(57)【要約】【課題】生産性の点で有利な基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置は、第１処理装置で第１処理を行われた複数の基板に対してそれぞれ第２処理を並行して行う複数の処理部と、前記複数の処理部のうち前記第２処理を停止した処理部である停止処理部において前記第２処理が予定されていた基板に対する前記第１処理の実行の禁止をするための情報を前記第１処理装置に通知する通知部とを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理装置で第１処理を行われた複数の基板に対してそれぞれ第２処理を並行して行う複数の処理部と、
前記複数の処理部のうち前記第２処理を停止した処理部である停止処理部において前記第２処理が予定されていた基板に対する前記第１処理の実行の禁止をするための情報を前記第１処理装置に通知する通知部と、
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記通知部は、前記停止処理部の情報を前記第１処理装置に通知することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の基板のそれぞれが前記複数の処理部のうちどの処理部で処理されるかが予め定められていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記通知部は、前記停止処理部での前記第２処理が再開可能となった場合、前記禁止を解除するための情報を前記第１処理装置に通知することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１処理装置で前記第１処理を行われた基板を一時的に保管する保管部と前記複数の処理部との間で基板の搬送を行う搬送部と、
前記搬送部を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記停止処理部において前記第２処理が予定されていた第１基板に対して前記停止処理部が前記第２処理を停止した時点で該第１基板に対する前記第１処理が完了していた場合、該第１基板を前記保管部に搬送し、
前記停止処理部での前記第２処理が再開可能となった場合、前記保管部に搬送された前記第１基板を、前記第２処理が再開可能となった前記停止処理部に搬送するように、前記搬送部を制御する
ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記停止処理部が前記第２処理を停止している間は、前記第１処理が行われた第２基板を前記複数の処理部のうち前記第２基板に対する前記第２処理が予定されている処理部に搬送するように、前記搬送部を制御することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記保管部は、前記基板処理装置の外部に設けられていることを特徴とする請求項５又は６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記保管部は、前記基板処理装置の内部に設けられていることを特徴とする請求項５又は６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記保管部は、前記複数の処理部に囲まれて設けられていることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記複数の処理部のそれぞれは、前記第２処理としてパターン形成を基板に行うことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記複数の処理部のそれぞれは、前記第２処理としてインプリント処理を基板に行うことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記第１処理装置は、前記第１処理として前記パターン形成のための前処理を基板に行うことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第１処理装置は、前記第１処理として前記パターン形成のための層の形成を基板に行うことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
第１処理を基板に行う処理部と、
前記第１処理を行われた複数の基板に対してそれぞれ第２処理を並行して行う、第２処理装置における複数の処理部のうち前記第２処理を停止した処理部である停止処理部において前記第２処理が予定されていた基板に対する前記第１処理の実行の禁止をするための情報を前記第２処理装置から受信する受信部と、
前記受信部により前記情報が受信された場合、前記禁止をするように、前記処理部による前記第１処理を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の基板処理装置と、
請求項１４に記載の基板処理装置と、
を含むことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１６】
第１処理装置で第１処理を行われた複数の基板に対してそれぞれ複数の処理部で並行して第２処理を行い、
前記複数の処理部のうち前記第２処理を停止した処理部である停止処理部において前記第２処理が予定されていた基板に対する前記第１処理の実行の禁止をするための情報を前記第１処理装置に通知する、
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１８】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の基板処理装置を用いてパターン形成を基板に行う第１工程と、
前記第１工程で前記パターン形成を行われた前記基板の処理を行う第２工程と、
を含み、前記第２工程で前記処理を行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法、物品製造方法、およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
それぞれがパターン形成等の基板処理を行う複数の処理部を備える、いわゆるクラスタ型の基板処理装置（リソグラフィ装置等）がある。物品の回路パターンの微細化が年々進み、処理部に対しては高い精度が求められている。しかし複数の処理部の間には、取り付け誤差や処理部内の動作や状態に機差が存在するため、特定の基板は特定の処理部でしか処理を実行されないよう並列処理に制約が設けられうる。
クラスタ型の基板処理装置には塗布現像装置等の前処理または後処理を基板に行う装置が接続され、装置全体で高い生産性を達成するための効率的な制御が求められる。特許文献１には、塗布現像装置と複数の処理部それぞれとの間における情報授受に関する方法が記載されている。特許文献２には、基板の供給タイミングの変化に伴い、処理を変更する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−０７７００９号公報
【特許文献２】特開２００９−０７６５８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
クラスタ構造の基板処理装置においては、複数の処理部のうちいずれかの処理部がトラブル等によりメンテナンス状態となっても生産稼働率をできるだけ高水準に維持するためには、他の処理部には基板処理を継続させるような運用が望まれる。
本発明は、例えば、生産性の点で有利な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によれば、第１処理装置で第１処理を行われた複数の基板に対してそれぞれ第２処理を並行して行う複数の処理部と、前記複数の処理部のうち前記第２処理を停止した処理部である停止処理部において前記第２処理が予定されていた基板に対する前記第１処理の実行の禁止をするための情報を前記第１処理装置に通知する通知部とを含むことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、例えば、生産性の点で有利な基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態における基板処理装置の概略構成を示す図。
【図２】インプリント装置の構成を示す図。
【図３】インプリント処理を模式的に示す図。
【図４】インプリント装置制御部の構成例を示す図。
【図５】塗布装置制御部の構成例を示す図。
【図６】インプリント装置の動作の流れを示す図。
【図７】複数の処理部の監視処理の流れを示す図。
【図８】塗布実行テーブルの管理処理の流れを示す図。
【図９】塗布装置における基板の準備及び搬送動作の流れを示す図。
【図１０】リソグラフィ装置の基板搬送動作の流れを示す図。
【図１１】基板搬出順テーブルの管理動作を説明する図。
【図１２】塗布実行テーブルの管理動作を説明する図。
【図１３】基板搬出順テーブルの管理動作を説明する図。
【図１４】塗布実行テーブルの管理動作を説明する図。
【図１５】インプリント実行テーブルの管理動作を説明する図。
【図１６】基板のインプリント処理順を例示する図。
【図１７】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎず、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【０００９】
図１は、本実施形態における基板処理システム９００の概略構成を示す図である。基板処理システム９００は、第１処理装置と第２処理装置とを含みうる。第１処理装置は、例えば、パターン形成のための前処理として当該パターン形成のための層の形成を基板に行う装置である。例えば第１処理装置は、基板にレジスト材（密着材）の塗布処理（第１処理）を行う基板処理装置、すなわち塗布装置７００でありうる。第２処理装置は、パターン形成処理（第２処理）を行う基板処理装置としてのリソグラフィ装置６００でありうる。リソグラフィ装置６００は、例えば、第１処理装置で第１処理を行われた複数の基板に対してそれぞれ第２処理としてリソグラフィ処理を並行して行う複数の処理部１０１，１０２，１０３，１０４を含みうる。塗布装置７００は、それぞれ基板に塗布処理を行う複数の塗布処理部８０１，８０２，８０３，８０４，８０５，８０６を含みうる。リソグラフィ装置６００は、各処理部で別々の基板に対して並列にリソグラフィ処理を行いうるクラスタ型の構成をとる。同じく、塗布装置７００も、各塗布処理部で別々の基板に対して並列に塗布処理を行いうるクラスタ型の構成をとる。なお、塗布装置７００は、前処理として基板に塗布処理を行う他、リソグラフィ処理の後処理として現像処理をも行う塗布現像装置（コーター／ディベロッパー）であってもよい。
【００１０】
複数の処理部１０１，１０２，１０３，１０４の各々は、リソグラフィ処理を行うインプリント装置、露光装置、荷電粒子線描画装置等でありうる。インプリント装置は、基板の上に供給された樹脂などのインプリント材に型（原版、モールド）を接触させた状態で該インプリント材を硬化させることによって基板の上にパターンを形成する。露光装置は、基板の上に供給されたフォトレジストを型を介して露光することによって該フォトレジストに型のパターンに対応する潜像を形成する。荷電粒子線描画装置は、基板の上に供給されたフォトレジストに荷電粒子線によってパターンを描画することによって該フォトレジストに潜像を形成する。
【００１１】
以下では、具体例を提供するために、複数の処理部１０１，１０２，１０３，１０４の各々がインプリント装置として構成される例を説明する。
インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエーハ、化合物半導体ウエーハ、石英ガラスなどが用いられうる。
【００１２】
それぞれインプリント装置である複数の処理部１０１，１０２，１０３，１０４は、インプリント環境を一定の温度および湿度に維持し、異物の侵入を排除するためのチャンバ２００に収容されている。チャンバ２００内には、複数の処理部１０１，１０２，１０３，１０４のそれぞれに基板を供給し回収するための搬送ロボット５２（搬送部）が設けられている。搬送ロボット５２は、保持ハンド５３を含み、搬送路５１に沿って移動可能である。搬送ロボット５２は、保持ハンド５３を用いて、基板を一時的に保管する基板保管部６１に対して基板の出し入れが可能である。なお、基板保管部６１は、リソグラフィ装置６００の外部に設けられ、リソグラフィ装置６００に対して着脱可能に構成されていてもよい。もっとも、着脱可能でなくてもよい。基板保管部６１は、リソグラフィ装置６００の内部に設けられていてもよい。例えば、基板保管部６１は、複数の処理部に囲まれた位置に設けられていてもよい。この場合、各処理部は基板保管部６１に対するアクセスが短くなる点で有利である。
【００１３】
塗布装置７００は、各塗布部との間で基板の受け渡しを行うための搬送ロボット５６を有する。搬送ロボット５６は搬送路５７に沿って移動可能である。また、塗布装置７００は、リソグラフィ装置６００との間で基板の受け渡しを行うための搬送ロボット５４を有する。搬送ロボット５６と搬送ロボット５４との間での基板の受け渡しは授受ステーション５５で行われる。さらに、塗布装置７００は、ＥＦＥＭ６０との間で基板の受け渡しを行うための搬送ロボット５８を有する。搬送ロボット５８は、ＥＦＥＭ６０から未処理基板を搬入し、リソグラフィ処理あるいは現像処理の済んだ処理済み基板をＥＦＥＭ６０に引き渡すことができる。塗布装置７００は、例えばＦＯＵＰ５９を有し、搬送ロボット５８とＥＦＥＭ６０との間の基板の受け渡しはＦＯＵＰ５９を介して行われる。なお、ＦＯＵＰは、Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ、ＥＦＥＭはＥｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅの略語である。
【００１４】
インプリント装置制御部４００は、ＣＰＵやメモリなどを含み、複数の処理部１０１〜１０４それぞれの動作の制御と、外部との情報の授受を行う。インプリント装置制御部４００の詳細については後述する。塗布装置制御部５００は、インプリント装置制御部４００と同様、ＣＰＵやメモリなどを含み、複数の塗布処理部８０１〜８０６それぞれの動作の制御と、外部との情報の授受を行う。塗布装置制御部５００の詳細については後述する。インプリント装置制御部４００と塗布装置制御部５００とは直接情報を授受できるように接続されている。また、インプリント装置制御部４００および塗布装置制御部５００はそれぞれ、ネットワーク３０１を介して、コンピュータ３００と接続されている。
【００１５】
図２は、リソグラフィ装置６００における各処理部が構成するインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板１の上にインプリント材を供給し、該インプリント材にモールド１８（原版、型、テンプレートとも呼ばれる）を接触させた状態で該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行う。インプリント装置１００は、本実施形態では、インプリント材の硬化法として、紫外線（ＵＶ光）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用する。従って、インプリント装置１００は、基板１の上にインプリント材を供給し、インプリント材とモールド１８（のパターン面）とを接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって基板１の表面上にパターンを形成する。但し、インプリント装置１００は、その他の波長域の光の照射によってインプリント材を硬化させてもよいし、その他のエネルギー、例えば、熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。また、以下では、基板上のインプリント材に対して照射する紫外線の光軸に平行な方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向をＸ軸及びＹ軸とする。
【００１６】
インプリント装置１００において、モールドヘッド１６は、パターン面Ｐを有するモールド１８を保持するモールドチャック１７を含む。モールド１８のパターン面Ｐには、基板１に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されている。検出部２６は、例えばＣＣＤカメラで構成され、モールド１８及びその周辺の画像を取得する。この取得された画像により、基板上のインプリント材に対するモールド１８の接触状態、基板上のインプリント材のモールド１８への充填状態、基板上のインプリント材からのモールド１８の離型状態を観察することが可能である。また、基板ステージ７が移動することで、基板周辺部と基板チャックの位置関係を観察することも可能である。
【００１７】
モールドチャック１７は、例えば、真空吸着によってモールド１８を保持する。モールドチャック１７は、モールドチャック１７からのモールド１８の脱落を防止する構造を有していてもよい。本実施形態では、モールドチャック１７は、モールドヘッド１６と強固に結合している。モールドヘッド１６は、ブリッジ構造体８を基準として、少なくとも、Ｚ、ωＸ及びωＹの３軸方向に移動（駆動）することが可能な機構を有する。モールドヘッド１６は、連結部材１５を介して、ブリッジ構造体８に連結され、ブリッジ構造体８によって支持されている。また、アライメント計測部１２もブリッジ構造体８によって支持されている。
【００１８】
アライメント計測部１２は、モールド１８と基板１との位置合わせ（アライメント）のためのアライメント計測を行う。アライメント計測部１２は、本実施形態では、モールド１８に設けられたマーク及び基板ステージ７や基板１に設けられたマークを検出してアライメント信号を生成するアライメント検出系を含む。また、アライメント計測部１２は、カメラを含んでいてもよく、検出部２６と同様、紫外線の照射による基板１上のインプリント材の硬化状態（インプリント状態）を観察する機能を有していてもよい。この場合、アライメント計測部１２は、基板上のインプリント材の硬化状態だけではなく、基板上のインプリント材に対するモールド１８の接触状態、基板上のインプリント材のモールド１８への充填状態も観察することができる。アライメント計測部１２はまた、基板上のインプリント材からのモールド１８の離型状態も観察することが可能である。連結部材１５の上方には、ハーフミラー１３が配置されている。硬化用光源１１からの光は、ハーフミラー１３で反射され、モールド１８を透過して基板１の上のインプリント材に照射される。基板１の上のインプリント材は、硬化用光源１１からの光の照射によって硬化する。
【００１９】
ブリッジ構造体８は、床からの振動を絶縁するための空気ばね１９を介して、ベース定盤２０に支持されている。空気ばね１９は、アクティブ防振機能として露光装置で一般的に採用されている構造を有する。例えば、空気ばね１９は、ブリッジ構造体８及びベース定盤２０に設けられたＸＹＺ相対位置測定センサ、ＸＹＺ駆動用リニアモータ、空気ばねの内部のエア容量を制御するサーボバルブなどを含む。ブリッジ構造体８には、ホルダ２２を介して、基板１にインプリント材を供給（塗布）するためのノズルとその供給タイミングと供給量を制御する供給インプリント材制御部を含むインプリント材供給部２３（ディスペンサ）が取り付けられている。インプリント材供給部２３は、例えば、インプリント材の液滴を線状に基板１に供給する。インプリント材供給部２３からインプリント材を基板１に供給しながら基板ステージ７（即ち、基板１）を移動させることによって、基板１上の矩形形状等の任意形状の領域にインプリント材を塗布することができる。基板１は、本実施形態では、円形状を有する。また、例えば３３ｍｍ×２６ｍｍの１つのショット領域に複数のチップが形成されうる。
【００２０】
また、インプリント装置１００を使用するプロセスでは、基板１の表面上に形成される凹凸パターンの凹部に膜が残る。この膜は残膜と呼ばれる。残膜は、エッチングによって除去される必要がある。残膜の厚さは、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれる。必要なＲＬＴに相当する厚さの膜がショット領域に形成されていない場合には、エッチングによって基板１がえぐれてしまう。本実施形態では、インプリント材供給部２３によるインプリント材の吐出と基板ステージ７の移動との組み合わせによって、基板１の適切な領域にインプリント材を塗布するようにする。
【００２１】
基板ステージ７は、基板チャックを有し、該基板チャックによって基板１を保持する。基板ステージ７は、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωＸ、ωＹ及びωＺの６軸方向に移動することが可能な機構を有する。本実施形態では、基板ステージ７は、Ｘ方向の移動機構を含むＸスライダー３、及び、Ｙ方向の移動機構を含むＹスライダー５を介して、ブリッジ構造体８によって支持されている。Ｘスライダー３には、Ｘスライダー３とＹスライダー５との相対位置を計測する計測器４が設けられている。また、Ｙスライダー５には、Ｙスライダー５とブリッジ構造体８との相対位置を計測する計測器６が設けられている。従って、計測器４及び６は、ブリッジ構造体８を基準として、基板ステージ７の位置を計測する。計測器４及び６のそれぞれは、本実施形態では、エンコーダ（リニアエンコーダ）で構成されている。
【００２２】
基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向における距離は、ブリッジ構造体８、Ｘスライダー３及びＹスライダー５によって決まる。Ｘスライダー３及びＹスライダー５のＺ方向、チルト方向の剛性を十ｎｍ／Ｎ程度に高く維持することによって、基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向におけるインプリント動作の変動を数十ｎｍ程度の変動に抑えることができる。
【００２３】
計測器９は、ブリッジ構造体８に設けられ、本実施形態では、干渉計で構成されている。計測器９は、基板ステージ７に向けて計測光１０を照射し、基板ステージ７の端面に設けられた干渉計用ミラーで反射された計測光１０を検出することで、基板ステージ７の位置を計測する。計測器９は、基板ステージ７の基板１の保持面に対して計測器４及び６よりも近い位置において、基板ステージ７の位置を計測する。なお、図１では、計測器９から基板ステージ７に照射される計測光１０を１つしか図示していないが、計測器９は、少なくとも基板ステージ７のＸＹ位置、回転量及びチルト量が計測できるように構成されている。
【００２４】
ガス供給部２１は、モールド１８のパターンへのインプリント材の充填性を向上させるために、モールド１８の近傍、具体的には、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。充填用ガスは、モールド１８とインプリント材との間に挟み込まれた充填用ガス（気泡）を迅速に低減させ、モールド１８のパターンへのインプリント材の充填を促進させるために、透過性ガス及び凝縮性ガスの少なくとも１つを含む。ここで、透過性ガスとは、モールド１８に対して高い透過性を有し、基板１上のインプリント材にモールド１８を接触させた際にモールド１８を透過するガスである。また、凝縮性ガスとは、基板１上のインプリント材にモールド１８を接触させた際に液化（即ち凝縮）するガスである。
【００２５】
オフアクシススコープ２４は、モールド１８を介さずに、基板ステージ７に配置された基準プレートに設けられた基準マークやアライメントマークを検出する。また、オフアクシススコープ２４は、基板１（の各ショット領域）に設けられたアライメントマークを検出することも可能である。圧力センサ２５は、本実施形態では、基板ステージ７に設けられ、モールド１８を基板１上のインプリント材に接触させることで基板ステージ７に作用する圧力を検出する。圧力センサ２５は、基板ステージ７に作用する圧力を検出することによって、モールド１８と基板１上のインプリント材との接触状態を検出するセンサとして機能する。また、圧力センサ２５は、モールドヘッド１６に設けてもよく、モールドヘッド１６及び基板ステージ７のうち少なくとも一方に設けられていればよい。
【００２６】
ガス供給部２１から供給される充填用ガスの屈折率は、空気の屈折率とは大きく異なるため、計測器４及び６が充填用ガスに曝されると（即ち、計測器４及び６の計測光路に充填用ガスが漏れると）、計測器４及び６の計測値（計測結果）が変動してしまう。このような問題は、特に、計測光路長が長い干渉計に対して顕著であり、基板ステージ７の位置を制御する際にハイゲインとなるため、サーボエラーを起こしてしまう。また、計測光路長が短いエンコーダであっても、ナノメートルオーダーの計測精度が要求されるインプリント装置では、その影響を無視することができない。但し、エンコーダの計測光路長は干渉計の計測光路長よりも短いため、干渉計よりも影響は軽微である。また、図１に示すように、本実施形態では、ガス供給部２１（の充填用ガスの供給口）から計測器４及び６までの距離を十分にとることができ、且つ、計測器４及び６をエンコーダで構成している。従って、計測器４及び６は、充填用ガスによる計測値の変動の影響を受けにくい構成となっているため、サーボエラーが起こりにくくなっている。
【００２７】
ガス供給部２１は、上述したように、インプリント処理を行っている間において、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。モールド１８と基板１との間に供給された充填用ガスは、モールドヘッド１６の上部から排気ダクト１４を介して吸引されて、インプリント装置１００の外部に排出される。また、モールド１８と基板１との間に供給された充填用ガスを外部に排出するのではなく、ガス回収機構（不図示）で回収してもよい。
【００２８】
図３には、インプリント装置１００によって行われるインプリント処理が模式的に示されている。図３（ａ）は、インプリント材供給部２３によってインプリント材２７ａが供給された基板１のショット領域にモールド１８のパターン面Ｐが接触を開始する前の状態を示している。図３（ｂ）は、モールド１８のパターン面Ｐと基板１のショット領域上のインプリント材とが接触した状態を示している。この状態で、硬化用光源１１からの光が基板１のショット領域上のインプリント材に照射される。これによって、インプリント材２７ｂが硬化する。図３（ｃ）は、モールドヘッド１６を上昇させて、基板１のショット領域上の硬化したインプリント材からモールド１８が引き離される様子を示している。これにより、基板１のショット領域には、モールド１８のパターン面Ｐのパターンに対応したインプリント材パターン２７ｃが残る。図３（ｄ）は、モールド１８のパターン面Ｐのパターンと、硬化後のインプリント材を示している。モールド１８のパターンは、基板に形成すべき凸パターンに対応する凸形成パターン２８と、基板に形成すべき凹パターンに対する凹形成パターン３６とを有する。Ｐｄは、パターン深さを表し、ＲＬＴは残膜厚（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ：  ＲＬＴ）を表す。
【００２９】
図４は、インプリント装置制御部４００の構成例を示している。インプリント主制御部４０１は、基板１の搬送、インプリント材の供給、基板ステージ７の駆動、アライメント、硬化用光源１１、モールド１８の駆動等のインプリント装置１００の動作の全般を制御する。情報送受信部４０２は、ネットワーク３０１を介し、コンピュータ３００から、インプリント処理に必要な情報を受け取り、インプリント処理に関係する情報を転送する。また、情報送受信部４０２は、塗布装置７００との間でも情報の授受を行うことができる。例えば、情報送受信部４０２は、複数の処理部のうち停止した処理部の情報を塗布装置７００に通知する通知部として機能しうる。
【００３０】
図５は、塗布装置制御部５００の構成例を示している。塗布主制御部５０１は、複数の塗布処理部８０１〜８０６での処理液の塗布処理に関わる、処理液の温度調整制御、処理液供給制御や、装置内空調制御、基板搬送のための搬送ロボット制御等の動作全般を制御する。情報送受信部５０２は、ネットワーク３０１を介し、コンピュータ３００から、塗布処理に必要な情報を受け取り、塗布処理に関係する情報を転送する。また、情報送受信部５０２は、リソグラフィ装置６００との間でも情報の授受を行うことができる。また、塗布主制御部５０１は、後述する基板搬出順テーブルおよび塗布実行テーブルを記憶するメモリを含み、これらのテーブルを管理する。
【００３１】
図６を参照しながらインプリント装置１００の動作を説明する。この動作は、インプリント装置制御部４００によって制御される。
Ｓ１０１では、検出器５を使って、モールド１８と基板ステージ７との位置合わせ（アライメント）が行われる。この際、モールド１８は、モールド搬送系（不図示）によってインプリント装置１００に搬入され、モールドチャック１７に保持されている。また、検出器５によって検出されるマーク（アライメントマーク）は、専用の基準マークとして基板ステージ７に設けておいてもよいし、専用のアライメント基板に設けておいてもよい。
【００３２】
Ｓ１０２では、搬送ロボット５２によって、複数の処理部１０１，１０２，１０３，１０４のうちの指定されたいずれかのインプリント装置１００に、基板１が搬入される。基板１は基板ステージ７（基板チャック）によって保持される。
【００３３】
Ｓ１０３では、接液前アライメントを行う。接液前アライメントは、基板交換時の初回のみ行われるプリアライメントと、ショット毎に行われるアライメントとを含みうる。
基板交換時の初回のみ行われるプリアライメントでは、基板ステージ７をオフアクシススコープ２４の下に移動させて、オフアクシススコープ２４によって基板ステージ７に保持された基板１の位置が計測される。プリアライメントの精度は、モールド１８と基板１とのアライメント（Ｓ１０７）において、基板１の各ショット領域に設けられたアライメントマークが検出器５の計測レンジに収まる程度の精度（１μｍ〜２μｍ程度）でよい。この計測結果は、Ｓ１０５において、モールド１８の下へ対象ショット領域が位置するよう基板ステージ７を移動する際に使用される。
ショット毎に行われる接液前アライメントは、検出器５を用いて、モールド１８と基板１（対象ショット領域）との位置合わせ計測を行う処理である。ショット毎に行われる接液前アライメントは、モールド１８のパターン面と基板上のインプリント材とが接触する前に、接液後のアライメント（Ｓ１０７）の補正駆動量を少なくする目的でＳ１０７に先行して行われる。
【００３４】
Ｓ１０４において、基板１の対象ショット領域（これからインプリント処理を行うショット領域）がインプリント材供給部２３の下に位置するように基板ステージ７が移動する。また、ガス供給部２１によって、モールド１８と基板１との間の空間に充填用ガスが供給される。
【００３５】
Ｓ１０５では、インプリント材供給部２３によって基板１の対象ショット領域にインプリント材が供給される。具体的には、インプリント材供給部２３は、インプリント材供給部２３の下に移動した基板１の対象ショット領域に対して、予め定められた供給パターンに従ってインプリント材が供給される。また、基板１の対象ショット領域にインプリント材が供給されたら、その対象ショット領域がモールド１８の下に位置するように基板ステージ７が移動する。
【００３６】
Ｓ１０６では、インプリント装置制御部４００は、モールド１８と基板上のインプリント材とが接触するようにモールドヘッド１６（すなわちモールド１８）を下降駆動させる。
Ｓ１０７では、モールド１８のパターン面と基板上のインプリント材とが接触した状態で、検出器５によるアライメント計測の結果に基づいて、モールド１８と基板１（対象ショット領域）との位置合わせ（アライメント）が行われる。かかるアライメントは、基板１の各ショット領域（ダイ）ごとに行われるため、ダイバイダイアライメントと呼ばれる。
Ｓ１０８では、モールド１８のパターン面と基板上のインプリント材とが接触した状態で、硬化用光源１１からの光がモールド１８を介して基板１の対象ショット領域上のインプリント材に照射される。
【００３７】
Ｓ１０９では、インプリント装置制御部４００は、モールドヘッド１６を上昇させて、基板１の対象ショット領域上の硬化したインプリント材からモールド１８を引き離す（離型）。これにより、基板１の対象ショット領域には、モールド１８のパターン面に対応したインプリント材のパターンが残る。すなわち、モールド１８のパターン面に対応したパターンが基板１の対象ショット領域に形成される。なお、離型の際には、レジストパターンが破断しないように、モールド１８のパターン面にかかるせん断力がレジストパターンの破断応力以下になるように、モールドヘッド１６を上昇させる。
【００３８】
Ｓ１１０では、インプリント装置制御部４００は、基板１の指定された全てのショット領域にパターンが形成されたかどうかを判定する。全てのショット領域にパターンが形成されていない場合には、次の対象ショット領域にパターンを形成するために、処理はＳ１０３に移行する。全てのショット領域にパターンが形成された場合には、処理はＳ１１１に移行する。
Ｓ１１１では、搬送ロボット５２によって、全てのショット領域にパターンが形成された基板１が搬出される。
Ｓ１１２では、インプリント装置制御部４００は、全ての基板にインプリント処理を行ったかどうかを判定する。全ての基板にインプリント処理を行っていない場合には、次の基板にインプリント処理を行うために、処理はＳ１０２に移行する。全ての基板にインプリント処理を行った場合には、処理を終了する。
【００３９】
次に、図７を参照しながら、インプリント装置制御部４００による、複数の処理部１０１，１０２，１０３，１０４の監視処理の例を説明する。なお、以下では、各処理部のことを「ステーション」とも呼ぶ。
Ｓ２０１では、インプリント装置制御部４００は、複数の処理部の中で、実行中の処理を中断した処理部または実行を開始できなかった処理部（停止した処理部）があるか否か判断する。以下、停止した処理部を「停止処理部」という。停止処理部がある場合、処理はＳ２０２へ進み、そうでなければ処理はＳ２０３へ進む。
Ｓ２０２では、情報送受信部４０２が塗布装置７００に、停止処理部の識別情報ＳｔａｔｉｏｎＩＤを含む停止通知を送信する。
なお、当該停止処理部での処理の停止は、例えば、インプリント装置における所定のシーケンス（アライメント計測におけるシーケンス等）に異常が発生した場合に起こりうる。すなわち、当該異常の解消のために使用者による当該装置に対するアシスト操作が必要となる場合に起こりうる。また、当該停止は、例えば、モールドの寿命による当該モールドの交換のためにも起こりうる。また、当該停止は、例えば、予め定められた実行条件を満たす場合に実行されるインプリント装置のキャリブレーション（較正）のためにも起こりうる。
【００４０】
本実施形態において、塗布装置７００からリソグラフィ装置６００に基板を搬出する順序は、基板搬出順テーブルに規定される。以下では、基板搬出順テーブルは塗布装置制御部５００で維持管理される構成とする。ただし、塗布装置制御部５００およびインプリント装置制御部４００の双方が保持してもよいし、コンピュータ３００で維持管理される構成であってもよい。図１１に、基板搬出順テーブルの例を示す。図１１（ａ）は、リソグラフィ装置６００が処理を開始した直後における基板搬出順テーブルの例である。この例は、３つのロットｄ０１、ｄ０２、ｄ０３の順で基板が連続して処理される場合を示している。それぞれのロットで処理すべき基板の識別情報ＷａｆｅｒＩＤとその基板を処理すべき処理部の識別情報ＳｔａｔｉｏｎＩＤとが関連付けられて管理される。
ここで、処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が図１１（ａ）に従いＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板を処理している途中で、図１１（ｂ）に示されるように、処理部１０２（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１）が停止した場合を想定する。処理部１０２が停止したことにより、Ｓ２０２で、インプリント装置制御部４００はＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１を含む停止通知を発行する。
塗布装置制御部５００はこの停止通知を受け取ると、停止処理部にてパターン形成処理が予定されていた基板に対する塗布処理の実行および停止処理部への該基板の搬送を禁止する。
具体的には、塗布装置制御部５００はこの停止通知を受け取ると、ＬｏｔＩＤ：ｄ０２およびＬｏｔＩＤ：ｄ０３におけるＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１のデータを基板搬出順テーブルから削除する。この状態が図１１（ｂ）に示されている。
【００４１】
Ｓ２０３では、インプリント装置制御部４００は、停止処理部が処理を再開可能な状態に変化したか否かを判断する。処理が再開可能になった停止処理部を再開処理部という。再開処理部がある場合は処理はＳ２０４へ進み、そうでなければ処理はＳ２０５へ進む。
Ｓ２０４では、情報送受信部４０２が塗布装置７００に、再開処理部の識別情報を含む再開通知を送信する。
【００４２】
次に、図１１（ｃ）に示されるように、処理部１０４（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ｂ１）がＷａｆｅｒＩＤ：２９０２の基板を処理している途中で処理部１０２（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１）が再開可能となった場合を想定する。処理部１０２が再開可能となったことにより、Ｓ２０４で、インプリント装置制御部４００は、処理部１０２のための基板の準備（塗布処理）の禁止を解除するための、ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１を含む再開通知を発行する。
塗布装置制御部５００はこの再開通知を受け取ると、基板搬出順テーブルを更新する。この更新により、ＬｏｔＩＤ：ｄ０２のＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１、ＬｏｔＩＤ：ｄ０３のＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１と関係付けられているＷａｆｅｒＩＤ：２９０１、ＷａｆｅｒＩＤ：１００２が再登録される。この状態が図１１（ｃ）に示されている。これにより、停止処理部のための基板の準備（塗布処理）および停止処理部への基板搬送の禁止状態が解除される。
なお、この例において、処理部が停止した時点で、該停止した処理部で処理する予定の基板には、既に該処理部でのインプリント処理が少なくとも開始されているものとする。言い換えれば、塗布装置７００が塗布処理を終了した後、該処理部に到着する前の基板はない場合が想定されている。
【００４３】
Ｓ２０５では、インプリント装置制御部４００は、監視処理を終了するか否かを判断する。例えば、半導体デバイスの生産を止める要求を受信した場合には、監視処理を終了する。そうでなければ、処理はＳ２０１に戻る。監視処理は、リソグラフィ装置６００と塗布装置７００とが接続されて運用される状況で稼働する場合は、常に繰り返し実行される。リソグラフィ装置６００と塗布装置７００と切り離して運用せざるを得ない場合（例えば保守運用のとき）は、監視処理の中断が要求される。
【００４４】
本実施形態において、各基板のレジスト材の塗布および搬入の状態は、塗布装置制御部５００によって維持管理される塗布実行テーブルに記述される。以下、図８を参照しながら、塗布装置制御部５００による塗布実行テーブルの管理処理を説明する。
Ｓ３０１では、塗布装置制御部５００は、図７のＳ２０２で送信された停止通知を受信した否かを判断する。停止通知を受信した場合は処理はＳ３０２へ進み、そうでなければ処理はＳ３０３へ進む。
Ｓ３０２では、受信した停止通知に含まれるＳｔａｔｉｏｎＩＤに基づき、塗布実行テーブルのＳｋｉｐＦｌａｇを更新する。図１２（ａ）に、リソグラフィ装置６００が処理を開始した直後に塗布装置７００に保持されている塗布実行テーブルの一例を示す。この塗布実行テーブルに従い、３つのロットｄ０１、ｄ０２、ｄ０３の順で複数の基板が連続して処理される。それぞれのロットで処理すべき基板の識別情報ＷａｆｅｒＩＤとその基板を処理すべき処理部の識別情報ＳｔａｔｉｏｎＩＤとが関連付けられて管理される。
【００４５】
ＳｌｏｔＮｏは、対応するＷａｆｅｒＩＤの未処理基板がＥＦＥＭ６０のどのスロットに格納されているかを示す。
ＳｋｉｐＦｌａｇは、レジスト材の塗布準備の可否を示すフラグである。ＳｋｉｐＦｌａｇが１の場合は、塗布準備が不可であることを示す。
ＣｏａｔＦｌａｇは、レジスト材の塗布が完了したか否かを示すフラグである。ＣｏａｔＦｌａｇが１の場合は、レジスト材の塗布が完了したこと、または塗布処理を行うための動作を開始したことを示す。
ＥｘｅｃＦｌａｇは、基板の搬入準備予定を示すフラグであり、ＥｘｅｃＦｌａｇが１のときは搬入準備予定、０のときは搬入準備予定なしを表す。ＥｘｅｃＦｌａｇは、レジスト材の塗布準備が可能（ＳｋｉｐＦｌａｇ＝０）、かつ、レジスト材の塗布が完了していないとき（ＣｏａｔＦｌａｇ＝０）に、搬入準備予定を表す１にセットされる。したがって、ＥｘｅｃＦｌａｇは次式により表される。
ＥｘｅｃＦｌａｇ  ＝  ＮＯＴ（ＳｋｉｐＦｌａｇ  ＯＲ  ＣｏａｔＦｌａｇ）      ．．．式１
【００４６】
リソグラフィ装置６００が処理を開始した直後においては、ＳｋｉｐＦｌａｇ及びＣｏａｔＦｌａｇは全て０、ＥｘｅｃＦｌａｇは全て１である。つまり、ＥＦＥＭ６０に格納されている全ての未処理基板は塗布装置７００に搬入され、塗布準備すべき状態であることを示す。塗布装置７００は、外部から処理実行指示を受け、塗布実行テーブルに沿った処理を実行する。
【００４７】
ここで、図１２（ａ）に従い、処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）によるＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板の処理の途中で、塗布装置制御部５００が処理部１０２（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１）の停止通知を受信した場合を想定する。従ってこの時点では、図１２（ｂ）に示されるように、ＳｌｏｔＮｏ：１のＷａｆｅｒＩＤ：４８５２およびＳｌｏｔＮｏ：２のＷａｆｅｒＩＤ：４８５３のＣｏａｔＦｌａｇは、塗布が完了しているので１にセットされている。またこの場合、ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１に関連付けられている未処理基板であるＷａｆｅｒＩＤ：２９０１、ＷａｆｅｒＩＤ：１００２のＳｋｉｐＦｌａｇが、塗布準備の実行が不可であることを示す１にセットされる。
この時点では、式１によりＥｘｅｃＦｌａｇが１と計算されたＷａｆｅｒＩＤ：４８５４、４８５５、２９０２、２９０３、１００４の未処理基板を、塗布装置７００に搬入準備予定と判断される。
【００４８】
Ｓ３０３では、図７のＳ２０４で送信された再開通知が受信された否かを判断する。再開通知を受信した場合は処理はＳ３０４へ進み、そうでなければ処理はＳ３０５へ進む。
Ｓ３０４では、受信した再開通知に含まれるＳｔａｔｉｏｎＩＤにより識別される処理部の処理予定基板のＳｋｉｐＦｌａｇを更新する。
Ｓ３０５では、塗布装置制御部５００は、管理処理を終了するか否か判断する。例えば、半導体デバイスの生産を止める要求を受信した場合には、管理処理を終了する。そうでなければ、処理はＳ３０１に戻る。管理処理は、リソグラフィ装置６００と塗布現像装置と接続して運用される状況で稼働する場合は、常に繰り返し実行される。リソグラフィ装置６００と塗布装置７００と切り離して運用せざるを得ない場合（例えば保守運用のとき）は、管理処理の中断が要求される。
【００４９】
図１２（ｃ）は、停止処理部が復旧を終え、再開（再稼働）可能となった場合の塗布実行テーブルの更新結果を示す。処理部１０２（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１）が停止した後に、処理部１０４（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ｂ１）がＷａｆｅｒＩＤ：２９０２の基板の処理途中で処理部１０２（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１）が再開可能となった場合を考える。この場合、リソグラフィ装置６００から受信される再開通知に含まれるＳｔａｔｉｏｎＩＤはＡ１となる。
【００５０】
この情報を受け、ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ１に関連付けられているＳｌｏｔＮｏ：５およびＳｌｏｔＮｏ：８のＳｋｉｐＦｌａｇがそれぞれ０にクリアされる。この時点では、ＳｌｏｔＮｏ：１〜ＳｌｏｔＮｏ：４、及びＳｌｏｔＮｏ：６のＣｏａｔＦｌａｇは１にセットされている。また、式１で計算されるＥｘｅｃＦｌａｇから、ＷａｆｅｒＩＤ：２９０１、２９０３、１００２、１００４の未処理基板が、塗布装置７００に搬入準備予定と判断される。
【００５１】
次に、図９を参照しながら、塗布装置制御部５００によって実行される塗布装置７００の基板の準備及び搬送動作を説明する。
Ｓ４０１では、塗布装置制御部５００は塗布実行テーブルを読み出す。
Ｓ４０２では、塗布装置制御部５００は、塗布実行テーブルにおいて、基板の搬入準備予定を示すＥｘｅｃＦｌａｇの値が１であるＷａｆｅｒＩＤの基板が有るか否かを判断する。ある場合は処理はＳ４０３へ進み、無い場合は処理はＳ４０７へ進む。
Ｓ４０３では、塗布装置制御部５００は、複数の塗布処理部８０１〜８０６のうち塗布処理を実行できる空きの塗布処理部があるか否かを判断する。
【００５２】
Ｓ４０４では、塗布装置制御部５００は、塗布実行テーブルにおける、対象基板のＣｏａｔＦｌａｇを１に更新する。
Ｓ４０５では、ＥｘｅｃＦｌａｇが１のＷａｆｅｒＩＤで識別される基板の中でＳｌｏｔＮｏの値が最も小さい基板をＦＯＵＰのスロットから搬送ロボット５８により搬入し、搬送ロボット５６により塗布処理を実行できる塗布処理部へ搬送する。
Ｓ４０６では、Ｓ４０５で基板が搬送された塗布処理部での塗布処理の実行が開始される。処理は、Ｓ４０６における塗布処理の実行終了を待つことなくＳ４０７へと進むことができる。
【００５３】
Ｓ４０７では、塗布装置制御部５００は、複数の塗布処理部８０１〜８０６の中で塗布処理を完了した基板があるか否かを判断する。ある場合は処理はＳ４０８へ進む。無い場合は処理はＳ４１１へ進む。
Ｓ４０８では、情報送受信部５０２が、塗布処理を完了した基板のＷａｆｅｒＩＤとＳｔａｔｉｏｎＩＤを含む基板情報をリソグラフィ装置６００に送信し、リソグラフィ装置６００へ基板を引き渡すことの許否を問い合わせる。これは、後述する図１０のＳ５０４に対応する。
Ｓ４０９では、情報送受信部５０２はリソグラフィ装置６００からの基板引渡し許可通知の受信を予め指定した時間だけ待つ。指定時間以内に基板引渡し許可通知を受信した場合、処理はＳ４１０へ進む。受信できなかった場合は、処理はＳ４１２へ進む。
【００５４】
Ｓ４１０では、搬送ロボット５６により、塗布処理部から塗布が完了した基板を取得し授受ステーション５５に配置する。更に、搬送ロボット５４が授受ステーション５５から基板を取得し、リソグラフィ装置６００に受け渡す。
Ｓ４１１では、塗布装置制御部５００は、基板塗布、搬送処理の全体処理中断命令を受信したか否か判断する。受信した場合は処理は終了する。受信していない場合は処理はＳ４０１へ進む。基板塗布、搬送処理の中断命令は、通常処理においては発生することはなく、装置の異常や、全体処理を途中で中断せざるを得ない場合に発生しうる。
Ｓ４１２では、塗布準備した基板をリソグラフィ装置６００に受け渡すことができないエラーが発生したことを、例えば塗布装置７００が有する端末表示画面（不図示）に表示する。また、塗布装置制御部５００は、ネットワーク３０１を介して、コンピュータ３００へエラー発生を伝達してもよい。
【００５５】
以上説明したように、クラスタ構成のリソグラフィ装置と塗布装置とを有する半導体製造システムにおいて、いずれかの処理部が停止した場合、リソグラフィ装置側から塗布処理に停止処理部の情報が送られる。したがって、塗布装置は、停止処理部と関係する基板の処理を中断し、稼働可能な処理部で処理する基板を準備、搬送することができるようになる。また、停止処理部が再稼働可能となった場合、即座に処理を再開することが可能となる。これにより、生産性の低下を最小限に抑えることが可能となる。
なお、本実施形態では、ＷａｆｅｒＩＤとＳｔａｔｉｏｎＩＤを一対一で関連付けているが、これに限られない。特定の基板処理を複数の処理ステーションと関連付けて運用する場合であっても、複数の処理ステーションが稼働停止し、残されたステーションで稼働が可能な状態であれば、上述の実施形態と同等の効果が得られる。
【００５６】
また、本実施形態では、情報送受信部４０２が塗布装置７００へ送信する情報として、停止処理部のＳｔａｔｉｏｎＩＤを停止通知に含めて送信する方法を示した。しかし、塗布装置７００とリソグラフィ装置６００で各基板に対して共通のＷａｆｅｒＩＤ情報を保有していれば、停止処理部で処理が予定されている全ての基板のＷａｆｅｒＩＤを送信する方法であってもよい。
また、リソグラフィ装置６００と塗布装置７００との間のデータ通信は、両者を直接接続した通信ラインを介してもよいし、ネットワーク３０１を介して、あるいはさらにコンピュータ３００を介してもよく、それ以外の制御装置を介してもよい。
通信方式は、信号線１本に対して１情報を割り付け、複数信号を並行に送受信可能としたパラレル通信方式であってもよいし、ＲＳ−２３２Ｃで代表されるシリアル通信であってもよいし、ＬＡＮ等のネットワーク通信であってもよい。
【００５７】
図１１では、塗布装置７００により、ある処理部で処理予定の基板の準備を開始または完了し、かつ、該処理部への基板搬送が完了した状態で、該処理部が停止した場合を想定した。これに対し以下では、塗布装置７００により、停止処理部で処理予定の第１基板に対して該停止処理部がパターン形成処理を停止した時点で該第１基板に対する塗布処理が完了していた場合を考える。本実施形態では、この場合、第１基板を停止処理部に搬送するかわりに、基板保管部６１に搬送する。そして、停止処理部の処理の処理が再開可能となった場合、基板保管部６１に保管されていた第１基板を、該再開可能となった処理部に搬送する。また、停止処理部がパターン形成処理を停止している間は、塗布処理が行われた第２基板を塗布装置７００から第２基板に対するパターン形成処理が予定されている処理部に搬送する。以下、具体例を示す。
【００５８】
図１３（ａ）に、リソグラフィ装置６００が処理を開始した直後における基板搬出順テーブルの一例を示す。
ここで、処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が図１３（ａ）に従いＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板を処理している途中で、図１３（ｂ）に示されるように、処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）自身が停止した場合を想定する。処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が停止したことにより、インプリント装置制御部４００から塗布装置制御部５００に対してＡ２が停止したことを示す停止通知が送信される。塗布装置制御部５００は、この停止通知を受け取ると、ＬｏｔＩＤ：ｄ０２およびＬｏｔＩＤ：ｄ０３におけるＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２のデータを基板搬出順テーブルから削除する。この状態が図１３（ｂ）に示されている。
【００５９】
次に、図１３（ｃ）に示されるように、処理部１０４が（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ｂ１）がＷａｆｅｒＩＤ：２９０２の基板を処理している途中で処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が再開可能となった場合を想定する。処理部１０１が再開可能となったことにより、インプリント装置制御部４００はＡ２の再開通知を発行する。
塗布装置制御部５００はこの再開通知を受け取ると、基板搬出順テーブルを更新する。この更新により、ＬｏｔＩＤ：ｄ０２のＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２、ＬｏｔＩＤ：ｄ０３のＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２と関係付けられているＷａｆｅｒＩＤ：２９０１、ＷａｆｅｒＩＤ：１００２が再登録される。この状態が図１３（ｃ）に示されている。
【００６０】
次に、上記した図１３の場合における、塗布装置制御部５００による塗付実行テーブルの管理処理について説明する。図１４（ａ）に、リソグラフィ装置６００が処理を開始した直後に塗布装置７００に保持されている塗布実行テーブルの一例を示す。これは図１２（ａ）と同一である。
【００６１】
ここで、図１４（ａ）に従い、処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）によるＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板の処理の途中で、塗布装置制御部５００が処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）の停止通知を受信した場合を想定する。従ってこの時点では、図１４（ｂ）に示されるように、ＳｌｏｔＮｏ：１のＷａｆｅｒＩＤ：４８５２およびＳｌｏｔＮｏ：２のＷａｆｅｒＩＤ：４８５３のＣｏａｔＦｌａｇは、塗布が完了しているので１にセットされている。またこの場合、ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２に関連付けられている未処理基板であるＷａｆｅｒＩＤ：２９０１、ＷａｆｅｒＩＤ：１００２のＳｋｉｐＦｌａｇが、塗布準備の実行が不可であることを示す１にセットされる。
この時点では、式１によりＥｘｅｃＦｌａｇが１と計算されたＷａｆｅｒＩＤ：４８５４、４８５５、２９０２、２９０３、１００４の未処理基板を、塗布装置７００に搬入準備予定と判断される。
ＳｌｏｔＮｏ：２のＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２のＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板は、停止処理部であるＡ２に対応するが、既に塗布装置７００は準備を開始しているので、準備完了後、リソグラフィ装置６００に該基板を受け渡す。
【００６２】
図１４（ｃ）は、停止処理部が復旧を終え、再開（再稼働）可能となった場合の塗布実行テーブルの更新結果を示す。処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が停止した後に、処理部１０４（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ｂ１）がＷａｆｅｒＩＤ：２９０２の基板の処理途中で、処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が再開可能となった場合を考える。この場合、リソグラフィ装置６００から受信される再開通知に含まれるＳｔａｔｉｏｎＩＤはＡ２となる。
【００６３】
この情報を受け、ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２に関連付けられているＳｌｏｔＮｏ：５およびＳｌｏｔＮｏ：８のＳｋｉｐＦｌａｇがそれぞれ０にクリアされる。この時点では、ＳｌｏｔＮｏ：１〜ＳｌｏｔＮｏ：４、及びＳｌｏｔＮｏ：６のＣｏａｔＦｌａｇは１にセットされている。また、式１で計算されるＥｘｅｃＦｌａｇから、ＷａｆｅｒＩＤ：２９０１、２９０３、１００２、１００４の未処理基板が、塗布装置７００に搬入準備予定と判断される。
【００６４】
本実施形態において、リソグラフィ装置６００での各基板の処理の状態は、インプリント装置制御部４００によって維持管理されるインプリント実行テーブルに記述される。また、インプリント実行テーブルには、複数の基板のそれぞれが複数の処理部のうちどの処理部で処理されるかが予め定められている。以下、図１５を参照しながら、インプリント装置制御部４００によるインプリント実行テーブルの管理処理を説明する。図１５の例は、図１１〜１４と同じ状況、すなわち、塗布装置７００により、ある処理部で処理予定の基板の準備を開始または完了したが、該処理部への基板搬送が完了していない状態で、該処理部が停止した場合を想定している。
図１５において、ＤｅｓｔＰｏｓは、その基板の搬送先を示す。
ＢｕｆＰｏｓは、その基板が基板保管部６１に保管されているか否かを示す。この値が１であれば、その基板が基板保管部６１に保管されていることを示し、０であればその基板が基板保管部６１に保管されていないことを示している。
ＳｋｉｐＦｌａｇは、インプリント処理の実行許可状態か否かを示すフラグである。ＳｋｉｐＦｌａｇが１の場合は、インプリント処理が実行不可状態であることを示し、０の場合は、実行可能状態であることを示す。
ＩｍｐＦｌａｇは、インプリント処理が実行済みか否かを示すフラグである。ＩｍｐＦｌａｇが１の場合はインプリント処理が実行済みであることを示し、０の場合は、実行が済んでいないことを示す。
ＥｘｅｃＦｌａｇは、インプリント処理を実行予定を示すフラグであり、ＥｘｅｃＦｌａｇが１のときは実行予定、０のときは実行予定なしを表す。ＥｘｅｃＦｌａｇは、インプリント処理が実行可能（ＳｋｉｐＦｌａｇ＝０）、かつ、インプリント処理は実行未完了のとき（ＩｍｐＦｌａｇ＝０）に、実行予定を表す１にセットされる。したがって、ＥｘｅｃＦｌａｇは次式により表される。
ＥｘｅｃＦｌａｇ  ＝  ＮＯＴ（ＳｋｉｐＦｌａｇ  ＯＲ  ＩｍｐＦｌａｇ）      ．．．式２
【００６５】
図１５（ａ）は、リソグラフィ装置６００が処理を開始した直後におけるインプリント実行テーブルの例を示している。インプリント実行テーブルにおける、ＷａｆｅｒＩＤとＳｔａｔｉｏｎＩＤとの関係は、塗布装置７００が有する塗布実行テーブルにおけるそれと同じになっている。図１５（ａ）の例は、３つのロットｄ０１、ｄ０２、ｄ０３の順で基板が連続して処理される場合を示している。リソグラフィ装置６００が処理を開始した直後においては、ＳｋｉｐＦｌａｇ及びＩｍｐＦｌａｇは全て０である。また、ＥｘｅｃＦｌａｇは全て１であり、つまり塗布装置７００から搬入される予定の基板は全てインプリント処理すべき状態であることを示している。リソグラフィ装置６００は、外部から処理実行指示を受け、インプリント処理すべき状態の基板を対応する処理部に搬送し、インプリント処理の実行指示を行う。
【００６６】
図１５（ｂ）は、塗布装置７００がＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板を処理している途中で処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が停止した場合の、インプリント実行テーブルの更新結果を示している。塗布装置７００から搬入されるＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板の搬送先はＤｅｓｔＰｏｓのデータとして格納されている「Ｂｕｆｆｅｒ」に対応する基板保管部６１となる。
この時点では、式２で計算されるＥｘｅｃＦｌａｇから、ＷａｆｅｒＩＤ：４８５４、４８５５、２９０２、２９０３、１００４の未処理基板が、インプリント処理の実行予定であることを示す。リソグラフィ装置６００は未処理基板を対象処理部に搬送し、インプリント処理の実行指示を行う。
【００６７】
図１５（ｃ）は、処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が停止した後に再開可能となった場合のインプリント実行テーブルの更新結果の例を示す。この時点では、式２で計算されるＥｘｅｃＦｌａｇから、ＷａｆｅｒＩＤ：４８５３、２９０１、２９０３、１００２、１００４の未処理基板が、インプリント処理の実行予定であることを示す。リソグラフィ装置６００は未処理基板を対象処理部に搬送し、インプリント処理の実行指示を行う。
【００６８】
図１０を参照して、インプリント装置制御部４００による、リソグラフィ装置６００の基板搬送動作を説明する。
Ｓ５０１で、インプリント装置制御部４００は、塗布装置７００でレジスト材が塗布済みでインプリント処理待ちの基板（待機基板）が基板保管部６１にあるか否かを判断する。この判断は、インプリント実行テーブルのＢｕｆＰｏｓに１がセットされているか否かで判断されうる。このフラグは、塗布装置７００でレジスト材が塗布済みだがインプリント処理が未実行の基板が基板保管部６１に配置されたときに１にセットされ、基板保管部６１から基板が取り出されたときに０にクリアされる。待機基板が基板保管部６１にある場合は処理はＳ５０２へ進み、待機基板がない場合は処理はＳ５０４へ進む。
Ｓ５０２で、インプリント装置制御部４００は、インプリント実行テーブルから、基板の搬送先の情報であるＤｅｓｔＰｏｓの値を取得する。
Ｓ５０３で、インプリント装置制御部４００は、Ｓ５０２で取得した基板搬送先の処理部が稼働可能状態か否かを判断する。該処理部が稼働可能状態であれば処理はＳ５０９へ進み、稼働不可であれば処理はＳ５０４へ進む。
【００６９】
Ｓ５０４では、情報送受信部４０２が、塗布処理が完了した基板のＷａｆｅｒＩＤとＳｔａｔｉｏｎＩＤを含む基板情報を塗布装置７００から受信したか否か判断する。これは、先述した図９のＳ４０８で送信されたものである。基板情報を受信した場合は処理はＳ５０５へ進み、受信していなかった場合は処理はＳ５１１へ進む。
Ｓ５０５では、インプリント装置制御部４００は、Ｓ５０４で受信した基板情報とインプリント実行テーブルにおける情報との整合を確認する。具体的には、Ｓ５０４で受信した基板情報であるＷａｆｅｒＩＤとＳｔａｔｉｏｎＩＤの組み合わせがインプリント実行テーブルに正しく記述されたものであるか否かを確認する。
Ｓ５０６で、Ｓ５０５の整合が確認された場合、すなわち、ＷａｆｅｒＩＤとＳｔａｔｉｏｎＩＤの組み合わせがインプリント実行テーブルに正しく記述されている場合、処理はＳ５０７へ進み、そうでなければ処理はＳ５０１へ戻る。
【００７０】
Ｓ５０７では、情報送受信部４０２が塗布装置７００に基板引渡し許可通知を送信する。この処理は図９のＳ４０９に対応する。Ｓ５０６で整合が確認できなければ、塗布装置７００は基板引渡し許可通知を受信できないため、塗布装置制御部５００は、Ｓ４１２でエラー処理を実行することになる。
Ｓ５０８では、インプリント装置制御部４００は、受信したＳｔａｔｉｏｎＩＤの処理部が稼働可能状態であれば、受信したＷａｆｅｒＩＤの基板の搬送先の情報であるＤｅｓｔＰｏｓに、受信したＳｔａｔｉｏｎＩＤを書き込む。当該処理部が稼働不可であれば、インプリント装置制御部４００は、受信したＷａｆｅｒＩＤのＤｅｓｔＰｏｓに、基板保管部６１を示す「Ｂｕｆｆｅｒ」を書き込む。
Ｓ５０９では、インプリント装置制御部４００は、搬送ロボット５２を制御して、基板をＤｅｓｔＰｏｓに従う処理部へ搬送する。当該ＤｅｓｔＰｏｓがＢｕｆｆｅｒであった場合は、基板保管部６１へ搬送終了後、当該ＤｅｓｔＰｏｓをＷａｆｅｒＩＤに関連付けられていたＳｔａｔｉｏｎＩＤに書き戻す。
【００７１】
Ｓ５１０では、インプリント装置制御部４００は、Ｓ５０９で基板が搬送された処理部に対して、インプリント処理の実行を指示する。なお本実施形態では、各処理部は独立して処理を実行するように設計されており、インプリント処理の終了を待たずにＳ５１０からＳ５１１に進みうる。
Ｓ５１１では、インプリント装置制御部４００は、処理部にインプリント処理を終了した基板があるか否か判断する。処理済みの基板がある場合は処理はＳ５１２へ進み、処理済みの基板はない場合は処理はＳ５１３へ進む。
Ｓ５１２では、インプリント装置制御部４００は、搬送ロボット５２を制御して、処理済みの基板を搬送路５１を介して例えば塗布装置７００に引き渡す。
Ｓ５１３では、インプリント装置制御部４００は、インプリント処理、搬送処理の全体処理中断命令を受信したか否かを判断する。受信した場合は処理を終了する。受信していない場合は処理はＳ５０１へ戻る。全体中断命令は、通常処理においては発生することはなく、装置の異常や、全体処理を途中で中断せざるを得ない場合に発生しうる。
【００７２】
図１６に、インプリント装置制御部４００で管理されるリソグラフィ装置６００の基板処理順を記述した基板処理順テーブルの例を示す。ここでは、塗布装置７００により、ある処理部で処理予定の基板の準備を開始または完了したが、該処理部への基板搬送が完了していない基板がある場合における基板処理順テーブルの例が示されている。
処理部１０１（ＳｔａｔｉｏｎＩＤ：Ａ２）が停止した時点で、塗布装置７００はＡ２の処理部で処理予定の基板の準備を既に開始または完了している。したがって、ＬｏｔＩＤ：ｄ０１のＷａｆｅｒＩＤ：４８５３の基板は、リソグラフィ装置６００に搬送された後、一旦、基板保管部６１に保管され、Ａ２の処理部で処理が再開されるまで保持される。このため処理順番が図１６に記載された順番に入れ替わる。
また、ＬｏｔＩＤ：ｄ０２のＷａｆｅｒＩＤ：２９０１も同様にＡ２の処理部で処理が再開されるまで、塗布装置７００での基板の準備と搬送が中断されることで順番が入れ替わる。
【００７３】
以上の実施形態によれば、塗布装置７００により、ある処理部で処理予定の基板の準備を既に開始または完了したが、該処理部への基板搬送が完了していない場合であっても、停止した処理部が再稼働可能となりしだい、即座に処理を再開することができる。これにより、半導体製造システム全体の生産性の低下を最小限に抑えることが可能となる。
【００７４】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００７５】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００７６】
次に、物品製造方法について説明する。図１７（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００７７】
図１７（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１７（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００７８】
図１７（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００７９】
図１７（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１７（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００８０】
（他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００８１】
９００：基板処理システム、６００：リソグラフィ装置、７００：塗布装置、４００：インプリント装置制御部、５００：塗布装置制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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