(57)【要約】【課題】レイアウトの制約を発生させることなく、ランド近傍での基材のクラックを抑制できるようにする。【解決手段】ランド１４が形成される第２層１２のうち、ランド１４側の基材１２ｃ内におけるフィラー１２ｄの含有率ρ２をランド１４と反対側の基材１２ｂ内におけるフィラー１２ｄの含有率ρ１よりも高くする。これにより、ランド１４の近傍での線膨張係数は基材１２ｃを構成する樹脂よりもフィラー１２ｄの方が支配的となって決まり、電子部品２０の近傍でのプリント基板１０の線膨張係数をモールド樹脂３０の線膨張係数に近づけることが可能となる。したがって、モールド樹脂３０とプリント基板１０との間の線膨張係数差に基づいて発生する応力に起因してプリント基板１０にクラックが発生することを抑制できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板であって、
表面（１１ａ）を有する第１層（１１）と、
前記第１層の前記表面に、該表面から突き出すように形成された内層導体（１３）と、
前記第１層の前記表面に前記内層配線を覆う状態で配置され、樹脂を基材（１２ｂ、１２ｃ）として、該基材内にフィラー（１２ｄ）が含有させられた第２層（１２）と、
前記第２層のうち前記第１層と反対側の表面に配置されたランド（１４）と、を備え、
前記第２層は、前記ランドと反対側に位置する第１基材（１２ｂ）と前記ランド側に位置する第２基材（１２ｃ）とを有して構成され、
前記第１基材内の前記フィラーの含有率ρ１よりも、前記第２基材内の前記フィラーの含有率ρ２の方が高くなっているプリント基板。
【請求項２】
前記内層導体は前記ランドと対応する位置に形成されている請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記第２基材内の前記フィラーの含有率ρ２から前記第１基材内の前記フィラーの含有率ρ１を差し引いた含有率差ρ２−ρ１が１０％以上である請求項１または２に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記第１基材内の前記フィラーの含有率ρ１が６０ｖｏｌ％以下とされ、前記第２基材内の前記フィラーの含有率ρ２が８０ｖｏｌ％以上とされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載のプリント基板。
【請求項５】
前記第２層は、ガラス繊維を織り込んでフィルム状とした少なくとも１枚のガラスクロス（１２ａ）を有し、
前記第１基材と前記第２基材は、前記ガラスクロスを挟んだ両面それぞれに配置されたものである請求項１ないし４のいずれか１つに記載のプリント基板。
【請求項６】
前記第２層は、前記第１基材と前記第２基材とが直接貼り合わされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載のプリント基板。
【請求項７】
前記ランドと前記内層導体との間は、ビア（５０）を介して接続されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載のプリント基板。
【請求項８】
前記ランドは複数個が並べて配置されており、
前記内層導体は、並べられた前記ランドの外方側に引き回されている請求項１ないし７のいずれか１つに記載のプリント基板。
【請求項９】
前記内層導体は、前記ランドと対応する位置において、１本の繋がったパターンとされている請求項１ないし８のいずれか１つに記載のプリント基板。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１つに記載のプリント基板と、
前記ランドに対してはんだ（４０）を介して接合された電子部品（２０）と、
前記電子部品および前記はんだを覆いつつ、前記第２層の表面を覆う封止樹脂部（３０）と、を有する電子装置。
【請求項１１】
前記ランドは、一部露出するようにソルダレジスト（６０）で覆われており、該ランドのうち前記ソルダレジストから露出した部分において、前記電子部品が前記はんだを介して接合されている請求項１０に記載の電子装置。
【請求項１２】
プリント基板の製造方法であって、
表面（１１ａ）を有する第１層（１１）を用意することと、
前記第１層の前記表面に、該表面から突き出す内層導体（１３）を形成することと、
前記第１層の前記表面に前記内層配線を覆うように、樹脂を基材（１２ｂ、１２ｃ）として、該基材内にフィラー（１２ｄ）を含有させた第２層（１２）を配置し、該第２層を前記第１層に貼り合せることと、
前記第２層のうち前記第１層と反対側の表面にランド（１４）を形成することとと、を含み、
前記第２層を前記第１層に貼り合せることにおいては、前記第２層として、ガラス繊維を織り込んでフィルム状とした少なくとも１枚のガラスクロス（１２ａ）と、該ガラスクロスを挟んで前記ランドと反対側に位置する第１基材（１２ｂ）と、前記ランド側に位置する第２基材（１２ｃ）と、を有したものを用意し、前記第２層を第１層に貼り合せるときに、前記内層導体の厚みに基づいて、前記第２基材を構成する樹脂を前記第１基材側に流動させることで、前記第１基材内の前記フィラーの含有率ρ１よりも、前記第２基材内の前記フィラーの含有率ρ２の方が高くなるようにするプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品がはんだを介して搭載されるランドを有するプリント基板およびこれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プリント基板に形成したランドに対して、はんだを介して電子部品を実装することで電子装置が構成される。プリント基板としては、例えばガラスクロスの両面を樹脂で構成される基材で封止したプリプレグ等が用いられ、基材内にフィラーが充填されている。フィラーとして様々なものが用いられているが、プリント基板の線膨張係数や熱伝導性、基材の流動性の調整を目的としてフィラー材料や粒子径が選択されており、例えば粒子径の大きいものと小さいものとが混在させられたものが用いられている。そして、プリント基板の全域において物性値が均等となるように、基材内へのフィラーの充填量も全域において均等に行われている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開特開２０１３−８９７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなプリント基板を用いて電子部品を実装する際には、電子部品を保護するために、電子部品やランドを覆うように封止樹脂によって封止することが行われる。ところが、封止樹脂やプリント基板さらにはランドの構成材料の線膨張係数差に起因して、市場ストレス等により、ランド近傍に応力が集中する。このため、ランドの近傍の応力が集中した箇所を起点としてプリント基板の基材にクラックが生じる。このようなクラックが生じると、ランドとプリント基板内に設けられる内層導体とが短絡するなどの課題が発生する。
【０００５】
このような課題を解決するためには、例えばランドと対応する位置に配置される内層導体をランドと同電位とされるダミー導体とすることなどが考えられる。しかしながら、内層導体のレイアウトに制約が発生することになる。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、レイアウトの制約を発生させることなく、ランド近傍での基材のクラックを抑制できるプリント基板およびそれを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載のプリント基板は、表面（１１ａ）を有する第１層（１１）と、第１層の表面に、該表面から突き出すように形成された内層導体（１３）と、第１層の表面に内層配線を覆う状態で配置され、樹脂を基材（１２ｂ、１２ｃ）として、該基材内にフィラー（１２ｄ）が含有させられた第２層（１２）と、第２層のうち第１層と反対側の表面に配置されたランド（１４）と、を備え、第２層は、ランドと反対側に位置する第１基材（１２ｂ）とランド側に位置する第２基材（１２ｃ）とを有して構成され、第１基材内のフィラーの含有率ρ１よりも、第２基材内のフィラーの含有率ρ２の方が高くなっている。
【０００８】
このように、第２層のうち、ランド側の第２基材内におけるフィラーの含有率ρ２をランドと反対側の第１基材内におけるフィラーの含有率ρ１よりも高くしている。このため、ランドの近傍での線膨張係数は第２基材を構成する樹脂よりもフィラーの方が支配的となって決まり、プリント基板に実装される電子部品の近傍でのプリント基板の線膨張係数をモールド樹脂の線膨張係数に近づけることが可能となる。したがって、モールド樹脂とプリント基板との間の線膨張係数差に基づいて発生する応力に起因してプリント基板にクラックが発生することを抑制できる。そして、第２基材のクラックの発生を抑制できることから、ランドの直下に位置する内層導体をランドと同電位なものにすること等も必要なくなり、内層導体のレイアウトの制約を発生させることもなくなる。よって、レイアウトの制約を発生させることなく、ランドの近傍のクラックを抑制できるプリント基板とすることができる。
【０００９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態にかかる電子装置の断面図である。
【図２】プリント基板におけるフィラーの含有率を従来と同様にした場合の各部での線膨張係数αの関係を示した断面図である。
【図３】第１実施形態にかかるプリント基板の各部での線膨張係数αの関係を示した断面図である。
【図４】図１に示す電子装置の製造工程を示した断面図である。
【図５】第２実施形態にかかる電子装置の断面図である。
【図６】他の実施形態で説明する電子装置の断面図である。
【図７】他の実施形態で説明する電子装置の断面図である。
【図８】他の実施形態で説明する電子装置の断面図である。
【図９】他の実施形態で説明する電子装置の断面図である。
【図１０】他の実施形態で説明する電子装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１２】
（第１実施形態）
第１実施形態にかかるプリント基板およびそれを用いた電子装置について説明する。なお、本実施形態のプリント基板およびそれを用いた電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置の駆動用など、過酷な市場ストレスを受ける環境のものへの適用に適したものである。
【００１３】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層配線構造のプリント基板１０と、プリント基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品２０と、を備えている。そして、プリント基板１０の一面１０ａ側を電子部品２０と共にモールド樹脂３０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００１４】
プリント基板１０は、第１層１１と、第１層１１の表面１１ａに配置された第２層１２と、内層導体１３およびランド１４などを備える積層基板である。
【００１５】
第１層１１は、エポキシ樹脂等の樹脂を基材としたもので構成されている。第２層１２は、ガラスクロス１２ａの両面を樹脂で構成される基材１２ｂと基材１２ｃで封止したプリプレグ等で構成されている。これらのうちの基材１２ｂが第１基材に相当し、基材１２ｃが第２基材に相当する。ガラスクロス１２ａは、ガラス繊維を織り込んでフィルム状としたものであり、織り目の間にポケットと呼ばれる孔が空いている。このポケットの開口寸法は例えば５μｍとなっている。
【００１６】
ガラスクロス１２ａを挟んで第１層１１側の基材１２ｂとその反対側の基材１２ｃは、共に同じ材質、例えばエポキシ樹脂等で構成されている。そして、各基材１２ｂ、１２ｃには、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やシリカ（ＳｉＯ2）もしくは水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）3）等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラー１２ｄが含有されていている。第２層１２の厚みについては任意であるが、例えば第２層１２のうち内層導体１３の表面上に形成された部分の厚み、つまり内層導体１３とランド１４との間の距離に相当する厚みが６０〜１００μｍ程度とされている。
【００１７】
基材１２ｂ、１２ｃをエポキシ樹脂で構成した場合、線膨張係数αが例えば４０程度となる。ただし、基材１２ｂ、１２ｃに対してフィラー１２ｄを含有させてあるため、基材１２ｂ、１２ｃ中へのフィラー１２ｄの含有率に応じて基材１２ｂ、１２ｃおよびフィラー１２ｄの合計の線膨張係数αが変わっている。本実施形態の場合、フィラー１２ｄの含有率が場所によって変えられていることから、第２層１２のうちの基材１２ｂ側の線膨張係数αと基材１２ｃ側の線膨張係数αが異なった値となっている。この第２層１２内におけるフィラー１２ｄの含有率と線膨張係数の関係等については後で説明する。
【００１８】
なお、ここでは第１層１１について簡略化して記載してあるが、第２層１２と同様に、ガラスクロスを基材で封止し、基材内にフィラーが含有されたプリプレグ等によって第１層１１を構成できる。また、ここでは第１層１１の表面１１ａに第２層１２が形成されたものを記載したが、図１は積層基板にて構成されるプリント基板１０のうちのランド１４側の２層分を図示したものであり、それよりも多い積層数であっても良い。例えば、第１層１１をコア層として、第１層１１の表面１１ａ側に第２層１２、裏面１１ｂ側に第２層１２と同じ構造の第３層をビルドアップ層として備える構造の積層基板によってプリント基板１０を構成することができる。
【００１９】
内層導体１３は、第１層１１と第２層１２との界面に形成されており、所望パターンにパターニングされた内層配線パターンの一部などを構成するものである。内層導体１３は、第１層１１の表面１１ａからその厚み分突出した構造とされている。内層導体１３の厚みは、例えば１２〜５５μｍとされており、３５μｍ以上とされていると好ましい。また、内層導体１３は、例えば銅や銅を主成分とする合金等で構成されており、線膨張係数αが１７程度となっている。本実施形態では、内層導体１３は、プリント基板１０のうち電子部品２０が配置される部分の直下、例えばランド１４と対応する位置に形成されている。
【００２０】
ランド１４は、プリント基板１０の一面１０ａに形成されている。ランド１４は、内層導体１３などを通じてプリント基板１０に形成される外部接続用の端子に繋がっており、ランド１４に接合された電子部品２０がランドおよび内層導体１３を通じて外部と電気的に接続可能となっている。ランド１４は、電子部品２０の端子と対応する位置に形成されており、はんだ４０を介して電子部品２０が実装される。ランド１４も、内層導体１３と同様の材料、例えば銅や銅を主成分とする合金等で構成されている。
【００２１】
電子部品２０は、例えばセラミックコンデンサのようなセラミック部品等とされ、端子がはんだ４０を介してランド１４に接合されることでプリント基板１０に実装されている。電子部品２０の線膨張係数αは種類によって異なるが、電子部品２０をアルミナで構成されるセラミックコンデンサ等とする場合、線膨張係数αが７程度となる。
【００２２】
モールド樹脂３０は、例えばエポキシ樹脂等で構成されており、線膨張係数αが例えば１２となっている。モールド樹脂３０は、電子部品２０やはんだ４０およびランド１４の表面を覆いつつプリント基板１０の一面１０ａの少なくとも一部を覆うように形成されている。このようなモールド樹脂３０に覆われることで、電子部品２０やはんだ４０およびランド１４が保護されている。
【００２３】
以上が本実施形態のプリント基板１０およびそれを備えた電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態のプリント基板１０におけるフィラー１２ｄの含有率等について説明する。
【００２４】
図１に示すように、本実施形態のプリント基板１０は、ガラスクロス１２ａを挟み込むように基材１２ｂ、１２ｃが配置され、基材１２ｂ、１２ｃ内にフィラー１２ｄが含有されることで構成されているが、フィラー１２ｄの含有率が場所によって変えられている。具体的には、基材１２ｂと比較して基材１２ｃの方がフィラー１２ｄの含有率が高くされており、例えば含有率の差が１０Ｖｏｌ％以上とされている。
【００２５】
一般的に使用されるプリプレグでは、エポキシ樹脂等で構成される基材に対して、フィラーの含有率が５０％程度とされており、ガラスクロスを挟んだ両側に配置された基材間においてフィラーの含有率に相違はなく、ほぼ同じ含有率とされている。この場合、例えば図２に示すように、内層導体１３の線膨張係数αが１７、プリント基板１０の線膨張係数αが４０、電子部品２０の線膨張係数が７、モールド樹脂３０の線膨張係数αが１２となる。このため、モールド樹脂３０やプリント基板１０さらにはランド１４の構成材料の線膨張係数差に起因して、市場ストレス等により、ランド１４近傍に応力が集中する。これにより、ランド１４の近傍の応力が集中した箇所を起点としてプリント基板１０の基材１２ｂ、１２ｃにクラックＣが生じる。このようなクラックＣが生じると、ランド１４と内層導体１３とが短絡するなどの課題が発生する。
【００２６】
これに対して、本実施形態では、第２層１２内における全体でのフィラー１２ｄの充填率は５０〜８０ｖｏｌ％とされているが、基材１２ｂと基材１２ｃとにおいてフィラー１２ｄの含有率が変えられている。例えば、第２層１２内における全体でのフィラー１２ｄの含有率が７０ｖｏｌ％とされ、基材１２ｂのフィラー１２ｄの含有率ρ１が６０ｖｏｌ％以下、基材１２ｃのフィラー１２ｄの含有率ρ２が８０ｖｏｌ％以上とされている。このように、基材１２ｂと基材１２ｃとでフィラー１２ｄの含有率ρ１、ρ２が変えられており、含有率ρ２から含有率ρ１を差し引いた含有率差ρ２−ρ１が１０ｖｏｌ％以上になっている。
【００２７】
上記したように、フィラー１２ｄとしてはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム等が用いられており、フィラー１２ｄの粒径については平均粒径が５μｍ〜１０μｍ、最大寸法が１５μｍとされている。フィラー１２ｄの粒径については、プリント基板１０の線膨張係数や熱伝導性、基材１２ｂ、１２ｃの流動性を考慮して選択されているが、粒径の大きいものと小さいものが混在させられていても良い。このフィラー１２ｄの平均粒径は、繊維状に編みこまれるガラスクロス１２ａのポケットの開口寸法よりも大きくされているのが好ましい。そして、例えばガラスクロス１２ａのポケットの開口寸法が５μｍ程度とされ、フィラー１２ｄの平均粒径もポケットの開口寸法以上となる５μｍ〜１０μｍとされている。
【００２８】
このような構成のプリント基板１０では、電子部品２０が接合されるランド１４側の基材１２ｃのフィラー１２ｄの含有率ρ２が高くなっているため、ランド１４の近傍での線膨張係数は基材１２ｃを構成する樹脂よりもフィラー１２ｄの方が支配的となって決まる。そして、フィラー１２ｄについて、線膨張係数αがアルミナで構成する場合には７程度、シリカで構成する場合には１０程度、水酸化アルミニウムで構成する場合には１５程度となる。
【００２９】
このため、電子部品２０の近傍でのプリント基板１０の線膨張係数は、基材内へのフィラーの含有率が５０ｖｏｌ％とされる一般的なプリプレグと比較して、モールド樹脂３０の線膨張係数αである１２に近い値となる。
【００３０】
この場合、例えば図３に示すように、内層導体１３の線膨張係数αが１７、プリント基板１０のうちのランド１４側の基材１２ｃおよびフィラー１２ｄを合わせた線膨張係数αが７〜１５、電子部品２０の線膨張係数αが７、モールド樹脂３０の線膨張係数αが１２となる。
【００３１】
これにより、モールド樹脂３０とプリント基板１０との間の線膨張係数差に基づいて発生する応力に起因してプリント基板１０にクラックＣが発生することを抑制できる。すなわち、基材１２ｃのフィラー１２ｄの含有率ρ２が５０ｖｏｌ％程度の場合、プリント基板１０の線膨張係数αがモールド樹脂３０よりも大きくなるため、冷却時にプリント基板１０が縮み易いのに電子部品２０があまり縮まない状況になる。これにより、プリント基板１０が縮むのに電子部品２０が縮まないで突っ張るような応力が発生する。この応力がランド１４の端部などに加わり、基材１２ｃに対してクラックＣを発生させる要因となることから、応力を軽減できるようにすることが重要である。
【００３２】
これに対して、本実施形態のように基材１２ｃのフィラー１２ｄの含有率ρ２を７０ｖｏｌ％以上、例えば８０ｖｏｌ％にしていることから、線膨張係数αをモールド樹脂３０に近づけることが可能となり、上記応力を軽減することが可能になる。これにより、ランド１４の近傍での基材１２ｃのクラックＣの発生を抑制することが可能となる。そして、基材１２ｃのクラックＣの発生を抑制できることから、ランド１４の直下に位置する内層導体１３をランド１４と同電位なものにすること等も必要なくなり、内層導体１３のレイアウトの制約を発生させることもなくなる。よって、レイアウトの制約を発生させることなく、ランド１４の近傍のクラックＣを抑制できるプリント基板１０およびそれを用いた電子装置とすることができる。
【００３３】
また、仮にクラックＣが生じたとしても小さいため、図３中に示したように、ガラスクロス１２ａによってクラックＣが止まるようにできる。したがって、クラックＣが発生したとしても、ランド１４と内層導体１３とが短絡してしまうことを抑制することが可能となる。
【００３４】
続いて、本実施形態にかかるプリント基板１０およびそれを用いた電子装置の製造方法について、図４を参照して説明する。
【００３５】
まず、図４（ａ）に示すように、表面１１ａに内層導体１３が形成された第１層１１を用意する。このときには、内層導体１３が表面１１ａから１２〜５５μｍ突き出した状態になっている。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、ガラスクロス１２ａをフィラー１２ｄが含有された基材１２ｂおよび基材１２ｃで挟んで形成した第２層１２を用意し、内層導体１３の上から第１層１１の表面１１ａに第２層１２を搭載する。そして、これらを加熱加圧することで、図４（ｃ）に示すように第１層１１と第２層１２を貼り合せる。このとき、第１層１１の表面１１ａ上に内層導体１３を配置しているため、図中矢印で示したように、内層導体１３の高さ分の隙間を埋めるように基材１２ｂを構成する樹脂や基材１２ｂ内のフィラー１２ｄが流動する。さらに、ガラスクロス１２ａを挟んで第１層１１と反対側の基材１２ｃを構成する樹脂の一部もガラスクロス１２ａのポケットを通じて第１層１１側に流動させられ、基材１２ｂが補填される。
【００３７】
このように、ガラスクロス１２ａを通じて基材１２ｃを構成する樹脂の一部が流動させられて基材１２ｂに補填される。しかしながら、基材１２ｂ内のフィラー１２ｄに関しては、ガラスクロス１２ａのポケットを通過することができず、ガラスクロス１２ａよりも第１層１１と反対側に残る。このため、図４（ｄ）に示したように、貼り合せ後には、基材１２ｃ側においてはフィラー１２ｄの含有率ρ２が高くなり、基材１２ｂ側においてはフィラー１２ｄの含有率ρ１が低下する。これにより、例えば基材１２ｂのフィラー１２ｄの含有率ρ１が６０ｖｏｌ％以下、基材１２ｃのフィラー１２ｄの含有率ρ２が８０ｖｏｌ％以上となり、含有率差ρ２−ρ１が１０ｖｏｌ％以上になる。
【００３８】
なお、一般的に使用されるプリプレグでは、エポキシ樹脂等で構成される基材に対して、フィラーの含有率が５０％程度とされている。このように、元々のフィラーの含有率が低いため、基材を構成する樹脂がガラスクロスを通過してランドと反対側に流動させられても、流動後のフィラーの含有率はあまり変化しない。このため、ガラスクロスを挟んだ両側に配置された基材間においてフィラーの含有率に相違はなく、ほぼ同じ含有率となって、含有率差が１０％以上になることはない。
【００３９】
その後、図４（ｅ）に示すように、第２層１２の上に銅などの導体を配置したのち、これをパターニングしてランド１４を形成する。このとき、ランド１４と同時にランド１４に繋がる図示しない配線パターンを形成するようにしたり、ランド１４の形成に先立って、ランド１４と内層導体１３とを接続する図示しないビア等を形成することで、ランド１４が外部接続用端子と接続されるようにする。これにより、電子装置の製造に用いられるプリント基板１０が製造される。
【００４０】
そして、図４（ｆ）に示すように、はんだ４０を介して電子部品２０を実装し、電子部品２０の端子とランド１４とを電気的に接続する。この後の工程については図示していないが、コンプレッションモールド法やトランスファーモールド法等によって電子部品２０を覆うように第２層１２のうちの第１層１１と反対側の一面を覆う。これにより、図１に示した電子装置が完成する。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態では、ランド１４が形成される第２層１２のうち、ランド１４側の基材１２ｃ内におけるフィラー１２ｄの含有率ρ２をランド１４と反対側の基材１２ｂ内におけるフィラー１２ｄの含有率ρ１よりも高くしている。このため、ランド１４の近傍での線膨張係数は基材１２ｃを構成する樹脂よりもフィラー１２ｄの方が支配的となって決まり、電子部品２０の近傍でのプリント基板１０の線膨張係数をモールド樹脂３０の線膨張係数に近づけることが可能となる。したがって、モールド樹脂３０とプリント基板１０との間の線膨張係数差に基づいて発生する応力に起因してプリント基板１０にクラックが発生することを抑制できる。
【００４２】
そして、基材１２ｃのクラックの発生を抑制できることから、ランド１４の直下に位置する内層導体１３をランド１４と同電位なものにすること等も必要なくなり、内層導体１３のレイアウトの制約を発生させることもなくなる。よって、レイアウトの制約を発生させることなく、ランド１４の近傍のクラックを抑制できるプリント基板１０およびそれを用いた電子装置とすることができる。
【００４３】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して第２層１２の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００４４】
図５に示すように、本実施形態では、第２層１２をガラスクロス１２ａのない構造、つまり基材１２ｂと基材１２ｃとを直接貼り合せた構造としている。そして、このような構造において、ランド１４側の基材１２ｃ内におけるフィラー１２ｄの含有率ρ２をランド１４と反対側の基材１２ｂ内におけるフィラー１２ｄの含有率ρ１よりも高くしている。
【００４５】
このように、第２層１２をガラスクロス１２ａのない構造としても、ランド１４側の基材１２ｃ内のフィラー１２ｄの含有率ρ２を高くすることで、第１実施形態と同様の効果を奏することが可能となる。
【００４６】
このような構造の第２層１２については、例えばフィラー１２ｄの含有率を異ならせたフィルム状の基材１２ｂおよび基材１２ｃをそれぞれ用意し、これらを熱圧着などによって貼り合せることで構成することができる。その他の製造方法については第１実施形態と同様であり、このように形成した第２層１２を用いて、第１実施形態と同様の製造方法を適用することで、図５に示すプリント基板１０を製造でき、さらにそのプリント基板１０を用いた電子部品を製造できる。
【００４７】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００４８】
例えば、図６に示すように、ランド１４と内層導体１３とがレーザビア等のビア５０を介して接続された構造とされている。このように、ランド１４と内層導体１３とが同電位とされていたり、ランド１４が下方の内層導体１３を介して外部との電気的接続が行える構造とされていても良い。
【００４９】
また、ランド１４の下方に位置している内層導体１３は、ランド１４と対応する形状である必要はなく、例えば図７に示すように、並べられたランド１４の外方側に引き回される引き回し配線を構成するパターンなど、ランド１４と異なる形状の他のパターンとされていても良い。
【００５０】
また、ランド１４の下方に位置している内層導体１３をランド１４と異なる数にしても良く、例えば図８に示すように、内層導体１３が１本の繋がったパターンとされていても良い。この場合でも、図８に示すように、ランド１４がビア５０を介して内層導体１３に接続された形態とされていても良い。
【００５１】
さらに、電子部品２０とランド１４とを接合するはんだ４０がランド１４の表面の全面に接合される必要はなく、例えば図９に示すように、ランド１４のうち、はんだ４０との接続部以外がソルダレジスト６０によって覆われている構造とされていても良い。なお、ここでは電子部品２０の下方にもソルダレジスト６０が形成されている例を示してあるが、この部分のソルダレジスト６０が無い構造であっても良い。
【００５２】
また、封止樹脂部としてトランスファーモールド法やコンプレッション法によって樹脂成型されるモールド樹脂３０を例に挙げて説明したが、ポッティングによって封止する構造であっても良い。
【００５３】
また、ランド１４が形成される第２層１２としては、１枚のガラスクロス１２ａを挟んだ両側に基材１２ｂ、１２ｃを配置した構造やガラスクロス１２ａを備えておらず２枚の基材１２ｂ、１２ｃを貼り合わせた構造だけでなく、他の構造とすることもできる。例えば、図１０に示すように、２枚のガラスクロス１２ａを備え、２枚のガラスクロス１２ａを挟んでランド１４と反対側の基材１２ｂとランド１４側の基材１２ｃに加えて、２枚のガラスクロス１２ａの間に基材１２ｅが貼り合わされた構造であっても良い。その場合、少なくとも基材１２ｃにおいてフィラー１２ｄの充填率が高くなっていればよい。また、図１０に示したように、基材１２ｅについてもフィラー１２ｄの充填率が高くなっていれば、よりランド１４側の線膨張係数をモールド樹脂３０に近づけることができ、さらに上記効果を得ることが可能となる。
【００５４】
さらに、上記第１実施形態等では、内層導体１３の厚みを利用してフィラー１２ｄの含有率差を出すようにしているため、ランド１４の直下に内層導体１３を配置するようしたが、必ずしも内層導体１３がランド１４の直下にある必要はない。例えば、ガラスクロス１２ａを挟んでランド１４側をフィラー１２ｄの含有率が高い基材１２ｃとしておき、ランド１４と反対側をフィラー１２ｄの含有率がそれより低い基材１２ｂとしておいても良い。
【符号の説明】
【００５５】
１０                    プリント基板
１１                    第１層
１２                    第２層
１２ａ                  ガラスクロス
１２ｂ、１２ｃ、１２ｅ  基材
１２ｄ                  フィラー
１３                    内層導体
１４                    ランド
２０                    電子部品
３０                    モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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