(57)【要約】【課題】有機発光表示装置、及び該有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板と、基板上の第１１電極と、第１１電極上の第１発光層を含む第１有機機能層と、第１有機機能層上の第１２電極と、基板上で第１１電極と離隔されて位置する第２１電極と、第２１電極上に位置し、第２発光層を含む第２有機機能層と、第２有機機能層上に位置する第２２電極と、第１有機機能層と前記第２有機機能層との間のフッ素を含む自己組織化膜と、を含む有機発光表示装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の第１１電極と、
前記第１１電極上の、第１発光層を含む第１有機機能層と、
前記第１有機機能層上の第１２電極と、
前記基板上の前記第１１電極と離隔された第２１電極と、
前記第２１電極上の第２発光層を含む第２有機機能層と、
前記第２有機機能層上の第２２電極と、
前記第１有機機能層と前記第２有機機能層との間のフッ素を含む自己組織化膜と、を含む有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１発光層の発光色と、前記第２発光層の発光色は、互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくとも１つの機能層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１１電極の端部及び前記第２１電極の端部を覆う絶縁層を含む画素定義膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１有機機能層の端部及び前記第２有機機能層の端部は、前記画素定義膜の傾斜面と重なることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記自己組織化膜は、前記画素定義膜の上部に位置し、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の周囲を囲むことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記自己組織化膜は、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の端部と離隔されていることを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記自己組織化膜は、前記画素定義膜の下部に位置し、前記第１１電極及び前記第２２電極の周囲を囲むことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記自己組織化膜は、第１１電極及び前記第２２電極の端部と重畳することを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記自己組織化膜は、フルオロカーボン基（−ＣＦ3）を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１１電極及び第２２電極は、導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第１１電極及び第２２電極は、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムガリウム、及びアルミニウムドープ酸化亜鉛から選択されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１２電極上及び前記第２２電極上に連続する共通電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
基板上に、第１１電極及び第２１電極が互いに離隔されるように形成し、
前記第１１電極上及び第２１電極上に、フッ素を含む自己組織化膜を形成し、
前記自己組織化膜上に、第１リフトオフ層及び第１フォトレジストをこの順に形成し、
前記第１１電極に対応する領域において、前記第１リフトオフ層及び前記第１フォトレジストを除去し、前記自己組織化膜を残存させ、
第１プラズマ熱処理により、前記第１１電極上の自己組織化膜を除去し、
前記第１１電極上に、第１発光層を含む第１有機機能層及び第１２電極をこの順に形成し、前記第１リフトオフ層の残り部分をリフトオフすることを含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１リフトオフ層は、フッ素含量が２０〜６０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１有機機能層及び前記第１２電極は、蒸着により形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１フォトレジストの一部を除去するパターニングする工程は、フォトリソグラフィ工程で行うことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１リフトオフ層は、フッ素を含む第１溶媒でエッチングして除去することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記自己組織化膜は、蒸気蒸着法で形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記自己組織化膜は、加水分解可能な反応基と、含フッ素作用基とを含むように形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１リフトオフ層の残り部分をリフトオフさせた後、第２リフトオフ層及び第２フォトレジストをこの順に形成し、
前記第２２電極に対応する領域で、前記第２リフトオフ層及び前記第２フォトレジストを除去し、前記自己組織化膜を残存させ、
第２プラズマ熱処理により、前記第２２電極上の自己組織化膜を除去し、
前記第２２電極上に、第２発光層を含む第２有機機能層、及び第２２電極を順に形成し、前記第２リフトオフ層の残り部分をリフトオフすることをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１１電極と前記第２１電極との間に、絶縁層を含む画素定義膜をさらに形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記自己組織化膜は、前記画素定義膜上部に形成することを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記自己組織化膜は、前記画素定義膜下部に形成することを特徴とする請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第１２電極上及び前記第２２電極上で連続する共通電極をさらに形成することを特徴とする請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
基板上に、第１１電極及び第２１電極が互いに離隔されるように形成し、
前記第１１電極上及び第２１電極上に、第１自己組織化膜を形成し、
前記第１自己組織化膜上に、第１フォトレジストを形成し、
前記第１１電極に対応する領域において、前記第１フォトレジストを除去し、前記第１自己組織化膜を残存させ、
第１プラズマ熱処理で、前記第１１電極上の第１自己組織化膜を除去し、
前記第１１電極上に、第１発光層を含む第１有機機能層、及び第１２電極をこの順に形成し、前記第１フォトレジスト及び第１自己組織化膜の残り部分をリフトオフすることを含む有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置、及び該有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（organic light-emitting display apparatus）は、正孔注入電極、電子注入電極、及び該正孔注入電極と該電子注入電極との間に形成されている有機発光層を含み、該正孔注入電極から注入される正孔と、該電子注入電極から注入される電子とが有機発光層で再結合し、再結合の過程で放出されたエネルギーで励起子が励起され、励起された励起子が基底状態に戻る過程で放出されるエネルギーが光となって放出される自発光型表示装置である。有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を示すので、次世代表示装置として注目されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の一実施形態は、解像度を高め、不良を減らし、原価を節減することができる有機発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施形態によれば、基板と、基板上の第１１電極と、第１１電極上の第１発光層を含む第１有機機能層と、第１有機機能層上の第１２電極と、基板上の第１１電極と離隔された第２１電極と、第２１電極上の第２発光層を含む第２有機機能層と、第２有機機能層上の第２２電極と、第１有機機能層と第２有機機能層との間のフッ素を含む自己組織化膜と、を含む有機発光表示装置が提供される。
【０００５】
本発明の一実施形態によれば、第１発光層の発光色と、第２発光層の発光色は、互いに異なってもよい。
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、第１有機機能層及び第２有機機能層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくとも１つの機能層をさらに含んでもよい。
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、第１１電極の端部及び第２１電極の端部を覆う絶縁層を含む画素定義膜がさらに含まれてもよい。
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、第１有機機能層の端部及び第２有機機能層の端部は、画素定義膜の傾斜面と重なっていてもよい。
【０００９】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、画素定義膜の上部に位置し、第１有機機能層及び第２有機機能層の周囲を囲んでいてもよい。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、第１有機機能層及び第２有機機能層の端部と離隔されていてもよい。
【００１１】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、画素定義膜の下部に位置し、第１１電極及び第２２電極の周囲を囲んでいてもよい。
【００１２】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、第１１電極及び第２２電極の端部と重畳することができる。
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、単自己組織化分子膜は、フルオロカーボン基（−ＣＦ3）を含んでもよい。
【００１４】
本発明の一実施形態によれば、第１１電極及び第２２電極は、導電性酸化物を含んでもよい。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、第１１電極及び２２電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：indium tin oxide）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ：indium zinc oxide）、酸化亜鉛（zinc oxide）、酸化インジウム（indium oxide）、酸化インジウムガリウム（indium gallium oxide）、及びアルミニウムドープ酸化亜鉛（aluminum zinc oxide）から選択されてもよい。
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、第１２電極上及び第２２電極上に連続する共通電極を含んでもよい。
【００１７】
本発明の他の一実施形態によれば、基板上に、第１１電極及び第２１電極が互いに離隔されるように形成し、第１１電極上及び第２１電極上に、フッ素を含む自己組織化単分子膜を形成し、自己組織化単分子膜上に、第１リフトオフ層及び第１フォトレジストをこの順に形成し、第１１電極に対応する領域において、第１リフトオフ層及び第１フォトレジストを除去し、自己組織化単分子膜を残存させ、第１プラズマ熱処理により、第１１電極上の自己組織化単分子膜を除去し、第１１電極上に、第１発光層を含む第１有機機能層及び第１２電極をこの順に形成し、第１リフトオフ層の残り部分をリフトオフすることを含む有機発光表示装置の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の一実施形態によれば、第１リフトオフ層は、フッ素含量が２０〜６０ｗｔ％であってもよい。
【００１９】
本発明の一実施形態によれば、第１有機機能層及び第１２電極は、蒸着により形成することができる。
【００２０】
本発明の一実施形態によれば、第１フォトレジストの一部を除去するパターニングする工程は、フォトリソグラフィ工程で行うことができる。
【００２１】
本発明の一実施形態によれば、第１リフトオフ層は、フッ素を含む第１溶媒でエッチングして除去することができる。
【００２２】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、蒸気蒸着法で形成されてもよい。
【００２３】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、加水分解可能な反応基と、含フッ素作用基とを含むように形成することができる。
【００２４】
本発明の一実施形態によれば、第１リフトオフ層の残り部分をリフトオフさせた後、第２リフトオフ層及び第２フォトレジストを順に形成し、第２２電極に対応する領域において、第２リフトオフ層及び第２フォトレジストを除去し、自己組織化単分子膜を残存させ、第２プラズマ熱処理により、第２２電極上の自己組織化単分子膜を除去し、第２２電極上に、第２発光層を含む第２有機機能層及び第２２電極をこの順に形成し、第２リフトオフ層の残り部分をリフトオフすることをさらに含んでもよい。
【００２５】
本発明の一実施形態によれば、第１１電極と第２１電極との間に、絶縁層を含む画素定義膜をさらに形成することができる。
【００２６】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、画素定義膜上部に形成することができる。
【００２７】
本発明の一実施形態によれば、自己組織化単分子膜は、画素定義膜下部に形成することができる。
【００２８】
本発明の一実施形態によれば、第１２電極上及び第２２電極上で連続する共通電極をさらに形成することができる。
【００２９】
本発明の他の一実施形態によれば、基板上に、第１１電極及び第２１電極が互いに離隔されるように形成し、第１１電極上及び第２１電極上に、第１自己組織化単分子膜を形成し、第１自己組織化単分子膜上に、第１フォトレジストを形成し、第１１電極に対応する領域に、第１フォトレジストを除去し、第１自己組織化単分子膜を残存させ、第１プラズマ熱処理により、第１１電極上の第１自己組織化単分子膜を除去し、第１１電極上に、第１発光層を含む第１有機機能層及び第１２電極をこの順に形成し、第１フォトレジスト及び第１自己組織化単分子膜の残り部分をリフトオフすることを含む有機発光表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の一実施形態によれば、微細金属マスク（ＦＭＭ：fine metal mask）を使用せずに発光層を形成することができ、高解像度表示パネルを形成することができる。
【００３１】
また、アノードとリフトオフ層との間に自己組織化単分子を形成するので、該リフトオフ層がアノード残渣を防止し、表示装置の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１を概略的に図示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の一部を図示した平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の基板上に複数のアノードが形成された段階を概略的に図示した断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１に画素定義膜が形成された段階を概略的に図示した断面図である。
【図５Ａ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図５Ｃ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図５Ｄ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図５Ｅ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図５Ｆ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図６Ａ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図６Ｂ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図６Ｄ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図６Ｅ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図６Ｆ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図７Ａ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図７Ｄ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図７Ｅ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図７Ｆ】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２を概略的に図示した断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置の一部を図示した平面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の基板上に、複数のアノード及び含フッ素を含む自己組織化単分子膜が形成された段階を概略的に図示した断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２に画素定義膜が形成された段階を概略的に図示した断面図である。
【図１２Ａ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１２Ｂ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１２Ｄ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１２Ｅ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１２Ｆ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１３Ａ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１３Ｂ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１３Ｃ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１３Ｄ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１３Ｅ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１３Ｆ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１４Ａ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１４Ｂ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１４Ｄ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１４Ｅ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１４Ｆ】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１５Ａ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１５Ｃ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１５Ｄ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１５Ｅ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１６Ａ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１６Ｂ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１６Ｃ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１６Ｄ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１６Ｅ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１７Ａ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１７Ｂ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１７Ｃ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１７Ｄ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１７Ｅ】本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１８Ａ】比較例に係る有機発光表示装置４の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１８Ｂ】比較例に係る有機発光表示装置４の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１８Ｃ】比較例に係る有機発光表示装置４の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１８Ｄ】比較例に係る有機発光表示装置４の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１８Ｅ】比較例に係る有機発光表示装置４の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１９Ａ】比較例に係る有機発光表示装置４の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１９Ｂ】比較例に係る有機発光表示装置４の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１９Ｃ】比較例に係る有機発光表示装置４の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１９Ｄ】比較例に係る有機発光表示装置４の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図１９Ｅ】比較例に係る有機発光表示装置４の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図２０Ａ】比較例に係る有機発光表示装置４の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図２０Ｂ】比較例に係る有機発光表示装置４の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図２０Ｃ】比較例に係る有機発光表示装置４の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図２０Ｄ】比較例に係る有機発光表示装置４の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図２０Ｅ】比較例に係る有機発光表示装置４の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【図２１】自己組織化単分子膜の作動メカニズムを簡略に図示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施形態を有することができるが、本開示では特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によって具現される。
【００３４】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は、省略する。
【００３５】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用されている。
【００３６】
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
【００３７】
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
【００３８】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分上、または上部にあるというとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【００３９】
図面においては、説明の便宜のために、構成要素がその大きさが、誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面で示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されているところに限定されるものではない。
【００４０】
第１実施形態：
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１を概略的に図示した断面図であり、図２は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の一部を図示した平面図である。
【００４１】
図１及び図２を参照すれば、本実施形態に係る有機発光表示装置１は、基板１００上に、第１アノード１０１、第２アノード１０２、第３アノード１０３を含む複数のアノードが互いに離隔されて配置される。
【００４２】
第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の上には、第１発光層を含む第１有機機能層１４１、第２発光層を含む第２有機機能層１４２、及び第３発光層を含む第３有機機能層１４３がそれぞれ位置し、第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３の上には、導電性物質を含む第１補助カソード１８１（図５Ａ）、第２補助カソード１８２（図６Ｅ）及び第３補助カソード１８３（図７Ｅ）がそれぞれ位置する。第１補助カソード１８１、第２補助カソード１８２及び第３補助カソード１８３の上には、複数のカソードに亘って連続する、一体に形成された共通電極１８０が位置する。
【００４３】
絶縁物質から形成された画素定義膜１１０は、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の端部をカバーし、各アノード端部での電界集中を防止する。
【００４４】
画素定義膜１１０上に自己組織化単分子膜（self-assembled monolayer）１５０が第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３の周囲を囲むように位置する。自己組織化単分子膜１５０は、第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３の端部、と所定間隔Ｄ１離隔されて位置する。
【００４５】
自己組織化単分子膜１５０は、フッ素を含む作用基、及び加水分解が可能な反応基を含んでもよい。
【００４６】
フッ素を含む作用基は、フルオロカーボン基（−ＣＦ3）を含んでもよい。加水分解が可能な反応基は、シリコン化合物を含んでもよい。例えば、自己組織化単分子膜１５０は、ＦＯＴＳ（1H,1H,2H,2H-perfluorodoctyletrichlorosilane）、ＦＤＴＳ（(heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane）、ＦＯＭＭＳ（ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｃｌ）、ＦＯＭＤＳ（ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）Ｃｌ2）、ＦＯＴＥＳ（ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ２）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3）などを含んでもよい。
【００４７】
一方、自己組織化単分子膜は、メチル基（−ＣＨ）を含む疎水性作用基を含んでもよい。例えば、自己組織化単分子膜は、ＯＴＳ（octadecyltrichlorosilane）、ＤＤＭＳ（dichlorodimethylsilane）などを含んでもよい。
【００４８】
フッ素を含む作用基は、加水分解が可能な反応基より、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３、並びに画素定義膜１１０の表面からより離れたところに位置することができる。自己組織化単分子膜１５０のフッ素を含む作用基は、後述する、フッ素を含む第１リフトオフ層１２１（図５Ａ）に対して、表面エネルギーの差が小さく、自己組織化単分子膜１５０上に第１リフトオフ層１２１を均一に形成することにより、パターニング精度を向上させることができる。
【００４９】
なお、自己組織化単分子膜（self-assembled monolayer）において、単分子（monolayer）という表現は、自己組織化単分子膜が、単分子（single molecule）として構成されるということを限定するものではない。本明細書において、自己組織化単分子膜という表現の代わりに、「自己組織化膜（self-assembled layer）」を自己組織化単分子膜と同一の意味にも使用される。
【００５０】
図３ないし図７Ｆを参照し、本実施形態に係る有機発光表示装置１の製造方法、及びその製造方法によって製造された有機発光表示装置１についてさらに詳細に説明する。
【００５１】
図３は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の基板上に、複数のアノード１０１、１０２、１０３が形成された段階を概略的に図示した断面図であり、図４は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１に、画素定義膜が形成された段階を概略的に図示した断面図であり、図５Ａないし図５Ｆは、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第１単位工程を概略的に図示した断面図であり、図６Ａないし図６Ｆは、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第２単位工程を概略的に図示した断面図であり、図７Ａないし図７Ｆは、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【００５２】
図３を参照すれば、基板１００上に、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３を含む複数のアノードを形成する。
【００５３】
基板１００は、多様な材質を利用して形成することができる。例えば、基板１００は、ガラスまたはプラスチックを利用して形成することができる。該プラスチックは、ポリイミド（polyimide）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphthalate）、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate）、ポリアリレート（polyarylate）、ポリカーボネート（polycarbonate）、ポリエーテルイミド（polyetherlmide）またはポリエーテルスルホン（polyethersulfone）のように、耐熱性及び耐久性にすぐれる素材からも作われる。
【００５４】
図３には図示されていないが、基板１００の上部に平滑な面を形成し、不純元素の浸透を遮断するためのバッファ層（図示せず）をさらに形成することができる。例えば、該バッファ層（図示せず）は、シリコン窒化物及び／またはシリコン酸化物などにより、単層または複数の層が積層された構造に形成することができる。
【００５５】
第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３は、正孔注入電極であり、仕事関数が大きい材料から形成される。第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３は、透明導電性酸化物を成分として含んでもよい。例えば、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３は、酸化インジウムスズ（indium tin oxide）、酸化インジウム亜鉛（indium zinc oxide）、酸化亜鉛（zinc oxide）、酸化インジウム（indium oxide）、酸化インジウムガリウム（indium gallium oxide）及びアルミニウムドープ酸化亜鉛（aluminum zinc oxide）のうちから選択された少なくとも１種以上の透明導電性酸化物を含んでもよい。また、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３は、銀（Ａｇ）、アルミニウム、マグネシウム、リチウム、カルシウムなどの金属及び／または合金により、単層または複数の層が積層された構造に形成することができる。
【００５６】
図３には図示されていないが、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３は、基板１００と、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３との間に位置する第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ及び第３薄膜トランジスタ（図示せず）に、それぞれ電気的に接続されるようにも形成される。
【００５７】
図４を参照すれば、基板１００上に、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の端部を囲む画素定義膜１１０を形成する。
【００５８】
第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３は、端部が尖った形態であるために、第１補助カソード１８１、第２補助カソード１８２及び第３補助カソード１８３の形成後、電圧を印加すると、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の端部に電界が集中し、駆動中に電気的短絡が発生しうる。しかし、本実施形態では、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の端部を画素定義膜１１０が覆い、端部に電界が集中する現象を緩和する。
【００５９】
画素定義膜１１０は、例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（PS）などの一般的な汎用されている高分子、フェノール副画素を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの混合物などを含む有機絶縁膜によって形成される。
【００６０】
図５Ａを参照すれば、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３が形成された基板１００上に、自己組織化単分子膜１５０、第１リフトオフ層１２１及び第１フォトレジスト１３１がこの順に形成される。
【００６１】
自己組織化単分子膜１５０は、塗布法、印刷法、蒸着法などの方法で形成することができる。自己組織化単分子膜１５０は、前述のように、フッ素を含む作用基、及び加水分解が可能な反応基を含んでもよい。例えば、自己組織化単分子膜１５０は、ＦＯＴＳ（1H,1H,2H,2H-perfluorooctyltrichlorosilane）、ＦＤＴＳ（heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl）trichlorosilane）、ＦＯＭＭＳ（ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｃｌ）、ＦＯＭＤＳ（ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）Ｃｌ2）、ＦＯＴＥＳ（ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3）などを含んでもよい。
【００６２】
第１リフトオフ層１２１は、フッ素重合体を含む。第１リフトオフ層１２１に含まれるフッ素重合体（fluoroplymer）は、２０〜６０ｗｔ％のフッ素含量を含む高分子（polymer）から形成することができる。例えば、第１リフトオフ層１２１に含まれるフッ素重合体は、ポリテトラフルオロエチレン（polytetrafluoroethylene）、ポリクロロトリフルオロエチレン（polychlorotrifluoroethylene）、ポリジクロロジフルオロエチレン（polydichlorodifluoroethylene）、クロロトリフルオロエチレン（chlorotrifluoroethylene）とジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレン（tetrafluoroethylene）とパーフルオロアルキルビニルエーテル（perfluoroalkylvinylether）との共重合体、クロロトリフルオロエチレン（chlorotrifluoroethylene）とパーフルオロアルキルビニルエーテル（perfluoroalkylvinylether）との共重合体、テトラフルオロエチレン（tetrafluoroethylene）とパーフルオロアルキルビニルエーテル（perfluoroalkylvinylether）との共重合体、またはクロロトリフルオロエチレン（chlorotrifluoroethylene）とパーフルオロアルキルビニルエーテル（perfluoroalkylvinylether）との共重合体のうち少なくとも一つを含んでもよい。
【００６３】
第１リフトオフ層１２１は、塗布法、印刷法、蒸着法などの方法によって形成することができる。塗布法及び印刷法によって第１リフトオフ層１２１を形成する場合、必要によって、硬化、重合処理を行った後、第１フォトレジスト１３１を形成する工程を進めることができる。
【００６４】
図２１は、第１アノード上に、自己組織化単分子膜１５０を形成する場合、自己組織化単分子膜１５０が成長するメカニズムを簡略に図示したものである。
【００６５】
例えば、酸化インジウムスズによって形成された第１アノード１０１上に、ＦＯＴＳを含む自己組織化単分子膜１５０を蒸着する場合、自己組織化単分子膜１５０のシリコンを含む加水分解反応基は、第１アノード１０１表面の水酸化基（−ＯＨ）と、加水分解及び縮合反応が起こり、自己組織化単分子膜１５０は、第１アノード１０１の表面と共有結合することになる。このような共有結合は、自己組織化単分子膜１５０と第１アノード１０１との表面間接着力を増大させる。
【００６６】
自己組織化単分子膜１５０上に、フッ素重合体を含む第１リフトオフ層１２１が形成される場合、第１リフトオフ層１２１に近接する自己組織化単分子膜１５０のフッ素を含む作用基は、第１リフトオフ層１２１に対して表面エネルギーの差が小さいので、自己組織化単分子膜１５０上に、第１リフトオフ層１２１を均一に形成することができる。
【００６７】
第１リフトオフ層１２１上に、第１フォトレジスト１３１を形成する。光Ｌを透過する領域Ｍ１１を含む第１フォトマスクＭ１を介して、第１アノード１０１に対応する位置の第１フォトレジスト１３１を露光する。
【００６８】
図５Ｂを参照すれば、第１フォトレジスト１３１を現像する。第１フォトレジスト１３１は、ポジティブ型またはネガティブ型いずれも可能である。本実施形態においては、ポジティブ型を例として説明する。現像された第１フォトレジスト１３１は、第１アノード１０１に対応する位置である第１部分１３１−１が除去され、残り第２部分１３１−２は、残存する。
【００６９】
図５Ｃを参照すれば、図５Ｂの第１フォトレジスト１３１の第１部分１３１−１パターンをエッチングマスクにし、第１リフトオフ層１２１をエッチングする。
【００７０】
第１リフトオフ層１２１がフッ素重合体を含んでいるために、エッチング液は、フッ素重合体をエッチングすることができる溶媒を使用する。
【００７１】
該エッチング液は、フッ素を含む第１溶媒（図示せず）を使用することができる。該第１溶媒は、ヒドロフルオロエーテル（hydrofluoroether）を含んでもよい。該ヒドロフルオロエーテルは、他の素材との相互作用が低く、電子化学的に安定した材料であり、地球温暖化係数と毒性とが低く、環境的に安定した材料である。
【００７２】
エッチング工程により、第１部分１３１−１に対応する位置、すなわち、第１アノード１０１上部に形成された第１リフトオフ層１２１がエッチングされる。第１リフトオフ層１２１のエッチング時、フッ素を含む第１溶媒は、第１フォトレジスト１３１の第１部分１３１−１の境界面下において、第１アンダーカットプロファイルＵＣ１−１を形成する。
【００７３】
第１リフトオフ層１２１がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、第１アノード１０１の上面に良好に密着されている。前述のように、自己組織化単分子膜１５０に含まれたシリコンを含む反応基と、第１アノード１０１表面との間で、加水分解及び縮合反応が起こり、自己組織化単分子膜１５０と第１アノード１０１表面との間に、共有結合による接着力が増大するからである。
【００７４】
一方、自己組織化単分子膜１５０に含まれたシリコンを含む反応基は、画素定義膜１１０の表面物質との加水分解及び縮合反応により、両構成要素の表面間接着力が増大するために、第１リフトオフ層１２１がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、画素定義膜１１０の上面に良好に密着されている。
【００７５】
図５Ｄを参照すれば、図５Ｃの構造物において、第１プラズマ熱処理ＰＴ１で、第１アノード１０１上の自己組織化単分子膜１５０を除去する。
【００７６】
図２１に図示されているように、プラズマ熱処理ＰＴ１により、第１アノード１０１と自己組織化単分子膜１５０とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。もし自己組織化単分子膜１５０を形成せず、第１アノード１０１の形成後、第１アノード１０１上に、第１リフトオフ層１２１を直接形成し、後工程で除去する場合、第１アノード１０１上に、第１リフトオフ層１２１の残渣が残って汚染を起こす。しかし、本実施形態においては、第１アノード１０１と第１リフトオフ層１２１との間に、自己組織化単分子膜１５０を形成することにより、第１アノード１０１上に、第１リフトオフ層１２１の残渣を防止することにより、有機発光表示装置の劣化を防止することができる。
【００７７】
図５Ｅを参照すれば、図５Ｄの構造物上に、第１発光層（図示せず）を含む第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１をこの順に形成する。
【００７８】
第１有機機能層１４１は、正孔注入層（hole injection layer）、正孔輸送層（hole transport layer）、電子輸送層（electron transport layer）及び電子注入層（electron injection layer）のうち少なくとも１層の機能層をさらに含んでもよい。
【００７９】
第１有機機能層１４１は、真空蒸着方法によっても形成される。蒸着工程において、第１リフトオフ層１２１及び第１フォトレジスト１３１がマスクの機能を行う。第１有機機能層１４１の一部は、第１部分１３１−１に対応する位置、すなわち、第１アノード１０１上部に形成され、第１有機機能層１４１の他の部分は、第１フォトレジスト１３１の第２部分１３１−２上に形成される。
【００８０】
第１補助カソード１８１は、第１有機機能層１４１と同様に、真空蒸着方法によっても形成される。蒸着工程において、第１リフトオフ層１２１と第１フォトレジスト１３１とがマスクの機能を行う。第１補助カソード１８１の一部は、第１有機機能層１４１の上面を覆うように形成される。そして、第１補助カソード１８１の他の一部は、第１部分１３１−１を除いた第１フォトレジスト１３１の残り領域である第２部分１３１−２において、第１有機機能層１４１上に形成される。
【００８１】
第１補助カソード１８１は、後述する共通電極１８０としてのカソードと同一材料を含んでもよい。また、第１補助カソード１８１は、共通電極１８０としてのカソードと異なる材料からも形成される。第１補助カソード１８１は、後述するリフトオフ工程で使用される溶媒から、第１有機機能層１４１を保護するバリアの役割を行うことができる。
【００８２】
図５Ｆを参照すれば、図５Ｅの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。
【００８３】
第１リフトオフ層１２１は、フッ素重合体を含んでいるために、リフトオフ工程に、フッ素を含む第２溶媒を使用する。一方、第１有機機能層１４１を形成した後、リフトオフ工程を実施するために、第２溶媒は、第１有機機能層１４１との反応性が低い材料を使用することが望ましい。第２溶媒は、第１溶媒のように、ヒドロフルオロエーテル（hydrofluoroether）を含んでもよい。
【００８４】
第１フォトレジスト１３１の第２部分１３１−２（図５Ｅ）下部に形成された第１リフトオフ層１２１をリフトオフすることにより、第１フォトレジスト１３１の第２部分１３１−２（図５Ｅ）上に形成された第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１は除去され、第１アノード１０１上に形成された第１有機機能層１４１と第１補助カソード１８１とがパターンとして残る。
【００８５】
一方、画素定義膜１１０上に形成された自己組織化単分子膜１５０は、除去されない。前述のところのように、自己組織化単分子膜１５０に含まれたシリコンを含む反応基は、画素定義膜１１０の表面物質との加水分解及び縮合反応により、両構成要素の表面間接着力が増大するために、第１リフトオフ層１２１がリフトオフされる間、自己組織化単分子膜１５０は、画素定義膜１１０の上面に良好に密着されている。
【００８６】
前述の第１単位工程を実施した後、第２アノード１０２が位置する領域に、第１有機機能層１４１と異なる色を発光する第２有機機能層１４２を形成する第２単位工程を実施する。以下、図６Ａないし図６Ｆを参照し、第２単位工程について説明する。
【００８７】
図６Ａを参照すれば、図５Ｆの構造物上に、第２リフトオフ層１２２及び第２フォトレジスト１３２をこの順に形成する。
【００８８】
第２リフトオフ層１２２は、フッ素重合体を含む。第２リフトオフ層１２２は、前述の第１リフトオフ層１２１と同一物質を含んでもよく、塗布法、印刷法、蒸着法などの方法によって形成することができる。
【００８９】
第２リフトオフ層１２２上に、第２フォトレジスト１３２を形成する。光Ｌを透過する領域Ｍ２１と光Ｌを遮断する領域Ｍ２２を含む第２フォトマスクＭ２を介して、第２アノード１０２に対応する位置の第２フォトレジスト１３２を露光する。
【００９０】
図６Ｂを参照すれば、第２フォトレジスト１３２を現像し、第２フォトレジスト１３２は、第２アノード１０２に対応する位置である第１部分１３２−１が除去され、残り第２部分１３２−２は、残存する。
【００９１】
図６Ｃを参照すれば、図６Ｂの第２フォトレジスト１３２の第１部分１３２−１パターンをエッチングマスクにし、第２リフトオフ層１２２をエッチングする。
【００９２】
第２リフトオフ層１２２がフッ素重合体を含んでいるために、エッチング液は、フッ素重合体をエッチングすることができる溶媒を使用する。該エッチング液は、フッ素を含む第１溶媒（図示せず）を使用することができる。該第１溶媒は、ヒドロフルオロエーテル（hydrofluoroether）を含んでもよい。
【００９３】
エッチング工程により、第１部分１３２−１に対応する位置、すなわち、第２アノード１０２上部に形成された第２リフトオフ層１２２がエッチングされる。第２リフトオフ層１２２のエッチング時、フッ素を含む第１溶媒は、第２フォトレジスト１３２の第１部分１３２−１の境界面下において、第１アンダーカットプロファイルＵＣ２−１を形成する。
【００９４】
第２リフトオフ層１２２がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、第２アノード１０２の上面に良好に密着されている。また、第２リフトオフ層１２２がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、画素定義膜１１０の上面に良好に密着されている
【００９５】
図６Ｄを参照すれば、図６Ｃの構造物において、第２プラズマ熱処理ＰＴ２で、第２アノード上の自己組織化単分子膜１５０を除去する。
【００９６】
第２プラズマ熱処理ＰＴ２により、第２アノード１０２と自己組織化単分子膜１５０とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。従って、第２アノード１０２上に、第２リフトオフ層１２２の残渣が残らない。
【００９７】
図６Ｅを参照すれば、図６Ｄの構造物上に、第２発光層（図示せず）を含む第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２をこの順に形成する。
【００９８】
第２有機機能層１４２は、正孔注入層（hole injection layer）、正孔輸送層（hole transport layer）、電子輸送層（electron transport layer）及び電子注入層（electron injection layer）のうち少なくとも１層の機能層をさらに含んでもよい。
【００９９】
第２有機機能層１４２は、真空蒸着方法によっても形成される。蒸着工程において、第２リフトオフ層１２２及び第２フォトレジスト１３２がマスクの機能を行う。第２有機機能層１４２の一部は、第１部分１３２−１に対応する位置、すなわち、第２アノード１０２上部に形成され、第２有機機能層１４２の他の部分は、第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２上に形成される。
【０１００】
第２補助カソード１８２は、第２有機機能層１４２と同様に、真空蒸着方法によっても形成される。蒸着工程において、第２リフトオフ層１２２と第２フォトレジスト１３２とがマスクの機能を行う。第２補助カソード１８２の一部は、第２有機機能層１４２の上面を覆うように形成される。そして、第２補助カソード１８２の他の一部は、第１部分１３２−１を除いた第２フォトレジスト１３２の残り領域である第２部分１３２−２において、第２有機機能層１４２上に形成される。
【０１０１】
第２補助カソード１８２は、後述する共通電極１８０としてのカソードと同一材料を含んでもよい。また、第２補助カソード１８２は、共通電極１８０としてのカソードと異なる材料からも形成される。第２補助カソード１８２は、後述するリフトオフ工程で使用される溶媒から、第２有機機能層１４２を保護するバリアの役割を行うことができる。
【０１０２】
図６Ｆを参照すれば、図６Ｅの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。
【０１０３】
第２リフトオフ層１２２は、フッ素重合体を含んでいるために、リフトオフ工程に、フッ素を含む第２溶媒を使用する。一方、第２有機機能層１４２を形成した後、リフトオフ工程を実施するために、第２溶媒は、第２有機機能層１４２との反応性が低い材料を使用することが望ましい。第２溶媒は、第１溶媒のように、ヒドロフルオロエーテル（hydrofluoroether）を含んでもよい。
【０１０４】
第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２（図６Ｅ）下部に形成された第２リフトオフ層１２２をリフトオフすることにより、第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２（図６Ｅ）上に形成された第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２は、除去され、第２アノード１０２上に形成された第２有機機能層１４２と第２補助カソード１８２とがパターンとして残る。
【０１０５】
一方、前述のところと同様に、自己組織化単分子膜１５０と画素定義膜１１０との結合力が良好であるために、第２リフトオフ層１２２がリフトオフされる間、画素定義膜１１０上に形成された自己組織化単分子膜１５０は、除去されない。
【０１０６】
前述の第２単位工程を実施した後、第３アノード１０３が位置する領域に、第１有機機能層１４１及び第２有機機能層１４２と異なる色の光を放出する第３有機機能層１４３を形成する第３単位工程を実施する。以下、図７Ａないし図７Ｆを参照し、第３単位工程について説明する。
【０１０７】
図７Ａを参照すれば、図６Ｆの構造物上に、第３リフトオフ層１２３及び第３フォトレジスト１３３をこの順に形成する。
【０１０８】
第３リフトオフ層１２３は、フッ素重合体を含む。第３リフトオフ層１２３は、前述の第１リフトオフ層１２１及び第２リフトオフ層１２２と同一物質を含んでもよく、塗布法、印刷法、蒸着法などの方法によって形成することができる。
【０１０９】
第３リフトオフ層１２３上に、第３フォトレジスト１３３を形成する。光Ｌを透過する領域Ｍ３１と光Ｌを遮断する領域Ｍ３２を含む第３フォトマスクＭ３を介して、第３アノード１０３に対応する位置の第３フォトレジスト１３３を露光する。
【０１１０】
図７Ｂを参照すれば、第３フォトレジスト１３３を現像する。第３フォトレジスト１３３は、第３アノード１０３に対応する位置である第１部分１３３−１が除去され、残り第２部分１３３−２は、残存する。
【０１１１】
図７Ｃを参照すれば、図７Ｂの第３フォトレジスト１３３の第１部分１３３−１パターンをエッチングマスクにし、第３リフトオフ層１２３をエッチングする。
【０１１２】
第３リフトオフ層１２３がフッ素重合体を含んでいるために、エッチング液は、フッ素重合体をエッチングすることができる溶媒を使用する。該エッチング液は、フッ素を含む第１溶媒（図示せず）を使用することができる。該第１溶媒は、ヒドロフルオロエーテル（hydrofluoroether）を含んでもよい。
【０１１３】
エッチング工程により、第１部分１３３−１に対応する位置、すなわち、第３アノード１０３上部に形成された第３リフトオフ層１２３がエッチングされる。第３リフトオフ層１２３のエッチング時、フッ素を含む第１溶媒は、第３フォトレジスト１３３の第１部分１３３−１の境界面下で、第１アンダーカットプロファイルＵＣ３−１を形成する。
【０１１４】
第３リフトオフ層１２３がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、第３アノード１０３の上面に良好に密着されている。また、第３リフトオフ層１２３がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、画素定義膜１１０の上面に良好に密着されている
【０１１５】
図７Ｄを参照すれば、図７Ｃの構造物において、第３プラズマ熱処理ＰＴ３で、第３アノード上の自己組織化単分子膜１５０を除去する。
【０１１６】
第３プラズマ熱処理ＰＴ３により、第３アノード１０３と自己組織化単分子膜１５０とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。従って、第３アノード１０３上に、第３リフトオフ層１２３の残渣が残らない。
【０１１７】
図７Ｅを参照すれば、図７Ｄの構造物上に、第３発光層（図示せず）を含む第３有機機能層１４３及び第３補助カソード１８３をこの順に形成する。
【０１１８】
第３有機機能層１４３は、正孔注入層（hole injection layer）、正孔輸送層（hole transport layer）、電子輸送層（electron transport layer）及び電子注入層（electron injection layer）のうち少なくとも１層の機能層をさらに含んでもよい。
【０１１９】
第３有機機能層１４３は、真空蒸着方法によっても形成される。蒸着工程において、第３リフトオフ層１２３及び第３フォトレジスト１３３がマスクの機能を行う。第３有機機能層１４３の一部は、第１部分１３３−１に対応する位置、すなわち、第３アノード１０３上部に形成され、第３有機機能層１４３の他の部分は、第３フォトレジスト１３３の第２部分１３３−２上に形成される。
【０１２０】
第３補助カソード１８３は、第３有機機能層１４３と同様に、真空蒸着方法によっても形成される。蒸着工程において、第３リフトオフ層１２３と第３フォトレジスト１３３とがマスクの機能を行う。第３補助カソード１８３の一部は、第３有機機能層１４３の上面を覆うように形成される。そして、第３補助カソード１８３の他の一部は、第１部分１３３−１を除いた第３フォトレジスト１３３の残り領域である第２部分１３３−２において、第３有機機能層１４３上に形成される。
【０１２１】
第３補助カソード１８３は、後述する共通電極１８０としてのカソードと同一材料を含んでもよい。また、第３補助カソード１８３は、共通電極１８０としてのカソードと異なる材料からも形成される。第３補助カソード１８３は、後述するリフトオフ工程で使用される溶媒から、第３有機機能層１４３を保護するバリアの役割を行うことができる。
【０１２２】
図７Ｆを参照すれば、図６Ｅの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。
【０１２３】
第３リフトオフ層１２３は、フッ素重合体を含んでいるために、リフトオフ工程に、フッ素を含む第２溶媒を使用する。一方、第３有機機能層１４３を形成した後、リフトオフ工程を実施するために、第２溶媒は、第３有機機能層１４３との反応性が低い材料を使用することが望ましい。第２溶媒は、第１溶媒のように、ヒドロフルオロエーテル（hydrofluoroether）を含んでもよい。
【０１２４】
第３フォトレジスト１３３の第２部分１３３−２（図７Ｅ）下部に形成された第３リフトオフ層１２３をリフトオフすることにより、第３フォトレジスト１３３の第２部分１３３−２（図７Ｅ）上に形成された第３有機機能層１４３及び第３補助カソード１８３は、除去され、第３アノード１０３上に形成された第３有機機能層１４３と第３補助カソード１８３とがパターンとして残る。
【０１２５】
一方、前述と同様に、自己組織化単分子膜１５０と画素定義膜１１０との結合力が良好であるために、第３リフトオフ層１２３がリフトオフされる間、画素定義膜１１０上に形成された自己組織化単分子膜１５０は、除去されない。
【０１２６】
第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３は、互いに異なる色の光を放出することができる。第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３が発光して出射される光は、混合すれば、白色光を形成することができる。例えば、第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３は、赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発光することができる。例えば、第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３は、有機発光表示装置１の単位画素を構成する副画素の構成でもある。
【０１２７】
また、図１に図示された有機発光表示装置１は、１つの単位画素を示すものでもある。また、本実施形態は、図１に図示された単位画素を複数個具備する有機発光表示装置にも適用される。すなわち、第１単位工程によって、第１色を放出する第１有機機能層１４１は、第１副画素として複数個が同時にも形成される。第２単位工程によって、第２色を放出する第２有機機能層１４２は、第２副画素として複数個が同時にも形成される。第３単位工程によって、第３色を放出する第３有機機能層１４３は、第３副画素として複数個が同時にも形成される。第１単位工程ないし第３単位工程を介して、フルカラーを具現することができる。
【０１２８】
本実施形態において、リフトオフ層をアノード上に直接形成せず、アノードとリフトオフ層との間に自己組織化単分子膜を形成することにより、リフトオフ層が、アノード上に残膜を形成することを基本的に防止し、有機発光表示装置の劣化を防止することができる。
【０１２９】
比較例：
以下、図１８Ａないし図２０Ｅの比較例による有機発光表示装置４の製造方法と比較して説明する。
【０１３０】
図１８Ａないし図１８Ｅは、比較例による有機発光表示装置４の第１単位工程を概略的に図示した断面図であり、図１９Ａないし図１９Ｅは、比較例による有機発光表示装置の第２単位工程を概略的に図示した断面図であり、図２０Ａないし図２０Ｅは、比較例による有機発光表示装置の第３単位工程を概略的に図示した断面図である。
【０１３１】
図１８Ａを参照すれば、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３と、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の端部をカバーする画素定義膜１１０とが形成された基板１００上に、フッ素重合体（fluoropolymer）を含む第１リフトオフ層１２１を形成し、第１リフトオフ層１２１上に、第１フォトレジスト１３１を形成する。光Ｌを透過する領域Ｍ１１と光Ｌを遮断する領域Ｍ１２を含む第１フォトマスクＭ１を介して、第１アノード１０１に対応する位置の第１フォトレジスト１３１を露光する。
【０１３２】
図１８Ｂを参照すれば、第１フォトレジスト１３１がパターニングされた形状を図示している。露光されて現像された第１フォトレジスト１３１は、第１アノード１０１に対応する位置である第１部分１３１−１から除去され、第１部分１３１−１の残り領域である第２部分１３１−２で残存する。
【０１３３】
図１８Ｃを参照すれば、図１８Ｂの第１フォトレジスト１３１パターンをエッチングマスクにし、第１リフトオフ層１２１を、フッ素を含む第１溶媒（図示せず）を使用してエッチングする。該エッチング工程により、第１部分１３１−１に対応する位置、すなわち、第１アノード１０１上部に形成された第１リフトオフ層１２１がエッチングされる。第１リフトオフ層１２１は、第１フォトレジスト１３１の第１部分１３１−１の境界面下において、第１アンダーカットプロファイルＵＣ１を形成する。該エッチング工程後、第１リフトオフ層１２１のストリップ時、第１アノード１０１上にリフトオフ層の残渣が残る。
【０１３４】
図１８Ｄを参照すれば、図１８Ｃの構造物上に、第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１をこの順に形成する。
【０１３５】
図１８Ｅを参照すれば、第１リフトオフ工程を進め、残存する第１リフトオフ層１２１をいずれも除去し、その結果、第１アノード１０１上の第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１がパターンとして残る。
【０１３６】
第１単位工程完了後、第２アノード１０２が位置する領域に、第２単位工程を実施する。
【０１３７】
図１９Ａを参照すれば、図１８Ｅの構造物において、第２リフトオフ層１２２及び第２フォトレジスト１３２をこの順に形成する。
【０１３８】
図１９Ｂを参照すれば、第２フォトレジスト１３２がパターニングされた形状を図示している。露光されて現像された第２フォトレジスト１３２は、第２アノード１０２に対応する位置である第１部分１３２−１から除去され、第１部分１３２−１の残り領域である第２部分１３２−２で残存する。
【０１３９】
図１９Ｃを参照すれば、図１９Ｂの第２フォトレジスト１３２パターンをエッチングマスクにし、第２リフトオフ層１２２を、フッ素を含む第１溶媒（図示せず）を使用してエッチングする。該エッチング工程により、第１部分１３２−１に対応する位置、すなわち、第２アノード１０２上部に形成された第２リフトオフ層１２２がエッチングされる。第２リフトオフ層１２２は、第２フォトレジスト１３２の第１部分１３２−１の境界面下において、第２アンダーカットプロファイルＵＣ２を形成する。該エッチング工程後、第２リフトオフ層１２２のストリップ時、第２アノード１０２上にリフトオフ層の残渣が残る。
【０１４０】
図１９Ｄを参照すれば、図１９Ｃの構造物上に、第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２をこの順に形成する。
【０１４１】
図１９Ｅを参照すれば、第２リフトオフ工程を進め、残存する第２リフトオフ層１２２をいずれも除去し、その結果、第２アノード１０２上の第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２がパターンとして残る。
【０１４２】
第２単位工程完了後、第３アノード１０３が位置する領域に、第３単位工程を実施する。
【０１４３】
図２０Ａを参照すれば、図１９Ｅの構造物において、第３リフトオフ層１２３及び第３フォトレジスト１３３をこの順に形成する。
【０１４４】
図２０Ｂを参照すれば、第３フォトレジスト１３３がパターニングされた形状を図示している。露光されて現像された第３フォトレジスト１３３は、第３アノード１０３に対応する位置である第１部分１３３−１から除去され、第１部分１３３−１の残り領域である第２部分１３３−２で残存する。
【０１４５】
図２０Ｃを参照すれば、図２０Ｂの第３フォトレジスト１３３パターンをエッチングマスクにし、第３リフトオフ層１２３を、フッ素を含む第１溶媒（図示せず）を使用してエッチングする。該エッチング工程により、第１部分１３３−１に対応する位置、すなわち、第３アノード１０３上部に形成された第３リフトオフ層１２３がエッチングされる。第３リフトオフ層１２３は、第３フォトレジスト１３３の第１部分１３３−１の境界面下において、第３アンダーカットプロファイルＵＣ３を形成する。該エッチング工程後、第３リフトオフ層１２３のストリップ時、第３アノード１０３上にリフトオフ層の残渣が残る。
【０１４６】
図２０Ｄを参照すれば、図２０Ｃの構造物上に、第３有機機能層１４３及び第３補助カソード１８３を順に形成する。
【０１４７】
図２０Ｅを参照すれば、第３リフトオフ工程を進め、残存する第３リフトオフ層１２３をいずれも除去し、その結果、第３アノード１０３上の第３有機機能層１４３及び第３補助カソード１８３がパターンとして残る。
【０１４８】
すなわち、比較例によれば、アノード上に直接リフトオフ層を形成してパターニングすることにより、該リフトオフ層の一部がアノード上に残渣として残ることを基本的に防止することができない。
【０１４９】
第２実施形態：
以下、図８ないし図１４Ｆを参照し、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２及びその製造方法について説明する。
【０１５０】
図８は、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置２を概略的に図示した断面図であり、図９は、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置の一部を図示した平面図である。
【０１５１】
図８及び図９を参照すれば、基板１００上に、第１アノード１０１、第２アノード１０２、第３アノード１０３を含む複数のアノードが互いに離隔されて配置される。第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の上には、第１発光層ないし第３発光層を含む第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３がそれぞれ位置し、第１有機機能層１４１、第２有機機能層１４２及び第３有機機能層１４３の上には、導電性物質を含む第１補助カソード１８１、第２補助カソード１８２及び第３補助カソード１８３がそれぞれ位置する。第１補助カソード１８１、第２補助カソード１８２及び第３補助カソード１８３の上には、複数のカソードに亘って連続する、一体に形成された共通電極１８０が位置する。
【０１５２】
本実施形態に係る有機発光表示装置２は、自己組織化単分子膜１５０が、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の周囲を囲むように位置し、自己組織化単分子膜１５０上に、画素定義膜１１０が形成される。自己組織化単分子膜１５０は、第１アノードないし第３アノードの端部において、長さＤ２の幅で重畳するように形成されるという点において、第１実施形態と差がある。以下、第１実施形態と同一内容については、説明を省略する。
【０１５３】
図１０を参照すれば、基板１００上に、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３を含む複数のアノードを形成し、その上に、自己組織化単分子膜１５０を形成する。
【０１５４】
図１１を参照すれば、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の端部を囲むように、画素定義膜１１０を形成する。このとき、画素定義膜１１０の端部は、自己組織化単分子膜１５０の端部と重畳する。自己組織化単分子膜１５０は、フッ素を含む作用基、及び加水分解が可能な反応基を含んでもよい。
【０１５５】
図１２Ａを参照すれば、図１１の構造物上に、第１リフトオフ層１２１及び第１フォトレジスト１３１がこの順に形成される。
【０１５６】
第１リフトオフ層１２１は、フッ素重合体を含み、第１リフトオフ層１２１は、塗布法、印刷法、蒸着法などの方法によって形成することができる。第１リフトオフ層１２１上に、第１フォトレジスト１３１を形成する。光Ｌを透過する領域Ｍ１１と光Ｌを遮断する領域Ｍ１２を含む第１フォトマスクＭ１を介して、第１アノード１０１に対応する位置の第１フォトレジスト１３１を露光する。
【０１５７】
第１リフトオフ層１２１に近接する自己組織化単分子膜１５０のフッ素を含む作用基は、第１リフトオフ層１２１に対して表面エネルギーの差が小さく、自己組織化単分子膜１５０上に、リフトオフ層１２１を均一に形成することができる。
【０１５８】
図１２Ｂを参照すれば、第１フォトレジスト１３１を現像する。現像された第１フォトレジスト１３１は、第１アノード１０１に対応する位置である第１部分１３１−１が除去され、残り第２部分１３１−２は、残存する。
【０１５９】
図１２Ｃを参照すれば、図１２Ｂの第１フォトレジスト１３１の第１部分１３１−１パターンをエッチングマスクにし、第１リフトオフ層１２１をエッチングする。該エッチング工程により、第１部分１３１−１に対応する位置、すなわち、第１アノード１０１上部に形成された第１リフトオフ層１２１がエッチングされる。第１リフトオフ層１２１のエッチング時、フッ素を含む第１溶媒は、第１フォトレジスト１３１の第１部分１３１−１の境界面下において、第１アンダーカットプロファイルＵＣ１−１を形成する。
【０１６０】
第１リフトオフ層１２１がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、第１アノード１０１の上面に良好に密着されている。
【０１６１】
図１２Ｄを参照すれば、図１２Ｃの構造物において、第１プラズマ熱処理ＰＴ１で、第１アノード上の自己組織化単分子膜１５０を除去する。
【０１６２】
図２１に図示されているように、プラズマ熱処理により、第１アノード１０１と自己組織化単分子膜１５０とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。
【０１６３】
図１２Ｅを参照すれば、図１２Ｄの構造物上に、第１発光層（図示せず）を含む第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１をこの順に形成する。第１有機機能層１４１の一部は、第１部分１３１−１に対応する位置、すなわち、第１アノード１０１上部に形成され、第１有機機能層１４１の他の部分は、第１フォトレジスト１３１の第２部分１３１−２上に形成される。第１補助カソード１８１の一部は、第１有機機能層１４１の上面を覆うように形成され、第１補助カソード１８１の他の一部は、第１部分１３１−１を除いた第１フォトレジスト１３１の残り領域である第２部分１３１−２において、第１有機機能層１４１上に形成される。
【０１６４】
図１２Ｆを参照すれば、図１２Ｅの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。第１フォトレジスト１３１の第２部分１３１−２（図１２Ｅ）下部に形成された第１リフトオフ層１２１をリフトオフすることにより、第１フォトレジスト１３１の第２部分１３１−２（図１２Ｅ）上に形成された第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１は、除去され、第１アノード１０１上に形成された第１有機機能層１４１と第１補助カソード１８１とがパターンとして残る。
【０１６５】
前述の第１単位工程を実施した後、第２アノード１０２が位置する領域に、第１有機機能層１４１と異なる色光を発光する第２有機機能層１４２を形成する第２単位工程を実施する。以下、図１３Ａないし図１３Ｆを参照し、第２単位工程について説明する。
【０１６６】
図１３Ａを参照すれば、図１２の構造物上に、第２リフトオフ層１２２及び第２フォトレジスト１３２がこの順に形成される。光Ｌを透過する領域Ｍ２１と光Ｌを遮断する領域Ｍ２２を含む第２フォトマスクＭ２を介して、第２アノード１０２に対応する位置の第２フォトレジスト１３２を露光する。
【０１６７】
第２リフトオフ層１２２に近接する自己組織化単分子膜１５０のフッ素を含む作用基は、第２リフトオフ層１２２に対して表面エネルギーの差が小さく、自己組織化単分子膜１５０上に、第２リフトオフ層１２２を均一に形成することができる。
【０１６８】
図１３Ｂを参照すれば、第２フォトレジスト１３２を現像する。現像された第２フォトレジスト１３２は、第２アノード１０２に対応する位置である第１部分１３２−１が除去され、残り第２部分１３２−２は、残存する。
【０１６９】
図１３Ｃを参照すれば、図１３Ｂの第２フォトレジスト１３２の第１部分１３２−１パターンをエッチングマスクにし、第２リフトオフ層１２２をエッチングする。該エッチング工程により、第１部分１３２−１に対応する位置、すなわち、第２アノード１０２上部に形成された第２リフトオフ層１２２がエッチングされる。第２リフトオフ層１２２のエッチング時、フッ素を含む第１溶媒は、第２フォトレジスト１３２の第１部分１３２−１の境界面下において、第２アンダーカットプロファイルＵＣ２−１を形成する。第２リフトオフ層１２２がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、第２アノード１０２の上面に良好に密着されている。
【０１７０】
図１３Ｄを参照すれば、図１３Ｃの構造物において、第２プラズマ熱処理ＰＴ２において、第２アノード１０２上の自己組織化単分子膜１５０を除去する。プラズマ熱処理により、第２アノード１０２と自己組織化単分子膜１５０とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。
【０１７１】
図１３Ｅを参照すれば、図１３Ｄの構造物上に、第２発光層（図示せず）を含む第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２をこの順に形成する。第２有機機能層１４２の一部は、第１部分１３２−１に対応する位置、すなわち、第２アノード１０２上部に形成され、第２有機機能層１４２の他の部分は、第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２上に形成される。第２補助カソード１８２の一部は、第２有機機能層１４２の上面を覆うように形成され、第２補助カソード１８２の他の一部は、第１部分１３２−１を除いた第２フォトレジスト１３２の残り領域である第２部分１３２−２において、第２有機機能層１４２上に形成される。
【０１７２】
図１３Ｆを参照すれば、図１３Ｅの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２下部に形成された第２リフトオフ層１２２をリフトオフすることにより、第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２上に形成された第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２は、除去され、第２アノード１０２上に形成された第２有機機能層１４２と第２補助カソード１８２とがパターンとして残る。
【０１７３】
前述の第２単位工程を実施した後、第３アノード１０３が位置する領域に、第１有機機能層１４１及び第２有機機能層１４２と異なる色の光を放出する第３有機機能層１４３を形成する第３単位工程を実施する。以下、図１４Ａないし図１４Ｆを参照し、第３単位工程について説明する。
【０１７４】
図１４Ａを参照すれば、図１３Ｆの構造物上に、第３リフトオフ層１２３及び第３フォトレジスト１３３がこの順に形成される。光Ｌを透過する領域Ｍ３１と光Ｌを遮断する領域Ｍ３２を含む第３フォトマスクＭ３を介して、第３アノード１０３に対応する位置の第３フォトレジスト１３３を露光する。
【０１７５】
第３リフトオフ層１２３に近接する自己組織化単分子膜１５０のフッ素を含む作用基は、第３リフトオフ層１２３に対して表面エネルギーの差が小さく、自己組織化単分子膜１５０上に、第３リフトオフ層１２３を均一に形成することができる。
【０１７６】
図１４Ｂを参照すれば、第３フォトレジスト１３３を現像する。現像された第３フォトレジスト１３３は、第３アノード１０３に対応する位置である第１部分１３３−１が除去され、残り第２部分１３３−２は、残存する。
【０１７７】
図１４Ｃを参照すれば、図１４Ｂの第３フォトレジスト１３３の第１部分１３３−１パターンをエッチングマスクにし、第３リフトオフ層１２３をエッチングする。該エッチング工程により、第１部分１３３−１に対応する位置、すなわち、第３アノード１０３上部に形成された第３リフトオフ層１２３がエッチングされる。第３リフトオフ層１２３のエッチング時、フッ素を含む第１溶媒は、第３フォトレジスト１３３の第１部分１３３−１の境界面下において、第３アンダーカットプロファイルＵＣ３−１を形成する。第３リフトオフ層１２３がエッチングされる間、自己組織化単分子膜１５０は、第３アノード１０３の上面に良好に密着されている。
【０１７８】
図１４Ｄを参照すれば、図１４Ｃの構造物において、第３プラズマ熱処理ＰＴ３において、第３アノード１０３上の自己組織化単分子膜１５０を除去する。プラズマ熱処理により、第３アノード１０３と自己組織化単分子膜１５０とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。
【０１７９】
図１４Ｅを参照すれば、図１４Ｄの構造物上に、第３発光層（図示せず）を含む第３有機機能層１４３及び第３補助カソード１８３をこの順に形成する。第３有機機能層１４３の一部は、第１部分１３３−１に対応する位置、すなわち、第３アノード１０３上部に形成され、第３有機機能層１４３の他の部分は、第３フォトレジスト１３３の第２部分１３２−２上に形成される。第３補助カソード１８３の一部は、第３有機機能層１４３の上面を覆うように形成され、第３補助カソード１８３の他の一部は、第１部分１３３−１を除いた第３フォトレジスト１３３の残り領域である第２部分１３３−２において、第３有機機能層１４３上に形成される。
【０１８０】
図１４Ｆを参照すれば、図１４Ｅの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。第３フォトレジスト１３３の第２部分１３３−２下部に形成された第３リフトオフ層１２３をリフトオフすることにより、第３フォトレジスト１３３の第２部分１３３−２上に形成された第３有機機能層１４３及び第３補助カソード１８３は、除去され、第３アノード１０３上に形成された第３有機機能層１４３と第３補助カソード１８３とがパターンとして残る。
【０１８１】
本実施形態によれば、自己組織化単分子膜が画素定義膜の下層側に形成される構成であっても、第１実施形態と同様に、リフトオフ層が、アノード上に残膜を形成することを基本的に防止し、有機発光表示装置の劣化を防止することができる。
【０１８２】
第３実施形態：
以下、図１５Ａないし図１７Ｅを参照し、本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の製造方法を簡略について説明する。
【０１８３】
本実施形態は、第１実施形態及び第２実施形態と異なり、リフトオフ層と自己組織化単分子膜１５０とを独立してそれぞれ使用せずに、自己組織化単分子膜１５０をリフトオフ層として使用したという点で差がある。
【０１８４】
図１５Ａないし図１５Ｅは、本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第１単位工程を概略的に図示した断面図である。
【０１８５】
図１５Ａを参照すれば、基板１００上に、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３を形成し、第１アノード１０１、第２アノード１０２及び第３アノード１０３の端部を覆う画素定義膜１１０を形成する。画素定義膜１１０を形成した後、第１自己組織化単分子膜１５１を形成する。第１自己組織化単分子膜１５１上に、第１フォトレジスト１３１を形成する。
【０１８６】
本実施形態の第１自己組織化単分子膜１５１は、加水分解が可能な反応基と、フッ素を含む作用基と、を含んでもよい。一方、本実施形態の場合、第１自己組織化単分子膜１５１上部には、第１フォトレジスト１３１が形成される。第１フォトレジスト１３１は、フッ素重合体を含んでもよいが、必ずしもその限りではない。従って、本実施形態の第１自己組織化単分子膜１５１は、第１実施形態、第２実施形態のように、フッ素を含む作用基を必ずしも含む必要はない。例えば、第１自己組織化単分子膜１５１は、ＯＴＳ（octadecyltrichlorosilane）、ＤＤＭＳ（dichlorodimethylsilane）、ＴＥＯＳ（tetraethoxysilane）などをさらに含んでもよい。
【０１８７】
光Ｌを透過する領域Ｍ１１と光Ｌを遮断する領域Ｍ１２を含む第１フォトマスクＭ１を介して、第１アノード１０１に対応する位置の第１フォトレジスト１３１を露光する。第１フォトレジスト１３１に近接する第１自己組織化単分子膜１５１の作用基は、第１フォトレジスト１３１に含まれた感光剤に対して、表面エネルギーの差が小さい物質を使用することができる。
【０１８８】
図１５Ｂを参照すれば、第１フォトレジスト１３１を現像する。現像された第１フォトレジスト１３１は、第１アノード１０１に対応する位置である第１部分１３１−１が除去され、残り第２部分１３１−２は、残存する。
【０１８９】
図１５Ｃを参照すれば、図１５Ｂの構造物において、第１プラズマ熱処理ＰＴ１により、第１アノード１０１上の第１自己組織化単分子膜１５１を除去する。第１プラズマ熱処理ＰＴ１により、第１アノード１０１と第１自己組織化単分子膜１５１とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。
【０１９０】
図１５Ｄを参照すれば、図１５Ｃの構造物上に、第１発光層（図示せず）を含む第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１をこの順に形成する。第１有機機能層１４１の一部は、第１部分１３１−１に対応する位置、すなわち、第１アノード１０１上部に形成され、第１有機機能層１４１の他の部分は、第１フォトレジスト１３１の第２部分１３２−２上に形成される。第１補助カソード１８１の一部は、第１有機機能層１４１の上面を覆うように形成され、第１補助カソード１８１の他の一部は、第１部分１３１−１を除いた第１フォトレジスト１３１の残り領域である第２部分１３１−２において、第１有機機能層１４１上に形成される。
【０１９１】
図１５Ｅを参照すれば、図１５Ｄの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。第１フォトレジスト１３１をリフトオフすることにより、第１フォトレジスト１３１の第２部分１３１−２上に形成された第１有機機能層１４１及び第１補助カソード１８１は、除去され、第１アノード１０１上に形成された第１有機機能層１４１と第１補助カソード１８１とがパターンとして残る。そして、画素定義膜１１０と第１フォトレジスト１３１との間に位置する第１自己組織化単分子膜１５１も、共に除去される。
【０１９２】
図１６Ａないし図１６Ｅは、本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第２単位工程を概略的に図示した断面図である。
【０１９３】
図１６Ａを参照すれば、図１５Ｅの構造物上に、第２自己組織化単分子膜１５２及び第２フォトレジスト１３２を形成する。光Ｌを透過する領域Ｍ２１と光Ｌを遮断する領域Ｍ２２を含む第２フォトマスクＭ２を介して、第２アノード１０２に対応する位置の第２フォトレジスト１３２を露光する。第２フォトレジスト１３２に近接する第２自己組織化単分子膜１５２の作用基は、第２フォトレジスト１３２に含まれた感光剤に対して、表面エネルギーの差が小さい物質を使用することができる。
【０１９４】
図１６Ｂを参照すれば、第２フォトレジスト１３２を現像する。現像された第２フォトレジスト１３２は、第２アノード１０２に対応する位置である第１部分１３２−１が除去され、残り第２部分１３２−２は、残存する。
【０１９５】
図１６Ｃを参照すれば、図１６Ｂの構造物において、第２プラズマ熱処理ＰＴ２において、第２アノード１０２上の第２自己組織化単分子膜１５２を除去する。第２プラズマ熱処理ＰＴ２により、第２アノード１０２と第２自己組織化単分子膜１５２とのＳｉ−Ｏ結合が切れる。
【０１９６】
図１６Ｄを参照すれば、図１６Ｃの構造物上に、第２発光層（図示せず）を含む第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２をこの順に形成する。第２有機機能層１４２の一部は、第１部分１３２−１に対応する位置、すなわち、第２アノード１０２上部に形成され、第２有機機能層１４２の他の部分は、第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２上に形成される。第２補助カソード１８２の一部は、第２有機機能層１４２の上面を覆うように形成され、第２補助カソード１８２の他の一部は、第１部分１３２−１を除いた第２フォトレジスト１３２の残り領域である第２部分１３２−２において、第２有機機能層１４２上に形成される。
【０１９７】
図１６Ｅを参照すれば、図１６Ｄの構造物に対して、リフトオフ工程を行う。第２フォトレジスト１３２をリフトオフすることにより、第２フォトレジスト１３２の第２部分１３２−２上に形成された第２有機機能層１４２及び第２補助カソード１８２は、除去され、第２アノード１０２上に形成された第２有機機能層１４２と第２補助カソード１８２とがパターンとして残る。そして、画素定義膜１１０と第２フォトレジスト１３２との間に位置する第２自己組織化単分子膜１５２も、共に除去される。
【０１９８】
図１７Ａないし図１７Ｅは、本発明の第３実施形態に係る有機発光表示装置３の第３単位工程を概略的に図示した断面図であり、第３自己組織化単分子膜１５３がさらに形成され、最終的にはいずれも除去されることを除いては、前述の図１６Ａないし図１６Ｅで説明した内容と類似するので、詳細な説明は省略する。
【０１９９】
一方、前述の図面には図示されていないが、前述の有機発光表示装置は、有機発光層を封止する封止部材をさらに含んでもよい。該封止部材は、ガラス基板、金属ホイル、無機層と有機層とが混合された薄膜封止層などによっても形成される。
【０２００】
本実施形態によれば、自己組織化単分子膜をリフトオフ層として使用することによっても、第１実施形態と同様に、リフトオフ層が、アノード上に残膜を形成することを基本的に防止し、有機発光表示装置の劣化を防止することができる。
【０２０１】
以上、本発明の実施形態を、図面を参照して説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらなければならないのである。
【産業上の利用可能性】
【０２０２】
本発明の有機発光表示装置及び該有機発光表示装置の製造方法は、例えば、発光関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０２０３】
１、２、３・・・有機発光表示装置、１００・・・基板、１０１・・・第１アノード、１０２・・・第２アノード、１０３・・・第３アノード、１１０・・・画素定義膜、１２１・・・第１リフトオフ層、１２２・・・第２リフトオフ層、１２３・・・第３リフトオフ層、１３１・・・第１フォトレジスト、１３２・・・第２フォトレジスト、１３３・・・第３フォトレジスト、１４１・・・第１有機機能層、１４２・・・第２有機機能層、１４３・・・第３有機機能層、１５０・・・自己組織化単分子膜、１８０・・・共通電極、１８１・・・第１補助カソード、１８２・・・第２補助カソード、１８３・・・第３補助カソード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１２Ｅ】
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【図１２Ｆ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１３Ｆ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１４Ｅ】
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【図１４Ｆ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１６Ｅ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１７Ｅ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１８Ｅ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図１９Ｄ】
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【図１９Ｅ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２０Ｅ】
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【図２１】
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