(57)【要約】【課題】本発明は、微細気泡に起因する暗点多発と駆動不良を防止し、ストレスを緩和させる表示装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る表示装置は、フレキシブル基板、薄膜トランジスタ、第１電極、バンク層、有機膜層及び第２電極を含む。薄膜トランジスタは、フレキシブル基板上に配置され、第１電極は、薄膜トランジスタに接続される。バンク層は、第１電極を露出する画素定義部を含み、有機膜層は、第１電極とバンク層上に配置される。第２電極は、有機膜層上に配置される。バンク層は、画素定義部と離隔されて配置される溝部をさらに含む。【選択図】図１１
2018085336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された第１電極と、
前記第１電極を露出する画素定義部を含むバンク層と、
前記第１電極と前記バンク層上に配置される有機膜層と、
前記有機膜層上に配置される第２電極と
を含み、
前記バンク層は、前記画素定義部と離隔されて配置される溝部をさらに含む
表示装置。
【請求項２】
前記溝部は、前記バンク層の一部が凹に入るか、前記バンク層を貫通することによる溝形状からなる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記溝部は、前記薄膜トランジスタ及び前記第１電極と重畳されないように形成される
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２電極上に配置される保護膜と、
前記保護膜上に配置される接着層と、
前記接着層上に配置される上部保護部材と
をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記バンク層の画素定義部において、前記保護膜と前記接着層との間に第１捕集空間が配置され、前記バンク層の溝部において、前記保護膜と前記接着層との間に第２捕集空間が配置される
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
ゲートラインと、前記ゲートラインに交差するデータライン及び電源ラインとの交差によってフレキシブル基板上に定義された複数のサブピクセルを含む表示装置において、
光を発光する発光部と、少なくとも薄膜トランジスタが配置された素子部とを含む前記複数のサブピクセルと、
前記複数のサブピクセルのそれぞれにおいて、前記薄膜トランジスタに接続された第１電極、前記第１電極を露出する画素定義部を含むバンク層、前記第１電極と前記バンク層上に配置される有機膜層、及び前記有機膜層上に配置される第２電極と
を含み、
前記バンク層が、前記画素定義部と離隔されて配置される溝部をさらに含む
表示装置。
【請求項７】
前記溝部は、前記ゲートラインと重畳される
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記溝部は、前記データライン及び前記電源ラインと重畳される
請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記溝部は、前記バンク層の一部が凹に入るか、前記バンク層を貫通することによる溝形状からなる
請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記溝部は、前記薄膜トランジスタ及び前記第１電極と重畳されないように形成される
請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２電極上に配置される保護膜と、
前記保護膜上に配置される接着層と、
前記接着層上に配置される上部保護部材と
をさらに含む、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記バンク層の画素定義部において、前記保護膜と前記接着層との間に第１捕集空間が配置され、前記バンク層の溝部において、前記保護膜と前記接着層との間に第２捕集空間が配置される
請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、さらに詳しくは、微細気泡による駆動不良を防止し、構造物のストレスを緩和させることができる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置への要求が様々な形で増加している。表示装置の分野は、かさばる陰極線管（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）を代替する、薄く、軽く、大面積が可能な平板表示装置（Flat Panel Display Device：ＦＰＤ）に急速に変化してきた。平板表示装置には、液晶表示装置（Liquid Crystal Display Device：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display Device：ＯＬＥＤ）それと電気泳動表示装置（Electrophoretic Display Device：ＥＤ）などがある。
【０００３】
この内、有機発光表示装置は、自ら発光する自発光素子として応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きい長所がある。特に、有機発光表示装置は、柔軟な（flexible）プラスチック基板上にも形成することができるだけでなく、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel）や無機電界発光（ＥＬ）ディスプレイに比べて、低電圧で駆動が可能であり、電力消耗が比較的少なく、色味が優れているという長所がある。
【０００４】
柔軟なプラスチック基板を有する有機発光表示装置は、ガラス基板上にポリイミドをコーティングした後、薄膜トランジスタ及び有機発光ダイオードなどの素子が製造され、上部の金属シートを接着剤で合着して製造される。パッド部にチップオンフィルム（Chip on Film;ＣＯＦ）が付着され、ガラス基板を分離した後、ポリイミド基板に保護フィルムを合着することにより、柔軟なポリイミド基板を備える有機発光表示装置が製造される。
【０００５】
前述した金属シートと素子が形成された基板を合着する工程において、微細気泡が発生する。発生した微細気泡は、素子内部に閉じ込められ、金属シートの表面に突出する形状で示される。しかし、ガラス基板が分離された後、金属シートが強い剛性を有するようになって金属シートが押し出す力によって、微細気泡が有機発光ダイオードの内部に押されて、発光層が剥離するという問題がある。したがって、発光層の剥離のために暗点束が発生して駆動不良が発生するなどの問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、微細気泡に起因する暗点多発と駆動不良を防止し、ストレスを緩和させることができる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した目的を達成するために、本発明の一実施形態に係る表示装置は、フレキシブル基板、薄膜トランジスタ、第１電極、バンク層、有機膜層及び第２電極を含む。薄膜トランジスタは、フレキシブル基板上に配置され、第１電極は、薄膜トランジスタに接続される。バンク層は、第１電極を露出する画素定義部を含み、有機膜層は、第１電極とバンク層上に配置される。第２電極は、有機膜層上に配置される。バンク層は、画素定義部と離隔されて配置される溝部をさらに含む。
【０００８】
溝部は、バンク層の一部が凹に入るか、バンク層を貫通する溝形状になる。
【０００９】
溝部は、薄膜トランジスタ及び第１電極と重畳しない。
【００１０】
第２電極上に配置される保護膜、保護膜上に配置される接着層、及び接着層上に配置される上部保護部材をさらに含む。
【００１１】
バンク層の画素定義部で保護膜と接着層との間に第１捕集空間が配置され、バンク層の溝部で保護膜と接着層との間に第2捕集空間が配置される。
【００１２】
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、フレキシブル基板上にゲートライン、ゲートラインと交差するデータラインと電源ラインの交差で定義された複数のサブピクセルを含む。複数のサブピクセルは、光を発光する発光部と、少なくとも薄膜トランジスタが配置された素子部を含む。複数のサブピクセルのそれぞれで薄膜トランジスタに接続された第１電極、第１電極を露出する画素定義部を含むバンク層、第１電極とバンク層上に配置される有機膜層、及び有機膜層上に配置される第２電極を含む。バンク層が画素定義部と離隔されて配置される溝部を含む。
【００１３】
溝部は、前記ゲートラインと重畳されるか、または、データライン及び電源ラインと重畳される。
【００１４】
溝部は、バンク層の一部が凹に入るか、または、バンク層を貫通する溝形状になる。
【００１５】
溝部は、薄膜トランジスタ及び第１電極と重畳されない。
【００１６】
第２電極上に配置される保護膜、保護膜上に配置される接着層、及び接着層上に配置される上部保護部材をさらに含む。
【００１７】
バンク層の画素定義部で保護膜と接着層との間に第１捕集空間が配置され、バンク層の溝部で保護膜と接着層との間に第２捕集空間が配置される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、バンク層に溝部を備え、気泡の捕集空間をさらに確保することで、気泡による駆動不良と暗点多発を防止することができる。また、全体の有機発光表示装置においてのストレスを緩和させて、有機発光表示装置を曲げたり広げたりする動作が繰り返されても、積層膜がストレスによって損傷されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】有機発光表示装置の概略的なブロック図である。
【図２】サブピクセルの回路構成を示した第１例示図である。
【図３】サブピクセルの回路構成を示す第２例示図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のサブピクセルを示す平面図である。
【図６】有機発光表示装置の製造工程を示した図である。
【図７】有機発光表示装置の製造工程を示した図である。
【図８】有機発光表示装置の製造工程を示した図である。
【図９】有機発光表示装置の微細気泡の移動を模式化した断面図である。
【図１０】有機発光表示装置の微細気泡の移動を模式化した断面図である。
【図１１】前述した図５の切り取り線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取りした断面図である。
【図１２】サブピクセルを示す平面図である。
【図１３】サブピクセルを示す平面図である。
【図１４】サブピクセルを示す平面図である。
【図１５】図１２の切り取り線ＩＩ−ＩＩ′に沿って切り取りした断面図である。
【図１６】比較例に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図１７】比較例に係るサブピクセルを示す平面図である。
【図１８】比較例に係る有機発光表示装置の点灯イメージである。
【図１９】比較例に係る有機発光表示装置の点灯イメージである。
【図２０】比較例に係る有機発光表示装置の点灯イメージである。
【図２１】図１１のＡ領域のストレス様態を模式化した図である。
【図２２】図１１のＢ領域のストレス様態を模式化した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。明細書の全体に亘って同一な参照番号は、実質的に同一な構成要素を意味する。以下の説明において、本発明と関連した公知技術或いは構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明で用いられる構成要素の名称は、明細書作成の容易さを考慮して選択されたもので有り得、実際の製品の名称とは異なることがある。
【００２１】
本発明に係る表示装置は、柔軟なフレキシブル基板上に表示素子が形成されたフレキシブル表示装置である。フレキシブル表示装置の例として、有機発光表示装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置などが使用可能であるが、本発明においては、有機発光表示装置を例として説明する。有機発光表示装置は、アノードである第１電極とカソードである第２電極との間に有機物からなる有機膜層を含む。したがって、第１電極から供給を受ける正孔と第２電極から供給を受ける電子が有機膜層内で結合して正孔−電子対である励起子（exciton）を形成し、励起子が基底状態に戻りながら発生するエネルギーによって発光する自発光表示装置である。
【００２２】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
【００２３】
図１は、有機発光表示装置の概略的なブロック図であり、図２は、サブピクセルの回路構成を示した第１例示図であり、図３は、サブピクセルの回路構成を示す第２例示図である。
【００２４】
図１を参照すると、有機発光表示装置は、映像処理部１０、タイミング制御部２０、データ駆動部３０、ゲート駆動部４０及び表示パネル５０を含む。
【００２５】
映像処理部１０は、外部から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）に加え、データイネーブル信号（ＤＥ）などを出力する。映像処理部１０は、データイネーブル信号（ＤＥ）のほかにも、垂直同期信号と水平同期信号及びクロック信号の内、いずれか１つ以上を出力することができるが、この信号は、説明の便宜上省略して示す。映像処理部１０は、システム回路基板にＩＣ（Integrated Circuit）の形態で形成される。
【００２６】
タイミング制御部２０は、映像処理部１０からのデータイネーブル信号（ＤＥ）、または垂直同期信号、水平同期信号及びクロック信号などを含む駆動信号に加えてデータ信号（ＤＡＴＡ）の供給を受ける。
【００２７】
タイミング制御部２０は、駆動信号に基づいて、ゲート駆動部４０の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）とデータ駆動部３０の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）を出力する。タイミング制御部２０は、制御回路基板にＩＣの形で形成される。
【００２８】
データ駆動部３０は、タイミング制御部２０から供給されたデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）に応答して、タイミング制御部２０から供給されるデータ信号（ＤＡＴＡ）をサンプリングし、ラッチしてガンマ基準電圧に変換して出力する。データ駆動部３０は、データライン（ＤＬ１〜ＤＬｎ）を介してデータ信号（ＤＡＴＡ）を出力する。データ駆動部３０は、基板上にＩＣの形で取り付けられる。
【００２９】
ゲート駆動部４０は、タイミング制御部２０から供給されたゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）に応答して、ゲート電圧のレベルをシフトさせながら、ゲート信号を出力する。ゲート駆動部４０は、ゲートライン（ＧＬ１〜ＧＬｍ）を介してゲート信号を出力する。ゲート駆動部４０は、ゲート回路基板にＩＣの形で形成されるか表示パネル５０にゲートインパネル（Gate In Panel、ＧＩＰ）方式で形成される。
【００３０】
表示パネル５０は、データ駆動部３０と、ゲート駆動部４０から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）及び、ゲート信号に対応して映像を表示する。表示パネル５０は、映像を表示するサブピクセル（ＳＰ）を含む。
【００３１】
図２を参照すると、一つのサブピクセルは、スイッチングトランジスタ（ＳＷ）、駆動トランジスタ（ＤＲ）、補償回路（ＣＣ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含む。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、駆動トランジスタ（ＤＲ）によって形成された駆動電流に応じて光を発光するように動作する。
【００３２】
スイッチングトランジスタ（ＳＷ）は、ゲートライン（ＧＬ１）を介して供給されたゲート信号に応答して、第１データライン（ＤＬ１）を介して供給されるデータ信号がキャパシタ（Ｃｓｔ）にデータ電圧として貯蔵されるようにスイッチング動作する。駆動トランジスタ（ＤＲ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に貯蔵されたデータ電圧に応じて高電位電源ライン（ＶＤＤ）と低電位電源ライン(ＧＮＤ)の間に駆動電流が流れるように動作する。補償回路（ＣＣ）は、駆動トランジスタ（ＤＲ）のしきい電圧などを補償するための回路である。また、スイッチングトランジスタ（ＳＷ）や駆動トランジスタ（ＤＲ）に接続されたキャパシタは、補償回路（ＣＣ）の内部に位置することができる。補償回路（ＣＣ）は、１つ以上の薄膜トランジスタとキャパシタで構成される。補償回路（ＣＣ）の構成は、補償方法に応じて、非常に多様であるため、これに対する具体的な例示と説明は、省略する。
【００３３】
また、図３に示すように、補償回路（ＣＣ）が含まれた場合、サブピクセルには、補償薄膜トランジスタを駆動するとともに、特定の信号や電源を供給するための信号ラインと電源ラインなどがさらに含まれる。ゲートライン（ＧＬ１）は、スイッチングトランジスタ（ＳＷ）にゲート信号を供給する第１−１ゲートライン（ＧＬ１ａ）と、サブピクセルに含まれた補償薄膜トランジスタを駆動するための第１−２ゲートライン（ＧＬ１ｂ）をを含むことができる。そして、追加された電源ラインは、サブピクセルの特定ノードを特定電圧に初期化するための初期化電源ライン（ＩＮＩＴ）で定義することができる。しかし、これは一つの例示であるだけで、これに限定されない。
【００３４】
一方、図２及び図３においては、１つのサブピクセルに補償回路（ＣＣ）が含まれたことを一例とした。しかし、補償の主体が、データ駆動部３０などのように、サブピクセルの外部に位置する場合、補償回路（ＣＣ）は、省略されることもある。つまり、１つのサブピクセルは、基本的にスイッチングトランジスタ（ＳＷ）、駆動トランジスタ（ＤＲ）、キャパシタ、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含む２Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造で構成されるが、補償回路（ＣＣ）が追加された場合、３Ｔ１Ｃ、４Ｔ２Ｃ、５Ｔ２Ｃ、６Ｔ２Ｃ、７Ｔ２Ｃなどで多様に構成することもできる。また、図２及び図３においては、補償回路（ＣＣ）がスイッチングトランジスタ（ＳＷ）と駆動トランジスタ（ＤＲ）の間に位置することで示したが、駆動トランジスタ（ＤＲ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の間にも、さらに位置することもできる。補償回路（ＣＣ）の位置と構造は、図２と図３に限定されない。
【００３５】
図４は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置を示す平面図である。図５は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置のサブピクセルを示す平面図である。
【００３６】
図４を参照すると、有機発光表示装置は、フレキシブル基板（ＰＩ）、表示部（Ａ/Ａ）及び表示部（Ａ/Ａ）のほか、フレキシブル基板（ＰＩ）の右側に配置されたＧＩＰ駆動部（ＧＩＰ）、及びフレキシブル基板（ＰＩ）の下側に配置されたパッド部（ＰＤ）を含む。表示部（Ａ/Ａ）は、複数のサブピクセル（ＳＰ）が配置され、Ｒ、Ｇ、Ｂ、またはＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗを発光してフルカラーを実現する。表示部（Ａ/Ａ）の一側、たとえば右側にはＧＩＰ駆動部（ＧＩＰ）が配置されて表示部（Ａ/Ａ）にゲート駆動信号を印加する。パッド部（ＰＤ）は、表示部（Ａ/Ａ）の一側、例えば下側に配置され、パッド部（ＰＤ）にチップオンフィルム（ＣＯＦ）が取り付けられる。表示部（Ａ/Ａ）から接続された複数の信号線（図示せず）に、チップオンフィルム（ＣＯＦ）を介して印加されるデータ信号及び電源が印加される。
【００３７】
図５を参照して、有機発光表示装置のサブピクセル（ＳＰ）の平面構造を注意深く見る。
【００３８】
図５を参照すると、有機発光表示装置は、フレキシブル基板上にゲートライン（ＧＬ１）、ゲートライン（ＧＬ１）と交差するデータライン（ＤＬ１）及び電源ライン（ＶＤＤ）が配置されてサブピクセルを区画する。サブピクセル（ＳＰ）には、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｓ_ＴＦＴ）、駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）及びキャパシタ（Ｃｓｔ）が配置され、駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）が接続された有機発光ダイオード（図示せず）が配置される。スイッチング薄膜トランジスタ（Ｓ_ＴＦＴ）は、画素を選択する機能をする。スイッチング薄膜トランジスタ（Ｓ_ＴＦＴ）は、半導体層１２１、ゲートライン（ＧＬ１）から分岐されたゲート電極１２３、データライン（ＤＬ１）から分岐されたソース電極１２４と、ドレイン電極１２６を含む。キャパシタ（Ｃｓｔ）は、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｓ_ＴＦＴ）のドレイン電極１２６と接続されたキャパシタ下部電極１２７と電源ライン（ＶＤＤ）に接続されたキャパシタ上部電極１２８を含む。駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）は、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｓ_ＴＦＴ）によって選択された画素の第１電極（ＡＮＯ）を駆動する役割をする。駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）は、半導体層１２０、キャパシタ下部電極１２７に接続されたゲート電極１３０、電源ライン（ＶＤＤ）から分岐されたソース電極１４０とドレイン電極１４５を含む。有機発光ダイオード（図示せず）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）のドレイン電極１４５に接続された第１電極（ＡＮＯ）、第１電極（ＡＮＯ）上に形成された発光層を含む発光層（図示せず）及び第２電極（図示せず）を含む。
【００３９】
前述した有機発光表示装置は、次のように製造することができる。図６〜８は、有機発光表示装置の製造工程を示す断面図であり、図９及び図１０は、有機発光表示装置の微細気泡の移動を模式化した断面図である。
【００４０】
図６を参照すると、ガラス基板（ＧＬＳ）上にポリイミドをコーティングしてフレキシブル基板（ＰＩ）を形成する。フレキシブル基板（ＰＩ）上に薄膜トランジスタアレイ（ＴＦＴＡ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を形成して薄膜トランジスタのアレイ（ＴＦＴＡ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を保護する保護膜（ＰＲＬ）を形成する。そして接着層（ＡＤＨ）を介して金属シートからなる上部保護部材（ＵＰ）を合着してカプセル化する。続いて、フレキシブル基板（ＰＩ）のパッド部に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いてチップオンフィルム（ＣＯＦ）を取り付け、パッド部にｔｕｆ（ＴＵＦ）を塗布する。次に、図７及び図８を参照すると、レーザーを用いて、フレキシブル基板（ＰＩ）の下部のガラス基板（ＧＬＳ）を分離する。ガラス基板（ＧＬＳ）が除去されたフレキシブル基板（ＰＩ）の下部面に樹脂フィルムからなる下部保護部材（ＬＰ）を取り付けて、有機発光表示装置を製造する。
【００４１】
図９を参照すると、大面積のフレキシブル基板（ＰＩ）と、上部保護部材（ＵＰ）の合着工程で微細気泡は、存在してしまう。この微細気泡は、有機発光ダイオードの発光部を定義するバンク層の段差による空間で捕集される。しかし、微細気泡が多く発生すると、捕集される容量を超えてバンク層の段差のほか、平坦な部分にも微細気泡が存在することになる。これは、上部保護部材（ＵＰ）の表面に突出する現象として現れるが、外観上の問題があるだけで、駆動不良を誘発しない。
【００４２】
しかし、図１０に示すように、ガラス基板（ＧＬＳ）が最も強い剛性を有していたが、フレキシブル基板（ＰＩ）からガラス基板（ＧＬＳ）が分離されると、フレキシブル基板（ＰＩ）が最も強い剛性を有するようになる。したがって、上部保護部材（ＵＰ）が押し出す力によって、上部に位置していた気泡が垂直な方向に押されて移動するようになる。上部保護部材（ＵＰ）の剛性によって下部に押し出される気泡は、接着力が最も脆弱な発光層とカソード電極の界面に剥離を起こさせ、薄膜トランジスタを物理的な力で破壊させる。したがって、素子の駆動不良とサブピクセルの暗点束が発生して、フレキシブル基板（ＰＩ）の下部表面すなわち映像表示面が突出するなどの問題が発生する。
【００４３】
したがって、本発明は、微細気泡の捕集空間を増加させて、前述した駆動不良、暗点多発などを防止することができる有機発光表示装置を提供する。
【００４４】
図１１は、前述した図５の切り取り線Ｉ−Ｉ’に基づいて切り取りした断面図であり、図１２〜図１４は、サブピクセルを示す平面図であり、図１５は、図１２の切り取り線ＩＩ−ＩＩ′に基づいて切り取りした断面図であり、図１６は、比較例に係る有機発光表示装置の断面図であり、図１７は、比較例に係るサブピクセルを示す平面図である。
【００４５】
図１１を参照すると、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、フレキシブル基板（ＰＩ）上に第１バッファ層（ＢＵＦ１）が位置する。フレキシブル基板（ＰＩ）は、例えば、ポリイミド（Polyimide）基板で有り得る。したがって、本発明のフレキシブル基板（ＰＩ）は、柔軟な（flexible）な特性を有する。第１バッファ層（ＢＵＦ１）は、フレキシブル基板（ＰＩ）で流出されるアルカリイオンなどのような不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスタを保護する役割をする。第１バッファ層（ＢＵＦ１）は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）またはこれらの多重層で有り得る。
【００４６】
第１バッファ層（ＢＵＦ１）上にシールド層（ＬＳ）が位置する。シールド層（ＬＳ）は、ポリイミド基板を用いることにより、発生できるパネル駆動電流が減少することを防止する役割をする。シールド層（ＬＳ）上に第２バッファ層（ＢＵＦ２）が位置する。第２バッファ層（ＢＵＦ２）は、シールド層（ＬＳ）から流出するアルカリイオンなどの不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスタを保護する役割をする。第２バッファ層（ＢＵＦ２）は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）またはこれらの多重層で有り得る。
【００４７】
第２バッファ層（ＢＵＦ２）上に半導体層１２０が位置する。半導体層１２０は、シリコン半導体や酸化物半導体から成り得る。シリコン半導体は、非晶質シリコンまたは結晶化された多結晶シリコンを含むことができる。ここで、多結晶シリコンは、移動度が高く（１００ｃｍ２/Ｖｓ以上）、エネルギー消費電力が低く、信頼性が優れ、駆動素子用のゲートドライバ及び/またはマルチプレクサ（ＭＵＸ）に適用したり、画素内駆動ＴＦＴに適用したりすることができる。一方、酸化物半導体は、オフ−電流が低いので、オン（Ｏｎ）時間が短くオフ（Ｏｆｆ）時間を長く維持するスイッチングＴＦＴに適合する。また、オフ電流が小さいので、画素の電圧を維持する期間が長く、低速駆動及び/または低消費電力を要する表示装置に適合する。また、半導体層１２０は、ｐ型またはｎ型の不純物を含むドレイン領及びソース領域を含み、これらの間にチャネルを含む。
【００４８】
半導体層１２０上にゲート絶縁膜（ＧＩ）が位置する。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）またはこれらの多重層で有り得る。ゲート絶縁膜（ＧＩ）上に前記半導体層１２０の一定領域、すなわち、不純物が注入された場合のチャンネルと対応する位置に、ゲート電極１３０が位置する。また、半導体層１２０の一領域上に、キャパシタ下部電極１２７が、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を間に置いて配置され、第１バッファ層（ＢＵＦ１）上にゲートライン（ＧＬ１）がゲート絶縁膜（ＧＩ）を間に置いて配置される。ゲート電極１３０とキャパシタ下部電極１２７は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金からなる。また、ゲート電極１３０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金からなる多重層で有り得る．例えば、ゲート電極１３０は、モリブデン／アルミニウム−ネオジムまたはモリブデン／アルミニウムの２重層で有り得る。
【００４９】
ゲート電極１３０上にゲート電極１３０を絶縁させる層間絶縁膜（ＩＬＤ）が位置する。層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの多重層で有り得る。層間絶縁膜（ＩＬＤ）の一部領域に半導体層１２０の一部を露出させるコンタクトホール（ＣＨ）が位置する。
【００５０】
層間絶縁膜（ＩＬＤ）上にソース電極１４０とドレイン電極１４５が位置する。ドレイン電極１４５は、半導体層１２０のドレイン領域を露出するコンタクトホール（ＣＨ）を介して半導体層１２０に接続され、ソース電極１４０は、半導体層１２０のソース領域を露出するコンタクトホール（ＣＨ）を介して半導体層１２０に接続される。また、層間絶縁膜（ＩＬＤ）上にキャパシタ上部電極１２８が配置される。ソース電極１４０、ドレイン電極１４５とキャパシタ上部電極１２８は、単一層または複数層からなることができ、ソース電極１４０、ドレイン電極１４５及びキャパシタ上部電極１２８が、単一層の場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらのの合金から成り得る。また、ソース電極１４０、ドレイン電極１４５及びキャパシタ上部電極１２８が、多重層である場合には、モリブデン／アルミニウム−ネオジムの２重層、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンまたはモリブデン／アルミニウム−ネオジム／モリブデンの３重層から成り得る。したがって、半導体層１２０、ゲート電極１３０、ドレイン電極１４５及びソース電極１４０を含む駆動薄膜トランジスター（Ｄ_ＴＦＴ）が構成される。
【００５１】
駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）を含むフレキシブル基板（ＰＩ）上にパッシベーション膜（ＰＡＳ）が位置する。パッシベーション膜（ＰＡＳ）は、下部の素子を保護する絶縁膜として、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの多重層で有り得る。パッシベーション膜（ＰＡＳ）上にカラーフィルタ（ＣＦ）が位置する。カラーフィルタ（ＣＦ）は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）で発光する白色の光を赤、緑、または青色に変換する役割をする。カラーフィルタ（ＣＦ）上にオーバーコート層（ＯＣ）が位置する。オーバーコート層（ＯＣ）は、下部構造の段差を緩和させるための平坦化膜で有り得、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、アクリル酸（acrylate）などの有機物からなる。オーバーコート層（ＯＣ）は、前記有機物を液状の形でコーティングした後、硬化させるＳＯＧ（spin on glass）のような方法で形成することができる。
【００５２】
オーバーコート層（ＯＣ）の一部領域には、ドレイン電極１４５を露出させるビアホール（ＶＩＡ）が位置する。オーバーコート層（ＯＣ）上に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が位置する。さらに詳しくは、オーバーコート層（ＯＣ）上に第１電極（ＡＮＯ）が位置する。第１電極（ＡＮＯ）は、画素電極として作用し、ビアホール（ＶＩＡ）を介して駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）のドレイン電極１４５に接続される。第１電極（ＡＮＯ）は、アノードにＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）またはＺｎＯ（Zinc Oxide）などの透明導電物質から成り得る。第１電極（ＡＮＯ）が反射電極である場合には、第１電極（ＡＮＯ）は、反射層をさらに含む。反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらの合金からなることができ、好ましくは、ＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）で成り得る。
【００５３】
第１電極（ＡＮＯ）を含むフレキシブル基板（ＰＩ）上に画素を区画するバンク層（ＢＮＫ）が位置する。バンク層（ＢＮＫ）は、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、アクリル酸（acrylate）などの有機物からなる。バンク層（ＢＮＫ）は、第１電極（ＡＮＯ）を露出させる画素定義部（ＯＰ）を含む。フレキシブル基板（ＰＩ）の前面には、第１電極（ＡＮＯ）にコンタクトする有機膜層（ＯＬＥ）が位置する。有機膜層（ＯＬＥ）は、電子と正孔が結合して発光する層として、有機膜層（ＯＬＥ）と、第１電極（ＡＮＯ）の間に正孔注入層または正孔輸送層を含むことができ、有機膜層（ＯＬＥ）上に電子輸送層または電子注入層を含むことができる。
【００５４】
有機膜層（ＯＬＥ）上に第２電極（ＣＡＴ）が位置する。第２電極（ＣＡＴ）は、表示部の前面に位置し、仕事関数が低いマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金によるカソード電極から成り得る。第２電極（ＣＡＴ）が透過電極である場合、光が透過することができる程度に薄い厚さでなり、反射電極である場合、光が反射されることができるほどの厚い厚さになる。
【００５５】
駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が形成されたフレキシブル基板（ＰＩ）の上部面には、保護層（ＰＲＬ）が配置され、保護層（ＰＲＬ）の上部に接着層（ＡＤＨ）を介して上部保護部材（ＵＰ）が取り付けられる。上部保護部材（ＵＰ）は、金属シートで有り得る。また、フレキシブル基板（ＰＩ）の下部面にも接着層（ＡＤＨ）を介して下部保護部材（ＬＰ）が取り付けられる。下部保護部材（ＬＰ）は、光が透過しなければならないため、透明な樹脂フィルムから成り得る。
【００５６】
一方、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、有機膜層（ＯＬＥ）で光を発光する発光部（ＬＥＰ）と、駆動薄膜トランジスタ（Ｄ_ＴＦＴ）、スイッチング薄膜トランジスタ（図示せず）、キャパシタ（Ｃｓｔ）などの素子が形成された素子部（ＤＥＰ）と、バンク層（ＢＮＫ）に形成された溝部（ＧＯＰ）を含む。
【００５７】
本発明のバンク層（ＢＮＫ）は、バンク層（ＢＮＫ）の一部が凹に入った溝部（ＧＯＰ）を含む。バンク層（ＢＮＫ）は、有機膜層（ＯＬＥ）を露出する画素定義部（ＯＰ）だけの段差を有する。バンク層（ＢＮＫ）の画素定義部（ＯＰ）により形成された段差は、保護膜（ＰＲＬ）と、上部保護部材（ＵＰ）の接着層（ＡＤＨ）との間に気泡を捕集することができる第１捕集空間（ＳＰＣ１）を形成する。しかし、第１捕集空間（ＳＰＣ１）は、すべての気泡を捕集しにくいため、本発明においては、バンク層（ＢＮＫ）に溝部（ＧＯＰ）をさらに形成し、第２捕集空間（ＳＰＣ２）をさらに備える。バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）により形成された段差は、保護膜（ＰＲＬ）と、上部保護部材（ＵＰ）の接着層（ＡＤＨ）との間に気泡を捕集することができる第２捕集空間（ＳＰＣ２）を形成する。
【００５８】
図１１及び図１２を参照すると、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）は、サブピクセルの発光部（ＬＥＰ）と素子部（ＤＥＰ）を除外した残りの領域に配置される。バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）は、ゲートライン（ＧＬ１）、データライン（ＤＬ１）及び電源ライン（ＶＤＤ）の内、少なくとも一つと重畳することができる。発光部（ＬＥＰ）には、画素定義部（ＯＰ）が形成されており、素子部（ＤＥＰ）には、段差が激しいため、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）が形成されにくい。したがって、溝部（ＧＯＰ）は、第１電極（ＡＮＯ）と駆動薄膜トランジスター（Ｄ_ＴＦＴ）と重畳されない。
【００５９】
図１３を参照すると、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）は、データライン（ＤＬ１）と電源ライン（ＶＤＤ）に重畳して配置することができる。また、図１４を参照すると、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）は、ゲートライン（ＧＬ１）に重畳して配置することができる。本発明のバンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）は、発光部（ＬＥＰ）と素子部（ＤＥＰ）を除外すると、どこにも配置することができる。
【００６０】
再び図１１を参照すると、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）は、バンク層（ＢＮＫ）の一部を除去した溝形状になることができるが、これに限定されず、バンク層（ＢＮＫ）を完全に除去して下部のパッシベーション膜（ＰＡＳ）を露出する溝形状になることもできる。また、溝部（ＧＯＰ）の深さは、特に限定されず、本発明において、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）の深さは、段差を形成することができれば、溝部（ＧＯＰ）の深さは、大きく関係しない。
【００６１】
図１５を参照すると、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）がデータライン（ＤＬ１）と電源ライン（ＶＤＤ）に重畳されて配置される場合、バンク層（ＢＮＫ）の溝部（ＧＯＰ）は、隣接するサブピクセルの発光部（ＬＥＰ）の間に配置される。
【００６２】
前述したように、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、バンク層（ＢＮＫ）に溝部（ＧＯＰ）を備え、気泡の捕集空間をさらに確保することで、気泡による駆動不良と暗点多発を防止することができる。
【００６３】
一方、図１６及び図１７を参照すると、比較例に係る有機発光表示装置は、発光部（ＬＥＰ）に第１捕集空間（ＳＰＣ１）のみ備えているので、多くの気泡を捕集することができる能力が落ちて、気泡による駆動不良と暗点多発を防止するのは難しい。
【００６４】
図１８〜図２０は、比較例に係る有機発光表示装置の点灯イメージである。
【００６５】
図１８を参照すると、比較例に係る有機発光表示装置は、有機膜層と第２電極との間で気泡による剥離が現れている。図１９を参照すると、フレキシブル基板下部に下部保護部材を取り付けるラミネーション工程が行われた後には、有機膜層と第２電極との間で気泡による剥離が、さらに深刻化されて現れている。図２０を参照すると、有機発光表示装置の点灯時暗点が多発する暗点多発不良が発生した。
【００６６】
一方、本発明の有機発光表示装置は、バンク層に溝部を備えて気泡を捕集することができる気泡捕集空間をさらに確保することができる。
【００６７】
下記の表１は、比較例に係る有機発光表示装置と実施形態に係る有機発光表示装置とで、気泡捕集空間の平面面積を測定した結果を示している。
【００６８】
【表１】
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【００６９】
前記表１を参照すると、比較例に比べて、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、バンク層に溝部を備えることにより、気泡の捕集空間を、比較例に比べ約１．６倍に増加させることができる。
【００７０】
さらに、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、バンク層に溝部を備えることにより、積層構造のストレスを緩和させることができる。
【００７１】
図２１は、図１１のＡ領域のストレス様態を模式化した図であり、図２２は、図１１のＢ領域のストレス様態を模式化した図である。
【００７２】
図２１ととも図２２を参照すると、本発明のバンク層に溝部が形成されたＢ領域においては、バンク層の溝部でのストレスが緩和されるが、バンク層に溝部がないＡ領域では、ストレスが大きく作用する。
【００７３】
これにより、本発明は、バンク層に溝部を備えることにより、全体の有機発光表示装置でのストレスを緩和させることができ、有機発光表示装置を曲げたり広げたりする動作が繰り返されても、積層膜がストレスによって損傷されることを防止することができる。
【００７４】
前述したように、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、バンク層に溝部を備えて、気泡の捕集空間をさらに確保することで、気泡による駆動不良と暗点多発を防止することができる。また、全体の有機発光表示装置でのストレスを緩和させて、有機発光表示装置を曲げたり広げたりする動作が繰り返されても、積層膜がストレスによって損傷されることを防止することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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