(57)【要約】【課題】電食耐久性を良好とする表示パネル及び有機ＥＬパネルを提供する。【解決手段】有機ＥＬパネル１００は、複数の配線４，９と複数の発光画素２０とが形成され、透光性を有する基板１を備え、複数の配線４，９として、所定の電流が供給されることで発光画素２０をオン状態とさせる複数の陽極配線部４と、複数の陽極配線部４の各々の間に形成され、発光画素２０がオン状態となったときに陽極配線部４に印加される第１の電位よりも小さい第２の電位が印加される少なくとも１つ以上の電食対策配線部９と、が形成される。【選択図】図２
2018085279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線と複数の画素とが形成され、透光性を有する基板を備え、
前記複数の配線として、所定の電流が供給されることで前記画素をオン状態とさせる複数の第１の配線と、前記複数の第１の配線の各々の間に形成され、前記画素がオン状態となったときに前記第１の配線に印加される第１の電位よりも小さい第２の電位が印加される少なくとも１つ以上の第２の配線と、が形成される、
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記複数の画素を封止する封止部を備え、
前記第２の配線は、前記基板の面直方向から見て、前記封止部から前記第１の配線に沿って延びるように形成され、かつ、前記複数の画素のいずれに対しても非接続である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記基板に実装されたＩＣチップを備え、
前記ＩＣチップは、前記基板に向かって突起する突起電極群を有し、
前記突起電極群のうち第１の突起電極から前記電流が前記第１の配線に供給され、前記突起電極群のうち第２の突起電極から前記第２の電位が前記第２の配線に印加される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
複数の配線と複数の有機ＥＬ素子とが形成され、透光性を有する基板を備え、
前記複数の配線として、所定の電流が供給されることで前記有機ＥＬ素子を発光させる複数の第１の配線と、前記複数の第１の配線の各々の間に形成され、前記有機ＥＬ素子が発光となったときに前記第１の配線に印加される第１の電位よりも小さい第２の電位が印加される少なくとも１つ以上の第２の配線と、が形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記複数の有機ＥＬ素子を封止する封止部を備え、
前記第２の配線は、前記基板の面直方向から見て、前記封止部から前記第１の配線に沿って延びるように形成され、かつ、前記複数の有機ＥＬ素子のいずれに対しても非接続である、
ことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記基板に実装されたＩＣチップを備え、
前記ＩＣチップは、前記基板に向かって突起する突起電極群を有し、
前記突起電極群のうち第１の突起電極から前記電流が前記第１の配線に供給され、前記突起電極群のうち第２の突起電極から前記第２の電位が前記第２の配線に印加される、
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル及び有機ＥＬパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板上にＩＣ（Integrated  Circuit）チップが直接実装されたＣＯＧ（Chip  On  Glass）方式の有機ＥＬパネルが開示されている。特許文献１に係るパネルは、基板上の配線（「引き出し配線１０９」）の先端が平面視（パネルの面直方向から見た場合）でＩＣチップの実装面に形成されるバンプ（突起電極、「出力側バンプ電力１１４ｂ」）と重なるように引き出され、ＡＣＦ（Anisotropic  Conductive  Film）などの異方性導電材を介して配線とバンプとが接続される。配線は、他端が電極（「陽極電極１０２」）と接続され、信号（電流）が供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２８７６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬパネルは、近年高輝度化によって駆動電流値が上がり、さらに大型化によって配線の引き回し長さが長くなることで配線抵抗が上がっている。その結果、画素（有機ＥＬ素子）のオン状態（発光）における駆動波高値（電圧値）が高くなっている。このような高輝度大型パネルは高温高湿度環境下でオン状態を継続すると、オン状態のパターンによっては電食が早く進行し、断線による通電不良が生じる。したがって、有機ＥＬパネルにおける電食耐久性につき向上の余地がある。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、電食耐久性を良好とすることができる表示パネル及び有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る表示パネルは、
複数の配線と複数の画素とが形成され、透光性を有する基板を備え、
前記複数の配線として、所定の電流が供給されることで前記画素をオン状態とさせる複数の第１の配線と、前記複数の第１の配線の各々の間に形成され、前記画素がオン状態となったときに前記第１の配線に印加される第１の電位よりも小さい第２の電位が印加される少なくとも１つ以上の第２の配線と、が形成される、
ことを特徴とする。
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る有機ＥＬパネルは、
複数の配線と複数の有機ＥＬ素子とが形成され、透光性を有する基板を備え、
前記複数の配線として、所定の電流が供給されることで前記有機ＥＬ素子を発光させる複数の第１の配線と、前記複数の第１の配線の各々の間に形成され、前記有機ＥＬ素子が発光となったときに前記第１の配線に印加される第１の電位よりも小さい第２の電位が印加される少なくとも１つ以上の第２の配線と、が形成される、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電食耐久性を良好とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルの分解斜視図である。
【図２】は図１に示す有機ＥＬパネルの概略平面図である。
【図３】（ａ）は有機ＥＬパネルの図２（ａ）に示すＡ−Ａ線での概略断面図であり、（ｂ）は図２（ａ）に示すＢ−Ｂ線での概略断面図であり、（ｃ）は図２（ａ）に示すＣ−Ｃ線での概略断面図である。
【図４】（ａ）は、従来の有機ＥＬパネルの陽極配線部の一部を示す図であり、（ｂ）は、図２に示す有機ＥＬパネルの陽極配線部及び電食対策配線部の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１１】
本実施形態に係る有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル１００は、図１〜図３に示すように、基板１と、発光部２と、封止部３と、陽極配線部４と、陰極配線部５と、接続配線部６と、異方性導電材７と、ＩＣ（Integrated  Circuit）チップ８と、を備える。
【００１２】
以下では、理解を容易とするため、互いに直交するＸ、Ｙ及びＺ軸を用いて適宜説明を行う（図１など参照）。また、各軸を示す矢印が向く方向を各軸の＋（プラス）方向、その逆方向を−（マイナス）方向とする。
【００１３】
図１は、有機ＥＬパネル１００の分解斜視図であり、後述の接続部材２００と、ＩＣチップ８とを配設する前の状態を示している。
図２は、＋Ｚ方向から見た有機ＥＬパネル１００の概略平面図であり、図１に示す中心線Ｏよりも左側の部分を示すものである。なお、中心線Ｏよりも右側の部分については、左側の部分と概ね線対称に構成されるため、適宜説明を省略する。
図３（ａ）は、有機ＥＬパネル１００のＡ−Ａ線概略断面図であり、図３（ｂ）は、有機ＥＬパネル１００のＢ−Ｂ線概略断面図であり、図３（ｃ）は、有機ＥＬパネル１００のＣ−Ｃ線概略断面図である。なお、図３においては、見易さを考慮して、基板１、封止部３、及びＩＣチップ８の断面を表すハッチングを省略した。
図４（ａ）は、従来の（対策前の）有機ＥＬパネルの陽極配線部の一部を示す図であり、図４（ｂ）は、有機ＥＬパネル１００の陽極配線部及び電食対策配線部の一部を示す図である。
【００１４】
基板１は、例えばガラスから構成され、図１に示すように、長方形状に形成されている。基板１は、透光性及び電気絶縁性を有する。基板１上（＋Ｚ方向に向く面上）には、発光部２（図３（ａ）、（ｂ）参照）と、陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６（図１、図２参照）などが形成されている。
【００１５】
発光部２は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、陽極２１と、有機層２２と、陰極２３とを有する。図示しないが平面視（Ｚ方向から見た場合）において、陽極２１は、Ｙ方向に沿った帯状に形成され、Ｘ方向に所定の間隔を空けて複数配列されている。同様に図示しないが平面視において、陰極２３は、Ｘ方向に沿った帯状に形成され、Ｙ方向に所定の間隔を空けて複数配列されている。本実施形態に係る発光部２は、陽極２１と陰極２３とが交差する箇所であって、有機層２２が陽極２１と陰極２３とに挟持される箇所によって形成される複数の発光画素（有機ＥＬ素子）２０（図２参照）により発光可能なパッシブマトリクス型の発光部である。複数の発光画素２０は、平面視において、Ｘ方向及びＹ方向に沿ったマトリクス状に設けられる。発光部２は、複数の発光画素２０の発光及び非発光の組み合わせにより、所定の画像を表示することができる。すなわち、有機ＥＬパネル１００は、表示パネルとして機能する。
【００１６】
陽極２１は、例えば、透明電極であり、正孔を注入する陽極として機能する。陽極２１は、基板１の上に、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum  Zinc  Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の導電材（以下、透光性導電材と言う）をスパッタリング法によって成膜し、フォトリソグラフィー法によって所望の形状にパターニングすることで形成される。図３（ａ）に示すように、各陽極２１の一端部（−Ｙ側の端部）は、それぞれに対応する複数の陽極配線からなる陽極配線部４と接続される。
【００１７】
なお、基板１上には、図示しない絶縁層や隔壁などが形成されている。絶縁層は、例えばポリイミド系の電気絶縁性材料からなり、陽極２１と陰極２３との間に位置するように陽極２１上に形成されている。また、絶縁層は、陽極２１と陰極２３との短絡を防止するとともに、形成された開口部によって各発光画素２０を画定する。また、絶縁層は、陰極配線部５と陰極２３との間にも延設されており、陰極配線部５と陰極２３とを接続させるコンタクトホールを有する。隔壁は、例えばフェノール系の電気絶縁性材料からなり、絶縁層上に形成される。隔壁は、陽極２１と直交する方向に等間隔にて複数形成される。隔壁は、有機層２２及び陰極２３の形成過程において、それぞれを分断させるために設けられる。
【００１８】
有機層２２は、陽極２１上に形成されるものであり、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層を、蒸着法やスパッタリング法等の手段によって順次積層することで形成される。なお、有機層２２は、少なくとも有機発光層を有していればよい。
【００１９】
陰極２３は、例えば、不透光性の電極であり、電子を注入する陰極として機能する。陰極２３は、有機層２２上に形成された低抵抗の導電膜である。陰極２３は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ｚｎ等の金属単体あるいは合金を含む導電材（以下、不透光性導電材と呼ぶ）をスパッタリング法や蒸着法等の手段により形成してなるものである。また、陰極２３は、前記の絶縁層に設けられるコンタクトホール（図示せず）を介して、陰極配線部５と接続される。
【００２０】
封止部３は、発光部２を気密的に収容するものであり、例えばガラスから板状に形成されている。封止部３は、シール３ａを介して基板１上に配設される。
【００２１】
陽極配線部４は、陽極２１とＩＣチップ８とを電気的に接続するための配線であり、図２、図３（ａ）に示すように、封止部３から−Ｙ方向に向かって引き出される（封止部３によって形成される略密閉空間から引き出される）ように形成されている。陽極配線部４は、後述するバンプ群８０（突起電極群の一例）のうち対応する出力バンプ８３（第１の突起電極の一例）から駆動電流（所定の電流の一例）が供給されることで、接続される発光画素２０を発光状態（オン状態の一例）とさせる複数の配線である。陽極配線部４は、例えば、不透光性導電材から形成されている。なお、陽極配線部４は、不透光性導電材と透光性導電材の積層体から構成されてもよい。
【００２２】
なお、図２においては、見易さを考慮して、ＩＣチップ８を破線で、後述のバンプ群８０を点線で表している。また、図１、図２においては、構成の理解を容易にするため、陽極配線部４や、以下に説明する陰極配線部５、接続配線部６の形状を模式的に表している。
【００２３】
陰極配線部５は、陰極２３とＩＣチップ８とを電気的に接続するための配線であり、図２に示すように、封止部３から概ね−Ｙ方向に向かって引き出されるように形成されている。陰極配線部５は、後述するバンプ群８０のうち対応する出力バンプ８２から走査電位（例えばグランド電位）が印加されることで、接続される任意の陰極２３が走査される配線である。陰極配線部５は、例えば、不透光性導電材から形成されている。なお、陰極配線部５は、不透光性導電材と透光性導電材の積層体から構成されてもよい。
【００２４】
接続配線部６は、ＩＣチップ８と外部回路とを接続するための配線である。接続配線部６は、図２に示すように、基板１上において、陽極配線部４及び陰極配線部５と離間して、基板１の図２における下端部に形成されている。接続配線部６は、例えば、不透光性導電材から形成されている。なお、接続配線部６は、不透光性導電材と透光性導電材の積層体から構成されてもよい。接続配線部６は、図２における下端部（−Ｙ側の端部）が外部回路から延設される接続部材２００と接続される。接続部材２００は、例えば、ＦＰＣ（Flexible  Printed  Circuits）からなる。
【００２５】
異方性導電材７は、ＩＣチップ８と、陽極配線部４、陰極配線部５、及び接続配線部６の各々とを電気的に接続するものである。異方性導電材７は、図３に示すように、ＩＣチップ８と基板１との間に位置する。異方性導電材７は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic  Conductive  Film）と呼ばれるフィルム状の接着剤や、ＡＣＰ（Anisotropic  Conductive  Paste）と呼ばれるペースト状の接着剤などからなる。ＡＣＦ及びＡＣＰは、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂から構成される接着剤の中に、導電性粒子（ニッケル粒子や、金めっきプラスティック粒子など）を分散させたものである。また、異方性導電材７は、接続配線部６と接続部材２００との間にも設けられ、両者を電気的に接続する。図１において点線で、ＩＣチップ８の配設領域に対応する異方性導電材７の配置箇所（第１箇所）と、接続部材２００の配設領域に対応する異方性導電材７の配置箇所（第２箇所）とを示している。図１に示すように、第２箇所は第１箇所よりも基板１の端部（−Ｙ側の端部）に位置する。
【００２６】
ＩＣチップ８は、ＣＯＧ方式によって基板１上に実装され、発光部２を発光駆動させる駆動回路（信号線駆動回路及び走査線駆動回路）を構成する駆動用ＩＣである。ＩＣチップ８は、複数のバンプ（例えば、金などの導電性の高い金属からなる突起電極）からなるバンプ群８０を有し、バンプ群８０によって基板１に形成された各種配線と接続される。
【００２７】
バンプ群８０は、図１に模式的に示すように、Ｘ方向及びＹ方向に複数配列されている。基板１に形成された各種配線は、図２に示すように、バンプ群８０の配列を考慮して形成されている。なお、図２では、基板１に実装されたＩＣチップ８のバンプ群８０のうち一部を点線で示している。
【００２８】
バンプ群８０は、異方性導電材７を介して接続配線部６と導通接続される入力バンプ群と、異方性導電材７を介して陽極配線部４及び陰極配線部５の各々と導通接続される出力バンプ群と、を含む。
【００２９】
図２において、入力バンプ８１は、入力バンプ群のうち任意の一つの入力バンプを示したものである。入力バンプ８１は、異方性導電材７を介して、接続配線部６を構成する配線の１つと導通接続される。他の入力バンプについては、図示省略するが、例えば、接続配線部６の形成領域と重なる位置に接続配線部６を構成する配線に応じて複数設けられている。
【００３０】
また、出力バンプ８２は、出力バンプ群のうち陰極配線部５に接続される２つの出力バンプを示したものである。出力バンプ８２は、走査電位を出力可能であり、図３（ｃ）に示すように、異方性導電材７を介して陰極配線部５と導通接続される。また、出力バンプ８３は、出力バンプ群のうち陽極配線部４と導通接続される６つの出力電極バンプを示したものである。出力バンプ８３は、駆動電流を出力可能であり、図３（ａ）に示すように、異方性導電材７を介して陽極配線部４と導通接続される。
【００３１】
このような入力バンプと出力バンプの他に、バンプ群８０は、基板１に形成された各種配線と電気的に接続されない複数のダミーバンプ８０ｄを有している。ダミーバンプ８０ｄは、例えば、ＩＣチップ８の基板１への配設安定性の観点から設けられるものである。図２では、ダミーバンプ８０ｄは、出力バンプ８２と共にＹ方向に複数配列されると共に、入力バンプ８１と共にＸ方向に複数配列されている。なお、以下、ダミーバンプ８０ｄとの対比において、入力バンプ及び出力バンプを「駆動バンプ」とも呼ぶ。
【００３２】
また、バンプ群８０は、基板１に形成された電食対策配線部９と電気的に接続される複数の（本実施形態では６つの）電食対策バンプ８０ｍを有している。電食対策バンプ８０ｍは、任意の中間電位（第２の電位の一例）を出力可能であり、電食対策配線部９に中間電位を印加する。中間電位の詳細については後で述べる。図３（ｂ）に示すように電食対策バンプ８０ｍは、異方性導電材７を介して、電食対策配線部９と導通接続される。
【００３３】
なお、バンプ群８０を構成する各バンプ（駆動バンプ、ダミーバンプ８０ｄ）は、平面視（Ｚ方向から見た場合）で長方形状に形成され、かつ、その短辺がＩＣチップ８の外形を向くように配置されている。また、例えば、Ｙ方向に沿って配列された各バンプは、等間隔で配列されている。また、例えば、Ｘ方向に沿って配列された各バンプは、等間隔で配列されている。
【００３４】
電食対策配線部９は、複数の発光画素２０のいずれとも非接続の配線であり、図２に示すように、封止部３から陽極配線部４に沿って概ね−Ｙ方向に向かって電食対策バンプ８０ｍと重なる位置まで引き出されるように形成されている。なお、電食対策配線部９の封止部３側の端部は接地（グランド）されていても良いし、開放されていてもよい。電食対策配線部９は、陽極配線部４の各配線の間に形成され、バンプ群８０のうち対応する電食対策バンプ８０ｍから中間電位が印加される少なくも１つ以上（本実施形態では、６つ）の配線である。電食対策配線部９は、例えば、不透光性導電材から形成されている。なお、電食対策配線部９は、不透光性導電材と透光性導電材の積層体から構成されてもよい。
【００３５】
以上のように構成される有機ＥＬパネル１００は、基板１上に実装されたＩＣチップ８を介して、外部回路の制御の下で動作する。ＩＣチップ８は、外部回路からの駆動信号に基づいて、出力バンプ８３から陽極配線部４を介して各陽極２１に駆動電流を、出力バンプ８２から陰極配線部５を介して各陰極２３に走査電位を供給する。これにより、発光画素２０における陽極２１と陰極２３との間の有機層２２に駆動電流が流れ、発光画素２０（有機発光層）が発光する（オン状態となる）。なお、本実施形態の有機ＥＬパネル１００は、基板１側から有機発光層で発せられた光を出射するボトムエミッション型のものである。
【００３６】
次に、電食対策配線部９及び電食対策バンプ８０ｍを設けたことによる、作用及び効果について図４を用いて述べる。
図４（ａ）は、従来の有機ＥＬパネルにおける、陽極配線部４のうち陰極２３の延びる方向（概ねＸ方向）に隣り合う３つの配線を示している。本願発明者は、鋭意検討した結果、陽極配線部４として複数の、特に３つ以上の配線を有する有機ＥＬパネルにおいて、表示（発光）パターンによって電食の進行が異なることを見いだした。すなわち、３つの配線に接続される３つの発光画素２０がそれぞれ発光（オン状態）、非発光（オフ状態）、発光（オン状態）となる表示パターンを継続して表示する場合に、接続される発光画素２０が非発光となる配線が加速的に電食が進行する。特に、配線のうち外部に露出する部分４１、すなわち、陽極配線部４のうちＩＣチップ８（より正確には異方性導電材７）の端辺から封止部３までの個所で電食の進行が顕著である。これは、発光画素２０が非発光となる配線が、駆動電流が供給され、発光画素２０が発光となった配線の電界（電位差）に挟まれることで、電食発生要因の１つである電界をより強い電位で受けることによるものと思われる。例えば、接続される発光画素２０が非発光となるときに陽極配線部４に印加される電位（以下、オフ電位ともいう）が０Ｖであり、接続される発光画素２０が発光となったときに陽極配線部４に印加される電位（以下、駆動電位ともいう）が８Ｖである場合を考える。この場合は、接続される発光画素２０が発光となった配線に挟まれ、かつ、接続される発光画素２０が非発光となる配線は電位差８Ｖを受けることとなる。
これに対し、本実施形態である有機ＥＬパネル１００は、陽極配線部４の各配線の間に電食対策配線部９の各配線を設けた。電食対策配線部９に印加される中間電位は、駆動電位よりも小さく、陽極配線部４の各配線が受け得る磁界を均一化するという観点によれば、オフ電位と駆動電位との間の中央の電位であることが望ましい。例えば、オフ電位が０Ｖであり、駆動電位が８Ｖであるときは、中間電位は８Ｖより小さく、４Ｖであることが望ましい。中間電位が４Ｖである場合は、図４（ｂ）に示すように、陽極配線部４のうち、接続される発光画素２０が発光となる配線に挟まれ、かつ、接続される発光画素２０が非発光となる配線が受ける電位差は、４Ｖに低減する。そのため、有機ＥＬパネル１００は、何ら対策を施さない従来の有機ＥＬパネルと比較して電食の進行を抑制することができる。
【００３７】
なお、以上では、バンプ群８０を構成する各バンプ（駆動バンプ、ダミーバンプ８０ｄ、電食対策バンプ８０ｍ）が、等間隔で配列されているものとしたが、これに限られない。各バンプの配列間隔の少なくとも一部が異なっていてもよい。
【００３８】
なお、本発明は以上の実施形態及び図面によって限定されるものではない。本発明の要旨を変更しない範囲で、適宜、変更（構成要素の削除も含む）を加えることが可能である。
【００３９】
以上では、有機ＥＬパネル１００がボトムエミッション型の例を示したが、トップエミッション型であってもよい。また、以上では有機ＥＬパネル１００がパッシブマトリクス型の例を示したが、アクティブマトリクス型であってもよい。また、有機ＥＬパネル１００は、その電極はマトリクス形状のものでなくともよく、発光画素２０の組み合わせにより画像を表示するものでなくともよい。有機ＥＬパネル１００は、発光装置や照明装置の一部として構成されてもよい。
【００４０】
また、表示パネルは、液晶表示パネルであってもよい。液晶表示パネルにおいては液晶表示素子が画素を構成する。また、表示パネル及び有機ＥＬパネルは、ＣＯＧ型パネルに限られない。第１の電流及び第２の電流を供給するＩＣチップをＦＰＣ（Flexible  printed  circuits）に実装したＣＯＦ（Chip  on  Film）型パネルや、プリント基板に実装したＣＯＢ（Chips  on  Board）型パネルであってもよい。配線と画素が形成された透光性を有する基板１を備えるものであれば、パネルの種類は任意である。
【００４１】
（１）以上に説明した表示パネル及び有機ＥＬパネルは、
複数の配線（陽極配線部４、電食対策配線部９）と複数の画素あるいは複数の有機ＥＬ素子（発光画素２０）とが形成され、透光性を有する基板１を備え、
前記複数の配線として、所定の電流（駆動電流）が供給されることで前記画素をオン状態とさせるあるいは前記有機ＥＬ素子を発光させる複数の第１の配線（陽極配線部４）と、前記複数の第１の配線の各々の間に形成され、前記画素がオン状態となったあるいは前記有機ＥＬ素子が発光となったときに前記第１の配線に印加される第１の電位よりも小さい第２の電位（中間電位）が供給される少なくとも１つ以上の第２の配線（電食対策配線部９）と、が形成される。
このようにしたから、配線が受ける磁界の電位を低減し、電食耐久性を良好とすることができる。
【００４２】
（２）また、前記複数の画素を封止する封止部３を備え、
前記第２の配線は、基板１の面直方向から見て、封止部３から前記第１の配線に沿って延びるように形成され、かつ、前記複数の画素あるいは前記複数の有機ＥＬ素子のいずれに対しても非接続である。
このようにしたから、配線のうち特に電食が進行する部分４１の電食耐久性を確実に良好とすることができる。
【００４３】
基板１に実装されたＩＣチップ８と、を備え、
ＩＣチップ８は、基板１に向かって突起する突起電極群（バンプ群８０）を有し、
前記突起電極群のうち第１の突起電極（出力バンプ８３）から前記電流が前記第１の配線に供給され、前記突起電極群のうち第２の突起電極（電食対策バンプ８０ｍ）から前記第２の電位が前記第２の配線に印加される。
ＣＯＧ型パネルにおいても、配線が受ける磁界の電位を低減し、電食耐久性を良好とすることができる。
【００４４】
以上の説明では、本発明の理解を容易にするために、公知の技術的事項の説明を適宜省略した。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、表示パネル及び有機ＥＬパネルに好適である。
【符号の説明】
【００４６】
１００…有機ＥＬパネル
１  …基板
２  …発光部
３  …封止部
４  …陽極配線部（第１の配線）
５  …陰極配線部
６  …接続配線部
７  …異方性導電材
８  …ＩＣチップ
２０…発光画素（有機ＥＬ素子）
８０…バンプ群（突起電極群）
８０ｄ…ダミーバンプ（ダミー電極）
８０ｍ…電食対策バンプ（第２の突起電極）
８１…入力バンプ
８２…出力バンプ
８３…出力バンプ（第１の突起電極）
９…電食対策配線部（第２の配線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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