(57)【要約】【課題】試料に透明導電性酸化物膜を形成する際に、透明導電性酸化物膜への酸素負イオンの入射を低減させることが可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供する。【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置１０は、試料Ｓを載置する試料台１１の上部に、試料Ｓに透明導電性酸化物膜を形成することが可能なターゲット１２が設置されている。試料台１１に載置される試料Ｓは、ターゲット１２から放出される酸素負イオンを遮蔽することが可能な遮蔽壁１３により囲まれる。遮蔽壁１３は、ターゲット１２に対向しない部位に開口部Ａが形成されており、開口部Ａに対向する部位に試料Ｓを固定する試料固定板を有し、試料固定板の上部に、上部遮蔽板が試料固定板と連続して形成されており、試料固定板の両側部に、側部遮蔽板が試料固定板と連続して形成されている。上部遮蔽板が試料固定板に対して連続して形成されている長さは、側部遮蔽板が試料固定板に対して連続して形成されている長さよりも大きい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置する試料台の上部に、前記試料に透明導電性酸化物膜を形成することが可能なターゲットが設置されているマグネトロンスパッタリング装置であって、
前記試料台に載置される試料は、前記ターゲットから放出される酸素負イオンを遮蔽することが可能な遮蔽壁により囲まれ、
前記遮蔽壁は、前記ターゲットに対向しない部位に開口部が形成されており、前記開口部に対向する部位に前記試料を固定する試料固定板を有し、前記試料固定板の上部に、上部遮蔽板が前記試料固定板と連続して形成されており、前記試料固定板の両側部に、側部遮蔽板が前記試料固定板と連続して形成されており、
前記上部遮蔽板が前記試料固定板に対して連続して形成されている長さは、前記側部遮蔽板が前記試料固定板に対して連続して形成されている長さよりも大きいマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項２】
直流マグネトロンスパッタリング装置又は高周波マグネトロンスパッタリング装置である請求項１に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項３】
前記透明導電性酸化物は、ＡｌをドープしたＺｎＯ（ＡＺＯ）、ＧａをドープしたＺｎＯ（ＧＺＯ）、ＮｂをドープしたＴｉＯ２（ＴＮＯ）及びＳｎをドープしたＩｎ２Ｏ３（ＩＴＯ）からなる群より選ばれる請求項１又は２に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング装置を用いて、前記試料に透明導電性酸化物薄膜を形成する透明導電性酸化物膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリング装置及び透明導電性酸化物膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電性酸化物は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、太陽電池用透明導電性酸化物膜、熱線反射ガラス等に用いられている。
【０００３】
透明導電性酸化物膜を形成する方法として、ゾルゲル法、スプレーパイロリシス法、無電解めっき、高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタリング法、直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション法（ＰＬＤ）、ＣＶＤ法等がある。
【０００４】
金属ターゲットを用いるスパッタリング法では、金属ターゲットは、導電性であるので、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により金属膜を形成することができる。金属ターゲットを用いてスパッタリングする場合は、スパッタガスとして、Ａｒを流すと、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、簡単に金属膜を形成することができる。このとき、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により金属膜を形成することも可能である。
【０００５】
金属ターゲットを用いて化合物膜を形成する際には、金属ターゲットを用いて金属膜を形成する場合と比較して、いくつかの問題がある。化合物としては、酸化物、窒化物が一般的である。
【０００６】
金属ターゲットを用いて化合物膜を形成する方法は、反応性スパッタリング法と呼ばれ、通常のＲＦスパッタリングと比較して、技術的に困難な問題があるが、成膜速度が速い、ターゲットが金属なので安価であるという利点がある。
【０００７】
反応性スパッタリング法は、酸素の供給量の調節が技術的に困難である。酸素の供給量が少ないと、ターゲットの表面が金属となり（メタルモード）、酸素の供給量が多いと、ターゲットの表面が酸化物で覆われる（酸化物モード）。このため、両者の中間の遷移領域でスパッタリングする必要があり、酸素の供給量を常に範囲の狭い遷移領域に保持しなければならず、操作が複雑である。
【０００８】
また、金属ターゲットを用いて多元元素からなる化合物膜を形成する場合には、複数のターゲットが必要である。
【０００９】
金属ターゲットを用いて反応性スパッタリング法によりＡＺＯ膜を形成した試みがある。この場合、Ｚｎターゲット、Ａｌターゲットが用いられている。２つのターゲットを同時に並行して制御しながら、ＺｎＯ中にＡｌを微量に添加するのは、技術的に困難である（例えば、非特許文献１参照）。
【００１０】
ここで、金属酸化物は、絶縁体であるので、従来、金属酸化物膜と組成が同一の金属酸化物ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリング法により金属酸化物膜を形成するのが通常であった。近年、金属酸化物ターゲットに酸素欠陥を人工的に導入するという工夫がなされるようになり、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により金属酸化物膜を形成することが可能となった（例えば、特許文献１〜３参照）。
【００１１】
金属酸化物ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法により金属酸化物膜を形成する際にも問題がある。
【００１２】
スパッタガスとしては、通常、Ａｒが用いられる。Ａｒは、プラズマ中で電離して、Ａｒ＋イオンとなり、ターゲットに衝突し、ターゲットを構成する原子を、スパッタ粒子として、プラズマ中に叩き出す。
【００１３】
スパッタ粒子は、１０ｅＶ程度のエネルギーを有する状態で、プラズマ中に叩き出される。例えば、スパッタガスの圧力が１Ｐａである場合、スパッタ粒子の平均自由行程は、約１０ｍｍ程度となる。金属酸化物膜が形成される基板とターゲットの間の距離が１００ｍｍであるとすると、スパッタ粒子は、基板に達するまでにスパッタガスと数回の衝突を繰り返す。
【００１４】
スパッタ粒子とスパッタガスの衝突は、弾性散乱であるが、スパッタ粒子は、スパッタガスと衝突を繰り返すうちに、エネルギーを失い、スパッタガスと同程度のエネルギーとなる。これにより、スパッタ粒子の運動も方向性を失う。この現象を熱化という。スパッタ粒子は、熱化すると、金属酸化物膜が形成される基板の裏側にまで到達するようになる。
【００１５】
一方、ターゲットが金属酸化物であるので、酸素負イオンも生成する。酸素負イオンは、イオンシースにより加速され、２００ｅＶ程度のエネルギーを有する状態で、ターゲットから飛び出す。このように高いエネルギーを有する酸素負イオンは、直進性が強い。
【００１６】
以上のように、スパッタリングしている間、スパッタ粒子と酸素負イオンがターゲットから放出されている。
【００１７】
例えば、試料台（陽極）上にガラス基板を載置し、スパッタガスとして、Ａｒを流すと、金属酸化物ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法により、基板上に透明導電性酸化物膜を形成することができる。それと同時に、酸素負イオンも透明導電性酸化物膜に入射する。
【００１８】
透明導電性酸化物膜に酸素負イオンが入射すると、結晶構造が破壊され、酸素欠陥が生成する。このとき、酸素欠陥が色中心となって、透明導電性酸化物膜が黄色に着色し、キャリアである電子が酸素欠陥に捕捉され、導電性が失われる。
【００１９】
このような問題を回避するために、軸外し（ｏｆｆ−ａｘｉｓ）という方法がある（例えば、非特許文献２、３参照）。この方法は、２つのターゲット（陰極）を正対するように配置し、ガラス基板（陽極）を２つの陰極を結ぶ線に対して直角となるように配置する。このような配置をとることで、透明導電性酸化物膜に酸素負イオンが入射することを低減させることができる。
【００２０】
あるいは、ガラス基板がターゲットに対して公転できるスパッタリング装置を用いると、ガラス基板をターゲットの直上から適当な角度に公転させて軸を外すことで、透明導電性酸化物膜に酸素負イオンが入射する確率を低減させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２０１２−７２４５９号公報
【特許文献２】特開平６−２５８３８号公報
【特許文献３】特開平７−２５８８３６号公報
【非特許文献】
【００２２】
【非特許文献１】Okuhara Y. et.al. Thin Solid Films, Vol.519, (2011) 2280.
【非特許文献２】O. Michikami and M. Asahi, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30, (1991) 939.
【非特許文献３】J. Jia, A. Yoshimura, Y. Kagoya, N. Oka, Y. Shigesato, Thin Solid Films, Vol.559, (2014) 69.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、上述の方法では、透明導電性酸化物膜に酸素負イオンが入射することを十分に低減させることはできない。
【００２４】
本発明の一態様は、試料に透明導電性酸化物膜を形成する際に、透明導電性酸化物膜への酸素負イオンの入射を低減させることが可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の一態様は、試料を載置する試料台の上部に、前記試料に透明導電性酸化物膜を形成することが可能なターゲットが設置されているマグネトロンスパッタリング装置であって、前記試料台に載置される試料は、前記ターゲットから放出される酸素負イオンを遮蔽することが可能な遮蔽壁により囲まれ、前記遮蔽壁は、前記ターゲットに対向しない部位に開口部が形成されており、前記開口部に対向する部位に前記試料を固定する試料固定板を有し、前記試料固定板の上部に、上部遮蔽板が前記試料固定板と連続して形成されており、前記試料固定板の両側部に、側部遮蔽板が前記試料固定板と連続して形成されており、前記上部遮蔽板が前記試料固定板に対して連続して形成されている長さは、前記側部遮蔽板が前記試料固定板に対して連続して形成されている長さよりも大きい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の一態様によれば、試料に透明導電性酸化物膜を形成する際に、透明導電性酸化物膜への酸素負イオンの入射を低減させることが可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態のマグネトロンスパッタリング装置の一例を示す図である。
【図２】図１の遮蔽壁の構造を示す図である。
【図３】実施例１、２、比較例１、２のＡＺＯ薄膜のＸ線回折スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
次に、本発明を実施するための形態を図面と共に説明する。
【００２９】
図１に、本実施形態のマグネトロンスパッタリング装置の一例を示す。
【００３０】
マグネトロンスパッタリング装置１０は、試料Ｓを載置する試料台１１（陽極）の上部に、試料Ｓの表面に透明導電性酸化物膜を形成することが可能なターゲット１２（陰極）が設置されている。ここで、試料台１１に載置される試料Ｓは、ターゲット１２から放出される酸素負イオンを遮蔽することが可能な遮蔽壁１３により囲まれる。また、遮蔽壁１３は、ターゲット１２に対向しない部位に開口部Ａが形成されている。このとき、試料Ｓは、遮蔽壁１３の開口部Ａに対向する部位に固定されている状態で試料台１１に載置されている。このため、試料Ｓの表面に透明導電性酸化物膜を形成する際に、ターゲット１２の表面から放出される酸素負イオンの透明導電性酸化物膜への入射を低減させることができる。その結果、透明導電性酸化物膜の比抵抗が小さくなると共に、キャリア濃度を大きくなる。また、ターゲット１２の表面から放出されるスパッタ粒子Ｐは、開口部Ａを経由して試料Ｓに到達することができる。
【００３１】
なお、試料Ｓは、ターゲット１２から放出される酸素負イオンに曝されないように、遮蔽壁１３により囲まれた状態で試料台１１に載置されていればよく、遮蔽壁１３に固定されていなくてもよい。
【００３２】
また、開口部Ａの個数は、単一でなくてもよく、複数個であってもよい。
【００３３】
試料Ｓとしては、透明導電性酸化物膜を形成することが可能であれば、特に限定されないが、ガラス基板等が挙げられる。
【００３４】
ガラス基板を構成する材料としては、例えば、ソーダ石灰ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、石英ガラス等が挙げられる。
【００３５】
試料台１１を構成する材料としては、陽極を形成することが可能であれば、特に限定されないが、ステンレス鋼等が挙げられる。
【００３６】
ターゲット１２を構成する材料は、陰極を形成すると共に、試料Ｓの表面に透明導電性酸化物膜を形成することが可能であれば、特に限定されないが、ＡｌをドープしたＺｎＯ（ＡＺＯ）、ＧａをドープしたＺｎＯ（ＧＺＯ）、ＮｂをドープしたＴｉＯ２（ＴＮＯ）、ＳｎをドープしたＩｎ２Ｏ３（ＩＴＯ）等が挙げられる。
【００３７】
遮蔽壁１３を構成する材料としては、ターゲット１２から放出される酸素負イオンを遮蔽することが可能であれば、特に限定されないが、金属、石英ガラス、パイレックスガラス等が挙げられる。
【００３８】
図２に、遮蔽壁１３の構造を示す。なお、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ上面図、正面図、側面図である。
【００３９】
試料Ｓは、遮蔽壁１３の開口部Ａに対向する部位である試料固定板１３ａに、例えば、両面テープにより固定される。ここで、試料固定板１３ａの上部に、上部遮蔽板１３ｂが試料固定板１３ａと連続して形成されている。また、試料固定板１３ａの両側部に、側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄが試料固定板１３ａと連続して形成されている。
【００４０】
このとき、上部遮蔽板１３ｂが試料固定板１３ａに対して連続して形成されている長さ（Ｌ１）は、側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄが試料固定板１３ａに対して連続して形成されている長さ（Ｌ２）よりも大きい。これにより、試料Ｓの表面に透明導電性酸化物膜を形成する際に、ターゲット１２の表面から放出される酸素負イオンの透明導電性酸化物膜への入射を低減させることができる。
【００４１】
試料台１１のターゲット１２に対向する部位に遮蔽壁１３が設置されていると、ターゲット１２の表面から放出される酸素負イオンの透明導電性酸化物膜への入射を阻止することができる。具体的には、上方から入射される酸素負イオンを上部遮蔽板１３ｂで遮蔽することができ、側方から入射される酸素負イオンを側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄで遮蔽することができる。
【００４２】
一方、ターゲット１２の表面から放出されたスパッタ粒子Ｐは、熱化されるため、遮蔽壁１３の開口部Ａを経由して試料Ｓの表面に到達し、透明導電性酸化物膜を形成することができる。
【００４３】
なお、遮蔽壁１３の構造は、ターゲットから放出される酸素負イオンを遮蔽することが可能であれば、特に限定されない。
【００４４】
マグネトロンスパッタリング装置としては、特に限定されないが、直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタリング装置、高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタリング装置等が挙げられる。
【００４５】
透明導電性酸化物としては、特に限定されないが、ＡｌをドープしたＺｎＯ（ＡＺＯ）、ＧａをドープしたＺｎＯ（ＧＺＯ）、ＮｂをドープしたＴｉＯ２（ＴＮＯ）、ＳｎをドープしたＩｎ２Ｏ３（ＩＴＯ）等が挙げられる。
【実施例】
【００４６】
［実施例１］
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置としての、マグネトロンスパッタリング装置１０（図１参照）を用いて、試料ＳにＡＺＯ薄膜を形成した。
【００４７】
試料Ｓとして、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍ、厚さ１ｍｍのソーダ石灰ガラス基板を用いた。
【００４８】
ターゲット１２として、直径４インチ（１０１．６ｍｍ）のＡＺＯターゲット（フルウチ化学社製）を用いた。ターゲット１２は、酸化亜鉛中にＡｌ２Ｏ３が２質量％含まれている。また、ターゲット１２には、ＤＣマグネトロンスパッタリングを実施することができるように、予め酸素欠陥が導入されている。
【００４９】
試料Ｓを遮蔽壁１３の試料固定板１３ａに固定した後、遮蔽壁１３を試料台１１上に設置した。ここで、上部遮蔽板１３ｂは、縦３０ｍｍ、横６０ｍｍであり、試料固定板１３ａ、側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄは、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍである（図２参照）。このとき、上部遮蔽板１３ｂが試料固定板１３ａに対して連続して形成されている長さ（Ｌ１）は、３０ｍｍであり、側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄが試料固定板１３ａに対して連続して形成されている長さ（Ｌ２）は、２０ｍｍである。また、試料台１１は、直径が９０ｍｍであり、試料台１１とターゲット１２の距離を６５ｍｍとした。
【００５０】
スパッタリング条件は、直流（ＤＣ）で、出力２００Ｗである。また、スパッタガスの流量は、アルゴン（Ａｒ）９ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ２）１ｓｃｃｍである。最高到達真空度は、１×１０−５Ｐａであり、スパッタガスの圧力は、０．７２Ｐａである。スパッタリング時間は２５分である。また、スパッタリングは、室温で実施し、試料Ｓを加熱していない。
【００５１】
スパッタリング終了時、試料Ｓに形成されたＡＺＯ薄膜は、無色透明であった。このことより、ＡＺＯ薄膜には酸素負イオンが入射されていないと考えられる。
【００５２】
ＡＺＯ薄膜の膜厚は、８８ｎｍであった。なお、ＡＺＯ薄膜の膜厚は、段差計ＥＴ２０００（小坂製作所社製）を用いて測定した。
【００５３】
次に、薄膜Ｘ線回折装置ＲＡＤ−２Ｘ（リガク社製）を用いて、ＡＺＯ薄膜のＣｕＫα線によるＸ線回折スペクトルを測定した。
【００５４】
図３に、ＡＺＯ薄膜のＸ線回折スペクトルを示す。なお、図３には、ＺｎＯの回折ピークの位置及び強度も併記する。
【００５５】
図３から、ＺｎＯの（００２）面の回折ピークと、（１０３）面の回折ピークが存在することがわかる。
【００５６】
次に、比抵抗／ホール測定システムＲｅｓｉ  Ｔｅｓｔ  ８３４０  ＨＴ（東陽テクニカ社製）を用いて、ＡＺＯ薄膜のホール効果を測定した。
【００５７】
その結果、ＡＺＯ薄膜のキャリア濃度は１．２５×１０２１ｃｍ−３であった。なお、１０２１を超えるキャリア濃度は、ほぼ最高レベルに達している（例えば、「透明導電膜の技術」１６８頁、オーム社２００７年参照）。また、ＡＺＯ薄膜の比抵抗は、１．１３×１０−３Ω・ｃｍであり、ＡＺＯ薄膜のホール移動度は、４．４３ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。
【００５８】
［比較例１］
側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄを省略した以外は、実施例１と同様にして、試料ＳにＡＺＯ薄膜を形成した。
【００５９】
スパッタリング終了時、試料Ｓに形成されたＡＺＯ薄膜は、黄色透明であった。このことより、ＡＺＯ薄膜には酸素負イオンが入射されていると考えられる。
【００６０】
ＡＺＯ薄膜の膜厚は１９９ｎｍであった。なお、ＡＺＯ薄膜の膜厚は、段差計ＥＴ２０００（小坂製作所社製）を用いて測定した。
【００６１】
次に、薄膜Ｘ線回折装置ＲＡＤ−２Ｘ（リガク社製）を用いて、ＡＺＯ薄膜のＣｕＫα線によるＸ線回折スペクトルを測定した。
【００６２】
図３に、ＡＺＯ薄膜のＸ線回折スペクトルを示す。
【００６３】
図３から、ＺｎＯの（００２）面の回折ピークと、（１０３）面の回折ピークが存在することがわかる。
【００６４】
次に、比抵抗／ホール測定システムＲｅｓｉ  Ｔｅｓｔ  ８３４０  ＨＴ（東陽テクニカ社製）を用いて、ＡＺＯ薄膜のホール効果を測定した。
【００６５】
その結果、ＡＺＯ薄膜のキャリア濃度は６．９２×１０１９ｃｍ−３であった。また、ＡＺＯ薄膜の比抵抗は１．１５×１０−２Ω・ｃｍであり、ＡＺＯ薄膜のホール移動度は７．８６ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。
【００６６】
［比較例２］
上部遮蔽板１３ｂのサイズを縦２０ｍｍ、横６０ｍｍに変更した、即ち、上部遮蔽板１３ｂが試料固定板１３ａに対して連続して形成されている長さ（Ｌ１）を２０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、試料ＳにＡＺＯ薄膜を形成した。
【００６７】
スパッタリング終了時、試料Ｓに形成されたＡＺＯ薄膜は、黄色透明であった。このことより、ＡＺＯ薄膜には酸素負イオンが入射されていると考えられる。
【００６８】
ＡＺＯ薄膜の膜厚は２００ｎｍであった。なお、ＡＺＯ薄膜の膜厚は、段差計ＥＴ２０００（小坂製作所社製）を用いて測定した。
【００６９】
次に、薄膜Ｘ線回折装置ＲＡＤ−２Ｘ（リガク社製）を用いて、ＡＺＯ薄膜のＣｕＫα線によるＸ線回折スペクトルを測定した。
【００７０】
図３に、ＡＺＯ薄膜のＸ線回折スペクトルを示す。
【００７１】
図３から、ＺｎＯの（００２）面の回折ピークと、（１０３）面の回折ピークが存在することがわかる。
【００７２】
次に、比抵抗／ホール測定システムＲｅｓｉ  Ｔｅｓｔ  ８３４０  ＨＴ（東陽テクニカ社製）を用いて、ＡＺＯ薄膜のホール効果を測定した。
【００７３】
その結果、ＡＺＯ薄膜のキャリア濃度は９．４１×１０１９ｃｍ−３であった。また、ＡＺＯ薄膜の比抵抗は、５．１０×１０−２Ω・ｃｍであり、ＡＺＯ薄膜のホール移動度は、１．３０ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。
【００７４】
表１に、ＡＺＯ薄膜の膜厚及びホール効果の測定結果を示す。
【００７５】
【表１】
2018083971.tif 000003
非特許文献３の表５．５の特性比較表の透明導電特性によれば、種々元素をドープしたＺｎＯ系の膜の比抵抗［Ω・ｃｍ］は、１０−４代が多いものの、１０−３代の膜も少なくない。また、種々元素をドープしたＺｎＯ系の膜のホール移動度［ｃｍ２／Ｖ・ｓ］は、２０から４０代が多いものの、一桁の例もある。さらに、種々元素をドープしたＺｎＯ系の膜のキャリア濃度［ｃｍ−３］は、１０２１代が多いものの、１０２０代も少なくない。
【００７６】
縦３０ｍｍ、横６０ｍｍの上部遮蔽板１３ｂを用いる実施例１と比較例１を対比すると、ＡＺＯ薄膜の膜厚は、比較例１の方が２倍以上大きく、ＡＺＯ薄膜の比抵抗は、比較例１の方が一桁大きく、ＡＺＯ薄膜のキャリア濃度は、比較例１の方が二桁少ない。ここで、ＡＺＯ薄膜のホール移動度の相違は、誤差範囲内であると考えられる。一方、ＡＺＯ薄膜の比抵抗、キャリア濃度は、桁で異なっているので、有意の差があると考えられる。具体的には、実施例１のＡＺＯ薄膜の比抵抗は、１０−３代であり、比較例１のＡＺＯ薄膜の１０−２代である。また、実施例１のＡＺＯ薄膜のキャリア濃度は、１０２１代であり、比較例１のＡＺＯ薄膜のキャリア濃度は、１０１９代である。
【００７７】
以上のように、実施例１と比較例１を比較すると、ＡＺＯ薄膜の比抵抗、キャリア濃度は、実施例１の方が優れている。この事実から、側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄは、酸素負イオンのＡＺＯ薄膜への入射を阻止するのに有効であると言える。
【００７８】
なお、遮蔽壁１３は、試料台１１上に設置されており、プラズマに包囲されている状態である。従って、側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄを取り去ると、両側からスパッタ粒子Ｐが回り込んでくる。このため、表１からも明らかなように、側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄを省略した比較例１では、上部遮蔽板１３ｂの面積が同一であっても、実施例１よりも、ＡＺＯ薄膜の膜厚は大きくなっている。
【００７９】
また、実施例１と比較例２を比較すると、ＡＺＯ薄膜の比抵抗、キャリア濃度は、実施例１の方が優れている。この事実から、上部遮蔽板１３ｂが試料固定板１３ａに対して連続して形成されている長さ（Ｌ１）が側部遮蔽板１３ｃ、１３ｄが試料固定板１３ａに対して連続して形成されている長さ（Ｌ２）よりも大きいことは、酸素負イオンのＡＺＯ薄膜への入射を阻止するのに有効であると言える。
【符号の説明】
【００８０】
１０    マグネトロンスパッタリング装置
１１    試料台
１２    ターゲット
１３    遮蔽壁
１３ａ    試料固定板
１３ｂ    上部遮蔽板
１３ｃ、１３ｄ    側部遮蔽板
Ａ    開口部
Ｐ    スパッタ粒子
Ｓ    試料
【図１】
2018083971.tif 000004
【図２】
2018083971.tif 000005
【図３】
2018083971.tif 000006