(57)【要約】【課題】内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化チタン光電極を簡便に製造することができる酸化チタン光電極の製造方法を提供すること。【解決手段】基板と、基板上に設けられる酸化チタン層とを有する酸化チタン光電極を製造する酸化チタン光電極の製造方法であって、基板と、基板上に形成される酸化チタン層前駆体とを有する第１構造体を準備する第１構造体準備工程と、第１構造体と、第１構造体の酸化チタン層前駆体と対向して設けられる基体と、第１構造体と基体との間に設けられ、酸化チタン層前駆体と接触する液体とを有する第２構造体を準備する第２構造体準備工程と、第２構造体の酸化チタン層前駆体に光を照射して、基板上に酸化チタン層を形成する酸化チタン層形成工程とを備える酸化チタン光電極の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられる酸化チタン層とを有する酸化チタン光電極を製造する酸化チタン光電極の製造方法であって、
前記基板と、前記基板上に形成される酸化チタン層前駆体とを有する第１構造体を準備する第１構造体準備工程と、
前記第１構造体と、前記第１構造体の前記酸化チタン層前駆体と対向して設けられる基体と、前記第１構造体と前記基体との間に設けられ、前記酸化チタン層前駆体と接触する液体とを有する第２構造体を準備する第２構造体準備工程と、
前記第２構造体の前記酸化チタン層前駆体に光を照射し、前記基板上に前記酸化チタン層を形成する酸化チタン層形成工程とを備える酸化チタン光電極の製造方法。
【請求項２】
前記液体が有機溶媒を含む、請求項１に記載の酸化チタン光電極の製造方法。
【請求項３】
前記有機溶媒が極性有機溶媒を含む、請求項２に記載の酸化チタン光電極の製造方法。
【請求項４】
前記酸化チタン層形成工程において、前記酸化チタン層前駆体に照射される光が４２０ｎｍ以下の波長の光を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の酸化チタン光電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化チタン光電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
色素増感太陽電池などの光電変換素子や人工光合成における光電極として、酸化チタン光電極が使用されることがある。酸化チタン光電極は一般に、基板と、基板上に設けられる酸化チタン層とを有する。酸化チタン層は通常、二酸化チタン（ＴｉＯ２）で構成されるが、最近では、二酸化チタンの代わりに、酸素欠陥を導入した酸化チタン（ＴｉＯ２−ｘ）を用いることで、二酸化チタンで構成された酸化チタン層よりも内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化チタン光電極が得られることが知られている（例えば下記特許文献１参照）。
【０００３】
下記特許文献１には、内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化物半導体電極を得る方法として、原料となる二酸化チタンを、窒素又はアルゴンなどの中性雰囲気下、あるいは水素などの還元性雰囲気下で熱処理する工程を含む方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１４５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載の酸化物半導体電極の製造方法は以下の課題を有していた。
【０００６】
すなわち、上記特許文献１に記載の酸化物半導体電極の製造方法は、内部抵抗の低い酸化チタンを得るために、原料となる二酸化チタンを中性雰囲気下又は還元性雰囲気下で熱処理する工程を含んでいる。そのため、中性雰囲気下又は還元性雰囲気下で酸化チタンを熱処理するための特殊な設備が必要であった。そのため、内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化チタン光電極を簡便に製造することができる酸化チタン光電極の製造方法が求められていた。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化チタン光電極を簡便に製造することができる酸化チタン光電極の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は上記課題を解決するため検討した結果、酸素を含まない状態で酸化チタン層の前駆体に対して光を照射することで、上記課題を解決し得ることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明は、基板と、前記基板上に設けられる酸化チタン層とを有する酸化チタン光電極を製造する酸化チタン光電極の製造方法であって、前記基板と、前記基板上に形成される酸化チタン層前駆体とを有する第１構造体を準備する第１構造体準備工程と、前記第１構造体と、前記第１構造体の前記酸化チタン層前駆体と対向して設けられる基体と、前記第１構造体と前記基体との間に設けられ、前記酸化チタン層前駆体と接触する液体とを有する第２構造体を準備する第２構造体準備工程と、前記第２構造体の前記酸化チタン層前駆体に光を照射して、前記基板上に前記酸化チタン層を形成する酸化チタン層形成工程とを備える酸化チタン光電極の製造方法である。
【００１０】
この酸化チタン光電極の製造方法によれば、酸化チタン層形成工程は、第２構造体の酸化チタン層前駆体に光を照射することで行われる。このとき、第２構造体では、酸化チタン層前駆体が液体と接触しているため、酸化チタン層前駆体は大気中の酸素から遮断されている。すなわち、酸化チタン層形成工程では、酸素を含まない状態で酸化チタン層前駆体に光が照射される。その結果、酸化チタン層形成工程において、内部抵抗の低い酸化チタン層が形成される。従って、中性雰囲気下又は還元性雰囲気下で酸化チタン層前駆体を熱処理する場合と異なり、中性雰囲気下又は還元性雰囲気下で熱処理を行うための特殊な設備を用いることなく、常温で内部抵抗の低い酸化チタン層を形成することが可能となる。よって、本発明によれば、内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化チタン光電極を簡便に製造することができる。
【００１１】
上記酸化チタン光電極の製造方法においては、前記液体が有機溶媒を含むことが好ましい。
【００１２】
この場合、液体が有機溶媒を含まない場合と比べて、酸化チタン層前駆体の内部抵抗が低下しやすくなるとともに酸化チタン層の前駆体の色が変化しやすい。そのため、液体が有機溶媒を含まない場合と比べて、酸化チタン層前駆体の内部抵抗の低下の進行状況を目視にてより容易に確認できる。
【００１３】
上記酸化チタン光電極の製造方法においては、前記有機溶媒が極性有機溶媒を含むことが好ましい。
【００１４】
この場合、酸化チタン層前駆体への有機溶媒の吸着力がより高くなる。その結果、より速やかに内部抵抗の低い酸化チタン層を製造することができる。
【００１５】
上記酸化チタン光電極の製造方法においては、前記酸化チタン層形成工程において、前記酸化チタン層前駆体に照射される光が４２０ｎｍ以下の波長の光を含むことが好ましい。
【００１６】
この場合、酸化チタン層形成工程において、酸化チタン層前駆体に照射される光が４２０ｎｍ以下の波長の光を含まない場合と比べて、内部抵抗の低い酸化チタン層をより効果的に形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化チタン光電極を簡便に製造することができる酸化チタン光電極の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る酸化チタン光電極の製造方法の一実施形態により得られる酸化チタン光電極を示す断面図である。
【図２】本発明に係る酸化チタン光電極の製造方法の一実施形態に用いる第１構造体を示す断面図である。
【図３】本発明に係る酸化チタン光電極の製造方法の一実施形態に用いる第２構造体を示す断面図である。
【図４】図３の第２構造体に対して光を照射する工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る酸化チタン光電極の製造方法の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
はじめに、酸化チタン光電極の製造方法の説明に先立ち、この製造方法により得られる酸化チタン光電極１００について図１を参照しながら説明する。図１は本発明に係る酸化チタン光電極の製造方法の一実施形態により得られる酸化チタン光電極を示す断面図である。
【００２１】
図１に示すように、酸化チタン光電極１００は、基板１０と、基板１０上に設けられる酸化チタン層２０とを備えている。
【００２２】
基板１０は、透明基板１１と、透明基板１１上に設けられる透明導電層１２とを備えている。
【００２３】
次に、上述した酸化チタン光電極１００の製造方法について図２〜図４を参照しながら説明する。図２は、本発明に係る酸化チタン光電極の製造方法の一実施形態に用いる第１構造体を示す断面図、図３は、本発明に係る酸化チタン光電極の製造方法の一実施形態に用いる第２構造体を示す断面図、図４は、図３の第２構造体に光を照射する工程の一部を示す図である。
【００２４】
＜第１構造体準備工程＞
まず図２に示すように、基板１０と、基板１０上に形成される酸化チタン層前駆体２０Ａとを有する第１構造体３０を準備する。
【００２５】
＜第２構造体準備工程＞
次に、図３に示すように、第１構造体３０と、第１構造体３０に対向して設けられる第３構造体６０とを有する第２構造体７０を準備する。第３構造体６０は、基体４０と、基体４０の第１構造体３０側に設けられる液体５０とを備えており、液体５０は、酸化チタン層前駆体２０Ａと接触している。
【００２６】
＜酸化チタン層形成工程＞
次に、図４に示すように、光源Ｌから、第２構造体７０の酸化チタン層前駆体２０Ａに光を照射する。こうして、基板１０上に酸化チタン層２０を形成する。
【００２７】
最後に、第２構造体７０から第３構造体６０を除去する。
【００２８】
以上のようにして酸化チタン光電極１００が得られる。
【００２９】
上記製造方法によれば、酸化チタン層形成工程は、第２構造体７０の酸化チタン層前駆体２０Ａに光を照射することで行われる。このとき、第２構造体７０では、酸化チタン層前駆体２０Ａが液体５０と接触しているため、酸化チタン層前駆体２０Ａは大気中の酸素から遮断されている。すなわち、酸化チタン層形成工程では、酸素を含まない状態で酸化チタン層前駆体２０Ａに光が照射される。その結果、酸化チタン層形成工程において、内部抵抗の低い酸化チタン層２０が形成される。従って、中性雰囲気下又は還元性雰囲気下で酸化チタン層前駆体２０Ａを熱処理する場合と異なり、中性雰囲気下又は還元性雰囲気下で熱処理を行うための特殊な設備を用いることなく、常温で内部抵抗の低い酸化チタン層２０を形成することができる。よって、上記製造方法によれば、内部抵抗の低い酸化チタン層２０を有する酸化チタン光電極１００を簡便に製造することができる。なお、得られる酸化チタン光電極１００において、酸化チタン層２０は、酸素欠陥を有する酸化チタン（ＴｉＯ２−ｘ）からなるものと推定される。
【００３０】
次に、上述した第１構造体準備工程、第２構造体準備工程、及び、酸化チタン層形成工程について詳細に説明する。
【００３１】
＜第１構造体準備工程＞
第１構造体３０は、基板１０上に酸化チタン層前駆体２０Ａを形成することによって得ることができる。
【００３２】
基板１０は、透明基板１１の上に透明導電層１２を形成することによって得ることができる。透明導電層１２の形成方法は、特に限定されるものではないが、スパッタ法、蒸着法、スプレー熱分解法及びＣＶＤ法などが挙げられる。
【００３３】
透明基板１１を構成する材料は、例えば透明な材料であればよく、このような透明な材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、白板ガラス、石英ガラスなどのガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、及び、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）などの絶縁材料が挙げられる。透明基板１１の厚さは、酸化チタン光電極１００を適用する素子のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば０．１〜４ｍｍの範囲にすればよい。
【００３４】
透明導電層１２は、例えばスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、及び、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）などの導電性金属酸化物が挙げられる。また、透明導電層１２は、単層でも、異なる導電性金属酸化物で構成される複数の層の積層体で構成されてもよい。透明導電層１２が単層で構成され、高い耐熱性及び耐薬品性を必要とする場合は、透明導電層１２はＦＴＯで構成されることが好ましい。透明導電層１２の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば０．０１〜２μｍの範囲にすればよい。
【００３５】
酸化チタン層前駆体２０Ａは、例えば基板１０の透明導電層１２上に酸化チタン層形成用ペーストを印刷した後、焼成することで形成することができる。
【００３６】
酸化チタン層形成用ペーストは、二酸化チタンを含む酸化チタン粒子のほか、ポリエチレングリコールなどの樹脂及び、テレピネオールなどの溶媒を含む。
【００３７】
酸化チタン層形成用ペーストに含まれる酸化チタン粒子の平均粒径は、特に限定されるものではないが、５〜５０ｎｍであることが好ましい。この場合、酸化チタン粒子の比表面積が大きくなる。このため、より速やかに内部抵抗の低い酸化チタン層２０を製造することができる。なお、酸化チタン粒子の比表面積が大きくなることで、酸化チタン層前駆体２０Ａにおいては酸素欠陥の発生がより速やかに生じるものと推定される。
【００３８】
酸化チタン層前駆体２０Ａの厚さは、酸化チタン光電極１００を適用する素子のサイズに応じて適宜決定されるため一概には言えないが、例えば０．１〜１００μｍとすればよい。
【００３９】
酸化チタン層形成用ペーストの印刷方法としては、例えばスクリーン印刷法、ドクターブレード法、バーコート法などを用いることができる。
【００４０】
酸化チタン層形成用ペースト中の酸化チタン粒子の焼成温度は、酸化物半導体粒子の種類により異なるが、通常は３５０〜６００℃であり、焼成時間も、酸化物半導体粒子の種類により異なるが、通常は１〜５時間である。
【００４１】
＜第２構造体準備工程＞
第２構造体７０は、第１構造体３０と第３構造体６０とを、第１構造体３０の酸化チタン層前駆体２０Ａと第３構造体６０の液体５０とが向い合うように対向させた後、重ね合わせて第１構造体３０の酸化チタン層前駆体２０Ａと第３構造体６０の液体５０とを接触させることによって得ることができる。このとき、液体５０が基板１０とともに酸化チタン層前駆体２０Ａを包囲するように、すなわち外気と直接触れないように第２構造体７０を準備する。
【００４２】
基体４０を構成する材料は、特に限定されるものではないが、基体４０を構成する材料としては、例えばガラスなどの透明基板や、チタン、アルミニウムなどの金属板からなる不透明基板が挙げられる。
【００４３】
第３構造体６０は、基体４０の上に液体５０を配置することによって得ることができる。このとき、基体４０のうち、液体５０を配置する面は水平に保持することが好ましい。
【００４４】
液体５０の種類は、特に限定されるものではないが、液体５０としては、例えば水、有機溶媒、又はこれらの混合液を含む。中でも液体５０は、有機溶媒を含むことが好ましい。この場合、液体５０が有機溶媒を含まない場合と比べて、酸化チタン層前駆体２０Ａの内部抵抗が低下しやすくなるとともに酸化チタン層前駆体２０Ａの色が変化しやすい。そのため、液体５０が有機溶媒を含まない場合と比べて、酸化チタン層前駆体２０Ａの内部抵抗の低下の進行状況を目視にてより容易に確認できる。
【００４５】
有機溶媒は、極性有機溶媒又は非極性有機溶媒のいずれでもよいが、極性有機溶媒であることが好ましい。この場合、酸化チタン層前駆体２０Ａへの有機溶媒の表面吸着性がより良好となる。このため、より速やかに内部抵抗の低い酸化チタン層２０を製造することができる。なお、酸化チタン層前駆体２０Ａへの有機溶媒の表面吸着性がより良好となることで、酸化チタン層前駆体２０Ａにおいては酸素欠陥を生じさせる反応がより速やかに進行するものと推定される。極性有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、アセトニトリル、プロピオニトリル及びメトキシプロピオニトリル（ＭＰＮ）などが挙げられる。
【００４６】
第２構造体７０において、酸化チタン層前駆体２０Ａと基体４０とは、互いに離間していてもよいし、図３に示すように互いに接触していてもよい。但し、酸化チタン層前駆体２０Ａと基体４０とは互いに接触していることが好ましい。この場合、酸化チタン層前駆体２０Ａの位置が基体４０に対して固定されるので、酸化チタン層前駆体２０Ａに対する光照射が効果的に行われることになる。
【００４７】
第２構造体７０において、基体４０と基板１０との間の間隔は、特に制限されるものではないが、５００μｍ以下であることが好ましい。基体４０と基板１０との間の間隔が５００μｍを超える場合に比べて、酸素が酸化チタン層２０に侵入しにくくなる。
【００４８】
＜酸化チタン層形成工程＞
酸化チタン層形成工程は、第２構造体７０の基板１０を通して酸化チタン層前駆体２０Ａに光を照射し、基板１０上に酸化チタン層２０を形成する工程である。
【００４９】
酸化チタン層前駆体２０Ａに照射する光の波長は、特に限定されるものではないが、４２０ｎｍ以下の波長を含むことが好ましい。この場合、照射する光が４２０ｎｍ以下の波長の光を含まない場合と比べて、内部抵抗の低い酸化チタン層２０をより効果的に形成することが可能となる。酸化チタン層前駆体２０Ａに照射する光は、４２０ｎｍ以下の波長の光のみからなることがより好ましい。
【００５０】
酸化チタン層前駆体２０Ａに照射する光の放射照度は、特に限定されるものではないが、５〜３００Ｗ／ｍ２であることが好ましい。
【００５１】
酸化チタン層前駆体２０Ａに対する光の照射時間は、特に限定されるものではないが、０．５〜６時間であることが好ましい。この場合、光及び酸化チタンによる他の分解反応などがより生じにくくなる。
【００５２】
なお、第２構造体７０からは第３構造体６０を取り除く場合、基体４０及び液体５０のいずれから先に取り除かれてもよい。液体５０を取り除く方法としては、例えば紙製のワイプなどで大半を吸い取った後に、減圧下で乾燥させる方法が挙げられる。なお、液体５０を取り除く場合には、その作業は、酸化チタン層２０が酸素と接触するのを避けるために、グローブボックスなどの内部において、窒素などの非酸化性ガス雰囲気下で行うのがよい。
【００５３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、酸化チタン層形成工程において、第２構造体７０の基板１０側から光を照射しているが、基体４０が透光性の材料からなる場合には、第２構造体７０の基体４０を通して酸化チタン層前駆体２０Ａに光を照射してもよい。また、基体４０が透光性の材料からなる場合には、基板１０は光を透過しない材料で構成されてもよい。さらに、基体４０及び基板１０の両方が透光性の材料からなる場合には、酸化チタン層形成工程において、第２構造体７０の基板１０及び基体４０の両方を通して酸化チタン層前駆体２０Ａに対して光を照射してもよい。
【００５４】
さらにまた、上記実施形態において、基板１０は透明導電層１２を有しているが、本発明の製造方法により得られる酸化チタン光電極を電極として用いない場合には、基板１０は透明導電層１２を有していなくてもよい。この場合、第１構造体準備工程において、酸化チタン層前駆体２０Ａは、基板１０の透明基板１１上に形成されることになる。
【００５５】
本発明の製造方法により得られる酸化チタン光電極は、例えば光電変換素子や人工光合成における光電極として用いることができる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００５７】
（実施例１）
はじめに、ガラスからなる厚さ２ｍｍの透明基板の上に、厚さ０．５μｍのＦＴＯからなる透明導電層を形成してなる導電性基板を準備した。
【００５８】
次に、透明導電層の上に、吸収層と反射層とを有する酸化物半導体層の前駆体を形成した。具体的には、先ず、透明導電層の上に、５ｃｍ×５ｃｍの形状で、第１酸化チタンペースト（商品名「ＰＳＴ−２１ＮＲ」、日揮触媒化成社製、平均粒径２１ｎｍ）をスクリーン印刷により１２μｍの厚さで印刷し、乾燥させて吸収層の前駆体を形成した。その後、吸収層の前駆体の上に５ｃｍ×５ｃｍの形状で第２酸化チタンペースト（商品名「ＰＳＴ−４００Ｃ」、日揮触媒化成社製、平均粒径４００ｎｍ）をスクリーン印刷により４μｍの厚さで印刷した後、乾燥させて反射層の前駆体を吸収層の前駆体に積層させ、吸収層の前駆体と反射層の前駆体とを有する酸化物半導体層の前駆体を形成した。
【００５９】
次に、酸化物半導体層の前駆体を電気炉にて５００℃で６０分間焼成し、透明導電層の上に設けられる５ｃｍ×５ｃｍ×９μｍの吸収層と、吸収層の上に積層される５ｃｍ×５ｃｍ×３μｍの反射層とを形成した。こうして、第１構造体を得た。
【００６０】
一方、５６ｍｍ×５６ｍｍ×５０μｍのチタン箔を基体として準備した。
【００６１】
次に、基体を水平な状態にし、基体の上面上に液体を滴下し、第３構造体を得た。このとき、液体としてはメトキシプロピオニトリル（ＭＰＮ）を用いた。
【００６２】
次に、上記のようにして準備した第１構造体と第３構造体とを、第１構造体の酸化チタン層前駆体と第３構造体のＭＰＮとが向い合うように対向させた後、重ね合わせて第１構造体の酸化チタン層前駆体と第３構造体の液体とを接触させた。こうして第２構造体を得た。このとき、酸化チタン層前駆体は、第３構造体の基体にも接触させた。また、導電性基板と基体（チタン箔）との間の間隔は１２μｍであった。
【００６３】
次に、恒温ソーラーシミュレーター（製品名「ＥＳＳ−０４１６」、岩崎電気株式会社製：光源の出力波長３４０〜１２００ｎｍ）を用いて、第２構造体の基板を通して酸化チタン層前駆体に対して１ｓｕｎ（ＡＭ１．５Ｇ、１０００ｗ／ｍ２）の条件で光を４時間照射し、基板上に酸化チタン層を形成した。
【００６４】
最後に、光を照射した第２構造体から基体及び液体を順次取り除いた。このとき、液体は、紙製のワイプなどで大半を吸い取った後に、減圧下で乾燥させて取り除いた。こうして酸化チタン光電極が得られた。
【００６５】
（比較例１）
第２構造体に対して光を照射しなかったこと以外は実施例１と同様にして酸化チタン光電極を作製した。
【００６６】
（内部抵抗）
実施例１及び比較例１で得られた第２構造体について、デジタルマルチメーター（製品名「ＫＵ−２６０８」、カイセ株式会社製）を用いて内部抵抗（Ｒ１）を測定した。結果を表１に示す。なお、Ｒ１は、酸化チタン層前駆体の内部抵抗の指標となるものである。
【００６７】
次に、実施例１及び比較例１において第２構造体から基体及び液体を取り除く直前の第２構造体について、上記と同様にして内部抵抗（Ｒ２）を測定した。結果を表１に示す。なお、Ｒ２は、酸化チタン光電極の酸化チタン層の内部抵抗の指標となるものである。
【００６８】
そして、下記式に基づき、第２構造体の内部抵抗（Ｒ１）と第２構造体から基体及び液体を取り除く直前の第２構造体の内部抵抗（Ｒ２）の比を算出した。結果を表１に示す。
内部抵抗の比＝Ｒ２／Ｒ１
【００６９】
（色の変化）
実施例１及び比較例１で得られた第２構造体の酸化チタン層前駆体について、酸化チタン層になるまでの酸化チタン層前駆体の色の変化を目視にて確認した。結果を表１に示す
【表１】
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【００７０】
表１に示す通り、実施例１において基体及び液体を取り除く直前の第２構造体の内部抵抗は、光を照射する前の酸化チタン層前駆体の内部抵抗と比べて顕著に低下していた。これに対し、比較例１において基体及び液体を取り除く直前の第２構造体の内部抵抗は、第２構造体の内部抵抗と同じであった。
【００７１】
このことから、本発明の酸化チタン光電極の製造方法によれば、内部抵抗の低い酸化チタン層を有する酸化チタン光電極を簡便に製造できることが確認された。
【符号の説明】
【００７２】
１０…基板
２０…酸化チタン層
２０Ａ…酸化チタン層前駆体
３０…第１構造体
４０…液体
５０…基体
６０…第３構造体
７０…第２構造体
１００…酸化チタン光電極
【図１】
2018110182.tif 000004
【図２】
2018110182.tif 000005
【図３】
2018110182.tif 000006
【図４】
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