(57)【要約】【課題】防爆エリアで使用可能な点火源のない検出精度の高い光電式センサシステム及びこの光電センサシステムを応用した基板処理装置を提供すること。【解決手段】センサ光源１２０から発振された光線１０９が第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３とを伝播し、光電変換部１３０で光線は電気信号に変換され、光電制御部１４０へ伝達される。光電制御部１４０は伝達された電気信号より、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３との設置状態を判定する。これら一連の動作を行う光電式センサシステム５は、点火源を有しないため、基板処理装置１に適用することで防爆エリアを監視することができ、また、光線を２本使用しているため、光線のずれを高精度に検出を行うことができる。【選択図】図７
2018010840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一投受光デバイスと、第二投受光デバイスとを有する光電式センサシステムであって、
前記第一投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、
前記第二投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、
前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスとが、前記第一投受光デバイスの投光素子から照射された光線が前記第二投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きで、かつ、前記第二投受光デバイスの投光素子から照射された光線が前記第一投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きで配置されること、
を特徴とする光電式センサシステム
【請求項２】
前記第一投受光デバイス及び前記第二投受光デバイスには光ファイバーが接続され、
前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の投光素子に接続する光ファイバーがセンサ光源に接続され、
前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の受光素子に接続する光ファイバーが光電変換部に接続され、
前記光電変換部は前記受光素子が受光した光線の光量を電気信号に変換すること、
を特徴とする請求項１に記載の光電式センサシステム
【請求項３】
前記第一投受光デバイスの投光素子に接続される光ファイバーが前記センサ光源に接続され、
前記第一投受光デバイスの受光素子に接続される光ファイバーが前記光電変換部に接続され、
前記第二投受光デバイスの投光素子に接続される光ファイバーが前記第二投受光デバイスの受光素子に接続されていること、
を特徴とする請求項２に記載の光電式センサシステム
【請求項４】
前記光電変換部で変換された前記電気信号が光電制御部へ伝達され、
前記光電制御部は前記光電変換部より伝達された前記電気信号により前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの設置状態を判定すること、
を特徴とする請求項２に記載の光電式センサシステム
【請求項５】
基板に処理を行う装置であって、基板処理部と、処理液供給部と、第一投受光デバイスが固設された第一部材と、第二投受光デバイスが固設された第二部材とを有し、
前記第一部材に固設された前記第一投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、
前記第二部材に固設された前記第二投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、
前記第一部材と前記第二部材とが、前記第一投受光デバイスの投光素子から照射された光線が、前記第二投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きで、かつ、前記第二投受光デバイスの投光素子から照射された光線が、前記第一投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きとなるように対向状態に設置されること、
を特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記対向状態に設置された前記第一部材と前記第二部材の少なくとも一方が前記基板処理装置に対し相対的に分離できること、
を特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記対向状態に設置された前記第一部材と前記第二部材において、前記第一部材は前記基板処理装置の定位置に固設され、前記第二部材が前記基板処理装置に固設され、前記第二部材が回転方向に動作すること、
を特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記対向状態に設置された前記第一部材と前記第二部材において、前記第一部材は前記基板処理装置の定位置に固設され、前記第二部材が前記基板処理装置に固設され、前記第二部材が対向状態と非対向状態となるように近接及び離間動作すること、
を特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第一投受光デバイス及び前記第二投受光デバイスには光ファイバーが接続され、
前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の投光素子に接続する光ファイバーがセンサ光源に接続され、
前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の受光素子に接続する光ファイバーが光電変換部に接続され、
前記光電変換部は前記受光素子が受光した光線の光量を電気信号に変換することと、
前記光電変換部で変換された前記電気信号が光電制御部へ伝達され、
前記光電制御部は前記光電変換部より伝達された前記電気信号が設定された閾値以上の場合を、前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの設置状態を判定することと、
前記判定に基づき前記光電制御部は装置制御部へ信号を発信し、発信された信号に応じた処理を行う前記装置制御部を有すること、
を特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板処理装置が使用する前記処理液は引火性のある物質も含むこと、
を特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する基板処理装置および光電式センサシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造には様々な処理液やガスが使用されており、供給されるは処理液やガスの中には引火性の高い処理液や引火性若しくは爆発性が高いガスも数多く存在する。これらの処理液やガスは基板処理装置内に貯留され、処理部まで運搬され、若しくは処理部にて使用される。基板処理装置の貯蔵部、運搬部、及び処理部には流体を制御する制御機構、カバー、扉が取り付けられており、それらにはインターロックとしてセンサを取り付けることが提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、センサの一つとして光電センサが挙げられる。一般的な光電センサは一つの投光部から投光し、投光された光を一つの受光部で受光しており、一つの投光部と一つの受光部から成る一対の光電センサシステムを構成し、信号の検出を行っている。
光電センサの検出精度を向上させるため、複数の投光素子が一列に配置された投光部と、投光素子と同数の受光素子が一列に配置された受光部とを備え、投光素子と受光素子とが一対一の関係で向かい合うように配置された複数の光軸による検出エリアを形成する多光軸光電センサが提案されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許３３６３３７５号公報
【特許文献２】特開２０１６−２１６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板処理装置には引火性のある処理液を使用している場合に前記処理液が漏液や揮発物が漏洩する可能性のある場所や、引火性若しくは爆発性のあるガスを使用している場合に前記ガスが漏洩する可能性のある場所等（以下、防爆エリア）が存在する。これら場所において電気的接続部分で火花（スパーク）が生じると、前記処理液や前記ガスに引火し、最悪の場合には火災を誘発することにつながる。
【０００６】
このため、防爆エリアにおいて点火源となりうる電気的部品を使用することは極めて危険であり、特許文献１で開示されているマグネット式センサでは電気的接続部分があるため、防爆エリアでの使用には不適である。
【０００７】
本発明は、点火源がなく検出精度の高い光電式センサシステム及びこの光電センサシステムを応用した基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明である光電式センサシステムは、第一投受光デバイスと、第二投受光デバイスとを有する光電式センサシステムであって、前記第一投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、前記第二投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスとが、前記第一投受光デバイスの投光素子から照射された光線が前記第二投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きで、かつ、前記第二投受光デバイスの投光素子から照射された光線が前記第一投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きで配置されることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載のように、光電式センサシステムは、前記第一投受光デバイス及び前記第二投受光デバイスには光ファイバーが接続され、前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の投光素子に接続する光ファイバーがセンサ光源に接続され、前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の受光素子に接続する光ファイバーが光電変換部に接続され、前記光電変換部は前記受光素子が受光した光線の光量を電気信号に変換すること、が好ましい。
【００１０】
請求項３に記載のように、光電式センサシステムは、前記第一投受光デバイスの投光素子に接続される光ファイバーが前記センサ光源に接続され、前記第一投受光デバイスの受光素子に接続される光ファイバーが前記光電変換部に接続され、前記第二投受光デバイスの投光素子に接続される光ファイバーが前記第二投受光デバイスの受光素子に接続されていること、が好ましい。
【００１１】
請求項４に記載のように、光電式センサシステムは、前記光電変換部で変換された前記電気信号が光電制御部へ伝達され、前記光電制御部は前記光電変換部より伝達された前記電気信号により前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの設置状態を判定すること、を特徴とする請求項２に記載の光電式センサシステム
【００１２】
上記課題を解決するために、請求項５に記載の発明である基板処理装置は、基板に処理を行う装置であって、基板処理部と、処理液供給部と、第一投受光デバイスが固設された第一部材と、第二投受光デバイスが固設された第二部材とを有し、前記第一部材に固設された前記第一投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、前記第二部材に固設された前記第二投受光デバイスは一つの投光素子と一つの受光素子を同一面に有し、前記第一部材と前記第二部材とが、前記第一投受光デバイスの投光素子から照射された光線が、前記第二投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きで、かつ、前記第二投受光デバイスの投光素子から照射された光線が、前記第一投受光デバイスの受光素子が前記光線を受光する向きとなるように対向状態に設置されること、を特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載のように、基板処理装置は、前記対向状態に設置された前記第一部材と前記第二部材の少なくとも一方が前記基板処理装置に対し相対的に分離できること、が好ましい。
【００１４】
請求項７に記載のように、基板処理装置は、前記対向状態に設置された前記第一部材と前記第二部材において、前記第一部材は前記基板処理装置の定位置に固設され、前記第二部材が前記基板処理装置に固設され、前記第二部材が回転方向に動作すること、が好ましい。
【００１５】
請求項８に記載の発明である基板処理装置は、前記対向状態に設置された前記第一部材と前記第二部材において、前記第一部材は前記基板処理装置の定位置に固設され、前記第二部材が前記基板処理装置に固設され、前記第二部材が対向状態と非対向状態となるように近接及び離間動作すること、が好ましい。
【００１６】
請求項９に記載の発明である基板処理装置は、前記第一投受光デバイス及び前記第二投受光デバイスには光ファイバーが接続され、前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の投光素子に接続する光ファイバーがセンサ光源に接続され、前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの少なくとも一方の受光素子に接続する光ファイバーが光電変換部に接続され、前記光電変換部は前記受光素子が受光した光線の光量を電気信号に変換することと、前記光電変換部で変換された前記電気信号が光電制御部へ伝達され、前記光電制御部は前記光電変換部より伝達された前記電気信号が設定された閾値以上の場合を、前記第一投受光デバイスと前記第二投受光デバイスの設置状態を判定することと、前記判定に基づき前記光電制御部は装置制御部へ信号を発信し、発信された信号に応じた処理を行う前記装置制御部を有すること、を特徴とする請求項６に記載の基板処理装置である。
【００１７】
請求項１０に記載のように、基板処理装置は、前記基板処理装置が使用する前記処理液は引火性のある物質も含むこと、が好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では光線を２本使用することにより、光線の投受光にずれが生じている場合、そのずれを２回検出し、光量の低下を増長させる。このため、一般的な光電センサで使用される１本の光線では許容される光量低下であっても、本発明では許容されない光量低下に増長されるため、従来よりも高精度に検出を行うことができる。これにより、本発明の基板処理装置では、使用される部材の設置状態に生じた微小な傾きやずれに対して高精度に検出を行うことができる。また、本発明の光電子センサは電気的接続部分がないため、防爆エリアを監視することができる。
【００１９】
基板処理装置の安全監視センサとして求められる仕様は正常状態と非正常状態の違いを確実に検出できることである。安全監視センサは光線の接点をＢ接点として使用することが望ましい。光線におけるＢ接点とは常時光線が投光した状態であり、光線が途切れた場合に状態の変化があったことを検出する接点方式である。よって、基板処理装置におけるＢ接点は受光した光線の光量が閾値以上である投光状態のみを許容し、少しでも条件を満足しないときは非正常状態と判定する高い検出精度が求められる。
【００２０】
本発明の一実施形態では常時光線が投光した状態とするＢ接点で第一投受光デバイスと第二投受光デバイスの正対向設置を監視するため、基板処理装置の状態を常時監視し続けることができる。上述の通り精度の高い検出で基板処理装置の状態を常時監視することにより基板処理装置は安全に運転される。万が一、基板処理装置の運転中に異常が生じた場合は直ちに検出されるため、リスクを最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の背面Ａの概略構成を示す図解的な平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の処理部の概略構成を示す図解的な平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は基板処理装置１と取り外し可能カバー２００に光電式センサシステム５を使用した第一実施形態を示した図である。
【図５】（ｄ）〜（ｅ）は基板処理装置１と取り外し可能カバー２００に光電式センサシステム５を使用した第一実施形態を示した図であり、取り付けカバー２００の取り付けに傾きが生じた場合を示した図である。
【図６】（ｆ）〜（ｇ）は基板処理装置１と取り外し可能カバー２００に光電式センサシステム５を使用した第一実施形態を示した図であり、取り付けカバー２００の取り付けに傾きが生じた場合を示した図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る光電式センサシステム５の構成例を模式的に示した図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は基板処理装置１で流体の制御に使用されるトグル弁システム６に光電式センサシステム５を使用した第二実施形態を示した図である。
【図９】（ｅ）は基板処理装置１で流体の制御に使用されるトグル弁システム６に光電式センサシステム５を使用した第二実施形態を示した図であり、トグル弁システム６の操作レバーが完全に０度に設定されていない状態の図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は基板処理装置１で流体の制御に使用されるカバー付三方弁７に光電式センサシステム５を使用した第三実施形態を示した図である。
【図１１】（ｄ）、（ｅ）は基板処理装置１で流体の制御に使用されるカバー付三方弁７に光電式センサシステム５を使用した第三実施形態を示した図であり、カバー付三方弁７から切替防止カバー４０１を取り外した状態の図である。
【図１２】本発明の一連の流れを示すフローチャートである。
【図１３】図７に示す光電式センサシステム５の変形例である光電式センサシステム９の構成例を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下において、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置１は、処理セクション２と、インデクサセクション３と、ユーティリティーセクション４とを含む。
【００２４】
処理セクション２は、インデクサセクション３との間で基板Ｗ（たとえば半導体ウエハ）を受け渡しするための受け渡しユニットＰＡＳＳを備えている。処理セクション２では、受け渡しユニットＰＡＳＳを介して受け取った未処理の基板Ｗに対して、処理流体（処理液または処理ガス）を用いた処理を施す。そして、処理セクション２では、受け渡しユニットＰＡＳＳがインデクサセクション３に渡す。
【００２５】
処理セクション２は、複数（この実施形態では８個）の処理ユニット８１〜８８（処理液ユニット８）と、主搬送ロボットＣＲと、前述の受け渡しユニットＰＡＳＳとを含む。処理ユニット８１〜８８は、この実施形態では、立体的に配置されている。具体的には、複数の処理ユニット８１〜８８が二階建て構造をなすように配置されており、各階部分に４つの処理ユニットが配置されている。すなわち、一階部分に４つの処理ユニット８１，８３，８５，８７が配置され、二階部分に別の４つの処理ユニット８２，８４，８６，８８が配置されている。
【００２６】
平面視において処理セクション２の中央に主搬送ロボットＣＲが配置されており、この主搬送ロボットＣＲとインデクサロボットＩＲとの間に受け渡しユニットＰＡＳＳが配置されている。受け渡しユニットＰＡＳＳを挟んで対向するように、２つの処理ユニット８１，８２を積層した第１の処理ユニット群Ｇ１と、別の２つの処理ユニット８３，８４を積層した第２の処理ユニット群Ｇ２とが配置されている。
【００２７】
そして、第１の処理ユニット群Ｇ１に対してインデクサロボットＩＲから遠い側に隣接するように、２つの処理ユニット８５，８６を積層した第３の処理ユニット群Ｇ３が配置されている。同様に、第２の処理ユニット群Ｇ２に対してインデクサロボットＩＲから遠い側に隣接するように、２つの処理ユニット８７，８８を積層した第４の処理ユニット群Ｇ４が配置されている。第１〜第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４によって、主搬送ロボットＣＲが取り囲まれている。
【００２８】
主搬送ロボットＣＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。主搬送ロボットＣＲは、ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、主搬送ロボットＣＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。
【００２９】
主搬送ロボットＣＲは、任意の処理ユニット８および受け渡しユニットＰＡＳＳにハンドＨを対向させる。そして、主搬送ロボットＣＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、主搬送ロボットＣＲは、受け渡しユニットＰＡＳＳから未処理の一枚の基板ＷをハンドＨで受け取り、その未処理の基板Ｗをいずれかの処理ユニット８１〜８８に搬入する。また、主搬送ロボットＣＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、処理ユニット８１〜８８で処理された処理済みの基板ＷをハンドＨで受け取り、その基板Ｗを受け渡しユニットＰＡＳＳに渡す。
【００３０】
インデクサセクション３は、未処理の基板Ｗを受け渡しユニットＰＡＳＳに渡し、受け渡しユニットＰＡＳＳから処理済みの基板Ｗを受け取る。インデクサセクション３は、複数のステージＳＴ１〜ＳＴ４と、インデクサロボットＩＲとを含む。
【００３１】
ステージＳＴ１〜ＳＴ４は、複数枚の基板Ｗ（たとえば半導体ウエハ）を積層状態で収容した基板収容器Ｃをそれぞれ保持する基板収容器保持部である。複数枚の基板Ｗを収容する複数の基板収容器Ｃは、水平な配列方向Ｄ１に配列されている。なお、基板収容器Ｃは、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）や、ＦＯＵＰと同様に基板Ｗを密閉した状態で収納するＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒ Ｆａｃｅ）ポッドであってもよいし、基板Ｗを密閉しない状態で収納するＯＣ（Ｏｐｅｎ Ｃａｓｓｅｔｔｅ）等であってもよい。基板収容器ＣがステージＳＴ１〜ＳＴ４に載置されたとき、基板収容器Ｃでは、水平姿勢の複数枚の基板Ｗが互いに間隔を開けて鉛直方向に積層された状態となる。
【００３２】
インデクサロボットＩＲは、主搬送ロボットＣＲど同様に平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。インデクサロボットＩＲは、配列方向Ｄ１に沿って移動する。
【００３３】
インデクサロボットＩＲは、いずれかのステージＳＴ１〜ＳＴ４に保持された任意の基板収容器Ｃおよび受け渡しユニットＰＡＳＳにハンドＨを対向させる。そして、インデクサロボットＩＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、基板収容器Ｃから一枚の未処理基板ＷをハンドＨで搬出して受け渡しユニットＰＡＳＳに渡すように動作する。さらに、インデクサロボットＩＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、受け渡しユニットＰＡＳＳから一枚の処理済み基板ＷをハンドＨで受け取って、いずれかのステージＳＴ１〜ＳＴ４に保持された基板収容器Ｃに収容するように動作する。
【００３４】
ユーティリティーセクション４には、処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に含まれる複数の処理ユニット８へ接続される複数の供給管が収納されている。後に図示するが、具体的には、ユーティリティーセクション４は、処理ユニット８へ処理液を供給する処理液供給部４１と、リンス液を供給するリンス液供給部４２と、有機溶剤を供給する有機溶剤供給部４３と、それぞれの供給部から供給される液体を処理ユニット８へ導くための供給管と、流体制御機構と、処理ユニット８内を排気する排気機構４４と、処理に使用された処理液を回収するための排液回収部４５とを有している。ユーティリティーセクション４についての詳細は後述する。
【００３５】
図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の背面Ａの概略構成を示す図解的な平面図である。なお、上述と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【００３６】
図２は図１に示す基板処理装置１の背面Ａ図である。基板処理装置１の背面には複数の取り外し可能カバー２００が取り付けられており、取り外し可能カバー２００を外すと、開口部２０１を通じて基板処理装置１の内部にあるユーティリティーセクション４にアクセスが可能となる。図２ではユーティリティーセクション４を明確にするため、基板処理装置１の背面左下側の取り外し可能カバー２００を開いた状態を図示している。
【００３７】
ユーティリティーセクション４には、処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に含まれる複数の処理ユニット８へ接続される複数の供給管が収納されている。具体的には、処理ユニット８へ処理液を供給する処理液供給部４１（図示しない）と、リンス液を供給するリンス液供給部４２（図示しない）と、有機溶剤を供給する有機溶剤供給部４３（図示しない）と、それぞれの供給部から供給される液体を処理ユニット８へ導くための供給流入管１１ａ、１１ｂ、１１ｃ（図示しない）と、供給流出管１３ａ、１３ｂ、１３ｃ（図示しない）と、処理液を循環させるために処理液を処理液タンクへ戻すための循環管１２と、処理ユニット８内を排気する排気機構４４と、排気機構４４と連結する排気管１４と、処理ユニット８で処理に使用された処理液を回収するための排液回収部４５と、排液回収部４５と連結する排液回収管１５と、が含まれている。
【００３８】
供給流入管１１ａは、トグル弁システム６を介して、供給流出管１３ｂと接続されている。また、供給流入管１１ｂと、循環管１２とは、カバー付き三方弁７を介して、供給流出管１３ａと接続されている。トグル弁システム６やカバー付き三方弁７は流体制御機構として機能する。流体制御機構としては他にも、レギュレータ、調整弁、流量計、濾過器などが介されていてもよい。また、処理液を温調する場合は、処理液供給部４５と供給流入管１１ａと循環管１２との間の経路に温度調整機構（図示しない）が介され、処理液を所望の温度に保持してもよい。温調機はリンス液および有機溶剤に使用されてもよい。本発明において、処理液は、リンス液や有機溶剤を含む。
【００３９】
メンテナンス時には、基板処理装置１の使用者は取り外し可能カバー２００を外すことにより、これらのユーティリティーセクション４に収納されている部材の操作を行うことが可能となる。
【００４０】
例えば、処理液供給部４１から供給される処理液は供給流入管１１ａを通じて、処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に含まれる複数の処理ユニット８へと導かれている。供給流入管１１ａに接続されているカバー付き三方弁７の操作により三方弁の流路が処理ユニット８から循環管１２となるように切り替えることができ、処理液は循環管１２を通じて処理液供給部４１に戻される。また、リンス液供給部４２から供給されるリンス液は供給流入管１１ｂを通じて、処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に含まれる複数の処理ユニット８へと導かれている。供給流入管１１ｂに接続されているトグル弁システム６の操作によりトグル弁内部の弁を開状態から閉状態へ切り替えることができ、処理ユニット８へのリンス液供給が停止される。
【００４１】
これらの操作により、処理ユニット８への液供給が停止されるため、メンテナンスを安全に行うことができる。
【００４２】
基板処理装置１の背面に取り付けられている取り外し可能カバー２００は、基板処理装置１に設けられた開口部２０１に取り付けられ、カバー位置決め具２０２により取り付け位置が決められ、固定具２０３により基板処理装置１への取り付けが固定されている。取り外し可能カバー２００と開口部２０１はほぼ同じ大きさであり、取り外し可能カバー２００を開口部２０１に取り付けた状態では隙間が生じない。
【００４３】
開口部２０１は取り外し可能カバー２００を外すことにより現れ、開口部２０１を通じて基板処理装置１の内部にあるユーティリティーセクション４にアクセスが可能となる。開口部２０１の上端には投光素子１０１と受光素子１０２を有する第一投受光デバイス１００が取り付けられており、下端にはカバー位置決め具２０２が取り付けられている。投受光デバイスについての詳細は後述する。
【００４４】
取り外し可能カバー２００の内面には投光素子１０４と受光素子１０５を有する第二投受光デバイス１０３が取り付けられ、下部にはカバー位置決め具２０２を差し込める切り欠き２０４を有し、外面には取り外し可能カバー２００の取り付けと取り外しを容易にするための取手２０５が設けられている。
【００４５】
取り外し可能カバー２００が開口部２０１に正しく取り付けられた状態において、開口部２０１に取り付けられた第一投受光デバイス１００と、取り外し可能カバー２００に取り付けられた第二投受光デバイス１０３とが、正対向設置となる。正対向設置とは第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正しく設置された状態を指す（詳細は後述する）。言い換えると、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置となれば、取り外し可能カバー２００は開口部２０１に正しく取り付けられていることになる。
【００４６】
取り外し可能カバー２００の固定具２０３はネジやボルトなど一般的な固定部材である。また固定具２０３は、マグネット等の他の締結手段であってもよい。取り外し可能カバー２００はその一端が基板処理装置１に蝶番により固定され、非固定側が基板処理装置１から離れるように回転開閉する回転式機構でもよい。また、基板処理装置と取り外し可能カバー２００の一端をレールスライダーに固定し、水平方向を維持しながら引き出せる引出式機構でもよい。上記以外にも開口部２０１に対して取り外し可能カバー２００の取り付け位置が容易に変化しない方式を選択することが可能である。
【００４７】
図３は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理部の概略構成を示す図解的な平面図である。なお、上述と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。処理ユニット８は、円形の半導体ウエハ等の基板Ｗのデバイス形成領域側の表面に対して、洗浄処理やエッチング処理などの液処理を施すための枚葉型の装置である。
【００４８】
処理ユニット８は、側壁８０１で取り囲まれて、内部が密閉空間であるチャンバ８０２を有している。チャンバ８０２には、基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック８０３と、スピンチャック８０３に保持されている基板Ｗの表面（上面）に、ユーティリティーエリア４の処理液供給部４１より供給された処理液を供給するための処理液ノズル８０４と、リンス液供給部４２より供給されたリンス液を供給するためのリンス液ノズル８０５と、有機溶剤供給部４３より供給された有機溶剤を供給するための有機溶剤ノズル８０６と、スピンチャック８０３を収容する筒状の処理カップ８０８と、が含まれている。さらに筒状の処理カップ８０８はカップ昇降機構８０７を有し、チャンバ８０２は排気機構４４と排気管１４により接続され、チャンバ８０２は排液回収部４５と排液回収管１５により接続される。
【００４９】
チャンバ８０２の側壁８０１には、チャンバ８０２内に対して基板Ｗを搬出入させるための開口８１１が形成されている。チャンバ８０２の外側に配置されたセンターロボットＣＲ（図１参照）は、開口８１１を通してチャンバ８０２内にハンドＨ（図１参照）をアクセスさせ、未処理の基板Ｗをスピンチャック８０３上に載置したり、スピンチャック８０３上から処理済の基板Ｗを取り出したりできるようになっている。側壁８０１の外側には、開口８１１を上下方向に開閉するためのシャッター８１２が設けられている。シャッター８１２には、シャッター８１２を閉位置（図３にて実線で図示）と、開位置（図３にて二点鎖線で図示）との間で上下動させるためのシャッター昇降機構８１３が結合されている。
【００５０】
スピンチャック８０３として、基板Ｗを水平方向に吸着して基板Ｗを水平に保持する吸着式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック８０３は、スピンモータ８１４と、このスピンモータ８１４の駆動軸と一体化されたスピン軸８１５により連結されている。基板Ｗの保持方式は、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式でもよい。装置制御部１６は、処理カップ８０８を降下させ、吸着状態の解除された基板Ｗを、センターロボットＣＲのハンドＨにより掬い取り、基板ＷごとハンドＨをチャンバ８０２内から退避させる。
【００５１】
スピンチャック８０３が吸着状態にあるときに、スピンモータ８１４が駆動されると、その駆動力によってスピン軸８１５が所定の回転軸線（鉛直軸線）Ａ１まわりに回転される。これにより、スピンチャック８０３と共に、基板Ｗが略水平な姿勢を保った状態で回転軸線Ａ１まわりに回転される。
【００５２】
処理液ノズル８０４は供給流出管１３ａを介しユーティリティー４のカバー付き三方弁７に接続されている。供給流出管１３ａの途中部には、供給流出管１３ａを開閉するための処理液バルブ８１７が介挿されている。
【００５３】
処理ユニット８の装置制御部１６が処理液バルブ８１７を開くと、処理液が供給流出管１３ａ、および処理液バルブ８１７を通って処理液ノズル８０４から吐出される。処理液ノズル８０４から複数の処理液を吐出する場合、供給流出管１３ａは分岐接続されてもよく、カバー付き三方弁７で分岐接続されてもよい。処理液は、フッ酸、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえばＴＭＡＨなど）、界面活性剤、腐食防止剤を含んでいてもよい。
【００５４】
処理液ノズル８０４は、たとえば、連続流の状態で処理液を吐出するストレートノズルである。処理液ノズル８０４は、吐出口を略下方に向けた状態で、処理液ノズルアーム（図示しない）に取り付けられている。処理液ノズルアームは、所定の回転軸線（図示しない）回りに処理液ノズルアームを回転させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って処理液ノズル８０４を水平に移動させる。
【００５５】
これにより、処理液を吐出した状態で処理液ノズル８０４が基板Ｗ上を水平に移動する処理を行うことができる。
【００５６】
リンス液ノズル８０５は供給流出管１３ｂを介しユーティリティー４のトグル弁システム６に接続されている。供給流出管１３ｂの途中部には、供給流出管１３ｂを開閉するためのリンス液バルブ８１９が介挿されている。
【００５７】
処理ユニット８の装置制御部１６がリンス液バルブ８１９を開くと、リンス液が供給流出管１３ｂ、およびリンス液バルブ８１９を通って、リンス液ノズル８０５から吐出される。リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、脱気水を含んでいてもよい。リンス液ノズル８０５は処理液ノズル８０４と同様に、リンスを吐出した状態でリンスノズル８０５が基板Ｗ上を水平に移動する処理を行うことができる。
【００５８】
有機溶剤ノズル８０６は供給流出管１３ｃを介しユーティリティー４のトグル弁システム６に接続されている。供給流出管１３ｃの途中部には、供給流出管１３ｃを開閉するための有機溶剤バルブ８２１が介挿されている。
【００５９】
処理ユニット８の装置制御部１６が有機溶剤バルブ８２１を開くと、有機溶剤が供給流出管１３ｃ、および有機溶剤バルブ８２１を通って有機溶剤ノズル８０６に供給される。有機溶剤としては、ＩＰＡなどが挙げられる。有機溶剤ノズル８０６は処理液ノズル８０４と同様に、有機溶剤を吐出した状態で有機溶剤ノズル８０６が基板Ｗ上を水平に移動する処理を行うことができる。
【００６０】
次に、本発明の第一実施形態に係る基板処理装置について説明する。図４〜図６は本発明の基板処理装置１と取り外し可能カバー２００に光電式センサシステム５を使用した第一実施形態を示した図であり。さらに図４〜図５は基板処理装置１の側面Ｂの概略構成を示す図解的な平面図である。なお、上述と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【００６１】
図４（ａ）は基板処理装置１の背面に取り付けられている取り外し可能カバー２００が、開口部２０１に取り付けられている状態を示している。取り外し可能カバー２００はその下部に設けられた切り欠き２０４をカバー位置決め具２０２に差し込むことにより取り付け位置が決められ、さらに固定具２０３により基板処理装置１へ固定されている。
【００６２】
基板処理装置１の開口部２０１の内側壁面に第一投受光デバイス１００が取り付けられている。また、取り外し可能カバー２００には第二投受光デバイス１０３が取り付けられている。取り外し可能カバー２００が開口部２０１に取り付けられた状態では、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３とが正対向設置となる。言い換えると、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置となれば、取り外し可能カバー２００は開口部２０１に正しく取り付けられていることになる。
【００６３】
図４（ｂ）は図４（ａ）に示された破線円の拡大図Ｃである。図４（ｂ）の状態において、センサ光源１２０（図示しない）から発振された光線１０９は、次のように伝播される。センサ光源１２０から発振された光線１０９は光ファイバー１０６を伝播し、第一投受光デバイス１００の投光素子１０１より光線１１０として照射される。照射された光線１１０は第二投受光デバイス１０３の受光デバイス１０５で受光される。受光された光線１１０は光ファイバー１０８を光線１１１として伝播し、第二投受光デバイス１０３の投光デバイス１０４から、光線１１２として照射される。照射された光線１１２は第一投受光デバイス１００の受光素子１０２で受光され、光線１１３として光電変換部１３０（図示しない）へ伝播される。光線１１３は光電変換部１３０により光量の電気信号に変換され、光電制御部１４０（図示しない）へ伝達される。
【００６４】
図４（ｂ）の状態では第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３は正対向設置のため、センサ光源１２０から発振された光線１０９の光量からほぼ低下することなく光電変換部１３０へ伝播され、光電制御部１４０へ伝達される。
【００６５】
この場合、伝達された電気信号は設定された閾値以上となり、光電制御部１４０は第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置と判定し、装置制御部１６へ正対向設置信号を発信する。この判定より基板処理装置１の開口部２０１に取り外し可能カバー２００が正常に取り付けられていることが保証され、基板処理装置１の運転を継続することができる。
【００６６】
図４（ｃ）は基板処理装置１から取り外し可能カバー２００を取り外した状態の図である。取り外し可能カバー２００が基板処理装置１の開口部２０１から取り外された状態では、投光素子１０１より照射された光線１１０は受光素子１０２に到達できず、光電変換部１３０へも到達しないため、光電変換される光量の電気信号は低下する。この場合、設定された閾値より小さくなるため、光電制御部１４０は第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が非正対向設置と判定する。
【００６７】
非正対向設置と判定した光電制御部１４０は装置制御部１６へ非正対向設置信号を発信する。前述の通り、装置制御部１６は光電制御部１４０より発信された非正対向設置信号に応じ、アラームメッセージやアラーム音により使用者に基板処理装置１の非正対向設置箇所があることを認知させたり、また、基板処理装置１の運転や処理を停止させたりする。
【００６８】
図５（ｄ）は基板処理装置１の開口部２０１に取り外し可能カバー２００の下端を軸中心として、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の対向面垂直に離間する回転方向に取り外し可能カバー２００が傾いた状態で取り付けられた図であり、図５（ｅ）は図５（ｄ）に示された破線円の拡大図Ｄである。
【００６９】
この状態となり得る具体例として基板処理装置１のメンテナンスが挙げられる。基板処理装置１の使用者がメンテナンスのため、取り外し可能カバー２００を外してメンテナンスを行い、メンテナンス完了後、取り外し可能カバー２００を取り付けた際に、取り外し可能カバー２００が傾いて取り付けられた場合が想定される。
【００７０】
この場合、取り外し可能カバー２００の下端を軸中心として、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の対向面垂直に離間する回転方向に傾いた状態となってしまう。中心線２０６は取り外し可能カバー２００に取り付けられた第二投受光デバイス１０３の中心を示し、第一投受光デバイス１００との対向面の傾きを明確にしている。
【００７１】
この状態では第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の対向面に傾きと離間が生じ、センサ光源１２０から発振された光線１０９は、次のように伝播される。
センサ光源１２０から発振された光線１０９は、第一投受光デバイス１００の対向面垂直に投光素子１０１より光線１１０として照射され、光線１１０は第二投受光デバイス１０３の受光素子１０５に受光される。しかし、光線１１０は受光素子１０５の対向面垂直に受光されない。そのため受光素子１０５で受光される光量は低下する。受光された光線１１０は第二投受光デバイス１０３の光ファイバー１０８を光線１１１として伝播し、第二投受光デバイス１０３の投光素子１０４から光線１１２として照射される。光線１１２も光線１１０と同様に第一投受光デバイス１００の受光素子１０２の対向面垂直に到達しないため、受光素子１０２を通過した光線１１３の光量はさらに低下する。
【００７２】
それゆえ、光電変換部１３０に伝播される光線１１３の光量はセンサ光源１２０で照射された光線１０９の光量と比較して大きく低下する。光電変換部１３０で光電変換される光量の電気信号は設定された閾値より小さくなり、光電制御部１４０は第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が非正対向設置と判定する。
【００７３】
非正対向設置の判定により装置制御部１６がアラーム音などを発することにより、メンテナンスを行った基板処理装置１の使用者は取り外し可能カバー２００の取り付け不良に気づくことができる。
【００７４】
図６（ｆ）は基板処理装置１に取り外し可能カバー２００が第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の対向面平行の回転方向に傾いた状態で開口部２０１に取り付けられた図であり、図６（ｇ）は図６（ｆ）に示された破線円の拡大図Ｅである。
【００７５】
この状態となり得る具体例として、基板処理装置１の使用者がメンテナンスのため、取り外し可能カバー２００を外してメンテナンスを行った場合を示す。メンテナンス完了後、基板処理装置１の使用者が取り外し可能カバー２００を取り付けた際に、取り外し可能カバー２００が図６（ｆ）のように傾いて取り付けられた場合も想定される。この場合、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３も傾いた状態となってしまう。中心線２０７と中心線２０８は取り外し可能カバー２００の縦と横の中心を示し、取り外し可能カバー２００と開口部２０１との傾きを明確にしている。
【００７６】
この場合においても上述したように、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３間の２本の光線により光量の低下が増長され、基板処理装置１に取り付けられた第一投受光デバイス１００と取り外し可能カバー２００に取り付けられた第二投受光デバイス１０３が非正対向設置と判定される。非正対向設置の判定により装置制御部１６がアラーム音などを発することにより、メンテナンスを行った基板処理装置１の使用者は取り外し可能カバー２００の取り付け不良に気づくことができる。
【００７７】
図５〜図６で例示したように、取り付けカバー２００の取り付けに傾きが生じた場合、一般的な光電式センサシステムにおいて使用される１本の光線では、その傾きが微小なものであれば、光電制御部１４０へ伝達される光量の電気信号が閾値に対し許容される可能性がある。
【００７８】
しかし、本発明の光電式センサシステムでは光線を２本使用しているため、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３に傾きや離間が生じた場合には、光線のずれが２回生じることとなる。光線のずれを２回生じさせることにより光量の低下を増長させ、光電制御部１４０へ伝達される光量の電気信号が閾値に対し許容されない光量とすることができる。これにより、取り外し可能カバー２００の取り付け状態が傾いている場合、その傾きが微小なものであっても高精度に検出を行う事ができる。
【００７９】
本発明の基板処理装置１で使用する処理液は引火性のある薬液も含まれるため、これら薬液を使用する防爆エリアでは扉やカバーが正しく取り付けられている状態でなければ運転してはならない。また、扉やカバーが正常に取り付けられていても、万が一、基板処理装置１の運転中に扉やカバーが外れた時には、非正対向設置として直ちに基板処理装置１を制御しなければならない。このような装置に本発明を適用することで高い安全性が確保されることとなる。
【００８０】
ここで、本発明の一実施形態に係る光電式センサシステムの詳細について図７を参照しながら説明する。図７は本発明の光電式センサシステムの構成例を模式的に示した図である。なお、上述と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【００８１】
光電式センサシステム５は、第一投受光デバイス１００と、第二投受光デバイス１０３と、センサ光源１２０と、光電変換部１３０と、光電制御部１４０と、を有する。
【００８２】
第一投受光デバイス１００は投光素子１０１と受光素子１０２を備え、それらは同一の面に配置されている。第二投受光デバイスは投光素子１０４と受光素子１０５を備え、それらは同一面Ｐに配置されている。
【００８３】
第一投受光デバイス１００の投光素子１０１は、センサ光源１２０と光ファイバー１０６で接続されている。同様に、第一投受光デバイス１００の受光素子１０２は光電変換部１３０と光ファイバー１０７で接続されている。光電変換部１３０は光電制御部１４０とケーブル１５０により接続されている。また、第二投受光デバイス１０３は、投光素子１０４と受光素子１０５とが、光ファイバー１０８で接続されている。
【００８４】
光電変換部１３０は、第一投受光デバイス１００の受光素子１０２から伝播された光線１１３の量を電気信号（電気信号とは例えば直流電流（４−２０ｍＡ）であり、その値を含む）に変換する。光電変換部１３０で変換された電気信号は、光電制御部に伝達される。なお、電気信号は他の電流値（例えば０−１０ｍＡ）であってもよいし、電圧値（０−５Ｖ）や電気パルスであってもよい。なお、光電変換とは、一般に光と物質の相互作用により、物質の電気的性質や電子の状態が変化することを利用して、光の持つ情報を電気信号に変換することをいい、あるいは逆に物質の電気的性質や電子状態が変化すると発光することを利用して、電気信号を光信号に変換することも光電変換という。
【００８５】
図７では前述した第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置（正常に対向設置された状態）を示す。
【００８６】
正対向設置とは、以下の（１）、（２）、（３）を満たす設置状態である。
【００８７】
（１）第一投受光デバイス１００の投光素子１０１と受光素子１０２が配置されている面と第二投受光デバイス１０３の投光素子１０４と受光素子１０５が配置されている面が対向するように向かい合わされている状態であること。
【００８８】
（２）第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が以下に示す位置関係となる状態であること。
【００８９】
（３）光電制御部１４０に伝達された光量の電気信号が設定した閾値以上であること。
【００９０】
（２）は次に示す位置関係の状態である。第一投受光デバイス１００の投光素子１０１から光線１１０が第一投受光デバイス１００の対向面垂直に照射され、第二投受光デバイス１０３の受光素子１０５が光線１１０を第二投受光デバイス１０３の対向面垂直に受光する向きで、かつ、第二投受光デバイス１０３の投光素子１０４から光線１１２が第二投受光デバイス１０３の対向面垂直に照射され、第一投受光デバイス１００の受光素子１０２が光線１１２を第一投受光デバイス１００の対向面垂直に受光するような位置関係の状態である。
【００９１】
さらに正対向設置では、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の対向面の上下左右斜めの位置ずれと、対向面の平行回転方向や対向面の垂直回転方向による傾きと、これら組み合わさりによるずれや傾きとが生じない設置状態である。
【００９２】
正対向設置された第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の距離は標準５〜８ｍｍであるが、設置環境により距離が長短する場合は、センサ光源の出力や閾値を調整することで前記距離は調整されてもよい。
【００９３】
第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置では、センサ光源１２０から発振された光線１０９は、次のように伝播される。
【００９４】
センサ光源１２０から発振された光線１０９は光ファイバー１０６を伝播し第一投受光デバイス１００の投光素子１０１から光線１１０として第一投受光デバイス１００の対向面から垂直に照射される。照射された光線１１０は第二投受光デバイス１０３の対向面垂直に受光素子１０５に受光される。受光された光線１１０は光ファイバー１０８を光線１１１として伝播し、投光素子１０４から光線１１２として照射される。照射された光線１１２は第一投受光デバイス１００の対向面垂直に受光素子１０２に受光される。受光された光線１１２は光電変換部１３０へ光ファイバー１０７を光線１１３として伝播する。
【００９５】
センサ光源は、ＬＥＤ、レーザーなど光ファイバーを介して投受できる直進性のある光源であればよい。
【００９６】
光電制御部１４０は電気信号に対し閾値を設定できる。光電制御部１４０は光電変換部１３０より伝達された電気信号が設定した閾値以上の場合、第一投受光デバイスと第二投受光デバイスが正対向設置と判定し、正対向設置信号を発信する。
【００９７】
なお、閾値より小さい場合を第一投受光デバイスと第二投受光デバイスが正対向設置ではない設置状態（非正対向設置）と判定し、非正対向設置信号として発信してもよい。
【００９８】
光電制御部１４０はケーブル１６０により装置制御部１６に接続されている。光電制御部１４０から装置制御部１６への伝達は無線通信でもよい。装置制御部１６は光電制御部１４０より発信された信号に応じた処理を行う制御手段を有する。
【００９９】
基板処理装置１は、正対向設置信号が発信されている間、運転を継続される。逆に、基板処理装置１は、非正対向設置信号が発信されている場合、運転を中断されてもよい。
【０１００】
また、基板処理装置１の装置制御部１６は、制御手段としては、基板処理装置１にアラームメッセージを表示させたり、基板処理装置１からアラーム音を発生させたり、基板処理装置１が運転中であれば運転を停止させたり、処理部２が処理中であれば処理を停止させる、などの処理を行ってもよい。基板処理装置１の使用者は装置制御部１６によるアラームメッセージやアラーム音により非正対向設置であることを認知でき、また、運転や処理を停止させることにより処理される基板へのダメージを最小限に抑えることができる。
【０１０１】
他の実施形態として光電変換部１３０より伝達された電気信号は光電制御部１４０を介さず、装置制御部１６に直接伝達されてもよい。この場合において光電変換部１３０と装置制御部１６はケーブル１７０（二重鎖線）で接続され、装置制御部１６で閾値の設定を行う。装置制御部１６が光電制御部１４０と同様の判定を行うことにより、光電制御部１４０を省略することができる。光電変換部１３０から装置制御部１６への伝達は無線通信でもよい。
【０１０２】
続いて、本発明の第二実施形態に係る基板処理装置について説明する。図８〜図９は本発明における基板処理装置１のユーティリティーセクション４で使用されるトグル弁システム６に光電式センサシステム５を使用した形態を示した図である。なお、上述と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【０１０３】
一般的にトグル弁とは、操作レバーの操作により、内部の弁を駆動することで開閉動作を行い、流体制御を行うことができるものである。
【０１０４】
図８（ａ）は光電式センサを取り付けたトグル弁システム６の操作レバー３０１を０度（図示上側に倒した状態）とした状態の側面図である。図８（ｃ）は同じ状態の正面図である。
【０１０５】
図８（ａ）及び図８（ｃ）に示すように、第二実施形態のトグル弁システム６はトグル弁本体３００と、操作レバー３０１と、第一投受光デバイスを取り付けるためのセンサ固定部材３０２と、を有している。トグル弁本体３００には処理液を流入する供給流入管１１ｂ（１１ｃ）と、トグル弁本体３００から処理液を流出する供給流出管１３ｂ（１３ｃ）とが接続されており、流通する液は矢印３０５に示す方向から供給流入管１１ｂ（１１ｃ）へ流入し、トグル弁本体３００を通過し、矢印３０６に示す方向へ供給流出管１３ｂ（１３ｃ）から流出される。
【０１０６】
操作レバー３０１は接続部３０７を軸中心として回転動作させることができ、トグル弁本体３００に回動可能に接続される。操作レバー３０１を０度の方向とすることでトグル弁本体３００の弁を開くことができ、１８０度の方向（図示下側に倒した状態）とすることでトグル弁本体３００の弁を閉じることができる。
【０１０７】
センサ固定部材３０２の上端には第一投受光デバイス１００が取り付けられ、操作レバー３０１の上端には第二投受光デバイス１０３が取り付けられている。操作レバー３０１を０度の方向としたときに、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置となるように、センサ固定部材３０２と操作レバー３０１が設置されている。
【０１０８】
基板処理装置１の運転中は、トグル弁システム６の操作レバー３０１を０度とした状態で使用される。この状態で光線によるセンサ固定部材３０２と操作レバー３０１の対向設置判定が行われる。センサ固定部材３０２に取り付けられた第一投受光デバイス１００と操作レバー３０１に取り付けられた第二投受光デバイス１０３が正対向設置となるように、操作レバー３０１が完全に０度の状態であれば、光電制御部１４０（図示しない）は第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置と判定し、装置制御部１６（図示しない）へ正対向設置信号を発信する。
【０１０９】
この判定よりトグル弁システム６の操作レバー３０１を０度であることが保証され、基板処理装置１での運転を継続することができる。光線の伝播および伝達方法は第一実施形態と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【０１１０】
図８（ｂ）は光電式センサを取り付けたトグル弁システム６の操作レバーを１８０度とした状態の側面図であり、図８（ｄ）は光電式センサを取り付けたトグル弁システム６の操作レバーを１８０度とした状態の正面図である。
【０１１１】
トグル弁システム６の操作レバー３０１を１８０度の方向に切り替えることによりトグル弁本体３００の弁を閉じることができる。この状態では、センサ固定部材３０２に取り付けられた第一投受光デバイスと操作レバー３０１に取り付けられた第二投受光デバイスが非正対向設置となるため、光電制御部１４０は装置制御部１６へ非正対向設置信号を発信する。
【０１１２】
前述の通り、装置制御部１６は光電制御部１４０より発信された非正対向設置信号に応じ、アラーム音などを発することにより使用者に基板処理装置１の非正対向設置箇所があることを認知させたり、また、基板処理装置１の運転や処理を停止させたりする。
【０１１３】
図９（ｅ）は、トグル弁システム６の操作レバーが完全に０度に設定されていない状態の側面図である。中心線３０８は操作レバー３０１の中心を示し、第二投受光デバイス１０３が第一投受光デバイス１００に対する対向面の傾きを明確にしている。
【０１１４】
この状態となり得る具体例として基板処理装置１のメンテナンスのための処理液の供給停止が挙げられる。処理液が供給されている状態でメンテナンスを行うと処理液漏洩の危険があるため、メンテナンスを行う場合は処理液の供給を停止する必要がある。
【０１１５】
基板処理装置１の使用者は、操作レバー３０１を１８０度とすることにより、トグル弁本体３００の弁を閉じ、トグル弁システム６以降へ処理液の供給を停止させる。そしてメンテナンス等の作業を行った後、操作レバー３０１を０度に戻す。
【０１１６】
ここで、操作レバー３０１が図９（ｅ）に示すように完全に０度に戻りきっていない状態では、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３とが、非正対向設置と判定される。
【０１１７】
非正対向設置の判定により装置制御部１６がアラーム音などを発し、基板処理装置１のメンテナンスを行った使用者は、操作レバー３０１が完全に０度となっていないことに気づくことができる。また、トグル弁システム６を防爆エリアで使用される場合は必ず、操作レバー３０１が０度とし、センサ固定部材３０２に取り付けられた第一投受光デバイス１００と操作レバー３０１に取り付けられた第二投受光デバイス１０３が正対向設置でなければならない。
【０１１８】
次に、本発明の第三実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１０〜図１１は本発明における基板処理装置１のユーティリティーセクション４で使用されるカバー付三方弁７に光電式センサシステム５を使用した形態を示した図である。なお、上述と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【０１１９】
図１０（ａ）は光電式センサを取り付けたカバー付三方弁７の側面図であり、図１０（ｃ）は光電式センサを取り付けたカバー付三方弁７の正面図である。
【０１２０】
カバー付き三方弁７は三方弁本体４００と、切替防止カバー４０１とを有している。三方弁本体４００は切替レバー４０２と、流入経路４０３と、第一流出経路４０４と、第二流出経路４０５と、固定具受け穴４０９を有する。流入経路４０３は供給流入管１１ａと接続され、第一流出経路４０４は供給流出管１３ａと接続され、第二流出経路４０５は循環管１２と接続されている。切替防止カバー４０１は回転防止具４０６と、固定具通し穴４１１を有している。固定具４１０はネジやボルトなど一般的な固定部材である。
【０１２１】
流入経路４０３は、第一流出経路４０４と、第二流出経路４０５とのいずれか一方と、三方弁本体４００内部で連通する。三方弁本体４００は、流入経路４０３と第一流出経路４０４とを連通させる第一流路と、流入経路４０３と第二流出経路４０５とを連通させる第二流路とを、内部切り替え弁（図示しない）により切り替える。内部切り替え弁は切替レバー４０２により操作される。
【０１２２】
切替レバー４０２を第一流路位置４０７（図１１（ｅ）参照）に設定することにより三方弁本体４００の流路を第一流路とできる。このとき、処理液は矢印４１２に示す方向から供給流入管１１ａへ流入し、三方弁本体４００を通過し、供給流出管１３ａから矢印４１３に示す方向へ流出される。切替レバー４０２を第二流路位置４０８（図１１（ｅ）参照）に設定することにより三方弁本体４００の流路を第二流路とできる。このとき、処理液は矢印４１２に示す方向から供給流入管１１ａへ流入し、三方弁本体４００を通過し、循環管１２から二点鎖線矢印４１４に示す方向へ流出される。
【０１２３】
三方弁本体４００に取り付けられた切替防止カバー４０１は、切替防止カバー４０１の四隅の固定具通し穴４１１に固定具４１０を挿入し、固定具４１０を三方弁本体４００の固定具受け穴４０９に固定することで三方弁本体４００に固定されている。図１０（ｂ）は図１０（ａ）の破線円の拡大図Ｆであり、固定具４１０と固定具通し穴４１１の関係を示している。切替防止カバー４０１が三方弁本体４００に固定されると、回転防止具４０６により切替レバー４０２の回転動作が制限される。これにより、意図しない切替レバー４０２の回転による流路の切り替わりが防止できる。
【０１２４】
三方弁本体４００の一端には第一投受光デバイス１００が取り付けられ、切替防止カバー４０１の一端には第二投受光デバイス１０３が取り付けられている。第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置となるように、切替防止カバー４０１が三方弁本体４００に取り付けられている。
【０１２５】
基板処理装置１（図示しない）の運転中は、三方弁本体４００の切替レバー４０２を第一流路位置４０７に設定される。三方弁本体４００の流路を第一流路とさせた状態で切替防止カバー４０１が取り付けられ、切替レバー４０２が回転できない状態で使用される。
【０１２６】
この状態で光電センサシステムによる三方弁本体４００と切替防止カバー４０１の対向設置判定が行われる。三方弁本体４００に取り付けられた第一投受光デバイス１００と切替防止カバー４０１に取り付けられた第二投受光デバイス１０３が正対向設置となるように、三方弁本体４００に切替防止カバー４０１が正しく取り付けられていれば、光電制御部１４０（図示しない）は第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が正対向設置と判定し、装置制御部１６（図示しない）へ正対向設置信号を発信する。
【０１２７】
この判定より三方弁本体４００と切替防止カバー４０１が正常に取り付けられていることが保証され、基板処理装置１での運転を継続することができる。光線の伝播および伝達方法は第一実施形態と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【０１２８】
図１１（ｄ）は光電式センサを取り付けたカバー付三方弁７から切替防止カバー４０１を取り外した状態の側面図であり、図１１（ｅ）は光電式センサを取り付けたカバー付三方弁７から切替防止カバー４０１を外した状態の正面図である。
【０１２９】
このカバー付三方弁７から切替防止カバー４０１を取り外した状態では三方弁本体４００に取り付けられた第一投受光デバイスと切替防止カバー４０１に取り付けられた第二投受光デバイスが非正対向設置となるため、光電制御部１４０は装置制御部１６へ非正対向設置信号を発信する。
【０１３０】
前述の通り、装置制御部１６は光電制御部１４０より発信された非正対向設置信号に応じ、アラーム音などを発することにより使用者に基板処理装置１の非正対向設置箇所があることを認知させたり、また、基板処理装置１の運転や処理を停止させたりする。
【０１３１】
ここで図１０（ａ）の状態であったとしても取り付け状態が完全でない場合が想定される。具体例として基板処理装置１メンテナンスのための処理液の供給停止が挙げられる。
【０１３２】
処理液が供給されている状態でメンテナンスを行うと処理液漏洩の危険があるため、メンテナンスを行う場合は処理液の供給を停止する必要がある。この場合において、基板処理装置の使用者はカバー付三方弁７から切替防止カバー４０１を固定している固定具４１０を外し、次いで切替防止カバー４０１を取り外す。切替レバー４０２は第一流路位置４０７から第二流路位置４０８に切り替えられる。この切り替えにより、三方弁本体４００の流路が第一流路から第二流路へ切り替えられる。この状態では処理液は処理液タンクへ戻り、カバー付三方弁７以降へ処理液の供給が停止され、カバー付三方弁７以降のメンテナンスを行うことが可能となる。
【０１３３】
メンテナンス完了後、切替レバー４０２を第二流路位置４０８から第一流路位置４０７に切り替えることにより、三方弁本体４００の流路が第二流路から第一流路へ切り替わるため、元の状態に戻ったことを処理液の流れより確認する。確認後、三方弁本体４００に切替防止カバー４０１を取り付け、固定具４１０で固定する。
【０１３４】
ここで、切替防止カバー４０１の取り付けに傾きなどが生じた状態であれば、第一実施形態で説明したように、２本の光線により光量の低下が増長され、三方弁本体４００に取り付けられた第一投受光デバイス１００と切替防止カバー４０１に取り付けられた第二投受光デバイス１０３とが、非正対向設置と判定される。
【０１３５】
非正対向設置の判定により装置制御部１６がアラーム音などを発し、基板処理装置１のメンテナンスを行った使用者は、切替防止カバー４０１が正しく取り付けられていないことに気づくことができる。また、カバー付三方弁７が防爆エリアで使用される場合は必ず、三方弁本体４００に取り付けられた第一投受光デバイス１００と切替防止カバー４０１に取り付けられた第二投受光デバイス１０３が正対向設置でなければならない。
【０１３６】
第一実施形態から第三実施形態で示したように第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３に様々な傾きや離間若しくは位置ずれが生じた場合、一般的な光電式センサシステムにおいて使用される１本の光線では、これらが許容される可能性がある。
【０１３７】
しかし、本発明の光電式センサシステムでは光線を２本使用しているため、光線のずれが２回生じることとなり、光量の低下が増長され、伝達される光量が閾値に対し許容されない光量とすることができる。これにより、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の微小な傾き等であっても高精度に検出を行う事ができる。
【０１３８】
よって、メンテナンス後に第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３とが、非正対向設置となるような設置を行った場合には、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３とが取り付けられたそれぞれの部材はその対向設置状態を高精度に検出されるため、基板処理装置１の使用者は非正対向設置であることを直ちに認知することができる。
【０１３９】
メンテナンス後に限られず、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３が取り付けられたそれぞれの部材を操作するあらゆる作業が対象となり、基板処理装置１の運転中の異常も直ちに検出することができる。
【０１４０】
本発明の基板処理装置１は防爆エリアも有するため、各部材が正しく取り付けられていない状態で運転を行うと、火災や爆発などが生じるおそれがある。また、各部材が正しく取り付けられていても、基板処理装置１の運転中に突発的な異常が発生し、カバーが外れるなど、光電センサシステムが非正対向設置となった場合には、直ちに基板処理装置１を停止させるなどの制御を行う必要がある。本発明の光電式センサシステムでは、上記のリスクを低減することができる。
【０１４１】
図１２は本発明の一連の制御の流れを示すフローチャートである。
【０１４２】
図１２に示すフローチャートは本発明の実施形態に係る光電式センサシステム５の動作と基板処理装置１の制御との一連の制御の流れを示すフローチャートである。
【０１４３】
このフローチャートは基板処理装置１に電源が入った状態で行われる光電式センサシステム５の動作と基板処理装置１の制御との一連の制御の流れを示し、図７と併せて以下に説明を行う。
【０１４４】
Ｓ１０は開始ステップである。開始とは、基板処理装置１に電力が供給された状態を指す。電力が供給された状態では、基板処理装置１及び光電式センサシステム５はその電力により、それぞれの機能を発揮するための動作を行うことができる。光電式センサシステム５のセンサ光源１２０から光線１０９が照射され、伝播した光線１１３の光量が電気信号に変換され、光電制御部１４０が設定された閾値に基づいて、状態を判定する状態になる。
【０１４５】
Ｓ２０は受光量の閾値設定ステップである。光電制御部１４０は光電変換部１３０により伝達される電気信号に対し閾値を設定できる。閾値は電気信号の絶対値を用いてもよく、センサ光源１２０から照射される光量に対する減衰割合としても良い。閾値の設定は光電制御部１４０に直接閾値を入力することにより設定してもよく、基板処理装置１の装置制御部１６を経由して光電制御部１４０に設定してもよい。また、基板処理装置１に電源が入っていれば、閾値を変更することは常時可能であり、変更後は直ちにその閾値に基づいた判定が行われる。
【０１４６】
Ｓ３０は受光量変換ステップである。光電変換部１３０は受光した光線１１３を光量として電気信号に変換し（以下、受光量）、受光量を光電制御部１４０へ伝達する。
【０１４７】
Ｓ４０は受光量の閾値判断ステップである。光電制御部１４０は受光量が設定された閾値以上かどうかを判定する。本発明では受光量が閾値以上の場合は第一投受光デバイスと第二投受光デバイスが正対向設置と判定し、閾値より小さい場合を第一投受光デバイスと第二投受光デバイスが非正対向設置と判定する。
【０１４８】
例えば、設定された閾値がセンサ光源１２０から照射される光量に対し、減衰割合１％とされた場合、光源１２０から照射された光量に対し、受光量の割合が９０％以上の場合を正対向設置と判定し、９０％未満である場合を非正対向設置と判定する。判定結果は装置制御部１６へ発信される。
【０１４９】
Ｓ５０は受光量が閾値以上の場合のステップである。装置制御部１６は光電制御部１４０より発信された正対向設置信号により、基板処理装置は正常状態であると判断する。この場合はＳ３０へ戻り、受光量変換を繰り返す。基板処理装置１は正常状態と判断されていれば運転を継続することができる。なお、図１２では第一投受光デバイスと第二投受光デバイスを合わせて一対の投受光デバイスと示している。
【０１５０】
Ｓ５１は受光量が閾値より小さい場合のステップである。装置制御部１６は光電制御部１４０より発信される正対向設置信号が所定の時間途切れた場合、基板処理装置は非正常状態であると判断する。この場合は非対向設置信号に応じた処理を行うための制御手段を行う。なお、図１２では第一投受光デバイスと第二投受光デバイスを合わせて一対の投受光デバイスと示している。
【０１５１】
Ｓ６０は基板処理装置１の非正常状態時の制御ステップである。装置制御部１６は基板処理装置１にアラームメッセージを表示させると同時に、基板処理装置１からアラーム音を発生させる。また、基板処理装置１が運転中であれば運転を停止させ、さらに処理部２が処理中であれば処理を停止させる制御を行う。装置制御部１６によるアラームメッセージやアラーム音により基板処理装置１の使用者は非正対向設置であることを認知できる。また、装置制御部１６が基板処理装置１の運転や処理を停止させることにより、処理中の基板へのダメージを最小限に抑えることができる。
【０１５２】
Ｓ７０は終了ステップである。終了ステップでは使用者は基板処理装置１の運転を停止させ、再運転に向けた措置を行う。具体的には、使用者は基板処理装置１から発生されたアラームメッセージ等により、基板処理装置１の非正常状態を認知する。そして、非正常状態に対応する措置を行う。また、基板処理装置１の運転や処理停止している場合は、基板処理装置１の状況確認および原因調査を行い再運転に向けた措置を行う。
【０１５３】
上述の通り、基板処理装置１に電力が供給されていれば、基板処理装置１及び光電式センサシステム５はそれらの機能を発揮する。電力が供給された状態であれば、基板処理装置１及び光電式センサシステム５は第一投受光デバイスと第二投受光デバイスの対向設置をＢ接点により常時監視を維持することができる。
【０１５４】
正対向設置であれば、安全であることが認識でき、基板処理装置１の運転を継続させることができる。万が一、非正対向設置となった場合は基板処理装置１の運転中に異常が生じたと判断し、直ちに制御手段が行われるため、リスクを最小限に抑えることができる。また、閾値は基板処理装置１の状況により変更を行い、不必要なアラームや処理停止などが発生しないようにしてもよい。
【０１５５】
以上、本発明にかかる光電式センサシステム５について説明を行ったが、上述に限られるものではない。
【０１５６】
図１３は図７に示す光電式センサシステム５の変形例である。なお、上述と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。図７と比較しながら、以下に説明を行う。
【０１５７】
光電式センサシステム９は投光素子１０１と受光素子１０２を有する第一投受光デバイス１００と、投光素子１０４と受光素子１０５を有する第二投受光デバイス１０３と、センサ光源１２０と、光電変換部１３０と、光電制御部１４０を有する。
【０１５８】
変形例では第一投受光デバイス１００についての光ファイバーの接続は図７と同じであるが、第二投受光デバイス１０３についての光ファイバーの接続が異なる。異なる点は第二投受光デバイス１０３の投光素子１０４が光ファイバー５０１によりセンサ光源１２０に接続され、受光素子１０２が光ファイバー５０２により光電変換部１３０に接続される点である。
【０１５９】
変形例では、第一投受光デバイス１００も第二投受光デバイス１０３も光電変換部１３０に接続されているため、傾き等による光量の低下を個別に知ることができる。個別の光量を分析することによりセンサ光源１２０や光電変換部１４０以降に異常があるのか、または第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３の対向設置に異常があるのか等の原因調査を精密に行うことが可能となる。
【０１６０】
例えば、第一投受光デバイス１００の投光素子１０１と第二投受光デバイス１０３の受光素子１０５は正しく対向しているが、第二投受光デバイス１０３の投光素子１０４と第一投受光デバイス１００の受光素子１０２がずれている場合を検討する。
【０１６１】
変形例では第一投受光デバイス１００の投光素子１０１から第二投受光デバイス１０３の受光素子１０５へ照射された光線１１０の光量と、第二投受光デバイス１０３の投光素子１０４から第一投受光デバイス１００の受光素子１０２へ照射された光線１１２の光量とを、個別に知ることができる。
【０１６２】
そのため、照射される光線１１０と光線１１２の光量が同量であるが、受光素子１０２で受光される光量は受光素子１０５で受光された光量より低いことを知ることができる。各光線の光量を知ることにより原因箇所の絞込みができる。
【０１６３】
さらに第一投受光デバイス１００の投光素子１０１から第二投受光デバイス１０３の受光素子１０５へ照射された光線１１２の光量の電気信号が設定した閾値以上であればセンサ光源や光電変換部１４０以降に異常がないことが証明され、原因箇所を絞り込むことができる。
【０１６４】
図７の光電式センサシステム５においては、基板処理装置１の使用者は光線が伝播した最終的な光量しか知ることができない。最終的な光量のみの情報では、第一投受光デバイス１００と第二投受光デバイス１０３のずれによる光量低下が原因である場合を除き、その原因特定は容易でなく、対応に時間を要することとなる。それに対し、図１３の光電式センサシステム９では前述した通り、基板処理装置１の使用者は個別光量情報から原因箇所を容易に特定することができ、短時間で対応することが可能となる。
【０１６５】
以上より、本発明の光電センサシステムでは常時光線が投光した状態を監視すること説明した。これは、本発明の光電センサシステムがＢ接点で監視を行っていることを意味する。さらに、光線を２本使用しているため、一般的な光電センサで使用される１本の光線では許容される光量低下であっても、本発明の光電センサシステムは、光量低下が増長されるため、従来よりも高精度に検出を行う事ができる。
【０１６６】
そのため、基板処理装置で使用されるカバーや流体制御機構などの部材の設置に微小な傾きやずれが生じた場合であっても、検出を行うことができる。その結果、運転中に異常が生じた場合でもリスクを最小限に抑えることができる。
【０１６７】
なお、本発明はＢ接点での使用について述べてきたが、必要時のみ光線を投受光するＢ接点以外の方法で使用しても良く、使用方法はＢ接点のみに限られない。
【０１６８】
今回開示された実施の形態は例示であって、上記内容のみに限定されるものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１６９】
１        基板処理装置
２        処理セクション
３        インデクサセクション
４        ユーティリティーセクション
５        光電式センサシステム
６        トグル弁システム
７        カバー付き三方弁
８        処理ユニット
１６      装置制御部
１００    第一投受光デバイス
１０１    投光素子
１０２    受光素子
１０３    第二投受光デバイス
１０４    投光素子
１０５    受光素子
１０６−１０８  光ファイバー
１１０−１１３  光線
１２０    センサ光源
１３０    光電変換部
１４０    光電制御部
２００    取り外し可能カバー
３００    トグル弁本体
３０１    操作レバー
４００    三方弁本体
４０１    切替防止カバー
４０２    切替レバー
Ａ１      回転軸線
Ｐ        同一面
【図１】
2018010840.tif 000003
【図２】
2018010840.tif 000004
【図３】
2018010840.tif 000005
【図４】
2018010840.tif 000006
【図５】
2018010840.tif 000007
【図６】
2018010840.tif 000008
【図７】
2018010840.tif 000009
【図８】
2018010840.tif 000010
【図９】
2018010840.tif 000011
【図１０】
2018010840.tif 000012
【図１１】
2018010840.tif 000013
【図１２】
2018010840.tif 000014
【図１３】
2018010840.tif 000015