(57)【要約】【課題】ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能に優れた研磨用組成物を提供する。【解決手段】砥粒と、塩基性化合物と、水と、酸化剤と、を含み、ｐＨが９〜１２である、研磨用組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒と、塩基性化合物と、水と、酸化剤と、を含み、ｐＨが９〜１２である研磨用組成物。
【請求項２】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
前記酸化剤が次亜塩素酸ナトリウムである、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
使用時における前記酸化剤の含有量が、０．０００１質量％以上０．５質量％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
使用時における前記砥粒の含有量が、０．０１質量％以上１０質量％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項６】
前記砥粒の平均一次粒子径が、１０〜２００ｎｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項７】
キレート剤をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項８】
砥粒と、塩基性化合物とを、水中で混合し、混合物を得る工程、および
研磨する直前に前記混合物に酸化剤を添加し混合する工程、
を含む、研磨用組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属や半金属、非金属、その酸化物等の材料表面に対して研磨用組成物を用いた精密研磨が行われている。例えば、半導体製品の構成要素等として用いられるシリコンウェーハの表面は、一般に、ラッピング工程とポリシング工程（精密研磨工程）とを経て高品位の鏡面に仕上げられる。上記ポリシング工程は、典型的には、予備ポリシング工程（予備研磨工程）とファイナルポリシング工程（最終研磨工程）とを含む。
【０００３】
シリコンウェーハには、識別等の目的で、該シリコンウェーハの表面や裏面にレーザー光を照射することによって、バーコード、数字、記号等のマーク（ハードレーザーマーク）が付されることがある。このようなハードレーザーマークの付与は、一般に、シリコンウェーハのラッピング工程を終えた後、ポリシング工程を開始する前に行われる。
【０００４】
通常、ハードレーザーマークを付すためのレーザー光の照射によって、ハードレーザーマーク周縁には変質層が生じる。変質層が生じた状況で一次研磨等の予備研磨を施すと、変質層が研磨されにくいことによりハードレーザーマークの周縁に隆起が生じてシリコンウェーハの平坦性が低下する場合がある。例えば、特許文献１では、砥粒と、弱酸塩と、第四級アンモニウム化合物を含む研磨用組成物が開示されており、当該研磨用組成物により、ｐＨ変動を抑制し研磨能率を維持することができ、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−２３３０３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記変質層部分はレーザー光のエネルギーによりポリシリコン等に変質し、硬くなっていることが多いため、特許文献１のような研磨用組成物では上記隆起を効果的に解消することがまだ不十分であった。
【０００７】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能に優れた研磨用組成物を提供することを目的とする。
【０００８】
さらに、本発明は、前記研磨用組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、酸化剤を研磨用組成物に含ませることにより、上記課題が解決されうることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、砥粒と、塩基性化合物と、水と、酸化剤と、を含み、ｐＨが９〜１２である研磨用組成物に関する。
【００１１】
さらに、本発明は、前記研磨用組成物の製造方法にも関する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能に優れた研磨用組成物が提供される。
【００１３】
さらに、本発明によれば、前記研磨用組成物の製造方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、水と、酸化剤と、を含み、ｐＨが９〜１２である。
【００１５】
本発明の研磨用組成物によれば、ハードレーザーマーク周縁の隆起を効果的に解消することができる。なお、本明細書においてハードレーザーマーク周縁の隆起を解消するとは、シリコンウェーハのハードレーザーマーク周縁の突起の高さを小さくすることをいう。シリコンウェーハのハードレーザーマーク周縁の突起の高さは、例えば、後述する実施例に記載の方法により測定することができる。
【００１６】
このような効果が得られるメカニズムは、以下の通りであると考えられる。ただし、下記メカニズムはあくまで推測であり、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。
【００１７】
シリコンウェーハにハードレーザーマークを付すために、レーザー光の照射処理を行うため、ハードレーザーマーク周縁の単結晶シリコン部には変質層が生じ、硬くなっていることが多い。そのため、従来の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する際に、ハードレーザーマーク周縁の変質部分は、それ以外のウェーハ部分に比べて、エッチングまたは砥粒による機械的研磨がされにくくなり、研磨速度が遅くなる。結果として、ハードレーザーマーク周縁は隆起が解消されないままである。一方、本発明の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する際には、前述のような問題が解消される。具体的な理由としては、本発明に記載の酸化剤を添加すると、当該酸化剤によりハードレーザーマーク周縁の変質部分と、シリコンウェーハの表面とがともにＳｉ酸化膜に変わり、したがって変質部分とそれ以外のウェーハ部分の研磨速度の差が小さくなり、隆起高さを解消できると考えられる。
【００１８】
したがって、本発明の研磨用組成物を用いて研磨することにより、ハードレーザーマーク周縁の変質部分と、それ以外の部分とは近い研磨速度で研磨されて、部分的な隆起が解消され得る。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。
【００２０】
また、本明細書において、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０〜２５℃）／相対湿度４０〜５０％ＲＨの条件で行う。
【００２１】
＜砥粒＞
本発明の研磨用組成物は、砥粒を含む。研磨用組成物中に含まれる砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する作用を有する。
【００２２】
使用される砥粒は、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。該砥粒は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、該砥粒は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
【００２３】
これら砥粒の中でも、シリカが好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。
【００２４】
砥粒の平均一次粒子径の下限は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましく、２０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、３０ｎｍ以上であることが特に好ましい。また、砥粒の平均一次粒子径の上限は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度はより向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に欠陥が生じるのをより抑えることができる。なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて算出される。
【００２５】
砥粒の平均二次粒子径の下限は、１５ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましく、５０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、７０ｎｍ以上が特に好ましい。また、砥粒の平均二次粒子径の上限は、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２６０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度はより向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に欠陥が生じるのをより抑えることができる。この二次粒子の平均二次粒子径は、例えば動的光散乱法により測定することができる。
【００２６】
本発明に係る研磨用組成物における砥粒の含有量は特に制限されない。後述するように、そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物（典型的にはスラリー状の研磨液であり、ワーキングスラリーまたは研磨スラリーと称されることもある）の場合、当該研磨用組成物に対して、使用時における砥粒の含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．５質量％以上であることがさらに好ましい。砥粒の含有量の増大によって、より高い隆起解消性が得られる傾向にある。また、スクラッチ防止等の観点から、使用時における砥粒の含有量は、通常は１０質量％以下が適当であり、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が特に好ましい。砥粒の含有量を少なくすることは、経済性の観点からも好ましい。本発明に係る研磨用組成物は、このような低い砥粒含有量においても、実用上充分な隆起解消性を発揮するものとなり得る。
【００２７】
また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、砥粒の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、３０質量％以下であることが適当であり、１５質量％以下であることがより好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、砥粒の含有量は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上である。
【００２８】
＜水＞
本発明に係る研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するために分散媒として水を含む。水は、洗浄対象物の汚染や他の成分の作用を阻害するという観点から、不純物をできる限り含有しないことが好ましい。このような水としては、例えば、遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下である水が好ましい。ここで、水の純度は、例えば、イオン交換樹脂を用いる不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって高めることができる。具体的には、水としては、例えば、脱イオン水（イオン交換水）、純水、超純水、蒸留水などを用いることが好ましい。
【００２９】
分散媒は、各成分の分散または溶解のために、水と有機溶媒との混合溶媒であってもよい。この場合、用いられる有機溶媒としては、水と混和する有機溶媒であるアセトン、アセトニトリル、エタノール、メタノール、イソプロパノール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。また、これらの有機溶媒を水と混合せずに用いて、各成分を分散または溶解した後に、水と混合してもよい。これら有機溶媒は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
【００３０】
＜酸化剤＞
本発明に係る研磨用組成物は、酸化剤を含む。前記酸化剤を含むことにより、ハードレーザーマーク周縁の変質部分と、シリコンウェーハの表面とがともにＳｉ酸化膜に変わり、ハードレーザーマーク周縁の変質部分との研磨速度の差を減少し隆起を解消できると考えられる。
【００３１】
本発明に使用できる酸化剤の例としては、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、一過硫酸カリウムおよびオキソン、亜塩素酸（ＨＣｌＯ２）、亜臭素酸（ＨＢｒＯ２）、亜ヨウ素酸（ＨＩＯ２）、亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ２）、亜塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ２）、亜臭素酸ナトリウム（ＮａＢｒＯ２）、亜臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ２）等の亜ハロゲン酸またはその塩；塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ３）、塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ３）、塩素酸銀（ＡｇＣｌＯ３）、塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ３）２）、臭素酸ナトリウム（ＮａＢｒＯ３）、臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ３）、ヨウ素酸ナトリウム（ＮａＩＯ３）等のハロゲン酸またはその塩；過塩素酸（ＨＣｌＯ４）、過臭素酸（ＨＢｒＯ４）、過ヨウ素酸（ＨＩＯ４）、過ヨウ素酸ナトリウム（ＮａＩＯ４）、過ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ４）、過ヨウ素酸テトラブチルアンモニウム（（Ｃ４Ｈ９）４ＮＩＯ４）等の過ハロゲン酸またはその塩；次亜フッ素酸（ＨＦＯ）、次亜塩素酸（ＨＣｌＯ）、次亜臭素酸（ＨＢｒＯ）、次亜ヨウ素酸（ＨＩＯ）等の次亜ハロゲン酸；次亜フッ素酸リチウム（ＬｉＦＯ）、次亜フッ素酸ナトリウム（ＮａＦＯ）、次亜フッ素酸カリウム（ＫＦＯ）、次亜フッ素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＦＯ）２）、次亜フッ素酸カルシウム（Ｃａ（ＦＯ）２）、次亜フッ素酸バリウム（Ｂａ（ＦＯ）２）等の次亜フッ素酸の塩；次亜塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ）、次亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）、次亜塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ）、次亜塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ）２）、次亜塩素酸カルシウム（Ｃａ（ＣｌＯ）２）、次亜塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ）２）、次亜塩素酸ｔ−ブチル（ｔ−ＢｕＣｌＯ）、次亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ）、次亜塩素酸トリエタノールアミン（（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）３Ｎ・ＣｌＯ）等の次亜塩素酸の塩；次亜臭素酸リチウム（ＬｉＢｒＯ）、次亜臭素酸ナトリウム（ＮａＢｒＯ）、次亜臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ）、次亜臭素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＢｒＯ）２）、次亜臭素酸カルシウム（Ｃａ（ＢｒＯ）２）、次亜臭素酸バリウム（Ｂａ（ＢｒＯ）２）、次亜臭素酸アンモニウム（ＮＨ４ＢｒＯ）、次亜臭素酸トリエタノールアミン（（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）３Ｎ・ＢｒＯ）等の次亜臭素酸の塩；次亜ヨウ素酸リチウム（ＬｉＩＯ）、次亜ヨウ素酸ナトリウム（ＮａＩＯ）、次亜ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ）、次亜ヨウ素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＩＯ）２）、次亜ヨウ素酸カルシウム（Ｃａ（ＩＯ）２）、次亜ヨウ素酸バリウム（Ｂａ（ＩＯ）２）、次亜ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ４ＩＯ）、次亜ヨウ素酸トリエタノールアミン（（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）３Ｎ・ＩＯ）等の次亜ヨウ素酸の塩等が挙げられる。これら酸化剤は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
【００３２】
これら酸化剤の中でも、良好な隆起解消性が得られるとの観点から、過酸化水素、または次亜塩素酸ナトリウムが好ましい。
【００３３】
そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、当該研磨用組成物に対して、使用時における酸化剤の含有量は、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましい。酸化剤の含有量の増大につれ、ハードレーザーマーク周縁の変質部分およびシリコンウェーハ部分のＳｉ酸化が進行しやすくなるため、酸化剤の含有量が前記範囲以上である場合、両方の研磨速度の差を十分に減少できる。また、使用時における酸化剤の含有量は、通常は０．５質量％以下が適当であり、０．０５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以下であることが特に好ましい。酸化剤の含有量が前記範囲以下である場合、研磨速度の低下が抑制される。
【００３４】
また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、酸化剤の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、１質量％以下であることが適当であり、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることが特に好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、酸化剤の含有量は、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上である。また、２種以上の酸化剤を組み合わせて用いる場合は、前記含有量は２種以上の酸化剤の合計含有量を指す。
【００３５】
＜塩基性化合物＞
本発明に係る研磨用組成物は、塩基性化合物を含む。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物は、研磨対象となる面を化学的に研磨する働きをし、研磨速度の向上に寄与し得る。また、塩基性化合物は、研磨用組成物の分散安定性の向上に役立ち得る。
【００３６】
塩基性化合物としては、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、各種の炭酸塩や炭酸水素塩等を用いることができる。例えば、アルカリ金属の水酸化物、水酸化第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン等が挙げられる。アルカリ金属の水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。炭酸塩または炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。水酸化第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類等が挙げられる。
【００３７】
研磨速度向上等の観点から好ましい塩基性化合物として、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムおよび炭酸ナトリウムが挙げられる。なかでもより好ましいものとして、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化テトラエチルアンモニウムが例示される。さらに好ましいものとして炭酸カリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムが挙げられる。このような塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上を組み合わせて用いる場合、例えば、炭酸カリウムと水酸化テトラメチルアンモニウムの組合せが好ましい。
【００３８】
そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、当該研磨用組成物に対して、使用時における塩基性化合物の含有量は、研磨速度の促進の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．０９質量％以上である。塩基性化合物の含有量の増加によって、安定性も向上し得る。使用時における上記塩基性化合物の含有量の上限は、１質量％以下とすることが適当であり、表面品質等の観点から、好ましくは０．５質量％以下である。また、２種以上を組み合わせて用いる場合は、前記含有量は２種以上の塩基性化合物の合計含有量を指す。
【００３９】
また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、塩基性化合物の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、１０質量％以下であることが適当であり、５質量％以下であることがより好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、塩基性化合物の含有量は、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．９質量％以上である。
【００４０】
＜その他の成分＞
本発明に係る研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤、水溶性高分子、界面活性剤、防腐剤、または防カビ剤等の、研磨用組成物（典型的には、シリコンウェーハのポリシング工程に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
【００４１】
研磨用組成物に必要であれば含まれうるキレート剤としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましい。なかでも好ましいものとして、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミン五酢酸が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。キレート剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、当該研磨用組成物に対して、使用時におけるキレート剤の含有量は、好ましくは０．０００１質量％以上、より好ましくは０．００１質量％以上、さらに好ましくは０．００５質量％以上である。使用時における上記キレート剤の含有量の上限は、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．３質量％以下であることがさらに好ましく、０．１５質量％以下であることが特に好ましい。
【００４３】
また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、キレート剤の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、５質量％以下であることが適当であり、３質量％以下であることがより好ましく、１．５質量％以下であることが特に好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、キレート剤の含有量は、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。
【００４４】
研磨用組成物に必要であれば含まれうる防腐剤および防カビ剤としては、例えば、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オンや５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。
【００４５】
＜研磨用組成物＞
本発明に係る研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物に供給されて、その研磨対象物の研磨に用いられる。本発明に係る研磨用組成物は、例えば、希釈（典型的には、水により希釈）して研磨液として使用されるものであってもよく、そのまま研磨液として使用されるものであってもよい。すなわち、本発明に係る技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨に用いられる濃縮液（ワーキングスラリーの原液）との双方が包含される。上記濃縮液の濃縮倍率は、例えば、体積基準で２倍〜１００倍程度とすることができ、通常は５倍〜５０倍程度が適当である。
【００４６】
そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、研磨用組成物のｐＨは、９．０以上であり、好ましくは９．５以上、より好ましくは１０．０以上、さらに好ましくは１０．２以上、例えば１０．５以上である。研磨液のｐＨが９．０未満の場合は、隆起解消性が十分に得られない傾向にある。一方、研磨液のｐＨは、１２．０以下であり、１１．８以下であることが好ましく、１１．５以下であることがさらに好ましい。研磨液のｐＨが１２．０を超える場合は、砥粒の溶解が起き、該砥粒による機械的な研磨作用が低下するおそれがある。
【００４７】
また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、研磨用組成物のｐＨは、９．５以上であり、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１０．２以上である。また、研磨用組成物のｐＨは、１２．０以下であることが適当であり、１１．５以下であることが好ましい。
【００４８】
なお、研磨用組成物のｐＨは、ｐＨメーター（例えば、堀場製作所製のガラス電極式水素イオン濃度指示計（型番Ｆ−２３））を使用し、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液  ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ緩衝液  ｐＨ：６．８６（２５℃）、炭酸塩ｐＨ緩衝液  ｐＨ：１０．０１（２５℃））を用いて３点校正した後で、ガラス電極を研磨用組成物に入れて、２分以上経過して安定した後の値を測定することにより把握することができる。
【００４９】
＜研磨用組成物の製造方法＞
本発明に係る研磨用組成物の製造方法は特に限定されない。例えば、砥粒、酸化剤、塩基性化合物および必要に応じて他の添加剤を、水中で攪拌混合することにより得ることができる。酸化剤の保存安定性の観点からは、砥粒、塩基性化合物および必要に応じて他の添加剤を、水中で攪拌混合し混合物を得た後、研磨する直前に前記混合物に酸化剤を添加し混合して研磨用組成物を製造する方法が好ましい。
【００５０】
すなわち、本発明の好ましい一実施形態による研磨用組成物の製造方法は、砥粒と、塩基性化合物とを水中で混合し、混合物を得る工程、および研磨する直前に前記混合物に酸化剤を添加し混合する工程、を含む。
【００５１】
ここで、研磨する直前とは、酸化剤を混合後、できる限り速やかに研磨を行うという意味であり、具体的には、研磨する前１８０分以内のことをいい、研磨する前６０分以内であることが好ましく、研磨する前３０分以内であることがより好ましく、研磨する前１０分以内が特に好ましい。
【００５２】
上記の混合物を得る工程、および酸化剤を添加し混合する工程における混合時の温度は特に制限されないが、１０〜４０℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も、均一混合できれば特に制限されない。攪拌装置としては、例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置が用いられる。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。
【００５３】
＜研磨方法＞
本発明に係る研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物の研磨に使用することができる。
【００５４】
すなわち、本発明に係る研磨用組成物を含むワーキングスラリーを用意する。次いで、その研磨用組成物を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて該研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨用組成物を供給する。典型的には、上記研磨用組成物を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。
【００５５】
上記研磨工程で使用される研磨パッドは特に限定されない。例えば、発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ、砥粒を含むもの、砥粒を含まないもの等のいずれを用いてもよい。また、上記研磨装置としては、研磨対象物の両面を同時に研磨する両面研磨装置を用いてもよく、研磨対象物の片面のみを研磨する片面研磨装置を用いてもよい。
【００５６】
上記研磨用組成物は、いったん研磨に使用したら使い捨てにする態様（いわゆる「かけ流し」）で使用されてもよいし、循環して繰り返し使用されてもよい。研磨用組成物を循環使用する方法の一例として、研磨装置から排出される使用済みの研磨用組成物をタンク内に回収し、回収した研磨用組成物を再度研磨装置に供給する方法が挙げられる。研磨用組成物を循環使用する場合には、かけ流しで使用する場合に比べて、廃液として処理される使用済みの研磨用組成物の量が減ることにより環境負荷を低減できる。また、研磨用組成物の使用量が減ることによりコストを抑えることができる。
【００５７】
＜用途＞
本発明に係る研磨用組成物は、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能（隆起解消性）に優れる。かかる特長を活かして、上記研磨用組成物は、ハードレーザーマークの付された表面を含む研磨対象物の研磨に好ましく適用することができる。また、前記研磨対象物としては、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜等の無機絶縁膜が形成された基板、多結晶シリコン膜が形成された基板、およびシリコン単結晶基板（シリコンウェーハ）等が挙げられる。これらのうち、シリコンウェーハであることが好ましい。すなわち、本発明に係る研磨用組成物は、ハードレーザーマークの付されたシリコンウェーハの予備ポリシング工程において用いられる研磨用組成物として好適である。ハードレーザーマーク周縁の隆起は、ポリシング工程の初期に解消しておくことが望ましい。このため、本発明に係る研磨用組成物は、ハードレーザーマーク付与後の最初のポリシング工程（１次研磨工程）において特に好ましく使用され得る。上記最初のポリシング工程は、典型的には、シリコンウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程として実施される。本発明に係る研磨用組成物は、このような両面研磨工程において好ましく使用され得る。
【００５８】
よって、本発明はまた、砥粒と、塩基性化合物と、水と、酸化剤と、を含み、ｐＨが９〜１２である研磨用組成物を用いて、ハードレーザーマークの付されたシリコンウェーハの平坦性を向上する方法をも提供する。
【００５９】
本発明に係る研磨用組成物は、また、ハードレーザーマークを有しない研磨対象面の研磨にも使用され得る。例えば、ハードレーザーマークの有無に拘らず、ラッピングを終えたシリコンウェーハの予備ポリシングに好ましく適用することができる。
【実施例】
【００６０】
本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。また、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）／相対湿度４０〜５０％ＲＨの条件下で行われた。
【００６１】
＜研磨用組成物の調製＞
（研磨用組成物Ａ１）
コロイダルシリカ（平均一次粒子径５５ｎｍ）の含有量が９質量％、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）の含有量が１．７質量％、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の含有量が２．５質量％、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＰＯ）の含有量が０．１質量％になるように、前記各成分およびイオン交換水を、室温（２５℃）付近で約３０分間攪拌混合した。続いて、これらを水で１０倍希釈し、過酸化水素は研磨直前に含有量が０．００３質量％になるよう添加することにより、研磨用組成物Ａ１を調製した。
【００６２】
（研磨用組成物Ａ２、研磨用組成物Ａ３）
酸化剤の含有量を表１の記載になるように変えたこと以外は、前記研磨用組成物Ａ１と同様の方法で、研磨用組成物Ａ２及び研磨用組成物Ａ３を調製した。
【００６３】
（研磨用組成物Ａ４、研磨用組成物Ａ５、研磨用組成物Ｃ１）
酸化剤の種類及び含有量を表１の記載になるように変えたこと以外は、前記研磨用組成物Ａ１と同様の方法で、研磨用組成物Ａ４及び研磨用組成物Ａ５を調製した。また、酸化剤を使用しなかったこと以外は、前記研磨用組成物Ａ１と同様の方法で、研磨用組成物Ｃ１を調製した。
【００６４】
＜シリコンウェーハの研磨＞
各研磨用組成物を研磨液（ワーキングスラリー）として使用して、研磨対象物（試験片）の表面を下記の条件で研磨し、実施例１〜５および比較例１とした。試験片としては、ラッピングを終えた直径４インチ（１００ｍｍ）の市販シリコンエッチドウェーハ（Ｂａｒｅ  Ｓｉ  Ｐ−＜１００＞、厚み：５４５μｍ）を使用した。本ウェーハには、ＳＥＭＩ  Ｍ１（Ｔ７）規格に基づくハードレーザーマークが研磨面に刻印されている。
【００６５】
（研磨条件）
研磨装置：日本エンギス株式会社製  片面研磨機、型式「ＥＪ−３８０ＩＮ」
研磨圧力：１２．０ｋＰａ
スラリー流量：１００ｍｌ／ｍｉｎ
定盤回転数：５０ｒｐｍ
ヘッド回転数：４０ｒｐｍ
研磨量：５μｍ
研磨パッド：ニッタ・ハース株式会社製、商品名「ＭＨ−Ｓ１５Ａ」
研磨環境の温度：２０℃
研磨時間：各水準ごとに取り代４μｍとなる研磨時間に調整
＜隆起解消性評価＞
研磨後のシリコンウェーハについて、ＳＵＲＦＣＯＭ  １５００ＤＸ（株式会社東京精密製）を用いて隆起の高さを測定し、隆起解消性を評価した。具体的には、シリコンウェーハの周縁部に直接針を走らせ、隆起がない部分との段差（突起高さ）を算出した。突起高さが大きいほど、隆起解消性が悪いとの評価結果になる。以上の測定により得られた結果を表１に示した。
【００６６】
＜研磨能率＞
各実施例および比較例の研磨液を用い、研磨を２０分間行い、研磨の前後の研磨対象物の重量を測定し、研磨前後の重量の差から計算して求めた研磨能率を下記表１に示した。
【００６７】
【表１】
2018145261.tif 000002
【００６８】
表１に示されるように、実施例１〜５の研磨用組成物によれば、いずれも良好な隆起解消性を示した。一方、酸化剤を添加してない比較例１では、実施例に比べて隆起解消性に劣るものであった。これは、酸化剤を含む場合に、ハードレーザーマーク周縁の変質部分とシリコンウェーハの表面とがともにＳｉ酸化膜に変わったため、両者の研磨能率の差が小さく、よって両者の高さの差が少なかったと考えられる。一方、酸化剤を含まない比較例１の場合は、シリコンウェーハの研磨速度がハードレーザーマーク周縁の変質部分の研磨速度よりも高く、両者の高さの差が広がったと考えられる。
【００６９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。