(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の面内及び面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制する基板処理装置の提供。【解決手段】複数の基板を収容可能に設けられ、複数の基板を処理する処理容器と、処理容器内に設けられ、処理容器の周方向に並び、かつ、処理容器の長手方向に延び、処理容器内にガスを供給する複数のガスノズル７６〜８１と、処理容器内の複数のガスノズルと対向する位置に設けられ、処理容器内のガスを排気する排気部とを有する。ガスノズルは、処理容器の周方向に並ぶノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂと、ノズル基部に接続して処理容器内にガスを供給するガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃとを有する。処理容器内で最も下方に位置する第１のガスノズル７６、７７と、第１のガス供給部７６Ｃ、７７Ｃよりも上方に位置する第２のガスノズル７８、７９とを有し、第１のガス供給部と第２のガス供給部７８Ｃ、７９Ｃとが、処理容器の長手方向に一直線上に配置されるように形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を収容可能に設けられ、該複数の基板を処理する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記処理容器の周方向に並びかつ前記処理容器の長手方向に延び、前記処理容器内にガスを供給する複数のガスノズルと、
前記処理容器内の前記複数のガスノズルと対向する位置に設けられ、前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有し、
前記ガスノズルは、前記処理容器の周方向に並ぶノズル基部と、前記ノズル基部に接続して前記処理容器内にガスを供給するガス供給部とを有し、
前記複数のガスノズルは、前記処理容器内で最も下方に位置する第１のガス供給部を有する第１のガスノズルと、前記第１のガス供給部よりも上方に位置する第２のガス供給部を有する第２のガスノズルとを有し、
前記第１のガス供給部と前記第２のガス供給部とが、前記処理容器の長手方向に一直線上に配置されるように、前記第２のガスノズルが形成されている、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１のガスノズルの第１のノズル基部は、直線状に形成され、
前記第２のガスノズルの第２のノズル基部は、前記第２のガス供給部に接続する側の端部がＬ字状に形成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２のノズル基部は、前記第２のガス供給部の下端部に接続する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２のノズル基部は、前記第２のガス供給部の上端部に接続する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２のノズル基部は、前記第２のガス供給部の中央部に接続する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数のガスノズルは、前記第２のガス供給部よりも上方に位置する第３のガス供給部を有する第３のガスノズルをさらに有する、請求項２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第３のガスノズルの第３のノズル基部は、Ｌ字状に形成されている、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理容器内に設けられて、前記複数のガスノズルを収容するノズル収容部を有し、
前記排気部の幅寸法は、前記ノズル収容部の幅寸法よりも狭い、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ガス供給部には、前記処理容器内にガスを供給する１以上のガス孔が設けられている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ガス供給部を係止するガイド機構を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ガイド機構は、前記処理容器の内壁に形成されている請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記ガイド機構は、上下方向に並ぶ前記ガス供給部を連結する構造を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数枚の基板に成膜処理を行うバッチ式の基板処理装置では、複数枚の基板を収容する反応容器と、反応容器内にガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に対向して反応容器内を排気する排気手段とが設けられている。
【０００３】
ガス供給手段を１つのラインで構成した場合、ガスの供給圧力が高い反応容器内の下部ほどガスの流量が多くなり、反応容器内でガスの供給にばらつきが生じる傾向がある。そのため、従来の基板処理装置では、ガス供給手段をガスの供給位置が異なる複数のガス供給ラインで構成することにより、反応容器内の上下で供給されるガスの流量が制御できるようになっている。
【０００４】
例えば、特開２０１１−１８７８８４号公報（特許文献１）には、複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内にガスを供給する複数本のガスノズルと、反応管内のガスを排気するガス排気口とを備える基板処理装置が開示されている。また、特開２０１２−１５５３６号公報（特許文献２）には、複数枚の基板を収容して処理する処理室と、処理室内にガスを供給する複数のガス供給ラインと、処理室内に供給されたガスを排気する排気ラインとを備える基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１８７８８４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１５５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２に記載された基板処理装置では、複数のガス供給ラインが設けられたガス供給領域と、該ガス供給領域に対向する排気口が設けられた排気領域との位置関係が反応容器内の上下で異なっている。そのため、基板間で各基板に供給されるガス濃度の分布に偏りが生じ、基板の面内および面間で成膜される膜厚が不均一になることが問題となっている。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、複数の基板を収容可能に設けられ、該複数の基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、前記処理容器の周方向に並びかつ前記処理容器の長手方向に延び、前記処理容器内にガスを供給する複数のガスノズルと、前記処理容器内の前記複数のガスノズルと対向する位置に設けられ、前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有し、前記ガスノズルは、前記処理容器の周方向に並ぶノズル基部と、前記ノズル基部に接続して前記処理容器内にガスを供給するガス供給部とを有し、前記複数のガスノズルは、前記処理容器内で最も下方に位置する第１のガス供給部を有する第１のガスノズルと、前記第１のガス供給部よりも上方に位置する第２のガス供給部を有する第２のガスノズルとを有し、前記第１のガス供給部と前記第２のガス供給部とが、前記処理容器の長手方向に一直線上に配置されるように、前記第２のガスノズルが形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略図である。
【図２】図１の基板処理装置のガスノズルの一例を示す図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】実施形態に係る基板処理装置のガスノズルの他の一例（変形例１）を示す図である。
【図７】実施形態に係る基板処理装置のガスノズルの他の一例（変形例２）を示す図である。
【図８】実施形態に係る基板処理装置のガイドの一例を説明する図である。
【図９】実施形態に係る基板処理装置のガイドの他の一例を示す図である。
【図１０】従来の基板処理装置のガスノズルを示す図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線断面図である。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１３】図１０のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１４】（Ａ）は図１１におけるガス濃度分布を示す図であり、（Ｂ）は図１２におけるガス濃度分布であり、（Ｃ）は図１３におけるガス濃度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において、共通する構成については、同一符号を付して説明を省略する場合がある。
【００１２】
図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略図である。図２は、図１の基板処理装置のガスノズルの一例を示す図である。図３は、図２のＡ−Ａ線断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ線断面図であり、図５は、図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【００１３】
図１に示されるように、基板処理装置１は、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という）を収容する処理容器３４と、処理容器３４の下端の開口部側を気密に塞ぐ蓋部３６と、複数枚のウエハＷを所定の間隔で保持して処理容器３４内に収容される基板保持具３８と、処理容器３４内へ所定のガスを導入するガス供給手段４０と、処理容器３４内のガスを排気する排気手段４１と、ウエハＷを加熱する加熱手段４２とを有している。
【００１４】
半導体ウエハには、シリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ等の化合物半導体基板が含まれる。また、これらの半導体基板に限定されず、液晶表示装置に用いられるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。
【００１５】
処理容器３４は、下端部が開放された有天井の円筒形状の内管４４と、下端部が開放されて内管４４の外側を覆う有天井の円筒形状の外管４６とを有する。内管４４及び外管４６は、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて二重管構造となっている。
【００１６】
内管４４の天井部は、例えば平坦になっている。内管４４の一側には、その長手方向（上下方向）に沿ってガスノズルを収容するノズル収容部４８が形成されている。この実施形態では、図３〜図５に示されるように、内管４４の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部５０を形成し、凸部５０内をノズル収容部４８として形成している。
【００１７】
また、ノズル収容部４８に対向させて内管４４の反対側の側壁には、図３〜図５に示されるように、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の開口部５２が形成されている。
【００１８】
開口部５２は、内管４４内のガスを排気できるように形成されたガス排気口であり、本発明における排気部の一例である。開口部５２の長さは、基板保持具３８の長さと同じであるか、または、基板保持具３８の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。即ち、開口部５２の上端は、基板保持具３８の上端に対応する位置以上の高さに延びて配置され、開口部５２の下端は、基板保持具３８の下端に対応する位置以下の高さに延びて配置されている。
【００１９】
なお、この例では、本発明における排気部は、処理容器３４の内管４４の、後述するガスノズルと対向する位置に設けられた開口部５２（ガス排気口）として構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、処理容器３４の内管４４の内側の、後述するガスノズルと対向する位置に図示しない遠心ファンを設け、さらに内管４４の天井部に図示しない開口部を設けることにより、各ガス孔７６Ａ〜８１Ａから遠心ファンに向かって水平方向にガスを放出し、遠心ファンから内管４４の天井部に設けられた開口部に向かって排気されるガスを流す構成にしてもよい。
【００２０】
処理容器３４の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド５４によって支持されている。マニホールド５４の上端部にはフランジ部５６が形成されており、フランジ部５６上に外管４６の下端部を設置して支持するようになっている。フランジ部５６と外管４６との下端部との間にはＯリング等の図示しないシール部材を介在させて外管４６内を気密状態にしている。
【００２１】
マニホールド５４の上部の内壁には、リング状の支持部６０が設けられており、図示しない支持部上に内管４４の下端部を設置してこれを支持するようになっている。マニホールド５４の下端の開口部には、蓋部３６がＯリング等の図示しないシール部材を介して気密に取り付けられており、処理容器３４の下端の開口部側、即ち、マニホールド５４の開口部を気密に塞ぐようになっている。蓋部３６は、例えばステンレス鋼により形成される。
【００２２】
蓋部３６の中央部には、磁性流体シール部６４を介して回転軸６６が貫通させて設けられている。回転軸６６の下部は、ボートエレベータよりなる昇降手段６８のアーム６８Ａに回転自在に支持されており、図示しないモータ６９によって回転されるようになっている。
【００２３】
回転軸６６の上端には回転プレート７０が設けられており、回転プレート７０上に石英製の保温台７２を介してウエハＷを保持する基板保持具３８が載置されるようになっている。従って、昇降手段６８を昇降させることによって蓋部３６と基板保持具３８とは一体的に上下動し、基板保持具３８を処理容器３４内に対して挿脱できるようになっている。
【００２４】
ガス供給手段４０は、マニホールド５４に設けられており、内管４４内へ処理ガス、パージガス等のガスを導入する。ガス供給手段４０は、複数本（例えば６本）の石英製のガスノズル７６〜８１を有している。各ガスノズル７６〜８１は、内管４４内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端部がＬ字状に屈曲されてマニホールド５４を貫通するようにして支持されている。
【００２５】
ガスノズル７６〜８１は、図３〜図５に示されるように、内管４４のノズル収容部４８内に周方向に沿って一列になるように設置されている。各ガスノズル７６〜８１には、その長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔７６Ａ〜８１Ａが形成されており、各ガス孔７６Ａ〜８１Ａより水平方向に向けて各ガスを放出できるようになっている。所定の間隔は、例えば基板保持具３８に支持されるウエハＷの間隔と同じになるように設定される。
【００２６】
また、高さ方向の位置は、各ガス孔７６Ａ〜８１Ａが上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間に位置するように設定されており、各ガスをウエハＷ間の空間部に効率的に供給できるようになっている。
【００２７】
ガスの種類としては、原料ガス、酸化ガス及びパージガスが用いられ、各ガスを流量制御しながら必要に応じて各ガスノズル７６〜８１を介して供給できるようになっている。原料ガスとしてシリコン含有ガスを用い、酸化ガスとしてオゾン（Ｏ３）ガスを用い、パージガスとして窒素（Ｎ２）ガスを用い、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法によりシリコン酸化膜を形成できるようになっている。なお、用いるガスの種類は成膜する膜の種類に応じて適宜選択することができる。ＡＬＤ法を用いる場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、例えばＣＶＤ法を用いる場合にも本発明を適用することができる。
【００２８】
また、本実施形態では、プラズマを用いない成膜処理が行われるが、これに限定されるものではなく、プラズマを用いた成膜処理を行う場合にも本発明を適用することができる。この場合には、例えばノズル収容部４８を区画する凸部５０の区画壁の外側に、その長手方向に沿ってプラズマ発生用の高周波電力を印加する電力板を設けてプラズマを発生させるようにする。
【００２９】
支持部６０の上方には、マニホールド５４の上部の側壁に形成されたガス出口８２が設けられている。ガス出口８２は、内管４４と外管４６との間の空間部８４を介して開口部５２より排出される内管４４内のガスを排気できるように構成されている。ガス出口８２には、排気手段４１が設けられる。排気手段４１は、ガス出口８２に接続された排気通路８６を有しており、排気通路８６には、圧力調整弁８８及び真空ポンプ９０が順次介設されて、処理容器３４内を真空引きできるようになっている。
【００３０】
外管４６の外周側には、外管４６を覆うように円筒形状の加熱手段４２が設けられており、ウエハＷを加熱するようになっている。
【００３１】
なお、基板処理装置１の全体の動作は、例えばコンピュータ等よりなる制御手段１１０により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体１１２に記憶されている。記憶媒体１１２は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等よりなる。
【００３２】
本実施形態では、図２示すように、ガスノズル７６〜８１は、ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂとガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃとを有する。ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂは、処理容器３４の周方向に並んで配置されている。ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂの内部は、処理容器３４内に供給されるガスが通過する。
【００３３】
ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃは、ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂに一体に接続され、処理容器内にガスを供給する。ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃには、処理容器３４内にガスを供給するガス孔７６Ａ〜８１Ａが設けられている。ガス孔７６Ａ〜８１Ａは、ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃに複数（例えば図２では５個）の孔で形成されている。このような複数のガス孔を設けることにより、処理容器３４内にガスを均一に供給することができる。なお、本実施形態では、１つのガスノズルに複数のガス孔が設けられているが、ガス孔を構成する孔の数は、複数に限定されるものではなく、処理容器３４内にガスを供給できる限り、１つのガスノズルに１つの孔で形成されていてもよい。
【００３４】
ガスノズル７６〜８１のうち、ガスノズル７６、７７は、ガス供給部７６Ｃ、７７Ｃが処理容器３４内で最も下方に配置されている。また、ガスノズル７８、７９は、ガス供給部７８Ｃ、７９Ｃがガスノズル７６、７７のガス供給部７６Ｃ、７７Ｃの上方に配置されている。さらに、ガスノズル８０、８１は、ガス供給部８０Ｃ、８１Ｃがガスノズル７８、７９のガス供給部７８Ｃ、７９Ｃの上方に配置されている。
【００３５】
そして、ガス供給部７６Ｃ、７８Ｃ、８０Ｃは、図２〜図５に示されるように、処理容器３４の長手方向（鉛直方向）に一直線上に並んで配置されている。また、ガス供給部７７Ｃ、７９Ｃ、８１Ｃは、処理容器３４の長手方向（鉛直方向）に一直線上に配置されている。
【００３６】
このような構成では、ガスノズル７６、７８、８０のガス供給部７６Ｃ、７８Ｃ、８０Ｃは、処理容器３４内の下層、中層、上層に亘って一列に並んで配置されるため、同一ラインで構成したものと同じ構成になる。また、ガスノズル７７、７９、８１のガス供給部７７Ｃ、７９Ｃ、８１Ｃも、処理容器３４内の下層、中層、上層に亘って一列に並んで配置され、同一ラインで構成されたものと同じ構成になる。
【００３７】
この構成により、ガスを供給するガス供給領域と、該領域に対向して設けられたガスを排気する排気領域とを処理容器３４内の上下で同じ位置関係にすることができる。そのため、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる。その結果、基板の面内および面間で成膜される膜厚を均一にすることができる。
【００３８】
本実施形態では、ガスノズル７６〜８１は、ノズル収容部４８に収容されているが、図３〜図５に示すように、ノズル収容部の幅寸法は、ガス排気口を構成する開口部５２の幅寸法よりも広くなっている。そのため、従来のガスノズル（図１０〜１３に示すガスノズル７６〜８１）の場合、ノズル収容部に対応するガス供給領域と、開口部５２が設けられた排気領域との位置関係が処理容器３４内の上下で異なるものとなり、基板間で各基板に供給されるガス濃度の分布に偏りが生じる。
【００３９】
これに対して、本実施形態のようにガス供給部が同一ラインで構成されたものと同じ構成を有するガスノズルを用いることにより、ガスを供給するガス供給領域と、該領域に対向して設けられたガスを排気する排気領域とを処理容器３４内の上下で確実に同じ位置関係にすることができる。そのため、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを確実に抑制することができ、基板の面内および面間で成膜される膜厚が不均一になるのを確実に抑制することができる。
【００４０】
また、図２に示すように、ガスノズル７６〜８１のうち、ガスノズル７６、７７のノズル基部７６Ｂ、７７Ｂは、直線状に形成されてガス供給部７６Ｃ、７７Ｃに一体に接続されている。これに対して、ガスノズル７８〜８１のノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、ガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃに接続する側の端部がＬ字状に形成されている。言い換えると、ノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、端部が折れ曲がった状態でガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの下端に接続されている。
【００４１】
このようにノズル基部７８Ｂ〜８１ＢがＬ字状の端部を介してガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃに接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを防ぐことができる。そのため、各ガスノズルが破損するのを防ぐことができ、またガスノズルの取付け作業が容易になる。
【００４２】
また、図６は、本実施形態で用いられるガスノズルの他の一例（変形例１）を示す図である。図６に示すように、ガスノズル７８〜８１のノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、端部が折り返された状態でガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの上端に接続されている。このようにノズル基部７８Ｂ〜８１ＢがＬ字状の端部がガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの上端に接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを確実に防ぐことができる。
【００４３】
また、図７は、本実施形態で用いられるガスノズルのさらに他の一例（変形例２）を示す図である。図７に示すように、ガスノズル７８〜８１のノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、端部が折れ曲がった状態でガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの中央部に接続されている。ノズル基部７８Ｂ〜８１ＢのＬ字状の端部がガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの中央部に接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを防ぎながら、同時に、図６に示すガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの上端に接続する場合に比べて、ノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂを短くすることができる。
【００４４】
なお、ガスノズル７６、７７、ガス孔７６Ａ、７７Ａ、ノズル基部７６Ｂ、７７Ｂ、及び、ガス供給部７６Ｃ、７７Ｃは、本発明における第１のガスノズル、第１のノズル基部、及び、第１のガス供給部の一例である。また、ガスノズル７８、７９、ガス孔７８Ａ、７９Ａ、ノズル基部７８Ｂ、７９Ｂ、及び、ガス供給部７８Ｃ、７９Ｃは、本発明における第２のガスノズル、第１のノズル基部、及び、第１のガス供給部の一例である。さらに、ガスノズル８０、８１、ガス孔８０Ａ、８１Ａ、ノズル基部８０Ｂ、８１Ｂ、及び、ガス供給部８０Ｃ、８１Ｃは、本発明における第３のガスノズル、第３のノズル基部、及び、第３のガス供給部の一例である。
【００４５】
図８は、実施形態に係る基板処理装置のガイドの一例を説明する図である。上述したガスノズルを配置する場合、図８に示すように、ガイド１００を設けてもよい。ガイド１００は、例えば一対の係止片１００Ａを処理容器３４の内壁に形成し、この一対の係止片１００Ａによりガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃを係止するように構成することができる。このようなガイド１００を設けることにより、ガスノズルを安定した状態で配置することができ、また、ガスノズル（ガス供給部）の位置決めが容易になる。
【００４６】
図９は、実施形態に係る基板処理装置のガイドの他の一例を説明する図である。この例では、例えば、上下方向に並ぶガス供給部７６Ｃとガス供給部７８Ｃとを連結する構造を、ガスノズル７６とガスノズル７８との間に設けることができる。具体的には、ガスノズル７６のガス供給部７６Ｃの上端部に凹部７６Ｄを形成し、ガスノズル７８のガス供給部７６Ｃの下端部に凸部７８Ｄを形成する。そして、ガス供給部７６Ｃの凹部７６Ｄにガス供給部７８Ｃの凸部７８Ｄを嵌合させることによりガイド２００を構成する。このようなガイド２００を設けることによっても、ガスノズルを安定した状態で配置することができ、また、ガスノズル（ガス供給部）の位置決めが容易になる。
【００４７】
なお、ガイド１００、２００は、本発明におけるガイド機構の一例である。
【００４８】
図１０は、従来の基板処理装置のガスノズルを示す図である。また、図１１は、図１０のＡ−Ａ線断面図であり、図１２は、図１０のＢ−Ｂ線断面図であり、図１３は、図１０のＣ−Ｃ線断面図である。さらに、図１４（Ａ）は図１１におけるガス濃度分布を示す図であり、図１４（Ｂ）は図１２におけるガス濃度分布であり、図１４（Ｃ）は図１３におけるガス濃度分布を示す図である。
【００４９】
従来の基板処理装置で用いられていたガスノズル７６〜８１では、図１０〜図１３に示すように、複数のガス供給ラインが設けられたガス供給領域と、該ガス供給領域に対向してガス排気口を構成する開口部５２が設けられた排気領域との位置関係が反応容器内の上下で異なっている。そのため、図１４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、基板の面内のガス濃度分布を上層、中層、下層で比較すると、ガスノズル７６〜８１（ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃ）がガス供給領域の中心から離れるに従って、上層側ほどガス分布に偏りができることが確認されている。
【００５０】
これに対して、本実施形態の基板処理装置１では、図１〜図７に示すガスノズル７６〜８１を採用することにより、ガス供給部７６Ｃ、７８Ｃ、８０Ｃが処理容器３４の長手方向（鉛直方向）に一直線上に並んで配置される。この構成では、基板の面内のガス濃度分布を上層、中層、下層で比較した場合、上層および中層でも下層側とほぼ同じガス濃度の分布となることが確認された（図１４（Ｃ）参照）。したがって、本実施形態の基板処理装置１を用いることにより、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができ、基板の面内および面間で成膜される膜厚を均一にすることができる。
【００５１】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１      基板処理装置
３４    処理容器
４４    内管
４６    外管
４８    ノズル収容部
５２    開口部
７６    ガスノズル
７７    ガスノズル
７８    ガスノズル
７９    ガスノズル
８０    ガスノズル
８１    ガスノズル
７６Ａ    ガス孔
７７Ａ    ガス孔
７８Ａ    ガス孔
７９Ａ    ガス孔
８０Ａ    ガス孔
８１Ａ    ガス孔
７６Ｂ    ノズル基部
７７Ｂ    ノズル基部
７８Ｂ    ノズル基部
７９Ｂ    ノズル基部
８０Ｂ    ノズル基部
８１Ｂ    ノズル基部
７６Ｃ    ガス供給部
７７Ｃ    ガス供給部
７８Ｃ    ガス供給部
７９Ｃ    ガス供給部
８０Ｃ    ガス供給部
８１Ｃ    ガス供給部
１００  ガイド
２００  ガイド
Ｗ      ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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