(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置の可用性を向上させる。【解決手段】マイクロ波調整方法は、マイクロ波発生部により出力されたマイクロ波に対してチューナにより調整された可動短絡板の位置を検出する検出ステップと、検出ステップにおいて検出された可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、判定ステップおいて可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定された場合には、導波管の内部空間に対するスタブの挿入長を調整する調整ステップと、を有する。【選択図】図１０
2018010752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定パワーに応じたパワーを有するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部によって発生されたマイクロ波をチャンバ本体のアンテナへ導く導波管と、前記導波管に設けられ、前記マイクロ波発生部側のインピーダンスと前記アンテナ側のインピーダンスとを整合するように可動短絡板の位置を調整するチューナと、前記導波管における前記チューナと前記アンテナとの間に設けられ、前記導波管の内部空間へ挿入可能なスタブと、を備えたマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波調整方法であって、
前記マイクロ波発生部により出力されたマイクロ波に対して前記チューナにより調整された前記可動短絡板の位置を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおいて検出された前記可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップおいて前記可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定された場合には、前記導波管の内部空間に対する前記スタブの挿入長を調整する調整ステップと、
を有するマイクロ波調整方法。
【請求項２】
前記調整ステップでは、所定長だけ前記スタブを前記導波管の内部空間に挿入させ、
前記判定ステップにおいて前記可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内であると判定されるまで、前記調整ステップ、前記検出ステップ及び前記判定ステップが繰り返し実行される請求項１に記載のマイクロ波調整方法。
【請求項３】
前記マイクロ波発生部は、マイクロ波の周波数を変更可能であり、
前記判定ステップおいて前記可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、前記調整ステップにおいて調整された前記スタブの挿入長が閾値以下でない場合には、前記スタブの挿入長が前記閾値となるように変更するとともに前記マイクロ波発生部により発生されるマイクロ波の周波数を変更する変更ステップをさらに有する請求項２に記載のマイクロ波調整方法。
【請求項４】
前記判定ステップおいて前記可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、前記調整ステップにおいて調整された前記スタブの挿入長が閾値以下でない場合には、前記調整ステップ、前記検出ステップ及び前記判定ステップの繰り返しを終了し、アラームを出力するステップをさらに有する請求項２に記載のマイクロ波調整方法。
【請求項５】
設定パワーに応じたパワーを有するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部によって発生されたマイクロ波をチャンバ本体のアンテナへ導く導波管と、前記導波管に設けられ、前記マイクロ波発生部側のインピーダンスと前記アンテナ側のインピーダンスとを整合するように可動短絡板の位置を調整するチューナと、前記導波管における前記チューナと前記アンテナとの間に設けられ、前記導波管の内部空間へ挿入可能なスタブと、を備えたマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波調整方法であって、
前記マイクロ波発生部により出力されたマイクロ波の反射波電力を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおいて検出された反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップおいて反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内でないと判定された場合には、前記導波管の内部空間に対する前記スタブの挿入長を調整する調整ステップと、
を有するマイクロ波調整方法。
【請求項６】
前記調整ステップでは、所定長だけ前記スタブを前記導波管の内部空間に挿入させ、
前記判定ステップにおいて反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内であると判定されるまで、前記調整ステップ、前記検出ステップ及び前記判定ステップが繰り返し実行される請求項５に記載のマイクロ波調整方法。
【請求項７】
前記マイクロ波発生部は、マイクロ波の周波数を変更可能であり、
前記判定ステップおいて反射波電力と基準反射波電力との差分との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、前記調整ステップにおいて調整された前記スタブの挿入長が閾値以下でない場合には、前記スタブの挿入長が前記閾値となるように変更するとともに前記マイクロ波発生部により発生されるマイクロ波の周波数を変更する変更ステップをさらに有する請求項６に記載のマイクロ波調整方法。
【請求項８】
前記判定ステップおいて反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、前記調整ステップにおいて調整された前記スタブの挿入長が閾値以下でない場合には、前記調整ステップ、前記検出ステップ及び前記判定ステップの繰り返しを終了し、アラームを出力するステップをさらに有する請求項６に記載のマイクロ波調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、マイクロ波調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においてはプラズマ処理装置が利用されている。特許文献１記載のプラズマ処理装置は、マイクロ波を用いてガスを励起させるタイプの装置である。この装置は、マイクロ波発生部、アンテナ、及び、マイクロ波発生部とアンテナとの間の導波路に設けられた４Ｅチューナを備える。４Ｅチューナは４つの可動短絡板を備えており、可動短絡板を動作させることにより、インピーダンスマッチングを自動で行う。整合させた可動短絡板の位置をチューナポジションともいう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−０２２９４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１記載の装置のようにマイクロ波を用いたプラズマ処理装置は、使用に応じて天板が消耗する。この場合、不安定なプラズマが発生することがある。不安定なプラズマが発生する想定メカニズムは、以下の通りである。チューナとプラズマとの間には共鳴周波数が存在する。使用に応じて天板が消耗した場合、チューナポジションが移動する。チューナポジションの移動に応じて共鳴周波数が変化し、プラズマの電源周波数と重なったときに、不安定なプラズマが発生する。このような不安定なプラズマが発生した場合、天板を交換するなどのメンテナンスが必要となる。このため、本技術分野においては、プラズマ処理装置の可用性を向上させることができるマイクロ波調整方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一形態に係るマイクロ波調整方法は、マイクロ波プラズマ処理装置に適用される。マイクロ波プラズマ処理装置は、設定パワーに応じたパワーを有するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、マイクロ波発生部によって発生されたマイクロ波をチャンバ本体のアンテナへ導く導波管と、導波管に設けられ、マイクロ波発生部側のインピーダンスとアンテナ側のインピーダンスとを整合するように可動短絡板の位置を調整するチューナと、導波管におけるチューナとアンテナとの間に設けられ、導波管の内部空間へ挿入可能なスタブと、を備える。マイクロ波調整方法は、マイクロ波発生部により出力されたマイクロ波に対してチューナにより調整された可動短絡板の位置を検出する検出ステップと、検出ステップにおいて検出された可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、判定ステップおいて可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定された場合には、導波管の内部空間に対するスタブの挿入長を調整する調整ステップと、を有する。
【０００６】
このマイクロ波調整方法では、可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でない場合には、チューナとアンテナとの間に設けられたスタブの挿入長（導波管の内部空間に対する挿入長）が調整される。つまり、天板の消耗によってチューナポジションが許容範囲内から外れた場合には、スタブの挿入長が調整される。これにより、チューナとプラズマとの間の共鳴周波数をずらすことができるため、不安定なプラズマが発生することを回避することができる。よって、プラズマ処理装置の可用性を向上させることができる。
【０００７】
一実施形態において、調整ステップでは、所定長だけスタブを導波管の内部空間に挿入させ、判定ステップにおいて可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内であると判定されるまで、調整ステップ、検出ステップ及び判定ステップが繰り返し実行されてもよい。このように構成することで、変更の妥当性を検証しながらチューナポジションを許容範囲内に収めることができる。
【０００８】
一実施形態において、マイクロ波発生部は、マイクロ波の周波数を変更可能であり、判定ステップおいて可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、調整ステップにおいて調整されたスタブの挿入長が閾値以下でない場合には、スタブの挿入長が閾値となるように変更するとともにマイクロ波発生部により発生されるマイクロ波の周波数を変更する変更ステップをさらに有してもよい。スタブは導波管の内部空間に挿入されるため、挿入させ過ぎると今度は反射波電力が増大するおそれがある。つまり、スタブの挿入長が閾値を超えた場合には、スタブを用いた調整は限界であるといえる。よって、このような場合には、スタブを閾値に設定して、マイクロ波の周波数を変更する。このように、スタブを用いた調整が限界である場合には、マイクロ波の周波数を変更するという別なアプローチを採用することにより、チューナポジションを許容範囲内に収めるように調整することができる。
【０００９】
一実施形態において、判定ステップおいて可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、調整ステップにおいて調整されたスタブの挿入長が閾値以下でない場合には、調整ステップ、検出ステップ及び判定ステップの繰り返しを終了し、アラームを出力するステップをさらに有してもよい。このように、スタブを用いた調整が限界である場合には、アラームを出力することにより、メンテナンスを促すことができる。
【００１０】
本発明の他の形態に係るマイクロ波調整方法は、マイクロ波プラズマ処理装置に適用される。マイクロ波プラズマ処理装置は、設定パワーに応じたパワーを有するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、マイクロ波発生部によって発生されたマイクロ波をチャンバ本体のアンテナへ導く導波管と、導波管に設けられ、マイクロ波発生部側のインピーダンスとアンテナ側のインピーダンスとを整合するように可動短絡板の位置を調整するチューナと、導波管におけるチューナとアンテナとの間に設けられ、導波管の内部空間へ挿入可能なスタブと、を備える。マイクロ波調整方法は、マイクロ波発生部により出力されたマイクロ波の反射波電力を検出する検出ステップと、検出ステップにおいて検出された反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、判定ステップおいて反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内でないと判定された場合には、導波管の内部空間に対するスタブの挿入長を調整する調整ステップと、を有する。
【００１１】
このマイクロ波調整方法では、反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内でない場合には、チューナとアンテナとの間に設けられたスタブの挿入長（導波管の内部空間に対する挿入長）が調整される。つまり、天板の消耗によって反射波電力が許容範囲内から外れた場合には、スタブの挿入長が調整される。これにより、チューナとプラズマとの間の共鳴周波数をずらすことができるため、不安定なプラズマが発生することを回避することができる。よって、プラズマ処理装置の可用性を向上させることができる。
【００１２】
一実施形態において、調整ステップでは、所定長だけスタブを導波管の内部空間に挿入させ、判定ステップにおいて反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内であると判定されるまで、調整ステップ、検出ステップ及び判定ステップが繰り返し実行されてもよい。このように構成することで、変更の妥当性を検証しながら反射波電力を許容範囲内に収めることができる。
【００１３】
一実施形態において、マイクロ波発生部は、マイクロ波の周波数を変更可能であり、判定ステップおいて反射波電力と基準反射波電力との差分との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、調整ステップにおいて調整されたスタブの挿入長が閾値以下でない場合には、スタブの挿入長が閾値となるように変更するとともにマイクロ波発生部により発生されるマイクロ波の周波数を変更する変更ステップをさらに有してもよい。スタブは導波管の内部空間に挿入されるため、挿入させ過ぎると今度は反射波電力が増大するおそれがある。つまり、スタブの挿入長が閾値を超えた場合には、スタブを用いた調整は限界であるといえる。よって、このような場合には、スタブを閾値に設定して、マイクロ波の周波数を変更する。このように、スタブを用いた調整が限界である場合には、マイクロ波の周波数を変更するという別なアプローチを採用することにより、反射波電力を許容範囲内に収めるように調整することができる。
【００１４】
一実施形態において、判定ステップおいて反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内でないと判定され、かつ、調整ステップにおいて調整されたスタブの挿入長が閾値以下でない場合には、調整ステップ、検出ステップ及び判定ステップの繰り返しを終了し、アラームを出力するステップをさらに有してもよい。このように、スタブを用いた調整が限界である場合には、アラームを出力することにより、メンテナンスを促すことができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、プラズマ処理装置の可用性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一実施形態に係るマイクロ波調整方法が適用されるプラズマ処理装置を示す図である。
【図２】マイクロ波出力装置、チューナ及び共鳴周波数調整部を示す図である。
【図３】共鳴周波数調整部の位置を示す図である。
【図４】共鳴周波数と反射波電力との関係を、スタブ挿入長ごとにシミュレーションした結果である。
【図５】共鳴周波数と反射波電力との関係を、スタブ挿入長ごとにシミュレーションした結果である。
【図６】図４のシミュレーション結果を、反射波電力が最小となる共鳴周波数とスタブ挿入長との関係にプロットし直したグラフである。
【図７】図５のシミュレーション結果を、反射波電力が最小となる共鳴周波数とスタブ挿入長との関係にプロットし直したグラフである。
【図８】反射波電力とスタブ挿入長との関係をシミュレーションした結果である。
【図９】チューナポジションの初期値を取得するフローチャートである。
【図１０】チューナポジションに基づいたマイクロ波調整方法を説明するフローチャートである。
【図１１】第２実施形態に係るマイクロ波調整方法による反射波電力の初期値を取得するフローチャートである。
【図１２】第２実施形態に係るマイクロ波調整方法を説明するフローチャートである。
【図１３】第３実施形態に係るマイクロ波調整方法が適用されるマイクロ波出力装置、チューナ及び共鳴周波数調整部を示す図である。
【図１４】第３実施形態に係るマイクロ波調整方法によるチューナポジションの初期値を取得するフローチャートである。
【図１５】第３実施形態に係るマイクロ波調整方法を説明するフローチャートである。
【図１６】第４実施形態に係るマイクロ波調整方法による反射波電力の初期値を取得する変形例のフローチャートである。
【図１７】第４実施形態に係るマイクロ波調整方法を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１８】
［第１実施形態］
図１は、一実施形態に係るマイクロ波調整方法が適用されるプラズマ処理装置（マイクロ波プラズマ処理装置）１を示す図である。図１に示すプラズマ処理装置１は、チャンバ本体１２、及び、マイクロ波出力装置１６を備えている。プラズマ処理装置１は、ステージ１４、アンテナ１８、及び、誘電体窓２０を更に備え得る。
【００１９】
チャンバ本体１２は、その内部に処理空間Ｓを提供している。チャンバ本体１２は、側壁１２ａ及び底部１２ｂを有している。側壁１２ａは、略筒形状に形成されている。この側壁１２ａの中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線Ｚに略一致している。底部１２ｂは、側壁１２ａの下端側に設けられている。底部１２ｂには、排気用の排気孔１２ｈが設けられている。また、側壁１２ａの上端部は開口している。
【００２０】
側壁１２ａの上端部の上には誘電体窓２０が設けられている。この誘電体窓２０は、処理空間Ｓに対向する下面２０ａを有する。誘電体窓２０は、側壁１２ａの上端部の開口を閉じている。この誘電体窓２０と側壁１２ａの上端部との間にはＯリング１９が介在している。このＯリング１９により、チャンバ本体１２の密閉がより確実なものとなる。
【００２１】
ステージ１４は、処理空間Ｓ内に収容されている。ステージ１４は、鉛直方向において誘電体窓２０と対面するように設けられている。また、ステージ１４は、誘電体窓２０と当該ステージ１４との間に処理空間Ｓを挟むように設けられている。このステージ１４は、その上に載置される被加工物ＷＰ（例えば、ウエハ）を支持するように構成されている。
【００２２】
一実施形態において、ステージ１４は、基台１４ａ及び静電チャック１４ｃを含んでいる。基台１４ａは、略円盤形状を有しており、アルミニウムといった導電性の材料から形成されている。基台１４ａの中心軸線は、軸線Ｚに略一致している。この基台１４ａは、筒状支持部４８によって支持されている。筒状支持部４８は、絶縁性の材料から形成されており、底部１２ｂから垂直上方に延びている。筒状支持部４８の外周には、導電性の筒状支持部５０が設けられている。筒状支持部５０は、筒状支持部４８の外周に沿ってチャンバ本体１２の底部１２ｂから垂直上方に延びている。この筒状支持部５０と側壁１２ａとの間には、環状の排気路５１が形成されている。
【００２３】
排気路５１の上部には、バッフル板５２が設けられている。バッフル板５２は、環形状を有している。バッフル板５２には、当該バッフル板５２を板厚方向に貫通する複数の貫通孔が形成されている。このバッフル板５２の下方には上述した排気孔１２ｈが設けられている。排気孔１２ｈには、排気管５４を介して排気装置５６が接続されている。排気装置５６は、自動圧力制御弁（ＡＰＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｖａｌｖｅ）と、ターボ分子ポンプといった真空ポンプとを有している。この排気装置５６により、処理空間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。
【００２４】
基台１４ａは、高周波電極を兼ねている。基台１４ａには、給電棒６２及びマッチングユニット６０を介して、ＲＦバイアス用の高周波電源５８が電気的に接続されている。高周波電源５８は、被加工物ＷＰに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、１３．６５ＭＨｚの高周波（以下適宜「バイアス用高周波」という）を、設定されたパワーで出力する。マッチングユニット６０は、高周波電源５８側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、チャンバ本体１２といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容している。この整合器の中には自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。
【００２５】
基台１４ａの上面には、静電チャック１４ｃが設けられている。静電チャック１４ｃは、被加工物ＷＰを静電吸着力で保持する。静電チャック１４ｃは、電極１４ｄ、絶縁膜１４ｅ、及び、絶縁膜１４ｆを含んでおり、概ね円盤形状を有している。静電チャック１４ｃの中心軸線は軸線Ｚに略一致している。この静電チャック１４ｃの電極１４ｄは、導電膜によって構成されており、絶縁膜１４ｅと絶縁膜１４ｆの間に設けられている。電極１４ｄには、直流電源６４がスイッチ６６及び被覆線６８を介して電気的に接続されている。静電チャック１４ｃは、直流電源６４より印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、被加工物ＷＰを吸着保持することができる。また、基台１４ａ上には、フォーカスリング１４ｂが設けられている。フォーカスリング１４ｂは、被加工物ＷＰ及び静電チャック１４ｃを囲むように配置される。
【００２６】
基台１４ａの内部には、冷媒室１４ｇが設けられている。冷媒室１４ｇは、例えば、軸線Ｚを中心に延在するように形成されている。この冷媒室１４ｇには、チラーユニットからの冷媒が配管７０を介して供給される。冷媒室１４ｇに供給された冷媒は、配管７２を介してチラーユニットに戻される。この冷媒の温度がチラーユニットによって制御されることにより、静電チャック１４ｃの温度、ひいては被加工物ＷＰの温度が制御される。
【００２７】
また、ステージ１４には、ガス供給ライン７４が形成されている。このガス供給ライン７４は、伝熱ガス、例えば、Ｈｅガスを、静電チャック１４ｃの上面と被加工物ＷＰの裏面との間に供給するために設けられている。
【００２８】
マイクロ波出力装置１６は、設定パワーに応じたパワーを有するマイクロ波を発生する。マイクロ波出力装置１６は、例えば、チャンバ本体１２内に供給される処理ガスを励起させるための単一周波数の、即ちシングルピーク（ＳＰ）のマイクロ波を出力する。マイクロ波出力装置１６は、マイクロ波の周波数及びパワーを可変に調整するよう構成されている。一例において、マイクロ波出力装置１６は、マイクロ波のパワーを０Ｗ〜５０００Ｗの範囲内で調整することができ、マイクロ波の周波数を２４００ＭＨｚ〜２５００ＭＨｚの範囲内で調整することできる。
【００２９】
プラズマ処理装置１は、導波管２１、チューナ２６、共鳴周波数調整部２９、モード変換器２７、及び、同軸導波管２８を更に備えている。導波管２１及び同軸導波管２８は、マイクロ波出力装置１６によって発生されたマイクロ波を、チャンバ本体１２の後述するアンテナ１８へ導く導波管である。マイクロ波出力装置１６の出力部は、導波管２１の一端に接続されている。導波管２１の他端は、モード変換器２７に接続されている。導波管２１は、例えば、矩形導波管である。導波管２１には、チューナ２６が設けられている。チューナ２６は、可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４を有している。可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４の各々は、導波管２１の内部空間に対するその突出量を調整可能なように構成されている。チューナ２６は、基準となる所定位置に対する可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４の各々の突出位置を調整することにより、マイクロ波出力装置１６のインピーダンスと負荷、例えば、チャンバ本体１２のインピーダンスとを整合させる。
【００３０】
共鳴周波数調整部２９は、導波管（導波管２１及び同軸導波管２８）におけるチューナ２６と後述するアンテナ１８との間に設けられる。共鳴周波数調整部２９は、導波管の内部空間へ挿入可能なスタブを有する。共鳴周波数調整部２９の構成の詳細については後述する。
【００３１】
モード変換器２７は、導波管２１からのマイクロ波のモードを変換して、モード変換後のマイクロ波を同軸導波管２８に供給する。同軸導波管２８は、外側導体２８ａ及び内側導体２８ｂを含んでいる。外側導体２８ａは、略円筒形状を有しており、その中心軸線は軸線Ｚに略一致している。内側導体２８ｂは、略円筒形状を有しており、外側導体２８ａの内側で延在している。内側導体２８ｂの中心軸線は、軸線Ｚに略一致している。この同軸導波管２８は、モード変換器２７からのマイクロ波をアンテナ１８に伝送する。
【００３２】
アンテナ１８は、誘電体窓２０の下面２０ａの反対側の面２０ｂ上に設けられている。アンテナ１８は、スロット板３０、誘電体板３２、及び、冷却ジャケット３４を含んでいる。
【００３３】
スロット板３０は、誘電体窓２０の面２０ｂ上に設けられている。このスロット板３０は、導電性を有する金属から形成されており、略円盤形状を有している。スロット板３０の中心軸線は軸線Ｚに略一致している。スロット板３０には、複数のスロット孔３０ａが形成されている。複数のスロット孔３０ａは、一例においては、複数のスロット対を構成している。複数のスロット対の各々は、互いに交差する方向に延びる略長孔形状の二つのスロット孔３０ａを含んでいる。複数のスロット対は、軸線Ｚ周りの一以上の同心円に沿って配列されている。また、スロット板３０の中央部には、後述する導管３６が通過可能な貫通孔３０ｄが形成される。
【００３４】
誘電体板３２は、スロット板３０上に設けられている。誘電体板３２は、石英といった誘電体材料から形成されており、略円盤形状を有している。この誘電体板３２の中心軸線は軸線Ｚに略一致している。冷却ジャケット３４は、誘電体板３２上に設けられている。誘電体板３２は、冷却ジャケット３４とスロット板３０との間に設けられている。
【００３５】
冷却ジャケット３４の表面は、導電性を有する。冷却ジャケット３４の内部には、流路３４ａが形成されている。この流路３４ａには、冷媒が供給されるようになっている。冷却ジャケット３４の上部表面には、外側導体２８ａの下端が電気的に接続されている。また、内側導体２８ｂの下端は、冷却ジャケット３４及び誘電体板３２の中央部分に形成された孔を通って、スロット板３０に電気的に接続されている。
【００３６】
同軸導波管２８からのマイクロ波は、誘電体板３２内を伝搬して、スロット板３０の複数のスロット孔３０ａから誘電体窓２０に供給される。誘電体窓２０に供給されたマイクロ波は、処理空間Ｓに導入される。
【００３７】
同軸導波管２８の内側導体２８ｂの内孔には、導管３６が通っている。また、上述したように、スロット板３０の中央部には、導管３６が通過可能な貫通孔３０ｄが形成されている。導管３６は、内側導体２８ｂの内孔を通って延在しており、ガス供給系３８に接続されている。
【００３８】
ガス供給系３８は、被加工物ＷＰを処理するための処理ガスを導管３６に供給する。ガス供給系３８は、ガス源３８ａ、弁３８ｂ、及び、流量制御器３８ｃを含み得る。ガス源３８ａは、処理ガスのガス源である。弁３８ｂは、ガス源３８ａからの処理ガスの供給及び供給停止を切り替える。流量制御器３８ｃは、例えば、マスフローコントローラであり、ガス源３８ａからの処理ガスの流量を調整する。
【００３９】
プラズマ処理装置１は、インジェクタ４１を更に備え得る。インジェクタ４１は、導管３６からのガスを誘電体窓２０に形成された貫通孔２０ｈに供給する。誘電体窓２０の貫通孔２０ｈに供給されたガスは、処理空間Ｓに供給される。そして、誘電体窓２０から処理空間Ｓに導入されるマイクロ波によって、当該処理ガスが励起される。これにより、処理空間Ｓ内でプラズマが生成され、当該プラズマからのイオン及び／又はラジカルといった活性種により、被加工物ＷＰが処理される。
【００４０】
プラズマ処理装置１は、制御器１００を更に備えている。制御器１００は、プラズマ処理装置１の各部を統括制御する。制御器１００は、ＣＰＵといったプロセッサ、ユーザインタフェース、及び、記憶部を備え得る。
【００４１】
プロセッサは、記憶部に記憶されたプログラム及びプロセスレシピを実行することにより、マイクロ波出力装置１６、ステージ１４、ガス供給系３８、排気装置５６等の各部を統括制御する。また、プロセッサは、記憶部に種々の測定値などを記憶する。
【００４２】
ユーザインタフェースは、工程管理者がプラズマ処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボード又はタッチパネル、プラズマ処理装置１の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等を含んでいる。
【００４３】
記憶部には、プラズマ処理装置１で実行される各種処理をプロセッサの制御によって実現するための制御プログラム（ソフトウエア）、及び、処理条件データ等を含むプロセスレシピ等が保存されている。プロセッサは、ユーザインタフェースからの指示等、必要に応じて、各種の制御プログラムを記憶部から呼び出して実行する。このようなプロセッサの制御下で、プラズマ処理装置１において所望の処理が実行される。また、記憶部には、実行済みのプロセスレシピ（プロセス条件）に対応する監視結果が関連付けられて記憶されていてもよい。監視結果は、上述したチューナポジション及びマイクロ波出力装置１６によって計測される測定値（後述）などを含む。
【００４４】
以下、マイクロ波出力装置１６、チューナ２６及び共鳴周波数調整部２９の詳細を説明する。図２は、マイクロ波出力装置１６、チューナ２６及び共鳴周波数調整部２９を示す図である。マイクロ波出力装置１６は、マイクロ波発生部１６ａ、導波管１６ｂ、サーキュレータ１６ｃ、導波管１６ｄ、導波管１６ｅ、第１の方向性結合器１６ｆ、第１の測定部１６ｇ、第２の方向性結合器１６ｈ、第２の測定部１６ｉ、及び、ダミーロード１６ｊを有している。
【００４５】
マイクロ波発生部１６ａは、波形発生部１６１、パワー制御部１６２、減衰器１６３、増幅器１６４、増幅器１６５、及び、モード変換器１６６を有している。波形発生部１６１は、マイクロ波を発生する。波形発生部１６１は、制御器１００及びパワー制御部１６２に接続されている。波形発生部１６１は、制御器１００によって指定される設定周波数に応じた周波数を有するシングルピークのマイクロ波を発生する。波形発生部１６１は、例えば、設定周波数に応じた周波数を有するシングルピークのマイクロ波を発生するＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）発振器を有する。
【００４６】
波形発生部１６１の出力は、減衰器１６３に接続されている。減衰器１６３には、パワー制御部１６２が接続されている。パワー制御部１６２は、例えば、プロセッサであり得る。パワー制御部１６２は、制御器１００から指定された設定パワーに応じたパワーを有するマイクロ波がマイクロ波出力装置１６から出力されるよう、減衰器１６３におけるマイクロ波の減衰率を制御する。減衰器１６３の出力は、増幅器１６４及び増幅器１６５を介してモード変換器１６６に接続されている。増幅器１６４及び増幅器１６５は、マイクロ波をそれぞれに所定の増幅率で増幅するようになっている。モード変換器１６６は、増幅器１６５から出力されるマイクロ波のモードを変換するようになっている。このモード変換器１６６におけるモード変換によって生成されたマイクロ波は、マイクロ波発生部１６ａの出力マイクロ波として出力される。
【００４７】
マイクロ波発生部１６ａの出力は導波管１６ｂの一端に接続されている。導波管１６ｂの他端は、サーキュレータ１６ｃの第１ポート２６１に接続されている。サーキュレータ１６ｃは、第１ポート２６１、第２ポート２６２、及び、第３ポート２６３を有している。サーキュレータ１６ｃは、第１ポート２６１に入力されたマイクロ波を第２ポート２６２から出力し、第２ポート２６２に入力したマイクロ波を第３ポート２６３から出力するように構成されている。サーキュレータ１６ｃの第２ポート２６２には導波管１６ｄの一端が接続されている。導波管１６ｄの他端は、マイクロ波出力装置１６の出力部１６ｔである。
【００４８】
サーキュレータ１６ｃの第３ポート２６３には、導波管１６ｅの一端が接続されている。導波管１６ｅの他端はダミーロード１６ｊに接続されている。ダミーロード１６ｊは、導波管１６ｅを伝搬するマイクロ波を受けて、当該マイクロ波を吸収するようになっている。ダミーロード１６ｊは、例えば、マイクロ波を熱に変換する。
【００４９】
第１の方向性結合器１６ｆ及び第２の方向性結合器１６ｈは、導波管１６ｄの一端と他端との間に設けられている。第１の方向性結合器１６ｆは、マイクロ波発生部１６ａから出力されて、出力部１６ｔに伝搬するマイクロ波（即ち、進行波）の一部を分岐させて、当該進行波の一部を出力するように構成されている。第１の測定部１６ｇは、第１の方向性結合器１６ｆから出力された進行波の一部に基づき、出力部１６ｔにおける進行波のパワーを示す第１の測定値を決定する。
【００５０】
第２の方向性結合器１６ｈは、出力部１６ｔに戻されたマイクロ波（即ち、反射波）の一部を分岐させて、当該反射波の一部を出力するように構成されている。第２の測定部１６ｉは、第２の方向性結合器１６ｈから出力された反射波の一部に基づき、出力部１６ｔにおける反射波のパワー（反射波電力）を示す第２の測定値を決定する。
【００５１】
第１の測定部１６ｇ及び第２の測定部１６ｉはパワー制御部１６２に接続されている。第１の測定部１６ｇは、第１の測定値をパワー制御部１６２に出力し、第２の測定部１６ｉは、第２の測定値をパワー制御部１６２に出力する。パワー制御部１６２は、第１の測定値と第２の測定値の差、即ちロードパワーが、制御器１００によって指定される設定パワーに一致するよう、減衰器１６３を制御し、必要に応じて波形発生部１６１を制御する。
【００５２】
チューナ２６は、制御器１００の信号に基づいて、マイクロ波出力装置１６側のインピーダンスとアンテナ１８側のインピーダンスとを整合するように可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４の突出位置を調整する。チューナ２６は、図示しないドライバ回路及びアクチュエータにより、可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４を動作させる。なお、整合させた可動短絡板の突出位置をチューナポジションともいう。
【００５３】
共鳴周波数調整部２９は、スタブ２９ａ、モータ２９ｂ及びモータドライバ２９ｃを有する。スタブ２９ａは、導波管の内部空間へ挿入可能な部材である。スタブ２９ａは、例えば円柱の棒状部材である。スタブ２９ａの材料は、導波管と同一の材質または金属が採用され得る。このような材料の一例として、たとえば、アルミニウムもしくは銅のバルク、又は、真鍮などの金属合金が挙げられる。なお、スタブ２９ａは、その表面が銅又は金などの金属により被覆されていてもよい。スタブ２９ａの挿入方向は、マイクロ波の進行方向に対して直交する方向であってもよい。スタブ２９ａが導波管の内部空間へ突出した長さをスタブ挿入長という。つまり、スタブ２９ａの一端が導波管の内部空間へ突出していないときは、スタブ挿入長が零である。スタブ２９ａの他端には、モータ２９ｂが設けられている。モータ２９ｂは、モータドライバ２９ｃによって駆動し、スタブ２９ａを導波管の内部空間へ移動させる。モータドライバ２９ｃは、制御器１００の信号に基づいて動作する。
【００５４】
図３は、共鳴周波数調整部２９の位置を示す図である。共鳴周波数調整部２９は、導波管におけるチューナ２６とアンテナ１８との間に設けられる。共鳴周波数調整部２９は、例えば、図３の（Ａ）に示されるように導波管２１に設けられてもよいし、図３の（Ｂ）に示されるように、モード変換器２７が存在する導波管に設けられていてもよい。あるいは、共鳴周波数調整部２９は、同軸導波管２８に設けられてもよい。このように、共鳴周波数調整部２９は、チューナ２６とアンテナ１８との間であれば自由に配置することができる。
【００５５】
次に、上述したプラズマ処理装置１の共鳴周波数調整部２９の特性をシミュレーションにより評価した。シミュレーションの条件として、共鳴周波数調整部２９の配置位置を図３の（Ａ）に示す位置（同軸導波管２８の同軸中心から１３ｍｍ）、スタブの直径を２０ｍｍ、導波管２１の内部空間の高さを２７ｍｍとした。そして、共鳴周波数と反射波電力との関係を、スタブ挿入長ごとにシミュレーションした。スタブ挿入長は、０ｍｍ，８ｍｍ，１２ｍｍ，１５ｍｍ，１８ｍｍ，２１ｍｍと変化させた。また、電子密度ｎｅを、８．０×１０１０（１／ｃｍ３）、９．０×１０１０（１／ｃｍ３）、１０×１０１０（１／ｃｍ３）、２０×１０１０（１／ｃｍ３）と変化させ、共鳴周波数と反射波電力との関係をシミュレーションした。
【００５６】
図４の（Ａ）は、電子密度ｎｅ＝８．０×１０１０（１／ｃｍ３）の場合における共鳴周波数と反射波電力との関係を、スタブ挿入長ごとにシミュレーションした結果である。縦軸は反射波電力［Ｗ］であり、横軸は共鳴周波数［Ｈｚ］である。図４の（Ａ）に示されるように、スタブ挿入長が長くなるにつれて、反射波電力が最小となる共鳴周波数が左にシフトしていくことがわかる。
【００５７】
図４の（Ｂ）は、電子密度ｎｅ＝９．０×１０１０（１／ｃｍ３）の場合における共鳴周波数と反射波電力との関係を、スタブ挿入長ごとにシミュレーションした結果である。縦軸は反射波電力［Ｗ］であり、横軸は共鳴周波数［Ｈｚ］である。図４の（Ｂ）に示されるように、スタブ挿入長が長くなるにつれて、反射波電力が最小となる共鳴周波数が左にシフトしていくことがわかる。
【００５８】
図５の（Ａ）は、電子密度ｎｅ＝１０×１０１０（１／ｃｍ３）の場合における共鳴周波数と反射波電力との関係を、スタブ挿入長ごとにシミュレーションした結果である。縦軸は反射波電力［Ｗ］であり、横軸は共鳴周波数［Ｈｚ］である。図５の（Ａ）に示されるように、スタブ挿入長が長くなるにつれて、反射波電力が最小となる共鳴周波数が右にシフトしていくことがわかる。
【００５９】
図５の（Ｂ）は、電子密度ｎｅ＝２０×１０１０（１／ｃｍ３）の場合における共鳴周波数と反射波電力との関係を、スタブ挿入長ごとにシミュレーションした結果である。縦軸は反射波電力［Ｗ］であり、横軸は共鳴周波数［Ｈｚ］である。図５の（Ｂ）に示されるように、スタブ挿入長が長くなるにつれて、反射波電力が最小となる共鳴周波数が右にシフトしていくことがわかる。
【００６０】
図６の（Ａ）は、図４の（Ａ）のシミュレーション結果を、反射波電力が最小となる共鳴周波数とスタブ挿入長との関係にプロットし直したグラフである。図６の（Ａ）の縦軸は、スタブ挿入長が零のときにおける反射波電力が最小となる共鳴周波数を基準とした、反射波電力が最小となる共鳴周波数［Ｈｚ］である。つまり、縦軸は、スタブ挿入長が零のときを基準とした反射波電力が最小となる共鳴周波数の変化量を示している。図６の（Ａ）の横軸はスタブ挿入長［ｍｍ］である。図６の（Ａ）に示されるように、スタブ挿入長が０ｍｍ〜１２ｍｍ（破線で示す箇所）の範囲において、スタブ挿入長が長くなるにつれて反射波電力が最小となる共鳴周波数は減少することがわかる（単調減少）。
【００６１】
図６の（Ｂ）は、図４の（Ｂ）のシミュレーション結果を、反射波電力が最小となる共鳴周波数とスタブ挿入長との関係にプロットし直したグラフである。図６の（Ｂ）の縦軸は、スタブ挿入長が零のときにおける反射波電力が最小となる共鳴周波数を基準とした、反射波電力が最小となる共鳴周波数［Ｈｚ］である。つまり、縦軸は、スタブ挿入長が零のときを基準とした反射波電力が最小となる共鳴周波数の変化量を示している。図６の（Ｂ）の横軸はスタブ挿入長［ｍｍ］である。図６の（Ｂ）に示されるように、スタブ挿入長が０ｍｍ〜１２ｍｍ（破線で示す箇所）の範囲において、スタブ挿入長が長くなるにつれて反射波電力が最小となる共鳴周波数は減少することがわかる（単調減少）。
【００６２】
図７の（Ａ）は、図５の（Ａ）のシミュレーション結果を、反射波電力が最小となる共鳴周波数とスタブ挿入長との関係にプロットし直したグラフである。図７の（Ａ）の縦軸は、スタブ挿入長が零のときにおける反射波電力が最小となる共鳴周波数を基準とした、反射波電力が最小となる共鳴周波数［Ｈｚ］である。つまり、縦軸は、スタブ挿入長が零のときを基準とした反射波電力が最小となる共鳴周波数の変化量を示している。図７の（Ａ）の横軸はスタブ挿入長［ｍｍ］である。図７の（Ａ）に示されるように、スタブ挿入長が０ｍｍ〜１２ｍｍ（破線で示す箇所）の範囲において、スタブ挿入長が長くなるにつれて反射波電力が最小となる共鳴周波数は増加することがわかる（単調増加）。
【００６３】
図７の（Ｂ）は、図５の（Ｂ）のシミュレーション結果を、反射波電力が最小となる共鳴周波数とスタブ挿入長との関係にプロットし直したグラフである。図７の（Ｂ）の縦軸は、スタブ挿入長が零のときにおける反射波電力が最小となる共鳴周波数を基準とした、反射波電力が最小となる共鳴周波数［Ｈｚ］である。つまり、縦軸は、スタブ挿入長が零のときを基準とした反射波電力が最小となる共鳴周波数の変化量を示している。図７の（Ｂ）の横軸はスタブ挿入長［ｍｍ］である。図７の（Ｂ）に示されるように、スタブ挿入長が０ｍｍ〜１２ｍｍ（破線で示す箇所）の範囲において、スタブ挿入長が長くなるにつれて反射波電力が最小となる共鳴周波数は増加することがわかる（単調増加）。
【００６４】
以上、図６に示されるように、低電子密度（ｎｅ＝８．０×１０１０（１／ｃｍ３）〜９．０×１０１０（１／ｃｍ３））の場合においては、スタブ挿入長が０ｍｍ〜１２ｍｍの範囲において、スタブ挿入長が長くなるにつれて反射波電力が最小となる共鳴周波数は小さくなる傾向であることが確認された。また、図７に示されるように、高電子密度（ｎｅ＝１０×１０１０（１／ｃｍ３）〜２０×１０１０（１／ｃｍ３））の場合においては、スタブ挿入長が０ｍｍ〜１２ｍｍの範囲において、スタブ挿入長が長くなるにつれて反射波電力が最小となる共鳴周波数は大きくなる傾向であることが確認された。
【００６５】
次に、反射波電力とスタブ挿入長との関係をシミュレーションした。結果を図８に示す図８の縦軸は反射波電力［Ｗ］であり、横軸はスタブ挿入長［ｍｍ］である。反射波電力は、電子密度ｎｅ＝８．０×１０１０（１／ｃｍ３）、９．０×１０１０（１／ｃｍ３）、１０×１０１０（１／ｃｍ３）、２０×１０１０（１／ｃｍ３）であるときの反射波電力を平均してプロットした。単調減少及び単調増加が確認されたスタブ挿入長の範囲（０ｍｍ〜１２ｍｍ）において、反射波電力は最大１０Ｗ程度であり、許容範囲内であることが確認された。
【００６６】
次に、上述したシミュレーションにより評価された共鳴周波数調整部２９の特性を用いたマイクロ波調整方法を説明する。マイクロ波調整方法の基本原理は、初期導入時あるいは天板交換などのメンテナンス終了時における装置状態を基準とし、基準となる装置状態と現状の装置状態とを比較し、変化があったときに共鳴周波数調整部２９を作動させる。
【００６７】
マイクロ波調整方法として、最初に基準となる装置の情報を取得する。図９は、チューナポジションの初期値を取得するフローチャートである。図９に示されるフローチャートは、例えば、プラズマ処理装置１の初期導入時、あるいは、メンテナンス終了時に実行され得る。フローチャートは、制御器１００によって実行される。
【００６８】
図９に示されるように、最初に、制御器１００は、初期設定処理（Ｓ１０）として、スタブ挿入長及びマイクロ波の周波数を設定する。制御器１００は、例えばスタブ挿入長として０［ｍｍ］、マイクロ波の周波数として２４５０［ＭＨｚ］を設定する。制御器１００は、前回のメンテナンス終了時のスタブ挿入長が記憶部に記憶されている場合には、記憶部に記憶されたスタブ挿入長を採用してもよい。また、マイクロ波の周波数は任意の固定値である。
【００６９】
次に、制御器１００は、プロセス条件取得処理（Ｓ１２）として、プロセス条件を取得する。制御器１００は、例えば、記憶部に記憶されたプロセスレシピを読み込んで、プロセス条件を取得する。
【００７０】
次に、制御器１００は、マイクロ波出力開始処理（Ｓ１４）として、マイクロ波の出力を開始する。制御器１００は、例えば、プロセス条件取得処理（Ｓ１２）で得られたプロセス条件に基づいて、マイクロ波を出力する。このとき、チューナ２６は、可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４を動作させて自動的にインピーダンスマッチングを行う。制御器１００は、判定処理（Ｓ１６）として、インピーダンスマッチングの終了を判定する。例えば、制御器１００は、可動短絡板の位置が安定したか否かを判定し、安定するまで判定を繰り返す。可動短絡板の位置が安定するとは、可動短絡板の検出位置が例えば３秒間連続（サンプリング間隔は例えば０．１秒）で±０．１ｍｍの範囲に収まることと定義することができる。なお、判定処理（Ｓ１６）がループする場合を考慮し、タイムアウトの閾値を設けて図９に示されるフローチャートを終了させてもよい。
【００７１】
インピーダンスマッチングが終了した場合、制御器１００は、記憶処理（Ｓ１８）として、プロセス条件取得処理（Ｓ１２）で取得したプロセス条件と、インピーダンスマッチングが完了した可動短絡板の位置（チューナポジション）とを関連付けて記憶部に記憶する。制御器１００は、例えば、プロセス条件の識別子とチューナポジションとをテーブル形式で管理してもよい。記憶処理（Ｓ１８）において、メンテナンス終了時の装置状態（所定のプロセス条件に対するチューナポジション）が記憶される。記憶されたチューナポジションは初期値であり、共鳴周波数調整部２９を作動させるか否かを判断するための基準値となる。記憶処理（Ｓ１８）が終了すると、図９に示されるフローチャートが終了する。
【００７２】
制御器１００は、実行予定のプロセス条件に対して、図９に示されるフローチャートを実行し、各プロセス条件に対するチューナポジションの初期値（基準値）を記憶する。
【００７３】
次に、制御器１００は、マイクロ波調整方法として、図１０に示されるフローチャートを実行する。図１０に示されるフローチャートは、図９に示されるフローチャートの実行後において、所定のタイミングで実行することができる。
【００７４】
図１０に示されるように、最初に、制御器１００は、プロセス条件取得処理（Ｓ２０）として、プロセス条件を取得する。制御器１００は、例えば、記憶部に記憶されたプロセスレシピを読み込んで、プロセス条件を取得する。また、制御器１００は、マイクロ波の周波数をプロセス条件に基づいて設定する。
【００７５】
次に、制御器１００は、チューナポジション取得処理（Ｓ２２）として、チューナポジションの初期値を取得する。制御器１００は、プロセス条件取得処理（Ｓ２０）で取得したプロセス条件に対応するチューナポジションの初期値を、記憶部を参照することにより取得する。
【００７６】
次に、制御器１００は、前回値取得処理（Ｓ２４）として、スタブ挿入長及びマイクロ波の周波数を取得する。記憶部は、後述のとおり、プロセス条件と、当該プロセス条件にて用いたスタブ挿入長及びマイクロ波の周波数とを関連付けて履歴として記憶している。制御器１００は、プロセス条件取得処理（Ｓ２０）で取得したプロセス条件に対応する前回のスタブ挿入長及びマイクロ波の周波数を、記憶部を参照することにより取得する。なお、初回実行時においては、前回のスタブ挿入長及びマイクロ波の周波数が履歴として存在しないため、設定初期値（例えばスタブ挿入長０［ｍｍ］、周波数２４５０［ＭＨｚ］）が採用される。
【００７７】
次に、制御器１００は、マイクロ波出力開始処理（Ｓ２６）として、例えば、前回値取得処理（Ｓ２４）で得られたスタブ挿入長となるようにスタブ２９ａを動作させておき、前回値取得処理（Ｓ２４）で得られた周波数でマイクロ波を出力する。このとき、チューナ２６は、可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４を動作させて自動的にインピーダンスマッチングを行う。制御器１００は、判定処理（Ｓ２８）として、インピーダンスマッチングの終了を判定する。例えば、制御器１００は、可動短絡板の位置が安定したか否かを判定し、安定するまで判定を繰り返す。可動短絡板の位置が安定するとは、可動短絡板の検出位置が例えば３秒間連続（サンプリング間隔は例えば０．１秒）で±０．１ｍｍの範囲に収まることと定義することができる。なお、判定処理（Ｓ２８）がループする場合を考慮し、タイムアウトの閾値を設けて図１０に示されるフローチャートを終了させてもよい。
【００７８】
次に、制御器１００は、スタブ挿入長判定処理（Ｓ３０）として、スタブ挿入長が閾値以下であるか否かを判定する。閾値は、スタブ挿入長の限界を判定するための閾値であり、一例としてシミュレーションで確認されたスタブ挿入長の範囲（０ｍｍ〜１２ｍｍ）の最大値である１２［ｍｍ］を採用することができる。
【００７９】
制御器１００は、スタブ挿入長が閾値以下であると判定された場合、チューナポジション検出処理（Ｓ３２：検出ステップ）として、現在のチューナポジションを検出する。つまり、制御器１００は、マイクロ波出力装置１６により出力されたマイクロ波に対してチューナ２６により調整された可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４の位置（チューナポジション）を検出する。
【００８０】
次に、制御器１００は、判定処理（Ｓ３４：判定ステップ）として、チューナポジションの基準位置からのずれを判定する。制御器１００は、例えば、現在のチューナポジションと、チューナポジション取得処理（Ｓ２２）において取得されたチューナポジションの初期値との差分を算出し、許容範囲内であるか否かを判定する。例えば、制御器１００は、可動短絡板Ｓ１のチューナポジションをＴ１、初期値をＴＩＮＩ１、許容値をΔＸ（例えば±１ｍｍ）とすると、Ｔ１＞ＴＩＮＩ１＋ΔＸの場合には、許容範囲内でないと判定する。例えば、制御器１００は、可動短絡板Ｓ３のチューナポジションをＴ３、初期値をＴＩＮＩ３、許容値をΔＹ（例えば±１ｍｍ）とすると、Ｔ３＞ＴＩＮＩ３＋ΔＹの場合には、許容範囲内でないと判定する。制御器１００は、チューナポジションＴ１，Ｔ３の判定の何れかを実行してもよいし、両方の判定を実行し、両者が許容範囲内であると判定されたときのみ、チューナポジションは許容範囲内であると判定してもよい。
【００８１】
制御器１００は、現在のチューナポジションが許容範囲内であると判定された場合、記憶処理（Ｓ３６）として、プロセス条件取得処理（Ｓ２０）で取得したプロセス条件と、現在のスタブ挿入長及びマイクロ波の周波数とを関連付けて記憶部に記憶する。制御器１００は、例えば、プロセス条件の識別子と現在のスタブ挿入長及びマイクロ波の周波数とをテーブル形式で管理してもよい。記憶処理（Ｓ３６）において、現在の装置状態が記憶される。記憶されたチューナポジションは次回の前回値として活用される。記憶処理（Ｓ３６）が終了すると、図１０に示されるフローチャートが終了する。
【００８２】
一方、判定処理（Ｓ３４）において、現在のチューナポジションが許容範囲内でないと判定された場合、制御器１００は、スタブ挿入処理（Ｓ３８：調整ステップ）として、スタブ２９ａのスタブ挿入長を調整する。制御器１００は、例えばスタブ２９ａを所定長だけ導波管２１の内部空間に挿入させる。一例として、制御器１００は、スタブ２９ａを０．１ｍｍだけ導波管２１の内部空間に挿入させる。なお、スタブ２９ａを挿入することにより共鳴周波数を大きくする必要があるため、本フローチャートではシミュレーションで確認したとおり高電子密度（ｎｅ＝１０×１０１０（１／ｃｍ３）〜２０×１０１０（１／ｃｍ３））にする必要がある。その後、上述した判定処理（Ｓ２８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ３０）、チューナポジション検出処理（Ｓ３２）、判定処理（Ｓ３４）が順に実行される。制御器１００は、判定処理（Ｓ３４）において可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内であると判定されるまで、上述した判定処理（Ｓ２８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ３０）、チューナポジション検出処理（Ｓ３２）、判定処理（Ｓ３４）を繰り返し実行する。このようにスタブ挿入長を調整することで、共鳴周波数を変更して、チューナポジションを許容範囲内に収めることができる。
【００８３】
一方、スタブ挿入長判定処理（Ｓ３０）においてスタブ挿入長が閾値以下でない場合には、制御器１００は、スタブ挿入長固定処理（Ｓ４０）として、スタブ挿入長が閾値となるように変更する。閾値は、スタブ挿入長判定処理（Ｓ３０）で用いた閾値と同一の値であり、ここでは１２ｍｍである。
【００８４】
そして、制御器１００は、周波数変更処理（Ｓ４２：変更ステップ）として、マイクロ波出力装置１６により発生されるマイクロ波の周波数を変更する。その後、上述した判定処理（Ｓ２８）が実行される。このように、スタブ２９ａを用いた調整が限界である場合には、マイクロ波の周波数を変更するという別なアプローチを採用することにより、反射波電力を許容範囲内に収めるように調整することができる。
【００８５】
以上、本実施形態に係るマイクロ波調整方法によれば、可動短絡板Ｓ１〜Ｓ４の位置と基準位置との差分が許容範囲内でない場合には、チューナ２６とアンテナ１８との間に設けられたスタブ２９ａの挿入長（導波管の内部空間に対する挿入長）が調整される。つまり、天板の消耗によってチューナポジションが許容範囲内から外れた場合には、スタブの挿入長が調整される。これにより、チューナ２６とプラズマとの間の共鳴周波数をずらすことができるため、不安定なプラズマが発生することを回避することができる。よって、天板の消耗という経時変化があった場合であっても、プラズマ処理装置１の可用性を向上させることができる。
【００８６】
［第２実施形態］
第２実施形態に係るマイクロ波調整方法は、第１実施形態に係るマイクロ波調整方法と比較して、現在のチューナポジションとチューナポジションの初期値との差分を判定するのではなく、現在の反射波電力と反射波電力の初期値との差分を判定し、変化があったときに共鳴周波数調整部２９を作動させる点が相違し、その他は同一である。したがって、第１実施形態に係るマイクロ波調整方法と同一部分については記載を省略する。
【００８７】
第２実施形態に係るマイクロ波調整方法が適用されるプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置１と同一である。
【００８８】
第２実施形態に係るマイクロ波調整方法は、第１実施形態に係るマイクロ波調整方法と同様に、初期導入時あるいは天板交換などのメンテナンス終了時における装置状態を基準とし、基準となる装置状態と現状の装置状態とを比較し、変化があったときに共鳴周波数調整部２９を作動させる。
【００８９】
図１１は、反射波電力の初期値を取得するフローチャートである。図１１に示されるフローチャートは、図９に示されたフローチャートと同様に、例えば、プラズマ処理装置１の初期導入時、あるいは、メンテナンス終了時に実行され得る。フローチャートは、制御器１００によって実行される。
【００９０】
図１１に示された初期設定処理（Ｓ５０）、プロセス条件取得処理（Ｓ５２）マイクロ波出力開始処理（Ｓ５４）は、図９に示された初期設定処理（Ｓ１０）、プロセス条件取得処理（Ｓ１２）及びマイクロ波出力開始処理（Ｓ１４）と同一である。
【００９１】
制御器１００は、判定処理（Ｓ５６）として、インピーダンスマッチングの終了を判定する。例えば、制御器１００は、反射波電力が安定したか否かを判定し、安定するまで判定を繰り返す。反射波電力が安定するとは、反射波電力の検出値が例えば３秒間連続（サンプリング間隔は例えば０．１秒）で±１Ｗの範囲に収まることと定義することができる。なお、判定処理（Ｓ１６）がループする場合を考慮し、タイムアウトの閾値を設けて図１１に示されるフローチャートを終了させてもよい。
【００９２】
インピーダンスマッチングが終了した場合、制御器１００は、記憶処理（Ｓ５８）として、プロセス条件取得処理（Ｓ５２）で取得したプロセス条件と、インピーダンスマッチングが完了したときの反射波電力とを関連付けて記憶部に記憶する。制御器１００は、例えば、プロセス条件の識別子と反射波電力とをテーブル形式で管理してもよい。記憶処理（Ｓ５８）において、メンテナンス終了時の装置状態（所定のプロセス条件に対する反射波電力）が記憶される。記憶された反射波電力は初期値であり、共鳴周波数調整部２９を作動させるか否かを判断するための基準値（基準反射波電力）となる。記憶処理（Ｓ５８）が終了すると、図１１に示されるフローチャートが終了する。
【００９３】
制御器１００は、実行予定のプロセス条件に対して、図１１に示されるフローチャートを実行し、各プロセス条件に対する反射波電力の初期値（基準値）を記憶する。
【００９４】
次に、制御器１００は、マイクロ波調整方法として、図１２に示されるフローチャートを実行する。図１２に示されるフローチャートは、図１１に示されるフローチャートの実行後において、所定のタイミングで実行することができる。
【００９５】
最初に、制御器１００は、プロセス条件取得処理（Ｓ６０）を行う。プロセス条件取得処理（Ｓ６０）は、図１０に示されるプロセス条件取得処理（Ｓ２０）と同一である。
【００９６】
次に、制御器１００は、反射波電力取得処理（Ｓ６２）として、反射波電力の初期値を取得する。制御器１００は、プロセス条件取得処理（Ｓ６０）で取得したプロセス条件に対応する反射波電力の初期値を、記憶部を参照することにより取得する。
【００９７】
次に、制御器１００は、前回値取得処理（Ｓ６４）及びマイクロ波出力開始処理（Ｓ６６）を行う。前回値取得処理（Ｓ６４）及びマイクロ波出力開始処理（Ｓ６６）は、図１０に示される前回値取得処理（Ｓ２４）及びマイクロ波出力開始処理（Ｓ２６）と同一である。
【００９８】
次に、制御器１００は、判定処理（Ｓ６８）として、インピーダンスマッチングの終了を判定する。例えば、制御器１００は、反射波電力が安定したか否かを判定し、安定するまで判定を繰り返す。なお、判定処理（Ｓ６８）がループする場合を考慮し、タイムアウトの閾値を設けて図１２に示されるフローチャートを終了させてもよい。
【００９９】
次に、制御器１００は、スタブ挿入長判定処理（Ｓ７０）を行う。スタブ挿入長判定処理（Ｓ７０）は、図１０に示されるスタブ挿入長判定処理（Ｓ３０）と同一である。
【０１００】
制御器１００は、スタブ挿入長が閾値以下であると判定された場合、反射波電力検出処理（Ｓ７２：検出ステップ）として、現在の反射波電力を検出する。つまり、制御器１００は、マイクロ波出力装置１６により出力されたマイクロ波に対する反射波電力を検出する。
【０１０１】
次に、制御器１００は、判定処理（Ｓ７４：判定ステップ）として、反射波電力の基準値からのずれを判定する。制御器１００は、例えば、現在の反射波電力と、反射波電力取得処理（Ｓ６２）において取得された反射波電力の初期値との差分を算出し、許容範囲内であるか否かを判定する。例えば、制御器１００は、反射波電力をＰｒ、初期値をＰＩＮＩ、許容値をΔＰｒ（例えば＋１０Ｗ）とすると、Ｐｒ＞ＰＩＮＩ＋ΔＰｒの場合には、許容範囲内でないと判定する。
【０１０２】
制御器１００は、現在の反射波電力が許容範囲内であると判定された場合、記憶処理（Ｓ７６）として、プロセス条件取得処理（Ｓ２０）で取得したプロセス条件と、現在のスタブ挿入長及びマイクロ波の周波数とを関連付けて記憶部に記憶する。制御器１００は、例えば、プロセス条件の識別子と現在のスタブ挿入長及びマイクロ波の周波数とをテーブル形式で管理してもよい。記憶処理（Ｓ７６）において、現在の装置状態が記憶される。記憶されたチューナポジションは次回の前回値として活用される。記憶処理（Ｓ７６）が終了すると、図１２に示されるフローチャートが終了する。
【０１０３】
一方、判定処理（Ｓ７４）において、現在の反射波電力が許容範囲内でないと判定された場合、制御器１００は、スタブ挿入処理（Ｓ７８：調整ステップ）として、スタブ２９ａのスタブ挿入長を調整する。スタブ挿入処理（Ｓ７８）は、図１０に示されたスタブ挿入処理（Ｓ３８）と同一である。その後、上述した判定処理（Ｓ６８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ７０）、反射波電力検出処理（Ｓ７２）、判定処理（Ｓ７４）が順に実行される。制御器１００は、判定処理（Ｓ７４）において現在の反射波電力と基準値との差分が許容範囲内であると判定されるまで、上述した判定処理（Ｓ６８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ７０）、チューナポジション検出処理（Ｓ７２）、判定処理（Ｓ７４）を繰り返し実行する。このようにスタブ挿入長を調整することで、共鳴周波数を変更して、反射波電力を許容範囲内に収めることができる。
【０１０４】
一方、スタブ挿入長判定処理（Ｓ７０）においてスタブ挿入長が閾値以下でない場合には、制御器１００は、スタブ挿入長固定処理（Ｓ８０）として、スタブ挿入長が閾値となるように変更する。閾値は、スタブ挿入長判定処理（Ｓ７０）で用いた閾値と同一の値であり、ここでは１２ｍｍである。
【０１０５】
そして、制御器１００は、周波数変更処理（Ｓ８２：変更ステップ）として、マイクロ波出力装置１６により発生されるマイクロ波の周波数を変更する。その後、上述した判定処理（Ｓ６８）が実行される。このように、スタブ２９ａを用いた調整が限界である場合には、マイクロ波の周波数を変更するという別なアプローチを採用することにより、反射波電力を許容範囲内に収めるように調整することができる。
【０１０６】
以上、本実施形態に係るマイクロ波調整方法によれば、反射波電力と基準反射波電力との差分が許容範囲内でない場合には、チューナ２６とアンテナ１８との間に設けられたスタブ２９ａの挿入長（導波管の内部空間に対する挿入長）が調整される。つまり、天板の消耗によって反射波電力が許容範囲内から外れた場合には、スタブ２９ａの挿入長が調整される。これにより、チューナ２６とプラズマとの間の共鳴周波数をずらすことができるため、不安定なプラズマが発生することを回避することができる。よって、プラズマ処理装置の可用性を向上させることができる。
【０１０７】
［第３実施形態］
第３実施形態に係るマイクロ波調整方法は、第１実施形態に係るマイクロ波調整方法と比較して、周波数変更処理（Ｓ４２）の代わりにアラーム処理を行う点が相違し、その他は同一である。したがって、第１実施形態に係るマイクロ波調整方法と同一部分については記載を省略する。
【０１０８】
周波数変更処理（Ｓ４２）を実行しない理由としては、運用上の要請がある場合と、構成上の制約がある場合である。運用上の要請とは、再現性などの影響を考慮して、マイクロ波の周波数を固定としている場合である。この場合、第１実施形態で説明した周波数変更処理（Ｓ４２）を行うことは適切でない。また、機械的な制約とは、マイクロ波出力装置１６としてマグネトロンを採用した場合、マイクロ波の周波数が成り行きで決定されるため、周波数変更処理（Ｓ４２）を行えないということである。図１３は、第３実施形態に係るマイクロ波調整方法が適用されるマイクロ波出力装置１６Ａ、チューナ２６及び共鳴周波数調整部２９を示す図である。図１３に示されるように、マイクロ波出力装置１６Ａはマグネトロン１６ｘ及びそれを制御する制御器１００ｘを有する。第３実施形態に係るマイクロ波調整方法が適用されるプラズマ処理装置は、構造上の制約がある場合には、上記のマイクロ波出力装置のみが相違し、その他の構成はプラズマ処理装置１と同一である。もちろん、運用上の要請の場合には、装置構成に差異はない。
【０１０９】
第３実施形態に係るマイクロ波調整方法は、第１実施形態に係るマイクロ波調整方法と同様に、初期導入時あるいは天板交換などのメンテナンス終了時における装置状態を基準とし、基準となる装置状態と現状の装置状態とを比較し、変化があったときに共鳴周波数調整部２９を作動させる。
【０１１０】
マイクロ波調整方法として、最初に基準となる装置の情報を取得する。図１４は、チューナポジションの初期値を取得するフローチャートである。図１４に示されるフローチャートは、例えば、プラズマ処理装置１の初期導入時、あるいは、メンテナンス終了時に実行され得る。フローチャートは、制御器１００ｘによって実行される。
【０１１１】
図１４に示されるように、最初に、制御器１００ｘは、初期設定処理（Ｓ１１０）として、スタブ挿入長を設定する。図９に示された初期設定処理（Ｓ１０）と比較すると、マイクロ波の周波数を設定していない。この点以外は、初期設定処理（Ｓ１１０）は初期設定処理（Ｓ１０）と同一である。
【０１１２】
図１４に示されたプロセス条件取得処理（Ｓ１１２）、マイクロ波出力開始処理（Ｓ１１４）、判定処理（Ｓ１１６）及び記憶処理（Ｓ１１８）は、図９に示されたプロセス条件取得処理（Ｓ１２）、マイクロ波出力開始処理（Ｓ１４）、判定処理（Ｓ１６）及び記憶処理（Ｓ１８）と同一である。以上で、図１４に示されるフローチャートが終了する。
【０１１３】
制御器１００ｘは、実行予定のプロセス条件に対して、図１４に示されるフローチャートを実行し、各プロセス条件に対するチューナポジションの初期値（基準値）を記憶する。
【０１１４】
次に、制御器１００ｘは、マイクロ波調整方法として、図１５に示されるフローチャートを実行する。図１５に示されるフローチャートは、図１４に示されるフローチャートの実行後において、所定のタイミングで実行することができる。
【０１１５】
図１５に示されるプロセス条件取得処理（Ｓ１２０）及びチューナポジション取得処理（Ｓ１２２）は、図１０に示されたプロセス条件取得処理（Ｓ２０）及びチューナポジション取得処理（Ｓ２２）と同一である。
【０１１６】
次に、制御器１００ｘは、前回値取得処理（Ｓ１２４）として、スタブ挿入長を取得する。図１０に示された前回値取得処理（Ｓ２４）と比較すると、マイクロ波の周波数を設定していない。この点以外は、前回値取得処理（Ｓ１２４）は前回値取得処理（Ｓ２４）と同一である。
【０１１７】
マイクロ波出力開始処理（Ｓ１２６）、判定処理（Ｓ１２８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ１３０）、チューナポジション検出処理（Ｓ１３２：検出ステップ）、判定処理（Ｓ１３４：判定ステップ）及びスタブ挿入処理（Ｓ１３８：調整ステップ）は、図１０に示されたマイクロ波出力開始処理（Ｓ２６）、判定処理（Ｓ２８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ３０）、チューナポジション検出処理（Ｓ３２：検出ステップ）、判定処理（Ｓ３４：判定ステップ）及びスタブ挿入処理（Ｓ３８：調整ステップ）と同一である。
【０１１８】
制御器１００ｘは、現在のチューナポジションが許容範囲内であると判定された場合、記憶処理（Ｓ１３６）として、プロセス条件取得処理（Ｓ１２０）で取得したプロセス条件と、現在のスタブ挿入長とを関連付けて記憶部に記憶する。図１０に示された記憶処理（Ｓ３６）と比較すると、マイクロ波の周波数を設定していない。この点以外は、記憶処理（Ｓ１３６）は記憶処理（Ｓ３６）と同一である。
【０１１９】
一方、スタブ挿入長判定処理（Ｓ１３０）においてスタブ挿入長が閾値以下でない場合には、制御器１００ｘは、アラーム処理（Ｓ１４４）として、警告情報をユーザインタフェースに表示したり、音声として出力させたりする。このように、スタブを用いた調整が限界である場合には、アラームを出力することにより、メンテナンスを促すことができる。アラーム処理が終了すると図１５に示されたフローチャートは終了する。
【０１２０】
［第４実施形態］
第４実施形態に係るマイクロ波調整方法は、第２実施形態に係るマイクロ波調整方法と比較して、周波数変更処理（Ｓ８２）の代わりにアラーム処理を行う点が相違し、その他は同一である。したがって、第２実施形態に係るマイクロ波調整方法と同一部分については記載を省略する。周波数変更処理（Ｓ８２）を実行しない理由は、第３実施形態で説明した内容と同一である。つまり、装置構成は第３実施形態で説明した内容と同一である。
【０１２１】
第４実施形態に係るマイクロ波調整方法は、第２実施形態に係るマイクロ波調整方法と同様に、初期導入時あるいは天板交換などのメンテナンス終了時における装置状態を基準とし、基準となる装置状態と現状の装置状態とを比較し、変化があったときに共鳴周波数調整部２９を作動させる。
【０１２２】
図１６は、反射波電力の初期値を取得するフローチャートである。図１６に示されるフローチャートは、図１１に示されたフローチャートと同様に、例えば、プラズマ処理装置１の初期導入時、あるいは、メンテナンス終了時に実行され得る。フローチャートは、制御器１００ｘによって実行される。
【０１２３】
図１６に示されるように、最初に、制御器１００ｘは、初期設定処理（Ｓ１５０）として、スタブ挿入長を設定する。図１１に示された初期設定処理（Ｓ５０）と比較すると、マイクロ波の周波数を設定していない。この点以外は、初期設定処理（Ｓ１５０）は初期設定処理（Ｓ５０）と同一である。
【０１２４】
図１６に示されたプロセス条件取得処理（Ｓ１５２）、マイクロ波出力開始処理（Ｓ１５４）、判定処理（Ｓ１５６）及び記憶処理（Ｓ１５８）は、図１１に示されたプロセス条件取得処理（Ｓ５２）、マイクロ波出力開始処理（Ｓ５４）、判定処理（Ｓ５６）及び記憶処理（Ｓ５８）と同一である。以上で、図１６に示されるフローチャートが終了する。
【０１２５】
制御器１００ｘは、実行予定のプロセス条件に対して、図１６に示されるフローチャートを実行し、各プロセス条件に対する反射波電力の初期値（基準値）を記憶する。
【０１２６】
次に、制御器１００ｘは、マイクロ波調整方法として、図１７に示されるフローチャートを実行する。図１７に示されるフローチャートは、図１６に示されるフローチャートの実行後において、所定のタイミングで実行することができる。
【０１２７】
図１７に示されるプロセス条件取得処理（Ｓ１６０）及び反射波電力取得処理（Ｓ１６２）は、図１２に示されたプロセス条件取得処理（Ｓ２０）及び反射波電力取得処理（Ｓ６２）と同一である。
【０１２８】
次に、制御器１００ｘは、前回値取得処理（Ｓ１６４）として、スタブ挿入長を取得する。図１２に示された前回値取得処理（Ｓ６４）と比較すると、マイクロ波の周波数を設定していない。この点以外は、前回値取得処理（Ｓ１６４）は前回値取得処理（Ｓ６４）と同一である。
【０１２９】
マイクロ波出力開始処理（Ｓ１６６）、判定処理（Ｓ１６８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ１７０）、反射波電力検出処理（Ｓ１７２：検出ステップ）、判定処理（Ｓ１７４：判定ステップ）及びスタブ挿入処理（Ｓ１７８：調整ステップ）は、図１２に示されたマイクロ波出力開始処理（Ｓ６６）、判定処理（Ｓ６８）、スタブ挿入長判定処理（Ｓ７０）、反射波電力検出処理（Ｓ７２：検出ステップ）、判定処理（Ｓ７４：判定ステップ）及びスタブ挿入処理（Ｓ７８：調整ステップ）と同一である。
【０１３０】
制御器１００ｘは、現在の反射波電力が許容範囲内であると判定された場合、記憶処理（Ｓ１７６）として、プロセス条件取得処理（Ｓ１６０）で取得したプロセス条件と、現在のスタブ挿入長とを関連付けて記憶部に記憶する。図１２に示された記憶処理（Ｓ７６）と比較すると、マイクロ波の周波数を設定していない。この点以外は、記憶処理（Ｓ１７６）は記憶処理（Ｓ７６）と同一である。
【０１３１】
一方、スタブ挿入長判定処理（Ｓ１７０）においてスタブ挿入長が閾値以下でない場合には、制御器１００ｘは、アラーム処理（Ｓ１８４）として、警告情報をユーザインタフェースに表示したり、音声として出力させたりする。このように、スタブを用いた調整が限界である場合には、アラームを出力することにより、メンテナンスを促すことができる。アラーム処理が終了すると図１５に示されたフローチャートは終了する。
【０１３２】
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、各実施形態を組み合わせてもよい。例えば、実施形態では、挿入長を正側に調整する場合のみを説明したが、挿入長が負側に調整されてもよい。これらの調整は、シミュレーションで確認した特性（単調減少、単調増加）に応じて適宜変更することができる。また、スタブは可動短絡板に置き換えることが可能であり、可動短絡板はスタブに置き換えることが可能である。
【符号の説明】
【０１３３】
１…プラズマ処理装置、１２…チャンバ本体、１４…ステージ、１６…マイクロ波出力装置、１６ａ…マイクロ波発生部、１６ｆ…第１の方向性結合器、１６ｇ…第１の測定部、１６ｈ…第２の方向性結合器、１６ｉ…第２の測定部、１６ｔ…出力部、１８…アンテナ、２０…誘電体窓、２６…チューナ、２７…モード変換器、２８…同軸導波管、２９…共鳴周波数調整部、２９ａ…スタブ、３０…スロット板、３２…誘電体板、３４…冷却ジャケット、３８…ガス供給系、５８…高周波電源、６０…マッチングユニット、１００，１００ｘ…制御器、１６１…波形発生部、１６２…パワー制御部、１６３…減衰器、１６４…増幅器、１６５…増幅器、１６６…モード変換器。
【図１】
2018010752.tif 000003
【図２】
2018010752.tif 000004
【図３】
2018010752.tif 000005
【図４】
2018010752.tif 000006
【図５】
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【図６】
2018010752.tif 000008
【図７】
2018010752.tif 000009
【図８】
2018010752.tif 000010
【図９】
2018010752.tif 000011
【図１０】
2018010752.tif 000012
【図１１】
2018010752.tif 000013
【図１２】
2018010752.tif 000014
【図１３】
2018010752.tif 000015
【図１４】
2018010752.tif 000016
【図１５】
2018010752.tif 000017
【図１６】
2018010752.tif 000018
【図１７】
2018010752.tif 000019