(57)【要約】【課題】複数の粒子を互いに離して並べることができる構造体、及び、パターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、構造体は、複数の粒子と、基体と、を含む。前記複数の粒子は、互いに離れている。前記複数の粒子のそれぞれは、前記複数の粒子のそれぞれの表面に設けられた第１高分子を含む。前記基体は、凸部と凹部とを有する面を有す。前記基体は、前記面に設けられた第２高分子を含む。前記第２高分子は、前記第１高分子とは異なる。前記複数の粒子は、前記凸部に支持され、前記複数の粒子は、前記凹部から離れている。【選択図】図１
2018001602.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに離れた複数の粒子であって、前記複数の粒子のそれぞれは、前記複数の粒子のそれぞれの表面に設けられた第１高分子を含む、前記複数の粒子と、
凸部と凹部とを有する面を有し、前記面に設けられ前記第１高分子とは異なる第２高分子を含む基体と、
備え、
前記複数の粒子は、前記凸部に支持され、前記複数の粒子は、前記凹部から離れている、構造体。
【請求項２】
前記複数の粒子は、第１粒子を含み、
前記第１粒子は、第１サイド領域、第２サイド領域及び第１中間領域を含み、
前記第１粒子の第１サイド領域は、前記凸部の第１凸部領域に支持され、
前記第１粒子の第２サイド領域は、前記凸部の第２凸部領域に支持され、
前記第１中間領域は、前記第１凸部領域から前記第２凸部領域に向かう方向において前記第１サイド領域と前記第２サイド領域との間にあり、
前記第１中間領域は、前記凹部から離れた、請求項１記載の構造体。
【請求項３】
前記複数の粒子は、第１平面に沿って並び、
前記複数の粒子は、第２粒子及び第３粒子をさらに含み、
前記第２粒子は、前記複数の粒子の中で前記第１粒子に最も近く、
前記第３粒子は、前記複数の粒子の中で前記第２粒子に最も近く、前記第３粒子は、前記第２粒子を除いた前記複数の粒子の中で前記第１粒子に最も近く、
第１直線は、前記第１粒子の前記第１平面内の第１粒子中心と、前記第２粒子の前記第１平面内の第２粒子中心と、を結び、
第２直線は、前記第２粒子中心と、前記第３粒子の前記第１平面内の第３粒子中心と、を結び、
第３直線は、前記第３粒子中心と、前記第１粒子中心と、を結び、
前記第１直線と前記第２直線との間の角度は、５７度以上６３度以下であり、
前記第２直線と前記第３直線との間の角度は、５７度以上６３度以下であり、
前記第３直線と前記第１直線との間の角度は、５７度以上６３度以下である、請求項２記載の構造体。
【請求項４】
前記第１凸部領域及び前記第２凸部領域は、第１延在方向に沿って延び、
前記第１凸部領域は、第１幅方向における第１凸部領域中心を有し、
前記第２凸部領域は、前記第１幅方向における第２凸部領域中心を有し、
前記第１幅方向は、前記第１平面に沿い前記第１延在方向に対して垂直であり、
前記第１凸部領域中心と前記第２凸部領域中心との間の前記第１幅方向に沿う距離は、前記第１粒子中心と前記第２粒子中心との間の距離の、０．６９倍以上１．０４倍以下である、請求項３記載の構造体。
【請求項５】
前記第１高分子は、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレートポリアクリル酸ナトリウム、ポリエチレンオキシド、ポリメチルアクリレート、ポリビニルピリジン、ポリジメチルシロキサン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリジメチルアクリル及びポリブチルメタクリレートよりなる群から選択された１つを含み、
前記第２高分子は、前記群から選択された別の１つを含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の構造体。
【請求項６】
複数の粒子と、液体と、を含む溶液膜を、凸部と凹部とを有する面を有する基体の前記面の上に形成する溶液膜形成工程であって、前記複数の粒子のそれぞれは、前記複数の粒子のそれぞれの表面に設けられた第１高分子を含み、前記基体は、前記面に設けられ前記第１高分子とは異なる第２高分子を含む、前記溶液膜形成工程と、
前記液体を除去する液体除去工程と、
を備え、
前記液体の前記除去の後において、前記複数の粒子は、前記凸部に支持され、前記複数の粒子は、前記凹部から離れている、パターン形成方法。
【請求項７】
前記液体除去工程の後に、前記第１高分子及び前記第２高分子を除去する高分子除去工程をさらに備えた、請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記複数の粒子のそれぞれは、コア部を含み、
前記第１高分子は、前記コア部の周りに向けられ、
前記高分子除去工程の後に、コア部の少なくとも一部は残る、請求項７記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記複数の粒子をマスクとして前記基体の一部を除去する第１基体加工工程をさらに備えた、請求項８記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記基体は、
前記凹部となる第１部分領域と、第２部分領域と、含み第１基体材料を含む基板と、
前記第２部分領域の上に設けられ前記第１基体材料とは異なる第２基体材料を含み前記凸部となる構造部材と、
を含み、
前記第１基体加工工程は、前記複数の粒子をマスクとして前記構造部材の一部を除去することを含む、請求項９記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、構造体、及び、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、複数の粒子が互いに接して並べられた構造体がある。複数の粒子を互いに離して並べることは難しい。複数の粒子の配列方向を制御することは、難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５６０６３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、複数の粒子を互いに離して並べることができる構造体、及び、パターン形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、構造体は、複数の粒子と、基体と、を含む。前記複数の粒子は、互いに離れている。前記複数の粒子のそれぞれは、前記複数の粒子のそれぞれの表面に設けられた第１高分子を含む。前記基体は、凸部と凹部とを有する面を有す。前記基体は、前記面に設けられた第２高分子を含む。前記第２高分子は、前記第１高分子とは異なる。前記複数の粒子は、前記凸部に支持され、前記複数の粒子は、前記凹部から離れている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る構造体を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る構造体の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｄ）は、構造体に関する実験を示す模式図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、接触角を例示する模式図である。
【図５】第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。
【図６】第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。
【図７】第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。
【図８】第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。
【図９】第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、構造体に関する実験を示す模式図である。
【図１１】第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャート図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示する工程順模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）  
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る構造体を例示する模式図である。  
図１（ａ）は、図１（ｂ）の矢印ＡＡから見た平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。図１（ｄ）は、図１（ａ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。
【０００９】
図１（ａ）〜図１（ｄ）に示すように、本実施形態に係る構造体１１０は、複数の粒子１０と、基体２０と、を含む。
【００１０】
複数の粒子１０は、互いに離れている。複数の粒子１０のそれぞれは、第１高分子１０ＰＬを含む。図１（ａ）においては、第１高分子１０ＰＬは、省略されている。第１高分子１０ＰＬは、複数の粒子１０のそれぞれの表面に設けられる。
【００１１】
この例では、複数の粒子１０のそれぞれは、コア部１０Ｃをさらに含む（図１（ｂ）〜図１（ｄ）参照）。第１高分子１０ＰＬは、コア部１０Ｃの周りに設けられる。例えば、第１高分子１０ＰＬは、コア部１０Ｃの表面と結合される。例えば、結合はグラフト重合による。例えば、第１高分子１０ＰＬによって、コア部１０Ｃは、互いに離れて配列する。
【００１２】
コア部１０Ｃは、例えば、シリカ（酸化シリコン）を含む。第１高分子１０ＰＬは、例えばＰＭＭＡ（Polymethyl methacrylate）を含む。これらの材料の他の例については、後述する。
【００１３】
複数の粒子１０は、第１平面に沿って並んでいる。第１平面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面である。Ｘ−Ｙ平面内の１つの方向をＸ軸方向とする。Ｘ−Ｙ平面内に対して平行でＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。
【００１４】
基体２０は、面２０ｆを有する。面２０ｆは、例えば上面である。面２０ｆは、Ｘ−Ｙ平面に沿って広がる。
【００１５】
面２０ｆは、凸部２０ｐと、凹部２０ｄと、を有する。
【００１６】
この例では、複数の帯状の凸部２０ｐが設けられている。例えば、複数の帯状の凹部２０ｄが設けられても良い。例えば、複数の凸部２０ｐのそれぞれの端が互いに接続されていても良い。例えば、複数の凹部２０ｄのそれぞれの端が互いに接続されていても良い。
【００１７】
この例では、凸部２０ｐ及び凹部２０ｄは、Ｙ軸方向に沿って延びる。
【００１８】
基体２０は、第２高分子２０ＰＬを含む。第２高分子２０ＰＬは、面２０ｆに設けられる。第２高分子２０ＰＬは、第１高分子１０ＰＬとは異なる。例えば、第１高分子１０ＰＬがＰＭＭＡを含む場合、第２高分子２０ＰＬは、ＰＳ（polystyrene）を含む。第２高分子２０ＰＬの他の例については、後述する。
【００１９】
この例では、基体２０は、基板２０ｓと、構造部材２０ｂと、を含む。基板２０ｓは、第１部分領域２０ｓａと、第２部分領域２０ｓｂと、を含む。第１部分領域２０ｓａは、上記の凹部２０ｄとなる。第２部分領域２０ｓｂは、面２０ｆに沿う方向において、第１部分領域２０ｓａと並ぶ。基体２０ｓは、第１基体材料を含む。第１基体材料は、例えばシリコンである。
【００２０】
構造部材２０ｂは、第２部分領域２０ｓｂの上に設けられる。構造部材２０ｂは、凸部２０ｐとなる。例えば、構造部材２０ｂは、第２基体材料を含む。例えば、第２基体材料は、第１基体材料とは異なっても良い。第１基板材料がシリコンを含む場合に、第２基体材料は、例えば、炭素を含んでも良い。
【００２１】
実施形態において、基板２０ｓの材料が構造部材２０ｂの材料と同じでも良い。この場合、基体２０は、一体的である。基体２０が、基体コア部２０Ｃを含む場合、第２高分子２０ＰＬは、基体コア部２０Ｃの上に設けられる。第２高分子２０ＰＬは、例えば、基体コア部２０Ｃを覆う。
【００２２】
図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示すように、複数の粒子１０は、基体２０の凸部２０ｐにより支持されている。複数の粒子１０は、基体２０の凹部２０ｄから離れている。
【００２３】
以下、複数の粒子１０に含まれる３つの粒子１０に着目する。複数の粒子１０は、第１〜第３粒子１１〜１３を含む。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、第１粒子１１は、第１サイド領域ｒ１、第２サイド領域ｒ２及び第１中間領域１１ｉを含む。第１サイド領域ｒ１は、凸部２０ｐの第１凸部領域２１に支持されている。第２サイド領域ｒ２は、凸部２０ｐの第２凸部領域２２に支持されている。第１中間領域１１ｉは、第１凸部領域２１から第２凸部領域２２に向かう方向（例えばＸ軸方向に沿う方向）において、第１サイド領域ｒ１と第２サイド領域ｒ２との間にある。第１中間領域１１ｉは、凹部２０ｄから離れている。
【００２５】
図１（ｃ）に示すように、第２粒子１２は、第３サイド領域ｒ３、第４サイド領域ｒ４及び第２中間領域１２ｉを含む。第３サイド領域ｒ３は、凸部２０ｐの第３凸部領域２３に支持される。第４サイド領域ｒ４は、凸部２０ｐの第４凸部領域２４に支持される。第２中間領域１２ｉは、第３凸部領域２３から第４凸部領域２４に向かう方向において、第３サイド領域ｒ３と第４サイド領域ｒ４との間にある。第２中間領域１２ｉは、凹部２０ｄから離れている。
【００２６】
図１（ｄ）に示すように、第３粒子１３は、第５サイド領域ｒ５、第６サイド領域ｒ６及び第３中間領域１３ｉを含む。第５サイド領域ｒ５は、凸部２０ｐの第５凸部領域２５に支持される。第６サイド領域ｒ６は、凸部２０ｐの第６凸部領域２６に支持される。第３中間領域１３ｉは、第５凸部領域２５から第６凸部領域２６に向かう方向において、第５サイド領域ｒ５と第６サイド領域ｒ６との間にある。第３中間領域１３ｉは、凹部２０ｄから離れている。
【００２７】
この例では、第３凸部領域２３は、第２凸部領域２２と連続している。第５凸部領域２５は、第２凸部領域２２と連続している。後述するように、複数の凸部領域が互いに離れていても良い。
【００２８】
第２粒子１２は、複数の粒子１０の中で、第１粒子１１に最も近い。第３粒子１３は、複数の粒子１０の中で第２粒子１２に最も近い。第３粒子１３は、第２粒子１２を除いた複数の粒子１０の中で第１粒子１１に最も近い。これらの２つの粒子１０は、互いに最近接である。
【００２９】
実施形態において、例えば、このような３つの粒子１０は、正三角形の頂点に実質的に位置する。
【００３０】
例えば、第１粒子１１は、第１平面（Ｘ−Ｙ平面）内の中心（第１粒子中心１１ｃ）を有する。第２粒子１２は、第１平面内の中心（第２粒子中心１２ｃ）を有する。第３粒子１３は、第１平面内の中心（第３粒子中心１３ｃ）を有する。第１直線Ｌ１は、第１粒子中心１１ｃと第２粒子中心１２ｃと、を結ぶ。第２直線Ｌ２は、第２粒子中心１２ｃと、第３粒子中心１３ｃと、を結ぶ。第３直線Ｌ３は、第３粒子中心１３ｃと、第１粒子中心１１ｃと、を結ぶ。
【００３１】
第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間の角度は、実質的に６０度（例えば５７度以上６３度以下）である。第２直線Ｌ２と第３直線Ｌ３との間の角度は、実質的に６０度（例えば５７度以上６３度以下）である。第３直線Ｌ３と第１直線Ｌ１との間の角度は、実質的に６０度（例えば５７度以上６３度以下）である。
【００３２】
他の複数の粒子１０も同様の配列を有する。
【００３３】
配列した複数の粒子１０を用いて、例えば、基体２０を加工することができる。例えば、複数の粒子１０がマスクとして用いられる。例えば、基体２０は、複数の粒子１０と重ならない部分を有する。この重ならない部分が、エッチングにより除去される。このように、構造体１１０においては、互いに離れた複数の粒子１０は配列している。実施形態によれば、複数の粒子を互いに離して並べることができる構造体が提供できる。実施形態によれば、例えば、複数の粒子が互いに離れている状態で、複数の粒子の配列方向が制御される。
【００３４】
この例では、凸部２０ｐ（または凹部２０ｄ）の延在方向は、複数の粒子１０の最近接の方向に対して傾斜している。
【００３５】
例えば、複数の凸部２０ｐのピッチは、複数の粒子１０の最近接の２つの間の中心間距離に対応して適切に定められる。例えば、複数の凸部２０ｐのピッチに対応して、複数の粒子１０の最近接の２つの間の中心間距離が定まる。
【００３６】
例えば、第１凸部領域２１及び第２凸部領域２２は、第１延在方向に沿って延びる。この例では、第１延在方向は、Ｙ軸方向である。ここで、第１平面（Ｘ−Ｙ平面）に沿い、第１延在方向（Ｙ軸方向）に対して垂直な方向（Ｘ軸方向）を、第１幅方向とする。
【００３７】
第１凸部領域２１は、第１幅方向（Ｘ軸方向）における中心（第１凸部領域中心２１ｃ）を有する。第２凸部領域２２は、第１幅方向における中心（第２凸部領域中心２２ｃ）を有する。第１凸部領域中心２１ｃと第２凸部領域中心２２ｃとの間の第１幅方向に沿う距離ｄ２は、複数の凸部領域のピッチに対応する。
【００３８】
一方、第１粒子中心１１ｃと第２粒子中心１２ｃとの間の距離ｄ１が、複数の粒子１０のピッチに対応する。距離ｄ２は、距離ｄ１の（３１／２）／２程度である。誤差を考慮すると、距離ｄ２は、距離ｄ１の０．６９倍以上１．０４倍以下であることが好ましい。
【００３９】
例えば、複数の粒子のピッチ（距離ｄ１）の所望の値に合わせて、距離ｄ２が定められる。
【００４０】
以下、実施形態に係る構造体１１０の製造方法の例について説明する。構造体の製造方法は、パターン形成方法に対応する。構造体の製造方法（パターン形成方法）は、例えば、複数の粒子１０の配列工程を含む。
【００４１】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る構造体の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図２（ａ）に示すように、構造体の製造方法（パターン形成方法）は、溶液膜形成工程を含む。溶液膜形成工程においては、溶液膜１８を基体２０の面２０ｆの上に形成する。溶液膜１８は、複数の粒子１０と、液体１０Ｌと、を含む。溶液膜１８は、例えば、塗布により形成される。基体２０の面２０ｆは、凸部２０ｐと凹部２０ｄとを有する。複数の粒子１０のそれぞれは、複数の粒子１０のそれぞれの表面に設けられた第１高分子１０ＰＬを含む。基体２０は、面２０ｆに設けられた第２高分子２０ＰＬを含む。第２高分子２０ＰＬは、第１高分子１０ＰＬとは異なる。
【００４２】
液体１０Ｌは、例えば、有機溶媒を含む。有機溶媒は、例えば、トルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルブチルケトン（ＭＢＫ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、及び、メトキシベンゼンの少なくとも１つを含んでも良い。液体１０Ｌは、水（例えば純水など）を含んでも良い。液体１０Ｌは複数の粒子１０が分散する液体から、液体１０Ｌが選択される。複数の粒子１０が分散する状態においては、液体１０Ｌ中において、複数の粒子１０がそれぞれ実質的に離間する。液体１０Ｌは、複数の粒子１０の第１高分子１０ＰＬを溶解する溶媒を含んでも良い。
【００４３】
この後、図２（ｂ）に示すように、液体１０Ｌが減少する。この減少は、例えば、液体１０Ｌの気化などによる。さらに、図２（ｃ）に示すように、液体１０Ｌが実質的に消失する。すなわち、構造体の製造方法（パターン形成方法）は、液体１０Ｌを除去する液体除去工程を含む。液体除去工程においては、例えば、基体２０及び複数の粒子１０を減圧状態としても良い。液体除去工程においては、例えば、基体２０及び複数の粒子１０を加熱しても良い。これらを組み合わせて実施しても良い。液体除去工程においては、例えば、放置が行われても良い。液体１０Ｌは、凹部２０ｄを介して、効率的に排出される。
【００４４】
このような溶液膜形成工程及び液体除去工程が配列工程に含まれる。
【００４５】
液体１０Ｌの除去の後において、複数の粒子１０は互いに離れている。複数の粒子１０は、凸部２０ｐに支持され、複数の粒子１０は、凹部２０ｄから離れている。例えば、図１（ａ）〜図１（ｄ）に関して説明した状態が得られる。
【００４６】
上記の製造方法（パターン形成方法）においては、液体１０Ｌを除去する際において、液体１０Ｌの毛管力によって、複数の粒子１０が互いに離れつつ、複数の粒子１０が所定の位置に並ぶ。このような現象は、基体２０の表面の第２高分子２０ＰＬが、複数の粒子１０の表面の第１高分子１０ＰＬとは異なるときに生じることが分かった。
【００４７】
以下、発明者が行った実験の例について説明する。  
図３（ａ）〜図３（ｄ）は、構造体に関する実験を示す模式図である。  
図３（ａ）は、実験に用いられた基体２０を例示する斜視図である。図３（ｂ）〜図３（ｄ）は、実験結果を示す電子顕微鏡写真である。
【００４８】
図３（ａ）に示すように、基体２０において、基板２０ｓ及び構造部材２０ｂが設けられる。基板２０ｓの上面が凹部２０ｄに対応する。構造部材２０ｂが凸部２０ｐに対応する。構造部材２０ｂは帯状である。この実験では、基板２０ｓは、シリコン基板である。構造部材２０ｂは、炭素膜と、その上に設けられたシリコン膜と、を有する。このような基板２０ｓ及び構造部材２０ｂの上に、第２高分子２０ＰＬの膜が設けられる。第２高分子２０ＰＬとなる材料は、例えば、高分子末端にＯＨ基を有する。第２高分子２０ＰＬの膜を形成した後に、加熱処理などが行われる。第２高分子２０ＰＬは、基板２０ｓの表面に結合される。結合は、例えば、グラフト重合による。第２高分子２０ＰＬの上に、複数の粒子１０を含む溶液膜１８が形成される。液体１０Ｌは、例えば、ＭＥＫを含む。溶液膜１８における複数の粒子１０の濃度は、約２ｗｔ％である。
【００４９】
この実験では、粒子１０のコア部１０Ｃは、シリカである。第１高分子１０ＰＬは、ＰＭＭＡである。第１試料ＳＰ１においては、第２高分子２０ＰＬは、ＰＳである。第２試料ＳＰ２においては、第２高分子２０ＰＬが設けられていない。第２試料ＳＰ２においては、基体２０の面２０ｆには、基板２０ｓのシリコンと、構造部材２０ｂの上部のシリコンと、が露出されている。第３試料ＳＰ３においては、第２高分子２０ＰＬは、ＰＭＭＡである。すなわち、第３試料ＳＰ３においては、第２高分子２０ＰＬは、第１高分子１０ＰＬと同じである。
【００５０】
図３（ｂ）に示すように、第１試料ＳＰ１においては、複数の粒子１０において、良好な配列が得られる。
【００５１】
図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、第２試料ＳＰ２及び第３試料ＳＰ３においては、複数の粒子１０の配列性は低い。
【００５２】
例えば、第１高分子１０ＰＬにおいては、複数の粒子１０の表面に結合された、長鎖の基が設けられている。第２高分子２０ＰＬにおいては、基板２０ｓの表面に結合された、長鎖の基が設けられている。１つの粒子１０において、複数の長鎖の基は、コア部１０Ｃを中心にして外側に向けて延びる。第１試料ＳＰ１においては、第１高分子１０ＰＬの長鎖の基の種類と、第２高分子２０ＰＬの長鎖の種類と、が互い異なるため、これらの長鎖の基は互いに反発する。このため、複数の粒子１０の周りに液体１０Ｌが存在している状態において、複数の粒子１０は、互いに反発しあい、複数の粒子１０の間の距離を適度に保つ。これにより、液体１０Ｌの毛管力により、複数の粒子１０の自己組織化が促進されると考えられる。
【００５３】
一方、第３試料ＳＰ３においては、第１高分子１０ＰＬの長鎖の基の種類が、第２高分子２０ＰＬの長鎖の種類と同じである。このため、複数の粒子１０の周りに液体１０Ｌが存在している状態において、複数の粒子１０は基体２０の第２高分子２０ＰＬに付着し易い。液体１０Ｌの毛管力による自己組織化の前に、複数の粒子１０が基体２０の表面に付着する。このため、自己組織化による配列が十分に得られず、複数の粒子１０において、配列性が低くなると考えられる。
【００５４】
第２試料ＳＰ２においては、第２高分子２０ＰＬが設けられていない。このため、複数の粒子１０の周りに液体１０Ｌが存在している状態において、複数の粒子１０は基体２０の表面に付着し易い。液体１０Ｌの毛管力による自己組織化の前に、複数の粒子１０が基体２０の表面に付着する。このため、この場合も、自己組織化による配列が十分に得られず、複数の粒子１０において、配列性が低くなると考えられる。
【００５５】
このように、第１高分子１０ＰＬと第２高分子２０ＰＬとを互いに異ならせることで、良好な配列性が得られる。複数の粒子１０のピッチの精度が高まる。
【００５６】
例えば、複数の粒子１０の径は、例えば、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１高分子１０ＰＬの厚さは、例えば、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。基体２０の凸部２０ｐの高さは、例えば、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第２高分子２０ＰＬの厚さは、例えば、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００５７】
実施形態において、第１高分子１０ＰＬは、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレートポリアクリル酸ナトリウム、ポリエチレンオキシド、ポリメチルアクリレート、ポリビニルピリジン、ポリジメチルシロキサン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリジメチルアクリル及びポリブチルメタクリレートよりなる群から選択された１つを含む。一方、第２高分子２０ＰＬは、上記の群から選択された別の１つを含む。
【００５８】
例えば、第１高分子１０ＰＬは、ベンゼン環を含み、第２高分子２０ＰＬは、エステル結合を含む。
【００５９】
第１高分子１０ＰＬ及び第２高分子２０ＰＬにおいて、接触角が互いに異なっても良い。
【００６０】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、接触角を例示する模式図である。  
図４（ａ）は、第１高分子１０ＰＬの接触角θ１を示す。図４（ｂ）は、第２高分子２０ＰＬの接触角θ２を示す。
【００６１】
第１高分子１０ＰＬは、粒子１０の表面に設けられているため、第１高分子１０ＰＬの表面は平坦ではない場合が多い。第１高分子１０ＰＬと同じ材料の高分子表面の接触角を第１高分子１０ＰＬの接触角θ１としても良い。
【００６２】
第２高分子２０ＰＬは、基体２０の凹部２０ｄ及び凸部２０ｐの上に設けられる。凹凸がある場合に、第２高分子２０ＰＬを評価し難い場合がある。第２高分子２０ＰＬと同じ材料の高分子表面の接触角を第２高分子２０ＰＬの接触角θ２としても良い。
【００６３】
実施形態において、例えば、水に対する第１高分子１０ＰＬの接触角θ１は９０度よりも大きく、水に対する第２高分子２０ＰＬの接触角θ２は、９０度よりも小さい。
【００６４】
実施形態において、水に対する第１高分子１０ＰＬの接触角θ１は９０度よりも小さく、水に対する第２高分子２０ＰＬの接触角θ２は、９０度よりも大きくても良い。
【００６５】
図５は、第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。  
図５において、図を見やすくするために、複数の粒子１０の２つが描かれている。  
図５に示すように、本実施形態に係る別の構造体１１１も、複数の粒子１０と、基体２０と、を含む。この例では、基体２０の凸部２０ｐは帯状であり、帯の幅が変化している。それ以外は、構造体１１１と同様である。
【００６６】
構造体１１１においては、第１凸部領域２１と第２凸部領域２２との間の第１幅方向（Ｘ軸方向）に沿う距離ｄ２０は、第１延在方向（Ｙ軸方向）において周期的に変化している。そして、幅（距離ｄ２０）が大きい部分に、粒子１０が設けられている。
【００６７】
例えば、第１凸部領域２１は、第１凸部分領域ｐｒ１と、第２凸部分領域ｐｒ２と、を含む。第２凸部分領域ｐｒ２は、第１延在方向（Ｙ軸方向）において、第１凸部分領域ｐｒ１と並ぶ。
【００６８】
一方、第２凸部領域２２は、第３凸部分領域ｐｒ３と、第４凸部分領域ｐｒ４と、を含む。第３凸部分領域ｐｒ３は、第１幅方向（Ｘ軸方向）において、第１凸部分領域ｐｒ１と重なる。第４凸部分領域ｐｒ４は、第１延在方向（Ｙ軸方向）において、第３凸部分領域ｐｒ３と並ぶ。第４凸部分領域ｐｒ４は、第１幅方向（Ｘ軸方向）において、第３凸部分領域ｐｒ３と重なる。
【００６９】
第１凸部分領域ｐｒ１と第３凸部分領域ｐｒ３との間の第１幅方向（Ｘ軸方向）に沿った距離ｗ１は、第２凸部分領域ｐｒ２と第４凸部分領域ｐｒ４との第１幅方向に沿った距離ｗ２よりも長い。
【００７０】
第１粒子１１は、第１凸部分領域ｐｒ１及び第３凸部分領域ｐｒ３に支持される。第２凸部分領域ｐｒ２及び第４凸部分領域ｐｒ４は、Ｚ軸方向において複数の粒子１０と重ならない。Ｚ軸方向は、第１平面（Ｘ−Ｙ平面）に対して垂直な方向である。
【００７１】
例えば、第１凸部分領域ｐｒ１及び第３凸部分領域ｐｒ３は、凸部２０ｐのうちの幅が狭い部分である。このような部分に、選択的に複数の粒子１０が配置されても良い。
【００７２】
図６は、第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。  
図６に示すように、本実施形態に係る別の構造体１１２も、複数の粒子１０と、基体２０と、を含む。この例では、基体２０の凸部２０ｐは、島状である。これ以外は、構造体１１０と同様である。
【００７３】
構造体１１２においても、基体２０において、第１〜第６凸部領域２１〜２６が設けられている。これらの凸部領域の少なくとも一部は、互いに不連続である。
【００７４】
例えば、第１粒子１１は、第１凸部領域２１及び第２凸部領域２２に支持されている。第２粒子１２は、第３凸部領域２３及び第４凸部領域２４に支持されている。第３粒子１３は、第５凸部領域２５及び第６凸部領域２６に支持されている。
【００７５】
第３凸部領域２３と第１凸部領域２１との間、第４凸部領域２４と第１凸部領域２１との間、第３凸部領域２３と第２凸部領域２２との間、及び、第４凸部領域２４と第２凸部領域２２との間の少なくともいずれかに、凹部２０ｄの一部が位置しても良い。
【００７６】
第５凸部領域２５と第１凸部領域２１との間、第６凸部領域２６と第１凸部領域２１との間、第５凸部領域２５と第２凸部領域２２との間、及び、第６凸部領域２６と第２凸部領域２２との間の少なくともいずれかに、凹部２０ｄの一部が位置しても良い。
【００７７】
図７は、第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。  
図７に示すように、本実施形態に係る別の構造体１１３も、複数の粒子１０と、基体２０と、を含む。この例でも、基体２０の凸部２０ｐは、島状である。凸部２０ｐは、Ｘ軸方向に延びる。そして、Ｘ軸方向に並ぶ複数の凸部２０ｐにより、複数の粒子１０の１つが支持される。これ以外は、構造体１１０と同様である。
【００７８】
図８は、第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。  
図８に示すように、本実施形態に係る別の構造体１１４も、複数の粒子１０と、基体２０と、を含む。この例でも、基体２０の凸部２０ｐは、島状である。３つの粒子１０の中心の位置に、凸部２０ｐの中心が位置する。この例では、１つの粒子１０は、３つの凸部２０ｐにより支持される。例えば、第１粒子１１は、第１サイド領域ｒ１、第２サイド領域ｒ２及びサイド領域１１ｎの３つの領域において、支持されている。例えば、第２粒子１２は、第３サイド領域ｒ３、第４サイド領域ｒ４及びサイド領域１２ｎの３つの領域において、支持されている。例えば、第３粒子１３は、第５サイド領域ｒ５、第６サイド領域ｒ６及びサイド領域１３ｎの３つの領域において、支持されている。これ以外は、構造体１１０と同様である。
【００７９】
構造体１１１〜１１４においても、複数の粒子１０を互いに離して並べることができる。複数の粒子１０において、良好な配列性が得られる。これらの例においても、例えば、複数の粒子が互いに離れている状態で、複数の粒子の配列方向が制御される。
【００８０】
図９は、第１の実施形態に係る別の構造体を例示する模式的平面図である。  
図９に示すように、本実施形態に係る別の構造体１１５も、複数の粒子１０と、基体２０と、を含む。この例では、基体２０に穴２０ｈが設けられる。これ以外は、構造体１１０と同様である。
【００８１】
構造体１１５においては、基体２０は、複数の穴２０ｈを有する。複数の穴２０ｈは、面２０ｆに設けられる。複数の穴２０ｈは、凹部２０ｄとなる。
【００８２】
穴２０ｈの周りの凸部２０ｐにより、粒子１０が支持される。例えば、第１粒子１１は、第１凸部領域２１及び第２凸部領域２２に支持されている。第１凸部領域２１及び第２凸部領域２２の間に、複数の穴２０ｈの１つが位置する。
【００８３】
以下、基体２０に穴２０ｈを設けた場合の実験結果の例について説明する。  
図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、構造体に関する実験を示す模式図である。  
図１０（ａ）は、実験に用いられた基体２０を例示する斜視図である。図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）は、実験結果を示す電子顕微鏡写真である。
【００８４】
図１０（ａ）に示すように、基体２０において、複数の穴２０ｈが設けられる。基体２０は、基板２０ｓ及び構造部材２０ｂを含む。構造部材２０ｂを穴２０ｈは貫通する。基板２０ｓは、シリコン基板である。構造部材２０ｂは、炭素膜と、その上に設けられたシリコン膜と、を有する。このような基板２０ｓ及び構造部材２０ｂの上に、第２高分子２０ＰＬの膜が設けられる。その上に、複数の粒子１０を含む溶液膜１８が形成される。液体１０Ｌの材料、及び、複数の粒子１０の濃度は、図３（ａ）〜図３（ｄ）に関して説明したのと同様である。
【００８５】
この実験でも、粒子１０のコア部１０Ｃは、シリカである。第１高分子１０ＰＬは、ＰＭＭＡである。第４試料ＳＰ４においては、第２高分子２０ＰＬは、ＰＳである。第５試料ＳＰ５においては、第２高分子２０ＰＬが設けられていない。第６試料ＳＰ６においては、第２高分子２０ＰＬは、ＰＭＭＡである。
【００８６】
図１０（ｂ）に示すように、第４試料ＳＰ４においては、複数の粒子１０において、良好な配列が得られる。
【００８７】
図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すように、第５試料ＳＰ５及び第６試料ＳＰ６においては、複数の粒子１０の配列性は低い。
【００８８】
このように、基体２０に穴２０ｈを設ける場合においても、第１高分子１０ＰＬと第２高分子２０ＰＬとを互いに異ならせることで、良好な配列性が得られる。複数の粒子１０のピッチの精度が高まる。
【００８９】
構造体１１５においても、複数の粒子１０を互いに離して並べることができる。複数の粒子１０において、良好な配列性が得られる。実施形態によれば、例えば、複数の粒子が互いに離れている状態で、複数の粒子の配列方向が制御される。
【００９０】
（第２の実施形態）  
本実施形態は、パターン形成方法に係る。パターン形成方法の一部は、構造体の製造方法に対応する。
【００９１】
図１１は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャート図である。  
図１１に示すように、パターン形成方法は、溶液膜形成工程（ステップＳ１１０）及び液体除去工程（ステップＳ１２０）を含む。パターン形成方法は、後述するステップＳ１３０〜ステップＳ１５０をさらに含んでも良い。
【００９２】
溶液膜形成工程では、複数の粒子１０と、液体１０Ｌと、を含む溶液膜１８を、基体２０の面２０ｆの上に、形成する（図２（ａ）参照）。基体２０の面２０ｆは、凸部２０ｐと凹部２０ｄとを有する。複数の粒子１０のそれぞれは、複数の粒子１０のそれぞれの表面に設けられた第１高分子１０ＰＬを含む。基体２０は、面２０ｆに設けられ第１高分子１０ＰＬとは異なる第２高分子２０ＰＬを含む。既に説明したように、例えば、溶液膜形成工程は、複数の粒子１０と液体１０Ｌとを含む溶液を面２０ｆの上に塗布することを含む。
【００９３】
液体１０Ｌは、例えば、有機溶媒を含む。有機溶媒は、例えば、トルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルブチルケトン（ＭＢＫ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、及び、メトキシベンゼンの少なくとも１つを含んでも良い。液体１０Ｌは、水（例えば純水など）を含んでも良い。液体１０Ｌは複数の粒子１０が分散する液体から、液体１０Ｌが選択される。複数の粒子１０が分散する状態においては、液体１０Ｌ中において、複数の粒子１０がそれぞれ実質的に離間する。液体１０Ｌは、複数の粒子１０の第１高分子１０ＰＬを溶解する溶媒を含んでも良い。
【００９４】
液体除去工程においては、液体１０Ｌを除去する（図２（ｂ）及び図２（ｃ）参照）。液体１０Ｌの除去の後において、複数の粒子１０は、凸部２０ｐに支持され、複数の粒子１０は、凹部２０ｄから離れている（図１（ａ）〜図１（ｄ）参照）。
【００９５】
図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図１２（ａ）に示すように、基体２０が用意される。例えば、基板２０ｓの上に、構造部材２０ｂが設けられる。構造部材２０ｂは、第１膜２０ｂｆと第２膜２０ｂｇとを含んでも良い。第２膜２０ｂｇは、第１膜２０ｂｆと基板２０ｓとの間に設けられる。基板２０ｓは、例えばシリコン基板である。第２膜２０ｂｇは、例えば、炭素膜である。第１膜２０ｂｆは、シリコン膜である。基板２０ｓ及び構造部材２０ｂにより、凸部２０ｐ及び凹部２０ｄが形成される。
【００９６】
本実施形態に係るパターン形成方法は、基体２０の形成工程を含んでも良い。例えば、パターン形成方法は、凹凸形成工程を含んでも良い。凹凸形成工程は、凸部２０ｐと凹部２０ｄとを形成する。凸部２０ｐと凹部２０ｄとの形成は、例えば、インプリント法を含む方法により実施されても良い。
【００９７】
図１２（ｂ）に示すように、複数の粒子１０を配列させる。この工程においては、上記の溶液膜形成工程及び液体除去工程が実施される。
【００９８】
この後、高分子除去工程（図１１に示すステップＳ１３０）をさらに実施する。図１２（ｃ）に示すように、高分子除去工程では、上記の液体除去工程の後に、第１高分子１０ＰＬ及び第２高分子２０ＰＬを除去する。例えば、酸素を含むガスによる処理などを行う。処理は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）、及び、ＵＶオゾン処理の少なくともいずれかを含む。
【００９９】
例えば、複数の粒子１０のそれぞれは、コア部１０Ｃを含む。第１高分子１０ＰＬは、コア部１０Ｃの周りに設けられている。上記の高分子除去工程の後において、コア部１０Ｃの少なくとも一部は残っている。
【０１００】
例えば、高分子除去工程で用いられるエッチャント（例えば酸素を含むガス）に対するコア部１０Ｃのエッチングレートは、このエッチャントに対する第１高分子１０ＰＬのエッチングレートよりも低い。例えば、高分子除去工程で用いられるエッチャントに対するコア部１０Ｃのエッチングレートは、このエッチャントに対する第２高分子２０ＰＬのエッチングレートよりも低い。例えば、このエッチャントに対する凸部２０ｐのエッチングレートは、このエッチャントに対する第２高分子２０ＰＬのエッチングレートよりも低い。このエッチャントに対する凸部２０ｐのエッチングレートは、このエッチャントに対する第１高分子１０ＰＬのエッチングレートよりも低い。
【０１０１】
この後、第１基体加工工程（図１１に示すステップＳ１４０)を実施する。図１２（ｄ）に示すように、この第１基体加工工程では、複数の粒子１０をマスクとして基体２０の一部を除去する。例えば、ＲＩＥ法などにより、フッ化炭素（例えばＣＦ４）を含むガスの処理により、第１膜２０ｂｆ（シリコン膜）のうちの粒子と重ならない部分が除去される。さらに、酸素を含むガスによる処理を行う。これにより、第１膜２０ｂｆの除去により露出した第２膜２０ｂｇ（炭素膜）が除去される。
【０１０２】
このように、この第１基体加工工程は、複数の粒子１０をマスクとして構造部材２０ｂの一部を除去することを含む。
【０１０３】
この後、図１２（ｅ）に示すように、複数の粒子１０を除去する。例えば、ＲＩＥ法などにより、フッ化炭素（例えばＣＦ４）を含むガスによる処理を行う。これにより、複数の粒子１０が除去される。このとき、基板２０ｓ（シリコン）の一部が除去されても良い。
【０１０４】
この後、第２基体加工工程（図１１のステップＳ１５０）を実施する。例えば、図１２（ｆ）に示すように、第２基体加工工程では、第１基体加工工程の後に、構造部材２０ｂの残った部分を除去する。例えば、酸素を含むガスによる処理を行う。
【０１０５】
このような工程により、複数の粒子１０に対応した凹凸形状を基板２０ｓに形成できる。
【０１０６】
本実施形態に係るパターン形成方法は、例えば、半導体記憶装置などの記憶装置の製造に応用できる。例えば、ビア電極または配線などの形成などに応用できる。本実施形態に係るパターン形成方法は、ナノインプリント用モールドのパターン形成などに応用できる。
【０１０７】
実施形態は、以下の構成を含んでも良い。  
（構成１）  
互いに離れた複数の粒子であって、前記複数の粒子のそれぞれは、前記複数の粒子のそれぞれの表面に設けられた第１高分子を含む、前記複数の粒子と、
凸部と凹部とを有する面を有し、前記面に設けられ前記第１高分子とは異なる第２高分子を含む基体と、
備え、
前記複数の粒子は、前記凸部に支持され、前記複数の粒子は、前記凹部から離れている、構造体。  
（構成２）  
前記複数の粒子は、第１粒子を含み、
前記第１粒子は、第１サイド領域、第２サイド領域及び第１中間領域を含み、
前記第１粒子の第１サイド領域は、前記凸部の第１凸部領域に支持され、
前記第１粒子の第２サイド領域は、前記凸部の第２凸部領域に支持され、
前記第１中間領域は、前記第１凸部領域から前記第２凸部領域に向かう方向において前記第１サイド領域と前記第２サイド領域との間にあり、
前記第１中間領域は、前記凹部から離れた、構成１記載の構造体。  
（構成３）  
前記複数の粒子は、第１平面に沿って並び、
前記複数の粒子は、第２粒子及び第３粒子をさらに含み、
前記第２粒子は、前記複数の粒子の中で前記第１粒子に最も近く、
前記第３粒子は、前記複数の粒子の中で前記第２粒子に最も近く、前記第３粒子は、前記第２粒子を除いた前記複数の粒子の中で前記第１粒子に最も近く、
第１直線は、前記第１粒子の前記第１平面内の第１粒子中心と、前記第２粒子の前記第１平面内の第２粒子中心と、を結び、
第２直線は、前記第２粒子中心と、前記第３粒子の前記第１平面内の第３粒子中心と、を結び、
第３直線は、前記第３粒子中心と、前記第１粒子中心と、を結び、
前記第１直線と前記第２直線との間の角度は、５７度以上６３度以下であり、
前記第２直線と前記第３直線との間の角度は、５７度以上６３度以下であり、
前記第３直線と前記第１直線との間の角度は、５７度以上６３度以下である、構成２記載の構造体。  
（構成４）  
前記第１凸部領域及び前記第２凸部領域は、第１延在方向に沿って延び、
前記第１凸部領域は、第１幅方向における第１凸部領域中心を有し、
前記第２凸部領域は、前記第１幅方向における第２凸部領域中心を有し、
前記第１幅方向は、前記第１平面に沿い前記第１延在方向に対して垂直であり、
前記第１凸部領域中心と前記第２凸部領域中心との間の前記第１幅方向に沿う距離は、前記第１粒子中心と前記第２粒子中心との間の距離の、０．６９倍以上１．０４倍以下である、構成３記載の構造体。
（構成５）  
前記第１凸部領域と前記第２凸部領域との間の前記第１幅方向に沿う距離は、前記第１延在方向において周期的に変化した、構成４記載の構造体。
（構成６）  
前記第１凸部領域は、
第１凸部分領域と、
前記第１延在方向において前記第１凸部分領域と並ぶ第２凸部分領域と、
を含み、
前記第２凸部領域は、
前記第１幅方向において前記第１凸部分領域と重なる第３凸部分領域と、
前記第１延在方向において前記第３凸部分領域と並び前記第１幅方向において前記第３凸部分領域と重なる第４凸部分領域と、を有し、
前記第１凸部分領域と前記第３凸部分領域との間の前記第１幅方向に沿った距離は、前記第２凸部分領域と前記第４凸部分領域との前記第１幅方向に沿った距離よりも長く、
前記第１粒子は、前記第１凸部分領域及び前記第３凸部分領域に支持され、
前記第２凸部分領域及び前記第４凸部分領域は、前記第１平面に対して垂直な方向において前記複数の粒子と重ならない、構成５記載の構造体。
（構成７）  
前記第２粒子は、第３サイド領域、第４サイド領域及び第２中間領域を含み、
前記第３サイド領域は、前記凸部の第３凸部領域に支持され、
前記第４サイド領域は、前記凸部の第４凸部領域に支持され、
前記第２中間領域は、前記第３凸部領域から前記第４凸部領域に向かう方向において前記第３サイド領域と前記第４サイド領域との間にあり、
前記第２中間領域は、前記凹部から離れ、
前記第３凸部領域と前記第１凸部領域との間、前記第４凸部領域と前記第１凸部領域との間、前記第３凸部領域と前記第２凸部領域との間、及び、前記第４凸部領域と前記第２凸部領域との間の少なくともいずれかに、前記凹部の一部が位置した、構成３記載の構造体。
（構成８）  
前記基体は、前記面に設けられ前記凹部となる複数の穴を有し、
前記第１凸部領域及び前記第２凸部領域の間に、前記複数の穴の１つが位置した、構成２記載の構造体。
（構成９）  
水に対する前記第１高分子の接触角は９０度よりも大きく、水に対する前記第２高分子の接触角は、９０度よりも小さい、構成１〜８のいずれか１つに記載の構造体。
（構成１０）  
水に対する前記第１高分子の接触角は９０度よりも小さく、水に対する前記第２高分子の接触角は、９０度よりも大きい、構成１〜８のいずれか１つに記載の構造体。
（構成１１）  
前記第１高分子は、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレートポリアクリル酸ナトリウム、ポリエチレンオキシド、ポリメチルアクリレート、ポリビニルピリジン、ポリジメチルシロキサン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリジメチルアクリル及びポリブチルメタクリレートよりなる群から選択された１つを含み、
前記第２高分子は、前記群から選択された別の１つを含む、構成１〜１０のいずれか１つに記載の構造体。
（構成１２）  
前記第１高分子は、ベンゼン環を含み、
前記第２高分子は、エステル結合を含む、構成１〜１０のいずれか１つに記載の構造体。
（構成１３）  
前記複数の粒子のそれぞれは、コア部をさらに含み、
前記第１高分子は、前記コア部の周りに設けられた、構成１〜１２のいずれか１つに記載の構造体。
（構成１４）  
複数の粒子と、液体と、を含む溶液膜を、凸部と凹部とを有する面を有する基体の前記面の上に形成する溶液膜形成工程であって、前記複数の粒子のそれぞれは、前記複数の粒子のそれぞれの表面に設けられた第１高分子を含み、前記基体は、前記面に設けられ前記第１高分子とは異なる第２高分子を含む、前記溶液膜形成工程と、
前記液体を除去する液体除去工程と、
を備え、
前記液体の前記除去の後において、前記複数の粒子は、前記凸部に支持され、前記複数の粒子は、前記凹部から離れている、パターン形成方法。
（構成１５）  
前記溶液膜形成工程は、前記複数の粒子と前記液体とを含む溶液を前記面の上に塗布することを含む、構成１４記載のパターン形成方法。
（構成１６）  
前記液体除去工程の後に、前記第１高分子及び前記第２高分子を除去する高分子除去工程をさらに備えた、構成１４または１５に記載のパターン形成方法。
（構成１７）  
前記複数の粒子のそれぞれは、コア部を含み、
前記第１高分子は、前記コア部の周りに向けられ、
前記高分子除去工程の後に、コア部の少なくとも一部は残る、構成１６記載のパターン形成方法。
（構成１８）  
前記高分子除去工程で用いられるエッチャントに対する前記コア部のエッチングレートは、前記エッチャントに対する前記第１高分子のエッチングレートよりも低い、構成１７記載のパターン形成方法。
（構成１９）  
前記複数の粒子をマスクとして前記基体の一部を除去する第１基体加工工程をさらに備えた構成１８記載のパターン形成方法。
（構成２０）  
前記基体は、
前記凹部となる第１部分領域と、第２部分領域と、含み第１基体材料を含む基板と、
前記第２部分領域の上に設けられ前記第１基体材料とは異なる第２基体材料を含み前記凸部となる構造部材と、
を含み、
前記第１基体加工工程は、前記複数の粒子をマスクとして前記構造部材の一部を除去することを含む、構成１９記載のパターン形成方法。
（構成２１）  
前記第１基体加工工程の後に、前記構造部材の残った部分を除去する第２基体加工工程をさらに備えた、構成２０記載のパターン形成方法。
（構成２２）  
前記凸部と前記凹部とをインプリント法により形成する凹凸形成工程をさらに備えた構成１４〜２１のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成２３）  
前記液体は、トルエン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシベンゼン及び水よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１４〜２２に記載のパターン形成方法。
【０１０８】
実施形態によれば、複数の粒子を互いに離して並べることができる構造体、及び、パターン形成方法が提供できる。
【０１０９】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０１１０】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、構造体に含まれる粒子、コア部、第１高分子、基体、基板、構造部材及び第２高分子などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１１１】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１１２】
その他、本発明の実施の形態として上述した構造体及びパターン形成方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての構造体及びパターン形成方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１１３】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１１４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１５】
１０…粒子、  １０Ｃ…コア部、  １０Ｌ…液体、  １０ＰＬ…第１高分子、  １１〜１３…第１〜第３粒子、  １１ｃ〜１３ｃ…第１〜第３粒子中心、  １１ｉ〜１３ｉ…第１〜第３中間領域、  １１ｎ〜１３ｎ…サイド領域、  １８…溶液膜、  ２０…基体、  ２０Ｃ…基体コア部、  ２０ＰＬ…第２高分子、  ２０ｂ…構造部材、  ２０ｂｆ…第１膜、  ２０ｂｇ…第２膜、  ２０ｄ…凹部、  ２０ｆ…面、  ２０ｈ…穴、  ２０ｐ…凸部、  ２０ｓ…基板、  ２０ｓａ…第１部分領域、  ２０ｓｂ…第２部分領域、  ２１〜２６…第１〜第６凸部領域、  ２１ｃ…第１凸部領域中心、  ２２ｃ…第２凸部領域中心、  θ１、θ２…接触角、  １１０〜１１５…構造体、  ＡＡ…矢印、  Ｌ１〜Ｌ３…第１〜第３直線、  ＳＰ１〜ＳＰ６…第１〜第６試料、  ｄ１、ｄ２…距離、  ｄ２０…距離、  ｐｒ１〜ｐｒ４…第１〜第４凸部分領域、  ｒ１〜ｒ６…第１〜第６サイド領域、  ｗ１、ｗ２…距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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