(57)【要約】【課題】信頼線の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】本実施形態によれば、絶縁基板と、絶縁基板の上に設けられ、表示領域に位置する表示素子と、表示素子の上に設けられ、表示領域の外側の非表示領域において第１端部を有する第１無機膜と、第１無機膜の上に設けられた第１有機膜と、第１有機膜の上に設けられ、第１端部と接する第２端部を有する第２無機膜と、を備え、第１端部は、傾斜した第１斜面を有し、第２端部は、第１斜面より表示領域側に位置する第２斜面を有し、第１斜面の第１傾斜角と第２斜面の第２傾斜角とは、異なっている、表示装置が提供される。【選択図】図３
2018156850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に設けられ、表示領域に位置する表示素子と、
前記表示素子の上に設けられ、前記表示領域の外側の非表示領域において第１端部を有する第１無機膜と、
前記第１無機膜の上に設けられた第１有機膜と、
前記第１有機膜の上に設けられ、前記第１端部と接する第２端部を有する第２無機膜と、
を備え、
前記第１端部は、傾斜した第１斜面を有し、
前記第２端部は、前記第１斜面より前記表示領域側に位置する第２斜面を有し、
前記第１斜面の第１傾斜角と前記第２斜面の第２傾斜角とは、異なっている、表示装置。
【請求項２】
前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角より小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１無機膜の水素濃度は、前記第２無機膜の水素濃度より大きい、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１無機膜及び前記第２無機膜は、少なくとも窒化シリコン層を含んでいる、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１無機膜及び前記第２無機膜の少なくとも一方は、前記窒化シリコン層と前記第１有機膜との間に位置する酸化シリコン層を含んでいる、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記酸化シリコン層は、前記窒化シリコン層より薄い、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２無機膜の上に設けられ、前記第１斜面及び前記第２斜面を露出する第２有機膜をさらに備える、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１斜面及び前記第２斜面と接する樹脂層をさらに備える、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２無機膜の上に設けられ、前記第２斜面及び前記第１斜面と接する配線をさらに備える、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記絶縁基板は、前記配線と接続された端子を備えている、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に設けられ、表示領域に位置する表示素子と、
前記表示素子の上に設けられ、前記表示領域を囲む非表示領域において第１端部を有する第１無機膜と、
前記第１無機膜の上に設けられた第１有機膜と、
前記第１有機膜の上に設けられ、前記第１端部と接する第２端部を有する第２無機膜と、
を備え、
前記第１端部は、第１斜面が形成される第１領域を有し、
前記第２端部は、第２斜面が形成される第２領域を有し、
前記第１領域の長さに対する前記第１無機膜の厚さの第１比は、前記第２領域の長さに対する前記第２無機膜の厚さの第２比と異なっている、表示装置。
【請求項１２】
前記第１比は、前記第２比より小さい、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２無機膜の上に設けられた第２有機膜をさらに備え、
前記第１領域は、前記第２無機膜より前記表示領域から離間した前記第１無機膜の領域であって、
前記第２領域は、前記第２有機膜より前記表示領域から離間した前記第２無機膜の領域である、請求項１１又は１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、表示パネルに設けられた有機ＥＬ素子の劣化を防止するための封止層を備えていることが多い。封止層は、表示パネルのうち、外部装置や他の回路基板などが接続される端子が設けられた領域においては除去されている必要がある。一方で、封止層は、水分の侵入を抑制する程度に厚く形成される傾向にある。したがって、封止層が除去された場合、封止層の端部に段差が生じる場合がある。このような段差は、封止層の上に設けられる部材のカバレージを低下させるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−９９２９０号公報
【特許文献２】特開２０１０−２７２２７０号公報
【特許文献３】特開２００９−７０６９６号公報
【特許文献４】特開２００５−１００６８５号公報
【特許文献５】特開平９−２４６２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態によれば、  
絶縁基板と、前記絶縁基板の上に設けられ、表示領域に位置する表示素子と、前記表示素子の上に設けられ、前記表示領域の外側の非表示領域において第１端部を有する第１無機膜と、前記第１無機膜の上に設けられた第１有機膜と、前記第１有機膜の上に設けられ、前記第１端部と接する第２端部を有する第２無機膜と、を備え、前記第１端部は、傾斜した第１斜面を有し、前記第２端部は、前記第１斜面より前記表示領域側に位置する第２斜面を有し、前記第１斜面の第１傾斜角と前記第２斜面の第２傾斜角とは、異なっている、表示装置が提供される。
【０００６】
一実施形態によれば、  
絶縁基板と、前記絶縁基板の上に設けられ、表示領域に位置する表示素子と、前記表示素子の上に設けられ、前記表示領域を囲む非表示領域において第１端部を有する第１無機膜と、前記第１無機膜の上に設けられた第１有機膜と、前記第１有機膜の上に設けられ、前記第１端部と接する第２端部を有する第２無機膜と、を備え、前記第１端部は、第１斜面が形成される第１領域を有し、前記第２端部は、第２斜面が形成される第２領域を有し、前記第１領域の長さに対する前記第１無機膜の厚さの第１比は、前記第２領域の長さに対する前記第２無機膜の厚さの第２比と異なっている、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す表示領域の構成を示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示す表示装置の短辺を含む領域の構成を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３に示す端部を拡大して示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図３に示す端部の他の例を示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示す表示装置の長辺を含む領域の構成を示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、図１に示す表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図７】図７は、図１に示す表示装置の他の構成例を示す断面図である。
【図８】図８は、図７に示す端部を拡大して示す断面図である。
【図９】図９は、図１に示す表示装置の他の構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示す表示装置の他の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る表示装置１を概略的に示す斜視図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは、９０度以外の角度で交差していても良い。また、本実施形態において、第３方向Ｚを上と定義し、第３方向Ｚと反対側の方向を下と定義する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していても良く、又は第１部材から離れて位置していても良い。
【００１０】
本実施形態においては、表示装置１の一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する有機ＥＬ表示装置を示しているが、表示装置１は、液晶層を有する液晶表示装置、あるいは電気泳動型素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、他の表示装置であっても良い。
【００１１】
表示装置１は、表示パネル２、第１回路基板３、第２回路基板４などを備えている。
【００１２】
表示パネル２は、一例では矩形状である。図示した例では、表示パネル２の短辺ＥＸは、第１方向Ｘと平行であり、表示パネル２の長辺ＥＹは、第２方向Ｙと平行である。第３方向Ｚは、表示パネル２の厚さ方向に相当する。表示パネル２の主面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとにより規定されるＸ−Ｙ平面に平行である。表示パネル２は、表示領域ＤＡ、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡ、及び端子領域ＭＴを有している。図示した例では、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲んでいる。
【００１３】
表示領域ＤＡは、画像を表示する領域であり、例えばマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、後述する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動するためのスイッチング素子などを含んでいる。
【００１４】
端子領域ＭＴは、表示パネル２の短辺ＥＸに沿って設けられ、表示パネル２を外部装置等と電気的に接続するための端子を含んでいる。
【００１５】
第１回路基板３は、端子領域ＭＴの上に実装され、表示パネル２と電気的に接続されている。第１回路基板３は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第１回路基板３は、表示パネル２を駆動する駆動ＩＣチップ５などを備えている。なお、図示した例では、駆動ＩＣチップ５は第１回路基板３の上に配置されているが、下に配置されていても良い。また、図示した例では、第１回路基板３の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、短辺ＥＸの長さと比べて小さいが、同等であっても良い。第２回路基板４は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第２回路基板４は、第１回路基板３の例えば下方において第１回路基板３と接続されている。
【００１６】
本実施形態において、表示パネル２は、斜線を付して示したように、折り曲げ領域ＢＡ有している。折り曲げ領域ＢＡは、表示装置１が電子機器等の筐体に収容される際に折り曲げられる領域である。折り曲げ領域ＢＡは、非表示領域ＮＤＡのうち端子領域ＭＴ側に位置している。折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態において、第１回路基板３及び第２回路基板４は、表示パネル２と対向するように、表示パネル２の下方に配置される。
【００１７】
図２は、図１に示す表示装置１の表示領域ＤＡを示す断面図である。
【００１８】
図２に示すように、表示パネル２は、絶縁基板１０、第１乃至第５絶縁膜１１乃至１５、スイッチング素子ＳＷ（ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３）、反射層ＲＬ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ（ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３）、封止層１６、などを備えている。
【００１９】
絶縁基板１０は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。第１絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に形成されている。第１絶縁膜１１は、絶縁基板１０から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへ向かう水分等の侵入を抑制するためのバリア層を含んでいても良い。なお、第１絶縁膜１１は、省略されても良い。
【００２０】
スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin-film-transistor）により構成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷはトップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。以下では、スイッチング素子ＳＷ１を例として、その構成を説明する。
【００２１】
スイッチング素子ＳＷ１は、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。
【００２２】
半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に形成され、第２絶縁膜１２により覆われている。ゲート電極ＧＥは、第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３により覆われている。ゲート電極ＧＥは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、第３絶縁膜１３を半導体層ＳＣまで貫通するコンタクトホールにおいて、半導体層ＳＣにそれぞれ接触している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを形成する材料は、上記の金属材料が適用可能である。第１乃至第３絶縁膜１１乃至１３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。スイッチング素子ＳＷ１は、第４絶縁膜１４により覆われている。第４絶縁膜は、有機絶縁材料により形成されている。
【００２３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、絶縁基板１０とは反対側に光を出射する所謂トップエミッションタイプであるが、この例に限らず、絶縁基板１０の側に光を出射する所謂ボトムエミッションタイプであっても良い。一例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、赤色に発光する有機発光層ＯＲＧ１を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、青色に発光する有機発光層ＯＲＧ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、緑色に発光する有機発光層ＯＲＧ３を備えている。以下では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を例として、その構成を説明する。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極ＰＥ１、共通電極ＣＥ、及び有機発光層ＯＲＧ１により構成されている。
【００２５】
画素電極ＰＥ１は、第４絶縁膜１４の上に設けられている。画素電極ＰＥ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の例えば陽極として機能する。画素電極ＰＥ１は、第４絶縁膜１４内に設けられたコンタクトホールにおいて、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＤＥと接触し、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。有機発光層ＯＲＧ１は、画素電極ＰＥ１の上に形成されている。有機発光層ＯＲＧ１は、発光効率を向上するために、電子注入層、正孔注入層、電子輸送層、正孔輸送層等をさらに含んでいても良い。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１の上に形成されている。共通電極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の例えば陰極として機能する。共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。以上のように構成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に印加される電圧（あるいは電流）に応じた輝度で発光する。
【００２６】
なお、図２に示すように、トップエミッションタイプの場合には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、第４絶縁膜１４と画素電極ＰＥ１との間に反射層ＲＬを含んでいることが望ましい。反射層ＲＬは、例えばアルミニウム、銀等の反射率の高い金属材料により形成されている。なお、反射層ＲＬの反射面、すなわち有機発光層ＯＲＧ１側の面は、図示したように平坦であっても良いし、光散乱性を付与するために凹凸が形成されていても良い。
【００２７】
各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機絶縁材料からなる第５絶縁膜（リブ）１５により、画素ＰＸごとに区画されている。すなわち、有機発光層ＯＲＧ１、ＯＲＧ２、及びＯＲＧ３は、第５絶縁膜１５と第５絶縁膜１５との間に位置している。図示した例では、共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１、ＯＲＧ２、及びＯＲＧ３と接するとともに、第５絶縁膜１５とも接している。
【００２８】
なお、表示パネル２は、複数の画素ＰＸに亘って共通の有機発光層を有していても良い。このような構成においては、表示パネル２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する位置にカラーフィルタを備えている。カラーフィルタは、例えば赤色、緑色、青色等に着色された樹脂材料によって形成される。
【００２９】
本実施形態において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、自発光型の表示素子の一例であり、発光素子と称する場合もある。
【００３０】
封止層１６は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ（発光素子）を覆っている。封止層１６は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分や酸素の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を抑制する。封止層１６は、第１無機膜１６１、第２無機膜１６２、及び第１有機膜１６３を備えている。
【００３１】
第１無機膜１６１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に形成されている。図示した例では、第１無機膜１６１は、共通電極ＣＥと接している。第２無機膜１６２は、第１無機膜１６１の上に位置している。第１有機膜１６３は、第１無機膜１６１と第２無機膜１６２の間に位置し、第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２と接している。第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２は、透明な無機材料によって形成されている。第１有機膜１６３は、透明な有機材料によって形成されている。なお、ここでの透明とは、透過光が表示に影響のない範囲で着色されることを許容するものである。
【００３２】
第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側への水分の侵入を遮断する機能を有している。第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２は、例えば窒化シリコンによって形成されている。第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２の水分に対する耐性は、窒化シリコンに含まれる水素（Ｈ２）の濃度に依存する。例えば、窒化シリコン中の水素濃度が低いと窒化シリコンが酸化されやすくなり、この結果、第１無機膜１６１及び１６２の耐水性が低下する。したがって、第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２の少なくとも一方は、２５ｗｔ％（質量パーセント濃度）以上の水素を含んでいることが望ましい。
【００３３】
本実施形態において、第１無機膜１６１の水素濃度は、第２無機膜１６２の水素濃度より大きい。一例では、第１無機膜１６１の水素濃度は、３０ｗｔ％であり、第２無機膜１６２の水素濃度は、１５ｗｔ％である。第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２の水素濃度は、例えば二次イオン質量解析（ＳＩＭＳ）によって測定することが可能である。
【００３４】
図示した例では、第１無機膜１６１の厚さＴ１と第２無機膜１６２の厚さＴ２とは、ほぼ等しい。一方、第１有機膜１６３の厚さＴ３は、厚さＴ１及びＴ２より大きい。一例では、厚さＴ１及びＴ２は、約１μｍであり、厚さＴ３は、約１０μｍである。なお、図示した例では、厚さＴ１、Ｔ２、及びＴ３は、例えば第５絶縁膜１５と重なる領域における第３方向Ｚに沿った長さである。
【００３５】
図３は、図１に示す表示領域ＤＡから短辺ＥＸまでを含む領域の断面図である。図３は、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面に沿った断面を示している。表示領域ＤＡ、非表示領域ＮＤＡ、及び端子領域ＭＴは、この順で第２方向Ｙに並んでいる。
【００３６】
絶縁基板１０は、表示領域ＤＡ、非表示領域ＮＤＡ、及び端子領域ＭＴに亘って配置されている。表示パネル２は、絶縁基板１０の上に、第１乃至第５絶縁膜１１乃至１５、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、封止層１６、端子ＴＥ、保護膜ＰＦ、及び樹脂層１７を備えている。図示した例では、第１乃至第３絶縁膜１３は、表示領域ＤＡ、非表示領域ＮＤＡ、及び端子領域ＭＴに亘って形成されているが、例えば図示しない配線と重なる折り曲げ領域ＢＡにおいて除去されていることが望ましい。
【００３７】
第４絶縁膜１４は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに位置している。第４絶縁膜１４は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第３絶縁膜１３を露出する溝１４Ｔを有している。これにより、第４絶縁膜１４は、表示領域ＤＡ側に位置する第１部分１４１と、端子領域ＭＴ側に位置する第２部分１４２とに分離されている。第２部分１４２の一部は、折り曲げ領域ＢＡに位置している。非表示領域ＮＤＡに溝１４Ｔが形成されることにより、端子領域ＭＴ側から表示領域ＤＡへの第４絶縁膜１４を介した水分の侵入が抑制され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が抑制される。このような溝１４Ｔは、表示領域ＤＡを囲む環状に形成されていることが望ましい。
【００３８】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第４絶縁膜１４の上に形成されている。本実施形態において、表示領域ＤＡは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが配置された領域及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを区画する第５絶縁膜１５が配置された領域に相当する。
【００３９】
封止層１６は、表示領域ＤＡにおいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うとともに、一部が非表示領域ＮＤＡにも形成されている。
【００４０】
すなわち、第１無機膜１６１は、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに亘って形成されている。第１無機膜１６１は、表示領域ＤＡにおいて共通電極ＣＥ、及び第５絶縁膜１５に接するとともに、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１部分１４１、第３絶縁膜１３、及び第２部分１４２に接している。第１無機膜１６１の端部（第１端部）Ｅ１は、非表示領域ＮＤＡに位置しているが、折り曲げ領域ＢＡとは重なっていない。すなわち、端部Ｅ１は、表示領域ＤＡと折り曲げ領域ＢＡとの間に位置している。図示した例では、端部Ｅ１は、第２部分１４２の上に位置している。
【００４１】
第１有機膜１６３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び第５絶縁膜１５の直上に設けられ、一部が非表示領域ＮＤＡにも位置している。図示した例では、第１有機膜１６３は、非表示領域ＮＤＡにおいて第１部分１４１と重なっているが、溝１４Ｔ及び第２部分１４２とは重なっていない。
【００４２】
第２無機膜１６２は、第１有機膜１６３及び第１無機膜１６１の上に形成されている。すなわち、第２無機膜１６２は、第１有機膜１６３よりも端子領域ＭＴ側に延出し、非表示領域ＮＤＡにおいて第１無機膜１６１と接している。第２無機膜１６２の端部（第２端部）Ｅ２は、端部Ｅ１と重なっている。すなわち、端部Ｅ２は、表示領域ＤＡと折り曲げ領域ＢＡとの間に位置している。
【００４３】
本実施形態において、端部Ｅ１は斜面（第１斜面）Ｓ１を有し、端部Ｅ２は斜面（第２斜面）Ｓ２を有している。斜面Ｓ１及びＳ２は、第３方向Ｚに重ならず、第２方向Ｙに並んでいる。斜面Ｓ１及びＳ２は、第２方向Ｙに沿って第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２の各々の膜厚が薄くなるように形成されている。斜面Ｓ１は、斜面Ｓ２より表示領域ＤＡから離間しており、斜面Ｓ２の傾斜角より小さい傾斜角を有している。端部Ｅ１及びＥ２の詳細については後述する。
【００４４】
端子ＴＥ及び保護膜ＰＦは、端子領域ＭＴに設けられている。図示した例では、端子ＴＥは、第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置している。端子ＴＥは、アルミニウム、チタン、銀、モリブデン、タングステン、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。このような端子ＴＥは、表示領域ＤＡにおけるゲート電極ＧＥと同一工程で形成することができる。
【００４５】
保護膜ＰＦは、端子ＴＥの直上に位置し、第３絶縁膜１３の上に形成されている。保護膜ＰＦは、第３絶縁膜１３内に形成された開口部ＯＰにおいて端子ＴＥに接している。保護膜ＰＦは、ＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物からなる導電材料によって形成されている。このような保護膜ＰＦは、表示領域ＤＡにおける画素電極ＰＥと同一工程で形成することができる。
【００４６】
以上のように構成された表示パネル２は、端子領域ＭＴにおいて、異方性導電膜ＡＣＦを介して第１回路基板３と接着されている。異方性導電膜ＡＣＦは、接着剤中に導電性粒子ＣＰを含んでいる。このため、保護膜ＰＦと第１回路基板３との間に異方性導電膜ＡＣＦを介在させた状態で、表示パネル２と第１回路基板３とを互いに近づくように加圧し、加熱することで、両者が電気的及び物理的に接続される。
【００４７】
樹脂層１７は、少なくとも折り曲げ領域ＢＡに配置されている。図示した例では、樹脂層１７は、溝１４Ｔが設けられた領域から端子領域ＭＴに亘って設けられ、斜面Ｓ１及びＳ２と接している。樹脂層１７は、有機材料をＵＶ照射によって硬化することで形成される。このような樹脂層１７が設けられることにより、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた際に、折り曲げによる応力の中立面の位置を、表示領域ＤＡから端子ＴＥまで引き出された配線が配置された層と略同等にすることができる。このため、折り曲げ領域ＢＡにおける配線への負荷を軽減することができる。
【００４８】
図４Ａは、図３に示す端部Ｅ１及びＥ２の近傍を拡大して示している。
【００４９】
本実施形態において、端部Ｅ１は、斜面Ｓ１、第１無機膜１６１の上面１６１Ａ、及び第１無機膜１６１の下面１６１Ｂを含む。また、端部Ｅ２は、斜面Ｓ２、第２無機膜１６２の上面１６２Ａ、及び第２無機膜１６２の下面１６２Ｂを含む。図示した例では、上面１６１Ａと下面１６２Ｂとが接している。一方、斜面Ｓ１は、端部Ｅ２と接していない。また、斜面Ｓ２は、端部Ｅ１と接していない。
【００５０】
本実施形態において、斜面Ｓ１の傾斜角（第１傾斜角）θ１と斜面Ｓ２の傾斜角（第２傾斜角）θ２は、５０度以下となるように形成されている。さらに、傾斜角θ１は、傾斜角θ２より小さいことが望ましい。一例では、傾斜角θ１は、４５度以下である。ここで、傾斜角θ１は、斜面Ｓ１と下面１６１Ｂとのなす角、あるいは、斜面Ｓ１と第２部分１４２の上面１４２Ａとのなす角である。傾斜角θ２は、斜面Ｓ２と下面１６２Ｂとのなす角、あるいは、斜面Ｓ２と上面１６１Ａとのなす角である。なお、上面１４２Ａ及び上面１６１Ａは、Ｘ−Ｙ平面に平行である。
【００５１】
傾斜角θ１及びθ２は、次のように定義することもできる。
【００５２】
すなわち、第１無機膜１６１は、斜面Ｓ１が形成された第１領域ＡＲ１を有する。傾斜角θ１は、第１領域ＡＲ１の長さＬ１と、厚さＴ１との比（第１比）として規定することができる。図示した例では、第１領域ＡＲ１は、第１無機膜１６１のうち、第２無機膜１６２より第２方向Ｙに延出した領域に相当する。換言すると、第１領域ＡＲ１は、第２無機膜１６２と接していない第１無機膜１６１の領域、あるいは、第２無機膜１６２より表示領域ＤＡから第２方向Ｙに離間した第１無機膜１６１の領域である。長さＬ１は、第２方向Ｙに沿った距離である。図示した例では、長さＬ１は、第１無機膜１６１の第２方向Ｙの先端１６１Ｅと、第２無機膜１６２の第２方向Ｙの先端１６２Ｅとの距離、あるいは、先端１６１Ｅと斜面Ｓ１の上端Ｓ１Ｕとの距離である。厚さＴ１は、第１無機膜１６１が第２無機膜１６２と接している領域における上面１６１Ａと下面１６１Ｂとの第３方向Ｚの距離である。
【００５３】
同様に、第２無機膜１６２は、斜面Ｓ２が形成された第２領域ＡＲ２を有する。傾斜角θ２は、第２領域ＡＲ２の長さＬ２と、厚さＴ２との比（第２比）として規定することができる。長さＬ２は、先端１６２Ｅと、斜面Ｓ２の上端Ｓ２Ｕとの第２方向Ｙに沿った距離である。厚さＴ２は、上面１６２Ａと下面１６２Ｂとの第３方向Ｚの距離である。上記の定義によれば、本実施形態において、第１比は第２比より小さい。なお、図示した例では、先端１６２Ｅと上端Ｓ１Ｕとが一致しているが、一致していなくても良い。すなわち、先端１６２Ｅは、上端Ｓ１Ｕより表示領域ＤＡ側に位置していても良い。
【００５４】
図４Ｂは、図３に示す端部Ｅ１及びＥ２の他の例を示す断面図である。図４Ｂに示すように、斜面Ｓ１及びＳ２が曲面である場合、傾斜角θ１は、斜面Ｓ１の接線ＬＴ１と下面１６１Ｂとがなす角、あるいは、接線ＬＴ１と上面１４２Ａとがなす角として規定することができる。接線ＬＴ１は、一例として、第１領域ＡＲ１における第１無機膜１６１の膜厚が厚さＴ１の半分となる位置Ｐ１における接線である。同様に、傾斜角θ２は、斜面Ｓ２の接線ＬＴ２と下面１６２Ｂとがなす角、あるいは、接線ＬＴ２と上面１６１Ａとがなす角として規定することができる。接線ＬＴ２は、一例として、第２領域ＡＲ２における第２無機膜１６２の膜厚が厚さＴ２の半分となる位置Ｐ２における接線である。
【００５５】
図５は、図１に示す表示領域ＤＡから長辺ＥＹまでを含む領域の断面図である。図５は、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ−Ｚ平面に沿った断面を示している。
【００５６】
図５に示すように、第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３を露出する溝１４Ｔを有している。これにより、第１方向Ｘにおいても第２方向Ｙと同様に、第４絶縁膜１４は、表示領域ＤＡ側に位置する第１部分１４１と、端子領域ＭＴ側に位置する第２部分１４２とに分離され、表示領域ＤＡへの水分の侵入を抑制することができる。
【００５７】
端部Ｅ１及びＥ２は、第２方向Ｙにおいて、第２部分１４２と長辺ＥＹとの間に位置している。すなわち、第１無機膜１６１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第２部分１４２に接するとともに、第２部分１４２と長辺ＥＹとの間で第３絶縁膜１３とも接している。端部Ｅ２は、端部Ｅ１と重なっている。
【００５８】
斜面Ｓ１及びＳ２は、第３方向Ｚに重ならず、第１方向Ｘに並んでいる。斜面Ｓ１及びＳ２は、第１方向Ｘに沿って第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２の各々の膜厚が薄くなるように形成されている。斜面Ｓ２は、斜面Ｓ１より表示領域ＤＡ側に位置している。斜面Ｓ１及びＳ２の傾斜角の関係は、図４Ａ及び４Ｂに示す関係と同様である。
【００５９】
次に図６Ａ及び図６Ｂを参照して、表示装置１の製造方法について説明する。図６Ａ及び６Ｂは、Ｙ−Ｚ平面に沿った断面を示している。
【００６０】
図６Ａに示すように、共通電極ＣＥが形成された後、例えばプラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて、絶縁基板１０上の全面に窒化シリコンからなる第１無機膜１６１が形成される。第１無機膜１６１の水素濃度は、一例として約３０ｗｔ％である。次いで、第１無機膜１６１の上に有機材料が印刷又は塗布された後、リソグラフィ処理が行われる。これにより、折り曲げ領域ＢＡを含む非表示領域ＮＤＡと端子領域ＭＴとにおける有機材料が除去され、第１有機膜１６３が形成される。図示した例では、第１有機膜１６３は、第１部分１４１と重なっているが、溝１４Ｔとは重なっていない。次いで、プラズマＣＶＤを用いて、第１無機膜１６１及び第１有機膜１６３の上に窒化シリコンからなる第２無機膜１６２が形成される。第２無機膜１６２の水素濃度は、一例として約１５ｗｔ％である。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を防止するために、第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２は、比較的低い温度、例えば１００度以下で形成される。
【００６１】
次いで、第２無機膜１６２の上に有機材料が印刷又は塗布された後、リソグラフィ処理が行われ、第２有機膜１８が形成される。第２有機膜１８は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに位置しているが、折り曲げ領域ＢＡには位置していない。すなわち、第２有機膜１８の第２方向Ｙの先端１８Ｅは、折り曲げ領域ＢＡより表示領域ＤＡ側に位置している。図示した例では、先端１８Ｅは、第２部分１４２と重なっている。
【００６２】
次に、図６Ｂに示すように、第２有機膜１８をマスクとして、例えばフッ素（Ｆ）系ガス、酸素（Ｏ２）、及びアルゴン（Ａｒ）の混合ガスを用いたドライエッチングによって第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２がエッチングされる。これにより、端子領域ＭＴ及び折り曲げ領域ＢＡが露出される。また、非表示領域ＮＤＡにおいて、斜面Ｓ１及びＳ２が形成される。第１無機膜１６１の水素濃度は第２無機膜の水素濃度より高いため、１無機膜１６１のエッチングレートは、第２無機膜１６２のエッチングレートより低い。この結果、図６Ｂに示すように、斜面Ｓ１の傾斜角は、斜面Ｓ２の傾斜角より小さくなる。図示した例では、斜面Ｓ１及び斜面Ｓ２は、折り曲げ領域ＢＡより表示領域ＤＡ側に位置している。
【００６３】
なお、第１無機膜１６１のエッチングの際に、第２無機膜１６２に対して用いられるガスと異なるガスが用いられても良い。すなわち、フッ素系ガス、酸素、及びアルゴンの混合ガスを用いて第２無機膜１６２がドライエッチングされた後、例えばフッ素系ガス、水素、及びアルゴンの混合ガスを用いて第１無機膜１６１がエッチングされても良い。これにより、第１無機膜１６１に対するエッチングレートをさらに小さくすることができる。
【００６４】
その後、端子領域ＭＴに第１回路基板３が実装された後、折り曲げ領域ＢＡ及び端子領域ＭＴを覆う樹脂層１７が配置され、図３に示す表示装置１が形成される。なお、第２有機膜１８が透明である場合、第２有機膜１８は、除去されなくても良い。第２有機膜１８は、例えば第１有機膜１６３と同一材料で形成されても良い。
【００６５】
本実施形態によれば、端部Ｅ１及びＥ２に斜面Ｓ１及びＳ２が形成されている。したがって、斜面Ｓ１及びＳ２と樹脂層１７との接着面積が増大し、樹脂層１７による端部Ｅ１及びＥ２の被覆性を向上することができる。
【００６６】
さらに、本実施形態によれば、傾斜角θ１は、傾斜角θ２より小さい。このため、折り曲げ領域ＢＡを折り曲げた場合に、上端Ｓ１Ｕ及び先端１６２Ｅの近傍に印加される応力が軽減される。したがって、折り曲げ領域ＢＡを折り曲げた場合であっても、封止層１６及び封止層１６と接する他の部材にクラック等の破損が生じることを抑制することができ、表示装置１の信頼性の低下を抑制することができる。
【００６７】
このような構造は、第１無機膜１６１の水素濃度を第２無機膜１６２の水素濃度より大きくすることで形成することができる。すなわち、第１無機膜１６１のエッチングレートを第２無機膜１６２のエッチングレートより小さくすることで、傾斜角θ２より小さい傾斜角θ１が形成される。なお、第１無機膜１６１がオーバーエッチされた場合であっても、第１無機膜１６１に対するサイドエッチングが抑制されるため、傾斜角θ１を傾斜角θ２より小さくすることが可能である。
【００６８】
また、本実施形態によれば、第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２は、第２有機膜１８をマスクとしたドライエッチングによって端子領域ＭＴ及び折り曲げ領域ＢＡから除去されている。ドライエッチングは、例えば、マスクを用いたＣＶＤによって選択的に無機膜を形成する場合よりも端部Ｅ１及びＥ２の位置合わせの精度が高い。したがって、位置合わせのマージンとしての非表示領域ＮＤＡを小さくすることができるため、本実施形態は、表示パネル２の狭額縁化に好適である。
【００６９】
次に、図７乃至図９を参照して、他の構成例について説明する。
【００７０】
図７に示す構成例は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに第２有機膜１８が配置されている点で図３に示す構成例と相違している。
【００７１】
第２有機膜１８は、第２無機膜１６２の上に形成されている。第２有機膜１８は、上面１６２Ａと接しているが、斜面Ｓ１及びＳ２から離間している。樹脂層１７は、斜面Ｓ１及びＳ２と接するとともに、第２有機膜１８とも接している。
【００７２】
図８は、図７に示す端部Ｅ１及びＥ２近傍を拡大して示している。
【００７３】
図８に示す例では、第２領域ＡＲ２は、第２無機膜１６２のうち、第２有機膜１８より第２方向Ｙに延出した領域に相当する。換言すると、第２領域ＡＲ２は、第２有機膜１８と接していない第２無機膜１６２の領域、あるいは、第２無機膜１６２より表示領域ＤＡから第２方向Ｙに離間した第２無機膜１６２の領域である。長さＬ２は、先端１６２Ｅと先端１８Ｅとの第２方向Ｙに沿った距離に相当する。厚さＴ２は、第２無機膜１６２が第２有機膜１８と接している領域における上面１６２Ａと下面１６２Ｂとの第３方向Ｚの距離に相当する。図示した例では、先端１８Ｅと上端Ｓ２Ｕとが一致しているが、一致していなくても良い。すなわち、先端１８Ｅは、上端Ｓ２Ｕより表示領域ＤＡ側に位置していてもよい。
【００７４】
本構成例においても、図３に示す構成例と同様の効果を得ることができる。さらに、第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２をドライエッチングした後に第２有機膜１８を除去しなくてよいため、製造工程数を減らすことができる。
【００７５】
図９に示す構成例は、第１無機膜１６１が多層構造である点で図３に示す構成例と相違している。第１無機膜１６１は、窒化シリコンからなる第１層（窒化シリコン層）１６１ａと、例えば酸化シリコンからなる第２層（酸化シリコン層）１６１ｂとを有している。なお、第２層１６１ｂは、酸窒化シリコンによって形成されても良い。
【００７６】
第１層１６１ａは、図３に示す第１無機膜１６１と同質の窒化シリコンであり、第３方向Ｚにおいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側に位置している。すなわち、第１層１６１ａは、共通電極ＣＥ、第５絶縁膜１５、第４絶縁膜１４、第３絶縁膜１３と接している。第２層１６１ｂは、第１層１６１ａの上に位置している。第１有機膜１６３は、第２層１６１ｂと第２無機膜１６２との間に位置している。
【００７７】
第１層１６１ａの厚さＴ１ａは、厚さＴ２と同程度である。第２層１６１ｂの厚さＴ１ｂは、厚さＴ１ａ及びＴ２より小さい。一例では、厚さＴ１ｂは、厚さＴ１ａ及びＴ２の１０分の１以下である。
【００７８】
第１層１６１ａの端部Ｅ１ａと、第２層１６１ｂの端部Ｅ１ｂとは、非表示領域ＮＤＡにおいて、折り曲げ領域ＢＡより表示領域ＤＡ側に位置している。図示した例では、端部Ｅ１ａ及びＥ１ｂは、第２部分１４２の上に位置している。端部Ｅ１ａは、斜面Ｓ１ａを有し、端部Ｅ１ｂは、斜面Ｓ１ｂを有している。斜面Ｓ１ａ及びＳ１ｂは、第２方向Ｙに沿って第１層１６１ａ及び第２層１６１ｂが薄くなるように形成されている。なお、図示した例では、斜面Ｓ２、Ｓ１ｂ、及びＳ１ａは、第１方向Ｘに並んでいるが、斜面Ｓ１ｂが斜面Ｓ１ａと第３方向Ｚに重なっていてもよい。
【００７９】
なお、本構成例において、第１無機膜１６１及び第２無機膜１６２の少なくとも一方が多層膜であればよい。第２無機膜１６２が多層膜である場合、第２無機膜１６２は、第３方向Ｚにおいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側に位置する例えば酸化シリコン層と、酸化シリコン層の上に位置する窒化シリコン層とを有する。すなわち、酸化シリコン層は、第１有機膜１６３と接するように配置されればよい。
【００８０】
本構成例においても、図３に示す構成例と同様の効果を得ることができる。さらに、本構成例によれば、第１無機膜１６１が酸化シリコンからなる第２層１６１ｂを有し、第１有機膜１６３は、この第２層１６１ｂの上に形成されている。これにより、第１有機膜１６３と第１無機膜１６１との密着性が向上する。この結果、封止層１６の強度が向上し、水分の遮断効果が向上する。したがって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が抑制され、表示装置１の信頼線の低下を抑制することができる。
【００８１】
図１０に示す構成例は、封止層１６の上に配線ＷＬが形成されている点で、図３に示す構成例と相違している。このような配線ＷＬは、表示装置１が例えばタッチセンサを備える場合に、タッチセンサに接続される。なお、本構成例においては、絶縁基板１０は、ガラスによって形成されているが、図３に示す構成例と同様に、樹脂によって形成されていても良い。
【００８２】
配線ＷＬは、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡを通って端子領域ＭＴまで延出し、端子ＴＥと電気的に接続されている。図示した例では、配線ＷＬは、表示領域ＤＡにおいて、第２無機膜１６２の上に形成されている。配線ＷＬは、非表示領域ＮＤＡにおいて、第２無機膜１６２に接するとともに、斜面Ｓ２及びＳ１、第２部分１４２、及び第３絶縁膜１３に接している。配線ＷＬは、端子領域ＭＴにおいて、第３絶縁膜１３に接するとともに、保護膜ＰＦに接している。これにより、配線ＷＬは、保護膜ＰＦを介して端子ＴＥと電気的に接続される。図示した例では、配線ＷＬは、絶縁膜１９により覆われている。
【００８３】
配線ＷＬは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。さらに、配線ＷＬは、例えばＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物からなる導電材料によって覆われていても良い。
【００８４】
本構成例によれば、端部Ｅ１及びＥ２に斜面Ｓ１及びＳ２が形成されているため、端部Ｅ１及びＥ２における配線ＷＬの被覆性が向上する。したがって、配線ＷＬの断線を抑制することができる。この結果、表示装置１の信頼線の低下を抑制することができる。
【００８５】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８６】
１…表示装置、２…表示パネル、３…第１回路基板、４…第２回路基板、５…駆動ＩＣチップ、１０…絶縁基板、１１…第１絶縁膜、１２…第２絶縁膜、１３…第３絶縁膜、１４…第４絶縁膜、１５…第５絶縁膜、１６…封止層、１６１…第１無機膜、１６１ａ…第１層、１６１ｂ…第２層、１６２…第２無機膜、１６３…第１有機膜、１７…樹脂層、１８…第２有機膜、ＷＬ…配線、ＴＥ…端子、Ｅ１，Ｅ１ａ，Ｅ１ｂ，Ｅ２…端部、Ｓ１，Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ２…斜面、θ１，θ２…傾斜角、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＢＡ…折り曲げ領域、ＭＴ…端子領域、ＳＷ…スイッチング素子、ＳＣ…半導体層、ＧＥ…ゲート電極、ＳＥ…ソース電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＯＲＧ…有機発光層。
【図１】
2018156850.tif 000003
【図２】
2018156850.tif 000004
【図３】
2018156850.tif 000005
【図４Ａ】
2018156850.tif 000006
【図４Ｂ】
2018156850.tif 000007
【図５】
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【図６Ａ】
2018156850.tif 000009
【図６Ｂ】
2018156850.tif 000010
【図７】
2018156850.tif 000011
【図８】
2018156850.tif 000012
【図９】
2018156850.tif 000013
【図１０】
2018156850.tif 000014