(57)【要約】【課題】  横電界方式の液晶表示パネルにおいては、対向基板の裏面に形成する帯電防止用の導電膜をＧＮＤ電位（基準電位）の端子に接続するために、銀ペースト等の液状導電材料を塗布し固化させている。塗布量が少なめにばらつく可能性を考慮すると端子面積を広くする必要があるが、その場合は額縁領域が増大して表示装置の小型化が難しい。【解決手段】  ＧＮＤ電位の端子は凹部と凸部を有し、当該凹部と凸部は閉じた線形状を形成する。この構造により、液状導電材料の塗布量がばらついてもＧＮＤ電位の端子からはみでることなく、接続不良も生じない効果を奏する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルは、
第１の基板と第２の基板とが液晶を封入するように貼り合わされており、
前記第１の基板上には、ゲート信号線と、前記ゲート信号線と交差するソース信号線と、
前記液晶LCを駆動するための画素電極と対向電極と、
接地電位を入力される端子と、が形成されており、
前記第２の基板が前記液晶と接する面の反対側の面には透明導電膜が形成されており、
前記第１の基板と前記第２の基板とに亘って、前記透明導電膜と前記端子とを電気的に接続する導電性材料が形成されており、
前記端子は前記第１の基板の表面に対して突起する凸形状パターンが複数形成されている領域を有し、
前記凸形状パターンは幅が３μｍ以上１０μｍ以下である閉じた線形状を有し、
前記凸形状パターンの一方は他方を内包し、
前記凸形状パターン同士の間隔は３μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記導電性材料は前記領域内に形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記凸形状パターンは、前記端子と同層に形成される金属膜パターンであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記凸形状パターンは、前記端子を覆う絶縁膜に形成される溝により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記領域を覆い、前記端子と電気的に接続するＧＮＤ電極コンタクトパターンを有し、前記導電性材料は前記ＧＮＤ電極コンタクトパターン上に直接形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示パネルを有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に用いられる液晶表示パネルならびに表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置はさまざまな機器において、観察者への情報表示手段として使用されている。現在は、従来の主流であったブラウン管に代わって、液晶、プラズマ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）、ＦＥＤ（Field Emission Display）等を利用した新しい薄型表示装置が登場している。特に、液晶表示装置は、小型から大型の機種まで製造でき、現在の代表的な薄型表示装置となっている。
【０００３】
このような薄型表示装置には、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域が構成されている。画素にはスイッチング素子が設けられている。スイッチング素子として現在主流なのは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【０００４】
そして近年、視野角の広いディスプレイが求められるようになり、In−Plane−Switching構造やFringe−Field−Switching構造を含む横電界方式の液晶パネルを用いたディスプレイが作られるようになってきた。一般に液晶パネルは、ＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板（アレイ基板）と、液晶を介してＴＦＴ基板と対向する対向基板とを有するが、横電界方式の液晶パネルにおいては、液晶を介して画素電極との間に電界を生じる対向電極をＴＦＴ基板上に形成したことを特徴としている。
【０００５】
In−Plane−Switching構造の場合、静電気等の外部からの帯電により表示ムラが発生するおそれがあるため、対向基板の裏面（表示装置に組み込んだ際に外側となる面）に形成された導電膜をＧＮＤ電位（グラウンド電位、接地電位、基準電位とも呼ぶ）に固定するようにしている。
【０００６】
その手法の一つとして、ＧＮＤ電位が供給されるＧＮＤパッド（ＧＮＤ端子、ＧＮＤ電極）をＴＦＴ基板の額縁領域に設け、当該パッドと対向基板の裏面側（表示装置の表示面側）に形成された帯電防止用の導電膜とを銀ペーストや導電性テープ等の導電性材料により電気的に接続するという手法がある。（特許文献１、２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１０９５６２号公報
【特許文献２】特開２００９−２４４３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２に記載のように、表示装置の小型化、特に表示領域の周辺部である額縁領域を狭くするうえで、かかるＧＮＤパッドの面積は極力小さくしたいニーズがある。しかし、銀ペーストをＧＮＤパッドからはみ出ないように塗布し、しかも確実な電気的接続をとろうとすると、マージンを含めてＧＮＤパッドの面積はある程度の大きさを必要としていた。
【０００９】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、銀ペーストのはみ出しを抑制し、必要エリアを縮小、ひいては、パネル額縁サイズを小さくすることができる液晶表示パネルおよびそれを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明にかかる横電界方式の液晶表示パネルは、第１の基板と第２の基板とが液晶を封入するように貼り合わされており、前記第１の基板上には、ゲート信号線と、前記ゲート信号線と交差するソース信号線と、前記液晶を駆動するための画素電極と対向電極と、接地電位を入力される端子と、が形成されており、前記第２の基板が前記液晶と接する面の反対側の面には透明導電膜が形成されており、前記第１の基板と前記第２の基板とに亘って、前記透明導電膜と前記端子とを電気的に接続する導電性材料が形成されており、前記端子は前記第１の基板の表面に対して突起する凸形状パターンが複数形成されている領域を有し、前記凸部パターンは幅が３μｍ以上１０μｍ以下である閉じた線形状を有し、前記凸部パターンの一方は他方を内包し、前記凸部パターン同士の間隔は３μｍ以上１０μｍ以下であり、前記導電性材料は前記領域内に形成されていることを特徴とする液晶表示パネルである。
【発明の効果】
【００１１】
液晶表示パネルの額縁サイズを小さくでき、かつ、ＧＮＤ端子からの銀ペーストをはみ出すことなく、ＧＮＤ端子と帯電防止膜との間に良好な電気的接続を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る液晶パネルの一構成例を示した図
【図２】実施の形態１に係る液晶パネルの断面図
【図３】実施の形態１に係る液晶パネルのアレイ基板の平面図
【図４】実施の形態１に係る液晶パネルのアレイ基板の断面図
【図５】実施の形態１に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の平面図
【図６】実施の形態１に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の断面図
【図７】実施の形態２に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の平面図
【図８】実施の形態２に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の断面図
【図９】実施の形態３に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の平面図
【図１０】実施の形態３に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
まず、本実施の形態に係る液晶表示装置を説明する。ここでは、液晶表示装置の一例として、In-Plane-Switchingモードの液晶表示装置について説明する。後述するように液晶表示装置は、液晶表示パネル、バックライトユニット、駆動回路等を備えるものである。図１に液晶表示パネル１の平面図を示す。図２に液晶表示パネル１の断面図を示す。なお、図２は図１中のＡ−Ａで示した箇所の断面図である。
【００１４】
液晶表示パネル１は、アレイ基板１１０とアレイ基板１１０に対向配置される対向基板１２０と、両基板を接着するシール材８との間の空間に液晶層ＬＣが形成された構成を有している。両基板の間は、図示しないスペーサによって、所定の間隔となるように維持されている。
【００１５】
また、図１に示すように、アレイ基板１１０は、対向基板１２０よりも平面寸法が大きく形成されている。アレイ基板１１０の一端は、対向基板１２０から突出するように配置されるが、これ以降、この突出する領域を突出領域２と呼ぶ。後で詳しく説明するが、突出領域２には、アレイ基板１１０上に形成された電極へ走査信号、表示信号などを伝送する出力配線や出力配線に連なる電極端子などが形成される。
【００１６】
第１基板としてのアレイ基板１１０においては、絶縁性基板上に、複数のゲート信号線（走査信号線）ＧＬと複数のソース信号線（表示信号線）ＳＬとが形成されている。図１において、複数のゲート信号線ＧＬは水平方向に平行に設けられている。同様に、図１において複数のソース信号線ＳＬは垂直方向に平行に設けられている。すなわち、ゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは、互いに交差するように形成されている。後で説明するが、ゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは絶縁膜を介して交差している。そして、隣接するゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとで囲まれた領域（点線で図示した領域）が画素ＰＸとなる。従って、アレイ基板１１０上には、画素ＰＸがマトリクス状に配列される。
【００１７】
このように、画素ＰＸがマトリクス状に形成された領域が表示領域３である。また、表示領域３の外側が額縁領域４である。額縁領域４は、一部に突出領域２を有する。
【００１８】
まず、表示領域３について簡単に説明する。前述の通り、表示領域３内においてはゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとが交差して画素ＰＸを形成する。１つの画素ＰＸ内には、少なくとも１つのスイッチング素子（図示しない）が形成される。スイッチング素子としては、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることができる。スイッチング素子はソース信号線ＳＬやゲート信号線ＧＬと接続されており、各配線からは各々走査信号電位と表示信号電位とが印加される。
【００１９】
詳しくは後述するが、１つの画素ＰＸ内には画素電極と対向電極も形成される。画素電極はスイッチング素子と接続しており、スイッチング素子を介して表示信号電位が画素電極に印加される。また、対向電極には共通配線ＣＬを介して共通電位が印加されている。画素電極と対向電極間の電位差が液晶ＬＣに印加されることにより液晶分子が駆動されて表示がなされる。表示領域３内の動作については構成も含めて、後で詳細に説明する。
【００２０】
次に、額縁領域４と突出領域２について説明する。表示領域３内においてスイッチング素子と接続するゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは、各々、額縁領域４における引き出し配線ＤＬにつながる。ここで、ゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは、引き出し配線ＤＬと一体に形成されてもよい。引き出し配線ＤＬは突出領域２まで引き出されて、その先には電極端子６が形成される。そして、ドライバーＬＳＩ５がＣＯＧ方式によって電極端子６に接続されている。
【００２１】
液晶表示パネル１は、外部から入力される走査信号、表示信号等に基づいて、画像の表示に必要な各種の制御信号、走査電圧及び表示電圧等を出力するドライバーＬＳＩ５によって駆動される。なお、ドライバーＬＳＩ５を実装したＦＰＣ７を液晶表示パネル１に接続する場合もある。
【００２２】
また、ＦＰＣ７は、ドライバーＬＳＩ５の外側、より詳細にはアレイ基板１１０の突出領域２端辺近傍に接着される。ＦＰＣ７には、制御回路等が実装されている。制御回路には、ドライバーＬＳＩ５に走査信号、表示信号、各種の制御信号などを供給するコントローラや、電源電圧、基準電圧などを供給する電源回路などが設けられる。そして、制御回路等から出力される走査信号、表示信号や各種の制御信号は、ＦＰＣ７を介してドライバーＬＳＩ５に入力される。ドライバーＬＳＩ５は、入力される走査信号、表示信号や制御信号に基づいて、表示領域の各電極に所定のタイミングで電圧を供給する。つまり、表示領域３内の画素電極やスイッチング素子に印加される電位はドライバーＬＳＩ５を介してＦＰＣ７の制御回路から供給される。
【００２３】
次に、表示領域３内の画素ＰＸにおけるスイッチング素子、画素電極、各配線について、図３、図４を用いて説明する。図３はアレイ基板上の画素の平面図であり、図４は図３でＢ−Ｂで示す箇所における断面図である。
【００２４】
図３において、ガラスや樹脂等の絶縁材からなる基板１００の表面上に、金属膜からなるゲート信号線ＧＬと共通配線ＣＬとが形成され、それらを覆うように窒化珪素膜や酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜ＧＩが形成される。ゲート信号線ＧＬ上にゲート絶縁膜ＧＩを介して、珪素やＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ等の酸化物半導体からなる半導体層ＳＥが形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ上にはゲート信号線ＧＬと交差するように透明導電膜と金属膜との積層からなるソース信号線ＳＬが形成され、その一部は半導体層ＳＥ上にまで延びている。半導体層ＳＥ上においては、ソース信号線ＳＬと対向して画素電極ＰＥも形成されている。ここで、ゲート信号線ＧＬ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体層ＳＥはスイッチング素子のＭＯＳ構造をなしており、点線で囲んだ領域がスイッチング素子ＴＦＴに相当する。
【００２５】
画素電極ＰＥはスイッチング素子からゲート信号線ＧＬ外に延びており、ゲート信号線ＧＬ外では平面視で櫛歯形状を有している。画素電極ＰＥと互いに噛み合うような櫛歯形状を有する対向電極ＣＥも形成されており、対向電極ＣＥはゲート絶縁膜ＧＩに開口するコンタクトホールＣＨを介して共通配線ＣＬと接続する。ここで、表示領域３内の各画素ＰＸにおける共通電極ＣＥにも共通配線ＣＬにも共通電位が印加されている。なお、画素電極ＰＥ、対向電極ＣＥ、ソース信号線ＳＬとは同時に形成されていてもよい。
【００２６】
このような構造において、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によってスイッチング素子がオン状態になると、ソース信号線ＳＬから画素電極ＰＥに表示電圧が印加される。そして、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとの間に、表示電圧に応じた電界が生じる。図３に示すようなIn-Plane-Switching方式の場合、アレイ基板１１０上に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥともに形成されているため、基板の面方向（横方向）に電界が生じる。そして、液晶分子は基板１００と平行な面内で回転する。なお、図３ではIn-Plane-Switching方式のアレイ構造を基にして説明したが、これに限定する必要は無く、例えばFringe-Field-Switching方式のアレイ構造でもよく、後述のＧＮＤ電極についても同様に適用できる。
【００２７】
次に、再度、図１と図２を用いて、突出領域２内に設けられる他の端子についても説明する。図１より、突出領域２には、引き出し配線やドライバーＬＳＩ以外に、ＧＮＤ端子１１（ＧＮＤ電極ともいう）も形成される。ＧＮＤ電極１１からはＧＮＤ配線１２がＦＰＣ７まで延びて接続されている。ここで、ＧＮＤ電極１１にはＧＮＤ配線１２とともに後述する基準電位が印加されている。言い換えると、ＧＮＤ電極１１は接地されている。
【００２８】
図２においてＧＮＤ配線１２とＧＮＤ電極１１とは一体として形成されており、言い換えれば、ＧＮＤ配線１２はその端部にＧＮＤ電極１１を有している。ＧＮＤ電極１１はゲート信号線ＧＬと同じレイヤーに形成されていてもよいし、ソース信号線ＳＬと同じレイヤーに形成されていてもよい。
【００２９】
かかるＧＮＤ電極１１は、対向基板１２０の、アレイ基板１１０と対向する面とは反対側の面に形成されている導電膜１７と導電性材料であるＡｇペースト１５を介して電気的に接続されている。その接続により、ＧＮＤ電極１１も導電膜１７も基準電位となり接地されていることになる。以下、この接続関係について説明する。
【００３０】
第２基板としての対向基板１２０は、例えば、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）であり、液晶表示装置においては視認側に配置される基板である。対向基板１２０にカラーフィルタＣＦを形成する場合、アレイ基板１１０と対向する側、つまり液晶ＬＣと接する側に形成する。
【００３１】
一方で、対向基板１２０においてアレイ基板１１０と対向する面とは反対側の面上、すなわち対向基板１２０のカラーフィルタＣＦ等の形成面とは反対側の面上に、導電膜１７が形成される。導電膜１７は対向基板１２０の略全体に形成される。導電膜１７上の一部において表示領域３に対応する領域には偏光板ＰＰが形成されている。偏光板ＰＰはアレイ基板１１０にも形成されている。
【００３２】
導電膜１７としては、主にインジウムから構成されるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜を用いることができる。前述の通り、この導電膜１７は、導電性材料としてのＡｇペースト１５を介してＧＮＤ電極１１と接続され、基準電位となっている。なお、ここでは、Ａｇペーストを説明に用いたが、その他の導電性樹脂等の導電性材料を用いてもよい。Ａｇペースト１５は、ＧＮＤ電極１１及び導電膜１７に接する。
【００３３】
前述の通り、液晶表示装置においてはアレイ基板１１０よりも対向基板１２０の方が視認側に近く、さらに導電膜１７を形成した面は視認側に最も近い。そのため、通常は外部からの静電気の影響を最も受けやすいが、図２からわかるようにその面には導電膜１７が形成され、しかも基準電位に固定されている。この構造において導電膜１７に外部から電荷が流入したとしても、基準電位の電源に流出するため外部からの電界の影響を抑制することができる。
【００３４】
このように、対向基板１２０上に形成された導電膜１７の電位を基準電位とすることにより静電遮蔽効果を奏し、外部からの電界による表示への悪影響を抑制することができる。具体的には、外部からの電界の影響を抑制することができ、液晶ＬＣの配向状態の乱れを抑制することができる。そして、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【００３５】
なお、導電膜１７は、外部からの電界の影響を抑制することができ、Ａｇペースト１５を介して、ＧＮＤ電極１１と電気的に接続することができれば、どのように形成してもよい。例えば、導電膜１７を対向基板１２０のアレイ基板１１０側の面上に形成してもよいし、導電膜１７を略全面に形成しなくてもよい。
【００３６】
次に、図２に示すＧＮＤ電極と導電性材料との接続方法について説明する。アレイ基板１１０と対向基板１２０とが内部の液晶ＬＣを密封するようにシール材ＳＥＡＬを介して貼り合わされた後、対向基板１２０上に形成された導電膜１７と、アレイ基板１１０上に形成されたＧＮＤ電極１１とを導通させるために、Ａｇペースト１５をディスペンサーで塗布する。Ａｇペースト１５は、対向基板１２０の導電膜１７上及びＧＮＤ電極１１上に一体的に形成される。
【００３７】
なお、Ａｇペースト１５は、希釈剤中にＡｇ粒子を分散させたものだが、容易に希釈剤とＡｇ粒子とが分離しやすいので、シリンジの周囲を温調ヒーターにて一定の温度に保っておいたほうがよい。塗布した後に、オーブンにて一定時間加熱し、Ａｇペースト１５を硬化させる。
【００３８】
このように、Ａｇペーストを塗布する際は、対向基板１２０の導電膜１７とＧＮＤ電極１１とを確実に電気的に接続するために十分な量のＡｇペーストが必要である。一方、Ａｇペーストが多すぎるとＧＮＤ電極１１からあふれ出てしまい、他の電極・端子との短絡等の不良を引き起こす。そのため、ＧＮＤ電極１１を小型化した場合にＡｇペースト１５を塗布する際は、塗布量のマージンが狭く精密な制御が必要であった。
【００３９】
実施の形態１に係る液晶表示パネルのＧＮＤ電極の構造を図５、図６に示す。図５は平面図であり、図５中でＣ−Ｃで示す箇所の断面図が図６である。
【００４０】
図５、図６から、絶縁性基板１００上にＧＮＤ配線１２が形成されており、前述の通り、導電性材料たるＡｇペースト１５との接続領域に着目する際にはＧＮＤ配線の端部をＧＮＤ電極と呼ぶこともある。このＧＮＤ電極１１を覆うようにゲート絶縁膜ＧＩが形成されている。ゲート絶縁膜ＧＩの上層にはＧＮＤ電極コンタクトパターン１４が形成されており、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４はゲート絶縁膜ＧＩに開口する開口部１３を介してＧＮＤ電極１１と接続している。
【００４１】
さらに、ＧＮＤ電極１１は、複数の額縁状の矩形パターン１６が多重的に入れ子状態になるように配設されている領域を有しており、導電性材料であるＡｇペースト１５もこの領域内に形成されている。図６からわかるように、この複数の矩形パターン１６はＧＮＤ電極１１と同層に形成されて基板１００の表面に対して凸形状となる凸形状パターンからなる。矩形パターン１６は前述の通り、複数の凸形状パターンのうち一方が他方を内包するような入れ子状態で配設されているため、矩形パターン１６の有無により凹凸が生じている。そのため、矩形パターン１６の上層のゲート絶縁膜ＧＩもＧＮＤ電極コンタクトパターン１４もその凹凸を反映した凹凸形状を有している。
【００４２】
本実施の形態１においては、矩形パターンの幅Ｌを３μｍ以上１０μｍ以下とし、各矩形パターン間の間隔Ｓも３μｍ以上１０μｍ以下としている。そのため、Ａｇペーストを塗布する表面であるＧＮＤ電極コンタクトパターン１４においても幅と間隔が１０μｍ以下の凹凸が形成されていることになる。微細な幅と間隔で凹凸を形成した表面は、平坦な表面に比較して疎水性を有し、さらにその効果を示すための臨界上限値は１０μｍである。そのため、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４の表面は凹凸に起因する疎水性を有していることになる。
【００４３】
かかるＧＮＤ電極１１にＡｇペースト１５を塗布する際、その量が多すぎたとしても、過剰なＡｇペースト１５はＧＮＤ電極コンタクトパターン１４表面の疎水性のため、矩形パターン１６枠内で盛り上がるように蓄積される。しかも、この疎水性はプロセス変動で制御できないものではなく、凹凸形状に起因するものであるため安定した効果が生じる。これにより、ＧＮＤ電極１１を小型化した場合であってもＡｇペーストがはみ出すという不良も安定して抑制することができる。すなわち、Ａｇペーストの塗布量のマージンが広がる。
【００４４】
なお、Ａｇペースト１５は実際はすでに説明した通り、対向基板１２０上の導電膜１７と接続するように延びて形成されるが、図５、図６ではＧＮＤ電極１１の構造に着目した説明を行うため、導電膜１７との接続領域に関して省略している。また、図５、図６において、Ａｇペースト１５はＧＮＤ電極コンタクトパターン１４と開口部１３とを介してＧＮＤ電極１１と接続している。
【００４５】
なお、本実施の形態１においては、図３との対応関係から、ＧＮＤ配線１２をゲート信号線ＧＬと同層に、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４をソース信号線ＳＬと同層で形成した構造を例に挙げて説明した。ゲート信号線ＳＬの膜厚は一般的に２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、ＧＮＤ配線１２も矩形パターン１６も同様である。
【００４６】
しかし、画素を形成する製造工程に伴って同時に形成することにこだわらなければ、ＧＮＤ電極１１を形成するために異なる製造工程を追加してもよい。また、本発明は図３に示したようなIn-Plane-Switching方式だけではなく、ソース信号線ＳＬと画素電極ＰＥとが異なるレイヤーに配設されている構造においても適用することができる。この場合、導電層としては、ゲート信号線ＧＬ、ソース信号線ＳＬ、画素電極ＰＥと３層形成されるため、たとえばＧＮＤ電極１１をソース信号線ＳＬと同層に形成することも可能となる。さらに、Fringe-Field-Switching方式でも適用することが可能である。
【００４７】
また、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４として、上層がＩＴＯ等の酸化導電膜で下層が金属膜という積層膜を用いても良い。ＧＮＤ電極１１の最上層を酸化導電膜で被覆できるため腐食を抑制する効果がある。
【００４８】
また、ＧＮＤ電極１１や複数の矩形パターン１６上にゲート絶縁膜ＧＩを形成せず、ＧＮＤ電極１１とＧＮＤ電極コンタクトパターン１４とが開口部１３を介することなく直接接続する構造であってもよい。本発明の効果は、複数の矩形パターン１６のなす凹凸形状に由来するからである。
【００４９】
また、複数のパターン１６の形状は矩形には限らない。一部、曲線を含んでいても良いし、円形や楕円形であってもよい。ただし、パターンの端部が閉じており、内側と外側を分離するパターンである必要がある。また、図５や図６においては複数パターン１６の個数は３個となっているが、最低限２個あればよい。つまり、複数の下限は２である。
【００５０】
実施の形態２．
実施の形態２に係る液晶表示パネルのＧＮＤ電極の構造を図７、図８に示す。図７は平面図であり、図７中でＤ−Ｄで示す箇所の断面図が図８である。導電性材料であるＡｇペーストを塗布する領域内のＧＮＤ電極コンタクトパターンの表面に微細な凹凸形状を形成する点と、当該凹凸形状は基板の表面に対して突起する凸形状パターンによって形成される点は実施の形態１と同様である。
【００５１】
実施の形態１と異なる点は、凹凸形状を形成するパターンがＧＮＤ電極と同層の導電膜では無く、絶縁膜ＧＩに形成された複数の溝１８により形成されるという点である。それ以外については、例えば、凹凸形状の凹部の幅も凸部の幅も共に３μｍ以上１０μｍ以下とする点も含めて同様である。また、一般にゲート絶縁膜の膜厚も２００ｎｍ〜５００ｎｍであり、凹凸の高低差も同様である。図７、図８においては、溝１８の幅をＳ、溝１８間の間隔をＬと表示しているが、これは実施の形態１と凹凸関係を合せたものである。すなわち、凹凸形状において凹部の幅をＳ、凸部の幅をＬとしているためである。なお、絶縁膜の加工は、ふっ素系のガスを用いたドライエッチングや強酸を用いたウエットエッチングにより適宜行えばよい。
【００５２】
以上より、実施の形態２においても、実施の形態１と同様の効果を奏する。実施の形態２においては絶縁膜がゲート絶縁膜ＧＩである構造を用いて説明したが、実施の形態１で説明したように、ソース信号線ＳＬと画素電極ＰＥとが異なるレイヤーに配設されている構造など異なる構造においても、レイヤーを適宜変更して本発明を適用することは可能である。
【００５３】
実施の形態３．
実施の形態３に係る液晶表示パネルのＧＮＤ電極の構造を図９、図１０に示す。図９は平面図であり、図９中でＥ−Ｅで示す箇所の断面図が図１０である。本実施の形態において導電性材料を塗布する領域には、実施の形態１で示した金属膜による複数の矩形パターンと、実施の形態２で示した絶縁膜による複数の矩形パターンとの両方を設けたことを特徴とする。
【００５４】
図９、図１０からわかるように、ＧＮＤ電極パターンと同層の矩形パターン１６上をゲート絶縁層ＧＩが覆う一方で、ゲート絶縁層が形成されない領域においては矩形パターンも形成されていない。したがって、この構造から生じる凹凸の高低差は、矩形パターンの膜厚とゲート絶縁膜の膜厚とを足し合わせたものとなる。ここで、凹凸形状の高低差が大きいほど表面の疎水性もさらに向上するため、本実施の形態３で示した構造は、実施の形態１や実施の形態２で示した構造よりも大きな効果を奏することができる。
【００５５】
ここまで、本発明に係る液晶表示パネルの説明を行ってきたが、液晶表示装置においては、かかる液晶表示パネルの背面に、バックライトユニット（図示しない）が備えられている。そして、バックライトユニットによって、液晶表示パネルの反視認側から当該液晶表示パネルに対して光を照射する。バックライトユニットとしては、例えば、冷陰極管や白色ＬＥＤを光源とし、導光板、レンズシート、拡散シート、反射シート等で平面光源化したものを用いることができる。
【符号の説明】
【００５６】
1  液晶表示パネル、２  突出領域、３  表示領域、４  額縁領域、
５  ドライバーＬＳＩ、６  電極端子、７  ＦＰＣ、８  シール材、
１１  ＧＮＤ端子（ＧＮＤ電極）、１２  ＧＮＤ配線、１３  開口部、
１４  ＧＮＤ電極コンタクトパターン、１５  Ａｇペースト、１６  矩形パターン、
１７  導電膜、１８  溝、
１００  基板、１１０  アレイ基板、１２０  対向基板、
ＣＬ  共通配線、ＧＬ  ゲート信号線、ＳＬ  ソース信号線、
ＧＩ  ゲート絶縁膜、ＳＥ  半導体層、ＤＬ  引き出し配線、ＴＦＴ  スイッチング素子、
ＬＣ  液晶、ＰＸ  画素、ＰＥ  画素電極、ＣＥ  対向電極、ＰＰ  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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