(57)【要約】【課題】ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドを用いて単一のチャンバにおいて複合膜を蒸着する蒸着装置及び蒸着方法を提供する。【解決手段】複合膜の蒸着装置は、チャンバと、その内部に配設され基板を支持する基板支持台と、基板支持台に接続されチャンバ内で基板支持台を第１の軸方向に移動させる駆動部と、基板の蒸着面と向かい合うソースガスノズル及び反応ガスノズルを介して基板の上にソースガス及び反応ガスを噴射し、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドと、ソースガス供給部と、第１の反応ガス供給部と、第２の反応ガス供給部とを備え、ソースガスノズル及び反応ガスノズルは、第１の軸方向と交差する第２の軸方向に延在され、第２の軸方向に平行に配置される。【選択図】図１
2018048395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜の蒸着工程が行われるチャンバと、
前記チャンバの内部に配設され、前記薄膜が蒸着される基板が支持される基板支持台と、
前記基板支持台に接続されて前記チャンバ内において前記基板支持台を第１の軸方向に移動させる駆動部と、
前記基板の蒸着面と向かい合うソースガスノズル及び反応ガスノズルを介して前記基板の上に前記薄膜の蒸着のためのソースガス及び反応ガスをそれぞれ噴射し、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドと、
前記ソースガスノズルに前記ソースガスを供給するソースガス供給部と、
前記反応ガスノズルに第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、
前記反応ガスノズルに第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、
を備え、
前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルは、前記第１の軸方向と交差する第２の軸方向に延在され、前記第２の軸方向に平行に配置される複合膜の蒸着装置。
【請求項２】
前記第１の反応ガスは窒素（Ｎ）原子を含み、
前記第２の反応ガスは酸素（Ｏ）原子を含み、
前記第１の反応ガス及び前記第２の反応ガスは時分割されて供給される請求項１に記載の複合膜の蒸着装置。
【請求項３】
前記ソースガスは、
前記第１の反応ガスと反応して第１の薄膜を形成し、
前記第２の反応ガスと反応して第２の薄膜を形成し、
前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜は積層される請求項１に記載の複合膜の蒸着装置。
【請求項４】
前記ソースガスは、
金属前駆体ガスを含む第１のソースガスと、
前記第１のソースガスとは異種の第２のソースガスと、
を含み、
前記第１のソースガス及び前記第２のソースガスは時分割されて供給される請求項１に記載の複合膜の蒸着装置。
【請求項５】
前記シャワーヘッドに不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備え、
前記不活性ガスは、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルのうちの少なくとも一方のノズルを介して噴射される請求項１に記載の複合膜の蒸着装置。
【請求項６】
前記シャワーヘッドは、前記ソースガスノズルの両側及び前記反応ガスノズルの両側に配設されるように前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルと平行に配置される複数のポンピングノズルを更に備える請求項１に記載の複合膜の蒸着装置。
【請求項７】
前記ソースガスノズルは複数であり、
前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルは前記第１の軸方向に互い違いに配置され、
前記反応ガスノズルの両側には前記ソースガスノズルがそれぞれ位置する請求項１に記載の複合膜の蒸着装置。
【請求項８】
前記電極部は一体型の共通電極として形成され、
前記共通電極には、前記ソースガスノズルに連通される前記ソースガスの移動流路及び前記反応ガスノズルに連通される前記反応ガスの移動流路がそれぞれ形成される請求項１に記載の複合膜の蒸着装置。
【請求項９】
互いに平行に配置されるソースガスノズル及び反応ガスノズル並びにプラズマの形成のための電極部を有するシャワーヘッドを用いた複合膜の蒸着方法において、
前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に同時に前記プラズマを形成するための共通の電源が供給される前記電極部を用いて前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に前記プラズマを形成するステップと、
前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に前記プラズマが形成された状態で前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルを介してソースガス及び第１の反応ガスを基板の上にそれぞれ噴射して第１の薄膜を蒸着するステップと、
前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に前記プラズマが形成された状態で前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルを介して前記ソースガス及び第２の反応ガスを前記基板の上にそれぞれ噴射して第２の薄膜を蒸着するステップと、
を含み、
前記第１の薄膜を蒸着するステップ及び前記第２の薄膜を蒸着するステップは、前記基板を移動させながら行う複合膜の蒸着方法。
【請求項１０】
前記第１の薄膜を蒸着するステップと前記第２の薄膜を蒸着するステップとの間に未反応の残留ガスを排気するステップを更に含む請求項９に記載の複合膜の蒸着方法。
【請求項１１】
前記第１の薄膜を蒸着するステップと、前記第２の薄膜を蒸着するステップ及び前記残留ガスを排気するステップは、所定の回数だけ繰り返し行う請求項１０に記載の複合膜の蒸着方法。
【請求項１２】
前記第１の反応ガスは窒素（Ｎ）原子を含み、
前記第２の反応ガスは酸素（Ｏ）原子を含む請求項９に記載の複合膜の蒸着方法。
【請求項１３】
チャンバと、  
前記チャンバの内部に配設され、基板が支持される基板支持台と、
前記基板支持台に接続されて前記チャンバ内において前記基板支持台を第１の軸方向に移動させる駆動部と、
前記基板の蒸着面と向かい合うソースガスノズル及び反応ガスノズルを介して前記基板の上に複数のソースガス及び複数の反応ガスを選択的にそれぞれ噴射し、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドと、
前記ソースガスノズルに前記複数のソースガスを供給する複数のソースガス供給部と、
前記反応ガスノズルに前記複数の反応ガスを供給する複数の反応ガス供給部と、
を備え、
前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルは、前記第１の軸方向と交差する第２の軸方向に延在され、前記第２の軸方向に平行に配置され、
前記複数のソースガス及び前記複数の反応ガスが選択的に噴射されて形成される複数の薄膜が積層される複合膜の蒸着装置。
【請求項１４】
前記複数のソースガスはそれぞれ時分割されて前記ソースガスノズルに供給され、
前記複数の反応ガスはそれぞれ時分割されて前記反応ガスノズルに供給される請求項１３に記載の複合膜の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合膜の蒸着装置及び蒸着方法に関し、更に詳しくは、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドを用いて単一のチャンバにおいて複合膜を蒸着する複合膜の蒸着装置及び蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池及び有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ ＴＦＴ）などの有機電子素子は、水分及び酸素に脆弱であるため、素子の保護のための封止膜の形成工程を必要とする。
【０００３】
封止膜は、透湿の防止のためのバリア膜及び柔軟性のためのバッファ膜を積層して形成する。従来にはバリア膜及びバッファ膜の多層構造膜を互い違いに積層するために多数のチャンバにおいて多数枚のマスクを用いて蒸着することを余儀なくされ、その結果、封止膜の蒸着工程が煩雑であり、しかも、蒸着装備の大型化が招かれるという不都合があった。
【０００４】
一方、封止膜の形成のために多種多様な蒸着法が試みられたが、一般に、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）法及び化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）法が多用されている。化学気相蒸着（ＣＶＤ）法は、ソースガス及び反応ガスを供給した後にプラズマを用いて薄膜を蒸着し、様々な組成の物質を高速で蒸着することができ、大型装置を構成しやすいとはいえ、透湿防止特性に劣るという欠点がある。これに対し、原子層蒸着（ＡＬＤ）法は、前駆体（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）及び反応ガスをこの順に供給して基板上における吸着及び反応を用いて薄膜を蒸着し、透湿防止特性に優れているとはいえ、蒸着速度が遅いため量産に適用し難いという欠点がある。
【０００５】
この理由から、蒸着速度が速いながらも、抜群の透湿防止特性を有する複合膜を蒸着する方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】大韓民国公開特許公報第１０−２００５−００８８７２９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドを用いることにより、プラズマを形成するための電源の数を低減することができ、しかも、単一のチャンバにおいて更に向上した速度にて複合膜を蒸着することのできる複合膜の蒸着装置及び蒸着方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために案出された本発明の一実施形態に係る複合膜の蒸着装置は、薄膜の蒸着工程が行われるチャンバと、前記チャンバの内部に配設され、前記薄膜が蒸着される基板が支持される基板支持台と、前記基板支持台に接続されて前記チャンバ内において前記基板支持台を第１の軸方向に移動させる駆動部と、前記基板の蒸着面と向かい合うソースガスノズル及び反応ガスノズルを介して前記基板の上に前記薄膜の蒸着のためのソースガス及び反応ガスをそれぞれ噴射し、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドと、前記ソースガスノズルに前記ソースガスを供給するソースガス供給部と、前記反応ガスノズルに第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、前記反応ガスノズルに第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部とを備え、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルは、前記第１の軸方向と交差する第２の軸方向に延在され、前記第２の軸方向に平行に配置される。
【０００９】
前記第１の反応ガスは窒素（Ｎ）原子を含み、前記第２の反応ガスは酸素（Ｏ）原子を含み、前記第１の反応ガス及び前記第２の反応ガスは時分割されて供給され得る。
【００１０】
前記ソースガスは、前記第１の反応ガスと反応して第１の薄膜を形成し、前記第２の反応ガスと反応して第２の薄膜を形成し、前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜は積層され得る。
【００１１】
前記ソースガスは、金属前駆体ガスを含む第１のソースガスと、前記第１のソースガスとは異種の第２のソースガスとを含み、前記第１のソースガス及び前記第２のソースガスは時分割されて供給され得る。
【００１２】
前記複合膜の蒸着装置は、前記シャワーヘッドに不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備え、前記不活性ガスは、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルのうちの少なくとも一方のノズルを介して噴射され得る。
【００１３】
前記シャワーヘッドは、前記ソースガスノズルの両側及び前記反応ガスノズルの両側に配設されるように前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルと平行に配置される複数のポンピングノズルを更に備え得る。
【００１４】
前記ソースガスノズルは複数であり、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルは前記第１の軸方向に互い違いに配置され、前記反応ガスノズルの両側には前記ソースガスノズルがそれぞれ位置し得る。
【００１５】
前記電極部は一体型の共通電極として形成され、前記共通電極には、前記ソースガスノズルに連通される前記ソースガスの移動流路及び前記反応ガスノズルに連通される前記反応ガスの移動流路がそれぞれ形成され得る。
【００１６】
上記の目的を達成するために案出された本発明の他の実施形態に係る複合膜の蒸着方法は、互いに平行に配置されるソースガスノズル及び反応ガスノズル並びにプラズマの形成のための電極部を有するシャワーヘッドを用いた複合膜の蒸着方法において、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に同時に前記プラズマを形成するための共通の電源が供給される前記電極部を用いて前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に前記プラズマを形成するステップと、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に前記プラズマが形成された状態で前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルを介してソースガス及び第１の反応ガスを基板の上にそれぞれ噴射して第１の薄膜を蒸着するステップと、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に前記プラズマが形成された状態で前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルを介して前記ソースガス及び第２の反応ガスを前記基板の上にそれぞれ噴射して第２の薄膜を蒸着するステップとを含み、前記第１の薄膜を蒸着するステップ及び前記第２の薄膜を蒸着するステップは、前記基板を移動させながら行い得る。
【００１７】
前記複合膜の蒸着方法は、前記第１の薄膜を蒸着するステップと前記第２の薄膜を蒸着するステップとの間に未反応の残留ガスを排気するステップを更に含み得る。
【００１８】
前記第１の薄膜を蒸着するステップと、前記第２の薄膜を蒸着するステップ及び前記残留ガスを排気するステップは、所定の回数だけ繰り返し行い得る。
【００１９】
前記第１の反応ガスは窒素（Ｎ）原子を含み、前記第２の反応ガスは酸素（Ｏ）原子を含み得る。
【００２０】
上記の目的を達成するために案出された本発明の更に他の実施形態に係る複合膜の蒸着装置は、チャンバと、前記チャンバの内部に配設され、基板が支持される基板支持台と、前記基板支持台に接続されて前記チャンバ内において前記基板支持台を第１の軸方向に移動させる駆動部と、前記基板の蒸着面と向かい合うソースガスノズル及び反応ガスノズルを介して前記基板の上に複数のソースガス及び複数の反応ガスを選択的にそれぞれ噴射し、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドと、前記ソースガスノズルに前記複数のソースガスを供給する複数のソースガス供給部と、前記反応ガスノズルに前記複数の反応ガスを供給する複数の反応ガス供給部とを備え、前記ソースガスノズル及び前記反応ガスノズルは、前記第１の軸方向と交差する第２の軸方向に延在され、前記第２の軸方向に平行に配置され、前記複数のソースガス及び前記複数の反応ガスが選択的に噴射されて形成される複数の薄膜が積層される。
【００２１】
前記複数のソースガスはそれぞれ時分割されて前記ソースガスノズルに供給され、前記複数の反応ガスはそれぞれ時分割されて前記反応ガスノズルに供給され得る。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一実施形態に係る複合膜の蒸着装置によれば、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドを用いてシャワーヘッドと基板との間の領域にプラズマを形成することにより、プラズマを形成するための電源の数を低減することができ、シャワーヘッドの構造を単純化することができる。これにより、複合膜の蒸着装置の構造が単純化され、複合膜の蒸着装置の製造コストが節減される。
【００２３】
また、同じソースガスを供給し続けながら反応ガスを交互に供給することにより、単一のチャンバにおいて複合膜を蒸着することができ、反応ガスのみをスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）することにより、複合膜を容易に形成することができ、タクトタイム（製造における、生産工程の均等なタイミングを図るための工程作業時間）を短縮することができる。なお、薄膜特性に優れたシリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜を積層することにより、抜群の透湿防止特性を有する有機電子素子用封止膜を提供することができる。
【００２４】
一方、互い違いに平行に配置されたソースガスノズル及び反応ガスノズルを介してソースガス及び反応ガスを同時にそれぞれ噴射しながら基板を移動させて各薄膜を蒸着することにより、原子層蒸着（ＡＬＤ）法による薄膜の蒸着速度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る複合膜の蒸着装置を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るシャワーヘッドの電極部を示す概略斜視図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る複合膜の蒸着方法を示す手順図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付図面に基づいて本発明の実施形態に係る複合膜の蒸着装置及び蒸着方法について詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。本発明の実施形態に係る複合膜の蒸着装置及び蒸着方法について説明するに当たって、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を附し、本発明の実施形態に係る複合膜の蒸着装置及び蒸着方法について正確に説明するために図中の構成要素の大きさが部分的に誇張されていてもよく、図中、同じ参照符号は、同じ構成要素を示す。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態に係る複合膜の蒸着装置を示す概略図であり、図２は、本発明の一実施形態に係るシャワーヘッドの電極部を示す概略斜視図である。
【００２８】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態に係る複合膜の蒸着装置は、薄膜の蒸着工程が行われるチャンバ１１０と、チャンバ１１０の内部に配設され、薄膜が蒸着される基板１０が支持される基板支持台１２０と、基板支持台１２０に接続されてチャンバ１１０内において基板支持台１２０を第１の軸方向１１に移動させる駆動部（図示せず）と、基板１０の蒸着面と向かい合うソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２を介して基板１０の上に薄膜の蒸着のためのソースガス及び反応ガスをそれぞれ噴射し、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の前方に同時にプラズマ４０を形成するための共通の電源が供給される電極部１３５を有するシャワーヘッド１３０と、ソースガスノズル１３１にソースガスを供給するソースガス供給部１４０と、反応ガスノズル１３２に第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部１５０と、反応ガスノズル１３２に第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部１７０とを備え、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２は、第１の軸方向１１と交差する第２の軸方向１２に延在され、第２の軸方向１２に平行に配置されてもよい。
【００２９】
チャンバ１１０は、基板１０が収容されて基板１０の上に薄膜の蒸着工程が行われる空間を提供することができ、チャンバ１１０の内部を真空引きすることができる。また、チャンバ１１０は接地（Ｇｒｏｕｎｄ）されてもよく、チャンバ１１０にはガスの排気及びチャンバ１１０の内部の圧力の維持のための排気ポート（図示せず）が形成されてもよく、基板１０が出入り可能なゲート（図示せず）が形成されてもよい。なお、チャンバ１１０は、金属、セラミック、ガラス、ポリマー及び合成物をはじめとする多種多様な材料により製造されてもよく、チャンバ１１０の形状としては、直角形状、ドーム状、又はシリンダ状などが挙げられる。
【００３０】
基板支持台１２０はチャンバ１１０の内部に配設されてもよく、薄膜が蒸着される基板１０が支持されてもよい。また、基板支持台１２０は、駆動部（図示せず）により往復動可能であり、この場合、ソースガス及び反応ガスがこの順に基板１０の全体の領域に噴射されて薄膜が基板１０の全体の領域に均一に蒸着可能である。
【００３１】
駆動部（図示せず）は基板支持台１２０に接続されてチャンバ１１０内において基板支持台１２０を第１の軸方向１１に移動させてもよい。このとき、駆動部（図示せず）は基板支持台１２０を第１の軸方向１１に往復動させてもよい。この場合、基板支持台１２０の往復動により基板１０の全体の領域にソースガス及び反応ガスがこの順に噴射されて薄膜が蒸着可能である。駆動部（図示せず）は、動力を提供する動力源（図示せず）と、該動力源（図示せず）からの動力を伝える動力伝達部（図示せず）及び基板支持台１２０に固定されて動力伝達部（図示せず）との接続を行う接続部（図示せず）とを備えていてもよく、本発明はこのような構成に何等限定されるものではなく、第１の軸方向１１に基板支持台１２０を移動（又は往復動）可能であればよい。
【００３２】
シャワーヘッド１３０は、基板１０の蒸着面と向かい合うソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２を介して基板１０の上に薄膜の蒸着のためのソースガス（又は前駆体）及び反応ガスを同時にそれぞれ噴射してもよい。ここで、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２は、第１の軸方向１１と交差する第２の軸方向１２に延存される長尺形状（すなわち、線形）を呈してもよく、第２の軸方向１２に平行に配置されてもよい。また、ソースガス及び反応ガスは、ソースガスライン１５及び反応ガスライン１６により分離されて、それぞれ別々にソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２に供給されてもよい。このとき、基板１０を第１の軸方向１１に移動させて基板１０がシャワーヘッド１３０のソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２に対応する区間を通過すると、基板１０の全体の領域に薄膜が蒸着可能である。例えば、まず、基板１０の移動によりソースガスが基板１０の上に噴射され、次に、反応ガスが噴射されることにより、基板１０上においてソースガス（層）及び反応ガス（層）が反応して薄膜が蒸着可能であり、ソースガス及び反応ガスが噴射され続けて薄膜が積層されながら薄膜が厚肉化可能である。ここで、薄膜の厚さは、基板１０の往復動回数に応じて調節可能である。一方、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の数を増やす場合には、基板１０の１回の移動（又は往復）により更に厚い薄膜を蒸着することができる。また、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２が複数である場合には、ソースガスライン１５及び反応ガスライン１６から分配されてそれぞれのソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２に供給可能である。なお、ソースガスは複数の金属前駆体（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）ガスであってもよく、反応ガスは金属前駆体ガスと反応する複数のガスであってもよく、第１の反応ガス及び第２の反応ガスを含んでいてもよい。
【００３３】
また、シャワーヘッド１３０は、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の前方に同時にプラズマ４０を形成するための共通の電源（ｐｏｗｅｒ）が供給される電極部１３５を有していてもよい。電極部１３５は、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の前方（例えば、ソースガスノズル及び反応ガスノズルと基板との間の領域）に同時にプラズマ４０を形成するために共通の電源が供給される電極であって、一つの電極により構成されて一つの電源（すなわち、共通の電源）が供給されてもよく、複数の電極に共通の電源（すなわち、一つの電源）が供給されてもよい。しかしながら、その形状及び電極の数はこれに何等限定されるものではなく、共通の電源が供給されてソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の前方に同時にプラズマ４０を形成可能であればよい。
【００３４】
更に、電極部１３５は、基板１０の大きさに応じてその数を異にしてもよい。基板１０が小さな場合にはシャワーヘッド１３０に一つの電極部１３５が配設されてもよく、大面積の基板１０である場合には共通の電源から供給される距離差が大きくなって距離差によるプラズマ４０の強さがばらつく虞があるため、シャワーヘッド１３０を分割して複数の電極部１３５が配設されてもよい。
【００３５】
電極部１３５を介して共通の電源でソースガスノズル１３１の前方及び反応ガスノズル１３２の前方の両方ともにプラズマ４０を形成してもよく、共通の電源によりソースガスノズル１３１の前方のプラズマ４０ａ及び反応ガスノズル１３２の前方のプラズマ４０ｂが一緒に制御されてもよい。これにより、電極部１３５に電源（ｐｏｗｅｒ）を供給する電源供給部１８０の数を低減することができる。
【００３６】
例えば、電極部１３５は、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２のそれぞれの少なくとも一部が形成された一つの電極であってもよく、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の共通電極として使用可能である。このような電極は、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の前方にプラズマ４０を形成するために共通して使用可能であり、一つの電極がソースガスノズル１３１の前方及び反応ガスノズル１３２の前方の両方ともにプラズマ４０を形成してもよく、一つの電極によりソースガスノズル１３１の前方のプラズマ４０ａ及び反応ガスノズル１３２の前方のプラズマ４０ｂが一緒に制御されてもよい。この場合、電極部１３５に電源を供給する電源供給部１８０の数を最小化してもよい（すなわち、一つの電源供給部を用いてもよい）。複数の電極に複数の電源供給部がそれぞれ接続される場合には、複数の電極がそれぞれ別々に制御されるため整合（マッチング）し難いが、本発明においては電極部１３５を一つの電源供給部１８０で制御するので、簡単に整合を行うことができる。
【００３７】
従来には、ソースガスノズル及び反応ガスノズルにそれぞれ電極を形成して個別電極を用いたため全てのソースガスノズル及び反応ガスノズルに高周波電源部１８１及びマッチャ（整合器）１８２がそれぞれ別々に取り付けられ、その結果、整合し難かっただけではなく、工程中に工程雰囲気（又はガス雰囲気）の変化に起因する整合不安定によるプラズマ不安定などの工程再現性及び工程の不安要素が発生していた。また、量産適用のためには原子層蒸着（ＡＬＤ）法の蒸着速度を上げなければならないためソースガスノズル及び反応ガスノズルの数を増やさなければならないが、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの個別ノズル（ｎｏｚｚｌｅ）の構成が非常に複雑であるためノズルピッチ（ｎｏｚｚｌｅ ｐｉｔｃｈ）を減らし難く、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの数を増やすのに限界があった。しかしながら、本発明においては、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２に共通的に高周波電源部１８１及びマッチャ１８２が取り付けられるので簡単に整合可能であるだけではなく、整合不安定によるプラズマ不安定などの工程再現性及び工程の不安要素が発生することを防止又は抑制することができる。
【００３８】
一方、第１の薄膜及び第２の薄膜を形成する場合、電極部１３５を介してソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の前方にプラズマ４０を形成して第１の薄膜及び第２の薄膜を蒸着することができ、これにより、第１の薄膜及び第２の薄膜の蒸着速度を向上することができる。
【００３９】
また、シャワーヘッド１３０は、ソースガスノズル１３１の両側及び反応ガスノズル１３２の両側に配設されるようにソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２と平行に配置される複数のポンピングノズル１３３を更に備えていてもよい。複数のポンピングノズル１３３はソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の両側に配設されて、各薄膜の蒸着に寄与されなかった余剰のガス物質及び蒸着副産物を排気することができる。例えば、複数のポンピングノズル１３３はポンピングライン３１と接続可能であり、ポンピングライン３１に配設されるポンプ３０によりポンピングされてチャンバ１１０内の未反応の残留ガスがポンピングライン３１を介して排気可能である。
【００４０】
更に、電極部１３５は、一体型の共通電極（又は電極胴体）により形成されてもよく、共通電極には、ソースガスノズル１３１に連通されるソースガスの移動流路１３１ａ及び反応ガスノズル１３２に連通される反応ガスの移動流路１３２ａがそれぞれ形成されてもよい。例えば、電極部１３５は、シャワーヘッド１３０の胴体（ボディ）を構成する一体型の共通電極により形成されてその内部にソースガスの移動流路１３１ａ及び反応ガスの移動流路１３２ａがそれぞれ形成されてもよく、複数のポンピングノズル１３３が形成された場合には、排気ガスの移動流路１３３ａが形成されてもよい。ソースガスの移動流路１３１ａ及び反応ガスの移動流路１３２ａは、第２の軸方向１２に延在されるソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の長尺な形状に倣ってソースガス及び反応ガスが上手に分配されて基板１０の上に均一に噴射されるようにすることができる。一方、排気ガスの移動流路１３３ａは、未反応の残留ガスを含む排気ガスがポンピングライン３１に上手に集まってポンピングライン３１を介して上手に排気されるようにすることができる。一体型の共通電極には複数のソースガスノズル１３１と、複数の反応ガスノズル１３２と、これらに対応する複数のソースガスの移動流路１３１ａ及び複数の反応ガスの移動流路１３２ａが形成されてもよい。この場合、一体型の共通電極にノズル及び移動流路を加工して形成すればよいので、電極部１３５及び／又はシャワーヘッド１３０の加工及び製作を容易に行うことができ、これにより、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２のノズルの数を極大化することができる。
【００４１】
ソースガス供給部１４０は、ソースガスライン１５を介してシャワーヘッド１３０のソースガスノズル１３１にソースガスを供給してもよい。このとき、ソースガスライン１５にはマスフローコントローラ（Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ；ＭＦＣ）５０が配設されてもよく、ソースガスは、シリコン薄膜を蒸着するためのシリコンソース（例えば、ＳｉＨ４）であってもよい。本発明に係る複合膜の蒸着装置は、第１の薄膜及び第２の薄膜の蒸着に当たって同じソースガスを用いてもよい。
【００４２】
ソースガスは、金属前駆体ガスを含む第１のソースガスと、第１のソースガスとは異種の第２のソースガスとを含んでいてもよい。このとき、ソースガスは、第１のソースガス及び第２のソースガスをはじめとする複数のガス（又は複数の金属前駆体ガス）を含んでいてもよく、複数のガスは、複数のソースガス供給部１４０を介してそれぞれ別々に供給可能である。第１のソースガスは金属前駆体ガスを含んでいてもよく、金属はシリコン（Ｓｉ）を含んでいてもよい。なお、第２のソースガスは第１のソースガスとは異種であってもよく、金属前駆体ガスではない他のガスであってもよく、第１のソースガスの金属前駆体ガスとは異種の金属前駆体ガスであってもよい。ここで、第２のソースガスもまた金属前駆体ガスである場合には、第２のソースガスが第１のソースガス（又は第１のソースガスの金属前駆体ガス）に含まれている金属とは異種の金属を含む金属前駆体ガス又は金属に結合されたリガンドが第１のソースガスとは異種の金属前駆体ガスであってもよい。第２のソースガスが第１のソースガスに含まれている金属と同種の金属を含む場合、第２のソースガスは同種の金属に結合されたリガンドが第１のソースガスとは異種の金属前駆体ガスであってもよい。第１のソースガスは、第１の反応ガスと反応して第１の薄膜を形成してもよく、第２のソースガスは、第２の反応ガスと反応して第２の薄膜を形成してもよい。
【００４３】
また、第１のソースガス及び第２のソースガスは、時分割されてソースガスノズル１３１にそれぞれ別々に供給されてもよい。すなわち、第１のソースガス及び第２のソースガスは同じソースガスノズル１３１に時間的に分離されてそれぞれ別々に供給されてもよく、例えば、２種の薄膜を積層する場合には、第１のソースガス及び第２のソースガスが同じソースガスノズル１３１に交互に供給されてもよい。一方、ｎ種の薄膜を積層する場合には、複合膜の蒸着装置が２〜ｎ個のソースガス供給部１４０を有していてもよく、２〜ｎ個のソースガスを対応する反応ガスとともに（又は同時に）時分割して（又は交互に）供給してもよい。ここで、各ソースガス及び各反応ガスが対をなして反応することにより、異なる複数の薄膜を形成することができ、複数のソースガス及び複数の反応ガスはそれぞれ時分割されて供給されてもよく、対をなす各ソースガス及び各反応ガスは同時に供給されてもよい。
【００４４】
第１の反応ガス供給部１５０は、第１の反応ガスライン１５１を介してシャワーヘッド１３０の反応ガスノズル１３２に第１の反応ガスを供給してもよく、第１の反応ガスライン１５１にはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５０が配設されてもよく、第１の反応ガスはソースガスと反応してもよい。
【００４５】
第２の反応ガス供給部１７０は、第２の反応ガスライン１７１を介してシャワーヘッド１３０の同じ反応ガスノズル１３２に第２の反応ガスを供給してもよい。このとき、第２の反応ガスライン１７１にはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５０が配設されてもよく、第２の反応ガスは第１の反応ガスと交互に供給されてもよく、ソースガスと反応してもよい。ここで、第２の反応ガスは、第１の反応ガスとは異種のものであってもよい。
【００４６】
第１の反応ガスは、窒素（Ｎ）原子を含んでいてもよく、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）などであってもよく、第２の反応ガスは、酸素（Ｏ）原子を含んでいてもよく、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、又は一酸化窒素（ＮＯ）などであってもよい。このとき、第１の反応ガス及び第２の反応ガスは時分割されて反応ガスノズル１３２にそれぞれ別々に供給されてもよい。すなわち、第１の反応ガス及び第２の反応ガスは同じ反応ガスノズル１３２に時間的に分離されてそれぞれ別々に供給されてもよく、例えば、２種の薄膜を積層する場合には、第１の反応ガス及び第２の反応ガスが同じ反応ガスノズル１３２に交互に供給されてもよい。一方、ｎ種の薄膜を積層する場合には、複合膜の蒸着装置が２〜ｎ個の反応ガス供給部を有していてもよく、２〜ｎ個の反応ガスを対応するソースガスとともに時分割して（又は交互に）供給してもよい。
【００４７】
更に、ソースガスは、第１の反応ガスと反応して第１の薄膜を形成してもよく、第２の反応ガスと反応して第２の薄膜を形成してもよく、第１の薄膜及び第２の薄膜は積層されてもよい。ソースガスは、窒素（Ｎ）原子を含む第１の反応ガスと反応して窒化膜（第１の薄膜）を形成してもよく、酸素（Ｏ）原子を含む第２の反応ガスとも反応して酸化膜（第２の薄膜）を形成してもよい。ここで、第１の薄膜及び第２の薄膜は、プラズマ４０を形成して蒸着してもよい。ソースガス及び第１の反応ガスをそれぞれ噴射しながら基板１０を所定の回数だけ往復動させることにより、基板１０の上に所定の厚さの第１の薄膜（窒化膜）を蒸着してもよい。次に、ソースガス及び第２の反応ガスをそれぞれ噴射しながら基板１０を所定の回数だけ往復動させることにより、第１の薄膜の上に所定の厚さの第２の薄膜（酸化膜）を蒸着して第１の薄膜及び第２の薄膜を積層してもよい。また、再び第２の薄膜の上に第１の薄膜を蒸着してもよく、このような第１の薄膜及び第２の薄膜の蒸着（積層）工程を繰り返し行って第１の薄膜及び第２の薄膜を積層することにより、第１の薄膜及び第２の薄膜の複合膜を製造してもよい。
【００４８】
第１の薄膜は、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜であってもよく、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜は、抜群の透湿防止特性を有する。第２の薄膜は、シリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜であってもよく、ＣＨ基を添加してもよい。ＣＨ基を添加する場合には、バッファ層の柔軟性を調節して折り畳み可能なレベルの極柔軟性を確保することができ、ＣＨ基の添加のためにＢＤＥＡＳ（ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン）、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、又はＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などの有機分子ガスが使用可能であり、ＣＨ基を添加するための他のガスとしては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）などの炭素を含むガスが使用可能である。
【００４９】
また、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜（第１の薄膜）及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜（第２の薄膜）が積層される場合、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜の単一膜は１００〜２５０オングストロームの厚さを有する薄膜であってもよく、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜が積層されてなる複合膜は、１,０００〜２,０００オングストロームの厚さを有する薄膜の多層膜であってもよい。この場合、複合膜の透湿防止特性に優れているだけではなく、複合膜に柔軟性を与えることができる。このような複合膜は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池及び有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ ＴＦＴ）などの有機電子素子用封止膜として使用可能であり、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜の複合膜を通じて優れた有機電子素子用封止膜を提供することができる。
【００５０】
本発明に係る複合膜の蒸着装置は、シャワーヘッド１３０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１９０を更に備えていてもよく、不活性ガスは、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２のうちの少なくとも一方のノズルを介して噴射されてもよい。不活性ガス供給部１９０は、シャワーヘッド１３０に不活性ガスを供給してもよいが、不活性ガスライン１９１を備えていてもよい。不活性ガスは、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２のうちの少なくとも一方のノズルを介して噴射されてもよく、不活性ガスライン１９１がソースガスライン１５又は反応ガスライン１６と連通されて不活性ガスがソースガスノズル１３１又は反応ガスノズル１３２に供給されてもよく、ソースガスノズル１３１又は反応ガスノズル１３２を介して噴射されてもよい。ここで、不活性ガスライン１９１は、ソースガスライン１５、第１の反応ガスライン１５１又は第２の反応ガスライン１７１にそれぞれ連通されてもよく、各ガスラインに連通される不活性ガスライン１９１にはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５０が配設されてもよい。
【００５１】
不活性ガスは、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス又は窒素（Ｎ２）ガスを含んでいてもよい。このとき、不活性ガスは、キャリアガスの役割を果たしてもよく、ソースガス、第１の反応ガス又は第２の反応ガスの濃度を希釈させる役割を果たしてもよく、第１の薄膜の蒸着工程と第２の薄膜の蒸着工程との間にパージ（ｐｕｒｇｅ）工程を行うガスとしても使用可能である。
【００５２】
パージ工程を行う際に、ソースガスライン１５及び反応ガスライン１６に不活性ガスのみを流してソースガスライン１５及び反応ガスライン１６に残留する、以前の薄膜の蒸着工程に用いられていたソースガスと反応ガス及びこれらの残渣を排気（又は排出）してもよい。
【００５３】
また、ソースガスノズル１３１は複数であってもよく、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２は第１の軸方向１１に互い違いに配置されてもよく、反応ガスノズル１３２の両側にはソースガスノズル１３１がそれぞれ位置してもよい。ソースガスノズル１３１は複数であってもよく、反応ガスノズル１３２及び第１の軸方向１１に互い違いに配置されてもよい。このとき、複数のポンピングノズル１３３は、第１の軸方向１１の両側の最外郭と、ソースガスノズル１３１及び反応ガスノズル１３２の間とに配置されてもよく、反応ガスノズル１３２も複数であってもよい。反応ガスノズル１３２の両側にはソースガスノズル１３１がそれぞれ位置してもよく、これは、基板１０の上に反応ガスよりも先にソースガスを噴射するためである。基板１０の上に反応ガスが先に噴射される場合には、反応ガスが反応すべきソースガス（層）がないが故に薄膜が蒸着されないため、ソースガスを先に基板１０の上に噴射して反応ガスをソースガス（層）と反応させることにより、薄膜を蒸着することができる。一方、基板１０が片側に移動してから再び元の位置に戻る場合にはソースガス（層）が２回吸着されるが、ソースガス（層）は所定の割合にて反応ガスと反応するため反応ガスの量に応じて薄膜の厚さが決定され、その結果、ソースガス（層）が２回吸着されても全体的な薄膜の厚さには大きな影響を及ぼさない。
【００５４】
一方、シャワーヘッド１３０は、電極部１３５の外側に配設される外側カバー１３４を更に備えていてもよい。外側カバー１３４は電極部１３５の外側に配設されて電極部１３５を保護することができ、シャワーヘッド１３０をチャンバ１１０に接地させたり、電極部１３５の表面を絶縁させたりすることができる。ここで、外側カバー１３４は、特に制限はないが、アルミニウム（Ａｌ）材質により形成されてもよく、セラミック材質により形成されてもよい。
【００５５】
また、本発明に係る複合膜の蒸着装置は、電極部１３５に接続されてプラズマ４０の形成のための電源（ｐｏｗｅｒ）を供給する電源供給部１８０を更に備えていてもよい。電源供給部１８０は、電極部１３５に接続されてプラズマ４０の形成のための電源を供給してもよく、電極部１３５に高周波電源を供給する高周波電源部１８１と、高周波電源部１８１と電極部１３５との間において反射電力を約「０」にするマッチャ１８２とを備えていてもよい。高周波電源部１８１は、高周波発生器（ＲＦ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）を備えていてもよく、電極部１３５にプラズマ４０の形成のための高周波電力を印加してもよい。
【００５６】
マッチャ１８２は可変キャパシタを備えていてもよく、高周波電源部１８１と電極部１３５との間に配設されてもよく、これを用いて反射電力を「０」にする高周波電源部１８１及び電極部１３５間の整合を行うことができる。本発明においては、電極部１３５を一つのマッチャ１８２で一つの高周波電源部１８１と整合させて高周波電源を供給するので、高周波電源部１８１及び電極部１３５間の整合を容易に行うことができる。
【００５７】
ここで、チャンバ１１０は接地可能であり、プラズマの形成のための接地としてチャンバ１１０の接地が使用可能である。また、電極部１３５は、電源供給部１８０から電源が供給されると、チャンバ１１０の接地によりシャワーヘッド１３０と基板支持台１２０との間の領域にプラズマ４０を形成することができる。シャワーヘッド１３０の内部においてプラズマを形成してプラズマ状態でソースガス及び反応ガスを噴射すると、ソースガス又は反応ガスのラジカルが消滅して基板１０上における反応性が減る。これにより、本発明においては、シャワーヘッド１３０と基板支持台１２０との間の領域にプラズマ４０を形成することができる。
【００５８】
このように、本発明に係る複合膜の蒸着装置は、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドを用いてシャワーヘッドと基板との間の領域にプラズマを形成することにより、電源供給部の数を低減することができ、シャワーヘッドの構造を単純化することができる。これにより、複合膜の蒸着装置の構造が単純化され、複合膜の蒸着装置の製造コストが節減される。また、同じソースガスを供給し続けながら反応ガスを交互に供給することにより、単一のチャンバにおいて複合膜を蒸着することができ、反応ガスのみをスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）することにより、複合膜を容易に形成することができ、タクトタイム（製造における、生産工程の均等なタイミングを図るための工程作業時間）を短縮することができる。  
【００５９】
図３は、本発明の他の実施形態に係る複合膜の蒸着方法を示す手順図である。
【００６０】
図３に基づいて、本発明の他の実施形態に係る複合膜の蒸着方法について詳細に説明するが、本発明の一実施形態に係る複合膜の蒸着装置と関連して上述した部分と重複する事項についての説明は省略する。
【００６１】
本発明の他の実施形態に係る複合膜の蒸着方法は、互いに平行に配置されるソースガスノズル及び反応ガスノズル並びにプラズマの形成のための電極部を有するシャワーヘッドを用いた複合膜の蒸着方法において、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を用いてソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマを形成するステップ（ Ｓ１００）と、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマが形成された状態でソースガスノズル及び反応ガスノズルを介してソースガス及び第１の反応ガスを基板の上にそれぞれ噴射して第１の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ２００）と、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマが形成された状態でソースガスノズル及び反応ガスノズルを介してソースガス及び第２の反応ガスを基板の上にそれぞれ噴射して第２の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ３００）とを含み、第１の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ２００）及び第２の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ３００）は、基板を移動させながら行う。
【００６２】
まず、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給されるシャワーヘッドの電極部を用いて、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマを形成する（Ｓ１００）。ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方（例えば、シャワーヘッドと基板との間の領域）にプラズマを形成した状態で第１の薄膜及び第２の薄膜を蒸着（又は積層）してもよい。
【００６３】
次に、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマが形成された状態でソースガスノズル及び反応ガスノズルを介してソースガス及び第１の反応ガスを基板の上にそれぞれ噴射して第１の薄膜を蒸着する（Ｓ２００）。第１の薄膜を形成する場合には、プラズマを形成しなければ、蒸着速度が遅くなるため、第１の薄膜の蒸着速度を向上するためにソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方の両方ともにプラズマを形成して第１の薄膜を蒸着してもよい。このとき、プラズマは、シャワーヘッドと基板との間の領域に形成されてもよい。
【００６４】
次に、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマが形成された状態でソースガスノズル及び反応ガスノズルを介してソースガス及び第２の反応ガスを基板の上にそれぞれ噴射して第２の薄膜を蒸着する（Ｓ３００）。第２の薄膜を形成する場合には、プラズマを形成しなければ、蒸着速度が遅くなるため、第２の薄膜の蒸着速度を向上するためにソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方の両方ともにプラズマを形成して第２の薄膜を蒸着してもよい。このとき、プラズマは、シャワーヘッドと基板との間の領域に形成されてもよい。
【００６５】
第１の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ２００）及び第２の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ３００）は、基板を移動させながら行ってもよい。基板を第１の軸方向に移動（又は往復動）させながら第１の薄膜及び第２の薄膜を蒸着すると、基板の移動により基板の全体の領域にソースガス及び反応ガスがこの順に噴射されることにより、第１の薄膜及び第２の薄膜がこの順に蒸着されて積層可能である。ここで、ソースガスノズル及び反応ガスノズルは、第１の軸方向と交差する第２の軸方向に延在され、第２の軸方向に平行に配置されてもよい。
【００６６】
本発明に係る複合膜の蒸着方法は、第１の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ２００）と、第２の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ３００）との間に未反応の残留ガスを排気するステップを更に含んでいてもよい。第１の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ２００）と、第２の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ３００）との間にはパージ工程を行ってもよい。該パージ工程を行ってソースガスライン１５及び反応ガスライン１６に残留する、以前の薄膜の蒸着工程に用いられていたソースガスと反応ガス及びこれらの残渣を排気（又は排出）することができ、後続する薄膜の蒸着工程に当たって第１のソースガス及び第２のソースガス、又は第１の反応ガス及び第２の反応ガスが混ざることにより発生する薄膜の膜質の低下を防ぐことができる。
【００６７】
第１の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ２００）と、第２の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ３００）及び残留ガスを排気するステップは、所定の回数だけ繰り返し行ってもよく、残留ガスを排気するステップは、第１の薄膜及び第２の薄膜のうちのいずれか一方の薄膜を蒸着し、他の薄膜を蒸着する前に行ってもよい。第１の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ２００）と、第２の薄膜を蒸着するステップ（Ｓ３００）及び残留ガスを排気するステップとは、所定の回数だけ繰り返し行って第１の薄膜及び第２の薄膜を積層することにより、第１の薄膜及び第２の薄膜の複合膜を製造することができる。ここで、残留ガスを排気するステップは、第１のソースガス及び第２のソースガス、又は第１の反応ガス及び第２の反応ガスが混ざることにより発生する薄膜の膜質の低下を防ぐために、第１の薄膜及び第２の薄膜のうちのいずれか一方の薄膜を蒸着し、他の薄膜を蒸着する前に行ってもよい。
【００６８】
第１の反応ガスは、窒素（Ｎ）原子を含んでいてもよく、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）などであってもよく、第２の反応ガスは、酸素（Ｏ）原子を含んでいてもよく、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、又は一酸化窒素（ＮＯ）などであってもよい。第１の薄膜は、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜であってもよく、該シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜は、抜群の透湿防止特性を有する。第２の薄膜は、シリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜であってもよく、ＣＨ基を添加してもよい。ＣＨ基を添加する場合、バッファ層の柔軟性を調節して折り畳み可能なレベルの極柔軟性を確保することができ、ＣＨ基の添加のためにＢＤＥＡＳ（ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン）、又はＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などの有機分子ガスや炭素を含むメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）などのガスが使用可能である。
【００６９】
また、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜（第１の薄膜）及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜（第２の薄膜）が積層される場合、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜の単一膜は１００〜２５０オングストロームの厚さを有する薄膜であってもよく、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜が積層されてなる複合膜は、１,０００〜２,０００オングストロームの厚さを有する薄膜の多層膜であってもよい。この場合、複合膜の透湿防止特性に優れているだけではなく、複合膜に柔軟性を与えることができる。このような複合膜は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池及び有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ ＴＦＴ）などの有機電子素子用封止膜として使用可能であり、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜の複合膜を通じて優れた有機電子素子用封止膜を提供することができる。
【００７０】
更に、必要に応じて、第１の薄膜及び第２の薄膜に加えて、更に第３の薄膜、第４の薄膜などの薄膜を積層すると、透湿防止特性及び／又は柔軟性などに更に優れた薄膜特性を確保することができる。
【００７１】
以下では、本発明の更に他の実施形態に係る複合膜の蒸着装置について詳細に説明するが、本発明の実施形態に係る複合膜の蒸着装置及び複合膜の蒸着方法と関連して上述した部分と重複する事項についての説明は省略する。
【００７２】
本発明の更に他の実施形態に係る複合膜の蒸着装置は、チャンバと、チャンバの内部に配設され、基板が支持される基板支持台と、基板支持台に接続されてチャンバ内において基板支持台を第１の軸方向に移動させる駆動部と、基板の蒸着面と向かい合うソースガスノズル及び反応ガスノズルを介して基板の上に複数のソースガス及び複数の反応ガスを選択的にそれぞれ噴射し、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドと、ソースガスノズルに複数のソースガスを供給する複数のソースガス供給部と、反応ガスノズルに複数の反応ガスを供給する複数の反応ガス供給部とを備え、ソースガスノズル及び反応ガスノズルは、第１の軸方向と交差する第２の軸方向に延在され、第２の軸方向に平行に配置され、複数のソースガス及び複数の反応ガスが選択的に噴射されて形成される複数の薄膜が積層される。
【００７３】
本発明に係る複合膜の蒸着装置は、複数（すなわち、ｎ種）の薄膜を積層してもよく、複数（例えば、２〜ｎ個）のソースガスを対応する複数（例えば、２〜ｎ個）の反応ガスとともに時分割して（又は交互に）それぞれ供給してもよい。ここで、各ソースガス及び各反応ガスが対をなして反応することにより、異なる複数の薄膜を形成することができ、複数のソースガス及び複数の反応ガスはそれぞれ時分割されて供給されてもよく、対をなす各ソースガス及び各反応ガスは同時に供給されてもよい。このとき、ソースガスの数及び反応ガスの数は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。なお、複数の薄膜は互い違いに積層されてもよく、複数の薄膜のうちソースガスが互いに同じ薄膜が存在してもよく、複数の薄膜のうち反応ガスが互いに同じ薄膜が存在してもよい。ここで、２種以上の薄膜を積層する場合には、透湿防止特性及び／又は柔軟性などに更に優れた薄膜特性を確保することができる。
【００７４】
複数のソースガスはそれぞれ時分割されてソースガスノズルにそれぞれ別々に供給されてもよい。すなわち、複数のソースガスは、同じソースガスノズルに時間的に分離されてそれぞれ別々に供給されてもよく、例えば、２種の薄膜を積層する場合には、２つのソースガスが同じソースガスノズルに交互に供給されてもよい。一方、ｎ種の薄膜を積層する場合には、複合膜の蒸着装置が２〜ｎ個のソースガス供給部を備えていてもよく、２〜ｎ個のソースガスを対応する反応ガスとともに時分割して（又は交互に）供給してもよい。
【００７５】
複数の反応ガスは、それぞれ時分割されて複数のソースガスにそれぞれ対応するように反応ガスノズルにそれぞれ別々に供給されてもよい。すなわち、複数の反応ガスは、同じ反応ガスノズルに時間的に分離されてそれぞれ別々に供給されてもよい。このとき、複数の反応ガスのうちのいずれか一方は、複数のソースガスのうちのいずれか一方と対応するように供給されてもよく、複数の反応ガスのうちの他方は、複数のソースガスのうちのいずれか一方と対応するように供給されてもよい。例えば、２種の薄膜を積層する場合には、複数の反応ガスが同じ反応ガスノズルに交互に供給されてもよく、複数の反応ガスのうちのいずれか一方が複数のソースガスのうちのいずれか一方と対応するように反応ガスノズルに交互に供給されてもよく、複数の反応ガスのうちの他方は、複数のソースガスのうちの他方と対応するように同じ反応ガスノズルに複数の反応ガスのうちのいずれか一方と交互に供給されてもよい。一方、ｎ種の薄膜を積層する場合には、複合膜の蒸着装置が２〜ｎ個の反応ガス供給部を備えていてもよく、２〜ｎ個の反応ガスを対応するソースガスとともに時分割して（又は交互に）供給してもよい。
【００７６】
一方、複数の薄膜を形成する場合、電極部を介してソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方にプラズマを形成して複数の薄膜を蒸着することにより、複数の薄膜の蒸着速度を向上することができる。
【００７７】
このように、本発明においては、ソースガスノズル及び反応ガスノズルの前方に同時にプラズマを形成するための共通の電源が供給される電極部を有するシャワーヘッドを用いて、シャワーヘッドと基板との間の領域にプラズマを形成することにより、プラズマを形成するための電源の数を低減することができ、シャワーヘッドの構造を単純化することができる。これにより、複合膜の蒸着装置の構造が単純化され、複合膜の蒸着装置の製造コストが節減される。また、同じソースガスを供給し続けながら反応ガスを交互に供給することにより、単一のチャンバにおいて複合膜を蒸着することができ、反応ガスのみをスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）することにより、複合膜を容易に形成することができ、タクトタイム（製造における、生産工程の均等なタイミングを図るための工程作業時間）を短縮することができる。なお、薄膜特性に優れたシリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜及びシリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜を積層することにより、抜群の透湿防止特性を有する有機電子素子用封止膜を提供することができる。一方、互い違いに平行に配置されたソースガスノズル及び反応ガスノズルを介してソースガス及び反応ガスを同時にそれぞれ噴射しながら基板を移動させて各薄膜を蒸着することにより、原子層蒸着（ＡＬＤ）法による薄膜の蒸着速度を向上することができる。
【００７８】
上記の説明において使用された「〜上に」という意味は、直接的に接触する場合と、直接的に接触はしないが、上部若しくは下部に対応して位置する場合とを含み、上部面若しくは下部面の全体に向かい合うように位置する場合だけではなく、部分的に向かい合うように位置する場合をも含み、位置が離れて向かい合う意味として、又は上部面若しくは下部面と直接的に接触するという意味として使用されている。したがって、「基板の上に」は、基板の表面（上部面又は下部面）であってもよく、基板の表面に蒸着された膜の表面であってもよい。
【００７９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明及び開示したが、本発明は上述した実施形態に何等限定されるものではなく、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨を逸脱することなく当該本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、これより種々の変形を加えることができ、且つ、均等な他の実施形態が採用可能であるということが理解できる筈である。よって、本発明の技術的な保護範囲は、下記の特許請求の範囲により定められるべきである。
【符号の説明】
【００８０】
１０：基板
１１：第１の軸方向
１２：第２の軸方向
１５：ソースガスライン
１６：反応ガスライン
３０：ポンプ
３１：ポンピングライン
４０：プラズマ
５０：マスフローコントローラ
１１０：チャンバ
１２０：基板支持台
１３０：シャワーヘッド
１３１：ソースガスノズル
１３１ａ：ソースガスの移動流路
１３２：反応ガスノズル
１３２ａ：反応ガスの移動流路
１３３：ポンピングノズル
１３３ａ：排気ガスの移動流路
１３４：外側カバー
１３５：電極部
１４０：ソースガス供給部
１５０：第１の反応ガス供給部
１５１：第１の反応ガスライン
１７０：第２の反応ガス供給部
１７１：第２の反応ガスライン
１８０：電源供給部
１８１：高周波電源部
１８２：マッチャ（整合器）
１９０：不活性ガス供給部
１９１：不活性ガスライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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