(57)【要約】【課題】画素がダメージを受けるのを抑制しつつ、画素を有する第１領域及び電子部品が実装された第２領域の下の可撓性基材から支持基板を効率良く取り外すことができる表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板の第１面に可撓性基材が付着され、前記可撓性基材の前記第１面とは反対側の面に、画素が配列された第１領域と、前記第１領域に並置される領域であって電子部品が実装された第２領域とを有するパネル部材に対し、前記支持基板の前記第１面とは反対側の第２面の側から、前記可撓性基材の前記第１領域及び前記第２領域を含む領域に、第１のエネルギー密度で第１のレーザ光を照射し、前記支持基板の前記第２面の側から、前記可撓性基材の前記第２領域に、第２のエネルギー密度で第２のレーザ光を照射し、前記パネル部材から前記支持基板を剥離する、ことを特徴とする表示装置の製造方法。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の第１面に可撓性基材が付着され、前記可撓性基材の前記第１面とは反対側の面に、画素が配列された第１領域と、前記第１領域に並置される領域であって電子部品が実装された第２領域とを有するパネル部材に対し、
前記支持基板の前記第１面とは反対側の第２面の側から、前記可撓性基材の前記第１領域及び前記第２領域を含む領域に、第１のエネルギー密度で第１のレーザ光を照射し、
前記支持基板の前記第２面の側から、前記可撓性基材の前記第２領域に、第２のエネルギー密度で第２のレーザ光を照射し、
前記パネル部材から前記支持基板を剥離する、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２のエネルギー密度は、前記第１のエネルギー密度より高い、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のレーザ光を照射した後に、前記第２のレーザ光を照射する、請求項１又は請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のレーザ光は線状に集光された第１の線状レーザ光であり、前記第１の線状レーザ光の長手方向の長さは、前記第１領域と前記第１領域に並置される前記第２領域の双方の領域を同時に照射可能な長さを有する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１領域及び前記第２領域に同時に前記第１の線状レーザ光を照射し、前記第１の線状レーザ光を前記長手方向と略直交する方向に走査する、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のレーザ光は線状に集光された第２の線状レーザ光であり、前記第２の線状レーザ光の長手方向の長さは、前記第２領域を照射可能な長さを有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の線状レーザ光を、前記長手方向と略直交する方向に走査する、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光は、長手方向の長さが同じ線状レーザ光であり、
前記線状レーザ光の長手方向の長さは、前記第１領域と前記第１領域に並置される前記第２領域の双方の領域を同時に照射可能な長さを有し、
前記第２のレーザ光を照射するときに、前記第１領域を遮蔽し、前記第２領域を開口するシャドーマスクを用いて照射する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光は、紫外線レーザ光である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光は、パルスレーザ光である、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記画素は有機ＥＬ素子を含み、前記電子部品はドライバＩＣである、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１領域に、前記画素を覆う封止フィルムを貼り合わせる、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ドライバＩＣを、熱圧着で実装する、請求項１１又は請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記支持基板の上にポリイミド樹脂を塗布して前記可撓性基材を形成する、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
可撓性基材の第１面に、画素が配列された第１領域と、前記第１領域に並置される領域であって電子部品が実装された第２領域と、を有し、
前記可撓性基材の前記第１面とは反対側の第２面において、前記第１領域に重なる領域の表面粗さは、前記第２領域に重なる領域の表面粗さより大きいこと、を特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記画素は有機ＥＬ素子を含み、前記電子部品はドライバＩＣである、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１領域には、前記画素が配列された領域を覆う封止フィルムが設けられている、請求項１５又は請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記可撓性基材は、ポリイミド樹脂である、請求項１５乃至請求項１７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記可撓性基材は、前記第１領域に屈曲部を有する、請求項１５乃至請求項１８のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有する表示装置の製造方法、及び、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
支持基板に薄膜層を作製し、この薄膜層を剥離して薄膜デバイスを作製する技術の開発が進められている。支持基板から薄膜層を剥離する方法として、支持基板と薄膜層との間に分離層を設けておき、この分離層にレーザ光を照射して、分離層の内部又は界面において剥離を生じさせ、薄膜層を支持基板から剥離させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２４４１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
支持基板に予め薄膜層を作製し、その後、薄膜層を支持基板から剥離する方法では、薄膜層が支持基板から均一に剥離される必要がある。しかしながら、薄膜デバイスにおける薄膜層は、必ずしも均一な構造を有していないので、薄膜層を支持基板から均一に剥離できるか否かが問題となる。
【０００５】
例えば、シートディスプレイとも呼ばれる、フィルム状の基材に形成される表示装置では、薄膜トランジスタや有機エレクトロルミネセンス素子により形成される表示領域と、表示領域以外の領域でフレキシブルプリント配線基板や電子部品が実装される領域とでは、明らかに構造が異なっている。このような場合、フィルム状の基材を支持基板から均一に剥離できるか否かが問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、支持基板の第１面に可撓性基材が付着され、前記可撓性基材の前記第１面とは反対側の面に、画素が配列された第１領域と、前記第１領域に並置される領域であって電子部品が実装された第２領域とを有するパネル部材に対し、前記支持基板の前記第１面とは反対側の第２面の側から、前記可撓性基材の前記第１領域及び前記第２領域を含む領域に、第１のエネルギー密度で第１のレーザ光を照射し、前記支持基板の前記第２面の側から、前記可撓性基材の前記第２領域に、第２のエネルギー密度で第２のレーザ光を照射し、前記パネル部材から前記支持基板を剥離する、ことを特徴とする表示装置の製造方法である。
【０００７】
本発明の他の一態様は、可撓性基材の第１面に、画素が配列された第１領域と、前記第１領域に並置される領域であって電子部品が実装された第２領域と、を有し、前記可撓性基材の前記第１面とは反対側の第２面において、前記第１領域に重なる領域の表面粗さは、前記第２領域に重なる領域の表面粗さより大きいこと、を特徴とする表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る表示装置の製造方法において、支持基板の上に可撓性基材を配置する工程を示す断面図である。（Ｂ）は、可撓性基材の第１表面に表示素子層を配置する工程を示す断面図である。
【図２】（Ａ）は、可撓性基材の第２表面に電子部品と回路基板を配置しつつ、表示素子層の上に封止フィルムを配置する工程を示す断面図である。（Ｂ）は、電子部品の周囲に樹脂層を配置する工程を示す断面図である。
【図３】支持基板を通して可撓性基材の裏面の全面に第１のレーザ光を照射する工程を示す断面図である。
【図４】支持基板を通して可撓性基材の第２裏面に第２のレーザ光を照射する工程を示す断面図である。
【図５】表示装置において、第１のレーザ光が可撓性基材の裏面の全面に全面照射される範囲と第２のレーザ光が可撓性基材の裏の第２面に部分面照射される範囲を示す概略図である。
【図６】表示装置において、第１のレーザ光が可撓性基材の裏面の全面に全面照射される範囲と第２のレーザ光が可撓性基材の裏の第２面に部分面照射される範囲を示す概略図である。
【図７】（Ａ）は、表示装置を折り曲げる前の断面図であり、（Ｂ）は、表示装置を折り曲げた後の断面図である。
【図８】画素部と電子部品の断面図である。
【図９】（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る表示装置の平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＬ１−Ｌ２線に沿う断面図である。
【図１０】（Ａ）は、表示装置の折り畳む前の展開平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＬ１−Ｌ２線に沿う断面図である。
【図１１】図１０の表示装置から回路基板を取り除いた構成を示す図である。
【図１２】図９（Ｂ）の回路基板の拡大断面図である。
【図１３】第２実施形態に係る表示装置の製造方法の工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１１】
（第１実施形態）
図１、図２、図３、図４、図７の各々は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の製造工程の一部を示す断面図である。これらの図を参照しつつ、表示装置１０の製造方法に関して以下に説明する。
【００１２】
図１（Ａ）は、支持基板１２の第１面１２Ｘに可撓性基材１１を配置する表示装置１０の製造工程を示す断面図である。可撓性基材１１は、可撓性基板、樹脂基材、樹脂基板、フィルム基材、フィルム基板、ともいう。図１（Ａ）に示されるように、支持基板１２の第１面１２Ｘに可撓性基材１１が付着される。支持基板１２は例えばガラスで構成される。支持基板１２は、後述するが表示装置１０の製造工程にて第１のレーザ光８０Ｘや第２のレーザ光８０Ｙを通過させる必要がある。従って、支持基板１２は、少なくともガラス、セラミック、石英のいずれかで構成されれば良く、第１のレーザ光８０Ｘ（図３参照）や第２のレーザ光８０Ｙ（図４参照）を通過させるその他の材質で構成されても良い。このときに、支持基板１２上にポリイミド樹脂を塗布する等して、そのポリイミド樹脂によって可撓性基材１１がシート状に形成される。
【００１３】
例えば、可撓性基材１１を形成する部材として有機樹脂材料が用いられる。有機樹脂材料としては、高分子材料を用いるのが好ましい。例えば、耐熱性が高く機械的性質や化学的性質が優れたポリイミドを用いることが好ましい。
【００１４】
なお、可撓性基材１１に適用可能な他の基板部材として、金属の薄板基板、またはガラスの薄板基板に、樹脂材料を塗布・焼成したワニス方式、樹脂フィルムを貼り付けたフィルム方式の複合基板を適用することができる。
【００１５】
図１（Ｂ）は、可撓性基材１１の表面１１Ｘに表示素子層５５を作製する工程を示す断面図である。図１（Ｂ）に示されるように、支持基板１２の表面が第１面１２Ｘで裏面が第２面１２Ｙとする。可撓性基材１１の表面１１Ｘは、可撓性基材１１から見ると、支持基板１２の第１面１２Ｘとは反対側の面に相当する。可撓性基材１１の第１表面Ｈ１（第１領域Ｋ１の一部）に、表示素子層５５が形成される。表示素子層５５は、半導体層、導電層、絶縁層が適宜積層され、トランジスタ及び有機ＥＬ素子を含むように形成される。
【００１６】
ここで、可撓性基材１１の表面で後に表示素子層５５を配置する面を第１表面Ｈ１とし、可撓性基材１１の第１表面Ｈ１に対応する裏面を第１裏面Ｊ１という。この第１表面Ｈ１と第１裏面Ｊ１とで囲まれる領域を第１領域Ｋ１とする。第１領域Ｋ１は、画素を含んだ表示素子層５５が配列された領域である。画素は、有機ＥＬ素子１０５（図８参照）を含む。
【００１７】
また、可撓性基材１１の表面で第１表面Ｈ１以外の面を第２表面Ｈ２とし、可撓性基材１１の第２表面Ｈ２に対応する裏面を第２裏面Ｊ２とする。この第２表面Ｈ２と第２裏面Ｊ２で囲まれる領域を第２領域Ｋ２とする。このため、第２領域Ｋ２は、第１領域Ｋ１に並置される領域と言える。第２領域Ｋ２は、電子部品１４が実装される領域である。電子部品１４（図２参照）としては、ドライバＩＣであっても良い。
【００１８】
また、本実施形態では、第２裏面Ｊ２と第１裏面Ｊ１とを合わせた面を可撓性基材１１の全面Ａという。
【００１９】
図２（Ａ）は、可撓性基材１１の第２表面Ｈ２（第２領域Ｋ２）に電子部品１４と回路基板１５を配置すると共に、可撓性基材１１の第１表面Ｈ１の表示素子層５５の表面に封止フィルム６０を配置する工程を示す断面図である。図２（Ａ）に示されるように、可撓性基材１１の表面の第２表面Ｈ２に電子部品１４を配置する。なお、この後に、可撓性基材１１の表面の第２表面Ｈ２に回路基板１５を配置する。このときに、電子部品１４や回路基板１５が可撓性基材１１に熱圧着で実装されても良い。
【００２０】
電子部品１４は異方性導電膜１６により可撓性基材１１の表面に固定される。回路基板１５も異方性導電膜１６により可撓性基材１１の表面に固定される。回路基板１５は、可撓性基材１１の基材面に沿う方向Ｘで電子部品１４よりも可撓性基材１１の一方の端部１１Ｚ１側に配置される。
【００２１】
また、可撓性基材１１の第１表面Ｈ１に表示素子層５５を覆うように封止フィルム６０が貼り合わされる。封止フィルム６０は、耐候性を有して表示素子層５５を覆うフィルムである。
【００２２】
図２（Ｂ）は、樹脂層６５を配置する工程を示す断面図である。図２（Ｂ）に示されるように、電子部品１４の周囲には、樹脂層６５が配置される。すなわち、前述の表示素子層５５と封止フィルム６０の積層と電子部品１４との間には、樹脂層６５が配置される。電子部品１４と回路基板１５との間にも、樹脂層６５が配置される。このように、支持基板１２、可撓性基材１１、表示素子層５５、電子部品１４を有してパネル部材２０が構成される。
【００２３】
図３は、支持基板１２を通して可撓性基材１１の裏面１１Ｙの全面Ａに第１のレーザ光８０Ｘを照射する工程を示す断面図である。そして、可撓性基材１１の裏面１１Ｙの全面Ａに対して、支持基板１２側から第１のレーザ光８０Ｘが全面照射される。すなわち、第１のレーザ光８０Ｘは、支持基板１２の第１面１２Ｘとは反対側の第２面１２Ｙの側から、可撓性基材１１の第１領域Ｋ１及び第２領域Ｋ２を含む領域に、第１のエネルギー密度で照射される。
【００２４】
本実施形態では、所定幅の第１のレーザ光８０Ｘが照射位置を変えながら照射される場合を想定している（これに関しては図５を参照しつつ後述する）。なお、第１のレーザ光８０Ｘが全面Ａに１回で照射されても良い。従って、ここでいう全面Ａは、所定幅の第１のレーザ光８０Ｘが照射される過程では、特に、基材面に沿う方向Ｘで全面という意味をいう。
【００２５】
この全面照射するときの第１のレーザ光８０Ｘの強度は、例えば、１５０ｍＪ／ｃｍ2とした。この程度の第１のレーザ光８０Ｘの強度であれば、有機ＥＬ素子１０５にはダメージとならず、有機ＥＬ素子１０５の領域の支持基板１２が剥離できる。ただし、この第１のレーザ光８０Ｘの強度では、電子部品１４が配置される可撓性基材１１の第２裏面Ｊ２に接着される支持基板１２が剥離され難い。
【００２６】
次に、図４に示されるように、可撓性基材１１の第２裏面Ｊ２（部分面）に対して、支持基板１２側から第２のレーザ光８０Ｙが部分面照射される。すなわち、第２のレーザ光８０Ｙは、支持基板１２の第２面１２Ｙの側から、可撓性基材１１の第２領域Ｋ２に、第２のエネルギー密度で照射される。このような第１のレーザ光８０Ｘの全面照射と第２のレーザ光８０Ｙの部分面照射が完了すると、可撓性基材１１の全面Ａから、換言すればパネル部材２０から、支持基板１２が剥離（除去）される。
【００２７】
第２裏面Ｊ２に照射される第２のレーザ光８０Ｙの強度は、全面Ａに照射される第１のレーザ光８０Ｘの強度よりも強い。すなわち、第２のエネルギー密度は、第１のエネルギー密度より高い。
【００２８】
第１のレーザ光８０Ｘが照射された後に、第２のレーザ光８０Ｙが照射される。すなわち、第２裏面Ｊ２に第２のレーザ光８０Ｙが部分面照射される方が、全面Ａに第１のレーザ光８０Ｘを全面照射されるよりも後である。なお、全面Ａに第１のレーザ光８０Ｘが全面照射される方が、第２裏面Ｊ２に第２のレーザ光８０が部分面照射されるよりも後であっても良い。
【００２９】
この部分照射するときの第２のレーザ光８０Ｙの強度は、例えば、１８０ｍＪ／ｃｍ2とした。この程度の第２のレーザ光８０Ｙの強度であると、電子部材５０の領域の支持基板１２が剥離できるが、この第２のレーザ光８０Ｙがもし第１裏面Ｊ１に照射されると有機ＥＬ素子１０５にはダメージとなる。
【００３０】
第１のレーザ光８０Ｘと第２のレーザ光８０Ｙは、紫外線レーザ光であっても良い。第１のレーザ光８０Ｘと第２のレーザ光８０Ｙは、パルスレーザ光であっても良い。
【００３１】
前述した第１のレーザ光８０Ｘの全面照射と第２のレーザ光８０Ｙの部分面照射により、第２裏面Ｊ２の表面粗さは、第１裏面Ｊ１の表面粗さよりも粗くなる。これは、前述したように、第２裏面Ｊ２に第２のレーザ光８０Ｙを照射した度合いが第１裏面Ｊ１に第１のレーザ光８０Ｘを照射した度合いよりも強いためである。また、第２裏面Ｊ２に第２のレーザ光８０Ｙを照射する照射回数が第１裏面Ｊ１に第１のレーザ光８０Ｘを照射する照射回数よりも多いためである。
【００３２】
例えば、第１のレーザ光８０Ｘの全面照射で行うスポット照射の回数がＭ回で、第２のレーザ光８０Ｙの部分面照射で行うスポット照射の回数がＮ回とする。この場合に、可撓性基材１１の裏面１１Ｙでは、第１裏面Ｊ１ではスポット照射の回数がＭ回で、第２裏面Ｊ２ではスポット照射の回数が（Ｍ＋Ｎ）回となる。従って、第２裏面Ｊ２のスポット照射の回数は、第１裏面Ｊ１のスポット照射の回数よりも多くなる。
【００３３】
図５は、表示装置１０において、第１のレーザ光８０Ｘが可撓性基材１１の裏面の全面Ａに全面照射される範囲と第２のレーザ光８０Ｙが可撓性基材１１の裏の第２裏面Ｊ２に部分面照射される範囲を示す概略図である。図６は、表示装置１０において、第１のレーザ光８０Ｘが可撓性基材１１の裏面の全面Ａに全面照射される範囲と第２のレーザ光８０Ｙが可撓性基材１１の裏の第２裏面Ｊ２に部分面照射される範囲を示す概略図である。電子部品１４の周囲が全面照射と部分面照射の両方の照射を受けていることが分かる。
【００３４】
図５に示されるように、第１のレーザ光８０Ｘは、線状に集光された第１の線状レーザ光であり、第１の線状レーザ光の長手方向の長さは、第１領域Ｋ１と第１領域Ｋ１に並置される第２領域Ｋ２の双方の領域を同時に照射可能な長さを有する。そして、この第１の線状のレーザ光は、第１領域Ｋ１及び第２領域Ｋ２に同時に第１の線状レーザ光を照射し、第１の線状レーザ光の長手方向と略直交する方向Ｍに走査される。
【００３５】
図５に示されるように、第２のレーザ光８０Ｙは、線状に集光された第２の線状レーザ光であり、第２の線状レーザ光の長手方向の長さは、第２領域Ｋ２を照射可能な長さを有する。そして、この第２の線状レーザ光は、第２の線状レーザ光の長手方向と略直交する方向Ｍに走査される。
【００３６】
本実施形態では、第１の領域Ｋ１と第２の領域Ｋ２にエネルギー密度が低い第１のレーザ光８０Ｘが照射され、第２の領域Ｋ２にエネルギー密度が高い第２のレーザ光８０Ｙが重複して照射される。第２のレーザ光８０Ｙにて２回のレーザが別々に照射され、支持基板１２が表示装置１０から剥離される。こうした２回目の照射により、支持基板１２における剥離し難い部分も剥離され易くすることができる。
【００３７】
全面照射と部分面照射により支持基板１２が除外された後に、図７（Ａ）の状態から第１裏面Ｊ１が断面視でＵ字状になるように可撓性基材１１が折り曲げられて図７（Ｂ）の屈曲部１１Ｂが構成される。こうして本実施形態の表示装置１０が完成するが、その他の構成は、これ以後に取り付けられていく。
【００３８】
図８は、表示素子層５５の構成として、トランジスタ１１７、容量素子１１６、有機ＥＬ素子１０５を有する画素部１２２の断面図を示す。トランジスタ１１７と有機ＥＬ素子１０５は電気的に接続されている。有機ＥＬ素子１０５はトランジスタ１１７によって発光が制御される。容量素子１１６は、例えば、トランジスタ１１７のゲート電圧を保持するために適宜設けられる。有機ＥＬ素子１０５の上面には無機絶縁層１６１が設けられている。
【００３９】
トランジスタ１１７は、半導体層１０６、ゲート絶縁層１０７、ゲート電極１０８が積層された構造を有している。半導体層１０６は、非晶質又は多結晶のシリコン、もしくは酸化物半導体などで形成される。ソース・ドレイン電極１０９は、第１絶縁層１１５ａを介して、ゲート電極１０８の上層に設けられている。ソース・ドレイン電極１０９の上層には平坦化層としての第２絶縁層１１５ｂが設けられている。なお、ゲート電極１０８と繋がる端子１０８Ｘは、電子部品１４の端子１４Ｘと異方性導電膜１６で接続される。また、ソース・ドレイン電極１０９と繋がる端子１０９Ｘは、電子部品１４の端子１４Ｙと異方性導電膜１６で接続される。
【００４０】
第２絶縁層１１５ｂは、ソース・ドレイン電極１０９、及び、第１絶縁層１１５ａに設けられたコンタクトホール、ゲート電極１０８及び半導体層１０６の形状に伴う第１絶縁層１１５ａの凹凸を埋設し、略平坦な表面を有している。第２絶縁層１１５ｂは、無機絶縁層の表面をエッチング加工、化学的機械摩耗加工することで形成された平坦表面、またはアクリル、ポリイミドなどの前躯体を含む組成物を塗布又は堆積し、焼成前にレベリングされた平坦表面を有していてもよい。
【００４１】
容量素子１１６は、ゲート絶縁層１０７を誘電体層として、半導体層１０６と第１容量電極１１０が重畳する領域、第１絶縁層１１５ａを誘電体層としてソース・ドレイン電極１０９と第１容量電極１１０とが挟まれた領域に形成される。
【００４２】
第１電極１２０は、可撓性基材１１の上の絶縁層１１５の上に配置される。ここでは、第１電極１２０がアノード電極である。第１電極１２０は、有機層１３０がホール注入層、発光層、電子注入層の順に積層される場合に、正孔注入性に優れるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ：酸化インジウム亜鉛）を用いることが好ましい。ＩＴＯは透光性導電材料の一種であり、可視光帯域の透過率が高い反面、反射率は極めて低い特性を有している。そのため、第１電極１２０に光を反射する機能を付加するため、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属層を積層させることが好ましい。
【００４３】
有機層１３０は、第１電極１２０の上に配置される。有機層１３０は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を含む層である。有機層１３０は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。
【００４４】
低分子系の有機材料を用いる場合、有機層１３０は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで形成されていても良い。例えば、有機層１３０は、発光層をホール注入層と電子注入層とで挟んだ構造とすることができる。また、有機層１３０は、ホール注入層と電子注入層に加え、ホール輸送層、電子輸送層、ホールブロック層、電子ブロック層などを適宜負荷されていても良い。
【００４５】
第２電極１４０は、有機層１３０の上に配置される。ここでは、第２電極１４０は、有機ＥＬ素子１０５のカソード電極であると共に、タッチセンサを構成する電極でもある。第２電極１４０は、有機層１３０で発光した光を透過させるため、透過性を有し、かつ、導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。
【００４６】
前述の第１電極１２０、有機層１３０、第２電極１４０の積層は、有機層１３０が発光した光を第２電極１４０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造である。有機層１３０は、第１電極１２０と第２電極１４０との間の電位を制御することで発光が制御される。また、表示領域７０には、第１電極１２０の周縁部を覆い内側領域を露出するようにバンク１２５が設けられている。第２電極１４０は、有機層１３０の上面及びバンク１２５の上面部に設けられている。
【００４７】
なお、バンク１２５は、第１電極１２０の周縁部を覆い、有機樹脂材料で形成される。有機樹脂材料としては、アクリルやポリイミドなどが用いられる。
【００４８】
画素部１２２の右方には、電子部品１４が可撓性基材１１の上方の第２絶縁層１１５ｂに対して異方性導電膜１６によって接着されている。この電子部品１４は、左方の画素部１２２のトランジスタ１１７を制御するのに用いられる。
【００４９】
電子部品１４は、以下のように固定される。可撓性基材１１の上方の第２絶縁層１１５ｂの表面にはゲート電極１０８と繋がる端子１０８Ｘが設けられる。電子部品１４の裏面には端子１４Ｘが設けられる。そして、端子１０８Ｘと端子１４Ｘとの間は異方性導電膜１６によって接着されている。こうして、第２絶縁層１１５ｂの表面の端子１０８Ｘに電子部品１４が固定される。
【００５０】
可撓性基材１１の上方の第２絶縁層１１５ｂの表面にはソース・ドレイン電極１０９と繋がる端子１０９Ｘが設けられる。電子部品１４の裏面には端子１４Ｙが設けられる。そして、端子１０９Ｘと端子１４Ｙとの間は異方性導電膜１６によって接着されている。こうして、第２絶縁層１１５ｂの表面の端子１０９Ｘに電子部品１４が固定される。
【００５１】
図９（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の平面図であり、図９（Ｂ）は、（Ａ）のＬ１−Ｌ２線に沿う断面図である。図１０（Ａ）は、表示装置１０の折り畳む前の展開平面図であり、図１０（Ｂ）は、（Ａ）のＬ１−Ｌ２線に沿う断面図である。表示装置１０は、可撓性基材１１と、可撓性基材１１の表面に配置されて有機ＥＬ素子１０５（図８参照）を有する表示素子層５５と、表示素子層５５の表面に配置される封止フィルム６０と、を有する。
【００５２】
また、表示装置１０は、可撓性基材１１の表面に配置される回路基板１５を有している。回路基板１５としては例えばフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などが挙げられる。回路基板１５と表示領域７０との間には、電子部品１４が設けられる。電子部品１４としては、ドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップなどが挙げられる。
【００５３】
表示素子層５５によって表示領域７０が形成される。表示領域７０は複数の画素を含む。各画素は、表示素子層５５に形成される有機ＥＬ素子１０５とそれに電気的に接続されるトランジスタ１１７を含み、各有機ＥＬ素子１０５はトランジスタ１１７によって制御される。各画素は電子部品１４と電気的に接続されており、回路基板１５を通して外部から入力される映像信号に応じて駆動される。
【００５４】
電子部品１４としてのドライバＩＣは、可撓性基材１１上、あるいは回路基板１５上に実装されて各画素のトランジスタ１１７を制御する駆動回路として機能する。なお、電子部品１４として、抵抗、コンデンサ等の受動素子がさらに設けられていてもよい。電子部品１４を設けず、駆動回路を表示領域７０の周辺に設けてもよい。
【００５５】
また、表示装置１０は、図９のように折り畳まれた状態で流通されても良いし、また、図１０のように折り畳まれないで広げられた状態で流通されても良い。例えば、完成品メーカーが図９のように折り畳まれた状態で表示装置１０を販売することも考えられる。また、部品メーカーが表示装置の完成品メーカーに図１０のように広げられた状態で表示装置１０を販売することが考えられる。
【００５６】
図１１は、図１０の表示装置１０から回路基板１５を取り除いた構成を示す。表示領域７０から端子１６０の側面に向かって配線１６２が配置されている。配線１６２は表示領域７０並びに電子部品１４と電気的に接続されている。配線１６２の一部が露出しており、露出した部分が端子１６０として機能する。端子１６０は異方性導電膜１６によって回路基板１５と接続されている。
【００５７】
図１２は、図９（Ｂ）の表示装置１０の拡大断面図である。図１２に示されるように、表示装置１０は、可撓性基材１１と、電子部品１４と、回路基板１５と、表示素子層５５と、封止フィルム６０と、を有する。可撓性基材１１の表面１１Ｘに、電子部品１４、回路基板１５、表示素子層５５と、封止フィルム６０とが配置される。以下、これらの構成要素を順に説明する。
【００５８】
可撓性基材１１は、一方の端部１１Ｚ１から他方の端部１１Ｚ２までに亘って平面、曲面、平面が連続する形状で構成されている。すなわち、可撓性基材１１は、第１平板状部１１Ａと、屈曲部１１Ｂと、第２平板状部１１Ｃと、を有し、この順にこれらの部位は連続している。
【００５９】
第１平板状部１１Ａの表面１１Ｘ（外側面）には、電子部品１４と回路基板１５が配置されている。
【００６０】
第２裏面Ｊ２は、支持基板１２を通して第１のレーザ光８０Ｘで全面照射（図３参照）され、その後に支持基板１２を介して第２のレーザ光８０Ｙで部分面照射（図４参照）もされる面でもある。従って、第２裏面Ｊ２は、第１のレーザ光８０Ｘの全面照射（図３参照）と第２のレーザ光８０Ｙの部分面照射（図４参照）の２段階の照射を受ける面と言える。
【００６１】
屈曲部１１Ｂは、前述の第１平板状部１１Ａと連続しており、断面視でＵ字状に屈曲して構成されている。屈曲部１１Ｂは、表面１１Ｘ（外側面）に、表示素子層５５と封止フィルム６０とを有している。ここでは、屈曲部１１Ｂの裏面１１Ｙ（内側面）は第１裏面Ｊ１（第１領域Ｋ１）である。
【００６２】
この屈曲部１１Ｂの第１裏面Ｊ１は、支持基板１２を通して第１のレーザ光８０Ｘで全面照射されるが（図３参照）、その後に支持基板１２を通して第２のレーザ光８０Ｙで部分面照射されない面である。従って、屈曲部１１Ｂの第１裏面Ｊ１は、第１のレーザ光８０Ｘによる全面照射の１段階の照射を受ける面と言える。
【００６３】
第２平板状部１１Ｃは、前述の屈曲部１１Ｂと連続している。また、第２平板状部１１Ｃの裏面１１Ｙは、第１平板状部１１Ａの裏面Ｙと対向する部位を有する。さらに、第２平板状部１１Ｃは、断面視で、可撓性基材１１の基材面に沿う方向Ｘで第１平板状部１１Ａよりも広く構成されている部分であると言える。
【００６４】
第２平板状部１１Ｃは、表面１１Ｘ（外側面）に、表示素子層５５と封止フィルム６０とを有している。第２平板状部１１Ｃの一部は、表示パネルとして用いられる。ここでは、第２平板状部１１Ｃの裏面１１Ｙ（内側面）は第１裏面Ｊ１である。
【００６５】
この第２平板状部１１Ｃの第１裏面Ｊ１は、支持基板１２を通して第１のレーザ光８０Ｘで全面照射されるが（図３参照）、その後に支持基板１２を通して第２のレーザ光８０Ｙで部分面照射されない面である。従って、第２平板状部１１Ｃの第１裏面Ｊ１は、第１のレーザ光８０Ｘによる全面照射の１段階の照射を受ける面と言える。
【００６６】
本実施形態によれば、有機ＥＬ素子１０５により形成される表示領域と、表示領域以外の領域でＦＰＣ１５や電子部品１４が実装される領域とで、可撓性基材１１を支持基板１２から均一に剥離できる。
【００６７】
（第２実施形態）
図１３は、第２実施形態に係る表示装置の製造方法の工程を示す断面図である。第２実施形態の表示装置の製造方法が第１実施形態の表示装置の製造方法と異なるのは、第２実施形態の表示装置では、「第１のレーザ光８０Ｘ及び第２のレーザ光８０Ｙは、長手方向の長さが同じ線状レーザ光である」という点である。ここでは、線状レーザ光の長手方向の長さは、第１領域Ｋ１と第１領域Ｋ１に並置される第２領域Ｋ２の双方の領域を同時に照射可能な長さを有する。
【００６８】
図１３に示されるように、本実施形態では、シャドーマスク６６を用いて第２のレーザ光８０Ｙを照射する。シャドーマスク６６としては、第１領域Ｋ１を遮蔽し、第２領域Ｋ２を開口する構成のものが用いられる。第２のレーザ光８０Ｙを支持基板１２側から照射するときに、第２のレーザ光８０Ｙはシャドーマスク６６で遮断されて可撓性基材１１の第１領域Ｋ１に到達しない。ただし、第２のレーザ光８０Ｙは、可撓性基材１１の第２領域Ｋ２に到達する。
【００６９】
本実施形態によれば、同じレーザ装置を用いて、第１のレーザ光８０Ｘと第２のレーザ光８０Ｙとが両方とも同じ幅と長さのレーザを用いて打つことができる。ただし、第２のレーザ光８０Ｙのエネルギー密度が第１のレーザ光８０Ｘのエネルギー密度よりも大きい点に関しては、第１実施形態と同様である。
【００７０】
前述してきた第１実施形態又は第２実施形態の構成によれば、有機ＥＬ素子１０５がダメージを受けるのを抑制しつつ、有機ＥＬ素子１０５を有する表示素子層５５及び電子部品１４の下の可撓性基材１１から支持基板１２を効率良く取り外すことができる。
【符号の説明】
【００７１】
１０    表示装置
１１    可撓性基材
１２    支持基板
１４    電子部品
５５    表示素子層
６０    封止フィルム
８０Ｘ  第１のレーザ光
８０Ｙ  第２のレーザ光
１０５  有機ＥＬ素子
Ｋ１    第１領域
Ｋ２    第２領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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