(57)【要約】【課題】精細度を低下させることなく、色によって電流密度を低くして長寿命を確保できるように、３色の発光層４２を形成することを目的とする。【解決手段】１画素グループＧを構成する３つの画素電極３４は、中間に位置するミドル電極５８と、両側のそれぞれに位置するサイド電極６０と、からなる。ミドル電極５８が有する露出領域ＥＲの第２方向Ｄ２の幅は、サイド電極６０が有する露出領域ＥＲの第２方向Ｄ２の幅よりも大きい。複数の発光層４２は、発光の色によって３種類に分けられる。同じ列に配列された画素電極３４には、同じ色の光を発する発光層４２が重なる。１画素グループＧを構成する３つの画素電極３４には、異なる色の光を発する発光層４２が重なる。隣同士の１画素グループＧにそれぞれ含まれる隣同士の画素電極３４には、複数の発光層４２の１つが連続的に重なる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数列で配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上に配置された複数の発光層と、
前記複数の発光層の上に配置された共通電極と、
を有し、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記複数の発光層の対応する１つの発光領域に重なる露出領域を有し、
前記複数列の各々は、第１方向に並んだ前記複数の画素電極からなり、
前記第１方向に交差する第２方向に並んだ前記複数の画素電極は、隣接する３つの前記画素電極からなる１画素グループを、複数個構成し、
前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極は、中間に位置するミドル電極と、両側のそれぞれに位置するサイド電極と、からなり、
前記ミドル電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅は、前記サイド電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅よりも大きく、
前記複数の発光層は、第１の色の複数の発光層と第２の色の複数の発光層と第３の色の複数の発光層とを含み、
前記複数列のうち、同じ列に配列された前記画素電極の各々には、同じ色の光を発する前記発光層の各々が重なり、
前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極の各々には、互いに異なる色の光を発する前記発光層が重なり、
前記複数個の前記１画素グループは、第１の１画素グループと、前記第１の１画素グループと第２の方向に隣接する第２の１画素グループとを含み、
前記第１の１画素グループの第２の１画素グループの側に位置する前記サイド電極と、前記第２の１画素グループの第１の１画素グループの側に位置する前記サイド電極との、両方に跨って、前記複数の発光層の１つが連続的に重なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記第１の色は赤であり、前記第２の色は緑であり、前記第３の色は青であり、
前記ミドル電極の上には、前記第３の色の前記発光層が重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記複数の発光層は、前記第２方向に同じ幅を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の発光層の各々は、前記第１方向に並んだ前記複数の画素電極の各々に重なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
複数列で配列された複数の画素電極を有する基板を用意する工程と、
複数の開口部を有するマスクを使用した蒸着によって、前記複数の画素電極の上に複数の発光層を形成する工程と、
前記複数の発光層の上に共通電極を形成する工程と、
を含み、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記複数の発光層の対応する１つの発光領域に重なる露出領域を有し、
前記複数の画素電極は、第１方向に前記複数列のそれぞれの列をなし、前記第１方向に交差する第２方向に隣り合う３つの前記画素電極ごとに１画素グループを構成し、
前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極は、中間に位置するミドル電極と、両側のそれぞれに位置するサイド電極と、からなり、
前記ミドル電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅は、前記サイド電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅よりも大きく、
前記複数の発光層を形成する工程は、前記複数の発光層を発光の色によって３種類に分けるために、３回の成膜工程を含み、
前記３回の成膜工程のそれぞれで、同じ列に配列された前記画素電極の上には、同じ色の光を発する前記発光層を形成し、
前記３回の成膜工程で、前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極の上には、異なる色の光を発する前記発光層を形成し、
前記３回の成膜工程の１つで、隣同士の前記１画素グループにそれぞれ含まれる隣同士の前記画素電極の上には、前記複数の発光層の対応する１つを連続的に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
前記発光の色は、赤、緑及び青であり、
前記３回の成膜工程の１つで、前記ミドル電極の上に、前記青の光を発する前記発光層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載された表示装置の製造方法において、
前記３回の成膜工程のいずれであっても、前記マスクは、前記複数の開口部が前記第２方向に有する幅が同じであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記マスクの前記複数の開口部は、前記複数の発光層のそれぞれが前記第１方向には前記複数の画素電極の対応する１つごとに載るように、分離して形成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の発光層を隣同士に並べることでカラー表示を行うサイドバイサイド（ＳＢＳ）方式が知られている。ＳＢＳ方式では、ＲＧＢの寿命性能の違いから、寿命の短い発光色（例えば、Ｂ）の発光層を他の発光色（ＲＧ）よりも大きくすることで、電流密度を低くして寿命を確保する方法がある。その方法では、発光色がＢである発光層を大きくすると、発光色がＲ又はＧである発光層の幅を狭くしなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１６５５８７号公報
【特許文献２】特開２０１３−５８３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光層を蒸着により形成する場合、ＲＧＢの発光層はファインマスクで塗り分ける。マスク開口寸法には、マスクの製造プロセスによる限界があるので、ＲＧのマスクの開口寸法をこれ以上小さくすることは難しくなっている。したがって、ＲＧＢの発光層の大きさを不均等にすると、幅を狭くすべき発光層を現状のままとして、幅の大きな発光層を形成することになるので、精細度が低くなる。
【０００５】
特許文献１及び２には、ＲＢＧＧＢＲＲＢＧＧＢＲのように、隣同士の画素において同色のサブピクセルを隣り合うようにする配置することが開示されている。これによれば、隣同士の画素の隣り合うサブピクセルに連続的に発光層を形成するので、そのためのマスクの開口を大きくすることができる。しかし、発光領域の大きさが全ての色のサブピクセルで同じであるため、電流密度を低くして寿命を確保することはできない。
【０００６】
本発明は、精細度を低下させることなく、色によって電流密度を低くして長寿命を確保できるように、３色の発光層を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、複数列で配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上に配置された複数の発光層と、前記複数の発光層の上に配置された共通電極と、を有し、前記複数の画素電極のそれぞれは、前記複数の発光層の対応する１つの発光領域に重なる露出領域を有し、前記複数列の各々は、第１方向に並んだ前記複数の画素電極からなり、前記第１方向に交差する第２方向に並んだ前記複数の画素電極は、隣接する３つの前記画素電極からなる１画素グループを、複数個構成し、前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極は、中間に位置するミドル電極と、両側のそれぞれに位置するサイド電極とからなり、前記ミドル電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅は、前記サイド電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅よりも大きく、前記複数の発光層は、第１の色の複数の発光層と第２の色の複数の発光層と第３の色の複数の発光層とを含み、前記複数列のうち、同じ列に配列された前記画素電極の各々には、同じ色の光を発する前記発光層の各々が重なり、前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極の各々には、互いに異なる色の光を発する前記発光層が重なり、前記複数個の前記１画素グループは、第１の１画素グループと、前記第１の１画素グループと第２の方向に隣接する第２の１画素グループとを含み、前記第１の１画素グループの第２の１画素グループの側に位置する前記サイド電極と、前記第２の１画素グループの第１の１画素グループの側に位置する前記サイド電極との、両方に跨って、前記複数の発光層の１つが連続的に重なっていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、隣同士の１画素グループにそれぞれ含まれる隣同士の画素電極に連続的に載る発光層は、マスクの１つの開口部で形成することができる。そのため、１つの開口部の大きさで、２つの画素電極に載る発光層を形成するので、幅の狭い画素電極に対応することができる。これにより、精細度を低下させることなく、色によって電流密度を低くして長寿命を確保することができる。
【０００９】
本発明に係る表示装置の製造方法は、複数列で配列された複数の画素電極を有する基板を用意する工程と、複数の開口部を有するマスクを使用した蒸着によって、前記複数の画素電極の上に複数の発光層を形成する工程と、前記複数の発光層の上に共通電極を形成する工程と、を含み、前記複数の画素電極のそれぞれは、前記複数の発光層の対応する１つの発光領域に重なる露出領域を有し、前記複数の画素電極は、第１方向に前記複数列のそれぞれの列をなし、前記第１方向に交差する第２方向に隣り合う３つの前記画素電極ごとに１画素グループを構成し、前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極は、中間に位置するミドル電極と、両側のそれぞれに位置するサイド電極と、からなり、前記ミドル電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅は、前記サイド電極が有する前記露出領域の前記第２方向の幅よりも大きく、前記複数の発光層を形成する工程は、前記複数の発光層を発光の色によって３種類に分けるために、３回の成膜工程を含み、前記３回の成膜工程のそれぞれで、同じ列に配列された前記画素電極の上には、同じ色の光を発する前記発光層を形成し、前記３回の成膜工程で、前記１画素グループを構成する３つの前記画素電極の上には、異なる色の光を発する前記発光層を形成し、前記３回の成膜工程の１つで、隣同士の前記１画素グループにそれぞれ含まれる隣同士の前記画素電極の上には、前記複数の発光層の対応する１つを連続的に形成することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、隣同士の１画素グループにそれぞれ含まれる隣同士の画素電極に連続的に載る発光層は、マスクの１つの開口部で形成することができる。そのため、１つの開口部の大きさで、２つの画素電極に載る発光層を形成するので、幅の狭い画素電極に対応することができる。これにより、精細度を低下させることなく、色によって電流密度を低くして長寿命を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。
【図２】図１にIIで示す部分の拡大図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−II線断面の拡大図である。
【図４】図２に示す表示装置のIV−IV線断面の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法で使用する基板の一部を示す図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｂ）は、第１回目の成膜工程を説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、第２回目の成膜工程を説明するための図である。
【図８】図８（Ａ）〜図８（Ｂ）は、第３回目の成膜工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１３】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１４】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色のサブ画素を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、表示領域にフルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、第１基板１０を有する。第１基板１０には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載され、外部との電気的接続のために図示しないフレキシブルプリント基板を接続してもよい。
【００１６】
図２は、図１にIIで示す部分（表示領域の一部）の拡大図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−II線断面の拡大図である。図４は、図２に示す表示装置のIV−IV線断面の拡大図である。
【００１７】
第１基板１０には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート１４が形成され、その上に半導体層１６が形成されている。半導体層１６にソース電極１８及びドレイン電極２０が電気的に接続し、半導体層１６を覆ってゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２の上にはゲート電極２４が形成され、ゲート電極２４を覆って層間絶縁膜２６が形成されている。ソース電極１８及びドレイン電極２０は、ゲート絶縁膜２２及び層間絶縁膜２６を貫通している。半導体層１６、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２４によって薄膜トランジスタ２８が構成される。薄膜トランジスタ２８を覆うようにパッシベーション膜３０が設けられている。
【００１８】
パッシベーション膜３０の上には、平坦化層３２が設けられている。平坦化層３２の上には、複数のサブ画素それぞれに対応するように構成された複数の画素電極３４（例えば陽極）が設けられている。平坦化層３２は、少なくとも画素電極３４が設けられる面が平坦になるように形成される。画素電極３４は、平坦化層３２及びパッシベーション膜３０を貫通するコンタクトホール３６によって、半導体層１６上のソース電極１８及びドレイン電極２０の一方に電気的に接続している。
【００１９】
平坦化層３２及び画素電極３４上に、絶縁層３８が形成されている。絶縁層３８は、画素電極３４の周縁部に載り、画素電極３４の一部（例えば中央部）を露出させるように形成されている。画素電極３４は、図３及び図４に示すように露出領域ＥＲを有する。露出領域ＥＲは、画素電極３４が絶縁層３８から露出する領域である。絶縁層３８によって、画素電極３４の一部を囲むバンクが形成される。画素電極３４には、キャリア注入輸送層である正孔注入輸送層４０が設けられている。正孔注入輸送層４０は、複数の画素電極３４に連続的に載るように形成されている。
【００２０】
複数の画素電極３４の上方（正孔注入輸送層４０の上）には、複数の発光層４２が配置されている。発光層４２は、絶縁層３８にも載るようになっている。複数の発光層４２は、発光の色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ））によって３種類に分けられる。図２に示すように、色の配列はストライプ型となっている。複数の発光層４２のそれぞれは、第１方向Ｄ１（ストライプ型の色の配列に沿った方向）には、複数の画素電極３４の対応する１つごとに載るように分離して形成されている。複数の発光層４２は、発光の色が隣同士異なるように配列されている。本実施形態では、複数の発光層４２は、それぞれ、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に、同じ幅Ｗ（図４）を有する。
【００２１】
発光層４２には、他のキャリア注入輸送層である電子注入輸送層４４が設けられている。電子注入輸送層４４は、複数の発光層４２に（複数の画素電極３４の上方に）、連続的に載るように形成されている。複数の発光層４２の上方（電子注入輸送層４４の上）に共通電極４６（例えば陰極）が配置されている。共通電極４６は、バンクとなる絶縁層３８の上方に載るように形成する。発光層４２は、画素電極３４及び共通電極４６に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層４２は、図３及び図４に示すように発光領域ＬＲを有する。画素電極３４は、発光層４２の発光領域ＬＲに重なるように、露出領域ＥＲを有する。露出領域ＥＲから電流が供給される。
【００２２】
発光素子は、共通電極４６に積層する封止層５２によって覆われることで封止されて、水分から遮断される。封止層５２には、粘着層５４を介して、第２基板５６が貼り付けられている。
【００２３】
図２に示すように、複数の画素電極３４は、複数列になるように配列されている。同じ列に配列された画素電極３４には、同じ色の光を発する発光層４２が載る。複数の画素電極３４は、第１方向Ｄ１に複数列のそれぞれの列をなしている。複数の画素電極３４は、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に隣り合う３つの画素電極３４ごとに１画素グループＧを構成する。１画素グループＧを構成する３つの画素電極３４には、異なる色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ））の光を発する発光層４２が載る。例えば、隣同士の１画素グループＧａ、Ｇｂにそれぞれ含まれる隣同士の画素電極３４ａ，３４ｂには、複数の発光層４２の１つ（緑（Ｇ））が連続的に載る。
【００２４】
１画素グループＧを構成する３つの画素電極３４は、中間に位置するミドル電極５８と、両側のそれぞれに位置するサイド電極６０と、からなる。ミドル電極５８が有する露出領域ＥＲの第２方向Ｄ２の幅Ｗｍは、サイド電極６０が有する露出領域ＥＲの第２方向Ｄ２の幅Ｗｓよりも大きい（例えば２倍）。青（Ｂ）の光を発する発光層４２は、広い幅Ｗｍを有するミドル電極５８の上に載るため、電流密度を低くすることができ、精細度を低下させることなく、長寿命を確保することができる。
【００２５】
［表示装置の製造方法］
図５は、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法で使用する基板の一部を示す図である。本実施形態では、複数列で配列された複数の画素電極３４を有する第１基板１０を用意する。複数の画素電極３４は、第１方向Ｄ１に複数列のそれぞれの列をなす。第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に隣り合う３つの画素電極３４ごとに１画素グループＧを構成する。１画素グループＧを構成する３つの画素電極３４は、中間に位置するミドル電極５８と、両側のそれぞれに位置するサイド電極６０と、からなる。ミドル電極５８が有する露出領域ＥＲの第２方向Ｄ２の幅Ｗｍは、サイド電極６０が有する露出領域ＥＲの第２方向Ｄ２の幅Ｗｓよりも大きい（例えば２倍）。複数の画素電極３４のそれぞれは、図３に示す絶縁層３８から露出する露出領域ＥＲを有する。
【００２６】
本実施形態では、複数の画素電極３４の上に複数の発光層４２（図２又は図３参照）を形成する。複数の発光層４２を形成する工程は、複数の発光層４２を発光の色によって３種類に分けるために、３回の成膜工程を含む。成膜工程では、複数の開口部を有するマスクを使用した蒸着を行う。
【００２７】
図６（Ａ）〜図６（Ｂ）は、第１回目の成膜工程を説明するための図である。この工程では、図６（Ａ）に示すマスク６２Ａを使用し、図６（Ｂ）に示すように蒸着を行う。マスク６２Ａの複数の開口部６４ａは、複数の発光層４２のそれぞれが第１方向Ｄ１には複数の画素電極３４の対応する１つごとに載るように、分離して形成されている。こうして、同じ列に配列された画素電極３４の上に、同じ色（この例では赤（Ｒ））の光を発する発光層４２を形成する。隣同士の１画素グループＧにそれぞれ含まれる隣同士の画素電極３４（サイド電極６０）の上には、複数の発光層４２の対応する１つを連続的に形成する。
【００２８】
図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、第２回目の成膜工程を説明するための図である。この工程では、図７（Ａ）に示すマスク６２Ｂを使用し、図７（Ｂ）に示すように蒸着を行う。マスク６２Ｂの複数の開口部６４ｂは、複数の発光層４２のそれぞれが第１方向Ｄ１には複数の画素電極３４の対応する１つごとに載るように、分離して形成されている。こうして、同じ列に配列された画素電極３４の上に、同じ色の光を発する発光層４２を形成する。この成膜工程では、ミドル電極５８の上に、青（Ｂ）の光を発する発光層４２を形成する。
【００２９】
図８（Ａ）〜図８（Ｂ）は、第３回目の成膜工程を説明するための図である。この工程では、図８（Ａ）に示すマスク６２Ｃを使用し、図８（Ｂ）に示すように蒸着を行う。マスク６２Ｃの複数の開口部６４ｃは、複数の発光層４２のそれぞれが第１方向Ｄ１には複数の画素電極３４の対応する１つごとに載るように、分離して形成されている。こうして、同じ列に配列された画素電極３４の上に、同じ色（この例では緑（Ｇ））の光を発する発光層４２を形成する。隣同士の１画素グループＧにそれぞれ含まれる隣同士の画素電極３４（サイド電極６０）の上には、複数の発光層４２の対応する１つを連続的に形成する。
【００３０】
３回の成膜工程で、１画素グループＧを構成する３つの画素電極３４の上に、異なる色の光を発する発光層４２を形成することができる。３回の成膜工程のいずれであっても、マスク６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃは、複数の開口部６４が第２方向Ｄ２に有する幅Ｗが同じである。その後、複数の発光層４２の上に共通電極４６を形成するなど、上述した表示装置の構成から自明な工程を行う。
【００３１】
本実施形態によれば、隣同士の１画素グループＧにそれぞれ含まれる隣同士の画素電極３４（サイド電極６０）に連続的に載る発光層４２は、マスク６２Ａ，６２Ｃの１つの開口部６４ａ，６４ｃで形成することができる。そのため、１つの開口部６４ａ，６４ｃの大きさで、２つの画素電極３４（サイド電極６０）に載る発光層４２を形成するので、狭い幅Ｗｓを有する画素電極３４（サイド電極６０）に対応することができる。これにより、精細度を低下させることなく、色によって電流密度を低くして長寿命を確保することができる。
【００３２】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００３３】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００３４】
１０  第１基板、１２  集積回路チップ、１４  アンダーコート、１６  半導体層、１８  ソース電極、１８  ソース電極、２０  ドレイン電極、２２  ゲート絶縁膜、２４  ゲート電極、２６  層間絶縁膜、２８  薄膜トランジスタ、３０  パッシベーション膜、３２  平坦化層、３４  画素電極、３６  コンタクトホール、３８  絶縁層、４０  正孔注入輸送層、４２  発光層、４４  電子注入輸送層、４６  共通電極、５２  封止層、５４  粘着層、５６  第２基板、５８  ミドル電極、６０  サイド電極、６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ  マスク、６４ａ，６４ｂ，６４ｃ  開口部、Ｄ１  第１方向、Ｄ２  第２方向、Ｇ  １画素グループ，Ｇａ、Ｇｂ  １画素グループ、Ｗｍ  幅、Ｗｓ  幅、ＬＲ  発光領域、ＥＲ  露出領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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