(57)【要約】【課題】スクライブラインの周辺の第２の基板の破損を防止するパッケージ及びパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】パッケージ３０は、第１基板１０と、第１基板１０と重ねて設けられる第２基板２０と、枠状の接合膜２２と、補助接合膜２３とを備える。第２基板２０はキャビティ２１を有する。枠状の接合膜２２は、キャビティ２１の周囲において第１基板１０と第２基板２０とを接合する。補助接合膜２３は、枠状の接合膜２２の他に設けられ、第２基板２０の周辺を補強する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
キャビティを有し、前記第１基板と重ねて設けられる第２基板と、
前記キャビティの周囲において前記第１基板と前記第２基板とを接合する枠状の接合膜と、
前記枠状の接合膜の他に設けられ、前記第２基板の周辺を補強する補助接合膜と、
を備えることを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
前記補助接合膜は、
前記接合膜の外周を囲む線とは異なる方向に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記補助接合膜は、
前記第１基板の角部に設けられた第１の補助接合膜と、
前記第１の補助接合膜間に設けられた第２の補助接合膜と、
を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記第２の補助接合膜は、帯状であることを特徴とする請求項３に記載のパッケージ。
【請求項５】
第１基板を準備する工程と、
キャビティを有する第２基板を準備する工程と、
前記第２基板において、前記キャビティの周囲に配される枠状の接合膜と、前記枠状の接合膜の他に設けられ、前記第２基板の周辺を補強する補助接合膜と、前記接合膜の外周を囲う線とは異なる方向に配された補助接合膜と、を成膜する工程と、
前記第２基板を前記第１基板と重ね、前記接合膜を介して前記第２基板を前記第１基板と接合する工程と、
前記線に沿って前記第１基板及び前記第２基板を切断する工程と、
を備えることを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記補助接合膜が、前記線の両側に配されることを特徴とする請求項５に記載のパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ及びパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線センサ等の半導体装置に使用されているパッケージは、有機物等によるガスの発生を低減するため、減圧雰囲気で封止されている。パッケージは、ウエハレベルにおいて、凸形状を有する上部基板（以下、第２の基板という）を第１の基板に接合し、ダイシング工程でスクライブラインに沿って切断することにより、ウエハレベルから個々に形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−８２０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献のパッケージは、ダイシング工程で、ウエハレベルからパッケージを形成する際、第２の基板をスクライブラインに沿い、垂直方向に切断する。ここで、パッケージは、第２の基板の接合膜の周囲の長さが比較的長い。さらに、スクライブラインは、接合膜から離れている。このため、第２の基板をスクライブラインに沿って垂直方向に切断する際に、接合膜から離れた第２の基板の外周側にビビリ振動や、チッピングが生じ、スクライブラインの周辺の第２の基板が破損することが考えられる。
【０００５】
本願発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、スクライブラインの周辺の第２の基板の破損を防止するパッケージ及びパッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係るパッケージは、第１基板と、キャビティを有し、前記第１基板と重ねて設けられる第２基板と、前記キャビティの周囲において前記第１基板と前記第２基板とを接合する枠状の接合膜と、前記枠状の接合膜の他に設けられ、前記第２基板の周辺を補強する補助接合膜と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の一態様に係るパッケージにおいて、前記補助接合膜は、前記接合膜の外周を囲む線とは異なる方向に設けられていてもよい。
【０００８】
また、本発明の一態様に係るパッケージにおいて、前記補助接合膜は、前記第１基板の角部に設けられた第１の補助接合膜と、前記第１の補助接合膜間に設けられた第２の補助接合膜と、を備えていてもよい。
【０００９】
また、本発明の一態様に係るパッケージにおいて、第２の補助接合膜は、帯状であってもよい。
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係るパッケージの製造方法は、第１基板を準備する工程と、キャビティを有する第２基板を準備する工程と、前記第２基板において、前記キャビティの周囲に配される枠状の接合膜と、前記枠状の接合膜の他に設けられ、前記第２基板の周辺を補強する補助接合膜と、前記接合膜の外周を囲う線とは異なる方向に配された補助接合膜と、を成膜する工程と、前記第２基板を前記第１基板と重ね、前記接合膜を介して前記第２基板を前記第１基板と接合する工程と、前記線に沿って前記第１基板及び前記第２基板を切断する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の一態様に係るパッケージの製造方法において、前記補助接合膜が、前記線の両側に配されてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、簡便な工程でパッケージの気密封止を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態のパッケージの断面図である。
【図２】第１実施形態における（ａ）接合部の拡大断面図、（ｂ）第２基板の平面図である。
【図３】第１基板と第２基板とを接合する工程の説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）の順に第１実施形態のパッケージの製造方法を説明する断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）に接合膜及び補助接合膜のパターンを例示する平面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）に接合膜及び補助接合膜のパターンを例示する平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）に角部に配される補助接合膜のパターンを例示する平面図である。
【図８】第２実施形態のパッケージの断面図である。
【図９】第３実施形態のパッケージの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図１に、第１実施形態のパッケージ３０の断面図を示す。本実施形態のパッケージ３０は、素子１１が設けられる第１基板１０と、キャビティ２１を有する第２基板２０と、を備える。第１基板１０と第２基板２０とは重ねて設けられている。また、第１基板１０と第２基板２０との間には、素子１１が封入される内部空間３１が形成されている。
【００１５】
本実施形態の第１基板１０は、パッケージ３０のベース基板であり、例えばシリコン基板から構成されている。第１基板１０の平面形状は特に限定されないが、例えば平面視で略矩形状が挙げられる。本実施形態においては、第１基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂは略平坦である。また、第１基板１０の側面１４は、表面１０ａに対して略垂直である。
【００１６】
本実施形態においては、第１基板１０の表面１０ａ側に素子１１が設けられている。素子１１は、ベース基板の構成材料から構成された部分を有してもよく、外部から供給された材料から構成された部分を有してもよく、ベース基板の構成材料と外部から供給された材料とを混合して構成された部分を有してもよい。素子１１は、センサ素子、電子素子、集積回路等が挙げられる。センサ素子としては、例えば赤外線センサ、加速度センサ、角速度センサ等が挙げられる。
【００１７】
本実施形態においては、第１基板１０を厚さ方向に貫通する貫通電極１２が設けられている。貫通電極１２の一端は、第１基板１０に素子１１が設けられた表面１０ａに配されている。貫通電極１２の他端は、素子１１が設けられた表面１０ａとは反対側である裏面１０ｂに配されている。貫通電極１２と素子１１とは、不図示の配線で接続されている。第１基板１０の裏面１０ｂ側における貫通電極１２の他端には、パッケージ３０の外部に接続される外部電極として、不図示の電極を設けてもよい。
【００１８】
貫通電極１２は、例えば第１基板１０に形成された貫通穴の内面に接する下地層の上に充填層を積層した積層構造であってもよい。下地層としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等の単一層、チタン（Ｔｉ）及びプラチナ（Ｐｔ）等の２種以上の金属膜が積層された複合層が挙げられる。下地層は、スパッタリング等により薄く成膜される。充填層としては、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等をメッキ、スパッタリング等により成膜することで形成することができる。
【００１９】
本実施形態の第２基板２０は、パッケージ３０のリッド基板であり、例えばシリコン基板から構成されている。第２基板２０の平面形状は特に限定されないが、例えば平面視で略矩形状が挙げられる。第２基板２０は、第１基板１０と略平行に配置される。
【００２０】
第２基板２０は、素子１１を収容する領域に形成されたキャビティ２１を有する。キャビティ２１は、第２基板２０のうち第１基板１０と対向する側に形成される凹部である。第２基板２０は、キャビティ２１の外周を取り囲むように形成された凸部２０ａを有する。本実施形態においては、第２基板２０の凸部２０ａの先端面２０ｂは、略平坦である。第２基板２０の側面２４は、先端面２０ｂに対して略垂直である。第２基板２０のキャビティ２１及び凸部２０ａが形成された側とは反対側の裏面２０ｃは、略平坦である。
【００２１】
第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０のキャビティ２１との間には、素子１１が封止される内部空間３１が設けられている。内部空間３１は気密空間であり、減圧雰囲気を維持することができる。内部空間３１は、真空空間であってもよい。内部空間３１に希ガス、窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスが封入されていてよい。
【００２２】
図２（ａ）に、第１基板１０と第２基板２０との接合部を拡大して示す。また、図２（ｂ）は、第２基板２０のキャビティ２１が形成された平面図である。この平面図は、接合膜２２及び補助接合膜２３を含む水平面から上側を見た断面図として図示されており、接合膜２２及び補助接合膜２３が形成されている領域には、ハッチングが付されている。
【００２３】
キャビティ２１の周囲には、枠状の接合膜２２が設けられている。接合膜２２の平面形状は特に限定されないが、例えば平面視で略矩形状が挙げられる。第２基板２０の外周を囲う側面２４によって規定される線（以下、スクライブラインという）は、接合膜２２の外周から離れている。接合膜２２と側面２４との間において、接合膜２２の外周を囲う領域には、補助接合膜２３が形成されている。接合膜２２及び補助接合膜２３は、第２基板２０のうち凸部２０ａの先端面２０ｂ上に成膜されている。
【００２４】
第１基板１０の表面１０ａのうち、第２基板２０の凸部２０ａの先端面２０ｂと対向する領域には、金属膜１３が設けられている。金属膜１３は、金属配線等の部分的なパターンでもよく、ベタ状の全面的なパターンでもよい。接合膜２２と金属膜１３とが一体化することにより、第１基板１０と第２基板２０とが接合される。接合膜２２を用いた接合により、キャビティ２１に囲まれる内部空間３１が気密に封止される。
【００２５】
補助接合膜２３は、第１基板１０と第２基板２０との間において、金属膜１３と一体化されている。補助接合膜２３は、側面１４，２４付近の領域のうち、側面２４によって規定されるスクライブラインの延長方向において局所的に接合されている。これにより、第２基板２０のスクライブラインの周囲を補強でき、さらに、接合膜２２による接合を補強することができる。接合膜２２又は補助接合膜２３と金属膜１３との接合は、例えば熱圧着、金属拡散接合、共晶接合等が挙げられる。
【００２６】
金属膜１３、接合膜２２、補助接合膜２３は、例えば下地層の上に表面層を積層した積層構造であってもよい。下地層としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等の単一層、チタン（Ｔｉ）及びプラチナ（Ｐｔ）等の２種以上の金属膜が積層された複合層が挙げられる。下地層は、第１基板１０の表面１０ａ又は第２基板２０の先端面２０ｂにおいて、スパッタリング等により薄く成膜される。表面層としては、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等を蒸着やスパッタリング等により成膜した層が挙げられる。
【００２７】
Ａｕ／Ｔａを積層する場合、それぞれの膜厚は、例えばＡｕが０．５ｎｍ〜数μｍ、Ｔａが数百ｎｍ程度でよい。Ａｌ／ＴｉＮを積層する場合、それぞれの膜厚は、例えばＡｕが数μｍ、ＴｉＮが数百ｎｍでよい。
共晶接合においては、金属膜１３と接合膜２２又は補助接合膜２３とをそれぞれ例えば金錫合金（ＡｕＳｎ）等の共晶合金で形成し、共晶温度まで加熱及び溶融することで第１基板１０と第２基板２０とを接合することができる。
【００２８】
金属膜１３、接合膜２２及び補助接合膜２３を構成する材料は、互いに同一であることが好ましい。金属膜１３、接合膜２２又は補助接合膜２３として、２層以上が積層されている場合には、少なくとも表面側の層が互いに同一であることが好ましい。金属膜１３と接合膜２２又は補助接合膜２３とを接合する際に同一の材料が接することにより、接合性を向上することができる。
【００２９】
補助接合膜２３は、接合膜２２の外周を囲う側面２４のスクライブラインとは異なる方向に配されている。具体的には、補助接合膜２３は、接合膜２２と側面２４のスクライブラインとの間に配されている。補助接合膜２３は、複数の第１の補助接合膜２３ａと、複数の第２の補助接合膜２３ｂとを有する。第１の補助接合膜２３ａおよび第２の補助接合膜２３ｂは、例えば、図２（ｂ）の例では、キャビティ２１を中心とした略放射状に分散して配置されている。第１の補助接合膜２３ａは、第２基板２０の周囲のうち角部２４ａに配されている。第２の補助接合膜２３ｂは、隣接する角部２４ａの間となる辺部２４ｃに配されている。
第２基板２０の角部２４ａに第１の補助接合膜２３ａを設け、辺部２４ｃに第２の補助接合膜２３ｂを設けることにより、ダイシングの際のチッピングやビビリ振動等を抑制できる。ダイシングの際のチッピングやビビリ振動等の抑制については後で詳しく説明する。
また、スクライブラインの角部（すなわち、パッケージ３０の角部）２４ａに第１の補助接合膜２３ａが配されていることにより、例えば、パッケージ３０の角部２４ａを補強し、接合部の損傷、劣化、破壊等を効果的に抑制できる。
【００３０】
角部２４ａの第１の補助接合膜２３ａが配される方向としては、例えば角部２４ａの二等分線２４ｂに沿う方向、二等分線２４ｂに略平行な方向、又は二等分線２４ｂに略垂直な方向が挙げられる。
辺部２４ｃの第２の補助接合膜２３ｂが配される方向としては、例えば辺部２４ｃのスクライブラインの延長方向に対して略垂直な方向、又は辺部２４ｃのスクライブラインに対して傾斜した方向が挙げられる。
【００３１】
側面２４（すなわち、辺部２４ｃ）のスクライブラインは、パッケージ３０のスクライブラインであってもよい。スクライブラインとは、ウエハに形成された多数のパッケージ３０を1つのパッケージ３０にダイシングするために、隣接するパッケージ３０間に設ける「しろ」である。
ここで、隣接するパッケージ３０の接合膜２２間に間隔が保たれている。接合膜２２間の中央がスクライブラインとなる。また、スクライブライン（すなわち、側面２４）は角部２４ａおよび角部２４ａ間の距離が比較的長く確保されている。このため、第１基板１０と第２基板２０との接合部に補助接合膜２３が設けられていない場合、スクライブラインをカッタでダイシングする際に、スクライブラインの周辺（例えば、第２基板２０の側面２４）にチッピングやビビリ振動等が発生するおそれがある。チッピングやビビリ振動等で側面２４の周辺が破損した場合、パッケージ３０を生産する際の歩留まりが低くなる。
【００３２】
一方、スクライブラインに補助接合膜２３を設けることにより、スクライブラインをカッタでダイシングする際に、スクライブラインの周辺（例えば、側面２４）にチッピングやビビリ振動等が発生することを補助接合膜２３で抑えることができる。これにより、パッケージ３０を生産する際の歩留まりを高くすることができる。
【００３３】
図３には、ダイシングされる前の第１基板１０と第２基板２０とを接合する様子を例示する。例えばウエハレベルパッケージ技術においては、第１基板１０及び第２基板２０がそれぞれウエハに形成されている。第１基板１０と第２基板２０とが接合されたウエハをダイシングすることにより、多数のパッケージ３０がウエハから一括して製造される。すなわち、ウエハレベルパッケージの状態において、スクライブライン３２の両側に第１基板１０及び第２基板２０が延在している。
【００３４】
図４に、パッケージ３０の製造方法における主な工程の例示を、（ａ）〜（ｅ）の順で示す。
【００３５】
図４（ａ）には、キャビティ２１及び凸部２０ａを有する第２基板２０を示す。キャビティ２１及び凸部２０ａは、例えばフォトリソグラフィとエッチングを行い、第２基板２０の不要部分を除去することで形成することができる。
【００３６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、第２基板２０の凸部２０ａに、接合膜２２と補助接合膜２３とを成膜する。接合膜２２及び補助接合膜２３のパターンを形成する方法は、特に限定されない。例えば、例えば目的とするパターンより広い領域に金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィで不要部分を除去することで金属膜のパターンを形成することができる。
あるいは金属膜のパターン形成を予定する領域が開口した不図示のレジストを形成し、レジスト上に金属膜を形成した後、レジストを剥離することで、所望のパターンに金属膜を形成することができる。
【００３７】
キャビティ２１を有する第２基板２０にレジストを形成する方式は特に限定されないが、例えばスプレーコート方式が挙げられる。キャビティ２１内にレジストが成膜されてもよい。接合膜２２及び補助接合膜２３を同一の材料から構成し、蒸着やスパッタリング等により同時に成膜してもよい。接合膜２２及び補助接合膜２３の厚さ及び積層構造が、互いに同等であってもよい。
【００３８】
図４（ｃ）には、素子１１、貫通電極１２及び金属膜１３を有する第１基板１０を示す。素子１１及び貫通電極１２は、第１基板１０に対して周知の方法によって形成することができる。金属膜１３は、第２基板２０の凸部２０ａとの接合部において、所望のパターンに形成することができる。金属膜１３のパターンを形成する方法は、特に限定されず、接合膜２２及び補助接合膜２３のパターンを形成する方法と同様な方法を採用することもできる。
【００３９】
なお、第１基板１０を準備する工程と、第２基板２０を準備する工程とは、互いに独立した工程であることから、第１基板１０の処理工程と第２基板２０の処理工程は、任意の順序で行うことができ、異なる場所で並行的に実施することも可能である。
【００４０】
第１基板１０において、素子１１を形成する工程、貫通電極１２を形成する工程、及び金属膜１３を形成する工程は、任意の順序で行うことができる。
また、第２基板２０において、キャビティ２１を形成する工程、接合膜２２を形成する工程、及び補助接合膜２３を形成する工程は、任意の順序で行うことができる。凸部２０ａの先端面２０ｂとなる予定の領域に接合膜２２及び補助接合膜２３を形成した後、キャビティ２１を形成することも可能である。
共通する材料を用いる工程は、同時並行的に実施することも可能である。
【００４１】
次に、図４（ｄ）に示すように、第２基板２０を第１基板１０と重ね、接合膜２２を介して第２基板２０を第１基板１０と接合する。例えば熱圧着による場合は、第１基板１０と第２基板２０の位置を合わせた後、第１基板１０及び第２基板２０を裏面１０ｂ，２０ｃ側から加圧し、さらに加熱する。これにより、接合膜２２及び補助接合膜２３が金属膜１３と一体化して、第１基板１０及び第２基板２０が相互に接合される。
【００４２】
また、枠状の接合膜２２が第１基板１０と接合することにより、内部空間３１が気密に封止される。なお、第１基板１０に貫通電極１２を形成する工程が、第２基板２０を第１基板１０と接合する工程より後に行われる場合は、貫通電極１２を形成する際に、内部空間３１が気密に封止されてもよい。内部空間３１に気体を封入する場合は、第１基板１０又は第２基板２０に気体を封入するための導入口を設け、その導入口を閉鎖する際に内部空間３１が気密に封止されてもよい。
【００４３】
次に、図４（ｅ）に示すように、スクライブライン３２に沿ったダイシングにより、第１基板１０及び第２基板２０を切断する。これにより、パッケージ３０が個片化される。ダイシングは、例えばダイヤモンド等の硬質材料を含む工具を用いて行うことができる。工具がブレードを含む場合、ブレードの厚さに応じた幅で第１基板１０及び第２基板２０の一部が除去されても構わない。スクライブライン３２に沿って第１基板１０及び第２基板２０の材料が除去される幅は、例えば１００μｍ以下である。
【００４４】
ここで、隣接するパッケージ３０の接合膜２２と接合膜２２との間に間隔が保たれている。接合膜２２と接合膜２２との間の中央がスクライブライン３２となる。また、スクライブライン３２（すなわち、側面２４）は角部２４ａおよび角部２４ａ間に位置する辺部２４ｃ（図２（ｂ）参照）の長さ寸法が比較的大きく形成されている。
スクライブライン３２には、補助接合膜２３（第１の補助接合膜２３ａおよび第２の補助接合膜２３ｂ）が設けられている（図５（ａ）参照）。特に、辺部２４ｃに相当するスクライブライン３２に第２の補助接合膜２３ｂが設けられている。よって、スクライブライン３２をカッタでダイシングする際に、スクライブライン３２の周辺（例えば、側面２４（図２（ａ）参照））にチッピングやビビリ振動等が発生することを補助接合膜２３で抑えることができる。これにより、パッケージ３０を生産する際の歩留まりを高くすることができる。
【００４５】
これに対して、第１基板１０と第２基板２０との接合部に補助接合膜２３が設けられていない場合、スクライブラインをカッタでダイシングする際に、スクライブラインの周辺（例えば、側面２４）にチッピングやビビリ振動等が発生することが考えられる。チッピングやビビリ振動等で側面２４の周辺が破損した場合、パッケージ３０を生産する際の歩留まりが低くなる。
【００４６】
補助接合膜２３は、スクライブライン３２の両側に配されてもよい。スクライブライン３２を挟んで対向する位置に、例えば線対称的に補助接合膜２３が配されてもよい。スクライブライン３２を挟んで異なる位置に、例えば千鳥状に補助接合膜２３が配されてもよい。
補助接合膜２３がスクライブライン３２に交差している場合、ダイシングの際に、補助接合膜２３の一部が切断又は除去され得る。補助接合膜２３がスクライブライン３２の内側に配されている場合、ダイシングの際に、補助接合膜２３の切断又は除去を防止することもできる。
【００４７】
図５（ａ）〜（ｃ）及び図６（ａ）〜（ｃ）に、接合膜２２の周囲に形成される第１の補助接合膜２３ａおよび第２の補助接合膜２３ｂのパターンを例示する。また、図７（ａ）〜（ｄ）には、スクライブライン３２の交差部３２ａに配される第１の補助接合膜２３ａのパターンを例示する。図５〜図７において、スクライブライン３２が縦横に交差し、スクライブライン３２の交差部３２ａを中心にして、角部２４ａ（図２（ｂ）参照）が十字状に４分割されている。
【００４８】
図５（ａ）及び図７（ａ）に示すように、パターン２５は、４個の第１の補助接合膜２３ａ（図２（ｂ）参照）で形成されている。パターン２５は、交差部３２ａを中心にして、Ｘ字状に設けられている。具体的には、パターン２５は、角部２４ａの二等分線２４ｂに沿って延び、交差部３２ａを横断して連続する帯状に形成されている。
図５（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、パターン２６は、角部２４ａごとに分離された４個の第１の補助接合膜２３ａで形成されている。補助接合膜４１は、角部２４ａにＸ字状に形成された状態で設けられている。
【００４９】
図５（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、パターン２７は、一方の二等分線２４ｂに対して間隔をおいて略平行に延びる一対の補助接合膜と、他方の二等分線２４ｂに対して間隔をおいて略平行に延びる一対の補助接合膜とを有する。パターン２７は、一対の補助接合膜と、一対の補助接合膜とで斜めの井桁（＃）状に形成されている。
パターン２７がスクライブライン３２で分割されることにより、角部２４ａ（図２（ｂ）参照）に第１の補助接合膜２３ａが設けられる。
図６（ａ）及び図７（ｄ）に示すように、パターン２８は、スクライブライン３２上で交差部３２ａから離れた位置を中心にしてＸ字状に形成された４つの補助接合膜４３を有する。４つの補助接合膜４３がスクライブライン３２でダイシングされることにより、補助接合膜４３ａに２分割され、隣接する２つの補助接合膜４３ａで角部２４ａ（図２（ｂ）参照）に第１の補助接合膜２３ａが設けられる。
【００５０】
つぎに、辺部２４ｃ（図２（ｂ）参照）の第２の補助接合膜２３ｂについて説明する。すなわち、図５（ａ）〜（ｃ）及び図６（ａ）において、辺部２４ｃの略中央部に１本の帯状パターンを設けた例を示している。また、図６（ｂ）において、辺部の２箇所に帯状の第２の補助接合膜２３ｂを設けた例を示している。さらに、図６（ｃ）において、スクライブライン３２の両側に対向して、スクライブライン３２から離れた位置に第２の補助接合膜２３ｂを設けた例を示している。
【００５１】
また、図６（ｂ）及び図６（ｃ）では、角部２４ａ（図２（ｂ）参照）の第１の補助接合膜２３ａがＸ字状のパターン２５である例を示しているが、図７（ｂ）〜（ｄ）と同様に複数のＸ字状パターンを複合したパターン２６，２７，２８に代えてもよい。
隣接する角部２４ａの間で辺部２４ｃに設けられる第２の補助接合膜２３ｂの個数は、図６（ｂ）及び図６（ｃ）では２箇所であるが、３箇所以上としてもよい。
【００５２】
例えば図５（ａ）に示すように、角部２４ａの第１の補助接合膜２３ａが１組で、辺部の第２の補助接合膜２３ｂが１本であってもよい。
例えば図５（ｂ）、図５（ｃ）、図６（ａ）に示すように、角部２４ａの第１の補助接合膜２３ａが２組以上で、辺部２４ｃの第２の補助接合膜２３ｂが１本であってもよい。
例えば図６（ｂ）、図６（ｃ）に示すように、角部の第１の補助接合膜２３ａが１組以上で、辺部の第２の補助接合膜２３ｂが２本以上であってもよい。
特に図示しないが、図５（ｂ）、図５（ｃ）、図６（ａ）に示す角部の第１の補助接合膜２３ａと、図６（ｂ）、図６（ｃ）に示す辺部の第２の補助接合膜２３ｂとを組み合わせることが可能である。例えば、角部の第１の補助接合膜２３ａが２組以上で、辺部の第２の補助接合膜２３ｂが２本以上としてもよい。
【００５３】
本実施形態のパッケージ３０によれば、複雑な工程を必要としないパターニングと成膜により、ダイシング時のチッピングやビビリ振動等を抑えることができる。これにより、側面２４の周辺が破損することを抑制でき、パッケージ３０を生産する際の歩留まりを高くできる。
また、接合膜２２の損傷、劣化、破壊を抑制し、接合の信頼性を向上することができる。気密封止のリークを防ぐことができ、パッケージ３０の製造工程の歩留りを一層向上することができる。
さらに、凸部２０ａと第１基板１０との接合部全体に接合膜２２を形成する場合と比べて、接合膜２２の面積の増加を抑えられる。これにより、第１基板１０側と第２基板２０側との接合時に、接合による圧力を接合膜２２及び補助接合膜２３に集中させやすくなり、接合の信頼性を向上することができる。
【００５４】
補助接合膜２３が、スクライブライン３２とは異なる方向に、例えば帯状に配されることにより、スクライブライン３２上で補助接合膜２３が切断される長さ及び補助接合膜２３が除去される面積を小さくできる。これにより、ダイシングブレードの寿命低下を抑制することができる。
【００５５】
図８に、第２実施形態のパッケージ３３の断面図を示す。本実施形態のパッケージ３３は、素子１５ａを含むチップ１５が第１基板１０上に実装されていること以外は、第１実施形態のパッケージ３０と同様に構成することができる。チップ１５は、例えばダイアタッチ剤１６を介して第１基板１０上に固定されている。また、チップ１５に含まれる素子１５ａは、ワイヤ１７を介して第１基板１０上の不図示の配線と電気的に接続することができる。
【００５６】
本実施形態のパッケージ３３は、第２基板２０を第１基板１０に接合する前に、チップ１５を第１基板１０上に実装する工程を有することを除いては、例えば図４（ａ）〜（ｅ）に示される第１実施形態のパッケージ３０と同様に製造することができる。チップ１５に形成される素子１５ａは、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）として構成されるセンサ等の素子であってもよい。
【００５７】
図９に、第３実施形態のパッケージ３５の断面図を示す。本実施形態のパッケージ３５は、第１及び第２実施形態の貫通電極１２に代えて、第１基板１０の外周部１９に外部電極１８を有すること以外は、第１及び第２実施形態のパッケージ３０，３３と同様に構成することができる。
図９には、素子１５ａが第２実施形態と同様なチップ１５上に設けられている様子が示されている。しかし、本実施形態において、第１実施形態と同様な素子１１が第１基板１０に形成されてもよい。
本実施形態においては、第２基板２０の凸部２０ａが第１基板１０と接合された箇所の周囲において、第１基板１０の外周部１９が第２基板２０よりも広く形成されている。
【００５８】
本実施形態のパッケージ３５は、図４（ｄ）と同様に、ウエハ状の第２基板２０をウエハ状の第１基板１０に接合した後、第１基板１０の側面１４及び第２基板２０の側面２４を、上下方向に異なる位置で切断することで製造することができる。
本実施形態の場合、第１の補助接合膜２３ａは、キャビティ２１側となる内側の接合膜２２を基準として、内側の接合膜２２より外側を囲う位置に設けられる。これにより、第２基板２０と第１基板１０との接合の信頼性を向上することができる。
【００５９】
本実施形態のパッケージ３５においては、一対の枠状の接合膜２２の中間に、接合膜２２のスクライブラインとは異なる方向に補助接合膜２３を配することにより、スクライブラインの周辺部を補強でき、さらに、接合の信頼性を一層向上することができる。接合膜２２及び補助接合膜２３の配置は、図２（ｂ）に例示する接合膜２２及び補助接合膜２３の平面配置と同様でもよい。辺部２４ｃの第２の補助接合膜２３ｂを設ける場合は、図２（ｂ）と同様に辺部ごとに１箇所でもよく、辺部ごとに２箇所以上でもよい。
【００６０】
本実施形態によれば、凸部２０ａと第１基板１０との接合部全体に接合膜２２を形成する場合と比べて、接合膜２２の面積の増加を抑えることができる。これにより、第１基板１０側と第２基板２０側との接合時に、接合のための圧力が接合膜２２及び補助接合膜２３に集中させることができ、凸部２０ａと第１基板１０との接合の信頼性を向上することができる。
【００６１】
以上、本発明を好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【００６２】
上述のパッケージを用いたセンサ装置、半導体装置等は、携帯端末、スマートフォン、センサネットワーク・デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）技術等に応用することも可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０…第１基板、１１，１５ａ…素子、１４…第１基板の側面、１５…チップ、２０…第２基板、２０ａ…凸部、２１…キャビティ、２２…接合膜、２３…第１の補助接合膜、２３ａ…角部の第２の補助接合膜、２３ｂ…辺部の補助接合膜、２４…第２基板の側面、２５，２６，２７，２８…角部の補助接合膜のパターン、３０，３３，３５…パッケージ、３１…内部空間、３２…スクライブライン（線）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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