(57)【要約】【課題】特性インピーダンスを調整し、かつ収容する導電性接触子間のピッチを狭ピッチ化することができる導電性接触子ホルダおよび導電性接触子ユニットを提供すること。【解決手段】所定回路構造に対する信号入出力に用いられる信号用導電性接触子を収容する導電性接触子ホルダであって、信号用導電性接触子を挿通可能な開口部が形成されたホルダ基板と、多孔質性を有し、比誘電率が１．３以上２．０以下の絶縁性材料によって形成され、開口部の少なくとも一部に設けられる絶縁部材と、を備える。【選択図】図２
2018179671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定回路構造に対する信号入出力に用いられる信号用導電性接触子を収容する導電性接触子ホルダであって、
前記信号用導電性接触子を挿通可能な開口部が形成されたホルダ基板と、
多孔質性を有し、比誘電率が１．３以上２．０以下の絶縁性材料によって形成され、前記開口部の少なくとも一部に設けられる絶縁部材と、
を備えることを特徴とする導電性接触子ホルダ。
【請求項２】
前記絶縁性材料は、ポリテトラフルオロエチレンである
ことを特徴とする請求項１に記載の導電性接触子ホルダ。
【請求項３】
前記絶縁部材は、前記開口部に収容されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の導電性接触子ホルダ。
【請求項４】
前記絶縁部材は、
前記開口部に収容されている第１絶縁部材と、
前記ホルダ基板の前記開口部の開口端に連なる表面に設けられ、前記信号用導電性接触子を挿通可能な孔が形成されている第２絶縁部材と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の導電性接触子ホルダ。
【請求項５】
前記第２絶縁部材の比誘電率が、前記第１絶縁部材の比誘電率以下である
ことを特徴とする請求項４に記載の導電性接触子ホルダ。
【請求項６】
前記ホルダ基板および前記絶縁部材は、各々が、前記開口部の軸線方向と交差する方向に沿った境界を形成して当該導電性接触子ホルダを分割する二つの構成部材からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の導電性接触子ホルダ。
【請求項７】
前記絶縁部材は、前記ホルダ基板の前記開口部の開口端に連なる表面に設けられ、前記信号用導電性接触子を挿通可能な孔が形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の導電性接触子ホルダ。
【請求項８】
前記開口部に収容され、比誘電率が２．０より大きい第２絶縁部材、
をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の導電性接触子ホルダ。
【請求項９】
所定回路構造に対する信号入出力に用いられる信号用導電性接触子と、
前記信号用導電性接触子を収容する導電性接触子ホルダであって、前記信号用導電性接触子を挿通可能な開口部が形成されたホルダ基板と、多孔質性を有し、比誘電率が１．３以上２．０以下の絶縁性材料によって形成され、前記開口部の少なくとも一部に設けられる絶縁部材とを有する導電性接触子ホルダと、
を備えたことを特徴とする導電性接触子ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定回路構造に対して信号入出力を行う信号用導電性接触子を収容する導電性接触子ホルダおよび導電性接触子ユニットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路の電気特性検査に関する技術分野において、半導体集積回路の外部接触用電極に対応して複数の導電性接触子を配設した導電性接触子ユニットに関する技術が知られている。かかる導電性接触子ユニットは、複数の導電性接触子と、導電性接触子を収容する開口部が形成された導電性接触子ホルダと、導電性接触子と電気的に接続された検査回路を備えた検査回路とを備えた構成を有する（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、半導体集積回路に対して電気信号を入出力するための信号用導電性接触子の周囲に、信号用導電性接触子における特性インピーダンスの値を補正するためのインピーダンス補正部材が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４２５１８５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体集積回路の小型化および動作の高速化に伴い、導電性接触子ユニットも小型かつ高速動作が可能な構成を採用することが要求されている。この小型化に伴い、導電性接触子間のピッチを狭ピッチ化することが求められる。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、特性インピーダンスを調整し、かつ収容する導電性接触子間のピッチを狭ピッチ化することができる導電性接触子ホルダおよび導電性接触子ユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、所定回路構造に対する信号入出力に用いられる信号用導電性接触子を収容する導電性接触子ホルダであって、前記信号用導電性接触子を挿通可能な開口部が形成されたホルダ基板と、多孔質性を有し、比誘電率が１．３以上２．０以下の絶縁性材料によって形成され、前記開口部の少なくとも一部に設けられる絶縁部材と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、上記の発明において、前記絶縁性材料は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、上記の発明において、前記絶縁部材は、前記開口部に収容されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、上記の発明において、前記絶縁部材は、前記開口部に収容されている第１絶縁部材と、前記ホルダ基板の前記開口部の開口端に連なる表面に設けられ、前記信号用導電性接触子を挿通可能な孔が形成されている第２絶縁部材と、を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、上記の発明において、前記第２絶縁部材の比誘電率が、前記第１絶縁部材の比誘電率以下であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、上記の発明において、前記ホルダ基板および前記絶縁部材は、各々が、前記開口部の軸線方向と交差する方向に沿った境界を形成して当該導電性接触子ホルダを分割する二つの構成部材からなることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、上記の発明において、前記絶縁部材は、前記ホルダ基板の前記開口部の開口端に連なる表面に設けられ、前記信号用導電性接触子を挿通可能な孔が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明にかかる導電性接触子ホルダは、上記の発明において、前記開口部に収容され、比誘電率が２．０より大きい第２絶縁部材、をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明にかかる導電性接触子ユニットは、所定回路構造に対する信号入出力に用いられる信号用導電性接触子と、前記信号用導電性接触子を収容する導電性接触子ホルダであって、前記信号用導電性接触子を挿通可能な開口部が形成されたホルダ基板と、多孔質性を有し、比誘電率が１．３以上２．０．以下の絶縁性材料によって形成され、前記開口部の少なくとも一部に設けられる絶縁部材とを有する導電性接触子ホルダと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、特性インピーダンスを調整し、かつ収容する導電性接触子間のピッチを狭ピッチ化することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態にかかる導電性接触子ユニットの全体構成を示す模式図である。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態にかかる導電性接触子ユニットを構成する導電性接触子ホルダおよび導電性接触子の詳細な構造を示す部分断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態にかかる導電性接触子ユニットを構成する導電性接触子ホルダの要部の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施の形態にかかる導電性接触子ユニットの利点について説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。
【００１８】
（実施の形態）
本発明の一実施の形態にかかる導電性接触子ユニットは、半導体集積回路等の所定の回路構造に対して電気信号の入出力、電力供給およびアース電位供給を行うためのものであり、特に安定したアース電位供給を行うため、アース電位供給を行うアース用導電性接触子と、導電性材料で形成された導電性接触子ホルダとを電気的に接続させた構成を有する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施の形態にかかる導電性接触子ユニットの構造を示す模式図である。図１に示すように、本実施の形態１にかかる導電性接触子ユニットは、半導体集積回路１に供給する信号の生成等を行う回路を備えた回路基板２と、回路基板２上に配置され、所定の開口部（図１では図示省略）を備えた導電性接触子ホルダ３と、導電性接触子ホルダ３の開口部内に収容される導電性接触子４とを備える。また、使用の際に半導体集積回路１の位置ずれが生じるのを抑制するためのホルダ部材５が回路基板２上かつ導電性接触子ホルダ３の外周に配置されている。
【００２０】
回路基板２は、検査対象の半導体集積回路１の電気的特性を検査するための検査回路を備える。また、回路基板２は、内蔵する回路を導電性接触子４に対して電気的に接続するための電極（図１では図示省略）を導電性接触子ホルダ３との接触面上に配置した構成を有する。
【００２１】
導電性接触子ホルダ３は、導電性接触子４を収容するためのものである。具体的には、導電性接触子ホルダ３は、金属等の導電性材料によって形成されたホルダ基板、およびホルダ基板表面の必要な領域を被覆する絶縁部材を備える。そして、ホルダ基板は、導電性接触子４の配設場所に対応した領域に開口部が形成され、かかる開口部に導電性接触子４を収容する構造を有する。
【００２２】
導電性接触子４は、回路基板２内に備わる回路と、半導体集積回路１との間を電気的に接続するためのものである。導電性接触子４は、半導体集積回路１に対して供給する信号の種類等に応じて３パターンに大別され、具体的には、半導体集積回路１に対して電気信号を入出力するための信号用導電性接触子と、半導体集積回路１に対してアース電位を供給するアース用導電性接触子と、半導体集積回路１に対して電力を供給する給電用導電性接触子とを有する。なお、以下においては信号用導電性接触子、アース用導電性接触子および給電用導電性接触子を総称する際に導電性接触子と称し、個々について言及する際にはそれぞれの名称を用いることとする。
【００２３】
図２は、導電性接触子ホルダ３と導電性接触子４の詳細な構成について示す部分断面図である。図２に示すように、導電性接触子ホルダ３は、導電性材料によって形成される第１基板６および第２基板７をネジ部材を用いて接合した構成を有するとともに、第１基板６および第２基板７を貫通する第１開口部８、第２開口部９および第３開口部１０が形成されたホルダ基板１１と、第１開口部８および第３開口部１０の内面およびホルダ基板１１の表面を被覆する絶縁部材１３および絶縁部材１４とを備える。なお、本明細書におけるコアキシャル構造とは、信号用の導電性接触子の中心軸と、ホルダ基板１１の内面の中心軸とが一致した同軸構造のことをいう。
【００２４】
ホルダ基板１１（第１基板６、第２基板７）は、導電性を有する材料によって形成され、導電性接触子ホルダ３の母材として機能する。具体的には、ホルダ基板１１は、導電性材料によって形成されている。
【００２５】
第１開口部８、第２開口部９および第３開口部１０は、それぞれ半導体集積回路１に対して信号の入出力を行う信号用導電性接触子１５、アース電位供給を行うアース用導電性接触子１６および電力供給を行う給電用導電性接触子１７を収容するためのものである。これらの開口部は、それぞれ円柱状かつホルダ基板１１を貫通するよう形成されており、かかる形状に形成されることによって収容する導電性接触子の位置決め手段およびガイド手段としての機能を果たしている。第１開口部８等は、それぞれ第１基板６および第２基板７に対してエッチング、打抜き成形を行うことや、レーザ、電子ビーム、イオンビーム、ワイヤ放電等を用いた加工を行うことによって形成される。
【００２６】
第１開口部８および第３開口部１０は、その内径が内面に形成される絶縁部材１３、１４の分だけ第２開口部９の内径よりも大きくなるよう形成されている。これは、第２開口部９はガイド機能およびアース機能を発揮するためにアース用導電性接触子１６の外径とほぼ等しくなるよう形成される。一方で、第１開口部８および第３開口部１０は、絶縁部材１３、１４やインピーダンス補正部材３０を介して信号用導電性接触子１５および給電用導電性接触子１７を収容する機能を有するためである。なお、第２開口部９の径は、アース用導電性接触子１６を保持できる径であれば、第２開口部９の径とアース用導電性接触子１６の外径とは異なっていてもよい。
【００２７】
また、第１開口部８、第２開口部９および第３開口部１０は、導電性接触子の抜け止めのためにそれぞれホルダ基板１１の上下の外表面近傍において内径が狭まるよう形成されている。後述するように導電性接触子は抜け止めのための突起部を有していることから、上下の表面近傍においてかかる突起部と開口部とを当接させるよう内径を狭める構成としている。なお、上下両方の表面近傍で内径を狭める構成を採用していることから、作製時に導電性接触子を第１開口部８等に収容可能にするため、ホルダ基板１１は、第１基板６と第２基板７とに分割された構造を採用している。
【００２８】
絶縁部材１３、１４は、第３開口部１０の内面に形成されることによって、給電用導電性接触子１７と、ホルダ基板１１とを電気的に絶縁する機能を有する。また、絶縁部材１３、１４は、ホルダ基板１１の外表面上にも形成されることによって、半導体集積回路１および回路基板２と、ホルダ基板１１とを電気的に絶縁する機能を有する。本実施の形態１において、絶縁部材１３、１４を構成する材料および絶縁部材１３、１４の厚み等については特に制限はなく、絶縁機能を十分果たし得るものであれば任意の材料および厚みを有するものを用いて絶縁部材１３、１４を構成することが可能である。なお、絶縁部材１３、１４は、例えばコーティング等により皮膜状に形成されていてもよい。また、第２開口部１０の内面に円筒状の絶縁部材を配置し、ホルダ基板１１の外表面上に板状の絶縁部材を配置するようにしてもよい。
【００２９】
次に、導電性接触子の構造について説明する。信号用導電性接触子１５、アース用導電性接触子１６および給電用導電性接触子１７は、果たす機能は異なるものの具体的構造に関しては同様とみなすことが可能なため、以下では代表して信号用導電性接触子１５の構造について説明を行う。
【００３０】
信号用導電性接触子１５は、回路基板２に備わる電極と電気的に接続するための針状部材２０と、使用時に半導体集積回路１に備わる接続用電極と電気的に接続するための針状部材２１と、針状部材２０と針状部材２１との間に設けられ、針状部材２０、２１間を電気的に接続すると共に、信号用導電性接触子１５を長軸方向に伸縮させるためのバネ部材２２とを備える。針状部材２０、針状部材２１およびバネ部材２２は、それぞれの軸線が第１開口部８の軸線と一致するよう第１開口部８に保持され、かかる軸線方向に移動可能な構成を有する。
【００３１】
針状部材２０は、回路基板２の表面上に配置される電極と電気的に接続するためのものである。具体的には、針状部材２０は、回路基板２側に先鋭端を有し、かかる先鋭端が回路基板２に備わる電極と接触する構成を有する。針状部材２０はバネ部材２２の伸縮作用によって軸線方向に移動が可能であることから、回路基板２に備わる電極の凹凸に対応して最適な状態で接触するとともに、バネ部材２２による伸張方向の押圧力によって、接触抵抗を低減した状態で電極と接触することが可能である。
【００３２】
また、針状部材２０は、図２にも示すように軸線と垂直な方向に突出したフランジ部を有する。上述したように、ホルダ基板１１の下側表面近傍において第１開口部８の内径は狭まるよう形成されることから、針状部材２０が下側に移動するに従って上記フランジ部と第１開口部８の内面に設けられた絶縁部材１３とが当接し、針状部材２０が抜け止めされるようになっている。
【００３３】
針状部材２１は、本実施の形態１にかかる導電性接触子ユニット使用時に半導体集積回路１に備わる接続用電極に対して電気的に接続するためのものである。具体的には、針状部材２１は、半導体集積回路１側の端部において接続用電極と接触する構成を有する。また、針状部材２１は、針状部材２０と同様にバネ部材２２の伸縮作用によって軸線方向に移動可能であると共に、軸線と垂直な方向に突出したフランジ部を有することによって抜け止めされた構造を有する。以上の構成を有することで、導電性接触子は、回路基板２に備わる電極と半導体集積回路１に備わる接続用電極との間を電気的に接続する。
【００３４】
本実施の形態にかかるホルダ基板１１には、第１開口部８に収容され、信号用導電性接触子１５を収容するための第１開口部８の内面と、信号用導電性接触子１５の外周面との間に信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスの値を補正するためのインピーダンス補正部材３０が配置されている。
【００３５】
インピーダンス補正部材３０は、所定の誘電率を有する誘電材料を円筒形状に形成したものであって、信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスの値を補正するための絶縁部材である。具体的には、インピーダンス補正部材３０は、誘電材料が有する誘電率と、円筒形状の外径とを調整することによって、信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスを、例えば、一般的に採用されている５０Ωと一致するよう補正している。
【００３６】
インピーダンス補正部材３０は、多孔質のポリテトラフルオロエチレン、多孔質のパーフルオロアルキルビニルエーテル、多孔質のエチレン・テトラフルオロエチレン、多孔質のポリエチレン、多孔質のポリイミド、多孔質性のセラミックなど、比誘電率が１．３以上２．０以下の絶縁性材料を用いて形成される。例えば、多孔質のポリテトラフルオロエチレンは、発泡性のような泡を有する構成とは異なり、通気性を有している。多孔質のポリテトラフルオロエチレンでは、空気容積率が大きいほど、表面積が小さくなることで摩擦抵抗が小さくなり、切削性や、穴加工性、機械摺動性が向上する。また、多孔質のポリテトラフルオロエチレンでは、組織がメッシュ状に形成されているため、高い放熱性を有し、これにより許容電流の増大や、ばねのへたり量の低減が可能となる。また、多孔質のポリテトラフルオロエチレンでは空気容積率が大きいほど比誘電率は小さくなるため、インピーダンス補正部材３０に用いる場合、空気容積率が大きいほど、外径を小さくすることができる。なお、非多孔質性のポリテトラフルオロエチレンの比誘電率は、一般に、２．０２〜２．０３である。
【００３７】
続いて、インピーダンス補正部材３０の構造と、信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスとの具体的関係について説明する。図３は、本発明の一実施の形態にかかる導電性接触子ユニットを構成する導電性接触子ホルダ３の要部の構造を示す断面図であって、インピーダンス部材３０の構成を説明するための断面図である。インピーダンス補正部材３０は、第１基板６側に設けられる第１補正部材３１と、第２基板７側に設けられる第２補正部材３２とを有する。第１補正部材３１と第２補正部材３２とには、複数の導電性接触子１５を収容するためのホルダ孔３３および３４がそれぞれ同数ずつ形成されている。ホルダ孔３３および３４は、互いの軸線が一致するように形成されている。
【００３８】
ホルダ孔３３および３４は、ともに貫通方向に沿って径が異なる段付き孔形状をなしている。すなわち、ホルダ孔３３は、絶縁部材１４の開口１４ａに連なる開口を有する小径部３３ａと、この小径部３３ａよりも径が大きい大径部３３ｂとからなる。他方、ホルダ孔３４は、絶縁部材１３の開口１３ａに連なる開口を有する小径部３４ａと、この小径部３４ａよりも径が大きい大径部３４ｂとからなる。これらのホルダ孔３３および３４の形状は、収容する信号用導電性接触子１５の構成に応じて定められる。針状部材２０のフランジ部は、ホルダ孔３４の小径部３４ａと大径部３４ｂとの境界壁面に当接することにより、信号用導電性接触子１５の導電性接触子ホルダ３からの抜止機能を有する。また、針状部材２１のフランジ部は、ホルダ孔３３の小径部３３ａと大径部３３ｂとの境界壁面に当接することにより、信号用導電性接触子１５の導電性接触子ホルダ３からの抜止機能を有する。
【００３９】
信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスＺ0の値は、インピーダンス補正部材３０を構成する誘電材料の比誘電率εrと、円筒形状の外径ｄ2と、信号用導電性接触子１５の外径ｄ1とを用いて、
【数１】
2018179671.tif 000003
と与えられる。
【００４０】
例えば、インピーダンス補正部材３０の誘電材料として多孔質ポリテトラフルオロエチレン（比誘電率εｒ＝１．７）を使用し、信号用導電性接触子１５の外径を０．４ｍｍ、使用する半導体集積回路１の特性インピーダンスを５０Ωとした構成に関して、信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスの値を半導体集積回路１と一致させる場合を考える。これらの値を（１）式に代入することによって、インピーダンス補正部材３０の外径をおよそ１．２ｍｍとすれば良いことが導かれる。従って、以上の構成を実現することによって、信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスの値を５０Ωに補正することが可能となる。
【００４１】
次に、本実施の形態にかかる導電性接触子ユニットの、半導体集積回路の検査時の導電性接触子と導電性接触子ホルダ３との間における電気的相互作用について説明する。図４は、本実施の形態１にかかる導電性接触子ユニットの使用時において、導電性接触子４と導電性接触子ホルダ３との間における電気的相互作用について示す模式図である。なお、図４では、導電性接触子ユニットの利点の説明を容易にするため、信号用導電性接触子１５ａおよび信号用導電性接触子１５ｂが隣接した構成について示している。
【００４２】
まず、アース用導電性接触子１６における電気的作用について説明する。本実施の形態におけるアース用導電性接触子１６は、電極１００ｃ、２００ｃを介して回路基板２からの電位を半導体集積回路１に供給するのみならず、ホルダ基板１１からの電位をも受けて半導体集積回路１に対してアース電位を供給するように構成されている。すなわち、図２にも示すように、ホルダ基板１１は、アース用導電性接触子１６を収容する第２開口部９の内面には絶縁部材が形成されておらず、第２開口部９の内面は、アース用導電性接触子１６の外周面、具体的には図４に示すように、収縮動作に伴ってたわんだバネ部材２２と直接接触する構成を有する。そして、上述のようにホルダ基板１１は導電性材料によって形成されることから、アース用導電性接触子１６とホルダ基板１１とは電気的に接続されることとなる。従って、アース用導電性接触子１６とホルダ基板１１との間では内部電荷が自由に行き来することが可能となることから、アース用導電性接触子１６が供給する電位と、ホルダ基板１１の電位とは等しい値となる。
【００４３】
次に、信号用導電性接触子１５ａ、１５ｂおよびこれらの近傍における電気的作用について説明する。信号用導電性接触子１５ａ、１５ｂは、それぞれ回路基板２内で生成された電気信号を電極２００ａ、２００ｂから受け取り、受け取った電気信号を、電極１００ａ、１００ｂを介して半導体集積回路１に対して入出力する。
【００４４】
次に、給電用導電性接触子１７およびこれらの近傍における電気的作用について説明する。図４では、図示していないが、給電用導電性接触子１７は、回路基板２内で生成された給電用の電力を、回路基板２の電極から受け取り、この受け取った電力を、半導体集積回路１の電極を介して半導体集積回路１に対して入出力する。
【００４５】
続いて、インピーダンス補正部材３０を用いて信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスの補正を行うことによる利点について説明する。一般に、交流信号を扱う電子回路においては、インピーダンスの異なる配線同士が接続する箇所において、異なるインピーダンス間の比に応じた量だけ信号が反射し、信号の伝搬が妨げられることが知られている。このことは使用する半導体集積回路１と信号用導電性接触子１５との関係においても同様であって、半導体集積回路１の特性インピーダンスと、信号用導電性接触子１５における特性インピーダンスとが大きく異なる値を有する場合には、互いに電気的に接続されているにもかかわらず、電気信号の入出力が困難になるという問題を生じることとなる。
【００４６】
また、特性インピーダンスの相違に起因して接続箇所において生じる信号反射の程度は、信号用導電性接触子１５の電気的な長さ（電気信号の周期に対する伝搬経路の長さ）が大きくなるにつれて顕在化することが知られている。すなわち、本実施の形態にかかる導電性接触子ユニットの場合は、半導体集積回路１の高速化、すなわち高周波数化に伴って電気信号の反射の程度が顕在化することとなる。従って、高周波数で駆動する半導体集積回路１に対応した導電性接触子ユニットを作製する際には、信号用導電性接触子１５の特性インピーダンスの値を半導体集積回路１のものと一致させる、いわゆるインピーダンス整合を精度良く行うことが重要となる。
【００４７】
しかしながら、インピーダンス整合を行う観点から信号用導電性接触子１５の形状等を変化させることは容易ではない。信号用導電性接触子１５は、その外径が１ｍｍ以下に抑制されるとともに針状部材２０、２１およびバネ部材２２によって構成される複雑な形状を有する等の制限が本来的に与えられることから、インピーダンス整合に適した形状に変更することは設計上および製造上の観点から困難となるためである。
【００４８】
従って、本実施の形態では、信号用導電性接触子１５の構造を変更するのではなく、信号用導電性接触子１５の周囲に誘電材料によって形成したインピーダンス補正部材３０を配置することによって特性インピーダンスの値を補正する構成を採用している。かかる構成を採用することで、信号用導電性接触子１５の構造については従来のものを流用することが可能となる。
【００４９】
以上のことから、本実施の形態にかかる導電性接触子ユニットは、インピーダンス補正部材３０を備えることによって、使用する半導体集積回路１との間で精度良くインピーダンス整合を行うことが可能であり、今後予想される半導体集積回路１のさらなる高速化にも対応した導電性接触子ユニットを実現することが可能である。また、インピーダンス補正部材３０は、簡易な構成によって実現されることから、本実施の形態にかかる導電性接触子ユニットは、製造コストを上昇させることなく、優れた特性を実現することが可能である。
【００５０】
また、実施の形態では、多孔質性を有し、比誘電率が１．３以上２．０以下の絶縁性材料によって形成されるインピーダンス補正部材３０を設けるようにした。このようなインピーダンス補正部材３０は、多孔質性を有しない同種の絶縁性材料と比して非誘電率が小さく、インピーダンス調整を行うための外径を小さくすることができる。本実施の形態によれば、このようなインピーダンス補正部材３０を用いることより、収容する導電性接触子間のピッチを狭ピッチ化することができる。ここでいう導電性接触子間のピッチとは、隣り合う信号用導電性接触子１５の中心軸間の距離に相当する。
【００５１】
また、本実施の形態では、多孔質性の絶縁性材料を用いてインピーダンス補正部材３０を形成するようにしたので、放熱性や、穴加工性を、多孔質性を有しない同種の絶縁性材料と比して向上することができる。また、多孔質性の絶縁性材料を用いれば、インピーダンス補正部材３０を形成する際の切削性や穴加工性を、多孔質性を有しない同種の絶縁性材料と比して向上することができる。
【００５２】
なお、上述した実施の形態において、絶縁部材１３、１４を多孔質性の絶縁性材料を用いて形成するようにしてもよい。この際、この絶縁部材１３、１４は、１．３以上、かつインピーダンス補正部材３０の比誘電率より小さい比誘電率を有する。なお、絶縁部材１３、１４における第３開口部１０に収容される部分については、上述した比誘電率を満たさなくてもよい。例えば、ホルダ基板１１の表面に設ける絶縁部材と、第３開口部１０に設ける絶縁部材とを、比誘電率が異なる別体としてもよい。
【００５３】
また、インピーダンス補正部材３０を、２．０より大きく３．３以下の比誘電率を有する筒状部材に代え、絶縁部材１３、１４を１．３以上２．０以下の比誘電率を有する多孔質性の絶縁性材料を用いて構成してもよい。この場合、導電性接触子ホルダ３において、上述した絶縁部材１３、１４およびインピーダンス補正部材３０のうち、絶縁部材１３、１４のみが、１．３以上２．０以下の比誘電率を有する構成となる。なお、絶縁部材１３、１４のうちの一方のみを１．３以上２．０以下の比誘電率を有する構成としてもよい。
【００５４】
なお、上述した実施の形態では、信号用導電性接触子１５に対してインピーダンス補正部材３０を適用する例を説明したが、給電用導電性接触子１７に対して適用することも可能である。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明に係る導電性接触子ホルダ３の実施例について説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。まず、本実施例に係る試験内容について説明する。
【００５６】
本実施例では、導電性接触子ホルダ３について、インピーダンス補正部材３０を成形する母材の１ＧＨｚ、１８ＧＨｚにおける比誘電率および誘電正接をそれぞれ測定した。なお、母材の空気容積率は、比誘電率から推定した。例えば、空気層を含まないポリテトラフルオロエチレンの空気容積率を０％、空気（比誘電率は１）の空気容積率を１００％とし、空気容積率が比誘電率と比例の関係にあるものとして、各実施例の空気容積率を算出した。
さらにこの母材の円柱材成形性について、以下のように評価した。
○：母材から円柱材であるインピーダンス補正部材３０を成形できた
×：母材から円柱材であるインピーダンス補正部材３０を成形できなかった
【００５７】
続いて、本実施例に係る導電性接触子ホルダ３の構成について説明する。
【００５８】
（実施例１）
多孔質ポリテトラフルオロエチレンを用いて成形したインピーダンス補正部材３０を作製した。空気容積率が３０〜４０％と推定される多孔質ポリテトラフルオロエチレンからなる母材について、比誘電率および誘電正接を計三回測定し、その平均を求めた。空気層を含まないポリテトラフルオロエチレンの比誘電率と、測定した比誘電率とから推測される本実施例１のインピーダンス補正部材３０の空気容積率は、およそ２７％であった。また、インピーダンス補正部材３０を成形する際の円柱材の成形について評価した。構成、測定結果および評価結果を表１に示す。
【表１】
2018179671.tif 000004
【００５９】
実施例１では、母材の比誘電率の平均が１ＧＨｚで１．７５２、１８ＧＨｚで１．７４４となり、誘電正接の平均が１ＧＨｚで２．９７×１０-4、１８ＧＨｚで２．５７×１０-4となった。また、母材からインピーダンス補正部材３０を成形することができた。
【００６０】
（実施例２）
母材の空気容積率を実施例１より大きくした以外は実施例１と同じである。実施例２では、母材の比誘電率の平均が１ＧＨｚで１．３１３、１８ＧＨｚで１．３１３となり、誘電正接の平均が１ＧＨｚで１．５４×１０-4、１８ＧＨｚで１．４７×１０-4となった。比誘電率から推測される空気容積率は、およそ６９％であった。また、母材からインピーダンス補正部材３０を成形することができた。
【００６１】
（実施例３）
母材の空気容積率を実施例２より大きくした以外は実施例１と同じである。実施例３では、母材の比誘電率の平均が１ＧＨｚで１．１０４、１８ＧＨｚで１．１０１となり、誘電正接の平均が１ＧＨｚで１．２０×１０-4、１８ＧＨｚで１．１６×１０-4となった。比誘電率から推測される空気容積率は、およそ９０％であった。また、母材からインピーダンス補正部材３０を成形することはできなかった。
【００６２】
（実施例４）
母材の空気容積率を０％、すなわち多孔質性を有しないポリテトラフルオロエチレンとした以外は実施例１と同じである。実施例４では、母材の比誘電率の平均が１ＧＨｚで２．０３１、１８ＧＨｚで２．０１７となり、誘電正接の平均が１ＧＨｚで７．８１×１０-4、１８ＧＨｚで５．３４×１０-4となった。また、母材からインピーダンス補正部材３０を成形することができた。
【００６３】
（実施例５）
母材を構成する材料を、スーパーエンジニアリングプラスチックであるＰＥＥＫとした以外は実施例１と同じである。実施例５では、母材の比誘電率の平均が１ＧＨｚで３．５６６、１８ＧＨｚで３．４７２となり、誘電正接の平均が１ＧＨｚで４．０８×１０-3、１８ＧＨｚで８．８４×１０-3となった。また、母材からインピーダンス補正部材３０を成形することができた。
【００６４】
実施例１〜３では、比誘電率が実施例４、５と比して小さく、空気容積率が大きいほど比誘電率が小さくなり、いずれもインピーダンス補正部材３０として適した母材であることがわかる。一方で、実施例３は、円柱材を成形することができなかったが、これは、空気容積率が大きいために原型を維持できなかったものと考えられる。また、実施例４にかかる母材は、多孔質性を有する母材（実施例１〜３）と比して誘電正接が大きく、電気エネルギーの損失が高いといえる。
【００６５】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含みうるものであり、特許請求の範囲により特定される技術的思想を逸脱しない範囲内において種々の設計変更等を施すことが可能である。
【００６６】
以上のように、本発明にかかる導電性接触子ホルダおよび導電性接触子ユニットは、収容する導電性接触子間のピッチを狭ピッチ化するのに適している。
【符号の説明】
【００６７】
１  半導体集積回路
２  回路基板
３  導電性接触子ホルダ
４  導電性接触子
６  第１基板
７  第２基板
８  第１開口部
９  第２開口部
１０  第３開口部
１１  ホルダ基板
１３、１４  絶縁部材
１５  信号用導電性接触子
１６  アース用導電性接触子
１７  給電用導電性接触子
２０、２１  針状部材
２２  バネ部材
３０  インピーダンス補正部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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