(57)【要約】【課題】熱放射性樹脂被膜を形成するために基材を別途加熱する必要がなく生産性に優れ、かつ、基材の表面に形成する熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすること。【解決手段】本発明の一態様に係るヒートシンクの製造方法は、基材の表面に熱放射性樹脂被膜が形成されたヒートシンクの製造方法であって、基材をダイカスト鋳造した後、ダイカスト用金型から基材を取り出すステップと、ダイカスト用金型から取り出した基材の余熱を用いて、基材の表面に熱放射性樹脂被膜を形成するステップと、を備えている。熱放射性樹脂被膜を形成するステップにおいて、基材の表面に熱放射性樹脂フィルムを貼り付けることによって、基材の表面に熱放射性樹脂被膜を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に熱放射性樹脂被膜が形成されたヒートシンクの製造方法であって、
前記基材をダイカスト鋳造した後、ダイカスト用金型から前記基材を取り出すステップと、
前記ダイカスト用金型から取り出した前記基材の余熱を用いて、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップと、を備え、
前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップにおいて、
前記基材の表面に熱放射性樹脂フィルムを貼り付けることによって、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成する、
ヒートシンクの製造方法。
【請求項２】
前記基材の表面形状に対応した表面形状を有する貼付用型と、前記基材との間に前記熱放射性樹脂フィルムを挟み込むことによって、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂フィルムを貼り付ける、
請求項１に記載のヒートシンクの製造方法。
【請求項３】
前記貼付用型には真空吸着用の吸引孔が設けられており、
前記貼付用型に前記基材を真空吸着させた状態で、前記貼付用型と前記基材との間に前記熱放射性樹脂フィルムを挟み込む、
請求項２に記載のヒートシンクの製造方法。
【請求項４】
前記熱放射性樹脂フィルムの表面に接着剤を塗布し、
前記接着剤を介して、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂フィルムを貼り付ける、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒートシンクの製造方法。
【請求項５】
前記接着剤が、熱放射性樹脂からなる、
請求項４に記載のヒートシンクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートシンクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基材の表面に熱放射性樹脂被膜が形成されたヒートシンクを製造するヒートシンクの製造方法が開示されている。具体的には、ダイカスト鋳造直後で高温状態にある基材を射出成形用の金型に組み込み、熱放射性樹脂を射出成形することによって、基材の表面に熱放射性樹脂被膜を形成している。ダイカスト鋳造直後で高温状態にある基材を射出成形用の金型に組み込むため、基材を別途加熱する必要がなく生産性に優れている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５７−２０２６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者は、基材の表面に熱放射性樹脂被膜が形成されたヒートシンクの製造方法に関し、以下の問題点を見出した。
特許文献１に開示された方法では、上述の通り、基材を射出成形用の金型に組み込み、熱放射性樹脂を射出成形する。そのため、基材の表面に形成される熱放射性樹脂被膜の膜厚が位置によってばらつき易く、熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることが極めて難しかった。
【０００５】
他方、金型を使用せずに基材の表面に熱放射性樹脂被膜を形成する方法として、基材の表面に熱放射性樹脂を塗布することが考えられる。具体的には、ダイカスト鋳造直後で高温状態にある基材に、熱放射性樹脂を吹き付けたり、落下させたりすることによって塗布する。しかしながら、このように金型を使用せずに基材の表面に熱放射性樹脂を塗布する方法であっても、熱放射性樹脂被膜の膜厚が位置によってばらつき易く、熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることは難しかった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、熱放射性樹脂被膜を形成するために基材を別途加熱する必要がなく生産性に優れ、かつ、基材の表面に形成する熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることができるヒートシンクの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係るヒートシンクの製造方法は、
基材の表面に熱放射性樹脂被膜が形成されたヒートシンクの製造方法であって、
前記基材をダイカスト鋳造した後、ダイカスト用金型から前記基材を取り出すステップと、
前記ダイカスト用金型から取り出した前記基材の余熱を用いて、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップと、を備え、
前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップにおいて、
前記基材の表面に熱放射性樹脂フィルムを貼り付けることによって、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成するものである。
【０００８】
本発明の一態様に係るヒートシンクの製造方法では、ダイカスト用金型から取り出した基材の余熱を用いて、基材の表面に熱放射性樹脂被膜を形成するステップにおいて、基材の表面に熱放射性樹脂フィルムを貼り付けることによって、基材の表面に熱放射性樹脂被膜を形成する。そのため、熱放射性樹脂被膜を形成するために基材を別途加熱する必要がなく生産性に優れ、かつ、基材の表面に形成する熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることができる。
【０００９】
前記基材の表面形状に対応した表面形状を有する貼付用型と、前記基材との間に前記熱放射性樹脂フィルムを挟み込むことによって、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂フィルムを貼り付けてもよい。このような構成により、効率よく基材の表面に熱放射性樹脂フィルムを貼り付けることができる。
【００１０】
前記貼付用型には真空吸着用の吸引孔が設けられており、前記貼付用型に前記基材を真空吸着させた状態で、前記貼付用型と前記基材との間に前記熱放射性樹脂フィルムを挟み込んでもよい。このような構成により、貼り付ける際に発生し得る樹脂フィルムＦの皺を抑制することができる。
【００１１】
前記熱放射性樹脂フィルムの表面に接着剤を塗布し、前記接着剤を介して、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂フィルムを貼り付けてもよい。このような構成により、熱放射性樹脂フィルムと基材との接着力を向上させることができる。
前記接着剤が、熱放射性樹脂から構成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、熱放射性樹脂被膜を形成するために基材を別途加熱する必要がなく生産性に優れ、かつ、基材の表面に形成する熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることができるヒートシンクの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法によって製造されるヒートシンクの一例の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細を示すフローチャートである。
【図４】ダイカスト鋳造工程において、プランジャスリーブ１３に溶湯Ｍが供給された様子を示す模式的断面図である。
【図５】ダイカスト鋳造工程において、キャビティＣへの溶湯Ｍの射出が完了した様子を示す模式的断面図である。
【図６】ダイカスト鋳造工程において、金型（可動型１１、固定型１２）から基材Ｂを取り出した様子を示す模式的断面図である。
【図７】貼り付け工程において、樹脂フィルムＦを下型２２に載置した様子を示す模式的側面図である。
【図８】下型２２の模式的平面図である。
【図９】貼り付け工程において、樹脂フィルムＦを下型２２に真空吸着した様子を示す模式的側面図である。
【図１０】貼り付け工程において、基材Ｂを下型２２に載置し、上型２１によって基材Ｂを押圧した様子を示す模式的側面図である。
【図１１】貼り付け工程において、樹脂フィルムＦが貼り付いた基材Ｂを下型２２から取り出した様子を示す模式的側面図である。
【図１２】第２の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細を示すフローチャートである。
【図１３】貼り付け工程において、樹脂フィルムＦ上に接着剤をスプレー塗布する様子を示す模式的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明が以下の実施形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。
【００１５】
（第１の実施形態）
＜ヒートシンクの構成＞
まず、図１を参照して、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法によって製造されるヒートシンクについて説明する。図１は、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法によって製造されるヒートシンクの一例の断面図である。図１に示すように、本実施形態に係るヒートシンクの製造方法によって製造されるヒートシンクは、基材Ｂと樹脂フィルムＦとを備えており、例えば半導体装置等に用いる放熱部材として好適である。
【００１６】
なお、当然のことながら、図１及びその他の図面に示した右手系ｘｙｚ直交座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。通常、ｚ軸正向きが鉛直上向き、ｘｙ平面が水平面であり、図面間で共通である。また、図１に示したヒートシンクの形状はあくまでも一例であって、種々の変形が可能である。
【００１７】
基材Ｂは、高い熱伝導率を有するアルミニウム合金などの金属からなる鋳物であり、ダイカスト鋳造によって成形される。図１に示すように、基材Ｂは、本体部Ｂ１と放熱フィンＢ２とを備えている。図１に示した一点鎖線は、本体部Ｂ１と放熱フィンＢ２との便宜的な境界線である。図１は、放熱フィンＢ２が上側（ｚ軸正側）を向くようにヒートシンクが水平面（ｘｙ平面）上に載置された様子を示している。しかしながら、ヒートシンクを使用する際、放熱フィンＢ２がどの方向を向くようにヒートシンクを設置してもよい。
【００１８】
図１の例では、本体部Ｂ１は、平面視矩形状の平板部と、平板部のｘ軸方向両端からｚ軸負方向に突出すると共にｙ軸方向に延設された一対の側壁と、を備えている。
放熱フィンＢ２は、図１における平板部の上面（ｚ軸正側の主面）においてｙ軸方向に延設されている。換言すると、放熱フィンＢ２は、側壁が設けられた平板部の主面と反対側の主面上に設けられている。
【００１９】
なお、図１の例では、放熱フィンＢ２の断面形状は、三角形状であるが、特に限定されることはなく、矩形状などであってもよい。また、図１の例では、放熱フィンＢ２が４本形成されているが、放熱フィンＢ２の本数も特に限定されることはない。
【００２０】
樹脂フィルムＦは、例えばポリアミドイミド、ポリイミド等の熱放射性樹脂からなり、樹脂フィルムＦに設けられた熱放射性樹脂被膜を構成する。図１に示すように、樹脂フィルムＦは、放熱フィンＢ２上に貼り付けられている。
なお、樹脂フィルムＦは、放熱フィンＢ２上に直接貼り付けられていてもよいし、接着剤を介して貼り付けられていてもよい。
【００２１】
樹脂フィルムＦの厚さは、１０〜１００μｍであることが好ましい。樹脂フィルムＦの厚さが１０μｍ未満の場合、充分な放熱性が得られない。一方、樹脂フィルムＦの厚さが１００μｍを超えると、放熱性がほとんど向上しなくなり、コストパフォーマンスが低下する。
【００２２】
＜ヒートシンクの製造方法＞
次に、図２を参照して、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法について説明する。図２は、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法を示すフローチャートである。図２と共に、図１も参照しながら第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法について説明する。
【００２３】
まず、図２に示すように、図１に示した基材Ｂをダイカスト鋳造した後、基材Ｂを金型から取り出す（ステップＳＴ１）。
次に、図２に示すように、金型から取り出した基材Ｂの余熱を利用して、図１に示すように、基材Ｂの表面に樹脂フィルムＦを貼り付ける（ステップＳＴ２）。すなわち、基材Ｂの放熱フィンＢ２上に樹脂フィルムＦを貼り付けることにより、基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜を形成する。
【００２４】
このように、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、金型から取り出した基材Ｂの余熱を利用して、基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜である樹脂フィルムＦを貼り付ける。そのため、熱放射性樹脂被膜を形成するために基材Ｂを別途加熱する必要がなく生産性に優れている。
【００２５】
また、均一な厚さの樹脂フィルムＦを基材Ｂの表面に貼り付けることにより、基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜を形成する。そのため、基材Ｂの表面に形成された熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることができる。
【００２６】
すなわち、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法は、熱放射性樹脂被膜を形成するために基材を別途加熱する必要がなく生産性に優れ、かつ、基材の表面に形成する熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることができる。
【００２７】
＜ヒートシンクの製造方法の詳細＞
次に、図３を参照して、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細について説明する。図３は、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細を示すフローチャートである。
図３におけるステップＳＴ１１〜ＳＴ１３は、図２に示したステップＳＴ１に該当し、基材Ｂのダイカスト鋳造工程である。図３におけるステップＳＴ２１〜ＳＴ２４は、図２に示したステップＳＴ２に該当し、樹脂フィルムＦの貼り付け工程である。
【００２８】
まず、基材Ｂのダイカスト鋳造工程（ステップＳＴ１）を構成するステップＳＴ１１〜ＳＴ１３について説明する。
図３に示すように、基材Ｂのダイカスト鋳造工程（ステップＳＴ１）では、まず、プランジャスリーブに溶湯を供給する（ステップＳＴ１１）。ここで、図４は、ダイカスト鋳造工程において、プランジャスリーブ１３に溶湯Ｍが供給された様子を示す模式的断面図である。
【００２９】
具体的には、図４に示すように、プランジャスリーブ１３内でプランジャチップ１４１をｘ軸正方向に後退させた状態で、可動型１１を固定型１２に当接させ、キャビティＣを形成する。そして、プランジャスリーブ１３の後方（ｘ軸負方向）の上面に形成された給湯口１３ａから、例えばラドル（不図示）などを用いて、プランジャスリーブ１３内に溶湯Ｍを供給する。
【００３０】
ここで、図４に示すように、プランジャスリーブ１３は、ｘ軸に平行な中心軸を有する円筒状の部材であって、固定型１２の貫通孔に嵌合されている。そして、プランジャスリーブ１３内をプランジャチップ１４１がｘ軸方向に摺動する。プランジャチップ１４１は、プランジャロッド１４２を介して、シリンダなどの摺動用駆動源（不図示）に連結されている。プランジャチップ１４１及びプランジャロッド１４２からプランジャ１４が構成されている。
【００３１】
次に、図３に示すように、キャビティに溶湯を射出し、基材を鋳造する（ステップＳＴ１２）。ここで、図５は、ダイカスト鋳造工程において、キャビティＣへの溶湯Ｍの射出が完了した様子を示す模式的断面図である。
【００３２】
具体的には、図５に示すように、プランジャスリーブ１３においてプランジャ１４を前進させ、ランナー（湯道）Ｒを介して溶湯ＭをキャビティＣ内に射出する。ここで、プランジャ１４を高速で前進させることにより、溶湯Ｍを加圧しながらキャビティＣ内に充填させることができる。
【００３３】
次に、図３に示すように、キャビティに溶湯を射出し、金型から基材を取り出す（ステップＳＴ１３）。ここで、図６は、ダイカスト鋳造工程において、金型（可動型１１、固定型１２）から基材Ｂを取り出した様子を示す模式的断面図である。
【００３４】
具体的には、図６に示すように、キャビティＣ内において溶湯Ｍが凝固した後、可動型１１を固定型１２から離間させ、鋳造された基材Ｂを取り出す。図６に示すように、鋳造された基材Ｂは、図１に示した本体部Ｂ１、放熱フィンＢ２に加え、ビスケット・ランナー部Ｂ３を有している。図６における基材Ｂ内に示した一点鎖線は、本体部Ｂ１と、放熱フィンＢ２及びビスケット・ランナー部Ｂ３との便宜的な境界線である。
【００３５】
ビスケット・ランナー部Ｂ３は、プランジャチップ１４１の先端面と金型（可動型１１、固定型１２）等によって囲われた溶湯Ｍが凝固した厚肉のビスケット部と、ランナーＲにおいて溶湯Ｍが凝固した薄肉のランナー部とからなる。なお、ビスケット・ランナー部Ｂ３は最終的に除去されるため、図１に図示されていない。
【００３６】
次に、樹脂フィルムＦの貼り付け工程（ステップＳＴ２）を構成するステップＳＴ２１〜ＳＴ２４について説明する。
図３に示すように、樹脂フィルムＦの貼り付け工程（ステップＳＴ２）では、まず、樹脂フィルムを下型に載置する（ステップＳＴ２１）。ここで、図７は、貼り付け工程において、樹脂フィルムＦを下型２２に載置した様子を示す模式的側面図である。また、図８は、下型２２の模式的平面図である。
【００３７】
具体的には、図７に示すように、上型２１をｚ軸正方向に上昇させた状態で、下型（貼付用型）２２上に樹脂フィルムＦを載置する。樹脂フィルムＦは予熱しておくことが好ましい。例えば、鋳造中のダイカスト用金型（可動型１１、固定型１２）に載置することによって予熱してもよい。もちろん、ヒーターによって樹脂フィルムＦを予熱してもよい。
【００３８】
ここで、上型２１はｚ軸方向に延設された一対のコラム２３に沿って、ｚ軸方向に摺動する。また、図７、図８に示すように、下型２２の上面の中央部には、基材Ｂの本体部Ｂ１を収容するための凹部（リセス）ＲＣが設けられている。図７に示すように、凹部ＲＣの底面に樹脂フィルムＦが載置される。
【００３９】
さらに、図７に示すように、凹部ＲＣの底面には基材Ｂの放熱フィンＢ２の形状に対応した形状を有する溝Ｇがｙ軸方向に延設されている。溝Ｇの底部には、それぞれ樹脂フィルムＦを真空吸着するための吸引孔Ｈが形成されている。吸引孔Ｈは下型２２内外に設けられた配管Ｌを介して真空発生装置ＶＧに接続されている。下型２２外の配管Ｌ上には、メインバルブＭＶが設けられている。図７に示すように、下型２２上に樹脂フィルムＦを載置する際、メインバルブＭＶは閉じられている。吸引孔Ｈの直径は、例えば１ｍｍ程度である。
【００４０】
図８に示すように、図示した例では、４本の溝Ｇ１〜Ｇ４が形成されている。溝Ｇ１には、多数の吸引孔Ｈ１が、溝Ｇ１の長手方向に沿って整列するように形成されている。吸引孔Ｈ１は、配管Ｌ１によって真空発生装置ＶＧに接続されている。配管Ｌ１上には、サブバルブＳＶ１が設けられている。
【００４１】
同様に、溝Ｇ２には、多数の吸引孔Ｈ２が、溝Ｇ２の長手方向に沿って整列するように形成されている。吸引孔Ｈ２は、配管Ｌ２によって真空発生装置ＶＧに接続されている。配管Ｌ２上には、サブバルブＳＶ２が設けられている。
【００４２】
同様に、溝Ｇ３には、多数の吸引孔Ｈ３が、溝Ｇ３の長手方向に沿って整列するように形成されている。吸引孔Ｈ３は、配管Ｌ１によって真空発生装置ＶＧに接続されている。配管Ｌ３上には、サブバルブＳＶ３が設けられている。
【００４３】
そして、溝Ｇ４には、多数の吸引孔Ｈ４が、溝Ｇ４の長手方向に沿って整列するように形成されている。吸引孔Ｈ４は、配管Ｌ４によって真空発生装置ＶＧに接続されている。配管Ｌ４上には、サブバルブＳＶ４が設けられている。
４つサブバルブＳＶ１〜ＳＶ４は、真空発生装置ＶＧに対して並列に設けられている。
以上のような構成によって、溝Ｇ１〜Ｇ４のそれぞれが独立して樹脂フィルムＦを吸着することができる。
【００４４】
次に、図３に示すように、樹脂フィルムを下型に真空吸着する（ステップＳＴ２２）。ここで、図９は、貼り付け工程において、樹脂フィルムＦを下型２２に真空吸着した様子を示す模式的側面図である。
【００４５】
具体的には、真空発生装置ＶＧを駆動させ、メインバルブＭＶを開いた後、図８に示した４つサブバルブＳＶ１〜ＳＶ４を開く。吸引孔Ｈ１〜Ｈ４を介した吸引力によって、図９に示すように、樹脂フィルムＦを下型２２に真空吸着する。
【００４６】
ここで、例えば４つサブバルブＳＶ１〜ＳＶ４を同時に開くと、隣接する溝Ｇの間で樹脂フィルムＦが引っ張られ、破けてしまう虞がある。そのため、例えば、サブバルブＳＶ１〜ＳＶ４を番号順に順次開くことにより、ｘ軸負方向の端に位置する溝Ｇ１からｘ軸正方向の端に位置する溝Ｇ４に向かって樹脂フィルムＦを順次吸着することができる。そのため、隣接する溝Ｇの間で樹脂フィルムＦが引っ張られ、破けることを抑制することができる。
【００４７】
当然のことながら、ｘ軸正方向の端に位置する溝Ｇ４からｘ軸負方向の端に位置する溝Ｇ１に向かって樹脂フィルムＦを順次吸着するように、サブバルブＳＶ１〜ＳＶ４を順次開いても同様の効果を得ることができる。また、中央部に位置する溝Ｇ２又は溝Ｇ３において最初に吸着した後、端に位置する溝Ｇ１、Ｇ４に向かって順番に吸着するようにサブバルブＳＶ１〜ＳＶ４を順次開いても同様の効果を得ることができる。
【００４８】
次に、図３に示すように、ダイカスト用金型から取り出した高温状態の基材を下型に載置し、上型によって基材を押圧する（ステップＳＴ２３）。ここで、図１０は、貼り付け工程において、基材Ｂを下型２２に載置し、上型２１によって基材Ｂを押圧した様子を示す模式的側面図である。
【００４９】
具体的には、図１０に示すように、樹脂フィルムＦを吸着している下型２２の溝Ｇに、基材Ｂの放熱フィンＢ２を嵌め込むように、基材Ｂを下型２２に載置する。そして、上型２１を降下させて、上型２１によって基材Ｂの本体部Ｂ１の上側（ｚ軸方向正側）を押圧する。その後、メインバルブＭＶ及び図８に示した４つサブバルブＳＶ１〜ＳＶ４を閉じ、下型２２への樹脂フィルムＦの真空吸着を解除する。ダイカスト鋳造後で高温状態にある基材Ｂの余熱によって、下型２２に真空吸着されている樹脂フィルムＦが、基材Ｂの放熱フィンＢ２の表面に貼り付けられる。
【００５０】
このように、基材Ｂの表面形状に対応した表面形状を有する下型２２と、基材Ｂとの間に樹脂フィルムＦを挟み込むことによって、基材Ｂの表面に樹脂フィルムＦを貼り付ける。そのため、効率よく基材Ｂの表面に樹脂フィルムＦを貼り付けることができる。また、その際、下型２２に基材Ｂを真空吸着させた状態で、下型２２と基材Ｂとの間に樹脂フィルムＦを挟み込む。そのため、貼り付ける際に発生し得る樹脂フィルムＦの皺を抑制することができる。
【００５１】
樹脂フィルムＦが熱可塑性のポリアミドイミド又はポリイミドからなる場合、基材Ｂをダイカスト用金型から取り出す際の温度（以下、離型温度と称す）は、１８０〜２５０℃であることが好ましい。離型温度が１８０℃未満では、基材Ｂへの樹脂フィルムＦの貼り付きが不充分となる。離型温度が２５０℃を超えると、ビスケット・ランナー部Ｂ３における肉厚のビスケット部の内部に溶湯Ｍが残留し、破裂する虞がある。
【００５２】
最後に、図３に示すように、樹脂フィルムが貼り付いた基材を下型から取り出す（ステップＳＴ２３）。ここで、図１１は、貼り付け工程において、樹脂フィルムＦが貼り付いた基材Ｂを下型２２から取り出した様子を示す模式的側面図である。図１１に示すように、上型２１を上昇させ、樹脂フィルムＦが貼り付いた基材Ｂを下型２２から取り出す。
【００５３】
このように、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、ダイカスト用金型（可動型１１、固定型１２）から取り出した基材Ｂの余熱を利用して、基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜である樹脂フィルムＦを貼り付ける。そのため、熱放射性樹脂被膜を形成するために基材Ｂを別途加熱する必要がなく生産性に優れている。
【００５４】
また、均一な厚さの樹脂フィルムＦを基材Ｂの表面に貼り付けることにより、基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜を形成する。そのため、基材Ｂの表面に形成された熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることができる。
【００５５】
すなわち、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法は、熱放射性樹脂被膜を形成するために基材を別途加熱する必要がなく生産性に優れ、かつ、基材の表面に形成する熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることができる。
【００５６】
また、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、基材Ｂの表面に熱放射性を有する樹脂フィルムＦを貼り付けることによって、基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜を形成する。そのため、熱放射性樹脂をスプレー塗布することによって基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜を形成する場合に比べ、熱放射性樹脂被膜の表面粗さを小さくすることができる。
【００５７】
さらに、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、基材Ｂの表面において熱放射性樹脂被膜が必要な領域のみに熱放射性樹脂被膜を形成することができる。
また、スプレー塗布の場合、放熱フィンＢ２がスプレー塗布を遮るなどの理由によって、基材Ｂの表面に熱放射性樹脂被膜を形成できない領域が発生し得る。これに対し、第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、スプレー塗布に比べ、上述の熱放射性樹脂被膜を形成できない領域の発生を抑制することができる。
【００５８】
（第２の実施形態）
次に、図１２を参照して、第２の実施形態に係るヒートシンクの製造方法について説明する。図１２は、第２の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細を示すフローチャートである。
【００５９】
図１２に示すように、第２の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、図３に示す第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法と比較して、樹脂フィルムを下型に真空吸着するステップＳＴ２２の後、基材を下型に載置して上型によって基材を押圧するステップＳＴ２３の前に、樹脂フィルム上に接着剤をスプレー塗布する（ステップＳＴ３１）。すなわち、第２の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、接着剤を介して樹脂フィルムＦを基材Ｂの表面に貼り付ける。
【００６０】
ここで、図１３は、貼り付け工程において、樹脂フィルムＦ上に接着剤をスプレー塗布する様子を示す模式的側面図である。図１３に示すように、下型２２に真空吸着された樹脂フィルムＦ上に対し、上方（ｚ軸正方向）からスプレー塗布装置３０を用いて接着剤をスプレー塗布する。
【００６１】
接着剤としては、エポキシ系樹脂が好ましく、特に熱放射性を有するエポキシ系樹脂が好ましい。この場合、基材Ｂの離型温度は、１２０〜２００℃であることが好ましい。離型温度が１２０℃未満では、接着剤の硬化が不充分となる。離型温度が２００℃を超えると、接着剤が劣化する虞がある。
【００６２】
第２の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、接着剤を介して樹脂フィルムＦを基材Ｂの表面に貼り付ける。そのため、樹脂フィルムＦを基材Ｂの表面に直接貼り付ける第１の実施形態に係るヒートシンクの製造方法に比べ、樹脂フィルムＦと基材Ｂとの接着力を向上させることができる。
【００６３】
なお、本発明は上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
例えば、基材Ｂの表面に樹脂フィルムＦを貼り付ける際、型を用いずに人手によって貼り付けてもよい。あるいは、エア（空気）を用いて樹脂フィルムＦを基材Ｂの表面に押し付けることによって、貼り付けてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１１  可動型
１２  固定型
１３  プランジャスリーブ
１３ａ  給湯口
１４  プランジャ
１４１  プランジャチップ
１４２  プランジャロッド
２１  上型
２２  下型
２３  コラム
３０  スプレー塗布装置
Ｂ  基材
Ｂ１  本体部
Ｂ２  放熱フィン
Ｂ３  ビスケット・ランナー部
Ｃ  キャビティ
Ｆ  樹脂フィルム
Ｇ、Ｇ１〜Ｇ４  溝
Ｈ、Ｈ１〜Ｈ４  吸引孔
Ｌ、Ｌ１〜Ｌ４  配管
Ｍ  溶湯
ＭＶ  メインバルブ
Ｒ  ランナー
ＲＣ  凹部
ＳＶ１〜ＳＶ４  サブバルブ
ＶＧ  真空発生装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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