(57)【要約】【課題】ラジカルを用いて処理を行うことにより、処理に伴う損傷を抑制でき、水平方向への処理もできるエッチング方法を提供する。【解決手段】処理雰囲気にＮＦ３ガスを供給した状態で紫外光を照射すると、ＮＦ３ガスの解離エネルギーを超える光エネルギーが紫外光からＮＦ３ガスに与えられる。したがって、ＮＦ３ガスから固有のラジカルが発生する。そして、このラジカルによって、基板Ｗに対して１ｎｍ／分以下のレートで処理を行わせる。ラジカルは、電荷をもたないので、処理に伴う損傷を抑制でき、また気体中にて自由自在に動き回ることができるので、水平方向への処理もできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の膜に対してエッチングを行うエッチング方法において、
処理雰囲気に基板を載置し、前記処理雰囲気にフッ素を含有するフッ素系ガスを供給し、前記フッ素系ガスに対して紫外光を照射してラジカルを発生させ、前記基板に対して１ｎｍ／分以下のレートで処理を行わせることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエッチング方法において、
前記処理雰囲気に所定量の水蒸気ガスを供給することを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
請求項２に記載のエッチング方法において、
前記水蒸気ガスの所定量は、前記フッ素系ガスの流量に対して１％〜２０％の流量であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のエッチング方法において、
前記フッ素系ガスは、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＣＦ４（四フッ化炭素）のいずれか一つであることを特徴とするエッチング方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のエッチング方法において、
前記基板は、所定温度に加熱されていることを特徴とするエッチング方法。
【請求項６】
基板上の膜に対してエッチングを行うエッチング方法において、
処理雰囲気を形成する処理チャンバ内に基板を搬送し、前記処理チャンバ内の載置台に基板を載置する過程と、
前記処理チャンバ内を減圧する過程と、
フッ素を含有するフッ素系ガス及び水蒸気ガスを前記処理チャンバ内に供給する過程と、
前記処理チャンバ内に紫外光を照射して、前記基板に対して１ｎｍ／分以下のエッチングレートで処理を行わせる過程と、
を実施することを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板など（以下、単に基板と称する）に対してエッチングを行うエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源を内蔵したモバイル装置などの躍進により、半導体デバイスにおいても低消費電力化が必須となっており、これに対応するために半導体デバイスの微細化が進行している。現在では、１０ｎｍ以下のゲート長を有する半導体デバイスが製造されているが、さらなる微細化が進行すると予測されている。しかしながら、このような微細なゲート長を有する半導体デバイスでは、種々の半導体メーカの報告から、数オングストロームの加工のバラツキによりデバイス性能が大きく変動することがわかっている。そこで、最近では、原子層レベルでのエッチングを実現するALE（Atomic Layer Etching）技術が研究されている。
【０００３】
従来のこの種の方法として、基板の被エッチング対象にＣｌ２などの反応性ガスを吸着させ（第１のステップ）、次にプラズマを生成し、プラズマ中のイオンを基板に照射し（第２のステップ）、プラズマイオンの衝突時のエネルギーにより、化学反応・離脱を促進させ、被エッチング対象の最表面の原子一層分のエッチングを行うものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−５２２１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来例では、確実に原子一層分のみを除去できるように、コリメータにより自己バイアスを設定しているが、脆弱な膜にはプラズマ照射で損傷が生じる恐れがある。また、自己バイアスを用いているので、基板の鉛直方向のエッチングは可能であるものの、水平方向へのエッチングを行うことが困難であるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ラジカルを用いて処理を行うことにより、処理に伴う損傷を抑制でき、水平方向への処理もできるエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板上の膜に対してエッチングを行うエッチング方法において、処理雰囲気に基板を載置し、前記処理雰囲気にフッ素を含有するフッ素系ガスを供給し、前記フッ素系ガスに対して紫外光を照射してラジカルを発生させ、前記基板に対して１ｎｍ／分以下のレートで処理を行わせることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、処理雰囲気にフッ素系ガスを供給した状態で紫外光を照射すると、フッ素系ガスの解離エネルギーを超える光エネルギーが紫外光からフッ素系ガスに与えられる。したがって、フッ素系ガスから固有のラジカルが発生する。そして、このラジカルによって、基板に対して１ｎｍ／分以下のレートでエッチング処理を行わせる。ラジカルは、電荷をもたないので、処理に伴う損傷を抑制でき、また気体中にて自由自在に動き回ることができるので、水平方向への処理もできる。
【０００９】
また、本発明において、前記処理雰囲気に所定量の水蒸気ガスを供給することが好ましい（請求項２）。
【００１０】
紫外光が水蒸気ガスによって吸収されるので、ラジカルの生成を抑制することができる。したがって、水蒸気ガスを供給するだけで、処理に必要な反応を生じさせつつも、処理を制御しやすいようにエッチングのレートを下げることができる。
【００１１】
また、本発明において、前記水蒸気ガスの所定量は、前記フッ素系ガスの流量に対して１％〜２０％の流量であることが好ましい（請求項３）。
【００１２】
フッ素系ガスの流量に対して水蒸気ガスの流量を１〜２０％とすることで、エッチングのレートを下げることができる。したがって、水蒸気ガスの流量を操作するだけで、処理を制御しやすいようにエッチングのレートを下げることができる。
【００１３】
また、本発明において、前記フッ素系ガスは、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＣＦ４（四フッ化炭素）のいずれか一つであることが好ましい（請求項４）。
【００１４】
ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＣＦ４（四フッ化炭素）は、解離エネルギーが紫外光の光エネルギーより低い。したがって、紫外光の照射によってエッチングに作用するラジカルを生成させることができる。
【００１５】
また、本発明において、前記基板は、所定温度に加熱されていることが好ましい（請求項５）。
【００１６】
基板を加熱することにより、酸化反応によりラジカルによるエッチング作用を抑制できるので、エッチングレートを所望の値にすることができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、基板上の膜に対してエッチングを行うエッチング方法において、処理雰囲気を形成する処理チャンバ内に基板を搬送し、前記処理チャンバ内の載置台に基板を載置する過程と、前記処理チャンバ内を減圧する過程と、フッ素を含有するフッ素系ガス及び水蒸気ガスを前記処理チャンバ内に供給する過程と、前記処理チャンバ内に紫外光を照射して、前記基板に対して１ｎｍ／分以下のエッチングレートで処理を行わせる過程と、を実施することを特徴とするものである。
【００１８】
［作用・効果］請求項６に記載の発明によれば、処理チャンバ内に基板を搬送して載置台に載置し、処理チャンバ内を減圧した後に処理チャンバ内にフッ素系ガス及び水蒸気ガスを供給した状態で紫外光を照射すると、フッ素系ガスの解離エネルギーを超える光エネルギーが紫外光からフッ素系ガスに与えられる。したがって、フッ素系ガスから固有のラジカルが発生する。そして、このラジカルによって、基板に対して１ｎｍ／分以下のレートでエッチング処理を行わせる。ラジカルは、電荷をもたないので、処理に伴う損傷を抑制でき、また気体中にて自由自在に動き回ることができるので、水平方向への処理もできる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るエッチング方法によれば、処理雰囲気にフッ素系ガスを供給した状態で紫外光を照射すると、フッ素系ガスの解離エネルギーを超える光エネルギーが紫外光からフッ素系ガスに与えられる。したがって、フッ素系ガスから固有のラジカルが発生する。そして、このラジカルによって、基板に対して１ｎｍ／分以下のレートでエッチング処理を行わせる。ラジカルは、電荷をもたないので、処理に伴う損傷を抑制でき、また気体中にて自由自在に動き回ることができるので、水平方向への処理もできる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体構成図である。
【図２】水蒸気ガス供給量とエッチングレートとの関係を示したグラフである。
【図３】基板温度とエッチングレートとの関係を示したグラフである。
【図４】処理の流れを示したフローチャートである。
【図５】変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体構成図である。
【００２２】
この基板処理装置１は、基板Ｗに対してエッチングを行う装置であり、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。具体的には、基板処理装置１は、処理チャンバ３と、紫外光照射ユニット５と、排気系７と、気体供給系９と、制御部１１とを備えている。
【００２３】
処理チャンバ３は、平面視で中空円筒状を呈する。処理チャンバ３は、内部に処理空間ＳＰを有し、ここに処理雰囲気が形成される。処理チャンバ３の底部には、載置台１３が配置されている。この載置台１３は、内部にヒータ１５を備えている。このヒータ１５は、載置台１３を加熱して、載置台１３の上面に載置されている基板Ｗを処理温度に加熱する。
【００２４】
処理チャンバ３の上部には、紫外光照射ユニット５が取り付けられている。紫外光照射ユニット５は、処理チャンバ３の処理空間ＳＰに向けて紫外光を照射する。具体的には、紫外光照射ユニット５は、高電圧発生装置１７と、ランプユニット１９と、照射板２１とを備えている。
【００２５】
高電圧発生装置１７は、ランプユニット１９が作動するのに必要な高電圧を発生させる。ランプユニット１９は、高電圧発生装置１７で発生された高電圧が印加されて紫外光を照射する。ランプユニット１９は、処理チャンバ３内に導入されるフッ素系ガスに紫外光を照射するための複数個のランプ２３から構成されている。ランプ２３は、例えば、キセノンエキシマランプであり、発光波長が１７２ｎｍである。また、ランプユニット１９は、例えば、照度範囲が８０〜１２０ｍＷ／ｃｍ２であり、各ランプ２３は、有効発光長（図１における横方向の幅）が３００ｍｍである。ランプユニット１９のランプ２３は、後述するフッ素系ガスの解離エネルギーよりも大きなエネルギーを有する発光波長の光を照射するものである。この例では、１７２ｎｍの紫外光が１６６．７ｋｃａｌ／ｍｏｌの光エネルギーを有する。フッ素系ガスの解離エネギーは、例えば、ＮＦ３（三フッ化窒素）が６５．１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、ＳＦ６（六フッ化硫黄）が７６．０５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、ＣＦ４（四フッ化炭素）が１１５．２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるので、これらのフッ素系ガスにランプユニット１９で紫外光を照射すると、基板Ｗのエッチングに作用するラジカルを生成させることができる。
【００２６】
高電圧発生装置１７は、ユーティリティから供給される窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給される供給口２５を備えている。ランプユニット１９は、高電圧発生装置１７の供給口２５から供給された窒素ガスを排出する排出口２７を備えている。供給口２５から供給された窒素ガスは、複数個のランプ２３の周囲の隙間を通り、排出口２７から排出される。紫外光は大気中での減衰が激しいが、各ランプ２３を窒素ガス雰囲気とすることにより、紫外光の減衰を抑制し、効率よく紫外光をフッ素系ガスに照射させることができる。また、照射板２１は、石英で構成されている。石英は紫外光の減衰が少ないので、各ランプ２３の汚損を防止しつつも、ランプユニット１９からの紫外光を効率よくフッ素系ガスに照射させることができる。
【００２７】
載置台１３の上方には、少なくとも二枚のガス分散板２８が取り付けられている。この実施例では、二枚のガス分散板２８が上下方向で互いに間隔を隔てて配置されている。各々のガス分散板２８には、複数個の開口２８ａが形成されている。それぞれのガス分散板２８に形成された開口２８ａの位置は、鉛直方向で重複しない位置である。このような複数枚のガス分散板２８を設けることにより、紫外光を直接的に基板Ｗに照射することなく、紫外光の照射により生成したラジカルを基板Ｗに均一に供給することができる。紫外光が基板Ｗに直接照射されると、基板Ｗに結晶欠陥などを誘発させる恐れがあるが、二枚のガス分散板２８を設けることにより、そのような不都合を回避することができる。
【００２８】
処理チャンバ３の底部には、排気系７が備えられている。
【００２９】
排気系７は、排気口２９と、排気管３１と、自動圧力制御機器３３と、真空ポンプ３５を備えている。具体的には、処理チャンバ３の底部であって、載置台１３の周辺には、排気口２９が形成されている。各排気口２９には、排気管３１の一端側が連通接続され、他端側が自動圧力制御機器３３に連通接続されている。自動圧力制御機器３３は、排気側に真空ポンプ３５が連通接続されている。真空ポンプ３５を作動させると、自動圧力制御機器３３を介して処理チャンバ内３内の気体が排気され、処理チャンバ３内が処理圧力まで減圧される。
【００３０】
処理チャンバ３には、圧力を検出する圧力センサ３７が取り付けられている。具体的には、例えば、処理チャンバ３の側壁であって、載置台１３の近辺に取り付けられている。この圧力センサ３７は、処理空間ＳＰの圧力を検出する。
【００３１】
処理チャンバ３の側方には、気体供給系９が配置されている。
【００３２】
気体供給系９は、供給口４１と、供給管４３と、フッ素ガス供給源４５と、開閉弁４７と、マスフローコントローラ４９と、分岐管５１と、水蒸気ガス発生器５３と、開閉弁５５と、マスフローコントローラ５７と、パージ用供給口６９と、パージ用供給管７１と、開閉弁７３とを備えている。
【００３３】
詳細には、供給口４１は、処理チャンバ３の側面であって、載置台１３の上面より上方で、照射板２１よりも下方に形成されている。この供給口４１には、供給管４３の一端側が連通接続されている。供給管４３の他端側は、フッ素系ガス供給源４５に連通接続されている。フッ素系ガス供給源４５は、例えば、ＮＦ３（三フッ化窒素）を供給する。供給管４３は、開閉弁４７と、マスフローコントローラ４９とを取り付けられている。開閉弁４７は、供給管４３におけるＮＦ３（三フッ化窒素）ガスの流通を許容したり遮断したりする。マスフローコントローラ４９は、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスの流量を調整する。
【００３４】
供給管４３は、供給口４１と開閉弁４７との間に、分岐管５１の一端側が連通接続されている。分岐管５１の他端側は、水蒸気ガス発生器５３に連通接続されている。水蒸気ガス発生器５３は、例えば、純水を加熱して水蒸気ガスを発生させる。分岐管５１は、開閉弁５５と、マスフローコントローラ５７とを備えている。開閉弁５５は、分岐管５１における水蒸気ガスの流通を許容したり遮断したりする。マスフローコントローラ５７は、水蒸気ガスの流量を調整する。
【００３５】
パージ用供給口６９は、処理チャンバ３の側面に形成されている。その高さ位置は、例えば、供給口４１より下方であって、載置台１３付近である。パージ用供給管７１は、パージ用供給口６９に一端側が連通接続されている。その他端側は、図示しないＮ２ガス供給源に連通接続されている。パージ用供給管７１は、窒素ガス（Ｎ２ガス）の供給及び遮断を操作するための開閉弁７３を備えている。
【００３６】
制御部１１は、図示しないＣＰＵやメモリなどを内蔵し、上述した各部を統括的に制御する。より具体的には、基板Ｗを処理する条件などを規定したレシピに応じて各部を操作する。エッチングレートは、レシピによって１ｎｍ／分以下となるように予め設定されている。
【００３７】
処理チャンバ３内には、エッチングのレートを制御しやすい範囲にするために、例えば、水蒸気ガスを供給する。
【００３８】
ここで図２を参照する。なお、図２は、水蒸気ガス供給量とエッチングレートとの関係を示したグラフである。
【００３９】
このグラフは、処理条件が、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスの流量が１０００ｃｃ／分、処理チャンバ３内の圧力が１４００ｍＴｏｒｒ、紫外光照度が１２０ｍＷ／ｃｍ２、載置台１３による加熱温度が３５℃、紫外光の照射時間が１０分である。そして、この条件において、水蒸気ガスの供給量を変えて、エッチングレートを測定すると、水蒸気ガスの供給量が１０〜２００ｃｃ／分の供給量で、処理を制御しやすいレートに収まることがわかる。つまり、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスの流量に対する割合では、１〜２０％となる。この流量の範囲内で水蒸気ガスを処理チャンバ３に供給することにより、処理を制御しやすい１ｎｍ／分以下のレートにすることができる。制御部１１は、このレート内となるように、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスと水蒸気ガスとの流量比が設定されたレシピによって基板Ｗを処理する。
【００４０】
ここで図３を参照する。なお、図３は、基板温度とエッチングレートとの関係を示したグラフである。
【００４１】
このグラフは、処理条件が、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスの流量が１０００ｃｃ／分、水蒸気ガスの流量が３０ｃｃ／分、処理チャンバ３内の圧力が１４００ｍＴｏｒｒ、紫外光照度が１２０ｍＷ／ｃｍ２、紫外光の照射時間が１０分である。そして、この条件において、載置台１３のヒータ１５の加熱温度を変えて、エッチングレートを測定すると、基板Ｗの温度が高くなるほど、エッチングレートが低くなる傾向があることがわかる。したがって、上述した水蒸気ガスの流量比と、基板Ｗの温度とを調整して、エッチング処理として制御しやすく、所望のエッチングレートとなるようにレシピを設定することが好ましい。
【００４２】
次に、図４を参照して、上述した構成の基板処理装置によるエッチング処理について説明する。なお、図４は、処理の流れを示したフローチャートである。
【００４３】
ステップＳ１
制御部１１は、図示しない搬送機構により、処理対象となる基板Ｗを処理チャンバ３内に搬入し、載置台１３の上面に基板Ｗを載置する。
【００４４】
ステップＳ２
制御部１１は、真空ポンプ３５及び自動圧力制御機器３３を操作して、処理チャンバ３内を減圧する。ここでは、例えば、目標とする所定圧力を１×１０−６Ｔｏｒｒであるとする。
【００４５】
ステップＳ３
制御部１１は、圧力センサ３７から出力される圧力が所定圧力に一致したか否かで処理を分岐する。一致していない場合には、ステップＳ２を繰り返す。
【００４６】
ステップＳ４
圧力が所定圧力になった場合、制御部１１は、基板Ｗの温度が所定の処理温度（例えば、３５℃）になるようにヒータ１５を操作する。
【００４７】
ステップＳ５
制御部１１は、基板Ｗの温度が処理温度に達したら、マスフローコントローラ４９でＮＦ３（三フッ化窒素）ガスの流量を所定の流量（例えば、１０００ｃｃ／分）を設定し、マスフローコントローラ５７で水蒸気ガスの流量を所定の流量（例えば、３０ｃｃ／分）を設定する。そして、開閉弁４７，５５を開放して、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスと水蒸気ガスとを処理チャンバ３の処理空間ＳＰ内に供給する。
【００４８】
ステップＳ６
制御部１１は、処理空間ＳＰ内の圧力が安定したかを圧力センサ３７の出力に基づいて判断する。その結果、安定するまでステップＳ５を繰り返し、安定したらステップＳ７に処理を移行する。
【００４９】
ステップＳ７，Ｓ８
制御部１１は、高電圧発生装置１７を操作して、ランプユニット１９から紫外光を照射させる。この紫外光の照射を所定の処理時間（例えば、１０分）だけ継続する。
【００５０】
処理チャンバ３の処理空間ＳＰ内のガス分散板２８の上方にＮＦ３（三フッ化窒素）ガス及び水蒸気ガスが供給されている状態で、紫外光を照射することにより、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスが解離し、Ｆラジカル種が生成される。このＦラジカル種は、ガス分散板２８の開口２８ａを通過して基板Ｗの表面に付着し、Ｆラジカルの吸着・反応によりエッチングが進行する。処理空間ＳＰ内には、水蒸気ガスが供給されているので、水蒸気により紫外光の一部が吸収され、基板Ｗの表面近傍における、エッチング作用に寄与するラジカルの生成が抑制されて、エッチングのレートを１ｎｍ／分以下に下げることができる。したがって、目標とするエッチング量への制御が容易にできる。
【００５１】
ステップＳ９
制御部１１は、開閉弁４７，５５を閉止して、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガス及び水蒸気ガスの供給を停止する。
【００５２】
ステップＳ１０
制御部１１は、真空ポンプ３５によって処理チャンバ３内の気体を排出する。
【００５３】
ステップＳ１１
制御部１１は、開閉弁７３を開放して、処理チャンバ３内に窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給して、処理チャンバ３の処理空間ＳＰ内を不活性ガスで満たして清浄にする。
【００５４】
ステップＳ１２
制御部１１は、図示しない搬送機構により、処理を終えた基板Ｗを載置台１３の上面から処理チャンバ３外に搬出する。
【００５５】
本実施例によると、処理雰囲気にＮＦ３（三フッ化窒素）ガスを供給した状態で紫外光を照射すると、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスの解離エネルギーを超える光エネルギーが紫外光からＮＦ３（三フッ化窒素）ガスに与えられる。したがって、ＮＦ３（三フッ化窒素）ガスから固有のラジカルが発生する。そして、このラジカルによって、基板Ｗに対して１ｎｍ／分以下のレートで処理を行わせる。ラジカルは、電荷をもたないので、処理に伴う損傷を抑制でき、また気体中にて自由自在に動き回ることができるので、水平方向への処理もできる。
【００５６】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５７】
（１）上述した実施例では、フッ素系ガスとしてＮＦ３（三フッ化窒素）ガスを例示したが、本発明はこのガスに限定されるものではない。例えば、ＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＣＦ４（四フッ化炭素）であっても同様の効果を奏することができる。
【００５８】
（２）上述した実施例では、フッ素系ガスに対する水蒸気ガスの流量を３％として処理を行っているが、本発明はこの流量比に限定されない。つまり、図２に示したように、エッチングのレートが１ｎｍ／分以下となる１％〜２０％の範囲の流量比であればよい。
【００５９】
（３）上述した実施例では、基板Ｗの温度を３５℃として処理を行っているが、本発明はこの温度に限定されるものではない。つまり、フッ素系ガスと水蒸気ガスの流量比や、紫外光の強度などを勘案して、エッチングのレートが１ｎｍ／分以下となるような温度であればよい。
【００６０】
（４）上述した実施例では、水蒸気ガスを処理空間ＳＰに供給してフッ素系ガスに照射される紫外光の強度を調整し、ラジカル種の生成を制御したが、本発明はこのような手法に限定されない。つまり、ラジカル種の生成を抑制できて、エッチングのレートが１ｎｍ／分以下となるような手法であればどのような手法であってもよい。
【００６１】
紫外光の強度を直接的に調整するには、高電圧発生装置１７からの出力電圧を調整することが考えられる。しかしながら、発明者等の実験では、高電圧発生装置１７の電圧を調整すると、急激に紫外光の強度が低下し、ラジカル種の生成が極端に少なくなってエッチング作用が生じなかった。そこで、実施例のような水蒸気ガスを利用したものに代えて、例えば、図５に示すようなものが変形例として挙げられる。なお、図５は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体構成図である。
【００６２】
この変形例は、載置台１３を昇降する昇降機構８１を備えている。制御部１１が昇降機構８１を昇降して、載置台１３の高さ位置を調整することにより、基板Ｗの表面に到達するラジカル種の割合を調整してエッチングのレートを１ｎｍ／分以下に収めるようにしてもよい。紫外光により生成されたラジカル種の一部は、基板Ｗに到達する間に失活して消滅するので、載置台１３の高さ位置を調整することにより、基板Ｗの表面に到達するラジカル種の割合を調整することが可能となる。したがって、載置台１３を高くすると、ラジカル種の到達割合が増えるので、エッチングレートを高くでき、載置台１３を低くすると、ラジカル種の到達割合が減るので、エッチングレートを低くできる。この変形例によると、気体供給系９Ａの構成を簡易化することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１，１Ａ  …  基板処理装置
Ｗ  …  基板
３  …  処理チャンバ
５  …  紫外光照射ユニット
７  …  排気系
９，９Ａ  …  気体供給系
１１  …  制御部
ＳＰ  …  処理空間
１３  …  載置台
１７  …  高電圧発生装置
１９  …  ランプユニット
２３  …  ランプ
３５  …  真空ポンプ
４７，５５  …  開閉弁
４９，５７  …  マスフローコントローラ
８１  …  昇降機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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