(57)【要約】【課題】３本のトリミング溝により極めて高精度に抵抗値調整を行うことができるチップ抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】抵抗体５に粗調整の第１トリミング溝６を得るカットした状態で、微調整用の第２トリミング溝７を形成した後、仕上げ調整用の第３トリミング溝８を形成する。その際、第２トリミング溝７の終端は、第２表電極４が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６のＬターン部を結ぶ仮想線Ｅ１と、第１トリミング溝６のＬターン部と第２表電極４間を最短距離で結ぶ仮想線Ｅ２と、第２表電極４とで囲まれた領域Ｑ２ａ内に達しており、第３トリミング溝８の終端は、第１表電極３が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６の終端を結ぶ仮想線Ｅ３と、抵抗体５の下辺と第１トリミング溝６の終端間を最短距離で結ぶ仮想線Ｅ４と、抵抗体５の下辺とで囲まれた領域Ｑ１ｂ内に達している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向する第１電極と第２電極を形成する電極形成工程と、
前記第１電極の内側端面と前記第２電極の内側端面に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる切込みを入れた後、前記切込みの終端から前記第１電極方向へ延びる切込みを入れてＬ字状の第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、
前記第１トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第２電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程と、
前記第２トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第１電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第３トリミング溝を形成する第３トリミング形成工程と、
を含み、
前記第２トリミング溝の終端は、前記第１トリミング溝のターンポイントと前記第２電極間とを最短距離で結ぶ仮想線と、前記第２電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝のターンポイントとを結ぶ仮想線と、前記第２電極の内側端面とで囲まれた領域内に達しており、
前記第３トリミング溝の終端は、前記第１電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝の終端とを結ぶ仮想線と、前記抵抗体の一側面と、前記第１トリミング溝とで囲まれた領域内に達していることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向する第１電極と第２電極を形成する電極形成工程と、
前記第１電極の内側端面と前記第２電極の内側端面に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる切込みを入れた後、前記切込みの終端から前記第１電極方向へ延びる切込みを入れてＬ字状の第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、
前記第１トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第１電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程と、
前記第２トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第２電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第３トリミング溝を形成する第３トリミング形成工程と、
を含み、
前記第２トリミング溝の終端は、前記第１トリミング溝の終端と前記第１電極間とを最短距離で結ぶ仮想線と、前記第１電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝の終端とを結ぶ仮想線と、前記第１電極の内側端面とで囲まれた領域内に達しており、
前記第３トリミング溝の終端は、前記第２電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝のターンポイントとを結ぶ仮想線と、前記抵抗体の一側面と、前記第１トリミング溝とで囲まれた領域内に達していることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の記載において、前記第２トリミング溝は前記第１トリミング溝と逆向きのＬ字状に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２の記載において、前記第３トリミング溝は前記第１トリミング溝と逆向きのＬ字状に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に設けられた抵抗体にトリミング溝を形成することで抵抗値が調整されるチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う保護膜等によって主に構成されている。
【０００３】
この種のチップ抵抗器を製造する場合、大判基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りするようにしている。かかるチップ抵抗器の製造過程で、大判基板の片面には抵抗ペーストを印刷・焼成することにより多数の抵抗体が形成されるが、印刷時の膜厚のばらつきや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の抵抗値にばらつきを生じることは避け難いため、大判基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値に設定するという抵抗値調整作業が行われる。
【０００４】
このような抵抗器の抵抗値調整方法では、予め抵抗体の抵抗値を目標抵抗値よりも幾分低い抵抗値にて形成しておき、両電極にプローブを接触させて抵抗体の抵抗値を測定しながら、抵抗体にレーザ光を照射してトリミング溝を形成することにより、抵抗値を切り上げて目標の抵抗値にするのが一般的である。トリミング溝の形状としてはＩカットやＬカット等が知られており、高精度の抵抗値調整を行う場合は、粗調整用と微調整用のトリミング溝を２本組み合わせたＩＬカットと呼ばれるトリミング方法が良く用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図６は特許文献１に記載されたチップ抵抗器の平面図であり、同図に示すように、抵抗体１００にはＬカット形状の第１トリミング溝１０１とＩカット形状の第２トリミング溝１０２が形成されており、これら粗調整用の第１トリミング溝１０１と微調整用の第２トリミング溝１０２とによって抵抗体の１００の抵抗値が目標抵抗値に調整されている。
【０００６】
かかる抵抗値のトリミング方法を図７に基づいて説明すると、まず、一対の電極１０３に測定用のプローブを接触させて抵抗体１００の初期抵抗値を測定し、この初期設定値に基づいて目標抵抗値より低い第１目標抵抗値を設定・記憶する。次に、両電極１０３にプローブを接触させて抵抗体１００の抵抗値を測定しながら、抵抗体１００の下辺から上方へ向けてレーザ光を照射することにより、図７（ａ）に示すように、抵抗体１００の下辺から電極間方向と直交する方向へ延びる縦方向カット１０１ａを形成する。この縦方向カット１０１ａにより抵抗体１００における電流の流れる断面積が狭められるため、縦方向カット１０１ａの切込み量に伴って抵抗体１００の抵抗値が急激に上昇していく。
【０００７】
そして、プローブによる測定抵抗値が第１目標抵抗値に達したなら、レーザ光の照射方向を直角にＬターンすることにより、図７（ｂ）に示すように、縦方向カット１０１ａから左方向へ延びる横方向カット１０１ｂを形成する。この横方向カット１０１ｂにより縦方向カット１０１ａにて狭められた断面積の範囲が増加するため、横方向カット１０１ｂの切込み量に伴って抵抗体１００の抵抗値は緩やかに上昇していく。そして、プローブによる測定抵抗値が第１目標抵抗値より高く目標抵抗値より低い第２目標抵抗値に達した時点でレーザ光の照射を停止すると、縦方向カット１０１ａと横方向カット１０１ｂを有するＬカット形状の第１トリミング溝１０１が形成され、この時点で抵抗体５の抵抗値は目標抵抗値よりも若干低い値に粗調整される。
【０００８】
次いで、第１トリミング溝１０１の縦方向カット１０１ａから右方へ所定距離だけ離れた所定位置において、抵抗体１００の下辺から上方へ向けてレーザ光を照射し、測定抵抗値が目標抵抗値に達した時点でレーザ光の照射を停止することにより、図７（ｃ）に示すように、抵抗体１００の下辺から電極間方向と直交する方向へ延びるＩカット形状の第２トリミング溝１０２を形成する。その際、第２トリミング溝１０２が形成される領域は、Ｉカット部の切込み量増分に対する抵抗値増分の割合が比較的小さい部位であるため、第２トリミング溝１０２を形成することで抵抗体５の抵抗値を目標抵抗値に合わせすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平４−１９６５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載された抵抗体のトリミング方法では、抵抗体１００の初期抵抗値に基づいて第１トリミング溝１０１のＬターントリミング目標値（第１目標抵抗値）を変更設定し、初期抵抗値が小さい場合には、第１トリミング溝１０１の縦方向カット１０１ａは短い寸法となり、初期抵抗値が大きい場合には、第１トリミング溝１０１の縦方向カット１０１ａは長い寸法となるため、微調整用の第２トリミング溝１０２の長さが極端に長くなったり短くなったりすることはなく、初期抵抗値のばらつきに関係なく安定した高精度のトリミングを可能にしている。
【００１１】
ここで、第１トリミング溝１０１のＬカット後に仕上げ調整としての第２トリミング溝１０２を形成する場合、第２トリミング溝１０２の切込み量に対する抵抗値変化量は、図８に示すように４つの領域（Ｑ１〜Ｑ４）に大別することができる。Ｑ１は抵抗値の変化量が非常に少ない領域、Ｑ２は抵抗値の変化量がやや少ない領域、Ｑ３は抵抗値の変化量がほとんどない領域、Ｑ４は抵抗値の変化量が非常に大きい領域であり、特許文献１に記載のトリミング方法では、第２トリミング溝１０２の長さが第１トリミング溝１０１の縦方向カット１０１ａを越えないようにすることで、抵抗値変化量の比較的少ない領域Ｑ１または領域Ｑ２で目標抵抗値に達するようにしている。
【００１２】
しかし、目標抵抗値よりも若干低い値に粗調整する第１トリミング溝１０１の形成後における抵抗値はバラツキが大きく、このバラツキによって目標抵抗値を越えてしまわないように設定する必要があるため、ある程度目標抵抗値より離して設定しなくてならない。よって、特許文献１に記載された抵抗体のトリミング方法においては、切込み量に対する抵抗値変化量が非常に少ない領域Ｑ１では、第２トリミング溝１０２の先端が目標抵抗値まで切り上がらず、第２トリミング溝１０２の先端が領域Ｑ１を越えて領域Ｑ２内に入り込むことがある。その場合、領域Ｑ２で目標抵抗値に達することになるが、領域Ｑ２は領域Ｑ１に比べると抵抗値変化量が大きい部位であるため、さらなる高精度の抵抗値調整を行うのには不向きとなる。
【００１３】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、極めて高精度に抵抗値調整を行うことができるチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するための一手段として、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向する第１電極と第２電極を形成する電極形成工程と、前記第１電極の内側端面と前記第２電極の内側端面に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる切込みを入れた後、前記切込みの終端から前記第１電極方向へ延びる切込みを入れてＬ字状の第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、前記第１トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第２電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程と、前記第２トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第１電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第３トリミング溝を形成する第３トリミング形成工程と、を含み、前記第２トリミング溝の終端は、前記第１トリミング溝のターンポイントと前記第２電極間とを最短距離で結ぶ仮想線と、前記第２電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝のターンポイントとを結ぶ仮想線と、前記第２電極の内側端面とで囲まれた領域内に達しており、前記第３トリミング溝の終端は、前記第１電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝の終端とを結ぶ仮想線と、前記抵抗体の一側面と、前記第１トリミング溝とで囲まれた領域内に達していることを特徴としている。
【００１５】
このようなチップ抵抗器の製造方法では、Ｌカット形状の第１トリミング溝を形成して抵抗値の粗調整を行った後に微調整用の第２トリミング溝を形成すると、この第２トリミング溝の終端は、第１トリミング溝のターンポイントと第２電極間とを最短距離で結ぶ仮想線と、第２電極の内側端面が抵抗体の一側面に接する接点と第１トリミング溝のターンポイントとを結ぶ仮想線と、第２電極の内側端面とで囲まれた抵抗値変化量がやや少ない領域内に達しているため、この時点で抵抗体の抵抗値は抵抗値バラツキが少なく目標抵抗値のほぼ近くまで上昇する。しかる後に仕上げ調整用の第３トリミング溝を形成すると、この第３トリミング溝の終端は、第１電極の内側端面が抵抗体の一側面に接する接点と第１トリミング溝の終端とを結ぶ仮想線と、抵抗体の一側面と、第１トリミング溝とで囲まれた抵抗値変化量が非常に少ない（または抵抗値変化量がほとんどない）領域内に達しているため、抵抗体の抵抗値を目標抵抗値に対して高精度に調整することができる。
【００１６】
また、上記目的を達成するための他の手段として、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向する第１電極と第２電極を形成する電極形成工程と、前記第１電極の内側端面と前記第２電極の内側端面に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる切込みを入れた後、前記切込みの終端から前記第１電極方向へ延びる切込みを入れてＬ字状の第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、前記第１トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第１電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程と、前記第２トリミング溝の形成後に、前記第１トリミング溝の始端と前記第２電極間に位置する前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ切込みを入れて第３トリミング溝を形成する第３トリミング形成工程と、を含み、前記第２トリミング溝の終端は、前記第１トリミング溝の終端と前記第１電極間とを最短距離で結ぶ仮想線と、前記第１電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝の終端とを結ぶ仮想線と、前記第１電極の内側端面とで囲まれた領域内に達しており、前記第３トリミング溝の終端は、前記第２電極の内側端面が前記抵抗体の一側面に接する接点と前記第１トリミング溝のターンポイントとを結ぶ仮想線と、前記抵抗体の一側面と、前記第１トリミング溝とで囲まれた領域内に達していることを特徴としている。
【００１７】
このようなチップ抵抗器の製造方法では、Ｌカット形状の第１トリミング溝を形成して抵抗値の粗調整を行った後に微調整用の第２トリミング溝を形成すると、この第２トリミング溝の終端は、第１トリミング溝の終端と第１電極間とを最短距離で結ぶ仮想線と、第１電極の内側端面が抵抗体の一側面に接する接点と第１トリミング溝の終端とを結ぶ仮想線と、第１電極の内側端面とで囲まれた領域内に達しているため、この時点で抵抗体の抵抗値は抵抗値バラツキが少なく目標抵抗値のほぼ近くまで上昇する。しかる後に仕上げ調整用の第３トリミング溝を形成すると、この第３トリミング溝の終端は、第２電極の内側端面が抵抗体の一側面に接する接点と第１トリミング溝のターンポイントとを結ぶ仮想線と、抵抗体の一側面と、第１トリミング溝とで囲まれた抵抗値変化量が非常に少ない（または抵抗値変化量がほとんどない）領域内に達しているため、抵抗体の抵抗値を目標抵抗値に対して高精度に調整することができる。
【００１８】
上記したチップ抵抗器の製造方法において、第２トリミング溝は抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向にのみ延びるＩカット形状であっても良いが、第２トリミング溝が第１トリミング溝と逆向きまたは同向きのＬ字状に形成されていると、第１トリミング溝と第２トリミング溝の先端部に発生するマイクロクラックが両方共に電極間方向へ延長した状態となるため、マイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができる。
【００１９】
また、上記したチップ抵抗器の製造方法において、第３トリミング溝は抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向にのみ延びるＩカット形状であっても良いが、第３トリミング溝が第１トリミング溝と逆向きまたは同向きのＬ字状に形成されていると、第１トリミング溝と第３トリミング溝の先端部に発生するマイクロクラックが両方共に電極間方向へ延長した状態となるため、マイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るチップ抵抗器の製造方法によれば、第１乃至第３トリミング溝を用いて極めて高精度に抵抗値調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図２】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図３】該チップ抵抗器のトリミング方法を示す説明図である。
【図４】本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図６】従来例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図７】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図８】第１トリミング溝の形成後における抵抗体の領域分布を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、この絶縁基板２の表面の長手方向両端部に設けられた第１表電極３および第２表電極４と、これら一対の表電極３，４に接続するように絶縁基板２の表面に設けられた長方形状の抵抗体５と、この抵抗体５を覆うように設けられた保護膜（図示せず）等によって主に構成されており、抵抗体５にはＬカット形状の第１トリミング溝６とＩカット形状の第２トリミング溝７およびＩカット形状の第３トリミング溝８が形成されている。なお、図示省略されているが、絶縁基板２の裏面には第１および第２表電極３，４に対応するように一対の裏電極が設けられており、絶縁基板２の長手方向の両端面には対応する表電極と裏電極を橋絡する端面電極が設けられている。
【００２３】
絶縁基板２はセラミック等からなり、この絶縁基板２は後述する大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。第１および第２表電極３，４はＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、図示せぬ裏電極も同じくＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。
【００２４】
抵抗体５はＣｕ−Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、詳細については後述するが、この抵抗体５にＬ字形状の第１トリミング溝６を挟んで第２トリミング溝７と第３トリミング溝８を形成することによってチップ抵抗器１の抵抗値が調整されるようになっている。ここで、第２トリミング溝７の先端は第１トリミング溝６の右側の領域Ｑ１ａを通過して領域Ｑ２ａまで達しており、第３トリミング溝８は第１トリミング溝６の左側の領域Ｑ１ｂ内に形成されている。
【００２５】
なお、図１に示す領域Ｑ１ａは、第２表電極４の内側端面が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６のターンポイントを結ぶ仮想線Ｅ１と、第１トリミング溝６の縦方向カット部（Ｉカット部）と、抵抗体５の下辺とで囲まれた部位であり、領域Ｑ２ａは、前記仮想線Ｅ１と、第１トリミング溝６のターンポイントと第２表電極４間を最短距離で結ぶ仮想線Ｅ２と、第２表電極４の内側端面とで囲まれた部位である。また、領域Ｑ１ｂは、第１表電極３の内側端面が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６の横方向カット先端を結ぶ仮想線Ｅ３と、抵抗体５の下辺と第１トリミング溝６の横方向カット先端間を最短距離で結ぶ仮想線Ｅ４と、抵抗体５の下辺とで囲まれた部位である。
【００２６】
それ以外の領域のうち、領域Ｑ２ｂは、前記仮想線Ｅ３と、第１トリミング溝６の横方向カット先端と第１表電極３間を最短距離で結ぶ仮想線Ｅ５と、第１表電極３の内側端面とで囲まれた部位である。さらに、領域Ｑ３は、前記仮想線Ｅ４と、第１トリミング溝６と、抵抗体５の下辺とで囲まれた部位であり、領域Ｑ４は、第１トリミング溝６の横方向カット部分を通って電極間方向に延びる仮想線（仮想線Ｅ２，Ｅ５）と、第１および第２表電極３，４の内側端面と、抵抗体５の上辺とで囲まれた部位である。
【００２７】
図示せぬ保護膜はエポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この保護膜は抵抗体５を外部環境から保護する機能を有している。また、端面電極は、絶縁基板２の端面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成させたものや、Ａｇペーストの代わりにＮｉ／Ｃｒ等をスパッタしたものであり、この端面電極の表面にはＮｉやＡｕあるいはＳｎ等のメッキ層が施されている。
【００２８】
次に、このように構成されたチップ抵抗器１の製造工程について、図２を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、絶縁基板２が多数個取りされる大判基板を準備する。この大判基板には予め１次分割溝と２次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図２には１個分のチップ領域に相当する大判基板２Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する大判基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。
【００３０】
すなわち、図２（ａ）に示すように、この大判基板２Ａの表面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成して対をなす第１表電極３と第２表電極４を形成する（表電極形成工程）。なお、この電極形成工程と同時あるいは前後して、大判基板２Ａの裏面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成して図示せぬ裏電極を形成する（裏電極形成工程）。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、大判基板２Ａの表面にＣｕ−Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、長手方向の両端部が第１表電極３と第２表電極４に重なる長方形状の抵抗体５を形成する（抵抗体形成工程）。
【００３２】
次に、抵抗体５の上からガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体５を覆うプリコート層（図示省略）を形成した後、このプリコート層の上からレーザ光を照射することにより、図２（ｃ）に示すように、抵抗体５にＬカット形状の第１トリミング溝６を形成して（第１トリミング形成工程）、抵抗体５の抵抗値を目標抵抗値よりも若干低い値に粗調整する。引き続いて抵抗体５にＩカット形状の第２トリミング溝７を形成して（第２トリミング形成工程）、抵抗体５の抵抗値を目標抵抗値よりも僅かに低い値に微調整した後、抵抗値を目標抵抗値まで上昇させる仕上げ調整として、抵抗体５にＩカット形状の第３トリミング溝８を形成する（第３トリミング形成工程）。
【００３３】
次に、第１乃至第３トリミング溝６，７，８の上からエポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、抵抗体５の全体を覆う図示せぬ保護膜を形成する（保護膜形成工程）。
【００３４】
ここまでの各工程は多数個取り用の大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２Ａを１次分割溝に沿って短冊状に分割するという１次ブレーク加工を行うことより、複数個分のチップ領域が設けられた図示せぬ短冊状基板を得る（１次分割工程）。次いで、短冊状基板の分割面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成したり、Ａｇペーストの代わりにＮｉ／Ｃｒをスパッタすることにより、第１および第２表電極３，４と裏電極を橋絡する図示せぬ端面電極を形成する（端面電極形成工程）。
【００３５】
しかる後、短冊状基板を２次分割溝に沿って分割するという２次ブレーク加工を行うことにより、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体を得る（２次分割工程）。最後に、個片化された各チップ単体の絶縁基板２の長手方向両端部にＮｉとＡｕやＳｎ等の電解メッキを施し、保護膜から露出する第１および第２表電極３，４を覆う図示せぬ外部電極を形成することにより、図１に示すようなチップ抵抗器１が得られる。
【００３６】
次に、上記した第１乃至第３トリミング形成工程について、図３を参照しつつ詳細に説明する。
【００３７】
まず、対をなす第１表電極３と第２表電極４にプローブを接触させて抵抗体５の抵抗値を測定しながら、レーザ光を抵抗体５の下方の始点座標からＹ１方向に沿って走査することにより、図３（ａ）に示すように、抵抗体５の下辺から上方へ延びる縦方向カット部６ａを形成する。
【００３８】
この縦方向カット部６ａの切込み量に伴って抵抗体５の抵抗値は急激に上昇していき、測定抵抗値が初期抵抗値より高く目標抵抗値より低い第１目標抵抗値に達したら、レーザ光を左側に９０°方向変換してＸ２方向に沿って走査することにより、図３（ｂ）に示すように、縦方向カット部５ａの先端から左方向へ延びる横方向カット部６ｂを形成する。
【００３９】
この横方向カット部６ｂの切込み量に伴って抵抗体５の抵抗値がさらに次第に上昇していき、測定抵抗値が第１目標抵抗値より高く目標抵抗値より低い第２目標抵抗値（例えば目標抵抗値の９９％）に達したら、当該位置でレーザの照射を停止してＬカット形状の第１トリミング溝６を形成する。ここで、抵抗体５に第１トリミング溝６を形成した後の図３（ｂ）に示す各領域のうち、領域Ｑ１ａと領域Ｑ１ｂはトリミング量あたりの抵抗値変化量が非常に少ない部位、領域Ｑ２ａと領域Ｑ２ｂはトリミング量あたりの抵抗値変化量がやや少ない部位、領域Ｑ３はトリミング量あたりの抵抗値変化量がほとんどない部位、領域Ｑ４はトリミング量あたりの抵抗値変化量が非常に大きい部位となる。
【００４０】
次に、第１トリミング溝６の縦方向カット部５ａから右方へ所定距離だけ離れた位置において、レーザ光を抵抗体５の下方からＹ１方向に沿って走査し、測定抵抗値が第２目標抵抗値より高く目標抵抗値より僅かに低い第３目標抵抗値（例えば目標抵抗値の９９．８％）に達したら、当該位置でレーザの照射を停止することにより、図３（ｃ）に示すように、抵抗体５の下辺から上方へ延びるＩカット形状の第２トリミング溝７を形成する。その際、第２トリミング溝７は領域Ｑ１ａを越えて領域Ｑ２ａまで達しており、この領域Ｑ２ａは領域Ｑ１ａに比べると抵抗値変化量が大きい部位であるため、この時点で抵抗体５の抵抗値は第３目標抵抗値に対して若干のばらつきを持って調整される。
【００４１】
次に、第１トリミング溝６の横方向カット部６ｂの先端から左方へ所定距離だけ離れた位置において、レーザ光を抵抗体５の下方からＹ１方向に沿って走査し、測定抵抗値が目標抵抗値に達した時点でレーザの照射を停止することにより、図３（ｄ）に示すように、抵抗体５の下辺から上方へ延びるＩカット形状の第３トリミング溝８を形成する。その際、第３トリミング溝８はトリミング量あたりの抵抗値変化量が非常に少ない領域Ｑ１ｂ内に形成されるため、第２トリミング溝７によって第３目標抵抗値に近い値まで微調整された抵抗体５の抵抗値は、第３トリミング溝８を形成することで目標抵抗値に高精度に仕上げ調整することができる。
【００４２】
以上説明したように、第１実施形態例に係るチップ抵抗器１の製造方法では、Ｌカット形状の第１トリミング溝６を形成して抵抗値の粗調整を行った後に微調整用の第２トリミング溝７を形成すると、この第２トリミング溝７の終端は、第２表電極４の内側端面が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６のターンポイントを結ぶ仮想線Ｅ１と、第１トリミング溝６のターンポイントと第２表電極４間とを最短距離で結ぶ仮想線Ｅ２と、第２表電極４の内側端面とで囲まれた抵抗値変化量がやや少ない領域Ｑ２ａ内に達しているため、この時点で抵抗体５の抵抗値を目標抵抗値のほぼ近くまで上昇させることができる。しかる後に仕上げ調整用の第３トリミング溝８を形成すると、この第３トリミング溝８の終端は、第１表電極３の内側端面が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６の終端（横方向カット部６ｂの先端）を結ぶ仮想線Ｅ３と、抵抗体５の下辺と第１トリミング溝６の終端間を最短距離で結ぶ仮想線Ｅ４と、抵抗体５の下辺とで囲まれた抵抗値変化量が非常に少ない領域Ｑ１ｂ内に達しているため、抵抗体５の抵抗値を目標抵抗値に対して極めて高精度に仕上げ調整することができる。
【００４３】
図４は本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器１０の平面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。
【００４４】
この第２実施形態例が上述した第１実施形態例と相違する点は、第２トリミング溝７の先端が第１トリミング溝６の左側の領域Ｑ１ｂを通過して領域Ｑ２ｂまで達していると共に、第３トリミング溝８が第１トリミング溝６の右側の領域Ｑ１ａ内に形成されていることにあり、それ以外の構成は図１に示すチップ抵抗器１と基本的に同様である。
【００４５】
すなわち、図４に示すように、第１トリミング溝６の後に形成される微調整用の第２トリミング溝７は、第１トリミング溝６の終端から左方へ所定距離だけ離れた位置において、抵抗体５の下辺から領域Ｑ１ｂを越えて領域Ｑ２ｂまで延びるＩカット形状のスリットとして形成されている。この領域Ｑ２ｂは領域Ｑ１ｂに比べると抵抗値変化量が大きい部位であるため、この時点で抵抗体５の抵抗値は第３目標抵抗値に対して若干のばらつきを持って調整される。
【００４６】
また、第２トリミング溝７の後に形成される仕上げ調整用の第３トリミング溝８は、第１トリミング溝６の始端から右方へ所定距離だけ離れた位置において、抵抗体５の下辺から領域Ｑ１ａ内に延びるＩカット形状のスリットとして形成されている。この領域Ｑ１ａはトリミング量あたりの抵抗値変化量が非常に少ない部位であるため、第２トリミング溝７によって第３目標抵抗値に近い値まで微調整された抵抗体５の抵抗値は、第３トリミング溝８を形成することで目標抵抗値に高精度に仕上げ調整することができる。
【００４７】
以上説明したように、第２実施形態例に係るチップ抵抗器１の製造方法では、Ｌカット形状の第１トリミング溝６を形成して抵抗値の粗調整を行った後に微調整用の第２トリミング溝７を形成すると、この第２トリミング溝７の終端は、第１表電極３の内側端面が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６の終端（横方向カット部６ｂの先端）を結ぶ仮想線Ｅ３と、第１トリミング溝６の終端と第１表電極３間を最短距離で結ぶ仮想線Ｅ５と、第１表電極３の内側端面とで囲まれた抵抗値変化量がやや少ない領域Ｑ２ｂ内に達しているため、この時点で抵抗体５の抵抗値を目標抵抗値のほぼ近くまで上昇させることができる。しかる後に仕上げ調整用の第３トリミング溝８を形成すると、この第３トリミング溝８の終端は、第２表電極４の内側端面が抵抗体５の下辺に接する接点と第１トリミング溝６のターンポイントを結ぶ仮想線Ｅ１と、第１トリミング溝６の横方向カット部と、抵抗体５の下辺とで囲まれた抵抗値変化量が非常に少ない領域Ｑ１ａ内に達しているため、抵抗体５の抵抗値を目標抵抗値に対して極めて高精度に仕上げ調整することができる。
【００４８】
図５は本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器１０の平面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。
【００４９】
この第３実施形態例が上述した第１実施形態例と相違する点は、第２トリミング溝７が第１トリミング溝６と逆向きのＬカット形状に形成されていることと、第３トリミング溝８が第１トリミング溝６と逆向きのＬカット形状に形成されていることにあり、それ以外の構成は図１に示すチップ抵抗器１と基本的に同様である。
【００５０】
すなわち、図５に示すように、第１トリミング溝６の後に形成される微調整用の第２トリミング溝７は、抵抗体５の下辺から領域Ｑ１ａ内を上方へ延びる縦方向カット部と、縦方向カット部の先端から右方向へ直角に延びる横方向カット部とを有しており、横方向カット部の先端は領域Ｑ２ａに達している。その結果、第２トリミング溝７の先端部に発生するマイクロクラックが電極間方向へ延長した状態となるため、マイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができる。ここで、第３実施形態例では、第２トリミング溝７が第１トリミング溝６と逆向きのＬカット形状となっているが、電極間方向であればマイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができ、特に、第１トリミング溝６方向へＬカット形状に形成すると、第２トリミング溝７の先端部に発生するマイクロクラックが第１トリミング溝６に遮られるため、さらにマイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができる。
【００５１】
また、第２トリミング溝７の後に形成される仕上げ調整用の第３トリミング溝８は、抵抗体５の下辺から領域Ｑ１ｂ内を上方へ延びる縦方向カット部と、縦方向カット部の先端から右方向へ直角に延びる横方向カット部とを有しており、横方向カット部の先端は仮想線Ｅ４の手前位置まで達している。その結果、Ｌカット形状の第１トリミング溝６と第３トリミング溝８の先端部に発生するマイクロクラックが両方共に電極間方向へ延長した状態となるため、マイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができる。ここで、第３実施形態例では、第３トリミング溝８が第１トリミング溝６と逆向きのＬカット形状となっているが、電極間方向であればマイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができ、特に、第３実施形態例のように第１トリミング溝６方向へＬカット形状に形成すると、第２トリミング溝７の先端部に発生するマイクロクラックが第１トリミング溝６に遮られるため、さらにマイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができる。
【００５２】
なお、上記第３実施形態例では、第３トリミング溝８の横方向カット部の先端を領域Ｑ１ｂ内に位置させているが、領域Ｑ１ｂに隣接する領域Ｑ３はトリミング量あたりの抵抗値変化量がほとんどない部位であるため、第３トリミング溝８の横方向カット部の先端が仮想線Ｅ４を越えて領域Ｑ３に達していても良い。
【００５３】
また、上記第３実施形態例では、第２トリミング溝７と第３トリミング溝８を両方共に第１トリミング溝６と逆向きのＬカット形状に形成しているが、第２トリミング溝７と第３トリミング溝８のいずれか一方のみをＬカット形状に形成しても良い。
【００５４】
また、上記第３実施形態例では、第１トリミング溝６の右側に位置する第２トリミング溝７と左側に位置する第３トリミング溝８を両方共に第１トリミング溝６と逆向きのＬカット形状に形成しているが、図４に示す第２実施形態例においても、第２トリミング溝７と第３トリミング溝８のいずれか一方または両方をＬカット形状に形成するようにしても良い。その場合、第１トリミング溝６の左側に位置する第２トリミング溝７については、抵抗体５の下辺から領域Ｑ１ｂ内を上方へ延びる縦方向カット部を形成した後、縦方向カット部の先端から領域Ｑ２ｂに達する横方向カット部を形成することにより、第１トリミング溝６と同向きのＬカット形状に形成することが好ましい。また、第２トリミング溝７と第３トリミング溝８についても、先端を第１トリミング溝６側へ直角に延ばして横方向カット部を形成することにより、マイクロクラックに起因する悪影響を軽減することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１，１０  チップ抵抗器
２  絶縁基板
３  第１表電極（第１電極）
４  第２表電極（第２電極）
５  抵抗体
６  第１トリミング溝
６ａ  縦方向カット部
６ｂ  横方向カット部
７  第２トリミング溝
８  第３トリミング溝
Ｑ１ａ，Ｑ１ｂ，Ｑ２ａ，Ｑ２ｂ，Ｑ３，Ｑ４  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2018195637.tif 000007
【図６】
2018195637.tif 000008
【図７】
2018195637.tif 000009
【図８】
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