(57)【要約】【課題】第１端子部の延出部と端子板の第２端子部とを確実に接合させることが可能な半導体モジュールの提供にある。【解決手段】配線パターン１２が形成された基板１１と、配線パターン１２に配置された半導体素子１３と、半導体素子１３に電気的に接続される基端部１８と基板１１とは反対方向に延びる延出部１９とを有する第１端子部１７と、基板１１と半導体素子１３と第１端子部１７の基端部１８側とを封止する樹脂部１５と、基板１１に対し半導体素子１３側に配置され、平板部２３と平板部２３の一部を基板１１とは反対方向に曲げることにより形成された第２端子部２４とを有する端子板２２Ａと、を備え、第１端子部１７の延出部１９と第２端子部２４は対向して接触するように配置されると共に、接合されている半導体モジュール１０において、第１端子部１７は、樹脂部１５から露出する部分に変形可能な低強度部２０を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された基板と、
前記配線パターンに配置された半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続される基端部と前記基板とは反対方向に延びる延出部とを有する第１端子部と、
前記基板と前記半導体素子と前記第１端子部の基端部側とを封止する樹脂部と、
前記基板に対し前記半導体素子側に配置され、平板部と前記平板部の一部を前記基板とは反対方向に曲げることにより形成された第２端子部とを有する端子板と、を備え、
前記第１端子部の延出部と前記第２端子部は対向して接触するように配置されると共に、接合されている半導体モジュールにおいて、
前記第１端子部は、前記樹脂部から露出する部分に変形可能な低強度部を有することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記第１端子部は、前記低強度部より基端部側に前記低強度部よりも高強度な高強度部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記高強度部は、前記第１端子部の一部を折り曲げることにより形成され、前記樹脂部に一部が埋没し前記樹脂部との界面に曲面を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記低強度部は、溝により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記低強度部は、孔により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記低強度部は、切欠きにより形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体モジュールの従来技術としては、例えば、特許文献１に開示された半導体装置が知られている。特許文献１に開示された半導体装置は、半導体素子が実装された実装基板と、実装基板上に配置される積層体とを備えている。半導体装置は、半導体素子と電気的に接続される電極接合板とを有している。電極接合板は薄板状であるとともに、半導体素子と電気的に接続される基端部と、積層体の積層方向における実装基板とは反対側に延びている延出部とを有している。実装基板、半導体素子及び電極接合板の基端部は、樹脂により封止されている。一方、積層体は、各半導体素子に電気的に接続される正極端子板及び負極端子板が絶縁層を介して積層された構造を有している。各端子板には、積層体の積層方向における実装基板とは反対側に一体的に延びる複数の端子部が突設されている。樹脂により封止された実装基板上に積層体が実装され、電極接合板の延出部と、各端子板の端子部とは対向し接触するように配置されている。そして、延出部と端子部とは金属接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−６８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に開示された半導体装置では、電極接合板の延出部と各端子板の端子部とは、製造時における寸法ばらつきにより、接触しない状態になる虞がある。接触しない状態の場合には、延出部と端子部との接合が不十分となり延出部と端子部とを確実に接合させることが困難となる虞がある。
【０００５】
本発明は、第１端子部の延出部と各端子板の端子部とを確実に接合させることが可能な半導体モジュールの提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、請求項１記載の発明は、配線パターンが形成された基板と、前記配線パターンに配置された半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続される基端部と前記基板とは反対方向に延びる延出部とを有する第１端子部と、前記基板と前記半導体素子と前記第１端子部の基端部側とを封止する樹脂部と、前記基板に対し前記半導体素子側に配置され、平板部と前記平板部の一部を前記基板とは反対方向に曲げることにより形成された第２端子部とを有する端子板と、を備え、前記第１端子部の延出部と前記第２端子部は対向して接触するように配置されると共に、接合されている半導体モジュールにおいて、前記第１端子部は、前記樹脂部から露出する部分に変形可能な低強度部を有することを特徴とする。
【０００７】
請求項１記載の発明によれば、基板に対し半導体素子側に端子板を配置したとき、第１端子部の延出部と第２端子部との重なりの状態に応じて延出部は低強度部で変形し、第２端子部に沿って接触する。よって、第１端子部の延出部と端子板の第２端子部とを確実に接合させることが可能である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の半導体モジュールにおいて、前記第１端子部は、前記低強度部より基端部側に前記低強度部よりも高強度な高強度部を有することを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の発明によれば、第１端子部の延出部と第２端子部とが接触し、第１端子部の延出部に押圧力が作用しても、第１端子部の延出部は高強度部が低強度部よりも先に変形することがなく低強度部で確実に変形させることが可能である。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項２に記載の半導体モジュールにおいて、前記高強度部は、前記第１端子部の一部を折り曲げることにより形成され、前記樹脂部に一部が埋没し前記樹脂部との界面に曲面を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の発明によれば、高強度部は第１端子部の一部を折り曲げることにより形成されているので、加工が容易である。また、高強度部は樹脂部に一部が埋没し樹脂部との界面に曲面を有しているので、曲面と接する樹脂部の界面には角部が存在せず、樹脂部との界面にクラックが発生しにくい。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュールにおいて、前記低強度部は、溝により形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の発明によれば、低強度部は溝により形成されているので、加工が容易であると共に、変形する部位を特定できる。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュールにおいて、前記低強度部は、孔により形成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の発明によれば、低強度部は孔により形成されているので、加工が容易であると共に、変形する部位を特定できる。また、孔の大きさを調整することにより変形のしやすさを調整可能である。
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュールにおいて、前記低強度部は、切欠きにより形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項６記載の発明によれば、低強度部は切欠きにより形成されているので、加工が容易であると共に、変形する部位を特定できる。また、切欠きの大きさを調整することにより変形のしやすさを調整可能である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、第１端子部の延出部と端子板の第２端子部とを確実に接合させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る半導体モジュールの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図２の要部拡大図である。
【図４】第１端子部の斜視図である。
【図５】第１端子部の側面図である。
【図６】第１端子部の正面図である。
【図７】図３のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】第１端子部の延出部と第２端子部の接触状態を説明するための模式図である。（ａ）延出部と第２端子部との接触面積が最大の状態を示し、（ｂ）延出部と第２端子部との接触面積が標準的な状態を示し、（ｃ）延出部と第２端子部との接触面積が最小の状態を示す。
【図９】比較例に係る半導体モジュールの図７に対応する断面図である。
【図１０】別例１に係る側面図である。
【図１１】別例２に係る側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施形態を図１〜図９に基づいて説明する。図１、図２に示す半導体モジュール１０は、スイッチング電源用半導体モジュールに適用している。半導体モジュール１０は、金属製の配線パターン１２が形成されたセラミック製の基板１１と、配線パターン１２上に配置された複数の半導体素子１３と、を備えている。半導体素子１３は、電極板としての第１端子部１７を有し、第１端子部１７は半導体素子１３に接合されている。基板１１は矩形枠状のケース１４の枠内に配置され、樹脂部１５（ポッティング樹脂）により封止されている。ケース１４は樹脂製でアルミ製のヒートシンク１６に接着され一体化されている。基板１１の半導体素子１３が搭載されている面の反対面にはヒートシンク１６がロウ付けで接合されている。半導体モジュール１０の使用により発生する熱は、基板１１を介してヒートシンク１６に伝達され、ヒートシンク１６によって冷却される。基板１１に対し半導体素子１３側には、端子板２２が配置されている。端子板２２は複数の第２端子部２４を有している。
なお、図１に示すように端子板２２は正極用の端子板２２Ａと負極用の端子板２２Ｂとから構成され、絶縁層２８を介して並列に配置された構造を有している。端子板２２Ａ及び端子板２２Ｂは同等の形状を有し、半導体素子１３に接合された第１端子部１７との配置構造は同等なので、以下に正極用の端子板２２Ａと第１端子部１７との配置構造を説明し、負極用の端子板２２Ｂと第１端子部１７との配置構造については省略する。
【００２１】
図１及び図２に示すように、端子板２２Ａは、平板部２３と、平板部２３の一部を基板１１とは反対方向に曲げることにより形成された第２端子部２４と、平板部２３に連設されケース１４外に突出する突出端子２５とを有している。端子板２２Ａは、導電性の厚板で形成されている。端子板２２Ａの材料は銅板である。図３に示すように、平板部２３と第２端子部２４とのなす角度αは、鈍角となるように形成されている。すなわち、第２端子部２４は平板部２３と直交する方向に対して傾斜している。また、平板部２３には第２端子部２４に連続して開口２７が形成されている。開口２７は、端子板２２Ａを基板１１に対し半導体素子１３側に配置したときの第１端子部１７の延出部１９を挿通させるための貫通孔である。図１に示すように、第２端子部２４の幅方向の長さは、延出部１９の幅方向の長さと同等に形成されている。なお、突出端子２５は図示しない電源の正極端子に接続される。端子板２２Ｂに形成された突出端子２５は図示しない電源の負極端子に接続される。
【００２２】
第１端子部１７は、図４〜図６に示すように、所定の幅を有し厚さの薄い導電性の板材で形成されている。第１端子部１７の材料は、銅板であり、この銅板にはニッケルメッキが施されている。第１端子部１７は、半導体素子１３に電気的に接続される基端部１８と、基端部１８から延在し、基板１１とは反対方向に延びる延出部１９とを有している。基端部１８はコの字状に屈曲して形成されている。延出部１９は基端部１８に連設され、延出部１９の先端側は第２端子部２４に対向し接触するよう配置され、根本側に低強度部２０及び高強度部２１が設けられている。なお、低強度部とは、後述する溝２０Ａ、孔２０Ｂ、切欠き２０Ｃ、折り曲げ部２１Ａ、２１Ｂなどが形成されていない状態よりも曲げ強度が低い部分であり、高強度部とは、後述する溝２０Ａ、孔２０Ｂ、切欠き２０Ｃ、折り曲げ部２１Ａ、２１Ｂなどが形成されていない状態よりも曲げ強度が高い部分を指す。
【００２３】
基端部１８は、延出部１９に連設され延出部１９に対して直角に折り曲げられた第１平面部１８Ａと、第１平面部１８Ａに平行に形成された第２平面部１８Ｂと、第１平面部１８Ａと第２平面部１８Ｂとを連結する連結部１８Ｃとを備えている。図３に示すように、第２平面部１８Ｂは、半導体素子１３の電極に半田２６で接合されている。
【００２４】
低強度部２０は、溝２０Ａと孔２０Ｂと切欠き２０Ｃにより形成されている。幅方向の全域にわたり溝２０Ａが形成され、溝２０Ａが形成された幅方向の中心部に矩形の孔２０Ｂが形成されている。また、溝２０Ａが形成された幅方向の両端部に切欠き２０Ｃが形成されている。溝２０Ａは断面Ｖ字状であり、第２端子部２４に対向する面１９Ａと反対側の面１９Ｂに形成されている。第１端子部１７は低強度部２０において変形可能であり、低強度部２０は延出部１９に延出部１９と直交する方向より押圧力が作用したとき、変形を容易にするために設けられている。
【００２５】
高強度部２１は、延出部１９における低強度部２０より基端部１８側に形成されている。高強度部２１は、第１端子部１７の一部を折り曲げることにより形成され、幅方向の両端部側より中心部側に向かってそれぞれ折り曲げられた折り曲げ部２１Ａ、２１Ｂを有している。折り曲げ部２１Ａ、２１Ｂは、延出部１９における溝２０Ａの形成された面１９Ｂ側に折り曲げられている。折り曲げ部２１Ａ、２１Ｂと延出部１９とが重なることより、高強度部２１が構成されている。図４に示すように、折り曲げ部２１Ａ、２１Ｂは、曲面２１Ｃ、２１Ｄを有している。
【００２６】
図２及び図３に示すように、基板１１と半導体素子１３と第１端子部１７の基端部１８と高強度部２１の一部とは、樹脂部１５により封止されている。第１端子部１７における樹脂部１５から露出する部分に高強度部２１の他部、低強度部２０及び延出部１９の先端側の部位が設けられている。樹脂部１５の材料としては、熱硬化性のエポキシ樹脂が使用されている。高強度部２１の一部は、樹脂部１５に埋没し、図７に示すように、高強度部２１は樹脂部１５との界面に曲面２１Ｃ、２１Ｄを有している。
【００２７】
図２及び図３に示すように、第１端子部１７の延出部１９と第２端子部２４とは対向し、先端側で接触するように配置されている。図２及び図３に一点鎖線でしめす延出部１９の位置は、端子板２２Ａが配置される前の状態を示している。端子板２２Ａが配置される前の状態では、延出部１９と端子板２２Ａが配置されたときの第２端子部２４とは重なった状態にある。端子板２２が配置されることにより、延出部１９は低強度部２０で変形し、延出部１９の先端側の部位が第２端子部２４と接触する。
【００２８】
図８には、第１端子部１７の延出部１９と第２端子部２４との位置関係を表している。第２端子部２４における延出部１９と対向する面２４Ａと、平板部２３の基板１１側の面２３Ａとが交差する交差部を交差部Ｐとする。そして、交差部Ｐと延出部１９における第２端子部２４と対向する面１９Ａ間の距離をｄとする。図８（ａ）は、ｄ＝ｄ１で、延出部１９と第２端子部２４との重なりがもっと大きく、延出部１９が低強度部２０で変形したとき、延出部１９と第２端子部２４との接触面積が最大の状態を示している。図８（ｃ）は、ｄ＝ｄ３で、延出部１９と第２端子部２４との重なりがもっと小さく、延出部１９は低強度部２０でほとんど変形せず、延出部１９と第２端子部２４とは先端部でのみ接触し接触面積が最小の状態を示している。図８（ｂ）は、ｄ＝ｄ２で、延出部１９と第２端子部２４との重なりが標準的な状態にあり、延出部１９が低強度部２０で変形したとき、延出部１９と第２端子部２４との接触面積が標準的な状態を示している。距離ｄは、公差に基づく製造時のばらつきを考慮して、ｄ１より大きくｄ３より小さく（ｄ１≦ｄ≦ｄ３）なるように設定されている。なお、一点鎖線で示す延出部１９の位置は変形する前の状態を示し、実線でしめす延出部１９の位置は変形した後の状態を示す。
【００２９】
このように、第１端子部１７の延出部１９と第２端子部２４とは先端側で接触しているが、図２及び図３に示すように、この接触している部分に溶接が施され延出部１９と第２端子部２４とは接合されている。なお、図１及び図２に示す状態は、延出部１９と第２端子部２４との重なりが最も大きい状態（ｄ＝ｄ１）にあり、延出部１９と第２端子部２４との接触面積が最大の状態を示している。
【００３０】
次に、半導体モジュール１０の製造手順について説明する。
まず、基板１１を用意し、半導体素子１３が実装される面と反対面にヒートシンク１６をロウ付けする。なお、必要に応じてパンチングメタルなどの応力緩和部材を介在させてもよい。そして、複数の半導体素子１３およびその他の電子部品を基板１１に実装すると共に、半導体素子１３上に第１端子部１７を接合する。第１端子部１７は、基端部１８を半導体素子１３側に向け、延出部１９を半導体素子１３とは遠ざかる方向に向けて、基端部１８の第２平面部１８Ｂを半導体素子１３に半田２６で接合する。同時に、その他の信号端子等を接合し、必要な個所にワイヤーボンディングを施す。
【００３１】
次に、半導体素子１３上に第１端子部１７が実装された基板１１をケース１４内部に配置されるようにヒートシンク１６とケース１４とを接着剤で接着させる。次に、ケース１４内部に樹脂を充填し、半導体素子１３を樹脂部１５で封止する。この状態では、基板１１と半導体素子１３と第１端子部１７の基端部１８と高強度部２１の一部は樹脂部１５に埋没した状態にあり、高強度部２１の他部と低強度部２０及び延出部１９の先端側の部位が樹脂部１５から露出した状態にある。
【００３２】
次に、樹脂部１５で封止された基板１１上に端子板２２Ａ、２２Ｂを配置する。端子板２２Ａ、２２Ｂは、平板部２３を基板１１側に向け、第２端子部２４を基板１１から遠ざかる方向にむけて、端子板２２Ａ、２２Ｂの開口２７に第１端子部１７の露出している部分を挿通させて第２端子部２４と第１端子部１７の延出部１９とが接触するように配置する。そして、端子板２２Ａ、２２Ｂは、図示しない固定手段によりケース１４に固定される。
【００３３】
次に、第２端子部２４と延出部１９の接触している部分に溶接をほどこし、接合させる。以上により半導体モジュール１０の製造を完了する。
【００３４】
以上の構成を有する半導体モジュール１０の作用について説明する。
図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すように、端子板２２Ａが配置される前の状態では、延出部１９と端子板２２Ａが配置されたときの第２端子部２４とは重なった状態にある。端子板２２Ａが配置されることにより、第１端子部１７の延出部１９は第２端子部２４から押圧力Ｆ（Ｆ１〜Ｆ３）を受ける。延出部１９に作用する押圧力Ｆにより、延出部１９は低強度部２０で変形し、延出部１９の先端側の部位が第２端子部２４に沿って接触する。これは、第１端子部１７の板厚は第２端子部２４の板厚よりも薄く、且つ、第１端子部１７は低強度部２０を有していることにより、第２端子部２４からの押圧力Ｆを受けて延出部１９の低強度部２０に応力集中が起こり変形しやすいことによる。
【００３５】
図８（ａ）で示すｄ＝ｄ１（重なりが最も大きい状態）のとき、押圧力Ｆ１が最も大きくなることにより延出部１９は最も大きく変形し、延出部１９と第２端子部２４との接触面積が最大となる。図８（ｃ）で示すｄ＝ｄ３（重なりが最も小さい状態）のとき、押圧力Ｆ３が最も小さくなることにより延出部１９はほとんど変形せず、延出部１９と第２端子部２４との接触面積が最小となり、延出部１９と第２端子部２４とは先端部でのみ接触している。図８（ｂ）で示すｄ＝ｄ２（重なりが標準的な状態）のとき、押圧力Ｆ２が標準的な大きさとなることにより延出部１９は先端側の部位が少し変形し、延出部１９と第２端子部２４との接触面積が標準的な大きさとなる。このように、Ｆ１が最も大きく、Ｆ３が最も小さく、Ｆ２はＦ１とＦ３の中間の大きさである（Ｆ１＞Ｆ２＞Ｆ３）。
【００３６】
第１端子部１７は、樹脂部１５から露出する部分に低強度部２０を有しているので、第１端子部１７の延出部１９に押圧力Ｆが作用した場合には、高強度部２１よりも先に低強度部２０が変形する。また、第１端子部１７は、低強度部２０より基端部１８側に高強度部２１を有し、高強度部２１の一部は樹脂部１５に埋没した状態にあるので、樹脂部１５に埋没した高強度部２１の一部と基端部１８とにより第１端子部１７をしっかり固定する。
【００３７】
図７に示すように、高強度部２１は、樹脂部１５に一部が埋没し、樹脂部１５との界面に曲面２１Ｃ、２１Ｄを有しているため、曲面２１Ｃ、２１Ｄと接する樹脂部１５の界面には角部が存在せず、樹脂部１５の界面は第１端子部１７から受ける応力を分散し易い。よって、樹脂部１５との界面にクラックが発生しにくい。比較例として示す図９のように、第１端子部２９における樹脂部１５との界面に曲面２１Ｃ、２１Ｄが形成されていない場合には、角部を起点としてクラックＣＲが発生しやすい。
【００３８】
低強度部２０は、溝２０Ａと孔２０Ｂと切欠き２０Ｃにより形成されている。溝２０Ａを有していることにより、延出部１９に押圧力Ｆが作用したとき、溝２０Ａの部分への応力集中により折れ曲がり変形する。このとき、延出部１９は谷折り側である溝２０Ａ側に変形する。なお、谷折り側とは溝２０Ａが形成されている面１９Ｂ側を指し、山折り側とは溝２０Ａが形成されている面と反対側の面１９Ａ側を指す。また、孔２０Ｂ及び切欠き２０Ｃを有していることにより、溝２０Ａの部分で確実に変形するように孔２０Ｂ又は切欠き２０Ｃの大きさが調整される。例えば、図７に示すように、第１端子部１７に押圧力Ｆが作用したときに、溝２０Ａのみでは、溝２０Ａが変形せず第１端子部１７と樹脂部１５との間に隙間ができる虞があるが、孔２０Ｂ又は切欠き２０Ｃの大きさを調整して溝２０Ａの部分で確実に変形させ、第１端子部１７と樹脂部１５との間に隙間ができないようにする。
【００３９】
本発明の実施形態に係る半導体モジュール１０によれば以下の効果を奏する。
（１）樹脂部１５で封止された基板１１上に端子板２２Ａ、２２Ｂを配置したとき、第１端子部１７の延出部１９と第２端子部２４との重なりの状態に応じて延出部１９は高強度部２１よりも先に低強度部２０で変形し、第２端子部２４に沿って接触する。よって、第１端子部１７の延出部１９と端子板２２Ａ、２２Ｂの第２端子部２４とを確実に接合させることが可能である。
【００４０】
（２）第１端子部１７は、低強度部２０より基端部１８側に高強度部２１を有しているので、第１端子部１７の延出部１９と第２端子部２４とが接触し、第１端子部１７の延出部１９に押圧力Ｆが作用しても、延出部１９は高強度部２１が低強度部２０よりも先に変形することがなく低強度部２０で確実に変形させることが可能である。
【００４１】
（３）高強度部２１は第１端子部１７の一部を折り曲げることにより形成されているので、加工が容易である。また、高強度部２１は樹脂部１５に一部が埋没し樹脂部１５との界面に曲面２１Ｃ、２１Ｄを有しているため、曲面２１Ｃ、２１Ｄと接する樹脂部１５の界面には角部が存在せず、樹脂部１５の界面は第１端子部１７から受ける応力を分散し易い。よって、樹脂部１５との界面にクラックが発生しにくい。
【００４２】
（４）低強度部２０は、溝２０Ａと孔２０Ｂと切欠き２０Ｃにより形成されているので、加工が容易であると共に、低強度部２０で確実に変形させることが可能である。溝２０Ａが設けられていることにより、変形する部位（折れ曲がる部位）を特定できる。また、孔２０Ｂ又は切欠き２０Ｃの大きさを調整することにより溝２０Ａの部分での変形のしやすさを調整することが可能である。
【００４３】
（５）第２端子部２４は傾斜し角度αが鈍角となっているので、製造時における第２端子部２４と第１端子部１７間に位置ばらつきがあったとしても、第２端子部２４と第１端子部１７とを確実に接触させることが可能である。すなわち、距離ｄは公差に基づく製造時のばらつきを考慮して、ｄ１より大きくｄ３より小さく（ｄ１≦ｄ≦ｄ３）なるように設定されているので、第２端子部２４と延出部１９の先端側の部位とは確実に接触する。
【００４４】
（６）第１端子部１７は、高強度部２１の一部と高強度部２１に連設されコの字状に屈曲した基端部１８とが樹脂部１５に埋没し固定された状態にあるので、樹脂部１５との接触面積を増大することができ、第１端子部１７の樹脂部１５による接合の強度を高めることが可能である。
【００４５】
（７）第１端子部１７における低強度部２０を構成する溝２０Ａは、延出部１９における第２端子部２４と対向する面１９Ａの反対側の面１９Ｂに形成されているので、第２端子部２４からの押圧力Ｆに対して、谷折り側である溝２０Ａ側に変形させることが可能である。
【００４６】
（８）第１端子部１７における高強度部２１の折り曲げ部２１Ａ、２１Ｂは、第２端子部２４とは反対側に折り曲げることにより形成されているので、第１端子部１７の樹脂部１５との接合の強度を一層高めることが可能である。
【００４７】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく発明の趣旨の範囲内で種々の変更が可能であり、例えば、次のように変更しても良い。
○  上記の実施形態では、高強度部２１は第１端子部１７の一部を折り曲げることにより形成されているとして説明したが、図１０に示す別例１のように、第１端子部４０における高強度部４１は他の部位よりも板厚を厚くすることにより形成してもよい。この場合には、折り曲げ加工の必要がなく加工工数を削減可能である。
○  上記の実施形態では、低強度部２０の溝２０Ａは延出部１９における第２端子部２４と対向する面１９Ａの反対側の面１９Ｂに形成（谷折り側に形成）するとして説明したが、図１１に示す別例２のようにしてもよい。すなわち、第１端子部５０における低強度部５１の溝５１Ａは、第２端子部と対向する面に形成（山折り側に形成）してもよい。
○  上記の実施形態では、低強度部２０は溝２０Ａと孔２０Ｂと切欠き２０Ｃにより形成されているとして説明したが、溝２０Ａだけでもよいし、溝２０Ａと孔２０Ｂだけでもよいし、溝２０Ａと切欠き２０Ｃだけでもよい。
○  上記の実施形態では、低強度部２０の溝２０Ａは、延出部１９における片面に形成されているとして説明したが、両面に形成されていてもよい。
○  上記の実施形態では、低強度部２０の溝２０Ａは、Ｖ溝により形成されているとしたが、断面円弧状に窪んだ形状を有していてもよい。
○  上記の実施形態では、第１端子部１７はコの字状に屈曲した基端部１８を有するとして説明したが、必ずしも屈曲している必要はなく、例えば、平面状に形成されていてもよい。この場合には、樹脂部１５との接合の強度を確保するために平面部の面積を大きくすることが好ましい。
○  上記の実施形態では、正極用の端子板２２Ａと負極用の端子板２２Ｂとは絶縁層２８を介して並列に配置されているとして説明したが、正極用の端子板２２Ａと負極用の端子板２２Ｂとは絶縁層を介して積層されていてもよい。
○  本発明の実施形態では、スイッチング電源用半導体モジュールとして説明したが、インバータ又はコンバータに適用してもよい。
○  上記の実施形態では、第１端子部１７は半導体素子１３の電極に直接接合されていたが、この形態に限らない。例えば、基板１１上の配線パターンに第１端子部１７が接合され、半導体素子１３の電極と配線パターンとがワイヤーボンディングされていてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０  半導体モジュール
１１  基板
１２  配線パターン
１３  半導体素子
１５  樹脂部
１７、４０、５０  第１端子部
１８  基端部
１９  延出部
２０、５１  低強度部
２０Ａ、５１Ａ  溝
２０Ｂ  孔
２０Ｃ  切欠き
２１、４１  高強度部
２１Ａ、２１Ｂ  折り曲げ部
２１Ｃ、２１Ｄ  曲面
２２（２２Ａ、２２Ｂ）  端子板
２３  平板部
２４  第２端子部
Ｆ  押圧力
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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