(57)【要約】【課題】一次成形体と二次成形樹脂とを有してなる二次成形体構造とされつつ、一次成形体のクラックや反りが抑制された半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】半導体チップ１２と一次成形樹脂１３とを有してなる一次成形体１０と、一次成形体が挿入される挿入穴２１が形成された筐体部品２０と、樹脂材料によりなり、一次成形体１０の表面のうち挿入穴２１から露出した領域と筐体部品２０の表面のうち挿入穴２１を囲む領域を含む一部の領域とを一体的に覆う二次成形樹脂３０と、を備え、一次成形体１０の一部が挿入穴２１に挿入された半導体装置とする。当該半導体装置の製造方法は、挿入穴２１に一次成形体１０を嵌め込んだ後で二次成形樹脂３０のインサート成形をすることを含む。これにより、一次成形体１０にかかる荷重を筐体部品２０で吸収し、二次成形体構造とされつつも、一次成形体１０のクラック等が抑制された半導体装置となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量を検出する検出部を有する半導体チップ（１２）と樹脂材料によりなる一次成形樹脂（１３）とを有してなる一次成形体（１０）と、
前記一次成形体が挿入されるための挿入穴（２１）が形成された筐体部品（２０）と、
樹脂材料によりなり、前記一次成形体の表面のうち前記挿入穴から露出した領域と前記筐体部品の表面のうち前記挿入穴を囲む領域を含む一部の領域とを一体的に覆う二次成形樹脂（３０）と、を備え、
前記一次成形体のうち前記半導体チップを含む部分は、前記挿入穴に挿入されている半導体装置。
【請求項２】
前記挿入穴の内部には、前記挿入穴が伸びる方向を挿入方向とし、前記一次成形体の表面のうち前記挿入方向における面を挿入面（１０ａ）として、前記挿入面のうち前記挿入方向に沿って突き出た先端部（１０ｂ）と異なる部分に接触し、前記一次成形体を受け止めるための押さえ面（２１ａ、２９ａ）が形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記押さえ面（２１ａ）は、前記挿入穴を前記挿入方向から見たときの前記挿入穴の底面である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記押さえ面（２９ａ）は、前記挿入穴を前記挿入方向から見たときの前記挿入穴の内壁面に形成され、前記内壁面から前記挿入方向と交差する方向に突き出した突起（２９）のうち前記挿入面側の面である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記筐体部品は、前記挿入方向から見て、前記底面のうち前記先端部と重なる領域に前記底面から前記挿入方向に向かって窪んだ窪み部（２２）が形成されている請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記押さえ面には、前記一次成形体に向かって突出して形成されると共に、前記挿入面のうち前記先端部と異なる部分に接触し、前記一次成形体を受け止める受け止め部（２１ｃ）が形成されている請求項２ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記挿入穴が伸びる方向を挿入方向として、前記挿入穴を前記挿入方向から見たときの前記挿入穴の内壁面には、前記挿入方向を軸とする径方向における寸法が前記突出方向に向かうにつれて大きくなる勾配面（２７）が形成されており、
前記一次成形体は、前記勾配に沿って前記径方向における寸法が大きくなる勾配追従突起（１５）が形成されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記挿入穴が伸びる方向を挿入方向として、前記挿入穴を前記挿入方向から見たときの前記挿入穴の内壁面と前記一次成形体との隙間が２００μｍ以下である請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記筐体部品は、前記挿入穴が伸びる方向を挿入方向として、前記挿入方向から見て、前記挿入穴の内壁面には前記挿入方向を軸とする径方向に沿って突き出すリブ（２６）が形成されている請求項１ないし８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記一次成形体は、前記挿入穴が伸びる方向を挿入方向として、前記挿入方向を軸とする径方向に沿って突き出たバリ抑制突起（１６）が形成されると共に、前記バリ抑制突起が前記挿入穴に挿入されている請求項１ないし９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記筐体部品は、樹脂材料によりなる弾性体である請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記筐体部品は、前記二次成形樹脂と同じ樹脂材料によりなる請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
物理量を検出する検出部を有する半導体チップ（１２）と樹脂材料によりなる一次成形樹脂（１３）とを有してなる一次成形体（１０）を用意することと、
前記一次成形体を挿入するための挿入穴（２１）が形成された筐体部品（２０）を用意することと、
前記一次成形体を前記挿入穴に挿入して前記筐体部品に嵌め込むことと、
前記一次成形体を前記筐体部品に嵌め込んだものを、金型（１００、１０１、１０２）にセットした後、樹脂材料をインサート成形により前記金型に流し込み、冷却して硬化させることで、前記一次成形体のうち前記挿入穴から露出した露出部分と前記筐体部品の表面のうち前記挿入穴を囲む領域を含む一部の領域とを一体的に覆う二次成形樹脂（３０）を成形することと、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記筐体部品を用意することにおいては、前記挿入穴の内部に前記一次成形体を受け止めるための押さえ面（２１ａ、２９ａ）が形成された前記筐体部品を用意し、
前記二次成形樹脂を成形することにおいては、前記挿入穴が伸びる方向を挿入方向とし、前記一次成形体の表面のうち前記挿入方向における面を挿入面（１０ａ）として、前記挿入面のうち前記挿入方向に沿って突き出た先端部（１０ｂ）と異なる部分が前記押さえ面に接触して前記一次成形体を受け止めることで、前記二次成形樹脂を構成する前記樹脂材料を前記金型内に注入した際に前記一次成形体にかかる前記挿入方向における荷重を吸収する請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
物理量を検出する検出部を有する半導体チップ（１２）と、樹脂材料によりなり、前記半導体チップのうち検出部と異なる領域を封止する一次成形樹脂（１３）と、を有してなる一次成形体（１０）を用意することと、
前記一次成形体のうち前記一次成形樹脂から露出した前記半導体チップに弾性体によりなる保護キャップ（５０）を取り付けることと、
前記保護キャップが取り付けられた前記一次成形体を金型にセットして、樹脂材料をインサート成形により前記金型に流し込み、冷却して硬化させることで、前記一次成形体のうち前記保護キャップが取り付けられた部分の反対側を覆う二次成形樹脂（３０）を形成することと、
前記一次成形体のうち前記二次成形体から露出する部分を挿入するための挿入穴（２１）が形成された筐体部品（２０）を用意することと、
前記二次成形樹脂により一部を封止された前記一次成形体から前記保護キャップを取り外した後、これを前記筐体部品に嵌め込むことと、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次成形体を備える半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、物理量を検出する検出部を有する半導体チップを備える一次成形体と、一次成形体のうち検出部と異なる部分を覆う二次成形樹脂と、二次成形樹脂に取り付けられる筐体部品とを有してなる半導体装置が知られている。このような構成において、一次成形体は、半導体チップと、半導体チップのうち検出部と異なる領域を覆う一次成形樹脂とを有してなる。このような半導体装置およびその製造方法としては、例えば特許文献１に記載のものが知られている。
【０００３】
特許文献１に記載の半導体装置は、圧力を検出する検出部を有する半導体チップと熱硬化性樹脂によりなる一次成形樹脂とを備える一次成形体と、一次成形体のうち半導体チップと異なる領域を覆う二次成形樹脂と、フランジ形状の筐体部品とを備える。そして、筐体部品は、半導体チップを覆うためのドーム状の収容空間と当該空間に繋がる中空部が形成され、二次成形樹脂から露出した半導体チップが収容空間を形成した部分に覆われるように一次成形体および二次成形樹脂とシール材を介して接合されている。なお、フランジ形状の筐体部品は、収容空間が形成された部分の径が、中空部が形成された部分の径よりも大きいものとされている。
【０００４】
特許文献１に記載の半導体装置は、一次成形体を上型、下型およびスライド型によりなる金型のうち下型に固定した後、インサート成形により熱可塑性樹脂材料を流し込んで硬化させることで、一次成形体の一部を覆う二次成形樹脂を成形する工程を含む。この工程により、一次成形体のうち半導体チップが二次成形樹脂から露出すると共に、一次成形樹脂と二次成形樹脂との間に筐体部品と接合するためのシール材の充填に用いられる環状の溝が形成された二次成形体が得られる。そして、この二次成形体の溝にシール材を充填した後、当該シール材を介して二次成形体と上記の筐体部品とを接合することで、上記のような半導体装置を製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４７１７０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の二次成形体を備える半導体装置では、一次成形樹脂、二次成形樹脂および筐体部品の３つの部材が１つのシール材により接合されている。そのため、これら３つの部材の線膨張係数がそれぞれ異なる場合には、熱による応力の緩和のために、シール材の材料の線膨張係数を調整することが必要であるが、その調整が難しく、半導体装置の接合の信頼性が低くなり得る。
【０００７】
また、上記の製造工程では、一次成形体を金型のうち下型にセットして、二次成形樹脂をインサート成形により成形するため、二次成形樹脂の材料を金型内に注入した際の荷重が一次成形体にかかってしまい、一次成形体に反りやクラックが生じる懸念がある。具体的には、上記の製造工程では、一次成形体を硬い下型にセットした後に二次成形樹脂の材料を注入するため、一次成形体にかかる当該材料注入による荷重の逃げ場がない。また、一次成形体をセットする下型と一次成形体との接触面積が小さいため、二次成形樹脂の材料注入の際に、一次成形体を固定する作用が弱い。これらの要因により、一次成形体にクラックや反りが発生してしまうと、一次成形体のクラックや反りを有する半導体装置となり得る。
【０００８】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、一次成形体と二次成形樹脂とを有してなる二次成形体を備える構造とされつつも、一次成形体のクラックや反りが抑制された半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の半導体装置は、物理量を検出する検出部を有する半導体チップ（１２）と樹脂材料によりなる一次成形樹脂（１３）とを有してなる一次成形体（１０）と、一次成形体が挿入されるための挿入穴（２１）が形成された筐体部品（２０）と、樹脂材料によりなり、一次成形体の表面のうち挿入穴から露出した領域と筐体部品の表面のうち挿入穴を囲む領域を含む一部の領域とを一体的に覆う二次成形樹脂（３０）と、を備える。そして、一次成形体のうち半導体チップを含む部分は、挿入穴に挿入されている。
【００１０】
これにより、一次成形体が筐体部品の挿入穴に挿入されつつ、一次成形体の表面のうち挿入穴から露出した部分と筐体部品の表面のうち挿入穴を囲む部分を二次成形樹脂が覆う構造とされた半導体装置となる。そのため、筐体部品が二次成形樹脂と広い面積で接合され、筐体部品が一次成形樹脂と二次成形樹脂との境界領域にてこれらとシール材を介して接合された従来の半導体装置（以下、単に「従来の半導体装置」という）に比べて接合の信頼性の高い半導体装置となる。
【００１１】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法は、物理量を検出する検出部を有する半導体チップ（１２）と樹脂材料によりなる一次成形樹脂（１３）とを有してなる一次成形体（１０）を用意することと、一次成形体を挿入するための挿入穴（２１）が形成された筐体部品（２０）を用意することと、一次成形体を挿入穴に挿入して筐体部品に嵌め込むことと、一次成形体を筐体部品に嵌め込んだものを、金型（１００、１０１、１０２）にセットした後、樹脂材料をインサート成形により金型に流し込み、冷却して硬化させることで、一次成形体のうち挿入穴から露出した露出部分と筐体部品の表面のうち挿入穴を囲む領域を含む一部の領域とを一体的に覆う二次成形樹脂（３０）を成形することと、を含む。
【００１２】
これにより、一次成形体を筐体部品に挿入した後に二次成形樹脂がインサート成形により成形されるため、二次成形樹脂を金型内に注入する際に一次成形体にかかる荷重を筐体部品で吸収して緩和することができ、一次成形体でのクラックが抑制される。また、筐体部品の挿入穴に一次成形体を挿入して嵌合した後に、二次成形樹脂の材料を注入するため、一次成形体を固定する作用が強く、当該材料注入の荷重による反りが抑制される。その結果、従来の半導体装置に比べて、一次成形体のクラックや反りが抑制されると共に、二次成形樹脂と筐体部品とが広い面積で接合された接合信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１３】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法は、物理量を検出する検出部を有する半導体チップ（１２）と、樹脂材料によりなり、半導体チップのうち検出部と異なる領域を封止する一次成形樹脂（１３）と、を有してなる一次成形体（１０）を用意することと、一次成形体のうち一次成形樹脂から露出した半導体チップに弾性体によりなる保護キャップ（５０）を取り付けることと、保護キャップが取り付けられた一次成形体を金型にセットして、樹脂材料をインサート成形により金型に流し込み、冷却して硬化させることで、一次成形体のうち保護キャップが取り付けられた部分の反対側を覆う二次成形樹脂（３０）を形成することと、一次成形体のうち二次成形体から露出する部分を挿入するための挿入穴（２１）が形成された筐体部品（２０）を用意することと、二次成形樹脂により一部を封止された一次成形体から保護キャップを取り外した後、これを筐体部品に嵌め込むことと、を含む。
【００１４】
これにより、筐体部品に一次成形体をセットしたまま、二次成形樹脂をインサート成形できない場合であっても、一次成形体の反りやクラックが従来の半導体装置に比べて少ない半導体装置を製造することができる。具体的には、一次成形体のうち半導体チップに弾性体によりなる保護キャップを取り付けた後に二次成形樹脂をインサート成形しても、保護キャップが一次成形体にかかる荷重を緩和するため、一次成形体に反りやクラックが発生しにくい。このようにして成形した一次成形体の一部を二次成形樹脂が覆う二次構造体から保護キャップを取り外した後、筐体部品に嵌め込むことで一次成形体の反りやクラックが従来の半導体装置に比べて少ない半導体装置を製造することができる。
【００１５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１中に示すＩＩ−ＩＩ間の断面において、一次成形体と筐体部品とのクリアランスについて示す断面図である。
【図３】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】第１実施形態の半導体装置の製造工程での一次成形体と筐体部品との嵌合において、一次成形体と筐体部品との線膨張係数差およびこれらのクリアランスを調整し、筐体部品によって一次成形体の位置ズレを抑制した様子について示す図である。
【図５】第２実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【図６】図５中の領域Ｒにおいて形成された筐体部品の受け止め部について示す拡大断面図である。
【図７】図５中のＶＩＩ−ＶＩＩ間の断面において、筐体部品の挿入穴に形成されたリブについて示す断面図である。
【図８】第３実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【図９】第４実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【図１０】第５実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【図１１】第６実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【図１２】第６実施形態の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図１３】第６実施形態の半導体装置の製造工程において使用する他の金型の例を示す断面図である。
【図１４】他の実施形態の半導体装置の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１８】
（第１実施形態）
第１実施形態の半導体装置について、図１〜図４を参照して述べる。図２では、後述する挿入穴２１に挿入された一次成形体１０の外郭線を一点鎖線で示している。
【００１９】
本実施形態では、圧力センサとされた半導体装置を例に挙げて説明する。なお、本実施形態の圧力センサは、例えば、自動車のエンジンを被取付部材として取り付けられ、当該エンジンにおける燃焼室内の圧力を検出するのに利用されると好適である。
【００２０】
本実施形態の半導体装置は、図１に示すように、半導体チップ１２を備える一次成形体１０と、一次成形体１０の一部が挿入された筐体部品２０と、一次成形体１０の一部および筐体部品２０の一部を一体的に覆う二次成形樹脂３０とを有してなる。
【００２１】
一次成形体１０は、図１に示すように、回路基板１１と、回路基板１１上に搭載された半導体チップ１２と、回路基板１１の一部を封止する一次成形樹脂１３と、回路基板１１と電気的に接続された電気接続部材１４とを有してなる。そして、回路基板１１のうち半導体チップ１２が搭載された側を一端１１ａとして、回路基板１１のうち一端１１ａの反対側の他端１１ｂは、一次成形樹脂１３から露出すると共に、電気接続部材１４と電気的に接続されている。また、半導体チップ１２は、本実施形態では、半導体チップ１２が搭載された回路基板１１の一面に対する法線方向において一次成形樹脂１３から露出している。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態では、一次成形樹脂１３のうち回路基板１１の一端１１ａ側を覆う領域を一端側１３ａとし、その反対側を他端側１３ｂとして、一次成形体１０のうち一端側１３ａが後述する筐体部品２０に形成された挿入穴２１に挿入されている。一次成形体１０のうち他端側１３ｂは、本実施形態では、筐体部品２０の挿入穴２１から突出し、筐体部品２０から露出している。筐体部品２０から露出した一次成形体１０の他端側１３ｂのうち電気接続部材１４の端部１４ａを除く残部は、後述する二次成形樹脂３０により覆われている。そして、電気接続部材１４の端部１４ａは、二次成形樹脂３０から突出し、二次成形樹脂３０から露出している。
【００２３】
一次成形体１０は、例えば、半導体チップ１２が搭載され、電気接続部材１４と電気的に接続された回路基板１１を図示しない金型にセットし、一次成形樹脂１３をトランスファー成形やコンプレッション成形等の成形および熱硬化処理を行うことで形成される。
【００２４】
なお、ここでいう「一次成形」とは、後述する二次成形樹脂３０を成形する工程を二次成形と捉えた場合、その前工程である一次成形体１０を成形する工程を意味する。
【００２５】
回路基板１１は、一面を有し、その一面上に半導体チップ１２が搭載されている。回路基板１１のうち半導体チップ１２が搭載されている一端１１ａ側が一次成形樹脂１３により封止されると共に、その反対側である他端１１ｂ側が一次成形樹脂１３から露出している。
【００２６】
なお、回路基板１１は、基板に導電材料によりなる回路配線が形成されたものであってもよいし、金属によりなる金属板を加工して得られるアイランド部とリード部とを有するリードフレームであってもよい。
【００２７】
半導体チップ１２は、例えばＳｉ等の半導体材料によりなり、導電性接着剤等を介して回路基板１１上に搭載されている。例えば、半導体チップ１２は、周囲の測定媒体の圧力、磁気、光量等物理量に応じた電気出力を発生するように構成された検出部を備えており、ワイヤ等により回路基板１１と電気的に接続されると共に、公知の半導体プロセスにより形成される。半導体チップ１２は、本実施形態では、圧力を検出する検出部を備え、測定媒体に晒されるように一次成形樹脂１３から露出している。そして、半導体チップ１２は、図１に示すように、後述する筐体部品２０の内部空間２４に面するように配置され、筐体部品２０の内部空間２４へ繋がる開口部２４ａから導入される測定媒体の圧力に応じた電気信号を出力する。
【００２８】
一次成形樹脂１３は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂によりなり、図１に示すように回路基板１１の一部を覆うと共に、半導体チップ１２を露出させるための凹部１３ｃが形成されている。一次成形樹脂１３は、例えばトランスファー成形やコンプレッション成形等の成形および熱硬化処理を行うことにより形成される。
【００２９】
なお、一次成形樹脂１３には、線膨張係数の調整等の観点から、必要に応じて、シリカやアルミナ等の絶縁性材料によりなるフィラーが含有されていてもよい。また、後述する二次成形樹脂３０との密着性向上の観点から、二次成形樹脂３０に添加剤を含有させる場合には、当該添加剤と官能基を有する他の添加剤が添加されていてもよい。
【００３０】
電気接続部材１４は、図示しない導電性接着剤等を介して、一次成形樹脂１３から露出した回路基材１１の他端１１ｂ側と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、電気接続部材１４としてターミナル端子を用いた例を示しているが、回路配線が形成された回路基板を電気接続部材１４として用いてもよい。
【００３１】
筐体部品２０は、後述する製造工程において一次成形体１０を挿入して嵌め込んで固定しつつ、二次成形樹脂３０のインサート成形時に一次成形体１０にかかる荷重を吸収することで、一次成形体１０の反りやクラック等の発生を抑制する役割を果たす。
【００３２】
筐体部品２０は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂やＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の熱可塑性樹脂等の樹脂材料によりなる弾性体であり、トランスファー成形や射出成形等の成形および熱処理等を行うことにより形成される。筐体部品２０は、一次成形体１０の挿入時における位置ズレ抑制や上記の一次成形体１０にかかる荷重の吸収等の観点から、一次成形体１０のうち一次成形樹脂１３の材料よりも弾性率や線膨張係数が大きい材料により構成されることが好ましい。筐体部品２０による一次成形体１０にかかる荷重の吸収等の作用については、後述する製造工程にて詳しく説明する。
【００３３】
なお、筐体部品２０は、線膨張係数の調整の観点から、Ｓｉ等の絶縁材料等によるフィラーが添加されてもよい。また、筐体部品２０は、二次成形樹脂３０との密着向上の観点から、二次成形樹脂３０に官能基を有する添加剤を添加する場合には、当該官能基と反応する官能基を有する添加剤が添加されていてもよい。
【００３４】
筐体部品２０は、図１に示すように、一次成形体１０のうち半導体チップ１２を含む部分を挿入するための挿入穴２１が形成されている。そして、一次成形体１０の表面のうち挿入穴２１が伸びる方向（以下「挿入方向」という）における面を挿入面１０ａとして、挿入方向から挿入穴２１を見たときの挿入穴２１の底面２１ａは、挿入面１０ａの一部と接触している。
【００３５】
具体的には、挿入面１０ａのうち挿入方向において突き出た先端部１０ｂと異なる部分が底面２１ａに接触している。すなわち、底面２１ａは、本実施形態では、挿入穴２１に挿入された一次成形体１０の挿入面１０ａの一部を受け止める押さえ面とされている。また、底面２１ａは、挿入方向に沿って窪んだ窪み部２２が形成されている。これは、後述する製造工程において先端部１０ｂと底面２１ａとが接触したまま、二次成形樹脂３０がインサート成形されることにより、荷重が先端部１０ｂにかかることを抑制し、一次成形体１０の損傷等を防ぐためである。この詳細については、製造工程の説明にて後述する。
【００３６】
図２に示すように、挿入穴２１を挿入方向から見たときの挿入穴２１の内壁面２１ｂと一次成形体１０との隙間Ｄは、２００μｍ以下とされることが好ましい。隙間Ｄが２００μｍを超える場合、一次成形体１０を挿入穴２１に挿入した時や二次成形樹脂３０のインサート成形時における一次成形体１０の位置ズレや二次成形樹脂材料３０ａが当該隙間に過剰に侵入することによる樹脂バリの発生等の不具合が生じ得るためである。
【００３７】
筐体部品２０は、図１に示すように、挿入方向を軸とする径方向（以下、単に「径方向」という）における寸法が他の筐体部品２０の部分の径方向における寸法よりも小さくされた筐体シール部２３が形成されている。
【００３８】
筐体シール部２３は、挿入方向から見たとき、略四角形の枠体状とされ、距離を隔てて一次成形体１０のうち一次成形樹脂１３を囲むように形成されている。筐体シール部２３は、図１に示すように、筐体部品２０のうち挿入穴２１を囲む領域を含む領域であって、一次成形体１０のうち挿入穴２１から露出した部分と共に二次成形樹脂３０により覆われている。筐体シール部２３は、本実施形態では、二次成形樹脂３０により覆われることで、半導体チップ１２にかかる圧力が挿入穴２１から外部に漏れないようにシールされた圧力シール部とされている。
【００３９】
なお、筐体部品２０は、二次成形樹脂３０と密着するのであれば、二次成形樹脂３０と異なる材料により構成されていてもよいが、二次成形樹脂３０と同じ材料により構成されることが好ましい。これは、筐体シール部２３の表面が同じ材料同士が一体化して接合される領域となることで、二次成形樹脂３０の表面との明確な界面が生じない状態となり、二次成形樹脂３０との密着性が向上し、挿入穴２１からの圧力漏れを抑制できるためである。
【００４０】
また、挿入方向から見て、筐体シール部２３の外周部には、図１に示すように、二次成形樹脂３０との密着性を高めるための凸部２３ａが形成されていてもよいし、凸部２３ａに限らず、アンカー効果を発揮する凹凸が形成された粗化領域等が形成されていてもよい。
【００４１】
筐体部品２０は、例えば図示しない燃料パイプ等の被取付対象に直接取り付けられるもので、外周面に被取付対象に取り付けた際のシールをするためのＯリング４０取付用の溝２５が形成されている。このように、例えば燃料パイプに取り付けることによって開口部２４ａが燃料パイプ内と連通して、内部空間２４への測定媒体の導入が可能となる。
【００４２】
なお、上記の例では、外部の被取付対象への取付とシールについて説明したが、筐体部品２０に外部の被取付対象への取付が可能な構造が形成されていればよく、必要に応じてシール用のＯリング４０が取り付けられてもよい。例えば、筐体部品２０は、外部の被取付対象と螺合して取り付けるためのネジが形成されてもよいし、他の取付構造が形成されてもよい。
【００４３】
二次成形樹脂３０は、例えば、ＰＰＳやＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の熱可塑性樹脂等の樹脂材料等により構成される。なお、二次成形樹脂３０は、一次成形樹脂１３や筐体部品２０と同様に、絶縁性材料などによるフィラーや添加剤が添加されていてもよい。
【００４４】
二次成形樹脂３０は、一次成形体１０の表面のうち挿入穴２１から露出する部分（以下「一次成形体露出部」という）および筐体部品２０のうち筐体シール部２３を覆う部材である。つまり、二次成形樹脂３０は、一次成形体露出部および筐体シール部２３と密着しており、これら２つの部位との界面で圧力シール部を形成している。二次成形樹脂３０は、例えば一次成形体１０を筐体部品２０の挿入穴２１に挿入したものを金型にセットした後に、溶融した熱可塑性樹脂材料等を流し込んで冷却して硬化するインサート成形により形成される。
【００４５】
以上が、本実施形態の半導体装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の半導体装置の製造工程について、図３、図４を参照して説明する。図４では、後述する二次成形樹脂３０のインサート成形時における筐体部品２０による一次成形体１０の位置ズレ抑制を分かり易くするため、一次成形体１０の一部、二次成形樹脂材料３０ａおよび金型については省略している。
【００４６】
まず、図３（ａ）に示す一次成形体１０を用意する。一次成形体１０は、例えば、回路基板１１を図示しない金型を用いて一次成形樹脂１３によりモールドした後に、当該回路基板１１のうち凹部１３ｃに半導体チップ１２を実装し、電気接合部材１４と接続することで得られる。
【００４７】
その後、挿入穴２１が形成された筐体部品２０を用意し、図３（ｂ）に示すように、挿入穴２１に一次成形体１０を挿入する。このとき、図２に示すように、挿入穴２１を挿入方向から見たときの内壁面２１ｂと一次成形体１０との隙間Ｄを２００μｍ以下とする。このように、内壁面２１ｂと一次成形体１０との隙間Ｄを２００μｍ以下の低クリアランスとし、挿入穴２１に一次成形体１０を嵌め込むことにより、一次成形体１０の位置ズレを抑制できる。
【００４８】
この際、次の二次成形樹脂３０のインサート成形における金型内での加熱によって、隙間Ｄが狭まって筐体部品２０が一次成形体１０を押さえ付けるようにするために、筐体部品２０および一次成形樹脂１３の材料の線膨張係数を調整することが好ましい。これは、図４に示すように、次工程の二次成形樹脂３０のインサート成形時に金型で筐体部品２０および一次成形体１０が加熱される際に、筐体部品２０の熱膨張により一次成形体１０が押さえ付けられ、一次成形体１０の位置ズレを抑制することができるためである。
【００４９】
具体的には、例えば、加熱に伴う熱膨張によって隙間Ｄが狭くなるように、筐体部品２０を線膨張係数が大きな材料で構成しつつ、一次成形体１０のうち一次成形樹脂１３を筐体部品２０の材料よりも線膨張係数の小さい材料で構成する。これにより、筐体部品２０および一次成形体１０が金型内で加熱された際に、筐体部品２０の寸法変化により図４に示す矢印の向きの力、すなわち一次成形体１０を押さえ付ける力が生じ、この力を利用して一次成形体１０の位置ズレを抑制できる。
【００５０】
また、図３（ｂ）に示すように、一次成形体１０を挿入穴２１に挿入したとき、挿入方向から見て、一次成形体１０のうち挿入面１０ａの先端部１０ｂが筐体部品２０に形成された窪み部２２上になるようにすることが好ましい。言い換えると、一次成形体１０の先端部１０ｂが筐体部品２０の底面２１ａに接触しないようにすると共に、一次成形体１０の挿入面１０ａのうち先端部１０ｂと異なる部分を底面２１ａに接触させることが好ましい。これは、後述する二次成形樹脂３０のインサート成形時に一次成形体１０にかかる荷重が先端部１０ｂに集中することを回避し、回路基板１１およびこれに搭載された半導体チップ１２等に残留応力が生じることによる半導体装置の信頼性の低下を回避するためである。
【００５１】
具体的には、一次成形体１０は、挿入方向のうち先端部１０ｂを通る直線上に回路基板１１が配置されているため、先端部１０ｂと筐体部品２０の底面２１ａとが接触することにより先端部１０ｂに過剰に荷重がかかると、回路基板１１にもその力が伝わってしまう。すると、回路基板１１に挿入方向の反対方向に力がかかり、回路基板１１に残留応力が生じ、回路基板１１上に搭載された半導体チップ１２等にもその影響が生じ得る。その結果、一次成形体１０の損傷等の不具合が生じることが懸念される。
【００５２】
そこで、先端部１０ｂが筐体部品２０の底面２１ａに接触しないように、筐体部品２０の底面２１ａに窪み部２２を設け、一次成形体１０の挿入面１０ａのうち先端部１０ｂと異なる部分を底面２１ａに接触させることで、上記の不具合が生じるのを回避できる。
【００５３】
その後、図３（ｃ）に示すように、例えば、筐体部品２０に一次成形体１０が挿入されたものを上型１００、下型１０１およびスライド型１０２によりなる金型にセットし、熱可塑性樹脂によりなる二次成形樹脂材料３０ａを当該金型内に注入する。これにより、二次成形樹脂材料３０ａが、一次成形体１０のうち一次成形体露出部から電気接合部材１４の端部１４ａを除く部分および筐体部品２０の表面のうち挿入穴２１を囲む領域を含む一部を覆った状態となる。その後、二次成形樹脂材料３０ａを硬化させることで、一次成形体１０の一部および筐体部品２０の一部を覆う二次成形樹脂３０が得られ、図１に示す本実施形態の半導体装置を製造できる。
【００５４】
本実施形態の半導体装置によれば、一次成形体１０が筐体部品２０の挿入穴２１に挿入されつつ、一次成形体１０のうち一次成形体露出部と筐体部品２０のうち筐体シール部２３とを二次成形樹脂３０が覆う構造となる。そのため、筐体部品２０が二次成形樹脂３０と広い面積で接合されるため、従来の半導体装置に比べて接合の信頼性の高い半導体装置となる。また、一次成形体１０が筐体部品２０の挿入穴２１に挿入された構造であるため、従来の半導体装置に比べて、一次成形体１０の反りが抑制された半導体装置となる。
【００５５】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、一次成形体１０を筐体部品２０の挿入穴２１に挿入した後に二次成形樹脂３０をインサート成形するため、二次成形樹脂３０を金型内に注入する際、一次成形体１０にかかる荷重は挿入方向に沿ったものとなる。そして、樹脂材料等の弾性体で構成された筐体部品２０が、挿入穴２１の底面２１ａで一次成形体１０を受け止めることにより、一次成形体１０にかかる荷重を吸収する。そのため、当該半導体装置の製造工程において、一次成形体１０にかかる二次成形樹脂材料３０ａによる荷重を緩和でき、一次成形体１０でのクラック発生が抑制される。
【００５６】
また、筐体部品２０に一次成形体１０を挿入して、筐体部品２０のうち筐体シール部２３と二次成形樹脂３０とが接合されるため、従来の半導体装置に比べて接合面積が大きくなり、接合信頼性が高い半導体装置を製造できる。
【００５７】
さらに、筐体部品２０の挿入穴２１に一次成形体１０を挿入して二次成形樹脂３０のインサート成形をするため、一次成形体１０が一面だけでなく外周面全体で固定されると共に、一次成形体１０にかかる荷重が挿入方向に限定される。そのため、従来の半導体装置に比べて、当該インサート成形の荷重による一次成形体１０の反りが抑制された半導体装置を製造できる。
【００５８】
（第２実施形態）
第２実施形態の半導体装置について、図５〜図７を参照して述べる。図６では、二次成形樹脂３０のインサート成形における一次成形体１０への荷重の吸収について分かり易くするために、図５中に示す領域Ｒ以外の要素については省略している。また、図７では、挿入穴２１に挿入された一次成形体１０の外郭線を一点鎖線で示している。
【００５９】
本実施形態の半導体装置は、図５もしくは図６に示すように、筐体部品２０の挿入穴２１の底面２１ａに窪み部２２が形成されておらず、二次成形樹脂３０のインサート成形時に一次成形体１０にかかる荷重を吸収するための受け止め部２１ｃが形成されている。また、本実施形態の半導体装置は、図７に示すように挿入穴２１の内壁面２１ｂに、一次成形体１０に向かって突き出し、一次成形体１０の位置ズレを抑制するためのリブ２６が形成されている。本実施形態の半導体装置は、これらの点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、これらの相違点について主に説明する。
【００６０】
筐体部品２０は、図５もしくは図６に示すように、挿入穴２１の底面２１ａから挿入方向の反対方向に向かって突き出し、二次成形樹脂３０のインサート成形において一次成形体１０にかかる荷重を吸収するための受け止め部２１ｃが形成されている。
【００６１】
受け止め部２１ｃは、図６（ａ）に示すように、一次成形体１０が挿入穴２１に挿入される前においては、挿入方向の反対方向に向かって突き出した形状とされている。そして、受け止め部２１ｃは、図６（ａ）に示すように、一次成形体１０が挿入された後の二次成形樹脂３０のインサート成形時においては、一次成形体１０にかかる荷重を受けて変形し、当該荷重を吸収する働きをする。この際、受け止め部２１ｃは、上記第１実施形態における底面２１ａと同様に、一次成形体１０のうち挿入面１０ａのうち先端部１０ｂと異なる部分と接触し、先端部１０ｂに荷重がかからない配置とされている。
【００６２】
なお、受け止め部２１ｃの形状、高さおよび数等については、任意であり、一次成形体１０の先端部１０ｂに荷重がかからないのであれば、他の形状等とされていてもよい。このように、筐体部品２０は、受け止め部２１ｃが底面２１ａに形成される場合等には、窪み部２２が底面２１ａに形成されていなくてもよい。
【００６３】
筐体部品２０の内壁面２１ｂには、図７に示すように、径方向に対して突き出すと共に、挿入穴２１に挿入される一次成形体１０の位置ズレを抑制するためのリブ２６が形成されている。リブ２６が形成されている部分以外においては、内壁面２１ｂと一次成形体１０との隙間Ｄは、上記第１実施形態と同様に２００μｍ以下とされていることが好ましい。言い換えると、このような隙間Ｄとされた場合、リブ２６は、内壁面２１ｂのうち当該リブが形成された一面に対する法線方向における高さが２００μｍ以下とされる。
【００６４】
なお、本実施形態においても筐体部品２０を樹脂材料等によりなる弾性体により構成することで、リブ２６が形成された筐体部品２０を図示しない金型を用いて成形しても、当該金型から容易に引き抜くことができる。また、リブ２６の形状や形成する数や配置等については、任意であり、図７に示ように断面形状が台形状とされた例に限らず、断面形状が半円形状や他の形状とされてもよく、形成する数や配置等については適宜変更されてもよい。
【００６５】
本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様、一次成形体１０が挿入穴２１に挿入された状態で筐体部品２０が二次成形樹脂３０と広面積で接合された構造のため、従来の半導体装置に比べ、一次成形体１０の反りが少なく、接合信頼性の高い半導体装置となる。また、受け止め部２１ｃにより一次成形体１０にかかる荷重が吸収されると共に、リブ２６により一次成形体１０の位置ズレが抑制される構造であるため、従来の半導体装置に比べて、一次成形体１０のクラック等の不具合がより抑制された半導体装置となる。
【００６６】
また、受け止め部２１ｃおよびリブ２６を備える筐体部品２０を用いることで、一次成形体１０の位置ズレを抑制しつつ、従来の半導体装置に比べて、一次成形体１０のクラック等の不具合がより抑制された半導体装置を安定して製造することができる。
【００６７】
（第３実施形態）
第３実施形態の半導体装置について、図８を参照して述べる。本実施形態の半導体装置は、図８に示すように、筐体部品２０の内壁面２１ｂに挿入方向の反対方向に向かうにつれて径方向の寸法が大きくなる勾配面２７が設けられている。そして、一次成形体１０のうち一次成形樹脂１３に当該勾配に沿って径方向の寸法が大きくなるように勾配追従突起１５が形成されている。本実施形態の半導体装置は、これらの点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、これらの相違点について主に説明する。
【００６８】
筐体部品２０は、例えば、図示しない金型を用いて射出成形等により形成されるが、形成後に当該金型から筐体部品２０を取り出しやすくするために、挿入穴２１に挿入方向の反対方向に向かうにつれて径方向の寸法が大きくなる勾配面２７が設けられている。
【００６９】
このように金型からの取り出しを行いやすい勾配面２７が設けられた筐体部品２０を用いる場合には、図８に示すように、一次成形体１０に勾配面２７に沿って径方向の寸法が大きくされた勾配追従突起１５が形成されていることが好ましい。挿入方向から見たときの内壁面２１ｂと一次成形体１０との隙間が大きくなり過ぎないようにし、一次成形体１０の挿入時や二次成形樹脂３０のインサート成形時における一次成形体１０の位置ズレを抑制できるためである。
【００７０】
なお、勾配追従突起１５は、勾配面２７に沿った形状とされていればよく、一次成形樹脂１３の外周の一部に形成されていてもよいし、全域に形成されていてもよい。また、勾配面２７については、挿入方向の反対方向へ向かう際の傾きが一定とされてもよく、当該傾きが徐々に大きくされてもよいし、段階的に傾きが大きくされてもよい。勾配面２７の傾きについては、任意である。
【００７１】
本実施形態によれば、挿入穴２１に勾配面２７が形成された筐体部品２０を用いたとしても、上記第１実施形態と同様に、従来の半導体装置に比べ、一次成形体１０の反りやクラック等の不具合が少なく、接合の信頼性の高い半導体装置となる。
【００７２】
また、金型から抜きやすい形状とされた挿入穴２１を備えた筐体部品２０を用いることにより、一次成形体１０の反りやクラック等の不具合が少なく、接合の信頼性の高い半導体装置を安定して製造することができる。
【００７３】
（第４実施形態）
第４実施形態の半導体装置について、図９を参照して述べる。本実施形態の半導体装置は、図９に示すように、一次成形体１０にバリ抑制突起１６が形成され、当該バリ抑制突起１６に対応して、挿入穴２１の径方向の寸法が大きくされた大径部２８が筐体部品２０に形成されている点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
【００７４】
バリ抑制突起１６は、一次成形体１０のうち一次成形樹脂１３の外周部分に形成され、当該外周から径方向へと突き出す形状、例えば、図９に示すように断面形状が台形形状とされた環状の突起とされる。バリ抑制突起１６は、二次成形樹脂３０のインサート成形時において挿入穴２１の内壁面２１ｂと一次成形体１０との間に二次成形樹脂材料３０ａが入り込み、樹脂バリが生じることを抑制するために一次成形体１０に形成される。
【００７５】
具体的には、二次成形樹脂３０のインサート成形時にバリ抑制突起１６により、挿入穴２１側への二次成形樹脂材料３０ａの流れがせき止められる。また、二次成形樹脂材料３０ａのうちバリ抑制突起１６を乗り越えたものについては、大径部２８と一次成形体１０との隙間のうちバリ抑制突起１６を超えた先の空間に留まる。そのため、挿入穴２１のうち大径部２８よりも径方向の寸法が小さくされた内壁面２１ｂと一次成形体１０との間に二次成形樹脂材料３０ａが過剰に入り込むことが抑制され、これらの間に樹脂バリが生じることを抑制できる。
【００７６】
筐体部品２０は、本実施形態では、図９に示すように、一次成形体１０が挿入される挿入穴２１のうち挿入方向の反対方向側に、挿入穴２１の径方向における寸法（以下「挿入穴寸法」という）よりも径方向の寸法が大きくされた大径部２８が形成されている。大径部２８の径方向における寸法（以下「大径部寸法」という）は、バリ抑制突起１６の高さ寸法、すなわち一次成形樹脂１３の外周のうちバリ抑制突起１６が形成された一面に対する法線方向における寸法に合わせて調整される。具体的には、大径部寸法は、挿入穴寸法にバリ抑制突起１６の高さ寸法を足して得られる寸法以上とされていればよい。
【００７７】
なお、バリ抑制突起１６は、二次成形樹脂材料３０ａの一部もしくは全部を受け止めることができる形状とされていればよく、図９に示すように断面形状が台形形状とされた例に限られず、断面形状が半円形状とされたり、他の任意の形状とされたりしてもよい。バリ抑制突起１６は、一次成形体１０の外周の一部に断続的に形成されてもよいし、当該外周の全部に連続的に形成されてもよい。また、バリ抑制突起１６の高さ寸法および大径部寸法については、任意の数値とされる。
【００７８】
本実施形態によれば、バリ抑制突起１６により樹脂バリの発生およびこれによる不具合が抑制されると共に、上記第１実施形態と同様に、従来の半導体装置に比べ、一次成形体１０の反りやクラック等の不具合が少なく、接合の信頼性の高い半導体装置となる。
【００７９】
（第５実施形態）
第５実施形態の半導体装置について、図１０を参照して述べる。本実施形態の半導体装置は、図１０に示すように、半導体チップ１２のうち図示しない検出部を含む一部の領域が挿入方向に沿って挿入面１０ａから露出している。また、本実施形態の半導体装置は、挿入穴２１の内壁面２１ｂから挿入方向に沿って交差する方向に突き出した突起２９が形成され、突起２９と挿入面１０ａとが接触した構造とされている。本実施形態の半導体装置は、これらの点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、これらの相違点について主に説明する。
【００８０】
筐体部品２０は、本実施形態では、図１０に示すように、半導体チップ１２のうち検出部を含む一部の領域が挿入面１０ａから露出した構造とされた一次成形体１０と挿入穴２１の底面２１ａとが接触しないように突起２９が形成されている。具体的には、筐体部品２０は、挿入穴２１の内壁面２１ｂに挿入方向と交差する方向に突き出す突起２９が形成されている。
【００８１】
突起２９は、一次成形体１０の挿入面１０ａのうち先端部１０ｂと異なる部分に接触する押さえ面２９ａが形成されている。突起２９は、内壁面２１ｂのうち当該突起２９が形成された一面に対する法線方向における寸法が半導体チップ１２と接触しない程度とされている。つまり、突起２９は、半導体チップ１２が筐体部品２０に接触して破損することを防止しつつ、一次成形体１０の挿入穴２１への挿入時および二次成形樹脂３０のインサート成形時に一次成形体１０を受け止め、一次成形体１０にかかる荷重を吸収する役割を果たす。
【００８２】
なお、突起２９は、半導体チップ１２に接触せず、かつ挿入面１０ａに接触して一次成形体１０を受け止めることができればよく、図１０に示す例に限らず、例えば半導体チップ１２を四方から取り囲むように形成されてもよいし、他の配置で形成されてもよい。
【００８３】
本実施形態によれば、半導体チップ１２の一部が挿入面１０ａから露出した構造とされていても、上記第１実施形態と同様に、従来の半導体装置に比べ、一次成形体１０の反りやクラック等の不具合が少なく、接合の信頼性の高い半導体装置となる。
【００８４】
また、半導体チップ１２が挿入面１０ａから露出した一次成形体１０を用いたとしても、半導体チップ１２の破損を防止しつつ、一次成形体１０の反りやクラック等の不具合が少なく、接合の信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００８５】
（第６実施形態）
第６実施形態の半導体装置について、図１１〜図１３を参照して述べる。本実施形態の半導体装置は、図１１に示すように、一次成形体１０と二次成形樹脂３０とが一体化されたものが金属材料によりなる筐体部品２０に接続された構造とされている点で上記第５実施形態と異なる。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
【００８６】
筐体部品２０は、本実施形態では、例えば一次成形体１０の一部が挿入される中空部２０ｃと収容領域２０ｄとが設けられ、収容領域２０ｄが形成された部分の径が、中空部２０ｃが形成された部分の径よりも大きくされたフランジ形状とされている。筐体部品２０は、図１１に示すように、上記各実施形態と異なり、二次成形樹脂３０の一部を覆うように、一次成形体１０と二次成形樹脂３０とが一体化されたもの（以下、本実施形態において「二次成形体」という）とかしめて接続されている。
【００８７】
具体的には、筐体部品２０は、図１１に示すように、例えば収容領域２０ｄの底面に相当する一面２０ａにおいて、二次成形体とＯリング４０を介してシールされている。また、一次成形体１０のうち半導体チップ１２の検出部を含み、二次成形樹脂３０から露出する部分は、中空部２０ｃに収容されている。そして、半導体チップ１２の検出部は、筐体部品２０に形成され、中空部２０ｃに繋がる開口部２０ｂから導入される測定媒体の圧力に応じた電気出力を出力する。
【００８８】
なお、筐体部品２０は、上記各実施形態と同様の樹脂材料により構成されてもよいし、金属材料により構成されてもよい。
【００８９】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図１２、図１３を参照して説明する。
【００９０】
半導体チップ１２のうち検出部を含む一部が一次成形樹脂１３から露出した一次成形体１０については、例えば上記各実施形態と同様に、図示しない金型等を用いてトランスファー成形等により成形される。
【００９１】
その後、図１２（ａ）に示すように、例えばＰＰＳなどの熱可塑性樹脂材料などの弾性体によりなる保護キャップ５０を、一次成形体１０のうち半導体チップ１２の露出部を覆うように取り付ける。
【００９２】
そして、図１２（ｂ）に示すように、保護キャップ５０を取り付けた一次成形体１０を、上型１００、下型１０１およびスライド型１０２によりなる金型にセットする。そして、当該金型内に二次成形樹脂３０ａを注入して硬化することで、図１２（ｃ）に示す保護キャップが取り付けられた二次成形体が得られる。
【００９３】
続けて、図１２（ｃ）に示す二次成形体から保護キャップ５０を取り外し、Ｏリング４０を取り付けた後、筐体部品２０とかしめてシールすることにより、図１１に示す本実施形態の半導体装置を製造することができる。
【００９４】
なお、図１３に示すように、図１２（ｂ）に示したスライド型１０２と別のスライド型１０３に保護キャップ５０を挿入したものを用いてもよく、金型については、適宜任意のものを用いてもよい。保護キャップ５０を挿入したスライド型１０３を用いる場合、二次成形樹脂３０を形成後に、上型１００、下型１０１およびスライド型１０２を取り外してから二次成形体をスライド型１０３から引き抜くと、保護キャップ５０を繰り返し使用することも可能となる。
【００９５】
本実施形態によれば、筐体部品２０が一次成形体１０を受け止めつつ、二次成形樹脂３０のインサート成形をすることができない構造であっても、従来の半導体装置に比べて、一次成形体１０の反りやクラック等が抑制された半導体装置となる。
【００９６】
また、二次成形樹脂３０をインサート成形する際において一次成形体１０にかかる荷重を筐体部品２０で吸収することができない構造の一次成形体１０を用いる場合であっても、保護キャップ５０を用いることで半導体チップ１２の破損を防止できる。そして、保護キャップ５０を取り外した二次成形体を筐体部品２０と接続することで、従来の半導体装置に比べて、一次成形体１０の反りやクラック等が抑制された半導体装置を製造することができる。
【００９７】
（他の実施形態）
なお、上記した各実施形態に示した半導体装置は、本発明の半導体装置およびその製造方法の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００９８】
例えば、上記各実施形態の半導体装置では、一次成形樹脂１３が熱硬化性樹脂により構成された例について説明したが、ＰＰＳ等の熱可塑性樹脂により構成されてもよい。この際、半導体チップ１２と回路基板１１とがワイヤ接続されている場合には、ワイヤが熱可塑性樹脂により断線しないように留意する。
【００９９】
上記各実施形態では、半導体チップ１２として圧力を検出する素子を用い、半導体装置が全体として圧力センサとされた例について説明したが、これに限られず、半導体チップ１２として、磁気や光量などの他の物理量を検出する素子を用いてもよい。この場合、半導体チップ１２については、一次成形樹脂１３により封止されていてもよく、筐体部品２０のうち中空空間２４を備える部分については、任意の磁気センサや光量センサ等の形状等に合わせてその形状等が適宜変更されてもよい。
【０１００】
上記の第１実施形態ないし第５実施形態の各実施形態については、それぞれを組み合わせた構造の半導体装置とされてもよい。例えば、第１実施形態の半導体装置や第５実施形態の半導体装置に、第２実施形態の半導体装置において形成されていたリブ２６や受け止め部２１ｃが形成されてもよく、他の各実施形態同士を適宜組み合わせた構造の半導体装置とされてもよい。
【０１０１】
上記第１実施形態ないし第５実施形態では、挿入穴２１の底面もしくは内壁面のうち一次成形体１０の挿入面１０ａに接触する面が押さえ面とされた例について説明した。しかし、図１４に示すように、一次成形体１０のうち一次成形樹脂１３が径方向に突出する部分を備える形状とされている場合、一次成形樹脂１３のうち当該突出部分の段差における側面１３ｄを受ける押さえ面２１ｄが挿入穴２１に形成された構造とされてもよい。この場合、図１４に示すように、挿入面１０ａが挿入穴２１の底面２１ａに接触していなくても、押さえ面２１ｄが側面１３ｄに接触することで一次成形体１０を受け止め、一次成形体１０にかかる荷重を吸収できる。なお、挿入面１０ａが底面２１ａに接触すると共に、押さえ面２１ｄが側面１３ｄに接触する構造の半導体装置とされてもよい。
【０１０２】
上記第１実施形態ないし第５実施形態では、筐体部品２０が樹脂材料により構成された弾性体である例について説明した。しかし、筐体部品２０は、二次成形樹脂３０のインサート成形時に一次成形体１０にかかる荷重を吸収できるものであればよく、Ａｌ等の比較的軟らかい金属材料により構成されてもよい。例えば、筐体部品２０をＡｌにより構成すると共に、微細な凸部とされた受け止め部２１ｃが形成されたものとすることで、二次成形樹脂３０のインサート成形時に一次成形体１０にかかる荷重を吸収でき、一次成形体１０のクラック等が抑制された半導体装置となる。
【符号の説明】
【０１０３】
１０    一次成形体
１０ａ  挿入面
１２    半導体チップ
１３    一次成形樹脂
２０    筐体部品
２１    挿入穴
２１ａ  底面
２１ｃ  受け止め部
２２    窪み部
３０    二次成形樹脂
【図１】
2018142666.tif 000003
【図２】
2018142666.tif 000004
【図３】
2018142666.tif 000005
【図４】
2018142666.tif 000006
【図５】
2018142666.tif 000007
【図６】
2018142666.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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