(57)【要約】【課題】処理室内に発生した異物によって、ワーク側の導電体と電源側の導電体とが導通不良になることを抑制する。【解決手段】処理装置は、処理室と電源部側導電体と電源部側導電体の上面側の一部において開口する開口部を有し電源部側導電体を覆う電源部側絶縁体とワークを保持する保持部と電気的に接続されたワーク側導電体とを有し、処理室の鉛直方向上方に位置し鉛直方向に沿って移動可能な搬送部とを備え、開口部は処理室内に配置され、搬送部は、ワーク側導電体を電源部側導電体の上面に開口部を通じて接触させることで電力をワークに印加し、ワーク側導電体を上面から離間させてワークを処理室外に搬送し、上面は鉛直方向上方に向けて凸となる曲面又は鉛直方向上方に向けて凸となる角部を有し、電源部側絶縁体と離間されている。【選択図】図４
2018048363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置であって、
前記成膜又は前記エッチングが行われる処理室と、
前記処理室外の電源部から電力が印加され、前記処理室内に少なくとも一部が設けられた電源部側導電体と、
前記電源部側導電体の上面側の一部において開口する開口部を有し、前記電源部側導電体を覆う電源部側絶縁体と、
前記ワークを保持する導電性の保持部と、前記保持部と電気的に接続されたワーク側導電体と、を有し、前記処理室の鉛直方向上方に位置するとともに鉛直方向に沿って移動可能な搬送部と、を備え、
前記開口部は前記処理室内に配置されており、
前記搬送部は、鉛直方向下方に移動したときに前記ワーク側導電体及び前記ワークを前記処理室内に搬送して前記ワーク側導電体を前記電源部側導電体の上面に前記開口部を通じて接触させることで、前記電源部側導電体を介して印加される電力を前記保持部を介して前記ワークに印加し、鉛直方向上方に移動したときに前記ワーク側導電体を前記上面から離間させて前記ワーク側導電体及び前記ワークを前記処理室外に搬送し、
前記上面は、
鉛直方向上方に向けて凸となる曲面又は鉛直方向上方に向けて凸となる角部を有し、
前記電源部側絶縁体と離間されている、
処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理室内のワークに成膜を行う装置として、処理室内で、ワークに電気的に接続されたワーク側の導電体を、鉛直方向下方に位置する電源側の導電体に接触させて、電源側の導電体からワーク側の導電体を介してワークに電力を印加することによって成膜を行う装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−９４０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような装置では、成膜後の処理室内には、成膜に供されなかった原料ガスが凝集して固体化した異物が存在する場合がある。そのため、成膜後にワーク側の導電体と電源側の導電体とを離間させると、異物が落下して電源側の導電体に付着する場合がある。そのため、次回の成膜時に、電源側の導電体において異物が付着した箇所にワーク側の導電体が接触すると、ワーク側の導電体と電源側の導電体との間に導通不良が発生し、ワークに電力が適切に印加されないおそれがあった。また、同様の構成を備える装置においてエッチングを行う場合にも、エッチングされた異物が処理室内に存在する場合があることから、このような問題が生じるおそれがあった。そのため、ワークに成膜又はエッチングを行う処理装置において、ワーク側の導電体と電源側の導電体とが処理室内に発生した異物によって導通不良になることを抑制可能な技術が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００６】
本発明の一形態によれば、導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置が提供される。この処理装置は、前記成膜又は前記エッチングが行われる処理室と；前記処理室外の電源部から電力が印加され、前記処理室内に少なくとも一部が設けられた電源部側導電体と；前記電源部側導電体の上面側の一部において開口する開口部を有し、前記電源部側導電体を覆う電源部側絶縁体と；前記ワークを保持する導電性の保持部と、前記保持部と電気的に接続されたワーク側導電体と、を有し、前記処理室の鉛直方向上方に位置するとともに鉛直方向に沿って移動可能な搬送部と、を備え；前記開口部は前記処理室内に配置されており；前記搬送部は、鉛直方向下方に移動したときに前記ワーク側導電体及び前記ワークを前記処理室内に搬送して前記ワーク側導電体を前記電源部側導電体の上面に前記開口部を通じて接触させることで、前記電源部側導電体を介して印加される電力を前記保持部を介して前記ワークに印加し、鉛直方向上方に移動したときに前記ワーク側導電体を前記上面から離間させて前記ワーク側導電体及び前記ワークを前記処理室外に搬送し；前記上面は；鉛直方向上方に向けて凸となる曲面又は鉛直方向上方に向けて凸となる角部を有し；前記電源部側絶縁体と離間されている。このような処理装置であれば、処理室内の異物が開口部を介して電源部側導電体へ落下した場合であっても、電源部側導電体の上面は鉛直方向上方に向けて凸となる曲面又は鉛直方向上方に向けて凸となる角部を有し、電源部側絶縁体と上面とは離間されているため、異物は、上面から電源部側絶縁体と上面との隙間へ落下するので、電源部側導電体の上面に異物が付着することが抑制される。そのため、処理室内に発生した異物によってワーク側導電体と電源部側導電体とが導通不良になることを抑制することができる。
【０００７】
本発明は、上述した処理装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理方法等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態における処理装置の構成を示す概略構成図。
【図２】処理装置の部分拡大断面図。
【図３】ワーク側導電体と電源部側導電体とが接触した状態を示す部分拡大断面図。
【図４】図３における４−４断面図。
【図５】ワーク側導電体と電源部側導電体とが接触する箇所近傍における異物Ｐの様子を示す図。
【図６】第２実施形態における処理装置の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
Ａ．第１実施形態：
図１は、本発明の一実施形態における処理装置１００の構成を示す概略構成図である。図１には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。Ｙ軸に沿った方向であるＹ軸方向は鉛直方向を示し、Ｘ軸方向は水平方向を示し、Ｚ軸方向はＹ軸及びＸ軸に垂直な方向を示す。＋Ｙ方向は鉛直方向上方であり、−Ｙ方向は鉛直方向下方である。このことは、以降の図においても同様である。
【００１０】
処理装置１００は、導電性のワークＷに成膜又はエッチングを行う装置である。本実施形態では、処理装置１００は、いわゆるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、ワークＷに薄膜を形成する。本実施形態では、ワークＷは、燃料電池のセパレータの基材として用いられる板状の金属板である。処理装置１００は、ワークＷの表面に、例えば導電性の炭素系薄膜を形成する。
【００１１】
処理装置１００は、処理室１０と、電源部２０から電力が印加される電源部側導電体３０と、電源部側絶縁体４０と、搬送部８０と、を備える。本実施形態では、処理装置１００は、さらに、ガス供給装置９１と、排気装置９２と、搬送装置７５と、制御部９０と、を備える。
【００１２】
処理室１０は、ワークＷを処理室１０内に搬入及び処理室１０内から搬出可能な開口部１５を上方に有し下方に底を有する箱状の導電性の部材である。処理室１０では、ワークＷに成膜又はエッチングが行われる。処理室１０は、処理室１０内にガス供給装置９１からガスを供給するための供給口１１と、処理室１０内を排気装置９２によって排気するための排気口１２と、電源部側絶縁体４０が挿入される挿入口１３とを備える。本実施形態において、処理室１０は、アースに接続されている。
【００１３】
搬送部８０は、保持部７１とワーク側導電体５０とを備える。搬送部８０は、処理室１０の＋Ｙ方向に位置するとともに、Ｙ軸方向に沿って移動可能である。本実施形態では、搬送部８０は、さらに、ワーク側絶縁体６０と、絶縁体７７と、蓋７８と、シール部材７６と、を備える。
【００１４】
蓋７８は、−Ｙ方向に移動して処理室１０に接触したときに、処理室１０の開口部１５を覆うように形成された板状の導電性の部材である。蓋７８には、ワーク側絶縁体６０と接続された絶縁体７７が設けられている。また、蓋７８には、−Ｙ方向に移動したときに、処理室１０に接触して処理室１０内の気密を保つためのシール部材７６が−Ｙ方向側の面に設けられている。本実施形態では、シール部材７６は、オーリングを用いている。
【００１５】
保持部７１は、ワークＷを保持する導電性の部材である。本実施形態では、保持部７１の−Ｙ方向端部はフック形状を有しており、保持部７１は、このフック形状の部分をワークＷに設けられた孔に引っ掛けることによって、ワークＷを保持する。保持部７１は、ワーク側絶縁体６０内においてワーク側導電体５０と電気的に接続される。一方、保持部７１は、ワーク側絶縁体６０及び絶縁体７７によって蓋７８と絶縁されている。
【００１６】
搬送装置７５は、アクチュエータを備える装置である。本実施形態では、搬送部８０は、搬送装置７５と接続されており、制御部９０（後述）が搬送装置７５のアクチュエータを制御することによってＹ軸方向に沿って移動可能である。また、本実施形態では、搬送部８０は、制御部９０が搬送装置７５を制御することによって、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に沿って移動することも可能である。搬送部８０は、−Ｙ方向に移動したときにワーク側導電体５０及びワークＷを処理室１０内に搬送する。搬送部８０は、＋Ｙ方向に移動したときに、ワーク側導電体５０及びワークＷを処理室１０外に搬出する。
【００１７】
なお、本実施形態では、処理装置１００は、処理室１０の＋Ｙ方向に予備室２００を備える。予備室２００は、真空ポンプと、ヒータと、扉と、を備える。ワークＷは、扉から予備室２００に搬入されて保持部７１に保持される。予備室２００では、処理室１０で成膜又はエッチングが行われる前に、真空状態においてヒータによってワークＷが加熱されることで、ワークＷに付着した水分や有機物が除去される。本実施形態では、搬送部８０は、−Ｙ方向に移動したときにワークＷを予備室２００から処理室１０内へ搬送し、＋Ｙ方向に移動したときにワークＷを処理室１０から予備室２００へ搬送する。
【００１８】
ガス供給装置９１は、供給口１１を介して、処理室１０内にキャリアガス及び原料ガスを供給する。本実施形態では、ガス供給装置９１は、キャリアガスとして例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し、原料ガスとして例えばピリジン（Ｃ５Ｈ５Ｎ）ガスを供給する。また、ガス供給装置９１は、エッチングガスとしてアルゴンガスを供給することも可能である。
【００１９】
排気装置９２は、排気口１２を介して処理室１０内のガスを排気可能な装置である。排気装置９２は、例えば、ロータリポンプや拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等により構成される。排気装置９２は、成膜又はエッチングが行われる前に、排気口１２を介して処理室１０内を排気し真空化する。
【００２０】
電源部２０は、処理室１０外に設けられた装置である。電源部２０は、処理室１０内に供給された原料ガス等をプラズマ化するための電場を生成する。本実施形態では、電源部２０は、成膜又はエッチング時に、電源部側導電体３０に−３ｋＶの電力を印加する。電源部側導電体３０に印加された電力は、電源部側導電体３０とワーク側導電体５０を介して、ワークＷに印加される。
【００２１】
制御部９０は、処理装置１００全体の動作を制御する。制御部９０は、ＣＰＵとメモリーとを含む。ＣＰＵは、メモリーに格納されたプログラムを実行することによって、処理装置１００の制御を行う。このプログラムは、各種記録媒体に記録されていてもよい。本実施形態では、制御部９０は、搬送装置７５を制御して搬送部８０を−Ｙ方向に移動させることによって処理室１０内にワークＷを搬入させるとともに、蓋７８（シール部材７６）を処理室１０に接触させて処理室１０内の気密を保つ。また、制御部９０は、排気装置９２を制御して処理装置１００内を排気して真空化させ、ガス供給装置９１を制御して処理室１０内に原料ガス等を供給させ、電源部２０を制御して電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介してワークＷに電力を印加させる。
【００２２】
以下、処理装置１００の部分拡大断面図を用いて、ワーク側導電体５０、ワーク側絶縁体６０、電源部側導電体３０及び電源部側絶縁体４０について説明する。
【００２３】
図２は、処理装置１００の部分拡大断面図である。図２には、図１に示したワーク側絶縁体６０と電源部側絶縁体４０の近傍の断面が拡大して示されている。図２には、ワーク側導電体５０と、ワーク側絶縁体６０と、電源部側導電体３０と、電源部側絶縁体４０とが示されている。
【００２４】
ワーク側導電体５０は、保持部７１（図１）と電気的に接続された導電性の部材である。本実施形態では、ワーク側導電体５０は、第１導電体５７と第１導電体５７の内部に配置された第２導電体５５とバネ５３とにより構成されている。第１導電体５７は、保持部７１から分岐して形成されておりワークＷと電気的に接続されている。第２導電体５５は、第１導電体５７と電気的に接続されている。バネ５３は導電性を有しており、第２導電体５５が電源部側導電体３０に接触したときの衝撃を吸収する。
【００２５】
ワーク側絶縁体６０は、ワーク側導電体５０及び保持部７１（図１）を覆う部材である。ワーク側絶縁体６０からは、保持部７１のフック形状部分が露出している（図１）。また、ワーク側絶縁体６０は、−Ｙ方向において開口した開口部６１を備えている。開口部６１からは、ワーク側導電体５０の−Ｙ方向端部である先端部５１が−Ｙ方向に露出している。
【００２６】
電源部側導電体３０は、処理室１０内に少なくとも一部が設けられた導電性の部材である。電源部側導電体３０は、＋Ｙ方向の面である上面３１を有する。本実施形態では、電源部側導電体３０は、先端部３２と本体部３４とを有し、成膜又はエッチング時には、本体部３４に接続された電源部２０から電力が印加される。本実施形態では、先端部３２のＹ軸方向の長さは、本体部３４のＹ軸方向の長さよりも短い。また、本実施形態では、開口部４１の位置に先端部３２が位置しており、先端部３２の下端の位置Ｒと、電源部側絶縁体４０の底面４５とは離間している。
【００２７】
電源部側絶縁体４０は、電源部側導電体３０の上面３１側の一部において開口する開口部４１を有し、電源部側導電体３０を覆う絶縁体である。開口部４１は、処理室１０内に配置されている。本実施形態では、開口部４１は、電源部側導電体３０の先端部３２の上面３１において開口する。本実施形態では、電源部側絶縁体４０は、第１絶縁体４３と、電源部側導電体３０の本体部３４を覆う第２絶縁体４４とが接続されて構成されている。第１絶縁体４３は、＋Ｙ方向の端部と＋Ｘ方向の端部とを備え、＋Ｙ方向及び＋Ｘ方向に延びるＬ字型の断面形状を有する筒状の絶縁体である。第２絶縁体は、Ｘ軸方向に沿って延びる筒状の絶縁体である。第１絶縁体４３の＋Ｙ方向の端部には開口部４１が設けられており、第１絶縁体４３の＋Ｘ方向の端部には、第２絶縁体の−Ｘ方向の端部が嵌め込まれる。なお、第１絶縁体４３、第２絶縁体４４及び上記の絶縁体７７、ワーク側絶縁体６０は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のセラミックスで形成することができる。
【００２８】
図３は、ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０とが接触した状態を示す部分拡大断面図である。ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０とは、搬送部８０が−Ｙ方向に移動することによって接触する。搬送部８０は、−Ｙ方向に移動したときにワーク側導電体５０及びワークＷを処理室１０内に搬送してワーク側導電体５０を電源部側導電体３０の上面３１に開口部４１を通じて接触させることで、電源部側導電体３０を介して印加される電力を保持部７１を介してワークＷに印加する。また、搬送部８０は、＋Ｙ方向に移動したときに、ワーク側導電体５０を上面３１から離間させてワーク側導電体５０及びワークＷを処理室１０外に搬送する。なお、本実施形態では、蓋７８（シール部材７６）が処理室１０に接触したときに、ワーク側導電体５０の先端部５１が電源部側導電体３０の先端部３２の上面３１に接触するように、各部の寸法が設定されている。
【００２９】
図３には、さらに、幅Ｗ１、幅Ｗ２及びＷ３と、距離Ｌ１、距離Ｌ２及び距離Ｌ３とが示されている。本実施形態では、電源部側絶縁体４０（第１絶縁体４３）とワーク側絶縁体６０との間には幅Ｗ１の隙間が設けられている。幅Ｗ１は１．５ｍｍ以下である。また、幅Ｗ１の隙間部分のＹ軸方向に沿った距離Ｌ１は約３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、幅Ｗ１の隙間にプラズマが侵入することが抑制され、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０が接触する箇所や、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０が接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制される。また、処理室１０内で発生した絶縁性の異物が、開口部４１内に落下した場合であっても、異物と電源部側導電体３０又は異物とワーク側導電体５０との接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制される。その結果、これらの箇所において異常放電が発生することが抑制される。また、本実施形態では、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０（第１導電体５７）との間には幅Ｗ２の隙間が設けられている。幅Ｗ２は０ｍｍより大きく１．５ｍｍ以下である。また、幅Ｗ２の隙間部分のＹ軸方向に沿った距離Ｌ２は約３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、仮に幅Ｗ１の隙間部分にプラズマが侵入した場合であっても、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０（第１導電体５７）との接触する箇所にまでプラズマが侵入することが抑制されるので、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０とが接触する箇所において異常放電が発生することがより抑制される。さらに、本実施形態では、第１絶縁体４３及び第２絶縁体４４と電源部側導電体３０との間には幅Ｗ３の隙間が設けられている。幅Ｗ３は０ｍｍより大きく１．５ｍｍ以下である。また、幅Ｗ３の隙間部分のＸ軸方向に沿った距離Ｌ３は約３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、仮に幅Ｗ１の隙間部分にプラズマが侵入した場合であっても、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０との接触する箇所にまでプラズマが侵入することが抑制されるので、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０とが接触する箇所において異常放電が発生することがより抑制される。なお、上記の値は一例であり、幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３と、距離Ｌ１、距離Ｌ２及び距離Ｌ３の値は、上述のプラズマの侵入が抑制可能な幅及び距離（寸法）に設定されていればよい。
【００３０】
図４は、図３における４−４断面図である。図４には、ワーク側導電体５０と、電源部側導電体３０と、電源部側絶縁体４０と、が示されている。図４に示すように、開口部４１に位置する電源部側導電体３０の上面３１は、＋Ｙ方向に向けて凸となる曲面を有している。なお、開口部４１の位置における上面３１とは、開口部４１の＋Ｙ方向から電源部側導電体３０を見た場合の面である。図４に示すように、開口部４１の位置における先端部３２の断面形状は、上面３１が弧状であり、下面が平面である。また、開口部４１に位置する上面３１は、平面を有していない。また、電源部側絶縁体４０と上面３１は離間されている。また、本実施形態では、図４に示すように、電源部側導電体３０の先端部３２における上面３１と電源部側絶縁体４０との隙間は、本体部３４と電源部側絶縁体４０との隙間よりも大きく、先端部３２は、断面形状が本体部３４よりも小さくなるように構成されている。なお、本実施形態では、図４に示すように、ワーク側導電体５０の先端部５１は、上面３１の＋Ｙ方向の上端の位置Ｑから＋Ｚ方向にずれた部分において上面３１と接触している。このようなずれが生じるのは、搬送部８０がＸ軸方向及びＺ軸方向に搬送誤差を有するためである。搬送誤差によっては、ワーク側導電体５０の先端部５１は、上面３１と位置Ｑで接触する場合や、位置Ｑから−Ｚ方向にずれた部分で接触する場合もある。
【００３１】
以上で説明した処理装置１００では、搬送部８０の保持部７１にワークＷが保持されると、制御部９０は搬送装置７５を制御して搬送部８０を−Ｙ方向に移動させ、ワーク側導電体５０を電源部側導電体３０の上面３１に開口部４１を通じて接触させるとともに、蓋７８（シール部材７６）を処理室１０に接触させる。次に、制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内を排気させ、ガス供給装置９１を制御して処理室１０内に原料ガス又はエッチングガスを供給させ、電源部２０を制御して電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介してワークＷに電力を印加させて成膜又はエッチングを行う。制御部９０は、ガス供給装置９１を制御して原料ガス等の供給を停止させ、電源部２０を制御して電力の印加を停止させて成膜又はエッチングを終了する。次に制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内の圧力を復圧させ、搬送装置７５を制御して搬送部８０を＋Ｙ方向に移動させワーク側導電体５０を上面３１から離間させてワーク側導電体及びワークＷを処理室１０外に搬送させる。以上のようにして、処理装置１００による成膜又はエッチングが行われる。
【００３２】
以上で説明した本実施形態の処理装置１００による効果を図を用いて説明する。
図５は、ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０とが接触する箇所近傍における異物Ｐの様子を示す図である。処理装置１００では、処理室１０内に、成膜に供されなかった原料ガスが凝集して固体化した異物や、エッチングによってワークＷから除去された異物や、搬送部８０の搬送ずれによりワーク側絶縁体６０と電源部側絶縁体４０とが接触してワーク側絶縁体６０又は電源部側絶縁体４０が削れることによって生じた異物等が存在する場合がある。これらの異物Ｐは、絶縁性もしくはワーク側導電体５０及び電源部側導電体３０とは抵抗値の異なる導電性の異物である。そのため、成膜又はエッチング後に、搬送部８０が＋Ｙ方向へ移動した際に異物Ｐが開口部４１を通じて電源部側導電体３０へ落下すると、次回の成膜又はエッチング時に、ワーク側導電体５０と電源側導電体との間に導通不良が発生し、ワークＷに電力が適切に印加されないおそれがある。しかし、本実施形態の処理装置１００では、処理室１０内の異物Ｐが開口部４１を介して電源部側導電体３０へ落下した場合であっても、電源部側導電体３０の上面３１は鉛直方向上方に向けて凸となる曲面を有し、電源部側絶縁体４０と上面３１とは離間されているため、異物Ｐは、図５の点線矢印で示すように上面３１から電源部側絶縁体４０と上面３１との隙間へ落下するので、電源部側導電体３０の上面３１に異物が付着することが抑制される。そのため、処理室１０内に発生した異物によってワーク側導電体５０と電源部側導電体３０とが導通不良になることを抑制することができる。
【００３３】
また、本実施形態の処理装置１００では、開口部４１の位置において、電源部側導電体３０の下端の位置Ｒと、電源部側絶縁体４０の底面４５とは離間している。そのため、下端の位置Ｒと底面４５との間に、開口部４１を介して落下した異物Ｐを蓄積させることができる。なお、底面４５に堆積した異物Ｐは、電源部側導電体３０の上面３１に達する前に、電源部側絶縁体４０を清掃することによって除去することができる。そのため、電源部側導電体３０の下端の位置Ｒと、電源部側絶縁体４０の底面４５とが離間していない場合と比べて、清掃の回数を減少させることができ、ワークＷの成膜又はエッチングにかかる手間やコストを削減することができる。
【００３４】
また、本実施形態の処理装置１００では、電源部側導電体３０の先端部３２における上面３１と電源部側絶縁体４０との隙間は、本体部３４と電源部側絶縁体４０との隙間よりも大きく、先端部３２は、断面形状が本体部３４よりも小さくなるように構成されている。そのため、電源部側導電体３０の先端部３２における上面３１と電源部側絶縁体４０との隙間に、異物Ｐをより蓄積させることができる。
【００３５】
なお、電源部側導電体３０の上面３１が＋Ｙ方向に向けて凸となる曲面を有していない場合、例えば、開口部４１の位置における上面３１が平面である場合であっても、搬送部８０をＸ方向に沿って移動させてワーク側導電体５０を電源部側導電体３０の異物Ｐが堆積していない箇所に接触させることによって、ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０とを電気的に接続することが考えられる。しかし、このような場合には、ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０との接触する箇所を確保するために、上記平面の面積を大きくすることが好ましく、これに伴い電源部側導電体３０及び電源部側絶縁体４０を大きく構成することが好ましい場合がある。これに対し、本実施形態の処理装置１００では、開口部４１の位置における電源部側導電体３０の上面３１に異物Ｐが堆積することが抑制されるので、開口部４１の位置における上面３１が平面である場合と比較して、電源部側導電体３０及び電源部側絶縁体４０を小さく構成することができる。
【００３６】
Ｂ．第２実施形態：
図６は、第２実施形態における処理装置１００ａの拡大断面図である。図６には、ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０ａとが接触する箇所近傍が拡大して示されている。本実施形態の処理装置１００ａでは、開口部４１を通じてワーク側導電体５０が接触される上面３１ａが、＋Ｙ方向に向けて凸となる角部３３ａを有する。本実施形態では、角部３３ａの角度は、約６０°である。図６に示すように、電源部側導電体３０ａの先端部３２ａの形状は、＋Ｙ方向に向けて凸となる角部３３ａを備える三角形状である。本実施形態の処理装置１００ａにおいても、図６に示すように、電源部側絶縁体４０と上面３１ａは離間されている。そのため、処理室１０内の異物Ｐは、図６の点線矢印で示すように鉛直方向下方に移動し、電源部側絶縁体４０と上面３１ａとの隙間を介して電源部側絶縁体４０の下部へ落下する。処理装置１００ａのその他の構成は上述の第１実施形態の処理装置１００と同様であるため説明を省略する。このような処理装置１００ａであっても、上述の第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００３７】
Ｃ．変形例：
上述の種々の実施形態において、電源部側導電体３０の本体部３４のＹ軸方向の長さは、先端部３２と同じであってもよい。また、上述の種々の実施形態において、電源部側導電体３０は、先端部３２の形状と本体部３４の形状とが異なるように構成されていなくてもよい。例えば、電源部側導電体３０の本体部３４は、先端部３２と同様に、上面３１に＋Ｙ方向に向けて凸となる曲面又は＋Ｙ方向に向けて凸となる角部３３ａを有していてもよいし、本体部３４の下端の位置Ｒと電源部側絶縁体４０の底面４５とが離間していてもよい。
【００３８】
上述の種々の実施形態において、電源部側導電体３０、３０ａの下端の位置Ｒと電源部側絶縁体４０の底面４５とは離間している。これに対し、下端の位置Ｒと底面４５とは離間していなくてもよい。
【００３９】
上述の第１実施形態において、開口部４１に位置する上面３１は＋Ｙ方向に向けて凸となる曲面を有し、電源部側絶縁体４０と離間されていればよく、図４に示した開口部４１に位置する上面３１を有する電源部側導電体３０（先端部３２）の断面形状は、他の形状であってもよい。先端部３２の断面形状は、例えば、円状であってもよいし、半円状であってもよいし、楕円形状であってもよい。
【００４０】
上述の第２実施形態において、図６に示した上面３１ａの＋Ｙ方向に向けて凸となる角部３３ａの角度は、５０°、４０°、３０°等、より小さくしてもよい。こうすることで、異物Ｐの鉛直方向下部への落下を促すようにしてもよい。また、上述の第２実施形態において、開口部４１に位置する上面３１ａは、＋Ｙ方向に向けて凸となる角部３３ａを有し、電源部側絶縁体４０と離間されていればよく、図６に示した開口部４１に位置する上面３１ａを有する電源部側導電体３０ａ（先端部３２ａ）の断面形状は、他の形状であってもよい。先端部３２ａの断面形状は、例えば、底面が弧状であってもよいし、底面が−Ｙ方向に向けて凸となる角部３３ａを有する形状であってもよい。
【００４１】
上述の種々の実施形態において、保持部７１の−Ｙ方向端部はフック形状を有している。これに対し、保持部７１の−Ｙ方向端部は、ワークＷを保持可能な形状であれば、他の形状であってもよく、例えば、クリップ形状であってもよい。
【００４２】
上述の種々の実施形態では、処理装置１００、１００ａはプラズマＣＶＤ法により成膜又はエッチングを行っている。これに対し、処理装置１００、１００ａは、例えば物理気相成長（Physical Vapor Deposition；ＰＶＤ）法など他の方法によりワークＷに成膜を行ってもよい。例えば、処理装置１００、１００ａは、成膜材料を蒸発させた粒子をプラズマ中を通過させる機構を備えることとし、イオンプレーティング法によりＷに成膜を行ってもよい。また、処理装置１００、１００ａは、高いエネルギーをもった粒子を成膜材料（ターゲット）に衝突させる機構を備えることとし、スパッタリング法によりＷに成膜を行ってもよい。
【００４３】
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態や変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…処理室
１１…供給口
１２…排気口
１３…挿入口
１５…開口部
２０…電源部
３０、３０ａ…電源部側導電体
３１、３１ａ…上面
３２、３２ａ…先端部
３３ａ…角部
３４…本体部
４０…電源部側絶縁体
４１…開口部
４３…第１絶縁体
４４…第２絶縁体
４５…底面
５０…ワーク側導電体
５１…先端部
５３…バネ
５５…第２導電体
５７…第１導電体
６０…ワーク側絶縁体
６１…開口部
７１…保持部
７５…搬送装置
７６…シール部材
７７…絶縁体
７８…蓋
８０…搬送部
９０…制御部
９１…ガス供給装置
９２…排気装置
１００、１００ａ…処理装置
２００…予備室
Ｌ１…距離
Ｌ２…距離
Ｌ３…距離
Ｐ…異物
Ｑ…位置
Ｒ…位置
Ｗ…ワーク
Ｗ１…幅
Ｗ２…幅
Ｗ３…幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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