(57)【要約】【課題】本体表面から放射される平均的な磁束を低下させることなく、かつ、最大磁束密度を抑制し、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能としたこと。【解決手段】磁性体金属で形成されたブロック本体３４等の本体に収容した強磁性体４１，５１，６１の周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体４２，５２，６２と、前記強磁性体４１，５１，６１のＮＳ磁極の長さ方向の端部に積層した所定の厚み、面積以上で、磁性体からなる拡散体４３，５３，６３と、拡散体４３，５３，６３の強磁性体４１，５１，６１の反対側に配設した所定の厚み、面積以上で、反磁性体または非磁性体からなる阻止体４６とを具備する。【選択図】図１２
2018176358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体金属で形成された本体と、
前記本体に収容した強磁性体と、
前記強磁性体の磁極を中心軸とする外周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体と、
前記強磁性体の磁極方向の端部に積層した磁性体からなる拡散体と、
前記拡散体の反強磁性体側に配設した反磁性体または非磁性体からなる阻止体と
を具備することを特徴とする強磁性体の端末構造。
【請求項２】
前記拡散体と前記阻止体は、強磁性体からの距離が離れるに従ってその面積を広く形成したことを特徴とする請求項１に記載の強磁性体の端末構造。
【請求項３】
前記拡散体と前記阻止体は、繰り返し積層したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の強磁性体の端末構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、工作機械に被加工物を正確に取付ける精密バイスに使用される精密バイスブロック等に使用されるもので、特に、被加工物の工作機械で加工しても、その取付け状態が安定する強磁性体（永久磁石）の端末構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、被加工物を工作機械で加工する場合、工作機械のテーブル面に被加工物を取付けるとか、工作機械のテーブル上にバイスブロックを取付けて、そのバイスブロックに被加工物を保持または載置させて加工するのが一般的である。また、精度を要する部品等を加工する場合には、工作機械のテーブル面に対し、被加工物を保持する平面度が確保されているバイスブロックが用いられ、被加工物の角度、加工面等の精度維持が図られてきた。
例えば、図１は公知の精密バイスの斜視図で、図２はその中央の垂直断面図である。
図において、基体１１の両端側に併設させられた内面を有する保持ブロック１２及び保持ブロック１３は、基体１１及び保持ブロック１２及び保持ブロック１３によってバイス本体１０を構成している。保持ブロック１２及び保持ブロック１３の内側の面は並行面となっている。また、基体１１の上面は、可動壁１６の底面が摺動する摺動面１４となっている。その底面１５側は摺動面１４と並行する水平面となっている。
【０００３】
可動壁１６は、ボールネジ１８の先端に取付けられ、往復移動するように構成されている。ボールネジ１８の他端は、調整摘１７によって回転自在になっている。特に、調整摘１７に配設されたレバー１７ａは、締付力を必要な場合に使用される。可動壁１６を底面１５より抜け止めする離脱防止片１６ａが往復動する移動溝１９は、略Ｔ字状の可動壁１６の足部に対して２本のボルト１６ｂで固着している。可動壁１６とボールネジ１８との接続は、ボールネジ１８の先端の溝部１８ａが、可動壁１６の上部から打ち込まれたピン１６ｃの先端で保持され、回動自在で離脱防止となっている。
【０００４】
したがって、可動壁１６の隙間は殆どなく、移動溝１９とボールネジ１８によって移動自在となっている。よって、ボールネジ１８の端部に配設された調整摘１７を回転させることによって、可動壁１６が移動し、バイスブロック３とバイスブロック４が被加工物５を挟持するから、その状態で精密バイスを移動させれば、その状態で複数種類の機械加工ができる。
ところが、保持ブロック１２側にはバイスブロック４を、保持ブロック１３側にはバイスブロック３を配設し、被加工物５を安定した保持状態に維持できるようにしている。例えば、図２に示すように、被加工物５の面がテーパーになっているとか、被加工物５が薄く保持できる範囲が限られている場合には、希望する垂直面がでない可能性がある。
図２で具体的に説明すると、被加工物５の可動壁１６側の面が角度θで垂直でないとき、バイスブロック４は、ボールネジ１８の締付けによって被加工物５の可動壁１６側の面に密着しようとし、被加工物５とバイスブロック３及びバイスブロック４との間の垂直面、水平面が異なってくる。
【０００５】
特許文献１は、回転モーメントθを如何に少なくして加工精度を維持するかを検討し、被加工物５が小物部品であるときには、その回転モーメントθで被加工物５の加工精度が得られず、また薄板等を保持する場合には、薄板の上面には引張り力が働くとともに底面には圧縮力が働くことになり、薄板としては上に凸の曲がりが発生することになり、この状態で加工して平面が得られても精密バイスから取外した段階では、その加工面は凹面となる等の問題点を検討している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−１０８９６９
【特許文献２】特許第５９８１０６４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
その結果、特許文献１では、工作機械のテーブル上で被加工物５を保持する精密バイスであって、被加工物５を保持する保持ブロック１３側のバイスブロック３は、保持ブロック１３と被加工物５の接触面との間で平行であり、他の一方の可動壁１６側のバイスブロック４の上端部は、被加工物５を保持する上端部と平行に形成されている。そして、可動壁１６との接触面においてバイスブロック４にほぼ平行で、かつ可動壁１６側の保持部分の上部が狭小、下部が拡大するテーパー面で接する構造としている。
一般に、上記構造によって、小物部品とか、薄板状の加工部品等を精密バイスで所定の位置に保持する方法として木槌等で叩いたりして回転モーメントθによる被加工物５の浮き上がりがなくなるようにしていた。しかし、本発明では木槌等で打つ必要はなく、可動壁１６とバイスブロック４との間に設けた可動側保持ブロックのテーパーにより下方向にベクトル力が発生するから、被加工物５の浮き上がりがなくなり、よって、加工精度の維持が確保される。
【０００８】
このように、特許文献１は、バイスブロック３とバイスブロック４間で被加工物５を挟持できるが、ボールネジ１８が締付けられることにより、例えば、被加工物５の底部が先に当接したとすると、その底部に締付けによる反力が付与される。
このとき、被加工物５が小物部品であったり、また薄板であったりした場合には、ボールネジ１８の中心軸に対し、被加工物５の底部に反力が発生することになり、図２に示す回転モーメントθが働くことになる。
即ち、この回転モーメントθを如何に少なくして加工精度を維持するかが問題となるが、被加工物５が小物部品であるときには、その回転モーメントθによって被加工物５の底部が精密バイスの底面１５に対し平行にならず、加工精度が得られない。また、薄板等を保持する場合には、薄板の上面には引張り力が働くとともに、その底面には圧縮力が働く。このため、薄板としては上に凸の曲がりが発生することになり、この状態で加工して平面が得られても精密バイスから取外すと、その加工面は凹面となる。
【０００９】
これに対して特許文献１は、可動壁１６と、可動壁１６側のバイスブロック４との間にテーパーを形成することによりボールネジ１８の回動による圧縮力がテーパー部分で分力となり、被加工物５を精密バイスの底面１５側に押し下げることになる。
可動壁１６とバイスブロック４のテーパーにより下方にベクトル分力が発生することから、被加工物５の浮き上がりがなくなり、加工精度の維持が確保される。
しかし、特許文献１の技術は、テーパーが機能するように木槌等で叩くことにより修正できる被加工物５の取付状態であればよいが、被加工物５自体の面が歪んでいる場合には、バイスブロック３も、バイスブロック４もその角度に従ってしまう可能性がある。また、特定の部品の形状を整える場合には、バイスブロック３及びバイスブロック４で正確に被加工物５を挟持しないで水平、垂直がでない状態となる可能性も有る。特に、何らかの要因で、特定の箇所で接触抵抗が高くなると、そこが起点で被加工物５が保持されるようになり、結果、加工精度の維持ができなくなる。
【００１０】
そこで、発明者は特許文献２の特許を取得した。即ち、特許文献２の発明のバイスブロックは、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体の垂直背面からの厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第１挿入孔に、第１強磁性体を取付けた厚み０．５〜２．５ｍｍに反磁性体または非磁性体の第１筐体を挿入し、前記第１筐体内に反磁性体または非磁性体の前記第１筐体を挿入し、前記第１強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第１離脱防止体によって前記ブロック本体と一体に固着したものである。したがって、特許文献２のバイスブロックは、前記第１強磁性体によって垂直背面方向に吸引し、また、前記第２強磁性体によって前記ブロック本体の前記垂直背面と直角の水平方向に吸引するものであるから、前記ブロック本体の垂直方向及び水平方向に移動できなくなり安定した取付状態が維持できる。
【００１１】
そして、第１強磁性体で垂直背面にあるバイスブロック側に水平方向の磁路が形成され、バイスブロックとの吸引がなされ、精密バイスの固定ブロックと一体に吸引されるから、ブロック本体が傾動することがない。同時に、第２強磁性体で水平面にある基体にブロック本体の底面が垂直方向に吸引されるから、精密バイスの基体と一体に吸引され、ブロック本体が浮き上がることがない。結果的に、互いに、前記第１強磁性体と前記第２強磁性体は磁界が水平方向を軸とするものと、垂直方向を軸とするものとの両方が同時に作用し、特許文献２のバイスブロックは、精密バイスの一部として機能し、所望位置で被加工物の水平及び垂直を正確に挟持できる。
【００１２】
また、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体の水平面からの厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第２挿入孔に、第２強磁性体を取付けた厚み０．５乃至２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の第２筐体を挿入し、前記第２筐体及び前記第２強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第２離脱防止体によって前記ブロック本体と一体化したものである。
したがって、第１強磁性体が配設されたブロック本体の垂直背面に吸引する面側は、厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第１挿入孔に、０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の第１筐体内に第１強磁性体を配設し、第１強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第１離脱防止体で前記第１挿入孔に封止したものである。よって、第１挿入孔に第１筐体内に第１強磁性体を配設し、第１筐体及び第１離脱防止体を外部から圧縮力を付与することにより、前記第１挿入孔を封止すれば、強磁性体からの磁界はブロック本体中を磁路とするだけでなく、垂直背面にあるバイスブロック側にも水平方向の磁路が形成され、バイスブロックとの吸引がなされる。
【００１３】
同時に、第２強磁性体が配設されたブロック本体の水平面に吸引する面側は、厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第２挿入孔に、０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の第２筐体内に第２強磁性体を配設し、第２強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第２離脱防止体で前記第２挿入孔に封止したものである。したがって、第２挿入孔に第２強磁性体を第２筐体内に入れて配設し、第２筐体及び第２離脱防止体を圧縮することにより前記第２挿入孔を封止すれば、強磁性体からの磁界はブロック本体中を磁路とするだけでなく、垂直背面にあるバイスブロック側にも第２方向の磁路が形成され基体との吸引がなされる。
【００１４】
また、第１強磁性体で垂直背面にあるバイスブロック側にも水平方向の磁路が形成され、バイスブロックとの吸引がなされる。同時に、第２強磁性体で水平面にある基体にブロック本体の底面が垂直方向に吸引される。このとき、互いに、前記第１強磁性体と前記第２強磁性体は磁界が水平方向を軸とするものと、第２垂直方向を軸とするものとの両方が同時に形成される。しかも、厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍの肉厚を残して前記第１強磁性体と前記第２強磁性体が配設されており、前記第１強磁性体と前記第２強磁性体は反磁性体または非磁性体で閉じられているから、ブロック本体の随所で磁界のない部位が形成され、バイスブロック自体に鉄粉が付着しても、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで簡単に除去できる。
【００１５】
しかし、バイスブロックとして、強磁性体としてネオジム磁石等の強い磁石をより強くして特性を安定化させると、ネオジム磁石の接触面のみの磁束密度が高くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで簡単に除去できなくなる。そこで、複数個の強磁性体の使用も考えられるが、干渉が生じると、逆効果になる場合もある。また、複数の強磁性体の配設は磁性体の複雑な切削加工は不可能となり、干渉を回避するには限界がある。
【００１６】
そこで、本発明は、かかる従来の問題点を解消させ、本体表面から放射される平均的な磁束を低下させることなく、かつ、最大磁束密度を抑制し、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とした強磁性体の端末構造の提供を課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１の発明にかかる強磁性体の端末構造は、磁性体金属で形成された本体に収容した強磁性体と、前記強磁性体の外周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体と、前記強磁性体及び前記筐体との重ね方向に対して直角な方向の前記強磁性体の端部に積層した所定の厚み、かつ、所定の面積以上で、磁性体からなる拡散体と、前記拡散体の反強磁性体側に配設した所定の厚み、かつ、所定の面積以上で、反磁性体または非磁性体からなる阻止体とを具備するものである。
【００１８】
ここで、上記本体は磁性体金属で形成されたものである。
また、上記本体に収容した強磁性体（永久磁石）は、磁性体内に収納され、磁性体金属で形成された本体に収容したもので、両極が本体内に配設されていればよい。
そして、上記筐体は、強磁性体の周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筒体であるが、本発明を実施する場合には、強磁性体を円筒または角筒または有端の帯状体でその周囲を巻回したものでもよい。
【００１９】
更に、上記拡散体は、磁性体であればよく、体積の存在を表している。即ち、前記強磁性体及び前記筐体との重ね方向に対して直角な方向、所謂、長さ方向の前記強磁性体の端部に積層した所定の厚み、かつ、所定の面積を表している。
更にまた、上記阻止体は、磁性体からなる拡散体の反強磁性体側に配設した所定の厚み、かつ、所定の面積以上で、反磁性体または非磁性体からなるものである。したがって、磁性体からなる拡散体の厚み及び所定の面積以上とは、反磁性体または非磁性体からなる阻止体と同様、所定の厚み及び面積で存在を示すものである。
【００２０】
請求項２の発明にかかる強磁性体の端末構造は、前記拡散体と前記阻止体は、強磁性体からの距離が離れるに従ってその面積を広く形成したものである。
ここで、前記拡散体と前記阻止体は、前記強磁性体より前記阻止体の面積を広げており、前記阻止体までに磁束の方向を変えるものである。強磁性体からの距離が離れるに従ってその面積を広くとは、段階的または連続的に強磁性体からの距離が離れるに従ってその面積を広くするものである。
【００２１】
請求項３の発明にかかる強磁性体の端末構造は、前記拡散体と前記阻止体は、その１枚以上を繰り返し積層したものである。
ここで、前記拡散体と前記阻止体は、前記拡散体に前記阻止体を積層してもよいし、前記拡散体と前記阻止体に、更に、前記拡散体を積層しても、前記拡散体と前記阻止体に、更に、前記拡散体と前記阻止体を積層してもよい。前記拡散体に前記阻止体は、１対以上であればよいことを意味する。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１の発明の強磁性体の端末構造は、磁性体金属で形成された本体に収容した強磁性体の周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体と、前記強磁性体のＮＳ磁極の長さ方向の端部に積層した磁性体からなる拡散体と、前記拡散体の反強磁性体側に配設した反磁性体または非磁性体からなる阻止体とを具備する。
したがって、磁性体金属で形成された本体に収容された強磁性体の周囲には、反磁性体または非磁性体からなる筐体が配設されており、Ｓ極、Ｎ極が決定された強磁性体が筐体内に収容される。Ｓ極またはＮ極の磁極には磁性体からなる拡散体が配設されているから、強磁性体中を通過した磁束は、磁性体からなる拡散体で強磁性体の半径方向に拡がる。半径方向に拡散された磁束は、強磁性体の反対面側に収束される。このとき、強磁性体の反対面側は筐体内と筐体外の位置によって変化するが、磁束が阻止体で阻止されても、磁路は拡散体に従って形成されるから、筐体外に向かう磁束が生じ、各磁束は筐体外を通過するものが多くなり、磁性体金属で形成された本体内の磁束は軌道が長くなる。
【００２３】
磁気回路か見れば、精密バイスが磁性体で形成されているから、磁性体金属で形成された本体を装着すると一体になり、低磁気抵抗である精密バイスの構成部品と磁性体からなる拡散体とが対向することになる。対向する磁路は筐体内と筐体外に形成される。
よって、強磁性体の外周に生じる拡散する磁束の積分値は、強磁性体のＮ極またはＳ極の積分値に近いことから、磁気的に吸引(反発)する吸引力については殆ど強弱が変化しない。このように、最大磁束密度を抑制し、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とし、表面の磁束を低下させることなく構成可能となる。
また、反磁性体または非磁性体からなる筐体は、有底の筐体としていない場合には、強磁性体から発生する磁界を抑制するものがない。
【００２４】
請求項２の発明の強磁性体の端末構造は、前記拡散体と前記阻止体は、強磁性体からの距離が離れるに従ってその面積を広く形成したものであるから、請求項１に記載の効果に加えて、磁束として急峻な曲げが必要でなくなるので、磁束密度を高くすることなく磁束ベクトルを彎曲させることができる。
【００２５】
請求項３の発明の強磁性体の端末構造は、前記拡散体と前記阻止体は、繰り返し積層したものであるから、請求項１または請求項２に記載の効果に加えて、磁束変化を段階的または連続的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は従来の精密バイスの斜視図である。
【図２】図２は図１の中央横縦断面図である。
【図３】図３は本発明の実施の形態１に係る強磁性体の端末構造を用いた精密バイスの斜視図である。
【図４】図４は本発明の実施の形態１に係る強磁性体の端末構造を用いた精密バイスの中央横断面図である。
【図５】図５は本発明の実施の形態１に係る強磁性体の端末構造の縦断面図である。
【図６】図６は本発明の実施の形態１に係る強磁性体の端末構造を精密バイスブロックに内蔵した斜視図である。
【図７】図７は本発明の実施の形態２に係る強磁性体の端末構造の縦断面図である。
【図８】図８は本発明の実施の形態２に係る強磁性体の端末構造を精密バイスブロックに内蔵した斜視図である。
【図９】図９は本発明の実施の形態３に係る強磁性体の端末構造の他の事例を示す縦断面図である。
【図１０】図１０は本発明の実施の形態に係る強磁性体の端末構造の機能を示す縦断面図で、（ａ）は立面位置を示す断面図、（ｂ）は拡大断面図、（ｃ）は磁極を変更した場合の拡大断面図である。
【図１１】図１１は図１０（ａ）の切断線Ａ−Ａで水平に切断した２個強磁性体を配設した水平断面図である。
【図１２】図１２は本発明の実施の形態に係る強磁性体の端末構造の一般化事例を示す断面の説明図で、（ａ）は装着前、（ｂ）は装着後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
［実施の形態１］
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。なお、実施の形態において、図示の同一記号及び同一符号は、同一または相当する機能部分であるから、ここではその重複する説明を省略する。
まず、本発明の実施の形態１について、図３の本発明の実施の形態１の強磁性体の端末構造を用いた精密バイスの斜視図、同じく、図４の強磁性体の端末構造を用いた精密バイスの中央横断面図について説明する。
図３及び図４において、基体１１の両端側に並設させられた内面を有する保持ブロック１２及び保持ブロック１３は、基体１１及び保持ブロック１２及び保持ブロック１３によってバイス本体１０を構成している。保持ブロック１２及び保持ブロック１３の内側の面は互いに並行する面となっている。また、基体１１の上面は、可動壁１６が摺動する摺動面１４となっている。その底面１５側は底面となっている。よって、摺動面１４は底面１５と共に底面となっている。
本実施の形態１の精密バイスブロック３０は、保持ブロック１３と可動壁１６に装着される。
【００２８】
可動壁１６は、ボールネジ１８の先端に取付けられ、往復移動するように構成されている。ボールネジ１８の他端は、調整摘１７によって回転自在になっている。特に、調整摘１７のレバー１７ａは締付力が必要な場合に使用される。可動壁１６を底面１５より抜け止めする離脱防止片１６ａが往復動する移動溝１９は、略Ｔ字状の可動壁１６の足部に対して２本のボルト１６ｂで固着している。可動壁１６とボールネジ１８との接続は、ボールネジ１８の先端の溝部１８ａが、可動壁１６の上部から打ち込まれたピン１６ｃによって回動自在で、離脱防止となっている。
【００２９】
したがって、可動壁１６は、遊び（ガタツキ）はなく、移動溝１９とボールネジ１８によって垂直状態で移動自在となっている。よって、ボールネジ１８の端部に配設された調整摘１７を回転させることによって、可動壁１６が移動し、精密バイスブロック３０が被加工物５を挟持するから、その状態で精密バイスブロック３０を締付ければ、精密バイスの単位で移動自在な複数種類の機械加工ができる。
【００３０】
次に、図５及び図６を用いて、精密バイスブロック３０について説明する。
なお、精密バイスブロック３０は、実質的に左右が区別されるものでなく、下側の厚肉部３２の上に位置する薄肉部３９で、磁性体金属で形成された本体となるブロック本体３４が形成されている。厚肉部３２及び薄肉部３９の裏面は、磁性体からなる保持ブロック１３に吸引され、面接触（接合）するブロック本体３４の立面３１となっている。また、底面３８は立面３１に対して直角な面、即ち、水平面となっている。
【００３１】
厚肉部３２の中央付近に互いに５〜１５ｃｍ間隔を設けた底面３８側の２個の挿入孔３５を設けている。なお、以下の「挿入孔３５ａ」と「挿入孔３５ｂ」及びこの種の構造と同様な関係にある「・・・ａ」、「・・・ｂ」の区別は、両者間の間隔の違いのみであり、機能的には同じであるから、これを区別なく「挿入孔３５」及び同趣旨と同様の表現とすることもある。
この底面３８側の挿入孔３５の外表面からの深さの残存厚δは、バイスブロックの本体を構成するブロック本体３４の底面３８からの残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設したものである。この残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設するのは、磁性体から形成されたブロック本体３４は、その磁性体の機械的強度から、この残存厚δに設定すれば、表面を切削加工することができるし、外力を加えて磨き加工する場合にも窪みや、突起ができない。発明者による実験では、残存厚δ＝０．４ｍｍがその最低の残存厚δであり、また、残存厚δの１．２ｍｍはその最大の厚さであり、残存厚δ１．２ｍｍ以上の厚みに増加させると、磁気抵抗が低下し、ブロック本体３４内に磁路ができる。残存厚δ＝１．２ｍｍ以下では、ブロック本体３４の内部に磁路を形成するか、外部に磁路を形成するかの境界となる。
【００３２】
底面３８側の挿入孔３５には、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体からなる筐体４２に挿入された底面強磁性体４１を有する。厚み０．５〜２．５ｍｍからなる反磁性体または非磁性体の筐体４２とは、厚みが０．５以下であると、底面３８側の強磁性体４１を巻き込むだけの材料の展性の余裕がなく、磁気抵抗の低い回路がブロック本体３４内に形成されるから、厚み０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の筒体が望ましい。また、ブロック本体３４の厚みが０．５以下であると、底面３８側の強磁性体４１がガタツク要因になり、重心移動が生じて安定した特性が生じ難い。そこで、厚み０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の材料で強磁性体４１を巻き込み、押圧力を加えるだけで収まるようにした。更に、強磁性体４１を間接的に固定している後述する離脱防止体としての阻止体４４によって、阻止体４４の材料は機械的強度から真鍮が望ましい。また、２．５ｍｍを超える厚みを有していると、後述する磁路の切り替えが良好に行われなくなる。
【００３３】
底面３８からの残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した底面３８側の挿入孔３５には、反磁性体または非磁性体の筐体４２が挿入されている。その筐体４２内には強磁性体４１の磁極（ＮまたはＳ）の面となっている。反磁性体または非磁性体の筐体４２の上面は、強磁性体４１の上面となっており、結果、同一平面となっている。
この筐体４２及び強磁性体４１の上面は、磁性体からなり所定の厚み及び面積で形成した磁性体からなる拡散体４３が吸着状態に密接している。即ち、筐体４２及び強磁性体４１の上面と磁性体からなる拡散体４３との間には、磁気抵抗の高い、空気層または真空層からなる絶縁層は形成されていない。拡散体４３は挿入孔３６に挿入され、阻止体４４の挿入される挿入孔３７が段になるように形成されている。
本発明を実施する場合、底面３８側の強磁性体４１としては、円柱状に限定されるものではなく、四角柱状、サイコロ状等を使用することもできるし、ネオジム磁石以外のＫＳ鋼、ＭＫ鋼、フェライト磁石としてもよいし、他の磁石を用いてもよい。或いは冷間圧延ケイ素鋼鈑等を磁気回路の中継に設定してもよい。本発明を実施する形態では、底面強磁性体４１として、円柱状のネオジム磁石を使用した。
【００３４】
更に、拡散体４３の上面、即ち、拡散体４３の反強磁性体側に配設した所定の厚み及び面積で、反磁性体または非磁性体からなる阻止体４４が配設されている。この拡散体４３の上面は、反磁性体または非磁性体からなり、所定の厚み及び面積で、磁性体からなる拡散体４３が吸引状態に密接している。即ち、拡散体４３の上面と阻止体４４との間には、空気層または真空層のような磁気抵抗層の高い層は形成されていない
本実施の形態の阻止体４４は、銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体で構成しているが、本発明を実施する場合には、磁性体でも同様な効果が得られる。
【００３５】
このように、本実施の形態の強磁性体の端末構造磁性体は、金属で形成された本体からなるブロック本体３４と、ブロック本体３４に収容した強磁性体４１と、強磁性体４１の磁極ＮＳを中心軸とする外周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体４２と、強磁性体４１の磁極方向の端部に積層した所定の厚み及び面積で、磁性体からなる拡散体４３と、拡散体４３の反強磁性体側に配設した所定の厚み及び面積で、反磁性体または非磁性体からなる阻止体４４とを具備する。
【００３６】
したがって、磁性体金属で形成されたブロック本体３４に収容された強磁性体４１の周囲には、反磁性体または非磁性体からなる筐体４２が配設されており、筐体４２内で強磁性体４１のＮ極またはＳ極が決定される。詳しくは、２個の「挿入孔３５ａ」と「挿入孔３５ｂ」に挿入された強磁性体４１の下面のＮ極、Ｓ極を互いに反対とすればよい。
強磁性体４１のＮ極またはＳ極には磁性体からなる拡散体４３が配設されているから、強磁性体４１を通過した磁束は、磁性体からなる拡散体４３で磁束が強磁性体４１の中心の半径方向ベクトルとして拡散される。半径方向に拡散された磁束は、強磁性体４１の反対面側で収束される。
【００３７】
このとき、強磁性体４１の反対面側は筐体４２の内側と筐体４２の外側の位置によって変化するが、磁束が阻止体４４で阻止されても、磁路は拡散体４３に従って形成されるから、筐体４２外に向かう磁束が生じる。各磁束は筐体４２外を通過するものが多くなり、磁性体金属で形成されたブロック本体３４内の磁束は軌道が長くなる。
よって、強磁性体４１の外周に生じる拡散磁束の積分値は、強磁性体のＮ極またはＳ極のみの積分値に近いことから、磁気的に吸引(反発)する吸引力については殆ど強弱が変化しない。このように、最大磁束密度を抑制し、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とし、表面の磁束を低下させることなく構成可能となる。
【００３８】
このように、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体３４の底面３８からの残存厚δとして穿設した底面３８側の挿入孔３５に対して、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の筐体４２を挿入している。厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる筐体４２には強磁性体４１が挿入されている。または、筐体４２で強磁性体４１を包み込み、それを底面３８側の挿入孔３５に挿入される。挿入孔３５に筐体４２及び強磁性体４１を挿入した後、磁性体からなる拡散体４３を挿入し、更に、反磁性体または非磁性体からなる阻止体４４を挿入してブロック本体３４と一体化する。
このとき、筐体４２と拡散体４３と阻止体４４が変形するが、底面強磁性体４１と磁性体からなる拡散体４３との接触吸引に空気層等の絶縁層が生じないようにする必要がある。
【００３９】
即ち、底面３８側の挿入孔３５に阻止体４４を挿入してブロック本体３４と一体化するには、底面３８側の挿入孔３５に筐体４２及び強磁性体４１を挿入し、次いで、阻止体４４を挿入して押圧力を加え、筐体４２及び阻止体４４を変形させて、ブロック本体３４と一体化し、表面を工作機械で切削加工し、仕上げ加工をする。
特に、阻止体４４を詰め込む際には、強磁性体４１を拡散体４３を介して接触するように加圧固定する。
【００４０】
したがって、本実施の形態の精密バイスブロック３０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の底面３８からの残存厚δの範囲を残して形成してなる挿入孔３５との間に適当な水平距離（例えば、強磁性体４１の相対距離５〜１５ｃｍ）を離し、強磁性体４１が配設されているから、磁束は強磁性体４１側の残存厚δの磁路が形成される。このとき、ブロック本体３４の底面３８は残存厚δによって磁路が形成され、ブロック本体３４外の磁束が弱くなり、ブロック本体３４の底面３８の表面に鉄粉、切削粉が付着していても、エアーガン等で容易に清掃できる。勿論、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていると、安定して立設され、精密バイスブロック３０の保持ブロック１３、可動壁１６に装着された状態でブロック本体３４が、エアーガン等で容易に清掃できる。
【００４１】
また、本実施の形態の精密バイスブロック３０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の底面３８側の磁路が装着された保持ブロック１３、可動壁１６側にも形成され、磁気抵抗が低下するから、ブロック本体３４の底面３８からの残存厚δの範囲を残して形成され、底面３８側の強磁性体４１は、ブロック本体３４の底面３８側の残存厚δの磁束密度が高くなるから、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されると、ブロック本体３４を大きな吸引力で吸着する。
【００４２】
よって、精密バイスの不使用時にはブロック本体３４内の表面側の残存厚δの範囲の磁束密度が高くなり、使用時には表面の磁束が多くなり、ブロック本体３４の装着状態を安定化させ、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能となる。故に、ブロック本体３４の底面方向に移動できなくなり、切り屑がブロック本体３４に付着しないから精度の良い加工が可能となる。
このとき、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の外部の精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着され、そこに出入りする磁束を大きくすることができ、逆に、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の立面３１及び底面３８から外部、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着され出る磁束の最大値は低くなるが、その積分値は大きくなり、安定に保持することができる。
【００４３】
［実施の形態２］
次に、図７乃至図８を用いて、実施の形態２の一対の精密バイスブロック３０について説明する。
本実施の形態の精密バイスブロック３０は、厚肉部３２とその上に位置する薄肉部３９で、ブロック本体３４が形成されているのは実施の形態１と同じである。厚肉部３２及び薄肉部３９の裏面は、磁性体からなる保持ブロック１３に吸引され、面接触（接合）するブロック本体３４の立面３１となっている。
本実施の形態１の残存厚δは、底面３８から上に移動した点に存在するが、また、本実施の形態２の残存厚δは図７に示すように立面３１に形成されている。これらは、単一のブロック本体３４の底面３８側に２個、本実施の形態２の立面３１側に２個形成することもできる。ここでは、立面３１側に２個の強磁性体５１を配設する事例で説明する。
【００４４】
厚肉部３２の中央付近に互いに５〜１５ｃｍ間隔を設けた立面３１の挿入孔３５を設けている。この立面３１の挿入孔３５の深さの残存厚δは、実施の形態１と同様に、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δを残して穿設する。この残存厚δを残して穿設するのは、磁性体から形成されたブロック本体３４が、その磁性体の機械的強度から、この残存厚δに設定すれば、表面を切削加工することができるし、外力を加えて磨き加工する場合にも窪みや、突起ができない。発明者による実験では、残存厚δ＝０．４ｍｍがその最低の残存厚δであり、また、残存厚δの１．２ｍｍはその最大の厚さであり、残存厚δ＝１．２ｍｍ以上の厚みに増加させると、磁気抵抗が低下し、ブロック本体３４内に磁路ができてしまう。残存厚δ＝１．２ｍｍ以下では、ブロック本体３４の内部に磁路を形成するか、外部に磁路を形成するかの境界と思われる。
【００４５】
立面３１の挿入孔３５には、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の立面３１の挿入孔３５に挿入された立面３１の強磁性体５１を有する。厚み０．５〜２．５ｍｍからなる反磁性体または非磁性体の筐体５２とは、厚みが０．５ｍｍ以下であると、強磁性体５１を巻き込むだけの材料の余裕がなく、抵抗の低い磁気回路がブロック本体３４内に形成されるから、厚み０．５〜２．５ｍｍからなる反磁性体または非磁性体の筐体５２が望ましい。また、立面３１の強磁性体５１がガタツク要因になり、重心移動が生じて安定した特性が生じ難い。そこで、厚み０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の材料で立面３１の強磁性体５１を巻き込み、加えて、阻止体５４で押圧力を加えるだけで収まるようにしたものである。
更に、阻止体５４によって、立面３１の強磁性体５１を固定する機械的強度からして、筐体５２の厚み２．５ｍｍを超えると、磁束密度が高くなり、当該磁気回路の抵抗値が低すぎて、磁束の直線性が高くなり、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたときの磁路の切り替えが行われ難くなる。
なお、挿入孔３５の立面３１の面積は、拡散体５３及び阻止体５４を収容する挿入孔３６よりも小さく形成されている。
【００４６】
なお、本実施の形態では筐体５２として筒体を使用したが、本発明を実施する場合には、筒体でなくて、特定の面のみを露出させ、それ以外を閉じる筐体または曲げ板であってもよい。
また、筐体５２は省略することも可能であるが、設けることにより、磁束密度の高い立面３１の強磁性体５１の中央からの磁束の広がりが急激に広くなり、ブロック本体３４の表面では磁束密度が低くなるから、筐体５２を省略するよりも条件的に有利である。
筐体５２及び立面３１の強磁性体５１の離脱を防止すべくブロック本体３４と一体化した反磁性体または非磁性体からなる阻止体５４は、筐体５２及び立面３１の強磁性体５１の挿入孔３５からの離脱の防止だけでなく、内部で接触吸着しても、それらが移動することもないように一体に固着されるものである。
【００４７】
このように、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体３４の立面３１からの残存厚δとして穿設した挿入孔３５に対して、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の筐体５２を挿入する。厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる筐体５２には立面３１の強磁性体５１が挿入される。または、筐体５２で強磁性体５１を包み込み、それを挿入孔３５に挿入する。
挿入孔３５に筐体５２及び強磁性体５１を挿入した後、磁性体からなる拡散体５３を挿入し、そこに反磁性体または非磁性体からなる阻止体５４を挿入してブロック本体３４と一体化する。
【００４８】
即ち、挿入孔３５及び挿入孔３７に阻止体５４を挿入してブロック本体３４と一体化するには、立面３１の挿入孔３５に筐体５２及び強磁性体５１を挿入し、次いで、挿入孔３７に阻止体５４を挿入して押圧力を加え、筐体５２及び阻止体５４を変形させて、ブロック本体３４と一体化し、表面を工作機械で切削加工し、仕上げ加工をする。
【００４９】
このように、本実施の形態の強磁性体の端末構造磁性体は、金属で形成された本体のブロック本体３４と、ブロック本体３４に収容した強磁性体５１と、強磁性体５１の磁極ＮＳを中心軸とする外周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体５２と、強磁性体５１の磁極方向の端部に積層した所定の厚み及び面積で、磁性体からなる拡散体５３と、拡散体５３の反強磁性体側に配設した所定の厚み及び面積で、反磁性体または非磁性体からなる阻止体５４とを具備し、上記実施の形態１を９０度回動させた構想位置に定まっている。
【００５０】
したがって、磁性体金属で形成されたブロック本体３４に収容された強磁性体５１の周囲には、反磁性体または非磁性体からなる筐体５２が配設されており、筐体５２内の両面に強磁性体５１のＮ極またはＳ極が決定される。詳しくは、２個の挿入孔３５に挿入された強磁性体５１の下面のＮ極、Ｓ極を互いに反対とすればよい。
強磁性体５１のＮ極またはＳ極には磁性体からなる拡散体５３が配設されているから、強磁性体５１を通過した磁束は、磁性体からなる拡散体５３で磁束が強磁性体５１の中心の半径方向ベクトルとして拡散される。半径方向に拡散された磁束は、強磁性体５１の反対面側の磁極側で収束される。
【００５１】
このとき、強磁性体５１の反対面側は筐体５２の内側と筐体５２の外側の位置によって磁束密度が変化するが、磁束が阻止体５４で阻止されても、磁路は拡散体５３に従って形成されるから、筐体５２外に向かう磁束が生じるから、各磁束は筐体５２外を通過するものが多くなり、磁性体金属で形成されたブロック本体３４内の磁束は軌道が長くなる。
よって、強磁性体５１の外周に生じる拡散磁束の積分値は、強磁性体のＮ極またはＳ極の積分値に近いことから、磁気的に吸引(反発)する吸引力については殆ど強弱が変化しない。このように、最大磁束密度を抑制し、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とし、表面の磁束を低下させることなく構成可能となる。
【００５２】
したがって、本実施の形態の精密バイスブロック３０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δの範囲を残して形成してなる立面３１の挿入孔３５との間に適当な水平距離（例えば、５〜１５ｃｍ）を離し、強磁性体５１が配設されているから、磁束は、立面３１の強磁性体５１側の残存厚δの範囲の磁路が形成される。このとき、ブロック本体３４の立面３１は残存厚δによって磁路が形成され、ブロック本体３４外の磁界が弱くなり、ブロック本体３４の立面３１の表面に付着する鉄粉、切削粉が存在しても、エアーガン等で容易に清掃できる。
【００５３】
また、本実施の形態の精密バイスブロック３０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されとき、ブロック本体３４の立面３１側の磁路が、装着された保持ブロック１３、可動壁１６側にも形成され、磁気抵抗が低下するから、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δの範囲を残して形成され、強磁性体５１は、ブロック本体３４外の立面３１側の磁界は、残存厚δの範囲の磁束密度が高くなるから、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６はブロック本体３４を大きな吸引力で吸着する。
【００５４】
よって、使用時には表面側の残存厚δの外面を通過する磁束が多くなり、ブロック本体３４の装着状態を安定化させ、不使用時には残存厚δの磁束が少なくなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能となる。故に、ブロック本体３４の垂直方向３１に移動できなくなり、精度の良い加工が可能となる。
したがって、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の外部に出る磁束密度を小さくすることができ、逆に、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の立面３１及び底面３８から外部に出る磁束の積分値は大きくなり、安定に保持することができる。また、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたときでも、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に吸引されているから、被加工物５を除去したとき、エアーガンで鉄粉、切削粉を除去することができる。
【００５５】
［実施の形態３］
上記実施の形態１，２では、底面３８側の磁界、立面３１側の磁界について説明した。しかし、本発明を実施する場合には、強磁性体６１及び筐体６２、拡散体６３、阻止体６４の各々の機能は、実施の形態１及び実施の形態２と相違するものではない。
相違点は、強磁性体６１及び筐体６２、拡散体６３、阻止体６４を積み重ねて、挿入孔３７を摺動自在としている。
また、横穴である挿入孔３７は開口の面積が広く、深く入るほど面積が狭くなるテーパー状となっている。底面３８側の厚みは、残存厚δの厚みとなっている。
【００５６】
図９の実施の形態３では、銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体からなる筐体６２に強磁性体６１を挿入し、強磁性体６１及び筐体６２の上面、即ち、強磁性体６１の磁極側に拡散体６３を配設し、そこに拡散体６３に押圧力を加えて圧入し、その後、反磁性体または非磁性体からなる阻止体６４を圧入したものである。そして、銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体からなる離脱防止体６５を更に圧入したものである。
このとき、強磁性体６１と筐体６２は、円筒形の筐体６２を使用すると、隙間が生じ易いので、できれば、角柱等の筐体６２の使用が好ましい。
このように、強磁性体６１と筐体６２とは、強磁性体６１の磁界を拡散体６３が磁束の向きを変えているから、拡散体６３の磁束密度が高くなることがない。
【００５７】
また、本実施の形態では、離脱防止体６５が、銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体からなるものであるが、本発明を実施する場合には、磁性体で離脱防止体６５を形成した方が特性的に均衡のとれた構造となる。
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態３として、底面３８及び立面３１に磁極を設ける場合として説明したが、実施の形態１乃至実施の形態３の何れを底面３８側または立面３１側の何れ側でもよい。
【００５８】
［実施の形態のまとめ］
上記各実施の形態の強磁性体の端末構造は、強磁性体４１，５１，６１を底面３８または立面３１に配設する場合について説明してきた。しかし、本発明は、同時に底面３８または立面３１に残存厚δを設けられる。
このとき、２個の強磁性体４１，５１，６１の位置は、底面３８側と立面３１側とでは間隔を異にするのが望ましい。
【００５９】
図１０乃至図１２において、上記各実施の形態の強磁性体の端末構造は、磁性体金属で形成された本体としてのブロック本体３４に収容した強磁性体４１，５１，６１と、強磁性体４１，５１，６１の両磁極Ｎ，Ｓの中心軸の外周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体４２，５２，６２と、強磁性体４１，５１，６１及び筐体４２，５２，６２との重ね方向に対して直角な方向の強磁性体４１，５１，６１の端部に積層した所定の厚み、かつ、所定の面積以上で、磁性体からなる拡散体４３，５３，６３と、拡散体４３，５３，６３の反強磁性体側に配設した所定の厚み、かつ、所定の面積以上で、反磁性体または非磁性体からなる阻止体４４，５４，６４を具備するものである。
【００６０】
ここで、前記本体としての磁性体金属で形成されたブロック本体３４を使用しているが、本発明を実施する場合には、磁性体金属で形成されたものであればよく、精密バイスのブロック本体３４に限定されるものではない。
また、前記本体としての磁性体金属に収容した強磁性体４１，５１，６１は、磁性体内に収納され、磁性体金属で形成された本体としてのブロック本体３４に収容したもので、両Ｓ，Ｎ極が本体としての磁性体金属内に配設されていればよい。また、この実施の形態のブロック本体３４に収容とは、強磁性体４１，５１，６１の両極が磁性体金属で形成された本体内にあればよい。
【００６１】
上記実施の形態の筐体４２，５２，６２は、強磁性体４１，５１，６１の周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筒体であり、本発明を実施する場合には、強磁性体４１，５１，６１を円筒または角筒または有端の帯状体でその周囲を巻回したものでもよい。即ち、筐体４２，５２，６２は強磁性体４１，５１，６１の周囲に磁路を形成しないで、端部のＳ極またはＮ極に磁路ができればよい。
【００６２】
精密バイスブロック３０の保持ブロック１３、可動壁１６が存在していない場合、図１２（ａ）のように、磁束は本実施の形態の残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍに形成される磁性体中を流れ、磁路は強磁性体４１，５１，６１から拡散体４３，５３，６３に導かれ、そこで拡がりが加わって、ブロック本体３４の磁性体を介して、残存厚δの磁束密度を高くして、強磁性体４１，５１，６１の反対磁極に収束する。
したがって、図１２（ａ）に描いたような磁束となる。なお、当然ながら、磁極が反対になると磁束も反対になる。
【００６３】
ところが、精密バイスブロック３０の保持ブロック１３または可動壁１６に吸引させると、ブロック本体３４と保持ブロック１３または可動壁１６が密着し、磁気抵抗はブロック本体３４に近似した抵抗値となる。しかし、残存厚δは限られているので、飽和状態となり、図１２（ａ）の磁束は通り難くなる。ところが、ブロック本体３４と保持ブロック１３または可動壁１６が吸着されると、図１２（ｂ）のように、磁束は本実施の形態の残存厚δに影響されずに保持ブロック１３または可動壁１６の磁性体中を流れ、磁路は強磁性体４１，５１，６１から拡散体４３，５３，６３に導かれ、そこで拡がりが加わって、ブロック本体３４の磁性体を介して、残存厚δの磁束密度を高くして、強磁性体４１，５１，６１の離反対極に収束する。したがって、図１２（ｂ）のような磁束となり、吸引力も強くなる。
【００６４】
よって、本実施の形態の精密バイスブロック３０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δに磁束が集中するから、立面３１の強磁性体５１側の残存厚δの範囲の磁路の磁気抵抗が高くなる。
しかし、本実施の形態の精密バイスブロック３０のブロック本体３４が、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されると、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δに磁束が集中せず、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６を低磁気抵抗の磁路となるから、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６を磁路とし、磁束分布が異なるから、ブロック本体３４と精密バイスの保持ブロック１３及び可動壁１６の吸引力は大きくなる。この状態でブロック本体３４の立面３１の表面に付着する鉄粉、切削粉が存在しても、エアーガン等で容易に清掃できる。
【００６５】
また、図１２では、筐体４２，５２，６２よりも拡散体４３，５３，６３が、拡散体４３，５３，６３よりも銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体からなる阻止体４６が、更に、阻止体４６よりも磁性体からなる拡散体４７の直径を大きくしているが、本発明を実施するには、筐体４２，５２，６２、拡散体４３，５３，６３、阻止体４６、拡散体４７の直径が強磁性体４１，５１，６１の磁極から離れるに従って必ずしも大きくする必要はない。即ち、例えば、同一径としても、それらの周面から磁界が出入りするから、大きな影響はない。しかし、筐体４２，５２，６２、拡散体４３，５３，６３、阻止体４６、拡散体４７の直径が強磁性体４１，５１，６１の磁極から離れるに従って大きくすると論理的には有利である。
【００６６】
図１２（ｂ）のような磁束が形成されると、精密バイスブロック３０の保持ブロック１３または可動壁１６に吸引され、残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍに形成される磁性体中を通過するよりも磁気抵抗が低くなるから、精密バイスブロック３０の保持ブロック１３または可動壁１６とブロック本体３４の吸引力が強くなり、精密バイスブロック３０として安定した装着状態を維持します。
また、精密バイスブロック３０として使用していても、エアーガンで削り屑を除去でき効率的な作業を行うことができる。
【００６７】
本実施の形態の精密バイスブロック３０の拡散体４３，５３，６３は、所定の厚み及び面積の磁性体であればよい。ここで、所定の厚み及び面積とき、磁性体としての体積を有していればよいことを意味する。
更にまた、阻止体４６は、磁性体からなる拡散体４３，５３，６３の反強磁性体側に配設した所定の厚み、かつ、所定の面積以上で、反磁性体または非磁性体からなるものである。しかし、本発明を実施する場合には、磁性体で形成しても、大きく特性が変化するものではない。
【００６８】
以上のように、本実施の形態の精密バイスブロックにおける強磁性体の端末構造は、磁性体金属で形成されたブロック本体３４等の本体に収容した強磁性体４１，５１，６１の周囲に配設した反磁性体または非磁性体からなる筐体４２，５２，６２と、前記強磁性体４１，５１，６１のＮＳ磁極の長さ方向の端部に積層した所定の厚み、面積以上で、磁性体からなる拡散体４３，５３，６３と、拡散体４３，５３，６３の強磁性体４１，５１，６１の反対側に配設した所定の厚み、面積以上で、反磁性体または非磁性体からなる阻止体４６とを具備する。
【００６９】
したがって、磁性体金属で形成された本体としてのブロック本体３４等に収容された強磁性体４１，５１，６１の周囲には、反磁性体または非磁性体からなる筐体４２，５２，６２が配設されており、筐体４２，５２，６２内で強磁性体４１，５１，６１のＮ極、Ｓ極が決定される。Ｎ極またはＳ極の極端には磁性体からなる拡散体４７が配設されているから、強磁性体４１，５１，６１中を通過した磁束は、磁性体からなる拡散体４７で磁束が強磁性体４１，５１，６１の半径方向に拡散される。半径方向に拡散された磁束は、強磁性体４１，５１，６１の反対面側に収束される。このとき、強磁性体の反対面側は筐体４２，５２，６２内と筐体４２，５２，６２外の位置によって変化するが、磁束が阻止体４６で阻止されても、磁路は拡散体４３，５３，６３に従って形成されるから、筐体４２，５２，６２外に向かう磁束が生じるから、各磁束は筐体４２，５２，６２外を通過するものが多くなり、磁性体金属で形成されたブロック本体３４内の磁束は、軌道が長くなる。
【００７０】
よって、強磁性体４１，５１，６１の外周に生じる拡散する磁束の積分値は、強磁性体４１，５１，６１のＮ極またはＳ極の積分値に近いことから、磁気的に吸引(反発)する吸引力については殆ど強弱が変化しない。このように、最大磁束密度を抑制し、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とし、表面の磁束を低下させることなく構成可能となる。
また、反磁性体または非磁性体からなる筐体４２，５２，６２は、有底の筐体４２，５２，６２としていないので、強磁性体から発生する磁界を抑制するものがない。
【００７１】
本発明の実施の形態の強磁性体の端末構造は、拡散体４３，５３，６３と阻止体４６は、強磁性体４１，５１，６１からの距離が離れるに従ってその面積を広く形成したものであるから、磁束として急峻な曲げが必要でなくなるので、磁束密度を高くすることなく磁束ベクトルを彎曲させることができる。
また、強磁性体４１，５１，６１の端末構造は、拡散体４３，５３，６３と阻止体４６は、繰り返し積層したものであるから、磁束変化を段階的に抑制することができる。
本実施の形態では、反磁性体または非磁性体からなる筐体４２，５２，６２は、筒状の形状を前提に説明してきたが、本発明を実施する場合には、有底の環状体のように、一方の面を閉じた容器状の形態としてもよい。有底の場合には、磁界が若干弱くなるが、全体の積分値は大きく低下することがない。
【００７２】
本発明の実施の形態の強磁性体の端末構造は、磁性体金属で形成されたブロック本体３４に対し２個１対の強磁性体４１，５１，６１を埋設し、外表面には残存厚δの位置にＳ極、Ｎ極が配置され、露出しないように設置している。本発明を実施する場合には、望ましくは、ブロック本体３４の１個に対し底面３８側に２個１対、立面３１側に２個１対の強磁性体４１，５１，６１の埋設が望ましい。
当然、ブロック本体３４の１個に対し底面３８側に３個以上、立面３１側に３個以上の強磁性体４１，５１，６１の埋設を行っても実施できる。
【００７３】
強磁性体４１，５１，６１の径及び長さは、反磁性体または非磁性体からなる筐体４２，５２，６２の長さによって、長さ及びその厚みを決定していたが、特に、複数個を直列に接続して使用できる。また、太さは特定のものを並列接続できればよい。
更に、本実施の形態の精密バイスブロック３０は、立面３１、底面３８に密着しているので安心感が強い。本実施の形態の精密バイスブロック３０は、立面３１、底面３８が共に密着して動かないから、被加工物５の取付け、取外しのとき、従来のように５ｍｍくらいスライドするのを阻止できる。本実施の形態の精密バイスブロック３０は立面３１に密着し、しかも底面８は磁力で浮き上がりを防止いているので高い精度が維持できる。
このように、被加工物５を精密バイスブロック３０にセットするとき、精密バイスブロック３０が動かないので、精度よく固定できる。また、切削加工後、精密バイスブロック３０の表面に、鉄粉、切削粉等が付着し難い。そして、加工終了後、引き続き同じ被加工物５を載せるとき浮たり、傾向いたりしない。更に、鉄粉、切削粉はエアーガンで吹けば容易に飛ぶので除去できるので掃除が容易である。
【００７４】
なお、拡散体４３，５３，６３と阻止体４４，４５，４７は、何れを筐体４２，５２，６２側としてもよいが、筐体４２，５２，６２側に拡散体４３，５３，６３を設けた方が効率的である。同様に、筐体４２，５２，６２を省略すると効率的でないが実施は可能である。即ち、特性が生きない構成として形式的な構成を持つことができる。
また、阻止体４４，５４，６４または離脱防止体６５の表面側の一部を、ブロック本体３４と同一の磁性体金属で形成すると、表面から内部構造がわからなくなる。特に、外観上の違いがなく、機能のみ特徴を持たせることができる。
【符号の説明】
【００７５】
δ        残存厚
３１      立面
３２      厚肉部
３４      ブロック本体
３５      挿入孔
３８      底面
３９      薄肉部
４１，５１，６１      強磁性体
４２，５２，６２      筐体
４３，５３，６３      拡散体
４４，５４，６４      阻止体
６５      離脱防止体
【図１】
2018176358.tif 000003
【図２】
2018176358.tif 000004
【図３】
2018176358.tif 000005
【図４】
2018176358.tif 000006
【図５】
2018176358.tif 000007
【図６】
2018176358.tif 000008
【図７】
2018176358.tif 000009
【図８】
2018176358.tif 000010
【図９】
2018176358.tif 000011
【図１０】
2018176358.tif 000012
【図１１】
2018176358.tif 000013
【図１２】
2018176358.tif 000014