(57)【要約】【課題】精細度の高い表示装置を提供すること。厚さの薄い表示装置を提供すること。信頼性の高い表示装置を提供すること。【解決手段】第１及び第２の表示素子、第１乃至第４のトランジスタ、及び第１の絶縁層を有する表示装置とする。第１の絶縁層は、第２の表示素子、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタと、第１の表示素子、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタの間に位置する。第２の表示素子は、第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有する。第１の表示素子は、第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有する。【選択図】図７
2018010287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示素子、第２の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記第２の表示素子、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタよりも上側に位置し、
前記第１の表示素子、前記第１のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁層よりも上側に位置し、
前記第１の表示素子と、前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子と、前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子は、前記第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有し、
前記第１の表示素子は、前記第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有する、
表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の表示素子、及び前記第２の表示素子は、それぞれ発光層を有し、
前記第１の表示素子、及び前記第２の表示素子は、それぞれ前記発光層と重なる着色層を有する、
表示装置。
【請求項３】
第１の表示素子、第２の表示素子、第３の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記第２の表示素子、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタよりも上側に位置し、
前記第１の表示素子、前記第３の表示素子、前記第１のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁層よりも上側に位置し、
前記第１の表示素子と、前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子と、前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子は、前記第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有し、
前記第１の表示素子は、前記第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有し、
前記第３の表示素子は、前記第２の光と同じ向きに第３の光を射出する機能を有し、
前記第１の表示素子と、前記第３の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有する、
表示装置。
【請求項４】
第１の表示素子、第２の表示素子、第３の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記第２の表示素子、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタよりも上側に位置し、
前記第１の表示素子、前記第３の表示素子、前記第１のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁層よりも上側に位置し、
前記第１の表示素子と、前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子と、前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第１の表示素子と、前記第３の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有し、
上側から見たときに、前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子と前記第３の表示素子の間に位置する、
表示装置。
【請求項５】
第１の表示素子、第２の表示素子、第４の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記第２の表示素子、前記第４の表示素子、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタよりも上側に位置し、
前記第１の表示素子、前記第１のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁層よりも上側に位置し、
前記第１の表示素子と、前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子と、前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子は、前記第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有し、
前記第４の表示素子は、前記第１の絶縁層側に第４の光を射出する機能を有し、
前記第１の表示素子は、前記第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有し、
前記第２の表示素子と、前記第４の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有する、
表示装置。
【請求項６】
第１の表示素子、第２の表示素子、第４の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記第２の表示素子、前記第４の表示素子、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタよりも上側に位置し、
前記第１の表示素子、前記第１のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁層よりも上側に位置し、
前記第１の表示素子と、前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子と、前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続され、
前記第２の表示素子と、前記第４の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有し、
上側から見たときに、前記第１の表示素子は、前記第２の表示素子と前記第４の表示素子の間に位置する、
表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の絶縁層と、前記第２の表示素子との間に、接着層を有する、
表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、第１のソース電極、及び第１のドレイン電極を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタよりも上側に位置し、
前記第１のソース電極または前記第１のドレイン電極のいずれか一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する、
表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとは、同一面上に設けられた、
表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第３のトランジスタは、第３のソース電極、及び第３のドレイン電極を有し、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタよりも上側に位置し、
前記第３のソース電極または前記第３のドレイン電極のいずれか一方は、前記第４のトランジスタのゲート電極として機能する、
表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の光と、前記第２の光とは、互いに異なる色を呈する、
表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の表示素子と、前記第２の表示素子とは、互いに面積が異なる、
表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の表示素子、及び前記第２の表示素子は、上面射出型の発光素子である、
表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の表示素子は、上面射出型の発光素子であり、
前記第２の表示素子は、下面射出型の発光素子である、
表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタのうち、少なくとも一は、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を含む、
表示装置。
【請求項１６】
第１の表示素子、第２の表示素子、及び第１の絶縁層を有する表示装置の駆動方法であって、
前記第１の絶縁層は、前記第２の表示素子よりも上側に位置し、
前記第１の表示素子は、前記第１の絶縁層よりも上側に位置し、
前記第２の表示素子は、前記第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有し、
前記第１の表示素子は、前記第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有し、
前記第１の表示素子と、前記第２の表示素子の両方を駆動して画像を表示する第１のモードと、
前記第１の表示素子のみを駆動して画像を表示する第２のモード、または前記第２の表示素子のみを駆動して画像を表示する第３のモードと、を切り替えて表示し、
前記第２のモード及び前記第３のモードは、前記第１のモードよりも低い精細度で画像を表示する、
表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第２のモード及び前記第３のモードは、前記第１のモードの半分の精細度で画像を表示する、
表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は表示装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子が適用された表示装置が知られている。また、そのほかにも、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
【０００４】
有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。
【０００５】
特許文献１には、有機ＥＬ素子が適用されたフレキシブルな発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１９７５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などの携帯型情報端末機器において、機器の表示部に用いられる表示パネルの高解像度化が進んでいる。そのため表示装置をより高精細にすることが求められている。家庭用のテレビジョン装置等の大型の機器に比べて、例えば比較的小型の携帯型情報端末機器では、解像度を高めるために、より精細度を高める必要がある。
【０００８】
本発明の一態様は、精細度の高い表示装置を提供することを課題の一とする。または、厚さの薄い表示装置を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明細書等の記載から抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、第１の表示素子、第２の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置である。第１の絶縁層は、第２の表示素子、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタよりも上側に位置する。第１の表示素子、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタは、第１の絶縁層よりも上側に位置する。第１の表示素子と、第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子と、第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第３のトランジスタと第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子は、第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有する。第１の表示素子は、２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有する。
【００１１】
また、上記において、第１の表示素子、及び第２の表示素子は、それぞれ発光層を有することが好ましい。また、第１の表示素子及び第２の表示素子は、それぞれ発光層と重なる着色層を有することが好ましい。
【００１２】
本発明の他の一態様は、第１の表示素子、第２の表示素子、第３の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置である。第１の絶縁層は、第２の表示素子、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタよりも上側に位置する。第１の表示素子、第３の表示素子、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタは、第１の絶縁層よりも上側に位置する。第１の表示素子と、第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子と、第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第３のトランジスタと第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子は、第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有する。第１の表示素子は、第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有する。第３の表示素子は、第２の光と同じ向きに第３の光を射出する機能を有する。第１の表示素子と、第３の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有する。
【００１３】
また、本発明の他の一態様は、第１の表示素子、第２の表示素子、第３の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置である。第１の絶縁層は、第２の表示素子、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタよりも上側に位置する。第１の表示素子、第３の表示素子、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタは、第１の絶縁層よりも上側に位置する。第１の表示素子と、第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子と、第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第３のトランジスタと第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。また第１の表示素子と、第３の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有する。また上側から見たときに、第２の表示素子は、第１の表示素子と第３の表示素子の間に位置する。
【００１４】
また、本発明の他の一態様は、第１の表示素子、第２の表示素子、第４の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置である。第１の絶縁層は、第２の表示素子、第４の表示素子、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタよりも上側に位置する。第１の表示素子、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタは、第１の絶縁層よりも上側に位置する。第１の表示素子と、第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子と、第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第３のトランジスタと第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子は、第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有する。第４の表示素子は、第１の絶縁層側に第４の光を射出する機能を有する。第１の表示素子は、第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有する。第２の表示素子と、第４の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有する。
【００１５】
また、本発明の他の一態様は、第１の表示素子、第２の表示素子、第４の表示素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第１の絶縁層を有する表示装置である。第１の絶縁層は、第２の表示素子、第４の表示素子、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタよりも上側に位置する。第１の表示素子、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタは、第１の絶縁層よりも上側に位置する。第１の表示素子と、第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第２の表示素子と、第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。第３のトランジスタと第４のトランジスタとは、互いに電気的に接続される。また、第２の表示素子と、第４の表示素子とは、それぞれ異なる発光層を有する。また上側から見たときに、第１の表示素子は、第２の表示素子と第４の表示素子の間に位置する。
【００１６】
また、上記第１の絶縁層と、第２の表示素子との間に、接着層を有することが好ましい。
【００１７】
また、上記において、第１のトランジスタは、第１のソース電極、及び第１のドレイン電極を有し、第２のトランジスタは、第１のトランジスタよりも上側に位置することが好ましい。このとき、第１のソース電極または第１のドレイン電極のいずれか一方は、第２のトランジスタのゲート電極として機能することが好ましい。
【００１８】
また、上記第３のトランジスタと第４のトランジスタとは、同一面上に設けられていることが好ましい。
【００１９】
または、第３のトランジスタは、第３のソース電極、及び第３のドレイン電極を有し、第４のトランジスタは、第３のトランジスタよりも上側に位置することが好ましい。このとき、第３のソース電極または第３のドレイン電極のいずれか一方は、第４のトランジスタのゲート電極として機能することが好ましい。
【００２０】
また、上記において、第１の光と、第２の光とは、互いに異なる色を呈することが好ましい。
【００２１】
また、上記において、第１の表示素子と、第２の表示素子とは、互いに面積が異なることが好ましい。
【００２２】
また、上記において、第１の表示素子、及び第２の表示素子は、上面射出型の発光素子であることが好ましい。または、第１の表示素子は、上面射出型の発光素子であり、第２の表示素子は、下面射出型の発光素子であることが好ましい。
【００２３】
また、上記において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタのうち、少なくとも一は、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を含むことが好ましい。
【００２４】
また、本発明の他の一態様は、第１の表示素子、第２の表示素子、及び第１の絶縁層を有する表示装置の駆動方法である。ここで、第１の絶縁層は、第２の表示素子よりも上側に位置し、第１の表示素子は、第１の絶縁層よりも上側に位置する。第２の表示素子は、第１の絶縁層側に第２の光を射出する機能を有し、第１の表示素子は、第２の光と同じ向きに第１の光を射出する機能を有する。そして、第１の表示素子と、第２の表示素子の両方を駆動して画像を表示する第１のモードと、第１の表示素子のみを駆動して画像を表示する第２のモード、または第２の表示素子のみを駆動して画像を表示する第３のモードと、を切り替えて表示し、第２のモード及び第３のモードは、第１のモードよりも低い精細度で画像を表示する。
【００２５】
また、上記駆動方法において、第２のモード及び第３のモードは、第１のモードの半分の精細度で画像を表示することが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の一態様によれば、精細度の高い表示装置を提供できる。または、厚さの薄い表示装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。
【００２７】
なお、本発明の一態様は、必ずしもこれらの効果の全てを有する必要はない。また、これら以外の効果は、明細書等の記載から抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図２】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図３】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図４】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図５】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図６】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図７】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図８】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図９】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１０】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１１】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１４】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１５】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１６】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１７】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１８】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図１９】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図２０】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図２１】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図２２】実施の形態に係る、表示装置を説明する図。
【図２３】実施の形態に係る、表示装置のブロック図。
【図２４】実施の形態に係る、表示装置の回路図。
【図２５】実施の形態に係る、表示モジュールの構成例。
【図２６】実施の形態に係る、電子機器。
【図２７】実施の形態に係る、電子機器。
【図２８】実施の形態に係る、電子機器。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３０】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００３１】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００３２】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
【００３３】
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。
【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の例について説明する。
【００３５】
本発明の一態様の表示装置は、絶縁層よりも上側（表示面側、または視認側）に位置する第１の表示素子と、絶縁層よりも下側に位置する第２の表示素子と、を有する。第１の表示素子と第２の表示素子とは、平面視において重ならない領域を有する。第１の表示素子が発する光と、第２の表示素子が発する光とは、同じ向きに射出される。例えば、第２の表示素子が発する光は、絶縁層を透過して、視認側に射出される。
【００３６】
このような構成とすることで、第１の表示素子と第２の表示素子とを同一面上に配置した場合に比べて、高精細化が可能となる。
【００３７】
第１の表示素子及び第２の表示素子には、それぞれ発光層を有する発光素子を好適に用いることができる。なお、発光素子以外の表示素子を適用することも可能である。
【００３８】
第１の表示素子及び第２の表示素子には、それぞれトランジスタが電気的に接続されることが好ましい。当該トランジスタは、第１の表示素子または第２の表示素子の駆動を制御するトランジスタ（以降、駆動トランジスタともいう）である。例えば第１の表示素子及び第２の表示素子に発光素子を用いた場合、当該トランジスタは、発光素子に流れる電流の大きさを制御する機能を有する。また、第１の表示素子または第２の表示素子と電気的に接続されるトランジスタに加えて、画素（副画素）の選択状態、非選択状態を制御する機能を有するトランジスタ（以降、選択トランジスタともいう）を有していることが好ましい。
【００３９】
ここで、視認側に設けられる第１の表示素子と電気的に接続する駆動トランジスタと、選択トランジスタとは、一部が積層して設けられることが好ましい。これにより、画素回路の占有面積を縮小することが可能なため、精細度をより高めることができる。また、第２の表示素子が発する光が透過する面積を広げることができるため、第２の表示素子の発光面積を大きくでき、開口率を向上させることができる。特に発光素子を用いた場合には、開口率が高まることで必要な輝度を得るための電流密度を低くできるため、信頼性が向上する。
【００４０】
なお、視認側とは反対側に位置する第２の表示素子と電気的に接続する駆動トランジスタ及び選択トランジスタは、一部が積層されて設けられていてもよいし、同一面上に並べて設けられていてもよい。同一面上に並べて２つのトランジスタを配置することで、これらを同一工程で作製できるため、作製コストを低減できる。
【００４１】
ここで、表示装置は、例えば第１の表示素子を有する第１の表示パネルと、第２の表示素子を有する第２の表示パネルとを、接着層を介して積層した構成とすることができる。このとき、第１の表示パネルと、第２の表示パネルとは、それぞれ画素を駆動するための駆動回路が接続された構成とすることが好ましい。これにより、２枚の表示パネルをそれぞれ個別に駆動することができ、駆動方法の選択の自由度が高まるため、様々な用途に用いることが可能となる。例えば、第１の表示パネルと第２の表示パネルとで、異なる画像を表示することもできる。また、それぞれ個別に色度や輝度の補正を行うことも可能となる。
【００４２】
また、本発明の一態様の表示装置は、表示面側からみて隣り合う２つの表示素子を、異なる面上に配置することができる。そのため、第１の表示素子と第２の表示素子を同一面上に並べて配置した場合に比べて、精細度を犠牲にすることなく、同一面上に配置される表示素子間の距離を広げることができる。
【００４３】
本発明の一態様において、発光素子は異なる色を呈する画素間で同じ発光層を有する白色発光の発光素子とし、着色層を介して異なる色の光を射出する構成とすることが好ましい。これにより、発光層を作り分ける場合に比べて形成工程を簡略化できる。また、発光層の形成時の最小加工寸法や位置合わせ精度などによって規定されるデザインルールを考慮する必要がないため、より隣接画素間の距離を小さくでき、精細度を高めることができる。
【００４４】
または、本発明の一態様において、異なる色を呈する画素間で発光層が作り分けられた発光素子を用いることが好ましい。上述のように、同一面上に隣接する２つの発光素子の間の距離を広げることができるため、異なる発光層を作り分ける方法を用いても、極めて高精細な表示装置を実現できる。異なる色を呈する発光素子間で発光層が作り分けられた発光素子を用いることで、色純度を高められる、光取り出し効率を向上させられる、駆動電圧を低減できる、などの効果が得られるため好ましい。
【００４５】
以下では、より具体的な例について、図面を参照して説明する。
【００４６】
［表示装置の構成例１］
〔表示装置１０ａ〕
まず、図２２に、同一面上に複数の表示素子が設けられた表示装置１０ａの斜視概略図を示す。
【００４７】
表示装置１０ａは、絶縁層３１ａ上に、表示素子２１ａＲ、表示素子２１ａＧ、及び表示素子２１ａＢを有する。表示素子２１ａＲ、表示素子２１ａＧ、及び表示素子２１ａＢは、それぞれ赤色の光Ｒ、緑色の光Ｇ、青色の光Ｂを、表示面側に射出する。
【００４８】
図２２中の破線で囲まれた領域は、一つの副画素が占有しうる領域を示している。ここでは矩形で示しているが、周期的に配列可能な形状であればこれに限られない。
【００４９】
表示素子２１ａＲ、表示素子２１ａＧ、及び表示素子２１ａＢはそれぞれストライプ状に配列している。なお、ここでは表示素子２１ａＲ、表示素子２１ａＧ、及び表示素子２１ａＢがそれぞれ同一形状である場合を示している。
【００５０】
図２２に示すように、異なる色を呈する２つの表示素子は、距離Ｌｘａだけ間隔をあけて配置される。また、同じ色を呈する２つの表示素子は、距離Ｌｙａだけ間隔を空けて配置される。
【００５１】
距離Ｌｘａ及び距離Ｌｙａは、表示素子や画素回路を形成する際の、最小加工寸法や、異なるレイヤー間の位置合わせ精度などによって規定されるデザインルールにより決定される。装置の性能や露光技術の向上等により、画素回路や発光素子を形成する際の最小加工寸法やデザインルールが縮小されると、距離Ｌｘａや距離Ｌｙａを縮小することができる。
【００５２】
しかしながら、異なる色を呈する２つの表示素子間の距離Ｌｘａについては、以下のような理由から単純に縮小することは困難である。
【００５３】
例えば、距離Ｌｘａを単に小さくすると、表示素子間の混色が生じてしまう恐れがある。また、表示素子に発光素子を適用した場合には、異なる色を呈する２つの発光素子の距離を縮めると、これらの間のリーク電流により意図しない発光が生じ、混色の発生やコントラストの低下など、表示品位の低下につながる場合もある。
【００５４】
また、例えば表示素子に発光素子を用いた場合、異なる色を呈する発光素子間で発光層を作り分けることができる。このとき、シャドーマスクを用いた蒸着法やインクジェット法などの成膜方法において、形成される島状のパターンは、外周部に近い部分に厚さの異なる領域（厚さの薄い領域、または厚さの厚い領域）が形成される場合がある。発光層をこのような方法で形成した場合、発光に寄与する領域（発光領域）に当該厚さの異なる領域が位置しないように、１つの島状のパターンは、形成される厚さの異なる領域の幅の分だけ、発光領域よりも大きくする必要がある。そのため、隣接する２つの発光素子間の距離Ｌｘａの縮小には限界がある。
【００５５】
なお、表示素子２１ａＲ、表示素子２１ａＧ、及び表示素子２１ａＢの形状がそれぞれ異なる場合には、それぞれの間で距離Ｌｘａは異なる場合がある。しかしその場合でも、上述の理由により、それぞれの距離Ｌｘａを所定の値よりも縮めることは困難である。
【００５６】
〔表示装置１０〕
図１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置１０の斜視概略図である。また、図１（Ｂ）は、表示装置１０を視認側（表示面側）から見たときの概略図である。
【００５７】
表示装置１０は、それぞれ表示素子が設けられた絶縁層３１と絶縁層３２とが積層された構成を有する。
【００５８】
絶縁層３１と絶縁層３２のうち、絶縁層３１が視認側に位置する。視認側に位置する絶縁層３１には、表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２１Ｂが設けられている。また、絶縁層３２には、表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、及び表示素子２２Ｂが設けられている。
【００５９】
ここで、異なる色の表示素子が配列する方向をＸ方向、同色の表示素子が配列する方向をＹ方向、厚さ方向をＺ方向とする。
【００６０】
図１（Ｂ）では、絶縁層３１上に形成された表示素子の輪郭を実線で、絶縁層３２上に形成された表示素子の輪郭を破線で示している。図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、Ｘ方向において、絶縁層３１上に形成された表示素子と、絶縁層３２上に形成された表示素子とが、交互に配列している。
【００６１】
表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、表示素子２２Ｂから発せられる光は、それぞれ絶縁層３１を透過して、視認側に射出される。図１（Ａ）では、表示素子２１Ｒと表示素子２１Ｂから、それぞれ光Ｒ、光Ｂが視認側に射出され、表示素子２２Ｇから、光Ｇが絶縁層３１を透過して視認側に射出される例を示している。
【００６２】
このような構成とすることで、視認側に位置する表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２１Ｂのうち、隣接する２つの表示素子の間には、視認側とは反対側に位置する表示素子からの光が透過するための領域が配置されることとなる。また、視認側とは反対側に位置する表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、表示素子２２Ｂのうち、隣接する２つの表示素子の間には、視認側に位置する表示素子と重なる領域が配置されることとなる。そのため、精細度や開口率を低下させることなく、同一絶縁層上の隣接する２つの表示素子間の距離を離すことが可能となる。
【００６３】
図１（Ａ）、（Ｂ）には、距離Ｌｘ、距離Ｌｙ、及び距離Ｌｐを示している。距離Ｌｘは、表示面側から見たときの、異なる色を呈する２つの表示素子間の距離である。距離Ｌｙは、同じ色を呈する２つの表示素子間の距離である。距離Ｌｐは、同一絶縁層上における、異なる色を呈する２つの表示素子間の距離である。
【００６４】
表示装置１０は、視認側から見て隣接する２つの表示素子が、異なる絶縁層上に設けられるため、これらの距離Ｌｘは、最小加工寸法やデザインルールの制約を受けることなく縮小することができる。また、同一絶縁層上の隣接する２つの表示素子間の距離Ｌｐは、最小加工寸法やデザインルールで規定される最小の距離よりも十分に大きいため、これらの間の混色などの不具合は生じない。また、同一絶縁層上の同じ色を呈する２つの表示素子間では、混色などの不具合が生じにくいため、最小加工寸法やデザインルールの制約の範囲内で縮小することができる。
【００６５】
また、同一絶縁層上に位置し、隣接する２つの表示素子間の距離Ｌｐを十分大きくできる。したがって上述のように表示素子の発光層を作り分ける場合であっても、厚さの異なる部分が発光領域に形成されてしまうことを抑制できるため、精細度が高く、且つ表示品位の高い表示装置を実現できる。
【００６６】
このような理由により、図２２で示した表示装置１０ａの構成と比較し、表示装置１０では、視認側に位置する表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２１Ｂ、並びに視認側とは反対側に位置する表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、表示素子２２ＢのＸ方向の幅を、それぞれ精細度を犠牲にすることなく大きくすることができる。そのため、表示装置の開口率を高めることができる。または、開口率を維持したまま、より精細度を高めることができる。
【００６７】
［トランジスタの配置方法について］
表示装置は、各画素（副画素）に、画素（副画素）の選択状態、非選択状態を制御するための選択トランジスタを有する構成とすることが好ましい。また、特に表示素子として発光素子を有する場合、選択トランジスタと、発光素子に流れる電流の大きさを制御する駆動トランジスタとを有することが好ましい。
【００６８】
図２（Ａ）は、図１（Ｂ）中の切断線Ａ１−Ａ２で切断したときの、表示装置１０の断面を模式的に示した図である。
【００６９】
絶縁層３１上には、選択トランジスタとして機能するトランジスタ４１ａと、駆動トランジスタとして機能するトランジスタ４１ｂがそれぞれ複数設けられている。トランジスタ４１ｂは、表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、または表示素子２１Ｂと電気的に接続される。またトランジスタ４１ａは、トランジスタ４１ｂと電気的に接続される。
【００７０】
絶縁層３２上には、選択トランジスタとして機能するトランジスタ４２ａと、駆動トランジスタとして機能するトランジスタ４２ｂがそれぞれ複数設けられている。トランジスタ４２ｂは、表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、または表示素子２２Ｂと電気的に接続される。またトランジスタ４２ａは、トランジスタ４２ｂと電気的に接続される。
【００７１】
ここで、図２（Ａ）では、トランジスタ４１ａとトランジスタ４１ｂとがそれぞれ同一面（絶縁層３１の上面）上に並べて形成されている。同様に、トランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂとが、同一面（絶縁層３２の上面）上に並べて形成されている。このような構成とすることで、トランジスタ４１ａとトランジスタ４１ｂ、及びトランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂを、それぞれ同一の工程により同時に作製できるため、作製コストを低減することができる。
【００７２】
図２（Ｂ）には、トランジスタ４１ａよりも上方にトランジスタ４１ｂが設けられ、トランジスタ４２ａよりも上方にトランジスタ４２ｂが設けられている例を示している。このように、２つのトランジスタが積層される構成とすることで、２つのトランジスタを同一面上に並べて配置した場合に比べて、これらの占有面積の総和を小さくできる。
【００７３】
トランジスタ４１ａとトランジスタ４１ｂとは、互いに重なる領域を有するように積層することが好ましい。同様に、トランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂとは互いに重なる領域を有するように積層することが好ましい。
【００７４】
図２（Ｃ）は、トランジスタ４１ａとトランジスタ４１ｂとを積層して配置し、トランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂとを同一面上に並べて配置した場合の例である。図２（Ｃ）に示すように、絶縁層３１よりも下側に位置するトランジスタ４２ａ及びトランジスタ４２ｂは、占有面積の総和が比較的大きくても表示装置の開口率や精細度には影響しない。そのため、図２（Ｂ）に示す構成と比較して、開口率や精細度を同程度に保ったまま作製コストを低減できる。
【００７５】
以上が、トランジスタの配置方法についての説明である。
【００７６】
［画素の配置方法について］
以下では、図１（Ｂ）等で示した例とは異なる画素の配置方法の例について説明する。
【００７７】
図３（Ａ）には、表示素子２１Ｒ、表示素子２２Ｇ、及び表示素子２１Ｂのみを有する場合の例を示している。すなわち、絶縁層３１（図示しない）よりも上側には２色の表示素子を配置し、絶縁層３１（図示しない）よりも下側には、これとは異なる１色の表示素子を配置する構成である。
【００７８】
また、図３（Ａ）では、視認側から見て２つの表示素子２１Ｒが隣り合い、２つの表示素子２１Ｂが隣り合い、且つ、表示素子２１Ｒと表示素子２１Ｂとの間に、表示素子２２Ｇが位置するように、それぞれの表示素子が配列している。これにより、同一面上に位置する異なる色の２つの表示素子が隣接して配置されないため、混色などの影響を防ぐことができる。
【００７９】
また、このような構成とすることで、絶縁層３１（図示しない）よりも上側では２種類の表示素子を作製すればよく、また絶縁層３１（図示しない）よりも下側では１種類の表示素子を作製すればよいこととなる。そのため、図１（Ｂ）に示す例に比べて作製工程を簡略化できる。
【００８０】
上述のとおり、表示装置が有する異なる色を呈する各表示素子は、それぞれ異なる形状を有していてもよい。図３（Ｂ）には、絶縁層３１（図示しない）よりも上側に表示素子２１Ｒと表示素子２１Ｇとを有し、絶縁層３１よりも下側に表示素子２２Ｂを有する例を示している。また図３（Ｂ）は、表示素子２２Ｂを、表示素子２１Ｒ及び表示素子２１ＧよりもＸ方向の幅を大きくした例である。例えば各表示素子に発光素子を適用した場合、青色の光を呈する発光素子は、他に比べて発光による劣化が生じやすい場合がある。そのため、図３（Ｂ）に示すように、青色の光を呈する表示素子２２Ｂの面積を大きくすることで、同じ輝度を得るために必要な電流密度を低減でき、信頼性が向上する。
【００８１】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示す例では、絶縁層３１上に位置し、同じ色を呈する２つの表示素子が隣り合って位置している。例えば表示素子に発光素子を用いた場合、異なる色の発光層を、シャドーマスク等を用いて作り分ける（塗り分ける）方法を適用した場合に、これら２つの表示素子に亘って１つの島状の発光層を形成することが可能となる。また、絶縁層３１よりも下側に位置する表示素子は、同じ色の表示素子であるため発光層を作り分ける必要がない。これにより、シャドーマスク等を用いた発光層の形成方法を適用した場合であっても、より高精細な表示装置を実現できる。
【００８２】
図３（Ａ）等では、各表示素子がストライプ状に配列した例を示したが、これに限られない。例えば、１つの画素がＸ方向とＹ方向にそれぞれ２つ配列した４つの表示素子を有してもよい。
【００８３】
図４（Ａ）には、Ｙ方向に表示素子２１Ｒと表示素子２２Ｇとが交互に配列し、また表示素子２２Ｂと表示素子２１Ｗとが交互に配列している例を示している。ここでは、斜め方向に配列する表示素子２１Ｒと表示素子２１Ｗとが表示面側に位置し、表示素子２２Ｂと表示素子２２Ｇとが表示面側の絶縁層３１（図示しない）よりも下側に配置される例を示している。
【００８４】
ここで、表示素子２１Ｗ（及び表示素子２２Ｗ）は、例えば白色を呈する表示素子である。
【００８５】
このように、絶縁層３１を介して上側に配置される表示素子と、下側に配置される表示素子とを交互に配列させた構成とすることが好ましい。これにより、Ｘ方向とＹ方向の両方において、同一面上に配置される２つの表示素子の間の距離を長くできるため、より高精細化が可能となる。
【００８６】
なお、図４（Ｂ）に示すように、Ｘ方向に配列する表示素子は同一面上に配置し、Ｙ方向に配列する表示素子は、絶縁層３１の上側に位置する表示素子と下側に位置する表示素子とを交互に配列する構成としてもよい。この構成では、視認側から見たときの、Ｙ方向に隣接する表示素子間の距離を小さくできる。
【００８７】
また、図４（Ｃ）に示すように、Ｙ方向に配列する表示素子は同一面上に配置し、Ｘ方向に配列する表示素子は、絶縁層３１の上側に位置する表示素子と下側に位置する表示素子とを交互に配列する構成としてもよい。この構成では、視認側から見たときの、Ｘ方向に隣接する表示素子間の距離を小さくできる。
【００８８】
なお、図３の各図、及び図４の各図において、表示素子の配列順はこれに限定されず、各表示素子は交換可能である。また、各表示素子の形状や面積もこれに限られない。
【００８９】
以上が、画素の配置方法についての説明である。
【００９０】
［表示モードについて］
以下では、本発明の一態様の表示装置を用いることにより実現可能な、表示モードの例について説明する。
【００９１】
図１（Ａ）、（Ｂ）等に示す表示装置１０は、絶縁層３１よりも上側（視認側）と、下側の両方に、それぞれ３種類の表示素子が設けられている。そのため、絶縁層３１よりも上側の表示素子のみを駆動させても、また下側の表示素子のみを駆動させても、それぞれフルカラーの表示を得ることができる。
【００９２】
〔第１のモード〕
図５（Ａ）は、図１（Ｂ）について、さらに広い範囲を示した図である。ここでは、表示素子２１Ｒ、表示素子２２Ｇ、及び表示素子２１Ｂを有する画素２０ａと、表示素子２２Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２２Ｂを有する画素２０ｂと、の２種類の画素がＸ方向に交互に配列した画素構成となる。このモードでは、高精細で且つ明るい表示を行うことができる。
【００９３】
〔第２のモード〕
図５（Ｂ）は、絶縁層３１（図示しない）よりも上側に位置する表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２１Ｂのみを駆動して画像を表示するモードである。ここでは、駆動させない表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、及び表示素子２２Ｂを、ハッチングパターンを付さずに示している。
【００９４】
このモードでは、１つの画素２０ｃが、図５（Ａ）と比べて、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ２倍の面積を有する。すなわち、図５（Ａ）と比べて、図５（Ｂ）に示す表示モードでは、精細度が半分となる。このモードでは、絶縁層３１よりも下側に位置する表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、及び表示素子２２Ｂを駆動させないため、消費電力の低い表示を行うことができる。
【００９５】
〔第３のモード〕
図５（Ｃ）は、絶縁層３１（図示しない）よりも下側に位置する表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、及び表示素子２２Ｂのみを駆動して画像を表示するモードである。
【００９６】
このモードでは、１つの画素２０ｄが、図５（Ｂ）と同様に、図５（Ａ）と比べてＸ方向及びＹ方向にそれぞれ２倍の面積を有し、精細度が半分となっている。このモードでは、絶縁層３１よりも上側に位置する表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２１Ｂを駆動させないため、消費電力の低い表示を行うことができる。
【００９７】
例えば、第１のモードは、輝度の高い表示が必要な場合（例えば日中の屋外など）で好適に用いることができる。また、高い精細度で画像を表示できるため、より高解像度の静止画または動画を表示する際に適したモードである。
【００９８】
一方、第２のモード及び第３のモードは、高い輝度が必要のない場合（例えば屋内や夜間の屋外など）で好適に用いることができる。また、文書データなどの高い精細度を必要としない画像を表示する際に適したモードである。
【００９９】
例えば、表示装置１０が適用される電子機器は、表示する画像データの解像度に応じて、第１のモード、第２のモード、及び第３のモードを選択して用いることができる。解像度の高い画像を表示する場合には第１のモードを選択して表示し、解像度の低い画像を表示する場合には、第２のモードまたは第３のモードを選択して表示する機能を、電子機器が有していてもよい。
【０１００】
また例えば、電子機器が外光の明るさを取得するセンサを有し、周囲が明るい場合には第１のモードを選択して表示し、周囲が暗い場合には、第２のモードまたは第３のモードを選択して表示する機能を、電子機器が有していてもよい。
【０１０１】
以上が、表示モードについての説明である。
【０１０２】
［表示装置の構成例２］
以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
【０１０３】
図６（Ａ）は、表示装置１０の斜視図である。表示装置１０は、表示パネル１１ａと表示パネル１１ｂとが積層された構成を有する。表示パネル１１ａは視認側に位置し、表示パネル１１ｂは、視認側とは反対側に位置する。
【０１０４】
図６（Ｂ）は、表示パネル１１ａと、表示パネル１１ｂとを分離して示した斜視図である。
【０１０５】
表示パネル１１ａは、基板５１ａ及び基板５２ａを有し、表示パネル１１ｂは、基板５１ｂと基板５２ｂを有する。図６（Ｂ）では、基板５２ａ及び基板５２ｂを破線で輪郭のみ示している。
【０１０６】
表示パネル１１ａは、基板５１ａと基板５２ａの間に、表示部６１ａ、回路部６２ａ、配線６５ａ等を有する。また図６（Ｂ）では、基板５１ａ上にＩＣ６４ａとＦＰＣ６３ａが実装されている例を示している。そのため、図６（Ｂ）に示す表示パネル１１ａは、表示モジュールと呼ぶこともできる。
【０１０７】
また、表示パネル１１ｂは、基板５１ｂと基板５２ｂの間に、表示部６１ｂ、回路部６２ｂ、配線６５ｂ等を有する。また図６（Ｂ）では、基板５１ｂ上にＩＣ６４ｂとＦＰＣ６３ｂが実装されている例を示している。そのため、図６（Ｂ）に示す表示パネル１１ｂは、表示モジュールと呼ぶこともできる。
【０１０８】
回路部６２ａ及び回路部６２ｂは、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
【０１０９】
配線６５ａ及び配線６５ｂは、それぞれ表示部６１ａまたは表示部６１ｂや回路部６２ａまたは回路部６２ｂに信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ６３ａまたはＦＰＣ６３ｂを介して外部から入力されるか、ＩＣ６４ａまたはＩＣ６４ｂから入力される。
【０１１０】
また、図６（Ｂ）では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板５１ａ及び基板５１ｂにそれぞれＩＣ６４ａまたはＩＣ６４ｂが設けられている例を示している。ＩＣ６４ａ及びＩＣ６４ｂは、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なおＩＣ６４ａ及びＩＣ６４ｂは必要でなければ設けなくてもよい。またＩＣ６４ａ及びＩＣ６４ｂは、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ６３ａまたはＦＰＣ６３ｂに実装してもよい。
【０１１１】
［表示装置の断面構成例１］
以下では、表示装置のより具体的な断面構成の例について説明する。本構成例では、表示素子が発光素子と着色層とを有する構成について説明する。
【０１１２】
〔断面構成例１−１〕
図７（Ａ）に、表示装置１０の表示部における断面概略図を示す。
【０１１３】
表示装置１０は、表示パネル１１ａと表示パネル１１ｂとが接着層５０により貼り合わされた構成を有する。
【０１１４】
表示パネル１１ａは、基板５１ａと基板５２ａとの間に、トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ、発光素子１２０ａ、着色層１５２Ｒ、着色層１５２Ｇ、着色層１５２Ｂ（図示しない）、接着層１５１ａ等を有する。基板５１ａと基板５２ａとは接着層１５１ａにより接着されている。トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ及び発光素子１２０ａは、絶縁層３１上に設けられている。
【０１１５】
表示パネル１１ｂは、基板５１ｂと基板５２ｂとの間に、トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、発光素子１２０ｂ、着色層１５２Ｒ（図示しない）、着色層１５２Ｇ（図示しない）、着色層１５２Ｂ、接着層１５１ｂ等を有する。基板５１ｂと基板５２ｂとは、接着層１５１ｂにより接着されている。トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ及び発光素子１２０ｂは、絶縁層３２上に設けられている。
【０１１６】
基板５２ｂと基板５１ａとは、接着層５０により接着され、表示パネル１１ａと表示パネル１１ｂとが固定されている。
【０１１７】
表示パネル１１ａが有する表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２１Ｂ（図示しない）は、それぞれ発光素子１２０ａと、着色層１５２Ｒ、着色層１５２Ｇ、または着色層１５２Ｂ（図示しない）を有する。図７（Ａ）では、発光素子１２０ａに、白色の光を呈する発光素子を適用した場合の例を示している。発光素子１２０ａから射出された光は、着色層１５２Ｒ、着色層１５２Ｇ、または着色層１５２Ｂ（図示しない）によって着色され、表示面側（基板５２ａ側）に射出される。
【０１１８】
表示パネル１１ｂが有する表示素子２２Ｒ（図示しない）、表示素子２２Ｇ（図示しない）、及び表示素子２２Ｂは、それぞれ発光素子１２０ｂと、着色層１５２Ｒ（図示しない）、着色層１５２Ｇ（図示しない）、または着色層１５２Ｂを有する。発光素子１２０ｂから射出された光は、着色層１５２Ｒ（図示しない）、着色層１５２Ｇ（図示しない）、または着色層１５２Ｂにより着色され、表示パネル１１ａを透過して表示面側（基板５２ａ側）に射出される。
【０１１９】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）におけるトランジスタ４１ａ及びトランジスタ４１ｂ、発光素子１２０ａ、及びその近傍の拡大図を示す。なお、トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、発光素子１２０ｂは、それぞれここで示すトランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ、発光素子１２０ａと同様の構成を用いることができるため、ここでは説明は省略し、以下の記載を援用できる。
【０１２０】
トランジスタ４１ａ及びトランジスタ４１ｂは、絶縁層３１上に設けられている。トランジスタ４１ａは、トランジスタ４１ｂと接続され、画素の選択トランジスタとして機能する。またトランジスタ４１ｂは、発光素子１２０ａと接続され、発光素子１２０ａに流れる電流を制御するための駆動トランジスタとして機能する。
【０１２１】
トランジスタ４１ａは、ゲートとして機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２と、半導体層１１２ａと、ソースまたはドレインの一方として機能する導電層１１３ａと、ソースまたはドレインの他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。図７（Ｂ）等に示すトランジスタ４１ａは、ボトムゲート型のチャネルエッチ構造のトランジスタである。
【０１２２】
また、トランジスタ４１ａを覆って絶縁層１３３が設けられている。絶縁層１３３は、トランジスタ４１ａを保護するための保護層として機能する。
【０１２３】
トランジスタ４１ｂは、導電層１１３ｂ上に、絶縁層１３３を介して半導体層１１２ｂが設けられ、半導体層１１２ｂと接する導電層１１３ｃ及び導電層１１３ｄを有する。導電層１１３ｂの一部は、トランジスタ４１ｂのゲートとして機能する。絶縁層１３３の一部は、トランジスタ４１ｂのゲート絶縁層として機能する。導電層１１３ｃと導電層１１３ｄは、それぞれトランジスタ４１ｂのソースまたはドレインとして機能する。
【０１２４】
このように、トランジスタ４１ｂはトランジスタ４１ａよりも上部に設けられている。また、導電層１１３ｂがトランジスタ４１ａのソースまたはドレインの他方と、トランジスタ４１ｂのゲートを兼ねる。このような構成とすることで、トランジスタ４１ａとトランジスタ４１ｂを、それぞれ同一面上に並べて配置した場合に比べて、これらの占有面積を縮小することができる。
【０１２５】
また、導電層１１３ｄと絶縁層１３３の一部と、導電層１１３ｂの一部が積層して設けられ、容量素子１３０を構成している。容量素子１３０は、画素の保持容量として機能する。
【０１２６】
トランジスタ４１ｂを覆って、絶縁層１３６及び絶縁層１３４が設けられている。絶縁層１３６は、トランジスタ４１ｂを保護する保護層として機能する。絶縁層１３４は、平坦化膜として機能することが好ましい。なお、絶縁層１３６及び絶縁層１３４のいずれか一方は、不要であれば設けなくてもよい。
【０１２７】
絶縁層１３４上に、導電層１２１が設けられている。導電層１２１は、絶縁層１３４及び絶縁層１３６に設けられた開口を介して、導電層１１３ｄと電気的に接続されている。また、導電層１２１の端部及び上記開口を覆って絶縁層１３５が設けられている。絶縁層１３５及び導電層１２１上に、ＥＬ層１２２と、導電層１２３が積層して設けられている。また、図７（Ｂ）では、導電層１２１とＥＬ層１２２との間に、光学調整層１２５が設けられている例を示している。
【０１２８】
導電層１２１は、発光素子１２０ａの画素電極として機能する。導電層１２３は、共通電極として機能する。ＥＬ層１２２は、少なくとも発光層を有する。
【０１２９】
発光素子１２０ａは、被形成面側とは反対側に光を射出する、上面射出型（トップエミッション型）の発光素子である。導電層１２１には可視光を反射する導電膜を用い、導電層１２３には、可視光を透過する導電膜を用いることができる。
【０１３０】
図７（Ａ）、（Ｂ）では、異なる色を呈する表示素子間で、同じ構成の発光素子１２０ａを用いる例を示している。このとき、発光素子１２０ａは白色光を呈する発光素子である。
【０１３１】
発光素子１２０ａが有するＥＬ層１２２は、異なる色を呈する表示素子間に亘って設けられている。そのためＥＬ層１２２を作り分ける場合に比べて形成工程を簡略化できる。また、異なる色を呈する表示素子間でＥＬ層１２２を作り分ける場合に比べて、ＥＬ層１２２の形成時の最小加工寸法や位置合わせ精度などのデザインルールを考慮する必要がないため、より隣接画素間の距離を小さくでき、精細度を高めることができる。
【０１３２】
なお、導電層１２３に半透過・半反射性を有する導電膜を用いることで、発光素子１２０ａがマイクロキャビティ（微小共振器）構造が実現されていてもよい。このとき、導電層１２１と導電層１２３との間の光学距離を調整するために、可視光を透過する光学調整層１２５が設けられていてもよい。光学調整層１２５は、異なる色の表示素子間でそれぞれ異なる厚さとすることが好ましい。
【０１３３】
白色光を呈するＥＬ層１２２と、マイクロキャビティ構造と、着色層との組み合わせにより、極めて色純度の高い光を表示面側に射出することができる。
【０１３４】
図７（Ｃ）に、図７（Ｂ）に示す構成に対応する回路図を示す。図７（Ｃ）は、一つの画素（副画素）の回路図に相当する。
【０１３５】
例えば、トランジスタ４１ａのゲート（導電層１１１）は、ゲート信号ＶＧが与えられる配線と電気的に接続され、トランジスタ４１ａのソース又はドレインの一方（導電層１１３ａ）は、ソース信号ＶＳが与えられる配線と電気的に接続される。また、トランジスタ４１ｂのソース又はドレインの一方（導電層１１３ｃ）は、電位ＶＨが与えられる配線と電気的に接続される。また発光素子１２０ａの共通電極（導電層１２３）は、電位ＶＬが与えられる配線と電気的に接続される。
【０１３６】
なお、画素の構成はこれに限られず、様々な回路構成を用いることができる。
【０１３７】
ここで、表示パネル１１ａ側において、隣接して配置され、異なる色を呈する２つの表示素子（例えば表示素子２１Ｒと表示素子２１Ｇ）の間には、表示パネル１１ｂ側からの光が透過する領域が設けられる。そのため、一つの表示素子（例えば表示素子２１Ｒ）の発光素子１２０ａから射出された光が、他の表示素子（例えば表示素子２１Ｇ）が有する着色層（着色層１５２Ｇ）を透過することによる混色が生じにくい構成となっている。したがって、隣接画素間に混色を抑制するための遮光層を設けなくとも、表示品位の高い表示を行うことができる。
【０１３８】
また、表示パネル１１ｂ側の発光素子１２０ｂから斜め方向に射出される光は、表示パネル１１ａ側に設けられる発光素子１２０ａの導電層１２１や、トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂが有する各導電層、または配線等により遮光される。そのため、表示パネル１１ｂ側の発光素子１２０ｂから発せられた光が、表示パネル１１ａ側に設けられた着色層を透過することによる混色が生じにくい構成となっている。
【０１３９】
以上が断面構成例１−１についての説明である。
【０１４０】
〔断面構成例１−２〕
図８に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図８に示す構成は、図７（Ａ）に示した構成と比較して、表示パネル１１ｂの構成が異なる点で相違している。
【０１４１】
表示パネル１１ｂは、トランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂとが、絶縁層３２上に並べて配置された構成を有する。また、絶縁層３２上に容量素子１３０が設けられている。
【０１４２】
トランジスタ４２ａ及びトランジスタ４２ｂは、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ４１ａと同様の構成を有している。
【０１４３】
容量素子１３０は、トランジスタのゲートと同一の導電膜を加工して形成された導電層と、一部がトランジスタのゲート絶縁層として機能する絶縁層の他の一部と、トランジスタのソース及びドレインと同一の導電膜を加工して形成された導電層と、を有する。
【０１４４】
トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、容量素子１３０等は、発光素子１２０ｂよりも図面下側に位置するため、それぞれの占有面積が比較的大きくても表示装置の開口率や精細度に影響しない。したがってこれらを並べて配置することができ、作製工程を簡略化できる。
【０１４５】
以上が断面構成例１−２についての説明である。
【０１４６】
〔断面構成例１−３〕
図９（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図９（Ａ）に示す構成は、図７（Ａ）に示した構成と比較して、主に基板５１ａ及び基板５２ｂを有さない点で相違している。
【０１４７】
図９（Ａ）に示す構成では、基板５２ｂに代えて絶縁層３４を有する。絶縁層３４は、一方の面に着色層１５２Ｂ等が形成され、他方の面が接着層５０と接する。絶縁層３４と絶縁層３１とは、接着層５０で貼り合わされている。
【０１４８】
基板５１ａと基板５２ｂを設けないことで、表示装置を軽く、薄くできる。また、基板５１ａと基板５２ｂとを設けないことで、発光素子１２０ｂをより表示面に近い位置に配置することができる。そのため、表示パネル１１ｂ側の視野角特性を向上させることができる。
【０１４９】
ここで、絶縁層３４は着色層１５２Ｂ等を支持するだけでなく、接着層５０等から発光素子１２０ｂへ水などの不純物が拡散することを防ぐ保護層として機能することが好ましい。
【０１５０】
このように、基板を設けない構成は、例えば以下のように作製することができる。例えば支持基板上に剥離層と、剥離層上に絶縁層、トランジスタ、着色層等を形成する。続いて、剥離層と絶縁層等の間、剥離層中、または剥離層と基板との間で剥離することにより、基板を除去することができる。ここで、絶縁層に接して剥離層が残存する場合、これを除去してもよいし、残したままとしてもよい。剥離層については、後述する記載を援用できる。
【０１５１】
例えば図９（Ａ）に示す例では、支持基板上に剥離層と絶縁層３１を積層して形成し、トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ、発光素子１２０ａ等を形成した後、接着層１５１ａを用いて基板５２ａを接着して表示パネル１１ａを形成する。その後、支持基板を除去する。またこれとは別に、支持基板上に剥離層と絶縁層３４とを積層して形成し、絶縁層３４上に着色層１５２Ｂ等を形成する。そしてトランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、発光素子１２０ｂ等が形成された基板５１ｂと、当該支持基板とを接着層１５１ｂを用いて接着し、支持基板を除去する。そして、接着層５０を用いて絶縁層３１と絶縁層３４とを貼り合せることで、図９（Ａ）に示す表示装置を実現できる。
【０１５２】
以上が断面構成例１−３についての説明である。
【０１５３】
〔断面構成例１−４〕
図９（Ｂ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図９（Ｂ）に示す構成は、図９（Ａ）に示した構成と比較して、基板５２ａ及び基板５１ｂに代えて、基板５４ａ及び基板５４ｂを有する点で相違している。基板５４ａ及び基板５４ｂは、それぞれ基板５２ａ及び基板５１ｂよりも薄い、または軽量な材料を用いることができる。
【０１５４】
表示パネル１１ａにおいて、着色層１５２Ｒ上に絶縁層３３、接着層５３ａ、及び基板５４ａが積層して設けられている。また、表示パネル１１ｂにおいて、基板５４ｂ、接着層５３ｂ、及び絶縁層３２が積層して設けられている。
【０１５５】
このような構成とすることで、極めて軽量な表示装置を実現できる。また、基板５４ａ及び基板５４ｂに可撓性を有する材料を用いることで、曲げることのできる表示装置を実現できる。
【０１５６】
以上が断面構成例１−４についての説明である。
【０１５７】
〔断面構成例１−５〕
図１０（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１０（Ａ）に示す構成は、図７（Ａ）に示した構成と比較して、着色層１５２Ｂ等の位置が異なる点で相違している。
【０１５８】
図１０（Ａ）に示す構成では、着色層１５２Ｂは、表示パネル１１ｂ側に配置されるのではなく、表示パネル１１ａ側に配置されている。より具体的には、着色層１５２Ｂがトランジスタ４１ｂを覆う絶縁層１３６と、平坦化層として機能する絶縁層１３４の間に設けられている。
【０１５９】
発光素子１２０ｂから射出された光は、表示パネル１１ａ側に設けられた着色層１５２Ｂを透過し、表示面側に射出される。
【０１６０】
このような構成とすることで、基板５２ｂに着色層１５２Ｂ等を形成する必要がないため、構成を簡略化することが可能となる。
【０１６１】
〔変形例１−１〕
また、図１０（Ｂ）に示すように、基板５２ｂを設けない構成としてもよい。
【０１６２】
図１０（Ｂ）では、発光素子１２０ｂを覆って絶縁層３５が設けられている例を示している。絶縁層３５は、発光素子１２０ｂに水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。
【０１６３】
図１０（Ｂ）では、接着層１５１ｂを有さず、絶縁層３５と基板５１ａとが接着層５０により貼り合わされている。
【０１６４】
このような構成とすることで、軽く、薄い表示装置を実現できる。
【０１６５】
〔変形例１−２〕
図１１では、図１０（Ｂ）に示した着色層１５２Ｂ等と、図９（Ｂ）で例示した可撓性を有する基板５４ａ及び基板５４ｂを適用した場合の例を示している。
【０１６６】
図１１では、絶縁層３５と、絶縁層３１とが、接着層５０により貼り合わされている。
【０１６７】
以上が断面構成例１−５についての説明である。
【０１６８】
〔断面構成例１−６〕
図１２（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１２（Ａ）に示す構成は、図７（Ａ）に示した構成と比較して、表示パネル１１ｂに下面射出型（ボトムエミッション型）の発光素子１２０ｃを適用している点で、主に相違している。
【０１６９】
表示パネル１１ｂの構成は、以下で説明する点以外は、概ね図７（Ａ）で示した表示パネル１１ｂの構成を上下逆転したものと同等である。そのため、表示パネル１１ｂにおいて、基板５１ｂが表示面側に位置し、接着層５０によって基板５１ａと貼り合わされている。
【０１７０】
発光素子１２０ｃは、視認側に位置する導電層１２１に可視光を透過する導電膜を用い、視認側とは反対側に位置する導電層１２３に可視光を反射する導電膜を用いる。
【０１７１】
ここで、発光素子１２０ｃには下面射出型の発光素子を適用するため、発光素子１２０ｃが発する光の経路上に、トランジスタ４２ａ及びトランジスタ４２ｂ等が配置されないようにすることが重要である。そのため、発光素子１２０ｃと、トランジスタ４２ａまたはトランジスタ４２ｂとは、重ならないように配置することが好ましい。また、図１２（Ａ）に示すように、トランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂとが、一部が重ねられた構成とすると、表示パネル１１ｂの開口率を高めることができる。
【０１７２】
図１２（Ａ）では、着色層１５２Ｂ等を、表示パネル１１ａに配置した例を示すが、図１２（Ｂ）に示すように、着色層１５２Ｂを表示パネル１１ｂに配置してもよい。
【０１７３】
以上が断面構成例１−６についての説明である。
【０１７４】
なお、各図面に示した構成要素を、他の図面に示した構成要素と適宜入れ替えること、または、各図面に適宜組み合わせることができる。
【０１７５】
以上が断面構成例１についての説明である。
【０１７６】
［表示装置の断面構成例２］
本構成例では、異なる色を呈する表示素子が、それぞれ異なる発光層（ＥＬ層）を有する構成の例について説明する。
【０１７７】
なお、上記表示装置の断面構成例１と重複する部分については、説明を省略する場合がある。
【０１７８】
〔断面構成例２−１〕
図１３（Ａ）に、表示装置１０の表示部における断面概略図を示す。
【０１７９】
表示パネル１１ａは、基板５１ａと基板５２ａとの間に、トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ、表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、表示素子２１Ｂ（図示しない）、接着層１５１ａ等を有する。基板５１ａと基板５２ａとは接着層１５１ａにより接着されている。トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ及び表示素子２１Ｒ等は、絶縁層３１上に設けられている。
【０１８０】
表示パネル１１ｂは、基板５１ｂと基板５２ｂとの間に、トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、表示素子２２Ｒ（図示しない）、表示素子２２Ｇ（図示しない）、表示素子２２Ｂ、接着層１５１ｂ等を有する。基板５１ｂと基板５２ｂとは、接着層１５１ｂにより接着されている。トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ及び表示素子２２Ｂ等は、絶縁層３２上に設けられている。
【０１８１】
表示パネル１１ａが有する表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、及び表示素子２１Ｂ（図示しない）は、それぞれ異なる色を呈する発光素子を有し、基板５２ａ側（表示面側）に光を射出する。
【０１８２】
表示パネル１１ｂが有する表示素子２２Ｒ（図示しない）、表示素子２２Ｇ（図示しない）、及び表示素子２２Ｂは、それぞれ異なる色を呈する発光素子を有し、表示パネル１１ａを透過して基板５２ａ側（表示面側）に光を射出する。
【０１８３】
図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）におけるトランジスタ４１ａ及びトランジスタ４１ｂ、表示素子２１Ｒ、及びその近傍の拡大図を示す。なお、トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、表示素子２１Ｂ等は、それぞれここで示すトランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ、表示素子２１Ｒと同様の構成を用いることができるため、ここでは説明は省略し、以下の記載を援用できる。
【０１８４】
トランジスタ４１ａ及びトランジスタ４１ｂは、絶縁層３１上に設けられている。トランジスタ４１ａは、トランジスタ４１ｂと接続され、画素の選択トランジスタとして機能する。またトランジスタ４１ｂは、表示素子２１Ｒと接続され、表示素子２１Ｒに流れる電流を制御するための駆動トランジスタとして機能する。
【０１８５】
導電層１２１は、表示素子２１Ｒの画素電極として機能する。導電層１２３は、共通電極として機能する。ＥＬ層１２２Ｒは、少なくとも発光層を有する。
【０１８６】
表示素子２１Ｒは、被形成面側とは反対側に光を射出する、上面射出型（トップエミッション型）の発光素子である。導電層１２１には可視光を反射する導電膜を用い、導電層１２３には、可視光を透過する導電膜を用いることができる。
【０１８７】
図１３（Ａ）、（Ｂ）では、異なる色を呈する表示素子間で、ＥＬ層を作り分けている例を示している。各表示素子が有するＥＬ層は、それぞれ異なる色を呈する発光層を有する。
【０１８８】
表示素子２１Ｒが有するＥＬ層１２２Ｒは、例えば赤色を呈する発光層を有する。このように、異なる色を呈する表示素子間でＥＬ層を作り分けることで、それぞれの表示素子が射出する光の色純度を高めることができる。また、着色層（カラーフィルタ）等を用いる場合に比べて、光取り出し効率を高めることができる。また、例えば複数の発光層を積層して白色光を呈する発光素子を適用した場合に比べて、駆動電圧を低くできる。
【０１８９】
ここで、表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｇ、表示素子２１Ｂ等に用いることのできる発光素子の構成について説明する。なお、以下で説明する構成は、表示素子２２Ｒ、表示素子２２Ｇ、表示素子２２Ｂにも適用することができる。
【０１９０】
図１４（Ａ）は、異なる色を呈する表示素子間において、ＥＬ層を構成する層を全て作り分けた場合の例を示している。
【０１９１】
表示素子２１Ｒは、導電層１２１と導電層１２３との間に、ＥＬ層１２２Ｒを有する。図１４（Ａ）において、ＥＬ層１２２Ｒは、導電層１２１側からキャリア注入層１４１Ｒ、キャリア輸送層１４２Ｒ、発光層１４３Ｒ、キャリア輸送層１４４Ｒ、及びキャリア注入層１４５Ｒを有する。
【０１９２】
例えば、導電層１２１を陽極、導電層１２３を陰極とした場合には、キャリア注入層１４１Ｒに正孔注入性の高い材料を用い、キャリア輸送層１４２Ｒに正孔輸送性の高い材料を用い、キャリア輸送層１４４Ｒに電子輸送性の高い材料を用い、キャリア注入層１４５Ｒに電子注入性の高い材料を用いる。なお、陽極と陰極を入れ替える場合には、これらの間に位置する各層の積層順を入れ替えることができる。
【０１９３】
同様に、表示素子２１ＢのＥＬ層１２２Ｂは、キャリア注入層１４１Ｂ、キャリア輸送層１４２Ｂ、発光層１４３Ｂ、キャリア輸送層１４４Ｂ、及びキャリア注入層１４５Ｂを有する。また表示素子２１ＧのＥＬ層１２２Ｇは、キャリア注入層１４１Ｇ、キャリア輸送層１４２Ｇ、発光層１４３Ｇ、キャリア輸送層１４４Ｇ、及びキャリア注入層１４５Ｇを有する。
【０１９４】
このように、ＥＬ層１２２Ｒ、ＥＬ層１２２Ｂ、及びＥＬ層１２２Ｇのそれぞれを独立して形成することで、表示素子それぞれが最適化された素子構造をとることができる。例えば、ＥＬ層１２２Ｒ、ＥＬ層１２２Ｂ、及びＥＬ層１２２Ｇの各層には、それぞれ異なる材料を用いた層を適用することもできる。これにより、色純度や発光効率、光取り出し効率等を極めて高いものとすることができる。
【０１９５】
なお、ここでは各ＥＬ層が有する各層の厚さが同程度であるように図示しているが、それぞれの層の厚さは各表示素子で異なっていてもよい。
【０１９６】
図１４（Ｂ）は、各表示素子間で、発光層のみを作り分け、他の層は共通に用いている場合の例を示している。
【０１９７】
各表示素子に亘って、キャリア注入層１４１、キャリア輸送層１４２、キャリア輸送層１４４、及びキャリア注入層１４５が設けられている。
【０１９８】
このような構成とすることで、作製工程を簡略化することができる。
【０１９９】
なお、キャリア注入層１４１、キャリア輸送層１４２、キャリア輸送層１４４、及びキャリア注入層１４５のうち、１以上を作り分けてもよい。
【０２００】
また、発光層に燐光発光材料が適用された表示素子と、発光層に蛍光発光材料が適用された表示素子とが混在する場合には、共通して用いない層を作り分け、それ以外の層を共通して用いることが好ましい。
【０２０１】
図１４（Ｃ）には、異なる色を呈する表示素子間で、同じ構成のＥＬ層を用いる例を示している。具体的には、白色光を呈するＥＬ層１２２Ｗと、各表示素子が有する着色層を組み合わせて異なる色の光を射出する構成の例を示している。
【０２０２】
表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｂ、及び表示素子２１Ｇは、それぞれ着色層１５２Ｒ、着色層１５２Ｂ、または着色層１５２Ｇを有する。
【０２０３】
表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｂ及び表示素子２１Ｇがそれぞれ有するＥＬ層１２２Ｗは、異なる表示素子間に亘って設けられている。そのためＥＬ層１２２Ｗを作り分ける場合に比べて形成工程を簡略化できる。また、異なる色を呈する表示素子間でＥＬ層を作り分ける場合に比べて、ＥＬ層の形成時の最小加工寸法や位置合わせ精度などのデザインルールを考慮する必要がないため、より隣接画素間の距離を小さくでき、精細度を高めることができる。
【０２０４】
なお、導電層１２３に半透過・半反射性を有する導電膜を用いることで、マイクロキャビティ（微小共振器）構造が実現されていてもよい。このとき、導電層１２１と導電層１２３との間の光学距離を調整するために、可視光を透過する光学調整層が設けられていてもよい。光学調整層は、異なる色の表示素子間でそれぞれ異なる厚さとすることが好ましい。
【０２０５】
白色光を呈するＥＬ層１２２と、マイクロキャビティ構造と、着色層との組み合わせにより、極めて色純度の高い光を表示面側に射出することができる。
【０２０６】
図１４（Ｄ）には、被形成面側に光を射出する、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示素子を適用した場合の例を示している。ここでは、図１４（Ｂ）と同様に、各表示素子間で発光層のみを作り分けた場合の例を示している。
【０２０７】
図１４（Ｄ）において、導電層１２１には可視光を透過する導電膜を用い、導電層１２３には可視光を反射する導電膜を用いる。これにより、表示素子２１Ｒ、表示素子２１Ｂ、及び表示素子２１Ｇは、それぞれ導電層１２１側に光を射出する。
【０２０８】
以上が、発光素子の構成例についての説明である。
【０２０９】
図１３（Ｃ）に、図１３（Ｂ）に示す構成に対応する回路図を示す。図１３（Ｃ）は、一つの画素（副画素）の回路図に相当する。
【０２１０】
例えば、トランジスタ４１ａのゲート（導電層１１１）は、ゲート信号ＶＧが与えられる配線と電気的に接続され、トランジスタ４１ａのソース又はドレインの一方（導電層１１３ａ）は、ソース信号ＶＳが与えられる配線と電気的に接続される。また、トランジスタ４１ｂのソース又はドレインの一方（導電層１１３ｃ）は、電位ＶＨが与えられる配線と電気的に接続される。また表示素子２１Ｒの共通電極（導電層１２３）は、電位ＶＬが与えられる配線と電気的に接続される。
【０２１１】
なお、画素の構成はこれに限られず、様々な回路構成を用いることができる。
【０２１２】
ここで、表示パネル１１ａ側において、隣接して配置され、異なる色を呈する２つの表示素子（例えば表示素子２１Ｒと表示素子２１Ｇ）の間には、表示パネル１１ｂ側からの光が透過する領域が設けられる。そのため、一つの表示素子（例えば表示素子２１Ｒ）から射出された光が、他の表示素子（例えば表示素子２１Ｇ）を透過することによる混色が生じにくい構成となっている。したがって、隣接画素間に混色を抑制するための遮光層を設けなくとも、表示品位の高い表示を行うことができる。
【０２１３】
また、表示パネル１１ｂ側の表示素子（例えば表示素子２２Ｂ）から斜め方向に射出される光は、表示パネル１１ａ側に設けられる表示素子２１Ｒ等の導電層１２１や、トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂが有する各導電層、または配線等により遮光される。そのため、表示パネル１１ｂ側の表示素子２２Ｂ等から発せられた光が、表示パネル１１ａ側に設けられた表示素子２１Ｒ等を透過することによる混色が生じにくい構成となっている。
【０２１４】
以上が断面構成例２−１についての説明である。
【０２１５】
〔断面構成例２−２〕
図１５に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１５に示す構成は、図１３（Ａ）に示した構成と比較して、表示パネル１１ｂの構成が異なる点で相違している。
【０２１６】
表示パネル１１ｂは、トランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂとが、絶縁層３２上に並べて配置された構成を有する。また、絶縁層３２上に容量素子１３０が設けられている。
【０２１７】
トランジスタ４２ａ及びトランジスタ４２ｂは、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ４１ａと同様の構成を有している。
【０２１８】
容量素子１３０は、トランジスタのゲートと同一の導電膜を加工して形成された導電層と、一部がトランジスタのゲート絶縁層として機能する絶縁層の他の一部と、トランジスタのソース及びドレインと同一の導電膜を加工して形成された導電層と、を有する。
【０２１９】
トランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、容量素子１３０等は、表示素子２２Ｂよりも図面下側に位置するため、それぞれの占有面積が比較的大きくても表示装置の開口率や精細度に影響しない。したがって、これらを並べて配置することができ、作製工程を簡略化できる。
【０２２０】
以上が断面構成例２−２についての説明である。
【０２２１】
〔断面構成例２−３〕
図１６（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１６（Ａ）に示す構成は、図１３（Ａ）に示した構成と比較して、主に基板５１ａ及び基板５２ｂを有さない点で相違している。
【０２２２】
図１６（Ａ）に示す構成では、基板５２ｂに代えて絶縁層３４を有する。絶縁層３４は、一方の面が接着層１５１ｂと接し、他方の面が接着層５０と接する。絶縁層３４と絶縁層３１とは、接着層５０で貼り合わされている。
【０２２３】
基板５１ａと基板５２ｂを設けないことで、表示装置を軽く、薄くできる。また、基板５１ａと基板５２ｂとを設けないことで、表示素子２２Ｂをより表示面に近い位置に配置することができる。そのため、表示パネル１１ｂ側の視野角特性を向上させることができる。
【０２２４】
ここで、絶縁層３４は接着層５０等から表示素子２２Ｂへ水などの不純物が拡散することを防ぐ保護層として機能することが好ましい。
【０２２５】
例えば図１６（Ａ）に示す例では、支持基板上に剥離層と絶縁層３１を積層して形成し、トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂ、表示素子２１Ｒ等を形成した後、接着層１５１ａを用いて基板５２ａを接着して表示パネル１１ａを形成する。その後、支持基板を除去する。またこれとは別に、支持基板上に剥離層と絶縁層３４とを積層して形成する。そしてトランジスタ４２ａ、トランジスタ４２ｂ、表示素子２２Ｂ等が形成された基板５１ｂと、当該支持基板とを接着層１５１ｂを用いて接着し、支持基板を除去する。そして、接着層５０を用いて絶縁層３１と絶縁層３４とを貼り合せることで、図１６（Ａ）に示す表示装置を実現できる。
【０２２６】
以上が断面構成例２−３についての説明である。
【０２２７】
〔変形例２−１〕
図１６（Ｂ）では、図１６（Ａ）に示した絶縁層３４を有さない例を示している。
【０２２８】
また、図１６（Ｂ）では、表示素子２２Ｂ等を覆って絶縁層３５ｂが設けられている例を示している。絶縁層３５ｂは、表示素子２２Ｂ等に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。
【０２２９】
図１６（Ｂ）では、接着層１５１ｂを有さず、絶縁層３５ｂと絶縁層３１とが接着層５０により貼り合わされている。
【０２３０】
このような構成とすることで、薄く、軽い表示装置を実現できる。
【０２３１】
〔断面構成例２−４〕
図１７（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１７（Ｂ）に示す構成は、図１６（Ａ）に示した構成と比較して、基板５２ａ及び基板５１ｂに代えて、基板５４ａ及び基板５４ｂを有する点で相違している。基板５４ａ及び基板５４ｂは、それぞれ基板５２ａ及び基板５１ｂよりも薄い、または軽量な材料を用いることができる。
【０２３２】
表示パネル１１ａにおいて、内側から絶縁層３３、接着層５３ａ、及び基板５４ａが積層して設けられている。また、表示パネル１１ｂにおいて、図面下側から基板５４ｂ、接着層５３ｂ、及び絶縁層３２が積層して設けられている。
【０２３３】
このような構成とすることで、極めて軽量な表示装置を実現できる。また、基板５４ａ及び基板５４ｂに可撓性を有する材料を用いることで、曲げることのできる表示装置を実現できる。
【０２３４】
以上が断面構成例２−４についての説明である。
【０２３５】
〔変形例２−２〕
図１７（Ｂ）には、図１７（Ａ）に示した絶縁層３４及び絶縁層３３を有さない例を示している。
【０２３６】
また、表示素子２１Ｒ等を覆う絶縁層３５ａと、表示素子２２Ｂ等を覆う絶縁層３５ｂとが設けられている。
【０２３７】
図１７（Ｂ）では、接着層１５１ａを有さず、基板５４ａと絶縁層３５ａとが接着層５３ａにより貼り合わされている。また、接着層１５１ｂを有さず、絶縁層３５ｂと絶縁層３１とが接着層５０により貼り合わされている。
【０２３８】
このような構成とすることで、信頼性を犠牲にすることなく、より厚さが低減された表示装置を実現できる。
【０２３９】
〔断面構成例２−５〕
図１８（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１８（Ａ）に示す構成は、図１３（Ａ）等に示した構成と比較して表示パネル１１ａが有する表示素子の構成が異なる点などで主に相違している。
【０２４０】
表示パネル１１ａに設けられる表示素子２１Ｒは、発光素子１２０と着色層１５２Ｒを有する。同様に表示素子２１Ｇは発光素子１２０と着色層１５２Ｇを有し、表示素子２１Ｂ（図示しない）は、発光素子１２０と着色層１５２Ｂ（図示しない）を有する。
【０２４１】
着色層１５２Ｒ、着色層１５２Ｇ、着色層１５２Ｂ（図示しない）は、それぞれ発光素子１２０と重ねて配置される。ここでは、発光素子１２０として白色の光を呈する発光素子を適用した場合の例を示している。表示素子２１Ｒの発光素子１２０から射出された光は着色層１５２Ｒによって着色され、表示面側（基板５２ａ側）に射出される。同様に、表示素子２１Ｇ及び表示素子２１Ｂ（図示しない）から射出された光は、着色層１５２Ｇまたは着色層１５２Ｂ（図示しない）によって着色され、表示面側に射出される。
【０２４２】
ここで、表示パネル１１ｂ側の表示素子（例えば表示素子２２Ｂ）から斜め方向に射出される光は、表示パネル１１ａ側に設けられる表示素子２１Ｒ等の導電層１２１や、トランジスタ４１ａ、トランジスタ４１ｂが有する各導電層、または配線等により遮光される。そのため、表示パネル１１ｂ側の表示素子２２Ｂ等から発せられた光が、表示パネル１１ａ側に設けられた着色層を透過することによる混色が生じにくい構成となっている。
【０２４３】
また、図１８（Ａ）では、基板５２ｂを有さない例を示している。接着層５０は、基板５１ａと表示素子２２Ｂ等を接着している。これにより、より薄く軽量な表示装置を実現できる。
【０２４４】
以上が断面構成例２−５についての説明である。
【０２４５】
〔変形例２−３〕
図１８（Ｂ）では、表示パネル１１ｂに設けられる複数の表示素子間で、ＥＬ層を作り分けない場合の例を示している。
【０２４６】
例えば、表示パネル１１ａに赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の２種類の表示素子を交互に配置し、表示パネル１１ｂには青色（Ｂ）の表示素子のみを周期的に配置する構成とすることができる。これにより、表示パネル１１ｂ側ではＥＬ層を作り分ける必要がないため、工程を簡略化できる。
【０２４７】
またこのような構成とすることで、表示パネル１１ａの２つの異なる色を呈する表示素子間の距離をより小さくすることができる。その結果、より高精細な表示装置を実現できる。
【０２４８】
なお、表示パネル１１ａ側に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３種類の表示素子を配置し、表示パネル１１ｂ側に、これらのうち１種類を配置してもよい。また、白色（Ｗ）や黄色（Ｙ）のように、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）とは異なる色の表示素子を配置してもよい。
【０２４９】
なお、断面構成例２−５及び変形例２−３では、表示パネル１１ａに着色層と発光素子を有する表示素子を適用し、表示パネル１１ｂに着色層を有さない表示素子を適用した例を示したが、これを入れ替えてもよい。すなわち、表示パネル１１ａに着色層を有さない表示素子を適用し、表示パネル１１ｂに着色層と発光素子を有する表示素子を適用する構成としてもよい。
【０２５０】
〔断面構成例２−６〕
図１９に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１９に示す構成は、図１３（Ａ）に示した構成と比較して、表示パネル１１ｂに下面射出型（ボトムエミッション型）の表示素子２２Ｂ等を適用している点で、主に相違している。
【０２５１】
表示パネル１１ｂの構成は、以下で説明する点以外は、概ね図１３（Ａ）で示した表示パネル１１ｂの構成を上下逆転したものと同等である。そのため、表示パネル１１ｂにおいて、基板５１ｂが表示面側に位置し、接着層５０によって基板５１ａと貼り合わされている。
【０２５２】
表示素子２２Ｂ等は、視認側に位置する導電層１２１に可視光を透過する導電膜を用い、視認側とは反対側に位置する導電層１２３に可視光を反射する導電膜を用いる。
【０２５３】
ここで、表示素子２２Ｂ等には下面射出型の発光素子を適用するため、表示素子２２Ｂ等が発する光の経路上に、トランジスタ４２ａ及びトランジスタ４２ｂ等が配置されないようにすることが重要である。そのため、表示素子２２Ｂ等と、トランジスタ４２ａまたはトランジスタ４２ｂとは、重ならないように配置することが好ましい。また、図１９に示すように、トランジスタ４２ａとトランジスタ４２ｂとが、一部が重ねられた構成とすると、表示パネル１１ｂの開口率を高めることができる。
【０２５４】
以上が断面構成例２−６についての説明である。
【０２５５】
なお、各図面に示した構成要素を、他の図面に示した構成要素と適宜入れ替えること、または、各図面に適宜組み合わせることができる。
【０２５６】
以上が断面構成例２についての説明である。
【０２５７】
［トランジスタの積層構造の例］
以下では、２つのトランジスタを積層した構造の他の構成例について説明する。以下で例示する各構成例は、上記表示装置の断面構成例で例示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２５８】
〔構成例１〕
図２０（Ａ）に、トランジスタ４１ｃとトランジスタ４１ｄとを積層した場合の例である。
【０２５９】
トランジスタ４１ｃは、図７（Ｂ）で例示したトランジスタ４１ａに、第２のゲートとして機能する導電層１１１ｂが設けられたトランジスタである。導電層１１１ｂは、半導体層１１２ａと重なる位置に設けられ、絶縁層１３３と絶縁層１３６の間に設けられている。
【０２６０】
トランジスタ４１ｄは、図７（Ｂ）で例示したトランジスタ４１ｂに、第２のゲートとして機能する導電層１１１ｃが設けられたトランジスタである。導電層１１１ｃは、半導体層１１２ｂと重なる位置に設けられ、絶縁層１３６上に設けられている。
【０２６１】
トランジスタが半導体層を挟んで２つのゲートを有する場合、２つのゲートに同じ電位を与えることで、トランジスタのオン電流を高めることができる。また一方のゲートにしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。
【０２６２】
〔構成例２〕
図２０（Ｂ）は、トランジスタ４１ｅとトランジスタ４１ｂとを積層した場合の例である。
【０２６３】
トランジスタ４１ｅは、半導体層１１２ａよりも上部にゲートを有する、いわゆるトップゲート型のトランジスタである。
【０２６４】
トランジスタ４１ｅは、絶縁層３１上に半導体層１１２ａと、半導体層１１２ａ上に絶縁層１３２と、絶縁層１３２上に導電層１１１と、半導体層１１２ａ及び導電層１１１を覆う絶縁層１３７と、絶縁層１３７上に導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂと、を有する。
【０２６５】
トランジスタ４１ｅは、半導体層１１２ａと導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂの間の寄生容量、及び導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂの間の寄生容量を低減できるため好ましい。
【０２６６】
図２０（Ｂ）では、絶縁層１３２が導電層１１１と重なる部分にのみ形成されている例を示しているが、図２０（Ｄ）に示すように、絶縁層１３２が半導体層１１２ａの端部を覆う構成としてもよい。
【０２６７】
〔構成例３〕
図２０（Ｃ）は、トランジスタ４１ｆとトランジスタ４１ｂとを積層した場合の例である。
【０２６８】
トランジスタ４１ｆは、トランジスタ４１ｅに加えて第２のゲートとして機能する導電層１１１ｂを有する。導電層１１１ｂは、絶縁層１３８を介して半導体層１１２ａと重ねて配置されている。
【０２６９】
図２０（Ｃ）では、絶縁層１３２が導電層１１１と重なる部分にのみ形成されている例を示しているが、図２０（Ｅ）に示すように、絶縁層１３２が半導体層１１２ａの端部を覆う構成としてもよい。
【０２７０】
〔構成例４〕
図２１（Ａ）は、トランジスタ４１ａとトランジスタ４１ｇとを積層した場合の例である。
【０２７１】
トランジスタ４１ｇは、半導体層１１２ｂよりも上部にゲートを有する、いわゆるトップゲート型のトランジスタである。
【０２７２】
トランジスタ４１ｇは、絶縁層１３３上に半導体層１１２ｂと、半導体層１１２ｂ上にゲート絶縁層として機能する絶縁層１３９と、絶縁層１３９上に導電層１１１ｂと、半導体層１１２ａ及び導電層１１１ｂを覆う絶縁層１３６と、絶縁層１３６上に導電層１１３ｃ及び導電層１１３ｄと、を有する。
【０２７３】
導電層１１３ｂ及び導電層１１１ｂは、それぞれトランジスタ４１ｇのゲートとして機能する。
【０２７４】
図２１（Ａ）に示す例では、半導体層１１２ｂと、導電層１１３ｂと、絶縁層１３３の一部により容量が形成される。そのため、当該容量を保持容量として用いてもよく、その場合には、容量素子を別途設けなくてもよい。
【０２７５】
なお、図２１（Ａ）では絶縁層１３９が導電層１１１ｂと重なる部分にのみ形成されている例を示しているが、図２０（Ｅ）等の絶縁層１３２と同様に、半導体層１１２ｂの端部を覆って設けられていてもよい。
【０２７６】
〔構成例５〕
図２１（Ｂ）は、トランジスタ４１ｅとトランジスタ４１ｇとを積層した場合の例である。トランジスタ４１ｅとトランジスタ４１ｇの説明は上記を援用できる。
【０２７７】
このような構成とすることで、寄生容量が極めて低減された表示装置を実現できる。
【０２７８】
〔構成例６〕
図２１（Ｃ）は、トランジスタ４１ｆとトランジスタ４１ｇとを積層した場合の例である。トランジスタ４１ｆとトランジスタ４１ｇの説明は上記を援用できる。
【０２７９】
このような構成とすることで、寄生容量が極めて低減された表示装置を実現できる。
【０２８０】
以上が、トランジスタの積層構造の例についての説明である。
【０２８１】
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【０２８２】
〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【０２８３】
厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。
【０２８４】
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【０２８５】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用いることができる。
【０２８６】
また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。
【０２８７】
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示パネルも軽量にすることができる。
【０２８８】
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０２８９】
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
【０２９０】
可撓性を有する基板に、表示パネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
【０２９１】
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示パネルとすることができる。
【０２９２】
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
【０２９３】
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０２９４】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０２９５】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、第１４族の元素（シリコン、ゲルマニウム等）、化合物半導体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
【０２９６】
特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０２９７】
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が確認できない酸化物半導体を用いることが好ましい。
【０２９８】
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用いることができる。
【０２９９】
また半導体層としてこのような結晶性を有する酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０３００】
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
【０３０１】
半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０３０２】
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ガリウム、スズ、ハフニウム、アルミニウム、またはジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
【０３０３】
半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０３０４】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０３０５】
また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
【０３０６】
半導体層を構成する酸化物半導体は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０３０７】
半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０３０８】
半導体層としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例えば、半導体層は、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０−９／ｃｍ３以上の酸化物半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。これにより不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
【０３０９】
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
【０３１０】
半導体層を構成する酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０３１１】
また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【０３１２】
また、半導体層を構成する酸化物半導体に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
【０３１３】
また、半導体層は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、または、Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ａｎｄ  Ａ−Ｂ−ｐｌａｎｅ  Ａｎｃｈｏｒｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
【０３１４】
非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。
【０３１５】
なお、半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積層構造を有する場合がある。
【０３１６】
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【０３１７】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０３１８】
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０３１９】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０３２０】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０３２１】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０３２２】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０３２３】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０３２４】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０３２５】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０３２６】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０３２７】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０３２８】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０３２９】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０３３０】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０３３１】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０３３２】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０３３３】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０３３４】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０３３５】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０３３６】
または、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、シリコンを用いることが好ましい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。また極めて高精細な表示部とする場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０３３７】
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。一方、トップゲート型のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。
【０３３８】
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０３３９】
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
【０３４０】
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０３４１】
また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。
【０３４２】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０３４３】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０３４４】
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、ＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０３４５】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０３４６】
ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０３４７】
ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０３４８】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０３４９】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
【０３５０】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。
【０３５１】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【０３５２】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０３５３】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。
【０３５４】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。
【０３５５】
なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。
【０３５６】
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
【０３５７】
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０３５８】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
【０３５９】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０３６０】
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０３６１】
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
【０３６２】
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
【０３６３】
以上が各構成要素についての説明である。
【０３６４】
［作製方法例］
ここでは、可撓性を有する基板を用いた表示パネルの作製方法の例について説明する。
【０３６５】
ここでは、表示素子、回路、配線、電極、着色層や遮光層などの光学部材、及び絶縁層等が含まれる各層をまとめて素子層と呼ぶこととする。例えば、素子層は表示素子を含み、表示素子の他に表示素子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていてもよい。
【０３６６】
また、ここでは、表示素子が完成した（作製工程が終了した）段階において、素子層を支持し、可撓性を有する部材のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、厚さが１０ｎｍ以上３００μｍ以下の、極めて薄いフィルム等も含まれる。
【０３６７】
可撓性を有し、絶縁表面を備える基板上に素子層を形成する方法としては、代表的には以下に挙げる２つの方法がある。一つは、基板上に直接、素子層を形成する方法である。もう一つは、基板とは異なる支持基板上に素子層を形成した後、素子層と支持基板を剥離し、素子層を基板に転置する方法である。なお、ここでは詳細に説明しないが、上記２つの方法に加え、可撓性を有さない基板上に素子層を形成し、当該基板を研磨等により薄くすることで可撓性を持たせる方法もある。
【０３６８】
基板を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基板を支持基板に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が容易になるため好ましい。
【０３６９】
また、素子層を支持基板上に形成した後に、基板に転置する方法を用いる場合、まず支持基板上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持基板と素子層の間で剥離し、素子層を基板に転置する。このとき、支持基板と剥離層の界面、剥離層と絶縁層の界面、または剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。この方法では、支持基板や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する際にかかる温度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成できるため、好ましい。
【０３７０】
例えば剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
【０３７１】
素子層と支持基板とを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエッチングすること、または剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる。または、剥離界面を形成する２層の熱膨張係数の違いを利用し、支持基板を加熱または冷却することにより剥離を行ってもよい。
【０３７２】
また、支持基板と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
【０３７３】
例えば、支持基板としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用いることができる。このとき、レーザ光等を用いて有機樹脂の一部を局所的に加熱する、または鋭利な部材により物理的に有機樹脂の一部を切断、または貫通すること等により剥離の起点を形成し、ガラスと有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【０３７４】
または、支持基板と有機樹脂からなる絶縁層の間に発熱層を設け、当該発熱層を加熱することにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流を流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加することにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば発熱層としては、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
【０３７５】
なお、上述した方法において、有機樹脂からなる絶縁層は、剥離後に基板として用いることができる。
【０３７６】
以上が可撓性を有する表示パネルを作製する方法についての説明である。
【０３７７】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３７８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。以下で例示する表示装置は、２つの表示パネルが重ねられた表示装置である。
【０３７９】
［構成例］
図２３は、表示装置４００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置４００は、表示パネル４００ａと、表示パネル４００ｂと、を有する。図２３では、表示パネル４００ａと表示パネル４００ｂとを並べて示しているが、実際にはこれらは積層して設けられる。
【０３８０】
表示パネル４００ａは、表示部３６２にマトリクス状に配列した複数の画素４１０ａを有する。また表示パネル４００ａは、回路ＧＤａと、回路ＳＤａを有する。
【０３８１】
表示パネル４００ｂは、表示部３６２にマトリクス状に配列した複数の画素４１０ｂを有する。また表示パネル４００ｂは、回路ＧＤｂと、回路ＳＤｂを有する。
【０３８２】
また表示パネル４００ａは、方向Ｒに配列した複数の画素４１０ａと回路ＧＤａとを電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線ＡＮＯ１を有する。また、表示パネル４００ａは、方向Ｃに配列した複数の画素４１０ａと回路ＳＤａとを電気的に接続する複数の配線Ｓ１を有する。
【０３８３】
また表示パネル４００ｂは、方向Ｒに配列した複数の画素４１０ｂと回路ＧＤｂとを電気的に接続する複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ２を有する。また、表示パネル４００ｂは、方向Ｃに配列した複数の画素４１０ｂと回路ＳＤｂとを電気的に接続する複数の配線Ｓ２を有する。
【０３８４】
画素４１０ａ及び画素４１０ｂは、それぞれ発光素子を有する。画素４１０ａの発光素子と、画素４１０ｂの発光素子とは、それぞれ重ならない部分を有するように配置される。
【０３８５】
［回路構成例］
図２４は、表示部３６２に設けられる画素４１０ａ及び画素４１０ｂの構成例を示す回路図である。図２４では、隣接する３つの画素を示している。
【０３８６】
画素４１０ａと画素４１０ｂとは、接続される配線が異なる以外は、同様の構成を有している。そのため共通する事項については、一方のみの説明に留める場合がある。
【０３８７】
画素４１０ａ及び画素４１０ｂは、それぞれスイッチＳＷ、トランジスタＭ、容量素子Ｃ、及び発光素子３６０等を有する。また画素４１０ａには配線Ｇ１、配線ＡＮＯ１、配線Ｓ１が電気的に接続され、画素４１０ｂには、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ２、配線Ｓ２が電気的に接続されている。
【０３８８】
画素４１０ａにおいて、スイッチＳＷは、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ１と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子Ｃの一方の電極、トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃは、他方の電極がトランジスタＭのソース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯ１と接続されている。トランジスタＭは、ソース又はドレインの他方が発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭと接続されている。
【０３８９】
図２４では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。
【０３９０】
配線Ｇ１及び配線Ｇ２には、スイッチＳＷを導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ、配線ＡＮＯ１、及び配線ＡＮＯ２には、発光素子３６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ１及び配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。
【０３９１】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３９２】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
【０３９３】
図２５に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、及びバッテリ８０１１を有する。
【０３９４】
本発明の一態様を用いて作製された表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０３９５】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０３９６】
タッチパネル８００４としては、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４を設けず、表示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
【０３９７】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０３９８】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０３９９】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０４００】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４０１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器について説明する。
【０４０２】
本発明の一態様の表示装置を、電子機器の表示部に適用することができる。したがって、表示品位の高い電子機器を実現できる。または、極めて高精細な電子機器を実現できる。または、信頼性の高い電子機器を実現できる。
【０４０３】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０４０４】
本発明の一態様の電子機器または照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
【０４０５】
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
【０４０６】
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
【０４０７】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０４０８】
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【０４０９】
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
【０４１０】
さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができる。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０４１１】
本発明の一態様の表示装置は、極めて高精細な画像を表示することができる。そのため、特に携帯型の電子機器、装着型の電子機器（ウェアラブル機器）、及び電子書籍端末などに好適に用いることができる。また、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ  Ｒｅａｌｉｔｙ）機器やＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ  Ｒｅａｌｉｔｙ）機器などにも好適に用いることができる。
【０４１２】
図２６（Ａ）、（Ｂ）に、携帯情報端末８００の一例を示す。携帯情報端末８００は、筐体８０１、筐体８０２、表示部８０３、表示部８０４、及びヒンジ部８０５等を有する。
【０４１３】
表示部８０３及び表示部８０４の少なくとも一方に、本発明の一態様の表示装置を備える。
【０４１４】
筐体８０１と筐体８０２は、ヒンジ部８０５で連結されている。携帯情報端末８００は、図２６（Ａ）に示すように折り畳んだ状態から、図２６（Ｂ）に示すように筐体８０１と筐体８０２を開くことができる。
【０４１５】
例えば表示部８０３及び表示部８０４に、文書情報を表示することが可能であり、電子書籍端末としても用いることができる。また、表示部８０３及び表示部８０４に静止画像や動画像を表示することもできる。
【０４１６】
このように、携帯情報端末８００は、持ち運ぶ際には折り畳んだ状態にできるため、汎用性に優れる。
【０４１７】
なお、筐体８０１及び筐体８０２には、電源ボタン、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク等を有していていもよい。
【０４１８】
図２６（Ｃ）に携帯情報端末の一例を示す。図２６（Ｃ）に示す携帯情報端末８１０は、筐体８１１、表示部８１２、操作ボタン８１３、外部接続ポート８１４、スピーカ８１５、マイク８１６、カメラ８１７等を有する。
【０４１９】
表示部８１２に、本発明の一態様の表示装置を備える。
【０４２０】
携帯情報端末８１０は、表示部８１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部８１２に触れることで行うことができる。
【０４２１】
また、操作ボタン８１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部８１２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０４２２】
また、携帯情報端末８１０の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯情報端末８１０の向き（縦か横か）を判断して、表示部８１２の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部８１２を触れること、操作ボタン８１３の操作、またはマイク８１６を用いた音声入力等により行うこともできる。
【０４２３】
携帯情報端末８１０は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末８１０は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、動画再生、インターネット通信、ゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
【０４２４】
図２６（Ｄ）に、カメラの一例を示す。カメラ８２０は、筐体８２１、表示部８２２、操作ボタン８２３、シャッターボタン８２４等を有する。またカメラ８２０には、着脱可能なレンズ８２６が取り付けられている。
【０４２５】
表示部８２２に、本発明の一態様の表示装置を備える。
【０４２６】
ここではカメラ８２０として、レンズ８２６を筐体８２１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８２６と筐体が一体となっていてもよい。
【０４２７】
カメラ８２０は、シャッターボタン８２４を押すことにより、静止画、または動画を撮像することができる。また、表示部８２２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８２２をタッチすることにより撮像することも可能である。
【０４２８】
なお、カメラ８２０は、ストロボ装置や、ビューファインダーなどを別途装着することができる。または、これらが筐体８２１に組み込まれていてもよい。
【０４２９】
図２７（Ａ）に、ファインダー８５０を取り付けた状態の、カメラ８４０の外観を示す。
【０４３０】
カメラ８４０は、筐体８４１、表示部８４２、操作ボタン８４３、シャッターボタン８４４等を有する。またカメラ８４０には、着脱可能なレンズ８４６が取り付けられている。
【０４３１】
ここではカメラ８４０として、レンズ８４６を筐体８４１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８４６と筐体が一体となっていてもよい。
【０４３２】
カメラ８４０は、シャッターボタン８４４を押すことにより、撮像することができる。また、表示部８４２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８４２をタッチすることにより撮像することも可能である。
【０４３３】
カメラ８４０の筐体８４１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８５０のほか、ストロボ装置等を接続することができる。
【０４３４】
ファインダー８５０は、筐体８５１、表示部８５２、ボタン８５３等を有する。
【０４３５】
筐体８５１は、カメラ８４０のマウントと係合するマウントを有しており、ファインダー８５０をカメラ８４０に取り付けることができる。また当該マウントには電極を有し、当該電極を介してカメラ８４０から受信した映像等を表示部８５２に表示させることができる。
【０４３６】
ボタン８５３は、電源ボタンとしての機能を有する。ボタン８５３により、表示部８５２の表示のオン・オフを切り替えることができる。
【０４３７】
カメラ８４０の表示部８４２、及びファインダー８５０の表示部８５２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０４３８】
なお、図２７（Ａ）では、カメラ８４０とファインダー８５０とを別の電子機器とし、これらを脱着可能な構成としたが、カメラ８４０の筐体８４１に、本発明の一態様の表示装置を備えるファインダーが内蔵されていてもよい。
【０４３９】
図２７（Ｂ）には、ヘッドマウントディスプレイ８６０の外観を示している。
【０４４０】
ヘッドマウントディスプレイ８６０は、装着部８６１、レンズ８６２、本体８６３、表示部８６４、ケーブル８６５等を有している。また装着部８６１には、バッテリ８６６が内蔵されている。
【０４４１】
ケーブル８６５は、バッテリ８６６から本体８６３に電力を供給する。本体８６３は無線受信機等を備え、受信した画像データ等の映像情報を表示部８６４に表示させることができる。また、本体８６３に設けられたカメラで使用者の眼球やまぶたの動きを捉え、その情報をもとに使用者の視点の座標を算出することにより、使用者の視点を入力手段として用いることができる。
【０４４２】
また、装着部８６１には、使用者に触れる位置に複数の電極が設けられていてもよい。本体８６３は使用者の眼球の動きに伴って電極に流れる電流を検知することにより、使用者の視点を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流を検知することにより、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８６１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８６４に表示する機能を有していてもよい。また、使用者の頭部の動きなどを検出し、表示部８６４に表示する映像をその動きに合わせて変化させてもよい。
【０４４３】
表示部８６４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０４４４】
図２７（Ｃ）、（Ｄ）には、ヘッドマウントディスプレイ８７０の外観を示している。
【０４４５】
ヘッドマウントディスプレイ８７０は、筐体８７１、２つの表示部８７２、操作ボタン８７３、及びバンド状の固定具８７４を有する。
【０４４６】
ヘッドマウントディスプレイ８７０は、上記ヘッドマウントディスプレイ８６０が有する機能に加え、２つの表示部を備える。
【０４４７】
２つの表示部８７２を有することで、使用者は片方の目につき１つの表示部を見ることができる。これにより、視差を用いた３次元表示等を行う際であっても、高い解像度の映像を表示することができる。また、表示部８７２は使用者の目を概略中心とした円弧状に湾曲している。これにより、使用者の目から表示部の表示面までの距離が一定となるため、使用者はより自然な映像を見ることができる。また、表示部からの光の輝度や色度が見る角度によって変化してしまうような場合であっても、表示部の表示面の法線方向に使用者の目が位置するため、実質的にその影響を無視することができるため、より現実感のある映像を表示することができる。
【０４４８】
操作ボタン８７３は、電源ボタンなどの機能を有する。また操作ボタン８７３の他にボタンを有していてもよい。
【０４４９】
また、図２７（Ｅ）に示すように、表示部８７２と使用者の目の位置との間に、レンズ８７５を有していてもよい。レンズ８７５により、使用者は表示部８７２を拡大してみることができるため、より臨場感が高まる。このとき、図２７（Ｅ）に示すように、視度調節のためにレンズの位置を変化させるダイヤル８７６を有していてもよい。
【０４５０】
表示部８７２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の表示装置は、極めて精細度が高いため、図２７（Ｅ）のようにレンズ８７５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、より現実感の高い映像を表示することができる。
【０４５１】
図２８（Ａ）、（Ｂ）には、１枚の表示部８７２を有する場合の例を示している。このような構成とすることで、部品点数を削減することができる。
【０４５２】
表示部８７２は、左右２つの領域にそれぞれ右目用の画像と、左目用の画像の２つの画像を並べて表示することができる。これにより、両眼視差を用いた立体映像を表示することができる。
【０４５３】
また、表示部８７２の全域に亘って、両方の目で視認可能な一つの画像を表示してもよい。これにより、視野の両端に亘ってパノラマ映像を表示することが可能となるため、現実感が高まる。
【０４５４】
また、上述したレンズ８７５設けてもよい。表示部８７２には、２つの画像を並べて表示させてもよいし、表示部８７２に一つの画像を表示させ、レンズ８７５を介して両目で同じ画像を見ることのできる構成としてもよい。
【０４５５】
また、表示部８７２は湾曲していなくてもよく、表示面が平面であってもよい。例えば、図２８（Ｃ）、（Ｄ）には、曲面を有さない１枚の表示部８７２を有する場合の例を示している。
【０４５６】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０４５７】
１０    表示装置
１０ａ    表示装置
１１ａ    表示パネル
１１ｂ    表示パネル
２０ａ    画素
２０ｂ    画素
２０ｃ    画素
２０ｄ    画素
２１ａＢ    表示素子
２１ａＧ    表示素子
２１ａＲ    表示素子
２１Ｂ    表示素子
２１Ｇ    表示素子
２１Ｒ    表示素子
２１Ｗ    表示素子
２２Ｂ    表示素子
２２Ｇ    表示素子
２２Ｒ    表示素子
２２Ｗ    表示素子
３１    絶縁層
３１ａ    絶縁層
３２    絶縁層
３３    絶縁層
３４    絶縁層
３５    絶縁層
３５ａ    絶縁層
３５ｂ    絶縁層
４１ａ    トランジスタ
４１ｂ    トランジスタ
４１ｃ    トランジスタ
４１ｄ    トランジスタ
４１ｅ    トランジスタ
４１ｆ    トランジスタ
４１ｇ    トランジスタ
４２ａ    トランジスタ
４２ｂ    トランジスタ
５０    接着層
５１ａ    基板
５１ｂ    基板
５２ａ    基板
５２ｂ    基板
５３ａ    接着層
５３ｂ    接着層
５４ａ    基板
５４ｂ    基板
６１ａ    表示部
６１ｂ    表示部
６２ａ    回路部
６２ｂ    回路部
６３ａ    ＦＰＣ
６３ｂ    ＦＰＣ
６４ａ    ＩＣ
６４ｂ    ＩＣ
６５ａ    配線
６５ｂ    配線
１１１    導電層
１１１ｂ    導電層
１１１ｃ    導電層
１１２ａ    半導体層
１１２ｂ    半導体層
１１３ａ    導電層
１１３ｂ    導電層
１１３ｃ    導電層
１１３ｄ    導電層
１２０    発光素子
１２０ａ    発光素子
１２０ｂ    発光素子
１２０ｃ    発光素子
１２１    導電層
１２２    ＥＬ層
１２２Ｒ    ＥＬ層
１２２Ｇ    ＥＬ層
１２２Ｂ    ＥＬ層
１２２Ｗ    ＥＬ層
１２３    導電層
１２５    光学調整層
１３０    容量素子
１３２    絶縁層
１３３    絶縁層
１３４    絶縁層
１３５    絶縁層
１３６    絶縁層
１３７    絶縁層
１３８    絶縁層
１３９    絶縁層
１４１    キャリア注入層
１４１Ｂ    キャリア注入層
１４１Ｇ    キャリア注入層
１４１Ｒ    キャリア注入層
１４２    キャリア輸送層
１４２Ｂ    キャリア輸送層
１４２Ｇ    キャリア輸送層
１４２Ｒ    キャリア輸送層
１４３Ｂ    発光層
１４３Ｇ    発光層
１４３Ｒ    発光層
１４４    キャリア輸送層
１４４Ｂ    キャリア輸送層
１４４Ｇ    キャリア輸送層
１４４Ｒ    キャリア輸送層
１４５    キャリア注入層
１４５Ｂ    キャリア注入層
１４５Ｇ    キャリア注入層
１４５Ｒ    キャリア注入層
１５１ａ    接着層
１５１ｂ    接着層
１５２Ｂ    着色層
１５２Ｇ    着色層
１５２Ｒ    着色層
３６０    発光素子
３６２    表示部
４００    表示装置
４００ａ    表示パネル
４００ｂ    表示パネル
４１０ａ    画素
４１０ｂ    画素
８００    携帯情報端末
８０１    筐体
８０２    筐体
８０３    表示部
８０４    表示部
８０５    ヒンジ部
８１０    携帯情報端末
８１１    筐体
８１２    表示部
８１３    操作ボタン
８１４    外部接続ポート
８１５    スピーカ
８１６    マイク
８１７    カメラ
８２０    カメラ
８２１    筐体
８２２    表示部
８２３    操作ボタン
８２４    シャッターボタン
８２６    レンズ
８４０    カメラ
８４１    筐体
８４２    表示部
８４３    操作ボタン
８４４    シャッターボタン
８４６    レンズ
８５０    ファインダー
８５１    筐体
８５２    表示部
８５３    ボタン
８６０    ヘッドマウントディスプレイ
８６１    装着部
８６２    レンズ
８６３    本体
８６４    表示部
８６５    ケーブル
８６６    バッテリ
８７０    ヘッドマウントディスプレイ
８７１    筐体
８７２    表示部
８７３    操作ボタン
８７４    固定具
８７５    レンズ
８７６    ダイヤル
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチパネル
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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