(57)【要約】【課題】正確な補正を行いつつ、マスクデータ処理に係る時間を短縮可能なマスクデータ処理方法、マスクデータ処理プログラム及びマスクデータ処理装置を提供する。【解決手段】マスクデータ処理方法は、領域指定部２１４が、メイン部ＭＤとフレーム部ＦＤとをマスク上に配置及び合成した少なくとも一方の場合に、マスク製造プロセス上でのパターン形成過程で影響を受ける第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２をメイン部ＭＤに指定する領域指定ステップと、領域合成部２１５が、フレーム部ＦＤに対して第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を含む合成領域を生成する合成ステップと、補正処理部２１６が、合成領域とメイン部ＭＤとのパターンデータに対してパターンの補正を行う補正処理ステップと、領域削除部２１７が、メイン部ＭＤの第１影響領域ＡＷ１及び合成領域の第２影響領域ＡＷ２を削除する領域削除ステップと、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク処理に用いるマスクデータに関するマスクデータ処理方法であって、
領域指定部が、回路パターンを有するメインデータ領域と、前記メインデータ領域に隣接して配置され回路以外のパターンを有するフレームデータ領域とをマスク上に配置した場合とマスク上に合成した場合との少なくとも一方の場合に、マスク製造プロセス上でのパターン形成過程で影響を受ける第１影響領域及び前記第１影響領域に隣接した第２影響領域を、前記メインデータ領域に指定する領域指定ステップと、
領域合成部が、前記フレームデータ領域に対して、前記領域指定ステップにより指定した前記第１影響領域及び前記第２影響領域を含む合成領域を生成する合成ステップと、
補正処理部が、前記合成ステップにより生成した合成領域と、前記メインデータ領域とに有するパターンデータに対してパターンの補正を行う補正処理ステップと、
領域削除部が、前記補正処理ステップによる補正後の前記メインデータ領域から前記第１影響領域を削除し、及び、補正後の合成領域から前記第２影響領域を削除する領域削除ステップと、
を含むマスクデータ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマスクデータ処理方法において、
前記メインデータ領域を複数有し、複数の前記メインデータ領域は、同一のパターンデータを含み、
前記補正処理ステップにおいて、前記複数のメインデータ領域のうちいずれか１つの前記メインデータ領域に対してパターンの補正を行うこと、
を特徴とするマスクデータ処理方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のマスクデータ処理方法において、
前記第１影響領域は、前記パターンの補正を行うことによって他のパターンデータの影響を受ける特定距離を幅とする領域であること、
を特徴とするマスクデータ処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載のマスクデータ処理方法において、
前記特定距離は、前記補正処理ステップにおいて使用するモデルによって定義されたものであること、
を特徴とするマスクデータ処理方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載のマスクデータ処理方法において、
結合部が、前記領域削除ステップにより削除された各々のパターンデータを結合してマスクデータを生成する結合ステップを含むこと、
を特徴とするマスクデータ処理方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかに記載のマスクデータ処理方法の各ステップを、コンピュータに実行させるためのマスクデータ処理プログラム。
【請求項７】
請求項６に記載のマスクデータ処理プログラムを記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記マスクデータ処理プログラムに従って処理を実行する制御部と、
を備えるマスクデータ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクデータ処理方法、マスクデータ処理プログラム及びマスクデータ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の回路パターン形成に用いるマスクは、マスクデータと呼ばれるパターンデータを含む設計データに基づいて、電子ビームやレーザを用いてマスク基板上に描画することにより製造される。
より精度よくマスク製造をするために、マスク上に配置するパターンデータを予め補正する図形処理として、例えば、ＭＰＣ（Ｍａｓｋ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）処理を行うことが必要である。マスク製造で起こるパターン形成過程では、例えば、マスク基板内部からの反射電子の影響によって、あるパターンとその隣接又は近接している別パターンとが相互に影響し合う。そのため、従来は、マスク上に配置する全てのパターンデータを合成するＳＭＡＳＨ処理を行った後に、ＭＰＣ処理を行っていた。
【０００３】
図８は、従来技術によるマスクデータ処理の例を示す図である。この例では、設計データＤ０は、回路以外であり、主に計測やテストパターンを有するフレーム部ＦＤ（フレームデータ領域）と、フレームデータ領域内に配置される４つのメイン部ＭＤ（メインデータ領域）とである。メイン部ＭＤは、主に回路パターンを有し、４つのメイン部ＭＤは、同一のパターンデータを有する。
まず、フレーム部ＦＤと４つのメイン部ＭＤを配置したものに対して、処理ＳＴ１により、合成処理であるＳＭＡＳＨ処理が実行される。次に、処理ＳＴ２により、ＳＭＡＳＨ処理を実行後のデータＤ１に対してＭＰＣ処理が行われる。その出力データを、マスク製造に用いていた。
そのため、ＳＭＡＳＨ処理に関する時間を要し、ＳＭＡＳＨ処理後のデータＤ１のデータ量が大きくなっていた。また、データＤ１を入力するＭＰＣ処理においても、処理時間と、その出力データが大きくなっていた。
【０００４】
他方、例えば、特許文献１には、処理時間を減らすためのマスクパターン作製方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−８４１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１は、いわゆる設計部門でないと一般的には適用不可な、セルレベルでのデータ処理方法である。また、隣接するセルの影響により正しく補正できないデメリットを、ダミーパターンを事前に付加して補正することにより補正精度を可能な限り維持しようとしている。しかし、実際の配置では、多くの配置構成や組み合わせ、パターンがあり、実際に個々セルに隣接するパターンを固定的なダミーパターンで代替しているので、正確な補正は実現できない。
【０００７】
本発明の課題は、正確な補正を行いつつ、マスクデータ処理に係る時間を短縮可能なマスクデータ処理方法、マスクデータ処理プログラム及びマスクデータ処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。
【０００９】
第１の発明は、マスク処理に用いるマスクデータに関するマスクデータ処理方法であって、領域指定部（２１４，２２４）が、回路パターンを有するメインデータ領域（ＭＤ）と、前記メインデータ領域に隣接して配置され回路以外のパターンを有するフレームデータ領域（ＦＤ）とをマスク上に配置した場合とマスク上に合成した場合との少なくとも一方の場合に、マスク製造プロセス上でのパターン形成過程で影響を受ける第１影響領域（ＡＷ１）及び前記第１影響領域に隣接した第２影響領域（ＡＷ２）を、前記メインデータ領域に指定する領域指定ステップと、領域合成部（２１５，２２５）が、前記フレームデータ領域に対して、前記領域指定ステップにより指定した前記第１影響領域及び前記第２影響領域を含む合成領域（Ｈ１）を生成する合成ステップと、補正処理部（２１６，２２６）が、前記合成ステップにより生成した合成領域（Ｈ１）と、前記メインデータ領域（ＭＤ）とに有するパターンデータに対してパターンの補正を行う補正処理ステップと、領域削除部（２１７，２２７）が、前記補正処理ステップによる補正後の前記メインデータ領域（ＭＤ２）から前記第１影響領域（ＡＷ１）を削除し、及び、補正後の合成領域（Ｈ２）から前記第２影響領域（ＡＷ２）を削除する領域削除ステップと、を含むマスクデータ処理方法である。
第２の発明は、第１の発明のマスクデータ処理方法において、前記メインデータ領域（ＭＤ）を複数有し、複数の前記メインデータ領域は、同一のパターンデータを含み、前記補正処理ステップにおいて、前記複数のメインデータ領域のうちいずれか１つの前記メインデータ領域に対してパターンの補正を行うこと、を特徴とするマスクデータ処理方法である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のマスクデータ処理方法において、前記第１影響領域（ＡＷ１）は、前記パターンの補正を行うことによって他のパターンデータの影響を受ける特定距離を幅（Ｌ１）とする領域であること、を特徴とするマスクデータ処理方法である。
第４の発明は、第３の発明のマスクデータ処理方法において、前記特定距離は、前記補正処理ステップにおいて使用するモデルによって定義されたものであること、を特徴とするマスクデータ処理方法である。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかのマスクデータ処理方法において、結合部（２１８，２２８）が、前記領域削除ステップにより削除された各々のパターンデータを結合してマスクデータを生成する結合ステップを含むこと、を特徴とするマスクデータ処理方法である。
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかのマスクデータ処理方法の各ステップを、コンピュータ（２１０，２２０）に実行させるためのマスクデータ処理プログラムである。
第７の発明は、第６の発明のマスクデータ処理プログラムを記憶する記憶部（２１１，２２１）と、前記記憶部に記憶された前記マスクデータ処理プログラムに従って処理を実行する制御部（２１２，２２２）と、を備えるマスクデータ処理装置（２１０，２２０）である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、正確な補正を行いつつ、マスクデータ処理に係る時間を短縮可能なマスクデータ処理方法、マスクデータ処理プログラム及びマスクデータ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係るマスクデータ処理装置を含むマスクデータ処理システムの構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態に係るマスクデータ処理装置でのマスクデータ処理を示すフローチャートである。
【図３】本実施形態に係る第１影響領域及び第２影響領域を説明するための図である。
【図４】本実施形態に係るメイン部に関する処理の例を示す図である。
【図５】本実施形態に係るフレーム部に関する処理の例を示す図である。
【図６】本実施形態に係るフレーム部に関する処理の例を示す図である。
【図７】本実施形態に係るマスクデータ処理後のデータ例を示す図である。
【図８】従来技術によるマスクデータ処理の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面等を参照して説明する。
（実施形態）
図１は、本実施形態に係るマスクデータ処理装置２１０を含むマスクデータ処理システム２００の構成を示すブロック図である。
マスクデータ処理システム２００は、例えば、マスクデータ処理装置２１０と、描画装置２２０とを備えて構成されている。図示は省略するが、マスクデータ処理装置２１０と、描画装置２２０とは、それぞれ送受信部（通信インタフェース等）を備えており、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、インターネット等の通信網を介して、情報（マスクデータ等）を送受信できる。また、これらの情報は、記憶媒体（ハードディスク等）を利用することにより、装置間を移動してもよい。
【００１３】
なお、本明細書中において、コンピュータとは、記憶装置（ハードディスク等）、制御装置（ＣＰＵ等）等を備えた情報処理装置をいい、マスクデータ処理装置２１０と、描画装置２２０とは、記憶部２１１，２２１、制御部２１２，２２２を備えた情報処理装置としての機能を備えており、コンピュータの概念に含まれる。
【００１４】
マスクデータ処理装置２１０は、不図示のＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ−Ａｉｄｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ）等を利用して設計されたマスクの設計データが入力されて、実際に描画装置２２０においてマスクの描画に用いるマスクデータを生成する装置である。
マスクデータ処理装置２１０は、記憶部２１１と、制御部２１２とを備えている。
記憶部２１１は、制御部２１２における後述する各部の処理を実行させるためのマスクデータ処理プログラムを記憶している。
制御部２１２は、記憶部２１１に記憶されたマスクデータ処理プログラムを実行することにより、入力部２１３、領域指定部２１４、領域合成部２１５、補正処理部２１６、領域削除部２１７、結合部２１８及び出力部２１９として機能する。以下、これら各処理部について説明するが、より具体的な説明は、後述する動作の説明において行う。
【００１５】
入力部２１３は、不図示のＣＡＤ等を利用して設計されたマスクの設計データの入力を受け付ける。入力部２１３は、例えば、通信によりデータを受け付けてもよいし、記憶媒体を介してデータを受け付けてもよい。
領域指定部２１４は、入力部２１３を介して入力された設計データに含まれるメイン部ＭＤ（メインデータ領域）のメインデータ（パターンデータ）と、フレーム部ＦＤ（フレームデータ領域）のフレームデータ（パターンデータ）とをマスク上に配置した場合とマスク上に合成した場合との少なくとも一方の場合に、マスク製造プロセス上でのパターン形成過程で影響を受ける第１影響領域ＡＷ１と、第１影響領域ＡＷ１に隣接する第２影響領域ＡＷ２とを、メイン部ＭＤに指定する。
ここで、メインデータとは、ＩＣチップ等の回路を構成するパターンに関する情報からなるデータをいう。なお、メイン部ＭＤは、回路パターンを有する領域であるが、回路パターンのみに限らず、その他のパターンを含んでいてもよい。また、フレームデータとは、マスクを用いて半導体ウェハ上に描画、現像、エッチング等を行うときや、その後の工程で必要なパターンに関する情報からなる主に計測やテストパターンのデータをいう。よって、フレームデータは、回路を構成するパターンに関する情報を含まない。
なお、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２については、後述する。
【００１６】
領域合成部２１５は、領域指定部２１４によって指定した第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２をフレーム部ＦＤに含む合成領域を生成する。
補正処理部２１６は、領域合成部２１５が生成した合成領域のパターンデータに対してパターンの補正を行って、補正後合成領域を生成する。
また、補正処理部２１６は、メイン部ＭＤのパターンデータに対してパターンの補正を行って、補正後メイン領域を生成する。
【００１７】
領域削除部２１７は、補正処理部２１６が補正を行った補正後領域のうち、他のパターンに隣接した側に構成された第１影響領域ＡＷ１又は第２影響領域ＡＷ２を削除する。そして、領域削除部２１７は、削除後合成領域を示すデータである削除後データを生成する。
具体的には、領域削除部２１７は、補正後メイン領域から、第１影響領域ＡＷ１を削除した削除後メインデータを生成する。また、領域削除部２１７は、補正後合成領域から、第２影響領域ＡＷ２を削除した削除後フレームデータを生成する。
領域削除部２１７により処理をした削除後データは、例えば、それぞれを別データファイルとして通信回路等を利用して他の場所へ送信可能である。
【００１８】
結合部２１８は、領域削除部２１７により処理をした各削除後データを結合して、削除後結合データを生成する。結合部２１８が結合した削除後結合データは、そのまま描画装置２２０において、描画に用いることができる。
出力部２１９は、領域削除部２１７により処理をした削除後データ、又は、結合部２１８が結合して生成した削除後結合データを、記憶部２１１又は不図示の通信回路や記憶媒体等へ出力する。
【００１９】
描画装置２２０は、不図示の描画機構を備えている。また、描画装置２２０は、記憶部２２１と、制御部２２２とを備えており、マスクデータ処理プログラムを実行することにより、マスクデータ処理装置２１０と同等の機能を実現することができる。すなわち、描画装置２２０の制御部２２２は、制御部２１２の入力部２１３、領域指定部２１４、領域合成部２１５、補正処理部２１６、領域削除部２１７、結合部２１８及び出力部２１９と同様に、入力部２２３、領域指定部２２４、領域合成部２２５、補正処理部２２６、領域削除部２２７、結合部２２８及び出力部２２９として機能することができる。よって、描画装置２２０は、マスクデータ処理装置２１０の機能を包含している。
【００２０】
描画装置２２０は、自ら単独で描画用のマスクデータ（削除後結合データ）を生成してもよい。また、描画装置２２０は、マスクデータ処理装置２１０から個々のデータとして送信された削除後データを、結合部２２８により結合して、これを描画用のマスクデータにしてもよい。
【００２１】
次に、本実施形態のマスクデータ処理方法について、その処理の流れについてより詳しく説明する。
図２は、本実施形態に係るマスクデータ処理装置２１０でのマスク処理を示すフローチャートである。
ステップ（以下、単に「Ｓ」とする。）１０では、入力部２１３が設計データの入力を受け付ける。入力部２１３によって入力された設計データは、メイン部ＭＤのデータと、フレーム部ＦＤのデータとの他、フレーム部ＦＤに配置するメイン部ＭＤの配置情報を含む。
Ｓ１１において、領域指定部２１４は、メイン部ＭＤの内部に、第１影響領域ＡＷ１と第２影響領域ＡＷ２とを指定する。その後、制御部２１２は、処理をＳ１３ａ及びＳ１２ｂに移す。
【００２２】
ここで、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２の指定について説明する。
図３は、本実施形態に係る第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を説明するための図である。
後述の補正処理で用いるＭＰＣにおいては、一般的に、マスク製造過程を表す、又は、シミュレーションをするためのモデルを定義する。あるパターンデータのパターンに着目した時、そのパターンの形状と、そのパターンの周辺の他のパターンの形状、密度、その他の近接関係等により、あるパターンを設計通りに製造できるように、制御部２１２は、モデルの内容に従って補正量を算出する。
ＭＰＣの補正計算では、フォトマスク製造の際の、描画、現像、エッチング等の工程において、フォトマスクにパターニングする線幅が、元の設計データからずれる量を、特定の計算モデルを用いて計算し、補正量を算出する。そして、算出した補正量を打ち消すように、設計データの辺や、点を移動させることで、補正処理とする。
【００２３】
補正量は、ある特定のパターンに注目した場合、特定パターン自身の形状や大きさ及びその特定パターン周辺に存在するパターン密度や、パターンの数等に影響を受ける。周辺パターンから影響を受け、線幅が変わる例としては、以下のような影響がある。例えば、電子線描画においては周辺パターンの電子線描画の際の電子の散乱等によるレジストの感光度合の影響である。また、例えば、現像工程においては、現像液の消費量等が周辺に存在するパターンの数や密度に依存するレジスト現像速度の変化による影響である。さらに、例えば、エッチング工程では、周辺に存在するパターンの数や密度に依存して、イオンやラジカルによるエッチング速度の変化及びレジストから生じるエッチング阻害物等によるエッチング速度の変化による影響である。
上記のような影響は、ある一定以上の距離が離れると、影響が無視できるくらいに小さくなる。
【００２４】
そこで、領域指定部２１４は、補正量算出の処理において影響を受ける帯状部分の最大幅（特定距離の幅）を幅Ｌ１として、メイン部ＭＤの最外郭部分に、リング状の幅Ｌ１とする第１影響領域ＡＷ１を指定する。さらに、領域指定部２１４は、第１影響領域ＡＷ１の内側に、第１影響領域ＡＷ１に隣接させて同じ幅Ｌ１の第２影響領域ＡＷ２を指定する。ここで、メイン部ＭＤの内部であって、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を除く領域を、メイン内部領域ＭＤ０とする。
【００２５】
図２に戻り、以降においては、メイン部ＭＤに関する処理と、フレーム部ＦＤに関する処理とを並行して行う。
まず、メイン部ＭＤに関する処理について説明する。
Ｓ１３ａにおいて、補正処理部２１６は、メイン部ＭＤを構成するパターンデータに対してＭＰＣによる補正計算を行う。ここで、補正計算は、フォトマスク製造の際の、描画、現像、エッチング等の工程において近接しているパターンの影響を受けることを補正するためのものである。この処理によって、メイン部ＭＤを構成するパターンデータのうち、第１影響領域ＡＷ１のパターンデータは、本来フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を受ける領域である。他方、第２影響領域ＡＷ２は、フレーム部ＦＤの影響範囲から外れているため、フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を受けない。
【００２６】
Ｓ１４ａにおいて、領域削除部２１７は、補正計算後のメイン部ＭＤから第１影響領域ＡＷ１を削除した削除後メイン領域ＭＤ２を生成する。
図４は、本実施形態に係るメイン部ＭＤに関する処理の例を示す図である。
ここでは、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を指定したメイン部ＭＤに対して補正及び領域削除処理を行った例を示す。
メイン部ＭＤに対して補正処理であるＭＰＣ処理を行うと、上述したように、第１影響領域ＡＷ１は、本来フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を受ける。そのため、削除後メイン領域ＭＤ２は、メイン部ＭＤから第１影響領域ＡＷ１を削除したものになり、メイン内部領域ＭＤ０と、第２影響領域ＡＷ２とからなるものである。
【００２７】
このようにメイン部ＭＤに対して処理をして、削除後メイン領域ＭＤ２を生成することで、生成した削除後メイン領域ＭＤ２のデータは、本来フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を受ける部分を削除したものである。よって、削除後メイン領域ＭＤ２が示すデータは、補正が行われた正確なものになる。
なお、この例では、設計データには、４つのメイン部ＭＤを有するが、それらは同一のパターンデータを有するものであるため、１つのメイン部ＭＤに関する処理を行って、処理後のデータを使用すればよい。
【００２８】
次に、フレーム部ＦＤに関する処理について説明する。
Ｓ１２ｂにおいて、領域合成部２１５は、指定した第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を、フレーム部ＦＤに対して合成して、合成領域Ｈ１を生成する。
図５及び図６は、本実施形態に係るフレーム部ＦＤに関する処理の例を示す図である。
図５では、フレーム部ＦＤに第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を合成する処理の例を示す。
第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２については、メイン部ＭＤで説明したように指定できたので、領域合成部２１５は、フレーム部ＦＤに対してメイン部ＭＤを載置する側に外接するように、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を合成して、合成領域Ｈ１を生成する。つまり、合成領域Ｈ１は、フレーム部ＦＤよりも第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２の分だけ広い領域を有するデータである。
【００２９】
図２に戻り、Ｓ１３ｂにおいて、補正処理部２１６は、合成領域Ｈ１を構成するパターンデータに対してＭＰＣによる補正計算を行う。この処理によって、合成領域Ｈ１を構成するパターンデータのうち、第１影響領域ＡＷ１は、メイン部ＭＤのパターンデータを有するが、フレーム部ＦＤに近接しているため、フレームパターンの影響を受ける。他方、第２影響領域ＡＷ２は、メイン部ＭＤのパターンデータを有するが、フレーム部ＦＤの影響範囲から外れているため、フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を受けない。つまり、第２影響領域ＡＷ２は、第１影響領域ＡＷ１が有するメイン部ＭＤのパターンデータに、フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を反映させるために用いられる領域である。
【００３０】
Ｓ１４ｂにおいて、領域削除部２１７は、補正計算後の合成領域Ｈ１から第２影響領域ＡＷ２を削除した削除後フレーム領域Ｈ２を生成する。
図６では、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を合成後の合成領域Ｈ１に対して補正及び領域削除処理を行った例を示す。
合成領域Ｈ１に対して補正処理であるＭＰＣ処理を行うと、上述したように、第１影響領域ＡＷ１は、フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を受けたものになる。他方、第２影響領域ＡＷ２は、フレーム部ＦＤのパターンデータの影響を受けない。そのため、削除後フレーム領域Ｈ２は、合成領域Ｈ１から第２影響領域ＡＷ２を削除したものになり、フレーム部ＦＤと、第１影響領域ＡＷ１とからなるものである。
【００３１】
なお、上記の処理によって生成された削除後メイン領域ＭＤ２及び削除後フレーム領域Ｈ２のデータは、配置情報と共に、図７に示すように出力データＯＤとして、例えば、記憶部２１１に一時保存される。
【００３２】
このように、本実施形態では、ＳＭＡＳＨ等の処理によって合成された膨大なデータ量のデータを取り扱わずに、１つのメイン部ＭＤより第１影響領域ＡＷ１だけ小さいデータと、フレーム部ＦＤより第１影響領域ＡＷ１だけ大きいデータとを取り扱うことによって、マスクデータを処理できる。
したがって、同一のパターンデータを有するメイン部ＭＤに関しては、複数のメイン部ＭＤの処理を行わずに済み、処理時間の短縮を図ることができると共に、データ量を少なくできる。
【００３３】
また、処理時間がかかるＳＭＡＳＨ等の合成処理を行わないため、更なる処理時間の短縮を図ることができる。
さらに、フレーム部ＦＤに合成された第１影響領域ＡＷ１は、メイン部ＭＤの一部領域であるが、補正処理によりフレーム部ＦＤの影響を反映させたものになるので、ダミーデータ等を使用した場合とは異なり、正確な補正内容が反映されたものになる。
【００３４】
図２に戻り、Ｓ１５において、結合部２１８は、削除後メイン領域ＭＤ２と、削除後フレーム領域Ｈ２とを、配置情報に基づいて結合させる。
結合部２１８（又は結合部２２８）は、削除後メイン領域ＭＤ２と、削除後フレーム領域Ｈ２とを配置するための配置情報にしたがって、各データを配置して、マスクデータを生成する。この生成したマスクデータは、そのままマスク描画用のデータとして用いることができる。
【００３５】
なお、このＳ１５による処理は、マスクデータ処理装置２１０の結合部２１８で行われたものを例に説明したが、必要に応じて、描画装置２２０側の結合部２２８で行われてもよい。その場合には、削除後メイン領域ＭＤ２及び削除後フレーム領域Ｈ２のデータは、不図示の通信回線等を利用して描画装置２２０へ送信される。データの送信中にエラーが生じても、その場合の被害を最小限に抑えることができる。
【００３６】
パターンデータ同士が相互に影響しない程度以上に離れて配置されている場合には、補正処理を行う必要はない。このことを利用して、フレーム部ＦＤに、メイン部ＭＤの一部である第１影響領域ＡＷ１と第２影響領域ＡＷ２とを合成し、第１影響領域ＡＷ１に他のフレームパターンの影響を反映させた状態にする補正処理を行うことで、全体を合成して補正処理を行う処理を回避することができる。その結果として、処理時間がかかり、データ量が大きくなるＳＭＡＳＨ等の合成処理を行わずに、正確なマスタデータを生成することができる。
【００３７】
なお、上述では、メイン部ＭＤに関する処理と、フレーム部ＦＤに関する処理を並行して行ったが、処理の順番は、これに限定されない。第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を指定した後、指定した第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２のフレーム部ＦＤに対する合成処理、メイン部ＭＤ及び合成領域Ｈ１に対する補正処理及び削除処理は、メイン部ＭＤと、フレーム部ＦＤとの処理を並列に行わなくてもよく、例えば、メイン部ＭＤの処理を行った後に、フレーム部ＦＤの処理を行ってもよいし、その逆であってもよい。
【００３８】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の範囲内である。
【００３９】
本実施形態において、メイン部ＭＤの内部に、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を指定するものとして説明した。これに限らず、フレーム部ＦＤのメイン部ＭＤとの境界に、第１影響領域ＡＷ１及び第２影響領域ＡＷ２を順に指定するものとしてもよい。その場合には、フレーム部ＦＤでの処理において、第２影響領域ＡＷ２を残して第１影響領域ＡＷ１を削除し、メイン部ＭＤにおいて第１影響領域ＡＷ１を残して第２影響領域ＡＷ２を削除すればよい。フレーム部ＦＤの内部に、第１影響領域及び第２影響領域を指定するようにすることで、メイン部ＭＤの合成領域が大きくなっても、その分以上にフレーム部ＦＤを少なくできるため、本実施形態よりも、よりデータ量を抑えることができる。
また、メイン部ＭＤのフレーム部ＦＤとの境界に、１つの影響領域を指定し、フレーム部ＦＤのメイン部ＭＤとの境界に、他の１つの影響領域を指定するものであってもよい。その場合には、メイン部ＭＤ及びフレーム部ＦＤで合成領域を生成する必要がある。
【００４０】
本実施形態において、メインデータ領域が４つの例を挙げて説明した。これに限らず、これらの領域の数や配置は、適宜変更可能である。
【００４１】
本実施形態において、設計データには、メインデータ領域と、フレームデータ領域とを含むものを例に説明したが、これに限定されない。例えば、メインデータ領域のみのものであってもよい。その場合には、メインデータ領域同士が隣接している部分があるため、相互に他のメインデータ領域の影響領域を合成する必要がある。
また、本実施形態において、フレームデータ領域は、メインデータ領域に隣接する領域であるものを例に説明したが、これに限定されない。メインデータ領域とフレームデータ領域との間に、これらとは異なる他の領域を挟んで間接的に隣接する構成となっていてもよい。
【００４２】
本実施形態において、幅Ｌ１は、モデルにより定義されたものを用いるものとして説明した。これに限らず、例えば、幅Ｌ１は、他のパターンデータの影響を受ける最大影響範囲に余裕値を付加した距離として設定してもよく、適宜変更可能である。
【００４３】
なお、実施形態及び変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。また、本発明は、以上説明した各実施形態によって限定されることはない。
【符号の説明】
【００４４】
２００  マスクデータ処理システム
２１０  マスクデータ処理装置
２１１  記憶部
２１２  制御部
２１３  入力部
２１４  領域指定部
２１５  領域合成部
２１６  補正処理部
２１７  領域削除部
２１８  結合部
２１９  出力部
２２０  描画装置
２２１  記憶部
２２２  制御部
２２３  入力部
２２４  領域指定部
２２５  領域合成部
２２６  補正処理部
２２７  領域削除部
２２８  結合部
２２９  出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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