(57)【要約】      （修正有）【課題】光学的、電気的、機械的特性が向上したタッチセンサーを提供すること。【解決手段】本発明のタッチセンサーは、ベース層１００と、該ベース層上に順次積層される第１の透明導電性酸化物パターン１１０、金属パターン１２０及び第２の透明導電性酸化物パターン１３０をそれぞれ備える複数のセンシング電極１４０と、それぞれの複数のセンシング電極の表面を覆う導電性キャップパターン１３５とを含む。導電性キャップパターンにより、金属パターンの外部環境による腐食および損傷を抑えることができる。【選択図】図１
2018147486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、
該ベース層上に順次積層される第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンをそれぞれ備える複数のセンシング電極と、 
それぞれの前記複数のセンシング電極の表面を覆う導電性キャップパターンとを含む、タッチセンサー。
【請求項２】
前記第１の透明導電性酸化物パターン、前記第２の透明導電性酸化物パターン及び前記導電性キャップパターンは、それぞれ独立して、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）、スズ酸化物（ＳｎＯｘ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、ガリウム−ドープ亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）及びインジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）からなる群より選択される少なくとも一つを含む、請求項１に記載のタッチセンサー。
【請求項３】
前記金属パターンは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、テルル（Ｔｅ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択される少なくとも一つの金属、前記金属の合金または前記金属のナノワイヤを含む、請求項１または２に記載のタッチセンサー。
【請求項４】
前記複数のセンシング電極は、メッシュパターン構造を含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項５】
前記導電性キャップパターンは、前記複数のセンシング電極の側壁および上面を覆う、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項６】
前記導電性キャップパターンの幅は、前記ベース層側に行くほど増加する、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項７】
前記複数のセンシング電極を覆う絶縁層と、
前記絶縁層を貫通し、前記複数のセンシング電極のうち隣り合う一部のセンシング電極を電気的に接続するブリッジパターンとをさらに含み、
前記ブリッジパターンは、前記導電性キャップパターンと接触する、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項８】
ベース層と、 
前記ベース層上に配列される複数のセンシング電極と、
前記複数のセンシング電極のうち隣り合う一部のセンシング電極を電気的に接続するブリッジパターンとを含み、
前記複数のセンシング電極および前記ブリッジパターンの少なくとも一つは、順次配置される第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンを含む積層構造を有し、前記積層構造の表面を覆う導電性キャップパターンを含む、タッチセンサー。
【請求項９】
前記導電性キャップパターンは、導電性金属酸化物を含む、請求項８に記載のタッチセンサー。
【請求項１０】
パッドと、
前記パッドを部分的に露出させるコンタクトホールを含み、前記パッドを部分的に覆うパッシベーション層と、
前記コンタクトホールを介して前記パッドを覆う導電性キャップパターンと、
前記導電性キャップパターンを覆う仲介層と、
前記仲介層上に配置される回路構造物とを含む、電極接続構造物。
【請求項１１】
前記導電性キャップパターンは、前記パッシベーション層の上面、前記コンタクトホールの側壁および前記コンタクトホールを介して露出する前記パッドの上面に沿って形成される、請求項１０に記載の電極接続構造物。
【請求項１２】
前記パッドは、順次積層される第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンを含む、請求項１０または１１に記載の電極接続構造物。
【請求項１３】
前記導電性キャップパターンは、前記第２の透明導電性酸化物パターンの上面と接触する、請求項１２に記載の電極接続構造物。
【請求項１４】
前記仲介層は、導電性樹脂、導電性ペースト、導電性ボールまたは異方性導電フィルムを含む、請求項１０ないし１３のいずれか一項に記載の電極接続構造物。
【請求項１５】
前記仲介層は、前記導電性キャップパターンの上面を全体的に覆い、かつ前記コンタクトホールの残りの部分を満たす、請求項１４に記載の電極接続構造物。
【請求項１６】
前記回路構造物は、軟性印刷回路基板（ＦＰＣＢ）を含む、請求項１０ないし１５のいずれか一項に記載の電極接続構造物。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の電極接続構造物を含む、タッチセンサー。
【請求項１８】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のタッチセンサーを含む、画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極接続構造物、タッチセンサー及び画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化技術（ＩＴ）の発展により、ディスプレイ分野でも多様な形態の要求が提示されている。これにより、薄型化、軽量化、低消費電力化などの特徴を持つ各種の平板表示装置（Flat Panel Display device）、例えば、液晶表示装置（Liquid Crystal Display device）、プラズマ表示装置（Plasma Display Panel device）、電界発光表示装置（Electro Luminescent Display device）、有機発光ダイオード表示装置（Organic Light−Emitting Diode Display device）などが研究されている。
【０００３】
その一方で、前記表示装置に組み込まれ、画面に表示される指示内容を人の手や物体で選択し、ユーザの命令を入力する入力装置であるタッチスクリーンパネル（touch screen panel）をディスプレイ装置と結合することで、画像表示機能及び情報入力機能を共に実現した電子機器が開発されている。
【０００４】
タッチスクリーンパネルはタッチセンサーの動作方式によって、静電容量方式、光感知方式、抵抗膜方式などに区分できる。このうち、静電容量方式のタッチセンサーの場合は、人の手や物体が接触したとき、導電性センシングパターンが周辺の他のセンシングパターンまたは接地電極などと形成する静電容量の変化を検知することにより、接触位置を電気的信号に変換する。
【０００５】
タッチセンサーに含まれる前記導電性センシングパターンは、ディスプレイ装置に適用される場合、高透過性を有すると共に、向上した電気的特性（例えば、低い抵抗）を持つ必要がある。また、外部湿度、空気による変性に対して、向上した抵抗または耐性を持つ必要がある。
【０００６】
最近は、折ったり曲げたりすることができるフレキシブルディスプレイが開発されており、タッチセンサーが前記フレキシブルディスプレイに適用される場合は、前記導電性センシングパターンもまた向上した柔軟性またはフレキシブル特性を持つ必要がある。
【０００７】
例えば、韓国公開特許第２０１４−００９２３６６号のように、最近は様々な画像表示装置にタッチセンサーを結合したタッチスクリーンパネルが開発されているが、前述のように、光学的、電気的、機械的特性が共に向上したタッチセンサーまたはタッチパネルの要求が続いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１４−００９２３６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一課題は、電気的接続の信頼性が向上した電極接続構造物を提供することである。
【００１０】
本発明の一課題は、光学的、電気的、機械的特性が向上したタッチセンサーを提供することである。
【００１１】
本発明の一課題は、光学的、電気的、機械的特性が向上したタッチセンサーを含むタッチスクリーンパネルまたは画像表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
１．ベース層と、該ベース層上に順次積層される第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンをそれぞれ備える複数のセンシング電極と、それぞれの前記複数のセンシング電極の表面を覆う導電性キャップパターンとを含む、タッチセンサー。
【００１３】
２．前記項目１において、前記第１の透明導電性酸化物パターン、前記第２の透明導電性酸化物パターン及び前記導電性キャップパターンは、それぞれ独立して、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）、スズ酸化物（ＳｎＯｘ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、ガリウム−ドープ亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）、及びインジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）からなる群より選択される少なくとも一つを含む、タッチセンサー。
【００１４】
３．前記項目１において、前記金属パターンは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、テルル（Ｔｅ）、及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択される少なくとも一つの金属、前記金属の合金または前記金属のナノワイヤを含む、タッチセンサー。
【００１５】
４．前記項目１において、前記複数のセンシング電極は、メッシュパターン構造を含む、タッチセンサー。
【００１６】
５．前記項目１において、前記導電性キャップパターンは、前記複数のセンシング電極の側壁および上面を覆う、タッチセンサー。
【００１７】
６．前記項目１において、前記導電性キャップパターンの幅は、前記ベース層側に行くほど増加する、タッチセンサー。
【００１８】
７．前記項目１において、前記複数のセンシング電極を覆う絶縁層と、前記絶縁層を貫通し、前記複数のセンシング電極のうち隣り合う一部のセンシング電極を電気的に接続するブリッジパターンとをさらに含み、前記ブリッジパターンは、前記導電性キャップパターンと接触する、タッチセンサー。
【００１９】
８．ベース層と、該ベース層上に配列される複数のセンシング電極と、前記複数のセンシング電極のうち隣り合う一部のセンシング電極を電気的に接続するブリッジパターンとを含み、前記複数のセンシング電極および前記ブリッジパターンの少なくとも一つは、順次配置される第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンを含む積層構造を有し、前記積層構造の表面を覆う導電性キャップパターンを含む、タッチセンサー。
【００２０】
９．前記項目８において、前記導電性キャップパターンは導電性金属酸化物を含む、タッチセンサー。
【００２１】
１０．パッドと、該パッドを部分的に露出させるコンタクトホールを含み、前記パッドを部分的に覆うパッシベーション層と、前記コンタクトホールを介して前記パッドを覆う導電性キャップパターンと、前記導電性キャップパターンを覆う仲介層と、前記仲介層上に配置される回路構造物とを含む、電極接続構造物。
【００２２】
１１．前記項目１０において、前記導電性キャップパターンは、前記パッシベーション層の上面、前記コンタクトホールの側壁、および前記コンタクトホールを介して露出する前記パッドの上面に沿って形成される、電極接続構造物。
【００２３】
１２．前記項目１０において、前記パッドは、順次積層される第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンを含む、電極接続構造物。
【００２４】
１３．前記項目１２において、前記導電性キャップパターンは、前記第２の透明導電性酸化物パターンの上面と接触する、電極接続構造物。
【００２５】
１４．前記項目１０において、前記仲介層は、導電性樹脂、導電性ペースト、導電性ボールまたは異方性導電フィルムを含む、電極接続構造物。
【００２６】
１５．前記項目１４において、前記仲介層は、前記導電性キャップパターンの上面を全体的に覆い、かつ前記コンタクトホールの残りの部分を満たす、電極接続構造物。
【００２７】
１６．前記項目１０において、前記回路構造物は、軟性印刷回路基板（ＦＰＣＢ）を含む、電極接続構造物。
【００２８】
１７．前記項目１０〜１６のいずれか一つに記載の電極接続構造物を含む、タッチセンサー。
【００２９】
１８．前記項目１〜９のいずれか一つに記載のタッチセンサーを含む、画像表示装置。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の実施形態に係るタッチセンサーでは、センシング電極を、第１の透明導電性酸化物パターン−金属パターン−第２の透明導電性酸化物パターンの積層構造を含む複層構造に形成することができる。これにより、タッチセンサーの透過度が向上するとともに、センシング電極のチャンネル抵抗が低減することで、高感度のセンシング電極を実現できる。また、途中に挿入された前記金属パターンにより、折れ、曲げなどのフレキシブル特性を共に向上させることができる。
【００３１】
また、例示的な実施形態によると、センシング電極の表面を覆う導電性キャップパターンを形成することができる。前記導電性キャップパターンにより、金属パターンの湿気、空気接触による腐食、損傷を防止できる。これにより、外部環境に対して信頼性が向上したタッチセンサーを得ることができる。
【００３２】
また、前記導電性キャップパターンは、配線部に形成されたパッド上にも形成することができ、駆動回路との接続のために露出する前記パッドの信頼性もまた向上できる。
【００３３】
前記タッチセンサーは、優れた電気的、機械的信頼性を有し、フレキシブルＯＬＥＤ、ＬＣＤ装置などの画像表示装置に効果的に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、例示的な実施形態に係るタッチセンサーを示す概略的な断面図である。
【図２】図２は、例示的な実施形態に係るタッチセンサーを示す概略的な断面図である。
【図３】図３は、例示的な実施形態に係るタッチセンサーを示す概略的な断面図である。
【図４】図４は、一部の実施形態に係るタッチセンサーのセンシング電極構造を説明するための平面図である。
【図５】図５は、一部の実施形態に係るタッチセンサーのセンシング電極構造を説明するための断面図である。
【図６】図６は、例示的な実施形態に係る画像表示装置を示す概略的な断面図である。
【図７】図７は、例示的な実施形態に係る電極接続構造物を示す概略的な断面図である。
【図８】図８は、例示的な実施形態に係る電極接続構造物を示す概略的な断面図である。
【図９】図９は、例示的な実施形態に係る画像表示装置を示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
本発明の実施形態は、ベース層と、該ベース層上に順次積層される第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンをそれぞれ備える複数のセンシング電極と、前記それぞれのセンシング電極の表面を覆う導電性キャップパターンとを含むタッチセンサーを提供する。前記導電性キャップパターンにより、前記センシング電極の耐腐食性が向上するとともに、所望の電気的動作特性を信頼性高く維持することができる。
【００３６】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態をより具体的に説明する。ただし、本明細書に添付される図面は、本発明の好適な実施形態を例示するものであって、発明の詳細な説明とともに本発明の技術思想をさらに理解する一助となる役割を果たすものであるため、本発明は図面に記載された事項のみに限定されて解釈されるものではない。
【００３７】
図１〜図３は、例示的な実施形態に係るタッチセンサーを示す概略的な断面図である。
【００３８】
図１に示すように、前記タッチセンサーは、ベース層１００と、該ベース層１００上に積層されるセンシング電極１４０と、該センシング電極１４０を覆うパッシベーション層１６０とを含むことができる。
【００３９】
ベース層１００は、センシング電極１４０を形成するための支持層として提供することができる。本明細書でベース層１００は、センシング電極１４０の下部部材を包括する意味で使用される。例えば、ベース層１００は、フィルムタイプの部材または基板を包括することができ、または、センシング電極１４０が形成される対象体（例えば、ディスプレイ装置の表示パネル）を包括することができる。
【００４０】
ベース層１００は、例えば、ガラス、プラスチック、またはポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などの柔軟性樹脂を含むことができる。
【００４１】
センシング電極１４０は、ベース層１００上に順次形成された第１の透明導電性酸化物パターン１１０、金属パターン１２０及び第２の透明導電性酸化物パターン１３０を含むことができる。
【００４２】
第１の透明導電性酸化物パターン１１０は、ベース層１００から拡散される、例えば、有機物質に対するバリアーとしての機能を提供することができる。また、第１の透明導電性酸化物パターン１１０は、金属パターン１２０の下部バリアーまたは下部保護パターンとして機能することができる。
【００４３】
第１の透明導電性酸化物パターン１１０は、非制限的な例として、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）、スズ酸化物（ＳｎＯｘ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、ガリウム−ドープ亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）などの導電性を有する金属酸化物を含むことができる。これらは、単独にまたは２以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
一実施形態では、第１の透明導電性酸化物パターン１１０は、低温結晶性及びバリアー特性の向上を考慮してＩＺＯで形成することができる。
【００４５】
一実施形態では、第１の透明導電性酸化物パターン１１０は、約１０〜７０ｎｍの厚さに形成することができる。第１の透明導電性酸化物パターン１１０の厚さが約１０ｎｍ未満であると、有機物質に対するバリアー機能を十分に実現できないことがある。第１の透明導電性酸化物パターン１１０の厚さが約７０ｎｍを超えると、センシング電極１４０の抵抗が上昇し過ぎて、均一なパターン形状を容易に実現できないことがある。
【００４６】
一実施形態では、第１の透明導電性酸化物パターン１１０の屈折率は、金属パターン１２０との光学整合性を考慮し、約１．７〜２．２の範囲であってもよい。
【００４７】
金属パターン１２０は、非制限的な例として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、テルル（Ｔｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）のような金属、これらの金属の合金（例えば、銀−パラジウム−銅（ＡＰＣ））、金属または合金のナノワイヤを含むことができる。一実施形態では、金属パターン１２５は、低抵抗及び高感度を実現するためにＡＰＣを含むように形成することができる。
【００４８】
金属パターン１２０をセンシング電極１４０に含むことにより、センシング電極１４０を透明導電性酸化物で構成する場合よりもフレキシブル特性が向上するとともに、チャンネル抵抗を低減できる。
【００４９】
金属パターン１２０の厚さは特に制限されるものではないが、約５〜３０ｎｍであってもよい。
【００５０】
第２の透明導電性酸化物パターン１３０は、前述した導電性金属酸化物を含むことができる。第２の透明導電性酸化物パターン１３０は、第１の透明導電性酸化物パターン１１０と同一であるか又は異なっている伝導性金属酸化物を含むことができる。
【００５１】
一実施形態では、伝導性及び透過度の向上の観点から、第２の透明導電性酸化物パターン１３０はＩＴＯで形成することができる。
【００５２】
一実施形態では、第２の透明導電性酸化物パターン１３０の厚さは、約１０〜１４０ｎｍであってもよい。センシング電極１４０を形成するためのエッチング工程時の金属パターン１２０の損傷を防止するために、第２の透明導電性酸化物パターン１３０は、第１の透明導電性酸化物パターン１１０よりも大きい厚さを有することができる。
【００５３】
例えば、第２の透明導電性酸化物パターン１３０の厚さが約１０ｎｍ未満であると、金属パターン１２０に対する十分な上部バリアーを提供できないことがある。第２の透明導電性酸化物パターン１３０の厚さが約１４０ｎｍを超えると、タッチセンサーの透過度が過度に低減するとともに、センシング電極１４０を形成するためのエッチング工程の時間が増加し過ぎることがある。
【００５４】
一実施形態では、第２の透明導電性酸化物パターン１３０の屈折率は、金属パターン１２０との光学整合性を考慮して約１．７〜２．２の範囲であってもよい。
【００５５】
例示的な実施形態によると、センシング電極１４０は、メッシュ（mesh）パターン構造を含むことができる。例えば、センシング電極１４０に含まれる第１の透明導電性酸化物パターン１１０、金属パターン１２０及び／又は第２の透明導電性酸化物パターン１３０は、前記メッシュパターン構造に形成することができる。
【００５６】
メッシュパターンは、ネット（net）またはハニカム（honeycomb）形状の内部構造を含むことができる。また、前記メッシュパターンは、長方形メッシュ構造、菱形メッシュ構造、六角形メッシュ構造などを含むことができ、凹多角形メッシュ構造を含むこともできる。
【００５７】
センシング電極１４０がメッシュパターン構造を有することにより、曲げ特性が向上し、柔軟性及び伸縮性に優れたタッチセンサーを実現できる。
【００５８】
本発明の実施形態によると、各センシング電極１４０の表面上には、導電性キャップパターン１３５を形成することができる。例示的な実施形態によると、導電性キャップパターン１３５は、各センシング電極１４０の側壁および上面を覆うことができる。
【００５９】
導電性キャップパターン１３５により金属パターン１２０の側壁がカバーされるので、外部からの水分または空気による金属パターン１２０の腐食または酸化を遮断することができる。また、例えば、第１の透明導電性酸化物パターン１１０により遮断することができなかった有機物質と金属パターン１２０の前記側壁との接触を抑制することができる。
【００６０】
導電性キャップパターン１３５は、所定の伝導性、透過度を確保するとともに、金属よりも向上した耐化学性を有する導電性金属酸化物で形成することができる。一実施形態では、導電性キャップパターン１３５はＩＴＯまたはＩＺＯを含むことができる。
【００６１】
導電性キャップパターン１３５の厚さ（例えば、センシング電極１４０の上面からの厚さ）は、約３０〜３００ｎｍであってもよい。導電性キャップパターン１３５の厚さが約３０ｎｍ未満であると、センシング電極１４０の側壁からの厚さも共に減少し、金属パターン１２０に対するバリアー特性が十分に実現されないことがある。
【００６２】
一実施形態では、導電性キャップパターン１３５の厚さの増加によるセンシング電極１４０の抵抗増加を抑えるために、導電性キャップパターン１３５の厚さは約３０〜５０ｎｍに調整できる。
【００６３】
一部の実施形態では、図１に示すように、導電性キャップパターン１３５は実質的に台形形状の断面プロファイルを有することができる。例えば、導電性キャップパターン１３５は、ベース層１００に行くほど幅が増加するテーパー（tapered）形状を有することができる。
【００６４】
これにより、導電性キャップパターン１３５を形成するためのエッチング工程時において、金属パターン１２０と隣接する部分の厚さが減少して十分なバリアー特性が確保されないことを防止することができる。また、ベース層１００と接触する導電性キャップパターン１３５部分の厚さが増加することによって、ベース層１００からの有機物質の拡散をより効率よく遮断することができる。
【００６５】
例えば、ベース層１００上に第１の透明導電性酸化物層、金属層及び第２の透明導電性酸化物層を、スパッタリング（sputtering）工程のような蒸着工程または導電性組成物のコート工程により形成することができる。
【００６６】
その後、第１のフォトマスクを介した写真エッチング工程により、前記第２の透明導電性酸化物層、前記金属層および前記第１の透明導電性酸化物層を順次エッチングし、センシング電極１４０を形成することができる。
【００６７】
その後、センシング電極１４０を覆う導電性キャップ層を形成した後、第２のフォトマスクを介した写真エッチング工程により前記導電性キャップ層をパターニングすることで、導電性キャップパターン１３５を形成することができる。
【００６８】
例えば、導電性キャップパターン１３５は、センシング電極１４０の外壁に形成されたスペーサ（spacer）形状に形成することができる。
【００６９】
パッシベーション層１６０は、ベース層１００上に形成され、センシング電極１４０及び導電性キャップパターン１３５を覆うことができる。パッシベーション層１６０は、例えば、シリコン酸化物のような無機酸化物、または有機絶縁物質を含むことができる。
【００７０】
前述のように、例示的な実施形態に係るタッチセンサーのセンシング電極１４０は、第１の透明導電性酸化物パターン１１０／金属パターン１２０／第２の透明導電性酸化物パターン１３０を含む３層構造を含むことができる。金属パターン１２０をセンシング電極１４０内に挿入することによって、チャンネル抵抗の低減によりタッチセンサーの感度および柔軟性を向上できる。また、金属パターン１２０が第１及び第２の透明導電性酸化物パターン１１０，１３０の間でサンドイッチされることによって、タッチセンサーの透過度が向上すると共に、金属パターン１２０の腐食、損傷を遮断できる。
【００７１】
また、金属パターン１２０の側壁が導電性キャップパターン１３５によってカバーされることにより、外部環境に対する金属パターン１２０の信頼性をさらに向上できる。
【００７２】
例えば、導電性キャップパターン１３５は、約１．７〜２．２の範囲の屈折率を有することができる。これにより、金属パターン１２０の側壁に向かう光においても、屈折率整合の効果が向上し、センシング電極１４０の視認現象を低減できる。
【００７３】
図２に示すように、中間層は、センシング電極１４０を形成するためのベース層として提供できる。前記中間層は、単一層または多層の構造を有することができる。例示的な実施形態によると、前記中間層は、第１の中間層８０及び第２の中間層９０を含むことができる。第１の中間層８０および第２の中間層９０の少なくとも一つは、有機高分子を含むことができる。
【００７４】
例示的な実施形態では、第１の中間層８０は、キャリア基板との後続の剥離あるいは取り外しの工程を促進するための機能層として含むことができる。例えば、第１の中間層８０は、ポリイミド（polyimide）、ポリビニルアルコール（poly vinyl alcohol）、ポリアミック酸（polyamic acid）、ポリアミド（polyamide）、ポリエチレン（polyethylene）、ポリスチレン（polystylene）、ポリノルボルネン（polynorbornene）、フェニルマレイミド共重合体（phenylmaleimide copolymer）、ポリアゾベンゼン（polyazobenzene）、ポリフェニレンフタルアミド（polyphenylenephthalamide）、ポリエステル（polyester）、ポリメチルメタクリレート（polymethyl methacrylate）、ポリアリレート（polyarylate）、シンナメート（cinnamate）、クマリン（coumarin）、フタルイミジン（phthalimidine）、カルコン（chalcone）、芳香族アセチレン系などの高分子を含むことができる。これらは、単独にまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７５】
第２の中間層９０は、前記剥離工程におけるセンシング電極１４０を保護するために追加することができる。また、第２の中間層９０は、センシング電極１４０との屈折率の整合のために形成することができる。例えば、第２の中間層９０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁物質、または高分子系の有機絶縁物質を含むことができる。
【００７６】
一部の実施形態では、前記剥離工程により前記キャリア基板を第１の中間層８０から剥離した後、基材７０を第１の中間層８０の底面に接合することができる。例えば、基材７０は、粘接着層を介して第１の中間層８０に貼り付けることができる。基材７０は、例えば、ポリイミドなどの柔軟性樹脂フィルム、または偏光フィルムなどの各種の光学機能層を含むことができる。
【００７７】
図３に示すように、パッシベーション層１６０上には、光学機能層１７０を積層することができる。例えば、光学機能層１７０は、コーティング型偏光子、または延伸型偏光板を含むことができる。
【００７８】
前記延伸型偏光板は、保護フィルム及び偏光子を含み、前記保護フィルム上に粘接着層を塗布後、パッシベーション層１６０上に前記偏光板を接合することができる。
【００７９】
光学性機能層１７０は、位相差板、ハードコート層、色調整層などを含むこともできる。
【００８０】
図４及び図５は、一部の実施形態に係るタッチセンサーのセンシング電極構造を説明するための平面図及び断面図である。例えば、図５は、図４に示すＩＩＩ−ＩＩＩ'に沿って前記タッチセンサーの厚さ方向に切断した断面図を含んでいる。例えば、図４は、図５に示す第１の領域（Ｉ）での平面図である。
【００８１】
なお、図１〜図３と実質的に同様の構成及び／又は材質については詳細な説明を省略する。
【００８２】
図４及び図５に示すように、前記タッチセンサーは、第１の領域（Ｉ）及び第２の領域（ＩＩ）を含むことができる。第１の領域（Ｉ）は、例えば、タッチ点を検出して位置情報を生成するセンシング領域に相当し得る。第２の領域（ＩＩ）は、タッチセンサーの配線領域またはトレース領域に相当し得る。これにより、第１の中間層８０及び第２の中間層９０を含むベース層も、第１の領域（Ｉ）及び第２の領域（ＩＩ）に区分できる。
【００８３】
センシング電極１４１，１４３は、前記タッチセンサーの第１の領域（Ｉ）に配置され、それぞれ、第１の透明導電性酸化物パターン１１０、金属パターン１２０及び第２の透明導電性酸化物パターン１３０の積層構造を含むことができる。前記センシング電極は、第１のセンシング電極１４１及び第２のセンシング電極１４３を含むことができる。センシング電極１４１，１４３の表面上には、それぞれ第１の導電性キャップパターン１３６を形成することができる。
【００８４】
第１のセンシング電極１４１は、例えば、多角形形状の単位パターンが連結部１４１ａを介して行方向に沿って連結されて延長することができる。これにより、前記行方向の第１のセンシングラインが定義され、複数の前記第１のセンシングラインを列方向に配列することができる。
【００８５】
第２のセンシング電極１４３は、例えば、互いに物理的に離隔している多角形形状の島（island）パターンを含むことができる。第２のセンシング電極１４３は、第１のセンシング電極１４１と電気的、物理的に分離するように離隔することができる。例えば、第２のセンシング電極１４３は、列方向に第１のセンシング電極１４１の連結部１４１ａを 挟んで向かい合って離隔することができる。
【００８６】
例えば、第２の中間層９０上には、絶縁層１５０が形成されて第１及び第２のセンシング電極１４１，１４３の間の空間を満たし、第１，第２のセンシング電極１４１，１４３、及び第１の導電性キャップパターン１３６を覆うことができる。一部の実施形態では、絶縁層１５０は、第１の領域（Ｉ）に選択的に形成することができる。
【００８７】
絶縁層１５０は、例えば、シリコン酸化物のような無機絶縁物質、またはアクリル系樹脂のような透明有機物質を含むことができる。好ましくは、絶縁層１５０は、エポキシ化合物、アクリル化合物、メラニン化合物などの熱硬化性または光硬化性の物質を含む有機樹脂組成物から形成することができる。
【００８８】
絶縁層１５０は、第２のセンシング電極１４３上に形成された導電性キャップパターン１３５の上面を少なくとも部分的に露出させる第１のコンタクトホールを含むことができる。例えば、絶縁層１５０に対して、第３のフォトマスクを用いる露光工程及び現像工程により前記コンタクトホールを形成することができる。
【００８９】
絶縁層１５０上には、ブリッジ（bridge）パターン１５５を配置できる。ブリッジパターン１５５は、前記第１のコンタクトホールを満たし、かつ前記列方向に隣り合う一対の第２のセンシング電極１４３を電気的に接続することができる。
【００９０】
ブリッジパターン１５５は、第１の領域（Ｉ）上で第２のセンシング電極１４３を覆う第１の導電性キャップパターン１３６と直接接触することができる。第１の導電性キャップパターン１３６は、ブリッジパターン１５５と第２のセンシング電極１４３との間の仲介電極として機能することができる。
【００９１】
ブリッジパターン１５５及び第２のセンシング電極１４３によって第１のセンシング電極１４１との絶縁を維持し、前記列方向に延長する第２のセンシングラインが定義され得る。複数の前記第２のセンシングラインは前記行方向に配列できる。
【００９２】
一部の例示的な実施形態では、ブリッジパターン１５５もまたセンシング電極１４１，１４３と実質的に同一または類似の構造を有することができる。例えば、ブリッジパターン１５５は、第１の透明導電性酸化物パターン−金属パターン−第２の透明導電性酸化物パターンを含む積層構造を有し、前記積層構造の表面を覆う導電性キャップパターンを含むことができる。
【００９３】
一部の実施形態では、センシング電極１４１，１４３及びブリッジパターン１５５のいずれか一つは、前述の積層構造および導電性キャップパターンを含むことができる。また、センシング電極１４１，１４３及びブリッジパターン１５５のすべてが、前述した積層構造及び導電性キャップパターンを含むこともできる。
【００９４】
前記第１及び第２のセンシングラインは、例えば、タッチセンサーの配線またはトレースと連結され、前記配線またはトレースは、例えば、第２の領域（ＩＩ）上に配置されたパッド１４７を介して、外部回路または駆動回路と連結され得る。
【００９５】
例示的な実施形態によると、パッド１４７もまた、第１の透明導電性酸化物パターン１１０、金属パターン１２０及び第２の透明導電性酸化物パターン１３０の積層構造を含むことができる。また、パッド１４７の側壁および上面を第２の導電性キャップパターン１３７によりカバーできる。
【００９６】
一部の実施形態では、パッド１４７は、センシング電極１４１，１４３と実質的に同一のエッチング工程により形成することができる。また、第１及び第２の導電性キャップパターン１３６，１３７もまた、実質的に同一のエッチング工程により共に形成することができる。
【００９７】
パッシベーション層１６０は、第１及び第２の領域（Ｉ，ＩＩ）を共通にカバーし、ブリッジパターン１５５を覆うことができる。
【００９８】
第２の領域（ＩＩ）のパッシベーション層１６０部分には、第２のコンタクトホール１６５を形成できる。第２のコンタクトホール１６５を介して、例えば、軟性回路基板（ＦＰＢＣ）のような外部回路部材をパッド１４７と電気的に接続することができる。
【００９９】
例示的な実施形態によると、第２のコンタクトホール１６５を介して、第２の導電性キャップパターン１３７の上面が露出し得る。第２のコンタクトホール１６５を介して外部の空気に露出し得るパッド１４７が第２の導電性キャップパターン１３７によってカバーされることにより、パッド１４７（例えば、パッド１４７に含まれている金属パターン１２０）の酸化または腐食による信号伝達のエラーや抵抗の増加を防止することができる。
【０１００】
また、パッシベーション層１６０に含まれた有機物質の拡散による金属パターン１２０の侵透または拡散を第２の導電性キャップパターン１３７により遮断できる。
【０１０１】
一部の実施形態では、パッド１４７及び／又はブリッジパターン１５５は、センシング電極と実質的に同一または類似のメッシュパターン構造を含むことができる。
【０１０２】
一部の実施形態では、前記タッチセンサーは、相互静電容量（Mutual Capacitance）方式で駆動することができる。
【０１０３】
一部の実施形態では、タッチセンサーは自己静電容量（Self Capacitance）方式で駆動できる。この場合、センシング電極は、それぞれ独立した島形状の単位パターンを含み、前記単位パターンのそれぞれをトレースまたは配線に接続することができる。この場合、ブリッジパターンは省略してもよい。一実施形態では、前記トレースまたは配線もまた、導電性キャップパターンによって取り囲むか、またはカバーすることができる。
【０１０４】
図６は、例示的な実施形態に係る画像表示装置を示す概略的な断面図である。
【０１０５】
図６に示すように、前記画像表示装置は、ベース基板２００、画素定義膜２０５、表示層２１０、電極２１５、層間絶縁膜２２０，２３０、センシング電極１４０、パッシベーション層１６０、光学層２４０及びウィンドウ基板２５０を含むことができる。
【０１０６】
ベース基板２００は、ディスプレイパターンの支持基板であってもよい。例示的な実施形態によると、ベース基板２００は、ポリイミドのような柔軟性を有する樹脂物質を含むことができる。この場合、前記画像表示装置は、フレキシブルディスプレイで提供できる。
【０１０７】
ベース基板２００上には画素定義膜２０５が形成され、色または画像が具現される画素領域が露出し得る。ベース基板２００と画素定義膜２０５との間には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイを形成することができ、前記ＴＦＴアレイを覆う絶縁構造物を形成することができる。画素定義膜２０５は、前記絶縁構造物上に形成され、例えば、前記絶縁構造物を貫通してＴＦＴと電気的に接続される画素電極（例えば、陽極（anode））を露出させることができる。
【０１０８】
画素定義膜２０５によって露出する前記画素領域毎に表示層２１０を形成することができる。表示層２１０は、例えば有機発光物質を含み、この場合、前記画像表示装置はＯＬＥＤ装置で提供できる。表示層２１０は、液晶物質を含むこともでき、この場合、前記画像表示装置はＬＣＤ装置で提供できる。
【０１０９】
画素定義膜２０５及び表示層２１０の上には、電極２１５を配置することができる。電極２１５は、前記画素電極と向き合う対向電極で提供することができる。電極２１５は、画像表示装置の陰極（cathode）であってもよく、複数の画素領域上で連続して延びる共通電極であってもよい。
【０１１０】
電極２１５上には層間絶縁膜２２０，２３０を形成することができる。前記層間絶縁膜は、第１の層間絶縁膜２２０と第２の層間絶縁膜２３０とを含むことができる。第１の層間絶縁膜２２０は、平坦化膜で提供され、第２の層間絶縁膜２３０は、エンキャプセレーション膜で提供され得る。
【０１１１】
前記層間絶縁膜上には、前述した例示的な実施形態に係るタッチセンサーを配置することができる。前記タッチセンサーは、第１の透明導電性酸化物パターン１１０、金属パターン１２０及び第２の透明導電性酸化物パターン１３０を備えるセンシング電極１４０を含むことができる。センシング電極１４０の表面は、実質的に導電性キャップパターン１３５によってエンキャプセレーションすることができる。
【０１１２】
センシング電極１４０は、前述のように向上した透過度を有するので、画素定義膜２０５及び前記画素領域上に共に分布することができる。一部の実施形態では、センシング電極１４０は、画素定義膜２０５と重なり、かつ前記画素領域とは重ならないように配列することもできる。
【０１１３】
第２の層間絶縁膜２３０上には、センシング電極１４０を覆うパッシベーション層１６０を形成し、パッシベーション層１６０上には光学層２４０及びウィンドウ基板２５０を積層することができる。
【０１１４】
光学層２４０は、偏光子または偏光板、位相差フィルムなどの画像表示装置の光学特性、透過度などを向上できる機能層を含むことができる。ウィンドウ基板２５０は、ユーザ側に露出する封止層として機能できる。
【０１１５】
例示的な実施形態に係るタッチセンサーは、例えば、フレキシブルＯＬＥＤ装置に採用され、向上した曲げ特性を有すると共に、外部環境に対する耐久性、信頼性が向上した画像表示装置を実現できる。
【０１１６】
図７は、例示的な実施形態による電極接続構造物を示す概略的な断面図である。前記電極接続構造物は、例えば、タッチセンサーの配線領域またはトレース領域に配置することができる。例示的な実施形態によると、前記電極接続構造物は、図５に示すタッチセンサーの第２の領域（ＩＩ）に含むことができる。
【０１１７】
図７に示すように、電極接続構造物は、パッド３２０及び導電性キャップパターン３３０を含み、パッド３２０と電気的に接続する仲介層３５０及び回路構造物３６０を含むことができる。
【０１１８】
パッド３２０は、ベース層３００上に配置することができる。ベース層３００は、パッド３２０の形成のための支持層、または下部部材を包括する意味で使用される。例えば、ベース層３００は、フィルムタイプの部材または基板を包括することができ、または、パッド３２０が形成される対象体（例えば、ディスプレイ装置の表示パネル）を包括することができる。
【０１１９】
例えば、パッド３２０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、テルル（Ｔｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）のような金属、またはこれらの金属の合金（例えば、銀−パラジウム−銅（ＡＰＣ））を含むことができる。
【０１２０】
パッド３２０は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）、スズ酸化物（ＳｎＯｘ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、ガリウム−ドープ亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）のような前記透明導電性酸化物を含むこともできる。
【０１２１】
一部の実施形態では、パッド３２０は、配線３１０と一体に連結され、配線３１０の末端に配置することができる。パッド３２０は、一つの配線３１０と連結することができ、複数の配線３１０を共に併合することもできる。
【０１２２】
パッシベーション層３４０は、ベース層３００上でパッド３２０を部分的に覆うように形成できる。パッシベーション層３４０は、パッド３２０と連結された配線３１０を共に覆うことができる。
【０１２３】
一部の実施形態では、パッシベーション層３４０は、ポリシロキサン系、アクリル系、ポリイミド系の有機絶縁物質を含むことができる。前記有機絶縁物質は感光性高分子を含むことができる。
【０１２４】
一部の実施形態では、パッシベーション層３４０は、シリコン酸化物のような無機絶縁物質を含むこともできる。
【０１２５】
例示的な実施形態によると、パッシベーション層３４０は、パッド３２０を部分的に露出させるコンタクトホール３４５を含むことができる。例えば、コンタクトホール３４５は、パッシベーション層３４０に対してフォトマスクを用いる露光工程及び／又は現像工程により形成できる。
【０１２６】
一部の実施形態では、コンタクトホール３４５を介してパッド３２０の上面を部分的に露出することができる。
【０１２７】
導電性キャップパターン３３０は、コンタクトホール３４５を介してパッド３２０に電気的に接続することができる。一部の実施形態では、導電性キャップパターン３３０は、コンタクトホール３４５の側壁上に形成され、パッド３２０の上面に直接接触することができる。導電性キャップパターン３３０は、パッシベーション層３４０の上面にも延びることができる。この場合、導電性キャップパターン３３０は、パッシベーション層３４０の上面、コンタクトホール３４５の前記側壁、及びパッド電極３２０の上面に沿ってコンフォーマルに形成することができる。
【０１２８】
例示的な実施形態によると、導電性キャップパターン３３０は、金属に比べて向上した耐腐食性を有する透明導電性酸化物を含むことができる。例えば、導電性キャップパターン３３０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯｘ、ＩｎＯｘ、ＳｎＯｘ、ＣＴＯ、ＧＺＯ、ＺＴＯ、ＩＧＯなどを含むことができる。
【０１２９】
パッド３２０は、導電性キャップパターン３３０を介して外部回路部材に電気的に接続することができる。例示的な実施形態によると、パッシベーション層３４０上に導電性キャップパターン３３０を覆う仲介層３５０を形成し、仲介層３５０上には回路構造物３６０を配置することができる。
【０１３０】
これにより、パッド３２０−導電性キャップパターン３３０−仲介層３５０−回路構造物３６０を含む電極接続構造物を実現できる。
【０１３１】
仲介層３５０は、パッシベーション層３４０上で導電性キャップパターン３３０を全体的にカバーできる。一部の実施形態では、仲介層３５０によりコンタクトホール３４５の残りの部分を満たすことができる。例えば、仲介層３５０は、導電性キャップパターン３３０を覆うようにコンタクトホール３４５を満たすとともに、パッシベーション層３４０の上面の一部を覆うことができる。
【０１３２】
例示的な実施形態では、仲介層３５０は、導電性ペースト、導電性樹脂又は導電性ボール（ball）を用いて形成することができる。これにより、接続工程において仲介層３５０により衝撃緩和特性を実現でき、また導電性キャップパターン３３０を覆い、コンタクトホール３４５を容易に充填できる。
【０１３３】
例えば、仲介層３５０は、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）から形成することができる。
【０１３４】
これにより、仲介層３５０は、前記導電性ペースト、導電性樹脂、導電性ボールなどをコート又はプリントして形成した構造物、または前記ＡＣＦを貼り付けて形成した構造物などを包括することができる。
【０１３５】
回路構造物３６０は、パッド電極３２０を駆動ＩＣのような外部回路に電気的に接続することができる。回路構造物３６０は、各種の配線、ワイヤー、電極などを含むことができ、一部の実施形態では軟性印刷回路基板（Flexible Printed Circuit Board：ＦＰＣＢ）を含むことができる。
【０１３６】
回路構造物３６０は、仲介層３５０と直接接触することができ、仲介層３５０により導電性キャップパターン３３０と物理的に離隔することができる。
【０１３７】
前述の例示的な実施形態によると、回路構造物３６０と接続するパッド３２０を先にパッシベーション層３４０により部分的にカバーし、露出するパッド３２０部分は、導電性キャップパターン３４０で保護することができる。これにより、パッド３２０が外部環境又は仲介層３５０に直接露出することを防止できる。したがって、パッド３２０が外部空気、水分、または有機物質のような外部からの腐食誘発物質にさらされて酸化、腐食、損傷することを防止することができる。
【０１３８】
また、導電性キャップパターン３３０は、コンタクトホール３４５の内壁のみならず、パッシベーション層３４０の上面にも形成することができ、これによって仲介層３５０との接触面積が増加し得る。これにより、パッド電極３４０の腐食を防止するとともに抵抗の増加を抑えることができる。
【０１３９】
また、導電性キャップパターン３３０は、仲介層３５０及び回路構造物３６０の接続工程時にパッド３２０に印加されるストレス、衝撃などを緩和するバッファパターンとして機能することもできる。したがって、パッド３２０の機械的信頼性を共に向上できる。
【０１４０】
図８は、例示的な実施形態に係る電極接続構造物を示す概略的な断面図である。
【０１４１】
図８に示すように、パッド３２０は、互いに異なる物質を含む多層構造を有することができる。一部の実施形態では、パッド３２０は、ベース層３００の上面から順次積層される第１の透明導電性酸化物パターン３２１、金属パターン３２３及び第２の透明導電性酸化物パターン３２５を含む３重層構造を有することもできる。
【０１４２】
第１及び第２の透明導電性酸化物パターン３２１，３２５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯｘ、ＩｎＯｘ、ＳｎＯｘ、ＣＴＯ、ＧＺＯ、ＺＴＯ、ＩＧＯなどを含むことができる。金属パターン３２３は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏのような金属、またはこれらの金属の合金を含むことができる。
【０１４３】
例示的な実施形態によると、低抵抗金属を含む金属パターン３２３が、第１及び第２の透明導電性酸化物パターン３２１，３２５の間でサンドイッチされることによって、金属パターン３２３の酸化または腐食をより効果的に抑制することができる。例えば、第１の透明導電性酸化物パターン３２１によりベース層３００から拡散される有機物質を遮断することができる。また、金属パターン３２３上には、第２の透明導電性酸化物パターン３２５および導電性キャップパターン３３０を含む複層の外部環境バリアーを配置することができる。これにより、金属パターン３２３の下部部材及び外部環境からの腐食誘発物質を実質的に遮断することができる。
【０１４４】
一部の実施形態では、図７に示す配線３１０もまた、パッド３２０と実質的に同一の多層構造を有することができる。
【０１４５】
一部の実施形態では、図５及び図８を参照して説明したように、パッド３２０，１４７は３重層構造を有することができ、パッド１４７を取り囲む導電性キャップパターン１３７を形成することができる。この場合、図７及び図８を参照して説明した導電性キャップパターン３３０は、図５に示す第２のコンタクトホール１６５の側壁および底面上に形成することができる。この場合、図５に示す導電性キャップパターン１３７は、下部導電性キャップパターンで提供され、図７及び８に示す導電性キャップパターン３３０は、上部導電性キャップパターンで提供され得る。
【０１４６】
これによって、パッド３２０，１４７上には、下部導電性キャップパターン−上部導電性キャップパターンの積層構造が配置され、パッド３２０，１４７に対するバリヤー効果がより向上し得る。
【０１４７】
図９は、例示的な実施形態に係る画像表示装置を示す概略的な断面図である。
【０１４８】
図９に示すように、前記画像表示装置は、例えば上部カバー４００ａ、下部カバー４００ｂ、メインボード４１０、表示パネル４２０及びタッチセンサー４３０を含むことができる。
【０１４９】
上部カバー４００ａは、画像表示装置のウィンドウ基板を含むことができる。下部カバー４００ｂは、画像表示装置の背面カバーであってもよく、例えばバッテリーカバーを含むことができる。
【０１５０】
メインボード４１０は、例えば、駆動回路、信号回路、グランド回路などが形成された印刷回路基板（ＰＣＢ）であってもよい。表示パネル４２０は、例えば、ＯＬＥＤパネル、ＬＣＤパネルなどを含むことができる。
【０１５１】
タッチセンサー４３０は、例えば、図４及び図５を参照して説明したタッチセンサーまたはタッチスクリーンパネルを含むことができる。タッチセンサー４３０に含まれたパッドは、回路構造物４４０を介してメインボード４１０と電気的に接続することができる。回路構造物４４０は、例えばＦＰＣＢを含み、前記パッドと回路構造物４４０との間には、図７又は図８を参照して説明したように導電性キャップパターンおよび仲介層を配置できる。
【０１５２】
以下、本発明の理解を助けるために好適な実施例を提示するが、これらの実施例は本発明を例示するものに過ぎず、添付の特許請求の範囲を制限するものではない。これらの実施例に対し、本発明の範疇および技術思想の範囲内で種々の変更および修正を加えることが可能であることは当業者にとって明らかであり、これらの変形および修正が添付の特許請求の範囲に属することも当然のことである。
【０１５３】
実験例１
ガラス基板上に表１に示す厚さ及び材質で、第１の透明導電性酸化物パターンと金属パターンと第２の透明導電性酸化物パターンとを含むセンシング電極を形成した。センシング電極は、幅が３０μｍになるようにパターニングされた。
【０１５４】
実施例のセンシング電極の場合は、ＩＴＯを用いて導電性キャップパターンを形成した。比較例のセンシング電極の場合は、導電性キャップパターンの形成を省略した。
【０１５５】
【表１】
2018147486.tif 000003
【０１５６】
実施例および比較例のセンシング電極に対して、８５℃及び相対湿度８５％の条件で放置し、金属パターンの腐食が観察される時間を測定した。評価結果を表２に示す。
【０１５７】
【表２】
2018147486.tif 000004
【０１５８】
表２から分かるように、導電性キャップパターンを形成した実施例のセンシング電極の場合は、１０００時間後も金属パターンの腐食が観察されなかった。比較例の場合は、第２の透明導電性酸化物パターンの厚さが減少するほど金属パターンの腐食が早く観察された。
【０１５９】
実験例２：３重層構造のパッドの腐食の評価
ガラス基板上に表３に示す厚さ及び材質でパッド電極と導電性キャップパターンを形成した。
【０１６０】
実施例３の場合は、第１の透明導電性酸化物パターン、金属パターン及び第２の透明導電性酸化物パターンを含むパッドを形成した。パッドは、幅が３０μｍになるようにパターニングされた。
【０１６１】
その後、感光性アクリル系樹脂を用いて前記パッドを覆うパッシベーション層を形成し、前記パッシベーション層を露光及び現像工程により部分的に除去し、前記パッドの上面を部分的に露出させるコンタクトホールを形成した。前記コンタクトホールの側壁および前記パッドの上面にＩＴＯを蒸着して導電性キャップパターンを形成した。
【０１６２】
比較例５の場合は、実施例３において導電性キャップパターンを省略した以外は同様な工程を行った。
【０１６３】
【表３】
2018147486.tif 000005
【０１６４】
実施例３および比較例５のパッド電極を８５℃および相対湿度８５％の条件で放置し、パッド電極の腐食が観察される時間を測定した。評価結果を表４に示す。
【０１６５】
【表４】
2018147486.tif 000006
【０１６６】
表４から分かるように、３重層構造のパッド及び導電性キャップパターンを形成した実施例３の場合は、１０００時間後もパッド電極の腐食が観察されなかった。比較例５の場合は、導電性酸化物パターンを省略したことにより、約１，０００時間後にパッド電極の腐食が始まった。
【０１６７】
実験例３：金属パターン単一層パッドの腐食の評価
ガラス基板上に表５に示す厚さ及び材質でパッド電極と導電性キャップパターンを形成した。
【０１６８】
実施例４の場合は、金属パターン単一層にパッド電極を形成した以外は、実施例３と同様にして工程を行った。比較例６の場合は、実施例４において導電性キャップパターンを省略した以外は同様にして工程を行った。
【０１６９】
【表５】
2018147486.tif 000007
【０１７０】
実施例４及び比較例６のパッド電極を８５℃および相対湿度８５％の条件で放置し、パッド電極の腐食が観察される時間を測定した。評価結果を表６に示す。
【０１７１】
【表６】
2018147486.tif 000008
【０１７２】
表６から分かるように、金属パターン単一層のパッド電極及び導電性キャップパターンを形成した実施例４の場合は、８００時間まで金属パターンの腐食が観察されなかった。導電性キャップパターンを省略した比較例６の場合は、５００時間経過前から急速に金属パターンの腐食が観察された。
【符号の説明】
【０１７３】
７０：基材
８０：第１の中間層
９０：第２の中間層
１１０：第１の透明金属酸化物パターン
１２０：金属パターン
１３０：第２の透明金属酸化物パターン
１３５：導電性キャップパターン
１３６：第１の導電性キャップパターン
１３７：第２の導電性キャップパターン        
１４０：センシング電極
１４１：第１のセンシング電極
１４３：第２のセンシング電極
１５０：絶縁層
１５５：ブリッジパターン
１６０：パッシベーション層
２００：ベース基板
２０５：画素定義膜
２１０：表示層
２１５：電極
２２０，２３０：第１及び第２の層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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