(57)【要約】【課題】有機発光層の寿命を改善することができ、非発光部が格子形状に見えることを防止する。【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、光を発光する発光部と光を発光しない非発光部を含む基板、基板上に配置されたトランジスタ、トランジスタ上に配置され、第１電極、第１電極上に配置された発光層、および発光層上に配置された第２電極を含む発光素子、発光部に設けられ、発光素子とトランジスタとの間に位置するコンタクトホール、およびコンタクトホールに設けられ、発光素子の第１電極とトランジスタを電気的に接続する補助電極を備える。【選択図】図４
2018006316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発光する発光部と光を発光しない非発光部を含む基板;
前記基板上に配置されたトランジスタ;
前記トランジスタ上に配置され、第１電極、前記第１電極上に配置された発光層、及び前記発光層上に配置された第２電極を含む発光素子；
前記発光部に設けられ、前記発光素子と前記トランジスタの間に位置するコンタクトホール;および
前記コンタクトホールに設けられ、前記発光素子の前記第１電極と前記トランジスタを電気的に接続する補助電極を具備する表示装置。
【請求項２】
前記トランジスタ上に設けられ、前記トランジスタと前記発光素子との間に配置される第１平坦化膜をさらに備え、
前記コンタクトホールが、前記第１平坦化膜上に配置され、前記トランジスタの電極の一部を露出し、
前記補助電極は、前記第１平坦化膜上に配置され、前記コンタクトホールの一部を部分的に充たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記補助電極上に配置され、前記コンタクトホールの残りの部分を充たす第２平坦化膜をさらに備え、
前記発光素子の前記第１電極が、前記第２平坦化膜上に配置され、前記第２平坦化膜と接触することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２平坦化膜の幅が、前記コンタクトホールの幅よりも広く、前記発光部の幅よりも広いことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２平坦化膜の幅が、前記コンタクトホールの幅と同じか、前記コンタクトホールの幅よりも狭いことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２平坦化膜の厚さが、不均一であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２平坦化膜の一部の厚さが、前記第１平坦化膜の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記補助電極が、前記発光素子の前記第１電極と前記トランジスタの前記電極に直接接続されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記コンタクトホールの幅が、前記発光部の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記発光素子の前記第１電極の幅が、前記補助電極の幅よりも広いことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２の平坦化膜の一部が、凸形態を有することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記補助電極の第１重畳部、前記第２平坦化膜、および前記発光素子の前記第１電極上に配置された第１バンク;および
前記補助電極の第２重畳部、前記第２平坦化膜、および前記発光素子の前記第１電極上に配置された第２バンクをさらに備え、
前記第１バンクと前記第２バンクによって覆われない前記補助電極の一部が、前記発光部の幅を定義することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１重畳部に含まれた前記第２平坦化膜と、前記発光素子の前記電極、及び前記第２重畳部に含まれた前記第２平坦化膜と、前記発光素子の前記電極が、所定の角度で傾斜したことをを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１バンクの厚さと前記第２バンクの厚さは均一で、前記第１バンクの厚さと前記第２バンクの厚さが、前記第１平坦化膜と、前記発光素子の前記発光層との間の距離よりも厚いことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１バンクの厚さと前記第２バンクの厚さは均一で、前記第１バンクの厚さと前記第２バンクの厚さが、前記第２平坦化膜の最も厚い部分よりも薄いことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１バンクと前記第２バンクと重畳する前記発光素子の一部が、前記第１バンクと前記第２バンクの不均一な厚さに該当する角度で傾斜したことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記コンタクトホールに充たされた前記第２平坦化膜の厚さが、前記コンタクトホールの厚さよりも薄く、前記第２平坦化膜の厚さは、前記第１平坦化膜の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記補助電極の一部が、前記コンタクトホールに完全に充たされたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１９】
光を発光する発光部と光を発光しない非発光部を含む基板を形成する工程;
前記基板上にトランジスタを形成する工程;
前記トランジスタ上に第１電極、前記第１電極上に配置された発光層、及び前記発光層上に配置された第２電極を含む発光素子を形成する工程;
前記発光部で前記発光素子と前記トランジスタの間にコンタクトホールを形成する工程;および
前記コンタクトホールで、前記発光素子の第１電極と前記トランジスタに電気的に接続される補助電極を形成する工程を含む表示装置の製造方法。
【請求項２０】
光を発光する発光部と光を発光しない非発光部を含む基板;
前記基板上に配置され、第１制御電極、第２制御電極とゲート電極を含むトランジスタ;
前記トランジスタ上に平坦化膜;
前記発光部の平坦化膜の一部に配置され、前記トランジスタの第１制御電極の一部を露出するコンタクトホール;
前記平坦化膜上に配置され、前記コンタクトホールの少なくとも一部に充たされ、前記トランジスタの前記第１制御電極の露出した一部に接触する補助電極;および
前記補助電極上に配置され、前記補助電極を通じて前記トランジスタの前記第１制御電極に電気的に接続された第１電極を含む発光素子を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて映像を表示するための表示装置への要望が様々な形で高まっている。それにより、最近では、液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（PDP：Plasma Display Panel）、有機発光表示装置（OLED：Organic Light Emitting Display）などの様々な表示装置が活用されている。
【０００３】
表示装置のうち、有機発光表示装置は、自己発光型であり、液晶表示装置（LCD）に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別個のバックライトを必要としないため軽量薄型化が可能で、消費電力において有利な利点がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安価な長所がある。
【０００４】
有機発光表示装置は、アノード電極、アノード電極を区画するバンク、およびアノード電極上に形成される正孔輸送層（hole transporting layer）、有機発光層（organic light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）、および電子輸送層上に形成されるカソード電極を含む。ここで、アノード電極に高電位の電圧が印加され、カソード電極に低電位電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて有機発光層に移動して、有機発光層で互いに結合して発光することになる。
【０００５】
有機発光表示装置において、アノード電極、有機発光層、およびカソード電極が順次積層された領域は、光を発光する発光部となり、バンクが形成された領域は、光を発光しない非発光部となる。バンクは、発光部を定義する役割をする。
【０００６】
アノード電極は、コンタクトホールを通じて薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極に接続されて薄膜トランジスタを通じて高電位電圧が印加される。有機発光層は、コンタクトホールの段差により、コンタクトホール内で均一に蒸着されにくいので、コンタクトホールに形成されない。つまり、コンタクトホールは、バンクによって覆われる。
【０００７】
一方、最近の携帯電話などに使用される小型の有機発光表示装置は、高解像度を有するので、画素の大きさがますます小さくなっている。しかし、コンタクトホールは、フォト工程で形成され、フォト工程の限界により、所定の大きさ以下に形成することができない。つまり、画素のサイズが小さくてもコンタクトホールを小さくするには限界がある。
【０００８】
コンタクトホールは、非発光部に配置されるので、画素の大きさが小さくなる場合は非発光部の面積の割合が大きくなり、発光部の面積の割合が小さくなる。発光部の面積の割合が小さくなる場合は、発光部の発光輝度を高めなければならなので、有機発光層の寿命が短くなることになる。
【０００９】
また、最近では、有機発光表示装置を含むヘッドマウントディスプレイ（head mounted display）が開発されている。ヘッドマウントディスプレイ（Head Mounted Display、HMD）は、眼鏡やヘルメットの形状で身に着けて、使用者の目の前に近くに焦点が形成されるバーチャルリアリティ（Virtual Reality,VR）のメガネ型モニター装置である。しかし、ヘッドマウントディスプレイの場合、使用者の目の前すぐに有機発光表示装置の映像が見えるので、画素の非発光部が占める面積の割合が大きい場合、図１のように非発光部が格子形状に視認され得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、有機発光層の寿命を向上させることができる表示装置及びその製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、非発光部が格子形状に表示されることを防止することができる表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による表示装置は、光を発光する発光部と光を発光しない非発光部を含む基板、基板上に配置されたトランジスタ、トランジスタ上に配置され、第１電極、第１電極上に配置された発光層、および発光層上に配置された第２電極を含む発光素子、発光部に設けられ、発光素子とトランジスタとの間に位置するコンタクトホール、およびコンタクトホールに設けられ、発光素子の第１電極とトランジスタを電気的に接続する補助電極を備える。
【００１３】
本発明による表示装置の製造方法は、光を発光する発光部と光を発光しない非発光部を含む基板を形成する工程、基板上にトランジスタを形成する工程、トランジスタ上に第１電極、第１電極上に配置された発光層、および発光層上に配置された第２電極を含む発光素子を形成する工程、発光部で発光素子とトランジスタとの間にコンタクトホールを形成する工程、およびコンタクトホールで発光素子の第１電極と、トランジスタの電気的に接続されている補助電極を形成する工程を含む。
【００１４】
本発明による表示装置は、光を発光する発光部と光を発光しない非発光部を含む基板、基板上に配置され、第１制御電極、第２制御電極とゲート電極を含むトランジスタ、トランジスタ上に平坦化膜、発光部の平坦化膜の一部に配置され、トランジスタの第１制御電極の一部を露出するコンタクトホール、平坦化膜上に配置されてコンタクトホールの少なくとも一部に充たされ、トランジスタの第１制御電極の露出した一部に接触する補助電極、および補助電極上に配置され補助電極を通じてトランジスタの第１制御電極に電気的に接続しれた第１電極を含む発光素子を備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、コンタクトホールを発光部と重畳するように形成し、コンタクトホールの段差を平坦化するために、コンタクトホールに第２平坦化膜を充たす。これにより、本発明の実施例は、有機発光層を第２平坦化膜上に均一な厚さで形成することができるので、コンタクトホールを発光部と重畳するように形成しても発光部からの光を均一に出力することができる。
【００１６】
また、本発明は、コンタクトホールを発光部と重畳するように形成することができるので、発光部の面積がコンタクトホールの面積に依存しないようにすることができる。その結果、本発明の実施例は、コンタクトホールの面積にこだわることなく、発光部の面積を設計することができるので、発光部の面積を最大化することができ、有機発光層の寿命を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明は、発光部の面積を最大化することにより、非発光部の面積を最小限に抑えることができる。これにより、本発明の実施例は、ヘッドマウントディスプレイに適用する場合、非発光部が格子形状に表示されることを防止することができる。
【００１８】
また、本発明は、バンクが第２平坦化膜の傾斜部を覆うように形成する。これにより、本発明の実施例は、第２平坦化膜の傾斜部で有機発光層が薄く形成されて、第１電極または有機発光層の電荷生成層と第２電極が短絡することを防止することができる。
【００１９】
さらに、本発明は、画素を正方形状に形成した場合、長方形の形状に形成する場合よりも、発光部の面積を一方向（上下方向）だけでなく、他の方向（左右方向）に拡張することができるので、より一層広げることができる。その結果、本発明の実施例は、有機発光層の寿命を向上させることができるだけでなく、非発光部の面積を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来のヘッドマウントディスプレイで表示された画像の格子形状を示した例示図である。
【図２】本発明の一実施例による有機発光表示装置を示した斜視図である。
【図３】図２の第１基板、ゲート駆動部、ソースドライブIC、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示した平面図である。
【図４】表示領域の画素の一例を詳細に示した平面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ’の一例を示した断面図である。
【図６】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。
【図７ａ】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図７ｂ】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図７ｃ】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図７ｄ】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図７ｅ】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図７ｆ】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図７ｇ】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図８ａ】図６のS105の工程を詳細に示した、Ｉ−Ｉ’の断面図である。
【図８ｂ】図６のS105の工程を詳細に示した、Ｉ−Ｉ’の断面図である。
【図９】図４のＩ−Ｉ’の別の例を示した断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。
【図１１ａ】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図１１ｂ】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図１１ｃ】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【図１２】表示領域の画素の別の例を詳細に示した平面図である。
【図１３】図１２のＩＩ−ＩＩ’の一例を示した断面図である。
【図１４】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。
【図１５ａ】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【図１５ｂ】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【図１６】図１２のＩＩ−ＩＩ’の他の例を示した断面図である。
【図１７】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。
【図１８ａ】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【図１８ｂ】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【図１８ｃ】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【図１９】表示領域の画素のまた別の例を詳細に示した平面図である。
【図２０】表示領域の画素のまた別の例を詳細に示した平面図である。
【図２１ａ】本発明の実施形態に係るヘッドマウントディスプレイを示した例示図である。
【図２１ｂ】本発明の実施形態に係るヘッドマウントディスプレイを示した例示図である。
【図２２】図２1ａ及び図２１ｂのディスプレイ収納ケースの一例を示した例示図である。
【図２３】図２1ａ及び図２１ｂのディスプレイ収納ケースの他の例を示した例示図である。
【図２４】本発明の実施形態に係るヘッドマウントディスプレイで表示された画像の格子形状を示した例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図とともに詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は、以下に開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にして本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されているものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義される。
【００２２】
本発明の実施例を説明するために図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するに当たって、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。
【００２３】
本明細書で言及した「含む」、「有する」、「なされる」などが用いられている場合は、「〜のみ」が使用されない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
【００２４】
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００２５】
位置関係の説明の場合、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜の横に」など2つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐ」または「直接」が使用されない限り、二つの部分の間に1つ以上の他の部分が位置することもできる。
【００２６】
時間関係に対する説明の場合、例えば、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」など、時間的前後関係が説明されている場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、連続しない場合も含むことができる。
【００２７】
第１、第２など、多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得る。
【００２８】
「X軸方向」、「Y軸方向」および「Z軸方向」とは、互いの関係が垂直方向に成り立った幾何学的な関係だけに解釈してはならず、本発明の構成は、機能的に作用し得る範囲内より広い方向性を有することを意味し得る。
【００２９】
「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むことができると理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目及び第３項目の中から少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目の各々のみならず、第１項目、第２項目及び第３項目の中から２以上から提示し得るすべての項目の組み合わせを意味し得る。
【００３０】
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的に、または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例は、互いに独立して実施可能であり得、連関関連によって一緒に実施することもできる。
【００３１】
以下、添付した図を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明することにする。
【００３２】
図２は、本発明の一実施例による有機発光表示装置を示した斜視図である。図３は図２の第１基板、ゲート駆動部、ソースドライブIC、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示した平面図である。
【００３３】
図２及び図３を参照すると、本発明の実施例による有機発光表示装置１００は、表示パネル１１０、ゲート駆動部１２０、ソースドライブ集積回路（integrated circuit、以下「IC」と称する）１３０、軟性フィルム１４０、回路基板１５０、およびタイミング制御部１６０を含む。
【００３４】
表示パネル１１０は、第１基板１１１と第２の基板１１２を含む。第２の基板１１２は、封止基板であり得る。第１の基板１１１と第２の基板１１２は、プラスチックまたはガラス（glass）であり得る。
【００３５】
第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上には、ゲートライン、データライン、および画素（P）が形成される。画素（P）は、ゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に設けられる。
【００３６】
画素（P）のそれぞれは、薄膜トランジスタと、第１電極、有機発光層、及び第２電極を備える有機発光素子を含むことができる。一般的に、薄膜トランジスタは、他の種類の適切なトランジスタに置き換えることができる。例えば、トランジスタは電界効果トランジスタのソース電極に該当する第１制御電極、電界効果トランジスタのドレイン電極に該当する第２制御電極、および電界効果トランジスタのゲート電極に該当する制御電極を含むことができる。この場合、トランジスタは、第１制御電極と第２制御電極との間に流れる電流を制御することができる。画素（P）のそれぞれは、薄膜トランジスタを用いて、ゲートラインからゲート信号が入力される場合は、データラインのデータ電圧に応じて、有機発光素子に所定の電流を供給する。これにより、画素（P）のそれぞれの有機発光素子は、所定の電流に応じて所定の明るさで発光することができる。画素（P）のそれぞれに対する詳細な説明は、図４を結びつけて後述する。
【００３７】
表示パネル１１０は、図３のように画素が形成されて画像を表示する表示領域（DA）と画像を表示しない非表示領域（NDA）に区分することができる。表示領域（DA）には、ゲートライン、データライン、および画素（P）が形成され得る。非表示領域（NDA）には、ゲート駆動部１２０とパッドが形成され得る。
【００３８】
ゲート駆動部１２０は、タイミング制御部１６０から入力するゲート制御信号に応じてゲートラインにゲート信号を供給する。ゲート駆動部１２０は、表示パネル１１０の表示領域（DA）の一側または両側の外側の非表示領域（DA）にGIP（gate driver in panel）方式で形成することができる。または、ゲート駆動部１２０は、駆動チップに製作して軟性フィルムに実装してTAB（tape automated bonding）方式で表示パネル１１０の表示領域（DA）の一側または両側の外側の非表示領域（DA）に付着することもできる。
【００３９】
ソースドライブIC１３０は、タイミング制御部１６０からデジタルビデオデータとソース制御信号が入力する。ソースドライブIC１３０は、ソース制御信号に応じて、デジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブIC１３０が駆動チップに製作される場合、COF（chip on film）またはCOP（chip on plastic）方式で軟性フィルム１４０に実装することができる。
【００４０】
表示パネル１１０の非表示領域（NDA）には、データパッドのようなパッドが形成され得る。軟性フィルム１４０には、パッドとソースドライブIC１３０を接続する配線、パッドと回路基板１５０の配線を接続する配線が形成され得る。軟性フィルム１４０は、異方性導電フィルム（antisotropic conducting film）を用いて、パッド上に付着され、これにより、パッドと軟性フィルム１４０の配線を接続することができる。
【００４１】
回路基板１５０は、軟性フィルム１４０に付着することができる。回路基板１５０は、駆動チップに具現された多数の回路を実装し得る。例えば、回路基板１５０には、タイミング制御部１６０が実装され得る。回路基板１５０は、プリント回路基板（printed circuit board）またはフレキシブルプリント回路基板（flexible printed circuit board）であり得る。
【００４２】
タイミング制御部１６０は、回路基板１５０のケーブルを通じて外部のシステムボードからデジタルビデオデータとタイミング信号が入力する。タイミング制御部１６０は、タイミング信号に基づいて、ゲート駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号とソースドライブIC１３０を制御するためのソース制御信号を発生する。タイミング制御部１６０は、ゲート制御信号をゲート駆動部１２０に供給して、ソース制御信号をソースドライブIC１３０に供給する。
【００４３】
図４は、表示領域の画素の一例を詳細に示した平面図である。図5は図４のＩ−Ｉ’を示した断面図である。
【００４４】
図４及び図５を参照すると、第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上には、バッファ膜２１０が形成される。バッファ膜２１０は、透湿に脆弱な第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２２０と、有機発光素子２８０を保護するために、第１基板１１１の一面上に形成される。バッファ膜２１０は、交互に積層された複数の無機膜からなり得る。たとえば、バッファ膜２１０は、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、SiONのいずれかひとつ、または複数の無機膜が交互に積層された多重膜で形成することができる。バッファ膜２１０は、省略することができる。
【００４５】
バッファ膜２１０上には、薄膜トランジスタ２２０が形成される。薄膜トランジスタ２２０のそれぞれは、アクティブ層２２１、ゲート電極２２２、ソース電極２２３およびドレイン電極２２４を含む。図５では、薄膜トランジスタ２２０がゲート電極２２２がアクティブ層２２１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート、top gate）方式で形成された例を示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。つまり、薄膜トランジスタ２２０は、ゲート電極２２２がアクティブ層２２１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート、bottom gate）方式またはゲート電極２２２がアクティブ層２２１の上部と下部の両方に位置するダブルゲート（double gate）方式で形成することができる。
【００４６】
バッファ膜２１０上には、アクティブ層２２１が形成される。アクティブ層２２１は、シリコン系半導体物質や酸化物系半導体物質で形成することができる。バッファ膜２１０と、アクティブ層２２１との間には、アクティブ層２２１に入射する外部光を遮断するための遮光層が形成され得る。
【００４７】
アクティブ層２２１上には、ゲート絶縁膜２２０が形成され得る。ゲート絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成することができる。
【００４８】
ゲート絶縁膜２２０上には、ゲート電極２２２とゲートラインが形成され得る。ゲート電極２２２とゲートラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。
【００４９】
ゲート電極２２２とゲートライン上には、層間絶縁膜２４０が形成され得る。層間絶縁膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成することができる。
【００５０】
層間絶縁膜２４０上には、ソース電極２２３、ドレイン電極２２４、およびデータラインが形成され得る。ソース電極２２３とドレイン電極２２４のそれぞれは、ゲート絶縁膜２３０と層間絶縁膜２４０を貫通するコンタクトホール（C1）を通じてアクティブ層２２１に接続することができる。ソース電極２２３、ドレイン電極２２４、およびデータラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）と銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。
【００５１】
ソース電極２２３、ドレイン電極２２４、およびデータライン上には、薄膜トランジスタ２２０を絶縁するための保護膜２５０が形成され得る。保護膜２５０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成することができる。
【００５２】
保護膜２５０上には、薄膜トランジスタ２２０による段差を平坦にするための第１平坦化膜２６０が形成され得る。第１平坦化膜２６０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
【００５３】
保護膜２５０と第１平坦化膜２６０には、保護膜２５０と第１平坦化膜２６０を貫通して薄膜トランジスタ２２０のドレイン電極２２４を露出させるコンタクトホール（CNT）が形成される。コンタクトホール（CNT）は、図４に示したように、発光部（EA）と重畳するように形成される。図４ではコンタクトホール（CNT）の一部が発光部（EA）に重畳する例を示したが、これに限定されず、コンタクトホール（CNT）のすべてが発光部（EA）に重畳することができる。
【００５４】
第１平坦化膜２６０上には、補助電極２８１ａが形成される。補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）を通じて薄膜トランジスタのドレイン電極２２４に接続することができる。図５では、補助電極２８１ａが薄膜トランジスタ２２０のドレイン電極２２４に接続された例を示したが、薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３に接続することもできる。また、図５において、補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）の一部に部分的に充たされる。図５に示したように、補助電極２８１ａは、発光素子２８０の電極と薄膜トランジスタ２２０の電極に直接接続することができる。
【００５５】
補助電極２８１ａ上には、第２平坦化膜２７０が形成され得る。第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）による段差を平坦にするためにコンタクトホール（CNT）の残っている一部に充たされる。第２平坦化膜２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
【００５６】
第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）の段差を埋めるためにコンタクトホール（CNT）を覆うように形成される。これにより、第２平坦化膜２７０は、図４に示したようにコンタクトホール（CNT）より広く形成することができる。しかし、本発明の実施例は、これに限定されない。つまり、第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）と同じか狭く形成することができる。本発明の実施例では、コンタクトホール（CNT）の幅は、発光部（EA）の幅よりも広いことがあり得る。または、コンタクトホール（CNT）の幅は、発光部（EA）の幅よりも狭いことがあり得る。また、本発明の実施例では、コンタクトホール（CNT）は、発光部（EA）と、様々な範囲で重畳することができる。例えば、コンタクトホール（CNT）の10％〜95％が発光部（EA）と重畳することができる。
【００５７】
また、第２平坦化膜２７０は、図４に示したように、発光部（EA）より広く形成することができる。この場合、発光部（EA）で第１電極２８１ｂ、有機発光層２８２、及び第２電極２８３が第２平坦化膜２７０上に形成されるので、発光部（EA）で有機発光層２８２が均一な厚さに形成され得るので、発光部（EA）は、均一な光を出力することができる。
【００５８】
第２平坦化膜２７０の製造工程上の特徴によって、第２平坦化膜２７０の厚さ（t2）は、第１平坦化膜２６０の厚さ（t1）よりも厚く形成することができる。したがって、第２平坦化膜２７０の一部、例えば中央部の厚さは、第１平坦化膜２６０の厚さよりも厚いことがあり得る。第２平坦化膜２７０の厚さ（t2）が第１平坦化膜２６０の厚さ（t1）より厚く形成される理由に対する詳細な説明は、図８ａ及び図８ｂを結びつけて後述する。
【００５９】
第２平坦化膜２７０上には、有機発光素子２８０が形成される。有機発光素子２８０は、第１電極２８１ｂ、有機発光層２８２、及び第２電極２８３を含む。第１電極２８１ｂ、有機発光層２８２、及び第２電極２８３が積層された領域は、発光部（EA）と定義される。第１電極２８１ｂは、アノード電極であり、第２電極２８３は、カソード電極であり得る。
【００６０】
第１電極２８１ｂは、第２平坦化膜２７０上に形成することができる。図４に示したように、第１電極２８１ｂは、補助電極２８１ａより広く形成され得、これにより、第２平坦化膜２７０によって覆われない補助電極２８１ａは、第１電極２８１ｂと接続することができる。図４では、第１電極２８１ｂと補助電極２８１ａがコンタクトホール（CNT）の両側面の外側で接続される例を示したが、これに限定されない。つまり、第１電極２８１ｂと補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）の少なくともいずれか一側面の外側で相互に接続することができる。
【００６１】
補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂは、互いに同一の物質からなり得る。または、補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂのそれぞれは、１つの金属層または２層以上の金属層からなり得る。
【００６２】
補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂのそれぞれは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成することができる。透明な金属物質はITO、IZOのようなTCO（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、またはAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
【００６３】
例えば、第１電極２８１ｂは、アルミニウム（Al）または銀（Ag）のように反射率の高い金属物質と透明な金属物質を含む2層以上の積層構造からなり、補助電極２８１ａはモリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、またはアルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）のように抵抗が低い金属物質からなり得る。また、反射面積を最大限に広く形成するために、第１電極２８１ｂは、透明な金属物質からなり、補助電極２８１ａは、アルミニウム（Al）または銀（Ag）のように反射率の高い金属物質からなり得る。
【００６４】
バンク２８４は、発光部（EA）を区画するための第１平坦化膜２６０上で第１電極２８１ｂの端部を覆うように形成することができる。バンク２８４が形成された領域は、光を発光しないので、非発光部として定義することができる。例えば、第１バンク（左側バンク）は、補助電極２８１ａの第１重畳部（左側端）、第２平坦化膜２７０、および発光素子の第１電極２８１ｂ上に形成され得る。また、第２バンク（右側バンク）は、補助電極２８１ａの第２重畳部（右側端）、第２平坦化膜２７０、および発光素子の第１電極２８１ｂ上に形成することができる。つまり、発光部（EA）を定義する役割をする。バンク２８４の厚さ（t3）は、第１平坦化膜２６０と、有機発光層２８２との間の距離（t4）よりも厚く形成することができる。また、図５に示された実施例では、バンク２８４の厚さは均一であり得る。
【００６５】
一方、第２平坦化膜２７０は、凸状に形成される。第２平坦化膜２７０が、図５に示したように、凸に形成されるため、第２平坦化膜は不均一な厚さを有する。また、有機発光層２８２は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が良くない蒸発蒸着法のような方法で形成されるため、第２平坦化膜２７０の傾斜部で薄く形成され得る。これにより、第２平坦化膜２７０の傾斜部で、第１電極２８１ａまたは有機発光層２８２の電荷生成層と第２電極２８３が短絡し得る。ステップカバレッジは、所定の蒸着方法により蒸着された膜が、段差が形成された部分でも切れずにつながるように形成されていることを指す。しかし、本発明の実施例ではバンク２８４は、第２平坦化膜２７０の傾斜部を覆うように形成されるので、第２平坦化膜２７０の傾斜部で、第１電極２８１ａまたは有機発光層２８２の電荷生成層と第２電極２８３が短絡することを防止することができる。
【００６６】
第１電極２８１ｂとバンク２８４上には、有機発光層２８２が形成される。有機発光層２８２は、正孔輸送層（hole transporting layer）、発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。この場合、第１電極２８１ｂと第２電極２８３に電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して発光することになる。
【００６７】
有機発光層２８２は、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合、有機発光層２８２は、図５に示したように、第１電極２８１ｂとバンク２８４を覆うように形成することができる。また、この場合、カラーフィルタ３２１、３２２、３２３が発光部（EA）に重畳するように形成することができる。
【００６８】
または、有機発光層２８２は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、及び青色光を発光する青色発光層を含むことができる。この場合、発光部（EA）は、赤色発光層を含む赤色発光部、緑色発光層を含む緑色発光部、および青色発光層を含む青色発光部に区分することができ、赤色発光部、緑色発光部、および青色発光部のそれぞれは、カラーフィルタを含まないことがあり得る。赤色発光層は、赤色発光部の第１電極２８１ｂ上に形成され、緑色発光層は、緑色発光部お第１電極２８１ｂ上に形成され、青色発光層は、青色発光部の第１電極２８１ｂ上に形成され得る。
【００６９】
第２電極２８３は、有機発光層２８２上に形成される。第２電極２８３は、光を透過させることができるITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。第２電極２８３上にキャッピング層（capping layer）が形成され得る。
【００７０】
第２電極２８３上には、封止膜２９０が形成される。封止膜２９０は、有機発光層２８２と第２電極２８３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜２９０は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。図５では、封止膜２９０が第１無機膜２９１、有機膜２９２及び第２無機膜２９３を含む例を示したが、これに限定されない。
【００７１】
第１無機膜２９１は、第２電極２８３を覆うように、第２電極２８３上に形成される。有機膜２９２は、第１無機膜２９１を覆うように、第１無機膜２９１上に形成される。有機膜２９２は、異物（particles）が第１無機膜２９１を突破し、有機発光層２８２と第２電極２８３に投入されることを防止するために、これを考慮して、十分な厚さに形成することが好ましい。第２無機膜２９３は、有機膜２９２を覆うように有機膜２９２上に形成される。
【００７２】
第１及び第２無機膜のそれぞれは、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。有機膜は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成することができる。
【００７３】
第１基板１１１と向き合う第２基板１１２上には、カラーフィルタ３２１、３２２、３２３とブラックマトリックス３１０が形成され得る。赤色発光部には赤色カラーフィルタ３２３が形成され、青色発光部には青色カラーフィルタ３２２が形成され、緑色発光部には、緑色カラーフィルタ３２１が形成され得る。ブラックマトリックス（BM）は、カラーフィルタ３２１、３２２、３２３との間に配置され得る。有機発光層２８２が赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層を含む場合、カラーフィルタ３２１、３２２、３２３とブラックマトリックス３１０は省略することができる。
【００７４】
第１基板１１１の封止膜２９０と第２基板１１２のカラーフィルタ３２１、３２２、３２３は、接着層３３０を用いて接着され、これにより、第１基板１１１と第２基板１１２は、合着され得る。接着層３３０は、透明な接着レジンであり得る。
【００７５】
以上で説明したように、本発明の実施例は、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成し、コンタクトホール（CNT）の段差を平坦化するために、コンタクトホール（CNT）に第２平坦化膜２７０を充たす。これにより、本発明の実施例は、有機発光層を第２平坦化膜２７０上に均一な厚さで形成することができるので、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成しても発光部（EA）から光を均一に出力することができる。
【００７６】
また、有機発光素子は、時間の経過とともに劣化するため、有機発光表示装置で有機発光素子の寿命を延ばすことは非常に重要である。有機発光層が発光する発光部の面積を広げる場合、有機発光素子の寿命を延長することができる。本発明の実施例は、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成することができるので、発光部（EA）の面積をコンタクトホール（CNT）の面積に依存しないようにすることができる。その結果、本発明の実施例は、コンタクトホール（CNT）の面積に拘ることなしに、発光部（EA）の面積を設計することができるので、発光部（EA）の面積を最大化することができ、有機発光層の寿命を改善することができる。
【００７７】
また、本発明の実施例は、発光部（EA）の面積を最大化することにより、非発光部の面積を最小限に抑えることができる。これにより、本発明の実施例は、ヘッドマウントディスプレイに適用する場合、非発光部が格子形状に見えることを防止することができる。
【００７８】
図６は、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。図７ａ〜図７ｇは、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【００７９】
図７ａ〜図７ｇに示された断面図は、前述した図５に示された有機発光表示装置の製造方法に関するもので、同一の構成に対しては同一の符号を付与した。以下では、図６及び図７ａ〜図７ｇを結びつけて、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を詳細に説明する。
【００８０】
最初に、図７ａに示したように、第１基板１１１上に薄膜トランジスタ２２０、保護膜２５０、及び第１平坦化膜２６０を形成する。
【００８１】
薄膜トランジスタ２２０を形成する前に、第１基板１１１を通じて浸透する水分から保護するために第１基板１１１上にバッファ膜２１０を形成することができる。バッファ膜２１０は、透湿に脆弱な第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２２０と、有機発光素子２６０を保護するためのもので、交互に積層された複数の無機膜からなり得る。たとえば、バッファ膜２１０は、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、SiONのいずれか一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成することができる。バッファ膜２１０は、CVD法（Chemical Vapor Deposition）を用いて形成することができる。
【００８２】
次に、バッファ膜上に薄膜トランジスタのアクティブ層２２１を形成する。詳細には、スパッタリング法（Sputtering）またはMOCVD法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）などを用いて、バッファ膜２１０上の全面にアクティブ金属層を形成する。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程でアクティブ金属層をパターニングして、アクティブ層２２１を形成する。アクティブ層２２１は、シリコン系半導体物質や酸化物系半導体物質で形成することができる。
【００８３】
そして、アクティブ層２２１上にゲート絶縁膜２１０を形成する。ゲート絶縁膜２１０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成することができる。ゲート絶縁膜２１０は、CVD法を用いて形成することができる。
【００８４】
次に、ゲート絶縁膜２１０上に薄膜トランジスタ２２０のゲート電極２２２とゲートラインを形成する。詳細には、スパッタリング法やMOCVD法などを用いて、ゲート絶縁膜２１０上の全面に第１金属層を形成する。次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第１金属層をパターニングしてゲート電極２２２とゲートラインを形成する。ゲート電極２２２とゲートラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。
【００８５】
そして、ゲート電極２２２上に層間絶縁膜２３０を形成する。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成することができる。層間絶縁膜２３０は、CVD法を用いて形成することができる。
【００８６】
次に、ゲート絶縁膜２１０と層間絶縁膜２３０を貫通して、アクティブ層２２１を露出させるコンタクトホール（C1）を形成する。
【００８７】
次に、層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３およびドレイン電極２２４と、データラインを形成する。詳細には、スパッタリング法またはMOCVD法などを用いて層間絶縁膜２３０上の全面に第２金属層を形成する。次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第２金属層をパターニングして、ソース電極２２３およびドレイン電極２２４と、データラインを形成する。ソース電極２２３およびドレイン電極２２４のそれぞれは、ゲート絶縁膜２１０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホール（C1）を通じてアクティブ層２２１に接続することができる。ソース電極２２３およびドレイン電極２２４と、データラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。
【００８８】
そして、薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３およびドレイン電極２２４上に保護膜２５０を形成する。保護膜２５０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成することができる。保護膜２５０は、CVD法を用いて形成することができる。
【００８９】
そして、保護膜２５０上に薄膜トランジスタ２２０による段差を平坦化するための第１平坦化膜２６０を形成する。第１平坦化膜２６０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる（図６のS101）。
【００９０】
第二に、図７ｂに示したように保護膜２５０と第１平坦化膜２６０を貫通して薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３またはドレイン電極２２４を露出させるコンタクトホール（CNT）を形成する（図６のS102）。
【００９１】
第三に、図７ｃに示したように、第１平坦化膜２６０上に補助電極２８１ａを形成する。補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）を通じて薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３またはドレイン電極２２４に接続することができる。
【００９２】
詳細には、スパッタリング法やMOCVD法などを用いて、第１平坦化膜２６０上の全面に第３金属層を形成する。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第３金属層をパターニングして補助電極２８１ａを形成する。
【００９３】
補助電極２８１ａは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成することができる。透明な金属物質は、ITO、IZOのようなTCO（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、またはAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である（図６のS103）。
【００９４】
第四に、図７ｄに示したように補助電極２８１ａ上に第２平坦化膜２７０を形成する。第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）による段差を平坦にするためにコンタクトホール（CNT）に充たされる。
【００９５】
詳細には、図８ａに示したように、第１平坦化膜２６０と補助電極２８１ａ上に有機物質２７０’をコーティングする。有機物質２７０’は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）であり得る。有機物質２７０’は、スリットコーティング（slit coating）、スピンコーティング（spin coating）、または蒸発法（Evaporation）を用いて、第１平坦化膜２６０と補助電極２８１ａ上に形成することができる。有機物質２７０’は、コンタクトホール（CNT）に充たすように形成される。
【００９６】
そして、図８ｂに示したように、最終的にコンタクトホール（CNT）上にマスク（M）を配置した後、フォトリソグラフィ工程を用いて、マスク（M）が配置されない領域に形成された有機物質２７０’を現像（development）する。その結果、第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）を覆うように形成することができる。
【００９７】
以上で説明したように、図８ａ及び図８ｂに示したように、フォトリソグラフィ工程を用いて、第２平坦化膜２７０を形成する場合、第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）に充たされるだけでなく、第１平坦化膜２６０上に形成された補助電極２８１ａの一部を覆うように形成することができる。したがって、図８ａ及び図８ｂに示したように、フォトリソグラフィ工程を用いて、第２平坦化膜２７０を形成する場合、第２平坦化膜２７０の厚さ（t2）は、第１平坦化膜２６０の厚さ（t1）より厚く形成することができる。これにより、第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）より広く形成することができる（図６のS104）。
【００９８】
第五に、図７ｅに示したように、第２平坦化膜２７０上に第１電極２８１ｂを形成する。第１電極２８１ｂは、第１平坦化膜２６０上で第２平坦化膜２７０によって覆われていない補助電極２８１ａと接続することができる。
【００９９】
詳細には、スパッタリング法やMOCVD法などを用いて、第１及び第２平坦化膜２６０、２７０上の全面に第４金属層を形成する。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第４金属層をパターニングして第１電極２８１ｂを形成する。
【０１００】
第１電極２８１ｂは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成することができる。透明な金属物質は、ITO、IZOなどのTCO（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、またはAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である（図６のS105）。
【０１０１】
第六に、図７ｆに示したようにバンク２８４、有機発光層２８２、第２電極２８３、および封止膜２９０を順番に形成する。
【０１０２】
まず、発光部（EA）を区画するために、第１電極２８１ｂの端部を覆うようにバンク２８４を形成する。バンク２８４は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
【０１０３】
そして、第１電極２８１ｂとバンク２８４上に有機発光層２８２を形成する。有機発光層２８２は、蒸着工程または溶液工程で形成することができる。有機発光層２８２が蒸着工程で形成される場合、蒸発法（Evaporation）を用いて形成することができる。
【０１０４】
有機発光層２６２が発光部（EA）に共通して形成される共通層である場合、有機発光層２６２は、白色光を発光する白色発光層で形成することができる。有機発光層２６２が白色発光層である場合、2スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。また、スタックの間には、電荷生成層が形成され得る。電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するn型電荷生成層とn型電荷生成層上に形成されて、上部スタックと隣接して位置するp型電荷生成層を含むことができる。n型電荷生成層は、下部スタックに電子（electron）を注入して、p型電荷生成層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。n型電荷生成層は、Li、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaなどのアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。p型電荷生成層は、正孔輸送能力がある有機物質にドーパントがドーピングされてなり得る。
【０１０５】
次に、有機発光層２８２上に第２電極２８３を形成する。第２電極２８３は、発光部（EA）に共通して形成される共通の層であり得る。第２電極２８３は、光を透過させることができるITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。第２電極２８３上にキャッピング層（capping layer）が形成され得る。
【０１０６】
次に、第２電極２８３上に封止膜２９０を形成する。封止膜２９０は、有機発光層２８２と第２電極２８３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜２９０は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
【０１０７】
例えば、封止膜２９０は、第１無機膜２９１、有機膜２９２及び第２無機膜２９３を含むことができる。この場合、第１無機膜２９１は、第２電極２８３を覆うように形成される。有機膜２９２は、第１無機膜を覆うように形成される。有機膜２９２は、異物（particles）が第１無機膜２９１を突破し、有機発光層２８２と第２電極２８３に投入されることを防止するために十分な厚さで形成することが好ましい。第２無機膜２９３は、有機膜を覆うように形成される。
【０１０８】
第１および第２無機膜２９１、２９３のそれぞれは、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。有機膜２９２は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成することができる。（図６のS106）
【０１０９】
第七に、図７ｇに示したように接着層３３０を用いて、第１基板１１１の封止膜２９０と第２基板１１２のカラーフィルタ３２１、３２２、３２３を接着することにより、第１基板１１１と第２基板１１２を合着する。接着層３３０は、透明な接着レジンであり得る。（図６のS107）
【０１１０】
図９は、図４のＩ−Ｉ’の別の例を示した断面図である。
【０１１１】
図９は、バンク２８４が第１電極２８１ｂとの間で、第２平坦化膜２７０による段差を埋めるように形成されることを除き、図５を結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、図９は、バンク２８４を除いた残りの構成要素の詳細な説明は省略する。
【０１１２】
バンク２８４は、発光部（EA）を区画するための第１平坦化膜２６０上で第１電極２８１ｂの端部を覆うように形成することができる。バンク２８４が形成された領域は、光を発光しないので、非発光部として定義することができる。例えば、第１バンク（左側バンク）は、補助電極２８１ａの第１重畳部（左側端）、第２平坦化膜２７０、および発光素子の第１電極２８１ｂ上に形成され得る。また、第２バンク（右側バンク）は、補助電極２８１ａの第２重畳部（右側端）、第２平坦化膜２７０、および発光素子の第１電極２８１ｂ上に形成することができる。第１バンクと第２バンクによって覆われない補助電極２８１ｂの一部は、発光領域（EA）の幅で定義することができる。つまり、バンク２８４は、発光領域（EA）を定義する。バンク２８４の厚さ（t5）は、第２平坦化膜２７０の厚さ（t2）よりも薄く形成することができる。図９に示したように、バンク２８４の厚さは不均一であり得る。また、図９に示したように、第１重畳部に含まれる発光素子２８０の第１電極２８１ｂと第２平坦化膜２７０、及び第２重畳部に含まれる発光素子２８０の第１電極２８１ｂと第２平坦化膜２７０は、第１及び第２バンクの不均一な厚さに該当する角度で傾斜するように形成することができる。
【０１１３】
一方、第２平坦化膜２７０は、凸状に形成される。第２平坦化膜２７０は、図９に示したように、凸に形成されるため、不均一な厚さを有し得る。また、有機発光層２８２は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が良くない蒸発蒸着法のような方法で形成されるため、第２平坦化膜２７０の傾斜部で薄く形成され得る。これにより、第２平坦化膜２７０の傾斜部で、第１電極２８１ａまたは有機発光層２８２の電荷生成層と第２電極２８３が短絡し得る。ステップカバレッジは、所定の蒸着方法によって蒸着された膜が段差が形成された部分でも切れずにつながるように形成されていることを指す。しかし、本発明の実施例では、バンク２８４は、第２平坦化膜２７０の傾斜部を覆うように形成されるので、第２平坦化膜２７０の傾斜部で、第１電極２８１ａまたは有機発光層２８２の電荷生成層と第２電極２８３が短絡することを防止することができる。
【０１１４】
図１０は、本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。図１１ａ〜図１１ｃは、本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
【０１１５】
図１０に示された本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、図６のS106工程のバンク２８４、有機発光層２８２、第２電極２８３、および封止膜２９０を形成する工程を除き、図６及び図７ａ〜図７ｇを結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、以下では、図１０および図１１ａ〜図１１ｃを結びつけて、バンク２８４、有機発光層２８２、第２電極２８３、および封止膜２９０を形成する工程に対して詳細に説明する。図１１ａ〜図１１ｃに示された断面図は、前述した図９に示された有機発光表示装置の製造方法に関するもので、同一の構成に対しては同一の符号を付与した。
【０１１６】
以下では、図１０および図１１ａ〜図１１ｃを結びつけてS201乃至S203の工程を詳細に説明する。
【０１１７】
まず、図１１ａに示したように、第１平坦化膜２６０と、第１電極２８１ｂ上に有機物質２８４’をコーティングする。
【０１１８】
有機物質２８４’は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）であり得る。有機物質２８４’は、スリットコーティング（slit coating）、スピンコーティング（spin coating）、または蒸発法（Evaporation）を用いて、第１平坦化膜２６０と、第１電極２８１ｂ上に形成することができる。有機物質２８４’は、第２平坦化膜２６０との間を埋めるように形成することができる（図１０のS201）。
【０１１９】
次に、図１１ｂに示したように、有機物質２８４’をドライエッチング（dry etch）してバンク２８４を形成する。ドライエッチング物質は、有機物質２８４’をエッチングすることができるが、第１電極２８１ｂをエッチングすることができない物質を選択することが好ましい。
【０１２０】
ドライエッチング工程を用いて、バンク２８４を形成する場合、バンク２８４は、第２平坦化膜２７０との間に充たすように形成することができる。特に、第２平坦化膜２７０との間に充たされバンク２８４は、ドライエッチングによって凹に形成することができる。したがって、ドライエッチング工程を用いて、バンク２８４を形成する場合、バンク２８４の厚さ（t5）は、発光部（EA）で第１平坦化膜２６０と、有機発光層２８２との間の距離（t6）より薄く形成することができる（図１０のS202）。
【０１２１】
次に、図１１ｃに示したように、有機発光層２８２、第２電極２８３、および封止膜２９０を順番に形成する。
【０１２２】
第１電極２８１ｂとバンク２８４上に有機発光層２８２を形成する。有機発光層２８２は、蒸着工程または溶液工程で形成することができる。有機発光層２８２が蒸着工程で形成される場合、蒸発法（Evaporation）を用いて形成することができる。
【０１２３】
有機発光層２８２が発光部（EA）に共通して形成される共通層である場合、有機発光層２８２は、白色光を発光する白色発光層で形成することができる。有機発光層２８２が白色発光層である場合、2スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。また、スタックの間には、電荷生成層が形成され得る。電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するn型電荷生成層とn型電荷生成層上に形成されて上部スタックと隣接して位置するp型電荷生成層を含むことができる。n型電荷生成層は、下部スタックに電子（electron）を注入して、p型電荷生成層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。n型電荷生成層は、Li、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaなどのアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。 p型電荷生成層は、正孔輸送能力がある有機物質にドーパントをドーピングしてなり得る。
【０１２４】
そして、有機発光層２８２上に第２電極２８３を形成する。第２電極２８３は、発光部（EA）に共通して形成される共通層であり得る。第２電極２８３は、光を透過させることができるITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。第２電極２８３上にキャッピング層（capping layer）が形成され得る。
【０１２５】
そして、第２電極２８３上に封止膜２９０を形成する。封止膜２９０は、有機発光層２８２と第２電極２８３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜２９０は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
【０１２６】
例えば、封止膜２９０は、第１無機膜２９１、有機膜２９２及び第２無機膜２９３を含むことができる。この場合、第１無機膜２９１は、第２電極２８３を覆うように形成される。有機膜２９２は、第１無機膜を覆うように形成される。有機膜２９２は、異物（particles）が第１無機膜２９１を突破し、有機発光層２８２と第２電極２８３に投入されることを防止するために十分な厚さで形成することが好ましい。第２無機膜２９３は、有機膜を覆うように形成される。
【０１２７】
第１及び第２無機膜２９１、２９３のそれぞれは、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。有機膜２９２は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成することができる（図１０のS203）。
【０１２８】
図１２は、表示領域の画素の別の例を詳細に示した平面図である。図１３は、図１２のＩＩ−ＩＩ’の他の例を示した断面図である。
【０１２９】
図１２及び図１３に示された有機発光表示装置の画素（P）は、第２平坦化膜２７０、補助電極２８１ａ、及び第１電極２８１ｂを除き図４及び図５を結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、図１２及び図１３は、第２平坦化膜２７０、補助電極２８１ａ、及び第１電極２８１ｂを除いた他の構成に対する詳細な説明は省略する。
【０１３０】
補助電極２８１ａは、第１平坦化膜２６０上に形成される。補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）を通じて薄膜トランジスタのドレイン電極２２４に接続することができる。図１３は、補助電極２８１ａが薄膜トランジスタ２２０のドレイン電極２２４に接続された例を示したが、薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３に接続することもできる。
【０１３１】
補助電極２８１ａ上には、第２平坦化膜２７０が形成され得る。第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）による段差を平坦にするために、コンタクトホール（CNT）に充たされる。第２平坦化膜２７０の厚さがコンタクトホール（CNT）の厚さよりも薄く、第１平坦化膜２６０の厚さよりも薄くなるように第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）に充たすことができる。第２平坦化膜２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
【０１３２】
第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）の段差を埋めるためにコンタクトホール（CNT）を充たすように形成される。図１３は、第２平坦化膜２７０がコンタクトホール（CNT）と実質的に同じ例を示したが、これに限定されない。つまり、第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）より狭く形成することができる。
【０１３３】
第２平坦化膜２７０の製造工程上の特徴により、第２平坦化膜２７０の厚さ（t7）は、第１平坦化膜２６０の厚さ（t1）よりも薄く形成することができる。第２平坦化膜２７０の厚さ（t7）が第１平坦化膜２６０の厚さ（t1）より薄く形成される理由の詳細な説明は、図１５ａ及び図１５ｂを結びつけて後述する。
【０１３４】
第１電極２８１ｂは、第２平坦化膜２７０上に形成することができる。図１２に示したように、第１電極２８１ｂは、補助電極２８１ａより広く形成することができる。また、図１２に示したように補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂは、それぞれ、第２平坦化膜２７０よりも広く形成することができる。第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）だけを充たすように形成されるので、補助電極２８１ａは、第１平坦化膜２６０上で第１電極２８１ｂと接続することができる。図６は、第１電極２８１ｂと補助電極２８１ａがコンタクトホール（CNT）の両側面の外側で接続される例を示したが、これに限定されない。つまり、第１電極２８１ｂと補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）の少なくともいずれか一側面の外側で相互に接続することができる。
【０１３５】
補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂは、互いに同一の物質からなり得る。または、補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂのそれぞれは、単一の金属層または2層以上の金属層からなり得る。
【０１３６】
補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂのそれぞれは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成することができる。透明な金属物質はITO、IZOなどのTCO（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、またはAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
【０１３７】
例えば、第１電極２８１ｂは、アルミニウム（Al）または銀（Ag）のように反射率の高い金属物質と透明な金属物質を含む2層以上の積層構造からなり、補助電極２８１ａはモリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、またはアルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）のように抵抗が低い金属物質からなり得る。また、反射面積を最大限に広く形成するために、第１電極２８１ｂは、透明な金属物質からなり、補助電極２８１ａは、アルミニウム（Al）または銀（Ag）のように反射率の高い金属物質からなり得る。
【０１３８】
図１４は、本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。図１５ａ及び図１５ｂは、本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【０１３９】
図１４に示された本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、図６のS104工程の第２平坦化膜２７０を形成する工程を除き図６及び図７ａ〜図７ｇを結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、以下では、図１４、図１５ａ、及び図１５ｂを結びつけて、第２平坦化膜２７０を形成する工程に対して詳細に説明する。図１５ａ及び図１５ｂに示された断面図は、前述した図１３に示された有機発光表示装置の製造方法に関するもので、同一の構成に対しては同一の符号を付与した。
【０１４０】
以下では、図１４、図１５ａ及び図１５ｂを結びつけてS301およびS302工程を詳細に説明する。
【０１４１】
まず、図１５ａに示したように、第１平坦化膜２６０と補助電極２８１ａ上に有機物質２７０’をコーティングする。有機物質２７０’は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）であり得る。有機物質２７０’は、スリットコーティング（slit coating）、スピンコーティング（spin coating）、または蒸発法（Evaporation）を用いて、第１平坦化膜２６０と補助電極２８１ａ上に形成することができる。有機物質２７０’は、コンタクトホール（CNT）を充たすように形成される。
【０１４２】
次に、図１５ｂに示したように、有機物質２７０’をドライエッチング（dry etch）して、第２平坦化膜２７０を形成する。ドライエッチング物質は、有機物質２７０’をエッチングすることができるが、補助電極２８１ａをエッチングすることができない物質を選択することが好ましい。
【０１４３】
以上で説明したように、ドライエッチング工程を用いて、第２平坦化膜２７０を形成する場合、第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）にのみ充たすことができる。特に、コンタクトホール（CNT）に充たされた第２平坦化膜２７０は、ドライエッチングにより、第１平坦化膜２６０に比べてくぼんで形成することができる。したがって、ドライエッチング工程を用いて、第２平坦化膜２７０を形成する場合、第２平坦化膜２７０の厚さ（t7）は、第１平坦化膜２６０の厚さ（t1）よりも薄く形成され得る。これにより、第２平坦化膜２７０は、コンタクトホール（CNT）と実質的に同じかコンタクトホール（CNT）より狭く形成することができる。
【０１４４】
図１６は、図１２のＩＩ−ＩＩ’の他の例を示した断面図である。
【０１４５】
図１６は、第２平坦化膜２７０の代わりに補助電極２８１ａがコンタクトホール（CNT）を充たすように形成されることを除き、図５を結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、図１６は、第２平坦化膜２７０が省略され得る。図１６は、補助電極２８１ａを除いた残りの構成要素の詳細な説明は省略する。
【０１４６】
補助電極２８１ａは、第１平坦化膜２６０上に形成される。補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）を通じて薄膜トランジスタのドレイン電極２２４に接続することができる。図５では、補助電極２８１ａが薄膜トランジスタ２２０のドレイン電極２２４に接続された例を示したが、薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３に接続することもできる。
【０１４７】
補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）による段差を平坦にするために、コンタクトホール（CNT）に充たされる。つまり、補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）の段差を埋めるためにコンタクトホール（CNT）を完全に埋めるように形成される。（例えば、補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）を覆うように形成される。）これにより、補助電極２８１ａは、図１６のようにコンタクトホール（CNT）より広く形成することができる。しかし、本発明の実施例は、これに限定されない。つまり、補助電極２８１ａは、コンタクトホール（CNT）と同じか狭く形成することができる。
【０１４８】
また、補助電極２８１ａは、発光部（EA）より広く形成することができる。この場合、発光部（EA）で第１電極２８１ｂ、有機発光層２８２、及び第２電極２８３が補助電極２８１ａ上に形成されるので、発光部（EA）で有機発光層２８２が均一な厚さに形成され得るので、発光部（EA）は、均一な光を出力することができる。
【０１４９】
補助電極２８１ａは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成することができる。透明な金属物質はITO、IZOなどのTCO（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、またはAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
【０１５０】
以上で説明したように、本発明の実施例は、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成し、コンタクトホール（CNT）の段差を平坦化するために、補助電極２８１ａがコンタクトホール（CNT）を充たすように形成する。これにより、本発明の実施例は、有機発光層２８２を補助電極２８１ａ上に均一な厚さで形成することができるので、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成しても発光部（EA）から光を均一に出力することができる。
【０１５１】
また、有機発光素子は、時間の経過とともに劣化するため、有機発光表示装置で有機発光素子の寿命を延ばすことは非常に重要である。有機発光層が発光する発光部の面積を広げる場合、有機発光素子の寿命を延長することができる。本発明の実施例は、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成することができるので、発光部（EA）の面積をコンタクトホール（CNT）の面積に依存しないようにすることができる。その結果、本発明の実施例は、コンタクトホール（CNT）の面積に拘ることなく、発光部（EA）の面積を設計することができるので、発光部（EA）の面積を最大化することができ、有機発光層の寿命を改善することができる。
【０１５２】
また、本発明の実施例は、発光部（EA）の面積を最大化することにより、非発光部の面積を最小限に抑えることができる。これにより、本発明の実施例は、ヘッドマウントディスプレイに適用する場合、非発光部が格子形状に表示されることを防止することができる。
【０１５３】
図１７は、本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示した流れ図である。図１８ａ〜図１８ｂは、本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【０１５４】
図１７に示された本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法のS401、S402、S405、およびS406の工程は、図６のS101、S102、S106、およびS107の工程と実質的的に同一である。したがって、図１７に示された本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法のS401、S402、S405、およびS406工程の詳細な説明は省略する。図１８ａ〜図１８ｃに示された断面図は、前述した図１６に示された有機発光表示装置の製造方法に関するもので、同一の構成に対しては同一の符号を付与した。
【０１５５】
以下では、図１７および図１８ａ〜図１８ｃを結びつけてS403、S404の工程を詳細に説明する。
【０１５６】
まず、図１８ａに示したようにコンタクトホール（CNT）を充たす第３金属層２８１ａ’を第１平坦化膜２６０上の全面に形成する。コンタクトホール（CNT）を充たすために、第３金属層２８１ａ’は、液体状態の導電層をコーティングして硬化して形成することができる。
【０１５７】
そして、図１８ｂに示したように、第４金属層２８１ｂを第３金属層２８１ａ’上の全面に形成する。第４金属層８１ｂ’は、スパッタリング法やMOCVD法などを用いて形成することができる。
【０１５８】
次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第３及び第４金属層２８１ａ’、２８１ｂ’を同時にパターニングして補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂを形成する。
【０１５９】
補助電極２８１ａと、第１電極２８１ｂのそれぞれは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成することができる。透明な金属物質はITO、IZOなどのTCO（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、またはAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
【０１６０】
例えば、第１電極２８１ｂは、アルミニウム（Al）または銀（Ag）のように反射率の高い金属物質と透明な金属物質を含む2層以上の積層構造からなり、補助電極２８１ａはモリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、またはアルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）のように抵抗が低い金属物質からなり得る。また、反射面積を最大限に広く形成するために、第１電極２８１ｂは、透明な金属物質からなり、補助電極２８１ａは、アルミニウム（Al）または銀（Ag）のように反射率の高い金属物質からなり得る（図１７のS403、S404）。
【０１６１】
図１９は、表示領域の画素のまた別の例を詳細に示した平面図である。
【０１６２】
図１９に示された表示領域の画素（P）は、正方形の形態に形成したことを除き、図４を結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、図１９は、画素（P）の構成に対する詳細な説明は省略する。
【０１６３】
本発明の実施例は、画素（P）を図１９に示したように正方形の形態に形成する場合、図４に示したように長方形形態に形成する場合よりも、発光部（EA）の面積を一方向（上下方向）だけでなく他の方向（左右方向）に拡張することができるので、より一層広げることができる。その結果、本発明の実施例は、有機発光層の寿命を向上させることができるだけでなく、非発光部の面積を最小限に抑えることができる。
【０１６４】
また、本発明の実施例は、画素（P）を図１９に示したように正方形の形態に形成する場合、第１電極２８１ｂをコンタクトホール（CNT）のすべての側面の外側で補助電極２８１ａと接続することができるので、補助電極２８１ａ、第１電極２８１ｂ、およびコンタクトホール（CNT）の形成時に工程誤差が発生した場合にも、第１電極２８１ｂをコンタクトホール（CNT）の少なくともいずれか一側面の外側で補助電極２８１ａと接続することができる。
【０１６５】
一方、図１９のＩＩＩ−ＩＩＩ’の断面構造は、図５のＩ−Ｉ’の断面図または図９のＩ−Ｉ’の断面図と実質的に同一であり得る。
【０１６６】
図２０は、表示領域の画素のまた別の例を詳細に示した平面図である。
【０１６７】
図２０に示された表示領域の画素（P）は、正方形の形態に形成されたことを除き、図１２を結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、図２０は、画素（P）の構成に対する詳細な説明は省略する。
【０１６８】
本発明の実施例は、画素（P）を図２０のように正方形形態に形成する場合、図１２に示したように長方形形態に形成する場合よりも、発光部（EA）の面積を一方向（上下方向）だけでなく他の方向（左右方向）にさらに広げることができる。その結果、本発明の実施例は、有機発光層の寿命を向上させることができるだけでなく、非発光部の面積を最小限に抑えることができる。
【０１６９】
また、本発明の実施例は、画素（P）を図２０のように正方形形態に形成する場合、第１電極２８１ｂをコンタクトホール（CNT）のすべての側面の外側で補助電極２８１ａと接続することができるので、補助電極２８１ａ、第１電極２８１ｂ、およびコンタクトホール（CNT）の形成時に工程誤差が発生した場合にも、第１電極２８１ｂをコンタクトホール（CNT）の少なくともいずれか一側面の外側で補助電極２８１ａと接続することができる。
【０１７０】
一方、図２０のＩＶ−ＩＶ’の断面構造は、図１３のＩＩ−ＩＩ’の断面図または図１６のＩＩ−ＩＩ’の断面図と実質的に同一であり得る。
【０１７１】
図２1ａ及び図２１ｂは、本発明の実施形態に係るヘッドマウントディスプレイを示した例示図である。
【０１７２】
図２1ａ及び図２１ｂを参照すると、本発明の実施形態に係るヘッドマウントディスプレイ（HMD）は、ディスプレイ収納ケース１０、左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂ、およびヘッド装着バンド３０を含む。
【０１７３】
ディスプレイ収納ケース１０は、ディスプレイ装置を収納し、左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂにディスプレイ装置の映像を提供する。ディスプレイ装置は、本発明の実施例による有機発光表示装置であり得る。本発明の実施例による有機発光表示装置は、図２〜図２０を結びつけて、既に前詳しく説明した。
【０１７４】
ディスプレイ収納ケース１０は、左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂに同じ映像を提供するように設計することができる。または、ディスプレイ収納ケース１０は、左眼レンズ２０ａに左眼映像が表示され、右眼レンズ２０ｂに右眼映像が表示されるように設計することができる。
【０１７５】
ディスプレイ収納ケース１０内には、図２２に示したように左眼レンズ２０ａの前に配置される左眼用有機発光表示装置１１と右眼レンズ２０ｂの前に配置される右眼用有機発光表示装置１２が収納され得る。図２２は、ディスプレイ収納ケース１０を上から眺めた時の断面図を示す。左眼用の有機発光表示装置１１は、左眼映像を表示して、右眼用の有機発光表示装置１２は、右眼映像を表示することができる。これにより、左眼用有機発光表示装置１１に表示される左眼映像は左眼レンズ２０ａを通じて使用者の左眼（LE）に映り、右眼用の有機発光表示装置１１に表示される右眼映像は右眼レンズ２０ｂを通じて使用者の右眼（RE）に映る。
【０１７６】
また、図２２で左眼レンズ２０ａと左眼用の有機発光表示装置１１との間と、右眼レンズ２０ｂと右眼用有機発光表示装置１２との間には、拡大レンズを追加で配置することができる。この場合、拡大レンズにより左眼用の有機発光表示装置１１と右眼用有機発光表示装置１２に表示される映像は、使用者に拡大して映り得る。
【０１７７】
ディスプレイ収納ケース１０内には、図２３のように左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂの前に配置されるミラー反射板１３と鏡反射板１３上に配置される有機発光表示装置１４が収納され得る。図２３は、ディスプレイ収納ケース１０を横から眺めた時の断面図を示す。有機発光表示装置１４は、ミラー反射板１３の方向に映像を表示して、ミラー反射板１３は、有機発光表示装置１４の映像を左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂの方向に全反射する。これにより、有機発光表示装置１４に表示される映像は、左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂに提供することができる。図２３は、説明の便宜上、左眼レンズ２０ａと使用者の左眼（LE）のみ図示した。図２３のように鏡反射板１３を用いる場合、ディスプレイ収納ケース１０は、薄く形成することができる。
【０１７８】
また、図２２で左眼レンズ２０ａと鏡反射板１３との間と、右眼レンズ２０ｂと鏡反射板１３との間には、拡大レンズを追加で配置することができる。この場合、拡大レンズにより左眼用の有機発光表示装置１１と右眼用有機発光表示装置１２に表示される映像は、使用者に拡大して映り得る。
【０１７９】
ヘッド装着バンド３０は、ディスプレイ収納ケース１０に固定される。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭の上面と両側面を囲むように形成された例を示したが、これに限定されない。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭にヘッドマウントディスプレイを固定するためのもので、メガネフレームの形態やヘルメットの形態で形成することもできる。
【０１８０】
一方、従来のヘッドマウントディスプレイは、使用者の目の前にすぐに有機発光表示装置の映像が見えるので、図１のように、非発光領域が格子形状に見える問題がある。しかし、本発明の実施例は、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成し、コンタクトホール（CNT）の段差を平坦化するために、コンタクトホール（CNT）に第２平坦化膜２７０を充たす。これにより、本発明の実施例は、有機発光層を第２平坦化膜２７０上に均一な厚さで形成することができるので、コンタクトホール（CNT）を発光部（EA）と重畳するように形成しても発光部（EA）から光を均一に出力することができる。したがって、本発明の実施例は、発光部（EA）の面積を最大化することにより、非発光部の面積を最小限に抑えることができ、これにより、ヘッドマウントディスプレイに適用する場合、図２４に示したように、非発光部が格子形状に表示されることを防止することができる。
【０１８１】
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をより詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明の開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、これらの実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈され、それと同等範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１８２】
１００：有機発光表示装置
１１０：表示パネル
１１１：下部基板
１１２：上部基板
１２０：ゲート駆動部
１３０：ソースドライブＩＣ
１４０：軟性フィルム
１５０：回路基板
１６０：タイミング制御部
２１０：バッファ膜
２２０：薄膜トランジスタ
２２１：アクティブ層
２２２：ゲート電極
２２３：ソース電極
２２４：ドレイン電極
２３０：ゲート絶縁膜
２４０：層間絶縁膜
２５０：保護膜
２６０：第１平坦化膜
２７０：第２平坦化膜
２８１ａ：補助電極
２８０：有機発光素子
２８１ｂ：第１電極
２８２：有機発光層
２８３：第２電極
２８４：バンク
２９０：封止膜
２９１：第１無機膜
２９２：有機膜
２９３：第２無機膜
３１０：ブラックマトリックス
３２１：緑色カラーフィルタ
３２２：青色カラーフィルタ
３２３：赤色カラーフィルタ
３３０：透明接着層
ＨＭＤ：ヘッドマウントディスプレイ
１０：ディスプレイ収納ケース
１１：右眼用有機発光表示装置
１２：左眼用有機発光表示装置
２０ａ：左眼レンズ
２０ｂ：右眼レンズ
３０：ヘッド装着バンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図７ｆ】
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【図７ｇ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１１ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８ａ】
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【図１８ｂ】
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【図１８ｃ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１ａ】
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【図２１ｂ】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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