(57)【要約】      （修正有）【課題】電極の損傷を防止することにより、電界発光表示装置の寿命を延長させることができる電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１００、前記基板上で発光領域を定義するように設けられた第１バンク層４１０、前記基板上の発光領域に設けられた第１電極３１０、及び前記第１電極上に設けられた発光層５００を備え、第１電極の端は、前記第１バンク層の端と向かい合うように設けられた電界発光表示装置。【選択図】図２
2018110109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上で発光領域を定義するように設けられた第１バンク層と、
前記基板上の発光領域に設けられた第１電極、および
前記第１電極上に設けられた発光層を備え、
前記第１電極の端は、前記第１バンク層の端と向かい合うように設けられた電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１電極の端が、前記第１バンク層の端と接する請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第１電極の上面全体が、前記発光層と接する請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第１電極が、前記第１バンク層とオーバーラップしないように設けられている請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第１電極の上面の高さが、前記第１バンク層の上面の高さよりも低い請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第１電極の下面に設けられた第２電極をさらに含む請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第２電極の端が、前記第１バンク層とオーバーラップしている請求項６に記載の電界発光表示装置。
【請求項８】
前記第２電極の幅が、前記第１電極の幅よりも広い請求項６に記載の電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第２電極が、第１透明導電層、第２透明導電層、及び前記第１透明導電層と第２透明導電層の間に設けられた反射層を備える請求項６に記載の電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極の第２透明導電層が、前記第１電極の下面と接して前記第１電極よりも薄い厚さで設けられている請求項９に記載の電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１バンク層上に前記第１バンク層の幅よりも狭い幅を有する第２バンク層がさらに設けられており、
前記第１バンク層が、親水性物質からなり、前記第２バンク層の上部は、疎水性物質からなる請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられ、損傷した一部分を有する第２電極と、
前記第２電極上に設けられた発光層、および
前記第２電極と前記発光層の間に設けられて、前記第２電極の損傷した一部分が、前記発光層と接触することを遮断する第１電極を備える電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第２電極の損傷した一部分には、ピンホールがあるか、またはフッ素（Ｆ）または硫黄（Ｓ）が含まれている請求項１２に記載の電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２電極が、損傷していない残り部分を有し、
前記損傷していない残り部分を覆う第１バンク層を追加で含む請求項１２に記載の電界発光表示装置。
【請求項１５】
基板上に第１バンク層を形成し、前記第１バンク層上にフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記第１バンク層の一部を除去して発光領域を設ける工程と、
前記フォトレジストパターンと前記発光領域上に第１電極を形成する工程と、
前記フォトレジストパターンおよび前記フォトレジストパターン上の前記第１電極を除去して、前記発光領域上の第１電極を残存させる工程、および
前記第１電極上に発光層を形成する工程を備える電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記残存する第１電極の端が、前記第１バンク層の端と向かい合いながら前記第１バンク層の端と接する請求項１５に記載の電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１バンク層を形成する工程以前に前記基板上に第２電極を形成する工程をさらに含む請求項１５に記載の電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２電極は、前記第１バンク層とオーバーラップするように形成し、前記残存する第１電極は、前記第１バンク層とオーバーラップしないように形成する請求項１７に記載の電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光表示装置に関するものであり、より詳細には、溶液工程を用いて製造し得る電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電界発光表示装置は、二つの電極の間に発光層が形成された構造からなり、前記二つの電極間の電界により前記発光層が発光することによって画像を表示する装置である。
【０００３】
前記発光層は、電子と正孔の結合によりエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が生成され、生成されたエキシトンが励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に落ちながら発光する有機物からなり得、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）のような無機物からもなり得る。
【０００４】
以下、図を参照して従来の電界発光表示装置について説明することにする。
【０００５】
図１は、従来の電界発光表示装置の概略的な断面図である。
【０００６】
図１に示すように、従来の電界発光表示装置は、基板１０、電極２０に、第１バンク層３１、第２バンク層３２、および発光層４０を備える。
【０００７】
前記電極２０は、前記基板１０上に形成されている。
【０００８】
前記第１バンク層３１は、前記電極２０の端を覆いながら前記基板１０上に形成されている。
【０００９】
前記第２バンク層３２は、前記第１バンク層３１上に形成されている。前記第２バンク層３２は、前記第１バンク層３１よりも狭い幅を有するように形成され、このように前記第１バンク層３１と前記第２バンク層３２によって２段（ｓｔｅｐ）のバンク構造からなり、前記発光層４０の両側面で溶液の広がり性が向上し得、また、前記発光層４０が、前記第２バンク層３２を越える問題が防止され得る。
【００１０】
前記発光層４０は、前記電極２０上に形成される。前記発光層４０は、インクジェット装置などを用いて、溶液工程で形成される。
【００１１】
しかし、このような従来の電界発光表示装置は、次のような問題がある。
【００１２】
従来の場合、前記２段のバンク構造を得るために、前記第１バンク層３１のパターン形成が不可欠である。ここで、前記第１バンク層３１のパターン形成のためのエッチング液またはエッチングガスによって前記電極２０の表面に損傷が発生し得る。
【００１３】
例えば、前記第１バンク層３１を湿式エッチング工程でパターン形成する場合には、エッチング液によって前記電極２０の表面にピンホール（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ）が生じ得る。また、前記第１バンク層３１をドライエッチング工程でパターン形成する場合には、エッチングガスによって前記電極２０の表面にフッ素（Ｆ）または硫黄（Ｓ）のような不純物が生じ得る。
【００１４】
このように、ピンホールまたは不純物によって表面が損傷した前記電極２０上に前記発光層４０を形成するようになれば、前記電極２０のピンホールを通じて前記発光層４０に汚染物質が浸透したり、また、前記不純物が前記発光層４０に浸透するようになり、それによって電界発光表示装置の寿命が短くなる問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、前述した従来の問題点を解決するために考案されたものであり、本発明は、電極の損傷を防止することにより、電界発光表示装置の寿命を延長させることができる電界発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明は、基板、前記基板上で発光領域を定義するように設けられた第１バンク層、前記基板上の発光領域に設けられた第１電極、及び前記第１電極上に設けられた発光層を備え、前記第１電極の端は、前記第１バンク層の端と向き合うように備えられた電界発光表示装置を提供する。
【００１７】
本発明は、また、基板、前記基板上に具備され、損傷した一部分を有する第２電極、前記第２電極上に設けられた発光層、及び前記第２電極と前記発光層との間に備えられて前記第２電極の損傷した一部分が前記発光層と接触することを遮断する第１電極を備える電界発光表示装置を提供する。
【００１８】
本発明は、また、基板上に第１バンク層を形成し、前記第１バンク層上にフォトレジストパターンを形成する工程、前記フォトレジストパターンをマスクにして前記第１バンク層の一部を除去して発光領域を設ける工程、前記フォトレジストパターンと前記発光領域上に第１電極を形成する工程、前記フォトレジストパターンおよび前記フォトレジストパターン上の前記第１電極を除去して、前記発光領域上の第１電極を残存させる工程、及び前記第１電極上に発光層を形成する工程を備える電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
以上のような本発明によれば、次のような効果がある。
【００２０】
本発明の一実施例によると、第１電極が第１バンク層のパターン形成後に形成されるので、前記第１バンク層のパターン形成のためのエッチング液またはエッチングガスによって前記第１電極の表面が損傷されることを防止し得る。
【００２１】
また、本発明の一実施例によると、前記第１バンク層のパターン形成のためのフォトレジストパターンを用いて前記第１電極をパターン形成するため、前記第１電極を形成するための別途のマスク工程を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来の電界発光表示装置の概略的な断面図である。
【図２】本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図である。
【図３】本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図である。
【図４】図４ａ〜図４ｇは、本発明の一実施例による電界発光表示装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図５】図５ａ〜図５ｇは、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の製造工程を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義される。
【００２４】
本発明の実施例を説明するために図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及した「備える」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現する場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
【００２５】
構成要素を解釈するに当たり、別の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００２６】
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜隣に」など２つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
【００２７】
時間の関係に関する説明である場合には、例えば、「〜の後」、「〜に続いて」、「〜次の」、「〜前」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上連続していない場合も含むことができる。
【００２８】
第１、第２などが、さまざまな構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
【００２９】
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に様々な連動およびと駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施することも可能であり、連関関係で一緒に実施することもできる。
【００３０】
以下、添付の図を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明することにする。
【００３１】
図２は、本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な平面図である。図２は、一つのサブ画素に対してのみ示した図である。
【００３２】
図２に示すように、本発明の一実施例による電界発光表示装置は、基板１００、回路素子層２００、第１電極３１０、第１バンク層４１０、第２バンク層４２０、および発光層５００を備える。
【００３３】
前記基板１００は、ガラスまたは透明なプラスチックからなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。
【００３４】
前記回路素子層２００は、前記基板１００上に形成されている。
【００３５】
前記回路素子層２００は、遮光層２１０、バッファ層２２０、アクティブ層２３０、ゲート絶縁膜２４０、ゲート電極２５０、層間絶縁膜２６０は、ソース電極２７０ａ、ドレイン電極２７０ｂおよび平坦化層２８０を備える。
【００３６】
前記遮光層２１０は、前記基板１００上に形成されて前記アクティブ層２３０に光が進入することを防止する。したがって、前記遮光層２１０は、前記アクティブ層２３０とオーバーラップするように形成され、前記アクティブ層２３０よりも広い面積で形成し得る。
【００３７】
前記バッファ層２２０は、前記遮光層２１０上に形成され、前記遮光層２１０と、前記アクティブ層２３０を絶縁させる。また、前記バッファ層２２０は、前記基板１００に含まれる物質が上部に向かって広がっていくことを防止する機能も実行し得る。
【００３８】
前記アクティブ層２３０は、前記バッファ層２２０上に形成されている。前記アクティブ層２３０は、シリコン系半導体材料または酸化物半導体材料からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。
【００３９】
前記ゲート絶縁膜２４０は、前記アクティブ層２３０上に形成され、前記アクティブ層２３０と前記ゲート電極２５０を絶縁させる。
【００４０】
前記ゲート電極２５０は、前記ゲート絶縁膜２４０上に形成されている。
【００４１】
前記層間絶縁膜２６０は、前記ゲート電極２５０上に形成され、前記ゲート電極２５０を、前記ソース電極２７０ａ、ドレイン電極２７０ｂと絶縁させる。
【００４２】
前記ソース電極２７０ａと、前記ドレイン電極２７０ｂは、前記層間絶縁膜２６０上で互いに向かい合いながら離隔されている。前記ソース電極２７０ａと、前記ドレイン電極２７０ｂは、それぞれ、前記層間絶縁膜２６０上に設けられたコンタクトホールを通じて、前記アクティブ層２３０の一端と他端に接続されている。
【００４３】
前記平坦化層２８０は、前記ソース電極２７０ａと、前記ドレイン電極２７０ｂ上に形成され、前記基板１００の表面を平坦化させる。
【００４４】
このような前記回路素子層２００は、前記ゲート電極２５０、前記アクティブ層２３０、前記ソース電極２７０ａ、及び前記ドレイン電極２７０ｂを備えた薄膜トランジスタを備える。図２には、ゲート電極２５０がアクティブ層２３０の上に形成されるトップゲート（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ）構造の薄膜トランジスタを示したが、必ずしもそれに限定されるものではなく、ゲート電極２５０がアクティブ層２３０の下に形成されるボトムゲート（Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ）構造の薄膜トランジスタを前記回路素子層２００に形成することもできる。
【００４５】
前記回路素子層２００は、スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ、センシング薄膜トランジスタ、およびコンデンサからなり得、図２に示した薄膜トランジスタは前記駆動薄膜トランジスタに該当する。
【００４６】
前記回路素子層２００に具備される薄膜トランジスタおよびコンデンサは、前記発光層５００の下部に形成し得るが、前記バンク層４１０、４２０の下部に形成することもできる。例えば、本発明に係る電界発光表示装置が上部発光方式の場合には、前記薄膜トランジスタおよびコンデンサが前記発光層５００の下部に配置されても、前記薄膜トランジスタおよびコンデンサによって光の放出が影響を受けないので、前記の薄膜トランジスタおよびコンデンサを前記発光層５００の下部に配置し得る。ただし、本発明に係る電界発光表示装置が下部発光方式の場合には、前記薄膜トランジスタおよびコンデンサが前記発光層５００の下部に配置される場合、前記薄膜トランジスタおよびコンデンサによって光放出に影響を受けるため、前記薄膜トランジスタおよびコンデンサは、前記バンク層４１０、４２０の下部に配置し得る。
【００４７】
前記第１電極３１０は、前記回路素子層２００上に形成されている。詳細には、前記第１電極３１０は、前記第１バンク層４１０によって定義された発光領域（ＥＡ）上に形成されている。
【００４８】
前記第１電極３１０は、電界発光表示装置の陽極（Ａｎｏｄｅ）として機能し得る。このような第１電極３１０は、本発明に係る電界発光表示装置が下部発光方式である場合には、透明電極で構成され、本発明に係る電界発光表示装置が上部発光方式である場合には、反射電極で構成される。
【００４９】
前記第１電極３１０は、前記平坦化層２８０に設けられたコンタクトホール（ＣＨ）を通じて前記回路素子層２００のソース電極２７０ａと電気的に接続し得る。ただし、必ずしもそれに限定されるものではなく、場合によっては、前記第１電極３１０は、前記平坦化層２８０に設けられたコンタクトホール（ＣＨ）を通じて前記回路素子層２００のドレイン電極２７０ｂと接続することもできる。
【００５０】
前記第１電極３１０は、前記第１バンク層４１０のパターン形成工程以後に形成することができ、それによって、前記第１バンク層４１０のパターン形成工程時に使用されるエッチング液またはエッチングガスによって前記第１電極３１０の表面に損傷が加わる問題を防止され得るが、これについては後述する製造工程を参照すると容易に理解できるだろう。
【００５１】
このように前記第１バンク層４１０のパターン形成工程の後に形成される前記第１電極３１０は、前記第１バンク層４１０とオーバーラップしないように設けられ得る。したがって、前記第１電極３１０の端３１０ａが、前記第１バンク層４１０によって覆われないようになり、それによって、前記第１電極３１０の上面３１０ｂ全体は、前記発光層５００と接し得る。
【００５２】
また、前記第１電極３１０の端３１０ａは、前記第１バンク層４１０の端４１０ａと対向するように形成され得、特に、前記第１電極３１０の端３１０ａは前記第１バンク層４１０の端４１０ａと接し得る。
【００５３】
また、前記第１電極３１０の上面３１０ｂの高さは、前記第１バンク層４１０の上面４１０ｂの高さよりも低く形成し得る。
【００５４】
前記第１バンク層４１０は、前記回路素子層２００上に形成されている。前記第１バンク層４１０は、前記回路素子層２００上で発光領域（ＥＡ）を定義するようにパターン形成されている。
【００５５】
前記第１バンク層４１０は、前述したように、前記第１電極３１０とオーバーラップしないように形成される。また、前記第１バンク層４１０は、前記第２バンク層４２０よりも薄い厚さで形成され、前記第２バンク層４２０よりも広い幅を有するように形成される。それによって、前記第１バンク層４１０の端４１０ａは、前記発光層５００と接するようになる。
【００５６】
前記第１バンク層４１０は、前記発光層５００と同じ親水性の性質を有している。前記親水性の性質を有する第１バンク層４１０は、シリコン酸化物のような無機絶縁物からなり得る。したがって、前記発光層５００を形成するための溶液を塗布する際に、前記第１バンク層４１０上で前記溶液の広がり性が向上し得る。
【００５７】
前記第２バンク層４２０は、前記第１バンク層４１０上にパターン形成されている。
【００５８】
前記第２バンク層４２０は、前記第１バンク層４１０より狭い幅を有するように形成される。前記第２バンク層４２０は、親水性を有する有機絶縁物にフッ素（ｆｌｕｏｒｉｎｅ）のような疎水性物質を混合した溶液を塗布した後、フォトリソグラフィー工程を経てパターン形成し得る。前記フォトリソグラフィー工程時に照射される光により前記フッ素のような疎水性物質が第２バンク層４２０の上部４２０ａに移動することができ、それによって前記第２バンク層４２０の上部４２０ａは、疎水性の性質を有するようになり、そのほかの部分は親水性の性質を有するようになる。即ち、前記第１バンク層４１０と接する前記第２バンク層４２０の部分は、親水性の性質を有し、前記第２バンク層４２０の上部４２０ａは、疎水性の性質を有するようになる。ただし、必ずしもそれに限定されるものではなく、第２バンク層４２０の全体部分が疎水性の性質を有するように備えることもできる。
【００５９】
前記親水性の性質を有する第１バンク層４１０と第２バンク層４２０の部分によって、前記発光層５００を形成するための溶液の広がり性が向上し得る。特に、前記第１バンク層４１０が、前記第２バンク層４２０よりも薄い厚さで広い幅を有するように形成されているので、前記第１バンク層４１０と前記第２バンク層４２０の組み合わせによって、親水性性質の２段（ｓｔｅｐ）構造が設けられ、前記発光層５００を形成するための溶液がサブ画素の端に向かって容易に広がっていくことができるようになり、それによってサブ画素の端領域において、前記発光層５００が厚い厚さに上方にまきあげられる問題が防止され得る。
【００６０】
また、前記疎水性の性質を有する第２バンク層４２０の上部４２０ａによって前記発光層５００を形成するための溶液が、互いに隣接するサブ画素に広がっていくことが防止されて、隣接するサブ画素間で、発光層５００が互いに混じる問題を防止し得る。
【００６１】
したがって、前記バンク層４１０、４２０は、隣接するサブ画素間の境界に形成される。特に、前記バンク層４１０、４２０は、全体的にマトリックス構造を有し、前記バンク層４１０、４２０によって、それぞれのサブ画素内に発光領域（ＥＡ）が設けられる。
【００６２】
前記発光層５００は、前記第１電極３１０上に形成されている。前記発光層５００は、前記発光領域（ＥＡ）に形成され、前述したように、前記第２バンク層４２０の上部４２０ａを越えては形成されない。
【００６３】
前記発光層５００は、赤色（Ｒ）の光を発光したり、緑色（Ｇ）の光を発光したり、または青色（Ｂ）の光を発光するように設けられ得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。
【００６４】
前記発光層５００は、インクジェット装置などを用いた溶液工程で形成される。
【００６５】
前記溶液工程で形成される発光層５００は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、および電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）のうち少なくとも一つの有機層を備えることができる。場合によって、前記発光層５００は、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）と同じ無機物からなり得る。
【００６６】
例えば、前記発光層５００は、順番に積層された正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、および電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）の組み合わせからなり得る。
【００６７】
場合によって、前記発光層５００は、順番に積層された正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、および発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）の組み合わせからなり得、この場合には、前記発光層５００の上部には、蒸発法（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などの蒸着工程で形成された電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）を追加で形成することができる。図に示していないが、前記蒸着工程で形成された電子輸送層および電子注入層は、サブ画素ごとに区分されるようにパターン形成せずに、前記発光層５００だけでなく、前記第２バンク層４２０上にも形成し得る。
【００６８】
図に示していないが、前記発光層５００と前記第２バンク層４２０上に陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）を追加で形成し得る。前記陰極は、本発明に係る電界発光表示装置が上部発光方式である場合には、透明電極で構成され、本発明に係る電界発光表示装置が下部発光方式である場合には、反射電極で構成される。
【００６９】
以上のように、本発明の一実施例によると、前記第１電極３１０が前記第１バンク層４１０のパターン形成工程後に形成されるので、前記第１バンク層４１０のパターン形成工程時に使用されるエッチング液またはエッチングガスによって前記第１電極３１０の表面に損傷が加わる問題を防止することができ、それによって電界発光表示装置の寿命が延長され得る。
【００７０】
図３は、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図である。図３は、一つのサブ画素に対してのみ示したものである。
【００７１】
図３に示すように、本発明の他の実施例による電界発光表示装置は、基板１００、回路素子層２００、第１電極３１０、第２電極３２０、第１バンク層４１０、第２バンク層４２０、および発光層５００を備える。
【００７２】
前記基板１００と、前記回路素子層２００の構成は、前述した実施例と同様であるので反復説明は省略する。
【００７３】
前記第１電極３１０と前記第２電極３２０は、前記回路素子層２００上に形成されている。詳細には、前記第２電極３２０は、前記回路素子層２００上に形成されており、前記第１電極３１０は、前記第２電極３２０上に形成されている。すなわち、前記第２電極３２０は、前記第１電極３１０の下面に形成されている。
【００７４】
このような前記第１電極３１０と前記第２電極３２０は、電界発光表示装置の陽極（Ａｎｏｄｅ）として機能し得る。特に、前記第１電極３１０は、透明電極で構成され、前記第２電極３２０は、反射電極で構成され、本発明に係る電界発光表示装置が上部発光方式からなり得る。
【００７５】
詳細には、前記第１電極３１０は、ＩＴＯからなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。また、前記第２電極３２０は、第１透明導電層３２１、反射層３２２、及び第２透明導電層３２３を備え得る。前記第１透明導電層３２１と前記第２透明導電層３２３は、ＩＴＯからなり得、前記反射層３２２は、銀（Ａｇ）合金からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。
【００７６】
前記第１電極３１０は、前記第２電極３２０を通じて回路素子層２００のソース電極２７０ａまたはドレイン電極２７０ｂと電気的に接続される。
【００７７】
前述した実施例と同様に、前記第１電極３１０の端３１０ａは、前記第１バンク層４１０によって覆われず、前記第１電極３１０の上面３１０ｂ全体は、前記発光層５００と接し得る。また、前記第１電極３１０の端３１０ａは、前記第１バンク層４１０の端４１０ａと向かい合うように形成され得、特に、前記第１電極３１０の端３１０ａは、前記第１バンク層４１０の端４１０ａと接し得る。また、前記第１電極３１０の上面３１０ｂの高さは、前記第１バンク層４１０の上面４１０ｂの高さよりも低く形成することができる。
【００７８】
前記第２電極３２０は、前記第１電極３１０とは異なり、前記第１バンク層４１０の下に延長されている。それによって、前記第２電極３２０の端３２０ａは、前記第１バンク層４１０とオーバーラップしている。また、前記第２電極３２０の幅は、前記第１電極３１０の幅よりも大きく形成することができる。
【００７９】
前記第２電極３２０は、前記平坦化層２８０に設けられたコンタクトホール（ＣＨ）を通じて前記回路素子層２００のソース電極２７０ａと電気的に接続し得る。ただし、必ずしもそれに限定されるものではなく、場合によっては、前記第２電極３２０は、前記平坦化層２８０に設けられたコンタクトホール（ＣＨ）を通じて前記回路素子層２００のドレイン電極２７０ｂと接続することもできる。
【００８０】
前記第２電極３２０は、前記第１バンク層４１０のパターン形成工程以前に形成することができ、それによって、前記第１バンク層４１０のパターン形成工程時に使用されるエッチング液またはエッチングガスによって前記第２電極３２０の表面に損傷を与え得る。
【００８１】
詳細には、エッチング液によって前記第２電極３２０の第２透明導電層３２３の表面にピンホール（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ）が生じることもあり、エッチングガスによって前記第２電極３２０の第２透明導電層３２３の表面にフッ素（Ｆ）または硫黄（Ｓ）のような不純物が生じることもある。より詳細には、前記ピンホールまたは不純物が生じた第２透明導電層３２３の部分は、前記第１バンク層４１０によって覆われていない部分、すなわち、発光領域（ＥＡ）に対応する部分であり、前記第１バンク層４１０によって覆われた第２透明導電層３２３の部分は、前記ピンホールまたは不純物が生じない。これは後述する製造工程を参照すると容易に理解できるだろう。
【００８２】
一方、前記ピンホールまたは不純物が生じた第２透明導電層３２３の表面上には、前記第１電極３１０が形成されている。したがって、前記第１電極３１０によって前記第２透明導電層３２３の表面上に存在する汚染物質が前記発光層５００に浸透することが防止され得る。
【００８３】
ここで、前記第２透明導電層３２３の厚さ（ｔ１）は、前記第１電極３１０の厚さ（ｔ２）より薄く形成することが、前記汚染物質の浸透を防止するために好ましい。また、電界発光表示装置のマイクロキャビティ（Ｍｉｃｒｏ Ｃａｖｉｔｙ）の効果を得るために、前記第１電極３１０の厚さ（ｔ２）は、適切に調節し得る。
【００８４】
前記第１バンク層４１０は、前述したのと同様に前記回路素子層２００上で発光領域（ＥＡ）を定義するようにパターン形成されている。また、前記第１バンク層４１０は、前記第１電極３１０とは、オーバーラップしないが、前記第２電極３２０とは、オーバーラップするように形成される。また、前記第１バンク層４１０は、前記第２バンク層４２０よりも薄い厚さで形成され、前記第２バンク層４２０よりも広い幅を有するように形成される。また、前記第１バンク層４１０は、前記発光層５００と同じ親水性の性質を有している。
【００８５】
前記第２バンク層４２０は、前記第１バンク層４１０上にパターン形成されている。前記第２バンク層４２０の材料および構造は、前述した実施例と同様であるので反復説明は省略する。
【００８６】
前記発光層５００は、前記第１電極３１０上の発光領域（ＥＡ）に形成される。前記発光層５００の材料および構造は、前述した実施例と同様であるので反復説明は省略する。
【００８７】
図に示していないが、前記発光層５００と前記第２バンク層４２０上に陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）が追加で形成され得る。
【００８８】
このように、本発明の他の実施例によると、前記第１電極３１０が、第２電極３２０と発光層５００との間に形成されるので、第１バンク層４１０のパターン形成時に使用されるエッチング液またはエッチングガスにより前記第２電極３２０の表面に損傷が加えられても、前記第１電極３１０によって前記第２電極３２０の損傷した表面が前記発光層５００と接触することが遮断されることにより、前記第２電極３２０の損傷した表面に残存する汚染物質が前記発光層５００に浸透することが防止され得る。
【００８９】
図４ａ〜図４ｇは、本発明の一実施例による電界発光表示装置の製造工程を示す工程断面図であって、これは前述した図２による電界発光表示装置の製造方法に関するものである。したがって、同一の構成に対して同一の符号を付与し、材料などの反復される部分の説明は省略することにする。
【００９０】
まず、図４ａに示すように、基板１００上に回路素子層２００を形成する。
【００９１】
前記回路素子層２００は、前記基板１００上に、当業界に公知された様々な方法を用いて遮光層２１０、バッファ層２２０、アクティブ層２３０、ゲート絶縁膜２４０、ゲート電極２５０、層間絶縁膜２６０は、ソース電極２７０ａ、ドレイン電極２７０ｂおよび平坦化層２８０を形成する工程を通じて得られる。
【００９２】
ただし、前述したように、前記回路素子層２００の具体的な構成は、多様に変更され得、その形成工程もまた、当業界に公知された多様な方法に変更し得る。
【００９３】
次に、図４ｂに示すように、前記回路素子層２００上に第１バンク層４１０を形成し、前記第１バンク層４１０上にフォトレジストパターン６００を形成する。
【００９４】
前記第１バンク層４１０は、前記基板１００の全体面上に形成する。
【００９５】
次に、図４ｃに示すように、前記フォトレジストパターン６００をマスクにして前記第１バンク層４１０の一部分を除去して発光領域（ＥＡ）を設ける。そうすると、前記エッチングによって除去されずに残存する残り部分により、第１バンク層４１０のパターンが完成する。
【００９６】
前記第１バンク層４１０の一部分をエッチングすると、前記フォトレジストパターン６００の端６００ａの下にエッチング液またはエッチングガスが浸透するようになってアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）現象が発生し得る。それによって、エッチング後に残存する前記第１バンク層４１０の端４１０ａは、前記フォトレジストパターン６００の端６００ａと一致しなくなり得る。
【００９７】
次に、図４ｄに示すように、前記フォトレジストパターン６００と、前記第１バンク層４１０の一部分が除去されて設けられた前記発光領域（ＥＡ）上に第１電極３１０を形成する。前記第１電極３１０の一部分は、前記フォトレジストパターン６００上に形成され、前記第１電極３１０の残りの部分は、前記回路素子層２００上に形成される。
【００９８】
前記第１電極３１０は、前記平坦化層２８０にコンタクトホール（ＣＨ）を形成した後、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極２７０ａ又は前記ドレイン電極２７０ｂと接続するように形成する。
【００９９】
ここで、前記第１電極３１０の端３１０ａは、前記第１バンク層４１０によって覆われないようになり、その代わりに、前記第１バンク層４１０の端４１０ａと向かい合って接するようになる。また、前記第１電極３１０の上面３１０ｂの高さは、前記第１バンク層４１０の上面４１０ｂの高さよりも低くなり得る。
【０１００】
次に、図４ｅに示すように、前記フォトレジストパターン６００および、その上の第１電極３１０を除去する。そうすると、前記発光領域（ＥＡ）に形成された前記第１電極３１０のパターンのみが残存することになる。
【０１０１】
ここで、前述した図４ｄ工程で、前記第１電極３１０の上面３１０ｂの高さが前記第１バンク層４１０の上面４１０ｂの高さよりも低く形成されるため、前記フォトレジストパターン６００の端６００ａの下にエッチング液が浸透して前記フォトレジストパターン６００および、その上の第１電極３１０が除去され得る。
【０１０２】
次に、図４ｆに示すように、前記第１バンク層４１０上に第２バンク層４２０を形成する。
【０１０３】
前述したように、前記第２バンク層４２０は、前記第１バンク層４１０より狭い幅を有するように形成する。前記第２バンク層４２０は、親水性を有する有機絶縁物にフッ素（ｆｌｕｏｒｉｎｅ）のような疎水性物質を混合した溶液を塗布した後、フォトリソグラフィー工程を経てパターン形成し得る。前記フォトリソグラフィー工程時に照射される光により前記フッ素のような疎水性物質が第２バンク層４２０の上部４２０ａに移動することができ、それによって前記第２バンク層４２０の上部４２０ａは、疎水性の性質を有するようになり、そのほかの部分は親水性の性質を有するようになる。
【０１０４】
次に、図４ｇに示すように、前記第１電極３１０上に発光層５００を形成する。前記発光層５００は、インクジェット装置などを用いた溶液工程で形成する。前記発光層５００は、前記第２バンク層４２０の上部４２０ａを越えて形成されない。
【０１０５】
一方、図に示していないが、前記発光層５００と前記第２バンク層４２０上には、陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）を追加で形成し得る。
【０１０６】
このように、本発明の一実施例によると、前記第１電極３１０が前記第１バンク層４１０のパターン形成後に形成されるので、前記第１バンク層４１０のパターン形成のためのエッチング液またはエッチングガスによって前記第１電極３１０の表面が損傷されない。
【０１０７】
また、本発明の一実施例によると、前記第１バンク層４１０のパターンを形成するためのフォトレジストパターン６００を用いて、前記第１電極３１０をパターン形成するため、前記第１電極３１０を形成するための別途のマスク工程を必要としない。
【０１０８】
図５ａ〜図５ｇは、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の製造工程を示す工程断面図であって、これは、前述した図３による電界発光表示装置の製造方法に関するものである。したがって、同一の構成に対して同一の符号を付与し、材料などの反復される部分の説明は省略することにする。
【０１０９】
まず、図５ａに示すように、基板１００上に回路素子層２００を形成し、前記回路素子層２００上に第２電極３２０を形成する。
【０１１０】
前記回路素子層２００は、前記基板１００上に、当業界に公知された多様な方法を用いて遮光層２１０、バッファ層２２０、アクティブ層２３０、ゲート絶縁膜２４０、ゲート電極２５０、層間絶縁膜２６０、ソース電極２７０ａ、ドレイン電極２７０ｂおよび平坦化層２８０を形成する工程を通じて得ることができる。
【０１１１】
ただし、前述したように、前記回路素子層２００の具体的な構成は、多様に変更され得、その形成工程もまた、当業界に公知された多様な方法で変更し得る。
【０１１２】
前記第２電極３２０は、前記平坦化層２８０にコンタクトホール（ＣＨ）を形成した後、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極２７０ａ又は前記ドレイン電極２７０ｂと接続するように形成する。
【０１１３】
前記第２電極３２０は、前記平坦化層２８０上に順に設けられた第１透明導電層３２１、反射層３２２、及び第２透明導電層３２３を備えることができる。
【０１１４】
次に、図５ｂに示すように、前記回路素子層２００と前記第２電極３２０上に第１バンク層４１０を形成し、前記第１バンク層４１０上にフォトレジストパターン６００を形成する。
【０１１５】
前記第１バンク層４１０は、前記基板１００の全体面上に形成する。
【０１１６】
次に、図５ｃに示すように、前記フォトレジストパターン６００をマスクにして前記第１バンク層４１０の一部分を除去して発光領域（ＥＡ）を設ける。そうすると、前記エッチングによって除去されずに残存する残り部分によって、第１バンク層４１０のパターンが完成する。このように残存する第１バンク層４１０によって前記第２電極３２０の端３２０ａが覆われる。
【０１１７】
また、前記発光領域（ＥＡ）で前記第２電極３２０が露出する。ここで、前記第１バンク層４１０の一部分をエッチングする工程を実行するときにエッチング液またはエッチングガスにより前記第２電極３２０の露出した表面に損傷が発生し得る。
【０１１８】
例えば、前記第１バンク層４１０の一部分をウェットエッチング工程で除去する場合には、エッチング液によって、前記露出する第２電極３２０の表面にピンホール（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ）が生じ得る。また、前記第１バンク層４１０の一部分をドライエッチング工程で除去する場合には、エッチングガスによって、前記露出する第２電極３２０の表面にフッ素（Ｆ）または硫黄（Ｓ）のような不純物が生じ得る。
【０１１９】
本明細書全体において、前記第２電極３２０の一部または表面に損傷が発生するということは、前記第２電極３２０の一部または表面にピンホールが生じたり、不純物が生じることを意味する。
【０１２０】
一方、前記第１バンク層４１０の一部分をエッチングすると、前記フォトレジストパターン６００の端６００ａの下にエッチング液またはエッチングガスが浸透するようになってアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）現象が発生し得る。それによって、エッチング後の残存する前記第１バンク層４１０の端４１０ａは、前記フォトレジストパターン６００の端６００ａと一致しなくなり得る。
【０１２１】
次に、図５ｄに示すように、前記フォトレジストパターン６００と前記第２電極３２０上に第１電極３１０を形成する。前記第１電極３１０の一部分は、前記フォトレジストパターン６００上に形成され、前記第１電極３１０の残りの部分は、前記第２電極３２０上の発光領域（ＥＡ）に形成される。
【０１２２】
ここで、前記第２電極３２０上に形成される前記第１電極３１０の端３１０ａは、前記第１バンク層４１０によって覆われないようになり、その代わりに、前記第１バンク層４１０の端４１０ａと向かい合いながら接するようになる。また、前記第２電極３２０上に形成される前記第１電極３１０の上面３１０ｂの高さは、前記第１バンク層４１０の上面４１０ｂの高さよりも低くなり得る。
【０１２３】
次に、図５ｅに示すように、前記フォトレジストパターン６００および、その上の第１電極３１０を除去する。そうすると、前記第２電極３２０上の発光領域（ＥＡ）に形成された前記第１電極３１０のパターンのみが残存することになる。
【０１２４】
次に、図５ｆに示すように、前記第１バンク層４１０上に第２バンク層４２０を形成する。
【０１２５】
前記第２バンク層４２０の形成工程は、前述した実施例と同様であるので反復説明は省略する。
【０１２６】
次に、図５ｇに示すように、前記第２電極３２０上に発光層５００を形成する。前記発光層５００の形成工程は、前述した実施例と同様であるので反復説明は省略する。
【０１２７】
一方、図には示していなが、前記発光層５００と前記第２バンク層４２０上には、陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）を追加で形成し得る。
【０１２８】
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施し得る。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１２９】
１００：基板
２００：回路素子層
３１０：第１電極
３２０：第２電極
４１０：第１バンク層
４２０：第２バンク層
５００：発光層
【図１】
2018110109.tif 000003
【図２】
2018110109.tif 000004
【図３】
2018110109.tif 000005
【図４ａ】
2018110109.tif 000006
【図４ｂ】
2018110109.tif 000007
【図４ｃ】
2018110109.tif 000008
【図４ｄ】
2018110109.tif 000009
【図４ｅ】
2018110109.tif 000010
【図４ｆ】
2018110109.tif 000011
【図４ｇ】
2018110109.tif 000012
【図５ａ】
2018110109.tif 000013
【図５ｂ】
2018110109.tif 000014
【図５ｃ】
2018110109.tif 000015
【図５ｄ】
2018110109.tif 000016
【図５ｅ】
2018110109.tif 000017
【図５ｆ】
2018110109.tif 000018
【図５ｇ】
2018110109.tif 000019