(57)【要約】【課題】隣接する画素間のリーク電流をより確実に抑制し得る有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に、画素毎に対応する下部電極を形成する下部電極形成工程と、基板上の隣接する前記下部電極間に、複数の画素を区画するバンクを形成するバンク形成工程と、下部電極及びバンクの上に有機材料層を形成する有機材料層形成工程と、バンク上に存在する有機材料層に対して、前記有機材料層が前記バンクと接する面の反対側の面方向選択的にエネルギー線を照射する照射工程と、を含む。【選択図】図４Ｂ
2018142442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素毎に対応する下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記基板上の隣接する前記下部電極間に、複数の前記画素を区画するバンクを形成するバンク形成工程と、
前記下部電極及び前記バンクの上に有機材料層を形成する有機材料層形成工程と、
前記バンク上に存在する前記有機材料層に対して、前記有機材料層が前記バンクと接する面の反対側の面方向から選択的にエネルギー線を照射する照射工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記エネルギー線を照射した後に、前記有機材料層の上に上部電極を形成する上部電極形成工程、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記有機材料層は正孔輸送層を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機材料層は正孔輸送層である、
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記エネルギー線は、前記正孔輸送層が吸収可能な波長を有している、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記エネルギー線はレーザ光である、
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機材料層の上にマスクを形成するマスク形成工程と、をさらに含み、
前記照射工程は、前記マスクを用いて、前記バンク上に存在する前記有機材料層に対して、前記バンクの反対側から選択的に紫外線光を照射する、
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に配置され、画素毎に形成された下部電極と、
前記基板上の隣接する前記下部電極間に配置され、複数の前記画素を区画するバンクと、
前記下部電極及び前記バンクの上に配置される有機材料層と、
を含み、
前記バンク上の前記有機材料層は、物性が変質している変質領域を含む、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記変質領域の導電性は、前記下部電極上に存在する前記有機材料層の導電性より低い、
ことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記有機材料層は正孔輸送層を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記有機材料層は正孔輸送層である、
ことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。ＯＬＥＤは、一対の電極間に有機材料層を備える。有機材料層は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等が積層されて構成される。このような有機材料層は、代表的には、画素を区画するために予め設けられた凸状のバンクで囲まれた領域に形成される。ここで、例えば、正孔輸送層等の導電性の材料を複数の画素間で共通に設けると、隣接する画素間でリーク電流が流れてしまうという問題がある。具体的には、リーク電流により本来発光すべきでない隣接の画素が発光し、コントラストや色純度の低下を招くという問題がある。このような問題は、高精細化（例えば、隣接する画素間の距離が短くなる）や駆動電圧の低減化（例えば、高移動度材料の採用）が進むほど、顕著に発生し得る。
【０００３】
上記の問題を解決するために、特許文献１では、バンクの上の有機材料層に対して基板の裏面側からエネルギー線を照射して、有機材料層に含まれる導電性の層を変質させて不導体化することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１８７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、基板の裏面側から、基板上に形成されている電極や金属層をマスクとしてエネルギー線を照射している。そのため、エネルギー線が照射される領域は電極や金属層の配置に依存する。ここで、所望の領域にエネルギー線を照射させることができれば、より確実に隣接する画素間のリーク電流を抑制できると考えられる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、隣接する画素間のリーク電流をより確実に抑制し得る有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）上記課題を解決するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に、画素毎に対応する下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記基板上の隣接する前記下部電極間に、複数の前記画素を区画するバンクを形成するバンク形成工程と、前記下部電極及び前記バンクの上に有機材料層を形成する有機材料層形成工程と、前記バンク上に存在する前記有機材料層に対して、前記有機材料層が前記バンクと接する面の反対側の面方向から選択的にエネルギー線を照射する照射工程と、を含む。
【０００８】
（２）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記エネルギー線を照射した後に、前記有機材料層の上に上部電極を形成する上部電極形成工程、をさらに含んでもよい。
【０００９】
（３）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記有機材料層は正孔輸送層を含んでもよい。
【００１０】
（４）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記有機材料層は正孔輸送層であってもよい。
【００１１】
（５）上記（３）または（４）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記エネルギー線は、前記正孔輸送層が吸収可能な波長を有していてもよい。
【００１２】
（６）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記エネルギー線はレーザ光であってもよい。
【００１３】
（７）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記有機材料層の上にマスクを形成するマスク形成工程と、をさらに含み、前記照射工程は、前記マスクを用いて、前記バンク上に存在する前記有機材料層に対して、前記バンクの反対側から選択的に紫外線光を照射してもよい。
【００１４】
（８）上記課題を解決するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に配置され、画素毎に形成された下部電極と、前記基板上の隣接する前記下部電極間に配置され、複数の前記画素を区画するバンクと、前記下部電極及び前記バンクの上に配置される有機材料層と、を含み、前記バンク上の前記有機材料層は、物性が変質している変質領域を含む。
【００１５】
（９）上記（８）に記載の有機ＥＬ表示装置であって、前記変質領域の導電性は、前記下部電極上に存在する前記有機材料層の導電性より低くてもよい。
【００１６】
（１０）上記（８）に記載の有機ＥＬ表示装置であって、前記有機材料層は正孔輸送層を含んでもよい。
【００１７】
（１１）上記（８）に記載の有機ＥＬ表示装置であって、前記有機材料層は正孔輸送層であってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素間のリーク電流をより確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面の一例を示す図である。
【図４Ａ】本実施形態に係る変質領域の第１の形成方法を説明する図である。
【図４Ｂ】本実施形態に係る変質領域の第１の形成方法を説明する図である。
【図４Ｃ】本実施形態に係る変質領域の第１の形成方法を説明する図である。
【図５Ａ】本実施形態に係る変質領域の第２の形成方法を説明する図である。
【図５Ｂ】本実施形態に係る変質領域の第２の形成方法を説明する図である。
【図５Ｃ】本実施形態に係る変質領域の第２の形成方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２１】
なお、以下の説明において参照する図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であり、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基板上にＴＦＴやＯＬＥＤなどの積層構造が形成された表示パネルを有する。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００２３】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００２４】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００２５】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００２６】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００２７】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００２８】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００２９】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置２の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤが配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極４４は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００３０】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバ集積回路（ＩＣ）４８が搭載されたり、ＦＰＣ５０が接続されたりする。フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００３１】
図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、基板７０の上にＴＦＴ７２などからなる回路層、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基板７０は、例えば、ガラス板、樹脂フィルムで構成される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基板７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。
【００３２】
表示領域４２の回路層には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基板７０上に回路層として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層の配線１１６に接続することができる。
【００３３】
図３に示すように、基板７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置される。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００３４】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基板７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成される。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基板７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置される。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置される。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００３５】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置される。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料により平坦化膜９６が形成され、表示領域４２において、平坦化膜９６上にＯＬＥＤ６が形成される。
【００３６】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層して形成される。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基板７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤの陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。なお、有機材料層１０２は、上記以外の他の層を有し得る。他の層としては、例えば、アノードと発光層との間に配置される正孔注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層や正孔ブロック層が挙げられる。
【００３７】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。
【００３８】
下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２が形成される。バンク１１２は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂材料で形成される。バンク１１２で囲まれた画素の有効領域には下部電極１００が露出する。バンク１１２の形成後、有機材料層１０２を構成する各層が下部電極１００およびバンク１１２の上に順に積層される。有機材料層１０２の上に上部電極１０４が形成される。上部電極１０４は、例えば、透明電極材料で形成される。
【００３９】
上部電極１０４の表面に封止層１０６として、例えば、ＳｉＮｙ膜がＣＶＤ法によって成膜される。また、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面に保護膜１１４が積層される。一方、部品実装領域４６には、ＩＣやＦＰＣを接続しやすくするため保護膜１１４を設けない。ＦＰＣ５０の配線やドライバＩＣ４０の端子は例えば、配線１１６に電気的に接続される。
【００４０】
本実施形態では、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２は、その物性が変質している変質領域１２２を含む。ここで、有機材料層１０２の「物性が変質している」とは、変質していない層と変質している層とを比較して、有機材料層１０２を構成する多元素の元素は一致しているが、その物性が異なることをいう。具体的には、変質領域１２２の導電性は、下部電極１００上に存在する有機材料層１０２の導電性より低くなっている。変質領域１２２は、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２に対して、バンク１１２の反対側（有機材料層１０２がバンク１１２と接する面の反対側の面方向）から選択的にエネルギー線を照射することで形成される。エネルギー線は、有機材料層１０２の有機分子を変質、劣化させ得るものであり、例えば、紫外線光、赤外線光、電子線、高強度白色光等が用いられる。このように、エネルギー線を照射することにより、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２が導電性の低い変質領域１２２を含むことで、隣接する画素間を流れるリーク電流を抑制することができる。なお、有機材料層１０２を構成する２以上の層が変質して変質領域１２２を形成してもよいし、有機材料層１０２を構成する層のうち１の層が変質して変質領域１２２を形成してもよい。例えば、有機材料層１０２を構成する層のうち最も低抵抗な層であり、リーク電流が流れやすい正孔輸送層が変質して変質領域１２２を形成してもよい。このとき、エネルギー線は、正孔輸送層が吸収可能な波長を有することが好ましい。また、変質領域１２２は、全ての画素間において形成されてもよいし、特定の画素の周囲に選択的に（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の中でもリーク電流による色純度の低下が顕著なＧ画素の周囲に選択的に）形成されてもよい。
【００４１】
ここで、本実施形態に係る変質領域１２２の第１の形成方法を、図４Ａ〜図４Ｃを用いて説明する。図４Ａ〜図４Ｃは、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の表示パネル４０の概略断面図である。図４Ａ〜図４Ｃにおいて、図３に示す表示パネル４０の積層構造のうち、基板７０上の下地層８０から平坦化膜９６までの積層構造を上部積層構造１１４として簡略化している。図４Ａに示すように、基板７０上に、画素毎に対応する下部電極を形成し（下部電極形成工程）、基板７０上の隣接する下部電極１００間に、下部電極１００の端部を保護するように、複数の画素を区画するバンク１１２を形成し（バンク形成工程）、下部電極１００およびバンク１１２の上に連続して有機材料層１０２を形成する（有機材料層形成工程）。例えば、トリフェニルアミン構造を有する化合物を含む正孔輸送層１０２ａを下部電極１００及びバンク１１２上に連続的に形成し（複数の画素間で共通に設け）、正孔輸送層１０２ａ上に、各画素の色に対応した発光層１０２ｂを各画素領域に形成し、発光層１０２ｂを覆うように（複数の画素間で共通に）電子輸送層１０２ｃを形成し、有機材料層１０２を形成する。図４Ｂにおいて、有機材料層１０２の上に（バンク１１２の反対側に）マスク１２６を形成する（マスク形成工程）。マスク１２６は、平面的に見て、下部電極１００全体と重畳し、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２の少なくとも一部と重畳しないように形成される。そして、マスク１２６を用いて、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２に対して、バンク１１２の反対側から選択的にエネルギー線を照射する（照射工程）。図４Ｂでは、エネルギー線は紫外線光１２４である。バンク１１２上に存在する有機材料層１０２のうち、紫外線光１２４が照射された領域（平面的に見てマスク１２６が形成されていない領域）が変質し、変質領域１２２を形成する。図４Ｃに示すように、エネルギー線（ここでは、紫外線光１２４）を照射した後に、有機材料層１０２上に上部電極１０４を形成する（上部電極形成工程）。つまりは、マスク１２６を用いた紫外線光１２４の照射により、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２に変質領域１２２を形成した後、マスク１２６を除去し、有機材料層１０２上に上部電極１０４を形成する。そして、上部電極１０４上には、封止層１０６が形成される。
【００４２】
本実施形態に係る変質領域１２２の第１の形成方法では、有機材料層１０２の上に（バンク１１２の反対側に）マスク１２６を形成していることで、マスク１２６の形成領域を比較的自由に定めることができる。これにより、マスク１２６の形成領域に応じて、エネルギー線の照射領域、つまりは変質領域１２２の位置や大きさを制御することができ、変質領域１２２を所望の位置、大きさに形成することが可能となる。
【００４３】
エネルギー線の照射領域は、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２の少なくとも一部が含まれていればよいが、より好ましくは、平面的に見て、バンク１１２の中心点と重畳する領域であるとよい。
【００４４】
図４Ｃでは、有機材料層１０２を形成した後であって、上部電極１０４を形成する前にマスク１２６を用いて紫外線光１２４を照射することとしたが、例えば、正孔輸送層１０２ａを形成した後にマスク１２６を用いて紫外線光１２４を照射してもよい。これにより、リーク電流が流れやすい正孔輸送層１０２ａを選択的に変質させることができる。
【００４５】
また、上部電極１０４を形成した後または封止層１０６を形成した後に、マスク１２６を用いて紫外線光１２４を照射してもよいが、封止層１０６を形成した後に紫外線光１２４を照射すると封止層１０６が変質してしまうおそれがある。そこで、封止層１０６を形成した後に紫外線光１２４を照射する場合は、封止層１０６は吸収しないが、有機材料層１０２は吸収可能な波長を有する紫外線光１２４を照射することが好ましい。これにより、封止層１０６を変質させることなく、有機材料層１０２を選択的に変質させることができる。
【００４６】
次に、本実施形態に係る変質領域１２２の第２の形成方法を、図５Ａ〜図５Ｃを用いて説明する。図５Ａ〜図５Ｃは、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の表示パネル４０の概略断面図である。図５Ａ〜図５Ｃにおいて、図３に示す表示パネル４０の積層構造のうち、基板７０上の下地層８０から平坦化膜９６までの積層構造を上部積層構造１１４として簡略化している。図５Ａは、本実施形態に係る変質領域１２２の第１の形成方法における図４Ａと同様であるため、重複する説明はここでは省略する。図５Ｂにおいて、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２に対して、バンク１１２の反対側から選択的にエネルギー線を照射する（照射工程）。図５Ｂでは、エネルギー線はレーザ光１２８である。エネルギー線として、指向性の高いレーザ光１２８を用いることで、マスクを用いることなくバンク１１２上に存在する有機材料層１０２に対して、選択的にエネルギー線を照射することができる。バンク１１２上に存在する有機材料層１０２のうち、レーザ光１２８が照射された領域が変質し、変質領域１２２を形成する。図５Ｃに示すように、エネルギー線（ここでは、レーザ光１２８）を照射した後に、有機材料層１０２上に上部電極１０４を形成する（上部電極形成工程）。つまりは、レーザ光１２８の照射により、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２に変質領域１２２を形成した後に、有機材料層１０２上に上部電極１０４を形成する。そして、上部電極１０４上には、封止層１０６が形成される。
【００４７】
本実施形態に係る変質領域１２２の第２の形成方法では、バンク１１２の上に存在する有機材料層１０２に対して、バンク１１２の反対側からレーザ光を照射することで、レーザ光の照射箇所、つまりは変質領域１２２の位置や大きさを制御することができ、変質領域１２２を所望の位置に形成することが可能となる。
【００４８】
図５Ｂでは、有機材料層１０２を形成した後であって、上部電極１０４を形成する前にレーザ光１２８を照射することとしたが、例えば、正孔輸送層１０２ａを形成した後にレーザ光１２８を照射してもよい。これにより、リーク電流が流れやすい正孔輸送層１０２ａを選択的に変質させることができる。
【００４９】
また、上部電極１０４を形成した後にレーザ光１２８を照射してもよいが、上部電極１０４を形成した後にレーザ光１２８を照射すると上部電極１０４を通過することにより光強度が低下してしまい、有機材料層１０２が変質しにくくなるおそれがある。そこで、上部電極１０４を形成した後にレーザ光１２８を照射する場合は、バンク１１２上であって有機材料層１０２の下にレーザ光１２８を吸収しやすい層（例えば、メタル層）を形成してもよい。これにより、メタル層がレーザ光１２８を吸収することで生じる熱により有機材料層１０２を変質しやすくする。また、上部電極１０４を形成した後にレーザ光１２８を照射する場合は、バンク１１２を着色した樹脂で形成してもよい。着色した樹脂は、透明の樹脂よりレーザ光１２８を吸収しやすいため、着色したバンク１１２がレーザ光１２８を吸収することで生じる熱により有機材料層１０２を変質しやすくする。
【００５０】
また、封止層１０６を形成した後にレーザ光１２８を照射してもよいが、封止層１０６を形成した後にレーザ光１２８を照射すると封止層１０６が変質してしまうおそれがある。そこで、封止層１０６を形成した後にレーザ光１２８を照射する場合は、封止層１０６は吸収しないが、有機材料層１０２は吸収可能な波長を有するレーザ光１２８を照射することが好ましい。これにより、封止層１０６を変質させることなく、有機材料層１０２を選択的に変質させることができる。
【００５１】
また、バンク１１２上に存在する有機材料層１０２に対して、選択的にレーザ光１２８を照射する工程では、有機ＥＬ表示装置２の高精細化に伴う照射箇所の増加により工程の時間増加が懸念される。そこで、工程の時間短縮のため、特定の画素の周囲に選択的に（例えば、Ｇ画素の周囲に選択的に）レーザ光を照射してもよい。また、一度に照射可能な数を増やしたレーザ光照射装置を用いてもよい。
【００５２】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、または同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  上部電極、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、７０  基板、７２  ＴＦＴ、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０２ａ  正孔輸送層、１０２ｂ  発光層、１０２ｃ  電子輸送層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１１０  コンタクトホール、１１２  バンク、１１４  上部構造層、１１６配線、１２２  変質領域、１２４  紫外線光、１２６  マスク、１２８  レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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