(57)【要約】【課題】環状金属層と金属膜との密着を向上させること。【解決手段】基板１０と、下面に機能部２２が設けられ、前記機能部と前記基板の上面とが空隙２５を介し対向するように、前記基板の上面に実装されたデバイスチップ２１と、前記基板の上面に設けられ、平面視においてデバイスチップを囲み、前記基板の側面より内側に側面が位置する環状金属層３７と、平面視においてデバイスチップを囲み、前記環状金属層の上面に接合し、前記環状金属層の側面より側面が外側に位置する金属封止部３０と、前記金属封止部の側面および前記環状金属層の側面に設けられた金属膜と、を具備する電子部品。【選択図】図１
2018085490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
下面に機能部が設けられ、前記機能部と前記基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面に実装されたデバイスチップと、
前記基板の上面に設けられ、平面視においてデバイスチップを囲み、前記基板の側面より内側に側面が位置する環状金属層と、
平面視においてデバイスチップを囲み、前記環状金属層の上面に接合し、前記環状金属層の側面より側面が外側に位置する金属封止部と、
前記金属封止部の側面および前記環状金属層の側面に設けられた金属膜と、
を具備する電子部品。
【請求項２】
前記金属封止部の側面と前記環状金属層の側面との距離は前記金属膜の膜厚より大きい請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記金属封止部の側面と前記基板の側面とは略同じ平面上に位置する請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記金属封止部は前記環状金属層との間に前記環状金属層に接合する環状接合層を有し、
前記環状金属層の側面は、前記環状接合層の側面より内側に位置し、前記金属封止部のうち前記環状接合層以外の部分の側面は前記環状接合層の側面より内側に位置する請求項１または２記載の電子部品。
【請求項５】
前記デバイスチップおよび前記金属封止部の上面に設けられたリッドを具備する請求項１から４のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記基板は、支持基板と前記支持基板の上面に接合された圧電基板とを有し、
前記環状金属層は前記圧電基板に埋め込まれている請求項１から５のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項７】
前記環状金属層は銅層であり、前記金属膜はニッケル層であり、前記環状金属層は半田層であることを特徴する請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項８】
前記機能部は弾性波素子である請求項１から７のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項９】
下面に機能部が設けられ、前記機能部と基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面にデバイスチップを実装する工程と、
前記基板の上面に設けられ平面視においてデバイスチップを囲む環状金属層の上面に接合し、前記デバイスチップを囲む金属封止部を形成する工程と、
前記金属封止部および前記環状金属層を切断する工程と、
金属封止部の側面に対し前記環状金属層の側面を選択的にエッチングする工程と、
前記金属封止部の側面および前記環状金属層の側面に金属膜を形成する工程と、
を含む電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、例えばデバイスチップが金属封止部で封止された電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上にデバイスチップを実装し、平面視においてデバイスチップの周囲に設けた半田等の金属封止部によりデバイスチップを封止することが知られている。このような電子部品の製造方法として以下のような方法が知られている。基板の上面にデバイスチップを囲む環状金属層を設ける。金属封止部が環状金属層と接合することにより、金属封止部が基板の上面に接合する。金属封止部および環状金属層の側面に、金属封止部を保護する金属膜を設ける（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２７２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、環状金属層の側面と金属膜との密着が弱いと、金属膜が環状金属層から剥離する。これにより、金属膜は金属封止部を適切に保護できなくなる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、環状金属層と金属膜との密着を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、下面に機能部が設けられ、前記機能部と前記基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面に実装されたデバイスチップと、前記基板の上面に設けられ、平面視においてデバイスチップを囲み、前記基板の側面より内側に側面が位置する環状金属層と、平面視においてデバイスチップを囲み、前記環状金属層の上面に接合し、前記環状金属層の側面より側面が外側に位置する金属封止部と、前記金属封止部の側面および前記環状金属層の側面に設けられた金属膜と、を具備する電子部品である。
【０００７】
上記構成において、前記金属封止部の側面と前記環状金属層の側面との距離は前記金属膜の膜厚より大きい構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記金属封止部の側面と前記基板の側面とは略同じ平面上に位置する構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記金属封止部は前記環状金属層との間に前記環状金属層に接合する環状接合層を有し、前記環状金属層の側面は、前記環状接合層の側面より内側に位置し、前記金属封止部のうち前記環状接合層以外の部分の側面は前記環状接合層の側面より内側に位置する構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記デバイスチップおよび前記金属封止部の上面に設けられたリッドを具備する構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記基板は、支持基板と前記支持基板の上面に接合された圧電基板とを有し、前記環状金属層は前記圧電基板に埋め込まれている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記環状金属層は銅層であり、前記保護膜はニッケル層であり、前記環状金属層は半田層である構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記機能部は弾性波素子である構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、下面に機能部が設けられ、前記機能部と基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面にデバイスチップを実装する工程と、前記基板の上面に設けられ平面視においてデバイスチップを囲む環状金属層の上面に接合し、前記デバイスチップを囲む金属封止部を形成する工程と、前記金属封止部および前記環状金属層を切断する工程と、金属封止部の側面に対し前記環状金属層の側面を選択的にエッチングする工程と、前記金属封止部の側面および前記環状金属層の側面に金属膜を形成する工程と、を含む電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、環状金属層と金属膜との密着を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の断面図および平面図である。
【図２】図２（ａ）は、機能部の平面図、図２（ｂ）は機能部の断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ比較例１および実施例１のおける端部の断面図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１における端部を例示する断面図である。
【図９】図９は、実施例１の変形例１に係る電子部品の断面図である。
【図１０】図１０は、実施例１の変形例２に係る電子部品の断面図である。
【図１１】図１１は、実施例１の変形例３に係る電子部品の断面図である。
【図１２】図１２は、実施例２に係る電子部品の断面図である。
【図１３】図１３は、実施例３に係るデュプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の断面図および平面図である。図１（ｂ）は、基板１０、金属封止部３０、デバイスチップ２１および環状金属層３７を図示している。図１（ａ）に示すように、基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとを有する。支持基板１０ａは例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板またはシリコン基板である。圧電基板１０ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａの上面に接合されている。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａの接合面は平面であり平坦である。
【００１９】
基板１０の下面に端子１４が設けられている。端子１４は、機能部１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０の上面に機能部１２および配線１８が設けられている。基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。端子１４、ビア配線１６および配線１８は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。ビア配線１６は配線１８と端子１４を電気的に接続する。基板１０の上面の外縁には環状金属層３７が設けられている。環状金属層３７上に環状接合層３５が設けられている。環状金属層３７の側面は、基板１０および金属封止部３０の側面より内側に位置し、電子部品の側面に凹部３７ａが形成されている。環状金属層３７は、銅層、ニッケル層、金層、アルミニウム層および銀層等の金属層、またはこれらの積層膜である。環状接合層３５は、ニッケル層等が金属封止部３０と接合した層である。
【００２０】
デバイスチップ２１は、基板２０および機能部２２を有している。基板２０の下面に機能部２２および配線２８が設けられている。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板等の絶縁基板またはシリコン基板等の半導体基板である。配線２８は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。基板２０はバンプ３８を介し基板１０にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。バンプ３８は、例えば金バンプ、半田バンプまたは銅バンプである。バンプ３８は配線２８と１８とを接合する。
【００２１】
基板１０上に平面視においてデバイスチップ２１を囲むように金属封止部３０が設けられている。金属封止部３０は、例えば半田等の金属材料である。金属封止部３０は、環状接合層３５を介し環状金属層３７の上面に接合されている。基板２０の上面および金属封止部３０の上面に平板状のリッド３２が設けられている。リッド３２は例えば金属板または絶縁板である。リッド３２および金属封止部３０を覆うように保護膜３４が設けられている。保護膜３４は凹部３７ａ内面も被覆している。保護膜３４はニッケル膜等の金属膜であり、保護膜３４の融点は金属封止部３０の融点より高い。
【００２２】
機能部１２および２２は空隙２５を介し対向している。空隙２５は、金属封止部３０、基板１０、基板２０およびリッド３２により封止される。バンプ３８は空隙２５に囲まれている。端子１４はビア配線１６および配線１８を介し機能部１２と電気的に接続されている。また、端子１４は、ビア配線１６、配線１８、バンプ３８および配線２８を介し機能部２２と電気的に接続されている。金属封止部３０は接地される。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、環状金属層３７は、基板１０の周縁に設けられ、デバイスチップ２１を囲っている。環状金属層３７の側面は基板１０の側面および金属封止部３０の側面が形成する平面より内側に位置している。これにより電子部品の側面から環状金属層３７の側面が凹んだ凹部３７ａが形成される。
【００２４】
図２（ａ）は、機能部１２の平面図、図２（ｂ）は機能部２２の断面図である。図２（ａ）に示すように、機能部１２は弾性表面波共振器である。基板１０上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が圧電基板１０ｂに弾性表面波を励振する。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。ＩＤＴ４０および反射器４２を覆う保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。この場合、保護膜または温度補償膜を含め機能部１２として機能する。
【００２５】
図２（ｂ）に示すように、機能部２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２０との間に空隙４５が形成されている。下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。
【００２６】
機能部１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を規制しないように、機能部１２および２２は空隙２５に覆われている。
【００２７】
以下、実施例１の各材料および寸法を例示する。支持基板１０ａは膜厚が１００μｍのサファイア基板である。圧電基板１０ｂは膜厚が１０μｍから２０μｍのタンタル酸リチウム基板である。支持基板１０ａの線熱膨張係数が圧電基板１０ｂより小さい場合、機能部１２の弾性波素子の周波数温度依存性が小さくなる。ビア配線は銅ビア配線である。バンプ３８は金バンプである。基板２０はシリコン基板である。金属封止部３０はＳｎＡｇ半田である。リッド３２は膜厚が１５μｍのコバール板である。保護膜３４は膜厚が１０μｍのニッケル層である。
【００２８】
［実施例１の製造方法］
図３（ａ）から図６は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、支持基板１０ａの上面に圧電基板１０ｂの下面を接合する。この接合はウエハ状態で行なう。接合の方法としては、支持基板１０ａの上面と圧電基板１０ｂの下面とを活性化させて常温接合する方法、または接着剤で接合する方法等がある。
【００２９】
図３（ｂ）に示すように、圧電基板１０ｂに所望の開口５０を形成する。開口５０は、例えばパターニングされたフォトレジストをマスクにブラスト法を行なうことで形成する。ブラスト法以外にイオンミリング法またはウェットエッチング法を用いてもよい。
【００３０】
図３（ｃ）に示すように、圧電基板１０ｂおよび支持基板１０ａにビアホールを形成する。ビアホールは例えばレーザ光を照射して形成する。ビアホール内および開口５０内にシード層（不図示）を形成する。シード層に電流を供給し、電解めっき法を用いビアホール内にビア配線１６、開口５０内に環状金属層３７を形成する。ビア配線１６および環状金属層３７を銅層とする場合、シード層は例えば基板１０側から膜厚が１００μｍのチタン膜および膜厚が２００μｍの銅層とすることができる。ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等を用い不要なめっき層を除去する。
【００３１】
図３（ｄ）に示すように、圧電基板１０ｂの上面に機能部１２および配線１８を形成する。機能部１２は例えば基板１０側からチタン膜およびアルミニウム膜である。配線１８は例えば基板１０側からチタン膜および金膜である。
【００３２】
図４（ａ）に示すように、環状金属層３７上に環状電極３６を形成する。環状電極３６は、例えば基板１０側からチタン膜およびニッケル膜であり、蒸着法およびリフトオフ法を用い形成する。図４（ｂ）に示すように、基板１０の下面を研磨または研削する。これにより、基板１０の下面からビア配線１６が露出する。
【００３３】
図４（ｃ）に示すように、ビア配線１６に接触するように、端子１４を形成する。例えば、基板１０の下面にシード層を形成する。シード層下に開口を有するフォトレジストを形成する。シード層に電流を供給し電解めっき法を用い開口内にめっき層を形成する。その後、めっき層以外のシード層を除去する。シード層は、例えば基板１０側からチタン膜および銅膜とすることができる。めっき層は、例えば基板１０側から銅層、ニッケル層および金層とすることができる。
【００３４】
図４（ｄ）に示すように、基板１０上に基板２０をフリップチップ実装する。基板２０は個片化後のチップであり、基板２０の下面に、バンプ３８として金スタッドバンプが形成されている。
【００３５】
図５（ａ）に示すように、基板１０上に基板２０を覆うように半田板を配置する。半田板上にリッド３２を配置する。リッド３２で半田板を基板１０に押圧し半田板の融点以上に加熱する。例えばＳｎＡｇ半田の融点は約２２０℃であり、２３０℃以上の温度とする。これにより、半田板が溶融し金属封止部３０が形成される。金属封止部３０は環状電極３６と合金を形成し環状接合層３５となる。環状接合層３５を介し、金属封止部３０と環状金属層３７とが接合する。リッド３２は半田の濡れ性がよいため金属封止部３０はリッド３２に接合する。リッド３２は基板２０の上面に接触するが接合しない。
【００３６】
図５（ｂ）に示すように、基板１０の下面をフォトレジスト等の保護膜５２で保護する。リッド３２、金属封止部３０および環状金属層３７を切断する。これにより、複数の電子部品１００に個片化される。切断には例えばダイシング法を用いる。
【００３７】
図５（ｃ）に示すように、電子部品１００の側面のうち基板１０および金属封止部３０はエッチングされず、環状金属層３７がエッチングされるエッチング材を用い、環状金属層３７の側面をエッチングする。これにより、電子部品１００の側面に凹部３７ａが形成される。金属封止部３０の半田をエッチングせず、環状金属層３７の銅をエッチングするエッチング液として、例えば硫酸銅または硝酸銅を用いることができる。環状金属層３７のエッチングは、バレル内で行ってもよい。
【００３８】
図６に示すように、複数の電子部品１００をバレル（不図示）に入れバレルをめっき槽５８に投入する。バレルめっき法を用い、保護膜３４を形成する。保護膜３４は例えば膜厚が１０μｍのニッケル膜である。保護膜３４は、主に金属材料の表面に形成される。よって、保護膜３４はリッド３２の上面、金属封止部３０の側面および環状金属層３７の側面に形成されるが、基板１０の側面および保護膜５２の下面には形成されない。保護膜３４の形成後、保護膜５２を剥離する。これにより、図１（ａ）および図１（ｂ）の電子部品が完成する。
【００３９】
実施例１の効果を説明する。図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ比較例１および実施例１のおける端部の断面図である。図７（ａ）に示すように、比較例１では、基板１０、環状金属層３７および金属封止部３０の側面は略平面である。このとき、電子部品の上面の周縁付近から下方向に荷重６０が加わると、金属封止部３０は柔らかいため圧縮される。これにより、保護膜３４と環状金属層３７とにせん断応力が生じる、これにより、保護膜３４が金属封止部３０および環状金属層３７の側面から剥がれてしまう（符号６２）。保護膜３４は環状金属層３７を保護する機能を有している。保護膜３４は、例えば電子部品をプリント基板等に実装するときのリフロー等で環状金属層３７が変形することを抑制する。保護膜３４が環状金属層３７から剥がれると保護膜としての機能が損なわれる。
【００４０】
図７（ｂ）に示すように、実施例１では、円６４のように環状金属層３７の凹部３７ａ内に保護膜３４が形成されている。これにより、金属封止部３０から保護膜３４が剥がれても環状金属層３７から保護膜３４は剥がれない。これにより、保護膜としての機能が損なわれない。
【００４１】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１における端部を例示する断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、保護膜３４の膜厚をｔ１、環状金属層３７の下面の幅をＷ１、基板１０側面から環状金属層３７の側面までの幅をＷ２とする。環状金属層３７の幅Ｗ１は例えば４００μｍである。保護膜３４の膜厚ｔ１は例えば１０μｍである。図８（ａ）に示すように、幅Ｗ２が５μｍのとき、保護膜３４の膜厚方向のほぼ半分が基板１０上に形成される。これにより、荷重６０がかかっても保護膜３４が基板１０表面に載った部分で保護膜３４の剥離を抑制できる。図８（ｂ）に示すように、幅Ｗ２が１５μｍのとき、保護膜３４の膜方向のすべてが基板１０上に形成される。これにより、荷重６０がかかったとき、保護膜３４の応力はほとんど基板１０表面に加わる。これにより、保護膜３４の剥離をより抑制できる。
【００４２】
実施例１によれば、環状金属層３７の側面は基板１０の側面より内側に位置する。金属封止部３０の側面は環状金属層３７の側面より外側に位置する。保護膜３４（金属膜）は、金属封止部３０および環状金属層３７の側面に設けられている。これにより、図７（ｂ）のように、保護膜３４の剥離を抑制できる。
【００４３】
実施例１の図５（ｂ）のように、金属封止部３０および環状金属層３７を切断する。図５（ｃ）のように、金属封止部３０の側面に対し環状金属層３７の側面を選択的にエッチングする。その後、図６のように金属封止部３０の側面および環状金属層３７の側面に保護膜３４を形成する。これにより、凹部３７ａを形成することができる。
【００４４】
また、凹部３７ａの深さ（つまり金属封止部３０の側面と環状金属層３７の側面との距離）は保護膜３４の膜厚より大きい。これにより、図８（ｂ）のように、保護膜３４の剥離をより抑制できる。
【００４５】
金属封止部３０の側面と基板１０の側面とは略同じ平面上に位置する。これにより、金属封止部３０と基板１０とを同時に切断することができる。
【００４６】
デバイスチップ２１および金属封止部３０の上面にリッド３２が設けられている。これにより、機能部２２を気密封止できる。
【００４７】
基板１０は、支持基板１０ａと支持基板１０ａの上面に接合された圧電基板１０ｂとを有し、環状金属層３７は圧電基板１０ｂに埋め込まれている。これにより、環状金属層３７を厚く形成しても、環状金属層３７が基板１０の上面から突出しない。よって、設計性が向上する。
【００４８】
図９は、実施例１の変形例１に係る電子部品の断面図である。図９に示すように、環状金属層３７は圧電基板１０ｂ上に設けられていてもよい。
【００４９】
図１０は、実施例１の変形例２に係る電子部品の断面図である。図１０に示すように、基板１０は、絶縁基板であり、機能部１２が設けられていなくてもよい。絶縁基板としては、例えばＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramic）またはＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic）等のセラミックス多層基板、サファイア基板、ガラス基板、ハイラセム（登録商標）基板または樹脂基板である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００５０】
図１１は、実施例１の変形例３に係る電子部品の断面図である。図１１に示すように、基板１０上に複数の機能部１２が形成されている。基板１０上に複数の基板２０が実装されている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【実施例２】
【００５１】
図１２は、実施例２に係る電子部品の断面図である。図１２に示すように、環状接合層３５以外の金属封止部３０の側面が環状接合層３５の側面より内側に位置している。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例２では、図５（ｃ）においてエッチング液として例えば酢酸系エッチング液を用いる。これにより、ＡｇＳｎ半田および銅はエッチングされ、ＡｇＳｎとＮｉと合金を含む環状接合層３５はほとんどエッチングされない。よって、図１１のような実施例１の変形例３に係る電子部品を製造できる。実施例１の変形例１から３に実施例２を適用してもよい。
【実施例３】
【００５２】
実施例３は、デュプレクサ等のマルチプレクサの例である。図１３は、実施例３に係るデュプレクサの回路図である。図１３に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ７２が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ７４が接続されている。送信フィルタ７２は送信端子Ｔｘから入力した高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Ａｎｔに通過させ、他の信号を抑圧する。受信フィルタ７４は、共通端子Ａｎｔに入力した高周波信号のうち受信帯域の信号を通過させ、他の信号を抑圧する。
【００５３】
送信フィルタ７２は、実施例１および２の機能部２２により形成され、受信フィルタ７４は、実施例１および２の機能部１２により形成される。これにより、実施例１および２の電子部品はデュプレクサとして機能する。マルチプレクサとしてデュプレクサの例を説明したが、トリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。例えば実施例１の変形例３において、基板１０に複数のフィルタを形成し、デバイスチップ２１に各々フィルタを形成することができる。
【００５４】
実施例１、２およびその変形例において、機能部１２および２２の両方が弾性表面波素子または両方が圧電薄膜共振器でもよい。また機能部１２が圧電薄膜共振器であり、機能部２２が弾性表面波素子でもよい。機能部１２および２２は弾性波素子以外でもよい。例えば、機能部は、アンプおよび／またはスイッチのような能動素子でもよい。また、機能部は、インダクタおよび／またはキャパシタ等の受動素子でもよい。
【００５５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０、２０  基板
１０ａ  支持基板
１０ｂ  圧電基板
１２、２２  機能部
２１  デバイスチップ
３０  金属封止部
３２  リッド
３４  保護膜
３５  環状接合層
３７  環状金属層
３７ａ  凹部
３８  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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