(57)【要約】      （修正有）【課題】１対の対向電極の間の誘電率を従来より下げることが可能な配線基板を提供する。【解決手段】配線基板５０が有する導電回路層２２，４２には、互いに対向する第１の対向電極１７と第２の対向電極４８とが設けられている。そして、第１と第２の対向電極１７，４８の間に空洞部３７が備えられている。また、配線基板５０は、第１の対向電極１７を含む第１基板１０と第２の対向電極４８を含む第２基板４０とに２分割されかつ、それら第１基板１０と第２基板４０とが半田３８にて固定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して積層される複数の導電回路層を備え、それら複数の導電回路層に含まれる第１及び第２の導電回路層に、互いに対向する第１と第２の対向電極が設けられている配線基板において、
前記第１と第２の対向電極の間に位置する空洞部と、
前記空洞部と交差し、前記配線基板を前記第１の導電回路層を含む第１基板と前記第２の導電回路層を含む第２基板とに２分割する分割面と、
前記第１基板と前記第２基板とを重ねた状態に固定する基板固定部と、を備える。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記分割面は、前記空洞部における前記第２基板側の一端と交差している。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記分割面は、前記空洞部の中間部と交差している。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記第１基板及び前記第２基板は、共にリジッド基板である。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記第１基板又は前記第２基板の一方は、貫通孔を有するスペーサ―と、前記スペーサ―に接合されて前記貫通孔の一端を閉塞する本体基板とからなり、
前記第１基板又は前記第２基板の他方にて前記貫通孔の他端が閉塞されて前記空洞部が形成される。
【請求項６】
請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記第１基板は、リジッド基板である一方、
前記第２基板は、フレキシブル基板である。
【請求項７】
請求項６に記載の配線基板であって、
前記空洞部は、前記リジッド基板に形成される凹部を、前記フレキシブル基板で閉塞してなる。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板であって、
前記リジッド基板には、導電回路層と層間絶縁層とを交互に積層してなる積層部が備えられ、前記凹部は、前記積層部の一部を除去してなる。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記空洞部全体を囲む層が、前記導電回路層と前記絶縁層とを積層してなる積層構造をなしている。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記空洞部全体を囲む層が、単層構造をなしている。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記第１及び前記第２の対向電極の少なくとも一方は、前記空洞部内で露出している。
【請求項１２】
請求項１乃至１０の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記第１及び前記第２の対向電極の少なくとも一方は、前記空洞部内で前記絶縁層に覆われている。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記第１基板及び前記第２基板の互いの重ね合わせ面に複数のパッドが設けられ、
前記基板固定部として、前記第１基板の前記パッドと前記第２基板の前記パッドとに配置される半田を備える。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記基板固定部は、前記第１基板と前記第２基板との間に配される異方導電性接着剤層である。
【請求項１５】
絶縁層を介して積層される複数の導電回路層を備え、それら複数の導電回路層に含まれる第１及び第２の導電回路層に、互いに対向する第１と第２の対向電極が設けられている配線基板の製造方法において、
前記第１と第２の対向電極の間に空洞部を設けることと、
前記空洞部と交差する分割面より一方側で前記第１の導電回路層を含む第１基板と、前記分割面より他方側で前記第２の導電回路層を含む第２基板とを別々に形成することと、
前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせて固定することと、を行う。
【請求項１６】
請求項１５に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２基板をフレキシブル基板とし、
前記分割面を、前記空洞部における前記第２基板側の一端に配置する。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１基板に凹部を形成することと、
前記凹部を前記第２基板で閉塞して前記空洞部を形成すること、とを行う。
【請求項１８】
請求項１５又は１６に記載の配線基板の製造方法であって、
貫通孔を有するスペーサ―と前記貫通孔の一端を閉塞する本体基板とを接合して、前記第１基板又は前記第２基板の一方を形成することと、
前記第１基板又は前記第２基板の他方を前記スペーサ―に接合して前記貫通孔の他端を閉塞し、前記貫通孔から前記空洞部を形成すること、とを行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層を介して積層される複数の導電回路層を備え、それら複数の導電回路層に含まれる第１及び第２の導電回路層に、互いに対向する第１と第２の対向電極が設けられている配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の配線基板として、１対の対向電極に挟まれている絶縁部材を多孔質構造にして誘電率の低下を図るものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８８４０９号公報（段落［００１４］，図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の配線基板より、１対の対向電極の間の誘電率を更に下げたいという要望が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、１対の対向電極の間の誘電率を従来より下げることが可能な配線基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る配線基板は、絶縁層を介して積層される複数の導電回路層を備え、それら複数の導電回路層に含まれる第１及び第２の導電回路層に、互いに対向する第１と第２の対向電極が設けられている配線基板において、前記第１と第２の対向電極の間に位置する空洞部と、前記空洞部と交差し、前記配線基板を前記第１の導電回路層を含む第１基板と前記第２の導電回路層を含む第２基板とに２分割する分割面と、前記第１基板と前記第２基板とを重ねた状態に固定する基板固定部と、を備える。
【０００７】
本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁層を介して積層される複数の導電回路層を備え、それら複数の導電回路層に含まれる第１及び第２の導電回路層に、互いに対向する第１と第２の対向電極が設けられている配線基板の製造方法において、前記第１と第２の対向電極の間に空洞部を設けることと、前記空洞部と交差する分割面より一方側で前記第１の導電回路層を含む第１基板と、前記分割面より他方側で前記第２の導電回路層を含む第２基板とを別々に形成することと、前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせて固定することと、を行う。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線基板の分解斜視図
【図２】その配線基板の側断面図
【図３】第１基板の製造工程を示す側断面図
【図４】第１基板の製造工程を示す側断面図
【図５】第１基板の製造工程を示す側断面図
【図６】第１基板の製造工程を示す側断面図
【図７】第１基板の製造工程を示す側断面図
【図８】第２基板の製造工程を示す側断面図
【図９】第１基板と第２基板の側断面図
【図１０】第１と第２の対向電極の使用例を示す回路図
【図１１】第２実施形態に係る配線基板の側断面図
【図１２】第３実施形態に係る配線基板の側断面図
【図１３】その配線基板の分解斜視図
【図１４】第３実施形態に係る配線基板の側断面図
【図１５】第３実施形態に係る配線基板の側断面図
【図１６】第４実施形態の配線基板の分解斜視図
【図１７】その配線基板の側断面図
【図１８】第５実施形態の配線基板の側断面図
【図１９】その配線基板の分解斜視図
【図２０】第６実施形態の配線基板の側断面図
【図２１】第７実施形態の配線基板の第１基板及び第２基板の側断面図
【図２２】その配線基板の側断面図
【図２３】第８実施形態の配線基板の第１基板及び第２基板の側断面図
【図２４】第９実施形態の配線基板の側断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１〜１０に基づいて説明する。本実施形態の配線基板５０は、図１に示された第１基板１０と第２基板４０とを重ね合わせてなる。図２に示すように、第１基板１０は、コア基板１１と、その表裏の両面に積層されるビルドアップ層２０，２０とを有する。また、コア基板１１の表側の面であるＦ面１１Ｆと裏側の面であるＳ面１１Ｓとには、それぞれ導電回路層１２が積層されている。さらに、コア基板１１には、複数の導電用貫通孔１４が形成され、それら導電用貫通孔１４の内周面をめっきで覆ってなる複数のスルーホール導体１５が備えられている。そして、スルーホール導体１５によってＦ面１１Ｆの導電回路層１２とＳ面１１Ｓの導電回路層１２とが接続されている。スルーホール導体１５内には樹脂と無機フィラーとを含む充填剤１５Ｊが充填されている。
【００１０】
コア基板１１の表裏の両ビルドアップ層２０，２０は共に、コア基板１１側から順番に、層間絶縁層２１と導電回路層２２とを交互に複数積層してなり、コア基板１１から最も離れた最外層が導電回路層２２になっている。そして、第１基板１０の表裏の最外の導電回路層２２，２２の上に、それぞれソルダーレジスト層２５が積層されている。
【００１１】
なお、コア基板１１の厚さは、５０〜３００［μｍ］であり、各層間絶縁層２１の厚さは、１０〜８０［μｍ］であり、第１基板１０全体の板厚は、５００〜１０００［μｍ］になっている。
【００１２】
Ｆ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０には、空洞用キャビティ１６が形成されている。空洞用キャビティ１６は、例えば、Ｆ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０のコア基板１１側から２番目の層間絶縁層２１からソルダーレジスト層２５迄を直方体状に除去してなり、図１に示すように、第１基板１０の表側の最外面、即ち、第１基板１０のＦ面１０Ｆに開口している。
【００１３】
なお、空洞用キャビティ１６は、例えば、深さが８０〜１２０［μｍ］、縦横がそれぞれ１〜１０［ｍｍ］になっている。
【００１４】
図２に示すように、Ｆ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０のうちコア基板１１側から１番目の導電回路層２２は、本発明の「第１の導電回路層」に相当し、本発明に係る第１の対向電極１７を有する。図１に示すように、第１の対向電極１７は、例えば、空洞用キャビティ１６の平面形状より一回り大きな四角形をなしている。そして、図２に示すように、第１の対向電極１７のうち外縁部を除く全体で、空洞用キャビティ１６の底面全体を覆っている。また、第１の対向電極１７の外縁部はコア基板１１側から２番目の層間絶縁層２１によって覆われている。なお、第１の対向電極１７は、空洞用キャビティ１６の底面の一部を覆う構造でもよい。
【００１５】
各ソルダーレジスト層２５には、それぞれ複数のパッド孔２６Ａが形成され、それらパッド孔２６Ａ内に位置する導電回路層２２によってパッド２６が形成されている。また、図１に示すように、第１基板１０のＦ面１０Ｆにおいては、その外縁部に沿って複数のパッド２６が直線状に並べられると共に、空洞用キャビティ１６を囲む枠状に複数のパッド２６が並べられている。
【００１６】
図２に示すように、各ビルドアップ層２０には、層間絶縁層２１を貫通する複数のビアホール２１Ｈが備えられ、それらビアホール２１Ｈにめっきが充填されてビア導体２１Ｄが形成されている。そして、ビア導体２１Ｄによって導電回路層２２，２２同士、及び、導電回路層１２，２２同士が接続されている。
【００１７】
Ｆ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０においては、例えば第１の対向電極１７から延びる延長部１７Ａとコア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導電回路層１２の一部とがビア導体２１Ｄによって接続されている。また、例えば、空洞用キャビティ１６から側方に離れた位置には、複数のビア導体２１Ｄが縦並びに配置されて、空洞用キャビティ１６を包囲する複数のパッド２６の１つと、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導電回路層１２の一部とが接続されている。
【００１８】
第２基板４０は、支持基板４１の裏側の面であるＳ面４１Ｓに導電回路層４２を備え、Ｓ面４１Ｓとその反対側のＦ面４１Ｆとの両面をソルダーレジスト層４３，４３で覆われた構造をなしている。また、第２基板４０は、第１基板１０と同じ平面形状（例えば、四角形）をなしていて、第１基板１０のＦ面１０Ｆ全体と第２基板４０のＳ面４０Ｓ全体とが重ね合わされている。なお、第２基板４０は、上記Ｓ面４１Ｓの導電回路層４２以外の導電回路層を有しない。また、第２基板４０全体の板厚は、例えば、３０〜１００［μｍ］で、前述のコア基板１１より薄くなっている。
【００１９】
第２基板４０の導電回路層４２は、本発明の「第２の導電回路層」に相当し、第１基板１０の第１の対向電極１７に対向する第２の対向電極４８を有する。図１に示すように、第２の対向電極４８の平面形状は、第１の対向電極１７と同じ例えば四角形になっている。また、Ｓ面４１Ｓ側のソルダーレジスト層４３には、第１基板１０の空洞用キャビティ１６と平面形状が同じ開口部４７が形成されている。そして、図２に示すように、本発明に係る空洞部３７は、空洞用キャビティ１６と開口部４７とを含んで形成され、その空洞部３７内の気体を挟んで第１の対向電極１７と第２の対向電極４８とが対向している。なお、開口部４７は空洞用キャビティ１６と同じ平面形状でなくともよく、第２の対向電極４８の空洞用キャビティ１６と対向する部分のうち一部がソルダーレジスト層４３にて覆われていてもよい。また、開口部４７が形成されずに、第２の対向電極４８の全部がソルダーレジスト層４３にて覆われていてもよい。
【００２０】
Ｓ面４１Ｓ側のソルダーレジスト層４３には、複数のテーパー状のパッド孔４６Ａが形成され、それらパッド孔４６Ａ内に位置する導電回路層４２によって複数のパッド４６が形成されている。また、図１に示すように、これら複数のパッド４６は、第１基板１０のＦ面１０Ｆの複数のパッド２６と対向する位置に配置されている。即ち、複数のパッド４６は、第２基板４０のＳ面４０Ｓにおける外縁部に沿うように並べられると共に、開口部４７を囲むように並べられている。さらには、開口部４７の周囲のパッド４６の１つは、第２の対向電極４８から延びた延長部４８Ａによって構成されている。そして、図２に示すように、第２基板４０のＳ面４０Ｓと第１基板１０のＦ面１０Ｆとの間に隙間が空いた状態で、互いに対向するパッド２６，４６が半田３８（本発明の「基板固定部」に相当する）にて接続されている。
【００２１】
なお、本実施形態では、第１基板１０のＦ面１０Ｆ、又は、第２基板４０のＳ面４０Ｓ、又は、Ｆ面１０ＦとＳ面４０Ｓとの間の任意の架空の面で、第１基板１０と第２基板４０とに分割できるから、これらＦ面４０Ｆ，Ｓ面１０Ｓ，Ｆ面１０ＦとＳ面４０Ｓとの間の任意の架空の面のいずれもが分割面３９（図２参照）に相当する。また、第１基板１０の導電回路層１２及び導電回路層２２と、第２基板４０の導電回路層４２とが、本発明に係る「複数の導電回路層」に相当し、それら導電回路層同士の間に位置するコア基板１１、層間絶縁層２１及びソルダーレジスト層２５，４３等が本発明に係る「絶縁層」に相当する。
【００２２】
配線基板５０の構造に関する説明は以上である。次に、配線基板５０の製造方法について説明する。配線基板５０のうち第１基板１０は、以下のようにして製造される。
【００２３】
（１）図３（Ａ）に示すように、コア基板１１としてＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの両面に図示しない銅箔がラミネートされているプリプレグが用意される。なお、プリプレグは、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる。
【００２４】
（２）図３（Ｂ）に示すように、コア基板１１に例えばＣＯ２レーザが照射されるか、又は、ドリル或いはルーターが押し付けられて、導電用貫通孔１４が形成される。
【００２５】
（３）無電解めっき処理が行われ、Ｆ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの銅箔上と導電用貫通孔１４の内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２６】
（４）図３（Ｃ）に示すように、Ｆ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの前記無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００２７】
（５）電解めっき処理が行われ、導電用貫通孔１４の内側面が電解メッキで覆われてスルーホール導体１５が形成されると共に、Ｆ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３３から露出している部分が電解めっき膜で覆われる。そして、スルーホール導体１５内に樹脂と無機フィラーとを含む充填剤１５Ｊが充填され、硬化された後、表面が研磨される。さらに、無電解めっき処理と電解めっき処理が繰り返し行われ、図３（Ｄ）に示すように、充填剤１５Ｊが電解めっき膜で覆われる。
【００２８】
（６）図４（Ａ）に示すように、めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下方の無電解めっき膜及び銅箔が除去されて、Ｆ面１１Ｆ上及びＳ面１１Ｓ上に導電回路層１２，１２が形成される。このように（３）〜（６）で説明されているセミアディティブ法によって導電回路層１２，１２が形成される。また、両導電回路層１２，１２は、スルーホール導体１５によって接続される。
【００２９】
（７）図４（Ｂ）に示すように、Ｆ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの導電回路層１２，１２上に、それぞれ第１の層間絶縁層２１，２１としてのプリプレグと図示しない銅箔とが積層されてから加熱プレスされる。
【００３０】
（８）図４（Ｃ）に示すように、上記した第１の層間絶縁層２１，２１にそれぞれＣＯ２レーザが照射されて、複数のビアホール２１Ｈが形成される。
【００３１】
（９）無電解めっき処理が行われ、上記した第１の層間絶縁層２１，２１上の銅箔上とビアホール２１Ｈの内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３２】
（１０）図４（Ｄ）に示すように第１の層間絶縁層２１，２１上の無電解めっき膜上に所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００３３】
（１１）電解めっき処理が行われ、図５（Ａ）に示すようにビアホール２１Ｈに電解めっきが充填されてビア導体２１Ｄが形成されると共に、第１の層間絶縁層２１，２１上の無電解めっき膜のうちめっきレジスト３３から露出している部分が電解めっき膜で覆われる。
【００３４】
（１２）図５（Ｂ）に示すように、めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔が除去されて、第１の層間絶縁層２１，２１上に第１の導電回路層２２，２２が形成される。このように（９）〜（１１）で説明されているセミアディティブ法によって導電回路層２２，２２が形成される。
【００３５】
（１３）図５（Ｃ）に示すように、Ｆ面１１Ｆの第１の導電回路層２２のうち第１の対向電極１７の延長部１７Ａを除く全体の上に剥離シート３４が積層される。
【００３６】
（１４）図５（Ｄ）に示すように、Ｆ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの第１の導電回路層２２，２２上に、それぞれ第２の層間絶縁層２１，２１としてのプリプレグと図示しない銅箔とが積層されてから加熱プレスされる。そして、（８）〜（１２）の処理と同様の処理が複数回繰り返されて、図６（Ａ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓとにそれぞれ層間絶縁層２１と導電回路層２２とが交互複数積層されてビルドアップ層２０，２０が形成される。
【００３７】
（１５）図６（Ｂ）に示すように、両ビルドアップ層２０，２０の最外面上にそれぞれソルダーレジスト層２５，２５が積層される。
【００３８】
（１６）図７（Ａ）に示すように、両ソルダーレジスト層２５，２５の所定箇所にＣＯ２レーザが照射されて複数のパッド孔２６Ａが穿孔され、それらパッド孔２６Ａの内側にパッド２６が形成される。また、ＣＯ２レーザによって、Ｆ面１１Ｆ側のソルダーレジスト層２５から第１の導電回路層２２に到達する枠状溝３５が、第１の対向電極１７の外縁部に沿って形成される。
【００３９】
（１７）図７（Ｂ）に示すように、Ｆ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０のうち枠状溝３５より内側で剥離シート３４より上側部分が第１の対向電極１７から剥離されて除去されて、空洞用キャビティ１６が形成される。
【００４０】
（１８）パッド２６上に、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図示しない金属膜が形成される。以上で第１基板１０が完成する。
【００４１】
配線基板５０のうち第２基板４０は、以下のようにして製造される。
【００４２】
（１９）図８（Ａ）に示すように、支持基板４１としてＳ面４１Ｓに図示しない銅箔がラミネートされているプリプレグが用意される。
【００４３】
（２０）図８（Ｂ）に示すように、Ｓ面４１Ｓ上の銅箔上に、所定パターンのめっきレジスト４９が形成される。
【００４４】
（２１）電解めっき処理が行われ、図８（Ｃ）に示すように、Ｓ面４１Ｓの銅箔のうちめっきレジスト４９から露出している部分が電解めっき膜で覆われる。
【００４５】
（２２）めっきレジスト４９が剥離されると共に、めっきレジスト４９の下方の銅箔が除去されて、図８（Ｄ）に示すようにＳ面４１Ｓ上に導電回路層４２が形成される。
【００４６】
（２３）図８（Ｅ）に示すように、支持基板４１のＦ面４１ＦとＳ面４１Ｓとにそれぞれソルダーレジスト層４３，４３が積層される。
【００４７】
（２４）図８（Ｆ）に示すように、両ソルダーレジスト層４３，４３の所定箇所にＣＯ２レーザが照射されて複数のパッド孔４６Ａが穿孔され、それらパッド孔４６Ａの内側にパッド４６が形成される。また、ＣＯ２レーザによって、Ｓ面４１Ｓ側のソルダーレジスト層４３のうち導電回路層４２における第２の対向電極４８の外縁部より内側に積層されている部分が除去されて開口部４７が形成される。
【００４８】
（２５）パッド４６上に、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図示しない金属膜が形成される。以上で第２基板４０が完成する。
【００４９】
配線基板５０は、上述の如く別々に製造される第１基板１０と第２基板４０とが以下のように接続されて製造される。
【００５０】
（２４）図９に示すように、第１基板１０のＦ面１０Ｆにおける複数のパッド２６及び第２基板４０のＳ面４０Ｓにおける複数のパッド４６に半田ボール３８Ｚが半田付けされる。
【００５１】
（２５）第２基板４０のＳ面４０Ｓが第１基板１０のＦ面１０Ｆに重ねられかつ、第２基板４０が第１基板１０側へと加圧された状態で加熱される。これにより、第１基板１０と第２基板４０とが半田３８によって固定されると共に、一部のパッド２６，４６とそれらの間の半田３８を通して第１基板１０の回路と第２基板４０の回路（具体的には、第１の対向電極１７）とが電気的に接続され、図２に示される配線基板５０が完成する。
【００５２】
次に、本実施形態の配線基板５０の使用例と作用効果について説明する。この配線基板５０は、例えば、第１と第２の対向電極１７，４８がコンデンサ型アンテナとして使用される。具体的には、例えば、図１０に示すように第１と第２の対向電極１７，４８によってコンデンサ６０が構成され、そのコンデンサ６０とコイル６１とが受信回路６２の１対の入力の間に並列接続される。そのために、例えば、第１基板１０の所定の導電回路層２２にコイル６１がプリントされるか、第１基板１０のＳ面１０Ｓに素子としてのコイル６１が実装される。また、受信回路６２は、所定の導電回路層２２のプリント回路と第１基板１０のＳ面１０Ｓ側に実装される半導体チップ等とによって構成される。そして、第１と第２の対向電極１７，４８が、ビア導体２１Ｄ、スルーホール導体１５，導電回路層２２等を介してコイル６１と受信回路６２とに接続されることで、図１０に示した回路構成となり、第１と第２の対向電極１７，４８がコンデンサ型アンテナとして使用される。
【００５３】
ここで、コンデンサ型アンテナを構成する第１と第２の対向電極１７，４８の間の物質は、誘電率が低いほど、コンデンサ型アンテナによる送受信波のエネルギー損失が抑えられる。また、高周波になるほど、正規波に対するノイズ波の割合が大きくなるので、エネルギー損失の抑制が求められる。特に５〜７３［ＧＨｚ］の高周波帯域で無線通信を行う場合には、第１と第２の対向電極１７，４８の間の物質を、多孔質構造の層間絶縁樹脂にする程度では、ノイズ波の影響を十分に抑えることができないことが考えられる。これに対し、本実施形態の配線基板５０では、第１と第２の対向電極１７，４８の物質の大部分が空洞部３７内の空気（又は、その他の気体）であって、多孔質構造の層間絶縁樹脂に比べて誘電率が低い。これにより、本実施形態の配線基板５０を使用すれば、送受信波のエネルギー損失が抑えられ、ノイズの影響も抑えられる。
【００５４】
ところで、第１と第２の対向電極１７，４８の間に空洞部３７を設ける構造としては、例えば、配線基板５０を前述の第１基板１０のみで構成し、その第１基板１０における一方のビルドアップ層２０に含まれる２つの導電回路層２２，２２に、第１と第２の対向電極１７，４８を設けると共に、それら第１と第２の対向電極１７，４８の間の層間絶縁層２１を除去して空洞部３７を設ける構造が考えられる。しかしながら、そうすると、配線基板５０の製造過程において、空洞部３７となる前記空洞用キャビティ１６（図２参照）が、層間絶縁層２１としてのプリプレグで覆われて加熱プレスされるときに、Ｂステージのプリプレグが空洞部３７内に落ち込む問題が考えられる。また、空洞用キャビティ１６の上方に位置するプリプレグがプレスによって破損してしまう問題が考えられる。
【００５５】
これに対し、本実施形態の配線基板５０は、第１基板１０と第２基板４０とに分割され、その分割面３９が空洞部３７と交差する位置に配置されている。これにより、上述した製造方法のように、配線基板５０を、第１基板１０と第２基板４０とに分けて別々に製造しておき、それらを重ね合わせて空洞部３７を形成することができるので、上述したプリプレグが空洞部３７内に落ち込む問題が解消される。また、積層していく際の加熱プレスに必要な圧力よりも、リフローに必要な圧力の方が小さくできるので、空洞用キャビティ１６の上方に位置する第２配線基板４０の破損によるＮＧ品も少なくすることができる。つまり、本実施形態の配線基板５０及びその製造方法によれば、第１と第２の対向電極１７，４８の間に空洞部３７を有する配線基板５０を容易に製造することができる。
【００５６】
［第２実施形態］
本実施形態は、図１１に示されている。この配線基板５０Ｖは、前記第１実施形態の第２基板４０に代えて、フレキシブル基板である第２基板４０Ｖを備えた構造になっている。即ち、前記第１実施形態の配線基板５０は、共にリジッド基板である第１基板１０と第２基板４０とを重ね合わせてなるが、本実施形態の配線基板５０Ｖは、リジッド基板である第１基板１０と、フレキシブル基板である第２基板４０Ｖとを重ね合わせてなるリジッド・フレキシブル基板である。なお、第２基板４０Ｖ全体の厚さは、例えば、３０〜１００［μｍ］になっている。第２基板４０Ｖの支持基板４１の両面には、ソルダーレジスト層４３を積層する代わりに接着剤（図示しない）を介してカバーレイ４３Ｖが積層される。
【００５７】
［第３実施形態］
本実施形態は、図１２〜図１５に示されている。前記第２実施形態の配線基板５０Ｖでは、第１基板１０と第２基板４０Ｖとが半田３８によって固定されていたが、本実施形態の配線基板５０Ｗは、図１２に示すように第１基板１０と第２基板４０Ｗとが異方導電性接着剤層３８Ｗによって固定されている点が異なる。
【００５８】
具体的には、図１３に示すように、第２基板４０ＷのＳ面４０Ｓには、第２の対向電極４８に導通するパッド４６のみが備えられ、第１基板１０のＦ面１０Ｆには、第２基板４０Ｗのパッド４６に対応するパッド２６のみが備えられている。そして、第１基板１０と第２基板４０Ｗとが別々に製造されて、第１基板１０のＦ面１０Ｆにおけるパッド２６上に突出した導電ポスト５２Ａ（例えば、Ｃｕ製）が例えばめっきによって形成されると共に、第１基板１０のＦ面１０Ｆに空洞用キャビティ１６に対応する開口が形成されたシート状の異方導電性接着剤が重ねられる。また、第１基板１０のＦ面１０Ｆに第２基板４０ＷのＳ面４０Ｓが重ねられて第２基板４０Ｗが第１基板１０側へと加圧される。これにより、第１基板１０の導電ポスト５２Ａと第２基板４０Ｗのパッド４６との間に異方導電性接着剤中の導電粒子Ｒが挟まれ、導電粒子Ｒを介して第１基板１０の回路と第２基板４０Ｗの回路（具体的には、第１の対向電極１７）とが電気的に接続され、他の箇所では異方導電性接着剤中の絶縁性材料によって絶縁される。そして、図１２に示すように、第１基板１０のＦ面１０Ｆと第２基板４０ＷのＳ面４０Ｓとがそれらの間の異方導電性接着剤層３８Ｗにて固定される。これらにより配線基板５０Ｗが完成する。第１基板１０と第２基板４０Ｗとの固定に異方導電性接着層３８Ｗを用いれば、必要に応じて各基板１０，４０Ｗ上に導体の凸部を設けることで容易に第１基板１０と第２基板４０Ｗとを導通させることができる。
【００５９】
なお、図１４に示すように、第１基板１０のパッド２６に導電ポストを形成せずに、第２基板４０ＷのＳ面４０Ｓにおけるパッド４６に導電ポスト５２Ｂを形成してもよいし、図１５に示すように、第１基板１０のパッド２６及び第２基板４０Ｗのパッド４６の両方に導電ポスト５２Ａ，５２Ｂを設けてもよい。加熱によって導電粒子Ｒが導電ポスト５２Ａ，５２Ｂへと集まる異方導電性接着剤を用いてもよいし、ペースト状の異方導電性接着剤を用いてもよい。また、接着剤（異方導電性接着剤を含む）や熱可塑性樹脂シート（いわゆるホットメルト接着剤）や熱硬化性樹脂シート（例えば、プリプレグ）を第１基板１０と第２基板４０Ｗとの間に配置して、導電ポスト５２Ａと第２基板４０Ｗのパッド４６との間又は第１基板１０のパッド２６と第２基板４０Ｗのパッド４６との間を半田付けしてもよい。具体的には、例えば、第１基板１０のＦ面１０Ｆのパッド２６上及び第２基板４０ＷのＳ面４０Ｓのパッド４６上に半田ボール３８Ａ，３８Ｚを形成して、ホットメルト接着剤としての樹脂シートにパッド２６及び空洞用キャビティ１６に対応する開口が形成されたものが、第１基板１０のＦ面１０Ｆ上に積層され、その上に第２基板４０Ｗが重ねられて加圧及び加熱されて、冷却され、第１基板１０と第２基板４０Ｗとが固定されるようにしてもよい。接着剤が空洞用キャビティ１６の内部に液だれしないように、せき止め部を設けてもよい。
【００６０】
また、第１実施形態の配線基板５０のように、共にリジッド基板である第１基板１０と第２基板４０とが重ね合わされてなるものにおいて、第１基板１０と第２基板４０とが接着剤で固定される構成としてもよい。さらには、半田３８と接着剤との両方によって第１基板１０と第２基板４０とが固定される構成としてもよい。
【００６１】
［第４実施形態］
本実施形態は、図１６及び図１７に示されている。前記第１実施形態の配線基板５０では、第１基板１０のＦ面１０Ｆ全体と第２基板４０のＳ面４０Ｓ全体とが丁度重ね合わされる構成をなしているが、図１７に示すように、本実施形態の配線基板５０Ｘは、第１基板１０のＦ面１０Ｆの一部に第２基板４０ＸのＳ面４０Ｓ全体が重ね合わされる構成となっている。具体的には、本実施形態の第２基板４０Ｘは、図１に示される第１実施形態の第２基板４０を、図１６に示すように開口部４７及びその周囲の複数のパッド４６を含む四角形に切断してなる。そして、図１７に示すように第１基板１０と第２基板４０Ｘのパッド２６，４６の間の半田３８で固定した構造になっている。
【００６２】
［第５実施形態］
本実施形態は、図１８及び図１９に示されている。図１８に示すように、本実施形態の配線基板５０Ｙは、第４実施形態の配線基板５０Ｘと同様に、第１基板１０Ｙより小さい第２基板４０Ｙを有する。また、第１基板１０Ｙには、Ｆ面１０Ｆ側の最外の導電回路層２２に第１の対向電極１７が備えられ、第１の対向電極１７を露出させるための開口部１６Ｙがソルダーレジスト層２５に形成されている。
【００６３】
さらに、図１９に示すように、第１基板１０のＦ面１０Ｆには、開口部１６Ｙを包囲する枠状に複数の貫通孔２６Ｂが並べられ、それら各貫通孔２６Ｂから導電ポスト５２Ａ（例えば、Ｃｕ製）が外側に突出している。図１８に示すように、各導電ポスト５２Ａは、貫通孔２６Ｂを貫通する円柱状をなし、導電回路層２２と一体になっている。
【００６４】
また、図１９に示すように、第２基板４０ＹのＳ面４０Ｓにも、開口部４７を包囲するように複数の導電ポスト５２Ｂ（例えば、Ｃｕ製）が備えられている。これら導電ポスト５２Ｂも、ソルダーレジスト層４３の各貫通孔４６Ｂを貫通する円柱状をなして、第２基板４０Ｙの導電回路層４２と一体になっている。そして、図１８に示すように、第１基板１０Ｙの複数の導電ポスト５２Ａの先端面と、第２基板４０Ｙの複数の導電ポスト５２Ｂの先端面とが重ね合わされ接合材５２Ｃ（例えば、半田）によって固定されている。なお、導電ポスト５２Ａ，５２Ｂの間に錫やニッケルよりなる合金層を形成してもよい。
【００６５】
導電ポスト５２Ａ，５２Ｂは、例えば、パッド２６，４６上にドライフィルムを積層し、レーザなどでドライフィルムに開口を形成し、無電解めっき及び電解めっきによってドライフィルムの開口にめっき充填し、ドライフィルムを除去することで形成する。
【００６６】
なお、本実施形態の第１基板１０Ｙに形成されているスルーホール導体１５Ｙは、中間部が括れた形状をなしている。具体的には、コア基板１１Ｙには、Ｆ面１１ＦとＳ面１１ＳとからそれぞれＣＯ２レーザが照射されて円錐孔が穿孔されて、それら円錐孔の先端同士が連通して中間括れ形状の導電用貫通孔１４Ｙが形成され、そこにめっきが充填されてスルーホール導体１５Ｙが構成されている。
【００６７】
［第６実施形態］
本実施形態は、図２０に示されている。本実施形態の配線基板５０Ｚでは、前記第５実施形態の第１基板１０Ｙの導電ポスト５２Ａの代わりに、接合材５２Ｅでコーティングされている円柱状のピン５２Ｄ（例えば、銅製）が第１基板１０Ｚのパッド２６から起立している。そして、それらピン５２Ｄが第１基板１０Ｚのパッド２６と第２基板４０Ｙの導電ポスト５２Ｂとに接合材５２Ｅにて固定されている。ピン５２Ｄは、例えば、銅ピンがマウンターで第１基板１０Ｚに搭載され、リフローされることによって形成される。
【００６８】
［第７実施形態］
本実施形態は、図２１及び図２２に示されている。図２１に示すように、本実施形態の配線基板５０Ｋの第１基板１０Ｋは、前記第６実施形態の第１基板１０Ｙの導電ポスト５２Ａの代わりに、パッド２６上に半田ボール３８Ｚを有する。なお、第１基板１０ＫのＦ面１０Ｆの外面には、図１に示した第１実施形態の第１基板１０の外面と同様に、外縁部に複数のパッド２６が形成されて、それら各パッド２６上に半田ボール３８Ｚを有する。
【００６９】
一方、第２基板４０Ｋは、層間絶縁層７１と導電回路層７２とを交互に積層して備え、第２基板４０Ｋ全体のＦ面４０ＦとＳ面４０Ｓとにソルダーレジスト層４３，４３を有している。
【００７０】
第２基板４０Ｋには、Ｓ面４０Ｓ側に開口している空洞用キャビティ７６が形成されている。空洞用キャビティ７６は、例えば、第２基板４０ＫのうちＦ面４０Ｆ側から２番目の層間絶縁層７１からＳ面４０Ｓ側のソルダーレジスト層４３迄を直方体状に除去してなる。また、前述の第２の対向電極４８が、Ｆ面４０Ｆ側から２番目の導電回路層７２に形成されて空洞用キャビティ７６の奥面を覆っている。
【００７１】
また、第２基板４０ＫのＳ面４０Ｓには、図１の第１実施形態の第２基板４０と同様に、第１基板１０Ｋのパッド２６に対応する複数のパッド４６が備えられている。それら各パッド４６上に半田ボール３８Ｚを有する。そして、図２２に示すように、第１基板１０Ｋと第２基板４０Ｋのパッド２６，４６同士が半田３８によって固定されている。
【００７２】
［第８実施形態］
図２３に示すように、本実施形態の配線基板５０Ｌの第１基板１０Ｌは、前記第７実施形態の第１基板１０ＫにおけるＦ面１０Ｆ側のビルドアップ層２０に前記第１実施形態で説明した空洞用キャビティ１６を備えた構成になっている。即ち、空洞部３７が第１基板１０Ｌの空洞用キャビティ１６と第２基板４０Ｌの空洞用キャビティ７６とを含んで構成されている。換言すれば、分割面３９が、空洞部３７の中間部を横切る構成になっている。
【００７３】
［第９実施形態］
本実施形態は、図２４に示されている。本実施形態の配線基板５０Ｍは、第４及び第５の実施形態の配線基板５０Ｘ，５０Ｙと同様に、第１基板１０Ｍより小さい第２基板４０Ｍを有する。第１基板１０Ｍは、支持基盤１１ＭのＳ面１１Ｓ側のみにビルドアップ層２０を有し、Ｆ面１１Ｆ側は、支持基盤１１Ｍ上の導電回路層１２をソルダーレジスト層２５で覆った構造をなしている。また、Ｆ面１１Ｆ側の導電回路層１２には、第１の対向電極１７が備えられ、ソルダーレジスト層２５には、第１の対向電極１７を露出させる開口部１６Ｍが形成されている。また、第１基板１０ＭのＦ面１０Ｆには、開口部１６Ｍを包囲するように複数のパッド２６が設けられている。
【００７４】
第２基板４０Ｍは、本体基板７７のＳ面７７Ｓに枠形のスペーサ―７８が接合されてなる。本体基板７７は、第２実施形態の第２基板４０Ｖと同様のフレキシブル基板であって、支持基板４１のＳ面４１Ｓ側に第２の対向電極４８を備える。第２基板４０Ｍの本体基板７７の両面には、ソルダーレジスト層４３を積層する代わりに接着剤（図示しない）を介してカバーレイ４３Ｍが積層される。第２の対向電極４８がカバーレイ４３Ｍの開口部４７内で露出している。また、スペーサ―７８は、例えば、絶縁樹脂で構成されて本体基板７７に接着剤にて固定され、開口部４７を包囲している。そして、本体基板７７の開口部４７とスペーサ―７８の内側部分とから第２基板４０Ｍに空洞用キャビティ７６が形成されている。さらには、スペーサ―７８のうち本体基板７７と反対側のＳ面７８Ｓには金属層７９が積層されている。そして、第１基板１０Ｍのパッド２６が第２基板４０Ｍの金属層７９に半田３８によって固定されて、開口部１６Ｍと空洞用キャビティ７６とを含んで空洞部３７が形成されている。
【００７５】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００７６】
（１）上記第１実施形態では、第１と第２の対向電極１７，４８をコンデンサ型アンテナとして使用する例を挙げたが、本発明の配線基板が有する第１と第２の対向電極はアンテナとして使用されるものに限定されるものではなく、キャパシタンスとして使用してもよいし、それ以外の用途で使用してもよい。また、第１と第２の対向電極１７，４８をキャパシタンスとして使用する場合、本発明の配線基板では、第１と第２の対向電極１７，４８の間の物質が気体であって誘電率が低いのでキャパシタンスへの充放電時間の短縮を図ることができる。
【００７７】
（２）コア基板１１を貫通する空洞用キャビティ１６を形成してもよい。なお、このとき、コア基板１１及び一方のビルドアップ層２０の一部を除去することで空洞用キャビティ１６を形成してもよいし、コア基板１１及び両方のビルドアップ層２０の一部を除去することで空洞用キャビティ１６を形成してもよい。
【００７８】
（３）前記第１〜第８の実施形態の配線基板では、分割面３９に備えた半田３８によって第１基板の回路と第２基板の回路とが電気的に接続されていたが、分割面で第１基板と第２基板とが電気的に接続されていなくてもよい。
【００７９】
（４）前記第１〜第８の実施形態の配線基板では、第１と第２の対向電極が空洞部内に露出していたが、第１又は第２の対向電極が空洞部内に露出していない構成としてもよい。具体的には、第１実施形態の第２基板４０に開口部４７を備えず、第２の対向電極４８がソルダーレジスト層４３を挟んで空洞部３７に対向している構成や、導電回路層１２に第１の対向電極１７を設けて、第１の対向電極１７が第１の層間絶縁層２１を挟んで空洞部３７に対向している構成としてもよい。
【符号の説明】
【００８０】
１０，１０Ｋ，１０Ｌ，１０Ｙ，１０Ｚ    第１基板
１１  コア基板
１２，２２，４２，７２    導電回路層
１７  第１の対向電極
２０  ビルドアップ層
２１，７１  層間絶縁層
２５，４３    ソルダーレジスト層
４３Ｖ，４３Ｍ    カバーレイ
３７    空洞部
３８    半田（基板固定部）
３８Ｗ  異方導電性接着剤層（基板固定部）
３９    分割面
４０，４０Ｋ，４０Ｍ，４０Ｖ〜４０Ｙ    第２基板
４８    第２の対向電極
５０，５０Ｋ〜５０Ｍ、５０Ｖ〜５０Ｚ    配線基板
５２Ａ，５２Ｂ    導電ポスト
５２Ｃ，５２Ｅ    接合材（基板固定部）
５２Ｄ    ピン
７７  本体基板
７８  スペーサ―
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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