(57)【要約】【課題】配線の寸法精度を損なうことなく、伝送損失を低減させる技術を提供する。【解決手段】配線基板は、ガラスもしくはセラミックにより形成されており、表面に溝部を備える基板と、前記基板の前記表面において、前記溝部が形成されていない部分に形成された複数の金属酸化物層と、複数の前記金属酸化物層の上にそれぞれ形成された複数の金属配線層とを備えた配線基板であって、前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ、前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間に形成されている前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2018006592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスもしくはセラミックにより形成されており、表面に溝部を備える基板と、
前記基板の前記表面において、前記溝部が形成されていない部分に形成された複数の金属酸化物層と、
複数の前記金属酸化物層の上にそれぞれ形成された複数の金属配線層とを備えた配線基板であって、
前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ、前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間に形成されている前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を備える
ことを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記基板の比誘電率は、６以下である
ことを特徴とする、配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板であって、
前記金属配線層は、コプレーナ線路を形成している
ことを特徴とする、配線基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の配線基板であって、
前記配線基板を断面視した場合において、隣接する前記金属配線端部間の最短距離が、対向する前記表面での前記溝部の開口幅よりも短い
ことを特徴とする、配線基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の配線基板であって、
前記金属酸化物層の前記基板と接する面から前記溝部の最深部までの距離が、前記金属配線層の厚みよりも大きい
ことを特徴とする、配線基板。
【請求項６】
配線基板の製造方法であって、
ガラスもしくはセラミックにより形成された基板の表面に金属酸化物層を形成し、前記金属酸化物層の上に金属配線層を形成する工程と、
前記金属酸化物層と金属配線層との側面を露出させ、かつ前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間における前記基板に溝部を形成する工程と、
前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を形成する工程と、を備える
ことを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の配線基板の製造方法であって、
前記基板はガラスにより形成されており、
前記溝部はウェットエッチングにより形成される
ことを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項８】
配線基板の製造方法であって、
ガラスもしくはセラミックにより形成された基板の表面に溝部を形成する工程と、
前記基板の前記表面であって、前記溝部が形成されていない部分に、複数の金属酸化物層を形成し、前記金属酸化物層の上に、複数の金属配線層をそれぞれ形成する工程と、
前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間に位置する前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を形成する工程である
ことを特徴とする、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣパッケージ基板やインターポーザなどに利用される配線基板が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１には、配線基板の伝送損失を低減させるために、基板の上に高誘電体層を形成し、高誘電体層の上に配線としてのコプレーナ線路を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３０８０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の技術では、高誘電体層の厚みが不均一となることがあり、この不均一さに起因して、高誘電体層の上に形成される配線の寸法精度が低下する虞がある。このような課題は、半導体基板の上にコプレーナ線路が形成されている配線基板に限らず、半導体基板の上に配線を備える配線基板に共通する課題であった。このため、配線の寸法精度を損なうことなく、伝送損失を低減させる技術が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することができる。
【０００６】
（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、ガラスもしくはセラミックにより形成されており、表面に溝部を備える基板と、前記基板の前記表面において、前記溝部が形成されていない部分に形成された複数の金属酸化物層と、複数の前記金属酸化物層の上にそれぞれ形成された複数の金属配線層とを備えた配線基板であって、前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ、前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間に形成されている前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を備えることを特徴とする。この形態の配線基板によれば、溝部に誘電体層が形成されているため、配線の寸法精度を損なうことなく、伝送損失を低減させることができる。
【０００７】
（２）上記形態の配線基板において、前記基板の比誘電率は、６以下であってもよい。この形態の配線基板によれば、伝送損失をより低減させることができる。
【０００８】
（３）上記形態の配線基板において、前記金属配線層は、コプレーナ線路を形成していてもよい。この形態の配線基板によれば、コプレーナ線路を備える配線基板における伝送損失を低減させることができる。
【０００９】
（４）上記形態の配線基板において、前記配線基板を断面視した場合において、隣接する前記金属配線端部間の最短距離が、対向する前記表面での前記溝部の開口幅よりも短くてもよい。この形態の配線基板によれば、伝送損失を更に低減させることができるとともに、基板と誘電体層との密着性を向上させることができる。
【００１０】
（５）上記形態の配線基板において、前記金属酸化物層の前記基板と接する面から前記溝部の最深部までの距離が、前記金属配線層の厚みよりも大きくてもよい。この形態の配線基板によれば、伝送損失をより低減させることができる。
【００１１】
（６）本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、ガラスもしくはセラミックにより形成された基板の表面に金属酸化物層を形成し、前記金属酸化物層の上に金属配線層を形成する工程と、前記金属酸化物層と金属配線層との側面を露出させ、かつ前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間における前記基板に溝部を形成する工程と、前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。この形態の配線基板の製造方法によれば、配線の寸法精度を損なうことなく、伝送損失を低減させた配線基板を製造することができる。
【００１２】
（７）上記形態の配線基板の製造方法において、前記基板はガラスにより形成されており、前記溝部はウェットエッチングにより形成されてもよい。この形態の配線基板の製造方法によれば、伝送損失を更に低減させることができるとともに、基板と誘電体層との密着性が高い配線基板を製造することができる。
【００１３】
（８）本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、ガラスもしくはセラミックにより形成された基板の表面に溝部を形成する工程と、前記基板の前記表面であって、前記溝部が形成されていない部分に、複数の金属酸化物層を形成し、前記金属酸化物層の上に、複数の金属配線層をそれぞれ形成する工程と、前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間に位置する前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を形成する工程であることを特徴とする。この形態の配線基板の製造方法によれば、配線の寸法精度を損なうことなく、伝送損失を低減させた配線基板を製造することができる。
【００１４】
なお、本発明は、上述した配線基板や配線基板の製造方法としての形態に限らず、種々の形態で実現することが可能である。本発明は、例えば、配線基板を備えた電気機器の態様で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態の配線基板の説明図。
【図２】基板の材料及び誘電体層の材料の比誘電率等を示す図。
【図３】伝送損失を低減させる効果について説明するための図。
【図４】伝送損失を低減させる効果について説明するための図。
【図５】配線基板の製造方法を示す工程図。
【図６】配線基板の製造工程を示す説明図。
【図７】本実施形態の溝部の形状を示す模式図。
【図８】基板と誘電体層との接着の様子を示す図。
【図９】第２実施形態の製造工程を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
Ａ．第１実施形態：
Ａ１．配線基板の構成：
図１は、本実施形態の配線基板１０の説明図である。本実施形態の配線基板１０は、例えば、ＩＣパッケージ基板やインターポーザとして利用される。図１に示すように、配線基板１０は、基板１００と、金属酸化物層１１０と、金属配線層１２０と、誘電体層１３０とを備える。図１には、配線基板１０の一部を示している。
【００１７】
基板１００は、本実施形態において、３００ｍｍ四方で厚みが０．３ｍｍの無アルカリガラスにより形成されている。配線基板１０の表面Ｓ（紙面上方の面）には溝部１０５が形成されている。本実施形態において、基板１００は貫通孔が形成されていないが、基板１００は貫通孔が形成されていてもよい。また、本実施形態において、基板１００はガラスにより形成されているが、基板１００はセラミックにより形成されていてもよい。本明細書において、（ｉ）「ガラス」とは、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の含有量が５０質量％以下の非晶質体をいい、（ｉｉ）「セラミック」とは、無機物を焼き固めた焼結体であって、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の含有量が５０質量％よりも小さいものをいう。
【００１８】
金属酸化物層１１０は、金属酸化物により形成されている層である。金属酸化物層１１０は、基板１００の表面Ｓにおいて、溝部１０５が形成されていない部分に複数形成されている。金属酸化物層１１０は、基板１００と密着性の高い材料を用いることが好ましく、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む金属酸化物層であることが好ましい。本実施形態において、金属酸化物層１１０は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）により形成されている。本実施形態において、金属酸化物層１１０の厚みは、約１００ｎｍである。
【００１９】
金属配線層１２０は、金属により形成されている層であり、配線に用いられる。金属配線層１２０は、複数の金属酸化物層１１０の上にそれぞれ形成されている。本実施形態では、金属酸化物層１１０の個数と金属配線層１２０の個数は一致する。
【００２０】
本実施形態の金属配線層１２０は、コプレーナ線路を形成している。本明細書において、コプレーナ線路とは、基板１００の同一表面において、少なくとも一つの信号導体と、少なくとも一つの接地導体とを備える伝送線路を言う。具体的には、図１に示すように、３つ存在する金属配線層１２０のうち、中央に存在する金属配線層１２０Ｃが信号導体に相当し、金属配線層１２０Ｃに対して紙面左側及び紙面右側にそれぞれ存在する金属配線層１２０Ｓが接地導体に相当する。
【００２１】
金属配線層１２０は、導電性の高い金属から形成されていることが好ましく、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことが好ましい。本実施形態において、金属配線層１２０は、銅（Ｃｕ）により形成されている。本実施形態では、金属酸化物層１１０の基板１００と接する面から溝部１０５の最深部までの距離ＤＡが、金属配線層１２０の厚みＤＢより大きい。なお、本実施形態では、金属配線層１２０の厚みは、金属酸化物層１１０の厚みよりも十分に大きい。本明細書において、溝部１０５の最深部とは、溝部１０５の底面のうちで、最も基板１００の表面Ｓから離れた位置を指す。また、本明細書において、厚みとは、金属酸化物層１１０が金属配線層１２０に積層される方向における寸法を示す。
【００２２】
誘電体層１３０は、比誘電率と誘電正接との積が基板１００よりも小さい誘電体により形成されている層である。本明細書において、比誘電率及び誘電正接は、空洞共振法により測定する。具体的には、比誘電率及び誘電正接は、円筒型共振器内に試料を挿入することによって引き起こされる共振器の共振周波数の変化から算出される。測定時の周波数は１２ＧＨｚである。
【００２３】
本実施形態では、誘電体層１３０は、液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid crystal Polymer）により形成されている。誘電体層１３０の材料としてはこれに限られず、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、フッ素樹脂、エポキシフェノール樹脂などを挙げることができる。
【００２４】
図２は、基板の材料及び誘電体層の材料の（ｉ）比誘電率、（ｉｉ）誘電正接、及び（ｉｉｉ）比誘電率と誘電正接の積Ｐを示す図である。なお、図２において、エポキシフェノール樹脂の値は、シリカ（ＳｉＯ２）をフィラーとして約７０質量％含有するエポキシフェノール樹脂の値を示し、セラミックの値は、シリカ（ＳｉＯ２）の含有量が約２５質量％のＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）の値を示す。
【００２５】
本実施形態では、基板１００の材料としてガラスを用い、誘電体層１３０の材料としてＬＣＰを用いる。図２に示すとおり、ガラスは、比誘電率が５．５であり、誘電正接が０．００５であるため、積Ｐが０．０２７５である。一方、ＬＣＰは、比誘電率が２．９であり、誘電正接が０．００１６であるため、積Ｐが０．００５８である。ここで、誘電損失は、比誘電率と誘電正接の積Ｐに比例する。このため、基板１００を電磁波が伝搬する場合と比較して、誘電体層１３０を電磁波が伝搬する場合のほうが、誘電損失が小さいことが分かる。なお、伝送損失を低減させる観点から、基板１００の比誘電率は６以下が好ましい。
【００２６】
誘電体層１３０は、金属酸化物層１１０及び金属配線層１２０を被覆しており、金属酸化物層１１０の一部と金属配線層１２０の一部とに接している。より具体的には、誘電体層１３０は、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０との側面に接し、かつ、金属配線層１２０の上に接している。また、基板１００の表面Ｓ側（紙面上方側）から見た場合に、隣接する金属配線層１２０の間に形成されている溝部１０５の内部においても、誘電体層１３０が配されている。
【００２７】
Ａ２．効果：
本実施形態の配線基板１０は、特許文献１に記載の配線基板と異なり、基板１００と金属配線層１２０との間に誘電体層を備えていない。このため、誘電体層の厚みが不均一となることに起因して、金属配線層１２０の寸法精度を損なうことがない。
【００２８】
また、本実施形態の配線基板１０において、基板１００の表面Ｓ側から見た場合に、隣接する金属配線層１２０の間に形成されている基板１００の溝部１０５の内部に、誘電体層１３０が形成されている。このため、配線基板１０によれば、伝送損失を低減させることができる。
【００２９】
図３及び図４は、伝送損失を低減させる効果について説明するための図である。図３は、本実施形態の配線基板１０を電磁波が伝搬するときの電界分布を示し、図４は、比較例としての配線基板１０Ｅを電磁波が伝搬するときの電界分布を示す。ここで、配線基板１０Ｅは、配線基板１０と比較して溝部１０５を備えない点が異なるが、それ以外は配線基板１０と同じである。
【００３０】
図３及び図４において、高周波領域での電解分布が矢印で模式的に示されている。図３及び図４に示すように、高周波領域において、電磁波は、金属配線層１２０Ｃと金属配線層１２０Ｓとの間に形成される誘電体層１３０内を伝搬し、伝搬時の電界分布は金属配線層１２０Ｃから金属配線層１２０Ｓへ向かって、（ｉ）直線状に表される電気力線と、（ｉｉ）紙面上方側に湾曲する電気力線と、（ｉｉｉ）紙面下方側に湾曲する電気力線とで表される。
【００３１】
本実施形態の配線基板１０（図３参照）及び比較例の配線基板１０Ｅ（図４参照）では、（ｉ）直線状に表される電気力線、及び（ｉｉ）紙面上方側に湾曲する電気力線は、共に、誘電体層１３０のみを通る。一方、比較例の配線基板１０Ｅでは、紙面下方側に湾曲する電気力線は基板１００のみを通るが、本実施形態の配線基板１０では、基板１００のみを通るのではなく、溝部１０５の内部に形成されている誘電体層１３０についても通る。
【００３２】
前述の通り、電磁波が基板１００を伝搬する場合と比べ、誘電体層１３０を伝搬する場合のほうが、伝送損失を低減させることができる。このため、本実施形態の配線基板１０は、比較例の配線基板１０Ｅよりも電磁波が誘電体層１３０を伝搬する割合が多く、伝送損失を低減させることができる。
【００３３】
また、本実施形態の配線基板１０では、金属酸化物層１１０の基板１００と接する面から溝部１０５の最深部までの距離ＤＡが、金属配線層１２０の厚みＤＢより大きい。このため、金属酸化物層１１０の基板１００と接する面から溝部１０５の最深部までの距離ＤＡが、金属配線層１２０の厚みＤＢ以下の場合と比べ、紙面下方側に湾曲して伝わる電磁波が誘電体層１３０を伝搬する割合が大きくなる。このため、誘電損失をさらに低減することができる。
【００３４】
その他の効果として、以下のような効果が挙げられる。比較例の配線基板１０Ｅ（図４参照）では、隣接する金属酸化物層１１０の間における基板１００の表面に、金属酸化物層１１０の残渣が存在する虞がある。このような残渣は、イオンマイグレーションの発生原因となる虞があり、この結果として、リーク電流が発生することやショートが発生する虞がある。しかし、本実施形態の配線基板１０（図３参照）では、溝部１０５を備えることにより、隣接する金属酸化物層１１０の間に金属酸化物層１１０の残渣が存在する虞を抑制できるため、リーク電流が発生することやショートが発生することを抑制できる。
【００３５】
Ａ３．配線基板１０の製造方法：
図５は、配線基板１０の製造方法を示す工程図である。配線基板１０の製造者は、まず、工程Ｐ１００において、基板１００上に金属酸化物層１１０を形成する。金属酸化物層１１０を形成する方法としては、例えば、ＭＯＤ（金属有機化合物分解：Metal Organic Decomposition）法、ゾル‐ゲル法、ＣＶＤ（化学気相成長：Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、スクリーン印刷法が挙げられる。本実施形態では、金属酸化物層１１０の形成方法としてＭＯＤ法を用いる。
【００３６】
図６は、配線基板１０の製造工程を示す説明図である。図６（A）は、基板１００の上に金属酸化物層１１０を形成した後の状態を示す。
【００３７】
次に、製造者は、工程Ｐ１１０（図５参照）において、金属酸化物層１１０の表面に金属配線層１２０を形成する。本実施形態では、製造者は、まず、金属酸化物層１１０の上に無電解銅メッキによりシード層を形成した後、このシード層に電解銅メッキを施すことによって金属配線層１２０を形成する。図６（Ｂ）は、金属酸化物層１１０の上に金属配線層１２０を形成した状態を示す。
【００３８】
その後、製造者は、工程Ｐ１２０（図５参照）において、基板１００に溝部１０５を形成する。工程Ｐ１２０では、製造者は、（ｉ）まず、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０との側面を露出させ、その後、（ｉｉ）基板１００の表面側から見た場合に、隣接する金属配線層１２０の間における基板１００に溝部１０５を形成する。
【００３９】
工程Ｐ１２０は、具体的には、以下の処理を行う。製造者は、まず、金属配線層１２０の上に、ドライフィルムレジストによるパターン２００を形成する。図６（Ｃ）は、パターン２００を形成した状態を示す。その後、製造者は、エッチャントとして塩化銅（ＣｕＣｌ２）溶液を用い、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とのウェットエッチングを行う。エッチャントは、塩化銅（ＣｕＣｌ２）溶液の代わりに、例えば、塩化鉄（ＦｅＣｌ３）溶液を用いてもよい。そして、製造者は、エッチャントとしてフッ酸（ＨＦ）を用い、ウェットエッチングにより基板１００に溝部１０５を形成する。エッチャントは、フッ酸（ＨＦ）の代わりに、例えば、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）、バッファードフッ酸（ＨＦとＮＨ４Ｆとの混合液）などを用いてもよい。図６（Ｄ）は、溝部１０５を形成途中の状態を示す。その後、製造者は、パターン２００を除去することにより、工程Ｐ１２０が完了する。
【００４０】
工程Ｐ１２０（図５参照）の後、製造者は、工程Ｐ１３０において、金属酸化物層１１０の一部と金属配線層１２０の一部とに接し、かつ基板１００の内部に誘電体層１３０を形成する。本実施形態では、金属酸化物層１１０の側面と接し、かつ、複数の金属配線層１２０の側面及び表面と接するように誘電体層１３０を形成し、また、基板１００の溝部１０５の内部に誘電体層１３０を形成する。本実施形態では、ＬＣＰにより形成されたフィルムを金属配線層１２０及び基板１００の溝部１０５の上方に配した後、このフィルムを金属配線層１２０及び基板１００の溝部１０５に対して加熱状態で加圧することにより、誘電体層１３０を形成する。これらの工程を経て、配線基板１０が完成する。
【００４１】
Ａ４．効果：
本実施形態の配線基板１０の製造方法では、基板１００はガラスにより形成されており、基板１００の溝部１０５は、ウェットエッチングにより形成される。このため、基板１００の溝部１０５の形状は、以下のような形状となる。
【００４２】
図７は、本実施形態の溝部１０５の形状を示す拡大模式図である。ウェットエッチングにより、基板１００は、パターン２００の開口部の下側のみではなく、横方向においてもエッチングが進む。図７において、エッチングが進む方向を矢印で示す。この結果、図７に示すように、配線基板１０を断面視した場合において、隣接する金属配線層１２０の端部間の最短距離Ｄ１が、対向する基板１００の表面での溝部１０５の開口幅Ｄ２よりも短くなる。そして、このような溝部１０５に誘電体層１３０が形成されることにより、溝部１０５の内部の誘電体層１３０が、金属酸化物層１１０及び金属配線層１２０の端部に係止される。このため、基板１００と誘電体層１３０との密着性が向上する。また、電磁波が、誘電体層１３０を伝搬する割合が更に増えるため、伝送損失を低減することができる。なお、本明細書において、「配線基板１０を断面視した場合」とは、基板１００上で金属配線層１２０が延びる方向に垂直な断面において、配線基板１０を見た場合を示す。「幅」とは、配線基板１０を断面視した場合に、金属酸化物層１１０が金属配線層１２０に積層される方向に垂直な方向における寸法を示す。
【００４３】
図８は、基板１００と誘電体層１３０との接着の様子を示す拡大模式図である。エッチングによって溝部１０５を形成することにより、溝部１０５の側面及び底面には、微細な凹凸１０５Ｒが形成される。そして、誘電体層１３０が溝部１０５の微細な凹凸１０５Ｒに入り込んだ状態で凝固することにより、基板１００と誘電体層１３０との密着性が向上する。なお、このような効果をアンカー効果と呼ぶ。
【００４４】
Ｂ．第２実施形態：
図９は、第２実施形態の製造工程を示す説明図である。第１実施形態に製造工程と比較して、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とを形成する前に、溝部１０５を形成する点が異なるが、それ以外は同じである。以下に、第２実施形態の製造方法について説明する。
【００４５】
製造者は、工程Ｐ１００Ａにおいて、基板１００の表面に溝部１０５を形成する。本実施形態では、製造者は、基板１００の表面に、ドライフィルムレジストによるパターンを形成した後、フッ酸（ＨＦ）を用いてウェットエッチングを行うことによって溝部を形成し、その後、パターンを除去する。
【００４６】
次に、製造者は、工程Ｐ１１０Ａにおいて、基板１００の表面であって、溝部１０５が形成されていない部分に、複数の金属酸化物層１１０を形成し、金属酸化物層１１０の上に、複数の金属配線層１２０をそれぞれ形成する。本実施形態では、製造者は、（ｉ）基板１００の表面及び溝部１０５に、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とをこの順で形成した後、（ｉｉ）ドライフィルムレジストによるパターンを形成する。その後、製造者は、（ｉｉｉ）塩化銅（ＣｕＣｌ２）溶液を用いて金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とのウェットエッチングを行うことによって基板１００の溝部１０５を露出させた後、（ｉｖ）パターンを除去する。
【００４７】
その後、製造者は、第１実施形態と同様に、工程Ｐ１３０において、金属酸化物層１１０の一部と金属配線層１２０の一部とに接し、かつ基板１００の表面側から見た場合に、隣接する金属配線層１２０の間に位置する溝部１０５の内部に誘電体層１３０を形成する。これらの工程を経て、配線基板１０が完成する。
【００４８】
Ｃ．変形例：
Ｃ１．変形例１：
上述の実施形態において、基板１００の比誘電率は、６以下であるが、本発明はこれに限らない。基板１００の比誘電率は、６より大きくてもよい。
【００４９】
Ｃ２．変形例２：
上述の実施形態において、溝部１０５をウェットエッチングにより形成する。しかし、本発明はこれに限られない。溝部１０５は、例えば、ドライエッチングや、レーザーアブレーションや、サンドブラストにより形成されてもよい。ドライエッチングには、例えば、アルゴン（Ａｒ）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）などを用いることができる。
【００５０】
Ｃ３．変形例３：
上述の実施形態において、金属配線層１２０は、コプレーナ線路を形成している。しかし、本発明はこれに限られない。金属配線層１２０は、例えば、スロット線路を形成していてもよい。スロット線路とは、基板１００の同一表面に形成された金属配線層１２０に線状の空隙を形成した構造を持ち、電磁波を伝搬する伝送線路を言う。
【００５１】
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…配線基板
１０Ｅ…配線基板
１００…基板
１０５…溝部
１０５Ｒ…凹凸
１１０…金属酸化物層
１２０…金属配線層
１３０…誘電体層
２００…パターン
Ｄ１…最短距離
Ｄ２…開口幅
ＤＡ…距離
Ｓ…表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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