(57)【要約】【課題】回路を小型化し、製造コストを低減する放射線検出器を実現する。【解決手段】放射線センサ（１）は、フォトダイオード（１３）が受光した放射線の線量に応じた電流を出力するアクティブピクセル（１２ａ・１２ｃ）と、所定電流を出力ライン（Ｉｏｕｔ＿１・Ｉｏｕｔ＿２）から引き出す電流調整部（４０ａ・４０ａ）と、出力ライン（Ｉｏｕｔ＿１・Ｉｏｕｔ＿２）から電流値を読み出す読出し回路（２１ａ・２１ｂ）と、電流調整部（４０ａ・４０ａ）の出力ライン（Ｉｏｕｔ＿１・Ｉｏｕｔ＿２）の一端に接続されていない側の端子と接続されている共通端子（Ａ１）と、共通端子（Ａ１）と所定の電圧ノードまたはグランドとの間の導通状態を切り替えるスイッチ（ＳＷ１）と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ素子が受光した放射線の線量に応じた電流を、出力ラインに出力するピクセルと、
前記出力ラインの一端に接続され、所定電流を前記出力ラインから引き出す電流調整部と、
前記出力ラインの他端に接続され、前記出力ラインにおける、前記電流調整部により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す読出し回路と、を有する、複数の読出し部と、
前記複数の読出し部にそれぞれ含まれている前記電流調整部の前記出力ラインの一端に接続されていない端子と接続されている共通端子と、
前記共通端子と、所定の電圧ノードまたはグランドとの間の導通状態を切り替えるスイッチと、
を備えていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記スイッチと、前記電流調整部とは、それぞれ異なる基板に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記スイッチと、前記電流調整部と、前記ピクセルとは、それぞれ異なる基板に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記ピクセルと前記電流調整部とは同一の基板に形成され、前記スイッチと前記電流調整部とは、それぞれ異なる基板に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記スイッチと前記電流調整部とは同一の基板に形成され、前記ピクセルと前記スイッチとは、それぞれ異なる基板に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記スイッチは、前記読出し回路が前記電流値を読み出すタイミングと同じタイミングで、前記共通端子と、前記所定の電圧ノードまたは、前記グランドとの間を導通状態とすることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記読出し回路は、前記電流調整部により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す積分用アンプを備え、
前記積分用アンプは、基準電圧が印加される第１入力端子と、前記積分用アンプの出力端子に接続され、上記基準電圧に維持される第２入力端子と、を有し、
前記第２入力端子は、前記電流調整部の前記共通端子に接続されてない端子に接続されていることを特徴とする、前記請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項８】
センサ素子が受光した放射線の線量に応じた電流を、出力ラインに出力するピクセルと、
前記出力ラインの一端に接続され、所定電流を前記出力ラインから引き出す電流調整部と、前記出力ラインの他端に接続され、前記出力ラインにおける、前記電流調整部により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す読出し回路と、を有する、複数の読出し部と、
前記複数の読出し部にそれぞれ含まれている前記電流調整部の前記出力ラインの一端に接続されていない端子と接続されている共通端子と、
前記共通端子と、所定の電圧ノードまたはグランドとの間の導通状態を切り替えるスイッチと、を備えている放射線検出器のスイッチ制御方法であって、
前記スイッチは、前記読出し回路が前記電流値を読み出すタイミングと同じタイミングで、前記共通端子と、前記所定の電圧ノードまたは、前記グランドとの間を導通状態とすることを特徴とするスイッチ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出器、および当該放射線検出器が備えるスイッチの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
入射した放射線、特にＸ線の線量に応じた電気信号を出力するセンサ素子のタイプとして、Ｘ線を直接電気信号に変換する直接変換型や、Ｘ線をシンチレーターにより光に変換してから光電変換素子により電気信号に変換する間接変換型などが知られている。このようなセンサ素子を、基板（パネル）上に２次元マトリックス状に配置されたピクセル毎に設けたＸ線画像撮像用のパネルが開発されている。
【０００３】
このようなパネルでは、各ピクセルの制御に能動素子、例えば、アモルファスシリコン、ＩｎＧａＺｎＯ系酸化物半導体であるＩＧＺＯ等を使用した薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子）が使われている。そして、直接変換型および間接変換型の何れにおいても、Ｘ線の線量に応じて発生した電気信号（電荷）が各ピクセル内の容量に蓄積されるようになっている。
【０００４】
この蓄積された容量を、ＴＦＴ素子を介して、パネルの外部にある増幅器に転送するパネルをパッシブピクセル型といい、既に、デジタルＸ線撮像装置として広く実用化されている。
【０００５】
一方、特許文献１に示されるように、蓄積された容量を、ＴＦＴ素子を増幅素子として使うことで増幅して外部の回路に伝えるアクティブピクセル型と称されるパネルの開発も行われている。これにより、読出しラインの熱雑音や外部の読出し回路の雑音の影響を軽減できる。
【０００６】
図９は、従来のアクティブピクセル型の放射線検出器１０１の一例を示す図である。図９に示すように、放射線検出器１０１において、アクティブピクセル１０２におけるセンサ素子１０３の一端には、センサ素子１０３のバイアス電圧であるＶｓ＿ｂが与えられる。そして、Ｘ線がアクティブピクセル１０２に入射されると、センサ素子１０３が電気信号を発生し、センサ素子１０３に接続されたアンプトランジスタ１０５のゲート電極の電圧が変化する。これは、発生した上記電気信号が、アンプトランジスタ１０５のゲート電極ノードに存在するゲート容量および配線容量等に蓄積されるためである。したがって、アンプトランジスタ１０５は、発生した上記電気信号によるアンプトランジスタ１０５のゲート電圧の変化を、アンプトランジスタ１０５のドレインソース間の電流変化として出力するようになっている。すなわち、アンプトランジスタ１０５は、上記電気信号を増幅するトランジスタであって、その電源電圧はＶｄである。
【０００７】
リセットトランジスタ１０４は、アンプトランジスタ１０５のゲート電極の電圧をリセットする働きをする。具体的には、リセットトランジスタ１０４のソース電極にアクティブピクセル１０２の外部からリセット電圧Ｖｄが与えられ、リセットトランジスタ１０４のゲート電極には、リセット信号線Ｌｒｅｓｅｔを介してリセット信号が供給される。リセット信号によって、アンプトランジスタ１０５のゲート電極とリセットトランジスタ１０４のソース電極との導通／非導通が制御される。
【０００８】
読出しトランジスタ１０６は、アンプトランジスタ１０５のドレインソース間の電流をアクティブピクセル１０２の外部に出力するためのスイッチであり、読出し信号線Ｌｒｅａｄを介して供給される読出し信号に基づいて、制御される。
【０００９】
放射線検出器１０１は、積分用アンプ１０８と、積分用アンプ１０８の一方の入力端子（−端子）と積分用アンプ１０８の出力端子との間に接続された容量Ｃｆ０と、を有する読出し回路１０７を備えている。アクティブピクセル１０２の外部に出力されたアンプトランジスタ１０５のドレインソース間の電流は、読出し回路１０７によって読み出され、読出し回路１０７は出力電圧Ｖｏを出力するようになっている。
【００１０】
特許文献１では、図１０に示すように、アンプトランジスタ１０５からの出力電流値が予め定められた値となるように、アンプトランジスタ１０５のゲート電極の電圧の初期値を設定するリセット回路１０９を備えた放射線検出器１０１ａが提案されている。図１０は、従来のアクティブピクセル型の放射線検出器１０１の他の例である放射線検出器１０１ａを示す図である。
【００１１】
放射線検出器１０１ａでは、スイッチＳＷ１０１によって、（１）読出しトランジスタ１０６に接続された出力ラインＩｏｕｔと、リセット回路１０９に備えられたリセット用アンプ１１０の一方の入力端子（−端子）、または、（２）読出し回路１０７に備えられた積分用アンプ１０８の一方の入力端子（−端子）のいずれか一方とが、接続されるようになっている。
【００１２】
そして、スイッチＳＷ１０２によって、リセットトランジスタ１０４に接続されたリセット用電圧ラインＶａｍｐ＿ｂと、リセット回路１０９に備えられたリセット用アンプ１１０の出力端子とが導通状態または遮断状態となるように制御される。
【００１３】
リセット用アンプ１１０を備えたリセット回路１０９によって、アンプトランジスタ１０５のドレインソース間の電流の電流値が予め定められた値Ｉｂとなるように、アンプトランジスタ１０５のゲート電極の電圧の初期値が設定される。このときのＩｂは初期電流（初期電流値）と呼ぶことにする。アンプトランジスタ１０５のゲート電極の電圧の初期値が設定された直後に、読出し回路１０７がアクティブピクセル１０２の信号を読み出すと、積分時間をＴとして、読出し回路１０７の出力電圧Ｖｏａは以下の式（１）のようになる。
【００１４】
Ｖоａ＝Ｖｉｎｔ＿ｂ−ＩｂＴ／Ｃｆ０・・・（１）
Ｘ線の照射により、アンプトランジスタ１０５のゲート電極の電圧が変化し、アンプトランジスタ１０５のドレインソース間の電流がＩｂ＋ΔＩｂに変化したとする。この時点で、読出し回路１０７がアクティブピクセル１０２の信号を読み出すと、読出し回路１０７の出力電圧Ｖоｂは以下の式（２）のようになる。
【００１５】
Ｖоｂ＝Ｖｉｎｔ＿ｂ−（Ｉｂ＋ΔＩｂ）Ｔ／Ｃｆ０・・・（２）
したがって、アクティブピクセル１０２に入射したＸ線に対応する電圧変化量Ｖоｂ−Ｖоａは以下の式（３）のようになる。
【００１６】
Ｖоｂ−Ｖоａ＝−ΔＩｂＴ／Ｃｆ０・・・（３）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２０１６−１０３７１７号公報（２０１６年６月２日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、放射線検出器１０１ａの回路構成では、アクティブピクセル１０２に入射したＸ線に対応する電圧変化量を求めるために、積分用アンプ１０８が、電流変化量ΔＩｂの電流値に加えて、初期電流Ｉｂの電流値も積分する必要がある。このため、電流変化量ΔＩｂの電流値のみが流れる場合に比べ出力電流が大きくなるため、信号を読みだすための読出回路が扱うべき信号電流範囲が増加し、回路が大型化することにより製造コストが増加するという課題があった。
【００１９】
本発明は、前記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路を小型化し、製造コストの低減を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る放射線検出器は、センサ素子が受光した放射線の線量に応じた電流を、出力ラインに出力するピクセルと、前記出力ラインの一端に接続され、所定電流を前記出力ラインから引き出す電流調整部と、前記出力ラインの他端に接続され、前記出力ラインにおける、前記電流調整部により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す読出し回路と、を有する、複数の読出し部と、前記複数の読出し部にそれぞれ含まれている前記電流調整部の前記出力ラインの一端に接続されていない端子と接続されている共通端子と、前記共通端子と、所定の電圧ノードまたはグランドとの間の導通状態を切り替えるスイッチと、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る放射線検出器のスイッチ制御方法は、センサ素子が受光した放射線の線量に応じた電流を、出力ラインに出力するピクセルと、前記出力ラインの一端に接続され、所定電流を前記出力ラインから引き出す電流調整部と、前記出力ラインの他端に接続され、前記出力ラインにおける、前記電流調整部により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す読出し回路と、を有する、複数の読出し部と、前記複数の読出し部にそれぞれ含まれている前記電流調整部の前記出力ラインの一端に接続されていない端子と接続されている共通端子と、前記共通端子と、所定の電圧ノードまたはグランドとの間の導通状態を切り替えるスイッチと、を備える放射線検出器のスイッチ制御方法であって、前記スイッチは、前記読出し回路が前記電流値を読み出すタイミングと同じタイミングで、前記共通端子と、前記所定の電圧ノードまたは、前記グランドとの間を導通状態とすることを特徴とするスイッチ制御方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様によれば、回路を小型化し、製造コストを低減する放射線検出器を実現できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態１に係る放射線センサの概略的な回路構成を示す図である。
【図２】上記放射線センサの電流調整部の概略的な回路構成の一例を示す図である。
【図３】上記放射線センサにおける駆動信号のタイミングチャートの一例を示す図である。
【図４】本発明の実施形態２に係る放射線センサの概略的な回路構成を示す図である。
【図５】本発明の実施形態３に係る放射線センサの概略的な回路構成を示す図である。
【図６】本発明の実施形態４に係る放射線センサの概略的な回路構成を示す図である。
【図７】本発明の実施形態５に係る放射線センサの概略的な回路構成を示す図である。
【図８】本発明の実施形態６に係る放射線センサの概略的な回路構成を示す図である。
【図９】従来の放射線センサの概略的な回路構成の一例を示す図である。
【図１０】従来の放射線センサの概略的な回路構成の他の例を示す図である。
【図１１】従来の放射線撮像装置の概略的な回路構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。なお、説明の便宜上、各実施形態に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付記し、適宜その説明を省略する。
【００２５】
なお、以下の実施形態は、放射線をシンチレーターにより光に変換し、光をフォトダイオードにより電気信号に変換する間接変換を例として、センサ素子としてフォトダイオードを用いた回路により本発明を説明しているが、これに限らない。本発明は、放射線を直接電気信号に変換する直接変換素子を用いた直接変換方式においても適用できる。
【００２６】
〔実施形態１〕
以下、本発明の実施形態１について、図１〜図３に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る放射線センサ１の概略的な回路構成を示す図である。
【００２７】
（放射線センサ）
本発明の実施形態１において、放射線センサ１（放射線検出器）は、図１に示すように、読出し部３０ａ・３０ｂ、およびスイッチＳＷ１を備えている。読出し部３０ａは、アクティブピクセル（ピクセル）１２ａ・１２ｂ、読出し回路２１ａ、電流調整部４０ａ、および、出力ラインＩｏｕｔ＿１を備えている。読出し部３０ｂは、アクティブピクセル１２ｃ・１２ｄ、読出し回路２１ｂ、電流調整部４０ｂ、および、出力ラインＩｏｕｔ＿２を備えている。アクティブピクセル１２ｃ・１２ｄ、読出し回路２１ｂ、電流調整部４０ｂ、および、出力ラインＩｏｕｔ＿２は、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ、読出し回路２１ａ、電流調整部４０ａ、および、出力ラインＩｏｕｔ＿１と同様の構成である。
【００２８】
なお、本実施形態では、読出し部が、読出し部３０ａ・３０ｂの２つのみであるが、２以上あってもよい。また、各読出し部に設けるアクティブピクセルの数も２以上あってもよい。
【００２９】
（アクティブピクセル内の構成）
アクティブピクセル１２ａは、受光した放射線の線量に応じた電流を、出力ラインＩｏｕｔ＿１に出力する。アクティブピクセル１２ａ（ピクセル）は、フォトダイオード１３（センサ素子）、電荷蓄積部１４、リセットトランジスタ１５、アンプトランジスタ１６、および読出しトランジスタ１７を備えている。なお、アクティブピクセル１２ｂは、アクティブピクセル１２ａと同様の構成である。
【００３０】
フォトダイオード１３は、外部から入射した所定の波長の光（放射線）を光電変換し、光電変換により生成した電荷を電荷蓄積部１４に蓄積させる。言い換えると、フォトダイオード１３への入射光量に応じた電荷が電荷蓄積部１４に蓄積される。これにより、フォトダイオード１３に接続されたアンプトランジスタ１６のゲート電極の電圧が変化する。電荷蓄積部１４は、アンプトランジスタ１６のゲート電極ノードに存在するゲート容量および配線容量等に電荷が蓄積されるものであってもよく、アンプトランジスタ１６のゲート電極とグランドとの間に静電容量を設け、当該静電容量に上記電荷が蓄積されるものであってもよい。
【００３１】
アンプトランジスタ１６は、電荷蓄積部１４に蓄積された電荷に応じてゲート電圧が変化する。アンプトランジスタ１６は、ゲート電圧を当該ゲート電圧に対応した電流信号に変換し、ドレインソース間の電流として、読出しトランジスタ１７を介して出力ラインＩｏｕｔ＿１に出力する。アンプトランジスタ１６は、電荷蓄積部１４に蓄積された電荷に応じた電圧信号を増幅するトランジスタであって、その電源電圧はＶｄである。
【００３２】
リセットトランジスタ１５は、フォトダイオード１３および電荷蓄積部１４の電位を所定のリセット電位Ｖｂにリセットするためのスイッチである。リセットトランジスタ１５は、放射線センサ１の制御部（図示せず）に接続されており、この制御部の指示に応じてオンオフ動作する。
【００３３】
上記制御部は、リセットトランジスタ１５を、電荷蓄積部１４に蓄積された電荷に応じたゲート電圧に対応した電流の読出しを行う毎、あるいは所定回数の読出しを行う毎にリセットトランジスタ１５をオンさせる。リセットトランジスタ１５がオンされると、リセット電位を供給する電位供給源（図示せず）と電荷蓄積部１４とが導通し、フォトダイオード１３および電荷蓄積部１４の電位がリセット電位Ｖｂにリセットされる。
【００３４】
読出しトランジスタ１７は、アンプトランジスタ１６のドレインソース間の電流をアクティブピクセル１２ａの外部に出力するためのスイッチである。読出しトランジスタ１７のゲート電極は、放射線センサ１の制御部（図示せず）に接続されており、この制御部の指示に応じてオンオフ動作する。上記制御部は、所定のタイミング毎に読出しトランジスタ１７をオンし、電荷蓄積部１４に蓄積された電荷量に応じた電流を出力ラインＩｏｕｔ＿１に出力させる。
【００３５】
（アクティブピクセル外の構成）
出力ラインＩｏｕｔ＿１は、一端が電流調整部４０ａに接続され、他端が読出し回路２１ａに接続されている。また、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂにおける読出しトランジスタ１７は出力ラインＩｏｕｔ＿１に接続されている。言い換えると、電流調整部４０ａは、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂの出力端から読出し回路２１ａまでの経路から分岐して設けられている。
【００３６】
（電流調整部）
電流調整部４０ａは、出力ラインＩｏｕｔ＿１の一端に接続され、所定電流を出力ラインＩｏｕｔ＿１から引き出す。電流調整部４０ａは放射線が入射していない時にアンプトランジスタ１６に流れるバイアス電流と同じ電流値の第１電流ＩＢを出力ラインＩｏｕｔ＿１から引き出す。電流調整部４０ａの出力ラインＩｏｕｔ＿１に接続されていない側の端子は、電圧源（所定の電圧ノード）または、グランドに接続されている共通端子Ａ１に接続されている。
【００３７】
言い換えると、共通端子Ａ１は、複数の読出し部３０ａ・３０ｂにそれぞれ含まれている電流調整部４０ａ・４０ｂの出力ラインＩｏｕｔ＿１または出力ラインＩｏｕｔ＿２の一端に接続されていない端子と接続されている。リセット電位のときにアクティブピクセル１２ａのアンプトランジスタ１６に流れるバイアス電流と略等価な電流が、読出しトランジスタ１７をオンしたときに電流調整部４０ａに流れる。これにより、読出しトランジスタ１７をオンしたときに、読出し回路２１ａにはバイアス電流と略等価な電流は流れないようになっている。
【００３８】
電流調整部４０ａは、例えば、図２に示すようにＭＯＳトランジスタの電流源を用いて構成することができる。図２は、放射線センサ１の電流調整部４０ａの概略的な回路構成の一例を示す図である。電流調整部４０ａは、定電流源回路４１を備えており、定電流源回路４１は出力ラインＩｏｕｔ＿１に接続されている。また、定電流源回路４１は、アンプトランジスタ１６の電荷蓄積部１４に蓄積された電荷がゼロのときにアンプトランジスタ１６に流れるバイアス電流と略等価な第１電流ＩＢを出力ラインＩｏｕｔ＿１から引き込むように設定されている。
【００３９】
（読出し回路）
読出し回路２１ａは、出力ラインＩｏｕｔ＿１の他端に接続されている。読出し回路２１ａは、出力ラインＩｏｕｔ＿１において第１電流ＩＢが電流調整部４０より引き出された後の第２電流ＩＣの電流値を読み出す。つまり、読出しトランジスタ１７をオンしたとき、第１電流ＩＢは電流調整部４０ａに流れ、第２電流ＩＣは読出し回路２１に流れる。
【００４０】
言い換えると、読出し回路２１ａは、放射線の入射により発生した電気信号によるアンプトランジスタ１６のゲート電極の電圧変化に基づくアンプトランジスタ１６のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を読み出す。読出し回路２１ａには、積分用アンプ２２、容量２３、および、アンプリセットトランジスタ２４が備えられている。
【００４１】
読出し回路２１ａに備えられた積分用アンプ２２のマイナス側入力端子（−端子）と積分用アンプ２２の出力端子との間には、容量２３、およびアンプリセットトランジスタ２４が接続されている。具体的には、積分用アンプ２２のマイナス側入力端子には、出力ラインＩｏｕｔ＿１、容量２３の一端側、およびアンプリセットトランジスタ２４の一端側が接続されている。対して、積分用アンプ２２の出力端子には、容量２３の他端側、およびアンプリセットトランジスタ２４の他端側が接続されている。積分用アンプ２２のプラス側入力端子（＋端子）は、基準電圧Ｖｉｎｔ＿ｂに接続されている。
【００４２】
また、読出し回路２１ａによってアクティブピクセル１２ａ・１２ｂから読み出された信号は、例えば、電圧Ｖｏ１として出力され所定の処理（例えば、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂに入射した放射線量の算出など）が行われる。
【００４３】
（スイッチＳＷ１）
電流調整部４０ａの出力ラインＩｏｕｔ＿１に接続されていない側の端子、および、電流調整部４０ｂの出力ラインＩｏｕｔ＿２に接続されていない側の端子は、共通端子Ａ１に接続されている。スイッチＳＷ１は、共通端子Ａ１と電圧源またはグランドとの間を導通状態または遮断状態にする。スイッチＳＷ１の設置位置について、従来の技術と比較して以下に説明する。
【００４４】
特許文献１では、フラットパネル上に、Ｍ×Ｎ個のアクティブピクセルの各列に対応して、Ｎ個のリセット用アンプが形成されている放射線撮像装置の構成が提案されている。上記構成について図１１に基づき説明する。図１１は、従来の放射線撮像装置２００の概略的な回路構成の一例を示す図である。
【００４５】
従来の放射線撮像装置２００は、図１１に示すように、積分用アンプ２１０への入力側とアクティブピクセル２０２との間に、電流分岐用の抵抗Ｒを備えている。また、抵抗Ｒと積分用アンプ２１０との間に、スイッチＳＷ２０４が設けられている。
【００４６】
放射線撮像装置２００において、アクティブピクセル２０２からの信号を読み出すときは、まず、抵抗Ｒと積分用アンプ２１０との間に設けられたスイッチＳＷ２０４をオンにする。次に、複数のアクティブピクセル２０２の行ごとに備えられた読出し信号線Ｌｒｅａｄ＿Ｍに入力する読出し信号をハイにする。これにより、アクティブピクセル２０２から積分用アンプ２１０に信号の出力が開始される。その後、積分用アンプ２１０のリセット（図示なし）を解除すると、アクティブピクセル２０２の出力から、抵抗Ｒに分岐した電流を除いた電流が積分用アンプ２１０にて積分される。
【００４７】
その際、積分用アンプ２１０のリセット直後の積分用アンプ２１０の出力値である初期積分値をサンプリングしておき、積分終了時の積分用アンプ２１０の出力値から、初期積分値を減算する、相関２重サンプリングを行うことが望ましい。積分用アンプ２１０のリセット時に混入したノイズを除去するためである。
【００４８】
初期積分値をサンプリングするためには、積分用アンプ２１０の入力端子に電流の流れない期間が必要になる。しかしながら、放射線撮像装置２００では、スイッチＳＷ２０４がオンされている状態では、抵抗Ｒを介して積分用アンプ２１０の入力側から電流が流出してしまう。そのため、スイッチＳＷ２０４がオンされている状態で、積分用アンプ２１０のリセットを解除すると抵抗Ｒを介して流出した電流が積分され、積分用アンプ２１０の出力が変化する。その結果、リセット直後の積分用アンプ２１０の出力を正確にサンプリングすることができない。
【００４９】
さらに、放射線撮像装置２００では、積分用アンプ２１０毎にスイッチＳＷ２０４を設けているため、回路が大型化し、実装面積、および製造コストが増加する。
【００５０】
それに対して、本実施形態では、読出し部３０ａ・３０ｂに設けられた電流調整部４０ａ・４０ｂの他端を共通端子Ａ１に接続し、その共通端子Ａ１と電圧源（またはグランド）との間にスイッチＳＷ１（遮断用スイッチ）を設けている。
【００５１】
また、読出し回路２１ａは、基準電圧Ｖｉｎｔ＿ｂが印加される第１入力端子（プラス側入力端子）と、出力端子に接続され、アンプリセットトランジスタ２４がオンされている状態では上記基準電圧Ｖｉｎｔ＿ｂに維持される第２入力端子（マイナス側入力端子）とを備え、第２入力端子は、電流調整部４０ａの共通端子Ａ１に接続されてない側の端子に接続されている。
【００５２】
スイッチＳＷ１をオフすると、放射線センサ１には、読出し回路２１ａの積分用アンプ２２の負側の入力端子と、読出し回路２１ｂの積分用アンプ２２の負側の入力端子との間に、読出し部３０ａおよび読出し部３０ｂの各電流調整部４０ａ・４０ｂが直列接続された回路が形成される。各積分用アンプ２２の負側の入力端子は、積分用アンプ２２のフィードバックにより、積分用アンプ２２の正側の入力端子に印加している基準電圧Ｖｉｎｔ＿ｂが維持される。そのため、直列接続された電流調整部４０ａおよび電流調整部４０ｂの両端に電位差が無く、電流調整部４０ａおよび電流調整部４０ｂの間には電流は流れない。つまり、スイッチＳＷ１をオフすると、電流調整部４０ａ・４０ｂを各積分用アンプ２２の入力端子から遮断したのと同等の効果が得られる。これにより、スイッチＳＷ１は、電流調整部４０ａ・４０ｂと、電流源または、グランドと、を、一度に導通状態または遮断状態にすることができる。
【００５３】
（スイッチの動作）
以下、スイッチＳＷ１の動作の一例について、図１および図３に基づいて説明する。図３は、本実施形態の放射線センサ１における駆動信号のタイミングチャートの一例を示す図である。スイッチＳＷ１は、読出し回路２１ａ・２１ｂが電圧値を読み出すタイミングと同じタイミングで、共通端子Ａ１と、電圧源またはグランドとの間を導通状態とする。
【００５４】
具体的には、スイッチＳＷ１は、制御信号ＳＷｃｔｌで制御され、制御信号ＳＷｃｔｌが高電圧（ハイ）の時にスイッチＳＷ１がオンされ、共通端子Ａ１と電圧源またはグランドとの間が導通状態となる。対して、低電圧（ロー）の時は、スイッチＳＷ１がオフされ、共通端子Ａ１と電圧源またはグランドとの間が遮断状態になる。
【００５５】
各アクティブピクセル１２ａ・１２ｂの読出しトランジスタ１７は、読出し制御信号Ｒｅａｄｋ(ｋ＝１、２)により制御されている。例えば、読出し制御信号Ｒｅａｄ１がハイの時には、アクティブピクセル１２ａの読出しトランジスタ１７がオンになり、読出し回路２１ａによりアクティブピクセル１２ａの信号の読出しが行われる。読出し制御信号Ｒｅａｄ１がローの時には、アクティブピクセル１２ａの読出しトランジスタ１７がオフになり、アクティブピクセル１２ａと読出し回路２１ａとが遮断状態となる。
【００５６】
また、読出し制御信号Ｒｅａｄ２がハイの時には、アクティブピクセル１２ｂの読出しトランジスタ１７がオンになり、読出し回路２１ａによりアクティブピクセル１２ａの信号の読出しが行われる。読出し制御信号Ｒｅａｄ２がローの時には、アクティブピクセル１２ｂの読出しトランジスタ１７がオフになり、アクティブピクセル１２ｂと読出し回路２１ｂとが遮断状態となる。
【００５７】
本実施形態では、読出し制御信号Ｒｅａｄｋがハイの時のみ、制御信号ＳＷｃｔｌをハイとする。これにより、読出しが行われている期間のみ電流調整部４０ａ・４０ｂにより、電流調整が行われるように制御することができる。
【００５８】
各読出し回路２１ａ・２１ｂのアンプリセットトランジスタ２４は読出し制御信号Ｒｅｓｅｔにより制御されている。読出し制御信号Ｒｅｓｅｔは、スイッチＳＷ１がオフのときにハイとなり、アンプリセットトランジスタ２４をオンする。これにより、積分用アンプ２２がリセットされる。その後、リセット後の積分用アンプ２２の出力をサンプリングした後に、読出し制御信号Ｒｅａｄｋ、および制御信号ＳＷｃｔｌがハイとなる。
【００５９】
〔実施形態２〕
図４に基づき、本発明の実施形態２について説明する。図４は、本発明の実施形態２に係る放射線センサ１Ａの概略的な回路構成を示す図である。図４に示す放射線センサ１Ａは、図１に示す放射線センサ１に比べて、基板の構成を具体的に示したものであり、その他の構成は同様である。
【００６０】
本実施形態において、スイッチＳＷ１は第１基板６０上に形成されている。スイッチＳＷ１は、シリコン半導体を用いたディスクリート素子として形成されている。電流調整部４０ａ・４０ｂは、シリコン基板である第２基板６１上に形成されている。第２基板６１は、抵抗アレーとして、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄが形成さている第３基板６２と別体で形成されている。電流調整部４０ａ・４０ｂが抵抗アレーとして形成される場合の具体的な構成については、実施形態５で説明する。
【００６１】
スイッチＳＷ１は、電流調整部４０ａ・４０ｂと直列に配置されている。そのため、スイッチＳＷ１をオンにしたときに、電流調整部４０ａ・４０ｂが、出力ラインＩｏｕｔ＿１・Ｉｏｕｔ＿２から第１電流ＩＢを分岐できるように、スイッチＳＷ１のオン状態での抵抗値（オン抵抗）は、低いことが求められる。例えば、スイッチＳＷ１のオン状態でのオン抵抗は、数ＫΩ程度以下であることが望ましい。
【００６２】
放射線センサ１のアクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄをガラス基板上にＴＦＴを用いて形成している場合、ＴＦＴのオン抵抗は、通常、数１００ＫΩから数ＭΩ程度になる。そのため、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄをガラス基板上にＴＦＴを用いて形成している場合、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄと同一基板上に、スイッチＳＷ１を設けることは困難である。したがって、その場合、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄとは別基板上にスイッチＳＷ１を形成する必要がある。
【００６３】
また、電流調整部４０ａ・４０ｂとして抵抗を用いている場合、電流調整部４０ａ・４０ｂはアクティブ素子を形成できないプロセスで作られていることがある。その場合、電流調整部４０ａ・４０ｂと同一基板上にスイッチＳＷ１を形成できないため、電流調整部４０ａ・４０ｂは、スイッチＳＷ１が形成されている基板とは別体の基板で形成する必要がある。
【００６４】
つまり、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ、電流調整部４０ａ・４０ｂ、およびスイッチＳＷ１が別々の各基板上に形成されることで、下記の効果を奏する。それは、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄをガラス基板上に形成し、電流調整部４０ａ・４０ｂとして抵抗を用いる場合であっても、回路を小型化し、製造コストの低減できる放射線センサ１Ａを実現することができる効果である。
【００６５】
〔実施形態３〕
図５に基づき、本発明の実施形態３について説明する。図５は、本発明の実施形態３に係る放射線センサ１Ｂの概略的な回路構成を示す図である。図５に示す放射線センサ１Ｂは、図４に示す放射線センサ１Ａに比べて、電流調整部４０ａ・４０ｂが、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄと同一の第４基板６３上に形成されている点が異なり、その他の構成は同様である。
【００６６】
本実施形態には、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ、および電流調整部４０ａ・４０ｂが第４基板６３上に形成され、スイッチＳＷ１が第１基板６０上に形成されている。つまり、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ、および電流調整部４０ａ・４０ｂと、スイッチＳＷ１とは、別個の基板上に形成されている。そのため、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄをガラス基板上に形成し、電流調整部４０ａ・４０ｂとして抵抗を用いることができる。また、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ、および電流調整部４０ａ・４０ｂを同じ第４基板６３に形成することにより、基板の外部に引き出す配線の数を削減できる。
【００６７】
〔実施形態４〕
図６に基づき、本発明の実施形態４について説明する。図６は、本発明の実施形態４に係る放射線センサ１Ｃの概略的な回路構成を示す図である。図６に示す放射線センサ１Ｃは、図４に示す放射線センサ１Ａに比べて、電流調整部４０ａ・４０ｂが、スイッチＳＷ１と同一の第５基板６４上に形成されている点が異なり、その他の構成は同様である。
【００６８】
具体的には、電流調整部４０ａ・４０ｂおよびスイッチＳＷ１は、第５基板６４上に形成され、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄは第３基板６２上に形成されている。第５基板６４は、シリコン基板であり、電流調整部４０ａ・４０ｂおよびスイッチＳＷ１は、第５基板６４に集積回路として形成されている。電流調整部４０ａ・４０ｂおよびスイッチＳＷ１が、集積回路として形成されることで、回路を小型化することができる。
【００６９】
〔実施形態５〕
図７に基づき、本発明の実施形態５について説明する。図７は、本発明の実施形態５に係る放射線センサ１Ｄの概略的な回路構成を示す図である。図７に示す放射線センサ１Ｄは、図１に示す放射線センサ１に比べて、電流調整部４０ａ・４０ｂに換えて、抵抗Ｒ１・Ｒ２が用いられている点が異なり、その他の構成は同様である。なお、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ１は同様の構成である。
【００７０】
抵抗Ｒ１は、アンプトランジスタ１６のゲート電圧がリセット電位のときに、アンプトランジスタ１６に流れるバイアス電流と略等価な第１電流ＩＢが、読出しトランジスタ１７をオンしたときに抵抗Ｒ１に流れるように、抵抗値および両端電位差が設定されている。具体的には、例えば、積分用アンプ２２の正側入力端子に与える参照電圧をＶｉｎｔ＿ｂ、端子Ｂ１に与える電圧をＶＢ、電流調整部４０ａに流したい電流を第１電流ＩＢとするとき、ＩＢ＝（Ｖｉｎｔ＿ｂ−ＶＢ）／Ｒ１となるように設定する。
【００７１】
ここで、端子Ｂ１に与える電圧は、電流調整部４０ａに流れる電流が所望の値になるように調整する。その電位がたまたま０Ｖである場合は、端子Ｂ１をグランドに接続し、それ以外の場合は所望の電源に接続する。
【００７２】
〔実施形態６〕
図８に基づき、本発明の実施形態６について説明する。図８は、本発明の実施形態６に係る放射線センサ１Ｅの概略的な回路構成を示す図である。図８に示す放射線センサ１Ｅは、図１に示す放射線センサ１に比べて、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄに換えて、アクティブピクセル１２ａ１・１２ｂ１・１２ｃ１・１２ｄ１が設けられている点が異なり、その他の構成は同様である。また、アクティブピクセル１２ａ１・１２ｂ１・１２ｃ１・１２ｄ１は、アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄに比べて、フォトダイオード１３の設置向きが異なり、その他の構成は同様である。
【００７３】
上述した各実施形態では、アンプトランジスタ１６のバイアス電流と略等価な第１電流ＩＢを出力ラインＩｏｕｔ＿１から電流調整部４０ａに流す（あるいは電流調整部４０ａが引き出す）構成について説明したが、これに限るものではない。例えば、アクティブピクセル１２ａ１において、光電変換により電子が電荷蓄積部１４に蓄積されるようにフォトダイオード１３を設置する場合、電流ＩＤと略等価な電流ＩＥを、出力ラインＩｏｕｔ＿１から電流調整部４０ａに流すように設定してもよい。電流ＩＤは、撮像対象とする最大強度の光で露光された状態で読出しトランジスタ１７がオンした時にアクティブピクセル１２ａ１から出力ラインＩｏｕｔ＿１に流れる電流である。
【００７４】
以下に詳しく説明する。本実施形態では、図８に示すように、アクティブピクセル１２ａ１のフォトダイオード１３を、図１に示すアクティブピクセル１２ａに示すフォトダイオード１３とは向きを逆にして設置する。
【００７５】
この場合、光電変換により電子が電荷蓄積部１４に蓄積され、アンプトランジスタ１６のゲート電極の電位が下がるような極性でフォトダイオード１３が用いられる。したがって、放射線センサ１Ｅは、（１）アクティブピクセル１２ａのリセット時は、アンプトランジスタ１６のゲート電極の電圧が最大になり、（２）アクティブピクセル１２ａが撮像対象とする最大強度の光で露光されたときは、アンプトランジスタ１６のゲート電極の電位が最小になる。つまり、（１）アクティブピクセル１２ａのリセット直後の読出し時は、アクティブピクセル１２ａから出力ラインＩｏｕｔ＿１に出力される電流は最大の電流ＩＦになり、（２）アクティブピクセル１２ａが撮像対象とする最大強度の光で露光された直後の読出し時は、アクティブピクセル１２ａから出力ラインＩｏｕｔ＿１に出力される電流は最小の電流ＩＤになる。したがって、常にアクティブピクセル１２ａから出力ラインＩｏｕｔ＿１に出力される電流ＩＤと略等価な電流ＩＥを、出力ラインＩｏｕｔ＿１から電流調整部４０ａに流すように設定ことで、読出し回路２１ａに必要とされるダイナミックレンジを小さくすることができる。
【００７６】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る放射線検出器（放射線センサ１・１Ａ・１Ｂ・１Ｃ・１Ｄ・１Ｅ）は、センサ素子（フォトダイオード１３）が受光した放射線の線量に応じた電流を、出力ライン（Ｉｏｕｔ＿１・Ｉｏｕｔ＿２）に出力するピクセル（アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ・１２ａ１・１２ｂ１・１２ｃ１・１２ｄ１）と、前記出力ラインの一端に接続され、所定電流を前記出力ラインから引き出す電流調整部（４０ａ・４０ｂ）と、前記出力ラインの他端に接続され、前記出力ラインにおける、前記電流調整部により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す読出し回路（２１ａ・２１ｂ）と、を有する、複数の読出し部（３０ａ・３０ｂ）と、前記複数の読出し部にそれぞれ含まれている前記電流調整部の前記出力ラインの一端に接続されていない端子と接続されている共通端子（Ａ１）と、前記共通端子と、所定の電圧ノードまたはグランドとの間の導通状態を切り替えるスイッチ（ＳＷ１）と、を備えている。
【００７７】
上記構成によれば、各ピクセルから出力される電流のうち、電流調整部により、所定電流が出力ラインから引き出された後の電流値が、読出し回路により読み出される。電流調整部により所定電流が出力ラインから引き出されるようにすることで、読出し回路は、電流調整部がない場合と比較して、電流調整部に引き抜かれる所定電流分だけ小さい電流値を読み出す。その結果、電流調整部を設けない場合と比較して、読出し回路の回路を小型化することができる。
【００７８】
また、放射線検出器には複数の読出し部が備えられ、複数の読出し部の各電流調整部に接続されている共通端子と、所定の電圧ノード、もしくはグランドとの間に、スイッチが設けられている。これにより、電流調整部毎にスイッチを設ける場合と比較して、放射線検出器全体の回路規模を小さくすることができる。その結果、製造コストの低減を実現することができる。
【００７９】
本発明の態様２に係る放射線検出器（放射線センサ１Ａ）は、上記態様１において、前記スイッチ（ＳＷ１）と、前記電流調整部（４０ａ・４０ｂ）とは、それぞれ異なる基板（第１基板６０）に形成されていることが望ましい。
【００８０】
上記構成によれば、スイッチと電流調整部とが、それぞれ異なる基板に形成されているので、電流調整部を、抵抗を用いて形成することができる。詳しくは、電流調整部として抵抗を用いる場合、電流調整部はアクティブ素子を形成できないプロセスで作られていることがある。その場合であっても、スイッチと電流調整部とが異なる基板に形成されているので、問題なく、スイッチを形成することができる。
【００８１】
本発明の態様３に係る放射線検出器（放射線センサ１Ａ）は、上記態様１または２において、前記スイッチ（ＳＷ１）と、前記電流調整部（４０ａ・４０ｂ）と、前記ピクセル（アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ）とは、それぞれ異なる基板に形成されていることが望ましい。
【００８２】
上記構成によれば、スイッチと電流調整部とがそれぞれ異なる基板に形成されているので、態様２と同様に、電流調整部を、抵抗を用いて形成することができる。また、ピクセルと電流調整部とが異なる基板に形成されているので、例えば、ガラス基板を用いてピクセルを形成することができる。詳しくは、ピクセルをガラス基板上にＴＦＴを用いて形成している場合、ＴＦＴのオン抵抗は、通常、数１００ＫΩから数ＭΩ程度になる。しかし、スイッチが電流調整部と直列に配置されている場合、スイッチをオンにしたときに、電流調整部が出力ラインから所定電流を分岐できるように、スイッチのオン状態での抵抗値（オン抵抗）が低いことが求められる。例えば、スイッチのオン状態でのオン抵抗は、数ＫΩ程度以下であることが望ましい。したがって、ピクセルとスイッチとを同じ基板に形成するのであれば、ガラス基板を用いてピクセルを形成することはできないが、本態様では、スイッチとピクセルとが異なる基板に形成されるので、ガラス基板を用いてピクセルを形成することができる。
【００８３】
本発明の態様４に係る放射線検出器（放射線センサ１Ｂ）は、上記態様１または２において、前記ピクセル（アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ）と前記電流調整部（４０ａ・４０ｂ）とは同一の基板（第４基板６３）に形成され、前記スイッチ（ＳＷ１）と、前記電流調整部とは、それぞれ異なる基板に形成されていることが望ましい。
【００８４】
上記構成によれば、スイッチと電流調整部とが異なる基板に形成されているので、態様２と同様に、電流調整部を、抵抗を用いて形成することができる。また、ピクセルと電流調整部とが同一基板上に形成されているため、基板から引き出す配線数、基板の外に配置すべき部品数の削減が可能であり、小型化、コスト削減が可能である。
【００８５】
本発明の態様５に係る放射線検出器（放射線センサ１Ｃ）は、上記態様１において、前記スイッチ（ＳＷ１）と前記電流調整部（４０ａ・４０ｂ）とは同一の基板（第５基板６４）に形成され、前記ピクセル（アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ）と前記スイッチとは、それぞれ異なる基板（第３基板６２）に形成されていることが望ましい。
【００８６】
上記構成によれば、ピクセルとスイッチとが異なる基板に形成されているので、態様３と同様に、例えば、ガラス基板を用いてピクセルを形成することができる。また、スイッチと電流調整部とが同一基板上に形成されているため、電流調整部とスイッチとを別々の基板に形成する場合と比較して部品数の削減が可能であり、小型化、コスト削減が可能である。
【００８７】
本発明の態様６に係る放射線検出器（放射線センサ１・１Ａ・１Ｂ・１Ｃ・１Ｄ・１Ｅ）は、上記態様１から５のいずれかにおいて、前記スイッチ（ＳＷ１）は、前記読出し回路（２１ａ・２１ｂ）が前記電流値を読み出すタイミングと同じタイミングで、前記共通端子（Ａ１）と、前記所定の電圧ノードまたは、前記グランドとの間を導通状態とすることが望ましい。
【００８８】
上記構成によれば、読出し回路が電流値を読出すときのみ、電流調整部が出力信号線から所定電流を引き抜くことができる。また読出し回路がピクセルを読出すとき以外は、スイッチはオフされるので、電流調整部に抵抗が用いられている場合において、電流調整部から電流が流出することを防ぐことができる。
【００８９】
本発明の態様７に係る放射線検出器（放射線センサ１・１Ａ・１Ｂ・１Ｃ・１Ｄ・１Ｅ）は、上記態様１から６のいずれかにおいて、前記読出し回路（２１ａ）は、前記電流調整部（４０ａ）により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す積分用アンプ（２２）を備え、前記積分用アンプは、基準電圧が印加される第１入力端子（プラス側の端子）と、前記積分用アンプの出力端子に接続され、上記基準電圧に維持される第２入力端子（マイナス側の端子）と、を有し、前記第２入力端子は、前記電流調整部の前記共通端子（Ａ１）に接続されてない端子に接続されていることが望ましい。
【００９０】
上記構成によれば、スイッチをオフすると、放射線検出器には、各読出し回路の積分用アンプの第２入力端子との間に、各電流調整部が直列接続された回路が形成される。各第２入力端子は、各積分用アンプのフィードバックにより、各第１入力端子に印加している基準電圧が維持される。そのため、直列接続された各電流調整部の両端に電位差が無く、各電流調整部間には電流は流れない。つまり、スイッチをオフすると、各電流調整部を各積分用アンプの入力端子から遮断したのと同等の効果が得られる。これにより、スイッチは、各電流調整部と、電流源または、グランドと、を、一度に導通状態または遮断状態にすることができる。
【００９１】
本発明の態様８に係る放射線検出器（放射線センサ１・１Ａ・１Ｂ・１Ｃ・１Ｄ・１Ｅ）のスイッチ（ＳＷ１）の制御方法は、センサ素子（フォトダイオード１３）が受光した放射線の線量に応じた電流を、出力ライン（Ｉｏｕｔ＿１・Ｉｏｕｔ＿２）に出力するピクセル（アクティブピクセル１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ・１２ａ１・１２ｂ１・１２ｃ１・１２ｄ１）と、前記出力ラインの一端に接続され、所定電流を前記出力ラインから引き出す電流調整部（４０ａ・４０ｂ）と、前記出力ラインの他端に接続され、前記出力ラインにおける、前記電流調整部により所定電流が引き出された後の電流値を読み出す読出し回路（２１ａ・２１ｂ）と、を有する、複数の読出し部（３０ａ・３０ｂ）と、前記複数の読出し部にそれぞれ含まれている前記電流調整部の前記出力ラインの一端に接続されていない端子と接続されている共通端子（Ａ１）と、前記共通端子と、所定の電圧ノードまたはグランドとの間の導通状態を切り替えるスイッチ（ＳＷ１）と、を備えている放射線検出器のスイッチ制御方法であって、前記スイッチは、前記読出し回路が前記電流値を読み出すタイミングと同じタイミングで、前記共通端子と、前記所定の電圧ノードまたは、前記グランドとの間を導通状態とすることを特徴とする。
【００９２】
上記構成によれば、態様１および６と同様の効果を奏する。
【００９３】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【００９４】
１・１Ａ・１Ｂ・１Ｃ・１Ｄ  放射線センサ（放射線検出器）
１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ・１２ａ・１２ｂ・１２ｃ・１２ｄ  アクティブピクセル（ピクセル）
１３  フォトダイオード（センサ素子）
１４  電荷蓄積部
１５  リセットトランジスタ
１６  アンプトランジスタ
１７  読出しトランジスタ
２１ａ・２１ｂ  読出し回路
２３  容量
２４  アンプリセットトランジスタ
３０ａ・３０ｂ  読出し部
４０ａ・４０ｂ  電流調整部
６０  第１基板
６１  第２基板
６２  第３基板
６３  第４基板
６４  第５基板
Ｉｏｕｔ＿１・Ｉｏｕｔ＿２  出力ライン
Ｒ１・Ｒ２  抵抗
【図１】
2018125738.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2018125738.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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