(57)【要約】【課題】J-R力型静電チャックを用いたプラズマ処理装置において、該静電チャックに確実に保持されると共に、プラズマ処理の際に不純物を放出することの少ないトレイを提供する。【解決手段】J-R力型静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置１００用のトレイ１０において、静電吸着装置に接する下面側を体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成し、プラズマに曝される上部側を体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成する。下面側が体積抵抗率1×1013Ω・cm以下であるのでトレイ１０が静電吸着装置に確実に吸着され基板９及びトレイ１０に生じる熱がトレイ１０を通して外部に良好に放出される。該下面側は、別の材料で構成された部分で覆われているので、該下面側がエッチングされてここに添加されている抵抗コントロール用の導電性添加物等が放出されるといった事態が生じない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
J-R力型静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置用のトレイであって、
該静電吸着装置に接する下面側を体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成し、
プラズマに曝される上部側を体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成した、
トレイ。
【請求項２】
請求項１に記載のトレイであって、
上部の、1又は複数の被処理基板を載置する部分を体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成し、それ以外のプラズマに曝される部分を体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成した、
トレイ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のトレイであって、
前記被処理基板を載置する部分が、前記トレイの上面から沈下している、
トレイ。
【請求項４】
請求項３に記載のトレイであって、
体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成される平板状の下部層と、
体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成され、平板に被処理基板に対応した孔を有する上部層と、
を備える、トレイ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のトレイであって、
前記被処理基板を載置する部分に、冷却媒体流通用通路が設けられている、
トレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体等の基板にプラズマ処理を行うに際して、該基板を載置するためのトレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体等の基板にエッチング等の処理を行う場合、基板を処理室に搬入したり処理後の基板を処理室から搬出したりする際に基板の損傷を防止しハンドリング性を高めるために、基板をトレイ上に載置して搬送し、トレイ上に載置したまま処理が行われることが多い。また、処理効率を高めるために、複数の基板を1台のトレイに載置し、該トレイで複数枚の基板をまとめて搬送し、処理室でまとめて処理を行うということも行われる。
【０００３】
基板にプラズマ処理を行う場合、該処理により基板の温度が上昇し、処理条件が変化することがある。また、基板によってはその温度により変性したり損傷を受けたりする場合がある。そこで、多くの場合、プラズマ処理の間、基板の下面にヘリウムガス等の冷却媒体を流すことにより基板を冷却することが行われる。ここで、基板の熱を効果的に冷却媒体に伝達させるためには、基板の下面を前記冷却媒体が流れる載置台の表面に密着させておかなければならない。このため、載置台には基板を吸引するための機構が設けられており、多くの場合、機構が簡単で振動等を発生しない静電吸着装置（静電チャック）が用いられる（特許文献１参照）。
【０００４】
静電チャックには、クーロン力型とJ-R（ジョンセン−ラーベック）力型がある。前者は、誘電層に純度の高いアルミナや窒化アルミ等の体積抵抗率が1×1016Ω・cm以上であるセラミックを用いるものである。クーロン力型は、シリコンウエハを吸着・離脱するのに必要な時定数が短いという特長を持つが、必要な吸着力を得るために誘電層に2.0kVから3.0kVという高い電圧の印加が必要である。J-R力型は、体積抵抗率が1×109〜1×1012Ω・cm程度の低抵抗の誘電層を用いるもので、シリコンウエハを吸着・離脱するのに要する時定数が体積抵抗率に依存することから設計時に適切な体積抵抗率を検討する必要があるものの、必要な吸着力を得るために誘電層に印加する電圧は1.0kV以下で良いため、電源構成が簡単となるという利点がある（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2012-074650号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】公益社団法人日本セラミックス協会・セラミックス博物館,「静電チャック」,[online],平成20年7,[平成28年6月20日検索],インターネット<URL: http://www.ceramic.or.jp/museum/contents/pdf/2008_07_04.pdf>
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
基板をトレイ上に載置し、トレイ上に載置した状態でプラズマ処理を行おうとする場合、静電チャックによりこのトレイを吸着しなければならない。従って、J-R力型の静電チャックを用いる場合、トレイに体積抵抗率が1×109〜1×1012Ω・cm程度の低抵抗のものを用いるか、セラミック製トレイに導電パターンを形成したものを用いる必要がある。前者の場合、誘電体の体積抵抗率をこのように下げるためには、アルミナや窒化アルミなどのセラミック素材に抵抗コントロール用の金属酸化物などの導電性添加物を加える必要がある。しかし、基板をプラズマ処理する際、トレイもプラズマに曝されるため、トレイに含まれるこのような導電性添加物等がプラズマにより放出され、被処理物である基板を汚染することがある。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、J-R力型静電チャックを用いたプラズマ処理装置において、該静電チャックに確実に保持されると共に、プラズマ処理の際に不純物を放出することの少ないトレイを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために成された本発明は、J-R力型静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置用のトレイにおいて、
該静電吸着装置に接する下面側を体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成し、
プラズマに曝される上部側を体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成した
ことを特徴とするトレイである。
【００１０】
本発明に係るプラズマ処理装置用のトレイでは、下面側の材料の体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下であることにより、トレイが静電吸着装置に確実に吸着されることになる。これにより、トレイ載置台とトレイの間の密着性が向上し、プラズマ処理により基板及びトレイに生じる熱がトレイを通してトレイ載置台（外部）に良好に放出される。
また、トレイの下面側は、別の材料で構成された部分で覆われているので、例えば、該下面側に抵抗コントロール用の導電性添加物等が添加されている場合であっても、これがエッチング（浸食）により放出されて被処理基板が汚染されるということがない。
【００１１】
本発明に係るプラズマ処理装置用のトレイでは、上部の、1又は複数の被処理基板を載置する部分を体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成し、それ以外のプラズマに曝される部分を体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成することが望ましい。
これにより、トレイと被処理基板の間の密着性も向上し、プラズマ処理により基板に生じる熱がより良くトレイを通してトレイ載置台（外部）に放出されるようになる。
【００１２】
この場合、トレイの被処理基板を載置する部分のみをトレイの上面から沈下（沈床）させておく（いわゆる「座ぐり」を施しておく）ことが望ましい。
これにより、被処理基板の上面とトレイの上面（すなわち、体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成される面）の離間距離が小さくなり、特に、座ぐりの深さを被処理基板の厚みと同程度としておけば、これらの各上面が面一となる。これによって、プラズマ処理の均一性が向上する。
【００１３】
このようなトレイの構造は、体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成される平板状の下部層と、体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成される、平板に被処理基板に対応した孔を有する上部層の2層構造とすることができる。
このような構造とすることにより、トレイの製造が容易となる。
【００１４】
本発明に係るプラズマ処理装置用のトレイでは、前記トレイの、1又は複数の被処理基板を載置する部分に、冷却媒体流通用通路が設けられていることが望ましい。
これにより、基板が直接的に、該通路を流通するヘリウムガス等の冷却媒体に接触するため、より良く冷却されるようになる。
このトレイの被処理基板載置面の冷却媒体流通用通路は、トレイ載置台の表面又はトレイ下面に設けられた冷却媒体流通用通路と連通させておくことが望ましい。
これにより、1つの流通通路でトレイ載置台とトレイの間、及び、トレイと被処理基板の間の冷却媒体流通用通路に冷却媒体を流すことができ、プラズマ処理の間、効率よく被処理基板を冷却することができるようになる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るプラズマ処理装置用のトレイでは、下面側が体積抵抗率1×1013Ω・cm以下であることにより、トレイがJ-R力型静電吸着装置に確実に吸着され、プラズマ処理により基板及びトレイに生じる熱がトレイを通してトレイ載置台（外部）に良好に放出される。また、トレイの下面側は、別の材料で構成された部分で覆われているので、例えば、該下面側に抵抗コントロール用の導電性添加物等が添加されている場合であっても、これがエッチングにより放出されて被処理基板が汚染されるということがない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】プラズマ処理装置の全体構成を示す概略図。
【図２】実施形態に係るトレイの上面図。
【図３】実施形態に係るトレイを図２の矢印Ｋから見た断面図。
【図４】他の実施形態に係るトレイの断面図。
【図５】他の実施形態に係るトレイの断面図。
【図６】他の実施形態に係るトレイおよび静電チャックの側面図。
【図７】他の実施形態に係るトレイの上面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００１８】
＜１．全体構成＞
プラズマ処理装置用のトレイ１０（以下、単に「トレイ１０」という。）について説明する前に、これが用いられるプラズマ処理装置１００の全体構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、プラズマ処理装置１００の全体構成を示す概略図である。
【００１９】
プラズマ処理装置１００は、真空容器１と、その内部に対向して設けられた上部電極２及び下部電極３とを備える。各電極２，３には、これに高周波電圧を印加するための高周波電源（図示省略）が接続されている。
【００２０】
下部電極３の上面には誘電層４が設けられており、この誘電層４の上面に、トレイ１０（すなわち、基板（被処理基板）９が載置されたトレイ１０）が載置される。つまり、誘電層４の上面が、トレイ１０が載置される載置面を構成し、下部電極３と誘電層４が、トレイ１０を静電吸着する静電チャック部（静電吸着装置）５を構成する。誘電層４は、体積抵抗率が1×109〜1×1012Ω・cm程度の低抵抗の材料で構成される誘電層である。すなわち、この静電チャック部５は、J-R力型のものである。静電チャック部５は、単極型、双極型のどちらであってもよいが、単極型の静電チャック部５であれば、トレイ１０の吸着性を特に良好なものとできる。
【００２１】
誘電層４の上面には、ヘリウムガス等の冷却媒体を流通させるための溝６が設けられており、この溝６は、図示しない冷却媒体供給装置と接続されている。
下部電極３には、その内部に冷却水を循環させるための冷却機構７が接続されており、これによって下部電極３が冷却されるようになっている。
プラズマ処理装置１００は、上述した各要素に加え、真空容器１内にプラズマ発生のための各種のガス等を供給するガス供給部、真空容器１内を排気する真空排気装置、等（いずれも図示省略）をさらに備えている。
【００２２】
＜２．トレイ１０＞
トレイ１０の構成について、図１に加え、図２、図３を参照しながら説明する。図２は、トレイ１０の上面図である。図３は、トレイ１０を図２の矢印Ｋから見た断面図である。
【００２３】
＜２−１．全体構成＞
トレイ１０は、基板処理装置１００にて処理すべき被処理基板９（以下、単に「基板９」という。）を、1個あるいは複数個、載置するための部材であり、その上面には、基板９を1枚載置する部分（以下「基板載置領域」とも呼ぶ）１０１が、1個以上（図の例では4個）規定される。各基板載置領域１０１は、平面視にて基板９と略同一サイズの領域（あるいは、基板９よりも僅かに大きなサイズの領域）とされる。各基板載置領域１０１は、トレイ１０の上面位置よりも沈下（沈床）されており、これによって、基板９の座ぐり部１０２が形成される。
【００２４】
基板９は、トレイ１０上の基板載置領域１０１に載置された状態（具体的には、座ぐり部１０２内に配置された状態）で、真空容器１内に搬入されて、ここでプラズマ処理を受ける。複数の基板載置領域１０１が規定されたトレイ１０を用いることで、複数の基板９をまとめて搬送し、同時に処理することができる。
【００２５】
＜２−２．形成材料＞
トレイ１０は、低体積抵抗率材料から成る層１１と、高体積抵抗率材料から成る層１２を含む多層構造（この実施形態では、これらの層１１，１２のみからなる２層構造）となっている。具体的には、トレイ１０は、静電チャック部５に接する下面側が、低体積抵抗率材から成る層（以下「下部層」とも呼ぶ）１１により構成され、プラズマに曝される上部側が、高体積抵抗率材料から成る層（以下「上部層」とも呼ぶ）１２により構成される。
ただし、ここでいう「低体積抵抗率材料」とは、体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料（好ましくは、体積抵抗率が1×107Ω・cm以上かつ1×1013Ω・cm以下の材料）である。また、ここでいう「高体積抵抗率材料」とは、体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料である。
【００２６】
下部層１１の形成材料（低体積抵抗率材料）は、例えばセラミック（特に、炭素を多く含むセラミックが好ましい）であり、具体的には例えば、炭化ケイ素（SiC）である。下部層１１の形成材料としてはその他に、体積抵抗率が1011Ω・cm程度の低抵抗窒化アルミニウム材料を用いることもできる。「低抵抗窒化アルミニウム材料」とは、窒化アルミニウム（体積抵抗率は1014Ω・cm程度）に、炭化チタンや炭素繊維などの導電材料（導電性添加物）を分散させることにより、体積抵抗率を低下させたものである。
また、上述したとおり、誘電層４は、体積抵抗率が1×109〜1×1012Ω・cm程度の低抵抗の材料で形成されており、下部層１１を、この誘電層４の形成材料と同じ材料で形成することも好ましい。
【００２７】
上部層１２の形成材料（高体積抵抗率材料）は、酸素を多く含む材料が好ましく、具体的には例えば、アルミナ（Al2O3）である。上部層１２の形成材料としてはその他に、石英、窒化アルミニウム（AlN）、イットリア（Y2O3）、ジルコニア(ZrO2)、等を用いることもできる。
【００２８】
トレイ１０の下面側に配置される下部層１１が、体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の低体積抵抗率材料で構成されることによって、トレイ１０が静電チャック部５に確実に吸着されるとともに、基板９がトレイ１０に確実に吸着される。これにより、誘電層４とトレイ１０の間の密着性、及び、トレイ１０と基板９の間の密着性が向上し、プラズマ処理により基板９及びトレイ１０に生じる熱が、トレイ１０を通して誘電層４および下部電極３（外部）に良好に放出される。
また、下部層１１は、これとは別の材料（高体積抵抗率材料）で構成された上部層１２で覆われているので、例えば、下部層１１に抵抗コントロール用の導電性添加物等が添加されている場合であっても、これがエッチングにより放出されて基板９が汚染されるということがない。
特に、ここでは上部層１２が、体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える高体積抵抗率材料で構成されている。つまり、下部層１１はこれが静電チャック部５に吸着されるように比較的低い体積抵抗率の材料で構成する必要があったが、上部層１２にはそのような制限がなく、その構成材料として体積抵抗率が比較的高いもの（具体的には、体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える高体積抵抗率材料）が許容される。この高体積抵抗率材料においては、当然のことながら抵抗コントロール用の導電性添加物を添加する必要がなく、高純度の物質から形成することができる。したがって、仮に上部層１２がエッチングされたとしても、基板９の汚染原因となる導電性添加物が放出されることがない。
また、上部層１２にはこのような制限がないので、上部層１２の構成材料として、上記に例示したイットリア等のように、プラズマによるエッチング耐性が比較的高いものを採用することも可能となる。このような材料を採用することで、耐久性に優れたトレイ１０を得ることができる。
【００２９】
＜２−３．下部層１１と上部層１２の構成＞
上述したとおり、トレイ１０は、低体積抵抗率材料から成る下部層１１と、高体積抵抗率材料から成る上部層１２の２層構造となっている。
【００３０】
下部層１１は、平面視において静電チャック部５の上面と略同一サイズおよび略同一形状の、薄型平板形状の部分である。一方、上部層１２は、下部層１１の上面であって、上述した基板載置領域１０１を除く領域を覆うように、設けられる。すなわち、トレイ１０の上部層１２には、基板載置領域１０１に対応した孔が形成される。
このように、トレイ１０では、上方から見て、基板９が載置される部分（基板載置領域）１０１の全体（あるいは一部）が、低体積抵抗率材料で構成され、それ以外のプラズマに曝される部分が、高体積抵抗率材料で構成される。これにより、トレイ１０と基板９の間の密着性が向上し、プラズマ処理により基板９に生じる熱がより良くトレイ１０を通して外部に放出されるようになる。
【００３１】
また、基板載置領域１０１を除く領域に上部層１２が設けられることによって、トレイ１０の上面には、基板載置領域１０１を底面とする凹部が形成され、これが上述した座ぐり部１０２を構成する。
座ぐり部１０２が形成されることにより、基板載置領域１０１が相対的に低い位置に配置される。したがって、ここに載置される基板９の上面とトレイ１０の上面の離間距離が小さくなり、特に、座ぐり部１０２の深さを基板９の厚みと同程度としておけば、これらの各上面が面一となる。これによって、基板載置領域１０１に載置される基板９がプラズマによってより均一に処理されるようになる。また、低体積抵抗率材料により構成される基板載置領域１０１が相対的に低い位置に配置されるので、基板載置領域１０１（すなわち、基板９の下側の部分）からの不純物の放出（すなわち、当該部分がプラズマでエッチングされることによって生じる不純物の放出）が、より少なく抑えられる。
【００３２】
上部層１２は、図３（ａ）に示されるように、下部層１１の上面側のみを覆うように構成してもよいし、図３（ｂ）に示されるように、当該上面側に加えて、下部層１１の側面を覆うように構成してもよい。下部層１１の側面が上部層１２に覆われる構成によると、下部層１１の側面部分がプラズマでエッチングされて不純物が放出されるといった事態が生じない。もっとも、トレイ１０の側面が曝されるプラズマの強度はトレイ１０の上面が曝されるプラズマの強度に比べて小さく、当該側面は上面に比べてエッチングされにくい。したがって、下部層１１の側面が上部層１２に覆われることは必須ではない。
【００３３】
＜２−４．トレイ１０の形成態様＞
上述したとおり、トレイ１０は、薄型平板形状の下部層１１とその表面の一部分のみを覆う上部層１２とを含んで構成されるところ、トレイ１０は、下部層１１とこれと別体に形成された上部層１２とが組み合されることにより形成されたものであってもよいし（第１の形成態様）、下部層１１と上部層１２とが一体に形成されたものであってもよい（第２の形成態様）。
【００３４】
＜ｉ．第１の形成態様＞
第１の形成態様について具体的に説明する。
まず、低体積抵抗率材料を例えば焼成して所定の薄型の平板形状に成形して、下部層１１を得る。一方で、高体積抵抗率材料を例えば焼成して、下部層１１の上面の全体を覆う薄型の平板形状（あるいは、下部層１１の上面の全体および側面の全体を覆う断面門型形状）に成型する。そして、得られた部材における、上述した基板載置領域１０１に相当する各位置に孔（貫通窓）を形成する。これによって、上部層１２が得られる。この上部層１２を下部層１１の上に被せることにより、トレイ１０を得ることができる。
【００３５】
第１の形成態様によると、低体積抵抗率材料からなる下部層１１と高体積抵抗率材料からなる上部層１２とが分離可能に形成されるので、下部層１１だけ（あるいは上部層１２だけ）を交換することができる。例えば、異なる材料で形成された上部層１２を複数個作製しておき、プロセス条件に応じて最適な上部層１２を選択して用いることができる。また例えば、上部層１２が不要なプロセス条件の場合は、上部層１２を取り外して下部層１１だけをトレイとして用いることで、上部層１２の無駄な消耗を抑制できる。
また、第１の形成態様によると、例えば、孔のサイズや形成位置が異なる上部層１２を複数個作製しておき、トレイ１０に載置するべき基板９のサイズや個数に応じて最適な上部層１２を選択するようにできる。つまり、トレイ１０に載置するべき基板９のサイズや個数が異なる場合でも、共通の下部層１１を使用することができる。
【００３６】
＜ii．第２の形成態様＞
第２の形成態様について具体的に説明する。
まず、低体積抵抗率材料を例えば焼成して所定の薄型の平板形状に成形して、下部層１１を得る。そして、下部層１１における基板載置領域１０１を除く領域に、高体積抵抗率材料を例えば溶射して、高体積抵抗材料からなる被覆（すなわち、上部層１２）を形成する。これによって、トレイ１０を得ることができる。
【００３７】
第２の形成態様によると、上部層１２が消耗されてその厚みが小さくなってきた場合に、再び高体積抵抗率材料等を溶射することで、上部層１２の厚みを所期の状態に戻すことができる。
また、第２の形成態様によると、トレイ１０において、下部層１１と上部層１２の間に隙間が形成されない（あるいは、当該隙間が形成されたとしてもごく小さなものとなる）。したがって、トレイ１０の熱伝導性が高まる。その結果、プラズマ処理により基板９及びトレイ１０に生じる熱が、トレイ１０を通して外部に良好に放出される。
また、第２の形成態様によると、上部層１２の厚みの調整が容易である。したがって例えば、当該厚みをごく薄いものとすることで、トレイ１０全体を薄型化してスペース効率を高めることができる。
また、第２の形成態様によると、定められた位置に精確に上部層１２を形成することができる。
【００３８】
＜３．他の実施形態＞
上記の実施形態においては、下部層１１は、その上面が平坦な形状とされていたが（図３）、下部層１１において、その上面における基板載置領域１０１の全体を除く領域、あるいは、基板載置領域１０１の一部分を除く領域が、それ以外の領域の上面位置よりも沈下（沈床）されていてもよい。
図４には、基板載置領域１０１の全体を除く領域が沈下される場合が例示されている。また、図５には、基板載置領域１０１の一部分（ここでは中央部分）を除く領域が沈下される場合が例示されている。
これらの各構成によると、当該沈下された幅分だけ上部層１２の厚みが大きくなるので、トレイ１０のプラズマに対する耐久性が高まる。
特に、図５に例示される構成によると、基板載置領域１０１の一部分（ここでは、リング状の周縁部分）が、高体積抵抗率材料で形成される上部層１２により構成されることになる。当該リング状の周縁部分は、基板載置領域１０１に基板９が載置されたときに、基板９によって覆われない（すなわち、プラズマに曝される）可能性が高いところ、当該周縁部分が高体積抵抗率材料で形成されることで、当該周縁部分がエッチングされて不純物が放出されることが回避される。
なお、図４、図５に示される各例において、上部層１２は、図４（ａ）、図５（ａ）に示されるように、下部層１１の上面側のみを覆うように構成してもよいし、図４（ｂ）、図５（ｂ）に示されるように、当該上面側に加えて、下部層１１の側面を覆うように構成してもよい。
【００３９】
上記の実施形態において、例えば図６に示されるように、基板載置領域１０１に、冷却媒体が流通するための溝からなる冷却通路１０３が設けられることも好ましい。冷却通路１０３は、例えば、図７（ａ）に示されるように、基板載置領域１０１の中心から放射状に延在してもよいし、図７（ｂ）に示されるように、基板載置領域１０１の中心と同心に配置された複数の円に沿って形成されてもよい。
トレイ１０に冷却通路１０３を設けることによって、トレイ１０に載置された基板９を、冷却通路１０３を流れる冷却媒体に、直接的に接触させることができるので、基板９を効果的に冷却できる。
【００４０】
トレイ１０に冷却通路１０３を設ける場合、冷却通路１０３を、例えば連通路１０４を介して、誘電層４の上面に設けられた溝６と連通させることも好ましい。
こうすることによって、溝６に流通される冷却媒体を、冷却通路１０３にまで流通させることができる。つまり、１つの流通通路で、誘電層４とトレイ１０の間、及び、トレイ１０と基板９の間に、冷却媒体を流すことができる。したがって、プラズマ処理の間、効率よく基板９を冷却することができるようになる。
【００４１】
上記の実施形態において、第１の形成態様によりトレイ１０を形成する場合（特に、上部層１２に下部層１１の側面を覆う部分が設けられない場合（図３（ａ））、下部層１１と上部層１２とを位置合わせするとともに位置ずれを防止ための要素を設けることも好ましい。
具体的には例えば、下部層１１および上部層１２のうちの一方（例えば、下部層１１）に、その外周縁の３箇所以上の位置に立設する位置決めピンを設ければよい。この構成によると、下部層１１に上部層１２が被せられた状態において、位置決めピンが上部層１２の側面に当接することにより、各部分１１，１２が位置決めされる。
なお、この場合、位置決めピンが立設されない方の部分の外周縁における、位置決めピンと対応する位置に、けがき等のマークを設けることも好ましい。この構成によると、位置決めピンをマーク位置に合わせることで、両部分１１，１２の回転位置を位置合わせできる。
【００４２】
上記の実施形態においては、トレイ１０は、下部層１１と上部層１２のみからなる２層構造であるとしたが、トレイ１０はそれ以外の層を含んでいてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１００…プラズマ処理装置
１…真空容器
２…上部電極
３…下部電極
４…誘電層
５…静電チャック部
６…溝
７…冷却機構
９…基板
１０…プラズマ処理用トレイ（トレイ）
１１…下部層
１２…上部層
１０１…基板載置領域
１０２…座ぐり部
１０３…冷却通路
１０４…連通路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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