(57)【要約】【課題】基板に２種類の電子部品を搭載するときの半田の飛散を抑制すること。【解決手段】強磁性体を含む部材が設けられた基板１０上に第１電子部品を搭載する工程と、磁石３２が設けられたカバー３０を、前記磁石３２を前記磁石の有する磁力によって前記部材に吸着させることにより、前記第１電子部品を覆うように前記基板上に着脱可能に固定する工程と、前記カバーが前記基板上に固定された状態で、前記基板上に第２電子部品２２を半田２４を用い搭載する工程と、を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図４
2018085494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性体を含む部材が設けられた基板上に第１電子部品を搭載する工程と、
磁石が設けられたカバーを、前記磁石を前記磁石の有する磁力によって前記部材に吸着させることにより、前記第１電子部品を覆うように前記基板上に着脱可能に固定する工程と、
前記カバーが前記基板上に固定された状態で、前記基板上に第２電子部品を半田を用い搭載する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記部材はシールリングである請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１電子部品を搭載する工程は、前記第１電子部品の上面が前記基板の上面より低くなるように、前記基板の上面に設けられた凹部内に前記第１電子部品を搭載する工程を含む請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記カバーを前記基板上に着脱可能に固定する工程は、前記基板または前記部材に設けられた凹部に前記カバーに設けられた凸部をはめ込む、または、前記基板または前記部材に設けられた凸部に前記カバーに設けられた凹部をはめ込む工程を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記カバーを前記基板から取り外す工程を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記部材に吸着した磁石に、前記磁石の有する磁力と反発する磁力を有する別の磁石を近づけることにより、前記カバーを前記基板から取り外す工程を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記カバーを前記基板から取り外した後、前記第１電子部品と前記基板とをボンディングワイヤで接続する工程を含む請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば基板に電子部品を搭載する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
溶融半田が飛散することを抑制するため、溶融半田を押し広げるときに溶融半田を飛散防止枠で取り囲むことが知られている（例えば特許文献１）。２つの半導体チップを互いに接合して積層するときに半田が飛散、流出することを抑制するため、一方の半導体チップの端子に凹部を設けることが知られている（特許文献２）。半導体装置のパッケージのウェルリングとキャップとを溶接するときに、磁石を用いウェルリングとキャップとを仮固定することが知られている（例えば特許文献３）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２３２１１４号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７０７９３号公報
【特許文献３】特開昭６１−１５６８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１および２には、半田の飛散という課題について記載されている。しかし、基板に２種類の電子部品を搭載するときの半田の飛散についての課題は記載されていない。
【０００５】
本半導体装置の製造方法は上記課題に鑑みなされたものであり、基板に２種類の電子部品を搭載するときの半田の飛散を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は強磁性体を含む部材が設けられた基板上に第１電子部品を搭載する工程と、磁石が設けられたカバーを、前記磁石を前記磁石の有する磁力によって前記部材に吸着させることにより、前記第１電子部品を覆うように前記基板上に着脱可能に固定する工程と、前記カバーが前記基板上に固定された状態で、前記基板上に第２電子部品を半田を用い搭載する工程と、を含む半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本半導体装置の製造方法によれば、基板に２種類の電子部品を搭載するときの半田の飛散を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図７】図７は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例２の変形例２に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１１】図１１は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
【００１０】
本願発明の一実施形態は、強磁性体を含む部材が設けられた基板上に第１電子部品を搭載する工程と、磁石が設けられたカバーを、前記磁石を前記磁石の有する磁力によって前記部材に吸着させることにより、前記第１電子部品を覆うように前記基板上に着脱可能に固定する工程と、前記カバーが前記基板上に固定された状態で、前記基板上に第２電子部品を半田を用い搭載する工程と、を含む半導体装置の製造方法である。
【００１１】
基板上に第２電子部品を半田で搭載するときに、カバーが第１電子部品を覆っているため、半田が第１電子部品に飛散することを抑制できる。カバーが磁石で部材に吸着されているため、カバーが動いてしまうことを抑制できる。
【００１２】
前記部材はシールリングであることが好ましい。これにより、部材の個数を削減できる。
【００１３】
前記第１電子部品を搭載する工程は、前記第１電子部品の上面が前記基板の上面より低くなるように、前記基板の上面に設けられた凹部内に前記第１電子部品を搭載する工程を含むことが好ましい。これにより、カバーが第１電子部品の上面に接触することを抑制できる。
【００１４】
前記カバーを前記基板上に着脱可能に固定する工程は、前記基板または前記部材に設けられた凹部に前記カバーに設けられた凸部をはめ込む、または、前記基板または前記部材に設けられた凸部に前記カバーに設けられた凹部をはめ込む工程を含むことが好ましい。これにより、第２電子部品を基板に搭載するときに、カバーが動くことを抑制できる。
【００１５】
前記カバーを前記基板から取り外す工程を含むことが好ましい。カバーが磁石で基板に固定されていることから、カバーを基板から簡単に取り外すことができる。
【００１６】
前記部材に吸着した磁石に、前記磁石の有する磁力と反発する磁力を有する別の磁石を近づけることにより、前記カバーを前記基板から取り外す工程を含むことが好ましい。これにより、カバーを基板から簡単に取り外すことができる。
【００１７】
前記カバーを前記基板から取り外した後、前記第１電子部品と前記基板とをボンディングワイヤで接続する工程を含むことが好ましい。第１電子部品を基板に搭載するときに第２電子部品がカバーに覆われているため、半田の飛沫により第１電子部品にボンディングワイヤが接続できない等の不良を抑制できる。
【００１８】
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態にかかる半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１９】
半導体パッケージを構成する基板等に電子部品を搭載した後、別の電子部品を半田を用い搭載するときに、先に搭載した電子部品上または周辺に半田が飛散する。これにより、電子部品または電子部品周辺の配線の品質を低下させることがある。
【００２０】
発明者らは、別の電子部品を搭載するときに、先に搭載した電子部品およびその周辺をカバーすることを考えた。このようなカバーとしては、別の電子部品を搭載するときの妨げにならないように薄いこと、別の電子部品を搭載するときにカバーが仮固定されていること、半田を溶融させる熱に対し耐熱性があること、等が好ましい。
【００２１】
発明者らは、カバーとしてカプトンテープを用いることを考えた。カプトンテープは、薄く、耐熱性があり、かつ仮固定が可能である。しかしながら、カプトンテープを基板に固定すると、テープの糊（接着剤）が基板等に残存してしまう。それら接着剤の残余は、ごみおよび／または汚れとなり、品質低下の原因となり得る。
【００２２】
発明者らは、カバーとして、金属板を用いることを考えた。金属板は、薄く、耐熱性があり、かつ糊等が残存しない。しかしながら、基板等の寸法のばらつき、別の電子部品を搭載するときの加熱の影響による熱膨張、および／または別の電子部品を搭載するときの作業等により、カバーが動いてしまう。
【００２３】
以上のような問題を解決する実施例について説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１（ａ）から図７は、実施例１の半導体装置の製造方法を示す図である。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０は、積層された絶縁層１０ａから１０ｃを有している。最上の絶縁層１０ａには４つの開口１１が設けられている。４つの開口１１はほぼ同じ大きさであり、１方向に配列している。基板１０の周縁上にシールリング１２が固定されている。絶縁層１０ａ上に配線１４が設けられている。配線１４は４つの開口１１それぞれに対しほぼ同じパターンで形成されている。絶縁層１０ａから１０ｃは、例えばセラミックスであり、基板１０は積層セラミックス基板である。基板１０は、樹脂等の有機絶縁体でもよい。シールリング１２はコバール等の強磁性金属である。配線１４は、例えば金または銅等の金属膜である。
【００２５】
図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、開口１１内の基板１０上に電子部品として半導体チップ２０を搭載する。半導体チップ２０は、例えば集積回路が形成された例えばシリコン基板またはガリウム砒素基板等の半導体基板である。半導体チップ２０を例えばＡｕＳｎ等の半田２１を用い基板１０上に接着する。なお、半導体チップ２０が接着される基板１０上、より具体的には、例えば絶縁層１０ｂ上には、開口１１内に金属膜（不図示）が形成されている。その金属膜は、グランド電位に電気的に接続できるように配線されていてもよい。その場合、半導体チップの絶縁層１０ｂに接着する面にグランド電位を与えることができる。半田２１としてＡｕＳｎを用いる場合、酸化防止のため窒素雰囲気中のヒートステージ上で、基板１０上に半導体チップ２０を搭載する。ヒートステージの温度はＡｕＳｎが溶融する温度であり例えば３００℃である。
【００２６】
図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）および図３（ｃ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。図３（ａ）から図３（ｃ）に示すように、半導体チップ２０およびその周辺を覆うようにカバー３０を基板１０に仮固定する。カバー３０は、第１部分３０ａ、第２部分３０ｂおよび第３部分３０ｃを備えている。第１部分３０ａは、半導体チップ２０とその周辺（例えば配線１４の一部）を覆う部分である。第１部分３０ａは、絶縁層１０ａの上面に設けられる。第１部分３０ａは、絶縁層１０ａの上面に接してもよい。第２部分３０ｂはシールリング１２の上面上に設けられ、下面に磁石３２が固定されている。磁石３２は両側の第２部分３０ｂに１個ずつ、計２個設けられている。第３部分１０ｃは第１部分３０ａと第２部分３０ｂを接続する部分である。カバー３０は例えば厚さ０．１ｍｍのステンレス板である。カバー３０は金属板でもよいが絶縁板でもよい。磁石３２が強磁性体を含むシールリング１２に磁石３２が有する磁力によって吸着することにより、カバー３０は基板１０に脱着可能に固定される。
【００２７】
磁石３２の有する磁力による吸着力は、以降の工程においてカバー３０が動かず、かつカバー３０を取り付けるときに基板１０および／または半導体チップ２０を傷つけない範囲で設定する。例えば、基板１０およびシールリング１２等のパッケージの重量が２．５ｇのとき、１個当たりの磁石３２の有する磁力による吸着力を１００ｇｆ程度（２個で２００ｇｆ程度）とする。
【００２８】
図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）の領域Ｂの拡大図である。図４（ａ）および図４（ｂ)に示すように、カバー３０が覆っていない基板１０上に電子部品２２を搭載する。電子部品２２は例えばチップコンデンサ、チップインダクタまたはチップ抵抗等のチップ部品である。図４（ｃ）に示すように、電子部品２２は半田２４を介し配線１４に搭載される。半田２４として、ＳｎＡｇＣｕ半田を用いる場合、酸化防止のため窒素雰囲気中のヒートステージ上で、基板１０上に半導体チップ２０を搭載する。ヒートステージの温度はＳｎＡｇＣｕが溶融する温度であり例えば２３０℃である。
【００２９】
半田２４の融点は半導体チップ２０を搭載する半田２１の融点より低いことが好ましい。これにより、ヒートステージの温度を、半導体チップ２０を搭載する半田２１の融点より低くできる。ＳｎＡｇＣｕ半田は、フラックス入りでもよいが、電気的接続の信頼性の確保、半田からのアウトガスの低減、および／または作業性の観点から樹脂系ペーストを用いないフラックスレスであることが好ましい。フラックスレスの半田２４は微細な飛沫が飛散することがある。カバー３０により、半導体チップ２０上またはその周辺への半田２４の飛散を抑制できる。
【００３０】
電子部品２２の搭載は、例えば作業者がピンセットを用い行う。または、電子部品２２を搭載する装置がツールを用い行う。第１部分３０ａが薄いため、カバー３０がピンセットまたはツールの妨げになることを抑制できる。カバー３０が基板１０に仮固定されているため、電子部品２２を搭載するときに、カバー３０が動いてしまうことを抑制できる。カバー３０が動いてしまう要因としては、基板１０およびシールリング１２の寸法のばらつき、基板１０、シールリング１２およびカバー３０の熱膨張差、および／またはピンセットまたはツール等の作業がある。例えば、作業者が搭載作業をし易くするために、全体を回転させる場合に、カバー３０が慣性力によって動いてしまう場合がある。上述したようにカバー３０が適度な強度の磁力によって基板１０に仮固定されていることで、そういったずれを防ぐことができる。
【００３１】
図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、カバー３０を基板１０から取り外す。カバー３０は磁石３２がシールリング１２に吸着しているだけであるため、ピンセット等を用い簡単に基板１０から取り外すことができる。なお、磁石３２の磁力が強いと、カバー３０を上方に持ち上げたときに、基板１０から容易に離れずに、基板１０もカバー３０と一緒に上に持ち上がってしまうことがあり得る。それによって作業性が悪くなったり、基板１０に傷をつけてしまう虞がある。このため、磁石３２の磁力は程度な大きさであることが好ましい。例えば、基板１０の重力よりも小さいことが好ましい。また、上述したカプトンテープと違って、仮固定に糊等の接着剤を使用しない。このため、カバー３０を基板１０から取り外す際に接着剤の残余を生じることが無い。従って、そういった残余によるごみおよび／または汚れを生じないので、品質低下を防ぐことができる。
【００３２】
図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、半導体チップ２０の上面に形成されたパッド（不図示）と配線１４とをボンディングワイヤ２６を用い接続する。ボンディングワイヤ２６は例えば金ワイヤ等の金属ワイヤである。これにより、半導体チップ２０と配線１４とが電気的に接続される。
【００３３】
図７に示すように、シールリング１２上にリッド１８を固定する。シールリング１２とリッド１８との固定は例えばシーム溶接を用いる。なお、基板１０は、多層セラミック基板であって、基板１０とシールリング１２とは、セラミックパッケージを構成していてもよい。
【００３４】
図６（ａ）および図６（ｂ）を用い、実施例１に係る半導体装置について説明する。実施例１の半導体装置は光送信用の変調器を駆動するドライバ装置である。半導体チップ２０には各々ドライバ用の差動増幅回路が形成されている。４つの半導体チップ２０は４チャネルに相当する。基板１０の下面には入力端子２８ａおよび出力端子２８ｂとしてパッドが形成されている。入力端子２８ａおよび出力端子２８ｂは基板１０を貫通する内部配線２９を介し基板１０上面の配線１４に電気的に接続される。
【００３５】
入力端子２８ａに入力した入力信号は、内部配線２９、配線１４ａ、チップコンデンサ２２ａ、配線１４ｂおよびボンディングワイヤ２６を介し半導体チップ２０に至る。半導体チップ２０から出力した出力信号は、ボンディングワイヤ２６、配線１４ｃ、チップコンデンサ２２ｃ、配線１４ｄおよび内部配線２９を介し出力端子２８ｂに至る。チップコンデンサ２２ａおよび２２ｃはＤＣ（Direct Current）カットコンデンサである。配線１４ｃには、バイアス端子（不図示）、内部配線（不図示）、配線１４ｅおよびチップインダクタ２２ｂを介しバイアス電圧が印加される。チップインダクタ２２ｂはバイアスＴ回路用のインダクタである。半導体チップ２０に電源電位およびグランド電位を供給する配線は図示を省略している。
【００３６】
実施例１によれば、図２（ａ）および図２（ｂ）のように、強磁性体を含むシールリング１２（部材）が設けられた基板１０上に半導体チップ２０（第１電子部品）を搭載する。図３（ａ）および図３（ｃ）のように、磁石３２をシールリング１２に吸着させることにより、磁石３２が設けられたカバー３０を、半導体チップ２０を覆うように基板１０上に着脱可能に固定する。図４（ａ）および図４（ｃ）のように、カバー３０が基板１０上に固定された状態で、基板１０上に電子部品２２（第２電子部品）を半田２４を用い搭載する。
【００３７】
電子部品２２を基板１０に搭載するときに、半導体チップ２０およびその周辺をカバー３０が覆っているため、半田２４の飛沫が飛散して、半導体チップ２０の上面および／または配線１４に付着することを抑制できる。カバー３０が磁石３２の有する磁力でシールリング１２に吸着されているため、ピンセットまたはツールで電子部品２２を基板１０上に搭載するときに、カバー３０が動いてしまうことを抑制できる。また、糊等が基板１０に残存することを抑制できる。
【００３８】
カバー３０として耐熱性の絶縁体板を用いてもよい。また、カバー３０としてステンレス板等の金属板を用いてもよい。これにより、電子部品２２を搭載するときの温度に対する耐熱性を確保できる。カバー３０を例えば電子部品２２の少なくとも１つより薄くする。これにより、電子部品２２を基板１０に搭載するときに、ピンセットおよび／またはツールの先端がカバー３０に接触してしまうことを防いで操作性を向上できる。
【００３９】
強磁性体を含む部材としてシールリング１２を例に説明したが、部材はシールリング１２以外でもよい。シールリング１２はコバール等の強磁性体を含む。よって、シールリング１２に磁石３２を磁力によって吸着させることで部材の個数を削減できる。
【００４０】
第１電子部品の例として半導体チップ２０、第２電子部品の例としてチップ部品等の電子部品２２を例に説明したが、これらは他の電子部品でもよい。半導体チップ２０および電子部品２２の個数は適宜設定できる。
【００４１】
図２（ａ）および図２（ｂ）のように、半導体チップ２０の上面が基板１０の上面より低くなるように、基板１０の上面に設けられた開口１１（凹部）内に半導体チップ２０を搭載する。これにより、図３（ａ）および図３（ｃ）において、カバー３０が半導体チップ２０の上面に接触することを抑制できる。
【００４２】
図５（ａ）および図５（ｂ）のように、カバー３０は磁石３２の磁力で基板１０に固定されていることから、電子部品２２を基板１０上に搭載した後、カバーを基板１０から簡単に取り外すことができる。
【００４３】
図６（ａ）および図６（ｂ）のように、カバー３０を基板１０から取り外した後、半導体チップ２０と基板１０とをボンディングワイヤ２６で接続する。図４（ａ）および図４（ｂ）において、ボンディングワイヤ２６が接続される半導体チップ２０および配線１４はカバー３０で覆われている。これにより、半導体チップ２０および配線１４上に半田２４が飛散することを抑制できる。よって、ボンディングワイヤ２６が接続できない等の不良を抑制できる。
【実施例２】
【００４４】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図８（ａ）において、基板１０の絶縁層１０ａに設けられた穴４０および凸部４１を破線で示している。図８（ａ）に示すように、カバー３０下の絶縁層１０ａにスリット状の穴４０が設けられている。図８（ｂ）に示すように、穴４０は、基板１０の上面に設けられた凹部である。カバー３０の下面には凸部４１が設けられている。凸部４１は穴４０にはめ込まれている。
【００４５】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、カバー３０に穴４３が設けられている。基板１０の上面には凸部４２が設けられている。凸部４２は穴４３にはめ込まれている。
【００４６】
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例２の変形例２に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、カバー３０に穴４５が設けられている。シールリング１２の側面には凸部４４が設けられている。凸部４４は穴４５にはめ込まれている。
【００４７】
実施例１において、磁石３２の有する磁力による吸着力を基板１０および半導体チップ２０を傷つけない程度とすると、電子部品２２を基板１０に搭載するときに、カバー３０が動いてしまうこともある。
【００４８】
実施例２およびその変形例では、基板１０またはシールリング１２に設けられた凹部にカバー３０に設けられた凸部をはめ込む。または、基板１０またはシールリング１２に設けられた凸部にカバー３０に設けられた凹部をはめ込む工程を含む。これにより、電子部品２２を基板１０に搭載するときに、例えば、作業者が基板１０を比較的速く動かして、それによるカバー３０の慣性力が強くなった場合でもカバー３０が動くことを抑制できる。
【００４９】
凸部および凹部の形状は、円形状、四角形状、半円形状等任意である。また、カバー３０に凹部を設ける場合、凹部はカバー３０を貫通してもよいし、貫通していなくてもよい。基板１０に凹部を設ける場合、凹部は最上の絶縁層１０ａを貫通してもよいし、貫通しなくてもよい。
【実施例３】
【００５０】
図１１は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１１を示すように、基板５０の上面に磁石５２が設けられている。磁石５２は基板５０に強固に接着されている。カバー３０を基板１０から取り外すときに、基板１０を基板５０上に配置する。このとき、磁石５２の上面と磁石３２の下面とが対向するようにする。磁石５２と磁石３２は、それぞれの磁石が有する磁力が互いに反発するように、例えば同じ極同士（Ｎ極同士、またはＳ極同士）が対向するようにする。
【００５１】
実施例３によれば、シールリング１２に吸着した磁石３２に、磁石３２の有する磁力と反発する磁力を有する別の磁石５２を近づけることにより、カバー３０を基板１０から取り外す。例えばシールリング１２の上面に吸着した磁石３２に、下面から磁石３２の有する磁力と反発する磁力を有する別の磁石５２を近づけることにより、カバー３０を基板１０から取り外す。これにより、カバー３０を簡単に取り外すことができる。また、カバー３０を取り外すときに、基板１０、半導体チップ２０および／または電子部品２２がカバー３０により破損することを抑制できる。
【００５２】
実施例１から実施例３において、半導体装置として光送信用の変調器を駆動するドライバ装置を例に説明したが、他の用途の半導体装置でもよい。
【００５３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５４】
（付記１）
強磁性体を含む部材が設けられた基板上に第１電子部品を搭載する工程と、
磁石を前記磁石の有する磁力によって前記部材に吸着させることにより、前記磁石が設けられたカバーを、前記第１電子部品を覆うように前記基板上に着脱可能に固定する工程と、
前記カバーが前記基板上に固定された状態で、前記基板上に第２電子部品を半田を用い搭載する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記部材はシールリングである付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記第１電子部品を搭載する工程は、前記第１電子部品の上面が前記基板の上面より低くなるように、前記基板の上面に設けられた凹部内に前記第１電子部品を搭載する工程を含む付記１または２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記カバーを前記基板上に着脱可能に固定する工程は、前記基板または前記部材に設けられた凹部に前記カバーに設けられた凸部をはめ込む、または、前記基板または前記部材に設けられた凸部に前記カバーに設けられた凹部をはめ込む工程を含む付記１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記カバーを前記基板から取り外す工程を含む付記１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記部材に吸着した磁石に、前記磁石の有する磁力と反発する磁力を有する別の磁石を近づけることにより、前記カバーを前記基板から取り外す工程を含む付記１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記カバーを前記基板から取り外した後、前記第１電子部品と前記基板とをボンディングワイヤで接続する工程を含む付記５または６記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記第１電子部品は半導体チップである付記１から７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記第２電子部品はチップ部品である付記１から８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記カバーは前記第２電子部品より薄い付記１から９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記カバーは金属板である付記１から１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５５】
１０  基板
１０ａ−１０ｃ  絶縁層
１１  開口
１２  シールリング
１４、１４ａ−１４ｅ  配線
１８  リッド
２０  半導体チップ
２１  半田
２２  電子部品
２２ａ、２２ｃ  チップコンデンサ
２２ｂ  チップインダクタ
２４  半田
２６  ボンディングワイヤ
２８ａ  入力端子
２８ｂ  出力端子
２９  内部配線
３０  カバー
３０ａ  第１部分
３０ｂ  第２部分
３０ｃ  第３部分
３２、５２  磁石
４１、４２、４４  凸部
４０、４３、４５  穴
５０  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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