(57)【要約】【課題】スループットの向上を図りつつ、基板が搬入出される開口部に基板が取り残された状態でゲートバルブを閉じた場合に基板の破損を防止する。【解決手段】真空処理装置１００において基板Ｗが搬入出される開口部４１Ｈを開閉するゲートバルブ４であって、開口部４１Ｈを開閉するための弁体４２と、開口部４１Ｈを閉塞する閉塞位置Ｐ及び開口部４１Ｈを開放する開放位置Ｑの間で弁体４２を移動させる駆動機構４とを備えている。そして、駆動機構４は、開放位置Ｑから閉塞位置Ｐへの弁体移動速度ＶＣを、閉塞位置Ｐから開放位置Ｑへの弁体移動速度ＶＯよりも低速としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理装置における基板が搬入出される開口部を開閉するゲートバルブであって、
前記開口部を開閉するための弁体と、
前記開口部を閉塞する閉塞位置及び前記開口部を開放する開放位置の間で前記弁体を移動させる駆動機構とを備え、
前記駆動機構は、前記開放位置から前記閉塞位置への弁体移動速度を、前記閉塞位置から前記開放位置への弁体移動速度よりも低速としているゲートバルブ。
【請求項２】
前記駆動機構は、前記弁体を圧縮空気により駆動するものであり、
前記弁体を前記閉塞位置から前記開放位置に移動させるための高圧の圧縮空気を供給する高圧ラインと、
前記弁体を前記開放位置から前記閉塞位置に移動させるための低圧の圧縮空気を供給する低圧ラインとを有する請求項１記載のゲートバルブ。
【請求項３】
前記低圧ラインに流量センサが設けられており、
前記駆動機構は、前記流量センサにより得られた流量値の低下を検出した場合に、前記低圧ラインによる圧縮空気の供給を停止する制御部を有する請求項２記載のゲートバルブ。
【請求項４】
前記弁体に荷重センサが設けられており、
前記駆動機構は、前記荷重センサにより得られた荷重値が所定値以上の場合に、前記低圧ラインによる圧縮空気の供給を停止する制御部を有する請求項２又は３記載のゲートバルブ。
【請求項５】
基板を保持する基板ホルダが設けられており前記基板が処理される処理室と、
前記処理室に隣接しており前記処理室との間で基板が搬入出される予備室と、
前記処理室及び前記予備室の間に設けられ、それらを連通する開口部を開閉するゲートバルブとを備え、
前記ゲートバルブは、前記開口部を開閉するための弁体と、前記開口部を閉塞する閉塞位置及び前記開口部を開放する開放位置の間で前記弁体を移動させる駆動機構とを備え、
前記駆動機構は、前記開放位置から前記閉塞位置への弁体移動速度を、前記閉塞位置から前記開放位置への弁体移動速度よりも低速としている真空処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の真空処理装置の制御方法であって、
前記処理室に前記基板を搬入した後に前記基板を所定温度に加熱するのに要する時間をＴＨとし、
前記処理室に前記基板を搬入した後に前記処理室を所定の真空度に真空引きするのに要する時間をＴＶとし、
前記弁体の前記開放位置から前記閉塞位置への移動時間をＴＭとした場合に、
前記移動時間ＴＭは、前記加熱時間ＴＨから前記真空引き時間ＴＶを差し引いた時間以下となるように設定されている真空処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゲートバルブ及びこのゲートバルブを用いた真空処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の真空処理装置としては、基板が処理される処理室と、処理室に隣接しており処理室との間で基板が搬入出される予備室と、処理室及び予備室の間に設けられ、それらを連通する開口部を開閉するゲートバルブとを備えたものがある。
【０００３】
この真空処理装置では、処理室と予備室との間を、搬送ロボットなどの搬送装置を用いて基板が搬入出されるように構成されている。搬送装置で基板を搬送する場合には、搬送時に基板がずれてしまうという問題が生じ得る。
【０００４】
このように搬送装置上の基板の位置ずれを検出するものとして、特許文献１に示すように、処理室及び予備室の間の開口部に光学センサを設けて、当該光学センサにより、基板の位置ずれを検出するものが考えられている。この真空処理装置では、搬送装置に支持された基板の位置ずれだけでなく、その破損を検出することもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−５５００１公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に示すものでは、搬送装置に支持された基板の位置ずれを検出できるものの、搬送装置から滑り落ちる等によって開口部に基板が取り残されてしまうことを防ぐことはできない。このとき、ゲートバルブが開口部を閉じる動作をすることによって、当該ゲートバルブの弁体が基板に接触して基板又は弁体が破損してしまうという問題がある。
【０００７】
なお、基板の位置ずれを検出した時点でゲートバルブの動作を止めれば、基板又は弁体が破損することを防止できる。しかし、基板に膜形成を行う場合、光学センサの窓部にも少なからず膜が形成されるため、当該窓部の汚れが進行すると光学センサが機能しなくなる恐れがある。したがって、光学センサ自体の故障も含め、これら不測の事態に備えた対策を講じておくことが望まれる。
【０００８】
また、真空処理装置における基板処理のスループットを向上するためには、ゲートバルブの開閉速度をできるだけ高速にすることが望まれているが、開口部に基板が取り残されている場合には弁体が高速で基板に接触することになり、その衝撃が大きく、基板又はゲートバルブが破損しやすくなってしまう。
【０００９】
そこで本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり、スループットの向上を図りつつ、基板が搬入出される開口部に基板が取り残された状態でゲートバルブを閉じた場合に基板又はゲートバルブの破損を防止することをその主たる課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち本発明に係るゲートバルブは、真空処理装置における基板が搬入出される開口部を開閉するゲートバルブであって、前記開口部を開閉するための弁体と、前記開口部を閉塞する閉塞位置及び前記開口部を開放する開放位置の間で前記弁体を移動させる駆動機構とを備え、前記駆動機構は、前記開放位置から前記閉塞位置への弁体移動速度を、前記閉塞位置から前記開放位置への弁体移動速度よりも低速としていることを特徴とする。
【００１１】
このようなゲートバルブであれば、駆動機構が開放位置から閉塞位置への弁体移動速度を、閉塞位置から開放位置への弁体移動速度よりも低速としているので、ゲートバルブの開弁動作において、その開弁時間をできるだけ短くしてスループットの向上を図りつつ、ゲートバルブの閉弁動作において、開口部に取り残された基板に弁体が接触しても弁体が基板に与える衝撃を小さくして基板又はゲートバルブの破損を防止することができる。
【００１２】
駆動機構の具体的な実施の態様としては、前記弁体を圧縮空気により駆動するものとすることが考えられる。
この構成において、開放位置から閉塞位置への弁体移動速度を、閉塞位置から開放位置への弁体移動速度よりも低速とする構成を簡単に実現するためには、駆動機構は、前記弁体を前記閉塞位置から前記開放位置に移動させるための高圧の圧縮空気を供給する高圧ラインと、前記弁体を前記開放位置から前記閉塞位置に移動させるための低圧の圧縮空気を供給する低圧ラインとを有することが望ましい。
この構成であれば、低圧の圧縮空気により弁体を開放位置から閉塞位置に移動させているので、開口部に取り残された基板に弁体が加える押圧力を小さくすることができ、基板又はゲートバルブの破損を一層防ぐことができる。
【００１３】
開口部に取り残された基板に弁体が接触した状態でさらに弁体を移動させると基板を挟んだ状態で弁体は途中停止する。この状態が継続してしまうと、弁体が基板を押圧したままとなってしまい、基板又はゲートバルブが破損してしまう恐れがある。
この問題を好適に解決するためには、前記低圧ラインに流量センサが設けられており、前記駆動機構は、前記流量センサにより得られた流量値の低下を検出した場合に、前記低圧ラインによる圧縮空気の供給を停止する制御部を有することが望ましい。
さらに、前記制御部は、前記低圧ラインによる圧縮空気の供給を停止した後に、前記高圧ラインによる圧縮空気の供給を開始して前記弁体を開放位置に向かって移動させることが望ましい。弁体が基板に接触した後に自動的に開放位置に向かって移動させることによって、開口部に取り残された基板を取り除く作業をスムーズに行うことができる。
【００１４】
その他の手段としては、前記弁体に荷重センサが設けられており、前記駆動機構は、前記荷重センサにより得られた荷重値が所定値以上の場合に、前記低圧ラインによる圧縮空気の供給を停止する制御部を有することが望ましい。この場合も、前記制御部は、前記低圧ラインによる圧縮空気の供給を停止した後に、前記高圧ラインによる圧縮空気の供給を開始して前記弁体を開放位置に向かって移動させることが望ましい。
【００１５】
また、本発明にかかる真空処理装置は、基板を保持する基板ホルダが設けられており前記基板が処理される処理室と、前記処理室に隣接しており前記処理室との間で基板が搬入出される予備室と、前記処理室及び前記予備室の間に設けられ、それらを連通する開口部を開閉するゲートバルブとを備え、前記ゲートバルブは、前記開口部を開閉するための弁体と、前記開口部を閉塞する閉塞位置及び前記開口部を開放する開放位置の間で前記弁体を移動させる駆動機構とを備え、前記駆動機構は、前記開放位置から前記閉塞位置への弁体移動速度を、前記閉塞位置から前記開放位置への弁体移動速度よりも低速としていることを特徴とする。
【００１６】
さらに本発明にかかる真空処理装置においてスループットを向上するための制御方法は、前記処理室に前記基板を搬入した後に前記基板を所定温度に加熱するのに要する時間をＴＨとし、前記処理室に前記基板を搬入した後に前記処理室を所定の真空度に真空引きするのに要する時間をＴＶとし、前記弁体の前記開放位置から前記閉塞位置への移動時間をＴＭとした場合に、前記移動時間ＴＭは、前記加熱時間ＴＨから前記真空引き時間ＴＶを差し引いた時間以下となるように設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
このように構成した本発明によれば、駆動機構が開放位置から閉塞位置への弁体移動速度を、閉塞位置から開放位置への弁体移動速度よりも低速としているので、スループットの向上を図りつつ、基板が搬入出される開口部に基板が取り残された状態でゲートバルブを閉じた場合に基板又はゲートバルブの破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態の真空処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】同実施形態の真空処理装置の動作（閉塞位置Ｐ→開放位置Ｑ）を示す図である。
【図３】同実施形態の真空処理装置の動作（開放位置Ｑ→閉塞位置Ｐ）を示す図である。
【図４】同実施形態のゲートバルブに基板が挟まれた状態を示す図である。
【図５】同実施形態の流量センサにより得られる流量値の変化を示す図である。
【図６】同実施形態の基板処理までの制御フローを示す図である。
【図７】変形実施形態のゲートバルブに基板が挟まれた状態を示す図である。
【図８】変形実施形態の真空処理装置の構成を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明に係るゲートバルブを用いた真空処理装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】
＜装置構成＞
本実施形態の真空処理装置１００は、例えば誘導結合プラズマを用いて基板Ｗに処理を施すものである。ここで、基板Ｗに施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。その他、真空処理装置１００としては、イオンビームを用いて基板Ｗに処理を施すものなどであっても良い。
【００２１】
具体的に真空処理装置１００は、図１に示すように、被処理物である基板Ｗに対して真空状態で処理する処理室２と、処理室２に隣接しており、処理室２との間で基板Ｗが搬入出される予備室３と、処理室２及び予備室３の間に設けられ、それらを連通する開口部４１Ｈを開閉するゲートバルブ４とを備えている。
【００２２】
処理室２は、真空状態に保持されるものであり、基板Ｗを保持する基板ホルダ５が設けられている。また、処理室２には、基板ホルダ５に保持された基板Ｗを加熱するための基板ヒータ６が設けられている。なお、処理室２は、真空チャンバ２０により構成されており、当該真空チャンバ２０には、処理室２を真空引きするための真空ポンプ（不図示）が設けられている。その他、本実施形態の処理室２には、プラズマを生成するプラズマ生成機構や、当該プラズマからのイオンによりスパッタリングされるターゲット（いずれも不図示）などが設けられている。
【００２３】
予備室３には、搬送ロボットなどの搬送装置７が設けられている。この搬送装置７は、予備室３から処理室２に基板Ｗを搬入して基板ホルダ５に基板Ｗを載置するとともに、基板ホルダ５上の基板Ｗを処理室２から予備室３に搬出するものである。なお、搬送装置７としては、例えば基板が載置される基板トレイを搬送プーリ及びガイドプーリを用いて搬送する構成などであっても良い。なお、予備室３は、真空チャンバ３０により構成されており、当該真空チャンバ３０には、予備室３を真空引きするための真空ポンプ（不図示）が設けられている。
【００２４】
前記ゲートバルブ４は、処理室２と予備室３とを連結して処理室２と予備室３との間に基板Ｗの通路を形成するハウジング４１と、処理室２又は予備室３の搬入出口と連通するハウジング４１の開口部４１Ｈを開閉する弁体４２と、弁体４２が開口部４１Ｈを閉塞する閉塞位置Ｐ及び弁体４２が開口部４１Ｈを開放する開放位置Ｑの間で弁体４２を移動させる駆動機構４３とを有している。
【００２５】
具体的に駆動機構４３は、弁体４２を圧縮空気により駆動するものであり、ピストン４３１ａに弁体４２が接続されたエアシリンダ４３１と、当該エアシリンダ４３１に圧縮空気を供給する圧縮空気供給ライン４３２と、エアシリンダ４３１に供給される圧縮空気の流れる方向を切り替える切り替え弁４３３とを備えている。切り替え弁４３３は、例えばスプール式の四方向電磁弁であり、制御部Ｃにより制御されて、エアシリンダ４３１に設けられた２つのポートＰ１、Ｐ２において圧縮空気を供給するポートＰ１、Ｐ２を択一的に切り替えるものである。
【００２６】
本実施形態の駆動機構４３は、開放位置Ｑから閉塞位置Ｐへの弁体移動速度（閉弁速度ＶＣ）を、閉塞位置Ｐから開放位置Ｑへの弁体移動速度（開弁速度ＶＯ）よりも低速（ＶＯ＞ＶＣ）となるように構成されている。詳細には、駆動機構４３の圧縮空気供給ライン４３２は、弁体４２を閉塞位置Ｐから開放位置Ｑに移動させるための高圧の圧縮空気ＨＰを供給する高圧ライン４３２ａと、弁体４２を開放位置Ｑから閉塞位置Ｐに移動させるための低圧の圧縮空気ＬＰを供給する低圧ライン４３２ｂとを有している。
【００２７】
なお、高圧ライン４３２ａ及び低圧ライン４３２ｂにはそれぞれ、切り替え弁４３３に供給される圧縮空気ＨＰ、ＬＰを切り替えるための開閉弁Ｖ１、Ｖ２が設けられている。本実施形態では、高圧ライン４３２ａ及び低圧ライン４３２ｂが切り替え弁４３３に接続される前に合流して流路が一部共通とされているため、当該合流地点に三方弁を設けることによって切り替え弁４３３に供給される圧縮空気ＨＰ、ＬＰを切り替える構成としても良い。なお、これらの開閉弁Ｖ１、Ｖ２又は三方弁は、制御部Ｃにより制御される電磁弁である。
【００２８】
駆動機構４３の基本動作としては、弁体４２を閉塞位置Ｐから開放位置Ｑへ移動させる場合には、図２に示すように、制御部Ｃは、高圧ライン４３２ａの開閉弁Ｖ１を開放し、低圧ライン４３２ｂの開閉弁Ｖ２を閉止して、切り替え弁４３３に高圧の圧縮空気ＨＰが供給されるようにする。また、制御部Ｃは、切り替え弁４３３を制御して、エアシリンダ４３１のピストン４３１ａが縮み込むように高圧の圧縮空気ＨＰをエアシリンダ４３１のポートＰ１に供給する。これにより、弁体４２は、所定の開弁速度ＶＯで閉塞位置Ｐから開放位置Ｑへ移動する。
【００２９】
一方、弁体４２を開放位置Ｑから閉塞位置Ｐへ移動させる場合には、図３に示すように、制御部Ｃは、高圧ライン４３２ａの開閉弁Ｖ１を閉止し、低圧ライン４３２ｂの開閉弁Ｖ２を開放して、切り替え弁４３３に低圧の圧縮空気ＬＰが供給されるようにする。また、制御部Ｃは、切り替え弁４３３を制御して、エアシリンダ４３１のピストン４３１ａが伸び出るように低圧の圧縮空気ＬＰをエアシリンダ４３１のポートＰ２に供給する。これにより、弁体４２は、開弁速度ＶＯよりも遅い所定の閉弁速度ＶＣで開放位置Ｑから閉塞位置Ｐへ移動する。
【００３０】
さらに、本実施形態では、低圧ライン４３２ｂ上に当該低圧ライン４３２ｂを流れる低圧の圧縮空気ＬＰの流量を検出する流量センサＦＭが設けられている。そして、制御部Ｃは、この流量センサＦＭにより得られた流量値に基づいて、ゲートバルブ４に基板Ｗが挟まれた状態（図４参照）であることを検出して、低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止する。
【００３１】
ここで、制御部Ｃは、弁体４２が開放位置Ｑから閉塞位置Ｐに正常に移動することで得られる流量値の変化とは異なる流量値の変化を検出した場合に、低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止する。具体的に制御部Ｃは、図５に示すように、正常に移動した場合の流量値の低下のタイミングとは異なるタイミングで流量値の所定値以上の低下を検出した場合に、開口部４１Ｈに取り残された基板Ｗに弁体４２が接触、又はそれによって弁体４２の移動が途中停止したことを検出して、低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止する。
その他、制御部Ｃは、弁体４２が開放位置Ｑから閉塞位置Ｐに正常に移動することで流量値が所定値以下となるまでの正常移動時間よりも早い段階で流量値が前記所定値以下となった場合に、低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止するものであっても良い。
【００３２】
さらに制御部Ｃは、正常に移動した場合の流量値の低下のタイミングとは異なるタイミングで流量値の所定値以上の低下を検出した場合に、低圧ライン４３２ｂの開閉弁Ｖ２を閉止して低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止するだけでなく、切り替え弁４３３を制御して、圧縮空気が供給されるエアシリンダ４３１のポートをＰ２からＰ１に切り替えると同時に、高圧ライン４３２ａの開閉弁Ｖ１を開放して高圧ライン４３２ａによる圧縮空気ＨＰの供給を開始する。これにより、弁体４２は停止位置から開放位置Ｑに移動する。つまり、この駆動機構４３は、開放位置Ｑから閉塞位置Ｐへの移動途中で弁体４２が基板Ｗを挟んだことを流量値により検出すると、弁体４２を自動的に開放位置Ｑに移動させるように構成されている。
【００３３】
次に、基板Ｗを予備室３から処理室２に搬送して基板処理を行うまでの制御フローを図６を参照して説明する。なお、図６中の矢印（→）は、各工程の実行及びその時間の概略を示している。
【００３４】
まず、予備室３及び処理室２の間のゲートバルブ４を開けて、予備室３に設けられた搬送装置７により基板Ｗを処理室２に搬入して、処理室２内の基板ホルダ５に載置する。そして基板ホルダ５は、成膜位置に基板Ｗをセットする。その後、ゲートバルブ４を閉じるとともに、基板ヒータ６により基板Ｗの加熱を開始して、基板Ｗが所定温度になるまで加熱する。ゲートバルブ４が閉じた後に、処理室２の真空排気を開始して所定の真空度に真空引きする。また、成膜用ガスを処理室２内に導入しつつ処理室２内のガス圧を調整する。これらの処理が終了した後に基板Ｗへの成膜処理を開始する。
【００３５】
これらの工程において、処理室２に基板Ｗを搬入した後に基板Ｗを所定温度に加熱するのに要する加熱時間をＴＨとし、処理室２に基板Ｗを搬入した後に処理室２を所定の真空度に真空引き及びガス圧調整するのに要する真空引き時間をＴＶとし、弁体４２の開放位置Ｑから閉塞位置Ｐへの移動時間をＴＭとした場合に、移動時間ＴＭは、加熱時間ＴＨから真空引き時間ＴＶを差し引いた時間以下となるように設定されている。つまり、加熱時間ＴＨ≧真空引き時間ＴＶ＋移動時間ＴＭとなるように設定されている。
【００３６】
＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態の真空処理装置１００によれば、駆動機構４３が開放位置Ｑから閉塞位置Ｐへの弁体移動速度（閉弁速度ＶＣ）を、閉塞位置から開放位置への弁体移動速度（開弁速度ＶＯ）よりも低速としているので、ゲートバルブ４の開弁動作において、その開弁時間をできるだけ短くしてスループットの向上を図りつつ、ゲートバルブ４の閉弁動作において、開口部４１Ｈに取り残された基板Ｗに弁体４２が接触しても弁体４２が基板Ｗに与える衝撃を小さくして基板Ｗ又は弁体４２の破損を防止することができる。
【００３７】
また、駆動機構４３が低圧の圧縮空気により弁体４２を開放位置Ｑから閉塞位置Ｐに移動させているので、開口部４１Ｈに取り残された基板Ｗに弁体４２が加える押圧力を小さくすることができ、基板Ｗ又はゲートバルブ４の破損を一層防ぐことができる。
【００３８】
さらに、駆動機構４３の制御部Ｃは、流量センサＦＭにより得られた流量値の所定値以上の低下を検出した場合に、低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止するので、基板Ｗに接触して途中停止した弁体４２が基板Ｗを押し続けることを防ぎ、基板Ｗ又はゲートバルブ４の破損を防止することができる。
【００３９】
その上、駆動機構４３の制御部Ｃは、基板Ｗに弁体４２が接触、又はそれによって弁体４２の移動が途中停止したことを検出して、低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止した後に、弁体４２を自動的に開放位置Ｑに向かって移動させているので、開口部４１Ｈに取り残された基板Ｗを取り除く作業をスムーズに行うことができる。
【００４０】
＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００４１】
例えば、前記実施形態では低圧ライン４３２ｂに設けた流量センサＦＭにより基板Ｗを挟んだことを検出しているが、図７に示すように、弁体４２の先端部に荷重センサＬＳを設けて、当該荷重センサＬＳにより得られた荷重値が所定値以上の場合に、低圧ライン４３２ｂによる圧縮空気ＬＰの供給を停止するように制御しても良い。なお、荷重センサＬＳとしては、ひずみゲージなどを用いたものが考えられる。なお、流量センサＦＭ及び荷重センサＬＳの両方を備えた構成としても良い。
【００４２】
また、前記実施形態では、処理室２及び予備室３を有する真空処理装置１００であったが、図８に示すように、処理室２と、当該処理室２のロード側に隣接しており、処理室２に未処理基板を搬入するロード側予備室３ａと、処理室２のアンロード側に隣接しており、処理室２から処理済基板を搬出するアンロード側予備室３ｂとを備え、ロード側予備室３ａと処理室２との間にロード側ゲートバルブ４ａを介在させると共に、処理室２とアンロード側予備室３ｂとの間にアンロード側ゲートバルブ４ｂを介在させた構造であっても良い。この構成において、ロード側ゲートバルブ４ａ及びアンロード側ゲートバルブ４ｂを前記実施形態と同様に構成することが考えられる。さらに、予備室３ａ、３ｂの外部開口を開閉するゲートバルブ４ｃ、４ｄを前記実施形態と同様に構成することも考えられる。
【００４３】
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４４】
１００・・・真空処理装置
Ｗ・・・基板
２・・・処理室
３・・・予備室
４・・・ゲートバルブ
５・・・基板ホルダ
４１Ｈ・・・開口部
４２・・・弁体
Ｐ・・・閉塞位置
Ｑ・・・開放位置
４・・・駆動機構
ＶＣ・・・弁体移動速度（閉弁速度）
ＶＯ・・・弁体移動速度（開弁速度）
ＨＰ・・・高圧の圧縮空気
ＬＰ・・・低圧の圧縮空気
４３２ａ・・・高圧ライン
４３２ｂ・・・低圧ライン
ＦＭ・・・流量センサ
Ｃ・・・制御部
ＬＳ・・・荷重センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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