(57)【要約】【課題】等価直列抵抗が従来よりも小さいキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のキャパシタ１０は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層１２と、誘電体層１２の、陽極１１と反対側に設けられた導電物質製の陰極１３と、誘電体層１２及び陰極１３の間に形成された少なくとも１層の固体電解質層１４とを具備し、固体電解質層１４が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、特定のアジン化合物とを含有する、キャパシタ。【選択図】図１
2018085420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に設けられた少なくとも１層の固体電解質層とを具備し、
前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、下記式（１）で表されるアジン化合物とを含有する、キャパシタ。
【化１】
2018085420.tif 000006
［式（１）中、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は各々独立してＣＨ又はＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は各々独立して水素原子又は任意の置換基であり、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３のうち少なくとも何れか１つはＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つは窒素を有する置換基である。］
【請求項２】
前記固体電解質層は、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の少なくとも一部を覆う第二の固体電解質層と、を有する、請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記第一の固体電解質層は前記アジン化合物を含み、前記第二の固体電解質層は前記導電性複合体を含む、請求項２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記固体電解質層が、前記式（１）に該当しない含窒素化合物をさらに含有する、請求項１〜３の何れか一項に記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記式（１）に該当しない前記含窒素化合物が、イミダゾール、トリエチルアミン、及びトリプロピルアミンから選ばれる何れか１つ以上である、請求項４に記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記式（１）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つはアミノ基である、請求項１〜５の何れか一項に記載のキャパシタ。
【請求項７】
前記π共役系導電性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、請求項１〜６の何れか一項に記載のキャパシタ。
【請求項８】
前記ポリアニオンが、ポリスチレンスルホン酸である、請求項１〜７の何れか一項に記載のキャパシタ。
【請求項９】
弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程と、
前記誘電体層の表面の少なくとも一部に、下記式（１）で表されるアジン化合物を含む溶液を塗布し、乾燥させて、第一の固体電解質層を形成する工程と、
前記第一の固体電解質層の表面の少なくとも一部に、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が分散された導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、第二の固体電解質層を形成する工程と、を有するキャパシタの製造方法。
【化２】
2018085420.tif 000007
［式（１）中、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は各々独立してＣＨ又はＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は各々独立して水素原子又は任意の置換基であり、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３のうち少なくとも何れか１つはＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つは窒素を有する置換基である。］
【請求項１０】
前記溶液及び前記導電性高分子分散液のうち少なくとも一方が、前記式（１）に該当しない含窒素化合物を含む、請求項９に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１１】
前記式（１）に該当しない前記含窒素化合物が、イミダゾール、トリエチルアミン、及びトリプロピルアミンから選ばれる何れか１つ以上である、請求項１０に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１２】
前記式（１）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つはアミノ基である、請求項９〜１１の何れか一項に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１３】
前記π共役系導電性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、請求項９〜１２の何れか一項に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１４】
前記ポリアニオンが、ポリスチレンスルホン酸である、請求項９〜１３の何れか一項に記載のキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、π共役系導電性高分子を含む固体電解質層を備えたキャパシタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
キャパシタにおいては、誘電体層と陰極との間に配置される電解質として、導電性高分子を含む固体電解質層を用いて、等価直列抵抗を小さくしたものが知られている。
導電性高分子を含む固体電解質層としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸を含む導電性高分子分散液から形成したものが使用されることがある（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−６７９４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
導電性高分子分散液を用いて製造された従来のキャパシタには、その等価直列抵抗をさらに小さくすることが求められている。
本発明は、等価直列抵抗が従来よりも小さいキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
［１］  弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に設けられた少なくとも１層の固体電解質層とを具備し、前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、下記式（１）で表されるアジン化合物とを含有する、キャパシタ。
【０００６】
【化１】
2018085420.tif 000003
［式（１）中、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は各々独立してＣＨ又はＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は各々独立して水素原子又は任意の置換基であり、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３のうち少なくとも何れか１つはＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つは窒素を有する置換基である。］
［２］  前記固体電解質層は、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の少なくとも一部を覆う第二の固体電解質層と、を有する、［１］に記載のキャパシタ。
［３］  前記第一の固体電解質層は前記アジン化合物を含み、前記第二の固体電解質層は前記導電性複合体を含む、［２］に記載のキャパシタ。
［４］  前記固体電解質層が、前記式（１）に該当しない含窒素化合物をさらに含有する、［１］〜［３］の何れか一項に記載のキャパシタ。
［５］  前記式（１）に該当しない前記含窒素化合物が、イミダゾール、トリエチルアミン、及びトリプロピルアミンから選ばれる何れか１つ以上である、［４］に記載のキャパシタ。
［６］  前記式（１）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つはアミノ基である、［１］〜［５］の何れか一項に記載のキャパシタ。
［７］  前記π共役系導電性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、［１］〜［６］の何れか一項に記載のキャパシタ。
［８］  前記ポリアニオンが、ポリスチレンスルホン酸である、［１］〜［７］の何れか一項に記載のキャパシタ。
［９］  弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程と、前記誘電体層の表面の少なくとも一部に、前記式（１）で表されるアジン化合物を含む溶液を塗布し、乾燥させて、第一の固体電解質層を形成する工程と、前記第一の固体電解質層の表面の少なくとも一部に、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が分散された導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、第二の固体電解質層を形成する工程と、を有するキャパシタの製造方法。
［１０］  前記溶液及び前記導電性高分子分散液のうち少なくとも一方が、前記式（１）に該当しない含窒素化合物を含む、［９］に記載のキャパシタの製造方法。
［１１］  前記式（１）に該当しない前記含窒素化合物が、イミダゾール、トリエチルアミン、及びトリプロピルアミンから選ばれる何れか１つ以上である、［１０］に記載のキャパシタの製造方法。
［１２］  前記式（１）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つはアミノ基である、［９］〜［１１］の何れか一項に記載のキャパシタの製造方法。
［１３］  前記π共役系導電性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、［９］〜［１２］の何れか一項に記載のキャパシタの製造方法。
［１４］  前記ポリアニオンが、ポリスチレンスルホン酸である、［９］〜［１３］の何れか一項に記載のキャパシタの製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のキャパシタの等価直列抵抗は従来よりも小さく、電子機器の高性能化に資する。
本発明のキャパシタの製造方法によれば、等価直列抵抗が小さいキャパシタを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のキャパシタの一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
《キャパシタ》
本発明のキャパシタの一実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態のキャパシタ１０は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１と、弁金属の酸化物からなる誘電体層１２と、誘電体層１２の表面に形成された固体電解質層１４と、最も表側に設けられた陰極１３とを具備する。
【００１０】
陽極１１を構成する弁金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモンなどが挙げられる。これらのうち、アルミニウム、タンタル、ニオブが好適である。
陽極１１の具体例としては、アルミニウム箔をエッチングして表面積を増加させた後、その表面を酸化処理したものや、タンタル粒子やニオブ粒子の焼結体表面を酸化処理してペレットにしたものが挙げられる。このように処理されたものは表面に凹凸が形成された多孔質体となる。
【００１１】
本実施形態における誘電体層１２は、陽極１１の表面が酸化されて形成された層であり、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液などの電解液中にて、金属体の陽極１１の表面を陽極酸化することで形成されたものである。よって、図１に示すように、陽極１１と同様に誘電体層１２にも凹凸が形成されている。
【００１２】
本実施形態における陰極１３としては、導電性ペーストから形成した導電層やアルミニウム箔など、導電物質製の金属層を使用することができる。
【００１３】
本実施形態における固体電解質層１４は、第一の固体電解質層と、第二の固体電解質層とがこの順で誘電体層１２の表面に積層された構造を有する。第一の固体電解質層は、誘電体層１２の表面の少なくとも一部を覆っており、誘電体層１２の表面の全部を覆っていてもよい。第二の固体電解質層は、第一の固体電解質層の少なくとも一部を覆っており、第一の固体電解質層の全部を覆っていてもよい。第一の固体電解質層が誘電体層１２の一部を覆い、第二の固体電解質層が第一の固体電解質層を覆う構成において、第二の固体電解質層は、第一の固体電解質層に覆われていない誘電体層１２の残部も覆うことが好ましい。
本実施形態では第一の固体電解質層と第二の固体電解質層との境界が明確に分かれている場合について説明するが、その境界が明確に分かれていなくても構わない。
【００１４】
固体電解質層１４の厚さは、一定でもよいし、一定でなくてもよく、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内の厚さが挙げられる。
第一の固体電解質層の厚さｔ１と第二の固体電解質層の厚さｔ２の相対比（ｔ１／ｔ２）は、特に限定されず、例えば、１０／１〜１／１０が挙げられる。
【００１５】
第一の固体電解質層は、後述する式（１）で表されるアジン化合物を含有している。
第二の固体電解質層は、後で詳述するπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体を含有している。
第一の固体電解質層は、前記導電性複合体を含有してもよいし、含有しなくてもよい。
第二の固体電解質層は、後述する式（１）で表されるアジン化合物を含有してもよいし、含有しなくてもよい。
【００１６】
本実施形態の固体電解質層は、下記式（１）で表されるアジン化合物を含有している。
【００１７】
【化２】
2018085420.tif 000004
［式（１）中、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は各々独立してＣＨ又はＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は各々独立して水素原子又は任意の置換基であり、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３のうち少なくとも何れか１つはＮであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも何れか１つは窒素を有する置換基である。］
【００１８】
前記Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３のうち、何れか１つがＮであってもよいし、何れか２つがＮであってもよいし、３つ全てがＮであってもよい。
【００１９】
前記Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の何れかが任意の置換基である場合、その任意の置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、等）、アリール基（例えば、フェニル基等）等が挙げられる。これらの置換基は、さらに別の置換基（例えば、アリルオキシ基、（メタ）アクリロイルオキシ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、エポキシ基、アミノ基、トリアルコキシシリル基等）を有してもよい。
【００２０】
前記Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の何れかが窒素を有する置換基である場合、その置換基はアミノ基であることが好ましい。前記アミノ基を構成する水素原子は、さらに別の置換基によって置換されていてもよい。前記別の置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基；アリル基などのアルケニル基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等のアルコキシアルキル基；（メタ）アクリロイルオキシ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミノ基、トリアルコキシシリル基等が挙げられる。
【００２１】
前記式（１）で表されるアジン化合物の好適な具体例として、例えば、メラミン、アセトグアナミン、２，４，６−［トリス(ビスメトキシメチル) アミノ］−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリアミノピリミジン、２−アミノピリミジン、ｐ−アミノピリジン（４−アミノピリジン）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（ＤＭＡＰ）等が挙げられる。これらのアジン化合物が固体電解質層に含有されていると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなるので好ましい。
【００２２】
第一の固体電解質層の総質量に対するアジン化合物の含有量は、８０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなるので好ましい。
【００２３】
次に、第二の固体電解質層に含有されるπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体について説明する。
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリフェニレン系導電性高分子、ポリフェニレンビニレン系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリアセン系導電性高分子、ポリチオフェンビニレン系導電性高分子、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン類及びポリアニリン系導電性高分子が好ましく、ポリチオフェン系導電性高分子がより好ましい。
【００２４】
ポリチオフェン系導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−エチルチオフェン）、ポリ（３−プロピルチオフェン）、ポリ（３−ブチルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルチオフェン）、ポリ（３−ブロモチオフェン）、ポリ（３−クロロチオフェン）、ポリ（３−ヨードチオフェン）、ポリ（３−シアノチオフェン）、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（３，４−ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジブチルチオフェン）、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エトキシチオフェン）、ポリ（３−ブトキシチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヒドロキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジメトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジエトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジプロポキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジブトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジオクチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−メトキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−エトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルチオフェン）が挙げられる。
【００２５】
ポリピロール系導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルピロール）、ポリ（３−エチルピロール）、ポリ（３−ｎ−プロピルピロール）、ポリ（３−ブチルピロール）、ポリ（３−オクチルピロール）、ポリ（３−デシルピロール）、ポリ（３−ドデシルピロール）、ポリ（３，４−ジメチルピロール）、ポリ（３，４−ジブチルピロール）、ポリ（３−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルピロール）、ポリ（３−ヒドロキシピロール）、ポリ（３−メトキシピロール）、ポリ（３−エトキシピロール）、ポリ（３−ブトキシピロール）、ポリ（３−ヘキシルオキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−ヘキシルオキシピロール）が挙げられる。
【００２６】
ポリアニリン系導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポリ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）が挙げられる。
以上で例示したπ共役系導電性高分子の中でも、導電性、耐熱性の点から、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。
π共役系導電性高分子は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
ポリアニオンとは、アニオン基を有するモノマー単位を、分子内に２つ以上有する重合体である。このポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性を向上させることができる。
ポリアニオンのアニオン基は、スルホ基またはカルボキシ基であることが好ましい。
ポリアニオンの具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）、ポリイソプレンスルホン酸、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリ（４−スルホブチルメタクリレート）、ポリメタクリルオキシベンゼンスルホン酸等のスルホン酸基を有する高分子や、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸）、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等のカルボン酸基を有する高分子が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
これらのポリアニオンのなかでも、導電性をより高くできることから、スルホン酸基を有する高分子が好ましく、ポリスチレンスルホン酸がより好ましい。
ポリアニオンは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ポリアニオンの質量平均分子量は２万以上１００万以下であることが好ましく、１０万以上５０万以下であることがより好ましい。
本明細書における質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。
【００２８】
導電性複合体中の、ポリアニオンの含有割合は、π共役系導電性高分子１００質量部に対して１質量部以上１０００質量部以下の範囲であることが好ましく、１０質量部以上７００質量部以下の範囲であることがより好ましく、１００質量部以上５００質量部以下の範囲であることがさらに好ましい。ポリアニオンの含有割合が前記下限値未満であると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が弱くなる傾向にあり、導電性が不足することがあり、また、導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性が低くなる。一方、ポリアニオンの含有量が前記上限値を超えると、π共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、やはり充分な導電性が得られにくい。
【００２９】
ポリアニオンがπ共役系導電性高分子に配位してドープすることによって導電性複合体が形成される。
ただし、本実施形態におけるポリアニオンにおいては、全てのアニオン基がπ共役系導電性高分子にドープすることはなく、ドープに寄与しない余剰のアニオン基を有するようになっている。
【００３０】
第二の固体電解質層の総質量に対する導電性複合体の含有量は、８０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなるので好ましい。
【００３１】
前記固体電解質層の第一の固体電解質層及び第二の固体電解質層のうち少なくとも一方には、前記式（１）に該当しない含窒素化合物の１種以上がさらに含有されていてもよい。この含窒素化合物が固体電解質層に含まれることによって、キャパシタの等価直列抵抗をさらに低減できることがある。
【００３２】
前記含窒素化合物として、以下のアミン化合物及び窒素含有芳香族性化合物を例示できる。これらのアミン化合物及び窒素含有芳香族性化合物の少なくともどちらか一方が固体電解質層に含まれると、キャパシタの等価直列抵抗をさらに低減できることがある。
アミン化合物は、アミノ基を有する化合物であり、アミノ基が、ポリアニオンのアニオン基と反応する。
アミン化合物としては、１級アミン、２級アミン、３級アミン、４級アンモニウム塩のいずれであってもよい。また、アミン化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アミン化合物は、炭素数２以上１２以下の直鎖、もしくは分岐鎖のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基、炭素数７以上１２以下のアラルキル基、炭素数２以上１２以下のアルキレン基、炭素数６以上１２以下のアリーレン基、炭素数７以上１２以下のアラルキレン基、及び炭素数２以上１２以下のオキシアルキレン基から選択される置換基を有していてもよい。
具体的な１級アミンとしては、例えば、アニリン、トルイジン、ベンジルアミン、エタノールアミン等が挙げられる。
具体的な２級アミンとしては、例えば、ジエタノールアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な３級アミンとしては、例えば、トリエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、トリナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な４級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩、テトラプロピルアンモニウム塩、テトラフェニルアンモニウム塩、テトラベンジルアンモニウム塩、テトラナフチルアンモニウム塩等が挙げられる。アンモニウムの対となる陰イオンとしてはヒドロキシドイオンが挙げられる。
これらアミン化合物のうち、３級アミンが好ましく、トリエチルアミン、トリプロピルアミンがより好ましい。
窒素含有芳香族性化合物としては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、ピロール、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−プロピルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−プロピルイミダゾール、Ｎ−ブチルイミダゾール、１−（２−ヒドロキシエチル）イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、１−アセチルイミダゾール、２−アミノベンズイミダゾール、２−アミノ−１−メチルベンズイミダゾール、２−ヒドロキシベンズイミダゾール、２−（２−ピリジル）ベンズイミダゾール、ピリジン等が挙げられる。
これら窒素含有芳香族性化合物のうち、イミダゾールがより好ましい。
【００３３】
前記固体電解質層には、電解液用溶媒中に電解質を溶解させた電解液が含まれてもよい。電解液の電気伝導度は高いほど好ましい。
電解液用溶媒としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、グリセリン等のアルコール系溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、アセトニトリル、３−メトキシプロピオニトリル等のニトリル系溶媒、水等が挙げられる。
電解質としては、例えば、アジピン酸、グルタル酸、コハク酸、安息香酸、イソフタル酸、フタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、トルイル酸、エナント酸、マロン酸、蟻酸、１，６−デカンジカルボン酸、５，６−デカンジカルボン酸等のデカンジカルボン酸、１，７−オクタンジカルボン酸等のオクタンジカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の有機酸；あるいは、硼酸、硼酸と多価アルコールより得られる硼酸の多価アルコール錯化合物；リン酸、炭酸、ケイ酸等の無機酸などをアニオン成分とし、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン等）、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、メチルエチルアミン、ジフェニルアミン等）、３級アミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７等）、テトラアルキルアンモニウム（テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、メチルトリエチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム等）などをカチオン成分とした電解質；等が挙げられる。
【００３４】
＜作用効果＞
本発明のキャパシタの固体電解質層に前記式（１）で表されるアジン化合物が含有されることによって、静電容量を低下させることなく、キャパシタの等価直列抵抗を従来よりも低減することができる。このメカニズムは未解明であるが、前記アジン化合物が固体電解質層の導電性を向上させることによって、その等価直列抵抗が小さくなったと推測される。
【００３５】
《キャパシタの製造方法》
本発明にかかるキャパシタは、弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程（誘電体形成工程）と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程（陰極形成工程）と、前記誘電体層の表面の少なくとも一部に、前記式（１）で表されるアジン化合物を含む溶液を塗布し、乾燥させて、第一の固体電解質層を形成する工程（第一の固体電解質層形成工程）と、前記第一の固体電解質層の表面の少なくとも一部に、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が分散された導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、第二の固体電解質層を形成する工程（第二の固体電解質層形成工程）と、によって製造することができる。
【００３６】
誘電体層形成工程は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１の表面を酸化して誘電体層１２を形成する工程である。
誘電体層１２を形成する方法としては、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液、ホウ酸アンモニウム水溶液、リン酸アンモニウム水溶液などの化成処理用電解液中にて、陽極１１の表面を陽極酸化する方法が挙げられる。
【００３７】
陰極形成工程は、誘電体層１２に対向する位置に陰極１３を配置する工程である。
陰極１３を配置する方法としては、例えば、カーボンペースト、銀ペースト等の導電性ペーストを用いて陰極１３を形成する方法、アルミニウム箔等の金属箔を誘電体層１２に対向配置させる方法などが挙げられる。
【００３８】
第一の固体電解質層形成工程は、誘電体層１２の表面の少なくとも一部に、前記式（１）で表されるアジン化合物を含む溶液を塗布し、乾燥させて、第一の固体電解質層を形成する工程である。
前記溶液には、前記式（１）に該当しない前記含窒素化合物、後述する添加剤を含有させてもよい。
【００３９】
前記アジン化合物を含む前記溶液を構成する溶媒は、前記アジン化合物を溶解又は分散させ得るもので、前記アジン化合物と反応しないものであれば特に限定されず、例えば、水、有機溶剤、又は、水と有機溶剤との混合液が挙げられる。前記有機溶剤の具体例としては、後述する導電性高分子分散液を構成する有機溶剤と同じものが挙げられる。それらの中でも、前記アジン化合物を安定に塗布できることから、水又は酢酸水溶液が好ましい。
前記酢酸水溶液の酢酸濃度は、例えば、０．０１Ｍ以上１Ｍ以下が好ましく、０．０５Ｍ以上０．５Ｍ以下がより好ましく、０．１Ｍ以上０．３Ｍ以下がさらに好ましい。
【００４０】
前記溶液の総質量に対する前記アジン化合物の含有量は特に限定されず、塗布することが容易な粘度となる含有量が好ましい。具体的には、例えば、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．３質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上３質量％以下がさらに好ましい。
前記溶液が後述する添加剤を含有する場合、その含有量は、添加剤の種類に応じて適宜決められる。具体的には、例えば、前記溶液の総質量に対して、０．０１質量％以上１０質量％以下とすることができる。
【００４１】
前記溶液は常法により調製され、例えば、溶媒に前記アジン化合物及び任意の添加剤を投入して、撹拌及び混合することにより調製される。
【００４２】
前記溶液の塗布方法としては、例えば、浸漬（ディップコーティング）、コンマコーティング、リバースコーティング、リップコーティング、マイクログラビアコーティング等を適用することができる。これらの中でも、誘電体層１２と陰極１３との間に第一の固体電解質層を容易に形成できる観点から、浸漬が好ましい。
乾燥方法としては、例えば、室温乾燥、熱風乾燥、遠赤外線乾燥等が挙げられる。
【００４３】
第二の固体電解質層形成工程は、第一の固体電解質層の表面の少なくとも一部に、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が分散された導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、第二の固体電解質層を形成する工程である。
前段の工程において誘電体１２の表面の一部のみが第一の固体電解質層によって覆われている場合には、第一の固体電解質層に覆われずに残った誘電体１２の表面が第二の固体電解質層によって覆われてもよい。
前記導電性高分子分散液には、前記式（１）に該当しない前記含窒素化合物、後述する添加剤を含有させてもよい。一方、前記導電性高分子分散液に前記式（１）で表されるアジン化合物を添加すると、凝集が発生して塗布し難い状態になる場合があるので、前記アジン化合物を前記導電性高分子分散液に添加しない方がよい。
【００４４】
導電性高分子分散液を構成する分散媒は、前記導電性複合体を分散させ得る液体であれば特に限定されず、例えば、水、有機溶剤、又は、水と有機溶剤との混合液が挙げられる。
有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これら有機溶剤は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、アリルアルコール等が挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロプレングリコールモノメチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル等が挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、ジイソプロピルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン等が挙げられる。
【００４５】
添加剤としては、例えば、界面活性剤、無機導電剤、消泡剤、カップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などが挙げられる。ただし、添加剤は、前記導電性複合体、前記式（１）で表されるアジン化合物及び前記アジン化合物に該当しない前記含窒素化合物以外の化合物である。
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系の界面活性剤が挙げられるが、保存安定性の面からノニオン系が好ましい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのポリマー系界面活性剤を添加してもよい。
無機導電剤としては、金属イオン類、導電性カーボン等が挙げられる。金属イオンは、金属塩を水に溶解させることにより生成させることができる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンオイル等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
【００４６】
導電性高分子分散液の総質量に対する前記導電性複合体の含有量は特に限定されず、塗布することが容易な粘度となる含有量が好ましい。具体的には、例えば、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上３質量％以下がさらに好ましい。
導電性高分子分散液が前記添加剤を含有する場合、その含有割合は、添加剤の種類に応じて適宜決められるが、例えば、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、０．１質量部以上５００質量部以下の範囲内とすることができる。
【００４７】
導電性高分子分散液の調製方法としては、ポリアニオン及び分散媒の存在下、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを酸化重合する方法が挙げられる。前記式（１）に該当しない含窒素化合物及び添加剤の一方又は両方を添加する場合、それらの添加タイミングに特に制限はない。
【００４８】
導電性高分子分散液の塗布方法は、前述した溶液の塗布方法と同様の方法が挙げられる。それらの中でも、第一の固体電解質層と陰極１３との間に第二の固体電解質層を容易に形成できる観点から、浸漬が好ましい。
乾燥方法としては、例えば、室温乾燥、熱風乾燥、遠赤外線乾燥等が挙げられる。
【００４９】
本発明のキャパシタ及びその製造方法は上記の実施形態の例に限定されない。
本発明のキャパシタでは、誘電体層と陰極との間に、セパレータが設けられてもよい。誘電体層と陰極との間にセパレータが設けられたキャパシタとしては、巻回型キャパシタが挙げられる。
セパレータとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデンなどからなるシート（不織布を含む）、ガラス繊維の不織布などが挙げられる。
セパレータの密度は、０．１ｇ／ｃｍ３以上１．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲であることが好ましく、０．２ｇ／ｃｍ３以上０．８ｇ／ｃｍ３以下の範囲であることがより好ましい。
セパレータを設ける場合には、セパレータにカーボンペーストあるいは銀ペーストを含浸させて陰極を形成する方法を適用することもできる。
【実施例】
【００５０】
（製造例１）
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を２０分間滴下し、この溶液を１２時間攪拌した。
得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌ添加し、限外ろ過法によりポリスチレンスルホン酸含有溶液の約１０００ｍｌ溶液を除去し、残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌ溶液を除去した。上記の限外ろ過操作を３回繰り返した。さらに、得られたろ液に約２０００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶液を除去した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得た。
【００５１】
（製造例２）
３，４−エチレンジオキシチオフェン１４．２ｇと、製造例１で得たポリスチレンスルホン酸３６．７ｇとを２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合させた。
これにより得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
そして、得られた溶液に２００ｍｌの１０質量％に希釈した硫酸と２０００ｍｌのイオン交換水とを加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶液を除去し、これに２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
さらに、得られた溶液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶液を除去した。この操作を５回繰り返したのち、高圧分散機を用い、１４０ＭＰａの圧力で分散処理を施して、１．４質量％のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）水分散液（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水分散液）を得た。
【００５２】
（製造例３）
エッチドアルミニウム箔（陽極箔）に陽極リード端子を接続した後、アジピン酸アンモニウム１０質量％水溶液中で８０Ｖの電圧を印加し、化成（酸化処理）して、アルミニウム箔の両面に誘電体層を形成して陽極箔を得た。
次に、陽極箔の両面に、陰極リード端子を溶接させた対向アルミニウム陰極箔を、セルロース製のセパレータを介して積層し、これを円筒状に巻き取ってキャパシタ用素子を得た。
【００５３】
（実施例１）
イオン交換水９９．７質量部にメラミン０．３質量部を溶かしてアジン化合物の水溶液を得た。この水溶液を、製造例３で得たキャパシタ用素子に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により１５分間乾燥し、誘電体層表面上にアジン化合物を含む固体電解質層（第一の固体電解質層）を形成させた。
次いで、アジン化合物を含む固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を製造例２で得たＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により１５分間乾燥し、誘電体層表面上及び第一の固体電解質層上に導電性複合体を含む第二の固体電解質層を形成させた。
さらに、アルミニウム製のケースに、第一及び第二の固体電解質層を形成したキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
【００５４】
（実施例２）
イオン交換水を０．１Ｍ酢酸水溶液に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００５５】
（実施例３）
イオン交換水９９．７質量部を０．１Ｍ酢酸水溶液９９．０質量部に、メラミン０．３質量部を１．０質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００５６】
（実施例４）
イオン交換水９９．７質量部を０．１Ｍ酢酸水溶液９８．７質量部に、メラミン０．３質量部を１．３質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００５７】
（実施例５）
イオン交換水９９．７質量部を９９．９質量部に、メラミン０．３質量部を０．１質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００５８】
（実施例６）
イオン交換水を０．１Ｍ酢酸水溶液に、メラミンをアセトグアナミンに変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００５９】
（実施例７）
イオン交換水９９．７質量部を０．１Ｍ酢酸水溶液９９．９質量部に、メラミン０．３質量部をアセトグアナミン０．１質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６０】
（実施例８）
メラミン０．３質量部を２，４，６−［トリス（ビスメトキシメチル）アミノ］１，３，５−トリアジン０．３質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６１】
（実施例９）
イオン交換水９９．７質量部を９９．０質量部に、メラミン０．３質量部を２，４，６−［トリス（ビスメトキシメチル）アミノ］１，３，５−トリアジン１．０質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６２】
（実施例１０）
メラミン０．３質量部を２，４，６−トリアミノピリミジン０．３質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６３】
（実施例１１）
メラミン０．３質量部を２−アミノピリミジン０．３質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６４】
（実施例１２）
メラミン０．３質量部をｐ−アミノピリジン（４−アミノピリジン）０．３質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６５】
（実施例１３）
メラミン０．３質量部をＮ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．３質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６６】
（実施例１４）
アジン化合物の水溶液を、イオン交換水９９．６質量部にメラミン０．３質量部及びイミダゾール０．１質量部を溶かして得たアジン化合物の水溶液に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６７】
（実施例１５）
アジン化合物の水溶液を、イオン交換水９９．６質量部にメラミン０．３質量部及びトリエチルアミン０．１質量部を溶かして得たアジン化合物の水溶液に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６８】
（実施例１６）
アジン化合物の水溶液を、イオン交換水９９．６質量部にメラミン０．３質量部及びトリプロピルアミン０．１質量部を溶かして得たアジン化合物の水溶液に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００６９】
（比較例１）
メラミン０．３質量部をイミダゾール０．３質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００７０】
（比較例２）
イオン交換水９９．７質量部を９９．９質量部に、トリエチルアミン０．１質量部に変更した他は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００７１】
（比較例３）
メラミンを含まなかった以外は、実施例１と同様にして、キャパシタを得た。
【００７２】
（比較例４）
メラミンを含まなかった以外は、実施例２と同様にして、キャパシタを得た。
【００７３】
（実施例１７）
イオン交換水９９．７質量部にメラミン０．３質量部を溶かしてアジン化合物の水溶液を得た。この水溶液を、製造例３で得たキャパシタ用素子に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により１５分間乾燥し、誘電体層表面上にアジン化合物を含む固体電解質層（第一の固体電解質層）を形成させた。
次いで、製造例２で得たＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水分散液１００質量部にイミダゾール０．０５質量部を加えて含窒素化合物を含むＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水分散液を調製した。
アジン化合物を含む固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子に、含窒素化合物を含むＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水分散液を減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により１５分間乾燥し、誘電体層表面上及び第一の固体電解質層上に導電性複合体を含む第二の固体電解質層を形成させた。
さらに、アルミニウム製のケースに、第一及び第二の固体電解質層を形成したキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
【００７４】
（実施例１８）
イミダゾール０．０５質量部を０．１質量部に変更した他は、実施例１７と同様にして、キャパシタを得た。
【００７５】
（実施例１９）
イミダゾール０．０５質量部を０．２５質量部に変更した他は、実施例１７と同様にして、キャパシタを得た。
【００７６】
（実施例２０）
イミダゾール０．０５質量部をトリエチルアミン０．０５質量部に変更した他は、実施例１７と同様にして、キャパシタを得た。
【００７７】
（実施例２１）
イミダゾール０．０５質量部をトリエチルアミン０．１質量部に変更した他は、実施例１７と同様にして、キャパシタを得た。
【００７８】
（実施例２２）
イミダゾール０．０５質量部をトリプロピルアミン０．０５質量部に変更した他は、実施例１７と同様にして、キャパシタを得た。
【００７９】
（実施例２３）
イミダゾール０．０５質量部をトリプロピルアミン０．１質量部に変更した他は、実施例１７と同様にして、キャパシタを得た。
【００８０】
＜評価＞
得られた各例のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗を測定した。１２０Ｈｚでの静電容量、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ）の測定結果を表１に示す。
【００８１】
【表１】
2018085420.tif 000005
【００８２】
前記式（１）で表されるアジン化合物を含む第一の固体電解質層をキャパシタ素子の誘電体表面に形成した実施例１〜１３では、得られたキャパシタが充分な静電容量を有しつつ、等価直列抵抗が充分に小さかった。
上記アジン化合物を含有しない第一の固体電解質層をキャパシタ素子の誘電体表面に形成した比較例１〜４では、得られたキャパシタの等価直列抵抗が大きかった。
【００８３】
実施例１４〜１６では、前記式（１）で表されるアジン化合物だけでなく、前記式（１）に該当しない含窒素化合物も合わせて含む第一の固体電解質層をキャパシタ素子の誘電体表面に形成した。その結果、得られたキャパシタの静電容量が増加し、等価直列抵抗がより小さくなる傾向が確認された。
実施例１７〜２３では、導電性複合体のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳだけでなく、前記式（１）に該当しない含窒素化合物を添加した第二の固体電解質層を、誘電体層を覆う第一の固体電解質層の上に形成した。その結果、得られたキャパシタの静電容量が増加し、等価直列抵抗がより小さくなる傾向が確認された。
【符号の説明】
【００８４】
１０  キャパシタ
１１  陽極
１２  誘電体層
１３  陰極
１４  固体電解質層
【図１】
2018085420.tif 000008