(57)【要約】【課題】シグナルノイズ比（ＳＮＲ）が高い磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体１００は、基板１と、下地層２と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層３を、この順で含む。下地層２は、第１の下地層４を含む。第１の下地層４は、Ｗを主成分とする材料および窒化物を含有し、かつ、窒化物の含有量が１ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層である。窒化物は、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の窒化物を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、下地層と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層を、この順で含み、
前記下地層は、第１の下地層を含み、
前記第１の下地層は、Ｗを主成分とする材料および窒化物を含有し、かつ、前記窒化物の含有量が１ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層であり、
前記窒化物は、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の窒化物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１の下地層は、前記窒化物の含有量が２０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内であり、
前記窒化物は、Ｔｉ、ＺｒまたはＴａの窒化物であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記下地層は、第２の下地層をさらに含み、
前記第２の下地層は、前記基板と、前記第１の下地層との間に設けられており、Ｗを主成分とする結晶質の層であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記基板と前記下地層との間に、配向制御層をさらに含み、
前記配向制御層は、ＢＣＣ構造を有する、Ｃｒ層もしくはＣｒを主成分とする合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記下地層と磁性層との間に、バリア層をさらに含み、
前記バリア層は、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣからなる群から選択される１種以上を含み、ＮａＣｌ型構造を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を含むことを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置に対する大容量化の要求は、益々強くなっている。
【０００３】
しかしながら、現行の記録方式では、ハードディスク装置の記録密度の向上が難しくなってきている。
【０００４】
熱アシスト磁気記録方式は、次世代の記録方式として盛んに研究され、注目されている技術の１つである。熱アシスト磁気記録方式は、磁気ヘッドから磁気記録媒体に近接場光を照射し、磁気記録媒体の表面を局所的に加熱することにより、磁気記録媒体の保磁力を低下させて書き込む記録方式である。
【０００５】
磁性層を構成する材料として高Ｋｕ材料を用いると、ＫｕＶ／ｋＴが大きくなる。ここで、Ｋｕは、磁性粒子の磁気異方性定数であり、Ｖは、磁性粒子の体積であり、ｋは、ボルツマン定数であり、Ｔは、温度である。このため、熱ゆらぎを悪化させることなく、磁性粒子の体積を小さくすることができる。このとき、磁性粒子を微細化することにより、熱アシスト磁気記録方式では、遷移幅を狭くすることができるので、ノイズを低減でき、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）を改善することができる。
【０００６】
また、垂直磁気異方性が高い熱アシスト磁気記録媒体を得るには、磁性層を構成する材料として用いられるＬ１０型結晶構造を有する合金を（００１）配向させる必要がある。ここで、磁性層の（００１）配向性は、下地層によって制御されるものであるため、下地層を構成する材料を適切に選択する必要がある。
【０００７】
熱アシスト磁気記録媒体の下地層を構成する材料としては、従来から、ＭｇＯ、ＣｒＮ、ＴｉＮなどが知られている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、ＭｇＯを主成分とする下地層を作製し、更にＦｅＰｔ合金からなるＬ１０形規則合金層を作製する情報記録媒体の製造方法が開示されている。
【０００９】
また、特許文献２には、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＣｒＮなどの遷移金属窒化物で形成された下地層上に、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ、Ｌ１０構造を有するＣｏＰｔなどの磁性物質からなるドットと、非磁性領域とを備える磁気記録層を備える磁気記録媒体が開示されている。
【００１０】
また、特許文献３には、ＭｇＯを含む（１００）配向を有するＭｇＯ下地層と、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含む（１００）配向を有する窒化物下地層とを含む下地層と、下地層上に形成されたＬ１０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有する磁気記録媒体が開示されている。
【００１１】
また、特許文献４には、Ｗを主成分とし、かつ、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、または、酸化物を含有する結晶質下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層と、を有する磁気記録媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平１１−３５３６４８号公報
【特許文献２】特開２００９−１４６５５８号公報
【特許文献３】特開２０１３−２５７９３０号公報
【特許文献４】特開２０１４−２２００２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
熱アシスト磁気記録媒体において、良好な磁気記録特性を得るためには、前述のようにＬ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層が必須である。
【００１４】
しかしながら、従来の技術では、磁性層の（００１）配向性が不十分であるため、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）が不十分であった。
【００１５】
本発明は、上記の事情に鑑みて提案されたものであり、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）が高い磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
（１）基板と、下地層と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層を、この順で含み、前記下地層は、第１の下地層を含み、前記第１の下地層は、Ｗを主成分とする材料および窒化物を含有し、かつ、前記窒化物の含有量が１ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層であり、前記窒化物は、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の窒化物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記第１の下地層は、前記窒化物の含有量が２０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内であり、前記窒化物は、Ｔｉ、ＺｒまたはＴａの窒化物であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記下地層は、第２の下地層をさらに含み、前記第２の下地層は、前記基板と、前記第１の下地層との間に設けられており、Ｗを主成分とする結晶質の層であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記基板と前記下地層との間に、配向制御層をさらに含み、前記配向制御層は、ＢＣＣ構造を有する、Ｃｒ層もしくはＣｒを主成分とする合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層ことを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記下地層と磁性層との間に、バリア層をさらに含み、前記バリア層は、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣからなる群から選択される１種以上を含み、ＮａＣｌ型構造を有することを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）（１）〜（５）のいずれか一項に記載の磁気記録媒体を含むことを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）が高い磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態の磁気記録媒体の一例を示す模式図である。
【図２】本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す模式図である。
【図３】図２の磁気ヘッドの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【００２０】
（磁気記録媒体）
図１に、本実施形態の磁気記録媒体の一例を示す。
【００２１】
磁気記録媒体１００は、基板１と、下地層２と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層３を、この順で含む。下地層２は、第１の下地層４を含む。第１の下地層４は、Ｗを主成分とする材料および窒化物を含有し、かつ、窒化物の含有量が１ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層である。窒化物は、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の窒化物を含む。
【００２２】
磁気記録媒体１００は、このような構成を採用することで、磁性層３の（００１）配向性を高めることが可能となるため、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を提供することが可能となる。ここで、第１の下地層４に含まれるＷは、体心立方格子（ＢＣＣ）構造であり、（１００）配向性が高いため、磁性層３を構成するＬ１０型結晶構造を有する合金の（００１）配向性を高めることが可能である。また、第１の下地層４に含まれる窒化物は、Ｗの結晶性、（１００）配向性を損なうことなく、第１の下地層４と磁性層３との格子整合性を高めることができる。
【００２３】
本明細書及び特許請求の範囲において、Ｗを主成分とする材料とは、Ｗの含有量が５０ａｔ％以上である材料を意味する。このとき、Ｗを主成分とする材料のＷの含有量は、好ましくは７０ａｔ％以上であり、より好ましくは９０ａｔ％以上である。
【００２４】
第１の下地層４に含まれるＷを主成分とする材料としては、特に限定されないが、Ｗ、ＷＭｏ、ＷＣｕ、ＷＮｉ、ＷＦｅ、ＷＲｅ、ＷＣなどが挙げられる。
【００２５】
第１の下地層４に含まれる窒化物としては、特に限定されないが、ＡｌＮ、ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、ＭｏＮ、ＷＮなどが挙げられる。
【００２６】
本実施形態では、第１の下地層４の窒化物の含有量を１ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％の範囲内とする。これは、第１の下地層４の窒化物の含有量が８０ｍｏｌ％を超えると、第１の下地層４の（１００）配向性が低下し、また、１ｍｏｌ％未満であると、磁性層３の（００１）配向性を高める効果を発揮できなくなる。
【００２７】
本実施形態では、第１の下地層４の窒化物の含有量を２０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内とし、かつ、窒化物として、Ｔｉ、ＺｒまたはＴａの窒化物を用いるのが好ましい。このような構成を採用することで、磁性層３の（００１）配向性をさらに高めることが可能となる。
【００２８】
本実施形態では、下地層２を２層構造とし、基板１と第１の下地層４との間に、第２の下地層５として、Ｗを主成分とする結晶質の層が設けられている。前述のように、第１の下地層４は、Ｗを主成分とする材料を含有し、ＢＣＣ構造を有する。このため、第１の下地層４は、（１００）配向性が高く、その上に形成するＬ１０構造型結晶を有する合金が（００１）配向している磁性層３と格子整合する層である。第１の下地層４の下に、第２の下地層５として、Ｗを主成分とする結晶質の層を設けることで、第１の下地層４の結晶性、（１００）配向性をより高めることができる。
【００２９】
本明細書及び特許請求の範囲において、Ｗを主成分とする結晶質の層とは、Ｗの含有量が５０ａｔ％以上である結晶質の層を意味する。このとき、Ｗを主成分とする結晶質の層のＷの含有量は、好ましくは７０ａｔ％以上であり、より好ましくは９０ａｔ％以上である。
【００３０】
Ｗを主成分とする結晶質の層としては、特に限定されないが、Ｗ層、ＷＭｏ層、ＷＣｕ層、ＷＮｉ層、ＷＦｅ層、ＷＲｅ層、ＷＣ層などが挙げられる。
【００３１】
本実施形態では、基板１と下地層２との間に、配向制御層６として、ＢＣＣ構造を有する、Ｃｒ層、もしくは、Ｃｒを主成分とする合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層が設けられている。配向制御層６は、その上に設ける下地層２の配向をより確実に（１００）配向とするために設ける層であるため、（１００）配向している。
【００３２】
本明細書及び特許請求の範囲において、Ｃｒを主成分とする合金とは、Ｃｒの含有量が５０ａｔ％以上である合金を意味する。このとき、Ｃｒを主成分とする合金のＣｒの含有量は、好ましくは７０ａｔ％以上であり、より好ましくは９０ａｔ％以上である。
【００３３】
Ｃｒを主成分とする合金としては、特に限定されないが、ＣｒＭｎ合金、ＣｒＭｏ合金、ＣｒＷ合金、ＣｒＶ合金、ＣｒＴｉ合金、ＣｒＲｕ合金等が挙げられる。
【００３４】
また、Ｃｒを主成分とする合金に、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ等の元素を添加すれば、下地層２の結晶粒子サイズ、分散度等をより改善することができる。ただし、これらの元素を添加する場合、配向制御層６の結晶性が劣化しない範囲で添加することが好ましい。
【００３５】
また、Ｂ２構造を有する合金としては、例えば、ＲｕＡｌ合金、ＮｉＡｌ合金等が挙げられる。
【００３６】
本実施形態では、下地層２と磁性層３との間に、バリア層７が設けられている。
【００３７】
バリア層７は、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣからなる群から選択される１種以上を含み、ＮａＣｌ型構造を有する。
【００３８】
本実施形態では、磁性層３として、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層を用いるが、磁性層３の規則化を促進するため、磁性層３を形成する時に、基板１を加熱する場合がある。バリア層７は、この際の下地層２と磁性層３との間の界面拡散を抑制するために設けられる層である。
【００３９】
本実施形態では、磁性層３を構成するＬ１０型結晶構造を有する合金は、磁気異方性定数Ｋｕが高い。
【００４０】
Ｌ１０型結晶構造を有する合金としては、例えば、ＦｅＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金等が挙げられる。
【００４１】
Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層３を形成する時に、磁性層３の規則化を促進するために、加熱処理することが好ましい。この場合、加熱温度（規則化温度）を低減するために、Ｌ１０型結晶構造を有する合金に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等を添加してもよい。
【００４２】
また、磁性層３に含まれるＬ１０型結晶構造を有する合金の結晶粒は、磁気的に孤立していることが好ましい。このため、磁性層３は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｃ、Ｂ、ＢＮからなる群から選択される１種以上の物質をさらに含有していることが好ましい。これにより、結晶粒間の交換結合をより確実に分断し、磁気記録媒体１００のＳＮＲをより高めることができる。
【００４３】
磁性層３の上には、炭素保護層８およびパーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂からなる潤滑層９が設けられている。
【００４４】
炭素保護層８および潤滑層９としては、公知のものを用いることができる。
【００４５】
なお、第２の下地層５、配向制御層６、バリア層７、炭素保護層８、潤滑層９は、必要に応じて、省略してもよい。
【００４６】
また、磁性層３を速やかに冷却するために、ヒートシンク層をさらに設けても良い。
【００４７】
ヒートシンク層には、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等の熱伝導率の高い金属や、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等の熱伝導率の高い金属を主成分とする合金を用いることができる。
【００４８】
ヒートシンク層は、例えば、配向制御層６の下、または、配向制御層６とバリア層７の間に形成することができる。
【００４９】
また、書込み特性を改善するため、軟磁性層をさらに設けてもよい。
【００５０】
軟磁性層を構成する材料としては、特に限定されないが、ＣｏＴａＺｒ合金、ＣｏＦｅＴａＢ合金、ＣｏＦｅＴａＳｉ合金、ＣｏＦｅＴａＺｒ合金等の非晶質合金、ＦｅＴａＣ合金、ＦｅＴａＮ合金等の微結晶合金、ＮｉＦｅ合金等の多結晶合金を用いることができる。
【００５１】
軟磁性層は、単層膜であってもよいし、適切な膜厚のＲｕ層を挟んで反強磁性結合している積層膜であってもよい。
【００５２】
また、上述した層以外にも、シード層、接着層等を、必要に応じて、さらに設けることができる。
【００５３】
磁気記録媒体１００は、熱アシスト磁気記録方式の磁気記録媒体、マイクロ波アシスト磁気記録方式の磁気記録媒体として好ましく用いることができる。
【００５４】
（磁気記憶装置）
本実施形態の磁気記憶装置の構成例について説明する。
【００５５】
なお、本実施形態では、熱アシスト磁気記録方式による磁気記憶装置の構成例について説明するが、本実施形態の磁気記憶装置は、熱アシスト磁気記録方式による磁気記憶装置に限定されるものではなく、マイクロ波アシスト磁気記録方式による磁気記憶装置とすることもできる。
【００５６】
本実施形態の磁気記憶装置は、本実施形態の磁気記録媒体を含む。
【００５７】
磁気記憶装置は、例えば、磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子を備えた磁気ヘッドとを有する構成とすることができる。また、磁気記憶装置は、磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、レーザー発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系とをさらに有することができる。
【００５８】
図２に、本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す。
【００５９】
図２に示す磁気記憶装置は、磁気記録媒体１００と、磁気記録媒体１００を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を含む。
【００６０】
図３に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。
【００６１】
磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８、再生ヘッド２１１を備えている。
【００６２】
記録ヘッド２０８は、主磁極２０１、補助磁極２０２、磁界を発生させるためのコイル２０３、レーザー発生部となるレーザーダイオード（ＬＤ）２０４、ＬＤから発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝達するための導波路２０７を有する。
【００６３】
再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれた再生素子２１０を有する。
【００６４】
図２に示す磁気記憶装置は、磁気記録媒体１００が用いられているため、ＳＮＲを高めることが可能となり、高記録密度の磁気記憶装置を提供することが可能となる。
【実施例】
【００６５】
以下に、具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００６６】
（実施例１）
磁気記録媒体１００（図１参照）を作製した。以下に、磁気記録媒体１００の製造工程を説明する。
【００６７】
外径２．５インチのガラス製の基板１上に、シード層として、膜厚２５ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ（Ｃｒの含有量５０ａｔ％、Ｔｉの含有量５０ａｔ％の合金）膜を形成した後、３００℃で基板１を加熱した。そして、配向制御層６として、膜厚２０ｎｍのＣｒ−５ａｔ％Ｍｎ（Ｃｒの含有量９５ａｔ％、Ｍｎの含有量５ａｔ％の合金）膜を形成した。次いで、第２の下地層５として、膜厚２０ｎｍのＷ層を形成し、第２の下地層５の上に、第１の下地層４として、膜厚２０ｎｍのＷ−２０ＴａＮ（Ｗの含有量８０ｍｏｌ％、ＴａＮの含有量２０ｍｏｌ％の合金）膜を形成した。さらに、バリア層７として、膜厚２ｎｍのＭｇＯ膜を形成した。その後、５８０℃で基板１を加熱し、磁性層３として、膜厚１０ｎｍの（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ）−１２ｍｏｌ％ＳｉＯ２−６ｍｏｌ％ＢＮ（Ｆｅの含有量５５ａｔ％、Ｐｔの含有量４５ａｔ％の合金の含有量８２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有量１２ｍｏｌ％、ＢＮの含有量６ｍｏｌ％の合金）膜を形成した。さらに、膜厚３ｎｍの炭素保護層８を形成し、炭素保護層８の表面にパーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂からなる潤滑層９を形成し、磁気記録媒体１００を作製した。
【００６８】
（実施例２〜５）
第１の下地層４の組成を、それぞれＷ−２５ＴａＮ、Ｗ−３０ＴａＮ、Ｗ−５０ＴａＮ、Ｗ−７５ＴａＮに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００６９】
（実施例６〜１６）
第１の下地層４の組成を、それぞれＷ−２５ＺｒＮ、Ｗ−２５ＴｉＮ、Ｗ−２５ＶＮ、Ｗ−２５ＮｂＮ、Ｗ−２５ＡｌＮ、Ｗ−２５ＢＮ、Ｗ−２５Ｓｉ３Ｎ４、Ｗ−２５ＨｆＮ、Ｗ−２５ＣｒＮ、Ｗ−２５ＭｏＮ、Ｗ−２５ＷＮに変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７０】
（実施例１７）
第２の下地層５を形成しなかった以外は、実施例２と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７１】
（実施例１８〜２０）
第２の下地層５の組成を、それぞれＷ−１０Ｍｏ（Ｗの含有量９０ａｔ％、Ｍｏの含有量１０ａｔ％の合金）、Ｗ−２０Ｍｏ、Ｗ−３０Ｍｏに変更した以外は、実施例２と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７２】
（比較例１）
第１の下地層４を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７３】
（比較例２、３）
第１の下地層４の組成をＴａＮに変更した以外は、それぞれ実施例１７、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７４】
（比較例４、５）
第１の下地層４の組成をＴｉＮに変更した以外は、それぞれ実施例１７、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７５】
（比較例６、７）
第１の下地層４の組成をＷ−８Ｓｉ（Ｗの含有量９２ａｔ％、Ｓｉの含有量８ａｔ％の合金）に変更した以外は、それぞれ実施例１７、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７６】
（比較例８、９）
第１の下地層４の組成をＷ−８ＳｉＯ２（Ｗの含有量９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有量８ｍｏｌ％の合金）に変更した以外は、それぞれ実施例１７、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７７】
（ＦｅＰｔ（００１）ピークのシグナル強度）
Ｘ線回折装置を用いて、磁性層３まで形成した磁気記録媒体の中間サンプルのＸ線回折スペクトルを測定し、ＦｅＰｔ（００１）ピークのシグナル強度を求めた。
【００７８】
（ＳＮＲ）
磁気ヘッド１０２（図３参照）を用いて、線記録密度１５００ｋＦＣＩのオールワンパターン信号を磁気記録媒体に記録し、ＳＮＲを測定した。ここで、レーザーダイオードに投入するパワーは、トラックプロファイルの半値幅と定義したトラック幅ＭＷＷが６０ｎｍとなるように調整した。
【００７９】
表１に、ＦｅＰｔ（００１）ピークのシグナル強度およびＳＮＲの評価結果を示す。
【００８０】
【表１】
2018106774.tif 000003
【００８１】
表１から、実施例１〜２０の磁気記録媒体は、ＦｅＰｔ（００１）ピークのシグナル強度およびＳＮＲが高いことがわかる。
【００８２】
これに対して、比較例１の磁気記録媒体は、第１の下地層４が形成されていないため、ＦｅＰｔ（００１）ピークのシグナル強度およびＳＮＲが低い。
【００８３】
比較例２〜５の磁気記録媒体は、第１の下地層４がＷを含有しないため、ＦｅＰｔ（００１）ピークのシグナル強度およびＳＮＲが低い。
【００８４】
比較例６〜９の磁気記録媒体は、第１の下地層４が窒化物を含有しないため、ＦｅＰｔ（００１）ピークのシグナル強度およびＳＮＲが低い。
【符号の説明】
【００８５】
１    基板
２    下地層
３    磁性層
４    第１の下地層
５    第２の下地層
６    配向制御層
７    バリア層
８    炭素保護層
９    潤滑層
１００    磁気記録媒体
１０１    磁気記録媒体駆動部
１０２    磁気ヘッド
１０３    磁気ヘッド駆動部
１０４    記録再生信号処理系
２０１    主磁極
２０２    補助磁極
２０３    コイル
２０４    レーザーダイオード
２０５    レーザー光
２０６    近接場光発生素子
２０７    導波路
２０８    記録ヘッド
２０９    シールド
２１０    再生素子
２１１    再生ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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