(57)【要約】【課題】ボディ領域の不純物濃度を維持しながら、低いオン電圧でチャネルを形成する。【解決手段】  窒化物半導体装置は、窒化物半導体層と、トレンチゲート部を備えている。窒化物半導体層は、第１導電型の第１半導体領域と、第１半導体領域の表面に設けられている第２導電型の第２半導体領域と、第２半導体領域の表層の一部に設けられているとともに第２半導体領域によって第１半導体領域から分離されており、第１半導体領域よりも第１導電型の不純物を高濃度に含む第３半導体領域を備えている。トレンチゲート部は、第３半導体領域の表面から第１半導体領域まで伸びている。この窒化物半導体装置では、第２半導体領域よりも第２導電型の不純物を低濃度に含む第２導電型の第４半導体領域が、第３半導体領域の底面から裏面に向けて、トレンチゲート部の側面を囲って伸びている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の表面から裏面に向けて伸びているトレンチゲート部と、を備えており、
前記窒化物半導体層は、
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域上に設けられているとともに前記トレンチゲート部の側面に対向している第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域上に設けられているとともに前記第２半導体領域によって前記第１半導体領域から分離されており、前記トレンチゲートの側面に接する第１導電型の第３半導体領域と、
前記第３半導体領域の下方において前記トレンチゲート部の側面と前記第２半導体領域の間に設けられているとともに前記トレンチゲート部の側面に接しており、前記第２半導体領域よりも第２導電型の不純物を低濃度に含む第２導電型の第４半導体領域と、を備えている、窒化物半導体装置。
【請求項２】
前記第４半導体領域が前記第３半導体領域の裏面に接している、請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記トレンチゲート部は、導電性のゲート電極と、前記ゲート電極を覆っている絶縁性のゲート絶縁膜と、を備えており、
前記第４半導体領域が、前記トレンチゲート部の側面と前記第２半導体領域を分離しており、
前記窒化物半導体層の前記表面と前記裏面を結ぶ深さ方向において、前記ゲート電極の裏面側の端が、前記第４半導体領域の裏面側の端より深い位置に存在する請求項１又は２に記載の窒化物半導体装置。
【請求項４】
前記深さ方向において、前記第４半導体領域の裏面側の端が、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域の界面と同一平面内に存在している請求項３に記載の窒化物半導体装置。
【請求項５】
前記窒化物半導体層は、前記トレンチゲート部と前記第１半導体領域の間に設けられているとともに前記第１半導体領域よりも第１導電型の不純物を低濃度に含む第１導電型の第５半導体領域をさらに備えている請求項４に記載の窒化物半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は、窒化物半導体装置に関する技術を開示する。特に、本明細書は、トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置に関する技術を開示する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置の開発が進められている。このような半導体装置は、ｎ型のドリフト領域と、ドリフト領域上に設けられているｐ型のボディ領域と、ボディ領域上に設けられているｎ型のソース領域を備えている。ソース領域は、ボディ領域によってドリフト領域から分離されている。トレンチゲート部は、ソース領域とドリフト領域を分離しているボディ領域に対向している。このような半導体装置では、トレンチゲート部にオン電圧を印加することによって、ボディ領域にチャネル（反転層）が形成され、ソース領域からドリフト領域に電子が移動し、半導体装置がオンする。
【０００３】
特許文献１に、トレンチゲート部の側面がボディ領域よりもｐ型不純物の濃度が低い低濃度ｐ型領域で被覆された窒化物半導体装置が開示されている。特許文献１の半導体装置では、トレンチゲート部にオン電圧を印加することによって、低濃度ｐ型領域にチャネルが形成される。特許文献１は、トレンチゲート部を低濃度ｐ型領域で被覆することにより、ボディ領域の不純物を高濃度に維持しながら、低いオン電圧でチャネルを形成することに成功している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２３８８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の窒化物半導体装置は、低濃度ｐ型領域が半導体層の表層から裏面に向けて、トレンチゲート部の側面を被覆した状態で伸びている。また、反転層（チャネル）は、トレンチゲート部と低濃度ｐ型領域の界面に形成される。そのため、ソース領域と反転層の間には、高抵抗の低濃度ｐ型領域が存在し、ソース領域と反転層が連続していない。特許文献１の窒化物半導体装置は、オン状態のときに電子が低濃度ｐ型領域を通過することが必要となり、キャリア（電子）の移動抵抗が大きくなる。本明細書は、キャリアの移動抵抗が小さい窒化物半導体装置を実現する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示する窒化物半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面から裏面に向けて伸びているトレンチゲート部を備えていてよい。窒化物半導体層、第１導電型の第１半導体領域と、第１半導体領域の上に設けられているとともにトレンチゲート部の側面に対向している第２導電型の第２半導体領域と、第２半導体領域上に設けられているとともに第２半導体領域によって第１半導体領域から分離されており、トレンチゲートの側面に接する第１導電型の第３半導体領域と、第３半導体領域の下方においてトレンチゲート部の側面と第２半導体領域の間に設けられているとともにトレンチゲート部の側面に接しており、第２半導体領域よりも第２導電型の不純物を低濃度に含む第２導電型の第４半導体領域を備えていてよい。
【０００７】
上記窒化物半導体装置では、第４半導体領域が、第３半導体領域の下方に設けられている。すなわち、第１導電型の第３半導体領域とトレンチゲート部の間に、第２導電型の第４半導体領域が存在しない。トレンチゲート部に閾値電圧を超える電圧を印加すると、トレンチゲート部と第２導電型の半導体領域（第２半導体領域及び第４半導体領域）の間に反転層が形成される。反転層は、キャリアが移動するためのチャネルとして機能する。上記窒化物半導体装置では、第３半導体領域と反転層が連続するので、キャリアは、高抵抗の第４半導体領域を通過する必要がない。その結果、キャリアの移動抵抗を小さくすることができる。
【０００８】
第４半導体領域が第３半導体領域の裏面に接していてもよい。第３半導体領域から供給されるキャリアが、第２半導体領域とトレンチゲート部との間に形成される反転層を通過することなく、第２導電型の不純物を第２半導体領域よりも低濃度に含む第４半導体領域とトレンチゲート部との間に形成される反転層を通過することができる。
【０００９】
トレンチゲート部は、導電性のゲート電極と、ゲート電極を覆っている絶縁性のゲート絶縁膜を備えていてよい。この場合、第４半導体領域が、トレンチゲート部の側面と第２半導体領域を分離しており、窒化物半導体層の表面と裏面を結ぶ深さ方向において、ゲート電極の裏面側の端が、第４半導体領域の裏面側の端より深い位置に存在してよい。トレンチゲート部の側面と第２半導体領域を分離することにより、窒化物半導体装置の閾値電圧を低くすることができる。また、反転層の裏面側の端が第１半導体領域と接触するので、キャリアが、高抵抗の第４半導体領域を通過することなく、第１半導体領域に供給される。
【００１０】
窒化物半導体層の深さ方向において、第４半導体領域の裏面側の端が、第１半導体領域と第２半導体領域の界面と同一平面内に存在していてよい。キャリアが第１半導体領域に導入される位置から第１半導体領域の裏面までの距離が長くなり、キャリアが第１半導体領域内で拡散し、第１半導体領域内において電流集中の発生を抑制することができる。
【００１１】
窒化物半導体層は、トレンチゲート部と第１半導体領域の間に設けられているとともに第１半導体領域よりも第１導電型の不純物を低濃度に含む第１導電型の第５半導体領域をさらに備えていてよい。窒化物半導体装置がオフ状態のときに、トレンチゲート端部に高電界が加わることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施例の半導体装置の断面図を示す。
【図２】第２実施例の半導体装置の断面図を示す。
【図３】第２実施例の半導体装置の製造工程を示す。
【図４】第２実施例の半導体装置の製造工程を示す。
【図５】第２実施例の半導体装置の製造工程を示す。
【図６】第２実施例の半導体装置の製造工程を示す。
【図７】第２実施例の半導体装置の製造工程を示す。
【図８】第２実施例の半導体装置の製造工程を示す。
【図９】第２実施例の半導体装置の製造工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施例）
図１を参照し、窒化物半導体装置１００について説明する。窒化物半導体装置１００は、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。窒化物半導体装置１００は、窒化物半導体層１０と、窒化物半導体層１０の裏面に設けられているドレイン電極２と、窒化物半導体層１０の表面に設けられているソース電極１２と、窒化物半導体層１０の表面から裏面に向けて伸びているトレンチゲート部２０を備えている。窒化物半導体層１０は、ｎ＋型のドレイン領域４と、ｎ型のドリフト領域６と、ｐ型のボディ領域８と、ｎ＋型のソース領域１４と、ｐ−型の低濃度ｐ型領域１６を備えている。窒化物半導体層１０の材料は窒化ガリウム（ＧａＮ）である。窒化物半導体層１０では、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられており、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が用いられている。
【００１４】
ドレイン電極２が、ドレイン領域４の裏面に接続されている。ドレイン電極２の材料はアルミニウムである。ドレイン領域４の不純物濃度は、２×１０１７〜１×１０２０ｃｍ−３に調整されている。ドレイン領域４の表面にドリフト領域６が設けられている。ドリフト領域６は、第１半導体領域の一例である。ドリフト領域６の不純物濃度は、２×１０１５〜１×１０１７ｃｍ−３に調整されている。ドリフト領域６の表面にボディ領域８が設けられている。ボディ領域８は第２半導体領域の一例である。ボディ領域８の不純物濃度は、１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３に調整されている。ボディ領域８の表層の一部にソース領域１４が設けられている。ソース領域１４は第３半導体領域の一例である。ソース領域１４の不純物濃度は、１×１０１８〜１×１０２１ｃｍ−３に調整されている。窒化物半導体層１０の表面には、ボディ領域８とソース領域１４が存在する。
【００１５】
トレンチゲート部２０が、窒化物半導体層１０の表面から裏面に向けて伸びている。トレンチゲート部２０は、ソース領域１４及びボディ領域８を貫通し、ドリフト領域６に達している。ソース領域１４は、トレンチゲート部２０の側面に接している。トレンチゲート部２０は、ゲート絶縁膜２４とゲート電極２２を備えている。ゲート絶縁膜２４の材料はＡｌ２Ｏ３であり、ゲート電極２２の材料はポリシリコンである。ゲート電極２２は、ゲート絶縁膜２４によって窒化物半導体層１０から絶縁されている。なお、ゲート絶縁膜２４の材料として、Ａｌ２Ｏ３に代えてＳｉＯ２を利用することもできる。
【００１６】
低濃度ｐ型領域１６は、トレンチゲート部２０（ゲート絶縁膜２４）の側面を囲っている。低濃度ｐ型領域１６は、第４半導体領域の一例である。低濃度ｐ型領域１６は、トレンチゲート部２０の側面に接している。低濃度ｐ型領域１６は、ソース領域１４の裏面に接しており、ソース領域１４の裏面からドリフト領域６まで伸びている。低濃度ｐ型領域１６は、深さ方向（窒化物半導体層１０の表面と裏面を結ぶ方向）において、トレンチゲート部２０の中間部分に設けられている。低濃度ｐ型領域１６の上端は、ソース領域１４の裏面に接している。すなわち、低濃度ｐ型領域１６は、ソース領域１４よりも下方（裏面側）で、トレンチゲート部２０の側面を被覆している。低濃度ｐ型領域１６は、ソース領域１４とトレンチゲート部２０の間には存在しない。そのため、ソース領域１４は、トレンチゲート部２０と直接接触している。ボディ領域８は、トレンチゲート部２０と直接接触しないで、低濃度ｐ型領域１６を介してトレンチゲート部２０に対向している。低濃度ｐ型領域１６は、ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極２２に対向している。低濃度ｐ型領域１６の不純物濃度は、１×１０１５〜２×１０１７ｃｍ−３に調整されている。
【００１７】
低濃度ｐ型領域１６の厚みｔ１６は、０．２〜２．０μｍに調整されている。窒化物半導体層１０の深さ方向において、窒化物半導体層１０の表面から低濃度ｐ型領域１６の裏面側の端までの深さＤ１６は、窒化物半導体層１０の表面からゲート電極２２の裏面側の端までの深さＤ２２より浅い。すなわち、ゲート電極２２の裏面側の端は、ゲート絶縁膜２４を介してドリフト領域６に対向している。ゲート電極２２に閾値電圧を超える電圧が印加されると、ゲート絶縁膜２４と低濃度ｐ型領域１６の界面に電子のチャネルが形成される。深さＤ１６が深さＤ２２より浅いので、チャネルの裏面側の端は、ドリフト領域６に接触する。
【００１８】
窒化物半導体層１０の表面に、ソース電極１２が設けられている。ソース電極１２の材料はアルミニウムである。ソース電極１２は、ソース領域１４及びボディ領域８に接続されている。なお、ソース電極１２は、絶縁膜１８によって、ゲート電極２２から絶縁されている。
【００１９】
上記したように、窒化物半導体装置１００は、ゲート電極２２にオン電圧（閾値電圧を超える電圧）を印加すると、低濃度ｐ型領域１６とゲート絶縁膜２４の界面に電子のチャネル（反転層）が形成される。窒化物半導体装置１００では、トレンチゲート部２０の側面が、ボディ領域８と直接接触しないで、低濃度ｐ型領域１６を介してボディ領域８と接触している。そのため、窒化物半導体装置１００は、トレンチゲート部がボディ領域と直接接触している窒化物半導体装置と比較して、オン電圧（閾値電圧）を低くすることができる。また、窒化物半導体装置１００は、ボディ領域８の不純物濃度は高く維持することができるので、窒化物半導体層１０内の正孔を、ボディ領域８より容易に引き抜くことができる。また、窒化物半導体装置１００は、トレンチゲート部がボディ領域と直接接触している窒化物半導体装置と比較して、不純物濃度が低い部分にチャネルが形成されるので、チャネルを移動するときの電子の散乱が抑制され、チャネル抵抗を低くすることができる。
【００２０】
また、窒化物半導体装置１００は、ソース領域１４がトレンチゲート部２０に接しているので、トレンチゲート部の側面全体が低濃度ｐ型領域で覆われている窒化物半導体装置（従来の窒化物半導体装置）と比較して、ソース領域からチャネルまでの電子の移動抵抗を低くすることができる。なお、従来の窒化物半導体装置は、ソース領域が低濃度ｐ型領域を介してトレンチゲート部に接しているので、電子がソース領域からチャネルに移動するときに、低濃度ｐ型領域を通過することが必要となる。
【００２１】
窒化物半導体装置１００では、深さＤ１６が、深さＤ２２よりも浅い。すなわち、低濃度ｐ型領域１６は、ゲート電極２２の裏面側端まで伸びていない。チャネルの裏面側の端を、ドリフト領域６に接触させることができる。電子がチャネルからドリフト領域に直接移動することができ、電子の移動抵抗を低くすることができる。例えば、低濃度ｐ型領域の裏面側の端が、ゲート電極の裏面側の端より深い位置に存在する場合、キャリアの裏面側の端は、低濃度ｐ型領域に覆われる。電子がチャネルからドリフト領域に移動するときに、高抵抗の低濃度ｐ型領域を通過することが必要となる。
【００２２】
（第２実施例）
図２を参照し、窒化物半導体装置２００について説明する。窒化物半導体装置２００は、窒化物半導体装置１００の変形例である。窒化物半導体装置２００について、窒化物半導体装置１００と同じ構成については、同じ参照番号又は下二桁が同じ参照番号を付すことにより説明を省略することがある。
【００２３】
窒化物半導体装置２００では、低濃度ｐ型領域２１６が、ソース領域１４の裏面からボディ領域８とドリフト領域６の界面まで伸びている。低濃度ｐ型領域２１６の裏面側の端は、ボディ領域８とドリフト領域６の界面と同一平面内に存在している。すなわち、低濃度ｐ型領域２１６は、ドリフト領域６内に存在していない。窒化物半導体装置２００では、ソース領域１４から供給された電子は、ドリフト領域６の表面（ボディ領域８とドリフト領域６の界面）からドリフト領域６内に導入される。ドリフト領域６の裏面までの距離が長くなるので、ドリフト領域６内に導入された電子は、広範囲に拡散することができる。その結果、ドリフト領域６内において、電流集中が生じることを抑制することができる。なお、低濃度ｐ型領域２１６の不純物濃度は、１×１０１５〜２×１０１７ｃｍ−３に調整されている。
【００２４】
また、窒化物半導体装置２００では、トレンチゲート部２０の裏面側の端部を、低濃度ｎ型領域３０が囲っている。低濃度ｎ型領域３０は、第５半導体領域の一例である。低濃度ｎ型領域３０は、トレンチゲート部２０とドリフト領域６の間に設けられている。低濃度ｎ型領域３０の不純物濃度は、１×１０１４〜５×１０１６ｃｍ−３に調整されている。低濃度ｎ型領域３０を設けることにより、窒化物半導体装置２００がオフ状態のときにトレンチゲート部２０の角部にかかる電界を緩和することができる。
【００２５】
図３から図９を参照し、窒化物半導体装置２００の製造方法を説明する。まず、図３に示すように、ドレイン領域４とドリフト領域６とボディ領域８がこの順に積層された窒化物半導体層１０を形成する。窒化物半導体層１０は、ｎ型の窒化ガリウム基板上に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を用いて、ｎ型窒化ガリウム領域、ｐ型窒化ガリウム領域を気相成長することにより得ることができる。
【００２６】
次に、図４に示すように、窒化物半導体層１０の表面からドリフト領域６に至るトレンチ４０を形成する。トレンチ４０は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の公知技術を用いて形成することができる。
【００２７】
次に、図５に示すように、トレンチ４０内に、ノンドープのｉ型半導体領域４２を形成する。ｉ型半導体領域４２は、有機金属気相成長法を用いて形成することができる。なお、ｉ型半導体領域４２を形成する際に、ボディ領域８の表面にもｉ型半導体領域を形成し、ボディ領域８の表面に形成されたｉ型半導体領域を除去してもよい。ボディ領域８の表面に形成されたｉ型半導体領域の除去は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃhemical Ｍechanical Ｐolishing）を用いて実施することができる。化学機械研磨を実施することにより、ｉ型半導体領域４２及びボディ領域８の表面を平坦にすることができる。
【００２８】
次に、図６に示すように、窒化物半導体層１０の表面の一部に、ｎ型不純物をイオン注入する。具体的には、ｉ型半導体領域４２の表面の全面及びボディ領域８の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ｎ＋型半導体領域１４を形成する。なお、ｉ型半導体領域４２に形成されたｎ＋型半導体領域１４とボディ領域８に形成されたｎ＋型半導体領域１４は連続している。ｎ＋型半導体領域１４の一部が、図２に示すソース領域１４となる。
【００２９】
次に、図７に示すように、窒化物半導体層１０を熱処理（アニール処理）する。熱処理を行うことにより、窒化物半導体層１０内に含まれている不純物を活性化することができる。また、熱処理を行うことにより、ボディ領域８内のｐ型不純物及びドリフト領域６内のｎ型不純物が、ｉ型半導体領域４２内に拡散する。その結果、ｉ型半導体領域４２のボディ領域と接している部分にｐ−型の低濃度ｐ型領域２１６が形成され、ｉ型半導体領域４２のドリフト領域６と接している部分にｎ−型の低濃度ｎ型領域３０が形成される。低濃度ｐ型領域２１６の裏面側の端は、ボディ領域８の裏面側の端（ドリフト領域６との界面）と同一面内に存在する。また、低濃度ｎ型領域３０の表面側の端は、ドリフト領域６の表面側の端（ボディ領域８との界面）と同一面内に存在する。
【００３０】
なお、図７は、ｉ型半導体領域４２の外側部分（ボディ領域８及びドリフト領域６と接する面）にｐ型又はｎ型不純物が拡散し、ｉ型半導体領域４２の内部はノンドープのままの状態を示している。しかしながら、ｉ型半導体領域４２のサイズが小さい場合、ｉ型半導体領域４２の全体に（内部まで）、ｐ型又はｎ型不純物が拡散することもある。
【００３１】
次に、図８に示すように、窒化物半導体層１０の表面から低濃度ｎ型領域３０に至るトレンチ５０を形成する。トレンチ５０は、トレンチ５０の側面にボディ領域８が露出しないように形成する。図８では、トレンチ５０の側面に、ｎ＋型半導体領域（ソース領域）１４，低濃度ｐ型領域２１６及び低濃度ｎ型領域３０が露出している。また、トレンチ５０の底面に、低濃度ｎ型領域３０が露出している。トレンチ５０は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の公知技術を用いて形成することができる。
【００３２】
次に、図９に示すように、トレンチ５０内にゲート絶縁膜２４及びゲート電極２２を形成する。ゲート絶縁膜２４は、プラズマＣＶＤ，ＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure CVD），ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）等の公知技術を用いて形成することができる。その後、窒化物半導体層１０の裏面（ドレイン領域４の裏面）にドレイン電極２を形成し、窒化物半導体層１０の表面（ソース領域１４及びボディ領域８の表面）にソース電極１２を形成することにより、図２に示す窒化物半導体装置２００が完成する。なお、窒化物半導体層１０の表面にソース電極１２を形成するに先立ち、ゲート電極２２の表面を絶縁膜１８で被覆し、ソース電極１２とゲート電極２２を絶縁する。
【００３３】
上記実施例では、窒化物半導体層の材料が窒化ガリウムである窒化物半導体装置について説明した。しかしながら、窒化物半導体層の材料は、「ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）」で示される任意の窒化物半導体であってよい。また、ドレイン電極及びソース電極の材料として、アルミニウムに代えてチタン，アルミニウムとチタンの積層体，ポリシリコン等を用いることもでき、ゲート電極の材料としてポリシリコンに代えてアルミニウム，チタン及びそれらの積層体等を用いることもできる。
【００３４】
上記実施例では、窒化物半導体層の表面から低濃度ｐ型領域の裏面側の端までの深さが、窒化物半導体層の表面からゲート電極の裏面側の端までの深さより浅い形態について説明した。しかしながら、低濃度ｐ型領域は、ゲート電極と同じ深さ、あるいは、ゲート電極より深い位置まで伸びていてもよい。すなわち、窒化物半導体層の表面から低濃度ｐ型領域の裏面側の端までの深さは、窒化物半導体層の表面からゲート電極の裏面側の端までの深さと等しくてもよいし、窒化物半導体層の表面からゲート電極の裏面側の端までの深さより深くてもよい。重要なことは、ソース領域とトレンチゲート部の間に低濃度ｐ型領域が存在せず、ソース領域とトレンチゲート部が直接接触しており、ソース領域の裏面からドリフト領域までの間で、ボディ領域とトレンチゲート部の間にボディ領域よりも不純物濃度が低い低濃度ｐ型領域が設けられていることである。また、第２実施例において、トレンチゲート部の端部は、必ずしも低濃度ｎ型領域で囲まれていなくてもよい。
【００３５】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３６】
６：第１半導体領域（ドリフト領域）
８：第２半導体領域（ボディ領域）
１０：窒化物半導体層
１４：第３半導体領域（ソース領域）
１６：第４半導体領域（低濃度ｐ型領域）
１８：絶縁膜
２０： トレンチゲート部
１００：窒化物半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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