(57)【要約】【課題】特定の薄膜のみが他よりも薄く形成してある積層膜を、比較的に小型の装置で効率的に製造することができる積層膜の製造装置と製造方法、および薄膜インダクタの製造方法を提供すること。【解決手段】仕切り壁１０により連通可能に分離された第１室６と第２室８とを内部に有する密閉可能なチャンバ４内で、第２室８の圧力を第１室６の圧力よりも高くする。チャンバ４の内部で、基板１２を第１室６から第２室８に移動させ、第２室８の内部で、第１室６で形成された磁性体膜３１ａの上に、絶縁体膜３２ａを堆積させる。チャンバ４の内部で、基板１２を第２室８から第１室６に移動させ、第１室６の内部で、絶縁体膜３１ａの上に、下側に位置する磁性体膜３１ａとは別の磁性体膜３１ａを堆積させる。【選択図】図１
2018141195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を密閉可能なチャンバと、
前記チャンバ内を、連通可能な第１室と第２室とに分離する仕切り壁と、
前記第２室に設けられ、前記第２室の圧力を前記第１室の圧力よりも高くすることを可能とするガス導入口と、
前記チャンバの内部で、前記第１室と前記第２室との間で、基板を移動可能に保持する移動機構と、
前記第１室に設けられ、前記基板の表面に第１薄膜を堆積させるための第１薄膜形成手段と、
前記第２室に設けられ、前記基板の表面に第２薄膜を堆積させるための第２薄膜形成手段と、を有する積層膜の製造装置。
【請求項２】
前記仕切り壁には、前記第２室から第１室へ向かうガスの流れを制御するガス流制御機構が具備してある請求項１に記載の積層膜の製造装置。
【請求項３】
前記第１室の内部に設けられ、前記第１室の内部の圧力を検出する第１圧力センサと、
前記第２室の内部に設けられ、前記第２室の内部の圧力を検出する第２圧力センサと、
前記第１圧力センサの検知信号と、前記第２圧力センサの検知信号とが入力され、前記第２室の圧力と前記第１室の圧力との差圧を所定範囲内に制御する制御装置と、をさらに有する請求項１または２に記載の積層膜の製造装置。
【請求項４】
仕切り壁により連通可能に分離された第１室と第２室とを内部に有する密閉可能なチャンバ内で、前記第２室の圧力を前記第１室の圧力よりも高くする工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第１室から前記第２室に移動させ、前記第２室の内部で、前記第１室で形成された第１薄膜の上に、第２薄膜を堆積させる工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第２室から前記第１室に移動させ、前記第１室の内部で、前記第２薄膜の上に、前記第１薄膜とは別に第１薄膜を堆積させる工程と、
を有する積層膜の製造方法。
【請求項５】
前記第１室では、前記第１薄膜を複数層で形成し、その後に、前記第２室では、単一層の前記第２薄膜を形成する請求項４に記載の積層膜の製造方法。
【請求項６】
仕切り壁により連通可能に分離された第１室と第２室とを内部に有する密閉可能なチャンバ内で、前記第２室の圧力を前記第１室の圧力よりも高くする工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第１室から前記第２室に移動させ、前記第２室の内部で、前記第１室で形成された磁性体膜の上に、絶縁体膜を堆積させる工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第２室から前記第１室に移動させ、前記第１室の内部で、前記絶縁体膜の上に、前記磁性体膜とは別に磁性体膜を堆積させる工程と、
を有する薄膜インダクタの製造方法。
【請求項７】
前記第１室では、前記磁性体膜を複数層で形成し、その後に、前記第２室では、単一層の前記絶縁体膜を形成する請求項６に記載の薄膜インダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばスパッタリング装置などの薄膜形成装置を利用した積層膜の製造装置と製造方法、および薄膜インダクタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波対応の薄膜インダクタを実現するためには、渦電流損失対策として、磁性コアの部分を電気絶縁層を挟みながら積層させ、磁性体の磁気特性および磁性体の総厚に依存するインダクタンスと、渦電流損失対策を両立させなければならない。
【０００３】
一般的な薄膜インダクタの磁気コアでは、磁性体の総厚が２〜５μｍであり、それをＳｉＯ２  などの電気絶縁体膜で、２〜５層に区切って製作されている。この場合、磁性層１層あたりの膜厚は０．５〜２μｍである。
【０００４】
しかし、２００ＭＨｚを超える高い周波数に対応させるためには、磁性層１層あたりの厚さを０．２μｍ以下にする必要がある。薄膜インダクタの磁性層（たとえばＣｏＺｒＴａ）と、絶縁層（たとえばＳｉＯ２  ）との積層構造は一般的にはスパッタリングで得られる。
【０００５】
積層構造を形成するためのスパッタ装置として一般的に使用されているのは枚様式といわれる方式で、ロボットチャンバーを経由してそれぞれの材料を専用のスパッタチャンバーで順に成膜をしていく。この方式では、たとえば磁性層２層＋絶縁層１層の構成であれば問題ない。
【０００６】
しかしながら、この方式では、例えば、磁性層２０層＋絶縁層１９層の構成だと、１層毎にロボットチャンバーを経由するため、１枚の基板の上に積層構造を作るのにも長大な時間がかかってしまい、量産は困難である。
【０００７】
そこで、特許文献１に示す装置を用いて積層膜を形成することも考えられる。特許文献１に示す装置では、スパッタターゲットを同心円状に並べ、基板を、その同心円状に回すことにより、複数種の材料の積層構造を作ることができる。
【０００８】
しかしながら、この方法では、たとえば複数個のターゲットを同心円状に配置して基板を回転して、その上に成膜を行う場合に、積層膜の一部を構成する絶縁層の厚みのみを薄く形成することが困難である。たとえば４個のターゲットを同心円状に配置して基板を回転して、その上に成膜を行う場合を仮定する。
【０００９】
磁性層の成膜速度と、絶縁層の成膜速度とが同じである場合に、３個のターゲットを磁性層のためのターゲットとし、１個のターゲットを絶縁層のためのターゲットと仮定した場合、磁性層と絶縁層の厚みの比率は、３：１になる。このため、その積層膜をコアとして機能させる場合に、その飽和磁束密度は、全体を磁性体で形成したコアを１００％とすると、７５％でしかない。例えば、コアの飽和磁束密度を磁性体単体の９５％まで上げるためには、磁性層のためのターゲットの数と絶縁層のためのターゲットの数の比を、１９：１にする必要があり、装置が大型になるという課題を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭６２−０６０８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、特定の薄膜のみが他よりも薄く形成してある積層膜を、比較的に小型の装置で効率的に製造することができる積層膜の製造装置と製造方法、および薄膜インダクタの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明に係る積層膜の製造装置は、
内部を密閉可能なチャンバと、
前記チャンバ内を、連通可能な第１室と第２室とに分離する仕切り壁と、
前記第２室に設けられ、前記第２室の圧力を前記第１室の圧力よりも高くすることを可能とするガス導入口と、
前記チャンバの内部で、前記第１室と前記第２室との間で、基板を移動可能に保持する移動機構と、
前記第１室に設けられ、前記基板の表面に第１薄膜を堆積させるための第１薄膜形成手段と、
前記第２室に設けられ、前記基板の表面に第２薄膜を堆積させるための第２薄膜形成手段と、を有する。
【００１３】
本発明に係る積層膜の製造装置では、第２室の圧力が第１室の圧力よりも高く設定されている。たとえばスパッタリングなどの薄膜法による薄膜の成膜では、ガス圧が高くなるほど、成膜速度が低下する。したがって、第２室の内部では、第１室の内部に比較して、成膜速度が低下する。そのため、同じ時間内で成膜される薄膜の厚みは、第２室の内部では薄く、第１室の内部では厚くなる。したがって、本発明の積層膜の製造装置によれば、特定の薄膜のみが他よりも薄く形成してある積層膜を、比較的に小型の装置で効率的に製造することができる。
【００１４】
また、たとえばスパッタリングなどの薄膜法による薄膜の成膜では、ガス圧が高くなるほど、放電限界電力が低下する。したがって、本発明の積層膜の製造装置によれば、低消費電力で第１薄膜を形成することができる。
【００１５】
好ましくは、前記仕切り壁には、前記第２室から第１室へ向かうガスの流れを制御するガス流制御機構が具備してある。ガス流制御機構でガスの流れを制限することで、第２室と第１室との差圧を制御することができ、結果的に、第２室の内部で成膜される第２薄膜の厚みを制御することができる。
【００１６】
好ましくは、積層膜の製造装置は、
前記第１室の内部に設けられ、前記第１室の内部の圧力を検出する第１圧力センサと、
前記第２室の内部に設けられ、前記第２室の内部の圧力を検出する第２圧力センサと、
前記第１圧力センサの検知信号と、前記第２圧力センサの検知信号とが入力され、前記第２室の圧力と前記第１室の圧力との差圧を所定範囲内に制御する制御装置と、をさらに有する。
【００１７】
このように構成することで、第２室と第１室との差圧を自動で制御することができ、結果的に、第２室の内部で成膜される第２薄膜の厚みを正確に制御することができる。
【００１８】
本発明の積層膜の製造方法は、
仕切り壁により連通可能に分離された第１室と第２室とを内部に有する密閉可能なチャンバ内で、前記第２室の圧力を前記第１室の圧力よりも高くする工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第１室から前記第２室に移動させ、前記第２室の内部で、前記第１室で形成された第１薄膜の上に、第２薄膜を堆積させる工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第２室から前記第１室に移動させ、前記第１室の内部で、前記第２薄膜の上に、前記第１薄膜とは別に第１薄膜を堆積させる工程と、を有する。
【００１９】
本発明に係る積層膜の製造方法では、第２室の圧力が第１室の圧力よりも高く設定されている。たとえばスパッタリングなどの薄膜法による薄膜の成膜では、ガス圧が高くなるほど、成膜速度が低下する。したがって、第２室の内部では、第１室の内部に比較して、成膜速度が低下する。そのため、同じ時間内で成膜される薄膜の厚みは、第２室の内部では薄く、第１室の内部では厚くなる。したがって、本発明の積層膜の製造方法によれば、特定の薄膜のみが他よりも薄く形成してある積層膜を、比較的に小型の装置で効率的に製造することができる。
【００２０】
また、たとえばスパッタリングなどの薄膜法による薄膜の成膜では、ガス圧が高くなるほど、放電限界電力が低下する。したがって、本発明の積層膜の製造方法によれば、より低い投入電力（成膜速度）で第１薄膜を形成することができる。
【００２１】
好ましくは、前記第１室では、前記第１薄膜を複数層で形成し、その後に、前記第２室では、単一層の前記第２薄膜を形成する。このように構成することで、積層膜中の途中に形成される単一層の第２薄膜を、より薄く成膜することができると共に、第２薄膜で挟まれる複数膜で構成される第１薄膜の厚みを、さらに厚くすることが可能になる。
【００２２】
本発明に係る薄膜インダクタの製造方法は、
仕切り壁により連通可能に分離された第１室と第２室とを内部に有する密閉可能なチャンバ内で、前記第２室の圧力を前記第１室の圧力よりも高くする工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第１室から前記第２室に移動させ、前記第２室の内部で、前記第１室で形成された磁性体膜の上に、絶縁体膜を堆積させる工程と、
前記チャンバの内部で、前記基板を前記第２室から前記第１室に移動させ、前記第１室の内部で、前記絶縁体膜の上に、前記磁性体膜とは別に磁性体膜を堆積させる工程と、を有する。
【００２３】
本発明の薄膜インダクタの製造方法によれば、積層方向に磁性体膜で挟まれる絶縁体膜が、磁性体膜に比較して極端に薄い多層磁性体膜を、比較的に小型の装置で効率的に製造することができる。また、本発明の薄膜インダクタの製造方法によれば、低消費電力で絶縁体膜を形成することができる。さらに、本発明の方法により得られる多層磁性体膜では、多層磁性体膜中に、積層方向に所定ピッチで薄い絶縁体膜が存在することから、磁性体コアの渦電流の防止も図れる。
【００２４】
好ましくは、第１室では、磁性体膜を複数層で形成し、その後に、第２室では、単一層の絶縁体膜を形成する。このように構成することで、多層磁性体膜の途中に形成される単一層の絶縁体膜を、より薄く成膜することができると共に、積層方向に絶縁体膜で挟まれる複数膜で構成される磁性体膜の厚みを、さらに厚くすることが可能になる。その結果、多層であり、しかも、コア中の磁性層の比率が高い多層磁気コアを、高速かつ安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層膜の製造装置の概略断面図である。
【図２】図２は図１に示すII−II線に沿う概略断面図である。
【図３】図３は図１に示すIII−III線に沿う概略断面図である。
【図４】図４は本発明の一実施形態に係る製造方法により得られる積層膜の一例を示す概略断面図である。
【図５】図５はガス圧と成膜速度（成膜レート）との関係を示すグラフである。
【図６】図６はガス圧と放電限界電力との関係を示すグラフである。
【図７】図７は磁性体膜の積層数とμ’／μ”との関係を示すグラフである。
【図８】図８は磁性体膜を形成するためのターゲットの数と積層膜のＢｓとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層膜の製造装置２は、たとえばスパッタリング装置の一種であり、内部を密閉可能なチャンバ４を有する。チャンバ４の内部は、仕切り壁１０により、比較的に容積が大きな第１室６と、比較的に容積が小さい第２室８に分けられている。
【００２７】
チャンバ４の内部において、仕切り壁１０により、第１室６と第２室とは、相互に密封されて分離されているのではなく、相互に連通可能に分離されている。すなわち、仕切り壁１０には、単一または複数の流通孔（ガス流制御機構）１０ａが設けられていてもよく、この流通孔１０ａを通して、第１室６と第２室８とは連通している。
【００２８】
また、チャンバ１０の内部には、その底部に、複数の基板１２が設置可能な回転テーブル（移動機構）が、図２に示す矢印Ａ方向に回転可能に設置してある。回転テーブル１４は、その回転中心回りに回転移動し、テーブル１４の上面に配置してある基板１２を、第１室６から第２室８へと移動させることができる。あるいは、回転テーブル１４は、その回転中心回りに回転移動し、テーブル１４の上面に配置してある基板１２を、第２室８から第１室６へと移動させることができる。
【００２９】
テーブル１４を回転移動させる必要があることから、仕切り壁１０の下端部は、テーブル１４の表面に接触しないようになっており、これらの間には隙間１０ｂが生じる。この隙間１０ｂを通しても、第１室６と第２室８とは、連通していることから、仕切り壁１０には、流通孔１０ａを必ずしも設ける必要はない。
【００３０】
図２に示すように、本実施形態では、回転テーブル１４の上面に、円周方向に略等間隔に、４つの円板状の基板１２が着脱自在に固定してある。そして、回転テーブル１４の回転停止位置で、少なくとも１つの基板１２が、第２室８の内部に位置するようになっている。その他の３つの基板１２は、第１室６の内部に位置するようになっている。
【００３１】
チャンバ４の外部には、第１室６の内部に連通可能に真空ポンプ２０が接続してある。真空ポンプ２０と接している排気口（バルブ）は閉じられたチャンバ４の外側に設置されていることが好ましい。
【００３２】
真空ポンプ２０は、第１室６の内部の圧力を低下させるように動作する。第１室６と第２室８とは連通しているので、第１室６の圧力が低下させられると、第２室７８の圧力も低下させられる。第２室８を構成するチャンバ４の一部には、ガス導入口２２が設けられている。ガス導入口２２からは、第２室８の内部に、アルゴン、クリプトン、あるいはその他の希ガスなどのガスが導入可能になっている。
【００３３】
第２室８の内部に導入されたガスは、第２室８の内部を満たし、その後に、流通孔１０ａおよび隙間１０ｂを通して、第１室６に導入される。したがって、第２室８の圧力は、第１室６の圧力に比較して、たとえば１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは４倍以上高くなる。ただし、第１室６および第２室８の圧力は、双方共に、スパッタリングなどによる成膜が可能となる圧力範囲であることが好ましく、０．１〜２．０Ｐａの範囲内であることが好ましい。第２室８の圧力は、第１室の圧力に対して、好ましくは２〜４倍である。
【００３４】
本実施形態では、第１室６では、図２に示す回転テーブル１４が停止する所定位置で、３つの基板１２に対応する上方位置に、それぞれ対応して、図１に示す第１ターゲット（第１薄膜形成手段）３１が、チャンバ４の天井内壁に位置するカソードに着脱自在に固定してある。３つの第１ターゲット３１は、本実施形態では、全て同じ磁性体で構成してあるが、異なる材質で構成してもよい。第１ターゲット３１を構成する磁性体としては、たとえばＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系磁性体、ＮｉＦｅ、センダスト、Ｆｅ系アモルファス、ＦｅＳｉＢＮｂＣｕなどのナノ結晶材などが例示される。
【００３５】
第２室８では、図２に示す回転テーブル１４が停止する所定位置で、単一の基板１２に対応する上方位置に対応して、図１に示す第２ターゲット３２（第２薄膜形成手段）が、チャンバ４の天井内壁に位置するカソードに着脱自在に固定してある。第２ターゲット３２は、本実施形態では、磁性体とは異なる絶縁体で構成してある。第２ターゲット３２を構成する絶縁体としては、たとえばシリコン酸化物、アルミニウム酸化物、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、窒化ボロン、酸化タンタル、ＤＬＣなどが例示される。
【００３６】
本実施形態では、図３に示すように、仕切り壁１０には、複数の流通孔１０ａが形成してあり、流通孔１０ａは、仕切り壁１０に対して、スライド移動自在に装着してある弁板（ガス流制御機構）１１により閉塞可能になっている。弁板１１は、モータなどの駆動機構により移動し、複数の流通孔１０ａの内のいくつか、または全ての流通孔１０ａを閉塞可能になっている。弁板１１の移動は、モータなどの駆動機構を制御する制御装置５０により制御される。弁板１１が移動することにより、第２室８から第１室６へ導入されるガスの流れを制御し、第１室６に対する第２室８の圧力差を制御可能になっている。
【００３７】
図１に示すように、制御装置５０には、第１圧力センサ４０および第２圧力センサ４２の検出信号が入力可能になっている。第１圧力センサ４０は、第１室６の内部圧力を検出可能になっている。また、第２圧力センサ４２は、第２室８の内部圧力を検出可能になっている。これらのセンサ４０，４２で検出された検出信号は、制御装置５０に入力される。これらのセンサ４０，４２としては、特に限定されず、真空ゲージなどが用いられる。
【００３８】
制御装置５０では、これらのセンサ４０，４２で検出された圧力信号から、各室６、８の圧力と、第１室６に対する第２室８の圧力比または圧力差を算出し、これらの数値が所定範囲内になるように、弁板１１の移動と、ガス導入口２２からのガス供給量、および／または真空ポンプ２０によるチャンバ４の内部圧力を制御する。
【００３９】
本実施形態では、図２に示す回転テーブル１４を、その上に配置してある基板１２が、それぞれ図１に示すターゲット３１および３２の直下方に位置するように停止させて、これらのターゲット３１および３２による各基板１２へのスパッタリングを所定時間で行う。その結果、第１室６に位置する基板１２の表面には、第１ターゲット３１の材質で構成してある図４に示す第１薄膜３１ａが堆積する。また、第２室８に位置する基板１２の表面には、第２ターゲット３２の材質で構成してある図４に示す第２薄膜３２ａが堆積する。
【００４０】
その後に、スパッタリング成膜を一旦停止し、図２に示す回転テーブル１４を、矢印Ａ方向またはその逆方向に回転させ、その上に配置してある基板１２が、それぞれ図１に示すターゲット３１および３２の直下方に位置するように停止させる。その後に、これらのターゲット３１および３２による各基板１２へのスパッタリングを所定時間で再開する。本実施形態では、これらの動作を繰り返し行う。
【００４１】
図１に示す本実施形態に係る積層膜の製造装置２による積層膜の製造方法では、第２室８の圧力が第１室６の圧力よりも高く設定されている。たとえばスパッタリングなどの薄膜法による薄膜の成膜では、図５に示すように、ガス圧が高くなるほど、成膜速度（成膜レート）が低下する。たとえばガス圧が０．２Ｐａから１Ｐａに上がると、成膜速度は、約２０％以上低下する。
【００４２】
したがって、第２室８の内部では、第１室６の内部に比較して、成膜速度が低下する。そのため、同じ時間内で成膜される薄膜の厚みは、第２室８の内部では薄く、第１室６の内部では厚くなる。したがって、本実施形態の積層膜の製造装置２によれば、図４に示すように、特定の薄膜である絶縁体薄膜である第２薄膜３２ａのみが他よりも薄く形成してある積層膜３０を、比較的に小型の装置２で効率的に製造することができる。
【００４３】
また、たとえばスパッタリングなどの薄膜法による薄膜の成膜では、図６に示すように、ガス圧が高くなるほど、放電限界電力が低下する。したがって、本実施形態の積層膜の製造装置２によれば、より低い電力、つまり、より低い成膜速度で第１薄膜３２ａを形成することができる。
【００４４】
さらに本実施形態では、図１に示すように、仕切り壁１０には、第２室８から第１室６へ向かうガスの流れを制御する流通孔１０ａが具備してあり、流通孔１０ａを通して流通するガスの流量は、制御装置５０により駆動される弁板１１の移動で制御される。制御装置５０では、圧力センサ４０および４２からの検出信号に基づき、第１室６および第２室８の圧力を検出することができる。
【００４５】
本実施形態では、制御装置５０が弁板１１の移動を制御することで、第２室８から第１室６へ向かうガスの流れを制御し、第２室８と第１室６との差圧（圧力比も含む）を自動で制御することができる。その結果、第１室６の内部で成膜される第１薄膜３１ａの厚みｔ１（図４参照）と、第２室８の内部で成膜される第２薄膜３２ａの厚みｔ２（図４参照）とを正確に制御することができる。
【００４６】
さらに本実施形態では、第１室６では、図４に示す第１薄膜３１ａを、図１に示す複数の第１ターゲット３１により複数層で形成することができ、その後に、第２室８では、単一層の第２薄膜３２ａを形成する。このように構成することで、積層膜中の途中に形成される単一層の第２薄膜３２ａを、より薄く成膜することができると共に、第２薄膜３２ａで挟まれる複数膜で構成される第１薄膜３１ａの厚みを、さらに厚くすることが可能になる。
【００４７】
図１〜図３に示す製造装置２を用いた製造方法により得られる図４に示す積層膜３０は、第１薄膜３１ａが磁性体で構成してあり、第２薄膜３２ａが絶縁体で構成してある。したがって、この積層体３０は、薄膜インダクタとして用いることができる。本実施形態の薄膜インダクタの製造方法により得られる積層体３０は、多層磁性体膜中に、積層方向に所定ピッチで薄い絶縁体膜が存在することから、磁性体コアの渦電流の防止も図れる。本実施形態の方法によれば、多層であり、しかも、コア中の磁性層の比率が高い多層磁気コア（積層体３０）を、高速かつ安価に提供することができる。
【００４８】
なお、図７は、図４に示す第１薄膜３１ａをＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系磁性体で構成し、第２薄膜３２ａを二酸化シリコンで構成し、第１薄膜３１ａの積層数を増大させた場合に、積層体３０の透磁率μ’と透磁率μ”との比を測定した結果を示す。高周波領域での薄膜インダクタの特性を確保するためには、μ’／μ”が１５よりも大きいことが好ましいとされており、そのためには、図７に示すように、第１薄膜３１ａを５層以上に積層させることが好ましい。
【００４９】
本実施形態の装置２およびその装置２を用いた製造方法によれば、回転テーブル１４を回転させ、図２に示す位置で回転テーブル１４を停止させながら、スパッタリング成膜を行うことで、第１薄膜３１ａを５層以上に積層させることが容易である。
【００５０】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００５１】
たとえば、基板１２としては、特に限定されず、たとえばシリコンウエハ、フェライト基板、ＡＬＴＩＣ基板、チタン酸バリウム基板、金属基板などが用いられる。
【００５２】
また、第１室６と第２室８との間の圧力差（圧力比を含む）を調整するためのガス流制御機構としては、上述した実施形態に限定されず、どのような機構であっても良い。
【００５３】
さらに、本発明の別の実施形態では、成膜の初期では、図２に示すチャンバ４の内部の回転テーブル１４において、回転方向Ａの最初に位置する基板１２にのみ、スパッタリング成膜を行い、一層目の第１薄膜３１ａを形成する。その後に、回転テーブル１４を１／ｎ（ｎは回転方向に沿う基板１２の総数）で回転させて、回転方向Ａの最初から２つの基板１２にスパッタリング成膜を行い、回転方向から二つ目の基板には、二層目の第１薄膜３１ａを形成し、回転方向から１つ目の基板１２には、一層目の第１薄膜３１ａを形成する。その後に、さらに回転テーブル１４を１／ｎで回転させて、回転方向Ａの最初から３つの基板にスパッタリング成膜を行う。
【００５４】
これにより、回転方向から３つ目の基板には、三層目の第１薄膜３１ａを形成し、回転方向から二つ目の基板には、二層目の第１薄膜３１ａを形成し、回転方向から１つ目の基板１２には、一層目の第１薄膜３１ａを形成することができる。このようにして、回転テーブル１４の上の全ての基板１２に対して、同じ順序で同じ厚みで第１薄膜３１ａと第２薄膜３２ａとを成膜することができる。
【００５５】
また、上述した例では、基板１２の上に、第１薄膜３１ａから成膜しているが、第２室８に位置する基板１２の上に、第２薄膜３２ａを最初に形成することも可能である。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００５７】
図８は、比較例と実施例における第１ターゲットの枚数と積層体３０の飽和磁束密度Ｂｓとの関係を示すグラフである。実施例では、図１に示す装置２を用いて、前述した方法で、単一または複数のＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系磁性体膜から成る第１薄膜３１ａを形成すると共に、二酸化シリコンの絶縁体膜から成る第２薄膜３２ａを形成して積層体３０を持つ薄膜インダクタを得た。比較例では、仕切り壁１０を持たない以外は、実施例と同様にしてインダクタを構成した。
【００５８】
図８に示すように、トータルの積層厚みが同じであれば、本実施形態では、図１に示す第１室６の内部に、単一の第１ターゲット３１を配置した場合でも、Ｂｓ＝１．２５Ｔ以上の積層体３０から成る薄膜インダクタを得ることができた。これに対して、比較例では、仕切り壁１０が無くて、チャンバ４の内部に圧力差を作れないため、４つ以上の第１ターゲットを配置しなければ、満足できるＢｓを持つ積層体を製造することができなかった。このことは、本実施例によれば、装置２の大型化および高額化を防ぐことができることを示している。
【符号の説明】
【００５９】
２…  積層膜の製造装置
４…  チャンバ
６…  第１室
８…  第２室
１０…  仕切り壁
１０ａ…  流通孔（ガス流制御機構）
１０ｂ…  隙間
１１…  弁板（ガス流制御機構）
１２…  基板
１４…  回転テーブル（移動機構）
２０…  真空ポンプ
２２…  ガス導入口
３０…  積層膜
３１…  第１ターゲット（第１薄膜形成手段）
３１ａ…  磁性体膜（第１薄膜）
３２…  第２ターゲット（第2薄膜形成手段）
３２ａ…  絶縁体膜（第２薄膜）
４０…  第１圧力センサ
４２…  第２圧力センサ
５０…  制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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