(57)【要約】      （修正有）【課題】基板全体の均一な温度を実現するために、周囲の構成要素から熱的に隔離されたシャワーヘッドモジュールを備えた化学蒸着チャンバを提供する。【解決手段】化学蒸着チャンバ１００は、半導体基板１９０を処理するためのウエハ空洞１５０にリアクタ化学物質を供給するためのガス流入口を備えたフェースプレート１３６を有するシャワーヘッドモジュール１３０を備える。不活性ガス供給部が、ガスシールを形成するために少なくとも部分的にシャワーヘッドモジュール１３０の段と台座モジュール１４０との間のギャップを通して半径方向内向きに流れるシールガスを供給する。【選択図】図１Ａ
2018110221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスシールを有する化学蒸着チャンバであって、
シャワーヘッドモジュールと、フェースプレートの下のウエハ空洞内で半導体基板を支持するよう構成された台座モジュールと、
プロセスガスを前記ウエハ空洞に供給するよう構成された前記フェースプレートのガス流入口と、
反応ガス化学物質および不活性ガスを前記ウエハ空洞から除去するよう構成された一次排気流出口と、
前記ウエハ空洞の外周にある環状段と、前記環状段と前記台座モジュールとの間のギャップ内にガスシールを形成するために不活性シールガスを供給するよう構成された不活性ガス供給部と、
前記一次排気流出口の半径方向外側に配置され、前記ギャップを半径方向内向きに流れる前記不活性ガスの少なくとも一部を除去するよう構成された二次排気流出口と
を備える化学蒸着チャンバ。
【請求項２】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記ガス流入口は、前記フェースプレートの内側部分に配置され、前記一次排気流出口は、前記フェースプレートの外側部分に配置される化学蒸着チャンバ。
【請求項３】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記一次排気流出口および前記二次排気流出口は、前記環状段の下面に配置される化学蒸着チャンバ。
【請求項４】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、さらに、前記フェースプレートを囲む隔離リングを備え、前記環状段は、前記隔離リングの下側部分を含む化学蒸着チャンバ。
【請求項５】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記一次排気流出口は、真空圧の供給源に接続された圧力制御スロットルバルブと流体連通する化学蒸着チャンバ。
【請求項６】
請求項５に記載の化学蒸着チャンバであって、前記二次排気流出口は、一定の真空圧の供給源と流体連通する化学蒸着チャンバ。
【請求項７】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記ギャップは、前記ウエハ空洞の外縁から前記環状段の外縁までの約５．０ｍｍ〜２５．０ｍｍの幅を有する化学蒸着チャンバ。
【請求項８】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記一次排気流出口は、前記フェースプレートを囲む隔離リング内にあり、前記隔離リングは、前記隔離リングと前記シャワーヘッドモジュールのバッキングプレートの外周との間の環状プレナムと連通する一次排気通路を備える化学蒸着チャンバ。
【請求項９】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記二次排気流出口は、前記フェースプレートを囲む隔離リング内にあり、前記隔離リングは、内側リングおよび外側リングを備え、二次排気通路が、前記内側リングの外面と前記外側リングの内面との間の環状プレナムと連通する化学蒸着チャンバ。
【請求項１０】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記不活性ガス供給部は、前記シャワーヘッドモジュールのバッキングプレート内の環状プレナムを備え、前記バッキングプレートは、前記環状プレナムから半径方向外向きに伸びて前記バッキングプレートの外周上のシールガス流出口と流体連通するシールガス通路を備える化学蒸着チャンバ。
【請求項１１】
請求項１に記載の化学蒸着チャンバであって、前記台座モジュールは、前記ウエハ空洞内に前記半導体基板を配置するために垂直上方に移動可能であり、基板台座に前記半導体基板をロードおよびアンロードするための位置へ下方に移動可能である化学蒸着チャンバ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の化学蒸着チャンバであって、少なくとも１つの排気通路が、前記台座モジュール内に配置されており、前記少なくとも１つの排気通路は、前記ウエハ空洞の半径方向外側に配置され、前記ギャップに供給された前記不活性ガスの少なくとも一部を除去するよう構成されている化学蒸着チャンバ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の化学蒸着チャンバであって、前記少なくとも１つの排気通路は、環状流路を備える化学蒸着チャンバ。
【請求項１４】
請求項４に記載の化学蒸着チャンバであって、
（ａ）前記隔離リングは、前記隔離リングの内面に不活性ガス供給口を備え、不活性ガス供給通路が、不活性ガス供給口から半径方向外向きに伸び、前記不活性ガス供給通路は、前記環状段の前記下面まで垂直下向きに伸び、
（ｂ）前記一次排気流出口は、前記隔離リングの前記内面の下側部分に配置され、一次排気通路が、前記一次排気流出口から上向きに伸び、前記一次排気通路は、前記内面において前記不活性ガス供給口の下の位置にある開口部まで水平に伸び、
（ｃ）前記二次排気流出口は、前記隔離リングの下面に配置され、二次排気通路が、前記二次排気流出口から前記隔離リングの外面の開口部まで伸びる化学蒸着チャンバ。
【請求項１５】
化学蒸着チャンバのウエハ空洞から漏れないように反応ガス化学物質を閉じ込めるための方法であって、
（ａ）台座モジュール上に半導体基板を支持する工程と、
（ｂ）シャワーヘッドモジュールのフェースプレートのガス流入口を通してプロセスガスを流す工程と、
（ｃ）一次排気流出口を介して前記ウエハ空洞からガスを引き出す工程と、
（ｄ）前記シャワーヘッドモジュールの段下面にあるシールガス流出口を通して不活性ガスを流すことによって、前記段と前記台座モジュールとの間のギャップにガスシールを維持する工程と、
（ｅ）二次排気流出口を介して、前記ギャップを半径方向内向きに流れる前記不活性ガスの少なくとも一部を引き出す工程と
を備える方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記一次排気流出口は、圧力制御スロットルバルブと流体連通し、前記二次排気流出口は、前記圧力制御スロットルバルブの下流の真空源と流体連通する方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記不活性ガスは、一定の流量で前記ギャップに供給される方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
約１００より大きいペクレ数で、前記不活性シールガスを前記ギャップ内に流す工程を備える方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法であって、
化学蒸着、プラズマ強化化学蒸着、原子層蒸着、プラズマ強化原子層蒸着、パルス層蒸着、および／または、プラズマ強化パルス蒸着を含む処理の内の少なくとも１つを用いて、前記半導体基板上に層を蒸着する工程を備える方法。
【請求項２０】
請求項１５に記載の方法であって、
約１００ｃｃ／分から約５．０ｓｌｍ（標準リットル毎分）で、前記不活性シールガスを前記ギャップに供給する工程を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学蒸着およびプラズマ強化化学蒸着を行なうための装置および処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
エッチング、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）、プラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）、パルス蒸着層（ＰＤＬ）、プラズマ強化パルス蒸着層（ＰＥＰＤＬ）処理、および、レジスト除去などの技術によって半導体基板を処理するために、プラズマ処理装置を用いることができる。例えば、プラズマ処理に用いられるプラズマ処理装置の１つのタイプは、上側および下側電極を収容する反応チャンバまたは蒸着チャンバを備える。プロセスガスをプラズマ状態に励起して、反応チャンバ内で半導体基板を処理するために、高周波（ＲＦ）電力が電極間に印加される。
【発明の概要】
【０００３】
一実施形態によれば、ガスシールを有する化学蒸着チャンバが、シャワーヘッドモジュールと、フェースプレートの下のウエハ空洞内で半導体基板を支持するよう構成された台座モジュールとを備える。フェースプレートは、プロセスガスをウエハ空洞に供給するよう構成された複数のガス流入口を備える。シャワーヘッドモジュールは、反応ガス化学物質および不活性ガスをウエハ空洞から除去するよう構成された一次排気流出口を備える。シャワーヘッドモジュールは、ウエハ空洞の外周にある段と、段および台座モジュールの間のギャップ内にガスシールを形成するために不活性ガスを供給するよう構成された不活性ガス供給部とを備える。シャワーヘッドモジュールは、主要排気流出口の半径方向外側に配置された二次排気流出口を備え、二次排気流出口は、ギャップを半径方向内向きに流れる不活性ガスの少なくとも一部を除去するよう構成されている。
【０００４】
別の実施形態によれば、上述の化学蒸着チャンバのウエハ空洞から漏れないように反応ガス化学物質を閉じ込めるための方法が以下の工程を備える：（ａ）台座モジュール上に半導体基板を支持する工程と；（ｂ）フェースプレートのガス流入口を通してプロセスガスを流す工程と；（ｃ）一次排気流出口を介してウエハ空洞からガスを引き出す工程と；（ｄ）不活性ガス供給部を通して不活性ガスを流すことによって、段と台座モジュールとの間のギャップにガスシールを維持する工程と；（ｅ）二次排気流出口を介して、ギャップを半径方向内向きに流れる不活性ガスの少なくとも一部を引き出す工程。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】代表的な実施形態に従って、台座を備えた化学蒸着装置を示す概略図。
【０００６】
【図１Ｂ】代表的な実施形態に従って、台座を備えない化学蒸着装置を示す概略図。
【０００７】
【図２】代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステムを示す断面図。
【０００８】
【図３】代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステムを示す断面図。
【０００９】
【図４】代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステムを示す断面図。
【００１０】
【図５】代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステムを示す断面図。
【００１１】
【図６】代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステムを示す断面図。
【００１２】
【図７】代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステムを示す概略図。
【００１３】
【図８】代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステムについて圧力およびバルブ角度−時間を示すグラフ。
【００１４】
【図９】シールガス構成と、フェースプレートの外周にある主要排気流出口とを有するシャワーヘッドモジュール内のガスの流れを示す図。
【００１５】
【図１０】ガスシール構成と、フェースプレートの外周にある主要排気流出口と、主要排気流出口の外側かつシールガス流入口の内側にある二次排気流出口とを有するシャワーヘッドモジュール内のガスの流れを示す図。
【００１６】
【図１１】主要排気流出口および二次排気流出口を有するシャワーヘッドモジュールについてガスの流れを示す図。
【００１７】
【図１２】内側リングの下面にシールガス流出口を備えると共に内側リングの内面に二次排気流出口を備えたツーピース隔離リングを有するシャワーヘッドモジュールを示す図。
【００１８】
【図１３】内側リングがシャワーヘッドモジュールのフェースプレートおよびバッキングプレートの周りに嵌まる様子を示す図。
【００１９】
【図１４】シャワーヘッドモジュールの上部プレート内の二次排気通路に接続するガス接続を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下の詳細な開示では、本明細書に開示された装置および方法の理解を与えるために、代表的な実施形態について説明する。ただし、当業者にとって明らかなように、代表的な実施形態は、これらの具体的な詳細事項なしに実施されてもよいし、別の要素または処理を用いて実施されてもよい。また、本明細書に開示した実施形態の態様を不必要に不明瞭にしないように、周知の処理、手順、および／または、構成要素については、詳細に説明していない。
【００２１】
代表的な実施形態によると、本明細書に開示された装置および関連方法は、プラズマ強化化学蒸着などの化学蒸着に利用できる。装置および方法は、複数工程の蒸着処理（例えば、原子層蒸着（ＡＬＤ）、プラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）、パルス蒸着層（ＰＤＬ）、または、プラズマ強化パルス蒸着層（ＰＥＰＤＬ）処理）における自己制限的な蒸着工程の分離を必要とする半導体加工ベースの誘電体蒸着処理と共に用いることができるが、それらに限定されない。
【００２２】
上述のように、本実施形態は、プラズマ強化化学蒸着などの化学蒸着を行なうための装置および関連方法を提供する。装置および方法は、複数工程の蒸着処理（例えば、原子層蒸着（ＡＬＤ）、プラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、パルス蒸着層（ＰＤＬ）、プラズマ強化パルス蒸着層（ＰＥＰＤＬ）処理）における自己制限的な蒸着工程の分離を必要とする半導体加工ベースの誘電体蒸着処理との併用に特に適用可能であるが、これらに限定されない。
【００２３】
上述の処理は、蒸着材料を受け入れるウエハまたは基板にわたる不均一な温度に関連したいくつかの欠点を持ちうる。例えば、不均一な温度は、周囲のチャンバ構成要素と熱接触する受動的に加熱されたシャワーヘッドが周囲の構成要素に熱を奪われる時に、基板にわたって生じうる。したがって、処理領域の上壁を形成するシャワーヘッドは、等温の処理領域を形成することによって基板全体の均一な温度を実現できるように、周囲の構成要素から熱的に隔離されていることが好ましい。基板全体の均一な温度は、基板の均一な処理の助けになり、基板温度は、蒸着処理のための活性化エネルギを提供するため、蒸着反応を駆動する制御手段である。
【００２４】
さらに、一般には、２つの主要なタイプの蒸着シャワーヘッド、すなわち、シャンデリアタイプおよび埋め込みタイプがある。シャンデリア型シャワーヘッドは、チャンバの上部に取り付けられたステムを一端に有し、フェースプレートを他端に有しており、シャンデリアのように見える。ステムの一部が、ガスラインおよびＲＦ電力の接続を可能にするために、チャンバ上部から突出していてよい。埋め込み型シャワーヘッドは、チャンバ上部に一体化されており、ステムを持たない。本実施形態は、埋め込み型シャワーヘッドに関し、埋め込み型シャワーヘッドは、処理中に真空源によって排気される必要のあるチャンバ空間を減少させる。
【００２５】
図１Ａおよび図１Ｂは、本明細書に開示された実施形態に従って、化学蒸着装置１００を示す概略図である。図１Ａおよび図１Ｂに示すように、化学装置は、化学的隔離チャンバまたはハウジング１１０、蒸着チャンバ１２０、シャワーヘッドモジュール１３０、および、移動台座モジュール１４０を備えており、台座モジュール１４０は、台座モジュール１４０の上面の基板（またはウエハ）１９０の位置を上下させるためにシャワーヘッドモジュール１３０に対して垂直に上下されうる。シャワーヘッドモジュール１３０も、垂直に上下されうる。反応物質ガス（すなわち、プロセスガス）１９２（図３）が、ガスライン１１２を介してシャワーヘッドモジュール１３０の中央プレナム２０２（図６）を通してサブチャンバ（すなわち、ウエハ空洞）１５０内に導入される。ガスライン１１２の各々は、対応するアキュムレータ（図示せず）を有してよく、アキュムレータは、隔離バルブ（図示せず）を用いて装置１００から隔離されうる。代表的な実施形態によると、装置１００は、利用される反応ガスの数に応じて、隔離バルブおよびアキュムレータを備えた１または複数のガスライン１１２を有するよう変形されうる。また、反応ガス供給ライン１１２は、複数の化学蒸着装置の間またはマルチステーションシステムの間で共有できる。
【００２６】
代表的な実施形態によると、チャンバ１２０は、真空源（図示せず）に接続された１または複数の真空ライン１６０（図２）を通して排気されうる。例えば、真空源は、真空ポンプ（図示せず）であってよい。マルチステーションリアクタ（例えば、同じ蒸着処理を実行する複数のステーションすなわち装置１００を有するリアクタ）において、別のステーションからの真空ライン１６０が、真空ライン１６０と共通のフォアラインを共有してよい。さらに、装置１００は、ステーションすなわち装置１００ごとに１または複数の真空ライン１６０を有するよう変形されてもよい。
【００２７】
代表的な実施形態によると、複数の排気導管１７０が、シャワーヘッドモジュール１３０のフェースプレート１３６内の１または複数の排気流出口１７４と流体連通するよう構成されうる。排気流出口１７４は、蒸着処理の合間にウエハ空洞１５０からプロセスガスすなわちリアクタ化学物質１９２を除去するよう構成されうる。複数の排気導管１７０は、１または複数の真空ライン１６０とも流体連通している。排気導管１７０は、基板１９０の周りで円周方向に離間されてよく、均等に離間されてよい。いくつかの例において、複数の導管１７０の間隔は、真空ライン１６０の位置を補うように設計されてよい。一般に、真空ライン１６０の方が複数の導管１７０よりも数が少ないので、真空ライン１６０に最も近い導管１７０を通る流量が、より離れた導管よりも高くなりうる。円滑な流れのパターンを確保するために、真空ライン１６０から離れるほど、導管１７０の間隔を近くしてよい。可変のフローコンダクタを備える複数の導管１７０を備えた化学蒸着装置１００の代表的な実施形態については、同一出願人による米国特許第７，９９３，４５７号に見いだすことができ、その特許は、参照によって全体が本明細書に組み込まれる。
【００２８】
本明細書に開示された実施形態は、プラズマ強化化学蒸着装置（例えば、ＰＥＣＶＤ装置、ＰＥＡＬＤ装置、または、ＰＥＰＤＬ装置）で実施されることが好ましい。かかる装置は、様々な形態を取ってよく、装置は、１または複数の基板１９０を収容すると共に基板処理に適した１または複数のチャンバすなわち「リアクタ」１１０を備えてよく、チャンバは、上述したように複数のステーションまたは蒸着チャンバ１２０を含みうる。各チャンバ１２０は、処理のために１または複数の基板を収容しうる。１または複数のチャンバ１２０は、１または複数の所定の位置に基板１９０を維持する（例えば、回転、振動、または、その他の運動など、その位置内での運動があってもなくてもよい）。一実施形態では、蒸着および処理を受けている基板１９０が、処理中に装置１００内部の１つのステーション（例えば、蒸着チャンバ１２０）から別のステーションに搬送されうる。処理中に、各基板１９０は、台座モジュール１４０の台座、ウエハチャック、および／または、その他のウエハ保持装置によって所定の位置に保持される。基板１９０が加熱される特定の動作のために、台座モジュール１４０は、加熱プレートなどのヒータを備えてよい。
【００２９】
図２は、代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステム２００を有する化学蒸着装置１００を示す断面図である。図２に示すように、化学蒸着装置１００は、基板台座モジュール１４０を備えており、基板台座モジュール１４０は、半導体基板（またはウエハ）を受ける、および／または、台座モジュール１４０の上面１４２から基板１９０を降ろすよう構成されている。下側位置において、基板１９０は、台座モジュール１４０の表面１４２上に配置され、その後、台座モジュール１４０は、シャワーヘッドモジュール１３０に向かって垂直上方に持ち上げられる。代表的な実施形態によると、台座モジュール１４０の上面１４２とシャワーヘッドモジュール１３０の下面１３２との間の距離は、ウエハ空洞１５０を形成しており、約０．２インチ（５ミリメートル）から約０．６インチ（１５ミリメートル）であってよい。ウエハ空洞１５０を閉じるための台座モジュール１４０の上向きの垂直運動は、台座モジュール１４０と、シャワーヘッドモジュール１３０のフェースプレート１３６（図１Ａおよび図１Ｂ）の外側部分１３１の周りの段１３５との間に、狭いギャップ２４０を作り出す。
【００３０】
代表的な実施形態において、チャンバ１２０内の温度は、シャワーヘッドモジュール１３０および／または台座モジュール１４０内の加熱メカニズムによって維持されうる。例えば、基板１９０は、等温環境内に配置されることが可能であり、シャワーヘッドモジュール１３０および台座モジュール１４０は、基板１９０を所望の温度に維持するよう構成されている。代表的な実施形態において、シャワーヘッドモジュール１３０は、２５０℃より高い温度に加熱されうる、および／または、台座モジュール１４０は、５０℃から５５０℃の範囲に加熱されうる。蒸着チャンバすなわち空洞１５０は、台座モジュール１４０と連動するシャワーヘッドモジュール１３０を備えた容量結合プラズマ型のシステムによって生成されたプラズマを収容するよう機能する。
【００３１】
整合回路網（図示せず）に接続された高周波（ＨＦ）ＲＦ発生器、および、低周波（ＬＦ）ＲＦ発生器など、１または複数のＲＦ源（図示せず）が、シャワーヘッドモジュール１３０に接続されている。整合回路網によって供給された電力および周波数は、プロセスガス／蒸気からプラズマを生成するのに十分である。一実施形態において、ＨＦ発生器およびＬＦ発生器の両方を用いることができる。典型的な処理において、ＨＦ発生器は、一般に約２〜１００ＭＨｚの周波数で動作され、好ましい実施形態では１３．５６ＭＨｚで動作される。ＬＦ発生器は、一般に約５０ｋＨｚから２ＭＨｚで動作され、好ましい実施形態では３５０〜６００ｋＨｚで動作される。プロセスパラメータは、チャンバ体積、基板サイズ、および、その他の要素に基づいて増減されてよい。例えば、ＬＦ発生器およびＨＦ発生器の電力出力は、通例、基板の蒸着表面積に正比例する。３００ｍｍのウエハに用いられる電力は、一般に、２００ｍｍのウエハに用いられる電力よりも少なくとも２．２５高い。同様に、流量（例えば、標準蒸気圧など）は、蒸着チャンバ１２０のフリー容量に依存しうる。
【００３２】
蒸着チャンバ１２０内で、台座モジュール１４０は、材料を蒸着できる基板１９０を支持する。台座モジュール１４０は、通例、蒸着および／またはプラズマ処理反応の間および合間に基板を保持および搬送するために、チャック、フォーク、または、リフトピンを備える。台座モジュール１４０は、制電チャック、機械式チャック、または、工業および／または研究に利用できる様々な他のタイプのチャックを備えてよい。台座モジュール１４０は、所望の温度に基板１９０を加熱するためのヒータブロックと結合されてよい。一般に、基板１９０は、蒸着される材料に応じて、約２５℃から５００℃の温度に維持される。
【００３３】
代表的な実施形態によると、ガスベースのシーリングシステム２００は、プロセス物質またはパージガスを流す間にウエハ空洞１５０から出る流れを制御および調節するのに役立つよう構成できる。代表的な実施形態によると、ウエハ空洞１５０の排気またはパージは、不活性ガスすなわちパージガス（図示せず）を利用し、ガスは、シャワーヘッドモジュール１３０を通してウエハ空洞１５０に供給される。代表的な実施形態によると、１または複数の導管１７０が、環状排気通路１７６を介して真空ライン１６０に接続されてよく、環状排気通路１７６は、台座モジュール１４０の下の領域から不活性シールガス１８２（図２）を除去するよう構成されている。
【００３４】
代表的な実施形態によると、シャワーヘッドモジュール１３０は、ウエハ空洞（すなわち、反応チャンバ）１５０にリアクタ化学物質を供給するよう構成されている。シャワーヘッドモジュール１３０は、複数の流入口すなわち貫通孔１３８を有するフェースプレート１３６と、バッキングプレート１３９とを備えうる。代表的な実施形態によると、フェースプレート１３６は、複数の流入口すなわち貫通孔１３８と、フェースプレート１３６の外周１３７の周りに伸びる段１３５とを有する単一のプレートであってよい。あるいは、段１３５は、別個のリング１３３であってもよく、フェースプレート１３６の外側部分１３１の下面に固定される。例えば、段１３５は、ねじ１４３でフェースプレート１３６の外側部分１３１に固定できる。同心の排気流出口１７４を有するフェースプレート１３６を備えたプロセスガス分散用のシャワーヘッドモジュール１３０の代表的な実施形態については、同一出願人による米国特許第５，６１４，０２６号に見いだすことができ、その特許は、参照によって全体が本明細書に組み込まれる。例えば、代表的な実施形態によると、排気流出口１７４は、複数の流入口１３８を取り囲む。
【００３５】
代表的な実施形態によると、ウエハ空洞１５０は、シャワーヘッドモジュール１３０のフェースプレート１３６の下面１３２および基板台座モジュール１４０の上面１４２の間に形成される。シャワーヘッドモジュール１３０のフェースプレート１３６内にある複数の同心の排気導管すなわち排気流出口１７４は、蒸着処理の合間にプロセスガスすなわちリアクタ化学物質１９２をウエハ空洞１５０から除去するために、複数の導管１７０の内の１または複数と流体連通されてよい。
【００３６】
図２に示すように、装置１００は、さらに、不活性ガスすなわちシールガス１８２の供給源１８０を備えており、シールガス１８２は、１または複数の導管１８４を通してガスベースのシーリングシステム２００の外側プレナム２０４に供給される。代表的な実施形態によると、不活性ガスすなわちシールガス１８２は、窒素ガスまたはアルゴンガスであってよい。代表的な実施形態によると、不活性ガス源１８０は、１または複数の導管１８４を介して狭いギャップ２４０を通して半径方向内向きに流すために不活性シールガス１８２を供給するよう構成されており、ギャップ２４０は、ウエハ空洞１５０から外向きに伸び、フェースプレート１３６の外周１３７の周りの段１３５の下面１３４と、台座モジュール１４０の上面１４２との間に形成されている。代表的な実施形態によると、不活性シールガス１８２は、狭いギャップ２４０内のウエハ空洞１５０からのプロセスガスすなわちリアクタ化学物質１９２（図３）と接触して、処理中にガスシールを形成する。図３および図４に示すように、不活性シールガス１８２は、狭いギャップ２４０の一部までしか入らず、それにより、狭いギャップ内でリアクタ化学物質１９２および不活性ガス１８２の間にガスシールが形成される。あるいは、図５および図６に示すように、不活性ガス１８２の流れは、ウエハ空洞１５０の外縁に至り、シャワーヘッドモジュール１３０内の１または複数の排気流出口１７４を通してウエハ空洞１５０から除去されてもよい。
【００３７】
代表的な実施形態によると、環状排気通路１７６は、複数の排気導管１７０の内の１または複数と流体連通されている。代表的な実施形態によると、環状排気通路１７６は、１または複数の流出口（図示せず）を有しており、基板１９０の周囲を囲む領域からの不活性ガス１８２と、狭いギャップ２４０を通して半径方向内向きに移動すなわち流れる不活性ガス１８２とを除去するよう構成されている。排気通路１７６は、基板台座１４０の外側部分１４４内に形成される。環状排気通路１７６は、基板台座１４０の下から不活性ガス１８２を除去するように構成されてもよい。１７６と同様の複数の導管を備えたさらなる実施形態が、より多くの不活性ガス１８２を引き込み、排気通路１７８および台座モジュール１４０の下の部分への不活性ガスの流量を増やすことを可能にする助けとなりうる。排気通路１７８は、シールガスの圧力降下を高め、ウエハ空洞１５０へのシールガスの拡散を少なくする助けにもなりうる。
【００３８】
図３は、代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステム２００を有する化学蒸着装置１００の蒸着チャンバ１２０の一部を示す断面図である。図３に示すように、外側プレナム２０４は、フェースプレート１３６の外側部分１３１に形成されてよい。外側プレナム２０４は、１または複数の導管２２０を備えてよく、導管２２０は、不活性ガス源１８０から不活性ガス１８２を受け入れるよう構成されている。不活性ガス１８２は、外側プレナム２０４を通って１または複数の導管２２０を介して下側流出口２２８へ流れる。下側流出口２２８は、狭いギャップ２４０と流体連通している。代表的な実施形態によると、ウエハ空洞１５０の外縁１５２から、外側プレナム２０４につながるフェースプレート１３６の外周１４１までの距離は、有限制御された距離である。例えば、空洞１５０の外縁１５２から、外側プレナム２０４につながるフェースプレート１３６の外縁１４１までの距離（すなわち、幅）は、約５．０ｍｍから２５．０ｍｍであってよい。
【００３９】
代表的な実施形態によると、外側プレナム２０４は、外側環状凹部２２２であってよい。
外側環状凹部２２２は、１または複数の導管２２０を介して、ウエハ空洞１５０の外縁上の狭いギャップ２４０と流体連通するよう構成されている。外側環状凹部２２２は、上側環状凹部２２４および下側環状凹部２２６を有するよう構成されてよく、上側環状凹部２２４は、下側環状凹部２２６よりも広い幅を有する。代表的な実施形態によると、下側流出口２２８は、下側環状凹部２２６の下側部分にある環状流出口であり、狭いギャップ２４０と流体連通する。
【００４０】
代表的な実施形態によると、図３に示したように、不活性ガス１８２は、外側プレナム２０４を通して、有限制御された距離だけ離間したウエハ空洞１５０の外縁部に供給される。外側プレナム２０４を通して流れる不活性ガス１８２の流量は、ペクレ数が約１．０よりも大きいような流量であってよく、したがって、図３に示すようにウエハ空洞１５０内にリアクタガス化学物質１９２が閉じ込められる。例えば、ペクレ数が１．０より大きい場合、不活性ガス１８２およびリアクタガス化学物質１９２は、狭いギャップ２４０の内側部分２４２内で平衡を確立しうる。結果として、リアクタガス化学物質１９２が基板台座モジュール１４０の下に流れてウエハ空洞１５０の外側の蒸着チャンバ１２０の部分を汚染することを防止できる。
【００４１】
代表的な実施形態によると、処理が定圧処理である場合、ウエハ空洞１５０内のリアクタガス化学物質１９２と狭いギャップ２４０を通して半径方向内向きに流れる不活性ガス１８０との間の不活性ガスシールを確保するのに、不活性ガス１８２の単一の（または一定の）流れと台座モジュール１４０の下からの圧力との組み合わせで十分でありうる。例えば、代表的な実施形態によると、ガスベースのシーリングシステム２００は、ＳｉのＡＬＤ酸化物と共に利用可能であり、一般に、比較的一定の圧力モードで運転されうる。さらに、ガスベースのシーリングシステム２００は、不活性ガス１８２の流量または台座モジュール１４０の下の圧力および／またはそれら両方の組み合わせを変化させることにより、例えば、ＡＬＤ窒化物処理中に、蒸着チャンバ１２０およびウエハ空洞１５０内での様々な処理および圧力レジームにわたってガスシーリングを制御する手段として機能しうる。
【００４２】
代表的な実施形態によると、単独で開示された、または、排気導管１７４、１７６に関する圧力と共に開示されたシーリングガスシステム２００は、処理中にウエハ空洞１５０からのリアクタ化学物質１９２の流出および／または拡散を防止するのに役立ちうる。さらに、システム２００は、単独で、もしくは、排気導管１７４、１７６および排気導管１７４、１７６に関する圧力と共に、ウエハ空洞１５０内および基板１９０上への不活性ガス１８２のバルク流も防止しうる。ウエハ空洞１５０を隔離するための不活性ガス１８２の狭いギャップ２４０への流量は、排気流出口１７４によって生じた圧力に基づいて調整されうる。代表的な実施形態によると、例えば、不活性ガスすなわちシールガス１８２は、約１００ｃｃ／分から約５．０標準リットル毎分（ｓｌｍ）の流量で外側プレナム２０４を通して供給されてよく、ウエハ空洞１５０を隔離するために利用できる。
【００４３】
代表的な実施形態によると、１または複数の排気空洞２５０が、ウエハ空洞１５０を囲む台座モジュール１４０の外側部分に配置されてよい。１または複数の排気空洞２５０は、狭いギャップ２４０および下側流出口２２８と流体連通して、ウエハ空洞１５０から不活性ガスまたはガス供給部１８０への圧力降下を増大させることができる。１または複数の排気空洞２５０（すなわち、環状流路）は、例えば、ＡＬＤ窒化物処理中に、様々な処理および圧力レジームにわたってガスシーリングを可能にするために、追加の制御メカニズムも提供できる。代表的な実施形態によると、１または複数の排気空洞２５０は、蒸着チャンバ１２０周囲に均等に離間されてよい。代表的な実施形態において、１または複数の排気空洞２５０は、環状流路であってよく、下側流出口２２８と同心であり、それよりも広い幅を有する。
【００４４】
図４は、ガスベースのシーリングシステム２００を備えた化学蒸着装置１００の蒸着チャンバ１２０の一部を示す断面図である。図４に示すように、リアクタ化学物質１９２の流量が、不活性ガス１８２の流量より大きいかまたはほぼ等しい場合、リアクタ化学物質１９２の流れは、ウエハ空洞１５０の外側に広がりうるため、望ましくない場合がある。
【００４５】
図４に示すように、環状排気通路１７６が、フェースプレート１３６における主要排気通路１７４に加えて、二次排気通路を提供する。環状排気通路１７６は、基板台座１４０の下からおよび基板１９０の周囲を囲む領域から不活性ガス１８２を除去するよう構成されている。代表的な実施形態によると、環状排気通路１７６は、１または複数の流出口（図示せず）を有しており、基板１９０の周囲を囲む領域からの不活性ガス１８２と、狭いギャップ２４０を通して半径方向内向きに流れるすなわち拡散する不活性ガス１８２とを除去するよう構成されている。
【００４６】
図５は、代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステム２００を備えた化学蒸着装置１００の蒸着チャンバ１２０の一部を示す断面図である。空洞１５０の外側からの不活性ガス１８２の流れは、リアクタ化学物質１９２の流量を低減および／または不活性ガス１８２の流量を増大させることによって生じうる。代表的な実施形態によると、外側プレナム２０４からの不活性ガス１８２は、ウエハ空洞１５０に流れ込み、シャワーヘッドモジュール１３０内の１または複数の排気流出口１７４を通して除去されうる。
【００４７】
図６は、代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステム３００を備えた化学蒸着装置１００の蒸着チャンバ１２０の一部を示す断面図である。代表的な実施形態によると、シャワーヘッドモジュール１３０の中央プレナム２０２は、リアクタ化学物質１９２をウエハ空洞１５０に供給する複数の流入口すなわち貫通孔１３８を備える。ウエハ空洞１５０は、さらに、リアクタ化学物質１９２および不活性ガス１８２をウエハ空洞１５０から除去する同心の導管すなわち排気流出口１７４を備える。同心の導管すなわち排気流出口１７４は、バッキングプレート１３９および上側プレート３１０の間の中間プレナム２０８と流体連通しうる。中間プレナム２０８は、複数の排気導管１７０の内の１または複数と流体連通する。
【００４８】
シャワーヘッドモジュール１３０は、さらに、垂直ガス通路３７０を備えてもよく、垂直ガス通路３７０は、フェースプレート１３６の外周１３７の周りに不活性ガス１８２を供給するよう構成されている。代表的な実施形態によると、外側プレナム２０６が、フェースプレート１３６の外周１３７と隔離リング２１４の内周すなわち内縁２１２との間に形成されうる。
【００４９】
図６に示すように、システム３００は、上側プレート３１０内の内側流路３６０の中およびバッキングプレート１３９の外側部分３２０の中に形成された垂直ガス通路３７０を備える。垂直ガス通路３７０は、１または複数の導管３１２、３２２を備えてよく、導管は、不活性ガス源すなわち供給部１８０から不活性ガス１８２を受け入れるよう構成されている。代表的な実施形態によると、不活性ガス１８２は、１または複数の導管３１２、３２２により、上側プレート３１０およびバッキングプレート１３９の外側部分３２０を通って、１または複数の凹部および／または流路３３０、３４０、３５０に流れ、ウエハ空洞１５０の外縁に至る。
【００５０】
代表的な実施形態によると、１または複数の導管３１２は、上側環状凹部３１４および下外側環状凹部３１６を備えてよい。代表的な実施形態によると、上側凹部３１４は、下側凹部３１６よりも幅が広い。さらに、１または複数の導管３２２は、上側プレート３１０およびバッキングプレート１３９の外側部分３２０内に配置されうる。１または複数の導管３２２は、上側プレート３１０の流出口３１８に流体連通する流入口３２６と、狭いギャップ２４０に流体連通する流出口３２８とを有する環状凹部を形成しうる。代表的な実施形態によると、外側部分３２０内の流出口３２８は、シャワーヘッドモジュール１３０のフェースプレート１３６の外周の周りの不活性ガス１８２の流れを狭いギャップ２４０の外縁２４３へと導く１または複数の凹部および／または流路３３０、３４０、３５０と流体連通しうる。
【００５１】
代表的な実施形態によると、不活性ガス１８２は、垂直ガス通路３７０を通して外側プレナム２０６に供給され、少なくとも部分的に半径方向内向きに狭いギャップ２４０を通してウエハ空洞１５０に向かう。１または複数の凹部および／または流路３３０、３４０、３５０を通して流れる不活性ガス１８２の流量は、ペクレ数が１．０よりも大きいような流量であってよく、したがって、ウエハ空洞１５０内に反応ガス化学物質１９２が閉じ込められる。代表的な実施形態によると、ペクレ数が１．０よりも大きい場合、不活性ガス１８２および反応ガス化学物質１９２は、狭いギャップ２４０の内側部分２４２内で平衡を確立するため、反応ガス化学物質１９２が台座モジュール１４０の下に流れてウエハ空洞１５０の外側の蒸着チャンバ１２０の部分を汚染することが防止される。代表的な実施形態によると、反応ガス化学物質１９２の流れをウエハ空洞１５０に閉じ込めることにより、システム２００は、プロセスガス１９２の利用量を削減できる。さらに、システム２００は、処理中にプロセスガス１９２によるウエハ空洞１５０の充填時間も短縮できる。
【００５２】
図７は、代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステム４００を示す概略図である。図７に示すように、システム４００は、不活性ガスすなわちシールガスの供給源１８０およびプロセスガスの供給源１９を備えており、それらの供給源は、それぞれ、不活性ガスすなわちシールガス１８２およびプロセスガス１９２をウエハ空洞１５０に供給するよう構成されている。システム４００は、さらに、ウエハ空洞圧力すなわち空洞圧力バルブ４１０および下側チャンバ圧力バルブ４１２を備えてよく、それらのバルブは、それぞれ、ウエハ空洞圧力すなわち空洞圧力４１４および下側チャンバ圧力４１６を制御する。
【００５３】
図８は、代表的な実施形態に従って、ガスベースのシーリングシステム４００について圧力およびバルブ角度−時間を示すグラフ５００である。代表的な実施形態によると、図８に示すように、ヘリウムの形態のプロセスガス１９２が、０から約２０ＳＬＭ（標準リットル毎分）の流量でウエハ空洞１５０に供給される。窒素ガス（Ｎ２）の形態の不活性ガスすなわちシールガス１８２が、約２ＳＬＭで空洞に供給された。代表的な実施形態によると、空洞チャンバ４１４および下側チャンバ４１６の圧力は、約１０Ｔｏｒｒであった。図８に示すように、最大約２０ＳＬＭのヘリウムガス１９２および２ＳＬＭの窒素ガス１８２の動作条件で、ヘリウムガス１９２は、残留ガス分析器（ＲＧＡ）による測定で証明されたように、パージ流路を通して漏れなかった。
【００５４】
また、本明細書では、処理装置内で半導体基板を処理する方法が開示されている。その方法は、プロセスガスをプロセスガス供給源から蒸着チャンバ内に供給する工程と、プラズマ処理チャンバ内で半導体基板を処理する工程とを含む。その方法は、好ましくは、基板をプラズマ処理する工程を備え、ＲＦエネルギがＲＦ発生器を用いてプロセスガスに印加され、蒸着チャンバ内にプラズマが生成される。
【００５５】
一実施形態によると、ペクレ数は、半導体基板の外周に沿って１００より大きくてよい。好ましくは、前駆体ガスが、最小の流入口体積および軸対称の流れでリアクタ空洞の中心に注入され、同時に、シールガスが、リアクタ空洞の外周の周りに注入される。前駆体ガスは、半導体上に膜を蒸着するように反応され、副生成ガスが、リアクタ空洞の外周の周りに分散された排気流出口に向かって半径方向外向きに流れる。同時に、シールガスは、リアクタ空洞の外周の周りに分散された流入口を通して半径方向内向きに流れる。高いペクレ数を実現するために、ガス圧が、以下の式に従って制御される：
【００５６】
【数１】
2018110221.tif 000003
【００５７】
図９は、シャワーヘッドモジュール４００が、ガス流出口４０４を有するフェースプレート４０２と、中央ガス通路４０８を有するバッキングプレート４０６と、ガス通路４１２を通して供給されたガスで不活性ガスシールを提供するために、反応空洞の外周にわたって分散されたシールガス通路４１２を有する隔離リング４１０とを備える一実施形態を示す。プロセスガスは、フェースプレート４０２の外側部分の外周にわたって分散された主要排気通路４１４を介して引き出される。図９および以下の式において、ｍ２およびｍｖｓは、ｋｇ／ｇ単位での質量流量を表し、Ｃ２、Ｃ３、および、Ｃ４は、リットル／秒単位でのガスコンダクタンスを表し、Ｓｅｆｆは、リットル／秒単位での有効ポンプ速度を表す。高いペクレ数を実現するには、望ましくは、以下に示すように、ｍｗｃが有効ポンプ速度を上回るほど大きくないことが好ましく、ｍｖｓが大きいことを好ましく、Ｃ２がＣ３より大きいことが好ましく、Ｓｅｆｆが大きいことが好ましく、Ｐｃｈが大きくてもよい（ただし、希釈の問題が生じる）：
【００５８】
【数２】
2018110221.tif 000004
【００５９】
ウエハ処理中、リアクタ空洞および主要チャンバの圧力は、シールガス流量が一定に保たれるよう変更される。リアクタ空洞圧力が、メインチャンバ圧力に対して±１Ｔｏｒｒに維持された場合、リアクタ空洞内に前駆体ガスを閉じ込めることが可能である。仮想ガスシール構成により、不活性ガスシールでリアクタ空洞内の所望の圧力を維持することが可能である。
【００６０】
図１０は、シャワーヘッドモジュール５００が、ガス流出口５０４を有するフェースプレート５０２と、中央ガス通路５０８を有するバッキングプレート５０６と、ガス通路５１２を通して供給されたガスで不活性ガスシールを提供するために、反応空洞の外周にわたって分散されたシールガス通路５１２を有する隔離リング５１０とを備える一実施形態を示す。プロセスガスが、フェースプレート５０２の外側部分の外周にわたって分散された主要排気通路５１４と、ガス通路５１２および主要排気通路５１４の間の位置に隔離リング５１０の外周にわたって分散された二次排気通路とを介して引き出される。二次排気通路５１６は、流量コンダクタンスＣ５およびＣ６によって表される流路を通してガスを除去し、二次排気路Ｃ５は、以下の式に従って、ペクレ数のさらなる増加を提供しうる：
【００６１】
【数３】
2018110221.tif 000005
【００６２】
図１０に示すように、シールガスは、位置Ｐｖｓで通路５１２から台座モジュール（図示せず）とシャワーヘッドモジュール５００との間の小さいギャップへ注入され、シールガスは、流路Ｃ２に沿って半径方向内向きおよび流路Ｃ３に沿って半径方向外向きに流れる。反応した前駆体ガスおよび内向きに流れるシールガスは、Ｃ４に位置する一次排気路を通してリアクタ空洞１５０からポンプで送り出される。さらに、いくらかのシールガスが、Ｃ５の二次排気路（排気通路５１６）を通してポンプで送り出される。シールガスの質量流量は、ｍｖｓ（狭いギャップに流れ込むシールガス）、ｍ２（リアクタ空洞１５０へ向かって半径方向内向きに流れるシールガス）、ｍ３（主要チャンバに接続された真空源の真空圧Ｐｃｈによって半径方向外向きに流れて除去されるシールガス）、ｍ１（二次排気流出口の半径方向内向きに流れるシールガス）、および、ｍ４（一次排気流出口からポンプ排出されるシールガスおよびプロセスガス）によって示される。Ｃ５を一定かつ高く保つことにより、ペクレ数は、一段の仮想ガスシールよりも高くされうる。二次排気通路（二次排気）は、ＳｅｆｆおよびＣ５を大きくする条件を提供するために、シールガス流入点とリアクタ空洞との間に配置される。二次排気路は、一定の排気を保証して、Ｃ５が一定である条件を提供するために、圧力制御スロットルバルブの下流に接続されることが好ましい。図１１は、プロセスガスＰＧが半径方向外向きに流れ、シールガスＳＧが半径方向内向きに流れ、シールガスＳＧの一部が二次排気通路から流れ、不活性シーリングガスおよびプロセスガスの一部が主要排気通路から流れる様子を示す。
【００６３】
図１２は、ガス流入口６０４を有するフェースプレート６０２と、中央ガス通路６０８を有するバッキングプレート６０６と、内側リング６１２および外側リング６１４を有する隔離リング６１０とを備えるシャワーヘッドモジュール６００の切り欠き図を示す。内側リング６１２および外側リング６１４は、内側リング６１２の下側部分の周りのシール６１３が内側および外側リングの対向面の間に環状プレナムを提供するように嵌まり合う。内側リング６１２は、内面６１８の上側部分の周囲にわたって分散されたシールガス流入口６１６と、流入口６１６から半径方向外向きに伸びる水平通路６２０と、水平通路６２０から下方に伸びる垂直通路６２２と、内側リング６１２の下面６２６の周囲にわたって分散されたシールガス流出口６２４とを備える。
【００６４】
内側リング６１２は、内面６１８の下側部分の周囲にわたって分散された半径方向に伸びるスロットを備えた一次排気流出口６２７と、下面６２６の周囲に分散された二次排気流出口６２８とを備える。一次排気流出口６２７は、一次排気流出口６２７から上向きに伸びる垂直通路６３０と、シールガス流入口６１６の下の位置で内面６１８の周囲にわたって分散された一次排気流出口６３２を有する内向きに伸びる水平通路とに接続される。二次排気流出口６２８は、垂直通路（図示せず）と、内側リング６１２の外面６１９の周囲にわたって分散された二次排気流出口６２９を有する水平通路とに接続される。シールガス流出口６２４は、隔離リング６１０の下にガスシールを形成するためにシールガスを供給し、シールガスの一部は、ウエハ空洞１５０内での半導体基板処理中に二次排気流出口６２８を通して引き出される。
【００６５】
図１３は、バッキングプレート（ガス分配プレートすなわちＧＤＰ：ｇａｓ  ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  ｐｌａｔｅ）６０６の外側部分のシールガス供給プレナム６５０から、半径方向外向きに伸びるシールガス通路６５２へシールガスを供給できるように、内側リング６１２が、フェースプレート６０２およびＧＤＰ６０６の外周に嵌まる様子を示す。シールガス通路６５２は、上側および下側ガスシール６５４、６５６の間に配置された環状プレナム６５８内に開いている。環状プレナム６５８は、内側リング６１２の下面６２６にあるシールガス流出口６２４を通してシールガスを供給するために、内側リング６１２の内面６１８にあるシールガス流入口６１６と流体連通する。
【００６６】
ＧＤＰ６０６は、ＧＤＰ６０６の外周において半径方向に伸びる一次排気流出口６８２に接続された一次排気プレナム６８０を備える。流出口６８２は、下側シール６５６と環状シール６８６との間の環状排気プレナム６８４内に開いている。環状排気プレナム６８４は、内側リング６１２の内面６１８において一次排気流出口６３２と連通する。一次排気流出口６３２は、ウエハ空洞１５０から一次ガスを排気することを可能にするために、垂直通路６３０およびスロット６２７と接続する。
【００６７】
外側リング６１４は、内側リング６１２を囲んでおり、内側リング６１２の外面６１９と外側リング６１４の内面６１５との間にプレナムがある。二次排気流出口６２８は、二次排気流出口６２９を通して内側リング６１２と外側リング６１４との間のプレナムへ引き出される二次排気を供給する。ＧＤＰは、一次排気プレナム６８０に接続されたスロットルバルブポンピング構成を迂回して、二次排気を引き出すことを可能にするために、上面に少なくとも１つの開口部６７０を備える。好ましくは、２つの反対側の開口部６７０が、ガス流の方位角均一性のためにＧＤＰに提供される。
【００６８】
図１４は、二次排気除去のために、２つの開口部６７０に接続されたＧＤＰ６０６の上面上の２つのガスシール接続６３０、６３２を示す。ガス接続６３０、６３２は、排気ポンプと流体連通する単一管６３８に接続された２つのそれぞれの管部６３４、６３６に取り付けられており、それにより、一次排気流出口に接続されたスロットルバルブを迂回する。したがって、ガスシールを形成するシールガスの一部が、一次排気から独立して引き出されうる。
【００６９】
さらに、「略」、「比較的」、および、「実質的に」という用語を幾何学的形状と共に用いた場合、幾何学的形状が正確である必要はなく、許容範囲の形状が開示の範囲に含まれることを意図する。幾何学的用語と共に用いられた場合、「略」、「比較的」、および、「実質的に」という用語は、厳密な定義を満たす形状だけでなく、厳密な定義に極めて近い形状をも含むことを意図する。
【００７０】
具体的な実施形態を参照しつつ、等温蒸着チャンバを備えたプラズマ処理装置について詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく、様々な変更および変形を行ない、等価物を用いることが可能であることは、当業者にとって明らかである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2018110221.tif 000011
【図６】
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【図７】
2018110221.tif 000013
【図８】
2018110221.tif 000014
【図９】
2018110221.tif 000015
【図１０】
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【図１１】
2018110221.tif 000017
【図１２】
2018110221.tif 000018
【図１３】
2018110221.tif 000019
【図１４】
2018110221.tif 000020
【外国語明細書】
2018110221000001.pdf