(57)【要約】【課題】ｎ型半導体層へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部に位置するｎ型半導体層にｐ型不純物含有領域を形成する技術を提供する。【解決手段】終端部を有する半導体装置の製造方法は、ｎ型不純物を含むｎ型半導体層の上に、ｐ型不純物を含むｐ型半導体層を積層する積層工程と、前記終端部に位置するｐ型半導体層に、ｎ型不純物とｐ型不純物との少なくとも一方をイオン注入するイオン注入工程と、前記イオン注入した不純物を活性化させるための熱処理を行う熱処理工程と、を備え、前記イオン注入工程及び前記熱処理工程を経ることにより、前記イオン注入がされたｐ型半導体層の領域の下方であって、前記ｎ型半導体層の少なくとも一部に、前記ｐ型半導体層に含まれるｐ型不純物が拡散するｐ型不純物含有領域が形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
終端部を有する半導体装置の製造方法であって、
ｎ型不純物を含むｎ型半導体層の上に、ｐ型不純物を含むｐ型半導体層を積層する積層工程と、
前記終端部に位置するｐ型半導体層に、ｎ型不純物とｐ型不純物との少なくとも一方をイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入した不純物を活性化させるための熱処理を行う熱処理工程と、を備え、
前記イオン注入工程及び前記熱処理工程を経ることにより、前記イオン注入がされたｐ型半導体層の領域の下方であって、前記ｎ型半導体層の少なくとも一部に、前記ｐ型半導体層に含まれるｐ型不純物が拡散するｐ型不純物含有領域が形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、さらに、
前記ｐ型半導体層を貫通して、前記ｎ型半導体層に至るまで落ち込んだトレンチを形成するトレンチ形成工程を備え、
前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との積層の方向において、前記ｐ型不純物含有領域の底面は、前記トレンチの底面と同じか、もしくは前記トレンチの底面より下に位置する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層は、ＩＩＩ族窒化物により形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体装置の終端構造であって、
ｎ型不純物を含むｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の上に形成され、ｐ型不純物を含むｐ型半導体層と、
前記ｐ型半導体層の中に、その他の前記ｐ型半導体層の領域と比較して、ｎ型不純物とｐ型不純物との少なくとも一方が多い第１の領域を備え、
前記第１の領域の下方であって、前記ｎ型半導体層の中に、前記ｐ型不純物を含むｐ型不純物含有領域を備える、半導体装置の終端構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置の終端構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電力制御用の半導体装置（パワーデバイス）では、耐圧向上又は電界集中を緩和するために、素子領域（アクティブ領域）の周囲にガードリングなどの終端構造を設けることが知られている。特許文献１では、イオン注入によって、ｎ型半導体層の中にｐ型不純物含有領域を形成することにより終端構造を形成する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１３５５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、イオン注入によって、ｎ型半導体層の中にｐ型不純物含有領域を形成した場合、イオン注入により半導体内に結晶の欠陥が生じる場合や、この欠陥を熱処理によっても回復が困難な場合がある。このため、終端構造において、ｎ型半導体層の中へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、ｎ型半導体層の中にｐ型不純物含有領域を形成する技術が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００６】
（１）本発明の一形態によれば、終端部を有する半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、ｎ型不純物を含むｎ型半導体層の上に、ｐ型不純物を含むｐ型半導体層を積層する積層工程と、前記終端部に位置するｐ型半導体層に、ｎ型不純物とｐ型不純物との少なくとも一方をイオン注入するイオン注入工程と、前記イオン注入した不純物を活性化させるための熱処理を行う熱処理工程と、を備え、前記イオン注入工程及び前記熱処理工程を経ることにより、前記イオン注入がされたｐ型半導体層の領域の下方であって、前記ｎ型半導体層の少なくとも一部に、前記ｐ型半導体層に含まれるｐ型不純物が拡散するｐ型不純物含有領域が形成される。この形態の半導体装置の製造方法によれば、ｎ型半導体層へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部に位置するｎ型半導体層にｐ型不純物含有領域を形成することができる。
【０００７】
（２）上述の半導体装置の製造方法において、さらに、前記ｐ型半導体層を貫通して、前記ｎ型半導体層に至るまで落ち込んだトレンチを形成するトレンチ形成工程を備え、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との積層の方向において、前記ｐ型不純物含有領域の底面は、前記トレンチの底面と同じか、もしくは前記トレンチの底面より下に位置してもよい。この形態の半導体装置の製造方法によれば、トレンチ付近の電界集中によってトレンチが破壊される前に、終端構造においてアバランシェ降伏を生じさせることができるため、半導体装置の破壊耐量を向上させることができる。
【０００８】
（３）上述の半導体装置において、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層は、ＩＩＩ族窒化物により形成されていてもよい。この形態の半導体装置の製造方法によれば、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩ族窒化物のように、ｐ型不純物をイオン注入することでｐ型化させることが困難な場合においても、型半導体層へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部に位置するｎ型半導体層にｐ型不純物含有領域を形成することができる。
【０００９】
（４）本発明の他の形態によれば、半導体装置の終端構造が提供される。この半導体装置の終端構造は、ｎ型不純物を含むｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上に形成され、ｐ型不純物を含むｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層の中に、その他の前記ｐ型半導体層の領域と比較して、ｎ型不純物とｐ型不純物との少なくとも一方が多い第１の領域を備え、前記第１の領域の下方であって、前記ｎ型半導体層の中に、前記ｐ型不純物を含むｐ型不純物含有領域を備える。この形態の半導体装置の終端構造によれば、ｐ型不純物含有領域を備えることにより、半導体装置の耐圧を向上できる。
【００１０】
本発明は、終端部を有する半導体装置の製造方法や半導体装置の終端構造以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、上述の製造方法を用いて半導体装置を製造する装置などの形態で実現することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本願発明の半導体装置の製造方法によれば、ｎ型半導体層へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部に位置するｎ型半導体層にｐ型不純物含有領域を形成することができる。また、本願発明の半導体装置の終端構造によれば、ｐ型不純物含有領域を備えることにより、半導体装置の耐圧を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程図。
【図３】イオン注入がされている状態を模式的に示す断面図。
【図４】第２実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図。
【図５】第３実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図。
【図６】第４実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図。
【図７】第４実施形態からｎ型半導体層などを取り除いた状態を示す模式図。
【図８】第５実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図。
【図９】第６実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【図１０】第７実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【図１１】第８実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
Ａ．第１実施形態
Ａ−１．半導体装置の構成
図１は、第１実施形態における半導体装置１００の終端構造付近の構成を模式的に示す断面図である。半導体装置１００は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成されたＧａＮ系の半導体装置である。
【００１４】
図１には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｘ軸は、図１の紙面左から紙面右に向かう軸である。＋Ｘ軸方向は、紙面右に向かう方向であり、−Ｘ軸方向は、紙面左に向かう方向である。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｙ軸は、図１の紙面手前から紙面奥に向かう軸である。＋Ｙ軸方向は、紙面奥に向かう方向であり、−Ｙ軸方向は、紙面手前に向かう方向である。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸は、図１の紙面下から紙面上に向かう軸である。＋Ｚ軸方向は、紙面上に向かう方向であり、−Ｚ軸方向は、紙面下に向かう方向である。
【００１５】
半導体装置１００は、基板１１０と、ｎ型半導体層１１２と、ｐ型不純物含有領域１１８と、ｐ型半導体層１１４と、イオン注入領域１１６と、を備える。本実施形態では、半導体装置１００の終端部を図示している。ここで、終端部とは、半導体チップの外周部分を言い、アクティブ領域の外周部分を言う。
【００１６】
半導体装置１００の基板１１０は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる板状の半導体である。本実施形態では、基板１１０、ｎ型半導体層１１２、及びｐ型半導体層１１４は、ＩＩＩ族窒化物半導体である。ＩＩＩ族窒化物半導体としては、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化インジウムアルミニウムガリウム（ＩｎＡｌＧａＮ）などが例示できる。なお、電力制御用の半導体装置に用いる観点から、ＩＩＩ族窒化物半導体としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）が好ましい。本実施形態では、ＩＩＩ族窒化物半導体として、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いる。なお、本実施形態の効果を奏する範囲において、窒化ガリウム（ＧａＮ）の一部をアルミニウム（Ａｌ）やインジウム（Ｉｎ）などの他のＩＩＩ族元素に置換してもよく、他の不純物を含んでいてもよい。
【００１７】
本実施形態では、基板１１０は、ケイ素（Ｓｉ）をｎ型不純物として含むｎ型半導体層である。本実施形態では、基板１１０に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、１．０×１０１８ｃｍ−３である。
【００１８】
半導体装置１００のｎ型半導体層１１２は、基板１１０の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体層である。本実施形態では、ｎ型半導体層１１２は、ケイ素（Ｓｉ）をｎ型不純物として含むｎ型半導体層である。ｎ型半導体層１１２に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、１．０×１０１５ｃｍ−３以上１．０×１０１７ｃｍ−３以下が好ましい。本実施形態では、ｎ型半導体層１１２に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、基板１１０に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値よりも小さく、１．０×１０１６ｃｍ−３である。ｎ型半導体層１１２の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は、３μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、本実施形態では、１０μｍである。
【００１９】
半導体装置１００のｐ型不純物含有領域１１８は、ｎ型半導体層１１２の＋Ｚ軸方向側の一部の領域であり、本実施形態では、ｐ型不純物を２．０×１０１７ｃｍ−３以上、かつ、ｐ型半導体層１１４のｐ型不純物濃度以下含む領域である。ｐ型不純物含有領域１１８は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体領域である。本実施形態では、ｐ型不純物含有領域１１８におけるｐ型不純物濃度は、ｐ型半導体層１１４におけるｐ型不純物濃度よりも小さい。本実施形態では、ｐ型不純物含有領域１１８は、ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を含有するとともに、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）についても含有する。
【００２０】
ｐ型不純物含有領域１１８は、ｐ型半導体層１１４と上面（＋Ｚ軸方向側の面）で接する。また、ｐ型不純物含有領域１１８は、イオン注入領域１１６の下方に位置し、後述するイオン注入領域形成工程において形成される領域である。ここで、「下方」とは、ｎ型半導体層１１２とｐ型半導体層１１４との積層の方向（Ｚ軸方向）において、ｐ型半導体層１１４よりもｎ型半導体層１１２側（−Ｚ軸方向側）に位置し、かつ、積層の方向（Ｚ軸方向）から見たときに、少なくとも一部が重なる位置にあることを示す。ｐ型不純物含有領域１１８の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は、イオン注入領域１１６の厚み及び濃度と関連を有する。本実施形態では、ｐ型不純物含有領域１１８の厚みは１．０μｍ以下である。
【００２１】
半導体装置１００のｐ型半導体層１１４は、ｎ型半導体層１１２の上（＋Ｚ軸方向側）に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体層である。本実施形態では、ｐ型半導体層１１４は、ｐ型不純物を含むｐ型半導体層である。ｐ型不純物としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と、亜鉛（Ｚｎ）と、ベリリウム（Ｂｅ）と、炭素（Ｃ）との少なくとも一つを用いることができる。本実施形態では、ｐ型半導体層１１４は、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含む。
【００２２】
ｐ型半導体層１１４に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）濃度の平均値は、４．０×１０１８ｃｍ−３である。本実施形態では、ｐ型半導体層１１４の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は、１．０μｍ以下である。本実施形態では、ｎ型半導体層１１２とｐ型半導体層１１４との積層方向から見たときに、ｐ型不純物含有領域１１８と重なる位置のｐ型半導体層１１４におけるｐ型不純物の平均濃度は、ｐ型不純物含有領域１１８と重ならない位置のｐ型半導体層１１４におけるｐ型不純物の平均濃度よりも小さい。
【００２３】
半導体装置１００のイオン注入領域１１６は、ｐ型半導体層１１４の＋Ｚ軸方向側の一部の領域である。イオン注入領域１１６は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体領域である。イオン注入領域１１６は、その他のｐ型半導体層１１４の領域と比較して、ｎ型不純物とｐ型不純物との少なくとも一方が多い領域である。イオン注入領域１１６は、第１の領域とも呼ぶ。本実施形態では、イオン注入領域１１６は、その他のｐ型半導体層１１４の領域と比較して、ｐ型不純物が多い領域である。なお、イオン注入領域１１６は、ｐ型半導体層１１４のその他の領域と比較して、ｎ型不純物が多い領域であってもよい。
【００２４】
本実施形態では、イオン注入領域１１６は、ｐ型半導体層１１４の＋Ｚ軸方向側の一部に対してマグネシウム（Ｍｇ）のイオン注入が行われたことにより形成された領域である。なお、イオン注入に用いるｐ型不純物は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と、亜鉛（Ｚｎ）と、炭素（Ｃ）との少なくとも一つを用いることができる。本実施形態では、イオン注入に用いるｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を用いる。本実施形態において、イオン注入領域１１６におけるｐ型不純物濃度は４．０×１０１８ｃｍ−３以上である。また、本実施形態において、イオン注入領域１１６の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は、０．３μｍ以下である。なお、イオン注入領域１１６は、ｎ型不純物であるケイ素（Ｓｉ）のイオン注入が行われることにより形成されていてもよい。
【００２５】
Ａ−２．半導体装置の製造方法
図２は、第１実施形態における半導体装置１００の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、基板１１０を準備する（工程Ｐ１００）。本実施形態では、基板１１０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から形成されている。
【００２６】
次に、製造者は、結晶成長を行う（工程Ｐ１０５）。具体的には、製造者は、（ｉ）基板１１０の上にｎ型半導体層１１２を積層し、（ｉｉ）ｎ型半導体層１１２の上にｐ型半導体層１１４を積層する。本実施形態では、製造者は、結晶成長の手法として有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を用いる。工程Ｐ１０５を、積層工程とも呼ぶ。
【００２７】
本実施形態において、基板１１０及びｎ型半導体層１１２は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含むｎ型半導体である。また、ｐ型半導体層１１４は、マグネシウム（Ｍｇ）をアクセプタ元素として含むｐ型半導体である。
【００２８】
積層工程（工程Ｐ１０５）の後、製造者は、ｐ型半導体層１１４の一部にイオン注入領域１１６を形成する（工程Ｐ１１０）。工程Ｐ１１０は、イオン注入領域形成工程とも呼ぶ。イオン注入領域形成工程（工程Ｐ１１０）は、（ｉ）終端部に位置するｐ型半導体層１１４に、ｎ型不純物とｐ型不純物との少なくとも一方をイオン注入するイオン注入工程（工程Ｐ１２０）と、（ｉｉ）イオン注入した不純物を活性化させるための熱処理を行う熱処理工程（工程Ｐ１３０）とを備える。工程Ｐ１２０を、イオン注入工程とも呼び、工程Ｐ１３０を熱処理工程とも呼ぶ。
【００２９】
本実施形態において、製造者は、ｐ型半導体層１１４にｐ型不純物をイオン注入する（工程Ｐ１２０）。本実施形態では、製造者は、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）をｐ型半導体層１１４の中にイオン注入する。なお、ｐ型不純物のイオン注入に変えて、ｎ型不純物のイオン注入を行ってもよく、ｐ型不純物のイオン注入とｎ型不純物のイオン注入との両方を行ってもよい。
【００３０】
具体的には、まず、製造者は、ｐ型半導体層１１４の上に膜２１０を形成する。膜２１０は、イオン注入にて注入される不純物のｐ型半導体層１１４における深さ方向の分布を調整するために用いる。つまり、膜２１０は、ｐ型半導体層１１４に注入される元素をｐ型半導体層１１４の表面近傍に集めるために用いる。また、膜２１０は、イオン注入に伴うｐ型半導体層１１４における表面の損傷を防止する機能も有する。本実施形態において、膜２１０は、ｐ型半導体層１１４に入った場合にドナーとならない材料を用いることが好ましい。膜２１０の材料として、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）などのＩＩＩ族窒化物半導体が挙げられる。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）によって膜２１０を形成する。
【００３１】
次に、製造者は、膜２１０上の一部にマスク２２０を形成する。マスク２２０は、ｐ型半導体層１１４の上であって、イオン注入を行わない領域の上に形成される。本実施形態では、製造者は、フォトレジスト（Photoresist）によってマスク２２０を形成する。本実施形態では、マスク２２０の膜厚は、約２μｍである。
【００３２】
その後、製造者は、ｐ型半導体層１１４の上からイオン注入を行う。本実施形態では、製造者は、ｐ型半導体層１１４に対してマグネシウム（Ｍｇ）をイオン注入する。イオン注入時のドーズ量は、２．０×１０１４ｃｍ−２以上３．０×１０１５ｃｍ−２以下が好ましく、１．０×１０１５ｃｍ−２以上３．０×１０１５ｃｍ−２以下がより好ましい。イオン注入領域の厚みが０より大きく０．４μｍ以下となるように、製造者は、イオン注入時の加速電圧を調整することが好ましい。イオン注入の回数は、１回であっても、複数回であってもよい。イオン注入時のチャネリング効果を防止する観点から、イオン注入角度は、Ｚ軸方向に対して５°以上１５°以下であることが好ましい。本実施形態では、イオン注入角度は、９°とする。イオン注入時における基板１１０の温度は、２０℃以上８００℃以下が好ましい。本実施形態では、イオン注入時における基板１１０の温度は、２５℃とする。
【００３３】
図３は、イオン注入がされている状態を模式的に示す断面図である。イオン注入により、膜２１０のうちマスク２２０に覆われていない部分の下において、ｐ型半導体層１１４に元素が注入された領域としてイオン注入領域１１６Ｎが形成される。イオン注入領域１１６Ｎにおけるｐ型不純物濃度は、膜２１０の材質や膜厚、イオン注入の加速電圧やドーズ量を調整することにより所望の濃度に調整することができる。なお、イオン注入領域１１６Ｎは、注入されたｐ型不純物がアクセプタ元素として機能するように活性化されていない。このため、イオン注入直後のイオン注入領域１１６Ｎは、抵抗が高い領域である。また、イオン注入工程においては、未だｐ型不純物含有領域１１８は形成されないが、イオン注入領域１１６Ｎとｐ型不純物含有領域１１８との位置関係を説明するため、図３にｐ型不純物含有領域１１８を図示している。
【００３４】
次に、製造者は、膜２１０及びマスク２２０を除去する。本実施形態では、製造者は、ウェットエッチングによって膜２１０及びマスク２２０を除去する。以上により、イオン注入工程（工程Ｐ１２０（図２参照））が完了する。
【００３５】
イオン注入工程（工程Ｐ１２０）を行った後、製造者は、イオン注入領域１１６Ｎにおけるｐ型不純物を活性化させるための熱処理工程（工程Ｐ１３０）を行う。熱処理工程（工程Ｐ１３０）において、製造者は、イオン注入領域１１６Ｎを加熱することによって、ｐ型の導電性を有するイオン注入領域１１６を形成する。
【００３６】
まず、製造者は、ｐ型半導体層１１４及びイオン注入領域１１６Ｎの上にキャップ膜を形成する。キャップ膜は、加熱に伴うｐ型半導体層１１４及びイオン注入領域１１６Ｎにおける表面の損傷を防止する機能を有するとともに、ｐ型半導体層１１４からガリウム（Ｇａ）や窒素（Ｎ）が抜けることを抑制する機能を有する。キャップ膜の材料としては、窒化物が好ましく、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）などが挙げられ、スパッタ法や有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）によって形成することができる。本実施形態では、製造者は、キャップ膜として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を有機金属気相成長法により形成する。
【００３７】
次に、製造者は、ｐ型半導体層１１４及びイオン注入領域１１６Ｎを加熱する。ｐ型半導体層１１４及びイオン注入領域１１６Ｎを加熱する温度は、９００℃以上１４００℃以下が好ましく、１０００℃以上１２００℃以下であることがより好ましい。また、加熱時間は、１０秒以上１０分以下が好ましく、１０秒以上５分以下が好ましい。熱処理時の雰囲気ガスとして、窒素（Ｎ）と、アンモニア（ＮＨ３）と、アルゴン（Ａｒ）との少なくとも一つを用いることが好ましい。
【００３８】
熱処理工程により、イオン注入領域１１６Ｎが、ｐ型の導電性を有するイオン注入領域１１６となる。また、イオン注入工程（工程Ｐ１２０）と熱処理工程（工程Ｐ１３０）とを経ることにより、イオン注入領域１１６の下方に位置する領域であって、ｎ型半導体層１１２の＋Ｚ軸方向側の領域に、ｐ型不純物含有領域１１８が形成される。つまり、ｎ型半導体層１１２の一部に、ｐ型不純物含有領域１１８が形成される。ｐ型不純物含有領域１１８は、ｐ型半導体層１１４に含まれるｐ型不純物がｎ型半導体層１１２に拡散することによって形成された領域である。本実施形態では、積層方向（Ｚ軸方向）から見たとき、ｐ型不純物含有領域１１８は、イオン注入領域１１６と重なる位置となる。
【００３９】
ｐ型不純物含有領域１１８に含まれるｐ型不純物濃度は、イオン注入（工程Ｐ１２０）時の加速電圧やドーズ量、熱処理（工程Ｐ１３０）の加熱温度や加熱時間を調整することにより調整できる。例えば、イオン注入（工程Ｐ１２０）時の加速電圧を大きくする、もしくはドーズ量を多くすることにより、ｐ型不純物含有領域１１８に拡散するｐ型不純物濃度を大きくすることができる。
【００４０】
熱処理の後、製造者は、ｐ型半導体層１１４及びイオン注入領域１１６の上からキャップ膜を除去する。本実施形態では、製造者は、ウェットエッチングによってキャップ膜を除去する。以上により、熱処理工程（工程Ｐ１３０（図２参照））が完了し、同時に、イオン注入領域形成工程（工程Ｐ１１０）が完了する。これらの工程を経て、半導体装置１００が完成する。
【００４１】
Ａ−３．効果
第１実施形態の半導体装置１００の製造方法によれば、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、イオン注入領域形成工程（工程Ｐ１１０）において、終端部に位置するｎ型半導体層１１２にｐ型不純物含有領域１１８を形成することができる。この結果として、第１実施形態の半導体装置１００の製造方法によれば、半導体装置１００の耐圧を向上できる。換言すると、第１実施形態の半導体装置１００の終端構造によれば、ｐ型不純物含有領域１１８を備えることにより、半導体装置１００の耐圧を向上できる。
【００４２】
また、第１実施形態の半導体装置１００の製造方法によれば、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わないため、ｐ型不純物のイオン注入を行うことに起因したｎ型半導体層１１２の結晶構造の乱れを抑制できる。
【００４３】
第１実施形態の半導体装置１００において、ｐ型不純物含有領域１１８は、ｐ型半導体層１１４と接している。このため、ｐ型半導体層１１４中のｐ型不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）を活性化させるために行う熱処理工程において、ｐ型不純物含有領域１１８中のｐ型不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）についても活性化される。つまり、この工程において、ｐ型不純物含有領域１１８中の水素がｐ型半導体層１１４を経由して外部に排出される。このため、第１実施形態の半導体装置１００は、ｐ型半導体層１１４及びｐ型不純物含有領域１１８の中のｐ型不純物を一度に活性化できるため、製造が容易である。
【００４４】
Ｂ．第２実施形態
図４は、第２実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図である。第２実施形態の半導体装置は、第１実施形態の半導体装置１００と比較して、さらに、（ｉ）基板１１０とｎ型半導体層１１２との間に、ｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層１１１と、（ｉｉ）ｎ型半導体層１１２の中に、ｐ型不純物含有領域１１８と交わるように配置されており、ｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層１１３と、（ｉｉｉ）ｐ型半導体層１１４の上に、ｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層１１５とを備える点で異なるが、それ以外は同じである。なお、ｎ型半導体層１１３は、ｐ型不純物含有領域１１８と交わるように図示されているが、ｐ型不純物含有領域１１８よりも下に配置されていてもよい。また、ｎ型半導体層１１１と、ｎ型半導体層１１３と、ｎ型半導体層１１５との少なくとも一つを備えなくてもよい。ｎ型半導体層１１１とｎ型半導体層１１３とｎ型半導体層１１５との不純物濃度は、いずれも１．０×１０１７ｃｍ−３以上であり、厚みは、０．１μｍから１μｍである。ここで、ｎ型半導体層１１１は、基板１１０への電極形成が困難な場合にドレイン電極を形成するためのコンタクト層として利用できる。ｎ型半導体層１１５は、ソース電極を形成するためのコンタクト層として利用できる。ｎ型半導体層１１３は、ｐ型不純物含有領域１１８からの内蔵電位によりｎ型半導体層１１２が空乏化して電子が流れにくくなることを抑制できる。
【００４５】
第２実施形態の半導体装置の製造方法においても、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部に位置するｎ型半導体層１１２にｐ型不純物含有領域１１８を形成することができる。
【００４６】
Ｃ．第３実施形態
図５は、第３実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図である。第３実施形態において、ｐ型不純物含有領域１１８は、終端部に設けられている。第３実施形態では、ｐ型不純物含有領域１１８は、トランジスタやダイオードが形成されたアクティブ領域の周りを囲うように多重の環状に設けられおり、本実施形態では、５重の環状に設けられている。なお、５重の環状ではなく、４重以下の環状でもよく、６重以上の環状でもよい。また、ｐ型不純物含有領域１１８は、環状でなくてもよく、途中に途切れた部分があってもよい。このように多重にすることで、ｐ型不純物含有領域１１８の数、幅、間隔を変えることができ、所望の特性に応じた終端部を形成することができる。
【００４７】
Ｄ．第４実施形態
図６は、第４実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図である。第４実施形態は、第３実施形態（図４参照）と比較して、（ｉ）ｎ型半導体層１１３及びｎ型半導体層１１５を備えない点、（ｉｉ）マグネシウム（Ｍｇ）の変わりにケイ素（Ｓｉ）がイオン注入されることにより、イオン注入領域１１６Ｎの変わりにイオン注入領域１１６Ａを備える点が異なるが、それ以外は同じである。
【００４８】
第４実施形態では、ｐ型半導体層１１４の中にｎ型不純物であるケイ素（Ｓｉ）を含有するイオン注入領域１１６Ａが形成される。この様な形態においても、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部に位置するｎ型半導体層１１２にｐ型不純物含有領域１１８を形成することができる。なお、第４実施形態は、イオン注入領域１１６Ａ及びｐ型不純物含有領域１１８をそれぞれ複数備えているが、それぞれ１つずつでもよい。
【００４９】
図７は、第４実施形態からｐ型半導体層１１４とそれよりも上の層を、ドライエッチングなどにより取り除いた状態を示す模式図である。このような形態として用いてもよい。
【００５０】
Ｅ．第５実施形態
図８は、第５実施形態においてイオン注入がされている状態を模式的に示す断面図である。第５実施形態は、第４実施形態（図６参照）と比較して、ｎ型半導体層１１２の間にｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が大きいｎ型半導体層１１３を備える点が異なるが、それ以外は同じである。
【００５１】
第５実施形態の半導体装置の製造方法においても、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部に位置するｎ型半導体層１１２にｐ型不純物含有領域１１８を形成することができる。なお、第５実施形態において、ｎ型半導体層１１３はｐ型不純物含有領域１１８と交わっているが、ｎ型半導体層１１３は、ｐ型不純物含有領域１１８よりも下に設けられていてもよい。
【００５２】
Ｆ．第６実施形態
図９は、第６実施形態における半導体装置２００の構成を模式的に示す断面図である。第６実施形態における半導体装置２００は、トレンチゲート構造を有する縦型トレンチＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。なお、「トレンチゲート構造」とは、半導体層にトレンチを形成し、その中にゲート電極の少なくとも一部が埋め込まれている構造を言う。本実施形態の半導体装置２００は、電力制御に用いられ、パワーデバイスとも呼ばれる。図９及びそれ以降の図において、素子領域であるアクティブ部Ｒ１と、アクティブ部Ｒ１の周囲の終端部Ｒ２を図示する。
【００５３】
第６実施形態における半導体装置２００の製造方法では、イオン注入が２度行われている。つまり、第１のイオン注入領域形成工程として、ｐ型半導体層１１４へケイ素（Ｓｉ）のイオン注入を行う。この第１のイオン注入と熱処理により、イオン注入領域１１６Ｂとｐ型不純物含有領域１１８Ｂが形成される。また、第２のイオン注入領域形成工程として、ｐ型半導体層１１４へケイ素（Ｓｉ）のイオン注入を行う。この第２のイオン注入と熱処理により、イオン注入領域１１６Ｃとｐ型不純物含有領域１１８Ｃが形成される。
【００５４】
また、イオン注入工程の後、ｐ型半導体層１１４を貫通して、ｎ型半導体層１１２に至るまで落ち込んだトレンチ１２２を形成するトレンチ形成工程を備える。ｎ型半導体層１１２とｐ型半導体層１１４との積層の方向（Ｚ軸方向）において、ｐ型不純物含有領域１１８Ｂの底面ＢＳ１は、トレンチ１２２の底面ＢＳ２と同じか、もしくはトレンチ１２２の底面ＢＳ２より下（−Ｚ軸方向側）に位置する。第６実施形態では、ｎ型半導体層１１２とｐ型半導体層１１４との積層の方向（Ｚ軸方向）において、ｐ型不純物含有領域１１８Ｂの底面ＢＳ１は、トレンチ１２２の底面ＢＳ２より下（−Ｚ軸方向側）に位置する。ここで、「底面」とは、その領域もしくは層のうち、最も−Ｚ軸方向側の面を言う。このため、アクティブ部Ｒ１における底面ＢＳ１が底面ＢＳ２より下に位置することで、トレンチ１２２の底面ＢＳ２の外周付近に電界が集中することを抑制できる。さらに、終端部Ｒ２の底面ＢＳ１が、アクティブ部Ｒ１の底面ＢＳ２より下に位置するため、トレンチ１２２付近への電界集中によってトレンチ１２２が破壊されてしまう前に、終端部Ｒ２にてアバランシェ降伏を生じさせることができ、半導体装置２００の破壊耐量を向上させることができる。
【００５５】
また、トレンチ形成工程において、ｐ型不純物含有領域１１８Ｂの少なくとも一部と重なる位置にトレンチ１２２が形成されることにより、トレンチの底面ＢＳ２の少なくとも一部が、ｐ型不純物含有領域１１８Ｂにより形成される。第６実施形態では、トレンチ形成工程において、ｐ型不純物含有領域１１８Ｂの一部と重なる位置にトレンチ１２２が形成されることにより、トレンチの底面ＢＳ２の一部が、ｐ型不純物含有領域１１８Ｂにより形成される。このため、第６実施形態の半導体装置によれば、トレンチ１２２の底面ＢＳ２の外周付近に電界が集中することをより効果的に抑制できる。
【００５６】
第６実施形態における半導体装置２００の製造方法では、さらに、（ｉ）トレンチ１２２の内側に絶縁膜１３０を形成する工程と、（ｉｉ）ｐ型半導体層１１４のイオン注入領域１１６Ｂと接するソース電極１４１（第１の電極とも呼ぶ）及びボディ電極１４４を形成する工程と、（ｉｉｉ）基板１１０であるｎ型半導体層と接するドレイン電極１４３（第２の電極とも呼ぶ）を形成する工程と、（ｉｖ）絶縁膜１３０の上に、第１の電極と第２の電極との間の電流の流れを制御するゲート電極１４２（制御電極とも呼ぶ）を形成する工程と、を備える。
【００５７】
第６実施形態の半導体装置の製造方法においても、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部Ｒ２に位置するｎ型半導体層１１２にｐ型不純物含有領域１１８Ｂを形成することができる。また、終端部Ｒ２のｐ型不純物含有領域１１８Ｂを形成するのと同時に、アクティブ部Ｒ１のｐ型不純物含有領域１１８Ｂをも効率的に形成できる。
【００５８】
Ｇ．第７実施形態
図１０は、第７実施形態における半導体装置３００の構成を模式的に示す断面図である。第７実施形態の半導体装置３００は、第６実施形態の半導体装置２００と比較して、終端部において、（ｉ）ｐ型不純物含有領域１１８Ｂの変わりにｐ型不純物含有領域１１８Ｄを備え、（ｉｉ）イオン注入領域１１６Ｂの変わりにイオン注入領域１１６Ｄを備える点が異なるが、それ以外は同じである。
【００５９】
第７実施形態の終端部Ｒ２におけるｐ型不純物含有領域１１８Ｄの底面ＢＳ３は、第６実施形態の終端部Ｒ２におけるｐ型不純物含有領域１１８Ｂの底面よりも下（−Ｚ軸方向側）に位置する。また、終端部Ｒ２のｐ型不純物含有領域１１８Ｄの底面ＢＳ３は、トレンチ１２２の底面ＢＳ２より下（−Ｚ軸方向側）に位置する。さらに、終端部Ｒ２のｐ型不純物含有領域１１８Ｄの底面ＢＳ３は、アクティブ部Ｒ１に形成されたｐ型不純物含有領域１１８Ｂの底面ＢＳ１より下（−Ｚ軸方向側）に位置する。第７実施形態の半導体装置３００によれば、半導体装置３００の破壊耐量を、より効果的に向上できる。このような半導体装置３００のｐ型不純物含有領域１１８Ｄは、イオン注入深さを調整することで形成できる。より具体的には、アクティブ部Ｒ１へイオン注入する際の加速電圧よりも高い加速電圧とすることで、より深く、下方に位置するｐ型不純物含有領域１１８Ｄを終端部Ｒ２に形成できる。
【００６０】
第７実施形態の半導体装置３００の製造方法においても、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部Ｒ２に位置するｎ型半導体層１１２にｐ型不純物含有領域１１８Ｄを形成することができる。
【００６１】
Ｈ．第８実施形態
図１１は、第８実施形態における半導体装置４００の構成を模式的に示す断面図である。第８実施形態の半導体装置４００は、第６実施形態の半導体装置２００と比較して、終端部Ｒ２において凹部１２８を備える点が異なるが、それ以外は同じである。
【００６２】
第８実施形態の半導体装置４００の製造方法においても、ｎ型半導体層１１２へのｐ型不純物のイオン注入を行わずに、終端部Ｒ２に位置するｎ型半導体層１１２にｐ型不純物含有領域１１８Ｅを形成することができる。なお、凹部１２８を形成後にイオン注入領域１１６Ｂを形成するため、凹部１２８を形成すること以外は第６実施形態と同じ製造方法で、アクティブ部Ｒ１のｐ型不純物含有領域１１８Ｂの底面ＢＳ１よりも深い位置に、終端部Ｒ２のｐ型不純物含有領域１１８Ｅの底面ＢＳ４が位置することになり、破壊耐量を向上させることができる。
【００６３】
Ｉ．他の実施形態
本発明は、上述の実施形態や実施例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【００６４】
第１実施形態において、基板１１０とｎ型半導体層１１２との間には、他の層が存在しないが、他の層が存在してもよい。他の層として、例えば、（ｉ）ｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層（ｎ型不純物濃度：５．０×１０１８ｃｍ−３、厚み：０．５μｍから１μｍ）や、（ｉｉ）基板１１０と接する層から順に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層と窒化ガリウム（ＧａＮ）層とを備える格子不整合を緩和する層や、（ｉｉｉ）低温堆積バッファ層が挙げられる。基板１１０とｎ型半導体層１１２との間に、ｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層１１１を備え、基板１１０を絶縁体とした場合、ｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層１１１は、ドレインコンタクト層として機能し、ドレイン電極はドレインコンタクト層と接するように形成される。
【００６５】
第１実施形態において、ｎ型半導体層１１２とｐ型半導体層１１４の間には、他の層が存在しないが、他の層が存在してもよい。他の層として、例えば、ｎ型半導体層１１２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層１１３（ｎ型不純物濃度：５．０×１０１７ｃｍ−３以下、厚み：１μｍ以下）が挙げられる。このようなｎ型半導体層１１３は、ｐ型不純物含有領域１１８の内蔵電位によりｎ型半導体層１１２が空乏層化して、電子が流れにくくなることを抑制できる。
【００６６】
第１実施形態において、ｐ型半導体層１１４の上には半導体層が存在しないが、他の層が存在してもよい。他の層として、例えば、ｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体層１１５（ｎ型不純物濃度：５．０×１０１８ｃｍ−３、厚み：０．５μｍ以下）が挙げられる。この層は、ソースコンタクト層として機能する。
【００６７】
第６実施形態から第８実施形態では、本発明が適用される半導体装置は、上述の実施形態で説明した縦型トレンチＭＩＳＦＥＴに限られない。本発明が適用される半導体装置は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのトレンチゲート構造を有し、制御電極で反転層を形成する原理を用いて電流を制御する半導体装置であってもよい。
【００６８】
上述の実施形態において、ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を用いている。しかし、本発明はこれに限らない。ｎ型不純物として、例えば、酸素（Ｏ）や、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１００…半導体装置
１１０…基板
１１１…ｎ型半導体層
１１２…ｎ型半導体層
１１３…ｎ型半導体層
１１４…ｐ型半導体層
１１５…ｎ型半導体層
１１６…イオン注入領域
１１６Ａ…イオン注入領域
１１６Ｂ…イオン注入領域
１１６Ｃ…イオン注入領域
１１６Ｄ…イオン注入領域
１１６Ｎ…イオン注入領域
１１８…ｐ型不純物含有領域
１１８Ｂ…ｐ型不純物含有領域
１１８Ｃ…ｐ型不純物含有領域
１１８Ｄ…ｐ型不純物含有領域
１１８Ｅ…ｐ型不純物含有領域
１２２…トレンチ
１２８…凹部
１３０…絶縁膜
１４１…ソース電極
１４４…ボディ電極
２００…半導体装置
２１０…膜
２２０…マスク
３００…半導体装置
４００…半導体装置
ＢＳ１…底面
ＢＳ２…底面
ＢＳ３…底面
ＢＳ４…底面
Ｒ１…アクティブ部
Ｒ２…終端部
【図１】
2018166150.tif 000003
【図２】
2018166150.tif 000004
【図３】
2018166150.tif 000005
【図４】
2018166150.tif 000006
【図５】
2018166150.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018166150.tif 000009
【図８】
2018166150.tif 000010
【図９】
2018166150.tif 000011
【図１０】
2018166150.tif 000012
【図１１】
2018166150.tif 000013