(57)【要約】【課題】磁性体に記憶された複数の磁気ステートに応じた情報を高速に読み出す。【解決手段】記憶デバイス２０は、磁性体２１、読出用磁気抵抗素子２２、第１の読出用電極２３１、および、第２の読出用電極２３２を備える。磁性体２１は、線状であり、該線状の延びる方向に沿って複数の磁区２１１が形成されている。磁性体２１は、複数の磁区２１１のそれぞれの磁化方向が独立して設定される。読出用磁気抵抗素子２２は、磁性体２１における複数の磁区２２１に重ねて配置されている。第１の読出用電極２３１および第２の読出用電極２３２は、磁性体２１を挟んで配置され、複数の磁区２２１に読出用の電界を印加する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状であり、該線状の延びる方向に沿って複数の磁区が形成され、前記複数の磁区のそれぞれの磁化方向が独立して設定される磁性体と、
前記磁性体における前記複数の磁区に重ねて配置された読出用磁気抵抗素子と、
前記磁性体を挟んで配置され、前記複数の磁区に読出用の磁界を印加する第１の読出用電極および第２の読出用電極と、
を備えた、記憶デバイス。
【請求項２】
前記磁性体は環状であり、
前記第１の読出用電極は、前記環状の内側に配置されており、
前記第２の読出用電極は、前記環状の外側に配置されている、
請求項１に記載の記憶デバイス。
【請求項３】
前記磁性体の前記延びる方向における第１端に配置された第１の磁区シフト用電極と、
前記磁性体の前記延びる方向における前記第１端と反対側の第２端に配置された第２の磁区シフト用電極と、
前記磁性体の前記延びる方向における前記第１の磁区シフト用電極の配置位置と前記第２の磁区シフト用電極の配置位置との間に配置され、前記磁区の磁界方向を変化させる書き込み用磁界を発生させる書込素子と、
を備える、請求項１または請求項２に記載の記憶デバイス。
【請求項４】
前記書込素子は、前記第１の磁区シフト用電極に隣接して配置されている、
請求項３に記載の記憶デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の記憶デバイスを備え、
前記読出用磁気抵抗素子の抵抗値を検出する抵抗値検出部と、
前記抵抗値に応じて、前記記憶デバイスに記憶された情報を決定する情報決定部と、
を備える、
記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体を用いた記憶デバイス、および、当該記憶デバイスに記憶された情報を読み出す記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、各種の次世代型の記憶デバイスが提案されている。例えば、特許文献１には、レーストラックメモリが記載されている。
【０００３】
レーストラックメモリは、ワイヤ状の磁性体（磁気ナノワイヤ）、書込素子、読出素子を備える。磁気ナノワイヤは、延びる方向に沿って複数の磁区を有する。磁気ナノワイヤの延びる方向に電流を印加することによって、磁区は、延びる方向にシフトする。
【０００４】
書込素子は、磁気ナノワイヤの延びる方向の第１の位置に近接している。書込素子によって磁界を発生させると、この磁界によって、近接する磁区が磁化し、磁区の磁化方向が変化する。上述の磁区の位置をシフトさせても、この磁区の磁化方向は維持される。書込処理とシフト処理とを繰り返すことによって、それぞれに磁化方向が決定された複数の磁区が設定される。この磁化方向と磁気ステート（例えば、［０］、「１」）とを関連付けておくことで、記憶デバイスに複数のステートを記憶するが可能になる。そして、この複数の磁気ステートに情報（例えば数値）を関連付けしておくことで、記憶デバイスに情報を記憶することが可能になる。
【０００５】
読出素子は、磁気ナノワイヤの延びる方向の第２の位置（第１の位置と異なる位置）に近接している。読出素子は、例えば、磁気抵抗素子であり、近接する磁区の磁化に応じた抵抗値を有する。この抵抗値を検出することによって、近接する磁区に記憶された磁気ステートが読み出される。
【０００６】
上述のように磁区の位置をシフトさせることによって、読出素子に近接する磁区が切り替わる。したがって、このシフトに同期して読出素子の抵抗値を逐次検出すれば、複数の磁区のそれぞれの磁化方向が検出される。複数の磁区の磁化方向が検出されることによって、複数の磁区にそれぞれ記憶された磁気ステートが順次読み出される。そして、これらの複数の磁気ステートに関連付けされた情報が検出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第７５５１４６９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、磁性体の磁区をシフトさせて、各磁区の磁化方向を１つずつ検出するため、複数の磁気ステートからなる情報を読み出すには、ステート数すなわち磁区数に応じた読出回数とシフト回数を必要とする。このため、複数の磁気ステートからなる情報を読み出すには、時間を要してしまう。特に、記憶される磁気ステート数、すなわち磁区数が多くなれば、磁区数に応じて、情報の読出に要する時間が増大する。
【０００９】
本発明の目的は、磁性体に記憶された複数の磁気ステートに応じた情報を高速に読み出すことができる記憶デバイス、および、当該記憶デバイスを備えた記憶装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の記憶デバイスは、磁性体、磁気抵抗素子、第１の読出用電極、および、第２の読出用電極を備える。磁性体は、線状であり、該線状の延びる方向に沿って複数の磁区が形成されている。磁性体は、複数の磁区のそれぞれの磁化方向が独立して設定される。読出用磁気抵抗素子は、磁性体における複数の磁区に重ねて配置されている。第１の読出用電極および第２の読出用電極は、磁性体を挟んで配置され、複数の磁区に読出用の磁界を印加する。
【００１１】
この構成では、磁気抵抗素子の抵抗値が、読出用の磁界と、複数の磁区の磁化方向（複数の磁区がそれぞれに発生する磁界）とに応じて決定される。すなわち、所定の磁化方向の磁区の個数に応じて、磁気抵抗素子の抵抗値が変化する。したがって、所定の磁化方向の磁区の個数と、記憶装置に記憶させる情報とを関連付けておくことで、一回の読出用の磁界の印加によって情報を読み出される。
【００１２】
また、この発明の記憶デバイスでは、次の構成であることが好ましい。磁性体は環状である。第１の読出用電極は、環状の内側に配置されている。第２の読出用電極は、環状の外側に配置されている。
【００１３】
この構成では、複数の磁区に読出用の電界を印加する構成が簡素化され、記憶デバイスが省スペースになる。
【００１４】
また、この発明の記憶デバイスでは、次の構成であってもよい。記憶デバイスは、第１の磁区シフト用電極、第２の磁区シフト用電極、および、書き込み用電極を備える。第１の磁区シフト用電極は、磁性体の延びる方向における第１端に配置されている。第２に磁区シフト用電極は、磁性体の延びる方向における第１端と反対側の第２端に配置されている。書込素子は、磁性体の延びる方向における第１の磁区シフト用電極の配置位置と第２の磁区シフト用電極の配置位置との間に配置されている。書込素子は、磁区の磁界方向を変化させる書き込み用磁界を発生させる。
【００１５】
この構成では、複数の磁区のそれぞれに対して、情報に応じた個別の磁化方向が保存される。
【００１６】
また、この発明の記憶デバイスでは、書き込み用電極は、第１の磁区シフト用電極に隣接して配置されていることが好ましい。
【００１７】
この構成では、磁区のシフト方向が磁性体の第１端から第２端に向かう一方向のみで、情報が記憶される。
【００１８】
この発明の記憶装置は、上述のいずれかに記載の記憶デバイス、抵抗値検出部、および、情報決定部を備える。抵抗値検出部は、読出用磁気抵抗素子の抵抗値を検出する。情報決定部は、抵抗値に応じて、記憶デバイスに記憶された情報を決定する。
【００１９】
この構成では、記憶デバイスに記憶された情報が高速に読み出される。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、磁性体に記憶された複数の磁気ステートに応じた多値情報を、別途加算器等を用いることなく、一括で読み出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る記憶デバイスおよび記憶装置の主要構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る記憶デバイスの主要構成を示す側面断面図である。
【図３】磁性体の磁区および磁壁の概念を示す図である。
【図４】第１の磁気ステートＳｂ１の個数と磁気抵抗素子の抵抗値との関係の一例を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る記憶装置の情報書込処理および情報読出処理のフローチャートである。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る記憶デバイスの主要構成を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る記憶デバイスの主要構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の第１の実施形態に係る記憶デバイスおよび記憶装置について、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る記憶デバイスおよび記憶装置の主要構成を示す図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る記憶デバイスの主要構成を示す側面断面図である。図３は、磁性体の磁区および磁壁の概念を示す図である。
【００２３】
図１に示すように、記憶装置１０は、記憶デバイス２０、シフトパルス発生部４１、書込パルス発生部４２、読出パルス発生部４３、抵抗値検出部４４、および、情報決定部４５を備える。
【００２４】
図１、図２に示すように、記憶デバイス２０は、磁性体２１、読出用磁気抵抗素子２２、第１の読出用電極２３１、第２の読出用電極２３２、第１の磁区シフト用電極３１１、第２の磁区シフト用電極３１２、書込素子３２、第１の読出パルス印加電極３３１、第２の読出パルス印加電極３３２、抵抗値検出用電極３４、および、絶縁性基板２００を備える。なお、記憶デバイス２０は、磁性体２１、読出用磁気抵抗素子２２、第１の読出用電極２３１、および、第２の読出用電極２３２を、少なくとも備えていればよい。
【００２５】
磁性体２１は、絶縁性基板２００の表面に配置されている。磁性体２１は、線状である。磁性体２１の線状の延びる方向における一方端は、磁性体２１の第１端Ｅ１である。磁性体２１の線状の延びる方向における他方端、すなわち、磁性体２１の第１端Ｅ１と反対側の端は、磁性体２１の第２端Ｅ２である。磁性体２１は、環状であり、第１端Ｅ１と第２端Ｅ２とは離間している。言い換えれば、磁性体２１は、Ｃ字状である。
【００２６】
磁性体２１は、図３に示すように、延びる方向に沿って複数の磁区２１１を有する。磁性体２１は、金属磁性体（Ｎｉ／ＦｅやＣｏ／Ｎｉ）により構成される。磁性体２１は、複数の磁区２１１の間にはそれぞれ磁壁２１２を有する。複数の磁区２１１は、それぞれに独立した磁化方向を有する。この磁化方向は、外部から磁化方向を変化させる磁界が作用しなければ保存される。例えば、図３に示すように、複数の磁区２１１は、磁性体２１の環の外側から内側に向かうように磁化された状態、または、磁性体２１の環の内側から外側に向かうように磁化された状態のいずれかの磁化状態を有する。
【００２７】
そして、これらの磁化状態のそれぞれを、第１の磁気ステートＳｂ１、第２の磁気ステートＳｂ２とすることで、記憶デバイス２０は、磁性体２１に複数の磁気ステートを記憶する。すなわち、記憶デバイス２０は、当該複数の磁気ステートに応じた情報を記憶する。
【００２８】
読出用磁気抵抗素子２２は、所謂ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子等からなる。読出用磁気抵抗素子２２は、磁性体２１の表面（絶縁性基板２００側と反対側の面）に配置されている。読出用磁気抵抗素子２２は、複数の磁区を跨るように配置されている。読出用磁気抵抗素子２２は、磁性体２１の第１端Ｅ１側の部分と、磁性体２１の第２端Ｅ２側の部分とを除いて、磁性体２１の略全面を覆っている。なお、読出用磁気抵抗素子２２は、少なくとも２つの磁区を跨るように配置されていることで、本願構成の作用効果を得ることが可能になる。
【００２９】
第１の読出用電極２３１と第２の読出用電極２３２とは、例えば銅等からなり、導電性の高い材料からなることが好ましい。第１の読出用電極２３１と第２の読出用電極２３２とは、磁性体２１の延びる方向の全長に亘って、磁性体２１を挟む位置に配置されている。
【００３０】
より具体的には、第１の読出用電極２３１は、環状の磁性体２１および読出用磁気抵抗素子２２の内側の領域に配置されている。言い換えれば、記憶デバイス２０を平面視して（絶縁性基板２００の表面に直交する方向に視て）、第１の読出用電極２３１は、環状の磁性体２１および読出用磁気抵抗素子２２によって囲まれている。第２の読出用電極２３２は、環状の磁性体２１の外側の領域に配置されている。言い換えれば、記憶デバイス２０を平面視して、第２の読出用電極２３２は、磁性体２１および読出用磁気抵抗素子２２を囲んでいる。このような構成とすることによって、第１の読出用電極２３１と第２の読出用電極２３２との間に生じる磁界（後述の読出パルスによる磁界）は、磁性体２１における複数の磁区２１１および読出用磁気抵抗素子２２に同時に印加される。
【００３１】
第１の磁区シフト用電極３１１と第２の磁区シフト用電極３１２とは、例えば銅等からなり、導電性の高い材料からなることが好ましい。第１の磁区シフト用電極３１１は、磁性体２１の第１端Ｅ１に配置されている。第１の磁区シフト用電極３１１は、磁性体２１に重なっており、読出用磁気抵抗素子２２に重なっていない。第２の磁区シフト用電極３１２は、磁性体２１の第２端Ｅ２に配置されている。第２の磁区シフト用電極３１２は、磁性体２１に重なっており、読出用磁気抵抗素子２２に重なっていない。
【００３２】
第１の磁区シフト用電極３１１と第２の磁区シフト用電極３１２とは、第２の読出用電極２３２を跨いで配置されており、第２の読出用電極２３２に対して絶縁が保たれている。第１の磁区シフト用電極３１１と第２の磁区シフト用電極３１２とは、シフトパルス発生部４１に接続されている。
【００３３】
書込素子３２は、コイル等からなる。書込素子３２は、磁性体２１に対して所定方向の磁界を発生可能な素子であればよく、磁気抵抗素子を用いてもよい。書込素子３２は、磁区２１１毎に磁界を与える程度に局所的な磁界を発生する素子である。書込素子３２は、書込パルス用電極３２０を介して、書込パルス発生部４２に接続されている。
【００３４】
書込素子３２は、磁性体２１の延びる方向における第１の磁区シフト用電極３１１と第２の磁区シフト用電極３１２との間に配置されている。より具体的には、磁性体２１の第１端Ｅ１の近傍に配置され、第１の磁区シフト用電極３１１に近接している。
【００３５】
書込素子３２は、記憶デバイス２０を平面視して、磁性体２１に重なっており、磁性体２１に対して近接している。書込素子３２は、読出用磁気抵抗素子２２に重なっていない。書込素子３２は、書込パルス発生部４２に接続されている。
【００３６】
第１の読出パルス印加電極３３１と第２の読出パルス印加電極３３２とは、例えば銅等からなり、導電性の高い材料からなることが好ましい。第１の読出パルス印加電極３３１は、第１の読出用電極２３１に接続されている。第１の読出パルス印加電極３３１は、読出用磁気抵抗素子２２および第２の読出用電極２３２を跨いで配置されており、読出用磁気抵抗素子２２および第２の読出用電極２３２に対して絶縁が保たれている。第２の読出パルス印加電極３３２は、第２の読出用電極２３２に接続されている。第１の読出パルス印加電極３３１と第２の読出パルス印加電極３３２とは、読出パルス発生部４３に接続されている。
【００３７】
抵抗値検出部４４は、引き出し配線導体を介して、読出用磁気抵抗素子２２に接続されている。抵抗値検出部４４は、情報決定部４５に接続されている。
【００３８】
このような構成では、読出パルスによる磁界が、磁性体２１と読出用磁気抵抗素子２２とに印加される。この際、磁性体２１を構成する複数の磁区２１１の方向が異なると、読出パルスの磁界と磁区２１１の磁界との合成磁界が異なる。このため、読出用磁気抵抗素子２２の抵抗値は、複数の磁区２１１の位置の合成磁界の影響を受けて変化する。言い換えれば、読出用磁気抵抗素子２２が近接する複数の磁区２１１のうち所定の磁化方向の磁区の個数が変化すれば、この個数の変化に応じて、読出用磁気抵抗素子２２の抵抗値は変化する。例えば、図４は、第１の磁気ステートＳｂ１の個数と磁気抵抗素子の抵抗値との関係の一例を示す図である。図４に示す場合では、第１の磁気ステートＳｂ１の磁区２１１の個数が増加すると、読出用磁気抵抗素子２２の抵抗値が増加する。
【００３９】
このため、第１の磁気ステートＳｂ１の個数と記憶デバイス２０で記憶する情報とを関連付けておけば、読出用磁気抵抗素子２２の抵抗値から情報を決定できる。例えば、第１の磁気ステートＳｂ１の個数を、記憶デバイス２０で記憶する数値とすれば、読出用磁気抵抗素子２２の抵抗値から数値を決定できる。
【００４０】
このように、本実施形態の記憶デバイス２０を用いることによって、複数の磁区２１１の磁気ステートを順次読み出す必要が無く、複数の磁区２１１の磁気ステートから決定される情報を、一度の読出処理（一括の読出処理）で得られる。これにより、記憶デバイス２０に記憶された情報は、従来の構成よりも高速で読み出される。例えば、情報が数値の場合、従来の構成では、複数の磁気ステート（磁化方向）と個別に読み出し、所定の磁気ステートの数を加算器で加算する必要があった。しかしながら、本実施形態の記憶デバイス２０は、所定の磁気ステートの数に応じた抵抗値を一回の読出処理で検出し、この抵抗値から数値を直接得られる。これにより、本実施形態の記憶デバイス２０は、別途加算器を用いることなく多値の数値（２進数以上の数値、例えば、１０進数の数値、１６進数の数値、または、２５４進数の数値等）を得ることができ、高速な読み出しおよび低消費電力を実現できる。
【００４１】
次に、記憶装置１０による記憶デバイス２０に対する情報書込処理および情報読出処理について、より具体的に説明する。図５は、本発明の第１の実施形態に係る記憶装置の情報書込処理および情報読出処理のフローチャートである。
【００４２】
（情報書込処理）
記憶装置１０は、記憶デバイス２０に記憶する情報に応じた磁区数を算出する（Ｓ１０１）。この処理は、例えば、図１に図示していない制御部等によって実行される。制御部は、書込パルス発生部４２に磁区数を与える。
【００４３】
書込パルス発生部４２は、磁区数に応じて、磁化方向を変更する磁区２１１を決定する。この際、磁化方向を変更する磁区２１１は連続していてもよく、磁化方向を変更しない磁区２１１を間に挟んでもよい。書込パルス発生部４２は、磁化方向を変更する磁区２１１であれば（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、書込パルスを印加する（Ｓ１０３）。書込パルスが印加されると、書込素子３２は書込用の磁界を発生し、この磁界によって、書込素子３２に近接する磁区２１１は、所定の磁化方向に磁化される。書込パルス発生部４２は、磁化方向を変更しない磁区２１１であれば（Ｓ１０２：ＮＯ）、書込パルスを印加しない。書込パルスが印加されない磁区２１１は、所定の磁化方向に磁化されない。
【００４４】
シフトパルス発生部４１は、磁区数に応じた所定数の磁区２１１に対するシフト処理を終了していなければ（Ｓ１０４：ＮＯ）、磁区をシフトさせる（Ｓ１０５）。具体的には、シフトパルス発生部４１は、シフトパルスを第１の磁区シフト用電極３１１と第２の磁区シフト用電極３１２間に発生させ、磁性体２１に磁区シフト用の電流を印加する。この電流の印加によって、磁区２１１は、磁化方向を維持した状態で、第１端Ｅ１側から第２端Ｅ２側に向かうシフト方向（図３参照）に沿ってシフトする。磁区２１１のシフト処理と書込パルスの発生処理は同期されており、書込パルスの発生処理は、連続するシフト処理の間に行われる。すなわち、シフト処理によって磁区２１１をシフトさせ、磁化方向を変更する磁区２１１に対しては書込処理を実行し、この書込処理の後に再度シフト処理を実行する。一方、磁化方向を変更しない磁区２１１に対しては書込処理を実行せず、所定時間を持って再度シフト処理を実行する。
【００４５】
シフトパルス発生部４１は、所定数の磁区２１１に対するシフト処理を終了していれば（Ｓ１０４：ＹＥＳ）、シフトパルスの発生を終了する。
【００４６】
以上の処理によって、情報に応じた複数の磁気ステートを記憶デバイス２０に書き込む（記憶する）できる。
【００４７】
（情報読出処理）
読出パルス発生部４３は、第１の読出パルス印加電極３３１と第２の読出パルス印加電極３３２との間に磁界を発生する読出パルスを印加する（Ｓ２０１）。本実施形態の記憶デバイス２０の構造を用いることによって、磁性体２１の全磁区２１１および読出用磁気抵抗素子２２に対して磁界が一括に印加される。
【００４８】
読出用磁気抵抗素子２２は、この読出パルスによる磁界と全磁区２１１の磁界とによる合成磁界によって、所定の抵抗値に変化する。抵抗値検出部４４は、この抵抗値を検出する（Ｓ２０２）。情報決定部４５は、検出した抵抗値から情報を決定する（Ｓ２０３）。具体的には、例えば、情報決定部４５は、抵抗値と磁区数に基づく情報とが関連付けされたチャートを記憶している。情報決定部４５は、抵抗値を取得すると、チャートを参照して、抵抗値に関連付けされた情報を読み出す。
【００４９】
このように、本実施形態の構成を用いることによって、記憶装置１０は、記憶デバイス２０に記憶された情報を、従来の構成よりも高速で読み出すことができる。
【００５０】
次に、本発明の第２の実施形態に係る記憶デバイスについて、図を参照して説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る記憶デバイスの主要構成を示す図である。本実施形態に係る記憶デバイス２０Ａは、第１の実施形態に係る記憶デバイス２０に対して、読出用磁気抵抗素子２２１、２２２の形状、および、書込素子３２の配置位置において異なる。記憶デバイス２０Ａの他の構成は、第１の実施形態に係る記憶デバイス２０と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。また、記憶デバイス２０Ａに接続する記憶装置の機能部も第１の実施形態に係る記憶装置１０と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【００５１】
読出用磁気抵抗素子２２１と読出用磁気抵抗素子２２２とは、磁性体２１における異なる部分に重なっている。読出用磁気抵抗素子２２１と読出用磁気抵抗素子２２２とは、磁性体２１の延びる方向の途中位置において離間している。読出用磁気抵抗素子２２１および読出用磁気抵抗素子２２２は、それぞれ個別の引き出し配線導体を介して、抵抗値検出部４４に接続されている。
【００５２】
書込素子３２は、磁性体２１における読出用磁気抵抗素子２２１と読出用磁気抵抗素子２２２とが離間している部分に重なっている。
【００５３】
このような構成であっても、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、本実施形態の構成を用いて、読出用磁気抵抗素子２２１の抵抗値と読出用磁気抵抗素子２２２の抵抗値を個別に検出して、それぞれに情報を関連付けておけば、記憶デバイス２０Ａは、二種類の情報を同時に記憶し、高速で読み出すことができる。
【００５４】
一方、第１の実施形態に係る記憶デバイス２０の構成を用いた場合、一種類の情報のみを記憶可能であるが、シフトパルスの印加方向を一方向にでき、シフト処理を簡素化できる。
【００５５】
次に、本発明の第３の実施形態に係る記憶デバイスについて、図を参照して説明する。図７は、本発明の第３の実施形態に係る記憶デバイスの主要構成を示す図である。
【００５６】
本実施形態に係る記憶デバイス２０Ｂは、第１の実施形態に係る記憶デバイス２０に対して、磁性体２１Ｂの形状、読出用磁気抵抗素子２２の形状、第１の読出用電極２３１Ｂの形状、および、第２の読出用電極２３２Ｂの形状において異なる。記憶デバイス２０Ｂの他の構成は、第１の実施形態に係る記憶デバイス２０と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。また、記憶デバイス２０Ｂに接続する記憶装置の機能部も第１の実施形態に係る記憶装置１０と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【００５７】
記憶デバイス２０Ｂでは、磁性体２１Ｂの形状、読出用磁気抵抗素子２２の形状、第１の読出用電極２３１Ｂの形状、および、第２の読出用電極２３２Ｂの形状が、矩形の角をＲ面取りした形状である。このような構成であっても、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、これら各部の形状は、上述の各形状に限らず、線状の磁性体、この磁性体の複数の磁区を跨いで重なる磁気抵抗素子、および、磁性体を挟んで配置される第１の読出用電極と第２の読出用電極があればよい。しかしながら、上述の図１、図６、図７に示した形状にすることによって、第１の読出用電極を小面積化でき、記憶デバイスを小型化でき、有効である。
【符号の説明】
【００５８】
１０：記憶装置
２０、２０Ａ、２０Ｂ：記憶デバイス
２１、２１Ｂ：磁性体
２２、２２１、２２２：読出用磁気抵抗素子
３２：書込素子
３４：抵抗値検出用電極
４１：シフトパルス発生部
４２：書込パルス発生部
４３：読出パルス発生部
４４：抵抗値検出部
４５：情報決定部
２００：絶縁性基板
２１１：磁区
２１２：磁壁
２３１、２３１Ｂ：第１の読出用電極
２３２、２３２Ｂ：第２の読出用電極
３１１：第１の磁区シフト用電極
３１２：第２の磁区シフト用電極
３２０：書込パルス用電極
３３１、３３２：パルス印加電極
３４１、３４２：抵抗値検出用電極
【図１】
2018006508.tif 000003
【図２】
2018006508.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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