(57)【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。【選択図】図１
2018125566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜を加工してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を形成後、酸素プラズマ処理を行い、
前記酸素プラズマ処理後、前記酸化物半導体膜に希フッ酸溶液による洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置及び半導体装置の作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が
注目されている。該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（単に表示装置とも
表記する）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導
体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半
導体が注目されている。
【０００４】
例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含むアモルファス
酸化物（ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物）からなる半導体層を用いたトランジスタが開示
されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１８１８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、高信頼性の
達成は製品化に向けて重要な事項である。
【０００７】
しかし、半導体装置は複雑な構造の複数の薄膜で構成されており、多種の材料、方法及び
工程で作製される。よって、用いられる作製工程に起因する、得られる半導体装置の形状
不良や電気特性の低下が生じる恐れがある。
【０００８】
このような問題に鑑み、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体
装置を提供することを課題の一とする。
【０００９】
また、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することを課題の
一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
ボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接し
て設けられるソース電極層及びドレイン電極層を形成する際に用いられるエッチングガス
に含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。より具
体的には、例えば以下の態様とすることができる。
【００１１】
本発明の一態様は、絶縁表面上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁膜
を形成し、ゲート絶縁膜を介してゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、ゲー
ト絶縁膜及び島状の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、導電膜を、ハロゲン元素を含む
エッチングガスを用いたプラズマ処理により加工して、ソース電極層及びドレイン電極層
を形成し、酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、エッチングガスに含まれる元素を除
去する半導体装置の作製方法である。
【００１２】
また、上記半導体装置の作製方法において、不純物除去処理を行った後、酸化物半導体膜
表面におけるハロゲン元素濃度（例えば、塩素濃度）を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下、好ましくは、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好ましい。
【００１３】
また、上記半導体装置の作製方法において、不純物除去処理として、酸素プラズマ処理又
は一酸化二窒素プラズマを行うことが好ましい。または、希フッ酸溶液による洗浄処理を
行うことが好ましい。
【００１４】
本発明の一態様に係る半導体装置は、絶縁表面上に設けられたゲート電極層と、ゲート電
極層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた島状の酸化物半導体膜
と、酸化物半導体膜に接して設けられたソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、ソ
ース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部を覆い、酸化
物半導体膜表面におけるハロゲン元素濃度（例えば、塩素濃度）は、５×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下である。
【００１５】
上記構成に係る酸化物半導体膜において、ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領
域の膜厚は、ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重畳しない領域の膜厚よりも大きい
。
【００１６】
上述のように、ソース電極層又はドレイン電極層等の酸化物半導体膜上に接する膜のパタ
ーン形成には、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理が好適に用いら
れる。しかしながら、酸化物半導体膜がハロゲン元素を含むエッチングガスに曝されると
、該エッチングガスに含まれるハロゲン元素（例えば、塩素、フッ素）によって酸化物半
導体膜中の酸素が引き抜かれてしまい、酸化物半導体膜の界面近傍に酸素欠損が形成され
るおそれがある。また、エッチング工程後に、酸化物半導体膜表面及び該近傍に、該エッ
チングガスに含まれるハロゲン元素が残存することによって、酸化物半導体膜に酸素欠損
が形成されるおそれがある。酸化物半導体膜に酸素欠損が生じると、酸化物半導体膜のバ
ックチャネルが低抵抗化（ｎ型化）してしまい、寄生チャネルが形成される恐れがある。
【００１７】
例えば、酸化物半導体膜として、インジウムを含む酸化物半導体材料を用い、酸化物半導
体膜に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層の加工に三塩化ホウ素（ＢＣｌ
３）を含むエッチングガスを用いた場合、酸化物半導体膜中のＩｎ−Ｏ−Ｉｎ結合と、エ
ッチングガスに含まれるＣｌが反応して、Ｉｎ−Ｃｌ結合と、酸素が脱離したＩｎ元素と
を含む膜となることがある。酸素が脱離したＩｎ元素は、未結合手を有するため、酸化物
半導体膜中において酸素が脱離した箇所では酸素欠損が存在する。
【００１８】
また、ハロゲン元素を含むエッチングガスには、ハロゲン以外の元素（例えば、ボロン）
も含まれる場合、酸化物半導体膜のバックチャネルが低抵抗化（ｎ型化）する要因の一つ
となりうる。
【００１９】
そこで、本発明の一態様では、酸化物半導体膜上に設けられるソース電極層及びドレイン
電極層のエッチング加工後、不純物除去処理を行うことにより、酸化物半導体膜の低抵抗
化を引き起こしうる不純物を除去する。よって、半導体装置の高信頼性化を図ることが可
能となる。
【００２０】
本発明の一態様は、トランジスタ若しくはトランジスタを含んで構成される回路を有する
半導体装置に関する。例えば、酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される、トランジ
スタ若しくはトランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置に関する。例えば
、ＬＳＩや、ＣＰＵや、電源回路に搭載されるパワーデバイスや、メモリ、サイリスタ、
コンバータ、イメージセンサなどを含む半導体集積回路、液晶表示パネルに代表される電
気光学装置や発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【発明の効果】
【００２１】
酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
【００２２】
また、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる
。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図２】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図。
【図３】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図４】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図。
【図５】半導体装置の一形態を説明する平面図。
【図６】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図７】半導体装置の一形態を示す断面図。
【図８】半導体装置の一形態を示す回路図及び断面図。
【図９】電子機器を示す図。
【図１０】電子機器を示す図。
【図１１】ＳＩＭＳ測定結果を示す図。
【図１２】希フッ酸処理の有無と抵抗率の関係を示すグラフ。
【図１３】試料Ａ及び試料Ｂの電気的特性を示すグラフ。
【図１４】試料Ｃ及び試料Ｄの電気的特性を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々
に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明
は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、第１、第
２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではな
い。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものでは
ない。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図１及び図２を用
いて説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として酸化物半導体膜を有するトラ
ンジスタを示す。
【００２６】
トランジスタはチャネル形成領域が１つ形成されるシングルゲート構造でも、２つ形成さ
れるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。また
、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極層を有す
る、デュアルゲート型でもよい。
【００２７】
図１に示すトランジスタ４１０は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジス
タともいうトランジスタの一例である。図１（Ａ）はトランジスタ４１０の平面図であり
、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ１−Ａ２における断面図（チャネル長方向の断面図）で
あり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）のＢ１−Ｂ２における断面図（チャネル幅方向の断面図
）である。また、図１（Ａ）において、Ｌは、チャネル長を表し、Ｗは、チャネル幅を表
す。なお、図１（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ４１０の構成要
素の一部（例えば、ゲート絶縁膜４０２など）を省略して図示している。
【００２８】
図１に示すように、トランジスタ４１０を含む半導体装置は、絶縁表面を有する基板４０
０上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁膜４０２、酸化物半導体膜４０３、ソース電極
層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂを有する。また、トランジスタ４１０を覆う絶縁膜
４０７、及び平坦化絶縁膜４０８が設けられている。
【００２９】
図１に示すトランジスタ４１０において、酸化物半導体膜４０３と絶縁膜４０７との界面
におけるハロゲン元素濃度（例えば、塩素濃度）は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に低減されている。これにより、ト
ランジスタのバックチャネルの低抵抗化（ｎ型化）が抑制され、寄生チャネルが形成され
ることが抑制されたトランジスタ４１０とすることができる。よって、トランジスタ４１
０の高信頼性化を図ることができる。
【００３０】
また、図１（Ａ）及び図１（Ｃ）に示すように、トランジスタ４１０において、ソース電
極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂは、酸化物半導体膜４０３のチャネル幅Ｗ方向
の端部を覆っている。このような構成とすることにより、ソース電極層４０５ａ及びドレ
イン電極層４０５ｂを形成する際に、酸化物半導体膜４０３の端部が、ハロゲン元素を含
むエッチングガスを用いたプラズマに曝されることを防止することができる。
【００３１】
なお、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成する際に、酸化物半導体
膜４０３の一部が除去されることで、溝部（凹部）を有する酸化物半導体膜４０３となる
ことがある。また、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成した後、不
純物除去工程（後に詳述する）を行う際に、酸化物半導体膜４０３の一部が除去されるこ
とで、溝部（凹部）を有する酸化物半導体膜４０３となることがある。その場合には、図
１（Ｄ）に示すように、溝部（凹部）を有する酸化物半導体膜４０３を含むトランジスタ
４２０が形成される。なお、トランジスタ４２０におけるチャネル幅Ｗ方向の断面図（図
１（Ａ）のＢ１−Ｂ２における断面図）は、図１（Ｃ）と同様である。
【００３２】
酸化物半導体膜４０３に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）を
含む。特にＩｎと亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体膜を用いた
トランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加え
てガリウム（Ｇａ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ（Ｓｎ）
を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム（Ｈｆ）を有すること
が好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム（Ａｌ）を有することが好ましい
。また、スタビライザーとしてジルコニウム（Ｚｒ）を有することが好ましい。
【００３３】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（
Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム
（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホル
ミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ル
テチウム（Ｌｕ）のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
【００３４】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯと
も表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓ
ｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系
酸化物を用いることができる。
【００３５】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物
という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の
金属元素が入っていてもよい。
【００３６】
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整数でない）
で表記される材料を用いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた
一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ２ＳｎＯ５
（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０、且つ、ｎは整数）で表記される材料を用いてもよい。
【００３７】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２
（＝１／２：１／６：１／３）の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍
の酸化物を用いることができる。あるいは、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：
１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１／６：１／２）あるい
はＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５（＝１／４：１／８：５／８）の原子数比のＩｎ−Ｓｎ
−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【００３８】
しかし、インジウムを含む酸化物半導体は、これらに限られず、必要とする半導体特性（
移動度、しきい値、ばらつき等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要
とする半導体特性を得るために、キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素
の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
【００３９】
例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物を用いたトランジスタでは比較的容易に高い移動度が
得られる。しかしながら、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたトランジスタでも、バルク
内欠陥密度を低くすることにより移動度を上げることができる。
【００４０】
なお、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋
ｃ＝１）である酸化物の組成が、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝Ａ：Ｂ：Ｃ（Ａ＋Ｂ＋Ｃ
＝１）の酸化物の組成の近傍であるとは、ａ、ｂ、ｃが、（ａ−Ａ）２＋（ｂ−Ｂ）２＋
（ｃ−Ｃ）２≦ｒ２を満たすことをいい、ｒは、例えば、０．０５とすればよい。他の酸
化物でも同様である。
【００４１】
酸化物半導体膜４０３は、単結晶、多結晶（ポリクリスタルともいう。）または非晶質な
どの状態をとる。
【００４２】
好ましくは、酸化物半導体膜４０３は、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜とする。
【００４３】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、完全な単結晶ではなく、完全な非晶質でもない。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜
は、非晶質相に結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜である。なお、当
該結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる非晶質部と結晶部との境界
は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には粒界（グレインバウンダリ
ーともいう。）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、粒界に起因する電子移
動度の低下が抑制される。
【００４４】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見て三角
形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または
金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸お
よびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、８
５°以上９５°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、−５
°以上５°以下の範囲も含まれることとする。
【００４５】
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被形
成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部が非晶
質化することもある。
【００４６】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状（被形成
面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある。な
お、結晶部のｃ軸の方向は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されたときの被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、また
は成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
【００４７】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動
が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
【００４８】
なお、酸化物半導体膜を構成する酸素の一部は窒素で置換されてもよい。
【００４９】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳのように結晶部を有する酸化物半導体では、よりバルク内欠陥を低
減することができ、表面の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体以上の移動
度を得ることができる。表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体を
形成することが好ましく、具体的には、平均面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下、好ましくは０
．３ｎｍ以下、より好ましくは０．１ｎｍ以下の表面上に形成するとよい。
【００５０】
なお、Ｒａとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１（ＩＳＯ４２８７：１９９７）で定義
されている算術平均粗さを曲面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであり、「
基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」で表現でき、以下の式にて定義され
る。
【００５１】
【数１】
2018125566.tif 000003
【００５２】
ここで、指定面とは、粗さ計測の対象となる面であり、座標（ｘ１，ｙ１，ｆ（ｘ１，ｙ
１）），（ｘ１，ｙ２，ｆ（ｘ１，ｙ２）），（ｘ２，ｙ１，ｆ（ｘ２，ｙ１）），（ｘ
２，ｙ２，ｆ（ｘ２，ｙ２））の４点で表される四角形の領域とし、指定面をｘｙ平面に
投影した長方形の面積をＳ０、基準面の高さ（指定面の平均の高さ）をＺ０とする。Ｒａ
は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて測
定可能である。
【００５３】
ただし、本実施の形態で説明するトランジスタ４１０は、ボトムゲート型であるため、酸
化物半導体膜の下方には基板４００とゲート電極層４０１とゲート絶縁膜４０２が存在し
ている。従って、上記平坦な表面を得るためにゲート電極層４０１及びゲート絶縁膜４０
２を形成した後、ＣＭＰ処理などの平坦化処理を行ってもよい。
【００５４】
酸化物半導体膜４０３の膜厚は、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下（好ましくは５ｎｍ以上１０ｎ
ｍ以下）とし、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａ
ｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。また、酸化物半導体膜４０３は、スパ
ッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜
を行うスパッタ装置を用いて成膜してもよい。
【００５５】
次に、図２（Ａ）乃至（Ｅ）にトランジスタ４１０を有する半導体装置の作製方法の一例
を示す。
【００５６】
絶縁表面を有する基板４００に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なく
とも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、バリ
ウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、
石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンな
どの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基
板、ＳＯＩ基板などを適用することもでき、これらの基板上に半導体素子が設けられたも
のを、基板４００として用いてもよい。
【００５７】
また、基板４００として、可撓性基板を用いて半導体装置を作製してもよい。可撓性を有
する半導体装置を作製するには、可撓性基板上に酸化物半導体膜４０３を含むトランジス
タ４１０を直接作製してもよいし、他の作製基板に酸化物半導体膜４０３を含むトランジ
スタ４１０を作製し、その後可撓性基板に剥離、転置してもよい。なお、作製基板から可
撓性基板に剥離、転置するために、作製基板と酸化物半導体膜を含むトランジスタ４１０
との間に剥離層を設けるとよい。
【００５８】
基板４００上に下地膜として絶縁膜を設けてもよい。絶縁膜としては、プラズマＣＶＤ法
又はスパッタリング法等により、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムなどの酸化物絶縁材料、窒化シリ
コン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶縁材
料、又はこれらの混合材料を用いて形成することができる。
【００５９】
基板４００（又は基板４００及び絶縁膜）に加熱処理を行ってもよい。例えば、高温のガ
スを用いて加熱処理を行うＧＲＴＡ（Ｇａｓ  Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａ
ｌ）装置により、６５０℃、１分〜５分間、加熱処理を行えばよい。なお、ＧＲＴＡにお
ける高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被
処理物と反応しない不活性気体が用いられる。また、電気炉により、５００℃、３０分〜
１時間、加熱処理を行ってもよい。
【００６０】
次に、基板４００上に、ゲート電極層（これと同じ層で形成される配線を含む）となる導
電膜を形成する。導電膜の材料は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アル
ミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とす
る合金材料を用いて形成することができる。また、導電膜としてリン等の不純物元素をド
ーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケルシリサイドなどのシリサ
イド膜を用いてもよい。導電膜は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【００６１】
また、導電膜の材料は、酸化インジウム酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化ケイ素を添加
したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用することもできる。また、上記導電性材
料と、上記金属材料の積層構造とすることもできる。
【００６２】
また、ゲート絶縁膜４０２と接する導電膜として、窒素を含む金属酸化物、具体的には、
窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ
−Ｇａ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＳｎ−Ｏ膜や、窒素を含む
Ｉｎ−Ｏ膜や、金属窒化膜（ＩｎＮ、ＳｎＮなど）を用いることができる。これらの膜は
５ｅＶ（電子ボルト）、好ましくは５．５ｅＶ（電子ボルト）以上の仕事関数を有し、ゲ
ート電極層として用いた場合、トランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにするこ
とができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現できる。
【００６３】
本実施の形態では、スパッタリング法により膜厚１００ｎｍのタングステン膜を形成する
。
【００６４】
次に、フォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッ
チングを行ってゲート電極層４０１を形成する。ゲート電極層４０１を形成した後、レジ
ストマスクを除去する。導電膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチン
グでもよく、両方を用いてもよい。
【００６５】
また、ゲート電極層４０１形成後に、基板４００、及びゲート電極層４０１に加熱処理を
行ってもよい。例えば、ＧＲＴＡ装置により、６５０℃、１分〜５分間、加熱処理を行え
ばよい。また、電気炉により、５００℃、３０分〜１時間、加熱処理を行ってもよい。
【００６６】
次いで、ゲート電極層４０１上にゲート絶縁膜４０２を形成する。
【００６７】
なお、ゲート絶縁膜４０２の被覆性を向上させるために、ゲート電極層４０１表面に平坦
化処理を行ってもよい。特に、ゲート絶縁膜４０２として膜厚の薄い絶縁膜を用いる場合
、ゲート電極層４０１表面の平坦性が良好であることが好ましい。
【００６８】
ゲート絶縁膜４０２の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とし、スパッタリング法、ＭＢＥ
法、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ法等を適宜用いることができ
る。また、ゲート絶縁膜４０２は、スパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複
数の基板表面がセットされた状態で成膜を行うスパッタ装置を用いて成膜してもよい。
【００６９】
ゲート絶縁膜４０２の材料としては、酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、
窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化シリコンを用
いて形成することができる。また、ゲート絶縁膜４０２の材料として酸化ハフニウム、酸
化イットリウム、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が
添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘＮｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウム
アルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、酸化ランタンなどのｈｉｇｈ−ｋ
材料を用いることでゲートリーク電流を低減できる。また、ゲート絶縁膜４０２は、上記
の材料を用いて、単層構造または積層構造で形成される。
【００７０】
ゲート絶縁膜４０２は、酸化物半導体膜４０３と接する部分において酸素を含むことが好
ましい。特に、ゲート絶縁膜４０２は、膜中（バルク中）に少なくとも化学量論比を超え
る量の酸素が存在することが好ましく、例えば、ゲート絶縁膜４０２として、酸化シリコ
ン膜を用いる場合には、ＳｉＯ２＋α（ただし、α＞０）とする。
【００７１】
酸素の供給源となる酸素を多く（過剰に）含むゲート絶縁膜４０２を酸化物半導体膜４０
３と接して設けることによって、該ゲート絶縁膜４０２から酸化物半導体膜４０３へ酸素
を供給することができる。酸化物半導体膜４０３及びゲート絶縁膜４０２を少なくとも一
部が接した状態で加熱処理を行うことによって酸化物半導体膜４０３への酸素の供給を行
ってもよい。
【００７２】
酸化物半導体膜４０３へ酸素を供給することにより、膜中の酸素欠損を補填することがで
きる。さらに、ゲート絶縁膜４０２は、作製するトランジスタのサイズやゲート絶縁膜４
０２の段差被覆性を考慮して形成することが好ましい。
【００７３】
本実施の形態では、高密度プラズマＣＶＤ法により膜厚２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜
を形成する。
【００７４】
また、ゲート絶縁膜４０２形成後に、基板４００、ゲート電極層４０１、及びゲート絶縁
膜４０２に加熱処理を行ってもよい。例えば、ＧＲＴＡ装置により、６５０℃、１分〜５
分間、加熱処理を行えばよい。また、電気炉により、５００℃、３０分〜１時間、加熱処
理を行ってもよい。
【００７５】
次に、ゲート絶縁膜４０２上に酸化物半導体膜４０３を形成する（図２（Ａ）参照）。
【００７６】
酸化物半導体膜４０３の形成工程において、酸化物半導体膜４０３に水素、又は水がなる
べく含まれないようにするために、酸化物半導体膜４０３の成膜の前処理として、スパッ
タリング装置の予備加熱室でゲート絶縁膜４０２が形成された基板を予備加熱し、基板及
びゲート絶縁膜４０２に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好まし
い。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。
【００７７】
ゲート絶縁膜４０２において酸化物半導体膜４０３が接して形成される領域に、平坦化処
理を行ってもよい。平坦化処理としては、特に限定されないが、研磨処理（例えば、化学
的機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ
））、ドライエッチング処理、プラズマ処理を用いることができる。
【００７８】
プラズマ処理としては、例えば、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッ
タリングを行うことができる。逆スパッタリングとは、アルゴン雰囲気下で基板側にＲＦ
電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。
なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。逆スパッタリ
ングを行うと、ゲート絶縁膜４０２の表面に付着している粉状物質（パーティクル、ごみ
ともいう）を除去することができる。
【００７９】
平坦化処理として、研磨処理、ドライエッチング処理、プラズマ処理は複数回行ってもよ
く、それらを組み合わせて行ってもよい。また、組み合わせて行う場合、工程順も特に限
定されず、ゲート絶縁膜４０２表面の凹凸状態に合わせて適宜設定すればよい。
【００８０】
なお、酸化物半導体膜４０３は、成膜時に酸素が多く含まれるような条件（例えば、酸素
１００％の雰囲気下でスパッタリング法により成膜を行うなど）で成膜して、酸素を多く
含む（好ましくは酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成に対し、酸素の含有量
が過剰な領域が含まれている）膜とすることが好ましい。
【００８１】
なお、本実施の形態において、酸化物半導体膜４０３として、ＡＣ電源装置を有するスパ
ッタリング装置を用いたスパッタリング法を用い、膜厚３５ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸
化物膜（ＩＧＺＯ膜）を成膜する。本実施の形態において、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：
１（＝１／３：１／３：１／３）の原子比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物ターゲットを用い
る。なお、成膜条件は、酸素及びアルゴン雰囲気下（酸素流量比率５０％）、圧力０．６
Ｐａ、電源電力５ｋＷ、基板温度１７０℃とする。この成膜条件での成膜速度は、１６ｎ
ｍ／ｍｉｎである。
【００８２】
酸化物半導体膜４０３を、成膜する際に用いるスパッタリングガスは水素、水、水酸基又
は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【００８３】
減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持する。そして、成膜室内の残留水分を除去し
つつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板４０
０上に酸化物半導体膜４０３を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着
型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポン
プを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラ
ップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、
水素原子、水（Ｈ２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合
物も）等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜４０３に含まれる水素
、水、水酸基又は水素化物などの不純物の濃度を低減できる。
【００８４】
また、ゲート絶縁膜４０２を大気に解放せずにゲート絶縁膜４０２と酸化物半導体膜４０
３を連続的に形成することが好ましい。ゲート絶縁膜４０２を大気に曝露せずにゲート絶
縁膜４０２と酸化物半導体膜４０３を連続して形成すると、ゲート絶縁膜４０２表面に水
素や水分などの不純物が吸着することを防止することができる。
【００８５】
酸化物半導体膜４０３は、膜状の酸化物半導体膜をフォトリソグラフィ工程により島状の
酸化物半導体膜に加工して形成することができる。
【００８６】
また、島状の酸化物半導体膜４０３を形成するためのレジストマスクをインクジェット法
で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用
しないため、製造コストを低減できる。
【００８７】
なお、酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよ
く、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜のウェットエッチングに用いるエッチ
ング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などを用いることができる。また、ＩＴ
Ｏ−０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。また、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  
Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法によるドライエッチ
ングによってエッチング加工してもよい。
【００８８】
また、酸化物半導体膜４０３に、過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去（脱水化または
脱水素化）するための加熱処理を行ってもよい。加熱処理の温度は、３００℃以上７００
℃以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は減圧下又は窒素雰囲気下などで行う
ことができる。
【００８９】
また、酸化物半導体膜４０３として結晶性酸化物半導体膜を用いる場合、結晶化のための
加熱処理を行ってもよい。
【００９０】
本実施の形態では、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜４
０３に対して窒素雰囲気下４５０℃において１時間、さらに窒素及び酸素雰囲気下４５０
℃において１時間の加熱処理を行う。
【００９１】
なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱
輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ  Ｒ
ａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ  Ｒａｐｉｄ  Ｔ
ｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅ
ａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドラ
ンプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀
ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置であ
る。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、
アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不
活性気体が用いられる。
【００９２】
例えば、加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温に加熱した不活性ガス中に基板を入
れ、数分間加熱した後、基板を不活性ガス中から出すＧＲＴＡを行ってもよい。
【００９３】
なお、加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水
、水素などが含まれないことが好ましい。または、熱処理装置に導入する窒素、またはヘ
リウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上好ましく
は７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１
ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【００９４】
また、加熱処理で酸化物半導体膜４０３を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純
度の一酸化二窒素ガス、又は超乾燥エア（ＣＲＤＳ（キャビティリングダウンレーザー分
光法）方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が２０ｐｐｍ（露点換算で−５５℃）
以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）を導入してもよ
い。酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。ま
たは、熱処理装置に導入する酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスの純度を、６Ｎ以上好まし
くは７Ｎ以上（即ち、酸素ガスまたは一酸化二窒素ガス中の不純物濃度を１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。酸素ガス又は一酸化二窒素ガスの
作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少して
しまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物
半導体膜４０３を高純度化及びｉ型（真性）化することができる。
【００９５】
なお、脱水化又は脱水素化のための加熱処理を行うタイミングは、膜状の酸化物半導体膜
の形成後でも、島状の酸化物半導体膜４０３形成後でもよい。
【００９６】
また、脱水化又は脱水素化のための加熱処理は、複数回行ってもよく、他の加熱処理と兼
ねてもよい。
【００９７】
脱水化又は脱水素化のための加熱処理を、酸化物半導体膜４０３として島状に加工される
前、膜状の酸化物半導体膜がゲート絶縁膜４０２を覆った状態で行うと、ゲート絶縁膜４
０２に含まれる酸素が加熱処理によって放出されるのを防止することができるため好まし
い。
【００９８】
また、脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜４０３に、酸素（少なくとも、酸
素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含む）を導入して膜中に酸素を供給し
てもよい。
【００９９】
また、脱水化又は脱水素化処理によって、酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素
が同時に脱離して減少してしまうおそれがある。酸化物半導体膜において、酸素が脱離し
た箇所では酸素欠損が存在し、該酸素欠損に起因してトランジスタの電気的特性変動を招
くドナー準位が生じてしまう。
【０１００】
よって、脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜に、酸素（少なくとも、酸素ラ
ジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含む）を供給することが好ましい。酸化物
半導体膜へ酸素を供給することにより、膜中の酸素欠損を補填することができる。
【０１０１】
脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜４０３に、酸素を導入して膜中に酸素を
供給することによって、酸化物半導体膜４０３を高純度化、及びｉ型（真性）化すること
ができる。高純度化し、ｉ型（真性）化した酸化物半導体膜４０３を有するトランジスタ
は、電気特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
【０１０２】
酸素の導入方法としては、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイ
オンインプランテーション法、プラズマ処理などを用いることができる。
【０１０３】
酸素の導入工程は、酸化物半導体膜４０３に酸素導入する場合、酸化物半導体膜４０３に
直接導入してもよいし、後に形成される絶縁膜４０７など他の膜を通過して酸化物半導体
膜４０３へ導入してもよい。酸素を他の膜を通過して導入する場合は、イオン注入法、イ
オンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いれば
よいが、酸素を露出された酸化物半導体膜４０３へ直接導入する場合は、プラズマ処理な
ども用いることができる。
【０１０４】
酸化物半導体膜４０３への酸素の導入は、脱水化又は脱水素化処理を行った後が好ましい
が、特に限定されない。また、上記脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜４０
３への酸素の導入は複数回行ってもよい。
【０１０５】
好ましくはトランジスタに設けられる酸化物半導体膜は、酸化物半導体が結晶状態におけ
る化学量論比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている膜とするとよい。この場
合、酸素の含有量は、酸化物半導体の化学量論比を超える程度とする。あるいは、酸素の
含有量は、単結晶の場合の酸素の量を超える程度とする。酸化物半導体の格子間に酸素が
存在する場合もある。
【０１０６】
水素若しくは水分を酸化物半導体から除去し、不純物が極力含まれないように高純度化し
、酸素を供給して酸素欠損を補填することによりｉ型（真性）の酸化物半導体、又はｉ型
（真性）に限りなく近い酸化物半導体とすることができる。そうすることにより、酸化物
半導体のフェルミ準位（Ｅｆ）を真性フェルミ準位（Ｅｉ）と同じレベルにまですること
ができる。よって、該酸化物半導体膜をトランジスタに用いることで、酸素欠損に起因す
るトランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈのばらつき、しきい値電圧のシフトΔＶｔｈを低減
することができる。
【０１０７】
次いで、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁膜４０２、及び酸化物半導体膜４０３上に、ソ
ース電極層及びドレイン電極層（これと同じ層で形成される配線を含む）となる導電膜４
４５を形成する（図２（Ｂ）参照）。
【０１０８】
導電膜４４５は後の加熱処理に耐えられる材料を用いる。ソース電極層及びドレイン電極
層に用いる導電膜４４５としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅
（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ
）から選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化
チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、ア
ルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの金属膜の下側又は上側の一方または双方にチタン
（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属膜またはそれらの
金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構
成としても良い。また、ソース電極層及びドレイン電極層に用いる導電膜４４５としては
、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（
Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ（
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−Ｚ
ｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができ
る。
【０１０９】
フォトリソグラフィ工程により導電膜４４５上にレジストマスク４４８ａ及びレジストマ
スク４４８ｂを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層４０５ａ及びドレイン
電極層４０５ｂを形成する（図２（Ｃ）参照）。ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極
層４０５ｂを形成した後、レジストマスク４４８ａ、４４８ｂを除去する。
【０１１０】
レジストマスク４４８ａ、４４８ｂ形成時の露光には、紫外線やＫｒＦレーザ光やＡｒＦ
レーザ光を用いるとよい。酸化物半導体膜４０３上で隣り合うソース電極層４０５ａの下
端部とドレイン電極層４０５ｂの下端部との間隔幅によって後に形成されるトランジスタ
４１０のチャネル長Ｌが決定される。なお、チャネル長Ｌ＝２５ｎｍ未満の露光を行う場
合には、数ｎｍ〜数１０ｎｍと極めて波長が短い超紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ
ｖｉｏｌｅｔ）を用いてレジストマスク４４８ａ、４４８ｂ形成時の露光を行うとよい。
超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトラン
ジスタのチャネル長Ｌを１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることも可能であり、回路の
動作速度を高速化できる。
【０１１１】
また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過
した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマ
スクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマ
スクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形するこ
とができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる
。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応
するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ
、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。
【０１１２】
本実施の形態では、導電膜４４５のエッチングには、ハロゲン元素を含むガス４４７を用
いる。ハロゲン元素を含むガス４４７としては、塩素を含むガス、例えば、塩素（Ｃｌ２
）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など
を含むガスを用いることができる。また、ハロゲン元素を含むガス４４７として、フッ素
を含むガス、例えば、四弗化炭素（ＣＦ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）、三弗化窒素（ＮＦ
３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）などを含むガスを用いることができる。また、こ
れらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを
用いることができる。
【０１１３】
エッチング法としては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ
）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型
プラズマ）エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングできるよう
に、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電
力量、基板側の電極温度等）を適宜調節する。
【０１１４】
本実施の形態では、導電膜４４５としてスパッタリング法により膜厚１００ｎｍのチタン
膜、膜厚４００ｎｍのアルミニウム膜、膜厚１００ｎｍのチタン膜の積層を用いる。導電
膜４４５のエッチングは、ドライエッチング法により、チタン膜、アルミニウム膜、チタ
ン膜の積層をエッチングして、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成
する。
【０１１５】
本実施の形態では、第１のエッチング条件でチタン膜とアルミニウム膜の２層をエッチン
グした後、第２のエッチング条件で残りのチタン膜単層を除去する。なお、第１のエッチ
ング条件として、エッチングガス（ＢＣｌ３：Ｃｌ２＝７５０ｓｃｃｍ：１５０ｓｃｃｍ
）を用い、バイアス電力を１５００Ｗとし、ＩＣＰ電源電力を０Ｗとし、圧力を２．０Ｐ
ａとする。第２のエッチング条件として、エッチングガス（ＢＣｌ３：Ｃｌ２＝７００ｓ
ｃｃｍ：１００ｓｃｃｍ）を用い、バイアス電力を７５０Ｗとし、ＩＣＰ電源電力を０Ｗ
とし、圧力を２．０Ｐａとする。
【０１１６】
なお、導電膜４４５のエッチング工程の際に、酸化物半導体膜４０３がエッチングされ、
消失または分断されることのないよう、導電膜４４５のエッチング条件を最適化すること
が望まれる。しかしながら、導電膜４４５のみがエッチングされ、酸化物半導体膜４０３
が全くエッチングされないという条件を得ることは難しいため、導電膜４４５のエッチン
グの際に酸化物半導体膜４０３の一部が除去されることで、溝部（凹部）を有する酸化物
半導体膜４０３となることがある。
【０１１７】
ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成するためのエッチング工程にお
いて、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いる場合、酸化物半導体膜４０３が該エッ
チングガスに曝されると、該エッチングガスに含まれるハロゲン元素（例えば、塩素、フ
ッ素）によって、酸化物半導体膜４０３中の酸素が引き抜かれてしまい、酸化物半導体膜
４０３の表面に酸素欠損が形成されるおそれがある。また、エッチング工程後に、酸化物
半導体膜４０３表面及び該近傍に、該エッチングガスに含まれるハロゲン元素が残存する
ことによって、酸化物半導体膜４０３に酸素欠損が形成されるおそれがある。このように
、酸化物半導体膜４０３に酸素欠損が生じると、酸化物半導体膜４０３のバックチャネル
が低抵抗化（ｎ型化）してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。
【０１１８】
例えば、酸化物半導体膜４０３として、インジウムを含む酸化物半導体材料を用い、酸化
物半導体膜に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層の加工に三塩化ホウ素（
ＢＣｌ３）を含むエッチングガスを用いた場合、酸化物半導体膜中のＩｎ−Ｏ−Ｉｎ結合
と、エッチングガスに含まれるＣｌが反応して、Ｉｎ−Ｃｌ結合と、酸素が脱離したＩｎ
元素とを含む膜となることがある。酸素が脱離したＩｎ元素は、未結合手を有するため、
酸化物半導体膜中において酸素が脱離した箇所では酸素欠損が存在する。
【０１１９】
また、ハロゲン元素を含むエッチングガスには、ハロゲン以外の元素（例えば、ボロン）
も含まれるため、酸化物半導体膜のバックチャネルが低抵抗化（ｎ型化）する要因の一つ
となりうる。
【０１２０】
本実施の形態では、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成するエッチ
ング工程に、ハロゲン元素を含むガス４４７を用いるので、生じる不純物はハロゲン（本
実施の形態では塩素）系不純物（ハロゲン元素、又はハロゲン元素を含む化合物）となる
。また、本実施の形態のようにハロゲン元素を含むガス４４７に、ボロンが含まれる場合
は、生じる不純物としてはボロン、又はボロンを含む化合物も含まれる。
【０１２１】
そこで、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成後、酸化物半導体膜４
０３表面及び該近傍に存在する不純物を除去する工程を行う（図２（Ｄ）参照）。不純物
除去工程は、酸素、一酸化二窒素、もしくは希ガス（代表的にはアルゴン）を用いたプラ
ズマ処理、または希フッ酸、水、現像液もしくはＴＭＡＨ溶液を用いた溶液処理などを好
適に用いることができる。また、希フッ酸として、例えば、１／１０３希釈フッ酸（フッ
酸：０．０５％）で、ＩＧＺＯ膜を処理すると、１秒あたり１〜３ｎｍ膜厚が減少し、２
／１０５希釈フッ酸（フッ酸：０．００２５％）で、ＩＧＺＯ膜を処理すると、１秒あた
り０．１ｎｍ程度膜厚が減少する。酸化物半導体膜４０３に不純物除去処理を行うことに
より、酸化物半導体膜４０３表面における塩素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に低減することができる。本実施の
形態では、不純物除去工程として、一酸化二窒素を用いたプラズマ処理を行う例を示す。
【０１２２】
以上の工程で、本実施の形態に係るトランジスタ４１０が作製される（図２（Ｅ）参照）
。
【０１２３】
本実施の形態では、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂ上に、酸化物半導
体膜４０３と接して、保護絶縁膜となる絶縁膜４０７を形成する。
【０１２４】
絶縁膜４０７は、少なくとも１ｎｍ以上の膜厚とし、スパッタリング法など、絶縁膜４０
７に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。絶縁膜
４０７に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体膜４０３への侵入、又は水素による
酸化物半導体膜中の酸素の引き抜きが生じ酸化物半導体膜４０３のバックチャネルが低抵
抗化（ｎ型化）してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁膜４
０７はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要
である。
【０１２５】
絶縁膜４０７としては、代表的には酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化ガリウム、窒化シリコン、窒化アル
ミニウム、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウムなどの無機絶縁膜の単層構造又は積
層構造を用いることができる。
【０１２６】
脱水化又は脱水素化処理として加熱工程を行った場合、酸化物半導体膜４０３に、酸素を
供給することが好ましい。酸化物半導体膜４０３へ酸素を供給することにより、膜中の酸
素欠損を補填することができる。
【０１２７】
本実施の形態では、酸化物半導体膜４０３への酸素の供給を、絶縁膜４０７を供給源とし
て行うので、絶縁膜４０７は酸素を含む酸化物絶縁膜（例えば、酸化シリコン膜、酸化窒
化シリコン膜）を用いる例を示す。絶縁膜４０７を酸素の供給源とする場合、絶縁膜４０
７は酸素を多く（過剰）含む膜（好ましくは結晶状態における化学量論比に対し、酸素の
含有量が過剰な領域が含まれている膜）とすると酸素の供給源として好適に機能させるこ
とができる。
【０１２８】
本実施の形態では、絶縁膜４０７として膜厚３００ｎｍの酸化シリコン膜を、スパッタリ
ング法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上３００℃以下とすればよく、本
実施の形態では１００℃とする。酸化シリコン膜のスパッタリング法による成膜は、希ガ
ス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下
において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリ
コンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素を含
む雰囲気下でスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成することができる。
【０１２９】
酸化物半導体膜４０３の成膜時と同様に、絶縁膜４０７の成膜室内の残留水分を除去する
ためには、吸着型の真空ポンプ（クライオポンプなど）を用いることが好ましい。クライ
オポンプを用いて排気した成膜室で成膜した絶縁膜４０７に含まれる不純物の濃度を低減
できる。また、絶縁膜４０７の成膜室内の残留水分を除去するための排気手段としては、
ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。
【０１３０】
絶縁膜４０７を、成膜する際に用いるスパッタガスとしては、水素、水などの不純物が除
去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１３１】
次に、酸化物半導体膜４０３に、一部（チャネル形成領域）が絶縁膜４０７と接した状態
で加熱工程を行う。
【０１３２】
加熱工程の温度は、２５０℃以上７００℃以下、または４００℃以上７００℃以下、また
は基板の歪み点未満とする。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、
酸化物半導体膜に対して窒素雰囲気下２５０℃において１時間の加熱工程を行う。
【０１３３】
この加熱工程は脱水化又は脱水素化処理を行う加熱工程と同様の加熱方法及び加熱装置を
用いることができる。
【０１３４】
加熱工程は、減圧下、又は窒素、酸素、超乾燥エア（ＣＲＤＳ（キャビティリングダウン
レーザー分光法）方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が２０ｐｐｍ（露点換算で
−５５℃）以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、若しく
は希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の雰囲気下で行えばよいが、上記窒素、酸素、超乾
燥エア、または希ガス等の雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、加
熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以
上好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好まし
くは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【０１３５】
また、酸化物半導体膜４０３と酸素を含む絶縁膜４０７とを接した状態で加熱工程を行う
ため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体膜４０３を構成する
主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む絶縁膜４０７より酸化物半導体膜４０３へ供
給することができる。
【０１３６】
また、さらに絶縁膜４０７上に緻密性の高い無機絶縁膜を設けてもよい。例えば、絶縁膜
４０７上にスパッタリング法により酸化アルミニウム膜を形成する。酸化アルミニウム膜
を高密度（膜密度３．２ｇ／ｃｍ３以上、好ましくは３．６ｇ／ｃｍ３以上）とすること
によって、トランジスタ４１０に安定な電気特性を付与することができる。膜密度はラザ
フォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  
Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）や、Ｘ線反射率測定法（ＸＲＲ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｒｅｆｌｅｃ
ｔｍｅｔｒｙ）によって測定することができる。
【０１３７】
トランジスタ４１０上に設けられる保護絶縁膜として用いることのできる酸化アルミニウ
ム膜は、水素、水分などの不純物、及び酸素の両方に対して膜を通過させない遮断効果（
ブロック効果）が高い。
【０１３８】
従って、酸化アルミニウム膜は、作製工程中及び作製後において、変動要因となる水素、
水分などの不純物の酸化物半導体膜４０３への混入、及び酸化物半導体を構成する主成分
材料である酸素の酸化物半導体膜４０３からの放出を防止する保護膜として機能する。
【０１３９】
また、トランジスタ４１０起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜４０８を形成し
てもよい。平坦化絶縁膜４０８としては、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ベンゾシ
クロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘
電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される
絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜４０８を形成してもよい。
【０１４０】
例えば、平坦化絶縁膜４０８として、膜厚１５００ｎｍのアクリル樹脂膜を形成すればよ
い。アクリル樹脂膜は塗布法による塗布後、焼成（例えば窒素雰囲気下２５０℃１時間）
して形成することができる。
【０１４１】
平坦化絶縁膜４０８を形成後、加熱処理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下２５０℃
で１時間加熱処理を行う。
【０１４２】
このように、トランジスタ４１０形成後、加熱処理を行ってもよい。また、加熱処理は複
数回行ってもよい。
【０１４３】
以上の工程により、図１（Ｂ）及び（Ｃ）に示すトランジスタ４１０が作製される。
【０１４４】
なお、不純物除去工程の際に、酸化物半導体膜４０３がエッチングされ、分断又は消失す
ることのないよう、不純物除去工程における条件を最適化することが望まれる。しかしな
がら、酸化物半導体膜４０３が全く除去されないという条件を得ることは難しいため、酸
化物半導体膜４０３が露出している部分において一部が除去され、酸化物半導体膜４０３
が溝部（凹部）を有することもある。その場合には、図１（Ｄ）に示すように、溝部（凹
部）を有する酸化物半導体膜４０３を含むトランジスタ４２０を形成することができる。
なお、トランジスタ４２０において、チャネル幅Ｗ方向の断面図（図１（Ａ）のＢ１−Ｂ
２における断面図）は、図１（Ｃ）と同様である。
【０１４５】
なお、エッチング工程起因の不純物（代表的には、ハロゲン元素（例えば塩素、フッ素）
、ハロゲン元素を含む化合物、ボロン、またはボロンを含む化合物）の濃度は、ＳＩＭＳ
（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）などの方法を用
いて、見積もることができる。
【０１４６】
図１１に、不純物除去工程を行わずに作製したトランジスタにおける酸化物半導体膜中の
塩素濃度を測定した二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍ
ａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の測定結果を示す。試料のトランジスタは、溶液処
理を行わない他は本実施の形態のトランジスタ４１０と同様の構造であり、同様の材料及
び方法で作製したトランジスタである。また、トランジスタ４１０上に、絶縁膜４０７が
形成されている。なお、測定範囲は、深さ方向に保護絶縁膜である酸化窒化シリコン膜（
膜厚４００ｎｍ）、酸化物半導体膜であるＩＧＺＯ膜、ゲート絶縁膜である酸化窒化シリ
コン膜が積層されている領域である。測定は、保護絶縁膜から深さ方向に行った。
【０１４７】
図１１に示すように、酸化物半導体膜であるＩＧＺＯ膜中の塩素濃度は１×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３より高く、酸化物半導体膜に塩素を含むことがわかる。
【０１４８】
以上のように、不純物除去工程を行うことによって、酸化物半導体膜４０３表面及び該近
傍に、エッチング工程起因の不純物（代表的には、ハロゲン元素（例えば塩素、フッ素）
、ハロゲン元素を含む化合物、ボロン、またはボロンを含む化合物）が残存することを防
止できる。また、酸化物半導体膜４０３表面におけるエッチング工程起因の不純物（例え
ば、塩素）の濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（好ましくは１×１０１８ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３以下）とすることができる。
【０１４９】
従って、酸化物半導体膜４０３を用いた安定した電気特性を有するトランジスタ４１０を
含む信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導体装置を
歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【０１５０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、半導体装置及び半導体装置の作製方法の他の一形態を、図３及び図４
を用いて説明する。なお、上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び
工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また、同
じ箇所の詳細な説明は省略する。
【０１５１】
図３に示すトランジスタ４３０は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジス
タともいうトランジスタの一例である。図３（Ａ）はトランジスタ４３０の平面図であり
、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＣ１−Ｃ２における断面図（チャネル長方向の断面図）で
あり、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）のＤ１−Ｄ２における断面図（チャネル幅方向の断面図
）である。また、図３（Ａ）において、Ｌは、チャネル長を表し、Ｗは、チャネル幅を表
す。なお、図３（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ４３０の構成要
素の一部（例えば、ゲート絶縁膜４０２など）を省略して図示している。
【０１５２】
図３に示すように、トランジスタ４３０を含む半導体装置は、絶縁表面を有する基板４０
０上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁膜４０２、酸化物半導体膜４０３、ソース電極
層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂを有する。また、トランジスタ４３０を覆う絶縁膜
４０７が設けられている。
【０１５３】
図３に示すトランジスタ４３０においても、酸化物半導体膜４０３と絶縁膜４０７との界
面におけるハロゲン元素濃度（例えば、塩素濃度）が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に低減されている。これにより、
トランジスタのバックチャネルの低抵抗化（ｎ型化）が抑制され、寄生チャネルが形成さ
れることが抑制されたトランジスタ４３０とすることができる。よって、トランジスタ４
３０の高信頼性化を図ることができる。
【０１５４】
また、図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）に示すように、トランジスタ４３０において、ソース電
極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの幅は、酸化物半導体膜４０３のチャネル幅Ｗ
よりも短いため、酸化物半導体膜４０３の端部は露出している。そのため、ソース電極層
４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成する際に、酸化物半導体膜４０３の一部が除
去されることがある。また、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成し
た後、不純物除去工程を行う際に、酸化物半導体膜４０３の一部が除去されることがある
。その場合には、図３（Ｂ）乃至図３（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜４０３の一部
が除去されることにより、酸化物半導体膜４０３において、ソース電極層４０５ａ及びド
レイン電極層４０５ｂと重畳する領域の膜厚は、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極
層４０５ｂと重畳しない領域の膜厚よりも大きくなる。
【０１５５】
また、酸化物半導体膜４０３が除去されない場合には、図３（Ｄ）に示すようなトランジ
スタ４４０が形成される。なお、トランジスタ４４０におけるチャネル長Ｌ方向の断面図
（図３（Ａ）のＣ１−Ｃ２における断面図）は、図１（Ｂ）に示すトランジスタ４１０と
同様である。
【０１５６】
次に、図４（Ａ）乃至（Ｅ）にトランジスタ４３０を有する半導体装置の作製方法の一例
を示す。
【０１５７】
まず、基板４００上に、ゲート電極層（これと同じ層で形成される配線を含む）となる導
電膜を形成する。本実施の形態では、導電膜としてスパッタリング法により膜厚１００ｎ
ｍのタングステン膜を形成する。
【０１５８】
次に、フォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッ
チングを行ってゲート電極層４０１を形成する。ゲート電極層４０１を形成した後、レジ
ストマスクを除去する。
【０１５９】
次に、ゲート電極層４０１上にゲート絶縁膜４０２を形成する。本実施の形態では、高密
度プラズマＣＶＤ法により膜厚２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１６０】
次に、ゲート絶縁膜４０２上に酸化物半導体膜４０３を形成する（図４（Ａ）参照）。本
実施の形態において、酸化物半導体膜４０３として、ＡＣ電源装置を有するスパッタリン
グ装置を用いたスパッタリング法を用い、膜厚３５ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜（
ＩＧＺＯ膜）を成膜する。本実施の形態において、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１
／３：１／３：１／３）の原子比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物ターゲットを用いる。なお
、成膜条件は、酸素及びアルゴン雰囲気下（酸素流量比率５０％）、圧力０．６Ｐａ、電
源電力５ｋＷ、基板温度１７０℃とする。この成膜条件での成膜速度は、１６ｎｍ／ｍｉ
ｎである。
【０１６１】
酸化物半導体膜４０３に、過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去（脱水化または脱水素
化）するための加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、加熱処理装置の一つである
電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜４０３に対して窒素雰囲気下４５０℃において１
時間、さらに窒素及び酸素雰囲気下４５０℃において１時間の加熱処理を行う。
【０１６２】
次に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁膜４０２、酸化物半導体膜４０３上に、ソース電
極層及びドレイン電極層（これと同じ層で形成される配線を含む）となる導電膜４４５を
形成する（図４（Ｂ）参照）。本実施の形態では、スパッタリング法により膜厚１００ｎ
ｍのチタン膜、膜厚４００ｎｍのアルミニウム膜、膜厚１００ｎｍのチタン膜の積層し、
ドライエッチング法により、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層をエッチングし
て、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂを形成する。
【０１６３】
また、本実施の形態では、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂは、酸化物
半導体膜４０３のチャネル幅Ｗよりも短いため、酸化物半導体膜４０３の端部は露出して
いる。そのため、導電膜４４５のエッチング工程の際に、酸化物半導体膜４０３がエッチ
ングされ、消失または分断されることのないよう、導電膜４４５のエッチング条件を最適
化することが望まれる。しかしながら、導電膜４４５のみがエッチングされ、酸化物半導
体膜４０３が全くエッチングされないという条件を得ることは難しいため、導電膜４４５
のエッチングの際に酸化物半導体膜４０３の一部が除去されることがある。その場合には
、酸化物半導体膜４０３の一部が除去されることにより、酸化物半導体膜４０３において
、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂと重畳する領域の膜厚は、ソース電
極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂと重畳しない領域の膜厚よりも大きくなる。
【０１６４】
ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成するエッチング工程において、
ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いる場合、酸化物半導体膜４０３が該エッチング
ガスに曝されると、該エッチングガスに含まれるハロゲン元素（例えば、塩素、フッ素）
によって、酸化物半導体膜４０３中の酸素が引き抜かれてしまい、酸化物半導体膜４０３
の表面に酸素欠損が形成されるおそれがある。酸化物半導体膜４０３に酸素欠損が生じる
と、酸化物半導体膜４０３のバックチャネルが低抵抗化（ｎ型化）してしまい、寄生チャ
ネルが形成されるおそれがある。
【０１６５】
また、ハロゲン元素を含むエッチングガスには、ハロゲン以外の元素（例えば、ボロン）
も酸化物半導体膜４０３のバックチャネルが低抵抗化する要因の一つとなりえる。
【０１６６】
本実施の形態では、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成するエッチ
ング工程に、ハロゲン元素を含むガス４４７を用いるので、生じる不純物はハロゲン（本
実施の形態で塩素）系不純物（ハロゲン元素、又はハロゲン化合物）となる。また、本実
施の形態のようにハロゲン元素を含むガス４４７に、ボロンが含まれる場合は、生じる不
純物としては、ボロン、又はボロンを含む化合物も含まれる。
【０１６７】
よって、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成後、酸化物半導体膜４
０３表面及び該近傍に存在する不純物を除去する工程を行う（図４（Ｄ）参照）。不純物
除去工程は、酸素、一酸化二窒素、もしくは希ガス（代表的にはアルゴン）を用いたプラ
ズマ処理、または希フッ酸、水、現像液もしくはＴＭＡＨ溶液を用いた溶液処理などを好
適に用いることができる。また、希フッ酸として、例えば、１／１０３希釈フッ酸（フッ
酸：０．０５％）で、ＩＧＺＯ膜を処理すると、１秒あたり１〜３ｎｍ膜厚が減少し、２
／１０５希釈フッ酸（フッ酸：０．００２５％）で、ＩＧＺＯ膜を処理すると、１秒あた
り０．１ｎｍ程度膜厚が減少する。酸化物半導体膜４０３に不純物除去処理を行うことに
より、酸化物半導体膜４０３表面におけるハロゲン元素濃度（例えば、塩素濃度）を５×
１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に低
減することができる。本実施の形態では、不純物除去工程として、１／１０３希釈フッ酸
を用いて溶液処理を行う例について示す。
【０１６８】
なお、不純物除去工程の際に、酸化物半導体膜４０３がエッチングされ、分断又は消失す
ることのないよう、不純物除去工程における条件を最適化することが望まれる。しかしな
がら、酸化物半導体膜４０３が全く除去されないという条件を得ることは難しいため、酸
化物半導体膜４０３が露出している部分において一部が除去され、酸化物半導体膜４０３
が溝部（凹部）を有することもある。図４（Ｄ）では、不純物除去工程の後、酸化物半導
体膜４０３の一部が除去され、酸化物半導体膜４０３が溝部（凹部）を有する場合につい
て示している。図４（Ｄ）に示すように、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０
５ｂと重畳する領域の膜厚は、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂと重畳
しない領域の膜厚よりも大きくなる。また、チャネル幅Ｗ方向における断面図は、図３（
Ｃ）の断面図を参照すればよい。
【０１６９】
以上の工程で、本実施の形態のトランジスタ４３０が作製される（図４（Ｅ）参照）。
【０１７０】
本実施の形態では、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂ上に、酸化物半導体
膜４０３と接して、保護絶縁膜となる絶縁膜４０７を形成する。例えば、ＣＶＤ法により
形成した酸化窒化シリコン膜を４００ｎｍ形成する。また、保護絶縁膜の形成後、加熱処
理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下３００℃で１時間加熱処理を行う。
【０１７１】
また、トランジスタ４３０起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜４０８を形成し
てもよい。
【０１７２】
例えば、保護絶縁膜上に平坦化絶縁膜４０８として、膜厚１５００ｎｍのアクリル樹脂膜
を形成すればよい。アクリル樹脂膜は塗布法による塗布後、焼成（例えば窒素雰囲気下２
５０℃１時間）して形成することができる。
【０１７３】
平坦化絶縁膜を形成後、加熱処理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下２５０℃で１時
間加熱処理を行う。
【０１７４】
以上のように、不純物除去工程を行うことによって、酸化物半導体膜４０３の表面及び該
近傍に不純物が残存することを防止することができる。よって、トランジスタ４３０は、
酸化物半導体膜４０３表面におけるエッチング工程起因の不純物（代表的には、ハロゲン
元素（例えば塩素、フッ素）、またはボロンもしくはボロンを含む化合物）の濃度が低減
されている。また、酸化物半導体膜４０３と絶縁膜４０７との界面におけるエッチング工
程起因の不純物（代表的には、ハロゲン元素（例えば塩素、フッ素）、ボロン、リン、ア
ルミニウム、鉄、又は炭素）の濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（好ましくは
１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下）とすることができる。
【０１７５】
従って、酸化物半導体膜４０３を用いた安定した電気特性を有するトランジスタ４３０を
含む信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導体装置を
歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【０１７６】
（実施の形態３）
実施の形態１又は実施の形態２のいずれかに示したトランジスタを用いて表示機能を有す
る半導体装置（表示装置ともいう）を作製することができる。また、トランジスタを含む
駆動回路の一部又は全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形
成することができる。
【０１７７】
図５（Ａ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２を囲むようにし
て、シール材４００５が設けられ、第２の基板４００６によって封止されている。図５（
Ａ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域と
は異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成され
た走査線駆動回路４００４、信号線駆動回路４００３が実装されている。また別途形成さ
れた信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４又は画素部４００２に与えられ
る各種信号及び電位は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）
４０１８ａ、４０１８ｂから供給されている。
【０１７８】
図５（Ｂ）、及び図５（Ｃ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００
２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている
。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられ
ている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１と
シール材４００５と第２の基板４００６とによって、表示素子と共に封止されている。図
５（Ｂ）、及び図５（Ｃ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５によっ
て囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結
晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。図５（Ｂ）、及び図
５（Ｃ）においては、別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００
４又は画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されて
いる。
【０１７９】
また図５（Ｂ）、及び図５（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第
１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆
動回路を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の一
部のみを別途形成して実装してもよい。
【０１８０】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（Ｃｈ
ｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法などを用いることができる。図５（Ａ）は、Ｃ
ＯＧ方法により信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４を実装する例であり、
図５（Ｂ）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図５（Ｃ
）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
【０１８１】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラ
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【０１８２】
なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣもしくはＴＡＢテープもし
くはＴＣＰが取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は表示素子にＣＯＧ方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装さ
れたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【０１８３】
また第１の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有して
おり、実施の形態１又は実施の形態２に示したトランジスタを適用することができる。
【０１８４】
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光素子（
発光表示素子ともいう）、を用いることができる。発光素子は、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌ
ｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用
によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
【０１８５】
また、半導体装置の一形態について、図５乃至図７を用いて説明する。図７は、図５（Ｂ
）の一点鎖線Ｍ−Ｎにおける断面図に相当する。
【０１８６】
図５及び図７で示すように、半導体装置は接続端子電極４０１５及び端子電極４０１６を
有しており、接続端子電極４０１５及び端子電極４０１６はＦＰＣ４０１８、４０１８ｂ
が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して、電気的に接続されている。
【０１８７】
接続端子電極４０１５は、第１の電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４
０１６は、トランジスタ４０１０、４０１１のゲート電極層と同じ導電膜で形成されてい
る。
【０１８８】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、
トランジスタを複数有しており、図７では、画素部４００２に含まれるトランジスタ４０
１０と、走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１１とを例示している。図
７（Ａ）では、トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁膜４０２０が設けられ、図７
（Ｂ）では、さらに、絶縁膜４０２１が設けられている。
【０１８９】
トランジスタ４０１０、４０１１としては、実施の形態１又は実施の形態２で示したトラ
ンジスタを適用することができる。本実施の形態では、実施の形態１で示したトランジス
タ４１０と同様な構造及び作製方法で得られるトランジスタを適用する例を示す。
【０１９０】
実施の形態１で示したトランジスタ４１０と同様な構造及び作製方法で得られるトランジ
スタ４０１０、４０１１は、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたエッチング工程
によりソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍におけ
るエッチングガスに含まれる不純物を除去する工程を行う。不純物除去工程は、例えば希
フッ酸処理、又は酸素や一酸化二窒素を用いたプラズマ処理などを好適に用いることがで
きる。
【０１９１】
酸化物半導体膜表面及び該近傍がエッチングガスに含まれる不純物により汚染されるのを
防止できるため、トランジスタ４０１０、４０１１は、酸化物半導体膜表面におけるハロ
ゲン元素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（好ましくは１×１０１８ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３以下）とすることができる。
【０１９２】
従って、図５及び図７で示す本実施の形態の酸化物半導体膜を用いた安定した電気特性を
有するトランジスタ４０１０、４０１１を含む半導体装置として信頼性の高い半導体装置
を提供することができる。また、そのような信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製
し、高生産化を達成することができる。
【０１９３】
また、駆動回路用のトランジスタ４０１１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる
位置にさらに導電層を設けてもよい。導電層を酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重な
る位置に設けることによって、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後におけるトラ
ンジスタ４０１１のしきい値電圧の変化量をさらに低減することができる。また、導電層
は、電位がトランジスタ４０１１のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く
、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がＧＮＤ、０
Ｖ、或いはフローティング状態であってもよい。
【０１９４】
また、該導電層は外部の電場を遮蔽する、すなわち外部の電場が内部（トランジスタを含
む回路部）に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮蔽機能）も有する。
導電層の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によりトランジスタの電気的な
特性が変動することを防止することができる。
【０１９５】
画素部４００２に設けられたトランジスタ４０１０は表示素子と電気的に接続し、表示パ
ネルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子
を用いることができる。
【０１９６】
図７（Ａ）に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図７（Ａ）にお
いて、表示素子である液晶素子４０１３は、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３
１、及び液晶層４００８を含む。なお、液晶層４００８を挟持するように配向膜として機
能する絶縁膜４０３２、４０３３が設けられている。第２の電極層４０３１は第２の基板
４００６側に設けられ、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１とは液晶層４００
８を介して積層する構成となっている。
【０１９７】
またスペーサ４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ
であり、液晶層４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお
球状のスペーサを用いていてもよい。
【０１９８】
表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料（液晶組成物）は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュー
ビック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０１９９】
また、液晶層４００８に、配向膜を用いないブルー相を発現する液晶組成物を用いてもよ
い。この場合、液晶層４００８と、第１の電極層４０３０及び第２の電極層４０３１とは
接する構造となる。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していく
と、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は、液晶
及びカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて発現させることができる。また、ブルー
相が発現する温度範囲を広げるために、ブルー相を発現する液晶組成物に重合性モノマー
及び重合開始剤などを添加し、高分子安定化させる処理を行って液晶層を形成することも
できる。ブルー相を発現する液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性であるため配
向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビン
グ処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止すること
ができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表
示装置の生産性を向上させることが可能となる。酸化物半導体膜を用いるトランジスタは
、静電気の影響によりトランジスタの電気的な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する
恐れがある。よって酸化物半導体膜を用いるトランジスタを有する液晶表示装置にブルー
相を発現する液晶組成物を用いることはより効果的である。
【０２００】
また、液晶材料の固有抵抗は、１×１０９Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは１×１０１１
Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１×１０１２Ω・ｃｍ以上である。なお、本明細
書における固有抵抗の値は、２０℃で測定した値とする。
【０２０１】
液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリー
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。保持容量の大
きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。本明細書に開示する酸化
物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して
１／３以下、好ましくは１／５以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分であ
る。
【０２０２】
本明細書に開示する酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値（
オフ電流値）を低く制御することができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を
長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレ
ッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
【０２０３】
また、本明細書に開示する酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果
移動度が得られるため、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なト
ランジスタを液晶表示装置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動
回路部に使用するドライバートランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわ
ち、別途駆動回路として、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要が
ないため、半導体装置の部品点数を削減することができる。また、画素部においても、高
速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
【０２０４】
液晶表示装置には、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐ
ｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  
Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉ
ｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑ
ｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
【０２０５】
また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した
透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、
例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード
、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる
。また、ＶＡ型の液晶表示装置にも適用することができる。ＶＡ型の液晶表示装置とは、
液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種である。ＶＡ型の液晶表示装置は
、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である
。また、画素（ピクセル）をいくつかの領域（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向
に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれ
る方法を用いることができる。
【０２０６】
また、表示装置において、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射
防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基
板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用
いてもよい。
【０２０７】
また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いる
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒは
赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白を表す）
、又はＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、
色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、開示する発明
はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用する
こともできる。
【０２０８】
また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素
子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料
が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機Ｅ
Ｌ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【０２０９】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。本実施の形態では、発光素子として有
機ＥＬ素子を用いる例を示す。
【０２１０】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。
【０２１１】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透光性であればよい。そ
して、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出
す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の
面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用す
ることができる。
【０２１２】
図６（Ａ）（Ｂ）及び図７（Ｂ）に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す
。
【０２１３】
図６（Ａ）は発光装置の平面図であり、図６（Ａ）中の一点鎖線Ｖ１−Ｗ１、Ｖ２−Ｗ２
、及びＶ３−Ｗ３で切断した断面が図６（Ｂ）に相当する。なお、図６（Ａ）の平面図に
おいては、電界発光層５４２及び第２の電極層５４３は省略してあり図示していない。
【０２１４】
図６に示す発光装置は、基板５００上に、トランジスタ５１０、容量素子５２０、配線層
交差部５３０を有しており、トランジスタ５１０は発光素子５４０と電気的に接続してい
る。なお、図６は基板５００を通過して発光素子５４０からの光を取り出す、下面射出型
構造の発光装置である。
【０２１５】
トランジスタ５１０としては、実施の形態１又は実施の形態２で示したトランジスタを適
用することができる。本実施の形態では、実施の形態１で示したトランジスタ４１０と同
様な構造及び作製方法で得られるトランジスタを適用する例を示す。
【０２１６】
トランジスタ５１０はゲート電極層５１１ａ、５１１ｂ、ゲート絶縁膜５０２、酸化物半
導体膜５１２、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する導電層５１３ａ、５１３
ｂを含む。
【０２１７】
実施の形態１で示したトランジスタ４１０と同様な構造及び作製方法で得られるトランジ
スタ５１０は、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたエッチング工程によりソース
電極層又はドレイン電極層として機能する導電層５１３ａ、５１３ｂを形成後、酸化物半
導体膜表面及び該近傍におけるエッチングガスに含まれる不純物を除去する工程を行う。
不純物除去工程は、例えば希フッ酸処理、又は酸素や一酸化二窒素を用いたプラズマ処理
などを好適に用いることができる。
【０２１８】
酸化物半導体膜表面及び該近傍がエッチングガスに含まれる不純物により汚染されるのを
防止できるため、トランジスタ５１０は、酸化物半導体膜表面におけるハロゲン元素濃度
を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下）とすることができる。
【０２１９】
従って、図６で示す本実施の形態の酸化物半導体膜５１２を用いた安定した電気特性を有
するトランジスタ５１０を含む半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供すること
ができる。また、そのような信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を
達成することができる。
【０２２０】
容量素子５２０は、導電層５２１ａ、５２１ｂ、ゲート絶縁膜５０２、酸化物半導体膜５
２２、導電層５２３を含み、導電層５２１ａ、５２１ｂと導電層５２３とで、ゲート絶縁
膜５０２及び酸化物半導体膜５２２を挟む構成とすることで容量を形成する。
【０２２１】
配線層交差部５３０は、ゲート電極層５１１ａ、５１１ｂと、導電層５３３との交差部で
あり、ゲート電極層５１１ａ、５１１ｂと、導電層５３３とは、間にゲート絶縁膜５０２
を介して交差する。
【０２２２】
本実施の形態においては、ゲート電極層５１１ａ及び導電層５２１ａとして膜厚３０ｎｍ
のチタン膜を用い、ゲート電極層５１１ｂ及び導電層５２１ｂとして膜厚２００ｎｍの銅
薄膜を用いる。よって、ゲート電極層はチタン膜と銅薄膜との積層構造となる。
【０２２３】
酸化物半導体膜５１２、５２２としては膜厚２５ｎｍのＩＧＺＯ膜を用いる。
【０２２４】
トランジスタ５１０、容量素子５２０、及び配線層交差部５３０上には層間絶縁膜５０４
が形成され、層間絶縁膜５０４上において発光素子５４０と重畳する領域にカラーフィル
タ層５０５が設けられている。層間絶縁膜５０４及びカラーフィルタ層５０５上には平坦
化絶縁膜として機能する絶縁膜５０６が設けられている。
【０２２５】
絶縁膜５０６上に第１の電極層５４１、電界発光層５４２、第２の電極層５４３の順に積
層した積層構造を含む発光素子５４０が設けられている。発光素子５４０とトランジスタ
５１０とは、導電層５１３ａに達する絶縁膜５０６及び層間絶縁膜５０４に形成された開
口において、第１の電極層５４１及び導電層５１３ａとは接することによって電気的に接
続されている。なお、第１の電極層５４１の一部及び該開口を覆うように隔壁５０７が設
けられている。
【０２２６】
層間絶縁膜５０４には、プラズマＣＶＤ法による膜厚２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の酸
化窒化シリコン膜を用いることができる。また、絶縁膜５０６には膜厚１５００ｎｍの感
光性のアクリル膜、隔壁５０７には膜厚１５００ｎｍの感光性のポリイミド膜を用いるこ
とができる。
【０２２７】
カラーフィルタ層５０５としては、例えば有彩色の透光性樹脂を用いることができる。有
彩色の透光性樹脂としては、感光性、非感光性の有機樹脂を用いることができるが、感光
性の有機樹脂層を用いるとレジストマスク数を削減することができるため、工程が簡略化
し好ましい。
【０２２８】
有彩色は、黒、灰、白などの無彩色を除く色であり、カラーフィルタ層は、着色された有
彩色の光のみを透過する材料で形成される。有彩色としては、赤色、緑色、青色などを用
いることができる。また、シアン、マゼンダ、イエロー（黄）などを用いてもよい。着色
された有彩色の光のみを透過するとは、カラーフィルタ層における透過光は、その有彩色
の光の波長にピークを有するということである。カラーフィルタ層は、含ませる着色材料
の濃度と光の透過率の関係に考慮して、最適な膜厚を適宜制御するとよい。例えば、カラ
ーフィルタ層５０５の膜厚は１５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とすればよい。
【０２２９】
図７（Ｂ）に示す発光装置においては、表示素子である発光素子４５１３は、画素部４０
０２に設けられたトランジスタ４０１０と電気的に接続している。なお発光素子４５１３
の構成は、第１の電極層４０３０、電界発光層４５１１、第２の電極層４０３１の積層構
造であるが、示した構成に限定されない。発光素子４５１３から取り出す光の方向などに
合わせて、発光素子４５１３の構成は適宜変えることができる。
【０２３０】
隔壁４５１０、５０７は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光
性の樹脂材料を用い、第１の電極層４０３０、５４１上に開口部を形成し、その開口部の
側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【０２３１】
電界発光層４５１１、５４２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるよ
うに構成されていてもどちらでもよい。
【０２３２】
発光素子４５１３、５４０に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２
の電極層４０３１、５４３及び隔壁４５１０、５０７上に保護膜を形成してもよい。保護
膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる
。
【０２３３】
また、発光素子４５１３、５４０に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように
、発光素子４５１３、５４０を覆う有機化合物を含む層を蒸着法により形成してもよい。
【０２３４】
また、第１の基板４００１、第２の基板４００６、及びシール材４００５によって封止さ
れた空間には充填材４５１４が設けられ密封されている。このように外気に曝されないよ
うに気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂
フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【０２３５】
充填材４５１４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂又は
熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）又はＥＶＡ（エチレ
ンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
【０２３６】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０２３７】
また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能であ
る。電子ペーパーは、電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）とも呼ばれており、紙
と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能と
いう利点を有している。
【０２３８】
電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の粒子と
、マイナスの電荷を有する第２の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒又は溶質に複数分
散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセ
ル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するもの
である。なお、第１の粒子又は第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動し
ないものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）と
する。
【０２３９】
このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわ
ゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
【０２４０】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、こ
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０２４１】
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、又はこれらの複合材料を用
いればよい。
【０２４２】
また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することが
できる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を、表示素子に
用いる電極層である第１の電極層及び第２の電極層の間に配置し、第１の電極層及び第２
の電極層に電位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法で
ある。
【０２４３】
なお、図５乃至図７において、第１の基板４００１、基板５００、第２の基板４００６と
しては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有す
るプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂ
ｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフ
ルオライド）フィルム、ポリエステルフィルム又はアクリル樹脂フィルムを用いることが
できる。また、透光性が必要でなければ、アルミニウムやステンレスなどの金属基板（金
属フィルム）を用いてもよい。例えば、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエス
テルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０２４４】
本実施の形態では、絶縁膜４０２０として酸化アルミニウム膜を用いる。絶縁膜４０２０
はスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。
【０２４５】
酸化物半導体膜上に絶縁膜４０２０として設けられた酸化アルミニウム膜は、水素、水分
などの不純物、及び酸素の両方に対して膜を透過させない遮断効果（ブロック効果）が高
い。
【０２４６】
従って、酸化アルミニウム膜は、作製工程中及び作製後において、変動要因となる水素、
水分などの不純物の酸化物半導体膜への混入、及び酸化物半導体を構成する主成分材料で
ある酸素の酸化物半導体膜からの放出を防止する保護膜として機能する。
【０２４７】
また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁膜４０２１、５０６は、アクリル系樹脂、ポリイ
ミド系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂等の、耐熱
性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌ
ｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラ
ス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させる
ことで、絶縁膜を形成してもよい。
【０２４８】
絶縁膜４０２１、５０６の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリン
グ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット
法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）などの方法や、ドクターナイフ、
ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等の器具を用いることができる。
【０２４９】
表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素
部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して
透光性とする。
【０２５０】
表示素子に電圧を印加する第１の電極層及び第２の電極層（画素電極層、共通電極層、対
向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【０２５１】
第１の電極層４０３０、５４１、第２の電極層４０３１、５４３は、酸化タングステンを
含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含
むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下
、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物
、グラフェンなどの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【０２５２】
また、第１の電極層４０３０、５４１、第２の電極層４０３１、５４３はタングステン（
Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（
Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（
Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて
形成することができる。
【０２５３】
本実施の形態においては、図６に示す発光装置は下面射出型なので、第１の電極層５４１
は透光性、第２の電極層５４３は反射性を有する。よって、第１の電極層５４１に金属膜
を用いる場合は透光性を保てる程度膜厚を薄く、第２の電極層５４３に透光性を有する導
電膜を用いる場合は、反射性を有する導電膜を積層するとよい。
【０２５４】
また、第１の電極層４０３０、５４１、第２の電極層４０３１、５４３として、導電性高
分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導
電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば
、ポリアニリン又はその誘導体、ポリピロール又はその誘導体、ポリチオフェン又はその
誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体若し
くはその誘導体などがあげられる。
【０２５５】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０２５６】
以上のように実施の形態１又は実施の形態２で示したトランジスタを適用することで、様
々な機能を有する半導体装置を提供することができる。
【０２５７】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０２５８】
（実施の形態４）
実施の形態１又は実施の形態２に示したトランジスタを用いて、対象物の情報を読み取る
イメージセンサ機能を有する半導体装置を作製することができる。
【０２５９】
図８（Ａ）に、イメージセンサ機能を有する半導体装置の一例を示す。図８（Ａ）はフォ
トセンサの等価回路であり、図８（Ｂ）はフォトセンサの一部を示す断面図である。
【０２６０】
フォトダイオード６０２は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線６５８に、他
方の電極がトランジスタ６４０のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ６４０
は、ソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線６７２に、ソース又はドレイン
の他方がトランジスタ６５６のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。ト
ランジスタ６５６は、ゲートがゲート信号線６５９に、ソース又はドレインの他方がフォ
トセンサ出力信号線６７１に電気的に接続されている。
【０２６１】
なお、本明細書における回路図において、酸化物半導体膜を用いるトランジスタと明確に
判明できるように、酸化物半導体膜を用いるトランジスタの記号には「ＯＳ」と記載して
いる。図８（Ａ）において、トランジスタ６４０、トランジスタ６５６は実施の形態１又
は実施の形態２に示したトランジスタが適用でき、酸化物半導体膜を用いるトランジスタ
である。本実施の形態では、実施の形態１で示したトランジスタ４１０と同様な構造及び
作製方法で得られるトランジスタを適用する例を示す。
【０２６２】
図８（Ｂ）は、フォトセンサにおけるフォトダイオード６０２及びトランジスタ６４０に
示す断面図であり、絶縁表面を有する基板６０１（ＴＦＴ基板）上に、センサとして機能
するフォトダイオード６０２及びトランジスタ６４０が設けられている。フォトダイオー
ド６０２、トランジスタ６４０の上には接着層６０８を用いて基板６１３が設けられてい
る。
【０２６３】
トランジスタ６４０上には絶縁膜６３１、層間絶縁膜６３３、層間絶縁膜６３４が設けら
れている。フォトダイオード６０２は、層間絶縁膜６３３上に設けられ、層間絶縁膜６３
３上に形成した電極層６４１ａ、６４１ｂと、層間絶縁膜６３４上に設けられた電極層６
４２との間に、層間絶縁膜６３３側から順に第１半導体膜６０６ａ、第２半導体膜６０６
ｂ、及び第３半導体膜６０６ｃを積層した構造を有している。
【０２６４】
電極層６４１ｂは、層間絶縁膜６３４に形成された導電層６４３と電気的に接続し、電極
層６４２は電極層６４１ａを介して導電層６４５と電気的に接続している。導電層６４５
は、トランジスタ６４０のゲート電極層と電気的に接続しており、フォトダイオード６０
２はトランジスタ６４０と電気的に接続している。
【０２６５】
ここでは、第１半導体膜６０６ａとしてｐ型の導電型を有する半導体膜と、第２半導体膜
６０６ｂとして高抵抗な半導体膜（Ｉ型半導体膜）、第３半導体膜６０６ｃとしてｎ型の
導電型を有する半導体膜を積層するｐｉｎ型のフォトダイオードを例示している。
【０２６６】
第１半導体膜６０６ａはｐ型半導体膜であり、ｐ型を付与する不純物元素を含むアモルフ
ァスシリコン膜により形成することができる。第１半導体膜６０６ａの形成には１３族の
不純物元素（例えばボロン（Ｂ））を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法に
より形成する。半導体材料ガスとしてはシラン（ＳｉＨ４）を用いればよい。または、Ｓ
ｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４等を用いてもよい。ま
た、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入
法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等に
より不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。こ
の場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、ＬＰＣＶＤ法、気相成長法、
又はスパッタリング法等を用いればよい。第１半導体膜６０６ａの膜厚は１０ｎｍ以上５
０ｎｍ以下となるよう形成することが好ましい。
【０２６７】
第２半導体膜６０６ｂは、Ｉ型半導体膜（真性半導体膜）であり、アモルファスシリコン
膜により形成する。第２半導体膜６０６ｂの形成には、半導体材料ガスを用いて、アモル
ファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。半導体材料ガスとしては、シラン
（ＳｉＨ４）を用いればよい。または、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、Ｓ
ｉＣｌ４、ＳｉＦ４等を用いてもよい。第２半導体膜６０６ｂの形成は、ＬＰＣＶＤ法、
気相成長法、スパッタリング法等により行ってもよい。第２半導体膜６０６ｂの膜厚は２
００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となるように形成することが好ましい。
【０２６８】
第３半導体膜６０６ｃは、ｎ型半導体膜であり、ｎ型を付与する不純物元素を含むアモル
ファスシリコン膜により形成する。第３半導体膜６０６ｃの形成には、１５族の不純物元
素（例えばリン（Ｐ））を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により形成す
る。半導体材料ガスとしてはシラン（ＳｉＨ４）を用いればよい。または、Ｓｉ２Ｈ６、
ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４等を用いてもよい。また、不純物
元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を用いて
該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により不純物
元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場合にア
モルファスシリコン膜を形成する方法としては、ＬＰＣＶＤ法、気相成長法、又はスパッ
タリング法等を用いればよい。第３半導体膜６０６ｃの膜厚は２０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下となるよう形成することが好ましい。
【０２６９】
また、第１半導体膜６０６ａ、第２半導体膜６０６ｂ、及び第３半導体膜６０６ｃは、ア
モルファス半導体ではなく、多結晶半導体を用いて形成してもよいし、微結晶（セミアモ
ルファス（Ｓｅｍｉ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＳＡＳ））半
導体を用いて形成してもよい。
【０２７０】
また、光電効果で発生した正孔の移動度は電子の移動度に比べて小さいため、ｐｉｎ型の
フォトダイオードはｐ型の半導体膜側を受光面とする方がよい特性を示す。ここでは、ｐ
ｉｎ型のフォトダイオードが形成されている基板６０１の面からフォトダイオード６０２
が受ける光を電気信号に変換する例を示す。また、受光面とした半導体膜側とは逆の導電
型を有する半導体膜側からの光は外乱光となるため、電極層は遮光性を有する導電膜を用
いるとよい。また、ｎ型の半導体膜側を受光面として用いることもできる。
【０２７１】
絶縁膜６３１、層間絶縁膜６３３、層間絶縁膜６３４としては、絶縁性材料を用いて、そ
の材料に応じて、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディ
ップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オ
フセット印刷等）等を用いて形成することができる。
【０２７２】
絶縁膜６３１としては、無機絶縁材料としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、
酸化アルミニウム層、又は酸化窒化アルミニウム層などの酸化物絶縁膜、窒化シリコン層
、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、又は窒化酸化アルミニウム層などの窒化物
絶縁膜の単層、又は積層を用いることができる。
【０２７３】
本実施の形態では、絶縁膜６３１として酸化アルミニウム膜を用いる。絶縁膜６３１はス
パッタリング法やプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。
【０２７４】
酸化物半導体膜上に絶縁膜６３１として設けられた酸化アルミニウム膜は、水素、水分な
どの不純物、及び酸素の両方に対して膜を透過させない遮断効果（ブロック効果）が高い
。
【０２７５】
従って、酸化アルミニウム膜は、作製工程中及び作製後において、変動要因となる水素、
水分などの不純物の酸化物半導体膜への混入、及び酸化物半導体を構成する主成分材料で
ある酸素の酸化物半導体膜からの放出を防止する保護膜として機能する。
【０２７６】
層間絶縁膜６３３、６３４としては、表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能す
る絶縁膜が好ましい。層間絶縁膜６３３、６３４としては、例えばポリイミド、アクリル
樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶
縁材料を用いることができる。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ
材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等の
単層、又は積層を用いることができる。
【０２７７】
フォトダイオード６０２に入射する光６２２を検出することによって、被検出物の情報を
読み取ることができる。なお、被検出物の情報を読み取る際にバックライトなどの光源を
用いることができる。
【０２７８】
実施の形態１で示したトランジスタ４１０と同様な構造及び作製方法で得られるトランジ
スタ６４０は、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたエッチング工程によりソース
電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍におけるエッチング
ガスに含まれる不純物を除去する工程を行う。不純物除去工程は、例えば希フッ酸処理、
又は酸素や一酸化二窒素を用いたプラズマ処理などを好適に用いることができる。
【０２７９】
酸化物半導体膜表面及び該近傍がエッチングガスに含まれる不純物により汚染されるのを
防止できるため、トランジスタ６４０は、酸化物半導体膜表面におけるハロゲン元素濃度
を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下）とすることができる。
【０２８０】
従って、本実施の形態の酸化物半導体膜を用いた安定した電気特性を有するトランジスタ
６４０を含む信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導
体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【０２８１】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０２８２】
（実施の形態５）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用すること
ができる。電子機器としては、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機とも
いう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタ
ルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機
（パチンコ機、スロットマシン等）、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機器の具体
例を図９に示す。
【０２８３】
図９（Ａ）は、表示部を有するテーブル９０００を示している。テーブル９０００は、筐
体９００１に表示部９００３が組み込まれており、表示部９００３により映像を表示する
ことが可能である。なお、４本の脚部９００２により筐体９００１を支持した構成を示し
ている。また、電力供給のための電源コード９００５を筐体９００１に有している。
【０２８４】
実施の形態１乃至４のいずれかに示す半導体装置は、表示部９００３に用いることが可能
であり、電子機器に高い信頼性を付与することができる。
【０２８５】
表示部９００３は、タッチ入力機能を有しており、テーブル９０００の表示部９００３に
表示された表示ボタン９００４を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力するこ
とができ、また他の家電製品との通信を可能とする、又は制御を可能とすることで、画面
操作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。例えば、実施の形態
４に示したイメージセンサ機能を有する半導体装置を用いれば、表示部９００３にタッチ
入力機能を持たせることができる。
【０２８６】
また、筐体９００１に設けられたヒンジによって、表示部９００３の画面を床に対して垂
直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋においては、大
きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまうが、テーブルに
表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
【０２８７】
図９（Ｂ）は、テレビジョン装置９１００を示している。テレビジョン装置９１００は、
筐体９１０１に表示部９１０３が組み込まれており、表示部９１０３により映像を表示す
ることが可能である。なお、ここではスタンド９１０５により筐体９１０１を支持した構
成を示している。
【０２８８】
テレビジョン装置９１００の操作は、筐体９１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機９１１０により行うことができる。リモコン操作機９１１０が備える操作キー
９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機９１１０に、当該リモコン操作機
９１１０から出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成としてもよい。
【０２８９】
図９（Ｂ）に示すテレビジョン装置９１００は、受信機やモデムなどを備えている。テレ
ビジョン装置９１００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さら
にモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（
送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報
通信を行うことも可能である。
【０２９０】
実施の形態１乃至４のいずれかに示す半導体装置は、表示部９１０３、９１０７に用いる
ことが可能であり、テレビジョン装置、及びリモコン操作機に高い信頼性を付与すること
ができる。
【０２９１】
図９（Ｃ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キー
ボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。
【０２９２】
実施の形態１乃至４のいずれかに示す半導体装置は、表示部９２０３に用いることが可能
であり、信頼性の高いコンピュータとすることが可能となる。
【０２９３】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図１０（Ａ）
は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部
９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モー
ド切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。
【０２９４】
実施の形態１乃至４のいずれかに示す半導体装置は、表示部９６３１ａ、表示部９６３１
ｂに用いることが可能であり、信頼性の高いタブレット型端末とすることが可能となる。
【０２９５】
表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示され
た操作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３
１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３
１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６
３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示
画面として用いることができる。
【０２９６】
また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一部
をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
【０２９７】
また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時にタ
ッチ入力することもできる。
【０２９８】
また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示又は横表示などの表示の向きを切
り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイ
ッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の
光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサ
だけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内
蔵させてもよい。
【０２９９】
また、図１０（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示し
ているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示
の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネル
としてもよい。
【０３００】
図１０（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９６
３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有
する。なお、図１０（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５
、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。
【０３０１】
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態に
することができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、耐
久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【０３０２】
また、この他にも図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情
報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻など
を表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入
力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有するこ
とができる。
【０３０３】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、
表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、筐
体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に行
う構成とすることができる。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用
いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０３０４】
また、図１０（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図１０（Ｃ
）にブロック図を示し説明する。図１０（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６
３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、
表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６
、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図１０（Ｂ）に示す充放電制御回
路９６３４に対応する箇所となる。
【０３０５】
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。
太陽電池９６３３で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるよ
うＤＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動
作に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバ
ータ９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表
示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテ
リー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【０３０６】
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧
電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッ
テリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受
信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成
としてもよい。
【０３０７】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【実施例１】
【０３０８】
本実施例では、酸化物半導体膜上に接して金属膜を形成し、その後の金属膜除去のドライ
エッチングの際に生じた不純物を除去する不純物除去処理の有無と、抵抗率との関係につ
いて以下に示す実験を行った。
【０３０９】
まず、比較例のサンプルとして、スパッタリング法を用いた成膜装置を用いて、ガラス基
板上に膜厚９５ｎｍのＩＧＺＯ膜を成膜し、抵抗率を測定した。その結果は４．８×１０
９Ω・ｃｍであった。ＩＧＺＯ膜の抵抗率は、上面形状が蛇行している電極（膜厚１００
ｎｍのチタン膜と、膜厚４００ｎｍのアルミニウム膜と、膜厚１００ｎｍのチタン膜の積
層）を形成し、電圧−電流の２端子測定により抵抗を算出する。
【０３１０】
ＩＧＺＯ膜の成膜条件は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］の酸化物ターゲッ
トを用い、酸素及びアルゴン雰囲気下（酸素流量比率５０％）、圧力０．６Ｐａ、ＡＣ電
源電力５ｋＷ、基板温度１７０℃とする。
【０３１１】
スパッタリング法を用いた成膜装置は、真空ポンプなどの真空排気手段（クライオポンプ
、ターボ分子ポンプなど）により減圧可能なスパッタチャンバーと、被処理基板を固定す
る基板フォルダと、スパッタリングターゲットを保持するターゲットフォルダと、ターゲ
ットフォルダに保持されたスパッタリングターゲットに対応する電極と、その電極にスパ
ッタリングのためのＡＣ電圧（またはＤＣ電圧）を印加する電力供給手段と、スパッタチ
ャンバー内にガスを供給するガス供給手段とを有している。なお、サンプルを作製する際
には、できるだけ不純物が混入しないようにスパッタチャンバー内を高真空とし、水分に
ついては露点−４０℃以下、好ましくは露点−５０℃以下の乾燥窒素雰囲気として成膜を
行う。
【０３１２】
また、サンプル１として、ガラス基板上に膜厚９５ｎｍのＩＧＺＯ膜を成膜した後、第１
のドライエッチング条件で１８０秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成し
て、抵抗率を測定した。サンプル１の結果は１３０Ω・ｃｍであった。また、サンプル２
として、第１のドライエッチング条件後、希フッ酸（１／１００希釈）に３０秒浸した後
、電極を形成して抵抗率を測定した。サンプル２の結果は、３．９×１０９Ω・ｃｍとな
った。
【０３１３】
これらの結果から、ハロゲン元素を含むガスを用いたドライエッチングにより不純物が付
着または混入することでＩＧＺＯ膜の抵抗率が下がり、希フッ酸の表面処理を行うことで
不純物が除去され、ＩＧＺＯ膜がドライエッチング前の状態に近づいていることが確認で
きる。
【０３１４】
また、サンプル３としてガラス基板上に膜厚９５ｎｍのＩＧＺＯ膜を成膜した後、第２の
ドライエッチング条件で１８０秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成して
、抵抗率を測定した。また、サンプル４として、第２のドライエッチング条件後に、希フ
ッ酸（１／１００希釈）に３０秒浸した後、電極を形成して抵抗率を測定した。
【０３１５】
また、サンプル５としてガラス基板上に膜厚９５ｎｍのＩＧＺＯ膜を成膜した後、第３の
ドライエッチング条件で１８０秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成して
、抵抗率を測定した。また、サンプル６として、第３のドライエッチング条件後に、希フ
ッ酸（１／１００希釈）に３０秒浸した後、電極を形成して抵抗率を測定した。
【０３１６】
また、サンプル７としてガラス基板上に膜厚９５ｎｍのＩＧＺＯ膜を成膜した後、第４の
ドライエッチング条件で１８０秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成して
、抵抗率を測定した。また、サンプル８として、第４のドライエッチング条件後に、希フ
ッ酸（１／１００希釈）に３０秒浸した後、電極を形成して抵抗率を測定した。
【０３１７】
第１のドライエッチング条件、第２のドライエッチング条件、第３のドライエッチング条
件、及び第４のドライエッチング条件を表１に記す。なお、ドライエッチングを行う装置
としてはＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型
プラズマ）エッチング装置を用いた。
【０３１８】
【表１】
2018125566.tif 000004
【０３１９】
また、図１２は、抵抗率を縦軸とし、比較例の抵抗率（ｒｅｆ）と、サンプル１〜８の抵
抗率をそれぞれ示したグラフである。これらの結果から、ドライエッチングの条件を変え
ても、希フッ酸の表面処理を行うことでＩＧＺＯ膜をドライエッチング前の状態に近づけ
る、好ましくは同じ状態にできることが確認できた。
【０３２０】
以上の結果から、不純物除去処理を行うことにより、酸化物半導体膜の低抵抗化を引き起
こしうる不純物を除去することができ、酸化物半導体膜の低抵抗化が抑制されたことが示
された。
【実施例２】
【０３２１】
本実施例では、不純物除去処理の有無によるトランジスタの特性の比較を行った結果につ
いて説明する。
【０３２２】
以下、本実施例で用いた試料Ａ乃至試料Ｄの作製方法について説明する。なお、本実施例
で作製した試料Ａ乃至試料Ｄが含むトランジスタの作製方法について、図４を参照して説
明する。
【０３２３】
まず、試料Ａの作製方法について説明する。図４（Ａ）に示すように、基板４００として
、ガラス基板上に、下地絶縁膜として１００ｎｍの窒化シリコン膜と、１５０ｎｍの酸化
窒化シリコン膜を形成した。その後、スパッタリング法により、膜厚３０ｎｍの窒化タン
タル膜、膜厚２００ｎｍの銅膜、膜厚３０ｎｍのタングステン膜を成膜し、フォトリソグ
ラフィ工程により、タングステン膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを
行うことで、ゲート電極層４０１を形成した。なお、図４には、下地絶縁膜は図示してい
ない。
【０３２４】
次に、ゲート電極層４０１上に、ゲート絶縁膜４０２として、プラズマＣＶＤ法により、
膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚２７０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を成膜した。窒
化シリコン膜の成膜条件は、ＳｉＨ４／Ｎ２＝５０ｓｃｃｍ／５０００ｓｃｃｍ、成膜電
力１５０Ｗ（ＲＦ）、成膜圧力４０Ｐａ、基板温度３５０℃として、酸化窒化シリコン膜
の成膜条件として、ＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝２０ｓｃｃｍ／３０００ｓｃｃｍ、電極面積が６
０００ｃｍ２のとき成膜電力１００Ｗ（ＲＦ）、成膜圧力４０Ｐａ、基板温度３５０℃と
した。
【０３２５】
次に、ゲート絶縁膜４０２上に、スパッタリング法により、酸化物半導体膜として、膜厚
３５ｎｍのＩＧＺＯ膜を成膜した。ＩＧＺＯ膜は、スパッタリングターゲットとして、Ｉ
ｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を用い、スパッタリングガスとして、１００ｓ
ｃｃｍのアルゴンと１００ｓｃｃｍの酸素をスパッタリング装置の処理室内に供給し、処
理室内の圧力を０．６Ｐａに制御して、５ｋＷの電力を供給して成膜した。なお、ＩＧＺ
Ｏ膜を成膜する際の基板温度は、１７０℃とした。
【０３２６】
次に、フォトリソグラフィ工程により、酸化物半導体膜上にレジストマスクを形成し、選
択的にエッチングを行うことにより、島状の酸化物半導体膜４０３を形成した。
【０３２７】
次に、窒素雰囲気下にて、４５０℃で１時間、窒素と酸素の混合雰囲気下にて、４５０℃
で１時間、第１の加熱処理を行った。
【０３２８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、島状の酸化物半導体膜４０３上に、導電膜４４５として
、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのタングステン膜と、膜厚１００ｎｍのアルミ
ニウム膜と、１００ｎｍのチタン膜を成膜した。その後、図４（Ｃ）に示すように、フォ
トリソグラフィ工程により、チタン膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチング
を行うことにより、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂを形成した。
【０３２９】
ここで、アルミニウム膜及びチタン膜のエッチング条件として、エッチングガス（ＢＣｌ
３：Ｃｌ２＝７５０ｓｃｃｍ：１５０ｓｃｃｍ）を用い、バイアス電力を１５００Ｗとし
、ＩＣＰ電源電力を０Ｗとし、圧力を２．０Ｐａとした。タングステン膜のエッチング条
件として、エッチングガス（ＳＦ６：ＢＣｌ３＝７００ｓｃｃｍ：３８０ｓｃｃｍ）を用
い、ＩＣＰ電源電力を２０００Ｗ、バイアス電力を１０００Ｗとし、圧力を２．５Ｐａと
した。
【０３３０】
次に、窒素雰囲気下にて、３００℃で１時間、第２の加熱処理を行った。
【０３３１】
次に、図４（Ｅ）に示すように、酸化物半導体膜４０３、ソース電極層４０５ａ、及びド
レイン電極層４０５ｂ上に、層間絶縁膜として、４００ｎｍの酸化シリコン膜と、２００
ｎｍの酸化窒化シリコン膜と、を成膜した。
【０３３２】
次に、窒素雰囲気下にて、３００℃で１時間、第３の加熱処理を行った。
【０３３３】
次に、層間絶縁膜として、１．５μｍのポリイミドを成膜した。
【０３３４】
次に、窒素雰囲気下にて、３００℃で１時間、第４の加熱処理を行った。
【０３３５】
次に、層間絶縁膜に、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂに達する開口を
形成した。最後に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのチタン膜と、膜厚４００
ｎｍのアルミニウム膜と、１００ｎｍのチタン膜を成膜した。その後、フォトリソグラフ
ィ工程により、チタン膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行うことに
より、電極層を形成した。
【０３３６】
以上の工程により、試料Ａを作製した。
【０３３７】
次に、試料Ｂの作製方法について説明する。試料Ｂは、ソース電極層及びドレイン電極層
を形成する工程までは、試料Ａと同様に行った。
【０３３８】
図４（Ｄ）に示すように、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの形成後、
酸化物半導体膜４０３に対して、酸素プラズマ処理を行った。酸素プラズマ処理は、ＩＣ
Ｐ装置を用いて、ＩＣＰ電源電力を０Ｗ、バイアス電力を５００Ｗ、圧力を２．０Ｐａ、
基板温度８０℃とした。
【０３３９】
その後、第２の加熱処理から電極層形成工程まで、試料Ａと同様に行うことによって、試
料Ｂを作製した。
【０３４０】
次に、試料Ｃの作製方法について説明する。試料Ｃは、ソース電極層及びドレイン電極層
を形成する工程までは、試料Ａと同様に行った。
【０３４１】
図４（Ｄ）に示すように、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの形成後、
酸化物半導体膜４０３に対して、酸素プラズマ処理を行った。酸素プラズマ処理は、ＩＣ
Ｐ装置を用いて、ＩＣＰ電源電力を０Ｗ、バイアス電力を５００Ｗ、圧力を２．０Ｐａ、
基板温度８０℃とした。
【０３４２】
次に、酸化物半導体膜を、希フッ酸（１／５００希釈）に、６０ｓｅｃ浸した。
【０３４３】
その後、第２の加熱処理から電極層形成工程まで、試料Ａと同様に行うことによって、試
料Ｃを作製した。
【０３４４】
次に、試料Ｄの作製方法について説明する。試料Ｄは、酸化物半導体膜４０３を希フッ酸
に浸す時間が異なる以外は、試料Ｃと同様にして作製した。
【０３４５】
試料Ｄにおいて、酸化物半導体膜４０３は、希フッ酸（１／５００希釈）に、１２０ｓｅ
ｃ浸した。
【０３４６】
次に、試料Ａ乃至試料Ｄに対して電気的特性をそれぞれ評価した。
【０３４７】
図１３（Ａ）に、試料ＡのＶｇ−Ｉｄ特性を測定した結果を示し、図１３（Ｂ）に、試料
ＢのＶｇ−Ｉｄ特性を測定した結果を示し、図１４（Ａ）に、試料ＣのＶｇ−Ｉｄ特性を
測定した結果を示し、図１４（Ｂ）に、試料ＤのＶｇ−Ｉｄ特性を測定した結果を示す。
【０３４８】
図１３及び図１４の結果から、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの形成
後に、不純物除去工程を行っていない試料Ａは、電気的特性にばらつきがあることが確認
された。これに対し、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの形成後に、酸
素プラズマ処理を行った試料Ｂは、試料Ａと比較して、電気的特性のばらつきが低減して
いることが確認された。また、酸素プラズマ処理に加えて、希フッ酸処理を行った試料Ｃ
及び試料Ｄは、電気的特性のばらつきがさらに低減していることが確認された。
【０３４９】
以上の結果から、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの形成後に、不純物
除去工程を行うことにより、トランジスタの電気的特性のばらつきが改善されることが確
認できた。
【符号の説明】
【０３５０】
４００    基板
４０１    ゲート電極層
４０２    ゲート絶縁膜
４０３    酸化物半導体膜
４０５ａ    ソース電極層
４０５ｂ    ドレイン電極層
４０７    絶縁膜
４０８    平坦化絶縁膜
４１０    トランジスタ
４２０    トランジスタ
４３０    トランジスタ
４４０    トランジスタ
４４５    導電膜
４４７    ガス
４４８ａ    レジストマスク
４４８ｂ    レジストマスク
５００    基板
５０２    ゲート絶縁膜
５０４    層間絶縁膜
５０５    カラーフィルタ層
５０６    絶縁膜
５０７    隔壁
５１０    トランジスタ
５１１ａ    ゲート電極層
５１１ｂ    ゲート電極層
５１２    酸化物半導体膜
５１３ａ    導電層
５１３ｂ    導電層
５２０    容量素子
５２１ａ    導電層
５２１ｂ    導電層
５２２    酸化物半導体膜
５２３    導電層
５３０    配線層交差部
５３３    導電層
５４０    発光素子
５４１    電極層
５４２    電界発光層
５４３    電極層
６０１    基板
６０２    フォトダイオード
６０６ａ    半導体膜
６０６ｂ    半導体膜
６０６ｃ    半導体膜
６０８    接着層
６１３    基板
６３１    絶縁膜
６３３    層間絶縁膜
６３４    層間絶縁膜
６４０    トランジスタ
６４１ａ    電極層
６４１ｂ    電極層
６４２    電極層
６４３    導電層
６４５    導電層
６５６    トランジスタ
６５８    フォトダイオードリセット信号線
６５９    ゲート信号線
６７１    フォトセンサ出力信号線
６７２    フォトセンサ基準信号線
４００１    基板
４００２    画素部
４００３    信号線駆動回路
４００４    走査線駆動回路
４００５    シール材
４００６    基板
４００８    液晶層
４０１０    トランジスタ
４０１１    トランジスタ
４０１３    液晶素子
４０１５    接続端子電極
４０１６    端子電極
４０１９    異方性導電膜
４０２０    絶縁膜
４０２１    絶縁膜
４０３０    電極層
４０３１    電極層
４０３２    絶縁膜
４０３３    絶縁膜
４０３５    スペーサ
４５１０    隔壁
４５１１    電界発光層
４５１３    発光素子
４５１４    充填材
９０００    テーブル
９００１    筐体
９００２    脚部
９００３    表示部
９００４    表示ボタン
９００５    電源コード
９０３３    留め具
９０３４    スイッチ
９０３５    電源スイッチ
９０３６    スイッチ
９０３８    操作スイッチ
９１００    テレビジョン装置
９１０１    筐体
９１０３    表示部
９１０５    スタンド
９１０７    表示部
９１０９    操作キー
９１１０    リモコン操作機
９２０１    本体
９２０２    筐体
９２０３    表示部
９２０４    キーボード
９２０５    外部接続ポート
９２０６    ポインティングデバイス
９６３０    筐体
９６３１    表示部
９６３１ａ    表示部
９６３１ｂ    表示部
９６３２ａ    領域
９６３２ｂ    領域
９６３３    太陽電池
９６３４    充放電制御回路
９６３５    バッテリー
９６３６    ＤＣＤＣコンバータ
９６３７    コンバータ
９６３８    操作キー
９６３９    ボタン
【図１】
2018125566.tif 000005
【図２】
2018125566.tif 000006
【図３】
2018125566.tif 000007
【図４】
2018125566.tif 000008
【図５】
2018125566.tif 000009
【図６】
2018125566.tif 000010
【図７】
2018125566.tif 000011
【図８】
2018125566.tif 000012
【図９】
2018125566.tif 000013
【図１０】
2018125566.tif 000014
【図１１】
2018125566.tif 000015
【図１２】
2018125566.tif 000016
【図１３】
2018125566.tif 000017
【図１４】
2018125566.tif 000018