(57)【要約】【課題】エキスパンド工程において大きく拡張させても、リングフレームから剥がれることがなく、ウエハ内部の改質領域に力が充分に伝達されウエハを歩留まりよくチップ化することができる粘着テープを提供する。【解決手段】基材フィルムと、基材フィルムの少なくとも一面側に形成された粘着剤層とを有する粘着テープであって、５％モジュラスが６．５ＭＰａ以下であり、粘着剤層のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ以上であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一面側に形成された粘着剤層とを有する粘着テープであって、
５％モジュラスが６．５ＭＰａ以下であり、
前記粘着剤層のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ以上であることを特徴とする粘着テープ。
【請求項２】
前記粘着剤層は、エネルギー線を照射することにより硬化するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物により形成されることを特徴とする請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項３】
前記粘着剤層は、アクリル系ポリマーを含む粘着剤組成物により形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の粘着テープ。
【請求項４】
前記基材フィルムは、ポリオレフィンからなることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれ一項に記載の粘着テープ。
【請求項５】
半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該半導体ウエハ内部に破断起点となる改質領域を形成するレーザー加工工程と、
前記半導体ウエハに前記粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、
エキスパンドすることで前記半導体ウエハを分断ラインに沿って個片化する個片化工程とを含む半導体ウエハの個片化方法に用いられることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれ一項に記載の粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等をチップ状の素子に分断するダイシング工程において、半導体ウエハ等を固定するのに利用できるとともに、エキスパンドすることによりチップ状に分断するのに利用できる、エキスパンド可能な粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）などの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後のウエハを薄膜化するためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、ウエハの裏面に粘着性および伸縮性のある粘着テープを貼り付けた後、ウエハをチップ単位に分断するダイシング工程、粘着テープを拡張（エキスパンド）するエキスパンド工程、分断されたチップをピックアップするピックアップ工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する（あるいは、スタックドパッケージにおいては、チップ同士を積層、接着する）ダイボンディング（マウント）工程が実施される。
【０００３】
上記ダイシング工程では、一般に、基材フィルム上に粘着剤層が積層された粘着テープが使用される。このような粘着テープを用いる場合は、まず、ウエハの裏面に粘着テープの粘着剤層を貼合してウエハを固定し、ダイシングブレードを用いてウエハをチップ単位にダイシングする。その後、粘着テープをウエハの径方向に拡張することによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に、隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。
【０００４】
近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。このような極薄ウエハは、上述のような高速回転するダイシングブレードにより切断されると、半導体ウエハの特に裏面側にチッピング等が生じ、チップの抗折強度が著しく低下するという問題があった。
【０００５】
このため、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質領域を形成させながらダイシングラインを形成して改質領域を起点として半導体ウエハを切断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている（特許文献１）。ステルスダイシング法によれば、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して改質領域を形成後、極薄の半導体ウエハを粘着テープに貼付し、粘着テープをエキスパンドすることで、ダイシングラインに沿って半導体ウエハを分割（ダイシング）し、半導体チップを歩留まりよく生産することができる。
【０００６】
上述のステルスダイシング法によれば、レーザー光の照射および粘着テープの拡張によって、非接触でウエハを切断するので、ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハのチッピングを発生させることなくウエハの切断が可能である。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３７６２４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このようなステルスダイシング法を用いて、微小サイズの半導体チップを生産する場合、スクライブラインと呼ばれる半導体チップ間のラインが増加することから、粘着テープをより大きく拡張させることが必要となる。しかしながら、大きく拡張させると、粘着テープが通常よりも引き伸ばされるため、従来の粘着テープでは、粘着テープを固定しているリングフレームから剥がれてしまい、ウエハ内部の改質領域に力が充分に伝達されず、ウエハを歩留まりよくチップ化できないという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、個片化工程においてエキスパンドにより大きく拡張させても、リングフレームから剥がれることがなく、ウエハ内部の改質領域に力が充分に伝達されウエハを歩留まりよくチップ化することができる粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以上の課題を解決するため、本発明に係る粘着テープは、基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一面側に形成された粘着剤層とを有する粘着テープであって、５％モジュラスが６．５ＭＰａ以下であり、前記粘着剤層のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ以上であることを特徴とする。
【００１１】
上記粘着テープは、前記粘着剤層が、エネルギー線を照射することにより硬化するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物により形成されることが好ましい。
【００１２】
また、上記粘着テープは、前記粘着剤層が、アクリル系ポリマーを含む粘着剤組成物により形成されることが好ましい。
【００１３】
また、上記粘着テープは、前記基材フィルムがポリオレフィンからなることが好ましい。
【００１４】
また、上記粘着テープは、半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該半導体ウエハ内部に破断起点となる改質領域を形成するレーザー加工工程と、前記半導体ウエハに前記粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、エキスパンドすることで前記半導体ウエハを分断ラインに沿って個片化する個片化工程とを含む半導体ウエハの個片化方法に用いられることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、個片化工程においてエキスパンドにより大きく拡張させても、リングフレームから剥がれることがなく、ウエハ内部の改質領域に力が充分に伝達されウエハを歩留まりよくチップ化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る粘着テープを用いた半導体ウエハの個片化方法におけるレーザー加工工程を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る粘着テープを用いた半導体ウエハの個片化方法におけるテープ貼付工程を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る粘着テープを用いた半導体ウエハの個片化方法における個片化工程を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る粘着テープを用いた半導体チップのピックアップ工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態に係る粘着テープ１を示す断面図である。本発明の粘着テープ１は、エキスパンドにより半導体ウエハ６（図２参照）内部に形成された改質領域７（図２参照）を起点として分断ラインに沿って個片化する際に用いられるものである。この粘着テープ１は、基材フィルム２と基材フィルム２上に設けられた粘着剤層３とを有する。粘着テープ１は、粘着剤層３の取り扱い性をよくするために、セパレータ４が粘着剤層３上に設けられていてもよい。
【００１９】
粘着テープ１は、５％モジュラスが６．５ＭＰａ以下であり、粘着剤層３のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ以上である。なお、粘着剤層３を、後述するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物により形成した場合には、エネルギー線照射の前後で、粘着テープ１の５％モジュラスおよび粘着剤層３のプローブタック試験の積分値が変化する場合がある。エキスパンドによる個片化工程は、通常、エネルギー線照射前に行うが、エネルギー線照射後に行われることもある。したがって、本発明において規定する粘着テープ１の５％モジュラス、粘着剤層３のプローブタック試験の積分値は、通常、エネルギー線照射前の物性値であるが、エネルギー線照射後に上記物性値を満足する粘着テープも本発明の範囲に含まれる。エキスパンドによる個片化工程において上記物性値を満足することが重要となる。
【００２０】
なお、基材フィルム２および粘着剤層３は、半導体ウエハ６を個片化する際に用いられるリングフレーム８（図３等参照）に対応する形状に切断（プリカット加工）されていることが好ましい。さらに、本発明の粘着テープ１は、ウエハ１枚分ごとに切断された形態であってもよいし、ウエハ１枚分ごとに切断されたものが複数形成された長尺のセパレータ４を、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各層の構成について説明する。
【００２１】
＜基材フィルム＞
基材フィルム２は、均一かつ等方的な拡張性を有するとエキスパンドによる個片化工程においてウエハが全方向に偏りなく切断できる点で好ましく、その材質については、粘着テープ１の５％モジュラスが６．５ＭＰａ以下となるものであれば、とくに限定されない。
【００２２】
基材フィルム２を構成する樹脂については、例えば、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、エチレン・プロピレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体加硫物、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸ブチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリアミド、アイオノマー、ニトリルゴム、ブチルゴム、スチレンイソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、天然ゴムおよびその水添加物または変性物等などを用いてもよい。
【００２３】
中でも、基材フィルム２は、エキスパンド時に優れた伸張性を示すことから、ポリオレフィンからなることが好ましい。ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【００２４】
特に、アイオノマーが用いられた基材フィルム２の場合、基材フィルム２の繰り出し方向と幅方向に対して均一な物性を獲得することができる。従って、エキスパンドでの分割が行われる場合に個片化されたチップ間隔を均一にできる。
【００２５】
なお、図１に示す例では、基材フィルム２は単層であるが、これに限定されず、２種以上の樹脂を積層させた複数層構造であってもよいし、１種類の樹脂を２層以上に積層させてもよい。２種以上の樹脂は、架橋性か非架橋性かが統一されていれば各々の特性がより増強されて発現する観点で好ましく、架橋性か非架橋性を組合わせて積層した場合には各々の欠点が補われる点で好ましい。
【００２６】
薄すぎると取扱いが難しく、厚すぎるとコストが高くなるため、５０〜２００μｍが好ましく、８０〜１５０μｍがさらに好ましい。
【００２７】
複数層の基材フィルム２の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。
【００２８】
基材フィルム２の粘着剤層３に接する面には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。
【００２９】
＜粘着剤層＞
本発明の粘着テープ１において、粘着剤層３を構成する粘着剤組成物は、粘着剤層３のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ以上となるものであれば、とくに限定されない。
【００３０】
粘着剤層３は、種々の粘着剤組成物により形成され得る。例えば、天然ゴムや各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤組成物が用いられる。この中でも、アクリル系ポリマー、例えば、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合体を使用することが好ましい。
【００３１】
これらの樹脂成分に凝集力を付加するために、粘着剤層３を構成する粘着剤組成物には、架橋剤を配合することができる。該架橋剤としては、樹脂成分中の官能基に対応して、この官能基と反応可能な官能基を有する架橋剤を適宜選択することにより、粘着剤に凝集力を付与するとともに、初期の粘着力を所望の値に設定することができる。架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。
【００３２】
汎用性の点から、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤が好ましい。具体的には、多価イソシアネート化合物、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどが用いられる。
【００３３】
また、粘着剤層３を構成する粘着剤組成物は、半導体ウエハ６を個片化した後のピックアップ性を向上させるために、エネルギー線を照射することにより硬化するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物であることが好ましい。なお、ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。
【００３４】
エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、たとえば、特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるが、これらに限定されることはない。
【００３５】
本発明においては、紫外線硬化型粘着剤組成物を用いることが好ましい。その場合には、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、例えば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性の樹脂成分に対して、分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結合を有する低分子量の光重合性化合物（以下、光重合性化合物という）および光重合開始剤を配合することができる。
【００３６】
光重合性化合物としては、たとえば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オルガノポリシロキサン組成物、市販のオリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。
【００３７】
粘着剤を構成する樹脂成分として、光硬化性炭素−炭素二重結合を有するものを使用してもよい。例えば、主鎖の繰り返し単位に対して光硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ官能基を有するアクリル系共重合体及び／又はメタクリル系共重合体（ａ１）と、該官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（ａ２）とを反応させて得たものを挙げることができる。前記の主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ官能基を有するアクリル系共重合体及び／又はメタクリル系共重合体（ａ１）は、例えば、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルなどの単量体（ａ１−１）と、官能基を有する単量体（ａ１−２）とを共重合させて得ることができる。
【００３８】
単量体（ａ１−１）としては、例えば、アルキルエステルのアルキル基の炭素数が６〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート）を挙げることができる。また、アルキルエステルのアルキル基の炭素数が５以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなど）を挙げることができる。
【００３９】
単量体（ａ１−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。単量体（ａ１−−２）の具体例としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００４０】
前記（ａ２）の官能基がカルボキシル基や環状酸無水基の場合は、（ａ１）の有する官能基としては、例えば、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。また（ａ２）の官能基が水酸基の場合は、（ａ１）の有する官能基としては、例えば、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができる。（ａ２）の官能基がアミノ基の場合は、（ａ１）の有する官能基としては、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。（ａ２）の官能基がエポキシ基である場合には、（ａ１）の有する官能基としては、例えば、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができる。
【００４１】
紫外線硬化型粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を混入することにより、紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくなることができる。このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
【００４２】
なお、粘着剤組成物には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤などが含まれていてもよい。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００４３】
粘着剤層３の厚さは特に制限されないが、好ましくは４〜３０μｍ、特に好ましくは５〜２５μｍである。
【００４４】
粘着剤層３は、従来の粘着剤層の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上記粘着剤組成物を、基材フィルム２の所定の面に塗布して形成する方法や、上記粘着剤組成物を、セパレータ（例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルム又はシート等）上に塗布して粘着剤層３を形成した後、該粘着剤層３を基材の所定の面に転写する方法により、基材フィルム２上に粘着剤層３を形成することができる。なお、粘着剤層３は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。
【００４５】
＜セパレータ＞
セパレータ４は、粘着剤層３の取り扱い性をよくするとともに粘着剤層３を保護するためのものである。本実施の形態の粘着テープ１に用いられるセパレータ４としては、ポリエステル（ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＥＮ、ＰＢＮ、ＰＴＴ）系、ポリオレフィン（ＰＰ、ＰＥ）系、共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、ＥＢＡ）系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。
【００４６】
セパレータ４の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜５０μｍが好ましい。
【００４７】
粘着剤層３は、プローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ以上である。プローブタック試験の積分値は、例えば、株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩを用いて求めることができる。具体的には、粘着テープ１の粘着剤層３を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させる。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは３０ｍｍ／ｍｉｎであり、接触荷重は０．９８Ｎであり、接触時間は１秒である。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、その積分値を求める。測定温度は２３℃である。
【００４８】
粘着剤層３のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ未満であると、エキスパンドによる個片化工程において粘着テープ１を大きく拡張させたとき、粘着力が不十分であるためリングフレームから剥がれてしまい、半導体ウエハ６を分断することができない。
【００４９】
粘着テープ１は、５％モジュラスが６．５ＭＰａ以下である。粘着テープ１の５％モジュラスは、ＪＩＳ Ｋ ７１２７／２／３００に準拠して引張強度試験機を用いて測定することができ、例えば、株式会社東洋精機製作所製のストログラフ試験機を用いて測定することができる。５％モジュラスは、粘着テープ１の２５ｍｍ幅の短冊状サンプルを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下、標線間距離およびつかみ間距離が１００ｍｍ、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で引張試験を行い、５％歪み時の応力を測定することにより得られる。
【００５０】
粘着テープ１の５％モジュラスが６．５ＭＰａより大きいと、エキスパンドによる粘着テープ１の応力により、粘着テープ１がリングフレームから剥離してしまうため、半導体ウエハ６を分断することができない。
【００５１】
＜用途＞
本発明の粘着テープ１は、本発明の粘着テープ１は、エキスパンドにより半導体ウエハ６（図２参照）内部に形成された改質領域７（図２参照）を起点として分断ラインに沿って個片化する個片化工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法（Ａ），（Ｂ）において好適に使用できる。
【００５２】
半導体装置の製造方法（Ａ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを前記ウエハ裏面に粘着テープの粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成するレーザー加工工程と、
（ｆ）前記粘着テープを拡張することにより、前記ウエハを分断ラインに沿って分断し、複数のチップを得る個片化工程と、
（ｇ）前記チップを、前記粘着テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【００５３】
半導体装置の製造方法（Ｂ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを前記ウエハ裏面に前記粘着テープの粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記粘着テープを拡張することにより、前記ウエハを分断ラインに沿って分断し、複数のチップを得る個片化工程と、
（ｇ）前記チップを、前記粘着テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【００５４】
＜使用方法＞
本発明の粘着テープ１を、上記半導体装置の製造方法（Ｂ）に適用した場合の、粘着テープ１の使用方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。
【００５５】
まず、回路パターンが形成された半導体ウエハ６の表面に、紫外線硬化性成分を粘着剤に含む、回路パターン保護用の表面保護テープ１３（図２参照）を貼合し、半導体ウエハ６の裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
【００５６】
バックグラインド工程の終了後、図２に示すように、半導体ウエハ６の分割予定部分にレーザー光を照射して、半導体ウエハ６の内部に多光子吸収による改質領域７を形成する。
【００５７】
次に、半導体ウエハ６の裏面に粘着テープ１を貼合する。粘着テープ１の粘着剤層３と半導体ウエハ６の裏面を貼り合わせるとともに、粘着剤層３の外周部とリングフレーム８（図３参照）を貼り合わせる。
【００５８】
次に、粘着テープ１が貼合された半導体ウエハ６を粘着テープ１側を下にして吸着テーブル（図示しない）上へ載置する。そして、吸着テーブルに吸着固定された半導体ウエハ６の上方から、エネルギー線光源を用いて、例えば１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を表面保護テープ１３の基材面側に照射し、表面保護テープ１３の半導体ウエハ６に対する粘着力を低下させ、半導体ウエハ６表面から表面保護テープ１３を剥離する。これにより、図３に示すように、リングフレーム８に、改質領域７が設けられた半導体ウエハ６が貼り付けられた粘着テープ１が保持された状態となる。
【００５９】
次に、リングフレーム８に、改質領域７が設けられた半導体ウエハ６が貼り付けられた粘着テープ１を、基材フィルム２側を下にして、エキスパンド装置のステージ(図示しない)上に載置する。
【００６０】
次に、図４に示すように、リングフレーム８を固定した状態で、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材１０を上昇させ、粘着テープ１を拡張（エキスパンド）する。拡張条件としては、エキスパンド速度が、例えば５〜５００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量（突き上げ量）が、例えば５〜２５ｍｍである。このように粘着テープ１が半導体ウエハ６の径方向に引き伸ばされることで、半導体ウエハ６が、前記改質領域７を起点としてチップ９単位に分断される。
【００６１】
その後、粘着剤層３にエネルギー線硬化処理または熱硬化処理等を施し、粘着剤層３の半導体ウエハ６に対する粘着力を弱めた後、図５に示すように、チップ９を基材フィルム２側から突き上げピン１１で突き上げて、吸着コレット１２によりピックアップする。
【００６２】
＜実施例＞
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００６３】
（１）基材フィルムの作成
＜基材フィルム１＞
エチレン−酢酸ビニル共重合体（株式会社ＮＵＣ製  商品名「ＮＵＣ−３６６０」）を使用し、１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍとなるように成形して基材フィルム１を作成した。
＜基材フィルム２＞
エチレン−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）−Ｚｎ++アイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル株式会社製、商品名「ハイミランＡＭ７３１６」）を１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍとなるように成形して基材フィルム２を作成した。
＜基材フィルム３＞
ポリプロピレン（株式会社プライムポリマー製、商品名「Ｆ２２７Ｄ」）を１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍとなるように成形して基材フィルム３を作成した。
【００６４】
（２）粘着剤の調製
＜粘着剤１＞
アクリル系ベースポリマー（２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、重量平均分子量３０万、ガラス転移点＝−３５℃）１００質量部に対して、ポリイソシアネート化合物（東ソー株式会社製、商品名「コロネートＬ」）２質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート７５質量部、および光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、商品名「イルガキュア１８４」）を、１．５質量部を添加し混合して、アクリル系の粘着剤１を得た。
【００６５】
＜粘着剤２＞
アクリル系ベースポリマー（２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、重量平均分子量３０万、ガラス転移点＝−３５℃）１００質量部に対して、ポリイソシアネート化合物（東ソー株式会社製、商品名「コロネートＬ」）３質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート５０質量部、および光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、商品名「イルガキュア１８４」）１．５質量部を添加し混合して、アクリル系の粘着剤２を得た。
【００６６】
（３）粘着テープの作成
＜実施例１＞
粘着剤１を酢酸エチルに溶解させ攪拌した粘着剤組成物を、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、基材フィルム１と貼り合わせ、基材フィルム上に粘着剤層が形成された実施例１に係る粘着テープを作成した。
【００６７】
＜実施例２、比較例１〜３＞
基材フィルム、粘着剤、粘着剤層の厚さを表１に記載の組合せにした以外は、実施例１と同様の手法により、実施例２、比較例１〜３に係る粘着テープを作成した。
【００６８】
実施例・比較例に係る粘着テープの５％モジュラス、粘着剤層のプローブタック試験の積分値、半導体ウエハの分断性、粘着テープのリングフレームからの剥離について、下記のように測定、評価を行った。その結果を表１に示す。
【００６９】
（４）５％モジュラス値の測定
実施例・比較例に係る粘着テープについて、２５ｍｍ幅の短冊状サンプルを作成した。該短冊状サンプルを、ＪＩＳ Ｋ ７１２７／２／３００に準拠して、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下、標線間距離およびつかみ間距離が１００ｍｍ、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で引張試験を行い、５％歪み時の応力を測定した。測定には、株式会社東洋精機製作所製のストログラフ試験機を用いた。
【００７０】
（５）プローブタック試験の積分値
株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩを用いて行った。測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続ける”Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｏａｄ”を用いた。粘着テープの粘着剤層を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させた。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは３０ｍｍ／ｍｉｎであり、接触荷重は０．９８Ｎであり、接触時間は１秒である。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、その積分値を読み取った。プローブ温度は２３℃であり、プレート温度は２３℃とした。
【００７１】
（６）リングフレームからの剥離
回路パターンが形成された半導体ウエハ（厚さ５０μｍ、径３００ｍｍ）にレーザー光を照射し、ウエハ内部に改質領域を形成した。レーザー照射後の半導体ウエハ及びステンレス製のリングフレームに、粘着テープをラミネートした。次に、エキスパンド装置によりリングフレームを固定し、粘着テープを以下のエキスパンド条件にてエキスパンドした。
エキスパンド速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ
エキスパンド量：２５ｍｍ
ここで、エキスパンド量とは、押下げ前と押下げ後のリングフレームと突き上げ部材の相対位置の変化量をいう。
なお、チップサイズは０．５ｍｍ×０．５ｍｍである。
【００７２】
上記エキスパンドを実施した後、粘着テープを目視にて観察し、リングフレームからの剥離がなかったものを良品として「○」とし、一部でも剥離が見られたものを不良品として「×」として評価した。
【００７３】
（７）ウエハ分断性
上記エキスパンドを実施した後、半導体ウエハがチップに分割されているか否かを、光学顕微鏡で観察し、全て分割されているものを良品として「○」とし、一部でも分割されていないものを不良品として「×」として評価した。
【００７４】
【表１】
2018165293.tif 000003
【００７５】
表１に示すように、実施例１，２は、粘着テープの５％モジュラスが６．５ＭＰａ以下であり、粘着剤層のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ以上であるため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において良好な結果となった。
【００７６】
一方、比較例１は、粘着テープの５％モジュラスが６．５ＭＰａより大きく、粘着剤層のプローブタック試験の積分値も１２ｋＰａ未満であるため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において劣る結果となった。比較例２は、粘着テープの５％モジュラスが６．５ＭＰａより大きく、エキスパンドの際に粘着テープにかかる応力により粘着テープがリングフレームから剥離したため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において劣る結果となった。比較例３は、粘着剤層のプローブタック試験の積分値が１２ｋＰａ未満であり、粘着力不足によりエキスパンドの際に粘着テープがリングフレームから剥離したため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において劣る結果となった。
【符号の説明】
【００７７】
１：粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
６：半導体ウエハ
７：改質領域
８：リングフレーム
【図１】
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【図２】
2018165293.tif 000005
【図３】
2018165293.tif 000006
【図４】
2018165293.tif 000007
【図５】
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