(57)【要約】【課題】はんだにボイドが生じるのを抑制しつつ、フラックス起因の不良発生を抑制できる電子装置を提供すること。【解決手段】アイランド２２の放熱面２２ｂは、モールド樹脂２４の下面２４ｂから露出されている。基板３０の一面３０ａには、アイランド２２に対応して第１ランド３２０が設けられている。第１ランド３２０における放熱面との対向面３２０ａは、貫通溝３３によって複数の区画に分割されている。基板の一面における下面との対向領域３５には、Ｚ方向からの投影視においてアイランドと第２ランド３２１との間に位置しつつアイランドを取り囲むように、ダム部３４が設けられている。ダム部は、一面に配置された導体パターンであるダミーパターン３２２、及び、ダミーパターン上に積層されたソルダレジスト３６を備えて多層構造をなしている。【選択図】図１
2018006655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランド（２２）と、前記アイランドの搭載面（２２ａ）に配置された電子部品（２１）と、前記電子部品と電気的に接続された複数のリード（２３）と、前記アイランド、前記電子部品、及び前記リードを封止するモールド樹脂（２４）と、を有し、前記リードのそれぞれの一部が前記モールド樹脂から露出されるとともに、前記アイランドにおける前記搭載面と板厚方向に反対の放熱面（２２ｂ）が前記モールド樹脂の一面（２４ｂ）から露出されたモールドパッケージ（２０）と、
前記一面との対向面（３０ａ）に配置された導体パターン（３２）として、前記アイランドの放熱面に対応して設けられた第１ランド（３２０）、及び、前記リードの露出部分に対応して設けられた複数の第２ランド（３２１）を有するとともに、前記第１ランドの前記放熱面に対向する表面（３２０ａ）を複数の区画に分割する分割部（３３，３９）を有する基板（３０）と、
前記アイランドと前記第１ランドとの間、及び、前記リードと前記第２ランドとの間のそれぞれに介在するはんだ（４０）と、
前記対向面ごと、前記モールドパッケージを封止する樹脂成形体（５０）と、
前記基板の前記対向面における前記一面との対向領域（３５）に、前記板厚方向からの投影視において前記アイランドと前記第２ランドとの間に位置しつつ前記アイランドを取り囲むように延設され、前記導体パターンによる第１層（３２２，３２０ｃ）、及び、前記第１層上に積層された第２層（３６）を含む多層構造のダム部（３４）と、
を備える電子装置。
【請求項２】
前記第１層が、前記ダム部の延設方向において複数に分離されている請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第２層が、前記アイランドを連続的に取り囲んでいる請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記第１層及び前記第２層を含むすべての層が、前記アイランドを連続的に取り囲んでいる請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記第１層を含むすべての層が、前記延設方向において、互いに同じ位置で分離されている請求項２に記載の電子装置。
【請求項６】
前記第１層が、前記分割部の延長上に設けられている請求項２，３，５いずれか１項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記第１層の分離領域（３７）における内周端（３７ａ）の位置と、前記分離領域における外周端（３７ｂ）の位置とが、前記延設方向において異なっている請求項２，３，５，６いずれか１項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記分離領域が、前記延設方向に対して斜めに設けられている請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
第１ランドが、前記アイランドの放熱面に対向する対向部（３２０ｂ）と、前記対向部から外側に延設された延設部（３２０ｃ）と、を有し、
前記延設部の少なくとも一部が、前記第１層をなしている請求項２，３，５いずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記ダム部が、前記一面に接触している請求項１〜９いずれか１項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書における開示は、モールド樹脂からアイランドの放熱面が露出されたモールドパッケージを、基板にはんだ付けしてなる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されるように、モールド樹脂からアイランドの放熱面が露出されたモールドパッケージを、基板にはんだ付けしてなる電子装置が知られている。特許文献１の電子装置では、アイランドに対応して基板に設けられた第１ランドの表面が、貫通溝によって複数の区画に分割されている。はんだ付け状態で、貫通溝の底面をなす基板表面を壁面としてはんだとの間にガスの流路が形成されるため、フラックスなどに起因するガスを、流路を通じてはんだ外に逃がすことができる。これにより、アイランドと第１ランドとの間のはんだに、ボイドが生じるのを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１４７７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、流路が狭いため、はんだ付け後においてフラックスを洗浄する際に、流路内のフラックスを洗浄しきれず、フラックスが残る虞がある。
【０００５】
また、上記した電子装置として、基板におけるモールドパッケージとの対向面ごと、モールドパッケージを封止する樹脂成形体を備えたものが知られている。樹脂成形体は、通常、コンプレッションモールド法やトランスファモールド法を用いて形成される。樹脂成形体は、アイランドと第１ランドとをはんだ接合した状態、すなわち流路を形成した状態で、形成される。したがって、樹脂成形体を形成する際の樹脂の流れによって、流路内のフラックス残渣がはんだ外に押し出される。
【０００６】
モールドパッケージは複数のリードを有し、基板はリードに対応する複数の第２ランドを有する。上記したように、フラックス残渣が流路からはんだ外に押し出されると、フラックス起因の不良、たとえば第２ランド間の短絡が生じる虞がある。
【０００７】
本開示はこのような課題に鑑みてなされたものであり、はんだにボイドが生じるのを抑制しつつ、フラックス起因の不良発生を抑制できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。
【０００９】
開示された電子装置のひとつは、アイランド（２２）と、アイランドの搭載面（２２ａ）に配置された電子部品（２１）と、電子部品と電気的に接続された複数のリード（２３）と、アイランド、電子部品、及びリードを封止するモールド樹脂（２４）と、を有し、リードのそれぞれの一部がモールド樹脂から露出されるとともに、アイランドにおける搭載面と板厚方向に反対の放熱面（２２ｂ）がモールド樹脂の一面（２４ｂ）から露出されたモールドパッケージ（２０）と、
一面との対向面（３０ａ）に配置された導体パターン（３２）として、アイランドの放熱面に対応して設けられた第１ランド（３２０）、及び、リードの露出部分に対応して設けられた複数の第２ランド（３２１）を有するとともに、第１ランドの放熱面に対向する表面（３２０ａ）を複数の区画に分割する分割部（３３）を有する基板（３０）と、
アイランドと第１ランドとの間、及び、リードと第２ランドとの間のそれぞれに介在するはんだ（４０）と、
対向面ごと、モールドパッケージを封止する樹脂成形体（５０）と、
基板の対向面における一面との対向領域（３５）に、板厚方向からの投影視においてアイランドと第２ランドとの間に位置しつつアイランドを取り囲むように延設され、第１ランドと同じ厚みの導体パターンによる第１層（３２２，３２０ｃ）、及び、第１層上に積層された第２層（３６）を含む多層構造のダム部（３４）と、
を備える。
【００１０】
この電子装置によれば、第１ランドの表面が、分割部によって複数に区画されている。これにより、分割部を壁面としてはんだとの間にガスの流路が形成されるため、アイランドと第１ランドとの間のはんだにボイドが生じるのを抑制できる。
【００１１】
また、多層構造のダム部のほうが、第１ランドよりも、対向面に対して高い位置まで突出している。したがって、樹脂成形体の成形時に、樹脂がアイランドと第１ランドとの間に介在するはんだ側に流れ込むのを、ダム部によって堰き止めることができる。これにより、流路内に樹脂が流れ込み、フラックスが流路から押し出されるのを抑制することができる。すなわち、第２ランド間の短絡など、フラックス起因の不良が生じるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】一面側の基板構成を示す平面図である。
【図３】参考例に係るアイランドと第１ランドとのはんだ接合部周辺の構造を示す断面図である。
【図４】第１実施形態に係るアイランドと第１ランドとのはんだ接合部周辺の構造を示す断面図である。
【図５】第２実施形態に係る電子装置において、一面側の基板構成を示す平面図であり、図２に対応している。
【図６】第１変形例を示す平面図であり、図５に対応している。
【図７】第３実施形態に係る電子装置において、一面側の基板構成を示す平面図であり、図５に対応している。
【図８】第４実施形態に係る電子装置において、一面側の基板構成を示す平面図であり、図５に対応している。
【図９】第５実施形態に係る電子装置において、アイランドと第１ランドとのはんだ接合部周辺の構造を示す断面図である。
【図１０】第２変形例を示す断面図であり、図１に対応している。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、アイランドの板厚方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する一方向をＸ方向と示す。また、Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。特に断わりのない限り、上記したＸ方向及びＹ方向により規定されるＸＹ面に沿う形状を平面形状とする。
【００１４】
（第１実施形態）
先ず、図１及び図２に基づき、電子装置の概略構成について説明する。電子装置は、たとえば車載電子制御装置として用いられる。図２では、後述するモールド樹脂２４のＺ方向から投影視した外周端２４ｃの位置を、二点鎖線で示している。図１は、図２に示すI-I線に相当する断面図である。
【００１５】
図１に示すように、電子装置１０は、モールドパッケージ２０、基板３０、はんだ４０、及び樹脂成形体５０を備えている。
【００１６】
モールドパッケージ２０は、電子部品２１、アイランド２２、リード２３、及びモールド樹脂２４を有している。電子部品２１は、基板３０の配線とともに回路を形成する。電子部品２１は、半導体チップに回路素子が形成されてなる。電子部品２１は、たとえばＩＣチップである。電子部品２１は、平面略矩形状をなしている。矩形状を構成する２組の相対する辺のうち、一方がＸ方向に沿い、他方がＹ方向に沿っている。
【００１７】
アイランド２２及びリード２３は、リードフレームを構成している。アイランド２２は、所定厚を有する金属板である。アイランド２２は、平面略矩形状をなしている。アイランド２２は、アイランド２２の板厚方向であるＺ方向において、搭載面２２ａを有している。搭載面２２ａには、接着材などのダイボンド材２５を介して、電子部品２１が固定されている。搭載面２２ａには、電子部品２１が配置されている。アイランド２２のうち、搭載面２２ａと反対の放熱面２２ｂは、後述するようにモールド樹脂２４から露出されている。放熱面２２ｂも、平面略矩形状をなしている。
【００１８】
リード２３は、電子部品２１と電気的に接続されている。リード２３は、モールド樹脂２４の内部で電子部品２１と電気的に接続されている。リード２３は、ボンディングワイヤ２６を介して、電子部品２１と電気的に接続されている。リード２３の一部は、基板３０と電気的に接続が可能なように、モールド樹脂２４から露出されている。リード２３は、モールドパッケージ２０における外部接続端子である。モールドパッケージ２０は、複数のリード２３を有している。
【００１９】
本実施形態では、モールドパッケージ２０としてＱＦＰ（Quad Flat Package）を採用している。リード２３は、モールド樹脂２４の内外にわたって延設されてる。リード２３は、モールド樹脂２４の側面２４ａから外部に突出している。リード２３は、平面略矩形状をなすモールド樹脂２４の４つの側面２４ａのそれぞれから外部に突出している。リード２３は、モールド樹脂２４の内部に配置されたインナーリード部と、モールド樹脂２４から外部に突出したアウターリード部を有している。アウターリード部は、屈曲部を有しており、Ｚ方向において基板３０側に延設されている。
【００２０】
モールド樹脂２４は、電子部品２１、アイランド２２、及びリード２３を一体的に封止している。モールド樹脂２４は、電子部品２１を被覆保護している。モールド樹脂２４は、アイランド２２及びリード２３については、それぞれの一部分を封止している。モールド樹脂２４は、たとえば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いて形成されている。モールド樹脂２４も、平面略矩形状をなしている。モールド樹脂２４は、基板３０との対向面である下面２４ｂを有している。上記したアイランド２２の放熱面２２ｂは、下面２４ｂに対して略面一で露出されている。下面２４ｂ側において、放熱面２２ｂが中心に位置し、下面２４ｂが放熱面２２ｂの周囲を取り囲んでいる。下面２４ｂが、モールド樹脂２４の一面に相当する。
【００２１】
このように、モールドパッケージ２０は、モールド樹脂２４の下面２４ｂからアイランド２２の放熱面２２ｂが露出され、電子部品２１の生じた熱を外部に放熱可能となっている。
【００２２】
基板３０は、絶縁基材３１に配線が配置されてなる。基板３０は、配線基板とも称される。絶縁基材３１は、樹脂などの電気絶縁性材料を用いて形成されている。基板３０（絶縁基材３１）は、Ｚ方向においてモールドパッケージ２０との対向面である一面３０ａ及び一面３０ａと反対の面である裏面３０ｂを有している。一面３０ａが、基板３０の対向面に相当する。
【００２３】
基板３０は、図１及び図２に示すように、一面３０ａに配置された導体パターン３２、貫通溝３３、及びダム部３４を有している。導体パターン３２の一部は、配線を構成している。本実施形態では、絶縁基材３１に導体パターンが多層に配置されている。導体パターンは、一面３０ａに配置された導体パターン３２以外にも、絶縁基材３１の内部に配置された導体パターン及び裏面３０ｂに配置された導体パターンを有している。各層の導体パターンは、図示しないビアを介して接続されている。配線は、導体パターン及びビアにより構成されている。
【００２４】
導体パターン３２は、第１ランド３２０、第２ランド３２１、及びダミーパターン３２２を有している。第１ランド３２０、第２ランド３２１、及びダミーパターン３２２は、同一層の導体パターンであり、形状以外は互いに同じ構成となっている。したがって、厚みが互いにほぼ等しくなっている。導体パターン３２は、たとえば金属箔（銅箔）をパターニングすることで形成されている。金属箔上に、さらにめっき膜を有してもよい。
【００２５】
第１ランド３２０は、アイランド２２の放熱面２２ｂに対応して設けられている。第１ランド３２０は、基板３０の一面３０ａにおける放熱面２２ｂとの対向部位に設けられている。第１ランド３２０は、少なくとも一部が、Ｚ方向からの投影視においてアイランド２２の放熱面２２ｂと重なるように設けられている。第１ランド３２０は、はんだ４０を介して、アイランド２２に接続されている。第１ランド３２０には、アイランド２２及びはんだ４０を介して電子部品２１の熱が伝達される。第１ランド３２０は、放熱用のランドである。第１ランド３２０は、たとえばビアを介して、裏面３０ｂに配置された図示しない導体パターンに接続されている。すなわち、電子部品２１の熱を基板３０の裏面３０ｂ側に放熱できるようになっている。第１ランド３２０は、回路を形成する配線ではなく、基板３０において電気的な接続機能を提供しない。
【００２６】
第２ランド３２１は、リード２３の露出部分に対応して複数設けられている。本実施形態では、上記したようにモールドパッケージ２０としてＱＦＰを採用しており、複数の第２ランド３２１が、Ｚ方向からの投影視においてモールドパッケージ２０を取り囲むように設けられている。詳しくは、図２に示すように、下面２４ｂにおける平面矩形状の外周端２４ｃに沿って、複数の第２ランド３２１が設けられている。本実施形態では、各辺に対して９つの第２ランド３２１が設けられている。
【００２７】
第２ランド３２１は、はんだ４０を介して、対応するリード２３に接続されている。第２ランド３２１は、配線の電極部（端子部）である。第２ランド３２１は、回路を形成する配線であり、基板３０において電気的な接続機能を提供する。
【００２８】
ダミーパターン３２２は、後述するダム部３４を構成している。ダミーパターン３２２を含むダム部３４の詳細については後述する。
【００２９】
貫通溝３３は、第１ランド３２０のうち、放熱面２２ｂに対向する対向面３２０ａを複数の区画に分割している。対向面３２０ａは、第１ランド３２０の表面に相当する。貫通溝３３は、分割部に相当する。貫通溝３３は、アイランド２２と第１ランド３２０とを接合するはんだ４０に、後述する流路４１を形成するために設けられている。貫通溝３３は、対向面３２０ａのみに開口するのではなく、第１ランド３２０をＺ方向に貫通している。貫通溝３３の形成部位において、絶縁基材３１が露出されている。
【００３０】
本実施形態では、貫通溝３３が、Ｘ方向に沿って延設されたＸ方向延設部３３ａ、及び、Ｙ方向に沿って延設されたＹ方向延設部３３ｂを有している。Ｘ方向延設部３３ａ及びＹ方向延設部３３ｂは交差しており、貫通溝３３は平面略十字状をなしている。貫通溝３３は、対向面３２０ａの中心位置で交差するように設けられている。Ｘ方向延設部３３ａは、平面矩形状の対向面３２０ａに対し、Ｘ方向の一端から他端にわたって設けられている。Ｙ方向延設部３３ｂは、対向面３２０ａに対し、Ｙ方向の一端から他端にわたって設けられている。このような略十字状の貫通溝３３により、対向面３２０ａが４つの区画に分割されている。各区画は、それぞれ平面矩形状をなしており、形状及び大きさが互いに等しいものとなっている。貫通溝３３は、対向面３２０ａを等面積の４つの区画に分割している。
【００３１】
はんだ４０は、アイランド２２と第１ランド３２０との間、及び、リード２３と第２ランド３２１との間のそれぞれに介在している。はんだ４０は、アイランド２２と第１ランド３２０を接合している。別のはんだ４０は、リード２３と第２ランド３２１を接合している。
【００３２】
上記したように、第１ランド３２０の対向面３２０ａは、貫通溝３３によって複数の区画に分割されている。また、絶縁基材３１が貫通溝３３から露出されている。絶縁基材３１は、はんだ４０に対する濡れ性が低く、はんだ付け時において、はんだ４０が濡れ拡がらない。はんだ４０は、第１ランド３２０において、対向面３２０ａと貫通溝３３の側面とに濡れ拡がる。このため、貫通溝３３に沿って流路４１が形成されている。流路４１は、貫通溝３３の底面である絶縁基材３１の表面、及び、はんだ４０を壁面として形成されている。すなわち、流路４１は、貫通溝３３の底面を壁面としてはんだ４０との間に形成されている。流路４１は、はんだ４０の配置されていない空間（隙間）である。流路４１は、貫通溝３３に対応して平面略十字状に設けられている。流路４１は、はんだ４０外に連通している。
【００３３】
はんだ４０として、フラックス含有のはんだが用いられる。はんだ付けが完了した状態で、フラックスは、はんだ４０に対して表出する。はんだ付け後であって樹脂成形体５０の成形前に、洗浄液によってフラックスの洗浄がなされる。アイランド２２と第１ランド３２０とを接合するはんだ４０の外面に表出したフラックス、及び、リード２３と第２ランド３２１を接合するはんだ４０の表面に表出したフラックスは、洗浄によって除去される。アイランド２２と第１ランド３２０とを接合するはんだ４０の表面のうち、流路４１の壁面をなす内面部分にもフラックスが表出する。しかしながら、流路４１が狭い空間であり、洗浄液が入りにくいため、流路４１内のフラックスを洗浄しきれない。したがって、電子装置１０は、流路４１内にフラックス残渣４２を有している。
【００３４】
樹脂成形体５０は、基板３０の一面３０ａごと、モールドパッケージ２０を封止している。樹脂成形体５０は、モールドパッケージ２０及び一面３０ａを一体的に封止している。樹脂成形体５０は、モールドパッケージ２０及び一面３０ａに接触しつつ、これらを覆っている。基板３０の裏面３０ｂは、樹脂成形体５０から露出されている。電子装置１０は、ハーフモールド構造をなしている。
【００３５】
樹脂成形体５０は、たとえば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いて形成されている。樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等のフィラーが添加されてもよい。樹脂成形体５０は、たとえばトランスファモールド法やコンプレッションモールド法により形成されている。以上のように構成される電子装置１０は、モールドパッケージ２０及び基板３０をそれぞれ準備し、モールドパッケージ２０を基板３０にはんだ付けし、フラックス除去の洗浄を行った後、樹脂成形体５０を形成することで得ることができる。
【００３６】
次に、図１及び図２に基づき、ダム部３４について詳細に説明する。
【００３７】
ダム部３４は、基板の一面３０ａからモールドパッケージ２０に向けて突出している。ダム部３４は、一面３０ａのうち、モールドパッケージ２０の下面２４ｂとの対向領域３５に設けられている。ダム部３４は、Ｚ方向からの投影視において、アイランド２２と第２ランド３２１との間に設けられている。ダム部３４は、Ｚ方向からの投影視において、アイランド２２、換言すればアイランド２２と第１ランド３２０とのはんだ接合部、を取り囲むように、アイランド２２の外周に沿って延設されている。ダム部３４は、一面３０ａに配置された導体パターン３２である第１層と導体パターン３２上に積層された第２層を含んで、多層構造をなしている。
【００３８】
本実施形態では、ダム部３４が、ダミーパターン３２２及びソルダレジスト３６を有して２層構造をなしている。ダミーパターン３２２が第１層に相当し、ソルダレジスト３６が第２層に相当する。第１層であるダミーパターン３２２が、第１ランド３２０とは別に設けられている。よって、ダム部３４は、Ｚ方向からの投影視において、第１ランド３２０と第２ランド３２１との間に設けられている。また、ダム部３４は、第１ランド３２０を取り囲むように設けられている。
【００３９】
ダミーパターン３２２は、Ｚ方向からの投影視において、アイランド２２の放熱面２２ｂ及び第１ランド３２０を取り囲むように設けられている。ダミーパターン３２２は、環状に設けられている。ダミーパターン３２２は、４つに区画された第１ランド３２０の外側面を繋ぐ仮想の外周端に沿って設けられている。第１ランド３２０の外側面とは、第１ランド３２０の側面のうち、貫通溝３３を規定する内側面を除く面である。ダミーパターン３２２は、外周端２４ｃに沿って環状に設けられている。ダミーパターン３２２は、矩形環状をなしている。
【００４０】
ソルダレジスト３６は、ダミーパターン３２２に対して積層されてる。ソルダレジスト３６は、ダミーパターン３２２に沿って延設されており、Ｚ方向からの投影視においてダミーパターン３２２に重なっている。ソルダレジスト３６も、アイランド２２の放熱面２２ｂ及び第１ランド３２０を取り囲むように、矩形環状をなしている。このように、ダム部３４を構成するすべての層が環状となっている。すなわち、すべての層が、アイランド２２を連続的に取り囲んでいる。
【００４１】
上記したように、ダミーパターン３２２の厚みは、第１ランド３２０及び第２ランド３２１の厚みとほぼ等しいので、ダム部３４は、第１ランド３２０及び第２ランド３２１よりも高い位置まで突出している。アイランド２２と第１ランド３２０とのはんだ接合部周りにおいて、モールドパッケージ２０と基板３０との対向距離が、ダム部３４の形成された部分において最も狭くなっている。樹脂成形体５０は、ダム部３４によって堰き止められている。ダム部３４の幅方向中心よりも内側には、モールドパッケージ２０と基板３０との間に空間４３が形成されている。空間４３は、アイランド２２と第１ランド３２０とのはんだ接合部に隣接して、該はんだ接合部周りに形成されている。流路４１も、樹脂成形体５０が配置されない空間となっている。そして、フラックス残渣４２が流路４１内に存在している。
【００４２】
次に、上記した電子装置１０の効果について説明する。図３及び図４は、樹脂成形体５０を成形する前の状態を示している。図３は参考例を示し、図４は本実施形態に対応している。図３では、本実施形態の要素と共通乃至関連する要素に対し、本実施形態の要素の符号末尾にｒを加算した符号を付与している。
【００４３】
放熱性の観点などから、アイランドと第１ランドの対向間隔は狭い。したがって、アイランドと第１ランドとを接合するはんだ中に、フラックス由来などのガスが閉じ込められ、ボイドが生じる虞があった。
【００４４】
これに対し、本実施形態では、第１ランド３２０の対向面３２０ａが、分割部である貫通溝３３によって、複数に区画されている。貫通溝３３から露出する絶縁基材３１の表面には、はんだ４０が濡れ拡がらない。したがって、アイランド２２と第１ランド３２０を接合するはんだ４０と基板３０との間に、貫通溝３３に沿って流路４１が形成される。これにより、はんだ４０のリフロー時に、フラックス由来などのガスが生じても、流路４１を通じてはんだ４０外に逃がすことができる。すなわち、アイランド２２と第１ランド３２０とを接合するはんだ４０に、ボイドが生じるのを抑制することができる。
【００４５】
流路４１を有する構成とすると、流路４１の狭い空間にフラックスの洗浄液が入りにくいため、流路４１内にフラックス残渣４２を有することとなる。
【００４６】
フラックス残渣は、水分などの存在下で、イオンマイグレーションを引き起こす原因となる。イオンマイグレーションによりデンドライトが析出し、これが成長すると絶縁不良が生じる。したがって、樹脂成形体の形成時に、軟化した樹脂によってフラックス残渣が流路の外、すなわち、はんだ外に押し出されると、たとえば第２ランド間が短絡する虞がある。
【００４７】
図３に示す参考例の場合、基板３０ｒの対向領域３５ｒに、ダミーパターン３２２ｒのみが設けられている。ダミーパターン３２２ｒ、第１ランド３２０ｒ、及び第２ランド３２１ｒを含む一面３０ａｒの導体パターン３２ｒの厚みを、たとえば３５μｍとする。また、モールドパッケージ２０ｒを構成するモールド樹脂２４ｒの下面２４ｂｒと一面３０ａｒとの対向距離を、たとえば９０μｍとする。すると、ダミーパターン３２２ｒの上面と下面２４ｂｒとの対向距離Ｌ１は５５μｍとなる。隙間が３０μｍ程度あると、軟化した樹脂が入り込んでしまう。したがって、ダミーパターン３２２ｒのみを含む単層のダム部を設けたとしても、軟化した樹脂は、白抜き矢印で示すように、ダム部を乗り越えてアイランド２２ｒ側に流れ込んでしまう。なお、ダミーパターン３２２ｒがない場合、軟化した樹脂がアイランド２２ｒ側にさらに流れ込みやすくなる。
【００４８】
これに対し、本実施形態では、図４に示すように、基板３０の対向領域３５にダム部３４が設けられている。ダム部３４は、第１層であるダミーパターン３２２、及び、第２層であるソルダレジスト３６を備えた多層構造をなしている。導体パターン３２の厚みをたとえば３５μｍ、モールド樹脂２４の下面２４ｂと一面３０ａとの対向距離をたとえば９０μｍ、ソルダレジスト３６の厚みをたとえば４０μｍとすると、ダム部３４の高さは７５μｍとなる。したがって、ダム部３４の上面（ソルダレジスト３６の上面）と下面２４ｂとの対向距離Ｌ２は１５μｍとなる。
【００４９】
このように、ダム部３４のほうが、第１ランド３２０よりも、一面３０ａを基準として高い位置まで突出している。また、ダム部３４は、Ｚ方向からの投影視においてアイランド２２と第２ランド３２１との間に位置しつつアイランド２２を取り囲むように設けられている。樹脂成形体５０の成形時に、軟化した樹脂がアイランド２２側、すなわちアイランド２２と第１ランド３２０との間に介在するはんだ４０側に流れ込むのを、ダム部３４によって堰き止めることができる。これにより、流路４１内に樹脂が流れ込み、フラックス残渣４２が流路４１から押し出されるのを抑制することができる。すなわち、第２ランド３２１間の短絡など、フラックス起因の不良が生じるのを抑制することができる。
【００５０】
以上により、本実施形態の電子装置１０によれば、ボイドの発生を抑制しつつ、フラックス起因の不良発生を抑制することができる。また、製造工程を増やすことなく、多層構造のダム部３４を設けることができる。なお、樹脂成形体５０の形成時は高温である。したがって、成形時の高温により、フラックス残渣４２が流路４１から流れ出しても、ダム部３４によって堰き止めることもできる。これによっても、フラックス起因の不良発生を抑制することができる。
【００５１】
特に本実施形態では、ダム部３４を構成するダミーパターン３２２及びソルダレジスト３６のそれぞれが、アイランド２２を連続的に取り囲んでいる。すなわち、ダム部３４を構成するすべての層が、アイランド２２を取り囲むように環状に設けられている。これにより、ダム部３４は、その延設方向において全周で２層構造となっている。アイランド２２周りの全周で、基板３０とモールド樹脂２４の下面２４ｂとの対向距離がＬ２となっている。したがって、軟化した樹脂がアイランド２２側に流れ込むのを、より効果的に抑制することができる。
【００５２】
（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。
【００５３】
本実施形態において、第１層であるダミーパターン３２２は、図５に示すように、延設方向、換言すればアイランド２２周りにおいて複数に分離されている。具体的には、矩形環状のダム部３４において、４つの角部に平面Ｌ字状のダミーパターン３２２がそれぞれ設けられている。また、ダム部３４のうち、Ｘ方向に沿う部分においては、平面Ｌ字状のダミーパターン３２２の間に、Ｘ方向に延設されたダミーパターン３２２が設けられている。また、Ｙ方向に沿う部分においては、平面Ｌ字状のダミーパターン３２２の間に、Ｙ方向に延設されたダミーパターン３２２が設けられている。
【００５４】
延設方向において、隣り合うダミーパターン３２２の間の領域、すなわちダミーパターン３２２を分離する分離領域３７には、導体パターン３２が配置されていない。分離領域３７における内周端３７ａの位置と、分離領域３７における外周端３７ｂの位置とが、延設方向において同じ位置となっている。分離領域３７は、延設方向に直交するように設けられている。
【００５５】
また、ダミーパターン３２２は、分割部である貫通溝３３の延長上に配置されている。図５では、貫通溝３３に沿う延長線を一点鎖線で図示している。換言すれば、延設方向において、分離領域３７は、上記した貫通溝３３の延長上からずれた位置に設けられている。
【００５６】
第２層であるソルダレジスト３６は、アイランド２２を連続的に取り囲んでいる。すなわち、延設方向において、分離領域３７にもソルダレジスト３６が設けられている。分離領域３７において、ソルダレジスト３６は、絶縁基材３１の表面に設けられている。このように、ダミーパターン３２２は複数に分離されているものの、ダム部３４としてはアイランド２２を連続的に取り囲んでいる。
【００５７】
次に、上記した電子装置１０の効果について説明する。
【００５８】
本実施形態では、ダム部３４を構成するダミーパターン３２２が、延設方向において複数に分離されている。このように、ダミーパターン３２２（導体パターン３２）がループ状に設けられていないため、アンテナ効果として機能するのを抑制することができる。すなわち、ノイズを低減することができる。
【００５９】
特に本実施形態では、ダム部３４を構成するソルダレジスト３６がアイランド２２を連続的に取り囲んでおり、分離領域３７上にもソルダレジスト３６が設けられている。したがって、上記したようにノイズを低減しつつ、樹脂成形体５０の形成時において、軟化した樹脂の流れ込みを抑制することができる。
【００６０】
本実施形態では、ダム部３４の高さが一定ではなく、分離領域３７で低くなっている。しかしながら、ダミーパターン３２２が、貫通溝３３の延長上に設けられている。換言すれば、アイランド２２周りにおいて、分離領域３７が、第１ランド３２０の側面に開口する流路４１（貫通溝３３）の端部に対してずれて設けられている。したがって、仮にダム部３４における分離領域３７の部分を軟化した樹脂が乗り越えたとしても、ダミーパターン３２２が貫通溝３３の延長上に設けられない構成、すなわち分離領域３７が貫通溝３３の延長上に設けられる構成に較べて、ダム部３４の外から流路４１までの樹脂の流れ込みの経路を長くすることができる。これにより、流路４１に樹脂が流れ込み難いため、樹脂によってフラックス残渣４２が押し出されるのを抑制することができる。
【００６１】
なお、ダム部３４を構成するすべての層が、延設方向において互いに同じ位置で分離された構成を採用することもできる。図６に示す変形例では、ダム部３４がダミーパターン３２２及びソルダレジスト３６を備えた２層構造となっており、ダミーパターン３２２及びソルダレジスト３６が同じ位置で分離されている。すなわち、ダミーパターン３２２だけでなく、ダム部３４が延設方向において複数に分離されている。図６のダミーパターン３２２は図５同様のパターンとなっており、ソルダレジスト３６がダミーパターン３２２に対応して複数に分離されている。
【００６２】
変形例においても、ダミーパターン３２２が、貫通溝３３の延長上に設けられている。したがって、図５同様の効果を奏することができる。
【００６３】
（第３実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。
【００６４】
本実施形態のダミーパターン３２２も、図７に示すように、延設方向において複数に分離されている。分離パターンは、第２実施形態と基本的に同じである。本実施形態では、分離領域３７における内周端３７ａの位置と、分離領域３７における外周端３７ｂの位置とが、延設方向において異なっている。内周端３７ａ及び外周端３７ｂが延設方向において互いにずれている。
【００６５】
具体的には、分離領域３７が、延設方向に対して斜めに設けられている。図７に示す例では、平面矩形環状をなすダム部３４において、矩形の４つの辺のそれぞれに、分離領域３７が２つずつ設けられている。各分離領域３７において、内周端３７ａのほうが外周端３７ｂよりも対応する辺の中心に対して遠い位置となっている。各辺において、２つの分離領域３７は、外周端３７ｂ間の距離よりも内周端３７ａ間の距離のほうが長い平面ハの字状をなしている。
【００６６】
次に、上記した電子装置１０の効果について説明する。
【００６７】
本実施形態では、内周端３７ａの位置と外周端３７ｂの位置とが、延設方向において異なっている。このような構成とすると、分離領域３７が延設方向に直交するように設けられ、内周端３７ａの位置と外周端３７ｂの位置とが、延設方向において同じとされた構成に較べて、内周端３７ａと外周端３７ｂとの間の距離、すなわち分離領域３７の長さを長くすることができる。これにより、軟化した樹脂が、ダム部３４における分離領域３７の部分を乗り越え難いため、樹脂によってフラックス残渣４２が押し出されるのを抑制することができる。
【００６８】
特に本実施形態では、分離領域３７が、延設方向に対して斜めに設けられている。したがって、ダミーパターン３２２の幅を太くすることなく、分離領域３７の長さを長くすることができる。
【００６９】
また、本実施形態では、各分離領域３７において、内周端３７ａのほうが外周端３７ｂよりも対応する辺の中心に対して遠い位置となっている。このように、外周端３７ｂから内周端３７ａに向かって、流路４１（貫通溝３３）の開口端から遠ざかるように延設されている。したがって、ダム部３４の外から流路４１までの樹脂の流れ込みの経路をさらに長くすることができる。
【００７０】
なお、斜め方向に延設される分離領域３７としては、上記例に限定されない。内周端３７ａの間隔が狭いハの字状としてもよい。また、同じ辺に設けられた複数の分離領域３７を互いに略平行としてもよい。
【００７１】
図７においても、ダミーパターン３２２が、貫通溝３３の延長上に設けられる例を示したが、これに限定されない。貫通溝３３の延長上に分離領域３７の一部が位置するように、分離領域３７を設けてもよい。たとえば、内周端３７ａが貫通溝３３の延長上に位置するように分離領域３７を設けてもよい。
【００７２】
また、内周端３７ａ及び外周端３７ｂの位置が異なる構成としては、上記した斜めの分離領域３７に限定されない。たとえばダミーパターン３２２の一部の幅を狭くし、隣り合うダミーパターン３２２において、狭幅部分同士が延設方向に直交する方向において並ぶようにしてもよい。
【００７３】
（第４実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。
【００７４】
図８に示すように、本実施形態では、ダム部３４が、第１ランド３２０の一部分を第１層として含んでいる。第１ランド３２０は、アイランド２２の放熱面２２ｂに対向する対向部３２０ｂ、及び、対向部３２０ｂから外側に延設された延設部３２０ｃを有している。図８では、対向部３２０ｂと延設部３２０ｃとの境界を二点鎖線で示している。
【００７５】
対向部３２０ｂは、先行実施形態同様の構成となっている。延設部３２０ｃは、平面Ｌ字状をなしており、対向部３２０ｂの平面矩形状の四隅のひとつを含む２辺に連なるように設けられている。そして、延設部３２０ｃの一部が、ダム部３４の第１層をなしている。延設部３２０ｃは、矩形環状のダム部３４において、４つの角部にそれぞれ配置されている。ダム部３４のうち、Ｘ方向に沿う部分においては、２つの延設部３２０ｃの間に、Ｘ方向に延設されたダミーパターン３２２が設けられている。また、Ｙ方向に沿う部分においては、２つの延設部３２０ｃの間に、Ｙ方向に延設されたダミーパターン３２２が設けられている。
【００７６】
ダム部３４は、第２層としてソルダレジスト３６を有している。ソルダレジスト３６は、たとえば第１実施形態同様、矩形環状に設けられている。ソルダレジスト３６は、延設部３２０ｃのそれぞれの一部及びダミーパターン３２２を覆っている。このように、ダム部３４は、第１層として第１ランド３２０の延設部３２０ｃ及びダミーパターン３２２を有している。
【００７７】
次に、上記した電子装置１０の効果について説明する。
【００７８】
本実施形態では、第１ランド３２０がダム部３４の第１層をなしている。ダム部３４の第１層をなすために、第１ランド３２０は、アイランド２２と接合される対向部３２０ｂ以外にも延設部３２０ｃを有している。延設部３２０ｃを有する分、第１ランド３２０のＺ方向に直交する面積が大きい。これにより、アイランド２２から熱が拡散しやすいため、電子部品２１の熱をより効果的に放熱させることができる。
【００７９】
なお、第１層として第１ランド３２０の延設部３２０ｃ及びダミーパターン３２２を有する例を示したが、これに限定されない。第１層として延設部３２０ｃのみを有してもよい。
【００８０】
また、延設部３２０ｃの一部が第１層として機能する例を示したが、これに限定されない。延設部３２０ｃの少なくとも一部が、ダム部３４の第１層をなせばよい。たとえば延設部３２０ｃの全体が第１層をなしてもよい。
【００８１】
（第５実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。
【００８２】
図９に示すように、本実施形態では、ダム部３４が、モールド樹脂２４の下面２４ｂに接触している。図９に示す例では、ダム部３４が、３層構造をなしている。具体的には、ダム部３４が、第１層であるダミーパターン３２２、第２層であるソルダレジスト３６、及び第３層であるシルクパターン３８を有している。シルクパターン３８は、シルク印刷（スクリーン印刷）により形成されている。シルクパターン３８の厚みは１０〜２０μｍ程度である。
【００８３】
これによれば、樹脂成形体５０の形成時において、軟化した樹脂がダム部３４をさらに乗り越え難くなるので、フラックス起因の不良発生を効果的に抑制することができる。また、成形時の高温により、フラックス残渣４２が流路４１から流れ出しても、ダム部３４によって効果的に堰き止めることもできる。本実施形態でも、製造工程を増やすことなく、多層構造のダム部３４を設けることができる。
【００８４】
ダム部３４による下面２４ｂへの接触構造は、上記例に限定されない。ダム部３４は３層に限定されない。
【００８５】
この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。
【００８６】
ダム部３４の構成は上記例に限定されない。ダム部３４は、導体パターン３２による第１層と、第１層上に積層された第２層を少なくとも備えて多層構造をなせばよい。第２層は、ソルダレジスト３６に限定されない。たとえば、はんだを第２層とすることもできる。はんだの厚みは、たとえば５０μｍ程度である。
【００８７】
第１ランド３２０の対向面３２０ａが４つに分割される例を示したが、これに限定されない。格子状の貫通溝３３によって、対向面３２０ａが４つよりも多い個数に分割されてもよい。また、ストライプ状（短冊状）の貫通溝３３によって、対向面３２０ａが複数の区画に分割されてもよい。
【００８８】
分離部として貫通溝３３の例を示したが、これに限定されない。分離部は、対向面３２０ａよりも、はんだ４０に対する濡れ性の低い部分を提供すればよい。たとえば図１０の第２変形例に示すように、第１ランド３２０の対向面３２０ａ上に、分離部としてソルダレジスト３９を設けてもよい。ソルダレジスト３９は、はんだ４０に対する濡れ性が低いため、ソルダレジスト３９を底面として流路４１が形成される。すなわち、ソルダレジスト３９に隣接しつつ、ソルダレジスト３９に沿って流路４１が形成される。また、ソルダレジスト３９以外にも、たとえば濡れ性の低い金属材料のめっき膜（たとえばＮｉめっき）を分離部としてもよい。
【００８９】
モールドパッケージ２０はＱＦＰに限定されない。アイランド２２の放熱面２２ｂがモールド樹脂２４の下面２４ｂから露出され、且つ、リード２３の一部がモールド樹脂２４から露出されるものであればよい。モールドパッケージ２０として、リード２３が下面２４ｂにおける外周縁部から露出するＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）を採用することもできる。
【００９０】
電子装置１０は、ハーフモールド構造に限定されない。一面３０ａだけでなく裏面３０ｂ側も樹脂成形体５０によって被覆された構成、すなわちフルモールド構造の電子装置１０にも適用することができる。
【符号の説明】
【００９１】
１０…電子装置、２０…モールドパッケージ、２１…電子部品、２２…アイランド、２２ａ…搭載面、２２ｂ…放熱面、２３…リード、２４…モールド樹脂、２４ａ…側面、２４ｂ…下面、２４ｃ…外周端、２５…ダイボンド材、２６…ボンディングワイヤ、３０…基板、３０ａ…一面、３０ｂ…裏面、３１…絶縁基材、３２…導体パターン、３２０…第１ランド、３２０ａ…対向面、３２０ｂ…対向部、３２０ｃ…延設部、３２１…第２ランド、３２２…ダミーパターン、３３…貫通溝、３３ａ…Ｘ方向延設部、３３ｂ…Ｙ方向延設部、３４…ダム部、３５…対向領域、３６，３９…ソルダレジスト、３７…分離領域、３７ａ…内周端、３７ｂ…外周端、３８…シルクパターン、４０…はんだ、４１…流路、４２…フラックス残渣、４３…空間、５０…樹脂成形体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018006655.tif 000009
【図８】
2018006655.tif 000010
【図９】
2018006655.tif 000011
【図１０】
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