(57)【要約】【課題】直交座標系のＹ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°(36≦α≦46)回転させたＲＹカット基板を簡便かつ効率的に得られるタンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶をチョクラルスキー法により育成する方法を提供する。【解決手段】Ｙ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°(36≦α≦46)−4°±0.5°回転させ、かつ、種結晶を右回り(ＬＴ単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が右回りであること)に回転させて育成する場合はＸ軸をＺ軸の回りに右回り（時計回り）にβ°(2°±0.5°)回転させ、上記種結晶を左回り(ＬＴ単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が左回りであること)に回転させて育成する場合はＸ軸をＺ軸の回りに左回り（反時計回り）にβ°(2°±0.5°)回転させた面方位の種結晶を用いてＬＴ単結晶を育成することを特徴とする。【選択図】図８
2018145078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料融液に種結晶を接触させかつ該種結晶を回転させながら引上げて単結晶を育成するチョクラルスキー法によるタンタル酸リチウム単結晶の育成方法であって、タンタル酸リチウム単結晶のａ軸をＸ軸、ｃ軸をＺ軸、Ｘ軸とＺ軸に直交する軸をＹ軸とした直交座標系のＹ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°（３６°≦α°≦４６°）回転させたＲＹカット基板用のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
Ｙ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°（３６°≦α°≦４６°）−４°±０．５°回転させ、かつ、上記種結晶を右回り（タンタル酸リチウム単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が右回りであること）に回転させて育成する場合にはＸ軸をＺ軸の回りに右回り（時計回り）にβ°（２°±０．５°）回転させ、上記種結晶を左回り（タンタル酸リチウム単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が左回りであること）に回転させて育成する場合にはＸ軸をＺ軸の回りに左回り（反時計回り）にβ°（２°±０．５°）回転させた面方位の種結晶を用いてタンタル酸リチウム単結晶を育成することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の育成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と略記する場合がある）によるタンタル酸リチウム単結晶の育成方法に係り、特に、育成されたタンタル酸リチウム単結晶から所望とするＲＹカット（Rotated Ｙ cut）基板が効率的に得られるタンタル酸リチウム単結晶の育成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タンタル酸リチウム（以下、ＬＴと略記する場合がある）単結晶は圧電性を有しており、圧電性を利用したＳＡＷ（表面弾性波）デバイスの需要が大きく、市場は爆発的な成長をみせている。中でも、携帯電話に代表される移動体通信用途が大きい。
【０００３】
ＳＡＷデバイスの元となるＬＴ単結晶は、ＣＺ法と呼ばれる引き上げ法により育成される場合が多い。ＬＴ単結晶からデバイス用基板を切り出し、研磨し、電極を形成し、チップに裁断され、パッケージングを経て、ＳＡＷデバイスは完成する。尚、特に記さない限り、本明細書でいう結晶は単結晶を意味する。
【０００４】
ＣＺ法による単結晶育成法の概要を図１に示す。高融点の原料融液６を保持するため、貴金属ルツボ４はイリジウム製が使われる場合が多く、ワークコイル８による誘導加熱式が多い。まず、原料を融解し、原料融液表面を融点に調整し、種結晶３を原料融液６表面に接触（種付けと称する）させる。そして原料融液を過冷却とし、種結晶３を上方へ引き上げると、種結晶３を始点とした結晶成長が始まる。種結晶３は種結晶支持棒５に種結晶固定ピン７等で固定されるが、種結晶３が固定できれば方法は問わない。簡易に貴金属ワイヤーで括り付けて固定する場合もある。
【０００５】
結晶の成長を促進させるため上記種結晶３を回転させる。種結晶支持棒５は上方のロードセル（図示せず）に吊られている場合が多く、結晶の重量を知ることができ、重量から直径を計算し、融液の温度を調整し、所望の直径に制御し、円柱状の結晶が育成される。
【０００６】
育成された結晶は、歪除去のためのアニール処理、単一分極化処理を経て、加工工程へ引き渡される。加工では、円筒研削にて最終製品よりもやや太めの円柱に加工され、マルチワイヤーソーにより基板状に切断される場合が多い。切断された基板は、最終的に外周べべリングにより製品直径に仕上げられ、かつ、面取り仕上げされる。尚、ＬＴ基板は直径４〜６インチのサイズが流通している。
【０００７】
ところで、育成された結晶に対するＳＡＷデバイスの要求は、結晶品質は当然ながら、結晶の方位も重要な要求項目となる。ＬＴ単結晶の場合、図２に示すように結晶のａ軸をＸ軸、ｃ軸をＺ軸、Ｘ軸とＺ軸に直交する軸をＹ軸と呼んでおり、ＳＡＷデバイスの特性は、基板１３の面方位、すなわち基板１３面からの垂線が向く方向により変化する。
【０００８】
一般に、ＳＡＷデバイスに好適なＬＴ基板の面方位は、図３に示すように、基板１３の面がＸ軸と平行で、かつ、直交座標系のＹ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°（３６°≦α°≦４６°）回転させた範囲とされる。この基板１３は、一般にＲＹカット（Rotated Ｙ cut）基板と総称され、例えば、回転角が４２°の場合は４２°ＲＹカット基板と呼ばれ、４２°ＲＹと表記される。
【０００９】
尚、図３および図４においてα°で示す回転角１５をＲＹ方向と呼び、ＲＹ方向に直交する方向、すなわち、基板１３（図４ではウェハ１３）の面とＸ軸との平行差をＸ方向のズレと呼ぶ場合がある。
【００１０】
このようにＬＴ単結晶は多様な基板が求められ、例えば０．５°刻みで作り分けて、微妙な特性差を狙うことも珍しくない。よって、多様な方位のＳＡＷデバイス用基板を効率よく得るため、結晶育成の段階で、所望の面方位に結晶を精度よく引き上げることが望ましい。極端に言えば、３６°ＲＹで育成されたＬＴ単結晶から、４２°ＲＹカット基板を作製しようとすれば相応の加工ロスを生じることになってしまう。このため、従来から所望とする面方位に結晶を引き上げている。
【００１１】
図４は、ＬＴやＬＮ（ニオブ酸リチウム）単結晶の方位を示す説明図であり、例えば、４２°ＲＹのＲＹカット基板を得たい場合には、結晶１０が引き上げ育成される結晶育成軸１４とＹ軸とのなす角α°（すなわち、回転角１５）を４２°としている。
【００１２】
尚、ＣＺ法は、種結晶１６の方位に倣って単結晶を成長させる方法であるため、所望とするＲＹカット基板の面方位に対応して種結晶１６も方位毎に必要となる。
【００１３】
そして、種結晶もまた育成された結晶から作製されるが、種結晶は消耗品で、多くの場合、一回の育成で寿命となるため、図５に示すように結晶育成軸１４と平行に種結晶１６を切り出すのが効率上好ましい。尚、図５中、符号１６ａは結晶トップ側、符号１６ｂは結晶ボトム側、および、符号１６ｃは固定用孔をそれぞれ示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０１３−００１５８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、３６〜４６°ＲＹのＬＴ単結晶をＣＺ法により育成する場合、図６に示すように成長した結晶１０に曲がりが見られ、この曲りに起因して以下の問題が存在した。
【００１６】
例えば、曲がりのある結晶１０を円筒研削する場合、歩留りを考慮すると、図６の引上げ方向に沿って加工するよりも、結晶１０の形状にできるだけ倣って加工（すなわち、図６の二点鎖線を中心軸１００に加工）するのが望ましい。しかし、図６の二点鎖線を中心軸１００に加工した場合、結果的に、円筒研削の側面と、種結晶１６の方位すなわち所望の育成方位とのなす角が９０°ではなくなってしまう。曲がりの量としては数度で１〜５°といったレベルである。この状態（すなわち、図６の二点鎖線を中心軸１００に円筒研削加工した状態）で、基板の方位が所望の方位となるようにマルチワイヤーソーで結晶１０を切断すると得られる基板は楕円となる。すなわち、図６の一点鎖線で示す箇所を切断すれば基板（所望とする方位ではない）は円形となる（図６の二点鎖線を中心軸１００にして上記円筒研削加工がなされているため）が、基板の方位が所望の方位となるようにマルチワイヤーソーで図６の破線で示す箇所を切断すれば基板は楕円となる。
【００１７】
しかし、楕円形状の基板をベベリング加工で円形にするには、べべリング加工での負荷が増大し、加工時間を長大化させ、基板に割れや欠け等の不良を誘発する。また、マルチワイヤーソー機上での方位調整量が大きくなることや、ワイヤーによる切断加工幅が結晶位置により変化することになるため、精度不良、特に反りを大きくする原因となる。
【００１８】
上記結晶成長の曲がりは、３６〜４６°ＲＹという方位が、いわゆるファセット面と呼ばれる（０１２）面から離れていることにそもそも起因しているが、育成炉の保温材構成による温度勾配により左右され、曲がり量そのものは、保温材構成、炉により若干ばらつく筈である。そして、通常は曲がろうとする結晶に対し、炉の温度勾配にて対抗する場合が多いが、結晶の回転方向を反転させることにより（特許文献１参照）、できるだけ曲がらない結晶を得ようする試みもなされている。
【００１９】
また、結晶成長の上記曲がりについて、ＲＹ方向と、その直交方向であるＸ軸方向に分解すると、（０１２）面と垂直で成長界面の影響を受けない筈のＸ軸方向にも曲がりが確認され、原因は不明であった。
【００２０】
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、育成結晶の曲がりに起因する問題を解消して、所望とするＲＹカット基板が効率的に得られるタンタル酸リチウム単結晶の育成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、所望とする育成方位に対し種結晶が予めオフ角を備えており、オフ角はＲＹ方向およびその直交方向の二方向で管理され、二方向で管理されたオフ角を有する上記種結晶を用いてタンタル酸リチウム単結晶を育成することを特徴としている。
【００２２】
すなわち、本発明は、
原料融液に種結晶を接触させかつ該種結晶を回転させながら引上げて単結晶を育成するチョクラルスキー法によるタンタル酸リチウム単結晶の育成方法であって、タンタル酸リチウム単結晶のａ軸をＸ軸、ｃ軸をＺ軸、Ｘ軸とＺ軸に直交する軸をＹ軸とした直交座標系のＹ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°（３６°≦α°≦４６°）回転させたＲＹカット基板用のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
Ｙ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°（３６°≦α°≦４６°）−４°±０．５°回転させ、かつ、上記種結晶を右回り（タンタル酸リチウム単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が右回りであること）に回転させて育成する場合にはＸ軸をＺ軸の回りに右回り（時計回り）にβ°（２°±０．５°）回転させ、上記種結晶を左回り（タンタル酸リチウム単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が左回りであること）に回転させて育成する場合にはＸ軸をＺ軸の回りに左回り（反時計回り）にβ°（２°±０．５°）回転させた面方位の種結晶を用いてタンタル酸リチウム単結晶を育成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る育成方法を用いて得られる３６〜４６°ＲＹのＬＴ単結晶は、結晶形状に倣って円筒研削された場合、円筒研削の側面は、該側面と所望とする育成方位とのなす角が概ね９０°となる理想的な形状に調整される。すなわち、所望とする育成方位に対して、成長方向が平行なＬＴ単結晶を得ることが可能となる。
【００２４】
このため、育成された３６〜４６°ＲＹのＬＴ単結晶から所望とするＲＹカット基板を簡便かつ効率的に得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】ＣＺ法による単結晶の育成法を示す説明図。
【図２】基本のＹカット基板に係る概略斜視図。
【図３】基本のＲＹカット基板に係る概略斜視図。
【図４】ＳＡＷデバイスに好適なＬＴやＬＮ単結晶の方位を示す説明図。
【図５】育成された単結晶から切り出される種結晶を示す説明図。
【図６】３６〜４６°ＲＹのＬＴ単結晶をＣＺ法により育成した場合に見られる結晶の曲りを示す説明図。
【図７】３６〜４６°ＲＹのＬＴ単結晶をＣＺ法により育成した場合に観察される結晶のＲＹ方向とＸ方向の曲りを示し、図７（Ａ）はＬＴ単結晶の育成状態を真上から観察したときに種結晶を右回り（時計回り）に回転させて育成した場合のＬＴ単結晶のＺ方向とＸ方向の曲りを示す説明図、図７（Ｂ）はＬＴ単結晶の育成状態を真上から観察したときに種結晶を左回り（反時計回り）に回転させて育成した場合のＬＴ単結晶のＺ方向とＸ方向の曲りを示す説明図。
【図８】図８（Ａ）はＹ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°−４°±０．５°回転させた種結晶の面方位を示す概略斜視図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の側面図、および、図８（Ｃ）はＹ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°−４°±０．５°回転させかつＸ軸をＺ軸の回りに左回り（反時計回り）にβ°回転させた本発明に係る種結晶の面方位を示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２７】
（１）ＬＴ単結晶をＣＺ法により育成した場合に観察される結晶の曲り
図７は３６〜４６°ＲＹのＬＴ単結晶をＣＺ法により育成した場合に観察される結晶のＺ方向とＸ方向の曲りを示しており、図７（Ａ）は種結晶を真上から観察したときに右回り（時計回り）に回転させて育成した場合のＬＴ単結晶のＲＹ方向とＸ方向の曲りを示し、図７（Ｂ）は種結晶を真上から観察したときに左回り（反時計回り）に回転させて育成した場合のＬＴ単結晶のＲＹ方向とＸ方向の曲りを示している。
【００２８】
尚、図７（Ａ）と図７（Ｂ）において紙面は育成方位に垂直である。
【００２９】
（1-1）ＲＹ方向の曲がり
ＲＹ方向の曲がりは、上述したように成長界面である３３°ＲＹ方向へ成長しようとする力に起因して単純に曲がり、本発明者が組み立てた育成炉、保温材構成では、種結晶に対し、ＲＹ方向曲がり２０および２０’が約４°であった。
【００３０】
（1-2）Ｘ方向の曲がり
原因不明であったＸ方向の曲がりは、種結晶に対し、Ｘ方向曲がり２１および２１’において約２°であった。更に、本発明者が鋭意研究した結果、上記Ｘ方向曲がり２１および２１’は、成長界面である３３°ＲＹ方向へ成長しようとする力と、種結晶の回転する方向により決まる現象であることが発見され、種結晶の回転方向により結晶成長曲がりの方向は逆になることが確認された。図７（Ａ）は種結晶を真上から観察したときに右回り（時計回り）に回転させて育成した場合、図７（Ｂ）は種結晶を真上から観察したときに左回り（反時計回り）に回転させて育成した場合の曲がり方向をそれぞれ示している。
【００３１】
（1-3）種結晶の回転速度
種結晶の回転速度について、常識的な範囲（１〜１５ＲＰＭ）で変化させ、成長曲がりを調べたところ、その量は変化しないことが確認された。保温材による温度勾配があるため、曲がりの最大値はある程度、規制されていると考えられる。極端に曲がってしまった場合、円筒研削、基板を得るための切断が行えないため、一般的な育成炉であれば、成長曲がりの量はおのずと同等になっていると想像される。当然ながら多少の差はあり、微調整を要することは言うまでもない。
【００３２】
（２）本発明に係るＬＴ単結晶の育成方法
育成結晶の曲がる量とその方向が本発明者により特定されたことから、育成結晶の曲がりに起因した上記問題を解決することが可能となる。
【００３３】
すなわち、ＣＺ法による本発明の育成方法は、
直交座標系のＹ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°（３６°≦α°≦４６°）回転させたＲＹカット基板用のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法を前提とし、
Ｙ軸をＸ軸の回りに右回り（時計回り）にα°（３６°≦α°≦４６°）−４°±０．５°回転させ、かつ、上記種結晶を右回り（タンタル酸リチウム単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が右回りであること）に回転させて育成する場合にはＸ軸をＺ軸の回りに右回り（時計回り）にβ°（２°±０．５°）回転させ、上記種結晶を左回り（タンタル酸リチウム単結晶の育成状態を真上から観察したときの種結晶の回転方向が左回りであること）に回転させて育成する場合にはＸ軸をＺ軸の回りに左回り（反時計回り）にβ°（２°±０．５°）回転させた面方位の種結晶を用いてタンタル酸リチウム単結晶を育成することを特徴とするものである。
【００３４】
例えば４２°ＲＹ結晶を所望するのであれば、種結晶の方位を、ＲＹ方向で４２°−４°±０．５°＝３８°±０．５°、Ｘ方向で２°±０．５°とし、予めオフ角を与えた種結晶を用意すればよいのである。
【００３５】
本発明においては結晶の曲がりについて変化は無いのであるが、結晶の曲がる方向を調整するのである。すなわち、所望の方位に向かって曲がるよう仕向ければよい。
【００３６】
そして、ＲＹ方向の曲がりに関しては一般的に知られている場合が多い。しかし、Ｘ方向の振る舞いと、種結晶の回転方向との関係を理解した上で、種結晶に係るオフ角の管理を行うことで、所望とするＲＹカット基板を簡便かつ効率的に製造できる点が本発明に係る育成方法の最大の特徴である。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明する。
【００３８】
［実施例１］
チョクラルスキー法により直径４インチ、３６°ＲＹのＬＴ単結晶の育成を行った。結晶長は約８０ｍｍである。
【００３９】
適用した種結晶の方位は、ＲＹ方向で３２°ＲＹ、Ｘ方向で２°と予めオフ角を備えたものとした。種結晶の回転方向は右回りで、回転数は５ＲＰＭとした。
【００４０】
得られたＬＴ単結晶を円筒研削し、円筒研削の側面と主面方位との角度、マルチワイヤーソーでの反り値、べベリング加工時間と歩留りを以下の表１に示す。
【００４１】
【表１】
2018145078.tif 000003
【００４２】
実施例１においては、円筒研削されたＬＴ単結晶の側面と、所望とする３６°ＲＹのＬＴ単結晶の主面方位との角度が９０．５°と理想的な形状に調整されるため、育成された３６°ＲＹのＬＴ単結晶から所望とする３６°ＲＹカット基板を簡便かつ効率的に製造することが可能となる。
【００４３】
［比較例１］
チョクラルスキー法により直径４インチ、３６°ＲＹのＬＴ単結晶の育成を行った。結晶長は約８０ｍｍである。
【００４４】
適用した種結晶の方位は、ＲＹ方向で３６°ＲＹ、Ｘ方向で０°と予めオフ角を備えていないものとした。種結晶の回転方向は右回りで、回転数は５ＲＰＭとした。
【００４５】
得られたＬＴ単結晶を円筒研削し、円筒研削の側面と主面方位との角度、マルチワイヤーソーでの反り値、べベリング加工時間と歩留りを以下の表２に示す。
【００４６】
【表２】
2018145078.tif 000004
【００４７】
比較例１においては、円筒研削されたＬＴ単結晶の側面と、所望とする３６°ＲＹのＬＴ単結晶の主面方位との角度が９４．０°である（９０°から４．０°ずれている）ため、マルチワイヤーソーで切断し、得られたＲＹカット基板の形状が楕円形となった。
【００４８】
このため、べべリング加工時間が２．５分／枚と長くなり、歩留まりも悪化した。
【００４９】
［実施例２］
チョクラルスキー法により直径４インチ、３８°ＲＹのＬＴ単結晶の育成を行った。結晶長は約１００ｍｍである。
【００５０】
適用した種結晶の方位は、ＲＹ方向で３４°ＲＹ、Ｘ方向で２°と予めオフ角を備えたものとした。種結晶の回転方向は右回りで、回転数は５ＲＰＭとした。
【００５１】
得られたＬＴ単結晶を円筒研削し、円筒研削の側面と主面方位との角度、マルチワイヤーソーでの反り値、べベリング加工時間と歩留りを以下の表３に示す。
【００５２】
【表３】
2018145078.tif 000005
【００５３】
実施例２においては、円筒研削されたＬＴ単結晶の側面と、所望とする３８°ＲＹのＬＴ単結晶の主面方位との角度が９０．２°と理想的な形状に調整されるため、育成された３８°ＲＹのＬＴ単結晶から所望とする３８°ＲＹカット基板を簡便かつ効率的に製造することが可能となる。
【００５４】
［比較例２］
チョクラルスキー法により直径４インチ、３８°ＲＹのＬＴ単結晶の育成を行った。結晶長は約１００ｍｍである。
【００５５】
適用した種結晶の方位は、ＲＹ方向で３８°ＲＹ、Ｘ方向で０°と予めオフ角を備えていないものとした。種結晶の回転方向は右回りで、回転数は５ＲＰＭとした。
【００５６】
得られたＬＴ単結晶を円筒研削し、円筒研削の側面と主面方位との角度、マルチワイヤーソーでの反り値、べベリング加工時間と歩留りを以下の表４に示す。
【００５７】
【表４】
2018145078.tif 000006
【００５８】
比較例２においては、円筒研削されたＬＴ単結晶の側面と、所望とする３８°ＲＹのＬＴ単結晶の主面方位との角度が９４．７°である（９０°から４．７°ずれている）ため、マルチワイヤーソーで切断し、得られたＲＹカット基板の形状が楕円形となった。
【００５９】
このため、べべリング加工時間が１５分／枚と長くなり、歩留まりも悪化した。
【００６０】
［実施例３］
チョクラルスキー法により直径６インチ、４２°ＲＹのＬＴ単結晶の育成を行った。結晶長は約５０ｍｍである。
【００６１】
適用した種結晶の方位は、ＲＹ方向で３８°ＲＹ、Ｘ方向で２°と予めオフ角を備えたものとした。種結晶の回転方向は右回りで、回転数は５ＲＰＭとした。
【００６２】
得られたＬＴ単結晶を円筒研削し、円筒研削の側面と主面方位との角度、マルチワイヤーソーでの反り値、べベリング加工時間と歩留りを以下の表５に示す。
【００６３】
【表５】
2018145078.tif 000007
【００６４】
実施例３においては、円筒研削されたＬＴ単結晶の側面と、所望とする４２°ＲＹのＬＴ単結晶の主面方位との角度が９０．０°と理想的な形状に調整されるため、育成された４２°ＲＹのＬＴ単結晶から所望とする４２°ＲＹカット基板を簡便かつ効率的に製造することが可能となる。
【００６５】
［比較例３］
チョクラルスキー法により直径６インチ、４２°ＲＹのＬＴ単結晶の育成を行った。結晶長は約５０ｍｍである。
【００６６】
適用した種結晶の方位は、ＲＹ方向で４２°ＲＹ、Ｘ方向で０°と予めオフ角を備えていないものとした。種結晶の回転方向は右回りで、回転数は５ＲＰＭとした。
【００６７】
得られたＬＴ単結晶を円筒研削し、円筒研削の側面と主面方位との角度、マルチワイヤーソーでの反り値、べベリング加工時間と歩留りを以下の表６に示す。
【００６８】
【表６】
2018145078.tif 000008
【００６９】
比較例３においては、円筒研削されたＬＴ単結晶の側面と、所望とする４２°ＲＹのＬＴ単結晶の主面方位との角度が９５．０°である（９０°から５．０°ずれている）ため、マルチワイヤーソーで切断し、得られたＲＹカット基板の形状が楕円形となった。
【００７０】
このため、べべリング加工時間が２４分／枚と長くなり、歩留まりも悪化した。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明に係るＬＴ単結晶の育成方法によれば、育成された３６〜４６°ＲＹのＬＴ単結晶から所望とするＲＹカット基板を簡便かつ効率的に得られるため、ＳＡＷデバイス用の基板として適用される産業上の利用可能性を有している。
【符号の説明】
【００７２】
３  種結晶
４  貴金属ルツボ
５  種結晶支持棒
６  原料融液
１６ａ  結晶トップ側
１６ｂ  結晶ボトム側
１６ｃ  固定用孔
７  種結晶固定ピン
８  ワークコイル
１０  結晶
１３  基板（ウェハ）
１４  結晶育成軸
１６  種結晶
２０、２０’  ＲＹ方向曲がり
２１、２１’  Ｘ方向曲がり
１００  中心軸
【図１】
2018145078.tif 000009
【図２】
2018145078.tif 000010
【図３】
2018145078.tif 000011
【図４】
2018145078.tif 000012
【図５】
2018145078.tif 000013
【図６】
2018145078.tif 000014
【図７】
2018145078.tif 000015
【図８】
2018145078.tif 000016