(57)【要約】【課題】、配線の上部の幅を広く確保できる半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法は、テープ基材上に導体膜１２を形成する工程（ａ）と、前記導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記導体膜を途中までエッチングすることで、前記導体膜に配線の上部２２ａ，２３ａを形成する工程（ｃ）と、前記配線の上部の上面１７及び側面１８を覆う第２のレジストパターン１６ａを形成する工程（ｄ）と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングすることで、前記テープ基材上に前記導体膜からなる配線を形成する工程（ｇ）を具備する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ基材上に導体膜を形成する工程（ａ）と、
前記導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記導体膜を途中までエッチングすることで、前記導体膜に配線の上部を形成する工程（ｃ）と、
前記配線の上部の上面及び側面を覆う第２のレジストパターンを形成する工程（ｄ）と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングすることで、前記テープ基材上に前記導体膜からなる配線を形成する工程（ｇ）と、
を具備する半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項２】
テープ基材上に導体膜を形成する工程（ａ）と、
前記導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記導体膜を途中までエッチングすることで、前記導体膜に配線の上部を形成する工程（ｃ）と、
前記配線の上部の上面及び側面を覆う第２のレジストパターンを形成する工程（ｄ）と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして前記導体膜を途中までエッチングすることで、前記導体膜に前記配線の中部を形成する工程（ｅ）と、
前記配線の上部及び中部の上面及び側面を覆う第３のレジストパターンを形成する工程（ｆ）と、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングすることで、前記テープ基材上に前記導体膜からなる配線を形成する工程（ｇ）と、
を具備する半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｇ）は、前記配線を複数形成する工程であり、
前記導体膜の厚さをａとし、前記工程（ｇ）で形成される前記配線と前記配線の間の距離をｂとした場合、下記式を満たす請求項１または２に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
ａ／ｂ＞１
【請求項４】
前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）の間に、前記第１のレジストパターンを除去する工程を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）の間に、前記第２のレジストパターンを除去する工程を有する請求項２に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｄ）において、前記配線の上部の側面に位置する前記第２のレジストパターンの厚さは、前記配線の上部の上面に位置する前記第２のレジストパターンの厚さより厚い請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)テープの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法について以下に説明する。
テープ基材上の銅箔上にフォトレジスト膜を塗布し、そのフォトレジスト膜を露光、現像することで、銅箔上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして銅箔をウエットエッチングすることで、銅箔からなる配線をテープ基材上に形成する（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
上記のように製造された配線にはサイドエッチングが入ることによって配線の上部の幅（トップ幅）が細くなってしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１５５９２号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の幾つかの態様は、配線の上部の幅を広く確保できる半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法に関連している。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法は、テープ基材上に導体膜を形成する工程（ａ）と、前記導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記導体膜を途中までエッチングすることで、前記導体膜に配線の上部を形成する工程（ｃ）と、前記配線の上部の上面及び側面を覆う第２のレジストパターンを形成する工程（ｄ）と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングすることで、前記テープ基材上に前記導体膜からなる配線を形成する工程（ｇ）と、を具備する。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、配線の上部の上面及び側面を第２のレジストパターンで覆って２回目のエッチングを行うため、簡易な方法でサイドエッチングが深く入ることを抑制でき、配線の上部の幅を広く確保することができる。
【０００８】
本発明の第２の態様に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法は、テープ基材上に導体膜を形成する工程（ａ）と、前記導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記導体膜を途中までエッチングすることで、前記導体膜に配線の上部を形成する工程（ｃ）と、前記配線の上部の上面及び側面を覆う第２のレジストパターンを形成する工程（ｄ）と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記導体膜を途中までエッチングすることで、前記導体膜に前記配線の中部を形成する工程（ｅ）と、前記配線の上部及び中部の上面及び側面を覆う第３のレジストパターンを形成する工程（ｆ）と、前記第３のレジストパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングすることで、前記テープ基材上に前記導体膜からなる配線を形成する工程（ｇ）と、を具備する。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、配線の上部の上面及び側面を第２のレジストパターンで覆って２回目のエッチングを行い、配線の上部及び中部の上面及び側面を第３のレジストパターンで覆って３回目のエッチングを行う。このため、簡易な方法でサイドエッチングが深く入ることを抑制でき、配線の上部の幅を広く確保することができる。
【００１０】
また、本発明の第１の態様または第２の態様において、前記工程（ｇ）は、前記配線を複数形成する工程であり、前記導体膜の厚さをａとし、前記工程（ｇ）で形成される前記配線と前記配線の間の距離をｂとした場合、下記式を満たすとよい。  ａ／ｂ＞１  上記本発明の第１の態様または第２の態様によれば、配線の上部の上面及び側面を第２のレジストパターンで覆って２回目のエッチングを行うため、簡易な方法でサイドエッチングが深く入ることを抑制でき、配線の上部の幅を広く確保することができる。
【００１１】
また、本発明の第１の態様または第２の態様において、前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）の間に、前記第１のレジストパターンを除去する工程を有するとよい。これにより、簡易な方法でサイドエッチングが深く入ることを抑制でき、配線の上部の幅を広く確保することができる。
【００１２】
また、本発明の第１の態様または第２の態様において、前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）の間に、前記第２のレジストパターンを除去する工程を有するとよい。これにより、簡易な方法でサイドエッチングが深く入ることを抑制でき、配線の上部の幅を広く確保することができる。
【００１３】
また、本発明の第１の態様または第２の態様において、前記工程（ｄ）において、前記配線の上部の側面に位置する前記第２のレジストパターンの厚さは、前記配線の上部の上面に位置する前記第２のレジストパターンの厚さより厚いとよい。これにより、配線の上部の側面を工程（ｇ）のエッチングから効果的に保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図６】本発明の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図７】本発明の実施形態の変形例に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図８】本発明の実施形態の変形例に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図９】本発明の実施形態の変形例に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【図１０】本発明の実施形態の変形例に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１乃至図６は、本発明の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明するための断面図である。
【００１６】
図１に示すように、テープ基材１１上に導体膜１２を形成する。この導体膜１２はＣｕ、Ａｌ、ＳＵＳなどを用いることができる。次いで、導体膜１２上にフォトレジスト膜を塗布し、そのフォトレジスト膜を露光、現像することで、導体膜１２上に第１のレジストパターン１３を形成する。次いで、第１のレジストパターン１３をマスクとして導体膜１２にウエットエッチング液１４をスプレーすることで、導体膜１２を途中までエッチングする。導体膜１２を途中までエッチングすることは、導体膜１２を裏面までウエットエッチング液１４で貫通するのではなく、残したいトップ幅になるまで導体膜１２をエッチングしたらエッチングを止めるということである。これにより、導体膜１２に第１の配線の上部２２ａ及び第２の配線の上部２３ａを形成する。なお、スプレーの圧力を調整することで、第１の配線の上部２２ａと第２の配線の上部２３ａの間に存在するウエットエッチング液１４を循環させてエッチングの進行を促進することができる。なお、ウエットエッチング液１４には塩化第二鉄、塩化第二銅などを用いることができる。
【００１７】
次に、図２に示すように、導体膜１２上からウエットエッチング液１４を除去し、その後に第１のレジストパターン１３を除去する。
【００１８】
この後、図３に示すように、第１の配線の上部２２ａ及び第２の配線の上部２３ａを含む導体膜１２上にフォトレジスト膜１６を塗布する。次に、図４に示すように、フォトレジスト膜１６を露光、現像することで、第１の配線の上部２２ａの上面１７及び側面１８と第２の配線の上部２３ａの上面１７及び側面１８を覆う第２のレジストパターン１６ａを形成する。この際、第１の配線の上部２２ａ及び第２の配線の上部２３ａそれぞれの側面１８に位置する第２のレジストパターン１６ａの厚さ１９は、第１の配線の上部２２ａ及び第２の配線の上部２３ａそれぞれの上面１７に位置する第２のレジストパターン１６ａの厚さ２０より厚いことが好ましい。これにより、第１の配線の上部２２ａ及び第２の配線の上部２３ａそれぞれの側面１８を後の工程のウエットエッチング液から効果的に保護することができる。
【００１９】
次に、図５に示すように、第２のレジストパターン１６ａをマスクとして導体膜１２にウエットエッチング液２１をスプレーする。これにより、図６に示すように、導体膜１２を最後までエッチングする。導体膜１２を最後までエッチングすることとは、導体膜１２をその裏面までウエットエッチング液２１で貫通させて配線間を切り離すことを意味する。次いで、第２のレジストパターン１６ａを除去する。このようにしてテープ基材１１上に導体膜１２からなる第１の配線２２及び第２の配線２３を形成する（図６参照）。
【００２０】
図６に示す半導体装置用ＴＡＢテープは、導体膜１２の厚さ（第１及び第２の配線２２，２３の厚さ）２４をａとし、第１の配線２２と第２の配線２３の間の距離２５をｂとした場合、下記式を満たすことが好ましい。
ａ／ｂ＞１
【００２１】
上記式を満たす配線を形成することとは、第１の配線２２と第２の配線２３の間隔が配線の厚さより短いものを形成することを意味する。そのため、従来技術のように１回のエッチングで配線を形成すると、サイドエッチングが深く入りやすいため、配線の上部の幅を広く確保することが困難である。これに対し、本実施形態では、１回目のエッチングで図２に示すように第１及び第２の配線それぞれの上部２２ａ，２３ａを形成し、上部２２ａ，２３ａを第２のレジストパターン１６ａで覆って２回目のエッチングを行う。そのため、サイドエッチングが深く入ることを抑制でき、第１及び第２の配線２２，２３それぞれの上部２２ａ，２３ａの幅２６，２７を広く確保することができる。
【００２２】
また、本実施形態では、上記式（ａ／ｂ＞１）を満たさない場合でも、第１及び第２の配線それぞれの上部２２ａ，２３ａを第２のレジストパターン１６ａで覆って２回目のエッチングを行う。そのため、簡易な方法でサイドエッチングが深く入ることを抑制でき、第１及び第２の配線２２，２３それぞれの上部２２ａ，２３ａの幅２６，２７を広く確保することができ、トップ幅を大幅に残すことができる。
【００２３】
また、第１及び第２の配線２２，２３の厚さ２４及び上部２２ａ，２３ａの幅２６，２７は３μｍ以上であることが好ましい。これにより、配線の強度を十分に確保することができる。
【００２４】
なお、本実施形態では、図２及び図４に示すように第１のレジストパターン１３を除去した後に、第１及び第２の配線の上部２２ａ，２３ａそれぞれの上面１７及び側面１８を覆う第２のレジストパターン１６ａを形成するが、これに限定されず、次のように変更して実施してもよい。
第１のレジストパターン１３をマスクとして導体膜１２を途中までエッチングする。次いで、第１のレジストパターン１３を除去せずに第１及び第２の配線の上部２２ａ，２３ａそれぞれの上面１７及び側面１８を覆う第２のレジストパターンを形成する。ここでの第２のレジストパターンは第１のレジストパターンも覆っている。そして、第２のレジストパターンをマスクとして導体膜１２を最後までエッチングすることで、図６に示すような第１の配線２２及び第２の配線２３を形成する。
【００２５】
また、本実施形態では、図４に示すように第１及び第２の配線２２，２３の上部２２ａ，２３ａの上面１７及び側面１８を覆う第２のレジストパターン１６ａを形成し、第２のレジストパターン１６ａをマスクとして導体膜１２をエッチングすることで、テープ基材１１上に導体膜１２からなる第１及び第２の配線２２，２３を形成するが、これに限定されず、次のように変更して実施してもよい。
図７に示すように、第１及び第２の配線の上部２２ａ，２３ａの上面１７及び側面１８を覆う第２のレジストパターン３６を形成した後で、この第２のレジストパターン３６をマスクとしてウエットエッチング液３１で導体膜１２を途中までエッチングする（図８及び図９参照）。ここで導体膜１２を途中までエッチングすることとは、導体膜１２を裏面までウエットエッチング液で貫通させるのではなく、導体膜１２をある程度の厚さまでエッチングしたらエッチングを止めるということを意味する。これにより、導体膜１２に第１及び第２の配線それぞれの中部２２ｂ，２３ｂを形成する。次いで、図１０に示すように、第２のレジストパターン３６を除去し、第１及び第２の配線それぞれの上部２２ａ，２３ａの上面１７及び側面１８並びに第１及び第２の配線それぞれの中部２２ｂ，２３ｂの側面３８を覆う第３のレジストパターン４６を形成する。次いで、第３のレジストパターン４６をマスクとして導体膜１２を最後までエッチングすることで、テープ基材１１上に導体膜１２からなる第１及び第２の配線２２，２３を形成する（図６参照）。
【００２６】
上記の変更例では、第２のレジストパターン３６を除去した後に、第１及び第２の配線２２，２３それぞれの上部２２ａ，２３ａの上面１７及び側面１８並びに第１及び第２の配線２２，２３それぞれの中部２２ｂ，２３ｂの側面３８を覆う第３のレジストパターン４６を形成するが、これに限定されず、次のように変更して実施してもよい。
第２のレジストパターン３６をマスクとして導体膜１２を途中までエッチングする。次いで、第２のレジストパターン３６を除去せずに第１及び第２の配線２２，２３それぞれの上部２２ａ，２３ａの上面１７及び側面１８並びに第１及び第２の配線２２，２３それぞれの中部２２ｂ，２３ｂの側面３８を覆う第３のレジストパターン（図示せず）を形成する。ここでの第３のレジストパターンは第２のレジストパターン３６も覆っている。そして、第３のレジストパターンをマスクとして導体膜１２を最後までエッチングすることで、第１の配線及び第２の配線を形成する。
【００２７】
なお、本願において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上（又は下）に特定のＢ（以下「Ｂ」という）を形成する（Ｂが形成される）というとき、Ａの上（又は下）に直接Ｂを形成する（Ｂが形成される）場合に限定されない。Ａの上（又は下）に本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢを形成する（Ｂが形成される）場合も含まれる。
【００２８】
また、上（又は下）との表現による構成は、必ずしも一方向に限定されるものではなく、例えばＡの上（又は下）にＢを形成する（Ｂが形成される）というとき、半導体装置用ＴＡＢテープが天地逆転して使用される際には、Ａの下（又は上）にＢを形成する（Ｂが形成される）という場合も含まれる。
【符号の説明】
【００２９】
１１…テープ基材、１２…導体膜、１３…第１のレジストパターン、１４…ウエットエッチング液、１６…フォトレジスト膜、１６ａ…第２のレジストパターン、１７…上面、１８…側面、１９…第１の配線の上部及び第２の配線の上部それぞれの側面に位置する第２のレジストパターンの厚さ、２０…第１の配線の上部及び第２の配線の上部それぞれの上面に位置する第２のレジストパターンの厚さ、２１…ウエットエッチング液、２２…第１の配線、２２ａ…第１の配線の上部、２２ｂ…第１の配線の中部、２３…第２の配線、２３ａ…第２の配線の上部、２３ｂ…第２の配線の中部、２４…導体膜の厚さ（第１及び第２の配線の厚さ）、２５…第１の配線と第２の配線の間の距離、２６…第１の配線の上部の幅、２７…第２の配線の上部の幅、３１…ウエットエッチング液、３６…第２のレジストパターン、３８…側面、４６…第３のレジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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