(57)【要約】      （修正有）【課題】バルク音響波共振装置の空孔を形成する方法を提供する。【解決手段】まず、化合物半導体基板１３上に犠牲エピタキシャルメサ構造を形成し、次に、その犠牲エピタキシャルメサ構造および化合物半導体基板上に絶縁層１１を形成し、続いて、化学機械研磨工程を用い、その絶縁層１１を研磨して研磨表面４１を形成し、最後に、その研磨表面層４１上にバルク音響波共振構造３を形成する。この最後のステップは、更に、次のステップから構成される。すなわち、研磨表面４１上に底部電極層３０を形成し、その上に圧電層３１を形成し、その上に上部電極層３２を形成する。ただし、バルク音響波共振構造３は、犠牲エピタキシャルメサ構造の上に位置する。さらに、犠牲エピタキシャルメサ構造をエッチングして、バルク音響波共振構造３の下に位置する空孔４０を形成する。【選択図】図１Ｆ
2018110367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステップA1、ステップA2、ステップA3、ステップA4、および、ステップA５から構成され、
前記ステップA1において、犠牲エピタキシャルメサ構造を、化合物半導体基板上に形成し、
前記ステップA2において、絶縁層を、前記犠牲エピタキシャルメサ構造および前記化合物半導体基板の上に形成し、
前記ステップA3において、化学機械研磨工程を用いて前記絶縁層を研磨し、研磨表面を形成し、
前記ステップA4において、前記研磨表面上にバルク音響波共振構造を形成し、前記バルク音響波共振構造が、前記犠牲エピタキシャルメサ構造の上に位置し、
更に、前記ステップA4が、ステップA41、ステップA42、およびステップA43から構成され、
前記ステップA41において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、
前記ステップA42において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、
前記ステップA43において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、
前記ステップA5において、前記犠牲エピタキシャルメサ構造をエッチングして空孔を形成し、前記空孔が前記バルク音響波共振構造の下に位置する、
ことを特徴とするバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。
【請求項２】
前記ステップA3において、前記犠牲エピタキシャルメサ構造が前記絶縁層の下に隠れたままになる程度に、前記絶縁層を研磨し、前記底部電極層および前記犠牲エピタキシャルメサ構造の間の、前記絶縁層が、周波数調整構造を形成し、前記周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記バルク音響波共振構造は一定の共振周波数を有し、ゆえに前記周波数調整構造の前記膜厚を調整することによって、前記バルク音響波共振構造の前記共振周波数を調律することが可能となる、
ことを特徴とする請求項１記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。
【請求項３】
前記空孔を形成する方法は、更に、前記化合物半導体基板上に底部エッチングストップ層を形成し、前記犠牲エピタキシャルメサ構造が、前記底部エッチングストップ層上に形成され、前記エピタキシャルメサ構造が、犠牲エピタキシャル層からなる、
ことを特徴とする請求項１記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。
【請求項４】
（１）前記化合物半導体基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInGaPからなり、あるいは（２）前記化合物半導体基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInPからなる、
ことを特徴とする請求項３記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。
【請求項５】
前記犠牲エピタキシャル層が一定の膜厚を有し、前記犠牲エピタキシャル層の前記膜厚が、５０ナノメートルから５０００ナノメートルの間であり、前記底部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記底部エッチングストップ層の前記膜厚が、２０ナノメートルから５００ナノメートルの間である、
ことを特徴とする請求項３記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。
【請求項６】
ステップB1、ステップB2、ステップB3、ステップB4、および、ステップB５から構成され、
前記ステップB1において、基板上に複数の犠牲メサ構造を形成し、前記複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造から構成され、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造の高さが、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の高さより大きく、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が第一の高低差を有し、
前記ステップB２において、前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成し、
前記ステップB3において、化学機械研磨工程を用いて、前記絶縁層を研磨して研磨表面を形成し、
前記ステップB4において、前記研磨表面上に複数のバルク音響波共振構造を形成し、前記複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一の音響波共振構造および少なくとも一つの第二の音響波共振構造から構成され、前記少なくとも一つの第一の音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二の音響波共振構造が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置し、
前記ステップB4は、更に、ステップB41,ステップB42,およびステップB43から構成され、
前記ステップB41において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、
前記ステップB42において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、
前記ステップB43において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、
前記ステップB５において、前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成し、前記複数の空孔が、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置し、
前記ステップB3において、
（１）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記絶縁層の下に隠れたままになる程度に、前記絶縁層を研磨し、よって、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記絶縁層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が前記第一の高低差に等しく、
あるいは、（２）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記絶縁層の下に隠れたままになる程度に前記絶縁層を研磨し、よって、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記絶縁層が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が前記第一の高低差に等しく、
前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造が、第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差が前記第一の高低差に相関し、前記第一の高低差を調整することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる、
ことを特徴とするバルク音響フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項７】
前記基板が半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造が、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる、
ことを特徴とする請求項６記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項８】
前記基板が化合物半導体基板であり、前記ステップB1が、ステップB11、ステップB12、および、ステップB13より構成され、
前記ステップB11において、前記基板上に犠牲構造を形成し、前記犠牲構造が、犠牲エピタキシャル層から構成され、
前記ステップB12において、前記複数の犠牲メサ構造が同じ高さを有するように、前記犠牲構造をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成し、
前記ステップB13において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングし、あるいは、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする、
ことを特徴とする請求項７記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項９】
前記犠牲構造が、更に、第一のエッチングストップ層および第一の微調整層から構成され、前記犠牲エピタキシャル層が、前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層が、前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層が、一定の膜厚を有し、
前記ステップB13において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングし、ゆえに、前記第一の高低差が、前記第一の微調整層の前記膜厚によって決まる、
ことを特徴とする請求項８記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１０】
（１）前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がAlAsあるいはInGaPからなり、前記第一の微調整層がGaAsからなり、
あるいは、（２）前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がInPからなり、前記第一の微調整層がInGaAsからなる、
ことを特徴とする、請求項９記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１１】
前記第一の微調整層の前記膜厚が、１ナノメートルから３００ナノメートルの間であり、前記第一のエッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記第一のエッチングストップ層の前記膜厚が、１ナノメートルから５０ナノメートルの間である、
ことを特徴とする請求項９記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１２】
前記周波数調整方法が、更に、複数のステップから構成され、前記基板上に底部エッチングストップ層を形成し、前記底部エッチングストップ層上に前記犠牲構造が形成され、前記犠牲エピタキシャル層が一定の膜厚を有し、前記犠牲エピタキシャル層の前記膜厚が、５０ナノメートルから５０００ナノメートルの間であり、前記底部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記底部エッチングストップ層の前記膜厚が、２０ナノメートルから５００ナノメートルの間であり、
（１）前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInGaPからなり、
（２）前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInPからなる、
ことを特徴とする、請求項８記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１３】
ステップC1、ステップC2、ステップC3、ステップC4、ステップC5、および、ステップC6から構成され、
前記ステップC1において、基板上に複数の犠牲メサ構造を形成し、前記複数の犠牲メサ構造が同じ高さを有し、前記複数の犠牲メサ構造が、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造から構成され、
前記ステップC2において、前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成し、
前記ステップC3において、前記複数の犠牲メサ構造が露わになるよう、前処理の化学機械研磨工程を用いて、前記絶縁層を研磨し、
前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングし、あるいは、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングし、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造の高さが、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の高さより大きく、
前記ステップC5において、複数のバルク音響波共振構造を形成し、前記複数のバルク音響波共振構造が、少なくとも一つの第一の音響波共振構造および少なくとも一つの第二の音響波共振構造から構成され、前記少なくとも一つの第一の音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二の音響波共振構造が、それぞれ、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置し、
（ａ）前記ステップC5が、ステップC51、ステップC52、ステップC53、ステップC54、および、ステップC55から構成され、
前記ステップC51において、前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層上に第二の研磨層を形成し、前記研磨層が絶縁体からなり、
前記ステップC52において、（１）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第二の研磨層の下に隠れるように、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が、前記第一の高低差に等しく、あるいは、（２）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第二の研磨層の下に隠れるように、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造、および、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一の高低差に等しく、
前記ステップC53において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、
前記ステップC54において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、
前記ステップC55において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、
（ｂ）拡張面が前記前処理研磨表面と同一であり、前記ステップC5が、ステップC51’、ステップC52’、ステップC53’、ステップC54’、および、ステップC55’から構成され、
前記ステップC51’において、前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層上に第二の研磨層を形成し、前記第二の研磨層が、金属および合金よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなり、
前記ステップC52’において、前記複数の犠牲メサ構造が前記第二の研磨層の下に隠れたままになる程度に、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨して研磨表面を形成し、
前記ステップC53’において、前記第二の研磨層をパターニイングし、（１）前記ステップC4において、前記少なくとも第二の犠牲メサ構造をエッチングし、
前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、
前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、
前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、
前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が前記第一の高低差に等しく、
あるいは、（２）前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造がエッチングされ、
前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、
前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、
前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、
前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、
前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一の高低差に等しく、
前記ステップC54’において、前記研磨表面上に圧電層を形成し、
前記ステップC55’において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、
あるいは、
（ｃ）前記ステップC5が、ステップC51''、ステップC52''、ステップC53''、ステップC54''、ステップC55''、および、ステップC56''から構成され、
前記ステップC51''において、前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層上に第二の研磨層を形成し、前記第二の研磨層が、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなり、
前記ステップC52''において、（１）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第二の研磨層の下に隠れたままになる程度に、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、
ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、
前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が、前記第一の高低差に等しく、
あるいは、（２）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第二の研磨層の下に隠れたままになる程度に、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、
ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、
前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一の高低差に等しく、
前記ステップC53''において、前記第二の研磨層をパターニングし、
前記ステップC54''において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、
前記ステップC55''において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、
前記ステップC56''において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、
前記ステップC6において、前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成し、前記複数の空孔が、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置し、
前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造が、第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差が、前記第一の高低差に相関し、ゆえに、前記第一の高低差を調整することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる、
ことを特徴とするバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１４】
前記基板が半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造が、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料である、
ことを特徴とする請求項１３記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１５】
前記基板が、化合物半導体基板であり、前記ステップC1が、ステップC11およびステップC12より構成され、
前記ステップC11において、前記基板上に犠牲構造を形成し、前記犠牲構造が犠牲エピタキシャル層で構成され、
前記ステップC12において、前記犠牲構造をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成し、前記複数の犠牲メサ構造が同じ高さを有する、
ことを特徴とする請求項１４記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１６】
（１）前記犠牲構造が、更に、第一のエッチングストップ層および第一の微調整層から構成され、前記犠牲エピタキシャル層が前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層が前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層が前記第一のエッチングストップ層上に形成され、前記第一の微調整層が一定の膜厚を有し、前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の第一の微調整層をエッチングし、ゆえに、前記第一の高低差が、前記第一の微調整層の前記膜厚によって決まり、
あるいは、（２）前記犠牲構造が、更に、第一のエッチングストップ層、第一の微調整層、および上部エッチングストップ層から構成され、前記犠牲エピタキシャル層が前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層が前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層が前記第一のエッチングストップ層上に形成され、前記上部エッチングストップ層が前記第一の微調整層上に形成され、前記第一の微調整層が一定の膜厚を有し、
前記ステップC4が、ステップC41およびステップC42から構成され、
前記ステップC41において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記上部エッチングストップ層をエッチングし、
前記ステップC42において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングし、ゆえに、前記第一の高低差が、前記第一の微調整層の前記膜厚で決まる、
ことを特徴とする請求項１５記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１７】
（１）前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がAlAsあるいはInGaPからなり、前記第一の微調整層がGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層がInGaPからなり、
あるいは（２）前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がInPからなり、前記第一の微調整層がInGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層がInPからなる、
ことを特徴とする、請求項１６記載の、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１８】
前記第一の微調整層の前記膜厚が、１ナノメートルから３００ナノメートルの間であり、前記第一のエッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記第一のエッチングストップ層の前記膜厚が、１ナノメートルから５０ナノメートルの間であり、前記上部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記上部エッチングストップ層の前記膜厚が、５０ナノメートルから３００ナノメートルの間である、
ことを特徴とする請求項１６記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項１９】
前記周波数調整方法が、更に、複数のステップから構成され、前記基板上に底部エッチングストップ層を形成し、前記底部エッチングストップ層上に前記犠牲構造を形成し、前記犠牲エピタキシャル層が一定の膜厚を有し、前記犠牲エピタキシャル層の前記膜厚が、５０ナノメートルから５０００ナノメートルであり、前記底部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記底部エッチングストップ層の前記膜厚が、２０ナノメートルから５００ナノメートルの間であり、（１）前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInGaPからなり、あるいは（２）前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInPからなる、
ことを特徴とする請求項１５記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項２０】
前記ステップC51’において、前記第二の研磨層が、Ru、Ti、Mo、Pt、Au、Al、および、Wからなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる、
ことを特徴とする請求項１３記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。
【請求項２１】
基板上に絶縁層が形成され、前記絶縁層が複数の空孔を有し、
複数のバルク音響波共振構造が、それぞれ前記複数の空孔の上に位置し、
前記複数の音響波共振構造が、第一のバルク音響波共振構造および第二のバルク音響波共振構造より構成され、前記複数の空孔が、第一の空孔および第二の空孔より構成され、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造が、それぞれ前記第一の空孔および前記第二の空孔の上に位置し、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造が、第一の共振周波数差を有し、
前記複数のバルク音響波共振構造が、それぞれ、
拡張面上に形成された底部電極層、
前記底部電極層上に形成された圧電層、
前記圧電層上に形成された上部電極層、
および、周波数調整構造から構成され、
前記周波数調整構造が、構造A、構造B、および、構造Cの内の一つを有し、
前記構造Aにおいて、前記絶縁層が研磨上部表面を有し、前記拡張面が、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一であり、前記第二のバルク音響波共振構造が第二の周波数調整構造を有し、前記第二の周波数調整構造が、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層および前記第二の空孔の間に、形成され、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記膜厚が、前記第一のバルク音響波調整構造および前記第二のバルク音響波調整構造の前記第一の共振周波数差に相関し、
前記構造Bにおいて、前記絶縁層が研磨上部表面を有し、前記拡張面が、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一であり、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造が、それぞれ、第一の周波数調整構造および第二の周波数調整構造を有し、前記第一の周波数調整構造が、前記拡張面の下、かつ、前記第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層および前記第一の空孔の間に、形成され、前記第二の周波数調整構造が、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の底部電極層および第二の空孔の間に、形成され、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差と相関し、
前記構造Cにおいて、第二の研磨層が、前記絶縁層および前記複数の空孔上に形成され、前記第二の研磨層が、研磨上部表面を有し、前記拡張面が、前記第二の研磨層の前記研磨上部表面と同一であり、前記拡張面の下、かつ、前記第一のバルク音響波共振構造の底部電極層および前記第一の空孔の間に位置する前記第二の研磨層が、前記第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、
前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の底部電極層および前記第二の空孔の間に位置する前記第二の研磨層が、前記第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、
前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差と相関する、
ことを特徴とするバルク音響波フィルター。
【請求項２２】
前記基板が半導体基板である、
ことを特徴とする請求項２１記載のバルク音響波フィルター。
【請求項２３】
前記第一の周波数調整構造が、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなり、前記第二の周波数調整構造が、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる、
ことを特徴とする請求項２１記載のバルク音響波フィルター。
【請求項２４】
前記第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層が、同じ材料からなり、前記第二の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層が、同じ材料からなる、
ことを特徴とする請求項２１記載のバルク音響波フィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法に関する。特に、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための高精度周波数調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５Ａから図５Ｄの断面図を参照しながら、従来技術によるバルク音響波フィルターのための製造方法の各ステップを説明する。図５Ａでは、シリコン基板７５の上表面をエッチングすることによって窪み７４および窪み７４’を形成する。シリコン基板７５上に犠牲層７７を形成した後、化学機械研磨（CMP）で犠牲層７７を磨き、シリコン基板７５の上表面から犠牲層７７を取り除き、図５Ｂのような構造を形成する。ここで、窪み７４および窪み７４’が犠牲層７７で埋められる。図５Ｃでは、シリコン基板７５の表面上に第一のバルク音響波共振構造７０と第二のバルク音響波共振構造７０’を形成する。ただし、第一の音響波共振構造７０および第二の音響波共振構造７０’は、それぞれ同じ厚さの底部電極７１と同じ厚さの圧電層７２を有し、また、それぞれ上部電極７３および上部電極７３’を有する。ただし、上部電極７３の膜厚は、上部電極７３’の膜厚とは異なる。上部電極７３および上部電極７３’は、膜厚差７６を有する。図５Ｄでは、窪み７４および７４’に埋め込められた犠牲層７７がエッチングされ、窪み７４および７４’が、それぞれ第一の音響波共振構造７０と第二の音響波共振構造７０’の二つの空孔を形成する。上部電極７３’が上部電極７３より厚いので、第二のバルク共振構造７０’の共振周波数が第一のバルク音響波共振構造７０の共振周波数より低い。第一のバルク音響波共振構造７０および第二のバルク音響波共振構造７０’は互いに異なる共振周波数を有し、その共振周波数差は前記膜厚差７６と相関している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上部電極７３および７３’の膜厚差７６を調節することによって、第一のバルク音響波共振構造７０および第二のバルク音響波共振構造７０’の共振周波数差を調律することは、基本的に、第一のバルク音響波共振構造７０と第二のバルク音響波共振構造７０’の間の構造的相違から共振周波数差の調律することと同意である。ただし、これは、第一のバルク音響波共振構造７０および第二のバルク音響波共振構造７０’の製造を複雑にし、第一のバルク音響波共振構造７０および第二のバルク音響波共振構造７０’の性能特性に影響を与えてしまう。
【０００４】
したがって、本願は、上記欠点を避け、デバイス特性を大幅に向上し、経済性も加味した新構造を開発したものである。よって、ここに本願を発明提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記問題を解決し期待される効果をえるため、本願は次のステップからなるバルク音響波共振装置のための空孔製造方法を提案する。
ステップA1:化合物半導体基板上に犠牲エピタキシャルメサ構造を形成する。
ステップA2：前記犠牲エピタキシャルメサ構造および前記化合物半導体基板上に絶縁層を形成する。
ステップA3：化学機械研磨プロセスで前記絶縁層を研磨して研磨表面を形成する。
ステップA4：前記研磨表面上にバルク音響波共振構造を形成する。ただし、バルク音波共振装置構造は前記犠牲エピタキシャルメサ構造の上に位置する。
前記ステップA4は、更に次のステップ（A41-A43）からなる。
ステップA41：前記研磨表面上に下部電極層を形成する。
ステップA42：前記下部電極層上に圧電層を形成する。
ステップA43：前記圧電層上に上部電極を形成する。
そしてステップA5：前記犠牲エピタキシャルメサ構造をエッチングし、空孔を形成する。ただし、前記空孔は前記バルク音響波共振構造の下に位置する。
【０００６】
ある実施形態においては、前記ステップA3で絶縁層を削る際前記犠牲エピタキシャルメサ構造を露わにしない。この場合、底部電極層と犠牲エピタキシャルメサ構造の間の絶縁層が周波数調整構造を形成し、前記周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記バルク音響波共振構造は共振周波数を有し、ゆえに前記周波数調整構造の膜厚を調整することによって前記バルク音響波共振構造の共振周波数を調律することが可能となる。
【０００７】
ある実施形態において、更に次のステップから構成される。前記化合物半導体基板上に底部エッチングストップ層を形成し、その上に前記犠牲エピタキシャルメサ構造を形成し、前記犠牲エピタキシャルメサ構造は犠牲エピタキシャル層からなる。
【０００８】
ある実施形態において、（１）前記化合物半導体基板はGaAsからなる。前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなる。前記底部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは、（２）前記化合物半導体基板はInPからなる。前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなる。前記底部エッチングストップ層はInPからなる。
【０００９】
ある実施形態において、前記犠牲エピタキシャルメサ構造は一定の膜厚を有し、その膜厚は５０ナノメートルから５０００ナノメートルの間である。前記底部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は２０ナノメートルから５００ナノメートルである。
【００１０】
加えて本願は、次のステップを含む、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を更に提供する。
ステップB1：基板上に複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造とから構成される。また、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造は、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造より高い。また、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造は、第一の高低差を有する。
ステップB2：前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成する。
ステップB3：前記絶縁層を化学機械研磨工程で研磨し、研磨表面を形成する。
ステップB4：前記研磨表面上に複数のバルク音響波共振構造を形成する。ただし、前記複数のバルク音響波共振構造は少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造と少なくとも第二のバルク音響波共振構造とから構成される。前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造と前記少なくとも第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置する。
前記ステップB4は、更に次のステップ（B41-B43）から構成される。
ステップB41：前記研磨表面上に底部電極層を形成する。
ステップB42：前記底部電極層上に圧電層を形成する。
ステップB43：前記圧電層上に上部電極層を形成する。
ステップB5：前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして、複数の空孔を形成する。ただし、前記複数の空孔は、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置する。
前記ステップB3において、前記絶縁層を研磨し、（１）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造を露わにし、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造を露わにせず（前記絶縁層の下に隠れたままにする）、ゆえに、前記研磨表面下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する絶縁層が前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚は前記第一の高低差と等しい。あるいは（２）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造を剥離せず、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造と前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する絶縁層が、それぞれ前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造と、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差と等しい。また、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造は第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差は前記第一の高低差に相関する。ゆえに前記第一の高低差を調整することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる。
【００１１】
ある実施形態では、基板は半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造は、金属、合金、およびエピタキシャル構造からなるグループから選ばれた少なくとも一つの材料からなる。
【００１２】
ある実施形態では、基板は化合物半導体基板であり、前記ステップB1は次のステップからなる。
ステップB11：基板上に犠牲構造を形成する。ただし、前記犠牲構造は犠牲エピタキシャル層からなる。
ステップB12：前記犠牲構造をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造は同じ高さを持っている。
ステップB13：前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。あるいは、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。
【００１３】
ある実施形態では、更に犠牲構造は第一のエッチングストップ層と第一の微調整層から構成される。ここで、前記犠牲エピタキシャル層は前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層は前記犠牲エピタキシャル層の上に形成され、前記第一の微調整層は前記第一のエッチングストップ層の上に形成される。ただし、前記第一の微調整層は一定の膜厚を有する。ここでステップB13では、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングする。ゆえに、前記第一の高低差は、前記第一の微調整層の膜厚によって決まる。
【００１４】
ある実施形態では、（１）前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はAlAsかInGaPからなり、前記第一の微調整層はGaAsからなり、あるいは、（２）前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はInPからなり、前記第一の微調整層はInGaAsからなる。
【００１５】
ある実施形態では、前記第一の微調整層の膜厚が1ナノメートルから３００ナノメートルであり、前記第一のエッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は１ナノメートルから５０ナノメートルである。
【００１６】
ある実施形態では、更に次のステップを含む。前記基板上に下部エッチングストップ層を形成し、前記犠牲構造をその上に形成する。ここで、前記犠牲エピタキシャル層は一定の膜厚を有し、その膜厚は５０ナノメートルから５０００ナノメートルである。また、前記底部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は２０ナノメートルから５００ナノメートルである。ただし、（１）前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは、（２）前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInPからなる。
【００１７】
加えて本願は、更に次のステップからなる、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を提供する。
ステップC1：基板上に、犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造の高さは等しい。また、前記複数の犠牲メサ構造は少なくともひとつの第一の犠牲メサ構造と少なくともひとつの第二の犠牲メサ構造とからなる。
ステップC2：前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成する。
ステップC3：前処理の化学機械研磨工程で前記絶縁層を研磨して前処理研磨表面を形成し、前記複数の犠牲メサ構造を露わにする。
ステップC4：前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が第一の高低差を有するように、両者あるいは前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。ただし、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造の高さが、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の高さより大きくなるようにする。
ステップC5：複数のバルク音響波共振構造を形成する。ただし、前記複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造から構成される。ここで、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置する。ただし、(a)前記ステップC5は次のステップにより構成される。
ステップC51：前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層の上に、第二の研磨層を形成する。ただし、前記第二の研磨層は絶縁体からなる。
ステップC52：前記第二の研磨層を化学機械研磨工程で研磨して研磨表面を形成する。ここで、（１）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造は露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造は露わにならない（前記第二の研磨層の下に隠れる）。ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、その膜厚は前記第一の高低差に等しい。あるいは、（２）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造は露わにならない（前記第二の研磨層の下に隠れる）。ゆえに前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、それぞれ前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差に等しい。
ステップC53：前記研磨層上に底部電極層を形成する。
ステップC54：前記底部電極層の上に圧電層を形成する。
ステップC55：前記圧電層の上に上部電極層を形成する。
(b）拡張面が前記前処理研磨表面と一致し、前記ステップC5は次のステップに分割される。
ステップC51'：前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層の上に第二の研磨層を形成する。ただし、前記第二の研磨層は、金属と合金からなるグループから選ばれる少なくとも一つの材料からなる。
ステップC52'：前記複数の犠牲メサ構造が露わにならない（前記第二の研磨層の下に隠れる）程度に化学機械研磨工程で前記第二の研磨層を研磨し、研磨表面を形成する。
ステップC53'：前記第二の研磨層をパターニングし、前記ステップC4において（１）前記少なくとも第二の犠牲メサ構造をエッチングする。ただし、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面の上前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。ただし、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。ここで、前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記膜厚は前記第一の高低差に等しい。あるいは、（２）前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。ただし、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二バルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差に等しい。
ステップC54'：前記研磨表面上に圧電層を形成する。
ステップC55'：前記圧電層上に上部電極層を形成する。
あるいは、（ｃ）前記ステップC5は次のステップから構成される。
ステップC51''：前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層の上に第二の研磨層を形成する。ただし、前記第二の研磨層は、金属、合金、および絶縁体からなるグループより選択された少なくとも一つの材料よりなる。
ステップC52''：（１）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が露わにならないよう（前記第二の研磨層の下に隠れるよう）、化学機械研磨工程によって前記第二の研磨層を研磨する。ゆえに前記研磨層の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の膜厚は前記第一の高低差に等しい。あるいは、（２）前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の両方が露わにならないよう（前記第二の研磨層の下に隠れるよう）、化学機械研磨工程によって前記第二の研磨層を研磨する。ゆえに前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、それぞれ前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差に等しい。
ステップC53''：前記第二の研磨層をパターニングする。
ステップC54''：前記研磨表面上に底部電極層を形成する。
ステップC55''：前記底部電極層上に圧電層を形成する。
ステップC56''：前記圧電層上に上部電極層を形成する。
ステップC6：前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成する。ただし、前記複数の空孔は、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置する。
前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造は、第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差は前記第一の高低差に相関する。ゆえに前記第一の高低差を調節することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる。
【００１８】
ある実施形態において、前記基板は半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択する少なくとも一つの材料からなる。
【００１９】
ある実施形態において、前記基板は化合物半導体であり、前記ステップC1は次のステップより構成される。
ステップC11：前記基板上に犠牲層を形成する。ただし、前記犠牲層は犠牲エピタキシャル層からなる。
ステップC12：前記犠牲層をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する。
【００２０】
ある実施形態において、（１）前記犠牲層は更に第一のエッチングストップ層および第一の微調整層からなる。ただし、前記犠牲エピタキシャル層は前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層は前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層は前記第一のエッチングストップ層上に形成される。ここで、前記第一の微調整層は一定の膜厚を有する。前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一のメサ構造および前記少なくとも一つの第二のメサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングする。こうして前記第一の高低差は前記第一の微調整層の膜厚によって決まる。あるいは（２）、前記犠牲構造は更に第一のエッチングストップ層、第一の微調整層、および上部エッチングストップ層からなる。ただし、前記犠牲エピタキシャル層は前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層は前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層は前記第一のエッチングストップ層上に形成され、前記上部エッチングストップ層は前記第一の微調整層上に形成される。ここで、前記第一の微調整層は一定の膜厚を有する。前記ステップC4は、次のステップより構成される。
ステップC41：前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上部エッチングストップ層をエッチングする。
ステップC4２：前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングする。ゆえに前記第一の高低差が前記第一の微調整層の膜厚によって決定される。
【００２１】
ある実施形態では、（１）前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はAlAsかInGaPからなり、前記第一の微調整層はGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは、（２）前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はInPからなり、前記第一の微調整層はInGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層はInPからなる。
【００２２】
ある実施形態では、前記第一の微調整層の膜厚は１ナノメートルから３００ナノメートルであり、前記第一のエッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は１ナノメートルから５０ナノメートルであり、前記上部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は５０ナノメートルから３００ナノメートルである。
【００２３】
ある実施形態では、更に次のステップから構成される。前記基板上に底部エッチングストップ層を形成し、その上に前記犠牲構造を形成する。ただし、前記犠牲エピタキシャル層は一定の膜厚を有し、その膜厚は５０ナノメートルから５０００ナノメートルである。また、前記底部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は２０ナノメートルから５００ナノメートルである。ここで、（１）前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは（２）前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInPからなる。
【００２４】
ある実施形態において、前記ステップC51’では、前記第二の研磨層は、Ru,Ti、Mo、Pt、Au、Al、Wからなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
【００２５】
加えて、本願は、絶縁層、複数のバルク音響波共振層、および次の構造の内の一つから構成される、バルク音響波フィルターを更に提供する。構造A、構造B,および構造C：基板の上に前記絶縁層を形成し、前記絶縁層は複数の空孔を有し、前記複数のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記複数の空孔の上に位置し、前記複数のバルク音響波共振構造は第一のバルク音響波共振構造および第二のバルク音響波共振構造から構成され、前記複数の空孔は第一および第二の空孔から構成され、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記第一の空孔および前記第二の空孔の上に位置する。ただし、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造は第一の共振周波数差を有し、前記複数のバルク音響波共振構造は、それぞれ底部電極層、圧電層および上部電極層からなる。前記底部電極層は拡張面上に形成され、その上に前記圧電層が形成され、更にその上に前記上部電極層が形成される。ここで、構造Aは次のようである。前記絶縁層は研磨上部表面を有し、前記拡張面は、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一である。
ただし、前記第二のバルク音響波共振構造は、第二の周波数調整構造を有し、前記第二の周波数調整構造は、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第二の空孔との間、に形成される。前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚は、前記第一および第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共鳴周波数差に相関する。ここで、構造Bは次のようである。前記絶縁層は研磨上部表面を有し、前記拡張面は、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一である。ただし、前記第一および第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ第一および第二の周波数調整構造を有する。ここで、前記第一の周波数調整構造は、前記拡張面の下、かつ、前記第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第一の空孔との間に形成され、前記第二の周波数調整構造は、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層および前記第二の空孔の間に形成される。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は、前記第一のおよび第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差に相関している。ここで、構造Cは次のようである。前記複数の空孔の上において、前記絶縁層上に第二の研磨層が形成され、前記第二の研磨層は研磨上部表面を有し、前記拡張面は前記第二の研磨層の前記研磨上部表面に一致している。ただし、前記拡張面の下において、前記第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第一の空孔との間に形成された前記第二の研磨層は、前記第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、前記拡張面の下において、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第二の空孔との間に形成された前記第二の研磨層は、前記第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は、前記第一および第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差に相関する。
【００２６】
ある実施形態において、前記基板は半導体基板である。
【００２７】
ある実施形態において、前記第一の周波数調整構造は、金属、合金および絶縁体からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。前記第二の周波数調整構造は、金属、合金および絶縁体からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
【００２８】
ある実施形態において、前記第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層は、同じ材料よりなる。前記第二の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層は、同じ材料よりなる。
【００２９】
以下、本願の特徴と効果を更に理解するため、いくつかの好ましい実施形態を図面を用いてより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｂ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｃ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｄ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｅ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｆ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｇ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｈ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｉ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のエピタキシャル構造を示す断面図である。
【図１Ｊ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｋ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図１Ｌ】本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態を示す断面図である。
【図２Ａ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｂ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｃ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｄ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｅ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｆ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｇ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｈ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｉ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の二つの実施形態を示す断面図である。
【図２Ｊ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の二つの実施形態を示す断面図である。
【図２Ｋ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｌ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｍ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図２Ｎ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ａ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｂ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｃ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｄ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｅ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｆ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｇ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｈ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｉ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｊ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｋ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図３Ｌ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である。
【図４Ａ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｂ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｃ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｄ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｅ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｆ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｇ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｈ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｉ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である。
【図４Ｊ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｋ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｌ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図４Ｍ】本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
【図５Ａ】従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。
【図５Ｂ】従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。
【図５Ｃ】従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。
【図５Ｄ】従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図１Ａから１Ｆを参照する。本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法は、以下のステップからなる。
ステップA1:（図１Ｂ参照）化合物半導体基板１３上に犠牲エピタキシャルメサ構造６０を形成する。形成ステップは下記の通りである。（図１Ａ参照）前記化合物半導体基板１３上に犠牲エピタキシャル構造２８を形成する。（図１Ｂ参照）前記犠牲エピタキシャル構造２８をエッチングして前記犠牲エピタキシャルメサ構造６０を形成する。
ステップA2：（図１Ｃ参照）犠牲エピタキシャルメサ構造６０および化合物半導体基板１３の上に絶縁層１１を形成する。ただし、絶縁層１１は、シリコン窒化物（SiNx）、シリコン酸化物（SiO2）およびポリマーからなるグループより選択する少なくとも一つの材料からなる。
ステップA3：（図１Ｄ参照）化学機械研磨工程を用いて絶縁層１１を研磨して研磨表面４１を形成する。
ステップA4：（図１Ｅ参照）研磨表面４１上にバルク音響波共振構造３を形成する。ただし、バルク音響波共振構造３は、犠牲エピタキシャルメサ構造６０の上に位置する。
前記ステップA4は、更に次のステップからなる。
ステップA41：研磨表面４１上に底部電極層３０を形成する。底部電極層３０上に圧電層３１を形成する。圧電層３１上に上部電極層３２を形成する。
ステップA5：（図１Ｆ参照）犠牲エピタキシャルメサ構造６０をエッチングして空孔４０を形成する。ただし、空孔４０はバルク音響波共振構造３の下に位置する。
ステップA3では、犠牲エピタキシャルメサ構造６０が露わにならない（絶縁層１１の下に隠れたままになる）程度に絶縁層１１を研磨する。ただし、底部電極層３０および犠牲エピタキシャルメサ構造６０の間の絶縁膜１１は、周波数調整構造５０を形成し、この周波数調整層５０は一定の膜厚Tを有し、バルク音響波共振構造３は共振周波数Fを有し、ゆえに共振調整構造５０の膜厚Tを調整することによって、バルク音響波共振構造３の共振周波数Fを調律することが可能となる。周波数調整構造５０の膜厚Tが増大するにつれ、バルク音響波共振構造３の共振周波数Fは減少する。反対に周波数調整構造５０の膜厚Tが減少するにつれ、バルク音響波共振構造３の共振周波数Fは増大する。本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の主な特徴は、化合物半導体基板１３を使って犠牲エピタキシャル構造２８を犠牲層として形成し、それから化学機械研磨工程で絶縁層１１を研磨することである。その利点は、周波数調整構造５０の膜厚Tを正確に調整しやすくすることである。また、バルク音響波共振構造３の周波数Fを正確に調律しやすくすることである。しかしながら、もし周波数調整構造５０の膜厚Tが圧過ぎると、バルク音響波共振構造３の共振状態に影響してしまう。そこで、周波数調整構造５０の膜厚Tは１０００ナノメートル以下にすることが求められる。また、いくつかの好ましい実施形態においては、周波数調整構造５０の膜厚Tは３００ナノメートルかそれ以下である。
【００３２】
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図１Ｇと１Ｈを参照する。図１Ｈにみられる実施形態を形成する主な方法は、基本的に、図１Ｆにみられる実施形態を形成する方法と同じである。ただし、ステップA3において、犠牲エピタキシャルメサ構造６０が露わになるまで絶縁層１１を研磨する点が異なる。（図１Ｇ参照）。つづいて研磨表面４１上にバルク音響波共振構造３を形成し、犠牲エピタキシャルメサ構造６０をエッチングして空孔４０を形成する。（図１Ｈ参照）。本実施形態において、バルク音響波共振構造３は、図１Ｆの実施形態にみられるような周波数調整構造５０を持っていない。
【００３３】
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のエピタキシャル構造を示す断面図である、図１Ｉを参照する。図１Ｉの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図１Ａの実施形態と同じである。ただし、化合物半導体基板１３の裏面に更にエッチング防止層１２が形成されている点が異なる。エッチング防止層１２の役割は、化合物半導体基板１３の裏面を保護し、製造工程中のエッチングプロセスの間のエッチング（特に、ウェットエッチングのエッチャントによるエッチング）によるダメージから化合物半導体基板１３の裏面を防御することである。エッチング防止層１２は、シリコン窒化物（SiNx）、シリコン酸化物（SiO2）、アルミニウム窒化物（AｌN）、およびフォトレジストからなるグループより選択する少なくとも一つの材料からなる。エッチング防止層１２の好ましい材料はシリコン窒化物である。通常、エッチング防止層１２は、基板薄膜化工程を実施するため、ステップA5の後に取り除かれる。本願の他のすべての実施形態において、基板は半導体基板であっても化合物半導体基板であっても構わない。エッチング防止層１２は、基板の裏面を守るため、半導体基板の裏面に形成してもよいし、化合物半導体基板の裏面に形成しても構わない。
【００３４】
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図１Ｊおよび１Ｋを参照する。図１Ｊの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図１Ａの実施形態のそれと同じである。ただし、底部エッチングストップ層２０が化合物半導体基板１３の上に更に形成されており、その上に犠牲エピタキシャル構造２８が形成されている点が異なる。犠牲エピタキシャル構造２８をエッチングして犠牲エピタキシャルメサ構造６０を形成する際、犠牲エピタキシャルメサ構造６０の周りの犠牲エピタキシャル構造２８をエッチングすると、底部エッチングストップ層２０のところでエッチングが止まる。犠牲エピタキシャルメサ構造６０の下には、底部エッチングストップ層２０が残る。図１Ｋにみられるバルク音響波共振装置の実施形態は、図１Ｊにみられる実施形態のエピタキシャル構造から形成される。図１Ｋの実施形態の主な構造は、基本的に、図１Ｆの実施形態のそれと同じである。ただし、底部エッチングストップ層２０が、化合物半導体基板１３上に更に形成される点が異なる。ステップA2では、絶縁層１１が犠牲エピタキシャルメサ構造６０および底部エッチングストップ層２０の上に形成される。ゆえに、ステップA5で犠牲エピタキシャルメサ構造６０をエッチングした後、底部エッチングストップ層２０上に空孔４０が形成される。幾つかの実施形態において、化合物半導体基板１３はGaAsからなり、犠牲エピタキシャル構造２８は犠牲エピタキシャル層からなり、犠牲エピタキシャル層はGaAsからなる。ただし、犠牲エピタキシャル層は５０ナノメートルから５０００ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層２０は、２０ナノメートルから５００ナノメートルの間の一定の膜厚を有するInGaPからなる。他のいくつかの実施形態では、化合物半導体基板１３はInPからなり、犠牲エピタキシャル構造２８は犠牲エピタキシャル層からなり、犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなる。ただし、犠牲エピタキシャル層は５０ナノメートルから５０００ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層２０は、２０ナノメートルから５００ナノメートルの間の一定の膜厚を有するInPからなる。
【００３５】
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態を示す断面図である、図１Ｌを参照する。図１Ｌに見られるバルク音響波共振装置の実施形態も、図１Ｊに見られる実施形態のエピタキシャル構造から形成される。図１Ｌの実施形態の主な構造は、基本的に、図１Ｋの実施形態のそれと同じである。ただし、ステップA3において、犠牲エピタキシャルメサ構造６０が露わになるよう絶縁層１１が研磨され、その後研磨表面４１上にバルク音響波共振構造３を形成し、犠牲エピタキシャルメサ構造６０をエッチングして空孔４０を形成する点が異なる。（図１Ｇおよび１Ｈに同様）。ゆえに、バルク音響波共振構造３は、図１Ｋに見られる実施形態のような周波数調整構造５０を持たない。
【００３６】
更に、本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図２Ａから２Ｆを参照する。図２Ｆに示すように、本実施形態の構造は、基板１０上に形成される、少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置１および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置１’を、それぞれ有する。本実施形態において、少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置１は直列共振装置であり、少なくとも一つの第二バルク音響波共振装置１’はシャント共振装置である。少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置１は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３、第一の周波数調整構造５０、および、少なくとも一つの第一の空孔４０から構成される。少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置１’は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’、第二の周波数調整構造５０’、および少なくとも一つの第二の空孔４０’から構成される。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法は、次のステップからなる。
ステップB1：（図２Ｂ参照）基板１０上に複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’から構成される。ここで、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の高さより大きく、両者は第一の高低差HD1を有する。本実施形態において、基板１０は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
ステップB2：（図２Ｃ参照）複数の犠牲メサ構造および基板１０の上に絶縁層１１を形成する。ただし、この絶縁層１１は、シリコン窒化物（SiNx）、シリコン酸化物（SiO2）およびポリマーからなるグループより選択される少なくとも一つの材料よりなる。
ステップB3：(図２Ｄ参照)化学機械研磨工程によって絶縁層１１を研磨し、研磨表面４１を形成する。
ステップB4：（図２Ｅ参照）研磨表面４１上に複数のバルク音響波共振構造を形成する。（本願のバルク音響波フィルターの全実施形態において、複数のバルク音響波共振構造はすべて拡張面４３上に形成される。本実施形態では、拡張面４３は研磨表面４１と同一である。）ただし、これら複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’から構成される。これら少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’は、それぞれ、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の上に位置する。
ステップB4は、次のステップよりなる。
ステップB41:研磨表面４１上に底部電極層３０を形成する。
ステップB42:底部電極層３０上に圧電層３１を形成する。
ステップB43:圧電層３１上に上部電極層３２を形成する。
ステップB5：（図２F参照）複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成する。ただし、これら複数の空孔は、それぞれ、複数のバルク音響波共振構造の下に位置する。これら複数の空孔は、少なくとも一つの第一の空孔４０および少なくとも一つの第二の空孔４０’からなる。これら少なくとも一つの第一の空孔４０および少なくとも一つの第二の空孔４０’は、それぞれ、少なくとも一つの第一の音響波共振構造３および少なくとも一つの第一の音響波共振構造３’の下に位置する。
ステップB3では、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６’を露わにしない（絶縁層１１の下に隠れる）程度に絶縁層１１を研磨する。こうして、研磨表面４１の下で、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する絶縁層１１が、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の第一の周波数調整構造５０および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を、形成する。ただし、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’は、第一の膜厚差TD１を有し、このTD1は第一の高低差HD1に等しい。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の第一の共振周波数F1は、第一の周波数調整構造５０によって調律される。一方、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の共振周波数F２は、第二の周波数調整構造５０’によって調律される。第二の周波数調整構造５０’の膜厚が第一の周波数調整構造５０の膜厚より大きいので、少なくとも一つの第二の音響波共振構造３’の第二の共振周波数F2は、少なくとも一つの第一の音響波共振構造３の第一の共振周波数F１より低くなるよう調律される。それゆえ、少なくとも一つの第一の音響波共振構造３および少なくとも一つの第二の音響波共振構造３’は、第一の共振周波数差FD1を有する。ただし、このFD1は、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’の第一の膜厚差TD1に相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６’の第一の高低差HD1に相関する。こうして、第一の高低差HD1を調節することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1を調整することが可能となる。基板１０の寸法がバルク音響波共振装置の寸法よりはるかに大きいので、化学機械研磨工程で絶縁層１１を研磨すると、基板１０中央付近での絶縁層１１の研磨深さは、たいてい基板１０中央から離れた場所での絶縁層１１の研磨深さと同じではない。しかしながら、隣り合うバルク音響波共振装置、特に、同じバルク音響波フィルターを有する複数のバルク音響波共振装置において、絶縁膜１１の研磨深さは、ほぼ同じにするべきである。本願の特徴の一つは、同じバルク音響波フィルターの、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’の第一の膜厚差TD1が、基板１０の中央付近と中央から離れた場所で変わらないことである。すなわち、同じバルク音響波フィルターの、少なくとも一つの第一の音響波共振構造３および少なくとも一つの第二の音響波共振構造３’の第一の共振周波数差FD1は、基板１０の中央付近と中央から離れた場所で変わらない。同じバルク音響波フィルターにおいて、少なくとも一つの第一の音響波共振構造３および少なくとも一つの第二の音響波共振構造３’の第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の周波数調整構造５０および少なくとも一つの第二の周波数調整構造５０’の第一の膜厚差TD1と相関し、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６��よび少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の第一の高低差HD1と相関し、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’の材料とも相関している。第一の高低差HD1を調整し、あるいは、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’に違う種類の材料を選択することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1を調整することが可能となる。さらに本願では、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第一の共振周波数差FD1が、基板１０の中央付近と中央から離れた場所で変わらない。これは、本願の主な特徴の一つであり、後のトリミング工程で大きな助けとなる。ウェーハー上のどの領域内でも同じバルク音響波フィルターであれば、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第一の共振周波数差FD1が正確に制御され、しかも場所に依存しないので、トリミング工程の時間コストを著しく減少させる。幾つかの実施形態において、基板１０は化合物半導体基板よりなる。複数の犠牲メサ構造はエピタキシャル構造よりなる。
ステップB1は次のステップからなる。
ステップB11：（図２Ａ参照）基板１０上に犠牲構造２１を形成する。
ステップB12:犠牲構造２１をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メタ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６（２１）および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’（２１）から構成される。ここで、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する。
ステップB13:（図２Ｂ参照）少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’をエッチングし、あるいは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’をエッチングする。
【００３７】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図２Ｇおよび図２Ｈを参照する。本実施形態では、基板１０は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造が、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図２Ｈに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図２Ｆに見られる実施形態を形成するステップと同じである。ただし、ステップB3において、
少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６が露わになり、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が露わにならない（絶縁層１１の下に隠れる）程度に絶縁層１１が研磨される。（図２Ｇ参照）それゆえ、研磨表面４１（拡張面４３）の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する絶縁層１１が、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。図２Ｈに見られるように、第二の周波数調整構造５０’は膜厚T2を有し、そのT2は第一の高低差HD1と同一である。本実施形態では、図２Ｆの実施形態に見られるような第一の周波数調整構造５０は存在しない。それゆえ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第一の共振周波数差FD1は、第二の周波数調整構造５０’の膜厚T2に相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の第一の高低差HD1と相関する。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1を調整することが可能になる。
【００３８】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である、図２Ｉを参照する。図２Ｉの実施形態の主な構造は、基本的に、図２Ｆの実施形態のそれと同じである。ただし、基板１０上に底部エッチングストップ層２０が更に形成され、そのうえに絶縁層１１が形成される点が異なる。少なくとも一つの第一の空孔４０と少なくとも一つの第二の空孔４０’は、底部エッチングストップ層２０の上に位置する。図２Ｉに見られる実施形態を形成する主な方法は、基本的に、図２Ｆに見られる実施形態を形成する方法のそれと同じである。ただし、ステップB11の前に、更に次のステップが含まれる点が異なる。基板１０上に底部エッチングストップ層２０を形成する。ただし、ステップB11では、その上に犠牲構造２１を形成する。ステップB2では、複数の犠牲メサ構造および底部エッチングストップ層２０の上に絶縁層１１が形成される。本実施形態では、基板１０は化合物半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造（犠牲構造２１）はエピタキシャル構造よりなる。幾つかの実施形態において、基板１０はGaAsであり、犠牲構造２１は犠牲エピタキシャル層からなる。ただし、犠牲エピタキシャル構造２１はGaAsからなり、犠牲エピタキシャル層は５０ナノメートルから５０００ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層２０はInGaPからなる。ここで、底部エッチングストップ層２０は２０ナノメートルから５００ナノメートルの一定の膜厚を有する。いくつかの他の実施形態においては、基板１０はInPであり、犠牲構造２１は犠牲エピタキシャル層からなる。ただし、犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、５０ナノメートルから５０００ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層２０はInPからなる。ただし、底部エッチングストップ層２０は、２０ナノメートルから５００ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。
【００３９】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である、図２Jを参照する。基板１０は化合物半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造はエピタキシャル構造からなる。図２Jの実施形態の主な構造は、基本的に、図２Ｉの実施形態のそれと同じである。ただし、ステップB3において、（図２Ｇと同様に）少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６が露わになり、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が露わにならない（絶縁層１１の下に隠れる）程度に絶縁層１１を研磨する。こうして、研磨表面４１（拡張面４３）の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する絶縁層１１が、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。
【００４０】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図２Ｋから２Ｎを参照する。図２Ｋの実施形態では、基板１０は化合物半導体基板であり、犠牲構造２１はエピタキシャル層からなる。図２Ｋの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図２Ａの実施形態のそれと同じである。ただし、犠牲構造２１が、エピタキシャル層２７、第一のエッチングストップ層２２、および第一の微調整層２３から構成され、犠牲エピタキシャル層２７が基板１０上に形成され、その上に第一のエッチングストップ層２２が形成され、更にその上に第一の微調整層２３を形成する。図２Ｌに見られるように、犠牲構造２１をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’から構成される。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する（ステップB12）。図２Ｍに見られるように、第一の微調整層２３は膜厚FT1を有する。少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の微調整層２３をエッチングする（ステップB13）。図２Ｎに、ステップB2、ステップB3およびステップB4の後の結果が見られる。図２Ｎの、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’をエッチングした（ステップB5）後の結果は、図２Ｆの実施形態と同一である。これは、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置３’の第一の共振周波数差FD1を正確に調律するのに役立つ。幾つかの実施形態において、基板１０はGaAsであり、犠牲エピタキシャル層２７はGaAsであり、第一のエッチングストップ層２２はAlAsあるいはInGaPからなり、１ナノメートルから５０ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。第一の微調整層２３はGaAsからなり、その膜厚FT1は１ナノメートルから３００ナノメートルの間である。幾つかの他の実施形態において、基板１０はInPからなり、犠牲エピタキシャル層２７はInGaAsからなり、第一のエッチングストップ層２２はInPからなり、１ナノメートルから５０ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。第一の微調整層２３はInGaAsからなり、その膜厚FT1は１ナノメートルから３００ナノメートルの間である。
【００４１】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図３Ａから３Ｇを参照する。本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を使用し、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置１および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置１’（図３G参照）を形成するには、は、次のステップがある。
ステップC1：基板１０上に複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有し、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’から構成される。本実施形態では、基板１０は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択される、少なくとも一つの材料からなる。
ステップC2：（図３A参照）複数の犠牲メサ構造および基板上に絶縁層１１を形成する。
ステップC3：（図３B）これら複数の犠牲メサ構造が露わになるように、前処理用化学機械研磨工程で基板１１を研磨して前処理研磨表面４２を形成する。
ステップC4：（図３C参照）少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’をエッチングする。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６の高さは少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の高さより大きい。
ステップC5：（図３Dから３F参照）複数のバルク音響波共振構造を形成する。ただし、これら複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’より構成される。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’は、それぞれ、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の上に位置する。
ステップC5は次のステップから構成される。
ステップC51：複数の犠牲メサ構造および絶縁層１１上に第二の研磨層５１を形成する。ただし、第二の研磨層５１は絶縁体からなり、その絶縁体の材料は、シリコン窒化物（SiNx）、シリコン酸化物（SiO2）、アルミニウム窒化物、および亜鉛酸化物（ZnO）からなるグループより選択される少なくとも一つの材料である。
ステップ５２：少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が露わにならない（第二の研磨層５１の下に隠れる）程度に、化学機械研磨工程で第二の研磨層５１を研磨して研磨表面４１を形成する。こうして研磨表面４１の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する、第二研磨層５１は、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の第一の周波数調整構造５０および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第一の周波数調整構造５０’を形成する。ただし、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’は、第一の膜厚差TD1を有し、そのTD1は第一の高低差HD1に等しい。
ステップC53：研磨表面４１上に底部電極層３０を形成する。（上述したように、複数のバルク音響波共振構造が拡張面４３上に形成される。本実施形態では、拡張面４３は研磨表面４１に同一である。）
ステップC54：底部電極層３０上に圧電層３１を形成する。
ステップC55：圧電層３１上に上部電極３２を形成する。
ステップC6：（図３Ｇを参照）複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成する。ただし、これら空孔はそれぞれ複数のバルク音響波共振装置の下に位置する。またこれら複数の空孔は、少なくとも一つの第一の空孔４０および少なくとも一つの第二の空孔４０’より構成される。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置３’は第一の共振周波数FD1を有し、そのFD1は、第一の共振周波数調整構造５０および第二の共振周波数調整構造５０’の第一の膜厚差TD1と相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は第一の高低差HD1と相関する。
こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置３’の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。幾つかの実施形態において、基板１０は化合物半導体であり、複数の犠牲メサ構造はエピタキシャル構造よりなる。ここで、ステップC1は次のステップより構成される。
ステップC11：基板１０上に犠牲構造２１を形成する。
ステップC12：犠牲構造２１をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する。
【００４２】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図３Ｈおよび３Ｉを参照する。本実施形態では、基板１０は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図３Ｉに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図３Ｇに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC52において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６を露わにし、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’を露わにしない（第二の研磨層５１の下に隠れる）程度に第二の研磨層５１を研磨する。（図３Ｈ参照）こうして、研磨表面４１（拡張面４３）の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する、第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。（図３Ｉ参照）ただし、第二の周波数調整構造５０’は膜厚T2を有する。このT2は第一の高低差HD1に等しい。本実施形態には、図３Ｇの実施形態に見られるような第一の周波数調整構造５０は存在しない。それゆえ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第一の共振周波数差FD1は、第二の周波数調整構造５０’の膜厚T2と相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の第一の高低差HD1に相関する。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。本実施形態では、第二の研磨層５１は、金属、合金および絶縁体より構成されるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
【００４３】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図３Ｊおよび図３Ｋを参照する。本実施形態では、基板１０は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図３Ｋに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図３Ｇに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC5において、複数のバルク音響波共振構造が拡張面４３上に形成され、この拡張面４３が前処理研磨表面４２と同一である点を除く。ここで、ステップC5は次のステップから構成される。
ステップC51'：（図３D参照）複数の犠牲メサ構造および絶縁層１１上に第二の研磨層５１を形成する。ただし、この第二の研磨層５１は金属および合金よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。好ましい実施形態では、第二の研磨層５１は、Ru、Ti、Mo、Pｔ、Au、Al、および、Wよりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
ステップC52'：（図３E参照）複数の犠牲メサ構造を露わにしない（第二の研磨層５１の下に隠れる）程度に、化学機械研磨工程で第二の研磨層５１を研磨する。
ステップC53'：（図３J参照）第二の研磨層５１をパターニングする。
ステップC54'：研磨表面４１上に圧電層３１を形成する。
ステップC55'：圧電層３１上に上部電極層３２を形成する。複数の犠牲メサ構造をエッチングするステップC6の後、図３Ｋの実施形態を形成する。ステップC4で、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’をエッチングする。ただし、研磨表面４１下で、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の下に位置する、前処理研磨表面４２（拡張面４３）上の、第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の底部電極層３０を形成する。ここで、研磨表面４１下で、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する、前処理研磨表面４２（拡張面４３）上の、第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の底部電極層３０を形成する。前処理研磨表面４２（拡張面４３）の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。ただし、第二の周波数調整構造５０’は膜厚T2を有し、第二の周波数調整構造５０’の膜厚T2は、第一の高低差HD1に等しい。
こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共鳴周波数差FD1を調律することが可能となる。
【００４４】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である、図３Ｌを参照する。本願では、基板１０は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図３Ｌに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図３Ｇに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC5が次のステップから構成される点が異なる。
ステップC51''：（図３Ｄ参照）複数の犠牲メサ構造および絶縁層１１上に第二の研磨層５１を形成する。ただし、第二の研磨層５１は、金属、合金および絶縁膜よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
ステップC52''：（図３Ｅ参照）少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が露わにならない（第二の研磨層５１の下に隠れる）程度に、化学機械研磨工程で第二の研磨層５１を研磨して研磨表面４１を形成する。
ステップC53''：（図３Ｊ参照）第二の研磨層５１をパターニングする。
ステップC54''：研磨表面４１（拡張面４３）上に底部電極層３０を形成する。
ステップC55''：底部電極層３０上に圧電層３１を形成する。
ステップC56''：圧電層３１上に上部電極層３２を形成する。図３Ｌの実施形態がステップC6の後に形成される。
こうして、研磨層４１の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する、第二の研磨層５１は、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の第一の周波数調整構造５０、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。ただし、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’は、第一の膜厚差TD1を有し、このTD1は第一の高低差HD1に等しい。こうして、第一の高低差HD1を調節することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。
【００４５】
図３Ｇおよび３Ｉの実施形態において、ステップC2（図３Ａ参照）では、非常に分厚い絶縁層１１が最初に形成される。ここで、絶縁層１１の膜厚は、複数の犠牲メサ構造の高さより高くなければならない。ステップC3（図３Ｂ参照）において、化学機械研磨工程は、絶縁層１１の研磨後の膜厚が複数の犠牲メサ構造の高さと少なくとも同等かそれ以上になるよう、絶縁層１１を研磨しなければならない。しかしながら、化学機械研磨工程には欠点もある。すなわち、要求される研磨深さが深すぎると、研磨表面の均一性が損なわれる。本実施形態では、要求される絶縁層１１の研磨深さが非常に深いため、前処理研磨表面４２の均一性は研磨後に損なわれてしまう。しかしながら、後のステップC51で形成される第二の研磨層５１の要求研磨深さは、絶縁層１１の要求研磨深さに比べて非常に薄い。第二の研磨層５１の研磨深さは、単純に、第一の高低差HD1より厚くなりさえすれば良い。それゆえ、ステップC52の化学機械研磨工程で第二の研磨層５１を研磨した後に形成される研磨表面４１の均一性は損なわれない。ここで、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置１および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置１’の底部電極層３０を、この研磨表面４１上に形成することは、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置１および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置１’の共振特性を向上することに役立つ。この状況は、図３Ｌの実施形態においても同様である。図３Ｋの実施形態の場合でも、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置１および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置１’の圧電層を研磨表面４１上に形成することも、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置１および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置１’の共振特性を向上することに役立つ。
【００４６】
図３Ｇ、３Ｉ、３Ｋ、および、３Ｌの実施形態は、図２Ｋのそれと同様な犠牲構造から形成される。ただし、基板１０は化合物半導体である。ここで、犠牲構造２１は、犠牲エピタキシャル層２７、第一のエッチングストップ層２２、および、第一の微調整層２３よりなる。ただし、犠牲エピタキシャル層２７は基板１０上に形成される。第一のエッチングストップ層２２は犠牲エピタキシャル層２７上に形成される。第一の微調整層２３は第一のエッチングストップ層２２上に形成される。ただし、第一の微調整層２３は膜厚FT1を有する。ステップC4では、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の微調整層２３をエッチングする。こうして、第一の高低差HD1は第一の微調整層２３の膜厚FT1によって決定される。それゆえ、第一の高低差HD1を正確に調整することが可能とある。また、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1を正確に調律することも可能となる。
【００４７】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図４Ａから４Ｄを参照する。図４Ｄに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図３Ｇに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC4（図４Ａ参照）において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’をエッチングする。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の高さより大きい。図４Ｄの実施形態は、ステップC51（図４Ｂ参照）、ステップC52（図４Ｃ）、ステップC53からステップC55およびステップC6の後に形成される。ただし、第二の研磨層５１は絶縁体からなる。本実施形態では、基板１０は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
【００４８】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図４Ｅおよび図４Ｆを参照する。本実施形態では、基板１０は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図４Ｆに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図４Ｄに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC52（図４Ｅも参照）において、研磨表面４１（拡張面４３）が前処理研磨表面４２と同一になるように、あるいは、研磨表面４１が前処理研磨表面４２より低くなるように、第二の研磨層５１を研磨する。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’は露わにならない（第二の研磨層５１の下に隠れる）。図４Ｆの実施形態において、第二の研磨層５１は、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
【００４９】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図４Ｇおよび図４Ｈを参照する。本実施形態では、基板１０は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループから選択される少なくとも一つの材料からなる。図４Ｈに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図３Ｋに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC4（図４Ａ参照）において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’をエッチングする。ここで、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の高さより大きい。ステップC5において、複数のバルク音響波共振構造は拡張面４３上に形成される。ただし、拡張面４３は前処理研磨表面４２と同一である。第二の研磨層５１をパターニングするステップC53'（図４Ｇ参照）、ステップC54'、ステップC55'、およびステップC6（図４Ｈ参照）の後、研磨表面４１の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の下に位置し、前処理研磨表面４２（拡張面４３）より上の第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の底部電極層３０を形成する。ただし、前処理研磨表面４２（拡張面４３）の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の下に位置する第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の第一の周波数調整構造５０を形成する。研磨表面４１の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置し、前処理研磨表面４２（拡張面４３）より上の第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の底部電極層３０を形成する。前処理研磨表面４２（拡張面４３）の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する第二の研磨層５１は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’は第一の膜厚差TD1を有し、そのTD1は第一の高低差HD1に等しい。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’ の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。第二の研磨層５１は、金属および合金よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。ただし、好ましい実施形態においては、第二の研磨層５１は、Ru、Ti、Mo、Pt、Au、Al、およびWよりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
【００５０】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である図４Ｉを参照する。本実施形態では、基板１０は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図４Ｉに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図３Ｌに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC4（図４Ａ参照）において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の両方をエッチングする点で異なる。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の高さより大きい。ステップ52''においては、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が露わにならない（第二の研磨層５１の下に隠れる）程度に第二の研磨層５１を研磨する。第二の研磨層５１をパターニングするステップ53''（図４Ｇ参照）、ステップC54''からステップC56''、および、ステップC6（図４Ｉ参照）の後、研磨表面４１（拡張面４３）の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の下に位置する、第二の研磨層５１は、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の第一の周波数調整構造５０、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’は、第一の膜厚差TD1を有し、そのTD1は第一の高低差HD1に等しい。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。本実施形態において、第二の研磨層５１は、金属、合金および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
【００５１】
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図４Ｊから４Ｍを参照する。図４Ｊの実施形態において、基板１０は化合物半導体基板であり、犠牲構造２１はエピタキシャル構造よりなる。図４Ｊの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図２Ｌの実施形態のそれと同じである。ただし、犠牲構造２１は、犠牲エピタキシャル層２７、第一のエッチングストップ層２２、第一の微調整層２３、および上部エッチングストップ層２６より構成される点で異なる。ここで、ステップC1は次のステップより構成される。
ステップC11：基板１０上に犠牲構造２１を形成する。
ステップC12：犠牲構造２１をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有し、これら複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’から構成される。ただし、基板１０上に犠牲エピタキシャル層２７が形成され、その上に第一のエッチングストップ層２２が形成され、その上に第一の微調整層２３が形成され、その上に上部エッチングストップ層２６が形成される。
図４Ｋの実施形態の構造がステップC2およびC3の後に形成される。ステップ４は次のステップから構成される。
ステップC41：（図４Ｌ参照）少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の上部エッチングストップ層２６をエッチングする。
ステップC42：（図４Ｍ参照）少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造６および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造６’の、第一の微調整層２３をエッチングする。
第一の微調整層２３は膜厚FT1を有し、ゆえに第一の高低差HD1は、第一の微調整層２３の膜厚FT1により決定される。こうして、第一の高低差HD1を正確に調整することが可能となる。ここで、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’の第一の膜厚差TD1を正確に調整することが可能となる。また、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1を正確に調律することが可能となる。図４Ｄ、４Ｆ、４Ｈ、および４Ｉの実施形態は、図４Ｍの構造より形成される。図４Ｍのエピタキシャル構造から、図４Ｄ、４Ｆ、４Ｈ、および４Ｉの実施形態を形成するために、ステップC3では、複数の犠牲メサ構造が露わになるよう、絶縁層１１を研磨する。しかしながら、研磨中、基板10の中央付近に位置する複数の犠牲メサ構造と、基板１０の中央から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造を研磨して同時に露わにすることは不可能である。たとえば、基板１０の中心より離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造が先に露わになったとしよう。このとき、基板１０の中心付近に位置する複数の犠牲メサ構造を露わにするため、研磨はまだ続けなければならない。ゆえに、基板１０の中央から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造は過剰に研磨されてしまう。こうして、研磨後、基板１０の中央付近から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層２３の膜厚は、基板１０の中央に位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層２３の膜厚より薄くなってしまう。基板１０の中央付近に位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層２３の膜厚が、基板１０の中央付近から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層２３の膜厚と等しくならなくなることを避けるため、基板１０の中央付近に位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層２３の膜厚が、基板１０の中央付近から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層２３の膜厚と等しく設定できるよう、上部エッチングストップ層２６を導入する。幾つかの実施形態において、基板１０はGaAsからなる。犠牲エピタキシャル層２７はGaAsからなる。第一のエッチングストップ層２２はAlAsあるいはInGaPからなる。ただし、第一のエッチングストップ層２２の膜厚は、１ナノメートルから５０ナノメートルの間である。第一の微調整層２３はGaAsからなる。ただし、第一の微調整層２３の膜厚FT1は、１ナノメートルから３００ナノメートルの間である。上部エッチングストップ層２６はInGaPからなる。ただし、上部エッチングストップ層２６の膜厚は、５０ナノメートルから３００ナノメートルの間である。幾つかの他の実施形態において、基板１０はInPからなる。犠牲エピタキシャル層２７はInGaAsからなる。第一のエッチングストップ層２２はInPからなる。ただし、第一のエッチングストップ層２２の膜厚は、１ナノメートルから５０ナノメートルの間である。第一の微調整層２３はInGaAsである。ただし、第一の微調整層２３の膜厚FT1は、１ナノメートルから３００ナノメートルの間である。上部エッチングストップ層２６はInPからなる。ただし、上部エッチングストップ層２６の膜厚は、５０ナノメートルから３００ナノメートルの間である。
【００５２】
図２Ｆ、２Ｈ、２Ｉ、２Ｊ、３Ｇ、３Ｉ,３Ｋ,３Ｌ、４Ｄ、４Ｆ、４Ｈ、および４Ｉの全実施形態は、共通の特性を持っている。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置１および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置１’は、本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法により形成される。共通の特性とは、任意のバルク音響波共振構造（少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３あるいは少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’）の底部電極層３０が、拡張面４３の上に形成されることである。これらの実施形態の共通な構造は、複数の空孔を有し基板１０上に形成される絶縁層１１、それぞれ前記複数の空孔の上に位置する複数のバルク音響波共振構造からなる。前記複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’から構成され、前記複数の空孔は、少なくとも一つの第一の空孔４０および少なくとも一つの第二の空孔４０’から構成され、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’は、それぞれ前記少なくとも一つの第一の空孔４０および前記少なくとも一つの第二の空孔４０’の上に位置する。ただし、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’は、第一の共振周波数差FD1を有する。また、前記複数のバルク音響波共振構造は、それぞれ、拡張面４３上に形成される底部電極層３０、その上に形成される圧電層３１、更にそのうえに形成される上部電極層３２、および、周波数を調整する構造、からなる。これら実施形態の間の差異は次のようである。（１）図２Ｈ、２Ｊ、３Ｉ、および３Ｋの実施形態において、周波数を調整数する構造は、絶縁層１１が研磨された表面を有し、拡張面４３が絶縁層１１の表面と同一であり、さらに次の条件を満たす構造Aよりなる。少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’は、第二の周波数調整構造５０’を有し、第二の周波数調整構造５０’が、拡張面４３上に形成され、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’および少なくとも一つの第二の空孔４０’の間に位置する。第二の周波数調整構造５０’は、膜厚T2を有し、この膜厚T2は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1と相関する。（２）図２Ｆ、２Ｉ、４Ｆ、および４Ｈの実施形態において、周波数を調整数する構造は、絶縁層１１が研磨された表面を有し、拡張面４３が絶縁層１１の表面と同一であり、さらに次の条件を満たす構造Bよりなる。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’が、それぞれ第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’を有する。第一の周波数調整構造５０が拡張面４３の下に形成され、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の底部電極層３０および少なくとも一つの第一の空孔４０の間に位置する。第二の周波数調整構造５０’が拡張面４３の下に形成され、少なくとも一つの第二のバルク音響波共���構造３’の底部電極層３０および少なくとも一つの第二の空孔４０’の間に位置する。第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’が、第一の膜厚差TD1を有し、その第一の膜厚差TD1は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1に相関する。（３）図３Ｇ、３Ｌ、４Ｄ、および４Ｉの実施形態において、周波数を調整数する構造は、第二の研磨層５１が、複数の空孔の上において、絶縁層１１上に形成され、第二の研磨層５１が、研磨表面を有し、拡張面４３がその研磨表面と同一であり、さらに次の条件を満たす構造Cよりなる。拡張面４３の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の底部電極層３０および少なくとも一つの第一の空孔４０の間に位置する、第二の研磨層５１が、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の第一の周波数調整構造５０を形成する。拡張面４３の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の底部電極層３０および少なくとも一つの第二の空孔４０’の間に位置する、第二の研磨層５１が、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の第二の周波数調整構造５０’を形成する。第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’が、第一の膜厚差TD1を有し、その第一の膜厚差TD1は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の、第一の共振周波数差FD1に相関する。本願の図２Ｆ、２Ｉ、３Ｇ、３Ｌ、４Ｄ、４Ｆ、４Ｈ、および４Ｉの実施形態において、共通の特徴は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の底部電極層３０、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の底部電極層３０が、拡張面４３上に形成されていることである。更に、第一の周波数調整構造５０および第二の周波数調整構造５０’が、拡張面４３の下に形成されることである。本願の図２Ｈ、２Ｊ、３Ｉ、および３Ｋの実施形態において、共通の特徴は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造３の底部電極層３０、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造３’の底部電極層３０が、拡張面４３上に形成されていることである。更に、第二の周波数調整構造５０’が、拡張面４３の下に形成されることである。
【００５３】
図３Ｇ、３Ｉ、３Ｋ、３Ｌ、４Ｆ、４Ｈ、および４Ｉは、更に、（図２Ｉあるいは図２Ｊの実施形態のように）底部エッチングストップ層２０を有する。ただし、底部エッチングストップ層２０は、基板１０上に形成され、絶縁層１１がその上に形成される。少なくとも一つの第一の空孔４０および少なくとも一つの第二の空孔４０’（および少なくとも一つの第三の空孔４０''）が、底部エッチングストップ層２０の上に位置している。ただし、基板１０は化合物半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造（犠牲構造２１）はエピタキシャル構造よりなる。
【００５４】
上述および図面により説明して来たとおり、本願は、バルク音響フィルター、および、バルク音響フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を提供する。それは新規であり工業的に実用可能である。
【００５５】
本願の実施形態を詳細に説明して来たが、ここで説明されて来た知見により当該分野の一般的なスキルを有する者であれば、多くの変更や変種を考案することは可能である。それゆえ、本願の精神と等価であるどのような変更も、どのような変種も、次に添付する請求項によって定義される範囲に含まれるものと考えられる。
【符号の説明】
【００５６】
１    第一のバルク音響波共振装置
３    バルク音響波共振構造
６    第一の犠牲メサ構造
１０  基板
１１  絶縁層
１２  エッチング防止層
１３  化合物半導体基板
２０  底部エッチングストップ層
２１  犠牲構造
２８  犠牲エピタキシャル構造
３０  底部電極層
４０  第一の空孔
５０  周波数調整構造
６０  犠牲エピタキシャルメサ構造
【図１Ａ】
2018110367.tif 000003
【図１Ｂ】
2018110367.tif 000004
【図１Ｃ】
2018110367.tif 000005
【図１Ｄ】
2018110367.tif 000006
【図１Ｅ】
2018110367.tif 000007
【図１Ｆ】
2018110367.tif 000008
【図１Ｇ】
2018110367.tif 000009
【図１Ｈ】
2018110367.tif 000010
【図１Ｉ】
2018110367.tif 000011
【図１Ｊ】
2018110367.tif 000012
【図１Ｋ】
2018110367.tif 000013
【図１Ｌ】
2018110367.tif 000014
【図２Ａ】
2018110367.tif 000015
【図２Ｂ】
2018110367.tif 000016
【図２Ｃ】
2018110367.tif 000017
【図２Ｄ】
2018110367.tif 000018
【図２Ｅ】
2018110367.tif 000019
【図２Ｆ】
2018110367.tif 000020
【図２Ｇ】
2018110367.tif 000021
【図２Ｈ】
2018110367.tif 000022
【図２Ｉ】
2018110367.tif 000023
【図２Ｊ】
2018110367.tif 000024
【図２Ｋ】
2018110367.tif 000025
【図２Ｌ】
2018110367.tif 000026
【図２Ｍ】
2018110367.tif 000027
【図２Ｎ】
2018110367.tif 000028
【図３Ａ】
2018110367.tif 000029
【図３Ｂ】
2018110367.tif 000030
【図３Ｃ】
2018110367.tif 000031
【図３Ｄ】
2018110367.tif 000032
【図３Ｅ】
2018110367.tif 000033
【図３Ｆ】
2018110367.tif 000034
【図３Ｇ】
2018110367.tif 000035
【図３Ｈ】
2018110367.tif 000036
【図３Ｉ】
2018110367.tif 000037
【図３Ｊ】
2018110367.tif 000038
【図３Ｋ】
2018110367.tif 000039
【図３Ｌ】
2018110367.tif 000040
【図４Ａ】
2018110367.tif 000041
【図４Ｂ】
2018110367.tif 000042
【図４Ｃ】
2018110367.tif 000043
【図４Ｄ】
2018110367.tif 000044
【図４Ｅ】
2018110367.tif 000045
【図４Ｆ】
2018110367.tif 000046
【図４Ｇ】
2018110367.tif 000047
【図４Ｈ】
2018110367.tif 000048
【図４Ｉ】
2018110367.tif 000049
【図４Ｊ】
2018110367.tif 000050
【図４Ｋ】
2018110367.tif 000051
【図４Ｌ】
2018110367.tif 000052
【図４Ｍ】
2018110367.tif 000053
【図５Ａ】
2018110367.tif 000054
【図５Ｂ】
2018110367.tif 000055
【図５Ｃ】
2018110367.tif 000056
【図５Ｄ】
2018110367.tif 000057