(57)【要約】【課題】薄いキャビティ部を有する配線板を安定して製造することが可能な配線板の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】  本発明の配線板１０の製造方法は、第１の支持板４１上で導体層１３と層間絶縁層１４を積層し第１の支持板４１側の第１面１１Ｆとその反対側の第２面１１Ｓを有する第１の積層配線部１１を形成することと、第１の積層配線部１１を第１の支持板４１から剥離することと、第１面１１Ｆで露出する導体層１３にパッド５０を形成することと、第２の支持板４２上に第２面１１Ｓが第２の支持板４２側を向くように第１の積層配線部１１を積層することと、第２の支持板４２上で第１の積層配線部１１の第１面１１Ｆ上に導体層２３と層間絶縁層２４を積層し第２の積層配線部２１を形成することと、第２の支持板４２上で第２の積層配線部２１にパッド５０を露出させるキャビティ部５１を形成することと、を含む。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持板上で複数の導体層と複数の絶縁層を交互に積層し、前記第１の支持板側の第１面と、その反対側の第２面とを有する第１の積層配線部を形成することと、
前記第１の積層配線部を前記第１の支持板から剥離することと、
前記第１面で露出する前記導体層にパッドを形成することと、
第２の支持板上に、前記第２面が前記第２の支持板側を向くように前記第１の積層配線部を積層することと、
前記第２の支持板上で、前記第１の積層配線部の前記第１面上に導体層と絶縁層を交互に積層し、前記第２の支持板側の第３面と、その反対側の第４面とを有する第２の積層配線部を形成することと、
前記第２の支持板上で、前記第２の積層配線部に前記パッドを露出させるキャビティ部を形成することと、
前記第１の積層配線部と前記第２の積層配線部とを前記第２の支持板から剥離することと、を含む配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線板の製造方法であって、
さらに、前記第１面で露出する前記導体層に環状のパターンを形成することを含み、
前記キャビティ部を形成するにあたり、前記環状のパターンに沿って前記環状のパターンを露出させるレーザー加工を行う。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線板の製造方法であって、
前記第２の積層配線部の形成には、全ての前記パッドを覆う剥離層を形成することが含まれる。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載の配線板の製造方法であって、
前記第１の積層配線部の形成には、前記第１の積層配線部を構成する絶縁層に、その絶縁層を厚み方向で挟む導体層間を接続し、前記第２面側から前記第１面側に向かって径が小さくなる第１のビア導体を形成することが含まれ、
前記第２の積層配線部の形成には、前記第２の積層配線部を構成する絶縁層に、その絶縁層を厚み方向で挟む導体層間を接続し、前記第４面側から前記第３面側に向かって径が小さくなる第２のビア導体を形成することが含まれる。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載の配線板の製造方法であって、
前記第１の積層配線部の形成には、前記第１の積層配線部を構成する導体層のうち前記第１の支持板から最も離れて配置される導体層の上に、絶縁層としてのソルダーレジスト層を形成することが含まれる。
【請求項６】
請求項１乃至５のうち何れか１の請求項に記載の配線板の製造方法であって、
前記第２の積層配線部の形成には、前記第２の積層配線部を構成する導体層のうち前記第２の支持板から最も離れて配置される導体層の上に、絶縁層としてのソルダーレジスト層を形成することが含まれる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティ部を有する配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の配線板の製造方法として、導体層と絶縁層とが積層されてなる第１の積層配線部と、導体層と絶縁層とが積層されてなりキャビティ部が厚み方向に貫通形成されている第２の積層配線部と、を用意しておき、第１の積層配線部の上に第２の積層配線部を重ねて接着するものが知られている。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−６０９１２号公報（段落［００３５］、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来の配線板の製造方法では、キャビティ部を薄くするために第２の積層配線部を薄くする場合、第２の積層配線部の強度が低くなるため、安定して配線板を製造することが難しいという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、薄いキャビティ部を有する配線板を安定して製造することが可能な配線板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた請求項１の発明は、第１の支持板上で複数の導体層と複数の絶縁層を交互に積層し、前記第１の支持板側の第１面と、その反対側の第２面とを有する第１の積層配線部を形成することと、前記第１の積層配線部を前記第１の支持板から剥離することと、前記第１面で露出する前記導体層にパッドを形成することと、第２の支持板上に、前記第２面が前記第２の支持板側を向くように前記第１の積層配線部を積層することと、前記第２の支持板上で、前記第１の積層配線部の前記第１面上に導体層と絶縁層を交互に積層し、前記第２の支持板側の第３面と、その反対側の第４面とを有する第２の積層配線部を形成することと、前記第２の支持板上で、前記第２の積層配線部に前記パッドを露出させるキャビティ部を形成することと、前記第１の積層配線部と前記第２の積層配線部とを前記第２の支持板から剥離することと、を含む配線板の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】配線板の（Ａ）側断面図、（Ｂ）平面図
【図２】配線板を含むＰｏＰの側断面図
【図３】配線板の製造工程を示す側断面図
【図４】配線板の製造工程を示す側断面図
【図５】配線板の製造工程を示す側断面図
【図６】配線板の製造工程を示す側断面図
【図７】配線板の製造工程を示す側断面図
【図８】配線板の製造工程を示す側断面図
【図９】配線板の製造工程を示す側断面図
【図１０】配線板の製造工程を示す側断面図
【図１１】配線板の製造工程を示す側断面図
【図１２】配線板の製造工程を示す側断面図
【図１３】配線板の製造工程を示す側断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態を図１〜図１３に基づいて説明する。本実施形態の配線板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、表側に開放したキャビティ部５１を有している。具体的には、配線板１０は、第１の積層配線部１１に、キャビティ部５１が貫通形成されている第２の積層配線部２１が表側から積層されてなる。なお、キャビティ部５１には、第１の積層配線部１１上に実装される電子部品１００が収容される。
【０００９】
第１の積層配線部１１は、複数の導体層１３と複数の層間絶縁層１４とが交互に積層されている構造を有する。隣り合う導体層１３，１３同士は、層間絶縁層１４に形成されている複数の第１のビア導体１４Ｄによって接続されている。第１のビア導体１４Ｄは、層間絶縁層１４に形成されるビアホール１４Ｈ内にめっきが充填されてなる。また、第１のビア導体１４Ｄは、第１の積層配線部１１の裏側面である第２面１１Ｓ側から表側面である第１面１１Ｆ側へ向かって徐々に縮径するテーパー状になっている。なお、層間絶縁層１４は、例えば、プリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）又はビルドアップ基板用の絶縁フィルム（心材を有さず無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）で構成されている。
【００１０】
第１の積層配線部１１の複数の導体層１３のうち最も裏側（最も第２面１１Ｓに近い側）に配置される最外の導体層１３Ｂ上には、ソルダーレジスト層１５が積層されている。ソルダーレジスト層１５には、開口１６が形成されている。そして、最外の導体層１３Ｂのうち開口１６によりソルダーレジスト層１５から露出する部分によって、パッド１７が形成されている。
【００１１】
なお、本実施形態では、層間絶縁層１４とソルダーレジスト層１５とが、第１の積層配線部１１における、本発明の「絶縁層」に相当する。本実施形態の例では、第１の積層配線部１１が、本発明に係る「導体層」と本発明に係る「絶縁層」とを３層ずつ有しているが、これに限定されず、それぞれを複数層有していればよい。
【００１２】
第１面１１Ｆには、第１の積層配線部１１の複数の導体層１３のうち最も表側に配置される所定パターンの第１の導体層１３Ａが、露出している。第１面１１Ｆにおける第１の導体層１３Ａが形成されていない部分には、第１の導体層１３Ａと裏側から隣り合う層間絶縁層１４の樹脂が入り込んでいて、第１面１１Ｆは、平坦になっている。また、第１面１１Ｆには、第１の導体層１３Ａの一部で、環状のパターン５２が形成されている。第１面１１Ｆのうち環状のパターン５２に囲まれる部分には、第１の導体層１３Ａの一部で、電子部品１００を実装するためのパッド５０が形成されている。
【００１３】
第２の積層配線部２１は、複数の層間絶縁層２４と複数の導体層２３とが交互に積層されている構造を有する。層間絶縁層２４には、第２のビア導体２４Ｄが形成され、第２のビア導体２４Ｄによって隣り合う導体層２３，２３同士が接続されている。第２のビア導体２４Ｄは、層間絶縁層２４に形成されるビアホール２４Ｈ内にめっきが充填されてなる。第２のビア導体２４Ｄは、第２の積層配線部２１の表側面である第４面２１Ｆ側から、裏側面である第３面２１Ｓ側へ向かって徐々に縮径するテーパー状になっている。
【００１４】
第２の積層配線部２１の複数の層間絶縁層２４のうち、最も裏側に配置される層間絶縁層２４は、第２の積層配線部２１の第３面２１Ｓを構成している。そして、その層間絶縁層２４に対して表側から隣り合う導体層２３と、裏側から隣り合う第１の積層配線部１１の第１の導体層１３Ａとが、第２のビア導体２４Ｄによって接続されている。なお、第２の積層配線部２１の層間絶縁層２４は、例えば、プリプレグ又はビルドアップ基板用の絶縁フィルムで構成されている。
【００１５】
第２の積層配線部２１の導体層２３のうち最も表側に配置される最外の導体層２３Ｂ上には、ソルダーレジスト層２５が積層されている。ソルダーレジスト層２５には、開口２６が形成されている。そして、最外の導体層２３Ｂのうち開口２６によりソルダーレジスト層２５から露出する部分によって、パッド２７が形成されている。パッド２７上には、第２の積層配線部２１上に実装される電子部品や配線板等（例えば、図２に示す後述の配線板２０２）と接続される半田バンプ２８が形成されている。
【００１６】
本実施形態では、層間絶縁層２４とソルダーレジスト層２５とが、第２の積層配線部２１における、本発明の「絶縁層」に相当する。本実施形態の例では、第２の積層配線部２１は、本発明に係る「導体層」と本発明に係る「絶縁層」とを２層ずつ有しているが、これに限定されず、それぞれを１層以上有していればよい。
【００１７】
第２の積層配線部２１に形成されている上述のキャビティ部５１は、図１（Ｂ）に示すように、平面視四角形状をなし、第１の積層配線部１１の第１面１１Ｆの一部を露出させている。具体的には、第１面１１Ｆに設けられている上述のパッド５０と環状のパターン５２とが露出している。なお、環状のパターン５２の外形は、配線板１０の厚み方向から見て、キャビティ部５１より一回り大きくなっていて、環状のパターン５２の外周部の上には、第２の積層配線部２１が積層されている。
【００１８】
環状のパターン５２は、本実施形態の例では、第１の積層配線部１１の複数の導体層１３のうち環状のパターン５２以外の部分、及び、第２の積層配線部２１の導体層２３とは接続されていない（即ち、電気的に孤立している）が、それらと接続されていてもよい。本実施形態の構成の場合、環状のパターン５２が、グランド接続されるグランド層となっていてもよい。また、環状のパターン５２が、ノイズのフィルター等として使用されてもよい。
【００１９】
なお、図２には、配線板１０上に配線板２０２が実装される例が示されている。同図に示す例では、パッド５０上に形成される半田バンプ１０８によって、配線板１０に電子部品１００が接続されて、第１パッケージ基板１０Ｐが形成されている。そして、第１パッケージ基板１０Ｐの上に、メモリ２０１を配線板２０２上に備えてなる第２パッケージ基板２０Ｐが実装されて、ＰｏＰ１２０（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ１２０）が形成されている。
【００２０】
本実施形態の配線板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図３（Ａ）に示すように、基材４１Ｋの表裏の両面にキャリア４１Ｃ，４１Ｃが積層されてなる第１の支持板４１が用意される。各キャリア４１Ｃ上には、銅箔４３が積層されている。
【００２１】
（２）第１の支持板４１上の銅箔４３上に所定パターンのめっきレジストが形成される。そして、電解めっき処理により、銅箔４３のうちめっきレジストから露出している部分に、電解めっき膜が形成されることで、銅箔４３上に、環状のパターン５２と、その環状のパターン５２の内側に配置されるパッド形成部５０Ａと、を含む導体層１３（第１の導体層１３Ａ）が形成される。次いで、めっきレジストが除去される（図３（Ｂ）参照）。
【００２２】
（３）図３（Ｃ）に示すように、第１の支持板４１の表側と裏側の第１の導体層１３Ａ上に、層間絶縁層１４としてのプリプレグと銅箔３７が積層されてから、加熱プレスされる。その際、第１の支持板４１上の各銅箔４３のうち第１の導体層１３Ａから露出する部分がプリプレグの樹脂にて埋められる。なお、層間絶縁層１４として、プリプレグの代わりにビルドアップ基板用の絶縁フィルムを用いてもよい。この場合は、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの上に、銅箔３７を積層することなく、直接、後述の（５）における無電解めっき処理により無電解めっき膜を形成することができる。
【００２３】
（４）図４（Ａ）に示すように、第１の支持板４１の表側と裏側の層間絶縁層１４，１４にレーザーが照射されて、層間絶縁層１４を貫通する複数のビアホール１４Ｈが形成される。それら複数のビアホール１４Ｈは、第１の導体層１３Ａ上に配置されると共に、第１の支持板４１側に向かって徐々に縮径するテーパー状になっている。
【００２４】
（５）無電解めっき処理が行われ、各層間絶縁層１４上に積層されている銅箔３７上と、ビアホール１４Ｈの内面と、に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２５】
（６）図４（Ｂ）に示すように、各層間絶縁層１４に積層されている銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００２６】
（７）電解めっき処理が行われ、図４（Ｃ）に示すように、電解めっきがビアホール１４Ｈ内に充填されて第１のビア導体１４Ｄが形成される。また、銅箔３７上の無電解めっき膜のうちめっきレジスト３３から露出している部分に、電解めっき膜３４が形成される。
【００２７】
（８）めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下の無電解めっき膜及び銅箔３７が除去される。すると、図５（Ａ）に示すように、層間絶縁層１４上の残された電解めっき膜３４、無電解めっき膜及び銅箔３７により、導体層１３が形成される。
【００２８】
（９）上述した（３）〜（８）と同様の処理により、図５（Ｂ）に示すように、第１の支持板４１の表側と裏側に、さらに層間絶縁層１４と導体層１３とが積層されると共に、その積層された層間絶縁層１４に、当該層間絶縁層１４を挟む導体層１３，１３同士を接続する第１のビア導体１４Ｄが形成される。
【００２９】
（１０）図６（Ａ）に示すように、第１の支持板４１から最も離れている導体層１３，１３である最外の導体層１３Ｂ，１３Ｂ上に、それぞれソルダーレジスト層１５が形成される。次いで、図６（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層１５の所定箇所に、例えば、レーザー加工やフォトレジスト処理等により、開口１６が形成される。そして、最外の導体層１３Ｂのうち開口１６によりソルダーレジスト層１５から露出した部分でパッド１７が形成される。
【００３０】
（１１）第１の支持板４１上に積層された銅箔４３、導体層１３、層間絶縁層１４、及びソルダーレジスト層１５の外縁部を、第１の支持板４１ごとトリミングする（図６（Ｂ）には、トリミングラインが一点鎖線で示されている）。これにより、第１の支持板４１の表側と裏側の各銅箔４３上に第１の積層配線部１１が形成される。このとき、各第１の積層配線部１１のうち、第１の支持板４１側を向いた面が第１面１１Ｆとなり、第１面１１Ｆと反対側の面が、第２面１１Ｓとなる。
【００３１】
（１２）第１の積層配線部１１と銅箔４３とが第１の支持板４１から剥離される。次いで、第１積層配線部１１から銅箔４３がエッチング液により除去されて、第１面１１Ｆで第１の導体層１３Ａが露出する。これにより、上述の環状のパターン５２とパッド形成部５０Ａが第１面１１Ｆで露出すると共に、パッド形成部５０Ａのうち第１面１１Ｆで露出する部分でパッド５０が形成される（図７（Ａ）参照）。
【００３２】
（１３）第２の支持板４２（図７（Ｂ）参照）が用意される。第２の支持板４２は、基材４２Ｋの表裏の両面に剥離フィルム４２Ｆが積層されている構成となっている。基材４２Ｋは、例えば、プリプレグから構成されていてもよいし、ステンレス板であってもよい。剥離フィルム４２Ｆは、適度な密着性を有している。
【００３３】
（１４）図７（Ｂ）に示すように、第２の支持板４２の表裏の両面上に、それぞれ第２面１１Ｓが第２の支持板４２側を向くようにして第１の積層配線部１１，１１が積層される。
【００３４】
（１５）図８（Ａ）に示すように、各積層配線部１１の第１面１１Ｆ上に、環状のパターン５２とその内側の部分との全体を覆うように、剥離フィルム４４（本発明の「剥離層」に相当する。）が敷設される。なお、本実施形態では、剥離フィルム４４は、環状のパターン５２の外形より一回り大きくなっている。
【００３５】
（１６）図８（Ｂ）に示すように、各積層配線部１１の第１面１１Ｆ上に、剥離フィルム４４の上から、層間絶縁層２４としてのプリプレグと銅箔３７が積層されてから、加熱プレスされる。なお、層間絶縁層２４として、プリプレグの代わりにビルドアップ基板用の絶縁フィルムを用いてもよい。この場合は、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの上に、銅箔３７を積層することなく、直接、後述の（１８）における無電解めっき処理により無電解めっき膜を形成することができる。
【００３６】
（１７）図９（Ａ）に示すように、第２の支持板４２の表側と裏側の層間絶縁層２４，２４に、レーザーが照射されて、層間絶縁層２４を貫通する複数のビアホール２４Ｈが形成される。それら複数のビアホール２４Ｈは、第１の積層配線部１１の第１面１１Ｆに配置される第１の導体層１３Ａのうち、環状のパターン５２の外側に配置される部分の上に形成される。また、各ビアホール２４Ｈは、第２の支持板４２側に向かって徐々に縮径するテーパー状になっている。
【００３７】
（１８）無電解めっき処理が行われ、各層間絶縁層２４上に積層されている銅箔３７上と、ビアホール２４Ｈの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３８】
（１９）図９（Ｂ）に示すように、各層間絶縁層２４に積層されている銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３５が形成される。めっきレジスト３５は、下記（２０）で、導体層２３が、剥離フィルム４４の真上に形成されないように、層間絶縁層２４のうち剥離フィルム４４の真上に配置される部分全体を覆うように形成される。
【００３９】
（２０）電解めっき処理が行われ、電解めっきがビアホール２４Ｈ内に充填されて第２のビア導体２４Ｄが形成される（図１０（Ａ）参照）。また、第２の支持板４２の表側と裏側の無電解めっき膜のうちめっきレジスト３５から露出している部分に、電解めっき膜が形成される。次いで、めっきレジスト３５が剥離されると共に、めっきレジスト３５の下側の無電解めっき膜及び銅箔３７が除去される。すると、図１０（Ａ）に示すように、層間絶縁層２４上の残された電解めっき膜、無電解めっき膜及び銅箔３７により、導体層２３が形成される。
【００４０】
（２１）上述した（１６）〜（２０）と同様の処理により、図１０（Ｂ）に示すように、第２の支持板４２の表側と裏側の各導体層２３上に、層間絶縁層２４と導体層２３とが積層されると共に、積層された層間絶縁層２４に、当該層間絶縁層２４を挟む導体層２３，２３とを接続する第２のビア導体２４Ｄが形成される。
【００４１】
（２２）図１１（Ａ）に示すように、第２の支持板４２から最も離れている導体層２３，２３である最外の導体層２３Ｂ，２３Ｂ上に、それぞれソルダーレジスト層２５が形成される。次いで、図１１（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層２５の所定箇所に、例えば、レーザー加工やフォトレジスト処理等により、開口２６が形成される。そして、導体層２３のうち開口２６によりソルダーレジスト層２５から露出した部分でパッド２７が形成される。このとき、第２の支持板４２の表側と裏側の各第１の積層配線部１１上に積層されている、導体層２３、層間絶縁層２４及びソルダーレジスト層２５から、第２の積層配線部２１が形成される。また、このとき、各第２の積層配線部２１における、第２の支持板４１側を向いた面が第３面２１Ｓとなり、第３面２１Ｓと反対側の面が、第４面２１Ｆとなる。
【００４２】
（２３）図１２（Ａ）に示すように、第２の支持板４２の表側と裏側のソルダーレジスト層２５，２５の上から、環状のパターン５２に沿って、レーザーが照射されて、環状のパターン５２を露出させる環状の凹部５４が形成される。なお、レーザーの照射にはばらつきが生じ得るため、本実施形態では、確実に環状のパターン５２上にレーザーを照射するために、環状のパターン５２の外周部及び内周部を避けて、その間にレーザーが照射される。
【００４３】
（２４）図１２（Ｂ）に示すように、導体層２３、層間絶縁層２４、ソルダーレジスト層２５、及び剥離フィルム４４のうち、環状の凹部５４の内側に配置される部分が除去されて、第２の積層配線部２１を貫通するキャビティ部５１が形成される。すると、第１の積層配線部１１の第１面１１Ｆのうち環状の凹部５４の内側に配置されていた部分が露出して、パッド５０が露出する。なお、本実施形態では、剥離フィルム４４は、環状のパターン５２の外形より一回り大きくなっているので、剥離フィルム４４の外縁部は、除去されずに第１の積層配線部１１と第２の積層配線部２１との間に残される。
【００４４】
（２５）パッド５０に、有機保護膜（ＯＳＰ）の形成等の表面処理がなされる。
【００４５】
（２６）図１３に示すように、第１の積層配線部１１及び第２の積層配線部２１が、第２の支持板４２から剥離される。
【００４６】
（２７）第２の積層配線部２１の第４面２１Ｆに配置されるパッド２７上に、半田バンプ２８が形成される（図１参照）。以上で配線板１０が完成する。
【００４７】
本実施形態の配線板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に配線板１０の製造方法の作用効果について説明する。本実施形態の配線板１０の製造方法では、第２の支持板４２上に支持された第１の積層配線部１１上に導体層２３と絶縁層（層間絶縁層２４、ソルダーレジスト層２５）を積層して第２の積層配線部２１を形成すると共に、第２の積層配線部２１へのキャビティ部５１の形成を、第２の積層配線部２１が第２の支持板４２上に支持された状態で行うので、従来の製造方法に比べて、薄い第２の積層配線部２１、即ち、薄いキャビティ部５１を有する配線板１０を安定して製造することが可能となる。
【００４８】
また、本実施形態の配線板１０の製造方法では、第１の支持板４１上で第１の積層配線部１１が形成されてから、第１の積層配線部１１が表裏ひっくり返されて第２の支持板４２上に積層される。そして、その状態で、第１の積層配線部１１の上に第２の積層配線部２１が形成されるので、配線板１０の表裏の両面にソルダーレジスト層１５，２５を容易に形成することが可能となる。
【００４９】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、剥離フィルム４４が、第１の積層配線部１１の第１面１１Ｆのうち、環状のパターン５２と環状のパターン５２の内側の部分との全体を覆うように敷設されるので、第２の積層配線部２１に環状のパターン５２を第１面１１Ｆで露出させる環状の凹部５４を形成するだけで、環状の凹部５４の内側の部分を容易に除去することが可能となる。また、本実施形態の配線板１０の製造方法では、剥離フィルム４４が、環状のパターン５２全体を覆うように敷設されるので、環状の凹部５４を形成するためのレーザー照射のずれに対する許容範囲が広くなり、レーザー加工が容易となる。
【００５０】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、第１の支持板４１上の銅箔４３上で、第１の積層配線部１１が形成されるので、銅箔４３をエッチング液にて除去するだけで、第１面を平坦に形成することが可能となる。これにより、キャビティ部５１に収容されてパッド５０に接続される電子部品１００を安定して載置することが可能となる。
【００５１】
また、本実施形態の配線板１０の製造方法では、第１の支持板４１と第２の支持板４２との表裏の両面上で、それぞれ配線板１０が形成されるので、一度に２つの配線板１０，１０を形成することが可能となる。
［他の実施形態］
【００５２】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５３】
（１）上記実施形態では、配線板１０の形成が、第１の支持板４１と第２の支持板４２との表裏の両面上でなされたが、各支持板４１，４２の表裏の両面のうち片面上でのみなされてもよい。
【００５４】
（２）上記実施形態では、剥離フィルム４４が、環状のパターン５２の外形より一回り大きくなっていたが、環状のパターン５２の外形と略同じ大きさとなっていてもよい。また、剥離フィルム４４の外縁部が外周全体に亘って環状のパターン５２上に配置されていれば、剥離フィルム４４が、環状のパターン５２の外形より小さくなっていてもよい。この場合、環状のパターン５２に沿って、環状のパターン５２のうち剥離フィルム４４の外縁部が敷設された部分を露出させるようにレーザー加工を行うことにより、キャビティ部５１を形成することが可能となる。
【符号の説明】
【００５５】
１０    配線板
１１    第１の積層配線部
１１Ｆ    第１面
１１Ｓ    第２面
１３    導体層
１３Ａ    第１の導体層
１４    層間絶縁層
１５    ソルダーレジスト層（絶縁層）
２１    第２の積層配線部
２１Ｓ    第３面
２１Ｆ    第４面
２３    導体層
２４    層間絶縁層
２５    ソルダーレジスト層（絶縁層）
４１    第１の支持板
４２    第２の支持板
５０    パッド
５１    キャビティ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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