(57)【要約】      （修正有）【課題】積層セラミックコンデンサの製造過程において、積層体の割れや欠けの発生を抑制しつつ、外層剥がれをも抑制しうる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】積層された複数の誘電体層を含む積層体と、積層体内に配置され、誘電体層と交互に積層された複数の内部電極と、内部電極に接続される外部電極と、を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法である。誘電体層および内部電極を有する未焼成の積層体チップ１２を得る工程と、未焼成の積層体チップ１２の稜線部を研磨する工程と、を含む。未焼成の積層体チップ１２の稜線部を研磨する工程は、バレル３０内に未焼成の積層体チップ１２と緩衝材３２とを投入し、複数の段階に分けてバレルを回転させることにより研磨を行うものであり、この研磨は、各段階について時系列にバレルの回転数を上げて研磨を行う。【選択図】図４
2018116991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の誘電体層を含む積層体と、
前記積層体内に配置され、前記誘電体層と交互に積層された複数の内部電極と、
前記内部電極に接続される外部電極と、
を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記誘電体層および前記内部電極を有する未焼成の積層体チップを得る工程と、
前記未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程と、
を含み、
前記未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程は、バレル内に前記未焼成の積層体チップと緩衝材とを投入し、複数の段階に分けてバレルを回転させることにより研磨を行うものであり、前記研磨は、各段階について時系列にバレルの回転数を上げて研磨を行う、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、
１回目の研磨におけるバレルの回転数は、６０ｒｐｍ以上７０ｒｐｍであり、２回目の研磨におけるバレルの回転数は、１３０ｒｐｍ以上１４０ｒｐｍ以下であり、３回目の研磨におけるバレルの回転数は、１４５ｒｐｍ以上１５５ｒｐｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、
１回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力は、０．００２４Ｎ以上０．００３３Ｎであり、２回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力は、０．０１１５Ｎ以上０．０１３３Ｎであり、３回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力は、０．０１４３Ｎ以上０．０１６３Ｎ以下である、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
３回目の研磨におけるバレルの回転数に設定する時機は、２回目の研磨におけるバレル内の温度が７０℃以上になったところである、請求項２または請求項３に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高性能化に伴い、積層セラミックコンデンサなどの積層型電子部品の大容量化が求められてきている。積層セラミックコンデンサの大容量化を実現するためには、積層セラミックコンデンサのサイズを大きくしたり、所定のサイズにおける１層あたりの誘電体層の厚みをできるだけ薄くしたりすることで、誘電体層の積層数をできるだけ増やすことが必要である。
【０００３】
しかしながら、このような積層セラミックコンデンサの大容量化に伴い、積層セラミックコンデンサのサイズの増大や、薄層化、大容量化によって、誘電体層の表面に配置される内部電極の端部とその誘電体層の端部との幅（Ｌギャップ、Ｗギャップ）を狭くすることや、外層薄厚化（積層方向に位置する内部電極を有していない誘電体層の厚みを薄くすること）が必須となり、積層セラミックコンデンサの積層体の形状も角部や稜線部が尖った形状となり易く、重量も大きくなる傾向にある。このような場合、積層セラミックコンデンサの製造過程や製造過程における搬送時において、積層体の角部や稜線部が衝突することによって、積層体の角部や稜線部において、割れや欠けといった問題が生じやすくなる。なお、この問題は、積層セラミックコンデンサの重量が大きくなる分、衝突エネルギーも大きくなるため、顕著に現れることになる。
【０００４】
そこで、上記のような問題を解決するための従来技術として、たとえば、セラミック焼成体を得た後に、セラミック焼成体をバレル研磨することによって、セラミック焼成体の稜線部に丸みをつける製造方法が知られている（特許文献１を参照）。
【０００５】
また、上記のような問題を解決するための別の従来技術として、積層体チップを焼成する前に、湿式バレル法または乾式バレル法にて焼成前の積層体チップをバレル研磨することによって、積層体チップの角部の面取りを行う製造方法が知られている（特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３１６０８８号公報
【特許文献２】特開平８−６９９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の特許文献１や特許文献２のような方法においては、積層体チップの稜線部に丸みをつけることで、積層体チップの割れや欠けを抑制することができるものの、バレルの加工エネルギーの負荷が大きく、外層剥がれなどの別の構造欠陥が発生する場合がある。特に、特許文献２に記載の焼成前の積層体チップをバレル研磨する際には、バレルによって積層体チップの温度が上昇する。温度上昇後は積層体チップの可塑性が増加するため、内部電極の存在しない外層と内部電極が存在する内層部との間における密着力が上がる効果があるが、初期の段階では、外層剥がれが発生しやすいことがわかっている。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、積層セラミックコンデンサの製造過程において、積層体の割れや欠けの発生を抑制しつつ、外層剥がれをも抑制しうる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、積層された複数の誘電体層を含む積層体と、積層体内に配置され、誘電体層と交互に積層された複数の内部電極と、内部電極に接続される外部電極と、を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、誘電体層および内部電極を有する未焼成の積層体チップを得る工程と、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程と、を含み、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程は、バレル内に未焼成の積層体チップと緩衝材とを投入し、複数の段階に分けてバレルを回転させることにより研磨を行うものであり、研磨は、各段階について時系列にバレルの回転数を上げて研磨を行う、積層セラミックコンデンサの製造方法である。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、１回目の研磨におけるバレルの回転数は、６０ｒｐｍ以上７０ｒｐｍであり、２回目の研磨におけるバレルの回転数は、１３０ｒｐｍ以上１４０ｒｐｍ以下であり、３回目の研磨におけるバレルの回転数は、１４５ｒｐｍ以上１５５ｒｐｍ以下であることが好ましい。
さらに、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、１回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力は、０．００２４Ｎ以上０．００３３Ｎであり、２回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力は、０．０１１５Ｎ以上０．０１３３Ｎであり、３回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力は、０．０１４３Ｎ以上０．０１６３Ｎ以下であることが好ましい。
されにまた、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、３回目の研磨におけるバレルの回転数に設定する時機は、２回目の研磨におけるバレル内の温度が７０℃以上になったところであることが好ましい。
【００１０】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程が、バレル内に未焼成の積層体チップと緩衝材とを投入し、複数の段階に分けてバレルを回転させることにより研磨を行うものであり、研磨は、各段階について、時系列にバレルの回転数を上げて研磨を行うので、１回目の研磨におけるバレルの低い回転数で一定の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成後、２回目以降の研磨におけるバレルの回転数を、１回目の研磨におけるバレルの回転数よりも回転数を高くして、所望の稜線部の丸みを形成する。さらにその後、バレル研磨の際に、積層体チップの温度が上昇してきたところで、バレルの回転数をさらに高くして、稜線部の丸みを形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用して、内部電極パターンが存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を向上させることができることから、積層体の割れや欠けの発生を抑制することができるだけでなく、初期の段階に発生する積層体に対する外層剥がれをも抑制することができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、１回目の研磨におけるバレルの回転数が、６０ｒｐｍ以上７０ｒｐｍであり、２回目の研磨におけるバレルの回転数が、１３０ｒｐｍ以上１４０ｒｐｍ以下であり、３回目の研磨におけるバレルの回転数が、１４５ｒｐｍ以上１５５ｒｐｍ以下であると、１回目の研磨におけるバレルの回転数である６０ｒｐｍ以上７０ｒｐｍ以下の段階で、外層剥がれが発生しない速度で一定の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成し、１回目の研磨のバレルの回転数よりも高い１３０ｒｐｍ以上１４０ｒｐｍ以下の回転数である２回目の研磨の段階で、所望の稜線部の丸みを形成することができる。さらに、２回目の研磨のバレルの回転数よりも高い１４５ｒｐｍ以上１５５ｒｐｍ以下の回転数である３回目の研磨の段階で、稜線部の丸みを形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用し、内部電極パターンが存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を向上させることができる。従って、積層体に対する外層剥がれをより抑制することができる。
さらに、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、１回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力が、０．００２４Ｎ以上０．００３３Ｎであり、２回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力が、０．０１１５Ｎ以上０．０１３３Ｎであり、３回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力が、０．０１４３Ｎ以上０．０１６３Ｎ以下であると、１回目の研磨におけるバレルの回転により生じる遠心力である０．００２４Ｎ以上０．００３３Ｎ以下の段階で、外層剥がれが発生しない速度で一定の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成し、１回目の研磨のバレルの回転により生じる遠心力よりも高い０．０１１５Ｎ以上０．０１３３Ｎ以下の遠心力である２回目の研磨の段階で、所望の稜線部の丸みを形成することができる。さらに、２回目の研磨のバレルの回転により生じる遠心力よりも高い０．０１４３Ｎ以上０．０１６３Ｎ以下の遠心力である３回目の研磨の段階で、稜線部の丸みを形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用し、内部電極パターンが存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を向上させることができる。従って、積層体に対する外層剥がれをより抑制することができる。
さらにまた、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、３回目の研磨におけるバレルの回転数に設定する時機が、２回目の研磨におけるバレル内の温度が７０℃以上になったところであると、積層体の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用し、内部電極パターンの存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を安定して向上させることができる。従って、積層体１２に対する外層剥がれを、さらに安定して抑制することができる。
【発明の効果】
【００１１】
積層セラミックコンデンサの製造過程において、積層体の割れや欠けの発生を抑制しつつ、外層剥がれをも抑制しうる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することができる。
【００１２】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。
【図２】この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】バレル研磨機のバレル内の状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
１．積層セラミックコンデンサ
この発明の一実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図であり、図３は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【００１５】
図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。
【００１６】
積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極１６とを有する。さらに、積層体１２は、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。さらに、積層体１２の長さ方向ｚの寸法は、幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。
【００１７】
積層される誘電体層１４の枚数は、特に限定されないが、５００枚以上１５００枚以下であることが好ましい。
【００１８】
積層体１２の誘電体層１４は、外層部１４ａと内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極１６との間に位置する誘電体層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極１６との間に位置する誘電体層１４である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。なお、外層部１４ａの厚みは、３０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法は、１．５５ｍｍ以上３．１０ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法は、０．７５ｍｍ以上２．４０ｍｍ以下、積層方向ｘの寸法は、０．５０ｍｍ以上２．４０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
誘電体層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
【００２１】
焼成後の誘電体層１４の厚みは、０．５μｍ以上１．３５μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
積層体１２は、複数の内部電極１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極１６ａおよび複数の第２の内部電極１６ｂを有する。複数の第１の内部電極１６ａおよび複数の第２の内部電極１６ｂは、積層体１２の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
【００２３】
第１の内部電極１６ａは、第２の内部電極１６ｂと対向する第１の対向電極部１８ａと、第１の内部電極１６ａの一端側に位置し、第１の対向電極部１８ａから積層体１２の第１の端面１２ｅまでの第１の引出電極部２０ａを有する。第１の引出電極部２０ａは、その端部が第１の端面１２ｅに引き出され、露出している。
第２の内部電極１６ｂは、第１の内部電極１６ａと対向する第２の対向電極部１８ｂと、第２の内部電極１６ｂの一端側に位置し、第２の対向電極部１８ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆまでの第２の引出電極部２０ｂを有する。第２の引出電極部２０ｂは、その端部が第２の端面１２ｆに引き出され、露出している。
【００２４】
積層体１２は、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）２２ａを含む。さらに、積層体１２は、第１の内部電極１６ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１２ｆとの間および第２の内部電極１６ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１２ｅとの間に形成される積層体１２の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）２２ｂを含む。
【００２５】
内部電極１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料を含有している。内部電極１６は、さらに誘電体層１４に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
【００２６】
内部電極１６の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。また、内部電極１６の枚数は、特に限定されない。
【００２７】
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極１６ａの第１の引出電極２０ａと電気的に接続される。なお、第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅのみに形成されていてもよい。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極１６ｂの第２の引出電極２０ｂと電気的に接続される。なお、第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆのみに形成されていてもよい。
【００２８】
積層体１２内においては、第１の内部電極１６ａの第１の対向電極部１８ａと第２の内部電極１６ｂの第２の対向電極１８ｂとが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極１６ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極１６ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。
【００２９】
第１の外部電極２４ａは、第１の下地電極層２６ａと、第１の下地電極層２６ａの表面に配置された第１のめっき層２８ａとを含む。同様に、第２の外部電極２４ｂは、第２の下地電極層２６ｂと、第２の下地電極層２６ｂの表面に配置された第２のめっき層２８ｂとを含む。
【００３０】
第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
また、第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
なお、第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面のみに配置されてもよいし、第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面にのみ配置されてもよい。
【００３１】
第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂは、それぞれ、焼付け層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含むが、ここでは焼付け層で形成された第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｂ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層１４および内部電極１６と同時に焼成したものでもよく、誘電体層１４および内部電極１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。焼付け層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
また、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【００３３】
第１のめっき層２８ａは、第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層２８ａは、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１のめっき層２８ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層２６ａの表面のみに配置されてもよい。
同様に、第２のめっき層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の下地電極層２６ｂの表面の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２のめっき層２８ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層２６ｂの表面のみに配置されてもよい。
【００３４】
また、第１のめっき層２８ａおよび第２のめっき層２８ｂ（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎ等から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金が用いられる。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層の表面を覆うように設けられることで、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田によって下地電極層が侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
【００３５】
めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。さらに、めっき層は、単位体積あたりの金属割合が９９体積％以上であることが好ましい。
【００３６】
なお、外部電極２４は、積層体１２上に設けられ、内部電極１６と直接接続されるめっき層から形成されてもよい。その際、前処理として、積層体１２上に触媒を設けてもよい。
【００３７】
積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が１．６０ｍｍ以上３．２０ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．８０ｍｍ以上２．５０ｍｍ以下、積層方向ｘのＴ寸法が０．６０ｍｍ以上２．５０ｍｍ以下である。
【００３８】
２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、以上の構成からなる図１に示す積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態について説明する。
【００３９】
（１）積層体チップを得る工程
まず、誘電体シートおよび内部電極１６を形成するための内部電極用導電性ペーストが準備される。なお、誘電体シートおよび内部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００４０】
そして、誘電体シートの表面に、例えば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、誘電体シートには、内部電極パターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷やグラビア印刷などの公知の方法により印刷することができる。
【００４１】
次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用誘電体シートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷された誘電体シートが順次積層され、その上に、外層用誘電体シートが所定枚数積層され、積層体シートが作製される。
続いて、必要に応じて、この積層体シートは、静水圧プレスなどの手段により積層方向ｘにプレスされ、積層ブロックが作製される。
【００４２】
その後、積層体ブロックが所定の形状寸法に切断され、誘電体層および内部電極を有する未焼成の積層体チップが切り出される（誘電体層および内部電極を有する未焼成の積層体チップを得る工程）。
【００４３】
（２）未焼成の積層体チップを研磨する工程
そして、バレル研磨などにより積層体の角部や稜線部に丸みがつけられる（未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程）。
【００４４】
未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程について、詳細に説明する。
まず、図４に示すように、バレル研磨機のバレル３０内に未焼成の積層体１２と緩衝材３２とが投入され、複数の段階に分けてバレル３０を回転させることにより研磨を行う（バレル研磨）。この研磨は、各段階について時系列にバレル３０の回転数を上げて研磨を行う。
【００４５】
未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程に用いられるバレル研磨に用いられるバレル３０の形状は、円柱状や多角注状であることが好ましく、研磨条件により、適宜研磨形状を変更することができる。また、バレル３０のサイズは、特に限定はされない。
【００４６】
バレル研磨の方式は、水を用いない乾式にてバレル研磨を行ってもよく、水を用いた湿式にてバレル研磨を行ってもよい。バレル研磨を湿式で行う場合は、バレル３０内に水などの水溶液が別途投入される。
【００４７】
バレル３０に内に投入される緩衝材３２は、たとえば、水、片栗粉、アルミナ粉、アルミナメディア、樹脂メディアなどを用いることができる。緩衝材３２は複数の種類が混合されていても良い。
緩衝材３２として用いられる樹脂メディアのサイズは、その直径が２ｍｍ以上７ｍｍ以下であることが好ましい。なお、樹脂メディアは、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2などからなる樹脂を用いることが好ましい。
緩衝材３２として用いられる片栗粉のサイズは、その直径が２０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。
緩衝材３２として用いられるアルミナ粉のサイズは、その直径が３０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
緩衝材３２として用いられるアルミナメディアのサイズは、その直径が２ｍｍ以上７ｍｍ以下であることが好ましい。
また、バレル３０内に投入される未焼成の積層体１２と緩衝材３２の量は、バレル３０のポッド容積の８割以上１０割以下であることが好ましく、緩衝材３２の固形分としては、バレル３０内に投入される未焼成の積層体１２と緩衝材３２の量は、バレル３０のポッド容積の５割以上７割以下であることが好ましい。
【００４８】
未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、１回目の研磨におけるバレル３０の回転数は、６０ｒｐｍ以上７０ｒｐｍであり、２回目の研磨におけるバレル３０の回転数は、１３０ｒｐｍ以上１４０ｒｐｍ以下であり、３回目の研磨におけるバレル３０の回転数は、１４５ｒｐｍ以上１５５ｒｐｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
また、未焼成の積層体チップの稜線部を研磨する工程において、１回目の研磨におけるバレル３０の回転により生じる遠心力は、０．００２４Ｎ以上０．００３３Ｎであり、２回目の研磨におけるバレル３０の回転により生じる遠心力は、０．０１１５Ｎ以上０．０１３３Ｎであり、３回目の研磨におけるバレル３０の回転により生じる遠心力は、０．０１４３Ｎ以上０．０１６３Ｎ以下であることが好ましい。
【００５０】
なお、３回目の研磨におけるバレル３０の回転数に設定する時機は、２回目の研磨におけるバレル３０内の温度が７０℃以上になったところとするのが好ましい。
【００５１】
続いて、未焼成の積層体チップを焼成し積層体を作製する。焼成温度は、誘電体層や内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００５２】
（３）外部電極を形成する工程
外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の表面に第１の端面１２ｅから露出している第１の内部電極１６ａの第１の引出電極部２０ａの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、また、同様に、外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の第２の端面１２ｆから露出している第２の内部電極１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられる。このとき、焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。なお、必要に応じて、焼付け層の表面に１層以上のめっき層が形成され、外部電極２４が形成される。
【００５３】
また、焼付け層を設けずに、たとえば、積層体１２の表面に直接めっき電極を形成せいてもよい。このとき、積層体１２の両端面から露出している内部電極１６にめっき処理を施し、下地めっき膜が形成される。めっき処理を行うにあたって、電解めっきおよび無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっき法を用いることが好ましい。なお、表面導体を形成する場合は、あらかじめ最外層のセラミックグリーンシートの表面に表面導体パターンを印刷して、積層体１２と同時焼成してもよく、また、焼成後の積層体１２の主面上に表面導体を印刷してから焼き付けてもよい。また、必要に応じて、下地電極層の表面に、１層以上のめっき層を形成して、外部電極２４が形成される。
【００５４】
上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００５５】
バレルの回転数が低い回転数では、外層剥がれは発生しないが、時間をかけても所望の稜線部の丸み（Ｒ量）を確保することができない。
しかしながら、上述のこの発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、１回目の研磨におけるバレル３０の低い回転数で一定の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成後、２回目以降の研磨におけるバレル３０の回転数を、１回目の研磨におけるバレル３０の回転数よりも回転数を高くして、所望の稜線部の丸みを形成する。さらにその後、バレル研磨の際に、積層体チップの温度が上昇してきたところで、バレル３０の回転数をさらに高くして、稜線部の丸みを形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用して、内部電極パターンが存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を向上させる。以上より、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、１回目の研磨において、バレルの回転数を抑制し、各段階について時系列に徐々にバレルの回転数を上げていくことで、積層体１２の割れや欠けの発生を抑制することができるだけでなく、初期の段階に発生する積層体１２に対する外層剥がれをも抑制することができる。
【００５６】
また、上述のこの発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、１回目の研磨におけるバレル３０の回転数は、６０ｒｐｍ以上７０ｒｐｍであり、２回目の研磨におけるバレル３０の回転数は、１３０ｒｐｍ以上１４０ｒｐｍ以下であり、３回目の研磨におけるバレル３０の回転数は、１４５ｒｐｍ以上１５５ｒｐｍ以下であると、１回目の研磨におけるバレル３０の回転数である６０ｒｐｍ以上７０ｒｐｍ以下の段階で、外層剥がれが発生しない速度で一定の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成し、１回目の研磨のバレルの回転数よりも高い１３０ｒｐｍ以上１４０ｒｐｍ以下の回転数である２回目の研磨の段階で、所望の稜線部の丸みを形成することができる。さらに、２回目の研磨のバレルの回転数よりも高い１４５ｒｐｍ以上１５５ｒｐｍ以下の回転数である３回目の研磨の段階で、稜線部の丸みを形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用し、内部電極パターンが存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を向上させることができる。従って、積層体１２に対する外層剥がれをより抑制することができる。
【００５７】
さらに、上述のこの発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、１回目の研磨におけるバレル３０の回転により生じる遠心力は、０．００２４Ｎ以上０．００３３Ｎ以下であり、２回目の研磨におけるバレル３０の回転により生じる遠心力は、０．０１１５Ｎ以上０．０１３３Ｎ以下であり、３回目の研磨におけるバレル３０の回転により生じる遠心力は、０．０１４３Ｎ以上０．０１６３Ｎ以下であると、１回目の研磨におけるバレル３０の回転により生じる遠心力である０．００２４Ｎ以上０．００３３Ｎ以下の段階で、外層剥がれが発生しない速度で一定の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成し、１回目の研磨のバレルの回転により生じる遠心力よりも高い０．０１１５Ｎ以上０．０１３３Ｎ以下の遠心力である２回目の研磨の段階で、所望の稜線部の丸みを形成することができる。さらに、２回目の研磨のバレルの回転により生じる遠心力よりも高い０．０１４３Ｎ以上０．０１６３Ｎ以下の遠心力である３回目の研磨の段階で、稜線部の丸みを形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用し、内部電極パターンが存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を向上させることができる。従って、積層体１２に対する外層剥がれをより抑制することができる。
【００５８】
さらにまた、上述のこの発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、３回目の研磨におけるバレル３０の回転数に設定する時機は、２回目の研磨におけるバレル３０内の温度が７０℃以上になったところとすると、積層体１２の稜線部の丸み（Ｒ量）を形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用し、内部電極パターンの存在しない外層部と内部電極パターンが存在する内層部との間における密着力を安定して向上させることができる。従って、積層体１２に対する外層剥がれを、さらに安定して抑制することができる。
【００５９】
３．実験例
次に、上述した本発明にかかる積層セラミックコンデンサ１０の効果を確認するために、本発明の製造方法に基づき積層セラミックコンデンサを製造し、積層セラミックコンデンサの割れと欠けの発生数の確認と、外層剥がれの発生数の確認を行った。
【００６０】
以下、前述の製造方法を使用して、以下の条件に基づいて実験例の実施例にかかる試料である積層セラミックコンデンサが作製された。
【００６１】
実施例に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝３．２５ｍｍ×２．５５ｍｍ×２．４５ｍｍ
・誘電体層の材料：ＢａＴｉＯ3
・内部電極の材料：Ｎｉ
・外部電極の構造
下地電極層：Ｃｕペーストの焼き付け層
めっき層：ＮｉめっきとＳｎめっきの２層構造
【００６２】
実施例に用いた試料である積層セラミックコンデンサの製造工程におけるバレル研磨の条件は、以下のとおりである。なお、バレル研磨は、乾式にて行った。
・緩衝材の材質：樹脂メディアおよび片栗粉
・緩衝材の量：樹脂メディア  ４００ｃｃ，片栗粉  １００ｃｃ
・緩衝材の大きさ：樹脂メディア  直径４ｍｍ，片栗粉  直径５０μｍ
・バレル内の未焼成の積層体チップ数：４８００個
・バレルによる研磨時間：２４０分
・バレルによる研磨条件：３段階に分けて各段階について時系列にバレルの回転数を上げて研磨を行った。
・バレル研磨の回転数および研磨時間：１回目  ６５ｒｐｍ（１２０分）
２回目  １３５ｒｐｍ（６０分）
３回目  １５０ｒｐｍ（６０分）
・バレルの回転による遠心力および時間：１回目  ０．００２８５Ｎ（１２０分）
２回目  ０．０１２８Ｎ（６０分）
３回目  ０．０１５３Ｎ（６０分）
【００６３】
比較例１に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、実施例と共通である。
【００６４】
比較例１に用いた試料である積層セラミックコンデンサの製造工程におけるバレル研磨の条件は、以下のとおりである。なお、バレル研磨は、乾式にて行った。
・緩衝材の材質：樹脂メディアおよび片栗粉
・緩衝材の量：樹脂メディア  ４００ｃｃ，片栗粉  １００ｃｃ
・緩衝材の大きさ：樹脂メディア  直径４ｍｍ，片栗粉  直径５０μｍ
・バレル内の未焼成の積層体チップ数：４８００個
・バレルによる研磨時間：２４０分
・バレルによる研磨条件：バレル研磨を段階分けせず、バレルの回転数を一定にして研磨
・バレル研磨の回転数および研磨時間：６５ｒｐｍ（２４０分）
・バレルの回転による遠心力および時間：０．００２８５Ｎ（２４０分）
【００６５】
比較例２に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、実施例と共通である。
【００６６】
比較例２に用いた試料である積層セラミックコンデンサの製造工程におけるバレル研磨の条件は、以下のとおりである。なお、バレル研磨は、乾式にて行った。
・緩衝材の材質：樹脂メディアおよび片栗粉
・緩衝材の量：樹脂メディア  ４００ｃｃ，片栗粉  １００ｃｃ
・緩衝材の大きさ：樹脂メディア  直径４ｍｍ，片栗粉  直径５０μｍ
・バレル内の未焼成の積層体チップ数：４８００個
・バレルによる研磨時間：１２０分
・バレルによる研磨条件：バレル研磨を段階分けせず、バレルの回転数を一定にして研磨
・バレル研磨の回転数および研磨時間：１５０ｒｐｍ（１２０分）
・バレルの回転による遠心力および時間：０．０１５３Ｎ（１２０分）
【００６７】
（ａ）割れ・欠け発生数の確認方法
焼成の完了した積層セラミックコンデンサの外観を目視ルーペにより確認し、積層体に割れや欠けが発生しているものを不良としてカウントした。
【００６８】
（ｂ）外層剥がれの発生数の確認方法
焼成の完了した積層セラミックコンデンサの外観を目視ルーペにより確認し、積層体に外層剥がれが発生しているものを不良としてカウントした。
【００６９】
実施例、比較例１および比較例２の各試料に対する割れ・欠けの発生数および外層剥がれの発生数の確認結果を表１に示す。
【００７０】
【表１】
2018116991.tif 000003
【００７１】
実施例の試料によると、割れ・欠けの発生は確認されず、外層剥がれも確認されなかった。
一方、比較例１の試料によると、外層剥がれの発生は確認されなかったが、２６６８個中２５１個の割れ・欠けの発生が確認された。また、比較例２の試料によると、割れ・欠けの発生は確認されなかったが、４６４０個中２２個の外層剥がれが確認された。
【００７２】
以上の結果から、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、積層体に対して割れや欠けだけでなく、外層剥がれも抑制しうる。これは、以下に記載のメカニズムによると考えることができる。すなわち、１回目の研磨においては、バレルの回転数を低くして、積層体の稜線部において一定の丸み（Ｒ量）を形成し、その後、１回目の研磨におけるバレルの回転数よりも高い回転数により積層体の稜線部において所望の丸みを形成する。その後、さらに、バレル内の温度が上昇したところで、バレルの回転数をさらに高くして、積層体の稜線部における丸みを形成しつつ、積層体チップの可塑性の増加を利用して、内部電極の存在しない外層部と内部電極が存在する内層部との間における密着力を向上させているため、割れや欠けだけでなく、外層剥がれをも抑制しうる。
【００７３】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
【符号の説明】
【００７４】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  積層体
１２ａ  第１の主面
１２ｂ  第２の主面
１２ｃ  第１の側面
１２ｄ  第２の側面
１２ｅ  第１の端面
１２ｆ  第２の端面
１４  誘電体層
１４ａ  外層部
１４ｂ  内層部
１６  内部電極
１６ａ  第１の内部電極
１６ｂ  第２の内部電極
１８ａ  第１の対向電極部
１８ｂ  第２の対向電極部
２０ａ  第１の引出電極部
２０ｂ  第２の引出電極部
２２ａ  側部（Ｗギャップ）
２２ｂ  端部（Ｌギャップ）
２４  外部電極
２４ａ  第１の外部電極
２４ｂ  第２の外部電極
２６ａ  第１の下地電極層
２６ｂ  第２の下地電極層
２８ａ  第１のめっき層
２８ｂ  第２のめっき層
３０  バレル
３２  緩衝材
ｘ  積層方向
ｙ  幅方向
ｚ  長さ方向
【図１】
2018116991.tif 000004
【図２】
2018116991.tif 000005
【図３】
2018116991.tif 000006
【図４】
2018116991.tif 000007