(57)【要約】【課題】表示装置の形状に合わせた画像処理を大規模なフレームメモリおよび高スループットのＧＰＵを用いることなく、高速かつ低消費電力で行うこと。【解決手段】書き込みクロック信号に同期して入力データからデータを取り込み、当該データを書き込みデータとして記憶するラッチ回路と、書き込みデータを記憶し、読み出しクロック信号に同期して書き込みデータを読み出しデータとして外部回路に出力する記憶回路と、クロック選択制御回路と、を有し、クロック選択制御回路の制御で出力される書き込みクロック信号は、それぞれ異なる周波数を有する複数のクロック信号のいずれか一であるデータ変換回路とする。【選択図】図１
2018106156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込みクロック信号に同期して入力データからデータを取り込み、当該データを書き込みデータとして記憶するラッチ回路と、
前記書き込みデータを記憶し、読み出しクロック信号に同期して前記書き込みデータを読み出しデータとして外部回路に出力する記憶回路と、
クロック選択制御回路と、を有し、
前記クロック選択制御回路の制御で出力される前記書き込みクロック信号は、それぞれ異なる周波数を有する複数のクロック信号のいずれか一であることを特徴とするデータ変換回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記記憶回路は、ラインメモリであることを特徴とするデータ変換回路。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記外部回路は、ソースドライバであることを特徴とするデータ変換回路。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記書き込みクロック信号は、前記記憶回路に前記書き込みデータを書き込むための書き込みアドレスデータを生成する書き込みアドレス生成回路に与えられ、
前記読み出しクロック信号は、前記記憶回路から前記読み出しデータを読み出すための読み出しアドレスデータを生成する読み出しアドレス生成回路に与えられる、ことを特徴とするデータ変換回路。
【請求項５】
書き込みクロック信号に同期して入力データからデータを取り込み、当該データを書き込みデータとして記憶するラッチ回路と、
前記書き込みデータを記憶し、読み出しクロック信号に同期して前記書き込みデータを読み出しデータとしてソースドライバに出力する記憶回路と、
第１のクロック選択制御回路と、
第２のクロック選択制御回路と、
ゲート線側クロック信号に同期してゲートドライバを駆動するゲートドライバ制御信号を出力するゲートドライバ制御回路と、を有し、
前記第１のクロック選択制御回路の制御で出力される前記書き込みクロック信号は、それぞれ異なる周波数を有する複数のクロック信号のいずれか一であり、
前記第２のクロック選択制御回路の制御で出力される前記ゲート線側クロック信号は、それぞれ異なる周波数を有する複数のクロック信号のいずれか一であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記記憶回路は、ラインメモリであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記書き込みクロック信号は、前記記憶回路に前記書き込みデータを書き込むための書き込みアドレスデータを生成する書き込みアドレス生成回路に与えられ、
前記読み出しクロック信号は、前記記憶回路から前記読み出しデータを読み出すための読み出しアドレスデータを生成する読み出しアドレス生成回路に与えられる、ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、データ変換回路、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を有する曲面ディスプレイが提案されている（例えば、特許文献１）。なお曲面ディスプレイは、湾曲した表示面を有するディスプレイのことをいう。
【０００３】
曲面ディスプレイは、車両などの移動体のインストルメントパネル（以下、インパネと略記する場合がある）に適用することでデザイン性を向上できることが期待されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１３４２９５号公報
【特許文献２】特開２００５−１１２２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
車両等のインパネは、デザイン性の観点から曲面など複雑な形状をしている。このような形状の表示装置に情報を表示する場合、ユーザの視線と表示面がなす角度が一様ではなくなる。すなわち曲面を有する表示装置を視認する場合、ユーザの視点によって、見やすい領域と見にくい領域が生じる。そのため、画像を表示装置に表示するための画像データは、表示装置の形状に合わせて画像処理を施す必要がある。
【０００６】
表示装置の形状に合わせた画像処理には、例えば、画素に書き込むデータを隣接画素へコピー（画像を引き伸ばす）する、あるいはデータを間引く、等の処理がある。このような画像処理をソフトウェアにて実行する場合、フレーム全体の画像処理を行う必要がことになるため、高速での画像処理が難しくなるといった問題が生じる。大規模なフレームメモリおよび高スループットのＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）を用いて画像処理を行うことで高速での画像処理が可能となるが、この場合消費電力が大きくなるといった問題が生じる。
【０００７】
本発明の一態様は、高速での画像処理を行うことができるデータ変換回路および表示装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、消費電力の小さいデータ変換回路および表示装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、新規なデータ変換回路および表示装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、書き込みクロック信号に同期して入力データからデータを取り込み、当該データを書き込みデータとして記憶するラッチ回路と、書き込みデータを記憶し、読み出しクロック信号に同期して書き込みデータを読み出しデータとして外部回路に出力する記憶回路と、クロック選択制御回路と、を有し、クロック選択制御回路の制御で出力される書き込みクロック信号は、それぞれ異なる周波数を有する複数のクロック信号のいずれか一であるデータ変換回路である。
【０００９】
本発明の一態様において、記憶回路は、ラインメモリであるデータ変換回路が好ましい。
【００１０】
本発明の一態様において、外部回路は、ソースドライバであるデータ変換回路が好ましい。
【００１１】
本発明の一態様において、書き込みクロック信号は、記憶回路に書き込みデータを書き込むための書き込みアドレスデータを生成する書き込みアドレス生成回路に与えられ、読み出しクロック信号は、記憶回路から読み出しデータを読み出すための読み出しアドレスデータを生成する読み出しアドレス生成回路に与えられるデータ変換回路が好ましい。
【００１２】
本発明の一態様は、書き込みクロック信号に同期して入力データからデータを取り込み、当該データを書き込みデータとして記憶するラッチ回路と、書き込みデータを記憶し、読み出しクロック信号に同期して書き込みデータを読み出しデータとしてソースドライバに出力する記憶回路と、第１のクロック選択制御回路と、第２のクロック選択制御回路と、ゲート線側クロック信号に同期してゲートドライバを駆動するゲートドライバ制御信号を出力するゲートドライバ制御回路と、を有し、第１のクロック選択制御回路の制御で出力される書き込みクロック信号は、それぞれ異なる周波数を有する複数のクロック信号のいずれか一であり、第２のクロック選択制御回路の制御で出力されるゲート線側クロック信号は、それぞれ異なる周波数を有する複数のクロック信号のいずれか一である表示装置である。
【００１３】
本発明の一態様において、記憶回路は、ラインメモリである表示装置が好ましい。
【００１４】
本発明の一態様において、書き込みクロック信号は、記憶回路に書き込みデータを書き込むための書き込みアドレスデータを生成する書き込みアドレス生成回路に与えられ、読み出しクロック信号は、記憶回路から読み出しデータを読み出すための読み出しアドレスデータを生成する読み出しアドレス生成回路に与えられる表示装置が好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様は、高速での画像処理を行うことができるデータ変換回路および表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様は、消費電力の小さいデータ変換回路および表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様は、新規なデータ変換回路および表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態に係る、データ変換回路の構成例。
【図２】実施の形態に係る、データ変換回路の構成例。
【図３】実施の形態に係る、データ変換回路の構成例。
【図４】実施の形態に係る、データ変換回路の構成例。
【図５】実施の形態に係る、データ変換回路の構成例。
【図６】実施の形態に係る、データ変換回路の構成例。
【図７】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図８】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図９】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１０】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１１】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１２】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１３】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１４】実施の形態に係る、タッチパネルの構成例。
【図１５】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１６】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１７】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１８】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１９】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図２０】移動体における表示装置の構成例を説明するための図。
【図２１】移動体における表示装置の構成例を説明するための図。
【図２２】移動体における表示装置の構成例を説明するための図。
【図２３】移動体における撮像装置および表示装置の構成例を説明するための図。
【図２４】移動体の一例を説明する図。
【図２５】電子機器の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１８】
図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。
【００１９】
以下の実施の形態を適宜組み合わせることが可能である。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互い構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様であるデータ変換回路、および該データ変換回路を有する表示装置の構成例について図１乃至図５を用いて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一態様であるデータ変換回路１００のブロック図である。データ変換回路１００は、表示装置のソースドライバの長軸方向において、折り曲げ形状に関わる画像の歪みを補正するためのデータに変換するための回路である。
【００２２】
データ変換回路１００は、クロック生成回路１１０、データラッチ回路１２１、書込アドレス生成回路１２２、読出アドレス生成回路１２３、イネーブル生成回路１２４、記憶回路１３１、記憶回路１３２、およびデータ選択回路１３３を有する。
【００２３】
クロック生成回路１１０は、クロック選択制御回路１１１および切り替え回路１１２を有する。クロック選択制御回路１１１は、切り替え回路１１２が周波数の異なる複数のクロック信号（ＣＬＫ０，ＣＬＫ１，ＣＬＫ２など）から一つを選択するための選択信号ＳＥＬを出力する。選択信号ＳＥＬは、クロック信号ＷＣＬＫを切り替え回路１１２で選択されたクロック信号に切り替える機能を有する。クロック信号ＷＣＬＫは、書き込みクロック信号ともいう。
【００２４】
クロック生成回路１１０は、切り替え回路１１２で選択したクロック信号ＷＣＬＫを、記憶回路１３１、記憶回路１３２、その他各種回路に送信する。クロック選択制御回路１１１は、表示装置のソースドライバの長軸方向の折り曲げ形状に関わる歪みを補正するのに適した周波数および切り替えのタイミングに関する情報を有する。クロック選択制御回路１１１は、当該情報に従って選択信号ＳＥＬを出力する。なお、当該情報は、表示装置のソースドライバの長軸方向の折り曲げ形状に応じて利用者が設定可能な構成としてもよい。また、当該情報は、表示装置に貼付された歪センサからの歪信号に基づいて自動設定する構成としてもよい。また、当該情報を変更不能な固定データとする構成としてもよい。
【００２５】
クロック生成回路１１０は、特定の画素に与える画像データをソースドライバの長軸方向に隣接する画素にコピーし（引き伸ばし）たい場合は、基準の周波数に対して、高い周波数のクロック信号をクロック信号ＷＣＬＫとする。当該構成とすることで、画像処理を行うことなく、記憶回路１３１および記憶回路１３２にデータを取り込ませることができる。また、特定の画素に与える画像データをソースドライバの長軸方向で間引きたい場合は、基準の周波数に対して、低い周波数のクロック信号ＷＣＬＫとする。当該構成とすることで、画像処理を行うことなく、記憶回路１３１および記憶回路１３２にデータを取り込ませることができる。
【００２６】
データラッチ回路１２１は、クロック信号ＶＣＬＫに同期している入力画像データＶＤＡＴＡをクロック信号ＷＣＬＫに同期して取り込み、書込データＷＤＡＴＡとして出力する。書込データＷＤＡＴＡは、記憶回路１３１および記憶回路１３２の書き込みデータである。
【００２７】
書込アドレス生成回路１２２は、クロック信号ＷＣＬＫに同期して記憶回路１３１および記憶回路１３２の書込アドレスデータＷＡＤＤＲを生成する機能を有する。
【００２８】
読出アドレス生成回路１２３は、クロック信号ＶＣＬＫに同期して記憶回路１３１および記憶回路１３２の読出アドレスデータＲＡＤＤＲを生成する機能を有する。
【００２９】
イネーブル生成回路１２４は、クロック信号ＷＣＬＫに同期して記憶回路１３１および記憶回路１３２の書込読出イネーブルＷＲＥＮを生成する機能を有する。
【００３０】
記憶回路１３１および記憶回路１３２は、１行分の画像データを保存するためのラインメモリとしての機能を有する。記憶回路１３１は書込読出イネーブルＷＲＥＮがＨレベル（つまり記憶回路１３２は書込読出イネーブルＷＲＥＮがインバータを介してＬレベル）のとき、クロック信号ＷＣＬＫに同期して書込データＷＤＡＴＡを書込アドレスデータＷＡＤＤＲにより指定された場所に書き込む。また、書込読出イネーブルＷＲＥＮがＬレベル（記憶回路１３２に入力される書込読出イネーブルＷＲＥＮがインバータを介してＨレベル）のとき、クロック信号ＶＣＬＫに同期して読出アドレスデータＲＡＤＤＲにより指定された場所に格納されたデータを読出データＲＤＡＴＡ０または読出データＲＤＡＴＡ１として出力する。記憶回路１３１には書込読出イネーブルＷＲＥＮが与えられ、記憶回路１３２には書込読出イネーブルＷＲＥＮをインバータ回路１３０で反転させた信号が与えられる。そのため記憶回路１３１および記憶回路１３２は、一方がデータの書き込みを行うとき他方はデータの読み出しを行い、一方がデータの読み出しを行うとき他方はデータの書き込みを行う。
【００３１】
データ選択回路１３３は書込読出イネーブルＷＲＥＮに従って、記憶回路１３１または記憶回路１３２のうち読み出しの状態にある一方に保持されたデータ（読出データＲＤＡＴＡ０または読出データＲＤＡＴＡ１）を読出データＲＤＡＴＡとして外部回路に出力する。外部回路は、表示装置のソースドライバである。データ選択回路１３３は、書込読出イネーブルＷＲＥＮによって記憶回路１３１または記憶回路１３２のデータの読み出しを制御することで、補正されたデータとなる読出データのリアルタイム性を保つことができる。
【００３２】
以上説明した本発明の一態様である、図１のデータ変換回路１００の構成によって、ソフトウェアによる特別な画像処理を行うこと無く、表示装置の形状に合わせた画像データを出力することができる。すなわち、低消費電力で且つ高速な画像処理を行なうことができる。また本発明の一態様は、フレームメモリといった記憶容量の大きい記憶回路を用いること無く、画像データを表示装置の形状に合わせて処理することができる。また本発明の一態様は、折り曲げ可能な表示装置において、利用者がディスプレイ全体に対して歪みを感じない画像を表示させることができる。
【００３３】
図２及び図３は、図１のデータ変換回路１００の動作を説明するタイミングチャートである。
【００３４】
図２では補正に応じた記憶回路１３１及び記憶回路１３２への画像データの書き込み、図３では図２の書き込み後を想定した記憶回路１３１及び記憶回路１３２からの画像データの読み出しを説明する。なお、図２及び図３は記憶回路１３１に注目しているが、記憶回路１３２に関しては書込読出イネーブルＷＲＥＮのＨレベルとＬレベルとを入れ替えれば説明できる。
【００３５】
図２について説明する。ここで、選択信号ＳＥＬはクロック生成回路１１０が出力するクロック信号ＷＣＬＫを切り替え回路１１２に選択させる信号である。切り替え回路１１２は、選択信号ＳＥＬが“０”の場合ＣＬＫ０を出力し、選択信号ＳＥＬが“１”の場合ＣＬＫ１を出力し、信号ＳＥＬが“２”の場合ＣＬＫ２を出力するものとする。ただし、クロック信号の数はこれに限定されず、ＣＬＫ３およびＣＬＫ４等のその他のクロック信号が選択されてもよい。また、図２では、一例として、クロック信号ＣＬＫ０、クロック信号ＣＬＫ１およびクロック信号ＣＬＫ２を図示している。クロック信号ＣＬＫ０はクロック信号ＶＣＬＫの２倍の周波数、クロック信号ＣＬＫ１はクロック信号ＶＣＬＫと同じ周波数、クロック信号ＣＬＫ２はクロック信号ＶＣＬＫの半分の周波数とする。尚、クロック信号ＶＣＬＫは、基準クロック信号ともいう。
【００３６】
時刻Ｔ０において、クロック選択制御回路１１１は選択信号ＳＥＬとして“０”の信号を出力（以下、ＳＥＬ＝０と略記）することで、クロック信号ＷＣＬＫとしてＣＬＫ０を選択する。
【００３７】
時刻Ｔ００乃至時刻Ｔ１０において、イネーブル生成回路１２４は書込読出イネーブルＷＲＥＮとして“１”の信号を出力（以下、ＷＲＥＮ＝１と略記）し、記憶回路１３１を書き込み可能な状態にする。データラッチ回路１２１はクロック信号ＶＣＬＫに同期して入力画像データＶＤＡＴＡのデータＤ０（以下、ＶＤＡＴＡ＝Ｄ０と略記）を取得し、クロック信号ＷＣＬＫに同期して書込データＷＤＡＴＡのデータＤ０（以下、ＷＤＡＴＡ＝Ｄ０と略記）を出力する。書込アドレス生成回路１２２は書込アドレスデータＷＡＤＤＲとして“０”の信号（以下、ＷＡＤＤＲ＝０と略記）、続いてＷＡＤＤＲ＝１を出力する。この結果、ｍｅｍ０（記憶回路１３１のアドレス０）とｍｅｍ１（記憶回路１３１のアドレス１）に同じデータＤ０が書き込まれる。すなわち、連続する２つのアドレスに同じ画像データが格納されるため、特定の画素のデータは隣接する画素にコピーされる。その結果、画像が引き伸ばされた表示をすることができる。これはクロック信号ＷＣＬＫが基準クロック信号であるクロック信号ＶＣＬＫの２倍の周波数であることによるものである。
【００３８】
時刻Ｔ１において、クロック選択制御回路１１１はＳＥＬ＝１とすることでクロック信号ＷＣＬＫとしてＣＬＫ１を選択する。
【００３９】
時刻Ｔ１０乃至時刻Ｔ２０において、データラッチ回路１２１はクロック信号ＶＣＬＫに同期してＶＤＡＴＡ＝Ｄ１を取得し、クロック信号ＷＣＬＫに同期してＷＤＡＴＡ＝Ｄ１を出力し、続いてクロック信号ＶＣＬＫに同期してＶＤＡＴＡ＝Ｄ２を取得し、クロック信号ＷＣＬＫに同期してＷＤＡＴＡ＝Ｄ２を出力する。書込アドレス生成回路１２２は、ＷＡＤＤＲ＝２を出力し、続いてＷＡＤＤＲ＝３を出力する。この結果、ｍｅｍ２（記憶回路１３１のアドレス２）にデータＤ１が、続いてｍｅｍ３（記憶回路１３１のアドレス３）にデータＤ２が書き込まれる。これは、通常の駆動と同じ動作であり、すなわち、１つのアドレスに１つの画像データを格納することに等しい。従って、この間の画像は補正されず元の画像がそのまま出力される。これはクロック信号ＷＣＬＫがクロック信号ＶＣＬＫと同じ周波数であることによるものである。ただし、前後の処理によって、補正を行わない場合に対して、書込アドレスデータＷＡＤＤＲが代わることで対応する書き込まれるデータがずれることが有りえる。この場合、補正を行わない場合に対して、このデータが表示される画素は元の画像を表示する場合と比べて移動する。
【００４０】
時刻Ｔ２において、クロック選択制御回路１１１はＳＥＬ＝２とすることでクロック信号ＷＣＬＫとしてＣＬＫ２を選択する。
【００４１】
時刻Ｔ２０乃至時刻Ｔ３０において、データラッチ回路１２１はクロック信号ＶＣＬＫに同期してＶＤＡＴＡ＝Ｄ３を取得し、クロック信号ＷＣＬＫに同期してＷＤＡＴＡ＝Ｄ３を出力し、続いてクロック信号ＶＣＬＫに同期してＶＤＡＴＡ＝Ｄ５を取得し、クロック信号ＷＣＬＫに同期しＷＤＡＴＡ＝Ｄ５を出力する。書込アドレス生成回路１２２は、時刻Ｔ２０にてＷＡＤＤＲ＝４を出力し、続いて時刻Ｔ２２にてＷＡＤＤＲ＝５を出力する。この結果、ｍｅｍ４（記憶回路１３１のアドレス４）にデータＤ３が、続いてｍｅｍ５（記憶回路１３１のアドレス５）にデータＤ５が書き込まれる。従って、データＤ４は飛ばされて、どのアドレスにも書き込まれない。すなわち、連続する２つのアドレスには、元の画像において１画素飛ばした画像データが格納されるため、データＤ４はどの画素にも表示されることは無く、配線（ソース線）の延在する方向で画像データを間引くことができる。この結果、画像が縮められた表示をすることができる。これはクロック信号ＷＣＬＫがクロック信号ＶＣＬＫの半分の周波数であることによるものである。
【００４２】
なお、図示していないが、１行分全てのデータ処理を終えた後、イネーブル生成回路１２４はＷＲＥＮ＝０を出力し、記憶回路１３１を読み出し可能な状態にする。
【００４３】
図３について説明する。図３は図２において各アドレスにデータを書き込んだ後の状態である。そのため時刻Ｔ４０において、記憶回路１３１にはｍｅｍ０＝Ｄ０、ｍｅｍ１＝Ｄ０、ｍｅｍ２＝Ｄ１、ｍｅｍ３＝Ｄ２、ｍｅｍ４＝Ｄ３、ｍｅｍ５＝Ｄ５が格納されているとする。時刻Ｔ４０において読出アドレス生成回路１２３は読出アドレスデータＲＡＤＤＲとして“０”の信号（以下、ＲＡＤＤＲ＝０と略記）を出力する。時刻Ｔ４１において、記憶回路１３１はｍｅｍ０のデータとしてＲＤＡＴＡ＝Ｄ０を読み出す。また、読出アドレス生成回路１２３はＲＡＤＤＲ＝１を出力する。時刻Ｔ４２において、記憶回路１３１はｍｅｍ１のデータとしてＲＤＡＴＡ＝Ｄ０を読み出す。また、読出アドレス生成回路１２３はＲＡＤＤＲ＝２を出力する。時刻Ｔ４３乃至時刻Ｔ４７、およびそれ以降の時刻でも同様にデータを読み出すことで、一行分の画像データを記憶回路１３１から読み出す。
【００４４】
このように読み出したデータを表示装置に表示させると、データＤ０のデータが２画素続けて表示されるので、当該箇所の画像は引き伸ばされたように見える。また、データＤ１およびデータＤ２は各画素に過不足なく表示されるので通常通りに見える。また、データＤ３が表示された画素の隣の画素にデータＤ５が表示され、データＤ４による表示がされないので、当該箇所の画像は縮んだように見える。
【００４５】
なお記憶回路１３１のデータを読み出す際に用いるクロック信号ＶＣＬＫの周波数は一定である。そのため、記憶回路１３１の所定のアドレスｍｅｍ０、ｍｅｍ１等に書き込んだデータを、特殊な処理を行わず順次読み出すことで所望の補正を行ったデータを出力することができる。
【００４６】
以上のように、記憶回路１３１に書き込むためのクロック信号の周波数を切り替えることで画像を引き伸ばすこと、または画像間引いて縮めることができる。そのため、ソフトウェアによる特別な画像処理を行うこと無く、表示装置のソースドライバの長軸方向の折り曲げ形状に関わる画像の歪みを補正することができる。
【００４７】
図４は、本発明の一態様であるデータ変換回路１４０のブロック図である。データ変換回路１４０は、表示装置のゲートドライバの長軸方向において、折り曲げ形状に関わる画像の歪みを補正するためのデータに変換するための回路である。
【００４８】
データ変換回路１４０は、クロック生成回路１５０、ゲートドライバ制御回路１６０を有する。
【００４９】
クロック生成回路１５０は、クロック選択制御回路１５１および切り替え回路１５２を有する。切り替え回路１５２は、クロック選択制御回路１５１の選択信号ＳＥＬに基づき、周波数の異なる複数のクロック信号（ＣＬＫＡ，ＣＬＫＢ，ＣＬＫＣなど）から一つを選択して出力する。選択信号ＳＥＬは、クロック信号ＣＬＫを切り替え回路１５２で選択されたクロック信号に切り替える機能を有する。
【００５０】
クロック生成回路１５０は、切り替え回路１５２で選択したクロック信号ＣＬＫをゲートドライバ制御回路１６０に送信する。クロック選択制御回路１５１は、表示装置のゲートドライバの長軸方向の折り曲げ形状に関わる歪みを補正するのに適した周波数および切り替えのタイミングに関する情報を有する。クロック選択制御回路１５１は、当該情報に従って出力するクロック信号を制御する選択信号ＳＥＬを出力する。なお、当該情報は、表示装置のゲートドライバの長軸方向の折り曲げ形状に応じて利用者が設定可能な構成としてもよい。また、当該情報は、表示装置に貼付された歪センサからの歪信号に基づいて自動設定する構成としてもよい。また、当該情報を変更不能な固定データとする構成としてもよい。
【００５１】
ゲートドライバ制御回路１６０は、クロック生成回路１５０から出力されたクロック信号ＣＬＫに同期してゲート線側パルス幅制御信号ＧＰＷＣ（信号ＧＰＷＣともいう）、ゲート線側スタートパルス信号ＧＳＰ（信号ＧＳＰともいう）、ゲート線側クロック信号ＧＣＬＫ（信号ＧＣＬＫともいう）を出力する機能を有する。従って、信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰ、信号ＧＣＬＫの速度は、クロック信号ＣＬＫの周波数に比例する。
【００５２】
図５は、表示装置の構成を説明するブロック図である。図５には、画素アレイ１９０、ソースドライバ１７０、およびゲートドライバ１８０を図示している。図４のデータ変換回路１４０が制御するのに適したゲートドライバは、例えば図５に記載の回路構成とすることができる。
【００５３】
図５において、ゲートドライバ１８０は、信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰ、信号ＧＣＬＫによって動作が制御される。具体的には、信号ＧＣＬＫに同期して、シフトレジスタ１８１を介して信号ＧＳＰの信号が次段の回路へ伝達される。ゲートドライバ１８０からゲート線ＧＬ０、ＧＬ１、ＧＬ２等に出力される信号は、各段の論理積回路１８２にて、シフトレジスタ１８１の出力信号と信号ＧＰＷＣのＡＮＤ論理として出力される。
【００５４】
以上より、信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰおよび信号ＧＣＬＫが全て１／２倍の周期で動作した場合、ゲート線の選択期間も１／２倍となる。そのためゲート線２ライン分に同じデータを書き込むことが可能となり、データをゲートドライバの長軸方向にコピー（引き伸ばす）ことができる。一方、信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰおよび信号ＧＣＬＫが全て２倍の周期で動作した場合、ゲート線の選択期間も２倍となる。そのため、本来ソースドライバから送るべきデータは、どの画素にも格納されない状態とすることができ、ゲートドライバの長軸方向に間引くことができる。
【００５５】
図６は、図４のデータ変換回路１４０が図５のゲートドライバ１８０を制御する際の動作を説明するタイミングチャートである。なお図６では、図５のソースドライバ１７０から延びるソース線ＳＬ０、画素１９１に関してはソース線ＳＬ０に接続される画素に注目して説明する。
【００５６】
図６について説明する。選択信号ＳＥＬはクロック生成回路１５０が出力するクロック信号ＣＬＫを選択する信号である。切り替え回路１５２は、選択信号ＳＥＬが“０”の場合クロック信号ＣＬＫＡを出力し、選択信号ＳＥＬが“１”の場合クロック信号ＣＬＫＢを出力し、選択信号ＳＥＬが“２”の場合クロック信号ＣＬＫＣを出力するものとする。ただし、クロック信号の数はこれに限定されず、ＣＬＫＤおよびＣＬＫＥ等のその他のクロック信号が選択されてもよい。また、図６では、一例として、クロック信号ＣＬＫＡ、クロック信号ＣＬＫＢおよびクロック信号ＣＬＫＣを図示している。クロック信号ＣＬＫＡは、通常の駆動に用いるクロック信号の２倍の周波数、クロック信号ＣＬＫＢは通常の駆動に用いるクロック信号と同じ周波数、クロック信号ＣＬＫＣは通常の駆動に用いるクロック信号の半分の周波数とする。
【００５７】
時刻Ｔ０において、クロック選択制御回路１５１はＳＥＬ＝０の信号を出力することでクロック信号ＣＬＫとしてクロック信号ＣＬＫＡを選択する。
【００５８】
時刻Ｔ０乃至時刻Ｔ１において、ゲートドライバ制御回路１６０が出力する信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰ、および信号ＧＣＬＫは、補正を行わない通常の表示のときに比べて２倍の周波数となる。そのため、ゲート線ＧＬも１／２倍の周期でアクティブ、つまりＨレベルになる。一方、ソースドライバ１７０はクロック信号の制御を行わない場合、通常の表示のときと同じ周期で動作する。したがって、ソースドライバ１７０から１つの画像データが出力される間に２つのゲート線がアクティブになる。その結果、ゲート線ＧＬ０に接続される画素と、ゲート線ＧＬ１に接続される画素と、は同じデータＤ０が書き込まれるため、画像が引き伸ばされた表示をすることができる。
【００５９】
時刻Ｔ１において、クロック選択制御回路１５１はＳＥＬ＝１の信号を出力することでクロック信号ＣＬＫとしてクロック信号ＣＬＫＢを選択する。
【００６０】
時刻Ｔ１乃至時刻Ｔ２において、ゲートドライバ制御回路１６０が出力する信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰ、および信号ＧＣＬＫは、補正を行わない通常の表示のときと同じ周波数である。そのため、ゲート線ＧＬも補正を行わない通常の表示のときと同じ周期でアクティブになる。ソースドライバ１７０はクロック信号の制御を行わない場合、通常の表示のときと同じ周期で動作する。したがって、ソースドライバ１７０から１つの画像データが出力される間に１つのゲート線がアクティブになる。その結果、ゲート線ＧＬ２に接続される画素にデータＤ１が、ゲート線ＧＬ３に接続される画素にデータＤ２が書き込まれ、通常の表示に相当する動作を行うことができる。
【００６１】
時刻Ｔ２において、クロック選択制御回路１５１はＳＥＬ＝２の信号を出力することでクロック信号ＣＬＫとしてクロック信号ＣＬＫＣを選択する。
【００６２】
時刻Ｔ２乃至時刻Ｔ３において、ゲートドライバ制御回路１６０が出力する信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰ、および信号ＧＣＬＫは、補正を行わない通常の表示のときに比べ半分の周波数となる。そのため、ゲート線ＧＬも２倍の周期でアクティブになる。一方、ソースドライバはクロック信号の制御を行わない場合、通常の表示のときと同じ周期で動作する。したがって、ソースドライバ１７０から２つの画像データが出力される間に１つのゲート線がアクティブになる。その結果、ゲート線ＧＬ４に接続される画素にデータＤ４が、ゲート線ＧＬ５に接続される画素にデータＤ６が書き込まれ、データＤ３およびデータＤ５は書き込まれず、画像が縮んだ表示を行うことができる。
【００６３】
このとき、データＤ０が２画素続けて表示されるので、当該箇所の画像はゲートドライバの長軸方向に引き伸ばされたように見える。また、データＤ１およびデータＤ２は各画素に過不足なく表示されるので通常通りに見える。また、データＤ２に基づく表示された画素の隣にデータＤ４に基づく表示がされ、その隣の画素にデータＤ６に基づく表示がされる。一方で、データＤ３およびデータＤ５に基づく表示がされないので、当該画素での画像はゲートドライバの長軸方向に縮んだように見える。
【００６４】
以上のように、ゲートドライバ制御回路１６０のクロック信号の周波数に応じて画像を引き伸ばすまたは画像を縮めることができる。そのため、ゲートドライバの長軸方向の折り曲げ形状に対応した補正を行うことができる。
【００６５】
（実施の形態２）
上記実施の形態で説明した図１のデータ変換回路１００と図４のデータ変換回路１４０とを組み合わせて使用すれば、ソースドライバの長軸方向とゲートドライバの長軸方向の双方の歪を補正することができる。これにより、表示装置の任意の形状の歪を補正することができる。
【００６６】
例えば、図７に図示する表示装置１９５のように、ソースドライバ１７０に供給するデータＲＤＡＴＡを図１のデータ変換回路１００を介して供給することで実現できる。またゲートドライバ１８０に供給する信号ＧＰＷＣ、信号ＧＳＰ、および信号ＧＣＬＫを図４のデータ変換回路１４０を介して供給することで実現できる。
【００６７】
これにより、表示装置の折り曲げ形状に応じた補正を行うことができる。当該補正は、利用者が予め設定可能にしてもよい。また当該補正は、図７に図示するように歪センサ１９９Ｘ、１９９Ｙを設け、折り曲げ形状の情報をリアルタイムに取得し補正を行うことができる。
【００６８】
図８を用いて具体的な動作の一例を説明する。図８（Ａ）の例では、利用者が地点Ｄから折り曲げ可能な表示装置１９５を見た場合を想定している。また折り曲げ可能な表示装置は、図８のように画素アレイが設けられた表示部が湾曲した状態で用いることを想定する。なお、ここで例示する折り曲げ可能な表示装置１９５は、ｘ方向がソースドライバの長軸方向、ｙ方向にゲートドライバの長軸方向とする。
【００６９】
利用者が地点Ｄから折り曲げ可能な表示装置１９５を見た場合、地点Ｂは表示装置１９５に対して正面から視認することができる。一方、地点Ａおよび地点Ｃは地点Ｄの利用者の視点からは正面から視認することができない。すなわち、折り曲げ可能な表示装置１９５の歪みに応じて地点Ａや地点Ｃの画像は密集したように見える。従って、図８（Ａ）のように折り曲げ可能な表示装置１９５を湾曲させて利用する場合、画像データを横方向に引き伸ばして用いることが有効である。
【００７０】
図８（Ｂ）は、表示装置１９５の表示部で表示する画像の補正の様子を模式的に示す図である。湾曲させた形状に応じて、補正前の画像データを横方向に引き伸ばして補正後のデータとする。ここで、クロック信号ＣＬＫｃを基準クロック信号とする。クロック信号ＣＬＫｂはクロック信号ＣＬＫｃの２倍の周波数のクロック信号とする。クロック信号ＣＬＫａは、クロック信号ＣＬＫｃの４倍の周波数のクロック信号とする。信号ＣＬＫｆは発振しない信号とする。
【００７１】
まず、領域ｃの画像データはそのまま表示させるとする。この場合、データ変換回路１００は、領域ｃの画像データを送るタイミングにおいて、クロック信号ＷＣＬＫとしてクロック信号ＣＬＫｃを用いる。次に、領域ｂ及び領域ｄの画像データは２倍に引き伸ばした画像にして表示させるとする。この場合、データ変換回路１００は、領域ｂ及び領域ｄの画像データを送るタイミングにおいて、クロック信号ＷＣＬＫとしてクロック信号ＣＬＫｂを用いる。次に、領域ａ及び領域ｅの画像データは４倍に引き伸ばした画像にして表示させるとする。この場合、データ変換回路１００は、領域ａ及び領域ｅの画像データを送るタイミングにおいて、クロック信号ＷＣＬＫとしてクロック信号ＣＬＫａを用いる。
【００７２】
ここで、クロック信号ＣＬＫａ及びクロック信号ＣＬＫｂは基準クロック信号であるクロック信号ＣＬＫｃよりも周波数の大きいクロックであり、言い換えると、領域ａおよび領域ｂの画像データを隣接する画素に供給する画像データとしてコピーしている。そのため、領域ｆ及び領域ｇにて信号ＣＬＫｆとしてクロック信号を停止させ、１ラインに書き込むデータ量を調節する必要がある。領域ｆ及び領域ｇのサイズは、領域ａ、領域ｂ、領域ｄ、領域ｅのサイズに依存し、全領域で１ライン分の画像データをラインメモリに格納できるようにする。
【００７３】
図９を用いて別の動作の一例を説明する。図９（Ａ）、（Ｂ）の例では、利用者の視線を検知し、表示装置１９６の表示部で表示する画像を補正する様子を模式的に示す図である。
【００７４】
視線を検知する場合、アイトラッキングを用いて検知すればよい。アイトラッキングの手法の一つに、被験者の目に弱い赤外線を当て、カメラで撮影する、所謂非接触型の手法がある。カメラは図９（Ａ）で図示していないが、表示装置１９６に備える構成とすることが好ましい。
【００７５】
図９（Ａ）に示す例では、利用者が地点Ｃを見ているとする。この場合、地点Ｂから地点Ｅの間の領域において、明瞭に視認できるように補正を行うとよい。ただし、地点Ｂ及び地点Ｅはこれに限定されず、例えば人によって変化してもよい。また、クロック信号ＣＬＫ１を基準のクロックとし、クロック信号ＣＬＫ０はクロック信号ＣＬＫ１の２倍の周波数のクロック信号とする。またクロック信号ＣＬＫ２はクロック信号ＣＬＫ１の半分の周波数のクロック信号とする。
【００７６】
図９（Ａ）に示す表示装置１９６の表示部で表示する画像補正の一例を示す。まず、地点Ａから地点Ｄまでの間は、利用者の視点から表示装置１９６の表示部への角度に大きな変化は無い。従って、クロック信号ＣＬＫ１を用いてデータの変換処理を行う。地点Ｄにおいて折り曲げ可能な表示装置１９６が湾曲しており、地点Ｄから地点Ｅの間の領域は、利用者は表示部の正面から視認することができない。すなわち、折り曲げ可能な表示装置１９６の歪みに応じて地点Ｄから地点Ｅの間の領域は画像データを引き伸ばすことが有効である。それ故、クロック信号ＣＬＫ０を用いて画像処理を行うこととする。
【００７７】
地点Ｅから地点Ｆまでの間の領域にある表示装置１９６の表示部は、利用者の視線から外れた領域である。従って、明瞭な表示でなくてもよく、画像データを間引くことができる。それ故、クロック信号ＣＬＫ２を用いることとする。
【００７８】
以上の方法を用いることで、クロック信号の周波数を変えることで、折り曲げ可能な表示装置１９６の歪みに応じた補正を行うことが出来る。また、利用者の視線に合わせて、折り曲げ可能な表示装置１９６の形状に応じた表示ができるように画像処理を行うことができる。また図９（Ａ）、（Ｂ）に示す構成では、図８（Ａ）、（Ｂ）の領域ｆや領域ｇのように、画像データを切り捨てる必要が無い。そのため、利用者が見ていない領域の画像データを間引くことができ、全領域を表示することができる。
【００７９】
なお上述した、クロック信号の周波数を可変にして画像処理を行う構成は、折り曲げ可能な表示装置１９６の歪みに応じた補正に対する画像処理以外にも用いることができる。図１０は、補正前の画像１９７Ａと補正後の画像１９７Ｂとで人物１９８の下半身のみを引き伸ばす補正を行っている。
【００８０】
通常、このような画像処理はソフトウェア上で、一度保存した画像に対して処理を行う必要があるが、図１のデータ変換回路１００と図４のデータ変換回路１４０の構成を用いると、ハードウェア的にこのような画像処理を行うことができる。従って、写真撮影をする際に、リアルタイムで利用者が所望するような画像処理を行い、撮影することができる。
【００８１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の断面構成例について説明する。
【００８２】
〔表示装置の構成例〕
図１１に、以下で説明する表示装置１０の上面概略図を示す。表示装置１０は、画素部１１、走査線駆動回路１２、信号線駆動回路１３、端子部１５、複数の配線１６ａ、及び複数の配線１６ｂ等を有する。
【００８３】
〔断面構成例１〕
図１２は、表示装置１０の断面概略図である。図１２は、例えば図１１中の切断線Ａ１−Ａ２に沿った断面に相当する。
【００８４】
表示装置１０は、第１の基板２０１と、第２の基板２０２とが接着層２２０によって貼り合わされた構成を有する。
【００８５】
第１の基板２０１上には、端子部１５、配線１６ｂ、信号線駆動回路１３を構成するトランジスタ２５５、画素部１１を構成するトランジスタ２５１、トランジスタ２５２、容量素子２５３、発光素子２５４等が設けられている。また第１の基板２０１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４、スペーサ２１５等が設けられている。
【００８６】
第２の基板２０２の第１の基板２０１側には、絶縁層２２１、遮光層２３１、着色層２３２、構造物２３０ａ、構造物２３０ｂ等が設けられている。
【００８７】
絶縁層２１３上に、発光素子２５４が設けられている。発光素子２５４は、第１の電極として機能する画素電極２２５、ＥＬ層２２２、第２の電極２２３を有する。また画素電極２２５とＥＬ層２２２との間には、光学調整層２２４が設けられている。絶縁層２１４は、画素電極２２５及び光学調整層２２４の端部を覆って設けられている。
【００８８】
トランジスタ２５１およびトランジスタ２５２は、上記実施の形態１の画素１９１が有するトランジスタである。トランジスタ２５５は、上記実施の形態１のシフトレジスタ１８１が有するトランジスタである。
【００８９】
トランジスタ２５１、２５２、２５５には、第１のゲート電極として機能する導電層２７５、および第２のゲート電極として機能する導電層２７２が設けられている。すなわち、チャネルが形成される半導体を２つのゲート電極で挟持した構成である。
【００９０】
導電層２７５は、酸素を放出することで半導体層２７１の酸素欠損を修復できる電極とすることにより、トランジスタの電気特性を安定化させることが可能となる。
【００９１】
またトランジスタ２５２のように発光素子に接続されるトランジスタでは、２つのゲート電極を電気的に接続するなどして、これらに同じ信号を与える構成とすることが好ましい。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製することができる。
【００９２】
図１２では、導電層２７４の一部と、絶縁層２１７の一部と、導電層２７３の一部とにより構成されるが、容量素子２５３は、導電層２７５の一部と、絶縁層２１１の一部と、半導体層２７１の一部により構成されるものでもよい。
【００９３】
図１２では、発光素子２５４がトップエミッション構造の発光素子である例を示している。発光素子２５４からの発光は、第２の基板２０２側に射出される。このような構成とすることで、発光素子２５４の下側（第１の基板２０１側）にトランジスタ、容量素子、回路、配線等を配置することができるため、画素部１１の開口率を高めることができる。
【００９４】
第２の基板２０２の第１の基板２０１側の面には、発光素子２５４と重なる着色層２３２が設けられている。また、着色層２３２が設けられていない部分には、遮光層２３１が設けられていてもよい。遮光層２３１は、図１２に示すように、信号線駆動回路１３と重なる位置に設けられていてもよい。また着色層２３２及び遮光層２３１を覆って、透光性のオーバーコート層が設けられていてもよい。
【００９５】
また、第２の基板２０２の第１の基板２０１側には、接着層２２０よりも内側の領域に構造物２３０ａが設けられ、接着層２２０よりも外側の領域に構造物２３０ｂが設けられている。構造物２３０ａ及び構造物２３０ｂは、第２の基板２０２の端部において絶縁層２２１や第２の基板２０２にクラックが生じたときに、これが進行することを抑制する機能を有する。図１２では、構造物２３０ａ及び構造物２３０ｂとして、遮光層２３１と同一の膜からなる層と、着色層２３２と同一の膜からなる層の積層構造とした場合の例を示している。このように２層以上の積層構造とすることで、よりクラックの進行を抑制する効果を高めることができる。なお、ここでは接着層２２０を挟んで両側に構造物２３０ａ及び構造物２３０ｂを配置する構成を示したが、いずれか一方であってもよい。またクラックが生じる恐れがない場合（例えば第２の基板２０２等の剛性が高い場合）には、構造物２３０ａ及び構造物２３０ｂを設けない構成としてもよい。
【００９６】
スペーサ２１５は、絶縁層２１４上に設けられている。スペーサ２１５は、第１の基板２０１と第２の基板２０２の距離が必要以上に縮まらないように制御する、ギャップスペーサとしての機能を有する。また、スペーサ２１５は、その側面の一部と、被形成面との角度が、好ましくは４５度以上、１２０度以下、より好ましくは６０度以上１００度以下、さらに好ましくは７５度以上９０度以下である部分を有することが好ましい。こうすることで、スペーサ２１５の側面においてＥＬ層２２２の厚さが薄い領域が形成されやすくなる。そのため、隣接する発光素子間において、ＥＬ層２２２を介して電流が流れることで発光してしまう現象を抑制することができる。特に、画素部１１が高精細である場合には、隣接する発光素子間の距離が小さくなるため、このような形状のスペーサ２１５を発光素子間に設けることは有効である。さらに、ＥＬ層２２２が導電性の高い材料を含む層を有する場合などには、特に有効である。
【００９７】
また、スペーサ２１５は、ＥＬ層２２２や第２の電極２２３等を形成する際に遮蔽マスクを用いる場合、当該遮蔽マスクにより被形成面に傷がつかないようにする機能を有していてもよい。
【００９８】
スペーサ２１５は、走査線と交差する配線と重ねて設けられていることが好ましい。
【００９９】
図１２では、カラーフィルタ方式を用いた表示装置１０の例を示している。例えば着色層２３２として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうちいずれかが適用された３色の副画素により、１つの色を表現する構成としてもよい。また、これに加えて白色（Ｗ）や黄色（Ｙ）の副画素を適用すると、色再現性が向上し、また消費電力を低減できるため好ましい。
【０１００】
発光素子２５４において、着色層２３２と光学調整層２２４によるマイクロキャビティ構造の組み合わせにより、表示装置１０からは色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層２２４の厚さは、各副画素の色に応じて異なる厚さとすればよい。また副画素によっては、光学調整層を有さない構成としてもよい。
【０１０１】
また、発光素子２５４が備えるＥＬ層２２２として、白色を発光するＥＬ層を適用することが好ましい。このような発光素子２５４を適用することで、各副画素にＥＬ層２２２を塗り分ける必要がないため、コストの削減、歩留りの向上を図れるほか、画素部１１の高精細化が容易となる。また各副画素に厚さの違う光学調整層を設けてもよい。また各々の副画素に対して、ＥＬ層２２２を塗り分ける構成としてもよく、その場合には光学調整層または着色層のいずれか一方、または両方を設けない構成としてもよい。またこのとき、各副画素においてＥＬ層２２２の少なくとも発光層のみを塗り分けて形成し、他の層は塗り分けずに形成してもよい。
【０１０２】
図１２では、端子部１５に電気的に接続するＦＰＣ２４２が設けられている例を示している。したがって、図１２に示す表示装置１０は、表示モジュールと呼ぶこともできる。また、ＦＰＣ等が設けられていない状態の表示装置を、表示パネルと呼ぶこともできる。
【０１０３】
端子部１５は、接続層２４３を介してＦＰＣ２４２と電気的に接続している。
【０１０４】
図１２では、端子部１５は、配線１６ｂと、画素電極２２５と同一の導電膜からなる導電層の積層構造を有する構成を示している。このように、端子部１５を複数の導電層を積層した構成とすることで、電気抵抗を低減するだけでなく、機械的強度を高めることができるため好ましい。
【０１０５】
絶縁層２１１及び絶縁層２２１は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。すなわち、絶縁層２１１及び絶縁層２２１はバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで、第１の基板２０１や第２の基板２０２として透湿性を有する材料を用いたとしても、発光素子２５４等やトランジスタ等に対して外部から不純物が侵入することを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示装置を実現できる。
【０１０６】
図１２では、第１の基板２０１と第２の基板２０２の間に空間２５０を有する中空封止構造を有する場合を示している。例えば、空間２５０は窒素や希ガスなどの不活性な気体で充填されていてもよい。また、空間２５０は液晶材料や、オイルなどの流動性の材料が充填されていてもよい。または、空間２５０は減圧されていてもよい。なお、封止方法はこれに限られず、樹脂などで充填された固体封止であってもよい。
【０１０７】
〔断面構成例２〕
図１３では、画素部１１および信号線駆動回路１３を折り曲げて使用する場合に適した表示装置の構成例を示す。
【０１０８】
図１３に示す表示装置１０は、第１の基板２０１と第２の基板２０２が封止材２６０によって貼り合わされた固体封止構造を有する場合の例を示している。
【０１０９】
また第１の基板２０１上に接着層２６１と、接着層２６１上に絶縁層２１６を有し、絶縁層２１６上にトランジスタや発光素子などが設けられている。絶縁層２１６は絶縁層２２１と同様に、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることができる。
【０１１０】
また、第２の基板２０２と絶縁層２２１との間に、接着層２６２を有する。
【０１１１】
また、図１３に示すように、絶縁層２１３は画素部１１及び信号線駆動回路１３よりも第１の基板２０１の外周側において、開口部が設けられている。例えば絶縁層２１３として樹脂材料を用いた場合には、画素部１１及び信号線駆動回路１３等を囲う開口部を設けることが好ましい。このような構成とすることで、絶縁層２１３の外部と接する側面近傍と、画素部１１及び信号線駆動回路１３等と重なる部分とが連続しないため、外部から絶縁層２１３を介して水、水素などの不純物が拡散することを抑制できる。
【０１１２】
図１３に示すように固体封止構造とすることで、第１の基板２０１と第２の基板２０２の距離を均一に保つことが容易となる。したがって、第１の基板２０１及び第２の基板２０２として、可撓性を有する基板を好適に用いることができる。したがって、画素部１１、走査線駆動回路１２、及び信号線駆動回路１３の一部、または全部を折り曲げて使用することができる。例えば表示装置１０を曲面に貼り付ける、または表示装置１０の画素部を折り畳むなどすることで、様々な形態の電子機器を実現することができる。
【０１１３】
［変形例］
以下では、タッチセンサを有するタッチパネルの例について説明する。
【０１１４】
図１４には、図１２で例示した構成にオンセル型のタッチセンサを適用したタッチパネルの例を示している。
【０１１５】
第２の基板２０２の外側の面上に、導電層２９１、導電層２９２が設けられ、これらを覆って絶縁層２９４が設けられている。また絶縁層２９４上に導電層２９３が設けられている。導電層２９３は、絶縁層２９４に設けられた開口を介して導電層２９１を挟んで設けられる２つの導電層２９２と電気的に接続している。また絶縁層２９４と基板２９６とが接着層２９５によって貼り合わされている。
【０１１６】
導電層２９１と導電層２９２の間に形成される容量は、被検知体が近づくことにより変化する。これにより、被検知体が接近、または接触することを検出することができる。複数の導電層２９１と複数の導電層２９２を格子状に配置することで、位置情報を取得することができる。
【０１１７】
また第２の基板２０２の外周に近い領域に、端子部２９９が設けられている。端子部２９９は、接続層２９８を介してＦＰＣ２９７と電気的に接続されている。
【０１１８】
ここで、基板２９６は、指またはスタイラスなどの検知体が直接触れる基板としても用いることができる。その場合、基板２９６上に保護層（セラミックコート等）を設けることが好ましい。保護層は、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁材料を用いることができる。また、基板２９６に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン交換法や風冷強化法等により物理的、または化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を加えたものを用いることができる。タッチセンサを強化ガラスの一面に設け、その反対側の面を例えば電子機器の最表面に設けてタッチ面として用いることにより、機器全体の厚さを低減することができる。
【０１１９】
タッチセンサとしては、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について説明する。
【０１２０】
なおこれに限られず、指やスタイラスなどの被検知体の接近、または接触を検知することのできる様々なセンサを適用することもできる。
【０１２１】
ここでは、第２の基板２０２の外側の面にタッチセンサを構成する配線等が形成された、いわゆるオンセル型のタッチパネルの構成を示したが、これに限られない。例えば、外付け型（アウトセル型）のタッチパネル、インセル型のタッチパネルの構成を適用としてもよい。オンセル型またはインセル型のタッチパネルの構成を用いることで、表示パネルにタッチパネルの機能を付加しても、その厚さを低減することができる。
【０１２２】
以上が断面構成例についての説明である。
【０１２３】
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【０１２４】
〔基板〕
表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【０１２５】
厚さの薄い基板を用いることで、表示装置の軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置を実現できる。
【０１２６】
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。
【０１２７】
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。
【０１２８】
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、封止基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。
【０１２９】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用いることができる。
【０１３０】
また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。
【０１３１】
可撓性を有する基板に、表示装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等が積層されていてもよい。また、水分等による発光素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
【０１３２】
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置とすることができる。例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した基板を用いることができる。このような有機樹脂層を設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな表示装置とすることができる。
【０１３３】
〔トランジスタ〕
表示装置が有するトランジスタは、フロントゲート電極として機能する導電層と、バックゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。
【０１３４】
つまり本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタは、チャネルの上下にゲート電極が設けられる構造である。ただし、これに限らずチャネルの上下のいずれか一方にゲート電極が設けられる、いわゆるシングルゲート構造でもよい。
【０１３５】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０１３６】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、酸化物半導体を半導体層に用いることができる。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０１３７】
例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む。
【０１３８】
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が観察されない酸化物半導体層を用いることが好ましい。
【０１３９】
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの応力によって酸化物半導体層にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示装置などに、このような酸化物半導体を好適に用いることができる。
【０１４０】
また半導体層としてこのような結晶性を有する酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０１４１】
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
【０１４２】
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０１４３】
また、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
【０１４４】
〔絶縁層〕
各絶縁層、オーバーコート、スペーサ等に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シリコーン樹脂等のシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０１４５】
また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。
【０１４６】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０１４７】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０１４８】
〔接着層、封止材〕
接着層や封止材としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０１４９】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
【０１５０】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０１５１】
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０１５２】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０１５３】
ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０１５４】
ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０１５５】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０１５６】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
【０１５７】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。
【０１５８】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【０１５９】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０１６０】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いることができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
【０１６１】
導電層は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。
【０１６２】
なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。
【０１６３】
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
【０１６４】
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
【０１６５】
〔遮光層〕
遮光層に用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
【０１６６】
〔接続層〕
ＦＰＣやＩＣと端子とを接続する接続層には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０１６７】
以上が各構成要素についての説明である。
【０１６８】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１６９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法の例について説明する。
【０１７０】
ここでは、発光素子、回路、配線、電極、及び絶縁層、並びに着色層や遮光層などの光学部材等が含まれる層をまとめて素子層と呼ぶこととする。例えば、素子層は発光素子を含み、発光素子の他に発光素子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていてもよい。
【０１７１】
またここでは、発光素子が完成した（作製工程が終了した）段階において、素子層を支持し、可撓性を有する部材のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、厚さが１０ｎｍ以上３００μｍ以下の、極めて薄いフィルム等も含まれる。
【０１７２】
可撓性を有し、絶縁表面を備える基板上に素子層を形成する方法としては、代表的には以下に挙げる２つの方法がある。一つは、可撓性を有する基板上に直接、素子層を形成する方法である。もう一つは、可撓性を有する基板とは異なる支持基材上に素子層を形成した後、素子層と支持基材を剥離し、素子層を基板に転置する方法である。なお、ここでは詳細に説明しないが、上記２つの方法に加え、可撓性を有さない基板上に素子層を形成し、当該基板を研磨等により薄くすることで可撓性を持たせる方法もある。
【０１７３】
基板を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。こ
のとき、基板を支持基材に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が容易になるため好ましい。
【０１７４】
また、素子層を支持基材上に形成した後に、基板に転置する方法を用いる場合、まず支持基材上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持基材と素子層の間で剥離し、素子層を基板に転置する。このとき、支持基材と剥離層の界面、剥離層と絶縁層の界面、または剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。この方法では、支持基材や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する際にかかる温度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成できるため、好ましい。
【０１７５】
例えば剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用いる。また剥離層上の絶縁層として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
【０１７６】
素子層と支持基材とを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエッチングすること、または剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる。または、剥離界面を形成する２層の熱膨張係数の違いを利用し、加熱または冷却することにより剥離を行ってもよい。
【０１７７】
剥離を開始する際、最初に剥離の起点を形成し、当該起点から剥離を進行させることが好ましい。剥離の起点は、レーザ光等により絶縁層や剥離層の一部を局所的に加熱すること、鋭利な部材により物理的に絶縁層や剥離層の一部を切断または貫通すること等により形成することができる。
【０１７８】
また、支持基材と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
【０１７９】
例えば、支持基材としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用いることで、ガラスと有機樹脂の界面で剥離することができる。また残ったポリイミドなどの有機樹脂を基板として用いることもできる。
【０１８０】
または、支持基材と有機樹脂からなる絶縁層の間に発熱層を設け、当該発熱層を加熱することにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流を流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加することにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば発熱層としては、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
【０１８１】
以下では、より具体的な作製方法の一例について説明する。以下で説明する作製方法では、被剥離層として形成する層を変更することで、本発明の一態様の可撓性を有する入出力装置も作製することができる。
【０１８２】
まず、作製基板３０１上に島状の剥離層３０３を形成し、剥離層３０３上に被剥離層３０５を形成する（図１５（Ａ））。またこれとは別に、作製基板３２１上に島状の剥離層３２３を形成し、剥離層３２３上に被剥離層３２５を形成する（図１５（Ｂ））。
【０１８３】
ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限られない。この工程では、作製基板から被剥離層を剥離する際に、作製基板と剥離層の界面、剥離層と被剥離層の界面、又は剥離層中で剥離が生じるような材料を選択する。本実施の形態では、被剥離層と剥離層の界面で剥離が生じる場合を例示するが、剥離層や被剥離層に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られない。なお、被剥離層が積層構造である場合、剥離層と接する層を特に第１の層と記す。
【０１８４】
例えば、剥離層がタングステン膜と酸化タングステン膜との積層構造である場合、タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（又は界面近傍）で剥離が生じることで、被剥離層側に剥離層の一部（ここでは酸化タングステン膜）が残ってもよい。また被剥離層側に残った剥離層は、その後除去してもよい。
【０１８５】
作製基板には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。作製基板としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることができる。
【０１８６】
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、下地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【０１８７】
剥離層は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。剥離層に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、被剥離層の形成工程の自由度が高まるため好ましい。
【０１８８】
剥離層は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層の厚さは例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【０１８９】
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【０１９０】
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能である。
【０１９１】
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高いエネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。
【０１９２】
当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成するため、作製工程で基板に高温をかけることができない。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。
【０１９３】
なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。また該有機樹脂に、さらに接着剤を用いて別の基板（支持フィルム）を貼り合せてもよい。
【０１９４】
または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【０１９５】
剥離層に接して形成する絶縁層（第１の層）は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。なお、これに限られず、剥離層に用いる材料に応じて最適な材料を選択することができる。
【０１９６】
該絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に防湿性の高い膜とすることができる。なお、絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。
【０１９７】
次に、作製基板３０１と作製基板３２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向するように、接着層３０７を用いて貼り合わせ、接着層３０７を硬化させる（図１５（Ｃ））。
【０１９８】
なお、作製基板３０１と作製基板３２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１９９】
なお、図１５（Ｃ）では、剥離層３０３と剥離層３２３の大きさが異なる場合を示したが、図１５（Ｄ）に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
【０２００】
接着層３０７は剥離層３０３、被剥離層３０５、被剥離層３２５、及び剥離層３２３と重なるように配置する。そして、接着層３０７の端部は、剥離層３０３又は剥離層３２３の少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これにより、作製基板３０１と作製基板３２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。
【０２０１】
接着層３０７には、例えば、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型の接着剤等を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ樹脂、ＰＶＢ樹脂、ＥＶＡ樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。接着剤としては、所望の領域にのみ配置できる程度に流動性の低い材料を用いることが好ましい。例えば、接着シート、粘着シート、シート状もしくはフィルム状の接着剤を用いてもよい。例えば、ＯＣＡ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｌｅａｒ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）フィルムを好適に用いることができる。
【０２０２】
接着剤は、貼り合わせ前から粘着性を有していてもよく、貼り合わせ後に加熱や光照射によって粘着性を発現してもよい。
【０２０３】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素子の劣化を抑制でき、装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０２０４】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１６（Ａ）（Ｂ））。
【０２０５】
作製基板３０１及び作製基板３２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子等の素子を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離してもよい。ここでは、作製基板３０１を先に剥離する例を示す。
【０２０６】
レーザ光は、硬化状態の接着層３０７と、被剥離層３０５と、剥離層３０３とが重なる領域に対して照射する（図１６（Ａ）の矢印Ｐ１参照）。
【０２０７】
第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図１６（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層３０５の他の層や、剥離層３０３、接着層３０７の一部を除去してもよい。
【０２０８】
レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層３０３と剥離層３２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層３０５及び被剥離層３２５のうち被剥離層３０５のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板３０１及び剥離層３０３を剥離することができる（図１６（Ｂ）の点線で囲った領域参照。ここでは被剥離層３０５を構成する各層の一部を除去する例を示す。
【０２０９】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層３０５と作製基板３０１とを分離する（図１６（Ｃ）（Ｄ））。これにより、被剥離層３０５を作製基板３０１から作製基板３２１に転置することができる。
【０２１０】
例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）によって被剥離層３０５と作製基板３０１とを分離すればよい。
【０２１１】
また、剥離層３０３と被剥離層３０５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板３０１と被剥離層３０５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層３０３と被剥離層３０５の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静電気が、被剥離層３０５に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。
【０２１２】
次に、露出した被剥離層３０５と基板３３１とを、接着層３３３を用いて貼り合わせ、接着層３３３を硬化させる（図１７（Ａ））。
【０２１３】
なお、被剥離層３０５と基板３３１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【０２１４】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１７（Ｂ）（Ｃ））。
【０２１５】
レーザ光は、硬化状態の接着層３３３と、被剥離層３２５と、剥離層３２３とが重なる領域に対して照射する（図１７（Ｂ）の矢印Ｐ２参照）。第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図１７（Ｃ）の点線で囲った領域参照。ここでは被剥離層３２５を構成する各層の一部を除去する例を示す。）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層３２５の他の層や、剥離層３２３、接着層３３３の一部を除去してもよい。
【０２１６】
レーザ光は、剥離層３２３が設けられた作製基板３２１側から照射することが好ましい。
【０２１７】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層３２５と作製基板３２１とを分離する（図１７（Ｄ））。これにより、被剥離層３０５及び被剥離層３２５を基板３３１に転置することができる。
【０２１８】
その後、被剥離層３２５にさらに基板を貼り付けることもできる。
【０２１９】
露出した被剥離層３２５と基板３４１とを、接着層３４３によって貼り合せ、接着層３４３を硬化させる（図１８（Ａ））。ここでは、基板３４１にあらかじめ開口が設けられている例を示している。
【０２２０】
以上により、一対の可撓性の基板の間に、被剥離層を挟持することができる。
【０２２１】
その後、図１８（Ｂ）に示すように、基板３３１、基板３４１等の不要な端部を切断して除去してもよい。このとき、被剥離層３０５及び被剥離層３２５の端部の一部を同時に切断してもよい。
【０２２２】
以上の方法により、可撓性を有するデバイスを作製することができる。被剥離層に、上記実施の形態で例示した構成を用いることで、可撓性を有する表示装置を作製することができる。
【０２２３】
以上に示した本発明の一態様の表示装置の作製方法では、それぞれ剥離層及び被剥離層が設けられた一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し、それぞれの剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。
【０２２４】
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥離をし、作製したい装置を構成する基板を被剥離層に貼り合わせることができる。したがって、被剥離層どうしの貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。
【０２２５】
なお、図１９（Ａ）に示すように、被剥離層３０５の剥離される領域３５１の端部は、剥離層３０３の端部よりも内側に位置することが好ましい。これにより、剥離工程の歩留まりを高くすることができる。また、領域３５１が複数ある場合、図１９（Ｂ）に示すように、領域３５１ごとに剥離層３０３を設けてもよいし、図１９（Ｃ）に示すように、１つの剥離層３０３上に複数の領域３５１を設けてもよい。
【０２２６】
以上が、可撓性を有する表示装置の作製方法についての説明である。
【０２２７】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２２８】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上述した表示装置の移動体への適用例、移動体の例、および上述した表示装置の電子機器への適用例について説明する。
【０２２９】
＜表示装置の移動体への適用例＞
上述した表示装置は、取り付ける面の形状に応じた画像処理を行う表示を行うことができる。以下、移動体である自動車の運転席周辺に適用する場合の例について説明する。
【０２３０】
例えば図２０は、自動車の室内におけるフロントガラス周辺を表す図である。図２０では、ダッシュボードに取り付けられた表示装置５１Ａ乃至５１Ｃの他、ピラーに取り付けられた表示装置５１Ｄを図示している。
【０２３１】
表示装置５１Ａ乃至５１Ｃは、ナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示装置に表示される表示項目やレイアウトなどは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能である。
【０２３２】
表示装置５１Ｄには、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０２３３】
また図２１は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。図２１では、ドア部に設けられた表示装置５２Ａ、ハンドルに設けられた表示装置５２Ｂ、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置５２Ｃを図示している。
【０２３４】
表示装置５２Ａには、例えば、車体に設けられた撮像手段からの画像を表示部に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。
【０２３５】
表示装置５２Ｂおよび５２Ｃは、ナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター等のメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目やレイアウトなどは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができる。
【０２３６】
本発明の一態様の表示装置は、湾曲した面に取り付けることができる。例えば、上述した表示装置５１Ａ乃至５１Ｄおよび表示装置５２Ａ乃至５２Ｃのように、自動車の室内のあらゆる場所に取り付けることが可能である。つまり図２２（Ａ）に示すダッシュボード６２やピラー６５のように、窓部６１以外の湾曲した面であっても取り付けることができる。そのため、図２２（Ｂ）に図示するように窓部６１以外の車体の内部の表面に表示装置６０を設ける構成とすることもできる。当該構成とすることで、窓部６１以外の自動車の外側の画像を表示できるため、死角を補い、安全性を高めるとともに、高速での画像処理および低消費電力化を図ることができる。
【０２３７】
図２２（Ｂ）のように、窓部６１以外の車体の内部の表面に表示パネルを設ける構成とする場合、図２３（Ａ）に図示するように車体の外側に複数の撮像装置７１Ｌ乃至７３Ｌ、７１Ｒ乃至７３Ｒを設ける構成とする。なお撮像装置は２以上並べて取り付けることで、対象物との距離に関する情報も得られるため好ましい。
【０２３８】
図２２（Ｂ）および図２３（Ａ）の構成とすることで、図２３（Ｂ）に図示するように窓部６１以外の自動車の外側の画像を表示できる。そのため、ユーザの死角を補い、安全性を高めるとともに、高速での画像処理および低消費電力化を図ることができる移動体とすることができる。高速での画像処理によって、撮像装置で撮像した画像をリアルタイムに近い形で表示をすることができるため、安全性を高めることが可能になる。
【０２３９】
＜移動体の例＞
本発明の一態様に係る表示装置を適用可能な移動体の具体例を図２４（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。
【０２４０】
図２４（Ａ）は自動車４０１である。自動車４０１は、窓部４１１を有する。自動車４０１は窓部４１１以外の死角となる位置に表示装置を配置できる。表示装置では、上述したように、画像処理が施された画像を表示することができる。当該構成とすることで、窓部４１１以外の表示部に自動車４０１の外の画像を表示させることができる。そのため、窓部４１１以外での死角が低減された自動車４０１とすることができる。
【０２４１】
図２４（Ｂ）はバス４０２である。バス４０２は、窓部４１１を有する。バス４０２は窓部４１１以外の死角となる位置に表示装置を配置できる。表示装置では、上述したように、画像処理が施された画像を表示することができる。当該構成とすることで、窓部４１１以外の表示部にバス４０２の外の画像を表示させることができる。そのため、窓部４１１以外での死角が低減されたバス４０２とすることができる。
【０２４２】
図２４（Ｃ）は電車４０３である。電車４０３は、窓部４１１を有する。電車４０３は窓部４１１以外の死角となる位置に表示装置を配置できる。表示装置では、上述したように、画像処理が施された画像を表示することができる。当該構成とすることで、窓部４１１以外の表示部に電車４０３の外の画像を表示させることができる。そのため、窓部４１１以外での死角が低減された電車４０３とすることができる。
【０２４３】
図２４（Ｄ）は飛行機４０４である。飛行機４０４は、窓部４１１を有する。飛行機４０４は窓部４１１以外の死角となる位置に表示装置を配置できる。表示装置では、上述したように、画像処理が施された画像を表示することができる。当該構成とすることで、窓部４１１以外の表示部に飛行機４０４の外の画像を表示させることができる。そのため、窓部４１１以外での死角が低減された飛行機４０４とすることができる。
【０２４４】
本発明の一態様は、各移動体の窓部４１１以外の位置で表示を行う場合に極めて有効である。曲面等の形状の表示装置に画像を表示してユーザが周辺を動きながら視認する場合、ユーザの視線と表示面がなす角度が一様ではなくなるが、このような場合であっても本発明の一態様は高速での画像処理を行うことができる。また、本発明の一態様は、消費電力の小さいデータ変換回路および表示装置を提供することができる。
【０２４５】
＜移動体以外の適用例＞
図２５（Ａ）、（Ｂ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。デジタルサイネージは、筐体８０００、表示部８００１、及びスピーカ８００３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【０２４６】
図２５（Ｂ）は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。
【０２４７】
表示部８００１が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部８００１が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
【０２４８】
表示部８００１にタッチパネルを適用することで、表示部８００１に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
【０２４９】
本発明の一態様は、表示部８００１のように、表示部が大きい、あるいは曲面など複雑な形状をしている場合に極めて有効である。このような形状の表示装置に情報を表示してユーザが周辺を動きながら視認する場合、ユーザの視線と表示面がなす角度が一様ではなくなるが、このような場合であっても本発明の一態様は高速での画像処理を行うことができる。また、本発明の一態様は、消費電力の小さいデータ変換回路および表示装置を提供することができる。
【０２５０】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２５１】
＜本明細書等の記載に関する付記＞
本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。
【０２５２】
本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立したブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわたって一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【０２５３】
なお図面において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【０２５４】
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【０２５５】
また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位（接地電位）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖを意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配線等に与える電位を変化させる場合がある。
【０２５６】
本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
【０２５７】
一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つまり、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
【０２５８】
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、トランジスタのソースとドレインが電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソースとドレインが電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。
【０２５９】
本明細書等において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的に接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
【符号の説明】
【０２６０】
Ａ１−Ａ２    切断線
ＣＬＫ０    クロック信号
ＣＬＫ１    クロック信号
ＣＬＫ２    クロック信号
Ｄ０    データ
Ｄ１    データ
Ｄ２    データ
Ｄ３    データ
Ｄ４    データ
Ｄ５    データ
Ｄ６    データ
ＧＬ０    ゲート線
ＧＬ１    ゲート線
ＧＬ２    ゲート線
ＧＬ３    ゲート線
ＧＬ４    ゲート線
ＧＬ５    ゲート線
Ｐ１    矢印
Ｐ２    矢印
ＲＤＡＴＡ０    読出データ
ＲＤＡＴＡ１    読出データ
ＳＬ０    ソース線
Ｔ０    時刻
Ｔ００    時刻
Ｔ１    時刻
Ｔ２    時刻
Ｔ３    時刻
Ｔ１０    時刻
Ｔ２０    時刻
Ｔ２２    時刻
Ｔ３０    時刻
Ｔ４０    時刻
Ｔ４１    時刻
Ｔ４２    時刻
Ｔ４３    時刻
Ｔ４７    時刻
１０    表示装置
１１    画素部
６２    ダッシュボード
１２    走査線駆動回路
１３    信号線駆動回路
６５    ピラー
１５    端子部
１６ａ    配線
１６ｂ    配線
５１Ａ    表示装置
５１Ｃ    表示装置
５１Ｄ    表示装置
５２Ａ    表示装置
５２Ｂ    表示装置
５２Ｃ    表示装置
６０    表示装置
６１    窓部
７１Ｌ    撮像装置
７１Ｒ    撮像装置
７３Ｌ    撮像装置
７３Ｒ    撮像装置
１００    データ変換回路
１１０    クロック生成回路
１１１    クロック選択制御回路
１１２    回路
１２１    データラッチ回路
１２２    書込アドレス生成回路
１２３    読出アドレス生成回路
１２４    イネーブル生成回路
１３０    インバータ回路
１３１    記憶回路
１３２    記憶回路
１３３    データ選択回路
１４０    データ変換回路
１５０    クロック生成回路
１５１    クロック選択制御回路
１５２    回路
１６０    ゲートドライバ制御回路
１７０    ソースドライバ
１８０    ゲートドライバ
１８１    シフトレジスタ
１８２    論理積回路
１９０    画素アレイ
１９１    画素
１９５    表示装置
１９６    表示装置
１９７Ａ    画像
１９７Ｂ    画像
１９８    人物
１９９Ｘ    歪センサ
１９９Ｙ    歪センサ
２０１    基板
２０２    基板
２１１    絶縁層
２１２    絶縁層
２１３    絶縁層
２１４    絶縁層
２１５    スペーサ
２１６    絶縁層
２１７    絶縁層
２２０    接着層
２２１    絶縁層
２２２    ＥＬ層
２２３    電極
２２４    光学調整層
２２５    画素電極
２３０ａ    構造物
２３０ｂ    構造物
２３１    遮光層
２３２    着色層
２４２    ＦＰＣ
２４３    接続層
２５０    空間
２５１    トランジスタ
２５２    トランジスタ
２５３    容量素子
２５４    発光素子
２５５    トランジスタ
２６０    封止材
２６１    接着層
２６２    接着層
２７１    半導体層
２７２    導電層
２７３    導電層
２７４    導電層
２７５    導電層
２９１    導電層
２９２    導電層
２９３    導電層
２９４    絶縁層
２９５    接着層
２９６    基板
２９７    ＦＰＣ
２９８    接続層
２９９    端子部
３０１    作製基板
４０１    自動車
４０２    バス
４０３    電車
３０３    剥離層
４０４    飛行機
３０５    被剥離層
３０７    接着層
４１１    窓部
３２１    作製基板
３２３    剥離層
３２５    被剥離層
３３１    基板
３３３    接着層
３４１    基板
３４３    接着層
３５１    領域
８０００    筐体
８００１    表示部
８００３    スピーカ
【図１】
2018106156.tif 000003
【図２】
2018106156.tif 000004
【図３】
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【図４】
2018106156.tif 000006
【図５】
2018106156.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018106156.tif 000009
【図８】
2018106156.tif 000010
【図９】
2018106156.tif 000011
【図１０】
2018106156.tif 000012
【図１１】
2018106156.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2018106156.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2018106156.tif 000017
【図１６】
2018106156.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2018106156.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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