(57)【要約】【課題】弾性表面波装置において、ＳＡＷチップの耐電力性、および、当該ＳＡＷチップとパッケージ基板との接合信頼性の双方を実現させる。【解決手段】弾性表面波装置１００は、パッケージ基板１０の主面上にＳＡＷチップ２０が実装されている。ＳＡＷチップは、圧電性基板２１と、圧電性基板上に配置されたＩＤＴ電極ＳＷと、パッケージ基板との電気的接続を行なうための複数のバンプＢＰを備える。パッケージ基板は、主面の法線方向から平面視した場合に略矩形形状を有している。複数のバンプのうち、パッケージ基板の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成され、それ以外のバンプが金バンプで形成される。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板の主面上に少なくとも１つのＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）チップが実装された弾性表面波装置であって、
前記少なくとも１つのＳＡＷチップは、
圧電性基板と、
前記圧電性基板上に配置されたＩＤＴ（Inter  Digital  Transducer）電極と、
前記パッケージ基板との電気的接続を行なうための複数のバンプを備え、
前記パッケージ基板は、前記パッケージ基板の主面の法線方向から平面視した場合に、第１の短辺と第２の短辺とを有する略矩形形状であり、
前記複数のバンプのうち、前記第１の短辺および前記第２の短辺の少なくとも一方に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成され、それ以外のバンプが金バンプで形成される、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記パッケージ基板上には、複数のＳＡＷチップが配置されている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記パッケージ基板上には、１つのＳＡＷチップが配置されている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記第１の短辺に沿って配置されるバンプ、および、前記第２の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記圧電性基板のオイラー角を（φ，θ，ψ）とすると、前記圧電性基板はθ回転ＹカットＸ伝搬の基板で形成されており、
前記ＩＤＴ電極は、前記圧電性基板の主面上において、前記第１および第２の短辺の方向に弾性表面波が伝搬するように配置されており、
θを０°と仮定した場合に、前記圧電性基板の結晶のＺ軸の正方向にある前記パッケージ基板の短辺を前記第１の短辺とし、前記Ｚ軸の負方向にある前記パッケージ基板の短辺を前記第２の短辺とすると、
θが０°より大きく９０°より小さい場合には、前記第２の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成され、
θが９０°より大きく１８０°より小さい場合には、前記第１の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成される、請求項３に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記圧電性基板は、略矩形形状を有しており、
前記パッケージ基板の主面の法線方向から平面視した場合に、前記パッケージ基板の対角線の交点と、前記圧電性基板の対角線の交点とが一致している、請求項５に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
請求項１に記載の弾性表面波装置を備えた通信装置であって、
前記弾性表面波装置は、送信フィルタおよび受信フィルタを含み、
前記少なくとも１つのＳＡＷチップは、第１のＳＡＷチップおよび第２のＳＡＷチップを含み、
前記第１のＳＡＷチップは前記送信フィルタに用いられ、前記第２のＳＡＷチップは前記受信フィルタに用いられ、
前記第１のＳＡＷチップにおける前記複数のバンプのうち、前記パッケージ基板の前記第１の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成され、それ以外のバンプが金バンプで形成される、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置およびそれを備える通信装置に関し、より特定的には、弾性表面波装置におけるＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）チップの実装技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話あるいはスマートフォンなどの電子機器において、弾性表面波素子を用いた弾性表面波装置が使用されている。
【０００３】
近年、これらの電子機器の小型化および高性能化に伴って、使用される電子部品の小型化，高密度化が必要とされており、弾性表面波装置においても小型化が望まれている。小型化，高密度化が進められると、弾性表面波素子が形成されるＳＡＷチップ内の圧電性基板において、単位面積あたりの電流が増加し、弾性表面波素子およびそれらを接続する配線から熱が発生しやすくなる。
【０００４】
特許第５８２１９６１号公報（特許文献１）には、ＳＡＷチップと当該ＳＡＷチップが実装されるパッケージ基板との間の電気的接続に用いられる外部接続端子（バンプ）に、一般的なはんだバンプよりも熱伝導率の高い金バンプを用いる構成が開示されている。特許文献１のような金バンプを用いることで、ＳＡＷチップにおいて発生する熱を装置外部に効率よく放出することができ、耐電力性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５８２１９６１号公報
【特許文献２】特開平１１−３３０８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のような金バンプを用いてＳＡＷチップとパッケージ基板とを接合する場合、一般的には、超音波を照射して熱を与えながら圧着する手法が用いられる。金バンプは、はんだパンプに比べて融点が高いため、上記のような超音波加熱においても溶融することはない。一方で、金バンプによって接合される圧電性基板の材料であるＬＴＣＣ（Low  Temperature  Co-fired  Ceramics：低温同時焼成セラミック）や、パッケージ基板の材料であるアルミナは、互いに線膨張係数が異なるため、接合のための加熱後の冷却過程における収縮率が異なる。そのため、常温に戻った時点において、金バンプにより接合した部分で歪みが生じて応力集中が発生し、当該応力集中により接合部が破損してしまう可能性がある。
【０００７】
一方で、はんだバンプは、金バンプよりも放熱性はやや劣るものの、接合の際に溶融した後に冷却とともに次第に固まるため、常温に戻った時点での応力集中が少なく、冷却後でも形状変化に対して追従しやすい傾向を有していることが知られている。
【０００８】
特開平１１−３３０８８４号公報（特許文献２）においては、バンドパスフィルタにおいて、薄膜インダクタアレイと薄膜キャパシタアレイとの接合に、はんだボールと金バンプとを混在させて用いる構成が開示されている。
【０００９】
しかしながら、特許文献２においては、接合後の応力集中については考慮されておらず、また、はんだボールおよび金バンプの配置についても検討されていなかった。
【００１０】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、弾性表面波装置において、ＳＡＷチップの耐電力性、および、当該ＳＡＷチップとパッケージ基板との接合信頼性の双方を実現させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による弾性表面波装置は、パッケージ基板の主面上に少なくとも１つのＳＡＷチップが実装されている。少なくとも１つのＳＡＷチップは、圧電性基板と、圧電性基板上に配置されたＩＤＴ（Inter  Digital  Transducer）電極と、パッケージ基板との電気的接続を行なうための複数のバンプとを備える。パッケージ基板は、パッケージ基板の主面の法線方向から平面視した場合に、第１の短辺と第２の短辺とを有する略矩形形状である。複数のバンプのうち、パッケージ基板の第１の短辺および第２の短辺の少なくとも一方の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成され、それ以外のバンプが金バンプで形成される。
【００１２】
好ましくは、パッケージ基板上には、複数のＳＡＷチップが配置されている。
好ましくは、パッケージ基板上には、１つのＳＡＷチップが配置されている。
【００１３】
好ましくは、第１の短辺に沿って配置されるバンプ、および、第２の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成される。
【００１４】
好ましくは、圧電性基板のオイラー角を（φ，θ，ψ）とすると、圧電性基板はθ回転ＹカットＸ伝搬の基板で形成される。ＩＤＴ電極は、圧電性基板の主面上において、第１および第２の短辺の方向に弾性表面波が伝搬するように配置される。θを０°と仮定した場合に、圧電性基板の結晶のＺ軸の正方向にあるパッケージ基板の短辺を第１の短辺とし、Ｚ軸の負方向にあるパッケージ基板の短辺を第２の短辺とすると、θが０°より大きく９０°より小さい場合には、第２の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成される。また、θが９０°より大きく１８０°より小さい場合には、第１の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成される。
【００１５】
好ましくは、圧電性基板は、略矩形形状を有している。パッケージ基板の主面の法線方向から平面視した場合に、パッケージ基板の対角線の交点と、圧電性基板の対角線の交点とが一致している。
【００１６】
本発明による通信装置は、上記の弾性表面波装置を備えている。弾性表面波装置は、送信フィルタおよび受信フィルタを含む。弾性表面波装置は、送信フィルタに用いられる第１のＳＡＷチップと、受信フィルタに用いられる第２のＳＡＷチップを含む。第１のＳＡＷチップにおける複数のバンプのうち、パッケージ基板の短辺に沿って配置されるバンプがはんだバンプで形成され、それ以外のバンプが金バンプで形成される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、弾性表面波装置において、ＳＡＷチップとパッケージ基板との接合の際に、応力集中が生じやすい部分にはんだバンプを配置し、その他の部分に金バンプを配置することにより、ＳＡＷチップの耐電力性、および、当該ＳＡＷチップとパッケージ基板との接合信頼性の双方を実現させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施の形態に従う弾性表面波装置の概略図である。
【図２】図１のＳＡＷチップの平面概略図である。
【図３】ＳＡＷチップが１つの場合の応力分布図の一例である。
【図４】ＳＡＷチップが２つの場合の応力分布図の一例である。
【図５】ＳＡＷチップが３つの場合の応力分布図の一例である。
【図６】ＳＡＷチップが４つの場合の応力分布図の一例である。
【図７】図３の場合のバンプ配置を説明するための図である。
【図８】図４の場合のバンプ配置を説明するための図である。
【図９】図５の場合のバンプ配置を説明するための図である。
【図１０】図６の場合のバンプ配置を説明するための図である。
【図１１】圧電性基板の結晶軸方向による応力分布の違いを説明するための第１図である。
【図１２】圧電性基板の結晶軸方向による応力分布の違いを説明するための第２図である。
【図１３】オイラー角が０°＜θ＜９０°の場合のバンプ配置を説明するための図である。
【図１４】オイラー角が９０°＜θ＜１８０°の場合のバンプ配置を説明するための図である。
【図１５】本実施の形態に従う弾性表面波装置を用いた通信装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２０】
図１は、本実施の形態に従う弾性表面波装置１００の概略図である。弾性表面波装置１００は、アルミナなどで形成されるパッケージ基板１０と、当該パッケージ基板１０上にフリップチップ実装されたＳＡＷチップ２０とを備える。
【００２１】
ＳＡＷチップ２０は、圧電性基板２１と、複数の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）ＳＷと、複数のバンプＢＰとを含む。
【００２２】
圧電性基板２１としては、代表的には、ＬＴＣＣ基板が用いられる。圧電性基板２１は、たとえば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、およびサファイアのような圧電単結晶材料、あるいは、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３またはシリコン（Ｓｉ）からなる圧電積層材料により形成される。
【００２３】
圧電性基板２１の主面２２には、複数のＩＤＴ電極ＳＷが配置されている。ＩＤＴ電極ＳＷは、たとえばアルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、ニッケル、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金などの電極材を用いて形成されている。圧電性基板２１とＩＤＴ電極ＳＷとによって弾性表面波共振子が形成される。
【００２４】
バンプＢＰは、ＳＡＷチップ２０と、パッケージ基板１０との間の電気的接続を行なうための接続端子である。バンプＢＰの材料としては、はんだ，金，銀などが主に利用される。
【００２５】
図２は、図１のＳＡＷチップ２０を主面２２側の法線方向から平面視した図である。圧電性基板２１は、短辺と長辺とを含む略矩形形状を有している。圧電性基板の長辺に沿って、複数のバンプＢＰ１〜ＢＰ８が配置されている。図２においては、各長辺に沿って４つのバンプが形成されている例が示されているが、バンプの数はこれに限られず、ＳＡＷチップ２０の大きさ等に応じて適宜決定される。
【００２６】
ＳＡＷチップ２０には、複数のＩＤＴ電極ＳＷ１〜ＳＷ３が配置される。図２の例においては、ＳＡＷチップ２０は、弾性表面波の伝搬方向が短辺方向に沿うように配置された３つのＩＤＴ電極ＳＷ１〜ＳＷ３を有している。ＩＤＴ電極の数は３つに限られない。なお、図２には図示されていないが、ＳＡＷチップ２０には、上記のＩＤＴ電極およびバンプに加えて他の機能素子が実装されてもよく、これらの機器を相互に接続するための配線パターンも形成される。
【００２７】
弾性表面波装置１００は、ＳＡＷチップ２０に形成される弾性表面波共振子によりフィルタとして機能し、たとえば、携帯電話やスマートフォンなどの通信機器において、送受信波に含まれる特定の周波数帯域を通過させるためのバンドパスフィルタとして用いられる。
【００２８】
このような弾性表面波装置においては、当該弾性表面波装置が搭載される電子機器の小型化に伴って、さらなる小型化が望まれている。装置の小型化が行なわれると、ＩＤＴ電極等の機能素子およびそれらを接続するための配線パターンの圧電性基板上における実装密度（電流密度）が高くなり、圧電性基板の発熱量が増加する。通信装置においては、相対的に高い電力が必要とされる送信側の機器において発熱量の増加が顕著になる。
【００２９】
装置の温度上昇は機能の低下や装置寿命の低下の要因となり得るため、できるだけ速やかに放熱させることが好ましい。この対策として、バンプの材料として伝熱性に優れた金を用いることにより、圧電性基板で発生した熱をパッケージ基板側に伝達しやすくする手法が用いられる場合がある。
【００３０】
金バンプを用いる弾性表面波装置においては、その製造過程において、パッケージ基板上にＳＡＷチップを実装する際に、一般的には、超音波等により熱を加えながら金バンプをパッケージ基板の接続端子に圧着接合する手法が用いられる。
【００３１】
金バンプは、はんだパンプに比べて融点が高いため、上記のような超音波加熱においても溶融することはない。一方で、金バンプによって接合される圧電性基板の材料とパッケージ基板の材料では、互いに線膨張係数が異なるため、加熱接合後の冷却過程における収縮率が異なる。そうすると、装置温度が常温に戻った時点において、金バンプにより接合した部分で歪みが生じて応力集中が発生し、当該接合部が破損することが懸念される。
【００３２】
はんだバンプは、金バンプよりも放熱性はやや劣るものの、接合の際に一度溶融した後に冷却とともに次第に固まるため、常温に戻った時点での応力集中が金バンプを使用する場合に比べて少なく、冷却後においても形状変化に対して比較的追従しやすい傾向を有していることが知られている。
【００３３】
そこで本実施の形態においては、弾性表面波装置におけるＳＡＷチップとパッケージ基板とを電気的に接続するためのバンプについて、応力集中が生じやすい位置のバンプにはんだバンプを用いることにより接合部の破損を防止するとともに、それ以外の位置のバンプについては金バンプを用いることにより放熱性を促進させる構成を採用する。これにより、ＳＡＷチップとパッケージ基板との間の接合信頼性と装置全体の放熱性（耐電力性）の双方を実現させることができる。
【００３４】
図３〜図６は、すべてのバンプに金バンプを用いた場合に、パッケージ基板１０上に配置するＳＡＷチップの数によって、冷却後の弾性表面波装置にどのような応力集中が生じるかをシミュレーションした結果の一例を示す図である。
【００３５】
図３は１つのＳＡＷチップ２０を搭載した場合の例であり、図４は２つのＳＡＷチップ２０Ａ−１，２０Ａ−２を搭載した場合の例である。また、図５は３つのＳＡＷチップ２０Ｂ−１〜２０Ｂ−３を搭載した場合の例であり、図６は４つのＳＡＷチップ２０Ｃ−１〜２０Ｃ−４を搭載した場合の例である。
【００３６】
図３〜図６においては、同じ大きさの応力が生じる位置が等高線で表されている。図３〜図６のいずれにおいても、基板の中央付近の応力が最も小さくなり、基板の端面に近づくほど応力が大きくなっている。
【００３７】
パッケージ基板１０の短辺および長辺について対称にＳＡＷチップが配置された図３，図４，図６においては、パッケージ基板の４つの角に対応する部分の応力が最も大きくなっている。
【００３８】
また、３つのＳＡＷチップが配置された図５の例においては、大きいＳＡＷチップ２０Ｂ−１が配置された側のパッケージ基板１０の短辺（ＳＡＷチップ２０Ｂ−１の外側の長辺）の応力が最も大きくなっている。ＳＡＷチップ２０Ｂ−２，２０Ｂ−３側は、２つのＳＡＷチップの間に間隔があるため、互いに相手側のＳＡＷチップに生じた歪みの影響を受けにくいが、ＳＡＷチップ２０Ｂ−１では、パッケージ基板１０の短辺に沿うバンプに生じる歪みが互いに影響しあうために、短辺同士でも応力の大きさに違いが生じているものと考えられる。
【００３９】
このように、略矩形形状を有するパッケージ基板１０上にＳＡＷチップが配置される場合には、パッケージ基板１０の短辺側の応力が大きくなりやすいため、パッケージ基板１０の短辺側に沿った位置に配置されるバンプについてははんだバンプを用い、それ以外の位置に配置されるバンプについては金バンプを用いることで、基板に生じる応力集中を緩和させることが可能となる。
【００４０】
なお、上記のように３つのＳＡＷチップを搭載した図５の場合においては、ＳＡＷチップ２０Ｂ−１側のパッケージ基板１０の短辺側の応力がより大きくなるため、こちら側の短辺に沿うバンプのみをはんだバンプとしてもよい。
【００４１】
図７〜図１０は、それぞれ図３〜図６の例の場合の、バンプの配置および採用するバンプ材料を示した図である。各図においては、ＳＡＷチップが搭載された側から弾性表面波装置を平面視したものであるが、バンプについては説明を容易にするために、透視的に示している。また、各図においては、ＩＤＴ電極等の他の素子については省略している場合がある。
【００４２】
図７〜図１０に示されるように、いずれの例においても、パッケージ基板１０の短辺側に配置されたバンプにはんだバンプが用いられおり、それ以外の位置のバンプについては金バンプが用いられている。なお、図９に示した弾性表面波装置１００Ｂにおいては、ＳＡＷチップ２０Ｂ−２，２０Ｂ−３のはんだバンプを金バンプとしてもよい。
【００４３】
このように、パッケージ基板上にＳＡＷチップがフリップチップ実装された弾性表面波装置においては、矩形形状のパッケージ基板の少なくとも一方の短辺に沿って配置されるバンプをはんだバンプとし、それ以外のバンプを金バンプとすることによって、接合信頼性と放熱性とを両立させることが可能となる。
【００４４】
（変形例）
弾性表面波装置に用いられるＳＡＷ励振用電極膜には、一般的に、低抵抗かつ低比重のアルミニウム（Ａｌ）が用いられることが多い。しかしながら、Ａｌは弾性表面波の伝搬により繰り返し応力が印加されることによって、ストレスマイグレーションを生じることが知られている。ストレスマイグレーションは、励振用電極膜のＡｌ原子が圧電性基板上の粒界に拡散することにより生じるが、これにより弾性表面波装置の耐電力性の低下が生じ得る。
【００４５】
ストレスマイグレーションを抑制するための手法として、圧電性素子をエピタキシャル化して結晶中の粒界を少なくしてＡｌ原子の拡散を抑制することが有効である。エピタキシャル化の方策として、圧電性基板のオイラー角を（φ，θ，ψ）とした場合に、θ回転ＹカットＸ伝搬の圧電性基板を利用することで達成できることが知られている。
【００４６】
θ回転ＹカットＸ伝搬とは、結晶軸のＸ軸周りにθ回転させた状態において、もとのＹ軸に垂直な面（すなわち、もとのＺ−Ｘ平面に平行な面）でカットした面が圧電性基板の表面（主面）となるようにし、弾性表面波の伝搬方向をＸ軸方向にしたものである。すなわち、θ回転ＹカットＸ伝搬の圧電性基板においては、結晶軸のＺ軸方向が、圧電性基板に沿う方向から圧電性基板の法線方向に向けてθだけ回転した方向となる。
【００４７】
このような圧電性基板でＳＡＷチップを形成する場合には、弾性表面波の伝搬方向（すなわち、結晶Ｘ軸方向）を基板の短辺方向とするか、長辺方向とするかによって２つの形態をとるこができる。
【００４８】
図１１および図１２は、１つのＳＡＷチップを搭載した弾性表面波装置において、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ軸方向）を長辺方向とした場合（図１１）と、短辺方向とした場合（図１２）の応力分布をシミュレーションしたものである。なお、図１１および図１２において、ＳＡＷチップの圧電性基板は略矩形形状を有しており、パッケージ基板の主面の法線方向から平面視した場合に、パッケージ基板の対角線の交点と、圧電性基板の対角線の交点とが略一致している。このように、パッケージ基板の対角線の交点と、圧電性基板の対角線の交点と一致させることにより、製品の加工性を向上することができるという利点がある。なお、上記のシミュレーションにおいても、図３〜図６と同様に、バンプはすべて金バンプを用いている。
【００４９】
図１１および図１２に示されるように、ＳＡＷチップ２０の表面において、伝搬方向と直交する方向、すなわち、回転前のもとのＺ軸方向に長い楕円状の応力分布となることがわかる。図１１においては、ＳＡＷチップ２０の短辺方向に長い楕円状の応力分布となっており、図１２においては、ＳＡＷチップ２０の長辺方向に長い楕円状の応力分布となっている。
【００５０】
なお、圧電性基板２１がたとえばＬｉＴａＯ３からなる圧電積層材料により形成されている場合、温度変化が加わると伸縮する。その時、圧電性基板２１がθ回転ＹカットＸ伝搬の圧電性基板、すなわち結晶軸のＺ軸方向がθだけ回転していると、応力分布の中心が圧電性基板の中心からずれる。
【００５１】
そのため、特に図１２で示すように、弾性表面波の伝搬方向が短辺方向となる場合においては、短辺側の応力が大きくなる傾向となる。そのため、応力が大きくなる側の短辺に沿って配置されるバンプにはんだバンプを採用することで、応力集中を緩和することができる。
【００５２】
なお、応力が集中する短辺は、オイラー角のθの大きさによって異なる。これについて、図１３および図１４を用いて詳細に説明する。
【００５３】
図１３は、θが０°より大きく９０°より小さい（０°＜θ＜９０°）場合の例であり、図１４は、θが９０°より大きく１８０°より小さい（９０°＜θ＜１８０°）場合の例である。なお、図中において、回転前のもとの結晶の座標軸がＸ，Ｙ，Ｚで示され、回転後の座標軸が＋Ｘ，＋Ｙ，＋Ｚで示されている。
【００５４】
図１３を参照して、０°＜θ＜９０°の場合には、θ＝０°の場合のもとのＺ軸の正方向の短辺を第１短辺２５、負方向の短辺を第２短辺２６とすると、応力分布の中心は図１２で示したように第１短辺２５側にずれた状態となる。すなわち、この場合には、第２短辺２６側の応力がより大きくなる。したがって、０°＜θ＜９０°の場合においては、第２短辺２６側に沿って配置されるバンプ（図１３のバンプＢＰ４，ＢＰ８）をはんだバンプとし、それ以外のバンプＢＰ１〜ＢＰ３，ＢＰ５〜ＢＰ７を金バンプとすることで、応力集中を緩和するとともに、放熱性を確保することができる。
【００５５】
図１４を参照して、９０°＜θ＜１８０°の場合には、応力分布の中心は図１２とは逆に第２短辺２６側にずれた状態となる。すなわち、この場合には、第１短辺２５側の応力がより大きくなる。したがって、９０°＜θ＜１８０°の場合においては、第１短辺２５側に沿って配置されるバンプ（図１４のバンプＢＰ１，ＢＰ５）をはんだバンプとし、それ以外のバンプＢＰ２〜ＢＰ４，ＢＰ６〜ＢＰ８を金バンプとすることで、応力集中を緩和するとともに、放熱性を確保することができる。
【００５６】
（通信機器への応用）
上述のように、本実施の形態に係る弾性表面波装置は、通信装置の送受信フィルタとして用いることができる。
【００５７】
図１５は、本実施の形態に従う弾性表面波装置を用いた通信装置２００の一例を示す図である。図１５を参照して、通信装置２００は、たとえば携帯電話およびスマートフォンなどの携帯端末であり、アンテナ２１０と、フィルタ装置２２０と、送信部２３０と、受信部２４０と、制御装置２５０とを備える。
【００５８】
フィルタ装置２２０は、送信用フィルタ２２１と、受信用フィルタ２２２とを含むデュプレクサであり、このフィルタ装置２２０が、本実施の形態に従う弾性表面波装置に該当する。フィルタ装置２２０は、図４で示したような、１つのパッケージ基板に２つのＳＡＷチップを搭載した構成を有しており、一方のＳＡＷチップが送信用フィルタ２２１として機能し、他方のＳＡＷチップが受信用フィルタ２２２として機能する。
【００５９】
送信部２３０は、制御装置２５０から受けた送信すべき信号を所定の周波数帯域の信号に変換し、送信用フィルタ２２１を介してアンテナ２１０から送信する。受信部２４０は、アンテナ２１０で受信した信号のうち、受信用フィルタ２２２を通過した周波数帯域の信号を受信し、当該受信信号を変換して制御装置２５０へ出力する。制御装置２５０は、受信部２４０からの信号を処理して、各種機能を実行する。
【００６０】
この場合、図４で説明したように、各ＳＡＷチップにおいて、パッケージ基板の短辺側に沿った部分に応力が集中しやすい。また、送信側の方が、電波を送信するための電力が必要であるため、受信側に比べて回路を流れる電流が大きくなり発熱しやすい。このように、特に放熱性が求められる送信用フィルタ２２１側のＳＡＷチップについては、パッケージ基板の短辺に沿って配置されるバンプをはんだバンプとし、その他のバンプを金バンプとすることで、耐電力性および接合信頼性を両立させる。
【００６１】
なお、受信用フィルタ２２２側のＳＡＷチップについては、送信用フィルタ２２１のＳＡＷチップと同様の構成として、はんだバンプと金バンプを混在させてもよいし、放熱性の要求が低い場合にはすべてのバンプをはんだバンプとしてもよい。
【００６２】
以上説明したように、弾性表面波装置において、ＳＡＷチップとパッケージ基板との接合の際に応力集中が生じやすい部分にはんだバンプを配置し、その他の部分に金バンプを配置することにより、ＳＡＷチップの耐電力性、および、当該ＳＡＷチップとパッケージ基板との接合信頼性の双方を実現させることが可能となる。
【００６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６４】
１０  パッケージ基板、２０，２０Ａ−１，２０Ａ−２，２０Ｂ−１〜２０Ｂ−３，２０Ｃ−１〜２０Ｃ−４，２０Ｄ，２０Ｅ  ＳＡＷチップ、２１  圧電性基板、２２  主面、２５，２６  短辺、１００，１００Ａ〜１００Ｃ  弾性表面波装置、２００  通信装置、２１０  アンテナ、２２０  フィルタ装置、２２１  送信用フィルタ、２２２  受信用フィルタ、２３０  送信部、２４０  受信部、２５０  制御装置、ＢＰ，ＢＰ１〜ＢＰ８  バンプ、ＳＷ，ＳＷ１〜ＳＷ３  ＩＤＴ電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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