(57)【要約】【課題】チッピングの発生を抑制することができる被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、表面に複数のデバイスが形成された円盤状の被加工物の外周の除去予定領域を除去する。被加工物の加工方法は、切削ブレードの切削方向を被加工物の周縁部の接線方向に位置づける第一の位置づけ工程ＳＴ１と、被加工物に該切削ブレードを切り込ませつつ被加工物を回転させて第一の除去予定領域を除去する第一の切削工程ＳＴ２と、切削ブレードの切削方向と被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に切削ブレードを位置づける第二の位置づけ工程ＳＴ３と、被加工物に切削ブレードを切り込ませつつ被加工物を回転させて第二の除去予定領域を除去する第二の切削工程ＳＴ４とを含む。第二の除去予定領域は、第一の除去予定領域よりもよりデバイス領域に近い領域を含む。【選択図】図３
2018116970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成された円盤状の被加工物の外周の除去予定領域を除去する被加工物の加工方法であって、
切削ブレードの切削方向を該被加工物の周縁部の接線方向に位置づける第一の位置づけ工程と、
該被加工物に該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第一の除去予定領域を除去する第一の切削工程と、
該切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に該切削ブレードを位置づける第二の位置づけ工程と、
該被加工物に該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第二の除去予定領域を除去する第二の切削工程と、を含み、
第二の除去予定領域は、第一の除去予定領域よりもよりデバイス領域に近い領域を含むことを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
円盤状の被加工物の外周の除去予定領域を除去する被加工物の加工方法であって、
切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に該切削ブレードを位置づける第一の位置づけ工程と、
該被加工物の表面から該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第一の除去予定領域を除去する第一の切削工程と、
該切削ブレードの切削方向を該被加工物の周縁部の接線方向に位置づける第二の位置づけ工程と、
該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第二の除去予定領域を除去する第二の切削工程と、を含み、
第一の除去予定領域は、第二の除去予定領域よりもよりデバイス領域に近い領域を含むことを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項３】
前記０度を超える角度は、５度以上である請求項１または請求項２に記載の被加工物の加工方法。
【請求項４】
前記０度を超える角度は、９０度である請求項１または請求項２に記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄化後の工程で被加工物に成膜を形成するプロセス等を実施した際に、薄化後の被加工物のエッジが欠ける若しくはサブストレートに接合された被加工物のエッジが剥がれるといった問題があった。そこで、従来は、切削ブレードを円盤状の被加工物の接線方向、すなわち、切削ブレードの切削方向と被加工物の周縁部の接線とが０度となる位置に位置づけて、切削ブレードを切り込ませつつ被加工物を回転させて外周部を除去するエッジトリミングを行っていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
被加工物であるデバイス面に銅を含むウエーハや酸化膜が厚いウエーハを、特許文献１に示された従来の方法でエッジトリミング加工を行うと、デバイス領域付近に細かな欠け（チッピング）が発生することがあり、細かな欠けはその後の工程においてウエーハを接合した後等にデバイス面にスクラッチを形成する原因になることがある。
【０００５】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、チッピングの発生を抑制することができる被加工物の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、表面に複数のデバイスが形成された円盤状の被加工物の外周の除去予定領域を除去する被加工物の加工方法であって、切削ブレードの切削方向を該被加工物の周縁部の接線方向に位置づける第一の位置づけ工程と、該被加工物に該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第一の除去予定領域を除去する第一の切削工程と、該切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に該切削ブレードを位置づける第二の位置づけ工程と、該被加工物に該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第二の除去予定領域を除去する第二の切削工程と、を含み、第二の除去予定領域は、第一の除去予定領域よりもよりデバイス領域に近い領域を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の被加工物の加工方法は、円盤状の被加工物の外周の除去予定領域を除去する被加工物の加工方法であって、切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に該切削ブレードを位置づける第一の位置づけ工程と、該被加工物の表面から該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第一の除去予定領域を除去する第一の切削工程と、該切削ブレードの切削方向を該被加工物の周縁部の接線方向に位置づける第二の位置づけ工程と、該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて第二の除去予定領域を除去する第二の切削工程と、を含み、第一の除去予定領域は、第二の除去予定領域よりもよりデバイス領域に近い領域を含むことを特徴とする。
【０００８】
前記０度を超える角度は、５度以上であることが望ましい。
【０００９】
前記０度を超える角度は、９０度であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
そこで、本願発明の被加工物の加工方法は、デバイス領域により近い領域に切削方向と被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に位置付けて切削することにより、エッジトリミング時のチッピングの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の位置づけ工程を示す平面図である。
【図６】図６は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程を示す側面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。
【図８】図８は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第二の位置づけ工程を示す平面図である。
【図９】図９は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程を示す側面図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の除去予定領域と第二の除去予定領域を示す側面図である。
【図１１】図１１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削工程の被加工物にサブストレートを貼着した状態を示す側断面図である。
【図１３】図１３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削工程を示す側断面図である。
【図１４】図１４は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の位置づけ工程を示す平面図である。
【図１６】図１６は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程を示す側面図である。
【図１７】図１７は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。
【図１８】図１８は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第二の位置づけ工程を示す平面図である。
【図１９】図１９は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程を示す側面図である。
【図２０】図２０は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の除去予定領域と第二の除去予定領域を示す側面図である。
【図２１】図２１は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。
【図２２】図２２は、各実施形態の変形例に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。
【図２３】図２３は、各実施形態に係る加工方法において角度を変化させた時に発生するチッピングの大きさを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【００１４】
実施形態１では、被加工物の加工方法の加工対象の被加工物Ｗは、図１に示すように、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物Ｗは、円盤状であり、平坦な表面ＷＳに格子状に形成される複数の分割予定ラインＬよって区画された領域にデバイスＤが形成されている。被加工物Ｗは、表面ＷＳに複数のデバイスＤが形成されている。また、被加工物Ｗの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲは、図２に示すように、平坦に形成されている。被加工物Ｗは、図２に示すように、凸に湾曲した湾曲面ＣＦを外周に設けている。このために、被加工物Ｗは、平坦な表面ＷＳと裏面ＷＲと凸に湾曲した湾曲面ＣＦとを備える。また、被加工物Ｗは、複数のデバイスＤが設けられたデバイス領域ＤＲを囲繞する外周の除去予定領域ＥＲを備える。除去予定領域ＥＲは、被加工物Ｗの外周に設けられ、かつデバイスＤが形成されていない領域をいい、少なくとも湾曲面ＣＦ、表面ＷＳと湾曲面ＣＦとの境界ＢＳ及び裏面ＷＲと湾曲面ＣＦとの境界ＢＲを含んでいる。また、実施形態１に係る被加工物Ｗは、除去予定領域ＥＲに金属又は膜が形成されている。
【００１５】
実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基いて説明する。図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。図５は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の位置づけ工程を示す平面図である。図６は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程を示す側面図である。図７は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。図８は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第二の位置づけ工程を示す平面図である。図９は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程を示す側面図である。図１０は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第一の除去予定領域と第二の除去予定領域を示す側面図である。図１１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。図１２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削工程の被加工物にサブストレートを貼着した状態を示す側断面図である。図１３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削工程を示す側断面図である。
【００１６】
実施形態１に係る被加工物の加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、被加工物Ｗの外周の除去予定領域ＥＲのうちの表面ＷＳを含みかつ表面ＷＳから薄化後の被加工物Ｗの厚みよりも深い部分（図１０中に平行斜線及び交差する平行斜線で示す）を除去して、被加工物Ｗを所謂エッジトリミングするとともに、被加工物Ｗを薄化する方法である。加工方法は、図３に示すように、第一の位置づけ工程ＳＴ１と、第一の切削工程ＳＴ２と、第二の位置づけ工程ＳＴ３と、第二の切削工程ＳＴ４と、研削工程ＳＴ５とを含む。加工方法は、第一の位置づけ工程ＳＴ１と第一の切削工程ＳＴ２と第二の位置づけ工程ＳＴ３と第二の切削工程ＳＴ４とにおいて、図４に示す加工装置である切削装置１を用いる。
【００１７】
切削装置１は、図４に示すように、被加工物Ｗを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに切削加工を施す切削手段２０と、チャックテーブル１０と切削手段２０とを水平方向と平行なＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動手段３０と、チャックテーブル１０と切削手段２０とを水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動手段４０と、チャックテーブル１０と切削手段２０とをＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向に相対移動させるＺ軸移動手段５０と、撮像手段６０と、制御手段１００とを備えている。
【００１８】
チャックテーブル１０は、加工前の被加工物Ｗが保持面１０ａ上に載置されて、被加工物Ｗを保持するものである。チャックテーブル１０は、保持面１０ａを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面１０ａに載置された被加工物Ｗを吸引することで保持する。また、チャックテーブル１０は、回転駆動源１１によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。
【００１９】
Ｘ軸移動手段３０は、チャックテーブル１０を回転駆動源１１とともにＸ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０をＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動手段４０は、切削手段２０をＹ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｚ軸移動手段５０は、切削手段２０をＺ軸方向に移動させることで、切削手段２０を切り込み送りする切り込み送り手段である。Ｘ軸移動手段３０、Ｙ軸移動手段４０及びＺ軸移動手段５０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１，５１、ボールねじ３１，４１，５１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２，５２及びチャックテーブル１０又は切削手段２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３，５３を備える。
【００２０】
切削手段２０は、Ｙ軸方向と平行な軸心回りに回転する図示しないスピンドルモータと、スピンドルモータを収容しかつＹ軸移動手段４０及びＺ軸移動手段５０によりＹ軸方向とＺ軸方向とに移動されるスピンドルハウジング２１と、スピンドルモータに取り付けられた切削ブレード２２とを備える。切削ブレード２２は、極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、Ｙ軸方向と平行な軸心回りにスピンドルモータにより回転されることで、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを切削するものである。実施形態１において、切削ブレード２２の厚みは、１ｍｍ以上でかつ３ｍｍ以下程度である。
【００２１】
撮像手段６０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像するものであり、切削手段２０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像手段６０は、スピンドルハウジング２１に取り付けられている。撮像手段６０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像するＣＣＤカメラにより構成される。
【００２２】
制御手段１００は、切削装置１の上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物Ｗに対する加工動作を切削装置１に実施させるものである。制御手段１００は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御手段１００の演算処理装置は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、切削装置１を制御するための制御信号を生成する。制御手段１００の演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して切削装置１の各構成要素に出力する。また、制御手段１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００２３】
第一の位置づけ工程ＳＴ１は、オペレータが被加工物Ｗの裏面ＷＲを切削装置１のチャックテーブル１０の保持面１０ａに載置し、入力手段を介して制御手段１００に切削装置１の加工開始指示を入力することにより実施される。第一の位置づけ工程ＳＴ１は、切削ブレード２２の切削方向である切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬ（図５に点線で示す）を被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧ（図５に一点鎖線で示す）方向に位置づける工程である。第一の位置づけ工程ＳＴ１では、切削装置１の制御手段１００が、撮像手段６０にチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像させ、切削手段２０と被加工物Ｗとのアライメントを実施し、図５に示すように、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２を被加工物Ｗの周縁部上に位置付ける。第一の位置づけ工程ＳＴ１では、切削装置１の制御手段１００が、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θ（図８に示す）が０度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置付ける。即ち、第一の位置づけ工程ＳＴ１では、制御手段１００は、切削装置１の平面視において、被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧと切削ブレード２２とを平行に位置づける。
【００２４】
切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θとは、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと、被加工物Ｗの周縁部のうちの切削ブレード２２の刃先と重なる位置における図５中に一点鎖線で示す接線ＴＧとのなす角度をいう。
【００２５】
第一の切削工程ＳＴ２は、被加工物Ｗに切削ブレード２２を切り込ませつつ被加工物Ｗを回転させて被加工物Ｗの表面ＷＳ側の周縁部の除去予定領域ＥＲの第一の除去予定領域ＥＲ１を除去する工程である。第一の切削工程ＳＴ２では、制御手段１００が、切削手段２０の切削ブレード２２を回転させて、図６に示すように、Ｚ軸移動手段５０に切削ブレード２２をＺ軸方向に移動させて、切削ブレード２２を少なくとも被加工物Ｗの除去予定領域ＥＲの第一の除去予定領域ＥＲ１に切り込ませながら回転駆動源１１にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させることにより、被加工物Ｗの表面ＷＳ側の第一の除去予定領域ＥＲ１を全周に亘って除去する。
【００２６】
実施形態１において、第一の除去予定領域ＥＲ１は、図１０に示すように、除去予定領域ＥＲのうちの境界ＢＳを含み境界ＢＳよりも湾曲面ＣＦ側の部分をいうが、本発明では、第一の除去予定領域ＥＲ１が境界ＢＳよりも被加工物Ｗの中央寄りの部分を含んでも良い。第一の切削工程ＳＴ２後では、被加工物Ｗは、図７に示すように、表面ＷＳ側の第一の除去予定領域ＥＲ１が全周に亘って除去されている。実施形態１において、第一の切削工程ＳＴ２は、被加工物Ｗの湾曲面ＣＦの外周から内周側に２ｍｍから３ｍｍまででかつ表面ＷＳから１００μｍから１５０μｍ程度の深さに位置する部分（図１０中に平行斜線で示す）を除去する。
【００２７】
第二の位置づけ工程ＳＴ３は、切削ブレード２２の切削方向である切削ブレード２２の厚みを二等分する図８中に点線で示す直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の図８中に一点鎖線で示す接線ＴＧとが０度を超える角度θに切削ブレード２２を位置づける工程である。実施形態１において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす０度を超える角度θは、５度以上である。
【００２８】
第二の位置づけ工程ＳＴ３では、制御手段１００が、アライメントの結果に基づいて、図８に示すように、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２を被加工物Ｗの周縁部上に位置付ける。第二の位置づけ工程ＳＴ３では、制御手段１００が、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが５度以上となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置づける。
【００２９】
第二の切削工程ＳＴ４は、被加工物Ｗに切削ブレード２２を切り込ませつつ被加工物Ｗを回転させて、除去予定領域ＥＲの第二の除去予定領域ＥＲ２を被加工物Ｗから除去する工程である。第二の切削工程ＳＴ４では、制御手段１００が、切削手段２０の切削ブレード２２を回転させて、図９に示すように、Ｚ軸移動手段５０に切削ブレード２２をＺ軸方向に移動させて、切削ブレード２２を被加工物Ｗの第二の除去予定領域ＥＲ２に切り込ませながら回転駆動源１１にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させることにより、被加工物Ｗから第二の除去予定領域ＥＲ２を全周に亘って除去する。
【００３０】
実施形態１において、第二の除去予定領域ＥＲ２は、図１０に示すように、除去予定領域ＥＲのうちの境界ＢＳを含み境界ＢＳよりも被加工物Ｗの中央寄りの部分を含むが、本発明では、第二の除去予定領域ＥＲ２は、第一の除去予定領域ＥＲ１よりも被加工物Ｗのデバイス領域ＤＲに近い領域を含んでいれば良い。第二の切削工程ＳＴ４後では、被加工物Ｗは、図１１に示すように、表面ＷＳ側の第一の除去予定領域ＥＲ１及び第二の除去予定領域ＥＲ２が全周に亘って除去されている。実施形態１において、第二の切削工程ＳＴ４は、例えば、被加工物Ｗの第一の切削工程ＳＴ２により形成された表面ＷＳ側の角から内周側に１ｍｍから１．５ｍｍまででかつ表面ＷＳから１０μｍから２０μｍ程度の深さに位置する部分（図１０中に交差する斜線で示す）を除去する。
【００３１】
研削工程ＳＴ５は、被加工物Ｗの裏面ＷＲを研削して、被加工物Ｗを薄化し、除去予定領域ＥＲを除去する工程である。研削工程ＳＴ５は、図１２に示すように、被加工物Ｗの表面ＷＳ側にサブストレートＳＢを貼着する。サブストレートＳＢは、硬質な材料により構成された円盤状に形成されている。サブストレートＳＢの外径は、被加工物Ｗの外径よりも若干大きい。
【００３２】
研削工程ＳＴ５は、図１３に示すように、サブストレートＳＢを研削装置７０のチャックテーブル７１の保持面７１ａに吸引保持し、被加工物Ｗの裏面ＷＲに研削砥石７２を当接させて、チャックテーブル７１及び研削砥石７２を軸心回りに回転して、被加工物Ｗの裏面ＷＲに研削加工を施す。結果として、研削工程ＳＴ５は、被加工物Ｗを薄化し、除去予定領域ＥＲを全周に亘って被加工物Ｗから除去する。
【００３３】
実施形態１に係る加工方法は、第二の位置づけ工程ＳＴ３で切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超えかつ望ましくは５度以上となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置づけて、第二の切削工程ＳＴ４において切削ブレード２２を除去予定領域ＥＲの第一の除去予定領域ＥＲ１よりもデバイス領域ＤＲに近い領域を含む第二の除去予定領域ＥＲ２に切り込ませて、被加工物Ｗから除去予定領域ＥＲを除去する。このために、除去予定領域ＥＲを除去した後の被加工物Ｗの外周に発生するチッピングを抑制でき、特に、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超えかつ５度以上である場合には、被加工物Ｗの外周にチッピングが発生することが殆ど無い。その結果、実施形態１に係る加工方法は、エッジトリミング時に、被加工物Ｗにチッピングを生じさせることなく除去予定領域ＥＲを除去することができる。
【００３４】
また、実施形態１に係る加工方法は、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度となる位置に位置づけて第一の除去予定領域ＥＲ１を第一の切削工程ＳＴ２で除去した後に、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超える位置に位置づけて第一の除去予定領域ＥＲ１よりもデバイス領域ＤＲに近い領域を含む第二の除去予定領域ＥＲ２を除去するので、第一の除去予定領域ＥＲ１を除去した際に生じるチッピングを第二の除去予定領域ＥＲ２を除去する際に除去することができる。その結果、実施形態１に係る加工方法は、デバイス領域ＤＲの近傍にチッピングが発生することを抑制できる。したがって、実施形態１に係る加工方法は、エッジトリミング時の被加工物Ｗのチッピングの発生を抑制することができ、その後の工程において被加工物Ｗを接合した後等にデバイスＤにスクラッチを形成することを抑制することができる、という効果を奏する。
【００３５】
〔実施形態２〕
実施形態２に係る被加工物の加工方法を図面に基いて説明する。図１４は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。図１５は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の位置づけ工程を示す平面図である。図１６は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程を示す側面図である。図１７は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。図１８は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第二の位置づけ工程を示す平面図である。図１９は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程を示す側面図である。図２０は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第一の除去予定領域と第二の除去予定領域を示す側面図である。図２１は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の第二の切削工程後の被加工物を示す側断面図である。図１４から図２１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３６】
実施形態２に係る被加工物の加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、実施形態１と同様に、被加工物Ｗの外周の除去予定領域ＥＲ−２のうちの表面ＷＳを含みかつ表面ＷＳから薄化後の被加工物Ｗの厚みよりも深い部分（図２０中に平行斜線及び交差する平行斜線で示す）を除去して、被加工物Ｗを所謂エッジトリミングするとともに、被加工物Ｗを薄化する方法である。加工方法は、図１４に示すように、第一の位置づけ工程ＳＴ１−２と、第一の切削工程ＳＴ２−２と、第二の位置づけ工程ＳＴ３−２と、第二の切削工程ＳＴ４−２と、研削工程ＳＴ５とを含む。加工方法は、第一の位置づけ工程ＳＴ１−２と第一の切削工程ＳＴ２−２と第二の位置づけ工程ＳＴ３−２と第二の切削工程ＳＴ４−２とにおいて、実施形態１と同様に、図４に示す加工装置である切削装置１を用いる。
【００３７】
第一の位置づけ工程ＳＴ１−２は、オペレータが被加工物Ｗの裏面ＷＲを切削装置１のチャックテーブル１０の保持面１０ａに載置し、入力手段を介して制御手段１００に切削装置１の加工開始指示を入力することにより実施される。第一の位置づけ工程ＳＴ１−２は、切削ブレード２２の切削方向である切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬ（図１５に点線で示す）と被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧ（図１５に一点鎖線で示す）とが０度を超える角度θに切削ブレード２２を位置づける工程である。実施形態２において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす０度を超える角度θは、５度以上である。
【００３８】
第一の位置づけ工程ＳＴ１−２では、切削装置１の制御手段１００が、撮像手段６０にチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像させ、切削手段２０と被加工物Ｗとのアライメントを実施し、図１５に示すように、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２を被加工物Ｗの周縁部上に位置付ける。第一の位置づけ工程ＳＴ１−２では、切削装置１の制御手段１００が、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが５度以上となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置づける。
【００３９】
第一の切削工程ＳＴ２−２は、被加工物Ｗの表面ＷＳから切削ブレード２２を切り込ませつつ被加工物Ｗを回転させて被加工物Ｗの表面ＷＳ側の周縁部の除去予定領域ＥＲ−２の第一の除去予定領域ＥＲ１−２を除去する工程である。第一の切削工程ＳＴ２−２では、制御手段１００が、切削手段２０の切削ブレード２２を回転させて、図１６に示すように、Ｚ軸移動手段５０に切削ブレード２２をＺ軸方向に移動させて、切削ブレード２２を少なくとも被加工物Ｗの除去予定領域ＥＲ−２の第一の除去予定領域ＥＲ１−２に切り込ませながら回転駆動源１１にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させることにより、被加工物Ｗの表面ＷＳ側の第一の除去予定領域ＥＲ１−２を全周に亘って除去する。第一の切削工程ＳＴ２−２後では、被加工物Ｗは、図１７に示すように、表面ＷＳ側の第一の除去予定領域ＥＲ１−２が全周に亘って除去されている。
【００４０】
第二の位置づけ工程ＳＴ３−２は、切削ブレード２２の切削方向である切削ブレード２２の厚みを二等分する図１８中に点線で示す直線ＳＬを被加工物Ｗの周縁部の図１８中に一点鎖線で示す接線ＴＧ方向に位置づける工程である。第二の位置づけ工程ＳＴ３−２では、制御手段１００が、アライメントの結果に基づいて、図１８に示すように、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２を被加工物Ｗの周縁部上に位置付ける。第二の位置づけ工程ＳＴ３−２では、制御手段１００が、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θ（図１５に示す）が０度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置づける。即ち、第二の位置づけ工程ＳＴ３−２では、制御手段１００は、切削装置１の平面視において、被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧと切削ブレード２２とを平行に位置づける。
【００４１】
第二の切削工程ＳＴ４−２は、被加工物Ｗに切削ブレード２２を切り込ませつつ被加工物Ｗを回転させて、除去予定領域ＥＲ−２の第二の除去予定領域ＥＲ２−２を被加工物Ｗから除去する工程である。第二の切削工程ＳＴ４−２では、制御手段１００が、切削手段２０の切削ブレード２２を回転させて、図１９に示すように、Ｚ軸移動手段５０に切削ブレード２２をＺ軸方向に移動させて、切削ブレード２２を被加工物Ｗの第二の除去予定領域ＥＲ２−２に切り込ませながら回転駆動源１１にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させることにより、被加工物Ｗから第二の除去予定領域ＥＲ２−２を全周に亘って除去する。
【００４２】
実施形態２において、第二の除去予定領域ＥＲ２−２は、図２０に示すように、除去予定領域ＥＲ−２のうちの境界ＢＳを含み境界ＢＳよりも湾曲面ＣＦ側の部分をいうが、本発明では、第二の除去予定領域ＥＲ２−２が境界ＢＳよりも被加工物Ｗの中央寄りの部分を含んでも良い。
【００４３】
また、実施形態２において、第一の除去予定領域ＥＲ１−２は、図２０に示すように、除去予定領域ＥＲ−２のうちの境界ＢＳを含み境界ＢＳよりも被加工物Ｗの中央寄りの部分を含むが、本発明では、第一の除去予定領域ＥＲ１−２は、第二の除去予定領域ＥＲ２−２よりも被加工物Ｗのデバイス領域ＤＲに近い領域を含んでいれば良い。第二の切削工程ＳＴ４−２後では、被加工物Ｗは、図２１に示すように、表面ＷＳ側の第一の除去予定領域ＥＲ１−２及び第二の除去予定領域ＥＲ２−２が全周に亘って除去されている。
【００４４】
研削工程ＳＴ５は、実施形態１と同様に、研削装置７０を用いて、被加工物Ｗの裏面ＷＲを研削して、被加工物Ｗを薄化し、除去予定領域ＥＲ−２を除去する工程である。
【００４５】
実施形態２に係る加工方法は、第一の位置づけ工程ＳＴ１−２における切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超えかつ望ましくは５度以上となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置づけて、第一の切削工程ＳＴ２−２において切削ブレード２２を除去予定領域ＥＲ−２の第二の除去予定領域ＥＲ２−２よりもデバイス領域ＤＲに近い領域を含む第一の除去予定領域ＥＲ１−２に切り込ませて、被加工物Ｗから除去予定領域ＥＲ−２を除去する。このために、除去予定領域ＥＲ−２を除去した後の被加工物Ｗの外周に発生するチッピングを抑制でき、特に、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超えかつ５度以上である場合には、被加工物Ｗの外周にチッピングが発生することが殆ど無い。その結果、実施形態２に係る加工方法は、エッジトリミング時に、被加工物Ｗにチッピングを生じさせることなく除去予定領域ＥＲ−２を除去することができる。
【００４６】
また、実施形態２に係る加工方法は、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度となる位置に位置づけて第二の除去予定領域ＥＲ２−２を第二の切削工程ＳＴ４−２で除去する前に、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超える位置に位置づけて第二の除去予定領域ＥＲ２−２よりもデバイス領域ＤＲに近い領域を含む第一の除去予定領域ＥＲ１−２を除去するので、第二の除去予定領域ＥＲ２−２を除去する際に表面ＷＳの金属や膜に切り込まないので、チッピングを抑制することができる。また、第二の切削工程ＳＴ４−２を実施する前に既に、第一の除去予定領域ＥＲ１−２が除去されているので、第二の切削工程ＳＴ４−２における除去する体積を減少させることができ、第二の切削工程ＳＴ４−２の送り速度を遅くする必要が無いとともに、第二の切削工程ＳＴ４−２で砥粒の粒径が大きな切削ブレード２２を使用する必要がなくなる。
【００４７】
〔変形例〕
各実施形態の変形例に係る被加工物の加工方法を図面に基いて説明する。図２２は、各実施形態の変形例に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。図２２は、各実施形態と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４８】
変形例に係る被加工物の加工方法は、実施形態１の第二の位置づけ工程ＳＴ３及び実施形態２の第一の位置づけ工程ＳＴ１−２において、切削装置１の平面視において、角度θが９０度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置づける。このように、本発明の被加工物の加工方法は、実施形態１の第二の位置づけ工程ＳＴ３及び実施形態２の第一の位置づけ工程ＳＴ１−２で、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超える位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置づけ、望ましくは角度θが５度以上でかつ９０度以下となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置づけ、さらに望ましくは角度θが９０度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置づける。
【００４９】
次に、本発明の発明者らは、本発明に係る被加工物の加工方法のチッピングの抑制効果を確認した。確認においては、被加工物Ｗの表面ＷＳ側から除去予定領域ＥＲ，ＥＲ−２を除去した際に切削した領域と未切削の表面との境界に発生するチッピングの大きさを測定した。図２３は、各実施形態に係る加工方法において角度を変化させた時に発生するチッピングの大きさを示す図である。図２３において、チッピングの大きさの平均値を菱形で示している。
【００５０】
図２３によれば、角度θが０度よりも徐々に大きい角度にするのにしたがってチッピングの大きさを抑制できることが明らかとなった。したがって、図２３によれば、角度θを０度を超える角度にすることにより、エッジトリミング時にチッピングを抑制できることが明らかとなった。また、図２３によれば、角度θが５度以上の角度にするとチッピングが発生しないことが明らかとなった。したがって、図２３によれば、角度θを５度以上にすることにより、エッジトリミング時にチッピングをより確実に抑制できることが明らかとなった。また、図２３によれば、角度θを９０度にすることにより、エッジトリミング時にチッピングをより一層確実に抑制できることが明らかとなった。
【００５１】
なお、本発明は上記実施形態１、実施形態２及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１  切削装置
１０  チャックテーブル
２０  切削手段
２２  切削ブレード
３０  Ｘ軸移動手段（移動手段）
４０  Ｙ軸移動手段（移動手段）
５０  Ｚ軸移動手段（移動手段）
１００  制御手段  
ＥＲ  除去予定領域
ＥＲ−２  除去予定領域
ＥＲ１  第一の除去予定領域
ＥＲ１−２  第一の除去予定領域
ＥＲ２  第二の除去予定領域
ＥＲ２−２  第二の除去予定領域
Ｄ  デバイス
ＤＲ  デバイス領域
ＳＬ  直線（切削方向）
ＴＧ  接線
Ｗ  被加工物
ＷＳ  表面
ＳＴ１  第一の位置づけ工程
ＳＴ１−２  第一の位置づけ工程
ＳＴ２  第一の切削工程
ＳＴ２−２  第一の切削工程
ＳＴ３  第二の位置づけ工程
ＳＴ３−２  第二の位置づけ工程
ＳＴ４  第二の切削工程
ＳＴ４−２  第二の切削工程
θ  角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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