(57)【要約】【課題】  装置の大型化や高コスト化を招くことなく、ＩＧＢＴなどの半導体スイッチング素子の温度を高精度で検出できる電力変換装置を提供する。【解決手段】  電力変換装置は、半導体スイッチング素子（３ａ〜３ｆ）のオン・オフにより電力変換を行う主回路部を備えるものであって、主回路部に流れる電流の周波数特性に基づいて、半導体スイッチング素子の温度を判定する温度判定部（１０，１１，１２，１３，１４）を備える。【選択図】図１
2018179878.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体スイッチング素子のオン・オフにより電力変換を行う主回路部を備える電力変換装置において、
前記主回路部に流れる電流の周波数特性に基づいて、前記半導体スイッチング素子の温度を判定する温度判定部を備えること特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記温度判定部は、
前記主回路部に流れる電流を検出し、
検出される前記電流の周波数特性を算出し、
算出される前記周波数特性に基づいて、
前記半導体スイッチング素子の温度を判定することを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記電流は、前記半導体スイッチング素子に流れる電流であることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記温度判定部は、
前記電流を検出する電流センサと、
前記電流センサの出力信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータと、
前記Ａ／Ｄコンバータが出力する前記デジタル信号に基づいて、前記電流の周波数特性を算出する周波数変換装置と、
前記電流の周波数特性と前記半導体スイッチング素子の温度との関係を示すデータを蓄積するメモリ装置と、
前記周波数変換装置によって算出される前記電流の周波数特性と、前記周波数変換装置に蓄積される前記データとを比較することにより、前記半導体スイッチング素子の温度を判定する演算器と、
を備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記温度判定部は、
前記電流の周波数特性において、前記電流の減少の傾きが、２０ｄＢ／ｄｅｃから４０ｄＢ／ｄｅｃに変わる周波数に基づいて前記半導体スイッチング素子の温度を判定すること特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項２に記載の電力変換装置において、
前記温度判定部は、前記半導体スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動信号に同期して、前記電流の周波数特性の算出を開始することを特徴とする電力変換装置。
【請求項７】
請求項４に記載の電力変換装置において、
前記周波数変換装置は、前記半導体スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動信号に同期して、前記電流の周波数特性を算出することを特徴とする電力変換装置。
【請求項８】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記電流は、直流母線電流であることを特徴とする電力変換装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電力変換装置において、
前記温度判定部は、前記半導体スイッチング素子のターンオン時またはターンオフ時における前記直流母線電流の過渡的振動成分に応じて、前記周波数特性において電流ピーク値が生じる周波数に基づいて、前記半導体スイッチング素子の温度を判定することを特徴とする電力変換装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記電流は、前記半導体スイッチング素子のターンオン時またはターンオフ時における直流母線電流の過渡的振動成分あることを特徴とする電力変換装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電力変換装置において、
前記温度判定部は、前記過渡的振動成分に応じて前記周波数特性において電流ピーク値が生じる周波数に基づいて、前記半導体スイッチング素子の温度を判定することを特徴とする電力変換装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の電力変換装置において、
前記温度判定部は、
前記直流母線電流のノイズを除去するフィルタコンデンサとグランド間を流れる前記過渡的振動成分を検出することを特徴とする電力変換装置。
【請求項１３】
請求項４に記載の電力変換装置において、
前記Ａ／Ｄコンバータによって所定時間間隔で前記電流をサンプリングすることにより前記電流の波形が複数回取り込まれ、
前記電流の波形を取り込むごとに、前記サンプリングの開始を所定時間遅らすことを特徴とする電力変換装置。
【請求項１４】
請求項４に記載の電力変換装置において、
前記Ａ／Ｄコンバータと、前記周波数変換装置と、前記メモリ装置と、前記演算器とが、前記半導体スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動信号を作成する制御部を構成する半導体チップに集積化されていることを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体スイッチング素子の温度測定機能を備える電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータ装置などの電力変換装置は、モータ駆動、太陽光発電、風力発電など、様々な分野で用いられている。この電力変換装置の寿命（５〜１０年）は、電力変換装置に接続されるモータ、太陽光パネル、風力発電機などの寿命（２０年以上）に比べて短い。このため、電力変換装置の長寿命化が要求されている。
【０００３】
電力変換装置の寿命を決める主たる要因は、電力変換装置の主回路を構成する電力用半導体スイッチング素子、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：以下ＩＧＢＴと略記する）の故障である。
【０００４】
ＩＧＢＴのエミッタ電極は、アルミや銅を使ったワイヤボンディングによりパッケージのエミッタ配線と接続されている。また、ＩＧＢＴのコレクタ電極は、半田によりパッケージのコレクタ配線と接続されている。ところで、ＩＧＢＴのエミッタ電極およびコレクタ電極には１００Ａ／ｃｍ２以上の大電流が流れる。このため、ワイヤとエミッタ電極間あるいは半田とコレクタ電極間には、ＩＧＢＴの動作パターンに応じて頻繁に温度変化が起きる。この温度変化により、ワイヤとエミッタ電極接合部、あるいは、半田とコレクタ電極接合部に金属疲労による亀裂が発生し、ＩＧＢＴは故障に至る。
【０００５】
この温度変化の大きさと、故障までの温度変化のサイクル数との関係は、ＩＧＢＴ製造メーカから実験式（信頼性マニュアルやアプリケーションマニュアルなどに記載）として提供されている。従って、ＩＧＢＴの温度を測定できれば、ＩＧＢＴの寿命を予測することができる。そして、予測されるＩＧＢＴの寿命に応じ、電力変換装置の運転方法を見直したり、計画的にＩＧＢＴを交換したりすることで、電力変換装置の長寿命化が図れる。
【０００６】
ＩＧＢＴの温度を測定する従来技術として、特許文献１および特許文献２に記載の技術が知られている。
【０００７】
特許文献１に記載の技術では、ＩＧＢＴチップの半導体基板に温度検知用ダイオードを設け、ダイオードの順電圧の温度依存性を利用して、ＩＧＢＴの温度を検知する。
【０００８】
特許文献２に記載の技術では、ＩＧＢＴデバイスのスイッチオフ段階中において、ゲート・エミッタ電圧におけるミラープラトー段階の持続時間の温度依存性を利用して、ＩＧＢＴの温度を検知する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平９−３６３５６号公報
【特許文献２】特開平２０１３−１４２７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載の技術では、ＩＧＢＴチップ内にセンサを設けるため、ＩＧＢＴの製造プロセスが複雑になるとともに、チップサイズが大きくなる。このため、電力変換装置の大型化や高コスト化を招く。
【００１１】
特許文献２に記載の技術では、ＩＧＢＴを高速にスイッチングさせると、ミラープラトー期間が短くなるため、温度の測定精度が低下する。
【００１２】
そこで、本発明は、装置の大型化や高コスト化を招くことなく、ＩＧＢＴなどの半導体スイッチング素子の温度を高精度で検出できる電力変換装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明による電力変換装置は、半導体スイッチング素子のオン・オフにより電力変換を行う主回路部を備えるものであって、主回路部に流れる電流の周波数特性に基づいて、半導体スイッチング素子の温度を判定する温度判定部を備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電流の周波数特性に基づいて、半導体スイッチング素子の温度を判定することにより、装置の大型化や高コスト化を招くことなく、半導体スイッチング素子の検出精度を向上できる。
【００１５】
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例１である電力変換装置の構成を示す。
【図２】実施例１における、ゲート電圧波形、エミッタ電流波形、並びにターンオフ時における電流周波数特性を示す。
【図３】実施例１におけるＩＧＢＴの温度の判定動作を示すフローチャートである。
【図４】実施例２である電力変換装置の構成を示す。
【図５】実施例２におけるＩＧＢＴの温度の判定動作を示すフローチャートである。
【図６】実施例３である電力変換装置の構成を示す。
【図７】実施例３における、ゲート電圧波形、直流母線電流波形、並びに検出電流の電流周波数特性を示す。
【図８】実施例４である電力変換装置の構成を示す。
【図９】実施例４における、ゲート電圧波形、電流センサによって検出される電流波形、並びに検出電流の電流周波数特性を示す。
【図１０】実施例５である電力変換装置の構成を示す。
【図１１】実施例６である電力変換装置の構成を示す。
【図１２】実施例６におけるＩＧＢＴの温度の判定動作を示すフローチャートである。
【図１３】実施例６における電流波形のサンプリングデータを模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。各図において、参照番号が同一のものは同一の構成要件あるいは類似の機能を備えた構成要件を示している。
【実施例１】
【００１８】
図１は、本発明の実施例１である電力変換装置の構成を示す。
【００１９】
本実施例１の電力変換装置は、３相交流電力を受電し（Ｒ，Ｓ，Ｔ）、受電した３相交流電力を可変電圧・可変周波数の３相交流電力に変換して、３相交流モータへ出力する（Ｕ，Ｖ，Ｗ）。受電する３相交流電力は、例えば、商用電源から供給される、一定電圧・一定周波数の３相交流電力である。
【００２０】
まず、電力変換装置が備える主回路部について説明する。
【００２１】
ダイオード１ａ〜１ｆは、３相ダイオードブリッジ回路からなる整流回路を構成する。ダイオード１ａのアノードと、ダイオード１ｂのカソードは、受電側のＲ相入力と接続される。同様に、ダイオード１ｃのアノードと、ダイオード１ｄのカソードは、Ｓ相入力に接続され、ダイオード１ｅのアノードと、ダイオード１ｆのカソードは、Ｔ相入力に接続される。受電した３相交流電力は、ダイオード１ａ〜１ｆによって構成される整流回路によって全波整流され、さらに平滑コンデンサ２によりリップル成分が取り除かれ直流電力に変換される。
【００２２】
ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆは、３相インバータ回路を構成する。ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆのコレクタには、それぞれダイオード４ａ〜４ｆのカソードが接続され、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆのエミッタには、それぞれダイオード４ａ〜４ｆのアノードが接続される。従って、ダイオード４ａ〜４ｆは、いわゆる環流ダイオードとして機能する。ＩＧＢＴ３ａ，３ｃ，３ｅのコレクタは、ダイオード１ａ，１ｃ，１ｅの各カソードとともに、平滑コンデンサ２の両端の内の高電位側に接続される。また、ＩＧＢＴ３ｂ，３ｄ，３ｆのエミッタは、ダイオード１ｂ，１ｄ，１ｆの各アノードとともに、平滑コンデンサ２の両端の内の低電位側に接続される。ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆのゲートには、それぞれ、図示されないゲート駆動回路（図２における５ａ〜５ｆ）が接続される。ＩＧＢＴ３ａのエミッタとＩＧＢＴ３ｂのコレクタは、３相交流モータ５のＷ相に接続される。同様に、ＩＧＢＴ３ｃのエミッタとＩＧＢＴ３ｄのコレクタは３相交流モータ５のＶ相に接続され、ＩＧＢＴ３ｅのエミッタとＩＧＢＴ３ｆのコレクタは３相交流モータ５のＵ相と接続される。
【００２３】
３相インバータ回路は、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆがゲート駆動回路によってオン・オフ制御されることにより、整流回路側から入力する直流電力を可変電圧・可変周波数の３相交流電力に変換して、３相交流モータ５のＵ相、Ｖ相およびＷ相へ出力する。これにより、３相交流モータ５は可変速駆動される。
【００２４】
次に、電力変換装置が備える温度判定部について説明する。
【００２５】
Ｗ相下アームにおけるＩＧＢＴ３ｂのエミッタには、電流センサ１０が設けられている。電流センサ１０によって、ＩＧＢＴ３ｂのエミッタ電流が検出される。電流センサ１０の信号は、Ａ／Ｄコンバータ１１に入力される。Ａ／Ｄコンバータ１１の出力は、周波数変換装置１２に入力される。周波数変換装置１２は、Ａ／Ｄコンバータ１１が出力する、エミッタ電流を示すデジタル信号に基づいて、検出されたエミッタ電流の周波数特性を算出する。また、メモリ装置１４には、ＩＧＢＴ３ｂに流れる電流の周波数特性とＩＧＢＴ３ｂの温度との関係を示すデータが蓄積されている。演算器１３は、周波数変換装置１２が出力する、検出されたＩＧＢＴ３ｂのエミッタ電流の周波数特性と、メモリ装置１４に蓄積されるデータを比較して、ＩＧＢＴ３ｂの温度を演算する。
【００２６】
本発明者の検討によれば、後述するように、ＩＧＢＴ３ａに流れる電流の周波数特性は温度依存性を有している。従って、本実施例１によれば、周波数特性に基づいてＩＧＢＴの温度を検出することにより、ＩＧＢＴの素子構成や電力変換装置の回路構成を特段変更することなく、従って、装置の大型化や高コスト化を招くことなく、高精度でＩＧＢＴの温度を計測することができる。
【００２７】
次に、本実施例１の動作について、図２および図３を用いて説明する。
【００２８】
図２は、実施例１におけるＩＧＢＴ３ｂについて、ゲート電圧波形、エミッタ電流波形、並びにターンオフ時における電流周波数特性を示す。ゲート電圧がしきい値電圧を超えるとＩＧＢＴ３ｂはターンオンし、エミッタ電流が流れ始める。ターンオン初期には、Ｗ相上アームのダイオード４ａのリカバリ電流が３相交流モータ５のＷ相電流に重畳されるため、エミッタ電流波形はピークを有する。ターンオフ時において、ゲート電圧がしきい値電圧を下回るとＩＧＢＴ３ｂはターンオフし、エミッタ電流が減少する。
【００２９】
図２のエミッタ電流波形の内、実線で示す波形は、ＩＧＢＴ３ｂの温度がＴａのときのエミッタ電流波形であり、点線で示す波形はＩＧＢＴ３ｂの温度がＴｂ（＞温度Ｔａ）のときのエミッタ電流波形である。図２に示すように、温度Ｔａでのターンオフ時間（下降時間）ｔｆ＜温度Ｔｂでのターンオフ時間（下降時間）ｔｆ’、となる。
【００３０】
図２に示す電流周波数特性は、同図２に示すエミッタ電流波形を周波数変換（例えば、フーリエ変換）して得られる。このような周波数変換は、周波数変換装置１２（図１）によって実行される。エミッタ電流が一定である時間をｔｐとすると、ＩＧＢＴ３ｂのターンオフ時のエミッタ電流の電流値（ｄＢ）は、ＤＣから周波数１／（πｔｐ）までは一定の値を有し、１／（πｔｐ）以上の周波数では、２０ｄＢ／ｄｅｃ（周波数１０倍で２０ｄＢ変化）の傾きで、周波数に応じて減少する。さらに、本発明者の検討によれば、温度Ｔａの場合、電流値（ｄＢ）は、周波数が１／（πｔｆ）以上で、４０ｄＢ／ｄｅｃ（周波数１０倍で４０ｄＢ変化）の傾きで、周波数に応じて減少する。また、温度Ｔｂ（＞Ｔａ）の場合、電流値（ｄＢ）は、周波数が１／（πｔｆ’）（＜１／（πｔｆ））以上で、４０ｄＢ／ｄｅｃの傾きで、周波数に応じて減少する。
【００３１】
このように、本発明者の検討によれば、ＩＧＢＴのターンオフ時におけるエミッタ電流の周波数特性は、上述のような温度依存性を有する。そこで、本実施例１においては、周波数特性において、電流値の減少の傾きが２０ｄＢ／ｄｅｃから４０ｄＢ／ｄｅｃに変わる周波数と温度との関係を予め測定などにより求めて、メモリ装置１４（図１）にデータとして予め蓄積する。演算器１３（図１）は、周波数変換装置１２（図１）によって演算される検出電流の周波数特性から検出電流値の減少の傾きが２０ｄＢ／ｄｅｃから４０ｄＢ／ｄｅｃに代わる周波数を演算し、演算された周波数を、メモリ装置１４（図１）に蓄積されるデータと比較して、演算された周波数に対応する温度を判定する。
【００３２】
なお、温度依存性を除く電流値（ｄＢ）の周波数特性は、いわゆる台形波の周波数スペクトルに対応する。
【００３３】
図３は、実施例１におけるＩＧＢＴの温度の判定動作を示すフローチャートである。
【００３４】
動作が開始されると（ステップ（１））、ＩＧＢＴ３ｂの電流スイッチング時の電流波形が、電流センサ１０により電圧信号に変換される（ステップ（２））。
【００３５】
電流センサ１０からの電圧信号すなわち電流を示すアナログ信号は、Ａ／Ｄコンバータ１１によって、デジタル信号に変換される（ステップ（３））。
【００３６】
Ａ／Ｄコンバータ１１からのデジタル信号が示す電流波形が、周波数変換装置１２によって、電流の周波数特性に変換される（ステップ（４））。
【００３７】
次に、演算器１３によって、メモリ装置１４に蓄積される電流の周波数特性と温度の関係、本実施例１では、傾き４０ｄＢ／ｄｅｃでの電流値減少が始まる周波数と温度の関係が参照される（ステップ（５））とともに、周波数変換装置１２によって算出される検出電流の周波数特性において、傾き４０ｄＢ／ｄｅｃでの電流値減少が始まる周波数が演算される（ステップ（６））。
【００３８】
次に、演算器１３によって、メモリ装置１４に蓄積されるデータと、検出電流の周波数特性、本実施例１では、傾き４０ｄＢ／ｄｅｃでの電流値減少が始まる周波数の演算値とが比較され、比較結果に応じてＩＧＢＴの温度が判定される（ステップ（７））。
【００３９】
上述のように、本実施例１によれば、装置の大型化や高コスト化を招くことなく、高精度でＩＧＢＴの温度を計測することができる。なお、本実施例１においては、ターンオフ時の電流周波数特性に基づいてＩＧＢＴの温度が判定されるが、ターンオン時の電流周波数特性に基づいてＩＧＢＴの温度が判定されても良い。この場合、上述の下降時間ｔｆを上昇時間ｔｒに置き換えればよい。
【００４０】
なお、本実施例１においては、インバータ回路を構成するＩＧＢＴの内、ＩＧＢＴ３ｂを代表として温度を判定しているが、他のＩＧＢＴ３ａ，３ｃ〜３ｆの内のいずれかを代表としても良い。また、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆの各々に電流センサを設けて個別に温度を判定しても良い。これにより、故障する可能性が高いＩＧＢＴだけを交換することができるので、容易に、あるいは低コストで、電力変換装置の長寿命化が図れる。また、ＩＧＢＴのコレクタ電流の周波数特性に基づいて、ＩＧＢＴの温度を判定しても良い。
【００４１】
また、上下アームにおけるＩＧＢＴとダイオードの並列回路は、並列接続される複数のＩＧＢＴチップと、並列接続される複数のダイオードチップとの並列回路でも良い。例えば、上下アームをいわゆるＩＧＢＴモジュールによって構成しても良い。ＩＧＢＴモジュールの場合、代表ＩＧＢＴの温度を判定し、故障に到るまでの期間（時間）が所定値を下回ったら、ＩＧＢＴモジュールが交換される。
【実施例２】
【００４２】
次に、本発明の実施例２について、図４および図５を用いて説明する。なお、主に、実施例１と異なる点について説明する。
【００４３】
図４は、本発明の実施例２である電力変換装置の構成を示す。
【００４４】
本実施例２において、マイクロコンピュータ６は、外部（例えば、上位制御装置）からのトルク指令値（図示せず）と電流センサ８ａ，８ｂによって検出されるモータ電流情報に基づいて、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆを駆動するためのＰＷＭ信号を作成する。ＰＷＭ信号は、マイクロコンピュータ６から、フォトカプラ７ａ〜７ｆを介して、ゲート駆動回路５ａ〜５ｆに送信される。ゲート駆動回路５ａ〜５ｆは、ＰＷＭ信号に応じてゲート駆動電圧信号を、それぞれＩＧＢＴ３ａ〜３ｆのゲートへ出力する。これにより、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆは、オン・オフ制御される。すなわち、マイクロコンピュータ６は、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆをオン・オフ制御するためのゲート駆動電圧信号を作成する制御部として機能する。
【００４５】
なお、フォトカプラ７ａ〜７ｆは、マイクロコンピュータ６側と、ゲート駆動回路５ａ〜５ｆとの間を、ＰＷＭ信号を伝送しながらも、電気的に絶縁分離するために設けられる。
【００４６】
周波数変換装置１２には、周波数変換を開始するトリガとして、マイクロコンピュータ６からのトリガ信号が入力される。トリガ信号は、ＰＷＭ信号に応じて、ＩＧＢＴがターンオンあるいはターンオフするタイミングで出力される。すなわち、周波数変換装置１２は、ゲート駆動電圧信号に同期して、周波数変換、すなわちＩＧＢＴ３ｂのエミッタ電流の周波数特性の算出を開始する。
【００４７】
図５は、実施例２におけるＩＧＢＴの温度の判定動作を示すフローチャートである。
【００４８】
本実施例２においては、マイクロコンピュータ６からのトリガ信号に応じて（ステップ（８））、Ａ／Ｄコンバータ１１からのデジタル信号が示すターンオン電流波形あるいはターンオフ電流波形が、周波数変換装置１２によって、電流の周波数特性に変換される（ステップ（４））。
【００４９】
これにより、周波数変換装置１２は、ターンオン電流波形あるいはターンオフ電流波形のどちらを取り込んでいるかを判別して、どちらか一方の電流波形の変換処理を実行することができる。このため、周波数変換装置１２やＡ／Ｄコンバータ１１の処理負荷が低減される。従って、処理に要する時間が短縮されたり、安価な周波数変換装置１２やＡ／Ｄコンバータ１１が適用できたりする。
【実施例３】
【００５０】
次に、本発明の実施例３について、図６および図７を用いて説明する。なお、主に、実施例２と異なる点について説明する。
【００５１】
図６は、本発明の実施例３である電力変換装置の構成を示す。
【００５２】
本実施例３において、電流センサ１０は、平滑コンデンサ２の低電位端と、下アーム側のＩＧＢＴ３ｂ，３ｄ，３ｆのエミッタ、すなわちインバータ回路の直流入力の低電位側との間に設けられている。従って、電流センサ１０は、いわば直流母線電流を検出する。
【００５３】
図７は、本実施例３における、ＩＧＢＴ３ｂのゲート電圧波形、電流センサ１０によって検出される直流母線電流波形、並びに検出電流の電流周波数特性を示す。
【００５４】
ゲート電圧の立ち上がり時、すなわちＩＧＢＴ３ｂのターンオン時には、リカバリ電流が流れると共に、ＩＧＢＴ３ｂの寄生容量を介して過渡的に電流が流れる。これらの電流は、配線寄生インダクタンス、ＩＧＢＴ３ｂの寄生容量、配線の寄生容量を通って、整流回路側に流れ込む。このため、図７に示すように、電流センサ１０による検出電流は過渡的に振動する。また、ゲート電圧の立ち下がり時、すなわちＩＧＢＴ３ｂのターンオフ時においても、寄生容量を介して過渡的に電流が流れるため、ターンオン時と同様に、電流センサ１０による検出電流は振動する。
【００５５】
さらに、図７に示すように、電流センサ１０によって検出される直流母線電流の周波数特性は、電流の過渡的振動に伴い、いくつかの周波数においてピーク値を示す。本発明者の検討によれば、ピーク値を示す周波数は、図７に示すように温度が高くなると（Ｔａ→Ｔｂ（＞Ｔａ））、低周波側へずれるような、温度依存性を有する。
【００５６】
ここで、寄生容量をＣｓとし、ターンオン時あるいはターンオフ時のＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間電圧変化をｄＶ／ｄｔとすると、過渡的に流れる電流は、Ｃｓ×（ｄＶ／ｄｔ）と表される。この（ｄＶ／ｄｔ）は温度が高くなると小さくなり、電流の変化が緩やかになる。このため、図７において、温度Ｔａにおける周波数特性（実線）と温度Ｔｂ（＞Ｔａ）における周波数特性（点線）を比較すると判るように、温度Ｔａの場合のピーク値に対して、温度Ｔｂ（＞Ｔａ）の場合のピーク値は、いずれも周波数が低くなる方へずれている。
【００５７】
本実施例３においては、このような周波数特性と温度との関係、すなわち、温度と、電流ピーク値を示す周波数との関係が、実測などにより予め取得され、メモリ装置１４に格納される。そして、前述の図５に示す温度の判定動作によって、電流センサ１０による検出電流から温度を判定することができる。
【００５８】
ここで、電流センサ１０で検出される直流母線電流の波形は、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆの各々のターンオンおよびターンオフのタイミングで、図７に示す電流波形のように変化する。従って、インバータ回路を構成する各ＩＧＢＴのゲート駆動信号がオンあるいはオフするタイミングでトリガ信号を発生することで、ＩＧＢＴ３ａ〜３ｆの内、どのＩＧＢＴのターンオン電流波形あるいはターンオフ電流波形を取り込んでいるかが判別できる。従って、一つの電流センサ１０によって、各ＩＧＢＴの温度を判定することができる。
【００５９】
電流センサ１０としては、例えば、シャント抵抗器が用いられる。なお、電流センサ１０は、いわゆる１シャント方式でモータ電流を検出する時に用いられる直流母線電流検出用のセンサを兼ねても良い。
【実施例４】
【００６０】
次に、本発明の実施例４について、図８および図９を用いて説明する。なお、主に、実施例３と異なる点について説明する。
【００６１】
図８は、本発明の実施例４である電力変換装置の構成を示す。
【００６２】
本実施例４においては、ノイズを除去するフィルタとして、インバータ回路の直流入力の低電位側（Ｎ側）に、Ｘコンデンサ２０の一端が接続される。Ｘコンデンサ２０の他端は電流センサ１０を介してグランドに接続されている。従って、Ｘコンデンサ２０によって、直流母線電流から、ノイズすなわち各ＩＧＢＴのターンオン・ターンオフ時における過渡的振動成分が除去される。この過渡的振動成分は、Ｘコンデンサ２０を介して、グランドに流れ、電流センサ１０によって検出される。
【００６３】
図９は、本実施例４における、ＩＧＢＴ３ｂのゲート電圧波形、電流センサ１０によって検出される電流波形、並びに検出電流の電流周波数特性を示す。
【００６４】
図９が示すように、電流センサ１０によって検出される電流の周波数特性は、図７（実施例３）と同様に、いくつかの周波数においてピーク値を示し、かつ、温度が高くなると（Ｔａ→Ｔｂ（＞Ｔａ））、ピーク値を示す周波数が低周波側へずれるような温度依存性を有する。従って、前述の実施例３と同様に、各ＩＧＢＴの温度を判定できる。
【００６５】
また、図７と図９の電流波形および周波数特性から判るように、本実施例４において、電流センサ１０の検出電流は、直流母線電流の直流成分すなわちモータ電流に応じて流れる電流成分が除去されている。従って、電流センサ１０が有する性能として、検出可能な最大電流値を低減できる。すなわち、電流センサ１０を小型化あるいは低コスト化できる。
【実施例５】
【００６６】
次に、本発明の実施例５について、図１０を用いて説明する。なお、主に、実施例４と異なる点について説明する。
【００６７】
図１０は、本発明の実施例５である電力変換装置の構成を示す。
【００６８】
本実施例５においては、直流母線電流からコモンモードノイズを除去するために、インバータ回路の直流入力側に、フィルタコンデンサとして、Ｙコンデンサ２１ａ，２１ｂが接続される。Ｙコンデンサ２１ａの一端が、インバータ回路の直流入力の低電位側（Ｎ側）に接続され、Ｙコンデンサ２１ａの他端がＹコンデンサ２１ｂの一端に接続される。Ｙコンデンサ２１ｂの他端が、インバータ回路の直流入力の高電位側（Ｐ側）に接続される。さらに、Ｙコンデンサ２１ａ，２１ｂの接続点がグランドに接続されている。従って、Ｙコンデンサ２１ａ，２１ｂによって、直流母線電流から、コモンモードノイズすなわち各ＩＧＢＴのターンオン・ターンオフ時における過渡的振動成分が除去される。この過渡的振動成分は、グランドに流れ、電流センサ１０によって検出される。
【００６９】
本実施例５においても、電流センサ１０によって検出される電流の周波数特性は、図７（実施例３）や図９（実施例４）と同様に、温度依存性を有するので、前述の実施例３，４と同様に、各ＩＧＢＴの温度を判定できる（図５参照）。
【００７０】
また、本実施例５においても、前述の実施例４（図８）と同様に、電流センサ１０を小型化あるいは低コスト化できる。
【実施例６】
【００７１】
次に、本発明の実施例６について、図１１〜１２を用いて説明する。なお、主に、実施例５と異なる点について説明する。
【００７２】
図１１は、本発明の実施例６である電力変換装置の構成を示す。
【００７３】
本実施例６においては、マイクロコンピュータ６が作成するゲート駆動電圧信号に応じてトリガ信号を発生するトリガ回路３０が設けられる。トリガ回路３０が発生するトリガ信号は、Ａ／Ｄコンバータ１１に与えられる。また、Ａ／Ｄコンバータ１１と周波数変換装置１２の間に、判定回路４０およびメモリ５０が設けられる。メモリ５０は、Ａ／Ｄコンバータ１１が出力する電流のデジタルデータを時系列に蓄積する。すなわち、メモリ５０は電流波形データを蓄積する。なお、本実施例６において、Ａ／Ｄコンバータ１１は、所定期間において、所定時間間隔で、電流値をサンプリングすることにより、電流波形データを取り込む。そして、後述するように、このような、所定期間における電流波形取り込みが複数回繰り返される。
【００７４】
図１２は、実施例６におけるＩＧＢＴの温度の判定動作を示すフローチャートである。本実施例６において、トリガ回路３０、判定回路４０およびメモリ５０によって、実施例５の判定動作（図５）に付加される動作は次のとおりである。
【００７５】
トリガ回路３０によって、マイクロコンピュータ６が作成するゲート駆動信号と同期をとりながら、Ａ／Ｄコンバータ１１のサンプリングトリガが発生される（ステップ（９））。
【００７６】
また、判定回路４０によって、上述のような電流波形取り込みのための所定期間でのサンプリングの繰り返し回数が、すなわち電流波形取り込み回数が、所定回数に達したかが判定される（ステップ（１０））。
【００７７】
サンプリング繰り返し回数が所定回数に達している場合（ステップ（１０）のＹｅｓ）、すなわち電流波形データの取り込みが所定回数実行された場合、周波数変換装置１２によって、メモリ５０に蓄積されている電流波形データ（デジタル信号）から電流の周波数特性が演算される（ステップ（４））。
【００７８】
サンプリング繰り返し回数が所定回数に達していない場合（ステップ（１０）のＮｏ）、Ａ／Ｄコンバータ１１でＡ／Ｄ変換した電流のデータがメモリ５０に蓄積されるとともに（ステップ（１１））、サンプリングトリガ開始時間を、サンプリング間隔よりも短い所定時間Δｔだけ遅らせて（ステップ（１２））、再度、トリガ回路３０回路によりサンプリングトリガを発生させ（ステップ（９））、Ａ／Ｄコンバータ１１により電流センサ１０の電流検出信号がＡ／Ｄ変換される。
【００７９】
図１３は、本実施例６における電流波形のサンプリングデータを模式的に示す。
【００８０】
図１３中、黒丸のプロットは１回目のサンプリングデータ、黒四角のプロットは２回目のサンプリングデータ、黒三角のプロットは３回目のサンプリングデータを示す。
【００８１】
図１３に示すように、サンプリングトリガ開始時間をサンプリング間隔よりも短い所定時間Δｔだけ遅らせて、複数回、波形データを取り込むことにより、電流波形の検出精度が向上する。このとき、実質的に、Ａ／Ｄコンバータ１１が有するサンプリングレイトよりも高いサンプリングレイトでサンプリングしたのと同等な波形データが得られる。従って、低コストなＡ／Ｄ変換器を用いても、正確な波形データが得られる。
【００８２】
ここで、ノイズ（過渡的振動成分）は高周波電流（１ＭＨｚ程度以上）であるのに対し、一般的に、モータの回転数は１００Ｈｚ程度以下、ＩＧＢＴのスイッチングキャリア周波数は１ｋＨｚ以上である。この場合、ノイズは、ＩＧＢＴのスイッチング時に発生するので、モータの電流の変化に対して１０倍以上の頻度で発生する。ここで、ＩＧＢＴの温度は、電力変換装置の主回路に流れる電流すなわちモータ電流に依存するので、温度変化の頻度は、ノイズの発生頻度に対して１／１０以下である。すなわち、ノイズ電流波形を数回程度取り込む間は、温度はほぼ一定である。従って、本実施例６によれば、複数回の波形データを取り込むことにより正確な波形データが得られるので、ＩＧＢＴの温度を高精度に判定できる。
【００８３】
なお、本発明は前述した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、前述した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置き換えをすることが可能である。
【００８４】
例えば、実施例２〜５（図４，６，８，１０）において、Ａ／Ｄコンバータ１１、周波数変換装置１２、演算器１３およびメモリ装置１４が、マイクロコンピュータ６と同じ半導体チップに集積化されても良い。また、実施例６（図１１）において、Ａ／Ｄコンバータ１１、周波数変換装置１２、演算器１３、メモリ装置１４、トリガ回路３０、判定回路４０およびメモリ５０は、マイクロコンピュータ６と同じ半導体チップに集積化されても良い。このような集積化により、電力変換装置の制御部を小型化あるいは低コスト化できる。
【００８５】
また、３相交流モータ５としては、誘導機や同期機など、種々の交流モータが適用できる。
【００８６】
また、インバータ回路によって駆動される負荷は、３相交流モータに限らず、他の交流負荷でも良い。
【符号の説明】
【００８７】
１ａ〜１ｆ：ダイオード、２：平滑コンデンサ、３ａ〜３ｆ：ＩＧＢＴ、
４ａ〜４ｆ：ダイオード、５ａ〜５ｆ：ゲート駆動回路、５：３相交流モータ、
６：マイクロコンピュータ６、７ａ〜７ｆ：フォトカプラ、
１０：電流センサ、１１：Ａ／Ｄコンバータ、１２：周波数変換装置、
１３：演算器、１４：メモリ装置、２０：Ｘコンデンサ、
２１ａ，２１ｂ：Ｙコンデンサ、３０：トリガ回路、４０：判定回路、
５０：メモリ
【図１】
2018179878.tif 000003
【図２】
2018179878.tif 000004
【図３】
2018179878.tif 000005
【図４】
2018179878.tif 000006
【図５】
2018179878.tif 000007
【図６】
2018179878.tif 000008
【図７】
2018179878.tif 000009
【図８】
2018179878.tif 000010
【図９】
2018179878.tif 000011
【図１０】
2018179878.tif 000012
【図１１】
2018179878.tif 000013
【図１２】
2018179878.tif 000014
【図１３】
2018179878.tif 000015