(57)【要約】【課題】半導体チップの縮小化を図って半導体装置の小型化を図る。【解決手段】ＱＦＰにおける半導体チップのボンディングパッド４ｃは、その露出部４ｃａにおいて、角部４ｎと第１点４ｑとを結ぶ第１線分４ｕと、角部４ｎと第２点４ｒとを結ぶ第２線分４ｖと、第１点４ｑと第２点４ｒとを結び、かつ角部４ｎに向かって凸状を成す円弧４ｗとからなるビア配置領域４ｘを備えている。さらに、ボンディングパッド４ｃの平面視において、ビア４ｈの少なくとも一部がビア配置領域４ｘに重なって配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドを有する半導体チップと、
前記電極パッドに電気的に接続されたワイヤ接続部を含む導電性ワイヤと、
を有し、
前記半導体チップは、
前記電極パッドの下層に形成された下層配線と、
前記下層配線を覆う第１絶縁膜と、
前記下層配線上に配置されるとともに前記第１絶縁膜に形成された第１開口部に埋め込まれ、かつ前記下層配線と電気的に接続された導体接続部と、
前記電極パッドの一部を覆い、かつ前記電極パッドの露出部を規定する第２開口部が形成された第２絶縁膜と、
を備え、
前記電極パッドと前記導体接続部とは一体に形成され、
前記第２開口部は、隣り合う２つの辺のうちの一方の辺に沿った第１仮想線と他方の辺に沿った第２仮想線とが交差する交点と、前記交点から前記ワイヤ接続部の平面視における半径の距離に位置する前記第１仮想線上の第１点と、前記交点から前記半径の距離に位置する前記第２仮想線上の第２点と、を備え、さらに前記交点と前記第１点とを結ぶ第１線分と、前記交点と前記第２点とを結ぶ第２線分と、前記第１点と前記第２点を結びかつ前記交点に向けて凸状を成す円弧と、からなる第１領域を備えており、
前記ワイヤ接続部は、前記電極パッドの前記第２開口部における前記第１領域とは異なる第２領域に接続され、
前記導体接続部上の前記電極パッドの表面に形成された凹部の少なくとも一部は、平面視で前記第１領域と重なっている、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記導体接続部は、平面視で、前記第１領域と、前記第１領域の外側の前記第２絶縁膜が形成された絶縁膜領域と、に跨がって配置されている、半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記導体接続部は、平面視で、前記第１領域に配置されている、半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記導電性ワイヤは、銅を主成分とする材料からなる、半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記電極パッドは、銅を主成分とする材料からなる、半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記電極パッドは、アルミニウムを主成分とする材料からなる、半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記電極パッドと前記ワイヤ接続部との間に、パラジウム層、金層またはニッケル層のうちの少なくとも１つの合金層が配置されている、半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記凹部の深さは、０．５μｍ以上である、半導体装置。
【請求項９】
電極パッドを有する半導体チップと、
前記電極パッドに電気的に接続されたワイヤ接続部を含む導電性ワイヤと、
を有し、
前記半導体チップは、
前記電極パッドの下層に形成された下層配線と、
前記下層配線を覆う第１絶縁膜と、
前記下層配線上に配置されるとともに前記第１絶縁膜に形成された第１開口部に埋め込まれ、かつ前記下層配線と電気的に接続された導体接続部と、
前記電極パッドの一部を覆い、かつ前記電極パッドの露出部を規定する第２開口部が形成された第２絶縁膜と、
を備え、
前記電極パッドと前記導体接続部とは一体に形成され、
前記第２開口部は、角部を形成する第１辺および第２辺と、前記角部から前記ワイヤ接続部の平面視における半径の距離に位置する前記第１辺上の第１点と、前記角部から前記半径の距離に位置する前記第２辺上の第２点と、を備え、さらに前記角部と前記第１点とを結ぶ第１線分と、前記角部と前記第２点とを結ぶ第２線分と、前記第１点と前記第２点を結びかつ前記角部に向けて凸状を成す円弧と、からなる第１領域を備えており、
前記ワイヤ接続部は、前記電極パッドの前記第２開口部における前記第１領域とは異なる第２領域に接続され、
前記導体接続部上の前記電極パッドの表面に形成された凹部の少なくとも一部が、平面視で前記第１領域と重なっている、半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記導体接続部は、平面視で、前記第１領域と、前記第１領域の外側の前記第２絶縁膜が形成された絶縁膜領域と、に跨がって配置されている、半導体装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記導体接続部は、平面視で、前記第１領域に配置されている、半導体装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記電極パッドは、銅を主成分とする材料からなる、半導体装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記電極パッドは、アルミニウムを主成分とする材料からなる、半導体装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の半導体装置において、
１つまたは複数の前記角部のそれぞれに複数の前記導体接続部が配置されている、半導体装置。
【請求項１５】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記凹部の深さは、０．５μｍ以上である、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、導電性ワイヤが接続される電極パッドを有した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、その小型化および低コスト化が進むにつれ、半導体チップの電極パッドの近傍の構造も小型化が望まれている。一方で、半導体装置の多機能化から電極パッドの数は増加する傾向にある。
【０００３】
近年、半導体チップ内の下層配線と電極パッドとがビアを介して電気的に接続されている構造が多く使われている。
【０００４】
なお、半導体チップの電極パッドと下層配線とがビアを介して電気的に接続される構造が、例えば特開２００２−１６０６９号公報（特許文献１）および特開平１１−１２６７９０号公報（特許文献２）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１６０６９号公報
【特許文献２】特開平１１−１２６７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記半導体装置のように、電極パッドと下層配線とをビアを介して電気的に接続する構造においては、ビア部分での抵抗を低減するために、ビア径を大きくする必要がある。また、スパッタの被覆性の影響によりビア上の電極パッドの表面には、凹部（段差、窪み）が形成される。この凹部が形成された電極パッドの領域にワイヤボンドを行うと、ワイヤボンドの接続強度が確保できないため、その対策として、ビアを、電極パッドを規定する絶縁膜の開口部の外側の位置に引き出し配線を用いて引き出して配置することが考えられる。
【０００７】
しかしながらこの構造では、電極パッドの近傍の面積が増加し、半導体チップの小型化を図ることができず、その結果、半導体装置の小型化を図ることができない。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態による半導体装置は、電極パッドを有する半導体チップと、上記電極パッドに電気的に接続されたワイヤ接続部を含む導電性ワイヤと、を有する。そして、上記半導体チップは、上記電極パッドの下層に形成された下層配線と、上記下層配線を覆う第１絶縁膜と、上記下層配線上に配置されるとともに上記第１絶縁膜に形成された第１開口部に埋め込まれ、かつ上記下層配線と電気的に接続された導体接続部と、上記電極パッドの一部を覆い、かつ上記電極パッドの露出部を規定する第２開口部が形成された第２絶縁膜と、を備えている。また、上記電極パッドと上記導体接続部とは一体に形成されている。また、上記第２開口部は、隣り合う２つの辺のうちの一方の辺に沿った第１仮想線と他方の辺に沿った第２仮想線とが交差する交点と、上記交点から上記ワイヤ接続部の平面視における半径の距離に位置する上記第１仮想線上の第１点と、上記交点から上記半径の距離に位置する上記第２仮想線上の第２点と、を備えている。さらに、上記第２開口部は、上記交点と上記第１点とを結ぶ第１線分と、上記交点と上記第２点とを結ぶ第２線分と、上記第１点と上記第２点を結びかつ上記交点に向けて凸状を成す円弧と、からなる第１領域を備えている。また、上記ワイヤ接続部は、上記電極パッドの上記第２開口部における上記第１領域とは異なる第２領域に接続され、上記導体接続部上の上記電極パッドの表面に形成された凹部の少なくとも一部は、平面視で上記第１領域と重なっている。
【００１０】
また、一実施の形態による他の半導体装置は、電極パッドを有する半導体チップと、上記電極パッドに電気的に接続されたワイヤ接続部を含む導電性ワイヤと、を有する。そして、上記半導体チップは、上記電極パッドの下層に形成された下層配線と、上記下層配線を覆う第１絶縁膜と、上記下層配線上に配置されるとともに上記第１絶縁膜に形成された第１開口部に埋め込まれ、かつ上記下層配線と電気的に接続された導体接続部と、上記電極パッドの一部を覆い、かつ上記電極パッドの露出部を規定する第２開口部が形成された第２絶縁膜と、を備えている。また、上記電極パッドと上記導体接続部とは一体に形成されている。また、上記第２開口部は、角部を形成する第１辺および第２辺と、上記角部から上記ワイヤ接続部の平面視における半径の距離に位置する上記第１辺上の第１点と、上記角部から上記半径の距離に位置する上記第２辺上の第２点と、を備えている。さらに、上記角部と上記第１点とを結ぶ第１線分と、上記角部と上記第２点とを結ぶ第２線分と、上記第１点と上記第２点を結びかつ上記角部に向けて凸状を成す円弧と、からなる第１領域を備えている。さらに、上記ワイヤ接続部は、上記電極パッドの上記第２開口部における上記第１領域とは異なる第２領域に接続され、上記導体接続部上の上記電極パッドの表面に形成された凹部の少なくとも一部が、平面視で上記第１領域と重なっている。
【発明の効果】
【００１１】
上記一実施の形態によれば、半導体チップの縮小化を図って半導体装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図３】図１の半導体装置の要部の基本構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図４】図３に示すパッドの基本構造の一例を示す平面図である。
【図５】実施の形態１におけるパッド構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図６】図５に示すパッド構造の一例を示す平面図である。
【図７】図５に示すパッド構造の一例を示す平面図である。
【図８】実施の形態１のパッドの開口部の構造の一例を示す平面図である。
【図９】図８に示すパッド構造の一例を示す斜視図である。
【図１０】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１１】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１２】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１３】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１４】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１５】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１６】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１７】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１８】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図１９】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図２０】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図２１】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図２２】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図２３】図５の電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【図２４】実施の形態２におけるパッド構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図２５】図２４に示すパッド構造の一例を示す平面図である。
【図２６】実施の形態３のパッド構造の各数値の一例を示すデータ図である。
【図２７】変形例のパッド構造を示す拡大部分平面図である。
【図２８】比較例のパッド構造を示す拡大部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１４】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１５】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１６】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１７】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａから成る」、「Ａより成る」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００１９】
（実施の形態１）
＜半導体装置の構造＞
図１は実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【００２０】
図１に示す本実施の形態１の半導体装置は、半導体チップの電極パッドにワイヤボンディングが行われて組み立てられた半導体パッケージであり、本実施の形態１では、前記半導体装置の一例としてＱＦＰ（Quad Flat Package)１を取り上げて説明する。
【００２１】
図１および図２に示すＱＦＰ１の構成について説明すると、半導体集積回路が形成された半導体チップ４と、半導体チップ４の周囲に放射状に配置された複数のインナリード２ａと、インナリード２ａと一体に形成された複数のアウタリード２ｂと、を有している。また、半導体チップ４の主面４ａに露出する電極パッドであるボンディングパッド４ｃと、このボンディングパッド４ｃに対応するインナリード２ａとを電気的に接続する複数のワイヤ（導電性ワイヤ）５とを有している。
【００２２】
さらに、ＱＦＰ１は、銀ペースト等のダイボンディング材７を介して半導体チップ４が固定されたチップ搭載部であるタブ（ダイパッド）２ｃと、樹脂モールディングによって封止用樹脂等から形成され、かつ半導体チップ４とタブ２ｃと複数のワイヤ５と複数のインナリード２ａを封止する封止体３とを有している。ＱＦＰ１であるため、複数のインナリード２ａそれぞれと一体に形成された複数のアウタリード２ｂは、封止体３の４辺それぞれから外部に向かって突出しており、各アウタリード２ｂは、ガルウィング状に曲げ成形されている。
【００２３】
ここで、インナリード２ａ、アウタリード２ｂおよびタブ２ｃは、例えば、鉄−ニッケル合金、あるいは銅合金等の薄板状の部材によって形成され、さらに、封止体３は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の樹脂材から成り、樹脂モールディングによって形成されたものである。
【００２４】
また、半導体チップ４は、例えば、シリコン等によって形成され、その主面４ａには半導体集積回路が形成されているとともに、タブ２ｃ上にダイボンディング材７によって固着されている。すなわち、半導体チップ４の裏面４ｂとタブ２ｃの上面とがダイボンディング材７を介して接合されている。
【００２５】
＜電極パッドの構造＞
図３は図１の半導体装置の要部の基本構造の一例を示す拡大部分断面図、図４は図３に示すパッドの基本構造の一例を示す平面図である。
【００２６】
図３および図４を用いて、本実施の形態１のＱＦＰ１における電極パッドの基本構造について説明する。図３に示すように、半導体チップ４は、その主面４ａに露出する複数の電極パッドであるボンディングパッド４ｃを有しており、各ボンディングパッド４ｃには、ワイヤ５がワイヤボンディングによる熱圧着で接続されている。すなわち、ボンディングパッド４ｃには、ワイヤ５の先端がボール状に形成されたワイヤボール（ワイヤ接続部）５ａが電気的に接続されている。
【００２７】
また、半導体チップ４において、ボンディングパッド４ｃの下層には、下層配線４ｅが形成されており、さらに、下層配線４ｅは、ボンディングパッド４ｃの下層に配置された絶縁膜（第１絶縁膜）４ｆによって覆われている。
【００２８】
また、下層配線４ｅ上には、絶縁膜４ｆに形成された開口部（第１開口部）４ｇに埋め込まれ、かつ下層配線４ｅと電気的に接続されたビア（導体接続部）４ｈが形成されている。なお、ボンディングパッド４ｃとビア４ｈとは一体に形成されている。すなわち、ボンディングパッド４ｃとビア４ｈとは、同一の材料によって一体に形成されている。
【００２９】
また、ボンディングパッド４ｃは、その一部が絶縁膜（第２絶縁膜）４ｉによって覆われている。そして、この絶縁膜４ｉには、ボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａを規定する開口部（第２開口部）４ｊが形成されている。すなわち、ボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａは、ボンディングパッド４ｃの一部を覆う絶縁膜４ｉに形成された開口部４ｊの平面視の形状で規定される。本実施の形態１の場合、図４に示すように、絶縁膜４ｉの開口部４ｊは、平面視で略四角形となっており、この開口部４ｊの形状がそのままボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａの形状に相当する。したがって、ボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａと絶縁膜４ｉの開口部４ｊの平面視の形状は、同一であり、本実施の形態１ではこの形状が略四角形である。
【００３０】
また、図３に示すように、ビア４ｈ上のボンディングパッド４ｃの表面には、凹部４ｄ（段差、窪み）が形成されている。この凹部４ｄは、スパッタ等でボンディングパッド４ｃとビア４ｈとに一体で導体を形成した際に、ビア用の開口部４ｇに導体が埋め込まれた時にその上部のボンディングパッド４ｃの表面が凹む現象（スパッタの被覆性の影響）により形成されたものである。
【００３１】
次に、図４に示す本実施の形態１のボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａにおけるワイヤボール配置領域（第２領域）４ｙと、その外側に位置するビア配置領域（第１領域、図４に示すハッチング領域）４ｘについて説明する。
【００３２】
図３および図４に示すように、ボンディングパッド４ｃには、絶縁膜４ｉの略四角形の開口部４ｊによる露出部４ｃａが形成されている。そして、略四角形の露出部４ｃａは、ワイヤボール５ａを配置可能なワイヤボール配置領域４ｙと、その外側のビア配置領域４ｘとに分けられる。ビア配置領域４ｘは、略四角形の露出部４ｃａの四隅に位置している。
【００３３】
ここで、ビア配置領域４ｘの規定方法について説明すると、開口部４ｊは、まず、隣り合う２つの辺である第１辺４ｋおよび第２辺４ｍのうちの一方の辺である第１辺４ｋに沿った第１仮想線４ｓと、他方の辺である第２辺４ｍに沿った第２仮想線４ｔとが交差する交点４ｐを有している。さらに、この交点４ｐからワイヤボール５ａの平面視における半径ｒの距離に位置する第１仮想線４ｓ上の第１点４ｑと、交点４ｐから半径ｒの距離に位置する第２仮想線４ｔの第２点４ｒと、を備えている。
【００３４】
そして、ビア配置領域４ｘは、交点４ｐと第１点４ｑとを結ぶ第１線分４ｕと、交点４ｐと第２点４ｒとを結ぶ第２線分４ｖと、第１点４ｑと第２点４ｒを結び、かつ交点４ｐに向けて凸状を成す円弧４ｗと、からなる。すなわち、略四角形の露出部４ｃａの四隅に形成されるビア配置領域４ｘは、距離ｒの第１線分４ｕと、同じく距離ｒの第２線分４ｖと、円弧４ｗとによって形成される領域である。
【００３５】
一方、ワイヤボール配置領域４ｙは、ボンディングパッド４ｃの略四角形の露出部４ｃａにおける４つ（四隅）のビア配置領域４ｘ以外の領域であり、４つのビア配置領域４ｘそれぞれの内側に位置する領域である。そして、ビア配置領域４ｘとは異なるワイヤボール配置領域４ｙにワイヤ５を接続する。すなわち、ワイヤボール５ａをワイヤボール配置領域４ｙに接続する。この時、ワイヤボール５ａがビア配置領域４ｘに侵入することはない。
【００３６】
そして、本実施の形態１の半導体装置では、ビア４ｈ上に形成され、かつボンディングパッド４ｃの表面に形成された凹部４ｄの少なくとも一部がビア配置領域４ｘに形成されている。すなわち、平面視において、略四角形を成す凹部４ｄの少なくとも一部がビア配置領域４ｘに重なっている。
【００３７】
図４に示すパッド構造では、平面視で、略四角形を成す凹部４ｄとビア４ｈのそれぞれの一部が、ビア配置領域４ｘと、露出部４ｃａ（ビア配置領域４ｘ）の外側の図３に示す絶縁膜４ｉが形成された絶縁膜領域４ｚとに跨がって形成されている。すなわち、凹部４ｄとビア４ｈのそれぞれの一部が、ビア配置領域４ｘとその外側の絶縁膜領域４ｚの両方の領域に重なっている。
【００３８】
次に、図４に示すパッド構造において、ボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａが平面視で四角形であり、露出部４ｃａに４つの角部４ｎが存在する場合について、ビア配置領域４ｘの規定方法について説明する。
【００３９】
この場合、開口部４ｊは、角部４ｎを形成する第１辺４ｋおよび第２辺４ｍと、角部４ｎからワイヤボール５ａの平面視における半径ｒの距離に位置する第１辺４ｋ上の第１点４ｑと、角部４ｎから上記半径ｒの距離に位置する第２辺４ｍ上の第２点４ｒと、を備えている。
【００４０】
さらに、開口部４ｊは、角部４ｎと第１点４ｑとを結ぶ第１線分４ｕと、角部４ｎと第２点４ｒとを結ぶ第２線分４ｖと、第１点４ｑと第２点４ｒを結びかつ角部４ｎに向けて凸状を成す円弧４ｗと、からなるビア配置領域４ｘを備えている。すなわち、開口部４ｊは、角部４ｎから長さｒの第１線分４ｕと、角部４ｎから長さｒの第２線分４ｖと、円弧４ｗとから成る４つのビア配置領域４ｘを備えている。
【００４１】
言い換えると、ビア配置領域４ｘは、開口部４ｊの角部４ｎからワイヤボール５ａの半径ｒの長さ分まで伸びた２つの辺（第１辺４ｋと第２辺４ｍ）と、開口部４ｊの角部４ｎに向けて凸状のワイヤボール５ａの半径ｒの円弧４ｗとで囲まれた領域である。
【００４２】
そして、平面視で、このビア配置領域４ｘに、ビア４ｈの平面形状の全部または一部を配置し、かつビア配置領域４ｘとは異なるワイヤボール配置領域４ｙにワイヤボール５ａを配置することにより、ワイヤボール５ａがビア４ｈの上部の凹部４ｄに接触することなく、引き出し配線を省略してワイヤボール５ａとビア４ｈとを電気的に接続することができる。
【００４３】
これにより、パッド構造を小型化して半導体チップ４の小型化および半導体装置（ＱＦＰ１）の小型化を図ることができる。
【００４４】
また、ビア４ｈの直上に形成された凹部４ｄにより、ワイヤボンディング時のチップ水平方向の衝撃を、ボンディングパッド４ｃの金属を水平方向に変形させて緩和することができる。
【００４５】
その結果、半導体チップ４を小型化した上で、ボンディングパッド４ｃに対するワイヤ５の接続信頼性を向上させることができる。
【００４６】
次に、図３の基本構造を用いた本実施の形態１のパッド構造の具体例について説明する。図５は実施の形態１におけるパッド構造の一例を示す拡大部分断面図、図６は図５に示すパッド構造の一例を示す平面図、図７は図５に示すパッド構造の一例を示す平面図、図８は実施の形態１のパッドの開口部の構造の一例を示す平面図、図９は図８に示すパッド構造の一例を示す斜視図である。
【００４７】
ここでは、ボンディングパッド４ｃとして、再配線４ｃｂを用いた場合の構造について説明する。
【００４８】
図５に示すパッド構造について説明すると、Ｓｉ基板９上にトランジスタ８が形成され、コンタクト部１３によりトランジスタ８と第１配線１０とが接続される。また、第１ビア１４により第１配線１０と第２配線１１とが接続される。さらに、第２ビア１５により第２配線１１と第３配線１２とが接続される。また、パッドビア（ビア４ｈ）により第３配線１２と再配線４ｃｂとが接続される。
【００４９】
なお、パッドビア（ビア４ｈ）は、耐湿絶縁膜４ｆａと下層絶縁膜４ｆｂを貫通している。パッドビア（ビア４ｈ）は再配線４ｃｂと一体で形成されており、ビア４ｈの上部には凹部４ｄ（段差、窪み）が形成されている。
【００５０】
ここで、再配線４ｃｂは、電解めっき法または無電解めっき法で形成され、例えば銅を主成分とする材料からなり、厚さ５〜６μｍ程度の比較的厚さの厚い配線である。この場合、再配線４ｃｂの一部である露出部４ｃａがボンディングパッド４ｃになっている。また、再配線４ｃｂはその厚さが厚いため、ビア４ｈの大きさも比較的大きく、平面視の形状が四角形の場合、一辺が３０μｍ程度の四角形である。
【００５１】
また、再配線４ｃｂは、最上層の配線であり、下層絶縁膜４ｆｂの上に形成されている。そして、再配線４ｃｂはその一部が、上層絶縁膜である絶縁膜（第２絶縁膜）４ｉによって覆われている。絶縁膜４ｉの開口部４ｊに再配線４ｃｂの露出部４ｃａが露出しており、この露出部４ｃａに、ワイヤ５の先端に形成されるワイヤボール（ワイヤ接続部）５ａが接続されるボンディングパッド４ｃが形成されている。ボンディングパッド４ｃの表面には、再配線４ｃｂの上面の一部が開口されてワイヤ５との密着性を良好にする密着層４ｃｃが形成されている。言い換えると、密着層４ｃｃは、再配線４ｃｂから成るボンディングパッド４ｃとワイヤボール５ａとの間に形成されており、例えば、金層、パラジウム層またはニッケル層等である。
【００５２】
また、再配線４ｃｂと密着層４ｃｃとの間にバリア層４ｃｄが形成されていてもよく、再配線４ｃｂの下部にバリア層４ｃｅが形成されていてもよい。バリア層４ｃｄは、例えば、ニッケル層等であり、バリア層４ｃｅは、例えば、チタン層等である。すなわち、再配線４ｃｂにおける配線層の層数や構造は、特に限定されるものではなく、再配線４ｃｂは、例えば、３種類の金属で形成されていてもよい。あるいは、再配線４ｃｂの表面に直接ワイヤ５を接続してもよい。
【００５３】
なお、ワイヤ５は、例えば銅を主成分とする材料からなる。
【００５４】
次に、再配線４ｃｂを用いた場合の各構成部の大きさ（一例）について説明する。
【００５５】
例えば、半径２０μｍのワイヤ５を用いたワイヤボンディングを行う場合、ワイヤボール（ワイヤ接続部）５ａの平面視の半径ｒは、４０μｍである。
【００５６】
そして、パッドビア（ビア４ｈ）の配置領域（ビア配置領域４ｘ）は、絶縁膜４ｉの開口部４ｊの角部４ｎから、第１辺４ｋにおけるワイヤボール５ａの半径ｒと同じ４０μｍの第１点４ｑまでの第１線分４ｕと、第２辺４ｍにおける角部４ｎから同距離の第２点４ｒまでの第２線分４ｖと、第１点４ｑと第２点４ｒとを結び、かつ角部４ｎに向けた凸状の円弧４ｗとによって囲まれた領域である。
【００５７】
ここで、平面視で四角形を成すパッドビア（ビア４ｈ）の場合のパッドビアのビア配置領域４ｘとの重複長さＹ（図８参照）の計算方法について説明する。
【００５８】
図８および図９に示すように、ワイヤボール５ａの半径ｒに対して円弧４ｗの半径もｒである。この場合、図８に示すように、ビア配置領域４ｘに侵入するビア４ｈの一部を一辺の長さがＹ（重複長さ）の正方形とすると、Ｙ＝ｒ−ｒ／√２＝ｒ×（１−１／√２）＝０．２９ｒとなる。すなわち、ワイヤボール５ａの半径ｒの約０．２９倍のパッドビア（ビア４ｈ）を内側（ビア配置領域４ｘ）に配置する（重複する）ことができる。本実施の形態１では、ワイヤボール５ａの半径ｒを４０μｍとすると、パッドビア（ビア４ｈ）を１１．６μｍ内側に配置することができる。つまり、図６に示すように、パッドビア（ビア４ｈ）をビア配置領域４ｘに対して、ー辺（Ｐ）が１１．６μｍの正方形の大きさ分重複させることができる。
【００５９】
なお、パッドビア（ビア４ｈ）は、平面視で、ビア配置領域（第１領域）４ｘに配置されていることが好ましい。つまり、平面視で四角形のパッドビア（ビア４ｈ）の全てがビア配置領域（第１領域）４ｘに収まっていることが好ましい。
【００６０】
また、本実施の形態１のような再配線４ｃｂの場合、加工精度から再配線４ｃｂの端部と絶縁膜４ｉの開口部４ｊの距離Ｔを２５μｍとする必要がある。つまり、再配線４ｃｂの端部と絶縁膜４ｉの開口部４ｊのエッジとを２５μｍ離す必要がある。ここで、開口部４ｊの一辺の長さＫは、ワイヤボール５ａの直径の約１．５倍である。したがって、ワイヤボール５ａの半径ｒが４０μｍの場合、開口部４ｊの一辺の長さＫは、１２０μｍであり、さらに再配線４ｃｂの端部と絶縁膜４ｉの開口部４ｊの距離Ｔが２５μｍであるため、再配線４ｃｂの平面視の一辺の大きさＳは、１７０μｍとなる。
【００６１】
また、図６に示すパッド構造において、ビア４ｈ（パッドビア）の平面視の大きさ（平面視の四角形の一辺の長さ）を言う場合、ビア４ｈ（パッドビア）の開口部の一方の上端から他方の上端までの長さで表すものとする。例えば、図６に示すビア４ｈの大きさ（ー辺の長さ）Ｂは、３０μｍである。
【００６２】
以上により、図５および図６に示す再配線４ｃｂを用いたパッド構造では、ー辺が３０μｍの四角形のビア４ｈ（パッドビア）を、引き出し配線を付加することなく配置することができる。
【００６３】
なお、ワイヤボール５ａはワイヤボンド時の位置精度の影響により、接続位置にばらつきが生じる。図７に、ワイヤボール５ａの接続位置がビア４ｈに向かう方向にばらついた場合を示す。図７のように、仮にワイヤボール５ａの接続位置がビア４ｈに向かう方向にばらついた場合においても、絶縁膜４ｉの開口部４ｊの側壁がビア方向へのワイヤボール５ａの侵入を抑制するため、ビア配置領域４ｘ上にワイヤボール５ａが乗り上げることはない。すなわち、ワイヤボール５ａが凹部４ｄ上に配置されることを防止できる。
【００６４】
＜電極パッドの製造方法＞
図１０〜図２３は、それぞれ図５の再配線を用いた電極パッドの製造方法の一部を示す部分断面図である。
【００６５】
本実施の形態１の電極パッドの製造方法について説明する。
【００６６】
図１０に示す構造は、第１配線１０、第２配線１１および第３配線１２を形成した後に、耐湿絶縁膜４ｆａを第３配線１２上に形成した状態を示すものである。第３配線１２の直上は酸化膜、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、有機絶縁膜等が適している。最上面は耐湿性の高い窒化ケイ素が適しており、耐湿絶縁膜４ｆａとなっている。
【００６７】
次に、図１１に示す構造は、耐湿絶縁膜４ｆａにパッドビア（ビア４ｈ）用の開口部４ｇを形成した状態を示すものである。ここでは、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法でパターンを形成し、その後、異方性ドライエッチング法で第３配線１２上にパッドビア用の開口部４ｇを形成する。
【００６８】
次に、図１２に示す構造は、耐湿絶縁膜４ｆａ上に下層絶縁膜４ｆｂを塗布した状態を示すものである。すなわち、耐湿絶縁膜４ｆａ上から開口部４ｇに至る箇所に下層絶縁膜４ｆｂを塗布する。これにより、耐湿絶縁膜４ｆａ上に下層絶縁膜４ｆｂが形成されるとともに、開口部４ｇに下層絶縁膜４ｆｂが埋め込まれる。この時、下層絶縁膜４ｆｂには感光性ポリイミドが適している。
【００６９】
次に、図１３に示す構造は、下層絶縁膜４ｆｂをフォトリソグラフィ法でパターン形成した状態を示すものである。ここでは、パッドビア（ビア４ｈ）用の開口部４ｇを形成するために、下層絶縁膜４ｆｂの所望箇所を除去する。その際、下層絶縁膜４ｆｂを現像・露光してパッドビア（ビア４ｈ）用の開口部４ｇを形成する。
【００７０】
次に、図１４に示す構造は、下層絶縁膜４ｆｂ上に再配線４ｃｂのバリア層４ｃｅとめっき用のシード層４ｃｆをウェハ全面に形成した状態を示すものである。シード層４ｃｆは、めっき用の電流を印加するためのメタル層である。なお、バリア層４ｃｅおよびシード層４ｃｆともスパッタ法あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法で形成することが適している。
【００７１】
ここで、再配線４ｃｂのバリア層４ｃｅは、例えば、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、クロムおよびそれらの積層膜が適している。一方、めっき用のシード層４ｃｆは、例えば、銅、パラジウム、金、銀、白金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、チタン、アルミ、マンガン、ニッケルおよびそれらの合金、積層膜が適している。
【００７２】
次に、図１５に示す構造は、シード層４ｃｆ上にフォトレジスト４ｃｇを塗布し、フォトリソグラフィ法で再配線層のパターンを形成した状態を示すものである。ここでは、再配線４ｃｂを形成する箇所のフォトレジスト４ｃｇをフォトリソグラフィ法で選択的に除去し、シード層４ｃｆが露出するように開口する。
【００７３】
次に、図１６に示す構造は、フォトレジスト４ｃｇの開口部に再配線４ｃｂを形成した状態を示すものである。再配線４ｃｂの金属は銅、パラジウム、金、銀、白金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、チタン、アルミ、マンガン、ニッケルおよびそれらの合金、積層膜が適しているが、図５に示すパッド構造では、銅を用いた場合を一例として説明した。なお、再配線４ｃｂの形成には、電界めっき法、もしくは無電解めっき法が適している。
【００７４】
なお、この際、パッドビア（ビア４ｈ）の上部はめっき膜が埋まりきらず凹部（段差、窪み）４ｄが残存する。
【００７５】
次に、図１７に示す構造は、再配線４ｃｂおよび再配線４ｃｂのフォトレジスト４ｃｇ上にフォトレジスト４ｃｈを塗布し、フォトリソグラフィ法でボンディングパッド層（密着層）用の開口をパターン形成した状態を示すものである。このように、再配線４ｃｂのフォトレジスト４ｃｇを残しておくことで、ボンディングパッド層のフォトレジスト４ｃｈが薄い膜厚であってもフォトレジスト４ｃｈを均一に塗布することができ、コストを削減することができる。
【００７６】
次に、図１８に示す構造は、フォトレジスト４ｃｈの開口部にバリア層４ｃｄおよび密着層４ｃｃを形成した状態を示すものである。なお、密着層４ｃｃは、例えば、パラジウム、金、銀、白金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、チタンおよびそれらの合金または積層膜が適している。図５に示すパッド構造では、金を用いた場合を一例として説明した。
【００７７】
一方、バリア層４ｃｄは、例えば、ニッケル、チタン、タンタル、クロムおよびそれらの合金または積層膜が適している。図５に示すパッド構造では、ニッケルを用いた場合を一例として説明した。なお、バリア層４ｃｄは形成しなくてもよい。また、バリア層４ｃｄ、密着層４ｃｃの形成には電界めっき、もしくは無電解めっきが適している。
【００７８】
次に、図１９に示す構造は、再配線４ｃｂおよびボンディングパッド層のフォトレジスト４ｃｇ、４ｃｈを除去した状態を示すものである。フォトレジスト４ｃｇ、４ｃｈの除去には、有機酸、有機溶剤等が適している。このように、再配線４ｃｂのフォトレジスト４ｃｇを残してその上にフォトレジスト４ｃｈを形成してからバリア層４ｃｄ、密着層４ｃｃを形成し、その後、フォトレジスト４ｃｇ、４ｃｈを除去することで、一度にフォトレジスト４ｃｇ、４ｃｈを除去することができ、コストを削減することができる。
【００７９】
次に、図２０に示す構造は、再配線４ｃｂのシード層４ｃｆを除去した状態を示すものである。シード層４ｃｆの除去には、硫酸と過酸化水素水と水の混合液が適しており、上記混合液を用いてウェットエッチングによりシード層４ｃｆを除去する。これにより、シード層４ｃｆが取り除かれ、再配線４ｃｂのバリア層４ｃｅが露出する。
【００８０】
次に、図２１に示す構造は、再配線４ｃｂのバリア層４ｃｅを除去した状態を示すものである。再配線４ｃｂのバリア層４ｃｅの除去には、アンモニアと過酸化水素水と水の混合液が適しており、上記混合液を用いてウェットエッチングによりバリア層４ｃｅを除去する。これにより、バリア層４ｃｅが取り除かれ、下層絶縁膜４ｆｂが露出し、その結果、再配線４ｃｂが形成された状態となる。
【００８１】
次に、図２２に示す構造は、再配線４ｃｂ、下層絶縁膜４ｆｂ、および耐湿絶縁膜４ｆａ上に上層絶縁膜である絶縁膜４ｉを塗布した状態を示すものである。この時、絶縁膜４ｉには、感光性ポリイミドが適している。
【００８２】
次に、図２３に示す構造は、絶縁膜４ｉをフォトリソグラフィ法でパターン形成した状態を示すものである。すなわち、ボンディングパッド４ｃ上の絶縁膜４ｉを除去する。ここでは、絶縁膜４ｉを露光・現像して除去した後に熱処理を加えて重合させる。ボンディングパッド４ｃの開口は密着層４ｃｃ上に設定する。
【００８３】
以上により、再配線４ｃｂからなるボンディングパッド４ｃの形成を完了する。
【００８４】
＜半導体装置の組立て＞
図１および図２に示すＱＦＰ１の組立てについて説明する。
【００８５】
まず、ダイボンディング工程を行う。ここでは、図示しないリードフレームのタブ２ｃにダイボンディング材７を介して半導体チップ４を搭載する。この時、半導体チップ４のボンディングパッド４ｃが露出している主面４ａを上方に向けて半導体チップ４をタブ２ｃ上に搭載する。
【００８６】
次に、ワイヤボンディング工程を行う。半導体チップ４のボンディングパッド４ｃと、上記リードフレームのインナリード２ａとをワイヤ５で接続する。この時、半導体チップ側では、ボンディングパッド４ｃのワイヤボール配置領域４ｙにワイヤ５の先端に形成されたワイヤボール５ａを接続する。
【００８７】
次に、樹脂封止工程を行う。ここでは、モールド用の樹脂を用いてタブ２ｃ、半導体チップ４、インナリード２ａおよび複数のワイヤ５を覆い、かつアウタリード２ｂが露出するように封止体３を形成する。
【００８８】
次に、切断・成形を行う。ここでは、上記リードフレームの枠部からアウタリード２ｂを切断して切り離すとともに、アウタリード２ｂをガルウィング状に曲げ成形する。これにより、ＱＦＰ１の組立てを完了する。
【００８９】
＜効果＞
本願発明者が比較検討した図２８に示す比較例の拡大部分平面図のパッド構造では、ボンディングパッド４ｃとなる再配線４ｃｂにおいてパッドビア（ビア４ｈ）上に凹部４ｄがあるために、パッドビア（ビア４ｈ）を図５に示すワイヤボール５ａと接触する（重なる）位置に配置すると、凹部４ｄ上ではワイヤボール５ａと密着層４ｃｃとの接続が不十分となり、ワイヤ５の接続不良を引き起こす。したがって、ワイヤ５の接続不良を引き起こさないようにするために、引き出し配線を用いて、ビア４ｈを絶縁膜４ｉの開口部４ｊの外側に引き出して配置することが考えれるが、この場合、パッド構造が大きくなり、その結果、チップ面積が拡大する。
【００９０】
そこで、本実施の形態１のＱＦＰ１では、上層絶縁膜である絶縁膜４ｉを設けた上で、絶縁膜４ｉの開口部４ｊにおける角部４ｎと、角部４ｎからワイヤボール５ａの半径ｒと同じ距離の第１点４ｑと、角部４ｎから上記半径ｒと同じ距離の第２点４ｒと、を結んでなるビア配置領域４ｘにパッドビア（ビア４ｈ）の少なくとも一部が重なるようにパッドビア（ビア４ｈ）を配置している。
【００９１】
すなわち、再配線４ｃｂからなるボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａにおいて、角部４ｎと第１点４ｑとを結ぶ第１線分４ｕと、角部４ｎと第２点４ｒとを結ぶ第２線分４ｖと、第１点４ｑと第２点４ｒとを結び、かつ角部４ｎに向かって凸状を成す円弧４ｗとからなるビア配置領域４ｘにパッドビア（ビア４ｈ）の少なくとも一部が重なるようにパッドビア（ビア４ｈ）を配置している。つまり、平面視で、パッドビア（ビア４ｈ）の少なくとも一部を、ボンディングパッド４ｃの開口部４ｊの一部の領域であるビア配置領域４ｘに重なるように配置するため、ビア４ｈを開口部４ｊの外側に引き出して配置するための上記引き出し配線を用いることがなく、チップサイズの縮小化を図ることができる。その結果、ＱＦＰ１の小形化を図ることができる。
【００９２】
また、チップサイズの縮小化を図れるため、ＱＦＰ１のコストの低減化を図ることができる。
【００９３】
なお、パッドビア（ビア４ｈ）は、平面視で、ビア配置領域（第１領域）４ｘに配置されていることが好ましい。つまり、平面視で四角形のパッドビア（ビア４ｈ）の全てがビア配置領域（第１領域）４ｘに収まっていることが好ましい。
【００９４】
これにより、更なるチップサイズの縮小化を図ることができ、ＱＦＰ１の大きさも更に小型化を図ることができる。
【００９５】
また、ワイヤボール５ａの位置がパッドビア（ビア４ｈ）の方向にずれた場合であっても、絶縁膜４ｉの側壁に阻まれてワイヤボール５ａは上記パッドビア上に侵入することができない。その結果、平面視で、ワイヤボール５ａとパッドビア（ビア４ｈ）とが重なることはないため、ワイヤボンドにおける接続不良を抑制することができる。
【００９６】
これにより、ＱＦＰ１におけるワイヤ５の接続信頼性を向上させることができる。
【００９７】
なお、ビア直上に形成される凹部４ｄの平面視における少なくとも一部が、ビア配置領域４ｘに重なっていることにより、平面視で凹部４ｄとワイヤボール５ａとが重なることも避けることができる。
【００９８】
また、ビア直上のボンディングパッド４ｃの表面に凹部４ｄが形成されているため、この凹部４ｄによりワイヤボンディング時のチップ水平方向の衝撃を吸収することができる。すなわち、凹部４ｄにより、ボンディングパッド４ｃの金属部分が水平方向に変形することができ、ワイヤ５の断線を抑制することができ、ワイヤ５の接続信頼性を高めることができる。
【００９９】
なお、ワイヤ５が銅を主成分とする材料からなる場合には、銅が比較的硬質であるため、銅のワイヤボール５ａをボンディングパッド４ｃに圧着する際に、ボンディングパッド４ｃの金属部分を水平方向に押し退け飛散させるスプラッシュと呼ばれる現象が起こり、上記スプラッシュが、隣接するボンディングパッド４ｃとの電気的なショートを引き起こす。
【０１００】
しかしながら、本実施の形態１のパッド構造では、上述のように、ビア直上のボンディングパッド４ｃの表面に凹部４ｄ形成されているため、ボンディングパッド４ｃの金属部分が水平方向に変形して上記スプラッシュの発生を抑制することができ、電気的なショートの発生の低減化を図ることができる。
【０１０１】
（実施の形態２）
図２４は実施の形態２におけるパッド構造の一例を示す拡大部分断面図、図２５は図２４に示すパッド構造の一例を示す平面図である。
【０１０２】
本実施の形態２では、パッド構造におけるボンディングパッド４ｃが、アルミニウムを主成分とする材料からなるＡｌパッド４ｃｉの場合を説明する。なお、本実施の形態２では、半導体チップ４に形成される下層配線においてデュアルダマシン工法を用いた４層の銅配線の場合を示しているが、下層配線の種別や層数は特に限定されるものではない。
【０１０３】
Ａｌパッド４ｃｉは、スパッタリング等によって形成され、実施の形態１の再配線４ｃｂと比べて厚さが薄い。Ａｌパッド４ｃｉの厚さが薄いため、ビア４ｈもその平面視の形状が四角形の場合には、一辺の長さは、２〜３μｍ程度と再配線４ｃｂの３０μｍに比べて小さい。
【０１０４】
図２４に示すように、パッドビア（ビア４ｈ）により第４配線１６とＡｌパッド４ｃｉとが接続される。パッドビア（ビア４ｈ）は下層絶縁膜４ｆｂを貫通している。そして、パッドビア（ビア４ｈ）はアルミニウムを主成分とする金属によりＡｌパッド４ｃｉと一体で形成されているため、ビア上部には凹部４ｄがある。すなわち、1 回のスパッタリングによりＡｌパッド４ｃｉとパッドビア（ビア４ｈ）とを一体で形成しているため、ビア上部に凹部４ｄが形成されている。
【０１０５】
また、ボンディングパッド４ｃ（Ａｌパッド４ｃｉ）は、その一部が、上層絶縁膜である絶縁膜４ｉによって覆われており、さらに、ボンディングパッド４ｃの開口部４ｊの露出部４ｃａのワイヤボール配置領域４ｙには、ワイヤボール５ａが接続されている。
【０１０６】
また、Ａｌパッド４ｃｉの下面にはバリア層４ｃｅが形成されている。さらに、Ａｌパッド４ｃｉの上面にもバリア金属があってもよいが、上層絶縁膜である絶縁膜４ｉの開口部４ｊでは除去されており、露出部４ｃａが露出している。
【０１０７】
なお、Ａｌパッド４ｃｉの上面に密着金属、または密着金属とバリア金属の積層膜が形成されていてもよい。密着金属は、例えばパラジウム、金である。バリア金属は、例えばチタン、窒化チタン、クロム、タンタル、窒化タンタルである。
【０１０８】
また、本実施の形態２のパッド構造では、上層絶縁膜である絶縁膜４ｉの上部に密着絶縁膜４ｃｊが形成されている。密着絶縁膜４ｃｊは、半導体装置のパッケージング材料のレジン（封止用の樹脂）との密着性を向上させるためのものであり、密着絶縁膜４ｃｊの開口は、絶縁膜４ｉの開口部４ｊの外側に位置している。密着絶縁膜４ｃｊとしては、ポリイミドが適している。
【０１０９】
本実施の形態２のパッド構造においても実施の形態１のパッド構造と同様、図２５に示すように、絶縁膜４ｉの開口部４ｊにおける角部４ｎと、角部４ｎからワイヤボール５ａの半径ｒと同じ距離の第１点４ｑと、角部４ｎから上記半径ｒと同じ距離の第２点４ｒと、を結んでなるビア配置領域４ｘにパッドビア（ビア４ｈ）の少なくとも一部が重なるようにパッドビア（ビア４ｈ）を配置している。
【０１１０】
すなわち、Ａｌパッド４ｃｉからなるボンディングパッド４ｃの露出部４ｃａにおいて、角部４ｎと第１点４ｑとを結ぶ第１線分４ｕと、角部４ｎと第２点４ｒとを結ぶ第２線分４ｖと、第１点４ｑと第２点４ｒとを結び、かつ角部４ｎに向かって凸状を成す円弧４ｗとからなるビア配置領域４ｘにパッドビア（ビア４ｈ）の少なくとも一部が重なるようにパッドビア（ビア４ｈ）を配置している。
【０１１１】
また、実施の形態１と同様に、ビア直上に形成される凹部４ｄの平面視における少なくとも一部が、ビア配置領域４ｘに重なっていることにより、平面視で凹部４ｄとワイヤボール５ａとが重なることを避けることができる。
【０１１２】
次に、図２５に示す本実施の形態２のパッド構造の各部の大きさの一例を説明する。Ａｌパッド４ｃｉの端部と絶縁膜４ｉの開口部４ｊの距離Ｔは、２．５μｍ程度確保する必要がある。また、開口部４ｊの一辺の長さＫは、５５μｍであり、さらにＡｌパッド４ｃｉの端部と絶縁膜４ｉの開口部４ｊの距離Ｔが２．５μｍであるため、Ａｌパッド４ｃｉの平面視の一辺の大きさＳは、６０μｍとなる。
【０１１３】
また、ビア４ｈの大きさ（ー辺の長さ）Ｂは、３μｍ程度である。
【０１１４】
以上により、本実施の形態２のＡｌパッド４ｃｉを用いたパッド構造においても、ー辺が３μｍの四角形のビア４ｈ（パッドビア）を、引き出し配線を付加することなく配置することができる。
【０１１５】
なお、実施の形態１と同様に、ビア配置領域４ｘに侵入するビア４ｈの一部を一辺の長さがＹ（重複長さ）の正方形とすると、Ｙ＝ｒ−ｒ／√２＝ｒ×（１−１／√２）＝０．２９ｒとなり、ワイヤボール５ａの半径ｒの約０．２９倍のパッドビア（ビア４ｈ）を内側（ビア配置領域４ｘ）に配置する（重複する）ことができる。本実施の形態２では、ワイヤボール５ａの半径ｒを２０μｍとすると、パッドビア（ビア４ｈ）を５．８μｍ内側に配置することができる。つまり、パッドビア（ビア４ｈ）をビア配置領域４ｘに対して、ー辺（Ｐ）が５．８μｍの正方形の大きさ分重複させることができる。
【０１１６】
また、密着絶縁膜４ｃｊが、上層絶縁膜である絶縁膜４ｉより内側にある場合でも、密着絶縁膜４ｃｊの側壁がワイヤボール５ａの侵入を阻むため、ワイヤボール５ａの位置がパッドビア（ビア４ｈ）の方向にずれた際に、密着絶縁膜４ｃｊの側壁に阻まれてワイヤボール５ａは上記パッドビア上に侵入することができない。その結果、平面視で、ワイヤボール５ａとパッドビア（ビア４ｈ）とが重なることはないため、ワイヤボンドにおける接続不良を抑制することができる。
【０１１７】
本実施の形態２の半導体装置によれば、Ａｌパッド４ｃｉの露出部４ｃａにおけるビア配置領域４ｘに、パッドビア（ビア４ｈ）の少なくとも一部が重なるようにパッドビア（ビア４ｈ）を配置していることにより、引き出し線を用いることなくパッドビア（ビア４ｈ）を配置することができる。
【０１１８】
これにより、チップサイズの縮小化を図ることができ、半導体装置（ＱＦＰ１）の小形化を図ることができる。
【０１１９】
また、チップサイズの縮小化を図れるため、半導体装置（ＱＦＰ１）のコストの低減化を図ることができる。
【０１２０】
本実施の形態２の半導体装置によって得られるその他の効果については、実施の形態１と同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１２１】
（実施の形態３）
図２６は実施の形態３のパッド構造の各数値の一例を示すデータ図である。本実施の形態３では、実施の形態１のパッド構造における各部のサイズ（代表値、範囲）、および実施の形態２のパッド構造における各部のサイズ（代表値、範囲）を示している。すなわち、図２６には、ビア４ｈの平面視の一辺の寸法、凹部４ｄの平面視の一辺の寸法、凹部４ｄの深さ、ワイヤボール５ａの半径ｒ、絶縁膜４ｉの平面視における一辺の開口寸法のそれぞれについて、実施の形態１および２のパッド構造の代表値と範囲が示されている。
【０１２２】
図２６より、例えば、凹部４ｄの深さが０．５μｍ以上の場合に、ワイヤボール５ａと電極パッドとの接続不良が発生し易いことが分かる。したがって、凹部４ｄの深さが０．５μｍ以上の場合に、実施の形態１のパッド構造や実施の形態２のパッド構造が有効であると言える。
【０１２３】
＜変形例＞
図２７は変形例のパッド構造を示す拡大部分平面図である。
【０１２４】
本変形例は、ビア４ｈの平面視の形状や１つのビア配置領域４ｘに配置されるビア４ｈの数等の変形例を説明するものである。すなわち、実施の形態１および実施の形態２では、ボンディングパッド４ｃの４つの角部うちの１つ角部４ｎに１つのビア４ｈが配置され、この１つのビア４ｈの一部もしくは全部がビア配置領域４ｘに重なっている場合を説明したが、例えば、図２７に示すように、複数（例えば、４つ）の角部４ｎのそれぞれに複数のビア（導体接続部）４ｈが配置されていてもよい。あるいは４つの角部４ｎのうちの何れか２つまたは３つの角部４ｎにビア４ｈが配置されていてもよい。もしくは１つの角部４ｎだけに複数のビア４ｈが配置されていてもよい。すなわち、ビア４ｈが配置される角部４ｎの数、および１つの角部４ｎに配置されるビア４ｈの数は、それぞれ１つであっても複数であってもよい。
【０１２５】
また、ビア４ｈおよび凹部４ｄの平面視の形状は、四角形に限定されずに、三角形もしくは五角形以上の多角形等であってもよい。
【０１２６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１２７】
上記実施の形態１および２では、半導体装置がＱＦＰ１の場合について説明したが、上記半導体装置は、半導体チップの電極パッドに導電性ワイヤが接続されて組み立てられる半導体装置であれば、ＱＦＰ１に限らず、他の半導体装置であってもよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１  ＱＦＰ（半導体装置）
２ａ  インナリード
２ｂ  アウタリード
２ｃ  タブ（ダイパッド）
３  封止体
４  半導体チップ
４ａ  主面
４ｂ  裏面
４ｃ  ボンディングパッド（電極パッド）
４ｃａ  露出部
４ｃｂ  再配線
４ｃｃ  密着層
４ｃｄ、４ｃｅ  バリア層
４ｄ  凹部
４ｅ  下層配線
４ｆ  絶縁膜（第１絶縁膜）
４ｆａ  耐湿絶縁膜
４ｆｂ  下層絶縁膜
４ｇ  開口部（第１開口部）
４ｈ  ビア（導体接続部）
４ｉ  絶縁膜（第２絶縁膜）
４ｊ  開口部（第２開口部）
４ｘ  ビア配置領域（第１領域）
４ｙ  ワイヤボール配置領域（第２領域）
５  ワイヤ（導電性ワイヤ）
５ａ  ワイヤボール（ワイヤ接続部）
７  ダイボンディング材
８  トランジスタ
９  Ｓｉ基板
１０  第１配線
１１  第２配線
１２  第３配線
１３  コンタクト部
１４  第１ビア
１５  第２ビア
１６  第４配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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