(57)【要約】【課題】配線板自体の反りを低減しつつ、ウエットプロセスを要さずにＩＶＨ壁面の平坦性を確保できる配線板の製造方法を提供すること。【解決手段】ビルドアップ層６を備える配線板の製造方法であって、ガラスクロスを含む厚さ３５μｍ以下のプリプレグでビルドアップ層６を形成するビルドアップ層形成工程と、サンドブラスト法により、ビルドアップ層６に直径５０μｍ以下のＩＶＨ（Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）１１を形成するＩＶＨ形成工程と、を備える、配線板の製造方法。【選択図】図１
2018006476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビルドアップ層を備える配線板の製造方法であって、
ガラスクロスを含む厚さ３５μｍ以下のプリプレグで前記ビルドアップ層を形成するビルドアップ層形成工程と、
サンドブラスト法により、前記ビルドアップ層に直径５０μｍ以下のＩＶＨ（Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）を形成するＩＶＨ形成工程と、
を備える、配線板の製造方法。
【請求項２】
前記ビルドアップ層上にソルダレジスト層を形成するソルダレジスト層形成工程と、
サンドブラスト法により、前記ソルダレジスト層にＳＲＯ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ）を形成するＳＲＯ形成工程と、
を更に備える、請求項１に記載の配線板の製造方法。
【請求項３】
前記ソルダレジスト層形成工程の後に、
前記ソルダレジスト層上に第二のドライフィルムレジスト層を形成する第二のドライフィルムレジスト層形成工程と、
前記第二のドライフィルムレジスト層の一部を露光する露光工程と、
前記露光後の第二のドライフィルムレジスト層の未露光領域を、サンドブラスト法により除去して開口部を形成する開口部形成工程と、
を更に備える、請求項２に記載の配線板の製造方法。
【請求項４】
前記ソルダレジスト層形成工程において、光硬化性を有さない組成物を用いて前記ソルダレジスト層を形成する、請求項２又は３に記載の配線板の製造方法。
【請求項５】
前記ＩＶＨ形成工程の前に、
前記ビルドアップ層上に第一のドライフィルムレジスト層を形成する第一のドライフィルムレジスト層形成工程と、
前記第一のドライフィルムレジスト層の一部を露光する露光工程と、
前記露光後の第一のドライフィルムレジスト層の未露光領域を、サンドブラスト法により除去して開口部を形成する開口部形成工程と、
を更に備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項６】
前記第一のドライフィルムレジスト層形成工程の前に、前記ビルドアップ層上にめっきプロセス用プライマ樹脂層を形成する樹脂層形成工程を更に備え、
前記ＩＶＨ形成工程において、サンドブラスト法により前記ＩＶＨに対応する位置における前記樹脂層を除去する、請求項５に記載の配線板の製造方法。
【請求項７】
前記第一のドライフィルムレジスト層形成工程の前に、前記ビルドアップ層上に銅箔層を形成する銅箔層形成工程と、
前記開口部形成工程と前記ＩＶＨ形成工程と間に、エッチング処理により、前記ＩＶＨに対応する位置における前記銅箔層を除去する銅箔層除去工程と、
を更に備える、請求項５に記載の配線板の製造方法。
【請求項８】
前記第一のドライフィルムレジスト層形成工程の前に、前記ビルドアップ層上に銅箔層を形成する銅箔層形成工程を更に備え、
前記ＩＶＨ形成工程において、サンドブラスト法により、前記露光後の第一のドライフィルムレジスト層の露光領域、及び前記露光領域に対応する位置における前記銅箔層を除去する、請求項５に記載の配線板の製造方法。
【請求項９】
前記ガラスクロスが石英ガラスで形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の配線板の製造方法により製造された配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線板として、コア基板上に導体層と絶縁層とを交互に積層して形成された複数のビルドアップ層、及びビルドアップ層上に形成されたソルダレジスト層を備える配線板が知られている。一方、近年、携帯型情報通信機器端末をはじめ、電子機器の小型化及び高機能化が急速に進んでおり、薄型かつ高機能な半導体装置が要求されている。半導体装置に用いる配線板を薄くすれば、半導体装置の薄型化に直結し、また配線板内の導体経路長が短縮できることから、高機能化にも有利である。そのため、配線板材料を極力薄型化することが求められている。また、配線板材料の薄型化と同時に、配線板内の導体層同士を接続するＩＶＨ（Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）を小径化することで、単位面積当たりのＩＶＨの多穴化が可能となり、配線板内の電気回路の高密度化が図られる。そのため、小径ビアを容易に形成する方法が求められている。
【０００３】
ところで、配線板材料を薄型化すると、半導体パッケージの反りが大きくなり、実装性が低下する問題がある。そこで、例えば特許文献１には、実装される半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有するシート状部材を用いる配線基板の製造方法が開示されている。
【０００４】
また、配線板自体の反りを低減するために、ビルドアップ層（絶縁層）にガラスクロス入りのプリプレグを用いる方法が知られている。しかし、このようなプリプレグを用いた場合、現行のレーザー照射による微細ビアの形成方法では、ガラスクロス部分がＩＶＨ内に飛び出し、きれいな（壁面が平坦な）ＩＶＨを形成することが難しい。そこで、例えば特許文献２には、レーザー照射によりビアホールを形成し、該ビアホールにガラスエッチング溶液によるガラスエッチング処理を施した後、酸化剤溶液によるデスミア処理を施すことを含む、多層プリント配線板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１９８８７８号公報
【特許文献２】特開２００９−１４７３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載の製造方法では、パッケージの反りは低減する可能性があるが、高剛性低熱膨張の基材に薄いビルドアップ層が積層された構造のため、チップを搭載しない状態では熱膨張係数的に非対称であり、配線板自体の反りが懸念される。
【０００７】
また、特許文献２に記載の製造方法では、配線板自体の反りは低減できるものの、ＩＶＨ内に突出したガラスクロスを除去してＩＶＨ壁面の平坦性を確保するために、デスミア処理などのウエットプロセスを追加せざるを得ず、プロセスコストの増加は免れない。
【０００８】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、配線板自体の反りを低減しつつ、ウエットプロセスを要さずにＩＶＨ壁面の平坦性を確保できる配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは鋭意検討の結果、上記課題を解決しうる配線板の製造方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の一態様に係る配線板の製造方法は、ビルドアップ層を備える配線板の製造方法であって、ガラスクロスを含む厚さ３５μｍ以下のプリプレグでビルドアップ層を形成するビルドアップ層形成工程と、サンドブラスト法により、ビルドアップ層に直径５０μｍ以下のＩＶＨ（Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）を形成するＩＶＨ形成工程と、を備える。
【００１１】
この配線板の製造方法では、ガラスクロスを含むプリプレグでビルドアップ層を形成することで、配線板自体の反りを低減できる。また、サンドブラスト法によりＩＶＨを形成するため、ウエットプロセスを要さずにＩＶＨ壁面の平坦性を確保できる。加えて、プリプレグの厚さが３５μｍ以下であるため、配線板の薄型化及びパッケージの反りの低減も可能になると共に、材料コストの低減も図られる。
【００１２】
配線板の製造方法は、一態様において、ビルドアップ層上にソルダレジスト層を形成するソルダレジスト層形成工程と、サンドブラスト法により、ソルダレジスト層にＳＲＯ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ）を形成するＳＲＯ形成工程と、を更に備える。この場合、ソルダレジスト層におけるＳＲＯの形成においても、ウエットプロセスが不要となる。
【００１３】
配線板の製造方法は、一態様において、ソルダレジスト層形成工程の後に、ソルダレジスト層上に第二のドライフィルムレジスト層を形成する第二のドライフィルムレジスト層形成工程と、第二のドライフィルムレジスト層の一部を露光する露光工程と、露光後の第二のドライフィルムレジスト層の未露光領域を、サンドブラスト法により除去して開口部を形成する開口部形成工程と、を更に備える。第二のドライフィルムレジスト層に予め開口部を形成することにより、ソルダレジスト層に形成するＳＲＯの位置精度が良好になる。また、サンドブラスト法により第二のドライフィルムレジスト層に開口部を形成することで、工程の簡易化が図られる。
【００１４】
配線板の製造方法は、一態様において、ソルダレジスト層形成工程において、光硬化性を有さない組成物を用いてソルダレジスト層を形成する。この場合、光硬化性を有さない組成物は無機フィラを大量に含有することができるため、高弾性かつ低熱膨張性のソルダレジスト層を形成することができる。
【００１５】
配線板の製造方法は、一態様において、ＩＶＨ形成工程の前に、ビルドアップ層上に第一のドライフィルムレジスト層を形成する第一のドライフィルムレジスト層形成工程と、第一のドライフィルムレジスト層の一部を露光する露光工程と、露光後の第一のドライフィルムレジスト層の未露光領域を、サンドブラスト法により除去して開口部を形成する開口部形成工程と、を更に備える。第一のドライフィルムレジスト層に予め開口部を形成することにより、ビルドアップ層に形成するＩＶＨの位置精度が良好になる。また、サンドブラスト法により第一のドライフィルムレジスト層に開口部を形成することで、工程の簡易化が図られる。
【００１６】
配線板の製造方法は、一態様において、第一のドライフィルムレジスト層形成工程の前に、ビルドアップ層上にめっきプロセス用プライマ樹脂層を形成する樹脂層形成工程を更に備え、ＩＶＨ形成工程において、サンドブラスト法によりＩＶＨに対応する位置における樹脂層を除去する。この場合、後述するビルドアップ層上に銅箔層を形成した場合と比べて、ＩＶＨ上の銅箔層をエッチング処理で除去する必要がない。
【００１７】
配線板の製造方法は、一態様において、第一のドライフィルムレジスト層形成工程の前に、ビルドアップ層上に銅箔層を形成する銅箔層形成工程と、開口部形成工程とＩＶＨ形成工程との間に、エッチング処理により、ＩＶＨに対応する位置における銅箔層を除去する銅箔層除去工程と、を更に備える。ビルドアップ層上に銅箔層を形成することにより、銅箔層をシード層として用いることができ、シード層を別途形成する必要がない。
【００１８】
配線板の製造方法は、一態様において、第一のドライフィルムレジスト層形成工程の前に、ビルドアップ層上に銅箔層を形成する銅箔層形成工程を更に備え、ＩＶＨ形成工程において、サンドブラスト法により、露光後の第一のドライフィルムレジスト層の露光領域、及び露光領域に対応する位置における銅箔層を除去する。サンドブラスト法により、露光後の第一のドライフィルムレジスト層の露光領域、及び露光領域に対応する位置における銅箔層を除去することで、露光後の第一のドライフィルムレジスト層の露光領域を別途除去する必要がなく、露光領域に対応する位置における銅箔層を薄膜化できるため、第一のドライフィルムレジスト層の剥離及び銅箔層のエッチングの時間を節約できる。
【００１９】
配線板の製造方法では、一態様において、ガラスクロスが石英ガラスで形成されている。この場合、配線基板を薄型化した際の高弾性化及び低熱膨張係数化（低熱膨張高弾性化）が可能であり、ＩＶＨ形成工程におけるサンドブラスト加工が容易になる。
【００２０】
配線板は、一態様において、上記配線板の製造方法により製造された配線板である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、配線板自体の反りを低減しつつ、ウエットプロセスを要さずにＩＶＨ壁面の平坦性を確保できる配線板の製造方法を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、第１実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、第２実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第３実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、図面の寸法比率は図示した比率に限られるものではない。
【００２４】
図１〜３は、第１実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。この製造方法では、まず、図１（ａ）に示すように、支持基材１と、支持基材１上に形成された導体層２とを備える積層体３を用意する（用意工程）。積層体３は、例えば、支持基材１上に導体を積層することにより得られる。
【００２５】
支持基材１は、例えば、基板４と、基板４上に形成された複数の金属箔層５ａ，５ｂとを備える。基板４は、ＦＲ−４（ガラスエポキシ樹脂基材）、ＦＲ−５（耐熱ガラスエポキシ基材）、ＳＵＳ（ステンレス）基材等であってよい。金属箔層５は、２層以上の金属箔層からなっていてよく、複数の金属箔層の少なくとも２層間が互いに物理的に剥離可能になっている。金属箔層５は、好ましくはピーラブル銅箔で形成される。ピーラブル銅箔層の基板４から最も離れた層の厚さが極薄であることで、最終的にエッチアウトする際に時間短縮が図られる。支持基材１は、好ましくはＦＲ−４あるいはＦＲ−５にピーラブル銅箔を貼付したものであるが、ＳＵＳ板にめっき処理により金属箔層を形成したものであってもよい。
【００２６】
導体層２は、例えば銅で形成されている。導体層２は、例えば支持基材１上にパターニングされた配線であってよく、パッド、ダミーパターン等であってもよい。導体層２の形成方法は、特に限定されず、例えば金属箔層（ピーラブル銅箔層）５をシード層にして、めっきプロセスで形成する方法であってよい。
【００２７】
用意工程に続いて、図１（ｂ）に示すように、プリプレグを用いて、導体層２を覆うようにして支持基材１上にビルドアップ層（絶縁層ともいう）６を形成する（ビルドアップ層形成工程）。ビルドアップ層６は、例えば、支持基材１上にプリプレグを真空プレスすることにより形成される。
【００２８】
プリプレグは、ガラスクロスを含んでおり、例えばガラスクロスに樹脂を含浸されてなる。ガラスクロスは、配線基板を薄型化した際の高弾性化及び低熱膨張係数化（低熱膨張高弾性化）が可能であり、後述のＩＶＨ形成工程におけるサンドブラスト加工を容易にする観点から、好ましくはＱガラス（石英ガラス）である。樹脂としては、シロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、エポキシ樹脂等が好適である。
【００２９】
プリプレグの厚さは、３５μｍ以下であり、好ましくは２５μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下である。プリプレグの厚さが３５μｍ以下であると、配線基板の薄型化が図られ、後述のＩＶＨ形成工程における微細なＩＶＨの加工に要する時間が短くなり、また、ＩＶＨの小径化が容易となる傾向にある。プリプレグの厚さは、例えば５μｍ以上であってよい。
【００３０】
ビルドアップ層形成工程に続いて、図１（ｃ）に示すように、ビルドアップ層６上に樹脂層（めっきプロセス用プライマ樹脂層）７を形成する（樹脂層形成工程）。樹脂層７は、例えばラミネートすることにより形成される。樹脂層７に用いられる樹脂は、ビルドアップ層６の物性に影響が少なく、無電解めっきとの密着性がよいことから、好ましくは多官能型エポキシ樹脂である。
【００３１】
ビルドアップ層６上に樹脂層７を形成することにより、後述するビルドアップ層６上に銅箔層を形成した場合と比べて、ＩＶＨ上の銅箔層をエッチング処理で除去する必要がなくなる。
【００３２】
樹脂層形成工程に続いて、図１（ｃ）に示すように、樹脂層７上に第一のドライフィルムレジスト層８を形成する（第一のドライフィルムレジスト層形成工程）。第一のドライフィルムレジスト層８は、例えば、ロールラミネート、真空ラミネートなど公知の方法により形成できる。ラミネートは、例えば、０〜１８０℃で０．００１Ｎ以上、ロール速度０．０１ｍｍ／ｓ以上の条件で行われてよい。
【００３３】
解像性と耐サンドブラスト性との両立の観点から、第一のドライフィルムレジスト層８の厚さは、好ましくは３５μｍ以下であり、また、第一のドライフィルムレジスト層８は、好ましくは、カルボキシル基を有するセルロース又はカルボキシル基を有するアクリル樹脂を含むアルカリ可溶性樹脂、エチレン性不飽和基を有する単官能化合物又は多官能化合物を含む光重合性化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、及び光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物で形成されている。
【００３４】
第一のドライフィルムレジスト層形成工程に続いて、図１（ｄ）に示すように、例えば露光マスク９を用いて、第一のドライフィルムレジスト層８の一部である所定領域を活性光線Ｌで露光する（露光工程）。ここでの所定領域は、第一のドライフィルムレジスト層８に開口部が形成される予定の領域である。露光方法は、露光マスク９を用いる方法に代えて、ＵＶレーザーによる直描方式であってもよい。
【００３５】
露光工程に続いて、図１（ｅ）に示すように、露光後の第一のドライフィルムレジスト層８の未露光領域（露光工程において、露光マスク９により活性光線Ｌが遮断されていた領域）を除去して開口部１０を形成する（開口部形成工程）。開口部１０は、ビルドアップ層６にＩＶＨが形成される予定の領域に対応する位置に形成される。
【００３６】
第一のドライフィルムレジスト層８の未露光領域を除去する方法としては、特に限定されず、現像液を用いたシャワー現像又はミスト現像によって除去する方法、サンドブラスト法によって除去する方法等が挙げられる。現像液によるシャワー現像又はミスト現像、洗浄及び乾燥工程を省略して、工程を簡易化できる観点から、サンドブラスト法によって除去する方法が好適である。サンドブラストは、例えば後述するＩＶＨ形成工程におけるサンドブラストと同様の条件で行われる。
【００３７】
開口部形成工程に続いて、図１（ｆ）に示すように、サンドブラスト法を用いて、ビルドアップ層６にＩＶＨ（Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）１１を形成する（ＩＶＨ形成工程）。
【００３８】
ＩＶＨ形成工程では、開口部１０を有する第一のドライフィルムレジスト層８がマスクとしての役割を果たし、砥粒（研磨剤）を吹き付けることで、開口部１０に対応する位置のビルドアップ層６を切削する。サンドブラストの条件は、特に制限されない。砥粒としては、例えば、ガラスビーズ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ等の微粒子が挙げられる。砥粒の平均粒径は、例えば２〜１００μｍであってよい。砥粒は、好ましくは平均粒径が３０μｍ以下のＡｌ２Ｏ３の微粒子（アルミナ粉）である。砥粒の射出量は、好ましくは砥粒がＩＶＨに詰まらない程度の量である。
【００３９】
ＩＶＨ１１の直径は、５０μｍ以下であり、配線板内の電気回路（配線）を高密度化できることから、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。ＩＶＨ１１の直径が５０μｍ以下であると、配線板内の電気回路（配線）の高密度化が図られ、ビルドアップ層６の層数の増加を抑制し、従来のＣＯ２レーザーによるＩＶＨ形成よりもコストが低くなる。
【００４０】
ＩＶＨ形成工程では、ビルドアップ層６がガラスクロスを含む厚さ３５μｍ以下のプリプレグで形成されていることにより、サンドブラスト法で研削すると、現行のレーザー照射によるＩＶＨ形成方法に比べて、デスミアプロセス等を要さずに、壁面の平坦性に優れる所望の形状（例えば円筒状）の多数のＩＶＨ１１をより速く加工（形成）することが可能である。
【００４１】
ＩＶＨ形成工程では、ビルドアップ層６がガラスクロス（より好適にはＱガラスのガラスクロス）を含む厚さ３５μｍ以下のプリプレグで形成されていることにより、サンドブラスト法でビルドアップ層６を削りやすくなり、ＩＶＨ１１が導体層２に到達する前に第一のドライフィルムレジスト層８の全てがサンドブラスト法によって削り取られることを抑制できる。
【００４２】
ＩＶＨ形成工程の後、例えば、サンドブラスト処理により削り取られずに樹脂層７上に残った第一のドライフィルムレジスト層８を除去してよい（第一のドライフィルムレジスト層除去工程）。第一のドライフィルムレジスト層８の除去方法としては、例えばアルカリ水溶液による除去方法等が挙げられる。
【００４３】
第一のドライフィルムレジスト層除去工程の後、樹脂層７上、ＩＶＨ１１の内壁上及び導体層２上にシード層を形成してよい（シード層形成工程）。シード層は好ましくは銅により形成される。シード層は、例えば無電解銅めっきにより形成される。シード層の厚みなどは、特に制限されない。
【００４４】
シード層形成工程の後、シード層上に第三のドライフィルムレジスト層を形成してよい（第三のドライフィルムレジスト層形成工程）。第三のドライフィルムレジスト層は、例えば、第一のドライフィルムレジスト層８と同様の材料及び方法により形成される。第三のドライフィルムレジスト層の耐サンドブラスト性の有無は問わない。
【００４５】
第三のドライフィルムレジスト層形成工程の後、第一のドライフィルムレジスト層８と同様にして、第三のドライフィルムレジスト層の所定領域を露光し、次いで、第三のドライフィルムレジスト層の未露光部を除去してよい。
【００４６】
続いて、ＩＶＨ１１内、及び第三のドライフィルムレジスト層が形成されていないシード層上に配線を形成してよい（配線形成工程）。配線は、好ましくは銅で形成される。配線は、例えば電気銅めっきにより形成される。
【００４７】
配線形成工程の後、第三のドライフィルムレジスト層を除去してよい（第三のドライフィルムレジスト層除去工程）。第三のドライフィルムレジスト層の除去方法は、第一のドライフィルムレジスト層８と同様の方法により除去できる。
【００４８】
第三のドライフィルムレジスト層除去工程の後、配線が積層されていない領域に対応するシード層を除去してよい（シード層除去工程）。シード層の除去方法としては、例えばエッチング処理が挙げられる。
【００４９】
以上説明したビルドアップ層形成工程からシード層除去工程までを繰り返して、多層化してよい。すなわち、ビルドアップ層６を２層以上形成し、複数のビルドアップ層６間を配線で電気的に接続してよい。
【００５０】
このようにして得られた積層体に対して、第一のソルダレジスト層を更に積層する。具体的には、図２（ａ）に示すように、ビルドアップ層６上に積層された樹脂層７及び配線１２上に、第一のソルダレジスト層１３を形成する（ソルダレジスト層形成工程）。
【００５１】
第一のソルダレジスト層１３は、得られる配線板が極薄であってもたわまないように、高弾性かつ低熱膨張性のソルダレジスト層を形成する観点から、好ましくは、無機フィラを大量（例えば６０質量％以上）に含有し、光硬化性を有しない組成物で形成される。このような第一のソルダレジスト層１３は、例えば、変性エポキシ樹脂と、組成物全量基準で６０質量％以上のシリカフィラとを含む組成物によって形成される。このように、第一のソルダレジスト層１３がシリカフィラを多く含有する組成物により形成される場合、第一のソルダレジスト層１３はサンドブラスト法により除去されやすい。
【００５２】
ソルダレジスト層形成工程に続いて、図２（ｂ）に示すように、第一のソルダレジスト層１３上に第二のドライフィルムレジスト層１４を形成してよい（第二のドライフィルムレジスト層形成工程）。第二のドライフィルムレジスト層１４は、第一のドライフィルムレジスト層８と同様の材料及び方法により形成される。第二のドライフィルムレジスト層１４の厚さは、好ましくは第一のドライフィルムレジスト層８の厚さと同様であってよい。
【００５３】
第二のドライフィルムレジスト層形成工程に続いて、図２（ｃ）に示すように、例えば露光マスク９を用いて、第二のドライフィルムレジスト層１４の一部である所定領域を活性光線Ｌで露光する（露光工程）。ここでの所定領域は、第二のドライフィルムレジスト層１４に開口部が形成される予定の領域である。露光方法は、露光マスク９を用いる方法に代えて、ＵＶレーザーによる直描方式であってもよい。
【００５４】
露光工程に続いて、図２（ｄ）に示すように、露光後の第二のドライフィルムレジスト層１４の未露光領域（露光工程において、露光マスク９により活性光線Ｌが遮断されていた領域）を除去して開口部１５を形成する（開口部形成工程）。開口部１５は、第一のソルダレジスト層１３に第一のＳＲＯ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ：ソルダレジストの開口部）が形成される予定の領域に対応する位置に形成される。第二のドライフィルムレジスト層１４の未露光領域を除去する方法としては、第一のドライフィルムレジスト層８の未露光領域を除去する方法と同様であってよい。
【００５５】
開口部形成工程に続いて、図２（ｅ）に示すように、サンドブラスト法により、第一のソルダレジスト層１３に第一のＳＲＯ１６を形成する（ＳＲＯ形成工程）。サンドブラストの条件は、ＩＶＨ形成工程におけるサンドブラストと同様の条件であってよい。
【００５６】
ＳＲＯ形成工程に続いて、図３（ａ）に示すように、第二のドライフィルムレジスト層１４を除去する（第二のドライフィルムレジスト層除去工程）。第二のドライフィルムレジスト層１４は、例えば第一のドライフィルムレジスト層８と同様にして除去される。
【００５７】
第二のドライフィルムレジスト層除去工程に続いて、図３（ｂ）に示すように、支持基材１をビルドアップ層６及び導体層２から剥離する（支持基材剥離工程）。支持基材１の剥離方法としては、例えば、物理的に剥離可能である金属箔層５ａ，５ｂ同士を剥離後、ビルドアップ層６及び導体層２の表面上に残存する金属箔層５ａをエッチング、研磨などにより除去する方法が挙げられる。
【００５８】
支持基材剥離工程に続いて、図３（ｃ）に示すように、露出しているビルドアップ層６及び導体層２の表面上に第二のソルダレジスト層１３を形成する。第二のソルダレジスト層１３の形成方法は、上述の第一のソルダレジスト層１３の形成方法と同様の方法であってよい。
【００５９】
続いて、図３（ｄ）に示すように、第二のソルダレジスト層１３に第二のＳＲＯ１７を形成する。第二のＳＲＯ１７の形成方法は、第一のＳＲＯ１６の形成方法と同様の方法であってよい。
【００６０】
以上説明した製造方法により、図３（ｄ）に示すような配線板１８が得られる。この製造方法では、ガラスクロスを含むプリプレグでビルドアップ層６を形成することで、配線板１８自体の反りを低減できる。また、サンドブラスト法によりＩＶＨ１１を形成するため、ウエットプロセスを要さずにＩＶＨ１１壁面の平坦性及びＩＶＨ１１内部の洗浄性を確保できる。加えて、プリプレグの厚さが３５μｍ以下であるため、配線板１８の薄型化及びパッケージの反りの低減も可能になると共に、材料コストの低減も図られる。また、サンドブラスト法により、第一のソルダレジスト層１３に第一のＳＲＯ１６を形成することにより、ウエットプロセスが不要となる。また、ビルドアップ層６上に樹脂層７を形成することにより、後述するビルドアップ層６上に銅箔層を形成した場合と比べて、ＩＶＨ１１上の銅箔層をエッチング処理で除去する必要がなくなる。
【００６１】
図４は、第２実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。第１実施形態に係る配線板の製造方法ではビルドアップ層６上に樹脂層７を形成するが、第２実施形態に係る配線板の製造方法では、ビルドアップ層６上に、樹脂層７に代えて銅箔層１９を形成する（銅箔層形成工程）。銅箔層１９は、例えば真空プレスで形成される。銅箔層１９は、ビルドアップ層６を形成した後に形成してもよく、ビルドアップ層６と同時に形成してもよい（すなわち、ビルドアップ層形成工程と銅箔層形成工程とは、同時に行われてもよい）。
【００６２】
この場合、樹脂層７に代えて銅箔層１９を形成する以外は、第一のドライフィルムレジスト層８に開口部１０を形成する開口部形成工程（図１（ｅ））までは第１実施形態と同様の工程を実施する。その後、ＩＶＨ１１が形成される位置に対応する銅箔層１９を除去して（銅箔層除去工程）、銅箔層１９に開口を形成する（図４（ａ））。銅箔層１９の除去方法としては、酸性のエッチング液を用いた銅のエッチングによる除去方法が好適である。
【００６３】
第２実施形態に係る製造方法では、ビルドアップ層６上に銅箔層１９を形成することで、銅箔層１９を第１実施形態におけるシード層として用いることができる。
【００６４】
つまり、まず、図４（ｂ）に示すように、銅箔層１９上に第三のドライフィルムレジスト層２０を形成し、次いで、第三のドライフィルムレジスト層２０の所定領域を露光し、第三のドライフィルムレジスト層２０の未露光部を除去できる。
【００６５】
続いて、図４（ｃ）に示すように、ＩＶＨ１１内、及び第三のドライフィルムレジスト層が形成されていない銅箔層１９上に配線１２を形成する。そして、図４（ｄ）に示すように、第三のドライフィルムレジスト層２０を除去する。
【００６６】
このように、第２実施形態に係る製造方法では、配線１２を形成するにあたり、第１実施形態におけるシード層形成工程が不要となる。
【００６７】
この製造方法では、続いて、図４（ｅ）に示すように、第１実施形態におけるシード層除去工程の代わりに、配線１２が積層されていない領域に対応する銅箔層１９を除去する（銅箔層除去工程）。銅箔層１９の除去方法としては、例えばエッチング処理が挙げられる。
【００６８】
その後、第１実施形態と同様に、ビルドアップ層形成工程から銅箔層除去工程までを繰り返して多層化し、第１実施形態におけるソルダレジスト層形成工程からＳＲＯ形成工程までと同様の工程を実施することで、図４（ｆ）に示すように、第２実施形態に係る配線板が得られる。
【００６９】
図５は、第３実施形態に係る配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。第２実施形態の製造方法ではＩＶＨ形成工程の後、サンドブラスト処理により削り取られずにビルドアップ層６上に残った第一のドライフィルムレジスト層８を除去（第一のドライフィルムレジスト層除去工程）した後、銅箔層除去工程を実施するが、第３実施形態に係る配線板の製造方法では、ＩＶＨ１１を完全に形成する前に、第一のドライフィルムレジスト層８を削り取る（第一のドライフィルムレジスト層を削り終えたとき、ＩＶＨ１１は完全に形成されていない）。
【００７０】
すなわち、まず、第一のドライフィルムレジスト層８の未露光領域を除去して開口部１０を形成した後（図５（ａ））、図５（ｂ）に示すように、サンドブラスト法により第一のドライフィルムレジスト層８の開口部１０に対応する位置にあるビルドアップ層６を研削して、ＩＶＨ１１を形成すると同時に、第一のドライフィルムレジスト層８及び銅箔層１９の一部を除去する。このとき、ＩＶＨ１１を完全に形成する前に第一のドライフィルムレジスト層８を削り取るため、第一のドライフィルムレジスト層８の厚さを薄くする（例えば２０〜３０μｍ）、第一のドライフィルムレジスト層８の耐サンドブラスト性を低くする、あるいはサンドブラストの条件を調整する。第一のドライフィルムレジスト層８は、耐サンドブラスト性を低くする観点から、好ましくは、ウレタン(メタ)アクリレート化合物を含有する感光性樹脂組成物又はエチレン性不飽和基を有する光重合多官能化合物を含有する感光性樹脂組成物を用い、例えば該組成物におけるウレタン(メタ)アクリレート化合物又エチレン性不飽和基を有する光重合多官能化合物の含有量を調整した上で形成される。
【００７１】
そして、サンドブラストを更に続けることにより、ＩＶＨ１１が完全に形成されて導体層２の表面が露出する（図５（ｃ））。このとき、銅箔層１９が残存するように、例えば銅箔層１９の厚さを調整する。
【００７２】
第３実施形態の製造方法では、ＩＶＨ形成と同時に、第一のドライフィルムレジスト層８を除去し、かつ銅箔層１９をサンドブラスト処理で薄膜化しているため、第一のドライフィルムレジスト層８の剥離と銅箔層１９のエッチングの時間を節約できる。
【００７３】
第１〜３実施形態の製造方法では、基板４と金属箔層５とを有する支持基材１上に導体層２を形成して、いわゆるコアレス基板（配線板）を得るが、支持基材１の金属箔層５をなくして、支持基材１をコア基材（基板）として、コア基板を有する配線板を得てもよい。
【００７４】
第１〜３実施形態の製造方法では、支持基材１の一方の面のみに配線板を形成するが、支持基材１の他方の面に同様のプロセス（工程）を施して、配線板を形成してもよい。
【００７５】
第１〜３実施形態の製造方法では、サンドブラスト法により第一のソルダレジスト層１３に第一のＳＲＯ１６を形成するが、第一のソルダレジスト層１３が光硬化性である組成物により形成されている場合には、一般的な感光性ソルダレジスト層の開口部形成工程（露光、現像を伴う工程）により形成されてよい。
【００７６】
第１〜３実施形態の製造方法では、ＳＲＯ形成工程の後に支持基材剥離工程を実施するが、支持基材剥離工程をＳＲＯ形成工程の前に実施してもよい。
【００７７】
本実施形態の配線板は、上記第１〜３実施形態の製造方法により製造された配線板である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
以上、本発明によって、極薄でありながら、たわみが少なく、チップ実装後のパッケージ反りが小さく、配線密度が高く、コストパフォーマンスに優れる配線板の製造方法を提供することができるようになる。当該配線板の製造方法は、電子機器の小型化及び高機能化に対応できる、薄型かつ高機能な半導体装置に実装する配線板の製造方法に好適であり、産業上の利用価値は非常に大きい。
【符号の説明】
【００７９】
１…支持基材、２…導体層、３…積層体、４…基板、５，５ａ，５ｂ…金属箔層、６…ビルドアップ層、７…樹脂層、８…第一のドライフィルムレジスト層、９…露光マスク、１０…開口部、１１…ＩＶＨ、１２…配線、１３…第一のソルダレジスト層，第二のソルダレジスト層、１４…第二のドライフィルムレジスト層、１６…第一のＳＲＯ、１７…第二のＳＲＯ、１８…配線板、１９…銅箔層、２０…第三のドライフィルムレジスト層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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