(57)【要約】【課題】本発明の目的は、金属を含んだ金属絶縁膜上に、MOCVD工程を通じて結晶性酸化物半導体を設けた酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法と、これを用いた表示パネルおよび表示装置を提供することである。【解決手段】そのために、本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、金属を含んだ金属絶縁膜、前記金属絶縁膜と隣接している結晶性酸化物半導体、金属からなるゲート、前記結晶性酸化物半導体と前記ゲートとの間に備えられるゲート絶縁膜、前記結晶性酸化物半導体の一側端に備えられた第１導体部および前記結晶性酸化物半導体の他側端に備えられた第２導体部を備える。【選択図】図１
2018110227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を含んだ金属絶縁膜と、
前記金属絶縁膜と隣接している結晶性酸化物半導体と、
金属からなるゲートと、
前記結晶性酸化物半導体と前記ゲートとの間に備えられるゲート絶縁膜と、
前記結晶性酸化物半導体の一側端に備えられた第１導体部と、
前記結晶性酸化物半導体の他側端に備えられた第２導体部と、
を含む酸化物薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記金属絶縁膜は、基板に備えられ、
前記結晶性酸化物半導体は、前記金属絶縁膜上に備えられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記結晶性酸化物半導体上に備えられ、
前記ゲートは、前記ゲート絶縁膜上に備えられる
請求項１に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲートは、基板に備えられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート上に備えられ、
前記結晶性酸化物半導体は、前記ゲート絶縁膜上に備えられ、
前記金属絶縁膜は、前記結晶性酸化物半導体上に備えられる
請求項１に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記結晶性酸化物半導体は、一側方向に配置して方向性を有している
請求項１に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記金属絶縁膜は、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）、モリブデン-チタン合金（MoTi）の中のいずれか一つを含む
請求項１に記載の酸化物薄膜トランジスタ。
【請求項６】
ゲートパルスが供給されるゲートラインと、
データ電圧が供給されるデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインによって定義されるピクセルと
を含み、
前記ピクセルのそれぞれには、請求項１に記載された酸化物薄膜トランジスタを少なくとも１つ備えている
表示パネル。
【請求項７】
請求項６に記載された表示パネルと、
前記表示パネルに備えられたゲートラインにゲートパルスを供給するゲートドライバと、
前記表示パネルに備えられたデータラインにデータ電圧を供給するデータドライバと、
前記ゲートドライバと前記データドライバを制御する制御部と
を含む表示装置。
【請求項８】
金属と酸化物半導体を蒸着する工程と、
前記金属とアモルファスを有する前記酸化物半導体に熱を加え、前記酸化物半導体を結晶性酸化物半導体に変換させる工程と、
前記結晶性酸化物半導体に第１電極と第２電極を接続する工程と
を含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記金属と前記酸化物半導体を蒸着する工程は、
基板に金属を蒸着させる工程と、
有機金属化学蒸着（MOCVD）方式を利用して、前記金属上に酸化物半導体を蒸着する工程と
を含み、
前記結晶性酸化物半導体に前記第１電極と前記第２電極を接続する工程は、
前記結晶性酸化物半導体上にゲート絶縁膜物質を蒸着する工程と、
前記ゲート絶縁膜物質上にゲート物質を蒸着する工程と、
前記ゲート絶縁膜物質と前記ゲート物質をエッチングしてゲート絶縁膜とゲートを形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲートをカバーするように絶縁膜を蒸着する工程と、
前記絶縁膜に、前記結晶性酸化物半導体の一側端に備えられた第１導体部を露出させる第１コンタクトホール及び前記結晶性酸化物半導体の他側端に備えられた第２導体部を露出させる第２コンタクトホールを形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記第１コンタクトホールを通じて前記第１導体部と接続した第１電極および前記第２コンタクトホールを通じて前記第２導体部と接続した第２電極を形成する工程と
を含む、請求項８に記載の酸化物薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記金属と前記酸化物半導体を蒸着する工程は、
基板にゲートを蒸着させる工程と、
前記ゲートをカバーするように、ゲート絶縁膜を蒸着させる工程と、
前記ゲート絶縁膜上に有機金属化学蒸着（MOCVD）方式を利用して、前記金属上に酸化物半導体を蒸着する工程と、
前記酸化物半導体上に金属を蒸着させる工程と
を含み、
前記結晶性酸化物半導体に前記第１電極と前記第２電極を接続する工程は、
前記結晶性酸化物半導体の一側に備えられた第１導体部を第１電極と接続させ、前記結晶性酸化物半導体の他側に備えられた第２導体部を第２電極と接続させる工程
を含む、請求項８に記載の酸化物薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物薄膜トランジスタ及びこれを用いた表示パネルおよび表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、タブレットPC、ノートPCなどを含む様々な種類の電子製品には、平板パネル表示装置（FPD：Flat Panel Display）が用いられている。平板表示装置には、液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display）、有機発光表示装置（OLED：Organic Light Emitting Display Device）などがあり、最近では電気泳動表示装置（EPD：ELECTROPHORETIC DISPLAY）も広く利用されている。
【０００３】
平板表示装置（以下、単に「表示装置」という。）の中で、液晶表示装置（LCD）は、液晶を利用して映像を表示し、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display Device）は、自ら発光する自発光素子を使用する。
【０００４】
表示装置を構成する表示パネルには、映像出力のために、複数のスイッチング素子が備えられる。前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタで構成することができる。薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンまたはポリシリコンまたは酸化物半導体で構成することができる。酸化物半導体で構成された薄膜トランジスタは、酸化物薄膜トランジスタと呼ばれる。
【０００５】
前記酸化物薄膜トランジスタは、スパッタリング工程を経て製造される。
【０００６】
特に、スパッタリングを利用した低温成膜工程によって、アモルファス酸化物薄膜トランジスタが形成される。結晶性酸化物薄膜トランジスタを作製するためには、例えば、３００度以上での高温成膜工程の後、追加の熱処理をしなければならない。
【０００７】
アモルファス（非晶質）酸化物薄膜トランジスターと結晶性酸化物薄膜トランジスタは、特徴が異なるので、様々な分野で個別に利用されている。特に、結晶性酸化物薄膜トランジスタが信頼性の面で優れているため、結晶性酸化物薄膜トランジスタの利用も増加している。
【０００８】
しかし、前記のように、従来の結晶性酸化物薄膜トランジスタを製造するためには、高温成膜工程を経なければならない。しかし、高温成膜工程は、大面積を有する表示パネルには適用し難くい。
【０００９】
また、高温成膜工程後さらに熱処理工程を行うため、工程が複雑になる。
【００１０】
また、従来の高温成膜工程と熱処理によっては、結晶方向を自由に設定することができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した問題点を解決するために提案された本発明の目的は、金属を含んだ金属絶縁膜上に、MOCVD工程を通じて結晶性酸化物半導体が設けられた酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法および、これを用いた表示パネルおよび表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記のような問題点を解決するための本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、金属を含んだ金属絶縁膜、前記金属絶縁膜と隣接している結晶性酸化物半導体、金属からなるゲート、前記結晶性酸化物半導体と前記ゲートとの間に備えられるゲート絶縁膜、前記結晶性酸化物半導体の一側端に備えられた第１導体部および前記結晶性酸化物半導体の他側端に備えられた第２導体部を備える。
【００１３】
前記のような問題点を解決するための本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、金属を含んだ金属絶縁膜、前記金属絶縁膜上に備えられる結晶性酸化物半導体、前記結晶性酸化物半導体上に備えられるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に備えられるゲート、前記結晶性酸化物半導体の一側端に備えられた第１導体部および前記結晶性酸化物半導体の他側端に備えられた第２導体部を備える。
【００１４】
前記のような問題点を解決するための本発明によるまた別の酸化物薄膜トランジスタは、基板に備えられたゲート、前記ゲートをカバーするゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に備えられる結晶性酸化物半導体、前記結晶性酸化物半導体上に備えられ、金属を含んだ金属絶縁膜、前記結晶性酸化物半導体の一側に備えられた第１導体部および前記結晶性酸化物半導体の他側に備えられた第２導体部を備える。
【００１５】
前記のような問題点を解決するための本発明に係る酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、金属と酸化物半導体を蒸着する工程と、前記金属とアモルファスを有する前記酸化物半導体に熱を加え、前記酸化物半導体を結晶性酸化物半導体に変換させる工程および、前記結晶性酸化物半導体に第１電極と第２電極を接続させる工程を含む。
【００１６】
前記のような問題点を解決するための本発明に係る酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、基板に金属を蒸着させる工程と、有機金属化学蒸着（MOCVD）方式を利用して、前記金属上に酸化物半導体を蒸着する工程と、アモルファスを有する前記酸化物半導体に熱を加え、前記酸化物半導体を結晶性酸化物半導体に変換させる工程と、前記結晶性酸化物半導体上にゲート絶縁膜物質を蒸着する工程と、前記ゲート絶縁膜物質上にゲート物質を蒸着する工程と、前記ゲート絶縁膜物質と前記ゲート物質をエッチングしてゲート絶縁膜とゲートを形成する工程と、前記ゲート絶縁膜と前記ゲートをカバーするように絶縁膜を蒸着する工程と、前記絶縁膜に、前記結晶性酸化物半導体の一側端に備えられた第１導体部を露出させる第１コンタクトホールおよび前記結晶性酸化物半導体の他側端に備えられた第２導体部を露出させる第２コンタクトホールを形成する工程および、前記絶縁膜上に、前記第１コンタクトホールを通じて前記第１導体部と接続した第１電極および前記第２コンタクトホールを通じて前記第２導体部と接続した第２電極を形成する工程を含む。
【００１７】
前記のような問題点を解決するための本発明によるまた別の酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、基板にゲートを蒸着させる工程と、前記ゲートをカバーするようにゲート絶縁膜を蒸着させる工程と、前記ゲート絶縁膜上に有機金属化学蒸着（MOCVD）方式を利用して、前記金属上に酸化物半導体を蒸着する工程と、前記酸化物半導体上に金属を蒸着させる工程と、アモルファスを有する前記酸化物半導体に熱を加えて、前記酸化物半導体を結晶性酸化物半導体に変換させる工程および、前記結晶性酸化物半導体の一側に備えられた第１導体部を第１電極と接続させ、前記結晶性酸化物半導体の他側に備えられた第２導体部を第２電極と接続させる工程を含む。
【００１８】
前記のような問題点を解決するための本発明による表示パネルは、ゲートパルスが供給されるゲートライン、データ電圧が供給されるデータラインおよび前記ゲートラインと前記データラインによって定義されるピクセルを含み、前記ピクセルそれぞれには、前記酸化物薄膜トランジスタが少なくとも一つ備えられる。
【００１９】
前記のような問題点を解決するための本発明に係る表示装置は、前記表示パネル、表示パネルに備えられたゲートラインにゲートパルスを供給するゲートドライバ、表示パネルに備えられたデータラインにデータ電圧を供給するデータドライバおよび前記ゲートドライバと、前記データドライバを制御する制御部を備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、MOCVD工程によりアモルファス酸化物半導体を金属の上段に蒸着した後、熱処理工程を通じて前記アモルファス酸化物半導体が方向性を有する結晶性酸化物半導体に変化する。
【００２１】
したがって、本発明によれば、結晶性酸化物半導体の信頼性および移動度を向上させることができ、これにより、酸化物薄膜トランジスタ及びこれを用いた表示パネルと表示装置の信頼性および性能が向上し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタの一実施例の断面図である。
【図２】図１に示された酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す例示図。
【図３】図１に示された酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す例示図。
【図４】図１に示された酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す例示図。
【図５】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す別の例示図。
【図６】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す別の例示図。
【図７】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す別の例示図。
【図８】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す、さらに別の例示図。
【図９】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す、さらに別の例示図。
【図１０】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す、さらに別の例示図。
【図１１】本発明に係る酸化物薄膜トランジスタの別の断面図を示す例示図である。
【図１２】本発明に係る表示装置の構成を示す例示図である。
【図１３】本発明による表示パネルに備えられたピクセルの例示図である。
【図１４】本発明による表示パネルに備えられたピクセルの別の例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述する実施例を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
【００２４】
本明細書では、各図面の構成要素に参照番号を付加する場合において、同一の構成要素に限って、たとえ他の図面上に表示されても、可能な限り同一の番号を有するようにしていることに留意しなければならない。
【００２５】
本発明の実施例を説明するために図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本発明は、図に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は、同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明は、省略する。本明細書で言及した「備える」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現する場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
【００２６】
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００２７】
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜上に」、「〜の上部に」、「〜の下部に」、「〜の隣に」など２つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
【００２８】
時間の関係に対する説明である場合には、例えば、「〜の後」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続していない場合も含むことができる。
【００２９】
「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。たとえば、「第１項目、第２項目及び第３項目のうち少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれのみならず、第１項目、第２項目及び第３項目の中で２つ以上から提示することができるすべての項目の組み合わせを意味する。
【００３０】
第１、第２などがさまざまな構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
【００３１】
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に様々な連動と駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり、連関関係で一緒に実施することもできる。
【００３２】
以下、添付の図を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００３３】
図１は、本発明に係る酸化物薄膜トランジスタの一実施例の断面図である。
【００３４】
本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、図１に示すように、金属を含んだ金属絶縁膜１１３、前記金属絶縁膜１１３と隣接している結晶性酸化物半導体１１４、金属からなるゲート１１８、前記結晶性酸化物半導体１１４と前記ゲート１１８との間に備えられるゲート絶縁膜１１７、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側端に備えられた第１導体部１１５及び前記結晶性酸化物半導体１１４の他側端に備えられた第２導体部１１６を備える。
【００３５】
特に、図１に示す本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、基板１１１、前記基板上に備えられるバッファ１１２、前記バッファ１１２上に備えられ金属を含んだ金属絶縁膜１１３、前記金属絶縁膜１１３上に備えられる結晶性酸化物半導体１１４、前記結晶性酸化物半導体１１４上に備えられるゲート絶縁膜１１７、前記ゲート絶縁膜１１７上に備えられるゲート１１８、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側端に備えられた第１導体部１１５、前記結晶性酸化物半導体１１４の他側端に備えられた第２導体部１１６、前記ゲート絶縁膜１１７と前記ゲート１１８と前記第１導体部１１５と前記第２導体部１１６と前記バッファ１１２をカバーする絶縁膜１１９、前記絶縁膜１１９上に備えられ前記絶縁膜１１９に形成された第１コンタクトホール１２２を通じて前記第１導体部１１５と接続する第１電極１２０および、前記絶縁膜１１９上に備えられ前記絶縁膜１１９に形成された第２コンタクトホール１２３を通じて前記第２導体部１１６と接続する第２電極１２１を備える。
【００３６】
前記基板１１１は、ガラス基板またはプラスチック基板であり得る。
【００３７】
前記バッファ１１２は、無機膜または有機膜であり得る。前記バッファ１１２は、省略することができる。
【００３８】
前記金属絶縁膜１１３には、マグネシウム（Mg）の金属反応性（Reactivity）よりも低く、鉛（Pb）の金属反応よりも高い金属反応性を有する金属、例えば、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）、モリブデン-チタン合金（MoTi）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００３９】
前記結晶性酸化物半導体１１４は、例えば、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）および酸素（O）からなるIGZO（InGaZnO）、IZO（InZnO）、IGO（InGaO）、InO中のいずれか一つであり得る。前記結晶性酸化物半導体は、インジウム（In）を多く含むことができ、これにより、前記結晶性酸化物半導体は、高移動度を有することができる。
【００４０】
前記結晶性酸化物半導体１１４は、前記金属絶縁膜１１３の平面に平行な方向に整列することができる。すなわち、前記結晶性酸化物半導体１１４は、一側方向に配置して方向性を有している。例えば、前記の結晶性酸化物半導体１１４は、C-軸に整列することができる。
【００４１】
例えば、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）が有機金属化学蒸着（MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）（以下、単にMOCVDとする）方式を用いて、前記金属上に蒸着されると、アモルファス酸化物半導体が形成される。
【００４２】
前記アモルファス酸化物半導体に熱が加わると、前記アモルファス酸化物半導体と前記金属の間に酸化および還元反応が発生する。これにより、前記金属は、不導体である金属絶縁膜１１３に変わる。また、前記アモルファス酸化物半導体は、前記金属絶縁膜１１３表面から一定の方向性を有するように配置され、これにより、方向性を有する前記結晶性酸化物半導体１１４が形成される。
【００４３】
すなわち、本発明では、MOCVDを用いて、所望する方向への方向性を有する前記結晶性酸化物半導体１１４を形成することができる。以後、前記の結晶性酸化物半導体１１４をシード（seed）としてインジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）および酸素（O）を蒸着することによって、前記結晶性酸化物半導体１１４の高さが増加し得る。詳しく説明すると、本発明では、MOCVD方式を利用して、結晶の方向が制御された前記結晶性酸化物半導体１１４を形成することができる。
【００４４】
方向性を有する前記結晶性酸化物半導体１１４は、高移動度および高信頼性を有している
【００４５】
たとえば、IGZO系酸化物半導体の場合には、c-軸整列された結晶質膜で欠陥状態（defect state）が減少し得、in-plane carrier transportによる信頼性および移動度が向上し得る。すなわち、前記結晶性酸化物半導体１１４では、結晶が一定の方向性を有して形成されることによって、前記結晶性酸化物半導体１１４の移動度および信頼性が改善され得る。
【００４６】
特に、結晶方向が制御された前記結晶性酸化物半導体１１４を形成するために、本発明では、酸素との反応が強いTiまたはMoTiのような金属を使用することができる。前記したように、前記金属は、前記熱処理の過程で、前記金属絶縁膜１１３に変わる。
【００４７】
前記ゲート絶縁膜１１７および前記ゲート１１８は、一般的な酸化物半導体に適用されるゲート絶縁膜と同じ物質で形成することができる。
【００４８】
前記ゲート絶縁膜１１７および前記ゲート１１８を形成するためのエッチング工程では、前記結晶性酸化物半導体１１４がプラズマなどに露出することによって、前記結晶性酸化物半導体１１４の前記一側端及び前記他側端が導体化される。これにより、前記第１導体部１１５及び前記第２導体部１１６が形成される。
【００４９】
前記絶縁膜１１９は、前記ゲート絶縁膜１１７と前記ゲート１１８と前記第１導体部１１５と前記第２導体部１１６と前記バッファ１１２をカバーする。
【００５０】
前記第１電極１２０は、前記絶縁膜１１９上に備えられ、前記絶縁膜１１９に形成された第１コンタクトホール１２２を通じて前記第１導体部１１５と接続する。
【００５１】
前記第２電極１２１は、前記絶縁膜１１９上に備えられ、前記絶縁膜１１９に形成された第２コンタクトホール１２３を通じて前記第２導体部１１６と接続する。
【００５２】
図２〜図４は、図１に示した酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示す例示図である。以下の説明の中で、図１を参照して説明した内容と同一または類似の内容については、説明を省略するか、または簡単に説明する。
【００５３】
まず、図２に示すように、前記基板１１１に前記バッファ１１２が備えられ、前記バッファ１１２上に金属１１３ａが形成される。
【００５４】
前記金属１１３ａは、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）、モリブデン-チタン合金（MoTi）のうちの少なくとも一つであり得る。特に、前記金属１１３ａには、酸素との結合力が強いTiまたはMoTiを使用することができる。
【００５５】
前記金属１１３ａは、スパッタリング工程によって形成することができる。
【００５６】
次に、図２に示すように、前記金属１１３ａ上にMOCVDを利用してアモルファス酸化物半導体１１４ａを形成する。
【００５７】
前記アモルファス酸化物半導体１１４ａは、例えば、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）および酸素（O）で構成されたIGZO（InGaZnO）、IZO（InZnO）、IGO（InGaO）、InO中のいずれかであり得る。
【００５８】
次に、図３に示すように、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａ及び前記金属１１３ａに熱を加える。前記熱により、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａと、前記金属１１３ａとの間で酸化還元反応が起こる。
【００５９】
前記酸化および還元反応により、前記金属１１３ａは、前記金属絶縁膜１１３に変わり、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａは、いずれかの方向、例えば、前記金属絶縁膜１１３の表面に平行な方向に方向性を有する前記結晶性酸化物半導体１１４に変わる。
【００６０】
すなわち、本発明によれば、MOCVD及び熱処理を用いて、任意の方向への方向性を有する前記結晶性酸化物半導体１１４を前記金属絶縁膜１１３上に形成することができる。以後、前記の結晶性酸化物半導体１１４をシード（seed）として、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）および酸素（O）などをMOCVD工程を通じて前記結晶性酸化物半導体１１４にさらに蒸着することにより、前記結晶性酸化物半導体１１４の高さが増加し得る。
【００６１】
特に、本発明では、前記金属１１３ａと酸素の反応を利用することで、特定の方向に整列した前記結晶性酸化物半導体１１４を形成することができる。
【００６２】
また、前記MOCVD工程により前記結晶性酸化物半導体１１４の結晶方向を制御することができる。
【００６３】
次に、前記結晶性酸化物半導体上にゲート絶縁膜物質を蒸着する。
【００６４】
次に、ゲート絶縁膜物質上にゲート物質を蒸着する。
【００６５】
次に、前記ゲート絶縁膜物質と前記ゲート物質をエッチングすることにより、図4に示すように、ゲート絶縁膜１１７とゲート１１８を形成する。
【００６６】
前記ゲート絶縁膜１１７と前記ゲート１１８を形成するための前記エッチング工程中に、前記結晶性酸化物半導体１１４の中で前記ゲート絶縁膜１１７と前記ゲート１１８によってカバーされない領域が、プラズマなどに露出することにより、導体化する。これにより、図4に示したように、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側端部には、第１導体部１１５が形成され、前記結晶性酸化物半導体１１４の他側端部には、第２導体部１１６が形成される。
【００６７】
次に、前記ゲート絶縁膜１１７と前記ゲート１１８をカバーするように絶縁膜１１９を蒸着する。
【００６８】
次に、前記絶縁膜１１９に、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側端に備えられた前記第１導体部１１５を露出させる第１コンタクトホール１２２及び前記結晶性酸化物半導体１１４の他側端に備えられた前記第２導体部１１６を露出させる第２コンタクトホール１２３を形成する。
【００６９】
最後に、前記絶縁膜１１９上に、前記第１コンタクトホール１２２を通じて前記第1導体部１１５と接続した第１電極１２０および前記第２コンタクトホール１２３を通じて前記第２導体部１１６と接続した第２電極１２１を形成する。これにより、図１に示すような本発明に係る酸化物薄膜トランジスタが製造される。
【００７０】
つまり、前記のような工程を通じて、１５０A以下の厚さを有する、前記結晶性酸化物半導体１１４を含む酸化物薄膜トランジスタを形成することができる。図１に示すような構造は、コプラナー構造と呼ばれる。
【００７１】
図5〜図7は、本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示した別の例示図である。以下の説明中、図１〜図４を参照して説明した内容と同一または類似の内容については、説明を省略するか、または簡単に説明する。
【００７２】
まず、図２〜図４を参照して説明した工程を通じて、前記基板１１１上に、前記バッファ１１２、前記金属絶縁膜１１３及び前記結晶性酸化物半導体１１４を形成する。
【００７３】
次に、図５に示すように、前記結晶性酸化物半導体１１４をシード（seed）として、また別の結晶性酸化物半導体１１４ｂを前記結晶性酸化物半導体１１４上に形成する。
【００７４】
前記別の結晶性酸化物半導体１１４ｂは、前記のMOCVD工程を通じて前記酸化物半導体１１４上に形成され、この場合には、前記結晶性酸化物半導体１１４がシード（seed）として用いられる。
【００７５】
すなわち、前記結晶性酸化物半導体１１４をシード（seed）として、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）および酸素（O）などをMOCVDプロセスを通じて前記結晶性酸化物半導体１１４にさらに蒸着することにより、前記結晶性酸化物半導体１１４の高さが増加し得る。
【００７６】
したがって、前記別の結晶性酸化物半導体１１４ｂは、前記結晶性酸化物半導体１１４と同じ結晶性および同じ方向性を有している。これにより、実質的に、前記結晶性酸化物半導体１１４と前記別の結晶性酸化物半導体１１４ｂは、明確に区別されないことがあり得る。
【００７７】
前記工程を通じて、前記結晶性酸化物半導体１１４の高さが増加する。したがって、前記結晶性酸化物半導体１１４の高さは、多様に変更し得る。
【００７８】
次に、前記結晶性酸化物半導体上にゲート絶縁膜物質を蒸着する。
【００７９】
次に、ゲート絶縁膜物質上にゲート物質を蒸着する。
【００８０】
次に、前記ゲート絶縁膜物質と前記ゲート物質をエッチングすることにより、図6に示すように、ゲート絶縁膜１１７とゲート１１８が形成され、前記第１導体部１１５及び前記第２導体部１１６が形成される。
【００８１】
次に、前記ゲート絶縁膜１１７と前記ゲート１１８をカバーするように、絶縁膜１１９を蒸着する。
【００８２】
次に、前記絶縁膜１１９に、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側端に備えられた前記第１導体部１１５を露出させる第１コンタクトホール１２２及び前記結晶性酸化物半導体１１４の他側端に備えられた前記第２導体部１１６を露出させる第２コンタクトホール１２３を形成する。
【００８３】
最後に、前記絶縁膜１１９上に、前記第１コンタクトホール１２２を通じて前記第１導体部１１５と接続した第１電極１２０および前記第２コンタクトホール１２３を通じて前記第２導体部１１６と接続した第２電極１２１を形成する。これにより、図７に示すように、本発明に係る酸化物薄膜トランジスタが製造される。
【００８４】
つまり、前記のような工程を通じて、１５０A以上の厚さを有する、前記結晶性酸化物半導体１１４を含む酸化物薄膜トランジスタを形成することができる。
【００８５】
図８〜図１０は、本発明に係る酸化物薄膜トランジスタを製造する方法を示した、さらに別の例示図である。以下の説明中、図１〜図７を参照して説明した内容と同一または類似の内容については、説明を省略するか、または簡単に説明する。特に、以下の説明中、図１〜図７を参照して説明した構成要素と同一の構成要素に対しては、図１〜図７で使用した符号と同一の図面符号を使用する。
【００８６】
本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、前記で説明したように、金属を含んだ金属絶縁膜１１３、前記金属絶縁膜１１３と隣接している結晶性酸化物半導体１１４、金属からなるゲート１１８、前記結晶性酸化物半導体１１４と前記ゲート１１８との間に備えられるゲート絶縁膜１１７、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側端に備えられた第１導体部１１５及び前記結晶性酸化物半導体１１４の他側端に備えられた第２導体部１１６を備える。
【００８７】
特に、図１０に示す本発明に係る酸化物薄膜トランジスタでは、前記ゲート１１８は、基板１１１に備えられ、前記ゲート絶縁膜１１７は、前記ゲート上１１８に備えられ、前記結晶性酸化物半導体１１４は、前記ゲート絶縁膜１１７上に備えられ、前記金属絶縁膜１１３は、前記結晶性酸化物半導体１１４上に備えられる。
【００８８】
前記のような構造を有する本発明に係る酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、以下の通りである。
【００８９】
まず、図8に示すように、基板１１１上にゲート１１８を形成し、前記ゲート１１８は、ゲート絶縁膜１１７によってカバーされる。
【００９０】
前記ゲート絶縁膜１１７上にMOCVD工程を通じてアモルファス酸化物半導体１１４ａを形成して、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａ上に金属１１３ａを形成する。
【００９１】
次に、図９に示すように、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａ及び前記金属１１３ａに熱を加える。前記の熱により、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａと、前記金属１１３ａとの間で酸化および還元反応が起こる。
【００９２】
前記の酸化および還元反応により、前記金属１１３ａは、金属絶縁膜１１３に変わり、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａは、いずれか一つの方向、例えば、前記金属絶縁膜１１３の表面に平行な方向への方向性を有する結晶性酸化物半導体１１４に変わる。
【００９３】
次に、前記結晶性酸化物半導体１１４と前記金属絶縁膜１１３と前記ゲート絶縁膜１１７をカバーするように絶縁膜１１９を蒸着する。
【００９４】
次に、図１０に示すように、前記絶縁膜１１９に、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側に備えられた前記第１導体部１１５を露出させる第１コンタクトホール１２２および、前記結晶性酸化物半導体１１４の他側に備えられた前記第２導体部１１６を露出させる第２コンタクトホール１２３を形成する。
【００９５】
前記第１コンタクトホール１２２及び前記第２コンタクトホール１２３を形成するためのエッチング工程により金属絶縁膜１１３の一部もエッチングされる。また、前記第１コンタクトホール１２２及び前記第２コンタクトホール１２３を形成するためのエッチング工程で、前記結晶性酸化物半導体１１４のうち、前記第１コンタクトホール１２２及び前記第２コンタクトホール１２３によって露出した領域が、プラズマなどに露出することにより、導体化する。これにより、図１０に示したように、前記結晶性酸化物半導体１１４のうち、前記第１コンタクトホール１２２が形成された領域には、前記第１導体部１１５が形成され、前記第２コンタクトホール１２３が形成された領域には、前記第２導体部１１６が形成される。
【００９６】
最後に、前記絶縁膜１１９上に、前記第１コンタクトホール１２２を通じて前記第１導体部１１５と接続した第１電極１２０および前記第２コンタクトホール１２３を通じて前記第２導体部１１６と接続した第２電極１２１を形成する。これにより、図１０に示すような本発明に係る酸化物薄膜トランジスタが製造される。
【００９７】
つまり、前記のような工程を通じて、１５０A以下の厚さを有する前記結晶性酸化物半導体１１４を含む酸化物薄膜トランジスタを形成することができる。図１０に示すような構造は、ボトムゲート（Bottom Gate）構造と呼ばれる。
【００９８】
前記のような工程を通じて製造された本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、図１０に示すように、前記基板１１１に備えられたゲート１１８、前記ゲート１１８をカバーするゲート絶縁膜１１７、前記ゲート絶縁膜１１７上に備えられる結晶性酸化物半導体１１４、前記結晶性酸化物半導体１１４上に備えられ金属を含んだ金属絶縁膜１１３、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側に備えられた前記第１導体部１１５及び前記結晶性酸化物半導体１１４の他側に備えられた前記第２導体部１１６を備える。
【００９９】
図１１は、本発明に係る酸化物薄膜トランジスタのまた別の断面図を示す例示図である。
【０１００】
本発明に係る酸化物薄膜トランジスタは、前記で説明したように、金属を含んだ金属絶縁膜１１３、前記金属絶縁膜１１３と隣接している結晶性酸化物半導体１１４、金属からなるゲート１１８、前記結晶性酸化物半導体１１４と前記ゲート１１８との間に備えられるゲート絶縁膜１１７、前記結晶性酸化物半導体１１４の一側端に備えられた第１導体部１１５及び前記結晶性酸化物半導体１１４の他側端に備えられた第２導体部１１６を備える。
【０１０１】
特に、図１１に示す本発明に係る酸化物薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート１１８は、基板１１１に備えられ、前記ゲート絶縁膜１１７は、前記ゲート上１１８に備えられ、前記結晶性酸化物半導体１１４は、前記ゲート絶縁膜１１７上に備えられ、前記金属絶縁膜１１３は、前記結晶性酸化物半導体１１４上に備えられる。
【０１０２】
前記のような構造を有する本発明に係る酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、以下の通りである。
【０１０３】
本発明に係るまた別の酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、図１０に示した酸化物薄膜トランジスタの製造方法と類似している。
【０１０４】
例えば、図９に示すように、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａ及び前記金属１１３ａに熱を加えると、前記の熱により、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａと、前記金属１１３ａとの間で酸化と還元反応が起こる。前記酸化および還元反応により、前記金属１１３ａは、金属絶縁膜１１３に変わり、前記アモルファス酸化物半導体１１４ａは、いずれか一つの方向、例えば、前記金属絶縁膜１１３の表面に平行な方向への方向性を有する結晶性酸化物半導体１１４に変わる。以後、図１０に示すように、第１コンタクトホール１２２及び前記第２コンタクトホール１２３を通じて前記第１電極１２０および前記第２電極１２１を、前記第１導体部１１５および前記第２導体部１１６と接続することができる。
【０１０５】
しかし、図１１に示す酸化物薄膜トランジスタでは、図９に示した工程の後に、前記第１導体部１１５及び前記第２導体部１１６を形成する過程が行われる。
【０１０６】
例えば、マスクを利用して、前記第１導体部１１５及び前記第２導体部１１６が形成される領域に備えられた金属絶縁膜１１３がエッチングされ、前記結晶性酸化物半導体１１４のうち、前記エッチング工程によって露出した領域がプラズマ等により露出することにより、前記第１導体部１１５及び前記第２導体部１１６が形成される。
【０１０７】
前記第１導体部１１５に前記第１電極１２０が接続し、前記第２導体部１１６に前記第２電極１２１が接続することにより、図１１に示すような酸化物薄膜トランジスタを製造することができる。
【０１０８】
図１２は、本発明に係る表示装置の構成を示す例示図であり、図１３は、本発明による表示パネルに備えられたピクセルの例示図であり、図１４は、本発明による表示パネルに備えられたピクセルの別の例示図である。
【０１０９】
本発明に係る表示装置は、図１２に示すように、ゲートライン（GL1 to GLg）とデータライン（DL1 to DLd）によって定義されるピクセル１１０が形成されており、映像が出力される本発明による表示パネル１００、前記表示パネル１００に備えられた前記ゲートライン（GL1 to GLg）に順次にゲートパルスを供給するゲートドライバ２００、前記表示パネル１００に備えられた前記データライン（DL1 to DLd）にデータ電圧を供給するデータドライバ３００および前記ゲートドライバ２００と前記データドライバ３００を制御する制御部４００を備える。
【０１１０】
まず、表示パネル１００は、ゲートパルスが供給される前記ゲートライン（GL1 to GLg）、データ電圧が供給される前記データライン（DL1 to DLd）および前記ゲートライン（GL1 to GLg）と前記データライン（Dl1 to DLd）によって定義されるピクセル１１０を含み、前記ピクセルのそれぞれには、本発明による酸化物薄膜トランジスタが少なくとも一つ備えられる。
【０１１１】
前記表示パネル１００は、液晶表示装置に適用される液晶表示パネルであり得、有機発光表示装置に適用される有機発光表示パネルでもあり得る。
【０１１２】
前記表示パネル１００が、前記液晶表示パネルである場合には、前記表示パネル１００に備えられた各ピクセル１１０には、液晶を駆動するスイッチング素子として利用される1つの前記酸化物薄膜トランジスタが備えられる。
【０１１３】
例えば、図１３には、液晶表示パネルの一つのピクセルが示されている。前記ピクセルには、データライン（DL）とピクセル電極との間に接続される本発明による酸化物薄膜トランジスタ（TFT）が備えられる。前記酸化物薄膜トランジスタ（TFT）のゲートは、前記ゲートライン（GL）と接続される。
【０１１４】
前記ピクセル電極に供給されるデータ電圧と共通電極に供給される共通電圧（Vcom）によって液晶の屈折率が変化し、それに応じて、液晶の光透過率が変化し、光透過率を制御することによって、光の明るさを制御することができる。この場合には、前記の共通電極と前記ピクセル電極上には、前記のデータ電圧を維持させるためのストレージキャパシタンス（Cst）が形成される。
【０１１５】
前記表示パネル１００が、前記有機発光表示パネルである場合には、前記表示パネル１００に備えられた各ピクセル１１０には、図１４に示すように、光を出力する有機発光ダイオード（OLED）および前記有機発光ダイオード（OLED）を駆動するためのピクセル駆動部（PDC）が備えられる。
【０１１６】
前記ピクセル１１０のそれぞれには、前記ピクセル駆動部（PDC）に駆動信号を供給する信号ライン（DL、EL、GL、PLA、PLB、SL、SPL）が形成され得る。
【０１１７】
前記ピクセル駆動（PDC）は、例えば、図１４に示すように、ゲートライン（GL）およびデータライン（DL）と接続したスイッチングトランジスタ（Tsw1）、前記スイッチングトランジスタ（Tsw1）を通じて送信されたデータ電圧（Vdata）によって、前記有機発光ダイオード（OLED）に出力する電流の大きさを制御する駆動トランジスタ（Tdr）及び前記駆動トランジスタ（Tdr）の特性を感知するためのセンシングトランジスタ（Tsw2）を含むことができる。前記ゲートライン（GL）には、ゲートパルスおよびゲートロー信号が供給される。前記ゲートパルスとゲートロー信号を総称して、ゲート信号（VG）とする。前記センシングトランジスタ（Tsw2）のゲートと接続したスキャンパルスライン（SPL）には、スキャンパルスおよびスキャンロー信号が供給される。前記スキャンパルス及び前記スキャンロー信号を総称してスキャン制御信号（SS）とする。
【０１１８】
前記スイッチングトランジスタ（Tsw1）、駆動トランジスタ（Tdr）及び前記センシングトランジスタ（Tsw2）は、前記で説明した本発明に係る酸化物薄膜トランジスタであり得る。
【０１１９】
前記ピクセル駆動（PDC）には、前記トランジスタ以外にも、異なるトランジスタをさらに備えることができ、前記ピクセル駆動（PDC）にさらに備えられるトランジスタも、本発明に係る酸化物薄膜トランジスタであり得る。
【０１２０】
次に、前記制御部４００は、外部システムから供給されるタイミング信号、例えば、垂直同期信号、水平同期信号およびクロックなどを利用して、前記ゲートドライバ２００を制御するためのゲート制御信号（GCS）と、前記データドライバ３００を制御するためのデータ制御信号（DCS）を出力する。前記制御部４００は、前記外部システムから入力する入力映像データをサンプリングした後、これを再整列し、再整列したデジタル映像データ（Data）を、前記のデータドライバ３００に供給する。
【０１２１】
次に、前記のデータドライバ３００は、前記制御部４００から入力した前記映像データ（Data）をアナログデータ電圧に変換して、前記ゲートライン（GL）に前記ゲートパルス（GP）が供給される１水平期間ごとに１水平ライン分のデータ電圧（Vdata）を前記データライン（DL1 to DLd）に供給する。
【０１２２】
最後に、前記ゲートドライバ２００は、前記制御部４００から入力する前記ゲート制御信号に応答して、前記表示パネル１００の前記ゲートライン（GL1 to GLg）にゲートパルスを順次に供給する。これにより、前記ゲートパルスが入力するそれぞれのピクセルに形成されている酸化物薄膜トランジスタがターンオンして、各ピクセル１１０に映像を出力することができる。前記ゲートドライバ２００は、前記表示パネル１００と独立するように形成して、さまざまな方法で表示パネル１００と電気的に接続することができるが、前記表示パネル１００の前記非表示領域に実装されるゲートインパネル（Gate In Panel：GIP）方式で構成することもできる。
【０１２３】
本発明が属する技術分野の当業者は、本発明がその技術的思想や必須的な特徴を変更せず、他の具体的な形で実施することができることを理解できるだろう。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的なものではないものと理解されなければならない。本発明の範囲は、前記の詳細な説明ではなく、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１２４】
１００  パネル、１１０  ピクセル、２００  ゲートドライバ、３００  データドライバ、４００  制御部。
【図１】
2018110227.tif 000003
【図２】
2018110227.tif 000004
【図３】
2018110227.tif 000005
【図４】
2018110227.tif 000006
【図５】
2018110227.tif 000007
【図６】
2018110227.tif 000008
【図７】
2018110227.tif 000009
【図８】
2018110227.tif 000010
【図９】
2018110227.tif 000011
【図１０】
2018110227.tif 000012
【図１１】
2018110227.tif 000013
【図１２】
2018110227.tif 000014
【図１３】
2018110227.tif 000015
【図１４】
2018110227.tif 000016