(57)【要約】 【課題】容易にレーザー光を好適に照射させることが可能な、レーザー照射装置、及び、素子の生産方法を提供する。【解決手段】マスク１４５は、中央に平行四辺形の貫通孔１４５Ａを有する。マスク１４５は、前記の平行四辺形の上辺及び下辺が、レーザー光Ｌ２の長尺方向（Ｙ方向）と平行となるように配置されている。レーザー光Ｌ２のうちＹ方向（長尺方向）における端部は、マスク１４５により遮光され、レーザー光Ｌ２の他の部分は、貫通孔１４５Ａを通過する。貫通孔１４５Ａを通過した後のレーザー光Ｌ３の形状は、短辺が斜辺となった平行四辺形である。【選択図】図３
2018176167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス状でＹ方向に長尺な第１帯状レーザー光をワークの第１領域に向けてＸ方向に沿って順次照射し、パルス状で前記Ｙ方向に長尺な第２帯状レーザー光を前記ワークの前記第１領域の前記Ｙ方向における隣の第２領域に向けて前記Ｘ方向に沿って順次照射するレーザー光照射機構と、
前記レーザー光照射機構と前記ワークとの間に配置され、前記第１帯状レーザー光及び前記第２帯状レーザー光の一部を遮光し他の一部を通過させることで前記第１帯状レーザー光及び前記第２帯状レーザー光をＹ方向に長尺な四角形のレーザー光に成形するマスクと、を備える、
ことを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
前記四角形は、平行四辺形である、
請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項３】
前記レーザー光照射機構は、
シングルモードの固体レーザーと、
前記固体レーザーからのレーザー光の一部を前記第１帯状レーザー光に成形する第１回折光学素子と、
前記固体レーザーからのレーザー光の他の一部を前記第１帯状レーザー光に成形する第２回折光学素子と、を有し、
前記マスクは、
前記第１帯状レーザー光のＹ方向における端部を遮光する第１マスクと、
前記第２帯状レーザー光のＹ方向における端部を遮光する第２マスクと、有する、
請求項１又は２に記載のレーザー照射装置。
【請求項４】
前記マスクにより四角形に成形された前記第１帯状レーザー光が照射されたことで前記第１領域に形成された第１照射跡を撮像して撮像画像を得るカメラと、
前記第１照射跡と、前記マスクにより四角形に成形された前記第２帯状レーザー光が照射されることによりこれから形成される第２照射跡と、が予め定められた位置関係になるように、前記撮像画像に基づいて前記マスクの位置を制御するコントローラと、をさらに備える、
請求項１〜３のいずれかに記載のレーザー照射装置。
【請求項５】
素子の生産方法であって、
前記素子を基板上に生成する第１ステップと、
前記第１ステップにより生産された前記素子を前記基板からレーザーリフトオフにより剥離させる第２ステップと、を備え、
前記第２ステップは、
Ｙ方向に長尺な複数の第１帯状レーザー光を前記基板の第１領域に向けてＸ方向に沿って順次照射する第２−１ステップと、
前記複数の第１帯状レーザー光それぞれの一部を遮光し他の一部を通過させることで前記第１帯状レーザー光を前記Ｙ方向に長尺な四角形の第１レーザー光に成形する第２−２ステップと、
前記Ｙ方向に長尺な複数の第２帯状レーザー光を前記基板の前記第１領域の前記Ｙ方向における隣の第２領域に向けて前記Ｘ方向に沿って順次照射する第２−３ステップと、
前記複数の第２帯状レーザー光それぞれの一部を遮光し他の一部を通過させることで前記第２帯状レーザー光を前記Ｙ方向に長尺な四角形の第２レーザー光に成形する第２−４ステップと、を有する、
素子の生産方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーリフトオフ等に使用されるレーザー照射装置、及び、レーザーリフトオフが用いられる素子の生産方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、隣接する走査ライン上での照射位置をｘ方向に位置ずれ量Δｘだけ位置ずれさせると共に、照射されたレーザ強度の累積値が略均等になるように、走査ライン間隔Ｐｙおよび幅方向ピッチΛおよび位置ずれ量Δｘ（ただし、０＜Δｘ＜Λ）を決めるレーザー照射方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−８９５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のレーザー照射方法では、位置ずれ量Δｘ等を決める必要があり、レーザー光を好適に照射させることについて煩雑さがある。
【０００５】
この発明は、容易にレーザー光を好適に照射させることが可能な、レーザー照射装置、及び、素子の生産方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るレーザー照射装置は、
パルス状でＹ方向に長尺な第１帯状レーザー光（レーザー光Ｌ２）をワーク（ワークＷ）の第１領域（領域Ｒ）に向けてＸ方向に沿って順次照射し、パルス状で前記Ｙ方向に長尺な第２帯状レーザー光（レーザー光Ｌ２）を前記ワークの前記第１領域の前記Ｙ方向における隣の第２領域（領域Ｐ）に向けて前記Ｘ方向に沿って順次照射するレーザー光照射機構（固体レーザー１３０、ＤＯＥ１４４等）と、
前記レーザー光照射機構と前記ワークとの間に配置され、前記第１帯状レーザー光及び前記第２帯状レーザー光の一部を遮光し他の一部を通過させることで前記第１帯状レーザー光及び前記第２帯状レーザー光をＹ方向に長尺な四角形のレーザー光に成形するマスク（マスク１４５）と、を備える
ことを特徴とする。
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る素子の生産方法は、
素子の生産方法であって、
前記素子を基板上に生成する第１ステップと、
前記第１ステップにより生産された前記素子を前記基板からレーザーリフトオフにより剥離させる第２ステップと、を備え、
前記第２ステップは、
Ｙ方向に長尺な複数の第１帯状レーザー光を前記基板の第１領域に向けてＸ方向に沿って順次照射する第２−１ステップと、
前記複数の第１帯状レーザー光それぞれの一部を遮光し他の一部を通過させることで前記第１帯状レーザー光を前記Ｙ方向に長尺な四角形の第１レーザー光に成形する第２−２ステップと、
前記Ｙ方向に長尺な複数の第２帯状レーザー光を前記基板の前記第１領域の前記Ｙ方向における隣の第２領域に向けて前記Ｘ方向に沿って順次照射する第２−３ステップと、
前記複数の第２帯状レーザー光それぞれの一部を遮光し他の一部を通過させることで前記第２帯状レーザー光を前記Ｙ方向に長尺な四角形の第２レーザー光に成形する第２−４ステップと、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、マスクによりレーザー光を四角形に成形できるので、容易にレーザー光を好適に照射できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザー照射装置の構成図である。
【図２】レーザー光と強度分布を説明する図である。
【図３】マスク、レーザー光、カメラの関係を示す図である。
【図４】照射跡Ｓの形状を示す図である。
【図５】（Ａ）は、光学ヘッドがワークに対して相対的に移動する際の軌跡を示す図（上方から見た図）である。（Ｂ）は、レーザー光によりＸ方向に沿って順次形成した複数列の照射跡を示す図（上方から見た図）である。
【図６】（Ａ）は、適切にレーザー光Ｌ３を照射したときの照射跡を示す図である。（Ｂ）は、位置ずれにより２つの照射跡が一部重複した様子を示す図である。（Ｃ）は、位置ずれにより２つの照射跡が離間した様子を示す図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は、カメラにより照射跡が形成されたワークを撮影した撮影画像の図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、複数の照射跡の重複領域を説明する図である。
【図９】変形例に係るレーザー照射装置の構成図である。
【図１０】変形例に係る光学ヘッドがワークに対して相対的に移動する際の軌跡を示す図である。
【図１１】変形例に係るマスク、レーザー光の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（レーザー照射装置１００の構成）
本発明の一実施形態に係るレーザー照射装置１００は、図１に示すように、ステージ１１０と、第１駆動部１２０と、固体レーザー１３０と、光学ヘッド１４０と、第２駆動部１５０と、撮像部１６０と、コントローラ１７０と、を備える。
【００１１】
ステージ１１０は、レーザー照射の対象となるワークＷを保持する。また、ステージ１１０は、Ｘ方向（図１の紙面を貫く方向）及びＹ方向（Ｘ方向に直交する方向）の２軸方向に移動可能に構成されている。
【００１２】
ワークＷは、ガラス基板と、ガラス基板の下面に形成されている有機ＥＬ素子と、を含む。有機ＥＬ素子は、柔軟性を有するフレキシブル有機ＥＬ素子である。有機ＥＬ素子は、当該レーザー照射の前の行程で、ガラス基板に形成されている。有機ＥＬ素子のベースであるポリイミドはガラス基板に固着されており、レーザー照射装置１００は、レーザー光によりポリイミドの化学結合を破壊することで、ガラス基板からポリイミドを剥離させる（レーザーリフトオフ）。その後、有機ＥＬ素子は、例えば、吸引等によりガラス基板から取り除かれる。
【００１３】
第１駆動部１２０は、ステージ１１０（つまり、ワークＷ）を、Ｘ方向、Ｙ方向に移動させる機構を有する。当該機構は、例えば、Ｘ方向に移動する第１移動体と、第１移動体を移動させる第１動力源と、第１移動体に設けられＹ方向に沿って延びるレールと、当該レール上を移動する第２移動体と、第２移動体を移動させる第２動力源と、を備える。第２移動体にステージ１１０が固定される。第１動力源及び第２動力源それぞれは、例えば、リニアモータ、又は、ステッピングモータにより構成される。ステッピングモータが使用されるときには、ボールネジ又はラックアンドピニオンにより、ステッピングモータから出力されるトルクが、第１移動体又は第２移動体を直線的に移動させる力に変換される。第１移動体のＸ方向の移動により、ステージ１１０がＸ方向に移動する。第２移動体のＹ方向の移動により、ステージ１１０がＹ方向に移動する。ステージ１１０の移動により、光学ヘッド１４０はステージ１１０上を相対的にＸ方向、Ｙ方向に移動する（ステージ１１０に対する移動方向は、ステージの移動方向と逆である）。
【００１４】
固体レーザー１３０は、シングルモードのＮｄ：ＹＡＧレーザーである。固体レーザー１３０は、１０６４ｎｍのレーザー光を波長変換した３５５ｎｍをパルス状に出力する。以下、パルス１つのレーザー光を、レーザー光Ｌ１という。固体レーザー１３０はシングルモードなので、レーザー光Ｌ１は円形である。本明細書で説明されるレーザー光の形状は、当該レーザー光をその光軸に直交する方向に切ったときの当該レーザー光の断面形状である。
【００１５】
光学ヘッド１４０は、固体レーザー１３０が出力したレーザー光Ｌ１の形状を成形するための系である。光学ヘッド１４０は、折り返しミラー１４１と、アッテネータ１４２と、エクスパンダー１４３と、ＤＯＥ（Diffractive Optical Element、回折光学素子）１４４と、マスク１４５と、を備える。なお、マスク１４５以外の各部材（折り返しミラー１４１、アッテネータ１４２、エクスパンダ１４３、及び、ＤＯＥ１４４）をまとめて光学系ともいう。
【００１６】
折り返しミラー１４１は、固体レーザー１３０から出力されたレーザー光Ｌ１をステージ１１０の方向に反射する。
【００１７】
アッテネータ１４２は、折り返しミラー１４１からのレーザー光Ｌ１の光量（エネルギー）を減衰させる。アッテネータ１４２は、例えば、減衰プレートを備え、当該減衰プレートの回転角により、レーザー光Ｌ１の光量の減衰率が調整される。
【００１８】
エクスパンダー１４３は、アッテネータ１４２により調整されたレーザー光Ｌ１を広げる。
【００１９】
ＤＯＥ１４４は、エクスパンダー１４３により広がったレーザー光Ｌ１の形状をＹ方向に長尺な帯状（端部が先細りの帯状）に変換する。帯状に変換後のレーザー光Ｌ１をレーザー光Ｌ２ともいう。図２に、レーザー光Ｌ２を示す。ＤＯＥ１４４は、レーザー光Ｌ２のＸ方向の強度分布及びＹ方向の強度分布がトップハット形状となるように設計されている（図２の強度分布参照）。
【００２０】
マスク１４５は、例えば金属製又は誘電体製で遮光性の板状部材であり、レーザー光Ｌ２の一部のみを通過させる。マスク１４５は、図３に示すように中央に平行四辺形の貫通孔１４５Ａを有する。図３は、マスク１４５、レーザー光Ｌ２の断面等を上から見た図である。マスク１４５は、前記の平行四辺形の上辺及び下辺が、レーザー光Ｌ２の長尺方向（Ｙ方向）と平行となるように配置されている。レーザー光Ｌ２のうちＹ方向（長尺方向）における端部は、マスク１４５により遮光され、レーザー光Ｌ２の他の部分は、貫通孔１４５Ａを通過する。貫通孔１４５Ａを通過した後のレーザー光Ｌ２を、レーザー光Ｌ３という。レーザー光Ｌ３の形状は、短辺が斜辺となった平行四辺形（なお、ＤＯＥ１４４の仕様により上辺及び下辺が若干湾曲している場合もあり、当該平行四辺形はこのような場合の形状も含む。また、上辺及び下辺は、若干湾曲していても直線として取り扱われる）である。つまり、マスク１４５は、矩形のレーザー光Ｌ２の形状を、平行四辺形に成形する。なお、斜辺と上辺及び下辺（底辺）との間の角度θ１は、４５度となっている。上辺及び下辺は、Ｙ方向と平行である。
【００２１】
マスク１４５を通過したレーザー光Ｌ３は、ステージ１１０上に配置されたワークＷのガラス基板を透過し、ガラス基板と有機ＥＬ素子のベース（ポリイミド製）との界面に到達し、有機ＥＬ素子のベースを剥離させる。ワークＷにおいて、１つのパルスのレーザー光Ｌ３が照射された領域、つまり、当該１つのパルスのレーザー光Ｌ３により前記の剥離が生じた領域を、以下、照射跡Ｓともいう。
【００２２】
照射跡Ｓは、図４（上方からワークＷを見た図）に示すように、平行四辺形であり、レーザー光Ｌ３と同形状である。なお、照射跡Ｓの左側の斜辺及び右側の斜辺をそれぞれ、斜辺Ｓ１及び斜辺Ｓ２という。また、左下の頂点を頂点Ｓ３、右下の頂点を頂点Ｓ４という。また、照射跡ＳのＸ方向の長さ（平行四辺形における高さ）を、幅Ｄ（例えば、２５〜３０μｍ）という。照射領域ＳのＹ方向の長さ（平行四辺形の底辺の長さ）を、長さＨ（例えば、１．５〜１０ｍｍ）という。照射跡Ｓ（レーザー光Ｌ３）の大きさは、ＤＯＥ１４４の上下方向（Ｚ方向）の位置により調整される。
【００２３】
第２駆動部１５０は、マスク１４５をＹ方向に移動させる。マスク１４５の移動により、ワークＷにおける照射跡ＳのＹ方向における位置を微調整できる。第２駆動部１５０は、例えば、リニアモータ、又は、圧電素子などを含んで構成される。第２駆動部１５０は、ステッピングモータと、ステッピングモータから出力されるトルクをマスク１４５を直線的に移動させるボールネジ又はラックアンドピニオン等と、を含んで構成されてもよい。
【００２４】
撮像部１６０は、マスク１４５よりも−Ｘ方向側に配置されたカメラ１６０Ａと、マスク１４５よりも＋Ｘ方向側に配置されたカメラ１６０Ｂと、を備える（図３参照）。カメラ１６０Ａ、１６０Ｂは、ワークＷにおいてすでに形成された照射跡Ｓを撮像し、当該撮像により得られた画像をコントローラ１７０に供給する。
【００２５】
コントローラ１７０は、コンピュータ等により構成され、第１駆動部１２０、固体レーザー１３０、第２駆動部１５０、及び、撮像部１６０を制御する。また、コントローラ１７０には、撮像部１６０が撮像した撮像画像が入力される。コントローラ１７０が行う処理については後述する。
【００２６】
（レーザー照射装置１００のレーザーリフトオフ動作）
コントローラ１７０は、第１駆動部１２０（第１動力源、第２動力源）を制御し、ステージ１１０をＸ方向、Ｙ方向に移動させる。具体的には、ステージ１１０（ワークＷ）を−Ｘ方向→−Ｙ方向→＋Ｘ方向→−Ｙ方向→−Ｘ方向・・・・に移動させる。これにより、光学ヘッド１４０は、図５（Ａ）のように、ワークＷに対して相対的に＋Ｘ方向→＋Ｙ方向→−Ｘ方向→＋Ｙ方向→＋Ｘ方向・・・に移動する。
【００２７】
コントローラ１７０は、第１駆動部１２０を制御し、ステージ１１０を＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移動させるときに、当該ステージ１１０を一定の速度（等速度）で移動させる。なお、ステージ１１０の一定の速度での移動は、レーザー光Ｌ３を照射するレーザーリフトオフ時に行われればよく、その他の場合における移動は、等速でなくてもよい。さらに、この移動中、コントローラ１７０は、固体レーザー１３０を制御し、当該固定レーザー１３０からパルス状のレーザー光Ｌ１（最終的にはレーザー光Ｌ３）を一定の周期で順次出力させる。これにより、レーザー光Ｌ３による照射跡ＳがＸ方向に順次形成される。Ｘ方向に順次形成された照射跡Ｓの列はＹ方向に複数列形成される（図５（Ｂ））。
【００２８】
一列の各照射跡Ｓは、Ｘ方向において、隣の照射跡Ｓと一部重複する（図５（Ｂ））。ここでは、照射跡Ｓの幅Ｄの半分だけ重複する。つまり、２つの照射領域Ｓの重複率（両者が幅Ｄのうちどの程度の長さ分だけ重複しているかの割合。完全重複で１００％）は、５０％である。重複率は、剥離を好適に行える値であればよく、８０％等でもよいし、０％でもよい。重複率は、ステージ１１０の移動速度と、パルス状のレーザー光Ｌ１の出力周期（出力周波数）とにより調整される。なお、コントローラ１７０は、ステージ１１０を一定の距離だけ移動させてからレーザー光Ｌ１を出力することを繰り返して、Ｘ方向に照射跡Ｓを順次形成してもよい。そして、前記一定の距離を調整することで上記重複率を達成してもよい。
【００２９】
図５（Ｂ）、図６（Ａ）に示すように、Ｙ方向において隣り合う照射跡Ｓは、Ｘ方向における位置（ステージ１１０におけるＸ座標）が同じであり、斜辺Ｓ１と斜辺Ｓ２とが一致する。これにより、Ｙ方向において隣り合う照射跡Ｓは全体として平行四辺形の領域を形成する。照射跡Ｓは、Ｘ方向において５０％重複するので、レーザー光Ｌ３はワークＷの対象領域（有機ＥＬ素子が設けられた領域であればよいが、余裕を持って当該有機ＥＬ素子が設けられた領域よりも広い領域とするとよい）に２回照射される。レーザー光Ｌ３は、その強度分布がトップハット形状なので、レーザー光Ｌ３の照射により与えられるエネルギーは、ワークＷの対象領域内において均一になる。ワークＷの対象領域に与えられるエネルギー（例えば、単位面積当たりのエネルギー）の累積値（２回の照射によって得られるエネルギーの和）は、アッテネータ１４２の減衰率等の調整により、有機ＥＬ素子を好適に剥離できる範囲内に予め調整される。当該エネルギーの累積値が小さいと剥離が十分でなく、当該累積値が大きすぎるとエネルギー過多により煤が発生してしまう。
【００３０】
（レーザー光Ｌ３の照射位置の補正制御）
ところで、ステージ１１０は、理想的にはＸ方向への移動においてまっすぐ直進するが、実際には直進とともにＹ方向に揺動することがある。従って、照射跡ＳがＹ方向にずれ、Ｙ方向において隣り合う照射跡Ｓ同士が、一部重複したり（図６（Ｂ）。領域Ｇが重複した領域である）、離れたり（図６（Ｃ））することがある。また、ステージ１１０がＹ方向に移動する際も、ステージ１１０のＸ方向への揺動が考えられ、この場合には、Ｘ方向に順次形成する照射跡ＳのＸ方向における位置がずれる場合がある。この場合にも、照射跡Ｓが不必要に重複等してしまうことがある。これらの場合、レーザー光Ｌ３によって与えられるエネルギーが過多になったり、少なかったりする領域が生じてしまう。
【００３１】
この実施の形態では、撮像部１６０により、これから照射跡Ｓを形成する列（現在光学ヘッド１４０が位置しているＸ方向の列）の一つ前の列（図５（Ｂ）や図６では左隣の列）の照射跡Ｓを撮像し、コントローラ１７０は、撮像部１６０からの撮像画像に基づいて、レーザー光Ｌ３の照射位置（これから形成する照射跡Ｓの位置）を補正する制御を行う。
【００３２】
以下、レーザー光Ｌ３の照射位置（これから形成する照射跡Ｓの位置）を補正する制御の一例を説明する。以下の説明では、これから照射跡Ｓを形成する列の領域を領域Ｐ、その一つ前の列（図５（Ｂ）や図６では左隣の列）の領域を領域Ｒという。なお、下記の撮像画像には、Ｘ座標、Ｙ座標が設定されており、その原点（０，０）は、撮像画像の左上の頂点とする。
【００３３】
（補正制御例その１）
まず、コントローラ１７０が第１駆動部１２０を制御してステージ１１０を＋Ｘ方向に移動させる際（光学ヘッド１４０をステージ１１０及びワークＷに対して−Ｘ方向に移動させる際）のレーザー光Ｌ３の照射位置の補正制御を説明する。図７（Ａ）の撮像画像は、コントローラ１７０が第１駆動部１２０を制御し、ステージ１１０を＋Ｙ方向に移動させた後、ステージ１１０を＋Ｘ方向に所定距離移動させたときに、カメラ１６０ＡによってワークＷを撮像して得られた画像の例である。なお、撮像画像において、照射跡Ｓが形成されている第１領域は前記の剥離により明るく写り、照射跡Ｓが形成されていない領域は照射跡Ｓが形成されている第２領域よりも暗く写る。図７（Ａ）の境界線Ｆは、第１領域と第２領域との境界を示す。点線は、各照射跡Ｓの輪郭を示す。
【００３４】
コントローラ１７０は、カメラ１６０Ａから供給されるこの撮像画像に対して、グレースケール化又は２値化、及び、エッジ強調等の各種の画像処理を施し、撮像画像において、照射跡Ｓが形成されている領域の鋭角の頂点を特徴点として下から順に抽出する。特徴点の抽出は、コーナー検出等の公知の方法により行えばよい。ここで抽出される特徴点は、特徴点Ｆ１〜Ｆ９である。これら特徴点は、領域Ｒに形成されている照射跡Ｓの右下の頂点Ｓ４（図４）に相当する。コントローラ１７０は、抽出した各特徴点の座標情報を、各特徴点の下からの位置順に保持する（特徴点Ｆ１→Ｆ２→Ｆ３→Ｆ４→Ｆ５→Ｆ６→Ｆ７→Ｆ８→Ｆ９の順に保持する）。
【００３５】
その後、コントローラ１７０は、第１駆動部１２０を制御してステージ１１０を＋Ｘ方向に一定速度で移動させる制御を開始し、前記で保持した特徴点Ｆ１のＸ座標に対応する距離だけステージ１１０を移動させたときに固体レーザー１３０を制御することを開始する（上記特徴点のＸ座標とステージ１１０の移動距離との関係は、予め定められているものとする）。前記固体レーザー１３０に対する制御は、レーザー光Ｌ１を一定の周期で出力させる制御である。これ以降、ステージ１１０が一定の速度で移動する間に、固体レーザー１３０は一定の周期でレーザー光Ｌ１を出力する。このような制御により、領域Ｐの複数の照射跡Ｓが適切な位置で順次形成される。
【００３６】
また、コントローラ１７０は、保持している各特徴点のＹ座標を下の特徴点から順に読み出し、読み出した各Ｙ座標に基づいて、第２駆動部１５０を所定周期で順次制御してマスク１４５をＹ方向に順次移動させる制御を行う。前記所定周期は、第２駆動部１５０への制御タイミングが直近のレーザー光Ｌ１の出力後から次のレーザー光Ｌ１の出力前までのタイミングとなるよう調整されている。例えば、これから出力される第１レーザー光Ｌ１が２回目に出力されるものである場合、コントローラ１７０は、１回目の第１レーザー光Ｌ１の出力後に、特徴点Ｆ２のＹ座標に基づいて第２駆動部１５０を制御し、マスク１５４を移動させる。マスク１５４の移動後、２回目の第１レーザー光Ｌ１の出力が行われる。
【００３７】
上記制御により、レーザー光Ｌ３の照射位置は、これから形成する照射跡ＳとＸ方向において同じ位置の照射跡Ｓの位置（特徴点の位置）に応じて、Ｙ方向において調整（補正）される。当該調整は、領域Ｒに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ２と、領域Ｐに形成される照射跡Ｓの斜辺Ｓ１とを一致させる調整である（上記特徴点のＹ座標とマスク１４５の移動距離との関係は、予め定められているものとする）。また、コントローラ１７０は、このような制御と並行して、カメラ１６０Ｂによる撮像を制御し、撮像画像に基づいて、上記と同様の方法で順次特徴点を抽出し、その特徴点の情報を、各特徴点の下からの位置順に保持し、レーザー光Ｌ３の照射位置の補正に仕様する。
【００３８】
当該補正制御により、領域Ｒに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ２と、領域Ｐに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ１とを一致させることができる（図６（Ａ）の状態参照）。
【００３９】
（補正制御例その２）
次に、コントローラ１７０が第１駆動部１２０を制御してステージ１１０を−Ｘ方向に移動させる際（光学ヘッド１４０をステージ１１０及びワークＷに対して＋Ｘ方向に移動させる際）のレーザー光Ｌ３の照射位置の補正制御を説明する。図７（Ｂ）の撮像画像は、コントローラ１７０が第１駆動部１２０を制御し、ステージ１１０を＋Ｙ方向に移動させた後、ステージ１１０を−Ｘ方向に所定距離移動させたときに、カメラ１６０ＢによってワークＷを撮像して得られた画像の例である。図７（Ｂ）の境界線Ｅは、照射跡Ｓが形成されている第１領域と照射跡Ｓが形成されていない第２領域との境界を示す。点線は、各照射跡Ｓの輪郭を示す。コントローラ１７０は、上記「補正制御その１」と同様の処理により、特徴点Ｅ１〜Ｅ７を抽出するとともに、抽出した各特徴点の情報（座標の情報）を、各特徴点の上からの位置順に保持する（特徴点Ｅ１→Ｅ２→Ｅ３→Ｅ４→Ｅ５→Ｅ６→Ｅ７の順に保持する）。
【００４０】
その後、コントローラ１７０は、上記「補正制御その１」と同様の処理により、特徴点の座標に基づいて第２駆動部１５０を介してマスク１４５の移動を制御しながら、第１駆動部１２０を制御しステージ１１０を−Ｘ方向に移動させ、レーザー光Ｌ１を出力させる制御を行う。このような処理により、領域Ｒに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ２と、領域Ｐに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ１とを一致させることができる（図６（Ａ）の状態参照）。
【００４１】
（実施形態上の効果）
本実施の形態では、マスク１４５により、レーザー光Ｌ２を、平行四辺形の形状を有するレーザー光Ｌ３に成形する。このため、領域Ｒに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ２と、領域Ｐに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ１とが一致するよう、レーザー光Ｌ３の照射位置を調整するだけで、当該レーザー光Ｌ３により与えられるエネルギーを均一化することができる。つまり、レーザー光Ｌ３により与えられるエネルギー量を制御しやすい。このように、この実施の形態では、マスク１４５により、容易にレーザー光をワークＷに好適に照射できる。
【００４２】
なお、マスク１４５の貫通孔１４５Ａは、Ｙ方向に長尺な長方形であってもよい。この場合、レーザー光Ｌ３、照射跡Ｓも長方形となる。このような場合であっても、Ｙ方向において隣接する照射跡Ｓの短辺同士が一致するよう、レーザー光Ｌ３の照射位置を調整するだけで、当該レーザー光Ｌ３により与えられるエネルギーを均一化することができる。
【００４３】
ただし、照射跡Ｓは、長方形よりも平行四辺形の方が望ましい。照射跡Ｓを平行四辺形とすると、仮に照射跡ＳがＹ方向にずれ、Ｙ方向に並んだ照射跡Ｓ同士が重複したとしても、重複領域におけるエネルギーの積算値を抑えることができる。図８（Ａ）に示すように（図中、照射跡Ｓの短辺Ｓ１及びＳ２は、図８（Ｂ）の斜辺Ｓ１及びＳ２に対応する。）、例えば、レーザー光Ｌ３を長方形（矩形）とした場合には、照射跡ＳがＹ方向にずれると、レーザー光Ｌ３が４回照射されてしまう領域Ｇ１が生じてしまう。一方、図８（Ｂ）に示すように、レーザー光Ｌ３を平行四辺形とした場合には、照射跡ＳがＹ方向にずれても、レーザー光Ｌ３の照射回数を最大３回に抑えることができる（領域Ｇ２参照）。このように、マスク１４５によりレーザー光Ｌ３を平行四辺形に成形することで、レーザー光を好適に照射できる。
【００４４】
また、光学ヘッド１４０全体を動かさずに、マスク１４５のみの移動で、レーザー光Ｌ３の照射位置を調整することができるので、レーザー光Ｌ３の照射位置を容易に調整することができる。
【００４５】
コントローラ１７０は、撮像部１６０からの撮像画像に基づいて、レーザー光Ｌ３の照射位置（これから形成する照射跡Ｓの位置）を補正する制御を行う。これにより、Ｙ方向において隣接する照射跡Ｓが一部重複してしまったり、離間してしまったりすることを防止できる。つまり、好適にレーザー光を照射できる。特に、この実施の形態では、レーザー光Ｌ３の照射位置を補正しながら、レーザー光Ｌ３を順次照射して、照射跡Ｓを形成するので、精度良く、補正を行うことができ、好適にレーザー光を照射できる。
【００４６】
また、レーザー光Ｌ３の強度分布（光量の分布）をトップハット形状とすることで、ある列（領域Ｒ）の照射跡Ｓの斜辺Ｓ２と、次の列（領域Ｐ）の照射跡Ｓの斜辺Ｓ１と、を一致させることで、レーザー光Ｌ３の照射により与えられるエネルギーを均一にすることができる。
【００４７】
また、レーザーとして比較的安価なシングルモードの固体レーザーを使用し、ＤＯＥ等を使用して光学系における光路長を比較的短くしているので、レーザーとしてエキシマレーザー等のマルチモードのレーザーを使用する場合に比べ、イニシャルコスト、ランニングコスト等を抑えることができる。また、固体レーザーは、マルチモードのレーザーにくらべ出力エネルギーが小さいので、当該マルチモードのレーザーを使用した場合に比べ、レーザー光の一度の照射面積が小さいが、本実施形態のように、照射跡Ｓを複数列形成することで、出力エネルギーの小ささを補うことができる。
【００４８】
（変形例等）
以下、上記実施形態の変形例を説明する。以下の変形例の少なくとも一部は矛盾が生じない限り組み合わせることができる。なお、上記実施の形態の構成や下記の構成は、上記「発明が解決しようとする課題」等に係る構成であるか否かに関わらず、どの構成であっても省略できる（その場合には、別の発明となりうる）。
【００４９】
（変形例１）
複数の光学ヘッド１４０を設けてもよい。このとき、複数の光学ヘッド１４０それぞれについて固体レーザー１３０を設けてもよい。また、２つの光学ヘッド１４０に対して一つの固体レーザー１３０を設けてもよい。この場合、例えば、図９のように、光学ヘッド１４０と同様の光学ヘッド１４０Ａ及び１４０Ｂを設ける。光学ヘッド１４０Ａは、折り返しミラー１４１の代わりにハーフミラー１４１Ａを備える。ハーフミラー１４１Ａは、レーザー光Ｌ１の一部（半分）をワークＷ側に反射し、他の一部を透過する。透過したレーザー光は、光学ヘッド１４０Ｂのミラー１４１で反射される。１つの固体レーザー１３０に対し、光学ヘッド１４０と同様の光学ヘッドをＮ（Ｎは３以上の自然数）個以上設けてもよい。この場合、固体レーザー１３０から最も離れた光学ヘッド以外の光学ヘッドについては、折り返しミラーの代わりに、レーザー光Ｌ１の１／Ｎの量のレーザー光をワークＷの方向に反射し、残りのレーザー光を透過するミラーを設ける（各光学ヘッドは、固体レーザー１３０が出力したレーザー光の１／ＮをワークＷに向けて反射する）。固体レーザー１３０を複数の光学ヘッド１４０について共通化することで、コスト等を抑えることができる。このような共通化は、ガラス基板と有機ＥＬ素子との剥離に必要なエネルギーが低い場合に有効である。
【００５０】
光学ヘッド１４０を複数設ける場合、当該光学ヘッドの位置を、例えば、図１０のようにしてもよい。図１０では、光学ヘッド１４０と同様の光学ヘッド１４０Ｃ及び１４０Ｄが設けられている。これらの位置関係は、光学ヘッド１４０Ｃにより形成される照射跡ＳＣが、光学ヘッド１４０Ｄにより形成される照射跡ＳＤの−Ｘ方向側に位置し、３つめに形成される照射跡ＳＣが最初に形成される照射跡ＳＤとＸ方向において同じ位置かつ斜辺Ｓ１と斜辺Ｓ２とが一致する位置関係であればよい。このように、複数の光学ヘッド１４０Ｃが１回のＸ方向の移動により、複数列の照射跡Ｓ（斜辺Ｓ１と斜辺Ｓ２とが一致している。）を形成するようにすることで、レーザーリフトオフの１回の行程の時間を短くすることができる。なお、各光学ヘッドのマスクそれぞれについて、上記補正制御を行ってもよい（各マスクは、互いに独立して制御される）。
【００５１】
（変形例２）
レーザー光Ｌ２〜Ｌ３は、例えば、Ｘ方向における強度分布（図２のＡ−Ａ強度分布）がガウシアン形状であってもよい。この場合、照射跡Ｓの重複率を調整することで、必要な照射エネルギーの積算値を得ればよい。また、レーザー光Ｌ２〜Ｌ３は、例えば、Ｙ方向における強度分布（図２のＢ−Ｂ強度分布）がガウシアン形状等（平坦でないもの）であってもよい。この場合、マスク１４５による遮光により、レーザー光Ｌ３の平行四辺形の斜辺（四角形の短辺）近傍のエネルギー分布をトップハット同様に急峻にでき（このような急峻のエネルギー分布をトップハット形状とも表現する）、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば、レーザー光Ｌ３により与えられるエネルギーを制御しやすい。なお、レーザー光Ｌ３によりワークＷに与えられるエネルギー（積算値）分布（ＸＹ方向における分布）の値の範囲（最低値から最高値までの範囲）は、例えば、レーザーリフトオフを好適に実行できる範囲内にあればよい。マスク１４５は、図１１のように、レーザー光Ｌ２の外縁部を全周遮光してもよい。この場合、レーザー光Ｌ２のＸ方向における強度分布及びＹ方向における強度分布の両者がガウシアン形状であっても、レーザー光Ｌ３の縁のエネルギー分布をトップハット同様に急峻とすることができるので、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば、レーザー光Ｌ３により与えられるエネルギーを制御しやすい。また、このようなマスク１４５をＸ方向及びＹ方向に移動させることによって、レーザー光Ｌ３の照射位置をＸ方向及びＹ方向に補正してもよい。例えば、マスク１４５等にカメラを設け、当該カメラにより、これからレーザー光Ｌ３を照射しようとする領域を撮影し、コントローラ１７０は、上記と同様に特徴点を抽出し、抽出した特徴点とこれから形成する照射跡Ｓの調整Ｓ４とが一致するように、マスク１４５のＸ方向及びＹ方向の移動を制御してもよい。
【００５２】
（変形例３）
ステージ１１０を所定量移動させて停止させる制御→マスク１４５を移動させる制御→レーザー光Ｌ１の出力→ステージ１１０を所定量移動させて停止させる制御→マスク１４５を移動させる制御→レーザー光Ｌ１の出力→・・・のように、マスク１４５による照射位置の補正時、ステージ１１０の移動等を停止してもよい。この際、マスク１４５等にカメラを固定し、当該カメラにより、これからレーザー光Ｌ３を照射する領域を撮像し、コントローラ１７０は、カメラからの撮像画像に基づき、これから照射するレーザー光Ｌ３の照射位置を補正してもよい（レーザー光Ｌ３の照射タイミングが到来するごとに当該処理を行う）。
【００５３】
（変形例４）
上記レーザー光の照射方法は、ＧａＮ等の半導体素子をガラス基板から剥離するレーザーリフトオフ等にも使用できる。また、上記レーザー光の照射方法は、レーザー光を均一に照射したい技術一般に利用できる。使用用途により、レーザー光の波長は変更する。
【００５４】
（変形例５）
上記レーザー光Ｌ３の照射位置の補正制御は、光学ヘッド１４０全体を移動させることによって行ってもよい。また、光学ヘッド１４０を移動させることで、光学ヘッド１４０をステージ１１０やワークＷに対して移動するようにしてもよい。
【００５５】
（変形例６）
照射跡ＳのＹ方向の位置ずれが許容できる場合、上記補正制御を行わないようにしてもよい。このような場合であっても、例えば、領域Ｒに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ２と、領域Ｐに形成された照射跡Ｓの斜辺Ｓ１とが一致するよう、光学ヘッド１４０を配置するだけで、当該レーザー光Ｌ３により与えられるエネルギーを均一化することができる。つまり、好適なレーザー照射が容易に得られる。さらに、マスク１４５の位置により、レーザー光Ｌ３の照射位置を細かく調整できるので、好適なレーザー照射が容易に得られる。また、Ｙ方向に並んだ照射跡Ｓ同士を一部重複させてもよい。例えば、重複した部分のレーザー光Ｌ３のエネルギーの積算値が好適なレーザーリフトオフを阻害しない場合（例えば、煤が発生しない程度の積算値である、又は、煤がある程度発生してもよい場合）に有効である。例えば、照射跡Ｓのエネルギー強度がＹ方向における端部において外側に向かって減衰している場合などにおいて有効である。
【符号の説明】
【００５６】
１００・・・レーザー照射装置、１１０・・・ステージ、１２０・・・第１駆動部、１３０・・・固体レーザー、１４０・・・光学ヘッド、１４１・・・折り返しミラー、１４２・・・アッテネータ、１４３・・・エクスパンダー、１４４・・・ＤＯＥ、１４５・・・マスク、１４５Ａ・・・貫通孔、１５０・・・第２駆動部、１６０・・・撮像部、１６０Ａ〜１６０Ｂ・・・カメラ、１７０・・・コントローラ、Ｓ・・・照射跡、Ｓ１〜Ｓ２・・・斜辺、Ｓ３〜Ｓ４・・・頂点、Ｅ・・・・境界線、Ｅ１〜Ｅ７・・・特徴点、Ｆ・・・境界線、Ｆ１〜Ｆ９・・・特徴点
【図１】
2018176167.tif 000003
【図２】
2018176167.tif 000004
【図３】
2018176167.tif 000005
【図４】
2018176167.tif 000006
【図５】
2018176167.tif 000007
【図６】
2018176167.tif 000008
【図７】
2018176167.tif 000009
【図８】
2018176167.tif 000010
【図９】
2018176167.tif 000011
【図１０】
2018176167.tif 000012
【図１１】
2018176167.tif 000013