(57)【要約】      （修正有）【課題】結晶膜の製造装置のメンテナンスの頻度を低くすることができる結晶膜の製造装置及び製造方法を提供すること。【解決手段】反応チャンバ１０内に原料ガスを供給するとともに反応チャンバ内のガスを複数本の排気管２０を経て排出させながら、反応チャンバ内に配置される複数の基板４０上に結晶膜を形成する結晶膜の製造装置１００において、複数本の排気管の下流側に設けられ、複数本の排気管を通して反応チャンバ内を減圧する減圧ポンプ５０と、複数本の排気管の各々に設けられ、複数本の排気管を加熱するヒータ２２と、複数本の排気管の各々に設けられ、複数本の排気管内の圧力を測定する圧力計２１とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバ内に原料ガスを供給するとともに前記反応チャンバ内のガスを複数本の排気管を経て排出させながら、前記反応チャンバ内に配置される複数の基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造装置において、
前記複数本の排気管の下流側に設けられ、前記複数本の排気管を通して前記反応チャンバ内を減圧する減圧ポンプと、
前記複数本の排気管の各々に設けられ、前記複数本の排気管を加熱するヒータと、
前記複数本の排気管の各々に設けられ、前記複数本の排気管内の圧力を測定する圧力計とを備える、結晶膜の製造装置。
【請求項２】
前記ヒータが、前記複数本の排気管のうち少なくとも前記反応チャンバ側の端部に設けられる、請求項１に記載の結晶膜の製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載の結晶膜の製造装置を用いて前記複数の基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法において、
前記圧力計によって測定される圧力同士間の差が一定の値以下となるように前記ヒータによって前記複数本の排気管の温度を制御しながら前記結晶膜を製造する、結晶膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶膜の製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子や発光ダイオードなどの化合物半導体を製造する過程においては、ＭＯＣＶＤ装置（有機金属化学気相成長；Metal Organic Chemical Vapor Deposition）などの結晶膜の製造装置が用いられる。
【０００３】
このような結晶膜の製造装置として、例えば、反応チャンバ内に原料ガスを供給するとともに反応チャンバ内のガスを複数本の排気管を経て排出させながら、反応チャンバ内に配置される複数の基板上に結晶膜を形成するＭＯＣＶＤ装置が知られている（例えば下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２５８３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載のＭＯＣＶＤ装置においては、複数の基板上に結晶膜を形成した場合、得られる結晶膜の結晶特性が、ＭＯＣＶＤ装置を稼働させ続けるにつれて不均一となる場合がある。これは、複数本の排気管の一部のみが原料ガスの低温化に起因して発生する付着物によって徐々に閉塞し、排気管から排出されるガスの流量が減少することがあり、その結果、基板の周囲の原料ガスの濃度が不均一となるために、ＭＯＣＶＤ装置の排気管の内部が清浄な状態では均一であった結晶特性が、装置を使用し続けることで不均一になるためではないかと考えられる。そのため、結晶膜の結晶特性が不均一になる事態を解消するためには、メンテナンスによって排気管内の付着物を除去する作業を行えばよい。
【０００６】
しかし、複数本の排気管の一部のみが原料ガスの低温化に起因して発生する付着物によって徐々に閉塞する場合には、短期間で結晶膜の結晶特性が不均一となるため、結晶膜の製造装置のメンテナンスを短期間で行う必要が生じ、その結果、結晶膜の製造装置のメンテナンスを高い頻度で行う必要があった。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、結晶膜の製造装置のメンテナンスの頻度を低くすることができる結晶膜の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた。その結果、本発明者は、以下の発明により上記課題を解決し得ることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明は、反応チャンバ内に原料ガスを供給するとともに前記反応チャンバ内のガスを複数本の排気管を経て排出させながら、前記反応チャンバ内に配置される複数の基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造装置において、前記複数本の排気管の下流側に設けられ、前記複数本の排気管を通して前記反応チャンバ内を減圧する減圧ポンプと、前記複数本の排気管の各々に設けられ、前記複数本の排気管を加熱するヒータと、前記複数本の排気管の各々に設けられ、前記複数本の排気管内の圧力を測定する圧力計とを備える、結晶膜の製造装置である。
【００１０】
本発明の結晶膜の製造装置によれば、反応チャンバ内に複数の基板が配置された後、反応チャンバ内に原料ガスを供給するとともに、減圧ポンプにより複数本の排気管を通して反応チャンバ内を減圧して反応チャンバ内のガスを排出させながら、複数の基板上に結晶膜が形成される。このとき、排気管内においてガスの一部が付着物として排気管内に付着し、排気管が徐々に閉塞すると、排気管内におけるガスの流量が減少し、排気管の圧力が変化する。このため、排気管の閉塞度合は、排気管に設けられる圧力計で排気管内の圧力を測定することで把握できる。一方、ガスの一部が排気管内に付着物として付着するのは、排気管の温度が低下したことによって原料ガスが低温化されたことによるものと考えられるため、排気管をヒータで加熱することで、排気管内に付着物が付着することを抑制することができ、排気管内の圧力の変化を抑制することができる。そこで、複数本の排気管に設けられた圧力計で測定される圧力同士間の差が一定値以下になるように、排気管に設けられたヒータによって排気管の温度を制御することで、全ての排気管において閉塞度合が不均一になることを抑制することができ、全ての排気管において排出されるガスの流量の均一性の低下を抑制することができる。このため、基板の周囲の原料ガスの濃度の均一性の低下を抑制することができる。従って、本発明の結晶膜の製造装置によれば、結晶膜の結晶特性が不均一となるまでの時間を長くすることができ、結晶膜の製造装置のメンテナンスを行うまでの時間を長くすることができ、その結果、結晶膜の製造装置のメンテナンスの頻度を低くすることができる。
【００１１】
上記結晶膜の製造装置において、前記ヒータが、前記複数本の排気管のうち少なくとも前記反応チャンバ側の端部に設けられることが好ましい。
【００１２】
複数本の排気管のうち反応チャンバ側の端部は反応チャンバに最も近い位置にあるため、複数本の排気管のうち反応チャンバ側の端部で付着物による閉塞が起こり、ガスの流速の均一性が低下すると、基板の周囲の原料ガスの濃度の均一性への影響が特に大きい。その点、ヒータが、複数本の排気管のうち少なくとも反応チャンバ側の端部に設けられていれば、複数本の排気管の反応チャンバ側の端部では付着物によって閉塞が起こりにくくなり、基板の周囲の原料ガスの濃度の均一性の低下をより十分に抑制することができる。
【００１３】
また本発明は、上記結晶膜の製造装置を用いて前記複数の基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法において、前記圧力計によって測定される圧力同士間の差が一定値以下となるように前記ヒータによって前記複数本の排気管の温度を制御しながら前記結晶膜を製造する、結晶膜の製造方法である。
【００１４】
本発明の結晶膜の製造方法によれば、複数本の排気管に設けられた圧力計で測定される圧力同士間の差が一定値以下になるように、排気管に設けられたヒータによって排気管の温度を制御することで、全ての排気管において閉塞度合が不均一になることを抑制することができ、全ての排気管において排出されるガスの流量の均一性の低下を抑制することができる。このため、基板の周囲の原料ガスの濃度の均一性の低下を抑制することができる。従って、本発明の結晶膜の製造方法によれば、結晶膜の結晶特性が不均一となるまでの時間を長くすることができ、結晶膜の製造装置のメンテナンスを行うまでの時間を長くすることができ、その結果、結晶膜の製造装置のメンテナンスの頻度を低くすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、結晶膜の製造装置のメンテナンスの頻度を低くすることができる結晶膜の製造装置及び製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の結晶膜の製造装置の一実施形態を示す部分切断面端面図である。
【図２】図１の結晶膜の製造装置の反応チャンバ内の一部を示す平面図である。
【図３】実施例１及び比較例１における使用期間とΔλとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の結晶膜の製造装置の実施形態について図１及び図２を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の結晶膜の製造装置の一実施形態を示す部分切断面端面図であり、図２は、図１の結晶膜の製造装置の反応チャンバ内の一部を示す平面図である。
【００１８】
図１に示すように、結晶膜の製造装置１００は、本発明の結晶膜の製造装置の一例としてのＭＯＣＶＤ装置を示しており、反応チャンバ１０と、反応チャンバ１０に設けられ、反応チャンバ１０内の圧力を測定する圧力計１４と、反応チャンバ１０の内部に設けられ、基板４０を支持する基板支持体６０と、反応チャンバ１０内に原料ガスを供給する原料ガス供給部３０と、反応チャンバ１０に接続され、反応チャンバ１０内のガスを反応チャンバ１０外に排気するための複数本の排気管２０と、複数本の排気管２０の各々に設けられ、排気管２０の内部の圧力を測定する圧力計２１と、複数本の排気管２０の各々に設けられ、排気管２０を加熱するヒータ２２と、複数本の排気管２０の下流側にトラップ２４を介して接続される配管２６と、配管２６に設けられ、複数本の排気管２０を通して反応チャンバ１０の内部空間を減圧する減圧ポンプ５０と、圧力計２１及びヒータ２２に電気的に接続され、圧力計２１によって測定される圧力に基づいてヒータ２２の温度を制御する制御装置２３とを備えている。
【００１９】
反応チャンバ１０は、筒状の側壁部１２と、側壁部１２の下端の開口を塞ぐように設けられる底部１１と、側壁部１２の上端の開口を塞ぐように設けられる蓋部１３とからなる。
【００２０】
蓋部１３には、蓋部１３を貫通する回転軸線Ｒに沿って設けられる回転軸６３を介して板状の基板支持体６０が対向して配置されている。基板支持体６０は、回転軸６３の回転に伴って回転軸６３の回りに回転可能となっている。
【００２１】
基板支持体６０のうち、底部１１と対向する底部対向面６０ａには、基板４０を固定するための複数の基板固定部６１が設けられている。複数の基板固定部６１は、回転軸６３の回転軸線Ｒと基板支持体６０の底部対向面６０ａとの交点Ｃを包囲するように配置されている。
【００２２】
基板支持体６０と蓋部１３との間には、基板支持体６０及び基板固定部６１を介して基板４０を加熱する加熱装置６２が設けられている。
【００２３】
底部１１の上にはベース部３４が設けられ、ベース部３４の上には原料ガス供給部３０が設けられている。
【００２４】
原料ガス供給部３０は、板状の本体部３１と、本体部３１の外周面に設けられる複数本の原料ガス供給ノズル３２とを備えている。原料ガス供給ノズル３２は、本体部３１に対して回転軸線Ｒから放射状に延びるように配置されている。
【００２５】
原料ガス供給部３０には、原料ガス供給源（図示せず）から原料ガス供給管（図示せず）を通して本体部３１に原料ガスが供給され、原料ガス供給ノズル３２から反応チャンバ１０内に原料ガスが供給されるようになっている。
【００２６】
反応チャンバ１０の底部１１には複数本の排気管２０が接続されている。図２に示すように、複数本の排気管２０の排気口２５は、原料ガス供給部３０を包囲するように配置されている。
【００２７】
次に、上記結晶膜の製造装置１００を用いた結晶膜の製造方法について説明する。
【００２８】
まず、蓋部１３と側壁部１２とを分離して基板支持体６０の複数の基板固定部６１の各々に基板４０を固定する。基板４０としては、例えばガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素又はインジウムガリウムヒ素などからなる半導体ウェハが用いられる。
【００２９】
次に、減圧ポンプ５０を作動させ、圧力計１４をモニタしながら、反応チャンバ１０の内部空間を複数本の排気管２０を通して減圧する。一方、加熱装置６２によって基板支持体６０及び基板固定部６１を介して複数の基板４０を加熱する。
【００３０】
次に、反応チャンバ１０内に原料ガスを供給する。具体的には、原料ガス供給源から原料ガス供給管を通して、原料ガス供給部３０の本体部３１に原料ガスを供給する。本体部３１に供給された原料ガスは、原料ガス供給ノズル３２から反応チャンバ１０内に供給される。このとき、原料ガスとしては、有機金属（例えばトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム又はこれらの２種以上の混合物）及びアルシンなどを含むガスが用いられる。
【００３１】
反応チャンバ１０内に供給された原料ガスは、加熱装置６２によって高温に加熱された基板４０の表面で分解し、基板４０の表面に結晶膜が形成される。このとき、複数の基板４０の周囲の原料ガスの濃度を均一にするために、回転軸６３によって基板支持体６０を回転軸線Ｒの回りに回転させることが好ましい。
【００３２】
原料ガスは、基板４０の表面で分解して結晶膜を形成した後、複数の排気口２５から排気管２０を経て反応チャンバ１０外へ排気される。
【００３３】
このとき、排気管２０内においてガスの一部が付着物として排気管２０内に付着し、排気管２０が徐々に閉塞すると、排気管２０内におけるガスの流量が減少し、排気管２０の圧力が変化する。このため、排気管２０の閉塞度合は、排気管２０に設けられる圧力計２１で排気管２０内の圧力を測定することで把握できる。一方、ガスの一部が排気管２０内に付着物として付着するのは、排気管２０の温度が低下したことによって原料ガスが低温化されたことによるものと考えられるため、排気管２０をヒータ２２で加熱することで、排気管２０内に付着物が付着することを抑制することができ、排気管２０内の圧力の変化を抑制することができる。
【００３４】
そこで、制御装置２３により、複数本の排気管２０に設けられた圧力計２１で測定される圧力同士間の差が一定値以下になるように、ヒータ２２によって複数本の排気管２０の温度を制御する。具体的には、圧力計２１で測定された圧力同士間の差が一定の値以下となるように、排気管２０に設けられたヒータ２２によって排気管２０の温度を制御する。
【００３５】
これにより、全ての排気管２０において閉塞度合が不均一になることを抑制することができ、全ての排気管２０において排出されるガスの流量の均一性の低下を抑制することができる。このため、基板４０の周囲の原料ガスの濃度の均一性の低下を抑制することができる。従って、結晶膜の製造装置１００によれば、結晶膜の結晶特性が不均一となるまでの時間を長くすることができ、結晶膜の製造装置１００のメンテナンスを行うまでの時間を長くすることができ、その結果、結晶膜の製造装置１００のメンテナンスの頻度を低くすることができる。
【００３６】
以下、上述した排気管２０及びヒータ２２について詳細に説明する。
【００３７】
＜排気管＞
複数本の排気管２０は、排気口２５が反応チャンバ１０の底部１１において、回転軸線Ｒを中心とする円周上において等間隔に配置されることが好ましい。この場合、基板４０の周囲の原料ガスの濃度の均一性をより向上させることができる。
【００３８】
排気管２０の本数は、２本以上であれば特に限定されるものではないが、基板４０の周囲の原料ガスの濃度の均一性をより向上させるという観点からは、６本以上であることが好ましい。
【００３９】
排気管２０の材質は、原料ガスによって腐食されないものであれば特に限定されるものではない。排気管２０の材質としては、例えばステンレス鋼などが用いられる。
【００４０】
＜ヒータ＞
ヒータ２２の設置場所は、特に限定されるものではないが、ヒータ２２は、少なくとも排気管２０の反応チャンバ１０側の端部に設けられていることが好ましい。複数本の排気管２０のうち反応チャンバ１０側の端部は反応チャンバ１０に最も近い位置にあるため、複数本の排気管２０のうち反応チャンバ１０側の端部で付着物による閉塞が起こり、ガスの流速の均一性が低下すると、基板４０の周囲の原料ガスの濃度の均一性への影響が特に大きい。その点、ヒータ２２が、複数本の排気管２０のうち少なくとも反応チャンバ１０側の端部に設けられていれば、複数本の排気管２０の反応チャンバ１０側の端部では付着物によって閉塞が起こりにくくなり、基板４０の周囲の原料ガスの濃度の均一性の低下をより十分に抑制することができる。
【００４１】
ここで、ヒータ２２は、排気管２０全体に設けられていることが好ましい。この場合、複数本の排気管２０の全体で付着物による閉塞が起こりにくくなり、基板４０の周囲の原料ガスの濃度の均一性の低下をより十分に抑制することができる。
【００４２】
なお、トラップ２４及び配管２６で付着物による閉塞が起こっても、複数本の排気管２０における閉塞度合の均一性の低下に与える影響は小さいため、トラップ２４及び配管２６には必ずしもヒータ２２を設けなくてもよい。
【００４３】
ヒータ２２としては、例えばチューブヒータ、テープヒータ、ジャケットヒータ、ラバーヒータなどが挙げられる。中でもテープヒータが好ましい。この場合、排気管２０に隙間なく巻き付けやすくなる。
【００４４】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、基板支持体６０が回転軸６３の回りに回転可能となっているが、基板支持体６０は回転可能でなくてもよい。例えば基板支持体６０は蓋部１３又は加熱装置６２に直接固定されてもよい。
【００４５】
また上記実施形態では、基板支持体６０が反応チャンバ１０のうち蓋部１３に設けられ、原料供給部３０が底部１１に設けられているが、基板支持体６０が原料供給部３０に対向して配置されるのであれば、基板支持体６０は、反応チャンバ１０のうち底部１１又は側壁部１２に設けられていてもよい。
【００４６】
さらに、上記実施形態では、原料ガス供給部３０の本体部３１の外周面に設けられる原料ガス供給ノズル３２の本数が複数本となっているが、原料ガス供給ノズル３２の本数は１本でもよい。また、原料ガス供給ノズル３２は、本体部３１のうち基板支持体６０側に設けられていてもよい。さらにまた、原料ガス供給部３０は、必ずしも原料ガス供給ノズル３２を有していなくてもよい。この場合、原料ガスは、本体部３１から供給されることになる。
【００４７】
また、上記実施形態では、原料ガス供給部３０は、底部１１の上に、ベース部３４を介して設けられているが、原料ガス供給部３０は、底部１１の上に直接固定されていてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、排気口２５は、底部１１に設けられているが、側壁部１２や蓋部１３に設けられていてもよい。
【００４９】
さらに、上記実施形態では、減圧ポンプ５０は、排気管２０の下流側にトラップ２４を介して設けられているが、トラップ２４は、必ずしも必要なものではなく、省略が可能である。
【００５０】
さらにまた、上記実施形態では、結晶膜の製造装置１００が制御装置２３を備えているが、結晶膜の製造装置１００は必ずしも制御装置を有していなくてもよい。結晶膜の製造装置１００が制御装置２３を有していなくても、例えば複数本の排気管２０内の圧力を圧力計２１によって作業者が目視で確認し、複数本の排気管２０の圧力間の差が一定値以下となるようにヒータ２２の温度を手動で制御することが可能である。
【００５１】
さらに、上記実施形態では、結晶膜の製造装置がＭＯＣＶＤ装置となっているが、結晶膜の製造装置は、ＭＯＣＶＤ装置に限られるものではない。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００５３】
（実施例１）
結晶膜の製造装置としては、図１の結晶膜の製造装置１００を用いた。
【００５４】
具体的には、図１の結晶膜の製造装置１００において、複数本の排気管２０として、内径が４０ｍｍのステンレス鋼製の排気管を６本用い、ヒータ２２としてラバーヒータを用いた。ラバーヒータは排気管２０の全体を覆うように取り付けた。また、排気管２０には、ヒータ２２とともに、排気管２０の温度を測定するための熱電対も取り付けた。
【００５５】
また、圧力計２１は、６本の排気管２０の各々に取り付けた。
【００５６】
上記の結晶膜の製造装置１００を用い、以下のようにしてガリウムヒ素からなる層、アルミニウムガリウムヒ素からなる層およびインジウムガリウムヒ素からなる層の三層の積層体で構成される結晶膜を製造した。
【００５７】
まず、基板４０として、直径２インチ、厚さ３５０μｍのガリウムヒ素製の円形基板を１０枚用意した。そして、反応チャンバ１０の蓋部１３と側壁部１２とを分離し、基板支持体６０の基板固定部６１に固定した後、反応チャンバ１０の側壁部１２に蓋部１３を取り付けた。
【００５８】
次に、減圧ポンプ５０を作動させ、反応チャンバ１０の内部空間の圧力が８ｋＰａになるまで反応チャンバ１０内を減圧した。
【００５９】
次に、加熱装置６２を作動させて基板４０を８００℃に加熱した。また、このとき、回転軸６３を１０ｒｐｍで回転させて基板支持体６０とともに基板４０を回転させた。
【００６０】
次に、反応チャンバ１０内に、原料ガス供給部３０により原料ガスとして飽和蒸気圧のトリメチルガリウム、飽和蒸気圧のトリメチルアルミニウム及び飽和蒸気圧のトリメチルインジウムのうちの１種以上とアルシンガスとを、水素ガスを媒体として適宜混合して供給し、インジウム組成が１１％のインジウムガリウムヒ素で構成される活性層（厚さ６ｎｍ）をアルミニウム組成２５％の２層のアルミニウムガリウムヒ素で構成される障壁層（厚さ１００ｎｍ）で挟んでなる量子井戸構造を形成した。このとき、原料ガス供給ノズルの本数は１０本であり、原料ガス供給ノズルの内径は１ｍｍとした。
【００６１】
次に、６本の排気管２０内の圧力を圧力計２１で測定し、６本の排気管２０の温度を熱電対で測定しながら、６本の排気管２０の圧力同士間の差が０．２ｋＰａ以下となるように制御装置２３を用いてヒータ２２を作動させて排気管２０の温度を制御した。
【００６２】
こうして、１０枚の基板上に５時間にわたってインジウムガリウムヒ素で構成される活性層とアルミニウムガリウムヒ素で構成される障壁層とからなる量子井戸構造を含む結晶膜を製造した。
【００６３】
（比較例１）
図１の結晶膜の製造装置１００から圧力計２１、ヒータ２２及び制御装置２３を取り外し、排気管２０の温度を排気管２０内の圧力に基づいて制御しなかったこと以外は実施例１と同様にして結晶膜を製造した。
【００６４】
［評価］
（結晶特性の均一性）
まず、実施例１及び比較例１において、１０枚の基板上に形成された結晶膜について、フォトルミネッセンス法により、結晶膜から放出される蛍光の波長の測定を行った。このとき、測定した蛍光の波長は、各結晶膜の中央から放出される蛍光の波長とした。そして、最も長波長であった蛍光の波長λｍａｘから、最も短波長であった蛍光の波長λｍｉｎを差し引いた値Δλ（＝λｍａｘ−λｍｉｎ）を結晶膜の均一性の指標として算出した。そして、その後、１月ごとに６月まで、上記と同様にして、１０枚の基板の各々に形成された結晶膜からの蛍光の波長を測定し、Δλの値を算出した。結果を表１及び図３に示す。
【表１】
2018110181.tif 000003
【００６５】
表１及び図３に示す結果より、比較例１では、結晶膜の製造装置を清浄な状態から使用し始めて２月後にはΔλの値が３．５ｎｍとなっており、メンテナンスを必要とする目安となる３ｎｍを超えていた。これに対し、実施例１では、結晶膜の製造装置を清浄な状態から使用し始めて６月を経過しても、Δλの値がまだ２．８ｎｍであり、メンテナンスを必要とする目安となる３ｎｍに達していなかった。
【００６６】
以上のことから、本発明の結晶膜の製造装置によれば、結晶膜の製造装置のメンテナンスの頻度を低くすることができることが確認された。
【符号の説明】
【００６７】
１０…反応チャンバ
１１…底部
１２…側壁部
１３…蓋部
２０…排気管
２１…圧力計
２２…ヒータ
２３…制御装置
４０…基板
５０…減圧ポンプ
１００…結晶膜の製造装置
【図１】
2018110181.tif 000004
【図２】
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【図３】
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