(57)【要約】【課題】サブマウント間のリークを抑制でき、半導体レーザ素子を高集積化できる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】導体パターン８が一面側に形成された伝熱性の絶縁基板３と、サブマウント５に半導体レーザバー４を固定してなるレーザユニット６を積層してなる積層構造体７と、を有し、積層構造体７は、レーザユニット６の積層方向が絶縁基板３の面内方向となるように絶縁基板３の一面側に配置され、サブマウント５は、ハンダによって導体パターン８に接合され、接合部分Ｐにおいて、サブマウント５及び導体パターン８の少なくとも一方には、相手方に向かって突出する突出部分１１が設けられ、積層方向に対する突出部分１１の幅Ｗ１は、積層方向に対するサブマウント５の幅Ｗ２よりも小さくなっている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンが一面側に形成された伝熱性の絶縁基板と、
サブマウントに半導体レーザ素子を固定してなるレーザユニットを積層してなる積層構造体と、を有し、
前記積層構造体は、前記レーザユニットの積層方向が前記絶縁基板の面内方向となるように前記絶縁基板の前記一面側に配置され、
前記サブマウントは、ハンダによって前記導体パターンに接合され、
接合部分において、前記サブマウント及び前記導体パターンの少なくとも一方には、相手方に向かって突出する突出部分が設けられ、
前記積層方向に対する前記突出部分の幅は、前記積層方向に対する前記サブマウントの幅よりも小さくなっている半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記レーザユニットは、前記サブマウントの一面側のみに前記半導体レーザ素子を固定してなる請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記突出部分は、前記絶縁基板の前記一面側に突起状に設けられた導電部材によって、前記導体パターン側に設けられている請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記絶縁基板の一面側は、凹凸面となっており、
前記突出部分は、前記凹凸面の凸部によって、前記導体パターン側に設けられている請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記突出部分は、前記サブマウントにおける前記絶縁基板側の端部に設けられた突起によって、前記サブマウント側に設けられている請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記突出部分は、前記絶縁基板の前記一面側に突起状に設けられた導電部材と、前記サブマウントにおける前記絶縁基板側の端部に設けられた突起とによって、前記導体パターン側及び前記サブマウント側の双方に設けられている請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記突出部分は、前記絶縁基板側に向かって裾広がりとなるように断面台形状をなしている請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体レーザ装置として、例えば特許文献１に記載の半導体レーザ装置がある。この半導体レーザ装置では、サブマウントに固定された半導体レーザ素子を積層した積層構造体を絶縁基板上に配置している。この半導体レーザ装置は、レーザ光の発振方向の反対側で冷却がなされる背面冷却構造となっている。サブマウントは、絶縁基板上の導体パターンに対してハンダ接合されており、レーザ発振時に半導体レーザ素子で発生した熱は、サブマウントを介して絶縁基板側に放熱されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１２１８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年では、上述のような背面冷却構造を有する半導体レーザ装置の光密度を向上させることが要求されている。光密度の向上のためには、絶縁基板上に配置される積層構造体における半導体レーザ素子の積層ピッチを狭くし、半導体レーザ素子を高集積化する必要がある。しかしながら、半導体レーザ素子の積層ピッチを狭めていくと、積層方向に隣り合うサブマウント同士の間隔が狭くなるため、サブマウントと導体パターンとの接合に用いられるハンダによるリークが生じ易くなるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、サブマウント間のリークを抑制でき、半導体レーザ素子を高集積化できる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る半導体レーザ装置は、導体パターンが一面側に形成された伝熱性の絶縁基板と、サブマウントに半導体レーザ素子を固定してなるレーザユニットを積層してなる積層構造体と、を有し、積層構造体は、レーザユニットの積層方向が絶縁基板の面内方向となるように絶縁基板の一面側に配置され、サブマウントは、ハンダによって導体パターンに接合され、接合部分において、サブマウント及び導体パターンの少なくとも一方には、相手方に向かって突出する突出部分が設けられ、積層方向に対する突出部分の幅は、積層方向に対するサブマウントの幅よりも小さくなっている。
【０００７】
この半導体レーザ装置では、サブマウントと導体パターンとの接合部分において、サブマウント及び導体パターンの少なくとも一方に突出部分が設けられている。この突出部分により、サブマウントと絶縁基板との間にハンダの逃げ部が形成されると共に、接合の際に溶融するハンダが突出部分の形状に沿って流れるため、積層構造体の積層方向にハンダが拡がることを抑制できる。したがって、半導体レーザ素子の積層ピッチが狭い場合でもハンダによるリークの発生が抑えられ、積層構造体における半導体レーザ素子の高集積化を実現できる。
【０００８】
また、レーザユニットは、サブマウントの一面側のみに半導体レーザ素子を固定してなるものであってもよい。こうすると、サブマウントの両面に半導体レーザ素子を固定する場合に比べて積層構造体における半導体レーザ素子の高集積化を実現できる。また、半導体レーザ素子を高集積化した場合でも、サブマウントと絶縁基板との間に形成されたハンダの逃げ部により、ハンダによるリークの発生が効果的に抑えられる。
【０００９】
また、突出部分は、絶縁基板の一面側に突起状に設けられた導電部材によって、導体パターン側に設けられていてもよい。この場合、簡単な構成で突出部分を設けることができ、接合部分においてサブマウントと導体パターンとをしっかりと接合できる。
【００１０】
また、絶縁基板の一面側は、凹凸面となっており、突出部分は、凹凸面の凸部によって、導体パターン側に設けられていてもよい。この場合、簡単な構成で突出部分を設けることができ、接合部分においてサブマウントと導体パターンとをしっかりと接合できる。
【００１１】
また、突出部分は、サブマウントにおける絶縁基板側の端部に設けられた突起によって、サブマウント側に設けられていてもよい。この場合、簡単な構成で突出部分を設けることができ、接合部分においてサブマウントと導体パターンとをしっかりと接合できる。
【００１２】
また、突出部分は、絶縁基板の一面側に突起状に設けられた導電部材と、サブマウントにおける絶縁基板側の端部に設けられた突起とによって、導体パターン側及びサブマウント側の双方に設けられていてもよい。導体パターン側及びサブマウント側の双方に突出部分が設けられることで、ハンダの逃げ部を大きく確保できる。したがって、ハンダによるリークを一層確実に抑制できる。
【００１３】
また、突出部分は、絶縁基板側に向かって裾広がりとなるように断面台形状をなしていてもよい。こうすると、サブマウント側から絶縁基板側への放熱性を高めることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、サブマウント間のリークを抑制でき、半導体レーザ素子を高集積化できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す概略断面図である。
【図２】レーザユニットの構成を示す概略断面図である。
【図３】サブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。
【図４】第２実施形態に係る半導体レーザ装置のサブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。
【図５】第３実施形態に係る半導体レーザ装置のサブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。
【図６】第４実施形態に係る半導体レーザ装置のサブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。
【図７】突出部分の別例を示す断面図である。
【図８】突出部分の更なる別例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しながら、本発明の一側面に係る半導体レーザ装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
［第１実施形態］
【００１７】
図１は、第１実施形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略断面図である。同図に示すように、半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２と、絶縁基板３と、半導体レーザバー（半導体レーザ素子）４及びサブマウント５によって構成されたレーザユニット６を積層してなる積層構造体７とを備えて構成されている。半導体レーザ装置１は、レーザ光の発振方向の反対側で冷却がなされる背面冷却構造となっており、レーザ発振時に半導体レーザバー４で発生した熱が、サブマウント５及び絶縁基板３を介してヒートシンク２側に放熱されるようになっている。ヒートシンク２は、例えば銅（Ｃｕ）などの高い伝熱性を有する材料によって肉厚の板状に形成されている。ヒートシンクの内部には、冷却水などの流路が形成されていてもよい。
【００１８】
絶縁基板３は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの伝熱性及び電気絶縁性を有する材料によって板状に形成されている。絶縁基板３の他の形成材料としては、炭化珪素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドなどが挙げられる。絶縁基板３の一面側には、導体パターン８が設けられている。また、絶縁基板３の他面側には、金属層９が設けられている。絶縁基板３の他面側は、全面にわたってヒートシンク２の一面側に接合されている。ヒートシンク２と絶縁基板３との接合には、鉛フリーの観点から、例えばインジウム（Ｉｎ）ハンダ、ＳｎＡｇＣｕハンダなどが用いられる。
【００１９】
導体パターン８は、例えば絶縁基板３の表面側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）／銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の４層の金属層によって構成されている。導体パターン８は、例えば所定のマスクを用いた蒸着によって形成される。金属層９は、導体パターン８と同様に、チタン（Ｔｉ）／銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の４層の金属層によって構成されている。金属層９は、例えば蒸着によって形成される。導体パターン８の厚さは、金属層９の厚さと等しいか、若しくは金属層９の厚さよりも僅かに大きくなっている。これにより、導体パターン８及び金属層９の形成に起因する絶縁基板３の反りを抑えることができる。
【００２０】
積層構造体７は、複数のレーザユニット６を積層して構成されている。積層構造体７は、レーザユニット６の積層方向と絶縁基板３の面内方向とが一致するように絶縁基板３の一面側に配置されている。レーザユニット６は、図２に示すように、サブマウント５の片面側のみに半導体レーザバー４を固定してなるユニットである。積層方向に隣接するレーザユニット６，６同士は、サブマウント５と半導体レーザバー４とが交互に配置されるように向きを揃えた状態で接合されている（図１参照）。
【００２１】
レーザユニット６，６同士の接合には、例えばヒートシンク２と絶縁基板３との接合に用いられるハンダよりも高融点のハンダが用いられる。このようなハンダとしては、例えば金錫ハンダが挙げられる。積層構造体７において、積層構造体７の一方の積層端に位置するレーザユニット６に対しては、当該レーザユニット６におけるサブマウント５との間で半導体レーザバー４を挟み込むように、追加のサブマウント５が接合されている。レーザユニット６，６同士の接合には、ヒートシンク２と絶縁基板３との接合に用いられるハンダよりも高融点のハンダが用いられる。このようなハンダとしては、例えば金錫ハンダが挙げられる。
【００２２】
サブマウント５は、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）などの熱導電性及び電気伝導性を有する材料によって板状に形成されている。サブマウント５の他の構成材料としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、タングステン（Ｗ）、銅モリブデン（ＭｏＣｕ）複合材料、銅ダイヤモンド複合材料などが挙げられる。サブマウント５の表面には、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）による２層のめっき層、或いはクロム（Ｃｒ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）による３層のめっき層が形成されていてもよい。各サブマウント５において、絶縁基板３（導体パターン８）側を向く一端面５ａ（図２参照）は、絶縁基板３上の導体パターン８に対してハンダ接合されている。各サブマウント５と導体パターン８との接合には、例えばインジウム（Ｉｎ）ハンダが用いられる。この接合部分の詳細については後述する。
【００２３】
半導体レーザバー４は、例えば板状をなしている。半導体レーザバー４の先端面は、図２に示すように、複数の発光領域を有する出射端面４ａとなっている。半導体レーザバー４は、出射端面４ａとサブマウント５の他端面５ｂとが面一になるようにサブマウント５の一面側に接合されている。半導体レーザバー４とサブマウント５との接合には、レーザユニット６，６同士の接合と同様に、ヒートシンク２と絶縁基板３との接合に用いられるハンダよりも高融点のハンダが用いられる。このようなハンダとしては、例えば金錫ハンダが挙げられる。
【００２４】
半導体レーザバー４は、化合物半導体からなる基板を有しており、発光領域に対応する位置に活性層が位置し、活性層の両側にクラッド層が位置している。基板の材料としては、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ），（リン化ガリウム）ＧａＰ、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）などが挙げられる。本実施形態では、例えば基板の主成分はヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）である。活性層にはヒ化ガリウムに加えてインジウム（Ｉｎ）が含まれ、クラッド層にはヒ化ガリウムに加えてアルミニウム（Ａｌ）が含まれている。
【００２５】
以上のような半導体レーザ装置１を駆動する場合、積層構造体７の一方の積層端に位置するサブマウント５に接続されている導体パターン８（８Ａ）と、積層構造体７の他方の積層体に位置するサブマウント５に接続されている導体パターン８（８Ｂ）との間に駆動電圧を印加する。これにより、積層構造体７に含まれる全ての半導体レーザバー４に駆動電流が供給され、出射端面４ａの複数の発光領域からそれぞれレーザ光が発振する。レーザ発振時に半導体レーザバー４で発生した熱は、隣接するサブマウント５から絶縁基板３に伝わり、ヒートシンク２側に放熱される。
【００２６】
続いて、上述したサブマウント５と導体パターン８との接合部分の詳細な構成について説明する。
【００２７】
図３は、サブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。同図に示すように、接合部分Ｐにおいて、サブマウント５及び導体パターン８の少なくとも一方には、相手方に向かって突出する突出部分１１が設けられている。本実施形態では、突出部分１１は、絶縁基板３の一面側に突起状に設けられた導電部材１２によって、導体パターン８側に設けられている。
【００２８】
導電部材１２は、例えば銅などの導電性を有する部材によって構成されている。導電部材１２は、例えば所定のマスクを用いた蒸着によって、絶縁基板３の一面側と各サブマウント５との間にパターニングされている。導電部材１２は、例えば断面矩形状をなし、サブマウント５の奥行方向（図２における紙面の奥行方向）に延在している。導電部材１２の頂部には、複数の金属層からなる上述の導体パターン８が設けられている。また、導電部材１２及び導体パターン８を覆うように、例えば上述したインジウム（Ｉｎ）ハンダによるハンダ層１３が設けられている。
【００２９】
絶縁基板３の一面側からの突出部分１１の高さは、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度となっている。一方、積層構造体７の積層方向に対する突出部分１１の幅Ｗ１は、積層方向に対するサブマウント５の幅Ｗ２よりも小さくなっている。例えばサブマウント５の幅Ｗ２が０．２５ｍｍである場合、突出部分１１の幅Ｗ１は、０．０５ｍｍ以上０．２４ｍｍ未満、好ましくは０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満となっている。これにより、突出部分１１は、サブマウント５の高さ方向（絶縁基板３の法線方向）から見てサブマウント５からはみ出ない範囲に位置し、サブマウント５の一端面５ａと絶縁基板３の一面側との間には、ハンダの逃げ部となる空間Ｓが突出部分１１の両側に形成されている。
【００３０】
なお、ハンダ層１３の裾部（絶縁基板３上に位置する部分）１３ａは、サブマウント５の高さ方向から見てサブマウント５からはみ出ない範囲に位置することが好ましいが、隣接する突出部分１１におけるハンダ層１３の裾部１３ａと十分に間隔を有する限り、サブマウント５から僅かにはみ出していてもよい。
【００３１】
このような突出部分１１を有しない構成（比較例）では、サブマウント５と絶縁基板３との間にハンダの逃げ部となる空間Ｓが形成されない。このため、接合の際に溶融するハンダが絶縁基板３の一面側に沿って流れ、隣り合うサブマウント５と導体パターン８とを接合するハンダに接触してしまうことが考えられる。
【００３２】
これに対し、半導体レーザ装置１では、突出部分１１により、サブマウント５と絶縁基板３との間にハンダの逃げ部が形成されると共に、接合の際に溶融するハンダが突出部分１１の形状に従って流れるため、積層構造体７の積層方向にハンダが拡がることを抑制できる。したがって、半導体レーザバー４の積層ピッチが狭い場合でもハンダによるリークの発生が抑えられ、積層構造体７における半導体レーザバー４の高集積化を実現できる。
【００３３】
また、半導体レーザ装置１では、サブマウント５の一面側のみに半導体レーザバー４を固定してなるレーザユニット６が用いられている。これにより、サブマウント５の両面に半導体レーザバー４を固定する場合に比べて積層構造体７における半導体レーザバー４の高集積化を実現できる。また、半導体レーザバー４を高集積化した場合でも、サブマウント５と絶縁基板３との間に形成されたハンダの逃げ部により、ハンダによるリークの発生が効果的に抑えられる。
【００３４】
また、本実施形態では、絶縁基板３の一面側に突起状に設けられた導電部材１２によって、導体パターン８側に突出部分１１が設けられている。この場合、簡単な構成で突出部分１１を設けることができ、接合部分Ｐにおいてサブマウント５と導体パターン８とをしっかりと接合できる。ハンダ層１３が導電部材１２及び導体パターン８を覆うように設けられていることで、接合の際に溶融するハンダが突出部分１１の側面形状に従って絶縁基板３側に流れるため、積層構造体７の積層方向にハンダが拡がることを一層確実に抑制される。
［第２実施形態］
【００３５】
図４は、第２実施形態に係る半導体レーザ装置のサブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。同図に示すように、第２実施形態では、サブマウント５と導体パターン８との接合部分Ｐの構成が第１実施形態と異なっている。他の構成については、第１実施形態と同様である。より具体的には、第２実施形態では、導電性を有する部材の蒸着ではなく、絶縁基板３の一面側にエッチング等を施すことによって設けられた凹凸面３ａの凸部１４によって、導体パターン８側に突出部分１１が設けられている。導体パターン８は、凸部１４の頂部に設けられ、ハンダ層１３は、凸部１４及び導体パターン８を覆うように設けられている。
【００３６】
このような構成においても、サブマウント５の幅Ｗ２よりも小さい幅Ｗ１を有する突出部分１１により、サブマウント５と絶縁基板３との間にハンダの逃げ部が形成されると共に、接合の際に溶融するハンダが突出部分１１の形状に従って流れるため、積層構造体７の積層方向にハンダが拡がることを抑制できる。したがって、半導体レーザバー４の積層ピッチが狭い場合でもハンダによるリークの発生が抑えられ、積層構造体７における半導体レーザバー４の高集積化を実現できる。また、簡単な構成で突出部分１１を設けることができ、接合部分Ｐにおいてサブマウント５と導体パターン８とをしっかりと接合できる。
［第３実施形態］
【００３７】
図５は、第３実施形態に係る半導体レーザ装置のサブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。同図に示すように、第３実施形態では、サブマウント５と導体パターン８との接合部分Ｐの構成が第１実施形態と更に異なっている。他の構成については、第１実施形態と同様である。
【００３８】
より具体的には、第３実施形態では、サブマウント５における絶縁基板３側の一端面５ａに設けられた突起１５によって、サブマウント５側に突出部分１１が設けられている。突起１５は、例えばサブマウント５の端部の切削によって形成される。ハンダ層１３は、サブマウント５側の突起１５を覆うように設けられ、導体パターン８は、所定のマスクを用いた蒸着によって絶縁基板３の一面側に直接に形成されている。
【００３９】
このような構成においても、サブマウント５の幅Ｗ２よりも小さい幅Ｗ１を有する突出部分１１により、サブマウント５と絶縁基板３との間にハンダの逃げ部が形成されると共に、接合の際に溶融するハンダが突出部分１１の形状に従って流れるため、積層構造体７の積層方向にハンダが拡がることを抑制できる。したがって、半導体レーザバー４の積層ピッチが狭い場合でもハンダによるリークの発生が抑えられ、積層構造体７における半導体レーザバー４の高集積化を実現できる。また、簡単な構成で突出部分１１を設けることができ、接合部分Ｐにおいてサブマウント５と導体パターン８とをしっかりと接合できる。
［第４実施形態］
【００４０】
図６は、第４実施形態に係る半導体レーザ装置のサブマウントと導体パターンとの接合部分を示す要部拡大断面図である。同図に示すように、第４実施形態では、サブマウント５と導体パターン８との接合部分Ｐの構成が第１実施形態と更に異なっている。他の構成については、第１実施形態と同様である。
【００４１】
より具体的には、第４実施形態では、絶縁基板３の一面側に突起状に設けられた導電部材１２と、サブマウント５における絶縁基板３側の一端面５ａに設けられた突起１５とによって、導体パターン８側及びサブマウント５側の双方に突出部分１１が設けられている。第１実施形態と同様に、導体パターン８は、導電部材１２の頂部に設けられ、ハンダ層１３は、導電部材１２及び導体パターン８を覆うように設けられている。
【００４２】
このような構成においても、サブマウント５の幅Ｗ２よりも小さい幅Ｗ１を有する突出部分１１により、サブマウント５と絶縁基板３との間にハンダの逃げ部が形成されると共に、接合の際に溶融するハンダが突出部分１１の形状に従って流れるため、積層構造体７の積層方向にハンダが拡がることを抑制できる。したがって、半導体レーザバー４の積層ピッチが狭い場合でもハンダによるリークの発生が抑えられ、積層構造体７における半導体レーザバー４の高集積化を実現できる。また、簡単な構成で突出部分１１を設けることができ、接合部分Ｐにおいてサブマウント５と導体パターン８とをしっかりと接合できる。さらに、導体パターン８側及びサブマウント５側の双方に突出部分１１が設けられることで、ハンダの逃げ部を大きく確保できる。したがって、ハンダによるリークを一層確実に抑制できる。
［変形例］
【００４３】
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上記実施形態では、積層方向に対する突出部分１１の中心位置と、積層方向に対するサブマウント５の中心位置とが一致しているが、突出部分１１の中心位置は、サブマウント５の中心位置に対して片側にずれていてもよい。また、例えば積層構造体７において、図３又は図４に示した突出部分１１の構成と、図５に示した突出部分１１の構成とを交互に設けてもよい。この場合、隣り合う接合部分Ｐ同士でハンダ層１３の裾部１３ａの位置が反転するため、ハンダによるリークの発生を一層好適に抑制できる。
【００４４】
また、上記実施形態では、断面矩形の突出部分１１を例示したが、突出部分１１の断面形状は、矩形状に限られず、三角形状や円形状といった他の形状であってもよい。他の断面形状を適用する場合、積層方向に対する突出部分１１の最大幅が、積層方向に対するサブマウント５の幅よりも小さくなっていればよい。また、例えば断面台形状の突出部分１１を採用する場合には、絶縁基板３側に向かって裾広がりとなるように突出部分１１を形成することが好ましい。こうすることで、サブマウント５側から絶縁基板３側への放熱性を高めることが可能となる。
【００４５】
このような構成を第１実施形態に適用する場合には、例えば図７に示すように、絶縁基板３側に向かって裾広がりとなる断面台形状の導電部材１２を絶縁基板３の一面側に設け、導電部材１２及び導体パターン８を覆うようにハンダ層１３を設ければよい。図示しないが、第２実施形態に適用する場合には、絶縁基板３の凹凸面３ａの凸部１４を絶縁基板３側に向かって裾広がりとなる断面台形状に設け、導電部材１２及び導体パターン８を覆うようにハンダ層１３を設ければよい。
【００４６】
また、第３実施形態に適用する場合には、図８に示すように、絶縁基板３側に向かって裾広がりとなる断面台形状の突起１５をサブマウント５の一端面５ａに設け、突起１５を覆うようにハンダ層１３を設ければよい。図示しないが、第４実施形態に適用する場合には、サブマウント５の一端面５ａ側の突起１５の頂面の幅と導電部材１２の頂面の幅とを略一致させ、突起１５と導電部材１２とを合わせたときに絶縁基板３側に向かって裾広がりとなる断面台形状の突出部分１１を構成すればよい。
【符号の説明】
【００４７】
１…半導体レーザ装置、３…絶縁基板、３ａ…凹凸面、４…半導体レーザバー（半導体レーザ素子）、５…サブマウント、６…レーザユニット、７…積層構造体、８…導体パターン、１１…突出部分、１２…導電部材、１３…ハンダ層（ハンダ）、１４…凸部、１５…突起、Ｐ…接合部分、Ｗ１…突出部分の幅、Ｗ２…サブマウントの幅。
【図１】
2018085442.tif 000003
【図２】
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【図３】
2018085442.tif 000005
【図４】
2018085442.tif 000006
【図５】
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【図６】
2018085442.tif 000008
【図７】
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【図８】
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