(57)【要約】【課題】低温で容易に安価で配線を作製しつつ、配線の酸化を抑制することができる配線作製方法を提供する。【解決手段】配線作製方法は、用意する工程と、塗布する工程と、配線３０を形成する工程と、照射する工程とを包含する。用意する工程において、インク１０とベース２０とを用意する。インク１０は、銅粒子および金属塩を含む。塗布する工程において、インク１０をベース２０に塗布する。インク１０を塗布したあと、配線３０を形成する工程において、インク１０を加熱して配線３０を形成する。照射する工程において、配線３０に光Ｌを照射する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅粒子および金属塩を含むインクとベースとを用意する工程と、
前記インクを前記ベースに塗布する工程と、
前記インクを塗布したあと、前記インクを加熱して配線を形成する工程と、
前記配線に光を照射する工程と
を包含する、配線作製方法。
【請求項２】
前記配線を形成する工程において、前記銅粒子の周りを前記金属塩から析出した金属が覆う、請求項１に記載の配線作製方法。
【請求項３】
前記配線を形成する工程において、前記インクを加熱する温度は、７０℃以上１４０℃以下である、請求項１または請求項２に記載の配線作製方法。
【請求項４】
前記配線を形成する工程において、前記インクを加熱する時間は、１分以上３０分以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線作製方法。
【請求項５】
前記金属塩は、銀塩である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線作製方法。
【請求項６】
前記銀塩は、有機銀塩である、請求項５に記載の配線作製方法。
【請求項７】
前記銀塩は、β−ケトカルボン酸銀塩である、請求項６に記載の配線作製方法。
【請求項８】
前記β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる銀の重量に対する前記銅粒子の重量の割合は、２以上２０以下である、請求項７に記載の配線作製方法。
【請求項９】
前記β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる銀の重量に対する前記銅粒子の重量の割合は、２以上７以下である、請求項８に記載の配線作製方法。
【請求項１０】
前記銅粒子の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の配線作製方法。
【請求項１１】
前記銅粒子の粒径は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１０に記載の配線作製方法。
【請求項１２】
前記光は可視光である、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の配線作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の配線材料として、銀ペーストが知られている。銀ペーストは、導電性を有する銀粒子を有機溶媒中に分散させたペーストである。しかし、銀は、イオンマイグレーション現象を引き起こし易い。イオンマイグレーション現象とは、絶縁物上に配線された金属の一部が絶縁物上を移動して配線の短絡を引き起こす現象である。また、銀は、高価であり、工業的に使用され難い。
【０００３】
そのため、銀ペーストの代わりとなる配線材料が検討されている。例えば、銅ペーストの利用が検討されている。銅ペーストに含有される銅粒子は、銀粒子に匹敵する電気抵抗率を有し、銀粒子と比較してイオンマイグレーション現象が引き起こされ難い。また、銅は、安価であり、工業的に使用し易い。
【０００４】
特許文献１には、基板上に銅ペーストを塗布し、銅ペーストを焼成することによって基板上に配線を形成することが記載されている。特許文献１に記載の配線作製方法は、第一の加熱工程と、第二の加熱工程とを含む。特許文献１に記載の配線作製方法では、第一の加熱工程において、銅ペースト中の銅粒子を酸化焼結し、第二の加熱工程において、酸化焼結された銅酸化物を還元している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−４６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の配線作製方法では、配線の作製中では銅酸化物を還元しているものの、配線作製後に大気中に配線がさらされることによって配線が酸化する可能性がある。さらに、特許文献１に記載の配線作製方法では、高温で銅ペーストの酸化焼結および銅酸化物の還元を行うため、耐熱性が低いフレキシブル基板の配線として銅ペーストを適用することが困難である。また、特許文献１に記載の配線作製方法では、還元雰囲気で配線の作製を行う必要があり、製造プロセスが複雑であり、高価な設備を必要とする。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は低温で容易に安価で配線を作製しつつ、配線の酸化を抑制することができる配線作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による配線作製方法は、用意する工程と、塗布する工程と、配線を形成する工程と、照射する工程とを包含する。前記用意する工程において、インクとベースとを用意する。前記インクは、銅粒子および金属塩を含む。前記塗布する工程において、前記インクを前記ベースに塗布する。前記インクを塗布したあと、配線を形成する工程において、前記インクを加熱して配線を形成する。前記照射する工程において、前記配線に光を照射する。
【０００９】
ある実施形態において、前記配線を形成する工程において、前記銅粒子の周りを前記金属塩から析出した金属が覆う。
【００１０】
ある実施形態において、前記配線を形成する工程において、前記インクを加熱する温度は、７０℃以上１４０℃以下である。
【００１１】
ある実施形態において、前記配線を形成する工程において、前記インクを加熱する時間は、１分以上３０分以下である。
【００１２】
ある実施形態において、前記金属塩は、銀塩である。
【００１３】
ある実施形態において、前記銀塩は、有機銀塩である。
【００１４】
ある実施形態において、前記銀塩は、β−ケトカルボン酸銀塩である。
【００１５】
ある実施形態において、前記β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる銀の重量に対する前記銅粒子の重量の割合は、２以上２０以下である。
【００１６】
ある実施形態において、前記β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる銀の重量に対する前記銅粒子の重量の割合は、２以上７以下である。
【００１７】
ある実施形態において、前記銅粒子の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００１８】
ある実施形態において、前記銅粒子の粒径は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００１９】
ある実施形態において、前記光は可視光である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、低温で容易に安価で配線を作製しつつ、配線の酸化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態の配線作製方法を示す模式図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、比較例の配線作製方法によって作製した配線の銅粒子の表面を示すＳＥＭ写真である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線の銅粒子の表面を示すＳＥＭ写真である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線の銅粒子の表面を示すＳＥＭ写真である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線の銅粒子の表面を示すＳＥＭ写真である。
【図６】本発明の実施形態による配線作製方法によって作製した配線のＸ線回折スペクトルを示す図である。
【図７】加熱時間に対する配線の抵抗値を示すグラフである。
【図８】加熱時間に対する配線の抵抗値を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【００２３】
図１を参照して本実施形態による配線作製方法の一例を説明する。図１（ａ）〜図１（ｄ）は、本実施形態の配線作製方法を示す模式図である。本実施形態の配線作製方法は、用意する工程と、塗布する工程と、配線３０を形成する工程と、照射する工程とを包含する。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、用意する工程において、インク１０とベース２０とを用意する。インク１０は、銅粒子と金属塩と溶剤とを含む。インク１０は、銅粒子と金属塩と溶剤とを、室温で混合することによって作製される。例えば、金属塩はイオン化して溶剤に溶解する。
【００２５】
銅粒子の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、銅粒子の粒径は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００２６】
金属塩は、有機塩、硝酸塩、炭酸塩または水酸化塩であってもよい。また、金属塩は、例えば、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、ロジウムおよびオスミウムからなる群から選択される１以上の金属塩であることが好ましく、金属塩の金属は、銀であることがより好ましい。すなわち、金属塩は、銀塩であることがより好ましい。また、銀塩は、有機銀塩であることが好ましく、銀塩は、β−ケトカルボン酸銀塩であることがより好ましい。β−ケトカルボン酸銀塩は、例えば、イソブチリル酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、アセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、α−メチルアセト酢酸銀、α−エチルアセト酢酸銀またはα−ｎ−ブチルアセト酢酸銀である。また、金属塩は、低温で分解することが好ましい。
【００２７】
β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる銀の重量に対する銅粒子の重量の割合は、２以上２０以下であることが好ましく、２以上７以下であることがより好ましい。例えば、β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる１ｇの銀の重量に対する銅粒子の重量の割合は、２ｇ以上２０ｇ以下であることが好ましく、２ｇ以上７ｇ以下であることがより好ましい。
【００２８】
溶剤は、例えば、アミン化合物とアルコールとを含む。また、溶剤は、金属塩の還元剤として作用してもよい。
【００２９】
アミン化合物は、例えば、２−フェニルエチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ヘキシルアミン、プロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ−メチルヘキシルアミン、１−ステアリルアミン、ジメチルオクタデシルアミン、メチルベンジルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミンである。
【００３０】
アルコールは、例えば、ｎ−ブチルアルコール、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ターピネオールである。
【００３１】
インク１０は、例えば、銅粒子とβ−ケトカルボン酸銀塩と２−エチルヘキシルアミンとｎ−ブチルアルコールとを室温で混合することによって作製される。
【００３２】
ベース２０は、例えば、フレキシブル基板またはガラス基板である。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、塗布する工程において、インク１０をベース２０に塗布する。インク１０は、印刷法によってベース２０に塗布される。印刷法は、例えば、オフセット印刷、スクリーン印刷またはインクジェット印刷である。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、インク１０を塗布したあと、配線３０を形成する工程において、インク１０を加熱して配線３０を形成する。詳しくは、インク１０が加熱されることによって、金属塩が分解され金属が粒子状に析出する。析出した金属は、銅粒子の周りに付着し銅粒子の周りを覆う。例えば、金属塩が、β−ケトカルボン酸銀塩である場合、温度６０℃からβ−ケトカルボン酸銀塩の分解が開始する。したがって、銅粒子が酸化する前に銅粒子の周りに銀が付着し銅粒子の周りを覆う。配線３０を形成する工程において、析出した金属は銅粒子の周りの全面を覆っておらず、銅粒子の表面には、金属で覆われていない隙間が所々に存在する。さらに、インク１０が加熱されることによって、インク１０の溶剤が蒸発する。例えば、配線３０を形成する工程は、大気中で行われる。
【００３５】
配線３０を形成する工程において、インク１０を加熱する温度は、例えば、７０℃以上１４０℃以下であることが好ましい。また、配線３０を形成する工程において、インク１０を加熱する時間は、例えば、１分以上３０分以下であることが好ましい。
【００３６】
次に、図１（ｄ）に示すように、照射する工程において、配線３０に光Ｌを照射する。光Ｌは、例えば、高出力のフラッシュ光源から照射される。光Ｌは、例えば、可視光である。照射する工程は、例えば、常温環境下の大気中で行われる。配線３０に光Ｌを照射することによって、銅粒子と金属との焼結が強化される。したがって、金属によって銅粒子の周りの全面を覆うことができる。その結果、銅粒子の酸化を抑制し、配線３０が酸化することを抑制することができる。さらに、銅粒子同士は、金属を介して結合し、銅粒子同士のネッキングを得ることができる。したがって、本実施形態の配線作製方法によって作製された配線３０では、電気抵抗率が５μΩｃｍ以上３０μΩｃｍ以下の低い値となる。
【００３７】
以上、図１を参照して説明したように、配線作製方法は、用意する工程と、塗布する工程と、配線３０を形成する工程と、照射する工程とを包含する。配線作製方法では、インク１０を加熱して配線３０を形成したあとに、配線３０に光Ｌを照射する。したがって、銅粒子と金属との焼結が強化される。その結果、銅粒子の酸化を抑制し、配線３０が酸化することを抑制することができる。
【００３８】
また、配線作製方法では、配線３０を形成する工程において、銅粒子の周りを金属塩から析出した金属が覆う。したがって、銅粒子の酸化を抑制し、配線３０が酸化することを抑制することができる。
【００３９】
また、配線作製方法では、配線３０を形成する工程において、インク１０を加熱する温度は、７０℃以上１４０℃以下である。したがって、耐熱性の低いフレキシブル基板上にも配線３０を行うことができる。
【００４０】
また、配線作製方法では、配線３０を形成する工程において、インク１０を加熱する時間は、１分以上３０分以下である。したがって、短時間で焼結を行うことができ、焼結時の銅粒子の酸化を抑制することができる。
【００４１】
また、配線作製方法では、金属塩は、銀塩である。したがって、配線３０を形成する工程において、銅粒子の周りを銀塩から析出した銀が覆う。その結果、銀ペーストを用いて配線を形成する場合に比べて、銀を使用する量を抑制し、配線３０を安価に作製することができる。
【００４２】
また、配線作製方法では、銀塩は、β−ケトカルボン酸銀塩である。β−ケトカルボン酸銀塩の分解は、温度６０℃から開始する。したがって、焼結時に銅粒子が酸化する前に銅粒子の周りに銀が付着し銅粒子の周りを覆うことができる。その結果、銅粒子の酸化を抑制し、配線３０が酸化することを抑制することができる。
【００４３】
図２〜図５を参照して、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０の銅粒子の表面について説明する。図２（ａ）および図２（ｂ）は、比較例の配線作製方法によって作製した配線の銅粒子の表面を示すＳＥＭ写真である。図３（ａ）〜図５（ｂ）は、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０の銅粒子の表面を示すＳＥＭ写真である。図２（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｂ）および図５（ｂ）は、それぞれ、図２（ａ）、図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）を拡大したＳＥＭ写真である。
【００４４】
図２〜図５に示した試料は、以下の手順で作製された。銅粒子とβ−ケトカルボン酸銀塩と２−エチルヘキシルアミンとｎ−ブチルアルコールとを室温で混合することによってインク１０を作製した。次に、インク１０をベース２０に塗布した。インク１０を塗布したあと、インク１０を加熱して配線３０を形成した。本実施形態では、加熱温度１４０℃、加熱時間１０分でインク１０を加熱して配線３０を作製した。
【００４５】
インク１０を加熱して配線３０を形成したあと、図２に示した比較例の試料では、配線３０に光照射を行わなかった。一方、図３〜図５に示した本実施形態の試料では、インク１０を加熱して配線３０を形成したあとに、配線３０に光を照射した。光を照射する強度は、図３に示した試料では２８９９ｍＪ／ｃｍ2、図４に示した試料では４４５９ｍＪ／ｃｍ2、図５に示した試料では５４２５ｍＪ／ｃｍ2である。
【００４６】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、比較例の銅粒子の表面には、析出した金属３２が、銅粒子の周りに付着し銅粒子の周りを覆っていることが確認できる。本実施形態では、金属３２は銀である。しかしながら、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、析出した金属３２は銅粒子の周りの全面を覆っておらず、銅粒子の表面には、金属３２で覆われていない隙間３４が所々に存在する。したがって、隙間３４から、酸素が銅粒子まで入っていき銅粒子が酸化する可能性がある。
【００４７】
また、析出した金属３２が銅粒子の周りを覆うものの、銅粒子の焼結には至らない。したがって、光照射を行っていない段階では、配線の抵抗が高い。さらに、銅配線の酸化も早い。抵抗値は、例えば、β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる１ｇの銀の重量に対する銅粒子の重量の割合が６．５ｇである場合、加熱して配線を形成した後の配線の抵抗値は、１．３×１０Ｅ6Ωであった。その後、配線を１８０℃の大気中の環境に置いた場合の、配線の抵抗値は、２．６×１０Ｅ6Ωであった。その後、配線を１８０℃の大気中の環境に４時間さらすと配線の抵抗値は、抵抗測定装置の測定範囲外まで高くなった。また、β−ケトカルボン酸銀塩に含まれる１ｇの銀の重量に対する銅粒子の重量の割合が１７．２ｇである場合、加熱して配線を形成した後の配線の抵抗値は、抵抗測定装置の測定範囲外であった。
【００４８】
一方、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、本実施形態の銅粒子の表面には、隙間３４が無くなっている。すなわち、金属３２によって銅粒子の周りの全面が覆われている。したがって、銅粒子の酸化を抑制し、配線３０が酸化することを抑制することができる。
【００４９】
また、本実施形態の銅粒子は、光照射を行うことによって銅粒子が焼結される。したがって、配線３０の抵抗を低くすることができる。また、配線３０を１８０℃の大気中の環境に長時間さらしたとしても、配線３０の抵抗値はほとんど増加しない。
【００５０】
また、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、図３（ａ）および図３（ｂ）と同様に本実施形態の銅粒子の表面には、隙間３４が無くなっている。すなわち、金属３２によって銅粒子の周りの全面が覆われている。また、図４（ａ）に示すように、図４（ａ）に示した試料では、図３（ａ）に示した試料に比べて光を照射する強度が強いため、図４（ａ）に示した試料では、図３（ａ）に示した試料に比べて銅粒子と金属との焼結がより強化されていることが確認できた。したがって、銅粒子の酸化を抑制し、配線３０が酸化することを抑制することができる。
【００５１】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示した試料では、図３（ａ）および図４（ａ）に示した試料に比べて光を照射する強度がさらに強い。したがって、図５（ａ）に示すように、図５（ａ）および図５（ｂ）に示した試料では、金属３２が溶融し、銅粒子３６が一部露出している。
【００５２】
図３（ａ）〜図５（ｂ）に示すように、光照射のエネルギーが強くなるにつれ、銀が完全に銅粒子の周りを覆うコアシェル構造が形成される。したがって、銅粒子の酸化を保護する銀が一体的につらなり、銅粒子同士が結合する。
【００５３】
図６を参照して本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０のＸ線回折の結果を説明する。図６は、本発明の実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０のＸ線回折スペクトルを示す図である。図６において、横軸は回折角を示し、縦軸は、回折強度（任意単位）を示す。
【００５４】
データＬ１は、配線３０に光照射をしなかった場合のＸ線回折スペクトルのデータを示す。データＬ２、データＬ３、データＬ４、データＬ５、データＬ６およびデータＬ７は、それぞれ、強度２３０５ｍＪ／ｃｍ2、２８９９ｍＪ／ｃｍ2、３６１６ｍＪ／ｃｍ2、４４５９ｍＪ／ｃｍ2、５４２５ｍＪ／ｃｍ2および６５１３ｍＪ／ｃｍ2で配線３０に光を照射した場合のＸ線回折スペクトルのデータを示す。
【００５５】
Ｐ１はデータＬ４におけるＣｕ（２００）に対応するブラッグ角を示す。Ｐ２はデータＬ７におけるＣｕ（２００）に対応するブラッグ角を示す。Ｐ３はデータＬ４におけるＡｇ（１１１）に対応するブラッグ角を示す。Ｐ４はデータＬ７におけるＡｇ（１１１）に対応するブラッグ角を示す。
【００５６】
図６に示すように、配線３０に光を照射する強度を強くするにしたがって、Ａｇ（１１１）、Ｃｕ（１１１）、Ａｇ（２００）およびＣｕ（２００）の回折ピークがシフトしている。例えば、データＬ４ではＣｕ（２００）の回折ピークＰ１は５０．４３３°であったが、データＬ７ではＣｕ（２００）の回折ピークＰ２は５０．０９１°にシフトしている。また、データＬ４ではＡｇ（１１１）の回折ピークＰ３は３８．１１６°であったが、データＬ７ではＡｇ（１１１）の回折ピークＰ４は３８．７９１°にシフトしている。
【００５７】
Ａｇ（１１１）、Ｃｕ（１１１）、Ａｇ（２００）およびＣｕ（２００）の回折ピークがシフトしているのは、銀が銅の表面に溶けていることが原因であると考えられる。すなわち、配線３０を光照射することによって銀と銅とが合金化していると考えられる。
【００５８】
図７および図８を参照して本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０の酸化防止実験の結果を説明する。図７および図８は、加熱時間に対する配線３０の抵抗値を示すグラフである。図７および図８において、横軸は加熱時間を示し、縦軸は、抵抗値を示す。
【００５９】
図７は、配線３０を１８０℃の大気中の環境にさらした結果を示すグラフである。図７において、データＬ１１は、純銅の抵抗値のデータを示す。図７において、データＬ１２、Ｌ１３およびＬ１４は、インク１０に含まれる銅粒子の重量（以下、銅重量と記載する）と、インク１０に含まれるβ−ケトカルボン酸銀塩に含まれる銀の重量（以下、銀重量と記載する）との比が、それぞれ、６．５（Ｃｕ）：１（Ａｇ）、４．０（Ｃｕ）：１（Ａｇ）、２．３（Ｃｕ）：１（Ａｇ）の抵抗値のデータを示す。
【００６０】
図８は、配線３０を２００℃の大気中の環境にさらした結果を示すグラフである。図８において、データＬ２１は、純銅の抵抗値のデータを示す。図８において、データＬ２２、Ｌ２３、Ｌ２４およびＬ２５は、銅重量と銀重量との比が、それぞれ、１７．２（Ｃｕ）：１（Ａｇ）、６．５（Ｃｕ）：１（Ａｇ）、４．０（Ｃｕ）：１（Ａｇ）、２．３（Ｃｕ）：１（Ａｇ）の抵抗値のデータを示す。
【００６１】
図７のデータＬ１２、Ｌ１３およびＬ１４に示すように、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０では、時間が経過しても抵抗値がほとんど増加しない。すなわち、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０では、配線３０の酸化が抑制されていることが確認できる。
【００６２】
一方、図７のデータＬ１１に示すように、純銅では、加熱時間が長くなるにつれて、抵抗値が急激に増加する。すなわち、純銅では、加熱時間の増加とともに純銅の酸化が急激に進むことが確認できる。
【００６３】
また、図８のデータＬ２３、Ｌ２４およびＬ２５に示すように、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０では、加熱時間が増加しても抵抗値がほとんど増加しない。すなわち、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０では、配線３０の酸化が抑制されていることが確認できる。
【００６４】
また、図８のデータＬ２２に示すように、銀重量に対する銅重量が増加すると、加熱時間の増加とともに若干の抵抗値の増加はみられるものの、配線３０の酸化が抑制されていることが確認できる。
【００６５】
一方、図８のデータＬ２１に示すように、純銅では、加熱時間が増加するにつれて、抵抗値が急激に増加する。すなわち、純銅では、加熱時間の増加とともに純銅の酸化が急激に進むことが確認できる。
【００６６】
以上、図７および図８を参照して説明したように、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０では、高温の環境にさらされた場合であっても、時間が経過しても抵抗値がほとんど増加しない。すなわち、本実施形態による配線作製方法によって作製した配線３０では、配線３０の酸化が抑制されていることが確認できる。
【００６７】
以上、図面（図１〜図８）を参照しながら本発明の実施形態を説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は、図面作成の都合上から実際とは異なる。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１０    インク
２０    ベース
３０    配線
３６    銅粒子
Ｌ      光
【図１】
2018152225.tif 000003
【図２】
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【図３】
2018152225.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018152225.tif 000009
【図８】
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