(57)【要約】【課題】磁気検出素子の抵抗値変化に基づく出力変化の絶対量を大きくすることができ、かつ薄型化を達成可能なキー入力装置を提供する。【解決手段】キー入力装置は、押圧操作により昇降移動可能なキートップと、キートップ側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、キートップを支持するとともに、キートップとともに昇降移動可能に設けられる第１基材と、キートップの昇降移動方向におけるキートップと第１基材との間に設けられ、第１基材側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する第２基材と、磁界発生部と、磁界発生部から発生する磁界を検出する磁気検出素子を含む磁気センサ部と、磁界発生部を吸着可能な軟磁性材料により構成される吸着部とを備え、第１基材の第１面及び第２基材の第１面のうちのいずれか一方に磁気センサ部と吸着部とが設けられ、他方に磁界発生部が吸着部に対向するようにして設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
押圧操作により昇降移動可能なキートップと、
前記キートップ側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記キートップを支持するとともに、前記キートップとともに昇降移動可能に設けられる第１基材と、
前記キートップの昇降移動方向における前記キートップと前記第１基材との間に設けられ、前記第１基材側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する第２基材と、
磁界発生部と、
前記磁界発生部から発生する磁界を検出する磁気検出素子を含む磁気センサ部と、
前記磁界発生部を吸着可能な軟磁性材料により構成される吸着部と
を備え、
前記第１基材の前記第１面及び前記第２基材の前記第１面のうちのいずれか一方に前記磁気センサ部と前記吸着部とが設けられ、他方に前記磁界発生部が前記吸着部に対向するようにして設けられている
ことを特徴とするキー入力装置。
【請求項２】
前記磁界発生部が、前記第１基材の前記第１面上に設けられ、
前記磁気センサ部と前記吸着部とが、前記第２基材の前記第１面上に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のキー入力装置。
【請求項３】
前記磁界発生部が、前記第２基材の前記第１面上に設けられ、
前記磁気センサ部と前記吸着部とが、前記第１基材の前記第１面上に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のキー入力装置。
【請求項４】
前記磁気検出素子の感磁方向が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向であり、
前記磁界発生部が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向の磁界を発生させ得ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項５】
前記磁界発生部は、前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向の磁界を発生させ得ることを特徴とする請求項４に記載のキー入力装置。
【請求項６】
前記キー入力装置の平面視において、２つの前記磁界発生部が、前記磁気センサ部を間に挟むようにして互いに対向して設けられており、
前記２つの磁界発生部のそれぞれは、互いに略平行な方向の磁界を発生させ得ることを特徴とする請求項５に記載のキー入力装置。
【請求項７】
前記キー入力装置の平面視において、２つの前記磁界発生部が、前記磁気センサ部を間に挟むようにして互いに対向して設けられており、
前記２つの磁界発生部のそれぞれは、互いに略反平行な方向の磁界を発生させ得ることを特徴とする請求項５に記載のキー入力装置。
【請求項８】
前記磁気センサ部は、前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向のバイアス磁界を前記磁気検出素子に印加可能なバイアス磁界発生部をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のキー入力装置。
【請求項９】
前記磁気センサ部は、前記２つの磁界発生部の間の中央位置からオフセットした位置に設けられていることを特徴とする請求項７に記載のキー入力装置。
【請求項１０】
前記吸着部は、前記磁気検出素子に対し、前記磁界発生部からの磁束を導入するヨークとして機能することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項１１】
前記第１基材及び前記第２基材のうちの前記磁界発生部が設けられる基材が、非磁性材料により構成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項１２】
前記キートップは、前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項１３】
前記第１基材の前記第２面側に、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材が設けられていることを特徴とする請求項１２に記載のキー入力装置。
【請求項１４】
前記第１基材は、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材であることを特徴とする請求項１２に記載のキー入力装置。
【請求項１５】
複数の前記キートップが並列配置されてなり、
複数の前記キートップのそれぞれに対応する前記磁界発生部、前記磁気検出素子、前記吸着部及び前記付勢部材を有し、
前記複数のキートップのそれぞれに対応する前記付勢部材の付勢力は、前記キートップの位置に応じて異なることを特徴とする請求項１３又は１４に記載のキー入力装置。
【請求項１６】
前記磁気検出素子が、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のキー入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサを用いたキー入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ等の携帯情報端末、電子辞書、ノートパソコン等の様々な電子機器において文字、数字、記号等の情報を入力するためのデバイスとして、複数のキートップが配列されたキーボードに代表されるキー入力装置が一般に用いられている。
【０００３】
従来、ノートパソコンのキーボードとしては、例えば、キートップの直下にラバードームが設けられてなるラバードーム型キーボードが使用されている。ラバードーム型キーボードにおいては、ユーザがキートップを押し下げると、キートップ直下に位置するラバードームが押し下げられる。それにより、メンブレンシート回路において電気的接続がなされ、ユーザにより押し下げられたキートップに対応する信号がノートパソコン等の電子機器に入力される。
【０００４】
近年、電子機器の小型化、薄型化の進行に伴い、キーボードの薄型化を主眼に置いた開発が盛んに進められている。上記ラバードーム型キーボードを薄型化するためには、ラバードームの厚さを薄くすることが考えられる。しかしながら、ラバードームの厚さを薄くすると、ラバードームの座屈特性が悪化し、ユーザに与えるクリック感が低下してしまうという問題が生じる。そのため、ラバードーム型キーボードにおいては、さらなる薄型化の進行に限界がある。
【０００５】
薄型化を目的としたキー入力装置として、従来、基板上に設けられた磁気抵抗効果素子及び複数の磁石と、磁気抵抗効果素子及び磁石を覆う弾性材からなる支持体と、支持体内に埋設された強磁性体とを備える入力装置が提案されている（特許文献１参照）。この入力装置においては、磁石のＮ極及びＳ極を交互に配置することで基板上にゼロ磁界領域を形成し、磁気抵抗効果素子は基板上における当該ゼロ磁界領域内に配置され、強磁性体が磁気抵抗効果素子の直上に位置するように支持体が設けられる。そして、支持体の操作により強磁性体が変位すると、基板上における磁界強度の分布に変化をもたらし、その磁界強度の分布の変化に応じて磁気抵抗効果素子の抵抗値が変化する。
【０００６】
また、磁気検出素子と磁石とを用いた入力装置として、互いに間隔をあけるようにして基板上に設けられた２つの磁石と、２つの磁石に挟まれるように基板上に設けられたＭＲ素子と、ＭＲ素子上において変位可能に配置された軟磁性体とを備えるものが提案されている（特許文献２参照）。かかる入力装置においても、軟磁性体の変位により磁石から発せられる磁場の強度が変化し、それによりＭＲ素子の抵抗値が変化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−１３１０４０号公報
【特許文献２】特表２００８−５１５０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１及び２に記載の入力装置においては、磁気検出素子（磁気抵抗効果素子、ＭＲ素子等）の抵抗値変化を実現させるために、磁性体材料（強磁性体又は軟磁性体）と磁石との距離を変化させることで、磁石から磁性体材料に誘導される磁束を変化させている。このような入力装置によれば、磁気検出素子の感度にもよるが、磁性体材料と磁石との距離の変化量が相対的に小さくても磁気検出素子の抵抗値変化が可能である。そのため、キートップの押し込み量（ストローク量）が、従来のラバードームを用いた入力装置よりも小さくても情報の入力が可能となり、入力装置（キーボード）の薄型化が可能となる。
【０００９】
また、このような入力装置を用いた電子機器においては、磁気検出素子の抵抗値変化に応じた閾値を適宜設定し、磁気検出素子の抵抗値変化に基づく出力及び当該閾値から、押し込まれたキートップに対応する信号が入力装置より出力されるため、ユーザによる閾値の設定変更によってキートップの押し込み量（ストローク量）と入力判断との関係性、すなわち入力装置の操作性を容易にカスタマイズすることができる。
【００１０】
しかしながら、特許文献１及び２に記載の入力装置においては、磁性体材料を変位させることで磁石から磁気検出素子に導入される磁束を変化させているが、磁石と磁気検出素子との距離は固定されている。そのため、磁気検出素子の抵抗値変化の絶対量（抵抗値変化の幅）が小さく、ユーザによって異なる操作性に対する要求を満足させ得るようなカスタマイズが困難であるという問題がある。
【００１１】
磁気検出素子の抵抗値変化の絶対量を大きくするためには、磁気シールド等を設けることで磁石から発せられる磁場を最大限に利用可能にするか、磁石の体積を相対的に大きくすることが考えられる。しかしながら、磁気シールド等を設けたり磁石の体積を相対的に大きくしたりすると、キー入力装置のさらなる薄型化を達成することが極めて困難となるという問題がある。
【００１２】
上記課題に鑑みて、本発明は、磁気検出素子の抵抗値変化に基づく出力変化の絶対量を大きくすることができ、かつ薄型化を達成可能なキー入力装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明は、押圧操作により昇降移動可能なキートップと、前記キートップ側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記キートップを支持するとともに、前記キートップとともに昇降移動可能に設けられる第１基材と、前記キートップの昇降移動方向における前記キートップと前記第１基材との間に設けられ、前記第１基材側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する第２基材と、磁界発生部と、前記磁界発生部から発生する磁界を検出する磁気検出素子を含む磁気センサ部と、前記磁界発生部を吸着可能な軟磁性材料により構成される吸着部とを備え、前記第１基材の前記第１面及び前記第２基材の前記第１面のうちのいずれか一方に前記磁気センサ部と前記吸着部とが設けられ、他方に前記磁界発生部が前記吸着部に対向するようにして設けられていることを特徴とするキー入力装置を提供する（発明１）。
【００１４】
上記発明（発明１）において、前記磁界発生部が、前記第１基材の前記第１面上に設けられ、前記磁気センサ部と前記吸着部とが、前記第２基材の前記第１面上に設けられていてもよいし（発明２）、前記磁界発生部が、前記第２基材の前記第１面上に設けられ、前記磁気センサ部と前記吸着部とが、前記第１基材の前記第１面上に設けられていてもよい（発明３）。
【００１５】
上記発明（発明１〜３）前記磁気検出素子の感磁方向が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向であり、前記磁界発生部が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向の磁界を発生させ得るのが好ましい（発明４）。
【００１６】
上記発明（発明１〜４）において、前記磁界発生部は、前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向の磁界を発生させ得るのが好ましく（発明５）、かかる発明（発明５）において、前記キー入力装置の平面視において、２つの前記磁界発生部が、前記磁気センサ部を間に挟むようにして互いに対向して設けられており、前記２つの磁界発生部のそれぞれは、互いに略平行な方向の磁界を発生させ得るようにしてもよいし（発明６）、互いに略反平行な方向の磁界を発生させ得るようにしてもよい（発明７）。かかる発明（発明７）において、前記磁気センサ部は、前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向のバイアス磁界を前記磁気検出素子に印加可能なバイアス磁界発生部をさらに含んでいてもよいし（発明８）、前記２つの磁界発生部の間の中央位置からオフセットした位置に設けられていてもよい（発明９）。
【００１７】
上記発明（発明１〜９）において、前記吸着部は、前記磁気検出素子に対し、前記磁界発生部からの磁束を導入するヨークとして機能するのが好ましく（発明１０）、前記第１基材及び前記第２基材のうちの前記磁界発生部が設けられる基材が、非磁性材料により構成されているのが好ましい（発明１１）。
【００１８】
上記発明（発明１〜１１）において、前記キートップは、前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢されているのが好ましく（発明１２）、前記第１基材の前記第２面側に、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材が設けられていてもよいし（発明１３）、前記第１基材は、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材であってもよい（発明１４）。
【００１９】
上記発明（発明１３、１４）において、複数の前記キートップが並列配置されてなり、複数の前記キートップのそれぞれに対応する前記磁界発生部、前記磁気検出素子、前記吸着部及び前記付勢部材を有し、前記複数のキートップのそれぞれに対応する前記付勢部材の付勢力は、前記キートップの位置に応じて異なるのが好ましい（発明１５）。
【００２０】
上記発明（発明１〜１５）において、前記磁気検出素子として、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子を用いることができる（発明１６）。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、磁気検出素子の抵抗値変化に基づく出力変化の絶対量を大きくすることができ、かつ薄型化を達成可能なキー入力装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係るキーボードの概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係るキーボードの概略構成を示す部分拡大断面図である。
【図３】図３は、図２に示すキーボードの一つのキートップが押し下げられた状態を示す部分拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態におけるキートップの概略構成を示す斜視図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態におけるキートップの概略構成を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態における第１基材の概略構成を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施形態における第２基材の概略構成を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施形態におけるキーボードを第１基材の第２面側から見た平面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施形態における磁気センサ部及び吸着部の概略構成を示す部分拡大平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施形態における磁気センサ部の概略構成を示すブロック図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施形態におけるＴＭＲ素子の概略構成を示す斜視図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施形態におけるＴＭＲ素子の概略構成を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１の実施形態における磁気センサ部の磁気センサ素子回路の構成を概略的に示す回路図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施形態における磁気センサ部、磁石及び吸着部の概略構成を示す部分拡大平面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第２の実施形態における磁気センサ部、磁石及び吸着部の他の態様の概略構成を示す部分拡大平面図である。
【図１６】図１６（Ａ）及び（Ｂ）は、図１５に示す態様における磁気センサ部の好適な配置を概略的に示す部分拡大平面図である。
【図１７】図１７は、本発明の第１及び第２の実施形態に係るキーボードの他の態様の概略構成を示す部分拡大断面図である。
【図１８】図１８は、実施例１〜３におけるシミュレーションに用いたモデルを概略的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るキーボードの概略構成を示す平面図であり、図２は、第１の実施形態におけるキーボードの概略構成を示す部分拡大断面図であり、図３は、図２に示すキーボードの一つのキートップが押し下げられた状態を示す部分拡大断面図であり、図４は、第１の実施形態におけるキートップの概略構成を示す斜視図であり、図５は、第１の実施形態におけるキートップの概略構成を示す断面図であり、図６は、第１の実施形態における第１基材の概略構成を示す断面図であり、図７は、第１の実施形態における第２基材の概略構成を示す断面図であり、図８は、第１の実施形態におけるキーボードを第１基材の第２面側から見た平面図であり、図９は、第１の実施形態における磁気センサ部及び吸着部の概略構成を示す部分拡大平面図である。
【００２４】
図１〜図９に示すように、第１の実施形態に係るキーボード１は、パーソナルコンピュータ用のキーボードであって、並列配置された複数のキートップ２と、各キートップ２を支持する第１基材３と、キートップ２及び第１基材３の間に位置する第２基材４とを備える。
【００２５】
樹脂等により構成され得るキートップ２は、押圧面２２を有する基部２１と、基部２１の押圧面２２に対向する対向面２３に設けられた４つの柱部２４とを有する（図５参照）。キートップ２は、４つの柱部２４を介して第１基材３に支持されている。押圧面２２を押し下げると、キートップ２は昇降方向（図２及び図３における上下方向）に移動する。キートップ２の基部２１の対向面２３と第２基材４との間の長さＬにより、キートップ２の最大ストローク量が定義される。すなわち、４つの柱部２４の長さと第２基材４の厚さとにより、キートップ２の最大ストローク量が決定される。
【００２６】
第１基材３は、キートップ２側に位置する第１面３１と第１面３１に対向する第２面３２とを有し、第１面３１上に磁界発生部としての２つの磁石５が所定の間隔をあけて設けられている（図６参照）。磁石５の大きさは特に限定されるものではなく、例えば、３〜６ｍｍ×１〜３ｍｍ程度に設定され得る。磁石５の厚さも特に限定されるものではなく、例えば、０．５〜２ｍｍ程度に設定され得る。
【００２７】
第１基材３の第２面３２には、第１基材３をキートップ２側に向けて付勢する付勢部材６が設けられている（図２、図３参照）。かかる付勢部材６が設けられていることで、ユーザがキートップ２を指で押し下げることで下方向（第２基材４側に向かう方向）に移動させた後、指を離すことでキートップ２を上方向に移動させ、元の位置に戻すことができる。付勢部材６としては、第１基材３をキートップ２側に向けて付勢可能なものであればよく、例えば、板バネ、ゴム等の弾性材料等が用いられ得る。
【００２８】
第１の実施形態において、各第１基材３の第２面３２に設けられている付勢部材６の付勢力は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。各付勢部材６の付勢力を異ならせる場合、例えば、キーボード１の長手方向（図１における左右方向）の両端付近に位置するキートップ２に対応する第１基材３の第２面３２には、相対的に付勢力の小さい付勢部材６が設けられ、キーボード１の中央付近に位置するキートップ２に対応する第１基材３の第２面３２には、相対的に付勢力の大きい付勢部材６が設けられるのが好ましい。一般に、キーボード１の長手方向の両端付近に位置するキートップ２は、ユーザの小指により押し下げられ、キーボード１の中央付近に位置するキートップ２は、ユーザの親指や人差し指により押し下げられる。小指による押圧力は、親指や人差し指による押圧力に比べて小さいことが多い。そのため、キーボード１の長手方向の両端付近に位置するキートップ２に対応して設けられる付勢部材６の付勢力を相対的に小さくすることで、相対的に押圧力の小さい小指によりキートップ２が押し下げられたときであっても、確実に入力が可能となる。
【００２９】
付勢部材６は、第１基材３の第２面３２に固着されていてもよいが、容易に取り外し、交換可能に取り付けられているのが好ましい。付勢部材６が交換容易に取り付けられていることで、ユーザ自身が、ユーザの希望に沿った付勢力を有する付勢部材６に交換することができる。
【００３０】
第１基材３としては、例えば、樹脂、リン青銅、ステンレス、アルミニウム等の非磁性材料により構成される基板を用いることができる。第１基材３の厚さは、特に限定されるものではなく、キートップ２を支持可能であって、所望の耐久性を奏し得る程度であればよい。
【００３１】
キートップ２と第１基材３との間に位置する第２基材４は、第１基材３側に位置する第１面４１と第１面４１に対向する第２面４２とを有する（図７参照）。第２基材４には、キートップ２の４つの柱部２４のそれぞれが遊挿される貫通孔４３が形成されている。第２基材４の第１面４１上には、キートップ２の昇降移動方向において２つの磁石５のそれぞれの一部が重なるように対向する２つの吸着部７と、２つの吸着部７の間に位置する磁気センサ部８とが、各キートップ２に対応するようにして設けられている（図８参照）。
【００３２】
磁気センサ部８は、磁石５により形成される磁場の変化に基づいてセンサ信号Ｓを出力する磁気センサ素子部８Ａと、センサ信号Ｓに基づいて電気信号を出力する検出部８Ｂとを有する（図１０参照）。磁気センサ素子部８Ａは、磁気検出素子を含む。磁気検出素子としては、キートップ２の昇降移動方向に略直交する方向、すなわち第２基材４の面内方向に感磁方向を有するものを用いるのが好ましく、例えば、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等が用いられ得る。
【００３３】
吸着部７は、磁石５の磁力により当該磁石５を吸着させ得る材料により構成されている。この吸着部７による吸着力により、キートップ２を押し下げる際の抵抗感、すなわち適切なクリック感をユーザに付与することができる。
【００３４】
パーマロイ、電磁鋼、パーメンジュール等の軟磁性材料により構成され得る吸着部７は、磁気センサ部８に近付くに従い徐々に幅が狭くなる第１吸着部７１と、第１吸着部７１との間に所定の間隔をあけて設けられる第２吸着部７２とを含む（図９参照）。第２吸着部７２は、第１吸着部７１の端部（磁気センサ部８から遠い側に位置する端部）に対向する凸部７２１と２つの凸部７２１間を連続する環状部７２２とを含む。吸着部７は、第１吸着部７１の端部と第２吸着部７２の凸部７２１とがキートップ２の昇降移動方向において磁石５に対向するようにして設けられている。軟磁性材料により構成される吸着部７の第１吸着部７１がこのような形状を有することで、吸着部７は、磁石５から発せられる磁束を磁気センサ部８に効率的に導入させるヨークとして機能することができる。このように吸着部７をヨークとして機能させ得ることで、磁気センサ部８と磁石５との距離を離すことができるため、磁気センサ部８が磁石５からの漏れ磁界の影響を受け難くなるという効果が奏される。また、吸着部７（第１及び第２吸着部７１，７２）が上記形状を有することで、磁石５が第１吸着部７１の端部及び第２吸着部７２の凸部７２１に接触したときに、第２吸着部７２がリターンヨークとしての機能を果たし、第１吸着部７１、磁石５及び第２吸着部７２により閉磁路が構成されるため、磁石５により形成される磁場が隣接するキーに与える磁気的影響を小さくすることができる。
【００３５】
第１吸着部７１の端部（第２基材４の面内方向において磁気センサ部８に対向する端部）と磁気センサ部８の端部（第２基材４の面内方向において吸着部７に対向する端部）との間の長さは、特に限定されるものではなく、例えば、０〜２ｍｍ程度に設定され得る。
【００３６】
磁気センサ素子部８Ａの有するＴＭＲ素子は、図１１に示すように、複数の下部リード電極９１と、複数のＴＭＲ積層体８０と、複数の上部リード電極９２とを有する。下部リード電極９１及び上部リード電極９２は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｔａ、Ｔｉ等のうちの１種の導電材料又は２種以上の導電材料の複合膜により構成され、その厚さは、それぞれ０．３〜２．０μｍ程度である。
【００３７】
複数の下部リード電極９１は、基板（図示せず）上に設けられている。複数の下部リード電極９１は、それぞれ細長い略長方形状を有しており、アレイ状に配列された複数のＴＭＲ積層体８０の電気的な直列方向において隣接する２つの下部リード電極９１の間に所定の隙間を有するように設けられている。下部リード電極９１の長手方向の両端近傍のそれぞれに、ＴＭＲ積層体８０が設けられている。すなわち、複数の下部リード電極９１上には、それぞれ、２つのＴＭＲ積層体８０が設けられている。
【００３８】
第１の実施形態におけるＴＭＲ積層体８０は、図１２に示すように、磁化方向が固定された磁化固定層８３と、印加される磁界の方向に応じて磁化方向が変化する自由層８１と、磁化固定層８３及び自由層８１の間に配置される非磁性層８２と、反強磁性層８４とを有する。
【００３９】
ＴＭＲ積層体８０は、下部リード電極９１側から順に自由層８１、非磁性層８２、磁化固定層８３及び反強磁性層８４が積層された構造を有する。自由層８１は、下部リード電極９１に電気的に接続され、反強磁性層８４は、上部リード電極９２に電気的に接続されている。自由層８１及び磁化固定層８３を構成する材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＮｉ、Ｃｏ2ＭｎＳｉ、Ｃｏ2ＭｎＧｅ、ＦｅＯX（Ｆｅの酸化物）等が挙げられる。自由層８１及び磁化固定層８３の厚さは、それぞれ、１〜１０ｎｍ程度である。
【００４０】
非磁性層８２は、トンネルバリア層であり、ＴＭＲ積層体８０にトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を発現させるための必須の膜である。非磁性層８２を構成する材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｇａ、ＴｉＯX、ＺｎＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＧａＮ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ等を例示することができる。非磁性層８２は、２層以上の積層膜により構成されていてもよい。例えば、非磁性層８２は、Ｃｕ／ＺｎＯ／Ｃｕの３層積層膜や、一つのＣｕをＺｎで置換したＣｕ／ＺｎＯ／Ｚｎの３層積層膜により構成され得る。なお、非磁性層８２の厚さは、０．１〜５ｎｍ程度である。
【００４１】
反強磁性層８４は、例えば、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｉｒ，Ｃｒ及びＦｅのグループの中から選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｍｎとを含む反強磁性材料により構成される。この反強磁性材料におけるＭｎの含有量は、例えば３５〜９５原子％程度である。反強磁性材料により構成される反強磁性層８４は、磁化固定層８３との間での交換結合により、磁化固定層８３の磁化の方向を固定する役割を果たす。
【００４２】
複数の上部リード電極９２は、複数のＴＭＲ積層体８０上に設けられている。各上部リード電極９２は、細長い略長方形状を有する。上部リード電極９２は、アレイ状に配列された複数のＴＭＲ積層体８０の電気的な直列方向において隣接する２つの上部リード電極９２の間に所定の隙間を有するように、かつ複数のＴＭＲ積層体８０を直列に接続するように配置され、隣接する２つのＴＭＲ積層体８０の反強磁性層８４同士を電気的に接続する。なお、ＴＭＲ積層体８０は、下部リード電極９１側から順に反強磁性層８４、磁化固定層８３、非磁性層８２及び自由層８１が積層されてなる構成を有していてもよい。また、自由層８１と下部リード電極９１又は上部リード電極９２との間にキャップ層（保護層）を有していてもよい。
【００４３】
ＴＭＲ積層体８０において、自由層８１の磁化の方向が磁化固定層８３の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が０°（互いの磁化方向が平行）のときに抵抗値が最小となり、１８０°（互いの磁化方向が反平行）のときに抵抗値が最大となる。
【００４４】
図１０及び図１３に示すように、磁気センサ素子部８Ａは、センサ信号Ｓを出力する磁気センサ素子回路Ｃ１を有し、検出部８Ｂは、磁気センサ素子回路Ｃ１から出力されるセンサ信号Ｓに基づいて電気信号を出力する。
【００４５】
磁気センサ素子回路Ｃ１は、少なくとも１つのＴＭＲ素子を含み、直列に接続された一対のＴＭＲ素子を含んでいてもよい。この場合において、磁気センサ素子回路Ｃ１は、直列に接続された一対のＴＭＲ素子を含むホイートストンブリッジ回路を有する。
【００４６】
図１３に示すように、磁気センサ素子回路Ｃ１が有するホイートストンブリッジ回路Ｃ１１は、電源ポートＶ１１と、グランドポートＧ１１と、２つの出力ポートＥ１１１，Ｅ１１２と、直列に接続された第１の一対のＴＭＲ素子Ｒ１１１，Ｒ１１２と、直列に接続された第２の一対のＴＭＲ素子Ｒ１１３，Ｒ１１４とを含む。ＴＭＲ素子Ｒ１１１，Ｒ１１３の各一端は、電源ポートＶ１１に接続される。ＴＭＲ素子Ｒ１１１の他端は、ＴＭＲ素子Ｒ１１２の一端と出力ポートＥ１１１とに接続される。ＴＭＲ素子Ｒ１１３の他端は、ＴＭＲ素子Ｒ１１４の一端と出力ポートＥ１１２とに接続される。ＴＭＲ素子Ｒ１１２，Ｒ１１４の各他端は、グランドポートＧ１１に接続される。電源ポートＶ１１には、所定の大きさの電源電圧が印加され、グランドポートＧ１１はグランドに接続される。第１の実施形態において、ホイートストンブリッジ回路Ｃ１１に含まれるすべてのＴＭＲ素子Ｒ１１１〜Ｒ１１４として、上述したＴＭＲ素子（図１１及び図１２参照）が用いられる。
【００４７】
図１３において、ＴＭＲ素子Ｒ１１１〜Ｒ１１４の磁化固定層８３の磁化方向を塗りつぶした矢印で表す。磁気センサ素子回路Ｃ１において、ＴＭＲ素子Ｒ１１１〜Ｒ１１４の磁化固定層８３の磁化方向は第１方向Ｄ１に平行であって、ＴＭＲ素子Ｒ１１１，Ｒ１１４の磁化固定層８３の磁化方向と、ＴＭＲ素子Ｒ１１２，Ｒ１１３の磁化固定層８３の磁化方向とは、互いに反平行方向である。
【００４８】
磁気センサ素子部８Ａの磁気センサ素子回路Ｃ１において、磁石から発せられる磁場の変化に応じて、出力ポートＥ１１１，Ｅ１１２の電位差が変化し、差分検出器１１３より、出力ポートＥ１１１，Ｅ１１２の電位差に対応するセンサ信号Ｓが、検出部８Ｂに出力される。検出部８Ｂにおいては、センサ信号Ｓが所定の閾値を超えていると判断した場合に、電気信号が出力される。
【００４９】
上述した構成を有するキーボード１において、第１基材３は第２面３２に設けられている付勢部材６により、キートップ２側に押し上げられ、第１基材３の第１面３１に設けられている磁石５は、第２基材４の第１面４１に設けられている吸着部７に吸着されている。この状態において、磁気センサ部８には、ヨークとして機能する吸着部７を介して最大の磁束が導入されている。
【００５０】
この状態からユーザによりキートップ２の押圧面２２が押圧されると、キートップ２が押し下げられ、それに連動して第１基材３が押し下げられる。キートップ２の押圧面２２への押圧前には、磁石５が吸着部７に吸着されているため、キートップ２の押圧面２２への押圧によりキートップ２が押し下げられる際に、付勢部材６による付勢力と吸着部７による吸着力とにより、ユーザには所定の抵抗感が付与される。すなわち、ユーザに所定のクリック感を与えることができる。
【００５１】
キートップ２の押し下げに連動して第１基材３が押し下げられると、第１基材３の第１面３１に設けられている磁石５も第１基材３とともに下方向に移動する。これにより、磁石５と磁気センサ部８との距離が大きくなり、その結果として磁気センサ部８に導入される磁束が変化し、磁気検出素子の抵抗値が変化する。
【００５２】
後述する実施例からも明らかなように、第１の実施形態に係るキーボード１のように、磁石５と磁気センサ部８との距離を変化させることで、軟磁性材料により構成される吸着部７と磁気センサ部８との距離を変化させる場合に比べて、磁気検出素子の抵抗値変化量を増大させることができる。そのため、磁石５の体積を小さくすることも可能となり、キーボード１の薄型化を容易に達成することができる。
【００５３】
このように、第１の実施形態に係るキーボード１によれば、磁気検出素子の抵抗値変化に基づいて磁気センサ素子部８Ａからの出力変化の絶対量を大きくすることができるため、キーボード１の薄型化が可能となる。
【００５４】
また、第１の実施形態に係るキーボード１によれば、磁気検出素子の抵抗値変化量を増大させ得ることで、ユーザによるカスタマイズ可能な幅を大きくすることができるため、ユーザの希望に沿った操作性を有するキーボード１を設計することができる。
【００５５】
［第２の実施形態］
第２の実施形態に係るキーボードを説明する。図１４は、第２の実施形態における磁気センサ部、磁石及び吸着部の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図１５は、第２の実施形態における磁気センサ部、磁石及び吸着部の他の態様の概略構成を示す部分拡大平面図である。なお、第２の実施形態に係るキーボードにおいて、第１の実施形態に係るキーボードと同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。
【００５６】
第２の実施形態に係るキーボード１は、磁石５及び吸着部７の構成を除き、第１の実施形態に係るキーボード１と略同様の構成を有する。したがって、磁石５及び吸着部７の構成を中心に説明する。
【００５７】
図１４及び図１５に示すように、第２の実施形態において、第１基材３に設けられる磁石５は、平面視において磁気センサ部８を間に挟むようにして設けられているが、磁気センサ部８と２つの磁石５との並列方向（図１４及び図１５における横方向）に直交する方向（図１４及び図１５における縦方向）に磁石５のＮ極及びＳ極を向けるようにして設けられる。２つの磁石５の磁化方向（図１４及び図１５において磁石５上に示す矢印の方向）が、上記並列方向に直交する方向であることで、後述する実施例からも明らかなように、磁石５が吸着部７に接している状態（吸着されている状態，磁石５と磁気センサ部８と最も近接した状態）と、磁石５が吸着部７（磁気センサ部８）から離間した状態とにおいて、磁気センサ部８に導入される磁束の方向を変化させることができる。例えば、磁石５が吸着部７に接している状態において、第１吸着部７１の端部（磁気センサ部８に対向する端部）から磁気センサ部８に磁束が導入されるため、当該磁束の方向は、磁気センサ部８と２つの磁石５との並列方向（図１４及び図１５における横方向）である。一方、磁石５が吸着部７から離間した状態においては、磁気センサ部８に導入される磁束の方向は、上記並列方向に直交する方向（図１４及び図１５における縦方向）である。このように、第２の実施形態においては、磁石５が吸着部７に接している状態と磁石５が吸着部７から離間した状態との２つの状態、すなわち、キートップ２が押し下げられていない状態とキートップ２が押し下げられた状態との２つの状態において、磁気センサ部８に導入される磁束の方向を変化させることができるため、キーボード１における入力感度を高めることができる。よって、キーボード１の操作性に関するカスタマイズ可能な幅を増大させることができ、ユーザによって異なるキーボード１の操作性に対する種々の要求を満足させ得る。
【００５８】
２つの磁石５のＮ極及びＳ極の向き（磁石５の磁化方向）は、互いに略平行であってもよいし（図１４参照）、略反平行であってもよいが（図１５参照）、後述する実施例からも明らかなように、２つの磁石５の磁化方向が略反平行であることで、磁気検出素子の抵抗値変化量をより増大させることができる。
【００５９】
図１４及び図１５に示す態様において、磁気センサ部８は、上記並列方向（図１４及び図１５における横方向）において２つの磁石５の間の中央位置に設けられる。図１５に示す態様において、２つの磁石５の間の中央位置に磁気センサ部８が設けられていると、キートップ２の押し下げに連動して第１基材３が押し下げられ、第１基材３の第１面３１に設けられている磁石５も第１基材３とともに下方向に移動したとき（磁石５と磁気センサ部８とが離間したとき）に、磁気センサ部８近傍が実質的にゼロ磁場の状態になる。そうなると、磁気センサ素子部８Ａに含まれる磁気検出素子（例えばＴＭＲ素子）の自由層８１の磁化方向が定まらず、磁気センサ素子部８Ａから誤った信号が出力される可能性がある。
【００６０】
このような問題を生じさせないようにするために、図１５に示す態様においては、磁気センサ部８は、磁気センサ素子部８Ａに含まれる磁気検出素子に対し、上記並列方向に直交する方向のバイアス磁界を印加可能な、ハードマグネット等のバイアス磁界発生部（図示省略）をさらに有するのが好ましい。磁気センサ部８がバイアス磁界発生部を有することで、磁石５と磁気センサ部８とが離間し、磁気センサ部８近傍が実質的にゼロ磁場の状態になったときであっても、バイアス磁界発生部から印加されるバイアス磁界により、磁気検出素子（例えばＴＭＲ素子）の自由層８１の磁化方向がバイアス磁界の方向に向くことになり、磁気センサ素子部８Ａから誤った信号が出力されるのを防止することができる。
【００６１】
また、図１６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、磁気センサ部８は、２つの磁石５の間の中央位置Ｃ5-5（上記並列方向における中央位置）から当該並列方向又はそれに直交する方向にオフセットした位置Ｃ8に設けられているのも好ましい。磁石５と磁気センサ部８とが離間したときであっても、磁気センサ部８近傍がゼロ磁場の状態にならないため、磁気センサ素子部８Ａに含まれる磁気検出素子（例えばＴＭＲ素子）の自由層８１の磁化方向が一定の方向を向くため、磁気センサ素子部８Ａから誤った信号が出力されるのを防止することができる。磁気センサ部８のオフセット量ＯＦは、オフセット位置Ｃ8における磁場強度、磁束の方向等を考慮して適宜設定され得る。
【００６２】
第２の実施形態に係るキーボード１においては、磁気センサ部８と２つの磁石５との並列方向（図１４及び図１５における横方向）に直交する方向（図１４及び図１５における縦方向）に磁石５のＮ極及びＳ極を向けるようにして設けられていることで、後述する実施例からも明らかなように、磁気検出素子の抵抗値変化量をより増大させることができるとともに、磁石５と吸着部７との接触時及び離間時において磁気センサ部８近傍の磁束の方向を変化させることができる。よって、第２の実施形態に係るキーボード１によれば、磁気検出素子の抵抗値変化に基づいて磁気センサ素子部８Ａからの出力変化の絶対量をさらに大きくすることができ、入力感度を高めることができるため、キーボード１の薄型化が可能となる。
【００６３】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００６４】
上記第１及び第２の実施形態において、第１基材３の第２面３２に付勢部材６が設けられている態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、第１基材３が付勢機能を有するものであってもよい。例えば、図１７に示すように、第１基材３は、第２面３２側にばね構造を有し、キートップ２側に向かって付勢する板バネにより構成されていてもよい。このような態様であれば、キーボード１を構成する部品点数を減らすことができる。
【００６５】
上記第１及び第２の実施形態において、第１基材３の第１面３１に磁石５が設けられ、第２基材４の第１面４１に吸着部７及び磁気センサ部８が設けられている態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、第１基材３の第１面３１に吸着部７及び磁気センサ部８が設けられ、第２基材４の第１面４１に磁石５が設けられており、キートップ２の昇降移動に連動して第１基材３とともに吸着部７及び磁気センサ部８が昇降移動してもよい。
【００６６】
上記第１及び第２の実施形態において、キー入力装置としてのキーボード１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。また、上記キー入力装置は、２段階以上の閾値を有し、キートップ２の押し込み量に応じて異なる信号を出力するスイッチ装置として利用することもできる。例えば、デジタルカメラ等のシャッターに上記キー入力装置を適用してもよい。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等により何ら限定されるものではない。
【００６８】
〔実施例１〕
図８に示す磁石５、磁気センサ部８及び吸着部７が配置されてなる態様において、図１８に示すように、磁石５を第１位置Ｐ１（磁石５と吸着部７とが接触する位置）及び第２位置Ｐ２（磁石５からの磁束が吸着部７に導入されない程度の位置）のそれぞれに位置させたときの磁気センサ部８における磁束密度（Ｔ）及び磁束の方向を、シミュレーションにより求めた。かかるシミュレーションにおいて、吸着部７を構成する材料をパーマロイとし、磁石５をネオジム磁石とし、図１８に示す側面図における２つの磁石５の間の長さ（図１８における左右方向（横方向の長さ）Ｄ5-5を１ｍｍとし、磁石５の大きさを６．６ｍｍ×２ｍｍ×０．５ｍｍとした。結果を表１に示す。
【００６９】
〔実施例２〕
磁石５、磁気センサ部８及び吸着部７の配置を図１４に示す態様に変更した以外は、実施例１と同様にして磁石５を第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２のそれぞれに位置させたときの磁気センサ部８における磁束密度（Ｔ）及び磁束の方向を、シミュレーションにより求めた。結果を表１に示す。
【００７０】
〔実施例３〕
磁石５、磁気センサ部８及び吸着部７の配置を図１５に示す態様に変更した以外は、実施例１と同様にして磁石５を第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２のそれぞれに位置させたときの磁気センサ部８における磁束密度（Ｔ）及び磁束の方向を、シミュレーションにより求めた。結果を表１に示す。
【００７１】
〔比較例１〕
図１８に示す態様において磁石５と吸着部７との位置を入れ替えるとともに、２つの吸着部７を磁気センサ部８の上方において連続させて１つの吸着部７とし、当該吸着部７を第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２のそれぞれに位置させたときの磁気センサ部８における磁束密度（Ｔ）及び磁束の方向を、実施例１と同様にしてシミュレーションにより求めた。結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
2018152211.tif 000003
【００７３】
表１に示すように、実施例１〜３においては、比較例１に比べて磁気検出素子の抵抗値変化の絶対量を増大させ得ることが確認された。また、実施例１と、実施例２及び実施例３とを比較すると、磁石５の磁化方向を、磁気センサ部８と２つの磁石５との並列方向に直交させることで（実施例２，３）、磁石５と吸着部７との接触時及び離間時において磁気センサ部８近傍の磁束の方向を変化させ得ることが確認された。特に、磁石５の磁化方向を反平行にすることで（実施例３）、磁気検出素子の抵抗値変化の絶対量をより増大させ得ることが確認された。
【００７４】
２つの磁石５の磁化方向を反平行（実施例３）にすると、磁石５と吸着部７との離間時において磁気センサ部８近傍が実質的にゼロ磁場の状態となり、磁束の方向が無方向になり得るが、磁気センサ部８がハードマグネット等のバイアス磁界発生部を備えていたり、磁気センサ部８を２つの磁石５間の中心位置からオフセットさせた位置に設けたりすることで、磁石５と吸着部７との離間時において磁気センサ部８近傍がゼロ磁場の状態となるのを解消することができると考えられる。
【００７５】
したがって、実施例３のように２つの磁石５の磁化方向を反平行にすることで、磁石５と吸着部７との接触時及び離間時において磁気センサ部８に導入される磁束密度の変化率を増大させることができ、かつ磁束の方向を変化させることができるため、キーボード１における入力感度を極めて向上させることができると考えられる。よって、キーボード１の操作性に関するカスタマイズ可能な幅を増大させることができ、ユーザによって異なるキーボード１の操作性に対する種々の要求を満足させ得るものと考察される。
【符号の説明】
【００７６】
１…キーボード（キー入力装置）
２…キートップ
３…第１基材
３１…第１面
３２…第２面
４…第２基材
４１…第１面
４２…第２面
５…磁石（磁界発生部）
６…付勢部材
７…吸着部
８…磁気センサ部
【図１】
2018152211.tif 000004
【図２】
2018152211.tif 000005
【図３】
2018152211.tif 000006
【図４】
2018152211.tif 000007
【図５】
2018152211.tif 000008
【図６】
2018152211.tif 000009
【図７】
2018152211.tif 000010
【図８】
2018152211.tif 000011
【図９】
2018152211.tif 000012
【図１０】
2018152211.tif 000013
【図１１】
2018152211.tif 000014
【図１２】
2018152211.tif 000015
【図１３】
2018152211.tif 000016
【図１４】
2018152211.tif 000017
【図１５】
2018152211.tif 000018
【図１６】
2018152211.tif 000019
【図１７】
2018152211.tif 000020
【図１８】
2018152211.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押圧操作により昇降移動可能なキートップと、
前記キートップ側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記キートップを支持するとともに、前記キートップとともに昇降移動可能に設けられる第１基材と、
前記キートップの昇降移動方向における前記キートップと前記第１基材との間に設けられ、前記第１基材側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する第２基材と、
磁界発生部と、
前記磁界発生部から発生する磁界を検出する磁気検出素子を含む磁気センサ部と、
前記磁界発生部を吸着可能な軟磁性材料により構成される吸着部と
を備え、
前記第１基材の前記第１面及び前記第２基材の前記第１面のうちのいずれか一方に前記磁気センサ部と前記吸着部とが設けられ、他方に前記磁界発生部が前記吸着部に対向するようにして設けられており、 
前記磁気検出素子の感磁方向が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向であり、 
前記磁界発生部が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向、かつ前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向の磁界を発生させ得る 
ことを特徴とするキー入力装置。
【請求項２】
前記磁界発生部が、前記第１基材の前記第１面上に設けられ、
前記磁気センサ部と前記吸着部とが、前記第２基材の前記第１面上に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のキー入力装置。
【請求項３】
前記磁界発生部が、前記第２基材の前記第１面上に設けられ、
前記磁気センサ部と前記吸着部とが、前記第１基材の前記第１面上に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のキー入力装置。
【請求項４】
前記キー入力装置の平面視において、２つの前記磁界発生部が、前記磁気センサ部を間に挟むようにして互いに対向して設けられており、
前記２つの磁界発生部のそれぞれは、互いに略平行な方向の磁界を発生させ得ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項５】
前記キー入力装置の平面視において、２つの前記磁界発生部が、前記磁気センサ部を間に挟むようにして互いに対向して設けられており、
前記２つの磁界発生部のそれぞれは、互いに略反平行な方向の磁界を発生させ得ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項６】
前記磁気センサ部は、前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向のバイアス磁界を前記磁気検出素子に印加可能なバイアス磁界発生部をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のキー入力装置。
【請求項７】
前記磁気センサ部は、前記２つの磁界発生部の間の中央位置からオフセットした位置に設けられていることを特徴とする請求項５に記載のキー入力装置。
【請求項８】
前記吸着部は、前記磁気検出素子に対し、前記磁界発生部からの磁束を導入するヨークとして機能することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項９】
前記第１基材及び前記第２基材のうちの前記磁界発生部が設けられる基材が、非磁性材料により構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項１０】
前記キートップは、前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のキー入力装置。
【請求項１１】
前記第１基材の前記第２面側に、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材が設けられていることを特徴とする請求項１０に記載のキー入力装置。
【請求項１２】
前記第１基材は、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材であることを特徴とする請求項１０に記載のキー入力装置。
【請求項１３】
複数の前記キートップが並列配置されてなり、
複数の前記キートップのそれぞれに対応する前記磁界発生部、前記磁気検出素子、前記吸着部及び前記付勢部材を有し、
前記複数のキートップのそれぞれに対応する前記付勢部材の付勢力は、前記キートップの位置に応じて異なることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のキー入力装置。
【請求項１４】
前記磁気検出素子が、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載のキー入力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明は、押圧操作により昇降移動可能なキートップと、前記キートップ側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記キートップを支持するとともに、前記キートップとともに昇降移動可能に設けられる第１基材と、前記キートップの昇降移動方向における前記キートップと前記第１基材との間に設けられ、前記第１基材側に位置する第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する第２基材と、磁界発生部と、前記磁界発生部から発生する磁界を検出する磁気検出素子を含む磁気センサ部と、前記磁界発生部を吸着可能な軟磁性材料により構成される吸着部とを備え、前記第１基材の前記第１面及び前記第２基材の前記第１面のうちのいずれか一方に前記磁気センサ部と前記吸着部とが設けられ、他方に前記磁界発生部が前記吸着部に対向するようにして設けられており、前記磁気検出素子の感磁方向が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向であり、前記磁界発生部が、前記キートップの昇降移動方向に略直交する方向、かつ前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向の磁界を発生させ得ることを特徴とするキー入力装置を提供する（発明１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記発明（発明１〜３）において、前記キー入力装置の平面視において、２つの前記磁界発生部が、前記磁気センサ部を間に挟むようにして互いに対向して設けられており、前記２つの磁界発生部のそれぞれは、互いに略平行な方向の磁界を発生させ得るようにしてもよいし（発明４）、互いに略反平行な方向の磁界を発生させ得るようにしてもよい（発明５）。かかる発明（発明５）において、前記磁気センサ部は、前記磁気検出素子の感磁方向に略直交する方向のバイアス磁界を前記磁気検出素子に印加可能なバイアス磁界発生部をさらに含んでいてもよいし（発明６）、前記２つの磁界発生部の間の中央位置からオフセットした位置に設けられていてもよい（発明７）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記発明（発明１〜７）において、前記吸着部は、前記磁気検出素子に対し、前記磁界発生部からの磁束を導入するヨークとして機能するのが好ましく（発明８）、前記第１基材及び前記第２基材のうちの前記磁界発生部が設けられる基材が、非磁性材料により構成されているのが好ましい（発明９）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記発明（発明１〜９）において、前記キートップは、前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢されているのが好ましく（発明１０）、前記第１基材の前記第２面側に、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材が設けられていてもよいし（発明１１）、前記第１基材は、前記キートップを前記第２基材から遠ざける方向に向けて付勢する付勢部材であってもよい（発明１２）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記発明（発明１１，１２）において、複数の前記キートップが並列配置されてなり、複数の前記キートップのそれぞれに対応する前記磁界発生部、前記磁気検出素子、前記吸着部及び前記付勢部材を有し、前記複数のキートップのそれぞれに対応する前記付勢部材の付勢力は、前記キートップの位置に応じて異なるのが好ましい（発明１３）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記発明（発明１〜１３）において、前記磁気検出素子として、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子を用いることができる（発明１４）。