(57)【要約】【課題】インプリント材の硬化範囲を適正化しつつ、テンプレートパターンをインプリント材に転写する。【解決手段】光源５を複数設け、これらの複数の光源５は、各々独立に点灯および消灯が可能であり、ショット領域ＳＨの方向に指向性を持ち、ショット領域ＳＨの形状に対応するように点灯される光源５を選択することにより、ショット領域ＳＨ内のインプリントパターン２´が硬化された時にショット領域ＳＨ外のインプリント材２が硬化されないようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々独立に点灯および消灯が可能であり、ショット領域の方向に指向性を持つ紫外線を発生する複数の光源と、
前記点灯される光源の分布を前記ショット領域ごとに制御する光源分布制御部を備えるインプリント装置。
【請求項２】
前記ショット領域の形状に対応して紫外線が照射されるように一斉に点灯される前記光源が選択される請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記光源とテンプレートとの間に配置された縮小投影光学系を備える請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記ショット領域外の未硬化の紫外線硬化樹脂を除去する除去部を備える請求項１から３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
エッチング材上にインプリント材を滴下し、
前記滴下されたインプリント材にテンプレートを押し当てることでインプリントパターンを前記エッチング材上に形成し、
前記テンプレートを介して前記インプリントパターンに紫外線を照射することで前記インプリントパターンを硬化させ、
前記硬化されたインプリントパターンをマスクとして前記エッチング材をエッチングすることでエッチングパターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記紫外線を発生する複数の光源が設けられ、
前記複数の光源は、各々独立に点灯および消灯が可能であり、
前記紫外線はショット領域の方向に指向性を持ち、
前記点灯される光源の分布が前記ショット領域ごとに制御される半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴って、フォトリソグラフィよりも低コスト化が容易なインプリントリソグラフィが用いられることがある。インプリントリソグラフィでは、インプリントパターンを硬化させるために、テンプレートをインプリント材に押し当てたまま、インプリント材に紫外線を照射させる方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１６８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、インプリント材の硬化範囲を適正化しつつ、テンプレートパターンをインプリント材に転写することが可能なインプリント装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、複数の光源と、光源分布制御部を備える。複数の光源は、各々独立に点灯および消灯が可能であり、ショット領域の方向に指向性を持つ紫外線を発生する。光源分布制御部は、前記点灯される光源の分布を前記ショット領域ごとに制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）から図１（ｅ）は、第１実施形態に係るインプリント方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は、第１実施形態に係るインプリント方法のショット領域の一例を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のショット領域に配置されるチップ領域の一例を示す平面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）のウェハＷの端部を拡大して示す断面図である。
【図３】図３（ａ１）は、図２（ａ）のフルショット領域における光源分布の設定方法を示す平面図、図３（ａ２）は、図３（ａ１）の光源分布に対応した硬化後のインプリントパターンを示す平面図、図３（ａ３）は、図３（ａ１）の光源分布に対応したインプリントパターンの硬化方法を示す断面図、図３（ｂ１）は、図２（ａ）の欠けショット領域における光源分布の設定方法を示す平面図、図３（ｂ２）は、図３（ｂ１）の光源分布に対応した硬化後のインプリントパターンを示す平面図、図３（ｂ３）は、図３（ｂ１）の光源分布に対応したインプリントパターンの硬化方法を示す断面図、図３（ｃ１）は、図２（ａ）のフルショット領域とショットレイアウトの異なるフルショット領域における光源分布の設定方法を示す平面図、図３（ｃ２）は、図３（ｃ１）の光源分布に対応した硬化後のインプリントパターンを示す平面図、図３（ｃ３）は、図３（ｃ１）の光源分布に対応したインプリントパターンの硬化方法を示す断面図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係るインプリント方法における光源のその他の配置方法を示す平面図である。
【図５】図５は、第２実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
【図６】図６は、第３実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
【図７】図７は、第４実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
【図８】図８は、第５実施形態に係る光源分布制御プログラムが実行されるハードウェア構成を示すブロック図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｇ）は、第６実施形態に係るインプリントリソグラフィが適用される半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）から図１（ｅ）は、第１実施形態に係るインプリント方法を示す断面図である。
図１（ａ）において、基材１にはショット領域ＳＨが設けられている。そして、滴下部３からインプリント材２を基材１上のショット領域ＳＨに滴下する。基材１は、半導体層であってもよいし、絶縁層であってもよいし、導電層であってもよい。インプリント材２の材料は、例えば、レジスト材を用いることができる。このレジスト材は、例えば、紫外線硬化樹脂を用いることができる。インプリント材２の滴下では、インクジェット法によりインプリント材２を基材１上に吐出させるようにしてもよい。
【０００９】
図１（ｂ）に示すように、テンプレート４には、テンプレートパターン４Ａが設けられている。テンプレートパターン４Ａには凹凸パターンを設けることができる。凹凸パターンの凹部の幅はナノオーダに設定することができる。テンプレート４は、紫外線を透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英を用いることができる。
【００１０】
次に、図１（ｃ）に示すように、テンプレート４をインプリント材２に押し当て、テンプレートパターン４Ａをインプリント材２に転写することでインプリントパターン２´を形成する。ここで、テンプレート４をインプリント材２に押し当てた時、インプリント材２の一部がショット領域ＳＨ外にはみ出している。
【００１１】
次に、図１（ｄ）に示すように、テンプレート４をインプリントパターン２´に押し当てたまま、光源５を点灯させ、インプリントパターン２´に紫外線６を照射することで、インプリントパターン２´を硬化させる。ここで、光源５は複数設けられている。これらの複数の光源５は、各々独立に点灯および消灯が可能である。光源５は、ショット領域ＳＨの方向に指向性を持っている。この時、ショット領域ＳＨ内のインプリントパターン２´が硬化された時にショット領域ＳＨ外のインプリント材２が硬化されないようにすることができる。光源５は、発光ダイオードを用いることができる。そして、インプリントパターン２´が硬化される時に点灯される光源５の分布はショット領域ＳＨごとに制御することができる。この時、ショット領域ＳＨの形状に対応して紫外線６が照射されるように一斉に点灯される光源５を選択することができる。また、ショット領域ＳＨの形状に対応して紫外線６が照射されるように一斉に点灯される光源５を選択する場合、全ての光源５の位置は固定したまま、複数の光源５のうち、どの位置の光源５を点灯させ、どの位置の光源５を消灯させるかを指定することができる。
【００１２】
次に、図１（ｅ）に示すように、テンプレート４をインプリントパターン２´から離間させる。この時、インプリントパターン２´の側方には、未硬化のインプリント材２が残る。この未硬化のインプリント材２は、次のショットのインプリント材として使い回すようにしてもよいし、次のショットの実行前に除去するようにしてもよい。
【００１３】
ここで、ショット領域ＳＨの形状に対応して紫外線６が照射されるように一斉に点灯される光源５を選択することにより、ショット領域ＳＨ内のインプリント材２の硬化にかかるスループットの低下を防止しつつ、ショット領域ＳＨ外にはみ出したインプリント材２が硬化されるのを防止することができる。このため、次のショットの実行時にショット領域ＳＨ外にはみ出したインプリント材２が障害になったり、塵になったりするのを防止することができ、生産性の低下を防止しつつ、インプリントリソグラフィで形成されるインプリントパターン２´の品質を向上させることができる。
【００１４】
図２（ａ）は、第１実施形態に係るインプリント方法のショット領域の一例を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のショット領域に配置されるチップ領域の一例を示す平面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）のウェハＷの端部を拡大して示す断面図である。なお、図２（ｃ）は、図２（ａ）をＥ−Ｅ線に沿って切断した。
【００１５】
図２（ａ）において、ウェハＷにはショット領域ＳＨが設けられている。ショット領域ＳＨは、紫外線照射によりインプリントパターン２´が一度に形成される領域に対応させることができる。ショット領域ＳＨには、フルショット領域Ａおよび欠けショット領域Ｂが設けられている。フルショット領域Ａは、ショット領域ＳＨに対応した全てのテンプレートパターンを転写可能な領域である。
【００１６】
欠けショット領域Ｂは、ショット領域ＳＨに対応したテンプレートパターンの一部が転写不可能な領域を含む領域である。欠けショット領域Ｂは、ウェハＷ外に一部がはみ出している。図２（ｃ）に示すように、ウェハＷは全面に渡って平坦ではなく、ウェハＷの端部には、アール領域ＡＲがある。この時、欠けショット領域Ｂは、フルショット領域Ａからアール領域ＡＲより外の領域を除外した領域に対応させることができる。
【００１７】
図２（ｂ）に示すように、ショット領域ＳＨには、チップ領域ＣＨが設けられている。１つのショット領域ＳＨには、ｘ方向およびｙ方向にチップ領域ＣＨを２×２個だけ配置してもよいし、２×３個だけ配置してもよいし、２×４個だけ配置してもよい。
【００１８】
図３（ａ１）は、図２（ａ）のフルショット領域における光源分布の設定方法を示す平面図、図３（ａ２）は、図３（ａ１）の光源分布に対応した硬化後のインプリントパターンを示す平面図、図３（ａ３）は、図３（ａ１）の光源分布に対応したインプリントパターンの硬化方法を示す断面図、図３（ｂ１）は、図２（ａ）の欠けショット領域における光源分布の設定方法を示す平面図、図３（ｂ２）は、図３（ｂ１）の光源分布に対応した硬化後のインプリントパターンを示す平面図、図３（ｂ３）は、図３（ｂ１）の光源分布に対応したインプリントパターンの硬化方法を示す断面図、図３（ｃ１）は、図２（ａ）のフルショット領域とショットレイアウトの異なるフルショット領域における光源分布の設定方法を示す平面図、図３（ｃ２）は、図３（ｃ１）の光源分布に対応した硬化後のインプリントパターンを示す平面図、図３（ｃ３）は、図３（ｃ１）の光源分布に対応したインプリントパターンの硬化方法を示す断面図である。
【００１９】
なお、図３（ａ３）は、図３（ａ１）および図３（ａ２）をＥ１−Ｅ１線に沿って切断した。図３（ｂ３）は、図３（ｂ１）および図３（ｂ２）をＥ２−Ｅ２線に沿って切断した。図３（ｃ３）は、図３（ｃ１）および図３（ｃ２）をＥ３−Ｅ３線に沿って切断した。
【００２０】
図３（ａ１）から図３（ｃ１）において、光源５がショット領域ＳＨに対応してｘｙ平面内に配置されている。この時、光源５はｘｙ平面内で正方配列することができる。そして、図３（ａ２）および図３（ａ３）に示すように、ショット領域ＳＨ外にインプリント材２がはみ出している。ここで、フルショット領域Ａにおけるインプリントパターン２´を硬化させる時に、ショット領域ＳＨの形状に対応して紫外線６が照射されるように一斉に点灯される光源５を選択することができる。これにより、ショット領域ＳＨ内のインプリント材２の硬化にかかるスループットの低下を防止しつつ、ショット領域ＳＨ外にはみ出したインプリント材２が硬化されるのを防止することができる。
【００２１】
一方、図３（ｂ２）および図３（ｂ３）に示すように、欠けショット領域Ｂにおけるインプリントパターン２´を硬化させる場合、欠けショット領域Ｂの形状に対応して紫外線６が照射されるように一斉に点灯される光源５を選択することができる。これにより、欠けショット領域Ｂ内のインプリント材２の硬化にかかるスループットの低下を防止しつつ、欠けショット領域Ｂ外にはみ出したインプリント材２が硬化されるのを防止することができる。この時、図２（ｃ）のアール領域ＡＲに付着したインプリント材２が硬化されるのを防止することができる。このため、アール領域ＡＲの硬化されたインプリント材２が塵などの発生源になるのを防止することができる。
【００２２】
一方、図３（ｃ３）に示すように、インプリントパターン２´とは異なるインプリントパターン１２´を形成するために、テンプレート４がテンプレート４´に変更されたものとする。テンプレート４´には、テンプレートパターン４Ａ´が設けられている。この時、図３（ｃ１）に示すように、ショット領域ＳＨがショット領域ＳＨ´に変更されたものとする。ショット領域ＳＨ´のサイズはショット領域ＳＨのサイズと異なるものとする。そして、図３（ｃ２）および図３（ｃ３）に示すように、ショット領域ＳＨ´外にインプリント材１２がはみ出している。ここで、ショット領域ＳＨ´におけるインプリントパターン１２´を硬化させる時に、ショット領域ＳＨ´の形状に対応して紫外線６が照射されるように一斉に点灯される光源５を選択することができる。これにより、ショット領域ＳＨ´のレイアウト変更に対応しつつ、ショット領域ＳＨ´外にはみ出したインプリント材１２が硬化されるのを防止することができる。
【００２３】
図４は、第１実施形態に係るインプリント方法における光源のその他の配置方法を示す平面図である。
図４において、光源５がｘｙ平面内で千鳥状に配列されている。この配列方法は、ｘｙ平面内で光源５を最密充填とすることができる。このため、図３（ａ１）から図３（ｃ１）の光源５の配列方法に比べて１つのショット領域ＳＨ内に配置可能な光源５の個数を増加させることができ、ショット領域ＳＨ内で点灯される光源５の分布を高精細化することができる。
【００２４】
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
図５において、インプリント装置には、装置全体を支持する基台２１、ウェハＷを載せるステージ２２、ステージ２２を水平方向に駆動する水平駆動部２３、テンプレート４を垂直方向に駆動する垂直駆動部２４、垂直駆動部２４下でテンプレート４を支持する支持部２５、ウェハＷにインプリント材を滴下する滴下部３、紫外線をウェハＷ上に照射する照射部２７、垂直駆動部２４および滴下部３をウェハＷ上で支持する支持部２８、照射部２７をテンプレート４上で支持する支持部２９、支持部２８をウェハＷ上で支持する支持部３０が設けられている。照射部２７には、複数の光源５が設けられている。
【００２５】
また、インプリント装置には、ナノインプリント動作を制御する制御部３１およびインプリント装置の操作画面や操作状況などを表示する表示部３２が設けられている。制御部３１には、ショットレイアウト情報取得部３１Ａおよび光源分布制御部３１Ｂが設けられている。ショットレイアウト情報取得部３１Ａは、ショットレイアウト情報を取得することができる。ショットレイアウト情報は、ショット領域のサイズや位置に関する情報を含むことができる。光源分布制御部３１Ｂは、ショット領域に紫外線が照射される時に点灯される光源５の分布をショット領域ごとに制御することができる。
【００２６】
そして、ウェハＷがステージ２２上に搬送されると、ステージ２２が水平方向に駆動され、ウェハＷのショット領域が滴下部３下に移動される。そして、インクジェット法などを用いることにより、滴下部３からインプリント材がウェハＷ上に滴下される。１ショット分のインプリント材が滴下されると、テンプレート４が下降されることでインプリント材に押し当てられる。その状態でテンプレート４を介して照射部２７からインプリント材に紫外線が照射されることでインプリント材が硬化され、テンプレート４の凹凸パターンがインプリント材に転写されたインプリントパターンが形成される。この時、光源分布制御部３１Ｂにおいて、ショットレイアウト情報に基づいて、ショット領域の形状に対応して紫外線が照射されるように一斉に点灯される光源５が選択される。これにより、ショット領域内のインプリント材の硬化にかかるスループットの低下を防止しつつ、ショット領域外にはみ出したインプリント材が硬化されるのを防止することができる。
【００２７】
（第３実施形態）
図６は、第３実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
図６のインプリント装置では、図５のインプリント装置に縮小投影光学系３３が設けられている。縮小投影光学系３３は、光源５とテンプレート４との間に配置されている。縮小投影光学系３３は、点灯された光源５の分布を縮小してウェハＷ上に投影することができる。
【００２８】
そして、ウェハＷがステージ２２上に搬送されると、ステージ２２が水平方向に駆動され、ウェハＷのショット領域が滴下部３下に移動される。そして、インクジェット法などを用いることにより、滴下部３からインプリント材がウェハＷ上に滴下される。縮小投影光学系３３にて縮小される１ショット分のインプリント材が滴下されると、テンプレート４が下降されることでインプリント材に押し当てられる。その状態でテンプレート４を介して照射部２７から紫外線が放射される。そして、縮小投影光学系３３にて、点灯された光源５の分布が縮小された後、テンプレート４を介してインプリント材に紫外線が照射されることでインプリント材を硬化され、テンプレート４の凹凸パターンがインプリント材に転写されたインプリントパターンが形成される。
【００２９】
ここで、点灯された光源５の分布を縮小して紫外線をショット領域に照射することにより、光源の分布を高精細化することができ、インプリント材の硬化領域と未硬化領域との境界の精度を向上させることができる。  
【００３０】
（第４実施形態）
図７は、第４実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
図７のインプリント装置では、図５のインプリント装置に除去部３４が設けられている。除去部３４は、未硬化のインプリント材を除去することができる。未硬化のインプリント材を除去するために、例えば、未硬化のインプリント材に洗浄液を吹き付け、未硬化のインプリント材を洗い流すようにしてもよい。
【００３１】
そして、ウェハＷがステージ２２上に搬送されると、ステージ２２が水平方向に駆動され、ウェハＷのショット領域が滴下部３下に移動される。そして、インクジェット法などを用いることにより、滴下部３からインプリント材がウェハＷ上に滴下される。１ショット分のインプリント材が滴下されると、テンプレート４が下降されることでインプリント材に押し当てられる。その状態でテンプレート４を介して照射部２７からインプリント材に紫外線が照射されることでインプリント材が硬化され、テンプレート４の凹凸パターンがインプリント材に転写されたインプリントパターンが形成される。
【００３２】
その後、テンプレート４がインプリントパターンから離間された後、ステージ２２が水平方向に駆動され、未硬化のインプリント材が除去部３４下に移動される。そして、除去部３４から未硬化のインプリント材に洗浄液が吹き付けられることで、今回のショット領域からはみ出した未硬化のインプリント材が除去される。
【００３３】
ここで、今回のショット領域からはみ出した未硬化のインプリント材を除去することにより、その未硬化のインプリント材が次回のショット領域に侵入するのを防止することができる。これにより、今回のショット領域の未硬化のインプリント材が次回のショット領域のインプリント材の分布に影響するのを防止することができ、次回のショット領域のインプリントパターンの寸法精度に影響を与えるのを防止することができる。
【００３４】
（第５実施形態）
図８は、第５実施形態に係る光源分布制御プログラムが実行されるハードウェア構成を示すブロック図である。
図８において、図５の制御部３１には、ＣＰＵなどを含むプロセッサ４１、固定的なデータを記憶するＲＯＭ４２、プロセッサ４１に対してワークエリアなどを提供するＲＡＭ４３、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース４４、外部との通信手段を提供する通信インターフェース４５、プロセッサ４１を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置４６を設けることができ、プロセッサ４１、ＲＯＭ４２、ＲＡＭ４３、ヒューマンインターフェース４４、通信インターフェース４５および外部記憶装置４６は、バス４７を介して接続されている。
【００３５】
なお、外部記憶装置４６としては、例えば、ハードディスクなどの磁気ディスク、ＤＶＤなどの光ディスク、ＳＳＤなどの不揮発性半導体記憶装置、ＵＳＢメモリやメモリカードなどの可搬性半導体記憶装置などを用いることができる。また、ヒューマンインターフェース４４としては、例えば、入力インターフェースとしてキーボードやマウスやタッチパネル、出力インターフェースとしてディスプレイやプリンタなどを用いることができる。また、通信インターフェース４５としては、例えば、インターネットやＬＡＮなどに接続するためのＬＡＮカードやモデムやルータなどを用いることができる。ここで、外部記憶装置４６には、ショットレイアウト情報４６ａが記憶されるとともに、光源分布制御プログラム４６ｂがインストールされている。
そして、光源分布制御プログラム４６ｂがプロセッサ４１にて実行されると、ショットレイアウト情報４６ａが参照されることにより、ショット領域の形状に対応して紫外線が照射されるように一斉に点灯される光源５が選択される。
【００３６】
なお、プロセッサ４１に実行させる光源分布制御プログラム４６ｂは、外部記憶装置４６に格納しておき、プログラムの実行時にＲＡＭ４３に読み込むようにしてもよいし、光源分布制御プログラム４６ｂをＲＯＭ４２に予め格納しておくようにしてもよいし、通信インターフェース４５を介して光源分布制御プログラム４６ｂを取得するようにしてもよい。また、光源分布制御プログラム４６ｂは、スタンドアロンコンピュータに実行させてもよいし、クラウドコンピュータに実行させてもよい。
【００３７】
（第６実施形態）
図９（ａ）から図９（ｇ）は、第６実施形態に係るインプリントリソグラフィが適用される半導体装置の製造方法を示す断面図である。この実施形態では、積層体に段差構造を形成する方法を例にとる。
図９（ａ）において、ショット領域ＳＨＡには、積層体ＴＡが設けられている。積層体ＴＡでは、絶縁層５１、５２が順次積層されている。絶縁層５１の材料は、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。絶縁層５２の材料は、例えば、シリコン窒化膜を用いることができる。なお、積層体ＴＡは、絶縁層５１、５２の積層構造の他、絶縁層と導電層の積層構造であってもよいし、絶縁層と半導体層の積層構造であってもよい。
そして、インプリント材５３を積層体ＴＡ上に滴下する。インプリント材５３の滴下では、インクジェット法によりインプリント材５３を積層体ＴＡ上に吐出させるようにしてもよい。
【００３８】
次に、図９（ｂ）に示すように、ショット領域ＳＨＡ上にテンプレート５４を配置する。テンプレート５４には、段差ＤＡ１〜ＤＡ４が設けられている。テンプレート５４の材料は、例えば、石英を用いることができる。
【００３９】
次に、図９（ｃ）に示すように、テンプレート５４をインプリント材５３に押し当てることにより、積層体ＴＡ上にインプリントパターン５３´を形成する。インプリントパターン５３´では、テンプレート５４の段差ＤＡ１〜ＤＡ４が転写された段差ＤＢ１〜ＤＢ４が設けられている。
【００４０】
次に、図９（ｄ）に示すように、テンプレート５４をインプリントパターン５３´に押し当てたまま、光源５５からインプリントパターン５３´に紫外線５６を照射することで、インプリントパターン５３´を硬化させる。この時、ショット領域ＳＨＡの形状に対応して紫外線５６が照射されるように一斉に点灯される光源５５を選択することができる。これにより、インプリント材５３がショット領域ＳＨＡ外にはみ出した場合においても、そのインプリント材５３が硬化されるのを防止することができる。
【００４１】
次に、図９（ｅ）に示すように、インプリント材５３が硬化された後、テンプレート５４をインプリントパターン５３´から離間させる。そして、インプリントパターン５３´をマスクとした絶縁層５１、５２のエッチングＥＨ１により、積層体ＴＡに段差ＤＣ１を形成する。絶縁層５１、５２のエッチングＥＨ１には、ＣＦ系ガスを用いることができる。
【００４２】
次に、図９（ｆ）に示すように、インプリントパターン５３´のエッチングＥＨ２により、インプリントパターン５３´を薄膜化し、インプリントパターン５３´の最下段層の段差ＤＢ１を消失させる。インプリントパターン５３´のエッチングＥＨ２には、Ｏ２系ガスを用いることができる。
【００４３】
次に、図９（ｇ）に示すように、図９（ｅ）および図９（ｆ）の処理を１段ずつ繰り返すことにより、積層体ＴＡに段差ＤＣ２〜ＤＣ４を形成する。
【００４４】
ここで、インプリントリソグラフィではテンプレート５４の一回の転写で３次元構造の階段形状を形成することができる。このため、３次元構造の階段形状を形成するために、レジストパターンを何度も形成し直す必要がなくなり、コストダウンを図りつつスループットを向上させることができる。なお、３次元構造の階段形状は、３次元的な配線構造に用いることができる。３次元的な配線構造は、３次元構造のＮＡＮＤフラッシュメモリや３次元構造のＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などの不揮発性メモリに用いることができる。
【００４５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
１  基材、２  インプリント材、２´  インプリントパターン、３  滴下部、４  テンプレート５  光源、６  紫外線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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