(57)【要約】【課題】穏和な条件下でヒドロシランを効率良く製造することができるヒドロシランの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体の存在下で下記式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランをヒドロボラン及び／又は水素と反応させることにより、ヒドロシランを効率良く製造することができる。 2018118941.tif 000030（式（ａ）中、Ｒは炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体の存在下、下記式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランと、ヒドロボラン及び／又は水素とを反応させて下記式（ｃ）で表される構造を有するヒドロシランを生成する反応工程を含むことを特徴とするヒドロシランの製造方法。
【化１】
2018118941.tif 000028
（式（ａ）中、Ｒは炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【請求項２】
前記錯体が、下記式（Ｌ）で表されるイオンを配位子として有する錯体である、請求項１に記載のヒドロシランの製造方法。
【化２】
2018118941.tif 000029
（式（Ｌ）中、Ｒ５はそれぞれ独立してヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基、又は炭素原子数１〜１０のトリアルキルシリル基を、ｉは０〜５の整数を表す。但し、ｉが２以上で、Ｒ５として２以上の炭化水素基を有する場合、Ｒ５の２以上の炭化水素基が連結して環状構造を形成していてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はヒドロシランの製造方法に関し、より詳しくは第３族元素又は第４族元素を中心金属とする錯体等を用いたヒドロシランの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ヒドロシランは、有機ケイ素化合物の有用な合成前駆体であり、アルケンやアルキンのヒドロシリル化や芳香族化合物との脱水素カップリング反応などにより、様々な有機ケイ素化合物へと変換することが可能である。ヒドロシランの合成法の１つにアルコキシシランのヒドリド還元反応が知られており、一般的には水素化アルミニウムリチウムや水素化ジイソブチルアルミニウムのようなアルミニウムヒドリドが用いられている（非特許文献１、非特許文献２参照。）。しかしながら、これらのアルミニウムヒドリドはその高い反応性のために、湿気等で分解しやすく、官能基許容性が低い上に、反応後のアルミニウム塩の処理が煩雑となることがある。一方、遷移金属を用いた反応として、ジルコニウムヒドリド錯体Ｃｐ２ＺrＨ２（Ｃｐ＝ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ）やセリウムヒドリド錯体Ｃｐ”２ＣｅＨ（Ｃｐ”＝１，３，４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ）を用いた量論的なヒドリド還元反応が知られている（非特許文献３、非特許文献４参照。）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｈ．Ｗｅｓｔｅｒｍａｒｋ． Ａｃｔａ．Ｃｈｅｍ．Ｓｃａｎｄ， １９５４， ８９， １８３０．
【非特許文献２】Ｌ．Ｈ．Ｓｉｎｎｅｒ， Ｊ．ＭｕＬｉｃｋ， Ｃ．Ｍ．Ｇｏｌｉｎｏ， Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９７２，９４，６６９．
【非特許文献３】Ｐ．Ｐｅｒｒｏｔｉｎ， Ｉ．Ｅｌ-Ｚｏｇｈｂｉ， Ｐ．Ｏ．Ｏｇｕａｄｉｍａ， ａｎｄ Ｆ．Ｓｃｈａｐｅｒ， Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｃｓ， ２００９， ２８， ４９１２．
【非特許文献４】Ｅ．Ｌ．Ｗｅｒｋｅｍａ， Ａ．Ｙａｈｉａ， Ｌ．Ｍａｒｏｎ， Ｏ．Ｅｉｓｅｎｓｔｅｉｎ， ａｎｄ Ｒ．Ａ．Ａｎｄｅｒｓｅｎ，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ， ２０１０， ２９， ５１０３．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、穏和な条件下でヒドロシランを効率良く製造することができるヒドロシランの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、イットリウム原子等を中心金属とする特定の錯体の存在下でアルコキシシランをヒドロボラン又は水素と反応させることにより、ヒドロシランが効率よく生成することを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は以下の通りである。
【０００６】
＜１＞ イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体の存在下、下記式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランと、ヒドロボラン及び／又は水素とを反応させて下記式（ｃ）で表される構造を有するヒドロシランを生成する反応工程を含むことを特徴とするヒドロシランの製造方法。
【化１】
2018118941.tif 000002
（式（ａ）中、Ｒは炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表す。）
＜２＞ 前記錯体が、下記式（Ｌ）で表されるイオンを配位子として有する錯体である、＜１＞に記載のヒドロシランの製造方法。
【化２】
2018118941.tif 000003
（式（Ｌ）中、Ｒ５はそれぞれ独立してヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基、又は炭素原子数１〜１０のトリアルキルシリル基を、ｉは０〜５の整数を表す。但し、ｉが２以上で、Ｒ５として２以上の炭化水素基を有する場合、Ｒ５の２以上の炭化水素基が連結して環状構造を形成していてもよい。）
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、穏和な条件下でヒドロシランを効率良く製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の詳細を説明するに当たり、具体例を挙げて説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り以下の内容に限定されるものではなく、適宜変更して実施することができる。
【０００９】
＜ヒドロシランの製造方法＞
本発明の一態様であるヒドロシランの製造方法は、「イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体」の存在下、「下記式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシラン」と、「ヒドロボラン」及び／又は「水素」とを反応させて「下記式（ｃ）で表される構造を有するヒドロシラン」を生成する反応工程（以下、「反応工程」と略す場合がある。）を含むことを特徴とする。
【化３】
2018118941.tif 000004
（式（ａ）中、Ｒは炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表す。）
本発明者らは、「イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体」の存在下で、「式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシラン」を「ヒドロボラン」又は「水素」と反応させることにより、ヒドロシランが効率よく生成することを見出したのである。
なお、「ヒドロボラン」とは、ホウ素−水素結合（Ｂ−Ｈ）を少なくとも１つ有する化合物を意味するものとする。
また、「水素」とは、水素分子（Ｈ２）を意味するものとする。
また、式（ａ）及び（ｃ）中の波線は、その先の構造が任意であることを意味する。従って、「下記式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシラン」は、−ＯＲを２以上有するものであってもよく、また「反応工程」は、２以上の−ＯＲを全て置換する反応であっても、−ＯＲの一部を置換する反応であってもよいものとする（下記式参照）。
【化４】
2018118941.tif 000005
以下、「反応工程」について詳細に説明する。
【００１０】
反応工程は、イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体の存在下、式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランと、ヒドロボラン及び／又は水素とを反応させて式（ｃ）で表される構造を有するヒドロシランを生成する工程であるが、反応工程において使用する「式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシラン」の具体的種類は、特に限定されず、製造目的である「式（ｃ）で表される構造を有するヒドロシラン」に応じて適宜選択されるべきである。以下、「式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシラン」、「ヒドロボラン」、「水素」、及び「イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体」等について具体例を挙げて説明する。
【化５】
2018118941.tif 000006
式（ａ）中のＲは、「炭素原子数１〜２０の炭化水素基」を表しているが、「炭化水素基」は、分岐構造、環状構造のそれぞれを有していてもよく、飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基等の何れであってもよいものとする。
Ｒが炭化水素基である場合の炭化水素基の炭素原子数としては、好ましくは１２以下、より好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下であり、Ｒが芳香族炭化水素基である場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒとしては、メチル基（−ＣＨ３，−Ｍｅ）、エチル基（−Ｃ２Ｈ５，−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＣ３Ｈ７，−ｎＰｒ）、ベンジル基（−ＣＨ２Ｃ６Ｈ５，−Ｂｎ）、ｉ−プロピル基（−ｉＣ３Ｈ７，−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＣ４Ｈ９，−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＣ４Ｈ９，−ｔＢｕ）、ｎ−ペンチル基（−ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＣ６Ｈ１３，−ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（−ｃＣ６Ｈ１１，−Ｃｙ）、フェニル基（−Ｃ６Ｈ５，−Ｐｈ）等が挙げられる。
式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランとしては、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−４）の何れかで表されるアルコキシシランが挙げられる。以下、式（Ａ−１）〜（Ａ−４）の何れかで表されるアルコキシシランについて詳細に説明する。
【化６】
2018118941.tif 000007
（式（Ａ−１）〜（Ａ−４）中、Ｒはそれぞれ独立して炭素原子数１〜２０の炭化水素基を、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子、又はハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表す。）
式（Ａ−１）〜（Ａ−４）中のＲ’は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基」を表しているが、「炭化水素基」は、Ｒの場合と同義である。また、「ハロゲン原子を含んでいてもよい」とは、「炭化水素基」の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよいことを意味する。
Ｒ’に含まれる官能基としては、フルオロ基（−Ｆ）、クロロ基（−Ｃｌ）、ブロモ基（−Ｂｒ）、ヨード基（−Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ’が炭化水素基である場合の炭化水素基の炭素原子数としては、好ましくは１２以下、より好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下であり、Ｒ’が芳香族炭化水素基である場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ’としては、水素原子、メチル基（−ＣＨ３，−Ｍｅ）、エチル基（−Ｃ２Ｈ５，−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＣ３Ｈ７，−ｎＰｒ）、ｉ−プロピル基（−ｉＣ３Ｈ７，−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＣ４Ｈ９，−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＣ４Ｈ９，−ｔＢｕ）、ｎ−ペンチル基（−ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＣ６Ｈ１３，−ｎＨｅｘ）、ｎ−オクチル基（−ｎＣ８Ｈ１７，−ｎＯｃｔ）、シクロヘキシル基（−ｃＣ６Ｈ１１，−Ｃｙ）、フェニル基（−Ｃ６Ｈ５，−Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ａ−１）〜（Ａ−４）の何れかで表されるアルコキシシランとしては、下記式で表されるものが挙げられる。
【化７】
2018118941.tif 000008
【００１１】
反応工程で使用するヒドロボランは、ホウ素−水素結合（Ｂ−Ｈ）を少なくとも１つ有する化合物であれば、具体的種類は特に限定されないが、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の何れかで表されるヒドロボランが挙げられる。以下、式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の何れかで表されるヒドロボランについて詳細に説明する。
【化８】
2018118941.tif 000009
（式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表す。但し、２つのＲ１が連結して環状構造を形成していてもよく、２つのＲ３が連結して環状構造を形成していてもよい。）
式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）中のＲ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して「炭素原子数１〜２０の炭化水素基」を表しているが、「炭化水素基」は、Ｒの場合と同義である。
Ｒ１〜Ｒ４の炭化水素基の炭素原子数としては、好ましくは１２以下、より好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下であり、Ｒ１〜Ｒ４が芳香族炭化水素基である場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ１〜Ｒ４としては、メチル基（−ＣＨ３，−Ｍｅ）、エチル基（−Ｃ２Ｈ５，−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＣ３Ｈ７，−ｎＰｒ）、ｉ−プロピル基（−ｉＣ３Ｈ７，−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＣ４Ｈ９，−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＣ４Ｈ９，−ｔＢｕ）、ｎ−ペンチル基（−ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＣ６Ｈ１３，−ｎＨ
ｅｘ）、ｎ−オクチル基（−ｎＣ８Ｈ１７，−ｎＯｃｔ）、シクロヘキシル基（−ｃＣ６Ｈ１１，−Ｃｙ）、フェニル基（−Ｃ６Ｈ５，−Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の何れかで表されるヒドロボランとしては、ピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ  ４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ）、カテコールボラン（ＨＢｃａｔ  １，３，２−ｂｅｎｚｏｄｉｏｘａｂｏｒｏｌｅ）、９−ＢＢＮ（９−ｂｏｒａｂｉｃｙｃｌｏ［３．３．１］ｎｏｎａｎｅ）、ＨＢｔｍｄ（４，４，６−ｔｉｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｉｎａｎｅ）等が挙げられる（下記参照）。
【化９】
2018118941.tif 000010
【００１２】
反応工程におけるヒドロボランの使用量（仕込量）は、式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランに対して物質量換算で、通常０．３倍以上、好ましくは０．５倍以上、より好ましくは１．０倍以上であり、通常５倍以下、好ましくは２倍以下、より好ましくは１．２倍以下である。上記範囲内であると、より効率良くヒドロシランを製造することができる。
【００１３】
反応工程で使用する水素は、通常、系中の気相に水素ガスとして投入して使用される。反応工程における水素分圧は、通常０．２ａｔｍ以上、好ましくは０．５ａｔｍ以上、より好ましくは１ａｔｍ以上であり、通常２０ａｔｍ以下、好ましくは１０ａｔｍ以下、より好ましくは５ａｔｍ以下である。上記範囲内であると、ヒドロシランをより収率良く製造することができる。
【００１４】
反応工程で使用するイットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、及びハフニウム原子（Ｈｆ）からなる群より選択される少なくとも１種の原子を中心金属とする錯体（以下、「錯体」と略す場合がある。）の具体的種類等は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
イットリウム原子（Ｙ）の酸化数は、通常＋３である。
ジルコニウム原子（Ｚｒ）の酸化数は、通常＋４である。
ハフニウム原子（Ｈｆ）の酸化数は、通常＋４である。
配位子若しくは対イオン、又はこれらになり得る化合物としては、下記式（Ｌ）で表されるイオン、塩化物イオン（Ｃｌ−）、臭化物イオン（Ｂｒ−）、（トリメチルシリル）メチルアニオン（−ＣＨ２ＳｉＭｅ３）、ベンジルアニオン（−ＣＨ２Ｐｈ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル（Ｅt２Ｏ）等が挙げられる。以下、式（Ｌ）で表されるイオンについて詳細に説明する。
【化１０】
2018118941.tif 000011
（式（Ｌ）中、Ｒ５はそれぞれ独立してヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基、又は炭素原子数１〜１０のトリアルキルシリル基を、ｉは０〜５の整数を表す。但し、ｉが２以上で、Ｒ５として２以上の炭化水素基を有する場合、Ｒ５の２以上の炭化水素基が連結して環状構造を形成していてもよい。）
式（Ｌ）中のＲ５は、それぞれ独立して「ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基」、又は「炭素原子数１〜１０のトリアルキルシリル基」を表しているが、「炭化水素基」は、Ｒの場合と同義である。また、「ヘテロ原子を含んでいてもよい」とは、炭化水素基の水素原子がヘテロ原子、即ち、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等を含む１価の官能基で置換されていてもよいほか、炭化水素基の炭素骨格内部の炭素原子が窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等を含む２価以上の官能基（連結基）で置換されていてもよいことを意味する。また、「トリアルキルシリル基」の「アルキル」は、「アリール」を含むものとする。
Ｒ５が炭化水素基である場合の炭化水素基の炭素原子数としては、好ましくは１２以下、より好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下であり、Ｒ５が芳香族炭化水素基である場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ５に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基，−Ｏ−）、チオエーテル基（チア基，−Ｓ−）、フルオロ基（−Ｆ）、クロロ基（−Ｃｌ）、ブロモ基（−Ｂｒ）、ヨード基（−Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ５としては、メチル基（−ＣＨ３，−Ｍｅ）、エチル基（−Ｃ２Ｈ５，−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＣ３Ｈ７，−ｎＰｒ）、ｉ−プロピル基（−ｉＣ３Ｈ７，−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＣ４Ｈ９，−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＣ４Ｈ９，−ｔＢｕ）、ｎ−ペンチル基（−ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＣ６Ｈ１３，−ｎＨｅｘ）、ｎ−オクチル基（−ｎＣ８Ｈ１７，−ｎＯｃｔ）、シクロヘキシル基（−ｃＣ６Ｈ１１，−Ｃｙ）、フェニル基（−Ｃ６Ｈ５，−Ｐｈ）、トリメチルシリル基（−ＳｉＭｅ３）等が挙げられる。
【００１５】
なお、「ｉが２以上で、Ｒ５として２以上の炭化水素基を有する場合、Ｒ５の２以上の炭化水素基が連結して環状構造を形成していてもよい」が、環状構造を形成しているものとしては、下記式で表されるようなインデニルアニオン、オクタヒドロフルオレニルアニオン、フルオレニルアニオンが挙げられる。
【化１１】
2018118941.tif 000012
式（Ｌ）で表されるイオンとしては、下記式で表されるものが挙げられる。
【化１２】
2018118941.tif 000013
なお、反応工程において、錯体を反応器に直接投入するほか、イットリウム原子（Ｙ）、ジルコニウム原子（Ｚｒ）、又はハフニウム原子（Ｈｆ）を含む前駆体と配位子若しくは対イオンとなり得る化合物を添加剤として投入して、反応器内で目的の錯体を形成させてもよい。
錯体としては、下記式で表されるもの、Ｙ（ＣＨ２ＳｉＭｅ３）３（ＴＨＦ）２、Ｚｒ（ＣＨ２Ｐｈ）４、Ｈｆ（ＣＨ２Ｐｈ）４等が挙げられる。上記のものであると、より効率良くヒドロシランを製造することができる。
【化１３】
2018118941.tif 000014
【００１６】
反応工程における錯体の使用量（仕込量）は、式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランに対して物質量換算で、通常０．００５倍以上、好ましくは０．０１倍以上であり、より好ましくは０．０５倍以上である。通常１．０倍以下、好ましくは０．５倍以下、より好ましくは０．２倍以下である。上記範囲内であると、より効率良くヒドロシランを製造することができる。
【００１７】
反応工程は、前述のもの以外の化合物を添加してもよく、例えば、トリス（ペンタフロロフェニル）ボラン（Ｂ（Ｃ６Ｆ５）３）とメチルマグネシウムブロマイド（ＭｅＭｇＢｒ）、トリフェニルメチリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（［Ｐｈ３Ｃ］［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］）とメチルマグネシウムブロマイド（ＭｅＭｇＢｒ）、またはジメチルフェニルアンモニウムペンタフルオロボラート（［Ｍｅ２ＰｈＮＨ］［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］）とメチルマグネシウムブロマイド（ＭｅＭｇＢｒ）等を添加することが挙げられる。なお、トリス（ペンタフロロフェニル）ボラン（Ｂ（Ｃ６Ｆ５）３）とメチルマグネシウムブロマイド（ＭｅＭｇＢｒ）等は助触媒の役割を果たすものと考えられる。
【００１８】
反応工程における、トリス（ペンタフロロフェニル）ボラン等の使用量（仕込量）は、式（ａ）で表される構造を有するアルコキシシランに対して物質量換算で、通常０．００５倍以上、好ましくは０．０１倍以上であり、より好ましくは０．０５倍以上である。通常１．０倍以下、好ましくは０．５倍以下、より好ましくは０．２倍以下である。上記範囲内であると、より効率良くヒドロシランを製造することができる。
【００１９】
反応工程における、メチルマグネシウムブロマイドの使用量（仕込量）は、式（ａ）で
表される構造を有するアルコキシシランに対して物質量換算で、通常０．０１倍以上、好ましくは０．０２倍以上であり、より好ましくは０．１倍以上である。通常２．０倍以下、好ましくは１．０倍以下、より好ましくは０．４倍以下である。上記範囲内であると、より効率良くヒドロシランを製造することができる。
【００２０】
反応工程は、溶媒を使用することが好ましい。また、溶媒の種類は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができるが、具体的にはヘキサン、ベンゼン、トルエン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）等のエーテル系溶媒；１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒等が挙げられる。
【００２１】
反応工程の反応温度は、通常２５℃以上、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上であり、通常２００℃以下、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。
反応工程の反応時間は、通常２時間以上、好ましくは４時間以上、より好ましくは８時間以上であり、通常４０時間以下、好ましくは３５時間以下、より好ましくは３０時間以下である。
上記範囲内であると、より効率良くヒドロシランを製造することができる。
【００２２】
反応工程によって生成する式（ｃ）で表される構造を有するヒドロシランの具体的種類は、特に限定されず、製造目的に応じて適宜選択することができるが、下記式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１０）の何れかで表されるヒドロシランが挙げられる。
【化１４】
2018118941.tif 000015
（式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１０）中、Ｒはそれぞれ独立して炭素原子数１〜２０の炭化水素基を、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子、又はハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表す。）
なお、Ｒ、Ｒ’は、式（Ａ−１）〜（Ａ−４）の何れかで表されるアルコキシシランの場合と同様である。
【実施例】
【００２３】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００２４】
＜実施例１＞
下記式で表されるＣｐ’２ＹＨ（Ｃｐ’＝１，２，３，４−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−５−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）（１．４ｍｇ，２．５μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（４．２ｍｇ，２５μｍｏｌ）及びピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ，１３．２ｍｇ，２５μｍｏｌ）を加えて、１００℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、２４時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが５７％収率で生成したことを確認した。
【化１５】
2018118941.tif 000016
【００２５】
＜実施例２＞
Ｃｐ’２ＹＨ（２．７ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、ＰｈＳｉ（ＯＭｅ）３（１８．７ｍｇ，１２５μｍｏｌ）及びピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ，４８．０ｍｇ，３７５μｍｏｌ）を加えて、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、ＰｈＳｉＨ３が８％収率で生成したことを確認した。
【化１６】
2018118941.tif 000017
【００２６】
＜実施例３＞
Ｃｐ’２ＹＨ（２．２ｍｇ，４．１μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｓｉ（ＯＥｔ）４（２６．０ｍｇ，１２５μｍｏｌ）及びピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ，
６４．０ｍｇ，５００μｍｏｌ）を加えて、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、ＨＳｉ（ＯＥｔ）３が１２％収率で生成したことを確認した。
【化１７】
2018118941.tif 000018
【００２７】
＜実施例４＞
Ｃｐ’２ＹＨ（２．７ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（２０．８ｍｇ，１２５μｍｏｌ）及びカテコールボラン（ＨＢｃａｔ，１６．０ｍｇ，１２５μｍｏｌ）を加えて、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、２０時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが５％収率で生成したことを確認した。
【化１８】
2018118941.tif 000019
【００２８】
＜実施例５＞
Ｃｐ’３Ｙ（１．４ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（８．３ｍｇ，５０μｍｏｌ）及びピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ，６．４ｍｇ，５０μｍｏｌ）を加えて、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが５％収率で生成したことを確認した。
【化１９】
2018118941.tif 000020
【００２９】
＜実施例６＞
Ｃｐ’Ｙ（ＣＨ２ＳｉＭｅ３）２（ｔｈｆ）（２．４ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベン
ゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（８．３ｍｇ，５０μｍｏｌ）及びピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ，６．４ｍｇ，５０μｍｏｌ）を加えて、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、２０時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが１％収率で生成したことを確認した。
【化２０】
2018118941.tif 000021
【００３０】
＜実施例７＞
Ｙ（ＣＨ２ＳｉＭｅ３）３（ｔｈｆ）２（２．４ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（４．２ｍｇ，２５μｍｏｌ）及びピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ，３．２ｍｇ，２５μｍｏｌ）を加えて、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが０．３％収率で生成したことを確認した。
【化２１】
2018118941.tif 000022
【００３１】
＜実施例８＞
Ｃｐ２ＺｒＨＣｌ（２．２ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（８．３ｍｇ，５０μｍｏｌ）及びピナコールボラン（ＨＢｐｉｎ，６．４ｍｇ，５０μｍｏｌ）を順に加えて、１００℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、２４時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが３４％収率で生成したことを確認した。
【化２２】
2018118941.tif 000023
【００３２】
＜実施例９＞
Ｃｐ’２ＹＨ（２．７ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（４．１ｍｇ，２５μｍｏｌ）を加えた。反応溶液の凍結脱気を行っ
た後、１ａｔｍの水素ガスを吹き込み、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが１７％収率で生成したことを確認した。
【化２３】
2018118941.tif 000024
【００３３】
＜実施例１０＞
Ｙ（ＣＨ２ＳｉＭｅ３）３（ｔｈｆ）２（２．４ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（４．１ｍｇ，２５μｍｏｌ）を加えた。反応溶液の凍結脱気を行った後、１ａｔｍの水素ガスを吹き込み、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが４１％収率で生成したことを確認した。
【化２４】
2018118941.tif 000025
【００３４】
＜実施例１１＞
Ｚｒ（ＣＨ２Ｐｈ）４（２．３ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（４．１ｍｇ，２５μｍｏｌ）を加えた。反応溶液の凍結脱気を行った後、１ａｔｍの水素ガスを吹き込み、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが２０％収率で生成したことを確認した。
【化２５】
2018118941.tif 000026
【００３５】
＜実施例１２＞
Ｈｆ（ＣＨ２Ｐｈ）４（２．７ｍｇ，５．０μｍｏｌ）の重ベンゼン溶液（０．５ｍＬ）に、Ｍｅ２ＰｈＳｉＯＭｅ（４．１ｍｇ，２５μｍｏｌ）を加えた。反応溶液の凍結脱気を行った後、１ａｔｍの水素ガスを吹き込み、８０℃にて加熱した。反応を１ＨＮＭＲにより追跡し、１２時間で終了したことを確認した。１ＨＮＭＲを測定することにより、Ｍｅ２ＰｈＳｉＨが３７％収率で生成したことを確認した。
【化２６】
2018118941.tif 000027
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の製造方法によって製造されたヒドロシランは、有機無機ハイブリット素材や機能性有機分子等の製造に利用することができる。