(57)【要約】【課題】製品領域内の複数の配線基板におけるメタライズ層同士の通電経路などを可及的に短くでき、且つ通電経路が分割溝により遮断されない多数個取り配線基板を提供する。【解決手段】複数の配線基板２ａを縦横に配列した製品領域Ｐａと、該領域Ｐａにおける各配線基板２ａの表面３の外形状に沿って形成されたメタライズ層９と、製品領域Ｐａの周囲に位置する耳部５と、製品領域Ｐａにおける複数の配線基板２ａ同士の間および製品領域Ｐａと耳部５との間を区画し、且つ表面３側から形成された分割溝１５とを備え、製品領域Ｐａ内で隣接する配線基板２ａ同士は、メタライズ層９が互いに隣接する辺同士から裏面４側に向かって絶縁層ｃ１〜ｃ３間に延伸して形成された第１ビア導体１１と、絶縁層間ｃ１〜ｃ３で、製品領域Ｐａの分割溝１５の最深部から離れて形成され、且つ第１ビア導体１１同士間を導通する第１配線層（タイバー）１４ａと、を備えている、多数個取り配線基板１。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層を積層してなり、表面および裏面を有し且つ平面視で複数の配線基板を縦横に配列してなる製品領域と、
上記製品領域における複数の配線基板ごとの表面の外形形状に沿って形成された平面視が枠状のメタライズ層と、
上記製品領域の周囲に位置する耳部と、
上記製品領域における複数の配線基板同士の間、および前記製品領域と上記耳部との間を区画し、且つ上記表面側から形成された溝状の分割溝と、を備えた多数個取り配線基板であって、
上記製品領域内で隣接する配線基板同士は、上記メタライズ層における互いに隣接するそれぞれの辺から上記裏面側に向かって上記絶縁層間に延伸して形成された第１ビア導体と、
上記複数の絶縁層間であって、上記製品領域における上記配線基板同士間の上記分割溝の最深部から離間して形成され、且つ上記第１ビア導体同士間を電気的に接続する第１配線層と、を備えている、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記耳部の側面には、メッキ用電極が形成され、
前記製品領域の最外側に位置する前記配線基板は、前記メタライズ層における前記耳部と隣接する辺から前記裏面側に向かって前記絶縁層間に延伸して形成された第２ビア導体と、前記複数の絶縁層間であって、上記製品領域と前記耳部との間を区画する前記分割溝の最深部から離間して形成され、且つ上記メッキ用電極と上記第２ビア導体との間を電気的に接続する第２配線層と、を備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記メタライズ層は、平面視が矩形枠状で形成され、
前記第１ビア導体および第２ビア導体は、上記メタライズ層の４辺ごとにおける長手方向の中央部に接続されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線基板が縦横に隣接して配列され、前記複数の配線基板ごとの間の表面や裏面に分割溝があっても、かかる配線基板領域ごとの表面や裏面などに形成されたメタライズ層などの導体部分に金属メッキ膜が比較的均一に被覆されている多数個取り配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、複数の絶縁層を積層してなり、複数の配線基板を縦横に沿って配列した製品領域と、上記と同じ絶縁層を積層してなり、前記製品領域の外周に沿って位置する耳部と、該耳部の外側面に形成したメッキ用電極と、前記耳部の内周側に沿って形成され、前記メッキ用電極と製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から伸びた接続配線との間を導通するメッキ用タイバーとを備え、該メッキ用タイバーの厚みを、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かってテーパ状または階段状に厚くなるようにした多数個取り配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記多数個取り配線基板によれば、メッキ用電極から流れる電流が該メッキ用電極に近接する配線基板に過剰に流れず、且つメッキ用電極から離れた位置の配線基板には比較的流れ易くなり、導通経路の長短に伴う抵抗の差を抑制ないし低減できるので、配線基板ごとの位置に拘わらず、複数の配線基板における導体部分の表面に厚みが比較記均一な金属メッキ膜を被覆することができる。
【０００３】
しかし、前記多数個取り配線基板では、前記耳部の外側面に形成したメッキ用電極と、製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分との間に、前記接続配線と比較的長大なメッキ用タイバーとが介在しているので、電解メッキ時の通電経路が過度に長くなり易いことにより、過大なメッキ電流を給電することが必要となる。更に、上記接続配線およびメッキ用タイバーが、前記製品領域と耳部との表面に形成されていると、かかる表面における所定の位置に分割溝を形成することができない、という問題もあった。
【０００４】
また、前記配線基板の表面側に分割溝を形成するため、配線基板ごとの表面にメッキ用タイバーを設けず、該配線基板の内部にメッキ用タイバーを設ける場合でも、各配線基板をメッキ用電極と電気的に接続するため、配線基板の内部に連絡配線や接続配線などのメッキ用の配線を形成する必要がある。この場合、各配線基板の内部に比較的長大であるに拘わらず、分割後の製品としては不要な配線が増えてしまう。かかる不要な配線が増えると、製品とされた配線基板の内部における電気の流れに干渉が生じることで、電気的特性に悪影響を与え得るという問題もある。前記電気の流れの干渉は、特に高周波数帯で顕著な問題となり易い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５１２６０号公報（第１〜１２頁、図１〜１５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、製品領域内における複数の配線基板における導体層同士の通電経路や、製品領域の最外側の配線基板における導体層と耳部のメッキ用電極との通電経路を可及的に短くできると共に、これらの通電経路が分割溝によって遮断されない多数個取り配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するため、配線基板ごとの表面に形成される枠状のメタライズ層同士を、分割溝よりも離れた位置に形成した配線層（タイバー）を介して導通する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取り配線基板（請求項１）は、  複数の絶縁層を積層してなり、表面および裏面を有し且つ平面視で複数の配線基板を縦横に配列してなる製品領域と、該製品領域における複数の配線基板ごとの表面の外形形状に沿って形成された平面視が枠状のメタライズ層と、上記製品領域の周囲に位置する耳部と、上記製品領域における複数の配線基板同士の間、および前記製品領域と上記耳部との間を区画し、且つ上記表面側から形成された溝状の分割溝と、を備えた多数個取り配線基板であって、上記製品領域内で隣接する配線基板同士は、上記メタライズ層における互いに隣接するそれぞれの辺から上記裏面側に向かって上記絶縁層間に延伸して形成された第１ビア導体と、上記複数の絶縁層間であって、上記製品領域における上記配線基板同士間の上記分割溝の最深部から離間して形成され、且つ上記第１ビア導体同士間を電気的に接続する第１配線層と、を備えている、ことを特徴とする。
【０００８】
前記のような多数個取り配線基板によれば、以下の効果（１）〜（３）を奏することが可能となる。
（１）前記第１配線層（第１タイバー）は、隣接する前記配線基板ごとの互いに隣接し合うメタライズ層に接続された第１ビア導体同士の間を接続するため、比較的短く形成できる。その結果、メッキ用電流が流れる導通経路が短くなることによって、前記メタライズ層を含む外部に露出する導体ごとの表面に所要の金属メッキ膜を比較的均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板となっている。
（２）前記第１配線層は、隣接する前記配線基板ごとのメタライズ層に接続された第１ビア導体同士の間を接続し、且つ前記表面側に開口して形成された分割溝を迂回する態様で形成されているので、該分割溝が位置していても、隣接する配線基板のメタライズ層同士を確実に導通できる。その結果、係るメタライズ層を含む外部に露出する導体の表面に所要の金属メッキ膜を確実に被覆した複数の配線基板を併有し、且つ分割することも容易な多数個取り配線基板となっている。
（３）追って前記分割溝に沿って個片化される各配線基板の内部には、比較的短い第１配線層の一部や第１ビア導体が残留するに留まるので、配線基板ごとの内部における電気の流れにおける干渉を著しく抑制することが可能となる。
【０００９】
尚、前記絶縁層は、セラミック層あるいは樹脂層である。前記セラミックは、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックが例示され、上記樹脂には、例えば、エポキシ系樹脂が例示される。
また、前記メタライズ層は、前記配線基板ごとの表面上に追って搭載される電子部品を密封（シール）するために形成され、該メタライズ層の上面に箱形状の金属蓋の周縁がシーム溶接されるか、あるいは、上記メタライズ層の上面に予めロウ付けしいおいた金属枠の上面に平板状の金属蓋の周縁がシーム溶接される。
更に、前記メタライズ層は、前記配線基板ごとの表面の外形形状に沿っておれば、前記分割溝の開口縁から配線基板の中央側に若干離れて形成されていても良い。
【００１０】
また、前記メタライズ層、第１ビア導体、第１配線層（第１タイバー）などの導体は、前記絶縁層が高温焼成セラミックの場合には、タングステン（以下、Ｗと記載する）またはモリブデン（以下、Ｍｏと記載する）からなり、前記絶縁層が低温焼成セラミックや前記樹脂の何れかの場合には、銀（以下、Ａｇと記載する）または銅（以下、Ｃｕと記載する）からなる。
更に、前記分割溝の溝形状とは、断面がＶ字形状またはＵ字形状を呈し、前記絶縁層の表面側からナイフやカッターなどのような刃物を所定の深さで挿入するか、あるいは、レーザ加工により形成されている。
加えて、前記複数の配線基板は、少なくともその表面ごとの中央側に開口するキャビティを備えていても良い。
【００１１】
また、本発明には、前記耳部の側面には、メッキ用電極が形成され、前記製品領域の最外側に位置する前記配線基板は、前記メタライズ層における前記耳部と隣接する辺から前記裏面側に向かって形成された第２ビア導体と、前記複数の絶縁層間であって、上記製品領域と前記耳部との間を区画する前記分割溝の最深部から離間して形成され、且つ上記メッキ用電極と上記第２ビア導体との間を電気的に接続する第２配線層と、を備えている、多数個取り配線基板（請求項２）も含まれる。
上記多数個取り配線基板によれば、前記第２配線層は、前記製品領域の最外側に位置する配線基板の前記メタライズ層と、前記耳部の外側面に形成されたメッキ用電極との間を電気的に接続し、且つ前記製品領域と前記耳部との間を区画する前記分割溝を迂回して形成されている。そのため、前記効果（１）〜（３）を確実に奏することが可能となる。
尚、前記第２ビア導体や第２配線層（第２タイバー）などの導体も、前記同様のＷ、Ｍｏ、Ａｇ、あるいはＣｕなどからなる。
【００１２】
更に、本発明には、前記メタライズ層は、平面視が矩形枠状で形成され、
前記第１ビア導体および第２ビア導体は、上記メタライズ層の４辺ごとにおける長手方向の中央部に接続されている、多数個取り配線基板（請求項３）も含まれる。
上記多数個取り配線基板によれば、前記第１ビア導体および第２ビア導体は、前記配線基板ごとにおけるメタライズ層の４辺ごとにおける長手方向の中央部にて接続されている。その結果、前記第１配線層を最短の長さとすることができる。その結果、一方の電極であるメッキ用電極から他方の電極であるメッキ用電極に対して流されるメッキ用電流の通電経路を、平面視の全体がほぼ網目状パターンとなることにより、均一で且つバランスのあるものにできるので、前記効果（１）〜（３）を一層確実に奏することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による一形態の多数個取り配線基板を示す部分平面図。
【図２】図１中Ｘ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図３】図２中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った水平断面図。
【図４】電解金属メッキ時の導通経路の概略を示す図２と同様な垂直断面図。
【図５】前記多数個取り配線基板を分割して得られる配線基板の垂直断面図。
【図６】異なる形態の配線基板を有する多数個取り配線基板を示す垂直断面図。
【図７】電解金属メッキ時の導通経路の概略を示す図６と同様な垂直断面図。
【図８】上記多数個取り配線基板を分割して得られる配線基板の垂直断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、一形態の多数個取り配線基板１を示す部分平面図、図２は、図１中Ｘ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３は、図２中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った水平断面図である。
かかる多数個取り配線基板１は、図１，図２に示すように、３層（複数）のセラミック層（絶縁層）ｃ１〜ｃ３を積層してなり、表面３、裏面４，および四辺の側面６を有し、且つ平面視で複数の配線基板２ａを縦横に配列してなる製品領域Ｐａと、該製品領域Ｐａの周囲に位置する平面視が矩形枠状の耳部５と、前記製品領域Ｐａ内において隣接する複数の配線基板２ａ同士の間、および前記製品領域Ｐａと耳部５との間を区画し、上記表面３側および裏面４側から対向する位置に個別に形成された断面Ｖ字形状（溝状）の分割溝１５，１６と、を備えている。
尚、前記セラミック層ｃ１〜ｃ３は、例えば、アルミナを主成分としている。また、前記表面３および裏面４は、前記製品領域Ｐａ内の各配線基板２ａおよび前記耳部５の表面３および裏面４として共通して用いられている。更に、図２，図３中において、破線で示す符号１７は、仮想の切断予定面を示している。
【００１５】
個々の前記配線基板２ａは、平面視が長方形（矩形）状の表面３および裏面４を有し、該表面３の周辺部には、当該表面３の外形形状に沿った平面視が矩形枠状のメタライズ層９が形成されている。かかるメタライズ層９に囲まれた表面３における一方の側には、一対の素子搭載パッド１０が形成されている。
図１，図２に示すように、個々の前記配線基板２ａのメタライズ層９には、該メタライズ層９の各辺の長手方向における中央部に前記セラミック層ｃ２，ｃ３を貫通する第１ビア導体１１の上端部あるいは第２ビア導体１２の上端部が接続されている。図３に示すように、平面視で縦方向および横方向に隣接する２つの配線基板２ａにおいて、互いのメタライズ層９の長辺同士あるいは短辺同士が隣接するメタライズ層９同士から垂下して隣接し合う一対の第１ビア導体１１の下端同士は、前記セラミック層ｃ１，ｃ２間に形成された第１配線層（第１タイバー）１４ａによって電気的に接続されている。
上記第１配線層１４ａは、平面視が長方形（矩形）状を呈し、その長辺方向の中央部で前記切断予定面１７と交差すると共に、前記表面３側に開口する分割溝１５の最深部から離間（迂回）した位置に形成されている。
【００１６】
また、図１，図２に示すように、前記耳部５における四辺の側面６には、複数のメッキ用電極８がほぼ等間隔に形成されている。かかるメッキ用電極８は、各側面６に穿設された平面視が半円形状の凹部７の内壁面に沿っており、且つ前記表面３から裏面４に向かう厚み方向に沿っているので、平面視で半円弧形状を呈する。
図２，図３に示すように、製品領域Ｐａの最外側に位置する配線基板２ａの前記メタライズ層９ごとにおいて、耳部５に隣接する長辺あるいは短辺の中央部から垂下した第２ビア導体１２の下端部と、前記切断予定面１７を挟んで対向する耳部５のメッキ用電極８とは、前記セラミック層ｃ１，ｃ２間に形成された比較的短い第２配線層（第２タイバー）１４ｂを介して電気的に接続されている。
【００１７】
更に、図２に示すように、個々の前記配線基板２ａの裏面４には、該裏面４ごとの四隅側に４つの接続電極１３が形成されている。該接続電極１３は、追って個片化されて分割した配線基板２ａを、図示しないプリント基板などのマザーボードに実装する際に、該マザーボードと電気的に接続するための端子である。
上記接続電極１３の何れかは、前記セラミック層ｃ１〜ｃ３の何れかを適宜貫通するビア導体ｖａを介して、前記素子搭載パッド１０と電気的に接続されたり、あるいは、前記メタライズ層９やセラミック層ｃ１〜ｃ３間に形成されている図示しない内部配線層と電気的に接続される。
加えて、前記分割溝１５，１６は、それらの最深部が平面視において前記切断予定面１７と重複している。尚、前記メッキ用電極８、メタライズ層９、素子搭載パッド１０、第１・第２ビア導体１１，１２、接続電極１３、第１・第２配線層１４ａ，１４ｂ、およびビア導体ｖａは、主にＷあるいはＭｏからなる。また、前記裏面４側に開口する分割溝１６は、省略した形態としても良い。
【００１８】
前記のような多数個取り配線基板１における電解メッキ時の通電経路を、図４を基にして説明する。
例えば、図４中で左端側のメッキ用電極８から給電されたメッキ用電流は、図４中で左側の第２配線層１４ｂを通じて、左側の配線基板２ａ内おける左側の第２ビア導体１２、該配線基板２ａのメタライズ層９、該配線基板２ａにおける右側の第１ビア導体１１、および中央部の第１配線層１４ａを経て、右側の配線基板２ａ内における左側の第１ビア導体１１、該配線基板２ａのメタライズ層９、該配線基板２ａにおける右側の第２ビア導体１２、および図４中で右側の第２配線層１４ｂを通じて、右端側のメッキ用電極８に送電される。上記メッキ用電流の通電経路には、上記順路と逆方向の形態も含まれる。
【００１９】
前記のような通電経路は、図１，図３に示したように、各図の縦方向においても、同様にして形成される。換言すれば、前記メッキ用電流は、平面視した際の多数個取り配線基板１における横方向および縦方向のほぼ全面にわたり、ほぼ格子枠形状あるいは網目状のパターンに倣った通電経路を形成する。
従って、前記のような形態の多数個取り配線基板１によれば、前記効果（１）〜（３）を確実に奏することができる。
即ち、メッキ用電流が流れる導通経路が短くなることにより、前記メタライズ層９を含む外部に露出する導体ごとの表面に所要の金属メッキ膜を比較的均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板１となる（効果（１））。また、前記メタライズ層９などの導体の表面に所要の金属メッキ膜を確実に被覆した複数の配線基板を併有し、且つ分割することも容易である（効果（２））。更に、最終製品としても必要なメタライズ層９をメッキ用通電経路の一部として使用し、第１ビア導体１１、第２ビア導体１２、第１配線層１４ａ、および第２配線層１４ｂを用いて、前記分割溝１５を迂回させることにより、不要な配線を製品となる配線基板２ａの内部に残さずに、所要の分割溝１５を備えた構造の多数個取り配線基板１ａとしている（効果（３））。
【００２０】
以下において、前記多数個取り配線基板１の製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末、所要のバインダ樹脂、可塑剤、溶剤などを、所定量ずつ配合してセラミックスラリを作成し、得られた該セラミックスラリをドクターブレード法によってシート状に成形することにより、図示しない３枚のセラミックグリーンシート（以下、単にグリーンシートと称する）を製作した。
次に、各グリーンシートにおける所定の位置ごとに、公知の打ち抜き加工を施して、複数のビアホールや比較的大径の貫通孔を穿孔した。
次いで、各グリーンシートにおける表面または裏面の少なくとも一方に対し、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを、スクリーン印刷することにより、未焼成の前記メタライズ層９、素子搭載パッド１０、接続電極１３、および第１・第２配線層１４ａ，１４ｂを形成した。
【００２１】
更に、前記ビアホール内や貫通孔内に、前記同様の導電性ペーストを充填して、未焼成の前記第１・第２ビア導体１１，１２、ビア導体ｖａ、円筒形状の筒形導体を形成した。尚、前記凹部７および未焼成のメッキ用電極８は、前記貫通孔および筒形導体を、軸方向に沿って約半分に切断することで形成した。
次に、以上のような３枚のグリーンシートを所定の順序で積層して、図示しないグリーンシート積層体を形成した。この際、未焼成の前記メタライズ層９と第１・第２ビア導体１１，１２とが接続され、且つ隣接する第１ビア導体１１同士が第１配線層１４ａを介して接続されると共に、対向する第２ビア導体１２とメッキ用電極８とが第２配線層１４ｂを介して接続されていた。
【００２２】
前記グリーンシート積層体における表面３および裏面４に対し、仮想の前記切断予定面１７に沿って、ナイフの挿入あるいはレーザ加工を施して、前記分割溝１５，１６を平面視で格子枠状に形態した。この際、分割溝１５，１６の最深部が、未焼成の第１・第２配線層１４ａ，１４ｂの位置には到達しないように形成した。
次いで、前記グリーンシート積層体を焼成して、前記セラミック層ｃ１〜ｃ３を積層してなり、前記図１〜図３で示した多数個取り配線基板１が得られた。
更に、上記多数個取り配線基板１を電解ニッケルメッキ浴および電解金メッキ浴に順次浸漬して、前述した電解金属メッキを施した。その結果、複数の配線基板２ａごとにおいて、外部に露出する前記メタライズ層９、素子搭載パッド１０、および接続電極１３の表面ごとに、所要厚みのＮｉ膜およびＡｕ膜が被覆された。
【００２３】
最後に、上記多数個取り配線基板１に対して、前記切断予定面１７に沿って切断加工あるいは剪断加工を施す個片化工程を行った。その結果、図５に示すような配線基板２ａを複数個同時に得ることができた。
追って、上記配線基板２ａは、図５に示すように、例えば、前記素子搭載パッド１０上に水晶振動子（素子）１８を搭載した後、前記メタライズ層９の上面に全体が箱形状を呈する金属蓋１９における周囲の水平片を接合（ロウ付けまたは溶接）することによって、上記水晶振動子１８を外部から密封した状態で使用される。あるいは、上記金属蓋１９に替えて、前記メタライズ層９の上面に金属枠（金属リング、図示せず）をロウ付けし、該金属枠の上面に平坦な金属蓋（図示せず）を接合しても良い。
【００２４】
図６は、異なる形態の配線基板２ｂを併有する多数個取り配線基板１を示す前記同様の垂直断面図である。
かかる多数個取り配線基板１は、図６に示すように、表面３が平坦な前記配線基板２ａに替えて、前記メタライズ層９に囲まれた表面３に開口するキャビティ２０を有する配線基板２ｂを、前記製品領域Ｐａ内に平面視で縦横に併有すると共に、前記同様のメタライズ層９、第１・第２ビア導体１１，１２、接続電極１３、第１・第２配線層１４ａ，１４ｂ、複数の前記メッキ用電極８を有する耳部５、および分割溝１５，１６などを備えている。
上記キャビティ２０は、平面視が長方形（矩形）の底面２１と四辺の側面２２とからなり、最上層のセラミック層ｃ３を貫通したものであり、上記底面２１には、前記同様の素子搭載パッド１０（図示せず）が形成されている。
【００２５】
複数の配線基板２ｂを併有する前記多数個取り配線基板１においても、図７に示すように、例えば、図７中で左端側のメッキ用電極８から給電されたメッキ用電流は、図７中で左側の第２配線層１４ｂを通じて、左側の配線基板２ｂおける左側の第２ビア導体１２、該配線基板２ｂのメタライズ層９、該配線基板２ｂにおける右側の第１ビア導体１１、および中央部の第１配線層１４ａを経て、右側の配線基板２ｂ内における左側の第１ビア導体１１、該配線基板２ｂのメタライズ層９、該配線基板２ｂにおける右側の第２ビア導体１２、および図７中で右側の第２配線層１４ｂを通じて、右端側のメッキ用電極８に送電される。上記メッキ用電流の通電経路には、上記順路と逆方向の形態も含まれる。
前記のような複数の配線基板２ｂを併有する多数個取り配線基板１によっても、前記効果（１），（２）を確実に奏することができる。
【００２６】
また、前記のような複数の配線基板２ｂを併有する多数個取り配線基板１は、前述した製造方法とほぼ同様な方法によって製造することができる。
更に、前記のようにして得られた多数個取り配線基板１に対し、前記切断予定面１７に沿って切断加工あるいは剪断加工を施す個片化工程を行うことにより、図８に示すような配線基板２ｂを複数個同時に得ることができる。
追って、上記配線基板２ｂは、図８に示すように、例えば、前記素子搭載パッド１０上に水晶振動子１８を搭載した後、前記メタライズ層９の上面に平坦な金属蓋２３を接合（ロウ付けまたは溶接）することにより、上記水晶振動子１８を外部から密封した状態で使用される。
尚、複数の配線基板２ｂを併有する前記多数個取り配線基板１においても、裏面側の前記分割溝１６を省略した形態としても良い。
【００２７】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記セラミック層は、窒化アルミニウムやムライトなどの高温焼成セラミックや、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなるものとしても良い。後者である場合、前記メタライズ層９、第１・第２ビア導体１１，１２、接続電極１３、第１・第２配線層１４ａ，１４ｂ、複数の前記メッキ用電極８などの導体には、ＣｕあるいはＡｇからなるものが適用される。
また、前記絶縁層には、以上のようなセラミック層に替えて、例えば、エポキシ系などの樹脂からなる樹脂絶縁層を用いても良い。この樹脂絶縁層からなる場合にも、前記メタライズ層９、第１・第２ビア導体１１，１２、第１・第２配線層１４ａ，１４ｂなどの導体には、ＣｕあるいはＡｇからなるものを用いる。
【００２８】
更に、前記絶縁層は、２層あるいは４層以上を積層した形態としても良い。
また、前記配線基板２ａ，２ｂにおける前記メタライズ層９に囲まれた表面３上には、３個あるいは４個以上の素子搭載パッド１０を形成し、これらのパッド１０上に、例えば、半導体素子やＬＥＤなどの発光素子を追って搭載する形態としても良い。
更に、前記配線基板２ａ，２ｂにおけるメタライズ層９に囲まれた表面３上には、前記素子搭載パッド１０を形成せず、該素子搭載パッド１０を有しない配線基板２ａ，２ｂを蓋体として使用する形態としても良い。
また、前記配線基板２ａ，２ｂの表面３および裏面４は、平面視がほぼ正方形を呈する形態としても良い。
加えて、前記製品領域Ｐａ内には、前記配線基板２ａ，２ｂの何れかを縦横共に３列以上にして配列した形態としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明によれば、製品領域内における複数の配線基板における導体層同士の通電経路や、製品領域の最外側の配線基板における導体層と耳部のメッキ用電極との通電経路を可及的に短くできると共に、これらの通電経路が分割溝によって遮断されない多数個取り配線基板を確実に提供することができる。
【符号の説明】
【００３０】
１……………多数個取り配線基板
２ａ，２ｂ…配線基板
３……………表面
４……………裏面
５……………耳部
６……………側面
８……………メッキ用電極
９……………メタライズ層
１１…………第１ビア導体
１２…………第２ビア導体
１４ａ………第１配線層
１４ｂ………第２配線層
１５…………分割溝
Ｐａ…………製品領域
ｃ１〜ｃ３…セラミック層（絶縁層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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