(57)【要約】【課題】中心ゴースト防止用の黒点の位置ズレの影響を抑える技術を得る。【解決手段】対物レンズ１１０、対物レンズ１１０を介して被検眼１１１の眼底１１２に照明光を照射する照明光学系１０、照明光の眼底１１２からの反射光をイメージセンサ２０３に導く撮像光学系２０、照明光学系１０における対物レンズ１１０からの反射光の孔鏡と共役な位置に配置され、遮光する領域を光軸に垂直な面内で移動可能な構造を有する可変遮光マスク１０７を備える眼科装置１００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対物レンズと、
前記対物レンズを介して被検眼の眼底に照明光を照射する照明光学系と、
前記照明光の前記眼底からの反射光を撮像部に導く撮像光学系と、
前記照明光学系における前記対物レンズからの反射光に於いて孔鏡と略共役な位置に配置され、遮光する領域を光軸に垂直な面内で移動可能な構造を有する第１の遮光マスクと
を備えることを特徴とする眼科装置。
【請求項２】
前記対物レンズに外部からの光の入射がない状態において、前記照明光学系からの前記照明光の照射を行った状態で生じる前記対物レンズからの反射光に基づき、前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の位置を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１に記載の眼科装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記反射光の強度が最小または規定の値以下となるように前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の位置の制御を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の眼科装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記反射光の強度が最小または規定の値以下となるように前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の大きさの制御を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の眼科装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記反射光の強度が最小または規定の値以下となるように前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の形状の制御を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の眼科装置。
【請求項６】
前記第１の遮光マスクは、エレクトロウェッティング現象を利用して遮光材料を含む液滴の位置を制御する光学素子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の眼科装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、眼科装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
眼科装置として眼底カメラが知られている（例えば、特許文献１を参照）。眼底カメラは、対物レンズを介して照明光源の照明光を被検眼の眼底に照射し、その反射光を対物レンズおよび撮像光学系を介して撮像素子で検出する。この構成では、対物レンズの表面または裏面で生じる反射光が撮像光学系を介して検出される。この対物レンズでの反射光は、眼底画像の中央付近に明るい点として現れる。この対物レンズでの反射光に起因する明るい点を一般に中心ゴーストと呼ぶ（例えば、特許文献２を参照）。中心ゴーストは、眼底画像を阻害する像であり、眼底における疾患の誤認の要因や眼底観察の障害となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１５０２８３号公報
【特許文献２】特開２００９−１７２１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の中心ゴーストの問題を解決する技術として、照明光学系の光路中における中心ゴースト像の共役位置に黒点（黒い点状のマスク）を配置し、対物レンズでの反射の影響を抑える技術がある。この黒点は、眼底への照射光を一部であるが遮るので、必要最小な大きさとする必要がある。上記の黒点が過度に大きいと、眼底画像の中央に薄い影が生じ、眼底画像の質が低下する。この傾向は、近視眼の場合に顕著になる。
【０００５】
ところで、上記の黒点の大きさを必要最小限なものとすると、黒点の設置位置の僅かなズレ（特に光軸に垂直な方向におけるズレ）が生じた場合に上述した対物レンズでの照射光の反射が顕在化し、中心ゴースト像が現れる。
【０００６】
眼科装置の光学系の設定は精密に行われているが、眼科装置の輸送時や設置時の振動、部材の経時変化に伴う変形、温度変化に起因する変形、地震の影響等により、上記黒点やその他途中の光学素子の位置ズレが生じる場合がある。この問題は、黒点の大きさを必要最小限とした場合に特に顕著になる。
【０００７】
このような背景において、本発明は、中心ゴースト防止用の黒点及びその他の光学素子の位置ズレの影響を抑える技術を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、対物レンズと、前記対物レンズを介して被検眼の眼底に照明光を照射する照明光学系と、前記照明光の前記眼底からの反射光を撮像部に導く撮像光学系と、前記照明光学系における前記対物レンズからの反射光と略共役な位置に配置され、遮光する領域を光軸に垂直な面内で移動可能な構造を有する第１の遮光マスクとを備えることを特徴とする眼科装置である。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記対物レンズに外部からの光の入射がない状態において、前記照明光学系からの前記照明光の照射を行った状態で生じる前記対物レンズからの反射光に基づき、前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の位置を制御する制御部を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記制御部は、前記反射光の強度が最小または規定の値以下となるように前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の位置の制御を行うことを特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発明において、前記制御部は、前記反射光の強度が最小または規定の値以下となるように前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の大きさの制御を行うことを特徴とする。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発明において、前記制御部は、前記反射光の強度が最小または規定の値以下となるように前記第１の遮光マスクにおける前記遮光する領域の形状の制御を行うことを特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発明において、前記第１の遮光マスクは、エレクトロウェッティング現象を利用して遮光材料を含む液滴の位置を制御する光学素子であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、中心ゴースト防止用の黒点の位置ズレの影響が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態における眼底カメラの概念図である。
【図２】実施形態における可変遮光マスクの断面図である。
【図３】アクティブマトリクス電極層の斜視図である。
【図４】可変遮光マスクにおける遮光領域のパターン例を示すイメージ図である。
【図５】可変遮光マスクにおける遮光領域のパターン例を示すイメージ図である。
【図６】実施形態における眼底カメラの制御部のブロック図である。
【図７】実施形態における処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（全体の概要）
図１には、眼底カメラ１００が示されている。眼底カメラ１００は、眼底１１２への照明光の照明を行うための照明光学系１０と、眼底１１２からの反射光を撮像部であるイメージセンサ２０３に導く撮像光学系２０を有している。なお図１には、レンズ系が簡略化されて記載されている。また、被検眼１１１の位置の調整に利用されるアライメント光学系、そしてフォーカスの調整に利用されるフォーカス光学系は記載が省略されている。
【００１７】
（照明光学系）
まず、照明光学系１０について説明する。照明光学系１０は、光源１０１を備えている。光源は、ハロゲンランプやLED等であり、眼底の動画観察に利用する波長域を含む光を発する。光源１０１で発せられた光は、凹面ミラー１０２で集光され、集光レンズ１０３を介して、光学フィルタ１０４に入射する。光学フィルタ１０４は、眼底の観察に行う波長域の光を選択する。通常、眼底の観察には、可視光から近赤外の領域の光が利用される。光学フィルタ１０４を通った照明光は、ミラー１０５で反射され、リレーレンズ１０６、可変遮光マスク１０７、リレーレンズ１０８を通って中央に孔１０９ａが形成された孔付きミラーである孔鏡１０９に至る。なお、静止画撮影を行う場合は、図示しない可視のキセノン管などのフラッシュランプやLEDをパルス点灯しておこなう。
【００１８】
可変遮光マスク１０７は、対物レンズ１１０で照明光が遮光され、眼底１１２の観察画像に中心ゴースト光が現れる現象を抑えるための黒点を光軸上に配置するためのデバイスである。可変遮光マスク１０７は、エレクトロウェッティング現象を利用して遮光材料を含む液滴の位置を制御する光学素子の一例である。
【００１９】
可変遮光マスク１０７は、孔鏡１０９の孔１０９ａと共役な位置にある。ゴーストの像はリレーレンズ１０８で屈折し、ミラー１０９で反射し、対物レンズ１１０の面で反射し、孔１０９ａ部に結像する。この位置と共役な位置に黒点が配置され、更に黒点の大きさはこの像の大きさが孔１０９ａと一致するように決められる（原理的には）。すなわち、対物レンズの表面を凸または凹面鏡と考えると黒点を発した「光」はリレーレンズ１０８で屈折し、孔鏡１０９で反射、対物レンズ面１１０で反射して孔鏡１０９の孔１０９aの部分に結像する。したがって、黒点の位置(光軸方向)と大きさを合わせておけば、孔１０９ａには孔１０９ａと同サイズの黒点の像ができることになり、実質孔１０９aに入射する「光」はない。
【００２０】
実際には、可変遮光マスク１０７の遮光部分（黒点部分）に光軸方向の厚みがあり、また中心ゴースト光の原因となる対物レンズ１１０からの反射光は、被検眼側の第１面、孔鏡１０９側の第２面および複合レンズの場合は、内部の接合面からのものがあるので、光軸上における可変遮光マスク１０７の最適な位置は、対物レンズ１１０の第１面で反射した場合の孔１０９aと共役な位置と第２面で反射した場合の孔１０９aと共役な位置の付近で実験的に探索することが望ましい。略共役な位置の範囲としては、対物レンズ１１０の第１面で反射した場合の共役な位置から第２面で反射した場合の共役な位置程度の範囲が挙げられる。
【００２１】
この例では、可変遮光マスク１０７は１枚が配置されているのみであるが、対物レンズの第１面、第２面さらには貼り合わせ面（複合レンズの場合）からの反射が問題となる場合は、各共役位置のそれぞれに可変遮光マスク１０７を配置することも可能である。可変遮光マスク１０７があることで、照明光のうちの対物レンズで反射され、孔１０９ａを通過して撮像光学系２０に漏れる成分（これが中心ゴーストの要因となる）が、予め照明光学系１０内で遮光されるので、中心ゴーストの発生が抑えられる。可変遮光マスク１０７の詳細については後述する。
【００２２】
可変遮光マスク１０７を通過した照明光は、リレーレンズ１０８を通過して孔鏡１０９に入射し、対物レンズ１１０の方向に反射され、対物レンズ１１０を介して被検眼１１１に照射される。照明光は、被検眼１１１の眼底１１２を照明する。この反射光が眼底反射光となって対物レンズ１１０の方向に戻り、対物レンズ１１０を通過して孔鏡１０９に入射する。
【００２３】
孔鏡１０９には、光軸上に孔１０９ａが形成されており、この孔１０９ａが被検眼の瞳孔と略共役な位置となるように孔鏡１０９の光軸上における位置が調整されている。眼底反射光は孔１０９ａを通過し、撮像光学系２０に入射する。
【００２４】
（撮像光学系）
撮像光学系２０は、フォーカスレンズ２０１を備えている。フォーカスレンズ２０１は、光軸上を移動可能な構造とされている。撮像した眼底画像が鮮明になるようにフォーカスレンズ２０１の光軸上における位置が調整される。フォーカスレンズ２０１を通った眼底反射光は、結像レンズ２０２で撮像部であるイメージセンサ２０３に結像する。イメージセンサ２０３は、例えばＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサが用いられる。イメージセンサは観察と撮影を共通のデバイスを使用してもよいし、個別のデバイスであっても良い。共通とする場合は観察光と撮影光双方の波長に感度を有するものを用いる。個別の場合は光路を分割するため、クイックリターンミラーや波長で分離するダイクロイックミラーを用いる。イメージセンサ２０３により眼底画像の画像データが得られる。また、イメージセンサ２０３は、後述する可変遮光マスクの黒点の位置を調整するモード「黒点位置補正モード」における撮像部としても機能する。
【００２５】
（対物レンズ用遮光マスク）
対物レンズ１１０の前（被検眼側）には、対物レンズ用遮光マスク１１３が配置されている。対物レンズ用遮光マスク１１３は、外部（被検眼側）からの光を遮光し、且つ、対物レンズ１１０の側から入射する光（この光は、光源１０１に起因する）を吸収する。例えば、対物レンズ遮光マスク１１３は、カーボンブラックを混合した塗料で塗装した部材やカーボンを含有した反射の生じない黒い部材で構成される。また、未使用時に対物レンズ１１０の表面を保護するキャップの内面が遮光マスク１１３を兼ねても良い。
【００２６】
対物レンズ用遮光マスク１１３は、光軸（照明光とその反射光の光軸）上への挿入および当該光軸からの退避が可能な構造とされている。対物レンズ用遮光マスク１１３や保護キャップの挿脱は手動により行うが、モータや各種のアクチュエータを利用しても良い。
【００２７】
（可変遮光マスク）
以下、可変遮光マスク１０７について説明する。可変遮光マスク１０７は、眼底の観察に用いる可視光や近赤外光を遮蔽する遮光領域の形状、位置、大きさの制御が可能である。図２には、可変遮光マスク１０７の断面構造が示されている。光軸の方向から見た可変遮光マスク１０７の形状は、円形の外観を有している。可変遮光マスク１０７は、一対のガラス基板１２１と１２２を用いて構成されている。下側のガラス基板１２１上には、アクティブマトリクス電極層１２３が形成されている。
【００２８】
図３は、ガラス基板１２１上に形成されたアクティブマトリクス電極層１２３を矩形に切り取った状態の斜視イメージ図である。アクティブマトリクス電極層１２３は、マトリクス状に配置されたＩＴＯ膜で構成された複数の画素電極、各画素に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、薄膜トランジスタを駆動する周辺駆動回路を備えている。これらの技術は、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイの技術を応用している。
【００２９】
アクティブマトリクス電極層１２３の上には、高誘電フィルム１２４が配置されている。高誘電フィルム１２４としては、例えばPVdF（ポリフッ化ビニリデン）やPTFE（ポリテトラフルオロエチレン）が用いられる。高誘電フィルム１２４に接して撥水膜１２５が配置されている。撥水膜１２５は、撥水性を有する膜で、例えばテフロンAF（登録商標）やサイトップ（登録商標）が用いられる。
【００３０】
撥水膜１２５に接してリング部材１２６が配置されている。リング部材１２６は、リング状の部材で、撥水膜１２５と高誘電膜１２７に接し、その内側に内部空間１２８が形成されている。上側の高誘電膜１２７は、上側の透明導電膜（ＩＴＯ膜）１２９に接し、透明導電膜１２９は上側のガラス基板１２２に接している。透明導電膜１２９は、光学部材として有効に働く領域の全面に一様に設けられている。リング部材１２６の周囲は、封止材１３０により封止され、内部空間１２８を密閉空間としている。ガラス基板の表面には表面反射を防止するARコートが施されていることが望ましい
【００３１】
高誘電膜１２７の内部空間１２８の側には、親水膜１３１が配置されている。親水膜１３１は、親水機能を有する膜で、例えばトリシラノールやシリカなどの無機分散体により構成されている。内部空間１２８は、水系の透明な有極性液１３２と、黒色の色素材料を含んだ黒色を構成する無極性のオイル１３３で満たされている。有極性液１３２の具体的な例としては、水やメタノール等が挙げられる。オイル１３３としては、カーボンブラックを混合した炭化水素系合成油、シリコーンオイル等が挙げられる。
【００３２】
各部の寸法としては、一例であるが、各画素の大きさが３０μｍ〜１０００μｍ四方程度、ガラス基板１２１，１２２の厚みが０．１〜０．５ｍｍ、アクティブマトリクス電極層１２３各部の寸法は通常の液晶パネルと同様な寸法、高誘電フィルム１２４の厚みは０．３〜５μｍ、撥水膜１２５の厚みは数〜５００ｎｍ、内部空間の高さ（撥水膜１２５と親水膜１３１との間の距離）が０．１〜５ｍｍ、高誘電膜１２７の厚みが０．３〜５μｍ、親水膜１３１の厚みが数〜５００μｍ、透明導電膜（ＩＴＯ膜）１２９の厚みが１０〜２００ｎｍが採用される。
【００３３】
アクティブマトリクス電極層１２３と透明電極１２９との間に電圧を加えない状態では、撥水膜１２５で水系の有極性液１３２が弾かれ、他方でオイル１３３は有極性液１３２から分離し、更に親水膜１３１でオイル１３３が弾かれるので、図３(Ａ)に示すように、オイル１３３がガラス基板１２１の側に薄く全体に分布する。この場合、オイル１３３の厚みが薄いので、全面を光が透過する。
【００３４】
図４（Ｂ）には、アクティブマトリクス電極層１２３の全面と透明電極１２９との間に電圧を加えた状態が示されている。この場合、透明な有極性液が電極間の方向（図の上下方向）に分布しようとするので、行き場のない黒色のオイルが中央に集まり、また厚みが厚くなって水滴状になり、黒色の光吸収層として機能する円形の黒点１３５が形成される。黒点１３５の最適な径は、光源の種類、波長、光学系の構成、レンズの種類等によって異なるので、装置の種類ごとに実験的に求める必要があるが、例えば直径で１００μｍ〜５００μｍ程度である。
【００３５】
図４（Ｂ）の状態において、アクティブマトリクス電極層１２３の全面と透明電極１２９との間に加える電圧を変化させると、黒点１３５の径（光軸方向から見た直径）が変化する。例えば、電圧を上げれば黒点１３５の径が小さくなり、電圧を下げれば黒点１３５の径が大きくなる。この現象がエレクトロウェッティング現象である。
【００３６】
図４（Ｃ）には、マトリクス配置された各画素に加わる電圧を個別に制御できるアクティブマトリクス電極層１２３の機能を利用し、アクティブマトリクス電極層１２３の周辺部以外の部分に電圧を加えた場合が示されている。この場合、電圧が加わっている領域（周辺部以外の領域）に有極性液が集まり、電圧が加わっていない領域（周辺部の領域）にオイルが押し出されて集まるので、図４（Ｃ）に示すように、中央を光が透過し、周辺で光が遮蔽される光学マスクが得られる。
【００３７】
図４（Ｄ）には、電圧を加える領域を非対称な領域とすることで、黒点１３５の位置を偏心(中央からずれた位置)とした例が示されている。例えば、図４（Ｂ）に示す状態において、図における黒点１３５の右側の電圧を相対的に高くし、左側の電圧を相対的に低くすると、電圧が高い方(高電界の領域)に有極性液が集中しようとするので、相対的にオイルが図の左方向に押しやられ、黒点１３５が図４（Ｄ）に示すように左に偏心した位置に移動する。この原理により、アクティブマトリクス電極層１２３における電圧印加の分布を調整することで、黒点１３５の位置を変更することができる。
【００３８】
また、アクティブマトリクス電極層１２３における電圧印加の分布を調整することで、黒点１３５の形状を変更することもできる。この例を図５（Ａ）および（Ｂ）に示す。また、図２のオイル１３３を一ヵ所でなく、複数位置に分離させ、図５（Ｃ）や（Ｄ）に示すようなオイルで構成される遮光領域を形成することもできる。
【００３９】
（制御系の構成）
図６は、図１に示す眼底カメラ１００における可変遮光マスク１０７の駆動制御に係る制御部６００のブロック図である。眼底カメラ１００は、その基本動作に係る制御部を備えるが、その機能は通常の眼底カメラと同じであるので説明は省略する。なお、制御部６００を構成するハードウェアの一部または全部を図示および説明を省略する眼底カメラ１００の基本動作に係る制御部のハードウェアと共用することができる。
【００４０】
制御部６００は、コンピュータとしての機能を有し、ＣＰＵ、メモリ、ハードディスク装置、インターフェース装置を備えている。制御部６００は、汎用または専用のハードウェアで構成されている。例えば、制御部６００を汎用コンピュータで構成することも可能である。制御部６００が有する各機能部は、ソフトウェア的に構成されていてもよいし、専用の演算回路によって構成されていてもよい。また、ソフトウェア的に構成された機能部と、専用の演算回路によって構成された機能部が混在していてもよい。例えば、図示する各機能部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）などのＰＬＤ（Programmable Logic Device）などの電子回路により構成される。
【００４１】
各機能部を専用のハードウェアで構成するのか、ＣＰＵにおけるプログラムの実行によりソフトウェア的に構成するのかは、要求される演算速度、コスト、消費電力等を勘案して決定される。例えば、特定の機能部をＦＰＧＡで構成すれば、処理速度の上では優位であるが高コストとなる。他方で、ＣＰＵでプログラムを実行することで特定の機能部を実現する構成は、ハードウェア資源を節約できるので、コスト的に優位となる。しかしながら、ＣＰＵで機能部を実現する場合、処理速度は、専用のハードウェアに比較して見劣りする。また、ＣＰＵで機能部を実現する場合、複雑な演算に対応できない場合もあり得る。なお、機能部を専用のハードウェアで構成することとソフトウェア的に構成することは、上述した違いはあるが、特定の機能を実現するという観点からは、等価である。
【００４２】
制御部６００は、対物レンズ用遮光マスク駆動部６０１、可変遮光マスク駆動部６０２、発光制御部６０３、中心ゴースト像信号レベル取得部６０４および中心ゴースト像判定部６０５を備えている。
【００４３】
対物レンズ用遮光マスク駆動部６０１は、対物レンズ用遮光マスク１１３（図１参照）の光軸上への挿入およびそこからの退避を行う駆動機構（例えば、モータを用いた駆動機構）の動作を制御する制御信号を生成する。
【００４４】
可変遮光マスク駆動部６０２は、可変遮光マスク１０７のアクティブマトリクス電極層１２３への駆動信号を生成する。可変遮光マスク駆動部６０２により、図４や図５に示す遮光領域（例えば黒点１３５）の位置、大きさ、形状の一または複数の制御が行なわれる。
【００４５】
発光制御部６０３は、光源１０１の発光タイミングの制御を行う。中心ゴースト像信号レベル取得部６０４は、イメージセンサ２０３の出力レベルから中心ゴースト像のレベル（強さ）に係る信号を取得する。中心ゴースト像判定部６０５は、中心ゴースト像信号レベル取得部６０４が取得した中心ゴースト像の検出レベルを判定する。例えば、閾値を設け、イメージセンサ２０３の出力信号のレベルがこの閾位置以下であれば、中心ゴーストが規定レベル以下と判定し、イメージセンサ２０３の出力信号のレベルがこの閾位置を超える値であれば、中心ゴーストが問題となるレベルと判定する。
【００４６】
（動作の一例）
以下、中心ゴースト防止用の黒点の位置ズレの補正を行う処理の一例を説明する。この処理は、ユーザの指示や予め定めたタイミングで黒点位置補正モードとして実行される。図７は、処理の手順の一例を示すフローチャートである。図７の処理を実行するプログラムは、制御部６００の記憶領域に記憶され、制御部６００のＣＰＵにより制御されて実行される。このプログラムは、適当な記憶媒体に記憶させ、そこから提供される形態であってもよい。
【００４７】
図７の処理が実行されると、まず対物レンズ用遮光マスク１１３が対物レンズ１１０の光軸上に挿入される（ステップＳ１０１）。この処理は、図６の対物レンズ用遮光マスク駆動部６０１からの駆動信号に基づいて行われる。対物レンズ用遮光マスク１１３を対物レンズ１１０の光軸上に挿入することで、対物レンズ１１０に装置外部から光が入射しないと同時に対物レンズ１１０を透過した光源１０１からの光束を反射しない状態が得られる。この状態は、対物レンズ１１０の前に暗幕を配置する、図７の処理を暗室で行うといった方法でも実現可能である。次に、光源１０１からの発光を行う（ステップＳ１０２）。この処理は、図６の発光制御部６０３に制御されて行われる。
【００４８】
次に、イメージセンサ２０３の出力から中心ゴーストの信号レベルが取得される（ステップＳ１０３）。この処理は、図６の中心ゴースト像信号レベル取得部６０４で行われる。対物レンズ用遮光マスク１１３を対物レンズ１１０の光軸上に挿入した状態では、装置外部から侵入する光はなく、この段階で観察される可能性のある光は光源１０１から発せられ、対物レンズ１１０から孔鏡１０９の方向に反射された光だけである。よって、ステップＳ１０３の段階では、イメージセンサで検出される光のレベルを取得することで、上記の対物レンズの反射に起因する光のレベル、すなわち中心ゴーストの光のレベルを取得することができる。
【００４９】
ステップＳ１０３の後、ステップＳ１０３で取得した信号のレベルが予め定めた閾値以下であるか否か、すなわち中心ゴーストのレベルが予め定めたレベル（強度）以下であるか否か、の判定が行われる（ステップ１０４）。中心ゴーストのレベルが予め定めたレベル以下である場合、対物レンズ用遮光マスクを光軸上から退避させ（ステップＳ１０６）、処理を終了する。この場合、可変遮光マスク１０７に形成される黒点が正常（設計通り）に機能していると判定される。
【００５０】
ステップＳ１０４の判定において、中心ゴーストのレベルが予め定めたレベル以下でない場合（中心ゴーストのレベルが予め定めたレベルを超える場合）、ステップＳ１０５に進む。ステップＳ１０５では、可変遮光マスク１０７（図１参照）における黒点の位置の変更を行う。この処理における黒点の位置の変更は、図６の可変遮光マスク駆動部６０２から出力される駆動信号に基いで行われる。ステップ１０５で行われる黒点の移動は、図４（Ｄ）に関連して説明した原理によって行われる。
【００５１】
ステップＳ１０５の後、ステップＳ１０２以下の処理を再度実行する。以上の処理を中心ゴーストのレベルが閾値以下となるまで繰り返す。
【００５２】
以下、ステップＳ１０４→Ｓ１０５の一連の処理の具体的な例を説明する。例えば、光軸に垂直な面を考える。そしてこの面に直交するＸ−Ｙ軸を設定する。そして、最初の段階の黒点の位置を原点（中心点）として、その周囲に複数の探索点を設定する。原点から各探索点までの距離は、例えば１００μｍとする。
【００５３】
そして、設定された探索点の一つへの黒点の移動（Ｓ１０５）→ステップＳ１０２以下の処理を行う。中心ゴーストのレベルが閾値以下にならない場合、探索点を変更し、ステップＳ１０２以下の処理を繰り返す。ここで、中心ゴーストの信号レベルが低下した探索点が見つかった場合、その点を原点として、新たに複数の探索点を設定し、同様な処理を繰り返す。こうして、中心ゴーストのレベルが閾値以下となる探索点を見つけ出す。
【００５４】
ステップＳ１０５において、黒点位置の変更に加えて、またはそれに代えて図５の原理に従って黒点の形状の変更を行ってもよい。勿論、図５（Ｃ）や（Ｄ）の形状を採用することも可能である。また、ステップＳ１０５において、遮光領域（黒点）の大きさを変化させることも可能である。
【００５５】
（優位性）
何らかの理由により黒点の位置にズレが生じても、中心ゴーストが生じない位置に黒点の位置を移動させることで、黒点の位置ズレが解消され、中心ゴーストの発生が抑えられる。特に上記の処理は自動化されているので、保守要員やメーカーに戻しての再調整が不要であり、所定の性能を維持しつつ眼底カメラの維持に要するコストを抑えることができる。
【００５６】
また、エレクトロウェッティング現象を利用して遮光材料を含む液滴の位置を制御する方式を利用した可変遮光マスク１０７は、液晶シャッターのように偏光を用いないので、眼底画像を阻害することがない優位性がある。
【００５７】
（他の例１）
【００５８】
上述した黒点の位置の変更だけでは、中心ゴーストのレベルが閾値以下にならない場合、次の段階として、ステップＳ１０５において、黒点の径を大きくし、再度黒点の位置の探索処理を行う。それでも黒点の最適位置が見つからない場合、更に黒点の径を大きくし、再度黒点の位置の探索処理を行う。こうすることで、黒点径の増大を最小限に抑えながら、中心ゴーストの発生を抑えることができる。
【００５９】
（他の例２）
上述した黒点の位置の変更だけでは、中心ゴーストのレベルが閾値以下にならない場合、次の段階として、ステップＳ１０５において、黒点の形状の変更（遮光する領域の形状の変更）を行い、再度ステップＳ１０２以下の処理を繰り返す。それでも黒点の最適位置が見つからない場合、更に遮光領域を別の形状に変更し、再度ステップＳ１０２以下の処理を繰り返す。こうすることで、黒点の面積（遮光領域の面積）の増大を抑えながら、中心ゴーストの発生を抑えることができる。
【００６０】
（他の例３）
複数の探索点の設定、当該複数の探索点における中心ゴーストのレベルの取得、その中で最小な中心ゴーストのレベルが得られた探索点への黒点（遮光領域）の移動を行ってもよい。
【００６１】
（他の例４）
複数の探索用黒点径の設定、当該複数の探索用黒点径における中心ゴーストのレベルの取得、その中で最小な中心ゴーストのレベルが得られた探索用黒点径への黒点の設定を行ってもよい。
【００６２】
（他の例５）
複数の探索用遮光領域形状の設定、当該複数の探索用遮光領域形状における中心ゴーストのレベルの取得、その中で最小な中心ゴーストのレベルが得られた探索用遮光領域形状の採用を行う処理も可能である。また、以上述べた複数の態様の２以上を組み合わせた処理も可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１００…眼底カメラ、１０…照明光学系、１０１…光源、１０２…凹面ミラー、１０３…集光レンズ、１０４…光学フィルタ、１０５…ミラー、１０６…リレーレンズ、１０７…可変遮光マスク、１０８…リレーレンズ、１０９…孔鏡、１１０…対物レンズ、１１１…被検眼、１１２…眼底、１１３…対物レンズ用遮光マスク、１２１，１２２…ガラス基板、１２３…アクティブマトリクス電極層、１２４…高誘電フィルム、１２５…撥水膜、１２６…リング部材、１２７…高誘電膜、１２８…内部空間、１２９…透明導電膜（ＩＴＯ膜）、１３０…封止材、１３１…親水膜、１３２…有極性液、１３３…黒色を構成する無極性のオイル、１３５…黒点、２０…撮像光学系、２０１…フォーカスレンズ、２０２…結像レンズ、２０３…イメージセンサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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