(57)【要約】【課題】外部の被写体を画像データとして取り込み可能で、かつ薄型化を実現する表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】シートディスプレイ１００は、マトリクス状に配置される複数の画素Ｐと、複数の画素Ｐと重畳しない領域にマトリクス状に配置されるフォトダイオードＰＤと、を含む表示領域Ｍと、フォトダイオードＰＤ上に設けられ、少なくとも金属配線層を含む積層構造と、を有し、積層構造のうち金属配線層を含む少なくとも２層において、フォトダイオードＰＤに外光が入射されるように設けられるホールが形成されており、少なくとも２層に形成されるホールは互いに重畳して設けられることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置される複数の画素と、前記複数の画素と重畳しない領域にマトリクス状に配置されるフォトダイオードと、を含む表示領域と、
前記フォトダイオード上に設けられ、少なくとも金属配線層を含む積層構造と、
を有し、
前記積層構造のうち前記金属配線層を含む少なくとも２層において、前記フォトダイオードに外光が入射されるように設けられるスリット又はホールが形成されており、前記少なくとも２層に形成される前記スリット又はホールは互いに重畳して設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記少なくとも２層は、互いに離間して設けられる層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記積層構造は、下部電極、前記下部電極上に設けられる発光層、及び前記発光層上に設けられる上部電極を有する発光素子層と、前記下部電極の下に設けられる反射金属層と、を含み、
前記反射金属層に前記スリット又はホールが形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記金属配線層は、前記フォトダイオードの第１電極又は第２電極を含み、
前記スリット又はホールは、前記第１電極又は前記第２電極に隣接して形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示領域の周辺に配置される複数の圧電素子と、
前記表示領域が湾曲した際に曲げ軸上にある前記圧電素子にかかる負荷に基づいて前記表示領域の曲り量を検出する曲り量検出回路と、
を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、可撓性を有するシート状の表示装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１６０６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、自己撮影等、外部の被写体を画像データとして取り込むためにレンズ等の撮像ユニットを搭載する表示装置が知られている。シート状の表示装置においても撮像機能を備える構成とする要請があるところ、薄型化されたシート状の表示装置に厚みが厚いレンズ等を搭載することは困難であった。
【０００５】
本発明は、外部の被写体を画像データとして取り込み可能で、かつ薄型化を実現する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、マトリクス状に配置される複数の画素と、前記複数の画素と重畳しない領域にマトリクス状に配置されるフォトダイオードと、を含む表示領域と、前記フォトダイオード上に設けられ、少なくとも金属配線層を含む積層構造と、を有し、前記積層構造のうち前記金属配線層を含む少なくとも２層において、前記フォトダイオードに外光が入射されるように設けられるスリット又はホールが形成されており、前記少なくとも２層に形成される前記スリット又はホールは互いに重畳して設けられることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係るシートディスプレイの全体構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係るシートディスプレイの断面図である。
【図３】画素とフォトダイオードの配置、及び配線の概要を示す図である。
【図４】１の画素を構成する回路、及び１のフォトダイオードを構成する回路の一例を示す回路図である。
【図５】駆動タイミングを示すタイミングチャートである。
【図６】本実施形態の信号処理回路の構成を示す概念図である。
【図７】本実施形態におけるフォトダイオード付近の構成の一例を示す模式図である。
【図８】本実施形態におけるフォトダイオード付近の構成の一例を示す模式図である。
【図９】外光を受光する表示面が凸となるように湾曲したシートディスプレイと、被写体を示す図である。
【図１０】再構成前後の被写体の画像データを示す図である。
【図１１】外光を受光する表示面が凹となるように湾曲したシートディスプレイと、被写体を示す図である。
【図１２】再構成前後の被写体の画像データを示す図である。
【図１３】本実施形態の変形例の信号処理回路の構成を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０００９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１１】
図１は、本実施形態に係るシートディスプレイの全体構成の概略を示す斜視図である。本実施形態においては、シートディスプレイ１００として有機エレクトロルミネッセンスシートディスプレイを例に挙げる。シートディスプレイ１００は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の画素Ｐを有し、フルカラーの画像を表示するようになっている。なお、以下の説明において、いずれの色の画素か区別して説明する必要がある場合は、画素を示す記号Ｐに、赤色の画素を示す記号Ｒ、緑色の画素を示す記号Ｇ、青色の画素を示す記号Ｂをそれぞれ添えて記載するが、区別して説明する必要がない場合は、単に画素Ｐとする。
【００１２】
シートディスプレイ１００は、第１基板１０と、第１基板１０に対向して配置される第２基板２０とを有する。第１基板１０は、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置された表示領域Ｍを有する。また、第１基板１０は、画素Ｐと重畳しない領域にマトリクス状に配置されるフォトダイオードＰＤを有する。図１においては、１の画素Ｐ、１のフォトダイオードＰＤのみを示すが、画素Ｐ及びフォトダイオードＰＤは、表示領域Ｍの略全域に配置されている。シートディスプレイ１００は、フォトダイオードＰＤで外光を受光し、受光した光を電気信号に変換することにより、外部の被写体を画像データとして取得し、それを表示領域Ｍに表示する。このように、本実施形態においては、フォトダイオードアレイを設けて画像データを取得する、所謂複眼データを用いた画像取得方法を採用する。
【００１３】
本実施形態においては、表示領域Ｍは可撓性を有し、湾曲可能となっている。また、第１基板１０は、表示領域Ｍの周辺に額縁領域Ｎを有する。さらに、第１基板１０は、端子領域Ｔを有し、端子領域Ｔには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載される。なお、図示しないが、端子領域Ｔには外部との電気的接続のためにフレキシブル基板を接続してもよい。
【００１４】
図２は、本実施形態に係るシートディスプレイの断面図である。まず、図２を参照して、シートディスプレイ１００のうち画素Ｐが配置される領域及びその周辺の領域の断面構造について説明する。
【００１５】
第１基板１０は、可撓性を有する樹脂又はガラスからなる。例えば、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等からなるフィルムを用いるとよい。第１基板１０上には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１４ａ、１４ｂ、１４ｃが形成される。アンダーコート層１４ａはシリコン酸化膜からなり、アンダーコート層１４ｂはシリコン窒化膜からなり、アンダーコート層１４ｃはシリコン酸化膜からなる。アンダーコート層１４ａは、第１基板１０とアンダーコート層１４ｂとの密着性向上のために設けられる。アンダーコート層１４ｂは、第１基板１０側から、後に形成される薄膜トランジスタの半導体層への不純物拡散を防止するために設けられる。アンダーコート層１４ｃは、アンダーコート層１４ｂと、薄膜トランジスタを含む層との密着性向上、ならびに、アンダーコート層１４ｂから、後に形成される薄膜トランジスタの半導体層への水素拡散を防止するために設けられる。なお、これら各アンダーコート層の材料は一例であり、また、第１基板１０がガラスからなる場合においては、アンダーコート層１４ａを省略しても良い。
【００１６】
アンダーコート層１４ｃ上には半導体層１６が形成されている。半導体層１６を覆ってゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２上にはゲート電極２４が形成され、ゲート電極２４を覆って層間絶縁膜２６ａ、２６ｂが形成されている。層間絶縁膜２６ａは、例えばシリコン窒化膜からなり、層間絶縁膜２６ｂは、例えばシリコン酸化膜からなる。
【００１７】
金属配線層１８ａ、１８ｂは、ゲート絶縁膜２２及び層間絶縁膜２６ａ、２６ｂを貫通するコンタクトホールを介して半導体層１６に電気的に接続している。半導体層１６、金属配線層１８ａ、１８ｂ及びゲート電極２４によって駆動用薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）が構成される。金属配線層１８ａ、１８ｂは、薄膜トランジスタＴＦＴのソースドレイン電極であり、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等により構成される。薄膜トランジスタＴＦＴ上には、平坦化層３２が設けられている。平坦化層３２は、少なくとも画素電極３４が設けられる面が平坦になるように形成される。平坦化層３２の材料としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料を用いるとよい。平坦化層３２上には、複数の画素Ｐそれぞれに対応するように構成された複数の画素電極３４（例えば陽極）が設けられている。画素電極３４は、平坦化層３２を貫通するコンタクトホール３６を介して、半導体層１６上の金属配線層１８ａに電気的に接続している。画素電極３４上には、画素Ｐを区画する絶縁層（バンク）３８が形成される。
【００１８】
画素電極３４上に発光層４０が設けられている。発光層４０は、画素電極３４毎に別々に設けられ、一部がバンク３８に載るようになっている。発光層４０は、画素電極３４と接して設けられる領域で発光する。図２に示すように、発光層４０と画素電極３４とが接する領域が画素Ｐに対応する。
【００１９】
発光層４０は、各画素Ｐに対応して青、赤、緑で発光する。発光層４０は、各色に発光するものをそれぞれ塗り分けて、例えば、蒸着により形成するとよい。ただし、これに限られるものではなく、発光層４０は溶媒分散による塗布により形成してもよい。また、各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄、白等でもよい。また、発光層４０は、表示領域Ｍ（図１参照）を覆う全面に、複数の画素Ｐに跨って形成してもよい。つまり、発光層４０を絶縁層３８上で連続するように形成してもよい。発光層４０を複数の画素Ｐを跨るように形成する場合は、全画素Ｐにおいて白色で発光し、図示しないカラーフィルタを通して所望の色波長部分を取り出す構成にするとよい。カラーフィルタは、第２基板２０に設けるとよい。なお、カラーフィルタは、画素ＰとフォトダイオードＰＤを跨って配置してもよい。すなわち、フォトダイオードＰＤ上にもカラーフィルタを配置する構成としてもよい。
【００２０】
発光層４０上には、対向電極４２（共通電極又は陰極）が設けられている。発光層４０と、発光層４０を挟む画素電極３４と対向電極４２により、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子４４（発光素子層）が構成される。複数の画素ＰのそれぞれがＯＬＥＤ素子４４を有する。発光層４０は、画素電極３４及び対向電極４２に挟まれ、両電極間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層４０と画素電極３４との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層４０と対向電極４２との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
【００２１】
ＯＬＥＤ素子４４は、対向電極４２上に設けられる封止膜４６によって覆われることで外部の水分から遮断される。封止膜４６は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などからなる少なくとも一層の無機絶縁層を含み、複数の絶縁層による積層構造であってもよい。また、封止膜４６上には、充填層３０を介して、第２基板２０が設けられる。
【００２２】
さらに、図２を参照して、フォトダイオードＰＤが配置される領域における断面構造について説明する。なお、上述の画素Ｐが配置される領域における断面構造と同様の構成については同じ符号を用いてその説明は省略する。
【００２３】
アンダーコート層１４ｃ上には、受光素子である半導体層３１を含むフォトダイオードＰＤが設けられる。半導体層３１はポリシリコン等からなる。半導体層３１上には、酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜２２、層間絶縁膜２６ａ、２６ｂが設けられる。また、金属配線層１８ａ、１８ｂの同層には、金属配線層５８ａ、５８ｂが設けられる。金属配線層５８ａ、５８ｂは、ゲート絶縁膜２２及び層間絶縁膜２６ａ、２６ｂを貫通するコンタクトホールを介して半導体層３１に電気的に接続している。金属配線層５８ａ、５８ｂは、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等により構成される。また、金属配線層５８ａと金属配線層５８ｂとは、同層に配置され、互いに離間して設けられる。金属配線層５８ａと金属配線層５８ｂに隣接して、上層側から下層側に向けて貫通するホールＨ２が形成されている。
【００２４】
金属配線層５８ａ、５８ｂ上には、平坦化膜３２が設けられる。平坦化膜３２上には、金属配線層（反射金属層）６２が設けられる。金属配線層６２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属からなり、発光層４０からの光を表示面側に反射する。金属配線層６２には、上層側から下層側に向けて貫通するホールＨ１が形成されている。ホールＨ１は、ホールＨ２と重畳するように設けられる。ホールＨ１及びホールＨ２を介して、外光の一部が入射光Ｌとして半導体層３１に入射される。シートディスプレイ１００は、半導体層３１に入射された入射光Ｌを電気信号に変換することにより、外部の被写体を画像データとして取得し、それを表示領域Ｍに表示する。
【００２５】
また、金属配線層６２上には、シリコン窒化膜４８が設けられる。そして、シリコン窒化膜４８上には、充填層３０を介して、第２基板２０が設けられる。
【００２６】
次に、図３〜図５を参照して、本実施形態の回路構成の概要について説明する。
【００２７】
図３は、画素とフォトダイオードの配置、及び配線の概要を示す図である。図３に示すように、表示領域Ｍには、マトリクス状に配置される複数の画素Ｐ（ＰＲ、ＰＧ、ＰＢ）と、画素Ｐと重畳しない領域にマトリクス状に配置されるフォトダイオードＰＤとが設けられる。また、表示領域Ｍの周辺には、信号検出回路７０、走査回路８０が設けられる。
【００２８】
画素Ｐは、信号検出回路７０から延びる信号線ＯＬＳ１と、走査回路８０から信号線ＯＬＳ１の延びる方向と交差する方向に延びる走査線ＯＬＳ２と接続している。フォトダイオードＰＤは、信号検出回路７０から延びる信号線ＰＤＳ１と、走査回路８０から信号線ＰＤＳ１の延びる方向と交差する方向に延びる走査線ＰＤＳ２と接続している。
【００２９】
図４は、１の画素を構成する回路、及び１のフォトダイオードを構成する回路の一例を示す回路図である。画素Ｐは、サンプリング用薄膜トランジスタＴＦＴ１と、駆動用薄膜トランジスタＴＦＴ２（図２で示したＴＦＴに対応）と、ＯＬＥＤ素子とを含む。
【００３０】
サンプリング用薄膜トランジスタＴＦＴ１は、走査線ＯＬＳ２と信号線ＯＬＳ１の交差部付近に配置されている。サンプリング用薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲートは走査線ＯＬＳ２に接続し、ソース又はドレインの一方は信号線ＯＬＳ１に接続し、他方は駆動用トランジスタＴＦＴ２のゲートに接続している。サンプリング用薄膜トランジスタＴＦＴ１は、信号線ＯＬＳ１から供給された信号電位をサンプリングして保持容量Ｃに保持する。
【００３１】
駆動用薄膜トランジスタＴＦＴ２は、ソース又はドレインの一方がＯＬＥＤ素子に接続し、他方が走査線ＯＬＳ２と同じ方向に延びる電源線ＯＬＳ３に接続している。駆動用薄膜トランジスタＴＦＴ２は、電源線ＯＬＳ３から電流の供給を受けて、保持容量Ｃに保持された信号電位に応じて駆動電流をＯＬＥＤ素子に流す。
【００３２】
フォトダイオードＰＤは、薄膜トランジスタＴＦＴ３を含む。薄膜トランジスタＴＦＴ３のゲートは走査線ＰＤＳ２に接続し、ソース又はドレインの一方が信号線ＰＤＳ１に接続し、他方はフォトダイオード素子に接続している。なお、ＯＬＥＤ素子のカソードと、フォトダイオード素子のカソードは共通の電極となっている。そのため、画素Ｐ及びフォトダイオードＰＤを微細にすることが可能になる。また、信号線ＰＤＳ１は、負帰還型のセンスアンプＳＡに接続している。センスアンプＳＡは、リセット電圧印加回路８１、出力電圧ＡＤ（Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ）変換回路８２に接続している。出力電圧ＡＤ変換回路８２で変換された電圧は出力データ（画像データ）として出力される。
【００３３】
特に図示していないが、薄膜トランジスタＴＦＴ１〜３の他、ＯＬＥＤ素子を制御するための他のトランジスタや、フォトダイオードＰＤに蓄積された電荷を初期化するためのトランジスタ等を有していても良い。
【００３４】
図５は、駆動タイミングを示すタイミングチャートである。１フレーム期間の前半はＯＬＥＤ走査期間が割り当てられ、後半はＰＤ走査期間が割り当てられる。前半の期間内、後半の期間内で１行目からｎ行目（ｎは２以上の整数）までの走査が行われる。このように、ＯＬＥＤ走査期間と、ＰＤ走査期間とを重畳しない期間とすることにより、フォトダイオードＰＤにおける信号検出にノイズが載りにくくなり、検出感度を向上させることができる。
【００３５】
図６は、本実施形態の信号処理回路の構成を示す概念図である。シートディスプレイ１００は、画像表示回路１１０と、画像認識処理回路１２０と、表示信号出力回路１３０と、駆動信号出力回路１４０と、フォトダイオード信号データ処理回路１５０とを有する。画像表示回路１１０及び画像認識処理回路１２０は、表示画像及び表示タイミングを表示信号出力回路１３０及び駆動信号出力回路１４０へ入力する。表示信号出力回路１３０及び駆動信号出力回路１４０は、表示信号及び駆動信号を表示領域Ｍへ入力する。入力された表示信号及び駆動信号に基づいて、表示領域Ｍにおいて画像表示が行われる。また、表示領域Ｍにおいて外部から入射光を取り込む。入射光に応じた入射光信号がフォトダイオード信号データ処理回路１５０へ入力される。フォトダイオード信号データ処理回路１５０は、入射光信号を所定の輝度階調データに変換し、変換したデータを、画像表示回路１１０及び画像認識処理回路１２０へ出力する。画像表示回路１１０及び画像認識処理回路１２０は、入射光に基づく輝度階調データを用いて、被写体の画像データを再構成するデータ信号処理機能を有している。
【００３６】
図７を参照して、表示領域Ｍにおける外光の取り込みについて説明する。図７は、本実施形態におけるフォトダイオード付近の構成の一例を示す模式図である。上述したように、シートディスプレイ１００は、半導体層３１に入射された入射光Ｌに基づく出力に応じて、外部の被写体（例えば、ユーザの顔）を認識し、表示領域Ｍにおいて被写体の画像表示を行う。シートディスプレイ１００は、光学系を有するレンズ等を含む撮像ユニットを搭載しておらず、ピント合わせ等の機能を備えていない。そこで、本実施形態においては、レンズ等の撮像ユニットを搭載することなく、遠距離を含めた外部の映像を画像データとして取得するため、外光の入射角を制限する構造上の工夫を行った。その上で、後述するように、取得した画像データを再構成し、再構成した画像データを表示領域Ｍに表示する構成とした。
【００３７】
フォトダイオードＰＤを構成する半導体層３１は、外光の一部を入射光Ｌとして受光する。本実施形態においては、図７に示すように、入射光Ｌ１が、金属配線層６２のホールＨ１、及び金属配線層５８ａと金属配線層５８ｂに隣接して形成されるホールＨ２を介して半導体層３１に到達する。ここで、ホールＨ１、ホールＨ２は、穴形状、スリット形状、あるいはそれらの組合せであっても良い。例えば一方が穴形状、他方がスリット形状であっても良いし、互いに平行でないスリット形状であっても良い。肝要なのは、入射軸Ｌ１に垂直な方向への、半導体層３１への光の入射角の広がりを抑制するようにホールＨ１、ホールＨ２が構成されれば良い。
【００３８】
ホールＨ１、ホールＨ２、及び半導体層３１は互いに重畳して配置される。ホールＨ１及びホールＨ２は、表示面に対する法線方向への外光の入射角を制限する。すなわち、ホールＨ１及びホールＨ２は、表示面に対して法線方向に進む外光（入射光Ｌ１）のみを半導体層３１へと導き、法線方向に対して傾斜する方向に進む外光（入射光Ｌ２、Ｌ３）が半導体層３１へ入射されるのを妨げるように配置される。このように、本実施形態においては、表示領域Ｍの表示面に対して略９０度の角度で入射される外光のみが、半導体層３１に到達するよう構成した。
【００３９】
本実施形態においては、ホールＨ１とホールＨ２の開口幅を略同じにしたが、これに限られるものではなく、ホールＨ１とホールＨ２とが、少なくとも一部において重畳して配置されるものであればよい。ホールＨ１及びホールＨ２の開口幅は、１μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。ホールＨ１とホールＨ２は、０．５μｍ〜１μｍ程度離間して設けられるのが好ましい。
【００４０】
なお、半導体層３１へ入射される外光の入射角を制限するためのホールは、図２、図７に示すように、金属配線層６２に形成されるものに限られない。例えば、図８に示すように、バンク３８の下層であって画素Ｐと重畳しない領域に、撮像用の内蔵カラーフィルタＣＦを設け、その下層のいずれかの金属配線層にホールＨ１を形成してもよい。内蔵カラーフィルタＣＦを設けた場合、第２基板２０にカラーフィルタを設けるよりも、カラーフィルタと受光素子としての半導体層３１との距離を近くできるため、カラーフィルタを通過した外光を半導体層３１に精度良く到達させることができる。
【００４１】
なお、本実施形態においては、ホールが互いに重畳して２つ形成される構成について示したが、基板１０上の積層構造のいずれかの層に、互いに重畳して３つ以上形成されてもよい。ホールの数が多い方が、表示面に入射される外光の入射角をより制限しやすくなる。
【００４２】
図１〜図８を用いて、本実施形態におけるシートディスプレイの構成について説明してきたが、フォトダイオードアレイは、ＴＦＴやＯＬＥＤが形成される層とは別層に設けられる構成であっても良い。例えば、シートディスプレイが形成される第１基板１０とは別に、フォトダイオードアレイを設けた第３基板（図示せず）を用意し、第１基板１０の裏面に貼り付けることによって構成されても良い。この場合、外光の入射角を制限するためのホールは、第１基板１０側の金属配線層を用いても良いし、第３基板側に金属配線層を設けても良い。
【００４３】
図９〜図１２を参照して、本実施形態における外光の受光及び画像データの再構成について説明する。図９は、外光を受光する表示面が凸となるように湾曲したシートディスプレイと、被写体を示す図である。図１０は、再構成前後の被写体の画像データを示す図である。図１０（ａ）は再構成前の被写体の画像データを示し、図１０（ｂ）は再構成後の被写体の画像データを示す。
【００４４】
図１１は、外光を受光する表示面が凹となるように湾曲したシートディスプレイと、被写体を示す図である。図１２は、再構成前後の被写体の画像データを示す図である。図１２（ａ）は再構成前の被写体の画像データを示し、図１２（ｂ）は再構成後の被写体の画像データを示す。
【００４５】
シートディスプレイ１００は、表示領域Ｍの表示面が湾曲可能となっている。表示領域Ｍには、マトリクス状に複数のフォトダイオードＰＤが配置されている。シートディスプレイ１００は、表示領域ＭのフォトダイオードＰＤにおいて外光を受光し、外部の被写体Ｏを画像データとして取得する。図７を参照して説明したように、シートディスプレイ１００は、表示面に対して法線方向に進む外光のみがフォトダイオードＰＤで受光される構成になっている。これは、シートディスプレイ１００の表示領域Ｍの表示面が湾曲した状態でも同様である。すなわち、図９に示すように、シートディスプレイ１００の表示領域Ｍの表示面が凸となるように湾曲した状態においても、その表示面に対して法線方向に進む外光（入射光Ｌ１）のみがフォトダイオードＰＤに到達する。
【００４６】
ここで、表示面が湾曲した状態で、フォトダイオードＰＤが外光を受光した場合、被写体Ｏの画像データは、湾曲の方向や度合いに応じて、被写体Ｏが伸縮した状態で取得される。すなわち、被写体Ｏの形状が歪んだ状態の画像データが取得される。具体的には、表示面が凸の状態で取得された被写体Ｏの画像データは、図１０（ａ）に示すように、実際の被写体ＯよりもＸ方向に対するＹ方向の長さの比が小さくなる。また、表示面が凹の状態で取得された被写体Ｏの画像データは、図１２（ａ）に示すように、実際の被写体ＯよりもＸ方向に対するＹ方向の長さの比が大きくなる。
【００４７】
図６を参照して上述したように、画像表示回路１１０及び画像認識処理回路１２０は、入射光Ｌ１に基づいて取得された画像データを再構成するデータ信号処理機能を有している。具体的には、図１０（ａ）、図１２（ａ）で示した画像データを、図１０（ｂ）、図１２（ｂ）で示すように、Ｘ方向に対するＹ方向の長さの比が実際の被写体Ｏと同じになるように補正する。この補正は、取得された被写体Ｏの画像データを、予め格納されている被写体Ｏの形状のテンプレートと比較する等のアルゴリズムを用いることにより行うとよい。
【００４８】
画像の再構成を行うために、例えば、図１３に示すように、曲り量検出回路１６０をさらに設けてもよい。図１３は、本実施形態の変形例の信号処理回路の構成を示す概念図である。本変形例においては、表示領域Ｍの周辺に、曲り量の検出に用いる圧電素子Ｑを複数配置した。複数の圧電素子Ｑは、例えば、図１で示した額縁領域Ｎに並んで設けられる。
【００４９】
曲り量検出回路１６０は、表示領域Ｍが湾曲した際の曲げ軸上にある圧電素子Ｑにかかる負荷に基づいて表示領域Ｍの曲り量を検出する。また、曲り量検出回路１６０は、曲り量の検出に加えて、圧電素子Ｑに発生する電圧の正負に基づいて表示領域Ｍの曲り方向を検出する。すなわち、表示領域Ｍの表示面が凹となるように湾曲しているのか、凸となるように湾曲しているのかを検出する。
【００５０】
曲り量検出回路１６０は、表示領域Ｍの曲り量を曲り信号として、画像表示回路１１０及び画像認識処理回路１２０へ出力する。画像表示回路１１０及び画像認識処理回路１２０は、曲げ信号を用いて、画像データを再構成する。このように、変形例の構成においては、表示領域Ｍの曲り量に応じて画像データを再構成するため、再構成後の被写体Ｏの再現性の精度が向上する。また、曲り量検出回路１６０を有することにより、画像表示回路や画像認識処理回路のデータ処理を簡略化することが可能となる。
【００５１】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０  第１基板、１２  集積回路チップ、１４ａ〜１４ｂ  アンダーコート層、１６  半導体層、１８ａ，１８ｂ  金属配線層、２０  第２基板、２２  ゲート絶縁膜、２４  ゲート電極、２６ａ，２６ｂ  層間絶縁膜、３０  充填層、３１  半導体層、３２  平坦化層、３４  画素電極、３６  コンタクトホール、３８  絶縁層、４０  発光層、４２  対向電極、４４  ＯＬＥＤ素子、４６  封止膜、４８  シリコン窒化膜、５８ａ，５８ｂ  金属配線層、７０  信号検出回路、８０  走査回路、８１  リセット電圧印加回路、８２  出力電圧ＡＤ変換回路、１００  シートディスプレイ、１１０  画像表示回路、１２０  画像認識処理回路、１３０  表示信号出力回路、１４０  駆動信号出力回路、１５０  フォトダイオード信号データ処理回路、１６０  曲り量検出回路、Ｈ１  ホール、Ｈ２  ホール、Ｍ  表示領域、Ｎ  額縁領域、Ｔ  端子領域、Ｑ  圧電素子、Ｐ  画素、ＰＤ  フォトダイオード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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