(57)【要約】【課題】接続子の傾きや位置ずれを抑制することで、リード部と接続子との間の導電性接合材の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】チップ搭載面１２を有するダイパッド部１０と、ダイパッド部１０とは離隔しているリード部２０と、第１電極３２がチップ搭載面１２に第１導電性接合材５０を介して接合されたチップ３０と、一方の端部４２が第２導電性接合材５２を介してチップ３０の第２電極３４と接合され、他方の端部４４が第３導電性接合材５４を介してリード部２０と接合された接続子４０とを備え、リード部２０は、リード部２０の厚さ方向に突出しかつ先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部２２を有し、接続子４０は、他方の端部４４に形成された貫通孔４６を有し、貫通孔４６は、凸２２部の所定の高さ位置で凸部２２に嵌め込まれている半導体装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載面を有するダイパッド部と、
前記ダイパッド部とは離隔しているリード部と、
一方の面に形成された第１電極及び他方の面に形成された第２電極を有し、前記第１電極が前記チップ搭載面に第１導電性接合材を介して接合されたチップと、
一方の端部が第２導電性接合材を介して前記第２電極と接合され、他方の端部が第３導電性接合材を介して前記リード部と接合された接続子とを備え、
前記リード部は、前記リード部の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部を有し、
前記接続子は、前記他方の端部に形成された貫通孔を有し、
前記貫通孔は、前記凸部の所定の高さ位置で前記凸部に嵌め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凸部は、側面がテーパー形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記貫通孔は、内側面がテーパー形状であり、前記リード部側ほど広がる形状であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凸部は、側面が、先端に向かうに従って勾配が急峻になるテーパー形状であることを特徴とする請求項２又は３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凸部は、側面が段差形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記凸部は、前記リード部の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が円形であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記リード部は、前記凸部を複数有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記凸部は、前記リード部の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が多角形であり、
前記貫通孔は、前記凸部の先端側からみた形状が前記凸部に対応する多角形であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
チップ搭載面を有するダイパッド部と、前記ダイパッド部とは離隔しているリード部と、一方の面に形成された第１電極及び他方の面に形成された第２電極を有するチップと、一方の端部及び他方の端部を有する接続子とを準備する第１工程と、
第１導電性接合材の前駆体を介して前記チップ搭載面と前記第１電極とを対面させ、第２導電性接合材の前駆体を介して前記第２電極と前記一方の端部とを対面させ、第３導電性接合材の前駆体を介して前記リード部と前記他方の端部とを対面させる第２工程と、
前記第１導電性接合材の前駆体、前記第２導電性接合材の前駆体及び前記第３導電性接合材の前駆体を加熱溶融した後に固化させてそれぞれ第１導電性接合材、第２導電性接合材及び第３導電性接合材とすることで、前記第１導電性接合材により前記チップ搭載面と前記第１電極とを接合し、前記第２導電性接合材により前記第２電極と前記一方の端部とを接合し、前記第３導電性接合材により前記リード部と前記他方の端部とを接合する第３工程とをこの順序で含み、
前記リード部は、前記リード部の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部を有し、
前記接続子は、前記他方の端部に形成された貫通孔を有し、
前記第２工程では、前記貫通孔を前記凸部の所定の高さ位置で前記凸部に嵌め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、チップ（半導体チップや半導体素子ともいう。）とリード部とが接続子を介して接続されている半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
図１０に示す半導体装置９００は、従来の半導体装置を例示するものである。従来の半導体装置９００は、図１０に示すように、チップ搭載面９１２を有するダイパッド部９１０と、ダイパッド部９１０とは離隔しているリード部９２０と、一方の面に形成された第１電極９３２及び他方の面に形成された第２電極９３４を有し、第１電極９３２がチップ搭載面９１２に第１導電性接合材９５０を介して接合されたチップ９３０と、一方の端部９４２が第２導電性接合材９５２を介して第２電極９３４と接合され、他方の端部９４４が第３導電性接合材９５４を介してリード部９２０と接合された接続子９４０とを備える。
【０００３】
なお、第１導電性接合材９５０、第２導電性接合材９５２及び第３導電性接合材９５４は、例えば、はんだ（鉛フリーはんだを含む。以下、単に「はんだ」という場合において同様である。）である。第１導電性接合材９５０、第２導電性接合材９５２及び第３導電性接合材９５４による各構成要素の接合は、半導体装置９００の製造工程において、それぞれの導電性接合材の前駆体（例えば、はんだペースト）を適切な場所に配置した後、加熱溶融した後に固化させる（リフローを行う）事により行うことができる。
【０００４】
従来の半導体装置９００によれば、チップ９３０とリード部９２０とが接続子９４０を介して接続されているため、チップ９３０とリード部９２０とがワイヤを介して接続されている場合よりも大電流を流すことができ、かつ、放熱性を高くすることができる半導体装置となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６７０５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の半導体装置においては、半導体装置の製造過程において、各構成要素を各導電性接合材で接合する際に、接続子９４０が傾いたり位置ずれしたりする場合があり、第３導電性接合材９５４の厚さを設計どおりの厚さとすることが難しい場合があるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、接続子の傾きや位置ずれを抑制することで、リード部と接続子との間の導電性接合材の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。また、接続子の傾きや位置ずれを抑制することでリード部と接続子との間の導電性接合材の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］本発明の半導体装置は、チップ搭載面を有するダイパッド部と、前記ダイパッド部とは離隔しているリード部と、一方の面に形成された第１電極及び他方の面に形成された第２電極を有し、前記第１電極が前記チップ搭載面に第１導電性接合材を介して接合されたチップと、一方の端部が第２導電性接合材を介して前記第２電極と接合され、他方の端部が第３導電性接合材を介して前記リード部と接合された接続子とを備え、前記リード部は、前記リード部の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部を有し、前記接続子は、前記他方の端部に形成された貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記凸部の所定の高さ位置で前記凸部に嵌め込まれていることを特徴とする。
【０００９】
［２］本発明の半導体装置においては、前記凸部は、側面がテーパー形状であることが好ましい。
【００１０】
［３］本発明の半導体装置においては、前記貫通孔は、内側面がテーパー形状であり、前記リード部側ほど広がる形状であることが好ましい。
【００１１】
［４］本発明の半導体装置においては、前記凸部は、側面が、先端に向かうに従って勾配が急峻になるテーパー形状であることが好ましい。
【００１２】
［５］本発明の半導体装置においては、前記凸部は、側面が段差形状であることが好ましい。
【００１３】
［６］本発明の半導体装置においては、前記凸部は、前記リード部の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が円形であることが好ましい。
【００１４】
［７］本発明の半導体装置においては、前記リード部は、前記凸部を複数有することが好ましい。
【００１５】
［８］本発明の半導体装置においては、前記凸部は、前記リード部の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が多角形であり、前記貫通孔は、前記凸部の先端側からみた形状が前記凸部に対応する多角形であることが好ましい。
【００１６】
［９］本発明の半導体装置の製造方法は、チップ搭載面を有するダイパッド部と、前記ダイパッド部とは離隔しているリード部と、一方の面に形成された第１電極及び他方の面に形成された第２電極を有するチップと、一方の端部及び他方の端部を有する接続子とを準備する第１工程と、第１導電性接合材の前駆体を介して前記チップ搭載面と前記第１電極とを対面させ、第２導電性接合材の前駆体を介して前記第２電極と前記一方の端部とを対面させ、第３導電性接合材の前駆体を介して前記リード部と前記他方の端部とを対面させる第２工程と、前記第１導電性接合材の前駆体、前記第２導電性接合材の前駆体及び前記第３導電性接合材の前駆体を加熱溶融した後に固化させてそれぞれ第１導電性接合材、第２導電性接合材及び第３導電性接合材とすることで、前記第１導電性接合材により前記チップ搭載面と前記第１電極とを接合し、前記第２導電性接合材により前記第２電極と前記一方の端部とを接合し、前記第３導電性接合材により前記リード部と前記他方の端部とを接合する第３工程とをこの順序で含み、前記リード部は、前記リード部の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部を有し、前記接続子は、前記他方の端部に形成された貫通孔を有し、前記第２工程では、前記貫通孔を前記凸部の所定の高さ位置で前記凸部に嵌め込むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置によれば、リード部は、リード部の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部を有し、接続子は、他方の端部に形成された貫通孔を有し、貫通孔は、凸部の所定の高さ位置で凸部に嵌め込まれているため、凸部と貫通孔とで接続子の傾きや位置ずれを抑制することで、リード部と接続子との間の距離（間隔）を安定して規定することが可能となる。その結果、本発明の半導体装置は、リード部と接続子との間の導電性接合材の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置となる。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、リード部は、リード部の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部を有し、接続子は、他方の端部に形成された貫通孔を有し、第２工程では、貫通孔を凸部の所定の高さ位置で凸部に嵌め込むため、凸部と貫通孔とで接続子の傾きや位置ずれを抑制することでリード部と接続子との間の距離（間隔）を安定して規定することが可能となる。その結果、本発明の半導体装置の製造方法は、リード部と接続子との間の導電性接合材の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態１に係る半導体装置１の図である。図１（ａ）は半導体装置１の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＢで示す部分を拡大して示す部分拡大図である。なお、図１以下の各図面は模式図であり、図示した構成要素等の大きさは、必ずしも現実の構成要素の大きさに対応するものではない。
【図２】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明するための図である。図２（ａ）は第１工程を説明するための図であり、図２（ｂ）は第２工程を説明するための図であり、図２（ｃ）は第３工程を説明するための図である。なお、図２は図１（ｂ）に相当する断面図である。以下、単に断面図という場合には、図１（ｂ）に相当する断面図のことをいう。
【図３】実施形態２に係る半導体装置２の断面図である。
【図４】実施形態３に係る半導体装置３の図である。図４（ａ）は半導体装置３の上面図であり、図４（ｂ）は半導体装置３の断面図である。
【図５】実施形態４に係る半導体装置４の上面図である。
【図６】変形例１に係る半導体装置５の部分拡大図である。図６は図１（ｃ）に相当する部分拡大図である。以下、単に部分拡大図という場合には、図１（ｃ）に相当する部分拡大図のことをいう。
【図７】変形例２に係る半導体装置６の部分拡大図である。
【図８】変形例３に係る半導体装置７の部分拡大図である。
【図９】変形例４に係る半導体装置８の上面図である。
【図１０】従来の半導体装置９００の図である。図１０（ａ）は半導体装置９００の上面図であり、図１０（ｂ）は半導体装置９００の断面図である。
【００２０】
以下、本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図に示す実施形態に基づいて説明する。以下に説明する各実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、各実施形態の中で説明されている諸要素およびその組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須であるとは限らない。各実施形態においては、基本的な構成および特徴が同じ構成要素については、実施形態をまたぎ同じ符号を使用し、説明を省略する。
【００２１】
［実施形態１］
まず、実施形態１に係る半導体装置１について説明する。
実施形態１に係る半導体装置１は、図１に示すように、ダイパッド部１０と、リード部２０と、チップ３０と、接続子４０とを備える。
【００２２】
ダイパッド部１０は、チップ搭載面１２を有する。ダイパッド部１０は金属（例えば、銅）からなることが好ましく、これは後述するリード部２０についても同様である。
【００２３】
リード部２０は、ダイパッド部１０とは離隔している。リード部２０は、リード部２０の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部２２を有する。実施形態１においては、リード部２０は、１つの凸部２２を有する。
【００２４】
凸部２２は、側面がテーパー形状である。さらにいえば、凸部２２は、側面が一定の傾きからなるテーパー形状である。また、凸部２２は、リード部２０の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が円形である。このため、実施形態１における凸部２２は、円錐台形状であるともいえる。
テーパーの角度は、例えば、リード部２０の厚さ方向に沿う軸を基準として２０°〜３０°の範囲内とすることができる。
【００２５】
本明細書における「横断面積」とは、凸部をリード部の厚さ方向と垂直な面で切断したときの面積のことをいう。
横断面積の小さくなりかたが一様である凸部（例えば、実施形態１における凸部２２、特に図１（ｃ）参照。）も、横断面積の小さくなりかたが一様でない凸部（例えば、後述する変形例１における凸部１１２、図６参照。）も、「先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている」という条件を満たす。また、全体として先端に向かうに従って横断面積が小さくなっているのであれば、横断面積が変化しない部分がある凸部（例えば、後述する変形例２における凸部１２２、図７参照。）も、「先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている」という条件を満たす。
【００２６】
チップ３０は、一方の面に形成された第１電極３２及び他方の面に形成された第２電極３４を有する。チップ３０は、第１電極３２がチップ搭載面１２に第１導電性接合材５０を介して接合されている。
チップ３０は、半導体物質（代表的には、ケイ素や炭化ケイ素）を基体とし、特定の電子的機能を有する部品である。
本明細書において「導電性接合材」とは、導電性及び接着性を有する金属又は合金のことをいう。導電性接合材としては、例えば、はんだを用いることができる。
【００２７】
接続子４０は、一方の端部４２が第２導電性接合材５２を介して第２電極３４と接合され、他方の端部４４が第３導電性接合材５４を介してリード部２０と接合されている。接続子４０は、金属（例えば、銅）からなることが好ましい。
【００２８】
接続子４０は、他方の端部４４に形成された貫通孔４６を有する。実施形態１における貫通孔４６は、凸部２２の先端側からみた形状（上面視形状）が円形である。実施形態１における貫通孔４６の内側面は、接続子４０の厚さ方向と平行な形状（ストレート形状）からなる。貫通孔４６の直径は、凸部２２の最大直径（上面視したときの端部の直径）よりも小さく、かつ、最小直径（上面視したときの先端部の直径）よりも大きい。
貫通孔４６は、凸部２２の所定の高さ位置で凸部２２に嵌め込まれている。
【００２９】
本明細書において「所定の高さ位置」とは、凸部の先端と凸部の末端（底部）と間の位置のことをいう。
リード部２０と接続子４０とは、凸部２２と貫通孔４６の内側面（内側面の端部を含む）とでのみ直接接触している。接続子４０は、貫通孔４６を介して凸部２２で支えられているということもできる。
【００３０】
次に、実施形態１に係る半導体装置の製造方法について説明する。
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、実施形態１に係る半導体装置１を製造するための製造方法であり、以下に説明する第１工程〜第３工程をこの順序で含む。
【００３１】
第１工程は、図２（ａ）に示すように、チップ搭載面１２を有するダイパッド部１０と、ダイパッド部１０とは離隔しているリード部２０と、一方の面に形成された第１電極３２及び他方の面に形成された第２電極３４を有するチップ３０と、一方の端部４２及び他方の端部４４を有する接続子４０とを準備する工程である。
このとき準備するリード部２０は、リード部２０の厚さ方向に突出し、かつ、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっている凸部２２を有する。また、接続子４０は、他方の端部４４に形成された貫通孔４６を有する。
【００３２】
第２工程は、図２（ｂ）に示すように、第１導電性接合材の前駆体５０ａを介してチップ搭載面１２と第１電極３２とを対面させ、第２導電性接合材の前駆体５２ａを介して第２電極３４と一方の端部４２とを対面させ、第３導電性接合材の前駆体５４ａを介してリード部２０と他方の端部４４とを対面させる工程である。
第２工程では、貫通孔４６を凸部２２の所定の高さ位置で凸部２２に嵌め込む。
【００３３】
本明細書における「導電性接合材の前駆体」とは、加熱溶融した後に固化させる（リフローを行う）ことで導電性接合材となるもののことをいう。導電性接合材の前駆体としては、導電性接合材の材料として適切な金属又は合金の粉末に有機溶剤等を混合してペースト状にしたもの（例えば、はんだペースト）や、バルクの金属又は合金（例えば、はんだリボンや予備はんだ）を用いることができる。
なお、第１導電性接合材の前駆体５０ａ、第２導電性接合材の前駆体５２ａ及び第３導電性接合材の前駆体５４ａとしては、はんだペーストを好適に用いることができる。はんだペーストを用いる場合には、はんだペーストの配置は公知のスクリーン印刷法により行うことができる。
【００３４】
第２工程においては、ダイパッド部１０及びリード部２０を接続子４０に対して重力方向下側に配置（下から、ダイパッド部１０及びリード部２０、チップ３０、接続子４０の順に配置）してもよいし、ダイパッド部１０及びリード部２０に対して接続子４０を重力方向下側に配置（下から、接続子４０、チップ３０、ダイパッド部１０及びリード部２０の順に配置）してもよい。
【００３５】
第３工程は、図２（ｃ）に示すように、第１導電性接合材の前駆体５０ａ、第２導電性接合材の前駆体５２ａ及び第３導電性接合材の前駆体５４ａを加熱溶融した後に固化させてそれぞれ第１導電性接合材５０、第２導電性接合材５２及び第３導電性接合材５４とする（つまり、リフローを行う）ことで、第１導電性接合材５０によりチップ搭載面１２と第１電極３２とを接合し、第２導電性接合材５２により第２電極３４と一方の端部４２とを接合し、第３導電性接合材５４によりリード部２０と他方の端部４４とを接合する工程である。
第３工程は、構成要素を加熱装置（図示せず。）で加熱することにより実施することができる。加熱温度や加熱時間は、導電性接合材の前駆体の種類や構成要素の耐熱性等に応じた温度とすることができる。
【００３６】
以上の第１工程〜第３工程により、実施形態１に係る半導体装置１を製造することができる。
【００３７】
次に、実施形態１に係る半導体装置１及び半導体装置の製造方法の効果について説明する。
【００３８】
実施形態１に係る半導体装置１によれば、リード部２０は凸部２２を有し、接続子４０は貫通孔４６を有し、貫通孔４６は凸部２２の所定の高さ位置で凸部２２に嵌め込まれているため、凸部２２と貫通孔４６とで接続子４０の傾きや位置ずれを抑制することで、リード部２０と接続子４０との間の距離（間隔）を安定して規定することが可能となる。その結果、実施形態１に係る半導体装置１は、リード部２０と接続子４０との間の導電性接合材（第３導電性接合材５４）の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置となる。
【００３９】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、チップ３０とリード部２０とが接続子４０を介して接続されているため、従来の半導体装置９００と同様に、チップ３０とリード部２０とがワイヤを介して接続されている場合よりも大電流を流すことができ、かつ、放熱性を高くすることができる半導体装置となる。
【００４０】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、貫通孔４６は凸部２２の所定の高さ位置で凸部２２に嵌め込まれているため、凸部２２と貫通孔４６とでリード部２０と接続子４０との間の距離（間隔）を規定することで、第３導電性接合材５４の量にばらつきがあっても、第３導電性接合材５４の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能となる。
【００４１】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、凸部２２は、先端に向かうに従って横断面積が小さくなっているため、貫通孔４６を容易に嵌め込むことが可能となる。
【００４２】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、凸部２２は、側面がテーパー形状であるため、凸部２２の側面により接続子４０を安定して支えることが可能となる。
【００４３】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、凸部２２は、リード部２０の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が円形であるため、当該形状が円形ではない凸部と比較して、精度管理を容易なものとすることが可能となる。
【００４４】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、リード部２０は凸部２２を有し、接続子４０は貫通孔４６を有し、第２工程では貫通孔４６を凸部２２の所定の高さ位置で凸部２２に嵌め込むため、凸部２２と貫通孔４６とで接続子４０の傾きや位置ずれを抑制することでリード部２０と接続子４０との間の距離（間隔）を安定して規定することが可能となる。その結果、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、リード部２０と接続子４０との間の導電性接合材（第３導電性接合材５４）の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置１を製造するための半導体装置の製造方法となる。
【００４５】
［実施形態２］
実施形態２に係る半導体装置２は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、貫通孔の大きさが実施形態１に係る半導体装置１とは異なる。実施形態２に係る半導体装置２は、図３に示すように、実施形態１に係る半導体装置１における接続子４０に相当する構成要素として、接続子６０を備える。
【００４６】
接続子６０は、基本的には実施形態１における接続子４０と同様の構成を有するが、実施形態１における貫通孔４６よりも小さい貫通孔６６を有する。このため、実施形態２においては、所定の高さ位置が実施形態１の場合よりも高くなっている。つまり、実施形態２に係る半導体装置２におけるリード部２０と接続子６０との間の第３導電性接合材５４の厚さは、実施形態１に係る半導体装置１における第３導電性接合材５４の厚さよりも厚くなっている。また、これに伴って、実施形態２に係る半導体装置２におけるチップ３０と接続子６０との間の第２導電性接合材５２の厚さも、実施形態１に係る半導体装置１における第２導電性接合材５２の厚さよりも厚くなっている。
【００４７】
図３における符号６２は一方の端部であり、符号６４は他方の端部である。
なお、実施形態２においては、実施形態１よりも貫通孔を小さくした場合を例にとって説明したが、逆に貫通孔を大きくしてもよい。この場合、第３導電性接合材及び第２導電性接合材の厚さは、実施形態１の場合よりも薄くなる。
なお、貫通孔の内側面がストレート形状からなる場合には、「貫通孔の大きさ」とは、貫通孔を凸部の先端の側からみたとき（上面視したとき）の大きさのことをいう。
【００４８】
このように、実施形態２に係る半導体装置２は、貫通孔の大きさが実施形態１に係る半導体装置１とは異なるが、リード部２０は凸部２２を有し、接続子６０は貫通孔６６を有し、貫通孔６６は凸部２２の所定の高さ位置で凸部２２に嵌め込まれているため、実施形態１に係る半導体装置１と同様に、リード部２０と接続子６０との間の導電性接合材（第３導電性接合材５４）の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置となる。
【００４９】
また、実施形態２に係る半導体装置２によれば、貫通孔６６の大きさを調整することで、リード部２０と接続子６０との間の導電性接合材（第３導電性接合材５４）の厚さ及びチップ３０と接続子６０との間の導電性接合材（第２導電性接合材５２）の厚さを調整することが可能となる。
【００５０】
実施形態２に係る半導体装置２は、貫通孔の大きさ以外については実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果と同様の効果も有する。
【００５１】
［実施形態３］
実施形態３に係る半導体装置３は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、凸部及び貫通孔の数が実施形態１に係る半導体装置１とは異なる。実施形態３に係る半導体装置３は、図４に示すように、実施形態１に係る半導体装置１におけるリード部２０に相当する構成要素としてリード部７０を備え、接続子４０に相当する構成要素として接続子８０を備える。
【００５２】
リード部７０は、基本的には実施形態１におけるリード部２０と同様の構成を有するが、凸部７２を複数（実施形態３では２つ）有する。凸部７２自体は、実施形態１における凸部２２と同様の構成を有する。
接続子８０は、基本的には実施形態１における接続子４０と同様の構成を有するが、凸部７２に対応する貫通孔８６を複数（実施形態３では２つ）有する。貫通孔８６自体は、実施形態１における貫通孔８６と同様の構成を有する。なお、図４における符号８２は一方の端部であり、符号８４は他方の端部である。
【００５３】
このように、実施形態３に係る半導体装置３は、凸部及び貫通孔の数が実施形態１に係る半導体装置１とは異なるが、リード部７０は凸部７２を有し、接続子８０は貫通孔８６を有し、貫通孔８６は凸部７２の所定の高さ位置で凸部７２に嵌め込まれているため、実施形態１に係る半導体装置１と同様に、リード部７０と接続子８０との間の導電性接合材（第３導電性接合材５４）の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置となる。
【００５４】
また、実施形態３に係る半導体装置３によれば、リード部７０は、凸部７２を複数有するため、接続子８０が回転することによる位置ずれを抑制することが可能となる。
【００５５】
実施形態３に係る半導体装置３は、凸部及び貫通孔の数以外については実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果と同様の効果も有する。
【００５６】
［実施形態４］
実施形態４に係る半導体装置４は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、凸部及び貫通孔の形状が実施形態１に係る半導体装置１とは異なる。実施形態４に係る半導体装置４は、図５に示すように、実施形態１に係る半導体装置１におけるリード部２０に相当する構成要素としてリード部９０を備え、接続子４０に相当する構成要素として接続子１００を備える。
【００５７】
リード部９０は、基本的には実施形態１におけるリード部２０と同様の構成を有するが、
実施形態１におけるリード部２０とは異なる凸部９２を有する。凸部９２は、前記リード部９０の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が多角形（実施形態４においては六角形）である。
接続子１００は、基本的には実施形態１における接続子４０と同様の構成を有するが、実施形態１における接続子４０とは異なる貫通孔１０６を有する。貫通孔１０６は、凸部９２の先端側からみた形状が凸部９２に対応する多角形（実施形態４においては六角形）である。なお、図５における符号１０２は一方の端部であり、符号１０４は他方の端部である。
【００５８】
本明細書において「凸部に対応する多角形」とは、凸部に嵌め込むことができる多角形であることをいう。凸部の先端側から見た貫通孔の形状は、凸部の断面の形状と必ずしも一致していなくてもよい。例えば、凸部について、リード部の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が六角形である場合には、貫通孔は、凸部に嵌め込むことが可能であるならば、凸部の先端からみた形状が三角形や四角形であってもよい。
【００５９】
このように、実施形態４に係る半導体装置４は、凸部及び貫通孔の形状が実施形態１に係る半導体装置１とは異なるが、リード部９０は凸部９２を有し、接続子１００は貫通孔１０６を有し、貫通孔１０６は凸部９２の所定の高さ位置で凸部９２に嵌め込まれているため、実施形態１に係る半導体装置１と同様に、リード部９０と接続子１００との間の導電性接合材（第３導電性接合材５４）の厚さを容易に設計どおりの厚さにすることが可能な半導体装置となる。
【００６０】
また、実施形態４に係る半導体装置４によれば、凸部９２は、リード部９０の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が多角形であり、貫通孔１０６は、凸部９２の先端側からみた形状が凸部９２に対応する多角形であるため、接続子１００が回転することによる位置ずれを抑制することが可能となる。
【００６１】
実施形態４に係る半導体装置４は、凸部及び貫通孔の形状以外については実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果と同様の効果も有する。
【００６２】
以上、本発明を上記の各実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の各実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【００６３】
（１）上記各実施形態において記載した構成要素の数、材質、形状、位置、大きさ、角度等は例示であり、本発明の効果を損なわない範囲において変更することが可能である。
【００６４】
（２）上記各実施形態においては、凸部２２，７２、９２は、側面が一定の傾きからなるテーパー形状であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、変形例１に係る半導体装置５における凸部１１２（図６参照。）のように、凸部は、側面が、先端に向かうに従って勾配が急峻になるテーパー形状であってもよい。このような構成とすることによっても、凸部の側面により接続子を安定して支えることが可能となる。
【００６５】
（３）上記各実施形態においては、凸部２２，７２，９２は、側面がテーパー形状であるが本発明はこれに限定されるものではない。例えば、変形例２に係る半導体装置６における凸部１２２（図７参照。）のように、凸部は、側面が段差形状（階段状の形状）であってもよい。このような構成とすることにより、段差を利用して接続子を安定して支えることが可能となる。
【００６６】
（４）上記各実施形態においては、貫通孔４６，６６，８６，１０６の内側面は、接続子４０の厚さ方向と平行な形状（ストレート形状）からなるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、変形例３に係る半導体装置７における貫通孔１３６（図８参照。）のように、貫通孔は、内側面がリード部側ほど広がるテーパー形状であってもよい。このような構成とすることにより、貫通孔の嵌め込みを安定させることが可能となる。このような構成とする場合には、テーパー形状の角度は凸部の側面の角度に対応する角度であり、凸部の側面と貫通孔の内側面との間に隙間がないことが好ましい。また、上記のような構成とする場合には、リード部とは反対の側の端部における貫通孔の大きさが凸部の先端の大きさより小さくてもよい。例を挙げると、貫通孔について凸部の先端側からみた形状が円形であり、かつ、凸部が円錐台形状である場合には、貫通孔の最小直径が凸部の最小直径より小さくてもよい。
【００６７】
（５）上記実施形態１，２，４に係る半導体装置１，２，４については、凸部２２，９２を基準として接続子４０，６０，１００の向きを変更することができる（図９に示す変形例４に係る半導体装置８参照。）。このようにすることで、チップが三端子以上のチップであって接続子の配置が混み合っている場合に対応することが可能となる。
【００６８】
（６）上記実施形態３においては、凸部７２の数が２つであるが、本発明はこれに限定されるものではない。凸部の数は３つ以上であってもよい。また、上記実施形態３においては、貫通孔の数が２つであるが、本発明はこれに限定されるものではない。貫通孔の数は凸部の数と同じ数としてもよいし、１つの貫通孔を複数の凸部に対応させることで、凸部の数よりも少ない数としてもよい。
【００６９】
（７）上記実施形態４に係る半導体装置４においては、凸部９２は、リード部９０の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が六角形であるが、本発明はこれに限定されるものではない。凸部は、リード部の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が他の多角形（三角形、四角形、五角形等）であってもよい。また、凸部は、リード部の厚さ方向に対して垂直な面による断面の形状が正多角形でなくてもよい。
【００７０】
（８）上記実施形態２〜４及び変形例１〜４に係る半導体装置１〜８は、各実施形態及び変形例に特徴的な構成要素を準備することで、実施形態１に記載の半導体装置の製造方法と基本的に同様の方法により製造することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１，２，３，４，５，６，７，８…半導体装置、１０…ダイパッド部、１２…チップ搭載面、２０，７０，９０，１１０，１２０…リード部、２２，７２，９２，１１２，１２２…凸部、３０…チップ、３２…第１電極、３４…第２電極、４０，６０，８０，１００，１３０…接続子、４２，６２，８２，１０２…一方の端部、４４，６４，８４，１０４，１３４…他方の端部、４６，６６，８６，１０６，１３６…貫通孔、５０…第１導電性接合材、５０ａ…第１導電性接合材の前駆体、５２…第２導電性接合材、５２ａ…第２導電性接合材の前駆体、５４…第３導電性接合材、５４ａ…第３導電性接合材の前駆体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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