(57)【要約】【課題】大型化または高解像度化された表示装置の表示の均一性を高める。【解決手段】ソースドライバと、ゲートドライバと、第１の画素と、第２の画素と、を有し、当該第１の画素および当該第２の画素は、当該ソースドライバおよび当該ゲートドライバに電気的に接続され、当該第１の画素が配置される位置は、当該第２の画素が配置される位置よりも当該ソースドライバに近く、当該ゲートドライバは、当該第１の画素および当該第２の画素に書込み信号を供給する機能を有し、当該第２の画素に供給される当該書込み信号のパルス幅は、当該第１の画素に供給される当該書込み信号のパルス幅よりも長い、表示装置を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソースドライバと、ゲートドライバと、第１の画素と、第２の画素と、を有し、前記第１の画素および前記第２の画素は、前記ソースドライバおよび前記ゲートドライバに電気的に接続され、前記第１の画素が配置される位置は、前記第２の画素が配置される位置よりも前記ソースドライバに近く、
前記ゲートドライバは、前記第１の画素および前記第２の画素に書込み信号を供給する機能を有し、
前記第２の画素に供給される前記書込み信号のパルス幅は、前記第１の画素に供給される前記書込み信号のパルス幅よりも長い、表示装置。
【請求項２】
ソースドライバと、ゲートドライバと、前記ソースドライバおよび前記ゲートドライバに電気的に接続される第１乃至第Ｍ（Ｍは２以上の自然数）の画素とを有し、第ｊの画素（ｊは、２以上Ｍ以下の自然数）は、第（ｊ＋ｌ）（ｌは（Ｍ−ｊ）以下の自然数）の画素よりも前記ソースドライバに近い位置に配置され、
前記ゲートドライバは、前記第１乃至第Ｍの画素に書込み信号を供給する機能を有し、
前記第（ｊ＋ｌ）の画素に供給される前記書込み信号のパルス幅は、前記第ｊの画素に供給される前記書込み信号のパルス幅よりも長い、表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
ホストプロセッサと、表示コントローラとを有し、
前記ホストプロセッサは、デジタル信号を供給する機能を有し、
前記表示コントローラは、前記デジタル信号が供給される機能を有し、
前記表示コントローラは、前記ソースドライバの制御信号および前記ゲートドライバの制御信号を供給する機能を有し、
前記ソースドライバは、前記ソースドライバの制御信号を供給される機能を有し、
前記ゲートドライバは、前記ゲートドライバの制御信号を供給される機能を有し、
前記デジタル信号は、ダミー信号を含む、表示装置、
【請求項４】
請求項３において、
前記ホストプロセッサは、前記ダミー信号の長さを制御することによって、前記書込み信号のパルス幅を制御する機能を有する、表示装置。
【請求項５】
ソースドライバと、第１の画素と、第２の画素と、を有し、前記第１の画素および前記第２の画素は、前記ソースドライバに電気的に接続され、前記第１の画素が配置される位置は、前記第２の画素が配置される位置よりも前記ソースドライバに近い表示装置の表示方法であって、
前記第１の画素に第１の書込み信号を入力し、
前記第２の画素に第２の書込み信号を入力し、
前記第２の書込み信号のパルス幅は、前記第１の書込み信号のパルス幅よりも長い、表示方法。
【請求項６】
ソースドライバと、前記ソースドライバに電気的に接続される第１乃至第Ｍ（Ｍは２以上の自然数）の画素とを有し、第ｊの画素（ｊは、２以上Ｍ以下の自然数）は、第（ｊ＋ｌ）（ｌは（Ｍ−ｊ）以下の自然数）の画素よりも前記ソースドライバに近い位置に配置される表示装置の表示方法であって、
前記第ｊの画素に第１の書込み信号を入力し、
前記第（ｊ＋ｌ）の画素に第２の書込み信号を入力し、
前記第２の書込み信号のパルス幅は、前記第１の書込み信号のパルス幅よりも長い、表示方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置および表示方法に関する。
【０００２】
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、表示装置の大型化が求められている。例えば、家庭用のテレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）や、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などが挙げられる。また、デジタルサイネージや、ＰＩＤなどは、大型であるほど提供できる情報量を増やすことができ、また広告等に用いる場合には大型であるほど人の目につきやすく、広告の宣伝効果を高めることが期待される。
【０００４】
また、表示装置の高解像度化が求められている。例えば、フルハイビジョン（画素数１９２０×１０８０）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０もしくは４０９６×２１６０等）、さらには８Ｋ（画素数７６８０×４３２０もしくは８１９２×４３２０等）といった画素数の多いテレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）が盛んに開発されている。
【０００５】
表示装置の大型化および高解像度化を実現させるための手段として、例えば、特許文献１には、表示パネル同士の境界を目立たせないように、複数の表示パネルを配置する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１８０９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
大型または高解像度の表示装置においては、ドライバの駆動能力が表示装置の大きさに対して十分でなく、表示が不均一になる等の問題が発生しやすい。
【０００８】
例えば、ソースドライバから離れた位置に配置される画素に供給されるデータ電圧は、ソースドライバから近い位置に配置される画素に供給されるデータ電圧よりも上昇または下降の速度が小さいことがある。
【０００９】
従って、全ての画素への書込み方法を、ソースドライバから近い位置に配置される画素に供給されるデータ電圧の上昇または下降の速度に合わせて設定すると、ソースドライバから離れた位置に配置される画素に対して書込みするためには時間が不足する場合がある。すなわち、ソースドライバから離れた位置に配置される画素に充分にデータ電圧を書き込むことが困難である場合がある。これによって、表示が不均一になりやすくなることがある。
【００１０】
一方、全ての画素への書込み方法を、ソースドライバから離れた位置に配置される画素に供給されるデータ電圧の上昇または下降の速度に合わせて設定すると、表示の周波数特性が低下するため、表示装置の表示品位が低下しやすい場合がある。
【００１１】
そこで、本発明の一態様は、大型または高解像度の表示装置の表示の均一性を高めることを課題とする。また、本発明の一態様は、大型または高解像度の表示装置の表示品位を高めることを課題とする。
【００１２】
本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、ソースドライバと、ゲートドライバと、第１の画素と、第２の画素と、を有し、当該第１の画素および当該第２の画素は、当該ソースドライバおよび当該ゲートドライバに電気的に接続され、当該第１の画素が配置される位置は、当該第２の画素が配置される位置よりも当該ソースドライバに近く、当該ゲートドライバは、当該第１の画素および当該第２の画素に書込み信号を供給する機能を有し、当該第２の画素に供給される当該書込み信号のパルス幅は、当該第１の画素に供給される当該書込み信号のパルス幅よりも長い、表示装置である。
【００１４】
または、本発明の一態様は、ソースドライバと、ゲートドライバと、当該ソースドライバおよび当該ゲートドライバに電気的に接続される第１乃至第Ｍ（Ｍは２以上の自然数）の画素とを有し、第ｊの画素（ｊは、２以上Ｍ以下の自然数）は、第（ｊ＋ｌ）（ｌは（Ｍ−ｊ）以下の自然数）の画素よりも当該ソースドライバに近い位置に配置され、当該ゲートドライバは、当該第１乃至第Ｍの画素に書込み信号を供給する機能を有し、当該第（ｊ＋ｌ）の画素に供給される当該書込み信号のパルス幅は、当該第ｊの画素に供給される当該書込み信号のパルス幅よりも長い、表示装置である。
【００１５】
上記各構成の表示装置において、ホストプロセッサと、表示コントローラとを有し、当該ホストプロセッサは、デジタル信号を供給する機能を有し、当該表示コントローラは、当該デジタル信号が供給される機能を有し、当該表示コントローラは、当該ソースドライバの制御信号および当該ゲートドライバの制御信号を供給する機能を有し、当該ソースドライバは、当該ソースドライバの制御信号を供給される機能を有し、当該ゲートドライバは、当該ゲートドライバの制御信号を供給される機能を有し、当該デジタル信号は、ダミー信号を含むとより好ましい。
【００１６】
上記構成の表示装置において、当該ホストプロセッサは、当該ダミー信号の期間の長さを制御することによって、当該書込み信号のパルス幅を制御する機能を有するとより好ましい。
【００１７】
または、本発明の一態様は、ソースドライバと、第１の画素と、第２の画素と、を有し、当該第１の画素および当該第２の画素は、当該ソースドライバに電気的に接続され、当該第１の画素が配置される位置は、当該第２の画素が配置される位置よりも当該ソースドライバに近い表示装置の表示方法であって、当該第１の画素に第１の書込み信号を入力し、当該第２の画素に第２の書込み信号を入力し、当該第２の書込み信号のパルス幅は、当該第１の書込み信号のパルス幅よりも長い、表示方法である。
【００１８】
または、本発明の一態様は、ソースドライバと、当該ソースドライバに電気的に接続される第１乃至第Ｍ（Ｍは２以上の自然数）の画素とを有し、第ｊの画素（ｊは、２以上Ｍ以下の自然数）は、第（ｊ＋ｌ）（ｌは（Ｍ−ｊ）以下の自然数）の画素よりも当該ソースドライバに近い位置に配置される表示装置の表示方法であって、当該第ｊの画素に第１の書込み信号を入力し、当該第（ｊ＋ｌ）の画素に第２の書込み信号を入力し、当該第２の書込み信号のパルス幅は、当該第１の書込み信号のパルス幅よりも長い、表示方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様により、大型または高解像度の表示装置の表示の均一性を高めることができる。また、本発明の一態様により、大型または高解像度の表示装置の表示品位を高めることができる。
【００２０】
本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び／又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一態様を説明するためのブロック図。
【図２】本発明の一態様を説明するための回路図。
【図３】本発明の一態様を説明するためのタイミングチャート。
【図４】本発明の一態様を説明するためのタイミングチャート。
【図５】本発明の一態様を説明するためのブロック図および回路図。
【図６】本発明の一態様を説明するためのブロック図および回路図。
【図７】本発明の一態様を説明するための回路図。
【図８】表示パネルの一例を示す斜視図。
【図９】表示パネルの一例を示す断面図。
【図１０】副画素の一例を示す上面図。
【図１１】表示パネルの一例を説明する図。
【図１２】表示モジュールの一例を説明する図。
【図１３】電子機器の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２３】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２４】
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００２５】
本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用した装置であり、半導体素子（トランジスタ、ダイオード、フォトダイオード等）を含む回路、同回路を有する装置等をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般をいう。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップや、パッケージにチップを収納した電子部品は半導体装置の一例である。また、記憶装置、表示装置、発光装置、照明装置及び電子機器等は、それ自体が半導体装置であり、半導体装置を有している場合がある。
【００２６】
本明細書等において、ＸとＹとが接続されていると記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層など）であるとする。
【００２７】
トランジスタは、ゲート、ソース、およびドレインと呼ばれる３つの端子を有する。ゲートは、トランジスタの導通状態を制御する制御ノードである。ソースまたはドレインとして機能する２つの入出力ノードは、トランジスタの型及び各端子に与えられる電位の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２端子と呼ぶ場合や、第３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。
【００２８】
ノードは、回路構成やデバイス構造等に応じて、端子、配線、電極、導電層、導電体、不純物領域等と言い換えることが可能である。また、端子、配線等をノードと言い換えることが可能である。
【００２９】
電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位、ソース電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である。なお、電位とは相対的なものである。よって、ＧＮＤと記載されていても、必ずしも０Ｖを意味しない場合がある。
【００３０】
本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、順序を表すために使用される場合がある。または、構成要素の混同を避けるために使用する場合があり、この場合、序数詞の使用は構成要素の個数を限定するものではなく、順序を限定するものでもない。また、例えば、「第１」を「第２」または「第３」に置き換えて、発明の一形態を説明することができる。
【００３１】
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００３２】
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
【００３３】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【００３４】
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、図１乃至図７を用いて本発明の一態様の表示装置について説明する。
【００３６】
図１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置の一例である表示装置２００のブロック図である。図１（Ｂ）は、表示装置２００が有する表示コントローラを説明するブロック図である。
【００３７】
図２は、表示装置２００が有する画素を説明する回路図である。
【００３８】
図３および図４は、表示装置２００の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【００３９】
図５は、表示装置２００が有するソースドライバを説明するブロック図および回路図である。
【００４０】
図６は、表示装置２００が有するゲートドライバを説明するブロック図および回路図である。
【００４１】
図７は、表示装置２００が有する電圧生成回路を説明する回路図である。
【００４２】
まず、図１（Ａ）および図３（Ａ）を用いて、本発明の一態様の表示装置の構成を示す。
【００４３】
図１（Ａ）に示すように、表示装置２００は、ディスプレイドライバＩＣ１００と、ゲートドライバ１５０と、走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］（Ｍは２以上の自然数）と、信号線ＹＬ［１］乃至信号線ＹＬ［Ｎ］（Ｎは２以上の自然数）と、画素部１６０とを有する。
【００４４】
ディスプレイドライバＩＣ１００は、ソースドライバ１４０と、表示コントローラ１２０と、電圧生成回路１３０を有する。
【００４５】
表示コントローラ１２０（図中、Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒと示す）は、ホストプロセッサ１７０から出力されるデジタル信号ＳＤＩＧがインターフェースを介して入力される。表示コントローラ１２０は、デジタル信号ＳＤＩＧをもとに、ソースドライバ１４０の制御信号、ゲートドライバ１５０の制御信号、および表示データＤＡＴＡを供給する。ソースドライバ１４０の制御信号は、例えば、クロック信号ＳＣＬＫ、スタートパルスＳＳＰ、ラッチ信号ＳＬＡＴＣＨである。ゲートドライバ１５０の制御信号は、例えば、クロック信号ＧＣＬＫ、スタートパルスＧＳＰである。
【００４６】
図１（Ｂ）は、ディスプレイドライバＩＣ１００が有する表示コントローラ１２０の構成の一例である。図１（Ｂ）において、表示コントローラ１２０は、基準クロック生成回路１２１と、水平クロック生成回路１２２と、垂直クロック生成回路１２３と、映像信号処理回路１２４とを有する。
【００４７】
図１（Ｂ）に示す表示コントローラ１２０において、基準クロック生成回路１２１は、デジタル信号ＳＤＩＧから基準クロックを生成する。この基準クロックは、水平クロック生成回路１２２、および垂直クロック生成回路１２３に入力される。また、水平クロック生成回路１２２は、基準クロックから、クロック信号ＳＣＬＫ、スタートパルスＳＳＰ、ラッチ信号ＳＬＡＴＣＨ等のソースドライバ１４０の制御信号を生成する。また、垂直クロック生成回路１２３は、基準クロックから、クロック信号ＧＣＬＫ、スタートパルスＧＳＰ等のゲートドライバ１５０の制御信号を生成する。
【００４８】
また、図１（Ｂ）に示す表示コントローラ１２０において、映像信号処理回路１２４は、デジタル信号ＳＤＩＧから、表示データＤＡＴＡを生成する。
【００４９】
なお、図１（Ａ）において、デジタル信号ＳＤＩＧは、ホストプロセッサ１７０から出力されるが、本発明の一態様の表示装置の構成はこれに限らない。ホストプロセッサ等から出力された信号が、例えばタイミングコントローラまたはフレームメモリ等を介して、デジタル信号ＳＤＩＧとして表示コントローラ１２０に入力されてもよい。
【００５０】
電圧生成回路１３０（図中、Ｖ−ＧＥＮと示す）は、電源１７１（図中、Ｐｏｗｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙと示す）から出力される基準となる電圧ＶＤＤ、電圧ＶＳＳが入力される。なお電圧ＶＳＳはグラウンド電圧ＧＮＤであることが好ましい。電圧生成回路１３０は、電圧ＶＤＤ、電圧ＶＳＳをもとに、ソースドライバ１４０およびゲートドライバ１５０を駆動するための電圧を生成する。ソースドライバ１４０に出力する電圧は、例えば、電圧ＶＤＡＣおよび電圧ＶＳ−ＢＵＦである。ゲートドライバ１５０に出力する電圧は、例えば、電圧ＶＧ−ＢＵＦである。
【００５１】
ソースドライバ１４０は、電圧ＶＤＡＣ、電圧ＶＳ−ＢＵＦおよび制御信号（クロック信号ＳＣＬＫ、スタートパルスＳＳＰ、ラッチ信号ＳＬＡＴＣＨ）によって、表示データＤＡＴＡをデータ電圧（ＶＤＡＴＡ）として出力する。ソースドライバ１４０の構成の詳細については後述する。
【００５２】
ゲートドライバ１５０は、走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］と電気的に接続される。また、ゲートドライバ１５０は、電圧ＶＧ−ＢＵＦおよび制御信号（クロック信号ＧＣＬＫ、スタートパルスＧＳＰ）によって走査電圧（ＶＳＣＡＮ）を走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］に出力する。ゲートドライバ１５０の構成の詳細については後述する。
【００５３】
信号線ＹＬ［１］乃至信号線ＹＬ［Ｎ］は、画素部１６０と重なる領域において、それぞれ互いに概略平行となるように順に配置される。また、信号線ＹＬ［１］乃至信号線ＹＬ［Ｎ］は、ソースドライバ１４０に電気的に接続される。また、信号線ＹＬ［１］乃至信号線ＹＬ［Ｎ］は、画素部１６０と電気的に接続される。
【００５４】
走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］は、画素部１６０と重なる領域において、それぞれ互いに概略平行となるように順に配置される。また、走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］は、ゲートドライバ１５０に電気的に接続される。また、走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］は、画素部１６０と電気的に接続される。
【００５５】
なお、本明細書等において、信号線ＹＬ［１］乃至信号線ＹＬ［Ｎ］のうち、ゲートドライバ１５０に最も近い信号線を信号線ＹＬ［１］といい、ゲートドライバ１５０から最も離れた信号線を信号線ＹＬ［Ｎ］という。また、本明細書等において、走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］のうち、ソースドライバ１４０に最も近い走査線を走査線ＸＬ［１］といい、ソースドライバ１４０から最も離れた走査線を走査線ＸＬ［Ｍ］という。
【００５６】
また、信号線ＹＬ［１］乃至信号線ＹＬ［Ｎ］のそれぞれは、走査線ＸＬ［１］乃至走査線ＸＬ［Ｍ］に概略直交するように配置される。
【００５７】
画素部１６０は、Ｍ行Ｎ列の画素１６２を有する。
【００５８】
ここで、図２（Ａ）および図２（Ｂ）を用いて画素１６２について説明する。
【００５９】
画素１６２は、トランジスタ、キャパシタおよび表示素子を有する。また、画素１６２は、一の信号線および一の走査線と電気的に接続される。図２（Ａ）および図２（Ｂ）に、画素１６２の構成の例を示す。なお、図２（Ａ）および図２（Ｂ）では、任意の行、列にある画素として、第ｊ行、第ｋ列（ｊはＭ以下の自然数、ｋはＮ以下の自然数）の画素を図示している。
【００６０】
また、画素１６２は、一の信号線を介して、ソースドライバ１４０から出力されるデータ電圧を入力される。また、画素１６２は、一の走査線を介して、ゲートドライバ１５０から出力される走査電圧を入力される。
【００６１】
画素１６２に用いることのできる表示素子としては、液晶素子または発光素子が挙げられる。
【００６２】
画素１６２に用いることのできる発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、ＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【００６３】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【００６４】
ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【００６５】
ＥＬ層には低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【００６６】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【００６７】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色および赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
【００６８】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。
【００６９】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【００７０】
画素１６２に用いることのできる液晶素子の詳細については後の実施の形態で説明する。
【００７１】
図２（Ａ）に、表示素子として液晶素子を用いる場合の例である画素１６２Ａを示す。画素１６２Ａは、トランジスタ１９１、キャパシタ１９２、及び液晶素子１９３を有する。
【００７２】
トランジスタ１９１のゲートは、ノードＮＸＬ［ｊ］［ｋ］において走査線ＸＬ［ｊ］と電気的に接続される。また、トランジスタ１９１のソースまたはドレインの一方は、ノードＮＹＬ［ｊ］［ｋ］において信号線ＹＬ［ｋ］と電気的に接続される。トランジスタ１９１のソースまたはドレインの他方は、キャパシタ１９２および液晶素子１９３と電気的に接続される。
【００７３】
トランジスタ１９１は、液晶素子１９３と信号線ＹＬ［ｋ］との接続を制御するスイッチング素子としての機能を有する。例えば、ゲートドライバ１５０から走査線ＸＬ［ｊ］を介してトランジスタ１９１のゲートにパルス信号が入力されると、トランジスタ１９１がオン状態となり、信号線ＹＬ［ｋ］と液晶素子１９３とが導通状態となって、液晶素子１９３に表示データが書き込まれる。
【００７４】
図２（Ｂ）に、表示素子として発光素子を用いる場合の画素の構成の一例である画素１６２Ｂを示す。画素１６２Ｂは、トランジスタ１９４、トランジスタ１９５、及び発光素子１９６を有する。なお、図２（Ｂ）では走査線ＸＬ［ｊ］及び信号線ＹＬ［ｋ］に加えて、電流供給線ＺＬ［ｊ］を図示している。電流供給線ＺＬ［ｊ］は、発光素子１９６に電流を供給するための配線である。
【００７５】
トランジスタ１９４のゲートは、ノードＮＸＬ［ｊ］［ｋ］において走査線ＸＬ［ｊ］と電気的に接続される。また、トランジスタ１９４のソースまたはドレインの一方は、ノードＮＹＬ［ｊ］［ｋ］において信号線ＹＬ［ｋ］と電気的に接続される。また、トランジスタ１９４のソースまたはドレインの他方は、トランジスタ１９５のゲートと電気的に接続される。
【００７６】
トランジスタ１９５のソースまたはドレインの一方は、電流供給線ＺＬ［ｊ］と電気的に接続される。また、トランジスタ１９５のソースまたはドレインの他方は、発光素子１９６と電気的に接続される。
【００７７】
トランジスタ１９４は、トランジスタ１９５のゲートと信号線ＹＬ［ｋ］との接続を制御するスイッチング素子としての機能を有する。例えば、ゲートドライバ１５０から走査線ＸＬ［ｊ］を介してトランジスタ１９４のゲートにパルス信号が入力されると、トランジスタ１９４がオン状態となり、信号線ＹＬ［ｋ］とトランジスタ１９５のゲートとが導通状態となって、トランジスタ１９５のゲートにデータ電圧（ＶＤＡＴＡ）が入力される。さらに、トランジスタ１９５のゲートに印加される電圧に応じて電流供給線ＺＬ［ｊ］から発光素子１９６に流れる電流が制御されることで、発光素子１９６に表示データが書き込まれる。
【００７８】
本明細書等において、表示素子に表示データの書き込みを行うためにゲートドライバ１５０から画素１６２に入力するパルス信号を、書込み信号または走査電圧ということがある。より具体的には、例えば、画素１６２Ａが有する液晶素子１９３に表示データの書き込みを行うために、ゲートドライバ１５０から走査線ＸＬ［ｊ］を介してトランジスタ１９１のゲートに入力するパルス信号を書込み信号または走査電圧ということがある。また、画素１６２Ｂが有する発光素子１９６に表示データの書き込みを行うためにゲートドライバ１５０から走査線ＸＬ［ｊ］を介してトランジスタ１９４のゲートに入力するパルス信号を書込み信号または走査電圧ということがある。
【００７９】
以上が、画素１６２についての説明である。
【００８０】
なお、本明細書等において、走査線ＸＬ［ｊ］とは、第ｊ行に配置される複数の画素に接続される走査線をいう。また、信号線ＹＬ［ｋ］とは、第ｋ列に配置される複数の画素に接続される信号線をいう。
【００８１】
また、本明細書等において、ある画素（第１の画素）が配置される位置と、別の画素（第２の画素）が配置される位置のどちらがディスプレイドライバＩＣ１００またはソースドライバ１４０に近いかは、例えば、第１の画素および第２の画素が接続される走査線によって判断してもよい。
【００８２】
例えば、第１の画素が、第ｊの走査線に接続され、第２の画素が第（ｊ＋ｌ）（ｌは（Ｍ−ｊ）以下の自然数）の走査線に接続される場合、第１の画素の配置される位置は、第２の画素が配置される位置よりもディスプレイドライバＩＣ１００またはソースドライバ１４０に近いと判断することができる。
【００８３】
また、本明細書等において、ある画素（第１の画素）が配置される位置と、別の画素（第２の画素）が配置される位置のどちらがディスプレイドライバＩＣ１００またはソースドライバ１４０に近いかは、例えば、ディスプレイドライバＩＣ１００またはソースドライバ１４０上の一点と第１の画素上の一点との間の距離を、ディスプレイドライバＩＣ１００またはソースドライバ１４０上の一点と第２の画素上の一点との間の距離と比較することによって判断してもよい。
【００８４】
以上が、本発明の一態様の表示装置の構成である。
【００８５】
本発明の一態様の表示装置は、書込み信号のパルス幅を、当該書込み信号が入力される画素１６２が配置される位置によって変える。
【００８６】
具体的には、ディスプレイドライバＩＣ１００の近くに配置される画素１６２に入力される書込み信号のパルス幅を短くし、ディスプレイドライバＩＣ１００から離れた位置に配置される画素１６２に入力される書込み信号のパルス幅を長くする。これによって、ディスプレイドライバＩＣ１００から離れた位置に配置される画素１６２に入力される走査電圧の上昇には時間がかかる場合であっても、当該画素１６２に確実に走査電圧を書き込むことができる。
【００８７】
より具体的には、例えば、第（ｊ＋ｌ）行、第ｋ列の画素に入力される書込み信号のパルス幅を、第ｊ行、第ｋ列の画素に入力される書込み信号のパルス幅より長くする。これによって、第（ｊ＋ｌ）行、第ｋ列の画素と電気的に接続されるノードＮＹＬ［ｊ＋ｌ］［ｋ］における電圧上昇が、第ｊ行、第ｋ列の画素と電気的に接続されるノードＮＹＬ［ｊ］［ｋ］における電圧上昇より遅い場合であっても、第（ｊ＋ｌ）行、第ｋ列の画素に走査電圧を確実に書き込むことができる。
【００８８】
従って、本発明の一態様は、画素１６２の位置によって、データ電圧の上昇または下降の速さが異なるような場合であっても、画素１６２の位置によらず確実に走査電圧を書き込むことが可能である。いいかえると画素１６２に接続される走査線上のノードの位置によって当該ノードにおけるデータ電圧の上昇または下降の速さが異なるような場合であっても、当該ノードの位置によらず確実に画素１６２にデータ電圧を書き込むことが可能である。
【００８９】
次に、図３（Ａ）および図３（Ｂ）を用いて本発明の一態様の表示装置の駆動方法の具体例を説明する。
【００９０】
図１で示すデジタル信号ＳＤＩＧは、デジタル信号Ｓ［１］乃至Ｓ［Ｍ］を含む。デジタル信号Ｓ［１］乃至Ｓ［Ｍ］は、それぞれ、ある行の画素において表示する表示データを含む。例えば、任意のデジタル信号Ｓ［ｊ］は、第ｊ行の画素において表示するデータを含む。なお、デジタル信号Ｓ［１］乃至Ｓ［Ｍ］の期間の長さは、それぞれ等しい。
【００９１】
デジタル信号ＳＤＩＧは、デジタル信号Ｓ［ｊ］とデジタル信号Ｓ［ｊ＋１］との間に、ダミー信号を有することがある。本発明の一態様の表示装置は、当該ダミー信号の期間の長さを調節することによって、書込み信号のパルス幅を行ごとに制御することができる。
【００９２】
図３（Ｂ）は、デジタル信号Ｓ［ｊ］のタイミングチャートの一例である。図３（Ａ）に示すデジタル信号Ｓ［ｊ］は、第１のブランク期間ΔＴｂ１と、データ期間ΔＴｄと、第２のブランク期間ΔＴｂ２からなる。
【００９３】
デジタル信号Ｓ［ｊ］は、データ期間ΔＴｄにおいて、第ｊ行の画素において表示するデータを含む。また、デジタル信号Ｓ［ｊ］は、第１のブランク期間ΔＴｂ１または第２のブランク期間ΔＴｂ２のいずれか一方または両方において、トリガデータを含む。
【００９４】
本発明の一態様の表示装置は、デジタル信号Ｓ［ｊ］が含むトリガデータを用いてクロック信号ＧＣＬＫおよびクロック信号ＳＣＬＫの制御を行うことができる。これによって、クロック信号ＧＣＬＫおよびクロック信号ＳＣＬＫを、デジタル信号ＳＤＩＧと同期する信号とすることができる。また、本発明の一態様の表示装置は、デジタル信号Ｓ［ｊ］が含むトリガデータを用いて図１（Ａ）で示すクロック信号ＧＣＬＫ、クロック信号ＳＣＬＫ、スタートパルスＧＳＰ、およびスタートパルスＳＳＰの制御を行うことができる。
【００９５】
図３（Ａ）には、デジタル信号ＳＤＩＧおよびクロック信号ＧＣＬＫの例を示すタイミングチャートと、信号線ＹＬ［ｋ］、走査線ＸＬ［ｊ］、走査線ＸＬ［ｊ＋１］、走査線ＸＬ［ｊ＋２］、走査線ＸＬ［ｊ＋３］、走査線ＸＬ［ｊ＋４］のそれぞれに入力される信号の例を示すタイミングチャートを示す。なお図３（Ａ）は、第ｊ行、第（ｊ＋１）行、第（ｊ＋２）行、第（ｊ＋３）行、および第（ｊ＋４）行の画素に書込み信号を入力する期間におけるタイミングチャートである。
【００９６】
図３（Ａ）において、デジタル信号ＳＤＩＧは、デジタル信号Ｓ［ｊ＋１］、ダミー信号Ｓｄ［１］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋２］、ダミー信号Ｓｄ［２］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋３］、ダミー信号Ｓｄ［３］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋４］、ダミー信号Ｓｄ［４］、およびデジタル信号Ｓ［ｊ＋５］を含む。
【００９７】
以下、図３（Ａ）に示すように、デジタル信号ＳＤＩＧがデジタル信号Ｓ［ｊ＋１］である期間を期間ΔＴ０といい、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［１］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋２］である期間を期間ΔＴ１といい、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［２］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋３］である期間を期間ΔＴ２といい、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［３］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋４］である期間を期間ΔＴ３といい、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［４］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋５］である期間を期間ΔＴ４ということがある。
【００９８】
図３（Ａ）に示すように、ダミー信号Ｓｄ［１］、ダミー信号Ｓｄ［２］、ダミー信号Ｓｄ［３］、およびダミー信号Ｓｄ［４］は、この順で徐々に期間が長くなる。したがって、期間ΔＴ０、期間ΔＴ１、期間ΔＴ２、期間ΔＴ３、および期間ΔＴ４の大小関係は、ΔＴ０≦ΔＴ１≦ΔＴ２≦ΔＴ３≦ΔＴ４と示すことができる。
【００９９】
クロック信号ＧＣＬＫは、上記のとおり、デジタル信号ＳＤＩＧが含むトリガデータによって制御され、デジタル信号ＳＤＩＧと同期する信号である。よって、クロック信号ＧＣＬＫの周波数は動的に変化する場合がある。例えば、クロック信号ＧＣＬＫは、期間ΔＴ０において、低電位であり、期間ΔＴ１において、高電位となり、期間ΔＴ２において、低電位となり、期間ΔＴ３において、高電位となり、期間ΔＴ４において、低電位となる。上述の通り、ΔＴ０≦ΔＴ１≦ΔＴ２≦ΔＴ３≦ΔＴ４であるため、期間ΔＴ０から期間ΔＴ４の間に、クロック信号ＧＣＬＫの周波数は低下する場合があるといえる。
【０１００】
また、クロック信号ＧＣＬＫは、ダミー信号の期間の長さに依存して、周波数が変化する場合があるということもできる。
【０１０１】
期間ΔＴ０において、信号線ＹＬ［ｋ］には、第ｊ行の画素において表示するデータが供給される。また、期間ΔＴ０において、走査線ＸＬ［ｊ］には、パルス幅Δｔ０（Δｔ０≦ΔＴ０）の書込み信号が供給される。
【０１０２】
期間ΔＴ１において、信号線ＹＬ［ｋ］には、第（ｊ＋１）行の画素において表示するデータが供給される。また、期間ΔＴ１において、走査線ＸＬ［ｊ＋１］には、パルス幅Δｔ１（Δｔ１≦ΔＴ１）の書込み信号が供給される。
【０１０３】
期間ΔＴ２において、信号線ＹＬ［ｋ］には、第（ｊ＋２）行の画素において表示するデータが供給される。また、期間ΔＴ２において、走査線ＸＬ［ｊ＋２］には、パルス幅Δｔ２（Δｔ２≦ΔＴ２）の書込み信号が供給される。
【０１０４】
期間ΔＴ３において、信号線ＹＬ［ｋ］には、第（ｊ＋３）行の画素において表示するデータが供給される。また、期間ΔＴ３において、走査線ＸＬ［ｊ＋３］には、パルス幅Δｔ３（Δｔ３≦ΔＴ３）の書込み信号が供給される。
【０１０５】
期間ΔＴ４において、信号線ＹＬ［ｋ］には、第（ｊ＋４）行の画素において表示するデータが供給される。また、期間ΔＴ４において、走査線ＸＬ［ｊ＋４］には、パルス幅Δｔ４（Δｔ４≦ΔＴ４）の書込み信号が供給される。
【０１０６】
上述の通り、ΔＴ０≦ΔＴ１≦ΔＴ２≦ΔＴ３≦ΔＴ４であるため、走査線ＸＬ［ｊ］乃至［ｊ＋４］に供給される書込み信号の幅の大小関係は、Δｔ０≦Δｔ１≦Δｔ２≦Δｔ３≦Δｔ４と表すことができる。
【０１０７】
なお、図３では、隣り合う走査線に入力される書込み信号のパルス幅が異なる例を示したが、本発明の一態様はこれに限定されず、隣り合う走査線に入力される書込み信号のパルス幅が等しい場合があってもよい。
【０１０８】
図４を用いて、隣り合う走査線に入力される書込み信号のパルス幅が等しい場合がある、駆動方法の一例を示す。
【０１０９】
図４には、デジタル信号ＳＤＩＧおよびクロック信号ＧＣＬＫの例を示すタイミングチャートと、信号線ＹＬ［ｋ］、および走査線ＸＬ［ｊ］乃至［ｊ＋８］のそれぞれに入力される信号の例を示すタイミングチャートを示す。なお図４は、第ｊ行乃至第（ｊ＋８）行の画素に書込み信号を入力する期間におけるタイミングチャートである。
【０１１０】
図４において、デジタル信号ＳＤＩＧは、デジタル信号Ｓ［ｊ＋１］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋２］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋３］、ダミー信号Ｓｄ［１］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋４］、ダミー信号Ｓｄ［２］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋５］、ダミー信号Ｓｄ［３］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋６］、ダミー信号Ｓｄ［４］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋７］、ダミー信号Ｓｄ［５］、デジタル信号Ｓ［ｊ＋８］、ダミー信号Ｓｄ［６］、およびデジタル信号Ｓ［ｊ＋９］を含む。
【０１１１】
図４において、デジタル信号Ｓ［ｊ＋１］およびデジタル信号Ｓ［ｊ＋２］の間、およびデジタル信号Ｓ［ｊ＋２］およびデジタル信号Ｓ［ｊ＋３］の間には、ダミー信号が入力されない。また、ダミー信号Ｓｄ［１］、ダミー信号Ｓｄ［２］およびダミー信号Ｓｄ［３］の期間の長さはそれぞれ等しい。また、ダミー信号Ｓｄ［４］、ダミー信号Ｓｄ［５］およびダミー信号Ｓｄ［６］の期間の長さはそれぞれ等しく、また、ダミー信号Ｓｄ［１］、ダミー信号Ｓｄ［２］およびダミー信号Ｓｄ［３］の期間よりも長い。
【０１１２】
従って、図４においては、デジタル信号ＳＤＩＧがデジタル信号Ｓ［ｊ＋１］である期間、デジタル信号ＳＤＩＧがデジタル信号Ｓ［ｊ＋２］である期間、およびデジタル信号ＳＤＩＧがデジタル信号Ｓ［ｊ＋３］である期間の長さは、それぞれ等しく、期間ΔＴ０で示すことができる。また、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［１］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋４］である期間、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［２］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋５］である期間、およびデジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［３］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋６］である期間の長さは、それぞれ等しく、期間ΔＴ１で表すことができる。また、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［４］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋７］である期間、デジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［５］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋８］である期間、およびデジタル信号ＳＤＩＧが、ダミー信号Ｓｄ［６］またはデジタル信号Ｓ［ｊ＋９］である期間の長さは、それぞれ等しく、期間ΔＴ２で表すことができる。
【０１１３】
従って、図４において、走査線ＸＬ［ｊ］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ０、走査線ＸＬ［ｊ＋１］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ１、および走査線ＸＬ［ｊ＋２］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ２は、それぞれ等しい場合がある。また、走査線ＸＬ［ｊ＋３］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ３、走査線ＸＬ［ｊ＋４］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ４、および走査線ＸＬ［ｊ＋５］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ５は、それぞれ等しい場合がある。また、走査線ＸＬ［ｊ＋６］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ６、走査線ＸＬ［ｊ＋７］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ７、および走査線ＸＬ［ｊ＋８］に供給される書込み信号のパルス幅Δｔ８は、それぞれ等しい場合がある。
【０１１４】
以上が、本発明の一態様の表示装置の駆動方法の具体例の説明である。
【０１１５】
本発明の一態様の表示装置は、上述の駆動方法を用いることによって、走査線ごと、すなわち画素１６２が配置される行ごとに、書込み信号のパルス幅を変えることができる。したがって、画素１６２の位置によって、データ電圧の上昇または下降の速さが異なるような場合であっても、画素１６２の位置によらず確実に走査電圧を書き込むことが可能である。
【０１１６】
よって、本発明の一態様の表示装置は、大型化または高解像度化されることにより、画素の位置によってデータ電圧の上昇または下降の速さが大きく異なったとしても、画素の位置によらず確実にデータ電圧を書き込むことが可能である。したがって、本発明の一態様の表示装置により、大型または高解像度の表示装置の表示の均一性を高めることができる。
【０１１７】
また、本発明の一態様の表示装置は、画素のそれぞれの位置に合わせて書込み信号のパルス幅を変えることにより、全体の動作周波数の低下を抑制することが可能である。したがって、また、本発明の一態様の表示装置により、大型または高解像度の表示装置の表示品位を高めることができる。
【０１１８】
次に、図５を用いてソースドライバ１４０の構成について説明する。
【０１１９】
図５（Ａ）に示すソースドライバ１４０は、シフトレジスタ１４１（図中、ＳＲと示す）、データレジスタ１４２（図中、ＤＡＴＡ  ＲＥＧＩＳＴＥＲと示す）、ラッチ回路１４３（図中、ＬＡＴＣＨと示す）、デジタルアナログ変換回路１４４（図中、ＤＡＣと示す）、およびバッファ回路１４５（図中、ＢＵＦＦＥＲと示す）を有する。
【０１２０】
クロック信号ＳＣＬＫおよびスタートパルスＳＳＰは、シフトレジスタ１４１を駆動するための信号である。表示データＤＡＴＡは、データレジスタ１４２で保持される信号である。ラッチ信号ＳＬＡＴＣＨは、ラッチ回路１４３を駆動するための信号である。電圧ＶＤＡＣは、デジタルアナログ変換回路１４４で階調電圧であるデータ電圧（ＶＤＡＴＡ）を生成するための電圧である。電圧ＶＳ−ＢＵＦは、バッファ回路１４５のオペアンプの電源として与えられる電圧である。
【０１２１】
図５（Ｂ）はバッファ回路１４５が有するオペアンプの回路図の一例である。
【０１２２】
図５（Ｂ）に示すバッファ回路１４５が有するオペアンプ１４６は、電圧ＶＳ−ＢＵＦが与えられ、データ電圧ＶＤＡＴＡを出力する。電圧ＶＳ−ＢＵＦのＬレベルの電圧はグラウンド電圧ＧＮＤ、電圧ＶＳ−ＢＵＦのＨレベルの電圧は電圧ＶＳ−ＢＵＦとする。
【０１２３】
次に、図６を用いてゲートドライバ１５０の構成について説明する。
【０１２４】
図６（Ａ）に示すゲートドライバ１５０は、シフトレジスタ１５１（図中、ＳＲと示す）およびバッファ回路１５２（図中、ＢＵＦＦＥＲと示す）を有する。クロック信号ＧＣＬＫおよびスタートパルスＧＳＰは、シフトレジスタ１５１を駆動するための信号である。電圧ＶＧ−ＢＵＦは、バッファ回路１５２のオペアンプの電源として与えられる電圧である。
【０１２５】
図６（Ｂ）はバッファ回路１５２が有するオペアンプの回路図の一例である。
【０１２６】
図６（Ｂ）に示すバッファ回路１５２が有するオペアンプ１５３は、電圧ＶＧ−ＢＵＦが与えられ、走査電圧ＶＳＣＡＮを出力する。電圧ＶＧ−ＢＵＦのＬレベルの電圧はグラウンド電圧ＧＮＤ、電圧ＶＧ−ＢＵＦのＨレベルの電圧は電圧ＶＧ−ＢＵＦとする。
【０１２７】
次に、図７（Ａ）および図７（Ｂ）を用いて、電圧生成回路１３０について説明する。
【０１２８】
図７（Ａ）に示す電圧生成回路１３０Ａは、電圧ＶＰＯＧを生成する回路である。電圧生成回路１３０Ａは、外部の電源１７１から与えられる電圧ＶＤＤ、電圧ＶＳＳを基に電圧ＶＰＯＧを生成できる。そのため、ディスプレイドライバＩＣ１００は、外部から与えられる単一の電源電圧を基に動作することができる。
【０１２９】
図７（Ａ）に示す電圧生成回路１３０Ａは、ダイオードＤ１乃至Ｄ５、キャパシタＣ１乃至Ｃ５、およびインバータＩＮＶを有する５段のチャージポンプである。クロック信号ＣＬＫは、キャパシタＣ１乃至Ｃ５に直接、あるいはインバータＩＮＶを介して与えられる。インバータＩＮＶの電源電圧を、電圧ＶＤＤと電圧ＶＳＳとによって印加される電圧とすると、クロック信号ＣＬＫによって、電圧ＶＤＤの５倍の正電圧に昇圧された電圧ＶＰＯＧを得ることができる。なお、ダイオードＤ１乃至Ｄ５の順方向電圧は０Ｖとしている。また、チャージポンプの段数を変更することで、所望の電圧ＶＰＯＧを得ることができる。
【０１３０】
図７（Ｂ）に示す電圧生成回路１３０Ｂは、電圧ＶＮＥＧを生成する回路である。電圧生成回路１３０Ｂは、外部の電源１７１から与えられる電圧ＶＤＤ、電圧ＶＳＳを基に電圧ＶＮＥＧを生成できる。そのため、ディスプレイドライバＩＣ１００は、外部から与えられる単一の電源電圧を基に動作することができる。
【０１３１】
図７（Ｂ）に示す電圧生成回路１３０Ｂは、ダイオードＤ１乃至Ｄ５、キャパシタＣ１乃至Ｃ５、およびインバータＩＮＶを有する４段のチャージポンプである。クロック信号ＣＬＫは、キャパシタＣ１乃至Ｃ５に直接、あるいはインバータＩＮＶを介して与えられる。インバータＩＮＶの電源電圧を、電圧ＶＤＤと電圧ＶＳＳとによって印加される電圧とすると、クロック信号ＣＬＫによって、電圧ＶＳＳから電圧ＶＤＤの４倍の負電圧に降圧された電圧ＶＮＥＧを得ることができる。なお、ダイオードＤ１乃至Ｄ５の順方向電圧は０Ｖとしている。また、チャージポンプの段数を変更することで、所望の電圧ＶＮＥＧを得ることができる。
【０１３２】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図８乃至図１０を用いて、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる表示パネルの構造について説明する。
【０１３４】
なお、本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる表示パネルの例として、表示素子として液晶素子を用いる表示パネルの一例である表示パネル４００について説明する。
【０１３５】
図８は、表示パネル４００の斜視図である。図８では、明瞭化のため、偏光板４３０などの構成要素を省略して図示している。図８では、基板３６１を破線で示す。図９は、表示パネル４００の断面図である。図１０は、表示パネル４００が有する副画素の上面図である。
【０１３６】
表示パネル４００は、表示部３６２、駆動回路部３６４を有する。表示パネル４００には、ＦＰＣ３７２及びＩＣ３７３が実装されている。
【０１３７】
表示部３６２は、複数の画素を有し、画像を表示する機能を有する。また、表示部３６２は、走査線および信号線を含む。
【０１３８】
画素は、複数の副画素を有する。例えば、赤色を呈する副画素、緑色を呈する副画素、及び青色を呈する副画素によって１つの画素が構成されることで、表示部３６２ではフルカラーの表示を行うことができる。なお、副画素が呈する色は、赤、緑、及び青に限られない。画素には、例えば、白、黄、マゼンタ、またはシアン等の色を呈する副画素を用いてもよい。なお、本明細書等において、副画素を単に画素と記す場合がある。
【０１３９】
表示パネル４００は、ゲートドライバ及びソースドライバを有する。
【０１４０】
駆動回路部３６４は、ゲートドライバとして機能する。なお、表示パネル４００が、タッチセンサ等のセンサを有する場合、表示パネル４００は、センサ駆動回路を有していてもよい。
【０１４１】
表示パネル４００では、ＩＣ３７３が、ＣＯＧ方式などの実装方式により、基板３５１に実装されている。ＩＣ３７３は、例えば、ソースドライバ及びセンサ駆動回路のうち、一つ又は複数を有する。
【０１４２】
表示パネル４００には、ＦＰＣ３７２が電気的に接続されている。ＦＰＣ３７２を介して、ＩＣ３７３及び駆動回路部３６４には外部から信号及び電力が供給される。また、ＦＰＣ３７２を介して、ＩＣ３７３から外部に信号を出力することができる。
【０１４３】
ＦＰＣ３７２には、ＩＣが実装されていてもよい。例えば、ＦＰＣ３７２には、ソースドライバ及びセンサ駆動回路のうち、一つ又は複数を有するＩＣが実装されていてもよい。
【０１４４】
表示部３６２及び駆動回路部３６４には、配線３６５から、信号及び電力が供給される。当該信号及び電力は、ＩＣ３７３から、またはＦＰＣ３７２を介して外部から、配線３６５に入力される。
【０１４５】
図９は、表示部３６２、駆動回路部３６４、及び配線３６５を含む断面図である。図９は、図１０（Ａ）における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を含む。図９では、表示部３６２として、１つの副画素の表示領域３６８とその周囲に位置する非表示領域３６６を示す。
【０１４６】
図１０（Ａ）は、副画素のうち、ゲート２２３から共通電極４１２までの積層構造（図９参照）を、共通電極４１２側から見た上面図である。図１０（Ａ）には、副画素の表示領域３６８を太い点線の枠で示す。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）の積層構造から共通電極４１２を除いた上面図である。
【０１４７】
図９では、基板３６１側に偏光板４３０が位置し、基板３５１側にバックライトユニット（図示しない）が位置する例である。バックライトユニットからの光３４５は、まず、基板３５１に入射し、トランジスタ２０６と画素電極４１１のコンタクト部、液晶素子３４０、着色層４３１、基板３６１、偏光板４３０の順に透過して、表示パネル４００の外部に取り出される。
【０１４８】
表示パネル４００は、横電界方式の液晶素子を用いた透過型の液晶表示パネルの一例である。
【０１４９】
図９に示すように、表示パネル４００は、基板３５１、トランジスタ２０１、トランジスタ２０６、液晶素子３４０、配向膜４３３ａ、配向膜４３３ｂ、接続部２０４、接着層４４１、着色層４３１、遮光層４３２、オーバーコート４２１、基板３６１、及び偏光板４３０等を有する。
【０１５０】
非表示領域３６６には、トランジスタ２０６が設けられている。
【０１５１】
トランジスタ２０６は、ゲート２２１、ゲート２２３、絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び半導体層２３１（チャネル形成領域２３１ａ及び一対の低抵抗領域２３１ｂ）を有する。
【０１５２】
ゲート２２１は、絶縁層２１３を介してチャネル形成領域２３１ａと重なる。ゲート２２３は、絶縁層２１１を介してチャネル形成領域２３１ａと重なる。絶縁層２１１及び絶縁層２１３は、それぞれゲート絶縁層として機能する。導電層２２２ａは低抵抗領域２３１ｂの一方と、絶縁層２１２及び絶縁層２１４に設けられた開口を通じて接続している。
【０１５３】
低抵抗領域２３１ｂの抵抗率は、チャネル形成領域２３１ａの抵抗率よりも低い。低抵抗領域２３１ｂは、チャネル形成領域２３１ａよりも導電性が高いともいえる。低抵抗領域は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ということもできる。低抵抗領域２３１ｂは、チャネル形成領域２３１ａよりもキャリア濃度または不純物濃度が高い領域である。
【０１５４】
半導体層２３１は、透光性を有する半導体材料を用いて形成することができる。透光性を有する半導体材料としては、金属酸化物、または酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等が挙げられる。酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、錫、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０１５５】
低抵抗領域２３１ｂは、半導体層２３１をｎ型にした領域である。低抵抗領域２３１ｂは、半導体層２３１のうち絶縁層２１２と接する領域である。ここで、絶縁層２１２が窒素または水素を有することが好ましい。これにより、絶縁層２１２中の窒素または水素が低抵抗領域２３１ｂに入り込み、低抵抗領域２３１ｂのキャリア濃度を高めることができる。または、ゲート２２１をマスクとして、不純物を添加することで、低抵抗領域２３１ｂを形成してもよい。当該不純物としては、例えば、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、フッ素、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ホウ素、アルミニウムなどが挙げられ、当該不純物は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて添加することができる。また、上記不純物以外にも、半導体層２３１の構成元素の一つである、インジウムなどを添加することで低抵抗領域２３１ｂを形成してもよい。インジウムを低抵抗領域２３１ｂに添加することで、チャネル形成領域２３１ａよりも低抵抗領域２３１ｂの方が、インジウムの濃度が高くなる場合がある。
【０１５６】
また、上記不純物を添加した後に、熱処理（代表的には１００℃以上４００℃以下、好ましくは１５０℃以上３５０℃以下）を行ってもよい。
【０１５７】
また、上記の不純物の添加については、低抵抗領域２３１ｂに限定されず、他の酸化物導電体（ＯＣ）に適用することもできる。
【０１５８】
図９に示すトランジスタ２０６は、チャネルの上下にゲートが設けられているトランジスタである。
【０１５９】
図１０（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ１において、ゲート２２１及びゲート２２３は、電気的に接続されている。このように２つのゲートが電気的に接続されている構成のトランジスタは、他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製することができる。さらには回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示パネルを大型化、または高精細化して配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することが可能である。また、このような構成を適用することで、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
【０１６０】
図１０（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ２において、半導体層の低抵抗領域２３１ｂが、画素電極４１１と接続している。低抵抗領域２３１ｂは、可視光を透過する材料を用いて形成される。そのため、コンタクト部Ｑ２を表示領域３６８に設けることができる。これにより、副画素の開口率を高めることができる。また、表示パネルの消費電力を低減することができる。
【０１６１】
図１０（Ａ）、（Ｂ）において、１つの導電層が、走査線２２８としての機能とゲート２２３としての機能を有するともいえる。ゲート２２１及びゲート２２３のうち、抵抗の低い方が、走査線としても機能する導電層であることが好ましい。走査線２２８として機能する導電層の抵抗は十分に低いことが好ましい。そのため、走査線２２８として機能する導電層は、金属、合金等を用いて形成されることが好ましい。走査線２２８として機能する導電層には、可視光を遮る機能を有する材料を用いてもよい。
【０１６２】
図１０（Ａ）、（Ｂ）において、１つの導電層が、信号線２２９としての機能と導電層２２２ａとしての機能を有するともいえる。信号線２２９として機能する導電層の抵抗は十分に低いことが好ましい。そのため、信号線２２９として機能する導電層は、金属、合金等を用いて形成されることが好ましい。信号線２２９として機能する導電層には、可視光を遮る機能を有する材料を用いてもよい。
【０１６３】
具体的には、可視光を透過する導電性材料は、銅やアルミニウムなどの可視光を遮る導電性材料と比較して抵抗率が大きいことがある。よって、走査線及び信号線などのバスラインは、信号遅延を防ぐため、抵抗率が小さい可視光を遮る導電性材料（金属材料）を用いて形成することが好ましい。ただし、画素の大きさや、バスラインの幅、バスラインの厚さなどによっては、バスラインに可視光を透過する導電性材料を用いることができる。
【０１６４】
ゲート２２１及びゲート２２３には、それぞれ、金属材料及び酸化物導電体の一方を単層で、または双方を積層して用いることができる。例えば、ゲート２２１及びゲート２２３のうち、一方に酸化物導電体を用い、他方に金属材料を用いてもよい。
【０１６５】
トランジスタ２０６は、半導体層として酸化物半導体層を用い、ゲート２２１及びゲート２２３のうち、少なくとも一方に酸化物導電層を用いる構成とすることができる。このとき、酸化物半導体層と酸化物導電層を、酸化物半導体を用いて形成することが好ましい。
【０１６６】
ゲート２２３に可視光を遮る導電層を用いることで、バックライトの光がチャネル形成領域２３１ａに照射されることを抑制できる。このように、チャネル形成領域２３１ａを、可視光を遮る導電層と重ねると、光によるトランジスタの特性変動を抑制できる。これにより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
【０１６７】
チャネル形成領域２３１ａの基板３６１側に、遮光層４３２が設けられ、チャネル形成領域２３１ａの基板３５１側に、可視光を遮るゲート２２３が設けられていることで、外光及びバックライトの光がチャネル形成領域２３１ａに照射されることを抑制できる。
【０１６８】
本発明の一態様において、可視光を遮る導電層は、半導体層の一部と重なり、半導体層の他の一部とは重ならなくてもよい。例えば、可視光を遮る導電層は、少なくともチャネル形成領域２３１ａと重なっていればよい。具体的には、図９等に示すように、チャネル形成領域２３１ａと隣接する低抵抗領域２３１ｂは、ゲート２２３と重ならない領域を有する。なお、低抵抗領域２３１ｂを、先の説明の酸化物導電体（ＯＣ）と読み替えてもよい。酸化物導電体（ＯＣ）は、可視光に対して透光性を有するため、低抵抗領域２３１ｂを透過させて光を取り出すことができる。
【０１６９】
また、トランジスタの半導体層にシリコン、代表的にはアモルファスシリコン、または低温ポリシリコンなどを用いる場合、上述した低抵抗領域に相当する領域は、シリコン中にリン、ボロンなどの不純物が含まれた領域ともいえる。なお、シリコンのバンドギャップは、概ね１．１ｅＶである。したがって、トランジスタの半導体層にシリコンを用いる場合、半導体層は可視光の一部を吸収するため、当該半導体層を透過させて光を取り出すことが難しい。また、シリコン中にリン、ボロンなどの不純物が含まれると、透光性がさらに低下する場合がある。したがって、シリコン中に形成される低抵抗領域を透過させて光を取り出すことはより難しい場合がある。しかしながら、本発明の一態様では、酸化物半導体（ＯＳ）、及び酸化物導電体（ＯＣ）ともに、可視光に対して透光性を有するため、画素または副画素の開口率を向上させることができる。
【０１７０】
図９に示すように、トランジスタ２０６は、絶縁層２１２、絶縁層２１４、及び絶縁層２１５に覆われている。なお、絶縁層２１２及び絶縁層２１４を、トランジスタ２０６の構成要素とみなすこともできる。トランジスタは、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する絶縁層で覆われていることが好ましい。絶縁層２１５は、平坦化層として機能することができる。
【０１７１】
絶縁層２１１及び絶縁層２１３は、それぞれ、過剰酸素領域を有することが好ましい。ゲート絶縁層が過剰酸素領域を有することで、チャネル形成領域２３１ａ中に過剰酸素を供給することができる。チャネル形成領域２３１ａに形成されうる酸素欠損を過剰酸素により補填することができるため、信頼性の高いトランジスタを提供することができる。
【０１７２】
絶縁層２１２は、窒素または水素を有することが好ましい。絶縁層２１２と、低抵抗領域２３１ｂと、が接することで、絶縁層２１２中の窒素または水素が低抵抗領域２３１ｂ中に添加される。低抵抗領域２３１ｂは、窒素または水素が添加されることで、キャリア密度が高くなる。または、絶縁層２１４が窒素または水素を有し、絶縁層２１２が窒素または水素を透過することで、窒素または水素が低抵抗領域２３１ｂ中に添加されてもよい。
【０１７３】
表示領域３６８には、液晶素子３４０が設けられている。液晶素子３４０は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された液晶素子である。
【０１７４】
液晶素子３４０は、画素電極４１１、共通電極４１２、及び液晶層４１３を有する。画素電極４１１と共通電極４１２との間に生じる電界により、液晶層４１３の配向を制御することができる。液晶層４１３は、配向膜４３３ａと配向膜４３３ｂの間に位置する。
【０１７５】
共通電極４１２は、櫛歯状の上面形状（平面形状ともいう）、またはスリットが設けられた上面形状を有していてもよい。図９及び図１０（Ａ）では、１つの副画素の表示領域３６８に、共通電極４１２の開口が１つ設けられている例を示す。共通電極４１２には、１つまたは複数の開口を設けることができる。表示パネルの高精細化に伴い、１つの副画素の表示領域３６８の面積は小さくなる。そのため、共通電極４１２に設ける開口は複数に限られず、１つとすることができる。すなわち、高精細な表示パネルにおいては、画素（副画素）の面積が小さいため、共通電極４１２の開口が１つであっても、副画素の表示領域全体に亘って、液晶を配向させるために十分な電界を生成することができる。
【０１７６】
画素電極４１１と共通電極４１２の間には、絶縁層２２０が設けられている。画素電極４１１は、絶縁層２２０を介して共通電極４１２と重なる部分を有する。また、画素電極４１１と着色層４３１とが重なる領域において、画素電極４１１上に共通電極４１２が配置されていない部分を有する。
【０１７７】
液晶層４１３と接する配向膜を設けることが好ましい。配向膜は、液晶層４１３の配向を制御することができる。表示パネル４００では、共通電極４１２及び絶縁層２２０と液晶層４１３との間に配向膜４３３ａが位置し、オーバーコート４２１と液晶層４１３との間に配向膜４３３ｂが位置している。
【０１７８】
液晶材料には、誘電率の異方性（Δε）が正であるポジ型の液晶材料と、負であるネガ型の液晶材料がある。本発明の一態様では、どちらの材料を用いることもでき、適用するモード及び設計に応じて最適な液晶材料を用いることができる。
【０１７９】
本発明の一態様では、ネガ型の液晶材料を用いることが好ましい。ネガ型液晶では、液晶分子の分極に由来するフレクソエレクトリック効果の影響を抑制でき、液晶層に印加される電圧の極性による透過率の差がほとんどない。したがって、表示パネルの使用者からフリッカーが視認されることを抑制できる。フレクソエレクトリック効果とは、主に分子形状に起因し、配向歪みにより分極が発生する現象である。ネガ型の液晶材料は、広がり変形や曲げ変形の配向歪みが生じにくい。
【０１８０】
なお、ここでは液晶素子３４０としてＦＦＳモードが適用された素子を用いたが、これに限られず様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＶＡ−ＩＰＳモード、ゲストホストモード等が適用された液晶素子を用いることができる。
【０１８１】
また、表示パネル４００にノーマリーブラック型の液晶表示パネル、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示パネルを適用してもよい。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
【０１８２】
なお、液晶素子は、液晶の光学変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０１８３】
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層４１３に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性を示す。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示パネルの不良または破損を軽減することができる。
【０１８４】
表示パネル４００は、透過型の液晶表示パネルであるため、画素電極４１１及び共通電極４１２の双方に、可視光を透過する導電性材料を用いる。また、トランジスタ２０６が有する導電層の一つまたは複数に、可視光を透過する導電性材料を用いる。これにより、トランジスタ２０６が設けられている部分を、表示領域３６８として用いることができる。図９では、半導体層２３１に、可視光を透過する半導体材料を用いる場合を例に挙げて説明する。
【０１８５】
可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種以上を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。
【０１８６】
画素電極４１１及び共通電極４１２のうち、一つまたは複数に酸化物導電層を用いることが好ましい。酸化物導電層は、トランジスタ２０６の半導体層２３１に含まれる金属元素を一種類以上有することが好ましい。例えば、画素電極４１１及び共通電極４１２は、それぞれ、インジウムを含むことが好ましく、Ｉｎ、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）、及びＺｎを含む酸化物膜であることがさらに好ましい。
【０１８７】
画素電極４１１及び共通電極４１２のうち、一つまたは複数を、酸化物半導体を用いて形成してもよい。同一の金属元素を有する酸化物半導体を、表示パネルを構成する層のうち２層以上に用いることで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を２以上の工程で共通で用いることが可能となるため、製造コストを抑制することができる。
【０１８８】
酸化物半導体は、膜中の酸素欠損、及び膜中の水素、水等の不純物濃度のうち少なくとも一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、酸化物半導体層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処理、または酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによって、酸化物導電層の有する抵抗率を制御することができる。
【０１８９】
なお、このように、酸化物半導体層を用いて形成された酸化物導電層は、キャリア密度が高く低抵抗な酸化物半導体層、導電性を有する酸化物半導体層、または導電性の高い酸化物半導体層ということもできる。
【０１９０】
また、酸化物半導体層と、酸化物導電層を同一の金属元素で形成することで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで製造コストを低減させることができる。また、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることによって、酸化物半導体層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、酸化物半導体層と、酸化物導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、表示パネルの作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
【０１９１】
例えば、絶縁層２２０に水素を含む窒化シリコン膜を用い、画素電極４１１に酸化物半導体を用いると、絶縁層２２０から供給される水素によって、酸化物半導体の導電率を高めることができる。
【０１９２】
表示パネル４００の、液晶層４１３よりも基板３６１側には、着色層４３１及び遮光層４３２が設けられている。着色層４３１は、少なくとも、副画素の表示領域３６８と重なる部分に位置する。画素（副画素）が有する非表示領域３６６には、遮光層４３２が設けられている。遮光層４３２は、トランジスタ２０６の少なくとも一部と重なる。
【０１９３】
着色層４３１及び遮光層４３２と、液晶層４１３と、の間には、オーバーコート４２１を設けることが好ましい。オーバーコート４２１は、着色層４３１及び遮光層４３２等に含まれる不純物が液晶層４１３に拡散することを抑制できる。
【０１９４】
基板３５１及び基板３６１は、接着層４４１によって貼り合わされている。基板３５１、基板３６１、及び接着層４４１に囲まれた領域に、液晶層４１３が封止されている。
【０１９５】
表示パネル４００を、透過型の液晶表示パネルとして機能させる場合、偏光板を、表示部３６２を挟むように２つ配置する。図９では、基板３６１側の偏光板４３０を図示している。基板３５１側に設けられた偏光板よりも外側に配置されたバックライトからの光３４５は偏光板（図示なし）を介して表示部３６２に入射する。このとき、画素電極４１１と共通電極４１２の間に与える電圧によって液晶層４１３の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板４３０を介して射出される光の強度を制御することができる。また、入射光は着色層４３１によって特定の波長領域以外の光が吸収されるため、射出される光は例えば赤色、青色、または緑色を呈する光となる。
【０１９６】
また、偏光板に加えて、例えば円偏光板を用いることができる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。円偏光板により、表示パネルの表示の視野角依存を低減することができる。
【０１９７】
駆動回路部３６４は、トランジスタ２０１を有する。
【０１９８】
トランジスタ２０１は、ゲート２２１、ゲート２２３、絶縁層２１１、絶縁層２１３、半導体層２３１（チャネル形成領域２３１ａ及び一対の低抵抗領域２３１ｂ）、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。導電層２２２ａは低抵抗領域２３１ｂの一方と、導電層２２２ｂは低抵抗領域２３１ｂの他方と、それぞれ電気的に接続される。
【０１９９】
駆動回路部３６４に設けられるトランジスタは、可視光を透過する機能を有していなくてよい。そのため、導電層２２２ａと導電層２２２ｂとを、同一の工程で、同一の材料（好ましくは金属等の抵抗率が低い材料）を用いて形成することができる。
【０２００】
接続部２０４では、配線３６５と導電層２５１が互いに接続し、導電層２５１と接続体２４２は互いに接続している。つまり、接続部２０４では、配線３６５が、導電層２５１と接続体２４２を介して、ＦＰＣ３７２と電気的に接続している。このような構成とすることで、ＦＰＣ３７２から、配線３６５に、信号及び電力を供給することができる。
【０２０１】
配線３６５は、トランジスタ２０１が有する導電層２２２ａ、２２２ｂ、及びトランジスタ２０６が有する導電層２２２ａと同一の材料、同一の工程で形成することができる。導電層２５１は、液晶素子３４０が有する画素電極４１１と同一の材料、同一の工程で形成することができる。このように、接続部２０４を構成する導電層を、表示部３６２や駆動回路部３６４に用いる導電層と同一の材料、同一の工程で作製すると、工程数の増加を防ぐことができ好ましい。
【０２０２】
トランジスタ２０１、２０６は、同じ構造であっても、異なる構造であってもよい。つまり、駆動回路部３６４が有するトランジスタと、表示部３６２が有するトランジスタが、同じ構造であっても、異なる構造であってもよい。また、駆動回路部３６４が、複数の構造のトランジスタを有していてもよいし、表示部３６２が、複数の構造のトランジスタを有していてもよい。例えば、ゲートドライバが有するシフトレジスタ回路、バッファ回路、及び保護回路のうち、一以上の回路に、２つのゲートが電気的に接続されている構成のトランジスタを用いることが好ましい。
【０２０３】
［副画素の構成例］
図１０は、上述の通り、表示パネル４００が有する副画素の上面図である。
【０２０４】
また、上述の通り、図１０（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ１において、ゲート２２１及びゲート２２３は、電気的に接続されている。
【０２０５】
また、上述の通り、図１０（Ｂ）に示すコンタクト部Ｑ２において、半導体層の低抵抗領域２３１ｂが、画素電極４１１と直接接続している。
【０２０６】
図１０に示す構成は、可視光を透過する半導体層の低抵抗領域２３１ｂが、画素電極４１１と直接接続している。このため、コンタクト部Ｑ２を表示領域３６８に設けることができる。図１０に示す構成は、副画素の開口率を高めることができる。また、表示装置の消費電力を低減することができる。
【０２０７】
図１０に示す構成では、半導体層と画素電極４１１が直接接続している。半導体層と画素電極４１１は、可視光を透過する導電層を介して接続させる構成も考えられるが、半導体層と画素電極４１１を直接接続させることで、当該導電層を形成する必要がなく、作製工程が簡略化され、コストを低減することができる。
【０２０８】
［材料について］
次に、本実施の形態の表示パネルの各構成要素に用いることができる材料等の詳細について、説明を行う。なお、既に説明した構成要素については説明を省略する場合がある。また、以降に示す表示パネル及びタッチパネル、並びにそれらの構成要素にも、以下の材料を適宜用いることができる。
【０２０９】
≪基板３６１≫
本発明の一態様の表示パネルが有する基板の材質などに大きな制限はなく、様々な基板を用いることができる。例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板、またはプラスチック基板等を用いることができる。
【０２１０】
厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化及び薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。
【０２１１】
本発明の一態様の表示パネルは、作製基板上にトランジスタ等を形成し、その後、別の基板にトランジスタ等を転置することで、作製される。作製基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい表示パネルの製造、表示パネルへの耐熱性の付与、表示パネルの軽量化、または表示パネルの薄型化を図ることができる。トランジスタが転置される基板には、トランジスタを形成することが可能な基板に限られず、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）もしくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、またはゴム基板などを用いることができる。
【０２１２】
≪トランジスタ２０１、２０６≫
本発明の一態様の表示パネルが有するトランジスタは、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれの構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、酸化物半導体、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。
【０２１３】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０２１４】
例えば、第１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。
【０２１５】
トランジスタのチャネルが形成される半導体に、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０２１６】
酸化物半導体について、実施の形態３において詳細に説明する。
【０２１７】
酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０２１８】
また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示パネルを実現できる。
【０２１９】
トランジスタ２０１、２０６は、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物半導体層を有することが好ましい。これにより、トランジスタのオフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
【０２２０】
また、トランジスタ２０１、２０６は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。このような高速駆動が可能なトランジスタを表示パネルに用いることで、表示部のトランジスタと、駆動回路部のトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、駆動回路として、別途、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、表示パネルの部品点数を削減することができる。また、表示部においても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
【０２２１】
≪絶縁層≫
表示パネルが有する各絶縁層、オーバーコート、スペーサ等に用いることのできる絶縁材料としては、有機絶縁材料または無機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。無機絶縁層としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等が挙げられる。
【０２２２】
≪導電層≫
トランジスタのゲート、ソース、ドレインのほか、表示パネルが有する各種配線及び電極等の導電層には、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、モリブデン膜上に銅膜を積層した二層構造、モリブデンとタングステンを含む合金膜上に銅膜を積層した二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。例えば、導電層を三層構造とする場合、一層目及び三層目には、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデンとタングステンを含む合金、モリブデンとジルコニウムを含む合金、または窒化モリブデンでなる膜を形成し、二層目には、銅、アルミニウム、金または銀、或いは銅とマンガンの合金等の低抵抗材料でなる膜を形成することが好ましい。なお、ＩＴＯ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＩＴＳＯ等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。
【０２２３】
なお、酸化物半導体の抵抗率を制御することで、酸化物導電層を形成してもよい。
【０２２４】
≪接着層４４１≫
接着層４４１としては、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、または２液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹脂を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、またはシロキサン樹脂などを用いることができる。
【０２２５】
≪接続体２４２≫
接続体２４２としては、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、または異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０２２６】
≪着色層４３１≫
着色層４３１は特定の波長域の光を透過する有色層である。着色層４３１に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、及び顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
【０２２７】
≪遮光層４３２≫
遮光層４３２は、例えば、隣接する異なる色の着色層４３１の間に設けられる。例えば、金属材料、または、顔料もしくは染料を含む樹脂材料を用いて形成されたブラックマトリクスを遮光層４３２として用いることができる。なお、遮光層４３２は、駆動回路部３６４など、表示部３６２以外の領域にも設けると、導波光などによる光漏れを抑制できるため好ましい。
【０２２８】
表示パネルを構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、それぞれ、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法の例として、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法及び熱ＣＶＤ法等が挙げられる。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法が挙げられる。
【０２２９】
表示パネルを構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、それぞれ、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット印刷、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
【０２３０】
表示パネルを構成する薄膜は、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、もしくはリフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。
【０２３１】
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光としては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、及びこれらを混合させた光が挙げられる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。露光に用いる光としては、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）及びＸ線等が挙げられる。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
【０２３２】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
【０２３３】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２３４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることができる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。
【０２３５】
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。
【０２３６】
また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層には、ＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いてもよい。
【０２３７】
なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層は、上述した非単結晶酸化物半導体またはＣＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ−ＯＳまたはＣＡＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。
【０２３８】
なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体層として、ＣＡＣ−ＯＳを用いると好ましい。ＣＡＣ−ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を付与することができる。
【０２３９】
以下では、ＣＡＣ−ＯＳの詳細について説明する。
【０２４０】
ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２４１】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０２４２】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０２４３】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２４４】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２４５】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。
【０２４６】
なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれていてもよい。
【０２４７】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０２４８】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０２４９】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０２５０】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０２５１】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０２５２】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０２５３】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０２５４】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０２５５】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０２５６】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０２５７】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０２５８】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０２５９】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０２６０】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０２６１】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０２６２】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０２６３】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０２６４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２６５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる表示パネルの構造の別の例を示す。また、本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した表示装置の応用例として、表示モジュールへの応用例、および電子機器への応用例について、図１１乃至図１３を用いて説明する。
【０２６６】
＜表示パネルへの実装例＞
図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネルは、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる表示パネルの構造の一例である。
【０２６７】
図１１（Ａ）では、表示パネルが有する表示部７１１の周辺にソースドライバ７１２、及びゲートドライバ７１２Ａ、７１２Ｂが設けられ、ソースドライバ７１２として基板７１３上にディスプレイドライバＩＣ７１４が実装される例を示している。
【０２６８】
ディスプレイドライバＩＣ７１４は、異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いて基板７１３上に実装される。
【０２６９】
なおディスプレイドライバＩＣ７１４は、ＦＰＣ７１５を介して、外部回路基板７１６と接続される。
【０２７０】
図１１（Ｂ）の場合には、表示部７１１の周辺にソースドライバ７１２、及びゲートドライバ７１２Ａ、７１２Ｂが設けられ、ソースドライバ７１２としてＦＰＣ７１５上にディスプレイドライバＩＣ７１４が実装される例を示している。
【０２７１】
ディスプレイドライバＩＣ７１４をＦＰＣ７１５上に実装することで、基板７１３に表示部７１１を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。
【０２７２】
＜表示モジュールの応用例＞
次いで図８の表示パネルまたは図１１（Ａ）、（Ｂ）の表示パネルを用いた表示モジュールの応用例について、図１２を用いて説明を行う。
【０２７３】
図１２は、光学式のタッチセンサを備える表示モジュール６０００の断面概略図である。
【０２７４】
表示モジュール６０００は、プリント基板６０１０に設けられた発光部６０１５及び受光部６０１６を有する。また、上部カバー６００１と下部カバー６００２により囲まれた領域に一対の導光部（導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂ）を有する。
【０２７５】
上部カバー６００１と下部カバー６００２は、例えばプラスチック等を用いることができる。また、上部カバー６００１と下部カバー６００２とは、それぞれ薄く（例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下）することが可能である。そのため、表示モジュール６０００を極めて軽量にすることが可能となる。また少ない材料で上部カバー６００１と下部カバー６００２を作製できるため、作製コストを低減できる。
【０２７６】
表示パネル６００６は、フレーム６００９を間に介してプリント基板６０１０やバッテリ６０１１と重ねて設けられている。表示パネル６００６とフレーム６００９は、導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂに固定されている。
【０２７７】
発光部６０１５から発せられた光６０１８は、導光部６０１７ａにより表示パネル６００６の上部を経由し、導光部６０１７ｂを通って受光部６０１６に達する。例えば指やスタイラスなどの被検知体により、光６０１８が遮られることにより、タッチ操作を検出することができる。
【０２７８】
発光部６０１５は、例えば表示パネル６００６の隣接する２辺に沿って複数設けられる。受光部６０１６は、発光部６０１５と対向する位置に複数設けられる。これにより、タッチ操作がなされた位置の情報を取得することができる。
【０２７９】
発光部６０１５は、例えばＬＥＤ素子などの光源を用いることができる。特に、発光部６０１５として、使用者に視認されず、且つ使用者にとって無害である赤外線を発する光源を用いることが好ましい。
【０２８０】
受光部６０１６は、発光部６０１５が発する光を受光し、電気信号に変換する光電素子を用いることができる。好適には、赤外線を受光可能なフォトダイオードを用いることができる。
【０２８１】
導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂとしては、少なくとも光６０１８を透過する部材を用いることができる。導光部６０１７ａ及び導光部６０１７ｂを用いることで、発光部６０１５と受光部６０１６とを表示パネル６００６の下側に配置することができ、外光が受光部６０１６に到達してタッチセンサが誤動作することを抑制できる。特に、可視光を吸収し、赤外線を透過する樹脂を用いることが好ましい。これにより、タッチセンサの誤動作をより効果的に抑制できる。
【０２８２】
＜電子機器への応用例＞
次いで、コンピュータ、携帯情報端末（携帯電話、携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む）、電子ペーパー、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、デジタルビデオカメラなどの電子機器の表示パネルを、上述の表示モジュールを適用した表示パネルとする場合について説明する。
【０２８３】
図１３（Ａ）は、携帯型の情報端末であり、筐体９０１、筐体９０２、第１の表示部９０３ａ、第２の表示部９０３ｂなどによって構成されている。筐体９０１と筐体９０２の少なくとも一部には、先の実施の形態に示す表示装置を有する表示モジュールが設けられている。そのため、回路面積の縮小が図られた携帯型の情報端末が実現される。
【０２８４】
なお、第１の表示部９０３ａはタッチ入力機能を有するパネルとなっており、例えば図１３（Ａ）の左図のように、第１の表示部９０３ａに表示される選択ボタン９０４により「タッチ入力」を行うか、「キーボード入力」を行うかを選択できる。選択ボタンは様々な大きさで表示できるため、幅広い世代の人が使いやすさを実感できる。ここで、例えば「キーボード入力」を選択した場合、図１３（Ａ）の右図のように第１の表示部９０３ａにはキーボード９０５が表示される。これにより、従来の情報端末と同様に、キー入力による素早い文字入力などが可能となる。
【０２８５】
図１３（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、図１３（Ａ）の右図のように、第１の表示部９０３ａ及び第２の表示部９０３ｂのうち、一方を取り外すことができる。第２の表示部９０３ｂもタッチ入力機能を有するパネルとし、持ち運びの際、さらなる軽量化を図ることができ、一方の手で筐体９０２を持ち、他方の手で操作することができるため便利である。
【０２８６】
図１３（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。筐体の裏面または側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。
【０２８７】
図１３（Ａ）に示す携帯型の情報端末は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。第２の表示部９０３ｂにおいて、実施の形態１において説明した表示方法を用いて表示することによって、表示品位を向上させることができ、好ましい。
【０２８８】
更に、図１３（Ａ）に示す筐体９０２にアンテナ、マイク機能、および／または無線機能を持たせ、携帯電話として用いてもよい。
【０２８９】
図１３（Ｂ）は、電子ペーパーを実装した電子書籍端末９１０であり、筐体９１１と筐体９１２の２つの筐体で構成されている。筐体９１１及び筐体９１２には、それぞれ表示部９１３及び表示部９１４が設けられている。筐体９１１と筐体９１２は、軸部９１５により接続されており、該軸部９１５を軸として開閉動作を行うことができる。筐体９１１は、電源９１６、操作キー９１７、スピーカー９１８などを備えている。表示部９１４において、実施の形態１において説明した表示方法を用いて表示することによって、表示品位を向上させることができ、好ましい。
【０２９０】
図１３（Ｃ）は、テレビジョン装置であり、筐体９２１、表示部９２２、スタンド９２３などで構成されている。テレビジョン装置の操作は、筐体９２１が備えるスイッチおよび／またはリモコン操作機９２４により行うことができる。表示部９２２において、実施の形態１において説明した表示方法を用いて表示することによって、表示品位を向上させることができ、好ましい。
【０２９１】
図１３（Ｄ）は、スマートフォンであり、本体９３０には、表示部９３１と、スピーカー９３２と、マイク９３３と、操作ボタン９３４等が設けられている。表示部９３１において、実施の形態１において説明した表示方法を用いて表示することによって、表示品位を向上させることができ、好ましい。
【０２９２】
図１３（Ｅ）は、デジタルカメラであり、本体９４１、表示部９４２、操作スイッチ９４３などによって構成されている。表示部９４２において、実施の形態１において説明した表示方法を用いて表示することによって、表示品位を向上させることができ、好ましい。
【０２９３】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０２９４】
１００    ディスプレイドライバＩＣ
１２０    表示コントローラ
１２１    基準クロック生成回路
１２２    水平クロック生成回路
１２３    垂直クロック生成回路
１２４    映像信号処理回路
１３０    電圧生成回路
１３０Ａ    電圧生成回路
１３０Ｂ    電圧生成回路
１４０    ソースドライバ
１４１    シフトレジスタ
１４２    データレジスタ
１４３    ラッチ回路
１４４    デジタルアナログ変換回路
１４５    バッファ回路
１４６    オペアンプ
１５０    ゲートドライバ
１５１    シフトレジスタ
１５２    バッファ回路
１５３    オペアンプ
１６２    画素
１６２Ａ    画素
１６２Ｂ    画素
１７０    ホストプロセッサ
１７１    電源
１９１    トランジスタ
１９２    キャパシタ
１９３    液晶素子
１９４    トランジスタ
１９５    トランジスタ
１９６    発光素子
２０１    トランジスタ
２０４    接続部
２０６    トランジスタ
２１１    絶縁層
２１２    絶縁層
２１３    絶縁層
２１４    絶縁層
２１５    絶縁層
２２０    絶縁層
２２１    ゲート
２２２ａ    導電層
２２２ｂ    導電層
２２３    ゲート
２２８    走査線
２２９    信号線
２３１    半導体層
２３１ａ    チャネル形成領域
２３１ｂ    低抵抗領域
２４２    接続体
２５１    導電層
３４０    液晶素子
３４５    光
３５１    基板
３６１    基板
３６２    表示部
３６４    駆動回路部
３６５    配線
３６６    非表示領域
３６８    表示領域
３７２    ＦＰＣ
３７３    ＩＣ
４００    表示パネル
４１１    画素電極
４１２    共通電極
４１３    液晶層
４２１    オーバーコート
４３０    偏光板
４３１    着色層
４３２    遮光層
４３３ａ    配向膜
４３３ｂ    配向膜
４４１    接着層
７１１    表示部
７１２    ソースドライバ
７１２Ａ    ゲートドライバ
７１２Ｂ    ゲートドライバ
７１３    基板
７１４    ディスプレイドライバＩＣ
７１５    ＦＰＣ
７１６    外部回路基板
９０１    筐体
９０２    筐体
９０３ａ    表示部
９０３ｂ    表示部
９０４    選択ボタン
９０５    キーボード
９１０    電子書籍端末
９１１    筐体
９１２    筐体
９１３    表示部
９１４    表示部
９１５    軸部
９１６    電源
９１７    操作キー
９１８    スピーカー
９２１    筐体
９２２    表示部
９２３    スタンド
９２４    リモコン操作機
９３０    本体
９３１    表示部
９３２    スピーカー
９３３    マイク
９３４    操作ボタン
９４１    本体
９４２    表示部
９４３    操作スイッチ
６０００    表示モジュール
６００１    上部カバー
６００２    下部カバー
６００６    表示パネル
６００９    フレーム
６０１０    プリント基板
６０１１    バッテリ
６０１５    発光部
６０１６    受光部
６０１７ａ    導光部
６０１７ｂ    導光部
６０１８    光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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