(57)【要約】      （修正有）【課題】搬送ズレが生じた場合でもワーク側の導電体又は絶縁体と電源部側の絶縁体との接触による損傷を抑制しつつ異常放電の発生を抑制する処理装置の提供。【解決手段】処理装置１００は、処理室と、ワークを保持する保持部に電気的に接続され搬送の方向である搬送方向に延びるワーク側導電体５０とワーク側絶縁体６０とを有する搬送部８０と、電源部側導電体３０と、開口部４１を有する電源部側絶縁体４０とを備え、開口部４１は、搬送方向に沿った第１部位４３ｂと、第１部位４３ｂよりワーク側絶縁体側６０に位置し、搬送方向に交差する方向に沿って第１部位４３ｂより外側に広がる鍔状の第２部位４３ａとを有し、ワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触したとき、第２部位４３ａとワーク側絶縁体６０の基部６０ａとは処理室内のプラズマが第１部位４３ｂ内に侵入することを抑制可能に対向する処理装置１００。【選択図】図３
2018048366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置であって、
前記成膜又は前記エッチングが行われる処理室と、
前記処理室内に前記ワークを搬送する搬送部であって、前記ワークを保持する導電性の保持部に電気的に接続され前記搬送の方向である搬送方向に延びるワーク側導電体と、少なくとも前記ワーク側導電体の前記搬送方向の端部を露出させた状態で前記ワーク側導電体を覆うワーク側絶縁体とを有する搬送部と、
前記処理室内に少なくとも一部が設けられ電力が印加される電源部側導電体と、
前記処理室内において前記電源部側導電体を覆い、前記処理室内の前記電源部側導電体と前記ワーク側導電体とが接触する箇所に開口部を有する電源部側絶縁体と、を備え、
前記開口部は、前記搬送方向に沿った筒状の第１部位と、前記第１部位よりも前記ワーク側絶縁体側に位置し、前記搬送方向に交差する方向に沿って前記第１部位よりも外側に広がる鍔状の第２部位と、を有し、
前記搬送部が前記搬送方向に移動して前記ワーク側導電体が前記電源部側導電体に前記開口部の前記第１部位を通じて接触したときに、前記第２部位の前記ワーク側絶縁体側の面と前記ワーク側絶縁体とは、前記第１部位内に前記処理室内のプラズマが侵入することを抑制可能なように対向する、
処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを用いて処理室内のワークに成膜を行う装置として、処理室内で、ワークに電気的に接続されたワーク側の導電体を、搬送方向に位置する電源部側の導電体に接触させて、電源部側の導電体からワーク側の導電体を介してワークに電力を印加することによって成膜を行う装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−９４０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載の装置では、ワーク側の導電体及び電源部側の導電体は、処理室内で発生する成膜カス等の異物が付着すると異常放電が発生する場合があることから、その一部が絶縁体によって覆われている。しかし、ワーク側の導電体を搬送して、電源部側の絶縁体の開口を通じて電源部側の導電体に接触させようとする際に、接触させようとする箇所に対するワーク側の導電体の搬送ズレが生じた場合には、ワーク側の導電体又は絶縁体と電源部側の絶縁体とが接触して損傷するおそれがあった。また、このような搬送ズレに起因する損傷を抑制するために、電源部側の絶縁体の開口を単純に大きくすると、開口からプラズマが侵入して異常放電が発生するおそれがあった。なお、同様の構成を備える装置においてエッチングを行う場合にも、このような問題が生じるおそれがあった。そのため、プラズマを用いてワークに成膜又はエッチングを行う処理装置において、搬送ズレが生じた場合であってもワーク側の導電体又は絶縁体と電源部側の絶縁体とが接触することによる損傷を抑制しつつ、異常放電の発生を抑制可能な技術が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００６】
本発明の一形態によれば、プラズマを用いて導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置が提供される。この処理装置は、前記成膜又は前記エッチングが行われる処理室と；前記処理室内に前記ワークを搬送する搬送部であって、前記ワークを保持する導電性の保持部に電気的に接続され前記搬送の方向である搬送方向に延びるワーク側導電体と、少なくとも前記ワーク側導電体の前記搬送方向の端部を露出させた状態で前記ワーク側導電体を覆うワーク側絶縁体とを有する搬送部と；前記処理室内に少なくとも一部が設けられ電力が印加される電源部側導電体と；前記処理室内において前記電源部側導電体を覆い、前記処理室内の前記電源部側導電体と前記ワーク側導電体とが接触する箇所に開口部を有する電源部側絶縁体と、を備え；前記開口部は、前記搬送方向に沿った筒状の第１部位と、前記第１部位よりも前記ワーク側絶縁体側に位置し、前記搬送方向に交差する方向に沿って前記第１部位よりも外側に広がる鍔状の第２部位と、を有し；前記搬送部が前記搬送方向に移動して前記ワーク側導電体が前記電源部側導電体に前記開口部の前記第１部位を通じて接触したときに、前記第２部位の前記ワーク側絶縁体側の面と前記ワーク側絶縁体とは、前記第１部位内に前記処理室内のプラズマが侵入することを抑制可能なように対向する。このような処理装置であれば、電源部側絶縁体の第１部位内にプラズマが侵入することが抑制されるので、第１部位の搬送方向に交差する方向の幅を広く設計することができる。その結果、異常放電の発生を抑制しつつ、搬送部に搬送ズレが生じた場合であっても搬送部と電源部側絶縁体とが接触して損傷することを抑制することができる。
【０００７】
本発明は、上述した処理装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理方法等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態における処理装置の構成を示す概略構成図。
【図２】処理装置の部分拡大断面図。
【図３】ワーク側導電体と電源部側導電体とが接触した状態を示す部分拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
Ａ．実施形態：
図１は、本発明の一実施形態における処理装置１００の構成を示す概略構成図である。図１には、互いに直交するＸＹＺ軸が図示されている。Ｘ方向の正方向を＋Ｘ方向、負方向を−Ｘ方向とし、Ｙ方向の正方向を＋Ｙ方向、負方向を−Ｙ方向とし、Ｚ方向の正方向を＋Ｚ方向、負方向を−Ｚ方向とする。本実施形態では、Ｙ方向は鉛直方向を示し、＋Ｙ方向は鉛直方向上方であり、−Ｙ方向は鉛直方向下方である。また、本実施形態では、Ｘ方向及びＺ方向は水平方向を示す。このことは、以降の図においても同様である。
【００１０】
処理装置１００は、プラズマを用いて導電性のワークＷに成膜又はエッチングを行う装置である。処理装置１００は、いわゆるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、ワークＷに薄膜を形成する。本実施形態では、ワークＷは、燃料電池のセパレータの基材として用いられる板状の金属板である。処理装置１００は、ワークＷの表面に、例えば導電性の炭素系薄膜を形成する。
【００１１】
処理装置１００は、処理室１０と、電源部側導電体３０と、電源部側絶縁体４０と、搬送部８０と、を備える。本実施形態では、処理装置１００は、さらに、電源部２０と、ガス供給装置９１と、排気装置９２と、搬送装置７５と、制御部９０と、を備える。
【００１２】
処理室１０は、ワークＷを処理室１０内に搬入及び処理室１０内から搬出可能な開口部１５を有し下方に底を有する箱状の導電性の部材である。処理室１０では、ワークＷに成膜又はエッチングが行われる。処理室１０には、処理室１０内にガス供給装置９１からガスを供給するための供給口１１と、処理室１０内を排気装置９２によって排気するための排気口１２と、電源部側絶縁体４０が挿入される挿入口１３とを備える。本実施形態において、処理室１０は、アースに接続されている。
【００１３】
搬送部８０は、保持部７１に電気的に接続されたワーク側導電体５０とワーク側絶縁体６０とを備える。搬送部８０は、処理室１０の＋Ｙ方向に位置しており、Ｙ方向に沿って移動可能である。搬送部８０は、成膜又はエッチング時にワークＷを−Ｙ方向に搬送して、処理室１０内にワークＷを搬送する。本実施形態では、−Ｙ方向を「搬送方向」とも呼ぶ。本実施形態では、搬送部８０は、さらに、絶縁体７７と、蓋７８と、シール部材７６と、を備える。
【００１４】
蓋７８は、−Ｙ方向に移動して処理室１０に接触したときに、処理室１０の開口部１５を覆うように形成された板状の導電性の部材である。蓋７８には、ワーク側絶縁体６０と接続された絶縁体７７が設けられている。また、蓋７８には、−Ｙ方向に移動したときに、処理室１０に接触して処理室１０内の気密を保つためのシール部材７６が−Ｙ方向側の面に設けられている。本実施形態では、シール部材７６は、オーリングを用いている。
【００１５】
保持部７１は、ワークＷを保持する導電性の部材である。本実施形態では、保持部７１の−Ｙ方向端部はフック形状を有しており、保持部７１は、このフック形状の部分をワークＷに設けられた孔に引っ掛けることによって、ワークＷを保持する。保持部７１は、ワーク側絶縁体６０内においてワーク側導電体５０と電気的に接続される。一方、保持部７１は、ワーク側絶縁体６０及び絶縁体７７によって蓋７８と絶縁されている。
【００１６】
搬送装置７５は、アクチュエータを備える装置である。本実施形態では、搬送部８０は、搬送装置７５と接続されており、制御部９０（後述）が搬送装置７５のアクチュエータを制御することによってＹ方向に沿って移動可能である。
【００１７】
なお、本実施形態では、処理装置１００は、処理室１０の＋Ｙ方向に予備室２００を備える。予備室２００は、真空ポンプと、ヒータと、扉と、を備える。ワークＷは、扉から予備室２００に搬入されて保持部７１に保持される。予備室２００では、処理室１０で成膜又はエッチングが行われる前に、真空状態においてヒータによってワークＷが加熱されることで、ワークＷに付着した水分や有機物が除去される。本実施形態では、搬送部８０は、−Ｙ方向に移動したときにワークＷを予備室２００から処理室１０内へ搬送し、＋Ｙ方向に移動したときにワークＷを処理室１０から予備室２００へ搬送する。
【００１８】
ガス供給装置９１は、供給口１１を介して、処理室１０内にキャリアガス及び原料ガスを供給する。本実施形態では、ガス供給装置９１は、キャリアガスとして例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し、原料ガスとして例えばピリジン（Ｃ５Ｈ５Ｎ）ガスを供給する。また、ガス供給装置９１は、エッチングガスとしてアルゴンガスを供給することも可能である。
【００１９】
排気装置９２は、排気口１２を介して処理室１０内のガスを排気可能な装置である。排気装置９２は、例えば、ロータリポンプや拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等により構成される。排気装置９２は、成膜又はエッチングが行われる前に、排気口１２を介して処理室１０内を排気し真空化する。
【００２０】
電源部２０は、処理室１０外に設けられた装置である。電源部２０は、電源部側導電体３０に電力を印加し、処理室１０内に供給された原料ガス等をプラズマ化する。本実施形態では、電源部２０は、成膜又はエッチング時に、電源部側導電体３０に−３ｋＶの電力を印加する。電源部側導電体３０に印加された電力は、電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介して、ワークＷに印加される。
【００２１】
制御部９０は、処理装置１００全体の動作を制御する。制御部９０は、ＣＰＵとメモリーとを含む。ＣＰＵは、メモリーに格納されたプログラムを実行することによって、処理装置１００の制御を行う。このプログラムは、各種記録媒体に記録されていてもよい。本実施形態では、制御部９０は、搬送装置７５を制御して搬送部８０を−Ｙ方向に移動させることによって処理室１０内に保持部７１、ワーク側導電体５０、ワーク側絶縁体６０及びワークＷを搬入させるとともに、蓋７８（シール部材７６）を処理室１０に接触させて処理室１０内の気密を保つ。また、制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内を排気させ、ガス供給装置９１を制御して処理室１０内に原料ガス等を供給させ、電源部２０を制御して電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介してワークＷに電力を印加させる。
【００２２】
以下、処理装置１００の部分拡大断面図を用いて、ワーク側導電体５０、ワーク側絶縁体６０、電源部側導電体３０及び電源部側絶縁体４０について、図２及び図３を用いて詳細に説明する。
【００２３】
図２は、処理装置１００の部分拡大断面図である。図３は、ワーク側導電体５０と電源部側導電体３０とが接触した状態を示す部分拡大断面図である。図２及び図３では、図示を省略しているが、ワークＷは、電源部側絶縁体４０の−Ｘ方向に位置している。
【００２４】
ワーク側導電体５０は、保持部７１（図１）に電気的に接続された導電性の部材である。ワーク側導電体５０の端部５１は−Ｙ方向を向く。本実施形態では、ワーク側導電体５０は、第１導電体５７と第１導電体５７の−Ｙ方向側の内部に配置された第２導電体５５とバネ５３とにより構成されている。第１導電体５７の−Ｙ方向側と第２導電体５５とは、Ｙ方向に沿って延びる略棒形状を有している。第１導電体５７の＋Ｙ方向側は、保持部７１から分岐して形成されておりワークＷと電気的に接続されている。第２導電体５５は、第１導電体５７と電気的に接続されている。バネ５３は導電性を有しており、第２導電体５５が電源部側導電体３０に接触したときの衝撃を吸収する。
【００２５】
ワーク側絶縁体６０は、ワーク側導電体５０及び保持部７１（図１）を覆う部材である。ワーク側絶縁体６０からは、保持部７１のフック形状部分が露出している（図１）。本実施形態では、ワーク側絶縁体６０は、Ｙ方向に沿って延びる筒状の突出部６０ｂと、搬送方向に交差する方向に延びる基部６０ａと、を有する。基部６０ａは、突出部６０ｂに接続されており、ＸＺ平面に沿って広がる。基部６０ａはワーク側導電体５０の＋Ｙ方向側を覆う。突出部６０ｂは、ワーク側導電体５０の−Ｙ方向側を覆う。突出部６０ｂは、−Ｙ方向の端部において開口した開口部６１を備えている。開口部６１からは、ワーク側導電体５０の−Ｙ方向の端部５１が−Ｙ方向に露出している。
【００２６】
電源部側導電体３０は、処理室１０内に少なくとも一部が設けられ、電力が印加される導電性の部材である。電源部側導電体３０は、＋Ｙ方向の面である上面３１を有する。本実施形態では、電源部側導電体３０は、先端部３２と本体部３４とを有し、成膜又はエッチング時には、処理室１０外の電源部２０から本体部３４に電力が印加される。
【００２７】
電源部側絶縁体４０は、処理室１０内において電源部側導電体３０を覆い、処理室１０内の電源部側導電体３０とワーク側導電体５０とが接触する箇所に開口部４１を有する絶縁体である。本実施形態では、開口部４１は、電源部側導電体３０の先端部３２の上面３１において開口する。本実施形態では、電源部側絶縁体４０は、開口部４１を備える第１絶縁体４３と、電源部側導電体３０の本体部３４を覆う第２絶縁体４４とが接続されて構成されている。第１絶縁体４３は、＋Ｙ方向の端部と＋Ｘ方向の端部とを備える筒状の絶縁体である。第２絶縁体４４は、Ｘ方向に沿って延びる筒状の絶縁体である。第１絶縁体４３の＋Ｙ方向の端部には開口部４１が設けられており、第１絶縁体４３の＋Ｘ方向の端部には、第２絶縁体４４の−Ｘ方向の端部が嵌め込まれる。開口部４１は、第１部位４３ｂと第２部位４３ａとを有する。第１部位４３ｂは、搬送方向に沿った筒状の部位である。第１部位４３ｂの搬送方向に交差する方向（Ｘ方向又はＺ方向）の幅は、搬送部８０にＸ方向又はＺ方向の搬送ズレが生じた場合に、ワーク側導電体５０の少なくとも一部が第１部位４３ｂの内側に位置してワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に接触可能なように設定されている。なお、第１部位４３ｂの幅とは、Ｘ方向及びＺ方向の寸法である。また、第１部位４３ｂの幅とは、開口部４１の開口の幅でもある。第２部位４３ａは、第１部位４３ｂよりもワーク側絶縁体６０の側（＋Ｙ方向側）に位置し、Ｘ方向及びＺ方向に沿って第１部位４３ｂよりも外側に広がる鍔状の部位である。本実施形態では、第２部位４３ａは、第１部位４３ｂに接続されている。第１絶縁体４３、第２絶縁体４４、ワーク側絶縁体６０及び絶縁体７７は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のセラミックスで形成することができる。
【００２８】
処理装置１００では、図３に示すように搬送部８０が−Ｙ方向に移動して、ワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触することで、電源部側導電体３０に印加される電力が５０及び保持部７１を介してワークＷに印加される。なお、本実施形態では、蓋７８（シール部材７６）が処理室１０に接触したときに、ワーク側導電体５０の端部５１が電源部側導電体３０の先端部３２の上面３１に接触するように、各部の寸法が設定されている。
【００２９】
図３に示すように、ワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触したときに、第２部位４３ａのワーク側絶縁体６０側の面とワーク側絶縁体６０とは第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能なように対向する。具体的には、第２部位４３ａの＋Ｙ方向側の面と基部６０ａの−Ｙ方向側の面とは、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能な間隔（幅及び距離）で対向する。図３には、対向する第２部位４３ａと基部６０ａとの間のＹ方向に沿った幅Ｗ１及びＸ方向に沿った距離Ｌ１が示されている。幅Ｗ１及び距離Ｌ１で形成される間隔は、予め定められた間隔であり、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能な間隔である。また、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入可能な間隔よりも狭い間隔である。また、第２部位４３ａと基部６０ａとの間に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能な間隔である。幅Ｗ１は、例えば３．０ｍｍ以下であり、距離Ｌ１は、例えば１．０ｍｍ以上である。本実施形態では、幅Ｗ１は、１．５ｍｍ以下であり、距離Ｌ１は３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０が接触する箇所や、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０が接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制される。また、処理室１０内で発生した絶縁性の異物が、開口部４１内に落下した場合であっても、異物と電源部側導電体３０又は異物とワーク側導電体５０との接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制される。その結果、これらの箇所において異常放電が発生することが抑制される。本実施形態では、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０（第１導電体５７）との間には幅Ｗ２の隙間が設けられている。幅Ｗ２は、例えば３．０ｍｍ以下であり、本実施形態では０ｍｍより大きく１．５ｍｍ以下である。また、幅Ｗ２の隙間部分のＹ方向に沿った距離Ｌ２は、例えば１．０ｍｍ以上であり、本実施形態では３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、仮に幅Ｗ１の隙間部分にプラズマが侵入した場合であっても、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０（第１導電体５７）との接触する箇所にまでプラズマが侵入することが抑制されるので、ワーク側絶縁体６０とワーク側導電体５０とが接触する箇所において異常放電が発生することがより抑制される。さらに、本実施形態では、第１絶縁体４３及び第２絶縁体４４と電源部側導電体３０との間には幅Ｗ３の隙間が設けられている。幅Ｗ３は、例えば３．０ｍｍ以下であり、本実施形態では０ｍｍより大きく１．５ｍｍ以下である。また、幅Ｗ３の隙間部分のＸ方向に沿った距離Ｌ３は、例えば１．０ｍｍ以上であり、本実施形態では３．０ｍｍ以上である。このようにすることで、仮に幅Ｗ１の隙間部分にプラズマが侵入した場合であっても、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０との接触する箇所にまでプラズマが侵入することが抑制されるので、電源部側導電体３０と電源部側絶縁体４０とが接触する箇所において異常放電が発生することがより抑制される。なお、上記の値は一例であり、幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３と、距離Ｌ１、距離Ｌ２及び距離Ｌ３の値は、上述のプラズマの侵入が抑制可能な幅及び距離（寸法）に設定されていればよい。
【００３０】
以上で説明した処理装置１００では、搬送部８０の保持部７１にワークＷが保持されると、制御部９０は搬送装置７５を制御して搬送部８０を−Ｙ方向に移動させ、ワーク側導電体５０を電源部側導電体３０の上面３１に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触させるとともに、蓋７８（シール部材７６）を処理室１０に接触させる。次に、制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内を排気して真空化させ、ガス供給装置９１を制御して処理室１０内に原料ガス又はエッチングガスを供給させ、電源部２０を制御して電源部側導電体３０、ワーク側導電体５０及び保持部７１を介してワークＷに電力を印加させて成膜又はエッチングを行う。制御部９０は、ガス供給装置９１を制御して原料ガス等の供給を停止させ、電源部２０を制御して電力の印加を停止させて成膜又はエッチングを終了する。次に制御部９０は、排気装置９２を制御して処理室１０内の圧力を復圧させ、搬送装置７５を制御して搬送部８０を＋Ｙ方向に移動させワーク側導電体５０を上面３１から離間させてワーク側導電体及びワークＷを処理室１０外に搬送させる。以上のようにして、処理装置１００による成膜又はエッチングが行われる。
【００３１】
以上で説明した本実施形態の処理装置１００では、ワーク側導電体５０が電源部側導電体３０に開口部４１の第１部位４３ｂを通じて接触したときに、第１部位４３ｂ内に処理室１０内のプラズマが侵入することを抑制可能なように第２部位４３ａの＋Ｙ方向側の面とワーク側絶縁体６０とが対向する。そのため、第１部位４３ｂ内にプラズマが侵入することが抑制されるので、第１部位４３ｂの搬送方向に交差する方向の幅を広く設計することができる。その結果、異常放電の発生を抑制しつつ、搬送部８０に搬送ズレが生じた場合であっても搬送部８０と電源部側絶縁体４０とが接触して損傷することを抑制することができる。
【００３２】
なお、搬送部８０が搬送方向に移動してワーク側絶縁体６０と電源部側絶縁体４０とが接触して損傷することを抑制するために、電源部側絶縁体４０をワーク側絶縁体６０よりも硬度の低い材料で形成することも考えられる。例えば、ワーク側絶縁体６０をアルミナにより形成し、電源部側絶縁体４０をＰＴＦＥにより形成することも考えられる。しかし、ＰＴＦＥは硬度が低いために分解温度が低く、電源部側絶縁体４０の開口部４１部分（第１絶縁体４３）をＰＴＦＥで形成した場合には、成膜又はエッチング処理が繰り返されると処理室１０内で発生するプラズマ及びワークＷからの輻射熱によって、電源部側絶縁体４０が変形するおそれがある。本実施形態の処理装置１００では、搬送部８０に搬送方向に交差する方向の搬送ズレが生じた場合であってもワーク側絶縁体６０と電源部側絶縁体４０とが接触して損傷することが抑制されるので、電源部側絶縁体４０を硬度が高く融点の高いアルミナ等の絶縁体により形成することができる。そのため、ワークＷからの輻射熱等によって電源部側絶縁体４０（第１絶縁体４３）が変形することを抑制することができる。
【００３３】
また、本実施形態の処理装置１００では、第１部位４３ｂの搬送方向に交差する方向の幅を広くすることができるので、搬送部８０と電源部側絶縁体４０とが接触することによってワーク側導電体５０と電源部側導電体３０との間に導通不良が発生することを抑制することができる。
【００３４】
Ｂ．変形例：
上述の実施形態において、第２部位４３ａは、Ｘ方向及びＺ方向に沿って第１部位４３ｂよりも外側に広がる。これに対し、第２部位４３ａは、少なくとも処理室１０内においてプラズマが発生する側に向けて広がっていればよい。例えば、第２部位４３ａは、図２及び図３においてワークＷが位置しプラズマが発生する側（−Ｘ方向）に向けて広がり＋Ｘ方向に広がっていなくてもよい。例えば、電源部側絶縁体４０は、図２及び図３における＋Ｘ方向に第２部位４３ａを有しない構成であってもよい。
【００３５】
上述の実施形態では、図３に示すように、第２部位４３ａと基部６０ａとは幅Ｗ１の隙間を空けて対向している。これに対し、第２部位４３ａと基部６０ａとは当接していてもよい。
【００３６】
上述の実施形態において、ワーク側絶縁体６０は突出部６０ｂを備えており、突出部６０ｂの開口部６１からワーク側導電体５０を露出させている。これに対し、ワーク側絶縁体６０は突出部６０ｂを備えていなくともよく、基部６０ａからワーク側導電体５０を露出させてもよい。
【００３７】
上述の実施形態において、Ｙ方向が鉛直方向であり、Ｘ方向及びＺ方向が水平方向である。これに対し、Ｘ方向が鉛直方向であってもよいし、Ｚ方向が鉛直方向であってもよい。すなわち、搬送部８０は、水平方向に沿って移動可能であってもよい。
【００３８】
上述の実施形態において、保持部７１の−Ｙ方向端部はフック形状を有している。これに対し、保持部７１の−Ｙ方向端部は、ワークＷを保持可能な形状であれば、他の形状であってもよく、例えば、クリップ形状であってもよい。
【００３９】
上述の実施形態において、電源部２０は、電源部側導電体３０に電力を印加しており、処理室１０はアースに接続されている。これに対し、電源部２０は、電源部側導電体３０及び処理室１０に電力を印加して処理室１０内にプラズマを発生させるための電場を生成してもよい。
【００４０】
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態や変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…処理室
１１…供給口
１２…排気口
１３…挿入口
１５…開口部
２０…電源部
３０…電源部側導電体
３１…上面
３２…先端部
３４…本体部
４０…電源部側絶縁体
４１…開口部
４３…第１絶縁体
４３ａ…第２部位
４３ｂ…第１部位
４４…第２絶縁体
５０…ワーク側導電体
５１…端部
５３…バネ
５５…第２導電体
５７…第１導電体
６０…ワーク側絶縁体
６０ａ…基部
６０ｂ…突出部
６１…開口部
７１…保持部
７５…搬送装置
７６…シール部材
７７…絶縁体
７８…蓋
８０…搬送部
９０…制御部
９１…ガス供給装置
９２…排気装置
１００…処理装置
２００…予備室
Ｌ１…距離
Ｌ２…距離
Ｌ３…距離
Ｗ…ワーク
Ｗ１…幅
Ｗ２…幅
Ｗ３…幅
【図１】
2018048366.tif 000003
【図２】
2018048366.tif 000004
【図３】
2018048366.tif 000005