(57)【要約】【課題】  固体撮像装置のノイズを低減する。【解決手段】  光電変換部と不純物領域とが配された画素領域と、前記光電変換部で生じた電荷に基づく信号を処理する回路を構成し、かつ、ゲート電極、ドレイン領域、および、ソース領域の少なくともいずれかの上に配された金属と半導体の化合物層を有するトランジスタが配された周辺回路領域と、を含む半導体基板を有する固体撮像装置の製造方法であって、マスクを用いて、前記不純物領域の上に第１コンタクト開口を、及び前記絶縁層の前記化合物層を覆う第１の部分が第２コンタクト開口の底をなすように、前記化合物層の上に前記第２コンタクト開口を、それぞれ形成し、前記第２コンタクト開口において前記化合物層を覆う前記第１の部分が露出された状態で、前記第１コンタクト開口を介して前記不純物領域に不純物のイオン注入を行う固体撮像装置の製造方法。【選択図】  図４
2018006551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と不純物領域とが配された画素領域と、
前記光電変換部で生じた電荷に基づく信号を処理する回路を構成し、かつ、ゲート電極、ドレイン領域、および、ソース領域の少なくともいずれかの上に配された金属と半導体の化合物層を有するトランジスタが配された周辺回路領域と、
を含む半導体基板を有する固体撮像装置の製造方法であって、
第１マスクを用いて、前記不純物領域の上に第１コンタクト開口を、及び前記絶縁層の前記化合物層を覆う第１の部分が第２コンタクト開口の底をなすように、前記化合物層の上に前記第２コンタクト開口を、それぞれ形成し、
前記第２コンタクト開口において前記化合物層を覆う前記第１の部分が露出された状態で、前記第１コンタクト開口を介して前記不純物領域に不純物のイオン注入を行うこと特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口を形成する工程は、前記絶縁層のうち、前記不純物領域を覆う部分と前記化合物層を覆う部分とを、前記第１マスクを用いてエッチングすることで除去することを含む請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１コンタクト開口は、前記絶縁層の第２の部分を介して前記不純物領域上に前記第１コンタクト開口が位置するように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記不純物のイオン注入の後、前記第１の部分及び前記第２の部分を除去する工程と、
前記第１の部分及び前記第２の部分の除去後に、前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口内に導電体を形成して、前記不純物領域に接続される第１コンタクトプラグと、前記化合物層に接続される第２コンタクトプラグと、を形成する工程と、
を、更に有する請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の部分の膜厚は前記第２の部分の膜厚より大きいことを特徴とする請求項３または４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層として、
前記不純物領域を覆う第１絶縁膜と、
前記化合物層を覆う第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を覆い、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜と組成が異なる第３の絶縁膜と、
を形成する工程を有し、
前記第１絶縁膜は前記第２の部分を有し、前記第２絶縁膜は前記第１の部分を有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を形成する工程を有し、前記絶縁層を形成する工程は、
前記不純物領域及び前記化合物層を覆う第１絶縁膜を形成し、
前記画素領域の前記第１絶縁膜を覆う第２マスクを用いて前記第１絶縁膜をエッチングして、前記周辺回路領域のトランジスタのゲート電極の側面を覆うサイドスペーサを形成し、
前記画素領域の第１絶縁膜及び前記周辺回路領域のトランジスタを覆う第２絶縁膜を形成し、
前記周辺回路領域の前記第２絶縁膜を覆う第３マスクを用いて、前記画素領域において前記第２絶縁膜をエッチングし、
前記画素領域の前記第１絶縁膜及び前記周辺回路領域の第２絶縁膜を覆う第３絶縁膜を形成する
ことを含むことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口の形成は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜をエッチングストップ層として、前記第３絶縁膜をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層を形成する工程を有し、前記絶縁層を形成する工程は、
前記不純物領域を覆う第４絶縁膜、及び前記第４絶縁膜と組成が異なり、前記第４絶縁膜の上に配された第１絶縁膜と、を形成し、
前記化合物層を覆い前記第４絶縁膜と組成が同じである第５絶縁膜と、前記第１絶縁膜と組成が同じで、前記第５絶縁膜の上に配された第２絶縁膜と、を形成し、
前記第４絶縁膜及び前記第５絶縁膜を覆い、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜と組成が異なる第３絶縁膜を形成し、
前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口を形成する工程は、
前記第１マスクを用い、前記第３絶縁膜をエッチングする工程と、
前記第１マスクを用い、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第３絶縁膜のエッチング工程において、前記第３絶縁膜は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜をエッチングストップ層としてエッチングされることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜のエッチング工程において、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、第前記第４絶縁膜及び前記第５絶縁膜をエッチングストップ層として、エッチングされることを特徴とする請求項９または１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
更に、前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口の形成工程において、
前記画素領域において、前記光電変換部で発生した電荷の前記不純物領域への転送を制御する転送トランジスタのゲート電極の上の前記絶縁層の第３の部分が第３コンタクト開口の底となるように、前記転送トランジスタの前記ゲート電極の上に前記第３コンタクト開口が、前記周辺回路領域のトランジスタのゲート電極の上の金属と半導体の化合物層の上の前記絶縁層の第４の部分が第４コンタクト開口の底となるように、前記ゲート電極の上の前記化合物層の上に前記第４コンタクト開口が、それぞれ形成され、
前記イオン注入の工程において、前記転送トランジスタのゲート電極に前記第３の部分を介して前記不純物がイオン注入されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１コンタクト開口の底において前記不純物領域の一部の表面が露出するように、前記第１コンタクト開口が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記不純物のイオン注入の後、前記絶縁層の前記第１の部分を除去する工程と、
前記絶縁層の前記第１の部分の除去後に、前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口内に導電体を形成して、前記不純物領域に接続される第１コンタクトプラグと、前記化合物層に接続される第２コンタクトプラグと、を形成する工程と、
を、更に有する請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層として、
前記不純物領域を覆う第１絶縁膜と、
前記化合物層を覆う第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を覆い、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜と組成が異なる第３の絶縁膜と、
を形成する工程を有し、
前記第２絶縁膜は前記第１の部分を有することを特徴とする請求項１３または１４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層を形成する工程を有し、前記絶縁層を形成する工程は、
前記不純物領域を覆う第４絶縁膜、及び前記４絶縁膜とは組成が異なり、前記第４絶縁膜の上に配された第１絶縁膜と、を形成し、
前記化合物層を覆い前記４絶縁膜と組成が同じ第５絶縁膜と、前記第５絶縁膜と組成が同じで、前記第５絶縁膜の上に配された第２絶縁膜と、を形成し、
前記第４絶縁膜及び前記第５絶縁膜を覆い、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜と組成が異なる第３絶縁膜を形成し、
前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口を形成する工程は、
前記第１マスクを用い、前記第３絶縁膜をエッチングし、
前記第１マスクを用い、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜をエッチングし、
前記第１コンタクト開口において前記不純物領域が露出し、前記第２コンタクト開口において前記化合物層が前記第５絶縁膜の一部に覆われるように、前記第４絶縁膜及び前記第５絶縁膜をエッチングすることを有することを特徴とする請求項１３または１４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁層を形成する工程を有し、前記絶縁層を形成する工程は、
前記不純物領域及び前記化合物層を覆う第１絶縁膜を形成し、
第２マスクを用いて前記画素領域の前記第１絶縁膜及び前記周辺回路領域の前記第１絶縁膜をエッチングして前記周辺回路領域のトランジスタのゲート電極の側面を覆うサイドスペーサと、を形成し、
前記画素領域のトランジスタと前記周辺回路領域のトランジスタとを覆う第２絶縁膜を形成し、
第３マスクを用いて、前記第１の部分を残して前記第２絶縁膜をエッチングし、
前記画素領域のトランジスタ、前記周辺回路領域のトランジスタ、及び前記第１の部分を覆う第３絶縁膜を形成することを含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２マスクを用いて前記第２絶縁膜をエッチングする工程で、前記画素領域のトランジスタのゲート電極の側面を覆うサイドスペーサが形成されることを特徴とする請求項１７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口の形成は、前記第２絶縁膜をエッチングストップ層として、前記第３絶縁膜をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１７または１８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
更に、前記第１コンタクト開口及び前記第２コンタクト開口の形成工程において、
前記画素領域において、光電変換部で発生した電荷の前記不純物領域への転送を制御する転送トランジスタのゲート電極の上に、前記絶縁層の一部を挟んで第３コンタクト開口が、前記周辺回路領域のトランジスタのゲート電極の上に、前記絶縁層の一部を挟んで第４コンタクト開口が形成され、
前記イオン注入工程において、前記転送トランジスタのゲート電極に前記絶縁層の前記一部を介して前記不純物がイオン注入されることを特徴とする請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２１】
前記化合物層は、チタン、ニッケル、コバルト、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、パラジウム、及び白金の珪化物、またはこれらの合金の珪化物のいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の固体撮像装置の製造方法としては特許文献１に記載のあるような製造方法があげられる。文献１の固体撮像装置は、同一半導体基板に、光電変換部と、周辺回路部とを有する。光電変換部には、受光部として機能する拡散層が配される。周辺回路部には、信号を処理する周辺回路を構成するＭＯＳトランジスタが配される。ＭＯＳトランジスタのソース領域の上、ドレイン領域の上、及びゲート電極の上に、高融点金属の半導体化合物層を形成することで、微細トランジスタであっても高速動作が可能となる。一方で、前記光電変換部の拡散層上面には高融点金属の半導体化合物層を形成せず、絶縁層で保護することで、光電変換部におけるリーク電流を抑制する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１１１０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らは、コンタクト底部に高濃度不純物層を導入することで、画素領域の半導体領域と金属との間のコンタクト抵抗を低減することができることを見出した。
【０００５】
文献１によれば、周辺回路領域では、半導体領域と金属とのコンタクト部分に、金属と半導体の化合物が形成されている。よって、画素領域と周辺回路領域で同時にコンタクト開口が形成されている場合、該金属が画素領域のコンタクト開口内に飛散する可能性がある。
【０００６】
すなわち、画素領域においてコンタクト開口後に高濃度不純物注入を行う際、周辺回路領域にも開口が形成されているため、周辺回路領域のコンタクト開口にも不純物が注入される。この際、注入される不純物によって、コンタクト底部で金属と半導体の化合物が飛散する可能性がある。化合物や化合物を形成していた金属が画素領域のコンタクト開口に飛散すると、金属が画素領域内の半導体に導入されることが考えられる。導入された金属は、例えば、光電変換部におけるリーク電流の増加を引き起こす可能性がある。このように、画素領域に金属が導入することにより、ノイズが生じる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、光電変換部と不純物領域とが配された画素領域と、
前記光電変換部で生じた電荷に基づく信号を処理する回路を構成し、かつ、ゲート電極、ドレイン領域、および、ソース領域の少なくともいずれかの上に配された金属と半導体の化合物層を有するトランジスタが配された周辺回路領域と、
を含む半導体基板を有する固体撮像装置の製造方法であって、
第１マスクを用いて、前記不純物領域の上に第１コンタクト開口を、及び前記絶縁層の前記化合物層を覆う第１の部分が第２コンタクト開口の底をなすように、前記化合物層の上に前記第２コンタクト開口を、それぞれ形成し、
前記第２コンタクト開口において前記化合物層を覆う前記第１の部分が露出された状態で、前記第１コンタクト開口を介して前記不純物領域に不純物のイオン注入を行うこと特徴とする固体撮像装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、固体撮像装置のノイズを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図２】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図３】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図４】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図５】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図６】実施の形態２に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図７】実施の形態２に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図８】実施の形態２に係る固体撮像装置の製造方法を説明する断面図
【図９】実施の形態３に係る撮像システムを説明するブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。以下では、好適な実施の形態の例を示すが、本発明はそれに限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更されてもよい。
【００１１】
なお、各図は、構造ないし構成を説明する目的で記載されたものであり、図示された各部材の寸法は実際の構成要素の寸法と異なる場合がある。また、各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。
【００１２】
本明細書において、部材Ａが部材Ｂの上に配される、形成される、とする場合、特に説明のない限り、部材Ｂの少なくとも一部が部材Ａと、高さ方向において重なる構成を意味する。本明細書において高さ方向は、光電変換部における半導体領域とその上に形成される絶縁層との界面に垂直な方向である。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１（Ａ）〜（Ｃ）、図２（Ａ）〜（Ｃ）、図３（Ａ）〜（Ｃ）、及び図４を用いて、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する。固体撮像装置において、光電変換部１０８及び第１不純物領域１０７を有する画素領域Ａと、光電変換部１０８で生じた電荷に基づく信号を処理する周辺回路のトランジスタを有する周辺回路領域Ｂと、が配されている。周辺回路を構成するトランジスタは、ゲート電極、ドレイン領域、及びソース領域の少なくともいずれかの上に配されたｋ人族と半導体の化合物層を有する。
【００１４】
本実施の形態では、簡単のため、画素領域Ａに、光電変換部１０８、転送トランジスタ、及び光電変換部１０８で生じた電荷が転送トランジスタによって転送されるフローティングディフュージョン領域である第１不純物領域１０７のみを示す。また、周辺回路領域では、周辺回路の１つのトランジスタのみを示す。しかし、画素領域Ａは、複数の画素を有していてもよく、各画素は、光電変換部１０８、転送トランジスタ、及び光電変換部１０８に加え、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トラジスタ等を、適宜有していてもよい。
【００１５】
また、周辺回路は複数のトランジスタから形成される。該複数のトランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタ及びＰＭＯＳトランジスタを有していてもよい。周辺回路領域Ｂのトランジスタは、ソース領域またはドレイン領域となる不純物領域上に、配線とのコンタクト向上のため、金属と半導体の化合物層を有する。また、周辺回路領域Ｂのトランジスタは、ゲート電極の上に金属と半導体との化合物層を有する。本実施の形態のトランジスタにおいては、ソース領域の上、ドレイン領域の上、および、ゲート電極の上に、いずれも金属と半導体の化合物層が配される。しかし、ソース領域、ドレイン領域、および、ゲート電極のうち、少なくとも１つの上に金属と半導体の化合物層が配されていればよい。画素領域の光電変換部及び不純物領域や、周辺回路領域の不純物領域は、同一半導体基板内に形成することができ、半導体装置の製造に用いられるプロセス技術を用いて形成することができる。
【００１６】
図１（Ａ）において、シリコン基板１０１に不純物が注入されアニールされることで、画素領域ウエル１０２と周辺回路領域ウエル１０３が形成されている。画素領域Ａの各画素間や周辺回路領域Ｂとの間には、素子分離部１０４が形成されている。素子分離部１０４は、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法やＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）により形成することができる。
【００１７】
画素領域ウエル１０２及び周辺回路領域ウエル１０３を覆って、トランジスタのゲート絶縁膜となる絶縁膜１０５が形成されている。絶縁膜１０５の形成後、例えばポリシリコン膜の形成、フォトリソグラフィ、及び異方性ドライエッチングにより、転送トラジスタのゲート電極１０６ａ及び周辺回路のトランジスタのゲート電極１０６ｂが形成されている。ここでは、ゲート電極１０６ａ及び１０６ｂは、ポリシリコンを用いて形成される。
【００１８】
ゲート電極１０６ａ及び１０６ｂの形成後、半導体基板１００に不純物が注入される。これにより、画素領域Ａのフローティングディフュージョン領域となる第１不純物領域１０７及び光電変換部１０８と、周辺回路領域ＢのトランジスタのＬＤＤ領域となる第２不純物領域１０９が形成されている。光電変換部１０８の電荷が電子の場合、光電変換部１０８はＮ型不純物領域（第３不純物領域）を少なくとも有する。注入される不純物としては、注入された領域がＮ型半導体領域となる不純物である、例えば燐やヒ素を用いることができる。
【００１９】
本実施の形態では、信号電荷として電子を用いる場合に関して説明するが、信号電荷としてホールを用いる場合にはＰ型半導体領域をＮ型半導体領域、Ｎ型半導体領域をＰ型半導体領域とすればよい。
【００２０】
ここでは、ゲート電極１０６ａ及び１０６ｂが、該不純物注入に対して十分に厚い膜厚であり、ゲート電極１０６ａ及び１０６ｂ形成後にセルフアライン注入を行うフローを示したが、本実施の形態はこれに限定されない。例えば、ゲート電極１０６ａ及び１０６ｂの形成前に、第１不純物領域１０７、第２半導体領域１０９、及び光電変換部１０８を形成するための不純物注入を行ってもよい。
【００２１】
次に、図１（Ｂ）に示すように、画素領域Ａにおいて、光電変換部１０８の表面付近には不純物が高濃度で注入され、第４不純物領域２１８が形成される。第４不純物領域２１８は、Ｐ型半導体領域である。このようにして、半導体基板１００内に、第１不純物領域１０７、第２不純物領域１０９、光電変換部１０８、第４不純物領域２１８が形成される。
【００２２】
第４不純物領域２１８の形成後、画素領域Ａ及び周辺回路領域Ｂに、光電変換部１０８、ゲート電極１０６ａ、１０６ｂ、第１不純物領域１０７、及び第２不純物領域１０９を覆う絶縁膜１１０、絶縁膜１１１、及び絶縁膜１１２を形成する。絶縁膜１１０及び１１２は、酸化シリコンのような屈折率の低い材料を用いて形成され、絶縁膜１１１は、窒化シリコンのような屈折率の高い材料を用いて形成される。このような構成とすることで、絶縁膜１１０、１１１、及び１１２は、画素部反射防止層として機能する。
【００２３】
絶縁膜１１０及び１１２と、絶縁膜１１１は、組成が異なり、絶縁膜１１０及び１１２の屈折率より絶縁膜２１１の屈折率が大きい。部材Ａの組成とは、部材Ａを形成している元素やその比率を指す。
【００２４】
また、絶縁膜１１０、１１１、及び１１２は、後述の、飛散した金属と半導体の化合物に起因する金属原子が画素領域Ｂの半導体基板に拡散するのを防止する、保護膜としても機能する。絶縁膜１１０、１１１、及び１１２の膜厚は、それぞれ１００Å程度、５００Å程度、及び２００〜６００Å程度である。絶縁膜１１２の膜厚は、後述の、周辺回路領域Ｂで形成されるサイドスペーサの幅に合わせて調整される。
【００２５】
図１（Ｃ）に示すように、画素領域Ａを覆うマスクを用いて、周辺回路領域Ｂの絶縁膜１１０、１１１、及び１１２を除去する。具体的には、フォトリソグラフィにより画素領域Ａを覆い周辺回路領域Ｂを露出するフォトレジスト膜を形成後、このフォトレジスト膜をマスクとして周辺回路領域Ｂの絶縁膜１１０、１１１、及び１１２をエッチングにより除去する。この時、周辺回路のトランジスタのゲート電極１０６ｂの側面を覆うサイドスペーサ１１３が形成される。エッチングとしては、例えば、ドライエッチングを用いることができる。
【００２６】
次に、サイドスペーサ１１３をマスクとして用いて、半導体基板の周辺回路領域Ｂにセルフアラインで不純物を注入することで、周辺回路のトランジスタのソース・ドレイン領域となる第５不純物領域１１４を形成する。ここでは、注入された領域がＮ型半導体領域となる不純物を注入する。
【００２７】
これにより、図１（Ｃ）に示すように、周辺回路のトランジスタのソース・ドレイン領域は、第５不純物領域１１４及びＬＤＤ領域を有する構造となる。ＬＤＤ領域と、第５不純物領域１１４とは同じ導電型を有する。ＬＤＤ領域の不純物濃度は、第５不純物領域１１４の不純物濃度より低い。ここで、画素領域Ａには、マスク２０１が形成されているため、画素領域のトランジスタのソース領域およびドレイン領域の不純物濃度は、周辺回路のトランジスタのＬＤＤ領域１０９の不純物濃度と同程度である。
【００２８】
第５不純物領域１１４形成後、図示しないが、画素領域Ａ及び周辺回路領域Ｂの全面にＣＶＤ法またはＰＶＤ法等により、例えば酸化シリコンを用いて絶縁膜を形成してもよい。フォトリソグラフィにより周辺領域Ｂを覆い画素領域Ａを露出するフォトレジスト膜を形成後、このフォトレジスト膜をマスクとして画素領域Ａの絶縁膜１１１４をエッチングにより除去する。これにより、該絶縁膜は周辺回路領域Ｂにおいて除去され、画素領域Ａのみに残存させる。
【００２９】
次に、サリサイド（Ｓｅｌｆ−ＡＬＩｇｎｅｄ  ｓｉｌｉＣＩＤＥ）プロセスにより、周辺回路領域Ｂのゲート電極１０６ｂおよび第５不純物領域１１４の表面部に、金属と半導体の化合物層１１５（金属シリサイド層）を形成する（図２（Ａ））。具体的には、画素領域Ａの絶縁膜１１２及び周辺回路領域Ｂの第５不純物領域１１４及びゲート電極１０６ｂとサイドスペーサ１１３を覆う金属膜を形成、アニールすることで、金属と半導体の化合物層１１５を形成することができる。この後、未反応の金属膜の除去を行う。
【００３０】
このようにして、金属と半導体の化合物層１１５を半導体基板上に形成する。また、金属膜の上に酸化防止膜として金属窒化膜を形成してもよい。金属膜と酸化防止膜として、例えば、コバルトと窒化チタンの積層構造を形成してもよい。
【００３１】
金属と半導体の化合物層１１５は、チタン、ニッケル、コバルト、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、パラジウム、及び白金の珪化物、またはこれらの合金の珪化物のいずれか１つを含む。例えば、金属と半導体の化合物層１１５は、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、タングステンシリサイド、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、クロムシリサイド、パラジウムシリサイド、プラチナシリサイドからなる群から選択される少なくとも一種からなる。
【００３２】
金属と半導体の化合物層１１５の形成時、画素領域Ａにおいて半導体基板及びゲート電極１０６ａは、絶縁膜１１０、１１１、及び１１２からなる保護膜により覆われ、金属とは接触しない。したがって、画素領域Ａのゲート電極１０６ａや第１不純物領域１０７等には、上記化合物層は形成されない。保護膜の厚さは、アニール時間、アニール温度などに応じた金属の拡散を考慮して設計されうる。保護膜を厚くすることにより、金属の拡散をより低減することができるが、必ずしも拡散をゼロにする必要はない。
【００３３】
図２（Ｂ）に示すように、金属と半導体の化合物層１１５の形成後、画素領域Ａ及び周辺回路領域Ｂの全面に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて、絶縁膜１１６及び絶縁膜１１７として、例えば酸化膜及び窒化膜をそれぞれ形成する。絶縁膜１１７は、絶縁膜１１６と組成が異なる膜とする。また、絶縁膜１１６は、絶縁膜１１０及び１１２と組成が同じであることが好ましい。よって、例えば絶縁膜１１６を酸化シリコン、絶縁膜１１７を窒化シリコンを用いて形成することができる。
【００３４】
フォトリソグラフィにより周辺回路領域Ｂを覆い画素領域５０１を露出するフォトレジスト膜を形成後、このフォトレジスト膜をマスク２０２として画素領域Ａの絶縁膜１１６及び１１７をエッチングにより除去する。なお、この時、絶縁膜１１６は、完全に除去されず、膜厚が減少するのみでもよい（図２（Ｃ））。この後、マスク２０２をアッシング等により除去する。
【００３５】
絶縁膜１１６の膜厚は、絶縁膜１１０の膜厚より大きいことが好ましい。具体的には、絶縁膜１１６の膜厚は、３００Å程度とすることができる。また、絶縁膜１１７の膜厚は、例えば、絶縁膜１１１の膜厚と同じ５００Å程度とすることができる。各絶縁膜の膜厚は、光電変換部１０８上における、光電変換部１０８（または第４不純物領域２１８）とその上に形成される絶縁膜との界面に対して垂直な方向における長さである。
【００３６】
絶縁膜１１６、１１７の画素領域Ａからの除去後、画素領域Ａの絶縁膜１１０、１１１、１１２、及び周辺回路領域Ｂの絶縁膜１１６、１１７上に、絶縁膜１１８を層間膜として形成する（図３（Ａ））。絶縁膜１１８は、絶縁膜１１１及び絶縁膜１１７と組成が異なるよう形成されることが好ましい。例えば、シリコン酸化膜、あるいはボロン、燐を含んだシリコン酸化膜として形成することができる。絶縁膜１１０、１１１、１１２、１１６、１１７、及び１１８を合わせて絶縁層２００と称する。
【００３７】
次に、図３（Ｂ）に示すように、絶縁層にコンタクト開口１１９を形成する。具体的には、フォトリソグラフィにより画素領域Ａの第１不純物領域１０７及びゲート電極１０６ａと、周辺回路領域Ｂの化合物層１１５以外の部分を覆うフォトレジスト膜を形成する。このフォトレジスト膜は、画素領域Ａの第１不純物領域１０７及びゲート電極１０６ａと、周辺回路領域Ｂの化合物層１１５を露出する。このフォトレジスト膜をマスク２０３として、絶縁膜１１８を異方性エッチングすることでコンタクト開口１１９を形成する。
【００３８】
コンタクト開口１１９は、絶縁膜１１８において、画素領域Ａの第１不純物領域１０７の上及びゲート電極１０６ａの上と、周辺回路領域Ｂの化合物層１１５の上に形成されるコンタクト開口全部に共通の説明をする時は、コンタクト開口１１９と記す。また、個別のコンタクト開口について説明する時は、コンタクト開口１１９ａ〜ｄのように、数字の後にアルファベットを付して区別する。
【００３９】
具体的には、第１不純物領域１０７上のコンタクト開口をコンタクト開口１０９ａ、第５不純物領域１１４上の化合物層１１５上のコンタクト開口をコンタクト開口１０９ｂとする。また、画素領域Ａの転送トラジスタのゲート電極１０６ａ上のコンタクト開口をコンタクト開口１０９ｃ、周辺回路領域Ｂのトランジスタのゲート電極１０６ｂ上のコンタクト開口をコンタクト開口１０９ｄとする。
【００４０】
なお、コンタクト開口とは、不純物領域、または、金属と半導体の化合物層に接続される導電部材（以下、コンタクト、コンタクトプラグ、または、ビアプラグと呼ぶ）を形成するために用いられる開口を意味する。本実施例においては、コンタクト開口１１９は、マスク２０３に設けられた開口と、絶縁層２００の絶縁膜１１８に設けられた開口とを含む。コンタクト開口１１９の内部全体にコンタクトが埋め込まれる必要はない。
【００４１】
例えば、マスク２０３は後の工程で除去されるため、マスク２０３の開口の内部には、コンタクトが形成されない。しかし、マスク２０３は絶縁膜１１８のエッチングの際や、後に説明するイオン注入の際に用いられるため、マスク２０３の開口はコンタクトを形成するために用いられるコンタクト開口である。
【００４２】
本実施の形態では、絶縁膜１１２と絶縁膜１１８は、どちらも酸化シリコンを用いて形成されるため、絶縁膜１１８のエッチング時、画素領域Ａにおいて絶縁膜１１８に続いて絶縁膜１１２もエッチングされる。
【００４３】
コンタクト開口１０９ａ及びコンタクト開口１１９ｃ形成時、絶縁膜１１１がエッチングストップ層として機能し、コンタクト開口１１９ｂ及びコンタクト開口１１９ｄ形成時、絶縁膜１１７がエッチングストップ層として機能する。ここで、絶縁膜１１１及び絶縁膜１１７と、絶縁膜１１８及び絶縁膜１１２は、組成が異なる。また、コンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄ形成のためのエッチングには、絶縁膜１１１及び１１７と絶縁膜１１８とで十分なエッチング選択比を有するエッチャントを用いる。このような条件でエッチングを行うことで、絶縁膜１１１及び絶縁膜１１７はエッチングストップとして機能する。
【００４４】
それぞれのコンタクト開口の深さ（絶縁膜１１８表面からコンタクト開口の底までの高さ方向に沿った長さ）は、形成される位置によって異なる。しかし、絶縁膜１１１及び１１７がエッチングストップ層となることで、同一のエッチング工程でオーバーエッチすることなくそれぞれのコンタクト開口を形成することができる。
【００４５】
次に、図３（Ｃ）に示すマスク２０３を用いて絶縁膜１１１及び絶縁膜１１７をエッチングして、コンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄを下に伸ばす。エッチング時に用いるマスクとしては、絶縁膜１１８及び絶縁膜１１２のエッチング時と同一のマスクを用いることができる。このとき、絶縁膜１１１のエッチングに対し、絶縁膜１１０が、また、絶縁膜１１７のエッチングに対し、絶縁膜１１６がエッチングストッパとして機能するエッチャントを用いる。また、エッチャントによっては、絶縁膜１１０及び１１６は、絶縁膜１１１及び１１７に接している側の一部が。絶縁膜１１１及び１１７より遅い速度でエッチングされてもよい。
【００４６】
これにより、周辺回路領域Ｂにおいて、コンタクト開口１１９ｂは、絶縁膜１１６の一部（絶縁層の第１の部分）を介して、金属と半導体の化合物層１１５上に形成される。また、画素領域Ａにおいて、コンタクト開口１１９ａは、絶縁膜１１０の一部（絶縁層の第２の部分）が底となるように、前記第１不純物領域１０７上に形成されている。
【００４７】
この状態で、コンタクト開口内に形成される導電体と、該導電体と接続される領域とのコンタクト抵抗を低減するため、不純物のイオン注入が行われる。特に、第１不純物領域１０７と導電体のコンタクト抵抗を低減するため、ここでは、不純物として、注入された領域がＮ型半導体領域となる不純物が注入される。具体的には、コンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄを用いて、第１不純物領域１０７、ゲート電極１０６ａ及び金属と半導体の化合物層１１５に、セルフアラインでコンタクト不純物注入を行う。
【００４８】
この時、図３（Ｃ）に示すように、第１不純物領域１０７に、コンタクト開口１１９ａを介して、その底にある絶縁膜１１０の一部が露出された状態で、不純物が注入され、高濃度不純物領域１２０が形成される。また、金属と半導体の化合物層１１５にも、コンタクト開口１１９ｂを介して、その底にある絶縁膜１１６の一部（絶縁層２００の第１の部分）が露出された状態で不純物がイオン注入され、不純物注入領域１２１が形成される。すなわち、コンタクト開口１１９ｂにおいて前記化合物層１１５を覆う絶縁層２００の第１の部分が露出された状態で、コンタクト開口１１９ａを介して第１不純物領域１０７に不純物がイオン注入される。
【００４９】
同様に、ゲート電極１０６ａ、及びゲート電極１０６ｂにも、コンタクト開口１１９ｃ及び絶縁膜１１０の一部と、コンタクト開口１１９ｄ及び絶縁膜１１６の一部とをそれぞれ介して、不純物がイオン注入される。
【００５０】
ここで、コンタクト開口１１９ｂの底に絶縁膜１１６がなく、化合物層１１５が露出された状態で不純物の注入が行われると、注入される不純物によって化合物層１１５の一部が飛散する可能性がある。飛散した化合物層１１５に起因する金属原子が画素領域Ａのコンタクト開口１１９ａ、１１９ｃ等を介して画素領域Ａの半導体基板に拡散すると、光電変換部にリーク電流が発生する可能性がある。
【００５１】
本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法では、第１不純物領域１０７への不純物注入時、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及び１１９ｄにおいて、金属と半導体の化合物層１１５が絶縁層２００の少なくとも一部に覆われている。具体的には、金属と半導体の化合物層１１５が絶縁膜１１６の一部に覆われている。よって、金属と半導体の化合物層１１５に起因する金属原子の飛散、それによる画素領域Ａにおける半導体基板内への金属原子の拡散を低減、または防止することができる。
【００５２】
周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及び１１９ｄの底に配される絶縁膜１１６が１層の原子層程度の薄さであっても、化合物層１１５が露出している場合に比べて、金属原子の飛散を低減することができる。そして、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及び１１９ｄの底に配される、絶縁膜１１６の第１の部分の膜厚が大きいほど、金属原子の飛散を防止できるという効果は大きくなることが期待される。したがって、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及び１１９ｄの底に配される、絶縁膜１１６の第１の部分の膜厚は、金属原子の飛散を十分に低減できる程度に大きいことが好ましい。
【００５３】
一方、画素領域Ａのコンタクト開口１１９ａ及び１１９ｃの底に配される絶縁膜１１０の膜厚は、第１不純物領域１０７及びゲート電極１０６ａに、コンタクト抵抗を所望の値まで低減できる分の不純物を注入できる膜厚であることが好ましい。よって、コンタクト開口１１９ｂの底の絶縁膜１１６の一部（第１の部分）の膜厚は、コンタクト開口１１９ａの底の絶縁膜１１０の膜厚（第２の部分）の膜厚より大きいことが好ましい。絶縁層の第１の部分及び第２の部分の膜厚をこのような関係とすることで、金属と半導体の化合物層１１５に起因する金属原子の飛散を低減しつつ、画素領域Ａにおけるコンタクト抵抗の低減を図ることができる。また、周辺回路領域Ｂのトランジスタと配線との接続に、金属と半導体の化合物を用いることができるため、周辺回路の高速化を図ることができる。
【００５４】
なお、イオン注入に用いるエネルギーを高くすることで、画素領域Ａのコンタクト開口１１９ａ及び１１９ｃに配される絶縁膜１１０の膜厚がどのようなものであっても、第１不純物領域１０７及びゲート電極１０６ａに不純物を注入することができる。そのため、例えば、図３（ｂ）の工程で行われた絶縁膜１１８へのエッチングは、イオン注入の後に行ってもよい。つまり、コンタクト開口１１９がマスク２０３にのみ形成された状態で、イオン注入を行ってもよい。この時、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及び１１９ｄにおいて、化合物層１１５が絶縁膜１１６、１１７、および１１８によって覆われている。よって、この場合でも、金属原子の飛散、ならびに、画素領域Ａにおける半導体基板内への金属原子の拡散を低減、または防止することができる。
【００５５】
本実施の形態の固体撮像装置の製造方法では、絶縁膜１１８及び絶縁膜１１２のエッチング工程、及び絶縁膜１１１及び絶縁膜１１７のエッチング工程では、同一のマスクを用いることができる。すなわち、コンタクト開口１１９ａの形成とコンタクト開口１１９ｂの形成を同一のマスクを使って行うことができる。したがって、フォトリソグラフィ等の工程を削減でき、固体撮像装置の製造コストを低減することができる。
【００５６】
また、絶縁膜１１１及び１１７のエッチング後、絶縁膜１１６を１００Å程度オーバーエッチングすることで、画素領域Ａのコンタクト開口１１９ａの底からは絶縁膜１１０が除去されてもよい。この時、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂの底には、絶縁膜１１６が、約２００Å残存する。
【００５７】
この場合、画素領域Ａにおいて、コンタクト開口１１９ａは、その底で第１不純物領域１０７の一部を露出するように、前記第１不純物領域１０７上に形成されている。また、周辺回路領域Ｂにおいて、コンタクト開口１１９ｂは、絶縁膜１１６の一部（第１の部分）を介して、金属とは導体の化合物層１１５上に形成されている。
【００５８】
この状態でコンタクト抵抗を低減するため、不純物のイオン注入が行われる場合、第１不純物領域１０７に、コンタクト開口１１９ａを介して不純物が注入され、高濃度不純物領域１２０が形成される。それ以外の部分は、上述の場合と同じため、説明を省略する。
【００５９】
このような方法としても、第１不純物領域１０７への不純物注入時、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及びコンタクト開口１１９ｄにおいて、金属と半導体の化合物層１１５が絶縁膜１１６の一部に覆われている。よって、金属と半導体の化合物層１１５に起因する金属原子の飛散、それによる画素領域Ａにおける半導体基板内への金属原子の拡散を低減、または防止することができる。更に、周辺回路領域Ｂの金属と半導体の化合物層１１５には、不純物層が導入されるため、化合物層１１５とコンタクト開口１１９ｂに形成されるコンタクトとの接触抵抗をさらに低減することができる。
【００６０】
次に、コンタクト開口１１９ａ及びコンタクト開口１１９ｂの底にそれぞれ存在する、絶縁膜１１０の一部（絶縁層の第２の部分）及び絶縁膜１１６の一部（絶縁層の第１の部分）をマスクを用いてエッチングする（図４）。絶縁膜１１０と１１６は、組成が同じであるため、同一条件でエッチングすることができ、１回のエッチング工程により同時に除去することができる。この時、コンタクト開口１１９ｃ及びコンタクト開口１１９ｄの底にそれぞれ存在する、絶縁膜１１０の一部及び絶縁膜１１６の一部も、該マスクを用いたエッチングにより除去される。
【００６１】
各コンタクト開口上の絶縁膜１１０及び１１６のエッチング後、導電体をコンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄ内に配する。これにより、第１不純物領域１０７、ゲート電極１０６ａ、１０６ｂ、及び金属と半導体の化合物層１１５に接続するコンタクトプラグを形成する。
【００６２】
なお、金属と半導体層の化合物層１１５に起因する金属原子の拡散を防止するという観点からは、以下の方法も考えられる。第１の方法として、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及び１１９ｄを形成せず、画素領域Ａにおけるコンタクト開口１１９ａ及び１１９ｃのみを形成し、不純物注入を行う。その後、周辺回路領域Ｂのコンタクト開口１１９ｂ及び１１９ｄを形成する。または、第２の方法として、コンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄを同時に形成した後、周辺回路領域Ｂのみを覆うマスクを形成してコンタクト開口１１９ａ及び１１９ｃを介して不純物注入を行うことが考えられる。
【００６３】
しかし、このような場合には、いずれも、画素領域Ａと周辺回路領域Ｂの違いに合わせて、更にマスクを形成し、コンタクト形成や不純物注入を行う必要がある。つまり、必要なマスクの枚数、ならびに、工程数が増えてしまう可能性がある。これに対し、本実施の形態の製造方法を用いることで、マスク数、工程数を増加することなく、画素領域Ａにおける不純物領域及び電極と導電層とのコンタクト抵抗を低減しながら、光電変換部でのリーク電流の発生を抑制することができる。
【００６４】
なお、上記実施の形態では、絶縁膜１１２及び１１７をエッチングストップ層として絶縁膜１１８をエッチングし、その後、絶縁膜１１０及び絶縁膜１１６をエッチングすることで、コンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄを形成した。しかし、画素領域におけるコンタクト用不純物のイオン注入時に、周辺回路領域が、底で、金属と半導体の化合物層が絶縁膜で覆われているコンタクト開口を有する構成とできればよい。
【００６５】
よって、絶縁層は、１層の絶縁膜から形成され、例えば、絶縁膜を貫通する前にエッチングを止めることでコンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄを形成してもよい。また、例えば、絶縁膜１１０及び１１６を形成せず、絶縁膜１１１及び１１７が、それぞれコンタクト開口１１９ａ及び１１９ｂの底をなすように、絶縁膜１１８をエッチングしてもよい。
【００６６】
また、図５に示すように、絶縁膜１１１、１１７をエッチング除去しない状態で、コンタクト抵抗低減のための不純物注入を行ってもよい。この場合、絶縁層の第１の部分は、絶縁膜１１６及び１１７を有し、絶縁層の第２の部分は、絶縁膜１１０及び１１１を有する。
【００６７】
また、第１不純物領域１０７として、フローティングディフュージョン領域を示したが、本実施の形態はこれに限定されず、例えば、半導体基板に固定電位を供給するための不純物領域であってもよい。
【００６８】
（実施の形態２）
実施の形態１においては、周辺回路領域Ｂのトランジスタのみサイドスペーサを有する例について示したが、画素領域Ａのトランジスタがサイドスペーサを有していてもよい。本実施の形態では、実施の形態１と差分について説明し、実施の形態１と同様の方法、構成、材料、組成、機能等を有する部分については、説明を省略する。
【００６９】
図１（Ｂ）における絶縁膜１１２の形成後、画素領域Ａにおいて、光電変換部１０８及び転送トランジスタのゲート電極１０６ａの王電変換部１０８側の一部を覆うマスクを形成する。
【００７０】
該マスクを用いて、画素領域Ａのゲート電極１０６ａの他の一部や第１不純物領域１０７の上、周辺回路領域Ｂなど、前記絶縁膜１１０、１１１、及び１１２の、該マスクで覆われていない部分をエッチングにより除去する。これにより、転送トランジスタのゲート電極１０６ａの、第１不純物領域１０７側の側面、及び周辺回路領域Ｂのトランジスタのゲート電極の側面に、サイドスペーサ２１３及び１１３が形成される。エッチングとしては、例えば、ドライエッチングを用いることができる。
【００７１】
実施の形態１と同様に、サイドスペーサ１１３を用いて、半導体基板の周辺回路領域
にセルフアラインで不純物を注入することで、周辺回路のトランジスタのソース・ドレイン領域となる第５不純物領域１１４を形成する。不純物としては、注入された領域がＮ型半導体領域となる不純物を用いることができる。
【００７２】
これにより、図６（Ａ）に示すように、周辺回路のトランジスタのソース・ドレイン領域は、第５不純物領域１１４及びＬＤＤ領域を有する構造となる。ここで、本実施の形態において、画素領域Ａにはマスク６０１が形成されているため、画素領域Ａのトランジスタには、第５不純物領域１１４は形成されない。
【００７３】
第５不純物領域１１４形成後、図６（Ｂ）に示すように、画素領域Ａ及び周辺回路領域Ｂの全面にＣＶＤ法またはＰＶＤ法等により、シリコン酸化膜等の絶縁膜６１６を形成する。
【００７４】
次に、サリサイド（Ｓｅｌｆ−ＡＬＩｇｎｅｄ  ｓｉｌｉＣＩＤＥ）プロセスにより、周辺回路領域Ｂのゲート電極１０６ｂおよび第５不純物領域１１４の表面部に、金属と半導体の化合物層１１５（金属シリサイド層）を形成する（図６（Ｃ））。形成方法としては、実施の形態１と同様の方法を用いることができる。
【００７５】
図７（Ａ）に示すように、金属と半導体の化合物層１１５の形成後、画素領域Ａ及び周辺回路領域Ｂの全面に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて、絶縁膜６１７として、例えば窒化シリコン膜を形成する。絶縁膜６１７は、画素領域Ａにおいて、絶縁膜６１６上に形成され、周辺領域Ｂにおいて、化合物層１１５、ゲート電極１０６ｂ、及びサイドスペーサ１１３を覆うように形成される。
【００７６】
次に、フォトリソグラフィにより周辺回路領域Ｂを覆い画素領域５０１を露出するフォトレジスト膜であるマスク６０２を形成後、マスク６０２を用いて画素領域Ａの絶縁膜６１６及び６１７をエッチングにより除去する（図７（Ｂ））。この後、マスクをアッシング等により除去する。
【００７７】
図７（Ｃ）に示すように、画素領域Ａの、絶縁膜１１２、ゲート電極１０６ａ、及び第１不純物領域１０７と、周辺回路領域Ｂの絶縁膜６１７上に、絶縁膜６１８を形成する。絶縁膜６１８には、例えば酸化膜を用いることができ、具体的には、酸化シリコンを用いることができる。絶縁膜１１０、１１１、１１２、６１６、６１７、及び６１８を合わせて絶縁層と称する。
【００７８】
マスクを用い、フォトリソグラフィと異方性エッチングにより、絶縁膜６１８において、画素領域Ａの第１不純物領域１０７及びゲート電極１０６ａと、周辺回路領域Ｂの化合物層１１５の上に、コンタクト開口１１９を形成する。
【００７９】
実施の形態１と同様に、第１不純物領域１０７上のコンタクト開口をコンタクト開口１１９ａ、第５不純物領域１１４上の化合物層１１５上のコンタクト開口をコンタクト開口１１９ｂとする。また、画素領域Ａの転送トラジスタのゲート電極１０６ａ上のコンタクト開口をコンタクト開口１１９ｃ、周辺回路領域Ｂのトランジスタのゲート電極１０６ｂ上のコンタクト開口をコンタクト開口１１９ｄとする。
【００８０】
本実施の形態では、絶縁膜１１２と絶縁膜６１８は、どちらも酸化シリコンを用いて形成されるため、絶縁膜６１８のエッチング時、画素領域Ａにおいて絶縁膜６１８に続いて絶縁膜１１２もエッチングされる。
【００８１】
絶縁膜１１２及び６１８のエッチング時、コンタクト開口１１９ｂ及びコンタクト開口１１９ｃでは、絶縁膜１１７がエッチングストップ層として機能する。一方、コンタクト開口１１９ａ及びコンタクト開口１１９ｃでは、エッチングストップ層として機能する絶縁膜がない。よって、開口は、ゲート電極１０６ａ及び第１不純物領域１０７に達する。
【００８２】
つまり、コンタクト開口１１９ａの底では、ゲート電極１０６ａの上面が露出され、コンタクト開口１１９ｃの底では、第１不純物領域１０７が露出される。一方、コンタクト開口１１９ｂ及びコンタクト開口１１９ｄの底では、絶縁膜６１７が露出されている。
【００８３】
この状態で、コンタクト開口に形成される導電体と、該導電体と接続される領域とのコンタクト抵抗を低減するため、実施の形態１と同様に、Ｎ型を示す不純物のイオン注入が行われる。具体的には、コンタクト開口１１９ａ〜１１９ｄを用いて、第１不純物領域１０７、ゲート電極１０６ａ及び金属と半導体の化合物層１１５に、セルフアラインでコンタクト不純物注入を行う。
【００８４】
この時、図８に示すように、第１不純物領域１０７に、コンタクト開口１１９ａを介して、不純物が注入され、高濃度不純物領域６２０が形成される。同様に、ゲート電極１０６ａにも、コンタクト開口１１９ｃを介して、不純物がイオン注入される。また、金属と半導体の化合物層１１５にも、コンタクト開口１１９ｂを介して、その底にある絶縁膜１１６の一部（第１の部分）が露出された状態で不純物がイオン注入されてもよい。同様に、ゲート電極１０６ｂにも、コンタクト開口１１９ｄ及び絶縁膜６１６及び６１７の一部とをそれぞれ介して、不純物がイオン注入されてもよい。
【００８５】
このような構成としても、コンタクト低減のための不純物の注入時、コンタクト開口１１９ｂの底で、金属と半導体の化合物層１１５は、絶縁膜６１６及び６１７に覆われている。よって、化合物層１１５に起因する金属元素が、不純物導入時に飛散し、画素領域Ａの半導体基板内に拡散するのを低減、または防ぐことができる。
【００８６】
したがって、光電変換部１０８にリーク電流が生じるのを抑制しつつ、画素領域Ａにおけるコンタクト抵抗の低減を図ることができる。また、周辺回路領域Ｂのトランジスタと配線との接続に、金属と半導体の化合物を用いることができるため、周辺回路の高速化を図ることができる。
【００８７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１または２で説明した製造方法で形成した固体撮像装置を有する撮像システムについて図９を用いて説明する。撮像システムとして、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、複写機、ファクシミリ、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などがあげられる。図９では、撮像システムの例としてデジタルスチルカメラのブロック図を示す。
【００８８】
図９において、撮像システムは、レンズの保護のためのバリア１００１、被写体の光学像を固体撮像装置１００４に結像させるレンズ１００２、レンズ１００２を通った光量を可変するための絞り１００３、メカニカルシャッタ１００５を備える。撮像システムは上述の実施の形態１または２で説明した固体撮像装置１００４を備え、固体撮像装置１００４はレンズ１００２により結像された光学像を画像データとして変換する。ここで、固体撮像装置１００４の半導体基板にはＡＤ変換部が形成されているものとする。
【００８９】
撮像システムはさらに信号処理部１００７、タイミング発生部１００８、全体制御・演算部１００９、メモリ部１０１０、記録媒体制御Ｉ／Ｆ部１０１１、記録媒体１０１２、外部Ｉ／Ｆ部１０１３を備える。信号処理部１００７は固体撮像装置１００４より出力された撮像データに各種の補正やデータを圧縮する。タイミング発生部１００８は固体撮像装置１００４および信号処理部１００７に各種タイミング信号を出力する。
【００９０】
全体制御・演算部１００９はデジタルスチルカメラ全体を制御し、メモリ部１０１０は画像データを一時的に記憶するためフレームメモリとして機能する。記録媒体制御Ｉ／Ｆ部１０１１は記録媒体に記録または読み出しを行う。記録媒体１０１２は着脱可能な半導体メモリ等から構成され、撮像データの記録または読み出しを行う。
【００９１】
外部Ｉ／Ｆ部１０１３は外部コンピュータ等と通信するためのインターフェースである。ここで、タイミング信号などは撮像システムの外部から入力されてもよく、撮像システムは少なくとも固体撮像装置１００４と、固体撮像装置１００４から出力された撮像信号を処理する信号処理部１００７とを有すればよい。
【００９２】
撮像システムの固体撮像装置１００４を、上述の実施の形態１または２の製造方法を用いて製造することで、高精度の撮像データを高速で処理可能な撮像装置が実現できる。また、該効果を有する撮像システムを、製造工程及びコストの増加を抑制して製造することができる。
【００９３】
（他の実施形態）
上述した実施形態は、本発明を実施するにあたっての具体例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されない。すなわち、本発明はその技術思想から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００９４】
Ａ  画素領域
Ｂ  周辺回路領域
１００  半導体基板
１０７  第１不純物領域
１０８  光電変換部
１１５  金属と半導体の化合物層
１１９  コンタクト開口
２００  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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