(57)【要約】【課題】筐体の外部から内部にわたって設けられており筐体に片持ち状態に支持される伝送基板と、筐体内部において伝送基板にワイヤによって電気的に接続される例えばチップキャリア（又は半導体チップ）といった電子部品との隙間を小さくした場合であっても、伝送基板の強度の低下を抑えつつ、電子部品の下に塗布される導電性接着剤の余剰分が伝送基板及び電子部品上に乗り上げることを抑えることができる。【解決手段】半導体装置１は、筐体１０と、第２のキャリア１００と、チップキャリア１０５と、キャリア表面１００ｂの水平方向にその第３の側面１１５ｃが位置する関係で配置された伝送基板１１５と、伝送基板１１５の側面においてキャリア表面１００ｂの水平方向に対応した位置よりも高い位置からチップキャリア１０５の方向に突出した延出部分１１５ｆと、接着剤１３０の余剰分１３０ａと、ワイヤ７３，７４と、を有する。【選択図】図２
2018085489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体内に配置されたキャリアと、
接合材料によって前記キャリア上に実装された電子部品と、
前記キャリア表面の水平方向にその側面が位置する関係で配置された伝送基板と、
前記伝送基板の側面において前記キャリア表面の水平方向に対応した位置よりも高い位置から前記電子部品の方向に突出した延出部分と、
前記キャリアの側面よりも前記伝送基板側にせり出した、前記接合材料のせり出し部と、
前記電子部品と前記延出部分との間を接続するワイヤと、
を有する電子装置組立体。
【請求項２】
前記延出部分における前記伝送基板の厚さは、前記電子部品の厚さより小さい、請求項１に記載の電子装置組立体。
【請求項３】
前記伝送基板の前記延出部分を除く部分の厚さは、前記電子部品の厚さよりも大きい、請求項１または２に記載の電子装置組立体。
【請求項４】
前記延出部分の長さは、前記筐体に支持された部分と前記伝送基板の前記側面との距離の５分の１以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子装置組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置組立体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光半導体モジュールが開示されている。この光半導体モジュールは、ケース本体と、レーザダイオードと、レーザダイオードを搭載するキャリアと、ケース本体の内部と外部とを電気的に接続する基板とを備える。基板はケース本体の内部にせり出しており、ワイヤを介してレーザダイオードと電気的に接続される。また、ケース本体内には、温度管理を行うサーモエレメントが搭載される。サーモエレメントの放熱側の電極は、ケース本体の底面に直接接しており、サーモエレメントの熱をケース本体に放熱する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３２７０３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば半導体装置といった電子装置組立体には、筐体、キャリア、チップキャリア、フィードスルー、及び伝送基板を備えるものがある。キャリアの上には、導電性接着剤（例えば半田）を介して、半導体部品を搭載するチップキャリア、又は半導体チップが搭載される。チップキャリアは半導体部品に接続された信号配線を有し、半導体チップは電極パッドを有する。フィードスルーは、筐体の外部と内部とを繋いでおり、伝送基板は、フィードスルーに固定されて筐体の外部から内部にわたって設けられる。伝送基板の筐体内の一端側は片持ち状態（庇状）となっており、該一端側の側面は、チップキャリア（又は半導体チップ）の側面、及びキャリアの側面と対向する。チップキャリア上の信号配線（又は半導体チップ上の電極パッド）と伝送基板上の信号配線とは、ワイヤを介して電気的に接続される。
【０００５】
ここで、ワイヤの長さが長い場合には、ワイヤのインダクタンスの影響により特性インピーダンスが高くなり、反射及び損失の影響が大きくなる恐れがある。この場合、伝送基板と、チップキャリア（又は半導体チップ）との接続損失が増大する恐れがある。したがって、ワイヤの長さを短くすることが望ましい。ワイヤの長さを短くするためには、伝送基板とチップキャリア（又は半導体チップ）との距離を短くする必要がある。
【０００６】
しかしながら、当該距離を短くすると、伝送基板の側面とチップキャリア（又は半導体チップ）の側面との隙間が狭くなる。故に、半導体装置を組み立てる際に、チップキャリア（又は半導体チップ）とキャリアとの間の導電性接着剤の余剰分が、表面張力によって当該隙間を伝って這い上がり、伝送基板上、及び、チップキャリア又は半導体チップの上に乗り上げてしまう恐れがある。この場合、当該余剰分がワイヤに接触すると、当該信号配線が他の配線等（例えばグランド電位を伝える他のワイヤなど）に短絡（ショート）する恐れがある。また、当該隙間を小さくするためには、フィードスルーから伝送基板を長く延ばす必要がある。従って、伝送基板の機械的強度を維持するためには、伝送基板の厚さを或る程度確保する必要があるので、導電性接着剤との接触を回避するために伝送基板の厚さをチップキャリア（又は半導体チップ）よりも薄くすることは難しい。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、筐体の外部から内部にわたって設けられており筐体に片持ち状態に支持される伝送基板と、筐体内部において伝送基板にワイヤによって電気的に接続される例えばチップキャリア（又は半導体チップ）といった電子部品との隙間を小さくした場合であっても、伝送基板の強度の低下を抑えつつ、電子部品の下に塗布される導電性接着剤の余剰分が伝送基板及び電子部品上に乗り上げることを抑えることができる電子装置組立体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による電子装置組立体は、筐体と、筐体内に配置されたキャリアと、接合材料によってキャリア上に実装された電子部品と、キャリア表面の水平方向にその側面が位置する関係で配置された伝送基板と、伝送基板の側面においてキャリア表面の水平方向に対応した位置よりも高い位置から電子部品の方向に突出した延出部分と、キャリアの側面よりも伝送基板側にせり出した、接合材料のせり出し部と、電子部品と延出部分との間を接続するワイヤと、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による電子装置組立体によれば、筐体の外部から内部にわたって設けられており筐体に片持ち状態に支持される伝送基板と、筐体内部において伝送基板にワイヤによって電気的に接続される例えばチップキャリア（又は半導体チップ）といった電子部品との隙間を小さくした場合であっても、伝送基板の強度の低下を抑えつつ、電子部品の下に塗布される導電性接着剤の余剰分が伝送基板及び電子部品上に乗り上げることを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子装置組立体の上面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った断面図である。
【図３】図２の電子装置組立体の拡大図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る電子装置組立体の上面図である。
【図５】図４のV−V線に沿った断面図である。
【図６】図５の電子装置組立体の拡大図である。
【図７】従来の半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図８】図６の半導体装置の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る電子装置組立体は、筐体と、筐体内に配置されたキャリアと、接合材料によってキャリア上に実装された電子部品と、キャリア表面の水平方向にその側面が位置する関係で配置された伝送基板と、伝送基板の側面においてキャリア表面の水平方向に対応した位置よりも高い位置から電子部品の方向に突出した延出部分と、キャリアの側面よりも伝送基板側にせり出した、接合材料のせり出し部と、電子部品と延出部分との間を接続するワイヤと、を有する。
【００１２】
上記の電子装置組立体では、キャリア表面の水平方向に伝送基板の側面が位置する関係で配置されており、且つ、伝送基板の側面における延出部分は、キャリア表面の水平方向に対応した位置よりも高い位置に配置されるので、伝送基板の側面のうち延出部分を除く部分の面上には、電子部品とキャリアとの間の接合材料の余剰分（せり出し部）を受容する空間が確保される。したがって、伝送基板の側面と電子部品との隙間を小さくした場合であっても、当該余剰分が、当該隙間を伝って、伝送基板及び電子部品上に乗り上げることを抑えることができる。これにより、当該余剰分が、伝送基板及び電子部品上のワイヤに接触することによる短絡を抑えることができる。
【００１３】
また、上述した電子装置組立体では、延出部分における伝送基板の厚さは、電子部品の厚さより小さくてもよい。
【００１４】
また、上述した電子装置組立体では、伝送基板の延出部分を除く部分の厚さが、電子部品の厚さよりも大きくてもよい。これにより、伝送基板の強度の低下を抑えることができる。
【００１５】
また、上述した電子装置組立体では、延出部分の長さが、筐体に支持された部分と伝送基板の側面との距離の５分の１以下であってもよい。これにより、筐体と伝送基板の側面との距離が長い場合であっても、延出部分の長さを抑えることができる。したがって、伝送基板の強度の低下を更に抑えることができる。
【００１６】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る電子装置組立体の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体装置（電子装置組立体）１の上面図である。図２は、図１のII−II線に沿った断面図である。第１実施形態では、半導体装置１としてＴＯＳＡ（Transmit Optical Sub-Assembly）型半導体装置を示す。図１に示されるように、半導体装置１は筐体１０を備えており、説明のために筐体１０の一部が部分的に破断されている。筐体１０の材質は、例えばニッケルコバルト鉄合金（ＮｉＣｏＦｅ系）である。筐体１０は、側壁１０Ａ〜１０Ｄ、及び底面１０Ｅを有する。側壁１０Ａ及び側壁１０Ｂは、筐体１０の長手方向（第１の方向）Ａ１において互いに対向している。側壁１０Ｃ及び側壁１０Ｄは、筐体１０の短手方向において互いに対向している。底面１０Ｅは、側壁１０Ａ〜１０Ｄの下端に接している。
【００１８】
図１及び図２に示されるように、半導体装置１は、筐体１０内に、発光部２０と、レンズホルダ３０と、レセプタクル４０と、温度制御素子８０と、第１のキャリア９０と、第２のキャリア１００と、チップキャリア（電子部品）１０５と、フィードスルー１０９と、伝送基板１１５とを備える。発光部２０は、半導体レーザ素子と変調素子とが共通基板上に集積されたモノリシック構造を有し、半導体レーザ素子用の電極パッド２１と、変調素子用の電極パッド２２とを有する。発光部２０は、例えば筐体１０の中央付近に配置される。発光部２０の半導体レーザ素子は、電極パッド２１に入力された電流に応じてレーザ光を出射する。レーザ光は、例えばＣＷ（Continuous Wave）光である。レーザ光の光軸は、筐体１０の中心軸の近傍に位置しており、第１の方向Ａ１に沿って延びている。発光部２０の変調素子は、半導体レーザ素子に対して側壁１０Ａ側に配置される。変調素子は、電極パッド２２に入力された電圧に応じてレーザ光を変調することにより信号光を生成する。レンズホルダ３０は、発光部２０と側壁１０Ａとの間に配置される。レンズホルダ３０は、第１のレンズ３０ａを収容している。第１のレンズ３０ａは、発光部２０と光学的に結合される。レセプタクル４０は、レンズホルダ３０に対して発光部２０の反対側に配置される。レセプタクル４０は、出射窓４０ａ及び第２のレンズ４０ｂを収容する。レセプタクル４０の一部は、側壁１０Ａに埋め込まれ、当該一部には出射窓４０ａが収容される。出射窓４０ａは、第１のレンズ３０ａと光学的に結合される。レセプタクル４０の残部は、側壁１０Ａの外部に設けられ、当該残部には第２のレンズ４０ｂが収容される。第２のレンズ４０ｂは、出射窓４０ａと光学的に結合される。最終的に、第２のレンズ４０ｂは、第１のレンズ３０ａ及び出射窓４０ａを介して、発光部２０と光学的に結合される。レセプタクル４０を通過した信号光は、例えば、レセプタクル４０に接続された光ファイバを介して、外部に提供される。
【００１９】
温度制御素子８０は、例えばＴＥＣ（Thermoelectric Cooler）を含んでおり、底面１０Ｅの上に搭載される。温度制御素子８０は、発光部２０の温度を一定に保持する。温度制御素子８０は、発光部２０の半導体レーザ素子において発生するレーザ光の波長が一定に保たれるように制御を行う。温度制御素子８０には、一対の電源ポスト８１が接続されている。一対の電源ポスト８１は、温度制御素子８０に電力を供給する。第１のキャリア９０は、温度制御素子８０の上に搭載される。第２のキャリア１００及びレンズホルダ３０は、第１のキャリア９０の上に搭載される。第２のキャリア１００は、第１の方向Ａ１と交差する第１の側面１００ａを有する。第１及び第２のキャリア９０，１００は、誘電体から構成される部材であり、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）製である。第２のキャリア１００のキャリア表面１００ｂ上に、接着剤（接合材料）１３０によってチップキャリア１０５が実装される。接着剤１３０は、金属半田、銀ペースト、若しくは導電性樹脂といった導電性接着剤である。レンズホルダ３０は、第２のキャリア１００に対して第１の方向Ａ１における側壁１０Ａ側に配置される。なお、半導体装置１を製造する際には、筐体１０内において、第２のキャリア１００上に接着剤１３０を塗布する。その後、接着剤１３０の上にチップキャリア１０５を搭載する。
【００２０】
チップキャリア１０５は、第１の主面１０５ａと、第１の裏面１０５ｂと、第２の側面１０５ｃとを有する。チップキャリア１０５は、誘電体から構成される部材であり、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）製である。第１の裏面１０５ｂは、第１の方向Ａ１に沿って延びており、第２のキャリア１００上に接着剤１３０を介して搭載される。第２の側面１０５ｃは、第１の方向Ａ１と交差する平面に沿って延びている。第１の主面１０５ａは、第１の裏面１０５ｂの反対側に設けられ、第１の方向Ａ１に沿って延びており、第１の信号配線１１１、第１のグランド配線パターン１１２、終端配線パターン１２２、及び配線パターン１２３を有する。第１の信号配線１１１は、図２に示されるように、第２の側面１０５ｃから第１の方向Ａ１に沿って延びている。但し、図１に示されるように、第１の信号配線１１１の第２の側面１０５ｃとは反対側の端部は、発光部２０に向かって延びるように傾斜している。第１の信号配線１１１は、ワイヤ７０を介して発光部２０の電極パッド２２と電気的に接続されており、レーザ光を変調するための変調信号を変調素子に伝送する。第１のグランド配線パターン１１２は、第１の信号配線１１１を囲うように設けられ、基準電位が与えられる。第１のグランド配線パターン１１２上には、発光部２０及び第１のキャパシタ５１が搭載される。発光部２０の裏面電極は、第１のグランド配線パターン１１２と導電接続される。第１のキャパシタ５１は、電源電圧を安定させ、かつノイズを低減させる機能を有する。第１のキャパシタ５１の一方の電極は、第１のグランド配線パターン１１２と電気的に接続されており、他方の電極は、ワイヤ７２を介して電極パッド２１と電気的に接続されている。終端配線パターン１２２は、終端抵抗５３を介して第１のグランド配線パターン１１２と電気的に接続される。終端配線パターン１２２の上には、第２のキャパシタ５２が搭載される。第２のキャパシタ５２の一方の電極は、終端配線パターン１２２と電気的に接続されており、他方の電極は、発光部２０の電極パッド２２とワイヤ７１を介して電気的に接続される。配線パターン１２３の上には、サーミスタ５４が搭載される。サーミスタ５４は、発光部２０の周辺温度を検出する。
【００２１】
フィードスルー１０９は、側壁１０Ｂの内側（すなわち筐体１０内）と外側とを電気的に接続するために設けられる。フィードスルー１０９は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含むセラミックから構成されている。伝送基板１１５は、第２の主面１１５ａ、第２の裏面１１５ｂ、第３の側面１１５ｃ、第４の側面１１５ｄ、及び面１１５ｅを有する。伝送基板１１５は、フィードスルー１０９に挿入されており、筐体１０の内部から外部にわたって設けられている。伝送基板１１５の第１の方向Ａ１における筐体１０の外部の後端部には、電気端子である複数のリード１２０が設けられる。伝送基板１１５の先端部は、筐体１０の内部に設けられており、伝送基板１１５の先端部を除く一部は、筐体１０に支持されている。具体的には、当該一部は、筐体１０に設けられたフィードスルー１０９によって支持されている。すなわち、伝送基板１１５の筐体１０の内部の部分は、フィードスルー１０９からチップキャリア１０５に向かって庇状に張り出している。或いは、当該部分は、第１の方向Ａ１及びチップキャリア１０５の厚さ方向Ａ２の双方と直交する方向から見て片持ち状態となっている。
【００２２】
ここで、図３は、図２の一部を示す拡大図である。第２の主面１１５ａは、チップキャリア１０５の厚さ方向Ａ２において、第１の裏面１０５ｂを含む第１の架空平面Ｈ１に対して第２のキャリア１００とは反対側に配置される。一例では、厚さ方向Ａ２は、第１の方向Ａ１と直交する。また、第２の主面１１５ａは、底面１０Ｅ（図２を参照）に沿っており、底面１０Ｅから例えば２．８ｍｍ離れた位置に配置されている。図１に示されるように、第２の主面１１５ａは、第２の信号配線１１６、第２のグランド配線パターン１１７、及び電源配線１２４を有する。第２の信号配線１１６は、複数のリード１２０のうち一つに電気的に接続されている。第２の信号配線１１６は、第１の信号配線１１１にワイヤ７３を介して電気的に接続されており、上述した変調信号を第１の信号配線１１１に伝送する。ワイヤ７３は、第１の信号配線１１１と第２の信号配線１１６とに跨っている。第２のグランド配線パターン１１７は、複数のリード１２０のうち少なくとも一つに電気的に接続されており、第１のグランド配線パターン１１２にワイヤ７４を介して電気的に接続される。ワイヤ７４は、第１のグランド配線パターン１１２と第２のグランド配線パターン１１７とに跨っている。電源配線１２４は、複数のリード１２０のうち一つに電気的に接続されており、ワイヤ７５を介して第１のキャパシタ５１に接続されている。結果的に、リード１２０は、電源配線１２４、ワイヤ７５、第１のキャパシタ５１、及びワイヤ７２を介して電極パッド２１と電気的に接続され、発光部２０の半導体レーザ素子に電流を供給する。第２の裏面１１５ｂは、第２の主面１１５ａとは反対側に設けられ、筐体１０の底面１０Ｅと対向する。第３の側面１１５ｃ及び第４の側面１１５ｄは、筐体１０の内部において、第１の方向Ａ１における伝送基板１１５の先端部に配置される。
【００２３】
図３に示されるように、第３の側面１１５ｃは、キャリア表面１００ｂの水平方向（第１の方向Ａ１）に位置する関係で配置される。具体的には、第３の側面１１５ｃは、第２の裏面１１５ｂに繋がっており、第１の側面１００ａ及び第２の側面１０５ｃと対向している。一例では、第１の側面１００ａと第２の側面１０５ｃとは、第１の方向Ａ１において同じ位置にある。換言すれば、厚さ方向Ａ２から見て、第１の側面１００ａと第２の側面１０５ｃとは互いに面一である。また、第１の側面１００ａよりも伝送基板１１５の第３の側面１１５ｃ側に、接着剤１３０の余剰分（せり出し部）１３０ａがせり出している。第４の側面１１５ｄは、第２の主面１１５ａに繋がっており、厚さ方向Ａ２において、第１の架空平面Ｈ１に対して第２のキャリア１００とは反対側に配置される。また、第４の側面１１５ｄは、第２の側面１０５ｃと対向しており、第１の方向Ａ１において、第３の側面１１５ｃを含む第２の架空平面Ｈ２に対して第２の側面１０５ｃ側に配置される。換言すれば、第４の側面１１５ｄは、第２の架空平面Ｈ２と第２の側面１０５ｃとの間に配置されている。したがって、第４の側面１１５ｄと第２の側面１０５ｃとの第１の方向Ａ１における隙間は、第２の架空平面Ｈ２と第２の側面１０５ｃとの第１の方向Ａ１における隙間よりも小さく、例えば０．１ｍｍである。伝送基板１１５の第２の架空平面Ｈ２から第４の側面１１５ｄまでの延出部分１１５ｆ上には、第２の信号配線１１６の一端が位置している。延出部分１１５ｆは、キャリア表面１００ｂの水平方向に対応した位置よりも高い位置からチップキャリア１０５の方向に突出している。ワイヤ７３は、この延出部分１１５ｆ上の第２の信号配線１１６と、チップキャリア１０５上の第１の信号配線１１１との間を電気的に接続する。また、第１の方向Ａ１における当該延出部分１１５ｆの長さ（例えば０．５ｍｍ）は、伝送基板１１５の筐体１０に支持された部分と、第２の側面１０５ｃを含む第３の架空平面Ｈ３（図３を参照）との距離（例えば２．５ｍｍ）の５分の１以下である。当該部分と第３の架空平面Ｈ３との距離は、具体的には、筐体１０の側壁１０Ｂと第２の側面１０５ｃとの距離である。また、伝送基板１１５の延出部分１１５ｆを除く部分の厚さ（例えば０．８ｍｍ）は、伝送基板１１５の延出部分１１５ｆの厚さ、及びチップキャリア１０５の厚さ（例えば１．５ｍｍ）よりも大きい。また、伝送基板１１５の延出部分１１５ｆの厚さは、チップキャリア１０５の厚さよりも小さい。面１１５ｅは、第３の側面１１５ｃと第４の側面１１５ｄとを繋いでいる。一例では、面１１５ｅは、第３の側面１１５ｃ及び第４の側面１１５ｄに対して垂直である。面１１５ｅ及び第３の側面１１５ｃは、第４の側面１１５ｄに対する窪みを構成している。
【００２４】
以上に説明した、本実施形態に係る半導体装置１によって得られる効果を、比較例が有する課題と共に説明する。図７は、比較例としての半導体装置２００の構成例を示す断面図である。図７に示されるように、この半導体装置２００は、フィードスルー２１０と、伝送基板２２０と、レセプタクル２３０と、第１及び第２のキャリア２４０、２４１と、チップキャリア２５０と、レンズホルダ２６０と、発光部３００とを備える。フィードスルー２１０は、筐体の側壁２００Ａにおいて、第１の方向Ａ１に沿って筐体の外部と内部とを繋いでいる。伝送基板２２０は、フィードスルー２１０に挿入されており、筐体内と筐体の外側とを電気的に接続する。伝送基板２２０の一部は、筐体に設けられるフィードスルー２１０によって支持されており、伝送基板２２０の一端側の部分（側壁２００Ａの内側の部分）は、片持ち状態となっている。伝送基板２２０は、第１の信号配線２４２を有する。伝送基板２２０の第１の方向Ａ１における側壁２００Ａの外側には、電気端子である複数のリード２７０が設けられている。複数のリード２７０は、第１の信号配線２４２と電気的に接続されている。レセプタクル２３０は、第１の方向Ａ１における側壁２００Ａとは反対側の筐体の側壁２００Ｂに埋め込まれている。
【００２５】
また、筐体の底面２００Ｃの上には、温度制御素子２８０が搭載される。温度制御素子２８０の上には、第１のキャリア２４０が搭載される。第１のキャリア２４０の上には、第２のキャリア２４１及びレンズホルダ２６０が搭載される。第２のキャリア２４１の上には、接着剤（例えば半田）２９０を介してチップキャリア２５０が搭載される。チップキャリア２５０は、第２の信号配線２５１を有する。第２の信号配線２５１は、ワイヤを介して発光部３００と電気的に接続される。図８は、図７の半導体装置２００の一部を拡大して示す図である。図８に示されるように、第１の方向Ａ１において、チップキャリア２５０及び第２のキャリア２４１の側面２５０ａ、２４１ａは、伝送基板２２０の側面２２０ａと対向している。第１の信号配線２４２と第２の信号配線２５１とは、ワイヤ３１０を介して接続されている。
【００２６】
ここで、ワイヤ３１０の長さが長い場合には、ワイヤ３１０のインダクタンスの影響により特性インピーダンスが高くなり、反射及び損失の影響が大きくなる恐れがある。この場合、第１の信号配線２４２と第２の信号配線２５１との接続損失が増大する恐れがある。したがって、ワイヤ３１０の長さを短くすることが望ましい。この長さを短くするためには、伝送基板２２０の側面２２０ａとチップキャリア２５０及び第２のキャリア２４１の側面２５０ａ、２４１ａとの距離を短くする必要がある。
【００２７】
しかしながら、当該距離を短くすると、側面２２０ａと側面２５０ａ、２４１ａとの隙間が狭くなる。故に、チップキャリア２５０及び伝送基板２２０を組み立てる際に、チップキャリア２５０と第２のキャリア２４１との間の接着剤２９０の余剰分が、表面張力によって当該隙間を伝って這い上がり、伝送基板２２０及びチップキャリア２５０の上に乗り上げ易くなる。この場合、当該余剰分が、ワイヤ３１０に接触することにより、短絡が生じるおそれがある。具体的には、チップキャリア２５０と伝送基板２２０とを繋ぐ他のワイヤ（例えば図１に示されたワイヤ７４，７５に相当するワイヤ）にも同時に余剰分が接触した場合、信号配線と他の配線とが短絡してしまう。また、当該隙間を小さくするためには、伝送基板２２０を長くすることが必要になる。従って、伝送基板２２０の機械的強度を維持するためには、伝送基板２２０の厚さを或る程度確保する必要があるので、接着剤２９０の余剰分との接触を回避するために、伝送基板２２０の厚さをチップキャリア２５０よりも薄くすることは難しい。
【００２８】
これに対し、本実施形態に係る半導体装置１の伝送基板１１５では、図３に示されるように、チップキャリア１０５の第２の側面１０５ｃと対向する第４の側面１１５ｄが、チップキャリア１０５の厚さ方向Ａ２において、第１の架空平面Ｈ１に対して第２のキャリア１００とは反対側に配置されており、且つ、第１の方向Ａ１において、第２の架空平面Ｈ２に対して第２の側面１０５ｃ側に配置されるので、第３の側面１１５ｃ上には、接着剤１３０の余剰分１３０ａを受容する空間が確保される。したがって、第４の側面１１５ｄと第２の側面１０５ｃとの隙間を小さくした場合であっても、接着剤１３０の余剰分１３０ａが、第４の側面１１５ｄと第２の側面１０５ｃとの間を伝って、伝送基板１１５及びチップキャリア１０５上に乗り上げることを抑えることができる。これにより、接着剤１３０の余剰分１３０ａが、伝送基板１１５とチップキャリア１０５とを繋ぐワイヤ７３，７４等に接触することを防ぎ、信号配線と他の配線との短絡を抑えることができる。
【００２９】
また、第３の側面１１５ｃは第２のキャリア１００と対向する位置に配置されるので、伝送基板１１５の延出部分１１５ｆを除く部分の厚さを、チップキャリア１０５よりも厚くすることができる。これにより、伝送基板１１５の強度の低下を抑えることができる。また、第２の信号配線１１６の一端は、伝送基板１１５の延出部分１１５ｆに位置しているので、ワイヤ７３を短くすることができ、信号配線の特性インピーダンスの増大を抑えることができる。
【００３０】
また、第１の側面１００ａと第２の側面１０５ｃとが、第１の方向Ａ１において同じ位置にある場合、接着剤１３０の余剰分１３０ａが、上記隙間を伝って、伝送基板１１５上、及び、チップキャリア１０５上に乗り上げ易い。したがって、本実施形態に係る半導体装置１の伝送基板１１５の構成は、このような場合に特に有効である。また、図示していないが、本実施形態において、チップキャリア１０５がなく、第２のキャリア１００上に接着剤１３０を介して、発光部（半導体部品）２０を搭載しても良い。この場合においても、接着剤１３０の余剰分１３０ａが、上記隙間を伝って、伝送基板１１５上、及び、発光部２０上に乗り上げ易い。従って、本実施形態に係る半導体装置１の伝送基板１１５の構成は、このような場合にも有効である。
【００３１】
また、本実施形態のように、延出部分１１５ｆにおける伝送基板１１５の厚さは、チップキャリア１０５の厚さより小さくてもよい。
【００３２】
また、本実施形態のように、伝送基板１１５の延出部分１１５ｆを除く部分の厚さは、チップキャリア１０５の厚さよりも大きくてもよい。これにより、伝送基板１１５の強度の低下を好適に抑えることができる。
【００３３】
また、本実施形態のように、伝送基板１１５の延出部分１１５ｆの長さは、伝送基板１１５の筐体１０に支持された部分と、第２の側面１０５ｃを含む第３の架空平面Ｈ３との距離の５分の１以下であってもよい。このように延出部分１１５ｆが短く形成されることにより、筐体１０と第２の側面１０５ｃとの第１の方向Ａ１における距離が長い場合であっても、延出部分１１５ｆの長さを抑えることができる。したがって、伝送基板１１５の強度の低下を更に抑えることができる。
【００３４】
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態に係る半導体装置（電子装置組立体）２の上面図である。図５は、図４のV−V線に沿った断面図である。図４に示されるように、半導体装置２は筐体１１を備えており、説明のために筐体１１の一部が部分的に破断されている。筐体１１の材質は、例えばニッケルコバルト鉄合金（ＮｉＣｏＦｅ系）である。筐体１１は、側壁１１Ａ〜１１Ｄ、及び底面１１Ｅを有する。側壁１１Ａ及び側壁１１Ｂは、筐体１１の長手方向（第１の方向Ａ１）において互いに対向している。側壁１１Ｃ及び側壁１１Ｄは、筐体１１の短手方向において互いに対向している。底面１１Ｅは、側壁１１Ａ〜１１Ｄの下端に接している。図４及び図５に示されるように、半導体装置２は、筐体１１内に、キャリア１０１と、半導体チップ（電子部品）１４０と、一対のフィードスルー１１０と、一対の伝送基板１５０とを備える。なお、一対のフィードスルー１１０の構成は互いに同一であり、一対の伝送基板１５０の構成は互いに同一であるので、以下の説明では、一方のフィードスルー１１０及び一方の伝送基板１５０に関連する構成について主に説明する。
【００３５】
キャリア１０１は、底面１１Ｅの上に搭載される。キャリア１０１は、第１の方向Ａ１と交差する第１の側面１０１ａを有する。キャリア１０１は、誘電体から構成される部材であり、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）製である。キャリア１０１のキャリア表面１０１ｂ上に、接着剤１３０によって半導体チップ１４０が実装される。なお、半導体装置２を製造する際には、筐体１０内において、キャリア１０１上に接着剤１３０を塗布する。その後、接着剤１３０の上に半導体チップ１４０を搭載する。半導体チップ１４０は、例えばＬＳＩなどに代表される集積回路（IC：integrated circuit）である。半導体チップ１４０は、或いは、例えばモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC： monolithic microwave integrated circuit）、光変調器、トランスインピーダンスアンプ（TIA：Transimpedance Amplifier）、又はレーザードライバ（LDD:Laser Diode Drivers）であってもよい。半導体チップ１４０は、第１の主面１４０ａと、第１の裏面１４０ｂと、第２の側面１４０ｃとを有する。第１の主面１４０ａは、伝送路用パッド１１３及びグランドパッド１１４を含む複数の電極パッドを有する。第１の裏面１４０ｂは、第１の主面１４０ａの反対側に設けられ、第１の方向Ａ１に沿って延びており、キャリア１０１上に接着剤１３０を介して搭載される。第２の側面１４０ｃは、第１の方向Ａ１と交差する平面に沿って延びている。
【００３６】
一方のフィードスルー１１０は、側壁１１Ｂの内側（すなわち筐体１１内）と外側とを電気的に接続するために設けられる。一方のフィードスルー１１０は、例えば酸化アルミニウムを含むセラミックから構成されている。一方の伝送基板１５０は、第２の主面１５０ａ、第２の裏面１５０ｂ、第３の側面１５０ｃ、第４の側面１５０ｄ、及び面１５０ｅを有する。一方の伝送基板１５０は、一方のフィードスルー１１０に挿入されており、筐体１１の内部から外部にわたって設けられている。一方の伝送基板１５０の後端部には、電気端子である複数のリード１２１が設けられる。一方の伝送基板１５０の第１の方向Ａ１における先端部は、筐体１１の内部に設けられている。一方の伝送基板１５０の先端部を除く一部は、筐体１１に支持されている。具体的には、当該一部は、筐体１１に設けられた一方のフィードスルー１１０によって支持されている。すなわち、一方の伝送基板１５０の筐体１１の内部の部分は、フィードスルー１１０から半導体チップ１４０に向かって庇状に張り出している。或いは、当該部分は、第１の方向Ａ１及び半導体チップ１４０の厚さ方向Ａ２の双方と直交する方向から見て片持ち状態となっている。
【００３７】
ここで、図６は、図５の一部を示す拡大図である。第２の主面１５０ａは、半導体チップ１４０の厚さ方向Ａ２において、第１の裏面１４０ｂを含む第１の架空平面Ｈ４に対してキャリア１０１とは反対側に配置される。一例では、厚さ方向Ａ２は、第１の方向Ａ１と直交する。また、第２の主面１５０ａは、底面１１Ｅ（図５を参照）に沿っており、底面１１Ｅから例えば２．８ｍｍ離れた位置に配置されている。図４に示されるように、第２の主面１５０ａは、信号配線１１９及びグランド配線１１８を含む複数の配線パターンを有する。これらの配線パターンは、各リード１２１と電気的に接続され、また、ワイヤを介して半導体チップ１４０の各電極パッドと電気的に接続される。例えば、信号配線１１９は、複数のリード１２１のうち一つと電気的に接続されており、高周波信号を伝送路用パッド１１３に伝送するために、伝送路用パッド１１３にワイヤ７６を介して電気的に接続される。グランド配線１１８は、複数のリード１２１のうち少なくとも一つと電気的に接続されており、グランドパッド１１４にワイヤ７７を介して電気的に接続される。ワイヤ７６は、伝送路用パッド１１３と信号配線１１９とに跨っており、ワイヤ７７は、グランドパッド１１４とグランド配線１１８とに跨っている。第２の裏面１５０ｂは、第２の主面１５０ａとは反対側に設けられ、筐体１１の底面１１Ｅと対向する。第３の側面１５０ｃ及び第４の側面１５０ｄは、筐体１１の内部において、一方の伝送基板１５０の第１の方向Ａ１における先端部に配置される。
【００３８】
図６に示されるように、第３の側面１５０ｃは、キャリア表面１０１ｂの水平方向（第１の方向Ａ１）に位置する関係で配置される。具体的には、第３の側面１５０ｃは、第２の裏面１５０ｂに繋がっており、第１の側面１０１ａ及び第２の側面１４０ｃと対向している。一例では、第１の側面１０１ａと第２の側面１４０ｃとは、第１の方向Ａ１において同じ位置にある。換言すれば、厚さ方向Ａ２から見て、第１の側面１０１ａと第２の側面１４０ｃとは互いに面一である。また、第１の側面１０１ａよりも伝送基板１５０の第３の側面１５０ｃ側に、接着剤１３０の余剰分（せり出し部）１３０ａがせり出している。第４の側面１５０ｄは、第２の主面１５０ａに繋がっており、厚さ方向Ａ２において、第１の架空平面Ｈ４に対してキャリア１０１とは反対側に配置される。また、第４の側面１５０ｄは、第２の側面１４０ｃと対向しており、第１の方向Ａ１において、第３の側面１５０ｃを含む第２の架空平面Ｈ５に対して第２の側面１４０ｃ側に配置される。換言すれば、第４の側面１５０ｄは、第２の架空平面Ｈ５と第２の側面１４０ｃとの間に配置されている。したがって、第４の側面１５０ｄと第２の側面１４０ｃとの第１の方向Ａ１における隙間は、第２の架空平面Ｈ５と第２の側面１４０ｃとの第１の方向Ａ１における隙間よりも小さく、例えば０．１ｍｍである。伝送基板１５０の第２の架空平面Ｈ５から第４の側面１５０ｄまでの延出部分１５０ｆ上には、信号配線１１９の一端が位置している。延出部分１５０ｆは、キャリア表面１０１ｂの水平方向に対応した位置よりも高い位置から半導体チップ１４０の方向に突出している。ワイヤ７６は、この延出部分１５０ｆ上の信号配線１１９と、半導体チップ１４０上の伝送路用パッド１１３との間を電気的に接続する。また、第１の方向Ａ１における当該延出部分１５０ｆの長さは、伝送基板１５０の筐体１０に支持された部分と、第２の側面１４０ｃを含む第３の架空平面Ｈ６（図６を参照）との距離の５分の１以下である。当該部分と第３の架空平面Ｈ６との距離は、具体的には、筐体１１の側壁１１Ｂと第２の側面１４０ｃとの距離である。また、伝送基板１５０の延出部分１５０ｆを除く部分の厚さは、伝送基板１５０の延出部分１５０ｆの厚さ、及び半導体チップ１４０の厚さよりも大きい。また、伝送基板１５０の延出部分１５０ｆの厚さは、半導体チップ１４０の厚さよりも小さい。面１５０ｅは、第３の側面１５０ｃと第４の側面１５０ｄとを繋いでいる。一例では、面１５０ｅは、第３の側面１５０ｃ及び第４の側面１５０ｄに対して垂直である。面１５０ｅ及び第３の側面１５０ｃは、第４の側面１５０ｄに対する窪みを構成している。
【００３９】
以上に説明した、本実施形態に係る半導体装置２によって得られる効果について説明する。本実施形態に係る半導体装置２では、図６に示されるように、半導体チップ１４０の第２の側面１４０ｃと対向する第４の側面１５０ｄが、半導体チップ１４０の厚さ方向Ａ２において、第１の架空平面Ｈ４に対してキャリア１０１とは反対側に配置されており、且つ、第１の方向Ａ１において、第２の架空平面Ｈ５に対して第２の側面１４０ｃ側に配置されるので、第３の側面１５０ｃ上には、接着剤１３０の余剰分１３０ａを受容する空間が確保される。したがって、第４の側面１５０ｄと第２の側面１４０ｃとの隙間を小さくした場合であっても、接着剤１３０の余剰分１３０ａが、第４の側面１５０ｄと第２の側面１４０ｃとの間を伝って、伝送基板１５０及び半導体チップ１４０上に乗り上げることを抑えることができる。これにより、接着剤１３０の余剰分１３０ａが、伝送基板１５０と半導体チップ１４０とを繋ぐワイヤ７６，７７等に接触することを防ぎ、信号配線と他の配線との短絡を抑えることができる。
【００４０】
また、第３の側面１５０ｃは、キャリア１０１と対向する位置に配置されるので、伝送基板１５０の延出部分１５０ｆを除く部分の厚さを、半導体チップ１４０よりも厚くすることができる。これにより、伝送基板１５０の強度の低下を抑えることができる。また、信号配線１１９の一端は、伝送基板１５０の延出部分１５０ｆに位置しているので、ワイヤ７６を短くすることができ、信号配線の特性インピーダンスの増大を抑えることができる。
【００４１】
また、第１の側面１０１ａと第２の側面１４０ｃとが、第１の方向Ａ１において同じ位置にある場合、余剰分１３０ａが、上記隙間を伝って、伝送基板１５０上、及び、半導体チップ１４０上に乗り上げ易い。従って、本実施形態に係る半導体装置２の伝送基板１５０の構成は、このような場合に特に有効である。
【００４２】
また、本実施形態のように、延出部分１５０ｆにおける伝送基板１５０の厚さは、半導体チップ１４０の厚さより小さくてもよい。
【００４３】
また、本実施形態のように、伝送基板１５０の延出部分１５０ｆを除く部分の厚さは、半導体チップ１４０の厚さよりも大きくてもよい。これにより、伝送基板１５０の強度の低下を好適に抑えることができる。
【００４４】
また、本実施形態のように、伝送基板１５０の延出部分の長さは、伝送基板１５０の筐体１１に支持された部分と、第２の側面１４０ｃを含む第３の架空平面Ｈ６との距離の５分の１以下であってもよい。このように延出部分１５０ｆが短く形成されることにより、筐体１０と第２の側面１４０ｃとの第１の方向Ａ１における距離が長い場合であっても、延出部分１５０ｆの長さを抑えることができる。したがって、伝送基板１５０の強度の低下を更に抑えることができる。
【００４５】
本発明による電子装置組立体は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した各実施形態を、必要な目的及び効果に応じて互いに組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１，２，２００…半導体装置、１０，１１…筐体、１０Ａ〜１０Ｄ，１１Ａ〜１１Ｄ，２００Ａ，２００Ｂ…側壁、１０Ｅ，２００Ｃ…底面、２０，３００…発光部、３０，２６０…レンズホルダ、３０ａ…第１のレンズ、４０，２３０…レセプタクル、４０ａ…出射窓、４０ｂ…第２のレンズ、５１…第１のキャパシタ、５２…第２のキャパシタ、５３…終端抵抗、５４…サーミスタ、１０９，１１０，２１０…フィードスルー、７０〜７７，３１０…ワイヤ、８０…温度制御素子、８１…電源ポスト、９０，２４０…第１のキャリア、１００，２４１…第２のキャリア、１００ａ…第１の側面、１００ｂ，１０１ｂ…キャリア表面、１０１…キャリア、１０５，２５０…チップキャリア、１０５ａ，１４０ａ…第１の主面、１４０ｂ…第１の裏面、１０５ｃ，１４０ｃ…第２の側面、１１１，２４２…第１の信号配線、１１２…第１のグランド配線パターン、１１３…伝送路用パッド、１１４…グランドパッド、１１５，１５０…伝送基板、１１５ａ，１５０ａ…第２の主面、１１５ｂ，１５０ｂ…第２の裏面、１１５ｃ，１５０ｃ…第３の側面、１１５ｄ，１５０ｄ…第４の側面、１１５ｅ，１５０ｅ…面、１１６，２５１…第２の信号配線、１１７…第２のグランド配線パターン、１１８…グランド配線、１１９…信号配線、１２０，１２１…リード、１２２…終端配線パターン、１２３…配線パターン、１２４…電源配線、１３０，２９０…接着剤、１３０ａ…余剰分、１４０…半導体チップ、２２０ａ，２４１ａ，２５０ａ…側面、Ａ１…第１の方向、Ａ２…厚さ方向、Ｈ１，Ｈ４…第１の架空平面、Ｈ２，Ｈ５…第２の架空平面、Ｈ３，Ｈ６…第３の架空平面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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