(57)【要約】【課題】パッケージデバイスチップの歩留りの低下を抑制することができるパッケージデバイスチップの製造方法を提供すること。【解決手段】パッケージデバイスチップの製造方法は、ウエーハに溝を形成する溝形成ステップＳＴ１と、パッケージウエーハを形成するモールドステップＳＴ２と、裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップＳＴ４と、溝を外周部で露出させるモールド樹脂除去ステップＳＴ５と、分割溝の位置を割り出すアライメントステップＳＴ６と、割り出した位置に基づいてレーザー光線を溝に照射し分割溝を形成する分割溝形成ステップＳＴ７と、不完全切断の領域が発生しているかを確認する完全切断確認ステップＳＴ８と、切り残し部の残存で不完全切断となった領域が確認されたパッケージウエーハに対し、エキスパンドテープを拡張して切り残し部を破断する破断ステップＳＴ９とを備える。【選択図】図４
2018152380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージデバイスチップの製造方法であって、
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該溝にモールド樹脂を充填するとともに該ウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するモールドステップと、
該パッケージウエーハの裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップの後に、該パッケージウエーハ表面の外周部に被覆された該モールド樹脂を除去して、該モールド樹脂が充填された該溝を外周部で露出させるモールド樹脂除去ステップと、
該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周部で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該パッケージウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝で完全切断された領域と切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認される該パッケージウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該パッケージウエーハから該パッケージデバイスチップを得る破断ステップと、を備えるパッケージデバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該モールドステップの後で、該モールド樹脂除去ステップの前に、該パッケージウエーハのモールド面側に保護部材を貼着し、該パッケージウエーハの裏面を研削して薄化し、該モールド樹脂が充填された該溝を裏面に露出させる研削ステップを備えることを特徴とする請求項１に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。
【請求項３】
該モールドステップの後で該テープ貼着ステップの前に、パッケージウエーハの裏面に該レーザー光線の波長が吸収される材料の補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップを備え、
該分割溝形成ステップでは、該補強フィルムも該分割溝によって分割される請求項１に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。
【請求項４】
デバイスチップの製造方法であって、
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハに該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該ウエーハの表面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該溝に沿って形成する該ウエーハの分割溝の位置を露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該ウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝の溝底に切り残し部が残存して、該ウエーハに不完全切断の領域が発生しているかを確認する完全切断確認ステップと、
該完全切断確認ステップで、該分割溝で完全切断された領域と該切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認された該ウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該ウエーハから該デバイスチップを得る破断ステップと、を備えるデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージデバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法として、切削ブレードによる切削加工やパルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工が知られている。個々に分割されたデバイスチップは、マザー基板等に固定され、ワイヤ等で配線され、モールド樹脂でパッケージされるのが一般的である。しかしながら、デバイスチップは、側面の微細なクラックなどにより、長時間稼働すると、クラックが伸展し破損する虞がある。このようなデバイスチップの破損を抑制するために、デバイスチップの側面をモールド樹脂で覆い、外的環境要因をデバイスチップに及ぼされなくするパッケージ手法が、開発された（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に示されたパッケージ手法は、まず、ウエーハの表面から分割予定ライン（ストリート）に沿って溝を形成し、溝とウエーハ表面にモールド樹脂を充填する。その後、特許文献１に示されたパッケージ手法は、ウエーハを裏面から溝のモールド樹脂が露出するまで薄化してウエーハのデバイスを分割する。特許文献１に示されたパッケージ手法は、最後に、ウエーハの表面から溝内のモールド樹脂を分割し個々のデバイスチップに分割する。前述したパッケージ手法において、デバイスチップに分割するために、切削加工ではなく、パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工を用いることが開発されている。アブレーション加工を用いることは、デバイスチップ同士の分割で用いられる切り代を非常に狭くして、分割予定ラインを非常に細く設計することができ、ウエーハ１枚当たりのデバイスチップの数を増やすことができるために有益である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１００７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工は、モールド樹脂に非常に狭い貫通溝を形成するため、複数回パルスレーザー光線を走査し、狭い溝を徐々に深くする加工方法である。パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工は、加工時間を短縮するため、パルスレーザー光線の最小の走査回数で加工するため、突発的にモールド樹脂が厚くなっている箇所などがあると、その部分だけモールド樹脂を除去しきれず、貫通溝を適切に形成できずに盲穴状態となってしまう。このために、従来の加工方法では、アブレーション加工後のウエーハを１枚ずつオペレーターが確認し、貫通溝が盲穴状態となった領域付近のデバイスを不良チップとして、廃棄していた。このように、従来の加工方法では、貫通溝が盲穴状態となった領域近傍のデバイス自体に問題が無くても不良チップとして破棄するために、パッケージデバイスチップの歩留りが低下する傾向であった。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、パッケージデバイスチップの歩留りの低下を抑制することができるパッケージデバイスチップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージデバイスチップの製造方法は、パッケージデバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、該溝にモールド樹脂を充填するとともに該ウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するモールドステップと、該パッケージウエーハの裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップの後に、該パッケージウエーハ表面の外周部に被覆された該モールド樹脂を除去して、該モールド樹脂が充填された該溝を外周部で露出させるモールド樹脂除去ステップと、該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周部で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該パッケージウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、該分割溝で完全切断された領域と切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認される該パッケージウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該パッケージウエーハから該パッケージデバイスチップを得る破断ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
前記パッケージデバイスチップの製造方法において、該モールドステップの後で、該モールド樹脂除去ステップの前に、該パッケージウエーハのモールド面側に保護部材を貼着し、該パッケージウエーハの裏面を研削して薄化し、該モールド樹脂が充填された該溝を裏面に露出させる研削ステップを備えても良い。
【０００９】
前記パッケージデバイスチップの製造方法において、該モールドステップの後で該テープ貼着ステップの前に、パッケージウエーハの裏面に該レーザー光線の波長が吸収される材料の補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップを備え、該分割溝形成ステップでは、該補強フィルムも該分割溝によって分割されても良い。
【発明の効果】
【００１０】
そこで、本願発明のパッケージデバイスチップの製造方法では、パッケージデバイスチップの歩留りの低下を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のウエーハの斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップに用いられる切削装置の概略の構成を示す斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｃ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。
【図７】図７は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールドステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【図８】図８は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールドステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【図９】図９（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図であり、図９（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。
【図１０】図１０は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。
【図１１】図１１（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂除去ステップを示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【図１２】図１２は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップ及び分割溝形成ステップに用いられるレーザー加工装置の概略の構成を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップを示す斜視図である。
【図１４】図１４は、図１３に示されたパッケージウエーハの平面図である。
【図１５】図１５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの一例を示す平面図である。
【図１６】図１６は、図１５中のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。
【図１７】図１７は、図１５中のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図１８】図１８は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の完全切断確認ステップを示す側面図である。
【図１９】図１９は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の破断ステップにおいて破断装置にパッケージウエーハを固定した状態を示す断面図である。
【図２０】図２０は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の破断ステップにより複数のパッケージデバイスチップに分割されたパッケージウエーハを示す断面図である。
【図２１】図２１は、実施形態２に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
【図２２】図２２は、実施形態２に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図２３】図２３は、図２２に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の補強フィルム貼着ステップを示す斜視図である。
【図２４】図２４は、図２２に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。
【図２５】図２５は、図２２に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの断面の一例を示す断面図である。
【図２６】図２６は、図２５に示されたパッケージウエーハの破断ステップ後の断面図である。
【図２７】図２７は、実施形態３に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のウエーハの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法を説明する。図１（ａ）は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。図２は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。図３は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。図４は、実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００１４】
実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法は、被加工物である図２に示すパッケージウエーハ２０１の分割予定ライン２０２にアブレーション加工等を施して、図３に示すパッケージデバイスチップ２０３を製造する方法である。実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法によりパッケージデバイスチップ２０３に分割されるパッケージウエーハ２０１は、図１に示すウエーハ２０４により構成される。図１（ａ）に示すウエーハ２０４は、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板２０５とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ２０４は、図１（ａ）に示すように、交差（実施形態１では、直交）する複数の分割予定ライン２０２によって区画された複数の領域にそれぞれデバイス２０６が形成されたデバイス領域２０７と、デバイス領域２０７を囲繞しかつデバイス２０６が形成されていない外周余剰領域２０８とを表面２０９に備える。デバイス２０６の表面には、図１（ｂ）に示すように、複数の突起電極であるバンプ２１０が形成されている。
【００１５】
ウエーハ２０４は、図２に示すように、デバイス領域２０７の表面２０９、及び分割予定ライン２０２に沿って分割予定ライン２０２に形成された溝２１１がモールド樹脂２１２で覆われてパッケージウエーハ２０１に構成される。即ち、パッケージウエーハ２０１は、基板２０５の表面２０９に設けられたデバイス２０６上とデバイス２０６間の溝２１１とにモールド樹脂２１２が充填されている。パッケージウエーハ２０１は、分割予定ライン２０２に形成された溝２１１が分割されて、図３に示すパッケージデバイスチップ２０３に分割される。パッケージデバイスチップ２０３は、基板２０５の表面２０９上に設けられたデバイス２０６上と全ての側面２１３とがモールド樹脂２１２により被覆され、バンプ２１０がモールド樹脂２１２から突出して、バンプ２１０が露出している。
【００１６】
なお、実施形態１において、パッケージウエーハ２０１の溝２１１の幅は、分割予定ライン２０２の幅よりも狭く、例えば３０μｍである。実施形態１において、パッケージウエーハ２０１の厚さ（仕上がり厚さともいう）は、デバイスに分割される半導体ウエーハよりも厚く、例えば、３００μｍである。実施形態１において、パッケージデバイスチップ２０３の平面形状は、切削ブレードを用いて半導体ウエーハから分割されるデバイスよりも大きく、例えば、一辺が３ｍｍの四角形に形成されている。
【００１７】
実施形態１に係るパッケージデバイスチップの製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、図４に示すように、溝形成ステップＳＴ１と、モールドステップＳＴ２と、研削ステップＳＴ３と、テープ貼着ステップＳＴ４と、モールド樹脂除去ステップＳＴ５と、アライメントステップＳＴ６と、分割溝形成ステップＳＴ７と、完全切断確認ステップＳＴ８と、破断ステップＳＴ９とを備える。実施形態１に係る製造方法は、モールドステップＳＴ２を実施した後に研削ステップＳＴ３を実施するが、本発明は、モールド樹脂除去ステップＳＴ５の前に研削ステップＳＴ３を実施しても良い。
【００１８】
（溝形成ステップ）
溝形成ステップＳＴ１は、ウエーハ２０４の表面２０９に分割予定ライン２０２に沿った溝２１１を形成するステップである。図５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップに用いられる切削装置の概略の構成を示す斜視図である。図６（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図である。図６（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図である。図６（ｃ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。
【００１９】
溝形成ステップＳＴ１で形成される溝２１１の深さは、パッケージウエーハ２０１の仕上がり厚さ以上である。実施形態１において、溝形成ステップＳＴ１は、表面２０９の裏側の裏面２１４にダイシングテープ２１５を貼着し、ダイシングテープ２１５の外周に環状フレーム２１６を取り付けて、図５に示すように、ウエーハ２０４を環状フレーム２１６で支持する。
【００２０】
溝形成ステップＳＴ１は、切削装置１００のチャックテーブル１０１の保持面１０２にウエーハ２０４の裏面２１４をダイシングテープ２１５を介して吸引保持して、図６（ａ）に示すように、切削装置１００の切削ユニット１０３の切削ブレード１０４を用いて分割予定ライン２０２を切削する。溝形成ステップＳＴ１は、分割予定ライン２０２を切削して、図６（ｂ）に示すように、ウエーハ２０４の表面２０９に分割予定ライン２０２に沿った溝２１１を形成する。
【００２１】
溝形成ステップＳＴ１は、チャックテーブル１０１を図示しないＸ軸移動ユニットにより水平方向と平行なＸ軸方向に移動させ、切削ユニット１０３の切削ブレード１０４をＹ軸移動ユニット１０５により水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させ、切削ユニット１０３の切削ブレード１０４をＺ軸移動ユニット１０６により鉛直方向と平行なＺ軸方向に移動させて、図６（ｃ）に示すように、ウエーハ２０４の各分割予定ライン２０２の表面２０９に溝２１１を形成する。なお、本発明では、溝形成ステップＳＴ１は、レーザー光線を用いたアブレーション加工で溝２１１を形成しても良い。
【００２２】
（モールドステップ）
モールドステップＳＴ２は、溝２１１にモールド樹脂２１２を充填するとともにウエーハ２０４の表面２０９をモールド樹脂２１２で被覆し、パッケージウエーハ２０１を形成するステップである。図７は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールドステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。図８は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールドステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【００２３】
実施形態１において、モールドステップＳＴ２は、図示しない樹脂被覆装置の保持テーブルにウエーハ２０４の裏面２１４をダイシングテープ２１５を介して保持し、ウエーハ２０４の表面２０９を型枠で覆い、型枠中にモールド樹脂２１２を充填して、モールド樹脂２１２で表面２０９全体及び溝２１１を覆う。実施形態１において、モールド樹脂２１２として熱硬化性樹脂を用いる。モールドステップＳＴ２は、ウエーハ２０４の表面２０９全体及び溝２１１を覆ったモールド樹脂２１２を加熱して、硬化させる。また、実施形態１は、モールド樹脂２１２で表面２０９全体及び溝２１１を覆った際に、バンプ２１０が露出しているが、本発明は、硬化したモールド樹脂２１２に研磨加工を施して、バンプ２１０を確実に露出させるようにしても良い。
【００２４】
（研削ステップ）
研削ステップＳＴ３は、モールドステップＳＴ２の後で、モールド樹脂除去ステップＳＴ５の前に、パッケージウエーハ２０１のモールド樹脂２１２により被覆されたモールド面２１７側に保護部材２１８を貼着し、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４を研削して薄化し、モールド樹脂２１２が充填された溝２１１を裏面２１４に露出させるステップである。図９（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。図９（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。
【００２５】
研削ステップＳＴ３は、図９（ａ）に示すように、パッケージウエーハ２０１のモールド面２１７側に保護部材２１８を貼着し、ダイシングテープ２１５を裏面２１４から剥がした後、保護部材２１８を研削装置１１０のチャックテーブル１１１の保持面１１２に吸引保持し、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４に研削砥石１１３を当接させて、チャックテーブル１１１及び研削砥石１１３を軸心回りに回転して、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４に研削加工を施す。研削ステップＳＴ３は、図９（ｂ）に示すように、パッケージウエーハ２０１の基板２０５を仕上がり厚さまで薄化して、溝２１１に充填されたモールド樹脂２１２が露出するまでパッケージウエーハ２０１を薄化する。
【００２６】
（テープ貼着ステップ）
テープ貼着ステップＳＴ４は、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４に伸縮性を有するエキスパンドテープ２１９を貼着するステップである。図１０は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。
【００２７】
テープ貼着ステップＳＴ４は、図１０に示すように、外周に環状フレーム２２０が貼着されたエキスパンドテープ２１９にパッケージウエーハ２０１の裏面２１４を貼着し、保護部材２１８をモールド面２１７から剥がす。
【００２８】
（モールド樹脂除去ステップ）
モールド樹脂除去ステップＳＴ５は、テープ貼着ステップＳＴ４の後に、パッケージウエーハ２０１の表面１０９の外周部である外周余剰領域２０８に被覆されたモールド樹脂２１２を除去して、モールド樹脂２１２が充填された溝２１１を外周余剰領域２０８で露出させるステップである。図１１（ａ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂除去ステップを示す斜視図である。図１１（ｂ）は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【００２９】
実施形態１において、モールド樹脂除去ステップＳＴ５は、パッケージウエーハ２０１の外周余剰領域２０８の外周縁の全周に亘ってモールド樹脂２１２を除去する。実施形態１において、モールド樹脂除去ステップＳＴ５は、溝形成ステップＳＴ１と同様に、図１１（ａ）に示すように、切削装置１００のチャックテーブル１０１の保持面１０２にパッケージウエーハ２０１の裏面２１４をエキスパンドテープ２１９を介して吸引保持し、チャックテーブル１０１を回転駆動源１０７にＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ブレード１０８を基板２０５に達するまで外周余剰領域２０８の外周縁上のモールド樹脂２１２に切り込ませて、外周余剰領域２０８の外周縁上にモールド樹脂２１２が充填された溝２１１を露出させる。モールド樹脂除去ステップＳＴ５は、図１１（ｂ）に示すように、パッケージウエーハ２０１の外周余剰領域２０８の外周縁のモールド樹脂２１２を除去する。なお、図１０、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、バンプ２１０を省略している。
【００３０】
（アライメントステップ）
アライメントステップＳＴ６は、溝２１１に沿って形成するパッケージウエーハ２０１の図１５に示す分割溝２２１の位置を、外周余剰領域２０８で露出した溝２１１に基づいて割り出すステップである。図１２は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップ及び分割溝形成ステップに用いられるレーザー加工装置の概略の構成を示す斜視図である。図１３は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップを示す斜視図である。図１４は、図１３に示されたパッケージウエーハの平面図である。
【００３１】
アライメントステップＳＴ６は、モールド樹脂２１２が充填された溝２１１を外周余剰領域２０８で露出させたパッケージウエーハ２０１を図１２に示すレーザー加工装置１２０のチャックテーブル１２１の保持面１２２で吸引保持し、環状フレーム２２０をクランプ部１２３でクランプする。
【００３２】
アライメントステップＳＴ６で、レーザー加工装置１２０の制御ユニット１２４は、チャックテーブル１２１を割り出し送り方向である水平方向と平行なＹ軸方向にＹ軸移動ユニット１２５に移動させて、複数の分割予定ライン２０２のうちの一つの分割予定ライン２０２の外周余剰領域２０８で露出した溝２１１に撮像ユニット１２６を対向させて、撮像ユニット１２６に撮像させる。アライメントステップＳＴ６で、レーザー加工装置１２０の制御ユニット１２４は、撮像ユニット１２６が撮像した分割予定ライン２０２に形成された溝２１１の画像に基づいて、レーザー加工装置１２０の回転駆動源１２７に軸心回りにチャックテーブル１２１を回転させて、図１４に示すように、互いに直交する分割予定ライン２０２のうちの一方の分割予定ライン２０２に形成された溝２１１をＸ軸方向と平行にする。
【００３３】
アライメントステップＳＴ６で、レーザー加工装置１２０の制御ユニット１２４は、図１３に示すように、Ｘ軸移動ユニット１２８とＹ軸移動ユニット１２５によりパッケージウエーハ２０１の外周縁に沿ってチャックテーブル１２１と撮像ユニット１２６とを相対的に移動させて、パッケージウエーハ２０１の外周縁で露出した溝２１１を順次撮像する。また、実施形態１において、図１４に示すように、アライメントステップＳＴ６では、制御ユニット１２４が撮像ユニット１２６にＸ軸方向と平行な一方の分割予定ライン２０２に形成されている溝２１１を撮像させた後、回転駆動源１２７にチャックテーブル１２１を軸心回りに９０度回転させて、制御ユニット１２４が撮像ユニット１２６にＸ軸方向と平行な他方の分割予定ライン２０２に形成されている溝２１１を撮像させて、全ての溝２１１を撮像する。アライメントステップＳＴ６で、レーザー加工装置１２０の制御ユニット１２４は、撮像ユニット１２６が撮像した溝２１１の画像から溝２１１に形成する分割溝２２１の位置を割り出して、記憶する。なお、実施形態１において、制御ユニット１２４は、溝２１１の幅方向の中央を分割溝２２１の位置として割り出す。
【００３４】
なお、制御ユニット１２４は、レーザー加工装置１２０の各構成要素を制御するコンピュータである。制御ユニット１２４は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット１２４の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１２０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１２０の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット１２４は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。なお、図１３及び図１４は、バンプ２１０を省略している。
【００３５】
（分割溝形成ステップ）
分割溝形成ステップＳＴ７は、アライメントステップＳＴ６で割り出した位置に基づいて、モールド樹脂２１２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線２２２をレーザー光線照射ユニット１２９から溝２１１に沿って照射し、溝２１１に充填されたモールド樹脂２１２にパッケージウエーハ２０１を分割する分割溝２２１を形成するステップである。図１５は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの一例を示す平面図である。図１６は、図１５中のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。図１７は、図１５中のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【００３６】
レーザー光線照射ユニット１２９がチャックテーブル１２１の保持面１２２に保持されたパッケージウエーハ２０１の表面２０９に照射するレーザー光線２２２は、パッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）でかつレーザーパワーが一定なパルス状のレーザー光線である。レーザー光線２２２の波長は、他にも５３２ｎｍなども使用でき、モールド樹脂２１２が吸収する２００ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲内の波長であれば良い。
【００３７】
分割溝形成ステップＳＴ７で、レーザー加工装置１２０の制御ユニット１２４は、Ｘ軸移動ユニット１２８及びＹ軸移動ユニット１２５に、レーザー光線照射ユニット１２９とチャックテーブル１２１とをアライメントステップＳＴ６で割り出した位置に基づいて、各分割予定ライン２０２に沿って相対的に移動させて、レーザー光線照射ユニット１２９からレーザー光線２２２を溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に照射する。分割溝形成ステップＳＴ７で、レーザー加工装置１２０の制御ユニット１２４は、Ｘ軸方向に沿って各分割予定ライン２０２に沿って相対的にレーザー光線照射ユニット１２９を複数回移動される間に、各分割予定ライン２０２の溝２１１内のモールド樹脂２１２にレーザー光線２２２を照射する。なお、各分割予定ライン２０２に沿って相対的にレーザー光線照射ユニット１２９を移動する回数は、該溝２１１のモールド樹脂２１２を分割する分割溝２２１を形成可能な最低限の回数である。
【００３８】
分割溝形成ステップＳＴ７で、レーザー加工装置１２０の制御ユニット１２４は、全ての分割予定ライン２０２の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２にレーザー光線２２２を照射して、パッケージウエーハ２０１をアブレーション加工して、分割予定ライン２０２の溝２１１に充填されたモールド樹脂２１２に分割溝２２１を形成する。
【００３９】
分割溝形成ステップＳＴ７後のパッケージウエーハ２０１の分割予定ライン２０２の溝２１１内のモールド樹脂２１２に形成された大部分の分割溝２２１（以下、符号２２１−１で示す）は、図１５及び図１７に示すように、溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２を貫通している。しかしながら、各分割予定ライン２０２に沿って相対的にレーザー光線照射ユニット１２９を移動する回数が、分割溝２２１を形成可能な最低限の回数であるために、分割溝形成ステップＳＴ７後のパッケージウエーハ２０１に形成された一部分の分割溝２２１（以下、符号２２１−２で示す）は、図１５及び図１６に示すように、分割溝２２１の溝底にモールド樹脂２１２の切り残し部２２４が残存して、分割溝２２１が溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２を貫通していていないことがある。本明細書は、パッケージウエーハ２０１の分割溝２２１内のモールド樹脂２１２を貫通した領域を、分割溝２２１で完全切断された領域２２１−１といい、パッケージウエーハ２０１の分割溝２２１の溝底にモールド樹脂２１２が残存した領域を、不完全切断の領域２２１−２又は不完全切断となった領域２２１−２という。なお、図１５は、分割予定ライン２０２に形成された分割溝２２１の完全切断された領域２２１−１を白地で示し、分割予定ライン２０２に形成された分割溝２２１の不完全切断となった領域２２１−２を平行斜線で示す。なお、図１５は、バンプ２１０を省略している。
【００４０】
（完全切断確認ステップ）
完全切断確認ステップＳＴ８は、分割溝２２１の溝底に切り残し部２２４が残存して、パッケージウエーハ２０１に不完全切断の領域２２１−２が発生しているか否かを確認するステップである。図１８は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の完全切断確認ステップを示す側面図である。
【００４１】
実施形態１において、完全切断確認ステップＳＴ８は、図１８に示すように、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４側に光源２２５を配置し、表面２０９側に位置するオペレータが分割溝２２１を通して光源２２５の光を目視できるか否かで、パッケージウエーハ２０１に不完全切断の領域２２１−２が発生しているか否かを確認する。しかしながら、本発明では、パッケージウエーハ２０１を挟んで、光源２２５と図示しない撮像装置とを配置し、撮像装置が撮像した画像に画像処理を施して、パッケージウエーハ２０１に不完全切断の領域２２１−２が発生しているか否かを確認しても良い。また、本発明は、チャックテーブル１２１に光源２２５を内蔵させ、保持面１２２を透過性を有する材料で構成して、完全切断確認ステップＳＴ８において、光源２２５を点灯させて、オペレータの目視又は撮像装置が雑奏した画像でパッケージウエーハ２０１に不完全切断の領域２２１−２が発生しているか否かを確認しても良い。
【００４２】
（破断ステップ）
破断ステップＳＴ９は、完全切断確認ステップＳＴ８で、分割溝２２１で完全切断された領域２２１−１と切り残し部２２４の残存で不完全切断となった領域２２１−２とが両方確認されたパッケージウエーハ２０１に対し、エキスパンドテープ２１９を拡張して分割溝２２１の切り残し部２２４を分割予定ライン２０２に沿って破断し、パッケージウエーハ２０１から該パッケージデバイスチップ２０３を得るステップである。図１９は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の破断ステップにおいて破断装置にパッケージウエーハを固定した状態を示す断面図である。図２０は、図４に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の破断ステップにより複数のパッケージデバイスチップに分割されたパッケージウエーハを示す断面図である。
【００４３】
破断ステップＳＴ９は、パッケージウエーハ２０１を環状フレーム２２０で支持された状態のまま破断装置１３０に搬送し、環状フレーム２２０を破断装置１３０のクランプ部１３１に挟み込んで固定する。そして、破断ステップＳＴ９は、図１９に示すように、破断装置１３０の押圧部材１３２をエキスパンドテープ２１９に当接させた後、図２０に示すように、押圧部材１３２を上昇させて、エキスパンドテープ２１９を面方向に拡張させる。それにより、破断ステップＳＴ９は、パッケージウエーハ２０１に対して、エキスパンドテープ２１９の面方向すなわちパッケージウエーハ２０１の半径方向に向かう外力を付与し、完全切断された領域２２１−１のパッケージデバイスチップ２０３間の間隔を広げるとともに、不完全切断となった領域２２１−２の切り残し部２２４を分割予定ライン２０２に沿って破断し、パッケージウエーハ２０１から個々のパッケージデバイスチップ２０３を得る。
【００４４】
その後、分割されたパッケージデバイスチップ２０３は、エキスパンドテープ２１９に吸着されたまま次工程へと搬送される。また、完全切断確認ステップＳＴ８で不完全領域の領域２２１−２が確認されなかった、パッケージウエーハ２０１即ち完全切断された領域２２１−１のみを有するパッケージウエーハ２０１は、破断ステップＳＴ９が実施されることなく、次工程へと搬送されても良い。次工程において、エキスパンドテープ２１９から各パッケージデバイスチップ２０３を剥離させる際には、例えばバキュームパッドを用いて複数のパッケージデバイスチップ２０３を吸引すれば、複数のパッケージデバイスチップ２０３をエキスパンドテープ２１９から一括に剥離させることができる。
【００４５】
実施形態１に係る製造方法は、不完全切断となった領域２２１−２が発生したパッケージウエーハ２０１に対し、破断ステップＳＴ９でエキスパンドテープ２１９を拡張して、切り残し部２２４を分割予定ライン２０２に沿って破断する。このために、実施形態１に係る製造方法は、分割溝２２１の溝底に切り残し部２２４があっても、エキスパンドテープ２１９の拡張により切り残し部２２４を破断でき、確実に個々のパッケージデバイスチップ２０３に分割できるという効果を奏し、分割溝形成ステップＳＴ７で不完全切断となった領域２２１−２付近のパッケージデバイスチップ２０３を不良チップとして破棄することを抑制することができる。その結果、実施形態１に係る製造方法は、パッケージデバイスチップ２０３の歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。
【００４６】
また、実施形態１に係る製造方法は、モールドステップＳＴ２の後でかつモールド樹脂除去ステップＳＴ５の前に、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４を研削して、溝２１１を裏面２１４に露出させる研削ステップＳＴ３を備える。このために、実施形態１に係る製造方法は、分割溝形成ステップＳＴ７でレーザー光線２２２を溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に照射でき、分割溝２２１を所望の位置に形成することができる。
【００４７】
〔実施形態２〕
実施形態２に係るパッケージデバイスチップの製造方法を説明する。図２１は、実施形態２に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。図２２は、実施形態２に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図２３は、図２２に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の補強フィルム貼着ステップを示す斜視図である。図２４は、図２２に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。図２５は、図２２に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの断面の一例を示す断面図である。図２６は、図２５に示されたパッケージウエーハの破断ステップ後の断面図である。図２１から図２６は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４８】
実施形態２に係るパッケージデバイスチップの製造方法（以下、単に製造方向と記す）は、図２１に示すパッケージデバイスチップ２０３−２を製造する方法である。図２１に示すパッケージデバイスチップ２０３−２は、基板２０５の裏面２１４の全体に補強フィルム２２６が貼着されていること以外、実施形態１に示されたパッケージデバイスチップ２０３と構成が等しい。
【００４９】
実施形態２に係る製造方法は、図２２に示すように、研削ステップＳＴ３の実施後の補強フィルム貼着ステップＳＴ１０を備え、テープ貼着ステップＳＴ４が実施形態１と異なること以外、実施形態１と等しい。
【００５０】
補強フィルム貼着ステップＳＴ１０は、モールドステップＳＴ２の後でテープ貼着ステップＳＴ４の前に、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４にレーザー光線２２２の波長が吸収される材料の補強フィルム２２６を貼着するステップである。実施形態２において、補強フィルム貼着ステップＳＴ１０は、研削ステップＳＴ３後に、図２３に示すように、研削後のパッケージウエーハ２０１の裏面２１４に補強フィルム２２６を貼り付ける。補強フィルム２２６は、レーザー光線２２２を吸収する材料により構成され、パッケージデバイスチップ２０３の裏面２１４を保護するためのチップ裏面保護テープであり、パッケージウエーハ２０１と概ね同形に形成されている。
【００５１】
具体的には、補強フィルム２２６は、特開２００４−２６０１９０号公報に開示された保護膜形成層を備えるチップ裏面保護テープ等を用いると良い。なお、この保護膜形成層は、代表的には、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性成分（又は、紫外線硬化型樹脂等のエネルギー線硬化性成分）と、アクリル系ポリマー等のバインダーポリマー成分とで構成される。
【００５２】
補強フィルム貼着ステップＳＴ１０は、このように構成される補強フィルム２２６をパッケージウエーハ２０１の裏面２１４に貼り付けた後、補強フィルム２２６を硬化させる。例えば、ヒータを用いて１３０℃で補強フィルム２２６をベークし、熱硬化させる。これにより、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４から補強フィルム２２６が剥離しないように固定される。この補強フィルム２２６により、研削後の薄いパッケージウエーハ２０１が補強される。
【００５３】
補強フィルム貼着ステップＳＴ１０後に、テープ貼着ステップＳＴ４は、図２４に示すように、外周に環状フレーム２２０が貼着されたエキスパンドテープ２１９にパッケージウエーハ２０１の裏面２１４を補強フィルム２２６を介して貼着し、保護部材２１８を表面２０９から剥がす。
【００５４】
また、実施形態２に係る製造方法の分割溝形成ステップＳＴ７後のパッケージウエーハ２０１の分割予定ライン２０２に形成された分割溝２２１の完全切断された領域２２１−１は、分割溝２２１がモールド樹脂２１２及び補強フィルム２２６を貫通している。また、不完全切断となった領域２２１−２は、図２５に示すように、分割溝２２１の溝底に補強フィルム２２６の切り残し部２２４−２が残存して、分割溝２２１が補強フィルム２２６を貫通していていないことがある。実施形態２に係る製造方法の破断ステップＳＴ９は、実施形態１と同様に、完全切断確認ステップＳＴ８で不完全切断となった領域２２１−２が確認されたパッケージウエーハ２０１に対し、破断装置１３０を用いて、エキスパンドテープ２１９を拡張して分割溝２２１の補強フィルム２２６の切り残し部２２４−２を、図２６に示すように、分割予定ライン２０２に沿って破断する。こうして、実施形態２に係る製造方法のでは、破断ステップＳＴ９は、補強フィルム２２６も分割溝２２１によって（沿って）分割される。なお、図２４は、バンプ２１０を省略している。
【００５５】
実施形態２に係る製造方法は、実施形態１と同様に、分割溝２２１の溝底に切り残し部２２４−２があっても、エキスパンドテープ２１９の拡張により切り残し部２２４−２を破断でき、確実に個々のパッケージデバイスチップ２０３に分割でき、パッケージデバイスチップ２０３の歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。
【００５６】
〔実施形態３〕
実施形態３に係るパッケージデバイスチップの製造方法を説明する。図２７は、実施形態３に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図２７は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００５７】
実施形態３に係るパッケージデバイスチップの製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、加工対象が図２７に示すウエーハ２０４であり、モールドステップＳＴ２、研削ステップＳＴ３及びモールド樹脂除去ステップＳＴ５を実施することなく、テープ貼着ステップＳＴ４、溝形成ステップＳＴ１、アライメントステップＳＴ６、分割溝形成ステップＳＴ７、完全切断確認ステップＳＴ８、破断ステップＳＴ９を順に実施する。
【００５８】
実施形態３に係る製造方法の加工対象のウエーハ２０４は、表面２０９に低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成されたもの又はデバイス２０６がＣＭＯＳ（Complementary  ＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor））などの撮像素子である。低誘電率絶縁体被膜は、ＳｉＯＦ又はＢＳＧ（ＳｉＯＢ）のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とから構成されている。実施形態３に係る製造方法は、ウエーハ２０４の表面２０９にエキスパンドテープ２１９を貼着し、エキスパンドテープ２１９の外周に環状フレームを固定した後（テープ貼着ステップＳＴ４）、溝形成ステップＳＴ１において、表面２０９側に所定厚さの切代を残して溝２１１が裏面２１４側から分割予定ライン２０２に沿って切削される。
【００５９】
実施形態３に係る製造方法は、溝形成ステップＳＴ１の後、実施形態１と同様に分割予定ライン２０２を検出するアライメントステップＳＴ６を実施し、分割溝形成ステップＳＴ７において、レーザー加工装置１２０のＸ軸移動ユニット１２８によりチャックテーブル１２１が１回移動される間にレーザー光線照射ユニット１２９がウエーハ２０４の溝２１１内にウエーハ２０４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線２２２を照射して、切代を切断して分割溝２２１を形成する。実施形態３に係る製造方法は、実施形態１と同様に、不完全切断となった領域２２１−２が確認されたウエーハ２０４に対して、破断ステップＳＴ９を行う。
【００６０】
実施形態３に係る製造方法は、実施形態１と同様に、分割溝２２１の溝底に切り残し部２２４があっても、エキスパンドテープ２１９の拡張により切り残し部を破断でき、確実に個々のデバイスチップに分割でき、デバイスチップの歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。
【００６１】
なお、実施形態１から実施形態３に係るパッケージデバイスチップの製造方法によれば、以下のウエーハの加工方法が得られる。
（付記１）
ウエーハの加工方法であって、
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該溝にモールド樹脂を充填するとともに該ウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するモールドステップと、
該パッケージウエーハの裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップの後に、該パッケージウエーハ表面の外周部に被覆された該モールド樹脂を除去して、該モールド樹脂が充填された該溝を外周部で露出させるモールド樹脂除去ステップと、
該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周部で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該パッケージウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝の溝底に切り残し部が残存して、該パッケージウエーハに不完全切断の領域が発生しているかを確認する完全切断確認ステップと、
該完全切断確認ステップで、該分割溝で完全切断された領域と該切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認された該パッケージウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該パッケージウエーハから該パッケージデバイスチップを得る破断ステップと、を備えるウエーハの加工方法。
（付記２）
ウエーハの加工方法であって、
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハに該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該ウエーハにエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該溝に沿って形成する該ウエーハの分割溝の位置を露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該ウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝の溝底に切り残し部が残存して、該ウエーハに不完全切断の領域が発生しているかを確認する完全切断確認ステップと、
該完全切断確認ステップで、該分割溝で完全切断された領域と該切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認された該ウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該ウエーハから該デバイスチップを得る破断ステップと、を備えるウエーハの加工方法。
【００６２】
付記１及び付記２の加工方法は、分割溝の溝底に切り残し部があっても、エキスパンドテープの拡張により切り残し部を破断でき、確実に個々のパッケージデバイスチップ又はデバイスチップに分割でき、パッケージデバイスチップ又はバイスチップの歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。
【００６３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００６４】
２０１  パッケージウエーハ（被加工物）
２０２  分割予定ライン
２０３，２０３−２  パッケージデバイスチップ
２０４  ウエーハ（被加工物）
２０５  基板
２０６  デバイス
２０７  デバイス領域
２０８  外周余剰領域（外周部）
２０９  表面
２１１  溝
２１２  モールド樹脂
２１３  側面
２１４  裏面
２１７  モールド面
２１８  保護部材
２１９  エキスパンドテープ
２２１  分割溝
２２１−１  完全切断された領域
２２１−２  不完全切断の領域、不完全切断となった領域
２２２  レーザー光線
２２４，２２４−２  切り残し部
２２６  補強フィルム
ＳＴ１  溝形成ステップ
ＳＴ２  モールドステップ
ＳＴ３  研削ステップ
ＳＴ４  テープ貼着ステップ
ＳＴ５  モールド樹脂除去ステップ
ＳＴ６  アライメントステップ
ＳＴ７  分割溝形成ステップ
ＳＴ８  完全切断確認ステップ
ＳＴ９  破断ステップ
ＳＴ１０  補強フィルム貼着ステップ 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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