(57)【要約】【課題】  光取出し効率を向上することができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。【解決手段】  絶縁表面上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、画素電極の端部を覆うと共に、画素電極の上面を露出する開口部を有するバンクと、開口部を覆うように設けられた、発光層を含む有機層と、バンク、及び前記有機層を覆うように設けられた対向電極と、を有し、バンクは、上面部と、上面部と開口部の間の傾斜部とを有し、傾斜部表面に凹凸を有することを特徴とする、表示装置が提供される。【選択図】図４
2018006067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極の端部を覆うと共に、前記画素電極の上面を露出する開口部を有するバンクと、
前記開口部を覆うように設けられた、発光層を含む有機層と、
前記バンク、及び前記有機層を覆うように設けられた対向電極と、を有し、
前記バンクは、上面部と、前記上面部と前記開口部の間の傾斜部とを有し、
前記傾斜部表面に凹凸を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項２】
前記凹凸は、膜厚方向に周期的な縞状の形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記凹凸の周期は、１５０ｎｍから２５０ｎｍの範囲であることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記バンクは、感光性有機樹脂材料であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記バンクの膜厚方向の距離をＤとしたとき、
前記凹凸は、前記開口部から平面方向に距離Ｄよりも小さい領域に設けられることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画素電極の端部は、平面視で見て、前記傾斜部よりも外側にあることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記上面部は、平坦であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記有機層は、前記傾斜部上に凹凸を有することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記対向電極は、前記傾斜部上に凹凸を有することを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
絶縁表面上に複数の画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に、感光性有機樹脂材料を塗布する工程と、
前記感光性有機樹脂材料に、３００ｎｍから５００ｎｍの範囲の波長を有する単色光により露光を行う工程と、
前記感光性有機樹脂材料を現像し、前記画素電極の端部を覆うと共に、前記画素電極の上面を露出する開口部を有するバンクを形成する工程と、
ベークを行う工程と、
前記開口部を覆うように、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記バンク、及び前記有機層を覆うように、対向電極を形成する工程と、を有し、
前記露光を行う工程において、前記単色光の入射波と反射波とによる定在波を利用して、前記感光性有機樹脂材料の感光度を層方向で強弱をつけることにより、前記バンクの膜厚方向に凹凸を形成することを特徴とする、表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記単色光は、ｉ線、ｈ線、又はｇ線から選ばれた一であることを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ベークを行う工程は、第１ベーク工程と第２ベーク工程とを含み、
第１ベーク工程のベーク温度をガラス転移点以下の温度で行うことを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及び表示装置の製造方法に関する。本発明の一実施形態は、表示装置の画素の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「有機層」ともいう）を挟んだ構造を有している。有機層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって有機層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００４】
ここで、より高い輝度を得るにはより大きい電位を印加すればよいが、それは発光素子の寿命を短くする結果となる。一方で、有機層で発光した光は約２０％しか活用されておらず、残りの約８０％は層や基板内を層間屈折率差などにより全反射を繰り返しながら導波して、層内で減衰、吸収されている。このため、高い光取出し効率を得るために、様々な工夫がなされている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、画素電極の下層に形成された絶縁膜の表面に凹凸を形成した有機ＥＬ表示装置が公開されている（特許文献１参照）。このように構成された有機ＥＬ表示装置において、有機層から放射される光は画素電極及び絶縁膜を通して出射されるが、画素電極と絶縁膜の間に形成された凹凸によって、該界面で出射光が反射されることを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３３５２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１で開示される有機ＥＬ表示装置は、有機層平坦部における正面方向への光の取り出し効率しか考慮されていない。
【０００８】
本発明の一実施形態は、光取出し効率を向上することができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態によれば、絶縁表面上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、画素電極の端部を覆うと共に、画素電極の上面を露出する開口部を有するバンクと、開口部を覆うように設けられた、発光層を含む有機層と、バンク、及び前記有機層を覆うように設けられた対向電極と、を有し、バンクは、画素電極の上面に平行な上面部と、上面部と開口部の間の傾斜部とを有し、傾斜部表面に凹凸を有する表示装置が提供される。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、絶縁表面上に複数の画素電極を形成する工程と、画素電極上に、感光性有機樹脂材料を塗布する工程と、感光性有機樹脂材料に、３００ｎｍから５００ｎｍの範囲の波長を有する単色光により露光を行う工程と、感光性有機樹脂材料を現像し、画素電極の端部を覆うと共に、画素電極の上面を露出する開口部を有するバンクを形成する工程と、ベークを行う工程と、開口部を覆うように、発光層を含む有機層を形成する工程と、バンク、及び有機層を覆うように、対向電極を形成する工程と、を有し、露光を行う工程において、露光光の入射波と反射波とによる定在波を利用して、感光性有機樹脂材料の感光度を層方向で強弱をつけることにより、バンクの膜厚方向に凹凸を形成する表示装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置における光の経路を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１４】
＜表示装置の構成＞
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構造を示す平面図である。本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を、図１及び図２を参照して説明する。
【００１５】
表示装置１００は、第１基板１０２に画素領域１０６が設けられている。画素領域１０６は複数の画素１２２が配列することによって構成されている。画素領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は画素領域１０６を囲むシール材１３４によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された画素領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１３４によって大気に晒されないように封止されている。画素領域１０６の封止方法については、特にこれに限定するものではなく、第２基板１０４を設けることなく、第１基板１０２に設けられた画素領域１０６を覆うように、直接パッシベーション膜を形成しても良い。
【００１６】
第１基板１０２には、一端部に端子領域１３６が設けられている。端子領域１３６は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１３６の接続端子は、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板との接点を形成する。第１基板１０２には端子領域１３６から入力された映像信号を画素領域１０６に出力する第１駆動回路１２４および第２駆動回路１２６が設けられている。
【００１７】
画素領域１０６と、第１駆動回路１２４及び第２駆動回路１２６とは、それぞれ図示しない配線によって接続される。画素領域１０６は、画素１２２以外に走査信号線、映像信号線と呼ばれる配線が設けられている。画素領域１０６の各画素１２２は、これらの配線により第１駆動回路１２４、第２駆動回路１２６と接続されている。例えば、第１駆動回路１２４は、画素領域１０６に走査信号を出力する駆動回路であり、第２駆動回路１２６は画素領域１０６に映像信号を出力する駆動回路である。図２は、画素領域１０６と第１駆動回路１２４との間に第１配線延伸領域１２８を、画素領域１０６と第２駆動回路１２６との間に第２配線延伸領域１３０を有する態様を示す。
【００１８】
図３は、本実施形態に係る画素領域１０６の構成を示す平面図である。図４は、本実施形態に係る画素領域１０６の構成を示す断面図である。本実施形態に係る画素領域１０６の構成を、図３及び図４を参照して説明する。
【００１９】
図３に示すように、画素領域１０６は複数の画素１２２がマトリクス状に配置されることによって構成されている。図４は、図３に示すＡ−Ｂ線に沿った断面模式図である。画素１２２は回路素子層を有する。本実施形態において回路素子層は、半導体層１４６、ゲート絶縁層１４８、ゲート電極１５０、第１容量電極１５２、第１絶縁層１５４、ソース・ドレイン電極１５６、第２絶縁層１５８、第２容量電極１６０、第３絶縁層１６２、画素電極１６４、有機層１６６、対向電極１６８、およびバンク層１７０を含む多層構造を有する。
【００２０】
画素領域１０６の複数の画素１２２の各々は、トランジスタ１３８、発光素子１４０、第１容量素子１４２、および第２容量素子１４４を有する。発光素子１４０はトランジスタ１３８と接続されている。トランジスタ１３８は発光素子１４０の発光を制御する。第１容量素子１４２はトランジスタ１３８のゲート電位を保持し、第２容量素子１４４は発光素子１４０に流れる電流量を調整するために設けられている。
【００２１】
図４に示すように、複数の画素１２２の各々は画素毎にトランジスタ１３８を有し、トランジスタ１３８は画素領域１０６にマトリクス状に配置される。トランジスタ１３８は、半導体層１４６、ゲート絶縁層１４８、ゲート電極１５０が積層された構造を有している。半導体層１４６は、非晶質又は多結晶のシリコン、若しくは酸化物半導体などで形成される。ソース・ドレイン電極１５６は、第１絶縁層１５４を介して、ゲート電極１５０の上層に設けられている。ソース・ドレイン電極１５６の上層には平坦化層としての第２絶縁層１５８が設けられている。そして、第２絶縁層１５８の上面に発光素子１４０が設けられている。第２絶縁層１５８は、ソース・ドレイン電極１５６及び第１絶縁層１５４に設けられたコンタクトホール、ゲート電極１５０及び半導体層１４６の形状に伴う第１絶縁層１５４の凹凸を埋設し、略平坦な表面を有している。第２絶縁層１５８は、無機絶縁層の表面をエッチング加工、化学的機械研摩加工することで形成された平坦表面、またはアクリル、ポリイミドなどの前駆体を含む組成物を塗布又は堆積し、レベリングされた平坦表面を有していてもよい。
【００２２】
第１容量素子１４２は、ゲート絶縁層１４８を誘電体層として、半導体層１４６と第１容量電極１５２が重畳する領域、第１絶縁層１５４を誘電体層としてソース・ドレイン電極１５６と第１容量電極１５２とが挟まれた領域に形成される。
【００２３】
複数の画素１２２の各々は画素毎に発光素子１４０を有し、発光素子１４０は画素領域１０６にマトリクス状に配置される。発光素子１４０は、トランジスタ１３８と電気的に接続される画素電極１６４、有機層１６６、対向電極１６８が積層された構造を有している。発光素子１４０は２端子素子であり、画素電極１６４と対向電極１６８との間に流れる電流値を制御することで発光層を含む有機層１６６の発光が制御される。
【００２４】
画素電極１６４は、第２絶縁層１５８の上面に画素毎に設けられている。画素電極１６４は、第２絶縁層１５８を介して、ソース・ドレイン電極１５６の上層に設けられている。また、画素電極１６４の上面には、画素電極１６４の周縁部を覆い内側領域を露出するようにバンク層１７０が設けられている。別言すれば、画素電極１６４の上面には、端部を覆うと共に画素電極１６４の上面を露出する開口部を有するバンク層１７０が設けられている。更に、バンク層１７０は、画素電極１６４及び第２絶縁層１５８に設けられたコンタクトホールを埋設している。絶縁材料で形成されるバンク層１７０が配置されることによって、画素電極１６４の端部において、対向電極１６８と画素電極１６４とが短絡することを防止することができる。更に、隣接する画素１２２間を確実に絶縁することができる。バンク層１７０の上面には、開口部を覆うように有機層１６６が設けられている。有機層１６６は、画素電極１６４およびバンク層１７０の上面に画素毎に設けられている。対向電極１６８は、有機層１６６の上面からバンク層１７０の上面を覆うように設けられ、複数の画素１２２に跨がって共通の電極として設けられている。
【００２５】
なお、バンク層１７０は、画素電極１６４の上面（またはバンク層１７０底部）と平行な上面部と、上面部と開口部の間の傾斜部から構成されるテーパー構造を有する。バンク層１７０の傾斜部と底部のなす角（テーパー角、Ｔ）は４５°以上であるとよい。すなわち、バンク層１７０の膜厚方向の距離をＤとしたとき、バンク層１７０の傾斜部は開口底端部（バンク層１７０の傾斜部底端部）から平面方向に距離Ｄよりも小さい底部を有することが好ましい。このような構成とすることで、画素電極１６４の上面を露出する開口部を十分確保することができ、有機層１６６で発光した光を表示装置正面方向へ効率よく取り出すことができる。
【００２６】
バンク層１７０の傾斜部は、画素電極１６４の上に配置される。別言すると、画素電極１６４の端部は、平面視で見て、少なくともバンク層１７０の傾斜部よりも外側に配置される。すなわち、画素電極１６４の端部は、開口底端部（バンク層１７０底端部）から平面方向に距離Ｄよりも大きい。このような構成とすることで、後述するバンク層１７０の成型時に、マスク１７１の開口部に画素電極１６４が配置される。単色光で画素電極１６４上のバンク層１７０を露光することにより、入射波と画素電極１６４（反射面）からの反射波の干渉で定在波が発生させることができる。この定在波によるバンク層１７０の感光度合いの変化によって、バンク層１７０の傾斜部表面には凹凸構造が形成される。
【００２７】
図５は、図４に示す発光素子１４０付近Ｃ領域の拡大断面図である。バンク層１７０の傾斜部表面には凹凸構造が設けられている。バンク層１７０の底部および上面部は平坦構造を有する。傾斜部における凹凸構造は、等高線様に周期的な波形が形成されている。別言すると、凸凹構造は膜厚方向に平行な縞状の形状を有する。凸凹構造の周期は膜厚方向に一定であり、１５０ｎｍから２５０ｎｍの範囲である。別言すると、バンク層１７０の傾斜部は膜厚方向１μｍ当たり４から６．７個の凸凹構造を有する。凸凹構造の深さは底部方向に向かって小さく形成されているが、これに限定されない。
【００２８】
バンク層１７０底部が平坦構造をとることで、有機層１６６で発光した光のうち表示装置正面方向へ向かう光は、反射板の機能を備える画素電極１６４（または第２容量電極１６０）と透明導電膜で形成される対向電極１６８との間で共振（キャビテーション）し、光を効率よく取り出すことができる。バンク層１７０傾斜部が凸凹構造をとることで、有機層１６６で発光した光のうち表示装置正面方向へ光が取り出されることなく層内を導波する光は、凸凹構造により乱反射を引き起こし、臨界角より小さい反射光が増加し、表示装置正面方向へ光をさらに効率よく取り出すことができる。
【００２９】
有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２は、バンク層１７０の傾斜部における凸凹構造を反映している。別言すると、有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２は、傾斜部上に凹凸構造が設けられている。しかしながらこれに限定されず、有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２の形成時に、バンク層１７０の傾斜部における凸凹構造は少なくとも一部埋まってしまってもよい。バンク層１７０開口底部における有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２は、平坦構造を有する。
【００３０】
バンク層１７０は感光性有機樹脂材料で形成される。感光性有機樹脂材料としては、感光性アクリル樹脂や感光性ポリイミド樹脂などが用いられる。
【００３１】
有機層１６６は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を含む層である。有機層１６６は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機層１６６は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該有機層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等含んで構成されていてもよい。図では示さなかったが、例えば有機層１６６は、有機層をホール注入層と電子注入層とで挟んだ構造とすることができる。また、有機層１６６は、ホール注入層と電子注入層に加え、ホール輸送層、電子輸送層、ホールブロック層、電子ブロック層などを適宜付加されていていてもよい。
【００３２】
なお、本実施形態は、発光素子１４０は、有機層１６６で発光した光を対向電極１６８側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を例示する。しかしながらこれに限定されず、有機層１６６で発光した光を画素電極１６４側に放射する、いわゆるボトムエミッション型に適用することも可能である。有機層１６６がホール注入層、有機層、電子注入層の順に積層される場合、画素電極１６４は正孔注入性に優れるＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：酸化インジウム亜鉛）を用いることが好ましい。ＩＴＯは透光性導電材料の一種であり、可視光帯域の透過率が高い反面、反射率は極めて低い特性を有している。そのため画素電極１６４に光を反射する機能を付加するため、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属層を積層させることが好ましい。または、図４で示すように、ＩＴＯなどで形成される画素電極１６４の下に第３絶縁層１６２及び第２容量電極１６０を設けて第２容量素子１４４とし、第２容量電極１６０を金属材料で形成して反射板の機能を兼ね備えるようにしてもよい。
【００３３】
対向電極１６８は、有機層１６６で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。
【００３４】
発光素子１４０の上には封止層１７２が設けられている。封止層１７２は発光素子１４０の全面を覆い、水分等の浸入を防ぐために設けられる。封止層１７２としては、窒化シリコンや酸化アルミニウムなどの被膜により透光性を有するものとすることが好ましい。また、封止層１７２の上部には第２基板１０４との間に充填材が設けられていてもよい。また、封止層１７２は、一部に有機層を含んでいても良い。例えば、無機層／有機層／無機層といった積層構造であっても良い。
【００３５】
第２基板１０４には、遮光層１８２、カラーフィルタ層１８４が設けられている。カラーフィルタ層１８４は、複数の画素１２２の各々に対向した位置に配置される。遮光層１８２は、複数の画素１２２の各々を区画する位置に配置される。発光素子１４０から白色光が出射されるとき、カラーフィルタ層１８４を設けることによって、表示装置１００はカラー表示をすることが可能となる。
【００３６】
図には示さなかったが、第２基板１０４には、偏光板及び位相板等の光学フィルムが設けられていてもよい。光学フィルムは、複数の画素１２２を覆い、第２基板１０４の外側表面に配置される。光学フィルムは、表示装置１００に入射した外光が、画素電極１６４で反射することによる視認性の劣化を抑制するために配置される。
【００３７】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置１００は、バンク層１７０、有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２の傾斜部に凸凹構造を有する。このような構造をとることによって、表示装置１００の有機層１６６で発光した光のうち、全反射を繰り返しながら各層内で導波する光が、それぞれの層傾斜部の凸凹構造により乱反射を引き起こす。これにより、臨界角より小さい反射光が増し、傾斜部における正面方向への光取り出し効率を向上することができる。
【００３８】
＜表示装置の製造方法＞
図６（ａ）〜（ｆ）を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。図６（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を示す断面図である。尚、本実施形態においては、バンク層１７０の形成方法以外は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明は省略し、図６（ａ）〜（ｆ）においては画素領域１０６における、バンク層１７０から封止層１７２を形成する方法を詳しく説明する。
【００３９】
図６（a）に示すように、先ず、画素電極１６４の上面にバンク層１７０を成膜する。本実施形態では、感光性ポリイミド樹脂を、インクジェット法を用いて画素領域１０６の略全面に塗布する。図６では示さなかったが、塗布した樹脂から溶媒を除去するために、さらにプリベークを行う。
【００４０】
バンク層１７０はフォトリソグラフィー法によって成形する。図６（ｂ）に示すように、バンク層１７０にマスク１７１を配置し、マスク１７１の開口部を介して露光を行う。マスク１７１の開口部は画素電極１６４上に位置するように配置する。別言すると、マスク１７１の非開口部は、少なくとも画素電極１６４端部を覆うように配置する。すなわち、マスク１７１の開口端部は画素電極１６４の内側に位置するように配置する。露光光は例えば、i線（λ＝３６５ｎｍ）、ｈ線（λ＝４０５ｎｍ）、ｇ線（λ＝４３６ｎｍ）などの３００ｎｍから５００ｎｍの範囲の波長を有する単色光を用いることができる。単色光で画素電極１６４上のバンク層１７０を露光することにより、入射波と画素電極１６４（反射面）からの反射波の干渉で定在波が発生する。定在波の影響で、バンク層１７０の感光度合いは露光光照射方向（膜厚方向）で変化する。感光度合いの変化は、膜厚方向に周期的であり、光源波長の１/２周期（λ/２）で形成される。
【００４１】
なお、通常のフォトリソグラフィー法においては、定在波効果を消滅するために適切な時間の露光後ベーク（ＰＥＢ， Ｐｏｓｔ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ）を行う。本実施形態においては、定在波効果を利用して凸凹構造を形成するため、ベーク温度はこの凹凸構造がバンク層の側面に保存される温度で行うか、あるいは省略されてもよい。
【００４２】
図６（ｃ）に示すように、バンク層１７０を現像する。露光装置の解像度によって、バンク層１７０は傾斜部を有するテーパー構造として形成される。バンク層１７０の傾斜部と底部のなす角（テーパー角、Ｔ）は４５°以上であるとよい。すなわち、バンク層１７０の膜厚方向の距離をＤとしたとき、バンク層１７０の傾斜部は開口底端部（バンク層１７０の傾斜部底端部）から平面方向に距離Ｄよりも小さい底部を有することが好ましい。バンク層１７０の傾斜部は、画素電極の上に形成する。別言すると、バンク層１７０の上面端部は、平面視で見て、少なくとも画素電極の端部よりも内側に形成する。すなわち、画素電極の端部は、開口底端部（バンク層１７０底端部）から平面方向に距離Ｄよりも大きい。
【００４３】
図６（ｂ）で生じる定在波によって、バンク層１７０の感光度合いは露光光照射方向（膜厚方向）で変化する。図６（ｃ）に示すように、感光度合いの変化は現像することによって、開口側面部に凸凹構造を形成する。別言すると、定在波による露光は感光度合いの変化を生じ、これを現像することによってバンク層１７０の傾斜部表面に凹凸構造を形成する。傾斜部における凹凸構造は、定在波の波形を反映している。このため傾斜部における凸凹構造は、露光光照射方向（膜厚方向）に周期的であり、光源波長の１/２周期（λ/２）で形成される。すなわち、傾斜部における凸凹構造は、露光光としてi線（λ＝３６５ｎｍ）を用いた場合、約１８０ｎｍ周期の凹凸構造が形成できる。露光光としてｈ線（λ＝４０５ｎｍ）を用いた場合は約２００ｎｍ周期の凹凸構造、露光光としてｇ線（λ＝４３６ｎｍ）を用いた場合は約２２０ｎｍ周期の凹凸構造がそれぞれ形成できる。このように、凸凹構造の膜厚方向における周期は、露光光の波長で制御することができる。
【００４４】
図には示さなかったが、図６（ｃ）で形成したバンク層１７０は、傾斜部の凹凸構造の安定化とバンク層１７０の耐性を向上させるため、ポストベークを行う。ポストベークの条件としては、樹脂に残留していた溶媒や現像液が除去され、かつ傾斜部の凹凸構造を維持でき、安定化できる条件がよい。例えば、バンク層１７０としてアクリル樹脂を用いた場合、ポストベークは、仮ベークを１００度以下、０．５時間および本ベークを２００〜３００度、０．５〜１時間行ってもよい。ここで仮ベークにおける温度はガラス転移点以下であることが好ましい。ガラス転移点以下の低温で仮ベークすることで、バンク層１７０傾斜部の凹凸構造を維持し、かつバンク層１７０の耐性を向上させることができる。
【００４５】
次に、有機層１６６を成膜する。有機層１６６は、バンク層１７０の上面に開口部を覆うように形成する。すなわち、有機層１６６は、画素電極１６４およびバンク層１７０の上面に画素毎に形成する。図６（ｄ）に示すように、有機層１６６は、開口側面部においてバンク層１７０傾斜部の凸凹構造に沿って、凸凹構造を形成する。別言すると、有機層１６６は、バンク層１７０傾斜部上に凹凸構造を形成する。しかしながらこれに限定されず、有機層１６６の凸凹構造は少なくとも一部埋まってしまってもよい。
【００４６】
次に、対向電極１６８を成膜する。対向電極１６８は、有機層１６６の上面からバンク層１７０の上面を覆うように設けられ、複数の画素１２２に跨がって共通の電極として形成する。図６（e）に示すように、対向電極１６８は、開口側面部においてバンク層１７０および有機層１６６傾斜部の凸凹構造に沿って、凸凹構造を形成する。別言すると、対向電極１６８は、バンク層１７０傾斜部上に凹凸構造を形成する。しかしながらこれに限定されず、対向電極１６８の凸凹構造は少なくとも一部埋まってしまってもよい。
【００４７】
次に、封止層１７２を成膜する。封止層１７２は、画素領域１０６の略全面に形成する。図６（ｆ）に示すように、封止層１７２は、開口側面部においてバンク層１７０、有機層１６６、および対向電極１６８傾斜部の凸凹構造に沿って、凸凹構造を形成する。別言すると、封止層１７２は、バンク層１７０傾斜部上に凹凸構造を形成する。しかしながらこれに限定されず、封止層１７２の凸凹構造は少なくとも一部埋まってしまってもよい。
【００４８】
以上、本実施形態係る表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によって、バンク層１７０、有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２の傾斜部に凸凹構造を有する表示装置１００を形成することができる。このような構造をとることによって、表示装置１００の有機層１６６で発光した光のうち、全反射を繰り返しながら各層内で導波する光が、それぞれの層傾斜部の凸凹構造により乱反射を引き起こすようになる。これにより、臨界角より小さい反射光が増し、傾斜部における正面方向への光取り出し効率を向上することができる。
【００４９】
＜表示装置の光の経路＞
図７（ａ）、（ｂ）を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の光の取出し原理について説明する。図７（ａ）は従来の表示装置１００における光の経路を示す断面図である。図７（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１００における光の経路を示す断面図である。
【００５０】
図７（ａ）、（ｂ）の何れの表示装置においても、有機層１６６で発光した光のうち表示装置正面方向へ向かう光は、反射板の機能を備える画素電極１６４（または第２容量電極１６０）と、透明導電膜で形成される対向電極１６８との間で共振（キャビテーション）し、光の取り出し効率が向上されている。このため、有機層１６６が画素電極１６４と対向電極１６８との間に直接挟まれるバンク層１７０の開口底部において、画素電極１６４（または第２容量電極１６０）、有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２は何れも平坦である必要がある。
【００５１】
図７（ａ）に示すように、従来の表示装置において有機層１６６で発光した光のうちの大部分は、層間屈折率差などにより全反射を繰り返しながら各層内を導波する。各層内を導波する光は、表示装置１００の正面方向へ光が取り出されることなく、層内で減衰、吸収されている。
【００５２】
一方で、図７（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示装置において各層内を導波する光は、やがてそれぞれの層傾斜部における凸凹構造により乱反射を引き起こす。これにより、臨界角より小さい反射光が増加し、表示装置正面方向へより多くの光が取り出される。すなわち、各層の傾斜部における凸凹構造により、表示装置正面方向への光取り出し効率をさらに向上することができる。本実施形態においては、バンク層１７０、有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２が何れも凸凹構造を有することで、各層内を導波する光をそれぞれ取り出すことができる。しかしながらこれに限定されず、これらの層の少なくとも一部が凸凹構造を有すればよい。
【００５３】
図には示さなかったが、表示装置正面方向の第２基板１０４には、表示装置に入射した外光が反射することを抑制するため、偏光板及び位相板等の光学フィルムが設けられている。光学フィルムによる反射防止効果を損なわないよう、バンク層１７０上面部は平坦であることが好ましい。
【００５４】
以上、本実施形態係る表示装置１００の光の取出し原理について説明した。本実施形態に係る表示装置１００は、バンク層１７０、有機層１６６、対向電極１６８、および封止層１７２の傾斜部に凸凹構造を有する。このような構造をとることによって、表示装置１００の有機層１６６で発光した光のうち、全反射を繰り返しながら各層内で導波する光が、それぞれの層傾斜部の凸凹構造により乱反射を引き起こすようになる。これにより、臨界角より小さい反射光が増し、傾斜部における正面方向への光取り出し効率を向上することができる。
【符号の説明】
【００５５】
表示装置：１００、第１基板：１０２、第２基板：１０４、画素領域：１０６、画素：１２２、第１駆動回路：１２４、第２駆動回路：１２６、第１配線延伸領域：１２８、第２配線延伸領域：１３０、シール材：１３４、端子部：１３６、トランジスタ：１３８、発光素子：１４０、第１容量素子：１４２、第２容量素子：１４４、半導体層：１４６、ゲート絶縁層：１４８、ゲート電極：１５０、第１容量電極：１５２、第１絶縁層：１５４、ソース・ドレイン電極：１５６、第２絶縁層：１５８、第２容量電極：１６０、第３絶縁層：１６２、画素電極：１６４、有機層：１６６、対向電極：１６８、バンク層：１７０、マスク：１７１、封止層：１７２、遮光層：１８２、カラーフィルタ層：１８４
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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