(57)【要約】【課題】従来のＱＦＮと比べて、容易に高品質の電子部品を製造する。【解決手段】配線基板１は、第１層１００と、第１層１００の一方の面上の第２層２００とを備えている。第１層１００は、複数の第１導体部６と、複数の第１導体部６の間に配置されて複数の第１導体部６を電気的に分離する樹脂部３とを備えている。第２層２００は、複数の第１導体部６のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部４を備えている。複数の第２導体部４は、それぞれ、第２導体部４の第１層１００側の面の一部において、樹脂部３と接している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１層と、
前記第１層の一方の面上の第２層と、を備え、
前記第１層は、複数の第１導体部と、前記複数の第１導体部の間に配置されて前記複数の第１導体部を電気的に分離する樹脂部と、を備え、
前記第２層は、前記複数の第１導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を備え、
前記複数の第２導体部は、それぞれ、前記第２導体部の前記第１層側の面の一部において、前記樹脂部と接している、配線基板。
【請求項２】
前記第２導体部は、チップをボンディングするためのチップボンディング部と、ワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング部とを備えた、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ワイヤボンディング部上に金属層をさらに備えた、請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１導体部の前記第２導体部側とは反対側の面上に保護膜をさらに備えた、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１導体部および前記第２導体部のパターンが複数配列されてなる、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
樹脂基材と前記樹脂基材上の導体層とを備えた積層構造体の前記樹脂基材の一部を除去する工程と、
前記導体層の一部を除去することによって、前記樹脂基材の一部と接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を形成する工程と、
前記樹脂基材が除去された部分に、前記複数の第２導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第１導体部を形成する工程と、を含む、配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２導体部上に金属層を形成する工程をさらに含む、請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記複数の第１導体部の少なくとも一部に外部接続用の処理を施す工程をさらに含む、請求項６または請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記第２層上のチップと、
前記チップに電気的に接続されたワイヤと、
前記チップと前記ワイヤとを封止する封止材と、を備え、
前記チップは、前記複数の第２導体部の一部にボンディングされており、
前記ワイヤは、前記チップと前記複数の第２導体部の他の一部とを電気的に接続する、電子部品。
【請求項１０】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の配線基板を準備する工程と、
前記複数の第２導体部の一部にチップをボンディングする工程と、
前記チップと前記複数の第２導体部の他の一部とをワイヤにより電気的に接続する工程と、
前記チップと前記ワイヤとを封止材により封止する工程と、を含む、電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記配線基板を切断して個片化する工程をさらに含む、請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、配線基板の製造方法、電子部品、および電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば非特許文献１には、ＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded Package）用アセンブリテープを用いたＱＦＮの組立工程が開示されている。なお、ＱＦＮはリード端子が外側に延びるような構成ではないノンリードタイプの電子部品の一つである。ノンリードタイプの電子部品としては、ＱＦＮ以外に、ＳＯＮと呼ばれるものもある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】河合紀安、名児耶友宏、“ＱＦＮ用アセンブリテープ”、日立化成テクニカルレポート、日立化成工業株式会社、２００２年７月、Ｎｏ．３９、第１７〜２０頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のＱＦＮよりも容易に高品質の電子部品を製造することも要望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
ここで開示された実施形態は、第１層と、第１層の一方の面上の第２層と、を備え、第１層は、複数の第１導体部と、複数の第１導体部の間に配置されて複数の第１導体部を電気的に分離する樹脂部と、を備え、第２層は、複数の第１導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を備え、複数の第２導体部は、それぞれ、第２導体部の第１層側の面の一部において、樹脂部と接している、配線基板である。
【０００６】
ここで開示された実施形態は、樹脂基材と樹脂基材上の導体層とを備えた積層構造体の樹脂基材の一部を除去する工程と、導体層の一部を除去することによって樹脂基材の一部と接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を形成する工程と、樹脂基材が除去された部分に複数の第２導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第１導体部を形成する工程と、を含む、配線基板の製造方法である。
【０００７】
ここで開示された実施形態は、上記の配線基板と、第２層上のチップと、チップに電気的に接続されたワイヤと、チップと前記ワイヤとを封止する封止材と、を備え、チップは複数の第２導体部の一部にボンディングされており、ワイヤは、チップと複数の第２導体部の他の一部とを電気的に接続する電子部品である。
【０００８】
ここで開示された実施形態は、上記の配線基板を準備する工程と、複数の第２導体部の一部にチップをボンディングする工程と、チップと複数の第２導体部の他の一部とをワイヤにより電気的に接続する工程と、チップとワイヤとを封止材により封止する工程とを含む電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
ここで開示された実施形態によれば、従来のＱＦＮと比べて、容易に高品質の電子部品を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態の配線基板の模式的な断面図である。
【図２】実施形態の配線基板の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図３】実施形態の配線基板の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図４】実施形態の配線基板の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図５】実施形態の配線基板の変形例の模式的な断面図である。
【図６】実施形態の電子部品の模式的な断面図である。
【図７】実施形態の電子部品の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図８】実施形態の電子部品の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図９】実施形態の電子部品の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図１０】実施形態の配線基板の変形例の模式的な平面図である。
【図１１】図６に示す実施形態の電子部品の模式的な平面図である。
【図１２】図６に示す実施形態の電子部品に用いられる配線基板の第１層の模式的な平面図である。
【図１３】実施形態の配線基板の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】実施形態の配線基板の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１５】実施形態の配線基板の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１６】実施形態の配線基板および電子部品の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１７】（ａ１）〜（ａ３）は従来のＱＦＮにおけるフレームの製造方法を図解する模式的な断面図であり、（ｂ１）〜（ｂ５）に本実施形態の配線基板の製造方法の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１８】（ａ１）〜（ａ５）は従来のＱＦＮの組立工程を図解する模式的な断面図であり、（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ４）および（ｂ５）は本実施形態の電子部品の製造方法の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１９】（ａ６）〜（ａ８）は従来のＱＦＮの組立工程を図解する模式的な断面図であり、（ｂ８）は本実施形態の電子部品の製造方法の一例を図解する模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態について説明する。なお、実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１２】
＜配線基板＞
図１に、実施形態の配線基板の模式的な断面図を示す。図１に示すように、実施形態の配線基板１は、第１層１００と、第１層１００の一方の面上の第２層２００とを備えている。第１層１００は、複数の第１導体部６と、複数の第１導体部６の間の樹脂部３とを備えている。隣り合う第１導体部６は、間隔を空けて配置されている。隣り合う第１導体部６の間の間隔に樹脂部３が配置されている。隣り合う第１導体部６は、絶縁性の樹脂部３によって互いに電気的に分離されている。
【００１３】
第２層２００は、複数の第２導体部４を備えており、隣り合う第２導体部４は開口部５を空けて配置されている。隣り合う第２導体部４の間の開口部５には部材が配置されておらず、第１層１００の樹脂部３の一部が露出している。隣り合う第２導体部４は、開口部５によって、互いに電気的に分離されている。
【００１４】
複数の第２導体部４のそれぞれは、複数の第２導体部４のそれぞれと向かい合う第１導体部６と接して電気的に接続されている。また、複数の第２導体部４のそれぞれは、第２導体部４の第１層１００側の面の一部において樹脂部３と接している。なお、以下では配線基板１をワイヤボンディング方式に適用する例を説明するが、配線基板１をフリップチップボンディング方式に適用することができる。
【００１５】
＜配線基板の製造方法＞
以下、図２〜図５の模式的断面図を参照して、実施形態の配線基板１の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、絶縁性の樹脂基材３００と、樹脂基材３００の一面上に導体層４００とを備えた積層構造体５００を準備する。樹脂基材３００としてはたとえばポリイミドを用いることができ、導体層４００としてはたとえば銅を用いることができる。
【００１６】
次に、図３に示すように、樹脂基材３００の一部を除去することによって、開口７を形成する。ここで、図１に示す複数の第１導体部６が配置される領域に対応する部分に開口７が形成され、樹脂基材３００が図１に示す樹脂部３となる。開口７には導体層４００が露出する。樹脂基材３００の一部の除去は、たとえばエッチング等によって行なうことができる。
【００１７】
次に、図４に示すように、導体層４００の一部を除去することによって、開口部５を形成する。ここで、開口部５は、残される導体層４００の一部が樹脂基材３００の一部と接するように形成される。導体層４００の除去されなかった部分が、図１に示す複数の第２導体部４となる。導体層４００の一部の除去は、たとえばエッチング等によって行なうことができる。
【００１８】
次に、図４に示す開口７に露出している導体層４００のそれぞれの表面上に第１導体部６を形成することによって、図１に示す実施形態の配線基板が製造される。第１導体部６は、たとえば、銅を導体層４００上に電気めっきすること等によって形成することができる。
【００１９】
また、図５の模式的断面図に示すように、第２導体部４上に金属層８を形成してもよい。金属層８は、たとえばニッケルと金との積層体を第２導体部４上にめっきすること等により形成することができる。金属層８は、たとえば、ワイヤボンディングされるワイヤとの接続性の向上のために形成することができる。
【００２０】
また、図５に示すように、第１導体部６の裏面（第１導体部６の第２導体部４側とは反対側の面）に外部接続用の処理を施して保護膜１８を形成してもよい。保護膜１８は、たとえば、ニッケルと金との積層体若しくは錫を第２導体部４上にめっきすることにより、または第１導体部６の裏面を有機保護膜で被覆することにより形成することができる。保護膜１８は、たとえば、第１導体部６の裏面に対する半田の濡れ性の向上、および／または第１導体部６の裏面の酸化の抑制のために形成することができる。
【００２１】
＜電子部品＞
図６に、実施形態の電子部品の模式的な断面図を示す。図６に示す実施形態のノンリードタイプの電子部品に用いられている実施形態の配線基板１０１の複数の第２導体部４は、チップ１２をボンディングするためのチップボンディング部（図６の中央の第２導体部４）と、ワイヤ１１をボンディングするためのワイヤボンディング部（図６の中央の第２導体部４以外の第２導体部４）とを備えている。なお、以下の説明では、１つの電子部品に１つのチップを搭載した構成について説明するが、１つの電子部品に複数のチップを搭載することもできる。
【００２２】
すなわち、図６に示すように、実施形態の電子部品は、実施形態の配線基板１０１と、実施形態の配線基板１０１の複数の第２導体部４の一部（図６の中央の第２導体部４）に導電性または非導電性の接着材１３を介して電気的に接続されたチップ１２と、チップ１２の電極と複数の第２導体部４の他の一部（図６の中央の第２導体部４以外の第２導体部４）とを金属層８を介して電気的に接続するワイヤ１１と、ワイヤ１１およびチップ１２を封止する絶縁性の封止材１０と、を備えている。ワイヤ１１およびチップ１２としては、それぞれ、従来から公知のワイヤおよびチップを用いることができる。封止材１０としては、たとえばエポキシ樹脂等を用いることができる。接着材１３としては、たとえば導電性であれば銀ペースト等の導電性ペーストを用いることができる。
【００２３】
また、第２導体部４のチップボンディング部とワイヤボンディング部との間には、切欠き９が設けられている。このように、チップボンディング部とワイヤボンディング部との間に切欠き９を設けることによって、接着材１３を用いたチップ１２のボンディング時にチップ１２の外側に流出した接着材１３を切欠き９で堰き止めることができ、切欠き９よりも外側への接着材１３の流出を止めることができる。
【００２４】
なお、切欠き９は、後述の図１１の模式的平面図に示されるような平面視として、中央の第２導体層４を電気的に分離しない形状とすることができる。このような形状とすれば、図４を用いて説明した導体層４００の一部除去により開口部５を形成するのと同じ工程で、切欠き９を形成することができる。また、図６に示す電子部品において、配線基板１０１に代えて、切欠き９を設けない図１または図５に示す配線基板１を用いて構成することもできる。
【００２５】
＜電子部品の製造方法＞
以下、図７〜図９の模式的断面図を参照して、実施形態の電子部品の製造方法の一例について説明する。まず、図６に示す配線基板１０１を準備する。図６に示す配線基板１０１は、ワイヤボンディング部となる第２導体部４上に金属層８を備えるとともに第１導体部６の裏面上に保護膜１８を備え、第２導体部４のチップボンディング部とワイヤボンディング部との間に切欠き９を備えていること以外は、図１に示す実施形態の配線基板１と同様の構造を有している。
【００２６】
次に、図７に示すように、図６に示す実施形態の配線基板１０１のチップボンディング部となる第２導体部４の上に接着材１３を介してチップ１２をボンディングする。ここで、チップ１２は、互いに向かい合う２つの切欠き９の間のチップボンディング部となる第２導体部４上にボンディングされる。
【００２７】
次に、図８に示すように、チップ１２の電極と、ワイヤボンディング部となる第２導体部４上の金属層８とをワイヤ１１を用いたワイヤボンディングにより電気的に接続する。
【００２８】
その後、図９に示すように、チップ１２とワイヤ１１とを封止材１０により封止することによって、図６に示す実施形態の電子部品を製造することができる。
【００２９】
また、図６に示す実施形態の配線基板１０１の断面構造が、たとえば図１０の模式的平面図に示すように、縦方向および横方向にそれぞれ複数連続して配置された実施形態の配線基板１００１を用いて、図６に示す実施形態の電子部品を製造してもよい。図１０に示す実施形態の配線基板１００１においては、図１０の破線で取り囲まれた四角形のそれぞれが図６に示す配線基板１０１と同一の構造を有しており、その構造が縦方向および横方向のそれぞれに繋がって繰り返している構造となっている。すなわち、図１０の破線で取り囲まれた四角形の１つは、その他の四角形のそれぞれと、少なくとも第１導体部６および第２導体部４のパターンが同一となっており、そのパターンが縦方向および横方向のそれぞれにおいて繰り返されている。
【００３０】
図１０に示す配線基板１００１を用いることによって、より効率的に図６に示す実施形態の電子部品を製造することができる。すなわち、図１０に示す配線基板１００１のチップボンディング部となる複数の第２導体部４のそれぞれの上にチップ１２をボンディングし、チップ１２とワイヤボンディング部となる第２導体部４とをワイヤ１１を用いてワイヤボンディングした後に、複数のチップ１２とワイヤ１１とをまとめて封止材１０によって封止する。その後、配線基板１００１を封止材１０とともに切断して個々の電子部品に個片化することによって、複数の電子部品を一度に製造することが可能になる。
【００３１】
図１１に、図６に示す実施形態の電子部品の模式的な平面図を示す。また、図１２に図１１の破線１１１で取り囲まれた部分の配線基板の第１層の模式的な平面図を示す。図１１に示される実施形態の電子部品の第２導電体４のチップボンディング部４ａの設置箇所が図１２の破線４ａで取り囲まれた箇所に対応している。また、図１１に示される実施形態の電子部品の第２導電体４のワイヤボンディング部４ｂの設置箇所が図１２の破線４ｂで取り囲まれた箇所に対応している。なお、図１２においては、説明の便宜のため、ワイヤボンディング部４ｂの設置箇所を１つのみ示している。
【００３２】
図１１および図１２に示すように、実施形態の電子部品の第２導電体４のチップボンディング部４ａおよびワイヤボンディング部４ｂは、それぞれ、配線基板の第１層の第１導電体６に接するとともに、樹脂部３にも接している。
【００３３】
＜作用効果＞
本実施形態においては、端子となる第１導体部６の部分（図１２の外周に間隔を空けて配置された矩形状の第１導体部６）をたとえば樹脂基材３００のエッチング等により微細に形成することができるため、従来のＱＦＮよりも狭いピッチ（隣り合う端子間の間隔が０．４ｍｍ未満）で端子の形成が可能になる。これにより、本実施形態においては、従来のＱＦＮよりも端子数を増加させることができ、多ピン化が可能となるため、ノンリードタイプの電子部品の微細化および高性能化が可能となる。
【００３４】
また、実施形態の配線基板に、図１１に示すインナーリード５１およびアウターリード５２に相当する部分をパターニングにより設けることによって、ワイヤ１１をアウターリード５２にボンディングすることなく、チップ１２により近いワイヤボンディング部４ｂにボンディングすればよい。これにより、ワイヤ１１の長さを低減することができるため、ワイヤボンディングの信頼性を向上させることができ、ノンリードタイプの電子部品の高品質化につながる。
【００３５】
また、たとえば図１３の模式的断面図に示すように、チップボンディング部となる第２導電体４の直下が樹脂部３である場合には、チップ１２の発熱を樹脂部３を通して外部に放出するのは非常に困難である。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図６に示すように、チップボンディング部となる第２導電体４の直下に当該第２導電体４と接する第１導電体６が設けられている。したがって、本実施形態においては、チップ１２の発熱をチップボンディング部となる第２導電体４およびその直下の第１導電体６を通して外部に容易に放出することができるため、この点も電子部品の高品質化につながる。
【００３６】
また、たとえば図１３〜図１５に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導電体４の直下が開口７である場合には、ワイヤ１１のワイヤボンディング時にワイヤボンディング部となる第２導電体４がバウンスすることによりボンディング性が低下する。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図１６に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導電体４の直下に当該第２導電体４と接する第１導電体６が設けられている。したがって、第２導電体４の直下の第１導電体６によって当該第２導電体４の強度を補強することができるため、ワイヤ１１のワイヤボンディング時における当該第２導電体４のバウンスを抑制することによるボンディング性の低下を抑制することもできる。
【００３７】
また、たとえば図１３〜図１５に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導電体４の直下が開口７である場合には、ワイヤ１１のワイヤボンディング時にワイヤボンディング部となる第２導電体４に加えられるダメージが大きくなる。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図１６に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導電体４の直下に当該第２導電体４と接する第１導電体６が設けられている。したがって、第２導電体４の直下の第１導電体６によって当該第２導電体４の強度を補強することができるため、ワイヤ１１のワイヤボンディング時における当該第２導電体４へのダメージを低減することができる。
【００３８】
また、たとえば図１３〜図１５に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導電体４の直下が開口７である場合には、電子部品の２次実装時に半田ボイドが生じて実装不良となることがある。また、第２導電体４の直下が開口７であるために、２次実装時に半田が開口７に逃げ込んでフィレットがうまく形成されず実装強度が低下することがある。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図６に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導電体４の直下に当該第２導電体４と接する第１導電体６が設けられていることから、これらの２次実装時の問題の発生を抑制することができる。
【００３９】
図１７（ａ１）〜（ａ３）に、従来のＱＦＮにおけるフレームの製造方法を図解する模式的な断面図を示し、図１７（ｂ１）〜（ｂ５）に本実施形態の配線基板の製造方法の一例を図解する模式的な断面図を示す。なお、フレームは、リードフレームとも呼ばれる。
【００４０】
従来のＱＦＮにおいては、図１７（ａ１）に示すフレーム４０の一部に図１７（ａ２）に示すように開口部５を設けた後に、図１７（ａ３）に示すようにフレーム４０の一部の表面に銀からなる金属層８が形成される。そのため、従来のＱＦＮにおいては、フレーム４０の表面が大気に露出することにより酸化し、フレーム４０が短寿命になるという問題があった。一方、本実施形態においては、図１７（ｂ５）に示すように、第１導体６の裏面を保護膜１８で被覆することにより、従来のＱＦＮと比較して、第１導体６の酸化を有効に抑制することができる。なお、従来のＱＦＮにおいて、図１７（ａ２）に示すように開口部５を設ける際に、フレーム４０の各構成要素が分離しないように、機械的に接続するための連結部がフレーム４０に形成される。
【００４１】
また、従来のＱＦＮにおいては、実施形態の配線基板よりも厚いフレーム４０を加工する必要があり、微細な加工が困難であるため、端子数を増加させることができず、多ピン化の制約がある。一方、本実施形態においては、より薄い樹脂基材３００および導体層４００のそれぞれの加工によって端子を形成することができるため、より微細な加工が可能となり、従来のＱＦＮよりも端子数を増加させることができる。なお、図１７（ｂ１）〜（ｂ３）および（ｂ５）はそれぞれ図２〜図５に対応し、図１７（ｂ４）は図１に対応するため、図１７（ｂ１）〜（ｂ５）の説明は省略する。
【００４２】
図１８（ａ１）〜（ａ５）および図１９（ａ６）〜（ａ８）に、従来のＱＦＮの組立工程を図解する模式的な断面図を示し、図１８（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ４）および（ｂ５）ならびに図１９（ｂ８）に、本実施形態の電子部品の製造方法の一例を図解する模式的な断面図を示す。
【００４３】
なお、図１８（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ４）および（ｂ５）ならびに図１９（ｂ８）は、それぞれ、実施形態の電子部品の製造方法の一例の製造工程のうち、従来のＱＦＮの組立工程の図１８（ａ１）、（ａ２）、（ａ４）および（ａ５）ならびに図１９（ａ８）に対応する工程を示している。
【００４４】
従来のＱＦＮの組立工程においては、図１８（ａ１）に示すようにチップ１２を接着材１３を介してフレーム４０にチップボンディングした後に図１８（ａ２）に示すようにワイヤ１１をワイヤボンディングすることになる。しかしながら、従来のＱＦＮの組立工程においては、端子の先端が他の部材に固定されていないため、ボンディング性が良好ではないという問題がある。一方、本実施形態においては、端子となる第２導電体４の一部は樹脂部３と接することになるため、ワイヤボンディングが安定し、ボンディング性が向上する。これにより、本実施形態においては、高品質のノンリードタイプの電子部品を製造することが可能になる。
【００４５】
また、従来のＱＦＮの組立工程においては、図１８（ａ３）に示すように、ＱＦＮ用アセンブリテープ４１を使用する必要がある。一方、本実施形態においては、ＱＦＮ用アセンブリテープ４１を使用する必要がないため、工数を減少させることができるとともに、ＱＦＮ用アセンブリテープ４１の費用に相当する材料費を低減することができる。これにより、本実施形態においては、従来のＱＦＮの組立工程と比べて、簡易な工程で、かつ低コストでノンリードタイプの電子部品を製造することが可能になる。
【００４６】
また、従来のＱＦＮの組立工程においては、図１８（ａ４）に示すように封止材１０による封止工程を行なった後に、図１８（ａ５）に示す封止材１０へのマーキング工程を行なうが、薄いＱＦＮ用アセンブリテープ４１では図１８（ａ４）に示す封止工程において封止樹脂が漏れるという問題があった。一方、本実施形態においては、実施形態の配線基板を備えているために、そのような問題は生じない。
【００４７】
また、従来のＱＦＮの組立工程においては、図１９（ａ６）に示されるようにＱＦＮ用アセンブリテープ４１をフレーム４０から剥離し、図１９（ａ７）に示すようにフレーム４０の裏面に錫からなる保護膜１８０を被覆する必要があった。一方、本実施形態においては、これらの工程を行なう必要がないため、工数を減少させることができる。
【００４８】
また、従来のＱＦＮの組立工程においては、図１９（ａ８）に示すように、ダイシングを行なって個々の電子部品に個片化する工程が行なわれるが、ダイシングが行なわれるフレーム４０の幅が広くなってしまうため、フレーム４０を削りながら個片化する必要があった。その結果、フレーム４０の切断部分にバリが生じてしまい、電子部品の品質不良につながることがあった。一方、本実施形態においては、第１導体部６および第２導体部４の微細な加工が可能であることから、切断部分の第１導体部６および第２導体部４の幅を狭くすることができる。その結果、個々の電子部品に個片化する際に第１導体部６および第２導体部４を削ることなく、加圧によって割ることができるため、バリの発生を低減することができる。その結果、本実施形態においては、従来のＱＦＮの組立工程と比較して、高品質のノンリードタイプの電子部品の製造が可能となる。
【００４９】
ここで説明を補足する。従来のＱＦＮにおいては、上述したように、フレーム４０の各構成要素が分離しないように、機械的に接続する連結部がフレーム４０に設けられる。この連結部は、たとえば図１０の破線で示される部分に相当する位置に形成されることになる。そして、電子部品の製造工程の作業中において各構成要素が分離しない程度の機械的強度が要求されるため、連結部の幅が比較的太い。この比較的幅が太い連結部を、たとえばダイシングブレードを用いたダイシングにより切削するため、バリが発生しやすい。また、ダイシングブレード等のダイシングに用いられる消耗品の寿命も短くなる。
【００５０】
一方、本実施形態においては、基本的には、機械的に接続するための連結部は不要である。また、図５を用いて説明した開口７に第１導体部を形成するのに電気めっきを用いる場合、図１１のアウターリード５２となる部分の導電層４００の複数を電気的に接続するように、たとえば図１０の各配線基板１０１の境界部分および外周部分（図１０において破線で示された部分）に、導電層４００による連結部を形成することができる。この場合、連結部の幅は、電気めっきできる程度に導通すればよいため、比較的狭くて構わない。したがって、この比較的幅が狭い連結部を、たとえばダイシングブレードを用いたダンシングにより切断しても、従来のＱＦＮと比較して、バリが発生し難い。また、従来のＱＦＮと比較して、ダイシングブレード等のダイシングに用いられる消耗品の寿命は長くなる。
【００５１】
以上のように、本実施形態によれば、従来のＱＦＮと比べて、端子数を増加させることができる。また、従来のＱＦＮよりも簡易な工程で、低コストで、高品質の電子部品を製造することが可能となる。また、従来のＱＦＮより容易に高品質の電子部品を製造することが可能となる。
【００５２】
以上のように実施形態について説明を行なったが、上述の各実施形態の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００５３】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５４】
１，１０１，１００１  配線基板、３  樹脂部、４  第２導体部、４ａ  チップボンディング部、４ｂ  ワイヤボンディング部、５  開口部、６  第１導体部、７  開口、８  金属層、９  切欠き、１０  封止材、１１  ワイヤ、１２  チップ、１３  接着材、１８  保護膜、４０  フレーム、４１  ＱＦＮ用アセンブリテープ、５１  インナーリード、５２  アウターリード、１００  第１層、１１１  破線、２００  第２層、３００  樹脂基材、４００  導体層、５００  積層構造体。
【図１】
2018006702.tif 000003
【図２】
2018006702.tif 000004
【図３】
2018006702.tif 000005
【図４】
2018006702.tif 000006
【図５】
2018006702.tif 000007
【図６】
2018006702.tif 000008
【図７】
2018006702.tif 000009
【図８】
2018006702.tif 000010
【図９】
2018006702.tif 000011
【図１０】
2018006702.tif 000012
【図１１】
2018006702.tif 000013
【図１２】
2018006702.tif 000014
【図１３】
2018006702.tif 000015
【図１４】
2018006702.tif 000016
【図１５】
2018006702.tif 000017
【図１６】
2018006702.tif 000018
【図１７】
2018006702.tif 000019
【図１８】
2018006702.tif 000020
【図１９】
2018006702.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月11日(2017.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１層と、
前記第１層の一方の面上の第２層と、を備え、
前記第１層は、複数の第１導体部と、前記複数の第１導体部の間に配置されて前記複数の第１導体部を電気的に分離する樹脂部と、を備え、
前記第２層は、前記複数の第１導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を備え、
前記複数の第２導体部は、それぞれ、前記第２導体部の前記第１層側の面の一部において、前記樹脂部と接しており、
前記第２導体部は、導電性接着材を介して電気的に接続するようにチップをボンディングするためのチップボンディング部と、ワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング部とを備え、
前記チップボンディング部に接する前記第１導体部の面積は、該第１導体部に接する前記チップボンディング部のチップボンディングされる面積よりも大きく、
前記チップボンディング部が互いに交差する方向の両方それぞれに複数配列されるように、前記第１導体部および前記第２導体部のパターンが複数配列されており、ＱＦＮタイプの電子部品の製造に用いられる、配線基板。
【請求項２】
前記ワイヤボンディング部上に金属層をさらに備えた、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１導体部の前記第２導体部側とは反対側の面上に保護膜をさらに備えた、請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
樹脂基材と前記樹脂基材上の導体層とを備えた積層構造体の前記樹脂基材の一部を除去する工程と、
前記導体層の一部を除去することによって、前記樹脂基材の一部と接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を形成する工程と、
前記樹脂基材が除去された部分に、前記複数の第２導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第１導体部を形成する工程と、を含み、
前記第２導体部を形成する工程では、導電性接着材を介して電気的に接続するようにチップをボンディングするためのチップボンディング部とワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング部とを形成し、前記チップボンディング部が互いに交差する方向の両方それぞれに複数配列されるように前記第２導体部のパターンを形成し、
前記第１導体部を形成する工程では、前記チップボンディング部に接する前記第１導体部の面積が該第１導体部に接する前記チップボンディング部のチップボンディングされる面積よりも大きくなるように、前記第１導体部を形成し、
ＱＦＮタイプの電子部品の製造に用いられる配線基板を製造する、配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２導体部上に金属層を形成する工程をさらに含む、請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記複数の第１導体部の少なくとも一部に外部接続用の処理を施す工程をさらに含む、請求項４または請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記第２層上のチップと、
前記チップに電気的に接続されたワイヤと、
前記チップと前記ワイヤとを封止する封止材と、を備え、
前記チップは、前記複数の第２導体部の一部に導電性接着材を介して電気的に接続するようにボンディングされており、
前記ワイヤは、前記チップと前記複数の第２導体部の他の一部とを電気的に接続する、ＱＦＮタイプの電子部品。
【請求項８】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の配線基板を準備する工程と、
前記複数の第２導体部の一部に導電性接着材を介して電気的に接続するようにチップをボンディングする工程と、
前記チップと前記複数の第２導体部の他の一部とをワイヤにより電気的に接続する工程と、
前記チップと前記ワイヤとを封止材により封止する工程と、を含む、ＱＦＮタイプの電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記配線基板を切断して個片化する工程をさらに含む、請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ここで開示された実施形態は、第１層と、第１層の一方の面上の第２層と、を備え、第１層は、複数の第１導体部と、複数の第１導体部の間に配置されて複数の第１導体部を電気的に分離する樹脂部と、を備え、第２層は、複数の第１導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を備え、複数の第２導体部は、それぞれ、第２導体部の第１層側の面の一部において、樹脂部と接しており、第２導体部は、導電性接着材を介して電気的に接続するようにチップをボンディングするためのチップボンディング部と、ワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング部とを備え、チップボンディング部に接する第１導体部の面積は、第１導体部に接するチップボンディング部のチップボンディングされる面積よりも大きく、チップボンディング部が互いに交差する方向の両方それぞれに複数配列されるように、第１導体部および第２導体部のパターンが複数配列されており、ＱＦＮタイプの電子部品の製造に用いられる配線基板である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ここで開示された実施形態は、樹脂基材と樹脂基材上の導体層とを備えた積層構造体の樹脂基材の一部を除去する工程と、導体層の一部を除去することによって樹脂基材の一部と接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第２導体部を形成する工程と、樹脂基材が除去された部分に複数の第２導体部のそれぞれと接するとともに互いに電気的に分離されている複数の第１導体部を形成する工程と、を含み、第２導体部を形成する工程では、導電性接着材を介して電気的に接続するようにチップをボンディングするためのチップボンディング部とワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング部とを形成し、チップボンディング部が互いに交差する方向の両方それぞれに複数配列されるように第２導体部のパターンを形成し、第１導体部を形成する工程では、チップボンディング部に接する第１導体部の面積が第１導体部に接するチップボンディング部のチップボンディングされる面積よりも大きくなるように、第１導体部を形成し、ＱＦＮタイプの電子部品の製造に用いられる配線基板を製造する配線基板の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ここで開示された実施形態は、上記の配線基板と、第２層上のチップと、チップに電気的に接続されたワイヤと、チップと前記ワイヤとを封止する封止材と、を備え、チップは複数の第２導体部の一部に導電性接着材を介して電気的に接続するようにボンディングされており、ワイヤは、チップと複数の第２導体部の他の一部とを電気的に接続するＱＦＮタイプの電子部品である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ここで開示された実施形態は、上記の配線基板を準備する工程と、複数の第２導体部の一部に導電性接着材を介して電気的に接続するようにチップをボンディングする工程と、チップと複数の第２導体部の他の一部とをワイヤにより電気的に接続する工程と、チップとワイヤとを封止材により封止する工程とを含むＱＦＮタイプの電子部品の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１】実施形態の配線基板の模式的な断面図である。
【図２】実施形態の配線基板の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図３】実施形態の配線基板の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図４】実施形態の配線基板の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図５】実施形態の配線基板の変形例の模式的な断面図である。
【図６】実施形態の電子部品の模式的な断面図である。
【図７】実施形態の電子部品の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図８】実施形態の電子部品の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図９】実施形態の電子部品の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
【図１０】実施形態の配線基板の変形例の模式的な平面図である。
【図１１】図６に示す実施形態の電子部品の模式的な平面図である。
【図１２】図６に示す実施形態の電子部品に用いられる配線基板の第１層の模式的な平面図である。
【図１３】実施形態の配線基板の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】実施形態の配線基板の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１５】実施形態の配線基板の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１６】実施形態の配線基板および電子部品の作用効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１７】（ａ１）〜（ａ３）は従来のＱＦＮにおけるフレームの製造方法を図解する模式的な断面図であり、（ｂ１）〜（ｂ５）は本実施形態の配線基板の製造方法の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１８】（ａ１）〜（ａ５）は従来のＱＦＮの組立工程を図解する模式的な断面図であり、（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ４）および（ｂ５）は本実施形態の電子部品の製造方法の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１９】（ａ６）〜（ａ８）は従来のＱＦＮの組立工程を図解する模式的な断面図であり、（ｂ８）は本実施形態の電子部品の製造方法の一例を図解する模式的な断面図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、図５に示すように、第１導体部６の裏面（第１導体部６の第２導体部４側とは反対側の面）に外部接続用の処理を施して保護膜１８を形成してもよい。保護膜１８は、たとえば、ニッケルと金との積層体若しくは錫をめっきすることにより、または第１導体部６の裏面を有機保護膜で被覆することにより形成することができる。保護膜１８は、たとえば、第１導体部６の裏面に対する半田の濡れ性の向上、および／または第１導体部６の裏面の酸化の抑制のために形成することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
すなわち、図６に示すように、実施形態の電子部品は、実施形態の配線基板１０１と、実施形態の配線基板１０１の複数の第２導体部４の一部（図６の中央の第２導体部４）に導電性の接着材１３を介して電気的に接続されたチップ１２と、チップ１２の電極と複数の第２導体部４の他の一部（図６の中央の第２導体部４以外の第２導体部４）とを金属層８を介して電気的に接続するワイヤ１１と、ワイヤ１１およびチップ１２を封止する絶縁性の封止材１０と、を備えている。ワイヤ１１およびチップ１２としては、それぞれ、従来から公知のワイヤおよびチップを用いることができる。封止材１０としては、たとえばエポキシ樹脂等を用いることができる。接着材１３としては、たとえば導電性であれば銀ペースト等の導電性ペーストを用いることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、切欠き９は、後述の図１１の模式的平面図に示されるような平面視として、中央の第２導体部４を電気的に分離しない形状とすることができる。このような形状とすれば、図４を用いて説明した導体層４００の一部除去により開口部５を形成するのと同じ工程で、切欠き９を形成することができる。また、図６に示す電子部品において、配線基板１０１に代えて、切欠き９を設けない図１または図５に示す配線基板１を用いて構成することもできる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図１１に、図６に示す実施形態の電子部品の模式的な平面図を示す。また、図１２に図１１の破線１１１で取り囲まれた部分の配線基板の第１層の模式的な平面図を示す。図１１に示される実施形態の電子部品の第２導体部４のチップボンディング部４ａの設置箇所が図１２の破線４ａで取り囲まれた箇所に対応している。また、図１１に示される実施形態の電子部品の第２導体部４のワイヤボンディング部４ｂの設置箇所が図１２の破線４ｂで取り囲まれた箇所に対応している。なお、図１２においては、説明の便宜のため、ワイヤボンディング部４ｂの設置箇所を１つのみ示している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図１１および図１２に示すように、実施形態の電子部品の第２導体部４のチップボンディング部４ａおよびワイヤボンディング部４ｂは、それぞれ、配線基板の第１層の第１導体部６に接するとともに、樹脂部３にも接している。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、たとえば図１３の模式的断面図に示すように、チップボンディング部となる第２導体部４の直下が樹脂部３である場合には、チップ１２の発熱を樹脂部３を通して外部に放出するのは非常に困難である。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図６に示すように、チップボンディング部となる第２導体部４の直下に当該第２導体部４と接する第１導体部６が設けられている。したがって、本実施形態においては、チップ１２の発熱をチップボンディング部となる第２導体部４およびその直下の第１導体部６を通して外部に容易に放出することができるため、この点も電子部品の高品質化につながる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、たとえば図１３〜図１５に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導体部４の直下が開口７である場合には、ワイヤ１１のワイヤボンディング時にワイヤボンディング部となる第２導体部４がバウンスすることによりボンディング性が低下する。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図１６に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導体部４の直下に当該第２導体部４と接する第１導体部６が設けられている。したがって、第２導体部４の直下の第１導体部６によって当該第２導体部４の強度を補強することができるため、ワイヤ１１のワイヤボンディング時における当該第２導体部４のバウンスを抑制することによるボンディング性の低下を抑制することもできる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、たとえば図１３〜図１５に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導体部４の直下が開口７である場合には、ワイヤ１１のワイヤボンディング時にワイヤボンディング部となる第２導体部４に加えられるダメージが大きくなる。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図１６に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導体部４の直下に当該第２導体部４と接する第１導体部６が設けられている。したがって、第２導体部４の直下の第１導体部６によって当該第２導体部４の強度を補強することができるため、ワイヤ１１のワイヤボンディング時における当該第２導体部４へのダメージを低減することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、たとえば図１３〜図１５に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導体部４の直下が開口７である場合には、電子部品の２次実装時に半田ボイドが生じて実装不良となることがある。また、第２導体部４の直下が開口７であるために、２次実装時に半田が開口７に逃げ込んでフィレットがうまく形成されず実装強度が低下することがある。しかしながら、本実施形態においては、たとえば図６に示すように、ワイヤボンディング部となる第２導体部４の直下に当該第２導体部４と接する第１導体部６が設けられていることから、これらの２次実装時の問題の発生を抑制することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
従来のＱＦＮにおいては、図１７（ａ１）に示すフレーム４０の一部に図１７（ａ２）に示すように開口部５を設けた後に、図１７（ａ３）に示すようにフレーム４０の一部の表面に銀からなる金属層８が形成される。そのため、従来のＱＦＮにおいては、フレーム４０の表面が大気に露出することにより酸化し、フレーム４０が短寿命になるという問題があった。一方、本実施形態においては、図１７（ｂ５）に示すように、第１導体部６の裏面を保護膜１８で被覆することにより、従来のＱＦＮと比較して、第１導体部６の酸化を有効に抑制することができる。なお、従来のＱＦＮにおいて、図１７（ａ２）に示すように開口部５を設ける際に、フレーム４０の各構成要素が分離しないように、機械的に接続するための連結部がフレーム４０に形成される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
従来のＱＦＮの組立工程においては、図１８（ａ１）に示すようにチップ１２を接着材１３を介してフレーム４０にチップボンディングした後に図１８（ａ２）に示すようにワイヤ１１をワイヤボンディングすることになる。しかしながら、従来のＱＦＮの組立工程においては、端子の先端が他の部材に固定されていないため、ボンディング性が良好ではないという問題がある。一方、本実施形態においては、端子となる第２導体部４の一部は樹脂部３と接することになるため、ワイヤボンディングが安定し、ボンディング性が向上する。これにより、本実施形態においては、高品質のノンリードタイプの電子部品を製造することが可能になる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
一方、本実施形態においては、基本的には、機械的に接続するための連結部は不要である。また、図５を用いて説明した開口７に第１導体部を形成するのに電気めっきを用いる場合、図１１のアウターリード５２となる部分の導体層４００の複数を電気的に接続するように、たとえば図１０の各配線基板１０１の境界部分および外周部分（図１０において破線で示された部分）に、導体層４００による連結部を形成することができる。この場合、連結部の幅は、電気めっきできる程度に導通すればよいため、比較的狭くて構わない。したがって、この比較的幅が狭い連結部を、たとえばダイシングブレードを用いたダンシングにより切断しても、従来のＱＦＮと比較して、バリが発生し難い。また、従来のＱＦＮと比較して、ダイシングブレード等のダイシングに用いられる消耗品の寿命は長くなる。