(57)【要約】【課題】リペア処理によって基板上に残留したレーザ加工残留物をウェット洗浄することなく、各種のレーザ加工残留物を簡単に除去できるレーザ加工残留物の除去技術を提供すること。【解決手段】レーザ加工残留物３の除去処理を施す基板１の表面に対向して配置された状態で、レーザ加工残留物３を剥離可能な超音波振動を加えたエアＡを供給するエア吐出部１４と、エア吐出部１４の近傍に配置され、基板１から剥離されたレーザ加工残留物３をエアＡとともに吸引する吸引口１５と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ加工残留物の除去処理を施す基板の表面に対向して配置した状態で、前記基板から前記レーザ加工残留物を剥離可能な媒体を供給する剥離媒体供給部と、
前記剥離媒体供給部の近傍に配置され、前記剥離媒体供給部から供給された前記媒体により、前記基板から剥離された前記レーザ加工残留物を吸引する回収部と、
を備えるレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項２】
前記剥離媒体供給部は、
前記基板に対向させる装置本体先端部に配置されたエア吐出部を備え、
前記エア吐出部は、前記基板に向けて前記レーザ加工残留物を剥離可能なエアを吐出する、
請求項１に記載のレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項３】
前記エア吐出部から前記基板へ向けて超音波を印加してレーザ加工残留物を粉砕可能にする超音波発生部を備える
請求項２に記載のレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項４】
前記回収部は、前記装置本体先端部に吸引口が設けられ、
前記吸引口は、前記剥離媒体供給部を取り囲むように形成されている、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項５】
前記装置本体先端部を前記基板に対向させた状態で、前記エア吐出部は、前記吸引口を取り囲む外側壁の先端より前記基板から離れた位置で開口する、
請求項４に記載のレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項６】
前記剥離媒体供給部は、前記基板へ向けてプラズマを照射するプラズマ照射部を備える
請求項１に記載のレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項７】
前記回収部は、前記プラズマ照射部を取り囲むように形成された吸引口を備える
請求項６に記載のレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項８】
前記レーザ加工残留物が、ＺＡＰ加工とＣＶＤ加工のいずれかの工程で生じたかに応じて、前記剥離媒体供給部の出力を変更させる制御部を備える
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のレーザ加工残留物の除去装置。
【請求項９】
基板の表面のレーザ加工残留物に向けて、当該レーザ加工残留物を剥離可能な媒体を供給し、
前記基板から剥離した前記レーザ加工残留物を吸引して回収する、
レーザ加工残留物の除去方法。
【請求項１０】
前記媒体は、エア、超音波、エアおよび超音波、プラズマのいずれかである、
請求項９に記載のレーザ加工残留物の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工残留物の除去装置およびレーザ加工残留物の除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネルなどのディスプレイパネルは、配線パターンが形成された基板を備える。ディスプレイパネルの製造工程では、配線パターンの欠陥を修正するリペア処理が必要である。リペア処理としては、レーザ光により配線パターンの切断を行うＺＡＰＰＩＮＧ加工（以下、ＺＡＰ加工という）や、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜を行って配線接続を行う所謂ＣＶＤ加工がある。特許文献１には、ＺＡＰ加工やＣＶＤ加工を行うレーザ加工装置が記載されている。
【０００３】
ＺＡＰ加工は、レーザ光を照射して配線パターンを切断した際に、配線材料が周辺に飛び散って基板上に付着してレーザ加工残留物が生じるという問題がある。上記のＣＶＤ加工は、離れた配線同士を接続するように成膜した箇所の、配線幅方向の両側に、降り積もりと称される余分な堆積膜でなるレーザ加工残留物が形成される。このように基板上にレーザ加工残留物が形成された場合、後工程のプロセスでの不良や、ディスプレイパネルの表示ムラなどの不具合が発生して表示品質の低下を招く虞がある。このため、基板上のレーザ加工残留物を低減または除去することが求められている。これらのレーザ加工残留物を除去する方法としては、ウェット洗浄で除去する手法がある。ウェット洗浄では、洗浄液で基板を洗浄した後、例えば、リンス工程、乾燥工程などの多くの工程を伴う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９２８３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
レーザ加工残留物をウェット洗浄で除去する場合、工程数が多くなるため、生産効率を低下させるという問題がある。このウェット洗浄では、レーザ加工残留物の構成成分に応じて洗浄液を適宜選択する必要がある。加えて、ウェット洗浄では、洗浄液の溶液条件を変える調製や、洗浄液の温度管理が必要であった。そして、ウェット洗浄では、リペア処理によって生じたレーザ加工残留物が、ＺＡＰ加工で形成されたものであるか、またはＣＶＤ加工で形成された降り積もりであるかによって、洗浄効果ならびに洗浄結果が異なるという問題もある。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、リペア処理によって基板上に残留したレーザ加工残留物をウェット洗浄することなく、各種のレーザ加工残留物を簡単に除去できる、レーザ加工残留物の除去装置およびレーザ加工残留物の除去方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の態様は、レーザ加工残留物の除去装置であって、レーザ加工残留物の除去処理を施す基板の表面に対向して配置した状態で、基板からレーザ加工残留物を剥離可能な媒体を供給する剥離媒体供給部と、剥離媒体供給部の近傍に配置され、剥離媒体供給部から供給された媒体により、基板から剥離されたレーザ加工残留物を吸引する回収部と、を備える。
【０００８】
上記態様として、剥離媒体供給部は、基板に対向させる装置本体先端部に配置されたエア吐出部を備え、このエア吐出部は、基板に向けてレーザ加工残留物を剥離可能なエアを吐出する構成とすることが好ましい。
【０００９】
上記態様として、エア吐出部から基板へ向けて超音波を印加してレーザ加工残留物を粉砕可能にする超音波発生部を備える構成とすることが好ましい。
【００１０】
上記態様として、回収部は、装置本体先端部に吸引口が設けられ、この吸引口が、剥離媒体供給部を取り囲むように形成されている構成とすることが好ましい。
【００１１】
上記態様として、装置本体先端部を基板に対向させた状態で、エア吐出部が、吸引口を取り囲む外側壁の先端より基板から離れた位置で開口する構成とすることが好ましい。
【００１２】
上記態様として、剥離媒体供給部は、基板へ向けてプラズマを照射するプラズマ照射部を備える構成とすることが好ましい。
【００１３】
上記態様として、回収部は、プラズマ照射部を取り囲むように形成された吸引口を備える構成とすることが好ましい。
【００１４】
上記態様としては、レーザ加工残留物が、ＺＡＰ加工とＣＶＤ加工のいずれかの工程で生じたかに応じて、剥離媒体供給部の出力を変更させる制御部を備える構成とすることが好ましい。
【００１５】
本発明の他の態様としては、レーザ加工残留物の除去方法であって、基板の表面のレーザ加工残留物に向けて、レーザ加工残留物を剥離可能な媒体を供給し、基板から剥離したレーザ加工残留物を吸引して回収する。
【００１６】
上記態様のレーザ加工残留物の除去方法において、前記媒体は、エア、超音波、エアおよび超音波、プラズマのいずれかであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るレーザ加工残留物の除去装置および除去方法によれば、リペア処理によって基板上に残留したレーザ加工残留物をウェット洗浄することなく、各種のレーザ加工残留物を簡単に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の概略を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体を示す部分断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体の先端部を示す底面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置を用いて配線の一側方に形成されたレーザ加工残留物の除去を行っている状態の装置本体の先端部を示す部分断面説明図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置を用いて配線の他側方に形成されたレーザ加工残留物の除去を行っている状態の装置本体の先端部を示す部分断面説明図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置を用いてレーザ加工残留物の除去を施した基板の断面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去方法を含むフローチャートである。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置における装置本体の変形例を示す部分断面図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体を示す側面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体の変形例を示す底面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体の他の変形例を示す底面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体を示す側面説明図である。
【図１３−１】図１３−１は、ＺＡＰ加工を施す配線パターンを示す工程平面図である。
【図１３−２】図１３−２は、ＺＡＰ加工を施した配線パターンを示す工程平面図である。
【図１４−１】図１４−１は、ＣＶＤ加工を施す配線パターンを示す工程平面図である。
【図１４−２】図１４−２は、ＣＶＤ加工を施した配線パターンを工程平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の各実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置および除去方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の寸法や寸法の比率や形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。
【００２０】
ここで、各実施の形態の説明に先駆けて、除去処理の対象物を簡単に説明する。以下に説明する各実施の形態では、レーザ加工残留物の除去処理を施す対象物として、各種のＦＰＤ（Flat Panel Display）を構成する基板を適用できる。これら基板としては、例えば、液晶パネルのＴＦＴ基板や、有機ＥＬパネルの、電子・正孔注入電極などの各種配線パターンが形成された基板などを挙げることができる。
【００２１】
加えて、これらの基板は、配線パターンの欠陥を修正するリペア処理が施されている。リペア処理としては、レーザ光により配線パターンの切断を行うＺＡＰ加工や、レーザＣＶＤ法により成膜を行って配線同士の接続を行うＣＶＤ加工である。図１に示すように、以下の各実施の形態で処理を行う基板１には、配線パターン２をリペア処理で修正した箇所にレーザ加工残留物３が形成されている。以下の各実施の形態に係る除去装置および除去方法で、レーザ加工残留物３の除去処理が施された基板１は、次のＦＰＤ製造工程が施される。
【００２２】
ここで、本実施の形態の対象物に施されたＺＡＰ加工およびＣＶＤ加工について簡単に説明する。図１３−１および図１３−２は、配線パターン２のＺＡＰ加工を示す工程平面図である。ＺＡＰ加工では、図１３−１に示すような連続する配線パターン２の切断すべき箇所２Ａに対してレーザ光を照射する。そして、図１３−２に示すように、配線パターン２の切断を行う。このとき、図１３−２に示すように切断すべき箇所２Ａの配線幅方向の両側にレーザ加工残留物３が飛び散って残留する。
【００２３】
図１４−１および図１４−２は、配線パターン２のＣＶＤ加工を示す工程平面図である。ＣＶＤ加工では、図１４−１に示すように接続すべき箇所２Ｂに、レーザＣＶＤ法により成膜を行う。このとき、図１４−２に示すように、接続すべき箇所２Ｂに配線材料が接続される。このとき、配線幅方向の両側に、配線が延びる方向に沿ってレーザ加工残留物３が堆積して残留する。
【００２４】
［第１の実施の形態］
図１から図７は、第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置１００を示す。この実施の形態では、レーザ加工残留物３を基板１から剥離する媒体として、エアおよび超音波を用いた例である。
【００２５】
（レーザ加工残留物の除去装置の概略構成）
図１は、本実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置１００の概略構成を示している。この除去装置１００は、装置本体１０と、超音波出力調整部２０と、制御部３０と、記憶部４０と、を備えている。図１に示すように、装置本体１０は、レーザ加工残留物３の除去処理を施す対象物である基板１の表面に対向するように配置される。なお、装置本体１０は、Ｘ−Ｙ方向に自在に移動可能な図示しない移動機構に支持されており、基板１上のレーザ加工残留物３が存在する上方位置に移動可能である。
【００２６】
（装置本体の構成）
図２は、装置本体１０を側方から見た部分断面図である。装置本体１０の先端である装置本体先端部１０Ａは、筒状の内筒部１１と、この内筒部１１が内側空間に挿入された筒状の外筒部１２と、内筒部１１の内側の段差部１１Ｂに設けられた超音波発生部１３と、を備える。超音波発生部１３は、段差部１１Ｂに超音波振動子やその支持構造などを備える。超音波発生部１３で発生した超音波振動は、後述するエア吐出部１４から吐出されるエアを媒介としてレーザ加工残留物３へ伝搬させることができる。
【００２７】
図３は、装置本体１０を図１に示す状態に配置した場合に、装置本体先端部１０Ａの先端面１０Ｂを下方から見た底面図である。なお、本実施の形態では、内筒部１１と外筒部１２とが同軸的に配置されているが、このような配置に限定されるものではない。
【００２８】
図２に示すように、内筒部１１の先端部１１Ａの開口部は、エア吐出部１４を構成している。このエア吐出部１４と上記超音波発生部１３とは、剥離媒体供給部を構成する。図４に示すように、このエア吐出部１４は、レーザ加工残留物３へ超音波エア（超音ブロー）Ａを供給する。内筒部１１の上部には、内筒部１１の内部空間へエアＡを送出できるように図示しないエア送出部（エアポンプ）が接続されている。
【００２９】
図２および図３に示すように、内筒部１１の先端部１１Ａと外筒部１２の先端部１２Ａとの間の環状の開口部は、基板１から剥離されたレーザ加工残留物３をエアＡとともに吸引する、回収部としての吸引口１５である。装置本体１０の上部には、吸引口１５に連通する内筒部１１と外筒部１２との間の空間からエアＡを回収できるように、図示しないエア吸引部（吸引ポンプ）が接続されている。なお、吸引口１５に連通する下流側のエア流路内には、レーザ加工残留物３を捕捉するフィルタが配置されていることが好ましい。
【００３０】
図２に示すように、装置先端部１０Ａの先端面１０Ｂにおいて、内筒部１１の先端部１１Ａは、外筒部１２の先端部１２Ａよりも軸方向に引っ込んだ位置に設定されている。すなわち、先端面１０Ｂは、中央部が凹むように湾曲している。このため、図１に示すように、先端面１０Ｂを基板１に対向させたときに、外筒部１２の先端部１２Ａは、内筒部１１の先端部１１Ａよりも基板５に近い位置に配置される。したがって、図１および図５に示すように、先端面１０Ｂを基板１に対向させた状態で、超音波振動およびエアＡを基板１へ向けて供給したときに、剥離したレーザ加工残留物３を側方へ逃がさずに、吸引口１５内に案内し易い構造である。
【００３１】
（超音波出力調整部、制御部および記憶部）
図１に示した超音波出力調整部２０は、装置本体１０内の超音波発生部１３に接続されている。超音波出力調整部２０には、制御部３０が接続されている。この超音波出力調整部２０は、制御部３０からの出力調整信号に基づいて、超音波発生部１３の超音波発生出力を調整する。制御部３０には、記憶部４０が接続されている。記憶部４０は、制御部３０へリペア処理情報を供給する。本実施の形態では、リペア処理情報として、前に行われたリペア処理工程において、配線パターン２に対して行われたリペア処理の種類、すなわち、ＺＡＰ加工とＣＶＤ加工のいずれが施されたかが記憶部４０に記憶される。そして、記憶部４０は、除去処理の際に、ＺＡＰ加工の情報またはＣＶＤ加工の情報を、制御部３０へ出力する。
【００３２】
なお、本実施の形態では、制御部３０では、記憶部４０からリペア処理がＺＡＰ加工であるとの情報を得たときは、超音波出力調整部２０へ超音波出力を低出力にするための制御信号を出力する。一方、制御部３０が記憶部４０からリペア処理がＣＶＤ加工であるとの情報を得たときは、超音波出力調整部２０へ超音波出力を高出力にするための制御信号を出力する。
【００３３】
（除去装置の動作および作用）
以上、本実施の形態に係る除去装置１００の構成について説明したが、以下に、図１、図４〜図６を用いて除去装置１００の動作および作用について説明する。
【００３４】
先ず、図１および図４に示すように、表面にリペア処理に起因するレーザ加工残留物３が存在する基板１を図示しない基板支持台の上にセットする。なお、図示しない基板支持台は、リペア処理の際に基板１をセットした基板支持台であってもよい。すなわち、本実施の形態に除去装置１００は、リペア処理装置に付随する構成としてもよい。
【００３５】
次に、図１および図４に示すように、装置本体１０の先端面１０Ｂがレーザ加工残留物３の上方に位置するように、装置本体１０を走査させる。このとき、先端面１０Ｂがレーザ加工残留物３や基板１の表面に接触しないような所定の高さ位置に設定されている。
【００３６】
装置本体１０のエア吐出部１４がレーザ加工残留物３の真上に位置することを確認した後、図示しないエア送出部（エアポンプ）を駆動してエア吐出部１４からエアＡを吐出させるとともに、超音波発生部１３の出力をオンにする。同時に、吸引口１５に連通する内筒部１１と外筒部１２との間の空間からエアＡを回収できるように、図示しないエア吸引部（吸引ポンプ）を駆動する。本実施の形態において、レーザ加工残留物３を剥離可能にする媒体は、超音波振動が加えられたエアＡである。本実施の形態では、超音波発生部１３とエア吐出部１４とが、剥離媒体供給部に相当する。
【００３７】
そして、超音波振動が加えられたエアＡ（超音波ブロー）がレーザ加工残留物３に向けて吐出されることにより、レーザ加工残留物３は超音波振動とエアＡからの圧力を受けて吹き飛ばされる。このとき、レーザ加工残留物３は、超音波振動により基板１表面から剥離し易くなるとともに、細かく粉砕される場合もある。そして、エアＡで剥離されたレーザ加工残留物３は、吸引口１５へ吸い込まれる。
【００３８】
特に、本実施の形態に係る除去装置１００では、装置本体１０の先端面１０Ｂが、中央のエア吐出部１４に向けて凹む湾曲面である。すなわち、エア吐出部１４は、吸引口１５を取り囲む外筒部１２の先端部（外側壁）１２Ａの先端より基板１から離れた位置で開口する。先端面１０Ｂを基板１に近づけて対向配置させると、先端面１０Ｂが凹む形状であるため、基板１から剥離されて空中へ舞ったレーザ加工残留物３を基板１と先端面１０Ｂとの間の空間に閉じ込める構造となる。すなわち、装置本体１０と基板１表面との間隙から、剥離されたレーザ加工残留物３を含むエアＡを逃がし難い構造である。吐出部１４から吐出されたエアＡは、剥離されたレーザ加工残留物３を取り込んだ状態で基板１表面にて反射されて吸引口１５へ向けて円滑に進む。このとき、上記先端部（外側壁）１２ＡがエアＡを逃がさないように取り囲むため、剥離されたレーザ加工残留物３を含むエアＡを吸引口１５へ向けて効率よく案内する作用がある。
【００３９】
本実施の形態に係る除去装置１００では、超音波発生部１３の駆動電圧を変化させることにより、超音波出力を変えることができる。すなわち、この除去装置１００では、前工程でどんなリペア処理が施されたかに応じて、超音波出力の調整を行うことができる。したがって、この除去装置１００では、基板１上のレーザ加工残留物３のリペア処理の種類に応じてレーザ加工残留物３を適切に除去することができる。具体的には、例えば、ＺＡＰ加工処理によって形成されたレーザ加工残留物３を除去する場合は超音波出力を比較的小さくし、ＣＶＤ加工処理によって形成されたレーザ加工残留物３を除去する場合は超音波出力を比較的大きくするという制御を行えばよい。この超音波出力の設定値は、処理を施す基板に応じて設定すればよい。
【００４０】
本実施の形態に係る除去装置１００では、装置本体１０の先端面１０Ｂに形成した吸引口１５がエア吐出部１４を取り囲むように環状に形成されているため、剥離させたレーザ加工残留物３を確実に捕捉して吸引口１５内へ吸引できる。
【００４１】
図４は、除去装置１００の装置本体１０のエア吐出部１４を、基板１上のレーザ加工残留物３に位置合わせした状態を示す。図４に示すように配線２の一側方に形成されているレーザ加工残留物３を除去した後、図５に示すように配線２の他側方に形成されているレーザ加工残留物３の除去を行う。その結果、図６に示すように、配線２の両側のレーザ加工残留物３を除去することができる。なお、本実施の形態では、配線パターン２の一側方のレーザ加工残留物３を除去した後に、配線パターン２の他側方のレーザ加工残留物３を除去したが、両側のレーザ加工残留物３を同時に除去するようにしてもよい。
【００４２】
（レーザ加工残留物の除去装置の制御方法）
本実施の形態に係る除去装置１００では、図７に示すような制御方法が行われる。なお、ここで説明する制御方法は、除去装置１００をリペア処理装置に付随させた構成とした場合の制御方法である。
【００４３】
先ず、配線パターン２を形成した後に、欠陥検出装置またはリペア処理装置に組み込まれた欠陥検出部によって、配線パターン２の欠陥検査を行う（ステップＳ１）。このステップＳ１においては、欠陥検出箇所のアドレス情報、欠陥の種類（切断すべき箇所や接続すべき箇所）を記憶する。
【００４４】
ステップＳ２では、上記ステップＳ１で得られた欠陥の種類に応じて、ＺＡＰ加工またはＣＶＤ加工のどちらかを施すかの加工方法を決定する。
【００４５】
ステップＳ３では、ステップＳ１で得られたアドレス情報およびステップＳ２で得られた加工方法の情報に基づいて、リペア処理を行う。
【００４６】
ステップＳ４では、ステップＳ３でリペア処理を行った箇所のリペア処理方法（ＺＡＰ加工かＣＶＤ加工）に応じてレーザ加工残留物３の除去を行う。図１に示す除去装置１００を用いてステップＳ４を説明する。制御部３０は、記憶部４０からリペア処理情報（リペア処理方法）の情報を取得して、ＺＡＰ加工によるレーザ加工残留物３の除去に適した超音波出力、またはＣＶＤ加工によるレーザ加工残留物３の除去に適した超音波出力を決定する。そして、制御部３０は、超音波出力調整部２０へ制御信号を出力して、超音波出力調整部２０に、ＺＡＰ加工に起因するレーザ加工残留物３の除去を行うための超音波出力か、ＣＶＤ加工に起因するレーザ加工残留物３の除去を行うための超音波出力を調整して、図４に示す超音波発生部１３に所定の出力電圧を印加する。
【００４７】
（レーザ加工残留物の除去装置の効果）
以上、第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置１００の構成および作用・動作について説明したが、以下に除去装置１００の効果について説明する。
【００４８】
この除去装置１００によれば、リペア処理によって基板１上に残留したレーザ加工残留物３をウェット洗浄することなく簡単に除去できる。したがって、従来のウェット洗浄のように、洗浄工程、リンス工程、乾燥工程などの多くの工程を行う必要がなくなり、ＦＰＤの製造時間の短縮化を達成できる。
【００４９】
この除去装置１００によれば、エア吐出部１４の近傍に吸引口１５が配置されているため、基板１から剥離されたレーザ加工残留物３を確実に回収できる。この際に、除去装置１００では、環状の吸引口１５がエア吐出部１４を取り囲んでいるため、レーザ加工残留物３をより確実に回収できる。
【００５０】
この除去装置１００では、エアＡに超音波振動を加えたことにより、基板１からレーザ加工残留物３を剥離させる作用を強化できる。
【００５１】
本実施の形態に係る除去装置１００は、リペア処理装置に付随させて設置することも可能であるため、装置本体１０のＸ−Ｙ走査もリペア処理装置の移動手段を利用することもできる。したがって、この実施の形態に係る除去装置１００は、低コストで設置できる。
【００５２】
本実施の形態に係る除去装置１００では、前工程で施されたリペア処理の種類、すなわちＺＡＰ加工処理かＣＶＤ加工処理かに応じて、超音波出力を調整できるため、レーザ加工残留物３の状態に見合った除去作用を装置本体１０に付与できる。このため、除去処理を過剰に行うことを防止でき、基板１の品質の低下を防止できる。
【００５３】
（第１の実施の形態の変形例）
図８は、本発明の第１の実施の形態に除去装置における装置本体１０の変形例である装置本体１０−１を示す。この変形例では、装置本体１０−１の先端部１０Ａにおいて、内筒部１１の先端部１１Ａと、外筒部１２の先端部１２Ａとが軸方向において同じ位置にある。この変形例では、装置本体１０−１の加工が簡単であり、吸引口１５の大きさを変えることにより、基板１から剥離されたレーザ加工残留物３の吸引効果の低下も防止できる。
【００５４】
［第２の実施の形態］
図９は、本発明の第２の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体１０−２を示す側面図である。本実施の形態の除去装置は、媒体に振動を与える超音波発生部を備えない例である。本実施の形態では、装置本体１０−２が筒体ではなく、直方体形状の例えば金属製のブロック構造体に、エア吐出部１７と、吸引口１８とを形成し、ブロック構造体内に図示しないエア供給路とエア排出路とが形成されている。図示しないが、吸引口１８は、上記第１の実施の形態の装置本体１０の吸引口１５と同様に環状に開口するように形成されている。本実施の形態の装置本体１０−２は、微細な流路の加工が行い易いという利点がある。
【００５５】
（第２の実施の形態の変形例１）
図１０は、第２の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体１０−２の変形例である装置本体１０−３を示す底面図である。この変形例１では、装置本体１０−３の先端面に複数の吸引口１８が中央のエア吐出部１７を取り囲むように間欠的に配置されている。
【００５６】
（第２の実施の形態の変形例２）
図１１は、第２の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体１０−２の変形例である装置本体１０−４を示す底面図である。この変形例１では、装置本体１０−４の底面に、一対の吸引口１８が中央のエア吐出部１７を挟むように配置されている。吸引口１８は、長手方向の長さが、エア吐出部１７の直径よりも長く設定されている。
【００５７】
［第３の実施の形態］
図１２は、本発明の第３の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去装置の装置本体１０−５を示している。この実施の形態の除去装置では、上記の第１および第２の実施の形態と異なり、媒体としてエアＡを用いずに、プラズマ照射部１６から基板１へ向けてプラズマＰを照射する構成である。プラズマ照射部１６は、周知のプラズマ発生装置で発生させたプラズマＰを基板１へ照射できるように構成されている。この実施の形態では、基板１上のレーザ加工残留物がプラズマＰの作用で分解、除去される。なお、本実施の形態では、処理室内へ吸気と排気を行って分解除去された物質を処理室から除去する構成とすることが好ましい。なお、第３の実施の形態において、装置本体１０−５の底面に、回収部として図８に示す第１の実施の形態の変形例の装置本体１０−１のような吸引口を形成して、プラズマ照射部１６を取り囲むように形成してもよい。
【００５８】
（レーザ加工残留物の除去方法）
次に、本発明の第１の実施の形態に係るレーザ加工残留物の除去方法について説明する。このレーザ加工残留物の除去方法では、図１に示すように、レーザ加工残留物３の除去処理を施す基板１の表面のレーザ加工残留物３に向けて、レーザ加工残留物３を剥離可能な媒体を供給し、基板１から剥離したレーザ加工残留物３を吸引して回収する。
【００５９】
ここで、レーザ加工残留物３を剥離可能な媒体としては、超音波振動を付加したエアＡを用いることができる。このような媒体を用いた場合、ＺＡＰ加工時に飛び散ったレーザ加工残留物３だけでなく、基板１上に溶着したレーザ加工残留物３を超音波振動で剥離できる。加えて、このような媒体を用いた場合、ＣＶＤ加工時に配線パターン（加工部）２の周辺に降り積もったＣＶＤ膜を、超音波振動で剥離し、もしくは粉砕できる。
【００６０】
その他の除去方法としては、上記第２の実施の形態のように、単にエアＡをレーザ加工残留物３に吹き付けてもよい。また、その他の媒体の例としては、上記第３の実施の形態のように、レーザ加工残留物３にプラズマ照射を行ってもよい。レーザ加工残留物３にプラズマ照射を行った場合、レーザ加工残留物３に表面改質を起こさせて基板１からレーザ加工残留物３を剥離することが可能となる。
【００６１】
（その他の実施の形態）
以上、第１〜第３の実施の形態について説明したが、これら実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００６２】
例えば、上述した第１の実施の形態では、装置本体１０をリペア処理装置のＸ−Ｙ走査機構に付随させることを説明したが、レーザ加工残留物の除去装置１００として装置本体１０をＸ−Ｙ走査できる機構を有する構成でもよい。また、本発明では、装置本体１０の位置を固定して、基板１側をＸ−Ｙ走査させる構成としてもよい。
【００６３】
上記各実施の形態では、レーザ加工残留物３を剥離可能とする媒体として、エア、超音波、エアおよび超音波、プラズマのいずれかを供給する構成としたが、この他の媒体としてレーザ光を用いてもよい。すなわち、レーザ光をレーザ加工残留物３に照射することにより、レーザ加工残留物３を分解して除去するようにしてもよい。
【００６４】
上記した各実施の形態では、装置本体１０，１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０−５の移動操作、超音波出力調整、プラズマ出力の調整、エアＡの吐出、吸引のオン・オフならびにエアの吐出・吸引の強さの調整などを手動で操作する構成としてもよい。
【００６５】
上記した各実施の形態では、配線パターン２として、ＴＦＴの各構成電極、データ線、アドレス線、キャパシタ電極、画素電極、有機ＥＬパネルの電子・正孔注入電極などのＦＰＤの各種の電極、配線などのリペア処理後のレーザ加工残留物に本発明を適用できる。さらに、本発明は、電極、配線などの電極部材以外の構成パターンのリペア処理後のレーザ加工残留物の除去に適用することも可能である。
【符号の説明】
【００６６】
Ａ  エア
Ｐ  プラズマ
１  基板
２  配線パターン
３  レーザ加工残留物
１０，１０−１，１０−２，１０−３  装置本体
１０Ａ  装置本体先端部
１０Ｂ  先端面
１１  内筒部
１１Ａ  先端部
１１Ｂ  段差部
１２  外筒部
１２Ａ  先端部
１３  超音波発生部
１４  エア吐出部
１５  吸引口
１６  プラズマ照射部
１７  エア吐出部
１８  吸引口
２０  超音波出力調整部
３０  制御部
４０  記憶部
１００  除去装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３−１】
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【図１３−２】
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【図１４−１】
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【図１４−２】
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