(57)【要約】【課題】第１配線および第２配線を高い自由度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】この方法は、中間絶縁層４を設ける工程１と、金属薄膜７を設ける工程２と、フォトレジスト２３を設ける工程３と、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する工程４と、金属薄膜７を部分的に露出させる工程５と、上側導体パターン５を設ける工程６とを備える。工程４において、反射光Ｂ’が、第１露光部分２４および第２露光部分２５の間に集光すると仮定する場合に、斜面１２は、フォトレジスト２３における集光に起因して工程５において除去される除去仮定部分３１が絶縁斜面湾曲部１３を有する。第２露光部分２５は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３を回避する回避部２６と、斜面１２における絶縁斜面直線部３９と重複する重複部２７とを連続して有する。【選択図】図１
2018006584.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、互いに間隔を隔てて隣り合う第１配線および第２配線とを備える配線回路基板の製造方法であり、
斜面を有する前記絶縁層を設ける工程１と、
金属薄膜を、前記絶縁層の表面に設ける工程２と、
フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程３と、
フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記第１配線に対応する第１露光部分と、前記フォトレジストにおいて前記第２配線に対応する第２露光部分とが露光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程４と、
前記フォトレジストの前記第１露光部分および前記第２露光部分を除去して、前記第１露光部分および前記第２露光部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程５と、
前記第１配線および前記第２配線を、前記金属薄膜の表面に設ける工程６とを備え、
前記工程４において、前記金属薄膜において反射した反射光が、前記フォトレジストにおける前記第１露光部分および前記第２露光部分の間に集光すると仮定する場合に、前記斜面は、前記フォトレジストにおける集光に起因して前記工程５において除去される部分が前記第１露光部分および前記第２露光部分に連続するような、平面視において一方向に曲がる曲り部を有し、
前記第２露光部分は、平面視において、
前記曲り部を回避する回避部と、
前記斜面における前記曲り部以外の少なくとも一部と重複する重複部と
を連続して有する
ことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁層と、互いに間隔を隔てて隣り合う第１配線および第２配線とを備える配線回路基板の製造方法であり、
斜面を有する前記絶縁層を設ける工程１と、
導体層を、前記絶縁層の表面に設ける工程２と、
フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程３と、
フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記第１配線に対応する第１露光部分と、前記フォトレジストにおいて前記第２配線に対応する第２露光部分とが露光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程４と、
前記フォトレジストの前記第１露光部分および前記第２露光部分以外の部分を除去して、前記導体層を前記第１露光部分および前記第２露光部分から露出させる工程５と、
前記第１露光部分および前記第２露光部分を露出する前記導体層を除去して、前記第１配線および前記第２配線を形成する工程６とを備え、
前記工程４において、前記導体層において反射した反射光が、前記フォトレジストにおける前記第１露光部分および前記第２露光部分の間に集光すると仮定する場合に、前記斜面は、前記フォトレジストにおける集光に起因して前記工程５において残存する部分が前記第１露光部分および前記第２露光部分に連続するような、平面視において一方向に曲がる曲り部を有し、
前記第２露光部分は、平面視において、
前記曲り部を回避する回避部と、
前記斜面における前記曲り部以外の少なくとも一部と重複する重複部と
を連続して有する
ことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造方法として、絶縁層を用意し、その後、絶縁層の上に配線パターンを設ける方法が知られている。
【０００３】
例えば、絶縁層に第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを形成する工程と、絶縁層の第１の部分上および第２の部分上に延びるように配線パターンを形成する工程とを備える回路付きサスペンション基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載される製造方法では、配線パターンを形成する工程において、第１の部分の上面と境界面との境界線が第１の方向に延び、配線パターンの側辺が第１の方向に交差する第２の方向に延び、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、絶縁層の上面に配線パターンを形成している。
【０００５】
第１の部分の上面と第２の部分の上面との間に境界面が形成されるため、フォトリソグラフィ技術により絶縁層上に配線パターンを形成する工程において、境界面で露光光の反射が発生し、反射光が他の領域に間接的に照射される。しかし、特許文献１に記載の方法によれば、露光光は、境界面で配線パターンが延びる方向に近い方向に反射されるため、反射光が本来の露光光のパターンにほとんど影響を与えない。それにより、フォトリソグラフィ技術により形成される配線パターンに断線または短絡を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１２７２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、配線回路基板を小型化する場合には、配線パターンを複雑なパターンで配置する場合がある。そのような場合には、特許文献１のように、配線パターンを、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、形成することができない場合がある。その場合には、配線パターン間の短絡を防止することができないという不具合がある。
【０００８】
本発明の目的は、第１配線および第２配線を高い自由度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（１）は、絶縁層と、互いに間隔を隔てて隣り合う第１配線および第２配線とを備える配線回路基板の製造方法であり、斜面を有する前記絶縁層を設ける工程１と、金属薄膜を、前記絶縁層の表面に設ける工程２と、フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程３と、フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記第１配線に対応する第１露光部分と、前記フォトレジストにおいて前記第２配線に対応する第２露光部分とが露光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程４と、前記フォトレジストの前記第１露光部分および前記第２露光部分を除去して、前記第１露光部分および前記第２露光部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程５と、前記第１配線および前記第２配線を、前記金属薄膜の表面に設ける工程６とを備え、前記工程４において、前記金属薄膜において反射した反射光が、前記フォトレジストにおける前記第１露光部分および前記第２露光部分の間に集光すると仮定する場合に、前記斜面は、前記フォトレジストにおける集光に起因して前記工程５において除去される部分が前記第１露光部分および前記第２露光部分に連続するような、平面視において一方向に曲がる曲り部を有し、前記第１露光部分は、平面視において、前記曲り部を回避する回避部と、前記斜面における前記曲り部以外の少なくとも一部と重複する重複部とを連続して有する、配線回路基板の製造方法を含む。
【００１０】
図１５および図１６Ａに示すように、工程４において、金属薄膜７において反射した反射光Ｂ’が、フォトレジスト２３における第１露光部分２４および第２露光部分２５の間に集光するという仮定を検討する。反射光Ｂ’は、工程４において、絶縁斜面湾曲部１３に対応する金属薄膜７における光Ｂの反射によって生成される。そうすると、図１６Ｂに示すように、断面視において、フォトレジスト２３における第１露光部分２４および第２露光部分２５に連続する除去仮定部分３１に至ってしまう。また、図１５の矢印で示すように、絶縁斜面湾曲部１３は、平面視で一方向に曲がるために、かかる絶縁斜面湾曲部１３に対応する金属薄膜７において生成した反射光Ｂ’は、平面視において、除去仮定部分３１に向かう。
【００１１】
そのため、図１６Ｂに示すように、工程５では、フォトレジスト２３の除去仮定部分３１が、残存せず、除去されてしまう。そうすると、図１６Ｃおよび図１７に示すように、工程６において、第１配線２１および第２配線２２を連結する短絡部分４５を生成して、短絡を有する上側導体パターン５を形成してしまう。
【００１２】
しかし、本発明（１）の製造方法によれば、第２露光部分は、平面視において、曲り部を回避する回避部を有する。工程４において、フォトレジストを、斜面に対応するフォトレジストを遮光するように、フォトマスクを介して露光するので、図１６Ａに示すような、曲り部に対応する金属薄膜において反射する反射光を生成しない。そのため、工程５では、上記した集光に起因する部分（除去仮定部分）の生成を防止できる。その結果、上記した集光に起因する短絡部分の発生を防止できる。その結果、第１配線および第２配線の短絡を防止することができる。
【００１３】
また、本発明（１）の方法によれば、第２露光部分が回避部および重複部さえ備えていれば、第２配線を、高い自由度で設けることができる。
【００１４】
また、本発明（２）は、絶縁層と、互いに間隔を隔てて隣り合う第１配線および第２配線とを備える配線回路基板の製造方法であり、斜面を有する前記絶縁層を設ける工程１と、導体層を、前記絶縁層の表面に設ける工程２と、フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程３と、フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記第１配線に対応する第１露光部分と、前記フォトレジストにおいて前記第２配線に対応する第２露光部分とが露光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程４と、前記フォトレジストの前記第１露光部分および前記第２露光部分以外の部分を除去して、前記導体層を前記第１露光部分および前記第２露光部分から露出させる工程５と、前記第１露光部分および前記第２露光部分を露出する前記導体層を除去して、前記第１配線および前記第２配線を形成する工程６とを備え、前記工程４において、前記導体層において反射した反射光が、前記フォトレジストにおける前記第１露光部分および前記第２露光部分の間に集光すると仮定する場合に、前記斜面は、前記フォトレジストにおける集光に起因して前記工程５において残存する部分が前記第１露光部分および前記第２露光部分に連続するような、平面視において一方向に曲がる曲り部を有し、前記第２露光部分は、平面視において、前記曲り部を回避する回避部と、前記斜面における前記曲り部以外の少なくとも一部と重複する重複部とを連続して有する、配線回路基板の製造方法を含む。
【００１５】
図１５および図１８Ａに示すように、工程４において、導体層３３において反射した反射光Ｂ’が、フォトレジスト２３における第１露光部分２４および第２露光部分２５の間に集光するという仮定を検討する。反射光Ｂ’は、工程４において、絶縁斜面湾曲部１３に対応する導体層３３における光Ｂの反射によって生成される。そうすると、図１８Ｂに示すように、断面視において、フォトレジスト２３における第１露光部分２４および第２露光部分２５に連続する残存仮定部分４６に至ってしまう。また、図１５の矢印で示すように、絶縁斜面湾曲部１３は、平面視で一方向に曲がるために、かかる絶縁斜面湾曲部１３に対応する導体層３３において生成した反射光Ｂ’は、平面視において、残存仮定部分４６に向かう。
【００１６】
そのため、図１８Ｂに示すように、工程５では、フォトレジスト２３の残存仮定部分４６が、除去されず、残存してしまう。そうすると、図１７および図１８Ｃに示すように、工程６において、第１配線２１および第２配線２２を連結する短絡部分４５を生成して、短絡を有する上側導体パターン５を形成してしまう。
【００１７】
しかし、本発明（２）の方法によれば、第２露光部分は、平面視において、曲り部を回避する回避部を有する。工程４において、フォトレジストを、斜面に対応するフォトレジストを遮光するように、フォトマスクを介して露光するので、図１８Ａに示すような、曲り部に対応する導体層において反射する反射光を生成しない。そのため、上記した集光に起因する短絡部分の発生を防止できる。その結果、第１配線および第２配線の短絡を防止することができる。
【００１８】
また、本発明（２）の製造方法によれば、第２露光部分が回避部および重複部さえ備えていれば、第２配線を、高い自由度で設けることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、第１配線および第２配線を高い自由度で設けながら、それらの短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態で得られる配線回路基板（下配線において直線部が１つの円弧部に対して２つ設けられ、斜面重複回避部が、絶縁斜面湾曲部の幅方向一方側に位置する態様）における円弧部および斜面重複回避部の拡大平面図を示す。また、図１は、工程４において配置されるフォトマスクにおける第１透光部分および第２透光部分も括弧書きで示す。さらに、図１は、工程４においてフォトレジストに生成される第１露光部分および第２露光部分も括弧書きで示す。
【図２】図２は、図１に示す下配線の幅方向（Ａ−Ａ線）に沿い、円弧部および斜面重複回避部を横断する断面図を示す。
【図３】図３は、図１に示す下配線の幅方向（Ｂ−Ｂ線）に沿い、直線部および斜面重複部を横断する断面図を示す。
【図４】図４Ａ〜図４Ｄは、図２に示す配線回路基板の製造方法の工程図の一部を示し、図４Ａが、ベース絶縁層を用意する工程ｉ、図４Ｂが、下側導体パターンを設ける工程ｉｉ、図４Ｃが、中間絶縁層を設ける工程１、図４Ｄが、金属薄膜を設ける工程２を示す。
【図５】図５Ｅ〜図５Ｇは、図４Ｄに引き続き、図２に示す配線回路基板の製造方法の工程図の一部を示し、図５Ｅが、フォトレジストを設ける工程３、図５Ｆが、フォトレジストを露光する工程４、図５Ｇが、第１露光部分および第２露光部分を除去する工程５を示す。
【図６】図６Ｈ〜図６Ｋは、図５Ｇに引き続き、図２に示す配線回路基板の製造方法の工程図の一部を示し、図６Ｈが、上側導体パターンを設ける工程６、図６Ｉが、フォトレジストを除去する工程ｉｉｉ、図６Ｊが、フォトレジストに対応する金属薄膜を除去する工程ｉｖ、図６Ｋが、カバー絶縁層を設ける工程ｖを示す。
【図７】図７は、本発明の配線回路基板の製造方法の第２実施形態で得られる配線回路基板（下配線において直線部が１つの円弧部に対して２つ設けられ、斜面重複回避部が、絶縁斜面湾曲部の幅方向他方側に位置する態様）における円弧部および斜面重複回避部の拡大平面図を示す。
【図８】図８Ａ〜図８Ｃは、図７に示す配線回路基板の製造方法の工程図の一部を示し、図８Ａは、フォトレジストを露光する工程４、図８Ｂは、第１露光部分および第２露光部分を除去する工程５、図８Ｃは、上側導体パターンを設ける工程６を示す。
【図９】図９は、本発明の配線回路基板の製造方法の第３実施形態で得られる配線回路基板（下配線において直線部が１つの円弧部に対して１つ設けられる態様）における円弧部および斜面重複回避部の拡大平面図を示す。
【図１０】図１０は、本発明の配線回路基板の製造方法の第４実施形態で得られる配線回路基板（第１配線および第２配線が、平面視略直線形状を有する態様）における円弧部および斜面重複回避部の拡大平面図を示す。
【図１１】図１１Ａ〜図１１Ｄは、本発明の配線回路基板の製造方法の第５実施形態の工程図の一部を示し、図１１Ａが、ベース絶縁層を用意する工程ｉ、図１１Ｂが、下側導体パターンを設ける工程ｉｉ、図１１Ｃが、中間絶縁層を設ける工程１、図１１Ｄが、導体層を設ける工程２を示す。
【図１２】図１２Ｅ〜図１２Ｇは、図１１Ｄに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第５実施形態の工程図の一部を示し、図１２Ｅが、フォトレジストを導体層の上面に設ける工程３、図１２Ｆが、フォトレジストを露光する工程４、図１２Ｇが、導体層を第１露光部分および第２露光部分から露出させる工程５を示す。
【図１３】図１３Ｈ〜図１３Ｊは、図１２Ｇに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第５実施形態の工程図の一部を示し、図１３Ｈが、第１露光部分および第２露光部分から露出する導体層を除去する工程６、図１３Ｉが、配線回路基板の製造方法は、第１露光部分および第２露光部分を除去する工程ｉｉｉ、図１３Ｊが、カバー絶縁層を設ける工程ｖを示す。
【図１４】図１４は、第１〜５実施形態により得られる配線回路基板の変形例（下側導体パターンおよび中間絶縁層が設けられない態様）の断面図を示す。
【図１５】図１５は、第２配線が斜面重複回避部を有さない仮定の配線回路基板の製造方法における工程４のフォトマスクの第１透光部分および第２透光部分の拡大平面図を示す。また、図１５は、工程４において生成される除去仮定部分、第１露光部分および第２露光部分も括弧書きで示す。
【図１６】図１６Ａ〜図１６Ｃは、仮定の配線回路基板の製造方法における工程４〜工程６のそれぞれの製造工程図を示し、図１６Ａが、フォトレジストを露光して、除去仮定部分、第１透光部分および第２透光部分を生成する工程４、図１６Ｂが、除去仮定部分、第１透光部分および第２透光部分を除去する工程５、図１６Ｃが、短絡部分を有する上側導体パターンを設ける工程６を示す。
【図１７】図１７は、図１６Ａ〜図１６Ｃ、または、図１８Ａ〜図１８Ｃの工程を経て得られる配線回路基板の拡大平面図を示す。また、図１７において、フォトレジストにおいて生成される除去仮定部分、第１透光部分および第２透光部分も括弧書きで示す。
【図１８】図１８Ａ〜図１８Ｃは、第２配線が斜面重複回避部を有さない仮定の配線回路基板の製造方法の工程図の一部を示し、図１８Ａが、フォトレジストを露光して、残存仮定部分、第１透光部分および第２透光部分を生成する工程４、図１８Ｂが、フォトレジストにおいて残存仮定部分、第１透光部分および第２透光部分以外の部分を除去する工程５、図１８Ｃが、短絡部分を有する上側導体パターンを設ける工程６を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板は、導体パターンを単数層あるいは複数層有しており、その層構成は、特に限定されない。また、配線回路基板は、金属支持基板を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えないフレキシブル配線回路基板を含む。
【００２２】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の第１実施形態である配線回路基板の製造方法およびそれにより得られる配線回路基板を各図を参照して説明する。
【００２３】
図１において、下配線が延びる方向を、長手方向（第１方向）とする。紙面下側に向かう側を、長手方向一方側（第１方向一方側）とし、紙面上側に向かう側を、長手方向他方（第１方向他方側）とする。
【００２４】
図１において、長手方向に直交する方向を、下配線の幅方向（第１方向に直交する第２方向）とする。紙面左側に向かう側を、幅方向一方側（第２方向一方側）とし、紙面右側に向かう側を、幅方向他方側（第２方向他方側）とする。
【００２５】
図１において、紙面紙厚方向を、上下方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向、厚み方向）とする。紙面手前側を、上側（第３方向一方側、厚み方向一方側）とし、紙面奥側を、下側（第３方向他方側、厚み方向他方側）とする。
【００２６】
方向は、図１に示す方向を基準とし、具体的には、各図に記載の方向矢印従う。
【００２７】
また、図１、図７、図９および図１０において、後述する下側導体パターン３および上側導体パターン５の相対位置を明確に示すため、後述するベース絶縁層２、中間絶縁層４およびカバー絶縁層６を省略している。但し、中間絶縁層４における幅方向一方側の斜面１２のみを、点ハッチングで示している。
【００２８】
１．配線回路基板
配線回路基板１は、長手方向に延びる略平板（シート）形状を有する。図２および図３に示すように、この配線回路基板１は、ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に設けられる下側導体パターン３と、ベース絶縁層２の上に設けられ、下側導体パターン３を被覆する絶縁層の一例としての中間絶縁層４と、中間絶縁層４の上に配置される上側導体パターン５と、中間絶縁層４の上に設けられ、上側導体パターン５を被覆するカバー絶縁層６とを備える。
【００２９】
１−１．ベース絶縁層
ベース絶縁層２は、配線回路基板１の最下層である。ベース絶縁層２は、長手方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ベース絶縁層２は、絶縁材料からなる。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【００３０】
１−２．下側導体パターン
下側導体パターン３は、下側導体パターン３および上側導体パターン５のうち、下側に位置する導体パターンである。下側導体パターン３は、中間絶縁層４の下側に位置する導体パターンである。また、下側導体パターン３は、ベース絶縁層２の上面に位置する。下側導体パターン３は、下配線９と、下配線９の長手方向両端に連続する第１端子（図示せず）とを一体的に有する。
【００３１】
図１に示すように、下配線９は、その一部において、平面視略Ｌ字形状を有する。具体的には、下配線９は、平面視円弧形状を有する円弧部４１と、円弧部４１の長手方向両端に連続する２つの直線部４２とを一体的に有する。
【００３２】
円弧部４１は、円弧部４１における長手方向中央部が長手方向両端部に対して幅方向他方側に突出する平面視略円弧形状を有する。円弧部４１は、長手方向他方側に向かうに従って、幅方向一方側に湾曲する。円弧部４１に沿う仮想円（詳しくは、円弧部４１の幅方向中心に沿う仮想の曲率円）の半径（曲率半径）Ｒ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。円弧部４１の中心角αは、特に限定されず、例えば、０度超過、好ましくは、３０度以上、より好ましくは、４５度以上であり、また、例えば、９０度未満、好ましくは、７５度以下である。
【００３３】
２つの直線部４２は、それらの延長線が交差するように、配置されている。２つの直線部４２のうち、長手方向一方側に位置する直線部４２は、平面視において（「厚み方向に投影する投影面において」と同義、以下同様。）、円弧部４１の長手方向一端縁から、長手方向一方側に延びる。長手方向他方側に位置する直線部４２は、平面視において、円弧部４１の長手方向他端縁から、長手方向他方側に延びる。
【００３４】
図２および図３に示すように、下配線９（円弧部４１（図２）および２つの直線部４２（図３）のそれぞれ）は、断面視略矩形状を有する。下配線９は、上端部の幅方向両端縁のそれぞれに２つの稜線部２０のそれぞれを有する。
【００３５】
下側導体パターン３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。下配線９の幅Ｗ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００３６】
１−３．中間絶縁層
中間絶縁層４は、ベース絶縁層２、中間絶縁層４およびカバー絶縁層６のうち、中間に位置する層であって、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層６に挟まれる層である。中間絶縁層４は、ベース絶縁層２の上面に、下側導体パターン３の側面および上面を被覆するように、配置されている。なお、図示しないが、中間絶縁層４は、下側導体パターン３の第１端子（図示せず）を露出している。
【００３７】
中間絶縁層４は、第１平面１０と、第２平面１１と、斜面１２とを含む上面を有する。
【００３８】
第１平面１０は、下側導体パターン３と重ならないベース絶縁層２の上側に間隔を隔てて対向配置されている。第１平面１０は、面方向（ベース絶縁層２の上面に沿う方向、つまり、長手方向および幅方向に沿う方向）に平行する面である。
【００３９】
第２平面１１は、下配線９の上面に対応する。具体的には、第２平面１１は、下配線９の上面の上側に間隔を隔てて対向配置されている。第２平面１１は、次に説明する２つの斜面１２の上端部を連結する。第２平面１１は、第１平面１０と平行する。
【００４０】
斜面１２は、下配線９に対応する。斜面１２は、第１平面１０および第２平面１１に連続する。斜面１２は、面方向に対して傾斜する面である。具体的には、斜面１２は、下配線９の２つの稜線部２０に対応して設けられており、第１平面１０から上方に向かって傾斜（隆起）した後、第２平面１１の幅方向両端部に至る面である。
【００４１】
斜面１２と第１平面１０とのなす角度β’の補角β、すなわち、斜面１２の第１平面１０に対する斜度βは、例えば、５度以上、好ましくは、２０度以上であり、また、例えば、９０度未満、好ましくは、６０度以下である。
【００４２】
図１に示すように、幅方向一方側に位置する斜面１２は、下配線９の２つの直線部４２のそれぞれに対応する２つの絶縁斜面直線部３９（図１および図３参照）のそれぞれと、下配線９の円弧部４１に対応する絶縁斜面湾曲部１３（図１および図２参照）とを連続して有する。なお、絶縁斜面湾曲部１３は、後述するが、図１５に示すように、それに対応する金属薄膜７における反射光Ｂ’が、フォトレジスト２３における除去仮定部分３１に至る曲り部の一例である。
【００４３】
図１に示すように、２つの絶縁斜面直線部３９のそれぞれは、２つの直線部４２のそれぞれにおける２つの稜線部２０（図３）に対応する２つの斜面１２のうちの幅方向一方側部分（内側部分）である。なお、２つの絶縁斜面直線部３９のそれぞれは、平面視において、２つの直線部４２のそれぞれの稜線部２０の直線形状と同一の直線形状を有する。
【００４４】
絶縁斜面湾曲部１３は、円弧部４１における２つの稜線部２０（図２）に対応する２つの斜面１２のうちの幅方向一方側部分（内側部分）である。絶縁斜面湾曲部１３は、平面視において、円弧部４１の円弧形状に相似する円弧形状を有する。絶縁斜面湾曲部１３は、長手方向他方側に向かうに従って、幅方向一方側に湾曲する。絶縁斜面湾曲部１３に沿う仮想円（詳しくは、絶縁斜面湾曲部１３の幅方向中心に沿う仮想円）の半径Ｒ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００４５】
１−４．上側導体パターン
図２および図３に示すように、上側導体パターン５は、下側導体パターン３および上側導体パターン５のうち、上側に位置する導体パターンである。上側導体パターン５は、中間絶縁層４の上面に位置する。上側導体パターン５は、幅方向において互いに間隔を隔てて隣り合う第１配線２１および第２配線２２と、第１配線２１および第２配線２２のそれぞれの長手方向両端に連続する第２端子（図示せず）とを有する。
【００４６】
１−４．１．  第１配線
図１に示すように、第１配線２１は、上側導体パターン５において、幅方向一方側に位置する配線である。第１配線２１は、平面視において、下配線９の幅方向一方側に間隔を隔てて位置している。第１配線２１は、その一部において、下配線９と同一の平面視略Ｌ字形状を有する。具体的には、下配線９は、第１配線曲り部３７と、第１配線曲り部３７の長手方向両端に連続する２つの第１配線直線部３８とを一体的に有する。
【００４７】
第１配線曲り部３７は、長手方向他方側に向かって、幅方向一方側に湾曲する。第１配線曲り部３７は、平面視において、下配線９の円弧部４１の幅方向一方側に間隔を隔てられている。また、第１配線曲り部３７は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３の幅方向一方側に間隔を隔てられている。
【００４８】
２つの第１配線直線部３８は、それらの延長線が交差するように、配置されている。２つの第１配線直線部３８のそれぞれは、下配線９における２つの直線部４２のそれぞれの幅方向一方側に間隔を隔てて位置している。２つの直線部４２のそれぞれは、２つの第１配線直線部３８のそれぞれに対して、平面視において平行する。長手方向一方側に位置する第１配線直線部３８は、平面視において、第１配線曲り部３７の長手方向一端部から、長手方向一方側に延びる。長手方向他方側に位置する第１配線直線部３８は、平面視において、第１配線曲り部３７の長手方向他端部から、長手方向他方側に延びる。
第１配線２１の幅Ｗ２は、特に限定されず、具体的には、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。第１配線２１と下配線９との幅方向における間隔（第１配線直線部３８と直線部４２との間隔Ｓ１、および、第１配線曲り部３７と円弧部４１との間隔Ｓ２）Ｓは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００４９】
１−４．２．  第２配線
第２配線２２は、上側導体パターン５において、幅方向他方側に位置する配線である。第２配線２２は、平面視において、第１配線２１の幅方向他方側に間隔を隔てて位置している（隣り合っている）。また、第２配線２２は、第１配線２１と独立している。第２配線２２は、その一部において平面視略Ｌ字形状を有する。第２配線２２は、平面視において、２つの絶縁斜面直線部３９と重複する一方、絶縁斜面湾曲部１３を回避している。以下、第２配線２２を詳細に説明する。
【００５０】
第２配線２２は、斜面重複回避部１６と、斜面重複回避部１６の長手方向両端に連続する２つの斜面重複部１７とを一体的に有する。
【００５１】
Ａ．  斜面重複部
図１および図３に示すように、２つの斜面重複部１７のそれぞれは、２つの第１配線直線部３８のそれぞれに対応する。また、２つの斜面重複部１７のそれぞれは、下配線９の２つの直線部４２のそれぞれに対応する。２つの斜面重複部１７のそれぞれは、平面視において、下配線９の２つの直線部４２のそれぞれに対して、幅方向一方側にずれて位置している。しかし、２つの斜面重複部１７のそれぞれは、平面視において、２つの直線部４２のそれれぞれの幅方向一端縁と重複する。また、２つの斜面重複部１７のそれぞれは、平面視において、２つの絶縁斜面直線部３９のそれぞれにも、重複する。
【００５２】
２つの斜面重複部１７のそれぞれの幅方向他方側半分は、２つの直線部４２のそれぞれの幅方向一方側半分と、平面視において、長手方向全体にわたって、重複している。また、２つの斜面重複部１７のそれぞれは、２つの絶縁斜面直線部３９のそれぞれにも、平面視において、長手方向全体にわたって、重複している。
【００５３】
一方、２つの斜面重複部１７のそれぞれの幅方向一方側半分は、平面視において、２つの直線部４２のそれぞれと幅方向に並ぶように配置されている。
【００５４】
２つの斜面重複部１７の２つの幅方向一端縁３５ＡおよびＢのそれぞれは、平面視において、２つの直線部４２のそれぞれの幅方向一端縁に対して、幅方向一方側に間隔を隔てられている。具体的には、斜面重複部１７における幅方向一端縁３５ＡおよびＢは、平面視において、それぞれ、直線部４２の幅方向一端縁と、第１配線２１の幅方向他端縁との間に位置している。また、２つの斜面重複部１７の２つの幅方向一端縁３５ＡおよびＢのそれぞれは、平面視において、２つの絶縁斜面直線部３９のそれぞれの幅方向一方側に間隔を隔てられている。
【００５５】
また、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の幅方向一端縁３５Ａの長手方向途中部および一端部（図１において図示されず）は、平面視において、下配線９において長手方向一方側に位置する直線部４２の幅方向一端縁と平行する。一方、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の幅方向一端縁３５Ａの長手方向他端部は、下配線９において長手方向一方側に位置する直線部４２の幅方向一端縁に近接するように、緩やかに湾曲する。また、上記した幅方向一端縁３５Ａの長手方向他端部は、図１において直線形状に見えるが、実際には、比較的小さい曲率Ｃ３（つまり、比較的大きい曲率半径Ｒ３（＝１／Ｃ３））で、湾曲する。つまり、上記した幅方向一端縁３５Ａの長手方向他端部は、平面視において、緩やかに湾曲する。なお、幅方向一端縁３５Ａの長手方向他端部に沿う仮想の曲率円の曲率中心（図１において図示せず）は、幅方向一端縁３５Ａに対して幅方向他方側に位置する。さらに、上記した幅方向一端縁３５Ａの長手方向他端縁は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３と重複する一絶縁重複部４３（円弧部４１との境界部分）を有する。曲率半径Ｒ３は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００５６】
また、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の幅方向一端縁３５Ｂの長手方向途中部および他端部（図１において図示されず）は、平面視において、下配線９において長手方向他方側に位置する直線部４２の幅方向一端縁と平行する。一方、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の幅方向一端縁３５Ｂの長手方向一端部は、下配線９において長手方向他方側に位置する直線部４２の幅方向一端縁に近接するように、緩やかに湾曲する。また、上記した幅方向一端縁３５Ｂの長手方向一端部は、図１において直線形状に見えるが、実際には、小さい曲率Ｃ４（つまり、比較的大きい曲率半径Ｒ４（＝１／Ｃ４））で、湾曲する。つまり、上記した幅方向一端縁３５Ｂの幅方向一端縁は、平面視において、緩やかに湾曲する。なお、幅方向一端縁３５Ｂの長手方向一端部に沿う仮想の曲率円の曲率中心（図１において図示せず）は、幅方向一端縁３５Ｂに対して幅方向他方側に位置する。さらに、上記した幅方向一端縁３５Ｂの長手方向一端縁は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３と重複する他絶縁重複部４４（円弧部４１との境界部分）を有する。曲率半径Ｒ４は、上記した曲率半径Ｒ３と同一である。
【００５７】
他方、２つの斜面重複部１７の２つの幅方向他端縁３６Ａおよび３６Ｂのそれぞれは、平面視において、２つの直線部４２のそれぞれの幅方向一端縁に対して、幅方向他方側に間隔を隔てられている。具体的には、２つの斜面重複部１７の２つの幅方向他端縁３６Ａおよび３６Ｂのそれぞれは、平面視において、２つの直線部４２のそれぞれの幅方向一端縁と、２つの直線部４２のそれぞれの幅方向他端縁との間に位置している。また、斜面重複部１７における幅方向他端縁３６Ａおよび３６Ｂは、平面視において、絶縁斜面直線部３９の幅方向他方側に間隔を隔てられている。なお、２つの斜面重複部１７の２つの幅方向他端縁３６Ａおよび３６Ｂのそれぞれは、平面視において、２つの直線部４２のそれぞれの幅方向一端縁または他端縁と、略同一形状または略相似形状を有する。
【００５８】
さらに、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向他端部は、平面視において、長手方向他方側に向かって次第に幅狭となる略台形形状を有する。つまり、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向他端部の幅Ｗ５は、長手方向他方側に向かって、漸減する。一方、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向途中部は、平面視において、長手方向において同一幅Ｗ６の略矩形形状を有する。つまり、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向途中部の幅Ｗ６は、長手方向にわたって同一である。
【００５９】
長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向一端部は、平面視において、長手方向一方側に向かって次第に幅狭となる略台形形状を有する。つまり、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向一端部の幅Ｗ７は、長手方向一方側に向かって、漸減する。一方、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向途中部は、平面視において、長手方向において同一幅Ｗ８の略矩形形状を有する。つまり、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向途中の幅Ｗ８は、長手方向にわたって同一である。
【００６０】
斜面重複部１７と第１配線直線部３８との幅方向における間隔Ｓ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６１】
長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向途中部の幅Ｗ６、および、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向途中の幅Ｗ８は、例えば、上記した第１配線２１の幅Ｗ２と同一である。
【００６２】
長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向他端部の幅Ｗ５の、長手方向途中部の幅Ｗ６に対する比（Ｗ５／Ｗ６）は、例えば、０．２５以上、１．００未満、好ましくは、０．４０以上、０．９以下、において変動する。
【００６３】
長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向他端部の幅Ｗ７の、長手方向途中部の幅Ｗ８に対する比（Ｗ７／Ｗ８）は、例えば、０．２５以上、１．００未満、好ましくは、０．４０以上、０．９以下、において変動する。
【００６４】
Ｂ．  斜面重複回避部
図１および図２に示すように、斜面重複回避部１６は、第１配線曲り部３７に対応する。また、斜面重複回避部１６は、下配線９の円弧部４１に対応する。斜面重複回避部１６は、長手方向において、２つの斜面重複部１７の間に位置する。具体的には、斜面重複回避部１６は、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向他端縁と、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向一端縁とに連続しており、それらを長手方向において連結する。
【００６５】
そして、斜面重複回避部１６は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３を回避している。具体的には、斜面重複回避部１６は、長手方向における一絶縁重複部４３および他絶縁重複部４４の間において、絶縁斜面湾曲部１３を回避している。つまり、斜面重複回避部１６は、一絶縁重複部４３および他絶縁重複部４４の間において、平面視で、絶縁斜面湾曲部１３に対して幅方向他方側にずれることにより、絶縁斜面湾曲部１３と重複しない。斜面重複回避部１６は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３と独立する。斜面重複回避部１６は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３に対して、幅方向他方側に、間隔を隔てられている。なお、斜面重複回避部１６は、平面視において、円弧部４１の幅方向途中部（におけるやや幅方向一方側部分）に重複している。
【００６６】
斜面重複回避部１６の幅方向他端縁３６Ｃは、平面視湾曲形状を有する。具体的には、斜面重複回避部１６の幅方向他端縁３６Ｃは、平面視において、下配線９の円弧部４１と同一の湾曲形状を有する。
【００６７】
斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃは、平面視湾曲形状を有する。具体的には、斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃは、下配線９の円弧部４１の湾曲形状の曲率半径Ｒ１、および、絶縁斜面湾曲部１３に沿う仮想円の曲率半径Ｒ２よりも、小さい曲率半径Ｒ３を有する湾曲形状を有する。
【００６８】
斜面重複回避部１６は、長手方向一方側部分４７と、その長手方向他方側に位置する長手方向他方側部分４８とを連続して有する。
【００６９】
長手方向一方側部分４７は、平面視において、円弧部４１の幅方向一端縁（および絶縁斜面湾曲部１３）に対して、長手方向他方側に向かうに従って、離れる。一方、長手方向他方側部分４８は、平面視において、円弧部４１の幅方向一端縁（および絶縁斜面湾曲部１３）に対して、長手方向一方側に向かうに従って、離れる。そのため、長手方向一方側部分４７および長手方向他方側部分４８の境界部分、具体的には、斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃの長手方向中央部は、円弧部４１の幅方向一端縁に対して、最も離れている。
【００７０】
例えば、斜面重複回避部１６の長手方向一方側部分４７および長手方向他方側部分４８は、それぞれ、斜面重複部１７の幅方向一端縁３５ＡおよびＢの曲率半径Ｒ３およびＲ４に対して、小さい曲率半径Ｒ５およびＲ６を有する。曲率半径Ｒ５の曲率半径Ｒ３に対する比（Ｒ５／Ｒ３）は、例えば、１未満、好ましくは、０．９以下であり、また、例えば、０．２以上、好ましくは、０．５以上である。曲率半径Ｒ６の曲率半径Ｒ４に対する比（Ｒ６／Ｒ４）は、例えば、１未満、好ましくは、０．９以下であり、また、例えば、０．２以上、好ましくは、０．５以上である。
【００７１】
斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃに沿う仮想円の曲率中心（曲率半径Ｒ５および曲率半径Ｒ６を構成する仮想円の曲率中心）は、幅方向一端縁３５Ｃに対して幅方向一方側に位置する。
【００７２】
一方、この第２配線２２では、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向他端部と、斜面重複回避部１６（長手方向一方側部分４７および長手方向他方側部分４８）と、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向一端部との幅が、斜面重複回避部１６の長手方向中央部において、最も狭くなるように、長手方向両側のそれぞれから斜面重複回避部１６の長手方向中央部に向かって、漸減する。斜面重複回避部１６における最も狭い幅Ｗ４は、幅Ｗ６および幅Ｗ８  １００％に対して、例えば、８０％以下、好ましくは、６０％以下であり、また、例えば、２０％以上、好ましくは、４０％以上である。具体的には、幅Ｗ４は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、６μｍ以上であり、また、例えば、１５０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００７３】
この第２配線２２では、２つの斜面重複部１７は、平面視において、絶縁斜面直線部３９と重複している一方、斜面重複回避部１６は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３と重複せず、回避している。
【００７４】
斜面重複回避部１６と第１配線曲り部３７との幅方向における最大間隔（斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃの長手方向中央部と、第１配線曲り部３７の幅方向他端縁との最大間隔）Ｓ３は、例えば、８μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。間隔Ｓ３の間隔Ｓ２に対する比（間隔Ｓ３／間隔Ｓ２）は、例えば、１．１超過、好ましくは、１．２以上、より好ましくは、好ましくは、１．４以上であり、また、例えば、２以下である。斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃの長手方向中央部と、円弧部４１の幅方向一端縁の長手方向中央部との間隔Ｓ５は、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。斜面重複回避部１６および円弧部４１間の間隔Ｓ５の、下配線９の幅Ｗ１に対する比（間隔Ｓ５／幅Ｗ１）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、また、例えば、１以下、好ましくは、０．５以下である。
【００７５】
上側導体パターン５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。
【００７６】
１−５．カバー絶縁層
図２および図３に示すように、カバー絶縁層６は、配線回路基板１の最上層である。カバー絶縁層６は、中間絶縁層４の上面に、上側導体パターン５の側面および上面を被覆するように、配置されている。なお、図示しないが、カバー絶縁層６は、上側導体パターン５の第２端子（図示せず）を露出している。カバー絶縁層６は、ベース絶縁層２で例示した絶縁材料からなる。カバー絶縁層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００７７】
２．配線回路基板の製造方法
配線回路基板１の製造方法は、ベース絶縁層２を用意する工程ｉ（図４Ａ参照）と、下側導体パターン３をベース絶縁層２の上面に設ける工程ｉｉ（図４Ｂ参照）と、中間絶縁層４を、下側導体パターン３を被覆するように、ベース絶縁層２の上面に設ける工程１（図４Ｃ参照）と、金属薄膜７を中間絶縁層４の上面に設ける工程２（図４Ｄ参照）とを備える。
【００７８】
また、配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２３を金属薄膜７の上面に設ける工程３（図５Ｅ参照）と、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する工程４（図５Ｆ参照）と、フォトレジスト２３において、第１配線２１に対応する第１露光部分２４と、第２配線２２に対応する第２露光部分２５を除去して、第１露光部分２４および第２露光部分２５に対応する金属薄膜７を露出させる工程５（図５Ｇ参照）とを備える。
【００７９】
さらに、配線回路基板１の製造方法は、上側導体パターン５を、フォトレジスト２３から露出する金属薄膜７の上に設ける工程６（図６Ｈ参照）と、フォトレジスト２３を除去する工程ｉｉｉ（図６Ｉ参照）と、フォトレジスト２３に対応する金属薄膜７を除去する工程ｉｖ（図６Ｊ参照）と、カバー絶縁層６を、上側導体パターン５を被覆するように、中間絶縁層４の上面に設ける工程ｖ（図６Ｋ参照）とを備える。
【００８０】
配線回路基板１の製造方法では、工程ｉ〜工程ｉｉと、工程１〜工程６と、工程ｉｉｉ〜工程ｖとが順次実施される。以下、各工程を詳述する。
【００８１】
２−１．工程ｉ
図４Ａに示すように、工程ｉでは、ベース絶縁層２を用意する。
【００８２】
２−２．工程ｉｉ
図４Ｂに示すように、工程ｉｉでは、下側導体パターン３をベース絶縁層２の上面に、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などによって、設ける。
【００８３】
２−３．工程１
図４Ｃに示すように、工程１では、中間絶縁層４を、下側導体パターン３を被覆するように、ベース絶縁層２の上面に設ける。
【００８４】
中間絶縁層４をベース絶縁層２の上に設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスをベース絶縁層２の上面に塗布し、露光および現像し、その後、必要により加熱する。あるいは、図示しない第１端子を露出するパターンに予め形成された中間絶縁層４を、図示しない接着剤を介して、ベース絶縁層２の上に接着する。
【００８５】
このとき、下側導体パターン３に対応する中間絶縁層４の上面には、斜面１２および第２平面１１が形成される。また、下側導体パターン３から離れた中間絶縁層４の上面には、第１平面１０が形成される。
【００８６】
これにより、第１平面１０、第２平面１１および斜面１２を上面に有する中間絶縁層４を設ける。
【００８７】
２−４．工程２
図４Ｄに示すように、工程２では、金属薄膜７を中間絶縁層４の上面に設ける。
【００８８】
金属薄膜７は、工程６（後述、図６Ｈ参照）におけるアディティブ法の種膜（給電層）として役することができる。また、金属薄膜７は、アディティブ法で上側導体パターン５が得られたときには、上側導体パターン５と一体化することができる層である（図２および図３参照）。
【００８９】
金属薄膜７を、例えば、中間絶縁層４の表面（第１平面１０、斜面１２および第２平面１１を含む表面）全面に設ける。
【００９０】
金属薄膜７は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が挙げられ、好ましくは、銅、クロムが挙げられる。金属薄膜７は、単層および複層（図４Ｄにおいて図示されず）のいずれの層からなっていてもよい。好ましくは、金属薄膜７は、第１薄膜（具体的には、クロム薄膜）と、その上に設けられる第２薄膜（銅薄膜）との２層からなる。
【００９１】
また、金属薄膜７は、中間絶縁層４の上面に追従している。
【００９２】
そのため、金属薄膜７において、中間絶縁層４の第１平面１０および第２平面１１のそれぞれに対応する部分の上面が、第１平面１０および第２平面１１のそれぞれに平行し、つまり、面方向に沿っている。
【００９３】
一方、金属薄膜７において、斜面１２に対応する部分の上面が、中間絶縁層４の斜面１２に平行し、つまり、面方向に対して傾斜している。
【００９４】
金属薄膜７の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、３０ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下である。また、金属薄膜７が、第１薄膜および第２薄膜の２層からなる場合には、第１薄膜の厚みが、例えば、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、第２薄膜の厚みが、例えば、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。
【００９５】
金属薄膜７を中間絶縁層４の上面に設けるには、例えば、スパッタリング法、めっき法などが用いられ、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。
【００９６】
金属薄膜７の、波長４００ｎｍの光に対する、入射角４５度における表面反射率は、例えば、１５％以上、好ましくは、２０％以上、より好ましくは、３０％以上であり、また、例えば、６０％以下である。表面反射率は、例えば、ＪＩＳ  Ｚ８７４１（１９９７年）により記載される方法に準拠して、算出される。金属薄膜７の表面反射率が上記した下限を下回る場合には、後述する仮定における入射光Ｂ’が生成せず、本発明の課題が成立しない場合がある。
【００９７】
２−５．工程３
図５Ｅに示すように、工程３では、フォトレジスト２３を金属薄膜７の上面に設ける。
【００９８】
フォトレジスト２３は、ポジ型のフォトレジスト（ポジティブフォトレジスト）である。ポジ型のフォトレジストは、露光時に光が（所定の光量以上で）照射された箇所が、その後の現像で除去される一方、露光時に光が遮光された箇所（照射されなかった箇所、詳しくは、所定の光量に達しなかった箇所）が、その後の現像で残るレジストである。フォトレジスト２３は、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を含んでいる。また、フォトレジスト２３は、図６Ｈに示すように、工程６におけるめっきにおいてめっきレジストとして役することができる。
【００９９】
また、フォトレジスト２３は、工程４（図５Ｆ参照）における光（例えば、紫外線など）を部分的に透過することができ、具体的には、フォトレジスト２３の紫外線に対する透過率が、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、６０％以下、好ましくは、５０％以下である。
【０１００】
上記したフォトレジスト２３を、金属薄膜７の上面全面に配置する。
【０１０１】
その際、ドライフィルムレジストを、例えば、平板などを用いて、押圧する（押し付ける）。そのため、フォトレジスト２３の上面は、平坦面となる。
【０１０２】
フォトレジスト２３の厚みは、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【０１０３】
２−６．工程４
図５Ｆに示すように、工程４では、まず、フォトマスク２８を配置し、次いで、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する。
【０１０４】
フォトマスク２８は、遮光部分２９および透光部分３０を有する。
【０１０５】
遮光部分２９は、フォトマスク２８の上側に位置する光源（図示せず）から照射される光を遮光する。これにより、遮光部分２９に対応するフォトレジスト２３は、遮光される。図５Ｆおよび図５Ｇに示すように、遮光部分２９は、平面視において、工程５後のフォトレジスト２３と同一パターンを有する。さらに、遮光部分２９は、図５Ｆおよび図６Ｈに示すように、平面視において、工程６で設けられる第１配線２１および第２配線２２の逆（反転）パターンを有する。
【０１０６】
透光部分３０は、光源から照射される光を透過させ、それによって、光をフォトレジスト２３に至るように、構成されている。図５Ｆおよび図５Ｇに示すように、透光部分３０は、工程５後のフォトレジスト２３の開口部８と同一パターンを有する。さらに、図５Ｆおよび図６Ｈに示すように、透光部分３０は、平面視において、工程６で設けられる第１配線２１および第２配線２２と同一パターンを有する。透光部分３０は、平面視において、第１配線２１と同一パターンである第１透光部分５１と、第２配線２２と同一パターンである第２透光部分５２とを、独立して有する。
【０１０７】
上記した遮光部分２９および透光部分３０を有するフォトマスク２８を、フォトレジスト２３の上側に配置する。フォトマスク２８を、フォトレジスト２３において、透光部分３０を透過する光が第１露光部分２４および第２露光部分２５を生成するように、位置決めする。
【０１０８】
第１露光部分２４および第２露光部分２５のそれぞれは、図５Ｆおよび図６Ｈが参照されるように、第１配線２１および第２配線２２のそれぞれに対応する。つまり、第１露光部分２４および第２露光部分２５のそれぞれは、第１配線２１および第２配線２２のそれぞれと同一の平面視形状を有する。
【０１０９】
その後、工程４では、図５Ｆの矢印で示すように、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する。
【０１１０】
フォトレジスト２３を露光するには、フォトマスク２８の上方に配置された光源からフォトマスク２８に対して光を照射する。光の波長は、例えば、１００ｎｍ以上、好ましくは、好ましくは、３５０ｎｍ以上であり、また、例えば、８００ｎｍ以下、好ましくは、４５０ｎｍ以下である。照射（露光）量は、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ２以上、８００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【０１１１】
第１透光部分５１を透過した光Ａは、フォトレジスト２３において第１露光部分２４を生成する。
【０１１２】
第１露光部分２４は、後で設けられる第１配線２１（図１および図６Ｈ参照）と平面視において同一形状を有する。
【０１１３】
一方、第２透光部分５２を透過した光Ｂは、フォトレジスト２３において第２露光部分２５を生成する。
【０１１４】
第２露光部分２５は、後で設けられる第２配線２２（図１および図６Ｈ参照）と平面視において同一形状を有する。図１が参照されるように、第２露光部分２５は、斜面重複回避部１６と平面視において同一形状の回避部２６と、斜面重複部１７と平面視において同一形状の重複部２７（図１参照）とを有する。回避部２６は、平面視において、斜面１２の絶縁斜面湾曲部１３を回避する。つまり、回避部２６および絶縁斜面湾曲部１３は、平面視において、それらは、独立する。
【０１１５】
他方、第１透光部分５１および第２透光部分５２の間の遮光部分２９に対して照射される光Ｂは、遮光部分２９によって遮光され、フォトレジスト２３に至らない。そのため、光Ｂは、上記したフォトレジスト２３の下側に位置し、絶縁斜面湾曲部１３に対向する金属薄膜７にも至らない。
【０１１６】
そのため、後述する反射光Ｂ’（後の「３．第１実施形態の作用効果」で詳述。図１５および図１６Ａ参照）を生成しない。
【０１１７】
２−７．工程５
図５Ｇに示すように、工程５では、フォトレジスト２３における第１露光部分２４および第２露光部分２５を除去する。
【０１１８】
具体的には、まず、必要により、露光後のフォトレジスト２３を加熱する（露光後加熱）。
【０１１９】
続いて、フォトレジスト２３を現像液によって現像する。これによって、フォトレジスト２３において第１露光部分２４および第２露光部分２５以外の部分を残しつつ、第１露光部分２４および第２露光部分２５のみを除去する。つまり、フォトレジスト２３において、第１露光部分２４および第２露光部分２５に対応する開口部８を形成する。開口部８は、フォトレジスト２３を厚み方向に貫通する。
【０１２０】
これによって、第１露光部分２４および第２露光部分２５に対応する金属薄膜７を、開口部８から露出させる。
【０１２１】
その後、必要により、フォトレジスト２３を加熱により硬化させる。
【０１２２】
２−８．工程６
図６Ｈに示すように、工程６では、まず、上側導体パターン５を、フォトレジスト２３の開口部８から露出する金属薄膜７の上面に設ける。
【０１２３】
上側導体パターン５を金属薄膜７の上面に設けるには、金属薄膜７から給電する電解めっきが用いられる。
【０１２４】
この際、フォトレジスト２３は、めっきレジストとして利用される。また、金属薄膜７は、給電層として利用される。
【０１２５】
これにより、上側導体パターン５を、互いに隣り合って独立する第１配線２１および第２配線２２を有するパターンで、形成する。
【０１２６】
２−９．工程ｉｉｉ
図６Ｉに示すように、工程ｉｉｉでは、フォトレジスト２３を除去する。
【０１２７】
具体的には、フォトレジスト２３を、例えば、ウェットエッチングにより除去する。
【０１２８】
２−１０．工程ｉｖ
図６Ｊに示すように、工程ｉｖでは、フォトレジスト２３（図６Ｈ）に対応する金属薄膜７を除去する。
【０１２９】
具体的には、フォトレジスト２３の下に位置していた金属薄膜７を、例えば、剥離により除去する。
【０１３０】
２−１１．工程ｖ
図６Ｋに示すように、工程ｖでは、カバー絶縁層６を、上側導体パターン５の第１配線２１および第２配線２２を被覆し、第２端子（図示せず）を露出するパターンで、設ける。カバー絶縁層６を、中間絶縁層４と同様の方法により、設ける。
【０１３１】
これにより、ベース絶縁層２と、下側導体パターン３と、中間絶縁層４と、金属薄膜７および上側導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える配線回路基板１を得る。
【０１３２】
なお、この配線回路基板１では、金属薄膜７が上側導体パターン５と一体化、具体的には、金属薄膜７が上側導体パターン５の一部として取り込まれていてもよい。その際には、図２および図３に示すように、金属薄膜７が上側導体パターン５と判然と区別されない場合がある。
【０１３３】
また、このような配線回路基板１の用途は、特に限定されず、例えば、ハードディスクドライブに搭載され、金属支持基板４０（ベース絶縁層２の下面に配置される金属支持基板４０、図２および図３の仮想線参照。）を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えず、可撓性を有するフレキシブル配線回路基板などの、各種配線回路基板として用いられる。とくに、この配線回路基板１は、高密度配線（導体パターン）が必要とされる回路付サスペンション基板であって、円弧部４１、第１配線曲り部３７および斜面重複回避部１６をヘッド搭載領域に有する回路付サスペンション基板に好適に用いられる。
【０１３４】
３．第１実施形態の作用効果
Ａ．集光（仮定）
図１５に示すように、第２配線２２が斜面重複回避部１６（図１参照）を有さない配線回路基板１を製造する仮定を検討する。この仮定では、第２配線２２は、絶縁斜面湾曲部１３および絶縁斜面直線部３９の両方に対して、長手方向全体にわたって、重複する。この仮定においても、図１６Ａに示す工程４、図１６Ｂに示す工程５、および、図１６Ｃに示す工程６が順次実施される。
【０１３５】
図１５および図１６Ａが参照されるように、工程４において、フォトマスク２８の第１透光部分５１および第２透光部分５２は、平面視において、第１配線２１および第２配線２２（図１７参照）と同一のパターン形状を有する。つまり、フォトマスク２８において、第１透光部分５１および第２透光部分５２は、独立して配置される。なお、第２配線２２は、第１配線２１と略同一形状または相似形状を有する。第２配線２２は、第１配線２１の幅方向他方側に間隔を隔て配置され、かつ、平面視において、第１配線直線部３８および絶縁斜面直線部３９と重複できるパターンを備える。第２配線２２は、斜面重複回避部１６を含まず、斜面重複部１７のみからなる。斜面重複部１７は、平面視で、絶縁斜面湾曲部１３を含む。
【０１３６】
図１６Ａに示すように、工程４では、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する。とりわけ、第２透光部分５２を透過した光Ｂは、フォトレジスト２３に至り、フォトレジスト２３を進入した後、その一部は、絶縁斜面湾曲部１３に対応する金属薄膜７において、反射光Ｂ’を生成する。反射光Ｂ’は、断面視において、フォトレジスト２３を上方斜め幅方向一方側に向かって透過しながら、フォトレジスト２３における除去仮定部分３１に至ってしまう。
【０１３７】
さらに、図１５の矢印で示すように、絶縁斜面湾曲部１３に対応する金属薄膜７において生成した反射光Ｂ’は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３に沿う仮想円の中心（円弧部４１の中心）Ｃに向かって、集光する。つまり、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３に対応する金属薄膜７が凹レンズのようになって、反射光Ｂ’が中心Ｃに点状に集光する。そのため、中心Ｃおよびその近傍を含む除去仮定部分３１における光量が相対的に高くなる。具体的には、除去仮定部分３１における光量が、工程５において、除去仮定部分３１が除去されることができる限界光量以上の光量となる。限界光量は、除去仮定部分３１において、それに満たない光量が照射されると除去仮定部分３１が残存し、それ以上の光量が照射されると除去仮定部分３１が除去される境界値である。
【０１３８】
そうすると、工程５において、図１６Ｂの仮想線で示すように、除去仮定部分３１を残存させたいところ、図１６Ｂの実線で示すように、除去仮定部分３１が残存せず、つまり、除去仮定部分３１が除去される（消失する）。
【０１３９】
一方、工程４において、第１透光部分５１に対応する第１露光部分２４と、第２透光部分５２に対応する第２露光部分２５とは、それぞれ、第１透光部分５１および第２透光部分５２から透過した光が十分な光量で至り、そのため、工程５において、第１露光部分２４および第２露光部分２５は、除去される。
【０１４０】
つまり、工程５によって、第１露光部分２４および第２露光部分２５のそれぞれに対応する開口部８が、除去仮定部分３１の除去によって、互いに連通する。
【０１４１】
すると、工程６において、フォトレジスト２３から露出する金属薄膜７の上面に、上側導体パターン５を設けようとすると、図１６Ｃおよび図１７に示すように、第１配線２１および第２配線２２の他に、それらを連結し、除去仮定部分３１に対応する短絡部分４５が意図せずに設けられる。短絡部分４５は、除去仮定部分３１と同一パターンを有する。短絡部分４５は、平面視において、第１配線２１および第２配線２２を連結する。短絡部分４５は、上記した中心Ｃを中心とする平面視略円形状を有する。
【０１４２】
つまり、上側導体パターン５は、短絡部分４５を有する欠陥パターンとなる。
【０１４３】
Ｂ．集光がない第１実施形態
しかし、第１実施形態の製造方法によれば、図１および図５Ｆに示すように、第２露光部分２５は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３を回避する回避部２６を有する。そして、工程４において、フォトレジスト２３を、絶縁斜面湾曲部１３に対応するフォトレジスト２３を遮光するように、フォトマスク２８を介して露光するので、絶縁斜面湾曲部１３に対応する金属薄膜７において反射する反射光Ｂ’（図１５および図１６Ａ参照）を生成しない。そのため、工程５では、上記した集光に起因する除去仮定部分３１の生成を防止できる。その結果、工程６では、第１配線２１および第２配線２２の短絡を防止することができる。つまり、上側導体パターン５における欠陥パターンを防止することができる。
【０１４４】
また、第１実施形態の製造方法によれば、第２露光部分２５が回避部２６および重複部２７さえ備えていれば、第２配線２２を、高い自由度で設けることができる。
【０１４５】
＜第１実施形態の変形例＞
第１実施形態では、図１に示すように、２つの斜面重複部１７のそれぞれは、２つの絶縁斜面直線部３９のそれぞれに、平面視において、長手方向全体にわたって、重複している。
【０１４６】
しかし、２つの斜面重複部１７のそれぞれは、２つの絶縁斜面直線部３９のそれぞれと、平面視において、長手方向における一部と重複していればよい。例えば、図示しないが、長手方向一方側に位置する斜面重複部１７は、その長手方向他端部が、絶縁斜面直線部３９と重複する一方、その長手方向途中部および一端部が、絶縁斜面直線部３９と重複しない形状を有することができる。また、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７は、その長手方向一端部が、絶縁斜面直線部３９と重複する一方、その長手方向途中部および他端部が、絶縁斜面直線部３９と重複しない形状を有することができる。
【０１４７】
また、第１実施形態では、斜面重複回避部１６は、円弧部４１の幅方向一端縁に対して幅方向他方側にずれて位置している。つまり、図１に示すように、斜面重複回避部１６および円弧部４１の間隔Ｓ５が存在する。
しかし、斜面重複回避部１６は、絶縁斜面湾曲部１３を回避していればよく、具体的には、斜面重複回避部１６は、絶縁斜面湾曲部１３の幅方向一方側に位置していればよく、例えば、平面視において、円弧部４１の幅方向一端縁と重複することもできる（つまり、上記した間隔Ｓ５がゼロである。すなわち、上記した間隔Ｓ５がない。）。
【０１４８】
＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および製造工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１４９】
第１実施形態では、図１に示すように、第２配線２２の斜面重複回避部１６は、絶縁斜面湾曲部１３に対して、幅方向他方側に回避している。
【０１５０】
一方、第２実施形態では、図７に示すように、斜面重複回避部１６は、絶縁斜面湾曲部１３に対して、幅方向一方側に回避する。
【０１５１】
斜面重複回避部１６は、絶縁斜面湾曲部１３の幅方向一方側に間隔を隔てて位置する。また、斜面重複回避部１６は、円弧部４１の幅方向一方側に間隔を隔てて位置する。
【０１５２】
斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃは、平面視において、第１配線２１の幅方向他端縁と、下配線９の幅方向一端縁との間に位置する。斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃは、第１配線２１の幅方向一端縁または他端縁と、平面視において同一形状または相似形状を有する。
【０１５３】
斜面重複回避部１６の幅方向他端縁３６Ｃは、一絶縁重複部４３および他絶縁重複部４４を連結する。なお、一絶縁重複部４３および他絶縁重複部４４のそれぞれは、幅方向一方側の斜面１２において長手方向一方側に位置する斜面重複部１７の長手方向他端縁と、長手方向他方側に位置する斜面重複部１７の長手方向一端縁とに、相当する。斜面重複回避部１６の幅方向他端縁３６Ｃは、平面視において、一絶縁重複部４３および他絶縁重複部４４から長手方向中央部に向かって、次第に斜面重複回避部１６から離れる形状を有する。斜面重複回避部１６の幅方向他端縁３６Ｃは、斜面重複回避部１６の幅方向一端縁３５Ｃに比べて、緩やかな平面視湾曲形状を有する。
【０１５４】
図８Ａに示すように、この第２実施形態の工程４では、第２透光部分５２の幅方向他方側に位置する遮光部分２９に対して照射される光Ｂは、遮光部分２９によって遮光され、フォトレジスト２３に至らない。そのため、光Ｂは、上記したフォトレジスト２３の下側に位置し、絶縁斜面湾曲部１３に対向する金属薄膜７にも至らない。
【０１５５】
そのため、上記した反射光Ｂ’を生成しない。その結果、フォトレジスト２３に残存仮定部分４６（図１７参照）を生成しない。
【０１５６】
第２実施形態におけるその他の製造工程は、第１実施形態の製造方法に準じる。
【０１５７】
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０１５８】
＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１および第２実施形態と同様の部材および製造工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５９】
第１実施形態では、図１に示すように、斜面重複部１７は、１つの斜面重複回避部１６に対して、２つ設けられる。
【０１６０】
一方、第３実施形態では、図９に示すように、斜面重複部１７は、１つの斜面重複回避部１６に対して、１つ設けられる。
【０１６１】
１つの斜面重複部１７は、斜面重複回避部１６の長手方向一方側側に位置する。
【０１６２】
他方、第２配線２２は、斜面重複回避部１６の長手方向他方側に位置する他方側部分４９を有する。他方側部分４９は、斜面重複回避部１６の長手方向他端縁から、長手方向他方側に位置する直線部４２から離れるように、延びる。詳しくは、他方側部分４９の長手方向一端部は、平面視において、下配線９と部分的に重複する。一方、他方側部分４９の長手方向途中部および長手方向他端部は、下配線９と重複しない。
【０１６３】
第３実施形態の製造方法は、第１実施形態の製造方法に準じる。
【０１６４】
この第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を作用効果を奏する。
【０１６５】
＜第４実施形態＞
第４実施形態において、第１〜第３実施形態と同様の部材および製造工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１６６】
第２実施形態では、図７に示すように、第１配線２１および第２配線２２のそれぞれは、その一部において、平面視略Ｌ字形状を有する。しかし、第１配線２１および第２配線２２のそれぞれの平面視形状は、上記に限定されない。
【０１６７】
第４実施形態では、図１０に示すように、第１配線２１および第２配線２２のそれぞれは、その一部において、平面視略直線形状を有する。
【０１６８】
第１配線２１は、平面視において、下配線９の２つの直線部４２のそれぞれの長手方向途中部を通過するような略直線形状を有する。
【０１６９】
第２配線２２は、平面視において、長手方向一方側に位置する直線部４２の長手方向他端部、および、長手方向他方側に位置する直線部４２の長手方向一端部を通過するように、略直線形状を有する。
【０１７０】
また、第２配線２２は、絶縁斜面湾曲部１３を迂回する斜面重複回避部１６を有する。
【０１７１】
斜面重複回避部１６は、第２配線２２の幅方向他端縁３６Ｃにおいて、斜面重複回避部１６を平面視で幅方向一方側に避けるように凹む凹部有する。
【０１７２】
第４実施形態の製造方法は、第１実施形態の製造方法に準じる。
【０１７３】
この第４実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を作用効果を奏する。
【０１７４】
＜第５実施形態＞
第５実施形態において、第１〜第４実施形態と同様の部材および製造工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１７５】
第１〜４実施形態では、図４Ｄ〜図６Ｊに示すように、ポジ型のフォトレジスト２３を用いて、アディティブ法で、上側導体パターン５を形成している。
【０１７６】
しかし、第５実施形態では、図１１Ｄ〜図１３Ｉに示すように、ネガ型のフォトレジスト２３を用いて、サブトラクティブ法で、上側導体パターン５を形成する。
【０１７７】
第５実施形態の配線回路基板１の製造方法は、ベース絶縁層２を用意する工程ｉ（図１１Ａ参照）と、下側導体パターン３をベース絶縁層２の上面に設ける工程ｉｉ（図１１Ｂ参照）と、中間絶縁層４を、下側導体パターン３を被覆するように、ベース絶縁層２の上面に設ける工程１（図１１Ｃ参照）と、導体層３３を中間絶縁層４の上面に設ける工程２（図１１Ｄ参照）とを備える。
【０１７８】
また、配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２３を導体層３３の上面に設ける工程３（図１２Ｅ参照）と、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する工程４（図１２Ｆ参照）と、フォトレジスト２３において、第１配線２１に対応する第１露光部分２４および第２配線２２に対応する第２露光部分２５以外の部分を除去して、導体層３３を第１露光部分２４および第２露光部分２５から露出させる工程５（図１２Ｇ参照）とを備える。
【０１７９】
さらに、配線回路基板１の製造方法は、第１露光部分２４および第２露光部分２５から露出する導体層３３を除去して、上側導体パターン５を形成する工程６（図１３Ｈ参照）と、第１露光部分２４および第２露光部分２５を除去する工程ｉｉｉ（図１３Ｉ参照）と、カバー絶縁層６を、上側導体パターン５を被覆するように、中間絶縁層４の上面に設ける工程ｖ（図１３Ｊ参照）とを備える。
【０１８０】
１．工程１および工程２
第５実施形態では、図１１Ｃおよび図１１Ｄに示すように、工程１および工程２を順次実施する。あるいは、工程１および工程２を、例えば、同時に実施する。工程１および工程２を同時に実施する場合には、中間絶縁層４および導体層３３が予め積層された２層基材１４を、ベース絶縁層２の上面に、下側導体パターン３を被覆するように、設ける。
【０１８１】
導体層３３は、中間絶縁層４の第１平面１０、第２平面１１および斜面１２を含む上面全面に配置される。導体層３３は、中間絶縁層４の上面に沿って、面方向に沿って延びる。導体層３３は、上側導体パターン５と同一の導体材料からなる。導体層３３の厚みは、上側導体パターン５の厚みと同一である。。導体層３３の、波長４００ｎｍの光に対する、入射角４５度における表面反射率は、例えば、１５％以上、好ましくは、２０％以上、より好ましくは、３０％以上であり、また、例えば、６０％以下である。表面反射率は、例えば、ＪＩＳ  Ｚ８７４１（１９９７年）により記載される方法に準拠して、算出される。導体層３３の表面反射率が上記した下限を下回る場合には、後述する仮定における入射光Ｂ’が生成せず、本発明の課題が成立しない場合がある。
【０１８２】
２．工程４
図１２Ｆに示すように、工程４において、フォトマスク２８を、フォトレジスト２３の上側に配置する。
【０１８３】
フォトレジスト２３は、ネガ型のフォトレジスト（ネガディブフォトレジスト）である。ネガ型のフォトレジストは、露光時に光が（所定の光量以上で）照射された箇所が、その後の現像で残り、一方、露光時に光が遮光された箇所（照射されなかった箇所、詳しくは、所定の光量に達しなかった箇所）が、その後の現像で除去されるレジストである。
【０１８４】
その後、図１２Ｆの矢印で示すように、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する。
【０１８５】
そして、第１透光部分５１および第２透光部分５２の間の遮光部分２９に対して照射される光Ｂは、遮光部分２９によって遮光され、フォトレジスト２３に至らない。そのため、光Ｂは、上記したフォトレジスト２３の下側に位置し、絶縁斜面湾曲部１３に対向する導体層３３にも至らない。
【０１８６】
そのため、後述する反射光Ｂ’（図１５および図１８Ａ参照）を生成しない。
【０１８７】
３．工程５
図１２Ｇに示すように、工程５では、露光後のフォトレジスト２３を、例えば、現像液によって現像して、第１露光部分２４および第２露光部分２５以外の部分を除去して、第１露光部分２４および第２露光部分２５を残す。
【０１８８】
４．工程６
図１３Ｈに示すように、工程６では、第１露光部分２４および第２露光部分２５（現像後のフォトレジスト２３）から露出する導体層３３を除去する。
【０１８９】
例えば、第１露光部分２４および第２露光部分２５をエッチングレジストとして用いて、第１露光部分２４およびから露出する導体層３３をエッチングする。
【０１９０】
これにより、第１配線２１、第２配線２２および第２端子（図示せず）を有する上側導体パターン５を形成する。
【０１９１】
５．工程ｉｉｉ
図１３Ｉに示すように、工程ｉｉｉでは、第１露光部分２４および第２露光部分２５を、例えば、剥離などによって、除去する。
【０１９２】
６．配線回路基板
第５実施形態の製造方法により得られた配線回路基板１は、図１３Ｊに示すように、ベース絶縁層２と、下側導体パターン３と、中間絶縁層４と、上側導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える。また、第５実施形態の配線回路基板１は、第１〜４実施形態の配線回路基板１と異なり、金属薄膜３３（図６Ｋ参照）を備えない。
【０１９３】
一方、第５実施形態の配線回路基板１は、上側導体パターン５および中間絶縁層４の間に、それらを接着する接着剤層（図示せず）を備えていてもよい。
【０１９４】
７．第５実施形態の作用効果
Ａ．集光（仮定）
図１５に示すように、第２配線２２が斜面重複回避部１６（図１参照）を有さない配線回路基板１を製造する仮定を検討する。この仮定においても、図１８Ａに示す工程４、図１８Ｂに示す工程５、および、図１８Ｃに示す工程６が順次実施される。
【０１９５】
図１８Ａに示すように、工程４では、フォトレジスト２３を、フォトマスク２８を介して露光する。とりわけ、第２透光部分５２を透過した光Ｂは、フォトレジスト２３に至り、フォトレジスト２３を進入した後、その一部は、絶縁斜面湾曲部１３に対応する導体層３３において、反射光Ｂ’を生成する。反射光Ｂ’は、断面視において、フォトレジスト２３を上方斜め幅方向一方側に向かって透過しながら、フォトレジスト２３の残存仮定部分４６に至ってしまう。
【０１９６】
さらに、図１５の矢印で示すように、絶縁斜面湾曲部１３に対応する導体層３３において生成した反射光Ｂ’は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３に沿う仮想円の中心（円弧部４１の中心）Ｃに向かって、集光する。つまり、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３に対応する導体層３３が凹レンズのようになって、反射光Ｂ’が中心Ｃに点状に集光する。そのため、中心Ｃおよびその近傍を含む残存仮定部分４６における光量が相対的に高くなる。具体的には、残存仮定部分４６における光量が、工程５において、残存仮定部分４６が残存することができる限界光量以上の光量となる。限界光量は、残存仮定部分４６において、それ以上の光量が照射されると残存仮定部分４６が残存し、それに満たない光量が照射されると残存仮定部分４６が除去される境界値である。
【０１９７】
そうすると、工程５において、図１８Ｂの仮想線で示すように、残存仮定部分４６を除去したいところ、図１６Ｂの実線で示すように、残存仮定部分４６が除去されず、つまり、残存仮定部分４６が残存する（残存仮定部分４６を生成（形成）する）。
【０１９８】
一方、工程４において、第１透光部分５１に対応する第１露光部分２４と、第２透光部分５２に対応する第２露光部分２５とは、それぞれ、第１透光部分５１および第２透光部分５２から透過した光が十分な光量で至り、そのため、工程５において、第１露光部分２４および第２露光部分２５は、残存する。
【０１９９】
他方、残存仮定部分４６、第１露光部分２４および第２露光部分２５以外の部分は、除去される。
【０２００】
つまり、工程５によって、残存仮定部分４６が、第１露光部分２４および第２露光部分２５を連結する。
【０２０１】
すると、工程６において、フォトレジスト２３から露出する導体層３３を除去して、上側導体パターン５を形成しようとすると、図１７および図１８Ｃに示すように、第１配線２１および第２配線２２の他に、それらを連結し、残存仮定部分４６に被覆される短絡部分４５が意図せず形成される。短絡部分４５は、平面視において、残存仮定部分４６と同一パターンを有する。短絡部分４５は、第１配線２１および第２配線２２を連結する。短絡部分４５は、上記した中心Ｃを中心とする平面視略円形状を有する。
【０２０２】
つまり、上側導体パターン５は、短絡部分４５を有する欠陥パターンとなる。
【０２０３】
Ｂ．集光がない第５実施形態
しかし、この第５実施形態の製造方法によれば、図１および図１２Ｆに示すように、第２露光部分２５は、平面視において、絶縁斜面湾曲部１３を回避する回避部２６を有する。そして、工程４において、フォトレジスト２３を、絶縁斜面湾曲部１３に対応するフォトレジスト２３を遮光するように、フォトマスク２８を介して露光しても、絶縁斜面湾曲部１３に対応する導体層３３において反射する反射光Ｂ’（図１５および図１８Ａ参照）を生成しない。そのため、図１２Ｇに示すように、工程５では、上記した集光に起因する残存仮定部分４６の生成を防止できる。その結果、図１３Ｈに示すように、工程６では、短絡部分４５の形成を防止できる。すなわち、第１配線２１および第２配線２２の短絡を防止することができる。つまり、上側導体パターン５における欠陥パターンを防止することができる。
【０２０４】
また、第５実施形態の製造方法は、第２露光部分２５が回避部２６および重複部２７さえ備えていれば、第２配線２２を、高い自由度で設けることができる。
【０２０５】
＜第５実施形態の変形例＞
上側導体パターン５（第１透光部分５１および第２透光部分５２）（第１露光部分２４および第２露光部分２５）の平面視形状は、第２〜４実施形態で例示した平面視形状を有することもできる。そのような変形例であっても、第５実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０２０６】
＜第１〜第５実施形態の変形例＞
第１〜第５実施形態では、図１が参照されるように、曲り部の一例としての絶縁斜面湾曲部１３は、平面視円弧形状を有する。
【０２０７】
しかし、絶縁斜面湾曲部１３は、図１５の矢印および図１６Ａ（または図１８Ａ）に示すような、反射光Ｂ’に起因する集光を発生させて、除去仮定部分３１（または残存仮定部分４６）を生成すれば、その平面視形状は、特に限定されない。絶縁斜面湾曲部１３は、例えば、図示しないが、中心点が連続して移動する平面視湾曲形状であってもよい。
【０２０８】
また、本発明の方法により得られる配線回路基板として配線回路基板１を挙げて説明しているが、これに限定されず、図２および図３の仮想線で示すように、金属支持基板４０を備える回路付サスペンション基板とすることもできる。その場合には、回路付サスペンション基板は、金属支持基板４０と、ベース絶縁層２と、下側導体パターン３と、中間絶縁層４と、上側導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える。
【０２０９】
また、図２が参照されるように、第１〜第５実施形態で得られる配線回路基板１において、中間絶縁層４の上面は、第２平面１１を有しているが、例えば、図示しないが、斜面１２を有していればよく、第２平面１１を有していなくてもよい。
【０２１０】
第１〜第５実施形態で得られる配線回路基板１の中間絶縁層５の斜面１２は、下配線９の稜線部２０に対応している。しかし、例えば、図示しないが、図１８に示すように、斜面１２が、下側導体パターン３に対応せず、単に、絶縁層の一例としてのベース絶縁層２が複数の厚みＴ１およびＴ２を有することによって、ベース絶縁層２が斜面１２を有することもできる。なお、厚みＴ１は、第１平面１０におけるベース絶縁層２の厚みである。一方、厚みＴ２は、第２平面１１におけるベース絶縁層２の厚みである。厚みＴ２は、厚みＴ１より厚い。
【０２１１】
また、下側導体パターン３は、図１に示すように、下配線９を備えるが、例えば、図示しないが、その他の配線をさらに有することができる。
【０２１２】
また、上側導体パターン５は、図１に示すように、第１配線２１および第２配線２２を備えるが、例えば、図示しないが、その他の配線をさらに有することができる。
【符号の説明】
【０２１３】
１     配線回路基板
２     ベース絶縁層
４     中間絶縁層
７     金属薄膜
１２   斜面
１３   絶縁斜面湾曲部
２１   第１配線
２２   第２配線
２３   フォトレジスト
２４   第１露光部分
２５   第２露光部分
２６   回避部
２７   重複部
２８   フォトマスク
３１   除去仮定部分
３３   導体層
４６   残存仮定部分
【図１】
2018006584.tif 000003
【図２】
2018006584.tif 000004
【図３】
2018006584.tif 000005
【図４】
2018006584.tif 000006
【図５】
2018006584.tif 000007
【図６】
2018006584.tif 000008
【図７】
2018006584.tif 000009
【図８】
2018006584.tif 000010
【図９】
2018006584.tif 000011
【図１０】
2018006584.tif 000012
【図１１】
2018006584.tif 000013
【図１２】
2018006584.tif 000014
【図１３】
2018006584.tif 000015
【図１４】
2018006584.tif 000016
【図１５】
2018006584.tif 000017
【図１６】
2018006584.tif 000018
【図１７】
2018006584.tif 000019
【図１８】
2018006584.tif 000020