(57)【要約】【課題】ボイドが接合部材の内部に残るのを抑制できる電子装置を提供する。【解決手段】電子装置は、基板３０と、第１ランド３２０と、モールドパッケージと、はんだと、を備えている。基板３０は、絶縁基材と、一面３２０ａを有する第１ランド３２０と、を有している。モールドパッケージは、一面３２０ａと対向する放熱面を有している。はんだは、一面３２０ａ及び放熱面の対向領域に配置され、モールドパッケージ及び第１ランド３２０を互いに接合している。第１ランド３２０には、一面３２０ａに開口する複数の凹部３４が形成されている。複数の凹部３４は、一面３２０ａにおいて第１ランド３２０の中心Ｃから外周端Ｅへ向かって並んでいる。複数の凹部３４において、外周端Ｅに近い凹部３４を外側凹部、外側凹部よりも中心Ｃに近い凹部３４を内側凹部とすると、外側凹部の容積は内側凹部の容積以上とされている。【選択図】図２
2018032817.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材（３１）と、前記絶縁基材の表面（３１ａ）に形成され、前記絶縁基材と反対側の一面（３２０ａ）を有するランド（３２０）と、を有する基板（３０）と、
前記一面に対向する対向面（２２ｂ）を有する電子部品（２０）と、
前記一面及び前記対向面の対向領域に配置されて、前記電子部品及び前記ランドを互いに接合する接合部材（４０）と、を備え、
前記ランドには、前記一面に開口する複数の凹部（３４）が形成され、
複数の前記凹部は、前記一面において前記ランドの中心（Ｃ）から外周端（Ｅ）へ向かって並んでおり、
複数の前記凹部において、前記外周端に近い前記凹部を外側凹部、前記外側凹部よりも前記中心に近い前記凹部を内側凹部とすると、前記外側凹部の容積は前記内側凹部の容積以上とされている電子装置。
【請求項２】
前記外側凹部の容積は、前記内側凹部の容積よりも大きくされている請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記ランドでは、前記中心を囲むように複数の前記凹部が形成されている請求項１又は請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記ランドには、前記外周端から前記中心へ向かう切れ込み（３６）が形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記絶縁基材には、ビアホール（３５）が形成されており、
前記基板は、前記ビアホール内及び前記表面に形成されて前記ランドをなす導体層（３２）をさらに有し、
前記凹部は、前記基板の厚さ方向の投影視において、前記ビアホールと重なる位置に形成されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記凹部の壁面は、球面形状とされている請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記電子部品は、アイランド（２２）と、前記アイランドの搭載面（２２ａ）に配置された半導体素子（２１）と、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリード（２３）と、前記アイランド、前記半導体素子、及び、前記リードを封止するモールド樹脂（２４）と、を有し、前記リードの夫々の一部が前記モールド樹脂から露出するとともに、前記アイランドにおける前記搭載面と反対側の面が前記対向面として前記モールド樹脂から露出しているモールドパッケージとされている請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記接合部材は、フラックスを含むはんだとされている請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項９】
前記表面に配置され、前記電子部品を前記表面ごと封止する樹脂成形体（５０）をさらに備えている請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ランドを有する基板と、基板に配置された電子部品と、電子部品をランドに接合する接合部材と、を備える電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載のように、はんだを介してパッケージＩＣと接合される電気回路基板が知られている。電気回路基板は、絶縁基板及びはんだ付着部を備えている。はんだ付着部は、導電性金属を用いて形成されており、絶縁基板においてパッケージＩＣに面する部分に配置されている。電気回路基板には、はんだ付着部を複数に分割するはんだ非付着部が形成されている。はんだ非付着部は、はんだ内のボイドを外部に排出するための流路を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１４７７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記構成では、はんだ非付着部の形成する流路にもはんだが配置される場合がある。この場合、流路に配置されたはんだ内のボイドが外部へ排出されるためには、ボイドが流路内のはんだを通って外部へ移動するか、又は、はんだ付着部を乗り越えて外部へ移動する必要がある。特に、はんだの外部の空気との距離が長い位置に発生したボイドは、外部へ排出され難く、はんだ内に残ってしまう虞がある。
【０００５】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、ボイドが接合部材の内部に残るのを抑制できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として下記の実施形態における具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。
【０００７】
本発明のひとつは、
絶縁基材（３１）と、絶縁基材の表面（３１ａ）に形成され、絶縁基材と反対側の一面（３２０ａ）を有するランド（３２０）と、を有する基板（３０）と、
一面に対向する対向面（２２ｂ）を有する電子部品（２０）と、
一面及び対向面の対向領域に配置されて、電子部品及びランドを互いに接合する接合部材（４０）と、を備え、
ランドには、一面に開口する複数の凹部（３４）が形成され、
複数の凹部は、一面においてランドの中心（Ｃ）から外周端（Ｅ）へ向かって並んでおり、
複数の凹部において、外周端に近い凹部を外側凹部、外側凹部よりも中心に近い凹部を内側凹部とすると、外側凹部の容積は内側凹部の容積以上とされている。
【０００８】
接合部材内に複数のボイドが形成されると、複数のボイドは互いに接触して大きくなる。大きくなったボイドは、球状の形を保とうとして、凹部内に移動する。これによれば、各凹部内に大きいボイドが配置される。
【０００９】
上記構成において、複数の凹部は、一面において、ランドの中心から外周端へ向かって並んでいる。これによれば、凹部が並んでいない構成に較べて、凹部同士の距離が長くなるのを抑制できる。よって、互いに異なる凹部内に配置されたボイドは、互いに接触し易い。すなわち、ボイドは凹部間を移動し易い。
【００１０】
ところでランドの中心付近では、接合部材の外部の空気との距離が長い。そのため、ランドの中心付近に生じたボイドは、外周端付近に生じたボイドに較べて、接合部材の外部へ排出され難い。
【００１１】
これに対して上記構成では、外側凹部の容積が内側凹部の容積以上とされている。これによれば、内側凹部内のボイドは、凹部に対して相対的に大きくなり易く、球状の形を保ち難い。そのため、内側凹部内のボイドは、外側凹部内のボイドに較べて動き易い。よって、内側凹部内のボイドは、移動して、外側凹部内のボイドと接触する。
【００１２】
ボイド同士の接触により、外側凹部内のボイドは、さらに大きくなる。これにより、外側凹部内のボイドは、凹部よりも大きくなり易く、動き易い。よって、外側凹部内のボイドは、移動して、接合部材の外部の空気と接触する。外側凹部内のボイドは、外部の空気と接触すると、接合部材から排出される。以上によれば、中心付近に生じたボイドは、凹部を介して接合部材の外部へ排出される。よって、接合部材にボイドが残るのを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】基板の構造を示す平面図である。
【図３】凹部の形状を示す断面図である。
【図４】基板形成工程について説明するための断面図である。
【図５】基板形成工程について説明するための断面図である。
【図６】はんだ塗布工程について説明するための断面図である。
【図７】加熱工程について説明するための断面図である。
【図８】加熱工程について説明するための断面図である。
【図９】加熱工程について説明するための断面図である。
【図１０】加熱工程について説明するための断面図である。
【図１１】第２実施形態に係る電子装置において、基板の構造を示す平面図である。
【図１２】第３実施形態に係る電子装置において、基板の構造を示す平面図である。
【図１３】第４実施形態に係る電子装置において、基板の構造を示す平面図である。
【図１４】第５実施形態に係る電子装置において、基板の構造を示す平面図である。
【図１５】第１変形例に係る電子装置において、基板の構造を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面を参照して説明する。なお、複数の実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また基板の厚さ方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する特定の方向をＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向と示す。
【００１５】
（第１実施形態）
先ず、図１〜図３に基づき、電子装置１０の概略構成について説明する。
【００１６】
図１に示すように、電子装置１０は、モールドパッケージ２０、基板３０、はんだ４０、及び、樹脂成形体５０を備えている。電子装置１０としては、例えば車両用のＥＣＵを採用できる。
【００１７】
モールドパッケージ２０は、半導体素子２１、アイランド２２、リード２３、及び、モールド樹脂２４を有している。半導体素子２１は、基板３０の導体層３２とともに回路を形成する。半導体素子２１は、例えば、半導体チップに回路素子が形成されてなるＩＣチップである。半導体素子２１は、ＸＹ平面において矩形状をなしている。半導体素子２１において矩形状をなす２組の辺のうちの、一方がＸ方向に沿い、他方がＹ方向に沿っている。モールドパッケージ２０は、特許請求の範囲に記載の電子部品に相当する。
【００１８】
アイランド２２及びリード２３は、リードフレームを構成している。アイランド２２は、厚さ方向がＺ方向に沿う金属板である。アイランド２２は、ＸＹ平面において矩形状をなしている。アイランド２２は、Ｚ方向と直交する搭載面２２ａを有している。搭載面２２ａには、接着材等のダイボンド材２５を介して、半導体素子２１が固定配置されている。アイランド２２のうちの搭載面２２ａと反対の放熱面２２ｂは、モールド樹脂２４から露出している。放熱面２２ｂは、ＸＹ平面において矩形状をなしている。
【００１９】
リード２３は、モールド樹脂２４の内部に配置されたボンディングワイヤ２６を介して、半導体素子２１と電気的に接続されている。リード２３は、モールドパッケージ２０における外部接続端子である。リード２３は、基板３０との接続が可能となるように、モールド樹脂２４の内外にわたって延びて、一部がモールド樹脂２４から露出している。すなわち、リード２３は、モールド樹脂２４の内部に配置されたインナーリード部と、モールド樹脂２４から外部に突出したアウターリード部を有している。アウターリード部は、屈曲部を有しており、屈曲部から基板３０側に向かって延びている。
【００２０】
モールドパッケージ２０は、複数のリード２３を有している。本実施形態では、モールドパッケージ２０としてＱＦＰ（Quad Flat Package）を採用している。リード２３は、ＸＹ平面において矩形状をなすモールド樹脂２４の４つの側面２４ａの夫々から外部に突出している。
【００２１】
モールド樹脂２４は、半導体素子２１、アイランド２２、及び、リード２３を一体的に封止している。モールド樹脂２４は、半導体素子２１を被覆保護している。モールド樹脂２４は、アイランド２２及びリード２３に対して夫々の一部分を封止している。モールド樹脂２４は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いて形成されている。
【００２２】
モールド樹脂２４は、ＸＹ平面において矩形状をなしている。モールド樹脂２４は、基板３０との対向面である下面２４ｂを有している。下面２４ｂは、アイランド２２の放熱面２２ｂと面一とされている。下面２４ｂは、放熱面２２ｂを囲む環状をなしている。モールドパッケージ２０では、モールド樹脂２４から放熱面２２ｂが露出していることで、半導体素子２１の熱をアイランド２２から外部へ伝達できる。
【００２３】
基板３０は、絶縁基材３１と導体層３２とを有する多層基板である。基板３０は、配線基板と称することもできる。絶縁基材３１は、樹脂等の電気絶縁性材料を用いて形成されている。絶縁基材３１は、モールドパッケージ２０側の表面３１ａ、及び、表面３１ａと反対の面である裏面３１ｂを有している。
【００２４】
導体層３２は、金属材料を用いて形成されている。基板３０は、導体層３２として、絶縁基材３１の内部に配置された内層３２ａと、表面３１ａ及び裏面３１ｂに配置された表層３２ｂと、を有している。基板３０は、表面３１ａに配置された表層３２ｂとして、アイランド２２に接続された第１ランド３２０、及び、リード２３に接続された第２ランド３２１を有している。
【００２５】
第１ランド３２０は、表面３１ａにおいて放熱面２２ｂとＺ方向に対向する位置に形成されている。すなわち、第１ランド３２０は、放熱面２２ｂと対向する一面３２０ａを有している。よって、放熱面２２ｂは、モールドパッケージ２０における第１ランド３２０との対向面である。
【００２６】
第１ランド３２０は、Ｚ方向の投影視において放熱面２２ｂの少なくとも一部と重なるように配置されている。第１ランド３２０は、はんだ４０を介し、アイランド２２に対して熱的に接続されている。第１ランド３２０は、ＸＹ平面において各辺がＸ方向又はＹ方向に沿う矩形状をなしている。言い換えると、第１ランド３２０の外周端Ｅは、ＸＹ平面において矩形状をなしている。
【００２７】
第１ランド３２０には、アイランド２２及びはんだ４０を介して半導体素子２１の熱が伝達される。第１ランド３２０は、放熱用のランドである。第１ランド３２０は、内層３２ａを介して、裏面３１ｂに配置された図示しない表層３２ｂに接続されている。これにより、半導体素子２１の熱を裏面３１ｂ側に放熱できる。第１ランド３２０は、回路を形成するものではなく、基板３０において電気的な接続機能を提供しない。
【００２８】
図２及び図３に示すように、第１ランド３２０には、一面３２０ａに開口する複数の凹部３４が形成されている。凹部３４は、溝又は有底穴と称することもできる。なお、図１では、便宜上、凹部３４を示していない。
【００２９】
図２では、モールドパッケージ２０と接続されておらず、且つ、樹脂成形体５０によって封止されていない状態の基板３０について示している。図２では、第１ランド３２０及び第２ランド３２１の平面形状を明確にするために、ハッチングを施している。なお、第１ランド３２０において凹部３４が形成された部分には、ハッチングを施していない。
【００３０】
本実施形態において第１ランド３２０に形成された全ての凹部３４は、壁面が球面形状をなしている。言い換えると、第１ランド３２０に形成された全ての凹部３４は、半球状、又は、半楕円体形状をなしている。よって、図２に示すように、一面３２０ａにおける凹部３４の開口の平面形状は、真円形状をなしている。また、図３に示すように、Ｚ方向に沿う凹部３４の断面形状は、半楕円形状をなしている。
【００３１】
複数の凹部３４は、一面３２０ａにおいて、第１ランド３２０の中心Ｃから外周端Ｅへ向かって並んでいる。本実施形態における複数の凹部３４は、第１ランド３２０の中心Ｃと外周端Ｅとを結ぶ直線上に並んでいる。詳述すると、ＸＹ平面において複数の凹部３４の中心は、中心Ｃと外周端Ｅとを結ぶ直線上に並んでいる。
【００３２】
図２では、複数の凹部３４が並ぶ直線を一点鎖線で示している。第１ランドの中心Ｃには、１つの凹部３４が形成されている。言い換えると、１つの凹部３４は、中心Ｃと重なる位置に形成されている。詳述すると、一面３２０ａにおいて、１つの凹部３４の開口の中心が中心Ｃと一致している。中心Ｃは、一面３２０ａにおいて、外周端Ｅから最も遠い点である。
【００３３】
中心ＣのＸ方向の両側において、中心Ｃと外周端Ｅとの間には、２つの凹部３４が形成されている。同様に、中心ＣのＹ方向の両側において、中心Ｃと外周端Ｅとの間には、２つの凹部３４が形成されている。これにより、中心Ｃは、複数の凹部３４によって囲まれている。
【００３４】
第１ランド３２０には、中心Ｃとの距離が互いに異なる３種類の凹部３４が形成されている。以下、中心Ｃに形成された凹部３４を、第１凹部３４ａと示す。また、第１凹部３４ａと隣り合う位置に形成された凹部３４を、第２凹部３４ｂと示す。そして、第２凹部３４ｂの外周端Ｅ側に形成された凹部３４を、第３凹部３４ｃと示す。
【００３５】
複数の凹部３４において、外周端Ｅに近い凹部３４を外側凹部、外側凹部よりも中心Ｃに近い凹部３４を内側凹部とすると、外側凹部の容積は内側凹部の容積以上とされている。すなわち、第１ランド３２０では、外周端Ｅ側の凹部３４の容積が、中心Ｃ側の凹部３４の容積以上とされている。なお、第１凹部３４ａを内側凹部とした場合、第２凹部３４ｂ及び第３凹部３４ｃが外側凹部である。そして、第２凹部３４ｂを内側凹部とした場合、第３凹部３４ｃが外側凹部である。
【００３６】
本実施形態の第１ランド３２０では、容積の大きい凹部３４ほど外周端Ｅに近い位置に形成されている。すなわち、中心Ｃから遠い位置に形成された凹部３４は、中心Ｃに近い凹部３４に較べて、深さが深く、且つ、開口面積が大きい。詳述すると、第２凹部３４ｂ及び第３凹部３４ｃは、第１凹部３４ａに較べて、深さが深く、且つ、開口面積が大きい。また、第３凹部３４ｃは、第２凹部３４ｂに較べて、深さが深く、且つ、開口面積が大きい。
【００３７】
図３に示すように、絶縁基材３１における第１ランド３２０の直下には、複数のレーザービアホール３５が形成されている。第１ランド３２０に凹部３４を形成するために、絶縁基材３１にレーザービアホール３５が形成されている。凹部３４の形成方法については、下記で説明する。各レーザービアホール３５の全体は、Ｚ方向の投影視において、第１ランド３２０と重なる位置に形成されている。また、Ｚ方向の投影視において、各凹部３４と重なる位置に１つのレーザービアホール３５が形成されている。凹部３４は、Ｚ方向の投影視において、半導体素子２１の特に発熱し易い発熱部と重ならない位置に形成されている。
【００３８】
レーザービアホール３５内には、導体層３２が配置されている。レーザービアホール３５内の導体層３２は、第１ランド３２０、及び、内層３２ａに連結されている。レーザービアホール３５は、ＸＹ平面において真円形状をなしている。レーザービアホール３５のＸＹ平面における幅が大きいほど、対応する凹部３４の容積が大きくされている。すなわち、レーザービアホール３５のＸＹ平面における幅が大きいほど、対応する凹部３４の深さが深くなり、且つ、開口面積が大きくされている。
【００３９】
第２ランド３２１は、各リード２３に対応して複数設けられている。本実施形態では、複数の第２ランド３２１が、Ｚ方向の投影視においてモールドパッケージ２０を取り囲むように設けられている。第２ランド３２１は、はんだ４０を介して、対応するリード２３に接続されている。第２ランド３２１は、回路を形成する導体層３２であり、基板３０において電気的な接続機能を提供する。
【００４０】
はんだ４０は、アイランド２２と第１ランド３２０との対向領域、及び、リード２３と第２ランド３２１との対向領域の夫々に介在している。これにより、はんだ４０は、アイランド２２を第１ランド３２０に接合している。すなわち、はんだ４０は、モールドパッケージ２０を第１ランド３２０に接合している。別のはんだ４０は、リード２３を第２ランド３２１に接合している。本実施形態のはんだ４０は、フラックスを含んでいる。はんだ４０は、特許請求の範囲に記載の接合部材に相当する。
【００４１】
樹脂成形体５０は、モールドパッケージ２０を表面３１ａごと封止している。すなわち樹脂成形体５０は、モールドパッケージ２０及び表面３１ａを一体的に封止している。言い換えると、樹脂成形体５０は、モールドパッケージ２０及び表面３１ａと接触しつつ、これらを覆っている。基板３０の裏面３１ｂは、樹脂成形体５０から露出している。よって電子装置１０は、ハーフモールド構造をなしている。樹脂成形体５０は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いて形成されている。樹脂成形体５０には、必要に応じて、アルミナやシリカ等のフィラーが添加されてもよい。
【００４２】
次に、図４〜図１０に基づき、電子装置１０の製造方法について説明する。
【００４３】
先ずは、電子装置１０を形成する基板形成工程を実施する。基板形成工程では、先ず、絶縁基材３１と導体層３２とを積層してプレスする。そして、図４に示すように、絶縁基材３１の表面３１ａにレーザを照射し、複数のレーザービアホール３５を形成する。このとき、互いに容積の異なる複数の凹部３４を形成するために、互いに幅の異なる複数のレーザービアホール３５を形成する。
【００４４】
そして、表面３１ａにめっき処理を施すことで、各レーザービアホール３５内を導体層３２で埋めつつ、第１ランド３２０を形成する。このとき、めっきの厚さを均一とする。これにより、図５に示すように、レーザービアホール３５の幅に応じて容積の異なる凹部３４が形成される。なお第２ランド３２１は、例えば、金属箔をパターニングすることにより形成される。以上により、基板３０を形成できる。
【００４５】
次に、第１ランド３２０及び第２ランド３２１に対してはんだ４０を塗布するはんだ塗布工程を実施する。図６に示すように、はんだ塗布工程では、先ず、はんだ印刷用のマスク６０を表面３１ａに配置する。マスク６０には、第１ランド３２０、及び、第２ランド３２１に対応する部分に穴が開けられている。マスク６０の穴に対し、スキージ６１を用いてペースト状のはんだ４０を流し込む。これにより、第１ランド３２０及び第２ランド３２１にはんだ４０を塗布することができる。
【００４６】
はんだ塗布工程では、第１ランド３２０にはんだ４０を塗布することで、全ての凹部３４内にはんだ４０を配置する。しかしながら、容積の大きい凹部３４ほどはんだ４０が全体に配置され難い。よって、第２凹部３４ｂ及び第３凹部３４ｃでは、はんだ塗布工程の実施後に、はんだ４０との間に隙間が生じる場合がある。
【００４７】
次に、基板３０及びはんだ４０に対してモールドパッケージ２０を配置する配置工程を実施する。配置工程では、第１ランド３２０上のはんだ４０にアイランド２２を接触させるとともに、第２ランド３２１上のはんだ４０にリード２３を接触させる。
【００４８】
次に、はんだ４０を加熱する加熱工程を行う。加熱工程では、例えば、モールドパッケージ２０、基板３０、及び、はんだ４０をリフロー炉に入れて加熱する。はんだ４０は、加熱により溶融する。はんだ４０には、図７に示すように、複数のボイド４１が発生する。このボイド４１は、例えば、はんだ４０のフラックスに含まれる溶剤の気化や、はんだ塗布工程で生じる隙間により発生する。ボイド４１は、はんだ４０の全体で生じる。ボイド４１は、球状をなしている。ボイド４１は、気泡と称することもできる。
【００４９】
はんだ４０は、溶融により流動的になる。これにより、ボイド４１は、はんだ４０内を移動する。特に、体格の小さいボイド４１は、内圧が高く、移動し易い。このとき、ボイド４１内のガス及びはんだ４０の界面に作用する表面張力が、ボイド４１の挙動に影響を与える。はんだ４０では、数の多い小さなボイド４１が形成されているよりも、数の少ない大きなボイド４１が形成されている方が、ボイド４１内のガスとはんだ４０との界面における面積の総和が小さく、安定である。そのため、複数のボイド４１同士は、接触すると、表面張力により合わさって大きくなる。
【００５０】
大きいボイド４１ほど、内圧が低く、移動し難い。よって、はんだ４０では、小さくて移動し易いボイド４１が、大きいボイド４１に向かって移動し、接触により大きいボイド４１に取り込まれる。
【００５１】
ボイド４１は、大きくなった場合であっても、球状の形を保つように動く。しかしながら、第１ランド３２０において凹部３４の形成されていない平坦な領域では、Ｚ方向におけるアイランド２２との距離が近い。そのため、第１ランド３２０において凹部３４の形成されていない平坦な領域の上に形成されたボイド４１は、球状の形を保ち難い。これに対し、凹部３４では、Ｚ方向におけるアイランド２２との距離が確保されている。よって、図８に示すように、各凹部３４内に大きいボイド４１が配置される。
【００５２】
しかしながら、小さい凹部３４内のボイド４１は、球状の形を保ち難い。そのため、第１凹部３４ａ内のボイド４１は、第２凹部３４ｂ及び第３凹部３４ｃ内のボイド４１に較べて、球状の形を保ち難く、動き易い。よって、第１凹部３４ａ内のボイド４１は、移動して、第２凹部３４ｂ内のボイド４１と接触する。図８の白抜き矢印は、ボイド４１の移動方向を示している。第１凹部３４ａ内のボイド４１は、接触により、第２凹部３４ｂ内のボイド４１に取り込まれる。
【００５３】
これによれば、図９に示すように、第２凹部３４ｂ内のボイド４１は、さらに大きくなる。大きくなった第２凹部３４ｂ内のボイド４１は、球状の形を保ち難く、動き易い。よって、第２凹部３４ｂ内のボイド４１は、移動して、第３凹部３４ｃ内のボイド４１と接触する。第２凹部３４ｂ内のボイド４１は、接触により、第３凹部３４ｃ内のボイド４１に取り込まれる。
【００５４】
これによれば、図１０に示すように、第３凹部３４ｃ内のボイド４１は、さらに大きくなる。大きくなった第３凹部３４ｃ内のボイド４１は、球状の形を保ち難く、動き易い。第３凹部３４ｃ内のボイド４１は、移動により、はんだ４０の外部の空気と接触する。これにより、第３凹部３４ｃ内のボイド４１は、はんだ４０の外部へ排出される。以上によれば、加熱工程の実施後において、はんだ４０内にボイド４１が残るのを抑制できる。
【００５５】
次に、はんだ４０を冷却して硬化させる冷却工程を実施する。冷却工程では、モールドパッケージ２０、基板３０、及び、はんだ４０を、例えば、自然冷却や、クーラにより冷却する。次に、フラックスを除去するフラックス除去工程を実施する。フラックス除去工程では、洗浄液を用いて、はんだ４０の表面に表出したフラックスを除去する。
【００５６】
次に、樹脂成形体５０を成形する樹脂成形工程を実施する。樹脂成形工程では、例えば、トランスファモールド法やコンプレッションモールド法により樹脂成形体５０を成形する。以上により、電子装置１０を製造できる。
【００５７】
次に、上記した電子装置１０の効果について説明する。
【００５８】
本実施形態における複数の凹部３４は、一面３２０ａにおいて第１ランド３２０の中心Ｃから外周端Ｅへ向かって並んでおり、外周端Ｅ側の凹部３４の容積が中心Ｃ側の凹部３４の容積以上とされている。これによれば、凹部３４によりはんだ４０内のボイド４１を外部へ排出することができ、はんだ４０にボイド４１が残るのを抑制できる。
【００５９】
ところで、ボイド４１の流路が形成された従来構成では、フラックス除去工程で洗浄液が流路に入らず、フラックス残渣が流路内に残る場合がある。この場合には、樹脂成形工程でフラックス残渣が押し出される虞がある。そのため、第２ランド３２１にフラックス残渣が付着し、第２ランド３２１間に短絡が生じる虞がある。これに対し本実施形態では、ボイド４１の流路を形成することなく、凹部３４によってはんだ４０にボイド４１が残るのを抑制している。これによれば、フラックス除去工程の実施後にフラックス残渣が残るのを抑制できる。よって、フラックス残渣に起因する第２ランド３２１間の短絡を抑制できる。
【００６０】
本実施形態の第１ランド３２０では、外周端Ｅ側の凹部３４の容積が中心Ｃ側の凹部３４の容積よりも大きくされている。これによれば、外周端Ｅ側の凹部３４と中心Ｃ側の凹部３４とが互いに同じ容積とされた構成に較べて、加熱工程で中心Ｃ付近のボイド４１を外周端Ｅ側へ誘導し易い。よって、はんだ４０にボイド４１が残るのを効果的に抑制できる。
【００６１】
本実施形態の第１ランド３２０では、中心Ｃを囲むように複数の凹部３４が形成されている。これによれば、中心Ｃに対して特定の方向にのみ凹部３４が形成された構成に較べて、広い範囲でボイド４１が凹部３４内に移動し易い。したがって、凹部３４によって、より多くのボイド４１をはんだ４０の外部へ排出でき、はんだ４０内にボイド４１が残るのを効果的に抑制できる。
【００６２】
本実施形態の基板形成工程では、レーザービアホール３５内、及び、表面３１ａに導体層３２を配置することで、凹部３４の設けられた第１ランド３２０を形成している。これによれば、第１ランド３２０の平坦面をエッチングすることで凹部３４を形成する場合に較べて、エッチング工程を簡略化できる。
【００６３】
ところで上記したように、ボイド４１は、球状の形を保つように動く。これに対して本実施形態では、各凹部３４の壁面が、球面形状をなしている。すなわち、凹部３４は、ボイド４１の形状に合わせた形状をなしている。これによれば、ボイド４１が大きくなった場合であっても凹部３４内に入り易い。したがって、凹部３４によってボイド４１の動きを誘導し易い。すなわち、はんだ４０にボイド４１が残るのを効果的に抑制できる。
【００６４】
（第２実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１０と共通する部分の説明については、第１実施形態の説明を参照する。
【００６５】
図１１に示すように、本実施形態では、第１ランド３２０に６つの凹部３４が形成されている。中心Ｃには、凹部３４が形成されていない。すなわち、第１ランド３２０には、第１凹部３４ａが設けられていない。本実施形態では、第１実施形態と同様に、中心ＣのＸ方向における両側の夫々、及び、中心ＣのＹ方向における両側の夫々に２つの凹部３４が形成されている。第１ランド３２０に形成された全ての凹部３４は、互いに同じ容積とされている。また、第１ランド３２０に形成された全ての凹部３４は、互いに同じ形状とされている。
【００６６】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、一面３２０ａにおいて第１ランド３２０の中心Ｃから外周端Ｅへ向かって複数の凹部３４が並んでいるため、ボイド４１は凹部３４間を移動し易い。すなわち加熱工程では、凹部３４によって、ボイド４１を誘導できる。
【００６７】
また、本実施形態の加熱工程では、中心Ｃ側の凹部３４の容積が外周端Ｅ側の凹部３４の容積よりも大きくされた構成に較べて、ボイド４１が外周端Ｅから中心Ｃへ向かうのを抑制できる。以上によれば、本実施形態では、中心Ｃ側の凹部３４の容積が外周端Ｅ側の凹部３４の容積よりも大きくされた構成や、第１ランド３２０に凹部３４が形成されていない構成に較べて、はんだ４０にボイド４１が残るのを抑制できる。
【００６８】
（第３実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１０と共通する部分の説明については、第１実施形態の説明を参照する。
【００６９】
図１２に示すように、本実施形態では、第１ランド３２０に１６個の凹部３４が形成されている。なお、中心Ｃには、凹部３４が形成されていない。本実施形態では、中心ＣのＸ方向における両側の夫々、及び、中心ＣのＹ方向における両側の夫々に２つの凹部３４が形成されている。
【００７０】
さらに本実施形態では、一面３２０ａにおいて、中心Ｃと、第１ランド３２０の角部と、の間の夫々に、２つの凹部３４が形成されている。すなわち、一面３２０ａにおいて、第１ランド３２０の対角線上に複数の凹部３４が形成されている。図１２では、一面３２０ａにおける第１ランド３２０の対角線を一点鎖線で示している。
【００７１】
（第４実施形態）
本実施形態において、第３実施形態に示した電子装置１０と共通する部分の説明については、第３実施形態の説明を参照する。
【００７２】
図１３に示すように、本実施形態の第１ランド３２０には、一面３２０ａにおいて対角線上にのみ凹部３４が形成されている。すなわち、第１ランド３２０において、中心Ｃに対してＸ方向側及びＹ方向側には凹部３４が形成されていない。
【００７３】
（第５実施形態）
本実施形態において、第４実施形態に示した電子装置１０と共通する部分の説明については、第４実施形態の説明を参照する。
【００７４】
図１４に示すように、本実施形態の第１ランド３２０には、外周端Ｅから中心Ｃへ向かう切れ込み３６が形成されている。切れ込み３６は、スリットと称することもできる。第１ランド３２０は、切れ込み３６が形成されていることで、外周端Ｅから中心Ｃに向かってＺ方向と直交する方向に凹んでいる。第１ランド３２０に切れ込み３６が形成されていることで、凹部３４と外周端Ｅとの距離が近くなっている。
【００７５】
本実施形態では、４つの切れ込み３６が形成されている。詳述すると、中心Ｃに対してＸ方向の両側、及び、中心Ｃに対してＹ方向の両側に切れ込み３６が形成されている。これにより、切れ込み３６は、中心Ｃから離れた凹部３４に対して、Ｘ方向のうちの一方側、及び、Ｙ方向のうちの一方側に形成されている。すなわち、切れ込み３６は、中心Ｃから離れた凹部３４と隣り合う位置に形成されている。
【００７６】
本実施形態では、第１ランド３２０に切れ込み３６が形成されていることで、Ｚ方向と直交する方向において凹部３４と外周端Ｅとの距離が近くされている。これによれば、加熱工程において、凹部３４内のボイド４１は、はんだ４０の外部の空気と接触し易く、はんだ４０の外部へ排出され易い。したがって、はんだ４０にボイド４１が残るのを効果的に抑制できる。
【００７７】
（その他実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００７８】
上記実施形態では、モールドパッケージ２０がＱＦＰとされた採用する例を示したが、これに限定するものではない。モールドパッケージ２０がＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）とされた例を採用することもできる。また、第１ランド３２０に接合される部品は、モールド樹脂２４により封止されていなくてもよい。
【００７９】
上記実施形態では、モールドパッケージ２０と第１ランド３２０とを接合する部材としてはんだ４０を採用する例を示したが、これに限定するものではない。銀ペーストや樹脂製の接着材によりモールドパッケージ２０と第１ランド３２０とを接合する例を採用することもできる。なお、この場合であっても、第１ランド３２０に接合部材を塗布する際に生じる隙間により、接合部材の内部にボイド４１が生じることがある。
【００８０】
上記実施形態では、電子装置１０が樹脂成形体５０を備える例を示したが、これに限定するものではない。電子装置１０が樹脂成形体５０を備えていない例を採用することもできる。すなわち、電子装置１０において、モールドパッケージ２０及び表面３１ａが樹脂成形体５０から露出していてもよい。
【００８１】
上記実施形態では、レーザービアホール３５にめっき処理を施すことにより、凹部３４の設けられた第１ランド３２０を形成する例を示したが、これに限定するものではない。平坦面を有する第１ランド３２０の形成後に、この平坦面をエッチングすることで凹部３４を形成してもよい。
【００８２】
上記実施形態の第１ランド３２０では、複数の凹部３４により中心Ｃが囲まれた例を示したが、これに限定するものではない。図１５の第１変形例に示すように、第１ランド３２０において、中心Ｃに対して一方側にのみ凹部３４が形成された例を採用することもできる。第１変形例では、中心Ｃに対してＹ方向の一方側にのみ凹部３４が形成されている。また第１変形例では、中心Ｃから外周端Ｅへ向かって複数の凹部３４が並んでいるが、中心Ｃと外周端Ｅとを結ぶ直線上に凹部３４が形成されていない。この例においても、中心Ｃ付近に形成されたボイド４１を凹部３４により外周端Ｅ側へ誘導できる。
【００８３】
上記実施形態において、第１ランド３２０は、基板３０において電気的な接続機能を提供しない例を示したが、これに限定するものではない。第１ランド３２０が半導体素子２１とともに回路を構成する例を採用することもできる。
【符号の説明】
【００８４】
１０…電子装置、２０…モールドパッケージ、２１…半導体素子、２２…アイランド、２２ａ…搭載面、２２ｂ…放熱面、２３…リード、２４…モールド樹脂、２４ａ…側面、２４ｂ…下面、２５…ダイボンド材、２６…ボンディングワイヤ、３０…基板、３１…絶縁基材、３１ａ…表面、３１ｂ…裏面、３２…導体層、３２ａ…内層、３２ｂ…表層、３４…凹部、３４ａ…第１凹部、３４ｂ…第２凹部、３４ｃ…第３凹部、３５…レーザービアホール、３６…切れ込み、４０…はんだ、４１…ボイド、５０…樹脂成形体、６０…マスク、６１…スキージ、３２０…第１ランド、３２１…第２ランド
【図１】
2018032817.tif 000003
【図２】
2018032817.tif 000004
【図３】
2018032817.tif 000005
【図４】
2018032817.tif 000006
【図５】
2018032817.tif 000007
【図６】
2018032817.tif 000008
【図７】
2018032817.tif 000009
【図８】
2018032817.tif 000010
【図９】
2018032817.tif 000011
【図１０】
2018032817.tif 000012
【図１１】
2018032817.tif 000013
【図１２】
2018032817.tif 000014
【図１３】
2018032817.tif 000015
【図１４】
2018032817.tif 000016
【図１５】
2018032817.tif 000017