(57)【要約】【課題】圧電薄膜共振器の性能を向上させる。【解決手段】基板１０と、前記基板上に設けられた圧電膜１４と、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み対向する下部電極１２および上部電極１６と、前記下部電極と前記上部電極との間に挿入され、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域５０内の外周領域と、前記共振領域を囲む少なくとも一部の前記共振領域の外側と、に設けられ、前記共振領域の中央領域には設けられておらず、前記共振領域内における第１膜厚は、前記共振領域外における第２膜厚より小さい挿入膜２８と、を具備する圧電薄膜共振器。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜の少なくとも一部を挟み対向する下部電極および上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に挿入され、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域内の外周領域と、前記共振領域を囲む少なくとも一部の前記共振領域の外側と、に設けられ、前記共振領域の中央領域には設けられておらず、前記共振領域内における第１膜厚は、前記共振領域外における第２膜厚より小さい挿入膜と、
を具備する圧電薄膜共振器。
【請求項２】
前記基板内または上に設けられ、空隙、または音響特性の異なる少なくとも２種類の層が積層された音響反射膜、を含む音響反射層を具備し、
平面視において、前記共振領域と前記共振領域外の前記第２膜厚を有する挿入膜の少なくとも一部とは前記音響反射膜層に重なる請求項１記載の圧電薄膜共振器。
【請求項３】
前記共振領域の反共振周波数における前記中央領域の横モードの波数は前記挿入膜が設けられた前記外周領域の横モードの波数より小さく、
前記共振領域の反共振周波数における前記共振領域外の前記第２膜厚を有する挿入膜が設けられた領域の横モードの波数は前記挿入膜が設けられた前記外周領域の横モードの波数より小さい請求項１または２記載の圧電薄膜共振器。
【請求項４】
前記挿入膜は前記圧電膜に挿入されている請求項１から３のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
【請求項５】
前記第１膜厚の挿入膜と前記第２膜厚の挿入膜とは接している請求項１から４のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
【請求項６】
前記第１膜厚の挿入膜と前記第２膜厚の挿入膜とは厚さ方向に異なる位置に設けられている請求項１から４のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
【請求項７】
前記挿入膜の音響インピーダンスは前記圧電膜より小さい請求項１から６のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器を含むフィルタ。
【請求項９】
請求項８記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、下部電極と上部電極との間に挿入された挿入膜を有する圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電薄膜共振器を用いた弾性波デバイスは、例えば携帯電話等の無線機器のフィルタおよびマルチプレクサとして用いられている。圧電薄膜共振器は、圧電膜を挟み下部電極と上部電極が対向する積層膜を有している。圧電膜を挟み下部電極と上部電極が対向する領域が共振領域である。
【０００３】
無線システムの急速な普及にともない、多くの周波数帯が使用されている。その結果、フィルタやデュプレクサのスカート特性を急峻化する要求が強まっている。スカート特性を急峻化する対策の一つに圧電薄膜共振器のＱ値を高めることがある。
【０００４】
上部電極および下部電極の一方の表面に環帯を設けることが知られている（例えば特許文献１）。共振領域の外周領域に圧電膜に挿入された挿入膜を設けることが知られている（例えば特許文献２）。圧電膜内にブリッジと呼ばれる環帯を設けることが知られている（例えば特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１０９４７２号公報
【特許文献２】特開２０１４−１６１００１号公報
【特許文献３】米国特許第９０４８８１２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１から３によれば、共振領域からの弾性波エネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を向上できる。しかしながら、共振領域からの弾性波エネルギーの漏洩を十分に抑制することはできない。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、圧電薄膜共振器の性能を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み対向する下部電極および上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に挿入され、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域内の外周領域と、前記共振領域を囲む少なくとも一部の前記共振領域の外側と、に設けられ、前記共振領域の中央領域には設けられておらず、前記共振領域内における第１膜厚は、前記共振領域外における第２膜厚より小さい挿入膜と、を具備する圧電薄膜共振器である。
【０００９】
上記構成において、前記基板内または上に設けられ、空隙、または音響特性の異なる少なくとも２種類の層が積層された音響反射膜、を含む音響反射層を具備し、平面視において、前記共振領域と前記共振領域外の前記第２膜厚を有する挿入膜の少なくとも一部とは前記音響反射膜層に重なる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記共振領域の反共振周波数における前記中央領域の横モードの波数は前記挿入膜が設けられた前記外周領域の横モードの波数より小さく、前記共振領域の反共振周波数における前記共振領域外の前記第２膜厚を有する挿入膜が設けられた領域の横モードの波数は前記挿入膜が設けられた前記外周領域の横モードの波数より小さい構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記挿入膜は前記圧電膜に挿入されている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１膜厚の挿入膜と前記第２膜厚の挿入膜とは接している構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１膜厚の挿入膜と前記第２膜厚の挿入膜とは厚さ方向に異なる位置に設けられている構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記挿入膜の音響インピーダンスは前記圧電膜より小さい構成とすることができる。
【００１５】
本発明は、上記圧電薄膜共振器を含むフィルタである。
【００１６】
本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、圧電薄膜共振器の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の共振領域付近の共振領域、挿入膜および空隙の位置関係を示す平面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１の直列共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１の直列共振器の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、シミュレーションを行った比較例１、２および実施例１の断面構造を示す図である。
【図６】図６は、比較例１、２および実施例１における周波数に対するＱ値を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例１における横モードの分散特性を示す図、図７（ｂ）は図７（ａ）の範囲Ａの拡大図である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、それぞれ実施例１、実施例１の変形例１および２に係る圧電薄膜共振器の断面図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｄ）は、それぞれ実施例１の変形例３から６に係る圧電薄膜共振器の断面図である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例１の変形例７の断面図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１の変形例８の断面図である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、それぞれ実施例１の変形例９から１１に係る断面図である。
【図１３】図１３（ａ）は、実施例２の圧電薄膜共振器の断面図、図１３（ｂ）は、実施例２の変形例１の圧電薄膜共振器の断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、実施例３に係るフィルタの回路図であり、図１４（ｂ）は、実施例３の変形例に係るデュプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１（ａ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ｂ）は、例えばラダー型フィルタの直列共振器を、図１（ｃ）は例えばラダー型フィルタの並列共振器を示している。
【００２１】
図１（ａ）および図１（ｂ）を参照し、直列共振器Ｓの構造について説明する。シリコン（Ｓｉ）基板である基板１０上に、下部電極１２が設けられている。基板１０の平坦主面と下部電極１２との間にドーム状の膨らみを有する空隙３０が形成されている。ドーム状の膨らみとは、例えば空隙３０の周辺では空隙３０の高さが小さく、空隙３０の内部ほど空隙３０の高さが大きくなるような形状の膨らみである。下部電極１２は下層１２ａと上層１２ｂとを含んでいる。下層１２ａは例えばＣｒ（クロム）膜であり、上層１２ｂは例えばＲｕ（ルテニウム）膜である。
【００２２】
下部電極１２上に、（００２）方向を主軸とする窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする圧電膜１４が設けられている。圧電膜１４は、下部圧電膜１４ａおよび上部圧電膜１４ｂを備えている。下部圧電膜１４ａと上部圧電膜１４ｂとの間に挿入膜２８が設けられている。
【００２３】
圧電膜１４を挟み下部電極１２と対向する領域（共振領域５０）を有するように圧電膜１４上に上部電極１６が設けられている。共振領域５０は、楕円形状を有し、厚み縦振動モードの弾性波が共振する領域である。上部電極１６は下層１６ａおよび上層１６ｂを含んでいる。下層１６ａは例えばＲｕ膜であり、上層１６ｂは例えばＣｒ膜である。
【００２４】
挿入膜２８は、領域５２および５４に設けられ、共振領域５０の中央領域には設けられていない。領域５２は共振領域５０の外周領域の少なくとも一部に相当する。領域５４は共振領域５０より外側に設けられている。領域５２は、圧電膜１４に薄い挿入膜２８ａが挿入されかつ平面視において空隙３０と重なる領域である。領域５４は、圧電膜１４に厚い挿入膜２８ｂが挿入されかつ平面視において空隙３０と重なる領域である。
【００２５】
上部電極１６上に酸化シリコン膜等の周波数調整膜および／またはパッシベーション膜が形成されていてもよい。共振領域５０内の積層膜は、下部電極１２、圧電膜１４および上部電極１６を含む。
【００２６】
図１（ａ）のように、下部電極１２には犠牲層をエッチングするための導入路３３が形成されている。犠牲層は空隙３０を形成するための層である。導入路３３の先端付近は圧電膜１４で覆われておらず、下部電極１２は導入路３３の先端に孔部３５を有する。
【００２７】
図１（ｃ）を参照し、並列共振器Ｐの構造について説明する。並列共振器Ｐは直列共振器Ｓと比較し、上部電極１６の下層１６ａと上層１６ｂとの間に、Ｔｉ（チタン）層からなる質量負荷膜２０が設けられている。これにより、積層膜は直列共振器Ｓの積層膜に加え、共振領域５０内の全面に形成された質量負荷膜２０を含む。直列共振器Ｓと並列共振器Ｐとの共振周波数の差は、質量負荷膜２０の膜厚を用い調整する。その他の構成は直列共振器Ｓの図１（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００２８】
２ＧＨｚの共振周波数を有する圧電薄膜共振器の場合、下部電極１２の下層１２ａを膜厚が１００ｎｍのＣｒ膜、上層１２ｂを膜厚が２００ｎｍのＲｕ膜とする。圧電膜１４を膜厚が１２００ｎｍのＡｌＮ膜とする。挿入膜２８ａおよび２８ｂをそれぞれ膜厚が１５０ｎｍおよび３００ｎｍのＳｉＯ２（酸化シリコン）膜とする。挿入膜２８は、圧電膜１４の膜厚方向の中心に設けられている。上部電極１６の下層１６ａを膜厚が２３０ｎｍのＲｕ膜、上層１６ｂを膜厚が５０ｎｍのＣｒ膜とする。周波数調整膜を膜厚が５０ｎｍの酸化シリコン膜とする。質量負荷膜２０を膜厚が１２０ｎｍのＴｉ膜とする。各層の膜厚は、所望の共振特性を得るため適宜設定することができる。
【００２９】
特許文献２に記載されているように、挿入膜２８のヤング率は圧電膜１４より小さいことが好ましい。密度がほぼ同じであれば、ヤング率は音響インピーダンスと相関することから、挿入膜２８の音響インピーダンスは圧電膜１４より小さいことが好ましい。これにより、Ｑ値を向上できる。さらに、挿入膜２８の音響インピーダンスを圧電膜１４より小さくするため、圧電膜１４が窒化アルミニウムを主成分とする場合、挿入膜２８は、Ａｌ（アルミニウム）膜、Ａｕ（金）膜、Ｃｕ（銅）膜、Ｔｉ膜、Ｐｔ（白金）膜、Ｔａ（タンタル）膜、Ｃｒ膜または酸化シリコン膜であることが好ましい。特に、ヤング率の観点から挿入膜２８は、Ａｌ膜または酸化シリコン膜であることが好ましい。
【００３０】
基板１０としては、Ｓｉ基板以外に、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、ガラス基板、セラミック基板またはＧａＡｓ基板等を用いることができる。下部電極１２および上部電極１６としては、ＲｕおよびＣｒ以外にもＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｈ（ロジウム）またはＩｒ（イリジウム）等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。例えば、上部電極１６の下層１６ａをＲｕ、上層１６ｂをＭｏとしてもよい。
【００３１】
圧電膜１４は、窒化アルミニウム以外にも、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＰｂＴｉＯ3（チタン酸鉛）等を用いることができる。また、例えば、圧電膜１４は、窒化アルミニウムを主成分とし、共振特性の向上または圧電性の向上のため他の元素を含んでもよい。例えば、添加元素として、Ｓｃ（スカンジウム）、２価の元素と４価の元素との２つの元素、または２価と５価との２つの元素を用いることにより、圧電膜１４の圧電性が向上する。このため、圧電薄膜共振器の実効的電気機械結合係数を向上できる。２価の元素は、例えばＣａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）またはＺｎ（亜鉛）である。４価の元素は、例えばＴｉ、Ｚｒ（ジルコニウム）またはＨｆ（ハフニウム）である。５価の元素は、例えばＴａ、Ｎｂ（ニオブ）またはＶ（バナジウム）である。さらに、圧電膜１４は、窒化アルミニウムを主成分とし、Ｂ（ボロン）を含んでもよい。
【００３２】
周波数調整膜としては、酸化シリコン膜以外にも窒化シリコン膜または窒化アルミニウム等を用いることができる。質量負荷膜２０としては、Ｔｉ以外にも、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、ＲｈもしくはＩｒ等の単層膜を用いることができる。また、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等の窒化金属または酸化金属からなる絶縁膜を用いることもできる。質量負荷膜２０は、上部電極１６の層間（下層１６ａと上層１６ｂとの間）以外にも、下部電極１２の下、下部電極１２の層間、上部電極１６の上、下部電極１２と圧電膜１４との間または圧電膜１４と上部電極１６との間に形成することができる。質量負荷膜２０は、共振領域５０を含むように形成されていれば、共振領域５０より大きくてもよい。
【００３３】
図２は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の共振領域付近の共振領域、挿入膜および空隙の位置関係を示す平面図である。また、図２では、わかり易くするため長さの比率が必ずしも図１（ａ）から図１（ｃ）と同じではない。
【００３４】
図１（ｂ）から図２において、共振領域５０の外側の輪郭である外輪郭６０、共振領域５０の外周領域であり、圧電膜１４に薄い挿入膜２８ａが挿入された領域５２の内輪郭６２、圧電膜１４に厚い挿入膜２８ｂが挿入されかつ空隙３０と重なる領域５４の外輪郭６４、空隙３０の外輪郭６６を図示している。共振領域５０を囲む領域のうち、上部電極１６を共振領域５０から引き出す引き出し領域７０と、共振領域５０を囲む領域のうち引き出し領域７０以外の領域７２を図示している。
【００３５】
なお、各膜において、端面が膜厚方向に傾斜または湾曲している場合、外輪郭は傾斜または湾曲した端面のうち最も外側であり、内輪郭は傾斜または湾曲した端面のうち最も内側である。略一致するとは、例えば製造工程におけるばらつき、製造工程における合わせ精度程度に一致するとのことである。
【００３６】
引き出し領域７０においては、下部電極１２の外輪郭が共振領域５０の外輪郭６０となる。領域７２においては、上部電極１６の外輪郭が共振領域５０の外輪郭６０となる。
【００３７】
引き出し領域７０において、上部電極１６の下には厚い挿入膜２８ｂが設けられている。領域５４は空隙３０と重なるため、領域５４の外輪郭６４と空隙３０の外輪郭６６とが略一致する。領域７２において、空隙３０の外輪郭６６は領域５４の外輪郭６４より外側に位置する。引き出し領域７０および領域７２において、領域５２の外輪郭は共振領域５０の外輪郭６０に略一致する。領域５４は領域５２より外側に領域５２に接して設けられている。領域５２および５４は環状に設けられている。領域５２の幅は略同じであり、領域５４の幅は略同じである。
【００３８】
図３（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１の直列共振器の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、平坦主面を有する基板１０上に空隙を形成するための犠牲層３８を形成する。犠牲層３８の膜厚は、例えば１０〜１００ｎｍであり、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＺｎＯ、Ｇｅ（ゲルマニウム）またはＳｉＯ２（酸化シリコン）等のエッチング液またはエッチングガスに容易に溶解できる材料から選択される。その後、犠牲層３８を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用い所望の形状にパターニングする。犠牲層３８の形状は、空隙３０の平面形状に相当する形状であり、例えば共振領域５０となる領域を含む。次に、犠牲層３８および基板１０上に下部電極１２として下層１２ａおよび上層１２ｂを形成する。犠牲層３８および下部電極１２は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い成膜される。その後、下部電極１２を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用い所望の形状にパターニングする。下部電極１２は、リフトオフ法により形成してもよい。
【００３９】
図３（ｂ）に示すように、下部電極１２および基板１０上に下部圧電膜１４ａを、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。図３（ｃ）に示すように、下部圧電膜１４ａ上に挿入膜２８ｃを、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。図３（ｄ）に示すように、挿入膜２８ｃを、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用い所望の形状にパターニングする。挿入膜２８ｃは、リフトオフ法により形成してもよい。
【００４０】
図４（ａ）に示すように、下部圧電膜１４ａおよび挿入膜２８ｃ上に挿入膜２８ｄを、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。挿入膜２８ｄを、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用い所望の形状にパターニングする。挿入膜２８ｄは、リフトオフ法により形成してもよい。これにより、挿入膜２８ｄにより薄い挿入膜２８ａが形成され、挿入膜２８ｃおよび２８ｄにより厚い挿入膜２８ｂが形成される。挿入膜２８ａおよび２８ｂにより挿入膜２８が形成される。
【００４１】
図４（ｂ）に示すように、下部圧電膜１４ａおよび挿入膜２８上に上部圧電膜１４ｂ、上部電極１６の下層１６ａおよび上層１６ｂを、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。下部圧電膜１４ａおよび上部圧電膜１４ｂから圧電膜１４が形成される。上部電極１６を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用い所望の形状にパターニングする。上部電極１６は、リフトオフ法により形成してもよい。
【００４２】
なお、図１（ｃ）に示す並列共振器においては、上部電極１６の下層１６ａを形成した後に、質量負荷膜２０を、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。質量負荷膜２０をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用い所望の形状にパターニングする。その後、上部電極１６の上層１６ｂを形成する。
【００４３】
図４（ｃ）に示すように、圧電膜１４をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用い所望の形状にパターニングする。エッチング技術として、ウェットエッチング法を用いてもよいし、ドライエッチング法を用いてもよい。
【００４４】
孔部３５および導入路３３（図１（ａ）参照）を介し、犠牲層３８のエッチング液を下部電極１２の下の犠牲層３８に導入する。これにより、犠牲層３８が除去される。犠牲層３８をエッチングする媒体としては、犠牲層３８以外の共振器を構成する材料をエッチングしない媒体であることが好ましい。特に、エッチング媒体は、エッチング媒体が接触する下部電極１２がエッチングされない媒体であることが好ましい。下部電極１２から周波数調整膜までの積層膜の応力を圧縮応力となるように設定しておく。これにより、犠牲層３８が除去されると、積層膜が基板１０の反対側に基板１０から離れるように膨れる。下部電極１２と基板１０との間にドーム状の膨らみを有する空隙３０が形成される。以上により、図１（ａ）および図１（ｂ）に示した直列共振器Ｓ、および図１（ａ）および図１（ｃ）に示した並列共振器Ｐが作製される。
【００４５】
次に、実施例１に係る圧電薄膜共振器のＱ値を２次元有限要素法を用いシミュレーションした。図５（ａ）から図５（ｃ）は、シミュレーションを行った比較例１、２および実施例１の断面構造を示す図である。図５（ａ）から図５（ｃ）に示すように、共振領域５０の中心をミラー界面５９とした。共振領域５０の半分の幅をＷ５、共振領域５０の外側の空隙３０の幅をＷ６、共振領域５０の外側の下部圧電膜１４ａの幅をＷ７とした。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、比較例１では共振領域５０内の領域５２において圧電膜１４に挿入膜２８が挿入されている。共振領域５０内の領域５１の圧電膜１４には挿入膜２８は挿入されていない。領域５２内の挿入膜２８の挿入幅および膜厚をそれぞれＷ３およびｄ０とした。共振領域５０の外側の上部圧電膜１４ｂの幅をＷ４とした。共振領域５０より外側の領域５５において圧電膜１４に挿入膜２８が挿入されている。
【００４７】
図５（ｂ）に示すように、比較例２では共振領域５０より外側の領域５４において圧電膜１４に挿入膜２８が挿入されている。共振領域５０の圧電膜１４には挿入膜２８は挿入されていない。圧電膜１４に挿入膜２８が挿入された幅をＷ４、挿入膜２８の膜厚をｄ０とした。
【００４８】
図５（ｃ）に示すように、実施例１では領域５２の幅をＷ１、挿入膜２８ａの膜厚をｄ１とした。領域５４の幅をＷ２、挿入膜２８ｂの膜厚をｄ２とした。
【００４９】
シミュレーションに用いた各材料および膜厚は以下である。
下部電極１２の下層１２ａ：膜厚が１００ｎｍのＣｒ膜
下部電極１２の上層１２ｂ：膜厚が２００ｎｍのＲｕ膜
圧電膜１４：膜厚が１２６０ｎｍのＡｌＮ膜
下部圧電膜１４ａ：膜厚が６３０ｎｍのＡｌＮ膜
上部圧電膜１４ｂ：膜厚が６３０ｎｍのＡｌＮ膜
挿入膜２８：酸化シリコン膜
上部電極１６：膜厚が２３０ｎｍのＲｕ膜
共振領域５０の幅Ｗ５：４２μｍ
共振領域５０より外側の空隙３０の幅Ｗ６：１３μｍ
共振領域５０より外側の下部圧電膜１４ａの幅Ｗ７：８μｍ
【００５０】
比較例１
挿入膜２８の膜厚ｄ０：１５０ｎｍ
挿入膜２８の挿入幅Ｗ３：２２００ｎｍ
比較例２
挿入膜２８の膜厚ｄ０：３００ｎｍ
挿入膜２８の挿入幅Ｗ４：２８００ｎｍ
【００５１】
実施例１
挿入膜２８ａの膜厚ｄ１：１５０ｎｍ
挿入膜２８ａの挿入幅Ｗ１：１８００ｎｍ
挿入膜２８ｂの膜厚ｄ２：３００ｎｍ
挿入膜２８ｂの挿入幅Ｗ２：３６００ｎｍ
【００５２】
図６は、比較例１、２および実施例１における周波数に対するＱ値を示す図である。図６に示すように、比較例１および２では共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの間でＱ値が最大となる。実施例１では、共振周波数ｆｒ以上の広帯域においてＱ値が高い。Ｑ値は反共振周波数ｆａより高い２．０５ＧＨｚ付近で最大となる。このように、実施例１はＱ値の大きい範囲が比較例１および２より大きい。
【００５３】
実施例１において、Ｑ値が広帯域で向上できる理由を説明する。実施例１における横モードの弾性波（横方向に伝搬する弾性波）の分散特性をシミュレーションした。シミュレーション条件は上記条件と同じである。シミュレーションした弾性波のモードは、圧電薄膜共振器において用いる主モードである。
【００５４】
図７（ａ）は、実施例１における横モードの分散特性を示す図、図７（ｂ）は図７（ａ）の範囲Ａの拡大図である。図７（ａ）において、横軸は横方向の波数であり、縦軸は周波数である。波数が０のとき、弾性波は横方向に伝搬せず、厚み縦モードの応答が生じる。波数が０より大きい場合、横方向に弾性波が伝搬し、横モードの弾性波となる。共振領域５０内の領域５１の分散特性の波数が０の周波数が圧電薄膜共振器の共振周波数ｆｒとなる。領域５１において、波数が０から大きくなると周波数が低くなる。周波数がｆ０を越えると、周波数は波数にともない高くなる。領域５２の波数が０の遮断周波数は共振周波数ｆｒより低い。領域５４の波数が０の遮断周波数は領域５２の遮断周波数より高く共振周波数ｆｒより低い。比較例１の領域５５の波数が０の遮断周波数は共振周波数ｆｒより高い。
【００５５】
図７（ｂ）に示すように、反共振周波数ｆａにおける領域５１、５２および５４の波数をそれぞれβ５１、β５２およびβ５４とする。β５１＜β５４＜β５２の関係となる。領域５５では波数が正の領域に反共振周波数ｆａのモードはない。よって、反共振周波数ｆａではこのモードの弾性波は領域５５を伝搬しない。
【００５６】
比較例１では、反共振周波数ｆａ近傍の領域５１の波数β５１より領域５２の波数β５２が大きい。すなわち、領域５２の反共振周波数ｆａ付近の弾性波の速度は領域５１の弾性波の速度より小さい。このため、領域５１から横方向に伝搬する弾性波は、領域５２で反射され領域５１に戻る。これにより、Ｑ値が向上する。領域５５では横モード弾性波は伝搬しない。
【００５７】
比較例２では、反共振周波数ｆａ近傍の共振領域５０（領域５１）の波数β５１より領域５４の波数β５４が大きい。すなわち、領域５４の反共振周波数ｆａ付近の弾性波の速度は共振領域５０の弾性波の速度より小さい。このため、共振領域５０から横方向に伝搬する弾性波は、領域５４で反射され共振領域５０に戻る。これにより、Ｑ値が向上する。
【００５８】
実施例１では、β５１＜β５４＜β５２の関係である。すなわち、反共振周波数ｆａ付近の弾性波の速度は、領域５１で早く、領域５２で遅く、領域５２で速くなる。このため、ブラッグ条件に近づくと、領域５２で反射された弾性波と領域５４で反射された弾性波は強め合う。これにより、領域５１に反射される横モード弾性波は比較例１および２より大きくなる。これにより、共振領域５０からの弾性波の漏洩を抑制しＱ値を向上できる。このように、実施例１では、比較例１および２に比べＱ値を向上できる。
【００５９】
実施例１によれば、挿入膜２８は、共振領域５０内の外周領域５２と、共振領域５０を囲む少なくとも一部の共振領域５０の外側と、に設けられ、共振領域５０の中央領域５１には設けられていない。共振領域５０内における挿入膜２８ａの膜厚ｄ１（第１膜厚）は、共振領域５０外における挿入膜２８ｂの膜厚ｄ２（第２膜厚）より小さい。これにより、Ｑ値を向上できる。
【００６０】
平面視において、共振領域５０と共振領域５０外の膜厚ｄ２を有する挿入膜２８ｂの少なくとも一部とは空隙３０に重なる。これにより、領域５１、５２および５４の圧電膜１４を横モードの弾性波が伝搬する。このため、横モード弾性波がブラッグ条件で反射される。よって、Ｑ値を向上できる。
【００６１】
図７（ｂ）のように、共振領域５０の反共振周波数ｆａにおける領域５１の横モードの波数β５１は挿入膜２８ａが設けられた領域５２の横モードの波数β５２より小さく、共振領域５０外の挿入膜２８ｂが設けられた領域５４の横モードの波数β５４は挿入膜２８ａが設けられた領域５２の横モードの波数β５２より小さい。これにより、横モード弾性波がブラッグ条件で反射される。よって、Ｑ値を向上できる。
【００６２】
挿入膜２８は、圧電膜１４の上下に設けられていてもよいが、圧電膜１４に挿入されていることが好ましい。これにより、よりＱ値を向上できる。
【００６３】
挿入膜２８ａと挿入膜２８ｂとは接していることが好ましい。これにより、よりＱ値を向上できる。
【００６４】
図８（ａ）から図８（ｃ）は、それぞれ実施例１、実施例１の変形例１および２に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図８（ａ）に示すように、実施例１の圧電薄膜共振器において、簡略化のため空隙３０を基板１０内に図示する。その他の構成は、図１（ａ）から図１（ｃ）と同じである。
【００６５】
［実施例１の変形例１］
図８（ｂ）に示すように、挿入膜２８は圧電膜１４上に設けられ、上部電極１６下に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００６６】
［実施例１の変形例２］
図８（ｃ）に示すように、挿入膜２８は、圧電膜１４の下に設けられ、下部電極１２の上に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００６７】
実施例１の変形例１および２のように、挿入膜２８は圧電膜１４の上または下に設けられていてもよい。
【００６８】
［実施例１の変形例３］
図９（ａ）から図９（ｄ）は、それぞれ実施例１の変形例３から６に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図９（ａ）に示すように、上部電極１６の引き出し領域以外の領域において、下部圧電膜１４ａ、上部圧電膜１４ｂおよび挿入膜２８の外輪郭は空隙３０の外輪郭６６に略一致している。このため、領域５４の外輪郭６４は空隙３０の外輪郭６６に略一致している。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００６９】
［実施例１の変形例４］
図９（ｂ）に示すように、下部圧電膜１４ａ、上部圧電膜１４ｂおよび挿入膜２８の外輪郭は空隙３０の外輪郭６６と共振領域５０の外輪郭６０との間に位置する。領域５４の外輪郭６４は空隙３０の外輪郭６６より内側に位置する。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００７０】
［実施例１の変形例５］
図９（ｃ）に示すように、下部圧電膜１４ａおよび挿入膜２８は空隙３０の外輪郭６６の外側に延伸している。上部圧電膜１４ｂの外輪郭は空隙３０の外輪郭６６に略一致する。このため、領域５４の外輪郭６４は空隙３０の外輪郭６６と略一致する。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００７１】
［実施例１の変形例６］
図９（ｄ）に示すように、下部圧電膜１４ａ、上部圧電膜１４ｂおよび挿入膜２８は空隙３０の外輪郭６６の外側に延伸している。このため、領域５４の外輪郭６４は空隙３０の外輪郭６６と略一致する。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００７２】
実施例１の変形例３から６のように、下部圧電膜１４ａ、挿入膜２８ｂおよび上部圧電膜１４ｂのそれぞれの外輪郭は、空隙３０の外輪郭６６の内側に位置、外側に位置、または略一致してもよい。
【００７３】
［実施例１の変形例７］
図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例１の変形例７の断面図である。図１０（ａ）に示すように、挿入膜２８ａは圧電膜１４内に挿入されている。挿入膜２８ｂは圧電膜１４の厚さ方向の挿入膜２８ａと異なる位置に設けられている。その他の構成は実施例１の変形例３と同じであり、説明を省略する。
【００７４】
図１０（ｂ）に示すように、挿入膜２８ａは圧電膜１４内に挿入されている。挿入膜２８ｂは圧電膜１４上に設けられている。上部電極１６の引き出し領域においては、挿入膜２８ｂは圧電膜１４と上部電極１６との間に設けられている。その他の構成は実施例１の変形例３と同じであり、説明を省略する。
【００７５】
図１０（ｃ）に示すように、挿入膜２８ａは圧電膜１４内に挿入されている。挿入膜２８ｂは圧電膜１４下に設けられている。下部電極１２の引き出し領域においては、挿入膜２８ｂは圧電膜１４と下部電極１２との間に設けられている。その他の構成は実施例１の変形例３と同じであり、説明を省略する。
【００７６】
図１０（ｄ）に示すように、挿入膜２８ａは圧電膜１４内に挿入されている。上部電極１６の引き出し領域において挿入膜２８ｂは圧電膜１４と上部電極１６との間に設けられている。下部電極１２の引き出し領域において、挿入膜２８ｂは圧電膜１４と下部電極１２との間に設けられている。その他の構成は実施例１の変形例３と同じであり、説明を省略する。
【００７７】
実施例１およびその変形例１から６のように、挿入膜２８ａと２８ｂとは接していてもよい。実施例１の変形例７のように挿入膜２８ａと２８ｂとは厚さ方向に異なる位置に設けられていてもよい。
【００７８】
［実施例１の変形例８］
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１の変形例８の断面図である。図１１（ａ）に示すように、領域５４における圧電膜１４と上部電極１６との間に空隙３２が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００７９】
図１１（ｂ）に示すように、領域５４における下部電極１２と圧電膜１４との間に空隙３２が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００８０】
図１１（ｃ）に示すように、領域５４における圧電膜１４と上部電極１６との間、および下部電極１２と圧電膜１４との間に空隙３２が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００８１】
実施例１の変形例８のように、領域５２および５４において、圧電膜１４と下部電極１２との間と、圧電膜１４と上部電極１６との間と、の少なくとも一方に空隙３２が設けられていてもよい。この場合、共振領域５０は例えば空隙３２の設けられていない領域となる。
【００８２】
［実施例１の変形例９］
図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、それぞれ実施例１の変形例９から１１に係る断面図である。図１２（ａ）に示すように、挿入膜２８ｂの外輪郭は空隙３０の外輪郭６６より外側に位置する。このため、領域５４の外輪郭６４は空隙３０の外輪郭６６と略一致する。その他の構成は実施例１の変形例６と同じであり説明を省略する。
【００８３】
［実施例１の変形例１０］
図１２（ｂ）に示すように、上部電極１６の引き出し領域において、領域５２の外輪郭は空隙３０の外輪郭６６と略一致してもよい。上部電極１６の引き出し領域において厚い挿入膜２８ｂは空隙３０と重なっていない。下部電極１２の引き出し領域において領域５４は、実施例１と同様に設けられている。その他の構成は実施例１の変形例６と同じであり説明を省略する。
【００８４】
［実施例１の変形例１１］
図１２（ｃ）に示すように、上部電極１６の引き出し領域において、領域５２の外輪郭６１は共振領域５０の外輪郭６０より内側に位置する。上部電極１６の引き出し領域の共振領域５０より外側において厚い挿入膜２８ｂは空隙３０と重なっていない。下部電極１２の引き出し領域において領域５４は、実施例１と同様に設けられている。その他の構成は実施例１の変形例６と同じであり説明を省略する。
【００８５】
実施例１の変形例１０および１１のように、共振領域５０より外側において挿入膜２８ｂが空隙３０と重なる領域５４は、共振領域５０を囲み一部に設けられていればよい。共振領域５０を囲む少なくとも一部において、領域５２と５４が設けられてればよい。
【実施例２】
【００８６】
実施例２およびその変形例１は、空隙の構成を変えた例である。図１３（ａ）は、実施例２の圧電薄膜共振器の断面図、図１３（ｂ）は、実施例２の変形例１の圧電薄膜共振器の断面図である。図１３（ａ）に示すように、基板１０の上面に窪みが形成されている。下部電極１２は、基板１０上に平坦に形成されている。これにより、空隙３０が、基板１０の窪みに形成されている。空隙３０は共振領域５０を含むように形成されている。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。空隙３０は、基板１０を貫通するように形成されていてもよい。なお、下部電極１２の下面に絶縁膜が接して形成されていてもよい。すなわち、空隙３０は、基板１０と下部電極１２に接する絶縁膜との間に形成されていてもよい。絶縁膜としては、例えば窒化アルミニウム膜を用いることができる。
【００８７】
図１３（ｂ）に示すように、共振領域５０の下部電極１２下に音響反射膜３１が形成されている。音響反射膜３１は、音響インピーダンスの低い膜３０ａと音響インピーダンスの高い膜３０ｂとが交互に設けられている。膜３０ａおよび３０ｂの膜厚は例えばそれぞれλ／４（λは弾性波の波長）である。膜３０ａと膜３０ｂの積層数は任意に設定できる。音響反射膜３１は、音響特性の異なる少なくとも２種類の層が間隔をあけて積層されていればよい。また、基板１０が音響反射膜３１の音響特性の異なる少なくとも２種類の層のうちの１層であってもよい。例えば、音響反射膜３１は、基板１０中に音響インピーダンスの異なる膜が一層設けられている構成でもよい。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。
【００８８】
実施例１およびその変形例において、実施例２と同様に空隙３０を形成してもよく、実施例２の変形例１と同様に空隙３０の代わりに音響反射膜３１を形成してもよい。
【００８９】
実施例１およびその変形例並びに実施例２のように、圧電薄膜共振器は、共振領域５０において空隙３０が基板１０と下部電極１２との間に形成されているＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）でもよい。また、実施例２の変形例１のように、圧電薄膜共振器は、共振領域５０において下部電極１２下に圧電膜１４を伝搬する弾性波を反射する音響反射膜３１を備えるＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）でもよい。
【００９０】
実施例１から実施例２およびその変形例において、挿入膜２８が共振領域５０を全て囲むように設けられているが、挿入膜２８は共振領域５０の少なくとも一部において共振領域５０より外側に設けられていればよい。例えば領域５２および５４は一部がカットされた環状でもよい。共振領域５０が楕円形状の例を説明したが、他の形状でもよい。例えば、共振領域５０は、四角形または五角形等の多角形でもよい。
【実施例３】
【００９１】
実施例３は、実施例１、２およびその変形例の圧電薄膜共振器を用いたフィルタおよびデュプレクサの例である。図１４（ａ）は、実施例３に係るフィルタの回路図である。図１４（ａ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも１に実施例１から２およびその変形例の弾性波共振器を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数等は適宜設定できる。
【００９２】
図１４（ｂ）は、実施例３の変形例に係るデュプレクサの回路図である。図１４（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例３のフィルタとすることができる。
【００９３】
フィルタが実施例１から２およびその変形例の圧電薄膜共振器を含む。これにより、共振器のＱ値が向上し、フィルタのスカート特性を向上できる。
【００９４】
また、送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例１から２およびその変形例の圧電薄膜共振器を含むフィルタとすることができる。
【００９５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００９６】
１０      基板
１２      下部電極
１４      圧電膜
１４ａ    下部圧電膜
１４ｂ    上部圧電膜
１６      上部電極
２８、２８ａ、２８ｂ  挿入膜
３０      空隙
３１      音響反射膜
４０      送信フィルタ
４２      受信フィルタ
５０      共振領域
５１、５２、５４  領域
【図１】
2018125762.tif 000003
【図２】
2018125762.tif 000004
【図３】
2018125762.tif 000005
【図４】
2018125762.tif 000006
【図５】
2018125762.tif 000007
【図６】
2018125762.tif 000008
【図７】
2018125762.tif 000009
【図８】
2018125762.tif 000010
【図９】
2018125762.tif 000011
【図１０】
2018125762.tif 000012
【図１１】
2018125762.tif 000013
【図１２】
2018125762.tif 000014
【図１３】
2018125762.tif 000015
【図１４】
2018125762.tif 000016