(57)【要約】【課題】有機デバイスの製造において高い製造歩留まりを実現できる電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】一形態に係る電極付き基板は、第１の電極１４、有機機能層１６及び第２の電極１８を含む有機デバイス１０を製造するための電極付き基板３２であり、支持基板３４と、支持基板３４の表面３４ａ上においてデバイス形成領域ＤＡの内側に設けられる第１の電極と、上記表面上に設けられており、第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部３６と、を備える。【選択図】図２
2018185992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び第２の電極の間に設けられる有機機能層と、を含む有機デバイスを製造するための電極付き基板であって、
支持基板と、
前記支持基板の表面上におけるデバイス形成領域の内側に設けられる前記第１の電極と、
前記表面上における前記デバイス形成領域の外側に設けられており、前記第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部と、
を備える、電極付き基板。
【請求項２】
前記デバイス形成領域の内側において前記第１の電極と離間して前記表面上に配置されており前記第２の電極と電気的に接続されるべき補助電極を更に有し、
前記補助電極は、前記帯電防止用導電部に電気的に接続されている、
請求項１に記載の電極付き基板。
【請求項３】
前記支持基板は、一方向に延在している可撓性基板である、
請求項１又は２に記載の電極付き基板。
【請求項４】
前記帯電防止用導電部は、前記支持基板の前記一方向に延在している、
請求項３に記載の電極付き基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の電極付き基板と、
前記電極付き基板の前記第１の電極上に設けられる前記有機機能層と、
前記有機機能層上に設けられており、前記帯電防止用導電部に電気的に接続されている導電層と、
を備える、
積層基板。
【請求項６】
請求項１〜４の何れか一項に記載の電極付き基板、有機機能層及び第２の電極を有する有機デバイスを製造する方法であって、
前記電極付き基板を搬送しながら、前記電極付き基板の前記第１の電極上に前記有機機能層を形成する工程と、
前記電極付き基板を搬送しながら前記有機機能層上に前記第２の電極を形成する工程と、
を備え、
前記帯電防止用導電部を接地しながら、前記電極付き基板を搬送する、
有機デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記電極付き基板の前記帯電防止用導電部に、導電性を有するとともに、接地されているロールを接触させることで、前記帯電防止用導電部を接地する、
請求項６に記載の有機デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機デバイスは、基板上に、第１の電極、有機機能層及び第２の電極を形成することで製造される。有機デバイスの製造過程において、絶縁性や高電気抵抗の特性を持つ基板に第１の電極のような導電体が形成されていると、製造過程で生じた静電気により、第１の電極などが形成された基板が帯電する場合がある。この帯電圧に起因して空中のパーティクルなどが引き寄せられて基板上に付着し、パーティクル起因の欠陥が生じたり、基板に溜まった電荷の放電時の電撃により製造中の構造体に欠陥が生じたりして、製造歩留まりが低下する傾向にあった。これに対して、特許文献１は、基板において、第１の電極などが形成される面とは逆の面に導電膜を形成し、静電気が局所的に蓄積されることを防止する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２１６０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のように、基板において、第１の電極などが形成される面とは逆の面に導電膜を形成したとしても第１の電極などが形成される面に電荷は生じているため、第１の電極上にパーティクルなどが引き寄せられて付着したり、第１の電極上からの放電が起こったりすることにより、製造歩留まりの低下が生じるおそれがある。
【０００５】
したがって、本発明は、有機デバイスの製造において高い製造歩留まりを実現できる電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極及び第２の電極の間に設けられる有機機能層と、を含む有機デバイスを製造するための電極付き基板であり、支持基板と、上記支持基板の表面上におけるデバイス形成領域の内側に設けられる上記第１の電極と、上記表面上における上記デバイス形成領域の外側に設けられており、上記第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部と、を備える。
【０００７】
上記構成では、デバイス形成領域の内側に設けられた第１の電極上に、有機機能層及び第２の電極を形成することで、デバイス形成領域に有機デバイスを製造できる。電極付き基板には、支持基板の表面上に、第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部が設けられている。したがって、帯電防止用導電部を接地しながら、有機デバイスを製造することで有機デバイスの製造過程中の静電気の発生及びそれに伴う電極付き基板の帯電を防止できる。その結果、静電気に起因する欠陥が有機デバイスに生じにくいので、有機デバイスの製造において高い製造歩留まりを実現できる。
【０００８】
上記デバイス形成領域の内側において上記第１の電極と離間して上記表面上に配置されており上記第２の電極と電気的に接続されるべき補助電極を更に有し、上記補助電極は、上記帯電防止用導電部に電気的に接続されていてもよい。このように、第１の電極とは別に補助電極が設けられている構成であっても、補助電極が帯電防止用導電部に電気的に接続されているため、有機デバイスの製造過程での電極付き基板の帯電を防止できる。
【０００９】
上記支持基板は、一方向に延在している可撓性基板であってもよい。この場合、例えば、ロールツーロール方式で電極付き基板を搬送しながら有機デバイスを製造可能である。そのため、効率的に有機デバイスを製造可能である。更に、ロールツーロール方式で電極付き基板を搬送するためのロールを介して、帯電防止用導電部を接地できる。
【００１０】
上記帯電防止用導電部は、上記支持基板の上記一方向に延在していてもよい。この場合、例えば、電極付き基板を搬送しながら有機デバイスを形成する際に、例えば、導電性を有し接地されたロールなどを利用して帯電防止用導電部を接地しやすい。
【００１１】
本発明の他の側面に係る積層基板は、本発明の一側面に係る電極付き基板と、上記電極付き基板の上記第１の電極上に設けられる上記有機機能層と、上記有機機能層上に設けられており、上記帯電防止用導電部に電気的に接続されている導電層と、を備える。
【００１２】
上記積層基板では、例えば導電層をパターニングして第２の電極を形成したり、又は、導電層上に更に第２の電極を形成したりすることで、有機デバイスを製造できる。積層基板を用いて有機デバイスを製造する場合において、導電層は帯電防止用導電部に電気的に接続されていることから、帯電防止用導電部を接地することで、積層基板の帯電を防止できる。そのため、有機デバイスの製造において、高い製造歩留まりを実現できる。
【００１３】
本発明の更に他の側面は、本発明の一側面に係る電極付き基板、有機機能層及び第２の電極を有する有機デバイスを製造する方法であり、上記電極付き基板を搬送しながら、上記電極付き基板の上記第１の電極上に上記有機機能層を形成する工程と、上記電極付き基板を搬送しながら上記有機機能層上に上記第２の電極を形成する工程と、を備え、上記帯電防止用導電部を接地しながら、上記電極付き基板を搬送する。
【００１４】
上記方法では、第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部が設けられている電極付き基板を搬送しながら、第１の電極上に、有機機能層及び第２の電極を形成する。これにより、デバイス形成領域に有機デバイスを製造できる。有機デバイスの製造において、帯電防止用導電部を接地しながら、電極付き基板を搬送することから、有機デバイスの製造過程において、電極付き基板の帯電が防止され得る。その結果、高い製造歩留まりを実現できる。
【００１５】
上記電極付き基板の上記帯電防止用導電部に、導電性を有するとともに、接地されているロールを接触させることで、上記帯電防止用導電部を接地してもよい。この場合、電極付き基板の搬送を阻害することなく、且つ、不要なパーティクルなどを生じさせることもなく、帯電防止用導電部を接地可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、機デバイスの製造において高い製造歩留まりを実現できる電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、一実施形態に係る有機デバイスの製造方法で製造された有機ＥＬデバイスの構成を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬデバイスを製造するための電極付き基板の平面図である。
【図３】図３は、図２に示した電極付き基板の変形例を示す図面である。
【図４】図４は、図２に示した電極付き基板の他の変形例を示す図面である。
【図５】図５は、ロールツーロール方式による有機ＥＬデバイスの製造方法を模式的に示す図面である。
【図６】図６は、電極付き基板と搬送ロールとの配置関係を説明するための図面である。
【図７】図７は、有機ＥＬデバイスの製造方法における発光層（有機機能層）形成工程を説明するための図面である。
【図８】図８は、有機ＥＬデバイスの製造方法における陰極（第２の電極）形成工程を説明するための図面である。
【図９】図９は、有機ＥＬデバイスの製造方法における陰極（第２の電極）形成工程を説明するための図面である。
【図１０】図１０は、電極付き基板と搬送ロールとの配置関係の他の例を説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。有機デバイスとしては、例えば有機ＥＬデバイス、有機太陽電池、有機フォトディテクタ及び有機トランジスタなどが挙げられる。以下に説明する実施形態では、断らない限り、有機デバイスは有機ＥＬデバイスである。
【００１９】
図１に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬデバイス１０は、可撓性基板１２と、陽極（第１の電極）１４、発光層（有機機能層）１６及び陰極（第２の電極）１８と、を備えている。陽極１４、発光層１６及び陰極１８は、有機ＥＬデバイス１０のデバイス本体部を構成する。有機ＥＬデバイス１０は、例えば照明に使用される有機ＥＬ照明パネルである。
【００２０】
有機ＥＬデバイス１０は、陰極１８に電気的に接続された補助電極２２を備えてもよい。有機ＥＬデバイス１０は、ボトムエミッション形態又はトップエミッション形態をとり得る。以下では、断らない限り、補助電極２２を備えているボトムエミッション型の有機ＥＬデバイス１０を説明する。
【００２１】
［可撓性基板］
可撓性基板１２は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する。可撓性基板１２の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下であり、フィルム状を呈し得る。可撓性基板１２が樹脂の場合は、例えばロールツーロール方式で連続搬送する際の基板ヨレ、シワ、及び伸びを防止する観点からは４５μｍ以上、可撓性の観点からは１２５μｍ以下が好ましい。
【００２２】
可撓性基板１２は、例えば、プラスチックフィルムである。可撓性基板１２の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。
【００２３】
可撓性基板１２の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２４】
可撓性基板１２は、薄膜ガラスであってもよい。可撓性基板１２が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは３０μｍ以上、可撓性の観点からは１００μｍ以下が好ましい。
【００２５】
可撓性基板１２の表面１２ａ上には、ガス、水分などをバリアするバリア層（特に、水分をバリアするバリア層）が配置されていてもよい。
【００２６】
［陽極］
陽極１４は、可撓性基板１２の表面１２ａ上に設けられている。陽極１４には、透光性を有する電極層が用いられる。透光性を有する電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
【００２７】
陽極１４として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。陽極１４として、上記で挙げられた金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。
【００２８】
陽極１４の厚さは、光透過性、電気伝導度等を考慮して決定できる。陽極１４の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２９】
［補助電極］
補助電極２２は、可撓性基板１２の表面１２ａ上において、陽極１４と離間して配置されている。補助電極２２は、陰極１８と電気的に接続されている。そのため、補助電極２２は、陰極１８の一部とみなすこともできる。補助電極２２は、陰極１８の引出電極として機能し得る。補助電極２２の厚さ及び材料は、陽極１４の場合と同様であり得る。
【００３０】
［発光層］
発光層１６は、陽極１４の主面（可撓性基板１２に接する面の反対側）上に配置されており、所定の波長の光を発する機能を有する機能層である。本実施形態では、発光層１６が、有機ＥＬデバイス１０における機能（すなわち、発光）に寄与する有機機能層である。発光層１６は、陽極１４において補助電極２２と反対側の領域が発光層１６から露出するように配置されている。発光層１６は、陽極１４において補助電極２２側を覆うように配置されていてもよく、図１に示したように、補助電極２２の一部上に配置されてもよい。この場合、発光層１６は、可撓性基板１２の表面１２ａ上にも配置されている。
【００３１】
発光層１６の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。発光層の厚さは、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３２】
発光層１６は、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。蛍光及びりん光の少なくとも一方を発する発光材料が有する有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。上記発光材料としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等が挙げられる。
【００３３】
（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等が挙げられる。
【００３４】
（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等が挙げられる。
【００３５】
（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等が挙げられる。
【００３６】
発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等が挙げられる。
【００３７】
［陰極］
陰極１８は、発光層１６の主面（陽極１４又は可撓性基板１２に接する面と反対側）上に配置されている。陰極１８は、補助電極２２上にも配置されている。これにより、陰極１８と補助電極２２とが接続されている。図１では、補助電極２２全体に陰極１８が設けられているが、補助電極２２の一部に陰極１８が配置されていればよい。陰極１８は、２層以上が積層された積層構造を有してもよい。
【００３８】
発光層１６からの光を陰極１８で反射させて陽極１４側に届けるために、陰極１８の材料は、発光層１６からの光に対して反射率の高い材料が好ましい。陰極１８の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等が用いられる。具体的には、陰極１８の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【００３９】
陰極１８としては、例えば、導電性金属酸化物や、導電性有機物等からなる透明導電性電極が用いられてもよい。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等が挙げられ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等が挙げられる。
【００４０】
陰極１８の厚さは、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極１８の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００４１】
有機ＥＬデバイス１０は、発光層１６を封止する封止部材を備えてもよい。封止部材は、有機ＥＬデバイス１０において最上部に配置される。封止部材は、少なくとも有機ＥＬデバイス１０に含まれる有機機能層（本実施形態では発光層１６）を封止する。封止部材は、封止基材と、粘接着部と、を有する。
【００４２】
封止基材は、ガス、水分などをバリアするバリア機能を有し、特に水分バリア機能を有する。封止基材の例としては、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属を積層させたフィルム等が挙げられる。上記バリア機能層としては、例えば、水分バリア層等が挙げられる。封止基材２６の厚さの例は、１０μｍ〜３００μｍである。金属箔としては、バリア性の観点から、銅箔、アルミニウム箔、ステンレス箔が好ましい。封止基材が金属箔である場合、金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１０μｍ〜５０μｍが好ましい。
【００４３】
粘接着部は、封止基材の一方の面（可撓性基板１２側の面）上に設けられており、封止基材を陽極１４、発光層１６及び陰極１８に貼合させるために用いられる。粘接着部は、少なくとも発光層１６を覆うように配置される。
【００４４】
粘接着部は、具体的には、光硬化性若しくは熱硬化性のアクリレート樹脂、光硬化性若しくは熱硬化性のエポキシ樹脂、又は、光硬化性若しくは熱硬化性のポリイミド樹脂から構成される。その他一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルム、例えばエチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリブタジエン（ＰＢ）フィルム等の熱融着性フィルムを使用できる。酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール系、アクリル系、ポリエチレン系、エポキシ系、セルロース系、シクロヘキサン環含有飽和炭化水素樹脂、スチレン−イソブチレン変性樹脂等の熱可塑性樹脂も使用できる。粘着性により簡易取り付けが可能な感圧性接着剤（ＰＳＡ）も使用できる。
【００４５】
粘接着部に用いられる接着材中に、吸湿性の微粒子（接着材厚みよりも小さい）が含まれていてもよい。吸湿性の微粒子としては、例えば、水分と常温で化学反応を起こす金属酸化物、水分を物理吸着するゼオライトが挙げられる。
【００４６】
粘接着部の厚さは、好ましくは１μｍ〜１００μｍ、より好ましくは５μｍ〜６０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。粘接着部２８の含有水分量は、好ましくは、３００ｐｐｍ以下（重量基準）である。
【００４７】
有機ＥＬデバイス１０において陰極１８が露出している形態或いは有機ＥＬデバイス１０が封止部材を備えており且つ陰極１８の一部が封止部材から露出する形態では、陰極１８の材料には、水分の影響を受けにくい材料（例えば、遷移金属酸化物、アルミニウム、銀など）が好ましい。
【００４８】
一実施形態において、有機ＥＬデバイス１０は、図１に示したように、陽極１４上に設けられた導電性の壁部３０を有してもよい。壁部３０は、陰極１８と離間して配置されている。壁部３０は、陰極１８と同じ材料から構成され、陰極１８と同じ厚さを有し得る。壁部３０と陰極１８との間に絶縁部材が充填されてもよい。有機ＥＬデバイス１０が封止部材を有する形態では、壁部３０と陰極１８との間は、例えば粘接着部で埋められてもよい。
【００４９】
［有機ＥＬデバイスの製造方法］
図２に示した長尺の電極付き基板３２を用いて有機ＥＬデバイス１０を製造する方法について説明する。断らない限り、有機ＥＬデバイス１０の要素と同じ又は相当する要素には同じ符号を付して有機ＥＬデバイス１０の製造方法を説明する。
【００５０】
電極付き基板３２は、可撓性を有しており長尺の支持基板３４を有する。本明細書において、長尺の支持基板３４及び長尺の電極付き基板３２とは、一方向に延在しており（以下、延在している一方向を延在方向と称することがある。）、その延在方向の長さが、延在方向に直交する方向（幅方向）の長さより長い支持基板３４及び電極付き基板３２を指す。
【００５１】
支持基板３４は、有機ＥＬデバイス１０において可撓性基板１２となる部材である。支持基板３４は、大きさが可撓性基板１２と異なる点以外は、可撓性基板１２と同じ構成を有し、支持基板３４の表面３４ａは、可撓性基板１２の表面１２ａに相当する。すなわち、本実施形態において、支持基板３４は一方向に延在している可撓性基板１２である。
【００５２】
支持基板３４の表面３４ａ上には、複数のデバイス形成領域ＤＡが仮想的に設定されている。本実施形態では、支持基板３４の縁部３４ｂ及び縁部３４ｃから離してデバイス形成領域ＤＡを設定している。デバイス形成領域ＤＡは、製造すべき有機ＥＬデバイス１０の製品サイズに対応した領域である。すなわち、支持基板３４において、デバイス形成領域ＤＡの部分が、図１の有機ＥＬデバイス１０の可撓性基板１２に対応する。
【００５３】
図２では、支持基板３４の延在方向に一定の間隔を空けて設定された複数のデバイス形成領域ＤＡからなる列（以下、「デバイス形成領域列」と称す）が、支持基板３４の幅方向に２つ設定されている形態を示している。しかしながら、デバイス形成領域列の数は、１つでもよいし、３つ以上でもよい。
【００５４】
各デバイス形成領域ＤＡの内側には、陽極１４及び補助電極２２の組が設けられている。したがって、電極付き基板３２は、陽極１４と補助電極２２との組を複数有し、陽極１４と補助電極２２との組は離散的に配置されている。
【００５５】
陽極１４は、有機ＥＬデバイス１０の製造において公知の方法で形成されていればよい。陽極１４の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などのドライ成膜、メッキ法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、陽極１４を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ノズルプリント法等が挙げられる。補助電極２２の形成方法の例も陽極１４と同様である。
【００５６】
陽極１４及び補助電極２２は、例えば支持基板３４の表面３４ａ上に導電層を形成した後に、その導電層を、陽極１４及び補助電極２２それぞれのパターンにパターニングすることによって形成され得る。陽極１４及び補助電極２２それぞれのパターンに対応した個別の導電層を作製することによって、陽極１４及び補助電極２２を直接形成してもよい。
【００５７】
支持基板３４の表面３４ａにおいて、デバイス形成領域ＤＡの外側には、複数の帯電防止用導電部３６が形成されている。具体的には、縁部３４ｂに沿って、複数の帯電防止用導電部３６が離散的に形成されており、縁部３４ｃに沿って複数の帯電防止用導電部３６が離散的に形成されている。縁部３４ｂ側の帯電防止用導電部３６は、縁部３４ｂ側のデバイス形成領域列のための導電部として機能し、縁部３４ｃ側の帯電防止用導電部３６は、縁部３４ｃ側のデバイス形成領域列のための導電部として機能し得る。また、帯電防止用導電部３６同士が電気的に接続されていてもよい。
【００５８】
帯電防止用導電部３６は、支持基板３４の延在方向に延びた形状を呈する。図２では、支持基板３４の延在方向における複数（図２では３個）のデバイス形成領域ＤＡに対して、一つの帯電防止用導電部３６が設けられている。しかしながら、デバイス形成領域列を構成するすべてのデバイス形成領域ＤＡに対して、支持基板３４の延在方向に連続している一つの帯電防止用導電部３６が形成されてもよく、一つのデバイス形成領域ＤＡに対して、一つの帯電防止用導電部が形成されていてもよい。
【００５９】
帯電防止用導電部３６は、陽極１４及び補助電極２２と、導電性を有する接続部３８を介して電気的に接続されている。帯電防止用導電部３６及び接続部３８の材料及び厚さは陽極１４と同じでもよいし、異なってもよい。
【００６０】
帯電防止用導電部３６及び接続部３８は、陽極１４の形成方法と同様にして形成され得る。例えば、陽極１４及び補助電極２２の形成方法の例で説明したように、支持基板３４の表面３４ａ上に導電層を形成した後に、その導電層を、陽極１４及び補助電極２２のパターンにパターニングする際に、同時に、上記導電層を帯電防止用導電部３６及び接続部３８それぞれのパターンにパターニングすることによって、帯電防止用導電部３６及び接続部３８を形成し得る。帯電防止用導電部３６及び接続部３８は、それぞれのパターンに対応した導電層を直接作製することによって形成されてもよい。
【００６１】
支持基板３４の表面３４ａには、製造工程中における位置合わせのために、アライメントマークＭが形成されていてもよい。アライメントマークＭは、例えばデバイス形成領域ＤＡの外側に形成される。アライメントマークＭの形状は、図２に示したように十字状に限定されず、直線状などの他の形状でもよい。アライメントマークＭは、陽極１４と同じ材料で形成し得る。アライメントマークＭは、陽極１４を形成する際に一緒に形成されてもよいし、陽極１４の形成前に予め形成されていてもよい。
【００６２】
接続部３８による陽極１４と帯電防止用導電部３６との接続形態は、図２に示した形態に限定されず、陽極１４及び補助電極２２と、帯電防止用導電部３６が接続部３８を介して電気的に接続されていればよい。
【００６３】
例えば、図３に示したように、接続部３８で接続された複数の陽極１４のうちの一つの陽極１４を帯電防止用導電部３６に接続部３８で接続してもよい。補助電極２２についても同様である。
【００６４】
図４に示したように、接続部３８で接続された複数の補助電極２２のうちの一つの補助電極２２を帯電防止用導電部３６に接続部３８で接続するとともに、接続部３８で接続された複数の陽極１４のうちの一つの陽極１４を、接続部３８で接続された複数の補助電極２２のうちの一つの補助電極２２に接続部３８で接続してもよい。
【００６５】
陽極１４と補助電極２２とを接続部３８で接続する際には、接続部３８がデバイス形成領域ＤＡの外側を迂回するように陽極１４と補助電極２２とを接続部３８で接続することが好ましい。この場合、後述するように、デバイス形成領域ＤＡごとに支持基板３４を個片化した際、陽極１４と補助電極２２とを接続する接続部３８も切断され、陽極１４と補助電極２２との絶縁性が確保されるからである。
【００６６】
電極付き基板３２を用いて有機ＥＬデバイス１０を製造する方法が有する工程について説明する。有機ＥＬデバイス１０を製造する方法は、電極付き基板３２上に、発光層１６を形成する工程（発光層形成工程Ｓ１）及び陰極１８を形成する工程（陰極形成工程Ｓ２）と、を備える。
【００６７】
本実施形態では、図５に概念的に示したように、発光層（有機機能層）形成工程Ｓ１及び陰極（第２の電極）形成工程Ｓ２を、ロールツーロール方式を採用して実施する。具体的には、繰出し部４０Ａにロール状の電極付き基板３２をセットし、繰出し部４０Ａから電極付き基板３２を繰り出し、搬送ロールＲで、電極付き基板３２を巻取り部４０Ｂに向けて搬送しながら、発光層形成工程Ｓ１及び陰極形成工程Ｓ２を順に実施する。その後、陰極形成工程Ｓ２を経た電極付き基板３２を、巻取り部４０Ｂでロール状に巻き取る。繰出し部４０Ａ、巻取り部４０Ｂ及び搬送ロールＲは、電極付き基板３２の搬送機構の一部を構成している。搬送機構は、その他、テンション調整機構など公知の構成要素を備え得る。
【００６８】
繰出し部４０Ａにセットされるロール状の電極付き基板３２には、陽極１４、補助電極２２などを保護するために、電極付き基板３２に保護フィルムが貼合されていてもよい。この場合、繰出し部４０Ａから電極付き基板３２が繰り出された後、発光層形成工程Ｓ１を実施するまでの間に、保護フィルムを剥離する剥離工程を実施すればよい。
【００６９】
電極付き基板３２を搬送する搬送ロールＲは、導電性を有している。例えば、搬送ロールＲは、導電性部材から構成されていればよい。搬送ロールＲは、図６に示したように、接地されており、縁部３４ｂ及び縁部３４ｃにそれぞれ形成された帯電防止用導電部３６に接するように配置されている。これにより、帯電防止用導電部３６が搬送ロールＲを介して接地される。図６では、搬送ロールＲの接地状態を模式的に示しているが、例えば搬送ロールＲの回転軸（不図示）を接地することで、搬送ロールＲの回転を妨げずに、搬送ロールＲを接地可能である。
【００７０】
縁部３４ｂ及び縁部３４ｃにそれぞれ形成された帯電防止用導電部３６に対して一つの搬送ロールＲを配置する形態では、デバイス形成領域ＤＡ上の要素（例えば、陽極１４、陽極１４上に形成される発光層など）と搬送ロールＲが接触することを避けるために、搬送ロールＲのロール表面において、帯電防止用導電部３６と接する領域以外の領域（図６では、支持基板３４の幅方向において２つの帯電防止用導電部３６の間の領域）は、凹状に形成されていればよい。
【００７１】
発光層形成工程Ｓ１中及び発光層形成工程Ｓ１以降の工程でも、帯電防止用導電部３６に搬送ロールＲを接触させ、帯電防止用導電部３６を、搬送ロールＲを介して接地する点は同様である。
【００７２】
図５では、便宜的に４つの搬送ロールＲを示しているが、搬送ロールＲの数は、図５に示した数に限定されない。図２に示したように、支持基板３４の延在方向に沿って、帯電防止用導電部３６が離散的に配置されている形態では、例えば、電極付き基板３２の搬送過程において、各帯電防止用導電部３６が常に搬送ロールＲに接触するように、電極付き基板３２の搬送経路上において、複数の搬送ロールＲは配置され得る。
【００７３】
図６では、支持基板３４の幅方向において配置されている２つの帯電防止用導電部３６に対して一つの搬送ロールＲが配置されている。しかしながら、図１０の（ａ）部及び（ｂ）部に示したように、支持基板３４の幅方向において配置されている２つの帯電防止用導電部３６それぞれに対応して独立した搬送ロールＲを配置してもよい。この場合、図１０に示したように、独立した搬送ロールＲそれぞれが接地されていればよい。
【００７４】
図１０は、支持基板３４の幅方向において配置されている２つの帯電防止用導電部３６それぞれに対応して独立した搬送ロールＲが配置された図面であり、（ａ）部では、搬送ロールＲとは別の一つの搬送ロールＲ１が、支持基板３４の表面３４ａと反対側の面に更に配置された状態を示しており、（ｂ）部は、搬送ロールＲとは別の２つの搬送ロールＲ１が、支持基板３４の表面３４ａと反対側の面に更に配置された状態を示している。図１０では、図６と同様に、搬送ロールＲの回転軸の図示は省略しており、搬送ロールＲの接地状態を模式的に示している。搬送ロールＲ１についても同様である。
【００７５】
例えば、２つの帯電防止用導電部３６それぞれに対応して独立した搬送ロールＲを配置した場合、支持基板３４のデバイス形成領域ＤＡ上に搬送ロールＲ或いは搬送ロールＲの軸がなくなるので、支持基板３４の搬送経路において搬送ロールＲを配置した箇所においても、各工程におけるプロセスを行うことが可能であり、好ましい。さらに、帯電防止用導電部３６と搬送ロールＲの設置を確実にするために、搬送ロールＲとは別の搬送ロールＲ１で帯電防止用導電部３６をニップするように搬送することも好ましい。図１０の（ａ）部に示したように、支持基板３４に対して一つの搬送ロールＲ１を配置してよいし、図１０の（ｂ）部に示したように、支持基板３４に対して独立した２つの搬送ロールＲ１を配置してもよい。搬送ロールＲ１は、接地されていてもよい。
【００７６】
以下、発光層形成工程Ｓ１及び陰極形成工程Ｓ２を詳述する。
【００７７】
［発光層形成工程］
発光層形成工程Ｓ１では、電極付き基板３２を搬送しながら、図７に示したように、発光層１６を、複数のデバイス形成領域ＤＡに形成する。発光層形成工程Ｓ１では、複数のデバイス形成領域についてそれぞれ、発光層１６を形成する。発光層１６は、例えば塗布法を利用して形成され得る。塗布法の例は、陽極１４の説明で挙げた例と同様とし得る。発光層１６は、ドライ成膜法で形成されてもよい。ドライ成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。発光層１６は、各デバイス形成領域ＤＡの内側の陽極１４及び補助電極２２に対する設計領域（製造すべき有機ＥＬデバイス１０で設計されている領域）に形成されていればよい。また、発光層形成工程Ｓ１では、複数のデバイス形成領域列それぞれについてストライプ状の発光層１６を形成してもよい。その場合、発光領域以外の部分は除去してもよい。
【００７８】
［陰極形成工程］
陰極形成工程Ｓ２では、発光層１６上に陰極１８を形成する。陰極形成工程Ｓ２の一例について具体的に説明する。
【００７９】
まず、電極付き基板３２を搬送しながら、図８に示したように、電極付き基板３２の延在方向（長手方向）において、複数のデバイス形成領域ＤＡに亘って陰極用導電層４２をストライプ状に形成する（陰極用導電層形成工程）。
【００８０】
陰極用導電層４２の形成方法として、例えば真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などのドライ成膜、メッキ法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、陰極用導電層４２を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ノズルプリント法等が挙げられる。また、成膜後すぐに導電性が発現しやすい観点からは、ドライ成膜法が好ましく、発光層１６へのダメージを抑制できる観点からは真空蒸着法が好ましい。
【００８１】
本実施形態では、支持基板３４の幅方向に設けられた２つの帯電防止用導電部３６の間の距離より広い幅を有する陰極用導電層４２を、陰極用導電層４２が帯電防止用導電部３６の少なくとも一部上にも接するように形成する。また、陰極用導電層４２は、接続部３８に接するように形成されてもよい。これにより、陰極用導電層４２と帯電防止用導電部３６とが電気的に接続される。したがって、陰極用導電層４２が形成された電極付き基板３２は、電極付き基板３２と、電極付き基板３２の陽極１４上に設けられる有機機能層である発光層１６と、発光層１６上に設けられており、帯電防止用導電部３６に電気的に接続された陰極用導電層４２とを有する、積層基板４４である。陰極用導電層形成工程以降の工程は、積層基板４４を用いた有機ＥＬデバイス１０の製造工程に対応する。
【００８２】
図８では、陰極用導電層４２から帯電防止用導電部３６の一部が露出するように陰極用導電層４２を形成している例を示している。ただし、帯電防止用導電部３６の全体を覆うように、陰極用導電層４２を形成してもよい。陰極用導電層４２は、帯電防止用導電部３６上に配置されていなくてもよい。この場合でも、例えば、複数のデバイス形成領域ＤＡに亘って陰極用導電層４２をストライプ状に形成し、発光層１６に覆われていない接続部３８上に陰極用導電層４２が配置されていれば、陰極用導電層４２と帯電防止用導電部３６は電気的に接続される。
【００８３】
陰極用導電層４２は、各デバイス形成領域ＤＡの内側の陽極１４及び補助電極２２に対する設計領域に形成されていればよい。例えば、陰極用導電層４２は、デバイス形成領域ＤＡにおいて、発光層１６を覆い且つ補助電極２２上に位置するように形成されていればよい。したがって、例えば、デバイス形成領域列ごとに、ストライプ状の陰極用導電層４２が形成されてもよい。
【００８４】
続いて、図９に示したように、陰極用導電層４２をパターニングする（パターニング工程）。このパターニング工程を実施することで、陰極１８を得る。図９に示した形態では、陰極用導電層４２に、陰極用導電層４２を貫通しており、支持基板３４の延在方向に延在する孔部４２ａを形成し、陰極用導電層４２を、陰極１８と、壁部３０とに分離している。したがって、孔部４２ａが図１における陰極１８と壁部３０との間の隙間である。このような孔部４２ａの形成により陰極用導電層４２をパターニングする形態では、パターニング工程が終了した時点において、陰極１８及び壁部３０も、ストライプ状を呈する。
【００８５】
孔部４２ａの形成方法は、限定されないが、例えば、レーザ加工技術を用いた方法が挙げられる。孔部４２ａは、陰極１８と陽極１４とを絶縁分離するように形成されていればよい。パターニング工程でのパターニングは、図９に示した形態に限定されず、有機ＥＬデバイス１０で要求されている陰極１８の形状に応じて実施されていればよい。
【００８６】
陰極形成工程Ｓ２を経た電極付き基板３２には、デバイス形成領域ＤＡごとに、図１に示した有機ＥＬデバイス１０が形成されている。よって、有機ＥＬデバイス１０の製造方法は、陰極形成工程Ｓ２を経た電極付き基板３２をデバイス形成領域ＤＡごとに個片化し、製品サイズの有機ＥＬデバイス１０を得る個片化工程を備えてもよい。この個片化工程では、陰極形成工程Ｓ２の後に、電極付き基板３２を連続搬送しながら、デバイス形成領域ＤＡを切断することで実施し得る。或いは、巻取り部４０Ｂで電極付き基板３２を一旦ロール状に巻き取った後、そのロール状の電極付き基板３２を別の繰出し部にセットし、電極付き基板３２を改めて繰り出し連続搬送しながらデバイス形成領域ＤＡを切断することで実施してもよい。個片化工程における電極付き基板３２の搬送方法も、貼合工程Ｓ３までの搬送方法と同様であることが好ましい。すなわち、帯電防止用導電部３６を搬送ロールＲで接地しながら、電極付き基板３２を搬送することが好ましい。
【００８７】
封止部材を備える有機ＥＬデバイス１０を製造する場合、陰極形成工程Ｓ２の後の電極付き基板３２に封止部材を貼合する工程（以下、「貼合工程」と称す）を更に備えればよい。貼合工程では、陰極形成工程Ｓ２を経た電極付き基板３２を、その延在方向に搬送しながら、複数のデバイス形成領域列それぞれについて長尺の封止部材を、電極付き基板３２に連続的に貼合する。或いは、あらかじめ個片化された封止部材を電極付き基板３２に連続的に貼合する。有機ＥＬデバイス１０の製造方法が上記個片化工程を備える形態では、通常、貼合工程は、個片化工程の前に実施され得る。
【００８８】
次に、電極付き基板３２を用いて有機ＥＬデバイス１０を製造する方法の作用効果について説明する。
【００８９】
電極付き基板３２が有しており可撓性基板１２となるべき支持基板３４の表面３４ａ上には、図２に示したように、帯電防止用導電部３６が形成されている。図６に示したように、電極付き基板３２を搬送する際に、導電性を有し且つ接地された搬送ロールＲを、帯電防止用導電部３６に接触させることで、帯電防止用導電部３６が接地される。陽極１４及び補助電極２２は、帯電防止用導電部３６に電気的に接続されているので、陽極１４及び補助電極２２も帯電防止用導電部３６及び搬送ロールＲを介して接地される。
【００９０】
仮に、電極付き基板が帯電防止用導電部を備えない場合、電極付き基板の搬送過程において、搬送ロールに接触したり、離れたりする際に、搬送ロールと電極付き基板との間に静電気が生じる場合がある。前述したように、電極付き基板に保護シートが貼合されており、電極付き基板から保護シートを剥離する際もそれらの間に静電気が生じる場合がある。このような静電気により、電極付き基板が帯電すると、空中のパーティクルが引き寄せられ、有機デバイス中に欠陥が生じたり、静電気により、電極付き基板及び電極付き基板上に構成される層などが破壊されて、有機ＥＬデバイス中に欠陥が生じたりするおそれがある。このような欠陥が生じると、有機ＥＬデバイスの製造歩留まりが低下する。
【００９１】
これに対して、帯電防止用導電部３６を備えた電極付き基板３２を用いれば、陽極１４及び補助電極２２を、帯電防止用導電部３６を介して接地できることから、製造過程中の電極付き基板３２が除電される。したがって、有機ＥＬデバイス１０の製造過程における静電気に起因する前述した欠陥が生じにくいので、高い製造歩留まりを実現可能である。
【００９２】
電極付き基板３２の除電を行う方法としては、例えばイオナイザーを用いる方法、除電紐（ブラシ）を用いる方法なども考えられる。しかしながら、イオナイザーは例えば真空下及び窒素雰囲気下などでは除電効果が低いなど、除電効果が周囲環境に依存しやすいし、大気下ではオゾンが発生するという問題もある。除電紐（ブラシ）を用いる場合には、除電紐（ブラシ）からパーティクルが発生し、有機ＥＬデバイス１０に欠陥が生じるおそれがある。
【００９３】
これに対して、上記有機ＥＬデバイス１０の製造方法では、支持基板３４の表面３４ａに帯電防止用導電部３６を設け、それらを接地することで、電極付き基板３２の除電を行っている。そのため、周囲環境に影響されずに且つオゾンなども発生させずに効率的に電極付き基板３２の除電を行える。更に、帯電防止用導電部３６を、電極付き基板３２を搬送するための搬送ロールＲを使用して接地している。そのため、パーティクルが生じるおそれもないので、パーティクルに起因する欠陥も防止できている。その結果、高い製造歩留まりを実現可能である。
【００９４】
帯電防止用導電部３６は、陽極１４と同様に、支持基板３４の表面３４ａ上に配置されているので、静電気の発生を効率的に抑えられる。そのため、高い製造歩留まりを実現し易い。支持基板３４において、帯電防止用導電部３６が陽極１４と同じ表面３４ａに形成されているため、陽極１４を形成する際に、帯電防止用導電部３６を一緒に形成可能である。そのため、電極付き基板３２を製造しやすい。
【００９５】
帯電防止用導電部３６は、デバイス形成領域ＤＡの外側に形成されている。よって、帯電防止用導電部３６を接地する際などに、帯電防止用導電部３６に傷などが生じても、有機ＥＬデバイス１０の性能に影響が生じない。
【００９６】
図８に示したように、陰極用導電層４２を帯電防止用導電部３６上に配置するように、陰極用導電層４２を形成する形態では、陰極用導電層４２も帯電防止用導電部３６及び搬送ロールＲを介して接地される。そのため、有機機能層である発光層１６を介して陰極用導電層４２が電極付き基板３２上に積層されて構成される積層基板においても帯電が生じない。その結果、陰極用導電層形成工程以降においても、帯電に起因した欠陥が生じにくく、有機ＥＬデバイス１０の製造歩留まり低下を抑制できる。
【００９７】
本発明は、例示した種々の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００９８】
上記実施形態では、陽極及び陰極との間に配置される有機機能層が発光層である場合を説明した。有機機能層は、陽極及び陰極に印加された電力（例えば電圧）に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ＥＬデバイスの発光に寄与する機能部であればよい。したがって、有機機能層は、発光層の他、種々の機能層を含んでもよい。例えば、陽極と発光層との間に配置される機能層として、正孔注入層、正孔輸送層などが挙げられる。発光層と陰極との間に配置される機能層として、電子輸送層、電子注入層などが挙げられる。
【００９９】
有機機能層の構成例としては、次のような構成が挙げられる。下記構成例では、説明のために陽極及び陰極も記載している。
（ａ）（陽極）／発光層／（陰極）
（ｂ）（陽極）／正孔注入層／発光層／（陰極）
（ｃ）（陽極）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極）
（ｄ）（陽極）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
（ｅ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極）
（ｆ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極）
（ｇ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
（ｈ）（陽極）／発光層／電子注入層／（陰極）
（ｉ）（陽極）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記構成例（ａ）の構成が、図１に示した構成に対応する。
【０１００】
正孔注入層は、陽極から発光層への正孔注入効率を改善する機能を有する機能層である。正孔注入層の厚さは、電気的な特性や成膜の容易性などを勘案して適宜設定され、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１０１】
正孔注入層の材料には、公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料としては、例えば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び、酸化アルミニウム等の酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及び、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体が挙げられる。
【０１０２】
正孔輸送層は、陽極、正孔注入層又は正孔輸送層のうち陽極により近い部分から発光層への正孔注入効率を改善する機能を有する機能層である。正孔輸送層の厚さとしては、電気的な特性や成膜の容易性などを勘案して適宜設定され、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１０３】
正孔輸送層の材料には、公知の正孔輸送材料が用いられ得る。正孔輸送層の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等が挙げられる。正孔輸送層の材料としては、例えば特開２０１２−１４４７２２号公報に開示されている正孔輸層材料も挙げられる。
【０１０４】
電子輸送層は、陰極、電子注入層又は電子輸送層のうち陰極により近い部分から発光層への電子注入効率を改善する機能を有する機能層である。電子輸送層の厚さは、電気的な特性や成膜の容易性などを勘案して適宜設定され、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１０５】
電子輸送層を構成する電子輸送材料には、公知の材料が用いられ得る。電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが挙げられる。
【０１０６】
電子注入層は、陰極から発光層への電子注入効率を改善する機能を有する機能層である。電子注入層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気的な特性や成膜の容易性などを勘案して適宜設定され、例えば１ｎｍ〜１μｍである。
【０１０７】
電子注入層の材料には、公知の電子注入材料が用いられ得る。電子注入層の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物等が挙げられる。この他に従来知られた電子輸送性の有機材料と、アルカリ金属の有機金属錯体を混合した層を電子注入層として利用することができる。
【０１０８】
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などのドライ成膜、メッキ法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、各層を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ノズルプリント法等が挙げられる。
【０１０９】
上記のように、正孔輸送層及び電子輸送層は有機材料を含む有機層であり得る。正孔注入層及び電子注入層は、無機層として構成されてもよいし、有機材料を含む有機層として構成されてもよい。
【０１１０】
第１の電極として陽極を例示し、第２の電極として陰極を例示したが、第１の電極が陰極であり、第２の電極が陽極であってもよい。すなわち、陰極が支持基板（可撓性基板）側に配置されていてもよい。
【０１１１】
支持基板の幅方向において、帯電防止用導電部の数は２つに限らない。すなわち、支持基板の幅方向における両縁部それぞれに帯電防止用導電部が設けられている形態に限定されない。例えば、支持基板の幅方向において、帯電防止用導電部を一つだけ設けてもよいし、３つ以上設けてもよい。
【０１１２】
支持基板の幅方向における帯電防止用導電部の数が一つである形態であって、支持基板上に複数の第１の電極が設けられている場合には、複数の第１の電極を、導電性を有する接続部で互いに電気的に接続しながら、少なくとも一つの第１の電極を帯電防止用導電部に接続すればよい。各第１の電極に対応して補助電極が設けられている場合には、複数の第１の電極及び複数の補助電極を、導電性を有する接続部で互いに電気的に接続しながら、少なくとも一つの第１の電極を又は補助電極を帯電防止用導電部に接続すればよい。
【０１１３】
支持基板の幅方向における帯電防止用導電部の数が３つ以上である形態では、例えば、支持基板の幅方向において両縁部ととともに、それらの間に帯電防止用導電部を設ければよい。例えば、支持基板の幅方向において、３つ以上のデバイス形成領域列を設定する場合など、隣り合うデバイス形成領域列の間に帯電防止用導電部を設定してもよい。
【０１１４】
上記実施形態では、電極付き基板上に、有機機能層と、帯電防止用導電部に電気的に接続された導電層が順に積層された積層基板として、上記導電層が陰極用導電層である場合を例示した。しかしながら、電極付き基板上に積層されており帯電防止用導電部に電気的に接続される導電層としては、陰極用導電層に限定されない。例えば、有機ＥＬデバイスが電子注入層を備える場合、有機ＥＬデバイスの製造過程において、電子注入層を形成する際に、電子注入層となるべき導電層も帯電防止用導電部上に配置してもよい。これにより、上記実施形態で陰極用導電層を帯電防止用導電部上に配置している場合と同様の作用効果を有する。ここでは、電子注入層を例にして説明したが、有機ＥＬデバイスの製造過程において、陽極上に導電層を形成する場合についても同様とし得る。ただし、上記導電層と、陽極との間に発光層のような有機機能層が介在している場合に導電層を帯電防止用導電部に電気的に接続するように形成することが有効である。
【０１１５】
これまでの説明では、電極付き基板を搬送するためのロールを帯電防止用導電部の接地用部材とした形態を例示した。しかしながら、帯電防止用導電部の接地用部材は、帯電防止用導電部を接地可能であればロールに限定されない。例えば、接地された導電性のバー、などでもよい。
【０１１６】
長尺の支持基板を用いながら、ロールツーロール方式で有機ＥＬデバイスを製造する例を説明した。しかしながら、製造すべき有機ＥＬデバイスに含まれる大きさの支持基板を用いて、枚葉方式で有機ＥＬデバイスを製造してもよい。この場合、支持基板（すなわち、有機ＥＬデバイスが有する基板）は可撓性を有さなくてもよい。
【０１１７】
上記実施形態では、有機デバイスの一例である有機ＥＬデバイスについて説明したが、本発明は、有機ＥＬデバイスの他、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機センサー、有機薄膜太陽電池等の有機デバイスにも適用できる。
【符号の説明】
【０１１８】
１０…有機ＥＬデバイス（有機デバイス）、１４…陽極（第１の電極）、１６…発光層（有機機能層）、１８…陰極（第２の電極）、２２…補助電極、３２…電極付き基板、３４…支持基板、３４ａ…表面、３６…帯電防止用導電部、４２…陰極用導電層（導電層）、４４…積層基板、ＤＡ…デバイス形成領域。
【図１】
2018185992.tif 000003
【図２】
2018185992.tif 000004
【図３】
2018185992.tif 000005
【図４】
2018185992.tif 000006
【図５】
2018185992.tif 000007
【図６】
2018185992.tif 000008
【図７】
2018185992.tif 000009
【図８】
2018185992.tif 000010
【図９】
2018185992.tif 000011
【図１０】
2018185992.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月10日(2017.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面に係る電極付き基板は、第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極及び第２の電極の間に設けられる有機機能層と、を含む有機デバイスを製造するための電極付き基板であり、支持基板と、上記支持基板の表面上におけるデバイス形成領域の内側に設けられる上記第１の電極と、上記表面上における上記デバイス形成領域の外側に設けられており、上記第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、有機デバイスの製造において高い製造歩留まりを実現できる電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び第２の電極の間に設けられる有機機能層と、を含む有機デバイスを製造するための電極付き基板であって、
支持基板と、
前記支持基板の表面上におけるデバイス形成領域の内側に設けられる前記第１の電極と、
前記表面上における前記デバイス形成領域の外側に設けられており、前記第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部と、
を備え、
前記支持基板の厚さ方向からみた場合、前記第１の電極と前記帯電防止用導電部とは、前記支持基板の前記表面上における異なる領域に形成されている、
電極付き基板。
【請求項２】
前記デバイス形成領域の内側において前記第１の電極と離間して前記表面上に配置されており前記第２の電極と電気的に接続されるべき補助電極を更に有し、
前記補助電極は、前記帯電防止用導電部に電気的に接続されている、
請求項１に記載の電極付き基板。
【請求項３】
前記支持基板は、一方向に延在している可撓性基板である、
請求項１又は２に記載の電極付き基板。
【請求項４】
前記帯電防止用導電部は、前記支持基板の前記一方向に延在している、
請求項３に記載の電極付き基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の電極付き基板と、
前記電極付き基板の前記第１の電極上に設けられる前記有機機能層と、
前記有機機能層上に設けられており、前記帯電防止用導電部に電気的に接続されている導電層と、
を備える、
積層基板。
【請求項６】
請求項１〜４の何れか一項に記載の電極付き基板、有機機能層及び第２の電極を有する有機デバイスを製造する方法であって、
前記電極付き基板を搬送しながら、前記電極付き基板の前記第１の電極上に前記有機機能層を形成する工程と、
前記電極付き基板を搬送しながら前記有機機能層上に前記第２の電極を形成する工程と、
を備え、
前記帯電防止用導電部を接地しながら、前記電極付き基板を搬送する、
有機デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記電極付き基板の前記帯電防止用導電部に、導電性を有するとともに、接地されているロールを接触させることで、前記帯電防止用導電部を接地する、
請求項６に記載の有機デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月16日(2018.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び第２の電極の間に設けられる有機機能層と、を含む有機デバイスを製造するための電極付き基板であって、
支持基板と、
前記支持基板の表面上におけるデバイス形成領域の内側に設けられる前記第１の電極と、
前記表面上における前記デバイス形成領域の外側に設けられており、前記第１の電極と電気的に接続される帯電防止用導電部と、
を備え、
前記支持基板の厚さ方向からみた場合、前記第１の電極と前記帯電防止用導電部とは、前記支持基板の前記表面上における異なる領域に形成されており且つ互いに重なる部分を有しない、
電極付き基板。
【請求項２】
前記デバイス形成領域の内側において前記第１の電極と離間して前記表面上に配置されており前記第２の電極と電気的に接続されるべき補助電極を更に有し、
前記補助電極は、前記帯電防止用導電部に電気的に接続されている、
請求項１に記載の電極付き基板。
【請求項３】
前記支持基板は、一方向に延在している可撓性基板である、
請求項１又は２に記載の電極付き基板。
【請求項４】
前記帯電防止用導電部は、前記支持基板の前記一方向に延在している、
請求項３に記載の電極付き基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の電極付き基板と、
前記電極付き基板の前記第１の電極上に設けられる前記有機機能層と、
前記有機機能層上に設けられており、前記帯電防止用導電部に電気的に接続されている導電層と、
を備える、
積層基板。
【請求項６】
請求項１〜４の何れか一項に記載の電極付き基板、有機機能層及び第２の電極を有する有機デバイスを製造する方法であって、
前記電極付き基板を搬送しながら、前記電極付き基板の前記第１の電極上に前記有機機能層を形成する工程と、
前記電極付き基板を搬送しながら前記有機機能層上に前記第２の電極を形成する工程と、
を備え、
前記帯電防止用導電部を接地しながら、前記電極付き基板を搬送する、
有機デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記電極付き基板の前記帯電防止用導電部に、導電性を有するとともに、接地されているロールを接触させることで、前記帯電防止用導電部を接地する、
請求項６に記載の有機デバイスの製造方法。