(57)【要約】【課題】より経済的に単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成することができるウエーハの生成方法を提供する。【解決手段】本発明のウエーハの生成方法は、インゴット２の平坦面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さにインゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰを位置づけてインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢを照射し剥離層２６を形成する剥離層形成工程と、剥離層２６を起点として生成すべきウエーハ４０をインゴット２から剥離するウエーハの剥離工程と、ウエーハ４０が剥離されたインゴット２の上面４２を研削して凹凸を除去して平坦面に整形する平坦面整形工程とを含む。平坦面整形工程は、インゴット２の上面４２を荒研削して凹凸を残して不完全に除去する第一の研削ステップと、インゴット２の上面４２を仕上げ研削して残った凹凸を除去して平坦面に仕上げる第二の研削ステップとから少なくとも構成される。【選択図】図６
2018186153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
単結晶ＳｉＣインゴットの平坦面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにパルスレーザー光線を照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、
該剥離層を起点として生成すべきウエーハを単結晶ＳｉＣインゴットから剥離するウエーハの剥離工程と、
ウエーハが剥離された単結晶ＳｉＣインゴットの上面を研削して凹凸を除去して平坦面に整形する平坦面整形工程と、
を含み、
該平坦面整形工程は、
単結晶ＳｉＣインゴットの上面を荒研削して凹凸を残して不完全に除去する第一の研削ステップと、
単結晶ＳｉＣインゴットの上面を仕上げ研削して残った凹凸を除去して平坦面に仕上げる第二の研削ステップと、
から少なくとも構成されるウエーハの生成方法。
【請求項２】
該第一の研削ステップで使用する研削砥石は＃１０００〜２０００のダイヤモンド砥粒で構成されていて、
該第二の研削ステップで使用する研削砥石は＃７０００〜８０００のダイヤモンド砥粒で構成されている請求項１記載のウエーハの生成方法。
【請求項３】
該第一の研削ステップにおいて単結晶ＳｉＣインゴットの上面の凹凸の７０〜９０％を研削し、
該第二の研削ステップにおいて単結晶ＳｉＣインゴットの上面の凹凸の１０〜３０％を研削して平坦面に仕上げる請求項１記載のウエーハの生成方法。
【請求項４】
単結晶ＳｉＣインゴットは、平坦面である第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至り該第一の面の垂線に対して傾いているｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有しており、該ｃ面と該第一の面とでオフ角が形成されており、
該剥離層形成工程において、
単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成する請求項１記載のウエーハの生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、Ｓｉ（シリコン）やＡｌ２Ｏ３（サファイア）等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイス、ＬＥＤ等は単結晶ＳｉＣ（炭化ケイ素）を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面及び裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる（たとえば特許文献１参照。）。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面及び裏面を研磨すると、インゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に単結晶ＳｉＣインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
【０００４】
そこで、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶ＳｉＣインゴットの内部に位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射して切断予定面に改質層を形成し、改質層が形成された切断予定面に沿って単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを剥離する技術が提案されている（たとえば特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９４２２１号公報
【特許文献２】特開２０１３−４９１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、ウエーハをインゴットから剥離するとインゴットの剥離面が凹凸となり、次のウエーハを生成するためにレーザー光線の集光点が適正な位置に位置づけられるように凹凸の高さを超えて剥離面を研削し平坦面に仕上げており不経済であるという新たな問題が生じている。
【０００７】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、より経済的に単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成することができるウエーハの生成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のウエーハの生成方法である。すなわち、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、単結晶ＳｉＣインゴットの平坦面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにパルスレーザー光線を照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、該剥離層を起点として生成すべきウエーハを単結晶ＳｉＣインゴットから剥離するウエーハの剥離工程と、ウエーハが剥離された単結晶ＳｉＣインゴットの上面を研削して凹凸を除去して平坦面に整形する平坦面整形工程と、を含み、該平坦面整形工程は、単結晶ＳｉＣインゴットの上面を荒研削して凹凸を残して不完全に除去する第一の研削ステップと、単結晶ＳｉＣインゴットの上面を仕上げ研削して残った凹凸を除去して平坦面に仕上げる第二の研削ステップと、から少なくとも構成されるウエーハの生成方法である。
【０００９】
好ましくは、該第一の研削ステップで使用する研削砥石は＃１０００〜２０００のダイヤモンド砥粒で構成されていて、該第二の研削ステップで使用する研削砥石は＃７０００〜８０００のダイヤモンド砥粒で構成されている。該第一の研削ステップにおいて単結晶ＳｉＣインゴットの上面の凹凸の７０〜９０％を研削し、該第二の研削ステップにおいて単結晶ＳｉＣインゴットの上面の凹凸の１０〜３０％を研削して平坦面に仕上げるのが好適である。単結晶ＳｉＣインゴットは、平坦面である第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至り該第一の面の垂線に対して傾いているｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有しており、該ｃ面と該第一の面とでオフ角が形成されており、該剥離層形成工程において、単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成するのが好都合である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明が提供するウエーハの生成方法は、単結晶ＳｉＣインゴットの平坦面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにパルスレーザー光線を照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、該剥離層を起点として生成すべきウエーハを単結晶ＳｉＣインゴットから剥離するウエーハの剥離工程と、ウエーハが剥離された単結晶ＳｉＣインゴットの上面を研削して凹凸を除去して平坦面に整形する平坦面整形工程と、を含み、該平坦面整形工程は、単結晶ＳｉＣインゴットの上面を荒研削して凹凸を残して不完全に除去する第一の研削ステップと、単結晶ＳｉＣインゴットの上面を仕上げ研削して残った凹凸を除去して平坦面に仕上げる第二の研削ステップと、から少なくとも構成されているので、研削によって捨てられる単結晶ＳｉＣインゴットの量を抑制でき、したがって、より経済的に単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】単結晶ＳｉＣインゴットの正面図（ａ）、平面図（ｂ）及び斜視図（ｃ）。
【図２】剥離層形成工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及び正面図（ｂ）。
【図３】剥離層が形成された単結晶ＳｉＣインゴットの平面図（ａ）及びＢ−Ｂ線断面図（ｂ）。
【図４】ウエーハの剥離工程が実施されている状態を示す斜視図。
【図５】ウエーハが剥離された単結晶ＳｉＣインゴットの斜視図（ａ）及び正面図（ｂ）。
【図６】平坦面整形工程の第一の研削ステップが実施されている状態を示す斜視図（ａ）及び第一の研削ステップが実施された単結晶ＳｉＣインゴットの斜視図（ｂ）。
【図７】平坦面整形工程の第二の研削ステップが実施されている状態を示す斜視図（ａ）及び第二の研削ステップが実施された単結晶ＳｉＣインゴットの斜視図（ｂ）。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明のウエーハの生成方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
図１に示す全体として円柱形状の六方晶単結晶ＳｉＣインゴット２（以下「インゴット２」という。）は、平坦面である円形状の第一の面４と、第一の面４と反対側の円形状の第二の面６と、第一の面４及び第二の面６の間に位置する周面８と、第一の面４から第二の面６に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。インゴット２においては、第一の面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の面４とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図１に矢印Ａで示す。また、インゴット２の周面８には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１２及び第二のオリエンテーションフラット１４が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１２は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１４は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図１（ｂ）に示すとおり、垂線１０の方向にみて、第二のオリエンテーションフラット１４の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１２の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。
【００１４】
図示の実施形態では、まず、インゴット２の平坦面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さにインゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を位置づけてインゴット２にパルスレーザー光線を照射し剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。剥離層形成工程は、たとえば図２にその一部を示すレーザー加工装置１６を用いて実施することができる。レーザー加工装置１６は、被加工物を保持するチャックテーブル１８と、チャックテーブル１８に保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢを照射する集光器２０とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル１８は、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。集光器２０は、レーザー加工装置１６のパルスレーザー光線発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光して被加工物に照射するための集光レンズ（いずれも図示していない。）を含む。なお、Ｘ方向は図２（ａ）に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図２（ａ）に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。
【００１５】
図２を参照して説明を続けると、剥離層形成工程では、まず、インゴット２の平坦面である第一の面４を上に向けて、レーザー加工装置１６のチャックテーブル１８の上面にインゴット２を吸着させる。あるいは、インゴット２の第二の面６とチャックテーブル１８の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、インゴット２をチャックテーブル１８に固定してもよい。次いで、レーザー加工装置１６の撮像手段（図示していない。）でインゴット２の第一の面４の上方からインゴット２を撮像する。次いで、撮像手段で撮像したインゴット２の画像に基づいて、レーザー加工装置１６のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段でチャックテーブル１８を移動及び回転させることにより、インゴット２の向きを所定の向きに調整すると共にインゴット２と集光器２０とのＸＹ平面における位置を調整する。インゴット２の向きを所定の向きに調整する際は、図２（ａ）に示すとおり、第一のオリエンテーションフラット１２をＹ方向に整合させると共に、第二のオリエンテーションフラット１４をＸ方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向ＡをＹ方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ方向に整合させる。次いで、レーザー加工装置１６の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器２０を昇降させ、図２（ｂ）に示すとおり、インゴット２の第一の面４から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに集光点ＦＰを位置づける。次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に整合しているＸ方向にインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に移動させながら、インゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器２０からインゴット２に照射する剥離層形成加工を行う。図示の実施形態では図２に示すとおり、剥離層形成加工において、集光点ＦＰを移動させずに集光点ＦＰに対してチャックテーブル１８を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りしている。
【００１６】
剥離層形成加工を行うと、図３に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層２２と、改質層２２からｃ面に沿って改質層２２の両側に伝播するクラック２４とが形成される。なお、剥離層形成加工では、改質層２２が形成される深さにおいて隣接するパルスレーザー光線ＬＢのスポットが相互に重なるようにインゴット２と集光点ＦＰとを相対的にＸ方向に加工送りしながらパルスレーザー光線ＬＢをインゴット２に照射して、ＳｉとＣとに分離した改質層２２に再度パルスレーザー光線ＬＢが照射されるようにする。隣接するスポットが相互に重なるには、パルスレーザー光線ＬＢの繰り返し周波数Ｆと、インゴット２と集光点ＦＰとの相対速度Ｖと、スポットの直径Ｄとで規定されるＧ＝（Ｖ／Ｆ）−ＤがＧ＜０であることを要する。また、隣接するスポットの重なり率は｜Ｇ｜／Ｄで規定される。
【００１７】
図２及び図３を参照して説明を続けると、剥離層形成工程では剥離層形成加工に続いて、オフ角αが形成される方向Ａに整合しているＹ方向にインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に所定インデックス量Ｌｉだけインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、集光点ＦＰを移動させずに集光点ＦＰに対してチャックテーブル１８をＹ方向移動手段でＹ方向に所定インデックス量Ｌｉだけインデックス送りしている。そして、剥離層形成工程において剥離層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に沿って延びる直線状の改質層２２を、オフ角αが形成される方向Ａに所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて複数形成すると共に、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接するクラック２４とクラック２４とを連結させる。これによって、インゴット２の第一の面４から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに、複数の改質層２２およびクラック２４からなる、インゴット２からウエーハを剥離するための剥離層２６を形成することができる。このような剥離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数              ：８０ｋＨｚ
平均出力                    ：３．２Ｗ
パルス幅                    ：４ｎｓ
集光点の直径                ：３μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ）  ：０．４３
インデックス量              ：２５０〜４００μｍ
加工送り速度                ：１２０〜２６０ｍｍ／ｓ
集光点の位置                ：単結晶ＳｉＣインゴットの平坦面から３００μｍ
【００１８】
剥離層形成工程を実施した後、剥離層２６を起点として生成すべきウエーハをインゴット２から剥離するウエーハの剥離工程を実施する。ウエーハの剥離工程は、たとえば図４にその一部を示す剥離装置２８を用いて実施することができる。剥離装置２８は、被加工物を保持するチャックテーブル３０と、チャックテーブル３０に保持された被加工物の一部を剥離する剥離手段３２とを備える。チャックテーブル３０は上面において被加工物を吸着するように構成されている。剥離手段３２は、実質上水平に延びるアーム３４と、アーム３４の先端に付設されたモータ３６とを含む。モータ３６の下面には、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に円盤状の吸着片３８が連結されている。下面において被加工物を吸着するように構成されている吸着片３８には、吸着片３８の下面に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段（図示していない。）が内蔵されている。
【００１９】
図４を参照して説明を続けると、ウエーハの剥離工程では、まず、インゴット２の第一の面４を上に向けて、剥離装置２８のチャックテーブル３０の上面にインゴット２を吸着させる。あるいは、インゴット２の第二の面６とチャックテーブル３０の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、インゴット２をチャックテーブル３０に固定してもよい。次いで、剥離装置２８の昇降手段（図示していない。）でアーム３４を下降させ、図４に示すとおり、吸着片３８の下面をインゴット２の第一の面４に吸着させる。次いで、超音波振動付与手段を作動させ、吸着片３８の下面に対して超音波振動を付与すると共に、モータ３６を作動させ吸着片３８を回転させる。これによって、剥離層２６を起点として生成すべきウエーハ４０をインゴット２から剥離することができる。また、図５に示すとおり、ウエーハ４０が剥離されたインゴット２の上面４２（剥離面）は凹凸となっている。ウエーハ４０が剥離されたインゴット２の上面４２の凹凸の高さは、たとえば１００μｍ程度である。
【００２０】
ウエーハの剥離工程を実施した後、ウエーハ４０が剥離されたインゴット２の上面４２を研削して凹凸を除去して平坦面に整形する平坦面整形工程を実施する。平坦面整形工程は、インゴット２の上面４２を荒研削して凹凸を残して不完全に除去する第一の研削ステップと、インゴット２の上面４２を仕上げ研削して残った凹凸を除去して平坦面に仕上げる第二の研削ステップとから少なくとも構成される。工程時間の短縮化の観点から、第一の研削ステップにおけるインゴット２の上面４２の凹凸の研削量は、第二の研削ステップにおけるインゴット２の上面４２の凹凸の研削量よりも多いのが好ましい。たとえば、第一の研削ステップでは、インゴット２の上面４２の凹凸の７０〜９０％程度を研削し、第二の研削ステップでは、インゴット２の上面４２の凹凸の１０〜３０％程度を研削するのが好適である。さらに具体的な例を挙げると、インゴット２の上面４２の凹凸の高さが１００μｍである場合、第一の研削ステップにおいてインゴット２の上面４２の凹凸を８０μｍ程度研削し、第二の研削ステップにおいてインゴット２の上面４２の凹凸を２０μｍ程度研削して、平坦面に仕上げればよい。
【００２１】
平坦面整形工程の第一の研削ステップは、たとえば図６にその一部を示す第一の研削装置４４を用いて実施することができる。第一の研削装置４４は、被加工物を保持するチャックテーブル４６と、チャックテーブル４６に保持された被加工物を研削する研削手段４８とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル４６は、回転手段（図示していない。）によって上下方向に延びる軸線を中心として回転される。研削手段４８は、モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル５０と、スピンドル５０の下端に固定された円盤状のホイールマウント５２とを含む。ホイールマウント５２の下面にはボルト５４によって環状の研削ホイール５６が固定されている。研削ホイール５６の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の第一の研削砥石５８が固定されている。第一の研削ステップで使用する第一の研削砥石５８は、たとえば、粒度が＃１０００〜２０００のダイヤモンド砥粒を集中度１５０でビドリファイドボンドによって固定したものでよい。図６に示すとおり、第一の研削砥石５８がチャックテーブル４６の回転中心を通るように、研削ホイール５６の回転中心はチャックテーブル４６の回転中心に対して変位している。このため、チャックテーブル４６と研削ホイール５６とが相互に回転しながら、チャックテーブル４６の上面に保持された被加工物の上面と第一の研削砥石５８とが接触した場合に、被加工物の上面全体が第一の研削砥石５８によって研削される。
【００２２】
図６を参照して説明を続けると、平坦面整形工程の第一の研削ステップでは、まず、ウエーハ４０が剥離されたインゴット２の上面４２を上に向けて、第一の研削装置４４のチャックテーブル４６の上面にインゴット２を吸着させる。あるいは、インゴット２の第二の面６とチャックテーブル４６の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、インゴット２をチャックテーブル４６に固定してもよい。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル４６を回転手段で回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル５０をモータで回転させる。次いで、第一の研削装置４４の昇降手段（図示していない。）でスピンドル５０を下降させ、インゴット２の上面４２に第一の研削砥石５８を接触させる。インゴット２の上面４２に第一の研削砥石５８を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル５０を所定量だけ下降させる。これによって、インゴット２の上面４２を荒研削して凹凸を残して不完全に除去することができる。
【００２３】
平坦面整形工程において第一の研削ステップを実施した後、第二の研削ステップを実施する。平坦面整形工程の第二の研削ステップは、たとえば図７にその一部を示す第二の研削装置６０を用いて実施することができる。第二の研削装置６０は、被加工物を保持するチャックテーブル６２と、チャックテーブル６２に保持された被加工物を研削する研削手段６４とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル６２は、回転手段（図示していない。）によって上下方向に延びる軸線を中心として回転される。研削手段６４は、モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル６６と、スピンドル６６の下端に固定された円盤状のホイールマウント６８とを含む。ホイールマウント６８の下面にはボルト７０によって環状の研削ホイール７２が固定されている。研削ホイール７２の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の第二の研削砥石７４が固定されている。第二の研削ステップで使用する第二の研削砥石７４は、第一の研削砥石５８の砥粒よりも粒度が小さい砥粒から構成され、たとえば、粒度が＃７０００〜８０００のダイヤモンド砥粒を集中度１５０でビドリファイドボンドによって固定したものでよい。図７に示すとおり、第二の研削装置６０においても第一の研削装置４４と同様に、第二の研削砥石７４がチャックテーブル６２の回転中心を通るように、研削ホイール７２の回転中心はチャックテーブル６２の回転中心に対して変位している。このため、チャックテーブル６２と研削ホイール７２とが相互に回転しながら、チャックテーブル６２の上面に保持された被加工物の上面と第二の研削砥石７４とが接触した場合に、被加工物の上面全体が第二の研削砥石７４によって研削される。
【００２４】
図７を参照して説明を続けると、平坦面整形工程の第二の研削ステップでは、まず、第一の研削ステップで荒研削されたインゴット２の上面４２を上に向けて、第二の研削装置６０のチャックテーブル６２の上面にインゴット２を吸着させる。あるいは、インゴット２の第二の面６とチャックテーブル６２の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、インゴット２をチャックテーブル６２に固定してもよい。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル６２を回転手段で回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル６６をモータで回転させる。次いで、第二の研削装置６０の昇降手段（図示していない。）でスピンドル６６を下降させ、インゴット２の上面４２に第二の研削砥石７４を接触させる。インゴット２の上面４２に第二の研削砥石７４を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば０．０５μｍ／ｓ）でスピンドル６６を所定量だけ下降させる。これによって、インゴット２の上面４２を仕上げ研削して残った凹凸を除去し、インゴット２の上面４２を平坦面に仕上げることができる。
【００２５】
以上のとおり、図示の実施形態における平坦面整形工程は、インゴット２の上面４２を荒研削して凹凸を残して不完全に除去する第一の研削ステップと、インゴット２の上面４２を仕上げ研削して残った凹凸を除去して平坦面に仕上げる第二の研削ステップとから少なくとも構成されるので、研削によって捨てられるインゴット２の量を抑制でき、したがって、より経済的にインゴット２からウエーハを生成することができる。
【００２６】
なお、図示の実施形態では、剥離層形成工程においてオフ角αが形成される方向Ａと直交する方向にインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に移動させ、かつインデックス送りにおいてオフ角αが形成される方向Ａにインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に移動させる例を説明したが、インゴット２と集光点ＦＰとの相対的な移動方向はオフ角αが形成される方向Ａと直交する方向でなくてもよく、また、インデックス送りにおけるインゴット２と集光点ＦＰとの相対的な移動方向はオフ角αが形成される方向Ａでなくてもよい。更に、図示の実施形態では、第一の面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いておりｃ面と第一の面４とでオフ角αが形成されているインゴット２の例を説明したが、第一の面の垂線に対してｃ軸が傾いておらず、ｃ面と第一の面とのオフ角が０度である（すなわち、第一の面の垂線とｃ軸とが一致している）単結晶ＳｉＣインゴットの場合でも、本発明のウエーハの生成方法を実施することができる。
【符号の説明】
【００２７】
２：単結晶ＳｉＣインゴット
４：第一の面（平坦面）
６：第二の面
１０：垂線
２２：改質層
２４：クラック
２６：剥離層
４０：ウエーハ
４２：ウエーハが剥離された単結晶ＳｉＣインゴットの上面
５８：第一の研削砥石（第一の研削ステップで使用する研削砥石）
７４：第二の研削砥石（第二の研削ステップで使用する研削砥石）
α：オフ角
Ａ：オフ角が形成される方向
ＦＰ：集光点
ＬＢ：パルスレーザー光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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