(57)【要約】【課題】低輝度の画像を高い表示品質で表示することができる表示装置を提供する。【解決手段】第１乃至第４の回路と、表示部と、を有する。第１の回路は、表示部により表示される画像の輝度に関する情報を有するデジタルデータである第１の表示データを生成する機能を有する。第２の回路は、第１の表示データのデジタル値を変換したデジタルデータである第２の表示データを生成する機能を有する。第３の回路は、第１の表示データのデジタル値をもとに算出した電位の、第１のアナログ信号と、第１のアナログ信号より低電位の第２のアナログ信号を生成する機能を有する。第４の回路は、第２の表示データを、アナログデータである第３の表示データに変換する機能を有する。第３の表示データの電位は、第１のアナログ信号の電位、第２のアナログ信号の電位、および第２の表示データのデジタル値をもとに算出される。【選択図】図１
2018010291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、第４の回路と、表示部と、を有し、
前記第１の回路は、第１の表示データを生成する機能を有し、
前記第１の表示データは、前記表示部により表示される画像の輝度に関する情報を有するデジタルデータであり、
前記第２の回路は、第２の表示データを生成する機能を有し、
前記第２の表示データは、前記第１の表示データのデジタル値を変換したデジタルデータであり、
前記第３の回路は、前記第１の表示データのデジタル値をもとに算出した電位の、第１のアナログ信号および第２のアナログ信号を生成する機能を有し、
前記第１のアナログ信号の電位は、前記第２のアナログ信号の電位より低く、
前記第４の回路は、前記第２の表示データを、第３の表示データに変換する機能を有し、
前記第３の表示データは、アナログデータであり、
前記第３の表示データの電位は、前記第１のアナログ信号の電位、前記第２のアナログ信号の電位、および前記第２の表示データのデジタル値をもとに算出され、
前記第３の表示データの電位は、前記第１のアナログ信号の電位以上で、かつ前記第２のアナログ信号の電位以下であり、
前記表示部は、前記第３の表示データの電位に対応する輝度の画像を表示する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の回路は、前記第１の表示データのデジタル値を、変換式をもとに変換する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の回路は、前記変換式の係数を、前記第１の表示データのデジタル値をもとに算出する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
第５の回路を有し、
前記第５の回路は、前記変換式を保持する機能を有し、
前記第２の回路は、前記第５の回路から前記変換式を読み出す機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３において、
第５の回路を有し、
前記第５の回路は、前記変換式を保持する機能を有し、
前記第５の回路は、前記第２の回路によって算出された前記係数を保持する機能を有し、
前記第２の回路は、前記第５の回路から前記変換式を読み出す機能を有し、
前記第２の回路は、前記第５の回路から前記係数を読み出す機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記第５の回路は、前記第１のアナログ信号の電位を保持する機能を有し、
前記第５の回路は、前記第２のアナログ信号の電位を保持する機能を有し、
前記第３の回路は、前記第５の回路から前記第１のアナログ信号の電位を読み出す機能を有し、
前記第３の回路は、前記第５の回路から前記第２のアナログ信号の電位を読み出す機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記第５の回路は、前記第１のアナログ信号の電位を保持する機能を有し、
前記第５の回路は、前記第２のアナログ信号の電位を保持する機能を有し、
前記第３の回路は、前記第５の回路から前記第１のアナログ信号の電位を読み出す機能を有し、
前記第３の回路は、前記第５の回路から前記第２のアナログ信号の電位を読み出す機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項５において、
前記第２の回路は、前記第２の表示データがオーバーフローしているか否かを判定する機能を有し、
前記第２の回路は、前記第２の表示データがオーバーフローしている場合は、前記第５の回路に保持された前記係数を書き換えることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項６において、
前記第２の回路は、前記第２の表示データがオーバーフローしているか否かを判定する機能を有し、
前記第３の回路は、前記第２の表示データがオーバーフローしている場合は、前記第５の回路に保持された前記第１のアナログ信号の電位および前記第２のアナログ信号の電位を書き換えることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項７において、
前記第２の回路は、前記第２の表示データがオーバーフローしているか否かを判定する機能を有し、
前記第３の回路は、前記第２の表示データがオーバーフローしている場合は、前記第５の回路に保持された前記第１のアナログ信号の電位および前記第２のアナログ信号の電位を書き換えることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項４において、
前記第５の回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎ）と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項５において、
前記第５の回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎ）と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項４において、
第６の回路を有し、
前記第６の回路は、外光の照度を検出する機能を有し、
前記表示部により表示される画像の輝度は、前記外光の照度に対応することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項５において、
第６の回路を有し、
前記第６の回路は、外光の照度を検出する機能を有し、
前記表示部により表示される画像の輝度は、前記外光の照度に対応することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１において、
前記表示部は、発光層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
表示部を有する表示装置において、
第１のステップにおいて、第１の表示データを生成し、
前記第１の表示データは、前記表示部により表示される画像の輝度に関する情報を有するデジタルデータであり、
第２のステップにおいて、第２の表示データを生成し、
前記第２の表示データは、前記第１の表示データのデジタル値を変換したデジタルデータであり、
第３のステップにおいて、前記第１の表示データのデジタル値をもとに算出した電位の、第１のアナログ信号および第２のアナログ信号を生成し、
前記第１のアナログ信号の電位は、前記第２のアナログ信号の電位より低く、
第４のステップにおいて、前記第２の表示データを、第３の表示データに変換し、
前記第３の表示データは、アナログデータであり、
前記第３の表示データの電位は、前記第１のアナログ信号の電位、前記第２のアナログ信号の電位、および前記第２の表示データのデジタル値をもとに算出され、
前記第３の表示データの電位は、前記第１のアナログ信号の電位以上で、かつ前記第２のアナログ信号の電位以下であり、
第５のステップにおいて、前記表示部が、前記第３の表示データの電位に対応する輝度の画像を表示することを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第２のステップにおいて、前記第１の表示データのデジタル値を、変換式をもとに変換することによって前記第２の表示データを生成することを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第１のステップの終了後、第６のステップにおいて、前記変換式の係数を、前記第１の表示データのデジタル値をもとに算出することを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項１９】
請求項４に記載の表示装置と、
操作ボタンと、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
請求項５に記載の表示装置と、
操作ボタンと、を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
バックライトとして面発光を行う光源を用い、透過型の液晶表示装置を組み合わせることで、消費電力の低減と表示品質の低下の抑制を両立する液晶表示装置が知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの発光素子を用いた表示装置が知られている。当該表示装置は、バックライトが不要である（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２４８３５１号公報
【特許文献２】特開２００２−３２４６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
バックライトと液晶表示素子を用いた表示装置では、例えばバックライトが点滅することにより画像を表示し、表示される画像の輝度を時分割で調整する。つまり、表示する画像の輝度に関わらずバックライトの輝度を一定とし、暗い画像を表示する場合はバックライトの点灯時間を短くして消灯時間を長くする。したがって、暗い画像を表示しようとすると、表示された画像に輝度ムラおよび色ムラなどが発生し、表示品質が低下する。一定以上の表示品質を保つためには、一定以上の輝度の画像を表示しなければならないが、外光が暗い場合、表示装置の使用者が眩しさを感じる場合がある。
【０００７】
また、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの発光素子を用いた表示装置では、時分割方式ではなく、発光素子の発光輝度を調整することにより、表示する画像の輝度を調整することができる。しかしながら、暗い画像を表示しようとすると、トランジスタのばらつき、およびＥＬ素子の発光層を横方向に流れる電流などの影響が大きくなる。したがって、上述のバックライトを用いた表示装置と同様に、表示された画像に輝度ムラおよび色ムラなどが発生して表示品質が低下する。
【０００８】
そこで、本発明の一態様は、低輝度の画像を表示することができる表示装置およびその動作方法を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、高い表示品質の画像を表示することができる表示装置およびその動作方法を提供することを課題の一とする。または、外光が暗い場合においても使用者が眩しさを感じない輝度の画像を表示することができる表示装置およびその動作方法を提供することを課題の一とする。または、消費電力が小さい表示装置およびその動作方法を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い表示装置およびその動作方法を提供することを課題の一とする。または、高速に動作する表示装置およびその動作方法を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置およびその動作方法を提供することを課題の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、第４の回路と、表示部と、を有し、第１の回路は、第１の表示データを生成する機能を有し、第１の表示データは、表示部により表示される画像の輝度に関する情報を有するデジタルデータであり、第２の回路は、第２の表示データを生成する機能を有し、第２の表示データは、第１の表示データのデジタル値を変換したデジタルデータであり、第３の回路は、第１の表示データのデジタル値をもとに算出した電位の、第１のアナログ信号および第２のアナログ信号を生成する機能を有し、第１のアナログ信号の電位は、第２のアナログ信号の電位より低く、第４の回路は、第２の表示データを、第３の表示データに変換する機能を有し、第３の表示データは、アナログデータであり、第３の表示データの電位は、第１のアナログ信号の電位、第２のアナログ信号の電位、および第２の表示データのデジタル値をもとに算出され、第３の表示データの電位は、第１のアナログ信号の電位以上で、かつ第２のアナログ信号の電位以下であり、表示部は、第３の表示データの電位に対応する輝度の画像を表示する機能を有する表示装置である。
【００１１】
また、上記態様において、第２の回路は、第１の表示データのデジタル値を、変換式をもとに変換する機能を有してもよい。
【００１２】
また、上記態様において、第２の回路は、変換式の係数を、第１の表示データのデジタル値をもとに算出する機能を有してもよい。
【００１３】
また、上記態様において、本発明の一態様の表示装置は、第５の回路を有し、第５の回路は、変換式を保持する機能を有し、第２の回路は、第５の回路から変換式を読み出す機能を有してもよい。
【００１４】
また、上記態様において、本発明の一態様の表示装置は、第５の回路を有し、第５の回路は、変換式を保持する機能を有し、第５の回路は、第２の回路によって算出された係数を保持する機能を有し、第２の回路は、第５の回路から変換式を読み出す機能を有し、第２の回路は、第５の回路から係数を読み出す機能を有してもよい。
【００１５】
また、上記態様において、第５の回路は、第１のアナログ信号の電位を保持する機能を有し、第５の回路は、第２のアナログ信号の電位を保持する機能を有し、第３の回路は、第５の回路から第１のアナログ信号の電位を読み出す機能を有し、第３の回路は、第５の回路から第２のアナログ信号の電位を読み出す機能を有してもよい。
【００１６】
また、上記態様において、第２の回路は、第２の表示データがオーバーフローしているか否かを判定する機能を有し、第２の回路は、第２の表示データがオーバーフローしている場合は、第５の回路に保持された係数を書き換えてもよい。
【００１７】
また、上記態様において、第２の回路は、第２の表示データがオーバーフローしているか否かを判定する機能を有し、第３の回路は、第２の表示データがオーバーフローしている場合は、第５の回路に保持された第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位を書き換えてもよい。
【００１８】
また、上記態様において、第５の回路は、トランジスタを有し、トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎ）と、を有してもよい。
【００１９】
また、上記態様において、本発明の一態様の表示装置は、第６の回路を有し、第６の回路は、外光の照度を検出する機能を有し、表示部により表示される画像の輝度は、外光の照度に対応してもよい。
【００２０】
また、上記態様において、表示部は、表示素子を有し、表示素子は、発光層を有してもよい。
【００２１】
また、本発明の他の一態様は、表示部を有する表示装置において、第１のステップにおいて、第１の表示データを生成し、第１の表示データは、表示部により表示される画像の輝度に関する情報を有するデジタルデータであり、第２のステップにおいて、第２の表示データを生成し、第２の表示データは、第１の表示データのデジタル値を変換したデジタルデータであり、第３のステップにおいて、第１の表示データのデジタル値をもとに算出した電位の、第１のアナログ信号および第２のアナログ信号を生成し、第１のアナログ信号の電位は、第２のアナログ信号の電位より低く、第４のステップにおいて、第２の表示データを、第３の表示データに変換し、第３の表示データは、アナログデータであり、第３の表示データの電位は、第１のアナログ信号の電位、第２のアナログ信号の電位、および第２の表示データのデジタル値をもとに算出され、第３の表示データの電位は、第１のアナログ信号の電位以上で、かつ第２のアナログ信号の電位以下であり、第５のステップにおいて、表示部が、第３の表示データの電位に対応する輝度の画像を表示する表示装置の動作方法である。
【００２２】
また、上記態様の第２のステップにおいて、第１の表示データのデジタル値を、変換式をもとに変換することによって第２の表示データを生成してもよい。
【００２３】
また、上記態様の第１のステップの終了後、第６のステップにおいて、変換式の係数を、第１の表示データのデジタル値をもとに算出してもよい。
【００２４】
本発明の一態様の表示装置と、操作ボタンと、を有する電子機器も本発明の一態様である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様は、低輝度の画像を表示することができる表示装置およびその動作方法を提供することができる。または、本発明の一態様は、高い表示品質の画像を表示することができる表示装置およびその動作方法を提供することができる。または、外光が暗い場合においても使用者が眩しさを感じない輝度の画像を表示することができる表示装置およびその動作方法を提供することができる。または、消費電力が小さい表示装置およびその動作方法を提供することができる。または、信頼性の高い表示装置およびその動作方法を提供することができる。または、高速に動作する表示装置およびその動作方法を提供することができる。または、新規な表示装置およびその動作方法を提供することができる。
【００２６】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】表示装置を説明するブロック図。
【図２】デジタルデータ変換について説明するグラフ。
【図３】Ｄ／Ａ変換回路を説明する回路図。
【図４】Ｄ／Ａ変換回路を説明する回路図。
【図５】表示装置を説明するブロック図。
【図６】表示装置を説明するブロック図。
【図７】表示装置の動作を説明するフローチャート。
【図８】表示装置の動作を説明するフローチャート。
【図９】表示装置の動作を説明するフローチャート。
【図１０】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図１１】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１２】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１３】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１４】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１５】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１６】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１７】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１８】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１９】表示装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図２０】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２１】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２２】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２３】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２４】表示装置の構成例を説明する上面図。
【図２５】画素の構成例を説明する回路図。
【図２６】画素の構成例を説明する回路図およびブロック図。
【図２７】表示装置の構成例を説明する上面図。
【図２８】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図２９】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図３０】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図３１】表示装置の構成例を説明する断面図。
【図３２】表示モジュールの構成例を説明する図。
【図３３】電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の一態様について図面を参照しながら説明する。但し、本発明の一態様は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２９】
本明細書等に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００３０】
本明細書等においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性および各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書等では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００３１】
本明細書等においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００３２】
本明細書等においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００３３】
本明細書等において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００３４】
本明細書等において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書等において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００３５】
また、本明細書等において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【００３６】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【００３７】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００３８】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【００３９】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【００４０】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（Ｄ／Ａ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【００４１】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【００４２】
なお、例えば、トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１を介して（または介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２を介して（または介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【００４３】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（または第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【００４４】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（または第１の端子など）とトランジスタのドレイン（または第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（または第１の端子など）からトランジスタのドレイン（または第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）からトランジスタのソース（または第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（または第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【００４５】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００４６】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、および電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００４７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図面を参照しながら説明する。
【００４８】
本発明の一態様は、演算回路と、デジタルデータ変換回路と、入力信号生成回路と、Ｄ／Ａ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ）変換回路と、表示部と、を有する表示装置およびその動作方法に関する。なお、表示部は表示素子を有し、当該表示素子として例えば有機ＥＬ素子などの発光素子を用いることができる。
【００４９】
演算回路は、デジタルの表示データを生成する機能を有し、当該表示データは、表示部により表示される画像の輝度に関する情報を有する。例えば、表示部により表示される画像の輝度を８ビットで表す場合、デジタル値が１０進数表記で０の場合に、表示部により表示される画像の輝度を最も低くし、デジタル値が１０進数表記で２５５の場合に最も明るくすることができる。
【００５０】
演算回路により生成されたデジタルの表示データは、デジタルデータ変換回路および入力信号生成回路に出力される。デジタルデータ変換回路は、演算回路により生成された表示データのデジタル値を変換する機能を有する。例えば、デジタルデータ変換回路は、演算回路により生成されたデジタルの表示データを、よりデジタル値が大きな表示データに変換する機能を有することができる。
【００５１】
デジタルデータ変換回路は、演算回路から生成された表示データのデジタル値を、例えば所定の変換式により変換することができる。当該変換式として、例えば一次式を用いることができる。また、当該変換式の係数は、例えば演算回路から生成された表示データのデジタル値をもとに算出することができる。例えば、演算回路から生成された表示データのデジタル値が小さい、つまり表示部により表示される画像が暗い場合には、当該係数の値を大きくすることができる。
【００５２】
入力信号生成回路は、第１のアナログ信号および第２のアナログ信号を生成し、Ｄ／Ａ変換回路に出力する機能を有する。第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位は、演算回路により生成された表示データのデジタル値、および上述の変換式の係数をもとに算出することができる。なお、第１のアナログ信号の電位は、例えば第２のアナログ信号の電位より低くすることができる。
【００５３】
例えば、演算回路により生成された表示データのデジタル値が小さい、つまり表示部により表示される画像が暗い場合は第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位を低くすることができる。また、例えば上述の変換式の係数が大きい場合は、第１のアナログ信号と第２のアナログ信号の電位差を小さくすることができる。なお、例えば第１のアナログ信号の電位は固定してもよい。
【００５４】
Ｄ／Ａ変換回路には、デジタルデータ変換回路によりデジタル値が変換された表示データ、および入力信号生成回路により生成された第１のアナログ信号および第２のアナログ信号が入力される。Ｄ／Ａ変換回路は、デジタルデータ変換回路によりデジタル値が変換された表示データを、アナログデータに変換する機能を有する。当該アナログデータの電位は、デジタルデータ変換回路から出力された表示データのデジタル値と、入力信号生成回路により生成された第１のアナログ信号の電位および入力信号生成回路により生成された第２のアナログ信号の電位と、をもとに算出することができる。なお、Ｄ／Ａ変換回路から出力されたアナログの表示データの電位は、例えば第１のアナログ信号の電位以上、かつ第２のアナログ信号の電位以下とすることができる。Ｄ／Ａ変換回路から出力されたアナログの表示データは、表示部に出力され、当該表示データの電位に対応する輝度の画像が表示される。
【００５５】
Ｄ／Ａ変換回路から出力されるアナログの表示データの電位を、例えば第１のアナログ信号の電位以上、かつ第２のアナログ信号の電位以下とすることにより、Ｄ／Ａ変換回路から出力されるアナログの表示データの電位の範囲を狭くすることができる。これにより、Ｄ／Ａ変換回路から出力されるアナログの表示データの電位を細かく調整することができる。したがって、特に暗い画像を表示する場合において、輝度ムラおよび色ムラなどの発生を防止することができ、高い表示品質で表示することができる。なお、上述の変換式の係数が大きいほど、Ｄ／Ａ変換回路から出力されるアナログの表示データの電位の範囲を狭くすることができるため、暗い画像であっても高い表示品質で表示することができる。
【００５６】
図１は、本発明の一態様の表示装置である表示装置１０の構成例を示すブロック図である。表示装置１０は、演算回路１１と、デジタルデータ変換回路１２と、入力信号生成回路１３と、Ｄ／Ａ変換回路１４と、表示部１５と、を有する。表示部１５には画素がマトリクス状に設けられており、当該画素は表示素子を有する。当該表示素子として、詳細は後述するが、発光層を有し、当該発光層から発光する光を利用して表示する素子である発光素子を用いることができる。このような素子が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色域が広くコントラストの高い表示を行うことができる。つまり、鮮やかな表示を行うことができる。表示部１５が有する表示素子として、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【００５７】
なお、詳細は後述するが、表示部１５を、発光素子を有する表示部と、液晶素子を有する表示部と、を積層させた構成としてもよい。表示部１５が当該構成である場合、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【００５８】
入力信号生成回路１３とＤ／Ａ変換回路１４は、配線Ｉｎ１および配線Ｉｎ２を介して電気的に接続されている。Ｄ／Ａ変換回路１４と表示部１５は、出力端子Ｏｕｔを介して電気的に接続されている。
【００５９】
演算回路１１は、デジタルの表示データを生成する機能を有する。当該表示データは、表示部１５により表示される画像の輝度に関する情報を有する。例えば、表示部１５により表示される画像の輝度を、１画素あたり８ビットで表す場合、デジタル値が１０進数表記で０の場合に、当該画素の輝度を最も低くし、デジタル値が１０進数表記で２５５の場合に最も明るくすることができる。演算回路１１により生成されたデジタルの表示データは、デジタルデータ変換回路１２および入力信号生成回路１３に出力される。
【００６０】
演算回路１１として、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等を用いることができる。またこれらをＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）やＦＰＡＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ａｎａｌｏｇ  Ａｒｒａｙ）といったＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）によって実現した構成としてもよい。
【００６１】
デジタルデータ変換回路１２は、演算回路１１により生成された表示データのデジタル値を変換する機能を有する。デジタルデータ変換回路１２により変換されたデジタルの表示データは、Ｄ／Ａ変換回路１４などに出力することができる。演算回路１１により生成された表示データのデジタル値は、例えば所定の変換式により変換することができる。なお、詳細は後述するが、変換後の表示データのデジタル値は、変換前の表示データのデジタル値より大きいことが好ましい。
【００６２】
図２（Ａ）乃至（Ｄ）は、上述の変換式の一例について説明したグラフである。変換前の表示データのデジタル値を横軸（ｘ軸）に示し、変換後の表示データのデジタル値を縦軸（ｙ軸）に示す。また、ａおよびｂは実数である。
【００６３】
図２（Ａ）乃至（Ｄ）において、点線は演算回路１１により生成された表示データのデジタル値を変換しない場合におけるデジタル値ｘとデジタル値ｙの関係を示す。この場合、変換前の表示データのデジタル値と変換後の表示データのデジタル値が等しい場合と同等、つまりｙ＝ｘである場合と同等とすることができる。
【００６４】
図２（Ａ）では、変換式がｙ＝ａｘである場合における、変換前の表示データのデジタル値と変換後の表示データのデジタル値の関係を示すグラフである。例えば、ａを１０進数表記で１０とすると、変換前の表示データのデジタル値ｘが１０進数表記で５である場合、変換後の表示データのデジタル値ｙは１０進数表記で５０となる。
【００６５】
図２（Ｂ）では、変換式がｙ＝ａｘ＋ｂである場合における、変換前の表示データのデジタル値と変換後の表示データのデジタル値の関係を示すグラフである。例えば、ａを１０進数表記で１０、ｂを１０進数表記で２０とすると、変換前の表示データのデジタル値ｘが１０進数表記で５である場合、変換後の表示データのデジタル値ｙは１０進数表記で７０となる。
【００６６】
図２（Ａ）、（Ｂ）では変換式が１次式である場合を示したが、変換式は２次式でもよいし、３次式以上でもよい。
【００６７】
変換式は、図２（Ｃ）に示すようにｙ＝ｘａとしてもよい。例えば、ａを１０進数表記で２とすると、変換前の表示データのデジタル値ｘが１０進数表記で５である場合、変換後の表示データのデジタル値ｙは１０進数表記で２５となる。
【００６８】
また、変換式は、図２（Ｄ）に示すようにｙ＝ｘａ＋ｂとしてもよい。例えば、ａを１０進数表記で２、ｂを１０進数表記で２０とすると、変換前の表示データのデジタル値ｘが１０進数表記で５である場合、変換後の表示データのデジタル値ｙは１０進数表記で４５となる。
【００６９】
デジタルデータ変換回路１２では、図２（Ａ）乃至（Ｄ）に示すように、演算回路１１により生成されたデジタルの表示データを、よりデジタル値が大きな表示データに変換することが好ましい。したがって、例えばａは１より大きいことが好ましい。また、例えばｂは０以上であることが好ましい。
【００７０】
また、ａおよびｂなどの係数は、演算回路１１から生成された表示データのデジタル値をもとに算出することが好ましい。例えば、演算回路１１から生成された表示データのデジタル値が小さい、つまり表示部１５により表示される画像が暗い場合には、変換式の係数を大きくすることが好ましい。なお、ａおよびｂなどの係数は、演算回路１１から生成された表示データのデジタル値によらず一定の値としてもよいし、演算回路１１から生成された表示データのデジタル値などをもとにして任意に設定してもよい。
【００７１】
なお、図２（Ａ）乃至（Ｄ）では変換式の項の数は１または２としたが、変換式の項の数は３であってもよいし、４以上であってもよい。
【００７２】
なお、ａおよびｂなどの係数は、表示部１５が有する画素１個ごとあるいは複数の画素ごとに算出することができる。また、変換式を表示部１５が有する画素１個ごとあるいは複数の画素ごとに変えてもよい。
【００７３】
入力信号生成回路１３は、第１のアナログ信号および第２のアナログ信号を生成し、Ｄ／Ａ変換回路１４に出力する機能を有する。なお、第１のアナログ信号は配線Ｉｎ１を介してＤ／Ａ変換回路１４に供給され、第２のアナログ信号は配線Ｉｎ２を介してＤ／Ａ変換回路１４に供給される。第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位は、詳細は後述するが、演算回路１１により生成された表示データのデジタル値、および図２（Ａ）乃至（Ｄ）などに示される変換式の係数などをもとに算出することができる。なお、第１のアナログ信号の電位は、例えば第２のアナログ信号の電位より低くすることができる。
【００７４】
Ｄ／Ａ変換回路１４は、デジタルデータ変換回路１２によりデジタル値が変換された表示データを、アナログデータに変換する機能を有する。当該アナログデータの電位は、詳細は後述するが、デジタルデータ変換回路１２から出力された表示データのデジタル値と、入力信号生成回路１３により生成された第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位と、をもとに算出することができる。なお、Ｄ／Ａ変換回路１４から出力されたアナログの表示データの電位は、例えば第１のアナログ信号の電位以上、かつ第２のアナログ信号の電位以下とすることができる。Ｄ／Ａ変換回路１４から出力されたアナログの表示データは、出力端子Ｏｕｔを介して表示部１５に出力され、当該表示データの電位に対応する輝度の画像が表示される。
【００７５】
本明細書などにおいて、演算回路１１により生成されたデジタルの表示データを第１の表示データと呼び、デジタルデータ変換回路１２から出力されたデジタルの表示データを第２の表示データと呼び、Ｄ／Ａ変換回路１４から出力されたアナログの表示データを第３の表示データと呼ぶ場合がある。
【００７６】
Ｄ／Ａ変換回路１４の具体的な構成例を図３に示す。図３に示す構成のＤ／Ａ変換回路１４では、デジタルデータ変換回路１２から出力されたｎビット（ｎは２以上の整数）のデジタルの表示データを、アナログデータに変換することができる。
【００７７】
図３に示す構成のＤ／Ａ変換回路１４は、抵抗素子３１［１］乃至抵抗素子３１［２ｎ］と、パストランジスタロジック回路３２と、を有する。
【００７８】
抵抗素子３１［ｊ］（ｊは２以上２ｎ−１以下の整数）の一方の端子は、抵抗素子３１［ｊ−１］の他方の端子と電気的に接続されている。抵抗素子３１［ｊ］の他方の端子は、抵抗素子３１［ｊ＋１］の一方の端子と電気的に接続されている。
【００７９】
抵抗素子３１［１］の一方の端子は、配線Ｉｎ１と電気的に接続されている。抵抗素子３１［１］の他方の端子は、抵抗素子３１［２］の一方の端子と電気的に接続されている。抵抗素子３１［２ｎ］の一方の端子は、抵抗素子３１［２ｎ−１］の他方の端子と電気的に接続されている。抵抗素子３１［２ｎ］の他方の端子は、配線Ｏｕｔと電気的に接続されている。
【００８０】
つまり、抵抗素子３１［１］乃至抵抗素子３１［２ｎ］のそれぞれが直列に接続されている。なお、抵抗素子３１［１］乃至抵抗素子３１［２ｎ］のそれぞれの抵抗値は、すべて等しいことが好ましい。
【００８１】
パストランジスタロジック回路３２には、入力端子ＩＴＳ［１］乃至入力端子ＩＴＳ［２ｎ］および出力端子Ｏｕｔが電気的に接続されている。パストランジスタロジック回路３２は、ｎ段のパストランジスタで構成されている。具体的には、パストランジスタロジック回路３２は、１段につき、電気的に２経路に枝分かれする構成となっており、出力端子Ｏｕｔから入力端子まで、最終的に２ｎ本の経路を有する。なお、１段ごとに枝分かれした２経路の一方は、ｎチャネル型トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、枝分かれした２経路の他方は、ｐチャネル型トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。ｋ段目（ｋは１以上ｎ以下の整数）に設けられたトランジスタのゲートのそれぞれは、配線ｅ［ｋ］と電気的に接続されている。
【００８２】
なお、入力端子ＩＴＳ［ｋ］は、抵抗素子３１［ｋ−１］の他方の端子および抵抗素子３１［ｋ］の一方の端子と電気的に接続されている。入力端子ＩＴＳ［１］は、配線Ｉｎ１および抵抗素子３１［１］の一方の端子と電気的に接続されている。
【００８３】
配線Ｉｎ１には第１のアナログ信号が供給され、配線Ｉｎ２には第２のアナログ信号が供給される。また、出力端子Ｏｕｔからは、アナログの表示データが出力される。また、配線ｅ［１］乃至配線ｅ［ｎ］には、デジタルデータ変換回路１２から出力されたｎビット（ｎは２以上の整数）のデジタルの表示データが入力される。例えば、下位ビットから数えてｋビット目のデジタル値が１である場合は、配線ｅ［ｋ］の電位は高電位となり、下位ビットから数えてｋビット目のデジタル値が０である場合は、配線ｅ［ｋ］の電位は低電位となる。なお、低電位として、例えば接地電位とすることができる。
【００８４】
なお、入力信号生成回路１３の構成も、図３に示すＤ／Ａ変換回路１４の構成と同様とすることができる。
【００８５】
次に、Ｄ／Ａ変換回路１４の具体的な動作について、図４を用いて説明する。図４は、ｎ＝２とした場合の、Ｄ／Ａ変換回路１４の構成例を示す。
【００８６】
例えば、配線Ｉｎ１の電位（第１のアナログ信号の電位）が０Ｖ、配線Ｉｎ２の電位（第２のアナログ信号の電位）が４Ｖであり、さらに抵抗素子３１［１］乃至抵抗素子３１［４］の抵抗値がすべて等しいとする。この場合、入力端子ＩＴＳ［１］の電位は０Ｖ、入力端子ＩＴＳ［２］の電位は１Ｖ、入力端子ＩＴＳ［３］の電位は２Ｖ、入力端子ＩＴＳ［４］の電位は３Ｖとなる。
【００８７】
Ｄ／Ａ変換回路１４に入力されるデジタルの表示データのデジタル値が１０進数表記で０である場合、配線ｅ［１］の電位は低電位、配線ｅ［２］の電位は低電位となる。したがって、出力端子Ｏｕｔの電位は、入力端子ＩＴＳ［１］の電位と同じ電位である０Ｖとなる。また、Ｄ／Ａ変換回路１４に入力されるデジタルの表示データのデジタル値が１０進数表記で１である場合、配線ｅ［１］の電位は高電位、配線ｅ［２］の電位は低電位となる。したがって、出力端子Ｏｕｔの電位は、入力端子ＩＴＳ［２］の電位と同じ電位である１Ｖとなる。同様に、Ｄ／Ａ変換回路１４に入力されるデジタルの表示データのデジタル値が１０進数表記で２である場合、出力端子Ｏｕｔの電位は、入力端子ＩＴＳ［３］の電位と同じ電位である２Ｖとなる。また、Ｄ／Ａ変換回路１４に入力されるデジタルの表示データのデジタル値が１０進数表記で３である場合、出力端子Ｏｕｔの電位は、入力端子ＩＴＳ［４］の電位と同じ電位である３Ｖとなる。
【００８８】
つまり、Ｄ／Ａ変換回路１４に入力されるデジタルの表示データのデジタル値が大きいほど、出力端子Ｏｕｔから出力されるアナログの表示データの電位が高くなる。以上により、Ｄ／Ａ変換回路１４に入力されるデジタルの表示データがアナログの表示データに変換される。
【００８９】
ここで、例えばデジタルデータ変換回路１２における変換式が図２（Ａ）に示すようにｙ＝ａｘで表され、ａを１０進数表記で２とした場合を考える。デジタルデータ変換回路１２によりデジタル値が変換される前の表示データのデジタル値ｘが１０進数表記で例えば１である場合、デジタルデータ変換回路１２によりデジタル値が変換された後の表示データのデジタル値ｙは１０進数表記で２となる。配線Ｉｎ１の電位（第１のアナログ信号の電位）を０Ｖ、配線Ｉｎ２の電位（第２のアナログ信号の電位）を２Ｖとし、デジタル値ｙの表示データをＤ／Ａ変換回路１４に入力すれば、出力端子Ｏｕｔから出力されるアナログの表示データの電位は１Ｖとなる。一方、デジタル値ｘの表示データをそのままＤ／Ａ変換回路１４に入力した場合、配線Ｉｎ１の電位が０Ｖ、配線Ｉｎ２の電位が４Ｖの場合に出力端子Ｏｕｔから出力されるアナログの表示データの電位は１Ｖとなる。つまり、デジタル値ｙの表示データに対してＤ／Ａ変換を行うことにより、配線Ｉｎ１の電位（第１のアナログ信号の電位）と配線Ｉｎ２の電位（第２のアナログ信号の電位）との差を小さくした場合であっても、Ｄ／Ａ変換後の表示データの電位を、デジタル値ｘの表示データに対してＤ／Ａ変換を行った場合と等しくすることができる。
【００９０】
以上により、Ｄ／Ａ変換回路１４から出力されるアナログの表示データの電位を細かく調整することができる。したがって、特に暗い画像を表示する場合において、輝度ムラおよび色ムラなどの発生を防止することができ、高い表示品質で表示することができる。なお、図２（Ａ）乃至（Ｄ）などに示す変換式の係数が大きいほど、Ｄ／Ａ変換回路１４から出力されるアナログの表示データの電位の範囲を狭くすることができるため、暗い画像であっても高い表示品質で表示することができる。
【００９１】
なお、上記において、配線Ｉｎ１の電位を０Ｖとしたが、０Ｖ以外の電位としてもよい。例えば、配線Ｉｎ１の電位を０．５Ｖ、配線Ｉｎ２の電位を１．５Ｖとしてもよい。
【００９２】
本発明の一態様の表示装置１０は、図５（Ａ）に示すように、メモリ１６を有してもよい。メモリ１６は、図２（Ａ）乃至（Ｄ）などに示す変換式、デジタルデータ変換回路１２により算出された当該変換式の係数、入力信号生成回路１３により生成された第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位などを保持する機能を有する回路である。この場合、例えばデジタルデータ変換回路１２は、演算回路１１により生成された表示データのデジタル値を変換し、変換後の表示データのデジタル値がオーバーフローしているか否かを判定する機能を有することができる。
【００９３】
例えば、変換後の表示データのデジタル値を８ビットで表し、変換式が図２（Ａ）に示す式である場合を考える。つまり、変換後の表示データでは、１０進数表記で０から２５５まで表現できる。例えば、ａを１０進数表記で１０とすると、変換前の表示データのデジタル値が１０進数表記で３０である場合、変換後の表示データのデジタル値は１０進数表記で３００となる。つまり、変換後の表示データが表現できる値の上限である２５５を超える。この場合、変換後の表示データのデジタル値はオーバーフローしている。
【００９４】
メモリ１６に保持されている変換式の係数、第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位などを、例えばデジタルデータ変換回路１２によりデジタル値を変換された表示データがオーバーフローしている場合のみ書き換えることにより、詳細は後述するが、変換式の係数の算出の頻度、第１のアナログ信号の電位の算出の頻度および第２のアナログ信号の電位の算出の頻度などを減らすことができる。これにより、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【００９５】
なお、あらかじめ低輝度時の輝度ばらつきを、表示部１５が有する画素１個ごとあるいは複数の画素毎に測定し、当該ばらつきのデータをメモリ１６に保持することができる。この場合、デジタルデータ変換回路１２は、当該ばらつきを考慮して変換式の係数などを算出することができる。
【００９６】
メモリ１６は、メモリセルを複数有する構成とすることができる。メモリ１６が有するメモリセルの構成の一例を図５（Ｂ）に示す。
【００９７】
図５（Ｂ）に示す構成のメモリセルは、トランジスタ２１および容量素子２２を有する。トランジスタ２１のソースまたはドレインの一方は、容量素子２２の一方の電極と電気的に接続されている。トランジスタ２１のソースまたはドレインの他方は、配線ＢＬと電気的に接続されている。トランジスタ２１のゲートは、配線ＷＬと電気的に接続されている。容量素子２２の他方の電極は、配線ＰＬと電気的に接続されている。なお、トランジスタ２１のソースまたはドレインの一方および容量素子２２の一方の電極と電気的に接続されているノードをノードＦＧとする。
【００９８】
配線ＷＬには、選択信号としてトランジスタ２１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＢＬには、デジタルデータ変換回路１２により算出された変換式の係数、第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位などのデータに対応し、トランジスタ２１の導通状態を制御する信号を与えることができる。つまり、トランジスタ２１を導通状態にすることにより、ノードＦＧの電位を上記データに対応する電位である配線ＢＬの電位とすることができる。これにより、メモリセルに上記データを書き込むことができる。なお、配線ＰＬには所定の電位を与えることができる。
【００９９】
ここで、トランジスタ２１をオフ電流が低いトランジスタとした場合、メモリセルに上記データが書き込まれた状態でトランジスタ２１を非導通状態とすることにより、ノードＦＧの電位を長期間保持することができる。つまり、メモリセルに書き込まれた上記データを長期間保持することができる。オフ電流が低いトランジスタとして、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）が挙げられる。
【０１００】
酸化物半導体は、詳細は後述するが、シリコンなどの半導体よりもエネルギーギャップが大きく、また、少数キャリア密度を低くすることができるため、ＯＳトランジスタのオフ電流は極めて小さい。そのため、トランジスタ２１にＯＳトランジスタを用いた場合、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタともいう）などを用いる場合と比較して、ノードＦＧの電位を長期間にわたって保持することができる。したがって、メモリセルに書き込まれたデータを長期間保持することができるため、リフレッシュ動作が不要であるか、またはリフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能である。このため、表示装置１０の消費電力を低減することができる。また、電力の供給がない場合（ただし、電位は固定されていることが好ましい）であっても、長期にわたってデータを保持することができる。
【０１０１】
また、ＯＳトランジスタを有するメモリセルは、データの書き込みに高い電圧が不要であるため、素子の劣化が起こりにくい。例えば、従来の不揮発性メモリのように、フローティングゲートへの絶縁層を介した電子の注入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行わないため、絶縁層の劣化といった問題が生じない。すなわち、ＯＳトランジスタを有するメモリセルは、従来の不揮発性メモリとは異なり書き換え可能回数に制限はなく、信頼性を飛躍的に向上させることができる。さらに、トランジスタ２１の導通状態、非導通状態によって、データの書き込みが行われるため、高速な動作が可能となる。
【０１０２】
本発明の一態様の表示装置１０は、図６（Ａ）に示すように、フォトセンサ１７を有してもよい。フォトセンサ１７は、外光の照度を検出する機能を有する回路である。これにより、例えば表示部１５に表示される画像の輝度を、外光の照度に対応した輝度とすることができる。したがって、例えば外光が暗い場合には、表示部１５に表示される画像の輝度を低下させることができ、使用者が眩しさを感じることを抑制することができる。
【０１０３】
また、本発明の一態様の表示装置１０は、図６（Ｂ）に示すように、補正回路１８を有してもよい。補正回路１８は、デジタルの表示データに対し、ガンマ補正などの補正を行う機能を有する。図６（Ｂ）に示す構成では、デジタルデータ変換回路１２によるデジタル値の変換が行われた後に、補正回路１８による補正が行われる。なお、デジタルの表示データを補正することによりビットエラーなどのエラーが発生することがある。例えばデジタルデータ変換回路１２による変換が行われた後の表示データに発生した１ビットのエラーがアナログの表示データの電位に与える影響は、デジタルデータ変換回路１２による変換が行われる前の表示データに発生した１ビットのエラーがアナログの表示データの電位に与える影響より小さい。したがって、補正回路１８による補正は、デジタルデータ変換回路１２による変換が行われた後の表示データに対して行うことが好ましい。しかしながら、デジタルデータ変換回路１２による変換が行われる前の表示データに対して補正回路１８による補正を行ってもよい。
【０１０４】
なお、図１、図５（Ａ）および図６（Ａ）、（Ｂ）に示す構成は適宜組み合わせることができる。例えば、図６（Ｃ）に示すように、図１に示す構成の表示装置１０にメモリ１６およびフォトセンサ１７を追加した構成とすることができる。
【０１０５】
次に、図６（Ｃ）に示す構成の表示装置１０の動作方法の一例を、図７および図８に示すフローチャートを用いて説明する。
【０１０６】
図７に示すように、まず、フォトセンサ１７により外光の照度を検出する（ステップＳ１０１）。次に、演算回路１１により、外光の照度に対応した輝度を表す表示データを生成する（ステップＳ１０２）。例えば外光が暗い場合には、低輝度を表す表示データを生成する。つまり、外光が暗い場合には、例えばデジタル値が小さい表示データを生成する。
【０１０７】
次に、デジタルデータ変換回路１２が、図２（Ａ）乃至（Ｄ）に示すような、演算回路１１が生成した表示データのデジタル値の変換式をメモリ１６から読み出す（ステップＳ１０３）。その後、デジタルデータ変換回路１２が、演算回路１１から受信した表示データなどをもとに、メモリ１６から読み出した変換式の係数を算出する（ステップＳ１０４）。例えば、演算回路１１から受信した表示データのデジタル値が小さい場合は、変換式の係数を大きくすることが好ましい。なお、あらかじめ低輝度時の輝度ばらつきを、表示部１５が有する画素１個ごとあるいは複数の画素ごとに測定し、当該ばらつきを考慮して画素１個ごとあるいは複数の画素ごとに変換式の係数を算出してもよい。
【０１０８】
次に、デジタルデータ変換回路１２により算出された変換式の係数を、メモリ１６に書き込む（ステップＳ１０５）。その後、デジタルデータ変換回路１２により、演算回路１１から受信した表示データのデジタル値を、変換式を用いて変換する（ステップＳ１０６）。
【０１０９】
次に、入力信号生成回路１３により、第１のアナログ信号および第２のアナログ信号を生成し、Ｄ／Ａ変換回路に出力する（ステップＳ１０７）。第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位は、演算回路１１により生成された表示データのデジタル値、および図２（Ａ）乃至（Ｄ）などに示される変換式の係数などをもとに算出することができる。その後、入力信号生成回路１３により生成された第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位を、メモリ１６に書き込む（ステップＳ１０８）。
【０１１０】
次に、デジタルデータ変換回路１２によりデジタル値を変換された表示データを、Ｄ／Ａ変換回路１４によりアナログデータに変換する（ステップＳ１０９）。前述のように、当該アナログデータの電位は、デジタルデータ変換回路１２から出力された表示データのデジタル値と、入力信号生成回路１３により生成された第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位と、をもとに算出することができる。その後、表示部１５がＤ／Ａ変換回路１４からアナログの表示データを受信し、当該アナログの表示データに対応する画像を表示する（ステップＳ１１０）。
【０１１１】
次に、図８に示すように、フォトセンサ１７により外光の照度を検出する（ステップＳ２０１）。その後、演算回路１１により、外光の照度に対応した輝度を表す表示データを生成する（ステップＳ２０２）。前述のように、例えば外光が暗い場合には、低輝度を表す表示データを生成する。つまり、外光が暗い場合には、例えばデジタル値が小さい表示データを生成する。
【０１１２】
次に、図２（Ａ）乃至（Ｄ）に示すような、演算回路１１が生成した表示データのデジタル値の変換式を、デジタルデータ変換回路１２がメモリ１６から読み出す。また、デジタルデータ変換回路１２が、図７に示すステップＳ１０５でメモリ１６に書き込まれた係数を読み出す（ステップＳ２０３）。その後、デジタルデータ変換回路１２により、演算回路１１から受信した表示データのデジタル値を、変換式を用いて変換する（ステップＳ２０４）。
【０１１３】
次に、デジタルデータ変換回路１２により、変換後の表示データのデジタル値がオーバーフローしているか否かを判定する（ステップＳ２０５およびステップＳ２０６）。オーバーフローしている場合は、図７に示すステップＳ１０４に戻り、デジタルデータ変換回路１２が、演算回路１１から受信した表示データなどをもとに、メモリ１６から読み出した変換式の係数を算出する。オーバーフローしていない場合は、入力信号生成回路１３が、メモリ１６に保持された第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位を読み出し、当該電位の第１のアナログ信号および第２のアナログ信号をＤ／Ａ変換回路１４に出力する（ステップＳ２０７）。その後、図７に示すステップＳ１０９に戻り、デジタルデータ変換回路１２によりデジタル値を変換された表示データを、Ｄ／Ａ変換回路１４によりアナログデータに変換する。
【０１１４】
以上が図６（Ｃ）に示す構成の表示装置１０の動作方法の一例である。なお、表示装置１０が有する機能を実現できる範囲において、図７および図８に示したステップの順番を適宜入れ替えることができる。また、表示装置１０が有する機能を実現できる範囲において、一部のステップを省略および追加することができる。
【０１１５】
なお、ステップＳ２０６において、変換後の表示データのデジタル値がオーバーフローしていない場合においても、オーバーフローしている場合と同様にステップＳ１０４に戻ってもよい。例えば、指定した時間が経過した場合、あるいは信号が入力された場合にステップＳ１０４に戻ってもよい。
【０１１６】
図７および図８に示す手順では、メモリ１６に保持されている変換式の係数、第１のアナログ信号の電位および第２のアナログ信号の電位を、デジタルデータ変換回路１２によりデジタル値を変換された表示データがオーバーフローしている場合のみ書き換えることができる。これにより、変換式の係数の算出の頻度、第１のアナログ信号の電位の算出の頻度および第２のアナログ信号の電位の算出の頻度を減らすことができる。したがって、表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【０１１７】
また、図７および図８に示す手順では、フォトセンサ１７により外光の照度を検出し、外光の照度に応じた輝度を表す表示データを演算回路１１により生成することができる。これにより、例えば外光が暗い場合には、表示部１５に表示される画像の輝度を低下させることができ、使用者が眩しさを感じることを抑制することができる。
【０１１８】
なお、図１および図６（Ａ）、（Ｂ）に示す構成の表示装置１０の動作方法は、適宜ステップの省略および追加などを行うことにより、図７および図８を参照することができる。例えば、図１に示す構成の表示装置１０の動作方法の一例を説明するフローチャートを図９に示す。図９に示すように、ステップＳ１０２、ステップＳ１０４、ステップＳ１０６、ステップＳ１０７、ステップＳ１０９およびステップＳ１１０を行うことにより、図１に示す構成の表示装置１０を動作させることができる。
【０１１９】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１２０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、およびその作製方法について説明する。
【０１２１】
本発明の一態様の表示装置は、反射型の液晶素子を有する第１の画素が設けられた第１の表示パネルと、発光素子を有する第２の画素が設けられた第２の表示パネルとが、接着層を介して貼り合わされた構成を有する。反射型の液晶素子は、反射光の光量を制御することにより階調を表現することができる。発光素子は、発する光の光量を制御することにより階調を表現することができる。
【０１２２】
なお、第１の画素は、透過型の液晶素子を有する構成としてもよい。この場合、第２の画素が有する発光素子をバックライトとして用いることができる。なお、第１の画素と第２の画素の間に偏光膜が配置されていない場合かつ第２の画素の発光が偏光していない場合、第２の画素の発光を第１の画素の液晶素子で遮ることはできないので、第２の画素の輝度を画素毎に変える必要がある。本発明においてバックライトとして用いるとは第２の画素の輝度を画素ごとに変える場合を含む。
【０１２３】
表示装置は、例えば反射光のみを利用して表示を行うこと、発光素子からの光のみを利用して表示を行うこと、および、反射光と発光素子からの光の両方を利用して表示を行うことができる。
【０１２４】
第１の表示パネルは視認側に設けられ、第２の表示パネルは視認側とは反対側に設けられる。第１の表示パネルは、最も接着層側に位置する第１の樹脂層を有する。また第２の表示パネルは、最も接着層側に位置する第２の樹脂層を有する。
【０１２５】
また、第１の表示パネルの表示面側に第３の樹脂層を設け、第２の表示パネルの裏面側（表示面側とは反対側）に第４の樹脂層を設けることが好ましい。これにより、表示装置を極めて軽くすることが可能で、また表示装置を割れにくくすることが可能となる。
【０１２６】
第１の樹脂層乃至第４の樹脂層（以下、まとめて樹脂層とも表記する）は、極めて薄いことを特徴とする。より具体的には、それぞれ厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下とすることが好ましい。そのため、２つの表示パネルを積層した構成であっても、厚さを薄くすることができる。また、第２の画素の発光素子が発する光の経路上に位置する樹脂層による光の吸収が抑制され、より高い効率で光を取り出すことができ、消費電力を小さくすることができる。
【０１２７】
樹脂層は、例えば以下のように形成することができる。すなわち、支持基板上に低粘度の熱硬化性の樹脂材料を塗布し、熱処理により硬化させて樹脂層を形成する。そして樹脂層上に、構造物を形成する。その後、樹脂層と、支持基板との間で剥離を行うことにより、樹脂層の一方の面を露出させる。
【０１２８】
支持基板と樹脂層とを剥離する際、これらの密着性を低下させる方法として、レーザ光を照射することが挙げられる。例えば、レーザ光に線状のレーザを用い、これを走査することにより、レーザ光を照射することが好ましい。これにより、支持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。レーザ光としては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に用いることができる。
【０１２９】
樹脂層に用いることのできる材料としては、代表的には熱硬化性のポリイミドが挙げられる。特に感光性のポリイミドを用いることが好ましい。感光性のポリイミドは、表示パネルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、形成装置や材料を共有することができる。そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置や材料を必要としない。
【０１３０】
また、樹脂層に感光性の樹脂材料を用いることにより、露光および現像処理を施すことで、樹脂層を加工することが可能となる。例えば、開口部を形成することや、不要な部分を除去することができる。さらに露光方法や露光条件を最適化することで、表面に凹凸形状を形成することも可能となる。例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いた露光技術や、多重露光技術などを用いればよい。
【０１３１】
なお、非感光性の樹脂材料を用いてもよい。このとき、樹脂層上にレジストマスクやハードマスクを形成して開口部や凹凸形状を形成する方法を用いることもできる。
【０１３２】
またこのとき、発光素子からの光の経路上に位置する樹脂層を、部分的に除去することが好ましい。すなわち、第１の樹脂層および第２の樹脂層に、発光素子と重なる開口部を設ける。これにより、発光素子からの光の一部が樹脂層に吸収されることに伴う色再現性の低下や、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【０１３３】
または、樹脂層の発光素子からの光の経路上に位置する部分が、他の部分よりも薄くなるように、樹脂層に凹部が形成された構成としてもよい。すなわち、樹脂層は厚さの異なる２つの部分を有し、厚さの薄い部分が発光素子と重なる構成とすることもできる。この構成としても、樹脂層による発光素子からの光の吸収を低減できる。
【０１３４】
また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、上記と同様に発光素子と重なる開口部を設けることが好ましい。これにより、さらに色再現性や光取り出し効率を向上させることができる。
【０１３５】
また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、反射型の液晶素子における光の経路上に位置する第３の樹脂層の一部を除去することが好ましい。すなわち、第３の樹脂層に、反射型の液晶素子と重なる開口部を設ける。これにより、反射型の液晶素子の反射率を向上させることができる。
【０１３６】
樹脂層に開口部を形成する場合、支持基板上に光吸収層を形成し、当該光吸収層上に開口部を有する樹脂層を形成し、さらに開口部を覆う透光性の層を形成する。光吸収層は、光を吸収して加熱されることで、水素または酸素などのガスを放出する層である。したがって、支持基板側から光を照射し、光吸収層からガスを放出させることで、光吸収層と支持基板の界面、または光吸収層と透光性の層との間の密着性が低下し、剥離を生じさせることができる。または、光吸収層自体が破断して、剥離させることができる。
【０１３７】
または、以下の方法を用いることもできる。すなわち、樹脂層の開口部となる部分を、部分的に薄く形成し、上述した方法により支持基板と樹脂層とを剥離する。そして樹脂層の剥離した表面にプラズマ処理等を行うことで、樹脂層を薄膜化すると、樹脂層の薄い部分に開口部を形成することができる。
【０１３８】
また、第１の画素および第２の画素は、それぞれトランジスタを有することが好ましい。さらに、当該トランジスタのチャネルを形成する半導体として、酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体はトランジスタの作製工程にかかる最高温度を低温化（例えば４００℃以下、好ましくは３５０℃以下）しても、高いオン電流を実現でき、また高い信頼性を確保することができる。また、酸化物半導体を用いることで、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層に用いる材料として、高い耐熱性が要求されないため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、平坦化膜として用いる樹脂材料と兼ねることもできる。
【０１３９】
ここで、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いた場合では、高い電界効果移動度が得られるものの、レーザ結晶化工程、結晶化の前処理のベーク工程、不純物の活性化のためのベーク工程などが必要であり、トランジスタの作製工程にかかる最高温度が上記酸化物半導体を用いた場合よりも高い（例えば５００℃以上、または５５０℃以上、または６００℃以上）。そのため、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層には高い耐熱性が必要となる。さらに、レーザ結晶化工程において、当該樹脂層にもレーザが照射されるため、当該樹脂層は比較的厚く形成する必要がある（例えば１０μｍ以上、または２０μｍ以上）。
【０１４０】
一方、酸化物半導体を用いた場合では、耐熱性の高い特殊な材料が不要で、且つ厚く形成する必要がないため、表示パネル全体に対する当該樹脂層にかかるコストの割合を小さくできる。
【０１４１】
また、酸化物半導体は、バンドギャップが広く（例えば２．５ｅＶ以上、または３．０ｅＶ以上）、光を透過する性質を有する。そのため、支持基板と樹脂層の剥離工程において、レーザ光が酸化物半導体に照射されても吸収しにくいため、その電気的特性への影響を抑制できる。したがって、上述のように樹脂層を薄く形成することが可能となる。
【０１４２】
本発明の一態様は、感光性のポリイミドに代表される低粘度な感光性樹脂材料を用いて薄く形成した樹脂層と、低温であっても電気特性に優れたトランジスタを実現できる酸化物半導体と、を組み合わせることにより、極めて生産性に優れた表示装置を実現できる。
【０１４３】
続いて、画素の構成について説明する。第１の画素および第２の画素は、それぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。また、表示装置は、第１の画素を駆動する第１の駆動部と、第２の画素を駆動する第２の駆動部を有することが好ましい。第１の駆動部は第１の表示パネルに設けられ、第２の駆動部は第２の表示パネルに設けられていることが好ましい。
【０１４４】
また、第１の画素と第２の画素は、同じ周期で表示領域内に配置されていることが好ましい。さらに、第１の画素および第２の画素は表示装置の表示領域に混在して配置されていることが好ましい。これにより、後述するように複数の第１の画素のみで表示された画像と、複数の第２の画素のみで表示された画像、および複数の第１の画素および複数の第２の画素の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。
【０１４５】
ここで、第１の画素は、例えば白色（Ｗ）を呈する１つの画素により構成されていることが好ましい。また第２の画素は、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有することが好ましい。またはこれに加えて白色（Ｗ）または黄色（Ｙ）の光を呈する副画素を有していてもよい。このような第１の画素と第２の画素が同じ周期で配列することで、第１の画素の面積を大きくし、第１の画素の開口率を高めることができる。
【０１４６】
なお、第１の画素として、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有していてもよく、これに加えて白色（Ｗ）または黄色（Ｙ）の光を呈する副画素を有していてもよい。
【０１４７】
続いて、第１の表示パネルおよび第２の表示パネルに用いることのできるトランジスタについて説明する。第１の表示パネルの第１の画素に設けられるトランジスタと、第２の表示パネルの第２の画素に設けられるトランジスタとは、同じ構成のトランジスタであってもよいし、それぞれ異なるトランジスタであってもよい。
【０１４８】
トランジスタの構成としては、例えばボトムゲート構造のトランジスタが挙げられる。ボトムゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも下側（被形成面側）にゲート電極を有する。また、例えばソース電極およびドレイン電極が、半導体層の上面および側端部に接して設けられていることを特徴とする。
【０１４９】
また、トランジスタの他の構成としては、例えばトップゲート構造のトランジスタが挙げられる。トップゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも上側（被形成面側とは反対側）にゲート電極を有する。また、例えば第１のソース電極および第１のドレイン電極が、半導体層の上面の一部および側端部を覆う絶縁層上に設けられ、且つ当該絶縁層に設けられた開口部を介して半導体層と電気的に接続されることを特徴とする。
【０１５０】
また、トランジスタとして、半導体層を挟んで対向して設けられる第１のゲート電極および第２のゲート電極を有していることが好ましい。
【０１５１】
以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について、図面を参照して説明する。
【０１５２】
［構成例１］
図１０に、表示装置１０の断面概略図を示す。表示装置１０は、表示パネル１００と表示パネル２００とが接着層５０によって貼り合わされた構成を有する。また、表示装置１０は、裏側（視認側とは反対側）に基板６１１と、表側（視認側）に基板６１２と、を有する。
【０１５３】
表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２との間に、トランジスタ１１０と、発光素子１２０と、を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２との間にトランジスタ２１０と、液晶素子２２０と、を有する。樹脂層１０１は、接着層５１を介して基板６１１と貼り合わされている。また樹脂層２０２は、接着層５２を介して基板６１２と貼り合わされている。
【０１５４】
また、樹脂層１０２、樹脂層２０１、および樹脂層２０２は、それぞれ開口部が設けられている。図１０に示す領域８１は、発光素子１２０と重なる領域であって、且つ樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、および樹脂層２０２の開口部と重なる領域である。
【０１５５】
〔表示パネル１００〕
樹脂層１０１には、トランジスタ１１０、発光素子１２０、絶縁層１３１、絶縁層１３２、絶縁層１３３、絶縁層１３４、絶縁層１３５等が設けられている。また、樹脂層１０２には、遮光層１５３、および着色層１５２等が設けられている。樹脂層１０１と樹脂層１０２とは、接着層１５１により接着されている。
【０１５６】
トランジスタ１１０は、絶縁層１３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２の一部と、半導体層１１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。
【０１５７】
半導体層１１２は、酸化物半導体を含むことが好ましい。
【０１５８】
絶縁層１３３および絶縁層１３４は、トランジスタ１１０を覆って設けられている。絶縁層１３４は、平坦化層として機能する。
【０１５９】
発光素子１２０は、導電層１２１と、ＥＬ層１２２と、導電層１２３と、が積層された構成を有する。導電層１２１は可視光を反射する機能を有し、導電層１２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、発光素子１２０は、被形成面側とは反対側に光を射出する上面射出型（トップエミッション型ともいう）の発光素子である。
【０１６０】
導電層１２１は、絶縁層１３４および絶縁層１３３に設けられた開口部を介して導電層１１３ｂと電気的に接続されている。絶縁層１３５は、導電層１２１の端部を覆い、且つ導電層１２１の上面が露出するように開口部が設けられている。ＥＬ層１２２および導電層１２３は、絶縁層１３５および導電層１２１の露出した部分を覆って、順に設けられている。
【０１６１】
樹脂層１０２の樹脂層１０１側には、絶縁層１４１が設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０１側には、遮光層１５３と、着色層１５２とが設けられている。着色層１５２は、発光素子１２０と重なる領域に設けられている。遮光層１５３は、発光素子１２０と重なる部分に開口部を有する。
【０１６２】
絶縁層１４１は、樹脂層１０２の開口部を覆って設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接している。
【０１６３】
〔表示パネル２００〕
樹脂層２０１には、トランジスタ２１０、導電層２２１、配向膜２２４ａ、絶縁層２３１、絶縁層２３２、絶縁層２３３、絶縁層２３４等が設けられている。また、樹脂層２０２には、絶縁層２０４、導電層２２３、配向膜２２４ｂ等が設けられている。また配向膜２２４ａと配向膜２２４ｂとの間に液晶２２２が挟持されている。樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、図示しない領域で接着層により接着されている。
【０１６４】
トランジスタ２１０は、絶縁層２３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層２１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２３２の一部と、半導体層２１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層２１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層２１３ｂと、を有する。
【０１６５】
半導体層２１２は、酸化物半導体を含むことが好ましい。
【０１６６】
絶縁層２３３および絶縁層２３４は、トランジスタ２１０を覆って設けられている。絶縁層２３４は、平坦化層として機能する。
【０１６７】
液晶素子２２０は、導電層２２１と、導電層２２３と、これらの間に位置する液晶２２２と、により構成されている。導電層２２１は可視光を反射する機能を有し、導電層２２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子２２０は反射型の液晶素子である。
【０１６８】
導電層２２１は、絶縁層２３４および絶縁層２３３に設けられた開口部を介して導電層２１３ｂと電気的に接続されている。配向膜２２４ａは、導電層２２１および絶縁層２３４の表面を覆って設けられている。
【０１６９】
樹脂層２０２の樹脂層２０１側には、導電層２２３と配向膜２２４ｂとが積層されて設けられている。なお、樹脂層２０２と導電層２２３との間に絶縁層２０４が設けられている。また、液晶素子２２０の反射光を着色するための着色層を設けてもよい。
【０１７０】
絶縁層２３１は、樹脂層２０１の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２３１の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接して設けられている。また、絶縁層２０４は、樹脂層２０２の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２０４の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５２と接して設けられている。
【０１７１】
〔表示装置１０〕
表示装置１０は、上面から見たときに、発光素子１２０が、反射型の液晶素子２２０と重ならない部分を有する。これにより、図１０に示すように、発光素子１２０からは、着色層１５２によって着色された発光６２１が、視認側に射出される。また、液晶素子２２０では、導電層２２１により外光が反射された反射光６２２が液晶２２２を介して射出される。
【０１７２】
発光素子１２０から射出された発光６２１は、樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、および樹脂層２０２の開口部を通って視認側に射出される。したがって、樹脂層１０２、樹脂層２０１、および樹脂層２０２が可視光の一部を吸収する場合であっても、発光６２１の光路上にこれら樹脂層が存在しないため、光取り出し効率や、色再現性を高いものとすることができる。
【０１７３】
なお、基板６１２が偏光板、または円偏光板として機能する。または、基板６１２よりも外側に、偏光板または円偏光板を設けてもよい。
【０１７４】
ここでは、表示パネル２００が着色層を有さず、カラー表示を行わない構成としているが、樹脂層２０２側に着色層を設け、カラー表示可能な構成としてもよい。
【０１７５】
以上が構成例についての説明である。
【０１７６】
［作製方法例］
以下では、図１０で例示した表示装置１０の作製方法の例について、図面を参照して説明する。
【０１７７】
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法を使ってもよい。
【０１７８】
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
【０１７９】
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上に感光性のレジスト材料を塗布し、これをフォトマスク用いて露光した後、現像することによりレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。
【０１８０】
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、光や電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
【０１８１】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
【０１８２】
〔樹脂層の形成〕
まず、支持基板６１を準備する。支持基板６１としては、搬送が容易となる程度に剛性を有する材料であり、且つ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する材料を用いることができる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂、半導体、金属または合金などの材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。
【０１８３】
続いて、支持基板６１上に、樹脂層１０１を形成する（図１１（Ａ））。
【０１８４】
まず、樹脂層１０１となる材料を支持基板６１上に塗布する。塗布は、スピンコート法を用いると大型の基板に均一に薄い樹脂層１０１を形成できるため好ましい。
【０１８５】
他の塗布方法として、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法を用いてもよい。
【０１８６】
当該材料は、熱により重合が進行する熱硬化性（熱重合性ともいう）を発現する重合性モノマーを有する。さらに、当該材料は、感光性を有することが好ましい。また当該材料は、粘度を調整するための溶媒が含まれていることが好ましい。
【０１８７】
当該材料には、重合後にポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂となる、重合性モノマーを含むことが好ましい。すなわち、形成された樹脂層１０１は、これら樹脂材料を含む。特に当該材料に、イミド結合を有する重合性モノマーを用いることで、ポリイミド樹脂に代表される樹脂を樹脂層１０１に用いると、耐熱性や耐候性を向上させることができるため好ましい。
【０１８８】
塗布に用いる当該材料の粘度は、５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは粘度が５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは粘度が１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下であることが好ましい。材料の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、材料の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。また材料の粘度が低いほど、薄く均一に塗布することが可能なため、より薄い樹脂層１０１を形成することができる。
【０１８９】
続いて、支持基板６１を加熱し、塗布した材料を重合させることで樹脂層１０１を形成する。このとき、加熱により材料中の溶媒は除去される。また加熱は、後のトランジスタ１１０の作製工程にかかる最高温度よりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば３００℃以上６００℃以下、好ましくは３５０℃以上５５０℃以下、より好ましくは４００℃以上５００℃以下、代表的には４５０℃で加熱することが好ましい。樹脂層１０１の形成時に、表面が露出した状態でこのような温度で加熱することにより、樹脂層１０１から脱離しうるガスを除去することができるため、トランジスタ１１０の作製工程中にガスが脱離することを抑制できる。
【０１９０】
樹脂層１０１の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層１０１を薄く均一に形成することが容易となる。
【０１９１】
また、樹脂層１０１の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層１０１の熱膨張係数が低いほど、加熱による膨張または収縮に伴う応力により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
【０１９２】
また、トランジスタ１１０の半導体層１１２に酸化物半導体膜を用いる場合には、低温で形成できるため、樹脂層１０１に高い耐熱性が要求されない。樹脂層１０１等の耐熱性は、例えば加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等により評価できる。樹脂層１０１等の５％重量減少温度は、４５０℃以下、好ましくは４００℃以下、より好ましくは４００℃未満、さらに好ましくは３５０℃未満とすることができる。また、トランジスタ１１０等の形成工程にかかる最高温度を、３５０℃以下とすることが好ましい。
【０１９３】
ここで、樹脂層１０１に感光性の材料を用いた場合、フォトリソグラフィ法により、一部を除去することが可能となる。具体的には、材料を塗布した後に溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理ともいう）を行い、その後露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。また、その後に熱処理（ポストベーク処理ともいう）を行うことが好ましい。２回目の熱処理を、上記で示した温度で行えばよい。
【０１９４】
上記方法で樹脂層１０１に開口部を設けることにより、以下のような構成を実現できる。例えば、開口部を覆うように導電層を配置することで、後述する剥離工程後に、裏面側に一部が露出した電極（裏面電極、貫通電極とも言う）を形成することができる。当該電極は、外部接続端子として用いることもできる。また、例えば２つの表示パネルを貼り合せるためのマーカー部に樹脂層１０１を設けない構成とすることで、位置合わせ精度を高めることができる。
【０１９５】
〔絶縁層１３１の形成〕
続いて、樹脂層１０１上に絶縁層１３１を形成する（図１１（Ｂ））。
【０１９６】
絶縁層１３１は、樹脂層１０１に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。
【０１９７】
絶縁層１３１としては、例えば窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁材料を用いることができる。また、上述の２以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。特に、樹脂層１０１側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることが好ましい。
【０１９８】
また、樹脂層１０１の表面に凹凸がある場合、絶縁層１３１は当該凹凸を被覆することが好ましい。また、絶縁層１３１が当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁層１３１として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等の有機樹脂を用いることができる。
【０１９９】
絶縁層１３１は、例えば室温以上４００℃以下、好ましくは１００℃以上３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上３００℃以下の温度で形成することが好ましい。
【０２００】
〔トランジスタの形成〕
続いて、図１１（Ｃ）に示すように、絶縁層１３１上にトランジスタ１１０を形成する。ここではトランジスタ１１０の一例として、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合の例を示している。
【０２０１】
絶縁層１３１上に導電層１１１を形成する。導電層１１１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０２０２】
続いて、絶縁層１３２を形成する。絶縁層１３２は、絶縁層１３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。
【０２０３】
続いて、半導体層１１２を形成する。半導体層１１２は、半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０２０４】
半導体膜は、成膜時の基板温度を室温以上３００℃以下、好ましくは室温以上２２０℃以下、より好ましくは、室温以上２００℃以下、さらに好ましくは室温以上１７０℃以下の温度で形成する。ここで成膜時の基板温度が室温であるとは、基板を意図的に加熱しないことを指す。このとき、成膜時に基板が受けるエネルギーにより、室温よりも高い温度になる場合も含む。また、室温とは例えば１０℃以上３０℃以下の温度範囲を指し、代表的には２５℃とする。
【０２０５】
半導体膜としては、酸化物半導体を用いることが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０２０６】
また、酸化物半導体として、バンドギャップが２．５ｅＶ以上、好ましくは２．８ｅＶ以上、より好ましくはバンドギャップが３．０ｅＶ以上の材料を用いることが好ましい。このような酸化物半導体を用いることにより、後述する剥離工程におけるレーザ光等の光の照射において、当該光が半導体膜を透過するため、トランジスタの電気特性への悪影響が生じにくくなる。
【０２０７】
特に、本発明の一態様に用いる半導体膜は、不活性ガス（例えばＡｒ）および酸素ガスのいずれか一方または両方を含む雰囲気下にて基板を加熱した状態で、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。
【０２０８】
成膜時の基板温度は室温以上２００℃以下、好ましくは室温以上１７０℃以下の温度とすることが好ましい。基板の温度を高めることにより、配向性を有する結晶部がより多く形成され、電気的な安定性に優れた半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いることで、電気的な安定性に優れたトランジスタを実現できる。また、基板温度を低くする、または意図的に加熱しない状態で成膜することで、配向性を有する結晶部の割合が小さく、キャリア移動度の高い半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いることで、高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。
【０２０９】
また、成膜時の酸素の流量比（酸素分圧）を、０％以上１００％未満、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは０％以上３３％以下、さらに好ましくは０％以上１５％以下とすることが好ましい。酸素流量を低減することにより、キャリア移動度の高い半導体膜を形成でき、より高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。
【０２１０】
成膜時の基板温度と、成膜時の酸素流量を上述の範囲とすることで、配向性を有する結晶部と、配向性を有さない結晶部とが混在した半導体膜を得ることができる。また、基板温度と酸素流量を上述の範囲内で最適化することにより、配向性を有する結晶部と配向性を有さない結晶部の存在割合を制御することが可能となる。
【０２１１】
半導体膜の成膜に用いることの可能な酸化物ターゲットとしては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物に限られず、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｙ、またはＳｎ）を適用することができる。
【０２１２】
また、複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いて、結晶部を含む半導体膜を成膜すると、多結晶酸化物を含まないスパッタリングターゲットを用いた場合に比べて、結晶性を有する半導体膜が得られやすい。
【０２１３】
特に、膜の厚さ方向（膜面方向、膜の被形成面、または膜の表面に垂直な方向ともいう）に配向性を有する結晶部と、このような配向性を有さずに無秩序に配向する結晶部が混在した半導体膜を適用したトランジスタは、電気特性の安定性を高くできる、チャネル長を微細にすることが容易となる、などの特徴がある。一方、配向性を有さない結晶部のみで構成される半導体膜を適用したトランジスタは、電界効果移動度を高めることができる。なお、後述するように、酸化物半導体中の酸素欠損を低減することにより、高い電界効果移動度と高い電気特性の安定性を両立したトランジスタを実現することができる。
【０２１４】
このように、酸化物半導体膜を用いることで、ＬＴＰＳで必要であった高い温度での加熱処理や、レーザ結晶化処理が不要であり、極めて低温で半導体層１１２を形成できる。そのため、樹脂層１０１を薄く形成することが可能となる。
【０２１５】
続いて、導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂを形成する。導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０２１６】
なお、導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない半導体層１１２の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。半導体層１１２として配向性を有する結晶部を含む酸化物半導体膜を用いると、この薄膜化を抑制できるため好ましい。
【０２１７】
以上のようにして、トランジスタ１１０を作製できる。トランジスタ１１０は、チャネルが形成される半導体層１１２に、酸化物半導体を含むトランジスタである。またトランジスタ１１０において、導電層１１１の一部はゲートとして機能し、絶縁層１３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する。
【０２１８】
〔絶縁層１３３の形成〕
続いて、トランジスタ１１０を覆う絶縁層１３３を形成する。絶縁層１３３は、絶縁層１３２と同様の方法により形成することができる。
【０２１９】
絶縁層１３３は例えば室温以上４００℃以下、好ましくは１００℃以上３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上３００℃以下の温度で形成することが好ましい。温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができる。
【０２２０】
また、絶縁層１３３として、酸素を含む雰囲気下で上述のような低温で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。また当該酸化シリコンや酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層して形成することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で低温で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、半導体層１１２に酸素を供給することができる。その結果、半導体層１１２中の酸素欠損、および半導体層１１２と絶縁層１３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【０２２１】
以上の工程により、可撓性を有する樹脂層１０１上にトランジスタ１１０と、これを覆う絶縁層１３３を形成することができる。なお、この段階において、後述する方法を用いて樹脂層１０１と支持基板６１とを分離することで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することもできる。例えば、トランジスタ１１０や、トランジスタ１１０に加えて容量素子、抵抗素子、および配線などを形成することで、半導体回路を有するフレキシブルデバイスを作製することができる。
【０２２２】
〔絶縁層１３４の形成〕
続いて、絶縁層１３３上に絶縁層１３４を形成する。絶縁層１３４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが好ましい。絶縁層１３４は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
【０２２３】
絶縁層１３４は、樹脂層１０１と同様に、感光性および熱硬化性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。特に、絶縁層１３４と樹脂層１０１とに、同じ材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層１３４と樹脂層１０１を形成するための装置を共通化することが可能となる。
【０２２４】
また、絶縁層１３４は、樹脂層１０１と同様に、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層１３４を薄く均一に形成することが容易となる。
【０２２５】
〔発光素子１２０の形成〕
続いて、絶縁層１３４および絶縁層１３３に、導電層１１３ｂに達する開口部を形成する。
【０２２６】
その後、導電層１２１を形成する。導電層１２１は、その一部が画素電極として機能する。導電層１２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０２２７】
続いて、図１１（Ｄ）に示すように、導電層１２１の端部を覆う絶縁層１３５を形成する。絶縁層１３５は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
【０２２８】
絶縁層１３５は、樹脂層１０１と同様に、感光性および熱硬化性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。特に、絶縁層１３５と樹脂層１０１とに、同じ材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層１３５と樹脂層１０１を形成するための装置を共通化することが可能となる。
【０２２９】
また、絶縁層１３５は、樹脂層１０１と同様に、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層１３５を薄く均一に形成することが容易となる。
【０２３０】
続いて、図１１（Ｅ）に示すように、ＥＬ層１２２および導電層１２３を形成する。
【０２３１】
ＥＬ層１２２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。ＥＬ層１２２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層１２２を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。ここでは、メタルマスクを用いない蒸着法により形成した例を示している。
【０２３２】
導電層１２３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【０２３３】
以上のようにして、発光素子１２０を形成することができる。発光素子１２０は、一部が画素電極として機能する導電層１２１、ＥＬ層１２２、および一部が共通電極として機能する導電層１２３が積層された構成を有する。
【０２３４】
〔光吸収層１０３ａの形成〕
支持基板６２を準備する。支持基板６２は、支持基板６１の記載を援用することができる。
【０２３５】
続いて、支持基板６２上に、光吸収層１０３ａを形成する（図１２（Ａ））。光吸収層１０３ａは、後の光７０の照射工程において、当該光７０を吸収し、発熱することにより、水素または酸素等を放出する層である。
【０２３６】
光吸収層１０３ａとしては、例えば加熱により水素が放出される、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いることができる。水素化アモルファスシリコン膜は、例えばＳｉＨ４を成膜ガスに含むプラズマＣＶＤ法により成膜することができる。また、さらに水素を多く含有させるため、成膜後に水素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。
【０２３７】
または、光吸収層１０３ａとして、加熱により酸素が放出される酸化物膜を用いることもできる。特に、酸化物半導体膜または不純物準位を有する酸化物半導体膜（酸化物導電体膜ともいう）は、酸化シリコン膜等の絶縁膜に比べてバンドギャップが狭く、光を吸収しやすいため好ましい。酸化物半導体を用いる場合、上述した半導体層１１２の形成方法、および後述する半導体層に用いることのできる材料を援用できる。酸化物膜は、例えば酸素を含む雰囲気下でプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により成膜することができる。特に酸化物半導体膜を用いる場合には、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により成膜することが好ましい。また、さらに酸素を含有させるため、成膜後に酸素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。
【０２３８】
または、光吸収層１０３ａに用いることのできる酸化物膜として、酸化物絶縁膜を用いてもよい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜等を用いることもできる。例えば、このような酸化物絶縁膜を、酸素を含む雰囲気下にて、低温（例えば２５０℃以下、好ましくは２２０℃以下）で成膜することで、酸素を過剰に含有した酸化物絶縁膜を形成することができる。成膜は、例えばスパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法等を用いることができる。
【０２３９】
〔樹脂層１０２の形成〕
続いて、光吸収層１０３ａ上に、開口部を有する樹脂層１０２を形成する（図１２（Ｂ））。樹脂層１０２の形成方法および材料については、開口部を形成する部分以外は樹脂層１０１と同様の方法を用いることができる。
【０２４０】
樹脂層１０２の形成は、まず感光性の材料を光吸収層１０３ａ上に塗布して薄膜を形成し、プリベーク処理を行う。続いて、フォトマスクを用いて当該材料を露光し、現像処理を行うことで、開口部を有する樹脂層１０２を形成することができる。その後、ポストベーク処理を行い、材料を十分に重合させるとともに、膜中のガスを除去する。
【０２４１】
〔絶縁層１４１の形成〕
続いて、樹脂層１０２、および樹脂層１０２の開口部を覆って絶縁層１４１を形成する（図１２（Ｃ））。絶縁層１４１の一部は、光吸収層１０３ａと接して設けられる。絶縁層１４１は、樹脂層１０２に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。
【０２４２】
絶縁層１４１の形成方法および材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。
【０２４３】
〔遮光層、着色層の形成〕
続いて、絶縁層１４１上に遮光層１５３および着色層１５２を形成する（図１２（Ｄ））。
【０２４４】
遮光層１５３は、金属材料または樹脂材料を用いることができる。金属材料を用いる場合には、導電膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ法等を用いて不要な部分を除去することにより形成できる。また金属材料、顔料または染料を含む感光性の樹脂材料を用いた場合は、フォトリソグラフィ法等により形成することができる。
【０２４５】
また、着色層１５２は、感光性の材料を用いることで、フォトリソグラフィ法等により島状に加工することができる。
【０２４６】
以上により、樹脂層１０２上に絶縁層１４１、遮光層１５３および着色層１５２を形成することができる。なお、樹脂層１０１側の作製工程と、樹脂層１０２側の作製工程は、互いに独立して行うことができるため、その順序は問われない。またはこれら２つの工程を並行して行ってもよい。
【０２４７】
〔貼り合せ〕
続いて、図１２（Ｅ）に示すように、支持基板６１と支持基板６２とを、接着層１５１を用いて貼り合せる。貼り合せは、樹脂層１０２の開口部と、発光素子１２０とが重なるように行う。そして、接着層１５１を硬化させる。これにより、発光素子１２０を接着層１５１で封止することができる。
【０２４８】
接着層１５１は、硬化型の材料を用いることが好ましい。例えば光硬化性を示す樹脂、反応硬化性を示す樹脂、熱硬化性を示す樹脂等を用いることができる。特に、溶媒を含まない樹脂材料を用いることが好ましい。
【０２４９】
以上の工程により、表示パネル１００を作製することができる。図１２（Ｅ）に示す時点では、表示パネル１００は、支持基板６１および支持基板６２に挟持された状態である。
【０２５０】
〔光吸収層１０３ｂの形成〕
支持基板６３を準備し、支持基板６３上に光吸収層１０３ｂを形成する。支持基板６３は、支持基板６１の記載を援用できる。
【０２５１】
光吸収層１０３ｂは、上記光吸収層１０３ａと同様の材料、および方法により形成することができる。
【０２５２】
〔樹脂層２０１の形成〕
続いて、光吸収層１０３ｂ上に、開口部を有する樹脂層２０１を形成する。樹脂層２０１の形成方法および材料については、樹脂層１０２と同様の方法を用いることができる。
【０２５３】
〔絶縁層２３１の形成〕
続いて、樹脂層２０１、および樹脂層２０１の開口部を覆って絶縁層２３１を形成する（図１３（Ａ））。絶縁層２３１の形成方法および材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。
【０２５４】
〔トランジスタ２１０の形成〕
続いて、図１３（Ｂ）に示すように、絶縁層２３１上に、トランジスタ２１０を形成する。
【０２５５】
トランジスタ２１０は、導電層２１１、絶縁層２３１、半導体層２１２、ならびに導電層２１３ａおよび導電層２１３ｂを、順に形成することにより形成する。各層の形成方法は、上記トランジスタ１１０の形成方法の記載を援用できる。
【０２５６】
トランジスタ２１０は、チャネルが形成される半導体層２１２に、酸化物半導体を含むトランジスタである。またトランジスタ２１０において、導電層２１１の一部はゲートとして機能し、絶縁層２３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層２１３ａおよび導電層２１３ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する。
【０２５７】
〔導電層２２１、配向膜２２４ａの形成〕
続いて、絶縁層２３４および絶縁層２３３に、導電層２１３ｂに達する開口部を形成する。
【０２５８】
その後、導電層２２１を形成する。導電層２２１は、その一部が画素電極として機能する。導電層２２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０２５９】
続いて、図１３（Ｂ）に示すように、導電層２２１および絶縁層２３４上に配向膜２２４ａを形成する。配向膜２２４ａは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより形成できる。
【０２６０】
以上の工程により、樹脂層２０１上に、トランジスタ２１０、導電層２２１および配向膜２２４ａ等を形成することができる。
【０２６１】
〔光吸収層１０３ｃの形成〕
支持基板６４を準備し、支持基板６４上に光吸収層１０３ｃを形成する。支持基板６４は、支持基板６１の記載を援用することができる。
【０２６２】
光吸収層１０３ｃは、上記光吸収層１０３ａと同様の材料、および方法により形成することができる。
【０２６３】
〔樹脂層２０２の形成〕
続いて、光吸収層１０３ｃ上に、開口部を有する樹脂層２０２を形成する。樹脂層２０２の形成方法および材料については、樹脂層１０１と同様の方法を用いることができる。
【０２６４】
〔絶縁層２０４の形成〕
続いて、樹脂層２０２、および樹脂層２０２の開口部を覆って絶縁層２０４を形成する（図１３（Ｄ））。絶縁層２０４の形成方法および材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。
【０２６５】
〔導電層２２３、配向膜２２４ｂの形成〕
続いて、絶縁層２０４上に導電層２２３を形成する。導電層２２３は、導電膜を成膜することにより形成することができる。なお、導電層２２３は、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いたスパッタリング法等の方法により、樹脂層２０２の外周部に導電層２２３が設けられないように形成してもよい。または、導電膜を成膜した後に当該導電膜の不要な部分をエッチング法等により除去してもよい。
【０２６６】
続いて、導電層２２３上に配向膜２２４ｂを形成する（図１３（Ｅ））。配向膜２２４ｂは、配向膜２２４ａと同様の方法により形成できる。
【０２６７】
以上により、樹脂層２０２上に絶縁層２０４、導電層２２３、および配向膜２２４ｂを形成することができる。なお、樹脂層２０１側の作製工程と、樹脂層２０２側の作製工程は、互いに独立して行うことができるため、その順序は問われない。またはこれら２つの工程を並行して行ってもよい。
【０２６８】
〔貼り合せ〕
続いて、図１３（Ｆ）に示すように、支持基板６３と支持基板６４とを、液晶２２２を挟んで貼り合せる。このとき、樹脂層２０１の開口部と、樹脂層２０２の開口部とが重なるように、貼り合せを行う。またこのとき、樹脂層２０１と樹脂層２０２とを、外周部において図示しない接着層により接着する。
【０２６９】
例えば、樹脂層２０１と樹脂層２０２のいずれか一方、または両方に、これらを接着する接着層（図示しない）を形成する。接着層は、画素が配置されている領域を囲むように形成する。接着層は、例えばスクリーン印刷法や、ディスペンス法等により形成することができる。接着層としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。また、紫外線により仮硬化した後に、熱を加えることにより硬化する樹脂などを用いてもよい。または、接着層として、紫外線硬化性と熱硬化性の両方を有する樹脂などを用いてもよい。
【０２７０】
続いて、液晶２２２をディスペンス法等により接着層に囲まれた領域に滴下する。続いて、液晶２２２を挟むように支持基板６３と支持基板６４とを貼り合せ、接着層を硬化する。貼り合せは、減圧雰囲気下で行うと支持基板６３と支持基板６４との間に気泡等が混入することを防ぐことができるため好ましい。
【０２７１】
なお、液晶２２２の滴下後に、画素が配置されている領域や、当該領域の外側に粒状のギャップスペーサを散布してもよい。また、画素が配置されている領域や、当該領域の外側にギャップスペーサを含む液晶２２２を滴下してもよい。また、液晶２２２は、支持基板６３と支持基板６４を貼り合せた後に、減圧雰囲気下において、接着層に設けた隙間から注入する方法を用いてもよい。
【０２７２】
以上の工程により、表示パネル２００を作製することができる。図１３（Ｆ）に示す時点では、表示パネル２００は、支持基板６３および支持基板６４に挟持された状態である。
【０２７３】
〔支持基板６２の分離〕
続いて、図１４（Ａ）に示すように、表示パネル１００の支持基板６２側から、支持基板６２を介して光吸収層１０３ａに光７０を照射する。
【０２７４】
光７０としては、好適にはレーザ光を用いることができる。特に、線状のレーザ光を用いることが好ましい。
【０２７５】
なお、レーザ光と同等のエネルギーの光を照射可能であれば、フラッシュランプ等を用いてもよい。
【０２７６】
光７０は、少なくともその一部が支持基板６２を透過し、且つ光吸収層１０３ａに吸収される波長の光を選択して用いる。また、光７０は、樹脂層１０２に吸収される波長の光を用いることが好ましい。特に、光７０の波長としては、可視光線から紫外線の波長領域の光を用いることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の光を用いることが好ましい。特に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレーザーを用いてもよい。
【０２７７】
光７０として、線状のレーザ光を用いる場合には、支持基板６１と光源とを相対的に移動させることで光７０を走査し、剥離したい領域に亘って光７０を照射する。この段階では、樹脂層１０２が配置される全面に亘って照射すると、樹脂層１０２全体が剥離可能となり、後の分離の工程で支持基板６２の外周部をスクライブ等により分断する必要がない。または、樹脂層１０２が配置される領域の外周部に光７０を照射しない領域を設けると、光７０の照射時に樹脂層１０２と支持基板６２とが分離してしまうことを抑制できるため好ましい。
【０２７８】
光７０の照射により、光吸収層１０３ａが加熱され、光吸収層１０３ａから水素または酸素等が放出される。このとき放出される水素または酸素等は、ガス状となって放出される。放出されたガスは光吸収層１０３ａと樹脂層１０２の界面近傍、または光吸収層１０３ａと支持基板６２の界面近傍に留まり、これらを引き剥がす力が生じる。その結果、光吸収層１０３ａと樹脂層１０２の密着性、または光吸収層１０３ａと支持基板６２の密着性が低下し、容易に剥離可能な状態とすることができる。
【０２７９】
また、光吸収層１０３ａから放出されるガスの一部が、光吸収層１０３ａ中に留まる場合もある。そのため、光吸収層１０３ａが脆化し、光吸収層１０３ａの内部で分離しやすい状態となる場合がある。
【０２８０】
また、光吸収層１０３ａとして、酸素を放出する膜を用いた場合、光吸収層１０３ａから放出された酸素により、樹脂層１０２の一部が酸化され、脆化する場合がある。これにより、樹脂層１０２と光吸収層１０３ａとの界面で剥離しやすい状態とすることができる。
【０２８１】
また、樹脂層１０２の開口部と重なる領域においても、上記と同じ理由により、光吸収層１０３ａと絶縁層１４１との界面、光吸収層１０３ａと支持基板６２の界面の密着性が低下し、剥離しやすい状態となる。または、光吸収層１０３ａが脆化し、分離しやすい状態となる場合もある。
【０２８２】
一方、光７０を照射していない領域は、密着性は高いままである。
【０２８３】
ここで、光吸収層１０３ａと、半導体層１１２とにそれぞれ酸化物半導体膜を用いた場合、光７０としては、当該酸化物半導体膜が吸収しうる波長の光を用いる。しかしながら、トランジスタ１１０の上側には、光吸収層１０３ａと樹脂層１０２とが積層されて配置されている。さらに、十分に加熱処理が施された樹脂層１０２は酸化物半導体膜よりも光を吸収しやすい傾向があり、厚さが薄くても十分に光を吸収することができる。したがって、光７０のうち光吸収層１０３ａで吸収しきれずに透過する光が存在しても、樹脂層１０２によって吸収されるため、これが半導体層１１２に到達することが抑制される。その結果、トランジスタ１１０の電気特性の変動はほとんど生じない。
【０２８４】
続いて、支持基板６２と樹脂層１０２とを分離する（図１４（Ｂ１））。
【０２８５】
分離は、支持基板６１をステージに固定した状態で、支持基板６２に垂直方向に引っ張る力をかけることにより行うことができる。例えば支持基板６２の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、引き剥がすことができる。ステージは、支持基板６１を固定できればどのような構成でもよいが、例えば真空吸着、静電吸着などが可能な吸着機構を有していてもよいし、支持基板６１を物理的に留める機構を有していてもよい。
【０２８６】
また、分離は表面に粘着性を有するドラム状の部材を支持基板６２の上面に押し当て、これを回転させることにより行ってもよい。このとき、剥離方向にステージを動かしてもよい。
【０２８７】
また、樹脂層１０２の外周部に光７０を照射しない領域を設けた場合、樹脂層１０２の光７０を照射した部分の一部に切欠き部を形成し、剥離のきっかけとしてもよい。切欠き部は、例えば鋭利な刃物または針状の部材を用いることや、支持基板６２と樹脂層１０２を同時にスクライブにより切断すること等により形成することができる。
【０２８８】
図１４（Ｂ１）では、光吸収層１０３ａと樹脂層１０２の界面、および光吸収層１０３ａと絶縁層１４１の界面で分離が生じている例を示している。
【０２８９】
また、図１４（Ｂ２）では、光吸収層１０３ａの一部である光吸収層１０３ａａが、樹脂層１０２および絶縁層１４１の表面に接して残存している例を示している。例えば、光吸収層１０３ａの内部で分離（破断）が生じている場合に相当する。なお、光吸収層１０３ａと支持基板６２との界面で分離が生じる場合には、光吸収層１０３ａの全部が樹脂層１０２および絶縁層１４１の表面に接して残存する場合がある。
【０２９０】
このように、光吸収層１０３ａａ（または光吸収層１０３ａ）が残存した場合、これを除去することが好ましい。光吸収層１０３ａａの除去は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができるが、特にドライエッチング法を用いることが好ましい。なお、光吸収層１０３ａａを除去する際に、樹脂層１０２の一部、および絶縁層１４１の一部がエッチングにより薄くなる場合がある。
【０２９１】
なお、光吸収層１０３ａに透光性を有する絶縁性材料を用いた場合には、残存した光吸収層１０３ａａを残したままの状態としてもよい。
【０２９２】
〔支持基板６３の分離〕
続いて、図１５（Ａ）に示すように、表示パネル２００の支持基板６３側から、支持基板６３を介して光吸収層１０３ｂに光７０を照射する。
【０２９３】
光７０の照射方法については、上記の記載を援用できる。
【０２９４】
続いて、支持基板６３と樹脂層２０１とを分離する（図１５（Ｂ））。分離は、上記の記載を援用することができる。図１５（Ｂ）では、光吸収層１０３ｂと樹脂層２０１との界面、および光吸収層１０３ｂと絶縁層２３１の界面で分離が生じている例を示している。
【０２９５】
〔表示パネル１００と表示パネル２００の貼り合せ〕
続いて、図１６（Ａ）に示すように、表示パネル１００の樹脂層１０２と、表示パネル２００の樹脂層２０１とを、接着層５０によって貼り合せる。接着層５０としては、上記接着層１５１の記載を援用できる。
【０２９６】
表示パネル１００と表示パネル２００とは、樹脂層１０２の開口部と、樹脂層２０１の開口部と、樹脂層２０２の開口部と、発光素子１２０とがそれぞれ重なるように貼り合せることが重要である。
【０２９７】
このとき、表示パネル１００と表示パネル２００の位置ずれが生じてしまうと、発光素子１２０からの光が、表示パネル２００の遮光性の部材に遮られてしまう場合がある。また、発光素子１２０からの光の光路上に、樹脂層２０１または樹脂層２０２が位置してしまう場合がある。そのため、表示パネル１００と表示パネル２００には、それぞれ位置合わせ用のマーカーが形成されていることが好ましい。また、本作製方法例によれば、貼り合せの段階において、支持基板６１と支持基板６４を有しているため、可撓性を有する表示パネル同士を貼り合せる場合と比較して、位置合わせの精度を高めることが可能で、表示装置の高精細化が可能となる。例えば５００ｐｐｉを超える精細度の表示装置を実現することができる。
【０２９８】
〔支持基板６１の分離〕
続いて、支持基板６１側から、支持基板６１を介して樹脂層１０１に光７０（図示しない）を照射する。光７０（図示しない）の照射方法については、上記の記載を援用できる。光７０の照射により、樹脂層１０１の支持基板６１側の表面近傍、または樹脂層１０１の内部の一部が改質され、支持基板６１と樹脂層１０１との密着性が低下する。
【０２９９】
その後、図１６（Ｂ）に示すように支持基板６１と樹脂層１０１とを分離する。
【０３００】
図１６（Ｂ）には、支持基板６１側に樹脂層１０１の一部である樹脂層１０１ａが残存している例を示す。光７０の照射条件によっては、樹脂層１０１の内部で分離（破断）が生じ、このように樹脂層１０１ａが残存する場合がある。または、樹脂層１０１の表面の一部が融解する場合にも、同様に支持基板６１側に樹脂層１０１ａの一部が残存することがある。なお、支持基板６１と樹脂層１０１の界面で分離する場合、支持基板６１側に樹脂層１０１ａが残存しないことがある。
【０３０１】
支持基板６２側に残存する樹脂層１０２ａの厚さは、例えば、１００ｎｍ以下、具体的には４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下程度とすることができる。残存した樹脂層１０２ａを除去することで、支持基板６２は再利用が可能である。例えば、支持基板６２にガラスを用い、樹脂層１０２にポリイミド樹脂を用いた場合は、発煙硝酸等を用いて樹脂層１０２ａ除去することができる。
【０３０２】
分離は、支持基板６４をステージ等に固定した状態で行うことができる。分離方法については、上記の記載を援用できる。
【０３０３】
〔基板６１１の貼り合せ〕
続いて、図１７（Ａ）に示すように、接着層５１を用いて樹脂層１０１と基板６１１とを貼り合せる。
【０３０４】
接着層５１は、上記接着層１５１の記載を援用できる。
【０３０５】
基板６１１および後述する基板６１２としては、樹脂材料を用いると、同じ厚さであってもガラス等を用いた場合に比べて、表示装置を軽量化できる。また、可撓性を有する程度に薄い材料を用いると、より軽量化できるため好ましい。また、樹脂材料を用いることで、表示装置の耐衝撃性を向上させることができ、割れにくい表示装置を実現できる。
【０３０６】
また、基板６１１は視認側とは反対側に位置する基板であるため、可視光に対して透光性を有していなくてもよい。そのため、金属材料を用いることもできる。金属材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができる。
【０３０７】
〔支持基板６４の分離〕
続いて、支持基板６４側から、支持基板６４を介して光吸収層１０３ｃに光７０（図示しない）を照射する。その後、図１７（Ｂ）に示すように支持基板６４と樹脂層２０２とを分離する。図１７（Ｂ）では、光吸収層１０３ｃと樹脂層２０２の界面、および光吸収層１０３ｃと絶縁層２０４の界面において分離が生じている例を示している。
【０３０８】
光７０（図示しない）の照射方法については、上記の記載を援用できる。
【０３０９】
分離は、基板６１１をステージ等に固定した状態で行うことができる。分離方法については、上記の記載を援用できる。
【０３１０】
〔基板６１２の貼り合せ〕
続いて、接着層５２を用いて樹脂層２０２と基板６１２とを貼り合せる。
【０３１１】
接着層５２は、上記接着層１５１の記載を援用できる。
【０３１２】
基板６１２は、視認側に位置する基板であるため、可視光に対して透光性を有する材料を用いることができる。
【０３１３】
以上の工程により、図１０に示す構成の表示装置１０を作製することができる。
【０３１４】
［作製方法例の変形例］
以下では、光吸収層を用いずに、開口部を有する樹脂層を形成する方法について説明する。
【０３１５】
なお、ここでは、表示パネル１００の樹脂層１０２を例に挙げて説明するが、同様の方法を表示パネル２００が有する樹脂層２０１および樹脂層２０２にも適用できる。
【０３１６】
〔変形例１〕
まず、図１８（Ａ）に示すように凹部を有する樹脂層１０２を形成する。
【０３１７】
まず、樹脂層１０２となる材料を支持基板６２上に塗布し、プリベーク処理を行う。続いて、フォトマスクを用いて露光を行う。このとき、樹脂層１０２を開口部を形成する条件よりも露光量を減らすことで、樹脂層１０２に凹部を形成することができる。例えば、樹脂層１０２に開口部を形成する露光条件よりも、短い露光時間で露光する、露光光の強度を弱める、焦点をずらす、樹脂層１０２を厚く形成するなどの方法が挙げられる。
【０３１８】
また、樹脂層１０２に開口部と凹部の両方を形成したい場合には、ハーフトーンマスク、またはグレートーンマスクを用いた露光技術、または２以上のフォトマスクを用いた多重露光技術を用いればよい。
【０３１９】
このようにして露光を行った後、現像処理を施すことで凹部が形成された樹脂層１０２を形成することができる。またその後にポストベーク処理を行う。
【０３２０】
続いて、図１８（Ｂ）に示すように、樹脂層１０２の上面および凹部を覆って絶縁層１４１を形成する。
【０３２１】
図１８（Ｃ）は、支持基板６１と支持基板６２とを貼り合せた後に、光７０を照射する工程における図である。光７０の照射することで樹脂層１０２と支持基板６２との密着性が低下する。
【０３２２】
図１８（Ｄ）は、支持基板６２を剥離した後の状態における断面概略図である。
【０３２３】
その後、樹脂層１０２の表面側の一部を、絶縁層１４１の表面が露出するようにエッチングすることで、図１８（Ｅ）に示すように、開口部を有する樹脂層１０２を形成することができる。エッチングは、例えば酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理（アッシング処理）を用いると、制御性が高まり、均一にエッチングできるため好ましい。
【０３２４】
なお、樹脂層１０２をエッチングせずに、図１８（Ｄ）に示した状態のままとしてもよい。この構成でも、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層１０２の厚さが他の部分の樹脂層１０２よりも薄いため、光の吸収が抑制され、光取り出し効率を高めることができる。
【０３２５】
〔変形例２〕
まず、図１９（Ａ）に示すように、支持基板６２に樹脂層１０２ｂと、開口部を有する樹脂層１０２ｃとを、積層して形成する。
【０３２６】
樹脂層１０２ｂは、上記樹脂層１０１と同様に形成することができる。また樹脂層１０２ｃは、上記樹脂層１０２、樹脂層２０１等と同様に形成することができる。
【０３２７】
ここで、先に形成する樹脂層１０２ｂに対して十分に加熱処理を施し、重合させておくことが好ましい。これにより、樹脂層１０２ｂと樹脂層１０２ｃに同じ材料を用いた場合であっても、後に形成する樹脂層１０２ｃとなる材料を塗布した時に、これに含まれる溶媒に樹脂層１０２ｂが溶けてしまうことを抑制できる。
【０３２８】
図１９（Ｂ）は支持基板６１と支持基板６２とを貼り合せた後に、光７０を照射する工程における図である。光７０の照射することで樹脂層１０２ｃと支持基板６２との密着性が低下する。
【０３２９】
図１９（Ｃ）は、支持基板６２を剥離した後の状態における断面概略図である。
【０３３０】
その後、樹脂層１０２ｃを、絶縁層１４１の表面が露出するようにエッチングすることで、図１９（Ｄ）に示すように、開口部を有する樹脂層１０２を形成することができる。エッチングは、例えば酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理（アッシング処理）を用いると、制御性が高まり、均一にエッチングできるため好ましい。
【０３３１】
なお、樹脂層１０２ｂと樹脂層１０２ｃとに同じ材料を用いると、材料や装置を共通化できるため生産性を向上させることができる。また、これらに異なる材料を用いると、エッチング速度の選択比を大きくできるため、加工条件の自由度を広げることができる。
【０３３２】
なお、樹脂層１０２ｂをエッチングせずに、図１９（Ｃ）に示した状態のままとしてもよい。この構成でも、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層１０２の厚さが他の部分の樹脂層１０２ｂよりも薄いため、光の吸収が抑制され、光取り出し効率を高めることができる。
【０３３３】
以上が作製方法例の変形例についての説明である。
【０３３４】
［構成例の変形例］
以下では、図１０で示した構成例と比較して、一部の構成の異なる構成例について説明する。
【０３３５】
図１０では、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層に、開口部を設ける構成としたが、反射型の液晶素子２２０における光の経路上に位置する樹脂層にも開口部を設けてもよい。
【０３３６】
図２０には、領域８１に加えて領域８２を有する例を示している。領域８２は、樹脂層２０２の開口部、および液晶素子２２０と重なる領域である。
【０３３７】
なお、図２０では樹脂層２０２に、発光素子１２０および液晶素子２２０の両方を包含する１つの開口部が設けられている例を示したが、発光素子１２０と重なる開口部と、液晶素子２２０と重なる開口部とが別々に設けられた構成としてもよい。
【０３３８】
図２０では、表示装置１０が表示パネル１００および表示パネル２００を有する構成としたが、図２１に示すように表示パネル２００を有さない構成としてもよい。当該構成とすることにより、表示装置１０の作製工程を簡略化することができる。
【０３３９】
［トランジスタについて］
図１０で例示した表示装置１０は、トランジスタ１１０とトランジスタ２１０の両方に、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合の例である。
【０３４０】
トランジスタ１１０は、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも被形成面側（樹脂層１０１側）に位置する。また、絶縁層１３２が導電層１１１を覆って設けられている。また半導体層１１２は、導電層１１１を覆って設けられている。半導体層１１２の導電層１１１と重なる領域が、チャネル形成領域に相当する。また、導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、それぞれ半導体層１１２の上面および側端部に接して設けられている。
【０３４１】
なお、トランジスタ１１０は、導電層１１１よりも半導体層１１２の幅が大きい場合の例を示している。このような構成により、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂの間に半導体層１１２が配置されるため、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。
【０３４２】
トランジスタ１１０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができる。
【０３４３】
トランジスタ２１０は、トランジスタ１１０と共通の特徴を有している。
【０３４４】
ここで、トランジスタ１１０およびトランジスタ２１０に適用可能な、トランジスタの構成例について説明する。
【０３４５】
図２２（Ａ）に示したトランジスタ１１０ａは、トランジスタ１１０と比較して、導電層１１４および絶縁層１３６を有する点で相違している。導電層１１４は、絶縁層１３３上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３６は、導電層１１４および絶縁層１３３を覆って設けられている。
【０３４６】
導電層１１４は、半導体層１１２を挟んで導電層１１１とは反対側に位置している。導電層１１１を第１のゲート電極とした場合、導電層１１４は、第２のゲート電極として機能することができる。導電層１１１と導電層１１４に同じ電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのオン電流を高めることができる。また導電層１１１および導電層１１４の一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのしきい値電圧を制御することができる。
【０３４７】
ここで、導電層１１４として、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これにより、導電層１１４を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層１３３に酸素を供給することができる。好適には、成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層１３３に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層１１２に供給され、半導体層１１２中の酸素欠損の低減を図ることができる。
【０３４８】
特に、導電層１１４には低抵抗化された酸化物半導体を用いることが好ましい。このとき、絶縁層１３６に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ましい。絶縁層１３６の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層１１４中に水素が供給され、導電層１１４の電気抵抗を効果的に低減することができる。
【０３４９】
図２２（Ｂ）に示すトランジスタ１１０ｂは、トップゲート構造のトランジスタである。
【０３５０】
トランジスタ１１０ｂは、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも上側（被形成面側とは反対側）に設けられている。また、絶縁層１３１上に半導体層１１２が形成されている。また半導体層１１２上には、絶縁層１３２および導電層１１１が積層して形成されている。また、絶縁層１３３は、半導体層１１２の上面および側端部、絶縁層１３２の側面、および導電層１１１を覆って設けられている。導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、絶縁層１３３上に設けられている。導電層１１３ａおよび導電層１１３ｂは、絶縁層１３３に設けられた開口部を介して、半導体層１１２の上面と電気的に接続されている。
【０３５１】
なお、ここでは絶縁層１３２が、導電層１１１と重ならない部分に存在しない場合の例を示しているが、絶縁層１３２が半導体層１１２の上面および側端部を覆って設けられていてもよい。
【０３５２】
トランジスタ１１０ｂは、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。
【０３５３】
図２２（Ｃ）に示すトランジスタ１１０ｃは、トランジスタ１１０ｂと比較して、導電層１１５および絶縁層１３７を有している点で相違している。導電層１１５は絶縁層１３１上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３７は、導電層１１５および絶縁層１３１を覆って設けられている。
【０３５４】
導電層１１５は、上記導電層１１４と同様に第２のゲート電極として機能する。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。
【０３５５】
ここで、表示装置１０において、表示パネル１００が有するトランジスタと、表示パネル２００が有するトランジスタとを、異なるトランジスタで構成してもよい。一例としては、発光素子１２０と電気的に接続するトランジスタは、比較的大きな電流を流す必要があるためトランジスタ１１０ａやトランジスタ１１０ｃを適用し、その他のトランジスタには、トランジスタの占有面積を低減するために、トランジスタ１１０を適用することができる。
【０３５６】
一例として、図２３には、図１０のトランジスタ２１０に代えてトランジスタ１１０ａを適用し、図１０のトランジスタ１１０に代えてトランジスタ１１０ｃを適用した場合の例を示している。
【０３５７】
以上がトランジスタについての説明である。
【０３５８】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３５９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について説明する。以下で例示する表示装置は、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置である。
【０３６０】
［構成例］
図２４（Ａ）は、表示装置４００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置４００は、表示部３６２にマトリクス状に配列した複数の画素４１０を有する。また表示装置４００は、回路ＧＤと、回路ＳＤを有する。また方向Ｒに配列した複数の画素４１０、および回路ＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、および複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また方向Ｃに配列した複数の画素４１０、および回路ＳＤと電気的に接続する複数の配線Ｓ１および複数の配線Ｓ２を有する。
【０３６１】
なお、ここでは簡単のために回路ＧＤと回路ＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液晶素子を駆動する回路ＧＤおよび回路ＳＤと、発光素子を駆動する回路ＧＤおよび回路ＳＤとを、別々に設けてもよい。
【０３６２】
画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素４１０において、液晶素子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
【０３６３】
図２４（Ｂ１）は、画素４１０が有する電極３１１ｂの構成例を示す。電極３１１ｂは、画素４１０における液晶素子の反射電極として機能する。また電極３１１ｂには、開口部４５１が設けられている。
【０３６４】
図２４（Ｂ１）には、電極３１１ｂと重なる領域に位置する発光素子３６０を破線で示している。発光素子３６０は、電極３１１ｂが有する開口部４５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口部４５１を介して表示面側に射出される。
【０３６５】
図２４（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。このとき、図２４（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口部４５１が一列に配列されないように、電極３１１ｂの異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発光素子３６０が発する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を離して配置することができるため、発光素子３６０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
【０３６６】
また、図２４（Ｂ２）に示すような配列としてもよい。
【０３６７】
非開口部の総面積に対する開口部４５１の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部４５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子３６０を用いた表示が暗くなってしまう。
【０３６８】
また、反射電極として機能する電極３１１ｂに設ける開口部４５１の面積が小さすぎると、発光素子３６０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
【０３６９】
開口部４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口部４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部４５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
【０３７０】
［回路構成例］
図２５は、画素４１０の構成例を示す回路図である。図２５では、隣接する２つの画素４１０を示している。
【０３７１】
画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、および発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、および配線Ｓ２が電気的に接続されている。また、図２５では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、および発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
【０３７２】
図２５では、スイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を示している。
【０３７３】
スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソースまたはドレインの一方が配線Ｓ１と接続され、ソースまたはドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、および液晶素子３４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子３４０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
【０３７４】
またスイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソースまたはドレインの一方が配線Ｓ２と接続され、ソースまたはドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソースまたはドレインの一方、および配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソースまたはドレインの他方が発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
【０３７５】
図２５では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。
【０３７６】
配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子３４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。
【０３７７】
配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２および配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。
【０３７８】
図２５に示す画素４１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１および配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２および配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１および配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。
【０３７９】
なお、図２５では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０とを有する例を示したが、これに限られない。図２６（Ａ）は、一つの画素４１０に一つの液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３６０ｗ）を有する例を示している。図２６（Ａ）に示す画素４１０は、図２５とは異なり、１つの画素でフルカラーの表示が可能な画素である。
【０３８０】
図２６（Ａ）では図２５の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３および配線Ｓ３が接続されている。
【０３８１】
図２６（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０を、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、および白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。
【０３８２】
また、図２６（Ｂ）には、画素４１０の構成例を示している。画素４１０は、電極３１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、電極３１１の周囲に配置された発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、および発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、および発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。
【０３８３】
［表示装置の構成例］
図２７は、本発明の一態様の表示装置３００の斜視概略図である。表示装置３００は、基板３５１と基板３６１とが貼り合わされた構成を有する。図２７では、基板３６１を破線で明示している。
【０３８４】
表示装置３００は、表示部３６２、回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７等を有する。基板３５１には、例えば回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７および画素電極として機能する電極３１１ｂ等が設けられる。また図２７では基板３５１上にＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５およびＦＰＣ３７４が実装されている例を示している。そのため、図２７に示す構成は、表示装置３００とＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５およびＦＰＣ３７４を有する表示モジュールと言うこともできる。
【０３８５】
回路部３６４は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
【０３８６】
配線３６５は、表示部や回路部３６４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部、またはＩＣ３７３から配線３６５に入力される。
【０３８７】
また、図２７では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板３５１にＩＣ３７３が設けられている例を示している。ＩＣ３７３は、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なお表示装置３００が走査線駆動回路および信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ３７２を介して表示装置３００を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ３７３を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ３７３を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ３７２に実装してもよい。
【０３８８】
図２７には、表示部３６２の一部の拡大図を示している。表示部３６２には、複数の表示素子が有する電極３１１ｂがマトリクス状に配置されている。電極３１１ｂは、可視光を反射する機能を有し、液晶素子３４０の反射電極として機能する。
【０３８９】
また、図２７に示すように、電極３１１ｂは開口部を有する。さらに電極３１１ｂよりも基板３５１側に、発光素子３６０を有する。発光素子３６０からの光は、電極３１１ｂの開口部を介して基板３６１側に射出される。
【０３９０】
［断面構成例］
図２８に、図２７で例示した表示装置の、ＦＰＣ３７２を含む領域の一部、回路部３６４を含む領域の一部、表示部３６２を含む領域の一部、回路部３６６を含む領域の一部、およびＦＰＣ３７４を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
【０３９１】
図２８に示す表示装置は、表示パネル１００と、表示パネル２００とが積層された構成を有する。表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２を有する。樹脂層１０２と樹脂層２０１とは、接着層５０によって接着されている。また樹脂層１０１は、接着層５１により基板３５１と接着されている。また樹脂層２０２は、接着層５２により基板３６１と接着されている。
【０３９２】
〔表示パネル１００〕
【０３９３】
表示パネル１００は、樹脂層１０１、絶縁層４７８、複数のトランジスタ、容量素子４０５、絶縁層４１１、絶縁層４１２、絶縁層４１３、絶縁層４１４、絶縁層４１５、発光素子３６０、スペーサ４１６、接着層４１７、着色層４２５、遮光層４２６、絶縁層４７６、および樹脂層１０２を有する。
【０３９４】
樹脂層１０２は、発光素子３６０と重なる領域に開口部を有する。
【０３９５】
回路部３６４はトランジスタ４０１を有する。表示部３６２は、トランジスタ４０２およびトランジスタ４０３を有する。
【０３９６】
各トランジスタは、ゲート、絶縁層４１１、半導体層、ソース、およびドレインを有する。ゲートと半導体層は、絶縁層４１１を介して重なる。絶縁層４１１の一部は、ゲート絶縁層としての機能を有し、他の一部は、容量素子４０５の誘電体としての機能を有する。トランジスタ４０２のソースまたはドレインとして機能する導電層は、容量素子４０５の一方の電極を兼ねる。
【０３９７】
図２８では、ボトムゲート構造のトランジスタを示す。回路部３６４と表示部３６２とで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。回路部３６４および表示部３６２は、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。
【０３９８】
容量素子４０５は、一対の電極と、その間の誘電体とを有する。容量素子４０５は、トランジスタのゲートと同一の材料、および同一の工程で形成した導電層と、トランジスタのソースおよびドレインと同一の材料、および同一の工程で形成した導電層と、を有する。
【０３９９】
絶縁層４１２、絶縁層４１３、および絶縁層４１４は、それぞれ、トランジスタ等を覆って設けられる。トランジスタ等を覆う絶縁層の数は特に限定されない。絶縁層４１４は、平坦化層としての機能を有する。絶縁層４１２、絶縁層４１３、および絶縁層４１４のうち、少なくとも一層には、水または水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高めることができる。
【０４００】
絶縁層４１４として有機材料を用いる場合、表示装置の端部に露出した絶縁層４１４を通って発光素子３６０等に表示装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子３６０が劣化すると、表示装置の劣化につながる。そのため、図２８に示すように、絶縁層４１４が、表示装置の端部に位置しないことが好ましい。図２８の構成では、有機材料を用いた絶縁層が表示装置の端部に位置しないため、発光素子３６０に不純物が侵入することを抑制できる。
【０４０１】
発光素子３６０は、電極４２１、ＥＬ層４２２、および電極４２３を有する。発光素子３６０は、光学調整層４２４を有していてもよい。発光素子３６０は、着色層４２５側に光を射出する、トップエミッション構造である。
【０４０２】
トランジスタ、容量素子、および配線等を、発光素子３６０の発光領域と重ねて配置することで、表示部３６２の開口率を高めることができる。
【０４０３】
電極４２１および電極４２３のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。電極４２１および電極４２３の間に、発光素子３６０の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層４２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層４２２において再結合し、ＥＬ層４２２に含まれる発光物質が発光する。
【０４０４】
電極４２１は、トランジスタ４０３のソースまたはドレインと電気的に接続される。これらは、直接接続されてもよいし、他の導電層を介して接続されてもよい。電極４２１は、画素電極として機能し、発光素子３６０ごとに設けられている。隣り合う２つの電極４２１は、絶縁層４１５によって電気的に絶縁されている。
【０４０５】
ＥＬ層４２２は、発光性の物質を含む層である。
【０４０６】
電極４２３は、共通電極として機能し、複数の発光素子３６０にわたって設けられている。電極４２３には、定電位が供給される。
【０４０７】
発光素子３６０は、接着層４１７を介して着色層４２５と重なる。スペーサ４１６は、接着層４１７を介して遮光層４２６と重なる。図２８では、電極４２３と遮光層４２６との間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。図２８では、スペーサ４１６を基板３５１側に設ける構成を示したが、基板３６１側（例えば遮光層４２６よりも基板３６１側）に設けてもよい。
【０４０８】
カラーフィルタ（着色層４２５）とマイクロキャビティ構造（光学調整層４２４）との組み合わせにより、表示装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層４２４の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。
【０４０９】
着色層４２５は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、または黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。
【０４１０】
なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、または量子ドット方式等を適用してもよい。
【０４１１】
遮光層４２６は、隣接する着色層４２５の間に設けられている。遮光層４２６は隣接する発光素子３６０からの光を遮光し、隣接する発光素子３６０間における混色を抑制する。ここで、着色層４２５の端部を、遮光層４２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層４２６としては、発光素子３６０が発する光を遮る材料を用いることができる。なお、遮光層４２６は、回路部３６４などの表示部３６２以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
【０４１２】
樹脂層１０１の一方の表面には絶縁層４７８が形成されている。また、樹脂層１０２の一方の表面には絶縁層４７６が形成されている。絶縁層４７６および絶縁層４７８に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に発光素子３６０およびトランジスタ等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【０４１３】
防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、および、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０４１４】
例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０４１５】
接続部４０６は、配線３６５を有する。配線３６５は、トランジスタのソースおよびドレインと同一の材料、および同一の工程で形成することができる。接続部４０６は、回路部３６４に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ３７２を設ける例を示している。接続層４１９を介してＦＰＣ３７２と接続部４０６は電気的に接続する。
【０４１６】
接続層４１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）および異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０４１７】
以上が表示パネル１００についての説明である。
【０４１８】
〔表示パネル２００〕
表示パネル２００は、縦電界方式が適用された反射型液晶表示装置である。
【０４１９】
表示パネル２００は、樹脂層２０１、絶縁層５７８、複数のトランジスタ、容量素子５０５、配線３６７、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４、液晶素子３４０、配向膜５６４ａ、配向膜５６４ｂ、接着層５１７、絶縁層５７６、および樹脂層２０２を有する。
【０４２０】
樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、接着層５１７によって貼り合わされている。樹脂層２０１、樹脂層２０２、および接着層５１７に囲まれた領域に、液晶５６３が封止されている。基板３６１の外側の面には、偏光板５９９が位置する。
【０４２１】
また樹脂層２０１には、発光素子３６０と重なる開口部が設けられている。また、樹脂層２０２には、液晶素子３４０および発光素子３６０と重なる開口部が設けられている。
【０４２２】
液晶素子３４０は、電極３１１ｂ、電極５６２、および液晶５６３を有する。電極３１１ｂは画素電極として機能する。電極５６２は共通電極として機能する。電極３１１ｂと電極５６２との間に生じる電界により、液晶５６３の配向を制御することができる。液晶５６３と電極３１１ｂの間には配向膜５６４ａが設けられている。液晶５６３と電極５６２の間には、配向膜５６４ｂが設けられている。
【０４２３】
樹脂層２０２には、絶縁層５７６、電極５６２、および配向膜５６４ｂ等が設けられている。
【０４２４】
樹脂層２０１には、電極３１１ｂ、配向膜５６４ａ、トランジスタ５０１、トランジスタ５０３、容量素子５０５、接続部５０６、および配線３６７等が設けられている。
【０４２５】
樹脂層２０１上には、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４等の絶縁層が設けられている。
【０４２６】
ここで、トランジスタ５０３のソースまたはドレインのうち、電極３１１ｂと電気的に接続されていない方の導電層は、信号線の一部として機能してもよい。また、トランジスタ５０３のゲートとして機能する導電層は、走査線の一部として機能してもよい。
【０４２７】
図２８では、表示部３６２の例として、着色層を設けない構成を示している。そのため、液晶素子３４０は、白黒の階調表示を行う素子である。
【０４２８】
図２８では、回路部３６６の例としてトランジスタ５０１が設けられている例を示している。
【０４２９】
各トランジスタを覆う絶縁層５１２、絶縁層５１３のうち少なくとも一方は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。
【０４３０】
絶縁層５１４上には、電極３１１ｂが設けられている。電極３１１ｂは、絶縁層５１４、絶縁層５１３、絶縁層５１２等に形成された開口部を介して、トランジスタ５０３のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。また電極３１１ｂは、容量素子５０５の一方の電極と電気的に接続されている。
【０４３１】
表示パネル２００は、反射型の液晶表示装置であるため、電極３１１ｂに可視光を反射する導電性材料を用い、電極５６２に可視光を透過する導電性材料を用いる。
【０４３２】
可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。
【０４３３】
可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、またはこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。そのほか、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、およびランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。
【０４３４】
ここで、偏光板５９９として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、偏光板５９９の種類に応じて、液晶素子３４０に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。
【０４３５】
電極５６２は、樹脂層２０２の端部に近い部分において、樹脂層２０１側に設けられた導電層と接続体５４３により電気的に接続されている。これにより、樹脂層２０１側に配置されるＦＰＣ３７４やＩＣ等から電極５６２に電位や信号を供給することができる。
【０４３６】
接続体５４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体５４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体５４３は、図２８に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体５４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。
【０４３７】
接続体５４３は、接着層５１７に覆われるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層５１７に接続体５４３を分散させておけばよい。
【０４３８】
樹脂層２０１の端部に近い領域には、接続部５０６が設けられている。接続部５０６は、接続層５１９を介してＦＰＣ３７４と電気的に接続されている。図２８に示す構成では、配線３６７の一部と、電極３１１ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層を積層することで接続部５０６を構成している例を示している。
【０４３９】
以上が表示パネル２００についての説明である。
【０４４０】
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【０４４１】
〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【０４４２】
厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。
【０４４３】
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【０４４４】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用いることができる。
【０４４５】
また、金属基板の表面を酸化する、または表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、またはスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置するまたは加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。
【０４４６】
可撓性および可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示パネルも軽量にすることができる。
【０４４７】
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０４４８】
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
【０４４９】
可撓性を有する基板に、表示パネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
【０４５０】
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示パネルとすることができる。
【０４５１】
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
【０４５２】
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０４５３】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０４５４】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、酸化物半導体を用いることができる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
【０４５５】
特にシリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０４５６】
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各画素の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
【０４５７】
半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛およびＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０４５８】
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ランタノイドである、プラセオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
【０４５９】
半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０４６０】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０４６１】
また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタおよび容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
【０４６２】
半導体層を構成する酸化物半導体は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０４６３】
半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０４６４】
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのとき酸化物半導体を用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成でき、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。
【０４６５】
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０４６６】
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
【０４６７】
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０４６８】
また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。
【０４６９】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０４７０】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０４７１】
〔表示素子について〕
表示面側に位置する第１の画素が有する表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。第１の画素が有する表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１の画素が有する表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。なお、第１の画素が有する表示素子として、透過型の液晶素子を用いてもよい。
【０４７２】
また、表示面側とは反対側に位置する第２の画素が有する表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。第２の画素が有する表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などの自発光性の発光素子を用いることができる。なお、第１の画素が有する表示素子として透過型の液晶素子を用いる場合、第２の画素が有する表示素子をバックライトとして用いることができる。
【０４７３】
〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
【０４７４】
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。
【０４７５】
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０４７６】
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
【０４７７】
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【０４７８】
本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。
【０４７９】
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
【０４８０】
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、ＬＥＤ、ＱＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０４８１】
本発明の一態様では、特に発光素子は、トップエミッション型の発光素子を用いることが好ましい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０４８２】
ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０４８３】
ＥＬ層には低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０４８４】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０４８５】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色および赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
【０４８６】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。
【０４８７】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【０４８８】
なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、および電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。
【０４８９】
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
【０４９０】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０４９１】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、またはマグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜または金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。
【０４９２】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。
【０４９３】
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０４９４】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
【０４９５】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０４９６】
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０４９７】
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
【０４９８】
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
【０４９９】
以上が各構成要素についての説明である。
【０５００】
［変形例］
以下では、上記断面構成例で例示した表示装置とは一部の構成の異なる例を説明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点のみ説明する。
【０５０１】
〔断面構成例の変形例１〕
図２９は、図２８と比較してトランジスタの構成および樹脂層２０２の構成が異なる点、ならびに着色層５６５、遮光層５６６、および絶縁層５６７を有する点で相違している。
【０５０２】
図２９に示すトランジスタ４０１、トランジスタ４０３、トランジスタ５０１は、第２のゲート電極を有する。このように、回路部３６４や回路部３６６に設けるトランジスタ、および発光素子３６０に流れる電流を制御するトランジスタに、一対のゲートを有するトランジスタを適用することが好ましい。
【０５０３】
樹脂層２０２は、液晶素子３４０と重なる開口部と、発光素子３６０と重なる開口部とが、別々に設けられている。これにより、液晶素子３４０の反射率を向上させることができる。
【０５０４】
また、絶縁層５７６の液晶素子３４０側の面には、遮光層５６６と、着色層５６５が設けられている。着色層５６５は、液晶素子３４０と重ねて設けられている。これにより、表示パネル２００はカラー表示を行うことができる。また、遮光層５６６は、液晶素子３４０と重なる開口部と、発光素子３６０と重なる開口部を有する。これにより、隣接画素間の混色を抑制し、色再現性の高い表示装置を実現できる。
【０５０５】
〔断面構成例の変形例２〕
図３０は、各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。また、例えば８インチ以上の大型の表示パネルに好適に用いることができる。
【０５０６】
〔断面構成例の変形例３〕
図３１は、各トランジスタに第２のゲート電極を有するトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例を示している。
【０５０７】
各トランジスタは、チャネル形成領域と重なるように、導電層５９１を有する。また導電層５９１を覆って絶縁層４１１または絶縁層５７８が設けられている。
【０５０８】
また、表示パネル２００の接続部５０６において、樹脂層２０１の一部に開口部が形成され、当該開口部を埋めるように導電層５９２が設けられている。導電層５９２は、その裏面側（表示パネル１００側）の表面が露出するように設けられている。導電層５９２は、配線３６７と電気的に接続されている。ＦＰＣ３７４は、導電層５９２の露出した表面と、接続層５１９を介して電気的に接続されている。導電層５９２は導電層５９１と同一の導電膜を加工して形成することができる。導電層５９２は、裏面電極とも呼ぶことのできる電極として機能する。
【０５０９】
このような構成は、樹脂層２０１に感光性の有機樹脂を用いることにより実現することができる。例えば、支持基板上に樹脂層２０１を形成する際に、樹脂層２０１に開口部を形成し、当該開口部を埋めるように導電層５９２を形成する。そして樹脂層２０１と支持基板とを剥離する際、導電層５９２と支持基板とも同時に剥離されることにより、図３１に示すような導電層５９２を形成することができる。例えば、光吸収層を用いた方法や、または凹部を有する樹脂層または２層構造の樹脂層を形成した後に導電層５９２の裏面が露出するように樹脂層の一部をエッチングする方法等を用いることができる。
【０５１０】
このような構成とすることで、表示面側に位置する表示パネル２００に接続するＦＰＣ３７４を、表示面とは反対側に配置することができる。そのため、表示装置を電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ３７４を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる。
【０５１１】
以上が変形例についての説明である。
【０５１２】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５１３】
（実施の形態４）
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【０５１４】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０５１５】
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０５１６】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０５１７】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０５１８】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０５１９】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０５２０】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０５２１】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０５２２】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０５２３】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０５２４】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０５２５】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０５２６】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０５２７】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０５２８】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０５２９】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０５３０】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０５３１】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０５３２】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０５３３】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５３４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
【０５３５】
図３２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、およびバッテリ８０１１を有する。
【０５３６】
本発明の一態様を用いて作製された表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。これにより、低輝度の画像を高い表示品質で表示することができる。
【０５３７】
上部カバー８００１および下部カバー８００２は、タッチパネル８００４および表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０５３８】
タッチパネル８００４としては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４を設けず、表示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
【０５３９】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０５４０】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０５４１】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０５４２】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５４３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器について説明する。
【０５４４】
図３３（Ａ）、（Ｂ）に、携帯情報端末８００の一例を示す。携帯情報端末８００は、筐体８０１、筐体８０２、表示部８０３、表示部８０４、およびヒンジ部８０５等を有する。携帯情報端末８００に本発明の一態様の表示装置を用いることにより、低輝度の画像を高い表示品質で表示することができる。
【０５４５】
筐体８０１と筐体８０２は、ヒンジ部８０５で連結されている。携帯情報端末８００は、図３３（Ａ）に示すように折り畳んだ状態から、図３３（Ｂ）に示すように筐体８０１と筐体８０２を開くことができる。
【０５４６】
例えば表示部８０３および表示部８０４に、文書情報を表示することが可能であり、電子書籍端末としても用いることができる。また、表示部８０３および表示部８０４に静止画像や動画像を表示することもできる。
【０５４７】
このように、携帯情報端末８００は、持ち運ぶ際には折り畳んだ状態にできるため、汎用性に優れる。
【０５４８】
なお、筐体８０１および筐体８０２には、電源ボタン、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク等を有していてもよい。
【０５４９】
図３３（Ｃ）に携帯情報端末の一例を示す。図３３（Ｃ）に示す携帯情報端末８１０は、筐体８１１、表示部８１２、操作ボタン８１３、外部接続ポート８１４、スピーカ８１５、マイク８１６、カメラ８１７等を有する。携帯情報端末８１０に本発明の一態様の表示装置を用いることにより、低輝度の画像を高い表示品質で表示することができる。
【０５５０】
携帯情報端末８１０は、表示部８１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部８１２に触れることで行うことができる。
【０５５１】
また、操作ボタン８１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部８１２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０５５２】
また、携帯情報端末８１０の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯情報端末８１０の向き（縦か横か）を判断して、表示部８１２の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部８１２を触れること、操作ボタン８１３の操作、またはマイク８１６を用いた音声入力等により行うこともできる。
【０５５３】
携帯情報端末８１０は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末８１０は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧および作成、音楽再生、動画再生、インターネット通信、ゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
【０５５４】
図３３（Ｄ）に、カメラの一例を示す。カメラ８２０は、筐体８２１、表示部８２２、操作ボタン８２３、シャッターボタン８２４等を有する。またカメラ８２０には、着脱可能なレンズ８２６が取り付けられている。カメラ８２０に本発明の一態様の表示装置を用いることにより、低輝度の画像を高い表示品質で表示することができる。
【０５５５】
ここではカメラ８２０として、レンズ８２６を筐体８２１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８２６と筐体８２１ が一体となっていてもよい。
【０５５６】
カメラ８２０は、シャッターボタン８２４を押すことにより、静止画、または動画を撮像することができる。また、表示部８２２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８２２をタッチすることにより撮像することも可能である。
【０５５７】
なお、カメラ８２０は、ストロボ装置や、ビューファインダーなどを別途装着することができる。または、これらが筐体８２１に組み込まれていてもよい。
【０５５８】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０５５９】
１０    表示装置
１１    演算回路
１２    デジタルデータ変換回路
１３    入力信号生成回路
１４    Ｄ／Ａ変換回路
１５    表示部
１６    メモリ
１７    フォトセンサ
１８    補正回路
２１    トランジスタ
２２    容量素子
３１    抵抗素子
３２    パストランジスタロジック回路
５０    接着層
５１    接着層
５２    接着層
６１    支持基板
６２    支持基板
６３    支持基板
６４    支持基板
７０    光
８１    領域
８２    領域
１００    表示パネル
１０１    樹脂層
１０１ａ    樹脂層
１０２    樹脂層
１０２ａ    樹脂層
１０２ｂ    樹脂層
１０２ｃ    樹脂層
１０３ａ    光吸収層
１０３ａａ    光吸収層
１０３ｂ    光吸収層
１０３ｃ    光吸収層
１１０    トランジスタ
１１０ａ    トランジスタ
１１０ｂ    トランジスタ
１１０ｃ    トランジスタ
１１１    導電層
１１２    半導体層
１１３ａ    導電層
１１３ｂ    導電層
１１４    導電層
１１５    導電層
１２０    発光素子
１２１    導電層
１２２    ＥＬ層
１２３    導電層
１３１    絶縁層
１３２    絶縁層
１３３    絶縁層
１３４    絶縁層
１３５    絶縁層
１３６    絶縁層
１３７    絶縁層
１４１    絶縁層
１５１    接着層
１５２    着色層
１５３    遮光層
２００    表示パネル
２０１    樹脂層
２０２    樹脂層
２０４    絶縁層
２１０    トランジスタ
２１１    導電層
２１２    半導体層
２１３ａ    導電層
２１３ｂ    導電層
２２０    液晶素子
２２１    導電層
２２２    液晶
２２３    導電層
２２４ａ    配向膜
２２４ｂ    配向膜
２３１    絶縁層
２３２    絶縁層
２３３    絶縁層
２３４    絶縁層
３００    表示装置
３１１    電極
３１１ｂ    電極
３４０    液晶素子
３５１    基板
３６０    発光素子
３６０ｂ    発光素子
３６０ｇ    発光素子
３６０ｒ    発光素子
３６０ｗ    発光素子
３６１    基板
３６２    表示部
３６４    回路部
３６５    配線
３６６    回路部
３６７    配線
３７２    ＦＰＣ
３７３    ＩＣ
３７４    ＦＰＣ
３７５    ＩＣ
４００    表示装置
４０１    トランジスタ
４０２    トランジスタ
４０３    トランジスタ
４０５    容量素子
４０６    接続部
４０７    配線
４１０    画素
４１１    絶縁層
４１２    絶縁層
４１３    絶縁層
４１４    絶縁層
４１５    絶縁層
４１６    スペーサ
４１７    接着層
４１９    接続層
４２１    電極
４２２    ＥＬ層
４２３    電極
４２４    光学調整層
４２５    着色層
４２６    遮光層
４５１    開口部
４７２    基板
４７６    絶縁層
４７８    絶縁層
５０１    トランジスタ
５０３    トランジスタ
５０５    容量素子
５０６    接続部
５１１    絶縁層
５１２    絶縁層
５１３    絶縁層
５１４    絶縁層
５１７    接着層
５１９    接続層
５４３    接続体
５６２    電極
５６３    液晶
５６４ａ    配向膜
５６４ｂ    配向膜
５６５    着色層
５６６    遮光層
５６７    絶縁層
５７６    絶縁層
５７８    絶縁層
５９１    導電層
５９２    導電層
５９９    偏光板
６１１    基板
６１２    基板
６２１    発光
６２２    反射光
８００    携帯情報端末
８０１    筐体
８０２    筐体
８０３    表示部
８０４    表示部
８０５    ヒンジ部
８１０    携帯情報端末
８１１    筐体
８１２    表示部
８１３    操作ボタン
８１４    外部接続ポート
８１５    スピーカ
８１６    マイク
８１７    カメラ
８２０    カメラ
８２１    筐体
８２２    表示部
８２３    操作ボタン
８２４    シャッターボタン
８２６    レンズ
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチパネル
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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