(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品の実装工程や、それを搭載した電子機器使用時等に発生する、配線剥がれの発生を抑制した配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１０は、絶縁性基材１１と前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置され、アスペクト比が１以下である配線１２と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置され、アスペクト比が１以下である配線と、を有する配線基板。
【請求項２】
前記配線は、シード層と、金属層とを有する請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記配線の幅は、２μｍ以上１２μｍ以下である請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や自動車電話などの移動体通信や、タブレット、電子書籍専用端末、スマートフォン、ＭＰ３プレーヤー、電子ゲーム機などの携帯用電子機器等の各種電子機器類について近年、小型薄型化、高機能化の要請が高まっている。
【０００３】
このため、各種電子機器類に用いる、電子部品を実装するための配線基板について、配線の高密度化が進み、特に印加電圧や電流が小さい用途に対して微細配線によるファインピッチ化が進んでいる。
【０００４】
このような微細配線を備えた配線基板の配線は、例えばサブトラクティブ法や、セミアディティブ法等により製造されている。
【０００５】
サブトラクティブ法により配線を製造する場合、絶縁性基材上に配置した金属層の表面にレジスト層を形成後、レジスト層に配線形成用開口部を形成し、開口部から露出した金属層をエッチングして配線を形成することができる。
【０００６】
例えば特許文献１には、サブトラクティブ法により銅回路パターンを形成する際に、所望のエッチングレジストのパターンが形成された銅張り積層板に１７２ｎｍの波長を主体とする紫外線の照射を行う工程と、該紫外線の照射によってレジストの濡れ性が改良された状態で銅層のウエットエッチング処理を行う工程とを包含することを特徴とする銅回路パターンの形成方法が開示されている。
【０００７】
また、セミアディティブ法により配線を製造する場合、絶縁性基材上に、例えば乾式めっき法により第１金属層を配置しておき、該第１金属層上にレジスト層を形成後、そのレジスト層に配線形成用開口部を形成する。そして、該配線形成用開口部に例えば湿式めっき法により第２金属層を積み上げる。レジスト層を除去後、露出した第１金属層をエッチングすることで、パターニングされた第１金属層及び第２金属層により配線を形成することができる。
【０００８】
セミアディティブ法による配線基板の製造方法として、例えば特許文献２にはＣＯＦ配線基板の製造方法が開示されている。特許文献２では、ＣＯＦ配線基板用基材を用いてセミアディティブ法によりＣＯＦ配線基板を製造する方法において、前記ＣＯＦ配線基板用基材として、絶縁フィルムの表面に乾式めっき法でシード層を設け、このシード層の上に乾式めっき法で銅もしくは銅を主成分とする導電層を設けたことを特徴とするＣＯＦ配線基板の製造方法が開示されている。セミアディティブ法により配線基板を製造する場合、特許文献２に開示されているように、絶縁性基材上にスパッタ法等の乾式めっき法によりシード層等と呼ばれる導電性の薄膜層を形成した基材が用いられる場合がある。
【０００９】
セミアディティブ法では、レジストで形成された開口部内に配線を形成するため、配線形状がレジストで形成された開口部の形状に倣う。このため、サブトラクティブ法と比較して、矩形性に優れた高アスペクト比の配線を形成することができるという特徴を有している。
【００１０】
ところで、既述のように近年では微細配線によるファインピッチ化が進んでおり、絶縁性基材と配線との密着幅、すなわち配線幅が小さくなっている。このため、密着力の絶対値が低下し、配線形成後の電子部品の実装工程や、電子部品を実装した配線基板を含む電子機器を使用している時等に配線剥がれが発生しやすいという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−３１９５９３号公報
【特許文献２】特開２００８−２６３０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、配線剥がれの発生を抑制した配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置され、アスペクト比が１以下である配線と、を有する配線基板を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一側面によれば、配線剥がれの発生を抑制した配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る配線基板の構成例の説明図。
【図２】本発明の実施形態に係る配線基板の構成例の説明図。
【図３】本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法の説明図。
【図４】本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法の説明図。
【図５】実施例、比較例における配線剥がれテストの試料の構成の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の配線基板、配線基板の製造方法、及び電子部品実装基板の一実施形態について説明する。
［配線基板］
本実施形態の配線基板の構成例について説明する。
【００１７】
本実施形態の配線基板は、絶縁性基材と、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置され、アスペクト比が１以下である配線と、を有することができる。
【００１８】
ここで、本実施形態の配線基板について、図１（Ａ）、図１（Ｂ）を用いて説明する。
【００１９】
図１（Ａ）は、本実施形態の配線基板１０の斜視図を示しており、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中、点線で囲まれた領域Ａを拡大して示した図１である。
【００２０】
図１（Ａ）に示したように、本実施形態の配線基板１０は、絶縁性基材１１と、絶縁性基材１１の少なくとも一方の面上に配置された配線１２とを有することができる。
【００２１】
図１（Ａ）では、絶縁性基材１１の一方の面１１ａ側のみに配線１２を設けた例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。例えば、絶縁性基材１１の一方の面１１ａと反対側に位置する他方の面１１ｂ上にも配線を設けることもできる。
【００２２】
また、絶縁性基材１１の一方の面１１ａ、および／または他方の面１１ｂ上には、必要に応じて、電子部品を実装するためのパッド等を設けておくこともできる。
【００２３】
本発明の発明者は、配線形成後の電子部品の実装工程や、電子部品を実装した配線基板を含む電子機器を使用した際等に、配線剥がれが発生する原因について鋭意検討を行った。その結果、配線基板上に電子部品等を実装し、電子部品と配線基板との間にアンダーフィルを充填した箇所で、特に配線剥がれが発生していることを見出した。係る知見から、例えばアンダーフィルを充填する際や、電子部品に対して電流を供給、停止することで、アンダーフィルが加熱、冷却され、それに伴うアンダーフィルの膨張、収縮による圧力が配線の側面に加わり、配線剥がれが生じていると推認した。
【００２４】
そこで本発明の発明者はさらに検討を行い、配線のアスペクト比を所定の範囲とすることで、配線の側面にアンダーフィルの温度変化によるアンダーフィルの膨張、収縮に伴う圧力が加わった場合でも、配線剥がれの発生を抑制できることを見出した。
【００２５】
そして、配線１２は、アスペクト比が１以上であることが好ましい。ここでいうアスペクト比とは、図１（Ｂ）に示した、配線１２の配線厚さＴを、配線１２の絶縁性基材１１と接している面の配線幅Ｗで除した値、すなわちＴ／Ｗで表される値を意味している。
【００２６】
アスペクト比を１以下とすることで、配線厚さＴに対して、配線幅Ｗが十分に確保できており、絶縁性基材１１に対して、配線１２は十分な密着力を有しているといえる。このため、アンダーフィルの充填圧力や、温度変化によるアンダーフィルの膨張、収縮に伴う圧力が加わった場合でも、配線剥がれの発生を十分抑制することができる。
【００２７】
一方、アスペクト比の下限は特に限定されるものではないが、微細配線としての要求を満たす観点から、０．０８以上とすることが好ましく、特に微細化が要求される場合には、０．２以上とすることがより好ましい。
【００２８】
図１（Ａ）においては、絶縁性基材１１上に互いに平行な配線１２を設けた例を示しているが係る形態に限定されるものではない。配線１２の配置や形状は係る形態に限定されるものではなく、例えば屈曲部等を有することができ、また互いに平行ではない配線を含むことができる。
【００２９】
ただし、２本以上の配線が近接して存在する場合に特に、配線間に存在するアンダーフィル等により、配線はその側面にアンダーフィル等からの圧力を受け、配線剥がれが生じやすくなる。そして、本実施形態の配線基板においては、このように配線間が近接している場合でも配線剥がれの発生を抑制することができ、特に高い効果を発揮することができる。このため、本実施形態の配線基板は、例えば２本以上の配線を有し、配線間の距離が近接している部分を有していることが好ましい。特に、本実施形態の配線基板は、その上面に電子部品を実装し、絶縁性基材と、電子部品との間にアンダーフィルを充填する領域において、例えば２本以上の複数の配線を有し、配線間の距離が近接している部分を有することがより好ましい。
【００３０】
上述の配線間の距離が近接している部分においては、例えば配線間の距離が２０μｍ以下の部分を含むことが好ましい。ただし、配線間の距離が近すぎると、配線間の絶縁を十分に確保できない恐れがあるため、配線間の距離は１０μｍ以上であることが好ましい。
【００３１】
絶縁性基材１１上に配置する配線としては、上述のアスペクト比を満たす配線と、上述のアスペクト比を満たさない配線とを含んでいても良い。すなわち、配線基板１０は、アスペクト比が１以下の配線を含んでいれば良い。
【００３２】
ただし、少なくともその上面に電子部品を実装し、アンダーフィルを充填する領域の配線は、配線剥がれの発生を特に抑制する観点から上記アスペクト比を充足することが好ましい。特に、絶縁性基材１１上の全ての配線は上記アスペクト比を満たすことがより好ましい。すなわち配線基板１０は、配線部分がアスペクト比が１以下の配線から構成されていることがより好ましい。
【００３３】
配線１２の幅や、厚さについては特に限定されるものではなく、上述のアスペクト比を満たしていれば足りる。
【００３４】
ただし、例えば配線１２の幅、すなわち配線幅Ｗは、２μｍ以上１２μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００３５】
これは配線幅Ｗを２μｍ以上とすることで、絶縁性基材１１と、配線１２との密着性を特に高めることができるからである。また、配線幅Ｗを１２μｍ以下とすることで、十分に微細な配線とすることができ、電子部品の高密度実装を図ることが可能になるからである。
【００３６】
配線１２の厚さ、すなわち配線厚さＴは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００３７】
これは、配線厚さＴを１μｍ以上とすることで、十分な電流を供給することができ、該配線を備えた配線基板を用いることで、特に安定して動作を行うことができる電子部品を形成することができるからである。配線厚さＴを１０μｍ以下とすることで、配線の側面の面積を低減し、配線がアンダーフィルから受ける力を低減できるため、特に配線剥がれが生じることを抑制できるからである。
【００３８】
次に、本実施形態の配線基板が含む各部材について説明する。
【００３９】
絶縁性基材１１の材料としては特に限定されるものではなく、例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アセチルセルロース系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、絶縁性樹脂基板の材料として、ポリアミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド、ポリカーボネート、アセチルセルロース等から選択された１種以上をより好ましく用いることができる。
【００４０】
絶縁性基材の厚さについては特に限定されず、配線基板とした場合に要求される強度や耐熱性、静電容量等に応じて任意に選択することができる。絶縁性基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００４１】
次に配線１２について説明する。
【００４２】
絶縁性基材１１上に配線を形成する方法として、例えば以下の２つの方法が挙げられる。
【００４３】
第１の方法としては、回路を形成する導体に用いられる金属箔とプラスチックフィルムとを熱圧着（ラミネート）法で貼り合わせるラミネート法が挙げられる。
【００４４】
第２の方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の乾式めっき法によって、プラスチックフィルム上に薄膜のシード層、及び第１金属層を形成し、その上に無電解めっき法または電解めっき法の湿式めっき法によりさらに第２金属層を形成するメタライジング法が挙げられる。
【００４５】
特に配線を形成する際に、第２の方法として挙げたメタライジング法を用いた場合、微細な配線を形成しやすいものの、絶縁性基材と、配線との密着性が、第１の方法のラミネート法と比較して低くなりやすい。すなわち配線剥がれが発生しやすくなる。しかし、本実施形態の配線基板とすることで、係る配線剥がれの発生を抑制することができるため、特に高い効果を発揮することが可能なる。このため、本実施形態の配線基板は、第２の方法として挙げたメタライジング法により配線部分（導電部）が形成されていることが好ましい。
【００４６】
そこで、本実施形態の配線基板の配線１２は、シード層と、金属層とを有することが好ましい。具体的には例えば図２に示したように、配線１２は、絶縁性基材１１側から、シード層１２１と、金属層１２２とが積層された構造を有していることが好ましい。金属層１２２は、後述するように、乾式めっき膜である第１金属層１２２１と、湿式めっき膜である第２金属層１２２２とを有することもできる。
【００４７】
以下、各層について説明する。
【００４８】
シード層１２１は、絶縁性基材１１と、金属層１２２との密着性を高める働きを有する。
【００４９】
シード層を構成する材料は特に限定されるものではなく、絶縁性基材及び金属層との密着力や、配線基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００５０】
シード層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、シード層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【００５１】
なお、シード層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むことができる。この場合についても、シード層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金から選択された１種以上を好ましく用いることができる。特にＮｉ−Ｃｒ合金、またはＮｉ−Ｃｕ合金をより好ましく用いることができる。
【００５２】
シード層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。シード層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、シード層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００５３】
シード層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、シード層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、シード層中に添加することができる。例えば、シード層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【００５４】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【００５５】
シード層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、絶縁性基材とシード層との密着性を高めることができる。そして、シード層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、絶縁性基材と金属層との間にシード層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
【００５６】
なお、シード層を乾式めっき法により成膜することで、絶縁性基材上に接着剤を介さずにシード層を直接形成することができる。
【００５７】
シード層の厚さは特に限定されるものではないが、絶縁性基材と金属層との密着性を十分に高める観点から、３ｎｍ以上であることが好ましい。
【００５８】
ただし、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、シード層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００５９】
このため、シード層は、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００６０】
次に、金属層について説明する。
【００６１】
金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、金属層を構成する材料は、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の金属との銅合金、または銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
【００６２】
金属層は、既述の様に乾式めっき膜である第１金属層を有することができる。また、乾式めっき膜である第１金属層と、湿式めっき膜である第２金属層とを有することもできる。
【００６３】
例えば透明基材上に、乾式めっき法により第１金属層を形成し該第１金属層を金属層とすることができる。これにより、シード層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては後で詳述するが、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。
【００６４】
また、金属層の膜厚を厚くする場合には、第１金属層を給電層として湿式めっき法の一種である電解めっき法により第２金属層を形成することにより、第１金属層と第２金属層とを有する金属層とすることもできる。金属層が第１金属層と第２金属層とを有することにより、この場合もシード層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。
【００６５】
なお、金属層が第１金属層と、第２金属層とを有する場合、第１金属層と、第２金属層との組成は同じであっても良く、異なっていてもよい。特に、第１金属層と第２金属層とは同じ組成であることが好ましい。
【００６６】
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、シード層、及び金属層を含む配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。また、金属層の厚さは、例えば形成する配線のアスペクト比、及び配線幅に応じて、シード層の厚さを勘案して任意に選択することができる。
【００６７】
ただし、金属層が厚くなると、配線のアスペクト比を１以下とするために金属層を含む配線の配線幅Ｗを大きくする必要が生じ、微細配線とすることができなくなる恐れがある。また、配線を形成するために金属層をエッチングする際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは１０μｍ以下であることが好ましく、９μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００６８】
また、特に配線基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００６９】
なお、金属層が上述のように第１金属層と、第２金属層とを有する場合には、第１金属層の厚さと、第２金属層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００７０】
金属層が第１金属層により構成される場合、または第１金属層と第２金属層とにより構成される場合のいずれの場合でも、第１金属層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００７１】
以上に説明した本実施形態の配線基板によれば、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に所定のアスペクト比を有する配線が配置されている。このため、例えば絶縁性基材の配線上に電子部品を実装し、電子部品と絶縁性基材との間にアンダーフィルを充填した場合でも、該アンダーフィルから配線の側面に加えられる圧力による配線剥がれの発生を抑制することができる。
［配線基板の製造方法］
次に本実施形態の配線基板の製造方法の構成例について説明する。
【００７２】
なお、本実施形態の配線基板の製造方法により、既述の配線基板を製造できるため、既に説明した事項については一部説明を省略する。
【００７３】
本実施形態の配線基板は絶縁性基材上に、例えばサブトラクティブ法や、セミアディティブ法を用いて配線部分を形成することができる。以下に具体的に説明する。
（１）第１構成例
配線基板の製造方法の第１構成例について説明する。
【００７４】
第１構成例は、サブトラクティブ法を用いて配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、例えば以下の工程を有することができる。
【００７５】
絶縁性基材の少なくとも一方の面上にシード層を形成するシード層形成工程。
【００７６】
シード層上に金属層を形成する金属層形成工程。
【００７７】
シード層、及び金属層をパターニングするパターニング工程。
【００７８】
以下、各工程について説明する。
（シード層形成工程）
シード層形成工程では、絶縁性基材の少なくとも一方の面上にシード層を形成することができる。シード層形成工程に供する絶縁性基材は予め準備しておくことができる。絶縁性基材の好適な構成については既述のため、ここでは説明を省略する。絶縁性基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
【００７９】
シード層形成工程において、シード層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。シード層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００８０】
シード層の好適な構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
（金属層形成工程）
金属層は、乾式めっき膜である第１金属層から構成することもできる。また、金属層は乾式めっき膜である第１金属層と、湿式めっき膜である第２金属層とから構成することもできる。
【００８１】
このため、金属層形成工程は、例えば第１金属層を形成する第１金属層形成工程を有することができる。また、金属層形成工程は、第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、第２金属層を形成する第２金属層形成工程とを有することもできる。
【００８２】
第１金属層形成工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。第１金属層形成工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００８３】
第１金属層の好適な構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
【００８４】
そして、既述の様にさらに、第１金属層上に第２金属層を形成する第２金属層形成工程を有することもできる。第２金属層形成工程を実施する場合、第２金属層形成工程では、第１金属層上に、湿式めっき法により第２金属層を形成することができる。
【００８５】
第２金属層形成工程で用いる湿式めっき法としては特に限定されないが、例えば電解めっき法を好ましく用いることができる。
【００８６】
第２金属層を湿式めっき法により成膜する場合、その成膜条件は特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、第２金属層が銅により構成されている場合、銅めっき液を入れためっき槽にシード層、及び第１金属層を形成した絶縁性基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、第２金属層を形成できる。
【００８７】
第２金属層の好適な構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
（パターニング工程）
パターニング工程は以下のステップを有することができる。
【００８８】
金属層上に、形成する配線に対応した形状を有するレジストを形成するレジスト配置ステップ。  
レジストを用いて金属層をパターニングし、配線を形成する配線形成ステップ。  
レジストを除去するレジスト除去ステップ。
【００８９】
以下、各ステップについて、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）を用いて説明する。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、絶縁性基材３１の主表面と垂直な面における断面図を示している。
【００９０】
既述の金属層形成工程まで実施することで、図３（Ａ）に示したように、絶縁性基材３１の少なくとも一方の面３１ａ上に、シード層３２１、及び金属層３２２を備えた導電性基板を形成することができる。
【００９１】
なお、金属層３２２は、既述の様に第１金属層のみから構成することもできるが、第１金属層と第２金属層とから構成することもできる。
【００９２】
そして、レジスト配置ステップでは、図３（Ａ）に示すように、金属層３２２上に、形成する配線に対応した形状を有するレジスト３３を形成することができる。
【００９３】
レジスト３３は、例えば以下の手順により形成できる。
【００９４】
まず、金属層３２２の絶縁性基材３１と対向する面とは反対の面上に、感光性のレジストを塗布、あるいは貼付する。
【００９５】
次いで、レジストが、形成する配線に対応した形状となるようにフォトリソグラフィ法により加工する。そして、感光し、不要部を除去することで形成する金属配線に対応した形状を有するレジスト３３を形成することができる。
【００９６】
次に配線形成ステップを実施することができる。
【００９７】
レジスト配置ステップの後、レジスト３３上からエッチング液を供給することで、金属配線形成ステップを実施できる。金属配線形成ステップでは、図３（Ｂ）に示したように、レジスト３３を用いてシード層３２１、及び金属層３２２をエッチングによりパターニングし、所望の形状を有する配線３２を形成することができる。
【００９８】
この際、用いるエッチング液としては特に限定されるものではなく、シード層や、金属層の材料に応じたエッチング液を用いることができる。
（レジスト除去ステップ）
その後、レジスト除去ステップを実施できる。レジスト除去ステップでは、配線３２上に残ったレジスト３３を除去することで、図３（Ｃ）に示すように、絶縁性基材３１と、絶縁性基材３１上に配置された配線３２とを備えた導電性基板を得ることができる。
【００９９】
なお、配線３２は既述の配線基板の配線の特性、例えばアスペクト比を充足していることが好ましい。例えばレジスト形成工程において形成するレジストの形状や、各層を形成する際の各層の厚さにより、所望のアスペクト比となるように調整することができる。
【０１００】
ここでは、絶縁性基材３１の一方の面３１ａ上にのみ配線を設けた配線基板の場合を例に説明したが、絶縁性基材３１の一方の面３１ａ、及び他方の面３１ｂ上に配線を設けた配線基板を製造する場合には、他方の面３１ｂ上にも同様にして配線を形成できる。
（２）第２構成例
配線基板の製造方法の第２構成例について説明する。
【０１０１】
第２構成例は、セミアディティブ法を用いて配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、例えば以下の工程を有することができる。
【０１０２】
絶縁性基材の少なくとも一方の面上にシード層を形成するシード層形成工程。
【０１０３】
シード層上に第１金属層を形成する第１金属層形成工程。
【０１０４】
第１金属層上に、形成する配線に対応する開口部を有するレジストを形成するレジスト形成工程。
【０１０５】
レジストの開口部の、第１金属層上に第２金属層を形成する第２金属層形成工程。
【０１０６】
レジストを除去するレジスト除去工程
シード層、及び第１金属層のレジストで覆われていた部分を除去するシード層・第１金属層除去工程。
【０１０７】
以下、各工程について説明する。
（シード層形成工程、第１金属層形成工程）
シード層形成工程、及び第１金属層形成工程を実施することで、図４（Ａ）に示す様に、絶縁性基材４１の少なくとも一方の面４１ａ上に、シード層４２１、及び第１金属層４２２１を形成することができる。
【０１０８】
シード層形成工程、及び第１金属層形成工程は、第１構成例の場合と同様に実施できるため、ここでは説明を省略する。
（レジスト形成工程）
レジスト形成工程は、第１金属層形成工程の後に実施することができ、レジスト形成工程では、図４（Ａ）に示すように、第１金属層４２２１上に形成する配線に対応した形状を有する開口部４３１を有するレジスト４３を形成することができる。
【０１０９】
レジスト４３は、例えば以下の手順により形成できる。
【０１１０】
まず、第１金属層４２２１の絶縁性基材４１と対向する面とは反対の面上に、感光性のレジストを塗布、あるいは貼付する。
【０１１１】
次いで、レジストに形成する開口部が、形成する配線に対応した形状となるようにフォトリソグラフィ法により加工する。そして、感光し、不要部を除去することで、形成する金属配線に対応した形状の開口部４３１を有するレジスト４３を形成することができる。
【０１１２】
レジスト４３の厚さは特に限定されないが、形成する第２金属層に対応した厚さを有することが好ましい。具体的には、例えばレジスト４３の厚さは、形成する第２金属層の厚さ（高さ）よりも厚いことが好ましい。
（第２金属層形成工程）
レジスト形成工程の後、第２金属層形成工程を実施することができる。第２金属層形成工程は、第１金属層上に、湿式めっき法により第２金属層を形成する工程とすることができる。
【０１１３】
具体的には、図４（Ｂ）に示したように、湿式めっき法により、レジスト４３の開口部４３１内に第２金属層４２２２を形成することができる。この際、湿式めっき法として電解めっき法を用いる場合、第１金属層４２２１を給電層として用いることができる。
【０１１４】
第２金属層形成工程は、レジスト４３の開口部４３１内に第２金属層を形成する点以外は第１の構成例の場合と同様に実施できるため、ここでは説明を省略する。
（レジスト除去工程、シード層・第１金属層除去工程）
その後、レジスト４３の除去を実施できる（レジスト除去工程）。
【０１１５】
そして、シード層４２１、及び第１金属層４２２１のレジスト４３で覆われていた部分の除去を実施できる（シード層・第１金属層除去工程）。なお、シード層４２１、及び第１金属層４２２１のレジスト４３で覆われていた部分とは、シード層４２１、及び第１金属層４２２１のうち、レジスト４３を除去した際に第２金属層４２２２により覆われておらず、露出した部分ともいえる。
【０１１６】
これにより、図４（Ｃ）に示すように、絶縁性基材４１と、絶縁性基材４１上に、パターニングされたシード層４２１と、パターニングされた第１金属層４２２１、及びパターニングされた第２金属層４２２２を有する配線４２とを備えた配線基板を得ることができる。
【０１１７】
なお、配線４２は既述の配線基板の配線の特性、例えばアスペクト比を充足していることが好ましい。例えばレジスト形成工程において形成するレジストに設けた開口部４３１の形状や、各層を形成する際の各層の厚さにより、所望のアスペクト比となるように調整することができる。
【０１１８】
ここでは、絶縁性基材４１の一方の面４１ａ上にのみ配線を設けた配線基板の場合を例に説明したが、絶縁性基材４１の一方の面４１ａ、及び他方の面４１ｂ上に配線を設けた配線基板を製造する場合には、上述の場合と同様にして、他方の面４１ｂ上にも配線を形成できる。
【０１１９】
ここまで、配線基板の製造方法について、第１の構成例、第２の構成例を示して説明したが、係る形態に限定されるものではない。また、配線を形成する際には、第１の構成例、第２の構成例、いずれも取り得ることができるが、第２の構成例で示したセミアディティブ法で形成した配線は、特に直線性に優れ、かつ形成する配線の長さ方向と垂直な面での断面形状の矩形性が高く、アスペクト比も容易に調整できる。既述の様に近年は微細な配線が求められているところ、特に第２の構成例で示した方法によれば容易に、微細な配線を形成することができる。このため、特に高密度な配線を製造することが求められる場合には、第２の構成例で示した配線基板の製造方法を用いることが好ましい。
【０１２０】
以上に説明した本実施形態の配線基板の製造方法によれば、容易に所定のアスペクト比を有する配線を形成することができる。このため、配線剥がれが生じることを抑制した配線基板を製造することができる。
［電子部品実装基板］
次に電子部品実装基板の構成例について説明する。
【０１２１】
本実施形態の電子部品実装基板は、既述の配線基板と、係る配線基板の配線上に配置された電子部品と、配線基板と電子部品との間に充填されたアンダーフィルとを有することができる。
【０１２２】
本実施形態の電子部品実装基板に用いる電子部品としては特に限定されるものではなく、各種電子部品を用いることができる。
【０１２３】
アンダーフィルについても特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂を含む組成物や、エポキシ樹脂を含む組成物、アクリル樹脂を含む組成物等が挙げられる。
【０１２４】
なお、本実施形態の電子部品実装基板の製造方法は特に限定されないが、例えば既述の配線基板を用い、該配線基板に電子部品を実装し、配線基板の絶縁性基材と、電子部品との間にアンダーフィルを充填することで製造することができる。
【０１２５】
既述のように、従来の配線基板においては、配線上に電子部品を実装し、電子部品と、配線基板との間にアンダーフィルを充填した電子部品実装基板とした場合に、特に配線剥がれが生じ易かった。しかしながら、本実施形態の配線基板によれば、配線が所定のアスペクト比を有するため、特に配線剥がれが生じることを抑制できている。このため、本実施形態の電子部品実装基板によれば、歩留まりが高く、動作安定性に優れた電子部品実装基板とすることができる。
【実施例】
【０１２６】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
まず、絶縁性基材として、１００ｍｍ角、厚さが３５μｍの矩形形状のポリイミドフィルム（宇部興産社製  商品名：Ｕｐｉｌｅｘ−３５ＳＧＡＶ１）を用意し、以下の手順により、セミアディティブ法を用いて配線基板を製造した。
（シード層形成工程）
絶縁性基材の一方の面上に、シード層として、厚さが４ｎｍのＮｉ−Ｃｒ合金層を成膜した。
【０１２７】
具体的には、マグネトロンスパッタリング装置内にポリイミドフィルムをセットし、Ｃｒ（クロム）を全量に対して２０質量％含有し、残部がＮｉ（ニッケル）である、ニッケル−クロム合金ターゲットを用い、真空雰囲気下、Ｎｉ−Ｃｒ合金層を成膜した。
（第１金属層形成工程）
次いで、シード層上に、厚さ１００ｎｍの銅層である第１金属層を形成した。なお、シード層を成膜したマグネトロンスパッタリング装置には銅ターゲットをセットしておき、シード層の成膜後、チャンバーを開けることなく、連続して第１金属層を成膜した。
（レジスト配置工程）
まず、第１金属層表面にドライフィルムレジスト（日立化成製  商品名：ＲＹ−３３１５ＥＥ）をラミネートした。次いで、ドライフィルムレジストへ形成する配線のパターンを露光し、０．８質量％の炭酸ナトリウム水溶液にドライフィルムレジストを接触させた。
これにより図４（Ａ）に示す様に、絶縁性基材４１上にシード層４２１、及び第１金属層４２２１が形成され、第１金属層４２２１上に、形成する配線に対応する形状の開口部４３１を有するレジスト４３を形成した。なお、レジスト４３には、絶縁性基材の一辺と平行で、かつ互いに平行な、配線幅が１０μｍ、配線間の距離が１０μｍの複数の直線状の配線のパターンが形成できるように開口部４３１を形成した。
（第２金属層形成工程）
次に硫酸銅めっき浴で銅めっきを行い、図４（Ｂ）に示す様にレジスト４３に形成された開口部４３１に厚さ３μｍの第２金属層４２２２を形成した。なお、第２金属層４２２２は、第１金属層４２２１上に形成されることになる。
（レジスト除去工程、シード層・第１金属層除去工程）
そして、２．０質量％の水酸化ナトリウム水溶液にドライフィルムを接触させることでレジスト４３を剥離、除去した（レジスト除去工程）。
【０１２８】
次に、シード層・第1金属層除去工程を実施した。
【０１２９】
まず、主成分が硫酸及び過酸化水素からなるソフトエッチング液（ＣＰＥ−８００、三菱ガス化学製）を用いて、第２金属層４２２２に覆われていない、露出した第１金属層４２２１を除去した。
【０１３０】
さらに、上記露出した第１金属層４２２１を除去することで、第１金属層４２２１、及び第２金属層４２２２に覆われておらず、露出したシード層４２１を、ニッケルクロム選択エッチング液（ＦＬＩＣＫＥＲ−ＹＬ、日本化学産業製）を用いて除去した。
【０１３１】
これにより、図４に示す、絶縁性基材４１上に、パターニングされたシード層４２１、第１金属層４２２１、第２金属層４２２２を含む配線４２を有する配線基板が得られた。
なお、配線４２は、配線幅Ｗは１０μｍ、配線厚さＴは３μｍとなっている。
【０１３２】
得られた配線基板について、図５に示す様に、配線４２上に５ｍｍ角のダミーチップ５１を配置後、絶縁性基材４１と、ダミーチップ５１との間、すなわち配線４２間にアンダーフィル材（商品名  ＴｈｒｅｅＢｏｎｄ２２０２：粘度１３Ｐａ・ｓ  スリーボンド社製）を充填した。なお、アンダーフィル樹脂は配線４２間に、毛細管現象によって、例えばブロック矢印Ｘに沿って、すなわち配線４２の長さ方向に沿って拡がり、充填される。アンダーフィル樹脂は充填後、加熱硬化させた。
【０１３３】
そして、アンダーフィルを充填、硬化後、−４０℃で３０分間保持と、１２５℃で３０分間保持との熱サイクルを１サイクルとし、係る熱サイクルを１０００サイクル繰り返す配線剥がれテストを実施し、配線剥がれの有無を評価した。
【０１３４】
配線剥がれが生じた場合には×、配線剥がれが生じなかった場合には〇と評価した。
【０１３５】
結果を表１に示す。
【０１３６】
【表１】
2018085465.tif 000003
［実施例２〜実施例４］
第２金属層形成工程において、第２金属層の厚さを変更することにより、配線４２の厚さが、それぞれ表１に示した値となるように配線基板を製造し、実施例１と同様に配線剥がれテストを実施した。
【０１３７】
結果を表１に示す。
［比較例１、比較例２］
第２金属層形成工程において、第２金属層の厚さを変更することにより、配線４２の厚さが、それぞれ表１に示した値となるように配線基板を製造し、実施例１と同様に配線剥がれテストを実施した。
【０１３８】
結果を表１に示す。
【０１３９】
表１に示した結果から、配線のアスペクト比が１以下である実施例１〜４においては、剥がれテストの結果が○になっていることを確認できた。一方アスペクト比が１より大きい比較例１、２においては配線剥がれテストの結果が×になっていることが確認できた。
【０１４０】
以上の結果から、配線のアスペクト比を所定の範囲とすることで、配線剥がれを抑制できることを確認できた。
【符号の説明】
【０１４１】
１０                    配線基板
１１、３１、４１        絶縁性基材
１２、３２、４２        配線
１２１、３２１、４２１  シード層
１２２、３２２          金属層
１２２１、４２２１      第１金属層
１２２２、４２２２      第２金属層
【図１】
2018085465.tif 000004
【図２】
2018085465.tif 000005
【図３】
2018085465.tif 000006
【図４】
2018085465.tif 000007
【図５】
2018085465.tif 000008