(57)【要約】【課題】チップコイルに好適に用いられるフェライト焼結体を構成するフェライト組成物を得る。【解決手段】主成分と副成分とを有するフェライト組成物である。主成分が、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４３．０〜５１．０モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５．０〜１５．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１．０〜２４．９モル％、残部が酸化ニッケルで構成されている。主成分１００重量部に対して、副成分として、ケイ素化合物をＳｉＯ２換算で０．２〜３．０重量部、コバルト化合物をＣｏ３Ｏ４換算で３．０〜８．０重量部（３．０重量部を除く）、ビスマス化合物をＢｉ２Ｏ３換算で０．２〜８．０重量部、含有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分と副成分とを有するフェライト組成物であって、
前記主成分が、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４３．０〜５１．０モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５．０〜１５．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１．０〜２４．９モル％、残部が酸化ニッケルで構成され、
前記主成分１００重量部に対して、前記副成分として、ケイ素化合物をＳｉＯ２換算で０．２〜３．０重量部、コバルト化合物をＣｏ３Ｏ４換算で３．０〜８．０重量部（３．０重量部を除く）、ビスマス化合物をＢｉ２Ｏ３換算で０．２〜８．０重量部、含有することを特徴とするフェライト組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のフェライト組成物で構成されるフェライト焼結体
【請求項３】
請求項２に記載のフェライト焼結体を有する電子部品。
【請求項４】
請求項２に記載のフェライト焼結体を有するチップコイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェライト組成物、フェライト焼結体、電子部品およびチップコイルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＰＣなどに用いられる周波数帯が高周波化しており、既に数ＧＨｚの規格が複数存在する。これらの高周波の信号に対応するノイズ除去製品が求められている。その代表としてチップコイルが例示される。
【０００３】
現在、幅広い温度環境で好適に使用できるチップコイルが求められており、温度特性および電気特性が良好なチップコイルが求められている。
【０００４】
ここで、チップコイルの電気特性はインピーダンスで評価できる。チップコイルのインピーダンス特性は、素体材料の透磁率と、素体材料の周波数特性とに大きく影響される。さらにいえば、特に高周波数における素体材料の複素透磁率の実部μ’を向上させることでインピーダンス特性が向上し、チップコイルのノイズ除去性能がより向上するようになる。
【０００５】
しかし、スネークの限界によれば、一般的には周波数が高くなるほど透磁率が低下し、複素透磁率の実部μ’が低下することになる。したがって、特に高周波数でチップコイルのインピーダンス特性を向上させ、ノイズ除去性能を向上させることが難しい。
【０００６】
なお、スネークの限界は以下の式（１）により表される。なお、ｆｒは回転磁化共鳴周波数、μｉは初透磁率、γはジャイロ磁気定数、Ｍｓは飽和磁化である。
ｆｒ（μｉ−１）＝｜γ｜×（Ｍｓ／３π）  …式（１）
【０００７】
また、現在、チップコイルの素体材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトが用いられる場合が多い。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトが用いられる場合が多いのは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトは９００℃程度で焼成可能な磁性体セラミックであるためである。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトは９００℃程度で焼成可能であるため、内部電極として用いるＡｇとの同時焼成が可能である。
【０００８】
ここで、素体材料に添加物を添加した場合には、スネークの限界以上に高い周波数まで透磁率が保持されたり、逆に、スネークの限界以下の低い周波数で透磁率が低下したりすることが知られている。そして、コバルトを添加したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが以前より提案されている。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトに対してコバルト添加を行うことで、磁気異方性を向上させ、透磁率の周波数特性を向上させ、高周波数における透磁率を向上させる手法が検討されている。
【０００９】
特許文献１では、ＮｉＣｕＺｎフェライトにコバルト化合物とともに酸化ビスマス等のビスマス化合物を添加している。さらに、ジルコニウム化合物を添加することで温度特性を改善しようとしている。
【００１０】
特許文献２では、ＮｉＣｕＺｎフェライトにＣｏ３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３を添加することで、良好な温度特性等を得ようとしている。
【００１１】
特許文献３では、ＮｉＣｕＺｎフェライト中のＦｅ２Ｏ３量とＺｎＯ量とを比較的少なくし、さらに、ＣｏＯを添加することで周波数特性に優れたフェライト組成物を得ようとしている。
【００１２】
しかし、特許文献１の実施例では、どの程度の高い周波数まで透磁率の値が保持されるのかについては記載がない。また、特許文献１では、酸化ジルコニウムを添加した場合における透磁率の温度変化について、２０℃での初透磁率と８５℃での初透磁率との比を示している。しかし、特許文献１の実施例に示されている２０℃での初透磁率と８５℃での初透磁率との比で最も小さいものが１．４５倍である。この結果は、温度変化に対する初透磁率の変化を抑制したというには大きすぎる。
【００１３】
特許文献２では、初透磁率の値が示されておらず、周波数特性が不明である。特許文献３では、温度特性が不明である。
【００１４】
以上より、特許文献１〜３のＮｉＣｕＺｎフェライトが周波数特性および温度特性が優れているか否かは不明である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０００−２５２１１２号公報
【特許文献２】特開２００６−２０６３４７号公報
【特許文献３】特開２００８−３００５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、チップコイルに好適に用いられるフェライト焼結体を構成するフェライト組成物を得ることである。チップコイルに好適に用いられるフェライト焼結体とは、具体的には、温度特性が良好であり、かつ、複素透磁率の実部μ’が大きいフェライト焼結体である。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明に係るフェライト組成物は、
主成分と副成分とを有するフェライト組成物であって、
前記主成分が、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４３．０〜５１．０モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５．０〜１５．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１．０〜２４．９モル％、残部が酸化ニッケルで構成され、
前記主成分１００重量部に対して、前記副成分として、ケイ素化合物をＳｉＯ２換算で０．２〜３．０重量部、コバルト化合物をＣｏ３Ｏ４換算で３．０〜８．０重量部（３．０重量部を除く）、ビスマス化合物をＢｉ２Ｏ３換算で０．２〜８．０重量部、含有することを特徴とする。
【００１８】
本発明に係るフェライト焼結体は、上記のフェライト組成物で構成される。
【００１９】
本発明に係る電子部品は、上記のフェライト焼結体を有する。
【００２０】
本発明に係るチップコイルは、上記のフェライト焼結体を有する。
【００２１】
本発明に係るフェライト焼結体は、主成分を構成する酸化物の含有量を上記の範囲とし、さらに副成分として酸化ケイ素、酸化ビスマスおよび酸化コバルトを上記の範囲で含有させることにより、初透磁率μｉの温度特性を良好にすることができる。したがって、本発明に係るフェライト焼結体を用いた電子部品、特にチップコイルは幅広い温度環境で好適に使用できる。
【００２２】
さらに、本発明に係るフェライト焼結体は、特に高周波数における複素透磁率の実部μ’が大きくなり、高周波数における複素透磁率の実部μ’がスネークの限界を超えて大きい値となることもある。その結果、当該フェライト焼結体を用いたチップコイルは、特に高周波数において、インピーダンスが高くなり、ノイズ除去効果が著しく向上する。
【００２３】
このような効果が得られる理由は、主成分を所定範囲とし、さらに各成分の含有量を特定の範囲とすることで得られる複合的な効果と考えられる。
【００２４】
本発明に係るフェライト組成物で構成されるフェライト焼結体は、特にチップコイルに好適に用いられる。しかし、チップコイル以外の電子部品に用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る電子部品としてのチップコイルの内部透視斜視図である。
【図２】図２は本発明の他の実施形態に係る電子部品としてのチップコイルの内部透視斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００２７】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る電子部品としてのチップコイル１は、セラミック層２と内部電極層３とがＹ軸方向に交互に積層してあるチップ本体４を有する。
【００２８】
各内部電極層３は、四角状環またはＣ字形状またはコ字形状を有し、隣接するセラミック層２を貫通する内部電極接続用スルーホール電極（図示略）または段差状電極によりスパイラル状に接続され、コイル導体３０を構成している。
【００２９】
チップ本体４のＹ軸方向の両端部には、それぞれ端子電極５，５が形成してある。各端子電極５には、積層されたセラミック層２を貫通する端子接続用スルーホール電極６の端部が接続してあり、各端子電極５，５は、閉磁路コイル（巻線パターン）を構成するコイル導体３０の両端に接続される。
【００３０】
本実施形態では、セラミック層２および内部電極層３の積層方向がＹ軸に一致し、端子電極５，５の端面がＸ軸およびＺ軸に平行になる。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直である。図１に示すチップコイル１では、コイル導体３０の巻回軸が、Ｙ軸に略一致する。
【００３１】
チップ本体４の外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、たとえばＸ軸寸法は０．１５〜０．８ｍｍ、Ｙ軸寸法は０．３〜１．６ｍｍ、Ｚ軸寸法は０．１〜１．０ｍｍである。
【００３２】
また、セラミック層２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はなく、電極間厚み（内部電極層３、３の間隔）は３〜５０μｍ、ベース厚み（端子接続用スルーホール電極６のＹ軸方向長さ）は５〜３００μｍ程度で設定することができる。
【００３３】
本実施形態では、端子電極５としては、特に限定されず、本体４の外表面にＡｇやＰｄなどを主成分とする導電性ペーストを付着させた後に焼付け、さらに電気めっきを施すことにより形成される。電気めっきには、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎなどを用いることができる。
【００３４】
コイル導体３０は、Ａｇ（Ａｇの合金含む）を含み、たとえばＡｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ合金などで構成される。コイル導体の副成分として、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、およびそれらの酸化物を含むことができる。
【００３５】
セラミック層２は、本発明の一実施形態に係るフェライト組成物で構成してある。以下、フェライト組成物について詳細に説明する。
【００３６】
本実施形態に係るフェライト組成物は、主成分として酸化鉄、酸化銅、酸化亜鉛および酸化ニッケルを含有する。
【００３７】
主成分１００モル％中、酸化鉄の含有量は、Ｆｅ２Ｏ３換算で、４３．０〜５１．０モル％、好ましくは４６．１〜５１．０モル％、さらに好ましくは４６．１〜５０．０モル％である。酸化鉄の含有量が少なすぎる場合には、複素透磁率の実部μ’が低下する傾向にある。酸化鉄の含有量が多すぎる場合には、焼結性が劣化し、焼結性の劣化により比抵抗が低下する傾向にある。
【００３８】
主成分１００モル％中、酸化銅の含有量は、ＣｕＯ換算で、５．０〜１５．０モル％、好ましくは５．０〜１２．０モル％、さらに好ましくは５．５〜１１．０モル％である。酸化銅の含有量が少なすぎると、焼結性が劣化し、焼結性の劣化により比抵抗が低下する傾向にある。酸化銅の含有量が多すぎると、初透磁率μｉの温度特性が悪化する傾向にある。
【００３９】
主成分１００モル％中、酸化亜鉛の含有量は、ＺｎＯ換算で、１．０〜２４．９モル％、好ましくは２．０〜２２．０モル％、さらに好ましくは、２．０〜１７．０モル％である。酸化亜鉛の含有量が少なすぎると、複素透磁率の実部μ’が低下する傾向にある。酸化亜鉛の含有量が多すぎると、９００ＭＨｚ前後の高周波数での複素透磁率の実部μ’が低下する傾向にある。さらに、初透磁率μｉの温度特性が悪化する傾向にある。
【００４０】
主成分の残部は、酸化ニッケルから構成されている。
【００４１】
本実施形態に係るフェライト組成物は、上記の主成分に加え、副成分として、酸化ケイ素、酸化コバルトおよび酸化ビスマスを含有している。
【００４２】
酸化ケイ素の含有量は、主成分１００重量部に対して、ＳｉＯ２換算で、０．２〜３．０重量部、好ましくは０．２〜２．２重量部、さらに好ましくは０．２０〜２．０重量部である。酸化ケイ素の含有量が少なすぎると、初透磁率μｉの温度特性が悪化する傾向にある。酸化ケイ素の含有量が多すぎると、９００ＭＨｚ前後の高周波数での複素透磁率の実部μ’が低下する傾向にある。
【００４３】
酸化コバルトの含有量は、主成分１００重量部に対して、Ｃｏ３Ｏ４換算で、３．０〜８．０重量部（３．０重量部を除く）、好ましくは３．１〜８．０重量部、さらに好ましくは３．１〜７．０重量部である。酸化コバルトの含有量が少なすぎると、９００ＭＨｚ前後の高周波数での複素透磁率の実部μ’が低下する傾向にある。酸化コバルトの含有量が多すぎると、複素透磁率の実部μ’が低下する傾向にある。さらに、初透磁率μｉの温度特性が悪化する傾向にある。
【００４４】
酸化ビスマスの含有量は、主成分１００重量部に対して、Ｂｉ２Ｏ３換算で、０．２〜８．０重量部、好ましくは０．３〜８．０重量部、さらに好ましくは０．３０〜５．０重量部である。酸化ビスマスの含有量が少なすぎると、焼結性が劣化し、焼結性の劣化により比抵抗が低下する傾向にある。酸化ビスマスの含有量が多すぎると、焼成中に酸化ビスマスがしみ出す場合がある。酸化ビスマスがしみ出した場合と酸化ビスマスがしみ出さない場合とで得られるチップコイルの特性のバラツキが大きくなるため、好ましくない。さらに、ビスマス化合物の含有量が多すぎるフェライト組成物を電子部品に適用して大量生産する場合には、酸化ビスマスの染み出しにより複数の電子部品が連結してしまう場合がある。また、酸化ビスマスの染み出しにより、電子部品が電子部品を載せるセッターに接着してしまう場合がある。
【００４５】
なお、各主成分および各副成分の含有量は、誘電体磁器組成物の製造時において、原料粉末の段階から焼成後までの各工程でほとんど変化しない。
【００４６】
本実施形態に係るフェライト組成物においては、主成分の組成範囲が上記の範囲に制御されていることに加え、副成分として、酸化ケイ素、酸化コバルトおよび酸化ビスマスが上記の範囲内で含有されている。その結果、焼結性が高く、焼結後の比抵抗ρが高いフェライト組成物が得られる。また、本実施形態に係るフェライト組成物から構成されるフェライト焼結体は、初透磁率μｉの温度特性が良好となる。
【００４７】
さらに、本実施形態に係るフェライト組成物から構成されるフェライト焼結体は、複素透磁率の実部μ’、特に９００ＭＨｚ前後の高周波数での複素透磁率の実部μ’が大きい。当該フェライト焼結体の複素透磁率の実部μ’が大きいことにより、当該フェライト焼結体を用いたチップコイルのインピーダンスが大きくなる。さらに、特に９００ＭＨｚ前後の高周波数での複素透磁率の実部μ’が大きいため、特に高周波数でのインピーダンスが大きくなる。
【００４８】
この結果、本実施形態に係るフェライト組成物で構成されるフェライト焼結体を用いたチップコイルは、フェライト組成物の焼結性が優れているため比抵抗が高く、低温焼結が可能である。たとえば内部電極として用いられることが可能なＡｇの融点以下の９００℃程度（９５０℃以下）で焼結することが可能となる。また、温度特性が優れている。さらに、ノイズ除去効果、特に高周波数でのノイズ除去効果が大きい。
【００４９】
また、本実施形態に係るフェライト組成物は、上記副成分とは別に、さらにＭｎ３Ｏ４などのマンガン酸化物、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸化マグネシウム、ガラス化合物などの付加的成分を本発明の効果を阻害しない範囲で含有してもよい。これらの付加的成分の含有量は、特に限定されないが、例えば０．０５〜１．０重量部程度である。
【００５０】
さらに、本実施形態に係るフェライト組成物には、不可避的不純物元素の酸化物が含まれ得る。
【００５１】
具体的には、不可避的不純物元素としては、Ｃ、Ｓ、Ｃｌ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｉや、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂ等の典型金属元素や、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ等の遷移金属元素が挙げられる。また、不可避的不純物元素の酸化物は、フェライト組成物中に０．０５重量部以下程度であれば含有されてもよい。
【００５２】
本実施形態に係るフェライト組成物における結晶粒子の平均結晶粒子径は、好ましくは０．２〜１．５μｍである。
【００５３】
次に、本実施形態に係るフェライト組成物の製造方法の一例を説明する。まず、出発原料（主成分の原料および副成分の原料）を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、たとえば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。なお、平均粒径が０．０５〜１．０μｍの出発原料を用いることが好ましい。
【００５４】
主成分の原料としては、酸化鉄（α−Ｆｅ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）あるいは複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、たとえば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。
【００５５】
副成分の原料としては、酸化ケイ素、酸化コバルトおよび酸化ビスマスを用いることができる。副成分の原料となる酸化物については特に限定はなく、複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、たとえば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。
【００５６】
なお、酸化コバルトの一形態であるＣｏ３Ｏ４は、保管や取り扱いが容易であり、空気中でも価数が安定していることから、酸化コバルトの原料として好ましい。
【００５７】
次に、原料混合物の仮焼を行い、仮焼材料を得る。仮焼は、原料の熱分解、成分の均質化、フェライトの生成、焼結による超微粉の消失と適度の粒子サイズへの粒成長を起こさせ、原料混合物を後工程に適した形態に変換するために行われる。仮焼時間および仮焼温度には特に制限はない。仮焼は、通常、大気（空気）中で行うが、大気中よりも酸素分圧が低い雰囲気で行っても良い。
【００５８】
次に、仮焼材料の粉砕を行い、粉砕材料を得る。粉砕は、仮焼材料の凝集をくずして適度の焼結性を有する粉体とするために行われる。仮焼材料が大きい塊を形成しているときには、粗粉砕を行ってからボールミルやアトライターなどを用いて湿式粉砕を行う。湿式粉砕は、粉砕材料の平均粒径が、好ましくは０．１〜１．０μｍ程度となるまで行う。
【００５９】
なお、上記した粉砕材料の製造方法においては、主成分の粉末および副成分の粉末を全て混合した後に仮焼している。しかし、粉砕材料の製造方法は上記の方法に限定されない。例えば、仮焼前に混合した原料粉末のうち一部の原料粉末については、仮焼前に他の原料粉末と混合させる代わりに、仮焼後、仮焼材料の粉砕の際に混合させることも可能である。
【００６０】
次に、得られた粉砕材料を用いて、本実施形態に係る図１に示すチップコイル１を製造する。
【００６１】
まず、得られた粉砕材料を、溶媒やバインダ等の添加剤とともにスラリー化し、フェライトペーストを作製する。そして、得られたフェライトペーストを用いて、Ａｇなどを含む内部電極ペーストと交互に印刷積層した後に焼成することで、チップ本体４を形成することができる（印刷法）。あるいはフェライトペーストを用いてグリーンシートを作製し、グリーンシートの表面に内部電極ペーストを印刷し、それらを積層して焼成することでチップ本体４を形成してもよい（シート法）。いずれにしても、チップ本体を形成した後に、端子電極５を焼き付けあるいはメッキなどで形成すればよい。
【００６２】
フェライトペースト中のバインダおよび溶剤の含有量には制限はない。例えば、バインダの含有量は１〜１０重量％、溶剤の含有量は１０〜５０重量％程度の範囲で設定することができる。また、ペースト中には、必要に応じて分散剤、可塑剤等を１０重量％以下の範囲で含有させることができる。Ａｇなどを含む内部電極ペーストも同様にして作製することができる。また、焼成条件などは、特に限定されないが、内部電極層にＡｇなどが含まれる場合には、焼成温度は、好ましくは９３０℃以下、さらに好ましくは９００℃以下である。
【００６３】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００６４】
たとえば、図２に示すチップコイル１ａのセラミック層２を上述した実施形態のフェライト組成物を用いて構成してもよい。図２に示すチップコイル１ａでは、セラミック層２と内部電極層３ａとがＺ軸方向に交互に積層してあるチップ本体４ａを有する。
【００６５】
各内部電極層３ａは、四角状環またはＣ字形状またはコ字形状を有し、隣接するセラミック層２を貫通する内部電極接続用スルーホール電極（図示略）または段差状電極によりスパイラル状に接続され、コイル導体３０ａを構成している。
【００６６】
チップ本体４ａのＹ軸方向の両端部には、それぞれ端子電極５，５が形成してある。各端子電極５には、Ｚ軸方向の上下に位置する引き出し電極６ａの端部が接続してあり、各端子電極５，５は、閉磁路コイルを構成するコイル導体３０ａの両端に接続される。
【００６７】
本実施形態では、セラミック層２および内部電極層３の積層方向がＺ軸に一致し、端子電極５，５の端面がＸ軸およびＺ軸に平行になる。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直である。図２に示すチップコイル１ａでは、コイル導体３０ａの巻回軸が、Ｚ軸に略一致する。
【００６８】
図１に示すチップコイル１では、チップ本体４の長手方向であるＹ軸方向にコイル導体３０の巻軸があるため、図２に示すチップコイル１ａに比較して、巻数を多くすることが可能であり、高い周波数帯までの高インピーダンス化が図りやすいという利点を有する。図２に示すチップコイル１ａにおいて、その他の構成および作用効果は、図１に示すチップコイル１と同様である。
【００６９】
さらにまた、本実施形態のフェライト組成物は、図１または図２に示すチップコイル以外の電子部品に用いることができる。例えば、コイル導体とともに積層されるセラミック層として本実施形態のフェライト組成物を用いることができる。また、チップコイルは必ずしも積層型のチップコイルでなくともよく、巻線型のチップコイルに本実施形態のフェライト組成物を用いることもできる。他にも、例えば、ＬＣ複合部品などのコイルと他のコンデンサ等の要素とを組み合わせた複合電子部品に本実施形態のフェライト組成物を用いることもできる。また、その他一般的にフェライトが用いられる電子部品、例えばコンデンサ等に本実施形態のフェライト組成物を用いることもできる。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されない。
【００７１】
まず、フェライト組成物の主成分の原料として、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯを準備した。副成分の原料として、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４を準備した。なお、出発原料の平均粒径は０．１〜１．０μｍであることが好ましい。
【００７２】
次に、準備した主成分原料の粉末および副成分原料の粉末を、焼結体として表１に記載の組成になるように秤量した。
【００７３】
秤量後に、準備した主成分原料をボールミルで１６時間湿式混合して原料混合物を得た。
【００７４】
次に、得られた原料混合物を乾燥した後に、空気中で仮焼して仮焼物を得た。仮焼温度は原料混合物の組成に応じて５００〜９００℃の範囲で適宜選択した。その後、仮焼物に前記副成分の原料を添加しながらボールミルで粉砕して粉砕粉を得た。
【００７５】
次に、この粉砕粉を乾燥した後、粉砕粉１００重量部に、バインダとしての６ｗｔ％濃度のポリビニルアルコール水溶液を１０．０重量部添加して造粒して顆粒とした。この顆粒を、加圧成形して、トロイダル形状（寸法＝外径８ｍｍ×内径４ｍｍ×高さ２．５ｍｍ）の成形体、およびディスク形状（寸法＝直径１２ｍｍ×高さ２ｍｍ）の成形体を得た。
【００７６】
次に、これら各成形体を、空気中において、Ａｇの融点（９６２℃）以下である８６０〜９００℃で２時間焼成して、焼結体としてのトロイダルコアサンプルおよびディスクサンプルを得た。さらに得られた各サンプルに対し以下の特性評価を行った。なお、秤量した原料粉末と焼成後の成形体とで組成がほとんど変化していないことを蛍光Ｘ線分析装置により確認した。
【００７７】
比抵抗ρ
ディスクサンプルの両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗り、直流抵抗値を測定し、比抵抗ρを求めた（単位：Ω・ｍ）。測定はＩＲメーター（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製Ｒ８３４０）を用いて行った。本実施例では、比抵抗ρは１．００×１０５Ω・ｍ以上を良好とした。
【００７８】
複素透磁率の実部μ’
トロイダルコアサンプルを、ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ（アジレントテクノロジー社製Ｅ４９９１Ａ）およびテストフィクスチャ（アジレントテクノロジー社製１６４５４Ａ）を使用して、１０ＭＨｚでのμ’および９００ＭＨｚでのμ’を測定した。測定温度２５℃とした。本実施例では、１０ＭＨｚでのμ’が４．５以上、および、９００ＭＨｚでのμ’が５．５以上である場合を良好とした。
【００７９】
透磁率の温度特性
トロイダルコアサンプルに銅線ワイヤを２０ターン巻きつけ、室温（２５℃）での初透磁率μｉおよび１２５℃での初透磁率μｉを測定した。そして、室温での初透磁率μｉを基準とし、１２５℃における初透磁率μｉの変化率を求めた。本実施例では、μｉの変化率の絶対値が１００％以下である場合を良好とした。
【００８０】
以上の試験結果を表１にまとめた。
【００８１】
【表１】
2018035027.tif 000003
【００８２】
表１より、主成分および副成分の含有量が本発明の範囲内である場合に全ての特性が良好となることが確認できた。
【００８３】
Ｃｏ３Ｏ４の含有量が少なすぎる場合（試料Ｎｏ．４〜６，１０）には、９００ＭＨｚでのμ’が低下した。Ｃｏ３Ｏ４の含有量が多すぎる場合（試料Ｎｏ．２６）には、初透磁率μｉの温度特性が悪化した。
【００８４】
Ｂｉ２Ｏ３の含有量が少なすぎる場合（試料Ｎｏ．２７）には、比抵抗ρが著しく低下した。
【００８５】
ＳｉＯ２の含有量が少なすぎる場合（試料Ｎｏ．３１）には、初透磁率μｉの温度特性が悪化した。ＳｉＯ２の含有量多すぎる場合（試料Ｎｏ．１０，２２，３３，３４）には、９００ＭＨｚでのμ’が低下した。
【００８６】
Ｆｅ２Ｏ３の含有量が少なすぎる場合（試料Ｎｏ．５，１０，１３，３４）および多すぎる場合（試料Ｎｏ．１６）には、１０ＭＨｚでのμ’および／または９００ＭＨｚでのμ’が悪化した。また、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が多すぎる試料Ｎｏ．１６では比抵抗が著しく低下した。
【００８７】
ＣｕＯの含有量が低すぎる場合（試料Ｎｏ．１７）には、比抵抗が著しく低下した。
【符号の説明】
【００８８】
１，１ａ…  チップコイル
２…  セラミック層
３，３ａ…  内部電極層
４，４ａ…  チップ本体
５…  端子電極
６…  端子接続用スルーホール電極
６ａ…  引き出し電極
３０，３０ａ…  コイル導体  
【図１】
2018035027.tif 000004
【図２】
2018035027.tif 000005