(57)【要約】【課題】所望の特性を有するインダクタを提供すること。【解決手段】インダクタ１０は、コア２０と、一対の端子電極４０と、ワイヤ５０とを有する。コア２０は、軸部２１と、軸部２１の両端の一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端に接続されている。支持部２２は軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。端子電極４０は、各支持部２２に形成されている。ワイヤ５０は、軸部２１に巻回されている。ワイヤ５０の両端部は、端子電極４０にそれぞれ接続されている。この１０は、巻線型（インダクタ）である。本実施形態の１０は、周波数３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示す電気的特性を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、
を有し、
周波数が３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示す、
インダクタ。
【請求項２】
前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３６ｍｍ以下である、請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３３ｍｍ以下である、請求項２に記載のインダクタ。
【請求項４】
前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下である、請求項３に記載のインダクタ。
【請求項５】
前記軸部の延びる第１の方向と直交する前記軸部の断面の面積は、前記第１の方向と直交する前記支持部の断面の面積の３５〜７５％の範囲内である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項６】
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４０〜７０％の範囲内である、請求項５に記載のインダクタ。
【請求項７】
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４５〜６５％の範囲内である、請求項６に記載のインダクタ。
【請求項８】
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５０〜６０％の範囲内である、請求項７に記載のインダクタ。
【請求項９】
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％である、請求項８に記載のインダクタ。
【請求項１０】
４０ｎＨ〜７０ｎＨの範囲内のインダクタンス値を示す、請求項１〜９のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項１１】
６０ｎＨのインダクタンス値を示す、請求項１０記載のインダクタ。
【請求項１２】
周波数が１．０ＧＨｚの入力信号に対して３００Ω以上のインピーダンス値を示す、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項１３】
周波数が１．５ＧＨｚの入力信号に対して４００Ω以上のインピーダンス値を示す、請求項１２記載のインダクタ。
【請求項１４】
周波数が２．０ＧＨｚの入力信号に対して４５０Ω以上のインピーダンス値を示す、請求項１３記載のインダクタ。
【請求項１５】
周波数が４．０ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示す、請求項１４記載のインダクタ。
【請求項１６】
自己共振周波数が３．０ＧＨｚ以上である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項１７】
自己共振周波数が３．２ＧＨｚ以上である、請求項１６記載のインダクタ。
【請求項１８】
自己共振周波数が３．４ＧＨｚ以上である、請求項１７記載のインダクタ。
【請求項１９】
自己共振周波数が３．６ＧＨｚ以上である、請求項１８記載のインダクタ。
【請求項２０】
前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の０．５倍以上となる部分が存在する、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項２１】
前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の１倍以上となる部分が存在する、請求項２０記載のインダクタ。
【請求項２２】
前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の２倍以上となる部分が存在する、請求項２１記載のインダクタ。
【請求項２３】
前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の５倍以下である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項２４】
前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の４倍以下である、請求項２３記載のインダクタ。
【請求項２５】
前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の３倍以下である、請求項２４記載のインダクタ。
【請求項２６】
前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高い、
請求項１〜２５のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項２７】
前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状である、請求項２６に記載のインダクタ。
【請求項２８】
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．１以上である、請求項２６又は２７記載のインダクタ。
【請求項２９】
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上である、請求項２６又は２７記載のインダクタ。
【請求項３０】
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．３以上である、請求項２６又は２７記載のインダクタ。
【請求項３１】
前記端子電極はさらに、前記底面部電極と連続するように前記支持部の側面に形成された側面部電極を含み、
前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いの対向面から前記端面にむかって徐々に高さが高くなるように形成されていること、
を特徴とする請求項２６〜３０のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項３２】
前記ワイヤの直径は、１４〜２０μｍの範囲内である、請求項１〜３１のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項３３】
前記ワイヤの直径は、１５〜１７μｍの範囲内である、請求項３２記載のインダクタ。
【請求項３４】
前記ワイヤの直径は、１６μｍである、請求項３３記載のインダクタ。
【請求項３５】
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、
を有し、
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、
周波数が３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示し、
前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の３倍以下である、
インダクタ。
【請求項３６】
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、
を有し、
前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状に形成され、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、
前記ワイヤの直径は、１６μｍであり、
自己共振周波数が３．６ＧＨｚ以上である、
インダクタ。
【請求項３７】
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、
を有し、
前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、
６０ｎＨのインダクタンス値を示し、
前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の２倍以上となる部分が存在する、
インダクタ。
【請求項３８】
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、
を有し、
前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であり、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、
前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、
６０ｎＨのインダクタンス値を示し、
周波数が３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示し、
自己共振周波数が３．６ＧＨｚ以上であり、
前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の２倍以上となる部分が存在し、
前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の３倍以下であり、
前記ワイヤの直径は、１６μｍである、
インダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアに巻回されたワイヤを有するインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インダクタは、種々の電子機器に搭載されている。巻線型インダクタは、コアと、コアに巻回されたワイヤとを有している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−５６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、携帯電話機等の電子機器の小型化が進み、そのような電子機器に搭載されるインダクタに対しても小型化が要求される。インダクタの小型化は、そのインダクタの特性に影響し、所望の特性が得られない虞がある。
【０００５】
特許文献１には、小型化してもインダクタンス値を確保できる、すなわちインダクタンス値の取得効率の高いインダクタについて記載されているが、インダクタンス値を高くすると、自己共振周波数（ＳＲＦ：SelfResonance Frequency）は低くなる。インダクタは、自己共振周波数より高い周波数において、誘導性素子として機能せず、容量性素子として働く。このため、特許文献１に記載のような従来技術の延長線上では、高周波において、高いインピーダンス値が得られ難い。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者らは、鋭意検討した結果、本願開示のインダクタに到達した。
上記の課題を解決するインダクタは、柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、を有し、周波数が３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示すものである。
【０００７】
上記のインダクタは、前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３６ｍｍ以下であることが好ましい。
【０００８】
上記のインダクタは、前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３３ｍｍ以下であることが好ましい。
【０００９】
上記のインダクタは、前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１０】
上記のインダクタにおいて、前記軸部の延びる第１の方向と直交する前記軸部の断面の面積は、前記第１の方向と直交する前記支持部の断面の面積の３５〜７５％の範囲内であることが好ましい。
【００１１】
上記のインダクタにおいて、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４０〜７０％の範囲内であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４５〜６５％の範囲内であることが好ましい。
【００１２】
上記のインダクタにおいて、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５０〜６０％の範囲内であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であることが好ましい。
【００１３】
上記のインダクタにおいて、４０ｎＨ〜７０ｎＨの範囲内のインダクタンス値を示すことが好ましい。
上記のインダクタにおいて、６０ｎＨのインダクタンス値を示すことが好ましい。
【００１４】
なお、ここでいうインダクタンス値とは、周波数１０ＭＨｚの入力信号におけるインダクタンス値を意味する。
上記のインダクタにおいて、周波数が１．０ＧＨｚの入力信号に対して３００Ω以上のインピーダンス値を示すことが好ましい。
【００１５】
上記のインダクタにおいて、周波数が１．５ＧＨｚの入力信号に対して４００Ω以上のインピーダンス値を示すことが好ましい。
上記のインダクタにおいて、周波数が２．０ＧＨｚの入力信号に対して４５０Ω以上のインピーダンス値を示すことが好ましい。
【００１６】
上記のインダクタにおいて、周波数が４．０ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示すことが好ましい。
上記のインダクタにおいて、自己共振周波数が３．０ＧＨｚ以上であることが好ましい。
【００１７】
上記のインダクタにおいて、自己共振周波数が３．２ＧＨｚ以上であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、自己共振周波数が３．４ＧＨｚ以上であることが好ましい。
【００１８】
上記のインダクタにおいて、自己共振周波数が３．６ＧＨｚ以上であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の０．５倍以上となる部分が存在することが好ましい。
【００１９】
上記のインダクタにおいて、前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の１倍以上となる部分が存在することが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の２倍以上となる部分が存在することが好ましい。
【００２０】
上記のインダクタにおいて、前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の５倍以下であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の４倍以下であることが好ましい。
【００２１】
上記のインダクタにおいて、前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の３倍以下であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高いことが好ましい。
【００２２】
上記のインダクタにおいて、前記端面部電極の上端は上側に凸となる弧状であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．１以上であることが好ましい。
【００２３】
上記のインダクタにおいて、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．３以上であることが好ましい。
【００２４】
上記のインダクタにおいて、前記端子電極はさらに、前記底面部電極と連続するように前記支持部の側面に形成された側面部電極を含み、前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いの対向面から前記端面にむかって徐々に高さが高くなるように形成されていることが好ましい。
【００２５】
上記のインダクタにおいて、前記ワイヤの直径は、１４〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
上記のインダクタにおいて、前記ワイヤの直径は、１５〜１７μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２６】
上記のインダクタにおいて、前記ワイヤの直径は、１６μｍであることが好ましい。
また、開示のインダクタは、柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、を有し、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、周波数が３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示し、前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の３倍以下である。
【００２７】
また、開示のインダクタは、柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、を有し、前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であり、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、前記ワイヤの直径は、１６μｍであり、自己共振周波数が３．６ＧＨｚ以上である。
【００２８】
また、開示のインダクタは、柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、を有し、前記軸部の延びる第１の方向に対して直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、６０ｎＨのインダクタンス値を示し、前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の２倍以上となる部分が存在する。
【００２９】
また、開示のインダクタは、柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の端子電極に接続されたワイヤと、を有し、前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であり、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、６０ｎＨのインダクタンス値を示し、周波数が３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示し、自己共振周波数が３．６ＧＨｚ以上であり、前記軸部の延びる第１の方向において前記ワイヤの隣り合うターンの間隔が前記ワイヤの直径の２倍以上となる部分が存在し、前記支持部に隣り合う前記ワイヤと前記支持部との間の距離が前記ワイヤの直径の３倍以下であり、前記ワイヤの直径は１６μｍである。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、所望の特性を有するインダクタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】（ａ）はインダクタの正面図、（ｂ）はインダクタの端面図。
【図２】インダクタの斜視図。
【図３】コアの断面を説明するための概略斜視図。
【図４】（ａ）（ｂ）は端子電極を形成する工程の概略図。
【図５】インダクタの周波数−インピーダンス特性図。
【図６】変形例のコアを示す概略斜視図。
【図７】コアの側面の写真。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、一実施形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。
【００３３】
図１（ａ），図１（ｂ）及び図２に示すインダクタ１０は、例えば回路基板等に実装される表面実装型のインダクタである。
本実施形態のインダクタ１０は、コア２０と、一対の端子電極４０と、ワイヤ５０とを有する。コア２０は、軸部２１と一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端から軸部２１の延びる第１の方向と直交する第２の方向に延びている。支持部２２は軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。
【００３４】
端子電極４０は、各支持部２２に形成されている。ワイヤ５０は、軸部２１に巻回されている。また、ワイヤ５０は、軸部２１に対して単一の層を形成するように、軸部２１に巻回されている。ワイヤ５０の両端部は、端子電極４０にそれぞれ接続されている。このインダクタ１０は、巻線型インダクタである。本実施形態のインダクタ１０は、周波数３．６ＧＨｚの入力信号に対してインピーダンス値が５００Ω以上の電気的特性を有している。
【００３５】
インダクタ１０のインピーダンス値は、周波数１．０ＧＨｚで３００Ω以上であることが好ましい。また、インピーダンス値は、周波数１．５ＧＨｚで４００Ω以上であることが好ましく、周波数２．０ＧＨｚで４５０Ω以上であることがより好ましく、さらには周波数４．０ＧＨｚで５００Ω以上であることが好ましい。このように、特定の周波数で一定以上のインピーダンス値が確保されることにより、当該周波数において、ノイズの除去（チョーク）、共振（バンドパス）、インピーダンス整合などを実現することができる。
【００３６】
このようなインダクタ１０のインダクタンス値は、４０〜７０ｎＨであることが好ましい。４０ｎＨ以上のインダクタンス値であると、一定以上のインピーダンス値を確保することができる。また、７０ｎＨ以下のインダクタンス値であると、高い自己共振周波数（ＳＲＦ）を得ることができる。本実施形態において、インダクタ１０のインダクタンス値は、例えば６０ｎＨである。なお、インダクタンス値は、周波数１０ＭＨｚの入力信号における値である。
【００３７】
インダクタ１０は、３．０ＧＨｚ以上の自己共振周波数（ＳＲＦ）であることが好ましく、３．２ＧＨｚ以上のＳＲＦであることがより好ましく、さらには３．４ＧＨｚ以上のＳＲＦであることがより好ましい。本実施形態のインダクタ１０は、３．６ＧＨｚ以上のＳＲＦを持つ。これにより、高周波帯におけるインダクタとしての機能を確保できる。
【００３８】
インダクタ１０は、概略で直方体状に形成されている。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、主面及び側面の一部又は全部に凹凸などが形成されていてもよい。また、「直方体状」では対向する面が必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい。
【００３９】
本明細書において、軸部２１の延びる方向を「長さ方向Ｌｄ（第１の方向）」と定義し、「長さ方向Ｌｄ」に直交する方向のうち図１（ａ）及び図１（ｂ）の上下方向を「高さ方向（厚み方向）Ｔｄ」と定義し、「長さ方向Ｌｄ」及び「高さ方向Ｔｄ」のいずれにも直交する方向（図１（ｂ）の左右方向）を「幅方向Ｗｄ」と定義する。なお、本明細書において、「幅方向」は、長さ方向と直交する方向のうち、インダクタ１０が回路基板に実装された際、つまり端子電極４０により実装される回路基板と平行となる方向となる。
【００４０】
インダクタ１０において、長さ方向Ｌｄの大きさ（長さ寸法Ｌ１）は、０ｍｍよりも大きく、１．０ｍｍ以下が好ましい。本実施形態のインダクタ１０の長さ寸法Ｌ１は、例えば０．７ｍｍである。
【００４１】
また、インダクタ１０において、幅方向Ｗｄの大きさ（幅寸法Ｗ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。また、幅寸法Ｗ１は、０．３６ｍｍ以下であることが好ましく、０．３３ｍｍ以下であることがより好ましい。本実施形態のインダクタ１０の幅寸法Ｗ１は、例えば０．３ｍｍである。
【００４２】
また、インダクタ１０において、高さ方向Ｔｄの大きさ（高さ寸法Ｔ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。本実施形態のインダクタ１０の高さ寸法Ｔ１は、例えば０．５ｍｍである。
【００４３】
図２に示すように、軸部２１は、長さ方向Ｌｄに延在した直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、長さ方向Ｌｄに薄い板状に形成されている。一対の支持部２２は、幅方向Ｗｄに対して高さ方向Ｔｄに長い直方体状に形成されている。
【００４４】
一対の支持部２２は、高さ方向Ｔｄ及び幅方向Ｗｄに向かって軸部２１の周囲に張り出すように形成されている。具体的には、長さ方向Ｌｄから見たときの各支持部２２の平面形状は、軸部２１に対して高さ方向Ｔｄ及び幅方向Ｗｄに張り出すように形成されている。
【００４５】
各支持部２２は、長さ方向Ｌｄにおいて相対向する内面３１及び端面３２と、幅方向Ｗｄにおいて相対向する一対の側面３３，３４と、高さ方向Ｔｄにおいて相対向する上面及び底面３６を有している。一方の支持部２２の内面３１は、他方の支持部２２の内面３１と相対向している。なお、図示の通り、本明細書において、「底面」とはインダクタを回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面を意味する。特に、支持部の底面とは、両側の支持部ともに端子電極が形成されている側の面を意味する。また、「端面」とは支持部のうち、軸部とは逆側に向く面を意味する。さらに「側面」は底面及び端面に隣接する面を意味する。
【００４６】
コア２０の材料としては、磁性材料（例えば、ニッケル（Ｎｉ）−亜鉛（Ｚｎ）系フェライト、マンガン（Ｍｎ）−Ｚｎ系フェライト）、アルミナ、金属磁性体などを用いることができる。これらの材料の粉末を、成型及び焼結することによりコア２０が得られる。
【００４７】
図３に示すように、軸部２１の軸方向（長さ方向Ｌｄ）と直交する断面２１ａの面積は、その軸方向と直交する支持部２２の断面２２ａの面積に対して、３５〜７５％の範囲内であることが好ましく、４０〜７０％の範囲内であることがより好ましい。さらに、４５〜６５％の範囲内であることが好ましく、５０〜６０％の範囲内であることがより好ましい。本実施形態において、軸部２１の断面２１ａの面積は、支持部２２の断面２２ａの面積の約５５％である。
【００４８】
このように、支持部２２の断面積に対する軸部２１の断面積の比率を所定範囲内とすることで、長さ方向Ｌｄと直交する方向（幅方向Ｗｄ，高さ方向Ｔｄ）において支持部２２の端部から軸部２１までの空間を使うことにより、インダクタ１０（コア２０）における設計の自由度が高くなる。例えば、支持部２２の断面積に対する軸部２１の断面積の比率が一定割合より大きいことで、コア２０の強度が向上するし、またコア２０を通過する磁束の飽和量が向上することで特性の低下を抑制できる。一方、支持部２２の断面積に対する軸部２１の断面積の比率が大きいと、コア２０に巻回するワイヤ５０が支持部２２の端部からはみ出す虞がある。
【００４９】
また、設計の自由度として、支持部２２に対する軸部２１の位置を設定することができる。軸部２１の位置によりインダクタ１０の特性を設定することができる。例えば、軸部２１を高くすると、インダクタ１０を実装した回路基板の配線やパッドとワイヤ５０との間に生じる寄生容量の容量値が小さくすることができ、自己共振周波数を高くすることができる。一方、軸部２１を低くすると、軸部２１より上方において、一対の支持部２２において相対向する内面３１の面積が大きくなるため、一対の支持部２２の間に磁束を形成し易くなる。このため、所望のインダクタンス値を設定することができ、高いインピーダンス値が得られる。
【００５０】
端子電極４０は、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極４１を有している。底面部電極４１は、支持部２２の底面３６の全体にわたって形成されている。
また、端子電極４０は、支持部２２の端面３２に形成された端面部電極４２を有している。端面部電極４２は、支持部２２の端面３２の一部（下側部分）を覆うように形成されている。端面部電極４２は、底面部電極４１から連続するように形成されている。図１（ｂ）に示すように、端面部電極４２は、支持部２２の端面３２において、幅方向の両端部４２ｂよりも幅方向の中央部４２ａが高く形成されている。また、端面部電極４２は、その上端４２ｃが上側に凸となる略弧状に形成されている。図７は、コア及び端面部電極の拡大写真を示す。
【００５１】
端面部電極４２は、端部４２ｂの高さＴｂに対する中央部４２ａの高さＴａの比が１．１以上であることが好ましく、高さの比が１．２以上であることがより好ましい。本実施形態において、高さの比が１．３以上である。なお、端面部電極４２の高さとは、端面３２側から見て、底面部電極４１の表面（下端）から高さ方向Ｔｄに沿って測定した端面部電極４２の端部（上端）までの長さである。また、特に、端部４２ｂの高さＴｂは、端面３２の平面部分における幅方向の端部の高さである。図１（ｂ）では、端面３２における平面部分の端部を二点鎖線にて示している。コア２０は、外表面（角部や稜線部）に曲面状の丸みを持つように面取りが施されている。面取りは、例えばバレル研磨により行われる。曲面状の部分では、下端の位置が変動するため、端面部電極４２の高さにばらつきを生じやすい。このため、端面部電極４２の端部４２ｂは、端面３２における平面部分の幅方向の端部とする。なお、端面３２の平面部分の端部が不明確である場合は、端部４２ｂを、図１（ｂ）において、支持部２２の側面３３，３４から５０μｍ内側の箇所とする。
【００５２】
インダクタ１０において、幅寸法Ｗ１と高さ寸法Ｔ１は、幅寸法Ｗ１が高さ寸法Ｔ１よりも小さい（Ｗ１＜Ｔ１）であることが好ましい。一定の実装面積に対して、端面部電極４２の高さをより高く設定できるため、固着力を向上させることができる。
【００５３】
図１（ｂ）に示すように、端子電極４０は、支持部２２の側面３３，３４に形成された側面部電極４３を有している。図１（ａ）に示すように、側面部電極４３は、支持部２２の側面３３の一部（下側部分）を覆うように形成されている。側面部電極４３は、底面部電極４１及び端面部電極４２から連続するように形成されている。側面部電極４３は、一対の支持部２２の互いの対向面（内面３１）から、端面３２に向かって、徐々に高くなるように、即ち、支持部２２の側面３３における端子電極４０の上辺が傾斜した態様で形成されている。なお、図１（ａ）では、側面３３における側面部電極４３を示しているが、図１（ｂ）に示す側面３４における側面部電極も同様に形成されている。
【００５４】
本実施形態において、端子電極４０は、金属層と、その金属層の表面のめっき層とを含む。金属層としては例えば銀（Ａｇ）であり、めっき層としては例えば錫（Ｓｎ）めっきである。なお、金属層として、銅（Ｃｕ）等の金属、ニッケル（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）、Ｎｉ−銅（Ｃｕ）等の合金を用いてもよい。また、めっき層として、Ｎｉめっき、２種類以上のめっきを用いてもよい。
【００５５】
端子電極４０は、例えば導電性ペーストの塗布焼付及びめっきにより形成される。
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、端子電極４０の形成する工程の一例を示す。
先ず、図４（ａ）に示すように、保持治具１００にコア２０を保持する。保持治具１００は、コア２０の軸方向を保持治具１００の下面１０１に対して傾斜保持する保持凹部１０２が形成されている。貯留槽１１０には、導電性ペースト１２０が貯留されている。
【００５６】
導電性ペースト１２０は、例えば銀（Ａｇ）ペーストである。この導電性ペースト１２０にコア２０の支持部２２の底面３６を浸漬する。この工程において、導電性ペースト１２０は、支持部２２の側面３３，３４及び端面３２に対して、底面３６に付着した導電性ペーストと連続するように付着する。なお、このときの端面３２に付着した導電性ペースト１２０の上端は、直線的である。
【００５７】
次に、図４（ｂ）に示すように、支持部２２の底面３６が上を向くように、コア２０を配置する。例えば、導電性ペースト１２０の粘度を調整することにより、端面３２に付着した導電性ペースト１２０は、二点鎖線にて示す位置から、端面３２を伝い下がる。このように伝い下がることにより、導電性ペースト１２０の下端１２０ａは、幅方向の中央部分が最も低い形状となる。この状態で導電性ペースト１２０を乾燥させる。同様に、支持部２２に導電性ペースト１２０を付着し、乾燥させる。そして、導電性ペーストをコア２０に焼き付けることにより、電極膜を形成する。そして、電極膜の表面に例えば電解めっき法によってめっき膜を形成し、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す端子電極４０を得る。
【００５８】
ワイヤ５０は、軸部２１に巻回されている。ワイヤ５０の両端部は、端子電極４０にそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ５０と端子電極４０の接続には、例えばはんだを用いることができる。
【００５９】
ワイヤ５０は、例えば円形状の断面を有する芯線と、芯線の表面を被覆する被覆材とを含む。芯線の材料としては、例えば、ＣｕやＡｇ等の導電性材料を主成分とすることができる。被覆材の材料としては、例えばポリウレタンやポリエステル等の絶縁材料を用いることができる。ワイヤ５０の直径は、例えば、１４μｍから２０μｍの範囲内であることが好ましく、１５μｍから１７μｍの範囲内であることがより好ましい。本実施形態において、ワイヤ５０の直径は約１６μｍである。ワイヤ５０の直径が一定値より大きいことで、抵抗成分の増大を抑制することができ、一定値より小さいことで、コア２０の外形からのはみ出しを抑制することができる。
【００６０】
図１（ａ）に示すように、ワイヤ５０は、軸部２１に巻回された巻線部５１と、端子電極４０に接続された接続部５２と、接続部５２と巻線部５１との間に掛け渡された渡り部５３とを有している。接続部５２は、端子電極４０のうち、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極４１に接続されている。
【００６１】
巻線部５１は、軸部２１の軸方向において、互いに隣り合うワイヤ５０の間の距離を所定値以上となる部分が存在した箇所を少なくとも１つ有している。所定値は、例えばワイヤ５０の直径の０．５倍以上とすることが好ましく、ワイヤ５０の直径の１倍以上とすることがより好ましい。本実施形態において、図１（ａ）に矢印にて示す巻線間の距離Ｌａは、ワイヤ５０の直径の２倍以上の距離である。つまり、本実施形態の巻線部５１は、互いに隣り合うワイヤ５０の間の距離がワイヤ５０の直径の２倍以上とした箇所を少なくとも１つ有している。
【００６２】
巻線部５１において、軸部２１の軸方向に隣り合うターンの間に寄生容量を生じる。寄生容量の容量値は、ワイヤ５０において隣り合う２本のターンの距離に応じて決まる。したがって、隣り合うワイヤ５０の距離を大きくすることにより、寄生容量の容量値を小さくする、つまり寄生容量の影響を低減することができ、自己共振周波数（ＳＲＦ）の低下を抑制することができる。
【００６３】
ワイヤ５０は、両支持部２２から離間して軸部２１に巻回されている。つまり、巻線部５１の両端部５１ａ，５１ｂは、コア２０の支持部２２から離間している。巻線部５１の両端部５１ａ，５１ｂと支持部２２との間の距離Ｌｂは、例えばワイヤ５０の直径の５倍以下であることが好ましく、４倍以下であることがより好ましい。本実施形態において、支持部２２とワイヤ５０との距離Ｌｂは、３倍以下である。
【００６４】
巻線部５１の両端部５１ａ，５１ｂと支持部２２との間の距離は、渡り部５３の長さに影響する。渡り部５３は、支持部２２に形成された端子電極４０のうち、底面部電極４１に接続された接続部５２と、巻線部５１との間を接続する。従って、巻線部５１の端部５１ａ，５１ｂが支持部２２から離れていると、渡り部５３の長さが長くなり、支持部２２及び軸部２１から離間することになる。この場合、渡り部５３が傷ついたり、ワイヤ５０が断線したりする虞がある。また、渡り部５３によってワイヤ５０の巻回が緩み、ワイヤ５０が支持部２２の端部からはみ出し、ワイヤ５０が傷つく虞がある。巻線部５１の端部５１ａ，５１ｂと支持部２２との間の距離を設定することにより、これらを抑制する。
【００６５】
本実施形態のインダクタ１０は、さらにカバー部材６０を有している。
カバー部材６０は、軸部２１に巻回されたワイヤ５０を覆うように、軸部２１の上面と支持部２２の上面とに塗布されている。カバー部材６０の上面６０ａは、平面である。カバー部材６０の材料としては、例えば、エポキシ系の樹脂を用いることができる。
【００６６】
カバー部材６０は、例えばインダクタ１０を回路基板に実装する際に、吸引ノズルによる吸着が確実に行えるようにする。また、カバー部材６０は、吸引ノズルによる吸着時にワイヤ５０に傷がつくのを防止する。なお、カバー部材６０に磁性材料を用いることで、インダクタ１０のインダクタンス値（Ｌ値）を向上することができる。一方、カバー部材６０に非磁性材料を用いることで、磁性損失を低減し、Ｑ値を向上することができる。
【００６７】
次に、上記のインダクタ１０の作用を説明する。
図５は、周波数−インピーダンス特性図を示す。図５において、実線は本実施形態のインダクタ１０の特性を示し、一点鎖線は比較例のインダクタの特性を示す。
【００６８】
比較例のインダクタは、本実施形態のインダクタ１０のコア２０と同じ大きさ及び形状のコアを用い、本実施形態のワイヤ５０と同じ太さのワイヤを密に巻回したものである。つまり、比較例のインダクタは、コアの軸部において、その軸部の軸方向に沿って隣接して巻回されたワイヤによる巻線部を有している。そして、この比較例のインダクタのインダクタンス値は例えば５６０ｎＨであり、自己共振周波数（ＳＲＦ）は１．５ＧＨｚ以下である。
【００６９】
この比較例のインダクタは、高い周波数になるほどインピーダンス値が低下する。一般に、自己共振周波数（ＳＲＦ）より高い周波数において、巻線型のインダクタは主に容量性素子として働く。このため、比較例のインダクタ（ＳＲＦ：１．５ＧＨｚ）にて示すように、インピーダンス値が低下する。
【００７０】
これに対し、本実施形態のインダクタ１０は、１．５ＧＨｚ以上の周波数において、４００Ω以上のインピーダンス値を示す。また、２．０ＧＨｚ以上の周波数において、５００Ω以上のインピーダンス値を示す。これは、本実施形態のインダクタ１０の自己共振周波数（ＳＲＦ）が３．６ＧＨｚであることと合っている。
【００７１】
また、本実施形態のインダクタ１０の端子電極４０は、コア２０（支持部２２）の端面３２に形成された端面部電極４２を含む。この端面部電極４２は、端面３２の幅方向の端部４２ｂよりも幅方向の中央部４２ａが高い。これにより、中央部４２ａの高さが端部４２ｂの高さと同じである場合に比べ、端面部電極４２の表面積が増加する。この表面積の増加は、回路基板への接続を強固とする、つまり回路基板に対する固着力を高くする。このため、小型化したインダクタ１０において、実装対象の回路基板に対して十分な固着力を得ることができる。また、端面部電極４２の上端４２ｃは、上側に凸となる弧状である。上端４２ｃを弧状とすることにより、端子電極４０の表面積をさらに拡大できる。
【００７２】
また、本実施形態の端子電極４０は、インダクタ１０におけるインダクタンス値の確保に有効である。即ち、ワイヤ５０によりコア２０の軸部２１に生じる磁束は、軸部２１から一方の支持部２２−空中−他方の支持部２２を介して軸部２１へと戻るように形成される。本実施形態のインダクタ１０では、支持部２２の側面３３，３４の大部分や、側面３３，３４と端面３２との間の稜線部分から磁束が通過し易いため、磁束密度の低下を抑制する。磁束密度の低下は、インダクタンス値を低くするため、所望のインダクタンス値（コアの設計値に応じたインダクタンス値）が得られなくなる。従って、本実施形態のインダクタ１０は、磁束密度の低下を抑制し、所望のインダクタンス値を得ることができる。
【００７３】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）インダクタ１０は、コア２０と、一対の端子電極４０と、ワイヤ５０とを有する。コア２０は、軸部２１と一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端に接続されている。支持部２２は軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。
【００７４】
端子電極４０は、各支持部２２に形成されている。ワイヤ５０は、軸部２１に巻回されている。また、ワイヤ５０は、軸部２１に対して単一の層を形成するように、軸部２１に巻回されている。ワイヤ５０の両端部は、端子電極４０にそれぞれ接続されている。このインダクタ１０は、巻線型インダクタである。本実施形態のインダクタ１０は、周波数３．６ＧＨｚでインピーダンス値が５００Ω以上の電気的特性を有している。このように、高周波において所望のインピーダンス値を示すインダクタ１０を提供することができる。
【００７５】
（２）端子電極４０は、支持部２２の端面３２に形成された端面部電極４２を含む。この端面部電極４２は、端面３２の幅方向の端部４２ｂよりも幅方向の中央部４２ａが高い。この端面部電極４２は、端子電極４０の表面の面積を増加する。この表面積の増加は、回路基板への接続を強固とする、つまり回路基板に対する固着力を高くする。このため、小型化したインダクタ１０において、実装対象の回路基板に対して十分な固着力を得ることができる。また、端面部電極４２の上端４２ｃは、上側に凸となる弧状である。上端４２ｃを弧状とすることにより、端子電極４０の表面積をさらに拡大できる。
【００７６】
（３）端子電極４０は、支持部２２の側面３３，３４の下端を覆う側面部電極４３を有している。ワイヤ５０によりコア２０の軸部２１に生じる磁束は、軸部２１から一方の支持部２２−空中−他方の支持部２２を介して軸部２１へと戻るように形成される。本実施形態のインダクタ１０では、支持部２２の側面３３，３４の大部分や、側面３３，３４と端面３２との間の稜線部分から磁束が通過し易いため、磁束密度の低下を抑制する。磁束密度の低下は、インダクタンス値を低くするため、所望のインダクタンス値（コアの設計値に応じたインダクタンス値）が得られなくなる。従って、本実施形態のインダクタ１０は、磁束密度の低下を抑制し、所望のインダクタンス値を得ることができる。
【００７７】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態に対し、図１（ａ）等に示すコア２０の形状を適宜変更してもよい。
図６に示すコア２００は、直方体状の軸部２０１と、軸部２０１の両端部の支持部２０２とを有している。支持部２０２は、軸部２０１と同じ幅に形成されるとともに、軸部２０１に対して上方及び下方に張り出すように形成されている。つまり、このコア２００は、側面がＨ字状に形成されている。なお、図６に示すコア２００は一例であり、軸部２０１と支持部２０２の形状は適宜変更が可能である。
【００７８】
・上記実施形態に対し、図１（ａ）に示すカバー部材６０の形状を適宜変更してもよい。例えば、支持部２２の間であって軸部２１の上部におけるワイヤ５０を覆うように形成されてもよい。また、ワイヤ５０の巻線部５１の全体を覆うように形成されてもよい。また、カバー部材６０が省略されてもよい。
【００７９】
・上記実施形態に対し、周波数３．６ＧＨｚの入力信号に対して５００Ω以上のインピーダンス値を示すインダクタは、上記実施形態のインダクタ１０の構成に限られない。各形態として記載した各構成が与えるインダクタの特性への影響を基に、インダクタ１０の構成を適宜変更・取捨選択・組合せることで、上記特性を得ることは可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１０…インダクタ、２０…コア、２１…軸部、２２…支持部、４０…端子電極、４１…底面部電極、４２…端面部電極、５０…ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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