(57)【要約】      （修正有）【課題】インプリント装置において、効率よく型の形状を変えうる型保持装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の型保持装置は、型７を吸着する吸着部３４と、該吸着部３４に吸着された前記型７の側面に対して前記型のパターン面に沿った方向に力を加えることで前記型７を変形させる変形機構３２とを備え、前記型７を吸着保持するために負圧にする空間を形成する周壁１０１、１０２は、前記パターン面に沿って形成され且つ前記変形機構３２が前記型７の側面に対して力を加える方向に対して斜めに形成された、直線部を含むことを特徴とする。【選択図】図３
2018085479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型保持装置であって、
型を吸着する吸着部と、
該吸着部に吸着された前記型の側面に対して前記型のパターン面に沿った方向に力を加えることで前記型を変形させる変形機構とを備え、
前記型を吸着するために負圧にする空間を形成する周壁は、前記パターン面に沿って形成され且つ前記変形機構が前記型の側面に対して力を加える方向に対して斜めに形成された、直線部を含むことを特徴とする型保持装置。
【請求項２】
前記周壁で囲まれた空間に、前記型保持装置に保持された前記型に向かって突出し、前記型の裏面を支持するためのピンを複数有することを特徴とする請求項１に記載の型保持装置。
【請求項３】
前記周壁で囲まれた空間の圧力を調整する圧力調整部を連通させた連通路を有することを特徴とする請求項１または２に記載の型保持装置。
【請求項４】
前記圧力調整部は、前記周壁で囲まれた空間の圧力を負圧に調整する負圧発生源と、前記空間の圧力を制御する圧力制御部を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の型保持装置。
【請求項５】
前記変形機構が前記型に力を加える際に、前記周壁で囲まれた空間の圧力を、前記型を吸着保持する力を小さくするように調整する、ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載に型保持装置。
【請求項６】
前記圧力調整部は、前記周壁で囲まれた空間の圧力を正圧に調整する正圧発生源と、前記空間の圧力を制御する圧力制御部を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の型保持装置。
【請求項７】
前記周壁は、前記変形機構が前記型の側面に対して力を加える方向に対して、４５±１０°の角度に形成された、直線部を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の型保持装置。
【請求項８】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持装置を備え、
該型保持装置は、前記型を吸着する吸着部と、
該吸着部に吸着された前記型の側面に対して前記型のパターン面に沿った方向に力を加えることで前記型を変形させる変形機構とを備え、
前記型を吸着するために負圧にする空間を形成する周壁は、前記パターン面に沿って形成され且つ前記変形機構が前記型の側面に対して力を加える方向に対して斜めに形成された、直線部を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
請求項８に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置で用いられる型の型保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの物品を製造する方法として、型（モールド）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント技術が知られている。インプリント技術は、基板上にインプリント材を供給し、供給されたインプリント材と型を接触させる（押印）。そして、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させた後、硬化したインプリント材からモールドを引き離す（離型）ことにより、インプリント材のパターンが基板上に形成される。インプリント技術によれば、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。
【０００３】
インプリント装置は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する装置である。インプリント装置は、パターンを形成する際に、型と基板のアライメント処理をして、型に形成されているパターン領域の形状と、基板に予め形成されているショット領域の形状を合わせる。
【０００４】
従来の投影光学系を備えた露光装置の場合、アライメント処理は、基板のショット領域の形状に合わせて投影光学系の投影倍率（縮小倍率）を変更したり、基板ステージの走査速度を変更したりして、基板上に露光される領域の形状を変化させている。このように、従来の露光装置は、基板に形成された各ショット領域に露光される領域の形状を変化（形状補正）させて、ショット領域の形状のズレを補正して位置合わせを行っている。
【０００５】
しかしインプリント装置は、投影光学系がなく、型と基板上のインプリント材が直接接触するため、従来のような形状補正（倍率補正）を実施できない。インプリント装置は、保持部（チャック）で型を機械的に保持したり、型を真空吸着により保持したりする。インプリント装置は、保持部により型が保持されている状態で、型の側面から外力を加えたり、型を加熱したりすることで型を物理的に変形させている。特許文献１は、アクチュエータなどを用いて外力を加えることで型に形成されているパターン領域を変形させ、基板に形成されたパターンに対して位置合わせするインプリントシステムが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００６−５０６８１４号公報
【特許文献２】特開２０１３−１３８１８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
インプリント装置では、型保持装置により型を常に保持している。型を保持するモールドチャックとして、特許文献２には、矩形の開口部の周囲にＸＹ方向に沿って吸引口が配置された吸着部を有するモールドチャックが記載されている。このように、型保持装置の保持部は、図６（ａ）に示すように型と接触する部分（第１の周壁１０１、第２の周壁１０２）が矩形状の場合がある。このような形状の保持部に型が保持されている場合、型のパターン部の形状を変化させるために特許文献１に示すように型に外力を加えても、図６（ｂ）に示すように型が変形しづらい。これは、型の外周付近を外周に沿った方向に外力を加えても、図６（ａ）に示すように第１の周壁１０１が型と接触することによる摩擦抵抗が生じるためである。そのため、型変形機構３２により型の側面に外力を加えても効率よく型を変形させることができない。
【０００８】
本発明は、効率よく型の形状を変えうる型保持装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の型保持装置は、型を吸着する吸着部と、該吸着部に吸着された前記型の側面に対して前記型のパターン面に沿った方向に力を加えることで前記型を変形させる変形機構とを備え、前記型を吸着するために負圧にする空間を形成する周壁は、前記パターン面に沿って形成され且つ前記変形機構が前記型の側面に対して力を加える方向に対して斜めに形成された、直線部を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、効率よく型の形状を変えうる型保持装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係るインプリント装置を示した図である。
【図２】第１実施形態の型保持装置を示した図である。
【図３】第１実施形態の型保持装置を示した図である。
【図４】第１実施形態の型保持装置及び型の形状補正を示した図である。
【図５】第２実施形態の型保持装置及び型の形状補正を示した図である。
【図６】従来の型保持装置及び型の形状補正を示した図である。
【図７】物品の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
（第１実施形態）
（インプリント装置）
図１は第１実施形態におけるインプリント装置１の構成を示した図である。図１を用いてインプリント装置１の構成について説明する。ここでは、基板９が配置される面をＸＹ面、それに直交する方向をＺ方向として、図１に示したように各軸を決める。インプリント装置１は、基板９上に供給されたインプリント材１３を型７（モールド）と接触させ、インプリント材１３に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図１のインプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置１について説明する。
【００１４】
インプリント装置１は、光照射部２と、型保持装置３と、基板ステージ４と、塗布部５と、制御部６とを備える。
【００１５】
光照射部２は、型７とインプリント材１３が接触した状態で、インプリント材１３を硬化させるために硬化光８を照射する。例えば硬化光８として、紫外線が用いられる。光照射部２は、不図示の光源と、光源から照射された硬化光８をインプリントに適切な光に調整する不図示の光学素子とから構成される。
【００１６】
型保持装置３は、型７を保持する保持部１０と、型７（保持部１０）を所定の方向に移動させる型駆動機構１１を有する。なお、型保持装置３及び保持部１０の詳細な構成については後述する。
【００１７】
型７は、外周形状が多角形（好適には、矩形または正方形）であり、基板９に対向する面の中心部には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部７ａ（パターン領域）を含む。また、型７の材質は、硬化光８を透過させることが可能な材質であり、例えば石英とする。さらに、型７には、硬化光８が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さを有する凹部（キャビティ）が形成されていてもよい。
【００１８】
型駆動機構１１は、型７と基板９上に供給されたインプリント材１３の接触（押印）、または引き離し（離型）を選択的に行うように型７をＺ軸方向に移動させる。この型駆動機構１１に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータまたはエアシリンダがある。また、型７の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能や、型７の傾きを補正するためのチルト調整機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置１における押印および離型の動作は、型７をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。また、型駆動機構１１は、光照射部２から照射された硬化光８が型７を透過して基板９に向かうように、中心領域（平面内側）に開口部１２を有する。この開口部１２の開口形状は、型７に形成されているパターン部７ａの平面形状に対応して決められている。
【００１９】
基板ステージ４は、基板９を保持し、型７と基板９上のインプリント材１３を接触させる際、基板９に予め形成されているショット領域（基板側パターン領域）の形状と、型７に形成されたパターン部７ａの形状の位置合わせを行う。
【００２０】
基板ステージ４は、基板９を保持する基板保持部１４（基板チャック）と、基板９（基板保持部１４）を所定の方向に移動させる基板ステージ駆動機構１５を有する。この基板ステージ駆動機構１５に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータや平面モータがある。基板ステージ駆動機構１５も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板９のθ方向の位置調整機能、または基板９の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。
【００２１】
基板９は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
【００２２】
塗布部５（ディスペンサ）は、型保持装置３の近傍に設置され、基板９上に未硬化のインプリント材１３を供給する。ここで、このインプリント材１３は、硬化光８を受光することにより硬化する性質を有するインプリント材であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。また、塗布部５の吐出ノズル５ａから吐出されるインプリント材１３の量も、基板９上に形成されるインプリント材１３の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。
【００２３】
インプリント材１３には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００２４】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００２５】
インプリント材１３は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上、１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００２６】
制御部６は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部６は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。第１実施形態の制御部６は、少なくとも型保持装置３の動作と、型保持装置３に含まれる型変形機構３２の動作を制御する。また、制御部６は、基板ステージ４の位置を実時間で計測し、計測値に基づいて基板９（基板ステージ４）の位置決め制御を実行する。なお、基板ステージ４の位置を計測する手段としては、例えばエンコーダシステムや干渉計システムを用いることができる。なお、制御部６は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００２７】
また、インプリント装置１は、パターンを形成する際に、基板９に形成されたショット領域の形状の計測など、型７や基板９に形成されたマークを検出する検出部１６を備える。この検出部１６は、例えば、図１に示すように開口部１２に配置し得る。これにより、検出部１６は、型７に形成されたマークと型７を介して基板９に形成されたマークを検出することができる。インプリント装置は検出部１６の検出結果に基づいて型７のパターン部７ａと基板９のショット領域を位置合わせすることができる。
【００２８】
位置合わせの方法は、例えば、ダイバイダイアライメント方式やグローバルアライメント方式が存在する。ダイバイダイアライメント方式は、基板に形成されているショット領域ごとに、型のマークとショット領域に形成されたマークを検出することで、型と基板の位置のズレを補正して、位置合わせを行う。グローバルアライメント方式は、インプリント装置と基板の位置関係や、インプリント装置と型の位置関係が明確であることを利用するアライメント方法である。グローバルアライメント方式は、代表的な複数のショット領域（サンプルショット）に形成されたマークの検出結果を統計処理して得られる指標に基づき、型と基板の位置のズレを補正して、位置合わせを行う。すなわち、グローバルアライメント方式では、基板に形成されたすべてのショット領域に対して同一の指標に基づいて位置合わせを行うことになる。
【００２９】
また、インプリント装置１は、装置の土台となるベース定盤１７と、除振器１８を介して基板ステージ４を載置するステージ定盤１９と、を備える。さらに、インプリント装置１は、型保持装置３を固定するブリッジ定盤２０と、ステージ定盤１９から延設され、ブリッジ定盤２０を支持するための支柱２１と、を備える。このうち、除振器１８は、床面からステージ定盤１９およびブリッジ定盤２０へ伝わる振動を除去する。さらに、インプリント装置１は、型７を装置外部から型保持装置３へ搬送する型搬送機構（不図示）や、基板９を装置外部から基板ステージ４へ搬送する基板搬送機構（不図示）などを含み得る。
【００３０】
（型保持装置）
第１実施形態の型保持装置３について説明する。図２は、第１実施形態に係る型保持装置３の構成を示す図である。図２（ｂ）は型保持装置３の保持部１０に型７が保持されている状態を、基板ステージ４側から見た図である。図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ´断面を示す図である。型保持装置３は、型７を保持する保持部１０と、型７（保持部１０）を所定の方向に移動させる型駆動機構１１を有する。また、型保持装置３は、圧力調整部と、保持部１０が型７を保持している際に、型７の側面に対して外力を加える型変形機構３２を有する。圧力調整部は、型７を負圧により吸着保持するための負圧発生源３０と、圧力を可変に制御可能な負圧制御部３１（圧力制御部）を備える。負圧発生源３０の構成としては、例えば真空ポンプシステムやイジェクタがあり、負圧制御部３１の構成としては、例えばレギュレータがある。
【００３１】
型変形機構３２（変形機構）は、型保持装置３または保持部１０に設けられている。型変形機構３２は、型７の側面に型７のパターンが形成されたパターン面に沿って外力を加えることにより、側面を変位させ、パターン部７ａの形状（倍率を含む）を補正する。つまり、型変形機構３２は、保持部１０の保持面に沿った方向に型に力を加えている。この型変形機構３２は、型７の側面に加圧面を接触させて外力を加える複数のアクチュエータ３３と、これらのアクチュエータ３３による外力の負荷量を個別に調整するアクチュエータ制御部（不図示）とを含む。アクチュエータ制御部は、制御部６に回線を介して接続されており、複数のアクチュエータ３３によるそれぞれの負荷量は、制御部６からの負荷指令に基づいて調整される。
【００３２】
型変形機構３２は、型７の四方の側面に対してそれぞれ外力を加えるため、型７の四方の側面にアクチュエータ３３の加圧面が向くように設置されている。なお、図２に示す型変形機構３２は、型７の一つの側面に対して、５つのアクチュエータ３３が配置された構成としている。これら複数のアクチュエータ３３は、型７の側面に対して均等に配置されていることが望ましい。なお、複数のアクチュエータ３３の設置数は、特に限定するものではない。また、型変形機構３２は、図２に示す例では保持部１０に直接設置するものとしているが、これに限らず、例えば、保持部１０を固定保持する型駆動機構１１側から型７の側面に向けて延設される構成としてもよい。
【００３３】
図３は、第１実施形態に係る型保持装置３の保持部１０の構成を示す図である。図３（ｂ）は保持部１０に型が保持されていない状態を、基板ステージ４側から見た図である。図３（ａ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ´断面を示す図である。なお、図３（ａ）は保持部１０に型７が保持されている状態を示している。保持部１０は、型７と接触する表面に、型７に向かって突出した、第一の周壁１０１と、第二の周壁１０２と、ピン１０３を複数有し、第一の周壁１０１と第二の周壁１０２に囲まれることによって吸着部３４が形成されている。ここで、第二の周壁１０２は第一の周壁１０１よりも保持部の中心側（内側）に形成されているものとする。複数のピン１０３は、第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２と同じ高さで形成されており、吸着部３４に吸着された型７を支持する。図３に示す例では、複数のピン１０３は、吸着部３４の領域に配置しているが、その配置場所及び配置数は特に限定するものではない。
【００３４】
さらに、保持部１０は、吸着部３４の領域に吸着部３４と負圧発生源３０を連通させる吸引口３５を有し、保持部１０の内部に連通路３６を有する。保持部１０は、第一の周壁１０１と第二の周壁１０２によって囲まれた空間を負圧（減圧）することによって型を吸着保持している。また、保持部１０は、光照射部２から照射された硬化光８が型７を透過して基板９に向かうように、中心領域（平面内側）に開口部３７を有する。この開口部３７の開口形状は、型７に形成されているパターン部７ａの平面形状に対応して決められている。
【００３５】
図３（ｂ）に示すように、保持部１０には、第一の周壁１０１と第二の周壁１０２が基板ステージ４側から見て型変形機構３２のアクチュエータ３３が外力を加える方向に対して斜めの直線部を含むように形成されている。また、保持部１０に形成された第一の周壁１０１と第二の周壁１０２は、保持部１０が型７を保持した際、型７のパターン面に沿って形成されている。さらに、図３（ｂ）の第一の周壁１０１と第二の周壁１０２は、アクチュエータ３３が外力を加える方向に対して４５°傾いた方向に形成されている。
【００３６】
ここで、第１実施形態のインプリント装置１における型保持装置３を用いた型の形状補正（倍率補正を含む）について説明する。図４は、第１実施形態の型保持装置３における型の形状補正時の様子を示す図である。図４（ａ）は、保持部１０に型７が保持される前の状態を示している。図４（ｂ）は、保持部１０に型７が保持され、型変形機構３２のアクチュエータ３３により外力が加えられた状態を、基板ステージ４側から見た図である。図４（ｃ）は、図４（ｂ）の断面を示す図である。図４（ｂ）及び図４（ｃ）は型変形機構３２によって型７が変形した状態を示している。
【００３７】
図４（ａ）に示すように、保持部１０に形成される第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２は、型変形機構３２の加圧方向に対して４５°をなす角度で矩形に形成されている。第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２は、それぞれ、型変形機構３２の加圧方向に対して４５°をなす角度で形成された４つの直線部からなる。これにより、例えばアクチュエータ３３ａが配置される型７の外周付近の加圧方向に対する接触領域４０は、図６（ａ）に示した従来の保持部１００の接触領域４２と比較して小さくなり、摩擦抵抗を小さくできるため、変形効率を向上させることができる。同様に、アクチュエータ３３ｂが配置される型７の外周付近の加圧方向に対する接触領域４１は、図６（ａ）に示した従来の保持部１００の接触領域４１と比較して小さくなり、摩擦抵抗を小さくできるため、変形効率を向上させることが可能となる。製造上の都合や、型７が不図示の凹部（キャビティ）を有する場合に、凹部を回避するように第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２を配置する場合においても、４５±１０°の範囲内であれば、型７の外周付近の変形効率を向上させることが可能となる。
【００３８】
比較のために従来技術の型保持装置について説明する。図６はインプリント装置の型保持装置、および、型保持装置における型の形状補正時の様子を示した図である。図６（ａ）は、保持部１００に型７が保持される前の状態を示している。図６（ｂ）は、保持部１００に型７が保持されて、型変形機構３２により型７に外力が加えられ、型７が変形した状態を示している。図６（ｃ）は、保持部１００に型が保持されている断面図を示した図である。図６の保持部１００の構成は、上述の図４に示す保持部１０に対応させている。図６の保持部１００を除く他の構成は、型の形状も含めて第１実施形態のものと同一の構成としており、保持部１００は図４と同一の構成については、それぞれ同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００３９】
図６に示すように、従来の保持部１００に形成される第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２は、型変形機構３２の加圧方向に対して直角あるいは平行方向になるように矩形が配置されている。そのため、型７と、第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２との接触による摩擦抵抗は、型変形機構３２の加圧方向と同一方向の接触距離が長くなるほど大きくなる。したがって、摩擦抵抗は、型７の外周付近の加圧方向で大きくなる。
【００４０】
例えば、アクチュエータ３３ａが配置される型７の外周付近の加圧方向に対する接触領域４２は、図４（ａ）に示した接触領域４０よりも大きくなり、変形効率が低下する恐れがある。同様に、アクチュエータ３３ｂが配置される型７の外周付近の加圧方向に対する接触領域４３は、図４（ａ）に示した接触領域４１よりも大きくなり、変形効率が低下する恐れがある。アクチュエータ３３ａ、あるいはアクチュエータ３３ｂの加圧力のみを大きくしたとしても形状補正範囲は他の型変形機構の補正範囲と比較して限定的なものとなる可能性がある。このように、型７を真空吸着するための周壁の近傍は、型と周壁との接触による摩擦抵抗により型７の変形効率の低下が顕著となる。
【００４１】
このため、第１実施形態の型保持装置は、型変形機構３２が型の側面に外力を加えることにより、効率よく型を変形させることができる。この型保持装置は、型を所望の形状に補正しやすくなることにより、位置合わせの効率性の点で有利となる。
【００４２】
なお、第１実施形態の第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２の基板ステージ側から見た形状は、矩形としているが、多角形であってもよい。この場合でも、第一の周壁１０１及び第二の周壁１０２は、型変形機構３２の加圧方向に対して４５°をなす角度をもつ直線部を可能な限り長くなるようにすることが望ましい。また、インプリント処理の工程で、型７が保持部１０によって保持されている位置から、変化することが無い範囲で負圧制御部３１により型７の吸着圧を低下させてもよい。これにより、さらに摩擦抵抗を低下させて変形効率を向上させることができる。
【００４３】
さらに型保持装置３の圧力調整部は、吸着部３４の負圧状態を開放するための正圧発生源３８と、圧力を可変に制御可能な正圧制御部３９（圧力制御部）を有してもよい。そして、吸着部３４と負圧発生源３０との流体的に連通した経路上にあって、吸着部３４と負圧発生源３０または吸着部３４と正圧発生源３８との連通を切り替えるための制御部６０を有しても良い。型保持装置３は、型７がリンギング現象により保持部１０に貼りついてしまう恐れや、負圧発生源３０の故障により吸着部３４の負圧状態を開放できなくなってしまう恐れがある。その際に、型７を型保持装置３から型搬送機構（不図示）に移し替える工程の中で、制御部６０により吸着部３４を正圧発生源３８に連通させる。これにより、吸着部３４から型７を保持部１０から引き剥がすことが可能となる。なお、第１実施形態では、負圧を利用した吸着部を説明したが、吸着力の発生方法はこれに限定されず、静電力を利用して基板を保持するなど、他の方法を利用してもよい。
【００４４】
このように、第１実施形態の型保持装置３は、型変形機構３２により型７に外力を加えて変形させる際に、保持部１０の吸着部を構成する周壁と型７の摩擦抵抗を低減できるので、型７を効率良く変形させることができる。さらに、第１実施形態の型保持装置３を備えるインプリント装置１は、基板９に形成されたショット領域の形状とパターン部７ａの形状を合わせるアライメント処理に際して、変形効率を向上させることができ位置合わせが行いやすくなる。
【００４５】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の型保持装置３（保持部２００）及び、型７の形状補正（倍率補正を含む）について説明する。図５は、第２実施形態の型保持装置３における型の形状補正時の様子を示す図である。図５（ａ）は、保持部２００に型７が保持される前の状態を、基板ステージ４側から見た図である。図５（ｂ）は、保持部２００に型７が保持され、型変形機構３２のアクチュエータ３３により外力が加えられた状態を、基板ステージ４側から見た図である。図５（ｃ）は、図５（ｂ）の断面を示す図である。図５（ｂ）及び図５（ｃ）は型変形機構３２によって型７が変形した状態を示している。
【００４６】
なお図５の保持部２００の構成は、第１実施形態の図４に示す保持部１０に対応させている。図５の保持部２００を除く他の構成は、型の形状も含めて第１実施形態のものと同一の構成としており、保持部２００は図４と同一の構成については、それぞれ同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００４７】
図５（ａ）に示すように、保持部２００に形成される第一の周壁２０１の少なくとも一部は、型変形機構３２の加圧方向に対して４５°をなす角度で矩形に形成されている。また、保持部２００に形成された第一の周壁２０１と第二の周壁２０２は、保持部１０が型７を保持した際、型７のパターン面に沿って形成されている。さらに、また、第二の周壁２０２は、保持部２００の中心円で開口部３７よりも大きい円形に形成されている。これにより、例えばアクチュエータ３３ａが配置される型７の外周付近の加圧方向に対する接触領域４４は、図６（ａ）に示した従来の保持部１００の接触領域４２と比較して小さくなり、摩擦抵抗を小さくできるため、変形効率を向上させることができる。同様に、アクチュエータ３３ｂが配置される型７の外周付近の加圧方向に対する接触領域４５は、図６（ａ）に示した従来の保持部１００の接触領域４１と比較して小さくなり、摩擦抵抗を小さくできるため、変形効率を向上させることが可能となる。製造上の都合や、型７が不図示の凹部（キャビティ）を有する場合に、凹部を回避するように第一の周壁２０１を配置する場合においても、４５±１０°の範囲内であれば、型７の外周付近の変形効率を向上させることが可能となる。
【００４８】
なお、第二の周壁２０２を円形とする場合には、型変形機構３２のアクチュエータ３３ｃ、あるいはアクチュエータ３３ｄが配置される型７の外周付近の加圧方向に対する接触領域４０が大きくなる。そのため、保持部２００の第一の周壁２０１の形状を多角形に形成することで、アクチュエータ３３ｃ、あるいはアクチュエータ３３ｄが配置される型７の外周付近の摩擦抵抗を小さくできるため、変形効率の低下を抑制させることが可能となる。図５に示す第２実施形態の保持部２００は８角形の場合を示している。
【００４９】
図５（ａ）の保持部２００は、型７と接触する表面に、第一の周壁２０１と、第二の周壁２０２と、複数のピン１０３を有し、第一の周壁２０１と第二の周壁２０２に囲まれた領域に吸着部３４が形成されている。複数のピン１０３は、第一の周壁２０１及び第二の周壁２０２と同じ高さで形成されており、吸着部３４に吸着された型７を支持する。図５に示す例では、複数のピン１０３は、吸着部３４の領域に配置しているが、その配置場所及び配置数は特に限定するものではない。
【００５０】
図５（ａ）に示すように、保持部２００には、第一の周壁２０１が基板ステージ４側から見て型変形機構３２のアクチュエータ３３が外力を加える方向に対して斜めに形成されている。図５（ａ）の第一の周壁２０１は、アクチュエータ３３が外力を加える方向に対して４５°傾いた方向に形成されている。
【００５１】
なお、図５（ａ）では、保持部２００の中心に近い第二の周壁２０２の形状を円形とし、第一の周壁２０１の形状をアクチュエータ３３が外力を加える方向に対して４５°傾いた方向に形成されている場合を説明したが、逆であっても良い。つまり第一の周壁２０１の形状を円形とし、第二の周壁２０２の形状をアクチュエータ３３が外力を加える方向に対して４５°傾いた方向に形成されていてもよい。
【００５２】
また、第一の周壁２０１の形状と第二の周壁２０２の形状を共に円形とする場合も考えられる。保持部２００が型を吸着する吸着部３４の領域が、周壁の形状が円形の場合と矩形の場合で同じ（保持力が同じ）であるとする。このとき、周壁の形状を円形とする場合よりも、上述のようにアクチュエータ３３が外力を加える方向に対して４５°傾いた方向に形成する方が、接触領域４０及び接触領域４１を小さくすることができる。
【００５３】
このように、第２実施形態の型保持装置３は、型変形機構３２により型７に外力を加えて変形させる際に、保持部２００の吸着部を構成する周壁と型７の摩擦抵抗を低減できるので、型７を効率良く変形させることができる。さらに、第１実施形態の型保持装置３を備えるインプリント装置１は、基板９に形成されたショット領域の形状とパターン部７ａの形状を合わせるアライメント処理に際して、変形効率を向上させることができ位置合わせが行いやすくなる。
【００５４】
（物品の製造方法）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００５５】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００５６】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図７（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００５７】
図７（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図７（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５８】
図７（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５９】
図７（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図７（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００６０】
このように、物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００６１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１  インプリント装置
３  型保持装置
１０、２００  保持部
３２  型変形機構
３４  吸着部
１０１、２０１  第一の周壁
１０２、２０２  第二の周壁
１０３  ピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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