(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロ波の干渉を抑制することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置であって、マイクロ波放射部材の上に、マイクロ波放射部材の中心軸を中心として円周方向に等間隔に設けられ、マイクロ波放射部材にマイクロ波を導入する導波管により形成された複数のマイクロ波導入機構を有し、複数のマイクロ波導入機構が配置される領域に対応して設けられた誘電体からなる遅波材１２１と、遅波材により覆われ前記遅波材を介して導入されたマイクロ波を放射するスロット１２３を有する。スロットは、マイクロ波放射部材の中心軸を中心とする円であって、導波管の各々の中心軸とマイクロ波放射部材との交点を結んでなる円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容するチャンバ内にマイクロ波を放射して表面波プラズマを形成するマイクロ波プラズマ処理装置であって、
前記チャンバ内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射部材と、
前記マイクロ波放射部材の上に、前記マイクロ波放射部材の中心軸を中心として円周方向に等間隔に設けられ、前記マイクロ波放射部材にマイクロ波を導入する導波管により形成された複数のマイクロ波導入機構と、
を有し、
前記マイクロ波放射部材は、金属からなる本体部と、前記本体部の前記マイクロ波が導入される側に前記複数のマイクロ波導入機構が配置される領域に対応して設けられた誘電体からなる遅波材と、前記遅波材により覆われ前記遅波材を介して導入されたマイクロ波を放射するスロットと、前記本体部のマイクロ波を放射する側に前記スロットが形成された領域を覆うように設けられた誘電体からなるマイクロ波透過部材と、を有し、
前記スロットは、前記マイクロ波放射部材の中心軸を中心とする円であって、前記導波管の各々の中心軸と前記マイクロ波放射部材との交点を結んでなる円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成されている、
マイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記導波管は、内側導体と、前記内側導体の外周側に誘電体を介して設けられる外側導体とを有する同軸導波管であって、
前記マイクロ波放射部材の中心軸を中心とする円は、前記同軸導波管の前記マイクロ波放射部材と接触する位置における前記内側導体を通る円である、
請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項３】
前記マイクロ波導入機構は、マイクロ波を複数の導波管に分配する分配器を有する、
請求項１又は２に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記スロットは、前記導波管の各々の中心軸と前記マイクロ波放射部材との交点を結んでなる円よりも内周側に形成された内周側スロットと、前記導波管の各々の中心軸と前記マイクロ波放射部材との交点を結んでなる円よりも外周側に形成された外周側スロットとを有する、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記内周側スロット及び前記外周側スロットは、前記導波管の中心軸に対して対称に配置されている、
請求項４に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記内周側スロット及び前記外周側スロットは、前記導波管の中心軸を中心とする円の周方向に沿った円弧状に形成されている、
請求項４又は５に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項７】
前記内周側スロット及び前記外周側スロットは、前記マイクロ波放射部材の中心軸を中心とする円の周方向を長手方向とする矩形状に形成されている、
請求項４又は５に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項８】
前記内周側スロット及び前記外周側スロットは、前記マイクロ波放射部材の中心軸を中心とする円の周方向に沿った円弧状に形成されている、
請求項４に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のマイクロ波導入機構を用いてマイクロ波を空間合成することにより、各マイクロ波導入機構から導入されるマイクロ波の位相や強度を個別に調整し、プラズマの分布を調整することが可能なマイクロ波プラズマ源が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１６７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のマイクロ波プラズマ源を用いる場合、マイクロ波導入機構の数が少ないと、周方向にプラズマが十分に広がらず、均一なプラズマを得ることが困難である。そこで、マイクロ波導入機構の数を増やすことが考えられる。
【０００５】
しかしながら、マイクロ波導入機構の数を増やすと、隣接するマイクロ波導入機構同士の距離が短くなるため、各マイクロ波導入機構から導入されるマイクロ波が互いに干渉する場合がある。
【０００６】
そこで、本発明の一態様では、マイクロ波の干渉を抑制することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、基板を収容するチャンバ内にマイクロ波を放射して表面波プラズマを形成するマイクロ波プラズマ処理装置であって、前記チャンバ内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射部材と、前記マイクロ波放射部材の上に、前記マイクロ波放射部材の中心軸を中心として円周方向に等間隔に設けられ、前記マイクロ波放射部材にマイクロ波を導入する導波管により形成された複数のマイクロ波導入機構と、を有し、前記マイクロ波放射部材は、金属からなる本体部と、前記本体部の前記マイクロ波が導入される側に前記複数のマイクロ波導入機構が配置される領域に対応して設けられた誘電体からなる遅波材と、前記遅波材により覆われ前記遅波材を介して導入されたマイクロ波を放射するスロットと、前記本体部のマイクロ波を放射する側に前記スロットが形成された領域を覆うように設けられた誘電体からなるマイクロ波透過部材と、を有し、前記スロットは、前記マイクロ波放射部材の中心軸を中心とする円であって、前記導波管の各々の中心軸と前記マイクロ波放射部材との交点を結んでなる円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
開示のマイクロ波プラズマ処理装置によれば、マイクロ波の干渉を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面の一例を示す図
【図２】一実施形態に係るマイクロ波プラズマ源の構成の一例を示すブロック図
【図３】一実施形態に係る周縁マイクロ波導入機構の一例を示す概略斜視図
【図４】一実施形態に係る周縁マイクロ波導入機構の他の例を示す概略斜視図
【図５】一実施形態に係るマイクロ波放射部材の一例を示す拡大図
【図６】遅波材の配置の一例を説明するための図
【図７】スロットの配置の一例を説明するための図
【図８】スロットの配置の他の例を説明するための図
【図９】スロットの配置の更に他の例を説明するための図
【図１０】一実施形態の変形例１に係るマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面の一例を示す図
【図１１】一実施形態の変形例２に係るマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することによって重複した説明を省く。
【００１１】
（マイクロ波プラズマ処理装置の全体構成）
マイクロ波プラズマ処理装置１００について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００の縦断面の一例を示す図である。
【００１２】
マイクロ波プラズマ処理装置１００は、マイクロ波により表面波プラズマを形成して基板の一例である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）に対して所定のプラズマ処理を行う。プラズマ処理の一例としては、成膜処理又はエッチング処理が例示される。
【００１３】
マイクロ波プラズマ処理装置１００は、ウエハＷを収容するチャンバ１を有する。チャンバ１は、気密に構成されたアルミニウム又はステンレス鋼等の金属材料からなる略円筒状の容器であり、接地されている。マイクロ波プラズマ源２は、チャンバ１の上部に形成された開口部１ａからチャンバ１の内部に臨むように設けられている。マイクロ波プラズマ源２によりチャンバ１内にマイクロ波が導入されると、チャンバ１内にて表面波プラズマが形成される。
【００１４】
チャンバ１内にはウエハＷを載置する載置台１１が設けられている。載置台１１は、チャンバ１の底部中央に絶縁部材１２ａを介して立設された筒状の支持部材１２により支持されている。載置台１１及び支持部材１２を構成する材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウム等の金属や内部に高周波用の電極を有した絶縁性部材（セラミックス等）が例示される。載置台１１には、ウエハＷを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、ウエハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路等が設けられてもよい。
【００１５】
載置台１１には、整合器１３を介して高周波バイアス電源１４が電気的に接続されている。この高周波バイアス電源１４から載置台１１に高周波電力が供給されることにより、ウエハＷ側にプラズマ中のイオンが引き込まれる。なお、高周波バイアス電源１４はプラズマ処理の特性によっては設けなくてもよい。この場合は、載置台１１としてＡｌＮのようなセラミックス等からなる絶縁性部材を用いも電極は不要である。
【００１６】
チャンバ１の底部には排気管１５が接続されており、この排気管１５には真空ポンプを含む排気装置１６が接続されている。排気装置１６を作動させるとチャンバ１内が排気され、これにより、チャンバ１内が所定の真空度まで高速に減圧される。チャンバ１の側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口１７と、搬入出口１７を開閉するゲートバルブ１８とが設けられている。
【００１７】
マイクロ波プラズマ源２は、マイクロ波出力部３０とマイクロ波伝送部４０とマイクロ波放射部材５０とを有する。マイクロ波出力部３０は、複数経路に分配してマイクロ波を出力する。
【００１８】
マイクロ波伝送部４０は、マイクロ波出力部３０から出力されたマイクロ波を伝送する。周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂは、アンプ部４２から出力されたマイクロ波をマイクロ波放射部材５０に導入する機能及びインピーダンスを整合する機能を有する。
【００１９】
周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂは、筒状の外側導体５２及びその中心に設けられた棒状の内側導体５３が同軸状に配置されている。外側導体５２と内側導体５３との間の空間にマイクロ波電力が給電され、マイクロ波放射部材５０に向かってマイクロ波が伝播する。
【００２０】
周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂには、スラグ６１と、その先端部に位置するインピーダンス調整部材１４０とが設けられている。スラグ６１を移動させることにより、チャンバ１内の負荷（プラズマ）のインピーダンスをマイクロ波出力部３０におけるマイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させる機能を有する。インピーダンス調整部材１４０は、誘電体で形成され、その比誘電率によりマイクロ波伝送路４４のインピーダンスを調整するようになっている。
【００２１】
マイクロ波放射部材５０は、チャンバ１の上部に設けられた支持リング２９に気密にシールされた状態で設けられ、マイクロ波伝送部４０から伝送されたマイクロ波をチャンバ１内に放射する。マイクロ波放射部材５０は、チャンバ１の天井部を構成している。
【００２２】
マイクロ波放射部材５０にはシャワー構造の第１ガス導入部２１が設けられており、第１ガス導入部２１には、ガス供給配管１１１を介して第１ガス供給源２２が接続されている。第１ガス供給源２２から供給される、プラズマ生成用のガス、例えばＡｒガスや高エネルギーで分解させたいガス、例えばＯ２ガスやＮ２ガス等の第１のガスは、第１ガス導入部２１を通ってチャンバ１内にシャワー状に供給される。
【００２３】
マイクロ波放射部材５０は、本体部１２０、遅波材１２１、マイクロ波透過部材１２２、スロット１２３及び誘電体層１２４を有する。なお、マイクロ波放射部材５０の詳細な構造については後述する。
【００２４】
チャンバ１内の載置台１１とマイクロ波放射部材５０との間の位置には、シャワープレートとして構成される第２ガス導入部２３が水平に設けられている。この第２ガス導入部２３は、格子状に形成されたガス流路２４と、このガス流路２４に形成された多数のガス孔２５とを有しており、格子状のガス流路２４の間は空間部２６となっている。ガス流路２４には、チャンバ１の外側に延びるガス供給配管２７が接続されており、ガス供給配管２７には第２ガス供給源２８が接続されている。第２ガス供給源２８からは、成膜処理やエッチング処理等のプラズマ処理の際に、極力分解させずに供給したい処理ガス、例えばＳｉＨ４ガスやＣ５Ｆ８ガス等の第２のガスが供給されるようになっている。なお、第１ガス供給源２２及び第２ガス供給源２８から供給されるガスとしては、プラズマ処理の内容に応じた種々のガスを用いることができる。
【００２５】
マイクロ波プラズマ処理装置１００の各部は、制御装置３により制御される。制御装置３は、マイクロプロセッサ４と、ＲＯＭ（Read Only Memory）５と、ＲＡＭ（Random Access Memory）６とを有する。ＲＯＭ５やＲＡＭ６にはマイクロ波プラズマ処理装置１００のプロセスシーケンス及び制御パラメータであるプロセスレシピが記憶されている。マイクロプロセッサ４は、プロセスシーケンス及びプロセスレシピに基づき、マイクロ波プラズマ処理装置１００の各部を制御する制御部の一例である。制御装置３は、タッチパネル７及びディスプレイ８等を有し、プロセスシーケンス及びプロセスレシピに従って所定の制御を行う際の入力や結果の表示等が可能になっている。
【００２６】
係る構成のマイクロ波プラズマ処理装置１００においてプラズマ処理を行う際には、まず、ウエハＷが、搬送アームの上に保持された状態で、開口したゲートバルブ１８から搬入出口１７を通りチャンバ１内に搬入される。ゲートバルブ１８はウエハＷを搬入後に閉じられる。ウエハＷは、搬送アームから図示しない昇降ピンに移され、昇降ピンが降下することにより載置台１１に載置される。チャンバ１内の圧力は、排気装置１６により所定の真空度に保持される。ガスが第１ガス導入部２１及び第２ガス導入部２３からシャワー状にチャンバ１内に導入される。マイクロ波がチャンバ１の天井部から導入され、高周波電力が載置台１１に印加される。
【００２７】
周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂを介してチャンバ１の天井部から放射されたマイクロ波によりチャンバ１側の表面に生成される表面波プラズマによってウエハＷにプラズマ処理が施される。
【００２８】
（マイクロ波プラズマ源）
マイクロ波プラズマ源２について説明する。図２は、図１のマイクロ波プラズマ処理装置１００に用いられるマイクロ波プラズマ源２の構成の一例を示すブロック図である。
【００２９】
マイクロ波プラズマ源２は、マイクロ波出力部３０と、マイクロ波伝送部４０と、マイクロ波放射部材５０とを有する。図２に示されるように、マイクロ波出力部３０は、マイクロ波電源３１と、マイクロ波発振器３２と、発振されたマイクロ波を増幅するアンプ３３と、増幅されたマイクロ波を複数に分配する分配器３４とを有している。
【００３０】
マイクロ波発振器３２は、所定周波数（例えば、８６０ＭＨｚ）のマイクロ波を例えばＰＬＬ（Phase Locked Loop）発振させる。分配器３４では、マイクロ波の損失ができるだけ起こらないように、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながらアンプ３３で増幅されたマイクロ波を分配する。なお、マイクロ波の周波数としては、８６０ＭＨｚの他に、９１５ＭＨｚ等、７００ＭＨｚから３ＧＨｚの範囲の種々の周波数を用いることができる。
【００３１】
図１に示されるように、マイクロ波伝送部４０は、複数のアンプ部４２と、アンプ部４２に対応して設けられた周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂとを有する。周縁マイクロ波導入機構４３ａは、マイクロ波放射部材５０の周縁部の上に周方向に沿って複数設けられており、中心マイクロ波導入機構４３ｂは、マイクロ波放射部材５０の中央部の上に一つ設けられている。周縁マイクロ波導入機構４３ａの数は２以上であればよいが、３以上が好ましく、例えば３〜６であってもよい。
【００３２】
図２に示すように、アンプ部４２は、分配器３４にて分配されたマイクロ波を周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂに導く。アンプ部４２は、位相器４６と、可変ゲインアンプ４７と、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８と、アイソレータ４９とを有している。
【００３３】
位相器４６は、マイクロ波の位相を変化させることにより放射特性を変調させることができる。例えば、周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂのそれぞれに導入されるマイクロ波の位相を調整することにより指向性を制御してプラズマ分布を変化させることができる。また、隣り合うマイクロ波導入機構において９０°ずつ位相をずらすようにして円偏波を得ることができる。また、位相器４６は、アンプ内の部品間の遅延特性を調整し、チューナ内での空間合成を目的として使用することができる。ただし、このような放射特性の変調やアンプ内の部品間の遅延特性の調整が不要な場合には位相器４６は設けなくてもよい。
【００３４】
可変ゲインアンプ４７は、メインアンプ４８へ入力するマイクロ波の電力レベルを調整し、プラズマ強度を調整する。可変ゲインアンプ４７をアンテナモジュールごとに変化させることによって、発生するプラズマに分布を生じさせることができる。
【００３５】
ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８は、例えば、入力整合回路と、半導体増幅素子と、出力整合回路と、高Ｑ共振回路とを有する。アイソレータ４９は、スロットアンテナ部で反射してメインアンプ４８に向かう反射マイクロ波を分離するものであり、サーキュレータとダミーロード（同軸終端器）とを有している。サーキュレータは、反射したマイクロ波をダミーロードへ導き、ダミーロードはサーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換する。
【００３６】
周縁マイクロ波導入機構４３ａ及び中心マイクロ波導入機構４３ｂは、アンプ部４２から出力されたマイクロ波をマイクロ波放射部材５０に導入する。
【００３７】
図３は、一実施形態に係る周縁マイクロ波導入機構４３ａの一例を示す概略斜視図である。なお、図３では、便宜上、中心マイクロ波導入機構４３ｂの図示を省略している。
【００３８】
図３に示されるように、周縁マイクロ波導入機構４３ａは、マイクロ波放射部材５０の上に、マイクロ波放射部材５０（チャンバ１）の中心軸Ｃ１を中心として円周方向に等間隔に複数設けられている。周縁マイクロ波導入機構４３ａは、マイクロ波を伝送する同軸構造の導波管（以下「同軸導波管」という。）を有する。同軸導波管は、筒状の内側導体５３と、内側導体５３の外周側に誘電体を介して設けられる筒状の外側導体５２とを有する。同軸導波管は、内側導体５３が給電側、外側導体５２が接地側となっている。同軸導波管の下端には、マイクロ波放射部材５０が設けられている。マイクロ波は、同軸導波管を伝送し、マイクロ波放射部材５０へと導かれる。
【００３９】
なお、図３では、一例として１２つの周縁マイクロ波導入機構４３ａが設けられている場合を示しているが、周縁マイクロ波導入機構４３ａの数量はこれに限定されるものではない。周縁マイクロ波導入機構４３ａは、周方向にプラズマを十分に広げることができ、均一なプラズマを得ることができるという観点から、６つ以上設けられていることが好ましく、１２つ以上設けられていることがより好ましい。
【００４０】
図４は、一実施形態に係る周縁マイクロ波導入機構４３ａの他の例を示す概略斜視図である。図４に示されるように、周縁マイクロ波導入機構４３ａは、その下端部において、マイクロ波を複数に分配する同軸分配器７１を有する。同軸分配器７１は、筒状の内側導体と、内側導体の外周側に誘電体を介して設けられる外側導体とを有する。同軸分配器７１の内側導体及び外側導体は、それぞれ同軸導波管の内側導体５３及び外側導体５２と電気的に接続されている。同軸分配器７１の外側導体は、例えばテフロン（登録商標）等の誘電体部材７２により覆われている。同軸分配器７１では、マイクロ波の損失ができるだけ起こらないように、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながら、アンプ部４２から導入され、同軸導波管を伝送するマイクロ波を複数に分配する。同軸分配器７１の形状は、特に限定されるものではなく、マイクロ波を均等に分配することができるものであればよく、例えばマイクロ波の波長に応じて適宜設定される。また、図４では、マイクロ波を４つに分配する同軸分配器７１を示しているが、これに限定されるものではなく、マイクロ波を均等に分配することができるものであれば、例えば２つに分配するものであってもよい。図４に示されるように、周縁マイクロ波導入機構４３ａが同軸分配器７１を有することにより、アンプ部４２等の数量を削減することができ、低コスト化を図ることができる。
【００４１】
（マイクロ波放射部材）
マイクロ波放射部材５０について説明する。図５は、一実施形態に係るマイクロ波放射部材５０の一例を示す拡大図である。図６は、遅波材１２１の配置の一例を説明するための図である。
【００４２】
マイクロ波放射部材５０は、マイクロ波出力部３０から出力され、マイクロ波伝送部４０を伝送したマイクロ波をチャンバ１内に放射する。マイクロ波放射部材５０は、金属製の本体部１２０を有する。本体部１２０を構成する金属としては、アルミニウムや銅のような熱伝導率の高い金属が好ましい。
【００４３】
本体部１２０は、周縁マイクロ波導入機構４３ａが配置される周縁部と、中心マイクロ波導入機構４３ｂが配置される中央部とを有している。周縁部はウエハＷの周縁領域に対応し、中央部はウエハＷの中央領域に対応する。
【００４４】
本体部１２０の周縁部の上部（本体部１２０内のマイクロ波が導入される側）には、図５及び図６に示されるように、複数の周縁マイクロ波導入機構４３ａが配置される領域に対応して複数の遅波材１２１が円周方向に沿って等間隔に設けられている。
【００４５】
遅波材１２１は、真空よりも大きい誘電率を有しており、例えば石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂により形成され得る。即ち、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、遅波材１２１は、誘電率が真空よりも誘電率が大きい材料で構成されることにより、マイクロ波の波長を短くしてスロット１２３を含むアンテナを小さくする機能を有する。
【００４６】
本体部１２０の周縁部の下面（チャンバ１側の表面）には、図５に示されるように、複数の遅波材１２１が設けられた領域に沿って円環状をなすマイクロ波透過部材１２２が設けられている。本体部１２０の遅波材１２１とマイクロ波透過部材１２２との間の部分には、複数のスロット１２３及び誘電体層１２４が上下に形成されたスロットアンテナ部となっている。
【００４７】
マイクロ波透過部材１２２は、マイクロ波を透過する材料である誘電体材料で構成されており、周方向に均一な表面波プラズマを形成する機能を有している。マイクロ波透過部材１２２は、遅波材１２１と同様、例えば石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂により形成され得る。なお、マイクロ波透過部材１２２は、周方向に沿って複数に分割されていてもよい。
【００４８】
スロット１２３は、図５に示されるように、本体部１２０の遅波材１２１に接する上面位置から誘電体層１２４の上面まで達しており、周縁マイクロ波導入機構４３ａから伝送されてきたマイクロ波の放射特性を決定する。本体部１２０の遅波材１２１と誘電体層１２４との間の領域は、スロット１２３を含むスロットアンテナ部として構成されている。
【００４９】
マイクロ波伝送路４４の先端の底板には円柱部材８２が設けられている。スロット１２３は、周縁マイクロ波導入機構４３ａから円柱部材８２を通ってＴＥＭ波として伝送されてきたマイクロ波をＴＥ波にモード変換する機能を有する。そして、スロット１２３から放射されたマイクロ波は、誘電体層１２４及びマイクロ波透過部材１２２を介してチャンバ１の内部に放射される。
【００５０】
スロット１２３内は真空であってもよいが、誘電体が充填されていることが好ましい。スロット１２３に誘電体を充填することにより、マイクロ波の実効波長が短くなり、スロット１２３の厚さを薄くすることができる。スロット１２３に充填する誘電体としては、例えば石英、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂を用いることができる。
【００５１】
スロット１２３は、図６に示されるように、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、同軸導波管のマイクロ波放射部材５０と接触する位置における内側導体５３（円柱部材８２）を通る円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成されている。これにより、周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の周方向に放射することを抑制できる。即ち、一の周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が、周方向において隣接する他の周縁マイクロ波導入機構４３ａが設けられた方向に放射することを抑制できる。このため、周方向において隣接する周縁マイクロ波導入機構４３ａ同士の距離が短い場合であっても、各周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が互いに干渉することを抑制できる。なお、図６では、スロット１２３がマイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円よりも内周側に１つ、外周側に１つ形成されている場合を示している。
【００５２】
以下、スロット１２３の具体例について説明する。
【００５３】
図７は、スロット１２３の配置の一例を説明するための図であり、図６の位置Ａにおけるスロット１２３の配置を示す上面図である。図７においては、内周側を上方向とし、外周側を下方向とする。
【００５４】
図７に示されるように、スロット１２３は、円柱部材８２を通る円よりも内周側に形成された内周側スロット１２３ａと、円柱部材８２を通る円よりも外周側に形成された外周側スロット１２３ｂとを有する。内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂは、円柱部材８２の中心軸Ｃ２を中心とする円の周方向に沿った円弧状に形成されており、円柱部材８２の中心軸Ｃ２に対して対称に配置されている。即ち、内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂは、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の円周上には形成されていない。これにより、周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波は、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の周方向にはほとんど放射されない。即ち、隣接する周縁マイクロ波導入機構４３ａの方向へマイクロ波がほとんど伝搬されない。その結果、各周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が互いに干渉することを抑制できる。なお、遅波材１２１の形状としては、例えば円板状とすることができる。内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂの周方向の長さは、電界強度を高くして良好な効率を得る観点からλｇ／２であることが好ましい。なお、λｇはマイクロ波の実効波長であり、λｇ＝λ／εｓ１／２と表すことができる。εｓはスロット１２３に充填される誘電体の誘電率であり、λは真空中のマイクロ波の波長である。
【００５５】
図８は、スロット１２３の配置の他の例を説明するための図であり、図６の位置Ａにおけるスロット１２３の配置を示す上面図である。図８においては、内周側を上方向とし、外周側を下方向とする。
【００５６】
図８に示されるように、スロット１２３は、円柱部材８２を通る円よりも内周側に形成された内周側スロット１２３ａと、円柱部材８２を通る円よりも外周側に形成された外周側スロット１２３ｂとを有する。内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂは、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とする円の周方向に沿った円弧状に形成されている。即ち、内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂは、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の円周上には形成されていない。これにより、周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波は、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の周方向にはほとんど放射されない。即ち、隣接する周縁マイクロ波導入機構４３ａの方向へマイクロ波がほとんど伝搬されない。その結果、各周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が互いに干渉することを抑制できる。なお、遅波材１２１の形状としては、例えば扇形状とすることができる。内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂの長手方向の長さは、電界強度を高くして良好な効率を得る観点からλｇ／２であることが好ましい。
【００５７】
図９は、スロット１２３の配置の更に他の例を説明するための図であり、図６の位置Ａにおけるスロット１２３の配置を示す上面図である。図９においては、内周側を上方向とし、外周側を下方向とする。
【００５８】
図９に示されるように、スロット１２３は、円柱部材８２を通る円よりも内周側に形成された内周側スロット１２３ａと、円柱部材８２を通る円よりも外周側に形成された外周側スロット１２３ｂとを有する。内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂは、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とする円の周方向を長手方向とする矩形状に形成されており、円柱部材８２の中心軸Ｃ２に対して対称に配置されている。即ち、内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂは、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の円周上には形成されていない。これにより、周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波は、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の周方向にはほとんど放射されない。即ち、隣接する周縁マイクロ波導入機構４３ａの方向へマイクロ波がほとんど伝搬されない。その結果、各周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が互いに干渉することを抑制できる。なお、遅波材１２１の形状としては、矩形状とすることができる。内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂの長手方向の長さは、電界強度を高くして良好な効率を得る観点からλｇ／２であることが好ましい。
【００５９】
なお、スロット１２３は、円柱部材８２を通る円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成されていればよく、その形状及び個数は上記に限定されるものではない。スロット１２３の形状及び個数は、マイクロ波透過部材１２２の大きさ及びマイクロ波の波長に応じて適宜設定される。
【００６０】
複数の誘電体層１２４は、それぞれスロット１２３に対応して設けられている。本実施形態では、１２個のスロット１２３のそれぞれに対応して１２個の誘電体層１２４が設けられている。隣接する誘電体層１２４は金属製の本体部１２０により分離されている。誘電体層１２４内には、対応するスロット１２３から放射されるマイクロ波によって単一ループの磁場を形成させることができ、その下のマイクロ波透過部材１２２において磁場ループのカップリングが生じないようになっている。これにより、複数の表面波モードが出現することを防止することができ、単一の表面波モードを実現することができる。誘電体層１２４の周方向の長さは、複数の表面波モードの出現を防止する観点からはλｇ／２以下であることが好ましい。また、誘電体層１２４の厚さは、１〜５ｍｍであることが好ましい。
【００６１】
誘電体層１２４は、空気（真空）であってもよく、誘電体セラミックスや樹脂等の誘電体材料であってもよい。誘電体材料としては、例えば石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂を用いることができる。例えば、マイクロ波プラズマ処理装置１００が３００ｍｍウエハを処理し、マイクロ波の波長が８６０ＭＨｚ、遅波材１２１、マイクロ波透過部材１２２及びスロット１２３内の誘電体として誘電率が１０程度のアルミナを用いる場合、誘電体層１２４として空気（真空）を好適に用いることができる。
【００６２】
図５に戻り、本体部１２０の中央部の上部には、中心マイクロ波導入機構４３ｂに対応する部分に円板状をなす遅波材１３１が設けられ、遅波材１３１に対応する部分に円板状をなすマイクロ波透過部材１３２が設けられている。また、本体部１２０の遅波材１３１とマイクロ波透過部材１３２との間の部分は、スロット１３３を有するスロットアンテナ部となっている。スロット１３３の形状や大きさは、モードジャンプの発生を抑制し、かつ均一な電界強度が得られるように適宜調整される。例えば、スロット１３３は円環状に形成される。これにより、スロット１３３間の継ぎ目が存在せず、均一な電界を形成することができ、モードジャンプも発生し難くなる。
【００６３】
スロット１３３内にもスロット１２３と同様、誘電体が充填されていることが好ましい。スロット１３３に充填される誘電体としては、スロット１２３に用いたものと同様のものを用いることができる。また、遅波材１３１及びマイクロ波透過部材１３２を構成する誘電体についても、上述した遅波材１２１及びマイクロ波透過部材１２２と同様のものを用いることができる。
【００６４】
本体部１２０の上面には、周縁マイクロ波導入機構４３ａが設けられる領域と中心マイクロ波導入機構４３ｂが設けられる領域との間に、円環状の溝１２６が形成されている。これにより、周縁マイクロ波導入機構４３ａと中心マイクロ波導入機構４３ｂとの間のマイクロ波干渉を抑制することができる。
【００６５】
また、本体部１２０には、上述した第１ガス導入部２１が設けられている。第１ガス導入部２１は、周縁マイクロ波導入機構４３ａが設けられる領域を有する周縁部と中心マイクロ波導入機構４３ｂが設けられる領域を有する中央部との間に環状をなし、同心状に形成された外側ガス拡散空間１４１と内側ガス拡散空間１４２とを有している。外側ガス拡散空間１４１の上面には、本体部１２０の上面から繋がるガス導入孔１４３が形成されており、外側ガス拡散空間１４１の下面には、本体部１２０の下面に至る複数のガス孔１４４が形成されている。一方、内側ガス拡散空間１４２の上面には、本体部１２０の上面から繋がるガス導入孔１４５が形成されており、内側ガス拡散空間１４２の下面には、本体部１２０の下面に至る複数のガス孔１４６が形成されている。ガス導入孔１４３及び１４５には、第１ガス供給源２２からの第１のガスを供給するためのガス供給配管１１１が接続されている。
【００６６】
（プラズマ処理装置の動作）
以上のように構成されるマイクロ波プラズマ処理装置１００における動作について説明する。
【００６７】
まず、ウエハＷをチャンバ１内に搬入し、載置台１１上に載置する。そして、第１ガス供給源２２からプラズマ生成ガス、例えばＡｒガスや、高エネルギーで分解させたい第１のガスをガス供給配管１１１及びマイクロ波放射部材５０の第１ガス導入部２１を介してチャンバ１内へ導入する。
【００６８】
第１ガス供給源２２からガス供給配管１１１を介してプラズマ生成ガスや処理ガスを、ガス導入孔１４３及び１４５を経て第１ガス導入部２１の外側ガス拡散空間１４１と内側ガス拡散空間１４２に供給し、ガス孔１４４及び１４６からチャンバ１へ導入する。
【００６９】
一方、マイクロ波プラズマ源２のマイクロ波出力部３０から、マイクロ波伝送部４０の複数のアンプ部４２及び複数のマイクロ波導入機構４３ａ、４３ｂを伝送されてきたマイクロ波は、マイクロ波放射部材５０を介してチャンバ１内に放射される。天井部の表面に放射されたマイクロ波の高い電界エネルギーにより第１のガスがプラズマ化され、表面波プラズマが生成される。
【００７０】
また、第２ガス供給源２８から極力分解せずに供給したい処理ガス等の第２のガスをガス供給配管２７及び第２ガス導入部２３を介してチャンバ１内に導入する。第２ガス導入部から導入された第２のガスは、第１のガスのプラズマにより励起される。このとき、第２のガス導入位置はマイクロ波放射部材５０の表面から離れたよりエネルギーが低い位置であるため、第２のガスは不要な分解が抑制された状態で励起される。そして、第１のガス及び第２のガスのプラズマによりウエハＷにプラズマ処理、例えば成膜処理やエッチング処理を施す。
【００７１】
このとき、周縁マイクロ波導入機構４３ａへは、マイクロ波出力部３０のマイクロ波発振器３２から発振され、アンプ３３で増幅された後、分配器３４により複数に分配され、アンプ部４２を経たマイクロ波電力が給電される。これら周縁マイクロ波導入機構４３ａに給電されたマイクロ波電力は、マイクロ波伝送路４４を伝送され、マイクロ波放射部材５０の周縁部に導入される。その際に、スラグ６１によりインピーダンスが自動整合され、電力反射が実質的にない状態でマイクロ波が導入される。導入されたマイクロ波は、遅波材１２１を透過し、スロットアンテナ部のスロット１２３及びマイクロ波透過部材１２２を介してチャンバ１内に放射される。これにより、マイクロ波透過部材１２２及び本体部１２０の下表面の対応部分に表面波が形成され、この表面波によりチャンバ１内のマイクロ波放射部材５０の直下部分に表面波プラズマが生成される。
【００７２】
このとき、スロット１２３が、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成されている。これにより、周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の周方向に放射することを抑制できる。即ち、一の周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が、周方向において隣接する他の周縁マイクロ波導入機構４３ａが設けられた方向に放射することを抑制できる。このため、周方向において隣接する周縁マイクロ波導入機構４３ａ同士の距離が短い場合であっても、各周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が互いに干渉することを抑制できる。
【００７３】
また、本体部１２０の上面には、周縁マイクロ波導入機構４３ａが設けられる領域と中心マイクロ波導入機構４３ｂが設けられる領域との間に、リング状の溝１２６が形成されている。これにより、周縁マイクロ波導入機構４３ａと中心マイクロ波導入機構４３ｂとの間のマイクロ波干渉及びモードジャンプを抑制することができる。
【００７４】
また、マイクロ波放射部材５０の中央部には、中心マイクロ波導入機構４３ｂからマイクロ波が導入される。中心マイクロ波導入機構４３ｂから導入されたマイクロ波は、遅波材１３１を透過し、スロットアンテナ部のスロット１３３及びマイクロ波透過部材１３２を介してチャンバ１内に放射され、チャンバ１内の中央部にも表面波プラズマが生成される。このため、チャンバ１内のウエハ配置領域全体に均一なプラズマを形成することができる。
【００７５】
また、マイクロ波放射部材５０に第１ガス導入部２１を設け、第１ガス供給源２２から第１のガスを、マイクロ波が放射されるチャンバ１の上面領域に供給する。これにより、第１のガスを高いエネルギーで励起させ、ガスが分解した状態のプラズマを形成することができる。また、チャンバ１の天井部より低い位置に第２ガス導入部２３を設けて第２のガスを供給することにより、より低いエネルギーで第２のガスを分解させずにプラズマ化させることができる。これにより、要求されるプラズマ処理に応じて好ましいプラズマ状態を形成することができる。
【００７６】
（変形例１に係るマイクロ波プラズマ処理装置）
一実施形態の変形例１に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００Ａについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態の変形例１に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００Ａの縦断面の一例を示す図である。
【００７７】
変形例１に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００Ａは、第２ガス導入部２３の機構のみが、図１に示した一実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００と異なる。よって、第２ガス導入部２３の機構のみ説明する。
【００７８】
本変形例では、マイクロ波放射部材５０にリング状のシャワー構造を有する第２ガス導入部２３が設けられている。第２ガス導入部２３には、ガス供給配管１１２を介して第２ガス供給源２８が接続されている。
【００７９】
第２ガス供給源２８からは、成膜処理やエッチング処理等のプラズマ処理の際に、極力分解させずに供給したい処理ガス、例えばＳｉＨ４ガスやＣ５Ｆ８ガス等の第２のガスが供給されるようになっている。第２のガスは、ガス供給配管１１２を介してリング状のシャワー構造からウエハＷ側に伸びるノズル２３ａを通り、チャンバ１の天井部より低い位置に供給される。
【００８０】
第１ガス供給源２２から供給される、プラズマ生成用のガス、例えばＡｒガスや高エネルギーで分解させたいガス、例えばＯ２ガスやＮ２ガス等の第１のガスは、第１ガス導入部２１を通ってチャンバ１内にシャワー状に供給される。これにより、より低いエネルギーで第２のガスを分解させずにプラズマ化させることができる。これにより、要求されるプラズマ処理に応じて好ましいプラズマ状態を形成することができる。
【００８１】
（変形例２に係るマイクロ波プラズマ処理装置）
一実施形態の変形例２に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００Ｂについて、図１１を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態の変形例２に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００Ｂの縦断面の一例を示す図である。
【００８２】
変形例２のマイクロ波プラズマ処理装置１００Ｂでは、中心マイクロ波導入機構４３ｂは設けられておらず、周縁マイクロ波導入機構４３ａの配置領域を含む環状のマイクロ波放射部材５０を設けている。また、マイクロ波放射部材５０の内側の中央部には、絶縁部材１５１を介してウエハＷとほぼ同等の大きさを有する導電性をなすシャワーヘッド１５０を設けている。
【００８３】
シャワーヘッド１５０は、円板状に形成されたガス拡散空間１５２と、ガス拡散空間１５２からチャンバ１内に臨むように形成された多数のガス孔１５３と、ガス導入孔１５４とを有している。ガス導入孔１５４にはガス供給配管１５８を介してガス供給源１５７が接続されている。シャワーヘッド１５０には、整合器１５５を介してプラズマ生成用の高周波電源１５６が電気的に接続されている。載置台１１は導電性部分を有しており、シャワーヘッド１５０の対向電極として機能する。ガス供給源１５７からガス供給配管１５８及びシャワーヘッド１５０を介してチャンバ１内にプラズマ処理に必要なガスを一括して供給し、高周波電源１５６からシャワーヘッド１５０に高周波電力が供給される。これにより、シャワーヘッド１５０と載置台１１の間に高周波電界が形成され、ウエハＷの直上の空間に容量結合プラズマが形成される。
【００８４】
このような構成のマイクロ波プラズマ処理装置１００Ｂは、中央部の構成が、ウエハＷに対しプラズマエッチングを行う平行平板型のプラズマエッチング装置と同様である。このため、例えばマイクロ波を用いた表面波プラズマでウエハの周縁のプラズマ密度調整を行うプラズマエッチング装置として用いることができる。また、中央部にプラズマを生成する機構を設けないことも可能である。
【００８５】
（実験結果）
本発明の実効性を示す実験結果について説明する。
【００８６】
実施例では、本実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００を用いて、チャンバ１の天井部からマイクロ波を放射させたときの各周縁マイクロ波導入機構４３ａにおけるマイクロ波の反射特性及び放射効率を算出した。なお、実施例では、１２つの周縁マイクロ波導入機構４３ａ（図３参照）を使用し、円柱部材８２の中心軸Ｃ２を中心とする円の周方向に沿った円弧状に形成された内周側スロット１２３ａ及び外周側スロット１２３ｂ（図７参照）を使用した。また、マイクロ波の放射効率Ｐｒａｄ（％）は、シミュレーションにより各周縁マイクロ波導入機構４３ａにおける反射係数Ｓ（ｄＢ）を算出し、下記の数式（１）により算出した。
【００８７】
Ｐｒａｄ＝１００×（１−１０Ｓ／１０）      （１）
実施例では、１２つの周縁マイクロ波導入機構４３ａにおける反射係数Ｓは−１６．２ｄＢ〜−１２．４ｄＢであり、放射効率Ｐｒａｄは９４％〜９８％であった。
【００８８】
比較例として、円柱部材８２の中心軸Ｃ２を中心とする円の円周方向に沿った円環状に形成されたスロットを有するマイクロ波プラズマ処理装置を用いた。即ち、比較例では、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円の円周上にもスロットが形成されている。なお、他の構成については実施例と同様とした。そして、実施例と同様に、チャンバ１の天井部からマイクロ波を放射させたときの各周縁マイクロ波導入機構４３ａにおけるマイクロ波の反射特性及び放射効率を算出した。
【００８９】
比較例では、１２つの周縁マイクロ波導入機構４３ａにおける反射係数Ｓは−１．５１ｄＢ〜−１．３５ｄＢであり、放射効率Ｐｒａｄは２７％〜２９％であった。
【００９０】
このように、本実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置１００によれば、各周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が互いに干渉することを抑制でき、マイクロ波の放射効率を高めることができる。
【００９１】
以上に説明したように、本実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置１００、１００Ａ、１００Ｂによれば、スロット１２３が、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とし、円柱部材８２を通る円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成されている。これにより、周方向において隣接する周縁マイクロ波導入機構４３ａ同士の距離が短い場合であっても、各周縁マイクロ波導入機構４３ａから導入されるマイクロ波が互いに干渉することを抑制できる。
【００９２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００９３】
上記の実施形態においては、周縁マイクロ波導入機構４３ａがマイクロ波を伝送する同軸導波管を有する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、同軸導波管に代えて方形導波管であってもよい。この場合、スロット１２３は、マイクロ波放射部材５０の中心軸Ｃ１を中心とする円であって、導波管の各々の中心軸とマイクロ波放射部材５０との交点を結んでなる円よりも内周側及び外周側の少なくともいずれかに形成される。
【００９４】
上記の実施形態においては、マイクロ波プラズマ処理装置として成膜装置及びエッチング装置を例示したが、これに限定されるものではなく、酸化処理及び窒化処理を含む酸窒化膜形成処理、アッシング処理等の他のプラズマ処理にも用いることができる。
【００９５】
また、基板はウエハＷに限定されず、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用基板に代表されるＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板や、セラミックス基板等の他の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１        チャンバ
２        マイクロ波プラズマ源
３        制御装置
１１      載置台
２１      第１ガス導入部
２２      第１ガス供給源
２３      第２ガス導入部
２８      第２ガス供給源
３０      マイクロ波出力部
４０      マイクロ波伝送部
４３ａ    周縁マイクロ波導入機構
４３ｂ    中心マイクロ波導入機構
４４      マイクロ波伝送路
５０      マイクロ波放射部材
５２      外側導体
５３      内側導体
６１      スラグ
７１      同軸分配器
７２      誘電体部材
１００    マイクロ波プラズマ処理装置
１２０    本体部
１２１    遅波材
１２２    マイクロ波透過部材
１２３    スロット
１２３ａ  内周側スロット
１２３ｂ  外周側スロット
１２４    誘電体層
１４０    インピーダンス調整部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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