(57)【要約】【課題】基板を貫通する貫通電極を備えた配線構造において、配線層と良好なコンタクトを有し、配線層の導通不良も生じない配線構造を実現する。【解決手段】本発明の配線構造の製造方法は、表面に絶縁層１１を介して配線層１３が形成された基板１０を用意する工程と、基板の裏面をエッチングして、絶縁層を貫通し下方に配線層が位置する底部を有するビア２０を形成する工程と、ビアの底部において、配線層上に第１金属層１５及び第２金属層１６を形成する工程と、ビア内にＳｎ系溶融金属１７を充填する工程とを備え、配線層は、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＣｕからなり、第１金属層は、Ｓｎ系溶融金属と合金化する材料からなり、第２金属層は、第１金属層の酸化を防止する材料からなる。【選択図】図２
2018125376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第１の主面に絶縁層を介して配線層が形成された基板を用意する工程と、
（Ｂ）前記基板の第２の主面を選択的にエッチングして、前記絶縁層を貫通し、下方に前記配線層が位置する底部を有するビアを形成する工程と、
（Ｃ）前記ビアの少なくとも底部において、前記配線層上に、第１金属層及び第２金属層をこの順に形成する工程と、
（Ｄ）前記ビア内に、Ｓｎ系溶融金属を充填する工程と
を備え、
前記配線層は、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＣｕからなり、
前記第１金属層は、前記工程（Ｄ）において、前記Ｓｎ系溶融金属と合金化する材料からなり、
前記第２金属層は、前記第１金属層の酸化を防止する材料からなる、配線構造の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｃ）において、前記第１金属層及び前記第２金属層は、連続して形成される、請求項１に記載の配線構造の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層と前記配線層との間に、密着層がさらに形成されており、
前記工程（Ｂ）において、少なくとも前記絶縁層を貫通し、下方に前記配線層が位置する底部を有するビアが形成される、請求項１または２に記載の配線構造の製造方法。
【請求項４】
前記第１金属層は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群から選択される材料からなる、請求項１〜３の何れかに記載の配線構造の製造方法。
【請求項５】
前記第２金属層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群から選択される材料からなる、請求項１〜４の何れかに記載の配線構造の製造方法。
【請求項６】
（Ａ）第１の主面に絶縁層を介して第２金属層、第１金属層、配線層がこの順に形成された基板を用意する工程と、
（Ｂ）前記基板の第２の主面を選択的にエッチングして、前記絶縁層を貫通し、下方に前記第２金属層が位置する底部を有するビアを形成する工程と、
（Ｃ）前記ビア内に、Ｓｎ系溶融金属を充填する工程と
を備え、
前記配線層は、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＣｕからなり、
前記第１金属層は、前記工程（Ｃ）において、前記Ｓｎ系溶融金属と合金化する材料からなり、
前記第２金属層は、前記第１金属層の酸化を防止する材料からなる、配線構造の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層と前記第２金属層との間に、密着層がさらに形成されており、
前記工程（Ｂ）において、少なくとも前記絶縁層を貫通し、下方に前記第２金属層が位置する底部を有するビアが形成される、請求項６に記載の配線構造の製造方法。
【請求項８】
前記第１金属層は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群から選択される材料からなる、請求項６または７に記載の配線構造の製造方法。
【請求項９】
前記第２金属層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群から選択される材料からなる、請求項６〜８の何れかに記載の配線構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を貫通する貫通電極を備えた配線構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の両面に形成された配線層間を、貫通電極を介して電気的に接続した配線構造が知られている。ここで、貫通電極は、基板を貫通するビア（貫通孔）を形成し、このビア内に導電材を充填することにより形成される。
【０００３】
貫通電極を備えた配線構造の形成方法として、例えば、ビアラストと呼ばれる方法がある。これは、基板の表面に集積回路を形成した後、基板を貫通する貫通電極を形成するものである。この場合、貫通電極を形成する前に、基板の表面には、絶縁膜を介して配線層が形成されている。また、ビアは、基板を裏面からエッチングし、絶縁層を貫通して形成される。このとき、ビアの底部は、配線層が露出しており、ビア内に導電材を充填することにとって、配線層と貫通電極との電気的な接続が得られる。
【０００４】
ビア内に導電材を充填する技術として、例えば、電解メッキによる銅の充填がある。しかしながら、基板を貫通するビアは、小径で、かつアスペクト比が高いため、ビアの底部まで、銅を確実に充填することは非常に難しい。また、電解メッキにより、基板を貫通するビア内を銅で充填するには、長大な時間を要する。
【０００５】
ビア内に導電材を充填する他の技術として、ビア内に溶融金属を充填した後、固化させる技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この技術によれば、高アスペクト比のビアに対しても、ビアの底部まで溶融金属を充填させることが容易になる。また、ビア内に溶融金属を充填する時間も短くすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１５８１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ビア内に錫（Ｓｎ）系の溶融金属を充填して貫通電極を形成した場合、配線層がアルミニウム（Ａｌ）で構成されているとき、貫通電極と配線層との間に、コンタクト不良が発生するという問題がある。また、配線層が銅（Ｃｕ）で構成されているとき、貫通電極の近傍で、配線層の導通不良が発生するという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、その主な目的は、ビア内にＳｎ系溶融金属を充填して形成した貫通電極を備えた配線構造において、配線層と良好なコンタクトを有し、配線層の導通不良も生じない配線構造の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る配線構造の製造方法は、（Ａ）第１の主面に絶縁層を介して配線層が形成された基板を用意する工程と、（Ｂ）基板の第２の主面を選択的にエッチングして、絶縁層を貫通し、下方に配線層が位置する底部を有するビアを形成する工程と、（Ｃ）ビアの少なくとも底部において、配線層上に、第１金属層及び第２金属層をこの順に形成する工程と、（Ｄ）ビア内に、Ｓｎ系溶融金属を充填する工程とを備え、配線層は、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＣｕからなり、第１金属層は、工程（Ｄ）において、Ｓｎ系溶融金属と合金化する材料からなり、第２金属層は、第１金属層の酸化を防止する材料からなることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る他の配線構造の製造方法は、（Ａ）第１の主面に絶縁層を介して第２金属層、第１金属層、配線層がこの順に形成された基板を用意する工程と、（Ｂ）基板の第２の主面を選択的にエッチングして、絶縁層を貫通し、下方に第２金属層が位置する底部を有するビアを形成する工程と、（Ｃ）ビア内に、Ｓｎ系溶融金属を充填する工程とを備え、配線層は、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＣｕからなり、第１金属層は、工程（Ｃ）において、Ｓｎ系溶融金属と合金化する材料からなり、第２金属層は、第１金属層の酸化を防止する材料からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ビア内にＳｎ系溶融金属を充填して形成した貫通電極を備えた配線構造において、配線層と良好なコンタクトを有し、配線層の導通不良も生じない配線構造の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態における配線構造の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態における配線構造の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態における配線構造の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態における配線構造の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明におけるビア内にＳｎ系溶融金属を充填する方法を説明した図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明におけるビア内にＳｎ系溶融金属を充填する方法を説明した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本願発明者は、ビア内に充填する溶融金属として、配線層を構成するアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などよりも融点の低い錫（Ｓｎ）を採用して、Ｓｎからなる貫通電極を備えた配線構造を検討していたところ、以下のような問題が発生することを見出した。
【００１４】
すなわち、配線層がアルミニウムで構成されている場合、配線層と貫通電極との間で、コンタクト不良が発生した。また、配線層が銅で構成されている場合、貫通電極の近傍で、配線層の導通不良が発生した。
【００１５】
これらの問題が発生した原因は、次のように考えられる。すなわち、基板を貫通してビアを形成した際、ビアの底部に配線層が露出する。しかしながら、ビア内に溶融金属を充填する工程は、基板を貫通してビアを形成する工程（配線層を露出させる工程）からの連続した真空プロセスでないため、配線層の表面が酸化された状態で溶融金属が充填される。そのため、配線層と貫通電極との間で、良好なコンタクトを取ることが難しくなる。また、配線層がアルミニウムで構成されている場合、アルミニウムは、錫と合金化しにくい材料であるため、配線層と貫通電極との間の接触抵抗が大きくなる。一方、配線層が銅で構成されている場合、銅は錫と合金化しやすい材料であるが、配線層を構成する銅の一部が、貫通電極のＳｎ中に拡散する。そのため、貫通電極の近傍において、配線層の内部が空洞化し、その結果、配線層の導通性が低下する。
【００１６】
本願発明者は、このような知見の下、ビア底部に露出した配線層とコンタクトする面に、Ｓｎと合金化する第１金属層を設けるとともに、貫通電極とコンタクトする面に、第１金属層の酸化を防止する第２金属層を設けることによって、上記問題が解決できることを見出し、本発明を想到するに至った。
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本発明の効果を奏する範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｃ）、及び図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態における配線構造の製造方法を模式的に示した断面図である。
【００１９】
まず、図１（ａ）に示すように、表面（第１の主面）１０ａに、絶縁層１１を介して配線層１３が形成された基板１０を用意する（工程Ａ）。基板１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板を用いることができる。本実施形態では、配線層１３として、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＣｕからなる配線層が適用される。絶縁層１１は、例えば、シリコン酸化膜等を用いることができる。また、本実施形態では、絶縁層１１と配線層１３との間に、密着層１２を形成しているが、密着層１２はなくてもよい。密着層１２は、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等の材料から層を用いることができる。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１０の裏面（第２の主面）１０ｂを選択的にエッチングして、絶縁層１１及び密着層１２を貫通し、配線層１３が露出する底部２０ａを有するビア（貫通孔）２０を形成する（工程Ｂ）。このとき、基板１０を支持するために、基板１０の表面１０ａ側に、接着層（不図示）を介して支持体３０を貼り合わせておく。基板１０の選択的なエッチングは、例えば、基板１０の裏面１０ｂに、レジストパターン４０を形成し、これをマスクに、異方性のドライエッチング等で行うことができる。なお、本実施形態では、密着層１２も貫通してビア２０を形成したが、密着層１２の一部を残してビア２０を形成してもよい。この場合、下方に配線層１３が位置する底部を有するビア２０が形成される。
【００２１】
次に、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン４０を除去した後、ビア２０の底面及び側面、並びに基板１０の裏面１０ｂに、絶縁膜１４を形成する。絶縁膜１４は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を、ＣＶＤ（化学気相成長）法を用いて形成することができる。なお、基板１０が絶縁性基板の場合、絶縁膜１４を形成する工程は、省略してもよい。
【００２２】
次に、図２（ａ）に示すように、ビア２０の底部に形成された絶縁膜１４を、選択的に除去し、ビア２０の底部２０ａに、配線層１３を露出させる。絶縁膜１４の選択的な除去は、例えば、異方性のドライエッチング等で行うことができる。なお、図１（ｂ）に示した工程（Ｂ）において、ビア２０の底部に密着層１２の一部を残して形成した場合、絶縁膜１４の除去と同時に、残存した密着層１２を除去してもよい。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、ビア２０の底面及び側面、並びに基板１０の裏面１０ｂに、第１金属層１５及び第２金属層１６をこの順に形成する（工程Ｃ）。ここで、第１金属層１５は、ビア２０に充填するＳｎ系溶融金属と合金化する材料からなる。第１金属層１５として、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）などの材料からなる金属層を用いることができる。なお、第１金属層１５の厚みは、０．０１〜１μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２４】
また、第２金属層１６は、第１金属層１５の酸化を防止する材料からなる。第２金属層１６として、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）などの材料から金属層を用いることができる。なお、貫通電極１７に拡散しやすい材料として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕを用いることが好ましい。また、第２金属層１６の厚みは、０．０１〜１μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２５】
第１金属層１５及び第２金属層１６は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。また、第１金属層１５の表面を酸化させないために、第１金属層１５及び第２金属層１６を、連続して形成することが好ましい。また、第１金属層１５を形成する前に、ビア２０の底部２０ａに露出した配線層１３の表面に形成された酸化物を、逆スパッタリング等により除去しておくことが好ましい。
【００２６】
なお、第１金属層１５及び第２金属層１６は、少なくとも、ビア２０の底部に形成されていればよく、図２（ｂ）に示したように、ビア２０の側面及び基板１０の表面に形成されていなくてもよい。
【００２７】
また、図１（ｂ）に示した工程（Ｂ）において、ビア２０の底部に密着層１２の一部を残して形成した場合、密着層１２が、第１金属層１５として用いられる材料（例えば、Ｔｉ、ＴｉＮなど）で構成されているときは、既に、ビア２０の底部に第１金属層１５が形成されていることになる。そのため、この場合には、工程（Ｃ）において、第１金属層１５は形成しなくても構わない。ただし、密着層１２の表面に形成された酸化物を、逆スパッタリング等により除去した後、第２金属層１６を形成する必要がある。
【００２８】
次に、図２（ｃ）に示すように、ビア２０内に、Ｓｎ系溶融金属１７を充填する（工程Ｄ）。溶融金属１７の充填は、例えば、溶融金属１７をビア２０の開口面からビア２０内に流し込み、溶融金属１７に対して加圧しながら冷却することによって行うことができる。これにより、ビア２０内に、溶融金属１７が固化した貫通電極が形成される。なお、これ以降、貫通電極も溶融金属１７と同じ符号を付すことにする。
【００２９】
また、このとき、貫通電極１７に接触する第２金属層１６は、貫通電極１７の錫中に拡散して合金化する。その結果、図２（ｄ）に示すように、ビア２０の底部２０ａに露出した配線層１３は、第１金属層１５を介して、貫通電極１７とコンタクトされる。
【００３０】
ここで、Ｓｎ系溶融金属１７は、Ｓｎを主成分とする溶融金属で、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｇａ、Ｎｉ等を含有する合金であってもよい。
【００３１】
本実施形態における配線構造の製造方法によれば、ビア２０の底部２０ａに露出した配線層１３は、Ｓｎと合金化する材料からなる第１金属層１５を介して、貫通電極１７とコンタクトされる。そのため、ビア２０内に溶融金属を充填する工程が、真空プロセスでなくても、表面が酸化されていない第１金属層１５と貫通電極１７とを合金化することができる。これにより、配線層１３がアルミニウムで構成されていても、配線層１３と貫通電極１７との間で、良好なコンタクトを得ることができる。また、配線層１３が銅で構成されている場合、第１金属層１５は、配線層１３を構成する銅が、貫通電極１７のＳｎ中に拡散するのを防止する。これにより、貫通電極１７の近傍において、配線層１３の内部が空洞化するのを防止できる。その結果、配線層１３の導通不良の発生を防止することができる。
【００３２】
なお、本実施形態において、図２（ｄ）に示すように、貫通電極１７に接触する第２金属層１６は、貫通電極１７の錫中に拡散して合金化するが、第２金属層１６の一部が残っていてもよい。この場合でも、第１金属層１５と貫通電極１７との合金化の妨げにはならない。
【００３３】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、図１（ｂ）に示したように、ビア２０を形成したとき、ビア２０の底部２０ａは、配線層１３が露出している。そして、図２（ｂ）に示したように、露出した配線層１３上に、第１金属層１５及び第２金属層１６が形成される。すなわち、ビア２０内にＳｎ系溶融金属１７を充填する前に、配線層１３上に、第１金属層１５及び第２金属層１６が形成された構成になっている。
【００３４】
本発明の第２の実施形態では、ビア２０を形成する前に、配線層１３に接するように、第１金属層及び第２金属層が形成される構成を採用する。
【００３５】
以下、図３（ａ）〜（ｃ）、及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、本発明の第２の実施形態における配線構造の製造方法を説明する。なお、第１の実施形態と共通する部分は、同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００３６】
まず、図３（ａ）に示すように、表面（第１の主面）１０ａに、絶縁層１１を介して、密着層１２、第２金属層１９、第１金属層１８、及び配線層１３がこの順に形成された基板１０を用意する（工程Ａ）。基板１０は、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板が挙げられるが、これに限定されない。
【００３７】
本実施形態では、配線層１３として、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＣｕからなる配線層が適用される。第１金属層１８は、Ｓｎ系溶融金属と合金化する材料からなる。第１金属層１８として、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）などの材料からなる金属層を用いることができる。また、第２金属層１９は、第１金属層１８の酸化を防止する材料からなる。第２金属層１９として、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などの材料から金属層を用いることができる。この場合、ビア加工のエッチングに対して、選択比が大きいことが好ましい。
【００３８】
第２金属層１９、第１金属層１８、及び配線層１３は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。なお、密着層１２、第２金属層１９、第１金属層１８、及び配線層１３を、連続して形成することが好ましい。
【００３９】
第１金属層１８の厚みは、０．０１〜１μｍの範囲にあることが好ましい。また、第２金属層１９の厚みは、０．０１〜１μｍの範囲にあることが好ましい。絶縁層１１は、例えば、シリコン酸化膜等を用いることができる。密着層１２は、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等の材料から膜を用いることができる。なお、本実施形態では、絶縁層１１と第２金属層１９との間に、密着層１２を形成しているが、密着層１２はなくてもよい。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、基板１０の裏面（第２の主面）１０ｂを選択的にエッチングして、絶縁層１１及び密着層１２を貫通し、第２金属層１９が露出する底部２０ａを有するビア（貫通孔）２０を形成する（工程Ｂ）。このとき、基板１０を支持するために、基板１０の表面１０ａ側に、接着層（不図示）を介して支持体３０を貼り合わせておく。基板１０の選択的なエッチングは、例えば、基板１０の裏面１０ｂに形成したレジストパターン４０をマスクに、異方性のドライエッチング等で行うことができる。なお、本実施形態では、密着層１２も貫通してビア２０を形成したが、密着層１２の一部を残してビア２０を形成してもよい。この場合、下方に第２金属層１９が位置する底部を有するビア２０が形成される。
【００４１】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン４０を除去した後、ビア２０の底面及び側面、並びに基板１０の裏面１０ｂに、絶縁膜１４を形成する。絶縁膜１４は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を、ＣＶＤ（化学気相成長）法を用いて形成することができる。
【００４２】
次に、図４（ａ）に示すように、ビア２０の底部に形成された絶縁膜１４を、選択的に除去し、ビア２０の底部２０ａに、第２金属層１９を露出させる。なお、図３（ｂ）に示した工程（Ｂ）において、ビア２０の底部に密着層１２の一部を残して形成した場合、絶縁膜１４の除去と同時に、残存した密着層１２を除去しておく。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示すように、ビア２０内に、Ｓｎ系溶融金属１７を充填する（工程Ｃ）。溶融金属１７の充填は、例えば、溶融金属１７をビア２０の開口面からビア２０内に流し込み、溶融金属１７に対して加圧しながら冷却することによって行うことができる。これにより、ビア２０内に、溶融金属１７が固化した貫通電極が形成される。なお、これ以降、貫通電極も溶融金属１７と同じ符号を付すこととする。
【００４４】
また、このとき、貫通電極１７に接触する第２金属層１９は、貫通電極１７の錫中に拡散して合金化する。その結果、図４（ｃ）に示すように、ビア２０の底部下方に位置する配線層１３は、第１金属層１８を介して、貫通電極１７とコンタクトされる。
【００４５】
ここで、Ｓｎ系溶融金属１７は、Ｓｎを主成分とする溶融金属で、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｇａ、Ｎｉ等を含有する合金であってもよい。
【００４６】
本実施形態における配線構造の製造方法によれば、ビア２０の底部下方に位置する配線層１３は、Ｓｎと合金化する材料からなる第１金属層１８介して、貫通電極１７とコンタクトされる。そのため、ビア２０内に溶融金属を充填する工程が、真空プロセスでなくても、表面が酸化されていない第１金属層１８と貫通電極１７とを合金化することができる。これにより、配線層１３がアルミニウムで構成されていても、配線層１３と貫通電極１７との間で、良好なコンタクトを得ることができる。また、配線層１３が銅で構成されている場合、第１金属層１８は、配線層１３の銅が、貫通電極１７のＳｎ中に拡散するのを防止する。これにより、貫通電極１７の近傍において、配線層１３の内部が空洞化するのを防止できる。その結果、配線層１３の導通不良の発生を防止することができる。加えて、第１金属層１８及び第２金属層１９は、配線層１３を形成する工程で、同時に形成することができるため、配線構造の製造工程を簡略化することができる。
【００４７】
なお、本実施形態において、図４（ｃ）に示すように、貫通電極１７に接触する第２金属層１９は、貫通電極１７の錫中に拡散して合金化するが、第２金属層１９の一部が残っていてもよい。この場合でも、第１金属層１５と貫通電極１７との合金化の妨げにはならない。
【００４８】
（Ｓｎ系溶融金属の充填方法）
図５（ａ）、（ｂ）、及び図６（ａ）、（ｂ）を参照しながら、本実施形態におけるビア２０内にＳｎ系溶融金属を充填する方法を説明する。もちろん、本実施形態において、Ｓｎ系溶融金属の充填方法はこれに限定されない。
【００４９】
図５（ａ）は、溶融金属の充填装置の概要を示した図である。
【００５０】
図５（ａ）に示すように、溶融金属の充填装置は、基板１０を保持する保持部５０と、基板１０の周縁を取り囲むように配置された筒状部６０と、筒状部６０の内側に当接して配置された加圧部７０とを備えている。筒状部６０には、溶融金属８２を収容した容器８０に連通した配管８１が貫通している。保持部５０及び加圧部７０は、それぞれ、駆動部５１、７１により、上下に移動可能に制御される。なお、基板１０は、図２（ｂ）または図４（ａ）に示したように、ビア２０が形成された状態のものである。
【００５１】
図５（ｂ）は、基板１０を保持した保持部５０を、筒状部６０に向けて上昇させ、基板１０の上面を筒状部６０の下面に当接させた状態を示す。これにより、筒状部６０と加圧部７０とにより区画された処理室１００が形成される。なお、処理室１００は、シール部材９０、９１によって、気密性が確保されている。また、加圧部７０の上下の移動により、処理室１００の容積が調整される。
【００５２】
図６（ａ）は、図５（ａ）に示した状態で、容器８０に収容した溶融金属８２を、配管８１を通じて、処理室１００に供給した状態を示した部分拡大図である。このとき、処理室１００に供給された溶融金属８２は、基板１０に形成されたビア２０の内部まで充填される。なお、ここでは、基板１０に形成されたビア２０以外は省略している。また、加圧部７０で、処理室１００内の溶融金属８２を加圧することによって、ビア２０の底部まで効率よく溶融金属８２を充填することができる。そして、溶融金属８２を加圧しながら、冷却することによって、図６（ｂ）に示すように、ビア２０内に、溶融金属８２が固化した貫通電極１７が形成される。なお、図６（ｂ）では、基板１０の表面に固化した溶融金属８２を除去した状態を示しているが、一部を残して、貫通電極１７に接続する配線層にしてもよい。
【００５３】
以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、もちろん、種々の改変が可能である。例えば、上記実施形態では、基板１０として、Ｓｉ等の半導体基板を例示したが、これに限定されず、例えば、ガラスや樹脂等の絶縁性基板であってもよい。この場合、図１（ｃ）や図３（ｃ）に示したビア２０の内面等に絶縁膜１４を形成する工程を省略することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１０      基板 
１０ａ    基板の表面（第１の主面） 
１０ｂ    基板の裏面（第２の主面） 
１１      絶縁層 
１２      密着層 
１３      配線層 
１４      絶縁膜 
１５      第１金属層 
１６      第２金属層 
１７      Ｓｎ系溶融金属（貫通電極） 
１８      第１金属層 
１９      第２金属層 
２０      ビア 
２０ａ    ビアの底部 
３０      支持体 
４０      レジストパターン 
５０      保持部 
５１、７１      駆動部 
６０      筒状部 
７０      加圧部 
８０      容器 
８１      配管 
８２      溶融金属 
９０、９１      シール部材 
１００    処理室 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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