(57)【要約】【課題】体格を小型化でき、且つ、発熱を低減できる電流センサ装置を提供すること。【解決手段】半導体モジュール２０の複数の端子２４は、板厚方向であるＸ方向に第１ピッチで並んで配置される。電流センサ装置３０は、複数のバスバー３１、樹脂部３２、及び電流センサ３３を備える。バスバーは、板厚方向がＸ方向とされ、端子に接続される接続部３１０、板厚方向がＺ方向とされ、樹脂部に保持された基部３１１、接続部及び基部を繋ぐ繋ぎ部３１２をそれぞれ有する。電流センサのセンサチップ３３０は基部上にそれぞれ配置され、磁気シールド３３８，３３９は、Ｘ方向において複数のバスバーを跨いでいる。３つ以上の基部がＸ方向において第１ピッチよりも長い第２ピッチで並んで配置されたバスバー群３１ａにおいて、Ｘ方向に並ぶ複数の接続部のピッチの一部である第３ピッチが、第３ピッチを除く残りのピッチである第４ピッチよりも長い。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスイッチング素子（Ｔ１１〜Ｔ１４，Ｔ２１〜Ｔ２６，Ｔ３１〜Ｔ３６）及び平板状の複数の端子（２４，２６）を備え、複数の前記端子が板厚方向を同じ方向として前記板厚方向である第１方向に第１ピッチで並んで配置される半導体モジュール（２０）とともに、電力変換装置（１０）を構成する電流センサ装置であって、
複数の前記端子の前記第１方向における表面にそれぞれ接続される複数のバスバー（３１）と、
複数の前記バスバーを一体的に保持する樹脂部（３２）と、
複数の前記バスバーそれぞれに流れる電流を検出するための複数の磁電変換素子（１４）と、複数の前記磁電変換素子それぞれに対する外部磁界を遮蔽する磁気シールド（３３８，３３９）と、を有する電流センサ（３３）と、
を備え、
複数の前記バスバーは、板厚方向が前記第１方向とされるとともに前記第１方向に直交する第２方向に延設され、対応する前記端子に接続される接続部（３１０）と、板厚方向が前記第１方向及び前記第２方向の両方向に直交する第３方向とされ、少なくとも一部が前記樹脂部に保持された基部（３１１）と、屈曲部分を含み、前記接続部及び前記基部を繋ぐ繋ぎ部（３１２）と、をそれぞれ有し、
前記磁電変換素子は、前記第３方向において前記基部上にそれぞれ配置され、
前記磁気シールドは、前記第１方向に複数の前記バスバーを跨いで配置され、
３つ以上の前記基部が前記第１方向において前記第１ピッチよりも長い第２ピッチで並んで配置されてなるバスバー群（３１ａ，３１ｂ）を有し、
同じ前記バスバー群を構成する前記バスバーにおいて、一部の前記接続部が前記端子の表面の一方である第１面（２４ａ）に接続され、残りの前記接続部が前記第１面と反対の第２面（２４ｂ）に接続されるように、前記第１方向に並ぶ複数の前記接続部のピッチの一部である第３ピッチが、前記第３ピッチを除く残りのピッチである第４ピッチよりも長くされている電流センサ装置。
【請求項２】
前記繋ぎ部は、板厚方向を前記第２方向とし、前記第１方向に延びる延設部（３１２ａ）と、前記延設部と前記基部とを繋ぐ第１屈曲部（３１２ｂ）と、前記延設部における前記第１方向の一端と前記接続部の前記第２方向における前記樹脂部側の端部とを繋ぐ第２屈曲部（３１２ｃ）と、を有する請求項１に記載の電流センサ装置。
【請求項３】
３つの前記基部が前記第１方向に並んで配置されてなるバスバー群を少なくとも１つ有し、
同じ前記バスバー群を構成する前記バスバーにおいて、前記第１方向において真ん中に位置する前記接続部と一端側に位置する前記接続部との間が前記第３ピッチとされ、真ん中に位置する前記接続部と他端側に位置する前記接続部との間が前記第４ピッチとされている請求項１又は請求項２に記載の電流センサ装置。
【請求項４】
複数の前記バスバーが、１つの前記基部に対し、前記繋ぎ部を介して２つの前記接続部が連なる分岐バスバー（３１ｃ）を含み、
前記分岐バスバーにおける２つの前記接続部は、前記第１方向において並んで配置されるとともに、２つの前記接続部のピッチが、前記第１ピッチよりも長くされている請求項１〜３いずれか１項に記載の電流センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書における開示は、半導体モジュールとともに、電力変換装置を構成する電流センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体モジュールとともに、電力変換装置を構成する電流センサ装置（バスバーモジュール）が開示されている。半導体モジュールは、複数のスイッチング素子及び平板状の複数の端子（出力端子）を備えている。複数の端子は、板厚方向を同じ方向としてその板厚方向に所定の第１ピッチで並んで配置されている。以下、端子の板厚方向を第１方向と示す。
【０００３】
電流センサ装置は、複数の端子の第１方向における表面にそれぞれ接続される複数のバスバー、複数のバスバーを一体的に保持する樹脂部、及び複数のバスバーそれぞれに流れる電流を検出するための電流センサを備えている。電流センサは、磁電変換素子であるホール素子及びコアを有しており、磁電変換素子及びコアは各バスバーに設けられている。各バスバーは、第１方向において端子の同一面側に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−３３２２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、小型化などを目的とし、上記した電流センサ装置において、コアレスの電流センサを採用することが考えられる。コアレスの場合、コアを有さない代わりに、磁気シールドを有する。各バスバーは、板厚方向が上記した第１方向とされるとともに第１方向に直交する第２方向に延設され、対応する端子に接続される接続部に加えて、少なくとも一部が樹脂部に保持され、磁電変換素子が配置される基部と、接続部及び基部を繋ぐ繋ぎ部を有する。
【０００６】
小型化及び配線の簡素化などを考慮すると、基部における板厚方向が、第１方向及び第２方向に直交する第３方向となるように各バスバーが配置される。磁電変換素子は、第３方向において基部上にそれぞれ配置される。磁気シールドは、第１方向において各バスバーを跨ぐように、第３方向において基部上に配置される。接続部と基部とで板厚方向が異なるため、繋ぎ部は屈曲部分を有することとなる。
【０００７】
たとえば三相インバータに対応する電流センサ装置の場合、三相分のバスバーを備え、３つの基部が第１方向に並んで配置される。３つの基部は、板厚方向である第３方向に対して直交する第１方向、すなわち幅方向に所定の第２ピッチで並んで配置される。このため、板厚方向に並んで配置される端子の第１ピッチのほうが、幅方向に並んで配置される基部の第２ピッチよりも短い（狭い）。なお、各バスバーは端子の同一面側に接続されるため、接続部のピッチは端子と同じ第１ピッチとなる。
【０００８】
３つ以上の基部が並んで配置される構成では、繋ぎ部が、屈曲部分を有しつつ、第２ピッチの基部と、第２ピッチよりも短い第１ピッチの接続部とを繋がなければならない。このため、隣り合うバスバー間の電気的絶縁性を確保するために、一部のバスバーにおける繋ぎ部の幅を、第１方向において局所的に狭くせざるをえない。バスバーには大電流が流れるため、発熱が問題となる。発熱を低減するために第２ピッチを長くすると、体格が増大してしまう。
【０００９】
本開示はこのような課題に鑑みてなされたものであり、体格を小型化でき、且つ、発熱を低減できる電流センサ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。
【００１１】
本開示のひとつは、複数のスイッチング素子（Ｔ１１〜Ｔ１４，Ｔ２１〜Ｔ２６，Ｔ３１〜Ｔ３６）及び平板状の複数の端子（２４，２６）を備え、複数の端子が板厚方向を同じ方向として板厚方向である第１方向に第１ピッチで並んで配置される半導体モジュール（２０）とともに、電力変換装置（１０）を構成する電流センサ装置であって、
複数の端子の第１方向における表面にそれぞれ接続される複数のバスバー（３１）と、
複数のバスバーを一体的に保持する樹脂部（３２）と、
複数のバスバーそれぞれに流れる電流を検出するための複数の磁電変換素子（１４）と、複数の磁電変換素子それぞれに対する外部磁界を遮蔽する磁気シールド（３３８，３３９）と、を有する電流センサ（３３）と、
を備え、
複数のバスバーは、板厚方向が第１方向とされるとともに第１方向に直交する第２方向に延設され、対応する端子に接続される接続部（３１０）と、板厚方向が第１方向及び第２方向の両方向に直交する第３方向とされ、少なくとも一部が樹脂部に保持された基部（３１１）と、屈曲部分を含み、接続部及び基部を繋ぐ繋ぎ部（３１２）と、をそれぞれ有し、
磁電変換素子は、第３方向において基部上にそれぞれ配置され、
磁気シールドは、第１方向に複数のバスバーを跨いで配置され、
３つ以上の基部が第１方向において第１ピッチよりも長い第２ピッチで並んで配置されてなるバスバー群（３１ａ，３１ｂ）を有し、
同じバスバー群を構成するバスバーにおいて、一部の接続部が端子の表面の一方である第１面（２４ａ）に接続され、残りの接続部が第１面と反対の第２面（２４ｂ）に接続されるように、第１方向に並ぶ複数の接続部のピッチの一部である第３ピッチが、第３ピッチを除く残りのピッチである第４ピッチよりも長くされている。
【００１２】
この電流センサ装置によれば、３つ以上の基部が板厚方向に直交する第１方向に第２ピッチで並んで配置されるバスバー群を有している。そして、同じバスバー群を構成するバスバーにおいて、接続部のピッチが一定ではなく、複数の接続部のピッチの一部である第３ピッチが、第３ピッチを除く残りのピッチである第４ピッチよりも長くされている。したがって、バスバー群を構成する一部のバスバーは接続部の第１面に接続され、残りのバスバーは端子の第２面に接続される。このように、一部の接続部について残りの接続部とは逆面に接続されるようにしたので、バスバー群を構成するすべてのバスバーにおいて最も幅の狭い部分となる繋ぎ部の幅、すなわち最小幅を、すべての接続部が端子の同一面側に接続される構成に較べて、広くすることができる。したがって、体格の増大を抑制しつつ、発熱を低減することができる。
【００１３】
本開示の他のひとつは、繋ぎ部は、板厚方向を第２方向とし、第１方向に延びる延設部（３１２ａ）と、延設部と基部とを繋ぐ第１屈曲部（３１２ｂ）と、延設部における第１方向の一端と接続部の第２方向における樹脂部側の端部とを繋ぐ第２屈曲部（３１２ｃ）と、を有する。
【００１４】
この電流センサ装置によれば、バスバー群を構成するすべてバスバーのうち、一部のバスバーの第１屈曲部が最小幅の部分となる。上記したように、一部の接続部について残りの接続部とは反対の面に接続されるようにしたので、最小幅を、すべての接続部が端子の同一面側に接続される構成に較べて、広くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態に係る電流センサ装置が適用される電力変換装置の概略構成を示す図である。
【図２】電流センサ装置を示す斜視図である。
【図３】図２のIII-III線に沿う断面図である。
【図４】電流センサ装置を示す平面図である。
【図５】参考例の電流センサ装置を示す平面図であり、図４に対応している。
【図６】第２実施形態に係る電流センサ装置を示す斜視図である。
【図７】第３実施形態に係る電流センサ装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図面を参照しながら、実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、端子２４，２６の板厚方向及び接続部３１０の板厚方向をＸ方向、Ｘ方向に直交し、接続部３１０の延設方向及び基部３１１の延設方向をＹ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向の両方向に直交する方向であり、基部３１１の板厚方向をＺ方向とする。Ｘ方向が第１方向、Ｙ方向が第２方向、Ｚ方向が第３方向に相当する。幅とは、板厚方向及び延設方向の両方向に直交する方向の長さである。
【００１７】
（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、電力変換装置について説明する。
【００１８】
図１に示す電力変換装置１０は、たとえばハイブリッド自動車（ＨＶ）に搭載される。電力変換装置１０は、バッテリ２（高圧バッテリ）の直流電力を、モータＭＧ１，ＭＧ２の駆動に適した交流電力に変換する。また、電力変換装置１０は、モータＭＧ１，ＭＧ２により発電された交流電力を、バッテリ２を充電可能な直流電力に変換する。
【００１９】
モータＭＧ１は、図示しないエンジンとともに、ハイブリッド自動車の駆動源として機能する。すなわち、主に電動機として機能する。モータＭＧ１は、たとえば減速時や制動時に、発電機として機能する。モータＭＧ２は、主に発電機として機能する。モータＭＧ２は、たとえばエンジン始動時に交流電力の供給を受けて電動機として機能する。このように、電力変換装置１０は、双方向の電力変換が可能となっている。
【００２０】
電力変換装置１０は、昇圧コンバータ１１及びインバータ１２，１３を備えている。昇圧コンバータ１１の入力端は、バッテリ２側の低電圧系電力ライン３に接続され、昇圧コンバータ１１の出力端は、インバータ１２，１３側の高電圧系電力ライン４に接続されている。低電圧系電力ライン３は、バッテリ２と昇圧コンバータ１１とを電気的に接続する電力ラインであり、高電圧系電力ライン４は、昇圧コンバータ１１と各インバータ１２，１３とを電気的に接続する電力ラインである。
【００２１】
低電圧系電力ライン３の高電位側（正極側）と低電位側（負極側）との間には、平滑用のコンデンサ５が接続されている。高電圧系電力ライン４の高電位側（正極側）と低電位側（負極側）との間には、平滑用のコンデンサ６が接続されている。低電圧系電力ライン３であって、コンデンサ５との接続点とバッテリ２との間には、図示しないシステムメインリレー（ＳＭＲ）が設けられている。
【００２２】
昇圧コンバータ１１は、バッテリ２の出力電圧をモータ駆動に適した電圧まで昇圧する。すなわち、昇圧コンバータ１１は、低電圧系電力ライン３の電力を昇圧して、高電圧系電力ライン４に供給する。また、昇圧コンバータ１１は、インバータ１２，１３により変換された直流電力を、バッテリ２に充電可能な電力まで降圧する。すなわち、昇圧コンバータ１１は、高電圧系電力ライン４の電力を降圧して、低電圧系電力ライン３に供給する。バッテリ２の出力電圧は、たとえば３００ボルト程度であり、昇圧コンバータ１１の出力は、たとえば６００ボルト程度である。
【００２３】
本実施形態の昇圧コンバータ１１は、リアクトルＬ、４つのスイッチング素子Ｔ１１〜Ｔ１４、及び４つのダイオードＤ１１〜Ｄ１４を有している。スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１３は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、スイッチング素子Ｔ１２，Ｔ１４は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続されている。また、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２は、高電位側で互いに並列に接続され、スイッチング素子Ｔ１３，Ｔ１４は、低電位側で互いに並列に接続されている。スイッチング素子Ｔ１１〜Ｔ１４としては、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴなどを採用することができる。本実施形態では、ｎチャネル型のＩＧＢＴを採用している。
【００２４】
ダイオードＤ１１〜Ｄ１４は、対応するスイッチング素子Ｔ１１〜Ｔ１４に対して逆並列に接続されている。ダイオードＤ１１〜Ｄ１４のアノードが、対応するスイッチング素子Ｔ１１〜Ｔ１４のエミッタ電極に接続されている。
【００２５】
互いに並列に接続された高電位側のスイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２は、理論的にはひとつのスイッチング素子として動作する。本実施形態では、ひとつのスイッチング素子に流れる電流を小さくするために、２つのスイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２を並列接続している。互いに並列に接続された低電位側のスイッチング素子Ｔ１３，Ｔ１４についても同様である。スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２のゲートには同じ位相のゲート駆動信号が入力され、これによりスイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２は互いに同じタイミングで動作する。スイッチング素子Ｔ１３，Ｔ１４についても同様である。
【００２６】
リアクトルＬの一端は、低電圧系電力ライン３の高電位側、すなわちコンデンサ５の正極側の端子に接続されている。リアクトルＬの他端は、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１３の接続点、及び、スイッチング素子Ｔ１２，Ｔ１４の接続点に、接続されている。
【００２７】
インバータ１２，１３は、入力された直流電力を所定周波数の三相交流に変換し、対応するモータＭＧ１，ＭＧ２に出力する。また、インバータ１２，１３は、対応するモータＭＧ１，ＭＧ２により発電された電力（交流電力）を、直流電力に変換する。モータＭＧ２により発電された電力は、ハイブリッド自動車の走行状態やバッテリ２のＳＯＣ（State Of Charge）に応じて使い分けられる。
【００２８】
たとえば通常走行時では、モータＭＧ２により発電された電力はそのままモータＭＧ１を駆動させる電力となる。一方、バッテリ２のＳＯＣが予め定められた値よりも低い場合、モータＭＧ２により発電された電力は、インバータ１３により交流から直流に変換された後、昇圧コンバータ１１により電圧が調整されて、バッテリ２に蓄積される。モータＭＧ１により発電された電力は、インバータ１２により交流から直流に変換された後、昇圧コンバータ１１により電圧が調整されて、バッテリ２に蓄えられる。
【００２９】
インバータ１２は、高電圧系電力ライン４に接続されている。インバータ１２は、６つのスイッチング素子Ｔ２１〜Ｔ２６、及び、６つのダイオードＤ２１〜Ｄ２６を有している。スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２４は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、Ｕ相上下アームを構成している。スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２４の接続点は、モータＭＧ１の図示しないＵ相コイルに接続されている。スイッチング素子Ｔ２２，Ｔ２５は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、Ｖ相上下アームを構成している。スイッチング素子Ｔ２２，Ｔ２５の接続点は、モータＭＧ１の図示しないＶ相コイルに接続されている。スイッチング素子Ｔ２３，Ｔ２６は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、Ｗ相上下アームを構成している。スイッチング素子Ｔ２３，Ｔ２６の接続点は、モータＭＧ１の図示しないＷ相コイルに接続されている。
【００３０】
スイッチング素子Ｔ２１〜Ｔ２６としては、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴなどを採用することができる。本実施形態では、ｎチャネル型のＩＧＢＴを採用している。ダイオードＤ２１〜Ｄ２６は、対応するスイッチング素子Ｔ２１〜Ｔ２６に対して逆並列に接続されている。ダイオードＤ２１〜Ｄ２６のアノードが、対応するスイッチング素子Ｔ２１〜Ｔ２６のエミッタ電極に接続されている。
【００３１】
インバータ１３も、インバータ１２同様の構成となっている。インバータ１３は、６つのスイッチング素子Ｔ３１〜Ｔ３６、及び、対応するスイッチング素子Ｔ３１〜Ｔ３６に対して逆並列に接続された６つのダイオードＤ３１〜Ｄ３６を有している。スイッチング素子Ｔ３１，Ｔ３４は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、その接続点は、モータＭＧ２の図示しないＵ相コイルに接続されている。スイッチング素子Ｔ３２，Ｔ３５は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、その接続点は、モータＭＧ２の図示しないＶ相コイルに接続されている。スイッチング素子Ｔ３３，Ｔ３６は、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、その接続点は、モータＭＧ２の図示しないＷ相コイルに接続されている。
【００３２】
電力変換装置１０は、さらに複数の磁電変換素子１４を備えている。磁電変換素子１４は、昇圧コンバータ１１の接続ライン１１ａ、及び、インバータ１２，１３の接続ライン１２ａ，１３ａそれぞれに流れる電流を検出するために設けられている。接続ライン１１ａは、リアクトルＬと、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１３の接続点、及び、スイッチング素子Ｔ１２，Ｔ１４の接続点と、を電気的に接続している。接続ライン１２ａは、インバータ１２の各相上下アームの接続点を、モータＭＧ１の対応する相のコイルに接続するための接続ラインである。接続ライン１３ａは、インバータ１３の各相上下アームの接続点を、モータＭＧ２の対応する相のコイルに接続するための接続ラインである。
【００３３】
次に、図２〜図４に基づき、上記した電力変換装置１０を構成する半導体モジュール及び電流センサ装置について説明する。
【００３４】
図２に示す半導体モジュール２０は、上記したインバータ１２を構成している。半導体モジュール２０は、３つの半導体装置２１を備えており、各半導体装置２１には一相分の上下アームが形成されている。半導体モジュール２０は、上記した複数の半導体装置２１に加えて、図示しない複数の冷却器を有している。そして、冷却器と半導体装置２１がＸ方向に交互に積層されて、半導体モジュール２０が構成されている。両面放熱構造の半導体装置２１を、冷却器とともに積層配置してなる半導体モジュール２０の詳細構造については、たとえば本出願人による先の出願に開示された構成（たとえば特開２０１２−２１２７７６号公報）を参照することができる。
【００３５】
Ｕ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２４及びダイオードＤ２１，Ｄ２４を有し、Ｖ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ２２，Ｔ２５及びダイオードＤ２２，Ｄ２５を有している。また、Ｗ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ２３，Ｔ２６及びダイオードＤ２３，Ｄ２６を有している。本実施形態では、対応するスイッチング素子及びダイオードが、ＲＣ−ＩＧＢＴとして同じ半導体チップに形成されている。
【００３６】
各半導体装置２１は、周知の両面放熱構造をなしている。たとえばＵ相の半導体装置２１の場合、スイッチング素子Ｔ２１及びダイオードＤ２１が形成された半導体チップ、及び、スイッチング素子Ｔ２４及びダイオードＤ２４が形成された半導体チップが、チップの板厚方向をＸ方向としつつＹ方向に並んで配置されている。各半導体チップのＸ方向両側には、ヒートシンクがそれぞれ配置されており、ヒートシンクは、対応する半導体チップと電気的且つ熱的に接続されている。これら半導体チップ及びヒートシンクは、モールド樹脂によって封止されている。図示を省略するが、各ヒートシンクにおける半導体チップと反対側の面は、モールド樹脂から露出されている。
【００３７】
半導体装置２１は、外部接続用の端子２２〜２４をそれぞれ有している。端子２２は、ヒートシンクを介して、スイッチング素子Ｔ２１のコレクタ電極と電気的に接続されている。端子２２は、高電圧系電力ライン４の高電位側に接続される。端子２２は、Ｐ端子とも称される。端子２３は、ヒートシンクを介して、スイッチング素子Ｔ２４のエミッタ電極と電気的に接続されている。端子２３は、高電圧系電力ライン４の低電位側に接続される。端子２３は、Ｎ端子とも称される。端子２４は、ヒートシンクを介して、スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２４の接続点と電気的に接続されている。端子２４は、接続ライン１２ａの一部を構成している。端子２４は、出力端子、Ｏ端子とも称される。なお、図２において、端子２２〜２４末尾のｕ、ｖ、ｗは、インバータ１２の相を示している。
【００３８】
端子２２〜２４は、銅などの金属材料を用いて形成された平板である。平板状の端子２２〜２４は、いずれも板厚方向をＸ方向とし、Ｚ方向に延設されている。同じ半導体装置２１の端子２２〜２４は、Ｙ方向に並んで配置されている。端子２２，２３は互いに隣りに位置し、端子２４は並び方向であるＹ方向の一端に配置されている。本実施形態では、Ｙ方向における一端側から、端子２４（Ｏ端子）、端子２３（Ｎ端子）、端子２２（Ｐ端子）の順で配置されている。
【００３９】
また、Ｘ方向に並んで配置された３つの半導体装置２１において、端子２２同士、端子２３同士、端子２４同士が、それぞれＸ方向に並んで配置されている。換言すれば、Ｘ方向からの投影視において、端子２２同士、端子２３同士、端子２４同士が、それぞれ重なるように配置されている。端子２２〜２４のうち、端子２４が、後述するバスバー３１の接続対象である複数の端子に相当する。複数の端子２４（端子２４ｕ，２４ｖ，２４ｗ）は、板厚方向をいずれもＸ方向とし、図４に示すように、Ｘ方向に所定の第１ピッチＰ１で並んで配置されている。
【００４０】
なお、ピッチとは、複数の部材の並び方向において、隣り合う部材の中心線間の距離（間隔）である。図４では、中心線を二点鎖線で示している。端子２４ｕ，２４ｖ間のピッチ、及び、端子２４ｖ，２４ｗ間のピッチが、いずれも第１ピッチＰ１となっている。各端子２４は、Ｘ方向における表面として、第１面２４ａ、及び、第１面２４ａと反対の第２面２４ｂを有している。複数の端子２４（端子２４ｕ，２４ｖ，２４ｗ）において、それぞれの第１面２４ａは、Ｘ方向における同じ側の面となっている。同じく、第２面２４ｂも、Ｘ方向における同じ側の面となっている。
【００４１】
電流センサ装置３０は、複数のバスバー３１、樹脂部３２、及び電流センサ３３を備えている。電流センサ装置３０は、バスバー３１付きの電流センサ３３である。電流センサ装置３０は、電流センサ３３を備えたバスバーユニットである。この電流センサ装置３０は、インバータ１２に対応している。
【００４２】
バスバー３１は、端子２４（２４ｕ，２４ｖ，２４ｗ）に対応して三相分のバスバー３１ｕ，３１ｖ，３１ｗを有している。バスバー３１末尾のｕ、ｖ、ｗは、インバータ１２の相を示している。各バスバー３１は、対応する端子２４のＸ方向における表面にそれぞれ接続されている。各バスバー３１は、上記した端子２４とともに接続ライン１２ａを構成している。バスバー３１は、接続部３１０、基部３１１、及び繋ぎ部３１２をそれぞれ有している。本実施形態では、銅などの金属板を所定形状に打ち抜き、曲げ加工することで、各バスバー３１が形成されている。また、接続部３１０、基部３１１、及び繋ぎ部３１２において、互いにほぼ等しい板厚となっている。
【００４３】
接続部３１０は、バスバー３１のうち、対応する端子２４に接続される部分である。接続部３１０は、板厚方向がＸ方向とされるとともに、Ｙ方向に延設されている。そして、端子２４及び接続部３１０の板厚方向であるＸ方向において、面同士が対向し、端子２４と接続部３１０が、たとえば抵抗溶接により電気的に接続されている。図４に示すように、各接続部３１０は、Ｘ方向における表面として、一面３１０ａ、及び、一面３１０ａと反対の裏面３１０ｂを有している。複数の接続部３１０において、それぞれの一面３１０ａは、Ｘ方向における同じ側の面となっている。同じく、裏面３１０ｂも、Ｘ方向における同じ側の面となっている。
【００４４】
基部３１１は、少なくとも一部が樹脂部３２に保持されている。基部３１１は、電流センサ３３により、バスバー３１に流れる電流が検出される被検出部分である。基部３１１は、板厚方向がＺ方向とされるとともに、Ｙ方向に延設されている。本実施形態では、基部３１１が、平板状をなしている。基部３１１は、樹脂部３２からＹ方向両側に突出している。複数の基部３１１は、Ｘ方向に所定の第２ピッチＰ２で並んで配置されている。すなわち、基部３１１は、幅方向に並んで配置されている。幅方向であるため、第２ピッチＰ２は、板厚方向の第１ピッチＰ１よりも長く（広く）なっている。
【００４５】
繋ぎ部３１２は、バスバー３１において、接続部３１０と基部３１１とを繋ぐ部分である。上記したように、接続部３１０の板厚方向はＸ方向、基部３１１の板厚方向はＺ方向であるため、繋ぎ部３１２は屈曲部分を含んでいる。本実施形態では、繋ぎ部３１２が、延設部３１２ａ、第１屈曲部３１２ｂ、及び第２屈曲部３１２ｃを有している。
【００４６】
延設部３１２ａは、板厚方向がＹ方向とされるとともに、Ｘ方向に延設されている。第１屈曲部３１２ｂは、延設部３１２ａと基部３１１とを繋いでいる。第１屈曲部３１２ｂは、略９０度の角度で屈曲された部分である。第１屈曲部３１２ｂは、延設部３１２ａにおけるＺ方向の一端と、基部３１１のＹ方向における一端を連結している。第２屈曲部３１２ｃは、延設部３１２ａと接続部３１０とを繋いでいる。第２屈曲部３１２ｃも、略９０度の角度で屈曲された部分である。第２屈曲部３１２ｃは、延設部３１２ａにおけるＸ方向の一端と、接続部３１０のＹ方向における一端を連結している。
【００４７】
電流センサ装置３０は、３つ以上の基部３１１がＸ方向において第２ピッチＰ２で並んで配置されてなるバスバー群３１ａを有している。詳しくは、三相分のバスバー３１ｕ，３１ｖ，３１ｗにより、バスバー群３１ａが構成されている。
【００４８】
樹脂部３２は、バスバー群３１ａを構成するすべてのバスバー３１（３１ｕ，３１ｖ，３１ｗ）を一体的に保持している。樹脂部３２は、各バスバー３１の基部３１１の少なくとも一部を保持している。樹脂部３２は、バスバー群３１ａを構成するバスバー３１が、板厚方向をＺ方向としつつ、幅方向であるＸ方向に所定に第２ピッチで並んで配置されるように、各バスバー３１を保持している。
【００４９】
本実施形態では、樹脂部３２が、図２及び図３に示すように、ケース３２０，３２１を有している。すなわち、樹脂部３２が、Ｚ方向に二分割構造となっている。そして、ケース３２０，３２１を組み付けた状態で形成される樹脂部３２（すなわち筐体）の内部空間に、磁電変換素子１４などが配置されている。なお、樹脂部３２として、たとえばモールド樹脂を採用することもできる。
【００５０】
電流センサ３３は、インバータ１２の接続ライン１２ａに流れる電流を検出し、検出信号を、インバータ１２の図示しない制御回路に出力する。電流センサ３３は、磁電変換素子１４が形成されたセンサチップ３３０と、磁気シールド３３８，３３９を有している。電流センサ３３は、コアを必要としないコアレス電流センサである。本実施形態の電流センサ３３は、図３に示すように、セラミックパッケージ３３１、処理回路チップ３３２、ボンディングワイヤ３３３、バイアス磁石３３４、スペーサ３３５、回路基板３３６、及びはんだ３３７をさらに有している。
【００５１】
センサチップ３３０には、インバータ１２に対応する磁電変換素子１４が形成されている。磁電変換素子１４は、対応するバスバー３１に被検出電流が流れたときに生じる磁界の磁束密度を検知して電気信号に変換する。センサチップ３３０（磁電変換素子１４）は、基部３１１の板厚方向であるＺ方向において、基部３１１上にそれぞれ配置されている。磁電変換素子１４としては、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）、ホール素子などを採用することができる。本実施形態では、センサチップ３３０に、ＧＭＲやＴＭＲなどの磁気ベクトルの向きによって電気信号が変化する磁電変換素子１４が形成されている。
【００５２】
セラミックパッケージ３３１は、センサチップ３３０を収容するための空間を提供する容器である。セラミックパッケージ３３１は、複数のセラミック板が積層されてなる。セラミックパッケージ３３１は、環状に設けられた側壁部と、側壁部の開口の一方を閉塞する底部を有している。セラミックパッケージ３３１には、図示しない配線が形成されている。セラミックパッケージ３３１は、底部における内面３３１ａ（以下、底部内面３３１ａと示す）とは反対側の面で、バスバー３１の基部３１１に固定されている。セラミックパッケージ３３１は、Ｚ方向において基部３１１上に配置されている。
【００５３】
処理回路チップ３３２は、センサチップ３３０から入力される信号を用いて所定の演算処理を実行し、演算結果を回路基板３３６に対して出力する。処理回路チップ３３２も、セラミックパッケージの収容空間に配置されている。処理回路チップ３３２には、接着材などを介してセンサチップ３３０が実装されている。処理回路チップ３３２は、セラミックパッケージ３３１の底部内面３３１ａに固定されている。センサチップ３３０は、処理回路チップ３３２を介して、底部内面３３１ａに固定されている。
【００５４】
センサチップ３３０は、ボンディングワイヤ３３３を介して、処理回路チップ３３２と電気的に接続されている。処理回路チップ３３２は、ボンディングワイヤ３３３を介して、セラミックパッケージ３３１の配線と電気的に接続されている。
【００５５】
バイアス磁石３３４は、センサチップ３３０に対して電気信号の基準となる磁気ベクトルを与える。バイアス磁石３３４としては、永久磁石でも良いし、電磁石でも良い。バイアス磁石３３４は、Ｚ方向からの投影視において、センサチップ３３０（磁電変換素子１４）と重なるように、センサチップ３３０に対してバスバー３１と反対側に配置されている。すなわち、Ｚ方向において、バイアス磁石３３４とバスバー３１との間に、センサチップ３３０が配置されている。本実施形態では、Ｚ方向において、バイアス磁石３３４の一部がセラミックパッケージ３３１の収容空間に配置され、残りの部分が収容空間から外部に突出している。
【００５６】
スペーサ３３５には、接着材などを介して、バイアス磁石３３４が固定されている。スペーサ３３５は、Ｚ方向において、センサチップ３３０とバイアス磁石３３４との間に配置されている。スペーサ３３５は、センサチップ３３０とバイアス磁石３３４との間に、所定の間隔を確保するための部材である。スペーサ３３５は、たとえば樹脂材料を用いて形成されている。セラミックパッケージ３３１は、Ｚ方向において底部内面３３１ａと上部開口端３３１ｂとの間に設けられた段部３３１ｃを、収容空間側に有している。段部３３１ｃは、環状をなしている。スペーサ３３５は、接着材などを介して、段部３３１ｃに固定されている。
【００５７】
回路基板３３６は、ボンディングワイヤ３３３及びセラミックパッケージ３３１の配線を介して、処理回路チップ３３２と電気的に接続されている。回路基板３３６の図示しない配線は、はんだ３３７を介して、セラミックパッケージ３３１の配線と電気的に接続されている。回路基板３３６は、バスバー群３１ａを構成する複数のバスバー３１で共通となっている。回路基板３３６は、Ｘ方向において、バスバー群３１ａを構成する複数のバスバー３１を跨ぐように配置されている。回路基板３３６は、セラミックパッケージ３３１の上部開口端３３１ｂ上に配置されている。回路基板３３６は、セラミックパッケージ３３１の上部開口を塞ぐように配置されている。
【００５８】
回路基板３３６には、貫通孔３３６ａが形成されており、貫通孔３３６ａ内にバイアス磁石３３４の一部が配置されている。貫通孔３３６ａに代えて、回路基板３３６のセンサチップ３３０側の面のみに開口する凹部（未貫通孔）を採用することもできる。
【００５９】
磁気シールド３３８，３３９は、磁性材料を用いて形成されている。磁気シールド３３８，３３９は、電流センサ装置３０に対する外部磁界が磁電変換素子１４を透過することを抑制するものである。すなわち、磁気シールド３３８，３３９は、磁電変換素子１４に対する外部磁界を遮蔽するものである。磁気シールド３３８，３３９は、各バスバー３１に配置された複数の磁電変換素子１４（センサチップ３３０）に共通に設けられている。磁気シールド３３８，３３９は、回路基板３３６同様、バスバー群３１ａを構成する複数のバスバー３１で共通となっている。磁気シールド３３８，３３９は、Ｘ方向において、バスバー群３１ａを構成する複数のバスバー３１を跨ぐように配置されている。
【００６０】
図３に示すように、磁気シールド３３８，３３９は、板状部材である。磁気シールド３３８，３３９は、板厚方向がＺ方向となるように配置されている。磁気シールド３３８，３３９は、Ｚ方向において、間隔をあけて対向配置されている。磁気シールド３３８，３３９は、Ｚ方向において、各相のセンサチップ３３０（磁電変換素子１４）及びバイアス磁石３３４、及びバスバー３１挟むように対向配置されている。
【００６１】
このように、バスバー３１、電流センサ３３を構成するセンサチップ３３０（磁電変換素子１４）、セラミックパッケージ３３１、処理回路チップ３３２、バイアス磁石３３４、及びスペーサ３３５は、インバータ１２の相ごとに設けられている。一方、樹脂部３２、電流センサ３３を構成する回路基板３３６、及び磁気シールド３３８，３３９は、インバータ１２の三相で共通となっている。
【００６２】
なお、上記において、インバータ１２を構成する半導体モジュール２０及びインバータ１２に対応する電流センサ装置３０について例示したが、インバータ１３を構成する半導体モジュール２０及びインバータ１３に対応する電流センサ装置３０についても同様の構成となっている。
【００６３】
次に、図４及び図５に基づき、半導体モジュール２０の端子２４と電流センサ装置３０のバスバー３１との接続構造の詳細、及び、本実施形態の電流センサ装置３０、ひいては電力変換装置１０の効果について説明する。図５は参考例を示している。参考例では、端子２４とバスバ−３１との接続構造が、従来の接続構造となっている。図５では、本実施形態の要素と共通乃至関連する要素に対し、本実施形態の要素の符号末尾にｒを加えた符号を付与している。
【００６４】
図５の参考例に示す電流センサ装置３０ｒでは、三相分のバスバー３１ｒ（３１ｕｒ，３１ｖｒ，３１ｗｒ）の基部３１１ｒが、第２ピッチＰ２ｒでＸ方向に並んで配置されている。そして、各バスバー３１ｒの接続部３１０ｒが、対応する相の端子２４ｒに対してＸ方向における同じ側の面で接続されている。このため、接続部３１０ｒ間のピッチは、端子２４間の第１ピッチＰ１ｒと等しくなっている。
【００６５】
このように、３つ以上の基部３１１ｒが並んで配置される構成では、繋ぎ部３１２ｒが、屈曲部分を有しつつ、第２ピッチＰ２ｒの基部３１１ｒと、第２ピッチＰ２ｒよりも短い第１ピッチＰ１ｒの接続部３１０ｒとを繋がなければならない。このため、隣り合うバスバー３１ｒ間の電気的絶縁性を確保するために、一部のバスバー３１ｒにおける繋ぎ部３１２ｒの幅をＸ方向において局所的に狭くせざるをえない。図５に示す３つのバスバー３１ｒが並ぶ構成では、真ん中に位置するバスバー３１ｖｒの繋ぎ部３１２ｒ、詳しくは第１屈曲部３１２ｂｒが、３つのバスバー３１ｒ（３１ｕｒ，３１ｖｒ，３１ｗｒ）における幅が最小の部分となる。第１屈曲部３１２ｂｒは、幅Ｗｍｉｎｒを有している。
【００６６】
これに対し、本実施形態では、図４に示すように、バスバー群３１ａを構成する三相のバスバー３１ｕ，３１ｖ，３１ｗのうち、Ｘ方向において両端に位置するバスバー３１ｕ，３１ｗについては、接続部３１０が、対応する端子２４ｕ，２４ｗの第１面２４ａに接続されている。一方、真ん中に位置するバスバー３１ｖについては、接続部３１０が、対応する端子２４ｖの第２面２４ｂに接続されている。
【００６７】
このように、バスバー群３１ａを構成する複数のバスバー３１の一部が端子２４の第１面２４ａに接続され、残りが第２面２４ｂに接続されている。このため、接続部３１０のピッチは一定ではない。図４に示す例では、バスバー３１ｕ，３１ｖの接続部３１０間のピッチが、第１ピッチＰ１よりも長い第３ピッチＰ３とされ、バスバー３１ｖ，３１ｗの接続部３１０間のピッチが、第１ピッチＰ１よりも短い第４ピッチＰ４となっている。すなわち、バスバー３１ｖの接続部３１０が、参考例よりも、バスバー３１ｕの接続部３１０から遠ざかっている。
【００６８】
したがって、三相分のバスバー３１（３１ｕ，３１ｖ，３１ｗ）において幅が最小の部分である、バスバー３１ｖの繋ぎ部３１２における第１屈曲部３１２ｂの幅Ｗｍｉｎは、下記式１で示すことができる。式１において、ｔ１は端子２４の板厚、ｔ２は接続部３１０の板厚を示す。
【００６９】
（式１）Ｗｍｉｎ＝Ｗｍｉｎｒ＋ｔ１＋ｔ２
バスバー３１の一部について端子２４との接続面を逆面とすると、式１に示すように、端子２４の板厚ｔ１及び接続部３１０の板厚ｔ２を加算した分、参考例の最小幅Ｗｍｉｎｒよりも最小幅Ｗｍｉｎを広くすることができる。
【００７０】
ここで、抵抗Ｒ、抵抗率ρ、長さＬ、幅Ｗ、厚さｔ、断面積Ｓ、体積Ｖの部材に、電流Ｉを流したときに生じる単位体積当たりの電力Ｐは、下記式２で示すことができる。
【００７１】
（式２）Ｐ＝Ｉ２×Ｒ／Ｖ＝Ｉ２×ρ×Ｌ／（Ｖ×Ｓ）＝Ｉ２×ρ／（Ｗ２×ｔ２）
式２に示すように、幅Ｗが狭いほど、単位体積当たりの電力Ｐが増加し、発熱しやすくなる。本実施形態の最小幅Ｗｍｉｎは、上記したように参考例（従来）の最小幅Ｗｍｉｎｒよりも広い。したがって、単位体積当たりの電力Ｐを小さくし、ひいては発熱を抑制することができる。端子２４のピッチや基部３１１のピッチを変えることなく、複数のバスバー３１の最も狭い部分の幅Ｗｍｉｎを広くすることができるため、小型化を図りつつ、局所的な発熱を抑制することができる。
【００７２】
（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
【００７３】
本実施形態では、図６に示すように、半導体モジュール２０が、インバータ１２，１３を構成する半導体装置２１を備えている。そして、ひとつの電流センサ装置３０が、インバータ１２，１３を構成する半導体装置２１に対応するように設けられている。
【００７４】
電流センサ装置３０は、インバータ１２に対応する三相分（３つ）のバスバー３１よりなるバスバー群３１ａ、及び、インバータ１３に対応する三相分（３つ）のバスバー３１よりなるバスバー群３１ｂを有している。樹脂部３２は、６つのバスバー３１を一体的に保持している。電流センサ３３については、第１実施形態同様の構成となっている。
【００７５】
詳しくは、センサチップ３３０（磁電変換素子１４）、セラミックパッケージ３３１、処理回路チップ３３２、バイアス磁石３３４、及びスペーサ３３５は、インバータ１２，１３の相ごと、すなわちバスバー３１ごとに設けられている。一方、回路基板３３６及び磁気シールド３３８，３３９は、６つのバスバー３１で共通となっている。
【００７６】
また、バスバー群３１ａ，３１ｂのいずれも、真ん中に位置するバスバー３１ｖの接続部３１０が端子２４の第２面２４ｂに接続され、両端に位置するバスバー３１ｕ，３１ｗの接続部３１０が端子２４の第１面２４ａに接続されている。このように、真ん中に位置するバスバー３１ｖの接続部３１０を、他の接続部３１０とは逆面で端子２４に接続する構成となっている。したがって、複数のインバータ１２，１３に対応するバスバー３１や磁電変換素子１４などをひとつの電流センサ装置３０として一体的に備える構成において、体格の増大を抑制しつつ、局所的な発熱を抑制することができる。
【００７７】
特に本実施形態では、バスバー群３１ａのバスバー３１とバスバー群３１ｂのバスバー３１とを、Ｚ方向にずらして設けている。これによれば、すべてのバスバー３１を一列配置とする構成に較べて、局所的に発熱する箇所、すなわち幅の狭い箇所を少なくすることができる。
【００７８】
（第３実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
【００７９】
本実施形態では、図７に示すように、半導体モジュール２０が、第２実施形態に示した構成に加えて、昇圧コンバータ１１を構成する半導体装置２５を備えている。そして、ひとつの電流センサ装置３０が、インバータ１２，１３を構成する半導体装置２１及び昇圧コンバータ１１を構成する半導体装置２５に対応するように設けられている。
【００８０】
半導体装置２５は、半導体装置２１とほぼ同じ構造をなしている。２つの半導体装置２５の一方には、高電圧系電力ライン４の間で直列に接続された２組の上下アームの一方が形成され、２つの半導体装置２５の他方には２組の上下アームの他方が形成されている。すなわち、半導体装置２５の一方は、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１３及びダイオードＤ１１，Ｄ１３を有し、他方は、スイッチング素子Ｔ１２，Ｔ１４及びダイオードＤ１２，Ｄ１４を有している。また、半導体装置２５は、リアクトルＬに接続される端子２６、高電圧系電力ライン４の高電位側に接続される図示しない端子（Ｐ端子）、及び高電圧系電力ライン４の低電位側に接続される図示しない端子（Ｎ端子）を有している。そして、半導体モジュール２０において、端子２４，２６が、Ｘ方向に第１ピッチで並んで配置されている。
【００８１】
電流センサ装置３０は、インバータ１２に対応するバスバー群３１ａのバスバー３１、インバータ１３に対応するバスバー群３１ｂのバスバー３１、及び分岐バスバー３１ｃを有している。バスバー群３１ａ，３１ｂのバスバー３１については、第２実施形態と同じ構成となっている。分岐バスバー３１ｃは、ひとつの基部３１１に対して、２つの接続部３１０が設けられている。図７に示すように、基部３１１、第１屈曲部３１２ｂ、及び延設部３１２ａは、共通となっている。共通の延設部３１２ａにおけるＸ方向両端に、第２屈曲部３１２ｃを介して接続部３１０が連なっている。
【００８２】
本実施形態では、分岐バスバー３１ｃが有する２つの接続部３１０の一方が、端子２６の第１面２６ａに接続され、接続部３１０の他方が端子２６の第２面２６ｂに接続されている。なお、第１面２６ａは、端子２４の第１面２４ａと同一側の面であり、第２面２６ｂは、端子２４の第２面２４ｂと同一側の面である。これにより、分岐バスバー３１ｃの接続部３１０間の間隔である第５ピッチＰ５が、第１ピッチＰ１よりも長くなっている。端子２６は、端子２４と同じ板厚を有しており、第５ピッチＰ５は、第３ピッチＰ３と等しくなっている。したがって、昇圧コンバータ１１に対応するバスバー３１（分岐バスバー３１ｃ）をさらに備える構成において、体格の増大を抑制しつつ、局所的な発熱を抑制することができる。
【００８３】
本実施形態では、Ｚ方向からの投影視において、Ｘ方向に、分岐バスバー３１ｃの接続部３１０、バスバー群３１ａの接続部３１０、バスバー群３１ｂの接続部３１０の順に並んで設けられている。そして、真ん中に位置するバスバー群３１ａの接続部３１０が、両端に位置する分岐バスバー３１ｃの接続部３１０、及び、バスバー群３１ｂの接続部３１０に対して、Ｚ方向にずれて設けられている。分岐バスバー３１ｃの接続部３１０、及び、バスバー群３１ｂの接続部３１０は、Ｚ方向において同一位置に設けられている。これによれば、すべてのバスバー３１を一列配置とする構成に較べて、局所的に発熱する箇所を少なくすることができる。
【００８４】
なお、分岐バスバー３１ｃは昇圧コンバータ１１以外にも適用することができる。インバータ１２，１３にも適用することができる。たとえば、Ｕ相の上下アームを並列構造とし、バスバー３１ｕとして分岐バスバー３１ｃを用いてもよい。
【００８５】
この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。
【００８６】
電力変換装置１０の構成は、上記例に限定されない。
【００８７】
半導体モジュール２０としては、複数の端子が板厚方向を同じとして板厚方向に第１ピッチで並んで配置されるものであればよい。
【００８８】
バスバー群をなすバスバー３１の本数は３つに限定されない。４つ以上のバスバー３１によりバスバー群が構成されてもよい。
【符号の説明】
【００８９】
２…バッテリ、３…低電圧系電力ライン、４…高電圧系電力ライン、５，６…コンデンサ、１０…電力変換装置、１１…昇圧コンバータ、１２，１３…インバータ、１１ａ，１２ａ，１３ａ…接続ライン、１４…磁電変換素子、２０…半導体モジュール、２１、２５…半導体装置、２２，２３，２４，２６…端子、２４ａ，２６ａ…第１面、２４ｂ，２６ｂ…第２面、３０…電流センサ装置、３１…バスバー、３１ａ，３１ｂ…バスバー群、３１ｃ…分岐バスバー、３１０…接続部、３１０ａ…一面、３１０ｂ…裏面、３１１…基部、３１２…繋ぎ部、３１２ａ…延設部、３１２ｂ…第１屈曲部、３１２ｃ…第２屈曲部、３２…樹脂部、３２０，３２１…ケース、３３…電流センサ、３３０…センサチップ、３３１…セラミックパッケージ、３３１ａ…底部内面、３３１ｂ…開口端部、３３１ｃ…段部、３３２…処理回路チップ、３３３…ボンディングワイヤ、３３４…スペーサ、３３５…バイアス磁石、３３６…回路基板、３３６ａ…貫通孔、３３７…はんだ、３３８，３３９…磁気シールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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