(57)【要約】【課題】電極と半田層とを適切に合金化すること。【解決手段】第１基板１０ａおよび第２基板１０ｂと、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極１２ａ、１２ｂと、前記電極上に設けられ、ＣｕとＮｉとを主成分とする第１合金層２２ａ、２２ｂと、前記第１合金層上に設けられ、ＮｉとＳｎとを主成分とする第２合金層２４ａ、２４ｂと、前記第２合金層上に設けられＣｕとＳｎとを主成分とする第３合金層２６ａ、２６ｂと、を備え、前記第１基板と前記第２基板を接続する接続端子１４と、を具備する半導体装置。【選択図】図１０
2018152444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と、前記電極上に設けられ、ＣｕとＮｉとを主成分とする第１合金層と、前記第１合金層上に設けられ、ＮｉとＳｎとを主成分とする第２合金層と、前記第２合金層上に設けられＣｕとＳｎとを主成分とする第３合金層と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とを接続する接続端子と、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記第２合金層は、Ｃｕを含み、Ｎｉの原子濃度はＣｕの原子濃度より大きく、
前記第３合金層は、Ｎｉを含み、Ｃｕの原子濃度はＮｉの原子濃度より大きい請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接続端子は、前記第３合金層上に設けられ、Ｓｎ合金を主成分とする半田層を備える請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と、前記電極上に設けられ、ＣｕとＮｉとを主成分とする合金層と、前記合金層上に設けられＳｎ合金を主成分とする半田層と、を具備する半導体装置。
【請求項５】
前記合金層は、ＣｕＮｉ合金である請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半田層が第１基板と第２基板との間に設けられ、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と前記半田層との間にＣｕとＮｉとを主成分とする第１合金層が設けられるように、前記第１基板上に前記第２基板を配置する工程と、
前記第１基板および前記第２基板を熱処理することで、前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、電極と半田とが接合する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅電極と半田層とを接合させることで、基板同士を接合する方法が用いられている。Ｃｕ（銅）電極とＳｎ(錫)含有半田との間にＮｉ（ニッケル）層またはＰ（リン）またはＢ（ホウ素）を含むＮｉＣｕ層を設け、リフローすることでＣｕ電極とＳｎ含有半田とを接合させることが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−５９９３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
Ｃｕ電極とＳｎ含有半田層とは、間に合金層が形成されることにより電流密度耐性が向上する。しかし、電極の酸化防止のため電極と半田層との間にＮｉ層を設けると、Ｎｉの半田への拡散速度が遅く、合金層が形成され難い。また、電極と半田層との間にＰまたはＢを含むＮｉＣｕ層を設けると、接合部にＰまたはＢが残存し、合金層が形成され難い。合金層が形成され難いと接合部の電流密度耐性が低くなる。
【０００５】
本発明は、電極と半田層とを適切に合金化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、半導体装置は、第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と、前記電極上に設けられ、ＣｕとＮｉとを主成分とする第１合金層と、前記第１合金層上に設けられ、ＮｉとＳｎとを主成分とする第２合金層と、前記第２合金層上に設けられＣｕとＳｎとを主成分とする第３合金層と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とを接続する接続端子と、を具備する。
【０００７】
また、１つの態様では、半導体装置は、基板と、前記基板の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と、前記電極上に設けられ、ＣｕとＮｉとを主成分とする合金層と、前記合金層上に設けられＳｎ合金を主成分とする半田層と、を具備する。
【０００８】
また、１つの態様では、半導体装置の製造方法は、半田層が第１基板と第２基板との間に設けられ、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と前記半田層との間にＣｕとＮｉとを主成分とする第１合金層が設けられるように、前記第１基板上に前記第２基板を配置し、前記第１基板および前記第２基板を熱処理することで、前記第１基板と前記第２基板とを接合する。
【発明の効果】
【０００９】
１つの側面として、電極と半田層とを適切に合金化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、比較例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、比較例１におけるリフロー前後の半田層および電極付近の断面図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例１における接合部断面の反射電子像を示す画像およびその模式図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、比較例２におけるリフロー前後の半田層および電極付近の断面図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、比較例１における接合部断面の反射電子像を示す画像およびその模式図である。
【図６】図６（ａ）は、実施例１におけるリフロー前の半田層および電極付近の断面図、図６（ｂ）および図６（ｃ）は、リフロー後の半田層および電極付近の断面図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１における接合部断面の反射電子像を示す画像およびその模式図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１１】図１１は、実施例２に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［比較例１］
図１（ａ）および図１（ｂ）は、比較例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、基板１０ａの上面に電極１２ａが設けられている。基板１０ｂの下面に電極１２ｂが設けられている。基板１０ａおよび１０ｂは、絶縁基板である。電極１２ａおよび１２ｂは、Ｃｕ電極であり、Ｃｕを主成分とする電極である。電極１２ｂの先端に半田層２０が設けられている。半田層２０はＳｎ合金を主成分とする。なお、ある元素（例えばＣｕ）を主成分とするとは、本願の作用効果が得られる程度にある元素を含むことであり、例えばある元素以外の元素はある元素の原子％以上含まないことである。以下の比較例および実施例についても同様である。
【００１２】
図１（ｂ）に示すように、半田層２０を電極１２ａの上面に接触させる。その後リフローする。これにより、半田層２０と電極１２ａおよび１２ｂとの間に合金層が形成される。合金層の形成により半田層２０と電極１２ａおよび１２ｂとが接合する。これにより、電極１２ａと１２ｂとが接合した接続端子１４が形成される。
【００１３】
電極１２ｂのようなＣｕピラーの先端に少量の半田層２０を設け、電極１２ａと接合することで、接続端子１４の微細化が可能となる。接続端子１４が微細化すると、接続端子１４を流れる電流密度が増加する。Ｓｎを含有する半田層２０に大きな電流密度の電流を長時間通電すると、接続端子１４が破損することがある。そこで、半田層２０と電極１２ａおよび１２ｂとの合金を形成する。半田層２０の多くが合金層となると、電流密度に対する耐性が向上する。
【００１４】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、比較例１におけるリフロー前後の半田層および電極付近の断面図である。電極１２ａと半田層２０との間または電極１２ｂと半田層２０との間を示している。以下の図も同様である。図２（ａ）に示すように、電極１２上に半田層２０が設けられている。図２（ｂ）に示すように、リフローすると、電極１２と半田層２０との間にＣｕとＳｎとの合金層３０が形成される。
【００１５】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例１における接合部断面の反射電子像を示す画像およびその模式図である。図３（ａ）中のバーの長さが５μｍに相当する。半田層２０はＡｇが２重量％のＳｎＡｇである。リフロー条件は以下である。まず、仮止めのためのリフローを、余熱を１４０℃から１６０℃で１２０秒行い、その後２４０℃から２５０℃がピークとなるように１０秒行った。次に本接合のためのリフローを、余熱を１４０℃から１６０℃で１２０秒行い、その後２６０℃から２８０℃がピークとなるように６０秒行った。反射電子像は平均原子量が大きいと明るく、平均原子量が小さいと暗くなる。図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、電極１２は、主にＣｕを含むため平均原子量が小さく暗い。半田層２０は、主にＳｎを含むため平均原子量が大きく明るい。電極１２と半田層２０との間に形成された合金層３０は、ＣｕとＳｎを含むため、電極１２と半田層２０の間の明るさである。ＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analysis）法を用いて分析した。合金層３０内の半田層２０側ではＣｕ６Ｓｎ５合金が多く、合金層３０内の電極１２側ではＣｕ３Ｓｎ合金が多い。
【００１６】
ＣｕはＳｎとの間の拡散速度が速い。このため、リフローによりＣｕが半田層２０に内に拡散し厚い合金層３０が形成される。合金層３０としては抵抗の低いＣｕ３Ｓｎ合金が形成されることが好ましい。
【００１７】
比較例１では、半田層２０にＣｕが拡散し合金層３０を形成する。これにより、電流密度の大きな電流を長時間通電しても接続端子１４が破壊することを抑制できる。しかしながら、Ｃｕは酸化し易い。例えば電極１２の形成工程および／または半田層２０の形成工程において、電極１２の表面が酸化される。酸化したＣｕは半田濡れ性が悪い。このため、電極１２と半田層２０との間に合金層３０が形成され難くなり、接合不良となってしまう。
【００１８】
［比較例２］
そこで、電極１２の表面に酸化し難く半田の濡れ性がよいＮｉ層を設ける。図４（ａ）および図４（ｂ）は、比較例２におけるリフロー前後の半田層および電極付近の断面図である。図４（ａ）に示すように、電極１２と半田層２０との間にＮｉ層３２を設ける。図４（ｂ）に示すように、リフローすると、Ｎｉ層３２と半田層２０との間にＮｉとＳｎとの合金層３４が形成される。
【００１９】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、比較例１における接合部断面の反射電子像を示す画像およびその模式図である。半田層２０はＡｇが２重量％のＳｎＡｇであり、リフロー条件は比較例１と同じである。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、Ｎｉ層３２と半田層２０との間にＮｉとＳｎを含む合金層３４が形成されている。合金層３４は図３の合金層３０に比べ薄い。
【００２０】
比較例２では、電極１２の表面にＮｉ層３２を設けることで、電極１２の酸化を抑制することができる。しかしながら、ＮｉはＳｎ内への拡散速度が遅い。このため、合金層３４が形成され難く、合金層３４は薄い。よって、通電に対する耐性が低くなってしまう。
【００２１】
また、比較例２のＮｉ層３２の代わりにＰまたはＢを含有するＮｉＣｕ層を用いると、ＰまたはＢがＣｕの半田層２０内への拡散を抑制する。よって、合金層が形成され難くなる。例えば、Ｎｉ層またはＮｉＣｕ層を無電解メッキ法を用い形成すると、ＮＩ層またはＮｉＣｕ層内にＰが含有してしまう。
【実施例１】
【００２２】
実施例１では、電極１２の表面に酸化し難く半田の濡れ性がよいＮｉＣｕ合金層を設ける。図６（ａ）は、実施例１におけるリフロー前の半田層および電極付近の断面図、図６（ｂ）および図６（ｃ）は、リフロー後の半田層および電極付近の断面図である。図６（ａ）に示すように、電極１２と半田層２０との間にＮｉＣｕ合金層２２を設ける。ＮｉＣｕ合金層２２はＮｉおよびＣｕを主成分とする合金層であり、ＰおよびＢは意図的には添加していない。ＮｉＣｕ合金層２２は電解メッキ法を用い形成する。
【００２３】
図６（ｂ）に示すように、リフローすると、ＮｉＣｕ合金層２２と半田層２０との間にＮｉとＳｎとを主成分とするＮｉＳｎ合金層２４が形成される。ＮｉＳｎ合金層２４と半田層２０との間にＣｕＳｎ合金層２６が形成される。ＣｕＳｎ合金層２６はＮｉＳｎ合金層２４より厚い。図６（ｃ）のように、半田層２０が全て合金化することもある。
【００２４】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１における接合部断面の反射電子像を示す画像およびその模式図である。半田層２０はＡｇが２重量％のＳｎＡｇであり、ＮｉＣｕ合金層２２はＮｉおよびＣｕが各々５０原子％のＮｉＣｕである。リフロー条件は比較例１と同じである。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ＮｉＣｕ合金層２２と半田層２０との間にＮｉＳｎ合金層２４およびＣｕＳｎ合金層２６が形成されている。ＣｕＳｎ合金層２６はＮｉＳｎ合金層２４より厚い。ＮｉＳｎ合金層２４およびＣｕＳｎ合金層２６をＥＰＭＡ法を用いて分析した。ＮｉＳｎ合金層２４は、ＮｉおよびＳｎを主成分とし、Ｃｕを微量に含む合金層である。ＮｉＳｎ合金層２４は例えば（Ｎｉ１−ｘＣｕｘ）３Ｓｎ４（ｘは０．０１から０．２）のような比率の合金と考えられる。ＣｕＳｎ合金層２６は例えば（Ｃｕ１−ｘＮｉｘ）６Ｓｎ５（ｘは０．０１から０．２）のような比率の合金と考えられる。ＣｕはＮｉに比べＳｎ内への拡散速度が速いためＮｉＣｕ合金層２２内のＣｕは半田層２０内に拡散しＣｕＳｎ合金層２６を形成する。ＮｉＣｕ合金層２２内のＮｉはＣｕより遅く拡散しＣｕＳｎ合金層２６とＮｉＣｕ合金層２２との間にＮｉＳｎ合金層２４を形成すると考えられる。
【００２５】
実施例１では、電極１２の表面にＮｉＣｕ合金層２２を設けることで、電極１２の酸化を抑制することができる。ＮｉＣｕ合金層２２内のＣｕが半田層２０に拡散し厚いＣｕＳｎ合金層２６を形成するため、通電に対する耐性を向上できる。
【００２６】
図８（ａ）から図１０（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、基板１０ａ上に電極１２ａを形成する。図８（ｂ）に示すように、電極１２ａ上にＮｉＣｕ合金層２２ａを形成する。ＮｉＣｕ合金層２２ａは、例えば電解めっき法を用い形成する。図９（ａ）に示すように、基板１０ｂ上に電極１２ｂを形成する。図９（ｂ）に示すように、電極１２ｂ上にＮｉＣｕ合金層２２ｂを形成する。ＮｉＣｕ合金層２２ｂは、例えば電解めっき法を用い形成する。図９（ｃ）に示すように、ＮｉＣｕ合金層２２ｂ上に半田層２０を形成する。半田層２０は、例えば電解めっき法を用い形成する。
【００２７】
基板１０ａおよび１０ｂは例えば半導体素子を有するシリコン基板等の半導体基板、または樹脂基板もしくはセラミックス基板等の絶縁基板である。基板１０ａおよび１０ｂの少なくとも一方は半導体基板である。電極１２ａおよび１２ｂはＣｕを主成分とする銅電極である。電極１２ａおよび１２ｂの少なくとも一方はＣｕピラーでもよい。ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂはＮｉとＣｕを主成分とし、ＰまたはＢは意図的に添加されていない。ＮｉＣｕ合金層２２ａは例えば電解メッキ法を用い形成する。半田層２０はＳｎ合金を主成分とする。半田層２０は例えば電解メッキ法を用い形成する。Ｓｎ合金は、例えばＳｎＡｇ半田またはＳｎＡｇＣｕ半田である。ＳｎＡｇ半田には、Ａｇは例えば１重量％から３重量％含まれている。ＳｎＡｇＣｕ半田には、Ａｇは例えば１重量％から３重量％、Ｃｕは例えば０．５重量％含まれている。
【００２８】
図１０（ａ）に示すように、ＮｉＣｕ合金層２２ａ上に半田層２０を接触させる。図１０（ｂ）に示すように、半田リフローを行う。これにより、電極１２ａおよび１２ｂと半田層２０との間に各々接合層２５ａおよび２５ｂが形成される。接合層２５ａ（または２５ｂ）は、ＮｉＣｕ合金層２２ａ（または２２ｂ）、ＮｉＳｎ合金層２４ａ（または２４ｂ）およびＣｕＳｎ合金層２６ａ（または２６ｂ）を含む。電極１２ａ、１２ｂ、接合層２５ａ、２５ｂおよび半田層２０により接続端子１４が形成される。
【００２９】
半田リフローの熱処理温度は、例えば２６０℃から３００℃である。熱処理時間は例えば１０秒から５分である。図６（ｃ）のように、半田層２０は全て合金化されていてもよい。
【００３０】
実施例１によれば、図１０（ａ）のように、基板１０ａ（第１基板）上に基板１０ｂ（第２基板）を配置する。このとき、半田層２０が基板１０ａと基板１０ｂとの間に設けられ、電極１２ａおよび１２ｂと半田層２０との間にＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂが設けられるようにする。その後、図１０（ｂ）のように、基板１０ａおよび１０ｂを熱処理することで、基板１０ａと１０ｂとを接合する。
【００３１】
これにより、電極１２ａおよび１２ｂ、ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂ（第１合金層）、ＮｉＳｎ合金層２４ａおよび２４ｂ（第２合金層）、並びにＣｕＳｎ合金層２６ａおよび２６ｂ（第３合金層）を備える接続端子１４が形成される。
【００３２】
ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂにより、電極１２ａおよび１２ｂの酸化が抑制される。よって、比較例１のような半田層２０と電極１２ａおよび１２ｂとの接合不良を抑制できる。ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂ内のＣｕが半田層２０に拡散し厚いＣｕＳｎ合金層２６を形成する。比較例２に比べ厚い合金層を形成できるため、電流密度が大きな電流の通電に対する耐性を向上できる。このように、電極１２ａおよび１２ｂと半田層２０とを適切に合金化することができる。
【００３３】
ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂは、ＮｉＣｕ合金であり、例えばＣｕとＮｉ以外に意図的に添加された元素を含まない。ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂがＣｕおよびＮｉ以外元素を含むと、電極１２ａおよび１２ｂのＣｕが半田層２０に拡散することを抑制するためである。
【００３４】
ＮｉＳｎ合金層２４ａおよび２４ｂは、Ｃｕを含み、Ｎｉの原子濃度はＣｕの原子濃度より大きくなる。また、ＣｕＳｎ合金層２６ａおよび２６ｂは、Ｎｉを含み、Ｃｕの原子濃度はＮｉの原子濃度より大きくなる。
【００３５】
ＣｕＳｎ合金層２６ａと２６ｂとの間には半田層２０が残存してもよいし、半田層２０は全て合金化されていてもよい。
【００３６】
電極１２ａおよび１２ｂの両方をＣｕを主成分とする電極として説明したが、電極１２ａおよび１２ｂの少なくとも一方がＣｕを主成分とする電極であればよい。
【００３７】
ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂの酸化を抑制するため、ＮｉとＣｕに対するＣｕの原子組成比は、８０原子％以下が好ましく、６０原子％以下がより好ましい。ＣｕＳｎ合金層２６ａおよび２６ｂを形成するため、ＮｉとＣｕに対するＣｕの原子組成比は、３０原子％以上が好ましく、４０原子％以上がより好ましい。電極１２ａおよび１２ｂの酸化を抑制するため、ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂの膜厚は、０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。ＣｕＳｎ合金層２６ａおよび２６ｂの形成を促進するため、ＮｉＣｕ合金層２２ａおよび２２ｂの膜厚は、５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましい。
【実施例２】
【００３８】
図１１は、実施例２に係る半導体装置の断面図である。図１１に示すように、回路基板１１ａ上に半田ボール２１を介し半導体チップ１１ｂがフリップチップ実装されている。回路基板１１ａの上面および半導体チップ１１ｂの下面には電極１２が設けられている。電極１２はＣｕ電極である。電極１２と半田ボール２１との間には接合層２５が形成されている。接合層２５は実施例１のＮｉＣｕ合金層２２、ＮｉＳｎ合金層２４およびＣｕＳｎ合金層２６を含む。
【００３９】
半導体チップ１１ｂ上に半導体チップ１１ｃが接続端子１４を介し搭載されている。半導体チップ１１ｂを貫通し電極１２と電気的に接続する貫通電極１６が設けられている。半導体チップ１１ｃの下面に電極パッド１８が形成されている。貫通電極１６上および電極パッド１８下に電極１２が設けられている。電極１２間に半田層２０が設けられ、半田層２０と電極１２との間に接合層２５が設けられている。接合層２５は実施例１のＮｉＣｕ合金層２２、ＮｉＳｎ合金層２４およびＣｕＳｎ合金層２６を含む。電極１２、接合層２５および半田層２０は接続端子１４を形成する。
【００４０】
実施例２のように、第１基板および第２基板はそれぞれ回路基板および半導体基板でもよい。第１基板および第２基板はともに半導体基板でもよい。
【００４１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４２】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と、前記電極上に設けられ、ＣｕとＮｉとを主成分とする第１合金層と、前記第１合金層上に設けられ、ＮｉとＳｎとを主成分とする第２合金層と、前記第２合金層上に設けられＣｕとＳｎとを主成分とする第３合金層と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とを接続する接続端子と、を具備する半導体装置。
（付記２）前記第２合金層は、Ｃｕを含み、Ｎｉの原子濃度はＣｕの原子濃度より大きく、前記第３合金層は、Ｎｉを含み、Ｃｕの原子濃度はＮｉの原子濃度より大きい付記１記載の半導体装置。
（付記３）前記接続端子は、前記第３合金層上に設けられ、Ｓｎ合金を主成分とする半田層を備える付記１または２記載の半導体装置。
（付記４）前記半田層は、ＳｎＡｇ半田またはＳｎＡｇＣｕ半田である付記３記載の半導体装置。
（付記５）前記第１合金層は、ＣｕＮｉ合金である付記１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
（付記６）基板と、前記基板の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と、前記電極上に設けられ、ＣｕとＮｉとを主成分とする合金層と、前記合金層上に設けられＳｎ合金を主成分とする半田層と、を具備する半導体装置。
（付記７）前記合金層は、ＣｕＮｉ合金である付記６記載の半導体装置。
（付記８）前記半田層は、ＳｎＡｇ半田またはＳｎＡｇＣｕ半田である付記６または７記載の半導体装置。
（付記９）半田層が第１基板と第２基板との間に設けられ、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の表面上に設けられたＣｕを主成分とする電極と前記半田層との間にＣｕとＮｉとを主成分とする第１合金層が設けられるように、前記第１基板上に前記第２基板を配置する工程と、前記第１基板および前記第２基板を熱処理することで、前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
（付記１０）前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程において、前記第１合金層上に、ＮｉとＳｎとを主成分とする第２合金層が形成され、前記第２合金層上にＣｕとＳｎとを主成分とする第３合金層が形成される付記９記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４３】
１０ａ、１０ｂ  基板
１２、１２ａ、１２ｂ  電極
１４  接続端子
２０  半田層
２２、２２ａ、２２ｂ  ＮｉＣｕ合金層
２４、２４ａ，２４ｂ  ＮｉＳｎ合金層
２６、２６ａ、２６ｂ  ＣｕＳｎ合金層
【図１】
2018152444.tif 000003
【図２】
2018152444.tif 000004
【図３】
2018152444.tif 000005
【図４】
2018152444.tif 000006
【図５】
2018152444.tif 000007
【図６】
2018152444.tif 000008
【図７】
2018152444.tif 000009
【図８】
2018152444.tif 000010
【図９】
2018152444.tif 000011
【図１０】
2018152444.tif 000012
【図１１】
2018152444.tif 000013