(57)【要約】【課題】磁性体の位置を探索する位置探索システム及び位置探索方法を提供する。【解決手段】磁場を発生させる磁場発生源と、該磁場の磁束密度の変化を検出することが可能な少なくとも１つの磁気センサと、を備え、磁性体が存在し得る領域を、磁場を印加しながら磁場発生源とともに磁気センサを移動させることによって、磁気センサに磁束密度の変化を検出させる走査を行い、該走査の際に磁気センサによって検出される磁束密度の変化に基づいて、上記領域のうち磁性体が存在する位置を探索する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体の位置を探索するシステムであって、
磁場を発生させる磁場発生源と、前記磁場の磁束密度の変化を検出することが可能な少なくとも１つの磁気センサと、を備え、
前記磁性体が存在し得る領域を、前記磁場を印加しながら前記磁場発生源とともに前記磁気センサを移動させることによって、前記磁気センサに前記磁束密度の変化を検出させる走査を行い、
前記走査の際に前記磁気センサによって検出される前記磁束密度の変化に基づいて、前記領域のうち前記磁性体が存在する位置を探索する、
位置探索システム。
【請求項２】
前記磁気センサを３つ以上備え、前記磁気センサは前記磁束密度の変化を電圧の変化として出力するものであり、
前記３つ以上の磁気センサから任意に選ばれる２つの前記磁気センサから出力された前記電圧の差が５μＶ以下の範囲であるとともに、前記２つの磁気センサから出力された前記電圧の平均値と前記２つの磁気センサ以外の前記磁気センサから出力された前記電圧との差がそれぞれ５μＶ以下の範囲となる位置Ｂを特定する、請求項１に記載の位置探索システム。
【請求項３】
前記３つ以上の磁気センサから任意に選ばれる前記２つの磁気センサから出力された前記電圧の差が５μＶ以下の範囲となる位置Ａを特定し、
前記位置Ａから、前記２つの磁気センサから出力された前記電圧の差を５μＶ以下の範囲に維持しながら前記走査を行い、前記位置Ｂを特定する、請求項２に記載の位置探索システム。
【請求項４】
前記磁場発生源の中心軸の軌跡が閉じるように、磁場を印加しながら前記磁場発生源とともに前記磁気センサを移動させることによって、前記領域を前記３つ以上の磁気センサに走査させる試行を２回以上行い、
前記磁気センサから出力された前記電圧に基づいて、前記磁場発生源の中心軸が前記磁性体に最も接近した試行を判定し、
前記最も接近した試行の前記軌跡上又は前記軌跡の内側に前記中心軸が存在する位置からさらに前記走査を行い、前記位置Ａを特定する、請求項３に記載の位置探索システム。
【請求項５】
前記試行における前記軌跡が円形となるように前記磁場発生源及び前記磁気センサを移動させる、請求項４に記載の位置探索システム。
【請求項６】
前記３つ以上の磁気センサから出力された前記電圧のうち少なくとも１つが０Ｖ以下となる前記試行を除く、請求項４又は５に記載の位置探索システム。
【請求項７】
前記試行毎に、前記３つ以上の磁気センサのそれぞれから出力された前記電圧のうち最大値を抽出し、抽出された前記最大値を比較して、最も小さい最大値（Ｖｍａｘ＿ｍｉｎ）を抽出し、
前記試行毎に抽出した前記Ｖｍａｘ＿ｍｉｎを比較して、前記Ｖｍａｘ＿ｍｉｎが最も大きい前記試行を前記最も接近した試行として判定する、請求項４〜６のいずれか１項に記載の位置探索システム。
【請求項８】
前記位置Ｂから前記中心軸と平行な方向に前記走査を行い、
前記３つ以上の磁気センサから出力された前記電圧の平均値と前記磁気センサの移動距離との関係から、前記磁性体の位置を探索する、請求項２〜７のいずれか１項に記載の位置探索システム。
【請求項９】
前記中心軸と直交する平面上における前記中心軸から略等距離となる該平面上の位置に前記３つ以上の磁気センサが配置される、請求項２〜８のいずれか１項に記載の位置探索システム。
【請求項１０】
前記中心軸を中心とする円周上において、前記３つ以上の磁気センサが等間隔に配置される、請求項２〜９のいずれか１項に記載の位置探索システム。
【請求項１１】
前記磁場発生源及び前記磁気センサがコイルである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の位置探索システム。
【請求項１２】
前記磁気センサからの信号を検出するロックインアンプと、前記ロックインアンプに参照信号を入力する抵抗器と、を備える、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の位置探索システム。
【請求項１３】
前記磁性体が任意のキュリー点を有する感温磁性体である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の位置探索システム。
【請求項１４】
磁性体の位置を探索する方法であって、
前記磁性体が存在し得る領域を、磁場を印加しながら磁場発生源とともに磁気センサを移動させることによって、前記磁気センサに前記磁場の磁束密度の変化を検出させる走査を行い、
前記走査の際に前記磁気センサによって検出される前記磁束密度の変化に基づいて、前記領域のうち前記磁性体が存在する位置を探索する、
位置探索方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は磁場の磁束密度の変化を検出することにより、磁性体の位置を探索する位置探索システム及び位置探索方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において、化学療法に比べて副作用が少なく、手術療法に比べ悪性腫瘍を低侵襲に治療する手段である温熱療法（ハイパーサーミア）が注目されている。温熱療法とは、マイクロ波や高周波電流をエネルギー源として腫瘍組織を加温する療法であり、４０℃〜４５℃に持続的に加温されると抗腫瘍効果が発生することを利用したものである。
【０００３】
特許文献１には、感温磁性体を体内等の被計測部に配置し、感温磁性体から離れた場所から磁場を発生させることで、感温磁性体を誘導加熱し被計測部を加温する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０８８０６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の方法では、被計測部に配置された感温磁性体の位置を適切に把握できないため、感温磁性体が磁場発生源の中心軸から外れている場合があった。感温磁性体が磁場発生源の中心軸から外れている状態で、磁場を発生させると、感温磁性体に印加させる磁場の磁束密度（磁束ベクトル）が減少し、感温磁性体の発熱効率が低下する虞があった。また、感温磁性体の温度を検知するための信号のＳＮ比が低下する虞があった。
【０００６】
そこで本願では、磁性体の位置を探索する位置探索システム及び位置探索方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは鋭意検討の結果、磁場を発生させるとともに、該磁場の磁束密度の変化を検出することにより、磁性体の位置を探索することが可能であることを見出した。
【０００８】
本願では、上記知見に基づき、上記課題を解決する手段の１つとして、
磁性体の位置を探索するシステムであって、磁場を発生させる磁場発生源と、前記磁場の磁束密度の変化を検出することが可能な少なくとも１つの磁気センサと、を備え、前記磁性体が存在し得る領域を、前記磁場を印加しながら前記磁場発生源とともに前記磁気センサを移動させることによって、前記磁気センサに前記磁束密度の変化を検出させる走査を行い、前記走査の際に前記磁気センサによって検出される前記磁束密度の変化に基づいて、前記領域のうち前記磁性体が存在する位置を探索する、位置探索システム、
を開示する。
【０００９】
「前記磁場の磁束密度の変化」とは、磁性体の透磁率に依存する磁場の磁束密度の変化を意味する。
「前記磁性体が存在し得る領域」とは、磁性体の透磁率に依存する磁場の磁束密度の変化を、磁気センサが検出可能な領域を意味する。
【００１０】
前記位置システムは、前記磁気センサを３つ以上備え、前記磁気センサは前記磁束密度の変化を電圧の変化として出力するものであり、前記３つ以上の磁気センサから任意に選ばれる２つの前記磁気センサから出力された前記電圧の差が５μＶ以下の範囲であるとともに、前記２つの磁気センサから出力された前記電圧の平均値と前記２つの磁気センサ以外の前記磁気センサから出力された前記電圧との差がそれぞれ５μＶ以下の範囲となる位置Ｂを特定することが好ましい。
【００１１】
前記位置探索システムは、前記３つ以上の磁気センサから任意に選ばれる前記２つの磁気センサから出力された前記電圧の差が５μＶ以下の範囲となる位置Ａを特定し、前記位置Ａから、前記２つの磁気センサから出力された電圧の差を５μＶ以下の範囲に維持しながら前記走査を行い、前記位置Ｂを特定することが好ましい。
【００１２】
前記位置探索システムは、前記磁場発生源の中心軸の軌跡が閉じるように、磁場を印加しながら前記磁場発生源とともに前記磁気センサを移動させることによって、前記領域を前記３つ以上の磁気センサに走査させる試行を２回以上行い、前記磁気センサから出力された電圧に基づいて、前記磁場発生源の中心軸が前記磁性体に最も接近した試行を判定し、前記最も接近した試行の前記軌跡上又は前記軌跡の内側に前記中心軸が存在する位置からさらに前記走査を行い、前記位置Ａを特定することが好ましい。
【００１３】
「前記磁場発生源の中心軸」とは磁場発生源から生じる磁場の中心軸を意味し、磁場発生源がコイルの場合はコイルの中心軸である。
【００１４】
前記試行における前記軌跡が円形となるように前記磁場発生源及び前記磁気センサを移動させることが好ましい。
また、前記３つ以上の磁気センサから出力された前記電圧のうち少なくとも１つが０Ｖ以下となる前記試行を除くことが好ましい。
【００１５】
前記位置探索システムは、前記試行毎に、前記３つ以上の磁気センサのそれぞれから出力された前記電圧のうち最大値を抽出し、抽出された前記最大値を比較して、最も小さい最大値（Ｖｍａｘ＿ｍｉｎ）を抽出し、前記試行毎に抽出した前記Ｖｍａｘ＿ｍｉｎを比較して、前記Ｖｍａｘ＿ｍｉｎが最も大きい前記試行を前記最も接近した試行として判定することが好ましい。
【００１６】
前記位置探索システムが、前記位置Ｂから前記中心軸と平行な方向に前記走査を行い、前記３つ以上の磁気センサから出力された前記電圧の平均値と前記磁気センサの移動距離との関係から、前記磁性体の位置を探索することが好ましい。
【００１７】
前記中心軸と直交する平面上における前記中心軸から略等距離となる該平面上の位置に前記３つ以上の磁気センサが配置されることが好ましい。なお、「略等距離」とは、前記中心軸と直交する平面上における前記中心軸とそれぞれの磁気センサとの距離の差が、磁性体の大きさの１／１０の範囲内であることを表す。ここでの磁性体の大きさとは、磁性体の最も大きい長さを表すが、磁性体が粒子状の粉体である場合は、磁性体の粒径ではなく、磁性体が分布する範囲における最も大きい長さを表す。
また、前記中心軸を中心とする円周上において、前記３つ以上の磁気センサが等間隔に配置されることが好ましい。
【００１８】
前記位置探索システムにおいて、前記磁場発生源及び前記磁気センサがコイルであることが好ましい。
【００１９】
前記位置探索システムは、前記磁気センサからの信号を検出するロックインアンプと、前記ロックインアンプに参照信号を入力する抵抗器と、を備えることが好ましい。
【００２０】
前記磁性体が任意のキュリー点を有する感温磁性体であることが好ましい。
【００２１】
本願では、上記知見に基づき、上記課題を解決する手段の１つとして、
磁性体の位置を探索する方法であって、前記磁性体が存在し得る領域を、磁場を印加しながら磁場発生源とともに磁気センサを移動させることによって、前記磁気センサに前記磁場の磁束密度の変化を検出させる走査を行い、前記走査の際に前記磁気センサによって検出される前記磁束密度の変化に基づいて、前記領域のうち前記磁性体が存在する位置を探索する、位置探索方法、
を開示する。
【発明の効果】
【００２２】
本開示の磁性体の位置探索システム及び位置探索方法によれば、目視等では探索できない磁性体に対しても、磁性体が存在する範囲を特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】位置システム１０を説明する外観斜視図である。
【図２】位置システム１０を上方から観察した図である。
【図３】磁場印加検出手段３を図２のＩＩＩの方向から観察した図である。
【図４】最も接近した試行に基づいて、位置Ａ、位置Ｂを特定するに際して、磁性体１００の相対移動を示して説明する図である。
【図５】実施例に係る位置システムを説明する図である。
【図６】中心軸Ｏ及び中心Ｚの距離が０ｍｍのときの試行における、相対軌道の角度と、ピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【図７】中心軸Ｏ及び中心Ｚの距離が１０ｍｍのときの試行における、相対軌道の角度と、ピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【図８】中心軸Ｏ及び中心Ｚの距離が３０ｍｍのときの試行における、相対軌道の角度と、ピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【図９】中心軸Ｏ及び中心Ｚの距離が５０ｍｍのときの試行における、相対軌道の角度と、ピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【図１０】磁性体がｘｙ平面から垂直方向上側に１０ｍｍの位置に配置されている場合において、ｘ軸上を磁性体の中心軸Ｘが相対移動（−１０ｍｍ〜１０ｍｍ）するときの、中心軸Ｘの位置とピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【図１１】磁性体がｘｙ平面から垂直方向上側に２０ｍｍの位置に配置されている場合において、ｘ軸上を磁性体の中心軸Ｘが相対移動（−１０ｍｍ〜１０ｍｍ）するときの、中心軸Ｘの位置とピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【図１２】ｘ軸上を磁性体の中心軸Ｘが相対移動（−１０ｍｍ〜５５ｍｍ）するときの、中心軸Ｘの位置とピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【図１３】位置Ｂから磁場検出手段を駆動コイルの中心軸Ｏに平行な方向に移動させたときの、磁場印加検出手段及び磁性体の距離とピックアップ電圧との関係を示す結果である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本願は、磁性体が存在し得る領域を、磁場を印加しながら磁場発生源とともに磁気センサを移動させることによって、磁気センサに磁場の磁束密度の変化を検出させる走査を行い、該走査の際に磁気センサによって検出される上記磁束密度の変化に基づいて、上記領域のうち磁性体が存在する位置を探索する、位置探索システム及び位置探索方法を開示するものである。
ここで、「磁場の磁束密度の変化」とは、磁性体の透磁率に依存する磁場の磁束密度の変化を意味する。「磁性体が存在し得る領域」とは、磁性体の透磁率に依存する磁場の磁束密度の変化を、磁気センサが検出可能な領域を意味する。
【００２５】
以下において、磁場発生源に駆動コイルを用い、磁気センサにピックアップコイルを用いた形態を説明するが、本開示の位置探索システム及び位置探索方法はこれに限定されない。
また、以下の形態においては、駆動コイルとピックアップコイルとは、磁場印加検出ユニットに備えられている。
【００２６】
１．磁性体の位置探索システム１０
図１に、位置探索システム１０が磁性体１００の位置を探索する様子を示した。位置探索システム１０は、磁場を発生させる駆動コイル１（磁場発生源）と、該磁場の磁束密度の変化を検出することが可能な３つのピックアップコイル２（磁気センサ）と、を具備する磁場印加検出手段３を備える。
【００２７】
１．１．磁性体１００
磁性体１００は、磁性を帯びることが可能な材料であれば特に限定されないが、強磁性体であることが好ましい。具体的には、鉄、コバルト、ニッケル等の磁性体材料を含む強磁性体を挙げることができる。また、強磁性体としてはキュリー点を任意に設定できる感温磁性体を用いることが好ましい。
感温磁性体とは、組成比の変更、添加物の添加、熱処理などによってキュリー点を任意に設定できる磁性材料を含む磁性体である。感温磁性体に用いる磁性材料の具体例としては、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトなどを挙げることができる。なお、温熱療法（ハイパーサーミア）を行う際の患部温度計測のために用いる場合は、キュリー点を４３度程度に設定できる磁性材料を選択することが好ましい。そのような磁性材料の具体例としては、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトなどを挙げることができる。
また、位置探索システム１０を用いて感温磁性体の位置を探索する場合は、感温磁性体の温度がキュリー点以下の温度であることが好ましい。キュリー点以上の温度であると、感温磁性体の透磁率が急激に減少するためである。
【００２８】
１．２．磁場印加検出手段３
磁場印加検出手段３は、駆動コイル１（磁場発生源）、及びピックアップコイル２（磁気センサ）を具備する。
【００２９】
１．２．１．駆動コイル１
駆動コイル１は交流を流すことが可能なコイルである。交流を流すことが可能なコイルを用いることで、位置探索システム１０全体の耐久性の向上とコストの低減が可能となる。また、半導体素子において生じるｃｒｏｓｓ−ａｘｉｓ  ｅｆｆｅｃｔを完全に除去できるというメリットもある。
コイルはリッツ線（銅線（例えば、直径０．０８ｍｍの銅線）をエナメル等で被覆絶縁した細線を１００本撚り合せて１本にした導線）から形成されることが好ましい。リッツ線を用いることにより、高周波電流を流す際に表皮効果による抵抗値の増大が起こらず、また、コイル自体の発熱を冷却することができる。
コイルの外径、内径、厚さ、巻数については、必要に応じて適宜設定することができる。なお、コイルの内径の拡大又は巻数の増大は、コイルのインダクタンスを上昇させることができるため、コイルの中心軸から離れた位置であっても磁束密度の大きさを高めることができるようになるが、大型の電源が必要になる。温熱療法（ハイパーサーミア）に用いる場合は、コイルの厚さが薄い方が、取り扱いが容易になる。
【００３０】
１．２．２．ピックアップコイル２
ピックアップコイル２はコイルであり、検出される磁束密度の変化を電圧の変化として出力することができる。
コイルはリッツ線から形成されることが好ましい。リッツ線を用いることにより、高周波電流を流す際に表皮効果による抵抗値の増大が起こらず、また、コイル自体の発熱を冷却することができる。さらに、リッツ線に用いる銅線の断面積を上記に例示したように小さくすることで高周波磁場による渦電流の発生を抑制し、ピックアップコイル自身が磁場を乱す影響を低減させることができる。
コイルの外径、内径、厚さ、巻数については、必要に応じて適宜設定することができる。なお、コイルの内径が小さいと出力される電圧が低下するが、磁束密度の歪み（変化）を検出する空間分解能は向上する。一方で、コイルの内径が大きいと出力される電圧が向上するが、磁束密度の歪み（変化）を検出する空間分解能は低下する。コイルの厚さは薄い方がコイルを位置探索システムに配置し易くなる。
【００３１】
また、図１に示した磁場印加検出手段３においては、ピックアップコイル２は、ピックアップコイル２ａ、２ｂ、２ｃの３つからなる（以下において、「ピックアップコイル２」は、ピックアップコイル２ａ、２ｂ、２ｃを全て含めたものを指すことがある。）。
ピックアップコイルの数が３つであると、磁性体１００が存在し得る領域のうち磁性体１００が存在する範囲を、駆動コイル１の中心軸上にまで特定することができ、磁性体１００の位置を推定することが容易になる。
【００３２】
図２は、磁場印加検出手段３を上方から観察した図である。ここで、ｘｙ平面は、駆動コイルの中心軸Ｏに直交し、かつ、ピックアップコイル２の上面に接する平面である。
【００３３】
図２に示したように、ピックアップコイル２は、中心軸Ｏと直交する平面上における中心軸Ｏから略等距離となる該平面上の位置に配置されることが好ましい。これは、中心軸Ｏと直交する平面上に全てのピックアップコイル２が含まれ、かつ、該平面上の中心軸Ｏからピックアップコイル２までの距離のそれぞれが略等距離にあることを意味する。なお、ピックアップコイル２の中心が中心軸Ｏと直交する平面上に含まれることがより好ましい。また、中心軸Ｏからピックアップコイル２までの距離がそれぞれ等距離であることがより好ましい。これにより、ピックアップコイル２に印加される駆動コイル１の磁場が均一になるため、磁性体１００の位置探索精度が向上する。
ここで、「略等距離」とは、中心軸Ｏと直交する平面上における該中心軸Ｏとそれぞれのピックアップコイルとの距離の差が、磁性体の大きさの１／１０の範囲内であることを表す。なお、ここでの磁性体の大きさとは、磁性体の最も大きい長さを表すが、磁性体が粒子状の粉体である場合は、磁性体の粒径ではなく、磁性体が分布する範囲における最も大きい長さを表す。
【００３４】
図３は、図２のＩＩＩで示した方向から観察した磁場印加検出手段３の側面図である。
図３に示したように、駆動コイル１の中心軸Ｏに直交し、かつ、駆動コイル１の上面に接する平面と、駆動コイル１の中心軸Ｏに直交し、かつ、ピックアップコイル２の上面に接する平面（ｘｙ平面）との距離ｈは５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であることが好ましく、８ｍｍ以上１２ｍｍ以下であることがより好ましい。
距離ｈが上記範囲に含まれるように駆動コイル１及びピックアップコイル２を配置することにより、ピックアップコイル２の磁束密度の変化を検出する感度が向上し、磁性体１００が存在し得る領域を拡大できる。すなわち、磁性体１００とピックアップコイル２との距離がある程度離れていても、磁性体１００の透磁率に依存する磁場の磁束密度の変化をピックアップコイル２により検出可能になる。
【００３５】
また、中心軸Ｏを中心とする円周上において、ピックアップコイル２が等間隔に配置されることが好ましい。これにより、磁場印加検出手段３を走査させるときの磁束密度の変化を検出できる範囲が最大となる。また、中心軸Ｏが磁性体の中心軸に一致した条件において、ピックアップコイル２から出力される電圧がそれぞれ等しくなるため、磁性体の位置探索アルゴリズムが簡易になる。図１では、中心軸Ｏと２つのピックアップコイル２とから形成される角のうち小さい方の角度はそれぞれ１２０°となるように配置されている。
【００３６】
ピックアップコイル２の駆動コイル１の中心軸Ｏからの距離は使用条件に応じて適宜設定することができるが、当該距離が近いほど磁束密度の変化を大きく検出することができる。
ここで、ピックアップコイル２の駆動コイル１の中心軸Ｏからの距離とは、中心軸Ｏからの最短距離を表す。
また、図１、図２に示されるように、駆動コイル１の内側にピックアップコイル２が配置されることが好ましい。
【００３７】
また、磁性体１００の影響を受けない状態において、ピックアップコイル２に誘導起電力が発生しないような姿勢で、ピックアップコイル２が固定されていることが好ましい。具体的には、図１〜図３に示されるように、ピックアップコイル２の外周を含む面が印加される磁場に平行な方向となるような姿勢で固定されていることが好ましく、ピックアップコイル２の中心軸と駆動コイルの中心軸Ｏとが直交する姿勢であることがより好ましい。
【００３８】
１．３．磁性体１００の探索
位置探索システム１０は、磁性体１００が存在し得る領域を、磁場を印加しながら駆動コイル１とともにピックアップコイル２を移動させることによって、ピックアップコイル２に磁場の磁束密度の変化を検出させる走査（以下、「磁場印加検出手段による走査」ということがある。）を行い、該走査の際にピックアップコイル２によって検出される磁束密度の変化に基づいて、上記領域のうち磁性体１００が存在する位置を探索することを１つの特徴としている。
以下に好ましい形態について説明する。
【００３９】
位置探索システム１０は、ピックアップコイル２が磁束密度の変化を電圧の変化として出力するものであり、３つのピックアップコイル２から任意に選ばれる２つのピックアップコイルから出力された電圧（以下において、「ピックアップ電圧」ということがある。）の差が５μＶ以下の範囲であるとともに、上記２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の平均値と上記２つのピックアップコイル２以外のピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧との差がそれぞれ５μＶ以下の範囲となる位置Ｂを特定することが好ましい。
これにより、磁性体存在領域のうち磁性体１００が存在する範囲を、駆動コイル１の中心軸上にまで特定することができる。
なお、３つのピックアップコイル２から任意に選ばれる２つのピックアップコイル２から出力された電圧の差は３μＶ以下であることがより好ましく、１μＶ以下であることが更に好ましく、０．５μＶ以下であることが特に好ましく、０Ｖであることが最も好ましい。差が０Ｖに近づくほど磁性体の位置を探索する精度が向上する。また、上記２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の平均値と上記２つのピックアップコイル２以外のピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧との差は３μＶ以下であることがより好ましく、１μＶ以下であることが更に好ましく、０．５μＶ以下であることが特に好ましく、０Ｖであることが最も好ましい。差が０Ｖに近づくほど磁性体の位置を探索する精度が向上する。
【００４０】
位置Ｂは、３つのピックアップコイル２から任意に選ばれる２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の差が５μＶ以下の範囲となる位置Ａを特定し、位置Ａから、上記２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の差を５μＶ以下の範囲に維持しながら磁場印加検出手段による走査を行うことにより特定されることが好ましい。
これにより、位置Ｂの特定を簡易に行える。
なお、上記２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の差は３μＶ以下であることがより好ましく、１μＶ以下であることが更に好ましく、０．５μＶ以下であることが特に好ましく、０Ｖであることが最も好ましい。差が０Ｖに近づくほど磁性体の位置を探索する精度が向上する。
また、上記２つのピックアップコイル２及び位置Ａの関係から、磁性体１００が存在し得る領域を、位置Ａを含む上記２つのピックアップコイル２から等距離にある平面（以下において、「ｘｚ平面」ということがある。）上にまで特定することが可能である。よって、位置Ａから位置Ｂへの移動はｘｚ平面に平行な方向に移動していると言える。
【００４１】
また、位置Ａは、駆動コイル１の中心軸Ｏの軌跡が閉じるように、磁場を印加しながら駆動コイル１とともにピックアップコイル２を移動させることによって、磁性体１００が存在し得る領域をピックアップコイル２に走査させる試行を２回以上行い、ピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧に基づいて、駆動コイル１の中心軸Ｏが磁性体１００に最も接近した試行を判定し、該最も接近した試行の軌跡上又は軌跡の内側に中心軸Ｏが存在する位置からさらに磁場印加検出手段による走査を行うことにより特定されることが好ましい。
これにより、位置Ａの特定を簡易に行える。
【００４２】
上記試行における軌跡が円形となるように駆動コイル１及びピックアップコイル２を移動させることが好ましい。これにより、中心軸Ｏの軌跡の中心と磁性体１００とが最も接近した試行を判定することができる。なお、円形の半径は、適宜設定することができるが、駆動コイル１の中心軸Ｏからピックアップコイル２までの距離の半分以下であることが好ましい。例えば５ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。これにより、最も接近した試行を判定する精度が向上する。
【００４３】
ピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧のうち少なくとも１つが０Ｖ以下となる試行を除くことが好ましい。これにより、最も接近した試行を判定する精度が向上する。
上記試行における軌跡同士は重ならないことが好ましい。これにより、少ない試行回数で広い範囲を走査することができる。
【００４４】
また、上記最も接近した試行の判定は、試行毎に、３つのピックアップコイル２のそれぞれから出力されたピックアップ電圧のうち最大値を抽出し、抽出された最大値を比較して、最も小さい最大値（Ｖｍａｘ＿ｍｉｎ）を抽出し、試行毎に抽出したＶｍａｘ＿ｍｉｎを比較して、Ｖｍａｘ＿ｍｉｎが最も大きい試行を上記最も接近した試行として判定することが好ましい。
これにより、最も接近した試行を判定する精度が向上する。
【００４５】
これについて図２を用いて説明する。
図２の中心軸Ｏを囲む最も小さい円は、中心軸Ｏの軌跡が円形となるように上記試行を行ったときの、ｘｙ平面における中心軸Ｏ（磁場印加検出手段３）から見た磁性体１００の中心軸Ｘの相対軌道を表している。
なお、相対軌道を用いた理由は、図示を容易にするための便宜的なものである。
【００４６】
発明者らは、３つのピックアップコイル２の中で相対軌道の中心Ｚまでの距離が最も遠いピックアップコイル２ｂ（最遠のピックアップコイル）に着目し、
（１）中心軸Ｘが最遠ピックアップコイル２ｂに最も近い位置（Ｘ１）でのピックアップ電圧が最大となり、最も遠い位置（Ｘ２）でのピックアップ電圧は最小となること、
（２）最遠ピックアップコイル２ｂが中心軸Ｘに近づくほど（中心軸Ｏが相対軌道の中心Ｚに近づくほど）、最遠ピックアップコイル２ｂから出力されるピックアップ電圧の最大値が増加することから、
上記試行毎の最遠ピックアップコイルのピックアップ電圧の最大値を比較することにより、最も接近した試行を判定できると考えた。
【００４７】
また、ここで、最も接近した試行に基づいて位置Ａ、位置Ｂを特定する方法の一例を、図４を用いて説明する。図４はｘｙ平面上の駆動コイル１の中心軸Ｏから見た磁性体１００の動き（相対移動）を表している。また、図４のｙｚ平面はｘｙ平面及びｘｚ平面に直交する平面である。よって、磁性体１００はこれらの平面を含むｘｙｚ空間を相対移動することとなる。なお、図４に示す移動前の磁性体１００は、最も接近した試行における閉じた軌跡上又は軌跡の内側に駆動コイル１の中心軸Ｏが位置しているときの、磁性体１００の相対的な位置を表している。
【００４８】
まず、磁性体１００はｙ軸と平行な方向（１）に沿って相対移動し、２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の差が５μＶ以下の範囲内にある相対位置Ａ’に移動する。このとき、実際の磁場印加検出手段３は位置Ａに存在することとなる。そして、上記２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の差が５μＶ以下の範囲内にあることを維持しながら、磁性体１００はｘ軸と平行な方向（２）に沿って相対移動し、上記２つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧の平均値と、もう１つのピックアップコイル２から出力されたピックアップ電圧との差が５μＶ以下の範囲内にある相対位置Ｂ’に移動する。このとき、実際の磁場印加検出手段３は位置Ｂに存在することとなる。
なお、相対位置Ａ’、相対位置Ｂ’を特定するための磁性体１００の相対移動（磁場印加検出手段３の移動）は図４に示した方法に限定されず、例えば、図４に示す磁性体１００をｘ、ｙ、ｚ成分の全てを含む方向、ｘｙ平面に平行な方向、又はｘ軸と平行な方向に相対移動させて相対位置Ａ’を特定してもよく、相対位置Ａ’から相対位置Ｂ’を特定する際にｘｚ平面に平行な方向に相対移動させてもよい。
【００４９】
また、位置探索システム１０は、位置Ｂから駆動コイル１の中心軸Ｏと平行な方向に磁場印加検出手段３による走査を行い、３つのピックアップコイル２から出力されるピックアップ電圧の平均値とピックアップコイル２の移動距離との関係から、磁性体１００の位置を探索することができる。
なお、上記関係から、磁場印加検出手段３（ピックアップコイル２）と磁性体１００との距離を推定できるため、これにより磁性体１００が存在する位置を推定することが可能となる。
なお、予め磁性体１００及び磁場印加検出手段３（ピックアップコイル２）の距離とピックアップ電圧との関係を測定しておくと、さらに磁性体１００が存在する位置を推定する精度が向上する。
【００５０】
以上、本開示の位置探索システムの一実施形態を説明したが、本開示の位置探索システムはこれに限定されない。
【００５１】
上記一実施形態において、磁場発生源として駆動コイルを用いたが、位置探索システムに用いることができる磁場発生源はこれに限定されず、磁場を発生させることが可能であればよい。具体例としては、超電導コイル、永久磁石などを挙げることができる。
【００５２】
上記一実施形態において、磁気センサとしてピックアップコイルを用いたが、位置探索システムに用いることができる磁気センサはこれに限定されず、磁束密度の変化を検出することができればよい。具体例としては、ホール素子、磁気抵抗素子、フラックス・ゲートセンサ、ファラデー素子、超電導量子干渉素子などが挙げられる。しかしながら、磁気センサによって検出される磁束密度の変化を電圧の変化として出力できるものが好ましい。
また、上記一実施形態において３つの磁気センサを用いたが、位置探索システムに用いることができる磁気センサの数はこれに限定されず、磁性体が存在し得る領域のうち磁性体が存在する位置を探索することができればよく、少なくとも１つあればよい。磁気センサの数が２つであると、磁性体が存在し得る領域のうち磁性体が存在する位置を、２つの磁気センサから等距離にある平面上にまで特定することが可能である。磁気センサの数が４つ以上であると、磁気センサの数が３つのときよりも高精度で磁性体の位置を探索することができる。
【００５３】
位置探索システムは磁気センサからの信号を検出するロックインアンプと、ロックインアンプに参照信号を入力する抵抗器と、をさらに備えていることが好ましい。これにより、磁束密度の変化の検出誤差を低減できる。
【００５４】
また、磁性体が存在し得る領域を、磁場を印加しながら磁場発生源とともに磁気センサを移動させることによって、磁気センサに上記磁束密度の変化を検出させる走査を行うための手段は特に限定されない。例えば、磁場発生源及び磁気センサをロボットアームに接続し、そのロボットアームをコントローラーによって操作して、コントローラーから得られる磁場印加検出手段の位置情報や磁気センサから得られる磁束密度の変化の情報等をコンピュータによって処理することにより上記走査を制御する形態が挙げられる。
【００５５】
２．位置探索方法
次に位置探索システム１０を用いた、磁性体の位置探索方法を説明する。
【００５６】
本開示の位置探索方法は、磁性体の位置を探索する方法であって、磁性体が存在し得る領域を、磁場を印加しながら駆動コイル（磁場発生源）とともにピックアップコイル（磁気センサ）を移動させることによって、ピックアップコイルに上記磁場の磁束密度の変化を検出させる走査を行い、該走査の際にピックアップコイルによって検出される磁束密度の変化に基づいて、上記領域のうち磁性体が存在する位置を探索するものである。
【００５７】
位置探索方法の好ましい形態については、位置探索システム１０に記載した機能に対応する方法のいずれも適用することができる。
【００５８】
以上、本開示の位置探索システム及び位置探索方法によれば、磁性体が存在する位置を探索することができる。よって、例えば温熱療法を行う際に、体内に注入された感温磁性体が存在する範囲を予め探索することができ、その後に行う磁場印加による感温磁性体の誘導加熱の発熱効率を向上させることや、感温磁性体の温度を検知するための信号のＳＮ比を向上させることが可能になる。また、温熱療法以外では、地中に埋まっている地雷や貴金属製品などの探索にも適用できる。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例に基づいて位置探索システム及び位置探索方法について説明するが、本開示の位置探索システム及び位置探索方法はこれに限定されない。
【００６０】
（位置探索システム）
図５に実施例に係る位置探索システムの概略図を示した。実施例に係る位置探索システムは駆動コイル及び３つのピックアップコイル１、２、３を備えた磁場印加検出手段を備えており、その他に、ファンクションジェネレータ（株式会社エヌエフ回路設計ブロック、ＷＦ１９４４Ａ）及びバイポーラ増幅器（株式会社エヌエフ回路設計ブロック、ＢＰ４６１０）からなる高周波交流電源と、ピックアップコイル１、２、３からの信号をそれぞれ検出する３台のロックインアンプ１、２、３（Ａｍｅｔｅｋ．Ｉｎｃ．、Ｓｉｇｎａｌ  Ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ７２６５型ＤＳＰ）と、ロックインアンプに参照信号を入力する０．５Ωの無誘導抵抗と、磁場印加検出手段を移動させるためのロボットアーム（株式会社安川電機、ＭＯＴＯＭＡＮ−ＳＩＡ  １０Ｆ、位置決め精度誤差０．１ｍｍ）及び該ロボットアームを制御するコントローラーを具備する制御用コンピュータと、該制御用コンピュータから得られる磁場印加検出手段の位置情報及び磁気センサから得られる磁束密度の変化の情報を処理する計測用コンピュータと、を備え、図５に示すように接続されている。
また、探索対象の磁性体には、イオン交換水１ｇに感温磁性体１ｇを分散させたものを用いている。
【００６１】
駆動コイルは、材料にリッツ線（直径０．０８ｍｍの銅線をエナメルで被覆絶縁した細線を１００本撚り合せて１本にした導線）を使用した、外径１１８ｍｍ、内径７６ｍｍ、厚さ９ｍｍ、巻数２０ｔｕｒｎであるコイルを用い、中心軸が鉛直となるように配置した。
ピックアップコイル１、２、３は、材料にリッツ線（直径０．０８ｍｍの銅線をエナメルで被覆絶縁した細線を１００本撚り合せて１本にした導線）を使用した、外径１２．５ｍｍ、内径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍ、巻数１０ｔｕｒｎであるコイルを用いた。
また、駆動コイルとピックアップコイルとは、図１〜図３に倣って配置した。駆動コイルの中心軸Ｏからピックアップコイルまでの距離はそれぞれ２１．８ｍｍである。駆動コイルの中心軸Ｏに直交し、かつ、駆動コイルの上面に接する平面と、駆動コイルの中心軸Ｏに直交し、かつ、ピックアップコイルの上面に接する平面（ｘｙ平面）との距離は１１ｍｍである。
ｘｙ平面の定義は上述の一実施形態と同様である。
【００６２】
高周波交流電源は、２５６０Ｈｚの正弦波交流をファンクションジェネレータで生成し、バイポーラ増幅器により８Ａｐｐに増幅して駆動コイルに印加するものであり、それにより駆動コイルの周囲に磁場が発生する。
３台のロックインアンプは、それぞれに接続されたピックアップコイルから出力されたピックアップ電圧を同期検波し計測するものである。なお、ピックアップコイルは駆動コイルから印加される磁場の磁束密度の変化を検出するために、予め磁性体を設置せずに、駆動コイルから磁場を印加した状態で、ロックインアンプのオフセット機能を用いて、３つのピックアップ電圧を０Ｖに規格化（キャリブレーション）しておく。
計測用コンピュータは、それぞれのロックインアンプとはＧＰＩＢインターフェースで接続されており、制御用コンピュータとはＬＡＮケーブルで接続されている。そして、ＬａｂＶＩＥＷ２０１２（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）で作成した自動計測プログラムにより、ピックアップ電圧のリアルタイム電圧波形を表示し、制御用コンピュータから受信した磁場印加検出手段の位置情報とピックアップ電圧の情報とを関係付けて計測用コンピュータに保存する。
制御用コンピュータはＶＣ＋＋２００８を用いて開発した自動制御プログラムにより、ロボットアームを正確に移動させることができる。
【００６３】
感温磁性体は組成比がＦｅ２Ｏ３：ＣｕＯ：ＺｎＯ：ＭｇＯ＝４９：７：３０：１４（ｍｏｌ％）であるものを用い、表面が金で被膜されている（特開２０１１−２５１０４２号に基づいて作製した）。感温磁性体の粒径は５０μｍ以上１５０μｍ以下の粉体である。なお、キュリー点は４３℃である。
【００６４】
このような構成の位置検索システムを用いて、磁性体の位置を探索する下記の実験を行った。
【００６５】
［磁性体の位置探索実験］
本実験は、磁性体の中心（純水に分散した磁性体を収容した容器の中心）を通る鉛直な直線を磁性体の中心軸Ｘとしたとき、駆動コイルの中心軸Ｏが上記中心軸Ｘから外れている場合における、磁性体の位置を探索するものである。なお、本実験は印加する磁場の磁束密度によって磁性体が誘導加熱されないように、十分低い磁束密度で行った。また、磁性体が未設置の状態における、ｘｙ平面における駆動コイルの中心軸Ｏから該平面の垂直方向上側１０ｍｍの磁束密度は０．５７６ｍＴであった。
【００６６】
＜最も接近した試行の判定＞
（実験操作）
ｘｙ平面から垂直方向上側に２０ｍｍの位置に磁性体を固定し、磁場印加検出手段を中心軸Ｏに直交する平面に平行な方向に半径５ｍｍで円回転させる試行を行った。
円回転させた位置は、磁場印加検出手段を円回転させたときのｘｙ平面上における中心軸Ｏ（磁場印加検出手段）から見た中心軸Ｘの軌跡を相対軌道としたとき、中心軸Ｏと相対軌道の中心Ｚとの距離が０ｍｍ、１０ｍｍ、３０ｍｍ、５０ｍｍとなる位置で行った。
【００６７】
（結果）
駆動コイルの中心軸Ｏと相対軌道の中心Ｚとの距離が０ｍｍ、１０ｍｍ、３０ｍｍ、５０ｍｍとなるそれぞれの試行の結果を図６〜図９に示した。図６〜図９では、相対軌道における円の角度（時計回りを＋方向とした。）を横軸とした。図６に示した相対軌道の拡大図の白点上に磁性体の中心軸Ｘがある状態を０°としている。図７〜図９における０°の位置も同様である。また、図中のＶｐ１、Ｖｐ２、Ｖｐ３はピックアップコイル１、２、３のそれぞれのピックアップ電圧を表している。
【００６８】
図６〜図９から、磁場印加検出手段を円回転させたとき、磁性体と各ピックアップコイルとの相対的な位置が周期的に変動することにより、各ピックアップ電圧も周期的に変化していることが確認できた。
【００６９】
また、相対軌道から最も近い位置に配置されているピックアップコイル１のピックアップ電圧１に着目すると、図５、図６、図９においては、相対軌道（磁性体）がピックアップコイル１に最も近い位置におけるピックアップ電圧１の絶対値が最も大きくなり、図８においては、相対軌道（磁性体）がピックアップコイル１に最も遠い位置におけるピックアップ電圧１の絶対値が最も大きくなっていることが分かった。
一方で、相対軌道の中心Ｚから最も遠い位置に配置されているピックアップコイル（以下、「最遠ピックアップコイル」ということがある。）２、３が、相対軌道に最も近づいたときのピックアップ電圧２、３（ピックアップ電圧２、３の最大値）に着目すると、相対軌道の中心Ｚが中心軸Ｏから離れるにつれて、ピックアップ電圧が減少する傾向があることが分かった。
このことから、各試行において、最遠ピックアップコイルの最大値を比較することにより、中心軸Ｏが磁性体（相対軌道の中心Ｚ）に最も接近した試行を判定することができると考えられる。
【００７０】
ここで、駆動コイルの中心軸Ｏが磁性体に最も接近した試行を判定する際に、１回の試行における３つのピックアップ電圧のそれぞれの最大値を比較し、最も小さい最大値（Ｖｍａｘ＿ｍｉｎ）を出力したピックアップコイルを最遠ピックアップコイルであると判断して考えると、図６からは、ピックアップ電圧１、２、３の最大値が同じであるため、ピックアップコイル１、２、３のいずれもが最遠ピックアップコイルと判断される。図７からは、ピックアップ電圧２、３の最大値がピックアップ電圧１の最大値よりも小さいため、ピックアップコイル２、３が最遠ピックアップコイルと判断される。
一方で、図８、図９からは、ピックアップ電圧１の最大値がピックアップ電圧２、３の最大値よりも小さいため、ピックアップコイル１が最遠ピックアップコイルと判断されてしまう。
【００７１】
このように、図８、図９における試行の最遠ピックアップコイルは実際の最遠ピックアップコイルとは異なって判断される。しかしながら、中心軸Ｏが磁性体に最も接近した試行の判断は、各試行の最も小さい最大値（Ｖｍａｘ＿ｍｉｎ）を比較してその中で最大となる試行を最も接近した試行として判定するものであるため、図６〜図９から判断される各試行のＶｍａｘ＿ｍｉｎを比較すると、図６の試行が最も接近した試行であると判断できる。
なお、後述するように、最も接近した試行の判定の精度を向上させるために、ピックアップコイルから出力されたピックアップ電圧の少なくとも１つが０Ｖ以下となる試行（図８、図９に係る試行）を除いて最も接近した試行の判定を行ってもよい。
【００７２】
なお、上記相対軌道の中心Ｚに最も近いピックアップコイル１のピックアップ電圧１の最大値に着目し、試行毎のピックアップ電圧１の最大値を比較すると、図７に係る試行が駆動コイルの中心軸Ｏが磁性体（相対軌道の中心Ｚ）に最も接近した試行として判定されてしまう。
【００７３】
＜２つのピックアップ電圧の差が所定の範囲内となる位置Ａの探索＞
図６の結果から、ピックアップ電圧２、３の差が角度０°のときは０．４８μＶであり、角度１８０°のときは０．４８μＶであり、角度３６０°のときは０．４４μＶであった。ここで、ピックアップ電圧２、３の差が５μＶ以下の範囲に含まれるときの磁性体の位置を相対位置Ａ’とすることができる（差が０Ｖに近づくほど好ましい）。よって、ここでは角度０°、１８０°、３６０°となる磁性体の位置のいずれも相対位置Ａ’とすることができる。なお、このときの磁場印加検出手段の位置が位置Ａである。
また、ピックアップコイル２、３と位置Ａから、磁性体は位置Ａを含むピックアップコイル２、３から等距離にある平面（ｘｚ平面）上に存在していることが分かる。
【００７４】
＜２つのピックアップ電圧の平均値とその他のピックアップ電圧との差が所定の範囲内となる位置Ｂの探索＞
（実験操作）
ｘｙ平面とｘｚ平面とが重なるｘ軸上を磁性体が−１０ｍｍ〜１０ｍｍの間を相対移動するように、磁場印加検出手段による走査を行った。その結果を、中心軸Ｘの相対軌道とともに図１０、図１１に示した。なお、図１０、図１１における０ｍｍは駆動コイルの中心軸Ｏと、磁性体の中心軸Ｘとが重なる位置である。
【００７５】
（結果）
図１０は、ｘｙ平面から垂直方向上側に１０ｍｍの位置に磁性体を固定した場合、図１１は、ｘｙ平面から垂直方向上側に２０ｍｍの位置に磁性体を固定した場合の、相対軌道における中心軸Ｘの位置とピックアップ電圧との関係を示している。
図１０、図１１から、中心軸Ｘがｘ軸上を相対移動するように、磁場印加検出手段を走査させると、ピックアップ電圧２、３がほぼ一致することが分かった。また、中心軸Ｘが中心軸Ｏ（ｘ＝０）に接近するほど、３つのピックアップ電圧が一致する傾向を確認できた。
また、図１０、図１１の０ｍｍにおけるピックアップ電圧２、３の平均値と、該平均値とピックアップ電圧１との差を算出すると、それぞれ２．４９μＶ、１．２４μＶであった。ここで、ピックアップ電圧２、３の平均値とピックアップ電圧１と差が５μＶ以下の範囲に含まれるときの磁性体の位置を相対位置Ｂ’とすることができる（差が０Ｖに近づくほど好ましい）。よって、ここでは図１０、図１１のいずれの場合も、角度が０°となる磁性体の位置を相対位置Ｂ’とすることができる。なお、このときの磁場印加検出手段の位置が位置Ｂである。
【００７６】
＜磁性体の位置に対するピックアップ電圧の変化の検討＞
図６〜図９の０°、１８０°、図１１の結果を用いて、上記ｘ軸上を磁性体が−１０ｍｍ〜５５ｍｍの間を相対移動するときの、相対軌道における中心軸Ｘの位置とピックアップ電圧との関係を図１２に示した。
図１２に示したｐｉｃｋｕｐ  ｃｏｉｌ  １は、中心軸Ｘが中心軸Ｏに重なる位置（図１２の０ｍｍ）における磁場印加検出手段の側面（ｙ軸方向）から見たピックアップコイル１のｘ軸上の範囲を示したものである。
【００７７】
図１２から、中心軸Ｘが領域（ａ）に位置するとき、ピックアップコイル１に近づくほど鎖交する磁束密度の数が増加するが、領域（ｂ）に位置するときピックアップコイル１に近づくほど鎖交する磁束密度の数が減少し、領域（ｃ）に示すように、ピックアップコイル１を通り過ぎると、ピックアップコイル１に鎖交する磁束密度の向きが反転し、０Ｖ以下となっていることが確認できる。
よって、最も接近した試行を判定する際に行う試行において、ピックアップ電圧が０Ｖ以下となる試行は磁性体がピックアップコイルの外側に位置することを示しているため、ピックアップ電圧の少なくとも１つが０Ｖ以下となる試行を除いて、最も接近した試行の判定を行うことでその精度が高まると考えられる。
【００７８】
＜磁場印加検出手段と磁性体との距離の推定＞
（実験操作）
相対位置Ｂ’に磁性体が存在する位置から、磁場印加検出手段を駆動コイルの中心軸と平行な方向に移動させることによって、磁場印加検出手段による走査を行った。
【００７９】
（結果）
図１３は、磁場印加検出手段及び磁性体の距離（ｘｙ平面から磁性体までの距離）と、ピックアップ電圧との関係を示したものである。
図１３より、３つのピックアップ電圧はほぼ一致し、また、磁場印加検出手段が磁性体から離れるにつれてピックアップ電圧が減少することが確認できた。さらに、任意の距離において３つのピックアップ電圧の平均値を算出し、平均値と距離との関係を指数近似すると、高い決定係数（Ｒ２＝０．９９８）が得られた。
よって、３つのピックアップ電圧の平均値と磁場印加検出手段及び磁性体の距離との関係から、磁場印加検出手段と磁性体との距離を推定することができることが分かった。また、この関係から磁性体の位置を推定できることが分かった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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