(57)【要約】【課題】配線の信頼性の低下を抑制すること。【解決手段】上面に段差１２が設けられ、段差１２の上側に位置する第１上面１４と段差１２の下側に位置する第２上面１６とを有する絶縁部１０と、段差１２の第２上面１６側の角部２２に段差１２の高さ以下の高さで設けられた付加膜３０と、第２上面１６から付加膜３０上を通って第１上面１４に延在して設けられた配線４０と、を備え、付加膜３０の熱膨張係数は、絶縁部１０の熱膨張係数と配線４０の熱膨張係数との間の値である、半導体装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に段差が設けられ、前記段差の上側に位置する第１上面と前記段差の下側に位置する第２上面とを有する絶縁部と、
前記段差の前記第２上面側の角部に前記段差の高さ以下の高さで設けられた付加膜と、
前記第２上面から前記付加膜上を通って前記第１上面に延在して設けられた配線と、を備え、
前記付加膜の熱膨張係数は前記絶縁部の熱膨張係数と前記配線の熱膨張係数との間の値である、半導体装置。
【請求項２】
前記付加膜は、前記絶縁部の前記第２上面から斜め上方に前記段差の側面に向かって延在した傾斜面を有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記傾斜面は、前記段差の前記角部側に弧状に凹んだ形状をしている、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記傾斜面は、前記段差の前記角部とは反対側に弧状に膨らんだ形状をしている、請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記付加膜は、前記第１上面及び前記第２上面と略平行な上面を有し、前記段差よりも高さが低い、請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
絶縁部と、
前記絶縁部の平坦上面上に設けられた付加膜と、
前記絶縁部の平坦上面上に設けられ、第１領域と前記第１領域よりも幅が広い第２領域とを有し、前記第１領域と前記第２領域との接続部であって幅が変化する角部で前記付加膜を覆う又は前記付加膜の側面に接する配線と、を備え、
前記付加膜の熱膨張係数は前記絶縁部の熱膨張係数と前記配線の熱膨張係数との間の値である、半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁部は酸化シリコンからなり、前記配線は銀、銅、又はアルミニウムからなり、前記付加膜はシリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、タングステン、白金、チタン、ニッケル、カーボンナノチューブ、又はグラフェンからなる、請求項１から６のいずれか一項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、様々な形状をした配線が用いられている。例えば、絶縁膜に設けられた凹部に埋め込まれるように、絶縁膜上に配線を形成する場合がある。この場合に、まず段差被覆性の良い条件で金属膜を形成し、その後、膜応力の低い条件で金属膜を形成することで、ボイドが少なく且つ低応力の配線が得られることが知られている（例えば、特許文献１）。また、配線の上方の角部に所定の角度をしたテーパーを設けることで、配線に加わる応力が低減することが知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２４１８９５号公報
【特許文献２】特開平５−３４７３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上面に段差が設けられた絶縁部に、段差の下側に位置する上面から段差の上側に位置する上面にかけて延在する配線を形成する場合がある。この場合、段差において配線の厚さが変動し、係る部分に応力が集中して信頼性が低下することがある。また、絶縁部の平坦面上に、幅の狭い第１領域と幅の広い第２領域とを有する配線を形成する場合がある。この場合、配線の幅が変化する部分であって第１領域と第２領域との接続部である角部に応力が集中して信頼性が低下することがある。
【０００５】
本発明は、配線の信頼性の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、半導体装置は、上面に段差が設けられ、前記段差の上側に位置する第１上面と前記段差の下側に位置する第２上面とを有する絶縁部と、前記段差の前記第２上面側の角部に前記段差の高さ以下の高さで設けられた付加膜と、前記第２上面から前記付加膜上を通って前記第１上面に延在して設けられた配線と、を備え、前記付加膜の熱膨張係数は、前記絶縁部の熱膨張係数と前記配線の熱膨張係数との間の値である。
【０００７】
１つの態様では、半導体装置は、絶縁部と、前記絶縁部の平坦上面上に設けられた付加膜と、前記絶縁部の平坦上面上に設けられ、第１領域と前記第１領域よりも幅が広い第２領域とを有し、前記第１領域と前記第２領域との接続部であって幅が変化する角部で前記付加膜を覆う又は前記付加膜の側面に接する配線と、を備え、前記付加膜の熱膨張係数は、前記絶縁部の熱膨張係数と前記配線の熱膨張係数との間の値である。
【発明の効果】
【０００８】
１つの側面として、配線の信頼性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す平面図、図２（ｄ）から図２（ｆ）は、図２（ａ）から図２（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図３】図３（ａ）は、比較例１に係る半導体装置の断面図、図３（ｂ）は、比較例２に係る半導体装置の断面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、付加膜に対する配線の配置の他の例を示す平面図である。
【図５】図５（ａ）は、実施例２に係る半導体装置の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す平面図、図６（ｄ）から図６（ｆ）は、図６（ａ）から図６（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図７】図７は、付加膜の傾斜面の他の例を示す半導体装置の断面図である。
【図８】図８（ａ）は、実施例３に係る半導体装置の平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す平面図、図９（ｄ）から図９（ｆ）は、図９（ａ）から図９（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１０】図１０は、実施例３の変形例１に係る半導体装置の断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、複数の半導体チップが配線で接続された半導体装置の平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、実施例４に係る半導体装置の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１３】図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例４に係る半導体装置の製造方法を示す平面図、図１３（ｄ）から図１３（ｆ）は、図１３（ａ）から図１３（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１４】図１４（ａ）及び図１４（ｃ）は、付加膜に対する配線の配置の他の例を示す平面図、図１４（ｂ）及び図１４（ｄ）は、図１４（ａ）及び図１４（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１（ａ）は、実施例１に係る半導体装置１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。なお、実施例１の半導体装置は、例えばゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有する複数の電界効果トランジスタ素子が設けられたチップであるが、図１ではこれらの図示は省略している。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の半導体装置１００は、段差１２が設けられた絶縁部１０と、付加膜３０と、配線４０と、を有する。
【００１２】
絶縁部１０は、段差１２の上側に位置する第１上面１４と、段差１２の下側に位置する第２上面１６と、段差１２の側面１８と、を有する。第１上面１４と第２上面１６とは、平坦面であり、互いにほぼ平行な面である。側面１８は、第１上面１４及び第２上面１６に対してほぼ垂直な面である。第１上面１４と第２上面１６とには、電極２０が設けられている。電極２０は、例えばゲート電極などに電気的に接続されている。段差１２の高さは、例えば５μｍ程度である。
【００１３】
付加膜３０は、段差１２の第２上面１６側の角部２２に設けられている。付加膜３０は、第２上面１６の一部と側面１８の一部とを覆い、第２上面１６から斜め上方に側面１８に向かって延在する傾斜面３２を有する。傾斜面３２は、段差１２の角部２２側に弧状に凹んだ形状をしている。傾斜面３２は側面１８の上端に接続していて、これにより、付加膜３０の高さは段差１２の高さ以下となっている。
【００１４】
配線４０は、第２上面１６に設けられた電極２０から付加膜３０上を通って第１上面１４に設けられた電極２０に延在して設けられている。配線４０の幅は、付加膜３０の幅とほぼ同じとなっている。すなわち、付加膜３０の傾斜面３２の全面は配線４０で覆われているが、付加膜３０の側面は配線４０で覆われずに露出している。
【００１５】
付加膜３０は、絶縁部１０を形成する材料の熱膨張係数と配線４０を形成する材料の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する材料で形成されている。例えば絶縁部１０が酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成され、配線４０が銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、又はアルミニウム（Ａｌ）で形成されている場合、付加膜３０は以下の材料で形成されることができる。すなわち、付加膜３０は、シリコン（Ｓｉ）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、又はニッケル（Ｎｉ）で形成されることができる。もしくは、付加膜３０は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）と銅（Ｃｕ）とを組み合わせた材料、グラフェン、又はＮＣＳ（Nano Clustering Silica）で形成されることができる。このように、付加膜３０は、金属などの導電性材料で形成されてもよいし、絶縁性材料で形成されてもよい。表１に、各種材料における熱膨張係数の値を示す。
【表１】
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【００１６】
次に、実施例１の半導体装置１００の製造方法について説明する。図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置１００の製造方法を示す平面図、図２（ｄ）から図２（ｆ）は、図２（ａ）から図２（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。図２（ａ）及び図２（ｄ）のように、段差１２を有し且つ段差１２の上側に位置する第１上面１４と下側に位置する第２上面１６とに電極２０が設けられた絶縁部１０を形成する。
【００１７】
図２（ｂ）及び図２（ｅ）のように、インクジェット印刷法を用いて、段差１２の角部２２に、付加膜３０を形成する材料と有機溶剤とを含むインクを選択的に塗布する。塗布されたインクは、表面張力によって段差１２の角部２２側に弧状に凹んだ形状の傾斜面３２を有するようになる。インクを塗布した後、焼成処理を行ってインクに含まれる有機溶剤を蒸発させることで、段差１２の角部２２に付加膜３０が形成される。
【００１８】
図２（ｃ）及び図２（ｆ）のように、インクジェット印刷法を用いて、第２上面１６に設けられた電極２０から付加膜３０上を通って第１上面１４に設けられた電極２０にかけて金属インクを塗布する。金属インクには、例えば銀や銅などの金属ナノ粒子と有機溶媒とが含まれている。金属インクを塗布した後、焼成処理を行って有機溶媒を蒸発させることで、第２上面１６に設けられた電極２０から付加膜３０上を通って第１上面１４に設けられた電極２０に延在する配線４０が形成される。
【００１９】
なお、配線４０は、スクリーン印刷法などの他の印刷法を用いて形成してもよい。また、配線４０は、印刷法以外の方法、例えばスパッタリング法とエッチング法とを用いた方法やセミアディティブ法などによって形成してもよい。スパッタリング法とエッチング法とを用いた方法及びセミアディティブ法を用いて配線４０を形成する場合、配線４０を銅又はアルミニウムで形成してもよい。
【００２０】
ここで、実施例１の半導体装置の効果を説明するに当たって、比較例の半導体装置について説明する。図３（ａ）は、比較例１に係る半導体装置５００の断面図、図３（ｂ）は、比較例２に係る半導体装置６００の断面図である。
【００２１】
図３（ａ）のように、比較例１の半導体装置５００では、段差１２の角部２２に付加膜が設けられていない。配線４０は、インクジェット印刷法を用いて形成されていて、付加膜が設けられていないために段差１２において膜厚が大きく変動している。例えば、配線４０は、段差１２の第２上面１６側の角部２２における膜厚は厚く、段差１２の第１上面１４側の角部における膜厚は薄くなっている。
【００２２】
図３（ｂ）のように、比較例２の半導体装置６００でも、段差１２の角部２２に付加膜が設けられていない。配線４０は、スパッタリング法などの物理気相成長法（ＰＶＤ法）を用いて形成されている。付加膜が設けられていない状態で物理気相成長法によって金属膜を堆積すると、段差１２の側面１８には金属膜が付き難いことから側面１８での金属膜の膜厚が薄くなる。このため、配線４０は段差１２において膜厚が大きく変動している。
【００２３】
比較例１及び比較例２では、図３（ａ）及び図３（ｂ）のように、配線４０の膜厚が段差１２で大きく変動しているため、係る部分に応力が集中し易くなる。絶縁部１０は絶縁材料で形成され、配線４０は金属材料で形成されているため、絶縁部１０と配線４０とは熱膨張係数が異なり、温度変化による熱応力が生じる。したがって、配線４０の段差１２の部分に大きな応力が集中するようになる。このような応力の集中によって、配線４０にクラックや断線が生じてしまうことがある。また、印刷法を用いて配線４０を形成すると、焼成処理で有機溶媒を蒸発させる際に配線粒子が体積の大きな方向に引かれることが起こり易く、これにより膜厚の偏りが生じてクラックが発生する場合がある。
【００２４】
一方、実施例１では、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、段差１２の角部２２に、段差１２の高さ以下の高さを有し、絶縁部１０の熱膨張係数と配線４０の熱膨張係数との間の値の熱膨張係数を有する付加膜３０が設けられている。配線４０は、第２上面１６から付加膜３０上を通って第１上面１４に延在して設けられている。配線４０が付加膜３０上を通って延在していることで、段差１２での配線４０の膜厚変動を抑制することができる。また、付加膜３０が絶縁部１０の熱膨張係数と配線４０の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有することで、絶縁部１０と配線４０との熱膨張係数の差によって生じる応力を緩和するができる。これらのために、配線４０の段差１２の部分に生じる応力を低減することができ、その結果、配線４０の信頼性の低下を抑制することができる。
【００２５】
また、実施例１によれば、付加膜３０は、絶縁部１０の第２上面１６から斜め上方に側面１８に向かって延在した傾斜面３２を有し、傾斜面３２は段差１２の角部２２側に弧状に凹んだ形状をしている。これにより、付加膜３０上を延在する配線４０の膜厚変動を効果的に抑制することができる。
【００２６】
また、実施例１によれば、付加膜３０及び配線４０を印刷法で形成している。これにより、製造コストを低減することができる。
【００２７】
なお、実施例１では、配線４０は付加膜３０の傾斜面３２の全面を覆い且つ付加膜３０の側面は覆わない場合を例に示したが、この場合に限られない。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、付加膜３０に対する配線４０の配置の他の例を示す平面図である。図４（ａ）のように、配線４０の幅が付加膜３０よりも狭くて、配線４０が付加膜３０の傾斜面３２の一部分を覆い、傾斜面３２の残りの部分と側面とを覆っていない場合でもよい。図４（ｂ）のように、配線４０の幅が付加膜３０よりも広くて、配線４０が付加膜３０を完全に覆っている場合でもよい。
【実施例２】
【００２８】
図５（ａ）は、実施例２に係る半導体装置２００の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）のように、実施例２の半導体装置２００では、付加膜３０ａの傾斜面３２ａが段差１２の角部２２とは反対側に弧状に膨らんだ形状をしている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００２９】
図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置２００の製造方法を示す平面図、図６（ｄ）から図６（ｆ）は、図６（ａ）から図６（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。図６（ａ）及び図６（ｄ）のように、第１上面１４と第２上面１６とに電極２０が設けられた絶縁部１０を形成する。
【００３０】
図６（ｂ）及び図６（ｅ）のように、スパッタリング法を用いて、絶縁部１０の上面全面に付加膜３０ａを形成する材料を堆積する。その後、堆積した材料に対して異方性エッチングによるエッチバックを行う。これにより、段差１２の角部２２に付加膜３０ａが形成される。このような方法によって付加膜３０ａを形成することで、付加膜３０ａの傾斜面３２ａは段差１２の角部２２とは反対側に弧状に膨らんだ形状となる。
【００３１】
図６（ｃ）及び図６（ｆ）のように、インクジェット印刷法を用いて、第２上面１６に設けられた電極２０から付加膜３０ａ上を通って第１上面１４に設けられた電極２０に延在する配線４０を形成する。配線４０の具体的な形成方法は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００３２】
実施例２によれば、図５（ｂ）のように、付加膜３０ａは、絶縁部１０の第２上面１６から斜め上方に側面１８に向かって延在した傾斜面３２ａを有し、傾斜面３２ａは段差１２の角部２２とは反対側に弧状に膨らんだ形状をしている。これによっても、付加膜３０ａ上を延在する配線４０の膜厚変動を効果的に抑制することができる。
【００３３】
なお、実施例２においても、図４（ａ）と同様に、配線４０が付加膜３０ａの傾斜面３２ａの一部分を覆い、傾斜面３２ａの残りの部分と側面とを覆っていない場合でもよい。図４（ｂ）と同様に、配線４０が付加膜３０ａを完全に覆っている場合でもよい。
【００３４】
実施例１、２において、付加膜３０の傾斜面３２及び付加膜３０ａの傾斜面３２ａは、絶縁部１０の側面１８の上端に接続している場合を例に示したが、この場合に限られない。配線４０の膜厚変動を抑制する観点から、付加膜３０の傾斜面３２及び付加膜３０ａの傾斜面３２ａは、側面１８の１／２より高い部分に接続していることが好ましい。２／３より高い部分に接続していることがより好ましい。３／４より高い部分に接続していることがさらに好ましい。側面１８の上端に接続していることがよりさらに好ましい。
【００３５】
なお、実施例１では付加膜３０の傾斜面３２が段差１２の角部２２側に弧状に凹んだ形状をしている場合を例に示し、実施例２では付加膜３０ａの傾斜面３２ａが段差１２の角部２２とは反対側に膨らんでいる場合を例に示した。しかしながら、この場合に限られる訳ではない。図７は、付加膜の傾斜面の他の例を示す半導体装置の断面図である。図７のように、付加膜３０ｂの傾斜面３２ｂは、段差１２の第２上面１６から斜め上方に側面１８に向かって延在した平坦な面となっている場合でもよい。このように、付加膜が絶縁部１０の第２上面１６から斜め上方に側面１８に向かって延在した傾斜面を有することで、配線４０の膜厚変動を抑制することができる。
【実施例３】
【００３６】
図８（ａ）は、実施例３に係る半導体装置３００の平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）のように、実施例３の半導体装置３００では、付加膜３０ｃは、直方体形状をしていて、段差１２の高さよりも低くなっている。すなわち、付加膜３０ｃは、絶縁部１０の第１上面１４及び第２上面１６と略平行な上面３４を有する。なお、略平行とは、完全に平行な場合に限られず、製造誤差程度の傾きを有する場合も含むものである。また、図８（ａ）では複数の付加膜３０ｃが並んで設けられている場合を例に示したが、これらが合体して１つの付加膜３０ｃが設けられている場合でもよい。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００３７】
図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例３に係る半導体装置３００の製造方法を示す平面図、図９（ｄ）から図９（ｆ）は、図９（ａ）から図９（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。図９（ａ）及び図９（ｄ）のように、第１上面１４と第２上面１６とに電極２０が設けられた絶縁部１０を形成する。
【００３８】
図９（ｂ）及び図９（ｅ）のように、蒸着法及びリフトオフ法を用いて、段差１２の角部２２に、直方体形状をした付加膜３０ｃを形成する。
【００３９】
図９（ｃ）及び図９（ｆ）のように、インクジェット印刷法を用いて、第２上面１６に設けられた電極２０から付加膜３０ｃ上を通って第１上面１４に設けられた電極２０に延在する配線４０を形成する。配線４０の具体的な形成方法は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００４０】
実施例３によれば、図８（ｂ）のように、付加膜３０ｃは、絶縁部１０の第１上面１４及び第２上面１６と略平行な上面３４を有し、段差１２の高さよりも低くなっている。これにより、段差１２よりも低い複数の段差上を配線４０が延在するため、配線４０の膜厚変動を抑制することができる。
【００４１】
実施例３において、配線４０の膜厚変動を抑制する観点から、付加膜３０ｃの高さは、段差１２の高さの１／４以上且つ３／４以下であることが好ましい。１／３以上且つ２／３以下であることがより好ましい。１／２であることがさらに好ましい。
【００４２】
なお、実施例３では、付加膜３０ｃは、直方体形状をしていて、上面が平坦である場合を例に示したが、これに限られない。図１０は、実施例３の変形例１に係る半導体装置３１０の断面図である。図１０のように、上面３４に段差を有する付加膜３０ｄが段差１２の角部２２に設けられる場合でもよい。この場合、複数の段差それぞれの高さをより低くすることができるため、配線４０の膜厚変動をより抑制することができる。なお、上面３４に設けられる段差は１段の場合に限られず、２段以上の複数段の場合でもよい。
【００４３】
実施例１から実施例３では、１つの半導体チップ内で段差１２を有する絶縁部１０上に配線４０が形成される場合を例に示したが、この場合に限られない。図１１（ａ）は、複数の半導体チップが配線で接続された半導体装置の平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）のように、例えばＳｉＯ２又はＮＣＳをフィラーとして含有する樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる樹脂基板５０に、複数の半導体チップ５６が埋め込まれている。複数の半導体チップ５６の上側部分は樹脂基板５０から突出していて、複数の半導体チップ５６と樹脂基板５０との間には段差５２が形成されている。段差５２の角部５４には、付加膜３０が設けられている。複数の半導体チップ５６を電気的に接続する配線４０は、付加膜３０上を通って延在している。
【００４４】
このように、樹脂基板５０と半導体チップ５６とによって形成される段差５２の角部５４に付加膜３０が設けられ、複数の半導体チップ５６を電気的に接続する配線４０が付加膜３０上を通って延在する場合でもよい。なお、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）では、実施例１の付加膜３０が設けられている場合を例に示したが、実施例２から実施例３で説明した付加膜が設けられている場合でもよい。
【実施例４】
【００４５】
図１２（ａ）は、実施例４に係る半導体装置４００の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）のように、実施例４の半導体装置４００では、絶縁部１０ａの平坦上面に配線４０ａが設けられている。配線４０ａは、幅の狭い第１領域４２と幅の広い第２領域４４とを有する。第１領域４２と第２領域４４との接続部であり配線４０ａの幅が変化する角部４６には、絶縁部１０ａ上に付加膜３０ｅが設けられている。配線４０ａは、付加膜３０ｅの一部を覆って設けられている。すなわち、付加膜３０ｅの残りの部分は配線４０ａで覆われずに露出している。付加膜３０ｅは、例えばドーム形状をしているが、六角形状や八角形状などの多角形形状をしていてもよい。
【００４６】
図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例４に係る半導体装置４００の製造方法を示す平面図、図１３（ｄ）から図１３（ｆ）は、図１３（ａ）から図１３（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｄ）のように、平坦上面に電極２０が設けられた絶縁部１０ａを形成する。
【００４７】
図１３（ｂ）及び図１３（ｅ）のように、インクジェット印刷法を用いて、配線４０ａの角部４６が形成される部分に、付加膜３０ｅを形成する材料と有機溶媒とを含むインクを選択的に塗布する。インクを塗布した後、焼成処理を行ってインクに含まれる有機溶媒を蒸発させることで、配線４０ａの角部４６が形成される部分に付加膜３０ｅが形成される。このように、インクジェット印刷法を用いることで、マスクを使用することなく、配線４０ａの角部４６が形成される部分に付加膜３０ｅを形成することができる。
【００４８】
図１３（ｃ）及び図１３（ｆ）のように、インクジェット印刷法を用いて、電極２０の間を接続するように金属インクを塗布する。この際、幅の狭い第１領域と幅の広い第２領域とが形成され且つ第１領域と第２領域との接続部である角部で付加膜３０ｅの一部を覆うように金属インクを塗布する。金属インクには、例えば銀や銅などの金属ナノ粒子と有機溶媒とが含まれている。金属インクを塗布した後、焼成処理を行って有機溶媒を蒸発させることで、幅の狭い第１領域４２と幅の広い第２領域４４とを有する配線４０ａが形成される。また、第１領域４２と第２領域４４との接続部であり配線４０ａの幅が変化する角部４６で、付加膜３０ｅの一部が配線４０ａで覆われる。
【００４９】
実施例４によれば、幅の狭い第１領域４２と幅の広い第２領域４４とを有する配線４０ａは、第１領域４２と第２領域４４との接続部であって幅が変化する角部４６で付加膜３０ｅの一部を覆って設けられている。例えば、付加膜３０ｅが設けられていない場合、角部４６は略直角な形状となるために角部４６に応力が集中し易くなり、絶縁部１０ａと配線４０ａとの熱膨張係数の差による熱応力によって角部４６に大きな応力が集中するようになる。このような応力の集中によって、配線４０ａは角部４６でクラックなどが生じてしまうことがある。例えば、配線４０ａを印刷法で形成する場合、有機溶媒を蒸発させる焼成処理で角部４６に応力が集中してクラックなどが生じる場合がある。これに対して、実施例４では、配線４０ａが付加膜３０ｅの一部を覆って設けられているため、角部４６は丸みを帯びた形状となる。また、付加膜３０ｅが絶縁部１０ａの熱膨張係数と配線４０ａの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有することで、絶縁部１０ａと配線４０ａとの熱膨張係数の差によって生じる応力が緩和される。これらのために、角部４６に生じる応力を低減することができ、その結果、配線４０ａの信頼性の低下を抑制することができる。
【００５０】
なお、実施例４では、配線４０ａは付加膜３０ｅの一部を覆っている場合を例に示したが、この場合に限られない。図１４（ａ）及び図１４（ｃ）は、付加膜３０ｅに対する配線４０ａの配置の他の例を示す平面図、図１４（ｂ）及び図１４（ｄ）は、図１４（ａ）及び図１４（ｃ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）のように、配線４０ａは、付加膜３０ｅの全てを覆っている場合でもよい。図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）のように、配線４０ａは、付加膜３０ｅを覆わずに、付加膜３０ｅの側面に接して設けられている場合でもよい。すなわち、配線４０ａは、付加膜３０ｅを覆って又は付加膜３０ｅの側面に接して設けられていればよい。
【００５１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５２】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）上面に段差が設けられ、前記段差の上側に位置する第１上面と前記段差の下側に位置する第２上面とを有する絶縁部と、前記段差の前記第２上面側の角部に前記段差の高さ以下の高さで設けられた付加膜と、前記第２上面から前記付加膜上を通って前記第１上面に延在して設けられた配線と、を備え、前記付加膜の熱膨張係数は前記絶縁部の熱膨張係数と前記配線の熱膨張係数との間の値である、半導体装置。
（付記２）前記付加膜は、前記絶縁部の前記第２上面から斜め上方に前記段差の側面に向かって延在した傾斜面を有する、付記１記載の半導体装置。
（付記３）前記傾斜面は、前記段差の前記角部側に弧状に凹んだ形状をしている、付記２記載の半導体装置。
（付記４）前記傾斜面は、前記段差の前記角部とは反対側に弧状に膨らんだ形状をしている、付記２記載の半導体装置。
（付記５）前記傾斜面は前記段差の側面の上端に接続している、付記２から４のいずれか一項記載の半導体装置。
（付記６）前記付加膜は、前記第１上面及び前記第２上面と略平行な上面を有し、前記段差よりも高さが低い、付記１記載の半導体装置。
（付記７）前記付加膜は、前記付加膜の前記上面に段差が設けられている、付記６記載の半導体装置。
（付記８）絶縁部と、前記絶縁部の平坦上面上に設けられた付加膜と、前記絶縁部の平坦上面上に設けられ、第１領域と前記第１領域よりも幅が広い第２領域とを有し、前記第１領域と前記第２領域との接続部であって幅が変化する角部で前記付加膜を覆う又は前記付加膜の側面に接する配線と、を備え、前記付加膜の熱膨張係数は前記絶縁部の熱膨張係数と前記配線の熱膨張係数との間の値である、半導体装置。
（付記９）前記絶縁部は酸化シリコンからなり、前記配線は銀、銅、又はアルミニウムからなり、前記付加膜はシリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、タングステン、白金、チタン、ニッケル、カーボンナノチューブ、又はグラフェンからなる、付記１から８のいずれか一項記載の半導体装置。
【符号の説明】
【００５３】
１０、１０ａ  絶縁部
１２  段差
１４  第１上面
１６  第２上面
１８  側面
２０  電極
２２  角部
３０〜３０ｅ  付加膜
３２〜３２ｂ  傾斜面
３４  上面
４０、４０ａ  配線
４２  第１領域
４４  第２領域
４６  角部
５０  樹脂基板
５２  段差
５４  角部
５６  半導体チップ
１００〜４００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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