(57)【要約】【課題】本発明の課題は、接続パッドを少なくとも有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層の厚みが接続パッドの厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程とを、この順に少なくとも含むソルダーレジストパターンの形成方法において、ソルダーレジスト層の薄膜化に要する時間を短くでき、生産性が向上したソルダーレジストパターンの形成方法を提供することである。【解決手段】硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程で使用されるアルカリ水溶液が、（Ａ）のアルカリ性化合物及び（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満であることを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続パッドを少なくとも有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層の厚みが接続パッドの厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程とを、この順に少なくとも含むソルダーレジストパターンの形成方法において、薄膜化工程で使用されるアルカリ水溶液が、（Ａ）アルカリ性化合物及び（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満であることを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
アルカリ水溶液における（Ａ）アルカリ性化合物の含有量が５〜２０質量％である請求項１記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ１）無機アルカリ性化合物である請求項１又は２記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ金属ケイ酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物である請求項３記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属ケイ酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜０．７１である請求項４記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項６】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項４記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項７】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属水酸化物であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項４記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項８】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属ケイ酸塩及びアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜０．４５である請求項４記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項９】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属水酸化物及びアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項４記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１０】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属リン酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項４記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１１】
（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ２）有機アルカリ性化合物である請求項１又は２記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１２】
（Ａ２）有機アルカリ性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機アルカリ性化合物である請求項１１記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１３】
（Ａ２）有機アルカリ性化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項１２記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１４】
（Ａ２）有機アルカリ性化合物がトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項１２記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１５】
（Ａ）アルカリ性化合物が、（Ａ１）無機アルカリ性化合物及び（Ａ２）有機アルカリ性化合物である請求項１又は２記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１６】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属水酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物であり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機アルカリ性化合物である請求項１５記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１７】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項１６記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項１８】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属水酸化物であり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である請求項１６記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソルダーレジストパターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電気機器内部の配線基板には、回路基板における半田（はんだ）付け不要な導体配線に半田が付着しないようにするために、この半田付け不要な導体配線がソルダーレジスト層で被覆されるようにソルダーレジストパターンが形成される。また、ソルダーレジストパターンは、導体配線の酸化防止、電気絶縁及び外部環境からの保護という役割を果たしている。
【０００３】
回路基板上に半導体チップ等の電子部品を搭載した半導体パッケージにおいて、フリップチップ接続による電子部品の搭載は、高速化、高密度化を実現する上で有効な手段である。フリップチップ接続では、導体配線の一部がフリップチップ接続用の接続パッドとして機能し、例えば、この接続パッド上に配設した半田バンプと電子部品の電極端子とを接合する。
【０００４】
回路基板へのソルダーレジストパターンの形成方法としては、フォトリソグラフィー方式が一般に知られている。フォトリソグラフィー方式では、絶縁層１上に接続パッド６と導体配線２とを有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する。その後、このソルダーレジスト層を露光、現像して、接続パッド６周辺のソルダーレジスト層を除去し、開口部を設ける。これによって、図１に示すＳｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ（ＳＭＤ）構造や図２に示すＮｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ（ＮＳＭＤ）構造を形成する。
【０００５】
図１に示すＳＭＤ構造において、接続パッド６はその周辺近傍がソルダーレジスト層３に被覆されている。そのため、電子部品の電極端子と接続パッド６とを電気的に確実に接続するには、接続パッド６の露出面に形成する接合部に必要な半田量を確保する必要があり、したがって接続パッド６が大型化してしまうという問題があった。さらに、接続パッド６の周辺近傍をソルダーレジスト層３によって確実に被覆されるようにするために、加工精度を考慮して、接続パッド６のソルダーレジスト層３によって被覆する部分の幅を広く確保しておく必要があり、接続パッド６がさらに大型化するという問題があった。一方、図２に示すＮＳＭＤ構造の接続パッド６では、接続パッド６全体がソルダーレジスト層３から露出するために、半田との接続面積が大きく、ＳＭＤ構造の場合と比較して、接続パッド６を小型化することができる。しかし、ＮＳＭＤ構造では、接続パッド６がソルダーレジスト層３から完全に露出しているため、互いに隣接する接続パッド６間において、半田による電気的な短絡が生じる場合があった。
【０００６】
このような問題を解決するためのソルダーレジストパターンの形成方法が提案されている。この方法は、接続パッド６を有する回路基板上にソルダーレジスト層３を形成する工程と、ソルダーレジスト層３の厚みが接続パッド６の厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層３を薄膜化する薄膜化工程とをこの順に少なくとも含む方法である（例えば、特許文献１及び２参照）。このソルダーレジストパターンの形成方法では、図３に示したように、接続パッド６表面はソルダーレジスト層３から露出している一方、接続パッド６側面の一部はソルダーレジスト層３によって被覆されている構造が得られる。図３に示す構造では、互いに隣接する接続パッド６間の半田による電気的な短絡が生じ難く、電子部品の電極端子と接続パッド６とを電気的に確実に接続するために必要な半田量を確保でき、接続パッド６を小型化することが可能で、電気的接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板を作製することができる。
【０００７】
このソルダーレジストパターンの形成方法において、ソルダーレジストとしてはアルカリ現像型ソルダーレジストが使用され、ソルダーレジスト層３を薄膜化する薄膜化工程では、アルカリ水溶液が使用される。
【０００８】
アルカリ現像型のソルダーレジストの酸価は、該ソルダーレジストがカルボキシル基を有するポリマーを含有することによってアルカリ現像性を発現するように調整される。しかし、絶縁信頼性が要求されるソルダーレジストに使用されるポリマーでは、カルボキシル基含有量を低くすることによって酸価を低く設定する必要がある。このように酸価の低いポリマーを含有するソルダーレジストを使用した場合、特許文献１及び２に開示されている方法によってソルダーレジストパターンを形成すると、薄膜化に要する時間が長くなった。そのため、生産性を向上させるために、薄膜化に要する時間を短くすることが求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−１９２６９２号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／０４３２０１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、接続パッドを少なくとも有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層の厚みが接続パッドの厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程とを、この順に少なくとも含むソルダーレジストパターンの形成方法において、ソルダーレジスト層の薄膜化に要する時間を短くでき、生産性が向上したソルダーレジストパターンの形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記ソルダーレジストパターンの形成方法によって、上記課題を解決できることを見出した。
【００１２】
（１）接続パッドを少なくとも有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層の厚みが接続パッドの厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程とを、この順に少なくとも含むソルダーレジストパターンの形成方法において、薄膜化工程で使用されるアルカリ水溶液が、（Ａ）アルカリ性化合物及び（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満であることを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法。
【００１３】
（２）アルカリ水溶液における（Ａ）アルカリ性化合物の含有量が５〜２０質量％である上記（１）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（３）（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ１）無機アルカリ性化合物である上記（１）又は（２）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（４）（Ａ１）無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ金属ケイ酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物である上記（３）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（５）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属ケイ酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜０．７１である上記（４）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（６）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（４）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（７）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属水酸化物であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（４）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（８）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属ケイ酸塩及びアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜０．４５である上記（４）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（９）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属水酸化物及びアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（４）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（１０）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属リン酸塩であり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（４）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【００１４】
（１１）（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ２）有機アルカリ性化合物である上記（１）又は（２）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（１２）（Ａ２）有機アルカリ性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機アルカリ性化合物である上記（１１）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（１３）（Ａ２）有機アルカリ性化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（１２）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（１４）（Ａ２）有機アルカリ性化合物がトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（１２）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【００１５】
（１５）（Ａ）アルカリ性化合物が、（Ａ１）無機アルカリ性化合物及び（Ａ２）有機アルカリ性化合物である上記（１）又は（２）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（１６）（Ａ１）無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属水酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物であり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機アルカリ性化合物である上記（１５）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（１７）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属炭酸塩であり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（１６）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
（１８）（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属水酸化物であり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドであり、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である上記（１６）記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、接続パッドを少なくとも有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層の厚みが接続パッドの厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程とを、この順に少なくとも含むソルダーレジストパターンの形成方法において、ソルダーレジスト層の薄膜化に要する時間を短くでき、生産性が向上したソルダーレジストパターンの形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】一例のソルダーレジストパターンの断面構造（ＳＭＤ構造）を示す説明図である。
【図２】別例のソルダーレジストパターンの断面構造（ＮＳＭＤ構造）を示す説明図である。
【図３】本発明のソルダーレジストパターンの形成方法で形成されるソルダーレジストパターンの断面構造の一例を示す説明図である。
【図４】本発明のソルダーレジストパターンの形成方法における工程の一例を示す説明図である。
【図５】本発明のソルダーレジストパターンの形成方法における工程の別例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明のソルダーレジストパターンの形成方法は、接続パッドを少なくとも有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層の厚みが接続パッドの厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程とを、この順に少なくとも含んでいる。
【００１９】
図４を用いて、本発明のソルダーレジストパターンの形成方法を説明する。絶縁層１上に接続パッド６を有する回路基板（図４ａ）上に、回路基板全面を覆うように、ソルダーレジスト層３が形成される（図４ｂ）。続いて、ソルダーレジスト層３の厚みが接続パッド６の厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層３が薄膜化されることによって、図４ｄに示すように、接続パッド６表面がソルダーレジスト層３から露出したソルダーレジストパターンが形成される。
【００２０】
図５を用いて、別の本発明のソルダーレジストパターンの形成方法を説明する。絶縁層１上に導体配線２及び接続パッド６を有する回路基板（図５ａ）上に、回路基板全面を覆うように、ソルダーレジスト層３が形成される（図５ｂ）。次いで、ソルダーレジスト層３の厚みが接続パッド６の厚み以下になるまで薄膜化される領域以外の部分（薄膜化されない部分）を活性光線５により露光することによって、ソルダーレジスト層３が硬化される（図５ｃ）。図５ｃでは、ソルダーレジスト層３はフォトマスク４を介して露光されているが、直接描画方式で露光されてもかまわない。続いて、ソルダーレジスト層３の厚みが接続パッド６の厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層３が薄膜化されることによって、図５ｄに示すように、接続パッド６表面がソルダーレジスト層３から露出したソルダーレジストパターンが形成される。「ソルダーレジスト層３の厚みが接続パッド６の厚み以下になるまで薄膜化される領域」は、接続パッド６以上の大きさであればよく、隣接する導体配線２の絶縁抵抗性に影響しない限り、どれだけ大きくしてもかまわない。
【００２１】
図４及び図５に示したソルダーレジストパターンの形成方法以外にも、本発明においては、回路基板上にソルダーレジスト層３を形成する工程、ソルダーレジスト層３を薄膜化する薄膜化工程、活性光線によりソルダーレジスト層３を露光する工程及び硬化していないソルダーレジスト層３を完全に除去する現像工程等を、各工程の順番、各工程の回数、各工程における条件（例えば、露光する部分、薄膜化量、ソルダーレジスト層形成時の厚み等）等を変えて組み合わせることができ、種々の構造を有するソルダーレジストパターンを形成することができる。
【００２２】
本発明において、回路基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面に形成された接続パッド６とを有する。絶縁層１の表面には、導体配線２が形成されていて、接続パッド６は導体配線２の一部である。本発明において、配線基板は、回路基板の表面にソルダーレジスト層３からなるソルダーレジストパターンを有し、ソルダーレジスト層３から接続パッド６の一部が露出している。電子部品を搭載する配線基板の場合、一方の表面の接続パッド６は電子部品接続用であり、他方の表面の接続パッド６は外部接続用である。電子部品接続用の接続パッド６は電子部品と接合され、外部接続用の接続パッド６は外部電気基板の導体配線と接合される。
【００２３】
本発明のソルダーレジストパターンの形成方法における工程の一例をそれぞれ示す説明図である図４及び図５、本発明のソルダーレジストパターンの形成方法で形成されるソルダーレジストパターンの断面構造の一例を示す説明図である図３には、絶縁層１を一層有し、絶縁層１の一方の表面に接続パッド６を有する回路基板が記載されている。しかしながら、本発明に係わる回路基板としては、導体配線が配設された絶縁基板にビルドアップ用の絶縁層や導体配線を交互に積層して作製され、絶縁層１と、絶縁層１の表面に形成された接続パッド６とを表面に有する回路基板が含まれる。
【００２４】
絶縁基板としては、例えば、ガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料等からなる樹脂製基板が挙げられる。ビルドアップ用の絶縁層としては、例えば、絶縁基板と同様にガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料、またエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化ケイ素等の無機フィラーを分散させた電気絶縁材料等が挙げられる。
【００２５】
導体配線２及び接続パッド６は、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等によって形成される。サブトラクティブ法では、例えば、絶縁層１上に設けられた銅層上にエッチングレジストパターンを形成し、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を実施して、導体配線２及び接続パッド６を形成する。セミアディティブ法では、絶縁層１の表面に無電解銅めっきにより電解銅めっき用の下地金属層を設ける。次に、下地金属層上にめっきレジストパターンを形成し、露出した下地金属層の表面に電解銅めっき層を形成する。その後、レジスト剥離、下地金属層のフラッシュエッチングを実施して、導体配線２及び接続パッド６が形成される。
【００２６】
本発明に係わるソルダーレジストとしては、アルカリ現像型のソルダーレジストが使用できる。また、ソルダーレジストは、１液性、２液性、どちらの液状レジストであってもよく、ドライフィルム状レジストであってもよい。ソルダーレジストとしては、市販されている液状レジスト、ドライフィルム状レジスト、レジストインク等を使用することもできる。アルカリ現像型ソルダーレジストの組成は、例えば、アルカリ可溶性樹脂、重合性化合物、光重合開始剤、フィラー、熱硬化性成分等を含有してなる。
【００２７】
アルカリ可溶性樹脂としては、分子中にカルボキシル基を含有している重合体（ポリマー）が使用できる。分子中にさらにエチレン性不飽和二重結合を有するカルボキシル基を含有するポリマーは、重合性化合物と共に架橋可能であり、硬化性、アルカリ水溶液への耐性の面からより好ましい。具体的には、下記（１）〜（９）に列挙するようなポリマーが挙げられる。
【００２８】
（１）（メタ）アクリル酸等の不飽和カルボン酸と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物の１種類以上とを共重合することによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００２９】
（２）（メタ）アクリル酸等の不飽和カルボン酸と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物の１種類以上との共重合体（コポリマー）に、一分子中にエポキシ基と不飽和二重結合とを有する化合物や（メタ）アクリル酸クロライド等によって、エチレン性不飽和基をペンダントとして付加させることによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３０】
（３）エポキシ基と不飽和二重結合とを有する化合物と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物との共重合体に、（メタ）アクリル酸等の不飽和カルボン酸を反応させ、生成した二級の水酸基に多塩基酸無水物を反応させることによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３１】
（４）無水マレイン酸等の不飽和二重結合を有する酸無水物と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物との共重合体に、一分子中に水酸基と不飽和二重結合とを有する化合物を反応させることによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３２】
（５）多官能エポキシ化合物と、（メタ）アクリル酸等の不飽和モノカルボン酸とを反応させ、生成した反応物中の水酸基に飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３３】
（６）ポリビニルアルコール誘導体等の水酸基含有ポリマーに、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させた後、生成したカルボン酸に一分子中にエポキシ基と不飽和二重結合とを有する化合物を反応させることによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３４】
（７）（ａ）多官能エポキシ化合物、（ｂ）（メタ）アクリル酸等の不飽和モノカルボン酸、及び（ｃ）一分子中に少なくとも１個のアルコール性水酸基と、エポキシ基と反応するアルコール性水酸基以外の１個の反応性基とを有する化合物（例えば、ジメチロールプロピオン酸等）を反応させ、得られた反応生成物に、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させることによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３５】
（８）一分子中に少なくとも２個のオキセタン環を有する多官能オキセタン化合物に（メタ）アクリル酸等の不飽和モノカルボン酸を反応させることによって変性オキセタン樹脂を得、得られた変性オキセタン樹脂中の第一級水酸基に対して、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させることによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３６】
（９）多官能エポキシ樹脂（例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等）に不飽和モノカルボン酸（例えば、（メタ）アクリル酸等）を反応させた後、多塩基酸無水物（例えば、テトラヒドロフタル酸無水物等）を反応させることによってカルボキシル基を含有するポリマーを得、このカルボキシル基を含有するポリマーに、さらに、一分子中に１個のオキシラン環と１個以上のエチレン性不飽和基とを有する化合物（例えば、グリシジル（メタ）アクリレート等）を反応させることによって得られる、カルボキシル基を含有するポリマー。
【００３７】
カルボキシル基を含有するポリマーは、上記列挙したポリマーに限定されるものではない。また、これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
上記列挙したポリマーの中では、上記（２）、（５）、（７）、（９）のカルボキシル基を含有するポリマーが好ましく、特に上記（９）のカルボキシル基を含有するポリマーが、硬化性、硬化後のソルダーレジスト層における特性の面からより好ましい。
【００３９】
なお、本発明において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらの混合物を総称する用語である。（メタ）アクリレートとは、アクリレート、メタクリレート及びそれらの混合物を総称する用語である。一分子中にエポキシ基と不飽和二重結合とを有する化合物としては、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。一分子中に水酸基と不飽和二重結合とを有する化合物としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
【００４０】
上記のようなカルボキシル基を含有するポリマーは、バックボーン・ポリマー（主鎖）の側鎖に、多数の遊離のカルボキシル基を有するため、希アルカリ水溶液による現像が可能になる。
【００４１】
また、上記カルボキシル基を含有するポリマーの酸価は、８０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲であることが好ましく、より好ましくは９０〜１２０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲である。カルボキシル基を含有するポリマーの酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、接続パッド６上にソルダーレジストの残渣が発生する場合がある。一方、１５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程において、露光部の硬化したソルダーレジスト層３や薄膜化されたソルダーレジスト層３が膨潤しやすくなり、ソルダーレジストパターンの絶縁信頼性が低下する場合がある。
【００４２】
カルボキシル基を含有するポリマーの質量平均分子量は５，０００〜１５０，０００であることが好ましく、１０，０００〜１００，０００であることがより好ましい。質量平均分子量が５，０００未満では、硬化後のソルダーレジスト層３におけるアルカリ水溶液に対する耐性が低下する傾向があり、一方、１５０，０００を超えると、薄膜化に要する時間が長くなる傾向がある。
【００４３】
カルボキシル基を含有するポリマーの配合量は、ソルダーレジスト層３に対して４０〜６５質量％であることが好ましく、４５〜５５質量％であることがより好ましい。カルボキシル基を含有するポリマーの配合量が４０質量％未満では、硬化したソルダーレジスト層３の化学的強度、機械的強度が低くなる傾向がある。また、被膜性が悪くなる傾向がある。カルボキシル基を含有するポリマーの配合量が６５質量％を超えると、重合性が低下する場合がある。
【００４４】
重合性化合物は、活性光線照射によって光重合して、ソルダーレジスト層３を硬化させて、アルカリ水溶液に対して不溶化させる化合物、又は不溶化させることを助ける化合物である。このような重合性化合物としては、エチレングリコール、メトキシテトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコールのジ（メタ）アクリレート類；ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリス−ヒドロキシエチルイソシアヌレート等の多価アルコール又はこれらのエチレンオキサイド付加物若しくはプロピレンオキサイド付加物等の多価（メタ）アクリレート類；フェノキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、及びこれらのフェノール類のエチレンオキサイド付加物若しくはプロピレンオキサイド付加物等の多価（メタ）アクリレート類；グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート等のグリシジルエーテルの多価（メタ）アクリレート類；及びメラミン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４５】
重合性化合物の配合量は、カルボキシル基を含有するポリマー１００質量部に対して、好ましくは５〜１００質量部であり、より好ましくは、１０〜７０質量部である。重合性化合物の配合量が５質量部未満の場合、硬化性が低下し、活性光線照射と薄膜化によるソルダーレジストパターン形成が困難となる場合やソルダーレジストパターンによる外部環境からの保護という役割が果たせなくなる場合がある。一方、１００質量部を超えた場合、薄膜化に要する時間が長くなる場合や、硬化後のソルダーレジスト層３が脆くなる場合がある。
【００４６】
フィラーとしては、無機フィラー又は有機フィラーが使用できる。特に硫酸バリウム、シリカ、タルク、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等が好ましく用いられ、これらを単独で又は２種以上配合することができる。フィラーの平均粒子径は、０．１〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。上記平均粒子径は、より好ましくは０．２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下である。
【００４７】
また、導体配線２表面は、ソルダーレジスト層３との密着性を向上させることを目的として、エッチング剤によって粗面化される場合がある。このとき、接続パッド６は導体配線２の一部であるため、接続パッド６の表面も粗面化される。このように粗面化処理された接続パッド６上にソルダーレジスト層３を形成する際には、粗面化によって形成された接続パッド６表面の凹凸にフィラーがはまり込むことがある。凹凸にはまり込んだフィラー周囲のソルダーレジスト層３は、薄膜化速度が通常より遅くなる場合が多い。その結果、接続パッド６表面上にソルダーレジストの残渣が発生する場合がある。よって、残渣発生を回避するためにも、フィラーの平均粒子径は、０．１〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４８】
本発明における平均粒子径とは、レーザ回折散乱法で測定されたＤ５０（体積基準５０％粒子径）である。
【００４９】
フィラーの配合量は、カルボキシル基を含有するポリマー１００質量部に対して、好ましくは３００質量部以下であり、より好ましくは０．１〜３００質量部であり、さらに好ましくは、０．１〜１５０質量部である。フィラーの配合量が３００質量部を超えた場合、ドライフィルム状レジストを製造するための塗液や液状レジストの粘度が高くなり、塗工性が低下する場合や、硬化後のソルダーレジスト層３が脆くなる場合がある。
【００５０】
フィラーの形状としては、球状、針状、板状、鱗片状、中空状、不定形、六角状、キュービック状、薄片状等を用いることができるが、ソルダーレジスト層３への分散性や解像性への影響の観点から球状であることが好ましい。
【００５１】
光重合開始剤としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル等のベンゾインとそのアルキルエーテル類；アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン、４−（１−ｔ−ブチルジオキシ−１−メチルエチル）アセトフェノン等のアセトフェノン類；２−メチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン等のアントラキノン類；２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン等のチオキサントン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類；ベンゾフェノン、４−（１−ｔ−ブチルジオキシ−１−メチルエチル）ベンゾフェノン、３，３′，４，４′−テトラキス（ｔ−ブチルジオキシカルボニル）ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類等が挙げられる。
【００５２】
また、好ましい光重合開始剤として、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパノン−１、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアセトフェノン（市販品としては、ＢＡＳＦ社製のイルガキュア（Ｉｒｇａｃｕｒｅ、登録商標）９０７、イルガキュア（登録商標）３６９、イルガキュア（登録商標）３７９等）等のα−アミノアセトフェノン類；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルホスフィンオキサイド（市販品としては、ＢＡＳＦ社製のルシリン（Ｌｕｃｉｒｉｎ、登録商標）ＴＰＯ、イルガキュア（登録商標）８１９等）等のアシルホスフィンオキサイド類が挙げられる。
【００５３】
光重合開始剤の配合量は、カルボキシル基を含有するポリマー１００質量部に対して、０．０１〜３０質量部、好ましくは０．５〜１５質量部の割合である。光重合開始剤の配合率が、カルボキシル基を含有するポリマー１００質量部に対し０．０１質量部未満であると、ソルダーレジスト層３の光硬化性が不足する場合や、ソルダーレジスト層３が剥離する場合や、耐薬品性等のソルダーレジスト層３の特性が低下する場合がある。一方、光重合開始剤の配合量が、カルボキシル基を含有するポリマー１００質量部に対して３０質量部を超えると、光重合開始剤の光吸収により、深部硬化性が低下する場合がある。
【００５４】
ソルダーレジスト層３には、ソルダーレジスト層３の物理的強度等を上げるために、必要に応じて、熱硬化性成分を配合することができる。このような熱硬化性成分としては、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂などのアミノ樹脂、ブロックイソシアネート化合物、シクロカーボネート化合物、多官能エポキシ化合物、多官能オキセタン化合物、エピスルフィド樹脂などの熱硬化性樹脂が使用できる。
【００５５】
熱硬化性成分の配合量は通常用いられる割合であればよく、例えばカルボキシル基を含有するポリマーと重合性化合物との総量１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２０質量部である。熱硬化性成分は、単独で用いることもできるし、２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５６】
さらに、カルボキシル基を含有するポリマーの合成、液状レジストの調製、ドライフィルム状レジストを製造するための塗液の調製、液状レジストや該塗液における粘度調整等の目的のために、ソルダーレジストには、有機溶剤を使用することができる。
【００５７】
有機溶剤としては、ケトン類、芳香族炭化水素類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類、エステル類、アルコール類、脂肪族炭化水素、石油系溶剤等を挙げることができる。
【００５８】
より具体的には、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類；セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテート等のエステル類；エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類；オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素；石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサ等の石油系溶剤などが挙げられる。有機溶剤は、単独で用いることもできるし、２種以上の混合物として用いることもできる。
【００５９】
回路基板上にソルダーレジスト層３が形成される方法は、いかなる方法でもよい。例えば、液状レジストの場合、スクリーン印刷法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、カーテンコート法、バーコート法、エアナイフ法、ホットメルト法、グラビアコート法、刷毛塗り法、オフセット印刷法等が挙げられる。ドライフィルム状レジストの場合、ラミネート法、真空ラミネート法等が挙げられる。
【００６０】
ソルダーレジスト層３を露光する工程における露光では、ソルダーレジスト層３に対して活性光線を照射する。キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトマスクを用いた片面、両面密着露光や、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザ走査露光等を使用することができる。走査露光を行う場合には、ＵＶレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、アルゴンレーザ、クリプトンイオンレーザ、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザ、窒素レーザ、色素レーザ、エキシマレーザ等のレーザ光源を発光波長に応じてＳＨＧ波長変換した走査露光、あるいは、液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。露光によって、ソルダーレジスト層３は重合して、硬化する。
【００６１】
本発明において、ソルダーレジスト層３を薄膜化する薄膜化工程は、アルカリ水溶液（薄膜化処理液）によって、硬化していないソルダーレジスト層成分をミセル化させるミセル化処理（薄膜化処理）と、次に行われる、ミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理とを含む。この工程は、さらに、除去しきれなかったソルダーレジスト層３表面や残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗によって洗い流す水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理を含んでもよい。
【００６２】
ミセル化処理（薄膜化処理）とは、アルカリ水溶液（薄膜化処理液）によって、ソルダーレジスト層成分をミセル化し、このミセルを薄膜化処理液に対して一旦不溶化する処理である。薄膜化処理液は高濃度のアルカリ水溶液である。本発明において、アルカリ水溶液が、（Ａ）アルカリ性化合物及び（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満であることによって、ソルダーレジスト層３の薄膜化に要する時間を短くでき、生産性が向上したソルダーレジストパターンの形成方法を提供することができる。「（Ａ）アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）」を「モル比率（Ｂ／Ａ）」と略記する場合がある。
【００６３】
アルカリ水溶液に含まれている（Ａ）アルカリ性化合物としては、（Ａ１）無機アルカリ性化合物及び（Ａ２）有機アルカリ性化合物がある。
【００６４】
（Ａ１）無機アルカリ性化合物としては、アルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩等の無機アルカリ性化合物が挙げられる。アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。上記（Ａ１）無機アルカリ性化合物は、単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。
【００６５】
（Ａ２）有機アルカリ性化合物としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン）等の有機アルカリ性化合物が挙げられる。上記（Ａ２）有機アルカリ性化合物は、単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。
【００６６】
（Ａ）アルカリ性化合物の含有量は、アルカリ水溶液に対して、３〜２５質量％であることが好ましく、５〜２０質量％であることがより好ましく、７〜１７質量％であることがさらに好ましく、８〜１３質量％であることが特に好ましい。（Ａ）アルカリ性化合物の含有量が３質量％未満では、薄膜化量が不均一になる場合がある。また、２５質量％を超えると、（Ａ１）無機アルカリ性化合物では、アルカリ性化合物の析出が起こりやすくなることから、薄膜化処理液の経時安定性が問題となる場合があり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物の場合には、臭気が強くなるために、作業性に劣る場合がある。アルカリ水溶液のｐＨは１０以上とすることが好ましい。また、アルカリ水溶液に対し界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。
【００６７】
また、ソルダーレジスト層３表面がより均一に薄膜化されるために、アルカリ水溶液に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩又は亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属の硫酸塩又は亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属の硫酸塩又は亜硫酸塩が挙げられる。硫酸塩及び／又は亜硫酸塩の含有量（モル濃度）としては、０．０５〜１．０モル／Ｌが好ましい。０．０５モル／Ｌ未満では、塩析力が弱く水和度が小さいため、薄膜化処理の均一化を高める効果が弱くなることがある。１．０モル／Ｌ超になると、薄膜化不良が起こりやすくなる場合がある。その結果、薄膜化後のソルダーレジスト層３表面上に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。
【００６８】
本発明では、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオン（ＮＨ４＋）を含むことを特徴としている。（Ｂ）アンモニウムイオンの供給源としては、アンモニウム塩を用いる。アンモニウム塩としては、水酸化アンモニウム、臭化アンモニウム、炭酸アンモニウム、塩化アンモニウム、次亜リン酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、亜リン酸アンモニウム、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フルオロホウ酸アンモニウム、ヒ酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、五ホウ酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、アウリントリカルボン酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、ジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、リンゴ酸水素アンモニウム、シュウ酸水素アンモニウム、フタル酸水素アンモニウム、酒石酸水素アンモニウム、チオ硫酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、エチレンジアミン四酢酸アンモニウム、エチレンジアミン四酢酸第２鉄アンモニウム、乳酸アンモニウム、リンゴ酸アンモニウム、マレイン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、フタル酸アンモニウム、ピクリン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、サリチル酸アンモニウム、コハク酸アンモニウム、スルファニル酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、チオグリコール酸アンモニウム、２，４，６−トリニトロフェノールアンモニウム等が挙げられるが、中でも炭酸アンモニウムが好ましい。なお、複数の供給源を併用してもよい。
【００６９】
本発明において、モル比率（Ｂ／Ａ）は、０．００超１．８５未満である。モル比率（Ｂ／Ａ）は、より好ましくは０．０３以上であり、さらに好ましくは０．０４以上であり、特に好ましくは０．１０以上である。また、モル比率（Ｂ／Ａ）は、より好ましくは１．６７以下であり、それよりも好ましくは１．００以下であり、さらに好ましくは０．７１以下であり、特に好ましくは０．５０以下であり、最も好ましくは０．４５以下である。モル比率（Ｂ／Ａ）は０．００超であるが、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０３を下回ると、（Ｂ）アンモニウムイオン含有量の不足により、薄膜化に要する時間を短くする効果が小さくなり、（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である場合と比較して、薄膜化に要する時間がほとんど変わらない場合があるため、モル比率（Ｂ／Ａ）は０．０３以上であることがより好ましい。また、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上であると、（Ｂ）アンモニウムイオン含有量が過剰となり、（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である場合と比較して、薄膜化に要する時間が同じか、逆に長くなる場合がある。
【００７０】
（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ１）無機アルカリ性化合物である場合、（Ａ１）無機アルカリ性化合物は、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ金属ケイ酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物であることが好ましい。（Ａ１）無機アルカリ性化合物のほとんどは、前記モル比率（Ｂ／Ａ）の範囲内であれば本発明の効果を得ることができる。しかし、（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属ケイ酸塩である場合には、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．７１を超えると、アルカリ水溶液が「ゲル化」してしまう場合がある。また、（Ａ１）無機アルカリ性化合物がアルカリ金属ケイ酸塩及びアルカリ金属炭酸塩である場合、すなわち、（Ａ１）無機アルカリ性化合物としてアルカリ金属ケイ酸塩及びアルカリ金属炭酸塩を併用する場合には、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．４５を超えると、アルカリ水溶液が「水溶液」の状態を保つことができず、「ゲル化」してしまう場合がある。アルカリ水溶液がゲル化した場合には、薄膜化量が不均一になる場合や接続パッド６上にソルダーレジスト層３の残渣が発生する場合があるため、好ましくない。
【００７１】
（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ２）有機アルカリ性化合物である場合、（Ａ２）有機アルカリ性化合物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機アルカリ性化合物であることが好ましい。
【００７２】
（Ａ）アルカリ性化合物が、（Ａ１）無機アルカリ性化合物及び（Ａ２）有機アルカリ性化合物である場合、すなわち、（Ａ）アルカリ性化合物として、（Ａ１）無機アルカリ性化合物及び（Ａ２）有機アルカリ性化合物を併用する場合、（Ａ１）無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属水酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物であり、（Ａ２）有機アルカリ性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機アルカリ性化合物であることが好ましい。
【００７３】
また、アルカリ水溶液が、１種類以上の（Ａ１）無機アルカリ性化合物及び１種類以上の（Ａ２）有機アルカリ性化合物を含む場合、（Ａ１）無機アルカリ性化合物と（Ａ２）有機アルカリ性化合物の質量比率は、１：１〜１：１０であることが好ましく、１：１〜１：６であることがより好ましく、１：１〜１：３であることがさらに好ましい。
【００７４】
薄膜化処理としては、浸漬処理、パドル処理、スプレー処理、ブラッシング、スクレーピング等の方法を用いることができるが、浸漬処理が好ましい。浸漬処理以外の処理方法は、薄膜化処理液中に気泡が発生しやすく、その発生した気泡が薄膜化処理中にソルダーレジスト層３表面に付着して、薄膜化量が不均一となる場合がある。アルカリ水溶液の温度は、１５〜３５℃が好ましく、さらに好ましくは２０〜３０℃である。温度が低すぎると、ソルダーレジスト層３へのアルカリ性化合物の浸透速度が遅くなる場合があり、所望の厚みを薄膜化するのに長時間を要する。一方、温度が高すぎると、ソルダーレジスト層３へのアルカリ性化合物の浸透と同時に溶解拡散が進行することにより、ソルダーレジスト層３の薄膜化量が不均一になる部分が発生する場合がある。
【００７５】
薄膜化処理液に対して不溶化されたソルダーレジスト層成分のミセルを除去するミセル除去処理においては、ミセル除去液をスプレーすることによって、一挙にミセルを溶解除去する。
【００７６】
ミセル除去液としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。また、ミセル除去液が、アルカリ性化合物を含み、ｐＨが５〜１０であることによって、薄膜化処理液で不溶化されたソルダーレジスト層成分が再分散しやすくなる。ミセル除去液に含まれるアルカリ性化合物としては、アルカリ水溶液（薄膜化処理液）に含まれる（Ａ）アルカリ性化合物として例示したアルカリ性化合物を挙げることができる。また、アルカリ水溶液とミセル除去液に含まれるアルカリ性化合物が同一種類であることが好ましい。ミセル除去液のｐＨが５未満の場合、ソルダーレジスト層成分が凝集し、不溶性のスラッジを形成し、このスラッジが薄膜化したソルダーレジスト層３表面に付着するおそれがある。一方、ミセル除去液のｐＨが１０を超えた場合、ソルダーレジスト層３が過度に溶解拡散し、薄膜化量が不均一になる場合がある。また、ミセル除去液のｐＨは、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて調整することができる。
【００７７】
ミセル除去処理におけるスプレーの条件について説明する。スプレーの条件（温度、時間、スプレー圧）は、ソルダーレジスト層３の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａが好ましく、より好ましくは０．１〜０．３ＭＰａである。ミセル除去液の供給流量は、１ｃｍ２のソルダーレジスト層３当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後のソルダーレジスト層３表面に不溶性のスラッジを残すことなく、面内で略（ほぼ）均一にミセルを除去することができる。１ｃｍ２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化したソルダーレジスト層成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプ等の部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給流量では、ソルダーレジスト層成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。
【００７８】
ミセル除去処理後、さらに、除去しきれなかったソルダーレジスト層３やソルダーレジスト層３表面に残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗処理によって洗い流すことができる。水洗処理の方法としては、拡散速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が好ましい。水洗水としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。このうち純水を使用することが好ましい。純水は、一般的に工業用に用いられるものを使用することができる。
【００７９】
乾燥処理では、熱風乾燥、室温送風乾燥のいずれも用いることができるが、好ましくは高圧空気をエアガンから送気してあるいはブロアから大量の空気を送気してエアナイフでソルダーレジスト層３表面に残存している水を吹き飛ばす乾燥方法がよい。
【００８０】
本発明のソルダーレジストパターンの形成方法では、ソルダーレジスト層３形成後の厚みと硬化していないソルダーレジスト層３が薄膜化された量で、接続パッド６周囲のソルダーレジスト層３の厚みが決定される。また、本発明のソルダーレジストパターンの形成方法では、０．０１〜５００μｍの範囲で薄膜化量を自由に調整することができる。薄膜化後のソルダーレジスト層３から接続パッド６のトップ面までの高さは、必要な半田量に応じて適宜調整する。具体的には、接続パッド６のトップ面と薄膜化後のソルダーレジスト層３のトップ面との距離が１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００８１】
本発明では、ソルダーレジスト層３を薄膜化する薄膜化工程よりも後に、ソルダーレジスト層３に硬化処理を行う工程（ポストキュア工程）が行われることが好ましい。薄膜化工程とポストキュア工程の間に別の工程が含まれていてもよい。ポストキュア工程によって、ソルダーレジストパターンは、導体配線の酸化防止、電気絶縁及び外部環境からの保護という役割を効率良く果たすことができる。硬化処理としては、例えば、加熱処理、活性光線をソルダーレジスト層３の全面に照射する露光処理、加熱と露光処理の併用等が挙げられる。加熱処理を行う場合は、窒素雰囲気中で、室温から４５０℃の温度を選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び、連続的に昇温しながら、５分〜５時間実施することが好ましい。加熱処理の最高温度は、好ましくは１２０〜４５０℃であり、より好ましくは１３０〜４５０℃である。例えば、１３０℃、２００℃、４００℃で、各々３０分間加熱処理する。また、室温から４００℃まで２時間かけて直線的に昇温して加熱処理してもよい。また、ある温度を選び、一定時間加熱処理してもよい。
【実施例】
【００８２】
以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００８３】
＜カルボキシル基を含有するポリマーの合成＞
攪拌機、温度計、環流冷却管、滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルフラスコに、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、商品名：ＥＯＣＮ−１０４Ｓ）６６０．０質量部、カルビトールアセテート４３２質量部、及びソルベントナフサ１８８．０質量部を仕込み、９０℃に加熱するとともに攪拌し、溶解した。次に、一旦６０℃まで冷却し、アクリル酸２１６質量部、トリフェニルホスフィン４．０質量部、メチルハイドロキノン１．３質量部を加えて、１００℃で１２時間反応させた。その後、テトラヒドロ無水フタル酸２９０．０ｇ質量部を加えて、９０℃に加熱して６時間反応させた。これにより、不揮発分６５質量％のカルボキシル基を含有するポリマーの溶液を得た。以下、このカルボキシル基を含有するポリマーの溶液を、「ポリマーＡ−１」と称す。なお、ポリマーＡ−１の酸価は低く、固形分酸価は８５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。酸価はＪＩＳ  Ｋ２５０１：２００３に準拠して測定した。
【００８４】
表１に示す割合（質量部）にて各材料を配合し、攪拌機にて予備混合した後、３本ロールミルで混練し、ソルダーレジストを調製した。
【００８５】
【表１】
2018157174.tif 000003
【００８６】
（実施例及び比較例）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）からエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法によって、絶縁層１に導体配線幅８０μｍ、導体配線間距離８０μｍの導体配線２を有する回路基板を作製した。次に、上記ソルダーレジストを、上記回路基板上にアプリケーターを用いてそれぞれ塗工し、７０℃、３０分間の乾燥を実施した。これにより絶縁層１表面からソルダーレジスト層３表面までの乾燥膜厚が３５μｍのソルダーレジスト層３が回路基板上に形成された。
【００８７】
次に、導体配線２の始点と終点にあたる部分を接続パッド６とみなし、始点と終点にあたる部分の端から８０μｍより外側の領域に活性光線５が照射されるようなパターンを有するフォトマスク４を用いて、密着露光機にて、２００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーにて、ソルダーレジスト層３に露光を実施した。
【００８８】
次いで、表２〜表１１に示すアルカリ水溶液（薄膜化処理液）を用いて浸漬処理を行った。（Ｂ）アンモニウムイオンの供給源として炭酸アンモニウムを使用した。なお、アルカリ水溶液への浸漬処理に要した時間を、表２〜表１１の「処理時間」に記載した。続いて、水道水を用いて、ミセル除去処理及び水洗を実施し、次に、乾燥処理を行って、非露光部のソルダーレジスト層３の厚みが平均１２μｍになるまで、硬化していないソルダーレジスト層３を薄膜化した。続いて、１５０℃、６０分の条件でポストキュアを実施し、ソルダーレジストパターンを形成した。
【００８９】
アルカリ水溶液が（Ａ）アルカリ性化合物及び（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例では、アルカリ水溶液（薄膜化処理液）が（Ａ）アルカリ性化合物のみを含み、（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である比較例と比べて、ソルダーレジスト層の薄膜化に要する時間を短くできるという効果が確認できた。
【００９０】
以下、（Ａ）アルカリ性化合物の種類別に、より詳細に説明する。表２〜表７は、（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ１）無機アルカリ性化合物の例であり、表８及び表９は、（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ２）有機アルカリ性化合物の例であり、表１０及び表１１は、（Ａ）アルカリ性化合物が（Ａ１）無機アルカリ性化合物及び（Ａ２）有機アルカリ性化合物の例である。
【００９１】
【表２】
2018157174.tif 000004
【００９２】
表２は、（Ａ１）無機アルカリ性化合物がメタケイ酸ナトリウム（アルカリ金属ケイ酸塩）の例である。（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超０．７１以下である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である比較例と比べて、短くなった（実施例１−１〜１−７と比較例１−１、実施例１−８〜１−１４と比較例１−３、実施例１−１５〜１−２１と比較例１−５、実施例１−２２〜１−２８と比較例１−７）。
【００９３】
また、（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜０．７１である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例１−２〜１−７、実施例１−９〜１−１４、実施例１−１６〜１−２１、実施例１−２３〜１−２８）。
【００９４】
さらに、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．７１超の比較例では、薄膜化処理液が「水溶液」の状態を保つことができず、「ゲル化」した（比較例１−２、１−４、１−６、１−８）。
【００９５】
【表３】
2018157174.tif 000005
【００９６】
表３は、（Ａ１）無機アルカリ性化合物が炭酸カリウム（アルカリ金属炭酸塩）の例である。（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例２−１〜２−８と比較例２−１〜２−２、実施例２−９〜２−１６と比較例２−３〜２−４、実施例２−１７〜２−２４と比較例２−５〜２−６、実施例２−２５〜２−３２と比較例２−７〜２−８）。
【００９７】
また、（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例２−２〜２−７、実施例２−１０〜２−１５、実施例２−１８〜２−２３、実施例２−２６〜２−３１）。
【００９８】
【表４】
2018157174.tif 000006
【００９９】
表４は、（Ａ１）無機アルカリ性化合物が水酸化ナトリウム（アルカリ金属水酸化物）の例である。（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例３−１〜３−８と比較例３−１〜３−２、実施例３−９〜３−１６と比較例３−３〜３−４、実施例３−１７〜３−２４と比較例３−５〜３−６、実施例３−２５〜３−３２と比較例３−７〜３−８）。
【０１００】
また、（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、（Ａ１）無機アルカリ性化合物に対する（Ｂ）アンモニウムイオンのモル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例３−２〜３−７、実施例３−１０〜３−１５、実施例３−１８〜３−２３、実施例３−２６〜３−３１）。
【０１０１】
【表５】
2018157174.tif 000007
【０１０２】
表５は、（Ａ１）無機アルカリ性化合物がメタケイ酸ナトリウム（アルカリ金属ケイ酸塩）及び炭酸カリウム（アルカリ金属炭酸塩）で、メタケイ酸ナトリウムと炭酸カリウムの質量比率が５：１の例である。（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超０．４５以下である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である比較例と比べて、短くなった（実施例４−１〜４−７と比較例４−１、実施例４−８〜４−１４と比較例４−３、実施例４−１５〜４−２１と比較例４−５、実施例４−２２〜４−２８と比較例４−７）。
【０１０３】
また、（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜０．４５である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例４−２〜４−７、実施例４−９〜４−１４、実施例４−１６〜４−２１、実施例４−２３〜４−２８）。
【０１０４】
さらに、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．４５超の比較例では、薄膜化処理液が「水溶液」の状態を保つことができず、「ゲル化」した（比較例４−２、４−４、４−６、４−８）。
【０１０５】
【表６】
2018157174.tif 000008
【０１０６】
表６は、（Ａ１）無機アルカリ性化合物が水酸化ナトリウム（アルカリ金属水酸化物）及び炭酸カリウム（アルカリ金属炭酸塩）で、水酸化ナトリウムと炭酸カリウムの質量比率が１：１の例である。（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例５−１〜５−８と比較例５−１〜５−２、実施例５−９〜５−１６と比較例５−３〜５−４、実施例５−１７〜５−２４と比較例５−５〜５−６、実施例５−２５〜５−３２と比較例５−７〜５−８）。
【０１０７】
また、（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例５−２〜５−７、実施例５−１０〜５−１５、実施例５−１８〜５−２３、実施例５−２６〜５−３１）。
【０１０８】
【表７】
2018157174.tif 000009
【０１０９】
表７は、（Ａ１）無機アルカリ性化合物がリン酸三ナトリウム（アルカリ金属リン酸塩）の例である。（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ａ／Ｂ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例６−１〜６−８と比較例６−１〜６−２、実施例６−９〜６−１６と比較例６−３〜６−４、実施例６−１７〜６−２４と比較例６−５〜６−６、実施例６−２５〜６−３２と比較例６−７〜６−８）。
【０１１０】
また、（Ａ１）無機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例６−２〜６−７、実施例６−１０〜６−１５、実施例６−１８〜６−２３、実施例６−２６〜６−３１）。
【０１１１】
【表８】
2018157174.tif 000010
【０１１２】
表８は、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の例である。（Ａ２）有機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ａ／Ｂ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例７−１〜７−８と比較例７−１〜７−２、実施例７−９〜７−１６と比較例７−３〜７−４、実施例７−１７〜７−２４と比較例７−５〜７−６、実施例７−２５〜７−３２と比較例７−７〜７−８）。
【０１１３】
また、（Ａ２）有機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例７−２〜７−７、実施例７−１０〜７−１５、実施例７−１８〜７−２３、実施例７−２６〜７−３１）。
【０１１４】
【表９】
2018157174.tif 000011
【０１１５】
表９は、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン）の例である。（Ａ２）有機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ａ／Ｂ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例８−１〜８−８と比較例８−１〜８−２、実施例８−９〜８−１６と比較例８−３〜８−４、実施例８−１７〜８−２４と比較例８−５〜８−６、実施例８−２５〜８−３２と比較例８−７〜８−８）。
【０１１６】
また、（Ａ２）有機アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例８−２〜８−７、実施例８−１０〜８−１５、実施例８−１８〜８−２３、実施例８−２６〜８−３１）。
【０１１７】
【表１０】
2018157174.tif 000012
【０１１８】
表１０は、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がＴＭＡＨであり、（Ａ１）無機アルカリ性化合物が炭酸カリウム（炭酸Ｋ、アルカリ金属炭酸塩）であり、ＴＭＡＨ：炭酸Ｋの質量比率が２：１の例である。（Ａ）アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ａ／Ｂ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例９−１〜９−８と比較例９−１〜９−２、実施例９−９〜９−１６と比較例９−３〜９−４、実施例９−１７〜９−２４と比較例９−５〜９−６、実施例９−２５〜９−３２と比較例９−７〜９−８）。
【０１１９】
また、（Ａ）アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例９−２〜９−７、実施例９−１０〜９−１５、実施例９−１８〜９−２３、実施例９−２６〜９−３１）。
【０１２０】
【表１１】
2018157174.tif 000013
【０１２１】
表１１は、（Ａ２）有機アルカリ性化合物がコリンであり、（Ａ１）無機アルカリ性化合物が水酸化ナトリウム（水酸化Ｎａ、アルカリ金属水酸化物塩）であり、コリン：水酸化Ｎａの質量比率が２：１の例である。（Ａ）アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．００超１．８５未満である実施例における処理時間は、アルカリ水溶液が（Ｂ）アンモニウムイオンを含まず、モル比率（Ａ／Ｂ）が０．００である比較例や（Ｂ）アンモニウムイオンを含み、モル比率（Ｂ／Ａ）が１．８５以上である比較例と比べて、短くなった（実施例１０−１〜１０−８と比較例１０−１〜１０−２、実施例１０−９〜１０−１６と比較例１０−３〜１０−４、実施例１０−１７〜１０−２４と比較例１０−５〜１０−６、実施例１０−２５〜１０−３２と比較例１０−７〜１０−８）。
【０１２２】
また、（Ａ）アルカリ性化合物の含有量が等しい場合、モル比率（Ｂ／Ａ）が０．０４〜１．６７である実施例において、処理時間が短くなる効果が高いことが確認された（実施例１０−２〜１０−７、実施例１０−１０〜１０−１５、実施例１０−１８〜１０−２３、実施例１０−２６〜１０−３１）。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明のソルダーレジストパターンの形成方法は、例えば、配線の一部にフリップチップ接続用の接続パッドを備えた回路基板のソルダーレジストパターンの形成を行う用途に適用できる。
【符号の説明】
【０１２４】
１  絶縁層
２  導体配線
３  ソルダーレジスト層
４  フォトマスク
５  活性光線
６  接続パッド
【図１】
2018157174.tif 000014
【図２】
2018157174.tif 000015
【図３】
2018157174.tif 000016
【図４】
2018157174.tif 000017
【図５】
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