(57)【要約】【課題】  アルカリ金属の吸着が少なく、広い波長範囲にわたって反射率が低いセラミック絶縁部材を提供する。【解決手段】  本開示のセラミック絶縁部材は、 組成式がＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含むアルミナ質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。本開示の電子管は、光電面を備える入射窓を有する容器と、該容器内に位置する複数の電極体と、前記容器内に位置し、複数の前記電極体を挟持するセラミック絶縁部材とを備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式がＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下であるセラミック絶縁部材。
【請求項２】
光電面を備える入射窓を有する容器と、
該容器内に位置する複数の電極体と、
前記容器内に位置し、複数の前記電極体を挟持する、請求項１に記載のセラミック絶縁部材とを備える、電子管。
【請求項３】
前記セラミック絶縁部材は、
前記容器との対向面に、スキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下である部分を有する、請求項２に記載の電子管。
【請求項４】
前記セラミック絶縁部材は、
前記容器との対向面に、クルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下である部分を有する、請求項２または３のいずれかに記載の電子管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、セラミック絶縁部材および電子管に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック絶縁部材は広く用いられている。例えば、セラミック絶縁部材は、光電子増倍管の電子管における各電極体同士の絶縁を取りつつ各電極体を支持する部材に用いられている。
【０００３】
ここで、光電子増倍管は、主に検出器として用いられるものであり、検出精度の要求はますます高まっている。光電子増倍管において、セラミック絶縁部材の表面で反射が生じた場合、反射光はノイズとして検出される。そのため、光電子増倍管に用いられるセラミック絶縁部材としては、反射が少ないように黒色を呈することが求められている。
【０００４】
例えば特許文献１には、光電子増倍管用のセラミック絶縁部材の一例が開示され、黒色にするための着色材として、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕなどが使われることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１７３８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光電子増倍管では、光電面にアルカリ金属が主に用いられているが、特許文献１で提案されたセラミック絶縁部材のように、Ｎａよりも標準自由生成エネルギーの小さい、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ等を合計で数質量％のオーダーで含んでいるときには、アルカリ金属を多く吸着してしまうこととなる。
【０００７】
光電面におけるアルカリ金属の含有割合は、光から電子への変換量に大きく影響する。光電子増倍管については、検出精度の高度化に併せて、検出精度の変化が小さいことが求められている。そのため、光電子増倍管に用いられるセラミック絶縁部材としては、黒色を呈するとともに、アルカリ金属の吸着が少ないことが求められる。
【０００８】
また、セラミック絶縁部材において、見た目が黒色であっても、長波長領域で反射率が高めとなり、ノイズとして検出されるという問題があった。
【０００９】
本開示は、このような事情に鑑みて案出されたものであり、アルカリ金属の吸着が少なく、広い波長範囲にわたって反射率が低いセラミック絶縁部材を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示のセラミック絶縁部材は、組成式がＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。
【００１１】
本開示の電子管は、光電面を備える入射窓を有する容器と、該容器内に位置する複数の電極体と、前記容器内に位置し、複数の前記電極体を支持する上記セラミック絶縁部材とを備える。
【発明の効果】
【００１２】
本開示のセラミック絶縁部材は、アルカリ金属の吸着が少なく、広い波長領域にわたって反射率が低い。
【００１３】
本開示の電子管は、検出精度が高く、検出精度の変化が小さいため、高い信頼性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の電子管の一実施形態である光電子増倍管の要部の構成を示す模式図である。
【図２】本開示のセラミック絶縁部材の反射率の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示のセラミック絶縁部材および電子管の実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本開示の電子管の一実施形態である、光電子増倍管１０の要部の構成を示す模式図である。
【００１６】
光電子増倍管１０は、入射した光を電子に変換しつつ、その電子を所定の増幅割合で増幅させて、電気信号として取り出すための装置であり、入射光の有無や光量を計測するために用いられる。
【００１７】
光電子増倍管１０は、入射窓１２から入射する光を受けて光電子を放出する光電面１３を備える容器１１と、容器１１内に位置する複数の電極体１６と、容器１１内において複数の電極体１１を支持するセラミック絶縁部材１７とを備える。また、光電子増倍管１０は、光電面１３から放出された光電子を二次電子放出作用により増倍する電子増倍部１４および電子増倍部１４で増倍された電子を取り出すアノード１５を備える。
【００１８】
電子増倍部１４は、ボックス型のダイノード１４ａを多段に配置してなり、平板状の電極体１６によって、各段のダイノード１４ａを個々に支持している。ダイノード１４ａとそれを支持する電極体１６とは、個別に電気的に接続されている。複数の電極体１６は、セラミック絶縁部材１７によって挟持されている。
【００１９】
光電面１３は、アルカリ金属を含む光電子放出材料、例えば、ＳｂとＣｓとからなる金属間化合物からなる。アルカリ金属は、仕事関数が小さく、金属単体では安定し難くい。そのため、容器１１の中は、アルカリ金属蒸気が含まれている状態となっている。光電子増倍管１０では、光電面１３に含まれるアルカリ金属の含有割合と、容器１１内のアルカリ金属蒸気との含有割合とが共存し、これらの含有割合が一定の割合でバランスを取っている状態となっている。このバランスが変動すると、入射光に対する光電面１３からの電子の放出量の割合も変動し、入射光の有無を検出する精度や、光量の測定精度に影響を与える。また、入射光の一部は光電面１３を透過して容器１１内に入射することがある。この入射光がセラミック絶縁部材１７等で乱反射して、光電面１３に再照射される迷光等が生じた場合、この迷光が光検出におけるノイズとなる。
【００２０】
本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、組成式がＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。
【００２１】
ここで、酸化アルミニウム質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ２Ｏ３に換算した酸化アルミニウムの含有量が９０質量％以上
であるセラミックスのことである。また、組成式がＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物とは、酸化チタン（ＴｉＯ２）が還元されたものである。チタンの酸化物の結晶相は、ルチル型酸化チタンであってもよい。
【００２２】
本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、比較的広い波長範囲の光に対して反射率が十分に低い黒色を呈する。具体的には、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊が４０以下であり、クロマティクネス指数ａ＊，ｂ＊がそれぞれ０以上５以下、−１０以上０以下である。ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の値，クロマティクネス指数ａ＊およびｂ＊の値は、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２２：２００９に準拠して求めることができる。例えば、分光色差計（日本電色工業(株)製ＮＦ７７７またはその後継機種）を用い、測定条件としては、光源をＣＩＥ標準光源Ｄ６５、視野角度を２°に設定すればよい。
【００２３】
本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、波長２５０ｎｍ〜２５００ｎｍにわたる反射率の最大値Ｒｍａｘが２４％以下であり、最大値Ｒｍａｘと最小値Ｒｍｉｎとの差であるΔＲが１５．３％以下である。すなわち、本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、波長２５０ｎｍ〜２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さい。本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、このように広い波長範囲にわたって反射率が一様に低くなっており、様々な種類の入射光が光電面１３に入射するような条件下でも、光の検出精度および測定精度が比較的高い。
【００２４】
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒは、標準自由生成エネルギーが小さく、アルカリ金属を含む部材から発するアルカリ蒸気を吸着しやすいものの、本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下であることから、アルカリ金属の吸着が少ない。このため、セラミック絶縁部材１７を用いて構成された光電子増倍管１０は、容器１１内の雰囲気中のアルカリ金属蒸気の吸着が少ない。また、容器１１内のアルカリ金属蒸気圧の変動が少ないため、このアルカリ金属蒸気圧の変動にともなう、光電面１３からのアルカリ金属の蒸発量が少ない。このように、本実施形態のセラミック絶縁部材１７を用いた場合、雰囲気中および光電面１３におけるアルカリ金属の含有量の変動が少ない。
【００２５】
このように本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、アルカリ金属の吸着が少なく、広い波長範囲にわたって光反射が十分に少ない。このようなセラミック絶縁部材１７を有して構成された光電子増倍管１０は、入射光の有無の検出や光量の測定精度が高く、かつ検出精度および測定精度の変動が少ない。
【００２６】
本実施形態のセラミック絶縁部材１７において、組成式がＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物の含有量は、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下である。チタンの酸化物の含有量が前述した範囲であるときには、彩度が十分に抑制された反射率の低い黒色の色味とすることができるとともに、室温における体積固有抵抗が１０１２Ω・ｍ以上との電気的絶縁性を有する。ここで、体積固有抵抗は、ＪＩＳ  Ｃ  ２１４１：１９９２に準拠して求めることができる。
【００２７】
セラミック絶縁部材１７は、チタン酸アルミニウムを含んでいないことが好適である。これは、チタン酸アルミニウムは酸化アルミニウムに対する線膨張係数の差が大きく、昇温および冷却を繰り返すと、微小なクラックが発生しやすくなるからである。セラミック絶縁部材１７がチタン酸アルミニウムを含んでいるか否かは、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて得られるＸ線チャートを、ＪＣＰＤＳカード（Ｎｏ．００−０４１−０２５８）と照合すればよい。
【００２８】
本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下、すなわちＣｒ単独の含有量が最大でも２６０質量ｐｐｍである。アルミナにＣｒを含有させた際には、波長が７００ｎｍ以上７８０ｎｍ未満の領域の光（以降、短波長領域光ともいう）や、波長が７８０ｎｍ以上１５９０ｎｍ未満の領域の光（以降、長波長領域光ともいう）の反射率が大きくなりやすいが、本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、Ｃｒの含有量が少ないことから、短波長領域および長波長領域における反射率が小さい。
【００２９】
セラミック絶縁部材１７においてＣｒの含有量が４０質量ｐｐｍ以下であれば、比較的広い波長範囲の光に対する反射率が十分に低く、セラミック絶縁部材１７における入射光の反射が抑制されるため、光検出精度が高まる。
【００３０】
また、セラミック絶縁部材１７におけるＦｅの含有量が１００質量ｐｐｍ以下であれば、変色による反射率の増加をより抑制することができるため、可視光線領域や赤外線領域での反射率がより低くなる。
【００３１】
また、セラミック絶縁部材１７における、Ｎｉの含有量が１０質量ｐｐｍ以下、Ｃｏの含有量が５質量ｐｐｍ以下またはＭｎの含有量が１００質量ｐｐｍ以下であれば、アルカリ金属蒸気に晒されても機械的強度や電気特性の変化が小さくなる。
【００３２】
セラミック絶縁部材１７は、酸化アルミニウムの結晶粒子同士を結合する粒界相に、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物を含んでいてもよい。ここで、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量の合計は、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、例えば、２質量％以上４質量％以下である。また、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量の合計を１００質量％としたとき、カルシウムの酸化物およびマグネシウムの酸化物の含有量はそれぞれ１０質量％以上３０質量％以下であり、残部が珪素の酸化物であってもよい。珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量が上記範囲である場合、セラミック焼結体は、室温における体積固有抵抗が１０１２Ω・ｍ以上となり、電気的絶縁性が十分に維持される。
【００３３】
なお、セラミック絶縁部材１７におけるチタンの酸化物の結晶相は、ＸＲＤによって同定することができ、ｘの値については、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて求めればよい。
【００３４】
また、アルミニウム、珪素、カルシウム，マグネシウムおよびチタンをそれぞれ酸化物に換算した含有量は、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）またはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置（ＩＣＰ）を用いて、各元素の含有量を求め、それぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣａＯ，ＭｇＯおよびＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）に換算することで求められる。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＳ）を用いて求めればよい。
【００３５】
本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、容器１１との対向面に、スキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下である部分を有していてもよい。光電面１３で変換されずに透過した光や、容器１１の外部から侵入した光、またこれらの光が容器１１内で反射した光などが到達することがあるが、セラミック絶縁部材１７がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。ここで、容器１１との対向面とは、言い換えれば、容器１１内の雰囲気に露出している面ということである。なお、容器１１との対向面のすべてのスキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下であってもよい。
【００３６】
また、本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、容器１１との対向面に、クルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下である部分を有していてもよい。セラミック絶縁部材１７がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、容器１１との対向面のすべてのクルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下であってもよい。
【００３７】
さらに、本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、容器１１との対向面に、算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下である部分を有していてもよい。セラミック絶縁部材１７がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、容器１１との対向面のすべての算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下であるであってもよい。
【００３８】
クルトシスＲｋｕ、スキューネスＲｓｋおよび算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１に準拠し、例えば、レーザー顕微鏡（(株)キーエンス社製（ＶＫ−９５１０））を用いて求めることができる。測定条件は、測定モードをカラー超深度、測定倍率を４００倍、測定範囲を６９８μｍ×５２２μｍ、測定ピッチを０．０５μｍ、λｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．０８ｍｍとし、上記測定範囲８箇所から得られる測定値の平均値を、スキューネスＲｓｋ、クルトシスＲｋｕおよび算術平均粗さＲａのそれぞれの平均値とすればよい。
【００３９】
上述した本実施形態のセラミック絶縁部材１７は、可視光線領域や赤外線領域での反射率が低いことから、例えば、電子管内に配置された電極の挟持部材や電子部品を吸着するための吸着ノズルとして用いることができる。
【００４０】
次に、本実施形態のセラミック絶縁部材の製造方法の一例を説明する。
【００４１】
まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備する。
【００４２】
炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量の合計は、上記粉末の合計１００質量％のうち、例えば、６．５質量％以上１２．９質量％以下である。そして、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量は、これら粉末の合計１００質量％のうち、炭酸カルシウムの粉末の含有量は１７．８質量％以上５３．４質量％以下であり、水酸化マグネシウムの粉末の含有量は１４．４質量％以上４３．２質量％以下であり、残部が酸化珪素の粉末である。
【００４３】
酸化チタンの粉末の含有量は、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下であり、残部が酸化アルミニウムの粉末である。
【００４４】
そして、これら粉末をバレルミル、回転ミル、振動ミル、ビーズミル、アジテーターミル、アトマイザー、アトライター等の粉砕機によって湿式混合して粉砕し、スラリーを得る。なお、上記粉砕にあたっては、溶媒、この溶媒１００質量部に対して１質量部以上１．５質量部以下のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの有機結合剤、溶媒１００質量部に対して０．１質量部以上０．５質量部以下の分散剤を併せて粉砕機内に投入する。次に、得られたスラリーを脱磁処理した後、噴霧乾燥して、顆粒を得る。脱磁処理によって、強磁性金属であるＦｅ、ＮｉおよびＣｏは除去される。
【００４５】
また、セラミック絶縁部材におけるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、粉砕機に用いられるステンレス製部材の磨耗の影響を受ける。長期間の使用によって磨耗するステンレス製部材は、例えば、表面に不動態膜を形成しやすいチタン製部品に置換する
か、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＡｌＣＮ、ＴｉＡｌＯ等チタン系の膜あるいは非晶質硬質炭素（ＤＬＣ）をステンレス製部材の表面に被覆すればよい。脱磁処理に加え、このようなステンレス製部材の置換あるいは被覆により、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下であるセラミック絶縁部材を得ることができる。
【００４６】
そして、この顆粒を用いて乾式加圧成形法により成形体としたり、冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に切削加工を施して成形体を得る。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５００℃以上１７００℃以下として所定時間保持して焼成することによって焼結体を得ることができる。
【００４７】
なお、焼成後においては、研削加工を行なってもよい。また、必要に応じて振動バレル研磨機を用いて、研磨材、振動数および研磨時間を調整した研磨を行なって、所定の表面性状としてもよい。
【００４８】
そして、上述した方法によって得られた焼結体を還元雰囲気として、例えば、窒素：水素の比率が８７〜９０体積％：１０〜１３体積％である混合ガス中において、１３００℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持することによって、本実施形態のセラミック絶縁部材を得ることができる。
【００４９】
上述した製造方法によって得られるセラミック絶縁部材は、可視光線領域や赤外線領域の反射率が低く、しかも、アルカリ金属の吸着が少ないことから、電子管内に配置された電極を挟持する部材やチップ状の電子部品を回路基板に実装するための電子部品装着機に用いられる吸着ノズル等に用いることができる。
【実施例】
【００５０】
まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備した。
【００５１】
なお、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の含有量は、セラミック絶縁部材である焼結体を構成する成分が表１に示す値になるように調整した。
【００５２】
そして、これら粉末をバレルミルで湿式混合して粉砕し、スラリーを得た。なお、砕にあたっては、溶媒、溶媒１００質量部に対して１．２５質量部のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、溶媒１００質量部に対して０．３質量部の分散剤も併せて粉砕機内に投入した。次に、得られたスラリーを脱磁処理によって、セラミック絶縁部材におけるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が表１に示す値になるように調整した後、噴霧乾燥して、顆粒を得た。なお、粉砕機に用いるステンレス製部材には、予めＴｉＮ膜を被覆した後、粉末を粉砕した。
【００５３】
そして、顆粒を用いて冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に切削加工を施して成形体を得た。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５７０℃として所定時間保持することによって焼結体を得た。次に、振動バレル研磨機を用いて、焼結体の表面を研磨した。
【００５４】
そして、上述した方法によって得られた焼結体を還元雰囲気中（窒素：水素の比率が８８．５体積％：１１．５体積％の混合ガス）、１３５０℃の温度で１時間３０分保持することによって、試料Ｎｏ．１〜４を得た。
【００５５】
得られた各試料につき、ＸＲＤを用いて同定を行なった。なお、ＴｉＯ２−ｘにおけるｘの値は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて求めた。また、各試料を構成する元素の含有量をＸＲＦを用いて求め、それぞれ同定された成分に換算した。さらに、微量成分であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＳ）を用いて求めた。これらの結果を表１に示す。なお、表１に示されていない成分として、不可避不純物を含んでいる。
【００５６】
また、各試料につき、２５０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長における領域の反射率を、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光(株)製、Ｖ−６７０）を用いて求め、その測定値をグラフとして図２に示した。また、各試料の上記領域における反射率の最小値Ｒｍｉｎおよび最大値ＲｍａｘからΔＲを算出した。反射率の最小値Ｒｍｉｎ、最大値ＲｍａｘおよびΔＲを表１に示す。
【００５７】
ここで、反射率の測定に用いる積分球ユニットはＩＳＮ−７２３、基準光源は、波長が２５０ｎｍ〜３６０ｎｍにおける領域を重水素ランプ、波長が３６０ｎｍ〜２５００ｎｍにおける領域をハロゲンランプとし、測定条件は、測定モードを全反射率、データ取込間隔を１．０ｎｍ、ＵＶ／Ｖｉｓバンド幅を５．０ｎｍ、ＮＩＲバンド幅を２０．０ｎｍとした。
【００５８】
また、各試料のアルカリ蒸気の吸着量を調べるために、容器の内部に各試料を収容した後、Ｋ、ＲｂおよびＣｓをアルカリ蒸気として封入した。その後、容器の内部を真空雰囲気とした後、密封した。
【００５９】
各試料を容器から取り出し、各試料の表面におけるアルカリ蒸気の吸着量をＸＲＦによって測定した結果、試料Ｎｏ．４より試料Ｎｏ．１〜３は、いずれもアルカリ蒸気の吸着量が少ないことがわかった。
【００６０】
【表１】
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【００６１】
表１および図１に示す通り、試料Ｎｏ．１〜３は、試料Ｎｏ．４よりもＲｍａｘおよびΔＲの値が小さかった。この結果より、組成式がＴｉＯ２−ｘ（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下であれば波長２５０ｎｍ〜２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さいことがわかった。
【００６２】
特に、試料Ｎｏ．１は、上記領域の反射率の差ΔＲが６．２％であることから、上述のような使用では、より好適である。
【００６３】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明の要旨を超えない限り、上記実施例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６４】
１０  光電子増倍管（電子管）
１１  容器
１２  入射窓
１３  光電面
１４  電子増倍部
１５  アノード
１６  電極体
１７  セラミック絶縁部材
【図１】
2018142462.tif 000004
【図２】
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