(57)【要約】【課題】半導体デバイスを製造するための方法、および過酷な媒体で使用するための関連する半導体デバイス（１、２、３、４、５、６）を提供する。【解決手段】半導体デバイスは、金属接触領域（４２２）と、半導体ダイ（４２０）を覆い、かつ半導体ダイ（４２０）の金属接触領域（４２２）への開口部を形成するようにパターニングされた少なくとも１つの不動態化層（４２１）とを備える、シリコンダイ（４２０）を備える。本デバイスはまた、耐熱金属を含む接触層（４２８、１２８、５２８）の連続部分（３０１）も備える。この連続部分（３０１）は、少なくとも１つの不動態化層（４２１）の開口部に重なって完全に覆い、開口部の金属接触領域（４２２）に接触し、連続部品（３０１）の縁部全体に沿って少なくとも１つの不動態化層（４２１）に付着する。接触層は、少なくとも接着層および少なくとも拡散バリア層を備える。【選択図】図１６
2018125533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過酷な媒体で使用する半導体デバイスを製造するための方法であって、
−金属接触領域（４２２）を備える半導体ダイ（４２０）を提供することと、
−少なくとも１つの不動態化層（４２１）によって前記半導体ダイ（４２０）を覆い、前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）をパターニングして、前記半導体ダイ（４２０）の前記金属接触領域（４２２）を露出させるように開口部を形成することと、
−前記露出させた金属接触領域（４２２）上に耐熱金属を含む接触層（４２８、１２８、５２８）を形成することであって、前記接触層が、少なくとも接着層および少なくとも拡散バリア層を備える、形成することと、
−前記接触層をパターニングして、前記連続部分の前記縁部全体の周囲に前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）を露出させることによって、前記露出させた金属接触領域（４２２）の上に前記接触層の連続部分（３０１）を画定することであって、前記接触層の前記連続部分（３０１）が、前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）の前記開口部に重なって完全に覆う、画定することと、
−前記接触層（４２８、１２８、５２８）の上に貴金属層を提供して、前記接触層の前記連続部分（３０１）を完全に覆うことであって、前記貴金属層が、前記接触層の前記連続部分（３０１）の前記縁部の上にさらに延在して、前記連続部分（３０１）の前記縁部の周辺の前記露出させた少なくとも１つの不動態化層（４２１）に付着する、覆うことと、を含み、
前記貴金属層を前記提供することが、前記接触層の前記連続部分（３０１）の上に、および前記連続部分の前記縁部の周囲の前記露出させた少なくとも１つの不動態化層の上に前記貴金属をスパッタリングして、前記スパッタリングした貴金属と前記接触層との間に、および前記スパッタリングした貴金属と前記少なくとも１つの不動態化層との間に、原子結合による機械的接続を確立することを含む、方法。
【請求項２】
前記接触層（１２８）を前記パターニングすることは、前記接触層の前記連続部分（３０１）が前記開口部から離れる方向に延在して、前記金属接触領域（４２２）の上に、かつ該金属接触領域から離れて延在する再分配ボンドパッド領域（１５０）を形成するように、前記接触層（１２８）をパターニングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記貴金属をスパッタリングすることは、前記接触層の前記連続部分（３０１）上に、および前記連続部分の前記縁部の周囲の前記露出させた少なくとも１つの不動態化層上に電気めっきするための貴金属シード層（４２９）をスパッタリングすることを含み、前記貴金属層を提供することが、前記貴金属シード層（４２９）の上へ前記貴金属（４２４）を電気めっきすることをさらに含む、請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記貴金属層を提供することが、前記貴金属シード層（４２９）の上にめっきモールド（４３３）を形成することをさらに含み、
前記貴金属（４２４）を電気めっきすることが、前記めっきモールドによって画定されるモールド開口部の内側の前記貴金属シード層（４２９）の上へ前記貴金属（４２４）を電気めっきすることを含み、
前記貴金属層を提供することが、前記貴金属（４２４）を電気めっきした後に、前記めっきモールド（４３３）を除去することをさらに含み、
前記貴金属層を提供することが、前記電気めっきした貴金属（４２４）によって覆われていない前記貴金属シード層（４２９）および／または前記接触層（４２８、１２８）を除去することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記モールド開口部が、前記半導体ダイに平行な平面内に、前記接触層の前記連続部分（３０１）の対応するフットプリントよりも大きいフットプリントを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記モールド開口部の外周縁部が、前記外周縁部に沿った各点おいて、少なくとも所定のマージンだけ、前記連続部分（３０１）の前記フットプリントから外側に離間配置される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記貴金属層を提供することが、前記接触層の前記連続部分（３０１）の周囲に壁を画定するリフトオフマスクを作成することを含み、前記連続部分（３０１）上に、および前記連続部分の前記縁部の周囲の前記露出させた少なくとも１つの不動態化層上に前記貴金属をスパッタリングすることは、前記リフトオフマスクを通して前記貴金属（５２４）をスパッタリングすることを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
前記リフトオフマスクが、該リフトオフマスクが前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）に付着する該リフトオフマスクの基部に、前記接触層の前記連続部分（３０１）のフットプリントよりも大きいフットプリントを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記リフトオフマスクが、下部マスク層（５３５）および上部マスク層（５３３）を備え、前記下部マスク（５３５）によって画定された開口部が、前記貴金属をスパッタリングするときに前記上部マスク層（５３３）のオーバーハング（ｗ）を作成して周縁部を形成するように、前記上部マスク（５３３）によって画定される開口部よりも大きい、請求項７または請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記貴金属層を提供することが、前記リフトオフマスクを通して前記貴金属（５２４）をスパッタリングする前に、前記リフトオフマスクを通して、前記接触層上に直接的に、および前記露出させた少なくとも１つの不動態化層（４２１）上に直接的に、接着層（５２９）をスパッタリングすることをさらに含む、請求項７〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記接着層（５２９）が、前記接触層の厚さの１／５０〜１／５の範囲の厚さまで、および前記スパッタリングした貴金属（５２４）の厚さの１／５０〜１／１０の範囲の厚さまでスパッタリングされる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの不動態化層によって前記半導体ダイを覆うことが、前記半導体ダイ上に第１の不動態化層（１２２）または第１の不動態化層のスタックを提供すること、および前記第１の不動態化層（１２２）上または前記第１の不動態化層のスタック上に少なくとも１つの不動態化層（１２３）を提供することを含み、前記少なくとも１つの不動態化層をパターニングすることが、前記第１の不動態化層または前記第１の不動態化層のスタックおよび前記再不動態化層の両方をパターニングして、前記第１の不動態化層または第１の不動態化層のスタックを通して、および前記再不動態化層を通して、前記半導体ダイの前記金属接触領域を露出させるように開口部を形成することを含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの不動態化層をパターニングすることが、前記第１の不動態化層（１２２）に、または前記第１の不動態化層のスタックに第１の開口部を形成すること、および前記再不動態化層（１２３）に第２の開口部を形成することを含み、前記第２の開口部が、前記第１の開口部よりも大きい、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記接触層（４２８）を形成することが、前記露出させた金属接触領域の上へ、および前記少なくとも１つの不動態化層の上へ少なくとも前記耐熱金属をスパッタリングすることを含む、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
過酷な媒体で使用する半導体デバイス（１、２、３、４、５、６）であって、前記半導体デバイスが、
−金属接触領域（４２２）を備えるシリコンダイ（４２０）と、
−前記半導体ダイ（４２０）の前記金属接触領域（４２２）への開口部を形成するように、前記半導体ダイ（４２０）を覆い、パターン化された少なくとも１つの不動態化層（４２１）と、
−耐熱金属を含む接触層（４２８、１２８、５２８）の連続部分（３０１）であって、前記連続部分（３０１）が、前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）の前記開口部に重なって完全に覆い、前記開口部の前記金属接触領域（４２２）に接触し、また、前記連続部分（３０１）の前記縁部全体に沿って前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）に付着し、前記接触層が、少なくとも接着層および少なくとも拡散バリア層を備える、接触層（４２８、１２８、５２８）の連続部分（３０１）と、
−前記接触層の上に配設された貴金属層であって、前記貴金属層が、前記接触層の前記連続部分（３０１）を完全覆い、前記貴金属層が、前記接触層の前記連続部分（３０１）の前記縁部全体の上に延在して、前記連続部分（３０１）の前記縁部の周囲の前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）に付着する、貴金属層と、を備える、半導体デバイス（１、２、３、４、５、６）。
【請求項１６】
前記貴金属層が、その外周全体の周囲に、前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）に向かって先細りになる傾斜縁部を備え、前記貴金属層が、前記連続部分（３０１）の前記縁部の周囲の前記少なくとも１つの不動態化層（４２１）に付着する、請求項１５に記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過酷な媒体用途で使用する集積半導体デバイスの分野に関する。より具体的には、本発明は、過酷な媒体で使用する集積回路半導体デバイスを製造するための方法および関連する半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
標準的な半導体デバイスは、過酷な媒体条件、例えば硫黄もしくは発煙硝酸に、またはヨウ素に晒された状態での使用にはあまり適切でない場合があり、例えば不適切な場合がある。例えば、アルミニウムまたは銅などのボンドパッド金属は、そのような化学物質に晒されたときに、例えば酸化により、腐食する場合がある。当技術分野では、保護金層によってボンドパッドを覆うことが知られている。しかしながら、ボンドパッドと金との間に拡散バリアが必要になる場合がある。例えば、拡散バリアがなければ、アルミニウムおよび金は、容易かつ迅速に互いの中へ拡散することができ、このことは、高温用途においてさらに問題になる場合がある。金、パラジウム、またはプラチナの貴金属保護層をデバイス上に提供することは、効率的な大量生産およびシリコン内の相互接続金属と集積回路との良好な電気的接触などの、過酷な媒体条件のためのデバイスにおける標準的なＣＭＯＳ処理の利点を維持することを可能にする。しかしながら、デバイスが過酷な環境に晒されるときに接着層および拡散バリアの完全性を確保することは、困難なままである。
【０００３】
図１は、当該技術分野で知られている過酷な媒体のための例示的な集積回路半導体デバイス、例えばハイブリッド圧力センサの断面を示す。そのようなハイブリッド圧力センサでは、ボンドワイヤ１３６を使用して、センサ１３０をＣＭＯＳインターフェースチップ１２０に電気的に接続することができる。別の例示的なボンドワイヤ１２６は、ＣＭＯＳインターフェースチップをリードフレームまたはプリント回路基板（ＰＣＢ）などの基板１１０に接続することができる。ワイヤ１２６、１３６は、過酷な媒体のために、モールドコンパウンド１４０によって保護することができる。モールディング中に、デバイスの最上部に空洞を作成することができ、該空洞には、センサ１３０、例えば圧力センサを載置することができる。したがって、ボンドワイヤ１３６をこの空洞内に提供して、センサボンドパッド１３２をＣＭＯＳインターフェースチップのボンドパッド１２２に接続することができる。
【０００４】
例えば、ＣＭＯＳインターフェースチップのボンドパッド１２２をキャビティ内に提供し、このボンドパッド１２２のアルミニウムを金層１２４によって覆うことが知られている。同様に、センサ１３０のボンドパッド１３２は、金層１３４によって覆うことができる。代替的に、当該技術分野ではまた、図２に示されるように、ＣＭＯＳインターフェースチップのボンドパッド２２２をモールドコンパウンド１４０によって覆うことも知られている。そのような従来技術のデバイスにおいて、ＣＭＯＳボンドパッド２２２を覆う金層２２４は、空洞の中へ延在させることができ、したがって、過酷な環境に対して耐性のある、ボンドパッド２２２とボンドワイヤ１３６との間の信号導体としての機能を果たす。この種類の拡張は、当該技術分野において、ボンドパッドの「再分配」として知られている。これは、モールドコンパウンドが、ボンドパッドの再分配から界面を保護するという利点を有する。
【０００５】
当該技術分野では、無電解めっきによって金をアルミニウムボンドパッドの上へ堆積させることが知られており、例えば、第１のニッケル層をアルミニウムボンドパッド上に成長させ、続いて、薄い金層の無電解めっきを行う。次いで、ニッケルが適切な拡散バリアを形成することができる。しかしながら、無電解めっき法によってボンドパッド上に提供された層は、ボンドパッドに堅固に付着させることができるが、保護層とボンドパッドの周囲の不動態化層との間にはいかなる機械的接続も実現されない。これは、過酷な媒体内に存在し得る上述した化学薬品などの化学薬品が、不動態化層とめっきした金属との間の界面に浸透し、ボンドパッド金属を腐食する場合がある、といった不利な点を有する。例えば、金層と不動態化層との間の耐機械的および耐化学的な接続が極めて有利であり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】欧州特許第１９４７４３９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
例えば、特許文献１は、無電解めっきによるボンドパッドのＴｉＷバリア上の金の堆積について説明している。特許文献１において説明される方法は、それでもヨウ素などの過酷な媒体が不動態化層と金層との間に浸透し、ＴｉＷ層を腐食する場合がある、といった不利な点を有する場合がある。ＴｉＷがエッチングされると、アルミニウムは、ヨウ素に晒され、極めて迅速にエッチングされ得る。さらに、シリコン基板は、不動態化層によって完全に覆われていないので、例えば基板を部分的に通した電子交換によって、界面を通してガルバニック腐食も起こり得る。
【０００８】
さらに、当該技術分野では、電気めっきによって金を堆積させることが知られている。例えば、シード層を基板全体の上に堆積させて、基板の上にめっき電流を分配することができる。このシード層は、ＣＭＯＳ金属とシード層の最上部にめっきした層との間に残る。シード層は、通常、接着層、ＣＭＯＳ金属と最上部にめっきされた金属との間の拡散バリア、およびめっき中の一定の電流分配のための低抵抗層としての役割を果たす。したがって、多くの場合、ＴｉＷ、Ｔｉ、またはＴｉＮを最初にスパッタリングして、接着層およびバリア層を提供し、続いて、金または銅などの高導電層をスパッタリングして、高いめっき電流を可能にする。スパッタリングされたシード層はまた、好都合に、窒化ケイ素不動態化層への強固な機械的接続も形成することができる。この強力な接着は、基板に衝突するスパッタリングした金属原子の運動エネルギーに由来するものであり得る。残念なことに、有機モールド材料は、貴金属が使用されたときにシード層に十分に接着しない場合がある。さらに、当該技術分野では、第２の接着層を高導電貴金属層の最上部にスパッタリングして、モールドに対するめっきの良好な接着を確実にすることが知られている。
【０００９】
しかしながら、ボンドパッドへの金の電気めっき後に、金構造の底部におけるシード層の縁部が、環境に、例えば過酷な媒体用途における上述した腐食性化学物質に晒されるように、シード層をエッチング除去して、異なる構造間にいかなる電気的接続も残らないことを確実にする必要がある。シード層をエッチングした後に追加的な有機保護層を適用して、シード層の露出した縁部を覆うことが知られている。しかしながら、そのような保護層は、金に対する接着が弱く、腐食性化学物質が、保護層と金材料との間の界面にさらに浸透する場合がある。
【００１０】
ボンドパッドを金で覆うといった既知の方策の別の不利な点は、標準的なＣＭＯＳの不動態化が、相互接続部、例えばアルミニウムまたは銅の相互接続部の保護に依存することである。しかしながら、この不動態化は、上述した腐食性化学物質を遮断するには十分でない場合がる。例えば、特にヨウ素は、たった１つの小さい欠陥、例えば小さいピンホールが相互接続部を覆う不動態化層内に存在したときに、アルミニウムワイヤを完全に除去する傾向があり得る。そうした理由から、ポリイミドなどの追加的な層で不動態化層を覆うことが知られている。そのような追加の不動態化層は、「再不動態化層」と称することができる。そのような再不動態化層は、不動態化層のボンドパッド開口部よりも小さい開口部をボンドパッドに開けることができる。次いで、シード層を、このポリイミド層の最上部にスパッタリングすることができる。
【００１１】
本発明の実施形態の目的は、過酷な媒体環境で使用するための集積回路半導体デバイスの良好かつ効率的な製造を提供することである。
【発明が解決するための手段】
【００１２】
本発明の実施形態の利点は、貴金属層によって、過酷な媒体環境内の腐食性化学物質が、接着層などの半導体デバイスの内部層に接触することを防止することである。
【００１３】
本発明の実施形態の利点は、半導体デバイスの保護貴金属層と不動態化層との間の良好な機械的接触および良好な機械的接続を確実にすることができることである。さらなる利点は、そのような良好な機械的接触および良好な機械的接続が、貴金属がボンドパッドの周囲で不動態化することを確実にすることができることである。これは、保護貴金属層がボンドパッドを再分配するためにも使用されるときに特に有利であり得る。
【００１４】
本発明の実施形態のさらなる利点は、貴金属の良好な機械的接続が、過酷な環境がボンドパッドおよび／または半導体デバイスの相互接続部を劣化させることを防止することができることである。
【００１５】
本発明の実施形態の利点は、接着層およびバリア層を貴金属とボンドパッド金属との間に提供して、貴金属とボンドパッドの最上部金属との間の金属間合金の成長を防止することができることである。
【００１６】
本発明の実施形態の利点は、接着層およびバリア層を貴金属とボンドパッド金属との間に提供して、半導体デバイスへの電気的接続の、例えばボンドワイヤの良好な機械的抵抗を確保することができることである。
【００１７】
本発明の実施形態の利点は、接着層およびバリア層を貴金属とボンドパッド金属との間に提供して、例えば１０００時間または２０００時間以上にわたる、高い温度での、例えば１５０℃または１７５℃以上での高水準の信頼性を確保することができることである。
【００１８】
本発明の実施形態の利点は、過酷な媒体用途における使用に適した半導体デバイスを製造するコスト効率的な方法が達成されることであり、例えば、処理コストを低くすることができ、および／または大量での製造運転を行うことができる。
【００１９】
本発明の実施形態の利点は、金属構造の縁部を含む半導体デバイスの表面を、過酷な媒体に対して高度に耐性化することができる。
【００２０】
上記の目的は、本発明による方法およびデバイスによって達成される。
【００２１】
第１の態様において、本発明は、過酷な媒体で使用する半導体デバイスを製造するための方法に関する。本方法は、金属接触領域を備える半導体ダイを提供することと、少なくとも１つの不動態化層によって半導体ダイを覆い、少なくとも１つの不動態化層をパターニングして、半導体ダイの金属接触領域を露出させるように開口部を形成することとを含む。本方法は、露出させた金属接触領域上に耐熱金属を含む接触層を形成することであって、接触層が、少なくとも接着層および少なくともバリア層を備える、形成することをさらに含む。本方法はまた、接触層をパターニングして、連続部分の縁部全体の周囲に少なくとも１つの不動態化層を露出させることによって、露出させた金属接触領域の上に接触層の連続部分を画定することであって、該接触層の連続部分が、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う、画定することも含む。本方法は、接触層の上に貴金属層を提供して、接触層の連続部分を完全に覆うことであって、貴金属層が、接触層の連続部分の縁部の上にさらに延在して、連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層に付着する、覆うことをさらに含む。貴金属層を提供することは、接触層の連続部分の上に、および連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層の上に貴金属をスパッタリングして、スパッタリングした貴金属と接触層との間に、およびスパッタリングした貴金属と少なくとも１つの不動態化層との間に、原子結合による機械的接続を確立することを含む。
【００２２】
本発明の実施形態に従う方法において、接触層をパターニングすることは、接触層の連続部分が開口部から離れる方向に延在して、金属接触領域の上に、かつ該金属接触領域から離れて延在する再分配ボンドパッド領域を形成するように、接触層をパターニングすることを含むことができる。
【００２３】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属をスパッタリングすることは、接触層の連続部分上に、および連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層上に電気めっきするための貴金属シード層をスパッタリングすることを含むことができ、貴金属層を提供することは、貴金属シード層の上へ貴金属を電気めっきすることを含むことができる。
【００２４】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属層を提供することは、貴金属シード層の上にめっきモールドを形成することを含むことができ、貴金属を電気めっきすることは、めっきモールドによって画定されるモールド開口部の内側の貴金属シード層の上へ貴金属を電気めっきすることを含むことができる。
【００２５】
本発明の実施形態に従う方法において、モールド開口部は、半導体ダイに平行な平面内に、接触層の連続部分の対応するフットプリントよりも大きいフットプリントを有することができる。
【００２６】
本発明の実施形態に従う方法において、モールド開口部の外周縁部は、外周縁部に沿った各点において、少なくとも所定のマージンだけ、連続部分のフットプリントから外側に離間配置する、すなわち、連続部分の外側に離間配置することができる。
【００２７】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属層を提供することは、貴金属をめっきした後に、めっきモールドを除去することを含むことができる。
【００２８】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属層を提供することは、電気めっきした貴金属によって覆われていない貴金属シード層および／または接触層を除去することを含むことができる。
【００２９】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属層を提供することは、接触層の連続部分の周囲に壁を画定するリフトオフマスクを作成することを含むことができ、連続部分上に、および連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層上に貴金属をスパッタリングすることは、リフトオフマスクを通して貴金属をスパッタリングすることを含むことができる。
【００３０】
本発明の実施形態に従う方法において、リフトオフマスクは、該リフトオフマスクが少なくとも１つの不動態化層に付着するリフトオフマスクの基部に、接触層の連続部分のフットプリントよりも大きいフットプリントを有することができる。
【００３１】
本発明の実施形態に従う方法において、リフトオフマスクは、下部マスク層および上部マスク層を備えることができ、下部マスクによって画定された開口部は、貴金属をスパッタリングするときに上部マスク層のオーバーハングを作成して周縁部を形成するように、上部マスクによって画定される開口部よりも大きい。
【００３２】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属層を提供することは、貴金属をスパッタリングする前に、スパッタエッチングを適用することを含むことができる。
【００３３】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属層を提供することは、リフトオフマスクを通して貴金属をスパッタリングする前に、リフトオフマスクを通して、接触層上に直接的に、および露出させた少なくとも１つの不動態化層上に直接的に、接着層をスパッタリングすること、例えば、接触層上に間接的に、および露出させた少なくとも１つの不動態化層上に間接的に貴金属をスパッタリングすること、例えば接着層上に直接的に貴金属をスパッタリングすることを含むことができる。
【００３４】
本発明の実施形態に従う方法において、接着層は、接触層の厚さの１／５０〜１／５の範囲の厚さまで、およびスパッタリングした貴金属の厚さの１／５０〜１／１０の範囲の厚さまでスパッタリングすることができる。
【００３５】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属層を提供することは、スパッタリングした貴金属を熱アニールして、機械的応力を緩和することを含むことができる。
【００３６】
本発明の実施形態に従う方法において、少なくとも１つの不動態化層によって半導体ダイを覆うことは、半導体ダイ上に第１の不動態化層または第１の不動態化層のスタックを提供すること、および第１の不動態化層上または第１の不動態化層のスタック上に少なくとも１つの不動態化層を提供することを含むことができ、少なくとも１つの不動態化層をパターニングすることは、第１の不動態化層上または第１の不動態化層のスタックおよび再不動態化層の両方をパターニングして、第１の不動態化層上または第１の不動態化層のスタックを通して、かつ再不動態化層を通して、半導体ダイの金属接触領域を露出させるように開口部を形成することを含むことができる。
【００３７】
本発明の実施形態に従う方法において、少なくとも１つの不動態化層をパターニングすることは、第１の不動態化層内に、または第１の不動態化層のスタック内に第１の開口部を形成すること、および再不動態化層内に第２の開口部を形成することを含むことができ、第２の開口部は、第１の開口部よりも大きい。
【００３８】
本発明の実施形態に従う方法において、少なくとも１つの不動態化層をパターニングすることは、第１の不動態化層内に、または第１の不動態化層のスタック内に第１の開口部を形成すること、および再不動態化層内に第２の開口部を形成することを含むことができ、第２の開口部は、第１の開口部よりも大きく、例えば、第１の開口部よりも大きく、かつ開口部に重なって完全に覆う接触層の連続部分よりも小さい。
【００３９】
本発明の実施形態に従う方法において、接触層を形成することは、露出させた金属接触領域の上へ、および少なくとも１つの不動態化層の上へ少なくとも耐熱金属をスパッタリングすることを含むことができる。
【００４０】
第２の態様において、本発明はまた、過酷な媒体で使用する半導体デバイスにも関し、半導体デバイスは、金属接触領域を備えるシリコンダイと、半導体ダイを覆う少なくとも１つの不動態化層とを備える。例えば、少なくとも１つの不動態化層は、半導体ダイの金属接触領域への開口部を形成するようにパターニングされる。本デバイスは、耐熱金属を含む接触層の連続部分を備える。例えば、本デバイスは、連続部分を有する接触層を備えることができ、接触層、したがってその連続部分は、耐熱金属を含む。連続部分は、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆い、開口部の金属接触領域に接触し、また、連続部分の縁部全体に沿って少なくとも１つの不動態化層に接触する。接触層、したがってその連続部分は、例えば、少なくとも接着層および少なくとも拡散バリア層を備える。本デバイスは、接触層の上に配設された貴金属層を備え、貴金属層は、接触層の連続部分を完全に覆い、貴金属層は、接触層の連続部分の縁部全体の上に延在して、連続部分の縁部の周囲の少なくとも１つの不動態化層に付着する。
【００４１】
本発明の実施形態に従う半導体デバイスにおいて、貴金属層は、その外周全体の周囲に、少なくとも１つの不動態化層に向かって先細りになる傾斜縁部を備えることができ、貴金属層は、連続部分の縁部の周囲の少なくとも１つの不動態化層に付着する。
【００４２】
本発明の実施形態に従う半導体デバイスにおいて、傾斜縁部は、垂直に対して１°〜２０°の範囲の角度で先細りにすることができ、例えば、先細りは、２０°未満とすることができる。
【００４３】
本発明の特定の好ましい態様は、添付の独立請求項および従属請求項に記載される。従属請求項からの特徴は、必要に応じて、単に請求項に明示的に記載されているだけでなく、独立請求項の特徴と組み合わせることができ、また、他の従属請求項の特徴と組み合わせることができる。
【００４４】
本発明のこれらのおよび他の態様は、以下に説明される実施形態（複数可）から明らかになり、また、該実施形態を参照することで解明されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】当該技術分野で知られている、過酷な媒体で使用する例示的な集積回路半導体デバイスを示す図である。
【図２】当該技術分野で知られている、ボンドパッド再分配を使用した、過酷な媒体で使用するための例示的な集積回路半導体デバイスを示す図である。
【図３】本発明の実施形態に従う方法において、少なくとも１つの不動態化層によって半導体ダイを覆い、該少なくとも１つの不動態化層をパターニングして、半導体ダイの金属接触領域を露出させる開口部を形成するステップを例示する図である。
【図４】本発明の実施形態に従う方法において、接触層をパターニングするステップを例示する図である。
【図５】本発明の実施形態に従う方法の第１の例示的なプロセスフローにおいて、電気めっきのための貴金属シード層をスパッタリングすることを提供するステップを例示する図である。
【図６】本発明の実施形態に従う方法の第１の例示的なプロセスフローにおいて、スパッタリングした貴金属シード層の上にめっきモールドを形成し、めっきモールドの内側に貴金属を電気めっきするステップを例示する図である。
【図７】本発明の実施形態に従う方法の第１の例示的なプロセスフローにおいて、貴金属を電気めっきした後にめっきモールドを除去するステップを例示する図である。
【図８】本発明の実施形態に従う第１の例示的なデバイスを示す図である。
【図９】本発明の実施形態に従う第２の例示的なデバイスを例示する図であり、図中、接触層は、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う接触層の連続部分が、開口部から離れる方向に延在して、再分配ボンドパッド領域を形成するようにパターニングされる。
【図１０】比較する目的で、本発明の実施形態に従わない手法によって得ることができる、図９に示されるデバイスに類似するデバイスを示す図である。
【図１１】本発明の実施形態に従う第３の例示的なデバイスを例示する図である。
【図１２】本発明の実施形態に従う第４の例示的なデバイスを例示する図であり、図中、少なくとも１つの不動態化層は、再不動態化層を追加的に備える。
【図１３】本発明の実施形態に従う方法において、接触層をパターニングするステップを例示する図である。
【図１４】本発明の実施形態に従う第２の例示的なプロセスフローにおいて、リフトオフマスクを作成し、リフトオフマスクを通して貴金属をスパッタリングするステップを例示する図である。
【図１５】本発明の実施形態に従う第５の例示的なデバイスを例示する図である。
【図１６】本発明の実施形態に従う第６の例示的なデバイスを例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
図面は、概略的なものに過ぎず、限定的なものではない。図面において、要素のいくつかのサイズは、説明の目的で誇張され、一定の縮尺で描画されない場合がある。
【００４７】
請求項中の参照符号は、範囲を制限するものと解釈されるべきではない。
【００４８】
異なる図面において、同じ参照符号は、同じまたは類似する要素を指す。
【００４９】
本発明は、特定の実施形態に関して、ある特定の図面を参照して説明されるが、本発明は、それらに限定されるものではなく、特許請求の範囲によってだけ限定されるものである。説明される図面は、概略的なものに過ぎず、限定的なものではない。図面において、要素のいくつかのサイズは、説明の目的で誇張され、一定の縮尺で描画されない場合がある。寸法および相対寸法は、本発明を実践するための実際の縮小に対応しない。
【００５０】
さらに、本明細書および特許請求の範囲における第１、第２などの用語は、類似する要素を区別するために使用されるものであり、必ずしも時間的に、空間的に、ランキングで、または任意の他の様式で順序を説明するものではない。そのように使用される用語は、適切な条件下で交換可能であること、および本明細書で説明される本発明の実施形態が、本明細書で説明または例示されるもの以外の他の順序での動作が可能であることを理解されたい。
【００５１】
さらに、説明および特許請求の範囲における上、下などの用語は、説明の目的で使用されるものであり、必ずしも相対位置を説明するものではない。そのように使用される用語は、適切な条件下で交換可能であること、および本明細書で説明される本発明の実施形態が、本明細書で説明または例示されるもの以外の他の方向での動作が可能であることを理解されたい。
【００５２】
特許請求の範囲で使用される用語「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、以下に列記される手段に限定されるものとして解釈されるべきではなく、他の要素やステップを排除しないことに留意されたい。したがって、述べられる特徴、整数、ステップ、または参照される構成要素の存在を特定するものとして解釈されるべきであるが、１つ以上の他の特徴、整数、ステップもしくは構成要素、またはそれらの群の存在または追加を排除しない。したがって、表現「手段ＡおよびＢを備えるデバイス」の範囲は、構成要素ＡおよびＢだけからなるデバイスに限定されるべきではない。本発明に関しては、デバイスの最適の関連する構成要素がＡおよびＢであることを意味する。
【００５３】
本明細書の全体を通して、「一実施形態（ｏｎｅ  ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「ある実施形態（ａｎ  ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」への言及は、実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造、または特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書の全体を通して種々の場所における「一実施形態（ｏｎｅ  ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」や「ある実施形態（ａｎ  ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」という語句の出現は、必ずしもすべてが同じ実施形態への言及とは限らないが、言及である場合もある。さらに、特定の特徴、構造、または特性は、本開示から当業者には明らかなように、１つ以上の実施形態において、任意の適切な様式で組み合わせることができる。
【００５４】
同様に、本発明の例示的な実施形態の説明において、本発明の種々の特徴は、あるときには、本開示を合理化し、また、種々の本発明の態様の１つ以上の理解を支援する目的で、単一の実施形態、図、またはその説明にともにグループ化されることを認識されたい。しかしながら、本開示の方法は、特許請求される発明が、各請求項において明示的に記載されるよりも多い特徴が必要であるという意図を反映したものと解釈されない。むしろ、以下の特許請求の範囲が反映するように、発明の複数の態様は、単一の上で開示された実施形態のすべての特徴よりも少ないものに存する。したがって、詳細な説明に続く特許請求の範囲は、この詳細な説明に明示的に組み込まれ、各請求項は、本発明の別個の実施形態としてそれ自体で成立する。
【００５５】
さらに、本明細書で説明されるいくつかの実施形態は、他の実施形態に含まれるいくつかの特徴は含むが、他の特徴は含まず、当業者によって理解されるように、異なる実施形態の特徴の組み合わせは、本発明の範囲内であることを意味し、異なる実施形態を形成する。例えば、以下の特許請求の範囲において、特許請求される実施形態のいずれも、任意の組み合わせで使用することができる。
【００５６】
本願明細書にて提供される説明には、多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、本発明の実施形態は、これらの具体的な詳細を伴わずに実践され得ることを理解されたい。他の事例では、この説明の理解を不明瞭にしないために、よく知られている方法、構造、および手法は、詳細に示されていない。
【００５７】
第１の態様において、本発明は、過酷な媒体で使用する半導体デバイスを製造するための方法に関する。本方法は、金属接触領域を備える半導体ダイを提供することを含む。
【００５８】
本方法は、少なくとも１つの不動態化層によって半導体ダイを覆い、少なくとも１つの不動態化層をパターニングして、半導体ダイの金属接触領域を露出させるように開口部を形成することをさらに含む。
【００５９】
本方法は、金属接触領域上に接触層を形成することをさらに含み、接触層は、耐熱金属を含む。接触層は、少なくとも接着層および少なくとも拡散バリア層を備える。
【００６０】
本方法はまた、接触層をパターニングして、連続部分の縁部全体の周囲に少なくとも１つの不動態化層を露出させることによって、露出させた金属接触領域の上に接触層の連続部分を画定することであって、この接触層の連続部分が、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う、画定することも含む。
【００６１】
本方法は、接触層の上に貴金属層を提供して、接触層の連続部分を完全に覆うことであって、貴金属層が、接触層の連続部分の縁部の上にさらに延在して、連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層に接触する、覆うことをさらに含む。
【００６２】
この貴金属層を提供するステップは、接触層の連続部分の上へ、および連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層の上へ貴金属をスパッタリングして、スパッタリングした貴金属と、接触層および少なくとも１つの不動態化層の両方との間に、原子結合による機械的接続を確立するステップを含む。
【００６３】
貴金属をスパッタリングすることは、貴金属シード層をスパッタリングすることを含むことができる。この貴金属シード層は、開口部に重なって完全に覆う接触層の連続部分の縁部への良好な機械的接続、および露出させた不動態化層への良好な機械的接続を提供するようにスパッタリングすることができる。
【００６４】
貴金属層は、耐腐食性および耐酸化性のある、金属、または合金などの金属の組み合わせを含むことができる。特に、貴金属層は、金、銀、パラジウム、および／またはプラチナを含むことができる。貴金属層はまた、例えば良好な接着を提供するために、タンタルも含むことができる。
【００６５】
例えば、貴金属層は、タンタルの層のスタック、例えばタンタルの薄層、および金、銀、プラチナ、パラジウム、またはこれらの金属合金の層を備えることができる。タンタルの薄層は、接着層を形成して、貴金属の不動態化層への、例えば（再）不動態化層（複数可）への良好な接着を確実にすることができる。
【００６６】
本方法は、シード層の上にめっきモールドを形成して、モールド開口部を画定することをさらに含むことができる。このモールド開口部は、基板に平行な平面内に、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う接触層の連続部分よりも大きいフットプリントを有することができる。
【００６７】
本方法は、めっきモールドによって画定されたモールド開口部に貴金属を電気めっきすることをさらに含むことができる。本方法はまた、貴金属をめっきした後に、めっきモールドを除去することも含むことができる。
【００６８】
本方法はまた、めっきした貴金属によって覆われていない貴金属シード層を除去することも含むことができる。さらに、めっきした貴金属によって覆われていない接触層も除去することができる。
【００６９】
代替的に、貴金属層を提供することは、接触層の連続部分の周囲に壁を画定するリフトオフマスクを作成することを含むことができる。連続部分上に、および連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層上に貴金属をスパッタリングすることは、このリフトオフマスクを通して貴金属をスパッタリングすることを含むことができる。リフトオフマスクは、該リフトオフマスクが少なくとも１つの不動態化層に接触するリフトオフマスクの基部に、接触層の連続部分のフットプリントよりも大きいフットプリントを有することができる。
【００７０】
図３を参照すると、本発明の実施形態に従う方法は、例えばボンドパッドに対応する金属接触領域４２２を備える半導体ダイ４２０を提供することを含む。例えば、金属接触領域は、半導体ダイ内に形成された集積回路のボンドパッドに対応することができる。
【００７１】
例えば、半導体デバイスは、例えばハイブリッドセンサデバイスにおいて、例えば構成半導体デバイスの対応するボンドパッドに接続するボンドワイヤによって相互接続される、複数の構成半導体デバイスを備えることができる。
【００７２】
本方法は、少なくとも１つの不動態化層４２１によって半導体ダイを覆い、少なくとも１つの不動態化層４２１をパターニングして、半導体ダイの金属接触領域４２２を露出させるように、例えば半導体ダイ内の集積回路のボンドパッドを露出させるように開口部を形成することをさらに含む。
【００７３】
少なくとも１つの不動態化層をパターニングすることは、少なくとも１つの不動態化層を通して開口部、例えばコンタクトホールをエッチングして、金属接触領域４２２を露出させることを含むことができる。
【００７４】
少なくとも１つの不動態化層は、例えば、酸化シリコン層および／または窒化シリコン層を備えることができる。
【００７５】
例えば、図１２に例示されるように、少なくとも１つの不動態化層は、半導体ダイ上の第１の不動態化層１２２または第１の不動態化層のスタック、および第１の不動態化層１２２上の、または第１の不動態化層のスタック上の少なくとも１つの再不動態化層１２３を備えることができる。換言すれば、少なくとも１つの不動態化層によって半導体ダイを覆うことは、不動態化層上に、例えば不動態化層の上に直接かつ接触して、ポリイミド層などの再不動態化層を堆積させることができる。同様に、少なくとも１つの不動態化層をパターニングすることは、不動態化層および再不動態化層の両方をパターニングして、不動態化層（複数可）および再不動態化層（複数可）を通して半導体ダイの金属接触領域を露出させるように開口部を形成することを含むことができる。例えば、第１の不動態化層または第１の不動態化層のスタックの開口部、および少なくとも１つの再不動態化層の開口部は、例えば共通の幾何学的中心を中心として整列させて、金属接触領域を露出させることができる。そのような再不動態化層（複数可）の利点は、追加的な再不動態化層によって、不動態化層の耐化学物質性および機械的ロバスト性をさらに向上させることができることである。
【００７６】
金属接触領域を露出させる再不動態化層の開口部は、第１の不動態化層（複数可）の開口部よりも小さくすることができる。これは、ポリイミドが、大きい熱膨張の影響を受け易いめっきした貴金属４２４と、チップの不動態化層、例えば窒化物不動態化層との間の弾性バッファとしての役割を果たすことができる、という利点を有する。しかしながら、過酷な環境の化学的活性原子または分子が、再不動態化を通して例えばポリイミドをボンドパッドメタルに拡散させることができないことを確認することができなかった場合は、第１の不動態化層（複数可）の開口部よりも大きいが、それでも後に堆積させる貴金属層のフットプリントよりも小さい開口部を再不動態化層に作成することが好ましくなり得る。
【００７７】
本発明の実施形態に従う方法は、露出させた金属接触領域に、例えば不動態化層の開口部によって露出させた金属接触領域に、または不動態化層および再不動態化層の整列させた開口部によって露出させた金属接触領域に、耐熱金属を含む接触層４２８を形成することをさらに含むことができる。例えば、接触層は、露出させた金属接触領域に形成して、露出させた金属接触領域に直接物理的に接触させることができる。
【００７８】
接触層４２８は、少なくとも接着層および少なくともバリア層を備える。例えば、接触層は、接着／バリア層と、例えば接着機能ならびに拡散バリア機能を提供するように適合された単層または多層と称することができる。
【００７９】
接触層４２８を形成することは、露出させた金属接触領域の上へ、および少なくとも１つの不動態化層の上へ少なくとも耐熱金属をスパッタリングすることを含むことができる。
【００８０】
例えば、接触層は、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、および／またはＰｄなどの、標準的なＣＭＯＳ処理において使用される耐熱金属をスパッタリングすることによって提供することができる。したがって、接触層４２８を形成することは、多層接着／バリア層をスパッタリングすることを含むことができる。
【００８１】
例えば、接触層を提供することは、例えば良好な接着を提供することができる、チタン（Ｔｉ）の層をスパッタリングすることを含むことができる。例えば、接触層を提供することは、異なる金属をスパッタリングして、接着層および拡散バリアのスタックを得ることを含むことができる。例えば、チタンをスパッタリングするプロセスの後半の間に窒素プラズマを加えることによって、窒化チタン（ＴｉＮ）拡散バリアをチタン（Ｔｉ）接着層の最上部に提供することができる。
【００８２】
図４を参照すると、本発明の実施形態に従う方法は、例えばフォトリソグラフィ技術を適用することによって、接触層４２８をパターニングして、連続部分の縁部全体の周囲に少なくとも１つの不動態化層４２１を露出させることによって、露出させた金属接触領域４２２の上に接触層の連続部分３０１を画定することであって、接触層の連続部分３０１が、不動態化層（複数可）を通して、または不動態化層および再不動態化層（複数可）を通して、少なくとも１つの不動態化層の開口部、例えば金属接触領域４２２を露出させる開口部に重なって完全に覆う、画定することをさらに含む。例えば少なくとも１つの不動態化層４２１を連続部分の縁部全体の周囲に露出させた接触層の除去された材料よって、そのような他の部分が残っている場合、この連続部分３０１は、接触層４２８の任意の他の部分から分離することができる。
【００８３】
換言すれば、接触層４２８、例えば接着／バリア層は、接触層の構造が画定され、かつ隔離かれるような方法でパターン化することができ、この構造は、例えばこの構造が基板に平行な平面内に、対応する開口部のフットプリントよりも大きいフットプリントを有するように、開口部を完全に覆い、例えば開口部によって形成された凹面の内壁を覆い、開口部の縁部から外向きに延在する。
【００８４】
特に、連続部分の縁部全体の周囲に少なくとも１つの不動態化層４２１を露出させることは、開口部の周囲に閉じた輪郭部を形成する接触層の部分３０２を除去すること、例えばエッチング除去することを含むことができる。この部分３０２は、その外周全体に沿った各点において、開口部の縁部から離間配置することができる。したがって、接触層４２８は、接触層４２８が除去されるようにパターニングすることができ、本方法の以下のステップにおいて貴金属の縁部が画定される。
【００８５】
例えば接触層の下にある少なくとも１つの不動態化層４２１を局所的に露出させた、開口部の周囲の閉じた輪郭部を形成する部分３０２は、その外周全体に沿って、少なくとも０．５μｍ、例えば０．５μｍ〜５μｍの範囲の幅、例えば輪郭線の幅を有することができる。
【００８６】
接触層をパターニングすることは、連続部分３０１の外側の領域内の接触層に、例えば開口部の周囲に閉じた輪郭部を形成する除去した部分３０２によって連続部分３０１から分離された領域にスリットを画定して、連続部分が開口部の上に画定される領域の外側に、スパッタリングした貴金属の、例えば貴金属シード層４２９の良好な接着を可能にすることを含むことができる。
【００８７】
さらに、図９に例示されるように、パターニングするステップはまた、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う接触層の連続部分が開口部から離れる方向に延在して、金属接触領域４２２の上に、かつ該金属接触領域から離れて延在する再分配ボンドパッド領域１５０を形成するように、接触層１２８をパターニングすることも含むことができる。
【００８８】
本方法は、接触層４２８の上に貴金属を提供して、該接触層の連続部分３０１を完全に覆うことをさらに含むことができる。貴金属は、接触層の連続部分の縁部の上に延在して、例えば縁部全体の外周に沿った各点において、例えば縁部全体の上に延在して、連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層に接触する。
【００８９】
貴金属を提供することは、接触層の連続部分３０１の上へ、および連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層の上へ貴金属をスパッタリングして、スパッタリングした貴金属と接触層との間に、およびスパッタリングした貴金属と少なくとも１つの不動態化層との間に、原子結合による機械的接続を確立することを含む。
【００９０】
そのようなスパッタリングした貴金属層の利点は、貴金属と、接触層４２８の最上面および側壁との間に、例えば連続部分３０１によって提供される最上面および側壁との間に、極めて良好な接着を達成することができることである。さらなる利点は、例えば接触層の部分３０２を除去して連続部分３０１を画定した、貴金属と不動態化層４２１との間にも、場所にも良好な接着を達成することができることである。スパッタリングの利点は、良好な結合を形成するのに十分高い運動エネルギーで、貴金属原子を接触層および少なくとも１つの不動態化層に衝突させることである。
【００９１】
したがって、開口部を覆って取り囲む接触層の構造に隣接する貴金属と不動態化層との間に、良好な機械的接着を確保することができ、よって、腐食性の媒体は、接触層内に画定されたこの構造に到達すること、例えば拡散バリア／接着層に到達することができない。
【００９２】
図５〜図８は、本発明の実施形態に従う方法の第１の例示的なプロセスフローのさらなるステップを例示する。この第１の例示的なプロセスフローにおいて、保護貴金属層は、電気めっきによって、過酷な媒体で使用する半導体デバイス内に実現することができる。
【００９３】
図５を参照すると、本発明の実施形態に従う方法において、貴金属をスパッタリングすることは、電気めっきするための貴金属シード層４２９を、例えば低い電気抵抗を有する貴金属の層をスパッタリングして、貴金属の電気めっきのためのシード層として適切なものにすることを含むことができる。この貴金属シード層４２９は、開口部に重なって完全に覆う接触層４２８の連続部分３０１の縁部への良好な機械的接続、および露出させた不動態化層への良好な機械的接続を提供するようにスパッタリングすることができる。
【００９４】
堆積させた貴金属シード層４２９は、２０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の、例えば４０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の、例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さを有することができる。
【００９５】
本発明の実施形態に従う方法はまた、例えば再度スパッタリングすることによって、貴金属シード層４２９の最上部の上に一時的な接着層４３１を堆積させて、めっきモールド４３３の良好な接着を確実にすることも含むことができる。例えば、この一時的な接着層は、例えば必ずしも貴金属とは限らない、任意の適切な材料を含むことができる。
【００９６】
図６を参照すると、本方法は、シード層の上に、例えば貴金属シード層４２９の上にかつ直接接触して、または代替的に、一時的な接着層４３１の上にかつ直接接触して、めっきモールド４３３を形成することをさらに含むことができる。めっきモールドは、モールド開口部を画定することができる。例えば、このめっきモールド４３３は、マスキング材料、例えばレジスト材料によって形成されたモールド壁を備えることができる。
【００９７】
めっきモールド４３３によって画定されたこのモールド開口部は、基板に平行な平面内に、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う接触層４２８の連続部分３０１よりも大きいフットプリントを有することができる。例えば、モールド開口部の縁部は、例えば連続部分３０１の外周の周囲の各点において、あるギャップ、例えば小さいギャップ、例えば０．５μｍ〜５μｍの範囲のギャップだけ、連続部分３０１の縁部から離間配置することができる。
【００９８】
本方法は、めっきモールド４３３によって覆われていない一時的な接着層４３１を除去して、例えば、モールド開口部の内側に、例えばめっきモールドによって画定されためっきの容積の内側に、貴金属シード層４２９を露出させることをさらに含むことができる。
【００９９】
本方法は、めっきモールドの内側に、例えばモールド開口部の内側に、例えばモールド壁によった画定された空洞の内側に、貴金属４２４を電気めっきすることをさらに含むことができる。例えば、貴金属４２４は、０．２５μｍ〜４０μｍの範囲の厚さにめっきすることができる。
【０１００】
図７を参照すると、本方法はまた、貴金属４２４をめっきした後に、めっきモールド４３３を除去すること、例えばモールド開口部の壁を形成するマスキング材料を除去することも含むことができる。
【０１０１】
本方法はまた、例えば溶媒および／またはエッチング溶液を適用することによって、一時的な接着層４３１を除去することも含むことができる。
【０１０２】
図８を参照すると、本方法は、めっきした貴金属４２４によって覆われていない貴金属シード層４２９を除去することも含むことができる。さらに、めっきした貴金属４２４によって覆われていない接触層４２８も除去することができる。
【０１０３】
めっきした貴金属４２４によって覆われていない貴金属シード層４２９および接触層４２８を除去することは、選択的エッチングおよび／またはスパッタエッチングを含むことができる。例えば、めっきした貴金属４２４の容積は、元々めっきした容積４３５から図８に描写される容積まで低減させることができる。そのようなエッチングによって、少なくとも１つの不動態化層４２１と接触する貴金属シード層４２９の残りによって形成される傾斜側壁を、めっきした貴金属４２４の基部に形成することができることが利点である。
【０１０４】
めっきモールド４３３のモールド開口部は、半導体ダイに平行な平面内に、接触層の連続部分の対応するフットプリントよりも大きいフットプリントを有することができ、よって、モールド開口部の外周縁部は、外周縁部に沿った各点において、少なくとも所定のマージンだけ、連続部分のフットプリントから外側に離間配置される。
【０１０５】
好ましくは、この所定のマージンの幅、例えば上で参照したギャップは、電気めっきした貴金属４２４によって覆われていない貴金属シード層４２９を除去したときの、貴金属シード層４２９をエッチングするためのエッチング深さの少なくとも、例えば２倍以上とすることができる。
【０１０６】
例えば、上で説明したように、貴金属シード層４２９にエッチングしたときに、めっきした貴金属４２４はまた、容積も低減させることができる。したがって、めっきモールドを適切に寸法決定することによって、電気めっきした貴金属４２４は、エッチング除去される材料の厚さよりも長く接触層の連続部分の上を超えて延在して、例えばめっきした貴金属の適切な層が接触層の連続部分を覆って保護することを確実にすることができる。したがって、本発明の実施形態に従う方法によって得られるデバイスでは、接着を提供し、かつ拡散バリアとしての機能を果たす、金属接触領域４２２上の接触層４２８の構造を貴金属によって完全に覆うことができ、したがって、過酷な媒体から保護することができる。さらに、接触層に隣接した不動態化層への貴金属の良好な接着を得ることができる。例えば、無電解めっきでは、堆積させた金属と不動態化層との間のそのような接着を提供しないことが観察されていることに留意されたい。
【０１０７】
図９を参照すると、本発明の実施形態に従う方法において、接触層１２８をパターニングするときに再分配ボンドパッド領域１５０が形成される場合、めっきした貴金属４２４が少なくとも１つの不動態化層４２１に、ならびに接触層１２８に結合する、スパッタリングした貴金属シード層４２９によって、良好な機械的強度を確立することができる。開口部および再分配ボンドパッド領域１５０を覆う接触層構造の縁部はまた、貴金属シード層のスパッタリングした貴金属によっても好都合に覆われる。耐化学物質性は、不動態化層に対する貴金属のスパッタリングした接続の強度によって提供することができる。スパッタリングにより、この接続は、過酷な媒体がこの金と不動態化層との間に浸透することができないことを確実にするように十分強くすることができる。
【０１０８】
図１０を参照すると、比較のために提供された代替の方法において、再分配ボンドパッド領域１５０は、例えば不動態化層１２１が堆積され、パターニングされる前に、接触層２２８が堆積され、パターニングされる、めっきモールドによって画定されたモールド開口部を延在させることによって形成することができる。結果として、貴金属シード層は、ボンドパッド領域１５０と不動態化層１２１との間の機械的接続を提供する。しかしながら、この接続は、専用の接着層としての機能を果たす接触層によって接着が確実にされる、図９に示されるデバイスと比較して強度が限定される場合がある。したがって、貴金属と不動態化層との間の界面が機械的応力を受けるとき、例えば超音波結合によるワイヤボンディング中に、またはモールド化合物などの材料によってパッケージにカプセル化されるときに、図１０に示される比較構造の接合強度は、不十分であり得る。
【０１０９】
図１１を参照すると、本発明の実施形態に従う方法によって製造することができる半導体デバイスが示される。半導体デバイスは、例えば構成半導体デバイスの対応するボンドパッドを接続するボンドワイヤによって相互接続される、複数の構成半導体デバイスを備えることができる。図１２には、再不動態化層が含まれる、類似するデバイスが示される。
【０１１０】
図１３〜図１６は、本発明の実施形態に従う方法の第２の例示的なプロセスフローのさらなるステップを例示する。この第２の例示的なプロセスフローにおいて、保護貴金属層は、リフトオフプロセスによって、過酷な媒体で使用する半導体デバイス内に実現することができる。
【０１１１】
例えば、上で図３に関して説明したように、本方法は、金属接触領域４２２を備える半導体ダイ４２０を提供することと、少なくとも１つの不動態化層４２１によって半導体ダイ４２０を覆い、少なくとも１つの不動態化層４２１をパターニングして、半導体ダイ４２０の金属接触領域４２２を露出させるように開口部を形成することとを含む。少なくとも１つの不動態化層はまた、例えば上で説明したような、再不動態化層も備えることができる。
【０１１２】
本方法は、露出させた金属接触領域４２２上に耐熱金属を含む接触層５２８を形成することであって、接触層が、少なくとも接着層および少なくともバリア層を備える、形成することをさらに含む。そのような接触層５２８を形成することに関する例示的な特徴は、接触層４２８に関して上で提供された説明から明白である。
【０１１３】
図１３を参照すると、本発明の実施形態に従う方法は、例えばフォトリソグラフィ技術を適用することによって、接触層５２８をパターニングして、連続部分の縁部全体の周囲に少なくとも１つの不動態化層４２１を露出させることによって、露出させた金属接触領域４２２の上に接触層の連続部分３０１を画定することであって、接触層の連続部分３０１が、不動態化層（複数可）を通して、または不動態化層および再不動態化層（複数可）を通して、少なくとも１つの不動態化層の開口部、例えば金属接触領域４２２を露出させる開口部に重なって完全に覆う、画定することをさらに含む。
【０１１４】
接触層５２８をパターニングすることは、例えば接触層５２８のいかなる他の部分も残らないように、連続部分３０１の外側の接触層５２８の残りを除去することを含むことができる。しかしながら、第２の例示的なプロセスフローによって例示されるようなリフトオフプロセスによって、過酷な媒体で使用する半導体デバイス内に保護金属層を実現することができる本発明の実施形態において、例えば図４に示されるように、接触層は、開口部の周囲に閉じた輪郭部を形成する接触層の部分３０２を除去すること、例えばエッチング除去することによって同様にパターニングすることができる。さらに、図１６に示される製造済デバイスによって例示されるように、パターニングするステップはまた、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う接触層の連続部分が開口部から離れる方向に延在して、金属接触領域４２２の上に、かつ該金属接触領域から離れて延在する再分配ボンドパッド領域１５０を形成するように、接触層１２８をパターニングすることも含むことができる。
【０１１５】
図１４を参照すると、接触層５２８の上に貴金属を提供して、該接触層の連続部分３０１を完全に覆うことをさらに含むことができる。貴金属は、接触層の連続部分の縁部の上に延在して、例えば縁部全体の外周に沿った各点において、例えば縁部全体の上に延在して、連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層に接触する。
【０１１６】
本発明の実施形態に従う方法において、貴金属を提供することは、リフトオフマスクを作成することを含むことができる。リフトオフマスクは、接触層の連続部分３０１の周囲に壁を画定することができる。したがって、リフトオフマスクは、基板に平行な平面内に、少なくとも１つの不動態化層４２１に接触するその基部において、少なくとも１つの不動態化層の開口部に重なって完全に覆う接触層４２８の連続部分３０１よりも大きいフットプリントを有することができる。例えば、その基部のリフトオフマスクの縁部は、例えば連続部分３０１の外周の周囲の各点において、周囲のあるギャップ、例えば小さいギャップ、例えば０．５μｍ〜５μｍの範囲のギャップだけ、連続部分３０１の縁部から離間配置することができる。
【０１１７】
リフトオフマスクは、下部マスク層５３５および上部マスク層５３３を備えることができる。下部マスク５３５の開口部は、上部マスク層５３３のオーバーハングｗが作成されるように、上部マスク５３３の開口部よりも大きくすることができる。さらに、下部マスク層５３５は、厚さｈを有し、よって、距離ｈだけ下部マスク５３５の基部から離間配置されるオーバーハングｗは、貴金属を堆積させるスパッタリングプロセスにおいて周縁部を作成する。この陰影効果は、例えば厚さｈおよびオーバーハングｗを適切に選択することによって、スパッタリングプロセス中に下部マスク層５３５の側壁が貴金属によって覆われることを防止するように十分大きくすることができる。この下部側壁は、好ましくは、リフトオフ溶液がマスキング材料と反応することを可能にするために、スパッタリングした金属を含まないままにすることができる。
【０１１８】
ウエハ上のスパッタリングした層の傾斜は、リフトオフマスクの開口部を通してスパッタリングした金属の厚さｈと最終的な金属の厚さとの比率によって決定することができる。
【０１１９】
貴金属を提供することは、スパッタプロセスの前にスパッタエッチングを適用することを含むことができる。そのようなスパッタエッチング中には、高エネルギーの原子が、スパッタリングされる表面から薄層を除去し、自然酸化物を除去して、表面を分極させることができる。
【０１２０】
貴金属を提供することは、接触層５２８上に直接的に、および露出させた少なくとも１つの不動態化層４２１上に直接的に、接着層５２９をスパッタリングすることを含むことができる。このスパッタリングは、リフトオフマスクを通して行うことができる。例えば、そのような接着層５２９は、２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の厚さにスパッタリングすることができる。リフトオフマスクのそのようなマスク開口部を通してスパッタリングすることは、明確な領域内のスパッタリング中にスパッタリングした材料を漸増的にスパッタリングすることを可能にするので、特に有利である。したがって、スパッタリングした材料をパターンニングするさらなるステップが不要になるが、そうでない場合は、過酷な環境において腐食性化学物質によって攻撃され得る縁部を形成する場合がある。さらに、堆積させた材料の縁部は、マスクを通してスパッタリングすることによる材料の蓄積により、好都合に傾斜させることができ、よって、リフトオフマスクを通して複数の層および／または材料をスパッタリングするときに、以前に堆積させた各層が側壁を含めて完全に覆われ、したがって、その後に堆積される層（複数可）によって保護される。さらに、スパッタリングプロセスに最終的に由来するテーパの付いた縁部は、振動などによって生じる機械的な力が、縁部に沿って垂直側壁に作用することを防止することができ、このことは、てこの作用により（再）不動態化層に機械的に接触する基部に欠陥を作成し得、したがって、腐食性化学物質が、（再）不動態化層に到達することを可能にする。
【０１２１】
貴金属を提供することは、接触層５２８の連続部分３０１の上へ、および連続部分の縁部の周囲の露出させた少なくとも１つの不動態化層の上へ貴金属をスパッタリングして、スパッタリングした貴金属と接触層との間に、およびスパッタリングした貴金属と少なくとも１つの不動態化層との間に、原子結合による機械的接続を確立することを含む。
【０１２２】
貴金属をスパッタリングすることは、例えば接着層５２９をスパッタリングした後に、例えば接着層５２９のスパッタリングと貴金属５２４のスパッタリングとの間に、リフトオフマスクの上に真空を維持している間、リフトオフマスクを通して貴金属５２４をスパッタリングすることをさらに含むことができる。例えば、ウエハを酸素または窒素に晒して自然酸化物または窒化物の形成を防止することを伴わずに、接着層５２９のスパッタリングの後に、貴金属をスパッタリングすることができる。
【０１２３】
貴金属は、例えば、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の厚さにスパッタリングすることができる。貴金属の厚さは、リフトオフプロセスを容易に行うこと、およびコストを妥当な範囲内に保つことを可能にするために、好ましくは１０００ｎｍ未満であり、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。貴金属の厚さは、十分な材料を提供して信頼性の高いワイヤボンドを確立するために、好ましくは５０ｎｍであり、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲、例えば２００ｎｍなどの１５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲である。
【０１２４】
貴金属は、少なくとも接触層と、例えば拡散バリア層と同じ厚さにスパッタリングすることができる。例えば、接触層によって提供される拡散バリアは、少なくとも１００ｎｍの厚さとすることができ、貴金属も同じく、少なくとも１００ｎｍの厚さにスパッタリングすることができる。
【０１２５】
貴金属５２４は、例えば薄い接着層が貴金属によって十分に覆われ、かつ過酷な環境に晒されないように、接着層５２９の１０倍〜５０倍の範囲の厚さにスパッタリングすることができる。
【０１２６】
例えば、接着層５２９は、約５ｎｍの厚さを有するタンタル層とすることができ、貴金属５２４は、約２００ｎｍの厚さにスパッタリングされたプラチナから構成することができる。この組み合わせは、ワイヤボンディングに特に良好な接着品質、ならびに過酷な媒体に対する良好な耐性を提供することができる。
【０１２７】
そのようなスパッタリングした貴金属層の利点は、貴金属と、接触層５２８の最上面および側壁との間に、例えば連続部分３０１によって提供される最上面および側壁との間に、極めて良好な接着を達成することができることである。さらなる利点は、例えば接触層の部分３０２を除去して連続部分３０１を画定した、貴金属と不動態化層４２１との間にも、場所にも良好な接着を達成することができることである。スパッタリングの利点は、良好な結合を形成するのに十分高い運動エネルギーで、貴金属原子を接触層および少なくとも１つの不動態化層に衝突させることである。
【０１２８】
したがって、開口部を覆って取り囲む接触層の構造に隣接する貴金属と不動態化層との間に、良好な機械的接着を確保することができ、よって、腐食性の媒体は、接触層内に画定されたこの構造に到達すること、例えば拡散バリア／接着層に到達することができない。
【０１２９】
リフトオフプロセスは、接着層５２９の良好なカプセル化を好都合に提供することができる。例えば、接着層５２９が少なくとも１つの不動態化層４２１と貴金属５２４との間にスパッタリングされるときには、接触層および貴金属層のスタック上にエッチングマスクを使用することで、縁部の底部に、接着層の露出させた縁部をもたらす。しかしながら、リフトオフプロセスの一部としてスタックをスパッタリングすることによって、接着層を、接着層の側壁を含めて、貴金属によって完全に覆うことができる。例えば、以前に接着金属がリフトオフマスクの開口部を通してスパッタリングされたときよりもかなり多い貴金属を、同じリフトオフマスクを通してスパッタリングすることができるので、接着層の縁部を貴金属によって完全に覆うことができる。
【０１３０】
図１５を参照すると、貴金属５２４をスパッタリングした後に、リフトオフマスク、例えば下部マスク層５３５および上部マスク層５３３は、例えばリフトオフ溶液を使用して除去することができる。
【０１３１】
さらに、本発明の実施形態に従う方法は、例えば２００℃〜６００℃の範囲の温度で、スパッタリングした層を熱アニールして、スパッタリングした層の応力を緩和することができる。金属のスパッタリング中に、スパッタリングされる原子の運動エネルギーは極めて高いので、原子がスパッタリングされる表面に原子が浸透し、周囲の原子を横方向に押す。これは、良好な接着を好都合に達成することができるが、圧縮応力も生じさせ得る。この応力は、十分な熱エネルギーを原子に与えて再度安定させる温度にウエハを加熱することによって緩和することができる。
【０１３２】
第２の態様において、本発明はまた、過酷な媒体で使用する半導体デバイスにも関する。
【０１３３】
図８、図９、図１０、図１１、図１２、図１５、および図１６を参照すると、本発明の実施形態に従う、過酷な媒体で使用する様々な例示的な半導体デバイス１、２、３、４、５、６が示される。
【０１３４】
これらの半導体デバイスは、シリコンダイ４２０、金属接触領域４２２、例えばボンドパッド領域を備える。
【０１３５】
半導体デバイスはまた、半導体ダイ４２０の金属接触領域４２２への開口部を形成するように、半導体ダイ４２０を覆い、パターニングされた、少なくとも１つの不動態化層４２１も備える。
【０１３６】
図１２を参照すると、少なくとも１つの不動態化層は、半導体ダイ４２０上の第１の不動態化層１２２または不動態化層のスタック、および第１の不動態化層１２２上の、または第１の不動態化層のスタック上の少なくとも１つの再不動態化層１２３を備えることができる。第１の不動態化層（または第１の不動態化層のスタック）および再不動態化層はどちらも、半導体ダイの金属接触領域４２２への開口部、例えば第１の不動態化層（または第１の不動態化層のスタック）を通って、および再不動態化層を通って延在する開口部を形成するようにパターニングすることができる。さらに、第１の不動態化層１２２（または不動態化層の第１のスタック）内に第１の開口部を、および再不動態化層１２３内に第２の開口部を提供することができ、第２の開口部は、第１の開口部よりも小さい。
【０１３７】
半導体デバイス１、２、３、４、５、６は、耐熱金属を含む接触層４２８、１２８、５２８の連続部分３０１をさらに備える。接触層は、少なくとも接着層および少なくとも拡散バリア層を備える。
【０１３８】
この連続部分３０１は、少なくとも１つの不動態化層４２１の開口部に重なって完全に覆い、開口部の金属接触領域４２２に接触し、また、連続部分３０１の縁部全体に沿って少なくとも１つの不動態化層４２１に接触する。
【０１３９】
本発明の実施形態による半導体デバイス１、２、３、４、５、６は、接触層の上に配設された貴金属層を備える。貴金属層は、接触層の連続部分３０１を完全に覆う。貴金属層は、接触層の連続部分３０１の縁部全体の上にさらに延在して、連続部分３０１の縁部の周囲の少なくとも１つの不動態化層４２１に接触する。
【０１４０】
貴金属層は、その外周全体の周囲に、少なくとも１つの不動態化層４２１に向かって先細りになる傾斜縁部を備えることができ、貴金属層は、連続部分３０１の縁部の周囲の少なくとも１つの不動態化層４２１に接触する。
【０１４１】
図１１および図１２を参照すると、半導体デバイス３は、例えば同じ半導体ダイ４２０内に共集積された、複数の構成半導体デバイスを備えることができる。
【０１４２】
図９、図１１、図１２、および図１６を参照すると、本発明の実施形態に従う半導体デバイス２、３、４、６において、接触層の連続部分３０１は、開口部から離れる方向に延在して、金属接触領域の上に、かつ該金属接触領域４２２から離れて延在する再分配ボンドパッド領域１５０を形成することができる。
【０１４３】
図８および図９を参照すると、本発明の実施形態に従う半導体デバイス１、２の貴金属層は、連続部分３０１上に、および連続部分の縁部の周囲の少なくとも１つの不動態化層上にスパッタリングされた貴金属の貴金属シード層４２９を備えることができ、スパッタリングした貴金属と接触層との間に、およびスパッタリングした貴金属と少なくとも１つの不動態化層との間に、原子結合による機械的接続が確立される。貴金属層は、貴金属シード層４２９の上へめっきした貴金属４２４をさらに備えることができる。
【０１４４】
図１５および図１６を参照すると、本発明の実施形態に従う半導体デバイス５、６の貴金属層は、連続部分３０１上に、および連続部分の縁部の周囲の少なくとも１つの不動態化層上にスパッタリングされた貴金属の貴金属層５２４を備えることができ、スパッタリングした貴金属と接触層との間に、およびスパッタリングした貴金属と少なくとも１つの不動態化層との間に、例えば中間接着層５２９を介して、原子結合による機械的接続が確立される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【外国語明細書】
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