(57)【要約】【課題】容易にインピーダンス整合をとることができるインピーダンス整合器およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】実施形態に係るインピーダンス整合器は、高周波電源と、前記高周波電源によって駆動される電極と、の間に直列に接続された第１可変容量素子と、前記高周波電源に並列に接続された第２可変容量素子と、前記第１可変容量素子に並列に接続されたインダクタンス素子と、を備える。【選択図】図１
2018033074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電源と、前記高周波電源によって駆動される電極と、の間に直列に接続された第１可変容量素子と、
前記高周波電源に並列に接続された第２可変容量素子と、
前記第１可変容量素子に並列に接続されたインダクタンス素子と、
を備えたインピーダンス整合器。
【請求項２】
前記インダクタンス素子のインダクタンス値は、
前記第１可変容量素子と前記電極対の一方の電極との間に電気的に接続された配線に起因するインダクタンス値よりも小さい請求項１記載のインピーダンス整合器。
【請求項３】
前記第１可変容量素子は、直列に接続された複数の可変容量素子を含む請求項１または２に記載のインピーダンス整合器。
【請求項４】
高周波電源と、前記高周波電源によって駆動される電極と、の間に直列に接続された第１可変容量素子と、
前記高周波電源に並列に接続された第２可変容量素子と、
を備え、
前記第１可変容量素子は、直列に接続された複数の可変容量素子を含むインピーダンス整合器。
【請求項５】
前記複数の可変容量素子は、同一範囲の静電容量値を有する請求項４記載のインピーダンス整合器。
【請求項６】
高周波電源と、
チャンバ内に配置され、前記高周波電源によって駆動される電極と、
前記高周波電源と前記電極との間に直列に接続された第１可変容量素子と、
前記高周波電源に並列に接続された第２可変容量素子と、
前記第１可変容量素子に並列に接続されたインダクタンス素子と、
を備えたプラズマ処理装置。
【請求項７】
高周波電源と、
チャンバ内に配置され、前記高周波電源によって駆動される電極と、
前記高周波電源と前記電極との間に直列に接続された第１可変容量素子と、
前記高周波電源に並列に接続された第２可変容量素子と、
を備え、
前記第１可変容量素子は、直列に接続された複数の可変容量素子を含むプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インピーダンス整合器およびプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置の分野では、ＲＩＥ加工等に用いるプラズマエッチング装置や、ＣＶＤ等の成膜装置、あるいはスパッタリング装置等が多く用いられる。これらのプラズマ処理装置では、効率よく安定してプラズマを発生させるために、電極に高周波電力を供給する高周波電源と電極との間に設置したインピーダンス整合器によって、インピーダンス整合をとる必要がある。
【０００３】
インピーダンス整合器と電極との間は、配線によって電気的に接続するが、配線に起因する寄生インピーダンスは、誘導性を示すので、インピーダンス整合に影響する。そのため、駆動周波数等の電気的条件や配線の長さ等物理的な条件等によって、インピーダンス整合が困難になる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−８９８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態は、容易にインピーダンス整合をとることができるインピーダンス整合器およびプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るインピーダンス整合器は、高周波電源と、前記高周波電源によって駆動される電極と、の間に直列に接続された第１可変容量素子と、前記高周波電源に並列に接続された第２可変容量素子と、前記第１可変容量素子に並列に接続されたインダクタンス素子と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係るインピーダンス整合器を例示する概念図である。
【図２】図２（ａ）は、比較例のインピーダンス整合器の動作を説明するための等価回路図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の場合の特性例を示すグラフである。図２（ｃ）は、第１の実施形態のインピーダンス整合器の動作を説明するための等価回路の例である。図２（ｄ）は、図２（ｃ）の場合の特性例を示すグラフである。
【図３】第２の実施形態に係るインピーダンス整合器を例示する概念図である。
【図４】図４（ａ）は、第２の実施形態のインピーダンス整合器の動作を説明するための等価回路の例である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の場合の特性例を示すグラフである。
【図５】変形例に係るインピーダンス整合器を例示する概念図である。
【図６】第３の実施形態に係るプラズマ処理装置を例示する概念図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係るインピーダンス整合器を例示する概念図である。
図１に示すように、本実施形態のインピーダンス整合器１０は、第１可変容量素子１１と第２可変容量素子１２と、インダクタンス素子１３と、を備える。インピーダンス整合器１０は、入力端子１４と、出力端子１５と、を含む。
【００１０】
インピーダンス整合器１０は、入力端子１４を介して、高周波電源装置２０に電気的に接続される。インピーダンス整合器１０は、出力端子１５を介して、反応室３０内に設けられた電極３３に電気的に接続される。
【００１１】
インピーダンス整合器１０は、金属等の導電性の筐体１６を有しており、第１可変容量素子１１、第２可変容量素子１２およびインダクタンス素子１３を筐体１６の内部に収納している。筐体１６は接地２に接続される。
【００１２】
インピーダンス整合器１０は、高周波電源装置２０から所定の特性インピーダンスＺ０を有する電源ケーブル２１を介して高周波電力を入力し、入力した高周波電力を反応室３０内に設けられた電極３３に供給する。インピーダンス整合器１０は、電源ケーブル２１とのインピーダンス整合をとることによって、電極３３に供給する高周波電力を最大にする。
【００１３】
第１可変容量素子１１は、入力端子１４と出力端子１５との間に電気的に接続されている。つまり、インピーダンス整合器１０が高周波電源装置２０および反応室３０内の電極３３に接続された場合に、第１可変容量素子１１は、高周波電源装置２０と電極３３との間に直列に接続される。
【００１４】
第２可変容量素子１２は、入力端子１４と接地２との間に接続されている。つまり、インピーダンス整合器１０が高周波電源装置２０および反応室３０内の電極３３に接続された場合に、第２可変容量素子１２は、高周波電源装置２０の出力に並列に接続される。
【００１５】
第１可変容量素子１１および第２可変容量素子１２は、たとえば真空可変コンデンサ等である。真空可変コンデンサは、回転軸を回転させることによって所望の静電容量値に設定することができる。本実施形態のインピーダンス整合器１０では、図示しないが、回転軸をモータ等によって回転駆動し、静電容量値を可変して、高周波電源装置２０から出力される電力が最大になるように調整することができる。
【００１６】
インダクタンス素子１３は、第１可変容量素子１１に並列に接続されている。インダクタンス素子１３のインダクタンス値は、小さい値であることが好ましい。具体的には、インダクタンス素子１３のインダクタンス値は、インピーダンス整合器１０の出力端子１５から電極３３に至る配線３４に起因する寄生インダクタンスＸのインダクタンス値Ｌｐよりも小さいことが好ましい。インダクタンス素子１３は、たとえば、ターン数が１回から数回の空芯コイルまたは直線導体コイル等である。
【００１７】
本実施形態のインピーダンス整合器１０の動作について説明する。
図２（ａ）は、比較例のインピーダンス整合器の動作を説明するための等価回路である。
図２（ｂ）は、図２（ａ）の場合の特性例を示すグラフである。
図２（ｃ）は、本実施形態のインピーダンス整合器の動作の説明するための等価回路の例である。
図２（ｄ）は、図２（ｃ）の場合の特性例を示すグラフである。
図２（ａ）に示すように、比較例のインピーダンス整合器１１０は、第１可変容量素子１１１と、第２可変容量素子１１２と、を含む。第１可変容量素子１１１は、インピーダンス整合器１１０の入力端子１１４と出力端子１１５との間に直列に接続されている。第２可変容量素子１１２は、入力端子１１４と接地２との間に接続されている。第１可変容量素子１１１および第２可変容量素子１１２は、たとえば真空可変コンデンサであり、本実施形態のインピーダンス整合器１０と同様のものである。
【００１８】
比較例のインピーダンス整合器１１０は、本実施形態のインピーダンス整合器１０と、第１可変容量素子１１１の両端にインダクタンス素子が接続されていない点で相違する。
【００１９】
電極間にプラズマが発生した場合には、高周波電源装置２０の側から見てプラズマを負荷とおくことができる。その場合、プラズマ抵抗はＲｐとおくことができる。配線３４に起因する寄生インダクタンスＸは、抵抗値Ｒｐを有するプラズマ抵抗に直列に接続されたものと考えることができる。等価回路は、プラズマ抵抗（抵抗値Ｒｐ）および寄生インダクタンスＸ（インダクタンス値Ｌｐ）の直列回路が、インピーダンス整合器１１０の出力端子１１５と接地２との間に接続されたものと考えることができる。
【００２０】
入力端子１１４から見たインピーダンスが、高周波電源装置２０の出力インピーダンスＺ０に等しい場合に、プラズマに供給される電力が最大になる。高周波電源装置２０からの出力は、電源ケーブル２１によって、それ以降の回路に供給される。たとえば電源ケーブル２１には、同軸ケーブルが用いられ、同軸ケーブルの特性インピーダンスは５０Ωである。したがって、高周波電源装置２０の出力インピーダンスＺ０は、電源ケーブル２１の特性インピーダンスにほぼ等しい。
【００２１】
プラズマ抵抗の抵抗値Ｒｐが十分に小さいときには、共振周波数ｆ０は、以下の式（１）のように表される。
【００２２】
【数１】
2018033074.tif 000003
【００２３】
そのときの共振インピーダンスＺは、以下の式（２）のように表される。
【００２４】
【数２】
2018033074.tif 000004
【００２５】
つまり、高周波電源装置２０から出力される電圧の周波数をｆとした場合に、ｆ０＝ｆ、Ｚ＝５０Ωとなるように、第１可変容量素子１１１および第２可変容量素子１１２の静電容量値Ｃ１，Ｃ２は設定される。これによって、高周波電源装置２０の出力インピーダンスと、インピーダンス整合器１１０以降の回路の共振インピーダンスが等しくなり、インピーダンス整合が成立し、プラズマへ供給される電力が最大になる。
【００２６】
図２（ｂ）は、式（１）および式（２）を用いて、インピーダンス整合が成立する場合の静電容量値Ｃ１，Ｃ２を、高周波電源装置２０の駆動周波数に対して計算してプロットしたグラフである。図２（ｂ）では、プラズマ抵抗の抵抗値Ｒｐ＝１０Ω、寄生インダクタンスＸのインダクタンス値Ｌｐ＝０．１８５μＨとおいて計算されている。なお、寄生インダクタンスＸのインダクタンス値Ｌｐは、直径２０ｍｍ、長さ３００ｍｍの導線を配線３４に用いた場合の計算値を用いている。
【００２７】
図２（ｂ）に示すように、周波数ｆが高くなるほど静電容量値Ｃ１，Ｃ２は小さくなる。第１可変容量素子１１１の静電容量値Ｃ１の低下の度合いの方が、第２可変容量素子１１２の静電容量値Ｃ２の低下の度合いよりも大きい。
【００２８】
たとえば、周波数ｆが１００ＭＨｚの場合の静電容量値Ｃ１は、１４ｐＦ程度であり、プラズマ処理に必要な高出力に対応する一般的な真空可変コンデンサの可変容量範囲の下限である１０ｐＦ程度と異ならない程度となる。インピーダンス整合器１０をプラズマ処理装置に実装する場合等に配線３４の長さが長くなったり、配線３４がループ状に引き回されたり場合がある。そのような場合には、寄生インダクタンスＸのインダクタンス値Ｌｐが上昇するので、より小さい値の静電容量値Ｃ１が要求される。なお、第２可変容量素子１１２の静電容量値Ｃ２については、１００ｐＦを十分超える値であり、既存の真空可変コンデンサを用いることができる。
【００２９】
図２（ｃ）には、本実施形態のインピーダンス整合器１０を含む等価回路が示されている。プラズマ抵抗および寄生インダクタンスＬｐは、図２（ａ）の場合と同様である。
【００３０】
図２（ｄ）では、第１可変容量素子１１の静電容量Ｃ１の周波数依存性が示されている。図２（ｄ）に示すように、本実施形態のインピーダンス整合器１０では、インダクタンス素子１３のインダクタンス値Ｌａが小さいほど、より大きな値の静電容量値Ｃ１でインピーダンス整合が成立する。
【００３１】
たとえば、インダクタンス素子１３のインダクタンス値Ｌａが、寄生インダクタンスＸのインダクタンス値Ｌｐの１／５の場合には、周波数ｆ＝１００ＭＨｚにおいて、静電容量値Ｃ１は８３ｐＦ程度となる。したがって、本実施形態のインピーダンス整合器１０では、一般的な真空可変コンデンサの可変容量範囲で実現することができる静電容量値で、インピーダンス整合をとることができる。
【００３２】
本実施形態のインピーダンス整合器１０では、周波数ｆに等しい共振周波数ｆ０を得ることができる第１可変容量素子１１の静電容量値Ｃ１は、比較例の場合に比べて大きい値でインピーダンス整合をとることができる。
【００３３】
本実施形態のインピーダンス整合器１０の効果について説明する。
インピーダンス整合器を用いるプラズマ処理装置は、半導体素子等の高機能化および低コスト化に対応するため、ウェハの大口径化が進んでいる。ウェハが大口径化すると、ウェハを載置する載置台に設けられた電極も大型化し、電極から引き出す配線が長くなる傾向にある。また、プラズマ処理装置自身も高機能化等が進み、その構成が複雑になる傾向があり、それに伴い、インピーダンス整合器等の周辺機器の配置の自由度が強く求められる傾向にある。
【００３４】
本実施形態のインピーダンス整合器１０では、第１可変容量素子１１に並列にインダクタンス素子１３を接続しており、これによって、たとえば比較例の場合に比べてより大きな静電容量値でインピーダンス整合をとることができる。
【００３５】
第１可変容量素子１１は、回転軸によって可変電極を固定電極に対して回転させて、対向面積を増減させることによって、静電容量値を可変するため、小さい静電容量値を小さい設定誤差で実現することが困難である。比較例の場合のように、インダクタンス素子１３を付加しないときには、共振周波数ｆ０を１００ＭＨｚに設定しようとすると、１４ｐＦ程度となり、この程度の静電容量値を精度よく実現することが難しい。
【００３６】
上述の計算では、寄生インダクタンスＬｐは、０．１８５μＨとしているが、インピーダンス整合器の配置場所によっては、さらに大きくなる。寄生インダクタンスＬｐが大きくなると、インピーダンス整合が成立するための第１可変容量素子１１の静電容量値Ｃ１をより小さくする必要があるところ、上述の計算のとおり、同一の周波数でも５倍以上の静電容量値でインピーダンス整合をとることができる。したがって、本実施形態のインピーダンス整合器１０では、プラズマ処理装置における高周波化に対応できるとともに、インピーダンス整合器１０と電極３３との間の配線３４の長さや太さの設定、あるいは配線３４の引き回し等の自由度を向上させることができる。
【００３７】
（第２の実施形態）
図３は、本実施形態に係るインピーダンス整合器を例示する概念図である。
図３に示すように、本実施形態のインピーダンス整合器２１０は、第１可変容量部２１１と、第２可変容量素子１２と、を備える。インピーダンス整合器２１０は、入力端子１４と、出力端子１５と、を含む。インピーダンス整合器２１０は、入力端子１４を介して高周波電源装置２０に接続され、出力端子１５を介して電極３３に接続される。
【００３８】
本実施形態のインピーダンス整合器２１０では、第１可変容量部２１１において第１の実施形態の場合と相違しており、他の点では同一である。同一の構成要素には同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。
【００３９】
第１可変容量部２１１は、複数の可変容量素子２１１ａ、２１１ｂ，…，２１１ｉを含む。複数の可変容量素子２１１ａ，２１１ｂ，…，２１１ｉは、直列に接続されている。直列に接続される可変容量素子はｉ個であり、ｉは２以上の自然数である。
【００４０】
複数の可変容量素子２１１ａ，２１１ｂ，…，２１１ｉは、たとえば同一の可変容量素子である。たとえば同一の可変容量素子は、それぞれ同一の真空可変コンデンサである。
【００４１】
複数の可変容量素子２１１ａ，２１１ｂ，…，２１１ｉのそれぞれの回転軸は、たとえば同一の駆動装置によって回転駆動されることによって、同一の静電容量値に設定される。複数の可変容量素子２１１ａ，２１１ｂ，…，２１１ｉは、すべて同一の可変容量素子でなくてもよい。複数の可変容量素子２１１ａ，２１１ｂ，…，２１１ｉの一部または全部が異なる静電容量を有する可変容量素子であってもよい。
【００４２】
本実施形態のインピーダンス整合器２１０の動作について説明する。
図４（ａ）は、本実施形態のインピーダンス整合器の動作の説明するための等価回路の例である。
図４（ｂ）は、図４（ａ）の場合の特性例を示すグラフである。
図４（ａ）に示すように、プラズマの抵抗値Ｒｐおよび寄生インダクタンスＸのインダクタンス値Ｌｐは、図２（ａ）の場合と同じである。
図４（ｂ）には、同一の静電容量値を有する可変容量素子２１１ａをｎ個直列に接続した場合の、インピーダンス整合が成立する可変容量素子２１１ａの１個当たりの静電容量値Ｃ１を周波数に対してプロットしている。このグラフでは、静電容量値Ｃ１は、可変容量素子２１１ａの直列個数ｎをパラメータにプロットしている。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、可変容量素子２１１ａの直列個数ｎが大きくなるほど、インピーダンス整合が成立する静電容量値Ｃ１が大きくなる。たとえば、直列個数ｎ＝６の場合には、ｆ＝１００ＭＨｚにおいて、静電容量値Ｃ１は８３ｐＦ程度となる。なお、可変容量部２１１の静電容量値Ｃは、ｎ個の可変容量素子２１１ａの静電容量値Ｃ１の合成容量値である。たとえば、Ｃ１＝８３ｐＦの場合には、Ｃ＝８３ｐＦ／６≒１４ｐＦである。
【００４４】
本実施形態のインピーダンス整合器２１０の効果について説明する。
本実施形態のインピーダンス整合器２１０では、複数の可変容量素子２１１ａ，２１１ｂ，…，２１１ｉを直列に接続した第１可変容量部２１１を備えているので、可変容量素子１つ当たりの静電容量値を大きく設定することができる。可変容量素子２１１ａ〜２１１ｄの直列個数ｎを任意に設定することができるので、プラズマの励起周波数や、インピーダンス整合器２１０の配置等に応じて、可変容量素子の静電容量値を適切に選定することができる。
【００４５】
（変形例）
図５は、本変形例のインピーダンス整合器を例示する概念図である。
第２の実施形態のインピーダンス整合器２１０は、第１の実施形態のインピーダンス整合器１０の構成と一部組み合わせることができる。図５に示すように、変形例のインピーダンス整合器３１０は、第１可変容量部２１１と、第２可変容量素子１２と、インダクタンス素子１３と、を備える。インダクタンス素子１３は、第１可変容量部２１１に並列に接続されている。このように接続することによって、より高い自由度で、インピーダンス整合をとることが可能になる。
【００４６】
（第３の実施形態）
図６は、本実施形態のプラズマ処理装置を例示する概念図である。
図６に示すように、プラズマ処理装置１００は、インピーダンス整合器１０と、高周波電源装置２０と、反応室３０と、を備える。インピーダンス整合器１０は、上述した第１の実施形態のインピーダンス整合器である。インピーダンス整合器１０は、第２の実施形態のインピーダンス整合器２１０に置き換えてもよいし、変形例のインピーダンス整合器３１０に置き換えてもよい。
【００４７】
反応室３０は、チャンバ３１と、載置台３２と、電極３３と、配線３４，３５と、を含む。
【００４８】
チャンバ３１は、外気から遮断されて内部でプラズマＰを発生する室である。チャンバ３１は、ガス供給管３６および排気管３７に流体的に接続されている。チャンバ３１では、排気管３７からポンプ等によってチャンバ３１のガスを排気し、ガス供給管３６を介して反応ガス等を内部に導入する。
【００４９】
載置台３２は、チャンバ３１内に設けられている。載置台３２の上面には、プラズマ処理の対象となるウェハ３が載置される。
【００５０】
電極３３は、たとえば載置台３２の内部に埋め込むように設けられている。電極３３は、載置台３２に載置されるウェハ３と同程度か、ウェハ３よりも大きい直径を有する。電極３３に対向して上部電極３８が設けられている。高周波電源装置２０から供給される高周波の電圧は、電極３３と上部電極３８との間に印加されて、プラズマＰを生成する。
【００５１】
電極３３は、配線３４によってインピーダンス整合器１０に電気的に接続される。上部電極３８は、配線３５によって接地２に接続される。反応室３０の筐体であるチャンバ３１は、接地に接続され、インピーダンス整合器１０および高周波電源装置２０それぞれの筐体と電気的接続されている。そのため、接地２側の寄生インピーダンスは、配線３４に起因する寄生インピーダンスに比べて十分小さい。
【００５２】
配線３４は、長さＹおよび断面積Ｓを有する。インピーダンス整合器１０と電極３３との間には、長さＹおよび断面積Ｓの配線３４に起因する寄生インダクタンスが生ずる。
【００５３】
インピーダンス整合器１０は、長さＹの配線に起因する寄生インダクタンスを含めて高周波電源装置２０の出力インピーダンスとの整合をとる。
【００５４】
プラズマ処理装置１００の作用および効果について説明する。
プラズマ処理装置１００のチャンバ３１内に設けられた電極３３は、配線３４によってインピーダンス整合器１０に電気的に接続される。配線３４は、長さＹおよび断面積Ｓに応じてインダクタンスを有する。他の実施形態の場合において、説明したように、配線３４に起因する寄生インダクタンスは、インピーダンス整合器１０内の回路とともに並列共振し、並列共振時にインピーダンス整合するように、インピーダンス整合器１０が調整される。
【００５５】
インピーダンス整合器１０の反応室３０に対する配置場所の自由度を高めようとする場合には、配線３４の長さＹが長くなったり、一部屈曲さたりする場合がある。本実施形態のプラズマ処理装置１００は、そのような場合であっても、容易にインピーダンス整合をとることができる。
【００５６】
上述では、電極および上部電極の１組に対して、１つのインピーダンス整合器を用いる場合について説明したが、電極および上部電極の組は１組に限らず、複数の組に対して、１つの同じインピーダンス整合器を用いて高周波電力を供給するようにしてもよく、同一の効果を得ることができる。
【００５７】
以上説明した実施形態によれば、容易にインピーダンス整合をとることができるインピーダンス整合器およびプラズマ処理装置を実現することができる。
【００５８】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明およびその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０  インピーダンス整合器、１１  第１可変容量素子、１２  第２可変容量素子、１３  インダクタンス素子、１４  入力端子、１５  出力端子、１６  筐体、２０  高周波電源装置、２１  電源ケーブル、３０  反応室、３１  チャンバ、３２  載置台、３３  電極、３４，３５  配線、３６  ガス供給管、３７  排気管、１００  プラズマ処理装置、２１０  インピーダンス整合器、２１１  第１可変容量部、２１１ａ  可変容量素子、３１０  インピーダンス整合器
【図１】
2018033074.tif 000005
【図２】
2018033074.tif 000006
【図３】
2018033074.tif 000007
【図４】
2018033074.tif 000008
【図５】
2018033074.tif 000009
【図６】
2018033074.tif 000010