(57)【要約】【課題】形成されるめっき膜の厚みを把握することができる構造体の修正方法を提供する。【解決手段】構造体の修正方法は、第１金属を主材料とする第１層３１と、第１層３１の上側に重なり第２金属を主材料とする第２層３２とを含む積層部３を備え、前記第２層３２が欠損部１０を有する構造体の修正方法であって、欠損部１０と欠損部１０の周辺部とを覆うようにめっき液を滴下する工程と、欠損部１０および前記周辺部に対向して治具１４を配置する工程と、治具１４が前記めっき液に接触した状態を維持しつつ治具１４と第１層３１との間に電圧を印加することによって、電解めっきを行なう工程とを含み、前記電解めっきにより、欠損部１０には、積層部３の厚み方向に前記第２金属の層が成長し、前記周辺部にも前記第２金属の層が成長する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属を主材料とする第１層と、前記第１層の上側に重なり第２金属を主材料とする第２層とを含む積層部を備え、前記第２層が欠損部を有する構造体の修正方法であって、
前記欠損部と前記欠損部の周辺部とを覆うようにめっき液を滴下する工程と、
前記欠損部および前記周辺部に対向して治具を配置する工程と、
前記治具が前記めっき液に接触した状態を維持しつつ前記治具と前記第１層との間に電圧を印加することによって、電解めっきを行なう工程とを含み、
前記電解めっきにより、前記欠損部には、前記積層部の厚み方向に前記第２金属の層が成長し、前記周辺部にも前記第２金属の層が成長する、構造体の修正方法。
【請求項２】
前記電解めっきを行なう工程において、前記治具と前記めっき液とが接触する領域を前記積層部に投影した領域は、前記欠損部を包含する、請求項１に記載の構造体の修正方法。
【請求項３】
前記電解めっきを行なう工程において、前記積層部は、前記厚み方向が鉛直方向と一致する姿勢で配置されており、前記治具は、前記積層部の真上に配置されている、請求項１または２に記載の構造体の修正方法。
【請求項４】
前記第２金属は貴金属である、請求項１から３のいずれかに記載の構造体の修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体の修正方法に関するものである。より特定的には、欠損部を有する構造体の修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
導体パターンの修正方法が、特開平６−３５０２２６号公報（特許文献１）に記載されている。特許文献１に記載された方法では、断線などの生じた導体パターンにカソードを接触させると共に導体パターンの端面と対向する位置にアノードを配置し、導体パターンとアノードとの間に電解液を滴下した後に、電解めっきを行なっている。この方法では、電解めっきにより、導体パターンの欠損部を埋めるように金属を析出させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３５０２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線などの欠損部をめっきにより修正する場合には、確実な修正を行なうためには一定以上のめっき膜厚が必要である。しかし、コスト、顧客からの要求などを考慮すれば、めっき膜の厚みは単に厚くすればよいというものではない。形成されためっき膜の厚みが適切であるか確認する必要がある。特許文献１に記載された修正方法では、アノードを欠損部に挿入して側方に向かって金属を析出させている。これによるめっき膜の成長方向は、基板の表面に平行となる。この方法では、形成されためっき膜の厚みを直接測定することが困難であった。したがって、めっき膜の厚みを把握することが困難であり、めっきの条件を十分に最適化することができなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、形成されるめっき膜の厚みを把握することができる構造体の修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に基づく構造体の修正方法は、第１金属を主材料とする第１層と、上記第１層の上側に重なり第２金属を主材料とする第２層とを含む積層部を備え、上記第２層が欠損部を有する構造体の修正方法であって、上記欠損部と上記欠損部の周辺部とを覆うようにめっき液を滴下する工程と、上記欠損部および上記周辺部に対向して治具を配置する工程と、上記治具が上記めっき液に接触した状態を維持しつつ上記治具と上記第１層との間に電圧を印加することによって、電解めっきを行なう工程とを含み、上記電解めっきにより、上記欠損部には、上記積層部の厚み方向に上記第２金属の層が成長し、上記周辺部にも上記第２金属の層が成長する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、形成されるめっき膜の厚みを把握することができる構造体の修正方法とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法のフローチャートである。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法で扱う対象となる構造体の断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の第１の工程の説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の第２の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の第３の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法によってめっき膜が形成された状態を示す説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法によって得られた構造体の断面図である。
【図８】図７におけるめっき膜の近傍の拡大断面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法のうち治具がずれた位置にある状態で電解めっきを行なう様子の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
【００１０】
ここでいう「構造体」は、２層以上の積層体構造の電極を備えるものであればよい。構造体は、たとえば電子部品であってよい。あるいは、回路基板であってもよい。ここでいう「修正方法」は、電極に欠損部を有する構造体を、使用に問題がない状態にまで修正する方法を意味する。
【００１１】
（実施の形態１）
（構造体の修正方法）
図１〜図８を参照して、本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法について説明する。本実施の形態における構造体の修正方法のフローチャートを図１に示す。
【００１２】
本実施の形態における構造体の修正方法は、第１金属を主材料とする第１層と、前記第１層の上側に重なり第２金属を主材料とする第２層とを含む積層部を備え、前記第２層が欠損部を有する構造体の修正方法であって、前記欠損部と前記欠損部の周辺部とを覆うようにめっき液を滴下する工程Ｓ１と、前記欠損部および前記周辺部に対向して治具を配置する工程Ｓ２と、前記治具が前記めっき液に接触した状態を維持しつつ前記治具と前記第１層との間に電圧を印加することによって、電解めっきを行なう工程Ｓ３とを含む。前記電解めっきにより、前記欠損部には、前記積層部の厚み方向に前記第２金属の層が成長し、前記周辺部にも前記第２金属の層が成長する。
【００１３】
本実施の形態における構造体の修正方法で扱う対象とするのは、図２に示すような構造体である。図２では、修正前の状態が示されている。ここでは、説明の便宜のために要部のみを示し、他の部分を単純化している。基板１は主表面１ｕを有する。基板１の主表面１ｕに積層部３が配置されている。積層部３は、基板１に近い側から順に、導電層３０、第１層３１、第２層３２が積み重なった構造となっている。導電層３０は金属層であってよい。導電層３０はたとえばＣｕで形成されていてよい。図２では、導電層３０、第１層３１、第２層３２の厚みを等しく表示しているが、実際には、導電層３０、第１層３１、第２層３２の厚みは異なっていてもよい。基板１の内部を厚み方向に貫通するように層間接続導体６が配置されている。層間接続導体６は金属で形成されていてよい。基板１の裏面には導電層７が形成されている。層間接続導体６は導電層３０と導電層７とを電気的に接続している。
【００１４】
第１層３１は、第１金属を主材料とする。第２層３２は、第２金属を主材料とする。第１金属はたとえばＮｉであってよい。第２金属はたとえばＡｕであってよい。導電層３０、第１層３１、第２層３２はいずれもめっきで形成された膜であってよい。図２に示す構造体は、欠損部１０を有する。欠損部１０では、第２層３２が欠損している。この構造体を修正するために、以下の各工程を行なう。
【００１５】
まず、図３に示すように、導電層７に電気的に接続するように導電性テープ８を貼り付ける。導電性テープ８はたとえばＣｕテープであってよい。導電性テープ８は、後述する配線を接続しやすくするためのものである。図３に示すように、導電性テープ８は、基板１から導電性テープ８の一端がはみ出すように貼られてもよい。
【００１６】
工程Ｓ１として、図４に示すように、欠損部１０および欠損部１０の周辺部に被さるようにめっき液を滴下する。滴下しためっき液の液滴１２は、たとえば図４に示すようにほぼ球状となる。めっき液の液滴１２は、欠損部１０の底部においては第１層３１に接している。めっき液の液滴１２は、欠損部１０の周辺部においては第２層３２に接している。めっき液の種類としては、第２金属のめっき膜を形成するために適したものが適宜選択されて用いられる。
【００１７】
工程Ｓ２として、図５に示すように、欠損部１０および前記周辺部に対向して治具１４を配置する。めっき液の液滴１２は、積層部３に接した状態のまま治具１４にも接する。ここでは、治具１４は単純な長方形で示しているが、これはあくまで説明の便宜のために示す一例であって、治具１４の形状はこの通りとは限らない。治具１４は、たとえば平坦な端面を有するＳＵＳ製の丸棒であってもよい。治具１４は、平坦な面を有し、この平坦な面が下方を向く姿勢で配置される。治具１４の下面は積層部３の上面と平行に配置される。
【００１８】
工程Ｓ３として、治具１４がめっき液に接触した状態を維持しつつ治具１４と第１層との間に電圧を印加することによって、電解めっきを行なう。図５に示すように、治具１４には配線１６が接続されている。導電性テープ８には配線１７が接続されている。配線１６，１７は、電源１５に接続されている。工程Ｓ３では、電源１５から配線１６，１７を通じて電流を流すことによって、治具１４と積層部３との間に電圧を印加する。治具１４はアノードの役割を果たす。第１層３１および第２層３２はカソードの役割を果たす。工程Ｓ３で行なわれる電解めっきにより、欠損部１０には、積層部３の厚み方向に前記第２金属の層が成長し、これと並行して前記周辺部にも前記第２金属の層が成長する。
【００１９】
工程Ｓ３を行なった結果、図６に示すように、めっき膜が形成される。図６に示した状態から、液滴１２、治具１４、導電性テープ８などを取り去った後には図７に示す構造体が得られる。この構造体は、めっき膜４を備える。めっき膜４の近傍を拡大したところを図８に示す。めっき膜４は、めっき膜４１とめっき膜４２とを含む。めっき膜４１，４２は、同一の工程Ｓ３において同時に並行して成長しためっき膜である。めっき膜４１は、欠損部１０の底部において第１層３１の上面から上方に向かって成長した膜である。めっき膜４２は欠損部１０の周辺部において第２層３２の上面から上方に向かって成長した膜である。めっき膜４１，４２はいずれも第２層３２と同じ材質である。図８に示すように、めっき膜４１，４２の厚みをそれぞれＤ１，Ｄ２とする。
【００２０】
（作用・効果）
本実施の形態における構造体の修正方法によれば、工程Ｓ３の電解めっきにより、欠損部１０の底部に第２金属の層が成長するのと同時に欠損部１０の周辺部にも成長するので、欠損部１０の周辺部に成長した第２金属の層の厚みＤ２を測定することにより欠損部１０の底部に成長した第２金属の層の厚みＤ１を推定することができる。めっき膜４２は第２層３２の上面に凸部として形成され、厚みＤ２はこの凸部の高さとして現れるので測定しやすい。Ｄ１とＤ２とが等しいことは必須ではない。Ｄ１とＤ２との間に一定の関係が維持されていれば、Ｄ２を測定することによってＤ１の大きさを推定することができる。したがって、本実施の形態における構造体の修正方法は、形成されるめっき膜の厚みを把握することができる構造体の修正方法とすることができる。
【００２１】
図５に示したように、治具１４の下面が平坦で、かつ、積層部３の上面に平行であり、治具１４の下面が積層部３の欠損部１０および周辺部に対向している場合、めっき膜４が形成される各部位において、液滴１２を介した治具１４との距離がほぼ等しくなる。言い換えれば、各部位においてアノードとカソードとを直線で結ぶ距離がほぼ等しくなる。このような場合には、めっき膜４は均一な厚みで形成されるので、Ｄ１とＤ２とが等しくなる。したがって、Ｄ２からＤ１を把握することが容易となる。
【００２２】
電解めっきを行なう工程Ｓ３において、治具１４とめっき液とが接触する領域を積層部３に投影した領域は、欠損部１０を包含することが好ましい。図５および図６では、この条件が満たされている。この構成を採用することにより、欠損部１０は治具１４に対して十分に対向することになるので、欠損部１０の底部においてもめっき膜４１を良好に成長させることができる。特に、図５および図６のように、欠損部１０を取り囲むように全周にわたって欠損部１０の周辺部が治具１４の投影領域内に入っている場合には、周辺部におけるめっき膜４２も良好に成長することができるので、周辺部におけるめっき膜４２の厚みＤ２を測定しやすくなり、好ましい。
【００２３】
第２層３２の上面および欠損部１０においてめっき膜４が成長する領域の各部位は、めっき液を介した治具１４との最短距離がなるべく均等であることが好ましい。各部位における治具１４との最短距離が等しい場合には、成長するめっき膜４の厚みが均一になるからである。逆に、たとえば、図９に示すように、めっき膜が成長する領域の中で部位によって治具１４との最短距離が異なる場合には、成長するめっき膜の厚みが不均一になるおそれがある。たとえ図９のように治具１４が欠損部１０からずれた位置にあっても、工程Ｓ３の電解めっきは行なうことができ、欠損部１０の修正自体は一応できるが、事情が許す限り、図５に示したような位置関係で電解めっきを行なうことが好ましい。
【００２４】
本実施の形態で示したように、電解めっきを行なう工程Ｓ３において、積層部３は、厚み方向が鉛直方向と一致する姿勢で配置されており、治具１４は、積層部３の真上に配置されていることが好ましい。「鉛直方向」とは、重力が作用する方向である。この構成を採用することにより、めっき液の液滴１２を積層部３上で安定させた状態で治具１４を配置することができるので、良好な電解めっきを容易に行なうことができる。積層部３の厚み方向が鉛直方向と一致しない場合、すなわち、積層部３が重力の作用方向に対して傾いた姿勢にある場合にも工程Ｓ３の電解めっきを行なうことは一応可能であるが、その場合にはめっき液の液滴１２が重力によって図５中の側方に移動してしまうおそれがある。これにひきかえ、積層部３の厚み方向を鉛直方向と一致させておけば、重力は積層部３の主表面に垂直な方向に作用するので、液滴１２が重力によって側方に移動するおそれはなく、液滴１２の姿勢が安定する。
【００２５】
前記第２金属は貴金属であることが好ましい。この構成を採用することにより、工程Ｓ３で貴金属のめっき膜を形成することができるので、電極の最表面に貴金属を露出させることができ、電極に対して電気的接続を行なう際の抵抗を小さくすることができる。
【００２６】
なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００２７】
１  基板、１ｕ  主表面、３  積層部、４，４１，４２  めっき膜、６  層間接続導体、７  導電層、８  導電性テープ、１０  欠損部、１２  （めっき液の）液滴、１４  治具、１５  電源、１６，１７  配線、３０  導電層、３１  第１層、３２  第２層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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