(57)【要約】【課題】加熱室の熱膨張によるマイクロ波の整合に対する影響を抑制する。【解決手段】加熱室内にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、該マイクロ波を反射する短絡板と短絡板で反射されたマイクロ波を再反射する整合器とを備える。短絡板は支持部材により固定保持され、支持部材は加熱室の壁に連結部材により連結されている。そして、支持部材と連結部材の熱膨張係数が、加熱室を形成する部材の熱膨張率係数以上である。これにより、加熱室に熱膨張が生じた場合でも、支持部材および連結部材も併せて熱膨張することで加熱室の熱膨張を抑制することができ、マイクロ波の整合に対する影響を抑制することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を収容する加熱室と、
前記加熱室内にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波の進行方向に設置され、前記マイクロ波を反射するとともに、前記加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、
前記マイクロ波発生部と前記加熱室との間に設けられ、前記短絡板で反射された反射マイクロ波を前記加熱空間内に再反射する整合器と、
前記短絡板を前記非加熱空間側から支持する支持部材と、前記支持部材を固定保持し前記マイクロ波発生部と対向する前記加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、前記支持部材を前記連結部材で固定保持する位置を変えることで、前記整合器に対する前記短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、
前記支持部材および前記連結部材の熱膨張係数が、前記加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とするマイクロ波加熱装置。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロ波加熱装置であって、
前記支持部材と前記連結部材が同じ熱膨張係数を有する部材であることを特徴とするマイクロ波加熱装置。
【請求項３】
基材に向けて、画像データに基づき複数のインク滴を吐出するヘッド部と、
ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクにマイクロ波を照射して当該インクを加熱乾燥するマイクロ波加熱部と、
ヘッド部およびマイクロ波加熱部に対して基材を相対移動させる移動部と、を備え、
前記マイクロ波加熱部は、
前記基材を搬入する基材搬入口と、前記基材を搬出する基材搬出口とを有する加熱室と、
前記加熱室内に前記基材の搬送する方向と直交し、かつ前記基材の表面に平行にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波の進行方向に設置され、前記マイクロ波を反射するとともに、前記加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、
前記マイクロ波発生部と前記加熱室との間に設けられ、前記短絡板で反射された反射マイクロ波を前記加熱空間内に再反射する整合器と、
前記短絡板を前記非加熱空間側から支持する支持部材と、前記支持部材を固定保持し前記マイクロ波発生部と対向する前記加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、前記支持部材を前記連結部材で固定保持する位置を変えることで、前記整合器に対する前記短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、
前記支持部材および前記連結部材の熱膨張係数が、前記加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とする画像記録装置。
【請求項４】
請求項３に記載の画像記録装置であって、
前記マイクロ波加熱部を前記基材の搬送方向に沿って複数有し、
それぞれの前記マイクロ波加熱部が備える前記短絡板と前記整合器を構成する誘電体層の厚みを調整し、前記基材の幅方向に対して前記マイクロ波の共振するピーク位置がそれぞれ異なるようにしていることを特徴とする画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波により被加熱体を加熱するマイクロ波加熱装置および該マイクロ波加熱装置を備える画像記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波を出力し被加熱体を加熱するマイクロ波加熱装置が知られている（例えば、特許文献１）。このようなマイクロ波加熱装置においては、マイクロ波が導かれ、マイクロ波の進入方向の終端部が短絡されている導電性の加熱室を備えている。
【０００３】
このような構成によれば、加熱室に導かれたマイクロ波（以降では、入射波と呼ぶ）と、加熱室内で反射されたマイクロ波（以降では、反射波と呼ぶ）とが整合することで効率よく被加熱体を加熱することができる。この際、重要となるのは入射波と反射波の波長がお互いを最も強め合うように整合することである。
【０００４】
しかしながら、被加熱体の温度が上昇することで加熱室そのものの温度も上昇することとなる。そのため、加熱室を構成する筐体が熱膨張し筐体の全長が長くなる。これにより、あらかじめ入射波に対する反射波の反射のタイミングが異なることとなり、加熱効率が低下する問題がある。
【０００５】
そこで、例えば特許文献２には、温度上昇による部材の熱膨張による影響を防ぐ手段が開示されている。具体的には、電子顕微鏡において熱膨張により絞り穴の位置が変化し軸ずれを起こすことを防ぐため、電子ビーム絞り板を二つ折りにする。そして、下部側の絞り板を固定することで上部の電子ビーム絞り板と下部の電子ビーム絞り板がそれぞれ逆方向に熱膨張することで絞り穴の位置の変化を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−９７９７６号公報
【特許文献２】特開平６−１３９９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
マイクロ波加熱装置においては、被加熱物を効率よく加熱するためマイクロ波を共振させる必要がある。しかしながら、特許文献２の技術をマイクロ波加熱装置に適用することまでは開示されておらず、加熱室の熱膨張による影響を防ぐことができない。  
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、加熱室の熱膨張によるマイクロ波の整合に対する影響を抑制することができるマイクロ波加熱装置および当該マイクロ波加熱装置を備えた画像記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様にかかる、マイクロ波加熱装置であって、被加熱物を収容する加熱室と、加熱室内にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、マイクロ波の進行方向に設置され、マイクロ波を反射するとともに、加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、マイクロ波発生部と加熱室との間に設けられ、短絡板で反射された反射マイクロ波を加熱空間内に再反射する整合器と、短絡板を非加熱空間側から支持する支持部材と、支持部材を固定保持しマイクロ波発生部と対向する加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、支持部材を連結部材で固定保持する位置を変えることで、整合器に対する短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、支持部材および連結部材の熱膨張係数が、加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とする。
【００１０】
第２の態様は、第１の態様に係るマイクロ波加熱装置であって、支持部材と連結部材が同じ熱膨張係数を有する部材であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の態様にかかる、画像記録装置であって、基材に向けて画像データに基づき複数のインク滴を吐出するヘッド部と、ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクにマイクロ波を照射して当該インクを加熱乾燥するマイクロ波加熱部と、ヘッド部およびマイクロ波加熱部に対して基材を相対移動させる移動部と、を備え、マイクロ波加熱部は、基材を搬入する基材搬入口と、基材を搬出する基材搬出口とを有する加熱室と、加熱室内に基材の搬送する方向と直交し、かつ基材の表面に平行にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、マイクロ波の進行方向に設置され、マイクロ波を反射するとともに、加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、マイクロ波発生部と加熱室との間に設けられ、短絡板で反射された反射マイクロ波を加熱空間内に再反射する整合器と、短絡板を非加熱空間側から支持する支持部材と、支持部材を固定保持しマイクロ波発生部と対向する加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、支持部材を連結部材で固定保持する位置を変えることで、整合器に対する短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、支持部材および連結部材の熱膨張係数が、加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とする。
【００１２】
第４の態様は、第３の態様に係る画像記録装置であって、マイクロ波加熱部を基材の搬送方向に沿って複数有し、それぞれのマイクロ波加熱部が備える短絡板と整合器を構成する誘電体層の厚みを調整し、前記基材の幅方向に対して前記マイクロ波の整合するピーク位置がそれぞれ異なるようにしていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
このように構成された発明では、加熱室の熱膨張による影響を抑制することができるため、安定した加熱乾燥を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係るマイクロ波加熱装置の一実施形態の概略構成を示す斜視図である。
【図２】マイクロ波加熱装置のＸ−Ｚ面での概略断面図である。
【図３】マイクロ波加熱装置をＸ方向から見た正面図である。
【図４】マイクロ波加熱装置において加熱による熱膨張前と熱膨張後の状態を示す図である。
【図５】第２の実施形態を示す画像記録装置の概略構成を示す図である。
【図６】図５のマイクロ波加熱部の概略構成を示す斜視図である。
【図７】第３の実施形態に係るマイクロ波加熱部の概略断面を示す図である。
【図８】図７のマイクロ波加熱部の概略構成を示す上面図である。
【図９】第３の実施形態における基材の温度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の第１実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００１６】
図１〜３を参照しつつ本発明にかかるマイクロ波加熱装置の一実施形態について説明する。図１はマイクロ波加熱装置１０の概略構成を示す斜視図である。また、図２はマイクロ波加熱装置１０のＸ−Ｚ面での概略断面を示している。また、図３はマイクロ波加熱装置１０をＸ方向から見た正面図である。
【００１７】
マイクロ波加熱装置１０は、主たる構成として、マグネトロン等で構成されるマイクロ波発生部２０と、被加熱物を内部に収容し、マイクロ波発生部２０から放射されたマイクロ波によって被加熱物を加熱するための加熱室４０と、マイクロ波発生部２０と加熱室４０との間に設けられる整合器３０と、加熱室４０内のマイクロ波の進行方向に配置される短絡板４４と、整合器３０に対する短絡板４４の距離を調整する位置調整機構４２とを備える。なお、マイクロ波発生部２０と整合器３０との間に、マイクロ波の電力を熱エネルギーに変換してマイクロ波発生部２０を安定的に動作させるためのアイソレータを設けても良い。また、被加熱物としては半導体基板や液晶用の基板等、各種部材を加熱処理することができる。
【００１８】
マイクロ波発生部２０は、加熱室４０の壁Ｗ１（図２）の図示を省略するマイクロ波導入口に対応する位置に取り付けられている。そして、マイクロ波発生部２０は、マイクロ波ＭＷを発生する。マイクロ波発生部２０が加熱室４０の壁Ｗ１のマイクロ波導入口に対応する位置に取り付けられることにより、マイクロ波発生部２０は、整合器３０を介してマイクロ波ＭＷを加熱室４０内に放射することができる。
【００１９】
加熱室４０は、Ｘ方向に長い中空構造の筐体であり、被加熱物を出し入れ可能とする開口部４１が壁Ｗ３に形成されている。つまり、開口部４１は、マイクロ波導入口が形成される面（壁Ｗ１）、およびマイクロ波導入口と対向する面（壁W2）とは異なる面（本実施形態では壁W3）に設けられている。また、開口部４１には図示を省略するシャッターを備える。
【００２０】
加熱室４０のマイクロ波発生部２０側の側面である壁W１には、マイクロ波MWを内部に導くためのマイクロ波導入口が設けられている。したがって、マイクロ波発生部２０より出力されたマイクロ波は、マイクロ波発生部２０側からＸ方向に向けてマイクロ波導入口より加熱室４０内にマイクロ波が導かれる。また、加熱室４０の内部は導波路として機能する。このような、加熱室４０の構成材料としては、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどが利用可能である。したがって、加熱室４０全体が熱伝導により加熱される。また、加熱室４０はシールド構造を有している。これにより、加熱室４０からのマイクロ波の流出を防ぐことができる。
【００２１】
整合器３０は、誘電率の高い材料で構成されており、例えば、材料として高密度ポリエチレン（ＵＨＭＷ）、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂材料、石英、その他高誘電率材料で構成されており、厚み調整された板状の部材である。本実施形態においては、誘電体層の厚みを整合器３０内におけるマイクロ波の波長１／３となるよう調整されている。高誘電率材料により構成された部材である整合器３０を加熱室４０のマイクロ波導入口に配置することにより、整合器３０は、電界強度をマイクロ波発生部２０にて発生したマイクロ波の電界強度の２倍よりも大きくできる。また、整合器３０としては、できるだけ加熱されにくい材料で構成されるのが好ましい。加工容易性ならびにコスト面の観点から、実用的には高密度ポリエチレンを用いるのが好適である。
【００２２】
短絡板４４は、高密度ポリエチレンで形成される板状の部材であり短絡してさせている。短絡板４４は、加熱室４０の内側において、マイクロ波MWの進行方向に設置され、マイクロ波ＭＷを反射するとともに、加熱室４０に被加熱物を収容し加熱処理する加熱空間ＨＳと、被加熱物を収容せず後述する短絡板４４の位置を調整する位置調整機構４２の一部を収容する非加熱空間ＮＨＳとに仕切っている。短絡板４４の加熱空間ＨＳ側の面はマイクロ波ＭＷを反射する反射面を形成する。また、短絡板４４の周縁部と加熱室４０の内壁面との間には摺動子が設けられており、短絡板４４は加熱室４０内を加熱室４０の長さ方向に摺動可能となっている。
【００２３】
加熱空間ＨＳにおいて被加熱物が加熱処理される際、その内部の雰囲気も加熱され加熱室４０の壁全体が熱伝導により加熱される。したがって、非加熱空間ＮＨＳ内も結果的に加熱されることとなる。
【００２４】
位置調整機構４２は、短絡板４４を非加熱空間ＮＨＳ側から支持する支持部材４３と、支持部材４３を固定保持しマイクロ波発生部２０と対向する加熱室４０の壁Ｗ２に形成される図示を省略する開口に連結する連結部材４５とから構成されている。
【００２５】
支持部材４３は短絡板４４に連結し、加熱室４０の壁Ｗ２から突出する長さを有し、その形状は四角柱となっている。なお、支持部材４３の形状は四角柱に限定されるものではなく、円柱状でもよくその他の形状でも良い。
【００２６】
連結部材４５は、加熱室４０の壁に形成される開口に連結されており、環形状を有している。したがって、支持部材４３の周囲を固定保持することができる。また連結部材４５は支持部材４３を固定保持する状態と、開放する状態とに切り換え可能となっている。
【００２７】
したがって、連結部材４５における支持部材４３の固定保持する位置を変えることで、整合器３０に対する短絡板４４の距離を調整することができる。これにより、マイクロ波の入射波ＩＷの位相と、反射波ＲＷの位相との位相ずれを任意に調整可能となり、入射波ＩＷと反射波ＲＷの共振が最大となるように位相を調整可能である。
【００２８】
位置調整機構４２による短絡板４４の整合器３０に対する位置調整は、加熱処理を行う前に実施される。そして、加熱処理中は、連結部材４５は支持部材４３を固定保持した状態となる。
【００２９】
また、支持部材４３および連結部材４５は、加熱室４０を構成する部材の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有する部材で構成される。具体的には、例えば加熱室４０がアルミニウムで構成されている場合、支持部材４３および連結部材４５はポリテトラフルオロエチレンで構成されるのが好適である。これらの部材が採用された場合、ポリテトラフルオロエチレンの線膨張係数は、アルミニウムの線膨張係数の約４倍大きい。なお、本実施形態においては長さ方向の伸びを考慮し熱膨張係数を線膨張係数と等価としている。また、支持部材４３と連結部材４５は同じ熱膨張係数を有する部材であることが好ましい。
【００３０】
図４では、加熱処理前のマイクロ波加熱装置１０の状態を図４（ａ）で示し、加熱処理によって熱膨張が生じた状態のマイクロ波加熱装置１０の状態を図４（ｂ）で示している。なお、いずれの図でも加熱室４０はアルミニウムで構成され、位置調整機構４２はポリテトラフルオロエチレンで構成されている。
【００３１】
図４（ａ）では、加熱処理による影響が生じておらず加熱室４０のＸ方向の寸法（言い換えると、整合器３０と短絡板４４との距離）は、あらかじめ設定した状態のままである。しかし、マイクロ波ＭＷを照射し被加熱物が加熱されることで加熱空間ＨＳ内の温度が上昇し、加熱室４０の温度が上昇する。加熱室４０はアルミニウムで構成されており、温度上昇により熱膨張が生じる。特に加熱室４０はＸ方向に熱膨張で伸びる。
【００３２】
一方、本実施形態においては位置調整機構４２をポリテトラフルオロエチレンで構成しているため、図４（ｂ）で示すように、支持部材４３および連結部材４５には熱膨張が生じる。しかし、ポリテトラフルオロエチレンはアルミニウムに比べて熱膨張係数が大きいため、アルミニウムに生じた熱膨張による変位を抑制するようにポリテトラフルオロエチレンで構成される支持部材４３および連結部材４５は熱膨張を行う。これにより、あらかじめ設定された整合器３０と短絡板４４との距離の変位を抑制することができる。そのため、熱膨張による整合のずれの発生を抑制し安定した連続運転が可能となる。
【００３３】
本発明の第２実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３４】
図５、６を参照しつつ本発明にかかるマイクロ波加熱部を備えた画像記録装置の一実施形態について説明する。図５は画像記録装置１の概略構成を示す図である。また、図６は画像記録装置１に備えられたマイクロ波加熱部１０Ａの概略構成を示す斜視図である。
【００３５】
この画像記録装置１は、インクジェット方式により長尺帯状である印刷用紙等の基材Ｐに向けてインク滴を吐出して基材Pの表面に画像を記録するものである。
【００３６】
画像記録装置１は、基材Pを移動させる移動部３と、ヘッド部４と、マイクロ波加熱部１０Aおよび制御部７とを備える。
【００３７】
移動部３は、ロール状の基材Pが配置される巻き出し部５と、巻き出し部５から巻き出された後、その長手方向に水平搬送されてロール状に巻き取る巻き取り部６と、搬送途中に基材Pを支持する複数の補助ローラ３aとを備える。移動部３は、例えば巻き取り部６に設けられた駆動モータを回転駆動させるとともに、基材Pの搬送速度や位置情報等をロータリーエンコーダ等で検出する。
【００３８】
基材Pが水平搬送される区間に、ヘッド部４とマイクロ波加熱部１０Aが基材Pの搬送方向に沿って設けられている。ヘッド部４は水平搬送される基材Pの上方に配置され、基材Pの搬送方向に配列された第１ヘッド４C、第２ヘッド４M、第３ヘッド４Yおよび第４ヘッド４Kを備える。例えば、第１ヘッド４CはＣ（シアン）のインク滴を、第２ヘッド４MはＭ（マゼンタ）のインク滴を、第３ヘッド４YはＹ（イエロー）のインク滴を、第４ヘッド４KはＫ（ブラック）のインク滴を、基材Pの表面（上面）に向けてそれぞれ複数、吐出する。また、第１ヘッド４C、第２ヘッド４M、第３ヘッド４Yおよび第４ヘッド４Kは、例えば、異なる３種類のサイズの大、中、小のインク滴を選択的に吐出可能な構成となっている。
【００３９】
第１ヘッド４Cは、基材Pと対向する底面に、基材Pの搬送方向と直交し、かつ基材Pの上面に平行な方向（基材Pの幅方向とも呼ぶ）に亘って配列された複数の吐出口（図示せず）を有し、この複数の吐出口からＣのインク滴をそれぞれ吐出する。複数の吐出口は、基材Pの幅方向において画像を記録すべき寸法以上に亘って設けられている。同様に、第２ヘッド４M、第３ヘッド４Y、第４ヘッド４Kにも複数の吐出口がそれぞれ設けられている。
【００４０】
マイクロ波加熱部１０Ａは、ヘッド部４の基材Ｐの搬送方向における下流側に配置されている。マイクロ波加熱部１０Ａは、ヘッド部４により基材Ｐに向けて吐出され、その表面にインクが付着している基材Ｐにマイクロ波を照射し、基材Ｐに対して乾燥処理を施す。マイクロ波加熱部１０Ａにて基材Ｐに照射されるマイクロ波は、例えば波長が１５０ｍｍ、周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波である。
【００４１】
制御部７は、ＣＰＵやメモリ（ＲＯＭ，ＲＡＭ等）などを有するコンピュータであり、ヘッド部４、マイクロ波加熱部１０Ａおよび移動部３にそれぞれ電気的に接続されている。そして、メモリに画像記録すべき画像データが記憶され、公知の画像データ処理によりヘッド部４を駆動するための記録信号に変換し、ヘッド部４からインク滴を吐出するように制御する。また、エンコーダ等からの入力に基づいて移動部３を制御する。
【００４２】
マイクロ波加熱部１０Ａは、図６に示すようにマグネトロン等で構成されるマイクロ波発生部２０Ａと、被加熱物を内部に収容し、マイクロ波発生部２０から放射されたマイクロ波によって基材Ｐを加熱するための加熱室４０と、マイクロ波発生部２０Ａと加熱室４０との間に設けられる整合器３０と、加熱室４０内のマイクロ波の進行方向に配置される図示を省略する短絡板を整合器３０に対して距離を調整する位置調整機構４２とを備える。なお、各部において第１の実施形態におけるマイクロ波加熱処理装置と同一構成については同一符号を付与し説明を省略する。
【００４３】
加熱室４０は基材Pを受け入れる図示を省略するスリット状の搬入口と、加熱室４０あら基材Pが排出されるスリット状の搬出口４１Ａとを備える。
【００４４】
そして、ヘッド部４により基材Ｐに向けて吐出され、その表面にインクが付着している基材Ｐがマイクロ波加熱部１０Ａの加熱室４０の搬入口に搬入され、加熱室４０の内部でマイクロ波が照射され、基材Ｐ上のインクが加熱乾燥され、搬出口４１Ａから基材Pが搬出される。
【００４５】
本実施形態では、マイクロ波加熱部１０Ａとして第１の実施形態と同様の構成を有するため、加熱室４０の熱膨張が生じたとしても、あらかじめ調節したマイクロ波の整合を維持することができ安定した連続運転が可能となる。
【００４６】
続いて、本発明の第３実施形態について図を参照しつつ説明する。第３の実施形態が第２の実施形態と異なる点は、マイクロ波加熱部１０Bである。そのため、マイクロ波加熱部１０Bについてのみ図７、８を参照しつつ説明する。図７は、マイクロ波加熱部１０Bの概略断面を示す図であり、図８はマイクロ波加熱部１０Bの概略構成を示す上面図である。
【００４７】
本実施形態の説明においては、第１の実施形態と同一の構成については同一符号を付与して説明を省略する。そして、相違点について主として説明する。
【００４８】
マイクロ波加熱部１０Bは、マイクロ波発生部２０Bと、加熱室４０A、４０B、４０Cの３つの加熱室から構成されている。また、各加熱室４０A〜４０Cにおける主たる相違点は短絡板４４A〜４４Cと整合器３０A〜３０Cにおける誘電体層の厚みである。このように誘電体層の厚みが異なることでマイクロ波における最も共振するピーク位置を基材Ｐの幅方向において制御することができる。
【００４９】
図９は、それぞれの加熱室４０Ａ〜４０Ｂにおける基材Pの幅方向の温度分布を示している。特に実線４０１Ａは、加熱室４０Ａにおける基材Ｐに対する幅方向の温度分布を示し、破線４０１Ｂは、加熱室４０Ｂにおける基材Ｐに対する幅方向の温度分布を示し、一点鎖線４０１Ｃは、加熱室４０Ｃにおける基材Ｐに対する幅方向の温度分布を示ししている。
【００５０】
図８で示したように、各加熱室４０A〜４０Cが備える短絡板４４A〜４４Cと整合器３０A〜３０Cにおける誘電体層の厚み調整することで、図９で図示されるようにマイクロ波の共振するピーク位置を基材Ｐの幅方向において異ならせることができる。マイクロ波のピークが高い基材Ｐ上の位置は温度上昇が起こる。したがって、マイクロ波のピーク位置は、基材Ｐの幅方向における温度分布に対応する。本実施形態で示すように、加熱室４０A〜４０Cのマイクロ波のピークの位置を基材Ｐの幅方向にずらせることで、各基材Ｐの幅方向において均一に加熱乾燥することができる。
【００５１】
以上、各実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００５２】
第２および第３の実施形態では、基材Ｐとして印刷用紙を例にとったがこれらに限られるものではなく、例えば、フィルムや金属箔などの基材を用いても良い。
【００５３】
また、第２および第３の実施形態では、加熱室をヘッド部４の搬送方向下流側に配置したがこれに限定されるものではなく、例えばヘッド部４の搬送方向上流側に配置することで、基材Ｐをあらかじめ加熱するプレヒートとして利用可能である。
【００５４】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記実施形態で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１    画像記録装置
３    移動部
４    ヘッド部
７    制御部
１０    マイクロ波加熱装置
１０A、１０Ｂ    マイクロ波加熱部
２０、２０Ａ、２０Ｂ  マイクロ波発生部
３０、３０Ａ〜３０C  整合器
４０、４０Ａ〜４０C  加熱室
４２  位置調整機構
４３  支持部材
４４  短絡板
４５  連結部材
ＩＷ  入射波
ＲＷ  反射波
ＭＷ  マイクロ波
ＨＳ  加熱空間
ＮＨＳ  非加熱空間
Ｐ    基材
【図１】
2018166035.tif 000003
【図２】
2018166035.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018166035.tif 000009
【図８】
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【図９】
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