(57)【要約】【課題】液体吐出ヘッド用基板における発熱抵抗体の上面及び下面からの酸化を抑制する。【解決手段】液体吐出ヘッド用基板１０は、基体１０１と、基体１０１の上に配置された電極配線１０３と、電極配線１０３の上に配置された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４の上に配置された発熱抵抗体１０６と、発熱抵抗体１０６の上に配置された保護層１０７と、を有する。層間絶縁膜１０４は上面が平坦化されており、酸化抑制層１０９が発熱抵抗体１０６の下方に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、前記基体の上に配置された電極配線と、前記電極配線の上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に配置された発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の上に配置された保護層と、を有する液体吐出ヘッド用基板において、
前記層間絶縁膜は上面が平坦化されており、酸化抑制層が前記発熱抵抗体の下方に配置されている、液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２】
前記酸化抑制層は前記発熱抵抗体よりも抵抗値の高い材料であり、前記発熱抵抗体の下面に配置されている、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項３】
前記酸化抑制層は前記発熱抵抗体を形成する材料よりも体積抵抗率の高い材料で形成されており、前記発熱抵抗体の下面に配置されている、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項４】
前記酸化抑制層は珪素または窒化珪素で形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項５】
前記酸化抑制層の上に複数の前記発熱抵抗体が配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項６】
前記酸化抑制層は、前記発熱抵抗体から離間して配置されている、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項７】
前記電極配線が前記酸化抑制層を兼ねている、請求項６に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項８】
前記酸化抑制層はチタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、のうちの少なくともいずれか、または、これらの金属を少なくとも一つ含む窒化物で形成されている、請求項６に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板を備える液体吐出ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を吐出する液体吐出ヘッド用の基板に関し、特に熱エネルギーによって液体を吐出する液体吐出ヘッド用の基板及び液体吐出ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
熱エネルギーを用いたいわゆるサーマル式のインクジェットプリンタに用いるインクジェットヘッドは、高速化、高寿命化が求められており、それに伴いインクジェットヘッドに用いられる発熱抵抗体の経時的な抵抗値の変化量の抑制が求められている。インクジェットヘッドの動作の高速化には、インクジェットヘッドに用いられる発熱抵抗体の抵抗値を高く（高抵抗化）する必要があるが、発熱抵抗体が高抵抗になるほど抵抗値の変化量は大きくなる。また、インクジェットヘッドの長寿命化によっても、発熱抵抗体の抵抗値の変化量は大きくなる。発熱抵抗体の抵抗値の変化量が大きくなる原因の１つとして、発熱抵抗体が水分や酸素で酸化されることが挙げられる。
【０００３】
特許文献１に記載された発明では、発熱抵抗体の直下に分断した窒化シリコンの酸化防止層を形成することで、発熱抵抗体の裏面からの酸化を抑制できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９０２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、高抵抗な発熱抵抗体を長寿命で駆動させるためには、発熱抵抗体の抵抗値変化を一層抑えることが求められるため、発熱抵抗体の表面（上面）と裏面（下面）の両側からの酸化を抑制する必要がある。
【０００６】
特許文献１に記載された発明のように、分断した窒化シリコンを形成すれば、インク保護層に段差が生じるためインク等由来の水分や酸素が段差側壁部から侵入し、発熱抵抗体の上面からの酸化の影響が大きくなる。長期間にわたって正常なインク吐出を行うためには、このような酸化を抑制し、発熱抵抗体の抵抗値変化を抑えることが求められる。
【０００７】
上記の課題に鑑み、本発明の目的は、発熱抵抗体の上面及び下面からの酸化を抑制し、長期に亘って安定した液体吐出が可能な液体吐出ヘッド用基板及び液体吐出ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述のような課題を解決するための本発明の液体吐出ヘッド用基板は、
基体と、前記基体の上に配置された電極配線と、前記電極配線の上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に配置された発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の上に配置された保護層と、を有し、
前記層間絶縁膜は上面が平坦化されており、酸化抑制層が前記発熱抵抗体の下方に配置されている。
【０００９】
酸化抑制層が前記発熱抵抗体よりも抵抗値（体積抵抗率）の高い材料の場合、前記発熱抵抗体の下面に配置されていてもよい。前記酸化抑制層が前記発熱抵抗体よりも抵抗値の低い材料の場合、前記発熱抵抗体の下面に配置されていてもよい。また、前記酸化抑制層は、前記発熱抵抗体から離間して配置されていてもよい。
【００１０】
前記発熱抵抗体から離間して配置されている前記電極配線が前記酸化抑制層を兼ねていてもよい。
【００１１】
本発明の液体吐出ヘッドは、上記のいずれかの液体吐出ヘッド用基板を備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、発熱抵抗体の上面及び下面からの酸化を抑制することができ、長期に亘って安定した液体吐出が可能な液体吐出ヘッド用基板及び液体吐出ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は本発明の実施例１に係るインクジェットヘッド用基板の一例を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’での断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｊ）は本発明の実施例１に係るインクジェットヘッド用基板の製造フローの一例である。
【図３】（ａ）は本発明の実施例２に係るインクジェットヘッド用基板の一例を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’での断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２に係るインクジェットヘッド用基板の製造フローの一例である。
【図５】（ａ）は本発明の実施例３に係るインクジェットヘッド用基板の一例を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を説明する。ただし、本発明の実施の形態及び実施例に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の範囲をそれらに限定する趣旨のものではない。
【００１５】
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１に係るインクジェットヘッド用基板１０（液体吐出ヘッド用基板）の平面図であり、図１（ｂ）は、平面図のＡ−Ａ’で切り取った時の断面図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）に示す発熱抵抗体１０６から下の層だけを含む平面図である。
【００１６】
なお、以下の断面図において、基体１０１がある方向を下方向とする。即ち、断面図における下方向をインクジェットヘッド用基板１０における下（方）と、反対方向を上（方）という。下（方）又は上（方）とは、直接又は間に他の部材を挟んで下又は上であることを意味する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド用基板１０は、基体１０１と、第一の層間絶縁膜１０２と、電極配線１０３と、第二の層間絶縁膜（層間絶縁膜）１０４と、プラグ膜１０５と、発熱抵抗体１０６と、インク保護層（保護層）１０７と、を備える。さらに、インクジェットヘッド用基板１０は、インク保護層１０７の上に耐キャビテーション膜１０８を備えていてもよい。なお、インクジェットヘッド用基板１０は上記の要素を含む構成が複数配置されており、図１ではその構成が２つのみ示されているが、いずれの構成も共通であるので１つの構成について説明する。
【００１８】
Ｓｉによって形成された基体１０１上には、発熱抵抗体１０６を選択的に駆動するためのスイッチングトランジスタ等の半導体素子からなる駆動素子が作りこまれている。しかし、本発明では駆動素子は直接関係しないため、ここでは簡略化のために、駆動素子は図示しておらず、基体１０１のみを図示している。
【００１９】
基体１０１の上に、例えば珪素酸化物（ＳｉＯ）を主成分とする上面を平坦化した酸化物層からなる第一の層間絶縁膜１０２が配置されている。第一の層間絶縁膜１０２の上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる電極配線１０３がパターニングによって配置されている。電極配線１０３の厚さは例えば１０００ｎｍである。
【００２０】
電極配線１０３の上に、例えばＳｉＯを主成分とする上面を平坦化した第二の層間絶縁膜１０４が配置されている。第二の層間絶縁膜１０４は、電極配線１０３の全体を埋設するように形成されている。第二の層間絶縁膜１０４の厚みは、電極配線１０３から上の部分で例えば１５００ｎｍである。
【００２１】
第二の層間絶縁膜１０４の上に、酸化抑制層１０９が配置されている。酸化抑制層１０９の上に、発熱抵抗体１０６がパターニングされている。発熱抵抗体１０６は、例えば２０ｎｍの厚みを有するタンタル窒化珪素物（ＴａＳｉＮ）を主成分とする。また、発熱抵抗体１０６と電極配線１０３を電気的に接続するプラグ膜１０５が、図１（ａ）に示すように、１つの発熱抵抗体１０６につき例えば６箇所配置されている。
【００２２】
発熱抵抗体１０６の上に、例えば２００ｎｍの厚みを有する窒化珪素物（ＳｉＮ）を主成分とするインク保護層１０７が配置されている。インク保護層１０７の上に、例えば２００ｎｍの厚みを有するタンタル（Ｔａ）からなる耐キャビテーション層１０８が配置されている。
【００２３】
（酸化抑制層の材料）
酸化抑制層１０９とは、発熱抵抗体１０６の下方からの酸素あるいは水分の透過を抑制する層であり、層間絶縁層として通常使用されるＳｉＯよりも酸素あるいは水分の透過度の低い材料であればよい。酸化抑制層１０９は、例えば珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属膜、または、これらの金属を少なくとも一つ含む窒化物（ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＴａＮ、ＷＮなど）から構成される。
【００２４】
なお、発熱抵抗体よりも抵抗値の大きな絶縁材料（珪素や窒化珪素など）で形成された酸化抑制層は、発熱抵抗体と接していてもよい。すなわち、発熱抵抗体を形成する材料よりも体積抵抗率の高い材料で形成された酸化抑制層は、発熱抵抗体と接していてもよい。一方、発熱抵抗体よりも抵抗値の小さな導電材料で形成された酸化抑制層は、実施の形態２で説明するように、発熱抵抗体と離間して配置されることが好ましい。
【００２５】
上記の構成によれば、第二の層間絶縁膜１０４は上面が平坦化されているため、その上に形成された酸化抑制層１０９も上面が平坦に形成される。その結果、酸化抑制層１０９の上に発熱抵抗体１０６を挟んで配置されたインク保護層１０７も平坦性の高い層として形成される。インク保護層１０７は段差が軽減されて形成されるため、膜厚が薄く、膜質が悪くなる段差側壁部分を無くす、あるいは少なくすることができる。したがって、発熱抵抗体１０６の上面に配置されたインク保護層１０７により、発熱抵抗体１０６の上面方向から酸素や水分が侵入することを抑制できる。
【００２６】
さらに、発熱抵抗体１０６の下面（つまり、第二の層間絶縁膜１０４の上面と発熱抵抗体１０６の間）には、酸化抑制層１０９が配置されている。そのため、発熱抵抗体１０６の下面方向から酸素や水分が侵入することを抑制できる。こうして、発熱抵抗体１０６の上面及び下面からの酸化が抑制される。その結果、発熱抵抗体１０６の抵抗値の経時的変化を抑制することができる。
【００２７】
（実施の形態２）
実施の形態２に係るインクジェットヘッド用基板２０について、図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。なお、図３（ａ）は、図３（ｂ）の発熱抵抗体１０６から下の層を示す平面図である。インクジェットヘッド用基板２０は、酸化抑制層１０９が発熱抵抗体１０６から離間して層間絶縁膜の内部に配置されている。
【００２８】
図３（ｂ）に示すように、Ｓｉからなる基体１０１の上に、実施の形態１と同様、第一の層間絶縁膜１０２が配置され、さらにその上に電極配線１０３が配置されている。
【００２９】
電極配線１０３の上に、例えばＳｉＯを主成分とする上面を平坦化した第二の層間絶縁膜１０４が配置されている。第二の層間絶縁膜１０４は、電極配線１０３の全体を埋設するように形成されている。第二の層間絶縁膜１０４の厚みは、電極配線１０３から上の部分で例えば１２５０ｎｍである。
【００３０】
第二の層間絶縁膜１０４の上に、例えば厚さが２００ｎｍである、発熱抵抗体１０６よりも導電性の高い導電材料である窒化チタン（ＴｉＮ）で形成された酸化抑制層１０９が、プラグ膜１０５を形成する領域を開口してパターニングされている。プラグ膜１０５を形成する領域を開口する理由は、以下の通りである。すなわち、酸化抑制層１０９の材料であるＴｉＮは導電性であるため、プラグ膜１０５と接していると、電気が酸化抑制層１０９に流れやすいため、発熱抵抗体１０６による所望の発熱量を確保できない恐れがあるからである。酸化抑制層１０９の材質は、実施の形態１で説明した材料と同じものを用いることができる。
【００３１】
酸化抑制層１０９の上に、例えばＳｉＯを主成分とする上面を平坦化した第三の層間絶縁膜（層間絶縁膜）１１０が配置されている。第三の層間絶縁膜１１０の厚さは例えば２５０ｎｍである。第三の層間絶縁膜１１０は、ＳＯＧ（スピンオングラス）等の塗布膜ではなく、ＣＶＤ等で成膜した水分が含まれにくい膜であることが好ましい。
【００３２】
第三の層間絶縁膜１１０の上に、例えばＴａＳｉＮを主成分とする発熱抵抗体１０６が例えば２０ｎｍの厚みでパターニングされている。なお、発熱抵抗体１０６と電極配線１０３を接続するプラグ膜１０５が、図３（ａ）に示すように、１つの発熱抵抗体１０６につき６箇所配置されている。酸化抑制層１０９は、プラグ膜１０５と接しないようにパターニングされている。
【００３３】
発熱抵抗体１０６の上に、例えばＳｉＮを主成分とするインク保護層１０７が、例えば２００ｎｍの厚みで配置されている。インク保護層１０７の上に、例えばＴａからなる耐キャビテーション層１０８が例えば２００ｎｍの厚みで配置されている。
【００３４】
上記実施の形態２のような構成でも、実施の形態１と同様の効果が得られる。さらに、実施の形態２の構成によれば、発熱抵抗体１０６に酸化抑制層１０９が接して配置されることによって発熱抵抗体１０６の抵抗値に影響を与える可能性を排除することができる。つまり、酸化抑制層１０９に用いられる前述した材料のうち発熱抵抗体よりも抵抗値が低い（導電性が高い）材料では、電流が迂回して酸化抑制層１０９に流れ、発熱抵抗体で十分な発熱量が得られなくなる。しかし、実施の形態２のように発熱抵抗体１０６と酸化抑制層１０９とを離間して設けることにより、酸化抑制層１０９に電流が流れることを防止することができる。これにより、酸化抑制層の材料の選択肢が増加することとなる。
【００３５】
（実施の形態３）
実施の形態３に係るインクジェットヘッド用基板３０について、図５（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。なお、図５（ａ）は、図５（ｂ）の発熱抵抗体１０６から下の層を示す平面図である。実施の形態３は、電極配線と酸化抑制層を共通化した構成である。
【００３６】
図５（ｂ）に示すように、Ｓｉからなる基体１０１の上に、実施の形態１と同様、第一の層間絶縁膜１０２が配置されている。
【００３７】
第一の層間絶縁膜１０２の上に、例えばＡｌの金属膜からなるパターニングされた電極配線１０３が配置されている。この場合、発熱抵抗体１０６を形成する領域の下方の位置にある２つの電極配線１０３の開口幅（離間距離）Ｌは、できるだけ狭く、例えば１０００ｎｍにする。これは、第一の層間絶縁膜１０２が電極配線１０３によって覆われない領域、即ち第一の層間絶縁膜１０２が露出する領域を狭くするためである。電極配線１０３の厚さは例えば１０００ｎｍである。このように電極配線１０３を形成することで、酸化抑制層の機能を兼ねることができる。
【００３８】
電極配線１０３の上に、例えばＳｉＯを主成分とする上面を平坦化した第二の層間絶縁膜１０４が配置されている。第二の層間絶縁膜１０４は、電極配線１０３の全体を埋設するように形成されている。第二の層間絶縁膜１０４の厚みは、電極配線１０３から上の部分で例えば１５００ｎｍである。第二の層間絶縁膜１０４についても、ＣＶＤ等で成膜した水分が含まれにくい膜であることが好ましい。
【００３９】
第二の層間絶縁膜１０４の上に、例えばＴａＳｉＮを主成分とする発熱抵抗体１０６が例えば２０ｎｍの厚みでパターニングされている。なお、発熱抵抗体１０６と電極配線１０３を接続するプラグ膜１０５が、図５（ａ）に示すように、１つの発熱抵抗体１０６につき６箇所配置されている。電極配線１０３は、発熱抵抗体１０６の下方の電極配線１０３の開口幅が１０００ｎｍになるように配置されており、第一の層間絶縁膜１０２を覆う領域を広くしている。なお、電極配線１０３が酸化抑制層の機能を兼ねるためには、インクジェットヘッド用基板３０を平面視した場合に、発熱抵抗体１０６とこれに接続される電極配線１０３とが重なる面積を、発熱抵抗体１０６の面積の半分以上とすることが好ましい。
【００４０】
発熱抵抗体１０６の上に、例えばＳｉＮを主成分とするインク保護層１０７が、例えば２００ｎｍの厚みで配置されている。インク保護層１０７の上に、例えばＴａからなる耐キャビテーション層１０８が例えば２００ｎｍの厚みで配置されている。
【００４１】
上記実施の形態３のような構成でも、実施の形態１と同様の効果が得られる。さらに、実施の形態３の構成によれば、金属膜で形成された電極配線１０３が酸化抑制層１１１を兼ねているため、構造がより簡単になる。
【００４２】
以上の実施の形態１〜３で説明した構成のインクジェットヘッド用基板にオリフィスプレートと、インク供給口を形成してインクジェット記録ヘッド（液体吐出ヘッド）を製造することができる。オリフィスプレートは、従来公知の構成であり、インクジェットヘッド用基板の耐キャビテーション膜上に発泡室を兼ねるインク流路と、該インク流路に連通するインク吐出口を有する。また、インク供給口はインクジェットヘッド用基板を貫通しインク流路に連通する構造とすることができる。発泡室に供給されたインクの一部は発熱抵抗体から熱エネルギーを付与されて発泡し、発泡時の圧力によりインク吐出口付近のインクがインク滴として吐出される。本発明では発熱抵抗体の上面及び下面からの酸化を同時に抑制することができるため、長期に亘って安定した液体吐出が可能な液体吐出ヘッドが提供される。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例では本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではなく、本発明の範囲内で変更することができる。
【００４４】
（実施例１）
図２（ａ）に示すようにＳｉからなる基体１０１上に図示しないスイッチングトランジスタを形成し、その上に第一の層間絶縁膜１０２をＳｉＯで形成した。次いで第一の層間絶縁膜１０２の上面をＣＭＰ法により平坦化した。その上にスパッタリング法によりＡｌを１０００ｎｍの厚さで成膜し、フォトリソグラフィとエッチングを利用したパターニングにより電極配線１０３を形成した。
【００４５】
図２（ｂ）に示すようにＣＶＤ法によりＳｉＯを３０００ｎｍの厚みに成膜して、図２（ｃ）に示すようにＣＭＰ法を用いてＳｉＯ表面を平坦化することで、電極配線１０３からの厚さが１５００ｎｍの第二の層間絶縁膜１０４を形成した。次に、図２（ｄ）に示すようにＣＶＤ法によりＳｉＮを２００ｎｍ成膜し酸化抑制層１０９を形成した。
【００４６】
次に、図２（ｅ）に示すようにフォトリソグラフィとエッチングを利用したパターニングにより第二の層間絶縁膜１０４と酸化抑制層１０９に電極配線１０３に到達するスルーホール１２１を形成した。
【００４７】
次に、図２（ｆ）に示すようにＣＶＤ法によりスルーホール１２１をＷで埋めるようにしてプラグ膜１０５を成膜した。
【００４８】
次に、図２（ｇ）に示すようにＣＭＰ法により酸化抑制層１０９の上面が露出するまで、酸化抑制層１０９上のプラグ膜１０５を除去した。
【００４９】
次に、図２（ｈ）に示すようにスパッタリング法により発熱抵抗体１０６となるＴａＳｉＮ層を２０ｎｍ成膜した。
【００５０】
次に、図２（ｉ）に示すようにフォトリソグラフィとエッチングを利用して発熱抵抗体１０６をパターニングした。
【００５１】
次に、図２（ｊ）に示すように、発熱抵抗体１０６の上にインク保護層１０７としてＳｉＮをＣＶＤ法により２００ｎｍ成膜した。さらに、その上に耐キャビテーション層１０８としてＴａをスパッタリング法により２００ｎｍ成膜して、インクジェットヘッド用基板１０を製造した。
【００５２】
本実施例１の構成のインクジェットヘッド用基板１０にオリフィスプレートと、インク供給口を形成してインクジェット記録ヘッドを製造した。インクを吐出したところ発熱抵抗体１０６の抵抗値が安定した数値を示し長期間の安定した吐出を実現できた。
【００５３】
（実施例２）
実施例１と同様に電極配線１０３まで形成したのち、ＣＶＤ法によりＳｉＯを２５００ｎｍの厚みに成膜してＣＭＰ法により平坦化することで第二の層間絶縁膜１０４を形成した。第二の層間絶縁膜１０４の、電極配線１０３の上面からの厚さは１２５０ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、導電材料であるＴｉＮを２００ｎｍ成膜しパターニングをすることで図４（ａ）に示すように酸化抑制層１０９を形成した。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すようにＣＶＤ法によりＳｉＯを５００ｎｍの厚みに成膜し、絶縁膜１１０を形成した。次に、図４（ｃ）に示すようにＣＭＰ法により絶縁膜１１０の上面を平坦化して第三の層間絶縁膜１１０を形成した。
【００５５】
次に、図４（ｄ）に示すようにパターニングにより第二の層間絶縁膜１０４と第三の層間絶縁膜１１０に電極配線１０３に到達するスルーホール１２１を形成した。次に、図２（ｆ）で説明した手順と同様にして、ＣＶＤ法によりスルーホール１２１をＷで埋めてプラグ膜１０５を成膜した。
【００５６】
次に、図４（ｅ）に示すように、ＣＭＰ法により第三の層間絶縁膜１１０の表面が露出するまで、第三の層間絶縁膜１１０上のプラグ膜１０５を除去した。次に、スパッタリング法により発熱抵抗体１０６となるＴａＳｉＮを２０ｎｍ成膜しパターニングした。その上にインク保護層１０７としてＳｉＮをＣＶＤ法により２００ｎｍ成膜した。その上に耐キャビテーション層１０８としてＴａをスパッタリング法により２００ｎｍ成膜して図４（ｅ）のようなインクジェットヘッド用基板２０を製造した。
【００５７】
本実施例２の構成のインクジェットヘッド用基板２０にオリフィスプレートと、インク供給口を形成し、インクを吐出したところ発熱抵抗体１０６の抵抗値が安定した数値を示すことを確認し長期間の吐出を実現できた。さらに発熱抵抗体１０６の初期の抵抗値に影響しないことも確認できた。
【００５８】
（実施例３）
実施例３の製造方法は、図２（ｄ）の工程を除いて図２（ａ）〜（ｊ）と基本的に同じである。具体的には、実施例１と実施例２と同様に、Ｓｉからなる基体１０１上に図示しないスイッチングトランジスタを形成し、図２（ａ）に示すように、ＳｉＯを積層して第一の層間絶縁膜１０２を形成した。その上面をＣＭＰ法により平坦化したのち、スパッタリング法によりＡｌを１０００ｎｍの厚さで成膜し、パターニングにより電極配線１０３を形成した。
【００５９】
電極配線１０３を形成する際、表面に発熱抵抗体１０６を形成する領域の下方の位置にある２つの電極配線１０３の離間距離を１０００ｎｍにした。これは、第一の層間絶縁膜１０２が電極配線１０３によって覆われない領域、即ち第一の層間絶縁膜１０２が露出する領域を狭くするためである。
【００６０】
次に、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法によりＳｉＯ層を３０００ｎｍの厚みに成膜して、その上面をＣＭＰ法により平坦化することで第二の層間絶縁膜１０４を形成した。
【００６１】
次に、パターニングにより第二の層間絶縁膜１０４にスルーホール１２１を形成した（図２（ｅ）の酸化抑制層１０９が無い状態）。次に、ＣＶＤ法によりスルーホールを埋めるようにＷによるプラグ膜１０５を成膜した（図２（ｆ）の酸化抑制層１０９が無い状態）。
【００６２】
次に、ＣＭＰ法により第二の層間絶縁膜１０４の表面が露出するまで、第二の層間絶縁膜１０４上のプラグ膜１０５を除去した（図２（ｇ）の酸化抑制層１０９が無い状態）。次に、スパッタリング法により発熱抵抗体１０６となるＴａＳｉＮを２０ｎｍ成膜しパターニングした（図２（ｉ）の酸化抑制層１０９が無い状態）。その上にインク保護層１０７としてＳｉＮをＣＶＤ法により２００ｎｍ成膜した。その上に耐キャビテーション層１０８としてＴａをスパッタリング法により２００ｎｍ成膜した（図２（ｊ）の酸化抑制層１０９が無い状態）。
【００６３】
本実施例３の構成のインクジェットヘッド用基板にオリフィスプレートと、インク供給口を形成し、インクを吐出したところ発熱抵抗体１０６の抵抗値が安定した数値を示すことを確認し長期間の吐出を実現できた。かつ実施例１と実施例２と比べ簡単な構成で形成できた。
【符号の説明】
【００６４】
１０、２０、３０  インクジェットヘッド（液体吐出ヘッド）用基板
１０１  基体
１０２  第一の層間絶縁膜
１０３  電極配線
１０４  第二の層間絶縁膜（層間絶縁膜）
１０５  プラグ膜
１０６  発熱抵抗体
１０７  インク保護層（保護層）
１０８  耐キャビテーション膜
１０９  酸化抑制層
１１０  第三の層間絶縁膜（層間絶縁膜）
１１１  酸化抑制層（電極配線）
【図１】
2018192719.tif 000003
【図２】
2018192719.tif 000004
【図３】
2018192719.tif 000005
【図４】
2018192719.tif 000006
【図５】
2018192719.tif 000007