(57)【要約】      （修正有）【課題】統合型温度センサを備えた弾性表面波フィルタを提供する。【解決手段】統合型温度センサ１４は、例えば、弾性表面波共振器のための反射格子として構成された抵抗温度デバイスとすることができる。無線周波数システム１０が、統合型温度センサ１４により与えられる温度表示がしきい値を満たすことに応答して、前記弾性表面波フィルタに与えられる無線周波数信号の電力レベルを低減することにより、過温度保護を与えることができる。【選択図】図１
2018110383.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過温度保護を備えた無線周波数システムであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波フィルタであって、統合型温度センサを含む弾性表面波フィルタと、
前記無線周波数信号を前記弾性表面波フィルタに与えるように構成された無線周波数信号経路と、
前記温度センサにより与えられた温度表示がしきい値を満たすことに応答して前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成された過温度回路と
を含む無線周波数システム。
【請求項２】
前記統合型温度センサは、温度に伴い変化する抵抗を有する抵抗温度デバイスを含む請求項１の無線周波数システム。
【請求項３】
前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波フィルタの少なくとも一つの弾性表面波共振器のための格子として配列される請求項２の無線周波数システム。
【請求項４】
前記抵抗温度デバイスは、互いに直列に配列された複数の金属片を含む請求項２の無線周波数システム。
【請求項５】
前記抵抗温度デバイスは１ｋΩから１０ｋΩの範囲の抵抗を有する請求項２の無線周波数システム。
【請求項６】
前記無線周波数信号経路は、前記弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み、
前記過温度回路は、前記電力増幅器への入力信号の電力レベルを低減することにより前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される請求項１の無線周波数システム。
【請求項７】
前記無線周波数信号経路は、前記弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み、
前記過温度回路は、前記電力増幅器の出力信号を減衰させることにより前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される請求項１の無線周波数システム。
【請求項８】
前記無線周波数信号経路は、前記弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み、
前記過温度回路は、前記電力増幅器の出力を、スイッチを使用して前記弾性表面波フィルタへの入力から切り離すことにより、前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される請求項１の無線周波数システム。
【請求項９】
弾性表面波フィルタであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波共振器と、
温度に伴い変化する抵抗を有する抵抗温度デバイスと
を含み、
前記抵抗温度デバイスは、互いに直列に配列された金属片を含むとともに、前記弾性表面波共振器の一の弾性表面波共振器の反射格子として構成される弾性表面波フィルタ。
【請求項１０】
前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波フィルタの入力ポートとグランドとの間に接続される請求項９の弾性表面波フィルタ。
【請求項１１】
前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波フィルタの専用温度センシングポートに接続される請求項９の弾性表面波フィルタ。
【請求項１２】
前記抵抗温度デバイスは、少なくとも５００Ωの抵抗を有する請求項９の弾性表面波フィルタ。
【請求項１３】
前記抵抗温度デバイスは１ｋΩから１０ｋΩの範囲の抵抗を有する請求項９の弾性表面波フィルタ。
【請求項１４】
前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波フィルタの他のエリアよりも電力散逸が高い前記弾性表面波フィルタの一のエリアに隣接して位置決めされる請求項９の弾性表面波フィルタ。
【請求項１５】
前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波共振器の第２の弾性表面波共振器のための反射格子として構成される請求項９の弾性表面波フィルタ。
【請求項１６】
パッケージ状モジュールであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波フィルタであって、統合型温度センサを含む弾性表面波フィルタと、
前記統合型温度センサに動作可能に結合された過温度回路と、
前記弾性表面波フィルタ及び前記過温度回路を封止するパッケージと
を含み、
前記過温度回路は、前記温度センサにより与えられる温度表示がしきい値を満たすことに応答して前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成されるパッケージ状モジュール。
【請求項１７】
前記統合型温度センサは、互いに直列に配列された複数の金属片を含む抵抗温度デバイスであるとともに、前記弾性表面波フィルタの少なくとも一つの弾性表面波共振器のための反射格子として構成される請求項１６のパッケージ状モジュール。
【請求項１８】
前記抵抗温度デバイスは、少なくとも５００Ωの抵抗を有する請求項１７のパッケージ状モジュール。
【請求項１９】
前記弾性表面波フィルタは、デュプレクサの送信フィルタである請求項１６のパッケージ状モジュール。
【請求項２０】
前記パッケージの中に封止された第２の弾性波フィルタと、
前記弾性表面波フィルタに結合された第１投、及び前記第２の弾性波フィルタに結合された第２投を有する多投スイッチと
をさらに含む請求項１６のパッケージ状モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、温度センサを備えたフィルタ、及び／又はフィルタの過温度保護を与えることに関する。
【０００２】
優先権出願の相互参照
本願は、２０１６年１２月２１日に出願された「温度センサを備えた弾性表面波フィルタ」との名称の米国仮特許出願第６２／４３７，５１９号の米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張し、その開示は、全体がここに参照として組み入れられる。本願は、２０１６年１２月２１日に出願された「過温度保護を備えたフィルタ」との名称の米国仮特許出願第６２／４３７，５４４号の、米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張し、その開示は、全体がここに参照として組み入れられる。
【背景技術】
【０００３】
弾性波フィルタのようなフィルタは、無線周波数（ＲＦ）信号をフィルタリングすることができる。弾性波フィルタの例には、弾性表面波（Ｓｕｒｆｉｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ（ＳＡＷ））フィルタ及びバルク弾性波（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ（ＢＡＷ））フィルタが含まれる。圧電薄膜共振器（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ（ＦＢＡＲ））フィルタは、ＢＡＷフィルタの一例である。
【０００４】
無線周波数電子システムには弾性波フィルタを実装することができる。例えば、弾性波フィルタは、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタに含めることができる。十分に高い電力を有する入力信号を受信することは、弾性波フィルタに損傷を与え得る。
【発明の概要】
【０００５】
特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。特許請求の範囲を制限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が以下に記載される。
【０００６】
本開示の一側面は、弾性表面波共振器及び抵抗温度デバイスを含む弾性表面波フィルタである。弾性表面波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするように構成される。抵抗温度デバイスは、温度により変化する抵抗を有する。抵抗温度デバイスは、互いに直列に配列された金属片を含む。抵抗温度デバイスは、弾性表面波共振器の弾性表面波共振器の反射格子として構成される。
【０００７】
抵抗温度デバイスは、弾性表面波フィルタの入力ポートとグランドとの間に接続することができる。抵抗温度デバイスは、弾性表面波フィルタの専用温度センシングポートに接続することができる。抵抗温度デバイスは、弾性表面波フィルタの出力ポートとグランドとの間に接続することができる。抵抗温度デバイスは、弾性表面波フィルタの他エリアよりも高い電力散逸性を有する弾性表面波フィルタの一エリアに隣接して位置決めすることができる。
【０００８】
抵抗温度デバイスの抵抗は、少なくとも５００Ωとなり得る。抵抗温度デバイスの抵抗は、少なくとも１ｋΩとなり得る。抵抗温度デバイスの抵抗は、１ｋΩから１０ｋΩの範囲となり得る。
【０００９】
金属片は、平面図で蛇行形状に形成することができる。金属片はアルミニウムを含み得る。
【００１０】
抵抗温度デバイスはさらに、弾性表面波共振器の第２の弾性表面波共振器のための反射格子として構成することができる。
【００１１】
弾性表面波フィルタは送信フィルタとすることができる。
【００１２】
本開示の他側面は、過温度保護を備えた無線周波数システムである。無線周波数システムは、弾性表面波フィルタ、無線周波数信号経路及び過温度回路を含む。弾性表面波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするように構成される。弾性表面波フィルタは統合型温度センサを含む。無線周波数信号経路は、無線周波数信号を弾性表面波フィルタに与えるように構成される。過温度回路は、しきい値を満たす温度センサにより与えられる温度表示に応答して無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される。
【００１３】
統合型温度センサは、温度に伴って変化する抵抗を有する抵抗温度デバイスを含み得る。抵抗温度デバイスは、弾性表面波フィルタの少なくとも一つの弾性表面波共振器のための格子として配列することができる。代替的に、温度センサは、熱電対、共振器又はサーミスタを含み得る。
【００１４】
過温度回路は、無線周波数信号の電力レベルを、しきい値を満たす温度センサにより与えられる温度表示に応答して安全なレベルまで低減することができる。安全なレベルは、弾性表面波フィルタへの入力電力レベルの特定の上限未満にある電力レベルを代表し得る。安全なレベルにある無線周波数信号は、弾性表面波フィルタに損傷を与えることがない。
【００１５】
無線周波数信号経路は、送信信号経路とすることができる。無線周波数信号経路は、弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み得る。過温度回路は、電力増幅器の入力の電力レベルを低減することができる。代替的に又は付加的に、過温度回路は、電力増幅器の出力を減衰させることができる。いくつかの例において、過温度回路は、スイッチを使用して弾性表面波フィルタへの入力から無線周波数信号を切り離すことができる。
【００１６】
無線周波数システムは、ここに記載される弾性表面波フィルタの一以上の適切な特徴を含み得る。
【００１７】
本開示の他側面は、弾性表面波フィルタと、過温度回路と、当該弾性表面波フィルタ及び当該過温度回路を封止するパッケージとを含むパッケージ状モジュールである。弾性表面波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするように構成される。弾性表面波フィルタは統合型温度センサを含む。過温度回路は、統合型温度センサに動作可能に結合される。過温度回路は、しきい値を満たす温度センサにより与えられる温度表示に応答して無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される。
【００１８】
パッケージ状モジュールは、第２の統合型温度センサを含む第２の弾性表面波フィルタを含み得る。
【００１９】
弾性表面波フィルタは、マルチプレクサの送信フィルタとすることができる。マルチプレクサはデュプレクサとすることができる。代替的に、弾性表面波フィルタは、スタンドアロン送信フィルタとして実装することができる。
【００２０】
パッケージ状モジュールは、第２の弾性波フィルタと、パッケージ内に封止された多投スイッチとを含み、当該多投は、弾性表面波フィルタに結合された第１投と、第２の弾性波フィルタに結合された第２投とを有する。パッケージ状モジュールはまた、パッケージ内に封止された第２の多投スイッチも含み得る。弾性表面波フィルタは、多投スイッチと第２の多投スイッチとの間に結合される。
【００２１】
パッケージ状モジュールは、ここに説明される弾性表面波フィルタ及び／又は無線周波数システムの一以上の適切な特徴を含み得る。
【００２２】
本開示の他側面は、過温度保護を備えた無線周波数システムである。無線周波数システムは、無線周波数信号を与えるように構成された送信信号経路と、当該送信信号経路とアンテナポートとの間に結合された送信フィルタと、過温度回路とを含む。送信フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするように構成される。送信フィルタは統合型温度センサを含む。過温度回路は、しきい値を満たす統合型温度センサにより与えられる温度表示に応答して無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される。
【００２３】
送信フィルタは、弾性波フィルタとすることができる。統合型温度センサは、弾性波フィルタの弾性表面波共振器の格子として配列された抵抗温度デバイスを含み得る。抵抗温度デバイスはまた、弾性波フィルタの第２の弾性表面波共振器の格子として配列することもできる。弾性波フィルタは、弾性表面波フィルタとすることができる。弾性波フィルタは、圧電薄膜共振器フィルタのようなバルク弾性波フィルタとすることができる。
【００２４】
過温度回路は、無線周波数信号の電力レベルを、しきい値を満たす温度センサにより与えられる温度表示に応答して安全なレベルまで低減することができる。安全なレベルは、弾性表面波フィルタへの入力電力レベルの特定の上限未満にある電力レベルを代表し得る。安全なレベルにある無線周波数信号は、弾性表面波フィルタに損傷を与えることがない。
【００２５】
送信信号経路は、送信フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み得る。過温度回路は、電力増幅器の入力の電力レベルを低減することができる。代替的に又は付加的に、過温度回路は、電力増幅器の出力を減衰させることができる。過温度回路は、所定の例において、スイッチを使用して送信フィルタへの入力から無線周波数信号を切り離すことができる。
【００２６】
統合型温度センサは抵抗温度デバイスを含み得る。統合型温度は代替的に、熱電対、共振器又はサーミスタを含み得る。
【００２７】
温度センサは、送信フィルタの入力ポートと、グランドとの間に接続することができる。代替的に、温度センサは、送信フィルタの出力ポート、グランドとの間に接続することができる。温度センサは、送信フィルタの専用温度センシングポートと、グランドとの間に接続することができる。温度センサは、送信フィルタの第１ポートに結合された第１端と、送信フィルタの第２ポートに結合された第２端と有し得る。
【００２８】
本開示の他側面は、無線周波数信号をフィルタリングするように構成された送信フィルタと、過温度回路と、当該送信フィルタ及び当該過温度回路を封止するパッケージとを含むパッケージ状モジュールである。送信フィルタは統合型温度センサを含む。過温度回路は、統合型温度センサに動作可能に結合される。過温度回路は、しきい値を満たす温度センサにより与えられる温度表示に応答して無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される。
【００２９】
パッケージ状モジュールは、第２の統合型温度センサを含む第２の送信フィルタを含み得る。
【００３０】
送信フィルタは、マルチプレクサに含めることができる。マルチプレクサは、デュプレクサとすることができる。代替的に、送信フィルタは、スタンドアロン送信フィルタとして構成することができる。
【００３１】
パッケージ状モジュールは、パッケージ内に封止された第２の送信フィルタ及び多投スイッチを含み得る。多投は、送信フィルタに結合された第１投と、第２の送信フィルタに結合された第２投とを有する。パッケージ状モジュールはまた、パッケージ内に封止された第２の多投スイッチを含み得る。送信フィルタが、多投スイッチと第２の多投スイッチとの間に結合される。
【００３２】
パッケージ状モジュールは、ここに記載される送信フィルタ及び／又は無線周波数システムの一以上の適切な特徴を含み得る。
【００３３】
本開示の他側面は無線通信デバイスである。無線通信デバイスは、無線周波数フロントエンドと、当該無線周波数フロントエンドの送信フィルタに動作可能に結合されたアンテナとを含む。無線周波数フロントエンドは、無線周波数信号をフィルタリングするように構成された送信フィルタを含む。送信フィルタは統合型温度センサを含む。無線周波数フロントエンドはまた、しきい値を満たす統合型温度センサにより与えられた温度表示に応答して無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成された過温度回路も含む。
【００３４】
無線通信デバイスは携帯電話機とすることができる。
【００３５】
無線通信デバイスは、無線周波数フロントエンドと通信する送受信器を含み得る。過温度回路は、無線周波数信号の電力レベルを低減するべく、送受信器に過温度信号を与えるように構成される。
【００３６】
無線通信デバイスは、ここに説明される送信フィルタのいずれか、ここに説明される無線周波数システムのいずれか、ここに説明されるパッケージ状モジュールのいずれか、又はこれらの任意の組み合わせ、の一以上の適切な特徴を含み得る。
【００３７】
本開示の他側面は、無線周波数システムにおける過温度保護の方法である。方法は、無線周波数信号をフィルタリングするように構成されたフィルタの温度表示を、当該フィルタにおける統合型温度センサを使用して与えることと、当該フィルタの温度表示がしきい値を満たすことを検出することと、当該フィルタに与えられる当該無線周波数信号の電力レベルを、当該検出に応答して低減することとを含む。
【００３８】
フィルタは弾性表面波フィルタとすることができ、統合型温度センサは抵抗温度デバイスとすることができる。
【００３９】
無線周波数信号の電力レベルを低減することは、フィルタに動作可能に結合された電力増幅器への入力信号の電力レベルを低減することを含み得る。無線周波数信号の電力レベルを低減することは、電力増幅器をフィルタから切り離すことを含み得る。
【００４０】
方法は、携帯デバイスのアンテナを使用して無線周波数信号を送信することを含み得る。
【００４１】
本開示をまとめる目的で、本イノベーションの所定の態様、利点、及び新規な特徴がここに記載されてきた。理解すべきことだが、かかる利点のすべてが必ずしも、本発明の任意の特定実施形態によって達成できるわけではない。すなわち、本イノベーションは、ここに教示される一つの利点又は複数の利点の群を、ここに教示され又は示唆され得る他の利点を達成する必要なしに、達成又は最適化する態様で具体化し又は実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
本開示の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して以下に記載される。
【００４３】
【図１】図１Ａは、一実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システムの模式的な図である。図１Ｂは、一実施形態に係る過温度回路の例の模式的な図である。
【図２】図２Ａは、他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システムの模式的な図である。図２Ｂは、他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システムの模式的な図である。
【図３】他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システムの模式的な図である。
【図４】他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システムの模式的な図である。
【図５Ａ】一実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図５Ｂ】一実施形態に係る抵抗温度デバイスと、当該抵抗温度デバイスに結合されたオフダイ回路要素とを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図５Ｃ】他実施形態に係る抵抗温度デバイスと、当該抵抗温度デバイスに結合されたオフダイ回路要素とを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図６】他実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図７】他実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図８】他実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図９】一実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図１０】一実施形態に係る熱電対を含む統合型温度センサを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図１１】一実施形態に係る共振器を含む統合型温度センサを備えた弾性波フィルタの模式的な図である。
【図１２Ａ】一実施形態に係る統合型温度センサを備えた送信フィルタを含むデュプレクサの模式的なブロック図である。
【図１２Ｂ】一実施形態に係る、第１の統合型温度センサを備えた送信フィルタと、第２の統合型温度センサを備えた受信フィルタとを含むデュプレクサの模式的なブロック図である。
【図１２Ｃ】一実施形態に係る統合型温度センサを備えた受信フィルタを含むデュプレクサの模式的なブロック図である。
【図１３】周波数にわたるデュプレクサの伝達関数のグラフである。ここで、伝達関数のシフトにより、帯域外ブロッカー障害がもたらされ得る。
【図１４】図１３のグラフの送信及び受信の通過帯域を拡大したグラフである。
【図１５】弾性表面波デュプレクサのシミュレーションヒートマップである。
【図１６Ａ】一実施形態に係る統合型抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタのレイアウトのブロック図である。
【図１６Ｂ】他実施形態に係る統合型抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタのレイアウトのブロック図である。
【図１７Ａ】一実施形態に係る弾性表面波共振器のための格子として構成された蛇行型抵抗温度デバイスを例示する。
【図１７Ｂ】他実施形態に係る弾性表面波共振器のための格子として構成された蛇行型抵抗温度デバイスを例示する。
【図１８】一実施形態に係る統合型抵抗温度デバイスを備えた弾性表面波フィルタの一部分を例示する。
【図１９】図１８の弾性表面波フィルタの拡大された部分を例示する。
【図２０】一実施形態に係るフィルタ及び過温度回路を含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図２１】他実施形態に係るフィルタ及び過温度回路を含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図２２】他実施形態に係るフィルタ及び過温度回路を含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図２３】他実施形態に係るフィルタ及び過温度回路を含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図２４】一以上の実施形態に係る統合型温度センサを備えたフィルタを含み得る無線周波数フロントエンドを含む無線通信デバイスである。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
所定の実施形態の以下の詳細な記載は、詳しい実施形態の様々な記載を代表する。しかしながら、ここに記載されるイノベーションは、例えば特許請求の範囲により画定かつカバーされる多数の異なる態様で実施することができる。この記載において、同じ参照番号が同一の又は機能的に同様の要素を示し得る図面を参照することができる。図面に例示される要素は必ずしも縮尺どおりではないことが理解される。さらに、所定の実施形態が、図面に例示のものよりも多くの要素、及び／又は図面に例示の要素の部分集合を含み得る。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴の任意の適切な組み合わせを組み入れることができる。
【００４５】
弾性表面波フィルタのようなフィルタは、セルラーハンドセットの送信経路において、フィルタに与えられる信号の入力電力が高すぎると、損傷を受け得る。フィルタは、デュプレクサのようなマルチプレクサに実装することができる。閉ループの電力制御器は、送受信器からの入力電力を調整してセルラーハンドセットのアンテナにおける変動損失を補償することにより、セルラーハンドセットのアンテナからの実質的に一定の順方向電力を維持しようとすることができる。所定の高い電圧定在波比（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｒａｔｉｏ（ＶＳＷＲ））のシナリオにおいて、アンテナからの所望の電力を維持しようとする場合、出力損失が十分に高くなり得るので、フィルタにより与えられる信号の入力電力は、当該フィルタの限界を超えて押し上げられることがある。これにより、フィルタは、いくつかの場合において、回復困難な損傷を受け得る。
【００４６】
フィルタ入力へと与えられる信号の相対的に高い入力電力に起因するフィルタ損傷を回避するべく、いくつかのフィルタは、比較的極端な電力及びＶＳＷＲの条件に耐えるように設計されている。しかしながら、これは、フィルタ設計プロセスに対して有意な課題を加えることとなり得るので、フィルタの物理的サイズをどれほど小さくできるかとの点で制限となり得る。
【００４７】
フィルタ又はデュプレクサにおける散逸電力は、熱エネルギー（例えばフィルタダイにおける局所的な高温）として顕在化し得る。したがって、所与量の散逸電力が、対応する温度上昇をもたらし得る。過剰な温度上昇は、フィルタの損傷のような故障事象に先立って生じ得る。比較的高い電力散逸のエリアに隣接するフィルタ基板に温度センサを統合することにより、散逸電力を原位置でモニタリングすることができる。特定の温度しきい値を超過したことに応答してフィルタへの入力電力を低減するべく、過温度回路を実装することができる。過温度回路は、比較的単純な相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）回路又は他の同様の技術を使用して実装することができる。
【００４８】
弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタは典型的に、それぞれが少なくとも２つの反射格子を含み得る複数のＳＡＷ共振器を含む。格子は、音響エネルギーを反射するように配列することができる。したがって、格子は、音響反射器と称することができる。当該格子の一以上は、互いに電気的に並列に接続された複数の周期的に分散された比較的薄い金属片を含む。これらの金属片は、ＳＡＷフィルタの音響的に活性なエリアの一部なので、電極の幾何学的形状を精密に制御することができる。精密に制御された金属片幾何学形状を利用して、一以上の反射格子の並列接続された金属片を直列接続に再構成することにより、再現性の高い抵抗温度デバイス（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｖｉｃｅ（ＲＴＤ））を形成することができる。抵抗温度デバイスの抵抗は温度に伴い変化する。比較的多数の反射片を一緒にして直列につなぐことにより、比較的大きな抵抗を有する抵抗温度デバイスを実現することができる。比較的大きな抵抗は、少なくとも一キロオーム（ｋΩ）又は数キロオームとなり得る。
【００４９】
抵抗温度デバイスの抵抗が十分大きければ（例えば少なくとも５００Ω又は少なくとも１ｋΩ）、抵抗温度デバイスを既存の直流（ＤＣ）遮断フィルタ入力又はフィルタ出力にシャント接続することができるので、余分のデバイス接続なしに温度をモニタリングすることができる。抵抗温度デバイスをＤＣ遮断フィルタ入力又はフィルタ出力にシャント接続することにより、挿入損失を有意に増加させることなしに温度をモニタリングすることができる。例えば、典型的な５０Ωシステムにおいて、シャント接続された３．５ｋΩの抵抗は、約０．０５ｄＢの追加挿入損失を加えるにすぎない。
【００５０】
直列接続された金属片の抵抗温度デバイスは、ＳＡＷフィルタの既存のデバイスの幾何学的形状を再構成することができるので、フィルタダイの余分のエリアを使い切ることなしに抵抗温度デバイスを実装することができる。直列接続された反射格子に統合型抵抗温度デバイスが形成されたＳＡＷフィルタを、耐久性要件を緩和してフィルタサイズ及びコストの低減を可能にする比較的安価なソリューションに含めることができる。
【００５１】
本開示の複数の側面は、フィルタの過温度保護がなければ致命的となり得る所定のＶＳＷＲ条件に起因するフィルタへの回復困難な損傷を防止することに関する。無線周波数信号をフィルタに与えるべく配列された送信経路におけるフィルタ入力電力の低減及び／又は電力増幅器のシャットオフは、過剰加熱に起因するフィルタ損傷を防止する一定の方法である。ＲＴＤのような統合型温度センサにより与えられる温度表示を使用して、過温度回路は、フィルタへの回復困難な損傷を引き起こしかねない条件を検出し、そのようなフィルタ損傷を防止することができる。
【００５２】
蛇行型抵抗温度デバイス又は他の統合型温度センサを、バルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタ及び／又は他のフィルタ技術に基づいて実装することができる。ＢＡＷフィルタは、ＲＴＤを形成するべく使用可能な厳重に制御された金属プロセスによって製造することができる。これにより、繰り返し可能な態様で形成することができる精密な抵抗を備えたＲＴＤをもたらすことができる。
【００５３】
ここに説明される原理及び利点はいずれも、適切であれば様々な無線周波数（ＲＦ）システムに当てはめることができる。かかる無線周波数システムは、過温度保護を実装し得る。フィルタの統合型温度センサが、フィルタの温度表示を過温度回路に与えることができる。過温度回路は、統合型温度センサの出力がしきい値を満たすか否かを検出することができる。温度センサの出力がしきい値を満たした（例えばしきい値を超えた）ことに応答して、過温度回路は、フィルタに与えられる無線周波数信号の電力レベル及び／又は信号レベルを低減することができる。過温度回路は、無線周波数信号の電力レベル及び／又は信号レベルを、任意の適切な態様で低減することができる。図１Ａ、２Ａ、２Ｂ、３及び４は、過温度保護を備えた無線周波数システムの複数の例を与える。これらの無線周波数システムの特徴の任意の適切な組み合わせを実装することができる。
【００５４】
図１Ａは、一実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システム１０の模式的な図である。例示されるように、無線周波数システム１０は、統合型温度センサ１４を備えたフィルタ１２、過温度回路１６、及び無線周波数信号経路１８を含む。
【００５５】
フィルタ１２は、ＲＦ信号をフィルタリングすることができる。送信フィルタは、典型的なＲＦシステムにおいて受信フィルタよりも高い信号レベルを有するＲＦ信号を受信することができる。したがって、送信フィルタのための過温度保護を設けることが有利となり得る。すなわち、フィルタ１２は、デュプレクサの送信フィルタのような送信フィルタとすることができる。フィルタ１２は、例えばＳＡＷフィルタとすることができる。いくつかの例において、フィルタ１２は、ＦＢＡＲフィルタのようなＢＡＷフィルタとすることができる。フィルタ１２は、いくつかのアプリケーションにおいて、一以上のＳＡＷ共振器及び一以上のＢＡＷ共振器を含み得る。
【００５６】
統合型温度センサ１４は、フィルタリングを行うフィルタ１２の要素と同じフィルタ基板に存在し得る。一例では、フィルタ１２の弾性波共振器と温度センサ１４とは、同じフィルタ基板に存在してよい。統合型温度センサ１４は、任意の適切な温度センサとすることができる。例えば、温度センサ１４はＲＴＤとすることができる。抵抗温度デバイスは、一以上の弾性表面波共振器のための格子として配列された複数の金属片を含み得る。かかる抵抗温度デバイスは、平面図において蛇行型とすることができる。いくつかの他例において、温度センサ１４は熱電対を含み得る。温度センサ１４は、所定の例において温度に伴い変化する共振周波数を有する一以上の共振器を含み得る。温度センサ１４は、適切であれば、ここに説明される原理及び利点のいずれかに従う温度センサを含み得る。
【００５７】
フィルタ１２は、図１Ａにおいて、専用の信号線を介して過温度回路１６に温度表示信号を与えるように例示されるが、温度表示信号は、様々な態様で過温度回路１６に与えることができる。例えば、過温度回路１６は、温度センサ１４からの温度表示を、フィルタ１２の入力から、フィルタ１２の出力から、又はフィルタ１２の２つのポート間に配列された温度センサ１４から取得することができる。いくつかの例において、ＲＣ回路又はＬＣ回路のようなフィルタリング回路は、温度表示を与えるべく配列されたフィルタ１２の入力と、過温度回路１６との間に結合することができる。フィルタ１２が２つのポートを含み、その両ポート間に温度センサ１４が結合されたいくつかの他の例によれば、異なるフィルタにおける温度センサを、デイジーチェーン接続することができる。かかるデイジーチェーンは、所定の例において、過温度回路１６へのＩ／Ｏ信号の数を低減することができる。過温度回路１６は、図５Ａ〜１１の弾性波フィルタの例の現地及び利点のいずれかに従ってフィルタ１２の温度センサ１４から温度表示を取得することができる。
【００５８】
過温度回路１６は、温度センサ１４の出力がしきい値を満たすか否かを検出することができる。このことは、フィルタ１２の温度が、フィルタを損傷し得る温度に近いか否かを検出することを含む。過温度回路１６は、フィルタ１２の温度が、フィルタ１２を損傷するか、そうでなければフィルタ１２の機能を損ない得る温度に比較的近いことを検出したことに応答して、フィルタ１２の入力ポートにおける入力電力を低減することができる。例えば、過温度回路１６は、フィルタ１２へと与えられる無線周波数信号の信号レベルを、温度センサの出力がしきい値を満たしたことに応答して低減することができる。所定のアプリケーションにおいて、過温度回路１６は、ＲＦ信号経路１８における電力増幅器のデューティーサイクルを、フィルタ１２に関連付けられた温度がしきい値を満たしたことの検出に応答して低減することができる。過温度回路１６は、フィルタ１２に与えられる無線周波数信号を低減する出力信号を、ＲＦ信号経路１８に与えることができる。過温度回路１６は、フィルタ１２に与えられる無線周波数信号の電力レベルを、安全なレベルまで低減することができる。安全なレベルとは、フィルタ１２への入力の電力レベルに対する特定の上限を下回る電力レベルを代表する。安全なレベルにある無線周波数信号は、フィルタ１２を損傷させることがない。過温度回路１６は、いくつかの例において、フィルタ１２に与えられる無線周波数信号の増幅度を、近似的にゼロにまで低減することができる。これにより、フィルタ１２は、ＲＦ信号経路１８により与えられる無線周波数信号のフィルタリングを有効に停止させることができる。
【００５９】
過温度回路１６は、温度センサ１４からの温度表示がしきい値を満たすことを検出し、それに応答して過温度信号をアサートするように配列された任意の適切な回路群によって実装することができる。過温度回路１６は、例えば制御器によって実装することができる。過温度回路１６は、他例では、抵抗温度デバイス型温度センサを備えたブリッジ構成に配列された抵抗器によって実装することができる。抵抗温度デバイス温度センサの抵抗の変化を検出するように配列された様々な異なる回路を実装することができる。
【００６０】
ＲＦ信号経路１８は、無線周波数信号をフィルタ１２に与えるように配列された任意の適切な信号経路とすることができる。ＲＦ信号経路１８は、送信経路とすることができる。ＲＦ信号経路１８は、例えば電力増幅器を含み得る。
【００６１】
図１Ｂは、一実施形態に係る過温度回路１９の例の模式的な図である。図１Ｂに示されるように、過温度回路１９は、温度表示ＴＥＭＰを基準信号ＶＲＥＦと比較するように配列された比較器を含み得る。これらの信号は、電圧信号とすることができる。基準信号ＶＲＥＦは、温度表示ＴＥＭＰが、過温度条件に対応する温度にあるか又はその近くにあるしきい値を代表し得る。温度表示ＴＥＭＰが基準信号ＶＲＥＦを超えると、過温度条件を表示するべく過温度信号ＯＵＴをアサートすることができる。
【００６２】
図２Ａは、他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システム２０の模式的な図である。無線周波数システム２０は図１Ａの無線周波数システム１０と同様であるが、無線周波数システム２０が、過温度回路１６からバイアス信号を受信するように配列された電力増幅器２２を含む点で異なる。図２Ａの過温度回路１６は、フィルタ１２に関連付けられた温度がしきい値を満たすことの検出に応答して、電力増幅器２２の出力を減衰させるようなバイアス信号を与えることができる。バイアス信号は、所定の例において、電力増幅器２２の利得を近似的にゼロにまで低減することができる。
【００６３】
図２Ｂは、他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システム２５の模式的な図である。無線周波数システム２５は図２Ａの無線周波数システム２０と同様であるが、過温度回路１６が過温度信号を、電力増幅器２２の代わりに供給回路２７に与える点で異なる。供給回路２７は、過温度信号がアサートされたことに応答して、電力増幅器２２への供給電圧を低減及び／又は制限することができる。いくつかの例において、供給電圧回路は、フィルタ１２に関連付けられた温度がしきい値を満たすことを過温度回路１６が検出したことに応答して、電力増幅器２２のための供給電圧を０ボルト近くにすることができる。供給回路２７は、エンベロープ追跡モジュレータを含み得る。かかる例において、過温度回路１６からの過温度信号は、エンベロープ追跡モジュレータにより供給される供給電圧を制限することができる。
【００６４】
図３は、他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システム３０の模式的な図である。無線周波数システム３０は図１Ａの無線周波数システム１０と同様であるが、無線周波数システム３０が、電力増幅器２２と、過温度回路１６からの入力を受信するように配列された可変利得増幅器３２とを含む点で異なる。図３の過温度回路１６は、フィルタ１２に関連付けられた温度がしきい値を満たすことの検出に応答して、電力増幅器２２の出力を減衰させるように可変利得増幅器３２の利得を調整することができる。可変利得増幅器３２は、送受信器の送信器のような送信器に含めることができる。
【００６５】
図４は、他実施形態に係る過温度保護を備えた無線周波数システム４０の模式的な図である。無線周波数システム４０は図２Ａの無線周波数システム２０と同様であるが、無線周波数システム４０が、電力増幅器２２及びフィルタ１２間に結合されたスイッチ４２を含み、過温度回路１６の出力がスイッチ４２に与えられる点で異なる。図４の過温度回路１６は、フィルタ１２に関連付けられた温度がしきい値を満たすことの検出に応答して、電力増幅器２２の出力を減衰させるようにスイッチ４２を制御することができる。いくつかの例において、過温度回路４２は、フィルタ１２に関連付けられた温度がしきい値を満たすことの検出に応答して、スイッチ４２をオフにすることができる。これにより、電力増幅器２２の出力をフィルタ１２の入力から切り離すことができる。電力増幅器２２の出力がフィルタ１２の入力から切り離されると、フィルタ１２の入力に与えられる無線周波数信号の増幅度が近似的にゼロにまで低減され得る。例示のスイッチ４２は、多投無線周波数スイッチの一投を代表し得る。
【００６６】
本開示の複数の側面は、弾性波フィルタに実装することができる。例えば、弾性波フィルタは、複数の共振器及び一の抵抗温度デバイスを含み得る。抵抗温度デバイスは、温度に伴い変化する抵抗を有する。したがって、抵抗温度デバイスは、温度センサとすることができる。弾性波フィルタの共振器、及び抵抗温度デバイスのいくつか又はすべてを、共通のフィルタ基板に実装することができる。共振器は、ＳＡＷ共振器及び／又はＢＡＷ共振器を含み得る。弾性表面波フィルタにおいて、図５Ａ〜９の抵抗温度デバイスのいずれかは、弾性表面波フィルタの一以上の弾性表面波共振器のための反射格子として構成することができる。図５Ａ〜９は、抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタの例を示す。これらの弾性波フィルタの任意の適切な組み合わせを、一緒に実装することができる。これらの弾性波フィルタに原理及び利点のいずれかを、例えば、図１Ａ、２Ａ、２Ｂ、３及び４の無線周波数システムのいずれかに実装することができる。
【００６７】
図５は、一実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタ５０の模式的な図である。例示されるように、弾性波フィルタ５０は、共振器５１、５２、５３、５４及び５５、抵抗温度デバイス５６、並びにキャパシタ５７を含む。弾性波フィルタ５０において、抵抗温度デバイス５６は、送信ポートＴｘに接続される。これにより、挿入損失を有意に増加させることのない、かつ、弾性波フィルタ５０の追加ポートを加えることのない温度センシングが可能となる。
【００６８】
共振器５１、５２、５３、５４及び５５は一緒になって、ＲＦ信号をフィルタリングするように構成されたフィルタとして配列される。例示されるように、フィルタはラダー型フィルタである。共振器５１、５３及び５５は、直列共振器として配列される。共振器５２及び５４は、シャント共振器として配列される。弾性波フィルタ５０は、任意の適切な数の直列共振器と任意の適切な数のシャント共振器とを含み得る。共振器５１、５２、５３、５４及び５５は、一ポートの共振器として例示される。いくつかの例において、弾性波フィルタ５０の一以上の共振器は、他のタイプの共振器とすることができる。
【００６９】
弾性波フィルタ５０において、抵抗温度デバイス５６は、送信ポートＴｘに結合される。例示されるように、弾性波フィルタ５０の例示の共振器はすべて、抵抗温度デバイス５６とアンテナポートＡＮＴとの間に結合される。抵抗温度デバイス５６は、例えば、少なくとも５００Ω又は少なくとも１ｋΩの抵抗を有し得る。いくつかの例において、抵抗温度デバイス５６の抵抗は、１ｋΩから１０ｋΩの範囲にある。
【００７０】
図５の抵抗温度デバイス５６は、余分のデバイス接続なしの温度モニタリングを許容するべく直流（ＤＣ）遮断フィルタ入力にシャント接続される。送信ポートＴｘは、ＤＣ成分が遮断された無線周波数信号を受信することができる。例えば、ＤＣ遮断キャパシタを、弾性波フィルタ５０の送信ポートＴｘまでの信号経路に配置することができる。
【００７１】
例示されるように、キャパシタ５７は、送信ポートＴｘと共振器５１、５２、５３、５４及び５５との間に直列に配列される。弾性波フィルタ５０において、キャパシタ５７は、抵抗温度デバイス５６と共振器５１、５２、５３、５４及び５５との間に結合される。キャパシタ５７は、共振器５１、５２、５３、５４及び５５からの、抵抗温度デバイス５６に関連付けられたＤＣ電圧を遮断することができる。キャパシタ５７は、精密かつ繰り返し可能な態様で製造することができる。キャパシタ５７は、例えば、数ピコファラッド（ｐＦ）の容量を有し得る。いくつかの例（図示せず）において、ローパスフィルタリングを与えるべく抵抗温度デバイス５６に並列にシャントキャパシタも含めることができる。かかるローパスフィルタは、いくつかの例において、クロスバンドアイソレーション問題を低減することができる。
【００７２】
抵抗温度デバイス５６が、弾性波フィルタ５０の送信ポートＴｘに接続されたまま、ＬＣ回路及び／又はＲＣ回路を、送信ポートＴｘと過温度回路との間に結合することができる。これにより、温度センシングのためのＤＣ成分を過温度回路が受信することができるようにフィルタリングを与えることができる。フィルタリングにより、ＲＦ信号成分を、過温度回路に与えられることのないように遮断することができる。フィルタリング回路（例えば送信ポートＴｘと過温度回路との間に結合されたＬＣ回路又はＲＣ回路）を、弾性波フィルタ５０の外部に実装することができる。
【００７３】
図５Ｂは、一実施形態に係る抵抗温度デバイス５６と、当該抵抗温度デバイスに結合されたオフダイ回路要素とを備えた弾性波フィルタ５０の模式的な図である。図５Ｂにおいて、インダクタ５８及びシャントキャパシタ５９を含むＬＣ回路が抵抗温度デバイス５６に結合される。例示されるように、ＬＣ回路は、弾性波フィルタ５０の入力ポートに結合される。ＬＣ回路は、弾性波フィルタ５０を含むダイから外れるように実装される。ＬＣ回路は、送信ポートＴｘにおける信号のＲＦ成分を遮断するとともに、送信ポートＴｘにおける信号のＤＣ成分を通過させることができる。したがって、過温度回路のための温度表示ＴＥＭＰをＤＣ信号とすることができる。温度表示ＴＥＭＰは、図５Ｂにおいてアナログ信号である。
【００７４】
図５Ｃは、一実施形態に係る抵抗温度デバイス５６と、当該抵抗温度デバイスに結合されたオフダイ回路要素とを備えた弾性波フィルタ６０の模式的な図である。弾性波フィルタ６０が、図６に関連して詳細に説明される。図５Ｃにおいて、インダクタ５８及びシャントキャパシタ５９を含むＬＣ回路が、弾性波フィルタ６０の出力ポートに結合される。例示されるように、出力ポートはアンテナポートＡＮＴである。ＬＣ回路は、弾性波フィルタ６０を含むダイから外れるように実装される。ＬＣ回路は、アンテナポートＡＮＴにおける信号のＲＦ成分を遮断するとともに、アンテナポートＡＮＴにおける信号のＤＣ成分を通過させることができる。したがって、過温度回路のための温度表示ＴＥＭＰをＤＣ信号とすることができる。温度表示ＴＥＭＰは、図５Ｃにおいてアナログ信号である。
【００７５】
図６は、他実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタ６０の模式的な図である。弾性波フィルタ６０は図５Ａの弾性波フィルタ５０と同様であるが、弾性波フィルタ６０の抵抗温度デバイス５６が当該フィルタの出力ポートに接続される点で異なる。したがって、弾性波フィルタ６０の共振器５１、５２、５３、５４及び５５は、抵抗温度デバイス５６と送信ポートＴｘとの間に結合される。弾性波フィルタ６０において、キャパシタ５７はまた、フィルタ６０の出力ポートと共振器５１、５２、５３、５４及び５５との間に直列接続される。図６に示されるように、出力ポートはアンテナポートＡＮＴとすることができる。弾性波フィルタ６０において、キャパシタ５７は、抵抗温度デバイス５６と共振器５１、５２、５３、５４及び５５との間に結合される。キャパシタ５６は、抵抗温度デバイス５６に関連付けられたＤＣ電圧を、共振器５１、５２、５３、５４及び５５から遮断することができる。弾性波デバイス６０により、挿入損失有意に増加させることのない温度センシングが可能となり、既存のフィルタポートを温度センシングのために使用することができる。
【００７６】
図７は、他実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタ７０の模式的な図である。弾性波フィルタ７０は図５Ａの弾性波フィルタ５０及び図６の弾性波フィルタ６０と同様であるが、キャパシタ５７が省略され、弾性波フィルタ７０の抵抗温度デバイス５６が、第１の専用センシングポートＴＳＥＮＳＥ１に接続された第１端と、第２の専用センシングポートＴＳＥＮＳＥ２に接続された第２端とを有する点で異なる。過温度回路は、第１の専用ポート及び第２の専用ポート間にある弾性波フィルタ７０の抵抗温度デバイス５６の抵抗を検出することができる。弾性波フィルタ７０の抵抗温度デバイス５６は、他の弾性波フィルタの一以上の抵抗温度デバイスにデイジーチェーン接続することができる。かかるデイジーチェーンを実装することにより、複数の弾性波フィルタに関連付けられた過温度条件を検出するように構成された過温度回路への入力を、図６の弾性波フィルタ６０よりも低減することができる。代替的又は追加的に、かかるデイジーチェーンは、複数の弾性波フィルタに関連付けられた過温度条件を検出するべく使用される過温度回路の数を低減することができる。
【００７７】
図８は、他実施形態に係る抵抗温度デバイス５６を備えた弾性波フィルタ８０の模式的な図である。弾性波フィルタ８０は図７の弾性波フィルタ７０と同様だが、弾性波フィルタ８０の抵抗温度デバイス５６が専用温度センシングポートＴＳＥＮＳＥとグランドとの間に接続される点で異なる。過温度回路が、専用温度センシングポートＴＳＥＮＳＥに結合され、弾性波フィルタ８０の抵抗温度デバイス５６の抵抗を検出することができる。
【００７８】
図９は、一実施形態に係る抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタ９０の模式的な図である。弾性波フィルタ９０は図８の弾性波フィルタ８０と同様であるが、弾性波フィルタ９０が、互いに並列の複数の抵抗温度デバイス５６１〜５６Ｎを含む点で異なる。抵抗温度デバイス５６１〜５６Ｎはそれぞれが、専用温度センシングポートＴＳＥＮＳＥとグランドとの間に接続される。複数の抵抗温度デバイス５６１〜５６Ｎが並列のまま、温度に対する合計の抵抗変化が減少し得る。したがって、単一の抵抗温度デバイスよりも微妙な温度変化を検出することができる。過温度回路が、専用温度センシングポートＴＳＥＮＳＥに結合されて、弾性波フィルタ９０の抵抗温度デバイス５６１〜５６Ｎの抵抗を検出することができる。
【００７９】
図５Ａ〜９は、抵抗温度デバイスを含むフィルタを例示するが、他の適切な温度センサを弾性波フィルタに含めることができる。ここに説明される過温度保護の任意の適切な原理及び利点を実装するべく、かかる他の適切な温度センサを使用することができる。例えば、一の熱電対、一以上の共振器、一のサーミスタ、又はこれらの任意の組み合わせを含む統合型温度を、弾性波フィルタに含めることができる。図５Ａ〜９のいずれかにおいて、抵抗温度デバイスの代わりにサーミスタを実装することができる。図１０及び１１は、統合型温度センサを備えた弾性波フィルタの例を示す。図５Ａ〜１１の弾性波フィルタの任意の適切な組み合わせを、互いに一緒に実装することができる。例えば、２つの異なるタイプの温度センサを弾性波フィルタに含めることができる。図１０〜１１の弾性波フィルタの原理及び利点のいずれかを、図１Ａ、２Ａ、２Ｂ、３及び４の無線周波数システムのいずれかに実装することができる。図１０は、一実施形態に係る熱電対１０１を含む統合型温度センサ弾性波フィルタ１００の模式的な図である。弾性波フィルタ１００は図８の弾性波フィルタ８０と同様であるが、弾性波フィルタ１００が抵抗温度デバイス５６の代わりに熱電対１０１を含む点で異なる。過温度回路を、弾性波フィルタ１００に関連付けられた温度を検出するべく熱電対１０１に結合することができる。熱電対１０１は、異なる温度に電気的接合を形成する２つの材料を含み得る。熱電対１０１は、温度表示となる温度依存の電圧を与え得る。熱電対１０１は、ＳＡＷフィルタスタックにおける金属となり得るアルミニウム及びモリブデンのような金属を含み得る。図１１は、一実施形態に係る共振器１１２を含む統合型温度センサを備えた弾性波フィルタ１１０の模式的な図である。弾性波フィルタ１１０は図１０の弾性波フィルタ１００と同様であるが、弾性波フィルタ１１０が熱電対１０１の代わりに共振器１１２を含む点で異なる。共振器１１２は、例えば、ＳＡＷ共振器又はＢＡＷ共振器を含み得る。共振器１１２はスタンドアロンデバイスとすることができる。弾性波フィルタ１１０の温度の変化により、共振器１１２の共振周波数の変化がもたらされる。過温度回路は、共振器１１２の共振周波数の変化を検出することができる。共振器１１２は、弾性波フィルタ１１０の送信ポートＴｘに与えられるＲＦ信号の周波数とは異なる周波数で問い合わせを受け得る。共振器１１２は、シャントに又は直列に配列することができる。直列に配列される場合、共振器は、弾性波フィルタの２つのポート間に結合することができる。
【００８０】
いくつかの例において、複数の弾性波フィルタ１１０の温度センシングポートをデイジーチェーンにすることができる。異なるデイジーチェーンフィルタに関連付けられた温度の表示を異ならせるべく、各フィルタの温度センシング共振器は、例えば、異なる周波数で問い合わせを受けることができる。他例では、異なるデイジーチェーン温度センサに関連付けられた温度の表示は、それぞれの温度センシング共振器が異なる回数問い合わせを受けることによって異ならせることができる。
【００８１】
弾性波フィルタは、ＲＦシステムにおけるマルチプレクサに実装することができる。例えば、共通ノードに結合された送信フィルタ及び受信フィルタを含むデュプレクサはそれぞれが弾性波フィルタを含み得る。ここに説明される任意の適切な原理及び利点を、クワッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等のような他のマルチプレクサに実装することができる。送信信号は相対的に高い電力を有し得る。所定の高ＶＷＳＲシナリオのように電力が十分に高くなると、送信フィルタは損傷を受け得る。したがって、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る温度センシングは、マルチプレクサに含まれる送信フィルタに関連付けて実装することができる。代替的に、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る温度センシングは、スタンドアロン送信フィルタに関連付けて実装することができる。例えば、かかるスタンドアロン送信フィルタは、時間領域デュプレクス（ＴＤＤ）アプリケーションにおいて実装することができる。一例では、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る温度センシングは、ＴＤＤアプリケーションにおけるスタンドアロンバンド４１の送信フィルタに実装することができる。
【００８２】
図１２Ａは、一実施形態に係る統合型温度センサ１４を備えた送信フィルタ１２２を含むデュプレクサ１２０の模式的なブロック図である。デュプレクサ１２０はまた、アンテナノードＡＮＴにおいて送信フィルタ１２２に結合された受信フィルタ１２４を含む。送信フィルタ１２２は、ここに説明されるいずれかの原理及び利点に係る統合型温度センサ１４を備えた弾性波フィルタを含み得る。
【００８３】
ここに説明される所定の実施形態が統合型センサを備えた送信フィルタに関連するが、ここに説明される任意の適切な原理及び利点を受信フィルタに当てはめることができる。受信フィルタは、様々な理由により統合型温度センサを含み得る。いくつかの例において、受信フィルタの統合型センサは、受信フィルタ過温度の周波数応答のばらつきを補償するべく使用することができる。
【００８４】
図１２Ｂは、一実施形態に係る第１の統合型温度センサ１４Ａを備えた送信フィルタ１２２と、第２の統合型温度センサ１４Ｂを備えた受信フィルタ１２６とを含むデュプレクサ１２５の模式的なブロック図である。送信フィルタ１２２及び受信フィルタ１２６は双方とも、アンテナノードＡＮＴに結合される。受信フィルタ１２６の統合型温度センサ１４Ｂは、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。図１２Ｂは、統合型温度センサを含み得るデュプレクサの送信フィルタ及び受信フィルタの双方を例示する。
【００８５】
図１２Ｃは、一実施形態に係る統合型温度センサ１４を備えた受信フィルタ１２６を含むデュプレクサ１２７の模式的なブロック図である。デュプレクサ１２７はまた、アンテナノードＡＮＴにおいて受信フィルタ１２６に結合された送信フィルタ１２８を含む。例示の送信フィルタ１２８は統合型温度センサを含まない。図１２Ｃは、所定のアプリケーションにおいて、デュプレクサが、統合型温度センサを備えた受信フィルタと、統合型温度センサなしの送信フィルタとを含み得ることを例示する。
【００８６】
いくつかのＲＦシステムは、ＲＦシステム及び／又はＲＦシステムを含むデバイスの出力電力をモニタリングするべく順方向電力検出回路群を含み得る。検出された順方向出力電力の表示は、所望の順方向出力電力レベルを維持するべく電力増幅器制御システムのフィードバックループにおいて使用することができる。ＲＦシステムにおけるＶＳＷＲが増加すると（例えばＲＦシステムを含む携帯電話機が金属製の机の引き出しに置かれると）、ＲＦシステムの順方向送信電力は典型的に、それに対応して減少する。電力増幅器制御システムは、かかる順方向送信電力の減少を補償するべく、電力増幅器の駆動レベルの増加を引き起こす。電力増幅器の出力をフィルタリングするように配列されたフィルタ（例えばＳＡＷフィルタ）において、フィルタへのＲＦ入力電力のこの増加は、フィルタ内に多くの散逸電力をもたらし得る。これが、温度の増加として顕在化する。負の周波数温度係数（ＴＣＦ）のフィルタにとって、これは、通過帯域の周波数の下方シフトをもたらすことになる。フィルタ周波数応答が、通過帯域の上側コーナーにおいてのような、比較的急峻な負の勾配を有する周波数でＲＦシステムが動作している場合、通過帯域の下方シフトは、挿入損失のさらに有意な増加を引き起こし得る。これは、フィルタ内の追加の電力散逸を引き起こし、温度をさらに上昇させるとともに出力電力を低減するので、フィードバックループにより、フィルタへの入力電力がさらに増加する。正味の結果は、熱散逸をもたらし得る正のフィードバックループとなり得る。これは、フィルタへの回復困難な損傷をもたらし得る。ここに説明される過温度保護は、フィルタに関連付けられた温度をセンシングし、当該温度がしきい値を満たすことに応答して当該フィルタへの入力の信号レベルを低減することにより、かかる損傷を防止することができる。
【００８７】
図１３は、周波数にわたるデュプレクサの伝達関数のグラフである。ここで、伝達関数のシフトにより、帯域外ブロッカー障害がもたらされ得る。図１３に示される公称応答は、典型的な動作に対応する。シフトした応答は、デュプレクサの温度が増加する高ＶＳＷＲの状況に対応する。図１３に示されるように、送信フィルタの周波数応答は、フィルタの温度の増加に伴い低周波数側にシフトし得る。これが、高温での帯域外ブロッカー障害を引き起こし得る。ここに説明される過温度保護は、かかる障害を、フィルタに関連付けられた温度をセンシングし、当該温度がしきい値を満たすことに応答して当該フィルタへの入力の信号レベルを低減することによって防止することができる。
【００８８】
図１４は、図１３のグラフの送信及び受信の通過帯域を拡大したグラフである。図１４に示されるように、シフトされた応答の送信通過帯域の上縁は、伝達関数の急降下部分に又はその近くに存在し得る。これは、望ましくないものとなり得る。ここに説明される過温度保護は、伝達関数のシフト量を低減し、及び／又は例示のシフトされた応答の発生を防止することができる。
【００８９】
図１５は、弾性表面波デュプレクサのシミュレーションヒートマップである。このヒートマップは、ＳＡＷデュプレクサの所定部分が他の部分よりも熱くなっていることを示す。ＲＴＤのような温度センサを、ＳＡＷデュプレクサの比較的熱いエリアに比較的近いところに位置決めすることができる。したがって、温度センサは、ＳＡＷデュプレクサの最大温度となるか又はそれに近い温度をセンシングすることができる。
【００９０】
図１６Ａは、一実施形態に係る統合型抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタ１６０のレイアウトのブロック図である。図１６に示されるように、弾性波フィルタ１６０は、共振器１６４、抵抗温度デバイス１６５、グランド接点１６６及び送信ポート接点１６７が配置されたフィルタ基板１６２を含む。抵抗温度デバイス１６５は、弾性波フィルタ１６０の相対的に高温の部分に位置決めすることができる。抵抗温度デバイス１６５はまた、所定の例において、グランド接点１６６及び送信ポート接点１６７の近くに位置決めすることができる。抵抗温度デバイス１６５は、送信ポート接点１６７とグランド接点１６６との間に接続することができる。弾性波フィルタ１６０の抵抗温度デバイス１６５は、図５Ａ及び５Ｂの弾性波フィルタ５０の抵抗温度デバイス５６と同様に接続することができる。送信ポート接点１６７は、例えばピンを含み得る。弾性波フィルタ１６０は、単一のダイに実装することができる。
【００９１】
図１６Ｂは、他実施形態に係る統合型抵抗温度デバイスを備えた弾性波フィルタ１６８のレイアウトのブロック図である。弾性波１６８は図１６Ａの弾性波フィルタ１６０と同様であるが、弾性波フィルタが専用の温度センシング接点１６９を含む点で異なる。抵抗温度デバイス１６５は、専用の温度接点ポート１６９とグランド接点１６６との間に接続することができる。図８の弾性波フィルタ８０の抵抗温度デバイス５６と同様に、弾性波フィルタ１６８の抵抗温度デバイス１６５を接続することができる。弾性波フィルタ１６８において、抵抗温度デバイス１６５は、共振器１６４の一以上の弾性波共振器のための反射格子として構成することができる。
【００９２】
図１７Ａは、一実施形態に係る弾性表面波共振器１７０のための格子として構成された蛇行型抵抗温度デバイスを例示する。図１７Ａは、１ポートＳＡＷ共振器を例示する。弾性表面波共振器１７０は、第１の格子１７２、第２の格子１７４及びインターディジタルトランスデューサ１７６を含む。第１の格子１７２、第２の格子１７４及びインターディジタルトランスデューサ１７６は、圧電基板に配置することができる。圧電基板は、例えばニオブ酸リチウム基板又はタンタル酸リチウム基板とすることができる。第１の格子１７２及び第２の格子１７４は、インターディジタルトランスデューサ１７４の対向側に配置される。
【００９３】
第１の格子１７２は、互いに直列に配列された金属片を含む抵抗温度デバイスとして配列される。例示の抵抗温度デバイスは、平面図において蛇行する。抵抗温度デバイスは、所望の抵抗を与えるべく互いに直列の任意の適切な数の金属片を含み得る。抵抗温度デバイスは、例示のように送信ポートＴｘとグランドとの間に結合することができる。代替的に、温度抵抗デバイスは、（例えば図６〜９に示されるように）異なるノード間に配列することができる。抵抗温度デバイスの金属片はアルミニウムを含み得る。抵抗温度デバイスの金属片は、インターディジタルトランスデューサ１７６及び／又は第２の格子１７４の金属片と同じ材料を含み得る。
【００９４】
図１７Ｂは、他実施形態に係る弾性表面波共振器１７８のための格子として構成された蛇行型抵抗温度デバイスを例示する。弾性表面波共振器１７８は図１７Ａの弾性表面波共振器と同様であるが、抵抗温度デバイスが専用温度センシングポートＴＳＥＮＳＥとグランドとの間に接続された点で異なる。
【００９５】
図１８は、一実施形態に係る統合型抵抗温度デバイスを備えた弾性表面波フィルタの一部分１８０を例示する。弾性表面波フィルタは、基板１８２と、基板１８２上の抵抗温度デバイス１８３と、基板１８２上のインターディジタルトランスデューサ１８４及び１８６と、送信ポート１８７と、グランドパッド１８８Ａ及び１８８Ｂとを含む。例示されるように、抵抗温度デバイス１８３は、２つの共振器のための格子として機能することができる。抵抗温度デバイス１８３は、第１のインターディジタルトランスデューサ１８４及び第２のインターディジタルトランスデューサ１８６のための音響反射器として構成される。インターディジタルトランスデューサ１８４及び１８６は、ラダー型フィルタの異なる共振器に含めることができる。図１８に示されるように抵抗温度デバイス１８３が２つの共振器のための格子として機能することができるが、当該抵抗温度デバイスは、任意の適切な数のＳＡＷ共振器のための格子として機能することもできる。いくつかの例において、単一の共振器のための格子から形成された抵抗温度デバイスよりも高い抵抗及び平均温度応答を有する抵抗温度デバイスを形成するべく、いくつかのＳＡＷ共振器からの格子を一緒にして結合することができる。
【００９６】
図１８において、抵抗温度デバイス１８３は、送信ポート１８７及びグランド間に直列に配列された金属片を含む。抵抗温度デバイス１８３の金属片は、インターディジタルトランスデューサ１８４の金属片と同じ材料から形成することができる。かかる金属片は、任意の適切な金属材料から形成することができる。例えば、金属片はアルミニウムを含み得る（例えば金属片はアルミニウム、又はアルミニウムを含む合金とすることができる）。電気的に一緒に接続され得るグランドパッド１８８Ａ及び１８８Ｂの部分が、図１８に例示される。
【００９７】
図１９は、図１８の弾性表面波フィルタの拡大された部分１９０を例示する。図１９において、弾性表面波フィルタのいくつかの部分がブロックとして例示される。図１９に示されるように、弾性表面波フィルタは、共振器部分１９４、１９６、１９７及び１９８を含む。共振器部分の一以上が、複合共振器として機能するように構成された互いに並列の共振器を含み得る。代替的又は追加的に、共振器部分の一以上が、ラダー型フィルタの２つ以上の別個の共振器を含み得る。図１９はまた、図１８に示されるグランドパッド部分１８８Ａ及び１８８Ｂを含むグランドパッド１８８を例示する。加えて、送信ポート１８７は、図１８においてよりも図１９において大きく例示される。
【００９８】
温度センサを含む弾性波フィルタを、様々なモジュールに実装することができる。温度センサ及び／又は過温度回路を含む弾性波フィルタの原理及び利点のいずれも、適切であればモジュールに実装することができる。モジュールは、共通パッケージ内に含まれる回路を含み得る。したがって、かかるモジュールは、パッケージ状モジュールと称することができる。モジュールは、一の統合型温度センサ、一の過温度回路、一以上の多投無線周波数スイッチ、一以上の電力増幅器、又はこれらの任意の適切な組み合わせを備えた一以上の弾性波フィルタを含み得る。かかるモジュールは無線周波数モジュールと称することができる。これらのモジュールが無線周波数信号を処理するように構成されるからである。図２０〜２３は、過温度保護を備えたモジュールの例を示す。これらのモジュールの特徴の任意の適切な組み合わせを実装することができる。図２０〜２２は、統合型フィルタ及び無線周波数スイッチを備えたフロントエンドモジュールの例である。図２３は、統合型デュプレクサ及び無線周波数スイッチを備えた電力増幅器を含むモジュールの一例である。
【００９９】
図２０は、一実施形態に係るフィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎ及び過温度回路１６を含むモジュール２００の模式的なブロック図である。フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎは、送信フィルタとすることができる。フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎのいくつか又はすべてを、デュプレクサ又は他の適切なマルチプレクサに含めることができる。多投無線周波数スイッチ２０４は、無線周波数信号を、フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎのフィルタの送信ポートに与えることができる。多投無線周波数スイッチ２０４は、例えば帯域選択スイッチとすることができる。フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎは、例えばＳＡＷフィルタとすることができる。特定のアプリケーションのために任意の適切な数のフィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎを含めることができる。フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎのいくつか又はすべてが、過温度回路１６に結合された温度センサを含み得る。フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎは、異なる通過帯域及び／又はフィルタ特性（例えば帯域外減衰、帯域内減衰、通過帯域の対称性若しくは非対称性等、又はこれらの任意の組み合わせ）を備えた帯域通過フィルタとすることができる。
【０１００】
過温度回路１６は、フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎのフィルタの温度がしきい値を満たすことを検出することができる。過温度回路１６は、所定の例において、フィルタの温度がしきい値を満たすことの検出に応答して、共通ノードで受信された無線周波数信号をフィルタから切り離すことを多投無線周波数スイッチ２０４に引き起こすことができる。代替的に、過温度回路１６は、フィルタの温度がしきい値を満たすことの検出に応答して多投無線周波数スイッチ２０４の共通ノードに与えられる無線周波数信号を生成するように配列された回路群に与えられた過温度信号をアサートすることができる。かかる過温度信号をアサートすることにより、無線周波数信号の電力レベル及び／又は信号レベルを低減することができる。
【０１０１】
図２１は、他実施形態に係るフィルタ及び過温度回路を含むモジュール２１０の模式的なブロック図である。モジュール２１０は図２０のモジュール２００と同様であるが、モジュール２１０が図２０の多投無線周波数スイッチ２０４の代わりに多投無線周波数スイッチ２１４を含む点で異なる。多投無線周波数スイッチ２１４は、フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎのそれぞれの出力に結合された複数の投を有する。多投無線周波数スイッチ２１４は、フィルタ２０２Ａ〜２０２Ｎの選択されたフィルタの出力を、モジュール２１０のアンテナポートのような共通ノードに与えることができる。過温度回路１６は、フィルタの温度がしきい値を満たすことの検出に応答して、当該フィルタの入力ポートに与えられる無線周波数信号を生成するように配列された回路群に与えられる過温度信号をアサートする。かかる過温度信号をアサートすることにより、入力ポートへと与えられる無線周波数信号の電力レベル及び／又は信号レベルを低減することができる。
【０１０２】
図２２は、他実施形態に係るフィルタ及び過温度回路を含むモジュール２２０の模式的なブロック図である。モジュール２２０は、第１の多投スイッチ２０４及び第２の多投スイッチ２１４を含む。図２２は、図２０及び２１の特徴が同じモジュール内に含まれ得ることを例示する。
【０１０３】
図２３は、他実施形態に係るフィルタ及び過温度回路を含むモジュール２３０の模式的なブロック図である。例示されるように、モジュール２３０は、電力増幅器２３２Ａ及び２３２Ｂ、選択スイッチ２３４Ａ及び２３４Ｂ、デュプレクサ２３６Ａ、２３６Ｂ、２３６Ｃ及び２３６Ｄ、アンテナスイッチ２３８、並びに過温度回路１６を含む。
【０１０４】
電力増幅器２３２Ａは、第１の無線周波数信号ＲＦ＿ＩＮ１を増幅するように配列される。同様に、電力増幅器２３２Ｂは、第２の無線周波数信号ＲＦ＿ＩＮ２を増幅するように配列される。これらの電力増幅器は、異なる特性を有する無線周波数信号を増幅することができる。異なる特性は、異なる周波数帯域内にあること、異なる電力レベルにあること、異なる線形性及び／若しくは電力追加効率に関連付けられること、又は異なる動作モードに関連付けられることの一以上を含み得る。モジュール２３０において、電力増幅器２３２Ａ及び２３２Ｂの一方は、所与の時刻において無線周波数信号を増幅することができる。いくつかの例において、一のモジュールにおける２つの電力増幅器が、異なる無線周波数信号を同時に増幅することができる。例えば、搬送波集約モードにおいて、２つの電力増幅器は、異なる周波数帯域内にあり、ダイプレクサのような周波数マルチプレクシング回路を使用して結合される無線周波数信号を同時に増幅することができる。
【０１０５】
選択スイッチ２３４Ａは、電力増幅器２３２Ａの出力を、選択されたデュプレクサ２３６Ａ又は２３６Ｂの送信ポートに選択的かつ電気的に結合することができる。同様に、選択スイッチ２３４Ｂは、電力増幅器２３２Ｂの出力を、選択されたデュプレクサ２３６Ｃ又は２３６Ｄの送信ポートに電気的かつ選択的に結合することができる。アンテナスイッチ２３８は、選択されたデュプレクサをアンテナポートＡＮＴに電気的に結合することができる。所定の実施形態において、アンテナスイッチは、搬送波集約モードで２つのデュプレクサをアンテナポートＡＮＴに電気的に結合することができる。
【０１０６】
デュプレクサ２３６Ａ〜２３６Ｄの一以上は、統合型温度センサを備えた送信フィルタを含み得る。かかる送信フィルタはＳＡＷ共振器を含み得る。４つのデュプレクサが例示されるが、任意の適切な数のデュプレクサを実装することもできる。例えば、選択スイッチ２３４Ａとアンテナスイッチ２３８Ａとの間にある信号経路に３つ以上のデュプレクサを結合することができる。さらに、デュプレクサが例示されるが、統合型温度センサを備えたフィルタを含む任意の適切なマルチプレクサを実装することもできる。かかるマルチプレクサは、所定のアプリケーションにおいて、トライプレクサ、クアッドプレクサ等を含み得る。
【０１０７】
過温度回路１６は、デュプレクサ２３６Ａ〜２３６Ｎのフィルタの温度がしきい値を満たすことを検出することができる。過温度回路１６は、フィルタの温度がしきい値を満たすことの検知に応答して、電力増幅器から受信した増幅された無線周波数信号をフィルタから切り離すことを選択スイッチ２３４Ａ及び／又は２３６Ｂに引き起こすことができる。代替的に、過温度回路１６は、フィルタの温度がしきい値を満たすことの検出に応答して、電力増幅器に与えられる無線周波数信号を生成するように配列された電力増幅器及び／又は回路群に与えられる過温度信号をアサートすることができる。かかる過温度信号をアサートすることにより、選択スイッチに与えられて増幅された無線周波数信号の電力レベル及び／又は信号レベルを低減することができる。
【０１０８】
図２４は、一以上の実施形態に係る統合型温度センサを備えたフィルタを含み得る無線周波数フロントエンドを含む無線通信デバイス２４０の模式的なブロック図である。無線通信デバイス２４０は、任意の適切な無線通信デバイスとすることができる。例えば、無線通信デバイス２４０は、スマートフォンのような携帯電話機とすることができる。例示されるように、無線通信デバイス２４０は、アンテナ２４２、ＲＦフロントエンド２４４、送受信器２４６、プロセッサ２４８及びメモリ２４９を含む。アンテナ２４２は、ＲＦフロントエンド２４４により与えられたＲＦ信号を送信することができる。アンテナ２４２は、ＲＦフロントエンド２４４により与えられた搬送波集約（キャリアアグリゲーション）信号を送信することができる。アンテナ２４２は、受信したＲＦ信号を、処理のためのＲＦフロントエンド２４４に与えることができる。
【０１０９】
ＲＦフロントエンド２４４は、一以上の電力増幅器、一以上の低ノイズ増幅器、ＲＦスイッチ、受信フィルタ、送信フィルタ、デュプレクスフィルタ、又はこれらの任意の組み合わせを含み得る。ＲＦフロントエンド２４４は、任意の適切な通信規格に関連付けられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る統合型温度センサを備えた一以上のフィルタを、ＲＦフロントエンド２４４に含めることができる。ＲＦフロントエンド２４４は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る過温度回路を含み得る。
【０１１０】
ＲＦ送受信器２４６は、増幅及び／又は他の処理を目的としてＲＦ信号をＲＦフロントエンド２４４に与えることができる。ＲＦ送受信器２４６はまた、ＲＦフロントエンド２４４の低ノイズ増幅器により与えられたＲＦ信号を処理することができる。ＲＦ送受信器２４６は、過温度信号を受信するように構成され、並びに過温度信号がアサートされたことに応答してＲＦフロントエンド２４４に与えられる無線周波数信号の電力レベル及び／又は信号レベルを低減するように構成された一以上の回路を含み得る。例えば、ＲＦ送受信器２４６は、過温度保護信号に基づく搬送波の電力を調整するべく、一以上の信号を送信経路に与えることができる。
【０１１１】
例示のＲＦ送受信器２４６は、プロセッサ２４８と通信する。プロセッサ２４８は、ベース帯域プロセッサとすることができる。プロセッサ２４８は、無線通信デバイス２４０のための任意の適切なベース帯域処理機能を与えることができる。メモリ２４９は、プロセッサ２４８によりアクセスされ得る。メモリ２４９は、無線通信デバイス２４０のための任意の適切なデータを格納することができる。
【０１１２】
ここに説明される原理及び利点のいずれも、上述したシステム、モジュール、フィルタ、マルチプレクサ、無線通信デバイス及び方法だけではない他のシステム、モジュール、フィルタ、マルチプレクサ、無線通信デバイス及び方法に当てはめることができる。上述の様々な実施形態の要素及び動作は、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせることができる。上述された実施形態のいくつかは、弾性表面波フィルタ及び／又は送信フィルタに関連する例を与えてきた。しかしながら、実施形態の原理及び利点は、ここでの教示のいずれかから利益を受け得る任意の他のシステム、装置又は方法に関連して使用することができる。例えば、ここに説明される原理及び利点のいずれも、任意の適切なフィルタのための過温度保護を与えることに関連して実装することができる。他例では、ここに説明される弾性波デバイスの任意の適切な原理及び利点は、温度変化に起因するフィルタの周波数応答変化を補償することのような過温度保護以外の機能を行うべく、無線周波数システムに実装することができる。さらなる一例として、ここに説明される任意の適切な原理及び利点は、統合型温度センサを備えたフィルタを含む統合型受動デバイスダイに当てはめることができる。ここに説明される原理及び利点のいずれも、約４５０ＭＨｚから６ＧＨｚの範囲のような約３０ｋＨｚから３００ＧＨｚの範囲にある信号を処理するように構成されたＲＦ回路に関連付けて実装することができる。
【０１１３】
本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例には、消費者電子製品、半導体ダイ及び／又はパッケージ状無線周波数モジュールのような消費者電子製品の部品、電子試験機器、アップリンク無線通信デバイス、パーソナルエリアネットワーク通信デバイス等が含まれ得る。消費者向け電子製品の例には、スマートフォンのような携帯電話機、スマートウォッチ又はイヤーピースのようなウェアラブルコンピューティングデバイス、電話機、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、ルータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、自動車エレクトロニクスシステムのような車両エレクトロニクスシステム、電子レンジ、冷蔵庫、自動車エレクトロニクスシステムのような車両エレクトロニクスシステム、ステレオシステム、ＤＶＤプレーヤ、ＣＤプレーヤ、ＭＰ３プレーヤのようなデジタル音楽プレーヤ、ラジオ、ビデオカメラ、デジタルカメラのようなカメラ、携帯メモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯／乾燥機、周辺機器、時計等が含まれ得る。さらに、電子デバイスは未完成品を含み得る。
【０１１４】
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが必要とならない限り、「含む」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「〜を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、互いに直接的に結合されるか又は一以上の中間要素を介して結合されるかいずれかとなり得る２以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される用語「接続」は、直接的に接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかいずれかとなり得る２以上の要素を言及する。追加的に、用語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の用語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の特定部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の所定の実施形態の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２以上の項目のリストを参照する用語「又は」及び「若しくは」は一般に、当該用語の以下の解釈すべてを包含することが意図される。すなわち、当該リストのいずれかの項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの当該項目の任意の組み合わせである。
【０１１５】
さらに、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるように意図される。すなわち、かかる条件付き言語は一般に、特徴、要素及び／又は状態が一以上の実施形態に必要な任意の態様にあること、又は一以上の実施形態が、これらの特徴、要素及び／又は状態が任意の特定の実施形態に含まれ又はその実施形態で行われるか否かを決定するための論理を必ず含むことを示唆するように意図されるわけではない。
【０１１６】
所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例示により提示されたにすぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で実施することができる。さらに、ここに記載される方法、装置及びシステムの形態において、様々な省略、置換及び変更を、本開示の要旨から逸脱することなく行うことができる。例えば、ここに記載の回路ブロックは、削除、移動、追加、細分化、結合及び／又は修正を受け得る。これらの回路ブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装し得る。添付の特許請求の範囲及びその等価物は、本開示の範囲及び要旨に該当するような任意の形態又は修正をカバーするように意図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2018110383.tif 000008
【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【外国語明細書】
2018110383000001.pdf