(57)【要約】【課題】タッチ検出とホバー検出とで電極を共用しつつ、良好にホバー検出を行うことが可能な表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板の表示領域に設けられた複数の検出電極と、検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、駆動信号が供給された場合における検出電極の容量変化に応じた検出信号を、検出電極から受け取る検出部と、検出部に配線を介して接続され、検出信号に基づいて、１本の配線に電気的に接続される検出電極の数を変更する第１スイッチング回路と、を有する。【選択図】図８
2018142270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表示領域に設けられた複数の検出電極と、
前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、
前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、前記検出電極から受け取る検出部と、
前記検出部に配線を介して接続され、前記検出信号に基づいて、１本の前記配線に電気的に接続される前記検出電極の数を変更する第１スイッチング回路と、を有する表示装置。
【請求項２】
前記第１スイッチング回路に制御信号を出力する制御部を有し、
前記制御部は、
前記検出信号が所定のしきい値よりも小さい場合に、１本の前記配線に対して２以上の前記検出電極を電気的に接続して、表示面に近接する被検出体を検出する第１検出モードと、
前記検出信号が所定のしきい値以上の場合に、１本の前記配線に対して１つの前記検出電極を電気的に接続して、前記表示面に接触する前記被検出体を検出する第２検出モードと、を有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記検出電極は、行列状に複数配置される請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記検出電極のそれぞれに対応して設けられた第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子に第１走査信号を供給するゲート駆動回路と
前記第１スイッチング素子と前記第１スイッチング回路とを接続する第１信号線と、
前記第１スイッチング素子と、前記ゲート駆動回路とを接続する第１ゲート線と、を有し、
前記駆動回路は、前記第１信号線を介して前記駆動信号を前記検出電極に供給する請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１スイッチング回路は、複数の前記第１信号線の間に設けられた第１センサ切り換え部と、複数の前記第１信号線のうち、１つの前記第１信号線と前記配線との間に設けられた第２センサ切り換え部とを備える請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ゲート駆動回路は、前記検出信号に基づいて、前記第１走査信号を同時に供給する前記第１ゲート線の数を変更する請求項４又は請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
１本の前記第１信号線は、複数の前記検出電極と重なって配置され、複数の前記検出電極に対応する前記第１スイッチング素子と接続される請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１スイッチング素子に加え、前記検出電極のそれぞれに対応して設けられた第２スイッチング素子と、
前記第２スイッチング素子と前記駆動回路とを接続する第２信号線と、
前記第２スイッチング素子と、前記ゲート駆動回路とを接続する第２ゲート線と、を有し、
前記駆動回路は、前記駆動信号が供給されない前記検出電極に対して、前記第２信号線を介して、前記駆動信号と同期した、同じ電位を有するガード信号を供給する請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ゲート駆動回路は、前記第１走査信号に対して極性が反転された第２走査信号を前記第２ゲート線に供給する請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板に対して垂直な方向において前記検出電極と対向する複数の画素電極と、
前記表示領域に画像を表示させるための表示機能層と、
前記画素電極に画素信号を供給する表示用信号線と、を有し、
前記駆動回路は、前記画素電極に対する共通電位となる表示用の駆動信号を前記検出電極に供給する請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記基板に対して垂直な方向において前記検出電極と対向する複数の画素電極と、
前記表示領域に画像を表示させるための表示機能層と、
前記画素電極に画素信号を供給する表示用信号線と、を有し、
前記第１信号線は、前記表示用信号線と異なる層において、前記表示用信号線と重なって設けられる請求項４から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極に接続された表示用スイッチング素子と、
前記表示用スイッチング素子に接続された表示用ゲート線とを有し、
前記第１ゲート線は、それぞれ前記表示用ゲート線に沿って設けられる請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記基板に対して垂直な方向において前記検出電極と対向する複数の画素電極と、
前記表示領域に画像を表示させるための表示機能層と、
前記画素電極に画素信号を供給する表示用信号線と、
前記表示用信号線に前記画素信号を供給する表示駆動部と、を有し、
前記検出電極と重なって配置された複数の前記表示用信号線のうち１本の表示用信号線が前記第１信号線を兼ねる請求項４から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１信号線と前記表示駆動部との接続と、前記第１信号線と前記第１スイッチング回路との接続を切り換える第２スイッチング回路を有する請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１走査信号が高レベルの場合に、前記駆動回路は前記第１信号線を介して前記駆動信号を前記検出電極に供給し、
前記第１走査信号が低レベルの場合に、前記表示駆動部は前記第１信号線を介して前記画素信号を前記画素電極に供給する請求項１３又は請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記基板に対して垂直な方向において前記検出電極と対向する複数の画素電極と、
前記画素電極に接続された表示用スイッチング素子と、
前記表示用スイッチング素子にゲート信号を供給する表示用ゲート駆動回路と、前記表示用スイッチング素子とを接続する表示用ゲート線とを有し、
前記第１ゲート線は、平面視で、前記表示用ゲート線と交差する方向に設けられる請求項４から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１ゲート線は、前記表示用ゲート線と同層に設けられ、前記表示用ゲート線と交差する方向に複数配列され、
前記表示用ゲート線の一方に設けられた前記第１ゲート線と、前記表示用ゲート線の他方に設けられた前記第１ゲート線とは、前記表示用ゲート線と異なる層に設けられ、前記表示用ゲート線と平面視で交差するブリッジ部を介して電気的に接続される請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている（例えば、特許文献１から特許文献３参照）。このような表示装置において、操作者の手指の画面への接触を検出するタッチ検出機能に加え、画面に手指が触れていない状態でその手指の近接状態やジェスチャ等を検出するホバー検出（近接検出）の機能が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／００４９４８６号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１３／０３４２４９８号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１４／００４９５０８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
タッチ検出とホバー検出とでは検出対象となる手指等の被検出体と検出電極との距離や、それに伴う要求解像度が大きく異なる。このため、タッチ検出用の電極や駆動構成をそのままホバー検出に採用すると、良好にホバー検出を行うことが困難となる可能性がある。また、ホバー検出の検出感度を上げるためには、検出電極の面積を大きくすることが有効である。しかし、この場合、タッチ検出の検出精度が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明は、タッチ検出とホバー検出とで電極を共用しつつ、良好にホバー検出を行うことが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、基板と、前記基板の表示領域に設けられた複数の検出電極と、前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、前記検出電極から受け取る検出部と、前記検出部に配線を介して接続され、前記検出信号に基づいて、１本の前記配線に電気的に接続される前記検出電極の数を変更する第１スイッチング回路と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、検出部の一構成例を示すブロック図である。
【図３】図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。
【図４】図４は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図６】図６は、表示装置を構成する第１基板を模式的に示す平面図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係る表示部の画素配列を表す回路図である。
【図８】図８は、第１の実施形態に係る検出電極の接続構成を説明するための回路図である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係る表示装置の、タッチ検出の一動作例を示すタイミング波形図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態に係る表示装置の、ホバー検出の一動作例を示すタイミング波形図である。
【図１１】図１１は、第１の実施形態に係る表示装置の一動作例を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、第１の実施形態に係る表示装置の他の動作例を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、検出信号としきい値の関係を模式的に示すグラフである。
【図１４】図１４は、タッチ検出及びホバー検出における表示装置と被検出体との関係を模式的に示す説明図である。
【図１５】図１５は、第２の実施形態に係る検出電極及び画素電極の構成を説明するための平面図である。
【図１６】図１６は、第１の実施形態に係る検出電極と第１信号線との接続構成及び画素電極と表示用信号線との接続構成を説明するための副画素の平面図である。
【図１７】図１７は、第１の実施形態に係る検出電極と第２信号線との接続構成を説明するための副画素の平面図である。
【図１８】図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿う断面図である。
【図１９】図１９は、図１６のＸＩＸ−ＸＩＸ’線に沿う断面図である。
【図２０】図２０は、図１７のＸＸ−ＸＸ’線に沿う断面図である。
【図２１】図２１は、第２の実施形態に係る検出電極の接続構成を説明するための回路図である。
【図２２】図２２は、第２の実施形態に係る第２スイッチング回路の回路図である。
【図２３】図２３は、第２の実施形態に係る表示装置の、タッチ検出の一動作例を示すタイミング波形図である。
【図２４】図２４は、第２の実施形態に係る検出電極及び画素電極の構成を説明するための平面図である。
【図２５】図２５は、第２の実施形態に係る副画素の構成を説明するための平面図である。
【図２６】図２６は、図２５のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ’線に沿う断面図である。
【図２７】図２７は、第３の実施形態に係る第１基板を模式的に示す平面図である。
【図２８】図２８は、第３の実施形態に係る検出電極の接続構成を説明するための回路図である。
【図２９】図２９は、第３の実施形態に係る検出電極及び画素電極の構成を説明するための平面図である。
【図３０】図３０は、第３の実施形態に係る副画素の構成を説明するための平面図である。
【図３１】図３１は、第３の実施形態に係る他の副画素の構成を説明するための平面図である。
【図３２】図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ’線に沿う断面図である。
【図３３】図３３は、図３０のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ’線に沿う断面図である。
【図３４】図３４は、図３０のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ’線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図２は、検出部の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、パネル駆動部１１と、検出部４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示部２０と、タッチ入力を検出する検出装置であるタッチセンサ３０とを含む。
【００１０】
表示パネル１０は、表示部２０とタッチセンサ３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示部２０の電極や基板等が、タッチセンサ３０に兼用される。なお、表示パネル１０は、表示部２０の上にタッチセンサ３０を装着した、いわゆるオンセルタイプの装置であってもよい。表示部２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。
【００１１】
表示部２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示部２０は、映像信号の入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。
【００１２】
表示パネル１０は、さらに、表示用ゲートドライバ１２Ａと、検出用ゲートドライバ１２Ｂと、スイッチング回路１６とを備える。表示用ゲートドライバ１２Ａは、パネル駆動部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部２０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。検出用ゲートドライバ１２Ｂは、パネル駆動部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチセンサ３０の検出駆動の対象となる１水平ラインを順次又は同時に選択する機能を有している。
【００１３】
スイッチング回路１６は、タッチセンサ３０と検出部４０との間に設けられる。スイッチング回路１６は、パネル駆動部１１から供給される制御信号に基づいて、検出駆動の対象となる検出電極ＣＯＭＬと検出部４０との接続と遮断とを切り換える回路である。
【００１４】
本実施形態において、表示用ゲートドライバ１２Ａ、検出用ゲートドライバ１２Ｂ及びスイッチング回路１６の一部、又は全部は、第１基板２１の額縁領域１０ｂ（図６参照）に設けられていてもよく、パネル駆動部１１に搭載されていてもよく、或いは外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。
【００１５】
パネル駆動部１１は、ソースドライバ１３、検出電極ドライバ１４及びクロック信号生成部１７を備える。パネル駆動部１１は、外部より供給された映像信号に基づいて、表示用ゲートドライバ１２Ａ、検出用ゲートドライバ１２Ｂ、スイッチング回路１６及び検出部４０に制御信号を供給して、表示動作と検出動作を制御する回路である。また、パネル駆動部１１は、検出部４０に対して同期信号Ｓｙｎｃを供給し、表示用ゲートドライバ１２Ａ及び検出用ゲートドライバ１２Ｂにクロック信号ＣＬＫを供給する。これにより、パネル駆動部１１は、各種回路が同期して、又は同期しないで動作するように制御することができる。
【００１６】
ソースドライバ１３は、表示部２０の、各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、パネル駆動部１１が画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。
【００１７】
検出電極ドライバ１４は、スイッチング回路１６を介して、表示パネル１０の検出電極ＣＯＭＬに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃ又は検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。また、検出電極ドライバ１４は、タッチ検出及びホバー検出の際に、検出電極ＣＯＭＬにガード信号Ｖｇｄを供給する回路である。
【００１８】
クロック信号生成部１７は、スタート信号Ｖｓｔ及びクロック信号ＣＬＫを生成し、これらの信号を表示用ゲートドライバ１２Ａ及び検出用ゲートドライバ１２Ｂにそれぞれ供給する回路である。
【００１９】
タッチセンサ３０は、自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、表示パネル１０の表示面に接触又は近接した被検出体の位置を検出する機能を含む。表示パネル１０は、被検出体の接触又は近接を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔを検出部４０に出力する。
【００２０】
本実施形態において、パネル駆動部１１は、タッチセンサ３０による検出モードとして、タッチ検出（第１検出モード）とホバー検出（第２検出モード）との２つの検出モードを有する。本明細書において、タッチ検出は、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態（以下、「接触状態」と表す）において、被検出体の位置を検出することを表す。また、ホバー検出は、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態（以下、「非接触状態」と表す）において、被検出体の位置や動きを検出することを表す。また、表示面に対向する位置に被検出体が存在しない場合、又はホバー検出において被検出体を検出できない程度に被検出体が表示面から離れている状態を「非存在状態」と表す。
【００２１】
スイッチング回路１６は、検出部４０と検出電極ＣＯＭＬとの間の接続と遮断とを切り換える。これにより、タッチ検出では、検出電極ＣＯＭＬが個別に検出部４０に接続され、ホバー検出では、複数の検出電極ＣＯＭＬが検出電極ブロックとしてまとめて検出部４０に接続される。また、検出電極ＣＯＭＬから出力された検出信号Ｖｄｅｔは、スイッチング回路１６を介して、検出部４０に供給される。
【００２２】
検出部４０は、自己静電容量方式のタッチ検出において、パネル駆動部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔとに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する回路である。検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。
【００２３】
図２に示すように、検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６と、を備える。検出タイミング制御部４６は、パネル駆動部１１から供給される制御信号に基づいて、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。
【００２４】
検出信号増幅部４２は、表示パネル１０から供給された検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
【００２５】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非存在状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体の接触状態又は近接状態と判断する。このようにして、検出部４０はタッチ検出が可能となる。
【００２６】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔをパネル駆動部１１に出力してもよい。パネル駆動部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。
【００２７】
なお、検出部４０の検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とは、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出部４０の全部又は一部の機能は外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出部４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されており、検出部４０は、信号処理部４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。
【００２８】
表示パネル１０は、静電容量型のタッチ検出の基本原理に基づいたタッチ制御がなされる。ここで、図３及び図４を参照して、本実施形態の表示パネル１０の自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図４は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図３は、検出回路を併せて示している。
【００２９】
非存在状態において、検出電極Ｅ１に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。検出電極Ｅ１は、静電容量Ｃ１を有しており、静電容量Ｃ１に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０（図４参照））に変換する。
【００３０】
次に、図３に示すように、接触状態において、指と検出電極Ｅ１との間の静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１に加わる。したがって、検出電極Ｅ１に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ１及び静電容量Ｃ２に応じた電流が流れる。図４に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１）に変換する。そして、波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、指の接触が測定される。
【００３１】
具体的には、図４において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ２に相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチＳＷ１はオンとなりスイッチＳＷ２はオフとなるため検出電極Ｅ１の電位も電圧Ｖ２に上昇する。次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ１はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（またはＣ１＋Ｃ２、図３参照）によって、検出電極Ｅ１の電位はＶ２が維持される。更に、時刻Ｔ１１のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われる。
【００３２】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（またはＣ１＋Ｃ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ３に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図４の検出信号Ｖｄｅｔ参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（検出信号Ｖｄｅｔ）は、非存在状態では、実線で示す波形Ｖ０となり、Ｖｄｅｔ＝Ｃ１×Ｖ２／Ｃ３となる。接触状態では、点線で示す波形Ｖ１となり、Ｖｄｅｔ＝（Ｃ１＋Ｃ２）×Ｖ２／Ｃ３となる。
【００３３】
その後、時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ１の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。このようにして、検出部４０は自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。
【００３４】
次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図５は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図５に示すように、表示パネル１０は、画素基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。
【００３５】
画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、検出電極ＣＯＭＬと、絶縁層２４と、偏光板３５Ｂとを有する。第１基板２１には、表示用ゲートドライバ１２Ａ又は検出用ゲートドライバ１２Ｂに含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、表示用ゲート線ＧＣＬ、表示用信号線ＳＧＬ等の各種配線（図５では省略して示す）が設けられる。
【００３６】
検出電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。また、画素電極２２は、絶縁層２４を介して検出電極ＣＯＭＬの上側に設けられ、平面視でマトリクス状に複数配置される。画素電極２２は、表示パネル１０の各画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘに対応して設けられ、表示動作を行うための画素信号Ｖｐｉｘが供給される。また、検出電極ＣＯＭＬは、表示動作の際に直流の表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給され、複数の画素電極２２に対する共通電極として機能する。偏光板３５Ｂは、第１基板２１の下側に設けられる。
【００３７】
本実施形態において、画素電極２２及び検出電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
【００３８】
なお、本明細書において、第１基板２１に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。
【００３９】
なお、複数の画素電極２２の配列は、第１方向及び該第１方向に直交する第２方向に沿って配列されるマトリクス状の配列のみならず、対向する画素電極２２同士が第１方向又は第２方向にずれて配置される構成を採用することもできる。また、対向する画素電極２２の大きさの違いから、第１方向に配列される画素列を構成する１つの画素電極２２に対し、当該画素電極２２の一側に２又は３の複数の画素電極２２が配列される構成も採用可能である。
【００４０】
対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた偏光板３５Ａとを有する。カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１の上に配置されてもよい。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
【００４１】
第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、層間に形成される電界の状態に応じて液晶分子の配向状態が変化し、これによって透過光が変調する。かかる電界モードとして、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードが採用される。なお、図５に示す液晶層６に対向する画素基板２の最表面、及び対向基板３の最表面には、液晶分子の初期配向状態を定める配向膜（図５では省略して示す）が形成されている。
【００４２】
第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の配向状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
【００４３】
図６は、表示装置を構成する第１基板を模式的に示す平面図である。図６に示すように、表示装置１において、表示領域１０ａの外側に額縁領域１０ｂが設けられている。本明細書において、表示領域１０ａは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）と重なる領域である。額縁領域１０ｂは、表示領域１０ａを囲む枠状の領域であり、第１基板２１の外周よりも内側で、かつ、表示領域１０ａよりも外側の領域を示す。
【００４４】
図６に示すように、検出電極ＣＯＭＬは、表示領域１０ａにおいて、行列状に複数配列されている。言い換えると、検出電極ＣＯＭＬは、表示領域１０ａの長辺に沿って複数配列されるとともに、表示領域１０ａの短辺に沿って複数配列される。
【００４５】
１つの検出電極ＣＯＭＬに対応する位置に、複数の画素電極２２が行列状に配置される。画素電極２２は、検出電極ＣＯＭＬよりも小さい面積を有している。なお、図６では一部の検出電極ＣＯＭＬ及び画素電極２２について示しているが、検出電極ＣＯＭＬ及び画素電極２２は表示領域１０ａの全域に亘って配置される。
【００４６】
額縁領域１０ｂの長辺側には、シフトレジスタ１２Ａａとシフトレジスタ１２Ｂａとが設けられている。シフトレジスタ１２Ａａは、表示用ゲートドライバ１２Ａに含まれる回路であり、表示用ゲート線ＧＣＬを選択する機能を有する。シフトレジスタ１２Ｂａは、検出用ゲートドライバ１２Ｂに含まれる回路であり、検出用の第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２を選択する機能を有する。
【００４７】
額縁領域１０ｂの短辺側には、スイッチング回路１６と表示用ＩＣ１９とが設けられている。表示用ＩＣ１９は、図１に示すパネル駆動部１１として機能する。また、検出部４０の機能の一部は、表示用ＩＣ１９に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ−ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。なお、表示用ＩＣ１９は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。もちろん、検出部４０は、表示用ＩＣ１９とは別個のＩＣとして形成し、これらのＩＣと、検出電極ＣＯＭＬ等の電極とを配線で接続する構成も採用可能である。
【００４８】
本実施形態では、タッチ検出において、パネル駆動部１１は、検出電極ＣＯＭＬをそれぞれ駆動する。検出部４０は、上述した自己静電容量方式のタッチ検出により、検出電極ＣＯＭＬの容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔを受け取る。検出部４０は、検出電極ＣＯＭＬから個別に出力された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチ入力を検出する。表示装置１は、表示領域１０ａの検出電極ＣＯＭＬのそれぞれについてタッチ検出を行う。これにより、座標抽出部４５は接触状態の被検出体の位置を検出することができる。
【００４９】
一方、ホバー検出において、パネル駆動部１１は、複数の検出電極ＣＯＭＬを含む検出電極ブロックＣＯＭＬＡを同時にまとめて駆動する。検出電極ブロックＣＯＭＬＡは、行方向及び列方向に複数配列された検出電極ＣＯＭＬを含む。検出部４０は、１つの検出電極ブロックＣＯＭＬＡからまとめて出力されたＶｄｅｔに基づいて、ホバー検出を行うことができる。これにより、検出電極ブロックＣＯＭＬＡが一つの検出電極として機能する。表示装置１は、表示領域１０ａの検出電極ブロックＣＯＭＬＡごとにホバー検出を行う。これにより、座標抽出部４５は非接触状態の被検出体の位置やジェスチャ等の動作を検出することができる。
【００５０】
タッチ検出における個別の検出電極ＣＯＭＬに比べて、検出電極ブロックＣＯＭＬＡは大きい面積を有する。このため、検出電極ブロックＣＯＭＬＡから発生する電界の電気力線が、表示面から離れた位置まで到達する。これにより、表示装置１は、タッチ検出とホバー検出とで検出電極ＣＯＭＬを共用しつつ、精度よくタッチ検出を行うとともに、良好にホバー検出を行うことができる。
【００５１】
図６に示す例では、検出電極ブロックＣＯＭＬＡは、４つの検出電極ＣＯＭＬを含む。これに限定されず、検出電極ブロックＣＯＭＬＡは、５つ以上の検出電極ＣＯＭＬを含んでいてもよい。例えば、一つの検出電極ブロックＣＯＭＬＡは、表示領域１０ａの全ての検出電極ＣＯＭＬを含んでいてもよい。
【００５２】
次に表示パネル１０の表示動作について説明する。図７は、第１の実施形態に係る表示部の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図５参照）には、図７に示す各副画素ＳＰｉｘの表示用スイッチング素子ＴｒＤ、表示用信号線ＳＧＬ、表示用ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。表示用信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。表示用ゲート線ＧＣＬは、各表示用スイッチング素子ＴｒＤを駆動する駆動信号を供給するための配線である。表示用信号線ＳＧＬ及び表示用ゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延在する。
【００５３】
図７に示す表示部２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれ表示用スイッチング素子ＴｒＤ及び液晶素子６ａを備えている。表示用スイッチング素子ＴｒＤは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と共通電極（検出電極ＣＯＭＬ）との間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図７に示す保持容量６ｂが形成される。
【００５４】
図１に示す表示用ゲートドライバ１２Ａは、表示用ゲート線ＧＣＬを順次選択する。表示用ゲートドライバ１２Ａは、選択された表示用ゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘの表示用スイッチング素子ＴｒＤのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、表示用信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【００５５】
この表示動作を行う際、検出電極ドライバ１４は、検出電極ＣＯＭＬに対して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。これにより、各検出電極ＣＯＭＬは、表示動作時には画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、検出電極ドライバ１４は、表示領域１０ａの全ての検出電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。
【００５６】
図５に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図７に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
【００５７】
次に、本実施形態に係るタッチセンサ３０の検出動作について説明する。図８は、第１の実施形態に係る検出電極の接続構成を説明するための回路図である。図８では、説明を分かりやすくするために、４行、４列の検出電極ＣＯＭＬを示している。これに限定されず、５行以上の検出電極ＣＯＭＬが設けられていてもよく、５列以上の検出電極ＣＯＭＬが設けられていてもよい。また、行方向に配列される検出電極ＣＯＭＬの数は、列方向に配列される検出電極ＣＯＭＬの数と異なっていてもよい。
【００５８】
図８に示すように、行方向に複数配列された検出電極ＣＯＭＬに重なって、検出用の第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）、ＧＣＬＴ１（２）、ＧＣＬＴ１（３）、ＧＣＬＴ１（４）と、検出用の第２ゲート線ＧＣＬＴ２（１）、ＧＣＬＴ２（２）、ＧＣＬＴ２（３）、ＧＣＬＴ２（４）とが設けられている。１行目の検出電極ＣＯＭＬに対応して、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）と第２ゲート線ＧＣＬＴ２（１）とが設けられる。２行目の検出電極ＣＯＭＬに対応して、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（２）と第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）とが設けられる。３行目の検出電極ＣＯＭＬに対応して、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（３）と第２ゲート線ＧＣＬＴ２（３）とが設けられる。４行目の検出電極ＣＯＭＬに対応して、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（４）と第２ゲート線ＧＣＬＴ２（４）とが設けられる。
【００５９】
なお、以下の説明において、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）、ＧＣＬＴ１（２）、ＧＣＬＴ１（３）、ＧＣＬＴ１（４）を区別して説明する必要がない場合には、第１ゲート線ＧＣＬＴ１と表す。また、第２ゲート線ＧＣＬＴ２（１）、ＧＣＬＴ２（２）、ＧＣＬＴ２（３）、ＧＣＬＴ２（４）を区別して説明する必要がない場合には、第２ゲート線ＧＣＬＴ２と表す。
【００６０】
図８に示すように、第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２は、それぞれ行方向に沿って設けられ、列方向に複数配列される。１本の第１ゲート線ＧＣＬＴ１は、行方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬに重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第１スイッチング素子ＴｒＳ１と接続される。１本の第２ゲート線ＧＣＬＴ２は、行方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬに重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第２スイッチング素子ＴｒＳ２と接続される。１つの検出電極ＣＯＭＬに対し、第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２が設けられる。第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２は、それぞれ検出用ゲートドライバ１２Ｂに接続される。
【００６１】
図８に示すように、列方向に複数配列された検出電極ＣＯＭＬに重なって、検出用の第１信号線５１（１）、５１（２）、５１（３）、５１（４）と、検出用の第２信号線５２（１）、５２（２）、５２（３）、５２（４）とが設けられている。１列目の検出電極ＣＯＭＬに対応して第１信号線５１（１）と第２信号線５２（１）とが設けられる。２列目の検出電極ＣＯＭＬに対応して第１信号線５１（２）と第２信号線５２（２）とが設けられる。３列目の検出電極ＣＯＭＬに対応して第１信号線５１（３）と第２信号線５２（３）とが設けられる。４列目の検出電極ＣＯＭＬに対応して第１信号線５１（４）と第２信号線５２（４）とが設けられる。
【００６２】
なお、以下の説明において、第１信号線５１（１）、５１（２）、５１（３）、５１（４）を区別して説明する必要がない場合には、第１信号線５１と表す。また、第２信号線５２（１）、５２（２）、５２（３）、５２（４）を区別して説明する必要がない場合には、第２信号線５２と表す。第１信号線５１及び第２信号線５２は、列方向に沿って設けられ、行方向に複数配列される。つまり、第１信号線５１及び第２信号線５２は、平面視において第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２と交差して設けられる。
【００６３】
１本の第１信号線５１は、列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬと重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第１スイッチング素子ＴｒＳ１に接続される。また、１本の第２信号線５２は、列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬと重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第２スイッチング素子ＴｒＳ２に接続される。１つの検出電極ＣＯＭＬに対し、第１信号線５１及び第２信号線５２が設けられる。第１信号線５１は、それぞれスイッチング回路１６に接続される。第２信号線５２は、それぞれパネル駆動部１１に接続される。第１信号線５１及び第２信号線５２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金の少なくとも１つの金属材料を用いることができる。
【００６４】
検出電極ＣＯＭＬのそれぞれに対応して、検出用の第１スイッチング素子ＴｒＳ１と第２スイッチング素子ＴｒＳ２とが設けられる。第１スイッチング素子ＴｒＳ１及び第２スイッチング素子ＴｒＳ２は、例えばｎチャネルのＭＯＳ型のＴＦＴで構成されている。
【００６５】
第１スイッチング素子ＴｒＳ１は、第１ゲート線ＧＣＬＴ１と第１信号線５１とが交差する箇所に設けられる。第１スイッチング素子ＴｒＳ１は、第１信号線５１と検出電極ＣＯＭＬとの接続と遮断とを切り換える素子である。検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第１スイッチング素子ＴｒＳ１に第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を供給する。第１走査信号Ｖｓｃａｎ１が高レベルの電位の場合、第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオンとなり、第１信号線５１は検出電極ＣＯＭＬと接続される。第１走査信号Ｖｓｃａｎ１が低レベルの電位の場合、第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオフとなり、第１信号線５１は検出電極ＣＯＭＬと遮断される。
【００６６】
第２スイッチング素子ＴｒＳ２は、第２ゲート線ＧＣＬＴ２と第２信号線５２とが交差する箇所に設けられる。第２スイッチング素子ＴｒＳ２は、第２信号線５２と検出電極ＣＯＭＬとの接続と遮断とを切り換える素子である。検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第２スイッチング素子ＴｒＳ２に第２走査信号Ｖｓｃａｎ２を供給する。第２走査信号Ｖｓｃａｎ２が高レベルの電位の場合、第２スイッチング素子ＴｒＳ２がオンとなり、第２信号線５２は検出電極ＣＯＭＬと接続される。第２走査信号Ｖｓｃａｎ２が低レベルの電位の場合、第２スイッチング素子ＴｒＳ２がオフとなり、第２信号線５２は検出電極ＣＯＭＬと遮断される。
【００６７】
第１走査信号Ｖｓｃａｎ１と第２走査信号Ｖｓｃａｎ２とは、極性が互いに反転された電圧信号である。つまり、第１走査信号Ｖｓｃａｎ１が高レベルの場合、第２走査信号Ｖｓｃａｎ２が低レベルとなる。また、第１走査信号Ｖｓｃａｎ１が低レベルの場合、第２走査信号Ｖｓｃａｎ２が高レベルとなる。
【００６８】
これにより、第１スイッチング素子ＴｒＳ１と第２スイッチング素子ＴｒＳ２とは、互いの逆のスイッチング動作を行う。つまり、第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオンの場合、第２スイッチング素子ＴｒＳ２はオフとなる。また、第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオフの場合、第２スイッチング素子ＴｒＳ２はオンとなる。このようなスイッチング動作により、検出電極ＣＯＭＬは、第１信号線５１又は第２信号線５２のいずれか一方と接続され、同じ期間において、第１信号線５１又は第２信号線５２の他方と遮断される。
【００６９】
図８に示すように、検出部４０は、配線Ｌ１（１）、Ｌ１（２）、Ｌ１（３）、Ｌ１（４）を介してスイッチング回路１６と接続される。配線Ｌ１（１）、Ｌ１（２）、Ｌ１（３）、Ｌ１（４）は、それぞれ、第１信号線５１（１）、５１（２）、５１（３）、５１（４）に対応して設けられる。なお、以下の説明において、配線Ｌ１（１）、Ｌ１（２）、Ｌ１（３）、Ｌ１（４）を区別して説明する必要がない場合には、単に配線Ｌ１と表す。
【００７０】
検出電極ドライバ１４は、配線Ｌ１、スイッチング回路１６及び第１信号線５１を介して、駆動信号Ｖｃｏｍを検出電極ＣＯＭＬに供給する。上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいて、検出電極ＣＯＭＬの容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが、第１信号線５１、スイッチング回路１６及び配線Ｌ１を介して検出部４０に供給される。検出電極ＣＯＭＬのうち、第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオンとなり、第１信号線５１と電気的に接続された検出電極ＣＯＭＬは、検出電極として機能する。また、第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオフとなり、第１信号線５１と電気的に接続されていない検出電極ＣＯＭＬは、検出電極として機能しない。
【００７１】
上述したように、検出電極として機能しない検出電極ＣＯＭＬは、第２スイッチング素子ＴｒＳ２を介して第２信号線５２と電気的に接続される。検出電極ドライバ１４は、検出電極として機能しない検出電極ＣＯＭＬに、第２信号線５２を介して、ガード信号Ｖｇｄを供給する。ガード信号Ｖｇｄは、駆動信号Ｖｃｏｍと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。第２信号線５２と接続された検出電極ＣＯＭＬは、第１信号線５１と接続された検出電極ＣＯＭＬと同じ電位で駆動することとなる。これにより、検出電極ＣＯＭＬの寄生容量が低減され、検出精度を向上させることができる。このように、検出電極ＣＯＭＬのうち、第２信号線５２と電気的に接続された検出電極ＣＯＭＬはガード電極として機能する。
【００７２】
パネル駆動部１１の検出電極ドライバ１４は、レベルシフタ１４ａを含む。レベルシフタ１４ａは、高レベルの電圧信号と低レベルの電圧信号とを切り換えてセンサ接続信号Ｖｓｓを生成する回路である。センサ接続信号Ｖｓｓは、タッチ検出と、ホバー検出とで、まとめて駆動される検出電極ＣＯＭＬの数を変更するための信号である。レベルシフタ１４ａは、センサ接続信号Ｖｓｓをスイッチング回路１６と検出部４０に出力する。
【００７３】
スイッチング回路１６は、第３スイッチング素子ＴｒＡ１と、第４スイッチング素子ＴｒＡ２と、インバータ５０とを含む。第３スイッチング素子ＴｒＡ１及び第４スイッチング素子ＴｒＡ２は、例えば、ｎチャネルのＭＯＳ型のＴＦＴで構成されている。
【００７４】
第３スイッチング素子ＴｒＡ１は、２本の第１信号線５１の接続と遮断とを切り換える素子である。図８に示す例では、第３スイッチング素子ＴｒＡ１は、第１信号線５１（１）と第１信号線５１（２）との間に設けられる。また、第３スイッチング素子ＴｒＡ１は、第１信号線５１（３）と第１信号線５１（４）との間に設けられる。
【００７５】
第４スイッチング素子ＴｒＡ２は、１つの第３スイッチング素子ＴｒＡ１に接続された複数の第１信号線５１のうち、１つの第１信号線５１に接続される。第４スイッチング素子ＴｒＡ２は、第１信号線５１と配線Ｌ１との接続と遮断を切り換える素子である。図８に示す例では、第４スイッチング素子ＴｒＡ２は、第１信号線５１（２）と配線Ｌ１（２）との間に設けられる。また、第４スイッチング素子ＴｒＡ２は、第１信号線５１（４）と配線Ｌ１（４）との間に設けられる。
【００７６】
レベルシフタ１４ａは、センサ接続信号Ｖｓｓを第３スイッチング素子ＴｒＡ１に供給する。同時に、レベルシフタ１４ａは、インバータ５０を介してセンサ接続信号Ｖｓｓを第４スイッチング素子ＴｒＡ２に供給する。インバータ５０は、入力された信号の極性を反転させて出力する反転回路である。つまり、インバータ５０は、高レベルのセンサ接続信号Ｖｓｓが入力された場合、低レベルの電圧信号を出力し、低レベルのセンサ接続信号Ｖｓｓが入力された場合、高レベルの電圧信号を出力する。
【００７７】
タッチ検出において、レベルシフタ１４ａは、低レベルのセンサ接続信号Ｖｓｓをスイッチング回路１６に供給する。これにより、第３スイッチング素子ＴｒＡ１はオフとなる。第１信号線５１（１）は第１信号線５１（２）と遮断され、第１信号線５１（３）は第１信号線５１（４）と遮断される。一方、第４スイッチング素子ＴｒＡ２はオンとなる。これにより、第１信号線５１（２）は配線Ｌ１（２）と接続され、第１信号線５１（４）は配線Ｌ１（４）と接続される。また、第１信号線５１（１）と配線Ｌ１（１）との間及び第１信号線５１（３）と配線Ｌ１（３）との間には、第３スイッチング素子ＴｒＡ１及び第４スイッチング素子ＴｒＡ２は設けられていない。第１信号線５１（１）は配線Ｌ１（１）と接続され、第１信号線５１（３）は配線Ｌ１（３）と接続される。このように、１本の配線Ｌ１に対し、１本の第１信号線５１が電気的に接続される。
【００７８】
検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第１ゲート線ＧＣＬＴ１を順次選択する。選択された第１ゲート線ＧＣＬＴ１に対応する第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオンになり、検出電極ＣＯＭＬと第１信号線５１とが接続される。つまり、タッチ検出において、１本の配線Ｌ１に対し、１つの検出電極ＣＯＭＬが時分割で電気的に接続される。
【００７９】
検出電極ドライバ１４は、第１信号線５１を介して、検出電極ＣＯＭＬに個別に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、検出信号Ｖｄｅｔは、検出電極ＣＯＭＬからそれぞれ第１信号線５１及び配線Ｌ１を介して検出部４０に供給される。これにより、検出部４０は、検出電極ＣＯＭＬの配列ピッチに応じた検出精度で、被検出体のタッチ入力を検出できる。
【００８０】
ホバー検出において、レベルシフタ１４ａは、高レベルのセンサ接続信号Ｖｓｓをスイッチング回路１６に供給する。これにより、第３スイッチング素子ＴｒＡ１はオンとなる。第１信号線５１（１）は第１信号線５１（２）と接続され、第１信号線５１（３）は第１信号線５１（４）と接続される。一方、第４スイッチング素子ＴｒＡ２はオフとなる。これにより、第１信号線５１（２）は配線Ｌ１（２）と遮断され、第１信号線５１（４）は配線Ｌ１（４）と遮断される。
【００８１】
これにより、配線Ｌ１（１）に第１信号線５１（１）と第１信号線５１（２）とが接続され、配線Ｌ１（３）に第１信号線５１（３）と第１信号線５１（４）とが接続される。つまり、１本の配線Ｌ１に対し、２本の第１信号線５１が電気的に接続される。１本の配線Ｌ１に対し、複数の第１信号線５１を介して、行方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬが電気的に接続される。検出電極ドライバ１４は、複数の検出電極ＣＯＭＬに、配線Ｌ１を介して駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。また、複数の検出電極ＣＯＭＬの容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが、まとめて配線Ｌ１を介して検出部４０に供給される。
【００８２】
パネル駆動部１１は、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて制御信号を検出用ゲートドライバ１２Ｂに供給する。検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を同時に供給する第１ゲート線ＧＣＬＴ１の数を変更する。言い換えると、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、複数の第１ゲート線ＧＣＬＴ１を同時に選択する。これにより、検出電極ドライバ１４は、列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬに対して、配線Ｌ１及び第１信号線５１を介して駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬから検出信号Ｖｄｅｔが、まとめて配線Ｌ１を介して検出部４０に供給される。
【００８３】
例えば、検出用ゲートドライバ１２Ｂが、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）と第１ゲート線ＧＣＬＴ１（２）を同時に選択した場合、検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）に含まれる検出電極ＣＯＭＬに対して、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）の容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔは、第１信号線５１（１）、第１信号線５１（２）及び配線Ｌ１（１）を介して検出部４０に供給される。同時に、検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（２）に含まれる検出電極ＣＯＭＬに対して、第１信号線５１（３）及び第１信号線５１（４）を介して駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（２）の容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔは、第１信号線５１（３）、第１信号線５１（４）及び配線Ｌ１（３）を介して検出部４０に供給される。
【００８４】
同様に、検出用ゲートドライバ１２Ｂが、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（３）と第１ゲート線ＧＣＬＴ１（４）を同時に選択した場合、検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）、ＣＯＭＬＡ（４）に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）、ＣＯＭＬＡ（４）の容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔは、それぞれ、配線Ｌ１（１）、配線Ｌ１（３）を介して検出部４０に供給される。
【００８５】
以上のように、スイッチング回路１６は、センサ接続信号Ｖｓｓに基づいて、タッチ検出とホバー検出とで、１本の配線Ｌ１に接続される検出電極ＣＯＭＬの数を変更することができる。ホバー検出において、スイッチング回路１６は、１本の配線Ｌ１に複数の検出電極ＣＯＭＬを含む検出電極ブロックＣＯＭＬＡを接続する。これにより、検出電極ブロックＣＯＭＬＡがまとめて駆動され、検出電極ブロックＣＯＭＬＡが１つの検出電極として機能する。これにより、タッチ検出における個別の検出電極ＣＯＭＬに対して、ホバー検出の際の検出電極ＣＯＭＬの面積を実質的に大きくすることができる。したがって、表示装置１は、タッチ検出とホバー検出とで検出電極ＣＯＭＬを共用しつつ、良好な検出感度で被検出体のホバー入力を検出できる。
【００８６】
なお、１本の配線Ｌ１に２本の第１信号線５１を接続する構成を示したが、これに限定されない。例えば、ホバー検出において、３本以上の第１信号線５１が１本の配線Ｌ１に接続される構成であってもよい。
【００８７】
次に、図１及び図８から図１０を参照して、本実施形態の駆動方法の一例を説明する。図９は、第１の実施形態に係る表示装置の、タッチ検出の一動作例を示すタイミング波形図である。図１０は、第１の実施形態に係る表示装置の、ホバー検出の一動作例を示すタイミング波形図である。図９に示すように、表示期間Ｐｄとタッチ検出期間Ｐｔ１とが時分割で交互に配置される。
【００８８】
パネル駆動部１１は、垂直同期信号Ｖ−Ｓｙｎｃ及び水平同期信号Ｈ−Ｓｙｎｃを表示パネル１０及び検出部４０に供給する。表示パネル１０は、垂直同期信号Ｖ−Ｓｙｎｃがオン（高レベル）になると、１フレーム分の画像の表示を行う。水平同期信号Ｈ−Ｓｙｎｃは、表示期間Ｐｄとタッチ検出期間Ｐｔ１とを切り換える、又は表示期間Ｐｄとホバー検出期間Ｐｔ２とを切り換えるための制御信号である。水平同期信号Ｈ−Ｓｙｎｃがオン（高レベル）の場合タッチ検出が行われ、水平同期信号Ｈ−Ｓｙｎｃがオフ（低レベル）の場合表示が行われる。これにより、表示と検出とが時分割で行われる。
【００８９】
垂直同期信号Ｖ−Ｓｙｎｃがオンになると、パネル駆動部１１は、スタート信号Ｖｓｔ及びクロック信号ＣＬＫを、表示用ゲートドライバ１２Ａ及び検出用ゲートドライバ１２Ｂに供給する。スタート信号Ｖｓｔがオンになると、表示パネル１０は、表示及び検出を開始する。クロック信号ＣＬＫは水平同期信号Ｈ−Ｓｙｎｃに同期した電圧信号である。クロック信号ＣＬＫがオン（高レベル）の場合タッチ検出が行われ、クロック信号ＣＬＫがオフ（低レベル）の場合表示が行われる。
【００９０】
表示期間Ｐｄでは、第１走査信号Ｖｓｃａｎ１がオフであり、第２走査信号Ｖｓｃａｎ２がオンである。これにより、第１スイッチング素子ＴｒＳ１はオフとなり、第１信号線５１は検出電極ＣＯＭＬと遮断される。第２スイッチング素子ＴｒＳ２はオンとなり、第２信号線５２は検出電極ＣＯＭＬと接続される。表示期間Ｐｄでは、検出電極ドライバ１４は、第２信号線５２を介して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを検出電極ＣＯＭＬに供給する。
【００９１】
図９に示すように、スタート信号Ｖｓｔの１パルスの期間中にクロック信号ＣＬＫのパルスＣＬＫａが１つ存在する場合、表示パネル１０はタッチ検出を実行する。また、図１０に示すように、スタート信号Ｖｓｔの１パルスの期間中に、クロック信号ＣＬＫの第１パルスＣＬＫｂと第２パルスＣＬＫｃの２つのパルスが存在する場合、表示パネル１０はホバー検出を実行する。図１０に示す例では、第１パルスＣＬＫｂは第２パルスＣＬＫｃよりもパルス幅が小さく、水平同期信号Ｈ−Ｓｙｎｃがオフの期間に発生する。第２パルスＣＬＫｃは水平同期信号Ｈ−Ｓｙｎｃと同期しており、第２パルスＣＬＫｃがオンになる期間にホバー検出が行われる。
【００９２】
図９に示すように、タッチ検出において、センサ接続信号Ｖｓｓは低レベル（Ｌｏｗ）の電圧信号である。スイッチング回路１６の第３スイッチング素子ＴｒＡ１はオフとなり、第４スイッチング素子ＴｒＡ２はオンとなる。
【００９３】
図９に示すように、タッチ検出期間Ｐｔ１において、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）に高レベルの第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を供給する。第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）に対応する第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオンになる。これにより、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）に対応する検出電極ＣＯＭＬは、第１信号線５１に接続される。
【００９４】
検出電極ドライバ１４は、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）に対応する検出電極ＣＯＭＬに対して、第１信号線５１（１）から第１信号線５１（４）を介して、それぞれ駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出信号Ｖｄｅｔは、第１信号線５１（１）から第１信号線５１（４）を介して、各検出電極ＣＯＭＬから検出部４０に供給される。
【００９５】
同じ期間において、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）から第２ゲート線ＧＣＬＴ２（４）に高レベルの第２走査信号Ｖｓｃａｎ２を供給する。第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）から第２ゲート線ＧＣＬＴ２（４）に対応する第２スイッチング素子ＴｒＳ２がオンになる。これにより第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）から第２ゲート線ＧＣＬＴ２（４）に対応する検出電極ＣＯＭＬは、第２信号線５２に接続される。
【００９６】
検出電極ドライバ１４は、第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）から第２ゲート線ＧＣＬＴ２（４）に対応する検出電極ＣＯＭＬに対して、第２信号線５２（１）から第２信号線５２（４）を介して、それぞれガード信号Ｖｇｄを供給する。これにより、検出対象として選択されていない検出電極ＣＯＭＬは、検出対象として選択された検出電極ＣＯＭＬと同期して、同じ電位を有して駆動される。これにより、検出電極ＣＯＭＬの容量結合が抑制され、寄生容量が低減される。したがって、表示パネル１０のタッチ検出における検出精度を高めることができる。
【００９７】
同様に、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、タッチ検出期間Ｐｔ１ごとに、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（２）、ＧＣＬＴ１（３）、ＧＣＬＴ１（４）に順次高レベルの第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を供給する。これにより、表示領域１０ａの検出電極ＣＯＭＬに対し順次駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。そして各検出電極ＣＯＭＬの検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、接触状態における被検出体の位置を検出することができる。
【００９８】
また、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、タッチ検出期間Ｐｔ１ごとに、第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）、ＧＣＬＴ２（３）、ＧＣＬＴ２（４）に順次低レベルの第２走査信号Ｖｓｃａｎ２を供給する。これにより、各タッチ検出期間Ｐｔ１において、検出対象として選択されていない、全ての非検出対象の検出電極ＣＯＭＬに対してガード信号Ｖｇｄが供給される。
【００９９】
図１０に示すように、表示期間Ｐｄとホバー検出期間Ｐｔ２とが時分割で交互に配置される。表示期間Ｐｄにおける表示動作は、上記の例と同様に行われる。
【０１００】
図１０に示すように、ホバー検出において、センサ接続信号Ｖｓｓは高レベル（Ｈｉｇｈ）の電圧信号である。これにより、スイッチング回路１６の第３スイッチング素子ＴｒＡ１はオンとなり、第４スイッチング素子ＴｒＡ２はオフとなる。
【０１０１】
ホバー検出期間Ｐｔ２において、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を同時に供給する第１ゲート線ＧＣＬＴ１の数を変更する。具体的には、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）及び第１ゲート線ＧＣＬＴ１（２）に高レベルの第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を供給する。第１ゲート線ＧＣＬＴ１（１）及び第１ゲート線ＧＣＬＴ１（２）に対応する第１スイッチング素子ＴｒＳ１がオンになり、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）、ＣＯＭＬＡ（２）が、それぞれ第１信号線５１に接続される。
【０１０２】
検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）に対して、第１信号線５１（１）及び第１信号線５１（２）を介して、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。同時に検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（２）に対して、第１信号線５１（３）及び第１信号線５１（４）を介して、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出信号Ｖｄｅｔは、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）、ＣＯＭＬＡ（２）から、第１信号線５１（１）から第１信号線５１（４）を介して、スイッチング回路１６に供給される。
【０１０３】
上述したように、スイッチング回路１６において、第１信号線５１（１）と第１信号線５１（２）とが配線Ｌ１（１）に接続され、第１信号線５１（３）と第１信号線５１（４）とが配線Ｌ１（３）に接続される。これにより、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）の検出信号Ｖｄｅｔは、配線Ｌ１（１）を介して検出部４０に供給され、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（２）の検出信号Ｖｄｅｔは、配線Ｌ１（３）を介して検出部４０に供給される。
【０１０４】
同じ期間において、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第２ゲート線ＧＣＬＴ２（３）及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２（４）に高レベルの第２走査信号Ｖｓｃａｎ２を供給する。第２ゲート線ＧＣＬＴ２（３）及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２（４）に対応する第２スイッチング素子ＴｒＳ２がオンになり、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）、ＣＯＭＬＡ（４）が第２信号線５２に接続される。
【０１０５】
検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）、ＣＯＭＬＡ（４）に対して、第２信号線５２（１）から第２信号線５２（４）を介して、それぞれガード信号Ｖｇｄを供給する。検出対象として選択されていない検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）、ＣＯＭＬＡ（４）の検出電極ＣＯＭＬは、検出対象として選択された検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）、ＣＯＭＬＡ（２）の検出電極ＣＯＭＬと同期して、同じ電位を有して駆動される。これにより、検出電極ＣＯＭＬの容量結合が抑制され、寄生容量が低減される。したがって、表示パネル１０のホバー検出における検出精度を高めることができる。
【０１０６】
同様に、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、次のホバー検出期間Ｐｔ２において、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（３）及び第１ゲート線ＧＣＬＴ１（４）に高レベルの第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を供給する。検出電極ドライバ１４は、第１ゲート線ＧＣＬＴ１（３）及び第１ゲート線ＧＣＬＴ１（４）に対応する検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）に対して、第１信号線５１（１）及び第１信号線５１（２）を介して、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。同時に検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（４）に対して、第１信号線５１（３）及び第１信号線５１（４）を介して、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。
【０１０７】
検出信号Ｖｄｅｔは、第１信号線５１（１）から第１信号線５１（４）を介して、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）、ＣＯＭＬＡ（４）から、それぞれスイッチング回路１６に供給される。検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（３）の検出信号Ｖｄｅｔは、配線Ｌ１（１）を介して検出部４０に供給され、検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（４）の検出信号Ｖｄｅｔは、配線Ｌ１（３）を介して検出部４０に供給される。このようにして、表示領域１０ａの各検出電極ブロックＣＯＭＬＡによりホバー検出を行うことで、非接触状態における被検出体の位置や、ジェスチャ等の動作を検出することができる。
【０１０８】
また、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第２ゲート線ＧＣＬＴ２（１）及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）に高レベルの第２走査信号Ｖｓｃａｎ２を供給する。検出電極ドライバ１４は、第２ゲート線ＧＣＬＴ２（１）及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２（２）に対応する検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）、ＣＯＭＬＡ（２）に対して、第２信号線５２（１）から第２信号線５２（４）を介して、それぞれガード信号Ｖｇｄを供給する。これにより、検出対象として選択されていない検出電極ブロックＣＯＭＬＡ（１）、ＣＯＭＬＡ（２）の検出電極ＣＯＭＬは、ガード電極として機能する。
【０１０９】
図９及び図１０に示すタイミング波形図はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、１つのタッチ検出期間Ｐｔ１において、複数行の検出電極ＣＯＭＬの検出を順次行ってもよい。すなわち、１つのタッチ検出期間Ｐｔ１において、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、複数本の第１ゲート線ＧＣＬＴ１に対して、順次第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を供給してもよい。また、１つのホバー検出期間Ｐｔ２において、複数行の検出電極ブロックＣＯＭＬＡの検出を順次行ってもよい。或いは、１つのホバー検出期間Ｐｔ２において、表示領域１０ａの全体の検出電極ＣＯＭＬを１つの検出電極ブロックＣＯＭＬＡとしてまとめて駆動し、ホバー検出を行ってもよい。
【０１１０】
次にタッチ検出とホバー検出との切り換え動作について説明する。図１１は、第１の実施形態に係る表示装置の一動作例を示すフローチャートである。図１２は、第１の実施形態に係る表示装置の他の動作例を示すフローチャートである。図１３は、検出信号としきい値の関係を模式的に示すグラフである。図１４は、タッチ検出及びホバー検出における表示装置と被検出体との関係を模式的に示す説明図である。
【０１１１】
図１３に示すように、検出部４０の信号処理部４４（図２参照）は、検出信号Ｖｄｅｔの差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を所定のしきい値ＣＬ１、ＣＬ２と比較する。これにより、信号処理部４４は、被検出体が表示面に対して接触状態であるか非接触状態であるか判断する。パネル駆動部１１は、信号処理部４４からの情報に基づいて、タッチ検出とホバー検出とを切り換える。
【０１１２】
図１１に示すように、パネル駆動部１１は、まずホバー検出を実行する（ステップＳＴ１）。具体的には、パネル駆動部１１は、高レベルのセンサ接続信号Ｖｓｓをスイッチング回路１６に供給する。これにより、表示装置１は、例えば、４つの検出電極ＣＯＭＬを含む検出電極ブロックＣＯＭＬＡごとに非接触状態の被検出体を検出する。
【０１１３】
信号処理部４４は、図１３に示すように絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ２）。絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１未満の場合（ステップＳＴ２、Ｎｏ）、信号処理部４４は、被検出体が非接触状態であると判断し、パネル駆動部１１は、ホバー検出を継続して行う。絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１以上の場合（ステップＳＴ２、Ｙｅｓ）、信号処理部４４は、被検出体が接触状態であると判断し、パネル駆動部１１は、タッチ検出を行う（ステップＳＴ３）。具体的には、パネル駆動部１１は、低レベルのセンサ接続信号Ｖｓｓをスイッチング回路１６に供給する。これにより、表示装置１は、例えば、１つの検出電極ＣＯＭＬごとに接触状態の被検出体を検出する。
【０１１４】
絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１以上の場合（ステップＳＴ２、Ｙｅｓ）、パネル駆動部１１は、タッチ検出を継続して実行し、絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１未満の場合（ステップＳＴ２、Ｎｏ）、タッチ検出からホバー検出（ＳＴ１）に切り換えて検出動作を行う。
【０１１５】
タッチ検出とホバー検出との切り換え動作は、図１１に示す例に限定されない。例えば、図１２に示すように、パネル駆動部１１は、まず第１ホバー検出を実行する（ステップＳＴ１１）。例えば、第１ホバー検出において、スイッチング回路１６は、１本の配線Ｌ１に対し全ての検出電極ＣＯＭＬを接続する。検出電極ドライバ１４は、表示領域１０ａの全ての検出電極ＣＯＭＬを含む検出電極ブロックＣＯＭＬＡに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出部４０は、全ての検出電極ＣＯＭＬを含む検出電極ブロックＣＯＭＬＡからの検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、非接触状態の被検出体を検出する。
【０１１６】
図１４に示すように、第１ホバー検出（ステップＳＴ１１）において、被検出体ＣＱは、表示装置１の表示面１ａに対して非接触状態である。被検出体ＣＱと表示面１ａとは距離Ｄ１離れて配置される。また、被検出体ＣＱと検出電極ＣＯＭＬ（図示しない）との間に容量Ｃ２ａが形成される。
【０１１７】
図１２に示すように、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ１２）。絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１未満の場合（ステップＳＴ１２、Ｎｏ）、信号処理部４４は、被検出体が表示面から離れた状態であると判断し、パネル駆動部１１は、第１ホバー検出を継続して行う。絶対値｜ΔＶ１｜が所定のしきい値ＣＬ１以上の場合（ステップＳＴ１２、Ｙｅｓ）、信号処理部４４は、被検出体が表示面に近づいた状態であると判断し、パネル駆動部１１は、第２ホバー検出を行う（ステップＳＴ１３）。パネル駆動部１１は、第２ホバー検出において、例えば、４つの検出電極ＣＯＭＬを含む検出電極ブロックＣＯＭＬＡごとに非接触状態の被検出体を検出する。
【０１１８】
図１４に示すように、第２ホバー検出（ステップＳＴ１３）において、被検出体ＣＱは、表示装置１の表示面１ａに対して非接触状態であるが、第１ホバー検出の場合よりも表示面１ａに対して近づいている。被検出体ＣＱと表示面１ａとは距離Ｄ２離れて配置される。距離Ｄ２は距離Ｄ１よりも小さい。また、被検出体ＣＱと検出電極ＣＯＭＬ（図示しない）との間に容量Ｃ２ｂが形成される。容量Ｃ２ｂは、容量Ｃ２ａよりも大きい値となる。
【０１１９】
信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ２｜が所定のしきい値ＣＬ２以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ１４）。絶対値｜ΔＶ２｜が所定のしきい値ＣＬ２未満の場合（ステップＳＴ１４、Ｎｏ）、信号処理部４４は、被検出体が非接触状態であると判断し、パネル駆動部１１は、第２ホバー検出又は第１ホバー検出を継続して行う。
【０１２０】
絶対値｜ΔＶ２｜が所定のしきい値ＣＬ２以上の場合（ステップＳＴ１４、Ｙｅｓ）、信号処理部４４は、被検出体が接触した状態であると判断し、パネル駆動部１１は、タッチ検出を行う（ステップＳＴ１５）。
【０１２１】
図１４に示すように、タッチ検出（ステップＳＴ１５）において、被検出体ＣＱは、表示装置１の表示面１ａに対して接触状態である。また、被検出体ＣＱと検出電極ＣＯＭＬ（図示しない）との間に形成される容量は、容量Ｃ２ａよりも大きい値となる。これにより、絶対値｜ΔＶ２｜は絶対値｜ΔＶ１｜よりも大きくなる。
【０１２２】
図１２に示す第１ホバー検出では、全ての検出電極ＣＯＭＬをまとめて駆動しているが、これに限定されない。パネル駆動部１１は、検出電極ブロックに含まれる検出電極ＣＯＭＬの数を異ならせて、第１ホバー検出と第２ホバー検出とを切り換えて行ってもよい。こうすれば、表示面と被検出体との距離に応じて、適切な検出精度でホバー検出を行うことが可能である。
【０１２３】
次に、検出電極ＣＯＭＬと各種配線との接続構成及び、画素電極２２と各種配線との接続構成について説明する。図１５は、第２の実施形態に係る検出電極及び画素電極の構成を説明するための平面図である。図１６は、第１の実施形態に係る検出電極と第１信号線との接続構成及び画素電極と表示用信号線との接続構成を説明するための副画素の平面図である。図１７は、第１の実施形態に係る検出電極と第２信号線との接続構成を説明するための副画素の平面図である。図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿う断面図である。図１９は、図１６のＸＩＸ−ＸＩＸ’線に沿う断面図である。図２０は、図１７のＸＸ−ＸＸ’線に沿う断面図である。
【０１２４】
図１５に示すように、１つの検出電極ＣＯＭＬに重なって複数の画素電極２２が設けられている。複数の画素電極２２に対応する位置にそれぞれ表示用スイッチング素子ＴｒＤが設けられている。表示用ゲート線ＧＣＬは行方向に沿って設けられ、列方向に複数本配列されている。表示用信号線ＳＧＬは、表示用ゲート線ＧＣＬと交差して設けられ、行方向に複数配列されている。表示用ゲート線ＧＣＬと表示用信号線ＳＧＬとの交差部に表示用スイッチング素子ＴｒＤが配置される。表示用ゲート線ＧＣＬと表示用信号線ＳＧＬとで囲まれた領域が副画素ＳＰｉｘである。副画素ＳＰｉｘは、画素電極２２と検出電極ＣＯＭＬとが重なる領域を含んで設けられる。
【０１２５】
複数の画素電極２２は、それぞれ表示用スイッチング素子ＴｒＤを介して表示用信号線ＳＧＬと接続される。なお、図１５では、１つの検出電極ＣＯＭＬに対して５列の画素電極２２が設けられているが、これに限られず、６列以上の画素電極２２が設けられてもよく、４列以下の画素電極２２が設けられていてもよい。
【０１２６】
検出用の第１ゲート線ＧＣＬＴ１は、表示用ゲート線ＧＣＬに沿って設けられる。検出用の第２ゲート線ＧＣＬＴ２は、検出用の第１ゲート線ＧＣＬＴ１と対向する表示用ゲート線ＧＣＬとは異なる表示用ゲート線ＧＣＬに沿って設けられる。第１信号線５１は、表示用信号線ＳＧＬに沿って設けられる。また、第２信号線５２は、第１信号線５１と重なる表示用信号線ＳＧＬとは異なる表示用信号線ＳＧＬに沿って設けられる。第１信号線５１及び第２信号線５２は、それぞれ平面視で表示用信号線ＳＧＬと重なって設けられる。
【０１２７】
第１ゲート線ＧＣＬＴ１と第１信号線５１との交差部に第１スイッチング素子ＴｒＳ１が配置される。また、第２ゲート線ＧＣＬＴ２と第２信号線５２との交差部に第２スイッチング素子ＴｒＳ２が配置される。検出電極ＣＯＭＬは、第１スイッチング素子ＴｒＳ１を介して第１信号線５１と接続され、第２スイッチング素子ＴｒＳ２を介して第２信号線５２と接続される。
【０１２８】
図１５及び図１６に示すように、画素電極２２は、複数の帯状電極２２ａと、連結部２２ｂとを有する。帯状電極２２ａは、表示用信号線ＳＧＬに沿って設けられ、表示用ゲート線ＧＣＬに沿った方向に複数配列されている。連結部２２ｂは帯状電極２２ａの端部同士を連結する。なお、画素電極２２は、５本の帯状電極２２ａを有しているが、これに限定されず、４本以下又は６本以上の帯状電極２２ａを有していてもよい。例えば、画素電極２２は、２本の帯状電極２２ａを有していてもよい。
【０１２９】
図１６及び図１８に示すように、表示用スイッチング素子ＴｒＤは、半導体層６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を含む。また、半導体層６１の下側に遮光層６５が設けられている。
【０１３０】
図１８に示すように、遮光層６５は第１基板２１の上に設けられている。絶縁層５８ａは、遮光層６５を覆って第１基板２１の上に設けられている。絶縁層５８ａの上には半導体層６１が設けられている。半導体層６１の上側に絶縁層５８ｂを介して、ゲート電極６４（表示用ゲート線ＧＣＬ）が設けられている。ゲート電極６４（表示用ゲート線ＧＣＬ）の上側に絶縁層５８ｃを介してドレイン電極６３及びソース電極６２（表示用信号線ＳＧＬ）が設けられる。ドレイン電極６３及びソース電極６２（表示用信号線ＳＧＬ）の上側に絶縁層５８ｄを介して第１信号線５１が設けられる。第１信号線５１の上側に絶縁層５８ｅを介して、検出電極ＣＯＭＬが設けられる。上述のように検出電極ＣＯＭＬの上側に絶縁層２４を介して画素電極２２が設けられる。画素電極２２の上には配向膜３４が設けられる。また、配向膜３３は、液晶層６を挟んで配向膜３４と対向する。
【０１３１】
図１６及び図１８に示すように、画素電極２２は、コンタクトホールＨ１を介して表示用スイッチング素子ＴｒＤのドレイン電極６３と接続されている。半導体層６１は、コンタクトホールＨ２を介してドレイン電極６３に接続される。半導体層６１は、平面視でゲート電極６４と交差する。ゲート電極６４は表示用ゲート線ＧＣＬに接続され、表示用ゲート線ＧＣＬの一辺から突出して設けられている。言い換えると、表示用ゲート線ＧＣＬの一部が、ゲート電極６４としての機能を有する。半導体層６１は、ソース電極６２と重畳する位置まで延びて、コンタクトホールＨ３を介してソース電極６２と電気的に接続される。ソース電極６２は、表示用信号線ＳＧＬに接続され、表示用信号線ＳＧＬの一辺から突出している。言い換えると、表示用信号線ＳＧＬの一部が、ソース電極６２としての機能を有する。なお、図１８に示すように、第１信号線５１は、表示用信号線ＳＧＬ及び表示用ゲート線ＧＣＬと異なる層に設けられ、表示用スイッチング素子ＴｒＤと電気的に接続されていない。
【０１３２】
半導体層６１の材料としては、ポリシリコンや酸化物半導体などの公知の材料を用いることができる。例えばＴＡＯＳ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、透明アモルファス酸化物半導体）を用いることで、映像表示用の電圧を長時間保持する能力（保持率）が良く、表示品位を向上させることができる。
【０１３３】
半導体層６１において、ゲート電極６４と重畳する部分にチャネル部が設けられている。遮光層６５は、チャネル部と重なる位置に設けられ、チャネル部よりも大きい面積を有していることが好ましい。遮光層６５を設けているので、例えばバックライトから半導体層６１に入射する光が遮光される。
【０１３４】
図１６及び図１９に示すように、第１スイッチング素子ＴｒＳ１は、半導体層７１、ソース電極７２、ドレイン電極７３及びゲート電極７４を含む。また、半導体層７１の下側に遮光層７５が設けられている。
【０１３５】
半導体層７１、ソース電極７２、ドレイン電極７３及びゲート電極７４の積層構造は、図１８に示した表示用スイッチング素子ＴｒＤと同様である。図１９に示すように、ソース電極７２及びドレイン電極７３は、表示用信号線ＳＧＬと同層に設けられる。また、第１基板２１の表面と垂直な方向において、第１信号線５１は、検出電極ＣＯＭＬと、ソース電極７２、ドレイン電極７３及び表示用信号線ＳＧＬとの間に設けられる。また、第１ゲート線ＧＣＬＴ１は、表示用ゲート線ＧＣＬと同層に設けられる。
【０１３６】
図１６及び図１９に示すように、検出電極ＣＯＭＬは、コンタクトホールＨ４を介して第１スイッチング素子ＴｒＳ１のドレイン電極７３と接続される。半導体層７１は、コンタクトホールＨ５を介してドレイン電極７３に接続される。半導体層７１は、平面視でゲート電極７４と交差する。ゲート電極７４は第１ゲート線ＧＣＬＴ１に接続され、第１ゲート線ＧＣＬＴ１の一辺から突出して設けられている。言い換えると、第１ゲート線ＧＣＬＴ１の一部が、ゲート電極７４としての機能を有する。
【０１３７】
半導体層７１は、ソース電極７２と重畳する位置まで延びて、コンタクトホールＨ６を介してソース電極７２と電気的に接続される。ソース電極７２は、コンタクトホールＨ７を介して、第１信号線５１の接続部５１ａに接続される。接続部５１ａは、第１信号線５１の一辺から突出して、表示用信号線ＳＧＬと重ならない位置に設けられている。なお、図１９に示すように、表示用信号線ＳＧＬは、第１スイッチング素子ＴｒＳ１と電気的に接続されていない。
【０１３８】
図１７及び図２０に示すように、第２スイッチング素子ＴｒＳ２は、半導体層８１、ソース電極８２、ドレイン電極８３及びゲート電極８４を含む。また、半導体層８１の下側に遮光層８５が設けられている。第２スイッチング素子ＴｒＳ２は、第１スイッチング素子ＴｒＳ１が設けられた副画素ＳＰｉｘとは異なる位置の副画素ＳＰｉｘに対応して設けられる。
【０１３９】
半導体層８１、ソース電極８２、ドレイン電極８３及びゲート電極８４の積層構造は、図１９に示した第１スイッチング素子ＴｒＳ１と同様である。すなわち、図２０に示すように、ソース電極８２及びドレイン電極８３は、表示用信号線ＳＧＬと同層に設けられる。また、第１基板２１の表面と垂直な方向において、第２信号線５２は、検出電極ＣＯＭＬと、ソース電極８２、ドレイン電極８３及び表示用信号線ＳＧＬとの間に設けられる。つまり、第２信号線５２は、図１８及び図１９に示す第１信号線５１と同層に設けられる。また、第２ゲート線ＧＣＬＴ２は、第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び表示用ゲート線ＧＣＬと同層に設けられる。
【０１４０】
このような構成により、表示装置１の積層数の増加を抑制して、各種配線を形成することができる。また、第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２は表示用ゲート線ＧＣＬと同じ工程で形成でき、第１信号線５１は第２信号線５２と同じ工程で形成できる。これにより、製造コストを抑制できる。
【０１４１】
図１７及び図２０に示すように、検出電極ＣＯＭＬは、コンタクトホールＨ８を介して第２スイッチング素子ＴｒＳ２のドレイン電極８３と接続される。半導体層８１は、コンタクトホールＨ９を介してドレイン電極８３に接続される。半導体層８１は、平面視でゲート電極８４と交差する。ゲート電極８４は第２ゲート線ＧＣＬＴ２に接続され、第２ゲート線ＧＣＬＴ２の一辺から突出して設けられている。言い換えると、第２ゲート線ＧＣＬＴ２の一部が、ゲート電極８４としての機能を有する。
【０１４２】
半導体層８１は、ソース電極８２と重畳する位置まで延びて、コンタクトホールＨ１０を介してソース電極８２と電気的に接続される。ソース電極８２は、コンタクトホールＨ１１を介して、第２信号線５２の接続部５２ａに接続される。接続部５２ａは、第２信号線５２の一辺から突出して、表示用信号線ＳＧＬと重ならない位置に設けられている。なお、図２０に示すように、表示用信号線ＳＧＬは、第２スイッチング素子ＴｒＳ２と電気的に接続されていない。
【０１４３】
以上のような構成により、画素電極２２と表示用スイッチング素子ＴｒＤ、検出電極ＣＯＭＬと第１スイッチング素子ＴｒＳ１、検出電極ＣＯＭＬと第２スイッチング素子ＴｒＳ２が接続される。なお、図１８から図２０に示す構成は、あくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、表示用スイッチング素子ＴｒＤと、第１スイッチング素子ＴｒＳ１と、第２スイッチング素子ＴｒＳ２とは、互いに異なる層に設けられていてもよい。
【０１４４】
以上説明したように、本実施形態の表示装置１は、第１基板２１と、第１基板２１の表示領域１０ａに設けられた複数の検出電極ＣＯＭＬと、検出電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する検出電極ドライバ１４（駆動回路）と、駆動信号Ｖｃｏｍが供給された場合における検出電極ＣＯＭＬの容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔを、検出電極ＣＯＭＬから受け取る検出部４０と、前記検出部４０と配線Ｌ１を介して接続され、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、１本の配線Ｌ１に対して接続される検出電極ＣＯＭＬの数を変更するスイッチング回路１６と、を有する。
【０１４５】
これによれば、タッチ検出の際に、検出電極ドライバ１４は検出電極ＣＯＭＬのそれぞれに駆動信号Ｖｃｏｍを供給して、検出部４０は、各検出電極ＣＯＭＬの検出信号Ｖｄｅｔに基づいてタッチ入力を検出する。これにより、検出電極ＣＯＭＬの配列ピッチに応じた検出精度でタッチ検出を実行できる。一方、ホバー検出において、検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡに含まれる複数の検出電極ＣＯＭＬに同時にまとめて駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出部４０は、１つの検出電極ブロックＣＯＭＬＡからまとめて出力された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、ホバー検出を行うことができる。これにより、検出電極ブロックＣＯＭＬＡから発生する電界の電気力線が、表示面からより離れた位置まで到達する。したがって、表示装置１は、ホバー検出における検出感度を高めることができ、非接触状態における被検出体を良好に検出することができる。
【０１４６】
これにより、表示装置１は、タッチ検出とホバー検出とで検出電極ＣＯＭＬを共用しつつ、精度よくタッチ検出を行うとともに、良好にホバー検出を行うことができる。
【０１４７】
（第２の実施形態）
図２１は、第２の実施形態に係る検出電極の接続構成を説明するための回路図である。図２２は、第２の実施形態に係る第２スイッチング回路の回路図である。図２３は、第２の実施形態に係る表示装置の、タッチ検出の一動作例を示すタイミング波形図である。なお、上述した実施形態と同じ部材については、同じ符号を付して説明を省略する場合がある。
【０１４８】
図２１に示すように、本実施形態の表示装置１Ａにおいて、第１信号線５１（１）、５１（２）、５１（３）、５１（４）（図８参照）に換えて表示用信号線ＳＧＬ（１）、ＳＧＬ（２）、ＳＧＬ（３）、ＳＧＬ（４）が設けられている。なお以下の説明において、表示用信号線ＳＧＬ（１）、ＳＧＬ（２）、ＳＧＬ（３）、ＳＧＬ（４）を区別して説明する必要がない場合には、表示用信号線ＳＧＬと表す。
【０１４９】
さらに、表示装置１Ａは、第１スイッチング回路１６Ａに加え、第２スイッチング回路１６Ｂを有する。第１スイッチング回路１６Ａは、各検出電極ＣＯＭＬと検出部との間に設けられる。第２スイッチング回路１６Ｂは、各検出電極ＣＯＭＬとパネル駆動部１１との間に設けられる。第１スイッチング回路１６Ａは、配線ＬＣを介して第２スイッチング回路１６Ｂと接続される。
【０１５０】
表示用信号線ＳＧＬは、列方向に沿って設けられ、行方向に複数配列される。１本の表示用信号線ＳＧＬは、列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬと、それぞれ第１スイッチング素子ＴｒＳ１を介して接続される。また、１本の第２信号線５２は、列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬと、それぞれ第２スイッチング素子ＴｒＳ２を介して接続される。表示用信号線ＳＧＬは、それぞれ第２スイッチング回路１６Ｂに接続される。第２信号線５２は、それぞれパネル駆動部１１に接続される。
【０１５１】
なお、上述したように、表示用信号線ＳＧＬは、行方向に配列された副画素ＳＰｉｘに対応して複数設けられている。本実施形態では、副画素ＳＰｉｘに対応して設けられた表示用信号線ＳＧＬのうち、１つの検出電極ＣＯＭＬと重なる１本の表示用信号線ＳＧＬが検出用の配線として共用される。
【０１５２】
第１スイッチング回路１６Ａは、第１の実施形態と同様の構成であり、第１センサ接続信号Ｖｓｓ１に基づいて、第２スイッチング回路１６Ｂに接続された配線ＬＣの接続状態を切り換える。これにより、タッチ検出とホバー検出とで、１本の配線Ｌ１に接続される検出電極ＣＯＭＬの数を変更することができる。第２スイッチング回路１６Ｂは、表示用信号線ＳＧＬとパネル駆動部１１との接続と、表示用信号線ＳＧＬと検出部４０との接続と、を切り換える回路である。パネル駆動部１１のレベルシフタ１４ａは第２センサ接続信号Ｖｓｓ２を第２スイッチング回路１６Ｂに供給する。第２スイッチング回路１６Ｂは、第２センサ接続信号Ｖｓｓ２に基づいて、表示用信号線ＳＧＬの接続状態を切り換える。
【０１５３】
第１スイッチング回路１６Ａ及び第２スイッチング回路１６Ｂの一部、又は全部は、第１基板２１の額縁領域１０ｂに設けられている。第１スイッチング回路１６Ａ及び第２スイッチング回路１６Ｂの一部、又は全部は、表示パネル１０のパネル駆動部１１に搭載されていてもよく、或いは外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。
【０１５４】
図２２に示すように、第２スイッチング回路１６Ｂは、第５スイッチング素子ＴｒＢ１、第６スイッチング素子ＴｒＢ２及びインバータ５０Ａを含む。第５スイッチング素子ＴｒＢ１及び第６スイッチング素子ＴｒＢ２は、例えば、ｎチャネルのＭＯＳ型のＴＦＴで構成されている。
【０１５５】
第５スイッチング素子ＴｒＢ１は、表示用信号線ＳＧＬとパネル駆動部１１との間の接続と遮断とを切り換える素子である。第５スイッチング素子ＴｒＢ１は、各表示用信号線ＳＧＬに対応して設けられる。
【０１５６】
第６スイッチング素子ＴｒＢ２は、表示用信号線ＳＧＬから分岐して接続された配線ＬＣと第１スイッチング回路１６Ａとの接続と遮断を切り換える素子である。第６スイッチング素子ＴｒＢ２は、各表示用信号線ＳＧＬに接続された配線ＬＣにそれぞれ対応して設けられる。
【０１５７】
第２センサ接続信号Ｖｓｓ２は、配線ＬＡを介してパネル駆動部１１のレベルシフタ１４ａから第６スイッチング素子ＴｒＢ２に供給される。同時に、第２センサ接続信号Ｖｓｓ２は、配線ＬＡに接続されたインバータ５０Ａ及び配線ＬＢを介して第５スイッチング素子ＴｒＢ１に供給される。配線ＬＡ、配線ＬＢ及び配線ＬＣは、それぞれ表示用信号線ＳＧＬに対応して設けられる。インバータ５０Ａは、第２センサ接続信号Ｖｓｓ２の極性を反転させた信号を出力する反転回路である。つまり、インバータ５０Ａは、高レベルの第２センサ接続信号Ｖｓｓ２が入力された場合、低レベルの電圧信号を出力し、低レベルの第２センサ接続信号Ｖｓｓ２が入力された場合、高レベルの電圧信号を出力する。
【０１５８】
これにより、第５スイッチング素子ＴｒＢ１と第６スイッチング素子ＴｒＢ２とは、互いに反転された動作を行う。つまり、第５スイッチング素子ＴｒＢ１がオンの場合、第６スイッチング素子ＴｒＢ２はオフとなり、第５スイッチング素子ＴｒＢ１がオフの場合、第６スイッチング素子ＴｒＢ２はオンとなる。
【０１５９】
図２３に示すように、表示期間Ｐｄとタッチ検出期間Ｐｔ１において、レベルシフタ１４ａは、低レベル（Ｌｏｗ）の第１センサ接続信号Ｖｓｓ１を第１スイッチング回路１６Ａに供給する。これにより、各配線ＬＣの間が遮断され、１本の配線Ｌ１に対し、配線ＬＣを介して１本の表示信号線ＳＧＬが接続される。
【０１６０】
表示期間Ｐｄとタッチ検出期間Ｐｔ１において、レベルシフタ１４ａは、第２センサ接続信号Ｖｓｓ２を第２スイッチング回路１６Ｂに供給する。第２センサ接続信号Ｖｓｓ２は、クロック信号ＣＬＫに同期して電圧レベルが変位する電圧信号である。第２センサ接続信号Ｖｓｓ２は、表示期間Ｐｄに低レベルとなり、タッチ検出期間Ｐｔ１に高レベルとなる。
【０１６１】
表示期間Ｐｄにおいて、第２センサ接続信号Ｖｓｓ２が低レベルであるため、図２２に示す第５スイッチング素子ＴｒＢ１がオンとなり、第６スイッチング素子ＴｒＢ２がオフとなる。各表示用信号線ＳＧＬと第１スイッチング回路１６Ａとの間が遮断され、各表示用信号線ＳＧＬはパネル駆動部１１と接続される。表示期間Ｐｄにおいて、第１走査信号Ｖｓｃａｎ１は低レベルであり、第１スイッチング素子ＴｒＳ１はオフとなるので、表示用信号線ＳＧＬは検出電極ＣＯＭＬに接続されない。
【０１６２】
表示期間Ｐｄにおいて、パネル駆動部１１のソースドライバ１３（図１参照）は、表示用信号線ＳＧＬを介して画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給する。これにより、表示装置１Ａの表示が行われる。なお、表示期間Ｐｄにおいて、検出電極ドライバ１４は、第１の実施形態と同様に、第２信号線５２を介して検出電極ＣＯＭＬに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。
【０１６３】
タッチ検出期間Ｐｔ１において、第２センサ接続信号Ｖｓｓ２が高レベルであるため、図２２に示す第５スイッチング素子ＴｒＢ１がオフとなり、第６スイッチング素子ＴｒＢ２がオンとなる。各表示用信号線ＳＧＬとパネル駆動部１１との間が遮断され、各表示用信号線ＳＧＬは、配線ＬＣを介して第１スイッチング回路１６Ａに接続される。タッチ検出期間Ｐｔ１において、パネル駆動部１１の検出電極ドライバ１４（図１参照）は、第１スイッチング回路１６Ａ、配線ＬＣを介して、表示用信号線ＳＧＬに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。
【０１６４】
検出用ゲートドライバ１２Ｂは、第１の実施形態と同様に、第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２を順次選択する。つまり、検出用ゲートドライバ１２Ｂは、タッチ検出期間Ｐｔ１において、高レベルの第１走査信号Ｖｓｃａｎ１を第１ゲート線ＧＣＬＴ１に供給する。これにより、第１スイッチング素子ＴｒＳ１はオンとなるので、表示用信号線ＳＧＬは検出電極ＣＯＭＬに接続される。検出電極ドライバ１４は、選択された第１ゲート線ＧＣＬＴ１に対応する検出電極ＣＯＭＬに、表示用信号線ＳＧＬを介して駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。各検出電極ＣＯＭＬの容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔは、表示用信号線ＳＧＬ、第１スイッチング回路１６Ａを介して検出部４０に供給される。
【０１６５】
以上のように、本実施形態の表示装置１Ａにおいて、表示とタッチ検出とで表示用信号線ＳＧＬを共用することができる。なお、ホバー検出の際においても、表示とタッチ検出とで表示用信号線ＳＧＬを共用することができる。すなわち、ホバー検出期間Ｐｔ２において、検出電極ドライバ１４は、同じ表示用信号線ＳＧＬを介して、検出電極ブロックＣＯＭＬＡに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。
【０１６６】
次に、本実施形態における検出電極ＣＯＭＬと、各種配線との接続構成を説明する。図２４は、第２の実施形態に係る検出電極及び画素電極の構成を説明するための平面図である。図２５は、第２の実施形態に係る副画素の構成を説明するための平面図である。図２６は、図２５のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ’線に沿う断面図である。
【０１６７】
図２５に示すように、本実施形態は、図１５に示した構成と比べて第１信号線５１が設けられていない点が異なる。すなわち、画素電極２２、表示用スイッチング素子ＴｒＤ、表示用ゲート線ＧＣＬ及び表示用信号線ＳＧＬの接続構成は、図１６及び図１８と同様である。また、検出電極ＣＯＭＬと第２スイッチング素子ＴｒＳ２、第２ゲート線ＧＣＬＴ２及び第２信号線５２の接続構成は、図１７及び図１９と同様である。
【０１６８】
本実施形態において、図２４及び図２５に示すように、検出電極ＣＯＭＬは、第１スイッチング素子ＴｒＳ１を介して、表示用信号線ＳＧＬに接続される。図２４に示すように、１つの検出電極ＣＯＭＬに重なる複数本の表示用信号線ＳＧＬのうち、１本の表示用信号線ＳＧＬが第１スイッチング素子ＴｒＳ１に接続される。言い換えると、表示用と検出用とに共用される１本の表示用信号線ＳＧＬには、表示用スイッチング素子ＴｒＤと第１スイッチング素子ＴｒＳ１とが接続される。
【０１６９】
図２５及び図２６に示すように、半導体層７１、ソース電極７２、ドレイン電極７３及びゲート電極７４の積層構造は、図１９に示した第１スイッチング素子ＴｒＳ１と同様である。
【０１７０】
すなわち図２５及び図２６に示すように、検出電極ＣＯＭＬは、コンタクトホールＨ４を介して第１スイッチング素子ＴｒＳ１のドレイン電極７３と接続される。半導体層７１は、コンタクトホールＨ５を介してドレイン電極７３に接続される。半導体層７１は、平面視でゲート電極７４と交差する。ゲート電極７４は第１ゲート線ＧＣＬＴ１に接続され、第１ゲート線ＧＣＬＴ１の一辺から突出して設けられている。言い換えると、第１ゲート線ＧＣＬＴ１の一部が、ゲート電極７４としての機能を有する。
【０１７１】
半導体層７１は、ソース電極７２と重畳する位置まで延びて、コンタクトホールＨ６を介してソース電極７２と電気的に接続される。図２５に示すように、ソース電極７２は表示用信号線ＳＧＬに接続され、表示用信号線ＳＧＬの一辺から突出する。本実施形態において、表示用信号線ＳＧＬの一部が、ソース電極７２としての機能を有する。図２６に示すように、第１基板２１に垂直な方向において、表示用信号線ＳＧＬと検出電極ＣＯＭＬとの間に第１信号線５１が設けられていない。
【０１７２】
以上のように本実施形態では、表示と検出（タッチ検出及びホバー検出）とで、同じ表示用信号線ＳＧＬが信号線として共用される。このため、図２６に示すように、表示用信号線ＳＧＬと検出電極ＣＯＭＬとの間隔が、第１の実施形態における第１信号線５１と検出電極ＣＯＭＬとの間隔（図１９参照）よりも大きくなる。したがって、タッチ検出及びホバー検出において、表示用信号線ＳＧＬと検出電極ＣＯＭＬとの容量結合が抑制される。よって、検出電極ＣＯＭＬの寄生容量を低減することができ、タッチ検出及びホバー検出における検出精度を向上させることができる。
【０１７３】
（第３の実施形態）
図２７は、第３の実施形態に係る第１基板を模式的に示す平面図である。図２８は、第３の実施形態に係る検出電極の接続構成を説明するための回路図である。図２７に示すように、本実施形態の表示装置１Ｂにおいて、額縁領域１０ｂの長辺側には、シフトレジスタ１２Ａａが設けられ、額縁領域１０ｂの短辺側にシフトレジスタ１２Ｂａが設けられている。上述したように、シフトレジスタ１２Ａａは、表示用ゲート線ＧＣＬを選択する回路である。また、シフトレジスタ１２Ｂａは、検出用の第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２を選択する回路である。
【０１７４】
図２８に示すように、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａ及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは、それぞれ、列方向に沿って設けられ、行方向に複数配列されている。第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａは、列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬに重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第１スイッチング素子ＴｒＳ１Ａと接続される。１本の第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは、列方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬに重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第２スイッチング素子ＴｒＳ２Ａと接続される。１つの検出電極ＣＯＭＬに対し、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａ及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａが設けられる。第１ゲート線ＧＣＬＴ１及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２は、それぞれ検出用ゲートドライバ１２Ｂに接続される。
【０１７５】
本実施形態において、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａ及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは、平面視において、表示用ゲート線ＧＣＬと交差する方向に沿って配置される。
【０１７６】
第１信号線５１Ａ及び第２信号線５２Ａは、行方向に沿って設けられ、列方向に複数配置される。第１信号線５１Ａ及び第２信号線５２Ａは、平面視において表示用ゲート線ＧＣＬと沿って設けられ、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａ及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａと交差して設けられる。
【０１７７】
１本の第１信号線５１Ａは、行方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬと重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第１スイッチング素子ＴｒＳ１Ａに接続される。また、１本の第２信号線５２Ａは、行方向に配列された複数の検出電極ＣＯＭＬと重なって設けられ、各検出電極ＣＯＭＬに対応する第２スイッチング素子ＴｒＳ２Ａに接続される。１つの検出電極ＣＯＭＬに対し、第１信号線５１Ａ及び第２信号線５２Ａが設けられる。第１信号線５１Ａは、それぞれスイッチング回路１６に接続される。第２信号線５２Ａは、それぞれパネル駆動部１１に接続される。
【０１７８】
スイッチング回路１６は、第１の実施形態と同様の構成である。スイッチング回路１６は、センサ接続信号Ｖｓｓに基づいて、タッチ検出とホバー検出とで、１本の配線Ｌ１に接続される第１信号線５１Ａの数を変更する。すなわち、タッチ検出において、検出電極ドライバ１４は、個別の検出電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出電極ＣＯＭＬの検出信号Ｖｄｅｔは、スイッチング回路１６を介して検出部４０に供給される。
【０１７９】
ホバー検出において、検出電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＣＯＭＬＡに含まれる複数の検出電極ＣＯＭＬをまとめて駆動する。検出電極ドライバ１４は、第１信号線５１Ａを介して検出電極ブロックＣＯＭＬＡに対して駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。１つの検出電極ブロックＣＯＭＬＡの検出信号Ｖｄｅｔは、第１信号線５１Ａ、スイッチング回路１６及び１本の配線Ｌ１を介して検出部４０に供給される。本実施形態において、表示、タッチ検出及びホバー検出は、図９及び図１０に示した動作例と同様に行われるので、詳細な説明は省略する。
【０１８０】
次に、検出電極ＣＯＭＬと各種配線との接続構成及び、画素電極２２と各種配線との接続構成について説明する。図２９は、第３の実施形態に係る検出電極及び画素電極の構成を説明するための平面図である。図３０は、第３の実施形態に係る副画素の構成を説明するための平面図である。図３１は、第３の実施形態に係る他の副画素の構成を説明するための平面図である。図３２は、図３０のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ’線に沿う断面図である。図３３は、図３１のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ’線に沿う断面図である。図３４は、図３１のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ’線に沿う断面図である。
【０１８１】
図２９に示すように、表示用ゲート線ＧＣＬは行方向に沿って設けられ、列方向に複数本配列されている。表示用信号線ＳＧＬは、表示用ゲート線ＧＣＬと交差して設けられ、行方向に複数配列されている。表示用ゲート線ＧＣＬと表示用信号線ＳＧＬとの交差部に表示用スイッチング素子ＴｒＤが配置される。
【０１８２】
検出用の第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａは、表示用信号線ＳＧＬに沿って設けられる。検出用の第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは、検出用の第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａと対向する表示用信号線ＳＧＬとは異なる表示用信号線ＳＧＬに沿って設けられる。第１信号線５１Ａは、表示用ゲート線ＧＣＬに沿って設けられる。また、第２信号線５２Ａは、第１信号線５１Ａと重なる表示用ゲート線ＧＣＬとは異なる表示用ゲート線ＧＣＬに沿って設けられる。第１信号線５１Ａ及び第２信号線５２Ａは、それぞれ平面視で表示用ゲート線ＧＣＬと重なって設けられる。
【０１８３】
第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａと第１信号線５１Ａとの交差部に第１スイッチング素子ＴｒＳ１Ａが配置される。また、第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａと第２信号線５２Ａとの交差部に第２スイッチング素子ＴｒＳ２Ａが配置される。検出電極ＣＯＭＬは、第１スイッチング素子ＴｒＳ１Ａを介して第１信号線５１Ａと接続され、第２スイッチング素子ＴｒＳ２Ａを介して第２信号線５２Ａと接続される。
【０１８４】
図２９及び図３０に示すように、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａは、平面視で、それぞれ表示用信号線ＳＧＬに重なる位置に配置される。第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａは、対向する表示用ゲート線ＧＣＬの間に設けられる。第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａの端部は、表示用ゲート線ＧＣＬの辺に対して、間隔を有して対向する。
【０１８５】
第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａの一方の端部には、第１接続部５６Ａが設けられ、他方の端部には、第２接続部５７Ａが設けられる。第１接続部５６Ａ及び第２接続部５７Ａは、表示用信号線ＳＧＬと重ならない位置まで突出する。ブリッジ部５５Ａは、表示用信号線ＳＧＬと重ならない位置において、表示用信号線ＳＧＬと沿って設けられる。ブリッジ部５５Ａは、平面視で表示用ゲート線ＧＣＬと交差して、第１接続部５６Ａと第２接続部５７Ａとを接続する。このような構成により、複数の第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａは、表示用ゲート線ＧＣＬと交差する方向において電気的に接続される。
【０１８６】
図２９及び図３１に示すように、第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは、平面視で、それぞれ表示用信号線ＳＧＬに重なる位置に配置される。第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは、対向する表示用ゲート線ＧＣＬの間に設けられる。第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａの端部は、表示用ゲート線ＧＣＬの辺に対して、間隔を有して対向する。
【０１８７】
第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａの一方の端部には、第１接続部５６Ｂが設けられ、他方の端部には、第２接続部５７Ｂが設けられる。第１接続部５６Ｂ及び第２接続部５７Ｂは、表示用信号線ＳＧＬと重ならない位置まで突出する。ブリッジ部５５Ｂは、表示用信号線ＳＧＬと重ならない位置において、表示用信号線ＳＧＬと沿って設けられる。ブリッジ部５５Ｂは、平面視で表示用ゲート線ＧＣＬと交差して、第１接続部５６Ｂと第２接続部５７Ｂとを接続する。このような構成により、複数の第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは、表示用ゲート線ＧＣＬと交差する方向において電気的に接続される。
【０１８８】
図３２に示すように、表示用スイッチング素子ＴｒＤの接続構成は、第１の実施形態と同様である。図３２に示すように、第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは表示用ゲート線ＧＣＬと同層に設けられている。第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａは絶縁層５８ｃを介して表示用信号線ＳＧＬの下側に配置される。第２接続部５７Ｂは、第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａと接続され、第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａと同層に設けられる。なお、図示しない第１接続部５６Ｂも、第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａと同層に設けられる。ブリッジ部５５Ｂは、表示用信号線ＳＧＬと同層に設けられ、絶縁層５８ｃを介して第２接続部５７Ｂの上側に設けられる。ブリッジ部５５Ｂは、コンタクトホールＨ８ｂを介して第２接続部５７Ｂと接続される。
【０１８９】
図３０及び図３３に示すように、検出電極ＣＯＭＬは、コンタクトホールＨ４ａを介して第１スイッチング素子ＴｒＳ１Ａのドレイン電極７３と接続される。半導体層７１は、コンタクトホールＨ５ａを介してドレイン電極７３に接続される。半導体層７１は、平面視でゲート電極７４と交差する。ゲート電極７４は第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａに接続され、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａの一辺から突出して設けられている。言い換えると、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａの一部が、ゲート電極７４としての機能を有する。
【０１９０】
半導体層７１は、ソース電極７２と重畳する位置まで延びて、コンタクトホールＨ６ａを介してソース電極７２と電気的に接続される。ソース電極７２は、第１信号線５１Ａの一辺から突出して設けられる。言い換えると、第１信号線５１Ａの一部がソース電極７２としての機能を有する。図３３に示すように、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａは表示用ゲート線ＧＣＬと同層に設けられている。
【０１９１】
図３０及び図３４に示すように、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａに接続された第１接続部５６Ａ及び第２接続部５７Ａは、表示用ゲート線ＧＣＬと同層に設けられている。表示用ゲート線ＧＣＬの一方に第１接続部５６Ａが配置され、他方に第２接続部５７Ａが配置される。ブリッジ部５５Ａは、絶縁層５８ｃを介して、表示用ゲート線ＧＣＬ、第１接続部５６Ａ及び第２接続部５７Ａの上側に配置される。ブリッジ部５５Ａの一端側はコンタクトホールＨ７ａを介して第１接続部５６Ａと接続される。ブリッジ部５５Ａの他端側はコンタクトホールＨ８ａを介して第２接続部５７Ａと接続される。このような接続構成により、表示用ゲート線ＧＣＬの一方に設けられた第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａと、他方に設けられた第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａとが、ブリッジ部５５Ａを介して電気的に接続される。
【０１９２】
なお、図示は省略するが、第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａも、図３４と同様の構成により、第１接続部５６Ｂ、ブリッジ部５５Ｂ及び第２接続部５７Ｂを介して電気的に接続される。
【０１９３】
以上説明したように、本実施形態の表示装置１Ｂは、第１ゲート線ＧＣＬＴ１Ａ及び第２ゲート線ＧＣＬＴ２Ａが、表示用ゲート線ＧＣＬと交差する方向に沿って設けられる。これにより、検出用ゲートドライバ１２Ｂを表示用ゲートドライバ１２Ａと異なる位置に設けることができる。具体的には、例えば、図２７に示すように、表示用ゲートドライバ１２Ａに含まれるシフトレジスタ１２Ａａ等の回路が、額縁領域１０ｂの長辺に設けられ、検出用ゲートドライバ１２Ｂに含まれるシフトレジスタ１２Ｂａ等の回路が額縁領域１０ｂの短辺に設けられる。したがって、本実施形態の表示装置１Ｂは、表示用ゲートドライバ１２Ａと検出用ゲートドライバ１２Ｂとを額縁領域１０ｂの同じ辺に設けた構成に比べて、狭額縁化に有利である。
【０１９４】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０１９５】
例えば、画素電極２２、検出電極ＣＯＭＬ等の形状、配置、個数等は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。また、自己静電容量方式によるタッチ検出を説明したが、相互静電容量方式によるタッチ検出を行う構成を採用することもできる。例えば、第２基板３１に検出電極を設けて、検出電極ＣＯＭＬを駆動電極として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１９６】
１、１Ａ、１Ｂ  表示装置
６  液晶層
１０  表示パネル
１１  パネル駆動部
１２Ａ  表示用ゲートドライバ
１２Ｂ  検出用ゲートドライバ
１４  検出電極ドライバ
１６  スイッチング回路
２０  表示部
２１  第１基板
２２  画素電極
３０  タッチセンサ
３１  第２基板
４０  検出部
５１、５１Ａ  第１信号線
５２、５２Ａ  第２信号線
５５Ａ、５５Ｂ  ブリッジ部
ＣＯＭＬ  検出電極
ＣＯＭＬＡ  検出電極ブロック
Ｌ１  配線
Ｖｃｏｍ、Ｖｃｏｍｄｃ  駆動信号
Ｖｄｅｔ  検出信号
ＳＧＬ  表示用信号線
ＧＣＬ  表示用ゲート線
ＧＣＬＴ１、ＧＣＬＴ１Ａ  第１ゲート線
ＧＣＬＴ２、ＧＣＬＴ２Ａ  第２ゲート線
ＴｒＤ  表示用スイッチング素子
ＴｒＳ１  第１スイッチング素子
ＴｒＳ２  第２スイッチング素子
ＴｒＡ１  第３スイッチング素子
ＴｒＡ２  第４スイッチング素子
ＴｒＢ１  第５スイッチング素子
ＴｒＢ２  第６スイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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