(57)【要約】【課題】基板に生じた原因による電気抵抗の異常を検出できるようにする。【解決手段】めっき装置が提供され、かかるめっき装置は、めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、基板を保持するための基板ホルダと、を有し、前記抵抗測定器は、前記基板ホルダにより基板を保持する前に、基板の電気抵抗を測定するように構成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき装置であって、
めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、
基板を保持するための基板ホルダと、
を有し、
前記抵抗測定器は、前記基板ホルダにより基板を保持する前に、基板の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
【請求項２】
請求項１に記載のめっき装置であって、
前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のめっき装置であって、
前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層に接触するように構成される接触ピンを有する、
めっき装置。
【請求項４】
請求項３に記載のめっき装置であって、
前記接触ピンは、基板の周方向に移動可能に構成される、
めっき装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
基板の向きを所定の方向に合わせるためのアライナを有し、
前記抵抗測定器は、前記アライナに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
基板を前記基板ホルダに固定するためのフィキシングユニットを有し、
前記抵抗測定器は、前記フィキシングユニットに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される、
めっき装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
前記抵抗測定器で測定された抵抗値を受け取る制御装置を有し、
前記制御装置は、受け取った前記抵抗値に基づいて、基板の状態を判断するように構成される、
めっき装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のめっき装置であって、さらに、
基板のエッジ部を洗浄するためのエッジ部洗浄装置を有する、
めっき装置。
【請求項９】
めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、
基板を保持するための基板ホルダと、コンピュータを備える制御装置と、を有するめっき装置において、
めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の
電気抵抗を測定するステップと、
測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、
を実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のコンピュータプログラムであって、
電気抵抗を測定するステップは、前記基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するステップを有する、
コンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のコンピュータプログラムであって、さらに、
基板のエッジ部を洗浄するステップを実行させるための、
コンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載のコンピュータプログラムであって、さらに、
めっき処理後に、めっき処理した基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップを実行させるための、
コンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のコンピュータプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な非一過性の記録媒体。
【請求項１４】
めっき方法であって、
めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップと、
測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、
を有する、
めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はめっき装置およびめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ等の基板を基板ホルダで保持し、基板をめっき槽内のめっき液中に浸漬させるめっき装置が知られている。図１３に示すように、基板ホルダは、基板Ｗの周縁部に接触する複数の内部接点１００と、これら内部接点１００にそれぞれ接続された複数の外部接点１０１とを備えている。複数の内部接点１００と複数の外部接点１０１とを接続する配線１０４は基板ホルダの内部に配置されている。外部接点１０１は、基板ホルダをめっき槽内の所定位置に配置した時に、電源１０５に接続された給電端子１０３に接触される。電流は外部接点１０１および内部接点１００を通じて基板Ｗに流れ、めっき液の存在下で基板Ｗの表面に金属膜が形成される。
【０００３】
ある内部接点１００と基板Ｗとの間の電気抵抗（以下、単に内部接点１００の電気抵抗という）が極端に高い、あるいは極端に低い場合、複数の内部接点１００に流れる電流が不均一になり、基板面内の膜厚の均一性に問題が生じることがある。そこで、基板を基板ホルダに保持した状態で、基板ホルダの内部接点から基板へ流れる電流に対する抵抗値を測定して、基板および基板ホルダの検査を行う技術がある（たとえば特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２０００１７号公報
【特許文献１】特開２００５−１４６３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、基板ホルダに基板が保持された状態において、基板ホルダの１つの電気接点から基板を通って基板ホルダの他の電気接点へ流れる電流に対する電気抵抗を測定する。電気抵抗が許容範囲内にあるときを正常な状態であるとし、電気抵抗が許容範囲にないときは基板または基板ホルダに異常があると判断される。電気抵抗が異常となるには主に２つの原因がある。１つは、基板側の要因である。たとえば、基板の表面に電導層（シード層）が均一に形成されていない場合や、基板にレジストを塗布する際に生じる不要物が基板上に残っている場合、基板の表面が酸化している場合などに電気抵抗の異常が生じ得る。もう一つは、基板ホルダ側の要因である。基板ホルダの内部接点が変形している場合や、レジストなどの異物が基板ホルダの内部接点に付着している場合や、めっき液が基板ホルダの内部接点に付着している場合、などに電気抵抗の異常が生じ得る。しかし、特許文献１に開示の方法では、電気抵抗に異常が発生した場合でも、その原因が基板にあるのか、基板ホルダにあるのかを判断することはできない。たとえば、基板ホルダに異常があり、基板そのものには異常がないならば、基板ホルダを交換することで、正常なめっき処理を行うことができる。しかし、そのような判断をするには、電気抵抗の異常の原因が基板側にあるのか、基板ホルダ側にあるのかを解明する必要がある。そこで、本願は、基板に生じた原因による電気抵抗の異常を検出できるようにすることを１つの目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［形態１］形態１によれば、めっき装置が提供され、かかるめっき装置は、めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、基板を保持するた
めの基板ホルダと、を有し、前記抵抗測定器は、前記基板ホルダにより基板を保持する前に、基板の電気抵抗を測定するように構成される。形態１によるめっき装置によれば、めっき処理を開始する直前に基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定することで、基板の不良を発見することができる。時間経過とともに、基板のエッジ部の電導層に酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがあるので、めっき処理を開始する直前に基板の状態を判定することで、良好なめっき処理を行うことができる。
【０００７】
［形態２］形態２によれば、形態１によるめっき装置において、前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するように構成される。
【０００８】
［形態３］形態３によれば、形態１または形態２によるめっき装置において、前記抵抗測定器は、基板のエッジ部の電導層に接触するように構成される接触ピンを有する。
【０００９】
［形態４］形態４によれば、形態３によるめっき装置において、前記接触ピンは、基板の周方向に移動可能に構成される。形態４によれば、基板を移動または回転させずに接触ピンを移動させることで、基板のエッジ部の複数の領域の電気抵抗を測定することができる。
【００１０】
［形態５］形態５によれば、形態１から形態４のいずれか１つの形態によるめっき装置において、さらに、基板の向きを所定の方向に合わせるためのアライナを有し、前記抵抗測定器は、前記アライナに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される。形態５によれば、アライナの回転機構を使用して、基板の複数の領域の電気抵抗を測定することができる。また、基板の電気抵抗を測定するための専用の場所を必要としないので、めっき装置の設置面積が大きくなることを防止できる。
【００１１】
［形態６］形態６によれば、形態１から形態４のいずれか１つの形態のめっき装置において、さらに、基板を前記基板ホルダに固定するためのフィキシングユニットを有し、前記抵抗測定器は、前記フィキシングユニットに配置された基板の電気抵抗を測定するように構成される。形態６によれば、基板の電気抵抗を測定するための専用の場所を必要としないので、めっき装置の設置面積が大きくなることを防止できる。
【００１２】
［形態７］形態７によれば、形態１から形態６のいずれか１つの形態のめっき装置において、さらに、前記抵抗測定器で測定された抵抗値を受け取る制御装置を有し、前記制御装置は、受け取った前記抵抗値に基づいて、基板の状態を判断するように構成される。形態７によれば、制御装置により自動的に基板の良否を判定することができる。
【００１３】
［形態８］形態８によれば、形態１から形態７のいずれか１つの形態のめっき装置において、さらに、基板のエッジ部を洗浄するためのエッジ部洗浄装置を有する。形態８によれば、基板のエッジ部の電気抵抗の測定値に基づいて不良と判断された基板のエッジ部を洗浄することで、基板のエッジ部に形成された酸化膜や付着している異物を取り除き、基板を良好な状態にすることができる。
【００１４】
［形態９］形態９によれば、めっき対象物である基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定する抵抗測定器と、基板を保持するための基板ホルダと、コンピュータを備える制御装置と、を有するめっき装置において、めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップと、測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、を実行させるためのコンピュータプログラムが提供される。
【００１５】
［形態１０］形態１０によれば、形態９によるコンピュータプログラムにおいて、電気
抵抗を測定するステップは、前記基板のエッジ部の電導層の複数個所の電気抵抗を測定するステップを有する。
【００１６】
［形態１１］形態１１によれば、形態９または形態１０によるコンピュータプログラムにおいて、さらに、基板のエッジ部を洗浄するステップを実行させる。形態１１によれば、板のエッジ部の電気抵抗の測定値に基づいて不良と判断された基板のエッジ部を洗浄することで、基板のエッジ部に形成された酸化膜や付着している異物を取り除き、基板を良好な状態にすることができる。
【００１７】
［形態１２］形態１２によれば、形態９から形態１１のいずれか１つの形態によるコンピュータプログラムにおいて、さらに、めっき処理後に、めっき処理した基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップを実行させる。形態１２によれば、めっき処理の前後で基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定することで、めっき処理中に基板ホルダにリークが発生しているかどうかを検知することができる。
【００１８】
［形態１３］形態１３によれば、形態９から形態１２のいずれか１つの形態によるコンピュータプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な非一過性の記録媒体が提供される。
【００１９】
［形態１４］形態１４によれば、めっき方法が提供され、かかるめっき方法は、めっき対象物である基板を基板ホルダに保持する前に、前記基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定するステップと、測定した基板の電気抵抗に基づいて、前記基板の状態を判断するステップと、を有する。形態１４によれば、めっき処理を開始する直前に基板のエッジ部の電導層の電気抵抗を測定することで、基板の不良を発見することができる。時間経過とともに、基板のエッジ部の電導層に酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがあるので、めっき処理を開始する直前に基板の状態を判定することで、良好なめっき処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】一実施形態によるめっき装置の全体配置図である。
【図２】図１に示されるめっき装置で使用される基板ホルダの斜視図である。
【図３】図２に示される基板ホルダの電気接点を示す断面図である。
【図４】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す側面図である。
【図５】図４に示される抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図６】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図７】一例として、厚さの異なる銅をシード層とした基板の抵抗の実測値を示したグラフである。
【図８】一実施形態によるエッジ部洗浄装置を備えるアライナを示す概略上面図である。
【図９】図８に示す矢視９−９におけるアライナの概略断面図である。
【図１０】図８に示す矢視１０−１０におけるアライナの概略断面図である。
【図１１】一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。
【図１２】一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。
【図１３】基板ホルダの電気路を示す概略図である。
【図１４Ａ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１４Ｂ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１４Ｃ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１４Ｄ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１５】図１４Ａ〜図１４Ｄの抵抗測定器の概略側面図である。
【図１６Ａ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１６Ｂ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１７】図１６Ａ、図１６Ｂの抵抗測定器の概略側面図である。
【図１８Ａ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１８Ｂ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１８Ｃ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１８Ｄ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図１９】図１８Ａ〜図１８Ｄの抵抗測定器の概略側面図である。
【図２０Ａ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図２０Ｂ】一実施形態による抵抗測定器を概略的に示す上面図である。
【図２１】図２０Ａ、図２０Ｂの抵抗測定器の概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明に係るめっき装置およびめっき装置に使用される基板ホルダの実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
【００２２】
図１は、一実施形態によるめっき装置の全体配置図である。図１に示すように、このめっき装置は、基板ホルダ６０に基板をロードし、又は基板ホルダ６０から基板をアンロードするロード／アンロード部１７０Ａと、基板を処理する処理部１７０Ｂとに大きく分けられる。
【００２３】
ロード／アンロード部１７０Ａには、３台のフープ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）１０２と、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ４０と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ２０とが設けられる。フープ１０２は、半導体ウェハ等の複数の基板を多段に収納する。スピンリンスドライヤ２０の近くには、基板ホルダ６０を載置して基板の着脱を行うフィキシングユニット１２０が設けられている。これらのユニット１０２，４０，２０，１２０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置１２２が配置されている。
【００２４】
フィキシングユニット１２０は、２個の基板ホルダ６０を載置可能に構成される。フィキシングユニット１２０においては、一方の基板ホルダ６０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われた後、他方の基板ホルダ６０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われる。
【００２５】
めっき装置の処理部１７０Ｂは、ストッカ１２４と、プリウェット槽１２６と、プリソーク槽１２８と、第１洗浄槽１３０ａと、ブロー槽１３２と、第２洗浄槽１３０ｂと、めっき槽１０と、を有する。ストッカ１２４では、基板ホルダ６０の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェット槽１２６では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽１２８では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面にある酸化膜がエッチング除去される。第１洗浄槽１３０ａでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽１３２では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第２洗浄槽１３０ｂでは、めっき後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液で洗浄される。ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、ブロー槽１３２、第２洗浄槽１３０ｂ、及びめっき槽１０は、この順に配置されている。
【００２６】
めっき槽１０は、例えば、オーバーフロー槽を備えた複数のめっきセル１３４を有する。各めっきセル１３４は、内部に一つの基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板
を浸漬させる。めっきセル１３４において基板とアノードとの間に電圧を印加することにより、基板表面に銅めっき等のめっきが行われる。
【００２７】
めっき装置は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ６０を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置１４０を有する。この基板ホルダ搬送装置１４０は、第１トランスポータ１４２と、第２トランスポータ１４４を有している。第１トランスポータ１４２は、フィキシングユニット１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、及びブロー槽１３２との間で基板を搬送するように構成される。第２トランスポータ１４４は、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１０との間で基板を搬送するように構成される。他の実施形態では、めっき装置は、第１トランスポータ１４２及び第２トランスポータ１４４のいずれか一方のみを備えるようにし、いずれかのトランスポータが、フィキシングユニット１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１０の間で基板を搬送するようにしてもよい。
【００２８】
図２は図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダ６０の斜視図である。基板ホルダ６０は、図２に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第１保持部材６５と、この第１保持部材６５にヒンジ６３を介して開閉自在に取付けられた第２保持部材６６とを有している。基板ホルダ６０の第１保持部材６５の略中央部には、基板を保持するための保持面６８が設けられている。また、第１保持部材６５の保持面６８の外側には、保持面６８の円周に沿って、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状のクランパ６７が等間隔に設けられている。
【００２９】
基板ホルダ６０の第１保持部材６５の端部には、基板ホルダ６０を搬送したり吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略Ｔ字状のハンド６９が連結されている。図１に示したストッカ１２４内において、ストッカ１２４の周壁上面にハンド６９を引っ掛けることで、基板ホルダ６０が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ６０のハンド６９を第１トランスポータ１４２又は第２トランスポータ１４４で把持して基板ホルダ６０が搬送される。なお、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、洗浄槽１３０ａ，１３０ｂ、ブロー槽１３２及びめっき槽１０内においても、基板ホルダ６０は、ハンド６９を介してそれらの周壁に吊下げ支持される。
【００３０】
また、ハンド６９には、外部の電力供給部に接続するための図示しない外部接点が設けられている。この外部接点は、複数の配線を介して保持面６８の外周に設けられた複数の導電体７３（図３参照）と電気的に接続されている。
【００３１】
第２保持部材６６は、ヒンジ６３に固定された基部６１と、基部６１に固定されたリング状のシールホルダ６２とを備えている。第２保持部材６６のシールホルダ６２には、シールホルダ６２を第１保持部材６５に押し付けて固定するための押えリング６４が回転自在に装着されている。押えリング６４は、その外周部において外方に突出する複数の突条部６４ａを有している。突条部６４ａの上面とクランパ６７の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面を有する。
【００３２】
基板を保持するときは、まず、第２保持部材６６を開いた状態で、第１保持部材６５の保持面６８に基板を載置し、第２保持部材６６を閉じる。続いて、押えリング６４を時計回りに回転させて、押えリング６４の突条部６４ａをクランパ６７の内方突出部の内部（下側）に滑り込ませる。これにより、押えリング６４とクランパ６７にそれぞれ設けられたテーパ面を介して、第１保持部材６５と第２保持部材６６とが互いに締付けられてロックされ、基板が保持される。基板の保持を解除するときは、第１保持部材６５と第２保持
部材６６とがロックされた状態において、押えリング６４を反時計回りに回転させる。これにより、押えリング６４の突条部６４ａが逆Ｌ字状のクランパ６７から外されて、基板の保持が解除される。
【００３３】
図３は、図２に示した基板ホルダ６０の電気接点を示す断面図である。図３に示すように、第１保持部材５４の保持面６８には基板Ｗが載置されている。保持面６８と第１保持部材５４との間には、図２に示したハンド６９に設けられた外部接点から延びる複数の配線に接続された複数の（図示では１つの）導電体７３が配置されている。導電体７３は、第１保持部材５４の保持面６８上に基板Ｗを載置した際、この導電体７３の端部が基板Ｗの側方で第１保持部材５４の表面にばね特性を有した状態で露出するように基板Ｗの円周外側に複数配置されている。
【００３４】
シールホルダ６２の、第１保持部材５４と対向する面（図中下面）には、基板ホルダ６０で基板Ｗを保持したときに基板Ｗの表面外周部及び第１保持部材５４に圧接されるシール部材７０が取付けられている。シール部材７０は、基板Ｗの表面をシールするリップ部７０ａと、第１保持部材５４の表面をシールするリップ部７０ｂとを有する。
【００３５】
シール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた内部には、支持体７１が取付けられる。支持体７１には導電体７３から給電可能に構成された電気接点７２が、例えばねじ等で固定され、基板Ｗの円周に沿って複数配置されている。電気接点７２は、保持面６８の内側へ向かって延びる電気接点端部７２ａと、導電体７３から給電可能に構成された脚部７２ｂとを有している。
【００３６】
図２に示した第１保持部材６５と第２保持部材６６とがロックされると、図３に示すように、シール部材７０の内周面側の短いリップ部７０ａが基板Ｗの表面に、外周面側の長いリップ部７０ｂが第１保持部材５４の表面にそれぞれ押圧される。これにより、リップ部７０ａ及びリップ部７０ｂ間が確実にシールされるとともに、基板Ｗが保持される。
【００３７】
シール部材７０でシールされた領域、即ちシール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた領域において、導電体７３が電気接点７２の脚部７２ｂに電気的に接続され、且つ電気接点端部７２ａが基板Ｗのエッジ部上のシード層に接触する。これにより、基板Ｗをシール部材７０でシールしつつ基板ホルダ６０で保持した状態で、電気接点７２を介して基板Ｗに給電することができる。
【００３８】
上述したように、シード層が形成された基板Ｗには、予めレジストパターンが形成される。基板Ｗは、図１に示しためっき装置に搬送される前に、ＵＶの照射等が行われて、基板表面上のレジスト残渣が除去され（アッシング処理）且つレジスト表面の親水化処理（ディスカム処理）が行われる。アッシング処理及びディスカム処理が行われた基板Ｗは、その後めっき装置に搬送され、基板ホルダ６０に保持される。ここで、基板Ｗのレジストが塗布されていないエッジ部上のシード層には、アッシング処理及びディスカム処理からの時間経過によって、酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがある。図３に示すように電気接点７２は基板Ｗのエッジ部上に接触するので、基板Ｗのエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、有機物が付着したりすると、基板ホルダ６０の複数の電気接点７２同士の接触抵抗にバラつきが生じ、めっき膜厚の均一性が悪化することがある。
【００３９】
一実施形態において、めっき装置は、基板Ｗのエッジ部のシード層の電気抵抗を測定する抵抗測定器２００を有する。なお、本明細書において、基板Ｗのエッジ部とは、電気接点７２が接触し得る領域、又は基板ホルダ６０により基板Ｗが保持される際、シール部材７０が接触する部分よりも基板Ｗの周縁部側となる領域をいう。例えば、本実施形態にお
いては、図３に示したシール部材７０のリップ部７０ａが当接する部分よりも外周側の領域をいい、基板Ｗの外周縁部から基板中心に向かって約５ｍｍの範囲内、より好ましくは、約２ｍｍの範囲内をいう。図４は、一実施形態による抵抗測定器２００を概略的に示す側面図である。図５は、図４に示される抵抗測定器２００を概略的に示す上面図である。一実施形態において、抵抗測定器２００は、アライナ４０またはフィキシングユニット１２０に配置することができる。あるいは、抵抗測定器２００は、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。抵抗測定器２００は、抵抗測定ヘッド２０２を備える。抵抗測定ヘッド２０２は、測定対象である基板Ｗとほぼ同じ直径、あるいは基板Ｗの直径よりも大きな直径を備える円板状の構造物とすることができる。抵抗測定ヘッド２０２は、図示しない移動機構により基板Ｗの面の垂直方向に移動可能に構成される。また、一実施形態として、抵抗測定ヘッド２０２は、抵抗測定ヘッド２０２の中心軸および基板Ｗの中心軸について回転可能に構成してもよい。
【００４０】
図４、５に示されるように、抵抗測定器２００は、抵抗測定ヘッド２０２の下面、すなわち基板Ｗに対向する面に配置される接触ピン２０４を備える。接触ピン２０４は、抵抗測定ヘッド２０２上において、抵抗測定ヘッド２０２が基板Ｗの方向に移動したときに、接触ピン２０４が基板Ｗのエッジ部に接触する位置に配置される。図５の実施形態においては、４つの接触ピン２０４が示されているが、接触ピン２０４の数は任意とすることができ、少なくとも１つの接触ピン２０４を抵抗測定ヘッド２０２に設けるようにする。一実施形態において、接触ピン２０４は、四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。
【００４１】
一実施形態において、抵抗測定器２００は、基板Ｗのエッジ部の複数の箇所の抵抗を測定することができる。アライナ４０に抵抗測定器２００が配置される場合、アライナ４０は回転機構を備えるので、アライナ４０上に配置された基板Ｗを回転させて、接触ピン２０４を基板Ｗのエッジ部の複数個所に接触させて、それぞれの箇所で抵抗を測定することができる。接触ピン２０４が複数設けられている場合、複数の接触ピン２０４を同時に基板Ｗの異なる箇所に接触して、基板Ｗの複数個所の抵抗を同時に測定してもよい。抵抗測定器２００をアライナ４０に配置する場合、抵抗測定ヘッド２０２は回転機構を備えなくてもよい。また、抵抗測定器２００がフィキシングユニット１２０に設けられる場合、抵抗測定ヘッド２０２を適宜回転させて、基板Ｗの複数個所の抵抗を測定することができる。また、接触ピン２０４が複数設けられている場合、複数の接触ピン２０４を同時に基板Ｗの異なる箇所に接触して、基板Ｗの複数個所の抵抗を同時に測定してもよい。接触ピン２０４が複数設けられている場合、抵抗測定ヘッド２０２の回転機構はなくてもよい。
【００４２】
図６は、一実施形態による抵抗測定器２００を概略的に示す上面図である。図６の実施形態においては、抵抗測定ヘッド２０２は１つの接触ピン２０４を備えている。図６の実施形態における抵抗測定ヘッド２０２は、図示しない移動機構により、基板Ｗの半径方向あるいは周方向に移動可能であり、また、基板Ｗの面に垂直な方向に移動可能とすることができる。抵抗測定器２００がアライナ４０に配置される場合、アライナ４０により基板Ｗを回転させることで、基板Ｗの複数のエッジ部の抵抗を測定することができる。
【００４３】
図１４Ａ〜図１４Ｄは、一実施形態による抵抗測定器２００を概略的に示す上面図である。図１４Ａ〜図１４Ｄの実施形態において、基板Ｗは角形の基板であり、略直方体の形状の基板である。また、図１４Ａ〜図１４Ｄにおいては、図示の明瞭化のために基板Ｗと抵抗測定器２００のみを図示しており、その他の構成は省略している。図１５は、図１４Ａ〜図１４Ｄの抵抗測定器２００の概略側面図である。図１５に示されるように、抵抗測定器２００は、支持軸部材２０６を備える。支持軸部材２０６は、モータなどにより回転可能に構成される。また、支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面な平行な直交する２方向（図１４Ａ〜図１４Ｄにおける上下、左右方向）に直線的に移動可能に構成される。さらに
、支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面に垂直な方向（図１５における上下方向）に移動可能に構成される。支持軸部材２０６からは基板Ｗの表面に平行な方向に伸長部材２０８が延びている。伸長部材２０８は、基板Ｗの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。伸長部材２０８には、抵抗測定ヘッド２０２が取り付けられている。抵抗測定ヘッド２０２には、接触ピン２０４が取り付けられる。接触ピン２０４は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン２０４は、基板Ｗのエッジ部に接触させることで、基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。
【００４４】
基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定するために、接触ピン２０４が基板Ｗのエッジ部に接触する位置に抵抗測定ヘッド２０２が移動される。図１４Ａに示される状態において、支持軸部材２０６は、基板Ｗのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Ｗの１つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定することができる。図１４Ａに示される状態において、基板Ｗの１つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、支持軸部材２０６を９０度回転させて、伸長部材２０８の長さを適宜変更することで、図１４Ｂに示されるように、次のエッジ部に接触ピン２０４の位置を合わせることができる。図１４Ｂに示される状態において、支持軸部材２０６を基板Ｗのエッジ部に沿って移動させることで、基板Ｗのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。さらに、支持軸部材２０６を９０度回転させて、基板Ｗの次のエッジ部の電気抵抗を測定し（図１４Ｃ）、また、さらに支持軸部材２０６を９０度回転させて、基板Ｗの次のエッジ部の電気抵抗を測定することができる（図１４Ｄ）。このように、図１４Ａ〜図１４Ｄおよび図１５に示される実施形態による抵抗測定器２００は、角形基板のエッジ部の電気抵抗を測定することができる。かかる抵抗測定器２００は、アライナ４０またはフィキシングユニット１２０に配置することができる。あるいは、抵抗測定器２００を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図１４Ａ〜図１４Ｄおよび図１５に示される実施形態による抵抗測定器２００は、抵抗測定器２００に移動機構が備えられているので、基板Ｗを移動させるための機構は無くてもよい。
【００４５】
図１６Ａ、図１６Ｂは、一実施形態による抵抗測定器２００を概略的に示す上面図である。図１６Ａ、図１６Ｂの実施形態において、基板Ｗは角形の基板であり、略直方体の形状の基板である。また、図１６Ａ、図１６Ｂにおいては、図示の明瞭化のために基板Ｗと抵抗測定器２００のみを図示しており、その他の構成は省略している。図１７は、図１６Ａ、図１６Ｂの抵抗測定器２００の概略側面図である。図１７に示されるように、抵抗測定器２００は、支持軸部材２０６を備える。支持軸部材２０６は、モータなどにより回転可能に構成される。また、支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面な平行な直交する２方向（図１６Ａ、図１６Ｂにおける上下、左右方向）に直線的に移動可能に構成される。さらに、支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面に垂直な方向（図１７における上下方向）に移動可能に構成される。支持軸部材２０６からは基板Ｗの表面に平行な方向に２つの伸長部材２０８が反対方向に延びている。それぞれの伸長部材２０８は、基板Ｗの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。それぞれの伸長部材２０８には、抵抗測定ヘッド２０２がそれぞれ取り付けられている。抵抗測定ヘッド２０２には、接触ピン２０４が取り付けられる。接触ピン２０４は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン２０４は、基板Ｗのエッジ部に接触させることで、基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。
【００４６】
基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定するために、それぞれの接触ピン２０４が基板Ｗのエッジ部に接触する位置に抵抗測定ヘッド２０２が移動される。図１６Ａに示される状態において、支持軸部材２０６は、基板Ｗのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Ｗの２つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を同時に測定することができる。図１６Ａに示される状態において、基板Ｗの２つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、支持軸部材２０６を９０度回転させて、伸長部材２０８の長さを適宜変更する
ことで、図１６Ｂに示されるように、次のエッジ部に接触ピン２０４の位置を合わせることができる。図１６Ｂに示される状態において、支持軸部材２０６を基板Ｗのエッジ部に沿って移動させることで、基板Ｗのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。このように、図１６Ａ、図１６Ｂおよび図１７に示される実施形態による抵抗測定器２００は、２つの抵抗測定ヘッド２０２を備えているので、角形基板の２つのエッジ部の電気抵抗を同時に測定することができる。かかる抵抗測定器２００は、アライナ４０またはフィキシングユニット１２０に配置することができる。あるいは、抵抗測定器２００を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図１６Ａ、図１６Ｂおよび図１７に示される実施形態による抵抗測定器２００は、抵抗測定器２００に移動機構が備えられているので、基板Ｗを移動させるための機構は無くてもよい。
【００４７】
図１８Ａ〜図１８Ｄは、一実施形態による抵抗測定器２００を概略的に示す上面図である。図１８Ａ〜図１８Ｄの実施形態において、基板Ｗは角形の基板であり、略直方体の形状の基板である。また、図１８Ａ〜図１８Ｄにおいては、図示の明瞭化のために基板Ｗと抵抗測定器２００のみを図示しており、その他の構成は省略している。図１９は、図１８Ａ〜図１８Ｄの抵抗測定器２００の概略側面図である。図１９に示されるように、抵抗測定器２００は、支持軸部材２０６を備える。支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面な平行な方向（図１８Ａ〜図１８Ｄにおける左右方向）に直線的に移動可能に構成される。さらに、支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面に垂直な方向（図１９における上下方向）に移動可能に構成される。支持軸部材２０６からは基板Ｗの表面に平行な方向に伸長部材２０８が延びている。伸長部材２０８は、基板Ｗの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。伸長部材２０８には、抵抗測定ヘッド２０２が取り付けられている。抵抗測定ヘッド２０２には、接触ピン２０４が取り付けられる。接触ピン２０４は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン２０４は、基板Ｗのエッジ部に接触させることで、基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。図１９に示される実施形態においては、基板Ｗを保持する機構（たとえばアライナ４０またはフィキシングユニット１２０など）に回転機構が備えられており、基板Ｗを回転させることが可能である。
【００４８】
基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定するために、接触ピン２０４が基板Ｗのエッジ部に接触する位置に伸長部材２０８の長さを調整する。図１８Ａに示される状態において、支持軸部材２０６は、基板Ｗのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Ｗの１つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定することができる。図１８Ａに示される状態において、基板Ｗの１つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、基板Ｗを９０度回転させて、伸長部材２０８の長さを適宜変更することで、図１８Ｂに示されるように、次のエッジ部に接触ピン２０４の位置を合わせることができる。図１８Ｂに示される状態において、支持軸部材２０６を基板Ｗのエッジ部に沿って移動させることで、基板Ｗのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。さらに、基板Ｗを９０度回転させて、基板Ｗの次のエッジ部の電気抵抗を測定し（図１８Ｃ）、また、さらに基板Ｗを９０度回転させて、基板Ｗの次のエッジ部の電気抵抗を測定することができる（図１８Ｄ）。このように、図１８Ａ〜図１８Ｄおよび図１９に示される実施形態による抵抗測定器２００は、角形基板のエッジ部の電気抵抗を測定することができる。かかる抵抗測定器２００は、アライナ４０またはフィキシングユニット１２０に配置することができる。あるいは、抵抗測定器２００を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図１８Ａ〜図１８Ｄおよび図１９に示される実施形態においては、基板Ｗ側に回転機構が備えられているので、抵抗測定器２００には回転機構が備えられてなくてもよい。
【００４９】
図２０Ａ、図２０Ｂは、一実施形態による抵抗測定器２００を概略的に示す上面図である。図２０Ａ、図２０Ｂの実施形態において、基板Ｗは角形の基板であり、略直方体の形
状の基板である。また、図２０Ａ、図２０Ｂにおいては、図示の明瞭化のために基板Ｗと抵抗測定器２００のみを図示しており、その他の構成は省略している。図２１は、図２０Ａ、図２０Ｂの抵抗測定器２００の概略側面図である。図２１に示されるように、抵抗測定器２００は、支持軸部材２０６を備える。また、支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面な平行な方向（図１６Ａ、図１６Ｂにおける左右方向）に直線的に移動可能に構成される。さらに、支持軸部材２０６は、基板Ｗの表面に垂直な方向（図２１における上下方向）に移動可能に構成される。支持軸部材２０６からは基板Ｗの表面に平行な方向に２つの伸長部材２０８が反対方向に延びている。それぞれの伸長部材２０８は、基板Ｗの表面に平行な方向に伸縮可能に構成される。それぞれの伸長部材２０８には、抵抗測定ヘッド２０２がそれぞれ取り付けられている。抵抗測定ヘッド２０２には、接触ピン２０４が取り付けられる。接触ピン２０４は、たとえば四探針法により抵抗測定を実現するプローブを備えるものとすることができる。接触ピン２０４は、基板Ｗのエッジ部に接触させることで、基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定することができる。図２１に示される実施形態においては、基板Ｗを保持する機構（たとえばアライナ４０またはフィキシングユニット１２０など）に回転機構が備えられており、基板Ｗを回転させることが可能である。
【００５０】
基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定するために、それぞれの接触ピン２０４が基板Ｗのエッジ部に接触する位置に抵抗測定ヘッド２０２が移動される。図２０Ａに示される状態において、支持軸部材２０６は、基板Ｗのエッジ部の方向に沿って移動することができる。そのため、基板Ｗの２つのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を同時に測定することができる。図２０Ａに示される状態において、基板Ｗの２つのエッジ部の電気抵抗を測定したら、基板Ｗを９０度回転させて、伸長部材２０８の長さを適宜変更することで、図２０Ｂに示されるように、次のエッジ部に接触ピン２０４の位置を合わせることができる。図２０Ｂに示される状態において、支持軸部材２０６を基板Ｗのエッジ部に沿って移動させることで、基板Ｗのエッジ部の任意の場所における電気抵抗を測定できる。このように、図２０Ａ、図２０Ｂおよび図２１に示される実施形態による抵抗測定器２００は、２つの抵抗測定ヘッド２０２を備えているので、角形基板の２つのエッジ部の電気抵抗を同時に測定することができる。かかる抵抗測定器２００は、アライナ４０またはフィキシングユニット１２０に配置することができる。あるいは、抵抗測定器２００を、めっき装置内の専用の抵抗測定ステーションに設けるようにしてもよい。図２０Ａ、図２０Ｂ、および図２１に示される実施形態においては、基板Ｗ側に回転機構が備えられているので、抵抗測定器２００には回転機構が備えられてなくてもよい。
【００５１】
抵抗測定器２００は、制御装置５００（図１、図４参照）に接続される。抵抗測定器２００で測定した基板Ｗのエッジ部の抵抗値は制御装置５００に伝達される。制御装置５００において、伝達された基板Ｗのエッジ部の抵抗値が所定の範囲内であるかを判断する。一実施形態として、所定の範囲は、たとえば、基板Ｗ上に形成されているシード層の厚さなどから理論的に算出した値とすることができる。あるいは、シード層が形成された基準となる標準基板の抵抗値を予め測定した実測値から所定の範囲を決定してもよい。この場合、標準基板はシード層の厚さが異なる複数の標準基板としてもよい。抵抗値の所定の範囲は制御装置５００に保存しておく。図７は、一例として、厚さの異なる銅をシード層とした基板の抵抗の実測値を示したグラフである。
【００５２】
抵抗測定器２００で基板Ｗの複数の領域のエッジ部の抵抗値を測定する場合、各領域の抵抗値が全て所定の範囲内である場合にめっき処理が可能な基板であると判断することができる。また、さらに、各領域の抵抗値のばらつきが所定の範囲内であることをめっき処理が可能であることの判断基準にしてもよい。たとえば、各領域の抵抗値のばらつきが＋１５％から−１５％の範囲内であるときにめっき可能な基板であると判断してもよい。抵抗値のばらつきは、例えば、最大値と最小値との差や、平均値からの最大乖離から判断することができる。さらに、基板Ｗのエッジ部の抵抗値を測定するときに、同一の領域の抵
抗値を複数回測定して、平均値をその領域における抵抗値としてもよい。
【００５３】
一実施形態において、めっき装置は、エッジ部洗浄装置４５を備えることができる。エッジ部洗浄装置４５は、一例として、基板Ｗのエッジ部上のシード層に形成される有機物を脱離（除去）するためのものとすることができる。一実施形態として、エッジ部洗浄装置４５はアライナ４０に設けることができる。あるいは、めっき装置内にエッジ部洗浄装置４５のための専用のステーションを設けてもよい。
【００５４】
図８は、エッジ部洗浄装置４５を備えるアライナ４０の概略上面図である。図９は、図８に示す矢視９−９におけるアライナ４０の概略断面図であり、図１０は、図８に示す矢視１０−１０におけるアライナ４０の概略断面図である。図８から図１０に示すように、アライナ４０は、ベース４１と、回転ステージ４２と、アライナ光源４３と、光検出器４４と、エッジ部洗浄装置４５と、を有する。
【００５５】
回転ステージ４２は、基板Ｗの裏面を吸着するように構成され、基板Ｗを周方向に回転させる。なお、回転ステージ４２は、静電吸着式又は真空吸着式で基板Ｗを吸着する。アライナ光源４３は、回転ステージ４２によって回転される基板Ｗのエッジ部付近に光４６を照射するように構成される。基板Ｗが回転することにより、基板Ｗのノッチがアライナ光源４３からの光４６が照射される位置に移動したとき、光４６はノッチを通過して光検出器４４に到達する。光検出器４４が光４６を検出したとき、アライナ４０は、基板Ｗのノッチがアライナ光源４３の直下に位置することを認識することができ、基板Ｗの向きを整列させることができる。
【００５６】
エッジ部洗浄装置４５は、ＵＶ照射装置又はプラズマ放射装置である。本実施形態では、基板Ｗの上方から、基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用できるように構成されている。エッジ部洗浄装置４５は、基板ホルダ６０に保持される前の基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用することができる。言い換えれば、基板Ｗのエッジ部以外の領域は、ＵＶ又はプラズマに曝されない。回転ステージ４２によって基板Ｗを回転することにより、基板Ｗのエッジ部全周に亘ってＵＶ又はプラズマを効率的に適用することができる。基板Ｗのエッジ部に付着した有機物にＵＶ又はプラズマを照射すると、有機物が分解されて揮発性物質が生成され、揮発性物質となった有機物は揮発して除去される。ＵＶ照射装置のＵＶ照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口と基板Ｗとの距離は、約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下とすることが好ましい。この距離が１ｍｍ未満であると、基板とＵＶ照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口とが物理的に接触する可能性がある。また、この距離を１０ｍｍ超とすると、局所的にＵＶ又はプラズマを照射できない可能性がある。基板とＵＶ照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口とをより確実に物理的に接触させることなく、また、局所的に照射できるようにするためには、この距離を約２ｍｍ以上約５ｍｍ以下とすることがより好ましい。
【００５７】
エッジ部洗浄装置４５がＵＶ照射装置である場合において、ＵＶ光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、ブラックライト、又はＵＶ領域の光を放射可能なレーザー光源等を採用することができる。高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、及びブラックライトは光が発散する傾向を有するので、これらの光源を採用する場合は、光源を基板Ｗの近傍に設置するか、光学系を用いてエッジ部のみにＵＶを照射するようにすることが好ましい。エッジ部洗浄装置４５がプラズマ放射装置である場合は、例えば大気リモートプラズマ装置等を採用することができる。
【００５８】
アライナ４０は、さらに、基板Ｗのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍの波長を有する光を励起光として基板Ｗのエッジ部に対して照射し、エッジ部からの反射光を見ることで、吸光度を測定するように
構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）を備えてもよい。
【００５９】
このセンサ（不図示）は、エッジ部洗浄装置４５に設けても良いし、アライナ４０に別途設けても良い。本実施形態に係るめっき装置の制御装置５００は、このセンサにより測定された吸光度又は蛍光強度の値が、予め設定した閾値よりも大きい値か否かによって、エッジ部の汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができるように構成することができる。あるいは、前述の抵抗測定器２００により、基板Ｗのエッジ部の抵抗を測定することで、エッジ部の汚染物質が十分に除去されているか否かを判断してもよい。例えば、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていないと判定された場合は、エッジ部洗浄装置４５は、基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射する工程を繰り返し実施してもよい。また、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていると判定された場合には、有機物の脱離が完了したものとして、基板Ｗは、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送されて、これに続く一連のめっき処理が実施される。このように、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることで、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。
【００６０】
エッジ部洗浄装置４５は、上述の実施形態と異なる構成とすることもできる。たとえば、エッジ部洗浄装置４５は、基板Ｗを回転させながら基板Ｗのエッジ部に形成された酸化膜を除去するための薬液を供給する構成としてもよい。あるいは、エッジ部洗浄装置４５は、基板Ｗを回転させながら、スポンジなどを基板Ｗのエッジ部に接触させて、物理的に基板Ｗのエッジ部に形成された有機物や酸化膜などの異物を除去するものとすることができる。
【００６１】
図１１は、一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。一実施形態として、本めっき方法は上述しためっき装置を用いて実行することができる。まず、めっき処理される基板Ｗがロード／アンロード部１７０Ａによりめっき装置内に受け入れられる（Ｓ１０２）。基板Ｗは基板搬送装置１２２によりアライナ４０に移送され、アライナ４０で基板の向きが所定の方向に合わせられる（Ｓ１０４）。次に、基板Ｗのエッジ部のシード層の電気抵抗が測定される（Ｓ１０６）。電気抵抗の測定は、上述した抵抗測定器２００により行うことができる。測定した電気抵抗が所定の範囲内であるか否かを判断する（Ｓ１０８）。かかる判断は、たとえば制御装置５００で行われる。電気抵抗が所定の範囲内でない場合、均一なめっきを行うことができないと考えられるので、基板Ｗをフープ１０２に戻す。なお、電気抵抗の測定（Ｓ１０６〜Ｓ１１０）は、アライナ４０で基板の向きを合わせる（Ｓ１０４）前に行ってもよい。電気抵抗が所定の範囲内である場合、基板Ｗを基板ホルダ６０に保持させる（Ｓ１１２）。基板Ｗを基板ホルダ６０に保持させたら、基板ホルダ６０の電気接点から基板Ｗに電流が流れるかどうかの導通チェックを行う（Ｓ１１４）。なお、導通チェックは省略してもよい。その後、基板ホルダ６０に基板Ｗが保持された状態で、後続のめっき処理が行われる（Ｓ１１６）。
【００６２】
かかるめっき方法によれば、基板Ｗのエッジ部における電導層であるシード層の電気抵抗を測定することで、基板Ｗの異常を検知することができ、不要なめっき処理を回避することができる。上述した特許文献１の技術では、電気抵抗の異常が基板側の要因であるか、基板ホルダ側の要因であるかの判断ができなかったが、本開示によるめっき方法では、基板側の要因による電気抵抗の異常を検知することができる。なお、電導層であるシード層は、Ｃｕ（銅）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）、の少なくとも１つを含む金属を含有する層とすることができる。
【００６３】
図１２は、一実施形態によるめっき方法を示すフロー図である。一実施形態として、本めっき方法は上述しためっき装置を用いて実行することができる。まず、めっき処理される基板Ｗがロード／アンロード部１７０Ａによりめっき装置内に受け入れられる（Ｓ２０２）。基板Ｗは基板搬送装置１２２によりアライナ４０に移送され、アライナ４０で基板の向きが所定の方向に合わせられる（Ｓ２０４）。次に、基板Ｗのエッジ部のシード層の電気抵抗が測定される（Ｓ２０６）。電気抵抗の測定は、上述した抵抗測定器２００により行うことができる。測定した電気抵抗が所定の範囲内であるか否かを判断する（Ｓ２０８）。かかる判断は、たとえば制御装置５００で行われる。電気抵抗が所定の範囲内でない場合、基板の表面に電導層（シード層）が均一に形成されていない場合や、基板にレジストを塗布する際に生じる不要物が基板上に残っている場合、基板の表面が酸化している場合などが考えられる。そのため、基板Ｗのエッジ部の洗浄が行われる（Ｓ２１０）。基板Ｗのエッジ部の洗浄は、たとえば、上述のエッジ部洗浄装置４５により行うことができる。基板Ｗのエッジ部の洗浄を行ったら、再度、アライナ４０で基板Ｗの向き合わせ（Ｓ２０４）、および基板Ｗのエッジ部の電気抵抗の測定と判断（Ｓ２０６、Ｓ２０８）を行う。なお、電気抵抗の測定（Ｓ１０６〜Ｓ１１０）は、アライナ４０で基板の向きを合わせる（Ｓ１０４）前に行ってもよい。電気抵抗が所定の範囲内である場合、基板Ｗを基板ホルダ６０に保持させる（Ｓ２１２）。基板Ｗを基板ホルダ６０に保持させたら、基板ホルダ６０の電気接点から基板Ｗに電流が流れるかどうかの導通チェックを行う（Ｓ２１４）。なお、導通チェックは省略してもよい。その後、基板ホルダ６０に基板Ｗが保持された状態で、後続のめっき処理が行われる（Ｓ２１６）。なお、基板Ｗのエッジ部の洗浄を行っても、基板Ｗのエッジ部の電気抵抗が所定の範囲に入らない場合、基板Ｗをフープ１０２に戻し、その基板Ｗに対してめっき処理を行わないようにしてもよい。
【００６４】
かかるめっき方法によれば、基板のエッジ部に異常がある場合に、基板のエッジ部を洗浄することで、基板のエッジ部を適切な状態にし、適切なめっき処理が可能な状態にすることができる。基板Ｗのエッジ部における電導層であるシード層の電気抵抗を測定することで、基板側の異常を検知することができるので、このような対処が可能になる。
【００６５】
一実施形態として、抵抗測定器２００は、基板ホルダ６０のリーク検知機能として使用することもできる。図３とともに説明したように、基板Ｗは、基板ホルダ６０に保持されると、基板Ｗのエッジ部はシール部材７０により基板Ｗの被めっき面から隔離される。そのため、シールが適切に行われている状態においては、めっき処理時にめっき液が基板Ｗのエッジ部に触れることはない。しかし、シールが適切に行われていない場合、めっき処理中にめっき液が基板Ｗのエッジ部の領域に浸入することがある。めっき液が基板Ｗのエッジ部分に付着すると、基板Ｗのエッジ部の電気抵抗が大きくなると考えられる。そこで、上述のように、基板Ｗを基板ホルダ６０に保持する前に基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定するとともに、めっき処理後（Ｓ１１６、Ｓ２１６の後）に基板Ｗのエッジ部の電気抵抗を測定することで、基板ホルダ６０にリークが発生しているかどうかを検知することができる。めっき処理の前後で基板Ｗのエッジ部の電気抵抗が大きくなっていたら、基板ホルダ６０にリークが発生している可能性がある。
【００６６】
上記のめっき方法、および基板ホルダのリーク検知方法は、コンピュータプログラムによって実施されてよい。当該プログラムは、コンピュータ（たとえば制御装置５００）可読な非一過性の記録媒体に記録されてよい。非一過性の記録媒体は、たとえば記憶装置であってよい。非一過性の記録媒体は、たとえばＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどであってもよい。
【００６７】
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明
には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
【符号の説明】
【００６８】
４０…アライナ
４５…エッジ部洗浄装置
６０…基板ホルダ
１２０…フィキシングユニット
１２２…基板搬送装置
２００…抵抗測定器
２０２…抵抗測定ヘッド
２０４…接触ピン
５００…制御装置
Ｗ…基板
【図１】
2018145489.tif 000003
【図２】
2018145489.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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