(57)【要約】【課題】安価に製造することができるとともに、金属汚染等が生じることがなく、再現性の極めて低い微細凹部又は微細凸部を有する微細凹凸構造体、並びに微細凸状構造体及び微細凹状構造体の製造方法を提供する。【解決手段】微細凹凸構造体１は、第１面２Ａ及び当該第１面２Ａに対向する第２面２Ｂを有する基部２と、基部２の第１面２Ａ側に設けられてなる複数の微細凸部３とを備え、微細凸部３は、微細凸部３の軸方向が基部２の第１面２Ａに略直交し、基部２の第１面２Ａ側からの平面視において、複数の微細凸部３は、第１面２Ａ上にランダムに配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、
前記基部の前記第１面側に設けられてなる複数の微細凹部又は微細凸部と
を備え、
前記微細凹部又は微細凸部は、前記微細凹部又は微細凸部の軸方向が前記基部の前記第１面に略直交し、
前記基部の前記第１面側からの平面視において、前記複数の微細凹部又は微細凸部は、前記第１面上にランダムに配置されている、微細凹凸構造体。
【請求項２】
前記複数の微細凹部又は微細凸部は、所定の範囲でランダムな寸法を有する、請求項１に記載の微細凹凸構造体。
【請求項３】
前記複数の微細凹部又は微細凸部は、所定の範囲でランダムな深さ又は高さを有する、請求項１又は２に記載の微細凹凸構造体。
【請求項４】
前記複数の微細凹部のうちの少なくとも一部の微細凹部又は前記複数の微細凸部のうちの少なくとも一部の微細凸部は、前記基部の前記第１面側に位置する第１領域と、前記第１領域に連続する第２領域とを含み、
前記第１領域は、前記第１面側から前記微細凹部の底部又は前記微細凸部の先端部に向かって実質的に同一の幅を有する領域であり、
前記第２領域は、前記微細凹部の底部又は前記微細凸部の先端部に向かうに従って幅が漸減する領域である、請求項１〜３のいずれかに記載の微細凹凸構造体。
【請求項５】
前記第２領域は、少なくとも前記微細凹部又は前記微細凸部の側壁が湾曲面により構成される領域である、請求項４に記載の微細凹凸構造体。
【請求項６】
前記微細凹凸構造体の前記基部の厚さ方向に沿った切断面を見たときに、前記第１領域の側壁上の第１点と第２点とを結ぶ第１線分の前記基部の前記第１面に対する傾きが、前記第２領域の側壁上の第１点と第２点とを結ぶ第２線分の前記基部の前記第１面に対する傾きよりも大きく、
前記第１領域の第１点は、前記第１領域において前記微細凹部の底部側又は前記微細凸部の先端部側に位置する点であり、
前記第１領域の第２点は、前記第１領域における軸方向中間点に位置する点であり、
前記第２領域の第１点は、前記第２領域における軸方向中間点に位置する点であり、
前記第２領域の第２点は、前記第２領域において前記基部側に位置する点である、請求項４又は５に記載の微細凹凸構造体。
【請求項７】
前記第１領域と前記第２領域との連続部に、周状段差部が設けられている、請求項４に記載の微細凹凸構造体。
【請求項８】
前記第２領域は、前記微細凹部の底部又は前記微細凸部の先端部に向かうに従って先細となる先鋭形状を有する領域である、請求項７に記載の微細凹凸構造体。
【請求項９】
前記第１領域は、前記微細凹部又は前記微細凸部の軸方向中間部の幅ＷMと前記第１領域の高さＨ1とが下記式に示す関係を有する領域である、請求項４〜８のいずれかに記載の微細凹凸構造体。
１．５ＷM≦Ｈ1≦５ＷM
【請求項１０】
前記複数の微細凹部又は微細凸部は、前記基部の前記第１面側における一部の領域に形成されてなることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の微細凹凸構造体。
【請求項１１】
前記基部が、シリコンにより構成される、請求項１〜１０のいずれかに記載の微細凹凸構造体。
【請求項１２】
前記基部が、樹脂により構成される、請求項１〜１０のいずれかに記載の微細凹凸構造体。
【請求項１３】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凸部とを備える微細凸状構造体を製造する方法であって、
シリカ粒子を含む硬化性樹脂をシリコン基板の第１面上に塗布する樹脂塗布工程と、
前記シリコン基板の前記第１面上に塗布された前記硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、
前記硬化させた硬化性樹脂を除去し、前記シリカ粒子を前記第１面上に残存させる樹脂除去工程と、
前記シリカ粒子が残存する前記シリコン基板の前記第１面に対して臭化水素（ＨＢｒ）をエッチングガスとして用いるエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記エッチング処理が施された前記基板の前記第１面上に残存する前記シリカ粒子を除去するシリカ粒子除去工程と
を有し、
前記シリカ粒子の粒径分布幅が、前記シリカ粒子の平均粒子径の±１０％〜５０％の範囲である、微細凸状構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記シリカ粒子が、第１の平均粒子径を有する第１のシリカ粒子と、前記第１の平均粒子径とは異なる第２の平均粒子径を有する第２のシリカ粒子とを含む、請求項１３に記載の微細凸状構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記エッチング工程において、前記シリカ粒子の少なくとも一部を消失させない程度に前記シリコン基板の前記第１面に対してエッチング処理を施す、請求項１３又は１４に記載の微細凸状構造体の製造方法。
【請求項１６】
前記硬化性樹脂が、ノボラック系フェノール樹脂である、請求項１３〜１５のいずれかに記載の微細凸状構造体の製造方法。
【請求項１７】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凹部とを備える微細凹状構造体を製造する方法であって、
請求項１３〜１６のいずれかに記載の製造方法により製造された前記微細凸状構造体の前記複数の微細凸部をインプリント樹脂に転写する工程と、
前記複数の微細凸部が転写された前記インプリント樹脂から、前記微細凸状構造体を剥離する工程と
を有する、微細凹状構造体の製造方法。
【請求項１８】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凸部とを備える微細凸状構造体を製造する方法であって、
請求項１７に記載の製造方法により製造された前記微細凹状構造体の前記複数の微細凹部をインプリント樹脂に転写する工程と、
前記複数の微細凹部が転写された前記インプリント樹脂から、前記微細凹状構造体を剥離する工程と
を有する、微細凸状構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、微細凹凸構造体、並びに微細凸状構造体及び微細凹状構造体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各人に固有のバイオメトリック情報を利用して個人の認証を行うバイオメトリクス技術が様々な技術分野で実用化されている。バイオメトリック情報は、指紋、静脈等の身体的特徴、音声、筆跡等の行動的特徴等を含む情報であって、携帯電話や銀行キャッシュカードの利用者認証、コンピュータへのログイン権限の認証等に利用されている。近年、このようなバイオメトリック情報と同様の固有情報を有する人工物を、当該固有情報を利用して認証する人工物メトリクス技術の開発が進められている。
【０００３】
人工物メトリクス技術は、証書、クレジットカード等の人工物を用いた取引の場面で、安全性や信頼性を高める手段として有望視されている技術である。従来、人工物メトリクス技術に関し、クレジットカード等の媒体に組み込まれた、粒状物の光反射パターン、磁性ファイバの磁気パターン、ランダム記録された磁気パターン、磁気ストライプのランダム磁気パターン、メモリセルのランダム電荷量パターン、導電性ファイバの共振パターン等の再現性の極めて低い人工パターンを固有情報として利用する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
個体認証等に利用可能な再現性の極めて低い微細凸構造を有する微細凹凸構造体を製造する方法としては、従来、上記微細凸構造に対応する微細凹構造（微細ホールパターン）を有するインプリントモールドを用いたインプリントリソグラフィーにより作製する方法、電子線リソグラフィーにより作製する方法等が知られている。電子線リソグラフィーによる作製方法は、多大な時間及びコストを要するため、インプリントモールドを用いたインプリントリソグラフィーによる作製方法の方が、時間及びコストの観点から有利である。
【０００５】
上記微細凹凸構造体を作製するために用いられるインプリントモールドは、例えば、電子線リソグラフィー等により製造されるため、非常に高価であり、また製造に時間もかかる。上記インプリントモールドや上記微細凹凸構造体を安価に作製可能な新たな方法が求められている。
【０００６】
上記微細凹凸構造体を製造する方法として、従来、ミセルブロックコポリマーナノリソグラフィープロセスによって作製された金属ナノ粒子を基板上に秩序配列させ、当該金属ナノ粒子をエッチングマスクとして基板をエッチングすることで、金属ナノ粒子の位置に対応する微細凹凸構造（微細ピラーパターン）が形成されたモールドを作製し、当該モールドを用いたインプリント処理により上記微細凹凸構造（微細ピラーパターン）を有する微細凹凸構造体を製造する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００７／０７２７９３号
【特許文献２】特表２０１４−５０２０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献２に記載の方法において、基板のエッチングにより微細ピラーパターンを形成した後、基板上（微細ピラーパターン上）に残存する金属ナノ粒子は除去される。しかしながら、当該金属ナノ粒子の一部、基板のエッチング処理中にエッチングされた金属ナノ粒子に由来する堆積物が基板上に残存し、金属汚染が生じてしまうという問題がある。微細凹凸構造体の金属汚染が生じてしまうと、当該微細凹凸構造体がインプリントモールドである場合、金属が付着したインプリントモールドにより転写された製品において所望とする微細凹凸構造が形成されないという問題がある。また、当該インプリントモールドにより転写された製品において金属汚染が生じている場合、所望の性能（例えば光学性能等）が得られなかったり、環境汚染を引き起こしたりするおそれがある。
【０００９】
また、上記特許文献２に記載の方法は、高秩序化ナノピラー構造を基板の表面上に形成する方法であるため、個体認証等に利用可能な再現性の極めて低いナノピラー構造を形成することができないという問題がある。
【００１０】
上記課題に鑑みて、本発明は、安価に製造することができるとともに、金属汚染等が生じることがなく、再現性の極めて低い微細凹部又は微細凸部を有する微細凹凸構造体、並びに微細凸状構造体及び微細凹状構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凹部又は微細凸部とを備え、前記微細凹部又は微細凸部は、前記微細凹部又は微細凸部の軸方向が前記基部の前記第１面に略直交するようにして形成されてなり、前記基部の前記第１面側からの平面視において、前記複数の微細凹部又は微細凸部は、前記第１面上にランダムに配置されていることを特徴とする微細凹凸構造体が提供される。
【００１２】
前記複数の微細凹部又は微細凸部は、所定の範囲でランダムな寸法を有することができ、所定の範囲でランダムな深さ又は高さを有することができる。前記複数の微細凹部のうちの少なくとも一部の微細凹部又は前記複数の微細凸部のうちの少なくとも一部の微細凸部は、前記基部の前記第１面側に位置する第１領域と、前記第１領域に連続する第２領域とを含み、前記第１領域は、前記第１面側から前記微細凹部の底部又は前記微細凸部の先端部に向かって実質的に同一の幅を有する領域であり、前記第２領域は、前記微細凹部の底部又は前記微細凸部の先端部に向かうに従って幅が漸減する領域として構成され得る。
【００１３】
前記第２領域は、少なくとも前記微細凹部又は前記微細凸部の側壁が湾曲面により構成される領域として構成され、前記微細凹凸構造体の前記基部の厚さ方向に沿った切断面を見たときに、前記第１領域の側壁上の第１点と第２点とを結ぶ第１線分の前記基部の前記第１面に対する傾きが、前記第２領域の側壁上の第１点と第２点とを結ぶ第２線分の前記基部の前記第１面に対する傾きよりも大きく、前記第１領域の第１点は、前記第１領域において前記微細凹部の底部側又は前記微細凸部の先端部側に位置する点であり、前記第１領域の第２点は、前記第１領域における軸方向中間点に位置する点であり、前記第２領域の第１点は、前記第２領域における軸方向中間点に位置する点であり、前記第２領域の第２点は、前記第２領域において前記基部側に位置する点であるように構成される。
【００１４】
前記第１領域と前記第２領域との連続部に、周状段差部が設けられ、前記第２領域は、前記微細凹部の底部又は前記微細凸部の先端部に向かうに従って先細となる先鋭形状を有する領域として構成される。
【００１５】
前記第１領域は、前記微細凹部又は前記微細凸部の軸方向中間部の幅ＷMと前記第１領域の高さＨ1とが下記式に示す関係を有する領域として構成される。
１．５ＷM≦Ｈ1≦５ＷM
【００１６】
前記複数の微細凹部又は微細凸部は、前記基部の前記第１面側における一部の領域に形成されてなるのが好ましく、前記基部は、シリコンにより構成されてもよいし、樹脂により構成されてもよい。
【００１７】
本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凸部とを備える微細凸状構造体を製造する方法であって、シリカ粒子を含む硬化性樹脂をシリコン基板の第１面上に塗布する樹脂塗布工程と、前記シリコン基板の前記第１面上に塗布された前記硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、前記硬化させた硬化性樹脂を除去し、前記シリカ粒子を前記第１面上に残存させる樹脂除去工程と、前記シリカ粒子が残存する前記シリコン基板の前記第１面に対して臭化水素（ＨＢｒ）をエッチングガスとして用いるエッチング処理を施すエッチング工程と、前記エッチング処理が施された前記シリコン基板の前記第１面上に残存する前記シリカ粒子を除去するシリカ粒子除去工程とを有し、前記シリカ粒子の粒径分布幅が、前記シリカ粒子の平均粒子径の±１０％〜５０％の範囲である微細凸状構造体の製造方法が提供される。
【００１８】
前記シリカ粒子が、第１の平均粒子径を有する第１のシリカ粒子と、前記第１の平均粒子径とは異なる第２の平均粒子径を有する第２のシリカ粒子とを含むのが好ましい。前記エッチング工程において、前記シリカ粒子の少なくとも一部を消失させない程度に前記シリコン基板の前記第１面に対してエッチング処理を施すのが好ましい。前記硬化性樹脂としては、ノボラック系フェノール樹脂を用いることができる。
【００１９】
本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凹部とを備える微細凹状構造体を製造する方法であって、前記微細凸状構造体の前記複数の微細凸部をインプリント樹脂に転写する工程と、前記複数の微細凸部が転写された前記インプリント樹脂から、前記微細凸状構造体を剥離する工程とを有することを特徴とする微細凹状構造体の製造方法が提供される。
【００２０】
本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凸部とを備える微細凸状構造体を製造する方法であって、前記微細凹状構造体の前記複数の微細凹部をインプリント樹脂に転写する工程と、前記複数の微細凹部が転写された前記インプリント樹脂から、前記微細凹状構造体を剥離する工程とを有することを特徴とする微細凸状構造体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、安価に製造することができるとともに、金属汚染等が生じることがなく、再現性の極めて低い微細凹部又は微細凸部を有する微細凹凸構造体、並びに微細凸状構造体及び微細凹状構造体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体（微細凸状構造体）の概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体の概略構成を示す、図１におけるＩ−Ｉ線切断端面図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体における微細凸部の概略構成を示す部分拡大側面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体における一部の微細凸部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体における一部の微細凸部の他の態様の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体における一部の微細凸部の他の態様の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体における一部の微細凸部の他の態様の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体における一部の微細凸部の他の態様の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
【図１０】図１０（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の一実施形態における各種形状の微細凸部が形成される機構を説明するための側面図である。
【図１１】図１１（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体の一具体例であるインプリントモールドを用いて微細凹凸構造体（微細凹状構造体）の一具体例であるレプリカモールドを製造する方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
【図１２】図１２（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施形態におけるレプリカモールドを用いて微細凹凸構造体（微細凸状構造体）を製造する方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体を適用した物品の概略構成を示す平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施形態に係る微細凹凸構造体を適用した物品の概略構成を示す裏面図である。
【図１５】図１５は、実施例１にて作製したインプリントモールドの微細凸部を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて上面から観察したＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。
【００２４】
本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。
【００２５】
本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
【００２６】
図１は、本実施形態に係る微細凹凸構造体の一具体例としての微細凸状構造体の概略構成を示す平面図であり、図２は、本実施形態に係る微細凹凸構造体の概略構成を示す、図１におけるＩ−Ｉ線切断端面図であり、図３（Ａ）〜（Ｆ）は、それぞれ、本実施形態に係る微細凹凸構造体における微細凸部の概略構成を示す部分拡大側面図である。なお、本実施形態において、微細凸部を備える微細凸状構造体としてのインプリントモールドを例に挙げて説明するが、この態様に限定されるものではない。本実施形態に係る微細凹凸構造体には、当該インプリントモールドを用いたインプリント処理を経て作製され、微細凹部を備える微細凹状構造体（例えばレプリカモールド等）や、当該レプリカモールドを用いたインプリント処理を経て作製され、微細凸部を備える微細凸状構造体（例えば、インプリントモールド等も含む）も含まれ得る。
【００２７】
［インプリントモールド］
図１及び図２に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド１は、第１面２Ａ及び当該第１面２Ａに対向する第２面２Ｂを有する基部２と、基部２の第１面２Ａ側に位置する、ピラー状の複数の微細凸部３とを備える。基部２と微細凸部３とは、同一材料により構成されていてもよいし、異なる材料により構成されていてもよい。インプリントモールド１は、例えば、シリコン、窒化ガリウム等の半導体；石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス；ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、シリコーン等の樹脂；ニッケル、チタン、アルミニウム等の金属等により構成されていてもよい。基部２と微細凸部３とが異なる材料により構成される場合、基部２及び微細凸部３のそれぞれは、上記のインプリントモールド１を構成する材料として例示したものの中から選択される任意の材料により構成されていればよい。
【００２８】
基部２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。後述するように、第１の実施形態に係るインプリントモールド１がシリコン基板２０（図９参照）を用いて製造される場合、基部２の平面視形状は、通常、略円形状である。
【００２９】
基部２の大きさも特に限定されるものではないが、例えば、基部２の平面視形状が略円形状である場合には２００〜３００ｍｍφ程度である。また、基部２の厚さＴ2は、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、１００μｍ〜１ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。
【００３０】
複数の微細凸部３は、基部２の第１面２Ａに略直交する。具体的には、図３（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、微細凸部３の幅方向中心を通る軸線ＡＬが、基部２の第１面２Ａに対して８０°〜９０°の角度θにて交差するように、各微細凸部３が基部２の第１面２Ａ側に形成されている。
【００３１】
図１に示すように、インプリントモールド１の第１面２Ａ側からの平面視において、複数の微細凸部３は、基部２の第１面２Ａ上にランダム（不規則）に配置されている。微細凸部３が、人工的に再現するのが極めて困難なランダム性をもって配置されていることで、個体認証等に利用可能な再現性の極めて低い微細凸部を有する物品を作製することができる。
【００３２】
また、図２に示すように、複数の微細凸部３は、インプリントモールド１の側面視において、ランダムな高さＨ3（基部２の第１面２Ａに対する鉛直方向における長さ）を有する。微細凸部３の高さＨ3がランダムであることで、個体認証等に利用可能な再現性の極めて低い微細凸部を有する物品を作製することができる。本実施形態に係るインプリントモールド１は、シリカ粒子４１をマスクとして用いたエッチング処理を経て製造されるため（図９参照）、微細凸部３の高さＨ3は、シリカ粒子４１とシリコン基板２０とのエッチング選択比、シリカ粒子４１の粒度分布、分散性等に応じた範囲に設定され得る。例えば、微細凸部３の高さＨ3は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００３３】
本実施形態に係るインプリントモールド１は、その側面視において種々の形状の複数の微細凸部３を含む。インプリントモールド１に含まれ得る微細凸部３の側面視形状としては、例えば、略三角形状（図３（Ａ）参照）、先細形状（図３（Ｂ）参照）、略台形状（図３（Ｃ）参照）、先端部がドーム状に湾曲した柱状（図３（Ｄ）参照）、略四角形状（図３（Ｅ）参照）、側壁に段差を有する形状（図３（Ｆ）参照）等が挙げられ、これらのうちの２種以上の形状の微細凸部３がインプリントモールド１に含まれる。本実施形態に係るインプリントモールド１は、シリカ粒子４１をマスクとして用いたエッチング処理を経て製造されるため（図９参照）、各微細凸部３の形状は、マスクとなるシリカ粒子４１の粒子径により決定され得る。そのため、本実施形態における微細凸部３の種々の形状の存在比率（インプリントモールド１が有する微細凸部３の全体数に対する各形状の微細凸部３の数の比率）を人工的に再現するのは極めて困難である。
【００３４】
各微細凸部３は、ランダムな寸法（幅Ｗ3）を有する。微細凸部３の寸法（幅Ｗ3）がランダムであることで、個体認証等に利用可能な再現性の極めて低い微細凸部を有する物品を作製することができる。本実施形態において、なお、微細凸部３の寸法は、平面視における微細凸部３の側壁３４の外接円により定義され、走査型電子顕微鏡（例えば、製品名：ＳＵ−８０００，日立ハイテクノロジーズ社製）、透過型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡等を用いて測定され得る。後述するように、本実施形態に係るインプリントモールド１は、シリカ粒子４１をマスクとして用いたエッチング処理を経て製造されるため（図９参照）、微細凸部３の寸法（幅Ｗ3）は、シリカ粒子４１の粒度分布、分散性等に応じた範囲に設定され得る。例えば、微細凸部３の寸法（幅Ｗ3）は、５ｎｍ〜１０００μｍ程度である。
【００３５】
図４〜８に示すように、本実施形態における一部の微細凸部３は、基部２の第１面２Ａ側に位置し、第１面２Ａから当該第１面２Ａの略直交方向に突出する第１領域３１と、第１領域３１に連続する第２領域３２とを含む。第１領域３１は、第１面２Ａ側から微細凸部３の先端部（頂部）３３に向かって実質的に同一の幅Ｗ31を有する領域である。第２領域３２は、微細凸部３の先端部（頂部）３３に向かうに従って幅Ｗ32が漸減する領域である。
【００３６】
本実施形態において、インプリントモールド１の基部２の厚さ方向における切断面を見たときに、第１領域３１の側壁３４上の第１点Ｐ３１１と第２点Ｐ３１２とを結ぶ第１線分Ｌ１の基部２の第１面２１に対する傾きθ１は、第２領域３２の側壁３４上の第１点３２１と第２点３２２とを結ぶ第２線分Ｌ２の基部２の第１面２Ａに対する傾きθ２よりも大きい。したがって、微細凸部３の第１領域３１及び第２領域３２は、当該傾きθ１，θ２によっても定義され得る。傾きθ１は、例えば、７５°〜９０°である。傾きθ２は、例えば、３０°〜８０°である。なお、第１領域３１の第１点Ｐ３１１は、基部２の第１面２Ａから第１領域３１の高さＨ31の半分の高さ（Ｈ31／２）に位置する点であり、第２点Ｐ３１２は、第１領域３１における最も先端部（頂部）３３側に位置する点である。また、第２領域３２の第１点Ｐ３２１は、第１領域３１の第２点Ｐ３１２と同一の高さ位置にある点であり、第２点Ｐ３２２は、第１点Ｐ３２１から第２領域３２の高さＨ32の半分の高さ（Ｈ32／２）に位置する点である。第１領域３１の第１点Ｐ３１１よりも先端部３３に近い側における第１領域３１の側壁３４は、第１点Ｐ３１１よりも先端部３３から遠い（基部２の第１面２Ａに近い）側における第１領域３１の側壁３４よりも基部２の第１面２Ａに対して大きな傾きを有していてもよい。すなわち、第１領域３１における基部２の第１面２Ａに平行な断面の面積は、基部２の第１面２Ａに近くなるほど大きくなっていてもよい。これにより、微細凸部３の物理的な強度が高くなることが期待される。また、第１領域３１の側壁３４が基部２の第１面２Ａに連続する部分の形状は、ラウンド形状であってもよい。これにより、当該連続する部分に生じ得る応力を分散することができる。
【００３７】
第１領域３１における「実質的に同一の幅Ｗ31を有する」とは、第２領域３２に比べ、第１面２Ａ側から先端部３３に向かう方向に従う第１領域３１の幅Ｗ31の減少割合が小さい、又は第１面２Ａ側から先端部３３に向かう方向に従って第１領域３１の幅Ｗ31が減少しないことを意味する。例えば、第１領域３１の下端部（図４〜８において基部２の第１面２Ａに連続する部分）における幅Ｗ31と第１領域３１の第２点Ｐ３１２における幅との差分をｄＷ31、第２領域３２の第１点Ｐ３２１における幅と先端部３３における幅との差分をｄＷ32としたとき、ｄＷ31／Ｈ31の値がｄＷ32／Ｈ32の値よりも小さい場合に、第１領域３１の幅Ｗ31が実質的に同一であると評価することができる。ｄＷ31／Ｈ31の値をｄＷ32／Ｈ32の値の半分以下とすると、微細凸部３のアスペクト比（高さ／幅）が大きくなり、種々の機能の向上が期待される。
【００３８】
第１領域３１の幅Ｗ31が基部２の第１面２Ａ側から先端部３３に向かう方向に従って減少する場合において、ｄＷ31／Ｈ31は、例えば、０．１〜０．３程度であってもよい。第１領域３１の幅Ｗ31が基部２の第１面２Ａ側から先端部３３に向かう方向に従って減少する場合、又は当該方向に従って変化しない場合において、ｄＷ32／Ｈ32は、０．３〜２．０程度であってもよい。ｄＷ31／Ｈ31及びｄＷ32／Ｈ32を上記範囲にすることで、全体として微細凸部３のアスペクト比（高さ／幅）を大きくすることができ、微細凸部３の物理的な強度をさらに高めることができる。
【００３９】
基部２の厚さ方向における微細凸部３の切断面を、先端部３３が上方に位置し、基部２が下方に位置する状態で任意の方向から見たときに、微細凸部３は、左右対称の形状を有していてもよいし、左右非対称の形状を有していてもよい。図２及び図３に示す微細凸部３は、当該切断面の第１の側（例えば左側）と当該第１の側に対向する第２の側（例えば右側）とのそれぞれにおける第１領域３１の第１点Ｐ３１１、第２点Ｐ３１２、第２領域の第１点Ｐ３２１及び第２点Ｐ３２２の水平方向位置、並びに第１領域３１の側壁３４の傾き（基部２の第１面２Ａに対する傾き）が略一致しており、左右対称の形状を有していると評価され得る。この場合においては、複数の微細凸部３による機能が等方的に現われ得る。一方、当該切断面の第１の側（例えば左側）と当該第１の側に対向する第２の側（例えば右側）とのそれぞれにおける第１領域３１の第１点Ｐ３１１、第２点Ｐ３１２、第２領域の第１点Ｐ３２１及び第２点Ｐ３２２の水平方向位置、並びに第１領域３１の側壁３４の傾き（基部２の第１面２Ａに対する傾き）のうちの少なくとも１つが略一致していない場合、微細凸部３は、左右非対称の形状を有していると評価され得る。この場合においては、複数の微細凸部３による機能が異方的に現われ得る。例えば、第１の側（例えば左側）から見た第２領域３２の形状や高さと、第２の側（例えば右側）から見た第２領域３２の形状や高さとが異なる場合、第１の側によって発現される機能と第２の側によって発現される機能との程度等が異なり得る。
【００４０】
微細凸部３の平面視形状は、特に限定されるものではないが、後述するシリカ粒子４１の形状、分散性等に応じて適宜設定され得る。微細凸部３の平面視形状の一態様は、略円形状である。また、微細凸部３の平面視形状の別の一態様は、輪郭が曲線により構成される島状の形状である。
【００４１】
微細凸部３の第１領域３１の寸法（幅Ｗ31）は、上記シリカ粒子４１の粒度分布（粒径分布）、分散性等に応じた範囲に設定され得る。例えば、微細凸部３の第１領域３１の幅Ｗ31は、５ｎｍ〜３００μｍ程度であり、５〜５００ｎｍ程度であってもよく、１０〜３００ｎｍ程度であってもよい。なお、微細凸部３の第１領域３１の幅Ｗ31は、第１領域３１が基部２の第１面２Ａに連続する部分における幅と定義され、走査型電子顕微鏡（例えば、製品名：ＳＵ−８０００，日立ハイテクノロジーズ社製）、透過型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡等を用いて測定され得る。
【００４２】
微細凸部３の第１領域３１の高さＨ31は、シリカ粒子４１とシリコン基板２０とのエッチング選択比及びシリカ粒子４１の直径等に応じて設定され得る。また、第２領域３２の高さＨ32は、シリカ粒子４１とシリコン基板２０とのエッチング選択比等に応じて設定され得る。例えば、第１の領域３１の高さＨ31は、微細凸部３の下端の幅Ｗ31との関係において下記式の関係により表され得る。
１．５Ｗ31≦Ｈ31≦５Ｗ31
さらに、第１の領域３１の高さＨ31は、微細凸部３の下端の幅Ｗ31との関係において下記式の関係により表されてもよい。
２Ｗ31≦Ｈ31≦４Ｗ31    
【００４３】
第２領域３２において、少なくとも微細凸部３の側壁３４は湾曲面により構成される。図４に示すように、第２領域３２は、全体がドーム状に湾曲していてもよいし、図５に示すように、先端部（頂部）３３が略平坦面（第１面２Ａに略平行な面）であって、側壁３４が外側に凸状に湾曲していてもよい。
【００４４】
また、図６〜８に示すように、第２領域において、微細凸部３の先端部（頂部）３３は先鋭形状を有していてもよく、図７及び図８に示すように、第１領域３１と第２領域３２との連続部には、微細凸部３の略全周に亘る周状段差部３５が設けられていてもよい。
【００４５】
かかる周状段差部３５は、図７に示すように、先端部（頂部）３３側に向かって開口する凹溝状に構成されていてもよいし、図８に示すように、階段状に構成されていてもよい。後述するインプリントモールド１の製造方法におけるエッチング条件を調整することで、周状段差部３５の形状が調整され得る。
【００４６】
周状段差部３５の幅Ｗ35は、特に限定されるものではなく、例えば、１ｎｍ〜３０ｎｍ程度であってもよく、３ｎｍ〜２０ｎｍ程度であってもよい。なお、周状段差部３５の幅Ｗ35は、走査型電子顕微鏡（例えば、製品名：ＳＵ−８０００，日立ハイテクノロジーズ社製）、透過型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡等を用いて測定され得る。
【００４７】
第２領域３２の第２点Ｐ３２２における幅Ｗ32は、例えば、第１領域３１の下端の幅Ｗ31の０．１〜０．３倍程度であってもよい。第２領域３２の高さＨ32は、特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であってもよい。隣接する微細凸部３の間隔Ｄは、特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度であってもよく、１００ｎｍ〜２５０ｎｍ程度であってもよい。
【００４８】
上述した構成を有する本実施形態に係るインプリントモールド１は、平面視における配置、側面視における高さＨ3及び寸法（幅Ｗ3）にランダム性（不規則性）を有する微細凸部３を含む。そのため、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いたインプリント処理を経てレプリカモールドを作製し、当該レプリカモールドを用いたインプリント処理により、本実施形態に係るインプリントモールド１の微細凸部３と実質的に同一形状の微細凸部を有し、人工的に再現することが極めて困難な微細凹凸構造体（微細凸状構造体）を、安価に、かつ簡便に製造することができる。
【００４９】
［インプリントモールドの製造方法］
次に、本実施形態に係るインプリントモールド１の製造方法の一例を説明する。図９は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
【００５０】
まず、第１面２Ａ及びそれに対向する第２面２Ｂを有するシリコン基板２０を準備し、当該シリコン基板２０の第１面２０Ａ上にシリカ粒子４１を含有するレジスト組成物４０をスピンコート法等により塗布する（図９（Ａ）参照）。
【００５１】
レジスト組成物４０に含まれるシリカ粒子４１としては、平均粒子径（数平均粒子径）が５ｎｍ〜３００μｍ、好ましくは５ｎｍ〜１０００ｎｍのものが挙げられる。シリカ粒子４１の粒径分布は、平均粒子径±１０〜５０％であるのが好ましい。シリカ粒子４１の粒子径は、微細凸部３の形状を決める重要なファクターの一つであり、相対的に広い粒径分布を有するシリカ粒子４１を用いることで、種々の形状を有し、ランダムな寸法（幅Ｗ3）及び高さＨ3を有する微細凸部３の形成が可能となる。また、相対的に広い粒径分布を有するシリカ粒子４１を含有するレジスト組成物４０をスピンコート法により塗布することで、相対的に大きな粒子径のシリカ粒子４１は、シリコン基板２０の外縁に近い方に、相対的に小さな粒子径のシリカ粒子４１は、シリコン基板２０の中心に近い方に配置されやすいが、各シリカ粒子４１の位置を制御することは困難であるため、ランダムな配置の微細凸部３の形成が可能となる。
【００５２】
さらに、シリカ粒子４１としては、その表面がメチル基、エチル基、オクタデシル基等のアルキル基等の官能基により修飾されてなるものが用いられ得る。シリカ粒子４１の表面が上記官能基により修飾されていることで、レジスト組成物４０中においてシリカ粒子４１を凝集させることなく、適度に分散させることができる。なお、シリカ粒子４１の表面を上記官能基により修飾する方法としては、例えば、シリカ粒子にＳＰＭ洗浄のような表面親水化処理、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理、真空紫外（ＶＵＶ）処理を施すことでその表面を活性化し、当該表面が活性化されたシリカ粒子を、メチル基、エチル基、オクタデシル基等のアルキル基を含むシランカップリング剤溶液中に浸漬させる、又は当該シランカップリング剤のガス雰囲気下に暴露する方法等が挙げられる。
【００５３】
レジスト組成物４０を構成する樹脂材料としては、例えば、ポジ型又はネガ型レジスト、ＵＶ硬化性樹脂等を用いることができる。ポジ型レジストとしては、ビスフェノールＡ骨格ノボラックレジスト等のノボラック系ポリマーと光酸発生剤とクエンチャー（溶解抑止剤）とを含むものを例示することができ、ネガ型レジストとしては、ビスフェノールＡ骨格ノボラックレジスト等のノボラック系ポリマーと光酸発生剤と架橋剤とを含むものを例示することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、アクリル系モノマーと光開始剤とを含むものを例示することができる。
【００５４】
上記レジスト組成物４０には、シリカ粒子４１の分散性や表面エネルギーを調整可能な界面活性剤等の添加剤等が含まれ得る。これにより、レジスト組成物４０中においても、シリコン基板２０の第１面２０Ａ上に塗布された状態においても、シリカ粒子４１を凝集させることなく、適度に分散させることができる。
【００５５】
次に、シリコン基板２０の第１面２０Ａ上に塗布されたレジスト組成物４０を硬化させる（図９（Ｂ）参照）。レジスト組成物４０を硬化させる方法としては、当該レジスト組成物４０を構成する樹脂材料の硬化特性に応じた方法を採用することができる。例えば、レジスト組成物４０を構成する樹脂材料が紫外線硬化性樹脂である場合には、レジスト組成物４０に紫外線ＵＶを照射することにより、レジスト組成物４０を硬化させ得る。
【００５６】
レジスト組成物４０を紫外線ＵＶの照射により硬化させる際、所望により、所定の開口部を有するマスクを用いてパターニングしてもよい。レジスト組成物４０を構成する樹脂材料がネガ型フォトレジスト材料である場合、開口部を介して露光された領域のレジスト組成物４０のみを硬化させることができ、シリコン基板２０の第１面２０Ａ上における所望とする領域にのみ微細凸部３を形成することができる。
【００５７】
続いて、シリコン基板２０の第１面２０Ａ上において硬化したレジスト組成物４０中の樹脂材料をアッシング等により除去する（図９（Ｃ）参照）。これにより、シリコン基板２０の第１面２０Ａ上に、適度に分散した状態でシリカ粒子４１を残存させることができる。このように、シリカ粒子４１は、シリコン基板２０の第１面２０Ａ上に直接配置される。なお、直接配置されるとは、シリカ粒子４１とシリコン基板２０の第１面２０Ａとの間に、別個のマスク材等が介在していないことを意味する。
【００５８】
そして、シリカ粒子４１をマスクとして、臭化水素（ＨＢｒ）をエッチングガスとして用いる異方性ドライエッチング処理を行う（図９（Ｄ）〜（Ｆ）参照）。かかるドライエッチング処理において、シリカ粒子４１とシリコン基板２０とのエッチング選択比及びシリカ粒子４１の粒子径に応じて、シリコン基板２０の第１面２０Ａ側がエッチングされ、種々の形状を有し、ランダムな高さＨ3及び寸法（幅Ｗ3）を有する微細凸部３が形成される。
【００５９】
上記ドライエッチング処理中に、シリコン基板２０とともにシリカ粒子４１もエッチングされるが、シリカ粒子４１がその半径分エッチングされるまでの間は、シリカ粒子４１により被覆されていない部分がシリコン基板の厚さ方向に沿ってエッチングされるため、ピラー状（柱状）のパターン３０が形成される（図１０（Ａ）参照）。このパターン３０の寸法（幅）は、マスクとなるシリカ粒子４１の粒子径と実質的に同一である。また、このパターン３０の高さは、シリコン基板２０とシリカ粒子４１とのエッチング選択比に応じた高さである。
【００６０】
シリカ粒子４１がその半径分を超えてエッチングされると、シリカ粒子４１により被覆されていたピラー状のパターン３０の先端の周縁部３１が露出するようになるため、当該先端の周縁部３１からエッチングされ始め、当該先端の周縁部３１が丸みを帯びてくる（図１０（Ｂ）参照）。ドライエッチング処理を進行させてシリカ粒子４１が小さくなると、先端の周縁部３１がさらに丸みを帯びるようにエッチングされ、パターン３０は、その先端の全体がドーム状に湾曲した形状を呈する（図１０（Ｃ）参照）。シリカ粒子４１が完全に消失した後、さらにドライエッチング処理を進行させると、パターン３０の軸方向に対して傾斜した方向にもエッチングが進行しやすくなるため、ドーム状に湾曲した先端が徐々に平坦面となるように、かつパターン３０の軸方向に沿ってパターン幅が漸減する、側面視略台形状を呈する（図１０（Ｄ）参照）。
【００６１】
そのままドライエッチング処理を進行させていくと、パターン３０の軸方向に対して傾斜した方向のエッチングがさらに進行しやすくなり、先端が先細形状を呈するようになる（図１０（Ｅ）参照）。さらにドライエッチング処理を進行させていくと、パターン３０の側壁にドライエッチング処理による堆積物が付着していることで、当該堆積物によりパターン３０の側壁のエッチング速度が低下し、パターン３０の所定の箇所に周状段差部を有する形状を呈する（図１０（Ｆ）参照）。そして、最終的には、側面視において略三角形状を呈するようになる（図１０（Ｇ）参照）。
【００６２】
このように、シリカ粒子４１をマスクとしたドライエッチングにより、マスクとしてのシリカ粒子４１が残存しているか否か、マスクとしてのシリカ粒子４１が消失した後からのドライエッチング処理時間により、シリコン基板２０に形成される微細凸部３の形状が異なるとともに、微細凸部３の高さＨ3や寸法Ｗ3も異なる。
【００６３】
本実施形態においては、広範な粒径分布を有するシリカ粒子４１をマスクとして用いたドライエッチング処理により、シリコン基板２０上に微細凸部３を形成するため、形成される微細凸部３には、種々の形状のものが含まれる。すなわち、図１０（Ａ）〜（Ｇ）にて示すように、マスクとしてのシリカ粒子４１の粒径に応じ、ドライエッチング処理の進行に従った形状の微細凸部３が形成されることになる。なお、図１０（Ａ）〜（Ｇ）において、パターン３０の先端の上に位置する円形の破線は、ドライエッチングされる前のシリカ粒子４１を表している。
【００６４】
例えば、粒子径が最小のシリカ粒子４１は、ドライエッチングにより最初に消失し、その結果として露出したピラー状のパターンは、先端が先細形状になり、側面視において略三角形状になるようにエッチングされる。すなわち、粒子径が最小のシリカ粒子４１をマスクとして形成される微細凸部３は、側面視略三角形状を有することになる（図１０（Ｇ）参照）。また、最初にシリカ粒子４１が消失し、パターン全体がエッチングに曝される時間が最も長くなるため、高さＨ3が最も低く、かつ寸法（幅Ｗ3）が最も小さい微細凸部３として形成される。
【００６５】
上記シリカ粒子４１よりも粒子径の大きいシリカ粒子４１は、その半径分を超えてエッチングされると、シリカ粒子４１により被覆されていたピラー状のパターンの先端の周縁部がエッチングされ、側壁が湾曲面として形成される。そして、すべてのシリカ粒子４１が消失してしまう前にエッチング処理を終了する。これにより、図３（Ａ）〜（Ｆ）に示す種々の形状を有する微細凸部３がシリコン基板２０の第１面２０Ａ側に形成される。
【００６６】
上述したように、本実施形態において、シリカ粒子４１がその半径分エッチングされるまでの間は、シリカ粒子４１の直径に対応した寸法を有するピラー状のパターンが形成され、その後ピラー状のパターンの先端の周縁部がエッチングされるため、略柱状の第１領域３１と、少なくとも側壁３４が湾曲面により構成される第２領域３２とを含む微細凸部３が形成される。そのため、第１領域３１の幅Ｗ31は、エッチングマスクとしてのシリカ粒子４１の直径と実質的に同一となり、第１領域３１の高さＨ31は、シリカ粒子４１の半径とエッチング選択比との積により表される。よって、第１領域３１の高さＨ31は、微細凸部３の軸方向中間部の幅Ｗ31との関係において下記式の関係により表され得る。
１．５Ｗ31≦Ｈ31≦５Ｗ31
【００６７】
最後に、フッ酸（ＨＦ）等を用いて、微細凸部３上に残存するシリカ粒子４１をエッチングして除去する。これにより、本実施形態に係るインプリントモールド１が製造され得る。
【００６８】
上述した本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法によれば、レジスト組成物４０中に含まれる、相対的に広い粒径分布を有するシリカ粒子４１をマスクとしたエッチング処理により、所望とする形状の微細凸部３を形成することができるため、金属汚染等を生じさせることなく、再現性の極めて低い微細凸部３を有するインプリントモールド１を安価に製造することができる。
【００６９】
［微細凹凸構造体の製造方法］
本実施形態に係るインプリントモールド１を用いた微細凹凸構造体の製造方法について説明する。図１１は、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いて微細凹凸構造体（微細凹状構造体）としてのレプリカモールドを製造する方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図であり、図１２は、本実施形態におけるレプリカモールドを用いて微細凹凸構造体（微細凸状構造体）を製造する方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、下記のようにして製造される微細凹凸構造体（微細凸状構造体）１''の用途としては、例えば、個体認証物品等が挙げられる。
【００７０】
まずは、微細凹凸構造体１''を製造するために用いられる、微細凹状構造体としてのレプリカモールド１’を、第１及び本実施形態に係るインプリントモールド１を用いて作製する。図１１（Ａ）に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド１の基部２の第１面２Ａ側に形成されてなる微細凸部３を上方に向けて当該インプリントモールド１を載置し、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の硬化性樹脂材料１０’を第１面２Ａ側に塗布する。
【００７１】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、第１面２Ａ側に塗布された硬化性樹脂材料１０’を硬化させて、その後、インプリントモールド１を剥離する。これにより、第１面２Ａ’及びそれに対向する第２面２Ｂ’を有する基部２’と、基部２’の第１面２Ａ’側に形成されてなる微細凹部３’とを備えるレプリカモールド１’が作製される。かかる微細凹部３’は、微細凹凸構造体１''に求められる微細凸部３''に対応するものである。
【００７２】
続いて、図１２（Ａ）に示すように、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の硬化性樹脂１０''にレプリカモールド１’の微細凹部３’を転写する。そして、図１２（Ｂ）に示すように、硬化後の硬化性樹脂１０''からレプリカモールド１’を剥離する。これにより、第１面２Ａ''及びそれに対向する第２面２Ｂ''を有する基部２''と、基部２''の第１面２Ａ''側に形成されてなる微細凸部３''とを備える微細凹凸構造体（微細凸状構造体）１''を製造することができる。
【００７３】
上述のようにして製造される微細凹凸構造体１''は、第１及び本実施形態に係るインプリントモールド１の微細凸部３と略同一形状の微細凸部３''を有する。よって、本実施形態に係るインプリントモールド１から得られる微細凹凸構造体１''によれば、配置、形状、寸法（幅）、高さ等がランダムであり、再現性の極めて低い微細凸部３''を備えるため、個体認証等の用途に用いることができるという効果が奏され得る。
【００７４】
〔適用例〕
本実施形態に係る微細凹凸構造体を適用した物品（製品）の一例について説明する。図１３は、本実施形態に係る微細凹凸構造体を適用した物品の概略構成を示す平面図であり、図１４は、本実施形態に係る微細凹凸構造体を適用した物品の概略構成を示す裏面図である。
【００７５】
図１３及び図１４に示す物品は、例えば、個体認証媒体としてのクレジットカード１００であって、樹脂等の適宜の素材よりなる平板状の基体１０１を備え、基体１０１の第１面１０１Ａ及び第２面１０１Ｂのそれぞれに所定の機能を有する構造が複数設けられている。基体１０１の第１面１０１Ａには、セキュリティ情報等の各種情報が記憶されてなるＩＣチップ１０２と、本実施形態に係る微細凹凸構造体１とが組み込まれている。基体１０１の第２面１０１Ｂには、各種情報が記憶されてなる磁気ストライプ１０３が設けられている。なお、本実施形態において、微細凹凸構造体１を適用した物品としてクレジットカード１００を例に挙げて説明するが、これに限定されるものではなく、例えば、各種個人認証カード、パスポート、運転免許書、各種証券、各種保証書等が挙げられる。
【００７６】
上記クレジットカード１００においては、人工的に再現することが極めて困難な微細凸部３を備える微細凹凸構造体１が組み込まれていることで、当該微細凹凸構造体１の微細凸部３の三次元構造又は平面視構造を認識して識別することにより、個体認証を行うことができる。
【００７７】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、下記の実施例等により何ら限定されるものではない。
【００７９】
〔実施例１〕
平面視略円形のシリコン基板（２００ｍｍφ）の第１面上に、シリカ粒子（平均粒子径（数平均粒子径）：１００ｎｍ，粒径分布：平均粒子径±３０％）と、ノボラック系フェノールポリマーとを含有するレジスト組成物をスピンコートにより塗布し、レジスト組成物膜を形成した。
【００８０】
シリコン基板の第１面上のレジスト組成物膜に対して紫外線を照射してレジスト組成物を硬化させ、酸素プラズマによるアッシング処理により、レジスト組成物の硬化物を除去した。レジスト組成物の硬化物を除去した後、シリコン基板の第１面上には、適度に分散された状態でシリカ粒子が残存していた。
【００８１】
上記シリコン基板を、臭化水素（ＨＢｒ）をエッチングガスとして用いた異方性ドライエッチング処理を行い、シリコン基板の第１面上の一部のシリカ粒子が残存する状態で当該ドライエッチング処理を終了した。そして、シリコン基板の第１面上に形成された微細凸部の先端部（頂部）に残存するシリカ粒子を、フッ酸（ＨＦ）を用いたエッチングにより除去した。
【００８２】
このようにして作製されたインプリントモールドの微細凸部を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。当該電子顕微鏡によるＳＥＭ写真を図１５に示す。図１５に示すように、シリカ粒子をマスクとしたドライエッチング処理を行い、一部のシリカ粒子が残存する状態で当該ドライエッチング処理を終了することで、図３（Ａ）〜（Ｆ）に示す形状を有し、配置、寸法（幅Ｗ3）、高さＨ3がランダムな微細凸部３を備えるインプリントモールドを製造可能であることが確認された。
【符号の説明】
【００８３】
１…インプリントモールド（微細凹凸構造体）
１’…レプリカモールド（微細凹状構造体）
１''…微細凸状構造体
２，２’，２''…基部
２Ａ，２Ａ’，２Ａ''…第１面
２Ｂ，２Ｂ’，２Ｂ''…第２面
３，３''…微細凸部
３１…第１領域
３２…第２領域
３’…微細凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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