有されるよう、副画素１３０、１３２、１３４、および隔壁１６８上にわたって形成すればよい。層１７２で用いる材料を適宜選択することで、副画素１３０、１３２、１３４で異なる発光色を得ることができる。あるいは、層１７４の構造を副画素１３０、１３２、１３４間で同一としてもよい。この場合、層１７４も副画素１３０、１３２、１３４で共有されるよう、副画素１３０、１３２、１３４、および隔壁１６８上にわたって形成すればよい。このような構成では各副画素１３０、１３２、１３４の層１７２から同一の発光色が出力されるため、例えば層１７２を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色（例えば、赤色、緑色、青色）をそれぞれ副画素１３０、１３２、１３４から取り出してもよい。
【００４９】
なお、表示装置１００はさらに、コンタクトホール２０８と開口１５４を覆い、第１の端子配線２１０と接する接続電極２３４、２３６を有してもよい。これらの接続電極２３４、２３６は、第１の電極１６２と同一層内に存在することができる。接続電極２３４、２３６を形成することで、表示装置１００の製造プロセスにおける第１の端子配線２１０に対するダメージを低減することが可能となり、コンタクト抵抗の低い電気的接続が実現できる。
【００５０】
発光素子１６０上には、封止膜（パッシベーション膜）１８０が設けられる。封止膜１８０は、外部から発光素子１６０やトランジスタ１４０に不純物（水、酸素など）が侵入することを防ぐ機能を有する。図８に示すように、封止膜１８０は三つの層１８２、１８４、１８６を含むことができる。層（第１の無機膜）１８２と層（第２の無機膜）１８６では、無機化合物を含む無機膜を用いることができる。一方、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６の間の層１８４では、有機化合物を含む膜（有機膜）１８４を用いることができる。有機膜１８４は、発光素子１６０や隔壁１６８に起因する凹凸を吸収して平坦な面を与えるように形成することができる。このため、有機膜１８４の厚さを比較的大きくすることができる。その結果、タッチセンサ２００の第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４と、後述する発光素子１６０の一方の電極（第２の電極１６６）との間の距離を大きくすることができる。その結果、タッチセンサ２００と第２の電極１６６間で生じる寄生容量を大幅に小さくすることができる。
【００５１】
なお、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６は表示領域１０２内に留まるように形成することが好ましい。換言すると、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６はコンタクトホール２０８や開口１５４と重ならないように設ける。これにより、第１の端子配線２１０とコネクタ２１４や第１の配線２０６との間でコンタクト抵抗の低い電気的接続が可能となる。さらに、表示領域１０２の端部で、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６が直接接することが好ましい（図８において円１８８で囲った領域参照）。これにより、第１の無機膜１８２や第２の無機膜１８６と比較して親水性の高い有機膜１８４を第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６によって封止することができるため、外部からの不純物の侵入、ならびに表示領域１０２内での不純物の拡散をより効果的に防ぐことができる。
【００５２】
表示装置１００はさらに、封止膜１８０上に、表示領域１０２を覆う絶縁膜１９０を有する。絶縁膜１９０は封止膜１８０の第２の無機膜１８６と接するように設けることができる。絶縁膜１９０の材料としては有機絶縁膜を用いることができる。
【００５３】
上述した種々の素子や膜により、第１の層１１０が構成される。
【００５４】
１−４−２．第２の層
第２の層１１２は第１のタッチ電極２０２や第２のタッチ電極２０４、層間絶縁膜２４６、ブリッジ配線２４８、第１の配線２０６、第２の配線２１６などを含む。
【００５５】
第１のタッチ電極２０２は開口２５０を有するメッシュ状の配線である。この配線は隔壁１６８と重なるように、隔壁１６８に沿うように（後述）、封止膜１８０および絶縁膜１９０上に設けられてもよい。第１のタッチ電極２０２、あるいは第２のタッチ電極２０４と絶縁膜１９０は直接接してもよい。
【００５６】
層間絶縁膜２４６は第１のタッチ電極２０２と接し、第１のタッチ電極２０２を覆うように形成される。層間絶縁膜２４６内には開口が形成され、この開口を覆うように第１の配線２０６が設けられる。第１の配線２０６は表示領域１０２外を経由し、コンタクトホール２０８へ延びる（図１参照）。第１の配線２０６はさらに、コンタクトホール２０８において接続電極２３４を介して、トランジスタ１４０のソース／ドレイン電極１４８（あるいはゲート電極１４６）と同一層に存在する第１の端子配線２１０と電気的に接続される。これにより、第１のタッチ電極２０２と第１の端子配線２１０が電気的に接続される。
【００５７】
第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を同一層内に形成した場合、いずれか一方のタッチ電極においてダイヤモンド電極２４０をブリッジ配線２４８で接続することができる（図４、図５（Ａ）、（Ｂ）参照）。この場合、第１の配線２０６はブリッジ配線２４８と同一層内に存在することができる。したがって、第１の配線２０６とブリッジ配線２４８を同時に形成することができる。
【００５８】
これに対し、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を互いに異なる層内に存在するように構成する場合（図６参照）。第１の配線２０６は、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４のうち上側に位置する方と同一層内に存在することができ、同時に形成される。
【００５９】
１−４−３．他の構成
表示装置１００はさらに、任意の構成として、表示領域１０２と重なる円偏光板２６０を有してもよい。円偏光板２６０は、例えば１／４λ板２６２とその上に配置される直線偏光板２６４の積層構造を有することができる。表示装置１００の外から入射される光が直線偏光板２６４を透過して直線偏光となったのち１／４λ板２６２を通過すると、右回りの円偏光となる。この円偏光が第１の電極１６２、あるいは第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４で反射すると左回りの円偏光となり、これが再度１／４λ板２６２を透過することで、直線偏光となる。この時の直線偏光の偏光面は、反射前の直線偏光と直交する。したがって、直線偏光板２６４を透過することができない。その結果、円偏光板２６０を設置することで外光の反射が抑制され、コントラストの高い映像を提供することが可能となる。
【００６０】
円偏光板２６０と第２の層１１２の間には、保護膜として有機保護膜２６６を設けてもよい。この有機保護膜２６６は表示装置１００を物理的に保護すると同時に、円偏光板２６０と第２の層１１２を接着する機能を有する。さらに任意の構成として、表示装置１００にカバーフィルム２６８を設けてもよい。カバーフィルム２６８は円偏光板２６０を物理的に保護する機能を有する。
【００６１】
１−５．タッチ電極と画素のレイアウト
上述したように、本実施形態の第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４の各々は、メッシュ配線である。換言すると、それぞれマトリクス状に配置される開口２５０を有する。そして図８の断面図で示したように、第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４の配線は隔壁１６８と重なってもよい。
【００６２】
ここで、副画素１３０、１３２、１３４をそれぞれ第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素とし、それぞれが与える色を第１の色、第２の色、第３の色とし、第１の色、第２の色、および第３の色は互いに異なるとする。
【００６３】
図９は、本実施形態に係る表示装置１００におけるタッチ電極と画素のレイアウトの例を示す上面図である。複数の画素１２０は、第１の方向Ｄ１及び第１の方向Ｄ１に交差する方向にマトリクス状に配列されている。この例では、複数の画素１２０は、第１の方向Ｄ１及び第１の方向Ｄ１に直交する方向にマトリクス状に配列されている。つまり、互いに交差する方向にマトリクス状に配列される複数の画素１２０において、一方の方向が第１の方向Ｄ１と平行である。また、この例では、第１の副画素１３０、第２の副画素１３２および第３の副画素１３４は全て同じ形状およびサイズを有している。さらに、これらの副画素は、第１の方向Ｄ１及び第１の方向に直交する方向に、行列状に配列されている。タッチ電極においては、第１の方向に延在する導電体部と、第２の方向に延在する導電体部とを有している。この例では、第１の方向及び第２の方向のなす鋭角側の角は、ほぼ４５度である。タッチ電極が有する複数の開口部の各々の領域には、一つの副画素が配置されている。
【００６４】
図１０は、表示装置１００におけるタッチ電極と画素のレイアウトの他の例を示す上面図である。この例では、第２の副画素１３２および第３の副画素１３４は同じ形状およびサイズを有している。さらに、これらの副画素は、第１の方向Ｄ１及び第１の方向に直交する方向に配列されている。タッチ電極においては、第１の方向に延在する導電体部と、第２の方向に延在する導電体部とを有している。この例では、第１の方向及び第２の方向のなす鋭角側の角は、ほぼ４５度である。タッチ電極が有する複数の開口部の各々の領域には、副画素１３０が一つ、または副画素１３２および副画素１３４の二つが配置されている。この例のように、表示装置１００では、第１の副画素１３０、第２の副画素１３２、第３の副画素１３４のうち少なくとも二つは、発光領域の形状またはサイズが互いに異なってもよい。
【００６５】
このような構成を有することによって、メッシュ構造を有する配線の間隔を極力小さくすることができる。つまり、タッチ電極の面積を極力大きくすることができる。具体的には、このような画素のレイアウトにおけるメッシュ配線の他の例であって、第１の方向に延在する導電体部および第１の方向と直交する方向に延在する導電体部を有するメッシュ構造、または第２の方向に延在する導電体部および第２の方向と直交する方向に延在する導電体部を有するメッシュ構造のいずれとも比べた場合、図１０の例では、タッチ電極の面積を大きくすることができる。これによって、検出対象とタッチ電極との容量を極力大きくすることができ、検出対象がタッチパネルをタッチした際に検知される信号を極力大きくすることができる。これによって、タッチパネルの感度を向上させることができる。
【００６６】
本実施形態の表示装置１００が搭載するタッチセンサ２００では、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は、０価の金属を主成分として有するメッシュ状の金属配線として形成することができる。このため、従来用いられる透光性を有する導電性酸化物に比べ、クラックや断線等が生じにくくなる。さらに、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４の電気抵抗が小さく、応答の時定数を小さくすることができる。その結果、センサーとしての応答速度を向上させることができる。また、詳細は後述するが、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４はフォトリソグラフィーを用いて形成することができる。このため、従来の手法、すなわち、タッチパネルを別途形成して表示装置上に搭載するという手法に比べ、高精度で第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を配置することが可能である。
【００６７】
また、表示装置１００には円偏光板２６０を設けることができる。したがって、第１のタッチ電極２０２や第２のタッチ電極２０４によって反射した外光が表示装置１００外に出射することがなく、コントラストの高い、高品質な映像を提供することができる。
【００６８】
上述したように、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は開口２５０を有しており、開口２５０を形成する配線は、発光素子１６０間の隔壁に沿うように設けられてもよい。したがって、各副画素は開口２５０内に位置する。従来、タッチセンサ用の電極は、ＩＴＯなどの透光性導電膜を用い、副画素と重なるように設けてられていたため、透光性導電膜の光吸収に起因し、各画素１２０の輝度が低下する。これに対して本実施形態の表示装置１００では、画素１２０からの発光がタッチセンサによって吸収、遮蔽されることがない。したがって、発光素子１６０からの発光を効果的に利用することができ、消費電力の低減に寄与することができる。
【００６９】
表示装置１００では、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４へ与える信号は、表示領域１０２を制御するトランジスタ１４０のソース／ドレイン電極１４８、またはゲート電極１４６と同一の層に存在する第１の端子配線２１０、第２の端子配線２２０を介して入力される。このため、タッチセンサへの信号入力と、表示領域１０２への信号入力のための端子（第１の端子２１２、第２の端子２２２、第３の端子１２２）を同一の基板上に設けることができ、コネクタ２１４の数を減らすことができる。
【００７０】
２．第２実施形態
本実施形態では、第１実施形態で述べた表示装置１００の作製方法を、図８、および図１１（Ａ）乃至図１７を用いて述べる。図１１（Ａ）乃至図１７は、図８に示した断面に対応する。第１実施形態で述べた内容と同一の内容の説明は割愛することがある。
【００７１】
２−１．第１の層
図１１（Ａ）に示すように、まず基板１０４上に下地膜１０６を形成する。基板１０４は、トランジスタ１４０など、表示領域１０２に含まれる半導体素子やタッチセンサ２００などを支持する機能を有する。したがって基板１０４には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、基板１０４はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックなどを含むことができる。
【００７２】
表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０４上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０４は支持基板とも呼ばれる。基材は可撓性を有する絶縁膜であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。基材は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。
【００７３】
下地膜１０６は基板１０４（および基材）からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１４０などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜であり、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜１０６は化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。下地膜１０６中の不純物濃度が小さい場合、下地膜１０６は設けない、あるいは基板１０４の一部だけを覆うように形成してもよい。
【００７４】
次に半導体膜１４２を形成する（図１１（Ａ））。半導体膜１４２は例えばケイ素などの１４族元素を含むことができる。あるいは半導体膜１４２は酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。酸化物半導体を用いる場合、半導体膜１４２はさらに１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜１４２の結晶性に限定はなく、半導体膜１４２は単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスのいずれの結晶場外と含んでもよい。
【００７５】
半導体膜１４２がケイ素を含む場合、半導体膜１４２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜１４２が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
【００７６】
次に半導体膜１４２を覆うようにゲート絶縁膜１４４を形成する（図１１（Ａ））。ゲート絶縁膜１４４は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。
【００７７】
引き続き、ゲート絶縁膜１４４上にゲート電極１４６をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図１１（Ｂ））。ゲート電極１４６はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００７８】
次にゲート電極１４６上に層間膜１０８を形成する（図１２（Ａ））。層間膜１０８は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。積層構造を有する場合、例えば有機化合物を含む層を形成したのち、無機化合物を含む層を積層してもよい。
【００７９】
次に、層間膜１０８とゲート絶縁膜１４４に対してエッチングを行い、半導体膜１４２に達する開口を形成する。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。
【００８０】
次に開口を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース／ドレイン電極１４８を形成する。本実施形態では、ソース／ドレイン電極１４８の形成と同時に第１の端子配線２１０を形成する（図１２（Ｂ））。したがって、ソース／ドレイン電極１４８と第１の端子配線２１０は同一の層内に存在することができる。金属膜はゲート電極１４６と同様の構造を有することができ、ゲート電極１４６の形成と同様の手法を用いて形成することができる。
【００８１】
次に平坦化膜１１４を、ソース／ドレイン電極１４８や第１の端子配線２１０を覆うように形成する（図１３（Ａ））。平坦化膜１１４は、トランジスタ１４０や第１の端子配線２１０などに起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜１１４は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、上述した湿式成膜法などによって形成することができる。
【００８２】
引き続き、平坦化膜１１４上には無機絶縁膜１５０が形成される（図１３（Ａ））。上述したように、無機絶縁膜１５０はトランジスタ１４０に対する保護膜として機能するだけでなく、のちに形成される発光素子１６０の第１の電極１６２とともに容量を形成する。したがって、誘電率の比較的高い材料を用いることが好ましい。例えば窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などを用い、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して第１の電極１６２を形成することができる。
【００８３】
次に図１３（Ｂ）に示すように、ソース／ドレイン電極１４８と第１の端子配線２１０をエッチングストッパーとして用い、無機絶縁膜１５０と平坦化膜１１４に対してエッチングを行い、開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を形成する。その後これらの開口、あるいはコンタクトホールを覆うように第１の電極１６２、および接続電極２３４、２３６を形成する（図１４（Ａ））。
【００８４】
ここで、接続電極２３６が形成された領域、すなわち開口１５４は、後に異方性導電膜等を介してＦＰＣなどのコネクタ２１４が接続される領域となるため、接続電極２３４が形成された領域、すなわちコンタクトホール２０８よりもはるかに面積が大きい。前者は、コネクタ２１４の端子ピッチ等により前後するが、例えば幅１０μｍから５０μｍ、長さ１ｍｍから２ｍｍ、等といったサイズであるのに対し、後者は、数μｍ□から１０数μｍ□程度あれば十分である。開口１５４については、コネクタ２１４の実装工程上、微細化には制限があるが、コンタクトホール２０８は、ここで接続される導電層同士（ここでは、第１の端子配線２１０、接続配線２３４、および第１の配線２０６）が十分に低いコンタクト抵抗で接続される程度であれば最小限で良い。
【００８５】
発光素子１６０からの発光を第２の電極１６６から取り出す場合、第１の電極１６２は可視光を反射するように構成される。この場合、第１の電極は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む膜上に、透光性を有する導電性酸化物の膜を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。発光素子１６０からの発光を第１の電極１６２から取り出す場合には、ＩＴＯやＩＺＯを用いて第１の電極１６２を形成すればよい。
【００８６】
本実施形態では、第１の電極１６２、および接続電極２３４、２３６が無機絶縁膜１５０上に形成される。したがって、例えば開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように上記金属の膜を形成し、その後可視光を透過する導電酸化物を含む膜を形成し、エッチングによる加工を行って第１の電極１６２、および接続電極２３４、２３６を形成することができる。あるいは、導電酸化物の膜、上記金属の膜、導電酸化物の膜を開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように順次積層し、その後エッチング加工を行ってもよい。あるいは、導電性酸化物を開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように形成し、その後、コンタクトホール１５２を選択的に覆うように導電酸化物の膜／上記金属の膜／導電酸化物の膜の積層膜を形成してもよい。
【００８７】
次に、第１の電極１６２の端部を覆うように、隔壁１６８を形成する（図１４（Ｂ））。隔壁１６８により、第１の電極１６２などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する副画素の第１の電極１６２を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁１６８はエポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化膜１１４で使用可能な材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。
【００８８】
次に発光素子１６０の機能層１６４、および第２の電極１６６を、第１の電極１６２と隔壁１６８を覆うように形成する（図１４（Ｂ））。機能層１６４は主に有機化合物を含み、インクジェット法やスピンコート法などの湿式成膜法、あるいは蒸着などの乾式成膜法を適用して形成することができる。
【００８９】
発光素子１６０からの発光を第１の電極１６２から取り出す場合には、第２の電極１６６として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金を用いればよい。逆に発光素子１６０からの発光を第２の電極１６６から取り出す場合には、第２の電極１６６として、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。
【００９０】
次に封止膜１８０を形成する。図１５（Ａ）に示すように、まず第１の無機膜１８２を発光素子１６０や接続電極２３４、２３６を覆うように形成する。第１の無機膜１８２は、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料を含むことができ、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。
【００９１】
引き続き有機膜１８４を形成する（図１５（Ａ））。有機膜１８４は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、図１５（Ａ）に示すように、隔壁１６８に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。有機膜１８４は、表示領域１０２内に選択的に形成することが好ましい。すなわち有機膜１８４は、接続電極２３４、２３６と重ならないように形成することが好ましい。有機膜１８４は、インクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の無機膜１８２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって有機膜１８４を形成してもよい。
【００９２】
その後、第２の無機膜１８６を形成する（図１５（Ａ））。第２の無機膜１８６は、第１の無機膜１８２と同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。第２の無機膜１８６も、有機膜１８４上だけでなく、接続電極２３４、２３６を覆うように形成することができる。これにより、有機膜１８４を第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６で封止することができる。
【００９３】
引き続き、絶縁膜１９０を形成する（図１５（Ｂ））。絶縁膜１９０は、封止膜１８０の有機膜１８４と同様の材料を含むことができ、これと同様の方法で形成することができる。絶縁膜１９０は、図１５（Ｂ）に示すように、表示領域１０２内に選択的に、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６が互いに接する領域を覆い、かつ、接続電極２３４、２３６と重ならないように形成することが好ましい。引き続き絶縁膜１９０をマスクとして用い、絶縁膜１９０から露出した第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６をエッチングによって除去する（図１６（Ａ））。これにより、表示領域１０２外に配置されるコンタクトホール２０８および開口１５４において、それぞれ接続電極２３４、２３６が露出される。この時、無機絶縁膜１５０も一部エッチングされ、厚さが小さくなることがある。以上のプロセスにより、第１の層１１０が形成される。
【００９４】
２−２．第２の層
こののち、タッチセンサ２００を含む第２の層を形成する。具体的には、絶縁膜１９０上に第１のタッチ電極２０２を形成する（図１６（Ｂ））。第１のタッチ電極２０２は金属（０価金属）を主成分として含むことができ、金属としてはチタンやアルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、銅、およびこれらの合金などが挙げられる。これらの金属あるいは合金を含む膜を、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて基板１０４のほぼ全面に形成したのち、レジストを形成し、エッチングする（すなわち、フォトリソグラフィープロセス）ことにより、精密なパターンを有するタッチセンサ２００をメッシュ状の配線として形成することができる。
【００９５】
なお、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４が同一の層内に存在する場合、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４を同時に形成すればよい。また、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４は、透光性を有する導電性酸化物を用いて形成してもよい。
【００９６】
引き続き、第１のタッチ電極２０２上に層間絶縁膜２４６を形成する（図１６（Ｂ））。層間絶縁膜２４６は、有機膜１８４と同等な材料、及び方法で形成することができる。平坦化膜１１４等と異なるのは、例えばベーク処理等を行う場合に、高温を用いない点である。この時点で既に有機化合物を含む機能層１６４が形成されているため、有機化合物が分解しない程度の温度下で処理を行うことが望まれる。第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４が同一の層内に存在する場合、第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４の上に、これらを覆うように層間絶縁膜２４６を形成する。
【００９７】
こののち、層間絶縁膜２４６に開口を形成し、開口を覆うように第２のタッチ電極２０４を形成すると同時に第１の配線２０６を形成する。開口は、層間絶縁膜２４６を例えば感光性樹脂等を用いて形成する際に形成することができる。第１の配線２０６は、コンタクトホール２０８を覆うように形成され、これにより、第１のタッチ電極２０２と第１の端子配線２１０が電気的に接続される（図１７）。第１の配線２０６と第２のタッチ電極２０４は、第１のタッチ電極２０２と同様の方法、材料を用いて形成することができる。
【００９８】
第１のタッチ電極２０２と第２のタッチ電極２０４が同一の層内に存在する場合、第１の配線２０６と第１のタッチ電極２０２、あるいは第１の配線２０６と第２のタッチ電極２０４との接続のための開口だけでなく、ダイヤモンド電極２４０同士の接続のためのコンタクトホール２４４を層間絶縁膜２４６に形成する。その後、ブリッジ配線２４８と第１の配線２０６を同時に形成する。この時も同様に、第１の配線２０６はチタンやアルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、銅、およびこれらの合金などを用い、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。以上のプロセスにより、第２の層が形成される。
【００９９】
２−３．その他の層
その後、有機保護膜２６６、円偏光板２６０、およびカバーフィルム２６８を形成する。引き続きコネクタ２１４を開口１５４において異方性導電膜２５２などを用いて接続することで、図８に示す表示装置１００を形成することができる。有機保護膜２６６はポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができ、印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。カバーフィルム２６８も有機保護膜２６６と同様高分子材料を含むことができ、上述した高分子材料に加え、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子材料を適用することも可能である。
【０１００】
図示していないが、表示装置１００に可撓性を付与する場合、例えばコネクタ２１４を形成した後、円偏光板２６０を形成した後、あるいは有機保護膜２６６を形成した後に、レーザなどの光を基板１０４側から照射して基板１０４上と基材間の接着力を低下させ、その後物理的な力を利用してこれらの界面で基板１０４を剥離すればよい。
【０１０１】
本実施形態で述べたように、タッチセンサ２００は複数の第１のタッチ電極２０２と複数の第２のタッチ電極２０４で構成される。複数の第１のタッチ電極２０２と複数の第２のタッチ電極２０４の各々はメッシュ状の金属配線であり、金属配線はフォトリソグラフィープロセスによって形成することができる。したがって、精密なレイアウトを有する第１のタッチ電極２０２、第２のタッチ電極２０４を形成することができる。
【０１０２】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０１０３】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【０１０４】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１０５】
１００・・・表示装置、１０２・・・表示領域、１０４・・・基板、１０６・・・下地膜、１０８・・・層間膜、１１０・・・第１の層、１１２・・・第２の層、１１４・・・平坦化膜、１２０・・・画素、１２２・・・第３の端子、１２４・・・ＩＣチップ、１２６・・・走査線駆動回路、１３０・・・第１の副画素、１３２・・・第２の副画素、１３４・・・第３の副画素、１４０・・・トランジスタ、１４２・・・半導体膜、１４２ａ・・・チャネル領域、１４２ｂ・・・ソース／ドレイン領域、１４４・・・ゲート絶縁膜、１４６・・・ゲート電極、１４８・・・ソース／ドレイン電極、１５０・・・無機絶縁膜、１５２・・・コンタクトホール、１５４・・・開口、１６０・・・発光素子、１６２・・・第１の電極、１６４・・・機能層、１６６・・・第２の電極、１６８・・・隔壁、１７０・・・層、１７２・・・層、１７４・・・層、１８０・・・封止膜、１８２・・・第１の無機膜、１８２・・・第１の無機膜、１８４・・・有機膜、１８６・・・第２の無機膜、１８８・・・円、１９０・・・絶縁膜、２００・・・タッチセンサ、２０２・・・第１のタッチ電極、２０４・・・第２のタッチ電極、２０６・・・第１の配線、２０８・・・コンタクトホール、２１０・・・第１の端子配線、２１２・・・第１の端子、２１４・・・コネクタ、２１６・・・第２の配線、２１８・・・コンタクトホール、２２０・・・第２の端子配線、２２２・・・第２の端子、２３４・・・接続電極、２３６・・・接続電極、２４０・・・ダイヤモンド電極、２４２・・・接続領域、２４４・・・開口、２４６・・・層間絶縁膜、２４８・・・ブリッジ配線、２５０・・・開口、２５２・・・異方性導電膜、２５４・・・突起部、２５６・・・第１の辺、２５８・・・第２の辺、２６０・・・円偏光板、２６２・・・１／４λ板、２６４・・・直線偏光板、２６６・・・有機保護膜、２６８・・・カバーフィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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