(57)【要約】【課題】差動線路を構成する帯状配線導体のペアにおける長さの差が小さく、差動線路に高周波信号を良好に伝送させることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】差動線路Ｂにおける半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎと、外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎとの間が、絶縁層１１の間に形成された帯状配線導体ペア２３Ｐ，２３Ｎおよびそれより下層の絶縁層間に形成された間隔拡張ランドのペア２４Ｐ，２４Ｎを介して接続されているとともに、帯状配線導体２３Ｐと間隔拡張ランド２４Ｎとが外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎの上方近傍において互いに上下に交差するように配置されている。【選択図】図２
2018116996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が、相対的に上面側に位置する第１の絶縁層間および下面側に位置する第２の絶縁層間を有するように積層されて成り、上面中央部に半導体素子が搭載される四角平板状の絶縁基板と、前記上面中央部に、前記絶縁基板の外周辺の１つに向かって互いに左右に隣接して並ぶように形成されており、前記左右の一方側に配置された第１の半導体素子接続パッドおよび前記左右の他方側に配置された第２の半導体素子接続パッドから成る差動配線用の半導体素子接続パッドのペアと、前記絶縁基板の下面外周部に、前記外周辺の１つに向かって互いに前後に隣接して並ぶように形成されており、前記絶縁基板の外周側に配置されているとともに前記第１の半導体素子接続パッドに電気的に接続された第１の外部接続パッドおよび前記絶縁基板の中央側に配置されているとともに前記第２の半導体素子接続パッドに電気的に接続された第２の外部接続パッドから成る差動配線用の外部接続パッドのペアと、前記第１の絶縁層間に、前記半導体素子接続パッドのペアの下方に一端部を有するとともに前記外部接続パッドのペアの上方近傍に他端部を有するように互いに並行して前記外部接続パッドのペアよりも前記他方側から前記上方近傍に延在するように形成されており、前記一端部が前記第１の半導体素子接続パッドに接続された第１の帯状配線導体および前記一端部が前記第２の半導体素子接続パッドに接続された第２の帯状配線導体から成る差動配線用の帯状配線導体のペアと、前記第２の絶縁層間に、前記帯状配線導体のペアの前記他端部の下方と前記外部接続パッドの上方との間に延在するように形成されており、前記第１の帯状配線導体の前記他端部と前記第１の外部接続パッドとに接続する第１の間隔拡張ランドおよび前記第２の帯状配線導体の他端部と前記第２の外部接続パッドとに接続する第２の間隔拡張ランドから成る差動配線用の間隔拡張ランドのペアと、を具備して成る配線基板であって、前記第１の帯状配線導体と前記第２の間隔拡張ランドとは、前記外部接続パッドのペアの上方近傍において互いに上下に交差するように配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１の半導体素子接続パッドから前記第１の外部接続パッドまでの配線長と前記第２の半導体素子接続パッドから前記第２の外部接続パッドまでの配線長との差が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３に、半導体素子Ｓを搭載するための従来の配線基板を示す。従来の配線基板は、主として絶縁基板１１０と、配線導体１２０と、ソルダーレジスト層１３０とを備えている。
【０００３】
絶縁基板１１０は、コア絶縁層１１１の上下面に複数のビルドアップ絶縁層１１２が積層されて成る。
【０００４】
コア絶縁層１１１は、ガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。コア絶縁層１１１は、複数のスルーホール１１３を有している。
【０００５】
ビルドアップ絶縁層１１２は、絶縁フィラーを含有する熱硬化性樹脂から成る。ビルドアップ絶縁層１１２は、複数のビアホール１１４を有している。
【０００６】
配線導体１２０は、銅から成る。配線導体１２０は、コア絶縁層１１１の上下面およびスルーホール１１３内ならびに各ビルドアップ絶縁層１１２の表面およびビアホール１１４内に被着されている。
【０００７】
絶縁基板１１０の上面中央部には、多数の半導体素子接続パッド１２１が形成されている。半導体素子接続パッド１２１は、配線導体１２０の一部から成る。半導体素子接続パッド１２１には、半導体素子Ｓの電極が半田バンプＢ１を介して電気的に接続される。
【０００８】
絶縁基板１１０の下面には、多数の外部接続パッド１２２が形成されている。外部接続パッド１２２は、配線導体１２０の一部から成る。外部接続パッド１２２は、マザーボード等の外部電気回路基板の配線導体に半田ボールＢ２を介して接続される。
【０００９】
半導体素子接続パッド１２１および外部接続パッド１２２には、それぞれ接地用と電源用と信号用とがある。これらは、それぞれ所定のもの同士が絶縁基板１１０内部に配置された接地用、電源用、信号用の配線導体１２０を介して互いに接続されている。
【００１０】
ソルダーレジスト層１３０は、絶縁フィラーを含有する感光性の熱硬化性樹脂から成る。ソルダーレジスト層１３０は、半導体素子接続パッド１２１および外部接続パッド１２２をそれぞれ独立して露出させる開口部を有している。
【００１１】
ところで、現在の半導体素子Ｓは、高速化、大容量伝送化が顕著になってきている。それに伴い、半導体素子Ｓが搭載される配線基板には高周波伝送における電気的ロスの少ない形態が要求されている。そのため、高周波信号用の伝送路として差動線路を用いたものが増えている。差動線路は、２本の伝送線路を互いに所定間隔をあけて隣接して並設するとともに、それらの伝送線路に互いに逆位相の信号を伝送させることにより高周波伝送における伝送ロスを低減させるものである。
【００１２】
ここで、従来の配線基板における差動線路の例を図４に示す。図４は、複数の作動線路のうちの２組のみを抜き出して示した要部斜視図である。２組の差動線路のうちの一方をＡ、他方をＢと表記する。なお、信号用の差動線路は通常、その周囲を接地用または電源用の配線導体１２０により所定間隔で取り囲まれている。図４では、差動線路を構成する信号配線を実線で示しており、その周囲の接地用または電源用の配線導体１２０に設けられた開口の一部を破線で示している。
【００１３】
差動線路Ａ，Ｂは、それぞれ半導体素子接続パッドのペア１２１Ｐ，１２１Ｎと、外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎとを有している。そしてこれらの間が、細い帯状配線導体のペア１２３Ｐ，１２３Ｎと、間隔拡張ランドのペア１２４Ｐ，１２４Ｎと、ビアホール導体のペア１２５Ｐ，１２５Ｎと、スルーホール導体のペア１２６Ｐ，１２６Ｎとを介して接続されている。なお、ビアホール導体１２５Ｐ，１２５Ｎの接続部には、ビアランド１２７Ｐ，１２７Ｎが配置されており、スルーホール導体１２６Ｐ，１２６Ｎの接続部にはスルーホールランド１２８Ｐ，１２８Ｎが配置されている。
【００１４】
帯状配線導体のペア１２３Ｐ，１２３Ｎは、半導体素子接続パッドのペア１２１Ｐ，１２１Ｎの直下から絶縁基板１１０の外周部に位置する外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎの上方近傍まで互いに所定の間隔で並行して延びている。
【００１５】
間隔拡張ランドのペア１２４Ｐ，１２４Ｎは、帯状配線導体のペア１２３Ｐ，１２３Ｎにおける外部接続パッド１２２Ｐ，１２２Ｎ側の端部の直下から外部接続パッドのペア１２３Ｐ，１２３Ｎの直上にかけて延びている。
【００１６】
ビアホール導体のペア１２５Ｐ，１２５Ｎは、帯状配線導体１２３Ｐ，１２３Ｎの端部および間隔拡張ランド１２４Ｐ，１２４Ｎの端部に対応する位置等に設けられたビアホール１１４内に被着されている。
【００１７】
スルーホール導体のペア１２６Ｐ，１２６Ｎは、外部接続パッドのペア１２３Ｐ，１２３Ｎの直上に設けられたスルーホール１１３内に被着されている。
【００１８】
そして、各ペアにおける半導体素子接続パッド１２１Ｐと外部接続パッド１２２Ｐとの間には、正位相の信号が伝搬され、半導体素子接続パッド１２１Ｎと外部接続パッド１２２Ｎとの間には負位相の信号が伝搬される。
【００１９】
ところで、図４に示す従来の配線基板においては、半導体素子接続パッドのペア１２１Ｐ，１２１Ｎは、絶縁基板１１０の外周辺の１つに向かって互いに左右に隣接して並ぶように配置されている。それぞれの差動線路Ａ，Ｂにおける半導体素子接続パッドのペア１２１Ｐ，１２１Ｎは、絶縁基板１１０の外周側に向かって右側に正位相の半導体素子接続パッド１２１Ｐが配置されており、絶縁基板１１０の外周側に向かって左側に負位相の半導体素子接続パッド１２１Ｎが配置されている。
【００２０】
これに対して、外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎは、絶縁基板１１０の外周辺の１つに向かって互いに前後に隣接するように並んでおり、それぞれの差動線路Ａ，Ｂにおいて、絶縁基板１１０の外周側に正位相の外部接続パッド１２２Ｐが配置されており、絶縁基板１１０の中央側に負位相の外部接続パッド１２２Ｎが配置されている。
【００２１】
また、差動線路Ａの外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎは、対応する半導体素子接続パッドのペア１２１Ｐ，１２１Ｎよりも絶縁基板１１０の外周側に向かって左側に位置し、差動線路Ｂの外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎは、対応する半導体素子接続パッドのペア１２１Ｐ，１２１Ｎよりも絶縁基板１１０の外周側に向かって右側に位置する。
【００２２】
そのため、差動線路Ａにおいては、帯状配線導体のペア１２３Ｐ，１２３Ｎは、対応する外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎの上方近傍まで絶縁基板１１０の外周側に向かって右側に延在し、さらにそのまま左側に屈曲すれば、半導体素子接続パッド１２１Ｐ，１２１Ｎと外部接続パッド１２２Ｐ，１２２Ｎとの位置関係が順方向となりそのまま接続することができる。
【００２３】
しかしながら、差動線路Ｂにおいては、帯状配線導体のペア１２３Ｐ，１２３Ｎは、対応する外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎの上方近傍まで絶縁基板１１０の外周側に向かって左側に延在し、さらにそのまま右側に屈曲すれば、半導体素子接続パッド１２１Ｐ，１２１Ｎと外部接続パッド１２２Ｐ，１２２Ｎとの位置関係が逆方向になるので、外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎの上方近傍を反対側に大きく迂回して接続する必要がある。
【００２４】
ところが、差動線路Ｂのように、帯状配線導体のペア１２３Ｐ，１２３Ｎが外部接続パッドのペア１２２Ｐ，１２２Ｎの上方近傍を大きく迂回する場合、帯状配線導体１２３Ｐ，１２３Ｎが共に長くなるとともに、ペアを構成する帯状配線導体１２３Ｐと１２３Ｎとの長さの差も大きくなってしまう。
【００２５】
差動線路のペアを構成する帯状配線導体１２３Ｐと１２３Ｎとの長さの差が大きいものとなりすぎると、両者を伝搬する信号の同期が大きくずれてしまい、その結果、差動線路に高周波信号を良好に伝送させることができなくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２６】
【特許文献１】特開２００４−２８９０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
本発明が解決しようとする課題は、差動線路を構成する帯状配線導体のペアにおける長さの差が小さく、差動線路に高周波信号を良好に伝送させることが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明の配線基板は、複数の絶縁層が、相対的に上面側に位置する第１の絶縁層間および下面側に位置する第２の絶縁層間を有するように積層されて成り、上面中央部に半導体素子が搭載される四角平板状の絶縁基板と、前記上面中央部に、前記絶縁基板の外周辺の１つに向かって互いに左右に隣接して並ぶように形成されており、前記左右の一方側に配置された第１の半導体素子接続パッドおよび前記左右の他方側に配置された第２の半導体素子接続パッドから成る差動配線用の半導体素子接続パッドのペアと、前記絶縁基板の下面外周部に、前記外周辺の１つに向かって互いに前後に隣接して並ぶように形成されており、前記絶縁基板の外周側に配置されているとともに前記第１の半導体素子接続パッドに電気的に接続された第１の外部接続パッドおよび前記絶縁基板の中央側に配置されているとともに前記第２の半導体素子接続パッドに電気的に接続された第２の外部接続パッドから成る差動配線用の外部接続パッドのペアと、前記第１の絶縁層間に、前記半導体素子接続パッドのペアの下方に一端部を有するとともに前記外部接続パッドのペアの上方近傍に他端部を有するように互いに並行して前記外部接続パッドのペアよりも前記他方側から前記上方近傍に延在するように形成されており、前記一端部が前記第１の半導体素子接続パッドに接続された第１の帯状配線導体および前記一端部が前記第２の半導体素子接続パッドに接続された第２の帯状配線導体から成る差動配線用の帯状配線導体のペアと、前記第２の絶縁層間に、前記帯状配線導体のペアの前記他端部の下方と前記外部接続パッドの上方との間に延在するように形成されており、前記第１の帯状配線導体の前記他端部と前記第１の外部接続パッドとに接続する第１の間隔拡張ランドおよび前記第２の帯状配線導体の他端部と前記第２の外部接続パッドとに接続する第２の間隔拡張ランドから成る差動配線用の間隔拡張ランドのペアと、を具備して成る配線基板であって、前記第１の帯状配線導体と前記第２の間隔拡張ランドとは、前記外部接続パッドのペアの上方近傍において互いに上下に交差するように配置されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の配線基板によれば、第１の帯状配線導体と第２の間隔拡張ランドとは、外部接続パッドのペアの上方近傍において互いに上下に交差するように配置されていることから、帯状配線導体のペアが外部接続パッドのペアの上方近傍を大きく迂回することなく、第１および第２の半導体素子接続パッドと第１および第２の外部接続パッドとを長さの差の小さな帯状配線導体のペアで接続することができる。その結果、差動線路に高周波信号を良好に伝送させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板の差動線路の一部のみを抜き出して示した要部斜視図である。
【図３】図３は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図４】図４は、図３に示す配線基板の差動線路の一部のみを抜き出して示した要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
次に、本発明の配線基板における実施形態の一例を説明する。本例の配線基板は、図１に示すように、絶縁基板１０と、配線導体２０と、ソルダーレジスト層３０とを備えている。
【００３２】
絶縁基板１０は、コア絶縁層１１の上下面に複数のビルドアップ絶縁層１２が積層されて成る。絶縁基板１０は、四角平板状である。絶縁基板１０は、その上面中央部に半導体素子Ｓが搭載される。
【００３３】
コア絶縁層１１は、ガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等が用いられる。コア絶縁層１１の厚みは、１００〜８００μｍ程度である。コア絶縁層１１は、複数のスルーホール１３を有している。スルーホールの直径は、５０〜２００μｍ程度である。
【００３４】
ビルドアップ絶縁層１２は、絶縁フィラーを含有する熱硬化性樹脂から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂等が用いられる。フィラーとしては、酸化ケイ素粉末等が用いられる。ビルドアップ絶縁層１２の厚みは、１０〜５０μｍ程度である。ビルドアップ絶縁層１２は、複数のビアホール１４を有している。ビアホール１４の直径は、３０〜１００μｍ程度である。
【００３５】
配線導体２０は、銅から成る。配線導体２０は、コア絶縁層１１の上下面およびスルーホール１３内ならびに各ビルドアップ絶縁層１２の表面およびビアホール１４内に被着されている。配線導体２０の厚みは、５〜５０μｍ程度である。
【００３６】
絶縁基板１０の上面中央部には、多数の半導体素子接続パッド２１が形成されている。半導体素子接続パッド２１は、配線導体２０の一部から成る。半導体素子接続パッド２１の直径は、３０〜１００μｍ程度である。半導体素子接続パッド２１は、絶縁基板１０の外周辺に沿った縦横の並びの格子状に配列されている。半導体素子接続パッド２１には、半導体素子Ｓの電極が半田バンプＢ１を介して電気的に接続される。
【００３７】
絶縁基板１０の下面には、多数の外部接続パッド２２が形成されている。外部接続パッド２２は、配線導体２０の一部から成る。外部接続パッド２２の直径は、２００〜８００μｍ程度である。外部接続パッド２２は、絶縁基板１０の外周辺に沿った縦横の並びの格子状に配列されている。外部接続パッド２２は、マザーボード等の外部電気回路基板の配線導体に半田ボールＢ２を介して接続される。
【００３８】
半導体素子接続パッド２１および外部接続パッド２２には、それぞれ接地用と電源用と信号用とがある。これらは、それぞれ所定のもの同士が絶縁基板１０内部に配置された接地用、電源用、信号用の配線導体２０を介して互いに接続されている。
【００３９】
ソルダーレジスト層３０は、絶縁フィラーを含有する感光性の熱硬化性樹脂から成る。感光性の熱硬化性樹脂としては、アクリル変性エポキシ樹脂等が用いられる。ソルダーレジスト層３０は、半導体素子接続パッド２１および外部接続パッド２２をそれぞれ独立して露出させる開口部を有している。
【００４０】
ところで、本例の配線基板は、高速信号用の伝送路として差動線路を備えている。本例の配線基板における差動線路の例を図２に示す。図２は、複数の差動線路のうちの２組のみを抜き出して示した要部斜視図である。２組の差動線路のうちの一方をＡ、他方をＢと表記する。なお、信号用の差動線路は通常、その周囲を接地用または電源用の配線導体２０により所定間隔で取り囲まれている。図２では、差動線路を構成する信号配線を実線で示しており、その周囲の接地用または電源用の配線導体２０に設けられた開口の一部を破線で示している。
【００４１】
差動線路Ａ，Ｂは、それぞれ半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎと、外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎとを有している。そしてこれらの間が、細い帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎと、間隔拡張ランドのペア２４Ｐ，２４Ｎと、ビアホール導体のペア２５Ｐ，２５Ｎと、スルーホール導体のペア２６Ｐ，２６Ｎとを介して接続されている。なお、ビアホール導体２５Ｐ，２５Ｎの接続部には、ビアランド２７Ｐ，２７Ｎが配置されている。また、スルーホール導体２６Ｐ，２６Ｎの接続部にはスルーホールランド２８Ｐ，２８Ｎが配置されている。
【００４２】
帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎは、最上層のビルドアップ絶縁層１２と次層のビルドアップ絶縁層１２との絶縁層間に配置されている。帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎは、半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎの直下から絶縁基板１０の外周部に位置する外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎの上方近傍まで互いに所定の間隔で並行して延びている。
【００４３】
間隔拡張ランドのペア２４Ｐ，２４Ｎは、上から２層目のビルドアップ絶縁層１２と次層のビルドアップ絶縁層１２との絶縁層間に配置されている。間隔拡張ランドのペア２４Ｐ，２４Ｎは、帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎにおける外部接続パッド２２Ｐ，２２Ｎ側の端部の直下から外部接続パッドのペア２３Ｐ，２３Ｎの直上にかけて延びている。
【００４４】
ビアホール導体のペア２５Ｐ，２５Ｎは、帯状配線導体２３Ｐ，２３Ｎの端部および間隔拡張ランド２４Ｐ，２４Ｎの端部に対応する位置等に設けられたビアホール１４内に被着されている。このビアホール導体２５Ｐ，２５Ｎを介して帯状配線導体２３Ｐ，２３Ｎの一端部と半導体素子接続パッド２１Ｐ，２１Ｎとが接続されるとともに帯状配線導体２３Ｐ，２３Ｎの他端部が間隔拡張ランド２４Ｐ，２４Ｎに接続される。
【００４５】
スルーホール導体のペア２６Ｐ，２６Ｎは、外部接続パッドのペア２３Ｐ，２３Ｎの直上に設けられたスルーホール１３内に被着されている。このスルーホール導体２６Ｐ，２６Ｎおよびビアホール導体２５Ｐ，２５Ｎを介して間隔拡張ランド２４Ｐ，２４Ｎが外部接続パッド２２Ｐ，２２Ｎに接続される。
【００４６】
そして、半導体素子接続パッド２１Ｐと外部接続パッド２２Ｐとの間には、例えば正位相の信号が伝搬され、半導体素子接続パッド２１Ｎと外部接続パッド２２Ｎとの間には、負位相の信号が伝搬される。
【００４７】
ところで、図２に示す本例の配線基板においては、半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎは、絶縁基板１０の外周辺の１つに向かって互いに左右に隣接して並ぶように配置されている。それぞれの差動線路Ａ，Ｂにおける半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎは、絶縁基板１０の外周側に向かって右側に正位相の半導体素子接続パッド２１Ｐが配置されており、絶縁基板１０の外周側に向かって左側に負位相の半導体素子接続パッド２１Ｎが配置されている。
【００４８】
外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎは、絶縁基板１０の外周辺の１つに向かって互いに前後に隣接するように並んでおり、それぞれの差動線路Ａ，Ｂにおいて、絶縁基板１０の外周側に正位相の外部接続パッド２２Ｐが配置されており、絶縁基板１０の中央側に負位相の外部接続パッド２２Ｎが配置されている。
【００４９】
また、差動線路Ａの外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎは、対応する半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎよりも絶縁基板１０の外周側に向かって左側に位置し、差動線路Ｂの外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎは、対応する半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎよりも絶縁基板１０の外周側に向かって右側に位置する。
【００５０】
そして、差動線路Ａにおいては、帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎは、対応する外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎの上方近傍まで絶縁基板１０の外周側に向かって外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎよりも右側に延在し、さらにそのまま左側に屈曲してビアホール導体２５Ｐ，２５Ｎを介して間隔拡張ランド２４Ｐ，２４Ｎの一端部に接続している。間隔拡張ランド２４Ｐ，２４Ｎの他端部は、ビアホール導体２５Ｐ，２５Ｎおよびスルーホール導体２６Ｐ，２６Ｎを介して外部接続パッド２２Ｐ，２２Ｎに接続されている。
【００５１】
これに対し、差動線路Ｂにおいては、帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎは、対応する外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎの上方近傍まで絶縁基板１０の外周側に向かって外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎよりも左側に延在し、さらにそのまま右側に屈曲してビアホール導体２５Ｐ，２５Ｎを介して間隔拡張ランド２４Ｐ，２４Ｎの一端部に接続している。間隔拡張ランド２４Ｐ，２４Ｎの他端部は、ビアホール導体２５Ｐ，２５Ｎおよびスルーホール導体２６Ｐ，２６Ｎを介して外部接続パッド２２Ｐ，２２Ｎに接続されている。
【００５２】
ところで、差動線路Ｂにおいては、半導体素子接続パッド２１Ｐと外部接続パッド２２Ｐとの間を接続する帯状配線導体２３Ｐと、半導体素子接続パッド２１Ｎと外部接続パッド２２Ｎとの間を接続する間隔拡張ランド２４Ｎとが、外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎの上方近傍において、互いに上下に交差するように配置されている。これにより、差動線路Ｂにおける帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎを反対側へ大きく迂回させることなく、対応する外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎに接続することができる。したがって、本例の配線基板によれば、差動線路Ｂにおける半導体素子接続パッドのペア２１Ｐ，２１Ｎとこれに対応する外部接続パッドのペア２２Ｐ，２２Ｎとを長さの差の小さな帯状配線導体のペア２３Ｐ，２３Ｎで接続することができる。その結果、差動線路Ｂに高周波信号を良好に伝送させることが可能な配線基板を提供することができる。
【００５３】
なお、各差動線路Ａ，Ｂにおける半導体素子接続パッド２１Ｐから外部接続パッド２２Ｐまでの配線長と半導体素子接続パッド２１Ｎから外部接続パッド２２Ｎまでの配線長の差が５０μｍを超えると、各差動線路Ａ，Ｂに伝送されるそれぞれの正位相の信号と負位相の信号との同期が大きくずれてしまい、その結果、差動線路Ａ，Ｂに高周波信号を良好に伝送させることが困難となる。したがって、この差は、５０μｍ以下であることが好ましい。
【符号の説明】
【００５４】
１０・・・・・・絶縁基板
１１，１２・・・絶縁層
２１Ｐ・・・・・第１の半導体素子接続パッド
２１Ｎ・・・・・第２の半導体素子接続パッド
２２Ｐ・・・・・第１の外部接続パッド
２２Ｎ・・・・・第２の外部接続パッド
２３Ｐ・・・・・第１の帯状配線導体
２３Ｎ・・・・・第２の帯状配線導体
２４Ｐ・・・・・第１の間隔拡張ランド
２４Ｎ・・・・・第２の間隔拡張ランド
Ｓ・・・・・・・半導体素子
【図１】
2018116996.tif 000003
【図２】
2018116996.tif 000004
【図３】
2018116996.tif 000005
【図４】
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