(57)【要約】【課題】  発光制御領域の配置、大きさに拘らず発光領域の配置、大きさを自在に変更することができる発光装置、特には額縁部をきわめて小さくしたり無くすことができる発光装置とすること。【解決手段】  基板１と、基板１上の所定の方向に配置された複数の走査信号線２と、走査信号線２と交差させて配置された複数の発光制御信号線３と、走査信号線２と発光制御信号線３の交差部のそれぞれに対応して配置された発光制御部２２と、複数の発光制御部２２を覆う絶縁層４１上に配置され、複数の発光制御部２２のそれぞれに電気的に接続される発光部としての発光素子１４（ＬＤｍｎ）と、を有する発光装置であって、複数の発光素子１４は、電気的に接続される発光制御部２２を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、
前記走査信号線と交差させて配置された複数の発光制御信号線と、
前記走査信号線と前記発光制御信号線の交差部のそれぞれに対応して配置された発光制御部と、
複数の前記発光制御部を覆う絶縁層上に配置され、複数の前記発光制御部のそれぞれに電気的に接続される発光部と、を有する発光装置であって、
複数の前記発光部は、電気的に接続される前記発光制御部を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている発光装置。
【請求項２】
前記オフセット値は、平面視における前記基板の或る基準点から一つの方向に向かうに伴って漸次大きくなっている請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記オフセット値は、前記基板の中心点から端に向かうに伴って漸次大きくなっている請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
複数の前記発光部は、それらの隣接間隔が同じである請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光部と前記発光制御部とを電気的に接続する引き回し配線が、前記絶縁層上に配置されている請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、
前記走査信号線と交差させて配置された複数の発光制御信号線と、
前記走査信号線と前記発光制御信号線によって区画され、発光制御部を有する単位発光制御領域を、複数有している発光制御領域と、
前記発光制御領域を覆う絶縁層上に配置され、それぞれ前記発光制御部に電気的に接続される発光部を有する単位発光領域を複数有する発光領域と、を有する発光装置であって、
平面視したときの或る方向において前記発光領域の長さが前記発光制御領域の長さよりも長い発光装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、
前記走査信号線と交差させて配置された複数の画像信号線と、
前記走査信号線と前記画像信号線の交差部のそれぞれに対応して配置されたスイッチ部と、
複数の前記スイッチ部を覆う絶縁層上に配置され、複数の前記スイッチ部のそれぞれに電気的に接続される光量制御部と、を有する表示装置であって、
複数の前記光量制御部は、電気的に接続される前記スイッチ部を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（Light  Emitting  Diode：ＬＥＤ）等の発光素子を有する発光装置および表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光装置の一種として、ＬＥＤ等の発光素子を複数有する、バックライト装置が不要な自発光型の表示装置が知られている。そのような表示装置の基本構成のブロック回路図を図５に示し、より詳細なブロック回路図を図６に示し、図５のＢ１−Ｂ２線における断面図を図７に示す。表示装置は、ガラス基板等から成る基板１と、基板１上の所定の方向（例えば、行方向）に配置された走査信号線２と、走査信号線２と交差させて配置された発光制御信号線３と、走査信号線２と発光制御信号線３によって区画された単位画素領域（Ｐｍｎで示す。単位発光制御領域ともいう）の複数から構成された画素領域（発光制御領域ともいう）１１と、画素領域１１を覆う絶縁層上に配置された複数の単位発光領域（図７にＬｍｎで示す）から構成された発光領域３１と、を有する構成である。
【０００３】
それぞれの単位画素領域（Ｐｍｎ）には、単位発光領域（Ｌｍｎ）にある発光素子１４（ＬＤｍｎ）の発光、非発光、発光強度等を制御するための発光制御部２２が配置されている。この発光制御部２２は、発光素子１４のそれぞれに発光信号を入力するためのスイッチ素子としての薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor：ＴＦＴ）１２と、発光制御信号（発光制御信号線３を伝達する信号）のレベル（電圧）に応じた、正電圧（アノード電圧：３〜５Ｖ程度）と負電圧（カソード電圧：−３Ｖ〜０Ｖ程度）の電位差（発光信号）から発光素子１４を電流駆動するための駆動素子としてのＴＦＴ１３と、を含む。
【０００４】
発光素子１４は、画素領域１１を覆う絶縁層４１（図７に示す）を貫通するスルーホール等の貫通導体２３ａ，２３ｂを介して、発光制御部２２、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７に電気的に接続されている。すなわち、発光素子１４の正電極は、貫通導体２３ａおよび発光制御部２２を介して正電圧入力線１６に接続されており、発光素子１４の負電極は、貫通導体２３ｂを介して負電圧入力線１７に接続されている。
【０００５】
また、基板１上の発光制御信号線３の入力端部には発光制御信号線駆動回路５が配置され、基板１上の走査信号線２の入力端部には走査信号線駆動回路７が配置され、基板１上の正電圧入力線１６および負電圧入力線１７の入力端部には電源供給部２８が配置されている。表示装置は、平面視において、画素領域１１および発光領域３１と基板１の端１ｔとの間に額縁部１ｇがあり、この額縁部１ｇに発光制御信号線駆動回路５、走査信号線駆動回路７、電源供給部２８が配置されている。
【０００６】
図６に示すように、表示装置は、基板１上に、第１の方向（例えば、行方向）に形成された複数本の走査信号線２（ＧＬ１，ＧＬ２，ＧＬ３）と、第１の方向と交差する第２の方向（例えば、列方向）に走査信号線２と交差させて形成された複数本の発光制御信号線３（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３）と、走査信号線２と発光制御信号線３の各交差部に対応して形成された単位画素領域１５と、を有している。なお、基板１の裏面側には、スルーホール等から成る貫通導体８を介して発光制御信号線３を駆動するとともに、基板１の裏面側の第１の駆動制御信号線１０ａと貫通導体１０ｓと基板１の表面側の第２の駆動制御信号線１０ｂを介して走査信号線２を駆動する駆動素子６がある。また基板１の裏面側には、駆動素子６の信号入力端子ＴＳ１と貫通導体８を電気的に接続する駆動信号線１０がある。駆動素子６は、例えば、基板１の裏面側にＣＯＧ（Chip  On  Glass）方式等の手段によって搭載される。また、基板１の裏面側には、駆動素子６との間で引き出し線を介して駆動信号、制御信号等を入出力するためのＦＰＣが設置されている場合がある。
【０００７】
なお、図６においては、基板１上の第１の方向（行方向）に３個、第２の方向（列方向）に３個の計９個の単位画素領域１５（Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３〜Ｐ３３）および発光素子１４が配置されているが、これらの単位画素領域１５は全体の一部であり、他の単位画素領域１５は省略している。それぞれの単位画素領域１５には発光制御部２２が配置されており、発光制御部２２を構成するＴＦＴ１２，１３はｐチャネル型ＴＦＴであり、それらのゲート電極にロー信号（Ｌ信号）が入力されることによって、ソース−ドレイン間が導通しオン状態となり電流が流れる。そして、ＴＦＴ１３は、そのゲート電極に発光制御信号が入力されており、その発光制御信号のレベルに応じた電位差（発光信号）が発光素子１４の正電極と負電極に印加される。発光素子１４の正電極には正電圧入力線１６を介して正電圧が入力され、発光素子１４の負電極には負電圧入力線１７を介して負電圧が入力される。
【０００８】
正電圧入力線１６の入力端部にはスルーホール等から成る貫通導体１８があり、貫通導体１８を介して、基板１の裏面側にある駆動素子６あるいは電源部等に電気的に接続されている。負電圧入力線１７の入力端部にはスルーホール等から成る貫通導体１９があり、貫通導体１９を介して、基板１の裏面側にある駆動素子６あるいは電源部等に電気的に接続されている。またＴＦＴ１３は、ゲート電極にロー信号が入力されている間オン状態となり、発光素子１４に電流を流す。ＴＦＴ１３のゲート電極とソース電極とを接続する接続線上には容量素子が配置されており、容量素子はＴＦＴ１３のゲート電極に入力された発光制御信号の電圧を次の書き換えまでの期間（１フレームの期間）保持する保持容量として機能する。
【０００９】
ＴＦＴ１２，１３は、例えば、アモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)、低温多結晶シリコン（Low-Temperature  Poly  Silicon：ＬＴＰＳ）等から成る半導体膜を有し、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の３端子を有する構成である。そして、ゲート電極に所定電位の電圧を印加することにより、ソース電極とドレイン電極の間の半導体膜（チャネル）に電流を流す、スイッチング素子(ゲートトランスファ素子)として機能する。基板１がガラス基板から成り、駆動素子６、走査信号線駆動回路７、発光制御信号線駆動回路５は、ＬＴＰＳから成る半導体膜を有するＴＦＴを用いて構成されている場合、基板１上にＴＦＴをＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等の薄膜形成法によって直接的に形成することができる。
【００１０】
そして、発光制御信号（Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ２，Ｓｉｇ３）は、発光制御信号線駆動回路５に備えられた貫通導体８から発光制御信号線３（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３）を介して各単位画素部１５に入力される。発光制御信号線３のそれぞれの入力端部には、ＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３がそれぞれ接続されており、ＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３の各ソース電極は、貫通導体８を介して駆動素子６の信号入力端子ＴＳ１に共通接続されている。また、ＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３の各ドレイン電極は、それぞれ発光制御信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３に接続されている。ＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３はそれぞれ、ｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴが、それらのソース電極とドレイン電極が共通接続されて成り、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極とｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極が制御入力電極とされている。即ち、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極にロー（Ｌ）の信号が入力されるとともにｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極にハイ（Ｈ）の信号が入力されたときに、ソース電極とドレイン電極との間に電流が流れて発光制御信号が入力される。
【００１１】
また、ＭＵＸ１，ＸＭＵＸ１，ＭＵＸ２，ＸＭＵＸ２，ＭＵＸ３，ＸＭＵＸ３は、発光制御信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３を時分割駆動するための時分割信号入力線である。時分割信号入力線ＭＵＸ１は、ＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ１のｎチャネルＴＦＴのゲート電極に接続され、時分割信号入力線ＸＭＵＸ１（ＭＵＸ１の反転信号線）はＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ１のｐチャネルＴＦＴのゲート電極に接続されており、時分割信号入力線ＭＵＸ１にＨの信号が入力されるとともに時分割信号入力線ＸＭＵＸ１にＬの信号が入力されたときに、信号入力端子ＴＳ１から入力された発光制御信号Ｓｉｇ１が、発光制御信号線ＳＬ１を伝送される。このとき、ゲート信号線ＧＬ１が選択されていれば、発光素子１４（ＬＤ１１）に発光制御信号Ｓｉｇ１が入力される。同様に、走査信号線ＧＬ２が選択されていれば、発光素子１４（ＬＤ２１）に発光制御信号Ｓｉｇ１が入力され、走査信号線ＧＬ３が選択されていれば、発光素子１４（ＬＤ３１）に発光制御信号Ｓｉｇ１が入力される。
【００１２】
上記と同様の動作が、時分割信号入力線ＭＵＸ２，ＸＭＵＸ２とＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ２と発光制御信号線ＳＬ２とから成る組について、発光制御信号Ｓｉｇ２を用いて行われる。そして、走査信号線ＧＬ１の選択時に発光素子１４（ＬＤ１２）に発光制御信号Ｓｉｇ２が入力され、走査信号線ＧＬ２の選択時に発光素子１４（ＬＤ２２）に発光制御信号Ｓｉｇ２が入力され、走査信号線ＧＬ３の選択時に発光素子１４（ＬＤ３２）に発光制御信号Ｓｉｇ２が入力される。また、上記と同様の動作が、時分割信号入力線ＭＵＸ３，ＸＭＵＸ３とＣＭＯＳトランスファゲート素子ＴＧ３と発光制御信号線ＳＬ３とから成る組について、発光制御信号Ｓｉｇ３を用いて行われる。そして、走査信号線ＧＬ１の選択時に発光素子１４（ＬＤ１３）に発光制御信号Ｓｉｇ３が入力され、走査信号線ＧＬ２の選択時に発光素子１４（ＬＤ２３）に発光制御信号Ｓｉｇ３が入力され、走査信号線ＧＬ３の選択時に発光素子１４（ＬＤ３３）に発光制御信号Ｓｉｇ３が入力される。なお、時分割信号入力線ＭＵＸ１，ＸＭＵＸ１，ＭＵＸ２，ＸＭＵＸ２，ＭＵＸ３，ＸＭＵＸ３は、例えば貫通導体あるいは側面導体を介して駆動素子６に電気的に接続される。
【００１３】
なお、単位画素領域１５は、それぞれが赤色発光用の副画素領域、緑色発光用の副画素領域、青色発光用の副画素領域から成る場合がある。赤色発光用の副画素領域は赤色ＬＥＤ等から成る赤色発光素子を有し、緑色発光用の副画素領域は緑色ＬＥＤ等から成る緑色発光素子を有し、青色発光用の副画素領域は青色ＬＥＤ等から成る青色発光素子を有している。例えば、これらの副画素領域は、列方向に並んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特表２０１６−５２２５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、図５〜図７に示す上記従来の表示装置においては、以下の問題点があった。基板１を平面視したときに、画素領域１１および発光領域３１の周囲に発光、表示に寄与しない額縁部１ｇがあるために、従来額縁部１ｇをブラックマトリクス等の遮光部材によって目立たなくしたり、額縁部１ｇを覆う枠体（ベゼル）等を設ける必要があった。また、複数の発光素子１４を搭載した基板１の複数を、同じ面上において縦横に配置するとともにそれらの側面同士を接着材等によって結合（タイリング）させることによって、複合型かつ大型の表示装置、所謂マルチディスプレイを作製する場合、額縁部１ｇがあると、タイリングの継ぎ目が目立ちやすくなるという問題点があった。この額縁部１ｇをできるだけ小さくするために、発光制御信号線駆動回路５および走査信号線駆動回路７を、ＬＴＰＳから成る半導体膜を有するＴＦＴを用いて小面積なものとして構成する手段、画素領域１１に走査信号線駆動回路７を構成するシフトレジスタ等を配置する手段等があるが、これらの手段を採用しても額縁部１ｇを完全になくすことはきわめて困難であった。
【００１６】
また、特許文献１に開示されている構成のように、単位画素領域の直上に絶縁層を介して発光素子を設置する構成が、従来一般的に採用されてきているが、このような構成においては額縁部１ｇを解消することは不可能であった。
【００１７】
本発明は、上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、発光制御領域の配置、大きさに拘らず発光領域の配置、大きさを自在に変更することができるようにすることであり、特には額縁部をきわめて小さくしたり無くすこともできるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差させて配置された複数の発光制御信号線と、前記走査信号線と前記発光制御信号線の交差部のそれぞれに対応して配置された発光制御部と、複数の前記発光制御部を覆う絶縁層上に配置され、複数の前記発光制御部のそれぞれに電気的に接続される発光部と、を有する発光装置であって、複数の前記発光部は、電気的に接続される前記発光制御部を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている構成である。
【００１９】
本発明の発光装置は、好ましくは、前記オフセット値は、平面視における前記基板の或る基準点から一つの方向に向かうに伴って漸次大きくなっている。
【００２０】
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記オフセット値は、前記基板の中心点から端に向かうに伴って漸次大きくなっている。
【００２１】
また本発明の発光装置は、好ましくは、複数の前記発光部は、それらの隣接間隔が同じである。
【００２２】
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記発光部と前記発光制御部とを電気的に接続する引き回し配線が、前記絶縁層上に配置されている。
【００２３】
また本発明の発光装置は、基板と、前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差させて配置された複数の発光制御信号線と、前記走査信号線と前記発光制御信号線によって区画され、発光制御部を有する単位発光制御領域を、複数有している発光制御領域と、前記発光制御領域を覆う絶縁層上に配置され、それぞれ前記発光制御部に電気的に接続される発光部を有する単位発光領域を複数有する発光領域と、を有する発光装置であって、平面視したときの或る方向において前記発光領域の長さが前記発光制御領域の長さよりも長い構成である。
【００２４】
本発明の表示装置は、基板と、前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差させて配置された複数の画像信号線と、前記走査信号線と前記画像信号線の交差部のそれぞれに対応して配置されたスイッチ部と、複数の前記スイッチ部を覆う絶縁層上に配置され、複数の前記スイッチ部のそれぞれに電気的に接続される光量制御部と、を有する表示装置であって、複数の前記光量制御部は、電気的に接続される前記スイッチ部を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている構成である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差させて配置された複数の発光制御信号線と、前記走査信号線と前記発光制御信号線の交差部のそれぞれに対応して配置された発光制御部と、複数の前記発光制御部を覆う絶縁層上に配置され、複数の前記発光制御部のそれぞれに電気的に接続される発光部と、を有する発光装置であって、複数の前記発光部は、電気的に接続される前記発光制御部を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている構成であることから、複数の発光制御部の配置、全体の大きさに拘らず複数の発光部の配置、全体の大きさを自在に変更することができる。特には、額縁部をきわめて小さくしたり、無くすことができる。
【００２６】
また本発明の発光装置は、基板と、前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差させて配置された複数の発光制御信号線と、前記走査信号線と前記発光制御信号線によって区画され、発光制御部を有する単位発光制御領域を、複数有している発光制御領域と、前記発光制御領域を覆う絶縁層上に配置され、それぞれ前記発光制御部に電気的に接続される発光部を有する単位発光領域を複数有する発光領域と、を有する発光装置であって、平面視したときの或る方向において前記発光領域の長さが前記発光制御領域の長さよりも長い構成であることから、額縁部をきわめて小さくしたり、無くすことができる。
【００２７】
本発明の表示装置は、基板と、前記基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差させて配置された複数の画像信号線と、前記走査信号線と前記画像信号線の交差部のそれぞれに対応して配置されたスイッチ部と、複数の前記スイッチ部を覆う絶縁層上に配置され、複数の前記スイッチ部のそれぞれに電気的に接続される光量制御部と、を有する表示装置であって、複数の前記光量制御部は、電気的に接続される前記スイッチ部を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている構成であることから、複数のスイッチ部の配置、全体の大きさに拘らず複数の光量制御部の配置、全体の大きさを自在に変更することができる。特には、額縁部をきわめて小さくしたり、無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の発光装置について実施の形態の１例を示す図であり、発光装置の基本構成のブロック回路図である。
【図２】図２は、図１のＡ１−Ａ２線における断面図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ本発明の発光装置について実施の形態の各種例を示すものであり、発光装置の概念的な平面図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ本発明の発光装置について実施の形態の各種例を示すものであり、発光装置の概念的な平面図である。
【図５】図５は、従来の発光装置の一例を示す図であり、発光装置の基本構成のブロック回路図である。
【図６】図６は、図５の発光装置のより詳細な構成を示すブロック回路図である。
【図７】図７は、図５のＢ１−Ｂ２線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の発光装置および表示装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の発光装置および表示装置の実施の形態における構成部材のうち、本発明の発光装置および表示装置を説明するための主要部を示している。従って、本発明に係る発光装置および表示装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。なお、本発明の発光装置の実施の形態を示す図１及び図２において、図５及び図７と同じ部位には同じ符号を付しており、それらの詳細な説明は省く。
【００３０】
図１〜図４は、本発明の発光装置について実施の形態の各種例を示す図である。これらの図に示す発光装置は、例えば各画素部にＬＥＤ等の発光素子を配置した表示装置に適用される。本発明の発光装置は、ガラス基板等から成る基板１と、基板１上の所定の方向（例えば、行方向）に配置された複数の走査信号線２と、走査信号線２と交差させて配置された複数の発光制御信号線３と、走査信号線２と発光制御信号線３の交差部のそれぞれに対応して配置された発光制御部２２と、複数の発光制御部２２を覆う絶縁層４１上に配置され、複数の発光制御部２２のそれぞれに電気的に接続される発光部としての発光素子１４（ＬＤｍｎ）と、を有する発光装置であって、複数の発光素子１４は、電気的に接続される発光制御部２２を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている構成である。この構成により、複数の発光制御部２２の配置、全体の大きさに拘らず複数の発光素子１４の配置、全体の大きさを自在に変更することができる。特には、額縁部をきわめて小さくしたり、無くすことができる。
【００３１】
図１に示すように、例えば発光素子１４（ＬＤｍ１，ＬＤｍ２，ＬＤｍ３，ＬＤｍ４）は、電気的に接続される発光制御部２２を基準としたときの平面視におけるオフセット値ＯＳｍ１，ＯＳｍ２，ＯＳｍ３，ＯＳｍ４が、場所によって異なっている。すなわち、オフセット値ＯＳｍ１，ＯＳｍ２，ＯＳｍ３，ＯＳｍ４のそれぞれの大きさ（長さ）が異なっており、オフセット値ＯＳｍ１，ＯＳｍ２，ＯＳｍ３，ＯＳｍ４を表す線分の方向もそれぞれ異なっている。なお、オフセット値ＯＳｍ１は、発光素子１４（ＬＤｍ１）が電気的に接続される発光制御部２２の平面視での中心点と、発光素子１４（ＬＤｍ１）の平面視での中心点と、を結んだ線分で表しており、オフセット値ＯＳｍ２，ＯＳｍ３，ＯＳｍ４についても同様である。
【００３２】
本発明の発光装置は、オフセット値は、平面視における基板１の或る基準点から少なくとも一つの方向に向かうに伴って漸次大きくなっていることが好ましい。この場合、複数の発光素子１４の規則的な配置関係を維持したままでその全体の大きさを変更できるので、発光素子１４が規則的に配置される表示装置、プリンタヘッド等の発光装置等に好適なものとなる。
【００３３】
図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は、複数の発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）間の相対的な配置のピッチ、間隔を同じとした状態としながら、オフセット値を、平面視における基板１の或る基準点から一つの方向に向かうに伴って漸次大きくする構成を示すものである。図３（ａ）は、複数の発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）を有する領域である矩形状の発光領域３１ａの１つの角Ｐ２（図においては左下の角）を基準点とし、角Ｐ２から直交する２方向（図においては、右方とそれに直交する上方）に発光領域３１ａを拡張する構成を示す。この場合、角Ｐ２は発光領域３１ａを拡張しても動かない。従って、角Ｐ２にある発光素子１４は、発光領域３１ａを拡張しても動かず、角Ｐ２以外の部位にある発光素子１４は、発光領域３１ａを拡張していくに伴って動いていく。この場合、発光領域３１ａの大きさと基板１の大きさが同じになる時点の前に、発光領域３１ａの拡張を止めて発光領域３１ａの大きさを確定してもよい。
【００３４】
図３（ｂ）は、矩形状の発光領域３１ａの１つの辺の中心点Ｐ３（図においては下辺の中心点）を基準点とし、中心点Ｐ３から直交する３方向（図においては、左方と、それに直交する上方と、とそれに直交する右方の３方向）に発光領域３１ａを拡張する構成を示す。この場合、中心点Ｐ３は発光領域３１ａを拡張しても動かない。従って、中心点Ｐ３にある発光素子１４は、発光領域３１ａを拡張しても動かず、中心点Ｐ３以外の部位にある発光素子１４は、発光領域３１ａを拡張していくに伴って動いていく。この場合にも、発光領域３１ａの大きさと基板１の大きさが同じになる時点の前に、発光領域３１ａの拡張を止めて発光領域３１ａの大きさを確定してもよい。
【００３５】
また本発明の発光装置は、オフセット値が、基板１の中心点から端に向かうに伴って漸次大きくなっていることが好ましい。この場合、平面視における基板１の中心点を基準点（固定点）として、複数の発光素子１４の規則的な配置関係を維持したままでその全体の大きさを変更できるので、発光素子１４が規則的に配置される表示装置、プリンタヘッド等の発光装置等に好適なものとなる。図３（ｃ）は、平面視形状が矩形状の発光領域３１ａの中心点Ｐ１を中心として放射状に発光領域３１ａを拡張する構成を示す。この場合、中心点Ｐ１は、平面視形状が矩形状の発光制御領域１１の中心点と一致しており、発光領域３１ａを拡張しても中心点Ｐ１は動かない。従って、中心点Ｐ１にある発光素子１４は、発光領域３１ａを拡張しても動かず、中心点Ｐ１以外の部位にある発光素子１４は、発光領域３１ａを拡張していくに伴って動いていく。発光領域３１ａの拡張は、発光領域３１ａの大きさと基板１の大きさが同じになった時点で終了であるが、その前に発光領域３１ａの拡張を止めて発光領域３１ａの大きさを確定してもよい。
【００３６】
また本発明の発光装置は、複数の発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）は、それらの隣接間隔が同じであることが好ましい。この場合、発光素子１４が規則的に配置される発光素子１４が規則的に配置される表示装置、プリンタヘッド等の発光装置等に好適なものとなる。
【００３７】
なお、本発明の発光装置は、複数の発光素子１４のすべての隣接間隔が同じである必要はない。例えば、複数の発光素子１４が、赤色副画素を構成する赤色発光素子と、緑色副画素を構成する緑色発光素子と、青色副画素を構成する青色発光素子と、を有し、赤色副画素と緑色副画素と青色副画素とによって一つの画素が構成されるものである場合、赤色副画素と緑色副画素と青色副画素との間の隣接間隔（ＲＫ１とする）が同じであり、画素間の隣接間隔（ＲＫ２とする）が同じであって、ＲＫ１とＲＫ２が異なっていてもよい。例えば、ＲＫ１＜ＲＫ２であってもよい。また本発明の発光装置は、複数の発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）は、それらの隣接間隔がある値（Ｋ１とする）で同じである領域（ＡＲ１とする）と、隣接間隔がＫ１と異なるある値（Ｋ２とする）で同じである領域（ＡＲ２とする）と、を有する構成であってもよい。この場合、高解像度の必要な発光領域（例えば、中心領域）である領域ＡＲ１と、それ以外の発光領域（例えば、周辺領域）である領域ＡＲ２と、を有する構成とすることができる。
【００３８】
また本発明の発光装置は、図２に示すように、発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）と発光制御部２２とを電気的に接続する引き回し配線２４が、絶縁層４１上に配置されていることが好ましい。この場合、引き回し配線２４の長さ、配置を調整することによって、互いに大きさの異なる、複数の発光制御部２２の領域と複数の発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）の領域を、容易に構成することができる。
【００３９】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、複数の発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）間の相対的な配置のピッチ、間隔を同じとした状態としながら、発光領域３１ａの大きさを変更した各種の構成を示すものである。また、図４（ａ），（ｂ）は、平面視したときの或る方向において発光領域３１ａの長さが発光制御領域１１の長さよりも長い構成の例を示す。図４（ａ）は、発光制御領域１１および発光領域３１ａの平面視形状が長方形状であり、発光制御領域１１の長辺（図４（ａ）では幅方向の辺）に平行な発光領域３１ａの長辺が、発光制御領域１１の長辺よりも長く、発光領域３１ａの短辺（図４（ａ）では高さ方向の辺）に平行な発光制御領域１１の短辺が、発光領域３１ａの短辺よりも短くなっている構成である。すなわち、平面視したときの幅方向において発光領域３１ａの長さが発光制御領域１１の長さよりも長い構成である。この場合、額縁部１ｇはその一部が残存しており、残存した額縁部１ｇにカメラ、赤外線センサー等の他の構成部材を配置することができる。
【００４０】
図４（ｂ）は、発光制御領域１１および発光領域３１ａの平面視形状が長方形状であり、発光制御領域１１の長辺に平行な発光領域３１ａの短辺が、発光制御領域１１の長辺よりも短く、発光領域３１ａの短辺に平行な発光制御領域１１の長辺が、発光領域３１ａの短辺よりも長くなっている構成である。すなわち、平面視したときの高さ方向において発光領域３１ａの高さが発光制御領域１１の高さよりも長い構成である。この場合にも、額縁部１ｇはその一部が残存しており、残存した額縁部１ｇにカメラ、赤外線センサー等の他の構成部材を配置することができる。勿論、本発明の発光装置においては、平面視したときの幅方向、高さ方向以外の一つの対角方向において発光領域３１ａの長さが発光制御領域１１の長さよりも長い構成であってもよく、また平面視したときのすべての方向において発光領域３１ａの長さが発光制御領域１１の長さよりも長い構成、すなわち平面視において発光領域３１ａは発光制御領域１１よりも大きい構成であってもよい。
【００４１】
図４（ｃ）は、発光制御領域１１および発光領域３１ａの平面視形状が長方形状であり、発光制御領域１１の長辺に平行な発光領域３１ａの長辺が、発光制御領域１１の長辺よりも短く、発光領域３１ａの短辺に平行な発光制御領域１１の短辺が、発光領域３１ａの短辺よりも短くなっている構成である。この場合、発光領域３１ａにおける発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）間の相対的な配置のピッチ、間隔を小さくして、単位面積当たりの発光素子１４の個数を多くすることができ、発光素子１４を高密度に配置することができる。
【００４２】
本発明の発光装置は好ましくは、図１、図２に示すように、ガラス基板等から成る基板１と、基板１上の所定の方向（例えば、行方向）に配置された複数の走査信号線２と、走査信号線２と発光制御信号線３によって区画され、発光制御部２２を有する単位発光制御領域Ｐｍｎを、複数有している発光制御領域１１と、発光制御領域１１を覆う絶縁層４１上に配置され、それぞれ発光制御部２２に電気的に接続される発光部としての発光素子１４（ＬＤｍｎ）を有する単位発光領域Ｌｍｎを複数有する発光領域３１ａと、を有する発光装置であって、平面視において発光領域３１ａは発光制御領域１１よりも大きい構成である。この構成により、額縁部をきわめて小さくしたり、無くすことができる。またこの場合、発光領域３１ａを構成する複数の単位発光領域Ｌｍ１，Ｌｍ２，Ｌｍ３〜Ｌｍｎのそれぞれの大きさ、輪郭形状を同じとする構成、すなわち複数の発光素子１４（ＬＤ１ｎ，ＬＤ２ｎ，ＬＤ３ｎ〜ＬＤｍｎ）間の相対的な配置のピッチ、間隔を同じとする構成を採用し得るが、そのような構成でなくてもよい。
【００４３】
また本発明の発光装置は、図１、図２に示すように、基板１と発光領域３１ａが同じ大きさであることが好ましい。この場合、額縁部１ｇをなくすことができる。
【００４４】
絶縁層４１，４２は、無機材料又は有機材料から構成される。無機材料としては、酸化珪素（ＳｉＯ2），窒化珪素（ＳｉＮx）等を用いることができる。有機材料としては、アクリル樹脂，ポリイミド，ポリアミド，ポリイミドアミド，ベンゾシクロブテン，ポリシロキサン，ポリシラザン等を用いることができる。絶縁層４１，４２は、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等によって形成される。
【００４５】
引き回し配線２４は、アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ネオジウム（Ｎｄ），金（Ａｕ）等から選ばれた元素から成る金属材料、これらの元素を主成分とする合金材料を用いて形成される。また引き回し配線２４は、透光性が必要な場合、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物から成る透明導電性材料、またはリン，ボロンを含むシリコン（Ｓｉ）等の導電性材料であって透光性を有する材料を用いて形成される。また引き回し配線２４は、メッキ法、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって形成される。
【００４６】
発光素子１４としては、マイクロチップ型の発光ダイオード（ＬＥＤ）、モノリシック型の発光ダイオード、有機ＥＬ、無機ＥＬ、半導体レーザ素子等の自発光型のものであれば採用し得る。
【００４７】
本発明の発光装置は、複数の発光素子１４を搭載した基板１の複数を、同じ面上において縦横に配置するとともにそれらの側面同士を接着材等によって結合（タイリング）させることによって、複合型かつ大型の表示装置、所謂マルチディスプレイとすることができる。この場合、額縁部１ｇがない発光装置とすれば、タイリングの継ぎ目が目立ちにくくなる。
【００４８】
また、本発明の表示装置は、ガラス基板等から成る基板と、基板上の所定の方向に配置された複数の走査信号線と、走査信号線と交差させて配置された複数の画像信号線（図１の構成における発光制御信号線３に相当する）と、走査信号線と画像信号線の交差部のそれぞれに対応して配置されたスイッチ部（図１の構成における発光制御部２２に相当する）と、複数のスイッチ部を覆う絶縁層上に配置され、複数のスイッチ部のそれぞれに電気的に接続され、光透過および／または光反射による光量制御部と、を有する表示装置であって、複数の光量制御部は、電気的に接続されるスイッチ部を基準としたときの平面視におけるオフセット値が、場所によって異なっている構成である。この構成により、複数のスイッチ部の配置、全体の大きさに拘らず複数の光量制御部の配置、全体の大きさを自在に変更することができる。特には、額縁部をきわめて小さくしたり、無くすことができる。
【００４９】
スイッチ部は、光量制御部のオン、オフを制御するＴＦＴを少なくとも１つ有する。光量制御部は、例えば印加電圧によって光強度が制御され得る液晶層等から成る部位である。従って、スイッチ部および光量制御部を有する本発明の表示装置は、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、透過・反射型液晶表示装置等である。
【００５０】
なお、本発明の発光装置および表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の変更、改良を含んでいてもよい。例えば、基板１は透明なガラス基板であってもよいが、不透明なものであってもよい。基板１が不透明なものである場合、基板１は着色されたガラス基板、摺りガラスから成るガラス基板、プラスチック基板、セラミック基板、金属基板、あるいはそれらの基板を積層した複合基板であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の発光装置は、ＬＥＤプリンタヘッド、ＯＬＥＤプリンタヘッド等のプリンタヘッド、ＬＥＤ表示装置、液晶表示装置等の表示装置に適用できる。本発明の表示装置、またスイッチ部および光量制御部を有する本発明の表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、複合型かつ大型の表示装置（マルチディスプレイ）、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。
【符号の説明】
【００５２】
１  基板
２  走査信号線
３  発光制御信号線
５  発光制御信号線駆動回路
７  走査信号線駆動回路
１１  発光制御領域
１４  発光素子
２２  発光制御部
２３ａ，２３ｂ  貫通導体
３１ａ  発光領域
４１，４２  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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