(57)【要約】【課題】電気特性が向上した半導体装置を提供する。電界効果移動度が高められた半導体装置を提供する。高温においても電界効果移動度が低下しない半導体装置を提供する。低温で形成可能な半導体装置を提供する。または、量産性が向上した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内において、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在する。例えば室温（２５℃）以上１２０℃以下の範囲において、このようなゲート電圧の範囲が存在する。また、半導体装置は、上述した温度範囲内において、オフ電流が極めて低い状態（測定装置の検出下限以下）を維持する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、ゲートと、ゲート絶縁層と、ソースと、ドレインと、を有する半導体装置であって、
前記半導体層は、酸化物半導体を含み、
ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、を有する半導体装置であって、
被形成面上に前記第１の導電層が設けられ、
前記第１の導電層を覆う前記第１の絶縁層が設けられ、
前記第１の絶縁層上に、前記第１の導電層と重なる前記半導体層が設けられ、
前記半導体層上に、前記第２の絶縁層、及び前記第２の導電層が積層して設けられ、
前記半導体層及び前記第２の導電層を覆って前記第３の絶縁層が設けられ、
前記第３の絶縁層上に、前記第３の導電層及び前記第４の導電層が離間して設けられ、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、それぞれ前記第３の絶縁層に設けられた開口を介して前記半導体層の前記第２の導電層と重ならない領域と接して設けられ、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、電気的に接続され、且つゲートとして機能し、
前記半導体層は、酸化物半導体を含み、
ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項３】
半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する半導体装置であって、
被形成面上に前記第１の導電層が設けられ、
前記第１の導電層を覆う前記第１の絶縁層が設けられ、
前記第１の絶縁層上に、前記第１の導電層と重なる前記半導体層が設けられ、
前記半導体層の上面に接して、前記第３の導電層及び前記第４の導電層が離間して設けられ、
前記半導体層、前記第３の導電層及び前記第４の導電層を覆う前記第２の絶縁層が設けられ、
前記第２の絶縁層上に、前記半導体層の前記第３の導電層及び前記第４の導電層の離間した領域と重なる前記第２の導電層が設けられ、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、電気的に接続され、且つゲートとして機能し、
前記半導体層は、酸化物半導体を含み、
ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
温度２５℃以上１２０℃以下の範囲において、温度が高いほど連続的に前記電界効果移動度が上昇するゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
チャネル長が３μｍ以下であることを特徴とする、
半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
温度２５℃以上１２０℃以下の範囲において、ゲート電圧が２Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、前記電界効果移動度の値が１０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
温度２５℃以上１２０℃以下の範囲において、オフ状態におけるドレイン電流が、５×１０−１２Ａ未満であることを特徴とする、
半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体層は、非単結晶領域を有する、
半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記半導体層は、膜厚方向にｃ軸が配向する第１の結晶部を有する、
半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記半導体層は、配向性を有さず、且つ大きさが１０ｎｍ以下である第２の結晶部を有する、
半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体層は、非晶質領域を含む、
半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記半導体層は、Ｉｎ、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）、及びＺｎを含む、
半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記半導体層は、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎそれぞれの組成の総和を１としたとき、Ｉｎの割合が３３％より大きく６０％以下である領域を含む、
半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記半導体層は、基板を加熱しない状態、または基板温度が１５０℃以下の状態で、スパッタリング法により形成されることを特徴とする、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置に関する。本発明の一態様は、酸化物半導体を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、トランジスタ、半導体回路などは半導体装置の一態様である。また演算装置、記憶装置、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置を含む場合がある。
【背景技術】
【０００３】
トランジスタに適用可能な半導体材料として、酸化物半導体が注目されている。例えば、特許文献１では、複数の酸化物半導体層を積層し、当該複数の酸化物半導体層の中で、チャネルとなる酸化物半導体層がインジウム及びガリウムを含み、且つインジウムの割合をガリウムの割合よりも大きくすることで、電界効果移動度（単に移動度、またはμＦＥという場合がある）を高めた半導体装置が開示されている。
【０００４】
また、非特許文献１では、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体は、Ｉｎ１−ｘＧａ１＋ｘＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｘは−１≦ｘ≦１を満たす数、ｍは自然数）で表されるホモロガス相を有することについて開示されている。また、非特許文献１では、ホモロガス相の固溶域（ｓｏｌｉｄ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｒａｎｇｅ）について開示されている。例えば、ｍ＝１の場合のホモロガス相の固溶域は、ｘが−０．３３から０．０８の範囲であり、ｍ＝２の場合のホモロガス相の固溶域は、ｘが−０．６８から０．３２の範囲である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−７３９９号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｍ．  Ｎａｋａｍｕｒａ，  Ｎ．  Ｋｉｍｉｚｕｋａ，  ａｎｄ  Ｔ．  Ｍｏｈｒｉ、「Ｔｈｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｒｅｌａｔｉｏｎｓ  ｉｎ  ｔｈｅ  Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２ＺｎＯ４−ＺｎＯ  Ｓｙｓｔｅｍ  ａｔ  １３５０℃」、Ｊ．  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍ．、１９９１、Ｖｏｌ．９３，  ｐｐ．２９８−３１５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、電気特性が向上した半導体装置を提供することを課題の一とする。または、電界効果移動度が高められた半導体装置を提供することを課題の一とする。または、高温においても電界効果移動度が低下しない半導体装置を提供することを課題の一とする。または、低温で形成可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、量産性が向上した半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【０００８】
また、本発明の一態様は、低温で形成可能で且つ物性の安定性の高い酸化物半導体膜、及びこれを用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、半導体層と、ゲートと、ゲート絶縁層と、ソースと、ドレインと、を有する半導体装置である。半導体層は、酸化物半導体を含む。また半導体装置は、ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の他の一態様は、半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、を有する半導体装置である。また、被形成面上に第１の導電層が設けられ、第１の導電層を覆う第１の絶縁層が設けられ、第１の絶縁層上に、第１の導電層と重なる半導体層が設けられる。また半導体層上に、第２の絶縁層、及び第２の導電層が積層して設けられ、半導体層及び第２の導電層を覆って第３の絶縁層が設けられる。また第３の絶縁層上に、第３の導電層及び第４の導電層が離間して設けられる。また第３の導電層及び第４の導電層は、それぞれ第３の絶縁層に設けられた開口を介して半導体層の第２の導電層と重ならない領域と接して設けられる。また第１の導電層及び第２の導電層は、電気的に接続され、且つゲートとして機能する。半導体層は、酸化物半導体を含む、また半導体装置は、ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の他の一態様は、半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する半導体装置である。また、被形成面上に第１の導電層が設けられ、第１の導電層を覆う第１の絶縁層が設けられ、第１の絶縁層上に、第１の導電層と重なる半導体層が設けられる。また半導体層の上面に接して、第３の導電層及び第４の導電層が離間して設けられる。また半導体層、第３の導電層及び第４の導電層を覆う第２の絶縁層が設けられ、第２の絶縁層上に、半導体層の第３の導電層及び第４の導電層の離間した領域と重なる第２の導電層が設けられる。また、第１の導電層及び第２の導電層は、電気的に接続され、且つゲートとして機能する。また半導体層は、酸化物半導体を含む。また半導体装置は、ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在することを特徴とする。
【００１３】
上記において、温度２５℃以上１２０℃以下の範囲において、温度が高いほど連続的に電界効果移動度が上昇するゲート電圧の範囲が存在することが好ましい。
【００１４】
また、上記において、チャネル長が３μｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
また、上記において、温度２５℃以上１２０℃以下の範囲において、ゲート電圧が２Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、電界効果移動度の値が１０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるゲート電圧の範囲が存在することが好ましい。
【００１６】
また、上記において、温度２５℃以上１２０℃以下の範囲において、オフ状態におけるドレイン電流が、５×１０−１２Ａ未満であることが好ましい。
【００１７】
また、上記において、半導体層は非単結晶領域を有することが好ましい。このとき、半導体層は、膜厚方向にｃ軸が配向する第１の結晶部を有することが好ましい。また、半導体層は、配向性を有さず、且つ大きさが１０ｎｍ以下である第２の結晶部を有することが好ましい。また、半導体層は、非晶質領域を含むことが好ましい。
【００１８】
また、上記において、半導体層は、Ｉｎ、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）、及びＺｎを含むことが好ましい。このとき、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎそれぞれの組成の総和を１としたとき、Ｉｎの割合が３３％より大きく６０％以下である領域を含むことが好ましい。
【００１９】
また、上記において、半導体層は、基板を加熱しない状態、または基板温度が１５０℃以下の状態で、スパッタリング法により形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一態様によれば、電気特性が向上した半導体装置を提供できる。または、電界効果移動度が高められた半導体装置を提供できる。または、高温においても電界効果移動度が低下しない半導体装置を提供できる。または、低温で形成可能な半導体装置を提供できる。または、量産性が向上した半導体装置を提供できる。または、信頼性の高い半導体装置を提供できる。または、新規な半導体装置を提供できる。または、低温で形成可能で且つ物性の安定性の高い酸化物半導体膜、及びこれを用いた半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図２】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図３】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図４】トランジスタの電気特性。
【図５】トランジスタの電気特性。
【図６】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図７】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図８】半導体装置を説明する断面図。
【図９】半導体装置を説明する断面図。
【図１０】半導体装置を説明する断面図。
【図１１】半導体装置を説明する断面図。
【図１２】半導体装置を説明する断面図。
【図１３】半導体装置を説明する断面図。
【図１４】半導体装置を説明する断面図。
【図１５】半導体装置を説明する断面図。
【図１６】バンド構造を説明する図。
【図１７】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図１８】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図１９】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図２０】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図２１】半導体装置を説明する断面図。
【図２２】半導体装置を説明する断面図。
【図２３】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図２４】酸化物半導体の原子数比の範囲を説明する図。
【図２５】ＩｎＭＺｎＯ４の結晶を説明する図。
【図２６】酸化物半導体をチャネル領域に用いるトランジスタにおけるエネルギーバンドを説明する図。
【図２７】酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像、及び断面ＨＲ−ＴＥＭ像を説明する図。
【図２８】酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像、及び断面ＨＲ−ＴＥＭ像を説明する図。
【図２９】酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像、及び断面ＨＲ−ＴＥＭ像を説明する図。
【図３０】酸化物半導体膜のＸＲＤ測定結果、及び電子線回折パターンを説明する図。
【図３１】酸化物半導体膜のＸＲＤ測定結果、及び電子線回折パターンを説明する図。
【図３２】酸化物半導体膜のＸＲＤ測定結果、及び電子線回折パターンを説明する図。
【図３３】電子線回折パターンを説明する図。
【図３４】電子線回折パターンのラインプロファイルを説明する図。
【図３５】電子線回折パターンの輝度プロファイル、輝度プロファイルの相対輝度Ｒ、及びプロファイルの半値幅を説明する概念図。
【図３６】電子線回折パターン、及び輝度プロファイルを説明する図。
【図３７】酸化物半導体膜の電子線回折パターンから見積もった相対輝度を説明する図。
【図３８】酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像及び画像解析後の断面ＴＥＭ像を説明する図。
【図３９】酸化物半導体膜のＳＩＭＳ測定結果を説明する図。
【図４０】半導体装置の断面を説明する図。
【図４１】半導体装置の断面を説明する図。
【図４２】半導体装置の断面を説明する図。
【図４３】表示装置の一態様を示す上面図。
【図４４】表示装置の一態様を示す断面図。
【図４５】表示装置の一態様を示す断面図。
【図４６】表示装置の一態様を示す断面図。
【図４７】ＥＬ層の作製方法を説明する断面図。
【図４８】液滴吐出装置を説明する概念図。
【図４９】表示装置の一態様を示す断面図。
【図５０】表示装置の一態様を示す断面図。
【図５１】半導体装置の上面図及び断面を説明する図。
【図５２】半導体装置の断面を説明する図。
【図５３】表示装置を説明するブロック図及び回路図。
【図５４】本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。
【図５５】本発明の一態様を説明するための回路図。
【図５６】表示モジュールを説明する図。
【図５７】電子機器を説明する図。
【図５８】電子機器を説明する図。
【図５９】表示装置を説明する斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２３】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２４】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２５】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
【００２６】
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。
【００２７】
また、「ソース」や「ドレイン」の機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００２８】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【００２９】
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【００３０】
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。
【００３１】
酸化物半導体または金属酸化物の結晶構造の一例について説明する。なお、以下では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いて、スパッタリング法にて成膜された酸化物半導体を一例として説明する。上記ターゲットを用いて、基板温度を１００℃以上１３０℃以下として、スパッタリング法により形成した酸化物半導体をｓＩＧＺＯと呼称し、上記ターゲットを用いて、基板温度を室温（Ｒ．Ｔ．）として、スパッタリング法により形成した酸化物半導体をｔＩＧＺＯと呼称する。例えば、ｓＩＧＺＯは、ｎｃ（ｎａｎｏ  ｃｒｙｓｔａｌ）及びＣＡＡＣのいずれか一方または双方の結晶構造を有する。また、ｔＩＧＺＯは、ｎｃの結晶構造を有する。なお、ここでいう室温（Ｒ．Ｔ．）とは、基板を意図的に加熱しない場合の温度を含む。
【００３２】
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電体の機能と、材料の一部では誘電体（または絶縁体）の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電体は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能を有し、誘電体は、キャリアとなる電子を流さない機能を有する。導電体としての機能と、誘電体としての機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【００３３】
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電体領域、及び誘電体領域を有する。導電体領域は、上述の導電体の機能を有し、誘電体領域は、上述の誘電体の機能を有する。また、材料中において、導電体領域と、誘電体領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電体領域と、誘電体領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電体領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【００３４】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【００３５】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電体領域と、誘電体領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【００３６】
（実施の形態１）
本発明の一態様は、ゲート、ゲート絶縁層、半導体層、ソース及びドレインを有する半導体装置である。このような半導体装置の一例として、トランジスタが挙げられる。
【００３７】
本発明の一態様の半導体装置は、電界効果移動度（飽和移動度ともいう）が、温度の上昇と共に向上する特徴を有する。
【００３８】
より具体的には、半導体装置は、ゲート電圧が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内において、温度が高いほど電界効果移動度が高くなるゲート電圧の範囲が存在する。例えば室温（２５℃）以上１２０℃以下の範囲において、このようなゲート電圧の範囲が存在すればよい。
【００３９】
ここで、温度範囲は上記に限られることなく、半導体装置が組み込まれる機器における、想定される使用環境によって様々である。例えば宇宙での用途を考慮するとマイナス６０℃以上２５０℃以下の範囲、または車載用途等を考慮するとマイナス４０℃以上１５０℃以下の範囲、または日常の用途を想定すると、マイナス１０℃以上１４０℃以下の範囲、または室温（２５℃）以上１２０℃以下の範囲などが挙げられる。本発明の一態様は、このような温度範囲内において、温度が高いほど電界効果移動度が低下せず、上昇するゲート電圧の範囲が存在する。
【００４０】
さらに本発明の一態様は、温度が高くなってもオフ状態における電流値（オフ電流ともいう）が、極めて低い状態を維持することを特徴とする。
【００４１】
具体的には、本発明の一態様の半導体装置は、上述した温度範囲内において、オフ電流が極めて低い状態を維持することができる。例えば、ゲートにしきい値電圧よりも１Ｖ以上低い電圧を与えることで半導体装置をオフ状態としたとき、チャネル幅１μｍあたりのドレイン電流の値が、測定装置の検出下限以下、具体的には１×１０１１Ａ／μｍ以下、好ましくは５×１０１２Ａ／μｍ以下、より好ましくは１×１０１２Ａ／μｍ以下、さらに好ましくは、１×１０１３Ａ／μｍ以下、さらに好ましくは１×１０１４Ａ／μｍ以下とすることができる。実際には、オフ電流はこれよりも十分に低く、例えば１×１０１８Ａ／μｍ以下、または１×１０２１Ａ／μｍ以下、または１×１０２２Ａ／μｍ以下、または１×１０２３Ａ／μｍ以下である場合もある。
【００４２】
このような半導体装置は、例えば高温環境下で使用する機器に好適に用いることができる。これにより、高温環境下において半導体装置が流すことのできる電流が低下することがないため、機器の性能が低下してしまうことを防止することができる。さらに、半導体装置のオフ電流は極めて低い状態が維持されるため、高温で消費電流や消費電力が増大することがない。さらに、高温環境下において半導体装置のオン・オフ比が低下することに起因する機器の機能の低下、または機能の喪失などといった不具合が生じない。
【００４３】
本発明の一態様は、例えばトランジスタの半導体層に酸化物半導体を適用することにより実現できる。本発明の一態様は、特にチャネル長が６μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下と極めて微細なトランジスタであっても、信頼性の高いトランジスタ特性を得ることができる。このような微細なトランジスタは、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）等では実現が困難である。
【００４４】
なお、トランジスタのチャネル長は、６μｍよりも大きい場合であっても、信頼性の高いトランジスタ特性を得ることができる。
【００４５】
チャネル長を極めて微細にしたときであっても、安定した電気特性を得るためには、半導体層に、十分に酸素欠損が低減された酸化物半導体を用いることが重要である。特に、酸化物半導体を含む半導体膜の成膜条件に合わせて、後の工程で半導体層に酸素を供給する処理を適切に行うことが重要である。
【００４６】
また、トランジスタとして、電気的に接続された２つのゲートにより半導体層を挟んだ構成を有し、当該２つのゲートに同一のゲート電位を供給可能な構成とすることが好ましい。これにより、電界効果移動度をより高めることができ、オン状態におけるドレイン電流（オン電流ともいう）を増大させることができる。
【００４７】
また、半導体層に酸化物半導体を用いる場合、非単結晶の酸化物半導体を用いることが好ましい。非単結晶である酸化物半導体としては、膜面または被形成面に対して配向性を有する結晶部が存在する領域を含む酸化物半導体、配向性を有さない結晶部が存在する領域を含む酸化物半導体、及び非晶質である領域を含む酸化物半導体等がある。また配向性を有する結晶部、配向性を有さない結晶部、及び非晶質である領域のうち、２以上が混在した酸化物半導体としてもよい。
【００４８】
結晶性が比較的低い酸化物半導体を用いることで、電界効果移動度を高めることができる。特に、ゲート電位が低い条件における電界効果移動度が向上するといった顕著な効果を奏する。すなわち、ゲート電位が低い条件であっても、高いオン電流を得ることが可能となる。
【００４９】
酸化物半導体の結晶性は、例えば透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）による観察、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）、電子線回折（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）（電子回折ともいう）等により評価することができる。
【００５０】
以下では、本発明の一態様の半導体装置について、より具体的な例を説明する。
【００５１】
［トランジスタ特性の温度依存性について］
以下では、トランジスタを作製し、その温度依存性について調べた結果について説明する。
【００５２】
〔トランジスタ構造〕
図１（Ａ）に、作製したトランジスタ１０の上面概略図を示している。また、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）は、それぞれ図１（Ａ）中の切断線Ａ１−Ａ２、Ｂ１−Ｂ２で切断したときの断面概略図である。なお、図１（Ａ）では、明瞭化のため一部の構成要素（絶縁層２１等）を明示していない。
【００５３】
トランジスタ１０は、基板２０上に設けられている。トランジスタ１０は、導電層１１、半導体層１２、導電層１３、導電層１４ａ、導電層１４ｂ、絶縁層２１、絶縁層２２を有する。また、トランジスタ１０を覆って絶縁層３１及び絶縁層３２が設けられている。
【００５４】
基板２０上に導電層１１が設けられ、導電層１１を覆って絶縁層２１が設けられている。また絶縁層２１上に、導電層１１と重なる半導体層１２が設けられている。また半導体層１２上に、絶縁層２２及び導電層１３が積層して設けられている。また絶縁層２１、半導体層１２、絶縁層２２及び導電層１３を覆って、絶縁層３１及び絶縁層３２が積層して設けられている。また絶縁層３２上に、導電層１４ａ及び導電層１４ｂが設けられている。導電層１４ａ及び導電層１４ｂは、絶縁層３２及び絶縁層３１に設けられた開口を介して、半導体層１２の領域１２ａまたは領域１２ｂと電気的に接続している。
【００５５】
導電層１１は、その一部が第１のゲート電極として機能する。導電層１３は、その一部が第２のゲート電極として機能する。半導体層１２は、導電層１１または導電層１３と重畳する部分にチャネルが形成される領域を有する。また、半導体層１２は、導電層１１または導電層１３と重ならない領域に、チャネルが形成される領域よりも低抵抗な領域（領域１２ａ、領域１２ｂ）を有する。絶縁層２１の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層２２の一部は、第２のゲート絶縁層として機能する。
【００５６】
また、図１（Ｃ）に示すように、導電層１３は、絶縁層２２及び絶縁層２１に設けられた開口を介して、導電層１１と電気的に接続している。したがって、導電層１１と導電層１３には、同じ電位が与えられる構成となっている。
【００５７】
図２には、図１とは一部が異なるトランジスタ１０Ａの構成を示している。図２（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すトランジスタは、絶縁層２２が半導体層１２の端部、領域１２ａ、領域１２ｂ等を覆って設けられる点、及び絶縁層３１を有さない点で、図１に示す構成と相違している。
【００５８】
〔トランジスタ構造の他の例〕
ここでは、上記図１及び図２で例示したトランジスタとは構成の一部の異なるトランジスタの構成例について説明する。
【００５９】
図３（Ａ）に、トランジスタ１０Ｂの上面概略図を、図３（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれトランジスタ１０Ｂの断面概略図を示す。
【００６０】
トランジスタ１０Ｂは、基板２０上に導電層１１が設けられ、導電層１１を覆って絶縁層２１が設けられている。また絶縁層２１上に半導体層１２が設けられ、半導体層１２に接して、導電層１４ａ及び導電層１４ｂが設けられている。また導電層１４ａ、導電層１４ｂ及び半導体層１２を覆って絶縁層２２及び絶縁層３１が設けられ、絶縁層３１上に導電層１３が設けられている。導電層１１と導電層１３とは、絶縁層３１、絶縁層２２及び絶縁層２１に設けられた開口を介して、電気的に接続されている。
【００６１】
トランジスタ１０Ｂにおいて、半導体層１２の導電層１４ａまたは導電層１４ｂと接する領域に、低抵抗な領域１２ａ及び領域１２ｂが設けられている。また、図３に示すように、半導体層１２は、導電層１４ａ及び導電層１４ｂに覆われていない部分の厚さが、他の部分よりも薄い領域を有していてもよい。
【００６２】
このような構成とすることで、図１や図２に示す構成と比較して、導電層１４ａまたは導電層１４ｂと半導体層１２とのコンタクト部を形成する必要がないため、工程を簡略化でき、またトランジスタ１０Ｂの占有面積を縮小することが可能となる。
【００６３】
以上がトランジスタの構成についての説明である。
【００６４】
〔試料の作製１〕
以下では、作製したトランジスタの作製工程について説明する。ここでは、半導体層１２に用いる酸化物半導体膜の成膜条件が異なる３つの試料を作製し、それぞれ試料Ａ１、試料Ａ２、及び試料Ａ３とした。試料Ａ１、試料Ａ２及び試料Ａ３のトランジスタ構造は、図１に示す構造とした。
【００６５】
まず、基板２０として、ガラス基板を準備した。
【００６６】
｛導電層１１｝
ガラス基板上に導電膜として、厚さ約１０ｎｍのチタン膜と、厚さ約１００ｎｍの銅膜とを、スパッタリング装置を用いて形成した。その後、当該導電膜をフォトリソグラフィ法により加工した。
【００６７】
｛絶縁層２１｝
絶縁層２１として、基板２０及び導電層１１上に絶縁膜を４層積層して形成した。絶縁膜は、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）装置を用いて、真空中で連続して形成した。絶縁膜は、下から厚さ約５０ｎｍの窒化シリコン膜、厚さ３００ｎｍの窒化シリコン膜、厚さ約５０ｎｍの窒化シリコン膜、厚さ約５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜をそれぞれ用いた。
【００６８】
｛半導体層１２｝
絶縁層２１上に酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜を島状に加工することで、半導体層１２を形成した。酸化物半導体膜の厚さは約４０ｎｍとした。
【００６９】
試料Ａ１に用いた酸化物半導体膜は、基板を１７０℃に加熱し、流量１４０ｓｃｃｍのアルゴンガスと、流量６０ｓｃｃｍの酸素ガスとをスパッタリング装置のチャンバー内に導入し、圧力を０．６Ｐａとし、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有する金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）に、２．５ｋＷの交流電力を印加することで形成した。上述のガス流量比は、全体のガス流量に対する酸素流量の割合から、酸素流量比と記載する場合がある。このときの酸素流量比は３０％である。
【００７０】
試料Ａ２に用いた酸化物半導体膜は、基板を１３０℃に加熱し、流量１８０ｓｃｃｍのアルゴンガスと流量２０ｓｃｃｍの酸素ガスとをスパッタリング装置のチャンバー内に導入し、圧力を０．６Ｐａとし、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有する金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）に、２．５ｋＷの交流電力を印加することで形成した。このときの酸素流量比は１０％である。
【００７１】
試料Ａ３に用いた酸化物半導体膜は、基板を加熱しない状態（約２５℃）で、流量１８０ｓｃｃｍのアルゴンガスと流量２０ｓｃｃｍの酸素ガスとをスパッタリング装置のチャンバー内に導入し、圧力を０．６Ｐａとし、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有する金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）に、２．５ｋＷの交流電力を印加することで形成した。このときの酸素流量比は１０％である。
【００７２】
｛絶縁層２２、導電層１３｝
続いて、絶縁層２１及び半導体層１２上に、絶縁膜を形成した。当該絶縁膜として、厚さ約１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を、ＰＥＣＶＤ装置を用いて形成した。当該絶縁膜は、後に絶縁層２２となる膜である。
【００７３】
次に、熱処理を行った。当該熱処理としては、窒素と酸素との混合ガス雰囲気下で、３５０℃、１時間の熱処理とした。
【００７４】
次に、絶縁膜の所望の領域にフォトリソグラフィ法により開口部を形成した。絶縁膜のエッチング方法としては、ドライエッチング法を用いた。
【００７５】
次に、開口部を覆うように絶縁膜上に導電膜を形成し、当該導電膜を島状に加工することで、導電層１３を形成した。また、導電膜を形成後、続けて、導電膜の下側に接する絶縁膜を加工することで、絶縁層２２を形成した。
【００７６】
導電膜としては、厚さ約１０ｎｍの酸化物半導体膜と、厚さ約５０ｎｍの窒化チタン膜と、厚さ約１００ｎｍの銅膜とを順に形成した。なお、酸化物半導体膜の成膜条件としては、基板温度を１７０℃として、流量２００ｓｃｃｍの酸素ガスをスパッタリング装置のチャンバー内に導入し、圧力を０．６Ｐａとし、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有する金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）に、２．５ｋＷの交流電力を印加すること形成した。このときの酸素流量比は１００％である。また、窒化チタン膜及び銅膜としては、スパッタリング装置を用いて形成した。
【００７７】
次に、酸化物半導体膜、絶縁膜、及び導電膜上からプラズマ処理を行った。当該プラズマ処理としては、ＰＥＣＶＤ装置を用い、基板温度を２２０℃とし、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気下で行った。
【００７８】
｛絶縁層３１、絶縁層３２｝
続いて、半導体層１２、絶縁層２２、及び導電層１３上に絶縁膜を積層して形成した。絶縁膜としては、厚さ約１００ｎｍの窒化シリコン膜及び厚さ約３００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をＰＥＣＶＤ装置を用いて積層して形成した。
【００７９】
このとき、半導体層１２の露出した領域と接して窒化シリコン膜が形成される。これにより、半導体層１２の導電層１３に覆われていない領域に低抵抗な領域（領域１２ａ、領域１２ｂ）が形成される。
【００８０】
次に、形成した絶縁膜上にマスクを形成し、当該マスクを用いて絶縁膜に開口部を形成することで、絶縁層３１及び絶縁層３２を形成した。
【００８１】
｛導電層１４ａ、導電層１４ｂ｝
次に、開口部を充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜を島状に加工することで、導電層１４ａ及び導電層１４ｂを形成した。導電膜としては、厚さ約１０ｎｍのチタン膜と、厚さ約１００ｎｍの銅膜とを、スパッタリング装置を用いて、それぞれ形成した。
【００８２】
次に、絶縁層３２、導電層１４ａ及び導電層１４ｂ上に絶縁膜（図示しない）を形成した。絶縁膜としては、厚さ約１．５μｍのアクリル系の感光性樹脂を用いた。
【００８３】
以上のようにして、試料Ａ１、試料Ａ２及び試料Ａ３を得た。
【００８４】
〔試料の作製２〕
以下では、上記とは異なるトランジスタの作製工程について説明する。ここでは、半導体層１２に用いる半導体膜として、多結晶シリコンを用いた場合について説明する。またここではｎ型のトランジスタと、ｐ型のトランジスタをそれぞれ作製し、試料Ｂ１、試料Ｂ２とした。試料Ｂ１及び試料Ｂ２のトランジスタ構造は、図２に示す構造とした。
【００８５】
まず、基板２０として、ガラス基板を準備した。
【００８６】
｛導電層１１｝
ガラス基板上に導電膜として、厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を、スパッタリング装置を用いて形成した。その後、当該導電膜をフォトリソグラフィ法により加工し、導電層１１を形成した。
【００８７】
｛絶縁層２１｝
絶縁層２１として、基板２０及び導電層１１上に絶縁膜を２層積層して形成した。絶縁膜は、ＰＥＣＶＤ装置を用いて、真空中で連続して形成した。絶縁膜は、下から厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜と、厚さ約１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をそれぞれ用いた。
【００８８】
｛半導体層１２｝
まず、ＰＥＣＶＤ法により、厚さ約５０ｎｍの非晶質シリコン膜を成膜した。
【００８９】
続いて、当該非晶質シリコン膜に触媒の添加を行った。ここでは、重量換算で約５ｐｐｍのニッケルを含む酢酸ニッケル溶液をスピナーで塗布した。その後、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置により、６５０℃で６分の加熱処理を行った。
【００９０】
続いて、非晶質シリコン膜に対してレーザ光を照射することにより、多結晶シリコン膜を得た。ここではレーザ光の光源として、エキシマレーザを用いた。
【００９１】
続いて、上述した触媒を除去する処理（ゲッタリング処理ともいう）を行った。ここでは、まず多結晶シリコン膜上にスパッタリング法を用いて厚さ約３０ｎｍの非晶質シリコン膜を成膜した。その後、ＲＴＡ装置により、６５０℃で６分の加熱処理を行い、当該非晶質シリコン膜をウエットエッチング法により除去した。
【００９２】
続いて、ドーピング装置を用いて多結晶シリコン膜に不純物をドープした。ドーピング処理はホウ素を用い、ドーズ量を１×１０１２ｃｍ−２、加速電圧を約１５ｋＶとした。
【００９３】
続いて、多結晶シリコン膜をフォトリソグラフィ法により島状に加工することで、半導体層１２を形成した。
【００９４】
｛絶縁層２２、導電層１３｝
続いて、絶縁層２１及び半導体層１２上に、絶縁膜を形成した。当該絶縁膜として、厚さ約１１０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を、ＰＥＣＶＤ法により成膜した。当該絶縁膜は、後に絶縁層２２となる膜である。
【００９５】
続いて、絶縁膜の所望の領域にフォトリソグラフィ法により開口部を形成した。絶縁膜のエッチング方法としては、ドライエッチング法を用いた。
【００９６】
続いて、開口部を覆うように、絶縁膜上に導電膜を形成し、当該導電膜を島状に加工することで、導電層１３を形成した。
【００９７】
導電膜としては、厚さ約３０ｎｍの窒化タンタル膜と、厚さ約３７０ｎｍのタングステン膜を、スパッタリング法により順に形成した。
【００９８】
続いて、多結晶シリコン膜の導電層１３に覆われていない領域に不純物をドープすることで、低抵抗な領域（領域１２ａ、領域１２ｂ）を形成した。
【００９９】
ｎチャネル型のトランジスタを有する試料Ｂ１では、ｎ型の導電性を付与する不純物元素としてリンを用いた。ドーピング処理は、ドーズ量を２．５×１０１５ｃｍ−２、加速電圧を約６０ｋＶとした。
【０１００】
ｐチャネル型のトランジスタを有する試料Ｂ２では、ｐ型の導電性を付与する不純物元素としてホウ素を用いた。ドーピング処理は、ドーズ量を２．５×１０１５ｃｍ−２、加速電圧を約７０ｋＶとした。
【０１０１】
｛絶縁層３１｝
続いて、絶縁層２２及び導電層１３上に絶縁膜を積層して形成した。絶縁膜としては、厚さ約５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜、及び厚さ約５２０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を、ＰＥＣＶＤ装置を用いて積層して形成した。
【０１０２】
その後、熱処理を行った。当該熱処理としては、窒素を含む雰囲気下で４１０℃、１時間の熱処理とした。
【０１０３】
次に、形成した絶縁膜上にマスクを形成し、当該マスクを用いて絶縁膜に開口部を形成することで、絶縁層３１を形成した。
【０１０４】
｛導電層１４ａ、導電層１４ｂ｝
次に、開口部を充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜を島状に加工することで、導電層１４ａ及び導電層１４ｂを形成した。導電膜としては、厚さ約１００ｎｍのチタン膜と、厚さ約７００ｎｍのアルミニウム膜と、厚さ約１００ｎｍのチタン膜を、スパッタリング装置を用いて、それぞれ形成した。
【０１０５】
次に、絶縁層３１、導電層１４ａ及び導電層１４ｂ上に絶縁膜（図示しない）を形成した。絶縁膜としては、厚さ約２μｍのアクリル系の感光性樹脂を用いた。
【０１０６】
以上のようにして、試料Ｂ１及び試料Ｂ２を得た。
【０１０７】
〔トランジスタ特性〕
作製した試料Ａ１、試料Ａ２、試料Ａ３、試料Ｂ１及び試料Ｂ２について、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を測定した。またその特性から電界効果移動度を算出した。
【０１０８】
トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性の測定条件としては、第１のゲート電極として機能する導電膜に印加する電圧（以下、ゲート電圧（Ｖｇ）ともいう）、及び第２のゲート電極として機能する導電膜に印加する電圧（Ｖｂｇ）ともいう）を、−１０Ｖから＋１０Ｖまで０．２５Ｖのステップで印加した。また、ソース電極として機能する導電膜に印加する電圧（以下、ソース電圧（Ｖｓ）ともいう）を０Ｖ（ｃｏｍｍ）とし、ドレイン電極として機能する導電膜に印加する電圧（以下、ドレイン電圧（Ｖｄ）ともいう）を、１０Ｖとした。
【０１０９】
電界効果移動度μＦＥは、以下に示す式（１）より算出した。式（１）において、Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅である。またＣｏｘはゲート容量であり、ゲート絶縁膜の厚さと比誘電率の積としてあらわされる。ここではゲート絶縁膜の厚さを試料Ａ１、試料Ａ２、及び試料Ａ３では１５０ｎｍ、試料Ｂ１及び試料Ｂ２では１１０ｎｍとした。また比誘電率はいずれも４．０とした。
【０１１０】
【数１】
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【０１１１】
試料Ａ１、試料Ａ２及び試料Ａ３について、それぞれチャネル長Ｌが約２μｍ、チャネル幅Ｗが約３μｍのトランジスタの測定を行った。また、試料Ｂ１及び試料Ｂ２について、それぞれチャネル長Ｌが５０μｍ、チャネル幅Ｗが３μｍのトランジスタの測定を行った。
【０１１２】
また、基板温度の条件を、室温（２５℃）、４０℃、６０℃、８０℃、１００℃、及び１２０℃として、それぞれの温度でトランジスタの測定を行った。
【０１１３】
図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれ、半導体層に酸化物半導体を用いた試料Ａ１、試料Ａ２及び試料Ａ３のＩｄ−Ｖｇ特性を示す。それぞれの図では、上記温度で測定した合計６個のトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性、および電界効果移動度をそれぞれ重ねて示している。図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）のそれぞれにおいて、第１縦軸がＩｄ［Ａ］を、第２縦軸が電界効果移動度［μＦＥ（ｃｍ２／Ｖｓ）］を、横軸がＶｇ［Ｖ］を、それぞれ示している。なお、各温度での測定値を区別して明記していないが、図中に温度の低い条件（２５℃）から、温度の高い条件（１２０℃）に向かって、破線の矢印を示している。
【０１１４】
図４（Ａ）において、Ｉｄに着目すると、基板温度が上昇するにしたがって、オン領域（例えばＶｇが１Ｖ以上の領域）におけるＩｄが上昇していることが確認できる。一方、オフ領域（例えばＶｇが０Ｖ以下の領域）でのＩｄは、基板温度が高い条件であっても検出下限（ここでは１×１０−１２［Ａ］）以下を維持していることが確認できる。
【０１１５】
また、電界効果移動度に着目すると、こちらも基板温度が上昇するにしたがって、向上していることが確認できる。また温度が高いほど、Ｖｇの低い領域における傾きが大きい（立ち上がりが急峻ともいう）ことが確認できる。
【０１１６】
試料Ａ１、試料Ａ２、及び試料Ａ３を比較すると、試料Ａ３、試料Ａ２、試料Ａ１の順で、オン電流、及び電界効果移動度が高いことが確認できる。すなわち、酸化物半導体膜の成膜温度が低いほど、オン電流及び電界効果移動度が高い。このことは、酸化物半導体膜の結晶性が低いほど、高いオン電流が得られることを示唆している。
【０１１７】
また、電界効果移動度に着目すると、試料Ａ３、試料Ａ２、試料Ａ１の順で、Ｖｇの低い領域における傾きが大きいことが確認できる。すなわち、酸化物半導体膜の成膜温度が低いほど、低いＶｇで高いオン電流（Ｉｄ）を得ることができることを示唆する。
【０１１８】
また、試料Ａ１、試料Ａ２、及び試料Ａ３において、Ｖｇの高い領域では、電界効果移動度が飽和する、またはＶｇが高くなるほど低下する傾向が見られている。特にその傾向は測定時の基板温度が高いほど、また酸化物半導体の成膜温度が低いほど、顕著となっている。
【０１１９】
また、試料Ａ１、試料Ａ２、及び試料Ａ３のいずれも、温度の上昇に伴ってＩｄ−Ｖｇ特性がほとんどシフトせず、立ち上りの電圧がほぼ一致していることが確認できる。
【０１２０】
続いて、図５（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ、半導体層に多結晶シリコンを用いた試料Ｂ１、試料Ｂ２のＩｄ−Ｖｇ特性と、電界効果移動度を示す。
【０１２１】
図５（Ａ）において、Ｉｄ−Ｖｇ特性に着目すると、基板温度が上昇するにしたがって、Ｉｄ−Ｖｇ曲線がＶｇのマイナス方向（オフ領域側）にシフトするような振る舞いが確認できる。すなわち、温度が高いほど、しきい値電圧がマイナス方向にシフトしている。また、オフ領域（例えばＶｇが０Ｖ以下の領域）でのＩｄは、基板温度が高いほど高い値を取ることが確認できる。
【０１２２】
また、電界効果移動度に着目すると、Ｖｇの低い領域（例えばＶｇが４Ｖ以下の領域）では、基板温度が高いほど電界効果移動度が高いようにみえるが、これはしきい値電圧のマイナス方向へのシフトによる影響であり、実際には電界効果移動度は同程度、またはわずかに低下する傾向がみられる。また、Ｖｇがそれよりも高くなると、基板温度の高い条件では急激に電界効果移動度が低下する傾向が見られている。
【０１２３】
図５（Ｂ）に示すように、試料Ｂ２においても、試料Ｂ１と同様の傾向がみられる。すなわち、基板温度が高くなるほど、Ｉｄ−Ｖｇ曲線がオフ領域側（プラス方向）にシフトするような振る舞いが見られること、オフ領域におけるＩｄが上昇すること、及び高いＶｇにおける電界効果移動度が低下する傾向がみられること、などの点で共通している。
【０１２４】
以上の結果から、多結晶シリコンを用いたトランジスタでは、使用温度が高くなるほど、電界効果移動度及びオン電流が低下する傾向がみられ、これは高いＶｇの条件で顕著であること、またＩｄ−Ｖｇ曲線がオフ側にシフトする傾向がみられること、などが分かる。
【０１２５】
一方、酸化物半導体を用いたトランジスタでは、使用温度が高くなるほど、オン電流が増大する傾向がみられること、特に低いＶｇの条件における電界効果移動度及びオン電流の向上が顕著であること、などが分かる。
【０１２６】
より具体的には、試料Ａ１、Ａ２、及びＡ３のいずれも、ゲート電圧（Ｖｇ）が０Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内において、温度が高いほど電界効果移動度が高くなる範囲が存在する。また、少なくとも温度が室温（２５℃）以上１２０℃の温度範囲において、温度が上がるにしたがって連続的に電界効果移動度が上昇するゲート電圧の範囲が存在している。また、少なくとも温度が２５℃以上１２０℃以下の範囲において、ゲート電圧が２Ｖ以上１０Ｖ以下の範囲内に、電界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるゲート電圧の範囲が存在している。
【０１２７】
以上のことから、本発明の一態様の酸化物半導体を用いたトランジスタは、使用環境の温度が高い条件であっても、電界効果移動度、特に低いＶｇの条件における電界効果移動度が高い。そのため、例えばトランジスタを介して配線や素子の充放電を行うような場合では、温度の上昇に伴い、その充放電時間が延長されるなどの不具合が生じない。
【０１２８】
また、シリコンを用いたトランジスタ、特に多結晶シリコンを用いたトランジスタは、結晶粒界が存在することに起因するばらつきを低減することが困難である、またチャネル長が短くなるほどオン・オフ比が低下するなどの特性上の問題、及びホットキャリア劣化が顕著となるなどの信頼性上の問題から、一般にはチャネル長が６μｍ未満では、量産に耐えうる良好な特性を得ることが困難である。したがって、高いオン電流を得るためにチャネル長Ｌを短くすることが難しく、チャネル幅Ｗを広げることとなり、占有面積が増大してしまう。
【０１２９】
一方、酸化物半導体を用いたトランジスタでは、図４の各図に示すようにチャネル長が極めて小さい２μｍ以下であっても、ばらつきの少ない良好な特性を得ることができている。そのため、チャネル長を短くでき、占有面積の縮小と、高いオン電流を同時に実現することができる。特に、温度による特性のシフトが少ないことや、オフ電流の低さなどは特に多結晶シリコン等のシリコンを用いたトランジスタでは実現できない、特筆すべき特徴であるといえる。
【０１３０】
本発明の一態様の、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高温環境下における電界効果移動度の低下、及びオン電流の低下がほとんどないトランジスタである。したがって、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイなどの表示装置などに好適に用いることができる。特に、自動車や航空機などの、想定される使用温度範囲の広い用途に適している。
【０１３１】
［電界効果移動度について］
以下では、半導体の材料の違いによる電界効果移動度の温度依存性の違いについて考察する。
【０１３２】
移動度とは、物質中のキャリア（電子又はホール）の移動のしやすさの指標である。物質に電界Ｅをかけたとき、キャリアが平均速度ｖで移動するとしたとき、移動度はその比例係数μで表される。平均速度ｖと電界Ｅの関係は式（２）のようになる。
【０１３３】
【数２】
2018006729.tif 000004
【０１３４】
キャリアが物質中を移動する際、様々な散乱因子によってその速度が制限されるため、移動度μもまた、散乱因子の影響を反映した値となる。物質中を移動するキャリアの散乱メカニズムが複数ある場合には、式（３）に示すように、実際の移動度μの逆数が、それぞれの散乱因子の影響を受けて決定される移動度（μ１、μ２、μ３等と示す）の逆数の足し合わせによって表されることが知られている（Ｍａｔｔｈｉｅｓｓｅｎ’ｓ  Ｒｕｌｅ）。
【０１３５】
【数３】
2018006729.tif 000005
【０１３６】
物質中のキャリアの散乱因子は様々あるが、ここでは代表的な散乱因子である、不純物散乱（クーロン散乱）と、格子散乱（フォノン散乱）に着目して議論することとする。
【０１３７】
物質中に不純物が存在する場合、その不純物がつくるポテンシャルによってキャリアが散乱され、その速度が制限される。これを不純物散乱、またはクーロン散乱と呼ぶ場合がある。式（４）に示すように、クーロン散乱の影響を受けた移動度μｉは、イオン化した不純物の濃度Ｎｉに反比例し、温度Ｔの３／２乗に比例することが知られている。
【０１３８】
【数４】
2018006729.tif 000006
【０１３９】
また、キャリアは物質中の格子振動（フォノン）により散乱され、その速度が制限される。これを格子散乱、またはフォノン散乱と呼ぶ場合がある。フォノン散乱は単結晶をモデルとして良く研究されている。式（５）に示すように、フォノン散乱の影響を受けた移動度μｌは、温度Ｔの−３／２乗に比例することが知られている。
【０１４０】
【数５】
2018006729.tif 000007
【０１４１】
ここで、電界効果トランジスタにおける電界効果移動度μＦＥは、ゲート電圧による電界によって誘起されたキャリアの移動度として理解できる。ここで、誘起されるキャリアの数、すなわちキャリア密度は、電界の強さに依存する。
【０１４２】
トランジスタの電界効果移動度μＦＥの温度依存性は、フォノン散乱が支配的であるか、またはクーロン散乱が支配的であるか、の違いにより決定される。
【０１４３】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体層に多結晶シリコンを用いた場合では、Ｖｇの低い範囲、すなわちキャリア密度が小さい範囲では、温度が高くなると、しきい値電圧の変動（オフ領域側へのシフト）は見られるものの、電界効果移動度の値は変化しない、またはわずかに低下しているように見える。したがってキャリア密度が低い範囲では、フォノン散乱の影響が小さく、比較的クーロン散乱の方がより支配的であることが示唆される。
【０１４４】
しかしながら、Ｖｇが大きくなり、キャリア密度が高くなることで、温度が上がるほど電界効果移動度が低下している。すなわち、キャリア密度が高い範囲では、クーロン散乱よりもフォノン散乱の影響が支配的であることが示唆される。また、Ｖｇが大きくなるほど、温度の違いによる電界効果移動度の差が広がる（発散する）傾向がみられる。すなわち、高温であればあるほど、またＶｇが大きければ大きいほど、電界効果移動度は低下する傾向がみられる。
【０１４５】
一方、図４（Ａ）に示すように、半導体層に酸化物半導体を用いた場合では、Ｖｇによらず、温度が上がるほど電界効果移動度が向上していることが分かる。すなわち、キャリア密度によらず、フォノン散乱よりも、クーロン散乱が支配的であることを示唆している。
【０１４６】
また、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、結晶性のより低い条件であるほど、Ｖｇの高い領域で電界効果移動度の低下が見られているが、図５（Ａ）に示す多結晶シリコンの場合とは傾向が異なる。すなわち、各温度における電界効果移動度の値は、Ｖｇが大きくなるほど温度による差が小さくなり、収束するような傾向を呈する。したがって、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、支配的となる散乱因子として、クーロン散乱やフォノン散乱以外の散乱因子が内在していることが考えられる。クーロン散乱やフォノン散乱以外の散乱因子としては、例えば、半導体層と、これと接する絶縁層との界面における界面散乱や、カチオンディスオーダーに由来する散乱因子などが考えられる。
【０１４７】
以上のことから、多結晶シリコンの場合では、特にＶｇの高い領域ではフォノン散乱が支配的であることにより、温度が高くなるほど電界効果移動度が低下しやすいことが分かる。
【０１４８】
一方、酸化物半導体の場合では、フォノン散乱の影響が小さく、クーロン散乱が支配的であることにより、温度が高くなるほど電界効果移動度が向上することが推察される。また、酸化物半導体の場合では、支配的となる他の散乱因子が存在し、その影響の大きさが結晶性によって異なる振る舞いを取る可能性があることが推察される。
【０１４９】
以上が電界効果移動度の温度依存性についての考察である。
【０１５０】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできるトランジスタについて、詳細に説明する。
【０１５２】
なお、本実施の形態では、トップゲート構造のトランジスタについて、図６乃至図１６を用いて説明する。
【０１５３】
［トランジスタの構成例１］
図６（Ａ）は、トランジスタ１００の上面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ａ）の一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図である。なお、図６（Ａ）では、明瞭化のため、絶縁膜１１０などの構成要素を省略して図示している。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図６（Ａ）と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。また、一点鎖線Ｘ１−Ｘ２方向をチャネル長（Ｌ）方向、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２方向をチャネル幅（Ｗ）方向と呼称する場合がある。
【０１５４】
図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００は、基板１０２上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８と、酸化物半導体膜１０８上の絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８、及び導電膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。なお、酸化物半導体膜１０８は、導電膜１１２と重なるチャネル領域１０８ｉと、絶縁膜１１６と接するソース領域１０８ｓと、絶縁膜１１６と接するドレイン領域１０８ｄと、を有する。
【０１５５】
また、絶縁膜１１６は、窒素または水素を有する。絶縁膜１１６と、ソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄと、が接することで、絶縁膜１１６中の窒素または水素がソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄ中に添加される。ソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄは、窒素または水素が添加されることで、キャリア密度が高くなる。
【０１５６】
また、トランジスタ１００は、絶縁膜１１６上の絶縁膜１１８と、絶縁膜１１６、１１８に設けられた開口部１４１ａを介して、ソース領域１０８ｓに電気的に接続される導電膜１２０ａと、絶縁膜１１６、１１８に設けられた開口部１４１ｂを介して、ドレイン領域１０８ｄに電気的に接続される導電膜１２０ｂと、を有していてもよい。
【０１５７】
また、トランジスタ１００は、導電膜１２０ａ、導電膜１２０ｂ、及び絶縁膜１１８上に、絶縁膜１２２を有していてもよい。
【０１５８】
絶縁膜１２２は、トランジスタ等に起因する凹凸等を平坦化させる機能を有する。絶縁膜１２２としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該無機材料としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。該有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
【０１５９】
なお、本明細書等において、絶縁膜１０４を第１の絶縁膜と、絶縁膜１１０を第２の絶縁膜と、絶縁膜１１６を第３の絶縁膜と、絶縁膜１１８を第４の絶縁膜と、それぞれ呼称する場合がある。また、導電膜１１２は、ゲート電極としての機能を有し、導電膜１２０ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１２０ｂは、ドレイン電極としての機能を有する。
【０１６０】
また、絶縁膜１１０は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜１１０は、過剰酸素領域を有する。絶縁膜１１０が過剰酸素領域を有することで、酸化物半導体膜１０８が有するチャネル領域１０８ｉ中に過剰酸素を供給することができる。よって、チャネル領域１０８ｉに形成されうる酸素欠損を過剰酸素により補填することができるため、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０１６１】
なお、酸化物半導体膜１０８中に過剰酸素を供給させるためには、酸化物半導体膜１０８の下方に形成される絶縁膜１０４に過剰酸素を供給してもよい。この場合、絶縁膜１０４中に含まれる過剰酸素は、酸化物半導体膜１０８が有するソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄにも供給されうる。ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄ中に過剰酸素が供給されると、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄの抵抗が高くなる場合がある。
【０１６２】
一方で、酸化物半導体膜１０８の上方に形成される絶縁膜１１０に過剰酸素を有する構成とすることで、チャネル領域１０８ｉにのみ選択的に過剰酸素を供給させることが可能となる。あるいは、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄに過剰酸素を供給させたのち、ソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄのキャリア密度を選択的に高めることで、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄの抵抗が高くなることを抑制することができる。
【０１６３】
また、酸化物半導体膜１０８が有するソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素を有すると好ましい。当該酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素としては、代表的には水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、希ガス等が挙げられる。また、希ガス元素の代表例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセノン等がある。上記酸素欠損を形成する元素が、絶縁膜１１６中に１つまたは複数含まれる場合、絶縁膜１１６からソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄに拡散する。または不純物添加処理によりソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄ中に添加される。
【０１６４】
不純物元素が酸化物半導体膜に添加されると、酸化物半導体膜中の金属元素と酸素の結合が切断され、酸素欠損が形成される。または、不純物元素が酸化物半導体膜に添加されると、酸化物半導体膜中の金属元素と結合していた酸素が不純物元素と結合し、金属元素から酸素が脱離され、酸素欠損が形成される。これらの結果、酸化物半導体膜においてキャリア密度が増加し、導電性が高くなる。
【０１６５】
次に、図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す半導体装置の構成要素の詳細について説明する。
【０１６６】
〔基板〕
基板１０２としては、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を用いることができる。
【０１６７】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、アルカリガラス、クリスタルガラス、石英またはサファイア等を用いることができる。また、無機絶縁膜を用いてもよい。当該無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等が挙げられる。
【０１６８】
また、上記無アルカリガラスとしては、例えば、０．２ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の厚さとすればよい。または、無アルカリガラスを研磨することで、上記の厚さとしてもよい。
【０１６９】
また、無アルカリガラスとして、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０１７０】
また、基板１０２として、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を用いてもよい。
【０１７１】
また、基板１０２として、金属等の無機材料を用いてもよい。金属等の無機材料としては、ステンレススチールまたはアルミニウム等が挙げられる。
【０１７２】
また、基板１０２として、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を用いてもよい。当該樹脂フィルムとしては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、またはシロキサン結合を有する樹脂等が挙げられる。
【０１７３】
また、基板１０２として、無機材料と有機材料とを組み合わせた複合材料を用いてもよい。当該複合材料としては、金属板または薄板状のガラス板と、樹脂フィルムとを貼り合わせた材料、繊維状の金属、粒子状の金属、繊維状のガラス、または粒子状のガラスを樹脂フィルムに分散した材料、もしくは繊維状の樹脂、粒子状の樹脂を無機材料に分散した材料等が挙げられる。
【０１７４】
なお、基板１０２としては、少なくとも上または下に形成される膜または層を支持できるものであればよく、絶縁膜、半導体膜、導電膜のいずれか一つまたは複数であってもよい。
【０１７５】
〔第１の絶縁膜〕
絶縁膜１０４としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜１０４としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜１０８との界面特性を向上させるため、絶縁膜１０４において少なくとも酸化物半導体膜１０８と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁膜１０４として加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いることで、加熱処理により絶縁膜１０４に含まれる酸素を、酸化物半導体膜１０８に移動させることが可能である。
【０１７６】
絶縁膜１０４の厚さは、５０ｎｍ以上、または１００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、または２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１０４を厚くすることで、絶縁膜１０４の酸素放出量を増加させることができると共に、絶縁膜１０４と酸化物半導体膜１０８との界面における界面準位、並びに酸化物半導体膜１０８のチャネル領域１０８ｉに含まれる酸素欠損を低減することが可能である。
【０１７７】
絶縁膜１０４として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ酸化物などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。本実施の形態では、絶縁膜１０４として、窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜との積層構造を用いる。このように、絶縁膜１０４を積層構造として、下層側に窒化シリコン膜を用い、上層側に酸化窒化シリコン膜を用いることで、酸化物半導体膜１０８中に効率よく酸素を導入することができる。
【０１７８】
〔酸化物半導体膜〕
酸化物半導体膜１０８としては、実施の形態１で説明した酸化物半導体膜を用いることができる。
【０１７９】
また、酸化物半導体膜１０８としては、スパッタリング法で形成すると膜密度を高められるため、好適である。スパッタリング法で酸化物半導体膜１０８を形成する場合、スパッタリングガスには、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、または希ガス及び酸素の混合ガスが適宜用いられる。また、スパッタリングガスの高純度化も必要である。例えば、スパッタリングガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−６０℃以下、好ましくは−１００℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜１０８に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。
【０１８０】
また、スパッタリング法で酸化物半導体膜１０８を形成する場合、スパッタリング装置におけるチャンバーを、酸化物半導体膜１０８にとって不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプを用いて、高真空（５×１０−７Ｐａから１×１０−４Ｐａ程度まで）に排気することが好ましい。特に、スパッタリング装置の待機時における、チャンバー内のＨ２Ｏに相当するガス分子（ｍ／ｚ＝１８に相当するガス分子）の分圧を１×１０−４Ｐａ以下、好ましく５×１０−５Ｐａ以下とすることが好ましい。
【０１８１】
〔第２の絶縁膜〕
絶縁膜１１０は、トランジスタ１００のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜１１０は、酸化物半導体膜１０８、特にチャネル領域１０８ｉに酸素を供給する機能を有する。例えば、絶縁膜１１０としては、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜１０８との界面特性を向上させるため、絶縁膜１１０において、酸化物半導体膜１０８と接する領域は、少なくとも酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１１０として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いればよい。
【０１８２】
また、絶縁膜１１０の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、または１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とすることができる。
【０１８３】
また、絶縁膜１１０は、欠陥が少ないことが好ましく、代表的には、電子スピン共鳴法（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｉｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）で観察されるシグナルが少ない方が好ましい。例えば、上述のシグナルとしては、ｇ値が２．００１に観察されるＥ’センターが挙げられる。なお、Ｅ’センターは、シリコンのダングリングボンドに起因する。絶縁膜１１０としては、Ｅ’センター起因のスピン密度が、３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜を用いればよい。
【０１８４】
また、絶縁膜１１０には、上述のシグナル以外に二酸化窒素（ＮＯ２）に起因するシグナルが観察される場合がある。当該シグナルは、Ｎの核スピンにより３つのシグナルに分裂しており、それぞれのｇ値が２．０３７以上２．０３９以下（第１のシグナルとする）、ｇ値が２．００１以上２．００３以下（第２のシグナルとする）、及びｇ値が１．９６４以上１．９６６以下（第３のシグナルとする）に観察される。
【０１８５】
例えば、絶縁膜１１０として、二酸化窒素（ＮＯ２）起因のスピン密度が、１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満である絶縁膜を用いると好適である。
【０１８６】
なお、二酸化窒素（ＮＯ２）を含む窒素酸化物（ＮＯｘ）は、絶縁膜１１０中に準位を形成する。当該準位は、酸化物半導体膜１０８のエネルギーギャップ内に位置する。そのため、窒素酸化物（ＮＯｘ）が、絶縁膜１１０及び酸化物半導体膜１０８の界面に拡散すると、当該準位が絶縁膜１１０側において電子をトラップする場合がある。この結果、トラップされた電子が、絶縁膜１１０及び酸化物半導体膜１０８界面近傍に留まるため、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせてしまう。したがって、絶縁膜１１０としては、窒素酸化物の含有量が少ない膜を用いると、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することができる。
【０１８７】
窒素酸化物（ＮＯｘ）の放出量が少ない絶縁膜としては、例えば、酸化窒化シリコン膜を用いることができる。当該酸化窒化シリコン膜は、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）において、窒素酸化物（ＮＯｘ）の放出量よりアンモニアの放出量が多い膜であり、代表的にはアンモニアの放出量が１×１０１８分子／ｃｍ３以上５×１０１９分子／ｃｍ３以下である。なお、上記のアンモニアの放出量は、ＴＤＳにおける加熱処理の温度が５０℃以上６５０℃以下、または５０℃以上５５０℃以下の範囲での総量である。
【０１８８】
窒素酸化物（ＮＯｘ）は、加熱処理においてアンモニア及び酸素と反応するため、アンモニアの放出量が多い絶縁膜を用いることで窒素酸化物（ＮＯｘ）が低減される。
【０１８９】
なお、絶縁膜１１０をＳＩＭＳで分析した場合、膜中の窒素濃度が６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であると好ましい。
【０１９０】
また、絶縁膜１１０として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いてもよい。当該ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。
【０１９１】
〔第３の絶縁膜〕
絶縁膜１１６は、窒素または水素を有する。また、絶縁膜１１６は、フッ素を有していてもよい。絶縁膜１１６としては、例えば、窒化物絶縁膜が挙げられる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化フッ化シリコン、フッ化窒化シリコン等を用いて形成することができる。絶縁膜１１６に含まれる水素濃度は、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であると好ましい。また、絶縁膜１１６は、酸化物半導体膜１０８のソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄと接する。したがって、絶縁膜１１６と接するソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄ中の不純物（窒素または水素）濃度が高くなり、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄのキャリア密度を高めることができる。
【０１９２】
〔第４の絶縁膜〕
絶縁膜１１８としては、酸化物絶縁膜を用いることができる。また、絶縁膜１１８としては、酸化物絶縁膜と、窒化物絶縁膜との積層膜を用いることができる。絶縁膜１１８として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ酸化物などを用いればよい。
【０１９３】
また、絶縁膜１１８としては、外部からの水素、水等のバリア膜として機能する膜であることが好ましい。
【０１９４】
絶縁膜１１８の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、または１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
【０１９５】
〔導電膜〕
導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂとしては、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、熱ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。また、導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂとしては、導電性を有する金属膜、可視光を反射する機能を有する導電膜、または可視光を透過する機能を有する導電膜を用いればよい。
【０１９６】
導電性を有する金属膜として、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウム、ネオジム、スカンジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素を含む材料を用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金を用いてもよい。または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いてもよい。または、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用することもできる。または、低抵抗化された酸化物半導体を用いてもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。
【０１９７】
上述の導電性を有する金属膜として、具体的には、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いればよい。特に、銅元素を含む導電膜を用いることで、抵抗を低くすることが出来るため好適である。また、銅元素を含む導電膜としては、または、銅とマンガンとを含む合金膜が挙げられる。当該合金膜は、ウエットエッチング法を用いて加工できるため好適である。
【０１９８】
なお、導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂとしては、窒化タンタル膜を用いると好適である。当該窒化タンタル膜は、導電性を有し、且つ、銅または水素に対して、高いバリア性を有する。また、窒化タンタル膜は、さらに自身からの水素の放出が少ないため、酸化物半導体膜１０８と接する金属膜、または酸化物半導体膜１０８の近傍の金属膜として、最も好適に用いることができる。
【０１９９】
また、上述の導電性を有する導電膜として、導電性高分子または導電性ポリマーを用いてもよい。
【０２００】
また、上述の可視光を反射する機能を有する導電膜としては、金、銀、銅、またはパラジウムから選ばれた金属元素を含む材料を用いることができる。特に、銀元素を含む導電膜を用いることで、可視光における反射率を高めることができるため好適である。
【０２０１】
また、上述の可視光を透過する機能を有する導電膜としては、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、またはシリコンから選ばれた元素を含む材料を用いることができる。具体的には、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等が挙げられる。
【０２０２】
また、上述の可視光を透過する機能を有する導電膜としては、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を用いてもよい。グラフェンを含む膜としては、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等が挙げられる。
【０２０３】
また、導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂを、無電解めっき法により形成することができる。当該無電解めっき法により形成できる材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ａｇ、及びＰｄの中から選ばれるいずれか一つまたは複数を用いることが可能である。特に、ＣｕまたはＡｇを用いると、導電膜の抵抗を低くすることができるため、好適である。
【０２０４】
また、無電解めっき法により導電膜を形成した場合、当該導電膜の構成元素が外部に拡散しないように、当該導電膜の下に、拡散防止膜を形成してもよい。また、当該拡散防止膜と、当該導電膜との間に、導電膜を成長させることが出来るシード層を形成してもよい。上記拡散防止膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。また、当該拡散防止膜としては、例えば、窒化タンタル膜または窒化チタン膜を用いることができる。また、上記シード層としては、無電解めっき法により形成することができる。また、当該シード層としては、無電解めっき法により形成することができる導電膜の材料と同様の材料を用いることができる。
【０２０５】
なお、導電膜１１２として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物に代表される酸化物半導体を用いてよい。当該酸化物半導体は、絶縁膜１１６から窒素または水素が供給されることで、キャリア密度が高くなる。別言すると、酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）として機能する。したがって、酸化物半導体は、ゲート電極として用いることができる。
【０２０６】
例えば、導電膜１１２としては、酸化物導電体（ＯＣ）の単層構造、金属膜の単層構造、または酸化物導電体（ＯＣ）と、金属膜との積層構造等が挙げられる。
【０２０７】
なお、導電膜１１２として、遮光性を有する金属膜の単層構造、または酸化物導電体（ＯＣ）と遮光性を有する金属膜との積層構造を用いる場合、導電膜１１２の下方に形成されるチャネル領域１０８ｉを遮光することができるため、好適である。また、導電膜１１２として、酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）と、遮光性を有する金属膜との積層構造を用いる場合、酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）上に、金属膜（例えば、チタン膜、タングステン膜など）を形成することで、金属膜中の構成元素が酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）側に拡散し低抵抗化する、金属膜の成膜時のダメージ（例えば、スパッタリングダメージなど）により低抵抗化する、あるいは金属膜中に酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）中の酸素が拡散することで、酸素欠損が形成され低抵抗化する。
【０２０８】
導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂの厚さとしては、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、または１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
【０２０９】
［トランジスタの構成例２］
次に、図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタと異なる構成について、図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。
【０２１０】
図７（Ａ）は、トランジスタ１００Ａの上面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図であり、図７（Ｃ）は図７（Ａ）の一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図である。
【０２１１】
図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａは、基板１０２上の導電膜１０６と、導電膜１０６上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８と、酸化物半導体膜１０８上の絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８、及び導電膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。なお、酸化物半導体膜１０８は、導電膜１１２と重なるチャネル領域１０８ｉと、絶縁膜１１６と接するソース領域１０８ｓと、絶縁膜１１６と接するドレイン領域１０８ｄと、を有する。
【０２１２】
また、トランジスタ１００Ａは、絶縁膜１１６上に絶縁膜１１８と、導電膜１２０ａ、導電膜１２０ｂ、及び絶縁膜１１８上に、絶縁膜１２２を有していてもよい。
【０２１３】
トランジスタ１００Ａは、先に示すトランジスタ１００の構成に加え、導電膜１０６と、開口部１４３と、を有する。
【０２１４】
なお、開口部１４３は、絶縁膜１０４、１１０に設けられる。また、導電膜１０６は、開口部１４３を介して、導電膜１１２と、電気的に接続される。よって、導電膜１０６と導電膜１１２には、同じ電位が与えられる。なお、開口部１４３を設けずに、導電膜１０６と、導電膜１１２と、に異なる電位を与えてもよい。または、開口部１４３を設けずに、導電膜１０６を遮光膜として用いてもよい。例えば、導電膜１０６を遮光性の材料により形成することで、チャネル領域１０８ｉに照射される下方からの光を抑制することができる。
【０２１５】
また、トランジスタ１００Ａの構成とする場合、導電膜１０６は、第１のゲート電極（ボトムゲート電極ともいう）としての機能を有し、導電膜１１２は、第２のゲート電極（トップゲート電極ともいう）としての機能を有する。また、絶縁膜１０４は、第１のゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜１１０は、第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。
【０２１６】
導電膜１０６としては、先に記載の導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂと同様の材料を用いることができる。特に導電膜１０６として、銅を含む材料により形成することで抵抗を低くすることができるため好適である。例えば、導電膜１０６を窒化チタン膜、窒化タンタル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造とし、導電膜１２０ａ、１２０ｂを窒化チタン膜、窒化タンタル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造とすると好適である。この場合、トランジスタ１００Ａを表示装置の画素トランジスタ及び駆動トランジスタのいずれか一方または双方に用いることで、導電膜１０６と導電膜１２０ａとの間に生じる寄生容量、及び導電膜１０６と導電膜１２０ｂとの間に生じる寄生容量を低くすることができる。したがって、導電膜１０６、導電膜１２０ａ、及び導電膜１２０ｂを、トランジスタ１００Ａの第１のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極として用いるのみならず、表示装置の電源供給用の配線、信号供給用の配線、または接続用の配線等に用いる事も可能となる。
【０２１７】
このように、図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａは、先に説明したトランジスタ１００と異なり、酸化物半導体膜１０８の上下にゲート電極として機能する導電膜を有する構造である。トランジスタ１００Ａに示すように、本発明の一態様の半導体装置には、複数のゲート電極を設けてもよい。
【０２１８】
また、図７（Ｂ）（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１０８は、第１のゲート電極として機能する導電膜１０６と、第２のゲート電極として機能する導電膜１１２のそれぞれと対向するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。
【０２１９】
また、導電膜１１２のチャネル幅方向の長さは、酸化物半導体膜１０８のチャネル幅方向の長さよりも長く、酸化物半導体膜１０８のチャネル幅方向全体は、絶縁膜１１０を間に挟んで導電膜１１２に覆われている。また、導電膜１１２と導電膜１０６とは、絶縁膜１０４、及び絶縁膜１１０に設けられる開口部１４３において接続されるため、酸化物半導体膜１０８のチャネル幅方向の側面の一方は、絶縁膜１１０を間に挟んで導電膜１１２と対向している。
【０２２０】
別言すると、トランジスタ１００Ａのチャネル幅方向において、導電膜１０６及び導電膜１１２は、絶縁膜１０４、及び絶縁膜１１０に設けられる開口部１４３において接続すると共に、絶縁膜１０４、及び絶縁膜１１０を間に挟んで酸化物半導体膜１０８を取り囲む構成である。
【０２２１】
このような構成を有することで、トランジスタ１００Ａに含まれる酸化物半導体膜１０８を、第１のゲート電極として機能する導電膜１０６及び第２のゲート電極として機能する導電膜１１２の電界によって電気的に取り囲むことができる。トランジスタ１００Ａのように、第１のゲート電極及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜１０８を電気的に取り囲むトランジスタのデバイス構造をＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
【０２２２】
トランジスタ１００Ａは、Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、導電膜１０６または導電膜１１２によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に酸化物半導体膜１０８に印加することができるため、トランジスタ１００Ａの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ１００Ａを微細化することが可能となる。また、トランジスタ１００Ａは、酸化物半導体膜１０８が導電膜１０６、及び導電膜１１２によって取り囲まれた構造を有するため、トランジスタ１００Ａの機械的強度を高めることができる。
【０２２３】
なお、トランジスタ１００Ａのチャネル幅方向において、酸化物半導体膜１０８の開口部１４３が形成されていない側に、開口部１４３と異なる開口部を形成してもよい。
【０２２４】
また、トランジスタ１００Ａに示すように、トランジスタが、半導体膜を間に挟んで存在する一対のゲート電極を有している場合、一方のゲート電極には信号Ａが、他方のゲート電極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には信号Ａが、他方のゲート電極には信号Ｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には固定電位Ｖａが、他方のゲート電極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。
【０２２５】
信号Ａは、例えば、導通状態または非導通状態を制御するための信号である。信号Ａは、電位Ｖ１、または電位Ｖ２（Ｖ１＞Ｖ２とする）の２種類の電位をとるデジタル信号であってもよい。例えば、電位Ｖ１を高電源電位とし、電位Ｖ２を低電源電位とすることができる。信号Ａは、アナログ信号であってもよい。
【０２２６】
固定電位Ｖｂは、例えば、トランジスタのしきい値電圧ＶｔｈＡを制御するための電位である。固定電位Ｖｂは、電位Ｖ１、または電位Ｖ２であってもよい。この場合、固定電位Ｖｂを生成するための電位発生回路を、別途設ける必要がなく好ましい。固定電位Ｖｂは、電位Ｖ１、または電位Ｖ２と異なる電位であってもよい。固定電位Ｖｂを低くすることで、しきい値電圧ＶｔｈＡを高くできる場合がある。その結果、ゲートーソース間電圧Ｖｇｓが０Ｖのときのドレイン電流を低減し、トランジスタを有する回路のリーク電流を低減できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低電源電位よりも低くしてもよい。一方で、固定電位Ｖｂを高くすることで、しきい値電圧ＶｔｈＡを低くできる場合がある。その結果、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高電源電位のときのドレイン電流を向上させ、トランジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低電源電位よりも高くしてもよい。
【０２２７】
信号Ｂは、例えば、導通状態または非導通状態を制御するための信号である。信号Ｂは、電位Ｖ３、または電位Ｖ４（Ｖ３＞Ｖ４とする）の２種類の電位をとるデジタル信号であってもよい。例えば、電位Ｖ３を高電源電位とし、電位Ｖ４を低電源電位とすることができる。信号Ｂは、アナログ信号であってもよい。
【０２２８】
信号Ａと信号Ｂが共にデジタル信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと同じデジタル値を持つ信号であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流を向上し、トランジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。このとき、信号Ａにおける電位Ｖ１及び電位Ｖ２は、信号Ｂにおける電位Ｖ３及び電位Ｖ４と、異なっていても良い。例えば、信号Ｂが入力されるゲートに対応するゲート絶縁膜が、信号Ａが入力されるゲートに対応するゲート絶縁膜よりも厚い場合、信号Ｂの電位振幅（Ｖ３−Ｖ４）を、信号Ａの電位振幅（Ｖ１−Ｖ２）より大きくしても良い。そうすることで、トランジスタの導通状態または非導通状態に対して、信号Ａが与える影響と、信号Ｂが与える影響と、を同程度とすることができる場合がある。
【０２２９】
信号Ａと信号Ｂが共にデジタル信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと異なるデジタル値を持つ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号Ｂによって別々に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。例えば、トランジスタがｎチャネル型である場合、信号Ａが電位Ｖ１であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ３である場合のみ導通状態となる場合や、信号Ａが電位Ｖ２であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ４である場合のみ非導通状態となる場合には、一つのトランジスタでＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路等の機能を実現できる場合がある。また、信号Ｂは、しきい値電圧ＶｔｈＡを制御するための信号であってもよい。例えば、信号Ｂは、トランジスタを有する回路が動作している期間と、当該回路が動作していない期間と、で電位が異なる信号であっても良い。信号Ｂは、回路の動作モードに合わせて電位が異なる信号であってもよい。この場合、信号Ｂは信号Ａほど頻繁には電位が切り替わらない場合がある。
【０２３０】
信号Ａと信号Ｂが共にアナログ信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと同じ電位のアナログ信号、信号Ａの電位を定数倍したアナログ信号、または、信号Ａの電位を定数だけ加算もしくは減算したアナログ信号等であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流が向上し、トランジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。信号Ｂは、信号Ａと異なるアナログ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号Ｂによって別々に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。
【０２３１】
信号Ａがデジタル信号であり、信号Ｂがアナログ信号であってもよい。または信号Ａがアナログ信号であり、信号Ｂがデジタル信号であってもよい。
【０２３２】
トランジスタの両方のゲート電極に固定電位を与える場合、トランジスタを、抵抗素子と同等の素子として機能させることができる場合がある。例えば、トランジスタがｎチャネル型である場合、固定電位Ｖａまたは固定電位Ｖｂを高く（低く）することで、トランジスタの実効抵抗を低く（高く）することができる場合がある。固定電位Ｖａ及び固定電位Ｖｂを共に高く（低く）することで、一つのゲートしか有さないトランジスタによって得られる実効抵抗よりも低い（高い）実効抵抗が得られる場合がある。
【０２３３】
なお、トランジスタ１００Ａのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００と同様であり、同様の効果を奏する。
【０２３４】
［トランジスタの構成例３］
次に、図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタと異なる構成について、図８乃至図１０を用いて説明する。
【０２３５】
図８（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｂの断面図であり、図９（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｃの断面図であり、図１０（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｄの断面図である。なお、トランジスタ１００Ｂ、トランジスタ１００Ｃ、及びトランジスタ１００Ｄの上面図としては、図７（Ａ）に示すトランジスタ１００Ａと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０２３６】
図８（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｂは、導電膜１１２の積層構造、導電膜１１２の形状、及び絶縁膜１１０の形状がトランジスタ１００Ａと異なる。
【０２３７】
トランジスタ１００Ｂの導電膜１１２は、絶縁膜１１０上の導電膜１１２＿１と、導電膜１１２＿１上の導電膜１１２＿２と、を有する。例えば、導電膜１１２＿１として、酸化物導電膜を用いることにより、絶縁膜１１０に過剰酸素を添加することができる。上記酸化物導電膜としては、スパッタリング法を用い、酸素ガスを含む雰囲気にて形成することができる。また、上記酸化物導電膜としては、例えば、インジウムと錫とを有する酸化物、タングステンとインジウムとを有する酸化物、タングステンとインジウムと亜鉛とを有する酸化物、チタンとインジウムとを有する酸化物、チタンとインジウムと錫とを有する酸化物、インジウムと亜鉛とを有する酸化物、シリコンとインジウムと錫とを有する酸化物、インジウムとガリウムと亜鉛とを有する酸化物等が挙げられる。
【０２３８】
また、図８（Ｂ）に示すように、開口部１４３において、導電膜１１２＿２と、導電膜１０６とが接続される。開口部１４３を形成する際に、導電膜１１２＿１となる導電膜を形成した後、開口部１４３を形成することで、図８（Ｂ）に示す形状とすることができる。導電膜１１２＿１に酸化物導電膜を適用した場合、導電膜１１２＿２と、導電膜１０６とが接続される構成とすることで、導電膜１１２と導電膜１０６との接続抵抗を低くすることができる。
【０２３９】
また、トランジスタ１００Ｂの導電膜１１２及び絶縁膜１１０は、テーパー形状である。より具体的には、導電膜１１２の下端部は、導電膜１１２の上端部よりも外側に形成される。また、絶縁膜１１０の下端部は、絶縁膜１１０の上端部よりも外側に形成される。また、導電膜１１２の下端部は、絶縁膜１１０の上端部と概略同じ位置に形成される。
【０２４０】
トランジスタ１００Ｂの導電膜１１２及び絶縁膜１１０をテーパー形状とすることで、トランジスタ１００Ａの導電膜１１２及び絶縁膜１１０が矩形の場合と比較し、絶縁膜１１６の被覆性を高めることができるため好適である。
【０２４１】
なお、トランジスタ１００Ｂのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００Ａと同様であり、同様の効果を奏する。
【０２４２】
図９（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｃは、導電膜１１２の積層構造、導電膜１１２の形状、及び絶縁膜１１０の形状がトランジスタ１００Ａと異なる。
【０２４３】
トランジスタ１００Ｃの導電膜１１２は、絶縁膜１１０上の導電膜１１２＿１と、導電膜１１２＿１上の導電膜１１２＿２と、を有する。また、導電膜１１２＿１の下端部は、導電膜１１２＿２の上端部よりも外側に形成される。例えば、導電膜１１２＿１と、導電膜１１２＿２と、絶縁膜１１０と、を同じマスクで加工し、導電膜１１２＿２をウエットエッチング法で、導電膜１１２＿１及び絶縁膜１１０をドライエッチング法で、それぞれ加工することで、上記の構造とすることができる。
【０２４４】
また、トランジスタ１００Ｃの構造とすることで、酸化物半導体膜１０８中に、領域１０８ｆが形成される場合がある。領域１０８ｆは、チャネル領域１０８ｉとソース領域１０８ｓとの間、及びチャネル領域１０８ｉとドレイン領域１０８ｄとの間に形成される。
【０２４５】
領域１０８ｆは、高抵抗領域あるいは低抵抗領域のいずれか一方として機能する。高抵抗領域とは、チャネル領域１０８ｉと同等の抵抗を有し、ゲート電極として機能する導電膜１１２が重畳しない領域である。領域１０８ｆが高抵抗領域の場合、領域１０８ｆは、所謂オフセット領域として機能する。領域１０８ｆがオフセット領域として機能する場合においては、トランジスタ１００Ｃのオン電流の低下を抑制するために、チャネル長（Ｌ）方向において、領域１０８ｆを１μｍ以下とすればよい。
【０２４６】
また、低抵抗領域とは、チャネル領域１０８ｉよりも抵抗が低く、且つソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄよりも抵抗が高い領域である。領域１０８ｆが低抵抗領域の場合、領域１０８ｆは、所謂、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域として機能する。領域１０８ｆがＬＤＤ領域として機能する場合においては、ドレイン領域の電界緩和が可能となるため、ドレイン領域の電界に起因したトランジスタのしきい値電圧の変動を低減することができる。
【０２４７】
なお、領域１０８ｆをＬＤＤ領域とする場合には、例えば、絶縁膜１１６から領域１０８ｆに窒素、水素、フッ素の１以上を供給する、あるいは、絶縁膜１１０及び導電膜１１２＿１をマスクとして、導電膜１１２＿１の上方から不純物元素を添加することで、当該不純物が導電膜１１２＿１及び絶縁膜１１０を通過して酸化物半導体膜１０８に添加されることで形成することができる。
【０２４８】
また、図９（Ｂ）に示すように、開口部１４３において、導電膜１１２＿２と、導電膜１０６とが接続される。
【０２４９】
なお、トランジスタ１００Ｃのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００Ａと同様であり、同様の効果を奏する。
【０２５０】
図１０（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｄは、導電膜１１２の積層構造、導電膜１１２の形状、及び絶縁膜１１０の形状がトランジスタ１００Ａと異なる。
【０２５１】
トランジスタ１００Ｄの導電膜１１２は、絶縁膜１１０上の導電膜１１２＿１と、導電膜１１２＿１上の導電膜１１２＿２と、を有する。また、導電膜１１２＿１の下端部は、導電膜１１２＿２の下端部よりも外側に形成される。また、絶縁膜１１０の下端部は、導電膜１１２＿１の下端部よりも外側に形成される。例えば、導電膜１１２＿１と、導電膜１１２＿２と、絶縁膜１１０と、を同じマスクで加工し、導電膜１１２＿２及び導電膜１１２＿１をウエットエッチング法で、絶縁膜１１０をドライエッチング法で、それぞれ加工することで、上記の構造とすることができる。
【０２５２】
また、トランジスタ１００Ｃと同様に、トランジスタ１００Ｄには、酸化物半導体膜１０８中に領域１０８ｆが形成される場合がある。領域１０８ｆは、チャネル領域１０８ｉとソース領域１０８ｓとの間、及びチャネル領域１０８ｉとドレイン領域１０８ｄとの間に形成される。
【０２５３】
また、図１０（Ｂ）に示すように、開口部１４３において、導電膜１１２＿２と、導電膜１０６とが接続される。
【０２５４】
なお、トランジスタ１００Ｄのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００Ａと同様であり、同様の効果を奏する。
【０２５５】
［トランジスタの構成例４］
次に、図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａと異なる構成について、図１１乃至図１５を用いて説明する。
【０２５６】
図１１（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｅの断面図であり、図１２（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｆの断面図であり、図１３（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｇの断面図であり、図１４（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｈの断面図であり、図１５（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｊの断面図である。なお、トランジスタ１００Ｅ、トランジスタ１００Ｆ、トランジスタ１００Ｇ、トランジスタ１００Ｈ、及びトランジスタ１００Ｊの上面図としては、図７（Ａ）に示すトランジスタ１００Ａと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０２５７】
トランジスタ１００Ｅ、トランジスタ１００Ｆ、トランジスタ１００Ｇ、トランジスタ１００Ｈ、及びトランジスタ１００Ｊは、先に示すトランジスタ１００Ａと酸化物半導体膜１０８の構造が異なる。それ以外の構成については、先に示すトランジスタ１００Ａと同様の構成であり、同様の効果を奏する。
【０２５８】
図１１（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｅが有する酸化物半導体膜１０８は、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿１と、酸化物半導体膜１０８＿１上の酸化物半導体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導体膜１０８＿３と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿１、酸化物半導体膜１０８＿２、及び酸化物半導体膜１０８＿３の３層の積層構造である。
【０２５９】
図１２（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｆが有する酸化物半導体膜１０８は、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導体膜１０８＿３と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿２、及び酸化物半導体膜１０８＿３の２層の積層構造である。
【０２６０】
図１３（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｇが有する酸化物半導体膜１０８は、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿１と、酸化物半導体膜１０８＿１上の酸化物半導体膜１０８＿２と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿１、及び酸化物半導体膜１０８＿２の２層の積層構造である。
【０２６１】
図１４（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｈが有する酸化物半導体膜１０８は、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿１と、酸化物半導体膜１０８＿１上の酸化物半導体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導体膜１０８＿３と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉは、酸化物半導体膜１０８＿１、酸化物半導体膜１０８＿２、及び酸化物半導体膜１０８＿３の３層の積層構造であり、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿１、及び酸化物半導体膜１０８＿２の２層の積層構造である。なお、トランジスタ１００Ｈのチャネル幅（Ｗ）方向の断面において、酸化物半導体膜１０８＿３が、酸化物半導体膜１０８＿１及び酸化物半導体膜１０８＿２の側面を覆う。
【０２６２】
図１５（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｊが有する酸化物半導体膜１０８は、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導体膜１０８＿３と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉは、酸化物半導体膜１０８＿２、及び酸化物半導体膜１０８＿３の２層の積層構造であり、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿２の単層構造である。なお、トランジスタ１００Ｊのチャネル幅（Ｗ）方向の断面において、酸化物半導体膜１０８＿３が、酸化物半導体膜１０８＿２の側面を覆う。
【０２６３】
チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（Ｗ）方向の側面またはその近傍においては、加工におけるダメージにより欠陥（例えば、酸素欠損）が形成されやすい、あるいは不純物の付着により汚染されやすい。そのため、チャネル領域１０８ｉが実質的に真性であっても、電界などのストレスが印加されることによって、チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（Ｗ）方向の側面またはその近傍が活性化され、低抵抗（ｎ型）領域となりやすい。また、チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（Ｗ）方向の側面またはその近傍がｎ型領域の場合、当該ｎ型領域がキャリアのパスとなるため、寄生チャネルが形成される場合がある。
【０２６４】
そこで、トランジスタ１００Ｈ、及びトランジスタ１００Ｊにおいては、チャネル領域１０８ｉを積層構造とし、チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（Ｗ）方向の側面を、積層構造の一方の層で覆う構成とする。当該構成とすることで、チャネル領域１０８ｉの側面またはその近傍の欠陥を抑制する、あるいはチャネル領域１０８ｉの側面またはその近傍への不純物の付着を低減することが可能となる。
【０２６５】
［バンド構造］
ここで、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１０のバンド構造、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１０のバンド構造、並びに絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２のバンド構造について、図１６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。なお、図１６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、チャネル領域１０８ｉにおけるバンド構造である。
【０２６６】
図１６（Ａ）は、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１０を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。また、図１６（Ｂ）は、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１０を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。また、図１６（Ｃ）は、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、及び絶縁膜１１０を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。なお、バンド構造は、理解を容易にするため絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１０の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を示す。
【０２６７】
また、図１６（Ａ）は、絶縁膜１０４、１１０として酸化シリコン膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿１として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿２として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿３として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いる構成のバンド図である。
【０２６８】
また、図１６（Ｂ）は、絶縁膜１０４、１１０として酸化シリコン膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿２として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿３として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いる構成のバンド図である。
【０２６９】
また、図１６（Ｃ）は、絶縁膜１０４、１１０として酸化シリコン膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿１として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿２として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いて形成される酸化物半導体膜を用いる構成のバンド図である。
【０２７０】
図１６（Ａ）に示すように、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。また、図１６（Ｂ）に示すように、酸化物半導体膜１０８＿２、１０８＿３において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。また、図１６（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようなバンド構造を有するためには、酸化物半導体膜１０８＿１と酸化物半導体膜１０８＿２との界面、または酸化物半導体膜１０８＿２と酸化物半導体膜１０８＿３との界面において、トラップ中心や再結合中心のような欠陥準位を形成するような不純物が存在しないとする。
【０２７１】
酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３に連続接合を形成するためには、ロードロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層することが必要となる。
【０２７２】
図１６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す構成とすることで酸化物半導体膜１０８＿２がウェル（井戸）となり、上記積層構造を用いたトランジスタにおいて、チャネル領域が酸化物半導体膜１０８＿２に形成されることがわかる。
【０２７３】
なお、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３を設けることにより、欠陥準位を酸化物半導体膜１０８＿２より遠ざけることができる。
【０２７４】
また、欠陥準位がチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位から遠くなることがあり、欠陥準位に電子が蓄積しやすくなってしまう。欠陥準位に電子が蓄積されることで、マイナスの固定電荷となり、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがって、欠陥準位が酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位に近くなるような構成にすると好ましい。このようにすることで、欠陥準位に電子が蓄積しにくくなり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度を高めることができる。
【０２７５】
また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、酸化物半導体膜１０８＿２よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、代表的には、酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。すなわち、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の電子親和力と、酸化物半導体膜１０８＿２の電子親和力との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。
【０２７６】
このような構成を有することで、酸化物半導体膜１０８＿２が主な電流経路となる。すなわち、酸化物半導体膜１０８＿２は、チャネル領域としての機能を有し、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、酸化物絶縁膜としての機能を有する。また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜１０８＿２を構成する金属元素の一種以上から構成される酸化物半導体膜を用いると好ましい。このような構成とすることで、酸化物半導体膜１０８＿１と酸化物半導体膜１０８＿２との界面、または酸化物半導体膜１０８＿２と酸化物半導体膜１０８＿３との界面において、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが阻害されないため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
【０２７７】
また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、チャネル領域の一部として機能することを防止するため、導電率が十分に低い材料を用いるものとする。そのため、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３を、その物性及び／または機能から、それぞれ酸化物絶縁膜とも呼べる。または、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３には、電子親和力（真空準位と伝導帯下端のエネルギー準位との差）が酸化物半導体膜１０８＿２よりも小さく、伝導帯下端のエネルギー準位が酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端エネルギー準位と差分（バンドオフセット）を有する材料を用いるものとする。また、ドレイン電圧の大きさに依存したしきい値電圧の差が生じることを抑制するためには、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位が、酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位よりも真空準位に近い材料を用いると好適である。例えば、酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．２ｅＶ以上、好ましくは０．５ｅＶ以上とすることが好ましい。
【０２７８】
また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、膜中にスピネル型の結晶構造が含まれないことが好ましい。酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の膜中にスピネル型の結晶構造を含む場合、該スピネル型の結晶構造と他の領域との界面において、導電膜１２０ａ、１２０ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８＿２へ拡散してしまう場合がある。なお、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３が後述するＣＡＡＣ−ＯＳである場合、導電膜１２０ａ、１２０ｂの構成元素、例えば、銅元素のブロッキング性が高くなり好ましい。
【０２７９】
また、本実施の形態においては、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いる構成について例示したが、これに限定されない。例えば、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：４：５［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：５：６［原子数比］、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１０：１［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いてもよい。あるいは、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、金属元素の原子数比をＧａ：Ｚｎ＝１０：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いてもよい。この場合、酸化物半導体膜１０８＿２として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として金属元素の原子数比をＧａ：Ｚｎ＝１０：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いると、酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位との差を０．６ｅＶ以上とすることができるため好適である。
【０２８０】
なお、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β１（０＜β１≦２）：β２（０＜β２≦２）となる場合がある。また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β３（１≦β３≦５）：β４（２≦β４≦６）となる場合がある。また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β５（１≦β５≦５）：β６（４≦β６≦８）となる場合がある。
【０２８１】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２８２】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできるトランジスタについて、詳細に説明する。
【０２８３】
なお、本実施の形態では、ボトムゲート型のトランジスタについて、図１７乃至図２３を用いて説明する。
【０２８４】
［トランジスタの構成例１］
図１７（Ａ）は、トランジスタ３００Ａの上面図であり、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図１７（Ｃ）は、図１７（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。なお、図１７（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ３００Ａの構成要素の一部（ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等）を省略して図示している。また、一点鎖線Ｘ１−Ｘ２方向をチャネル長方向、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図１７（Ａ）と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
【０２８５】
図１７に示すトランジスタ３００Ａは、基板３０２上の導電膜３０４と、基板３０２及び導電膜３０４上の絶縁膜３０６と、絶縁膜３０６上の絶縁膜３０７と、絶縁膜３０７上の酸化物半導体膜３０８と、酸化物半導体膜３０８上の導電膜３１２ａと、酸化物半導体膜３０８上の導電膜３１２ｂと、を有する。また、トランジスタ３００Ａ上、より詳しくは、導電膜３１２ａ、３１２ｂ及び酸化物半導体膜３０８上には絶縁膜３１４、３１６、及び絶縁膜３１８が設けられる。
【０２８６】
なお、トランジスタ３００Ａにおいて、絶縁膜３０６、３０７は、トランジスタ３００Ａのゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜３１４、３１６、３１８は、トランジスタ３００Ａの保護絶縁膜としての機能を有する。また、トランジスタ３００Ａにおいて、導電膜３０４は、ゲート電極としての機能を有し、導電膜３１２ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜３１２ｂは、ドレイン電極としての機能を有する。
【０２８７】
なお、本明細書等において、絶縁膜３０６、３０７を第１の絶縁膜と、絶縁膜３１４、３１６を第２の絶縁膜と、絶縁膜３１８を第３の絶縁膜と、それぞれ呼称する場合がある。
【０２８８】
図１７に示すトランジスタ３００Ａは、チャネルエッチ型のトランジスタ構造である。本発明の一態様の酸化物半導体膜は、チャネルエッチ型のトランジスタに好適に用いることができる。
【０２８９】
［トランジスタの構成例２］
図１８（Ａ）は、トランジスタ３００Ｂの上面図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図１８（Ｃ）は、図１８（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０２９０】
図１８に示すトランジスタ３００Ｂは、基板３０２上の導電膜３０４と、基板３０２及び導電膜３０４上の絶縁膜３０６と、絶縁膜３０６上の絶縁膜３０７と、絶縁膜３０７上の酸化物半導体膜３０８と、酸化物半導体膜３０８上の絶縁膜３１４と、絶縁膜３１４上の絶縁膜３１６と、絶縁膜３１４及び絶縁膜３１６に設けられる開口部３４１ａを介して酸化物半導体膜３０８に電気的に接続される導電膜３１２ａと、絶縁膜３１４及び絶縁膜３１６に設けられる開口部３４１ｂを介して酸化物半導体膜３０８に電気的に接続される導電膜３１２ｂとを有する。また、トランジスタ３００Ｂ上、より詳しくは、導電膜３１２ａ、３１２ｂ、及び絶縁膜３１６上には絶縁膜３１８が設けられる。
【０２９１】
なお、トランジスタ３００Ｂにおいて、絶縁膜３１４、３１６は、酸化物半導体膜３０８の保護絶縁膜としての機能を有する。
【０２９２】
図１７に示すトランジスタ３００Ａにおいては、チャネルエッチ型の構造であったのに対し、図１８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ３００Ｂは、チャネル保護型の構造である。本発明の一態様の酸化物半導体膜は、チャネル保護型のトランジスタにも好適に用いることができる。
【０２９３】
［トランジスタの構成例３］
図１９（Ａ）は、トランジスタ３００Ｃの上面図であり、図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図１９（Ｃ）は、図１９（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０２９４】
図１９に示すトランジスタ３００Ｃは、図１８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ３００Ｂと絶縁膜３１４、３１６の形状が相違する。具体的には、トランジスタ３００Ｃの絶縁膜３１４、３１６は、酸化物半導体膜３０８のチャネル領域上に島状に設けられる。その他の構成は、トランジスタ３００Ｂと同様である。
【０２９５】
［トランジスタの構成例４］
図２０（Ａ）は、トランジスタ３００Ｄの上面図であり、図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図２０（Ｃ）は、図２０（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０２９６】
図２０に示すトランジスタ３００Ｄは、基板３０２上の導電膜３０４と、基板３０２及び導電膜３０４上の絶縁膜３０６と、絶縁膜３０６上の絶縁膜３０７と、絶縁膜３０７上の酸化物半導体膜３０８と、酸化物半導体膜３０８上の導電膜３１２ａと、酸化物半導体膜３０８上の導電膜３１２ｂと、酸化物半導体膜３０８、及び導電膜３１２ａ、３１２ｂ上の絶縁膜３１４と、絶縁膜３１４上の絶縁膜３１６と、絶縁膜３１６上の絶縁膜３１８と、絶縁膜３１８上の導電膜３２０ａ、３２０ｂと、を有する。
【０２９７】
なお、トランジスタ３００Ｄにおいて、絶縁膜３０６、３０７は、トランジスタ３００Ｄの第１のゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜３１４、３１６、３１８は、トランジスタ３００Ｄの第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。また、トランジスタ３００Ｄにおいて、導電膜３０４は、第１のゲート電極としての機能を有し、導電膜３２０ａは、第２のゲート電極としての機能を有し、導電膜３２０ｂは、例えば表示装置に用いる画素電極としての機能を有する。また、導電膜３１２ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜３１２ｂは、ドレイン電極としての機能を有する。
【０２９８】
また、図２０（Ｃ）に示すように導電膜３２０ａは、絶縁膜３０６、３０７、３１４、３１６、３１８に設けられる開口部３４２ｂ、３４２ｃにおいて、導電膜３０４に接続される。よって、導電膜３２０ａと導電膜３０４とは、同じ電位が与えられる。
【０２９９】
なお、トランジスタ３００Ｄにおいては、開口部３４２ｂ、３４２ｃを設け、導電膜３２０ａと導電膜３０４を接続する構成について例示したが、これに限定されない。例えば、開口部３４２ｂまたは開口部３４２ｃのいずれか一方の開口部のみを形成し、導電膜３２０ａと導電膜３０４を接続する構成、または開口部３４２ｂ及び開口部３４２ｃを設けずに、導電膜３２０ａと導電膜３０４を接続しない構成としてもよい。なお、導電膜３２０ａと導電膜３０４とを接続しない構成の場合、導電膜３２０ａと導電膜３０４には、それぞれ異なる電位を与えることができる。
【０３００】
また、導電膜３２０ｂは、絶縁膜３１４、３１６、３１８に設けられる開口部３４２ａを介して、導電膜３１２ｂと接続される。
【０３０１】
なお、トランジスタ３００Ｄは、先に説明のＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する。
【０３０２】
［トランジスタの構成例５］
また、図１７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ３００Ａが有する酸化物半導体膜３０８を複数の積層構造としてもよい。その場合の一例を図２１（Ａ）（Ｂ）及び図２２（Ａ）（Ｂ）に示す。
【０３０３】
図２１（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ３００Ｅの断面図であり、図２２（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ３００Ｆの断面図である。なお、トランジスタ３００Ｅ、３００Ｆの上面図としては、図１７（Ａ）に示すトランジスタ３００Ａと同様である。
【０３０４】
図２１（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ３００Ｅが有する酸化物半導体膜３０８は、酸化物半導体膜３０８＿１と、酸化物半導体膜３０８＿２と、酸化物半導体膜３０８＿３と、を有する。また、図２２（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ３００Ｆが有する酸化物半導体膜３０８は、酸化物半導体膜３０８＿２と、酸化物半導体膜３０８＿３と、を有する。
【０３０５】
なお、導電膜３０４、絶縁膜３０６、絶縁膜３０７、酸化物半導体膜３０８、酸化物半導体膜３０８＿１、酸化物半導体膜３０８＿２、酸化物半導体膜３０８＿３、導電膜３１２ａ、３１２ｂ、絶縁膜３１４、絶縁膜３１６、絶縁膜３１８、及び導電膜３２０ａ、３２０ｂとしては、それぞれ先に記載の導電膜１０６、絶縁膜１１６、絶縁膜１１４、酸化物半導体膜１０８、酸化物半導体膜１０８＿１、酸化物半導体膜１０８＿２、酸化物半導体膜１０８＿３、導電膜１２０ａ、１２０ｂ、絶縁膜１０４、絶縁膜１１８、絶縁膜１１６、及び導電膜１１２と同様な材料を用いることができる。
【０３０６】
［トランジスタの構成例６］
図２３（Ａ）は、トランジスタ３００Ｇの上面図であり、図２３（Ｂ）は、図２３（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図２３（Ｃ）は、図２３（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０３０７】
図２３に示すトランジスタ３００Ｇは、基板３０２上の導電膜３０４と、基板３０２及び導電膜３０４上の絶縁膜３０６と、絶縁膜３０６上の絶縁膜３０７と、絶縁膜３０７上の酸化物半導体膜３０８と、酸化物半導体膜３０８上の導電膜３１２ａと、酸化物半導体膜３０８上の導電膜３１２ｂと、酸化物半導体膜３０８、導電膜３１２ａ、及び導電膜３１２ｂ上の絶縁膜３１４と、絶縁膜３１４上の絶縁膜３１６と、絶縁膜３１６上の導電膜３２０ａと、絶縁膜３１６上の導電膜３２０ｂと、を有する。
【０３０８】
また、絶縁膜３０６及び絶縁膜３０７は、開口部３５１を有し、絶縁膜３０６及び絶縁膜３０７上には、開口部３５１を介して導電膜３０４と電気的に接続される導電膜３１２ｃが形成される。また、絶縁膜３１４及び絶縁膜３１６は、導電膜３１２ｂに達する開口部３５２ａと、導電膜３１２ｃに達する開口部３５２ｂとを有する。
【０３０９】
また、酸化物半導体膜３０８は、導電膜３０４側の酸化物半導体膜３０８＿２と、酸化物半導体膜３０８＿２上の酸化物半導体膜３０８＿３と、を有する。
【０３１０】
また、トランジスタ３００Ｇの上には、絶縁膜３１８が設けられる。絶縁膜３１８は、絶縁膜３１６、導電膜３２０ａ、及び導電膜３２０ｂを覆うように形成される。
【０３１１】
なお、トランジスタ３００Ｇにおいて、絶縁膜３０６、３０７は、トランジスタ３００Ｇの第１のゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜３１４、３１６は、トランジスタ３００Ｇの第２のゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜３１８は、トランジスタ３００Ｇの保護絶縁膜としての機能を有する。また、トランジスタ３００Ｇにおいて、導電膜３０４は、第１のゲート電極としての機能を有し、導電膜３２０ａは、第２のゲート電極としての機能を有し、導電膜３２０ｂは、例えば表示装置に用いる画素電極としての機能を有する。また、トランジスタ３００Ｇにおいて、導電膜３１２ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜３１２ｂは、ドレイン電極としての機能を有する。また、トランジスタ３００Ｇにおいて、導電膜３１２ｃは接続電極としての機能を有する。
【０３１２】
なお、トランジスタ３００Ｇは、先に説明のＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する。
【０３１３】
また、トランジスタ３００Ａ乃至トランジスタ３００Ｇの構造を、それぞれ自由に組み合わせて用いてもよい。
【０３１４】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３１５】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、本発明の一態様に用いることのできる、酸化物半導体膜の組成、及び酸化物半導体膜の構造等について、図２４乃至図３９を参照して説明する。
【０３１６】
［酸化物半導体膜について］
本発明の一態様の酸化物半導体膜は、インジウム（Ｉｎ）と、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、亜鉛（Ｚｎ）と、を有する。特に、Ｍはガリウム（Ｇａ）であると好ましい。
【０３１７】
酸化物半導体膜がＩｎを有すると、例えばキャリア移動度（電子移動度）が高くなる。また、酸化物半導体膜がＧａを有すると、例えば酸化物半導体膜のエネルギーギャップ（Ｅｇ）が大きくなる。なお、Ｇａは、酸素との結合エネルギーが高い元素であり、酸素との結合エネルギーがＩｎよりも高い。また、酸化物半導体膜がＺｎを有すると、酸化物半導体膜の結晶化が起こり易い。
【０３１８】
なお、本発明の一態様の酸化物半導体膜としては、単一相、特にホモロガス相を示す結晶構造を有すると好適である。例えば、酸化物半導体膜を、Ｉｎ１＋ｘＭ１−ｘＯ３（ＺｎＯ）ｙ（ｘは０＜ｘ＜０．５を満たす数、ｙは１近傍を表す。）構造の組成とし、ＭよりもＩｎの含有率を多くすることで、酸化物半導体膜のキャリア移動度（電子移動度）を高くすることができる。
【０３１９】
特に、本発明の一態様の酸化物半導体膜は、Ｉｎ１＋ｘＭ１−ｘＯ３（ＺｎＯ）ｙ（ｘは０＜ｘ＜０．５を満たす数、ｙは１近傍を表す。）構造の中でも、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１．３３：０．６７：１（概ねＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３）近傍の組成とすることが好ましい。このような組成の酸化物半導体膜は、高いキャリア移動度と、高い膜の安定性を兼ね備えることができる。
【０３２０】
なお、酸化物半導体膜の組成はこれに限られず、層状の結晶構造を取り得る組成であればよい。
【０３２１】
なお、本明細書等において、近傍とは、ある金属原子の原子数比に対して、プラス・マイナス１以内、さらに好ましくはプラス・マイナス０．５以内の範囲とすればよい。例えば、酸化物半導体膜の組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３であり、Ｉｎが４の場合、Ｇａが１以上３以下（１≦Ｇａ≦３）であり、且つＺｎが２以上４以下（２≦Ｚｎ≦４）、好ましくはＧａが１．５以上２．５以下（１．５≦Ｇａ≦２．５）であり、且つＺｎが２以上４以下（２≦Ｚｎ≦４）であればよい。
【０３２２】
［酸化物半導体膜の組成］
まず、酸化物半導体膜の組成について説明する。
【０３２３】
酸化物半導体膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０３２４】
ここで、酸化物半導体膜が、インジウム、元素Ｍ及び亜鉛を有する場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。元素Ｍに適用可能なその他の元素としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない。
【０３２５】
まず、図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）、及び図２４（Ｃ）を用いて、本発明の一態様に係る酸化物半導体膜が有するインジウム、元素Ｍ及び亜鉛の原子数比の好ましい範囲について説明する。なお、図２４には、酸素の原子数比については記載しない。また、酸化物半導体膜が有するインジウム、元素Ｍ、及び亜鉛の原子数比のそれぞれの項を［Ｉｎ］、［Ｍ］、及び［Ｚｎ］とする。
【０３２６】
図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）、及び図２４（Ｃ）において、破線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：１の原子数比（−１≦α≦１）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：２の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：３の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：４の原子数比となるライン、及び［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：５の原子数比となるラインを表す。
【０３２７】
また、一点鎖線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：βの原子数比（β≧０）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：２：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：３：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：４：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝２：１：βの原子数比となるライン、及び［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：βの原子数比となるラインを表す。
【０３２８】
また、図２４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の原子数比またはその近傍値の酸化物半導体膜は、スピネル型の結晶構造をとりやすい。
【０３２９】
図２４（Ａ）及び図２４（Ｂ）では、本発明の一態様の酸化物半導体膜が有する、インジウム、元素Ｍ、及び亜鉛の原子数比の好ましい範囲の一例について示している。
【０３３０】
一例として、図２５に、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：１である、ＩｎＭＺｎＯ４の結晶構造を示す。また、図２５は、ｂ軸に平行な方向から観察した場合のＩｎＭＺｎＯ４の結晶構造である。なお、図２５に示すＭ、Ｚｎ、酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）における金属元素は、元素Ｍまたは亜鉛を表している。この場合、元素Ｍと亜鉛の割合が等しいものとする。元素Ｍと亜鉛とは、置換が可能であり、配列は不規則である。
【０３３１】
ＩｎＭＺｎＯ４は、層状の結晶構造（層状構造ともいう）をとり、図２５に示すように、インジウム、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）が１に対し、元素Ｍ、亜鉛、及び酸素を有する（Ｍ，Ｚｎ）層が２となる。
【０３３２】
また、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。そのため、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換し、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。その場合、Ｉｎ層が１に対し、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層が２である層状構造をとる。
【０３３３】
また、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：２となる原子数比の酸化物半導体膜は、Ｉｎ層が１に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層が３である層状構造をとる。つまり、［Ｉｎ］及び［Ｍ］に対し［Ｚｎ］が大きくなると、酸化物半導体膜が結晶化した場合、Ｉｎ層に対する（Ｍ，Ｚｎ）層の割合が増加する。
【０３３４】
ただし、酸化物半導体膜中において、Ｉｎ層が１に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層の層数が非整数である場合、Ｉｎ層が１層に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層の層数が整数である層状構造を複数種有する場合がある。例えば、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：１．５である場合、Ｉｎ層が１に対し、（Ｍ，Ｚｎ）層が２である層状構造と、（Ｍ，Ｚｎ）層が３である層状構造とが混在する層状構造となる場合がある。
【０３３５】
例えば、酸化物半導体膜をスパッタリング装置にて成膜する場合、ターゲットの原子数比からずれた原子数比の膜が形成される。特に、成膜時の基板温度によっては、ターゲットの［Ｚｎ］よりも、膜の［Ｚｎ］が小さくなる場合がある。
【０３３６】
また、酸化物半導体膜中に複数の相が共存する場合がある（二相共存、三相共存など）。例えば、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の原子数比の近傍値である原子数比では、スピネル型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。また、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：０：０を示す原子数比の近傍値である原子数比では、ビックスバイト型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。酸化物半導体膜中に複数の相が共存する場合、異なる結晶構造の間において、粒界（グレインバウンダリーともいう）が形成される場合がある。
【０３３７】
一方、酸化物半導体膜中のインジウム及び亜鉛の含有率が低くなると、キャリア移動度が低くなる。従って、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：１：０を示す原子数比、及びその近傍値である原子数比（例えば図２４（Ｃ）に示す領域Ｃ）では、絶縁性が高くなる。
【０３３８】
従って、本発明の一態様の酸化物半導体膜は、キャリア移動度が高く、かつ、粒界が少ない層状構造となりやすい、図２４（Ａ）の領域Ａで示される原子数比を有することが好ましい。
【０３３９】
また、図２４（Ｂ）に示す領域Ｂは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝４：２：３から４．１、及びその近傍値を示している。近傍値には、例えば、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：３：４が含まれる。領域Ｂで示される原子数比を有する酸化物半導体膜は、特に、結晶性が高く、キャリア移動度も高い優れた酸化物半導体膜である。
【０３４０】
なお、酸化物半導体膜が、層状構造を形成する条件は、原子数比によって一義的に定まらない。原子数比により、層状構造を形成するための難易の差はある。一方、同じ原子数比であっても、形成条件により、層状構造になる場合も層状構造にならない場合もある。従って、図示する領域は、酸化物半導体膜が層状構造を有する原子数比を示す領域であり、領域Ａ乃至領域Ｃの境界は厳密ではない。
【０３４１】
［酸化物半導体膜のキャリア密度］
次に、酸化物半導体膜のキャリア密度について、以下に説明を行う。
【０３４２】
酸化物半導体膜のキャリア密度に影響を与える因子としては、酸化物半導体膜中の酸素欠損（Ｖｏ）、または酸化物半導体膜中の不純物などが挙げられる。
【０３４３】
酸化物半導体膜中の酸素欠損が多くなると、該酸素欠損に水素が結合（この状態をＶｏＨともいう）した際に、欠陥準位密度が高くなる。または、酸化物半導体膜中の不純物が多くなると、該不純物に起因し欠陥準位密度が高くなる。したがって、酸化物半導体膜中の欠陥準位密度を制御することで、酸化物半導体膜のキャリア密度を制御することができる。
【０３４４】
ここで、酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタを考える。
【０３４５】
トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトの抑制、またはトランジスタのオフ電流の低減を目的とする場合においては、酸化物半導体膜のキャリア密度を低くする方が好ましい。酸化物半導体膜のキャリア密度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。高純度真性の酸化物半導体膜のキャリア密度としては、８×１０１５ｃｍ−３未満、好ましくは１×１０１１ｃｍ−３未満、さらに好ましくは１×１０１０ｃｍ−３未満であり、１×１０−９ｃｍ−３以上とすればよい。
【０３４６】
一方で、トランジスタのオン電流の向上、またはトランジスタの電界効果移動度の向上を目的とする場合においては、酸化物半導体膜のキャリア密度を高くする方が好ましい。酸化物半導体膜のキャリア密度を高くする場合においては、酸化物半導体膜の不純物濃度をわずかに高める、または酸化物半導体膜の欠陥準位密度をわずかに高めればよい。あるいは、酸化物半導体膜のバンドギャップをより小さくするとよい。例えば、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性のオン／オフ比が取れる範囲において、不純物濃度がわずかに高い、または欠陥準位密度がわずかに高い酸化物半導体膜は、実質的に真性とみなせる。また、電子親和力が大きく、それにともなってバンドギャップが小さくなり、その結果、熱励起された電子（キャリア）の密度が増加した酸化物半導体膜は、実質的に真性とみなせる。なお、より電子親和力が大きな酸化物半導体膜を用いた場合には、トランジスタのしきい値電圧がより低くなる。
【０３４７】
実質的に真性の酸化物半導体膜のキャリア密度は、１×１０５ｃｍ−３以上１×１０１８ｃｍ−３未満が好ましく、１×１０７ｃｍ−３以上１×１０１７ｃｍ−３以下がより好ましく、１×１０９ｃｍ−３以上５×１０１６ｃｍ−３以下がさらに好ましく、１×１０１０ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３以下がさらに好ましく、１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１５ｃｍ−３以下がさらに好ましい。
【０３４８】
また、上述の実質的に真性の酸化物半導体膜を用いることで、トランジスタの信頼性が向上する場合がある。ここで、図２６を用いて、酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタの信頼性が向上する理由について説明する。図２６は、酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタにおけるエネルギーバンドを説明する図である。
【０３４９】
図２６において、ＧＥはゲート電極を、ＧＩはゲート絶縁膜を、ＯＳは酸化物半導体膜を、ＳＤはソース電極またはドレイン電極を、それぞれ表す。すなわち、図２６は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接するソース電極またはドレイン電極のエネルギーバンドの一例である。
【０３５０】
また、図２６において、ゲート絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用い、酸化物半導体膜にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる構成である。また、酸化シリコン膜中に形成されうる欠陥の遷移レベル（εｆ）はゲート絶縁膜の伝導帯下端から約３．１ｅＶ離れた位置に形成されるものとし、ゲート電圧（Ｖｇ）が３０Ｖの場合の酸化物半導体膜と酸化シリコン膜との界面における酸化シリコン膜のフェルミ準位（Ｅｆ）はゲート絶縁膜の伝導帯下端から約３．６ｅＶ離れた位置に形成されるものとする。なお、酸化シリコン膜のフェルミ準位は、ゲート電圧に依存し変動する。例えば、ゲート電圧を大きくすることで、酸化物半導体膜と、酸化シリコン膜との界面における酸化シリコン膜のフェルミ準位（Ｅｆ）は低くなる。また、図２６中の白丸は電子（キャリア）を表し、図２６中のＸは酸化シリコン膜中の欠陥準位を表す。
【０３５１】
図２６に示すように、ゲート電圧が印加された状態で、例えばキャリアが熱励起されると、欠陥準位（図中Ｘ）にキャリアがトラップされ、プラス（“＋”）からニュートラル（“０”）に欠陥準位の荷電状態が変化する。すなわち、酸化シリコン膜のフェルミ準位（Ｅｆ）に上述の熱励起のエネルギーを足した値が欠陥の遷移レベル（εｆ）よりも高くなる場合、酸化シリコン膜中の欠陥準位の荷電状態は正の状態から中性となり、トランジスタのしきい値電圧がプラス方向に変動することになる。
【０３５２】
また、電子親和力が異なる酸化物半導体膜を用いると、ゲート絶縁膜と酸化物半導体膜との界面のフェルミ準位が形成される深さが異なることがある。電子親和力の大きな酸化物半導体膜を用いると、ゲート絶縁膜と酸化物半導体膜との界面近傍において、ゲート絶縁膜の伝導帯下端が相対的に高くなる。この場合、ゲート絶縁膜中に形成されうる欠陥準位（図２６中Ｘ）も相対的に高くなるため、ゲート絶縁膜のフェルミ準位と、酸化物半導体膜のフェルミ準位とのエネルギー差が大きくなる。該エネルギー差が大きくなることにより、ゲート絶縁膜中にトラップされる電荷が少なくなる。例えば、上述の酸化シリコン膜中に形成されうる欠陥準位の荷電状態の変化が少なくなり、ゲートバイアス熱（Ｇａｔｅ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：ＧＢＴともいう）ストレスにおける、トランジスタのしきい値電圧の変動を小さくできる。
【０３５３】
また、酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタは、粒界におけるキャリア散乱等を減少させることができるため、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
【０３５４】
また、酸化物半導体膜の欠陥準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、欠陥準位密度の高い酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
【０３５５】
従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
【０３５６】
ここで、酸化物半導体膜中における各不純物の影響について説明する。
【０３５７】
酸化物半導体膜において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、酸化物半導体膜において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体膜におけるシリコンや炭素の濃度と、酸化物半導体膜との界面近傍のシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０３５８】
また、酸化物半導体膜にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体膜を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体膜中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体膜中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【０３５９】
また、酸化物半導体膜において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型になりやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体膜を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。例えば、酸化物半導体膜中の窒素濃度は、ＳＩＭＳにおいて、例えば６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０３６０】
また、酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体膜を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体膜中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。
【０３６１】
不純物が十分に低減された酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
【０３６２】
また、酸化物半導体膜は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、または２．５ｅＶ以上であると好ましい。
【０３６３】
また、酸化物半導体膜の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。
【０３６４】
［酸化物半導体膜の構造］
次に、酸化物半導体膜の構造について説明する。
【０３６５】
酸化物半導体膜は、単結晶酸化物半導体膜と、それ以外の非単結晶酸化物半導体膜と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。
【０３６６】
また別の観点では、酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜と、それ以外の結晶性酸化物半導体膜と、に分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、及びｎｃ−ＯＳなどがある。
【０３６７】
非晶質構造は、一般に、等方的であって不均質構造を持たない、準安定状態で原子の配置が固定化していない、結合角度が柔軟である、短距離秩序は有するが長距離秩序を有さない、などといわれている。
【０３６８】
すなわち、安定な酸化物半導体膜を完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）酸化物半導体膜とは呼べない。また、等方的でない（例えば、微小な領域において周期構造を有する）酸化物半導体膜を、完全な非晶質酸化物半導体膜とは呼べない。一方、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、等方的でないが、鬆（ボイドともいう。）を有する不安定な構造である。不安定であるという点では、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、物性的に非晶質酸化物半導体に近い。
【０３６９】
〔ＣＡＡＣ−ＯＳ〕
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
【０３７０】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半導体の一種である。
【０３７１】
ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
【０３７２】
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
【０３７３】
〔ｎｃ−ＯＳ〕
次に、ｎｃ−ＯＳについて説明する。
【０３７４】
ｎｃ−ＯＳをＸＲＤによって解析した場合について説明する。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、配向性を示すピークが現れない。即ち、ｎｃ−ＯＳの結晶は配向性を有さない。
【０３７５】
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡＣ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる場合がある。
【０３７６】
〔ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ〕
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
【０３７７】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、鬆を有するため、不安定な構造である。
【０３７８】
また、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、鬆を有するため、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて密度の低い構造である。具体的には、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の７８．６％以上９２．３％未満である。また、ｎｃ−ＯＳの密度及びＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満である。単結晶の密度の７８％未満である酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
【０３７９】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３である。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満である。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ｎｃ−ＯＳの密度及びＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満である。
【０３８０】
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
【０３８１】
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。なお、本発明の一態様の酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上が混在していてもよい。その場合の一例を以下に示す。
【０３８２】
本発明の一態様の酸化物半導体膜を、２種類の結晶部を含む酸化物半導体膜とすることができる。すなわち、２種類の結晶部が混在している酸化物半導体膜である。結晶部の一（第１の結晶部ともいう）は、膜の厚さ方向（膜面方向、膜の被形成面、または膜の表面に垂直な方向ともいう）に配向性を有する、すなわちｃ軸配向性を有する結晶部である。結晶部の他の一（第２の結晶部ともいう）は、ｃ軸配向性を有さずに様々な向きに配向する結晶部である。
【０３８３】
なお、以下では説明を容易にするために、ｃ軸配向性を有する結晶部を第１の結晶部、ｃ軸配向性を有さない結晶部を第２の結晶部と分けて説明しているが、これらは結晶性や結晶の大きさなどに違いがなく区別できない場合がある。すなわち、本発明の一態様の酸化物半導体膜はこれらを区別せずに表現することもできる。
【０３８４】
例えば、本発明の一態様の酸化物半導体膜は、複数の結晶部を有し、膜中に存在する結晶部のうち、少なくとも一の結晶部がｃ軸配向性を有していればよい。また、膜中に存在する結晶部のうち、ｃ軸配向性を有さない結晶部が、ｃ軸配向性を有する結晶部よりも存在割合を多くしてもよい。一例としては、本発明の一態様の酸化物半導体膜は、その膜厚方向の断面における透過型電子顕微鏡による観察像において、複数の結晶部が観察され、当該複数の結晶部のうちｃ軸配向性を有さない第２の結晶部が、ｃ軸配向性を有する第１の結晶部よりも多く観察される場合がある。別言すると、本発明の一態様の酸化物半導体膜は、ｃ軸配向性を有さない第２の結晶部の存在割合が多い。
【０３８５】
酸化物半導体膜中にｃ軸配向性を有さない第２の結晶部の存在割合を多くすることで、以下の優れた効果を奏する。
【０３８６】
酸化物半導体膜の近傍に十分な酸素供給源がある場合において、ｃ軸配向性を有さない第２の結晶部は、酸素の拡散経路になりうる。よって、酸化物半導体膜の近傍に十分な酸素供給源がある場合に、ｃ軸配向性を有さない第２の結晶部を介して、ｃ軸配向性を有する第１の結晶部に酸素を供給することができる。よって、酸化物半導体膜の膜中の酸素欠損量を低減することができる。このような酸化物半導体膜をトランジスタの半導体膜に適用することで、高い信頼性を有し、且つ高い電界効果移動度を得ることが可能となる。
【０３８７】
また、第１の結晶部は、特定の結晶面が膜の厚さ方向に対して配向性を有する。そのため、第１の結晶部を含む酸化物半導体膜について、膜の上面に概略垂直な方向に対するＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定を行うと、所定の回折角（２θ）に当該第１の結晶部に由来する回折ピークが確認される。一方で酸化物半導体膜が第１の結晶部を有していても、支持基板によるＸ線の散乱、またはバックグラウンドの上昇により、回折ピークが十分に確認されないこともある。なお、回折ピークの高さ（強度）は、酸化物半導体膜中に含まれる第１の結晶部の存在割合に応じて大きくなり、酸化物半導体膜の結晶性を推し量る指標にもなりえる。
【０３８８】
また、酸化物半導体膜の結晶性の評価方法の一つとして、電子線回折が挙げられる。例えば、断面に対する電子線回折測定を行い、本発明の一態様の酸化物半導体膜の電子線回折パターンを観測した場合、第１の結晶部に起因する回折スポットを有する第１の領域と、第２の結晶部に起因する回折スポットを有する第２の領域とが観測される。
【０３８９】
第１の結晶部に起因する回折スポットを有する第１の領域は、ｃ軸配向性を有する結晶部に由来する。一方で第２の結晶部に起因する回折スポットを有する第２の領域は、配向性を有さない結晶部、または、あらゆる向きに無秩序に配向する結晶部に由来する。そのため電子線回折に用いる電子線のビーム径、すなわち観察する領域の面積によって、異なるパターンが確認される場合がある。なお、本明細書等において、電子線のビーム径を１ｎｍΦ以上１００ｎｍΦ以下で測定する電子線回折を、ナノビーム電子線回折（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ  Ｂｅａｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）と呼ぶ。
【０３９０】
ただし、本発明の一態様の酸化物半導体膜の結晶性を、ＮＢＥＤと異なる方法で評価してもよい。酸化物半導体膜の結晶性の評価方法の一例としては、電子回折、Ｘ線回折、中性子回折などが挙げられる。電子回折の中でも、先に示すＮＢＥＤの他に、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）、収束電子回折（ＣＢＥＤ：Ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｔ  Ｂｅａｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）、制限視野電子回折（ＳＡＥＤ：Ｓｅｌｅｃｔｅｄ  Ａｒｅａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）などを好適に用いることができる。
【０３９１】
また、ＮＢＥＤにおいて、電子線のビーム径を大きくした条件（例えば、２５ｎｍΦ以上１００ｎｍΦ以下、または５０ｎｍΦ以上１００ｎｍΦ以下）のナノビーム電子線回折パターンでは、リング状のパターンが確認される。また当該リング状のパターンは、動径方向に輝度の分布を有する場合がある。一方、ＮＢＥＤにおいて、電子線のビーム径を十分に小さくした条件（例えば１ｎｍΦ以上１０ｎｍΦ以下）の電子線回折像では、上記リング状のパターンの位置に、円周方向（θ方向ともいう）に分布した複数のスポットが確認される場合がある。すなわち、電子線のビーム径を大きくした条件でみられるリング状のパターンは、上記の複数のスポットの集合体により形成される。
【０３９２】
例えば、配向性を有する結晶部と、配向性を有さない結晶部が混在した膜では、断面における電子ビームの径を十分に大きくした条件での電子線回折パターンにおいて、配向性を有する結晶部に由来するスポットと、配向性を有さない結晶部に由来するリング状のパターンが混在した回折パターンが確認される。また、断面における電子ビームの径を十分に小さくした条件での電子線回折パターンにおいて、配向性を有する結晶部に由来するスポットと、配向性を有さない結晶部に由来し、円周方向に沿って散在した複数のスポットが混在した回折パターンが確認される。
【０３９３】
ここで、膜中における、配向性を有する結晶部の存在割合が高い場合、得られる電子線回折パターンはより異方性の高いパターンが支配的となる。例えば、電子ビームの径を十分に大きくした条件での電子線回折パターンにおいて、配向性を有する結晶部に由来するスポットの輝度に対して、リング状のパターンの輝度が相対的に低くなる。
【０３９４】
なお、結晶部を有さない非晶質の膜である場合、膜の断面に垂直な方向から電子線を入射する電子線回折を測定した時、電子線回折パターンには回折ピークは観測されず、非弾性散乱に起因するハロー状のパターンが観測される。またこのハロー状のパターンは配向性を有さず、得られる電子線回折パターンは入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を中心に円対称なパターンとなる。電子ビームの径を十分に大きくした条件の電子線回折では、配向性を有さない結晶部のみの膜、配向性を有さない結晶部と非晶質領域が混在した膜、及び結晶部を有さない非晶質の膜の間で区別がつかない場合がある。配向性を有さない結晶部が含まれていることは、電子ビームの径を十分に小さくした条件での電子線回折により、確認することができる。
【０３９５】
［酸化物半導体膜の結晶性の評価］
以下では、条件の異なる３つの酸化物半導体膜が形成された試料（試料Ｘ１乃至試料Ｘ３）を作製し結晶性の評価を行った。まず、試料Ｘ１乃至試料Ｘ３の作製方法について、説明する。
【０３９６】
〔試料について〕
｛試料Ｘ１｝
試料Ｘ１は、ガラス基板上に厚さ約１００ｎｍの酸化物半導体膜が形成された試料である。当該酸化物半導体膜は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有する。試料Ｘ１の酸化物半導体膜の形成条件としては、基板を１７０℃に加熱し、流量１４０ｓｃｃｍのアルゴンガスと流量６０ｓｃｃｍの酸素ガスとをスパッタリング装置のチャンバー内に導入し、圧力を０．６Ｐａとし、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有する金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）に、２．５ｋＷの交流電力を印加することで形成した。なお、試料Ｘ１の作製条件における酸素流量比は３０％である。
【０３９７】
｛試料Ｘ２｝
試料Ｘ２は、ガラス基板上に厚さ約１００ｎｍの酸化物半導体膜が成膜された試料である。試料Ｘ２の酸化物半導体膜の形成条件としては、基板を１３０℃に加熱し、流量１８０ｓｃｃｍのアルゴンガスと、流量２０ｓｃｃｍの酸素ガスとをスパッタリング装置のチャンバー内に導入して形成した。試料Ｘ２の作製条件における酸素流量比は１０％である。なお、基板温度、及び酸素流量比以外の条件としては、先に示す試料Ｘ１と同様の条件とした。
【０３９８】
｛試料Ｘ３｝
試料Ｘ３は、ガラス基板上に厚さ約１００ｎｍの酸化物半導体膜が成膜された試料である。試料Ｘ３の酸化物半導体膜の形成条件としては、基板を室温（Ｒ．Ｔ．）とし、流量１８０ｓｃｃｍのアルゴンガスと、流量２０ｓｃｃｍの酸素ガスとをスパッタリング装置のチャンバー内に導入して形成した。試料Ｘ３の作製条件における酸素流量比は１０％である。なお、基板温度、及び酸素流量比以外の条件としては、先に示す試料Ｘ１と同様の条件とした。
【０３９９】
試料Ｘ１乃至試料Ｘ３の形成条件を表１に示す。
【０４００】
【表１】
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【０４０１】
次に、上記作製した試料Ｘ１乃至試料Ｘ３の結晶性の評価を行った。本実施の形態においては、結晶性の評価として、断面ＴＥＭ観察、ＸＲＤ測定、及び電子線回折を行った。
【０４０２】
〔断面ＴＥＭ観察〕
図２７乃至図２９に、試料Ｘ１乃至試料Ｘ３の断面ＴＥＭ観察結果を示す。なお、図２７（Ａ）（Ｂ）は試料Ｘ１の断面ＴＥＭ像であり、図２８（Ａ）（Ｂ）は試料Ｘ２の断面ＴＥＭ像であり、図２９（Ａ）（Ｂ）は試料Ｘ３の断面ＴＥＭ像である。
【０４０３】
また、図２７（Ｃ）は試料Ｘ１の断面の高分解能透過型電子顕微鏡（ＨＲ−ＴＥＭ：Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ−ＴＥＭ）像であり、図２８（Ｃ）は試料Ｘ２の断面ＨＲ−ＴＥＭ像であり、図２９（Ｃ）は試料Ｘ３の断面ＨＲ−ＴＥＭ像である。なお、断面ＨＲ−ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ  Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いてもよい。球面収差補正機能を用いた高分解能ＴＥＭ像を、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像は、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆなどによって観察することができる。
【０４０４】
図２７及び図２８に示すように、試料Ｘ１及び試料Ｘ２では、原子が膜厚方向に層状に配列している結晶部が観察される。特に、ＨＲ−ＴＥＭ像において、層状に配列している結晶部が観察されやすい。また、図２９に示すように、試料Ｘ３では原子が膜厚方向に層状に配列している様子が確認され難い。
【０４０５】
〔ＸＲＤ測定〕
次に、各試料のＸＲＤ測定結果について説明する。
【０４０６】
図３０（Ａ）に試料Ｘ１のＸＲＤ測定結果を、図３１（Ａ）に試料Ｘ２のＸＲＤ測定結果を、図３２（Ａ）に試料Ｘ３のＸＲＤ測定結果を、それぞれ示す。
【０４０７】
ＸＲＤ測定では、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法の一種である粉末法（θ−２θ法ともいう。）を用いた。θ−２θ法は、Ｘ線の入射角を変化させるとともに、Ｘ線源に対向して設けられる検出器の角度を入射角と同じにしてＸ線回折強度を測定する方法である。なお、Ｘ線を膜表面から約０．４０°の角度から入射し、検出器の角度を変化させてＸ線回折強度を測定するｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法の一種であるＧＩＸＲＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ  ＸＲＤ）法（薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。）を用いてもよい。図３０（Ａ）、図３１（Ａ）、及び図３２（Ａ）における縦軸は回折強度を任意単位で示し、横軸は角度２θを示している。
【０４０８】
図３０（Ａ）及び図３１（Ａ）に示すように、試料Ｘ１及び試料Ｘ２においては、２θ＝３１°付近に回折強度のピークが確認される。一方で、図３２（Ａ）に示すように、試料Ｘ３においては、２θ＝３１°付近の回折強度のピークが確認され難い、または２θ＝３１°付近の回折強度のピークが極めて小さい、あるいは２θ＝３１°付近の回折強度のピークが無い。
【０４０９】
なお、回折強度のピークがみられた回折角（２θ＝３１°付近）は、単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルにおける（００９）面の回折角と一致する。したがって、試料Ｘ１及び試料Ｘ２において、上記ピークが観測されることから、ｃ軸が膜厚方向に配向する結晶部（以下、ｃ軸配向性を有する結晶部、または第１の結晶部ともいう）が含まれていることが確認できる。なお、試料Ｘ３については、ＸＲＤ測定からでは、ｃ軸配向性を有する結晶部が含まれているかを判断するのが困難である。
【０４１０】
〔電子線回折〕
次に、試料Ｘ１乃至試料Ｘ３について、電子線回折測定を行った結果について説明する。電子線回折測定では、各試料の断面に対して電子線を垂直に入射したときの電子線回折パターンを取得する。また電子線のビーム径を、１ｎｍΦ及び１００ｎｍΦの２つとした。
【０４１１】
なお、電子線回折において、入射する電子線のビーム径だけでなく、試料の厚さが厚いほど、電子線回折パターンには、その奥行き方向の情報が現れることとなる。そのため、電子線のビーム径を小さくするだけでなく、試料の奥行方向の厚さを薄くすることで、より局所的な領域の情報を得ることができる。一方で、試料の奥行き方向の厚さが薄すぎる場合（例えば試料の奥行き方向の厚さが５ｎｍ以下の場合）、極微細な領域の情報しか得られない。そのため、極微細な領域に結晶が存在していた場合には、得られる電子線回折パターンは、単結晶のものと同様のパターンとなる場合がある。極微細な領域を解析する目的でない場合には、試料の奥行き方向の厚さを、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、代表的には１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【０４１２】
図３０（Ｂ）（Ｃ）に試料Ｘ１の電子線回折パターンを、図３１（Ｂ）（Ｃ）に試料Ｘ２の電子線回折パターンを、図３２（Ｂ）（Ｃ）に試料Ｘ３の電子線回折パターンを、それぞれ示す。
【０４１３】
なお、図３０（Ｂ）（Ｃ）、図３１（Ｂ）（Ｃ）、及び図３２（Ｂ）（Ｃ）に示す電子線回折パターンは、電子線回折パターンが明瞭になるようにコントラストが調整された画像データである。また、図３０（Ｂ）（Ｃ）、図３１（Ｂ）（Ｃ）、及び図３２（Ｂ）（Ｃ）において、中央の最も明るい輝点は入射される電子線ビームによるものであり、電子線回折パターンの中心（ダイレクトスポットまたは透過波ともいう）である。
【０４１４】
また、図３０（Ｂ）に示すように、入射する電子線のビーム径を１ｎｍΦとした場合に、円周状に分布した複数のスポットがみられることから、酸化物半導体膜は、極めて微小で且つ面方位があらゆる向きに配向した複数の結晶部が混在していることが分かる。また、図３０（Ｃ）に示すように、入射する電子線のビーム径を１００ｎｍΦとした場合に、この複数の結晶部からの回折スポットが連なり、輝度が平均化されてリング状の回折パターンとなることが確認できる。また、図３０（Ｃ）では、半径の異なる２つのリング状の回折パターンが確認できる。ここで、径の小さいほうから第１のリング、第２のリングと呼ぶこととする。第２のリングに比べて、第１のリングの方が輝度が高いことが確認できる。また、第１のリングと重なる位置に、輝度の高い２つのスポット（第１の領域）が確認される。
【０４１５】
第１のリングの中心からの動径方向の距離は、単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルにおける（００９）面の回折スポットの中心からの動径方向の距離とほぼ一致する。また、第１の領域は、ｃ軸配向性に起因する回折スポットである。
【０４１６】
また、図３０（Ｃ）に示すように、リング状の回折パターンが見られていることから、酸化物半導体膜中には、あらゆる向きに配向している結晶部（以下、ｃ軸配向性を有さない結晶部、または第２の結晶部ともいう）が存在するとも言い換えることもできる。
【０４１７】
また、２つの第１の領域は、電子線回折パターンの中心点に対して対称に配置され、輝度が同程度であることから、２回対称性を有することが推察される。また上述のように、２つの第１の領域はｃ軸配向性に起因する回折スポットであることから、２つの第１の領域と中心を通る線を結ぶ直線の方向が、結晶部のｃ軸の向きと一致する。図３０（Ｃ）において上下方向が膜厚方向であることから、酸化物半導体膜中には、ｃ軸が膜厚方向に配向する結晶部が存在していることが分かる。
【０４１８】
このように、試料Ｘ１の酸化物半導体膜は、ｃ軸配向性を有する結晶部と、ｃ軸配向性を有さない結晶部とが混在している膜であることが確認できる。
【０４１９】
図３１（Ｂ）（Ｃ）及び図３２（Ｂ）（Ｃ）に示す電子線回折パターンにおいても、図３０（Ｂ）（Ｃ）に示す電子線回折パターンと概ね同じ結果である。ただし、ｃ軸配向性に起因する２つのスポット（第１の領域）の輝度は、試料Ｘ１、試料Ｘ２、試料Ｘ３の順で明るく、ｃ軸配向性を有する結晶部の存在割合が、この順で高いことが示唆される。
【０４２０】
〔酸化物半導体膜の結晶性の定量化方法〕
次に、図３３乃至図３５を用いて、酸化物半導体膜の結晶性の定量化方法の一例について説明する。
【０４２１】
まず、電子線回折パターンを用意する（図３３（Ａ）参照）。
【０４２２】
なお、図３３（Ａ）は、膜厚１００ｎｍの酸化物半導体膜に対して、ビーム径１００ｎｍで測定した電子線回折パターンであり、図３３（Ｂ）は、図３３（Ａ）に示す電子線回折パターンを、コントラスト調整した後の電子線回折パターンである。
【０４２３】
図３３（Ｂ）において、ダイレクトスポットの上下に２つの明瞭なスポット（第１の領域）が観察されている。この２つのスポット（第１の領域）はＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルにおける（００ｌ）に対応する回折スポット、すなわちｃ軸配向性を有する結晶部に起因する。一方で、上記第１の領域とは別に、第１の領域とおおよそ同心円上に輝度の低いリング状のパターン（第２の領域）が重なって見える。これは電子ビーム径を１００ｎｍとしたことによって、ｃ軸配向性を有さない結晶部（第２の結晶部）の構造に起因したスポットの輝度が平均化され、リング状になったものである。
【０４２４】
ここで、電子線回折パターンは、ｃ軸配向性を有する結晶部に起因する回折スポットを有する第１の領域と、第２の結晶部に起因する回折スポットを有する第２の領域とが、重なって観察される。よって、第１の領域を含むラインプロファイルと、第２の領域を含むラインプロファイルとを取得し比較することで、酸化物半導体膜の結晶性の定量化が可能となる。
【０４２５】
まず、第１の領域を含むラインプロファイル及び第２の領域を含むラインプロファイルについて、図３４を用いて説明する。
【０４２６】
図３４は、ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルに対して、（１００）面より電子ビームを照射した際に得られる電子線回折のシミュレーションパターンに、領域Ａ−Ａ’、領域Ｂ−Ｂ’、及び領域Ｃ−Ｃ’の補助線を付した図である。
【０４２７】
図３４に示す領域Ａ−Ａ’は、ｃ軸配向性を有する第１の結晶部に起因する２つの回折スポットと、ダイレクトスポットとを通る直線を含む。また、図３４に示す領域Ｂ−Ｂ’及び領域Ｃ−Ｃ’は、ｃ軸配向性を有する第１の結晶部に起因する回折スポットが観察されない領域と、ダイレクトスポットとを通る直線を含む。なお、領域Ａ−Ａ’と領域Ｂ−Ｂ’または領域Ｃ−Ｃ’とが交わる角度は、３４°近傍、具体的には、３０°以上３８°以下、好ましくは３２°以上３６°以下、さらに好ましくは３３°以上３５°以下とすればよい。
【０４２８】
なお、ラインプロファイルは、酸化物半導体膜の構造に応じて、図３５に示すような傾向を有する。図３５は、各構造に対するラインプロファイルのイメージ図、相対輝度Ｒ、及び電子線回折パターンで得られるｃ軸配向性に起因するスペクトルの半値幅（ＦＷＨＭ：Ｆｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  ａｔ  Ｈａｌｆ  Ｍａｘｉｍｕｍ）を説明する図である。
【０４２９】
なお、図３５に示す相対輝度Ｒとは、領域Ａ−Ａ’における輝度の積分強度を、領域Ｂ−Ｂ’における輝度の積分強度または領域Ｃ−Ｃ’における輝度の積分強度で割った値である。なお、領域Ａ−Ａ’、領域Ｂ−Ｂ’、及び領域Ｃ−Ｃ’における輝度の積分強度としては、中央の位置に現れるダイレクトスポットに起因するバックグラウンドを除去したものである。
【０４３０】
相対輝度Ｒを計算することによって、ｃ軸配向性の強さを定量的に規定することができる。例えば、図３５に示すように、単結晶の酸化物半導体膜では、領域Ａ−Ａ’のｃ軸配向性を有する第１の結晶部に起因する回折スポットのピーク強度が高く、領域Ｂ−Ｂ’及び領域Ｃ−Ｃ’にはｃ軸配向性を有する第１の結晶部に起因する回折スポットが見られないため、相対輝度Ｒは、１を超えて極めて大きくなる。また、相対輝度Ｒは、単結晶、ＣＡＡＣ（ＣＡＡＣの詳細については後述する）のみ、ＣＡＡＣ＋Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ、Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ、Ａｍｏｒｐｈｏｕｓの順で低くなる。特に、特定の配向性を有さないＮａｎｏｃｒｙｓｔａｌ、及びａｍｏｒｐｈｏｕｓでは、相対輝度Ｒは１となる。
【０４３１】
また、結晶の周期性の高い構造ほど、ｃ軸配向性を有する第１の結晶部に起因するスペクトルの強度は高くなり、当該スペクトルの半値幅も小さくなる。そのため、単結晶の半値幅が最も小さく、ＣＡＡＣのみ、ＣＡＡＣ＋Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ、Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌの順に半値幅が大きくなり、ａｍｏｒｐｈｏｕｓでは、半値幅が非常に大きく、ハローと呼ばれるプロファイルになる。
【０４３２】
〔ラインプロファイルによる解析〕
上述のように、第１の領域における輝度の積分強度と、第２の領域における輝度の積分強度との強度比は、配向性を有する結晶部の存在割合を推し量る点で重要な情報である。
【０４３３】
そこで、先に示す試料Ｘ１乃至試料Ｘ３の電子線回折パターンから、ラインプロファイルによる解析を行った。
【０４３４】
試料Ｘ１のラインプロファイルによる解析結果を図３６（Ａ１）（Ａ２）に、試料Ｘ２のラインプロファイルによる解析結果を図３６（Ｂ１）（Ｂ２）に、試料Ｘ３のラインプロファイルによる解析結果を図３６（Ｃ１）（Ｃ２）に、それぞれ示す。
【０４３５】
なお、図３６（Ａ１）は、図３０（Ｃ）に示す電子線回折パターンに領域Ａ−Ａ’、領域Ｂ−Ｂ’、及び領域Ｃ−Ｃ’を記載した電子線回折パターンであり、図３６（Ｂ１）は、図３１（Ｃ）に示す電子線回折パターンに領域Ａ−Ａ’、領域Ｂ−Ｂ’、及び領域Ｃ−Ｃ’を記載した電子線回折パターンであり、図３６（Ｃ１）は、図３２（Ｃ）に示す電子線回折パターンに領域Ａ−Ａ’、領域Ｂ−Ｂ’、及び領域Ｃ−Ｃ’を記載した電子線回折パターンである。
【０４３６】
また、領域Ａ−Ａ’、領域Ｂ−Ｂ’、及び領域Ｃ−Ｃ’としては、電子線回折パターンの中心位置に現れるダイレクトスポットの輝度で規格化することにより求めることができる。またこれにより、各試料間での相対的な比較を行うことができる。
【０４３７】
また、輝度のプロファイルを算出する際に、試料からの非弾性散乱等に起因する輝度の成分を、バックグラウンドとして差し引くと、より精度の高い比較を行うことができる。ここで非弾性散乱に起因する輝度の成分は、動径方向において極めてブロードなプロファイルを取るため、バックグラウンドの輝度を直線近似で算出してもよい。例えば、対象となるピークの両側の裾に沿って直線を引き、その直線よりも低輝度側に位置する領域をバックグラウンドとして差し引くことができる。
【０４３８】
ここでは、上述の方法によりバックグラウンドを差し引いたデータから、領域Ａ−Ａ’、領域Ｂ−Ｂ’、及び領域Ｃ−Ｃ’における輝度の積分強度を算出した。そして、領域Ａ−Ａ’における輝度の積分強度を、領域Ｂ−Ｂ’における輝度の積分強度、または領域Ｃ−Ｃ’における輝度の積分強度で割った値を、相対輝度Ｒとして求めた。
【０４３９】
図３７に試料Ｘ１乃至試料Ｘ３の相対輝度Ｒを示す。なお、図３７においては、図３６（Ａ２）、図３６（Ｂ２）、及び図３６（Ｃ２）に示す輝度のプロファイル中のダイレクトスポットの左右に位置するスペクトルにおいて、領域Ａ−Ａ’における輝度の積分強度を領域Ｂ−Ｂ’における輝度の積分強度で割った値、及び領域Ａ−Ａ’における輝度の積分強度を領域Ｃ−Ｃ’における輝度の積分強度で割った値をそれぞれ求めた。
【０４４０】
図３７に示すように、試料Ｘ１乃至試料Ｘ３の相対輝度は以下に示す通りである。
・試料Ｘ１の相対輝度Ｒ＝２５．００
・試料Ｘ２の相対輝度Ｒ＝３．０４
・試料Ｘ３の相対輝度Ｒ＝１．０５
なお、上述の相対輝度Ｒは、４つの位置での平均値とした。このように、相対輝度Ｒは、試料Ｘ１、試料Ｘ２、試料Ｘ３の順で高い。
【０４４１】
本発明の一態様の酸化物半導体膜をトランジスタのチャネルが形成される半導体膜に用いる場合には、相対輝度Ｒが１を超えて４０以下、好ましくは１を超えて１０以下、さらに好ましくは１を超えて３以下の強度比となる酸化物半導体膜を用いると好適である。このような酸化物半導体膜を半導体膜に用いることで、電気特性の高い安定性と、ゲート電圧が低い領域での高い電界効果移動度を両立することができる。
【０４４２】
〔結晶部の存在割合〕
酸化物半導体膜中の結晶部の存在割合は、断面ＴＥＭ像を解析することで見積もることができる。
【０４４３】
まず、画像解析の方法について説明する。画像解析の方法としては、高分解能で撮像されたＴＥＭ像に対して２次元高速フーリエ変換（ＦＦＴ：Ｆａｓｔ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理し、ＦＦＴ像を取得する。得られたＦＦＴ像に対し、周期性を有する範囲を残し、それ以外を除去するマスク処理を施す。そしてマスク処理したＦＦＴ像を、２次元逆フーリエ変換（ＩＦＦＴ：Ｉｎｖｅｒｓｅ  Ｆａｓｔ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理し、ＦＦＴフィルタリング像を取得する。
【０４４４】
これにより、結晶部のみを抽出した実空間像を得ることができる。ここで、残存した像の面積の割合から、結晶部の存在割合を見積もることができる。また、計算に用いた領域（元の像の面積ともいう）の面積から、残存した面積を差し引くことにより、結晶部以外の部分の存在割合を見積もることができる。
【０４４５】
図３８（Ａ１）に試料Ｘ１の断面ＴＥＭ像を、図３８（Ａ２）に試料Ｘ１の断面ＴＥＭ像を画像解析した後に得られた像を、それぞれ示す。また、図３８（Ｂ１）に試料Ｘ２の断面ＴＥＭ像を、図３８（Ｂ２）に試料Ｘ２の断面ＴＥＭ像を画像解析した後に得られた像を、それぞれ示す。また、図３８（Ｃ１）に試料Ｘ３の断面ＴＥＭ像を、図３８（Ｃ２）に試料Ｘ３の断面ＴＥＭ像を画像解析した後に得られた像を、それぞれ示す。
【０４４６】
画像解析後に得られた像において、酸化物半導体膜中の白く表示されている領域が、配向性を有する結晶部を含む領域に対応し、黒く表示されている領域が、配向性を有さない結晶部、または様々な向きに配向する結晶部を含む領域に対応する。
【０４４７】
図３８（Ａ２）に示す結果より、試料Ｘ１における配向性を有する結晶部を含む領域を除く面積の割合は約４３．１％であった。また、図３８（Ｂ２）に示す結果より、試料Ｘ２における配向性を有する結晶部を含む領域を除く面積の割合は約６１．７％であった。また、図３８（Ｃ２）に示す結果より、試料Ｘ３における配向性を有する結晶部を含む領域を除く面積の割合は約８９．５％であった。
【０４４８】
このように見積もられた、酸化物半導体膜中の配向性を有する結晶部を除く部分の割合が、５％以上４０％未満である場合、その酸化物半導体膜は極めて結晶性の高い膜であり、酸素欠損を作り難く、電気特性が非常に安定であるため好ましい。一方で、酸化物半導体膜中の配向性を有する結晶部を除く部分の割合が、４０％以上１００％未満、好ましくは６０％以上９０％以下である場合、その酸化物半導体膜は配向性を有する結晶部と配向性を有さない結晶部が適度な割合で混在し、電気特性の安定性と高移動度化を両立させることができる。
【０４４９】
ここで、断面ＴＥＭにより、または断面ＴＥＭ像の画像解析等により明瞭に確認できる結晶部を除く領域のことを、Ｌａｔｅｒａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  Ｂｕｆｆｅｒ  Ｒｅｇｉｏｎ（ＬＧＢＲ）と呼称することもできる。
【０４５０】
［酸化物半導体膜への酸素拡散について］
次に、酸化物半導体膜への酸素の拡散のしやすさを評価した結果について説明する。
【０４５１】
〔試料について〕
ここでは、以下に示す３つの試料（試料Ｙ１乃至試料Ｙ３）を作製した。
【０４５２】
｛試料Ｙ１｝
まず、ガラス基板上に、先に示す試料Ｘ１と同様の方法により、厚さ約５０ｎｍの酸化物半導体膜を成膜した。続いて、酸化物半導体膜上に、厚さ約３０ｎｍの酸化窒化シリコン膜、厚さ約１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、厚さ約２０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を、プラズマＣＶＤ法により積層して形成した。なお、以下の説明において、酸化物半導体膜をＯＳと、酸化窒化シリコン膜をＧＩとしてそれぞれ記載する場合がある。
【０４５３】
次に、窒素雰囲気下で３５０℃、１時間の熱処理を行った。
【０４５４】
続いて、厚さ５ｎｍのＩｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物膜をスパッタリング法により成膜した。
【０４５５】
続いて、酸化窒化シリコン膜中に酸素添加処理を行った。当該酸素添加条件としては、アッシング装置を用い、基板温度を４０℃とし、流量１５０ｓｃｃｍの酸素ガス（１６Ｏ）と、流量１００ｓｃｃｍの酸素ガス（１８Ｏ）とをチャンバー内に導入し、圧力を１５Ｐａとし、基板側にバイアスが印加されるように、アッシング装置内に設置された平行平板の電極間に４５００ＷのＲＦ電力を６００ｓｅｃ供給して行った。なお、酸素ガス（１８Ｏ）を用いた理由としては、酸化窒化シリコン膜中に酸素（１６Ｏ）が主成分レベルで含有されているため、酸素添加処理によって、添加される酸素を正確に測定するためである。
【０４５６】
続いて、厚さ約１００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により成膜した。
【０４５７】
｛試料Ｙ２｝
試料Ｙ２は、試料Ｙ１の酸化物半導体膜の成膜条件を異ならせた試料である。試料Ｙ２は、先に示す試料Ｘ２と同様の方法により、厚さ約５０ｎｍの酸化物半導体膜を成膜した。
【０４５８】
｛試料Ｙ３｝
試料Ｙ３は、試料Ｙ１の酸化物半導体膜の成膜条件を異ならせた試料である。試料Ｙ３は、先に示す試料Ｘ３と同様の方法により、厚さ約５０ｎｍの酸化物半導体膜を成膜した。
【０４５９】
以上の工程により試料Ｙ１乃至試料Ｙ３を作製した。
【０４６０】
〔ＳＩＭＳ分析〕
試料Ｙ１乃至試料Ｙ３について、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）分析により、１８Ｏの濃度を測定した。なお、ＳＩＭＳ分析においては、上記作製した試料Ｙ１乃至試料Ｙ３を、熱処理を行わず評価する条件と、試料Ｙ１乃至試料Ｙ３を窒素雰囲気下にて３５０℃  １時間の熱処理を行う条件と、試料Ｙ１乃至試料Ｙ３を窒素雰囲気下にて４５０℃、１時間の熱処理を行う条件と、の３つの条件とした。
【０４６１】
図３９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に、ＳＩＭＳ測定結果を示す。なお、図３９（Ａ）が試料Ｙ１のＳＩＭＳ測定結果であり、図３９（Ｂ）が試料Ｙ２のＳＩＭＳ測定結果であり、図３９（Ｃ）が試料Ｙ３のＳＩＭＳ測定結果である。
【０４６２】
また、図３９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）においては、ＧＩ及びＯＳを含む領域の分析結果を示している。なお、図３９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、基板側からＳＩＭＳ分析（ＳＳＤＰ（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｓｉｄｅ  Ｄｅｐｔｈ  Ｐｒｏｆｉｌｅ）−ＳＩＭＳともいう）した結果である。
【０４６３】
また、図３９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）において、灰色の破線が熱処理を行っていない試料のプロファイルであり、黒色の破線が３５０℃の熱処理を行った試料のプロファイルであり、黒色の実線が４５０℃の熱処理を行った試料のプロファイルである。
【０４６４】
試料Ｙ１乃至試料Ｙ３のそれぞれにおいて、ＧＩ中に１８Ｏが拡散していること、及びＯＳ中に１８Ｏが拡散していることが確認できる。また、試料Ｙ１、試料Ｙ２、試料Ｙ３の順に、より深い位置まで１８Ｏが拡散していることが確認できる。また、３５０℃及び４５０℃の熱処理を行うことで、さらに深い位置まで１８Ｏが拡散していることが確認できる。
【０４６５】
以上の結果から、配向性を有する結晶部と配向性を有さない結晶部が混在し、且つ配向性を有する結晶部の存在割合が低い酸化物半導体膜は、酸素が透過しやすい膜、言い換えると酸素が拡散しやすい膜であることが確認できる。また、３５０℃及び４５０℃の熱処理を行うことで、ＧＩ膜中の酸素がＯＳ中に拡散することが確認できる。
【０４６６】
以上の結果は、配向性を有する結晶部の存在割合（密度）が高いほど、厚さ方向へ酸素が拡散しにくく、当該密度が低いほど厚さ方向へ酸素が拡散しやすいことを示している。酸化物半導体膜における酸素の拡散のしやすさについて、以下のように考察することができる。
【０４６７】
配向性を有する結晶部と、配向性を有さない極微細な結晶部が混在している酸化物半導体膜において、断面観察像で明瞭に観察できる結晶部以外の領域（ＬＧＢＲ）は、酸素が拡散しやすい領域、すなわち酸素の拡散経路になりうる。したがって、酸化物半導体膜の近傍に十分な酸素供給源がある場合において、ＬＧＢＲを介して配向性を有する結晶部にも、酸素が供給されやすくなるため、膜中の酸素欠損量を低減することができると考えられる。
【０４６８】
例えば、酸化物半導体膜に接して酸素を放出しやすい酸化膜を設け、加熱処理を施すことにより、当該酸化膜から放出される酸素は、ＬＧＢＲにより酸化物半導体膜の膜厚方向に拡散する。そして、ＬＧＢＲを経由して、配向性を有する結晶部に横方向から酸素が供給されうる。これにより、酸化物半導体膜の配向性を有する結晶部、及びこれ以外の領域に、十分に酸素が行き渡り、膜中の酸素欠損を効果的に低減することができる。
【０４６９】
例えば、酸化物半導体膜中に、金属原子と結合していない水素原子が存在すると、これと酸素原子が結合し、ＯＨが形成され、固定化してしまう場合がある。そこで、成膜時に低温で成膜することで酸化物半導体膜中に酸素欠損（Ｖｏ）に水素原子がトラップされた状態（ＶｏＨと呼ぶ）を一定量（例えば１×１０１７ｃｍ−３程度）形成することで、ＯＨが生成されることを抑制する。またＶｏＨは、キャリアを生成するため、酸化物半導体膜中にキャリアが一定量存在する状態となる。これにより、キャリア密度が高められた酸化物半導体膜を形成できる。また成膜時には、酸素欠損も同時に形成されるが、当該酸素欠損は、上述のようにＬＧＢＲを介して酸素を導入することにより低減することができる。このような方法により、キャリア密度が比較的高く、且つ酸素欠損が十分に低減された酸化物半導体膜を形成することができる。
【０４７０】
また、配向性を有する結晶部以外の領域は、成膜時に配向性を有さない極めて微細な結晶部を構成するため、酸化物半導体膜には明瞭な結晶粒界は確認できない。また当該微細な結晶部は、配向性を有する複数の結晶部の間に位置する。当該微細な結晶部は、成膜時の熱により横方向に成長することで、隣接する配向性を有する結晶部と結合する。また当該微細な結晶部はキャリアを発生する領域としても機能する。これにより、このような構成を有する酸化物半導体膜は、トランジスタに適用することでその電界効果移動度を著しく向上させることができると考えられる。
【０４７１】
また酸化物半導体膜を形成し、その上に酸化シリコン膜などの酸化物絶縁膜を成膜した後に、酸素雰囲気でのプラズマ処理を行うことが好ましい。このような処理により、膜中に酸素を供給すること以外に、水素濃度を低減することができる。例えば、プラズマ処理中に、同時にチャンバー内に残存するフッ素も酸化物半導体膜中にドープされる場合がある。フッ素はマイナスの電荷を帯びたフッ素原子として存在し、プラスの電荷を帯びた水素原子とクーロン力により結合し、ＨＦが生成される。ＨＦは当該プラズマ処理中に酸化物半導体膜外へ放出され、その結果として、酸化物半導体膜中の水素濃度を低減することができる。また、プラズマ処理において、酸素原子と水素原子とが結合してＨ２Ｏとして膜外へ放出される場合もある。
【０４７２】
また、酸化物半導体膜に酸化シリコン膜（または酸化窒化シリコン膜）が積層された構成を考える。酸化シリコン膜中のフッ素は、膜中の水素と結合し、電気的に中性であるＨＦとして存在しうるため、酸化物半導体膜の電気特性に影響を与えない。なお、Ｓｉ−Ｆ結合が生じる場合もあるがこれも電気的に中性となる。また酸化シリコン膜中のＨＦは、酸素の拡散に対して影響しないと考えられる。
【０４７３】
以上のようなメカニズムにより、酸化物半導体膜中の酸素欠損が低減され、且つ膜中の金属原子と結合していない水素が低減されることにより、信頼性を高めることができると考えられる。また酸化物半導体膜のキャリア密度が一定以上であることで、電気特性が向上すると考えられる。
【０４７４】
［酸化物半導体膜の成膜方法］
以下では、本発明の一態様の酸化物半導体膜の成膜方法について説明する。
【０４７５】
本発明の一態様の酸化物半導体膜は、酸素を含む雰囲気下にてスパッタリング法によって成膜することができる。
【０４７６】
成膜時の基板温度は、室温以上１５０℃以下、好ましくは５０℃以上１５０℃以下、より好ましくは１００℃以上１５０℃以下、代表的には１３０℃の温度とすることが好ましい。基板の温度を上述の範囲とすることで、配向性を有する結晶部と、配向性を有さない結晶部との割合を制御することができる。
【０４７７】
また、成膜時の酸素の流量比（酸素分圧）を、１％以上３３％未満、好ましくは５％以上３０％以下、より好ましくは５％以上２０％以下、さらに好ましくは５％以上１５％以下、代表的には１０％とすることが好ましい。酸素流量を低減することにより、配向性を有さない結晶部をより多く膜中に含ませることができる。
【０４７８】
したがって、成膜時の基板温度と、成膜時の酸素流量を上述の範囲とすることで、配向性を有する結晶部と、配向性を有さない結晶部とが混在した酸化物半導体膜を得ることができる。また、基板温度と酸素流量を上述の範囲内とすることにより、配向性を有する結晶部と配向性を有さない結晶部の存在割合を制御することが可能となる。
【０４７９】
酸化物半導体膜の成膜に用いることの可能な酸化物ターゲットとしては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物に限られず、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）を適用することができる。
【０４８０】
酸化物半導体膜がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：０．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：１．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：２．３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７等が好ましい。
【０４８１】
また、複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いて、酸化物半導体膜である結晶部を含む酸化物半導体膜を成膜すると、多結晶酸化物を含まないスパッタリングターゲットを用いた場合に比べて、結晶性を有する酸化物半導体膜が得られやすい。
【０４８２】
以下に、酸化物半導体膜の成膜メカニズムにおける一考察について説明する。スパッタリング用ターゲットが複数の結晶粒を有し、且つ、その結晶粒が層状構造を有しており、当該結晶粒に劈開しやすい界面が存在する場合、当該スパッタリング用ターゲットにイオンを衝突させることで、結晶粒が劈開して、平板状又はペレット状のスパッタリング粒子が得られることがある。該得られた平板状又はペレット状のスパッタリング粒子が、基板上に堆積することでナノ結晶を含む酸化物半導体膜が成膜されると考えられる。また、基板を加熱することにより、基板表面において当該ナノ結晶同士の結合、または再配列が進むことにより、配向性を有する結晶部を含む酸化物半導体膜が形成されやすくなると考えられる。
【０４８３】
なお、ここではスパッタリング法により形成する方法について説明したが、特にスパッタリング法を用いることで、結晶性の制御が容易であるため好ましい。なお、スパッタリング法以外に、例えばパルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法などを用いてもよい。熱ＣＶＤ法の例としては、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。
【０４８４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の酸化物半導体膜を有する半導体装置について、図４０乃至図４２を参照して説明する。
【０４８５】
［半導体装置の構成例１］
図４０は、実施の形態３に示すトランジスタ３００Ｄと、実施の形態２に示すトランジスタ１００Ａとを積層構造とする場合の一例のチャネル長（Ｌ）方向の断面図である。
【０４８６】
トランジスタ３００Ｄと、トランジスタ１００Ａと、を積層構造とすることで、トランジスタの配置面積を縮小させることができる。
【０４８７】
例えば、図４０の構成を、表示装置の画素部に用いることで、当該表示装置の画素密度を高めることが可能となる。例えば、表示装置の画素密度が１０００ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）を超える、または表示装置の画素密度が２０００ｐｐｉを超える場合においても、図４０に示すような配置とすることで、画素の開口率を高めることができる。なお、ｐｐｉは、１インチあたりの画素数を表す単位である。
【０４８８】
また、トランジスタ３００Ｄとトランジスタ１００Ａとを積層構造とすることで、先に示す構成と一部異なる構成となる。
【０４８９】
例えば、図４０において、トランジスタ３００Ｄは、先に示す構成と以下の構成が異なる。
【０４９０】
図４０に示すトランジスタ３００Ｄは、絶縁膜３１８と、導電膜３２０ａとの間に絶縁膜３１９と、絶縁膜１１０ａとを有する。
【０４９１】
絶縁膜３１９としては、絶縁膜３１４または絶縁膜３１６に示す材料を用いることができる。絶縁膜３１９は、酸化物半導体膜１０８と、絶縁膜３１８とが接しないように設けられる。また、絶縁膜１１０ａとしては、絶縁膜１１０と同じ絶縁膜を加工することで形成される。なお、トランジスタ３００Ｄが有する導電膜３２０ａと、トランジスタ１００Ａが有する導電膜１１２とは、同じ導電膜を加工することで形成される。
【０４９２】
また、図４０に示すトランジスタ１００Ａは、導電膜１０６の代わりに導電膜３１２ｃを有する。また、図４０に示すトランジスタ１００Ａは、絶縁膜１０４の代わりに絶縁膜３１４、３１６、３１８、３１９を有する。絶縁膜１０４を、トランジスタ３００Ｄが有する絶縁膜３１４、３１６、３１８、３１９とすることで、トランジスタの作製工程を短くすることができる。
【０４９３】
また、図４０においては、トランジスタ３００Ｄの導電膜１２０ｂに導電膜３４４が接続されている。なお、導電膜３４４は、絶縁膜１２２に設けられた開口部３４２を介して、導電膜１２０ｂに電気的に接続される。また、導電膜３４４としては、導電膜３２０ａに用いることができる材料を適用すればよい。なお、導電膜３４４は、表示装置の画素電極としての機能を有する。
【０４９４】
また、図４０においては、トランジスタ３００Ｄと、トランジスタ１００Ａとが積層構造とする場合について説明したがこれに限定されない。例えば、図４１及び図４２に示す構成としてもよい。
【０４９５】
［半導体装置の構成例２］
図４１は、トランジスタ９５０と、実施の形態２に示すトランジスタ３００Ａとを積層構造とする場合の一例のチャネル長（Ｌ）方向の断面図である。
【０４９６】
図４１に示すトランジスタ９５０は、基板９５２と、基板９５２上の絶縁膜９５４と、絶縁膜９５４上の半導体膜９５６と、半導体膜９５６上の絶縁膜９５８と、絶縁膜９５８上の導電膜９６０と、絶縁膜９５４、半導体膜９５６、及び導電膜９６０上の絶縁膜９６２と、絶縁膜９６２上の絶縁膜９６４と、半導体膜９５６に電気的に接続される導電膜９６６ａ、９６６ｂと、を有する。また、トランジスタ９５０上には絶縁膜９６８が設けられる。
【０４９７】
半導体膜９５６は、シリコンを有する。特に、半導体膜９５６は、結晶性のシリコンを有すると好ましい。トランジスタ９５０は、所謂低温ポリシリコンを用いたトランジスタである。例えば、表示装置の駆動回路部に、低温ポリシリコンを用いたトランジスタを用いることで、高い電界効果移動度を得ることができるため好適である。また、トランジスタ３００Ａを、例えば、表示装置の画素部に用いると消費電力を抑制できるため好適である。
【０４９８】
また、基板９５２には、ガラス基板またはプラスティック基板等を用いることができる。また、絶縁膜９５４は、トランジスタ９５０の下地絶縁膜としての機能を有する。絶縁膜９５４には、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。絶縁膜９５８は、トランジスタ９５０のゲート絶縁膜としての機能を有する。絶縁膜９５８には、絶縁膜９５４に列挙した材料を用いることができる。導電膜９６０は、トランジスタ９５０のゲート電極としての機能を有する。導電膜９６０には、先の実施の形態で示す導電膜３１２ａ、３１２ｂ、１２０ａ、１２０ｂ等と同じ材料を用いることができる。絶縁膜９６２、９６４、９６８は、トランジスタ９５０の保護絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜９６６ａ、９６６ｂは、トランジスタ９５０のソース電極またはドレイン電極としての機能を有する。導電膜９６６ａ、９６６ｂには、先の実施の形態で示す導電膜３１２ａ、３１２ｂ、１２０ａ、１２０ｂ等と同じ材料を用いることができる。
【０４９９】
また、トランジスタ９５０と、トランジスタ３００Ａとの間には、絶縁膜９７０と、絶縁膜９７２とが設けられる。絶縁膜９７０は、バリア膜としての機能を有する。具体的には、絶縁膜９７０は、トランジスタ９５０が有する不純物、例えば、水素などをトランジスタ３００Ａ側に入り込まないように形成される。また、絶縁膜９７２は、トランジスタ３００Ａの下地絶縁膜としての機能を有する。
【０５００】
絶縁膜９７０としては、例えば、水素の放出が少なく、水素の拡散を抑制できる材料が好ましい。当該材料としては、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどが挙げられる。また、絶縁膜９７２としては、例えば、過剰酸素を有すると好ましい。絶縁膜９７２には、絶縁膜３１４、３１６に示す材料を用いることができる。
【０５０１】
また、図４１においては、トランジスタ９５０と、トランジスタ３００Ａとが重ならない構造としたがこれに限定されず、例えば、トランジスタ９５０のチャネル領域と、トランジスタ３００Ａのチャネル領域とを重なるように配置してもよい。この場合の一例を図４２に示す。図４２は、トランジスタ９５０と、トランジスタ３００Ａとを積層構造とする場合の一例のチャネル長（Ｌ）方向の断面図である。図４２に示すような構成とすることで、トランジスタの配置面積をさらに縮小させることができる。
【０５０２】
なお、図示しないが、トランジスタ９５０と、実施の形態２及び３に示すその他のトランジスタ（例えば、トランジスタ１００Ａ乃至トランジスタ１００Ｊ、及びトランジスタ３００Ａ乃至トランジスタ３００Ｇ）とを積層構造としてもよい。
【０５０３】
このように、本発明の一態様の酸化物半導体膜は、様々な形状のトランジスタが積層された構造にも好適に用いることができる。
【０５０４】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５０５】
（実施の形態６）
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について、図４３乃至図５０を用いて以下説明を行う。
【０５０６】
図４３は、表示装置の一例を示す上面図である。図４３に示す表示装置７００は、第１の基板７０１上に設けられた画素部７０２と、第１の基板７０１に設けられたソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６と、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を囲むように配置されるシール材７１２と、第１の基板７０１に対向するように設けられる第２の基板７０５と、を有する。なお、第１の基板７０１と第２の基板７０５は、シール材７１２によって封止されている。すなわち、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６は、第１の基板７０１とシール材７１２と第２の基板７０５によって封止されている。なお、図４３には図示しないが、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には表示素子が設けられる。
【０５０７】
また、表示装置７００は、第１の基板７０１上のシール材７１２によって囲まれている領域とは異なる領域に、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びゲートドライバ回路部７０６と、それぞれ電気的に接続されるＦＰＣ端子部７０８（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）が設けられる。また、ＦＰＣ端子部７０８には、ＦＰＣ７１６が接続され、ＦＰＣ７１６によって画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６に各種信号等が供給される。また、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８には、信号線７１０が各々接続されている。ＦＰＣ７１６により供給される各種信号等は、信号線７１０を介して、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８に与えられる。
【０５０８】
また、表示装置７００にゲートドライバ回路部７０６を複数設けてもよい。また、表示装置７００としては、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を画素部７０２と同じ第１の基板７０１に形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ回路部７０６のみを第１の基板７０１に形成しても良い、またはソースドライバ回路部７０４のみを第１の基板７０１に形成しても良い。この場合、ソースドライバ回路またはゲートドライバ回路等が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を、第１の基板７０１に形成する構成としても良い。なお、別途形成した駆動回路基板の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法などを用いることができる。
【０５０９】
また、表示装置７００が有する画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６は、複数のトランジスタを有している。
【０５１０】
また、表示装置７００は、様々な素子を有することが出来る。該素子の一例としては、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤなど）、発光トランジスタ素子（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）ディスプレイ（例えば、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、デジタル・マイクロ・シャッター（ＤＭＳ）素子、インターフェロメトリック・モジュレーション（ＩＭＯＤ）素子など）、圧電セラミックディスプレイなどが挙げられる。
【０５１１】
また、ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク素子又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
【０５１２】
なお、表示装置７００における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒは赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素とＷ（白）の画素の四画素から構成されてもよい。または、ペンタイル配列のように、ＲＧＢのうちの２色分で一つの色要素を構成し、色要素によって、異なる２色を選択して構成してもよい。またはＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加してもよい。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、開示する発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。
【０５１３】
また、バックライト（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ、蛍光灯など）に白色発光（Ｗ）を用いて表示装置をフルカラー表示させるために、着色層（カラーフィルタともいう。）を用いてもよい。着色層は、例えば、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）、イエロー（Ｙ）などを適宜組み合わせて用いることができる。着色層を用いることで、着色層を用いない場合と比べて色の再現性を高くすることができる。このとき、着色層を有する領域と、着色層を有さない領域と、を配置することによって、着色層を有さない領域における白色光を直接表示に利用しても構わない。一部に着色層を有さない領域を配置することで、明るい表示の際に、着色層による輝度の低下を少なくでき、消費電力を２割から３割程度低減できる場合がある。ただし、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子などの自発光素子を用いてフルカラー表示する場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ、Ｗを、それぞれの発光色を有する素子から発光させても構わない。自発光素子を用いることで、着色層を用いた場合よりも、さらに消費電力を低減できる場合がある。
【０５１４】
また、カラー化方式としては、上述の白色発光からの発光の一部をカラーフィルタを通すことで赤色、緑色、青色に変換する方式（カラーフィルタ方式）の他、赤色、緑色、青色の発光をそれぞれ用いる方式（３色方式）、または青色発光からの発光の一部を赤色や緑色に変換する方式（色変換方式、量子ドット方式）を適用してもよい。
【０５１５】
本実施の形態においては、表示素子として液晶素子及びＥＬ素子を用いる構成について、図４４乃至図４６を用いて説明する。なお、図４４及び図４５は、図４３に示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図であり、表示素子として液晶素子を用いた構成である。また、図４６は、図４３に示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図であり、表示素子としてＥＬ素子を用いた構成である。
【０５１６】
まず、図４４乃至図４６に示す共通部分について最初に説明し、次に異なる部分について以下説明する。
【０５１７】
［表示装置の共通部分に関する説明］
図４４乃至図４６に示す表示装置７００は、引き回し配線部７１１と、画素部７０２と、ソースドライバ回路部７０４と、ＦＰＣ端子部７０８と、を有する。また、引き回し配線部７１１は、信号線７１０を有する。また、画素部７０２は、トランジスタ７５０及び容量素子７９０を有する。また、ソースドライバ回路部７０４は、トランジスタ７５２を有する。
【０５１８】
トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２は、先に示すトランジスタ１００Ａと同様の構成である。なお、トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２の構成については、先の実施の形態に示す、その他のトランジスタを用いてもよい。
【０５１９】
本実施の形態で用いるトランジスタは、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物半導体膜を有する。該トランジスタは、オフ電流を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
【０５２０】
また、本実施の形態で用いるトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを液晶表示装置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライバトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路として、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体装置の部品点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
【０５２１】
容量素子７９０は、トランジスタ７５０が有する第１のゲート電極と機能する導電膜と同一の導電膜を加工する工程を経て形成される下部電極と、トランジスタ７５０が有するソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同一の導電膜を加工する工程を経て形成される上部電極と、を有する。また、下部電極と上部電極との間には、トランジスタ７５０が有する第１のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜と同一の絶縁膜を形成する工程を経て形成される絶縁膜と、トランジスタ７５０の保護絶縁膜として機能する絶縁膜と同一の絶縁膜を形成する工程を経て形成される絶縁膜とが設けられる。すなわち、容量素子７９０は、一対の電極間に誘電体膜として機能する絶縁膜が挟持された積層型の構造である。
【０５２２】
また、図４４乃至図４６において、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２、及び容量素子７９０上に平坦化絶縁膜７７０が設けられている。
【０５２３】
また、図４４乃至図４６においては、画素部７０２が有するトランジスタ７５０と、ソースドライバ回路部７０４が有するトランジスタ７５２と、を同じ構造のトランジスタを用いる構成について例示したが、これに限定されない。例えば、画素部７０２と、ソースドライバ回路部７０４とは、異なるトランジスタを用いてもよい。具体的には、画素部７０２にトップゲート型のトランジスタを用い、ソースドライバ回路部７０４にボトムゲート型のトランジスタを用いる構成、あるいは画素部７０２にボトムゲート型のトランジスタを用い、ソースドライバ回路部７０４にトップゲート型のトランジスタを用いる構成などが挙げられる。なお、上記のソースドライバ回路部７０４を、ゲートドライバ回路部と読み替えてもよい。
【０５２４】
また、信号線７１０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同じ工程を経て形成される。信号線７１０として、例えば、銅元素を含む材料を用いた場合、配線抵抗に起因する信号遅延等が少なく、大画面での表示が可能となる。
【０５２５】
また、ＦＰＣ端子部７０８は、接続電極７６０、異方性導電膜７８０、及びＦＰＣ７１６を有する。なお、接続電極７６０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同じ工程を経て形成される。また、接続電極７６０は、ＦＰＣ７１６が有する端子と異方性導電膜７８０を介して、電気的に接続される。
【０５２６】
また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５としては、例えばガラス基板を用いることができる。また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５として、可撓性を有する基板を用いてもよい。該可撓性を有する基板としては、例えばプラスチック基板等が挙げられる。
【０５２７】
また、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には、構造体７７８が設けられる。構造体７７８は、絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられる。なお、構造体７７８として、球状のスペーサを用いていても良い。
【０５２８】
また、第２の基板７０５側には、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜７３８と、カラーフィルタとして機能する着色膜７３６と、遮光膜７３８及び着色膜７３６に接する絶縁膜７３４が設けられる。
【０５２９】
［液晶素子を用いる表示装置の構成例］
図４４に示す表示装置７００は、液晶素子７７５を有する。液晶素子７７５は、導電膜７７２、導電膜７７４、及び液晶層７７６を有する。導電膜７７４は、第２の基板７０５側に設けられ、対向電極としての機能を有する。図４４に示す表示装置７００は、導電膜７７２と導電膜７７４に印加される電圧によって、液晶層７７６の配向状態が変わることによって光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
【０５３０】
また、導電膜７７２は、トランジスタ７５０が有するソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と電気的に接続される。導電膜７７２は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され画素電極、すなわち表示素子の一方の電極として機能する。
【０５３１】
導電膜７７２としては、可視光において透光性のある導電膜、または可視光において反射性のある導電膜を用いることができる。可視光において透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。可視光において反射性のある導電膜としては、例えば、アルミニウム、または銀を含む材料を用いるとよい。
【０５３２】
導電膜７７２に可視光において反射性のある導電膜を用いる場合、表示装置７００は、反射型の液晶表示装置となる。また、導電膜７７２に可視光において透光性のある導電膜を用いる場合、表示装置７００は、透過型の液晶表示装置となる。
【０５３３】
また、導電膜７７２上の構成を変えることで、液晶素子の駆動方式を変えることができる。この場合の一例を図４５に示す。また、図４５に示す表示装置７００は、液晶素子の駆動方式として横電界方式（例えば、ＦＦＳモード）を用いる構成の一例である。図４５に示す構成の場合、導電膜７７２上に絶縁膜７７３が設けられ、絶縁膜７７３上に導電膜７７４が設けられる。この場合、導電膜７７４は、共通電極（コモン電極ともいう）としての機能を有し、絶縁膜７７３を介して、導電膜７７２と導電膜７７４との間に生じる電界によって、液晶層７７６の配向状態を制御することができる。
【０５３４】
また、図４４及び図４５において図示しないが、導電膜７７２または導電膜７７４のいずれか一方または双方に、液晶層７７６と接する側に、それぞれ配向膜を設ける構成としてもよい。また、図４４及び図４５において図示しないが、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設けてもよい。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
【０５３５】
表示素子として液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０５３６】
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性であるため配向処理が不要である。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。また、ブルー相を示す液晶材料は、視野角依存性が小さい。
【０５３７】
また、表示素子として液晶素子を用いる場合、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
【０５３８】
また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることができる。
【０５３９】
［発光素子を用いる表示装置］
図４６に示す表示装置７００は、発光素子７８２を有する。発光素子７８２は、導電膜７７２、ＥＬ層７８６、及び導電膜７８８を有する。図４６に示す表示装置７００は、発光素子７８２が有するＥＬ層７８６が発光することによって、画像を表示することができる。なお、ＥＬ層７８６は、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物を有する。
【０５４０】
有機化合物に用いることのできる材料としては、蛍光性材料または燐光性材料などが挙げられる。また、量子ドットに用いることのできる材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料、などが挙げられる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）、等の元素を有する量子ドット材料を用いてもよい。
【０５４１】
また、上述の有機化合物、及び無機化合物としては、例えば、蒸着法（真空蒸着法を含む）、液滴吐出法（インクジェット法ともいう）、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することができる。また、ＥＬ層７８６としては、低分子材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、または高分子材料を含んでも良い。
【０５４２】
ここで、液滴吐出法を用いてＥＬ層７８６を形成する方法について、図４７を用いて説明する。図４７（Ａ）乃至図４７（Ｄ）は、ＥＬ層７８６の作製方法を説明する断面図である。
【０５４３】
まず、平坦化絶縁膜７７０上に導電膜７７２が形成され、導電膜７７２の一部を覆うように絶縁膜７３０が形成される（図４７（Ａ）参照）。
【０５４４】
次に、絶縁膜７３０の開口である導電膜７７２の露出部に、液滴吐出装置７８３より液滴７８４を吐出し、組成物を含む層７８５を形成する。液滴７８４は、溶媒を含む組成物であり、導電膜７７２上に付着する（図４７（Ｂ）参照）。
【０５４５】
なお、液滴７８４を吐出する工程を減圧下で行ってもよい。
【０５４６】
次に、組成物を含む層７８５より溶媒を除去し、固化することによってＥＬ層７８６を形成する（図４７（Ｃ）参照）。
【０５４７】
なお、溶媒の除去方法としては、乾燥工程または加熱工程を行えばよい。
【０５４８】
次に、ＥＬ層７８６上に導電膜７８８を形成し、発光素子７８２を形成する（図４７（Ｄ）参照）。
【０５４９】
このようにＥＬ層７８６を液滴吐出法で行うと、選択的に組成物を吐出することができるため、材料のロスを削減することができる。また、形状を加工するためのリソグラフィ工程なども必要ないために工程も簡略化することができ、低コスト化が達成できる。
【０５５０】
なお、上記説明した液滴吐出法とは、組成物の吐出口を有するノズル、あるいは１つ又は複数のノズルを有するヘッド等の液滴を吐出する手段を有するものの総称とする。
【０５５１】
次に、液滴吐出法に用いる液滴吐出装置について、図４８を用いて説明する。図４８は、液滴吐出装置１４００を説明する概念図である。
【０５５２】
液滴吐出装置１４００は、液滴吐出手段１４０３を有する。また、液滴吐出手段１４０３は、ヘッド１４０５と、ヘッド１４１２とを有する。
【０５５３】
ヘッド１４０５、及びヘッド１４１２は制御手段１４０７に接続され、それがコンピュータ１４１０で制御することにより予めプログラミングされたパターンに描画することができる。
【０５５４】
また、描画するタイミングとしては、例えば、基板１４０２上に形成されたマーカー１４１１を基準に行えば良い。あるいは、基板１４０２の外縁を基準にして基準点を確定させても良い。ここでは、マーカー１４１１を撮像手段１４０４で検出し、画像処理手段１４０９にてデジタル信号に変換したものをコンピュータ１４１０で認識して制御信号を発生させて制御手段１４０７に送る。
【０５５５】
撮像手段１４０４としては、電荷結合素子（ＣＣＤ）や相補型金属−酸化物−半導体（ＣＭＯＳ）を利用したイメージセンサなどを用いることができる。なお、基板１４０２上に形成されるべきパターンの情報は記憶媒体１４０８に格納されたものであり、この情報を基にして制御手段１４０７に制御信号を送り、液滴吐出手段１４０３の個々のヘッド１４０５、ヘッド１４１２を個別に制御することができる。吐出する材料は、材料供給源１４１３、材料供給源１４１４より配管を通してヘッド１４０５、ヘッド１４１２にそれぞれ供給される。
【０５５６】
ヘッド１４０５の内部は、点線１４０６が示すように液状の材料を充填する空間と、吐出口であるノズルを有する構造となっている。図示しないが、ヘッド１４１２もヘッド１４０５と同様な内部構造を有する。ヘッド１４０５とヘッド１４１２のノズルを異なるサイズで設けると、異なる材料を異なる幅で同時に描画することができる。一つのヘッドで、複数種の発光材料などをそれぞれ吐出し、描画することができ、広領域に描画する場合は、スループットを向上させるため複数のノズルより同材料を同時に吐出し、描画することができる。大型基板を用いる場合、ヘッド１４０５、ヘッド１４１２は基板上を、図４８中に示すＸ、Ｙ、Ｚの矢印の方向に自在に走査し、描画する領域を自由に設定することができ、同じパターンを一枚の基板に複数描画することができる。
【０５５７】
また、組成物を吐出する工程は、減圧下で行ってもよい。吐出時に基板を加熱しておいてもよい。組成物を吐出後、乾燥と焼成の一方又は両方の工程を行う。乾燥と焼成の工程は、両工程とも加熱処理の工程であるが、その目的、温度と時間が異なるものである。乾燥の工程、焼成の工程は、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉などにより行う。なお、この加熱処理を行うタイミング、加熱処理の回数は特に限定されない。乾燥と焼成の工程を良好に行うためには、そのときの温度は、基板の材質及び組成物の性質に依存する。
【０５５８】
以上のように、液滴吐出装置を用いてＥＬ層７８６を作製することができる。
【０５５９】
再び、図４６に示す表示装置７００の説明に戻る。
【０５６０】
また、図４６に示す表示装置７００には、平坦化絶縁膜７７０及び導電膜７７２上に絶縁膜７３０が設けられる。絶縁膜７３０は、導電膜７７２の一部を覆う。なお、発光素子７８２はトップエミッション構造である。したがって、導電膜７８８は透光性を有し、ＥＬ層７８６が発する光を透過する。なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造について、例示するが、これに限定されない。例えば、導電膜７７２側に光を射出するボトムエミッション構造や、導電膜７７２及び導電膜７８８の双方に光を射出するデュアルエミッション構造にも適用することができる。
【０５６１】
また、発光素子７８２と重なる位置に、着色膜７３６が設けられ、絶縁膜７３０と重なる位置、引き回し配線部７１１、及びソースドライバ回路部７０４に遮光膜７３８が設けられている。また、着色膜７３６及び遮光膜７３８は、絶縁膜７３４で覆われている。また、発光素子７８２と絶縁膜７３４の間は封止膜７３２で充填されている。なお、図４６に示す表示装置７００においては、着色膜７３６を設ける構成について例示したが、これに限定されない。例えば、ＥＬ層７８６を塗り分けにより形成する場合においては、着色膜７３６を設けない構成としてもよい。
【０５６２】
［表示装置に入出力装置を設ける構成例］
また、図４５及び図４６に示す表示装置７００に入出力装置を設けてもよい。当該入出力装置としては、例えば、タッチパネル等が挙げられる。
【０５６３】
図４９は図４５に示す表示装置７００にタッチパネル７９１を設ける構成の断面図であり、図５０は図４６に示す表示装置７００にタッチパネル７９１を設ける構成の断面図である。
【０５６４】
まず、図４９及び図５０に示すタッチパネル７９１について、以下説明を行う。
【０５６５】
図４９及び図５０に示すタッチパネル７９１は、基板７０５と着色膜７３６との間に設けられる、所謂インセル型のタッチパネルである。タッチパネル７９１は、遮光膜７３８、及び着色膜７３６を形成する前に、基板７０５側に形成すればよい。
【０５６６】
なお、タッチパネル７９１は、遮光膜７３８と、絶縁膜７９２と、電極７９３と、電極７９４と、絶縁膜７９５と、電極７９６と、絶縁膜７９７と、を有する。例えば、指やスタイラスなどの被検知体が近接することで、電極７９３と、電極７９４との容量の変化を検知することができる。
【０５６７】
また、図４９及び図５０に示すトランジスタ７５０の上方においては、電極７９３と、電極７９４との交差部を明示している。電極７９６は、絶縁膜７９５に設けられた開口部を介して、電極７９４を挟む２つの電極７９３と電気的に接続されている。なお、図４９及び図５０においては、電極７９６が設けられる領域を画素部７０２に設ける構成を例示したが、これに限定されず、例えば、ソースドライバ回路部７０４に形成してもよい。
【０５６８】
電極７９３及び電極７９４は、遮光膜７３８と重なる領域に設けられる。また、図４９に示すように、電極７９３は、発光素子７８２と重ならないように設けられると好ましい。また、図５０に示すように、電極７９３は、液晶素子７７５と重ならないように設けられると好ましい。別言すると、電極７９３は、発光素子７８２及び液晶素子７７５と重なる領域に開口部を有する。すなわち、電極７９３はメッシュ形状を有する。このような構成とすることで、電極７９３は、発光素子７８２が射出する光を遮らない構成とすることができる。または、電極７９３は、液晶素子７７５を透過する光を遮らない構成とすることができる。したがって、タッチパネル７９１を配置することによる輝度の低下が極めて少ないため、視認性が高く、且つ消費電力が低減された表示装置を実現できる。なお、電極７９４も同様の構成とすればよい。
【０５６９】
また、電極７９３及び電極７９４が発光素子７８２と重ならないため、電極７９３及び電極７９４には、可視光の透過率が低い金属材料を用いることができる。または、電極７９３及び電極７９４が液晶素子７７５と重ならないため、電極７９３及び電極７９４には、可視光の透過率が低い金属材料を用いることができる。
【０５７０】
そのため、可視光の透過率が高い酸化物材料を用いた電極と比較して、電極７９３及び電極７９４の抵抗を低くすることが可能となり、タッチパネルのセンサ感度を向上させることができる。
【０５７１】
例えば、電極７９３、７９４、７９６には、導電性のナノワイヤを用いてもよい。当該ナノワイヤは、直径の平均値が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の大きさとすればよい。また、上記ナノワイヤとしては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、またはＡｌナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、あるいは、カーボンナノチューブなどを用いればよい。例えば、電極６６４、６６５、６６７のいずれか一つあるいは全部にＡｇナノワイヤを用いる場合、可視光における光透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１００Ω／□以下とすることができる。
【０５７２】
また、図４９及び図５０においては、インセル型のタッチパネルの構成について例示したが、これに限定されない。例えば、表示装置７００上に形成する、所謂オンセル型のタッチパネルや、表示装置７００に貼り合わせて用いる、所謂アウトセル型のタッチパネルとしてもよい。
【０５７３】
このように、本発明の一態様の表示装置は、様々な形態のタッチパネルと組み合わせて用いることができる。
【０５７４】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５７５】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置の一例について説明する。ここで示すトランジスタは、微細化に適したトランジスタである。
【０５７６】
なお、各構成要素に用いることのできる材料等は、上記を援用できる。
【０５７７】
図５１には、トランジスタ２００の一例を示す。図５１（Ａ）はトランジスタ２００の上面を示す。なお、図の明瞭化のため、図５１（Ａ）において一部の膜は省略されている。また、図５１（Ｂ）は、図５１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２に対応する断面図であり、図５１（Ｃ）はＹ１−Ｙ２に対応する断面図である。
【０５７８】
トランジスタ２００は、ゲート電極として機能する導電体２０５（導電体２０５ａ、および導電体２０５ｂ）、および導電体２６０（導電体２６０ａおよび導電体２６０ｂ）と、ゲート絶縁層として機能する絶縁体２２０、絶縁体２２２、絶縁体２２４、および絶縁体２５０と、チャネルが形成される領域を有する酸化物半導体２３０（酸化物半導体２３０ａ、酸化物半導体２３０ｂ、および酸化物半導体２３０ｃ）と、ソースまたはドレインの一方として機能する導電体２４０ａと、ソースまたはドレインの他方として機能する導電体２４０ｂと、過剰酸素を有する絶縁体２８０と、を有する。
【０５７９】
また、酸化物半導体２３０は、酸化物半導体２３０ａと、酸化物半導体２３０ａ上の酸化物半導体２３０ｂと、酸化物半導体２３０ｂ上の酸化物半導体２３０ｃと、を有する。なお、トランジスタ２００をオンさせると、主として酸化物半導体２３０ｂに電流が流れる（チャネルが形成される）。一方、酸化物半導体２３０ａおよび酸化物半導体２３０ｃは、酸化物半導体２３０ｂとの界面近傍（混合領域となっている場合もある）は電流が流れる場合があるものの、そのほかの領域は絶縁体として機能する場合がある。
【０５８０】
図５１に示す構造は、ゲート電極として機能する導電体２６０が、導電体２６０ａ、および導電体２６０ｂを有する積層構造である。また、ゲート電極として機能する導電体２６０上に絶縁体２７０を有する。
【０５８１】
例えば、導電体２０５ａとして、水素に対するバリア性を有する導電体として、窒化タンタル等を用い、導電体２０５ｂとして、導電性が高いタングステンを積層するとよい。当該組み合わせを用いることで、配線としての導電性を保持したまま、酸化物半導体２３０への水素の拡散を抑制することができる。なお、図５１では、導電体２０５ａ、および導電体２０５ｂの２層構造を示したが、当該構成に限定されず、単層でも３層以上の積層構造でもよい。
【０５８２】
絶縁体２２０、および絶縁体２２４は、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などの、酸素を含む絶縁体であることが好ましい。特に、絶縁体２２４として過剰酸素を含む（化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む）絶縁体を用いることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を、トランジスタ２００を構成する酸化物に接して設けることにより、酸化物中の酸素欠損を補償することができる。なお、絶縁体２２０と絶縁体２２４とは、必ずしも同じ材料を用いて形成しなくともよい。
【０５８３】
絶縁体２２２に、例えば酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などのいわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料を含む絶縁体を用いてもよい。
【０５８４】
なお、絶縁体２２２が、２層以上の積層構造を有していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。
【０５８５】
絶縁体２２０及び絶縁体２２４の間に、ｈｉｇｈ−ｋ材料を含む絶縁体２２２を有することで、特定の条件で絶縁体２２２が電子を捕獲し、しきい値電圧を増大させることができる。つまり、絶縁体２２２が負に帯電する場合がある。
【０５８６】
例えば、絶縁体２２０、および絶縁体２２４に、酸化シリコンを用い、絶縁体２２２に、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタルのような電子捕獲準位の多い材料を用いた場合、半導体装置の使用温度、あるいは保管温度よりも高い温度（例えば、１２５℃以上４５０℃以下、代表的には１５０℃以上３００℃以下）の下で、導電体２０５の電位をソース電極やドレイン電極の電位より高い状態を、１０ミリ秒以上、代表的には１分以上維持することで、トランジスタ２００を構成する酸化物から導電体２０５に向かって、電子が移動する。この時、移動する電子の一部が、絶縁体２２２の電子捕獲準位に捕獲される。
【０５８７】
絶縁体２２２の電子捕獲準位に必要な量の電子を捕獲させたトランジスタは、しきい値電圧がプラス側にシフトする。なお、導電体２０５の電圧の制御によって電子の捕獲する量を制御することができ、それに伴ってしきい値電圧を制御することができる。当該構成を有することで、トランジスタ２００は、ゲート電圧が０Ｖであっても非導通状態（オフ状態ともいう）であるノーマリーオフ型のトランジスタとなる。
【０５８８】
また、電子を捕獲する処理は、トランジスタの作製過程におこなえばよい。例えば、トランジスタのソース導電体あるいはドレイン導電体に接続する導電体の形成後、あるいは、前工程（ウェハー処理）の終了後、あるいは、ウェハーダイシング工程後、パッケージ後等、工場出荷前のいずれかの段階で行うとよい。
【０５８９】
また、絶縁体２２０、絶縁体２２２、絶縁体２２４の膜厚を適宜調整することで、しきい値電圧を制御することができる。または、非導通時のリーク電流の小さいトランジスタを提供することができる。また、安定した電気特性を有するトランジスタを提供することができる。または、オン電流の大きいトランジスタを提供することができる。または、サブスレッショルドスイング値の小さいトランジスタを提供することができる。または、信頼性の高いトランジスタを提供することができる。
【０５９０】
絶縁体２５０には、絶縁体２２２と同様のｈｉｇｈ−ｋ材料を用いてもよい。
【０５９１】
また、絶縁体２５０として、絶縁体２２４と同様に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁体を用いることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物半導体２３０に接して設けることにより、酸化物半導体２３０中の酸素欠損を低減することができる。
【０５９２】
また、絶縁体２５０は、酸素や水素に対してバリア性のある絶縁膜を用いることができる。このような材料を用いて形成した場合、酸化物半導体２３０からの酸素の放出や、外部からの水素等の不純物の混入を防ぐ層として機能する。
【０５９３】
なお、絶縁体２５０は、絶縁体２２０、絶縁体２２２、および絶縁体２２４と同様の積層構造を有していてもよい。絶縁体２５０が、電子捕獲準位に必要な量の電子を捕獲させた絶縁体を有することで、トランジスタ２００は、しきい値電圧をプラス側にシフトすることができる。当該構成を有することで、トランジスタ２００は、ゲート電圧が０Ｖであっても非導通状態（オフ状態ともいう）であるノーマリーオフ型のトランジスタとなる。
【０５９４】
また、図５１に示す半導体装置において、酸化物半導体２３０と導電体２６０の間に、絶縁体２５０の他にバリア膜を設けてもよい。もしくは、酸化物半導体２３０ｃにバリア性があるものを用いてもよい。
【０５９５】
例えば、過剰酸素を含む絶縁膜を酸化物半導体２３０に接して設け、さらにバリア膜で包み込むことで、酸化物を化学量論比組成とほぼ一致するような状態、または化学量論的組成より酸素が多い過飽和の状態とすることができる。また、酸化物半導体２３０への水素等の不純物の侵入を防ぐことができる。
【０５９６】
導電体２４０ａと、および導電体２４０ｂは、一方がソース電極として機能し、他方がドレイン電極として機能する。導電体２６０は、ゲート電極として機能する。
【０５９７】
導電体２６０ａは、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法またはＡＬＤ法を用いて形成する。特に、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法等により形成することで、絶縁体２５０に対するプラズマによるダメージを減らすことができる。また、被覆性を向上させることができるため好ましい。従って、信頼性が高いトランジスタ２００を提供することができる。
【０５９８】
また、導電体２６０ｂは、金属材料などの導電性が高い材料を用いて形成する。
【０５９９】
また、導電体２６０を覆うように、絶縁体２７０を設ける。絶縁体２８０に酸素が脱離する酸化物材料を用いる場合、導電体２６０が、脱離した酸素により酸化することを防止するため、絶縁体２７０は、酸素に対してバリア性を有する物質を用いる。
【０６００】
例えば、絶縁体２７０には、酸化アルミニウムなどの金属酸化物を用いることができる。これにより導電体２６０の酸化を抑制し、絶縁体２８０から、脱離した酸素を効率的に酸化物半導体２３０へと供給することができる。また絶縁体２７０は、導電体２６０の酸化を防止する程度に設けられていればよく、絶縁体２７０の膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上７ｎｍ以下として設ける。
【０６０１】
トランジスタ２００の上方には、絶縁体２８０を設ける。絶縁体２８０には、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物を用いることが好ましい。つまり、絶縁体２８０には、化学量論的組成よりも酸素が過剰に存在する領域（以下、過剰酸素領域ともいう）が形成されていることが好ましい。特に、トランジスタ２００に酸化物半導体を用いる場合、トランジスタ２００近傍の層間膜などに、酸素過剰領域を有する絶縁体を設けることで、トランジスタ２００の酸素欠損を低減することで、信頼性を向上させることができる。
【０６０２】
過剰酸素領域を有する絶縁体として、具体的には、加熱により一部の酸素が脱離する酸化物材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化物とは、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲が好ましい。
【０６０３】
例えばこのような材料として、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含む材料を用いることが好ましい。または、金属酸化物を用いることもできる。なお、本明細書中において、酸化窒化シリコンとは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
【０６０４】
また、トランジスタ２００を覆う絶縁体２８０は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。
【０６０５】
〔応用例〕
以下では、異なる組成のトランジスタを積層して用いる場合の例について説明する。
【０６０６】
図５２に示す半導体装置は、トランジスタ４００と、トランジスタ２００、および容量素子４１０を有している。
【０６０７】
トランジスタ２００は、酸化物半導体を有する半導体層にチャネルが形成されるトランジスタである。トランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、これを半導体装置（記憶装置）に用いることにより長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、あるいは、リフレッシュ動作の頻度が極めて少ない半導体装置（記憶装置）とすることが可能となるため、消費電力を十分に低減することができる。
【０６０８】
半導体装置は、図５２に示すようにトランジスタ４００、トランジスタ２００、容量素子４１０を有する。トランジスタ２００はトランジスタ４００の上方に設けられ、容量素子４１０はトランジスタ４００、およびトランジスタ２００の上方に設けられている。
【０６０９】
トランジスタ４００は、基板４０１上に設けられ、導電体４０６、絶縁体４０４、基板４０１の一部からなる半導体領域４０２、およびソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗領域４０８ａ、および低抵抗領域４０８ｂを有する。低抵抗領域４０８ａ、および低抵抗領域４０８ｂは、リンやホウ素などの不純物を含む。
【０６１０】
トランジスタ４００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。
【０６１１】
半導体領域４０２のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域、またはドレイン領域となる低抵抗領域４０８ａ、および低抵抗領域４０８ｂなどにおいて、シリコン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成してもよい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコンを用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジスタ４００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。
【０６１２】
なお、図５２に示すトランジスタ４００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
【０６１３】
トランジスタ４００を覆って、絶縁体４２０、絶縁体４２２、絶縁体４２４、および絶縁体４２６が順に積層して設けられている。
【０６１４】
絶縁体４２２は、その下方に設けられるトランジスタ４００などによって生じる段差を平坦化する平坦化膜として機能する。絶縁体４２２の上面は、平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
【０６１５】
絶縁体４２４には、例えば、基板４０１、またはトランジスタ４００などから、トランジスタ２００が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。
【０６１６】
なお、絶縁体４２６は、絶縁体４２４よりも誘電率が低いことが好ましい。例えば、絶縁体４２６の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。また例えば、絶縁体４２４の比誘電率は、絶縁体４２６の比誘電率の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。
【０６１７】
また、絶縁体４２０、絶縁体４２２、絶縁体４２４、および絶縁体４２６には容量素子４１０、またはトランジスタ２００と電気的に接続する導電体４２８、および導電体４３０等が埋め込まれている。なお、導電体４２８、および導電体４３０はプラグ、または配線として機能を有する。なお、後述するが、プラグまたは配線として機能を有する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
【０６１８】
また、導電体４２８、および導電体４３０は、窒化タンタル等の水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体４２４が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ４００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ４００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
【０６１９】
また、絶縁体４２６、および導電体４３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図５２において、絶縁体４５０、絶縁体４５２、及び絶縁体４５４が順に積層して設けられている。また、絶縁体４５０、絶縁体４５２、及び絶縁体４５４には、導電体４５６が形成されている。導電体４５６は、プラグ、または配線として機能を有する。なお導電体４５６は、導電体４２８、および導電体４３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【０６２０】
また、導電体４５６は、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。
【０６２１】
また、例えば、絶縁体４５０は、窒化シリコン等の銅の拡散を抑制する、または、酸素、および水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。銅の拡散を抑制する絶縁体４５０が有する開口部に接して銅の拡散を抑制する導電体を設け、銅の拡散を抑制する導電体上に銅を積層して設けることが好ましい。
【０６２２】
絶縁体４５４上には、絶縁体４５８、絶縁体２１０、絶縁体２１２、および絶縁体２１４が、順に積層して設けられている。これらのいずれかまたは全部を、銅の拡散を抑制する、または酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。
【０６２３】
絶縁体２１４上には、絶縁体２１６を設ける。絶縁体２１６は、絶縁体４２０と同様の材料を用いることができる。
【０６２４】
また、絶縁体４５８、絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、及び絶縁体２１６には、導電体２１８、及びトランジスタ２００を構成する導電体２０５等が埋め込まれている。なお、導電体２１８は、容量素子４１０、またはトランジスタ４００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。
【０６２５】
特に、導電体２１８は、銅の拡散を抑制する、または、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。
【０６２６】
絶縁体２１４の上方には、トランジスタ２００、および絶縁体２８０が設けられている。また、図５２に示すトランジスタ２００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
【０６２７】
絶縁体２８０上には、絶縁体２８２、絶縁体２８４、および絶縁体４７０が順に積層して設けられている。また、絶縁体２２０、絶縁体２２２、絶縁体２２４、絶縁体２８０、絶縁体２８２、絶縁体２８４、および絶縁体４７０には、導電体２４４等が埋め込まれている。また、トランジスタ２００が有する導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂ等の導電体上に、上層の導電体と接続する導電体２４５等が設けられる。なお、導電体２４４は、容量素子４１０、トランジスタ２００、またはトランジスタ４００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能を有する。導電体２４４は、導電体４２８、および導電体４３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【０６２８】
なお、絶縁体２８２、および絶縁体２８４のいずれか、または両方に、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。
【０６２９】
絶縁体４７０の上方には、容量素子４１０、および導電体４７４が設けられている。容量素子４１０は、絶縁体４７０上に設けられ、導電体４６２と、絶縁体４８０、絶縁体４８２、および絶縁体４８４と、導電体４６６とを有する。なお、導電体４７４は、容量素子４１０、トランジスタ２００、またはトランジスタ４００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能を有する。
【０６３０】
導電体４７４、および導電体４６２上に、絶縁体４８０、絶縁体４８２、および絶縁体４８４を設けられている。
【０６３１】
例えば、絶縁体４８０、および絶縁体４８４には、酸化窒化シリコンなどの絶縁耐力が大きい材料を用い、絶縁体４８２には、酸化アルミニウムなどの高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料と、酸化窒化シリコンなどの絶縁耐力が大きい材料を用いて、積層構造を設けることが好ましい。当該構成により、容量素子４１０は、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）の絶縁体を有することで、十分な容量を確保でき、絶縁耐力が大きい絶縁体を有することで、絶縁耐力が向上し、容量素子４１０の静電破壊を抑制することができる。
【０６３２】
導電体４６２上に、絶縁体４８０、絶縁体４８２、および絶縁体４８４を介して、導電体４６６を設けられている。
【０６３３】
例えば、図５２に示すように、絶縁体４８０、絶縁体４８２、および絶縁体４８４を、導電体４６２の上面および側面を覆うように設けてもよい。さらに、導電体４６６を、絶縁体４８０、絶縁体４８２、および絶縁体４８４を介して、導電体４６２の上面および側面を覆うように設けてもよい。
【０６３４】
つまり、導電体４６２の側面においても、容量として機能するため、容量素子の投影面積当たりの容量を増加させることができる。従って、半導体装置の小面積化、高集積化、微細化が可能となる。
【０６３５】
導電体４６６、および絶縁体４８４上には、絶縁体４６０設けられている。絶縁体４６０は、絶縁体４２０と同様の材料を用いて設けることができる。また、容量素子４１０を覆う絶縁体４６０は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。
【０６３６】
以上が応用例についての説明である。
【０６３７】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０６３８】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図５３を用いて説明を行う。
【０６３９】
［表示装置の回路構成］
図５３（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部５０２という）と、画素部５０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部５０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路５０６という）と、端子部５０７と、を有する。なお、保護回路５０６は、設けない構成としてもよい。
【０６４０】
駆動回路部５０４の一部、または全部は、画素部５０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部５０４の一部、または全部が、画素部５０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部５０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
【０６４１】
画素部５０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路５０１という）を有し、駆動回路部５０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ５０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、ソースドライバ５０４ｂ）などの駆動回路を有する。
【０６４２】
ゲートドライバ５０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ５０４ａは、端子部５０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、ゲートドライバ５０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。ゲートドライバ５０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲートドライバ５０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ５０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ５０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ５０４ａは、別の信号を供給することも可能である。
【０６４３】
ソースドライバ５０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ５０４ｂは、端子部５０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ５０４ｂは、画像信号を元に画素回路５０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ５０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ５０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有する。または、ソースドライバ５０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ５０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。
【０６４４】
ソースドライバ５０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。ソースドライバ５０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。
【０６４５】
複数の画素回路５０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また、複数の画素回路５０１のそれぞれは、ゲートドライバ５０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路５０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ５０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ５０４ｂからデータ信号が入力される。
【０６４６】
保護回路５０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
【０６４７】
図５３（Ａ）に示す保護回路５０６は、例えば、ゲートドライバ５０４ａと画素回路５０１の間の配線である走査線ＧＬ、ソースドライバ５０４ｂと画素回路５０１の間の配線であるデータ線ＤＬ、またはゲートドライバ５０４ａ若しくはソースドライバ５０４ｂと端子部５０７との間の配線等に接続することができる。なお、端子部５０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
【０６４８】
図５３（Ａ）に示すように、画素部５０２と駆動回路部５０４にそれぞれ保護回路５０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路５０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ５０４ａ、ソースドライバ５０４ｂまたは端子部５０７に保護回路５０６を接続した構成とすることもできる。
【０６４９】
また、図５３（Ａ）においては、ゲートドライバ５０４ａとソースドライバ５０４ｂによって駆動回路部５０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ５０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。
【０６５０】
また、図５３（Ａ）に示す複数の画素回路５０１は、例えば、図５３（Ｂ）に示す構成とすることができる。
【０６５１】
図５３（Ｂ）に示す画素回路５０１は、液晶素子５７０と、トランジスタ５５０と、容量素子５６０と、を有する。トランジスタ５５０に先の実施の形態に示すトランジスタを適用することができる。
【０６５２】
液晶素子５７０の一対の電極の一方の電位は、画素回路５０１の仕様に応じて適宜設定される。液晶素子５７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複数の画素回路５０１のそれぞれが有する液晶素子５７０の一対の電極の一方に共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路５０１の液晶素子５７０の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
【０６５３】
例えば、液晶素子５７０を備える表示装置の駆動方法としては、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、又はＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｂｅｎｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。
【０６５４】
ｍ行ｎ列目の画素回路５０１において、トランジスタ５５０のソース電極またはドレイン電極の一方は、データ線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方は液晶素子５７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。また、トランジスタ５５０のゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。トランジスタ５５０は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
【０６５５】
容量素子５６０の一対の電極の一方は、電位が供給される配線（以下、電位供給線ＶＬ）に電気的に接続され、他方は、液晶素子５７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。なお、電位供給線ＶＬの電位の値は、画素回路５０１の仕様に応じて適宜設定される。容量素子５６０は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０６５６】
例えば、図５３（Ｂ）の画素回路５０１を有する表示装置では、例えば、図５３（Ａ）に示すゲートドライバ５０４ａにより各行の画素回路５０１を順次選択し、トランジスタ５５０をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
【０６５７】
データが書き込まれた画素回路５０１は、トランジスタ５５０がオフ状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０６５８】
また、図５３（Ａ）に示す複数の画素回路５０１は、例えば、図５３（Ｃ）に示す構成とすることができる。
【０６５９】
また、図５３（Ｃ）に示す画素回路５０１は、トランジスタ５５２、５５４と、容量素子５６２と、発光素子５７２と、を有する。トランジスタ５５２及びトランジスタ５５４のいずれか一方または双方に先の実施の形態に示すトランジスタを適用することができる。
【０６６０】
トランジスタ５５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ５５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。
【０６６１】
トランジスタ５５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
【０６６２】
容量素子５６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ５５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０６６３】
容量素子５６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０６６４】
トランジスタ５５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続される。さらに、トランジスタ５５４のゲート電極は、トランジスタ５５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０６６５】
発光素子５７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、トランジスタ５５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０６６６】
発光素子５７２としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）などを用いることができる。ただし、発光素子５７２としては、これに限定されず、無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。
【０６６７】
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
【０６６８】
図５３（Ｃ）の画素回路５０１を有する表示装置では、例えば、図５３（Ａ）に示すゲートドライバ５０４ａにより各行の画素回路５０１を順次選択し、トランジスタ５５２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
【０６６９】
データが書き込まれた画素回路５０１は、トランジスタ５５２がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ５５４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子５７２は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０６７０】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０６７１】
（実施の形態９）
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明したトランジスタの適用可能な回路構成の一例について、図５４及び図５５を用いて説明する。
【０６７２】
［インバータ回路の構成例］
図５４（Ａ）には、駆動回路が有するシフトレジスタやバッファ等に適用することができるインバータの回路図を示す。インバータ８００は、入力端子ＩＮに与える信号の論理を反転した信号を出力端子ＯＵＴに出力する。インバータ８００は、複数のＯＳトランジスタを有する。信号ＳＢＧは、ＯＳトランジスタの電気特性を切り替えることができる信号である。
【０６７３】
図５４（Ｂ）は、インバータ８００の一例である。インバータ８００は、ＯＳトランジスタ８１０、およびＯＳトランジスタ８２０を有する。インバータ８００は、ｎチャネル型トランジスタのみで作製することができるため、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）でインバータ（ＣＭＯＳインバータ）を作製する場合と比較して、低コストで作製することが可能である。
【０６７４】
なお、ＯＳトランジスタを有するインバータ８００は、Ｓｉトランジスタで構成されるＣＭＯＳ上に配置することもできる。インバータ８００は、ＣＭＯＳの回路に重ねて配置できるため、インバータ８００を追加する分の回路面積の増加を抑えることができる。
【０６７５】
ＯＳトランジスタ８１０、８２０は、フロントゲートとして機能する第１ゲートと、バックゲートとして機能する第２ゲートと、ソースまたはドレインの一方として機能する第１端子と、ソースまたはドレインの他方として機能する第２端子とを有する。
【０６７６】
ＯＳトランジスタ８１０の第１ゲートは、第２端子に接続される。ＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートは、信号ＳＢＧを供給する配線に接続される。ＯＳトランジスタ８１０の第１端子は、電圧ＶＤＤを与える配線に接続される。ＯＳトランジスタ８１０の第２端子は、出力端子ＯＵＴに接続される。
【０６７７】
ＯＳトランジスタ８２０の第１ゲートは、入力端子ＩＮに接続される。ＯＳトランジスタ８２０の第２ゲートは、入力端子ＩＮに接続される。ＯＳトランジスタ８２０の第１端子は、出力端子ＯＵＴに接続される。ＯＳトランジスタ８２０の第２端子は、電圧ＶＳＳを与える配線に接続される。
【０６７８】
図５４（Ｃ）は、インバータ８００の動作を説明するためのタイミングチャートである。図５４（Ｃ）のタイミングチャートでは、入力端子ＩＮの信号波形、出力端子ＯＵＴの信号波形、信号ＳＢＧの信号波形、およびＯＳトランジスタ８１０のしきい値電圧の変化について示している。
【０６７９】
信号ＳＢＧをＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートに与えることで、ＯＳトランジスタ８１０のしきい値電圧を制御することができる。
【０６８０】
信号ＳＢＧは、しきい値電圧をマイナスシフトさせるための電圧ＶＢＧ＿Ａ、しきい値電圧をプラスシフトさせるための電圧ＶＢＧ＿Ｂを有する。第２ゲートに電圧ＶＢＧ＿Ａを与えることで、ＯＳトランジスタ８１０はしきい値電圧ＶＴＨ＿Ａにマイナスシフトさせることができる。また、第２ゲートに電圧ＶＢＧ＿Ｂを与えることで、ＯＳトランジスタ８１０は、しきい値電圧ＶＴＨ＿Ｂにプラスシフトさせることができる。
【０６８１】
しきい値電圧をしきい値電圧ＶＴＨ＿Ｂにプラスシフトさせることで、ＯＳトランジスタ８１０は電流が流れにくい状態とすることができる。
【０６８２】
これにより、ＯＳトランジスタ８１０に流れる電流を極めて小さくすることができる。そのため、入力端子ＩＮに与える信号がハイレベルでＯＳトランジスタ８２０はオン状態のとき、出力端子ＯＵＴの電圧を急峻に下降させることができる。
【０６８３】
ＯＳトランジスタ８１０に流れる電流が流れにくい状態とすることができるため、図５４（Ｃ）に示すタイミングチャートにおける出力端子の信号波形を急峻に変化させることができる。電圧ＶＤＤを与える配線と、電圧ＶＳＳを与える配線との間に流れる貫通電流を少なくすることができるため、低消費電力での動作を行うことができる。
【０６８４】
また、しきい値電圧をしきい値電圧ＶＴＨ＿Ａにマイナスシフトさせることで、ＯＳトランジスタ８１０は電流が流れやすい状態とすることができる。そのため、入力端子ＩＮに与える信号がローレベルでＯＳトランジスタ８２０はオフ状態のとき、出力端子ＯＵＴの電圧を急峻に上昇させることができる。
【０６８５】
なお、信号ＳＢＧによるＯＳトランジスタ８１０のしきい値電圧の制御は、ＯＳトランジスタ８２０の状態が切り替わる以前、すなわち時刻Ｔ１やＴ２よりも前に行うことが好ましい。例えば、図５４（Ｃ）に図示するように、入力端子ＩＮに与える信号がハイレベルに切り替わる時刻Ｔ１よりも前に、しきい値電圧ＶＴＨ＿Ａから、しきい値電圧ＶＴＨ＿ＢにＯＳトランジスタ８１０のしきい値電圧を切り替えることが好ましい。また、図５４（Ｃ）に図示するように、入力端子ＩＮに与える信号がローレベルに切り替わる時刻Ｔ２よりも前に、しきい値電圧ＶＴＨ＿Ｂからしきい値電圧ＶＴＨ＿ＡにＯＳトランジスタ８１０のしきい値電圧を切り替えることが好ましい。
【０６８６】
なお、図５４（Ｃ）のタイミングチャートでは、入力端子ＩＮに与える信号に応じて信号ＳＢＧを切り替える構成を示したが、別の構成としてもよい。例えば、しきい値電圧を制御するための電圧は、フローティング状態としたＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートに保持させる構成としてもよい。当該構成を実現可能な回路構成の一例について、図５５（Ａ）に示す。
【０６８７】
図５５（Ａ）では、図５４（Ｂ）で示した回路構成に加えて、ＯＳトランジスタ８５０を有する。ＯＳトランジスタ８５０の第１端子は、ＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートに接続される。またＯＳトランジスタ８５０の第２端子は、電圧ＶＢＧ＿Ｂ（あるいは電圧ＶＢＧ＿Ａ）を与える配線に接続される。ＯＳトランジスタ８５０の第１ゲートは、信号ＳＦを与える配線に接続される。ＯＳトランジスタ８５０の第２ゲートは、電圧ＶＢＧ＿Ｂ（あるいは電圧ＶＢＧ＿Ａ）を与える配線に接続される。
【０６８８】
なお、図５４（Ｂ）及び図５５（Ａ）の回路構成では、ＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートに与える電圧を外部からの制御によって与える構成について示したが、別の構成としてもよい。例えば、しきい値電圧を制御するための電圧を、入力端子ＩＮに与える信号を基に生成し、ＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートに与える構成としてもよい。当該構成を実現可能な回路構成の一例について、図５５（Ｂ）に示す。
【０６８９】
図５５（Ｂ）では、図５４（Ｂ）で示した回路構成において、入力端子ＩＮとＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートとの間にＣＭＯＳインバータ８６０を有する。ＣＭＯＳインバータ８６０の入力端子は、入力端子ＩＮに接続される。ＣＭＯＳインバータ８６０の出力端子は、ＯＳトランジスタ８１０の第２ゲートに接続される。
【０６９０】
以上説明したように本実施の形態の構成では、ＯＳトランジスタを有するインバータにおける、バックゲートの電圧を入力端子ＩＮの信号の論理にしたがって切り替える。当該構成とすることで、ＯＳトランジスタのしきい値電圧を制御することができる。入力端子ＩＮに与える信号によってＯＳトランジスタのしきい値電圧を制御することで、出力端子ＯＵＴの電圧を急峻に変化させることができる。また、電源電圧を与える配線間の貫通電流を小さくすることができる。そのため、低消費電力化を図ることができる。
【０６９１】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０６９２】
（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図５６乃至図５９を用いて説明を行う。
【０６９３】
［表示モジュール］
図５６に示す表示モジュール７０００は、上部カバー７００１と下部カバー７００２との間に、ＦＰＣ７００３に接続されたタッチパネル７００４、ＦＰＣ７００５に接続された表示パネル７００６、バックライト７００７、フレーム７００９、プリント基板７０１０、バッテリ７０１１を有する。
【０６９４】
本発明の一態様の半導体装置は、例えば、表示パネル７００６に用いることができる。
【０６９５】
上部カバー７００１及び下部カバー７００２は、タッチパネル７００４及び表示パネル７００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０６９６】
タッチパネル７００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル７００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル７００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル７００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
【０６９７】
バックライト７００７は、光源７００８を有する。なお、図５６において、バックライト７００７上に光源７００８を配置する構成について例示したが、これに限定さない。例えば、バックライト７００７の端部に光源７００８を配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機ＥＬ素子等の自発光型の発光素子を用いる場合、または反射型パネル等の場合においては、バックライト７００７を設けない構成としてもよい。
【０６９８】
フレーム７００９は、表示パネル７００６の保護機能の他、プリント基板７０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム７００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０６９９】
プリント基板７０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ７０１１による電源であってもよい。バッテリ７０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０７００】
また、表示モジュール７０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０７０１】
［電子機器１］
次に、図５７（Ａ）乃至図５７（Ｅ）に電子機器の一例を示す。
【０７０２】
図５７（Ａ）は、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。
【０７０３】
カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。
【０７０４】
ここではカメラ８０００として、レンズ８００６を筐体８００１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８００６と筐体が一体となっていてもよい。
【０７０５】
カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押すことにより、撮像することができる。また、表示部８００２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８００２をタッチすることにより撮像することも可能である。
【０７０６】
カメラ８０００の筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。
【０７０７】
ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。
【０７０８】
筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントを有しており、ファインダー８１００をカメラ８０００に取り付けることができる。また当該マウントには電極を有し、当該電極を介してカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表示させることができる。
【０７０９】
ボタン８１０３は、電源ボタンとしての機能を有する。ボタン８１０３により、表示部８１０２の表示のオン・オフを切り替えることができる。
【０７１０】
カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０７１１】
なお、図５７（Ａ）では、カメラ８０００とファインダー８１００とを別の電子機器とし、これらを脱着可能な構成としたが、カメラ８０００の筐体８００１に、表示装置を備えるファインダーが内蔵されていてもよい。
【０７１２】
図５７（Ｂ）は、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。
【０７１３】
ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。
【０７１４】
ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した画像データ等の映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３に設けられたカメラで使用者の眼球やまぶたの動きを捉え、その情報をもとに使用者の視点の座標を算出することにより、使用者の視点を入力手段として用いることができる。
【０７１５】
また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に複数の電極が設けられていてもよい。本体８２０３は使用者の眼球の動きに伴って電極に流れる電流を検知することにより、使用者の視点を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流を検知することにより、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能を有していてもよい。また、使用者の頭部の動きなどを検出し、表示部８２０４に表示する映像をその動きに合わせて変化させてもよい。
【０７１６】
表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０７１７】
図５７（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
【０７１８】
使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させる好適である。表示部８３０２を湾曲して配置することで、使用者が高い臨場感を感じることができる。なお、本実施の形態においては、表示部８３０２を１つ設ける構成について例示したが、これに限定されず、例えば、表示部８３０２を２つ設ける構成としてもよい。この場合、使用者の片方の目に１つの表示部が配置されるような構成とすると、視差を用いた３次元表示等を行うことも可能となる。
【０７１９】
なお、表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置は、極めて精細度が高いため、図５７（Ｅ）のようにレンズ８３０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、より現実感の高い映像を表示することができる。
【０７２０】
［電子機器２］
次に、図５７（Ａ）乃至図５７（Ｅ）に示す電子機器と、異なる電子機器の一例を図５８（Ａ）乃至図５８（Ｇ）に示す。
【０７２１】
図５８（Ａ）乃至図５８（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
【０７２２】
図５８（Ａ）乃至図５８（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図５８（Ａ）乃至図５８（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図５８（Ａ）乃至図５８（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
【０７２３】
図５８（Ａ）乃至図５８（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
【０７２４】
図５８（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示す斜視図である。テレビジョン装置９１００は、表示部９００１を大画面、例えば、５０インチ以上、または１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。
【０７２５】
図５８（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
【０７２６】
図５８（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０７２７】
図５８（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
【０７２８】
図５８（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図５８（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図５８（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図５８（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【０７２９】
次に、図５７（Ａ）乃至図５７（Ｅ）に示す電子機器、及び図５８（Ａ）乃至図５８（Ｇ）に示す電子機器と異なる電子機器の一例を図５９（Ａ）（Ｂ）に示す。図５９（Ａ）（Ｂ）は、複数の表示パネルを有する表示装置の斜視図である。なお、図５９（Ａ）は、複数の表示パネルが巻き取られた形態の斜視図であり、図５９（Ｂ）は、複数の表示パネルが展開された状態の斜視図である。
【０７３０】
図５９（Ａ）（Ｂ）に示す表示装置９５００は、複数の表示パネル９５０１と、軸部９５１１と、軸受部９５１２と、を有する。また、複数の表示パネル９５０１は、表示領域９５０２と、透光性を有する領域９５０３と、を有する。
【０７３１】
また、複数の表示パネル９５０１は、可撓性を有する。また、隣接する２つの表示パネル９５０１は、それらの一部が互いに重なるように設けられる。例えば、隣接する２つの表示パネル９５０１の透光性を有する領域９５０３を重ね合わせることができる。複数の表示パネル９５０１を用いることで、大画面の表示装置とすることができる。また、使用状況に応じて、表示パネル９５０１を巻き取ることが可能であるため、汎用性に優れた表示装置とすることができる。
【０７３２】
また、図５９（Ａ）（Ｂ）においては、表示領域９５０２が隣接する表示パネル９５０１で離間する状態を図示しているが、これに限定されず、例えば、隣接する表示パネル９５０１の表示領域９５０２を隙間なく重ねあわせることで、連続した表示領域９５０２としてもよい。
【０７３３】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。
【０７３４】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０７３５】
１０    トランジスタ
１０Ａ    トランジスタ
１０Ｂ    トランジスタ
１１    導電層
１２    半導体層
１２ａ    領域
１２ｂ    領域
１３    導電層
１４ａ    導電層
１４ｂ    導電層
２０    基板
２１    絶縁層
２２    絶縁層
３１    絶縁層
３２    絶縁層
１００    トランジスタ
１００Ａ    トランジスタ
１００Ｂ    トランジスタ
１００Ｃ    トランジスタ
１００Ｄ    トランジスタ
１００Ｅ    トランジスタ
１００Ｆ    トランジスタ
１００Ｇ    トランジスタ
１００Ｈ    トランジスタ
１００Ｊ    トランジスタ
１０２    基板
１０４    絶縁膜
１０６    導電膜
１０８    酸化物半導体膜
１０８＿１    酸化物半導体膜
１０８＿２    酸化物半導体膜
１０８＿３    酸化物半導体膜
１０８ｄ    ドレイン領域
１０８ｆ    領域
１０８ｉ    チャネル領域
１０８ｓ    ソース領域
１１０    絶縁膜
１１０ａ  絶縁膜
１１２    導電膜
１１２＿１    導電膜
１１２＿２    導電膜
１１４    絶縁膜
１１６    絶縁膜
１１８    絶縁膜
１２０ａ    導電膜
１２０ｂ    導電膜
１２２    絶縁膜
１４１ａ    開口部
１４１ｂ    開口部
１４３    開口部
２００    トランジスタ
２０５    導電体
２０５ａ    導電体
２０５ｂ    導電体
２１０    絶縁体
２１２    絶縁体
２１４    絶縁体
２１６    絶縁体
２１８    導電体
２２０    絶縁体
２２２    絶縁体
２２４    絶縁体
２３０    酸化物半導体
２３０ａ    酸化物半導体
２３０ｂ    酸化物半導体
２３０ｃ    酸化物半導体
２４０ａ    導電体
２４０ｂ    導電体
２４４    導電体
２４５    導電体
２５０    絶縁体
２６０    導電体
２６０ａ    導電体
２６０ｂ    導電体
２７０    絶縁体
２８０    絶縁体
２８２    絶縁体
２８４    絶縁体
３００Ａ    トランジスタ
３００Ｂ    トランジスタ
３００Ｃ    トランジスタ
３００Ｄ    トランジスタ
３００Ｅ    トランジスタ
３００Ｆ    トランジスタ
３００Ｇ    トランジスタ
３０２    基板
３０４    導電膜
３０６    絶縁膜
３０７    絶縁膜
３０８    酸化物半導体膜
３０８＿１    酸化物半導体膜
３０８＿２    酸化物半導体膜
３０８＿３    酸化物半導体膜
３１２ａ    導電膜
３１２ｂ    導電膜
３１２ｃ    導電膜
３１４    絶縁膜
３１６    絶縁膜
３１８    絶縁膜
３１９    絶縁膜
３２０ａ    導電膜
３２０ｂ    導電膜
３４１ａ    開口部
３４１ｂ    開口部
３４２    開口部
３４２ａ    開口部
３４２ｂ    開口部
３４２ｃ    開口部
３４４    導電膜
３５１    開口部
３５２ａ    開口部
３５２ｂ    開口部
４００    トランジスタ
４０１    基板
４０２    半導体領域
４０４    絶縁体
４０６    導電体
４０８ａ    低抵抗領域
４０８ｂ    低抵抗領域
４１０    容量素子
４２０    絶縁体
４２２    絶縁体
４２４    絶縁体
４２６    絶縁体
４２８    導電体
４３０    導電体
４５０    絶縁体
４５２    絶縁体
４５４    絶縁体
４５６    導電体
４５８    絶縁体
４６０    絶縁体
４６２    導電体
４６６    導電体
４７０    絶縁体
４７４    導電体
４８０    絶縁体
４８２    絶縁体
４８４    絶縁体
５０１    画素回路
５０２    画素部
５０４    駆動回路部
５０４ａ    ゲートドライバ
５０４ｂ    ソースドライバ
５０６    保護回路
５０７    端子部
５５０    トランジスタ
５５２    トランジスタ
５５４    トランジスタ
５６０    容量素子
５６２    容量素子
５７０    液晶素子
５７２    発光素子
６６４    電極
６６５    電極
６６７    電極
７００    表示装置
７０１    基板
７０２    画素部
７０４    ソースドライバ回路部
７０５    基板
７０６    ゲートドライバ回路部
７０８    ＦＰＣ端子部
７１０    信号線
７１１    配線部
７１２    シール材
７１６    ＦＰＣ
７３０    絶縁膜
７３２    封止膜
７３４    絶縁膜
７３６    着色膜
７３８    遮光膜
７５０    トランジスタ
７５２    トランジスタ
７６０    接続電極
７７０    平坦化絶縁膜
７７２    導電膜
７７３    絶縁膜
７７４    導電膜
７７５    液晶素子
７７６    液晶層
７７８    構造体
７８０    異方性導電膜
７８２    発光素子
７８３    液滴吐出装置
７８４    液滴
７８５    層
７８６    ＥＬ層
７８８    導電膜
７９０    容量素子
７９１    タッチパネル
７９２    絶縁膜
７９３    電極
７９４    電極
７９５    絶縁膜
７９６    電極
７９７    絶縁膜
８００    インバータ
８１０    ＯＳトランジスタ
８２０    ＯＳトランジスタ
８５０    ＯＳトランジスタ
８６０    ＣＭＯＳインバータ
９５０    トランジスタ
９５２    基板
９５４    絶縁膜
９５６    半導体膜
９５８    絶縁膜
９６０    導電膜
９６２    絶縁膜
９６４    絶縁膜
９６６ａ    導電膜
９６６ｂ    導電膜
９６８    絶縁膜
９７０    絶縁膜
９７２    絶縁膜
１４００    液滴吐出装置
１４０２    基板
１４０３    液滴吐出手段
１４０４    撮像手段
１４０５    ヘッド
１４０６    点線
１４０７    制御手段
１４０８    記憶媒体
１４０９    画像処理手段
１４１０    コンピュータ
１４１１    マーカー
１４１２    ヘッド
１４１３    材料供給源
１４１４    材料供給源
７０００    表示モジュール
７００１    上部カバー
７００２    下部カバー
７００３    ＦＰＣ
７００４    タッチパネル
７００５    ＦＰＣ
７００６    表示パネル
７００７    バックライト
７００８    光源
７００９    フレーム
７０１０    プリント基板
７０１１    バッテリ
８０００    カメラ
８００１    筐体
８００２    表示部
８００３    操作ボタン
８００４    シャッターボタン
８００６    レンズ
８１００    ファインダー
８１０１    筐体
８１０２    表示部
８１０３    ボタン
８２００    ヘッドマウントディスプレイ
８２０１    装着部
８２０２    レンズ
８２０３    本体
８２０４    表示部
８２０５    ケーブル
８２０６    バッテリ
８３００    ヘッドマウントディスプレイ
８３０１    筐体
８３０２    表示部
８３０４    固定具
８３０５    レンズ
９０００    筐体
９００１    表示部
９００３    スピーカ
９００５    操作キー
９００６    接続端子
９００７    センサ
９００８    マイクロフォン
９０５０    操作ボタン
９０５１    情報
９０５２    情報
９０５３    情報
９０５４    情報
９０５５    ヒンジ
９１００    テレビジョン装置
９１０１    携帯情報端末
９１０２    携帯情報端末
９２００    携帯情報端末
９２０１    携帯情報端末
９５００    表示装置
９５０１    表示パネル
９５０２    表示領域
９５０３    領域
９５１１    軸部
９５１２    軸受部
【図１】
2018006729.tif 000009
【図２】
2018006729.tif 000010
【図３】
2018006729.tif 000011
【図４】
2018006729.tif 000012
【図５】
2018006729.tif 000013
【図６】
2018006729.tif 000014
【図７】
2018006729.tif 000015
【図８】
2018006729.tif 000016
【図９】
2018006729.tif 000017
【図１０】
2018006729.tif 000018
【図１１】
2018006729.tif 000019
【図１２】
2018006729.tif 000020
【図１３】
2018006729.tif 000021
【図１４】
2018006729.tif 000022
【図１５】
2018006729.tif 000023
【図１６】
2018006729.tif 000024
【図１７】
2018006729.tif 000025
【図１８】
2018006729.tif 000026
【図１９】
2018006729.tif 000027
【図２０】
2018006729.tif 000028
【図２１】
2018006729.tif 000029
【図２２】
2018006729.tif 000030
【図２３】
2018006729.tif 000031
【図２４】
2018006729.tif 000032
【図２５】
2018006729.tif 000033
【図２６】
2018006729.tif 000034
【図２７】
2018006729.tif 000035
【図２８】
2018006729.tif 000036
【図２９】
2018006729.tif 000037
【図３０】
2018006729.tif 000038
【図３１】
2018006729.tif 000039
【図３２】
2018006729.tif 000040
【図３３】
2018006729.tif 000041
【図３４】
2018006729.tif 000042
【図３５】
2018006729.tif 000043
【図３６】
2018006729.tif 000044
【図３７】
2018006729.tif 000045
【図３８】
2018006729.tif 000046
【図３９】
2018006729.tif 000047
【図４０】
2018006729.tif 000048
【図４１】
2018006729.tif 000049
【図４２】
2018006729.tif 000050
【図４３】
2018006729.tif 000051
【図４４】
2018006729.tif 000052
【図４５】
2018006729.tif 000053
【図４６】
2018006729.tif 000054
【図４７】
2018006729.tif 000055
【図４８】
2018006729.tif 000056
【図４９】
2018006729.tif 000057
【図５０】
2018006729.tif 000058
【図５１】
2018006729.tif 000059
【図５２】
2018006729.tif 000060
【図５３】
2018006729.tif 000061
【図５４】
2018006729.tif 000062
【図５５】
2018006729.tif 000063
【図５６】
2018006729.tif 000064
【図５７】
2018006729.tif 000065
【図５８】
2018006729.tif 000066
【図５９】
2018006729.tif 000067