(57)【要約】      （修正有）【課題】シールド金属を有するデバイスパッケージの小型化及び軽量化が可能なデバイスのパッケージ方法を提供する。【解決手段】上面に電極６が形成され分割予定ラインを有した電極プレート２の下面に複数のデバイス８が封止樹脂１０で封止されたパッケージ基板形成工程と、パッケージ基板の上面に保護膜３８を形成する工程と、分割予定ラインに対応する領域の保護膜にレーザー光線を照射して除去する工程と、分割予定ラインに沿って、パッケージ基板を個々のデバイスパッケージ５２に分割する工程と、保護膜に支持部材６４を配設してデバイスを支持したまま、下面側からスパッタによって電磁波をシールドするシールド金属６６を被覆する工程と、支持部材と保護膜とを除去する工程を有する。電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージの下面５２ａ、側面５２ｂ及び上面周縁部５２ｃにシールド金属６６を被覆する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスのパッケージ方法であって、
上面に電極が形成され分割予定ラインを有した電極プレートの下面に複数のデバイスが分割予定ラインの間隔をもって配設され封止樹脂で封止されたパッケージ基板を形成するパッケージ基板形成工程と、
パッケージ基板形成工程の前又は後に分割予定ラインに沿って電極プレートの上面に金属膜を敷設する金属膜敷設工程と、
パッケージ基板の上面に電極を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、
分割予定ラインに対応する領域の保護膜にレーザー光線を照射して金属膜上部の保護膜を除去する保護膜除去工程と、
保護膜が除去された分割予定ラインに沿って、金属膜、電極プレート及び封止樹脂を切断してパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割する分割工程と、
デバイスパッケージの保護膜に支持部材を配設して、分割されたデバイスパッケージをパッケージ基板の形態を維持して支持する支持部材配設工程と、
デバイスパッケージの下面側から各デバイスパッケージにスパッタによって電磁波をシールドするシールド金属を被覆する電磁波シールド工程と、
デバイスパッケージの上面から支持部材と保護膜とを除去する支持部材除去工程とを含み、
該分割工程において、該保護膜除去工程で保護膜を除去した領域の幅より狭い領域を切断し、
該電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージの下面、側面及び上面周縁部に電磁波をシールドするシールド金属を被覆するデバイスのパッケージ方法。
【請求項２】
該分割工程において、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによってパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割すると共にデバイスパッケージの電極に導通するアース線の端部を露出させ、
該電磁波シールド工程において、アース線の端部に電磁波をシールドするシールド金属を接続する請求項１記載のデバイスのパッケージ方法。
【請求項３】
該分割工程において、レーザー光線の照射が選択された際、
該保護膜形成工程において、水溶性樹脂を保護膜として使用できる請求項２記載のデバイスのパッケージ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスのパッケージ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、スマートフォン等の通信機器には表面弾性波（ＳＡＷ：Surface  Acoustic  Wave）デバイス等の通信用の電子部品が搭載されており、この電子部品が発振する電磁波がノイズとなって他の電子部品、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイスに悪影響を与えるという問題がある。そこで、電磁波をシールドするシールド金属を電子部品の周囲に配設する技術が提案されている（特許文献１及び２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−７２０５１号公報
【特許文献２】特開２００１−４４６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１及び２に開示された技術では、電子部品の周囲にシールド金属を配設するための空間が必要となるため、通信機器の小型化及び軽量化が困難である。
【０００５】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、シールド金属を有するデバイスパッケージの小型化及び軽量化が可能なデバイスのパッケージ方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは、以下のデバイスのパッケージ方法である。すなわち、デバイスのパッケージ方法であって、上面に電極が形成され分割予定ラインを有した電極プレートの下面に複数のデバイスが分割予定ラインの間隔をもって配設され封止樹脂で封止されたパッケージ基板を形成するパッケージ基板形成工程と、パッケージ基板形成工程の前又は後に分割予定ラインに沿って電極プレートの上面に金属膜を敷設する金属膜敷設工程と、パッケージ基板の上面に電極を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、分割予定ラインに対応する領域の保護膜にレーザー光線を照射して金属膜上部の保護膜を除去する保護膜除去工程と、保護膜が除去された分割予定ラインに沿って、金属膜、電極プレート及び封止樹脂を切断してパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割する分割工程と、デバイスパッケージの保護膜に支持部材を配設して、分割されたデバイスパッケージをパッケージ基板の形態を維持して支持する支持部材配設工程と、デバイスパッケージの下面側から各デバイスパッケージにスパッタによって電磁波をシールドするシールド金属を被覆する電磁波シールド工程と、デバイスパッケージの上面から支持部材と保護膜とを除去する支持部材除去工程とを含み、該分割工程において、該保護膜除去工程で保護膜を除去した領域の幅より狭い領域を切断し、該電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージの下面、側面及び上面周縁部に電磁波をシールドするシールド金属を被覆するデバイスのパッケージ方法である。
【０００７】
好ましくは、該分割工程において、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによってパッケージ基板を個々のデバイスパッケージに分割すると共にデバイスパッケージの電極に導通するアース線の端部を露出させ、該電磁波シールド工程において、アース線の端部に電磁波をシールドするシールド金属を接続する。該分割工程において、レーザー光線の照射が選択された際、該保護膜形成工程において、水溶性樹脂を保護膜として使用できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明が提供するデバイスのパッケージ方法では、分割工程において、保護膜除去工程で保護膜を除去した領域の幅より狭い領域を切断し、電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージの下面、側面及び上面周縁部に電磁波をシールドするシールド金属を被覆するので、シールド金属がデバイスパッケージから剥離することが防止されると共に、シールド金属を有するデバイスパッケージの小型化及び軽量化が可能となる。また、本発明のデバイスのパッケージ方法では、パッケージ基板形成工程の前又は後に分割予定ラインに沿って電極プレートの上面に金属膜を敷設する金属膜敷設工程を含むので、保護膜除去工程において、分割予定ラインに対応する領域の保護膜にレーザー光線を照射して保護膜を除去する際に、レーザー光線が金属膜で遮断され保護膜のみを精密に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】パッケージ基板の電極プレート及びデバイスの斜視図（ａ）、デバイスが封止樹脂で封止された状態を示す斜視図（ｂ）及びＡ−Ａ線断面図（ｃ）。
【図２】スパッタ装置の断面図（ａ）及びＢ部拡大図（ｂ）。
【図３】保護膜が形成されたパッケージ基板の斜視図（ａ）及びＣ−Ｃ線断面図（ｂ）。
【図４】レーザー加工装置の斜視図。
【図５】保護膜除去工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及びＤ−Ｄ線断面図（ｂ）。
【図６】レーザー加工装置を用いる分割工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及びＥ−Ｅ線断面図（ｂ）。
【図７】切削装置を用いる分割工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及びＦ−Ｆ線断面図（ｂ）。
【図８】支持部材が配設されたデバイスパッケージの斜視図（ａ）及びＧ−Ｇ線断面図（ｂ）。
【図９】シールド金属が被覆されたデバイスパッケージの断面図。
【図１０】支持部材が除去される前のデバイスパッケージの断面図（ａ）及び支持部材が除去された後のデバイスパッケージの断面図（ｂ）。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明のデバイスのパッケージ方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１１】
本発明のデバイスのパッケージ方法では、まず、パッケージ基板形成工程を実施する。図１（ａ）に示す長方形状の電極プレート２の上面は、格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれには上方に突出する複数の電極６が付設されている。そして、パッケージ基板形成工程では、電極プレート２の下面に複数のデバイス８を分割予定ライン４の間隔をもって配設し、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すとおり、封止樹脂１０で複数のデバイス８を封止して、パッケージ基板１２を形成する。図１（ｃ）に示すとおり、電極６には、アース線１４が設けられているものが各矩形領域に存在する。
【００１２】
パッケージ基板形成工程を実施した後に、分割予定ライン４に沿って電極プレート２の上面に金属膜を敷設する金属膜敷設工程を実施する。金属膜敷設工程は、たとえば図２（ａ）にその一部を示すスパッタ装置１６を用いて実施することができる。スパッタ装置１６は、ハウジング１８と、ハウジング１８内に配置され陽極をなす静電吸着式の保持テーブル２０と、保持テーブル２０に対向して配置された陰極２２と、励磁手段２４と、陰極２２に接続された高周波電源２６とを備える。陰極２２には、パッケージ基板１２に被覆するための金属膜を構成するターゲット２８（たとえば、金、銀、銅又はアルミニウム）が取り付けられている。また、ハウジング１８には、排気手段（図示していない。）に接続されている排気口３０と、供給手段（図示していない。）に接続されている供給口と３２が形成されている。
【００１３】
金属膜敷設工程では、まず、フォトリソグラフィ、スクリーン印刷方式又はインクジェット方式等により、分割予定ライン４を除いて、電極プレート２の上面の各矩形領域にマスクを配設する。次いで、スパッタ装置１６の保持テーブル２０の上面にパッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を静電吸着させる。次いで、励磁手段２４を作動させターゲット２８を励磁すると共に、高周波電源２６から陰極２２に高周波電圧を印加する。また、排気手段を作動させ、ハウジング１８内の圧力を所定値まで低下させると共に、供給手段を作動させ、ハウジング１８内にアルゴンガスを供給してプラズマを発生させる。そうすると、プラズマ中のアルゴンガスが陰極２２に取り付けられたターゲット２８に衝突し、この衝突によって飛散した金属粒子が非マスキング領域である分割予定ライン４に積層する。そしてマスクを除去すると、図２（ｂ）に示すとおり、分割予定ライン４に沿って電極プレート２の上面に金属膜３６をスパッタによって被覆することができる。なお、金属膜敷設工程は、パッケージ基板形成工程の前に電極プレート２に対して実施してもよい。
【００１４】
パッケージ基板形成工程を実施した後に保護膜形成工程を実施する。図３に示すとおり、保護膜形成工程では、パッケージ基板１２の上面（電極プレート２の上面）に電極６を保護する保護膜３８を形成する。保護膜３８の形成は、たとえば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の液状樹脂をパッケージ基板１２の上面に塗布し、乾燥して固化させることによって、行うことができる。
【００１５】
保護膜形成工程を実施した後に、金属膜３６の上に被覆された保護膜３８を除去する保護膜除去工程を実施する。保護膜除去工程は、たとえば図４にその一部を示すレーザー加工装置４０を用いて実施することができる。レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４２及び集光器４４を備える。矩形状のチャックテーブル４２の上面には、実質上水平に延在する矩形状の吸着チャック４６が配置されている。吸着チャック４６の上面には、電極プレート２の分割予定ライン４に対応する領域に格子状の溝４８が形成されている。吸着チャック４６には、溝４８により区画された複数の矩形領域のそれぞれに吸引孔５０が形成されていて、吸引孔５０は流路によって吸引手段（図示していない。）に接続されている。また、チャックテーブル４２は、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。集光器４４は、レーザー加工装置４０のパルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線を集光して被加工物に照射するための集光レンズ（いずれも図示していない。）を含む。なお、Ｘ方向は図４に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図４に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。
【００１６】
図４と共に図５を参照して説明する。保護膜除去工程では、まず、パッケージ基板１２の上面（保護膜３８側）を上に向けてパッケージ基板１２を吸着チャック４６の上面に載せる。次いで、吸引手段を作動させることにより吸着チャック４６の上面に負圧を発生させ、パッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を吸着チャック４６の上面に吸着させる。次いで、Ｘ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル４２を移動及び回転させ、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させると共に、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部を集光器４４の直下に位置付ける。次いで、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部に対応する領域の保護膜３８の上面にパルスレーザー光線の集光スポットを位置付ける。次いで、図５（ａ）に示すとおり、チャックテーブル４２を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に移動させると共に、分割予定ライン４の幅に対応して集光スポットをＹ方向に揺動させながら、集光器４４から保護膜３８にパルスレーザー光線を照射して、分割予定ライン４に対応する領域における金属膜３６上部の所定幅Ｗ１（たとえば１５０μｍ）の保護膜３８をアブレーションにより除去するアブレーション除去加工を行う。そして、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の他端部が集光器４４の直下に達したら、アブレーション除去加工を停止する。アブレーション除去加工は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長  ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数      ：１１０ｋＨｚ
平均出力            ：１Ｗ
加工送り速度        ：１００ｍｍ／ｓ
集光スポット径      ：１０μｍ×５０μｍ（楕円形状）
【００１７】
保護膜除去工程では、アブレーション除去加工と、Ｙ方向移動手段によってチャックテーブル４２をＹ方向にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行うことにより、図５（ｂ）に示すとおり、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４のすべてに対応する領域における金属膜３６上部の所定幅Ｗ１の保護膜３８を除去する。さらに、回転手段によってチャックテーブル４２を回転させ、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させた上で、アブレーション除去加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４のすべてに対応する領域における金属膜３６上部の所定幅Ｗ１の保護膜３８を除去する。
【００１８】
図６を参照して説明する。保護膜除去工程を実施した後に、パッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージに分割する分割工程を実施する。分割工程は、たとえば、上述のレーザー加工装置４０を用いて実施することができる。レーザー加工装置４０を用いる分割工程では、まず、パッケージ基板１２の上面（保護膜３８側）を上に向けてパッケージ基板１２を吸着チャック４６の上面に載せる。次いで、吸引手段を作動させることにより吸着チャック４６の上面に負圧を発生させ、パッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を吸着チャック４６の上面に吸着させる。次いで、Ｘ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル４２を移動及び回転させ、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させると共に、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部を集光器４４の直下に位置付ける。次いで、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部において、電極プレート２の上面にパルスレーザー光線の集光スポットを位置付ける。次いで、図６（ａ）に示すとおり、チャックテーブル４２を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に移動させながら、集光器４４からパッケージ基板１２にパルスレーザー光線を照射して、保護膜３８が除去された分割予定ライン４に沿って、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０をアブレーションにより切断するアブレーション切断加工を行う。そして、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の他端部が集光器４４の直下に達したら、アブレーション切断加工を停止する。アブレーション切断加工は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長  ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数      ：４０ｋＨｚ
平均出力            ：１８Ｗ
加工送り速度        ：４００ｍｍ／ｓ
集光スポット径      ：φ１０μｍ（円形状）
【００１９】
レーザー加工装置４０を用いる分割工程では、アブレーション切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、図６（ｂ）に示すとおり、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。さらに、回転手段によってチャックテーブル４２を回転させ、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させた上で、アブレーション切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。これによって、パッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージ５２に分割することができる。
【００２０】
また、分割工程は、図７にその一部を示す切削装置５４を用いても実施することができる。切削装置５４は、チャックテーブル４２及び切削手段５６を備える。切削手段５６は、実質上水平に延びる円筒状のスピンドルハウジング５８と、実質上水平に延びる軸線を中心として回転自在にスピンドルハウジング５８に内蔵された円柱状のスピンドル（図示していない。）とを含む。スピンドルの基端部にはモータ（図示していない。）が連結されている。また、スピンドルの先端部には環状の切削ブレード６０が固定されている。切削ブレード６０の上部はブレードカバー６２で覆われている。なお、切削装置５４のチャックテーブル４２は、レーザー加工装置４０のチャックテーブル４２と実質上同一の構成でよいため、レーザー加工装置４０のチャックテーブル４２と同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２１】
切削装置５４を用いる分割工程では、まず、吸着チャック４６の溝４８の上方に電極プレート２の分割予定ライン４を位置付け、パッケージ基板１２の上面（保護膜３８側）を上に向けてパッケージ基板１２を吸着チャック４６の上面に載せる。次いで、吸引手段を作動させることにより吸着チャック４６の上面に負圧を発生させ、パッケージ基板１２の下面側（封止樹脂１０側）を吸着チャック４６の上面に吸着させる。次いで、Ｘ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル４２を移動及び回転させ、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させると共に、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の片端部を切削ブレード６０の直下に位置付ける。次いで、図７（ａ）に矢印αで示す方向にスピンドルと共に切削ブレード６０を所定回転数でモータによって回転させる。次いで、吸着チャック４６の溝４８に切削ブレード６０の外周縁が達するまで、上下方向移動手段（図示していない。）によってスピンドルハウジング５８を下降させ、分割予定ライン４に沿ってパッケージ基板１２に切削ブレード６０の刃先を切り込ませると共に、チャックテーブル４２を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に移動させ、保護膜３８が除去された分割予定ライン４に沿って、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０を切削により切断する切削切断加工を行う。切削切断加工の際は、切削ブレード６０による切削領域に切削水供給手段（図示していない。）から切削水を供給する。そして、パッケージ基板１２の長手方向に延びる一の分割予定ライン４の他端部に切削ブレード６０が達したら、切削切断加工を停止する。切削切断加工は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
切削ブレードの幅    ：５０μｍ
切削ブレードの直径  ：φ５０ｍｍ
切削ブレードの回転数：２００００ｒｐｍ
加工送り速度        ：５０ｍｍ／ｓ
【００２２】
切削装置５４を用いる分割工程では、切削切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、図７（ｂ）に示すとおり、パッケージ基板１２の長手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。さらに、回転手段によってチャックテーブル４２を回転させ、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４をＸ方向に整合させた上で、切削切断加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、パッケージ基板１２の短手方向に延びる分割予定ライン４のすべてにおいて、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０を切断する。これによって、パッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージ５２に分割することができる。
【００２３】
分割工程においては、保護膜除去工程で保護膜３８を除去した領域の幅Ｗ１より狭い領域を切断するのが重要である。すなわち、分割工程における、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０の切断領域の幅Ｗ２は、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すとおり、保護膜除去工程における保護膜３８の除去領域の幅Ｗ１より狭い（Ｗ２＜Ｗ１）のが重要である。図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すとおり、分割工程における、金属膜３６、電極プレート２及び封止樹脂１０の切断領域は、保護膜除去工程における保護膜３８の除去領域の中央に位置するのが好ましい。また、分割工程においては、デバイスパッケージ５２の電極６に導通するアース線１４の端部を露出させる。
【００２４】
上述のとおり、分割工程においては、レーザー光線の照射によって、又は切削ブレードによってパッケージ基板１２を個々のデバイスパッケージ５２に分割することができると共にデバイスパッケージ５２の電極６に導通するアース線１４の端部を露出させることができる。このようなところ、分割工程においてレーザー光線の照射が選択された際は、上述の保護膜形成工程において、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）や水溶性フェノール樹脂、アクリル系水溶性樹脂等の水溶性樹脂を保護膜３８として使用することができる。この理由は、切削領域に切削水を供給しながら切削加工を行う切削装置５４とは異なり、レーザー加工装置４０では、レーザー加工領域に水等の液体を供給せずにレーザー加工を行うからである。
【００２５】
分割工程を実施した後に支持部材配設工程を実施する。支持部材配設工程では、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)等の合成樹脂シートから形成され、かつパッケージ基板１２の面積よりも若干大きい長方形状の支持部材６４をデバイスパッケージ５２の上面（保護膜３８側）に貼り付ける。これによって、図８に示すとおり、分割されたデバイスパッケージ５２を、パッケージ基板１２の形態を維持して支持することができる。
【００２６】
支持部材配設工程を実施した後に、各デバイスパッケージ５２にスパッタによって電磁波をシールドするシールド金属を被覆する電磁波シールド工程を実施する。電磁波シールド工程は、たとえば図２（ａ）にその一部を示すスパッタ装置１６を用いて実施することができる。電磁波シールド工程では、まず、各デバイスパッケージ５２の下面（封止樹脂１０側）を上に向けて、各デバイスパッケージ５２の上面側（支持部材６４側）を保持テーブル２０の上面に静電吸着させる。次いで、励磁手段２４を作動させターゲット２８（電磁波シールド工程におけるターゲット２８としては、たとえば銅）を励磁すると共に、高周波電源２６から陰極２２に高周波電圧を印加する。また、排気手段を作動させ、ハウジング１８内の圧力を所定値まで低下させると共に、供給手段を作動させ、ハウジング１８内にアルゴンガスを供給してプラズマを発生させる。そうすると、プラズマ中のアルゴンガスが陰極２２に取り付けられたターゲット２８に衝突し、この衝突によって飛散した金属粒子が各デバイスパッケージ５２に積層する。これによって、図９に示すとおり、各デバイスパッケージ５２の下面５２ａ、側面５２ｂ及び上面周縁部５２ｃに電磁波をシールドするシールド金属６６をスパッタによって被覆することができる。また、電磁波シールド工程においてアース線１４の端部にシールド金属６６が接続される。なお、電磁波シールド工程では、隣接するデバイスパッケージ５２間に位置する支持部材６４の下面、及び各保護膜３８の側面にもシールド金属６６が被覆される。
【００２７】
電磁波シールド工程を実施した後に、デバイスパッケージ５２の上面から支持部材６４と保護膜３８とを除去する支持部材除去工程を実施する。支持部材除去工程では、図１０に示すとおり、デバイスパッケージ５２の上面から支持部材６４を剥離すると、支持部材６４に保護膜３８が追従するので、支持部材６４と保護膜３８とを除去することができる。デバイスパッケージ５２から支持部材６４を剥離した際にデバイスパッケージ５２に保護膜３８が残存した場合、水溶性樹脂を保護膜３８として使用したときは水によって残存した保護膜３８を除去することができる。一方、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の非水溶性樹脂を保護膜３８として使用したときは溶剤によって残存した保護膜３８を除去する。
【００２８】
本発明のデバイス８のパッケージ方法では、分割工程において、保護膜除去工程で保護膜３８を除去した領域の幅Ｗ１より狭い領域を切断し、電磁波シールド工程において、各デバイスパッケージ５２の下面５２ａ、側面５２ｂ及び上面周縁部５２ｃに電磁波をシールドするシールド金属６６を被覆するので、支持部材除去工程において、支持部材６４及び保護膜３８に被覆したシールド金属６６が支持部材６４及び保護膜３８に追従して除去された際に、デバイスパッケージ５２に被覆したシールド金属６６がデバイスパッケージ５２から剥離することが防止されると共に、シールド金属６６を有するデバイスパッケージ５２の小型化及び軽量化が可能となる。また、本発明のデバイス８のパッケージ方法では、パッケージ基板形成工程の前又は後に分割予定ライン４に沿って電極プレート２の上面に金属膜３６を敷設する金属膜敷設工程を含むので、保護膜除去工程において、分割予定ライン４に対応する領域の保護膜３８にレーザー光線を照射して保護膜３８を除去する際に、レーザー光線が金属膜３６で遮断され保護膜３８のみを精密に除去することができる。
【符号の説明】
【００２９】
２：電極プレート
４：分割予定ライン
６：電極
８：デバイス
１０：封止樹脂
１２：パッケージ基板
１４：アース線
３６：金属膜
３８：保護膜
５２：デバイスパッケージ
５２ａ：デバイスパッケージの下面
５２ｂ：デバイスパッケージの側面
５２ｃ：デバイスパッケージの上面周縁部
６４：支持部材
６６：シールド金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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