(57)【要約】【課題】  有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害を抑制してパワー半導体装置に十分な接合信頼性を付与可能な加熱接合シート、及び当該加熱接合用シートを有するダイシングテープ付き加熱接合用シートを提供すること。【解決手段】  加熱により焼結層となる前駆層を有する加熱接合用シートであって、前記前駆層は、焼結性金属粒子と有機成分とを含み、前記前駆層は、海島構造又は共連続構造である相分離構造を有し、前記前駆層の少なくとも一方の表面のＳＥＭ表面観察像において、前記相分離構造の各相が占める領域についての最大内接円の直径のうちの最大値が１μｍ以上５０μｍ以下である加熱接合用シート。【選択図】  図３Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱により焼結層となる前駆層を有する加熱接合用シートであって、
前記前駆層は、焼結性金属粒子と有機成分とを含み、
前記前駆層は、海島構造又は共連続構造である相分離構造を有し、
前記前駆層の少なくとも一方の表面のＳＥＭ表面観察像において、前記相分離構造の各相が占める領域についての最大内接円の直径のうちの最大値が１μｍ以上５０μｍ以下である加熱接合用シート。
【請求項２】
前記有機成分は、重量平均分子量が１０００以下の低分子成分と、重量平均分子量が５０００以上の高分子成分とを含み、
前記低分子成分の溶解度パラメータの極性項と前記高分子成分の溶解度パラメータの極性項との差の絶対値の最大値が３以上１５以下である請求項１に記載の加熱接合用シート。
【請求項３】
前記ＳＥＭ表面観察像を二値化して白黒表示とした際、前記ＳＥＭ表面観察像全体に占める黒色部の面積割合が１０〜８０％であり、
前記前駆層の厚み方向での中央部のＳＥＭ中央部観察像を二値化して白黒表示とした際、前記ＳＥＭ中央部観察像全体に占める黒色部の面積割合が１〜６０％である請求項１又は２に記載の加熱接合用シート。
【請求項４】
半導体チップと被着体とを加熱接合するのに用いられ、
前記半導体チップ及び前記被着体のそれぞれの表面の少なくとも一部が、金、銀又は銅を含む請求項１〜３のいずれか1項に記載の加熱接合用シート。
【請求項５】
ダイシングテープと、
前記ダイシングテープ上に積層された請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱接合用シートと
を有するダイシングテープ付き加熱接合用シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において半導体素子を金属リードフレームなどの被着体に接着する方法（いわゆるダイボンディング法）は、従来の金−シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストによる方法に推移している。現在では、導電性の樹脂ペーストを使用することがある。
【０００３】
しかし、導電性の樹脂ペーストを用いる方法では、ボイドの発生による導電性の低下およびペーストの厚みの不均一さ、はみ出しによるパッドの汚染等が生じる場合がある。
【０００４】
他方、近年、電力の制御や供給を行うパワー半導体装置の普及が顕著となっている。パワー半導体装置には常に電流が流れるため、発熱量が大きい。それゆえ、パワー半導体装置に使用される導電性の接着剤は、高い放熱性と低い電気抵抗率を持つことが望ましい。
【０００５】
パワー半導体装置には、低損失で高速動作が求められる。従来、パワー半導体装置にはＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などのＳｉを用いた半導体が用いられている。近年では、ＳｉＣやＧａＮなどの半導体を用いたものが開発され、今後拡大するものと予想されている。
【０００６】
ＳｉＣやＧａＮを用いた半導体は、バンドギャップが大きい、絶縁破壊電界が高いなどの特徴があり、低損失、高速動作、高温動作が可能となる。高温動作は、熱環境が厳しい自動車や小型電力変換機器等においてメリットとなる。熱環境が厳しい用途の半導体装置は、２５０℃前後の高温動作が想定されており、これまでの接合・接着材料であるはんだや導電性接着剤では、熱特性、信頼性に問題が生じる。そこで、焼結金属粒子含有のペースト材が提案されている（例えば、特許文献１）。焼結金属粒子含有ペースト材は、ナノサイズからマイクロサイズの金属粒子を含み、これら金属粒子がナノサイズ効果で通常の融点よりも低い温度で融解し、粒子間の焼結が進行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−１１１８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、焼結金属粒子含有のペースト材は、文字どおりペースト状態であるため、導電性の樹脂ペーストと同様に厚みが不均一となり、その結果、接合ムラが生じて特に高温での接合信頼性が低下する場合がある。そこで、厚みの不均一性及びこれに起因する不具合を解決するために、焼結性の金属粒子を含む接合材料をシート状とする技術が検討されつつある。
【０００９】
接合材料に成形性を付与する方策の一つとして、比較的高分子量の材料である有機バインダーを添加することが検討されている。シート状の接合材料の焼結は、有機バインダー等有機成分の分解消失に続く焼結性金属粒子の焼結というプロセスで進行する。
【００１０】
しかしながら、有機バインダーに代表される高分子材料と金属微粒子とを共存させると、高分子材料の分解温度が高温側にシフトすることがある。分解温度の高温シフトの程度が強くなると、高分子材料の分解温度が焼結性金属粒子の焼結温度と同程度となるか、又はそれを超えるおそれがある。この場合、焼結性金属粒子の焼結時にも高分子材料が消失せずに残存してしまい、未消失の高分子材料が焼結性金属粒子の焼結を阻害し、その結果、焼結性金属粒子の焼結が不十分となり、パワー半導体装置の接合信頼性の低下を招来するおそれがある。
【００１１】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害を抑制してパワー半導体装置に十分な接合信頼性を付与可能な加熱接合シート、及び当該加熱接合用シートを有するダイシングテープ付き加熱接合用シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明者らは、前記従来の問題点を解決すべく鋭意検討した結果、下記の構成を採用することにより、前記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１３】
すなわち、本発明の一実施形態に係る加熱接合用シートは、加熱により焼結層となる前駆層を有し、
前記前駆層は、焼結性金属粒子と有機成分とを含み、
前記前駆層は、海島構造又は共連続構造である相分離構造を有し、
前記前駆層の少なくとも一方の表面のＳＥＭ表面観察像において、前記相分離構造の各相が占める領域についての最大内接円の直径のうちの最大値が１μｍ以上５０μｍ以下である。
【００１４】
当該加熱接合用シートの前駆層では、焼結性金属粒子と有機成分とが海島構造又は共連続構造をとることで、互いに２以上の相に分離した相分離構造を呈している。ＳＥＭ表面観察像において、それぞれの相が占める領域について当該領域内での最大内接円をとり、それぞれの最大内接円の直径を比較した場合に、最大の直径が１μｍ以上５０μｍ以下となっている。各相が細かく分散ないし相分離していると各相が占める領域についての最大内接円の直径も小さくなる。一方、各相が集合又は凝集して分散ないし相分離の程度が疎になると各相が占める領域についての最大内接円の直径は大きくなる。すなわち、各相について得られる最大内接円の直径のうちの最大値（以下、「最大直径」ともいう。）は、前駆層における相分離構造の分散度又は凝集度を代表する指標としての意義を有することになる。
【００１５】
当該加熱接合用シートでは、相分離構造における最大直径が前記範囲にあり、各相の凝集度（集合度）が比較的高い状態、言い換えると相分離の程度が疎の状態にある。焼結性金属粒子が集合する相と有機成分が集合する相との間で適度な分離状態が形成されることで、有機成分と焼結性金属粒子との共存による有機成分の分解温度の高温シフトが抑制されて有機成分の分解消失を促進可能とするとともに、焼結性金属粒子の相への有機成分の相の侵入が抑制されることになる。その結果、有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害を防止することができ、パワー半導体装置の接合信頼性を向上させることができる。
【００１６】
最大直径が小さ過ぎると各相が細かく分散した状態となり、有機成分の分解温度の高温シフトや有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害が生じて、接合信頼性を低下させることになる。一方、最大直径が大き過ぎると相分離構造があまりにも疎になり過ぎ、各成分が偏って存在することになって、加熱接合用シートの特性の均一性が損なわれるおそれがある。
【００１７】
前記有機成分は、重量平均分子量が１０００以下の低分子成分と、重量平均分子量が５０００以上の高分子成分とを含み、
前記低分子成分の溶解度パラメータの極性項と前記高分子成分の溶解度パラメータの極性項との差の絶対値の最大値が３以上１５以下であることが好ましい。
【００１８】
極性項の差の絶対値の最大値を上記範囲とすることにより、高分子成分と低分子成分とが互いに溶解しにくい状態となり、両成分間で相分離構造が呈されることになる。高分子成分と比較すると、低分子成分には液状成分も多く、濡れ性や分子運動性の点で焼結性金属粒子との親和性が高いので、焼結性金属粒子は相対的に低分子成分の相に多くとどまるようになる。すなわち、高分子成分と低分子成分との相分離作用を利用して、焼結性金属粒子と高分子成分との相分離構造を効率的に形成することができる。マクロな視点からみると、焼結性金属粒子の相と低分子成分の相とが一体となった一体相と高分子成分の相との間での相分離構造の形成を促進することになり、特定範囲の最大直径を有する相分離構造を効率的に形成することができる。
【００１９】
前記ＳＥＭ表面観察像を二値化して白黒表示とした際、前記ＳＥＭ表面観察像全体に占める黒色部の面積割合が１０〜８０％であり、
前記前駆層の厚み方向での中央部のＳＥＭ中央部観察像を二値化して白黒表示とした際、前記ＳＥＭ中央部観察像全体に占める黒色部の面積割合が１〜６０％であることが好ましい。
【００２０】
これにより、加熱接合用シートの作業性（柔軟性と強度）と焼結後の良好な焼結接合性との両方を達成することができる。前記ＳＥＭ表面観察像を二値化した際の黒色部の面積割合が１０％未満の場合は、加熱接合用シートの柔軟性が劣ることで作業性が悪化するおそれがあり、８０％より多い場合は焼結接合性が劣るおそれがある。前記ＳＥＭ中央部観察像を二値化した際の黒色部の面積割合が１％より少ない場合、加熱接合用シートの強度（凝集力）が劣るおそれがあり、６０％より多い場合、焼結後の焼結層に空孔が多くなり、焼結層の強度が劣るおそれがある。
【００２１】
当該加熱接合用シートは、半導体チップと被着体とを加熱接合するのに用いられ、前記半導体チップ及び前記被着体のそれぞれの表面の少なくとも一部が、金、銀又は銅を含むことが好ましい。当該加熱接合用シートは高い接合信頼性を有するので、半導体チップとリードフレーム等の被着体との加熱接合に好適に用いることができる。また、被着体及びチップの各表面の少なくとも一部が金、銀又は銅を含むことで、加熱接合用シートやボンディングワイヤーとの親和性が高まり、それらとの接合信頼性をより向上させることができる。
【００２２】
本発明の他の実施形態に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートは、
ダイシングテープと、
前記ダイシングテープ上に積層された当該加熱接合用シートと
を有する。
【００２３】
前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートによれば、ダイシングテープと一体型であるため、ダイシングテープと貼り合わせる工程を省略することができる。また、当該加熱接合用シートを備えるため、焼結性金属粒子の焼結を十分なレベルで進行させることができ、良好な接合信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係る加熱接合用シートの前駆層の相分離構造を示す模式図である。
【図３Ｂ】本発明の他の実施形態に係る加熱接合用シートの前駆層の相分離構造を示す模式図である。
【図４】両面セパレータ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図６】実施例１の加熱接合用シートについて得られたＳＥＭ表面観察像である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シートの実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。上下等の位置関係を示す用語は、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。
【００２６】
（ダイシングテープ付き加熱接合用シート）
本実施形態に係る加熱接合用シートは、以下に説明するダイシングテープ付き加熱接合用シートにおいて、ダイシングテープが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングテープ付き加熱接合用シートについて説明し、加熱接合用シートについては、その中で説明することとする。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。
【００２７】
図１に示すように、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０は、ダイシングテープ１１上に加熱接合用シート３が積層された構成を有する。ダイシングテープ１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、加熱接合用シート３は粘着剤層２上に設けられている。また本発明のダイシングテープ付き加熱接合用シートは、図２に示すダイシングテープ付き加熱接合用シート１２のように、ワーク貼り付け部分にのみ加熱接合用シート３’を形成した構成であってもよい。
【００２８】
（加熱接合用シート）
加熱接合用シート３、３’は、シート状である。ペーストではなく、シートであるため、良好な厚み均一性とハンドリング性とを得られる。
【００２９】
本実施形態に係る加熱接合用シート３、３’は、加熱により焼結層となる前駆層３１からなる。本実施形態では、加熱接合用シートが、加熱により焼結層となる前駆層が１層を含む場合について説明するが、本発明はこの例に限定されない。本発明における、加熱により焼結層となる前駆層は、当該前駆層を複数積層した構成であってもよい。
また、本実施形態では、加熱接合用シートが、加熱により焼結層となる前駆層からなる場合について説明するが、本発明はこの例に限定されない。本発明の加熱接合用シートは、２層以上であってもよい。例えば、加熱により焼結層となる前駆層と、その他の層（加熱により焼結層とならない層）とが積層された構成であってもよい。
すなわち、本発明における加熱接合用シートは、少なくとも加熱により焼結層となる前駆層を有していればよく、その他の構成は特に限定されない。
【００３０】
（加熱により焼結層となる前駆層）
加熱により焼結層となる前駆層３１（以下、単に「前駆層３１」ともいう）は、焼結性金属粒子と有機成分とを含む（各成分の詳細は後述する。）。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、前駆層３１は、少なくとも一方の表面に、焼結性金属粒子と有機成分との間での相分離に起因する相分離構造を有している。図３Ａでは、相分離構造が海島構造である態様を示し、図３Ｂでは、相分離構造が共連続構造である場合を示している。相分離構造としては、海島構造又は共連続構造のいずれであってもよく、海島構造及び共連続構造が共存していてもよい。
【００３１】
図３Ａに示す海島構造では、海の相（例えば、有機成分の相）Ｐｓ及び島の相（例えば、焼結性金属粒子の相）Ｐｉの２つの相に分離している。ただし、相分離構造に含まれる相の数は２に限らず、前駆層３１に含まれる成分等に応じて３以上の相に分離していてもよい。また、海の相及び島の相がそれぞれ有機成分の相及び焼結性金属粒子の相である場合に限られず、前駆層３１に含まれる成分やそれらの配合割合に応じて海の相及び島の相がそれぞれ焼結性金属粒子の相及び有機成分の相であってもよい。
【００３２】
図３Ｂに示す共連続構造では、図３Ａに示す海島構造とは異なり、それぞれある程度連続した第１の相Ｐ１及び第２の相Ｐ２の２つの相に分離している。ただし、共連続構造においても、相分離構造に含まれる相の数は２に限らず、前駆層３１に含まれる成分等に応じて３以上の相に分離していてもよい。また、第１の相及び第２の相はそれぞれ焼結性金属粒子の相及び有機成分の相のいずれであってもよい。
【００３３】
前駆層３１の少なくとも一方の表面のＳＥＭ表面観察像において、前記相分離構造の各相が占める領域についての最大内接円の直径のうちの最大値が１μｍ以上５０μｍ以下となっている。以下、この特徴について説明する。
【００３４】
図３Ａを前駆層３１の少なくとも一方の表面のＳＥＭ表面観察像の模式図としてみた場合、図３Ａに示す海島構造では、島の相Ｐｉが占める領域が、海の相Ｐｓが占める領域中に点在する。観察視野の中で、島の相Ｐｉが占める領域について内接円（例えば、１つの島が占める領域についてみた場合、その島の相と海の相との境界線に接する円のうち最大面積の円）を島ごとに複数求め、これら複数の内接円のうち直径が最大の内接円を島の相Ｐｉが占める領域についての最大内接円Ｃｉとする。同様に、観察視野の中で、海の相Ｐｓが占める領域について内接円（例えば、ある限局的な海の相の領域と島の相の領域との境界線に接する円のうち最大面積の円）を限局領域ごとに複数求め、これら複数の内接円のうち直径が最大の内接円を海の相Ｐｓが占める領域についての最大内接円Ｃｓとする。そして島の相Ｐｉが占める領域についての最大内接円Ｃｉの直径Ｄｉと、海の相Ｐｓが占める領域についての最大内接円Ｃｓの直径Ｄｓとを比較し、これらのうちの最大値（すなわち、直径Ｄｉ）が最大直径となる。相分離構造に３つ以上の相が存在していても、上記と同様に各相について最大内接円の直径を求め、それらの直径のうちの最大値を求めることで最大直径を得ることができる。
【００３５】
図３Ｂに示す共連続構造においても図３Ａに示す態様と同様に最大直径を求めることができる。図３Ｂに示す共連続構造では、第１の相Ｐ１が占める領域と第２の相Ｐ２が占める領域が共存している。観察視野の中で、第１の相Ｐ１が占める領域について内接円（例えば、第１の相Ｐ１が占める領域のうちの１つの連続領域についてみた場合、その相と第２の相との境界線に接する円のうち最大面積の円）を連続領域ごとに複数求め、これら複数の内接円のうち直径が最大の内接円を第１の相Ｐ１が占める領域についての最大内接円Ｃ１とする。同様に、観察視野の中で、第２の相Ｐ２が占める領域について内接円（例えば、第２の相Ｐ２が占める領域のうちの１つの連続領域についてみた場合、その相と第１の相との境界線に接する円のうち最大面積の円）を連続領域ごとに複数求め、これら複数の内接円のうち直径が最大の内接円を第２の相Ｐ２が占める領域についての最大内接円Ｃ２とする。そして第１の相Ｐ１が占める領域についての最大内接円Ｃ１の直径Ｄ１と、第２の相Ｐ２が占める領域についての最大内接円Ｃ２の直径Ｄ２とを比較し、これらのうちの最大値（すなわち、直径Ｄ１）が最大直径となる。相分離構造に３つ以上の連続相が存在していても、上記と同様に各連続相について最大内接円の直径を求め、それらの直径のうちの最大値を求めることで最大直径を得ることができる。
【００３６】
本実施形態では、上記最大直径が１μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは１．５μｍ以上３０μｍ以下であり、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下である。前駆層３１において観察される相分離構造の最大直径を上記範囲とすることで、各相の凝集度（集合度）を比較的高い状態とし、焼結性金属粒子が集合する相と有機成分が集合する相との間で適度な分離状態が形成されることで、有機成分と焼結性金属粒子との共存による有機成分の分解温度の高温シフトが抑制されて有機成分の分解消失を促進することができる。また、焼結性金属粒子の相への有機成分の相の侵入が抑制されて、有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害を防止することができ、パワー半導体装置の接合信頼性を向上させることができる。
【００３７】
前駆層３１の平均厚みが５μｍ〜２００μｍであり、好ましくは１０μｍ〜１５０μｍであり、より好ましくは１５μｍ〜１００μｍである。加熱前の前駆層３１の平均厚みを上記範囲とすることで、シート形状の維持と厚み均一性を確保することができる。
【００３８】
前駆層３１は、下記引張試験方法により得られる引張弾性率が１０ＭＰａ〜３０００ＭＰａであることが好ましく、１２ＭＰａ〜２９００ＭＰａであることがより好ましく、１５ＭＰａ〜２５００ＭＰａであることがさらに好ましい。
【００３９】
引張試験方法：
（１）試験試料として、厚み２００μｍ、幅１０ｍｍ、長さ４０ｍｍの加熱接合用シート（引張試験用加熱接合用シート）を準備し、
（２）チャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／分、２３℃の条件で引張試験を行い、
（３）得られた応力−ひずみ線図の直線部分の傾きを引張弾性率とする。
【００４０】
前駆層３１の前記引張弾性率が１０ＭＰａ以上であると、ダイアタッチ時に加熱接合用シートの構成材料がはみ出したり、チップ表面へ這い上がったりすることをより抑制できる。また、前記引張弾性率が３０００ＭＰａ以下であると、例えば、ダイシング時に半導体ウェハを固定することができる。
【００４１】
前駆層３１は、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件で、２３℃から４００℃まで昇温を行った後のエネルギー分散型Ｘ線分析により得られる炭素濃度が１５重量％以下であることが好ましく、１２重量％以下であることがより好ましく、１０重量％以下であることがさらに好ましい。前記炭素濃度が１５重量％以下であると、前駆層３１は、４００℃まで昇温を行った後には有機物がほとんど存在しない。その結果、加熱接合工程後は、耐熱性に優れ、高温環境においても高い信頼性、熱特性が得られる。
【００４２】
（焼結性金属粒子）
前記焼結性金属粒子としては、金属微粒子の凝集体を好適に使用できる。金属微粒子としては、金属からなる微粒子などが挙げられる。前記金属としては、金、銀、銅、酸化銀、酸化銅などが挙げられる。なかでも、銀、銅、酸化銀、酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。前記金属微粒子が、銀、銅、酸化銀、酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも１種であると、より好適に加熱接合することができる。
【００４３】
前記焼結性金属粒子の平均粒径は、好ましくは０．０００５μｍ以上、より好ましくは０．００１μｍ以上である。平均粒径の下限として、０．０１μｍ、０．０５μｍ、０．１μｍも例示できる。一方、焼結性金属粒子の平均粒径は、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。平均粒径の上限として、２０μｍ、１５μｍ、１０μｍ、５μｍも例示できる。
【００４４】
前記焼結性金属粒子の平均粒径は、次の方法で測定する。すなわち、前記焼結性金属粒子をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察し、平均粒子径を計測する。なお、ＳＥＭ観察は、例えば、焼結性金属粒子がマイクロサイズの場合、５０００倍で観察し、サブミクロンサイズの場合、５００００倍観察で観察し、ナノサイズの場合、３０００００倍で観察するのが好ましい。
【００４５】
前記焼結性金属粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、鱗片状、不定形状である。
【００４６】
前駆層３１は、前駆層３１全体に対して焼結性金属粒子を６０〜９８重量％の範囲内で含むことが好ましい。前記焼結性金属粒子の含有量は、６５〜９７重量％の範囲内であることがより好ましく、７０〜９５重量％の範囲内であることがさらに好ましい。前記焼結性金属粒子を６０〜９８重量％の範囲内で含むと、焼結性金属粒子を焼結、又は、溶融させて２つの物（例えば、半導体チップとリードフレーム）を接合させることができる。
【００４７】
（有機成分）
前記有機成分としては、重量平均分子量が１０００以下の低分子成分を含むことが好ましい。このような低分子成分としては、低沸点バインダーを含有することが好ましい。前記低沸点バインダーは、前記金属微粒子の取り扱いを容易とするために用いられる。具体的には、前記金属微粒子を前記低沸点バインダーに分散させた金属微粒子含有ペーストとして使用することができる。加えて、焼結層の前駆層を任意の機械的物性に調整するためにも含有することが好ましい。
【００４８】
前記低沸点バインダーの具体例としては、例えば、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、１−デカノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、α−テルピネオール、１，６−ヘキサンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ）等の一価及び多価アルコール類、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＭＡ）等を挙げることができる。これらは２種以上を併用してもよい。なかでも、沸点の異なる２種類を併用することが好ましい。沸点の異なる２種類を用いると、シート形状の維持の点で優れる。
【００４９】
前記有機成分として、重量平均分子量が５０００以上の高分子成分を含むことが好ましい。このような高分子成分としては、熱分解性バインダーを含有することが好ましい。前記熱分解性バインダーを含有すると、加熱接合工程前は、シート形状を維持し易い。また、加熱接合工程時に熱分解させ易い。
【００５０】
本明細書において「熱分解性バインダー」とは、加熱接合工程において熱分解させることが可能なバインダーをいう。前記熱分解性バインダーは、加熱接合工程後には、焼結層（加熱後の前駆層３１）に、ほとんど残存しないことが好ましい。前記熱分解性バインダーとしては、例えば、前駆層３１に含有させたとしても、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件で、２３℃から４００℃まで昇温を行った後のエネルギー分散型Ｘ線分析により得られる炭素濃度が１５重量％以下となるような材料が挙げられる。例えば、熱分解性バインダーとして、より熱分解させ易い材料を採用すれば、比較的含有量を多くしても、加熱接合工程後に、焼結層（加熱後の前駆層３１）にほとんど残存させないようにすることができる。
【００５１】
前記熱分解性バインダーとしては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エチルセルロース、ポリビニルアルコール等を挙げることができる。これらの材料は単独で、又は、２種以上を混合して使用できる。なかでも、熱分解性が高いという観点から、ポリカーボネートが好ましい。
【００５２】
前記ポリカーボネートとしては、加熱接合工程において熱分解させることが可能なものであれば、特に限定されないが、主鎖の炭酸エステル基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）間に芳香族化合物（例えば、ベンゼン環など）を含まず、脂肪族鎖からなる脂肪族ポリカーボネートや、主鎖の炭酸エステル基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）間に芳香族化合物を含む芳香族ポリカーボネートを挙げることができる。なかでも、脂肪族ポリカーボネートが好ましい。
前記脂肪族ポリカーボネートとしては、例えば、ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート等が挙げられる。なかでも、シート形成のためのワニス作製における有機溶剤への溶解性の観点から、ポリプロピレンカーボネートが好ましい。
前記芳香族ポリカーボネートとしては、例えば、主鎖にビスフェノールＡ構造を含むもの等が挙げられる。
前記ポリカーボネートの重量平均分子量は、１０，０００〜１，０００，０００の範囲内であることが好適である。
【００５３】
なお、本明細書において、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー、ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。測定の条件は以下の通りである。カラム：ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺＭ−Ｈ／ＨＺ４０００／ＨＺ３０００／ＨＺ２０００、カラムサイズ：６．０ｍｍ内径×１５０ｍｍ、溶媒：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、溶液濃度：０．０３〜０．１重量％、流量：０．６ｍＬ／ｍｉｎ、検出器：示差屈折計（ＲＩ）、カラム温度：４０℃、注入量：２０μＬ
【００５４】
前記アクリル樹脂としては、加熱接合工程において熱分解させることが可能な範囲において、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。
【００５５】
また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００５６】
アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１万〜１００万のものがより好ましく、３万〜７０万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、加熱接合工程前の接着性、及び、加熱接合工程時における熱分解性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
また、アクリル樹脂のなかでも、２００℃〜４００℃で熱分解するアクリル樹脂が好ましい。
【００５７】
前記高分子成分の溶解度パラメータの極性項と前記低分子成分の溶解度パラメータの極性項との差の絶対値の最大値は３以上１５以下であることが好ましく、５以上１２以下がより好ましい。低分子成分と高分子成分とがそれぞれ１種類ずつ存在する場合は、それらの溶解度パラメータの極性項の差の絶対値が、そのまま最大値となる。複数種の低分子成分や複数種の高分子成分を含む場合は、低分子成分の種類の数と高分子成分の種類の数との積の分だけ極性項の差の組み合わせがあるので、それらの差の絶対値のうちの最大値が上記範囲となることが好ましい。極性項の差の絶対値の最大値を上記範囲とすることにより、高分子成分と低分子成分とが互いに溶解しにくい状態となり、両成分間で相分離構造の形成が促進される。高分子成分と比較すると、低分子成分には液状成分も多く、濡れ性や分子運動性の点で焼結性金属粒子との親和性が高いので、焼結性金属粒子は相対的に低分子成分の相に多くとどまるようになる。すなわち、高分子成分と低分子成分との相分離作用を利用して、焼結性金属粒子と高分子成分との相分離構造を効率的に形成することができる。マクロな視点からみると、焼結性金属粒子の相と低分子成分の相とが一体となった一体相と高分子成分の相との間での相分離構造の形成を促進することになり、特定範囲の最大直径を有する相分離構造を効率的に形成することができる。
【００５８】
前記ＳＥＭ表面観察像を二値化して白黒表示とした際、前記ＳＥＭ表面観察像全体に占める黒色部の面積割合は１０〜８０％であることが好ましく、１５〜７０％であることがより好ましい。また、前記前駆層の厚み方向での中央部のＳＥＭ中央部観察像を二値化して白黒表示とした際、前記ＳＥＭ中央部観察像全体に占める黒色部の面積割合は１〜６０％であることが好ましく、５〜５０％であることがより好ましい。ＳＥＭ表面観察像及びＳＥＭ中央部観察像を二値化した際の黒色部の面積割合の測定方法は実施例の記載による。例えば、有機成分として上記の溶解度パラメータの関係を有する低分子成分及び高分子成分が含まれる場合、焼結性金属粒子の相と低分子成分の相とが一体となった一体相は白色部として表示され、高分子成分の相は黒色部として表示される。ＳＥＭ表面観察像及びＳＥＭ中央部観察像をそれぞれ二値化した際の黒色部（上記の例であれば高分子成分の相）の面積割合をそれぞれ上記範囲とすることで、シートの作業性（柔軟性と強度）と焼結後の良好な焼結接合性の両方を達成することができる。
【００５９】
なお、前駆層３１には、前記成分以外にも、例えば、可塑剤などを適宜含有してよい。
【００６０】
加熱接合用シート３、３’は、通常の方法で製造できる。例えば、前駆層３１を形成するための前記各成分を含有するワニスを作製し、ワニスを基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を乾燥させることで、加熱接合用シート３、３’を製造できる。
【００６１】
ワニスに用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶剤やアルコール溶剤が好ましい。前記有機溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。また、前記アルコール溶剤としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２−ブテン−１，４−ジオール、１，２，６−ヘキサントリオール、グリセリン、オクタンジオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、テルピネオールが挙げられる。
【００６２】
塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。なお、塗布膜を乾燥させた後であっても溶剤の種類によって、溶剤の全部が気化せずに塗膜中に残る場合がある。
【００６３】
前駆層３１が前記低沸点バインダーを含有する場合、前記乾燥条件に応じて、前記低沸点バインダーの一部が揮発する場合がある。そのため、前記乾燥条件に応じて、前駆層３１を構成する各成分の比率が変化する。例えば、同一のワニスから形成した前駆層３１であっても、乾燥温度が高いほど、また、乾燥時間が長いほど、前駆層３１全体に占める金属微粒子の含有量や、熱分解性バインダーの含有量は多くなる。従って、前駆層３１中の金属微粒子や熱分解性バインダーの含有量が所望の量となるように、前記乾燥条件を設定することが好ましい。
【００６４】
基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。
【００６５】
加熱接合用シート３、３’の製造方法としては、例えば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して加熱接合用シート３、３’を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。
【００６６】
（ダイシングテープ）
ダイシングテープ１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されている。
【００６７】
基材１は、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２の強度母体となるものであり、紫外線透過性を有するものが好ましい。基材１としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
【００６８】
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２と加熱接合用シート３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
【００６９】
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００７０】
基材１の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００７１】
粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。前記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００７２】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００７３】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００７４】
さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００７５】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、さらに好ましくは２０万〜３００万程度であり、特に好ましくは３０万〜１００万程度である。
【００７６】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００７７】
粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
【００７８】
また、図２に示す加熱接合用シート３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａに加熱接合用シート３’が貼付けられるため、粘着剤層２の前記部分２ａと加熱接合用シート３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。なお、粘着剤層への放射線の照射は、ダイシング後であってかつピックアップ前に行ってもよい。
【００７９】
前述の通り、図１に示すダイシングテープ付き加熱接合用シート１０の粘着剤層２において、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂは加熱接合用シート３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着するための加熱接合用シート３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシングテープ付き加熱接合用シート１１の粘着剤層２においては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。
【００８０】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００８１】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００８２】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００８３】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００８４】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００８５】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００８６】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００８７】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサントン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００８８】
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
【００８９】
前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。すなわち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料などが挙げられる。放射線照射により着色する化合物の使用割合は、適宜設定できる。
【００９０】
粘着剤層２の厚みは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や加熱接合用シート３、３’の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。
【００９１】
本実施の形態に係るダイシングテープ１１は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【００９２】
次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングテープ１１が作製される。
【００９３】
ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２は、通常の方法で製造できる。例えば、ダイシングテープ１１の粘着剤層２と加熱接合用シート３とを貼り合わせることで、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０を製造できる。
ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０においては、加熱接合用シート３がセパレータで覆われていることが好ましい。例えば、ダイシングテープ１１と加熱接合用シート３とを貼り合わせた後、加熱接合用シート３に積層されていた前記基材セパレータを剥離し、前基材セパレータを剥離した後のダイシングテープ付き加熱接合用シート１０の加熱接合用シート３の露出面に、セパレータを貼り付ける方法が挙げられる。すなわち、ダイシングテープ１１、加熱接合用シート３、及び、前記セパレータがこの順で積層された形態とすることが好ましい。
【００９４】
上述した実施形態では、ダイシングテープと加熱接合用シートとが積層されたダイシングテープ付き加熱接合用シートについて説明した。しかしながら、本発明の加熱接合用シートは、ダイシングテープと貼り合わせない状態で提供されてもよい。
加熱接合用シートは、ダイシングテープが貼り合わせられていない形態とする場合、２枚のセパレータに挟まれた両面セパレータ付き加熱接合用シートとすることが好ましい。すなわち、第１のセパレータ、加熱接合用シート、及び、第２のセパレータがこの順で積層された両面セパレータ付き加熱接合用シートとすることが好ましい。
図４は、両面セパレータ付き加熱接合用シートの一実施形態を示す断面模式図である。
図４に示す両面セパレータ付き加熱接合用シート３０は、第１のセパレータ３２、加熱接合用シート３、及び、第２のセパレータ３４がこの順で積層された構成を有する。第１のセパレータ３２、及び、第２のセパレータ３４としては、前記基材セパレータと同一のものを使用することができる。
なお、加熱接合用シートは、ダイシングテープが貼り合わせられていない形態とする場合、加熱接合用シートの一方の面にのみセパレータが積層された形態であってもよい。
【００９５】
（半導体装置の製造方法）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記加熱接合用シートを準備する工程と、
前記加熱接合用シートを介して、半導体チップを被着体上に加熱接合する加熱接合工程とを含む（以下、第１製法ともいう）。
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングテープ付き加熱接合用シートを準備する工程と、
前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートの加熱接合用シートと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記加熱接合用シートと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートから前記加熱接合用シートと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記加熱接合用シートを介して、前記半導体チップを被着体上に加熱接合する加熱接合工程とを含むものでもある（以下、第２製法ともいう）。
第１製法に係る半導体装置の製造方法は、第２製法に係る半導体装置の製造方法が、ダイシングテープ付き加熱接合用シートを用いているのに対して、第１製法に係る半導体装置の製造方法では、加熱接合用シートを単体で用いている点で異なりその他の点で共通する。第１製法に係る半導体装置の製造方法においては、加熱接合用シートを準備した後、これをダイシングテープと貼り合わせる工程を行なえば、その後は、第２製法に係る半導体装置の製造方法と同様とすることができる。そこで、以下では、第２製法に係る半導体装置の製造方法について説明することとする。
【００９６】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２を準備する（準備する工程）。ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２は、加熱接合用シート３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図４を参照しながらダイシングテープ付き加熱接合用シート１０を用いた場合を例にして説明する。
【００９７】
まず、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０における加熱接合用シート３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り合わせ工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２３℃〜９０℃の範囲内であることが好ましい。
【００９８】
半導体ウェハ４としては、一方の面に電極パッドが形成され、他方の面（以下、裏面ともいう）の最表面に金薄膜、銀薄膜又は銅薄膜が形成されているものが好ましい。また、半導体ウェハ４の裏面の最表面には、前駆層３１に含まれる焼結性金属微粒子と同種の金属を含む薄膜を形成することが好ましい。前記銀薄膜の厚みとしては、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍが挙げられる。また、半導ウェハ４と前記銀薄膜との間に、さらに、チタン薄膜が形成されていてもよい。前記チタン薄膜の厚みとしては、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍが挙げられる。前記金薄膜、銀薄膜又は銅薄膜が形成されていると、後述する加熱接合工程において、半導体チップ５と加熱接合用シート３とを強固に加熱接合することができる。また、前記チタン薄膜が形成されていると電極の信頼性が向上する。前記銀薄膜、及び、前記チタン薄膜は、例えば、蒸着により形成することができる。
【００９９】
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う（ダイシング工程）。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングの方法は特に限定されないが、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングテープ付き加熱接合用シート１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハ４は、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
【０１００】
次に、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０に接着固定された半導体チップ５を剥離するために、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ付き加熱接合用シート１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【０１０１】
ピックアップ条件としては、チッピング防止の点で、ニードル突き上げ速度を０．５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。
【０１０２】
ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２の加熱接合用シート３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、公知のものを使用することができる。なお、粘着剤層に予め紫外線照射し硬化させておき、この硬化した粘着剤層と加熱接合用シートとを貼り合わせている場合は、ここでの紫外線照射は不要である。
【０１０３】
次に、ピックアップした半導体チップ５を、加熱接合用シート３を介して被着体６にダイアタッチ（加熱接合）する（加熱接合工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
【０１０４】
前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームを挙げることができる。また、前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。例えば、ガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を挙げることができる。なかでも、金属リームフレームを用いれば、加熱接合により金属微粒子と一体化することができる。また、前記基板としては、セラミックプレート等の絶縁基板に、銅回路基板が積層された絶縁回路基板を挙げることができる。絶縁回路基板を用いれば、例えば、電力の制御や供給を行うパワー半導体装置を製造することができる。
【０１０５】
被着体の表面の少なくとも一部は、金、銀又は銅を含むことが好ましい。この場合、被着体の表面は、前駆層３１に含まれる焼結性金属微粒子と同種の金属を含むことが好ましい。被着体の表面の少なくとも一部が金、銀又は銅を含むことで、加熱接合用シートやボンディングワイヤーとの親和性が高まり、それらとの接合信頼性をより向上させることができる。なお、耐久性や耐候性の向上の点からは、金又は銀が好ましく、低コスト化を図るなら銅が好ましい。
【０１０６】
前記加熱接合工程では、加熱により金属微粒子を焼結するとともに、必要に応じて熱分解性バインダーを熱分解させる。また、乾燥工程により揮発しきらなかった残留低沸点バインダーを揮発させる。加熱温度は、好ましくは１８０〜４００℃、より好ましくは１９０〜３７０℃、さらに好ましくは２００〜３５０℃で行うことができる。また、加熱時間は、好ましくは０．３〜３００分、より好ましくは０．５〜２４０分、さらに好ましくは１〜１８０分で行うことができる。また、加熱接合は、加圧条件下で行なってもよい。加圧条件としては、１〜５００ｋｇ／ｃｍ２の範囲内が好ましく、５〜４００ｋｇ／ｃｍ２の範囲内がより好ましい。加圧下での加熱接合は、例えば、フリップチップボンダーのような加熱と加圧とを同時に行える装置で実施ができる。また、平行平板プレスでもよい。
【０１０７】
次に、必要に応じて、図５に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、２３〜３００℃、好ましくは２３〜２５０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。
【０１０８】
次に、必要に応じて、図５に示すように、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行うことができる。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂８を硬化させる。なお、本封止工程では、シート状の封止用シートに半導体チップ５を埋め込む方法（例えば、特開２０１３−７０２８号公報参照）を採用することもできる。また、金型による封止樹脂の成型以外にも、ケース型容器にシリコーンゲルを流し込むゲル封止型でもよい。
【０１０９】
次に、必要に応じて加熱を行い、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる（後硬化工程）。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
【０１１０】
なお、本発明の加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シートは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間に加熱接合用シートとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、加熱接合用シートのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。
また、本発明の加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シートは、上記に例示した用途に限定されず、２つのものを加熱接合するのに利用することができる。
【実施例】
【０１１１】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【０１１２】
実施例で用いた成分は以下のとおりであった。
焼結性金属粒子含有ペースト：銅粉（三井金属鉱業株式会社製、平均粒径０．２μｍ）１００重量部に対し、低沸点バインダーであるイソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ、分子量２３６）を６重量部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を５重量部加えて撹拌したもの（各成分を自転・公転ミキサー（シンキー製、ＡＲＥ−３１０）に投入し、２０００ｒｐｍで１５分間撹拌した）。
熱分解性バインダーＡ：ＰＰＣ（ポリプロピレンカーボネート樹脂）、Ｅｍｐｏｗｅｒ社製、「ＱＰＡＣ４０」、重量平均分子量２８９，０００
熱分解性バインダーＢ：ＰｉＢＭＡ（ポリイソブチルメタクリレート樹脂）、藤倉化成株式会社製、「ＭＭ２００２」、重量平均分子量１７０，０００
有機溶剤：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）
【０１１３】
＜実施例１〜３及び比較例１＞
焼結性金属粒子含有ペースト１００重量部、表１に示す熱分解性バインダー７重量部、有機溶剤４５重量部を自転・公転ミキサー（シンキー製、ＡＲＥ−３１０）に投入し、２０００ｒｐｍで８分撹拌し、ワニスを作製した。得られたワニスを、離型処理フィルム（三菱樹脂（株）製、「ＭＲＡ３８」）上に塗布・乾燥させた。塗布はアプリケーターを用い、乾燥後の塗膜の厚みが７０μｍとなるように行った。乾燥は防爆乾燥機にて行った。乾燥条件は８０℃で２分とした。これにより、厚み７０μｍの加熱接合用シートを得た。
【０１１４】
《評価》
以下の項目について、実施例及び比較例のサンプルを評価した。それぞれの結果を表１に示す。
【０１１５】
（相分離構造のＳＥＭ観察及び最大内接円の直径の最大値の測定）
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により加熱接合用シートの前駆層の露出した表面の中央部について加速電圧５ｋＶ、１０００倍の倍率で画像を撮影した。後の画像解析のために撮影された像の濃淡ヒストグラム（０〜２５５の階調で２５６分割）が０〜２５５の範囲で極端に偏らないように測定条件を設定した。このためには例えば、観察用ソフトにおける「オートコントラスト」「オート明るさ」といった、最適なコントラストと明るさを自動選択するコマンドを適用させてから撮影することが好ましい。図６に、実施例１の加熱接合用シートについて得られたＳＥＭ表面観察像を示す。得られたＳＥＭ表面観察像から５０μｍ×５０μｍの領域を３箇所、観察視野として無作為に切り出した。図６にはそのうちの１箇所の観察視野を示している。画像解析ソフト（アメリカ国立衛生研究所で開発されたオープンソースのソフトウェアである「ｉｍａｇｅＪ」）を用い、切り出した観察視野の相分離構造において、相分離を規定する各相の境界線に接する内接円をそれぞれの相が占める領域について描いた。
【０１１６】
具体的には、上記画像解析ソフトを用い、上記ＳＥＭ表面観察像の明相と暗相とを二値化して白黒表示とし、白色部と黒色部との境界を相分離を規定する各相の境界線とした。明部と暗部の二値化は以下のように行った。上記画像解析ソフトのメニューバーのコマンドを「Ｉｍａｇｅ」「Ａｄｊｕｓｔ」「Ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ／Ｃｏｎｔｒａｓｔ」の順に選択して現れる「Ｂ＆Ｃ」ウインドウに表示されているヒストグラムが、２つ以上のピークからなる場合は一番頻度の高いピークと二番目に頻度の高いピークの間の一番頻度の低いところを境とし、それ未満を黒、それ以上を白で二値化した。上記ヒストグラムが２つ以上のピークからならない場合（ピークが１つの場合）は、０〜２５５の階調で２５６分割されたうちの０〜１２７を黒色部、１２８〜２５５を白色部として二値化した。図６に示される相分離構造では、明相と暗相のそれぞれが占める領域について内接円を描いた。各相の内接円のうち最大の直径を有する最大内接円の直径を読み取り、各相についての最大内接円の直径のうちの最大値を求めて最大直径［μｍ］とした。
【０１１７】
シートの厚み方向での中央部のＳＥＭ中央部観察像は以下の手順で得た。シート表面の中央部を通るシートの長手方向に垂直な面に沿って加熱接合用シートを切り出し、断面にクライオイオンポリッシュ研磨（ライカ製ＴＩＣ−３Ｘを使用。加速電圧：６ｋＶ、加工温度：−２０℃）を施した。得られた研磨面の中央部についてＳＥＭ観察画像を撮影することで得た。厚み方向での中央部の撮像条件は、加速電圧２ｋＶ、倍率２０００倍とした。
【０１１８】
（二値化したＳＥＭ観察像における黒色部の面積割合の測定）
上記ＳＥＭ表面観察像については明相と暗相とを二値化して白黒表示とした画像を用い、観察視野全体に占める黒色部の面積割合を画像解析で求めた。また、上記ＳＥＭ中央部観察像については明相と暗相とを二値化して白黒表示とした画像を用い、白黒表示画像の中央のエリア（１μｍ（厚み方向）×２０μｍ（厚み方向に垂直な方向））に占める黒色部の面積割合を画像解析で求めた。
【０１１９】
（溶解度パラメータ（ＳＰ値）の極性項δｐの算出方法）
以下の式（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，１９７５，１９，１１６３より）によりＳＰ値の極性項δｐを求めた。
δｐ＝５０．１×｛μ／（Ｖｍ）３／４｝
（式中、μは対象化合物の双極子モーメントである。なお、対象化合物がポリマーの場合、ポリマーのμは、そのポリマーの主モノマーの双極子モーメントμ´を測定するか、又は文献値を探して求め、このμ´に０．８を乗じることで得られる。Ｖｍは対象化合物の分子量（対象化合物がポリマーの場合は主モノマーの分子量）を対象化合物の密度（対象化合物がポリマーの場合は主モノマーの密度）で除した値である。主モノマーとは、対象とする高分子成分において最も存在モル比の高いモノマーをいう。なお、高分子成分を構成するモノマーは、溶剤抽出などでシートから有機成分を抽出し、ＧＰＣ分取後、高分子成分を核磁気共鳴（ＮＭＲ）により構造決定することで同定することができる。）
【０１２０】
（信頼性評価−残存接合面積率の測定）
裏面にＴｉ層（厚み５０ｎｍ）とＡｇ層（厚み１００ｎｍ）とがこの順で形成されたシリコンチップ（シリコンチップの厚み３５０μｍ、縦５ｍｍ、横５ｍｍ）を準備した。準備したシリコンチップのＡｇ層面に、作製した加熱接合用シートを重ねた。この状態で、ラミネーターに通した。ラミネーターの条件は、温度７０℃、圧力０．３ＭＰａ、速度１０ｍｍ／秒とした。
【０１２１】
別途、Ａｇ層（厚み５μｍ）で全面が覆われた銅板（銅板の厚み３ｍｍ）を準備した。準備した銅板上に、シリコンチップ付きの加熱接合用シート（上記で作製したもの）を仮接着した。仮接着時の圧力は、０．１ＭＰａであった。また、仮接着の際には、銅板を予め７０℃に温めておいた。これを実施例１及び比較例１の評価に用いた。
【０１２２】
また、Ａｕ層（厚み０．１μｍ）で全面が覆われた銅板（銅板の厚み３ｍｍ）を準備した。準備した銅板上に、シリコンチップ付きの加熱接合用シート（上記で作製したもの）を仮接着した。仮接着時の圧力は、０．１ＭＰａであった。また、仮接着の際には、銅板を予め７０℃に温めておいた。これを実施例２の評価に用いた。
【０１２３】
さらに、表面被覆がなされていない銅板（銅板の厚み３ｍｍ）を準備した。準備した銅板上に、シリコンチップ付きの加熱接合用シート（上記で作製したもの）を仮接着した。仮接着時の圧力は、０．１ＭＰａであった。また、仮接着の際には、銅板を予め７０℃に温めておいた。これを実施例３の評価に用いた。
【０１２４】
次いで、上述のように仮接着しておいた加熱接合用シートを加圧加熱条件下にて焼結させシリコンチップと銅板とを接合した（圧力１０ＭＰａ、昇温速度９０℃／分、焼結温度３００℃、焼結時間５分間）。接合には、焼結装置（伯東社製、ＨＴＭ−３０００）を用いた。なお、加圧は平板プレスで行い、昇温工程及び焼結工程の間は常に加圧を維持した。また、昇温及び焼結時の雰囲気は、窒素雰囲気とした。
【０１２５】
加熱後（焼結工程終了後）は、１７０℃になるまで空冷し、その後、８０℃になるまで水冷した。なお、水冷は、加圧板内に付設された水冷式冷却板によるものであった。これにより、評価用サンプルを得た。
【０１２６】
次に、評価用サンプルを冷熱衝撃試験機（エスペック社製、「ＴＳＥ−１０３ＥＳ」）に投入し、−４０℃〜２００℃の冷熱衝撃を１００サイクル与えた。なお、このとき、−４０℃と２００℃とでそれぞれ１５分保持した。
【０１２７】
１００サイクルの後、超音波映像装置［ＳＡＴ］（日立建機ファインテック製、「ＦｉｎｅＳＡＴ  ＩＩ」）を用い、シリコンチップと銅板とが焼結層で接合されている部分を確認するために、撮像を行った。使用したトランスデューサー（プローブ）は、ＰＱ−５０−１３：ＷＤ［周波数５０ＭＨｚ］であり、撮影モードは「反射」であった。
【０１２８】
上記ＳＥＭ観察にて用いた上記画像解析ソフトを用い、得られた像において接合が残っている部分の面積（残存接合面積）を求め、全体の面積に対する残存接合面積の割合（残存接合面積率）を算出した。超音波映像装置による像では、シリコンチップと銅板が剥離をしている部分は白、接合が残っている部分は黒色に二値化して表示した（閾値は１２７であった。０〜２５５の階調で２５６分割されたうちの０〜１２７を黒色部、１２８〜２５５を白色部として二値化した。）。残存接合面積率が７０％以上の場合を「○」、７０％より低い場合を「×」として評価した。
【０１２９】
【表１】
2018006735.tif 000003
【０１３０】
（結果及び考察）
実施例１〜３では信頼性評価は良好であった。一方、比較例１では信頼性評価が劣っていた。これは、比較例１では相分離構造についての最大内接円の直径の最大値が１μｍ未満であり、焼結性金属粒子及び有機成分の分散度が高くなっており、有機成分の分解温度の高温シフトや有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害が生じたことに起因すると推察される。
【符号の説明】
【０１３１】
１    基材
２    粘着剤層
３、３’    加熱接合用シート
４    半導体ウェハ
５    半導体チップ
６    被着体
７    ボンディングワイヤー
８    封止樹脂
１０、１２    ダイシングテープ付き加熱接合用シート
１１    ダイシングテープ
３０    両面セパレータ付き加熱接合用シート
３１    加熱により焼結層となる前駆層
３２    第１のセパレータ
３４    第２のセパレータ
Ｐｉ    （海島構造の）島の相
Ｐｓ    （海島構造の）海の相
Ｃｉ    島の相の最大内接円
Ｃｓ    海の相の最大内接円
Ｄｉ    島の相の最大内接円の直径
Ｄｓ    海の相の最大内接円の直径
Ｐ１    （共連続構造の）第１の相
Ｐ２    （共連続構造の）第２の相
Ｃ１    第１の相の最大内接円
Ｃ２    第２の相の最大内接円
Ｄ１    第１の相の最大内接円の直径
Ｄ２    第２の相の最大内接円の直径
【図１】
2018006735.tif 000004
【図２】
2018006735.tif 000005
【図３Ａ】
2018006735.tif 000006
【図３Ｂ】
2018006735.tif 000007
【図４】
2018006735.tif 000008
【図５】
2018006735.tif 000009
【図６】
2018006735.tif 000010