(57)【要約】【課題】実装状態における音鳴き抑制に対し実用性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０-1のコンデンサ本体１１は、第１保護部１１ａと容量部１１ｂと電歪緩和部１１ｃと特性調整部１１ｄと第２保護部１１ｅとが高さ方向に層状に並ぶように有している。容量部１１ｂに含まれる複数の内部電極層１１ｂ１の一部の端縁は外部電極１２の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は外部電極１２の他方に電気的に接続されており、特性調整部１１ｄに含まれる複数の内部電極層１１ｄ１の一部の端縁は外部電極１２の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は外部電極１２の他方に電気的に接続されている。容量部１１ｂの厚さＴ２と電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３と特性調整部１１ｄの厚さＴ４は、Ｔ２＞Ｔ３＞Ｔ４の条件を満足している。【選択図】図２
2018110251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられた外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体は、（１）セラミックス製の第１保護部と、（２）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された容量部と、（３）セラミックス製の電歪緩和部と、（４）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された特性調整部と、（５）セラミックス製の第２保護部と、が高さ方向に層状に並ぶように有しており、
前記容量部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、
前記特性調整部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、
前記容量部の厚さをＴ２とし、前記電歪緩和部の厚さをＴ３とし、前記特性調整部の厚さをＴ４としたとき、該Ｔ２、Ｔ３及びＴ４はＴ２＞Ｔ３＞Ｔ４の条件を満足しており、
前記第１保護部と前記容量部に含まれるセラミック層と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部のうち、前記第１保護部と前記第２保護部は、前記容量部に含まれるセラミック層、前記電歪緩和部及び前記特性調整部に含まれるセラミック層と組成と異にする低誘電率のセラミックスから成る、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられた外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体は、（１）セラミックス製の第１保護部と、（２）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された容量部と、（３）セラミックス製の電歪緩和部と、（４）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された特性調整部と、（５）セラミックス製の第２保護部と、が高さ方向に層状に並ぶように有しており、
前記容量部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、
前記特性調整部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、
前記容量部の厚さをＴ２とし、前記電歪緩和部の厚さをＴ３とし、前記特性調整部の厚さをＴ４としたとき、該Ｔ２、Ｔ３及びＴ４はＴ２＞Ｔ３＞Ｔ４の条件を満足しており、
前記第１保護部と前記容量部に含まれるセラミック層と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部のうち、前記第１保護部と前記電歪緩和部と前記第２保護部は、前記容量部に含まれるセラミック層及び前記特性調整部に含まれるセラミック層と組成を異にする低誘電率のセラミックスから成る、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられた外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体は、（１）セラミックス製の第１保護部と、（２）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された容量部と、（３）セラミックス製の電歪緩和部と、（４）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された特性調整部と、（５）セラミックス製の第２保護部と、が高さ方向に層状に並ぶように有しており、
前記容量部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、
前記特性調整部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、
前記容量部の厚さをＴ２とし、前記電歪緩和部の厚さをＴ３とし、前記特性調整部の厚さをＴ４としたとき、該Ｔ２、Ｔ３及びＴ４はＴ２＞Ｔ３＞Ｔ４の条件を満足しており、
前記第１保護部と前記容量部に含まれるセラミック層と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部のうち、前記第１保護部と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部は、前記容量部に含まれるセラミック層と組成を異にする低誘電率のセラミックスから成る、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記第２保護部の厚さをＴ５としたとき、前記Ｔ２、Ｔ３及びＴ４と該Ｔ５はＴ２＞Ｔ３＞Ｔ５＞Ｔ４の条件を満足している、
請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記コンデンサ本体の高さをＨとし、前記第２保護部の厚さをＴ５としたとき、前記Ｔ３及びＴ４と該Ｈ及びＴ５は０．２５≦（Ｔ３＋Ｔ４＋Ｔ５）／Ｈ≦０．４の条件を満足している、
請求項１〜４の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記コンデンサ本体の幅をＷとしたとき、前記Ｔ２、Ｔ３及びＴ４と該Ｗは（Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４）＞Ｗの条件を満足している、
請求項１〜５の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記第１保護部の厚さをＴ１とし、前記第２保護部の厚さをＴ５としたとき、該Ｔ１及びＴ５はＴ１≦Ｔ５の条件を満足している、
請求項１〜６の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記特性調整部に含まれる複数の内部電極層の数は少なくとも２層である、
請求項１〜７の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】
前記コンデンサ本体の高さをＬとし、幅をＷとし、高さをＨとしたとき、該Ｌ、Ｗ及びＨはＬ＞Ｈ＞Ｗの条件を満足している、
請求項１〜８の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１０】
前記電歪緩和部を介して向き合う前記容量部の内部電極層の端縁と前記特性調整部の内部電極層の端縁は、前記外部電極の一方及び他方のうちの異なる側の外部電極にそれぞれ接続されている、
請求項１〜９の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１１】
前記電歪緩和部を介して向き合う前記容量部の内部電極層の端縁と前記特性調整部の内部電極層の端縁は、前記外部電極の一方及び他方のうちの同じ側の外部電極に接続されている、
請求項１〜１０の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１２】
前記特性調整部に含まれる複数の内部電極層の対向面積は、前記容量部に含まれる複数の内部電極層の対向面積よりも小さい、
請求項１〜１１の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１３】
前記第１保護部と前記容量部に含まれるセラミック層と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部は、組成が略同じで誘電率も略同じセラミックスから成る、
請求項１〜１２の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１４】
前記第１保護部と前記容量部に含まれるセラミック層と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部のうち、前記電歪緩和部は、前記第１保護部、前記容量部に含まれるセラミック層、前記特性調整部に含まれるセラミック層及び前記第２保護部と組成を異する低誘電率のセラミックスから成る、
請求項１〜１３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１５】
前記第１保護部と前記容量部に含まれるセラミック層と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部のうち、前記特性調整部に含まれるセラミック層は、前記第１保護部、前記容量部に含まれるセラミック層、前記電歪緩和部及び前記第２保護部と組成を異にする低誘電率のセラミックスから成る、
請求項１〜１３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１６】
前記第１保護部と前記容量部に含まれるセラミック層と前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層と前記第２保護部のうち、前記電歪緩和部と前記特性調整部に含まれるセラミック層は、前記第１保護部、前記容量部に含まれるセラミック層及び前記第２保護部と組成を異にする低誘電率のセラミックスから成る、
請求項１〜１３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、一般に、長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられた外部電極とを備えている。コンデンサ本体は、セラミックス製の第１保護部と、複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された容量部と、セラミックス製の第２保護部と、が高さ方向に層状に並ぶように有している。また、容量部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されている（後記特許文献１の図１を参照）。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサの回路基板への実装は、積層セラミックコンデンサの各外部電極の被接合面を、回路基板に設けられたパッドの表面にハンダを用いて接合することによって為されている。各外部電極の被接合面が接合されるパッドの表面形状は、一般に、各外部電極の被接合面形状よりも大きな矩形であるため、実装後の各外部電極の端面には溶融ハンダの濡れ上がりに基づくハンダフィレットが形成される（後記特許文献１の図１及び図２を参照）。
【０００４】
この実装構造において回路基板の各パッドを通じて両外部電極に電圧、特に交流電圧が印加されると、コンデンサ本体に電歪現象に基づく伸縮（主として容量部が長さ方向に縮むような収縮及びその復元）が生じ、この伸縮に伴う応力が外部電極、ハンダ及びパッドを通じて回路基板に伝わって振動（主として両パッドの間部分が凹むような反り及びその復元）を招来し、この振動によって可聴域の音（所謂、音鳴き）を発生することがある。
【０００５】
ところで、後記特許文献１には、前記音鳴きを抑制するために、「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を「パッドの表面とコンデンサ本体との間隔」＋「コンデンサ本体の下側の保護部の厚さ」よりも低くした実装構造が記載されている（図２を参照）。
【０００６】
しかしながら、ハンダフィレットは、各外部電極の端面に対する溶融ハンダの濡れ上がりに基づいて形成されるものであるため、各外部電極の端面のハンダ濡れ性が良好であることも相まって、特別な方法を用いない限り、前記「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を制御することは極めて難しい。
【０００７】
具体例を挙げて説明すれば、各外部電極の端面の高さが５００μｍである積層セラミックコンデンサにあっては、ハンダ量が同じであっても、実際には、各外部電極の端面の下端を基準とした場合のハンダフィレットの高さが２００μｍを優に超えるものや２００μｍに満たないものが非実装不良として発生する。
【０００８】
即ち、後記特許文献１に記載されている実装構造は「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を制御する特別な方法を採用したものではないため、実際上、「パッドの表面を基準としたハンダフィレットの高さ」を「パッドの表面とコンデンサ本体との間隔」＋「コンデンサ本体の下側の保護部の厚さ」よりも低くすることは極めて難しく、故に音鳴き抑制に対する実用性は極めて低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−０４６０６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、実装状態における音鳴き抑制に対し実用性の高い積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明は、長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられた外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体は、（１）セラミックス製の第１保護部と、（２）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された容量部と、（３）セラミックス製の電歪緩和部と、（４）複数の内部電極層がセラミック層を介して積層された特性調整部と、（５）セラミックス製の第２保護部と、が高さ方向に層状に並ぶように有しており、前記容量部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、前記特性調整部に含まれる複数の内部電極層の一部の端縁は前記外部電極の一方に電気的に接続され、且つ、残部の端縁は前記外部電極の他方に電気的に接続されており、前記容量部の厚さをＴ２とし、前記電歪緩和部の厚さをＴ３とし、前記特性調整部の厚さをＴ４としたとき、該Ｔ２、Ｔ３及びＴ４はＴ２＞Ｔ３＞Ｔ４の条件を満足している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、実装状態における音鳴き抑制に対し実用性の高い積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第１実施形態）の上面図である。
【図２】図２は図１のＳ−Ｓ線に沿う縦断面図である。
【図３】図３は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサを回路基板に実装した構造を示す部分縦断面図である。
【図４】図４は効果確認用サンプルの仕様と特性を示す図である。
【図５】図５は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第２実施形態）の図２対応の縦断面図である。
【図６】図６は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第３実施形態）の図２対応の縦断面図である。
【図７】図７は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第４実施形態）の図２対応の縦断面図である。
【図８】図８は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第５実施形態）の図２対応の縦断面図である。
【図９】図９は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第６実施形態）の図２対応の縦断面図である。
【図１０】図１０は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第７実施形態）の図２対応の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
《第１実施形態》
図１及び図２は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-1は、長さＬ、幅Ｗ及び高さＨで規定された略直方体状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に設けられた外部電極１２とを備えている。
【００１５】
コンデンサ本体１１は、（１）セラミックス製の第１保護部１１ａと、（２）複数の内部電極層１１ｂ１がセラミック層１１ｂ２を介して積層された容量部１１ｂと、（３）セラミックス製の電歪緩和部１１ｃと、（４）複数の内部電極層１１ｄ１がセラミック層１１ｄ２を介して積層された特性調整部１１ｄと、（５）セラミックス製の第２保護部１１ｅと、が高さ方向で層状に並ぶように有している。
【００１６】
容量部１１ｂに含まれる複数（図中は２４層）の内部電極層１１ｂ１は、各々の輪郭形状が略等しい矩形であり、各々の厚さも略等しい。また、隣接する内部電極層１１ｂ１の間に存するセラミック層１１ｂ２（隣接する内部電極層１１ｂ１に挟まれた部分と挟まれていない長さ方向両側部分を含む層、図中は２３層）は、各々の輪郭形状が略等しく、且つ、内部電極層１１ｂ１の輪郭形状よりも大きな矩形であり、各々の厚さも略等しい。容量部１１ｂに含まれる２４層の内部電極層１１ｂ１は長さ方向に交互にずれていて、図２の上から奇数番目に当たる１２層の端縁は外部電極１２の一方（図２の左側）に電気的に接続され、且つ、図２の上から偶数番目に当たる１２層の端縁は外部電極１２の他方（図２の右側）に電気的に接続されている。
【００１７】
特性調整部１１ｄに含まれる複数（図中は２層）の内部電極層１１ｄ１は、各々の輪郭形状が略等しい矩形であり、各々の厚さも略等しい。因みに、各内部電極層１１ｄ１の輪郭形状は前記内部電極層１１ｂ１と略同じであり、対向面積も前記内部電極層１１ｂ１と略同じである。また、隣接する内部電極層１１ｄ１の間に存するセラミック層１１ｄ２（隣接する内部電極層１１ｄ１に挟まれた部分と挟まれていない長さ方向両側部分を含む層、図中は１層）は、輪郭形状が内部電極層１１ｄ１の輪郭形状よりも大きな矩形である。因みに、セラミック層１１ｄ２の輪郭形状は前記セラミック層１１ｂ２と略同じであり、厚さも前記セラミック層１１ｂ２と略同じである。特性調整部１１ｄに含まれる２層の内部電極層１１ｄ１は長さ方向に交互にずれていて、図２の上から奇数番目に当たる１層の端縁は外部電極１２の一方（図２の左側）に電気的に接続され、且つ、図２の上から偶数番目に当たる１層の端縁は外部電極１２の他方（図２の右側）に電気的に接続されている。
【００１８】
容量部１１ｂに含まれる２４層の内部電極層１１ｂ１と、特性調整部１１ｄに含まれる２層の内部電極層１１ｄ１は、組成が略同じ導体から成る。この導体には、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体を使用できる。因みに、ここでの「組成が略同じ導体」は、組成が同じ導体の他、焼結度合等の関係から組成が許容範囲内で若干異なる導体を指す。
【００１９】
また、容量部１１ｂに含まれる２３層のセラミック層１１ｂ２と、特性調整部１１ｄに含まれる１層のセラミック層１１ｄ２は、第１保護部１１ａ、電歪緩和部１１ｃ及び第２保護部１１ｅを含め、組成が略同じで誘電率も略同じセラミックスから成る。このセラミックスには、好ましくはチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、より好ましくはε＞１０００又はクラス２（高誘電率系）の誘電体セラミックスを使用できる。因みに、ここでの「組成が略同じで誘電率も略同じセラミックス」は、組成と誘電率が同じセラミックスの他、焼結度合等の関係から組成と誘電率の少なくとも一方が許容範囲内で若干異なるセラミックスを指す。
【００２０】
図１及び図２から分かるように、コンデンサ本体１１の高さＬと幅Ｗと高さＨはＬ＞Ｈ＞Ｗの条件を満足している。また、容量部１１ｂの厚さＴ２と電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３と特性調整部１１ｄの厚さＴ４はＴ２＞Ｔ３＞Ｔ４の条件を満足している。さらに、容量部１１ｂの厚さＴ２と電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３と特性調整部１１ｄの厚さＴ４と第２保護部１１ｅの厚さＴ５はＴ２＞Ｔ３＞Ｔ５＞Ｔ４の条件を満足している。さらに、電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３と特性調整部１１ｄの厚さＴ４と第２保護部１１ｅの厚さＴ５とコンデンサ本体１１の高さＨは、好ましくは０．２５≦（Ｔ３＋Ｔ４＋Ｔ５）／Ｈ≦０．４の条件を満足している。さらに、容量部１１ｂの厚さＴ２と電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３と特性調整部１１ｄの厚さＴ４とコンデンサ本体１１の幅Ｗは、好ましくは（Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４）＞Ｗの条件を満足している。さらに、第１保護部１１ｅの厚さＴ１は、第２保護部１１ｅの厚さＴ５と同じか、或いは、第２保護部１１ｅの厚さＴ５よりも薄くても良いため、第１保護部１１ｅの厚さＴ１と第２保護部１１ｅの厚さＴ５はＴ１≦Ｔ５の条件を満足している。これら条件の意義については後に詳述する。
【００２１】
一方、各外部電極１２は、コンデンサ本体１１の長さ方向端面と該端面と隣接する４側面の一部を覆うように設けられている。図示を省略したが、各外部電極１２はコンデンサ本体１１の外面に密着した下地膜と、該下地膜の外面に密着した表面膜との２層構造、或いは、下地膜と表面膜との間に少なくとも１つの中間膜を有する多層構造を有している。下地膜は例えば焼き付け膜から成り、該焼き付け膜には、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体を使用できる。表面膜は例えばメッキ膜から成り、該メッキ膜には、好ましくはスズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等を主成分とした良導体を使用できる。中間膜は例えばメッキ膜から成り、該メッキ膜には、好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等を主成分とした良導体を使用できる。
【００２２】
ここで、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1の好ましい製造例を紹介する。第１保護部１１ａと容量部１１ｂのセラミック層１１ｂ２と電歪緩和部１１ｃと特性調整部１１ｄのセラミック層１１ｄ２と第２保護部１１ｅがチタン酸バリウムを主成分とし、容量部１１ｂの内部電極層１１ｂ１と特性調整部１１ｄの内部電極層１１ｄ１がニッケルを主成分とする場合には、先ず、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含むセラミックスラリーを準備すると共に、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む電極ペーストを準備する。
【００２３】
そして、ダイコータ等の塗工装置と乾燥装置を用いて、キャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。加えて、スクリーン印刷機等の印刷装置と乾燥装置を用いて、第１グリーンシート上に電極ペーストを千鳥状又はマトリクス状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する。
【００２４】
そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、第２保護部１１ｅに対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、特性調整部１１ｄに対応した部位を作製する。続いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して電歪緩和部１１ｃに対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ｂに対応した部位を作製する。続いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、第１保護部１１ａに対応した部位を作製する。そして、熱間静水圧プレス機等の本圧着装置を用いて、積み重ねて熱圧着したものを最終的に本圧着して、未焼成積層シートを作製する。
【００２５】
そして、ダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、チタン酸バリウム及びニッケルに応じた温度プロファイルで焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１に対応した焼成チップを作製する。
【００２６】
そして、ローラ塗布機等の塗布装置を用いて、焼成チップの長さ方向両端部に電極ペースト（内部電極層用の電極ペーストを流用）を塗布し、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成し、その上に表面膜、或いは、中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理で形成して、外部電極を作製する。因みに、下地膜は、未焼成チップの長さ方向両端部に電極ペーストを塗布して乾燥した後、これを未焼成チップと同時焼成することによって作製しても良い。
【００２７】
図３は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1を回路基板２１に実装した構造を示す。回路基板２１は積層セラミックコンデンサ１０-1の各外部電極１２に対応した導電性のパッド２１ａを備えており、各外部電極１２の被接合面（コンデンサ本体１１の４側面の一部を覆う部分の下面）はハンダ２２を用いて各パッド２１ａの表面に接合されている。各外部電極１２の被接合面が接合されるパッド２１ａの表面形状は、各外部電極１２の被接合面形状よりも大きな矩形であるため、実装後の各外部電極１２の端面１２ａには溶融ハンダの濡れ上がりに基づくハンダフィレット２２ａが形成される。因みに、図３に示したＨｆは、コンデンサ本体１１の高さ方向下面を基準としたハンダフィレット２２ａの最上点の高さを示す。
【００２８】
ここで、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1の好ましい実装例を紹介する。先ず、回路基板２１の各パッド２１ａ上に適量のクリームハンダを塗布する。そして、塗布されたクリームハンダに各外部電極１２の被接合面が接するように積層セラミックコンデンサ１０-1を搭載する。そして、リフローハンダ付け法等の熱処理によって、クリームハンダを一端溶融してから硬化させ、各外部電極１２の被接合面をハンダ２２を介して各パッド２１ａの表面に接合する。
【００２９】
図４は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果を確認するための用意したサンプル１〜６（積層セラミックコンデンサ）の仕様と、比較のために用意したサンプルＲ（積層セラミックコンデンサ）の仕様と、各サンプル１〜６及びＲを回路基板２１に実装した状態で測定した特性（音鳴きとＥＳＬ）を示す。因みに、サンプル１〜６及びＲは前記製造例に準じて作製されたものであり、特性は前記実装例に準じて作製された実装構造（図３を参照）にて測定されたものである。
【００３０】
〈サンプル１の仕様詳細〉
コンデンサ本体１１の長さＬが１０００μｍ、幅Ｗが５００μｍ、高さＨが７０２μｍ。第１保護部１１ａの厚さＴ１が２５μｍ、容量部１１ｂの厚さＴ２が４５０μｍ、電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３が２００μｍ、特性調整部１１ｄの厚さＴ４が２μｍ、第２保護部１１ｅの厚さＴ５が２５μｍ。第１保護部１１ａと容量部１１ｂのセラミック層１１ｂ２と電歪緩和部１１ｃと特性調整部１１ｄのセラミック層１１ｄ２と第２保護部１１ｅの主成分がチタン酸バリウム、容量部１１ｂの内部電極層１１ｂ１と特性調整部１１ｄの内部電極層１１ｄ１の主成分がニッケル。容量部１１ｂに含まれる内部電極層１１ｂ１が３５０層、内部電極層１１ｂ１の厚さが０．７μｍ、セラミック層１１ｂ２の厚さが０．６μｍ。特性調整部１１ｄに含まれる内部電極層１１ｄ１が２層、内部電極層１１ｄ１の０．７μｍ、セラミック層１１ｄ２の厚さが０．６μｍ。各外部電極１２の厚さが１０μｍ、コンデンサ本体１１の４側面の一部を覆う部分の長さが２３０μｍ。各外部電極１２はニッケルを主成分とする下地膜と、銅を主成分とする中間膜と、スズを主成分とする表面膜の３層構造。
【００３１】
〈サンプル２〜６の仕様詳細〉
サンプル２の仕様は、電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３を２９０μｍに増加し、コンデンサ本体１１の高さＨを７９２μｍとした以外は前記サンプル１と同じ。サンプル３の仕様は、電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３を３８０μｍに増加し、コンデンサ本体１１の高さＨを８８２μｍとした以外は前記サンプル１と同じ。サンプル４の仕様は、電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３を１３０μｍに減少し、コンデンサ本体１１の高さＨを６３２μｍとした以外は前記サンプル１と同じ。サンプル５の仕様は、電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３を６０μｍに減少し、コンデンサ本体１１の高さＨを５６２μｍとした以外は前記サンプル１と同じ。サンプル６の仕様は、第２保護部１１ｅの厚さＴ５を４５μｍに増加し、コンデンサ本体１１の高さＨを７２２μｍとした以外は前記サンプル１と同じ。
【００３２】
〈サンプルＲの仕様詳細〉
コンデンサ本体１１から電歪緩和部１１ｃと特性調整部１１ｄを無くして、コンデンサ本体１１の高さＨを５００μｍとした以外は前記サンプル１と同じ。このサンプルＲはサンプル１〜６のような電歪緩和部１１ｃ及び特性調整部１１ｄを有しないことから、前記製造例からこれらを作製する工程を除外して作製されている。
【００３３】
〈実装構造の仕様詳細〉
回路基板２１の厚さが１５０μｍ、各パッド２１ａの厚さが１５μｍ。各パッド２１ａの長さが４００μｍ、幅が６００μｍ、長さ方向間隔が４００μｍ。回路基板２１の主成分がエポキシ樹脂、各パッド２２の主成分が銅。ハンダ２２がスズ−アンチモン系ハンダ、クリームハンダの塗布量が厚さ換算で５０μｍ。ハンダフィレット２２ａの最上点の高さＨｆは１００〜３００μｍ。先に述べたように、ハンダフィレット２２ａは外部電極１２の端面１２ａにおける溶融ハンダの濡れ上がりに基づくものであるため、最上点の高さＨｆに前記のような範囲が生じるが、該範囲内であれば実装不良にはならない。
【００３４】
〈音鳴きの測定方法〉
各サンプル１〜６及びＲを用いた実装構造（図３を参照）を１０個作製し、回路基板２１の各パッド２１ａを通じて両外部電極１２に交流電圧５Ｖを周波数を０〜１ＭＨｚに上げながら印加し、このときに発生した可聴域の音の強さを、ＴＹＰｅ−３５６０−Ｂ１３０（ブリュエル・ケア・ジャパン製）を用いて、防音・無響室（横浜音環境システムズ製）の中で個別に測定した。因みに、図４中の「音鳴き（ｄｂ）」は、各１０個の実装構造における音鳴きの強さの平均値である。
【００３５】
〈ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）の測定方法〉
各サンプル１〜６及びＲを用いた実装構造（図３を参照）を１０個作製し、回路基板２１の各パッド２１ａを通じて両外部電極１２にオシレーションレベルを０ｄｂｍとして周波数を１ＭＨｚ〜３ＧＨｚの範囲で印加し、このときに発生したＥＳＬ（ＥＳＬ特性）を、４９９１Ａ（アジレント・テクノロジー製）を用いて個別に測定した。因みに、図４中の「ＥＳＬ（ｎＨ）」は、各１０個の実装構造における１０００ＭＨｚのＥＳＬの平均値である。
【００３６】
各サンプル１〜６及びＲを用いた実装構造にあっては、回路基板２１の各パッド２１ａを通じて両外部電極１２に電圧、特に交流電圧が印加されると、コンデンサ本体１１に電歪現象に基づく伸縮（主として容量部１１ｂが長さ方向に縮むような収縮及びその復元）が生じる。しかしながら、サンプル１〜６のコンデンサ本体１１は、何れも、容量部１１ｂの下側に電歪緩和部１１ｃと特性調整部１１ｄと第２保護部１１ｅを有しているため、該容量部１１ｂに生じた伸縮に伴う応力の下方伝達を電歪緩和部１１ｃと特性調整部１１ｄと第２保護部１１ｅによって徐々に減衰することができる。依って、ハンダフィレット２２ａの最上点の高さＨｆに拘わらず、実装状態において前記伸縮に伴う応力が回路基板２１に伝わることを軽減して音鳴きを抑制することができる。
【００３７】
また、各サンプル１〜６及びＲを用いた実装構造にあっては、コンデンサ本体１１の容量部１１ｂと第２保護部１１ｅとの間に電歪緩和部１１ｃが介在するため、該容量部１１ｂとパッド２１ａとの高さ間隔がサンプルＲよりも大きくなるが故にＥＳＬが増加する。しかしながら、サンプル１〜６のコンデンサ本体１１は、何れも、電歪緩和部１１ｃと第２保護部１１ｅとの間に２層の内部電極層１１ｄ１を含む特性調整部１１ｄが介在しているため、該２層の内部電極層１１ｄ１を電流ルートとして利用してインピーダンスを低減することができる。依って、ハンダフィレット２２ａの最上点の高さＨｆに拘わらず、実装状態における低ＥＳＬ化を実現することができる。
【００３８】
以下、図４に示した各サンプル１〜６及びＲの仕様と特性（音鳴きとＥＳＬ）を考慮の上で、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果について説明する。
【００３９】
第１に、サンプル１〜６の「音鳴き（ｄｂ）」の値はサンプルＲの「音鳴き（ｄｂ）」の値よりも低く、しかも、サンプル１〜６の「ＥＳＬ（ｎＨ）」の値はサンプルＲの「ＥＳＬ（ｎＨ）」の値と殆ど差が無い。サンプル１〜６は、何れも、「容量部１１ｂの厚さＴ２＞電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＞特性調整部１１ｄの厚さＴ４」の条件を満足しているため、この条件を満足していれば音鳴き抑制に有効であり、しかも、低ＥＳＬ化に適していると言える。また、サンプル１〜６は、何れも、「容量部１１ｂの厚さＴ２＞電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＞第２保護部１１ｅの厚さＴ５＞特性調整部１１ｄの厚さＴ４」の条件も満足しているため、この条件を満足していても同様のことが言える。
【００４０】
第２に、サンプル１〜４及び６の「音鳴き（ｄｂ）」の値は理想値である２５ｄｂを下回っている。サンプル１〜４及び６は、何れも、「０．２５≦（電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＋特性調整部１１ｄの厚さＴ４＋第２保護部１１ｅの厚さＴ５）／コンデンサ本体１１の高さＨ≦０．４」の条件の満足していることから、音鳴き抑制を重視する場合には、前記「容量部１１ｂの厚さＴ２＞電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＞特性調整部１１ｄの厚さＴ４」の条件に加えて「０．２５≦（電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＋特性調整部１１ｄの厚さＴ４＋第２保護部１１ｅの厚さＴ５）／コンデンサ本体１１の高さＨ≦０．４」の条件を満足していることが好ましいと言える。
【００４１】
第３に、サンプル１〜６は、何れも、「（容量部１１ｂの厚さＴ２＋電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＋第２保護部１１ｅの厚さＴ５）＞コンデンサ本体１１の幅Ｗ」の条件も満足しているため、前記「容量部１１ｂの厚さＴ２＞電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＞特性調整部１１ｄの厚さＴ４」の条件に加えて「（容量部１１ｂの厚さＴ２＋電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＋第２保護部１１ｅの厚さＴ５）＞コンデンサ本体１１の幅Ｗ」の条件を満足していれば、音鳴き抑制に有効であり、しかも、低ＥＳＬ化に適していると言える。
【００４２】
第４に、サンプル６は、サンプル１〜５に比べて、第２保護部１１ｅの厚さＴ５が２倍ほど厚いが、「音鳴き（ｄｂ）」の値と「ＥＳＬ（ｎＨ）」の値はサンプル１を用いた実装構造と殆ど変わらない。つまり、前記「容量部１１ｂの厚さＴ２＞電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＞特性調整部１１ｄの厚さＴ４」の条件に加えて「第１保護部１１ａの厚さＴ１≦第２保護部１１ｅの厚さＴ５」の条件を満足していれば、音鳴き抑制に有効であり、しかも、低ＥＳＬ化に適していると言える。因みに、第２保護部１１ｅの厚さＴ５を第１保護部１１ａの厚さＴ１よりも厚くした場合の利点としては、製造時の焼成工程で、特性調整部１１ｄに含まれる２層の内部電極層１１ｄ１のうちの最も外側の内部電極層１１ｄ１が酸化して導電性が損なわれることを防止して、２層の内部電極層１１ｄ１による電流ルートの確保を確実に行える点を挙げることができる。
【００４３】
第５に、サンプル１〜６は、何れも、「コンデンサ本体１１の長さＬ＞コンデンサ本体１１の高さＨ＞コンデンサ本体１１の幅Ｗ」の条件を満足していることから、捉え方を変えると、前記「容量部１１ｂの厚さＴ２＞電歪緩和部１１ｃの厚さＴ３＞特性調整部１１ｄの厚さＴ４」の条件に加えて「コンデンサ本体１１の長さＬ＞コンデンサ本体１１の高さＨ＞コンデンサ本体１１の幅Ｗ」の条件を満足していれば、音鳴き抑制に有効であり、しかも、低ＥＳＬ化に適していると言える。
【００４４】
このように、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1は、実装状態における音鳴き抑制に対し実用性が極めて高いことに加え、高周波回路のインピーダンス低減やノイズ除去等に有用な低ＥＳＬ化を確実に実現することができる。
【００４５】
《第２実施形態》
図５は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-2（第２実施形態）を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-2は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と、特性調整部１１ｄ-2に含まれる内部電極層１１ｄ１を４層に増加し、図５の上から奇数番目に当たる２層の端縁を外部電極１２の一方（図５の左側）に電気的に接続し、且つ、図５の上から偶数番目に当たる２層の端縁を外部電極１２の他方（図５の右側）に電気的に接続した点で異なる。
【００４６】
この積層セラミックコンデンサ１０-2は、第１実施形態の欄で説明した好ましい製造例における積層工程で特性調整部１１ｄ-2に対応した部位を作製する際に、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シートの積み重ね数を２から４に増加することによって製造することができる。因みに、この積層セラミックコンデンサ１０-2の好ましい実装例及び実装構造は、第１実施形態の欄で説明した実装例及び実装構造（図３を参照）と同じである。
【００４７】
図５に示した積層セラミックコンデンサ１０-2は、製造時の焼成工程で、特性調整部１１ｄ-2に含まれる４層の内部電極層１１ｄ１のうちの最も外側の内部電極層１１ｄ１が酸化して導電性が損なわれた場合でも、残りの内部電極層１１ｄ１によって電流ルートを確実に確保して所期のインピーダンス低減を確実に行うことができる。この効果は特性調整部１１ｄ-2に含まれる内部電極層１１ｄ１を３層とした場合や５層以上とした場合でも同様に得ることができるが、特性調整部１１ｄ-2は容量確保を目的としたものではないため、内部電極層１１ｄ１は３層又は４層が好ましい。他の効果は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果と同様であるため、その説明を省略する。
【００４８】
《第３実施形態》
図６は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-3（第３実施形態）を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-3は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と、特性調整部１１ｄ-3に含まれる２層の内部電極層１１ｄ１のうち、図６の上から奇数番目に当たる１層の端縁を外部電極１２の他方（図６の右側）に電気的に接続し、且つ、図６の上から偶数番目に当たる１層の端縁を外部電極１２の一方（図６の左側）電気的に接続した点で異なる。即ち、電歪緩和部１１ｃを介して向き合う容量部１１ｂの内部電極層１１ｂ１の端縁と特性調整部１１ｄ-3の内部電極層１１ｄ１の端縁は、外部電極１２の一方及び他方のうちの同じ側の外部電極１２に電気的に接続されている。
【００４９】
この積層セラミックコンデンサ１０-3は、第１実施形態の欄で説明した好ましい製造例における積層工程で特性調整部１１ｄ-3に対応した部位を作製する際に、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シートの積み重ね向きを１８０度変えることによって製造することができる。因みに、この積層セラミックコンデンサ１０-3の好ましい実装例及び実装構造は、第１実施形態の欄で説明した実装例及び実装構造（図３を参照）と同じである。
【００５０】
図６に示した積層セラミックコンデンサ１０-3は、実装状態における電圧印加時において、電歪緩和部１１ｃを介して向き合う容量部１１ｂの内部電極層１１ｂ１と特性調整部１１ｄ-3の内部電極層１１ｄ１とが同一極性となるため、とりわけ電歪緩和層１１ｃの厚さＴ３が薄い場合にこれら内部電極層１１ｂ１及び１１ｄ１によって電歪緩和層１１ｃに電界が形成されて電歪を生じることを回避して、所期の音鳴き抑制を確実に行うことができる。他の効果は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果と同様であるため、その説明を省略する。
【００５１】
尚、図６に示した積層セラミックコンデンサ１０-3に、第２実施形態の欄で説明した思想（特性調整部に含まれる内部電極層を３層又は４層とする思想）を採用しても良い。
【００５２】
《第４実施形態》
図７は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-4（第４実施形態）を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-4は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と、特性調整部１１ｄ-4に含まれる２層の内部電極層１１ｄ１’の対向面積を、容量部１１ｂに含まれる２４層の内部電極層１１ｂ１の対向面積よりも小さくした点で異なる。
【００５３】
この積層セラミックコンデンサ１０-4は、第１実施形態の欄で説明した好ましい製造例における積層工程で特性調整部１１ｄ-4に対応した部位を作製する際に、第２グリーンシートの内部電極層用パターン群よりも長さが短いパターン群が形成された第３グリーンシートを用いることによって製造することができる。因みに、この積層セラミックコンデンサ１０-4の好ましい実装例及び実装構造は、第１実施形態の欄で説明した実装例及び実装構造（図３を参照）と同じである。
【００５４】
図７に示した積層セラミックコンデンサ１０-4は、特性調整部１１ｄ-4に含まれる２層の内部電極層１１ｄ１’の対向面積が容量部１１ｂに含まれる２４層の内部電極層１１ｂ１の対向面積よりも小さいため、特性調整部１１ｄ-4に形成される容量を極力低減して該特性調整部１１ｄ-4を電流ルートの確保に重点を置いたものとすることができる。他の効果は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果と同様であるため、その説明を省略する。
【００５５】
尚、図７に示した積層セラミックコンデンサ１０-4に、第２実施形態の欄で説明した思想（特性調整部に含まれる内部電極層を３層又は４層とする思想）を採用しても良い。
【００５６】
《第５実施形態》
図８は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-5（第５実施形態）を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-5は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と、電歪緩和部１１ｃ-5が、第１保護部１１ａ、容量部１１ｂに含まれる２３層のセラミック層１１ｂ２、特性調整部１１ｄに含まれる１層のセラミック層１１ｄ２及び第２保護部１１ｅと組成を異する低誘電率のセラミックスから成る点で異なる。
【００５７】
この積層セラミックコンデンサ１０-5は、第１実施形態の欄で説明した好ましい製造例におけるシート作製工程で第１グリーンシートと組成を異する低誘電率の第４グリーンシートを作製し、積層工程で電歪緩和部１１ｃ-5に対応した部位を作製する際に該第４グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着することによって製造することができる。第４グリーンシートは、第１グリーンシート用セラミックスラリーで用いられているセラミックスの種類を低誘電率のものに変えたセラミックスラリーや、セラミックスの種類を変えずに低誘電率化に適した副成分（例えばＭｇ等のアルカリ土類金属元素の化合物やＭｎ等の遷移金属元素の化合物）を添加又は該副成分の含有量を増加したセラミックスラリー等を用いて作製することができる。因みに、この積層セラミックコンデンサ１０-5の好ましい実装例及び実装構造は、第１実施形態の欄で説明した実装例及び実装構造（図３を参照）と同じである。
【００５８】
図８に示した積層セラミックコンデンサ１０-5は、電歪緩和部１１ｃ-5の誘電率が、第１保護部１１ａ、容量部１１ｂに含まれる２３層のセラミック層１１ｂ２、特性調整部１１ｄに含まれる１層のセラミック層１１ｄ２及び第２保護部１１ｅの誘電率よりも低いため、実装状態における電圧印加時において電歪緩和層１１ｃに生じ得る電歪を極力低減して、所期の音鳴き抑制を確実に行うことができる。他の効果は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果と同様であるため、その説明を省略する。
【００５９】
尚、図８に示した積層セラミックコンデンサ１０-5に、第２〜第４実施形態の欄で説明した思想（特性調整部に含まれる内部電極層を３層又は４層とする思想や、特性調整部に含まれる内部電極層の向きを変える思想や、特性調整部に含まれる内部電極層の対向面積を減少させる思想）を適宜採用しても良い。
【００６０】
《第６実施形態》
図９は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-6（第６実施形態）を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-6は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と、特性調整部１１ｄ-6に含まれる１層のセラミック層１１ｄ２’が、第１保護部１１ａ、容量部１１ｂに含まれる２３層のセラミック層１１ｂ２、電歪緩和部１１ｃ及び第２保護部１１ｅと組成を異する低誘電率のセラミックスから成る点で異なる。
【００６１】
この積層セラミックコンデンサ１０-6は、第１実施形態の欄で説明した好ましい製造例におけるシート作製工程で第１グリーンシートと組成を異する低誘電率の第４グリーンシートを作製して該第４グリーンシート上に内部電極層用パターン群を形成した第５グリーンシートを作製し、積層工程で特性調整部１１ｄ-6を作製する際に第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着し、続けて第５グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着することによって製造することができる。第４グリーンシートの作製例については第５実施形態の欄で述べた通りであるため、その説明を省略する。因みに、この積層セラミックコンデンサ１０-5の好ましい実装例及び実装構造は、第１実施形態の欄で説明した実装例及び実装構造（図３を参照）と同じである。
【００６２】
図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-6は、特性調整部１１ｄ-6に含まれる１層のセラミック層１１ｄ２’の誘電率が、第１保護部１１ａ、容量部１１ｂに含まれる２３層のセラミック層１１ｂ２、電歪緩和部１１ｃ及び第２保護部１１ｅの誘電率よりも低いため、実装状態における電圧印加時において特性調整部１１ｄ-6に生じ得る電歪を極力低減して、所期の音鳴き抑制を確実に行うことができる。他の効果は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果と同様であるため、その説明を省略する。
【００６３】
尚、図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-6に、第２〜第４実施形態の欄で説明した思想（特性調整部に含まれる内部電極層を３層又は４層とする思想や、特性調整部に含まれる内部電極層の向きを変える思想や、特性調整部に含まれる内部電極層の対向面積を減少させる思想）を適宜採用しても良い。また、図９に示した積層セラミックコンデンサ１０-6に、第５実施形態の欄で説明した思想（電歪緩和部１１ｃを低誘電率化する思想）を採用しても良い。
【００６４】
《第７実施形態》
図１０は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-7（第７実施形態）を示す。この積層セラミックコンデンサ１０-7は、図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と、第１保護部１１ａ-7と第２保護部１１ｅ-7が、容量部１１ｂに含まれる２３層のセラミック層１１ｂ２、電歪緩和部１１ｃ及び特性調整部１１ｄに含まれる１層のセラミック層１１ｄ２と組成を異する低誘電率のセラミックスから成る点で異なる。
【００６５】
この積層セラミックコンデンサ１０-7は、第１実施形態の欄で説明した好ましい製造例におけるシート作製工程で第１グリーンシートと組成を異する低誘電率の第４グリーンシートを作製し、積層工程で第１保護部１１ａ-7と第２保護部１１ｅ-7を作製する際に第４グリーンシートから打ち抜いた単位シートを積み重ねて熱圧着することによって製造することができる。第４グリーンシートの作製例については第５実施形態の欄で述べた通りであるため、その説明を省略する。因みに、この積層セラミックコンデンサ１０-7の好ましい実装例及び実装構造は、第１実施形態の欄で説明した実装例及び実装構造（図３を参照）と同じである。
【００６６】
図１０に示した積層セラミックコンデンサ１０-7は、第１保護部１１ａ-7と第２保護部１１ｅ-7の誘電率が、容量部１１ｂに含まれる２３層のセラミック層１１ｂ２、電歪緩和部１１ｃ及び特性調整部１１ｄに含まれる１層のセラミック層１１ｄ２の誘電率よりも低いため、実装状態における電圧印加時において第１保護部１１ａ-7と第２保護部１１ｅ-7に生じ得る電歪を極力低減して、所期の音鳴き抑制を確実に行うことができる。他の効果は図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果と同様であるため、その説明を省略する。
【００６７】
尚、図１０に示した積層セラミックコンデンサ１０-7に、第２〜第４実施形態の欄で説明した思想（特性調整部に含まれる内部電極層を３層又は４層とする思想や、特性調整部に含まれる内部電極層の向きを変える思想や、特性調整部に含まれる内部電極層の対向面積を減少させる思想）を適宜採用しても良い。また、図１０に示した積層セラミックコンデンサ１０-7に、第５及び第６実施形態の欄で説明した思想（電歪緩和部１１ｃを低誘電率化する思想や、特性調整部１１ｄに含まれるセラミック層１１ｄ２を低誘電率化する思想）を適宜採用しても良い。
【００６８】
《他の実施形態》
（１）第１〜第７実施形態の欄及び図面には、コンデンサ本体１１の容量部１１ｂとして２４層又は３５０層の内部電極層１１ｂ１を有するものを示したが、容量部１１ｂに含まれる内部電極層１１ｂ１の層数に特段の制限は無い。
【００６９】
（２）第１〜第７実施形態の欄及び図面には、コンデンサ本体１１として長さＬ＞高さ＞幅Ｗのものを例示したが、容量部１１ｂに含まれる内部電極層１１ｂ１の層数等との関係から該容量部１１ｂの厚さＴ２を薄くできる場合には、コンデンサ本体１１を長さＬ＞高さ＝幅Ｗの条件、或いは、長さＬ＞幅Ｗ＞高さの条件を満足するものとすることもできる。
【符号の説明】
【００７０】
１０-1，１０-2，１０-3，１０-4，１０-5，１０-6，１０-7…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１１ａ，１１ａ-7…第１保護部、１１ｂ…容量部、１１ｂ１…内部電極層、１１ｂ２…セラミック層、１１ｃ，１１ｃ-5…電歪緩和部、１１ｄ，１１ｄ-2，１１ｄ-3，１１ｄ-4，１１ｄ-6…特性調整部、１１ｄ１，１１ｄ１’…内部電極層、１１ｄ２，１１ｄ２’…セラミック層、１１ｅ，１１ｅ-7…第２保護部、Ｌ…コンデンサ本体の長さ、Ｗ…コンデンサ本体の幅、Ｈ…コンデンサ本体の高さ、Ｔ１…第１保護部の厚さ、Ｔ２…容量部の厚さ、Ｔ３…電歪緩和部の厚さ、Ｔ４…特性調整部の厚さ、Ｔ５…第２保護部の厚さ。
【図１】
2018110251.tif 000003
【図２】
2018110251.tif 000004
【図３】
2018110251.tif 000005
【図４】
2018110251.tif 000006
【図５】
2018110251.tif 000007
【図６】
2018110251.tif 000008
【図７】
2018110251.tif 000009
【図８】
2018110251.tif 000010
【図９】
2018110251.tif 000011
【図１０】
2018110251.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記コンデンサ本体の長さをＬとし、幅をＷとし、高さをＨとしたとき、該Ｌ、Ｗ及びＨはＬ＞Ｈ＞Ｗの条件を満足している、
請求項１〜８の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。