(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶分子の配向を高度に制御することができ、高い表示品質を有する液晶素子、および液晶素子を有する表示装置、ならびにこれらの作製方法を提供する。【解決手段】表示装置は、ゲート電極１３２、半導体膜１３４、ゲート電極１３２と半導体膜１３４に挟まれたゲート絶縁膜１４０を有するトランジスタ１３０と、トランジス１３０上の絶縁膜と、絶縁膜上の酸化物膜１５０を有する。酸化物膜１５０は、トランジスタ１３０と電気的に接続される第１の領域１５２と、第１の領域１５２と接する第２の領域１５４を有する。第１の領域１５２の導電性は第２の領域１５４の導電性よりも高く、第１の領域１５２の上面と第２の領域１５４の上面は連続する。【選択図】図４
2018010107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極、半導体膜、前記ゲート電極と前記半導体膜に挟まれたゲート絶縁膜を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物膜を有し、
前記酸化物膜は、
前記トランジスタと電気的に接続される第１の領域と、
前記第１の領域と接する第２の領域を有し、
前記第１の領域の導電性は前記第２の領域の導電性よりも高く、
前記第１の領域の上面と前記第２の領域の上面は連続する表示装置。
【請求項２】
前記第１の領域は櫛歯の形状を有し、
前記第２の領域の少なくとも一部は、一対の前記櫛歯に挟まれる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の領域と前記第２の領域に接する配向膜と、
前記配向膜上の液晶層と、
前記液晶層上の共通電極をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜の下に、前記第１の領域と重なる共通電極をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
ゲート電極、半導体膜、前記ゲート電極と前記半導体膜に挟まれたゲート絶縁膜を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物膜を有し、
前記酸化物膜は、
前記トランジスタと電気的に接続される第１の領域と、
前記第１の領域から電気的に独立し、一定電圧が印加されるように構成される第３の領域と、
前記第１の領域と前記第３の領域と接し、前記第１の領域と前記第３の領域に挟まれる第２の領域を有し、
前記第１の領域と前記第３の領域の導電性は前記第２の領域の導電性よりも高く、
前記第１の領域の上面、前記第２の領域の上面、および前記第３の領域の上面は連続する表示装置。
【請求項６】
前記第２の領域は、電気的に絶縁体あるいは半導体である、請求項１または５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記酸化物膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛の少なくとも一つの酸化物を含む、請求項１または５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記トランジスタはソース電極とドレイン電極を有し、
前記第１の領域は、前記絶縁膜中の開口部において前記ソース電極と前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続し、
前記絶縁膜は前記開口部において、前記ソース電極と前記ドレイン電極の前記いずれかと接する、請求項１または５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の領域と前記第３の領域は櫛歯の形状を有し、
前記第１の領域の前記櫛歯と前記第３の領域の前記櫛歯は互いに噛合う、請求項５に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に接する配向膜と、
前記配向膜上の液晶層をさらに有する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項１１】
ゲート電極、半導体膜、前記ゲート電極と前記半導体膜に挟まれたゲート絶縁膜を有するトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に絶縁膜を形成し、
前記前記絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部を覆うように前記絶縁膜上に酸化物膜を形成し、
前記酸化物膜内に第１の領域と第２の領域を形成することを含み、
前記第１の領域と前記第２の領域の形成は、前記第１の領域が前記第２の領域よりも高い導電性を有し、前記第１の領域が前記開口部において前記トランジスタに接続されるように行う、表示装置の作製方法。
【請求項１２】
前記開口部は、前記トランジスタのソース電極とドレイン電極のいずれかを露出するように形成し、
前記開口部内の前記第１の領域の一部を除去して前記ソース電極と前記ドレイン電極の前記いずれかの一部を露出することをさらに含む、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項１３】
前記第１の領域と前記第２の領域の形成は、前記第１の領域が導電性を有し、前記第２の領域が絶縁性を有するように行う、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項１４】
前記第１の領域の形成は、前記酸化物膜を部分的にプラズマ処理することによって行う、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項１５】
前記第１の領域と前記第２の領域の形成は、前記第１の領域が櫛歯の形状を有し、前記第２の領域の少なくとも一部が一対の前記櫛歯に挟まれるように行う、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項１６】
前記酸化物膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛の少なくとも一つの酸化物を含む、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項１７】
前記第１の領域と前記第２の領域上に、前記第１の領域と前記第２の領域と接する配向膜を形成し、
対向基板上に共通電極を形成し、
前記配向膜と前記共通電極の間に液晶層を配置することをさらに含む、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項１８】
前記絶縁膜の下に、前記第１の領域と重なる共通電極を形成することをさらに含む、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項１９】
前記酸化物膜中に第３の領域を形成することをさらに含み、
前記第３の領域の形成は、前記第３の領域が前記第２の領域よりも導電性が高く、前記第２の領域が前記第１の領域と前記第３の領域に挟まれるように行う、請求項１１に記載の作製方法。
【請求項２０】
前記第３の領域は、前記酸化物膜を部分的にプラズマ処理することによって行う、請求項１９に記載の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置などの表示装置、およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の代表例として液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は複数の液晶素子を有しており、液晶素子は、一対の電極（画素電極、対向電極）と、これらに挟まれる液晶性を有する化合物（液晶分子）の層（液晶層）を基本構成として有している。液晶素子を挟むように配置される一対の偏光板の一方を通して液晶層に入射される偏光は、液晶層によってその偏光面が回転され、もう一方の偏光板を通して出射される。偏光面の回転は液晶層内の液晶分子の配向によって決まる。一対の電極を用いて液晶層に電場を形成することにより、液晶分子は初期における配向状態から、電場によって決まる配向状態へ変化する。この配向状態の変化に伴って液晶素子の光透過率が変化し、諧調表示が実現される。
【０００３】
液晶層の初期配向は、液晶層に接するように設けられる配向膜や、一対の電極の形状、あるいは液晶層中に設けられる構造体などによって制御される。あるいは、液晶性を有するモノマーを液晶層中に添加し、液晶層に電場を形成しながらモノマーを重合させてポリマーマトリックスを形成し、これによって液晶分子のプレチルト角を含む初期の配向を制御することも可能である。この手法を用いて作製される液晶素子はＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶素子と呼ばれ、視野角の大きい液晶表示装置を与えることができる（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５７８３０号公報
【特許文献２】国際公開第２０１０／１２２８００号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本出願は、液晶分子の配向を高度に制御することができ、高い表示品質を有する液晶素子、および液晶素子を有する表示装置、ならびにこれらの作製方法を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは、ゲート電極、半導体膜、ゲート電極と半導体膜に挟まれたゲート絶縁膜を有するトランジスタと、トランジスタ上の絶縁膜と、絶縁膜上の酸化物膜を有する表示装置である。酸化物膜は、トランジスタと電気的に接続される第１の領域と、第１の領域と接する第２の領域を有する。第１の領域の導電性は第２の領域の導電性よりも高く、第１の領域の上面と第２の領域の上面は連続する。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは、ゲート電極、半導体膜、ゲート電極と半導体膜に挟まれたゲート絶縁膜を有するトランジスタと、トランジスタ上の絶縁膜と、絶縁膜上の酸化物膜を有する表示装置である。酸化物膜は、トランジスタと電気的に接続される第１の領域と、第１の領域から電気的に独立し、一定電圧が印加されるように構成される第３の領域、ならびに第１の領域と第３の領域と接し、第１の領域と第３の領域に挟まれる第２の領域を有する。第１の領域と第３の領域の導電性は第２の領域の導電性よりも高く、第１の領域の上面、第２の領域の上面、および第３の領域の上面は連続する。
【０００８】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の作製方法である。作製方法は、ゲート電極、半導体膜、ゲート電極と半導体膜に挟まれたゲート絶縁膜を有するトランジスタを形成すること、トランジスタ上に絶縁膜を形成すること、絶縁膜に開口部を形成すること、開口部を覆うように絶縁膜上に酸化物膜を形成すること、および酸化物膜内に第１の領域と第２の領域を形成することを含む。第１の領域と第２の領域の形成は、第１の領域が第２の領域よりも高い導電性を有し、第１の領域がトランジスタと電気的に接続されるように行う。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態の表示装置の上面模式図。
【図２】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図３】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図４】本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。
【図５】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図６】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図７】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図８】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図９】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１０】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図１１】本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。
【図１２】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図１３】本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１３】
ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって本明細書および請求項においては、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１４】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである表示装置１００の構造に関し、図１乃至図３を用いて説明する。
【００１５】
［１．全体構成］
表示装置１００は、基板１０２上に画素領域１０４を有しており、画素領域１０４には複数の画素１０６が設けられる。画素１０６には表示素子として液晶素子が備えられる。例えば隣接する画素１０６が赤色、緑色、あるいは青色を与えるように液晶素子やその周辺構造を構築することで、フルカラー表示を行うことができる。画素１０６の配列に制限はなく、ストライプ配列やデルタ配列などを採用することができる。
【００１６】
表示装置１００はさらに、画素１０６に種々の信号を与えるための駆動回路を有しており、例えば図１に示すように、ゲート側駆動回路１０８、１１０、ソース側駆動回路１１２などを基板１０２上に有することができる。図１では二つのゲート側駆動回路１０８、１１０が画素領域１０４の両側に設けられる例が示されているが、ゲート側駆動回路は一つでもよい。これらの駆動回路１０８、１１０、１１２の一部、あるいはすべてを基板１０２上に設置する必要はなく、例えば半導体基板上に形成された集積回路（ＩＣ）で構成される駆動回路を基板１０２上、あるいはコネクタ１１４上に設置してもよい。図１では、駆動回路の一部としてＩＣ１１６がコネクタ１１４上に設けられる例が示されている。
【００１７】
コネクタ１１４は図示しない外部回路から電源や信号を駆動回路１０８、１１０、１１２へ供給する機能を有する。コネクタ１１４として、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）などを用いることができる。外部回路からの信号が駆動回路１０８、１１０、１１２を経由して各画素１０６へ供給され、映像が画素領域１０４上に再現される。
【００１８】
［２．画素］
図２に、画素１０６の模式図を示す。表示装置１００は複数の画素１０６と電気的に接続される複数の走査線１２０、複数の信号線１２２を有している。複数の走査線１２０は、図１に示すゲート側駆動回路１０８、１１０へ接続され、複数の信号線１２２はソース側駆動回路１１２、および／あるいはＩＣ１１６と接続される。一つの走査線１２０は、走査線１２０が伸びる方向に配置される複数の画素１０６と接続され、一方、一つの信号線１２２は、信号線１２２が伸びる方向に配置される複数の画素１０６と接続される。
【００１９】
各画素１０６には少なくとも一つのトランジスタ１３０を設けることができる（図２）。トランジスタ１３０は、走査線１２０の一部（図中、下側に突き出た部分）、信号線１２２の一部（図中、右側に突き出た部分）、半導体膜１３４、ソース電極１３６などから構成される。走査線１２０の一部は後述するゲート電極１３２として、信号線１２２の一部はソース電極１３６と対を形成してドレイン電極１３８として機能する。図示しないが、各画素１０６はトランジスタ１３０以外に他のトランジスタや容量などの半導体素子を有してもよい。なお、本明細書と請求項において、ソース電極１３６とドレイン電極１３８は、電流の向きなどによって互いに入れ替わることがある。このような場合、ソース電極は１３８となり、１３６がドレイン電極として働く。
【００２０】
画素１０６はさらに酸化物膜１５０を有している。酸化物膜１５０はインジウムやガリウムなどの１３族元素、亜鉛などの１２族元素、あるいはゲルマニウムやスズなどの１４族元素などの酸化物を含有することができる。さらに酸化物膜１５０は、可視光に対して透明性を有することができる。酸化物膜１５０は第１の領域１５２と第２の領域１５４を有する。第１の領域１５２と第２の領域１５４は互いに接する。第１の領域１５２は第２の領域１５４よりも導電性が高く、トランジスタ１３０と電気的に接続される。第１の領域１５２は導電体として振る舞うことができ、画素１０６において画素電極として機能する。一方、第２の領域１５４は電気的に絶縁体でもよく、半導体でもよい。第１の領域１５２の酸素の組成は、第２の領域１５４のそれよりも小さくてもよい。あるいは、第１の領域１５２における１３族非金属元素、あるいは１５族元素の組成は、第２の領域１５４のそれよりも高くてもよい。
【００２１】
図２に示すように、第１の領域１５２は櫛歯の形状を持つことができる。このため、第２の領域１５４の少なくとも一部は、一対の櫛歯の間に挟まれる。あるいは図３に示すように、第１の領域１５２は、走査線１２０や信号線１２２に対して平行な方向、垂直な方向、および斜めの方向に伸びる複数のストライプを有するパターンを有していてもよい。このようなパターンは、フィッシュボーン構造とも呼ばれる。
【００２２】
図３の鎖線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図を図４（Ａ）に示す。図４（Ａ）に示すように、各画素１０６において、基板１０２上にトランジスタ１３０が設けられる。図４（Ａ）で示すトランジスタ１３０はボトムゲート型のトランジスタであるが、トランジスタ１３０の構造に制限はなく、トップゲート型でもよく、半導体膜１３４の上下にゲート電極を備える構造を有してもよい。また、半導体膜１３４とソース電極１３６、ドレイン電極１３８の上下関係にも制約はない。
【００２３】
トランジスタ１３０は、ゲート電極１３２、ゲート電極１３２上のゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜１４０上の半導体膜１３４、半導体膜１３４の上に位置し、半導体膜１３４と電気的に接続されるドレイン電極１３８、ソース電極１３６などを有する。トランジスタ１３０はさらに、任意の構成として、半導体膜１３４内に形成されるチャネル領域を保護するためのチャネル保護膜１４２を有してもよい。図示していないが、表示装置１００は、基板１０２とトランジスタ１３０の間に、基板１０２内の不純物からトランジスタ１３０を保護するためのベースフィルムを有してもよい。
【００２４】
トランジスタ１３０の上には、任意の構成として層間膜１４４を設けることができる。層間膜１４４はトランジスタ１３０の保護膜として機能する。トランジスタ１３０の上には、トランジスタ１３０やその他の半導体素子に起因する凹凸を吸収し、平坦な面を与えるための平坦化膜１４６が設けられる。平坦化膜１４６には、開口部が設けられる。平坦化膜１４６上に酸化物膜１５０が設けられ、開口部を介して酸化物膜１５０の第１の領域１５２がソース電極１３６と電気的に接続される。
【００２５】
図４（Ｂ）に、ソース電極１３６と第１の領域１５２が接触する部分の拡大図を示す。本実施形態で例示する表示装置１００の画素１０６では、図４（Ｂ）に示すように、開口部の底面における第１の領域１５２の厚さは、平坦化膜１７４の上の第１の領域１５２の厚さと同じ、あるいは実質的に同じであり、このため、ソース電極１３５と重なる第１の領域１５２の形状に開口部の形状が反映される。この場合、酸化物膜１５０を覆う第１の配向膜１６０（後述）の一部は開口部内に存在する（図４（Ｂ）中、楕円で囲った領域参照）。第２実施形態で述べるように、第１の領域１５２は酸化物膜１５０の導電化処理によって形成されるが、酸化物膜１５０の厚さが大きい場合には酸化物膜１５０の底面まで導電化が進行せず、第１の領域１５２とソース電極１３５との電気的接続が不十分になることがある。したがって、図４（Ａ）、あるいは４（Ｂ）に示すように、開口部の底面における第１の領域１５２の厚さを平坦化膜１７４の上の第１の領域１５２の厚さと同じ、あるいは実質的に同じになるよう、酸化物膜１５０を形成することが好ましい。
【００２６】
あるいは、図４（Ｃ）に示すように、ソース電極１３６と第１の配向膜１６０が直接接するように開口部内の第１の領域１５２の一部を除去してもよい。この場合には、ソース電極１３６と第１の配向膜１６０が接する領域は、第１の領域１５２によって挟まれる、あるいは取り囲まれる。
【００２７】
一方、第１の領域１５２の底面まで十分に導電化ができる場合には、開口部を埋めるように酸化物膜１５０を形成してもよい（図４（Ｄ））。あるいは、酸化物１５０の形成前に、金属などの高い導電性を有する材料で開口部を埋めるようにソース電極１３６と接する接続電極１４８を形成し、その後、接続電極１４８を覆うように酸化物膜１５０を形成してもよい（図４（Ｅ））。
【００２８】
詳細は第２実施形態で述べるが、酸化物膜１５０の第１の領域１５２の上面と第２の領域１５４は、同一層内に存在することができる。このため、これらの領域の厚さには差が存在しない、あるいは大きな差が存在しない。したがって、これらの領域の上面は同一の、あるいは実質的に同一の平面内に存在することができる、第１の領域１５２の上面と第２の領域１５４の上面で、平坦な、あるいは実質的に平坦な一つの平面を与える。なお、本明細書および請求項において実質的に同一平面内とは、隣接する二つの膜の上面が完全に同一平面であること、および、隣接する二つの膜の上面の高さの差が、厚い方の膜の厚さの１０％以内であることを含む。
【００２９】
酸化物膜１５０の上には、酸化物膜１５０を覆う第１の配向膜１６０を設けることができる。第１の配向膜１６０は酸化物膜１５０と接することができる。第１の領域１５２の上面と第２の領域１５４の上面が実質的に平坦な一つの平面を与えるため、酸化物膜１５０の上では、第１の配向膜１６０も平坦な面を形成することができる。
【００３０】
表示装置１００はさらに、第１の配向膜１６０上に液晶層１６２、および液晶層１６２上に第２の配向膜１６４を有する。第２の配向膜１６４上には、対向電極１６６、遮光膜１６８、カラーフィルタ１７０が設けられ、これらの上に対向基板１８０が設けられる。基板１０２の下、および対向基板１８０の上には偏光板１８２、１８４が設けられ、これらは互いにクロスニコルの関係となるように設置される。任意の構成として、遮光膜１６８やカラーフィルタ１７０を保護する保護膜を設けてもよい。
【００３１】
遮光膜１６８は、酸化物膜１５０と重なる開口部を有しており、開口部と重なるようにカラーフィルタ１７０が備えられる。バックライトや外光によって表示装置１００に照射される光は、一部は遮光膜１６８によって遮られ、一部はカラーフィルタ１７０を透過し、後者が映像を形成する。遮光膜１６８はトランジスタ１３０、ならびに酸化物膜１５０の周辺を覆うように形成される。したがって各画素１０６において、遮光膜１６８の開口部が表示領域１９０であり、遮光膜１６８が形成される領域が遮光領域１９２である。
【００３２】
第１の領域１５２は画素電極として機能し、トランジスタ１３０を介して映像信号に対応する電位が与えられる。一方、対向電極１６６には一定電位が与えられる。第１の領域１５２と対向電極１６６の電位差、あるいは電位を与える時間を制御することで液晶層１６２中の液晶分子の配向が制御され、これにより、各画素の透過率を制御することができ、諧調表示が可能となる。
【００３３】
一般的なＰＳＡ液晶表示装置では櫛歯状の画素電極が用いられ、モノマー重合時に液晶層に与えられる電場によって液晶分子の初期配向が制御される。しかしながら重合が終了して電場が取り去られると、櫛歯状の画素電極は液晶層に凹凸を与える構造体となるため、画素電極近傍の液晶分子の配向を乱す原因となる。このような配向乱れは、液晶層に入射される偏光の回転に悪影響を与え、光漏れなどの表示不良を引き起こす。
【００３４】
しかしながら、表示装置１００では、画素電極として働く第１の領域１５２の上面は、それに接する第２の領域１５４の上面と同一平面内に存在する。このため、第１の領域１５２は液晶層１６２に対し、表示領域１９０において凹凸を形成しない。したがって、酸化物膜１５０の第１の領域１５２は櫛歯状の画素電極であるにもかかわらず、液晶分子の配向乱れを引き起こさない。その結果、光漏れが起こらず、表示装置１００は高いコントラストを有する高品質の画像を提供することができる。
【００３５】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態の表示装置１００の作製方法を、図５乃至図９を用いて説明する。図５乃至図９は、図３の鎖線Ａ−Ａ’に沿った断面図に相当する。第１実施形態と同一の構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００３６】
［１．トランジスタ］
まず、基板上１０２上に、一部がゲート電極１３２として機能する走査線１２０を形成する（図５（Ａ））。基板１０２は、トランジスタ１３０や液晶層１６２、あるいはゲート側駆動回路１０８、１１０、ソース側駆動回路１１２に含まれる半導体素子などを支持する機能を有する。したがって基板１０２には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、基板１０２はガラスや石英、プラスチックなどを含むことができる。
【００３７】
走査線１２０は、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成する。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。走査線１２０はスパッタリング法や化学気相堆積（ＣＶＤ）法などを用いて形成することができる。
【００３８】
図示していないが、基板１０２と走査線１２０の間に、下地膜を任意の構成として形成してもよい。下地膜は基板１０２からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１３０などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜であり、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜はＣＶＤ法やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。
【００３９】
次にゲート電極１３２を覆うようにゲート絶縁膜１４０を形成する（図５（Ａ））。ゲート絶縁膜１４０は窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。ゲート絶縁膜１４０は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。
【００４０】
引き続き、ゲート絶縁膜１４０上に、ゲート電極１３２と重なるように半導体膜１３４を形成する（図５（Ｂ））。半導体膜１３４は例えばケイ素などの１４族元素を含むことができる。あるいは半導体膜１３４は酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。酸化物半導体を用いる場合、半導体膜１３４はさらに１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜１３４の結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスでもよい。
【００４１】
半導体膜１３４がケイ素を含む場合、半導体膜１３４は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜１３４が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
【００４２】
半導体膜１３４の上には、任意の構成として、チャネル保護膜１４２を形成してもよい。チャネル保護膜１４２は、ゲート絶縁膜１４０と同様の材料や構造を含むことができ、同様の方法で形成することができる。チャネル保護膜１４２を形成することにより、ソース電極１３６やドレイン電極１３８の形成時に半導体膜１３４を保護することができる。
【００４３】
次に、ゲート絶縁膜１４０と半導体膜１３４を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って金属膜を加工することで、ソース電極１３６、ドレイン電極１３８を形成する（図５（Ｃ））。ソース電極１３６、ドレイン電極１３８は半導体層１３４と電気的に接続される。金属膜は、上述したゲート電極１３２が取りうる構造から選択される構造を有することができ、ゲート電極１３２と同様の手法を用いて形成することができる。チャネル保護膜１４２を形成する場合、ソース電極１３６とドレイン電極１３８のそれぞれの一部は、チャネル保護膜１４２と重なる。以上の工程により、トランジスタ１３０が形成される。
【００４４】
［２．酸化物膜］
引き続き、ソース電極１３６、ドレイン電極１３８上に層間膜１４４を形成する。層間膜１４４は、ゲート絶縁膜１４０と同様の構造をとることができ、同様の方法で形成することができる。
【００４５】
次に平坦化膜１４６を、層間膜１４４上に形成する（図５（Ｄ））。平坦化膜１４６は、トランジスタ１３０などに起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜１４６は、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂などから選ばれる樹脂を含む硬化性樹脂組成物から形成される。このような硬化性樹脂組成物としては、特許３２４１３９９号公報、特許４２０７６０４号公報、特許４７８４２８３号公報、特許４７８４２８３号公報、特許４６３７２０９号公報、特許４６３７２２１号公報等に記載の硬化性樹脂組成物を適用することができる。平坦化膜１４６は、スピンコーティング法やディップコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。平坦化膜１４６の上、あるいは下には、さらに無機絶縁体を含む層が備えられてもよい。この場合、無機絶縁体としては酸化ケイ素や窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などのシリコンを含有する無機絶縁体が挙げられ、これらを含む膜はスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成することができる。
【００４６】
その後、層間膜１４４、平坦化膜１４６に対してエッチングを行い、ソース電極１３６に達する開口部を形成する（図５（Ｄ））。引き続き、開口部を埋めるように、平坦化膜１４６上に酸化物膜１５０を形成する（図６（Ａ））。酸化物膜１５０は可視光を透過する材料を含むことが好ましい。例えば酸化物膜１５０は第１実施形態で述べた元素の酸化物を含むことができ、具体的には、ＩＧＯやＩＧＺＯなどの混合酸化物を含むことができる。酸化物膜１５０は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、原子堆積（ＡＬＤ）法などを用いて形成することができる。形成条件にも依存するが、形成直後の酸化物膜１５０は電気的には半導体、あるいは絶縁体であってもよい。酸化物膜１５０をスパッタリング法で形成する場合、酸素ガスを含む雰囲気、例えばアルゴンと酸素ガスの混合雰囲気中で行うことができる。この時、アルゴンの分圧を酸素ガスの分圧より小さくしてもよい。これにより、結晶欠陥の少ない酸化物膜１５０が得られる。
【００４７】
次に、酸化物膜１５０をエッチングによって加工する。このとき、多諧調マスクを用いることで、マスク数を減らし、かつ、工程を短縮することができる。具体的には、酸化物膜１５０上にレジスト２１０を湿式成膜法、あるいはラミネート法などを用いて形成する。次に多諧調マスクとして、例えば図６（Ｂ）に示すようなハーフトーンマスク２００をレジスト２１０上に設置し、露光を行う。ハーフトーンマスク２００は、ガラスや石英を含む基板２０２に、透過部２０４、遮光部２０８、および半透過部２０６が設けられたフォトマスクである。
【００４８】
レジスト２１０がネガ型の場合、透過部２０４の下に位置するレジストは、露光により溶解性が向上し、引き続く現像によって取り除くことができる。これに対し、遮光部２０８の下に位置するレジスト２１０では実質的に光反応が進行しないため、現像後もレジスト２１０が酸化物膜１５０上に残存する。半透過部２０６の下に位置するレジスト２１０では、光反応が一部進行するため、光照射後の溶解性は十分に向上せず、一部のレジスト２１０が残存する。その結果、厚さの異なる領域を複数有するレジストマスク２１２を形成することができる（図６（Ｃ））。本実施形態では、第１の領域１５２を形成する領域に半透過部２０６が位置し、第２の領域１５４が形成される領域に遮光部２０８が位置するよう、ハーフトーンマスク２００を設計、配置する。
【００４９】
レジストマスク２１２の形成後、酸化物膜１５０のレジストマスク２１２から露出した部分に対してエッチングを行い、酸化物膜１５０をパターニングする（図７（Ａ））。これにより、隣接する画素１０６間で酸化物膜１５０が分離される。
【００５０】
その後レジストマスク２１２に対してアッシングを行い、レジストマスク２１２の厚さを減少させる。アッシングは、例えば酸素存在下、プラズマでレジストマスク２１２を処理することで行うことができる（図７（Ａ））。この時、レジストマスク２１２のうち、厚さが小さい部分が消失するようにアッシングを行う（図７（Ｂ））。これにより、レジストマスク２１２のうち、厚さの大きい領域を選択的に残存させることができる。すなわち、酸化物膜１５０のうち、第１の領域１５２を形成する部分を露出させ、第２の領域１５４を形成する部分をレジストマスク２１２によって覆うことができる。
【００５１】
この状態で酸化物膜１５０に対して、導電化処理を行い、レジストマスク２１２から露出した部分の導電性を増大させ、第１の領域１５２を形成するとともに、第２の領域１５４を形成する。導電化処理は、例えば酸化物膜１５０をアルゴンや窒素（Ｎ2）、酸化窒素（Ｎ2Ｏ）などのプラズマで処理することで行うことができる。あるいは、ホウ素などの１３族非金属元素やリン、ヒ素などの１５族元素のイオンを注入してもよい。プラズマ処理やイオン注入により、酸化物膜１５０中に酸素欠陥の生成を誘発してドナー準位を形成することで導電性を大幅に増大させることができる。これに対し、レジストマスク２１２で覆われた部分（すなわち、第２の領域１５４）はプラズマやイオンに晒されないため、成膜時の導電性が維持され、実質的に絶縁体、あるいは半導体として振る舞うことができる（図７（Ｂ）、（Ｃ））。
【００５２】
なお、レジストマスク２１２を形成せず、エキシマ―レーザなど、紫外領域に波長を有するレーザを酸化物膜１５０に対して部分的に照射し、導電化処理を行って第１の領域１５２を形成してもよい。
【００５３】
上述した導電化処理によって酸化物膜１５０から第１の領域１５２と第２の領域１５４が形成される。このため、これらの領域は同一の層内に存在する。また、導電化処理が酸化物膜１５０の厚さに対して影響を与えない、あるいは実質的に影響を与えない場合、第１の領域１５２と第２の領域１５４の上面は同一の、あるいは実質的に同一の平面上に存在し、その結果、高い導電性を有する領域と絶縁体、あるいは半導体として振る舞う領域を有し、かつ平坦な上面を有する酸化物膜１５０を与えることができる。導電化処理によって第１の領域１５２と第２の領域１５４の膜厚に差が生じる場合でも、主成分の組成は劇的には変化しないため、その差は小さい。したがって、第１の領域１５２と第２の領域１５４の上面は連続し、比較的平坦性の高い上面を有する酸化物膜１５０を得ることができる。
【００５４】
ここで、ソース電極１３６と第１の配向膜１６０が直接接するように開口部内の第１の領域１５２の一部を除去してもよい。これにより、図４（Ｃ）に示すように、ソース電極１３６と第１の配向膜１６０が接する領域が、第１の領域１５２によって挟まれる、あるいは取り囲まれる構造が得られる。
【００５５】
導電化処理後、レジストマスク２１２を取り除き（図８（Ａ））、その後平坦化膜１４６、および酸化物膜１５０上に第１の配向膜１６０を形成する（図８（Ｂ））。第１の配向膜１６０はポリイミドやその前駆体、ポリアミド、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステルなどの高分子を含むことができ、湿式法、あるいはラミネート法を用いて形成することができる。第１の配向膜１６０に対し、ラビング処理を行ってもよく、光配向技術で処理をしてもよい。このような光配向技術は、光を用いたラビングレスの配向処理技術であり、例えば、紫外領域の偏光された光を所定方向から配向膜に照射する。そして、配向膜中で光反応を生じさせ、その配向膜表面に異方性を導入して液晶配向制御能を付与する技術である。光配向技術による配向膜を、特に光配向膜と称することがある。
【００５６】
光配向処理の方法としては、光架橋型や光分解型の光配向技術が知られている（例えば、非特許文献１を参照。）。光架橋型では、例えば、ポリビニルシンナメート誘導体からなる配向膜に偏光紫外線を照射し、光二量化による架橋反応を生じさせて配向膜に異方性を導入する。
【００５７】
光分解型では、例えば、ポリイミドからなる配向膜に偏光紫外線を照射し、配向膜中で異方的に光分解反応を生じさせて配向膜に異方性を導入する。この光分解型の光配向技術は、化学的に安定で高い耐熱性を有し、従来から用いられてきたポリイミド配向膜を使用することができるため、より好ましい光配向技術である。光配向材料としては、特許３８９３６５９号報記載の光配向材料を用いることができる。
【００５８】
後述するように、本実施形態で述べる作製方法では、液晶層１６２内で液晶性を有するモノマーを重合させて配向処理を行うことができる。この場合、第１の配向膜１６０としては、特許３８９３６５９号報記載の光配向材料や特開２０１５−０９９３４４号報に記載の配向材料などを用いることが好ましい。
【００５９】
［３．対向基板］
対向基板１８０上に、遮光膜１６８を形成する（図９（Ａ））。遮光膜１６８は、クロムやモリブデンなど比較的反射率の低い金属、あるいは黒色又はそれに近い色の顔料を含有する樹脂材料を用い、蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法、あるいは湿式成膜法を用いて形成することができる。
【００６０】
次に、カラーフィルタ１７０を、遮光膜１６８の開口部に形成する（図９（Ａ））。カラーフィルタ１７０は、遮光膜１６８の一部を覆うように形成してもよい。カラーフィルタ１７０の光学特性は隣接する画素１０６ごとに変え、例えば画素ごとに赤色、緑色、青色の発光を取り出すように形成することができる。なお、遮光膜１６８とカラーフィルタ１７０は下地膜を介して対向基板１８０に設けても良いし、遮光膜とカラーフィルタを覆うように保護膜をさらに設けても良い。あるいは、カラーフィルタ１７０を対向基板１８０上に形成したのちに遮光膜１６８を形成してもよい。
【００６１】
次に、カラーフィルタ１７０と遮光膜１６８を覆うように、対向電極１６６を形成する（図９（Ｂ））。対向電極１６６は可視光を透過でき、かつ、導電性を有する材料で形成することができる。例えばインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電酸化物を用いることができる。これらの材料を含むターゲットを用い、スパッタリング法を適用することで、対向電極１６６を形成することができる。
【００６２】
対向電極１６６上には第２の配向膜１６４を形成してもよい。第２の配向膜１６４は、第１の配向膜１６０と同様の材料を含むことができ、同様の方法で形成することができる。第２の配向膜１６４に対してラビング処理を行ってもよい。
【００６３】
［４．セル組工程］
その後、酸化物膜１５０と対向電極１６６を、基板１０２と対向基板１８０で挟むように基板１０２と対向基板１８０を接着剤を用いて張り合わせる。引き続き、基板１０２と対向基板１８０の間に液晶分子を注入し、液晶層１６２を形成する。あるいは、基板１０２と対向基板１８０のいずれかの上に液晶分子を滴下し、その上に他方を設置し、基板１０２と対向基板１８０の間の空間に液晶分子が広がるように基板１０２と対向基板１８０を貼り合わせてもよい（図９（Ｃ））。液晶層１６２には、酸化物膜１５０と対向電極１６６間の距離を維持するためのスペーサーを添加してもよい。スペーサーの添加の替わりに、基板１０２、あるいは対向基板１８０上に、絶縁体を含むスペーサーを設けてもよい。以上の工程により、表示装置１００が作製される。
【００６４】
［５．配向処理］
ＰＳＡ液晶装置を作製する場合、以下の工程によって液晶層１６２中の液晶分子を配向させることができる。上述したセル組工程の際、液晶性を有するモノマー、並びに光重合開始剤を液晶分子と混合し、これらを基板１０２と対向基板１８０の間の空間に充填する。モノマー中の重合性置換基としては、例えばスチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基などが挙げられる。その後酸化物膜１５０の第１の領域１５２と対向電極１６６の間に電位差を設け、液晶層１６２に電場を印加する。この状態で液晶層に光を照射し、重合を開始する（図９（Ｃ）参照）。モノマーの重合によりポリマーのマトリックスが形成される。このマトリックスにより、液晶分子が電場によって配向された状態が維持され、これが初期の配向状態として液晶層に記憶させることができる。初期の配向状態は、電場の強さや電場の分布により制御することができる。
【００６５】
レジストマスク２１２の形状をハーフトーンマスク２００を用いて適宜設計することで、櫛歯形状やフィッシュボーン形状などの形状を有する画素電極を形成することができる。さらに、このような形状を画素電極に付与しても、画素電極は液晶層に対して凹凸を与えない。したがって、少なくとも表示領域１９０においては、画素電極付近の液晶層の配向の乱れを抑制することができ、高い表示品質を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００６６】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態の表示装置１００とは構造の異なる表示装置２２０に関し、図１０、１１を用いて説明する。図１０は表示装置２２０の画素１０６の上面模式図であり、図１１は図１０の鎖線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図に相当する。第１、第２実施形態と同様の内容に関しては説明を割愛することがある。
【００６７】
表示装置２２０の画素１０６は、酸化物膜１５０が第１の領域１５２、第２の領域１５４以外に第３の領域１５６を有する点が、表示装置１００の画素１０６と異なる点の一つである。
【００６８】
第１の領域１５２は第２の領域１５４よりも導電性が高く、図１０に示すように、櫛歯の形状を有してもよい。櫛歯は屈曲していてもよい。第１の領域１５２はトランジスタ１３０と電気的に接続され、トランジスタ１３０を介して信号線１２２から映像信号が供給される。すなわち、第１の領域１５２は画素電極として機能する。
【００６９】
第３の領域１５６は、第２の領域１５４よりも導電性が高い。第３の領域１５６は第１の領域から電気的に独立されており、一定の電圧が印加されることができる。すなわち、第３の領域１５６は対向電極として機能することができる。第３の領域１５６は、コンタクトホール（図中、点線の丸）を介して電源線１５８と電気的に接続され、第３の領域１５６に与えられる電圧は電源線１５８から供給される。図１０では電源線１５８は走査線１２０と平行な方向に伸びるように設置されているが、電源線１５８は走査線１２０に対して垂直な方向に伸びてもよい。表示装置２２０を反転駆動によって駆動する場合、第１の領域１５２と第３の領域１５６に印加される電圧の極性をフレームごとに互いに入れ替えてもよい。
【００７０】
第３の領域１５６は、第１の領域１５２と同様、櫛歯の形状を有することができる。この場合、第１の領域１５２の櫛歯と第３の領域１５６の櫛歯が互いに噛合うよう、第１の領域１５２と第３の領域１５６を設けてもよい。
【００７１】
第１の領域１５２、第２の領域１５４、第３の領域１５６は、第２実施形態で述べた方法と同様の方法を用いて形成することができる。すなわち、厚さの異なる領域を少なくとも二つ有するレジストマスク２１２を酸化物膜１５０上に形成し、酸化物膜１５０に対してエッチングを行う。その後、レジストマスク２１２に対してアッシングを行って厚さの小さい領域を取り除き、第１の領域１５２と第３の領域１５６を形成する部分を露出させる。その後露出した部分に対してプラズマ処理、あるいはイオン注入を行って導電化処理を行い、第１の領域１５２と第３の領域１５６を形成する。プラズマ処理やイオン注入されない領域が第２の領域１５４となる。
【００７２】
上述した作製方法から理解されるように、また、図１１に示すように、第１の領域１５２と第３の領域１５６は同一層内に存在する。このため、液晶層１６２に対し、主に基板１０２の上面に平行な方向に電場を印加することができ、表示装置２２０は、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶表示装置として機能することができる。したがって、液晶層１６２上に対向電極１６６を設けなくてもよい。
【００７３】
表示装置１００と同様に、第１の領域１５２の上面、第２の領域１５４の上面、および第３の領域１５６の上面は同一平面内に存在する。したがって、画素電極である第１の領域１５２や対向電極である第３の領域１５６は、液晶層１６２に対して凹凸を与えない。このため、画素電極付近の液晶層１６２の配向の乱れを抑制することができ、高い表示品質を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００７４】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１乃至第３実施形態で述べた表示装置１００、２２０とは構造の異なる表示装置２３０に関し、図１２、１３を用いて説明する。図１２は表示装置２３０の画素１０６の上面模式図であり、図１３は図１２の鎖線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図に相当する。第１乃至第３実施形態と同様の内容に関しては説明を割愛することがある。
【００７５】
表示装置２３０の画素１０６は、酸化物膜１５０の下に、ゲート絶縁膜１４０などを介して対向電極１６６が設けられている点が、表示装置１００や２２０のそれと異なる点の一つである（図１３（Ｃ）参照）。
【００７６】
具体的には、表示装置１００と同様に、酸化物膜１５０は第１の領域１５２と第２の領域１５４を有する。第１の領域１５２は第２の領域１５４よりも導電性が高く、櫛歯の形状を有してもよい。櫛歯は屈曲していてもよい。第２の領域１５４の少なくとも一部は、一対の櫛歯の間に挟まれる。第１の領域１５２はトランジスタ１３０と電気的に接続され、トランジスタ１３０を介して信号線１２２から映像信号が供給される。すなわち、第１の領域１５２は画素電極として機能する。
【００７７】
図１３に示すように、表示装置２３０の画素１０６では、基板１０２と酸化物膜１５０との間に、対向電極１６６を有する。対向電極１６６は酸化物膜１５０と重なる。図１３では、対向電極１６６はゲート絶縁膜１４０の下に位置しているが、ゲート絶縁膜１４０と層間膜１４４の間に設けられてもよい。対向電極１６６は、ゲート電極１３２と同一の層内に存在してもよく、別の層内に存在してもよい。
【００７８】
図１３に示すように、画素電極として機能する第１の領域１５２と対向電極１６６はいずれも液晶層１６２の下に位置している。また、第１の領域１５２と対向電極１６６は異なる層内に存在する。このため、液晶層１６２に対し、主に基板１０２の上面に平行な方向に電場を印加することができ、表示装置２２０は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶表示装置として機能することができる。したがって、液晶層１６２上に対向電極１６６を設けなくてもよい。
【００７９】
表示装置１００、２２０と同様に、第１の領域１５２の上面と第２の領域１５４の上面は同一平面内に存在する。したがって、画素電極として機能する第１の領域１５２は液晶層に対して凹凸を与えない。このため、画素電極付近の液晶層１６２の配向の乱れを抑制することができ、高い表示品質を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００８０】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００８１】
上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと理解される。
【符号の説明】
【００８２】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素領域、１０６：画素、１０８：ゲート側駆動回路、１１０：ゲート側駆動回路、１１２：ソース側駆動回路、１１４：コネクタ、１２０：走査線、１２２：信号線、１２２：複数の信号線、１３０：トランジスタ、１３２：ゲート電極、１３４：半導体層、１３６：ソース電極、１３８：ドレイン電極、１４０：ゲート絶縁膜、１４２：チャネル保護膜、１４４：層間膜、１４６：平坦化膜、１５０：酸化物膜、１５２：第１の領域、１５４：第２の領域、１５６：第３の領域、１５８：電源線、１６０：配向膜、１６２：液晶層、１６４：第２の配向膜、１６６：対向電極、１６８：遮光膜、１７０：カラーフィルタ、１７２：保護膜、１８０：対向基板、１８２：偏光板、１８４：偏光板、１９０：表示領域、１９２：遮光領域、２００：ハーフトーンマスク、２０２：基板、２０４：透過部、２０６：半透過部、２０８：遮光部、２１０：レジスト、２１２：レジストマスク、２２０：表示装置、２３０：表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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