(57)【要約】【課題】発光部として利用できる部分の減少を抑えることの可能な有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび発光装置を提供する。【解決手段】本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、有機電界発光部と、有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部とを備えている。有機電界発光部は、ＥＬ光を発する発光層を含む有機材料層と、有機材料層に接するとともに、有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、共振器の外であって、かつアノード側の反射面寄りの位置に設けられた膜厚調整層とを有している。膜厚調整層の厚さは、有機材料層の上面と隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように調整されている。【選択図】図４
2018147599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光部と、
前記有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部と
を備え、
前記有機電界発光部は、
ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する発光層を含む有機材料層と、
前記有機材料層に接するとともに、前記有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、
前記共振器の外であって、かつ前記アノード側の反射面寄りの位置に設けられ、前記有機材料層の上面と前記隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように厚さの調整された膜厚調整層と
を有する
有機電界発光素子。
【請求項２】
前記差分は、５００ｎｍ以下となっている
請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記膜厚調整層の端縁の少なくとも一部は、各前記隔壁部の直下に位置しており、
各前記隔壁部は、前記膜厚調整層の端縁に倣った段差を有しており、
前記段差は、前記膜厚調整層の厚さよりも小さくなっている
請求項１または請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記有機電界発光部は、前記アノード側の反射面を有するアノード電極を有し、
前記アノード電極は、前記膜厚調整層の表面に接するとともに当該アノード電極の端縁が前記膜厚調整層の端縁の直上となるように形成され、
前記膜厚調整層および前記アノード電極のそれぞれの端縁の少なくとも一部は、各前記隔壁部の直下に位置しており、
各前記隔壁部は、前記膜厚調整層および前記アノード電極のそれぞれの端縁に倣った段差を有しており、
前記段差は、前記膜厚調整層および前記アノード電極の厚さの合計よりも小さくなっている
請求項１または請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記有機電界発光部は、前記アノード側の反射面を有するアノード電極を有し、
前記アノード電極が、前記膜厚調整層を兼ねている
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記有機電界発光部は、前記アノード側の反射面を有するアノード電極を有し、
前記膜厚調整層は、前記アノード電極に接する絶縁層である
請求項１、請求項２または請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
各前記隔壁部は、第１隔壁部上に第２隔壁部が積層された構造となっており、
前記有機材料層は、前記発光層の他に、前記アノード側の反射面寄りに１または複数の第１有機材料層を有するとともに、前記カソード側の反射面寄りに１または複数の第２有機材料層を有し、
前記第１隔壁部は、前記第１有機材料層の上面と当該第１隔壁部とが互いに接触するピニング位置を有し、
前記第２隔壁部は、前記第２有機材料層の上面と当該第２隔壁部とが互いに接触するピニング位置を有する
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
複数の画素を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記画素において、複数の前記副画素のうち少なくとも１つは、
有機電界発光部と、
前記有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部と
を有し、
前記有機電界発光部は、
ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する発光層を含む有機材料層と、
前記有機材料層に接するとともに、前記有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、
前記共振器の外であって、かつ前記アノード側の反射面寄りの位置に設けられ、前記有機材料層の上面と前記隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように厚さの調整された膜厚調整層と
を有する
有機電界発光パネル。
【請求項９】
各前記画素において、複数の前記副画素のうち少なくとも２つは、
前記有機電界発光部と、
前記一対の隔壁部と
を有し、
各前記画素において、複数の前記副画素のうち第１副画素の前記膜厚調整層の厚さと、複数の前記副画素のうち前記第１副画素とは異なる第２副画素の前記膜厚調整層の厚さとは、以下の関係式を満たす
請求項８に記載の有機電界発光パネル。
ｔ１＜ｔ２
ｔ１：前記第１副画素の前記膜厚調整層の厚さ
ｔ２：前記第２副画素の前記膜厚調整層の厚さ
【請求項１０】
各前記画素において、前記第１副画素の前記有機材料層の厚さと、前記第２副画素の前記有機材料層の厚さとは、以下の関係式を満たす
請求項９に記載の有機電界発光パネル。
ｔ３＞ｔ４
ｔ３：前記第１副画素の前記有機材料層の厚さ
ｔ４：前記第２副画素の前記有機材料層の厚さ
【請求項１１】
各前記画素において、前記第１副画素の前記差分および前記第２副画素の前記差分は、５００ｎｍ以下となっている
請求項８ないし請求項１０のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
【請求項１２】
複数の画素を有する有機電界発光パネルと、
複数の前記画素を駆動する駆動部と
を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記画素において、複数の前記副画素のうち少なくとも１つは、
有機電界発光部と、
前記有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部と
を有し、
前記有機電界発光部は、
ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する発光層を含む有機材料層と、
前記有機材料層に接するとともに、前記有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、
前記共振器の外であって、かつ前記アノード側の反射面寄りの位置に設けられ、前記有機材料層の上面と前記隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように厚さの調整された膜厚調整層と
を有する
発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット装置を用いて、有機電界発光素子を画素ごとに形成することにより、有機電界発光パネルを製造する方法が知られている。近年の高精細化に伴い、画素サイズが小さくなり、単位面積当たりの保液量が少なくなってきている。しかし、溶解性や、印刷可能な物性（粘度など）の観点から、インク濃度を過度に高くすることは難しい。なお、各画素を区画するバンクについては、例えば、特許文献１，２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際特許公開ＷＯ２０１２／０２５９５４号公報
【特許文献２】特開２００８−２４３７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、バンクの側面を親液性にした場合には、インクを乾燥させる過程でインクの液面にメニスカスが形成され、乾燥後のインク層の上面にもメニスカスが形成される。そのため、インク層において、バンク近傍が極端に厚くなり、画素の中心部分が強く光る現象が起きてしまう。その結果、発光部として利用できる部分が減少してしまう。従って、発光部として利用できる部分の減少を抑えることの可能な有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび発光装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、有機電界発光部と、有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部とを備えている。有機電界発光部は、ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する発光層を含む有機材料層と、有機材料層に接するとともに、有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、共振器の外であって、かつアノード側の反射面寄りの位置に設けられた膜厚調整層とを有している。膜厚調整層の厚さは、有機材料層の上面と隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように調整されている。
【０００６】
本開示の一実施の形態の有機電界発光パネルは、複数の画素を備えている。各画素は、複数の副画素を有している。各前記画素において、複数の副画素のうち少なくとも１つは、上記の有機電界発光素子を有している。
【０００７】
本開示の一実施の形態の発光装置は、複数の画素を有する有機電界発光パネルと、複数の画素を駆動する駆動部とを備えている。発光装置に設けられた有機電界発光パネルは、上記の有機電界発光パネルと同一の構成要素を備えている。
【０００８】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび発光装置では、共振器の外であって、かつアノード反射面寄りの位置に、膜厚調整層が設けられている。この膜厚調整層の厚さは、有機材料層の上面と隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように調整されている。これにより、膜厚調整層が設けられていない場合と比べて、有機材料層に形成されるメニスカスの深さを浅くすることができ、発光層のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび発光装置によれば、従来の有機電界発光パネルと比べて、有機材料層に形成されるメニスカスの深さを浅くすることができ、発光層のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなるようにしたので、発光層のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成例を表す図である。
【図２】図１の各画素に含まれる副画素の回路構成例を表す図である。
【図３】図１の有機電界発光パネルの概略構成例を表す図である。
【図４】図３の有機電界発光パネルのＡ−Ａ線での断面構成例を表す図である。
【図５】図３の有機電界発光パネルのＢ−Ｂ線での断面構成例を表す図である。
【図６】図４の有機電界発光パネルの断面構成例を拡大して表す図である。
【図７】図４の有機電界発光素子の断面構成例を拡大して表す図である。
【図８】差分と平坦化率との関係を表す図である。
【図９Ａ】図４の有機電界発光パネルの製造過程の一例を表す図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く製造過程の一例を表す図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに続く製造過程の一例を表す図である。
【図１０】図４の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１１】図４の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１２】図６の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１３】図６の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１４】図４の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１５】図５の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１６】図６の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１７】図６の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１８】図１６の有機電界発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１２】
＜実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置１の概略構成例を表したものである。図２は、有機電界発光装置１に設けられた各画素１１に含まれる副画素１２の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置１は、例えば、有機電界発光パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。ドライバ３０は、例えば、有機電界発光パネル１０の外縁部分に実装されている。有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、有機電界発光パネル１０（複数の画素１１）を駆動する。
【００１３】
（有機電界発光パネル１０）
有機電界発光パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。有機電界発光パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。
【００１４】
走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧Ｖｓｉｇの、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧Ｖｓｉｇを含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。
【００１５】
各画素１１は、例えば、赤色光を発する副画素１２、緑色光を発する副画素１２、および青色光を発する副画素１２を含んで構成されている。なお、各画素１１は、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する副画素１２を含んで構成されていてもよい。各画素１１において、複数の副画素１２は、例えば、所定の方向に一列に並んで配置されている。
【００１６】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。
【００１７】
各副画素１２は、画素回路１２−１と、有機電界発光素子１２−２とを有している。有機電界発光素子１２−２は、本開示の「有機電界発光部」の一具体例に相当する。有機電界発光素子１２−２の構成については、後に詳述する。
【００１８】
画素回路１２−１は、有機電界発光素子１２−２の発光・消光を制御する。画素回路１２−１は、後述の書込走査によって各副画素１２に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１２−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
【００１９】
書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子１２−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１２−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００２０】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【００２１】
書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子２１−２の陽極２１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子２１−２側の端子に接続されている。
【００２２】
（ドライバ３０）
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧Ｖｓｉｇを、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の副画素１２を所定の単位ごとに走査する。
【００２３】
（コントローラ２０）
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Ｖｓｉｇを生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧Ｖｓｉｇを水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
【００２４】
次に、図３、図４、図５、図６を参照して、有機電界発光素子１２−２について説明する。図３は、有機電界発光パネル１０の概略構成例を表したものである。図４は、図３の有機電界発光パネル１０のＡ−Ａ線での断面構成例を表したものである。図５は、図３の有機電界発光パネル１０のＢ−Ｂ線での断面構成例を表したものである。図６は、図４の有機電界発光素子２１−２の断面構成例を拡大して表したものである。
【００２５】
有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。各画素１１は、例えば、上述したように、赤色光を発する副画素１２（１２Ｒ）、緑色光を発する副画素１２（１２Ｇ）、および青色光を発する副画素１２（１２Ｂ）を含んで構成されている。副画素１２Ｒは、赤色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｒ）を含んで構成されている。副画素１２Ｇは、緑色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｇ）を含んで構成されている。副画素１２Ｂは、青色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｂ）を含んで構成されている。副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素１１において、例えば、副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、列方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の副画素１２が、行方向に並んで配置されている。
【００２６】
有機電界発光パネル１０は、基板１４上に、行方向に延在する複数のラインバンク１３を有している。ラインバンク１３は、本開示の「隔壁部」の一具体例に相当する。複数のラインバンク１３は、各画素１１において、各副画素１２を区画する。有機電界発光パネル１０は、さらに、基板１４上に、複数のラインバンク１３の端部を互いに連結する複数のバンク１５を有している。各バンク１５は、列方向に延在している。基板１４は、例えば、各有機電界発光素子１２−２や各ラインバンク１３などを支持する基材と、基材上に設けられた配線層とによって構成されている。基板１４内の基材は、例えば、ガラス基板、またはフレキシブル基板などによって構成されている。基板１４内の基材として用いられるガラス基板の材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスまたは石英などが挙げられる。基板１４内の基材として用いられるフレキシブル基板の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などが挙げられる。基板１４内の配線層には、例えば、各画素１１の画素回路１２−１が形成されている。
【００２７】
ラインバンク１３およびバンク１５は、例えば、絶縁性の有機材料によって形成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。ラインバンク１３およびバンク１５は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。ラインバンク１３およびバンク１５は、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。ラインバンク１３の断面形状は、例えば、図４に示したような順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。
【００２８】
互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３および両端のバンク１５によって囲まれた領域が、溝部１６なっている。各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３の間隙に１つずつ配置されている。つまり、各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、溝部１６の中に１つずつ配置されている。
【００２９】
各有機電界発光素子１２−２は、例えば、陽極２１、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、有機発光層２４、電子輸送層２５、電子注入層２６および陰極２７を基板１４側からこの順に有している。正孔注入層２２、正孔輸送層２３、有機発光層２４、電子輸送層２５および電子注入層２６からなる積層体２０Ａが、本開示の「有機材料層」の一具体例に相当する。有機発光層２４が、本開示の「発光層」の一具体例に相当する。陽極２１が、本開示の「アノード電極」の一具体例に相当する。
【００３０】
各有機電界発光素子１２−２は、ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する有機発光層２４を含む積層体２０Ａを有している。各有機電界発光素子１２−２は、さらに、例えば、積層体２０Ａに接するとともに、積層体２０Ａを間にして互いに対向配置された反射面２１Ａおよび反射面２７Ａからなる共振器２０Ｂを有している。本実施の形態では、反射面２１Ａは、陽極２１の上面であり、陽極２１のうち積層体２０Ａに接する表面である。反射面２７Ａは、陰極２７の下面であり、陰極２７のうち積層体２０Ａに接する表面である。共振器２０Ｂは、光の共振現象を利用して、先鋭な発光スペクトルを得るために設けられたものである。共振器２０Ｂは、有機発光層２４から発せられたＥＬ光を繰り返し反射し、ある特定の波長のみ安定した定在波を生成させる。定在波は、共振器２０Ｂの光路長が１／２波長の整数倍であるときに発生する。
【００３１】
正孔注入層２２は、正孔注入効率を高めるための層である。正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を有機発光層２４へ輸送するための層である。有機発光層２４は、電子と正孔との再結合により、所定の色のＥＬ光を発する層である。電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を有機発光層２４へ輸送するための層である。電子注入層２６は、電子注入効率を高めるための層である。正孔注入層２２および電子注入層２６の少なくとも一方が省略されていてもよい。各有機電界発光素子１２−２は、上述以外の層をさらに有していてもよい。
【００３２】
陽極２１は、例えば、基板１４の上に形成されている。さらに、陽極２１は、例えば、陽極２１の端縁がラインバンク１３内に埋め込まれるように形成されている。従って、陽極２１の端縁の少なくとも一部は、各ラインバンク１３の直下に位置している。１副画素行において、複数の陽極２１は、例えば、溝部１６の延在方向に、等間隔で配置されている。陽極２１は、例えば、反射性を有する反射電極であり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはアルミニウムもしくは銀の合金等の導電性材料からなる反射導電膜である。つまり、この場合には、陽極２１の反射面２１Ａが、アノード反射面となっている。陽極２１は、例えば、透明電極の上に反射電極が積層されたものであってもよい。なお、陽極２１は、透光性を有する反射電極であってもよい。この場合、陽極２１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料からなる透明導電膜と、その透明導電膜の表面上に形成されたＡｌ薄膜とにより構成されていてもよい。このとき、陽極２１の反射面２１Ａが、アノード半透過面となっている。
【００３３】
陽極２１が反射性を有する反射電極となっている場合、陰極２７は、半透過性を有する反射電極となっている。このとき、陰極２７は、例えば、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性材料からなる透明導電膜と、その透明導電膜の表面上に形成されたＡｌ薄膜とにより構成されていてもよい。このとき、陰極２７の反射面２７Ａが、カソード半透過面となっている。陽極２１が透光性を有する反射電極となっている場合、陰極２７は、反射性を有する反射電極となっている。このとき、陰極２７は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等により構成されている。このとき、陰極２７の反射面２７Ａが、カソード反射面となっている。基板１４及び陽極２１が透光性を有し、陰極２７が反射性を有する場合には、有機電界発光素子１２−２は、基板１４側から光を放出するボトムエミッション構造となっている。陽極２１が反射性を有し、陰極２７が透光性を有する場合には、有機電界発光素子１２−２は、陰極２７側から光を放出するトップエミッション構造となっている。
【００３４】
正孔注入層２２は、陽極２１から有機発光層２４へ正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層２２は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料によって構成されている。
【００３５】
正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を有機発光層２４へ輸送する機能を有する。正孔輸送層２３は、例えば、塗布膜である。正孔輸送層２３は、例えば、正孔輸送性を有する有機材料（以下、「正孔輸送性材料２３Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液を塗布および乾燥することにより形成されている。正孔輸送層２３は、正孔輸送性材料２３Ｍを主成分として含んで構成されている。
【００３６】
正孔輸送層２３の原料（材料）である正孔輸送性材料２３Ｍは、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。正孔輸送性材料２３Ｍは、さらに、例えば、溶解性および不溶化の機能のために、その分子構造中に、可溶性基と、熱解離可溶性基、架橋性基または脱離性保護基などの不溶化基とを有している。
【００３７】
有機発光層２４は、正孔と電子との再結合により、所定の色の光を発する機能を有する。有機発光層２４は、塗布膜である。有機発光層２４は、正孔と電子との再結合により励起子を生成し発光する有機材料（以下、「有機発光材料２４Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。有機発光層２４は、有機発光材料２４Ｍを主成分として含んで構成されている。副画素１２Ｒに含まれる有機電界発光素子１２ｒでは、有機発光材料２４Ｍが赤色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｇに含まれる有機電界発光素子１２ｇでは、有機発光材料２４Ｍが緑色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｂに含まれる有機電界発光素子１２ｂでは、有機発光材料２４Ｍが青色有機発光材料を含んで構成されている。
【００３８】
有機発光層２４は、例えば、単層の有機発光層、または、積層された複数の有機発光層によって構成されている。有機発光層２４が積層された複数の有機発光層によって構成されている場合には、有機発光層２４は、例えば、主成分が互いに共通の複数の有機発光層を積層したものである。このとき、複数の有機発光層は、ともに、塗布膜である。複数の有機発光層は、ともに、有機発光材料２４Ｍを溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。
【００３９】
有機発光層２４の原料（材料）である有機発光材料２４Ｍは、例えば、ドーパント材料単独であってもよいが、より好ましくは、ホスト材料とドーパント材料との組み合わせがよい。つまり、有機発光層２４は、有機発光材料２４Ｍとして、ホスト材料およびドーパント材料を含んで構成されている。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上の組み合わせであってもよい。ドーパント材料の量は、ホスト材料に対して、０．０１重量％以上３０重量％以下であるとよく、より好ましくは、０．０１重量％以上１０重量％以下である。
【００４０】
有機発光層２４のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
【００４１】
また、有機発光層２４のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、有機発光層２４のドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、もしくは、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。
【００４２】
電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を有機発光層２４へ輸送する機能を有する。電子輸送層２５は、例えば、塗布膜である。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する有機材料（以下、「電子輸送性材料２５Ｍ」と称する。）主成分として含んで構成されている。
【００４３】
電子輸送層２５は、有機発光層２４と陰極２７との間に介在し、陰極２７から注入された電子を有機発光層２４へ輸送する機能を有する。電子輸送層２５の原料（材料）である電子輸送性材料２５Ｍは、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。また、電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含んでもよい。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含むことで、電子輸送層２５の電子輸送性を向上できる。電子輸送層２５に含まれる金属としては、例えば、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルビジウム（Ｒｂ）、イットリビウム（Ｙｂ）等を用いることができる。
【００４４】
有機電界発光パネル１０は、さらに、例えば、各有機電界発光素子１２−２を封止する封止層２８を有していてもよい。封止層２８は、例えば、各有機電界発光素子１２−２の陰極２７の上面に接して設けられている。
【００４５】
次に、膜厚調整層２８について説明する。
【００４６】
各画素１１において、複数の副画素１２のうち少なくとも１つの副画素１２に含まれる有機電界発光素子１２−２は、膜厚調整層２８を有している。図４には、有機電界発光素子１２−２（１２ｇ）と、有機電界発光素子１２−２（１２ｂ）とに対して、膜厚調整層２８が設けられている態様が例示されている。図４では、有機電界発光素子１２−２（１２ｇ）には、膜厚調整層２８Ｇが設けられており、有機電界発光素子１２−２（１２ｂ）には、膜厚調整層２８Ｂが設けられている。以下では、有機電界発光素子１２−２（１２ｇ）と、有機電界発光素子１２−２（１２ｂ）とに対してだけ、膜厚調整層２８が設けられているものとして、説明する。
【００４７】
膜厚調整層２８は、共振器２０Ｂの外であって、かつ反射面２１Ａ寄りの位置に設けられている。従って、膜厚調整層２８は、共振器２０Ｂの中には無く、共振器２０Ｂの光学調整を目的とした層ではない。膜厚調整層２８は、陽極２１の直下に配置されており、具体的には、基板１４と陽極２１との間に配置されている。膜厚調整層２８は、陽極２１の反射面２１Ａの、基板１４からの距離を調整するための層である。より具体的には、膜厚調整層２８Ｂは、積層体２０Ａ（例えば電子注入層２６）の上面とラインバンク１３とが互いに接触するピニング位置の高さＨ（具体的にはＨ１）と、積層体２０Ａ（例えば電子注入層２６）の上面の中央位置の高さＴ（具体的にＴ１）との差分ΔＨ（具体的にΔＨ１）が所定の範囲内となるように厚さの調整された層である。膜厚調整層２８Ｇは、積層体２０Ａ（例えば電子注入層２６）の上面とラインバンク１３とが互いに接触するピニング位置の高さＨ（具体的にはＨ２）と、積層体２０Ａ（例えば電子注入層２６）の上面の中央位置の高さＴ（具体的にＴ２）との差分ΔＨ（具体的にΔＨ２）が所定の範囲内となるように厚さの調整された層である。有機電界発光素子１２−２（１２ｒ）における陽極２１の厚さは、副画素１２Ｒにおけるピニング位置の高さＨ（具体的にはＨ３）と、積層体２０Ａ（例えば電子注入層２６）の上面の中央位置の高さＴ（具体的にＴ３）との差分ΔＨ（具体的にΔＨ３）が所定の範囲内となるように調整されている。なお、ピニング位置は、例えば、ラインバンク１３の側面において、親液性の領域と、撥液性の領域との境界位置に相当する。
【００４８】
差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２，ΔＨ３）の上限値は、平坦率Ｒに依る。平坦率Ｒとは、図７や、下記の式（１）に示した式で表される。
平坦率Ｒ＝Ｗ２／Ｗ１×１００[％]…式（１）
【００４９】
ここで、Ｗ１は、陽極２１の上面のうち、溝部１６内で露出している箇所の幅である。Ｗ２は、積層体２０Ａ（例えば電子注入層２６）の上面のうち、平坦になっている領域の幅である。「平坦になっている領域」は、陽極２１の上面の中央位置の高さを基準として、その基準となる高さから±１０％の範囲内にある領域を指している。発光面積の減少を抑える観点からは、平坦率Ｒが５０％以上となっていることが好ましい。
【００５０】
図８は、差分ΔＨと平坦率Ｒとの関係の計測結果を表したものである。図８から、平坦率Ｒが５０％以上となるとき、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２，ΔＨ３）は、５００ｎｍ以下となることがわかる。なお、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２，ΔＨ３）の下限値は、製造過程での制約に依る。具体的には、製造過程において、インクを溝部１６から溢れさせずに滴下できる最大量のインクを溝部１６に滴下した後、乾燥させることにより形成されるメニスカスの深さ（例えば３００ｎｍ程度）が、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２，ΔＨ３）の下限値に相当する。なお、各有機電界発光素子１２−２を製造する過程で、インクの液面にメニスカスが形成され、乾燥後のインク層の上面にもメニスカスが形成される。そのため、各有機電界発光素子１２−２において、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、有機発光層２４、電子輸送層２５および電子注入層２６の上面には、多かれ少なかれメニスカスが形成されている。
【００５１】
図６には、膜厚調整層２８Ｂの厚さＤ１（＝ｔ２）が膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２（＝ｔ１）よりも厚くなっている態様が例示されている。このとき、副画素１２Ｂの積層体２０Ａの厚さＴ１（＝ｔ４）が副画素１２Ｇの積層体２０Ａの厚さＴ２（＝ｔ３）よりも薄くなっており、副画素１２Ｇの積層体２０Ａの厚さＴ２が副画素１２Ｒの積層体２０Ａの厚さＴ３よりも薄くなっている。なお、厚さＤ１，Ｄ２は、共振器２０Ｂの光路長によって決定されるものであるので、常に、厚さＤ１が厚さＤ２よりも厚くなる訳ではなく、場合によっては、厚さＤ２が厚さＤ１よりも厚くなることもある。ただし、この場合には、厚さＴ２が厚さＴ１よりも薄くなる。
【００５２】
膜厚調整層２８は、ラインバンク１３の形成面と同一の面に形成されており、基板１４の上面に接して形成されている。さらに、膜厚調整層２８は、膜厚調整層２８の端縁がラインバンク１３内に埋め込まれるように形成されている。従って、膜厚調整層２８の端縁の少なくとも一部は、各ラインバンク１３の直下に位置している。膜厚調整層２８は、例えば、溝部１６の底面全体に形成されており、例えば、溝部１６の延在方向に延在する帯状の形状となっている。膜厚調整層２８は、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＮ、または、ＳｉＯＮなどの絶縁性材料によって構成された絶縁層である。
【００５３】
次に、ラインバンク１３の上部の形状について説明する。
【００５４】
膜厚調整層２８および陽極２１の端縁がラインバンク１３内に埋め込まれているとする。このとき、ラインバンク１３の上部は、膜厚調整層２８および陽極２１の端縁に倣った段差を有している。例えば、有機電界発光素子１２ｂと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｂ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｂの端縁に倣った段差１３ａが形成されている。図６には、この段差１３ａの高さとしてΔＨ４が記載されている。また、例えば、有機電界発光素子１２ｂと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｇの端縁に倣った段差１３ｂが形成されている。図６には、この段差１３ｂの高さとしてΔＨ５が記載されている。また、例えば、有機電界発光素子１２ｒと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｇの端縁に倣った段差１３ｃが形成されている。図６には、この段差１３ｃの高さとしてΔＨ６が記載されている。
【００５５】
このとき、段差１３ａの高さΔＨ４は、膜厚調整層２８Ｂの厚さＤ１よりも小さくなっている。段差１３ｂの高さΔＨ５は、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２よりも小さくなっている。段差１３ｃの高さΔＨ６は、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２よりも小さくなっている。つまり、膜厚調整層２８Ｂは、製造過程において、ラインバンク１３を形成する際に、ラインバンク１３の上部が膜厚調整層２８Ｇ，２８Ｂの厚さＤ１，Ｄ２の分だけ盛り上がってしまわない程度の厚さとなっている。さらに、同様のことが陽極２１についても言える。すなわち、陽極２１は、製造過程において、ラインバンク１３を形成する際に、ラインバンク１３の上部が陽極２１の厚さ分だけ盛り上がってしまわない程度の厚さとなっている。ラインバンク１３の上部に形成された段差１３ａ，１３ｂ，１３ｃの高さΔＨ４，ΔＨ５，ΔＨ６が上記の要件を満たしている場合には、ラインバンク１３におけるピニング位置が膜厚調整層２８Ｇ，２８Ｂの厚さＤ１，Ｄ２の分だけ上方にシフトしてしまうのが防止される。なお、ラインバンク１３におけるピニング位置が膜厚調整層２８Ｇ，２８Ｂの厚さＤ１，Ｄ２の分だけ上方にシフトした場合には、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２）が、膜厚調整層２８を設けていない場合とほとんど変わらなくなってしまう。
【００５６】
[製造方法]
次に、有機電界発光パネル１０の製造方法について説明する。図９Ａ，９Ｂ，９Ｃは、有機電界発光パネル１０の製造過程の一例を表したものである。
【００５７】
まず、基板１４上に、複数の副画素１２のうち所定の副画素１２に対して膜厚調整層２８を形成する（図９Ａ）。例えば、基板１４上に、副画素１２Ｇに対して膜厚調整層２８Ｇを形成するとともに、副画素１２Ｂに対して膜厚調整層２８Ｂを形成する。このとき、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２と、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２とを互いに異ならせる。例えば、膜厚調整層２８Ｂの厚さＤ１を膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２よりも厚くする。
【００５８】
次に、副画素１２ごとに陽極２１を形成する（図９Ａ）。このとき、例えば、膜厚調整層２８Ｇ上に陽極２１を形成するとともに、膜厚調整層２８Ｂ上に陽極２１を形成する。次に、各膜厚調整層２８および各陽極２１の端縁を覆うようにして、複数のラインバンク１３および複数のバンク１５を形成する。これにより、行方向に延在する溝部１６が形成される。互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３の間隙（溝部１６の開口幅Ｗ１）を、有機電界発光パネル１０として要求される精細度の大きさに応じて設定する。
【００５９】
また、複数のラインバンク１３および複数のバンク１５の形成工程において、さらに、各ラインバンク１３および各バンク１５に対して表面処理を行ってもよい。各ラインバンク１３および各バンク１５に対する表面処理の方法としては、例えば、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等を含む溶液によるウエット処理や、プラズマ処理などが挙げられる。各ラインバンク１３および各バンク１５に対して上述の方法で表面処理を行うことにより、例えば、各ラインバンク１３および各バンク１５の側面の傾斜角を調整したり、各ラインバンク１３および各バンク１５の表面の一部に撥液性を付与したりしてもよい。
【００６０】
次に、例えば、インクジェット装置を用いて、インクの液滴を吐出したのち、吐出後のインクを乾燥させることにより、正孔注入層２２および正孔輸送層２３を形成する（図９Ｂ）。次に、例えば、インクジェット装置を用いて、インクの液滴を吐出することにより、有機材料層２４ｉを形成する（図９Ｂ）。有機材料層２４Ａは、有機発光材料２４Ｍを溶質の主成分とする液状の有機材料層である。具体的には、まず、有機材料層２４ｉを、溝部１６内に塗布する。次に、有機材料層２４ｉに対して乾燥処理を行うことにより有機材料層２４ｉに含まれる溶媒を揮発させる。その結果、有機発光層２４Ａが形成される（図９Ｃ）。
【００６１】
次に、例えば、インクジェット装置を用いて、インクの液滴を吐出したのち、吐出後のインクを乾燥させることにより、電子輸送層２５および電子注入層２６を形成する。続いて、電子注入層２６上に、陰極２７および封止層２８をこの順に形成する。このようにして、副画素１２ごとに有機電界発光素子１２−２を有する有機電界発光パネル１０が製造される。
【００６２】
[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光パネル１０およびそれを備えた有機電界発光装置１の効果について説明する。
【００６３】
インクジェット装置を用いて、有機電界発光素子を画素ごとに形成することにより、有機電界発光パネルを製造する方法が知られている。近年の高精細化に伴い、画素サイズが小さくなり、単位面積当たりの保液量が少なくなってきている。しかし、溶解性や、印刷可能な物性（粘度など）の観点から、インク濃度を過度に高くすることは難しい。そのため、例えば、各画素を区画する隔壁部の側面を親液性にすることで、保液量を少しでも多くすることが考えられる。
【００６４】
しかし、バンクの側面を親液性にした場合には、インクを乾燥させる過程でインクの液面にメニスカスが形成され、乾燥後のインク層の上面にもメニスカスが形成される。そのため、インク層において、バンク近傍が極端に厚くなり、画素の中心部分が強く光る現象が起きてしまう。その結果、発光部として利用できる部分が減少してしまう。従って、発光部として利用できる部分の減少を抑えることの可能な有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび発光装置を提供することが望ましい。
【００６５】
一方、本実施の形態では、共振器２０Ｂの外であって、かつ反射面２１Ａ寄りの位置に、膜厚調整層２８が設けられている。この膜厚調整層２８の厚さは、積層体２０Ａの上面とラインバンク１３とが互いに接触するピニング位置の高さＨ（Ｈ１，Ｈ２）と、積層体２０Ａの上面の中央位置の高さＴ（Ｔ１，Ｔ２）との差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２）が所定の範囲内となるように調整されている。これにより、膜厚調整層２８が設けられていない場合と比べて、積層体２０Ａに形成されるメニスカスの深さを浅くすることができ、有機発光層２４のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。その結果、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００６６】
また、本実施の形態において、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２，ΔＨ３）が５００ｎｍ以下となっている場合には、積層体２０Ａの平坦率Ｒが５０％以上となる。これにより、有機発光層２４のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。その結果、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００６７】
また、本実施の形態では、膜厚調整層２８の端縁の少なくとも一部が各ラインバンク１３の直下に位置しており、各ラインバンク１３の上部に形成された、膜厚調整層２８の端縁に倣った段差１３ａ，１３ｂ，１３ｃが、膜厚調整層２８の厚さよりも小さくなっている。これにより、膜厚調整層２８が設けられていない場合と比べて、積層体２０Ａに形成されるメニスカスの深さを浅くすることができ、有機発光層２４のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。その結果、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００６８】
また、本実施の形態では、有機電界発光素子１２ｒ，１２ｇ，１２ｂは、反射面２１Ａを有する陽極２１を有しており、膜厚調整層２８は、陽極２１に接する絶縁層となっている。これにより、膜厚調整層２８の厚さを調整するだけで、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２）を所定の範囲内となるように調整することができる。従って、容易な方法で、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００６９】
＜変形例＞
次に、上記実施の形態に係る有機電界発光装置１の変形例について説明する。
【００７０】
[変形例Ａ]
上記実施の形態では、１つの画素１１内の２つの有機電界発光素子１２−２にだけ、膜厚調整層２８が設けられていた。しかし、１つの画素１１内の１つの有機電界発光素子１２−２にだけ、膜厚調整層２８が設けられていてもよいし、１つの画素１１内の全ての有機電界発光素子１２−２に膜厚調整層２８が設けられていてもよい。例えば、図１０に示したように、有機電界発光素子１２ｂにだけ、膜厚調整層２８が設けられていてもよい。また、例えば、図１１に示したように、有機電界発光素子１２ｒ，１２ｇ，１２ｂに、膜厚調整層２８が設けられていてもよい。なお、図１０、図１１は、図４の有機電界発光パネル１０の断面構成の一変形例を表したものである。
【００７１】
[変形例Ｂ]
また、上記実施の形態およびその変形例では、陽極２１の端縁が膜厚調整層２８の端縁よりも内側の位置にあった。しかし、例えば、図１２に示したように、上記実施の形態およびその変形例において、陽極２１が、膜厚調整層２８の表面に接するとともに当該陽極２１の端縁が膜厚調整層２８の端縁の直上となるように形成されていてもよい。
【００７２】
この場合、膜厚調整層２８および陽極２１のそれぞれの端縁の少なくとも一部が各ラインバンク１３の直下に位置している。さらに、ラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｂ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｂおよび陽極２１のそれぞれの端縁に倣った段差１３ａが形成されている。この段差１３ａの高さΔＨ４は、膜厚調整層２８Ｂおよび陽極２１の厚さの合計に応じた高さとなっている。また、有機電界発光素子１２ｂと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｇおよび陽極２１のそれぞれの端縁に倣った段差１３ｂが形成されている。この段差１３ｂの高さΔＨ５は、膜厚調整層２８Ｇおよび陽極２１の厚さの合計に応じた高さとなっている。また、有機電界発光素子１２ｒと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｇおよび陽極２１のそれぞれの端縁に倣った段差１３ｃが形成されている。この段差１３ｃの高さΔＨ６は、膜厚調整層２８Ｇおよび陽極２１の厚さの合計に応じた高さとなっている。
【００７３】
本変形例では、段差１３ａの高さΔＨ４は、膜厚調整層２８Ｂの厚さＤ１および陽極２１の厚さの合計よりも小さくなっている。段差１３ｂの高さΔＨ５は、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２および陽極２１の厚さの合計よりも小さくなっている。段差１３ｃの高さΔＨ６は、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２および陽極２１の厚さの合計よりも小さくなっている。つまり、膜厚調整層２８Ｂは、製造過程において、ラインバンク１３を形成する際に、ラインバンク１３の上部が膜厚調整層２８Ｇ，２８Ｂの厚さＤ１，Ｄ２および陽極２１の厚さの合計だけ盛り上がってしまわない程度の厚さとなっている。これにより、ラインバンク１３におけるピニング位置が膜厚調整層２８Ｇ，２８Ｂの厚さＤ１，Ｄ２および陽極２１の厚さの合計だけ上方にシフトしてしまうのが防止される。その結果、膜厚調整層２８が設けられていない場合と比べて、積層体２０Ａに形成されるメニスカスの深さを浅くすることができ、有機発光層２４のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。従って、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００７４】
[変形例Ｃ]
また、上記実施の形態およびその変形例では、陽極２１が膜厚調整層２８の表面の一部に接して設けられていた。しかし、例えば、図１３に示したように、上記実施の形態およびその変形例において、陽極２１が膜厚調整層２８の表面全体を覆うように設けられていてもよい。
【００７５】
この場合、有機電界発光素子１２ｂと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｂ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｂの端縁に倣った段差１３ａが形成されている。図１３には、この段差１３ａの高さとしてΔＨ４が記載されている。また、例えば、有機電界発光素子１２ｂと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｇの端縁に倣った段差１３ｂが形成されている。図１３には、この段差１３ｂの高さとしてΔＨ５が記載されている。また、例えば、有機電界発光素子１２ｒと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、膜厚調整層２８Ｇの端縁に倣った段差１３ｃが形成されている。図１３には、この段差１３ｃの高さとしてΔＨ６が記載されている。
【００７６】
本変形例では、段差１３ａの高さΔＨ４は、膜厚調整層２８Ｂの厚さＤ１よりも小さくなっている。なお、陽極２１において、膜厚調整層２８Ｂの端縁近傍に生じた段差の高さは膜厚調整層２８Ｂの厚さＤ１とほぼ等しくなっている。段差１３ｂの高さΔＨ５は、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２よりも小さくなっている。段差１３ｃの高さΔＨ６は、膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２よりも小さくなっている。なお、陽極２１において、膜厚調整層２８Ｇの端縁近傍に生じた段差の高さは膜厚調整層２８Ｇの厚さＤ２とほぼ等しくなっている。本変形例では、膜厚調整層２８Ｂは、製造過程において、ラインバンク１３を形成する際に、ラインバンク１３の上部が膜厚調整層２８Ｇ，２８Ｂの厚さＤ１，Ｄの分だけ盛り上がってしまわない程度の厚さとなっている。さらに、同様のことが陽極２１についても言える。すなわち、陽極２１は、製造過程において、ラインバンク１３を形成する際に、ラインバンク１３の上部が陽極２１の厚さ分だけ盛り上がってしまわない程度の厚さとなっている。ラインバンク１３の上部に形成された段差１３ａ，１３ｂ，１３ｃの高さΔＨ４，ΔＨ５，ΔＨ６が上記の要件を満たしている場合には、ラインバンク１３におけるピニング位置が膜厚調整層２８Ｇ，２８Ｂの厚さＤ１，Ｄ２の分だけ上方にシフトしてしまうのが防止される。その結果、膜厚調整層２８が設けられていない場合と比べて、積層体２０Ａに形成されるメニスカスの深さを浅くすることができ、有機発光層２４のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。従って、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００７７】
[変形例Ｄ]
また、上記実施の形態およびその変形例では、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２）を所定の範囲内となるように調整するために、膜厚調整層２８が設けられていた。しかし、上記実施の形態およびその変形例において、膜厚調整層２８が省略されるとともに、陽極２１が膜厚調整層２８を兼ねていてもよい。例えば、図１４、図１５、図１６に示したように、有機電界発光素子１２ｂにおいて、陽極２１Ｂが膜厚調整層２８Ｂの機能を果たし、有機電界発光素子１２ｇにおいて、陽極２１Ｇが膜厚調整層２８Ｇの機能を果たしていてもよい。さらに、有機電界発光素子１２ｒにおいて、陽極２１Ｇが膜厚調整層２８Ｇの機能を果たしていてもよい。
【００７８】
本変形例では、陽極２１が基板１４上に形成されており、陽極２１の端縁がラインバンク１３内に埋め込まれている。このとき、ラインバンク１３の上部には、陽極２１の端縁に倣った段差を有している。例えば、有機電界発光素子１２ｂと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｂ寄りの位置に、陽極２１Ｂの端縁に倣った段差１３ｄが形成されている。図１６には、この段差１３ｄの高さとしてΔＨ７が記載されている。また、例えば、有機電界発光素子１２ｂと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、陽極２１Ｇの端縁に倣った段差１３ｅが形成されている。図１６には、この段差１３ｅの高さとしてΔＨ８が記載されている。また、例えば、有機電界発光素子１２ｒと有機電界発光素子１２ｇとの間に設けられたラインバンク１３の上部には、有機電界発光素子１２ｇ寄りの位置に、陽極２１Ｇの端縁に倣った段差１３ｆが形成されている。図１６には、この段差１３ｆの高さとしてΔＨ９が記載されている。
【００７９】
このとき、段差１３ｄの高さΔＨ７は、陽極２１Ｂの厚さＬ１よりも小さくなっている。段差１３ｅの高さΔＨ８は、陽極２１Ｇの厚さＬ２よりも小さくなっている。段差１３ｆの高さΔＨ９は、陽極２１Ｇの厚さＬ２よりも小さくなっている。つまり、陽極２１Ｂ，２１Ｇは、製造過程において、ラインバンク１３を形成する際に、ラインバンク１３の上部が陽極２１Ｂ，２１Ｇの厚さＬ１，Ｌ２の分だけ盛り上がってしまわない程度の厚さとなっている。ラインバンク１３の上部に形成された段差１３ｄ，１３ｅ，１３ｆの高さΔＨ７，ΔＨ８，ΔＨ９が上記の要件を満たしている場合には、ラインバンク１３におけるピニング位置が陽極２１Ｂ，２１Ｇの厚さＬ１，Ｌ２の分だけ上方にシフトしてしまうのが防止される。なお、ラインバンク１３におけるピニング位置が陽極２１Ｂ，２１Ｇの厚さＬ１，Ｌ２の分だけ上方にシフトした場合には、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２）が、膜厚調整層２８を設けていない場合とほとんど変わらなくなってしまう。
【００８０】
このように、本変形例では、陽極２１の厚さを調整するだけで、差分ΔＨ（ΔＨ１，ΔＨ２，ΔＨ３）を所定の範囲内となるように調整することができる。従って、容易な方法で、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００８１】
[変形例Ｅ]
また、上記実施の形態およびその変形例では、ラインバンク１３の両側面にそれぞれ形成されるピニング位置が一箇所であった。しかし、ラインバンク１３の両側面にそれぞれ形成されるピニング位置が複数箇所であってもよい。例えば、図１７、図１８に示したように、ラインバンク１３の１つの側面に形成されるピニング位置が２箇所であってもよい。なお、図１７は、図６の有機電界発光パネル１０の断面構成の一変形例を表したものである。図１８は、図１６の有機電界発光パネル１０の断面構成の一変形例を表したものである。
【００８２】
図１７、図１８では、ラインバンク１３が、ラインバンク１３Ａ上にラインバンク１３Ｂが積層された構造となっている。ラインバンク１３Ａは、本開示の「第１隔壁部」の一具体例に相当する。ラインバンク１３Ｂは、本開示の「第２隔壁部」の一具体例に相当する。ラインバンク１３Ａの両側面に１つずつピニング位置があり、ラインバンク１３Ｂの両側面に１つずつピニング位置がある。ラインバンク１３Ａは、正孔注入層２２の上面および正孔輸送層２３の上面と、ラインバンク１３Ａとが互いに接するピニング位置Ｐ１を有している。正孔注入層２２および正孔輸送層２３は、有機発光層２４と比べて、反射面２１Ａ，２９Ａ寄りの層である。一方、ラインバンク１３Ｂは、有機発光層２４の上面、電子輸送層２５の上面および電子注入層２６の上面と、ラインバンク１３Ｂとが互いに接するピニング位置Ｐ２を有している。電子輸送層２５および電子注入層２６は、有機発光層２４と比べて、反射面２７Ａ寄りの層である。なお、ピニング位置Ｐ１は、例えば、ラインバンク１３Ａの側面において、親液性の領域と、撥液性の領域との境界位置に相当する。また、ピニング位置Ｐ２は、例えば、ラインバンク１３Ｂの側面において、親液性の領域と、撥液性の領域との境界位置に相当する。本変形例において、正孔注入層２２および正孔輸送層２３は、本開示の「第１有機材料層」の一具体例に相当する。本変形例において、電子輸送層２５および電子注入層２６は、本開示の「第２有機材料層」の一具体例に相当する。
【００８３】
このように、ラインバンク１３の両側面にそれぞれ形成されるピニング位置が複数箇所となっていることにより、ラインバンク１３Ａの両側面に１つずつピニング位置を設けた場合と比べて、積層体２０Ａに含まれる各層のメニスカスの深さを浅くすることができ、有機発光層２４のうち発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。その結果、有機発光層２４のうち発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００８４】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、基板１４上に複数のラインバンク１３および複数のバンク１５が設けられていたが、それらの代わりに、副画素１２ごとに１つずつピクセルバンクが設けられていてもよい。
【００８５】
なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００８６】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
有機電界発光部と、
前記有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部と
を備え、
前記有機電界発光部は、
ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する発光層を含む有機材料層と、
前記有機材料層に接するとともに、前記有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、
前記共振器の外であって、かつ前記アノード側の反射面寄りの位置に設けられ、前記有機材料層の上面と前記隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように厚さの調整された膜厚調整層と
を有する
有機電界発光素子。
（２）
前記差分は、５００ｎｍ以下となっている
（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）
前記膜厚調整層の端縁の少なくとも一部は、各前記隔壁部の直下に位置しており、
各前記隔壁部は、前記膜厚調整層の端縁に倣った段差を有しており、
前記段差は、前記膜厚調整層の厚さよりも小さくなっている
（１）または（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記有機電界発光部は、前記アノード側の反射面を有するアノード電極を有し、
前記アノード電極は、前記膜厚調整層の表面に接するとともに当該アノード電極の端縁が前記膜厚調整層の端縁の直上となるように形成され、
前記膜厚調整層および前記アノード電極のそれぞれの端縁の少なくとも一部は、各前記隔壁部の直下に位置しており、
各前記隔壁部は、前記膜厚調整層および前記アノード電極のそれぞれの端縁に倣った段差を有しており、
前記段差は、前記膜厚調整層および前記アノード電極の厚さの合計よりも小さくなっている
（１）または（２）に記載の有機電界発光素子。
（５）
前記有機電界発光部は、前記アノード側の反射面を有するアノード電極を有し、
前記アノード電極が、前記膜厚調整層を兼ねている
（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（６）
前記有機電界発光部は、前記アノード側の反射面を有するアノード電極を有し、
前記膜厚調整層は、前記アノード電極に接する絶縁層である
（１）、（２）または（４）に記載の有機電界発光素子。
（７）
各前記隔壁部は、第１隔壁部上に第２隔壁部が積層された構造となっており、
前記有機材料層は、前記発光層の他に、前記アノード側の反射面寄りに１または複数の第１有機材料層を有するとともに、前記カソード側の反射面寄りに１または複数の第２有機材料層を有し、
前記第１隔壁部は、前記第１有機材料層の上面と当該第１隔壁部とが互いに接触するピニング位置を有し、
前記第２隔壁部は、前記第２有機材料層の上面と当該第２隔壁部とが互いに接触するピニング位置を有する
（１）ないし（６）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（８）
複数の画素を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記画素において、複数の前記副画素のうち少なくとも１つは、
有機電界発光部と、
前記有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部と
を有し、
前記有機電界発光部は、
ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する発光層を含む有機材料層と、
前記有機材料層に接するとともに、前記有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、
前記共振器の外であって、かつ前記アノード側の反射面寄りの位置に設けられ、前記有機材料層の上面と前記隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように厚さの調整された膜厚調整層と
を有する
有機電界発光パネル。
（９）
各前記画素において、複数の前記副画素のうち少なくとも２つは、
前記有機電界発光部と、
前記一対の隔壁部と
を有し、
各前記画素において、複数の前記副画素のうち第１副画素の前記膜厚調整層の厚さと、複数の前記副画素のうち前記第１副画素とは異なる第２副画素の前記膜厚調整層の厚さとは、以下の関係式を満たす
（８）に記載の有機電界発光パネル。
ｔ１＜ｔ２
ｔ１：前記第１副画素の前記膜厚調整層の厚さ
ｔ２：前記第２副画素の前記膜厚調整層の厚さ
（１０）
各前記画素において、前記第１副画素の前記有機材料層の厚さと、前記第２副画素の前記有機材料層の厚さとは、以下の関係式を満たす
（９）に記載の有機電界発光パネル。
ｔ３＞ｔ４
ｔ３：前記第１副画素の前記有機材料層の厚さ
ｔ４：前記第２副画素の前記有機材料層の厚さ
（１１）
各前記画素において、前記第１副画素の前記差分および前記第２副画素の前記差分は、５００ｎｍ以下となっている
（８）ないし（１０）のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
（１２）
複数の画素を有する有機電界発光パネルと、
複数の前記画素を駆動する駆動部と
を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記画素において、複数の前記副画素のうち少なくとも１つは、
有機電界発光部と、
前記有機電界発光部の両脇に設けられた一対の隔壁部と
を有し、
前記有機電界発光部は、
ＥＬ（Electro-Luminescence）光を発する発光層を含む有機材料層と、
前記有機材料層に接するとともに、前記有機材料層を間にして互いに対向配置されたアノード側の反射面およびカソード側の反射面からなる共振器と、
前記共振器の外であって、かつ前記アノード側の反射面寄りの位置に設けられ、前記有機材料層の上面と前記隔壁部とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機材料層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の範囲内となるように厚さの調整された膜厚調整層と
を有する
発光装置。
【符号の説明】
【００８７】
１…有機電界発光装置、１０…有機電界発光パネル、１１…画素、１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…副画素、１２−１…画素回路、１２−２，１２ｒ，１２ｇ，１２ｂ…有機電界発光素子、１３，１３Ａ，１３Ｂ…ラインバンク、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ…段差、１４…基板、１５…バンク、１６…溝部、１７…封止層、２０…コントローラ、２０Ａ…積層体、２０Ｂ，２０Ｃ…共振器、２１…陽極、２１Ａ…反射面、２２…正孔注入層、２３…正孔輸送層、２４…発光層、２４ｉ…有機発光層、２５…電子輸送層、２６…電子注入層、２７…陰極、２７Ａ…反射面、２８，２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ…膜厚調整層、２９，２９Ｒ，２９Ｇ，２９Ｂ…陽極、２９Ａ…反射面、３０…ドライバ、３１…水平セレクタ、３２…ライトスキャナ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…選択トランジスタ、Ｃｓ…保持容量、Ｄ１，Ｄ２…厚さ、ＤＳＬ…電源線、ＤＴＬ…信号線、Ｈ，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３…高さ、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…厚さ、Ｒ…平坦率、Ｔ，Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３…高さ，Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｓｉｇ…信号電圧、ＷＳＬ…選択線、Ｗ１…開口幅、Ｗ２…発光幅、ΔＨ，ΔＨ１，ΔＨ２，ΔＨ３…差分、ΔＨ４，ΔＨ５，ΔＨ６，ΔＨ７，ΔＨ８，ΔＨ９…高さ。
【図１】
2018147599.tif 000003
【図２】
2018147599.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2018147599.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018147599.tif 000009
【図８】
2018147599.tif 000010
【図９Ａ】
2018147599.tif 000011
【図９Ｂ】
2018147599.tif 000012
【図９Ｃ】
2018147599.tif 000013
【図１０】
2018147599.tif 000014
【図１１】
2018147599.tif 000015
【図１２】
2018147599.tif 000016
【図１３】
2018147599.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
2018147599.tif 000019
【図１６】
2018147599.tif 000020
【図１７】
2018147599.tif 000021
【図１８】
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