(57)【要約】【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１基板に設けられた表示領域と、第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、表示領域は、複数の画素を有し、画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、を有し、端子は、第１基板上に設けられた層間絶縁層上に設けられた第１導電層と、を有し、第１導電層の側部には平坦化膜が設けられ、無機絶縁層は平坦化膜の上面と第１導電層の端部を覆い、第１導電層の上面の一部は無機絶縁層から露出しており、平坦化膜の上面は、第１導電層の上面よりも低い。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板に設けられた表示領域と、
前記第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、
前記表示領域は、複数の画素を有し、
前記画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、を有し、
前記端子は、
前記第１基板上に設けられた前記層間絶縁層上に設けられた第１導電層と、
を有し、
前記第１導電層の側部には平坦化膜が設けられ、
無機絶縁層は前記平坦化膜の上面と前記第１導電層の端部を覆い、
前記第１導電層の上面の一部は前記無機絶縁層から露出しており、
前記平坦化膜の上面は、前記第１導電層の上面よりも低い表示装置。
【請求項２】
前記端子に設けられた前記平坦化膜の膜厚は、前記表示領域に設けられた前記平坦化膜の膜厚よりも薄い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の端子は、前記第１基板の一辺に沿って千鳥配列される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記トランジスタ上に開口部を有する前記層間絶縁層が設けられ、
前記層間絶縁層上に、前記トランジスタと前記開口部を介して接続するソース電極又はドレイン電極が設けられ、
前記第１導電層は、前記ソース電極又はドレイン電極と同じ材料を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
第１基板に設けられた表示領域と、
前記第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、
前記表示領域は、複数の画素を有し、
前記画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、発光素子と、を有し、
前記端子は、
前記第１基板上に設けられた第１導電層と、
前記第１導電層上に設けられた層間絶縁層上に設けられた第２導電層と、
を有し、
前記層間絶縁層上に平坦化膜が設けられ、
前記平坦化膜上に無機絶縁層が設けられ、
前記第１導電層は、前記層間絶縁層の第１開口部を介して、前記第２導電層と接続され、
前記無機絶縁層は前記平坦化膜の上面と前記第２導電層の端部を覆い、
前記第２導電層の上面の一部は前記無機絶縁層から露出しており、
前記平坦化膜の上面は、前記第２導電層の上面よりも低い表示装置。
【請求項６】
前記端子に設けられた前記平坦化膜の膜厚は、前記画素に設けられた前記平坦化膜の膜厚よりも薄い、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の端子は、前記第１基板の一辺に沿って千鳥配列される、請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記トランジスタ上に第２開口部を有する前記層間絶縁層が設けられ、
前記層間絶縁層上に、前記トランジスタと前記第２開口部を介して接続するソース電極又はドレイン電極が設けられ、
前記第１導電層は、前記ゲート電極と同じ材料を有し、
前記第２導電層は、前記ソース電極又はドレイン電極と同じ材料を有する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
第１基板に設けられた表示領域と、
前記第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、
前記表示領域は、複数の画素を有し、
前記画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、を有し、
前記端子は、
前記第１基板上に設けられた前記層間絶縁層上に設けられた第１導電層と、
前記第１導電層上に設けられた透明導電層と、を有し、
前記第１導電層の側部には平坦化膜が設けられ、
無機絶縁層は前記平坦化膜の上面と前記第１導電層および透明導電層の端部を覆い、
前記透明導電層の上面の一部は前記無機絶縁層から露出しており、
前記平坦化膜の上面は、前記第１導電層の上面よりも低い表示装置。
【請求項１０】
前記透明導電層は、前記第１導電層の端部と接し、
前記端子に設けられた前記平坦化膜の膜厚は、前記画素に設けられた前記平坦化膜の膜厚よりも薄い、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の端子は、前記第１基板の一辺に沿って千鳥配列される、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記トランジスタ上に開口部を有する前記層間絶縁層が設けられ、
前記層間絶縁層上に、前記トランジスタと前記開口部を介して接続するソース電極又はドレイン電極が設けられ、
前記第１導電層は、前記ソース電極又はドレイン電極と同じ材料を有する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記発光素子は、画素電極、発光層、及び対向電極を有し、
前記画素電極は、透明導電層と同じ材料を有する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
第１基板に設けられた表示領域と、
前記第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、
前記表示領域は、複数の画素を有し、
前記画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、発光素子と、を有し、
前記端子は、
前記第１基板上に設けられた第１導電層と、
前記第１導電層上に設けられた層間絶縁層上に設けられた第２導電層と、
前記第２導電層上に設けられた透明導電層と、を有し、
前記層間絶縁層上に平坦化膜が設けられ、
前記平坦化膜上に無機絶縁層が設けられ、
前記第１導電層は、前記層間絶縁層の第１開口部を介して、前記第２導電層と接続され、
前記無機絶縁層は前記平坦化膜の上面と前記第１導電層および透明導電層の端部を覆い、
前記透明導電層の上面の一部は前記無機絶縁層から露出しており、
前記平坦化膜の上面は、前記第２導電層の上面よりも低い表示装置。
【請求項１５】
前記透明導電層は、前記第１導電層の端部と接し、
前記端子に設けられた前記平坦化膜の膜厚は、前記画素に設けられた前記平坦化膜の膜厚よりも薄い、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記複数の端子は、前記第１基板の一辺に沿って千鳥配列される、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記トランジスタ上に第２開口部を有する前記層間絶縁層が設けられ、
前記層間絶縁層上に、前記トランジスタと前記第２開口部を介して接続するソース電極又はドレイン電極が設けられ、
前記第１導電層は、前記ゲート電極と同じ材料を有し、
前記第２導電層は、前記ソース電極又はドレイン電極と同じ材料を有する、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記発光素子は、画素電極、発光層、及び対向電極を有し、
前記画素電極は、透明導電層と同じ材料を有する、請求項１４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の端子部に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Organic Electroluminescence Display）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ表示パネルの端子部に、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film：ACF）を介して、ＦＰＣを圧着することで、有機ＥＬ表示パネルとフレキシブル回路基板（Flexible Printed Circuit：FPC）とが接続される。この際、端子部とフレキシブル回路基板とは、異方性導電膜に含まれる導電性粒子によって、電気的に接続される。
【０００４】
特許文献１には、端子部を構成する配線上に、有機絶縁膜が設けられており、有機絶縁膜の開口部において、配線とパッド部とが接続されており、パッド部は、異方性導電膜に含まれる導電性粒子を介して、フレキシブル回路基板と接続される構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０３８５１４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、端子部を構成する配線上に有機絶縁膜が設けられる場合、配線と有機絶縁膜との密着性が低いため、有機絶縁膜が剥離するおそれがある。有機絶縁膜が剥離することで、端子と、ＦＰＣとの剥離が生じて、ＦＰＣと導通不良を起こし、表示装置の信頼性が低下するという問題が生じるおそれがある。
【０００７】
上記問題に鑑み、信頼性が向上した表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態における表示装置は、第１基板に設けられた表示領域と、第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、表示領域は、複数の画素を有し、画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、を有し、端子は、第１基板上に設けられた層間絶縁層上に設けられた第１導電層と、を有し、第１導電層の側部には平坦化膜が設けられ、無機絶縁層は平坦化膜の上面と第１導電層の端部を覆い、第１導電層の上面の一部は無機絶縁層から露出しており、平坦化膜の上面は、第１導電層の上面よりも低い。
【０００９】
本発明の一実施形態における表示装置は、第１基板に設けられた表示領域と、第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、表示領域は、複数の画素を有し、画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、発光素子と、を有し、端子は、第１基板上に設けられた第１導電層と、第１導電層上に設けられた層間絶縁層上に設けられた第２導電層と、を有し、層間絶縁層上に平坦化膜が設けられ、平坦化膜上に無機絶縁層が設けられ、第１導電層は、層間絶縁層の第１開口部を介して、第２導電層と接続され、無機絶縁層は平坦化膜の上面と第２導電層の端部を覆い、第２導電層の上面の一部は無機絶縁層から露出しており、平坦化膜の上面は、第２導電層の上面よりも低い。
【００１０】
本発明の一実施形態における表示装置は、第１基板に設けられた表示領域と、第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、表示領域は、複数の画素を有し、画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、を有し、端子は、第１基板上に設けられた層間絶縁層上に設けられた第１導電層と、第１導電層上に設けられた透明導電層と、を有し、第１導電層の側部には平坦化膜が設けられ、無機絶縁層は平坦化膜の上面と第１導電層および透明導電層の端部を覆い、透明導電層の上面の一部は無機絶縁層から露出しており、平坦化膜の上面は、第１導電層の上面よりも低い。
【００１１】
本発明の一実施形態における表示装置は、第１基板に設けられた表示領域と、第１基板の周辺領域に設けられた複数の端子と、を有し、表示領域は、複数の画素を有し、画素は、トランジスタと、層間絶縁層と、平坦化膜と、発光素子と、発光素子と、を有し、端子は、第１基板上に設けられた第１導電層と、第１導電層上に設けられた層間絶縁層上に設けられた第２導電層と、第２導電層上に設けられた透明導電層と、を有し、層間絶縁層上に平坦化膜が設けられ、平坦化膜上に無機絶縁層が設けられ、第１導電層は、層間絶縁層の第１開口部を介して、第２導電層と接続され、無機絶縁層は平坦化膜の上面と第１導電層および透明導電層の端部を覆い、透明導電層の上面の一部は無機絶縁層から露出しており、平坦化膜の上面は、第２導電層の上面よりも低い。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した概略図である。
【図２】図１におけるＡ１−Ａ２線に沿った断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した平面図である。
【図４】図３におけるＢ１−Ｂ２線に沿った断面図である。
【図５】図３におけるＣ１−Ｃ２線に沿った断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した平面図である。
【図７】図６におけるＤ１−Ｄ２線に沿った断面図である。
【図８】図６におけるＥ１−Ｅ２線に沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１４】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１５】
なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する絶縁表面からバンクに向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図であり、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、表示装置１００を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
【００１７】
図１に示すように、表示装置１００は、絶縁表面上に形成された、表示領域１０３と、走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０５と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０５に信号を与える制御部として機能する。データ線駆動回路１０５は、ドライバＩＣ１０６内に組み込まれていてもよい。また、ドライバＩＣ１０６は、ＣＯＦ（Chip on Film）方式で１０８上に設けて外付けされているが、第１基板１０１上に配置してもよい。ＣＯＦフィルム１０８は、周辺領域１１０に設けられた端子１０７と接続される。また、ＣＯＦフィルム１０８は、端子部１５２を介して、ＦＰＣ１５３と接続される。また、ＦＰＣ１５３上には、チップ抵抗やチップコンデンサが実装されている。
【００１８】
ここで、絶縁表面は、第１基板１０１の表面である。第１基板１０１は、その表面上に設けられる画素電極や絶縁層などの各層を支持する。なお、第１基板１０１は、それ自体が絶縁性材料からなり、絶縁表面を有していても良いし、第１基板１０１上に別途絶縁膜を形成して絶縁表面を形成しても良い。絶縁表面が得られる限りにおいて、第１基板１０１の材質や、絶縁膜を形成する材料は特に限定しない。
【００１９】
図１に示す表示領域１０３には、複数の画素１０９がマトリクス状に配置される。各画素１０９は、後述する画素電極と、該画素電極の一部（アノード）、該画素電極上に積層された発光層を含む有機層（発光部）及び陰極（カソード）からなる発光素子と、を含む。各画素１０９には、データ線駆動回路１０５から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらデータ信号に従って、各画素１０９に設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。
【００２０】
〈画素の構成〉
図２は、第１実施形態の表示装置１００における画素の構成の一例を示す図である。具体的には、図１に示した表示領域１０３をＡ１−Ａ２線で切断した断面の構成を示す図である。図２に、表示領域１０３の一部として、３つの発光素子１３０の断面を示す。なお、図２では、３つの発光素子１３０について例示しているが、実際には、表示領域１０３では、数百万個以上の発光素子が画素に対応してマトリクス状に配置されている。
【００２１】
図２に示すように、表示装置１００は、第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２を有する。第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２として、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。本実施形態では、第１基板１０１としてポリイミドを用い、第２基板１１２及び対向基板１０２としてポリエチレンテレフタラートを用いる場合について説明する。
【００２２】
第１基板１０１上には、下地膜１１３が設けられる。下地膜１１３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で構成される絶縁層である。下地膜１１３は、単層に限定されるわけではなく、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを組み合わせた積層構造を有してもよい。この構成は、第１基板１０１との密着性や、後述するトランジスタ１２０に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すれば良い。
【００２３】
下地膜１１３上には、トランジスタ１２０が設けられる。トランジスタ１２０の構造は、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよい。本実施形態では、トランジスタ１２０は、下地膜１１３上に設けられた半導体層１１４、半導体層１１４を覆うゲート絶縁膜１１５、ゲート絶縁膜１１５上に設けられたゲート電極１１６を含む。また、トランジスタ１２０上には、ゲート電極１１６を覆う層間絶縁層１２２、層間絶縁層１２２上に設けられ、それぞれ半導体層１１４に接続されたソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８が設けられている。なお、本実施形態では、層間絶縁層１２２が単層構造を有している例を説明しているが、層間絶縁層１２２は積層構造を有していてもよい。
【００２４】
なお、トランジスタ１２０を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよく、特に限定はない。例えば、半導体層１１４としては、一般的にはポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜１１５としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極１１６は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。層間絶縁層１２２としては、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。ソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。
【００２５】
なお、図２には図示しないが、ゲート電極１１６と同じ層には、ゲート電極１１６を構成する金属材料と同一の金属材料で構成された第１配線を設けることができる。第１配線は、例えば、走査線駆動回路１０４によって駆動される走査線等として設けることができる。また、図２には図示しないが、ソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８と同じ層には、第１配線と交差する方向に延在する第２配線を設けることができる。該第２配線は、例えば、データ線駆動回路１０５によって駆動されるデータ線等として設けることができる。
【００２６】
トランジスタ１２０上には、平坦化膜１２３が設けられる。平坦化膜１２３は、有機樹脂材料を含んで構成される。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。特に図示しないが、平坦化膜１２３は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層との積層構造を有してもよい。
【００２７】
平坦化膜１２３は、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部を露出させるコンタクトホールを有する。コンタクトホールは、後述する画素電極１２５とソース電極又はドレイン電極１１８とを電気的に接続するための開口部である。したがって、コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部に重畳して設けられる。コンタクトホールの底面では、ソース電極又はドレイン電極１１８が露出される。
【００２８】
平坦化膜１２３上には、保護膜１２４が設けられる。保護膜１２４は、平坦化膜１２３に形成されたコンタクトホールに重畳する。保護膜１２４は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましく、例えば、窒化シリコン膜や酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いて形成される。
【００２９】
保護膜１２４上には、透明導電層１８１が設けられる。透明導電層１８１は、平坦化膜１２３及び保護膜１２４が有するコンタクトホールに重畳し、コンタクトホールの底面で露出されたソース電極又はドレイン電極１１８と電気的に接続する。透明導電層１８１として、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えば、ＩＺＯ、ＺｎＯ）を使用することができる。また、保護膜１２４上には、導電層１８２が設けられる。導電層１８２は、ソース電極又はドレイン電極１１７及びソース電極又はドレイン電極１１８と同様の材料で形成することができ、例えば、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンの三層構造で形成することができる。また、導電層１８２は、周辺領域１１０における引き回し配線や、画素１０９内で、付加的に設けられる容量素子の形成に用いられる。なお、ソース電極又はドレイン電極１１８上に透明導電層１８１を設けることにより、導電層１８２を形成する際のパターニングから保護することができる。また、透明導電層１８１上には、無機絶縁層１８３が設けられる。無機絶縁層１８３として、窒化シリコン膜などを使用することが好ましい。無機絶縁層１８３には、ソース電極又はドレイン電極１１８と、透明導電層１８１とが重畳する領域において、コンタクトホールが形成されている。
【００３０】
また、無機絶縁層１８３上には、画素電極１２５が設けられている。画素電極１２５は、無機絶縁層１８３に設けられたコンタクトホールを介して、透明導電層１８１と電気的に接続されている。本実施形態の表示装置１００において、画素電極１２５は、発光素子１３０を構成する陽極（アノード）として機能する。画素電極１２５は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。例えば、トップエミッション型である場合、画素電極１２５として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電層と金属膜との積層構造を用いる。逆に、ボトムエミッション型である場合、画素電極１２５として上述した透明導電層を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。また、導電層１８２、無機絶縁層１８３、及び画素電極１２５により、付加容量を構成することができる。なお、本実施形態では、透明導電層１８１を設ける構成について説明したが、本発明はこれに限定されない。透明導電層１８１を設けず、平坦化膜１２３に設けられたコンタクトホールにおいて、ソース電極又はドレイン電極１１８と、画素電極１２５とを直接接続する構成とすることもできる。また、導電層１８２及び無機絶縁層１８３は、省略してもよい。
【００３１】
画素電極１２５上には、有機樹脂材料で構成される第１絶縁層１２６が設けられる。有機樹脂材料としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の樹脂材料を用いることができる。第１絶縁層１２６は、画素電極１２５上の一部に開口部を有する。第１絶縁層１２６は、互いに隣接する画素電極１２５の間に、画素電極１２５の端部（エッジ部）を覆うように設けられ、隣接する画素電極１２５を離隔する部材として機能する。このため、第１絶縁層１２６は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。この第１絶縁層１２６から露出された画素電極１２５の一部が、発光素子１３０の発光領域となる。第１絶縁層１２６の開口部は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより後述する発光層の形成時に、画素電極１２５の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。第１絶縁層１２６は、画素電極１２５の端部を覆うだけでなく、平坦化膜１２３及び保護膜１２４が有するコンタクトホールに起因する凹部を埋める充填材として機能させてもよい。また、平坦化膜１２３は、保護膜１２４及び無機絶縁層１８３に設けた開口を通じて第１絶縁層１２６と接触させている領域を有する。これは、第１絶縁層１２６の熱処理により、平坦化膜１２３から脱離する水や脱ガスを、第１絶縁層１２６を通じて引き抜くための開口部である。なお、保護膜１２４に、酸化シリコン膜を用いる場合には、当該開口部はなくてもよい。
【００３２】
画素電極１２５上には、有機層が設けられる。有機層は、少なくとも有機材料で構成される発光層１２７を有し、発光素子１３０の発光部として機能する。有機層には、発光層１２７以外に、正孔注入層及び／又は正孔輸送層１８４、電子注入層及び／又は電子輸送層１８５といった各種の電荷輸送層も含まれ得る。発光層１２７は、発光領域を覆うように、即ち、発光領域における第１絶縁層１２６の開口部及び第１絶縁層１２６の開口部を覆うように設けられる。
【００３３】
なお、本実施形態では、所望の色の光を発する発光層１２７を含む有機層を設け、各画素電極１２５上に異なる発光層１２７を含む有機層を形成することで、ＲＧＢの各色を表示する構成とする。つまり、本実施形態において、有機層の発光層１２７は、隣接する画素電極１２５の間では不連続である。また、正孔注入層及び／又は正孔輸送層１８４、電子注入層及び／又は電子輸送層１８５は、隣接する画素電極１２５の間では連続である。有機層として、公知の構造や公知の材料を用いることが可能であり、特に本実施形態の構成に限定されるものではない。また、有機層は、白色光を発する発光層１２７を有し、カラーフィルタを通してＲＧＢの各色を表示してもよい。この場合、有機層は、第１絶縁層１２６上にも設けられてもよい。
【００３４】
有機層上及び第１絶縁層１２６上には、対向電極１２８が設けられる。対向電極１２８は、発光素子１３０を構成する陰極（カソード）として機能する。本実施形態の表示装置１００は、トップエミッション型であるため、対向電極１２８としては透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、ＭｇＡｇ薄膜もしくは透明導電層（ＩＴＯやＩＺＯ）を用いる。対向電極１２８は、各画素１０９間を跨いで第１絶縁層１２６上にも設けられる。対向電極１２８は、表示領域１０３の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。上述したように、本実施形態では、第１絶縁層１２６から露出した画素電極１２５の一部（アノード）、有機層（発光部）及び対向電極１２８（カソード）によって発光素子１３０が構成される。
【００３５】
図２に示すように、表示領域１０３上に第１無機絶縁層１３１、有機絶縁層１３２、及び第２無機絶縁層１３３を有する。第１無機絶縁層１３１、有機絶縁層１３２、及び第２無機絶縁層１３３は、発光素子１３０に水や酸素が侵入することを防止するための封止膜として機能する。表示領域１０３上に封止膜を設けることにより、発光素子１３０に水や酸素が侵入することを防止して、表示装置の信頼性を向上させることができる。第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３として、例えば、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌｘＯｙＮｚ））、窒化酸化アルミニウム （ＡｌｘＮｙＯｚ）等の膜などを用いることができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。また、有機絶縁層１３２として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。
【００３６】
以上説明した第２基板１１２から封止膜までをまとめて、本実施形態ではアレイ基板と呼ぶ。
【００３７】
第２無機絶縁層１３３上には、粘着材１３５が設けられている。粘着材１３５は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ウレタン系の粘着材を用いることができる。また、粘着材１３５には、カルシウムやゼオライトなどの吸水物質が含まれていてもよい。粘着材１３５に吸水物質が含まれることにより、表示装置１００の内部に水分が侵入した場合であっても、発光素子１３０に水分が到達することを遅らせることができる。また、粘着材１３５には、第１基板１０１と対向基板１０２との間の間隙を確保するためにスペーサを設けてもよい。このようなスペーサは、粘着材１３５に混ぜてもよいし、第１基板１０１上に樹脂等により形成してもよい。
【００３８】
対向基板１０２には、例えば、平坦化を兼ねてオーバーコート層が設けられてもよい。有機層が白色光を出射する場合、対向基板１０２には、主面（第１基板１０１に対向する面）にＲＧＢの各色にそれぞれ対応するカラーフィルタ、及び、カラーフィルタ間に設けられたブラックマトリクスが設けられていてもよい。対向基板１０２側にカラーフィルタを形成しない場合は、例えば、封止膜上に直接カラーフィルタを形成し、その上から粘着材１３５を形成すればよい。また、対向基板１０２の裏面（表示面側）には、偏光板１３８が設けられている。
【００３９】
〈端子部の構成１〉
次に、表示装置１００の周辺領域１１０に設けられた端子部１５１の構成について、図３乃至図８を参照して説明する。
【００４０】
図３に、第１基板１０１上に設けられた端子部１５１の一部を拡大した平面図を示す。図３では、第１端子１７１ａ、１７１ｂ、第２端子１７２ａ、１７２ｂ、及び第３端子１７３を示している。図３では、端子部１５１が有する複数の第１端子及び複数の第２端子を、千鳥配置する例を示している。千鳥配列とは、複数の端子を同一ピッチで上下２列とし、上側列と下側列とを相対的に１／２ピッチずらした配列をいう。なお、図３では、第１端子１７１ａ、１７１ｂ、第２端子１７２ａ、１７２ｂ、及び第３端子１７３は、導電層のみを示しており、絶縁層の図示を省略している。また、端子部１５１に接続されたＣＯＦフィルム１０８の構成についても図示を省略している。
【００４１】
第１端子１７１ａは、導電層１６１ａを有し、第１端子１７１ｂは、導電層１６１ｂを有する。また、第２端子１７２ａは、導電層１６１ｃ及び導電層１６４ａを有し、第２端子１７２ｂは、導電層１６１ｄ及び導電層１６４ｂを有する。第３端子１７３は、導電層１６１ｅを有する。
【００４２】
第１端子１７１ａ、１７１ｂは、例えば、走査線駆動回路１０４を制御する配線と電気的に接続される。また、第２端子１７２ａ、１７２ｂは、データ線駆動回路１０５と電気的に接続される。データ線駆動回路１０５が、ドライバＩＣに組み込まれている場合には、表示領域１０３の信号線と電気的に接続される。また、第３端子１７３は、例えば、電流供給線に電気的に接続される。
【００４３】
図４に、図３に示す破線Ｂ１−Ｂ２に沿った断面図を示す。図４に示す断面図は、第１端子１７１ａ、１７１ｂの断面図である。図４では、第１端子１７１ａ、１７１ｂ上に設けられた異方性導電膜１６８及びＣＯＦフィルム１０８も示している。
【００４４】
図４に示すように、第１基板１０１上に、下地膜１１３が設けられており、下地膜１１３上にゲート絶縁膜１１５が設けられている。また、ゲート絶縁膜１１５上には層間絶縁層１２２が設けられている。
【００４５】
層間絶縁層１２２上には、導電層１６１ａ、１６１ｂが設けられている。導電層１６１ａ、１６１ｂは、表示領域１０３に設けられるトランジスタ１２０が有するソース電極又はドレイン電極１１７、１１８と同じ材料で形成されている。
【００４６】
また、層間絶縁層１２２上には、平坦化膜１６２が設けられている。平坦化膜１６２の上面は、導電層１６１ａ、１６１ｂの上面よりも、低く設けられている。平坦化膜１６２は、表示領域１０３に設けられる平坦化膜１２３と同じ材料で形成されている。ここで、端子部１５１に設けられる平坦化膜１６２の膜厚は、表示領域１０３に設けられる平坦化膜１２３の膜厚よりも薄い。
【００４７】
また、平坦化膜１６２上には、無機絶縁層１６３が設けられている。無機絶縁層１６３は、導電層１６１ａ、１６１ｂの端部を覆うように設けられている。無機絶縁層１６３は、平坦化膜１６２と比較して、導電層１６１ａ、１６１ｂとの密着性が高い。このため、無機絶縁層１６３が、導電層１６１ａ、１６１ｂの端部から剥離することを防止することができる。
【００４８】
導電層１６１ａ、１６１ｂは、異方性導電膜１６８を介して、ＣＯＦフィルム１０８の端子１６９と電気的に接続されている。異方性導電膜１６８には、導電性粒子１６６及び熱硬化性樹脂１６７が含まれている。また、ＣＯＦフィルム１０８は、ベースフィルム１７０に、端子１６９が設けられている。導電性粒子１６６は、導電層１６１ａ、１６１ｂとの接触抵抗を低減するために、硬度が高いことが好ましい。
【００４９】
従来の端子部の構成では、端子部を構成する配線上に有機絶縁膜が設けられる場合、配線と有機絶縁膜との密着性が低いため、有機絶縁膜が剥離するおそれがあった。有機絶縁膜が剥離することで、端子と、ＦＰＣとの剥離が生じて、ＦＰＣと導通不良を起こし、表示装置の信頼性が低下するという問題が生じるおそれがあった。また、硬度が高い導電性粒子を使用する場合、ＣＯＦフィルム１０８を接着する際に圧着することで、導電性粒子が有機平坦化膜にめりこんでしまい、導電性粒子が流れにくくなってしまい、熱硬化性樹脂１６７の伸びがばらつくおそれがあった。
【００５０】
そこで、本実施形態では、第１端子１７１ａ、１７１ｂとして、平坦化膜１６２の上面を、導電層１６１ａ、１６１ｂの上面よりも低くし、平坦化膜１６２上に、導電層１６１ａ、１６１ｂの端部を覆うように無機絶縁層１６３を設ける構成とする。導電層１６１ａ、１６１ｂと、無機絶縁層１６３とは、密着性が高いため、無機絶縁層１６３が剥離してしまうことを防止することができる。これにより、信頼性が向上した表示装置とすることができる。
【００５１】
また、端子部１５１と、ＣＯＦフィルム１０８と、を異方性導電膜１６８を介して圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８に加わる圧力を、導電層１６１ａ、１６１ｂ上と無機絶縁層１６３上とで均一にすることができる。これにより、ＣＯＦフィルム１０８の変形を防止することができるため、導電層１６１ａ、１６１ｂと異方性導電膜１６８との剥離を防止することができる。また、端子部１５１に、ＣＯＦフィルム１０８を圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８のベースフィルム１７０の伸びを均一にすることができる。これにより、導電層１６１ａ、１６１ｂとＣＯＦフィルム１０８に設けられた端子１６９とを、良好に接続することができる。また、平坦化膜１６２よりも硬質な無機絶縁層１６３を再表面に配置することで、導電性粒子１６６がめり込むことを抑制できる。これにより、端子部において、導電性粒子が流れやすくなり、熱硬化性樹脂１６７の伸びを均一にすることができる。
【００５２】
次に、図５に、図３に示す破線Ｃ１−Ｃ２に沿った断面図を示す。図５に示す断面図は、第２端子１７２ａ、１７２ｂの断面図である。図５では、第２端子１７２ａ、１７２ｂ上に設けられた異方性導電膜１６８及びＣＯＦフィルム１０８も示している。
【００５３】
図５に示すように、第１基板１０１上に、下地膜１１３が設けられており、下地膜１１３上にゲート絶縁膜１１５が設けられている。また、ゲート絶縁膜１１５上には導電層１６４ａ、１６４ｂが設けられている。導電層１６４ａ、１６４ｂ上には層間絶縁層１２２が設けられており、導電層１６４ａ、１６４ｂにおいて開口部を有している。また、導電層１６４ａ、１６４ｂ上には、層間絶縁層１２２の開口部を介して、導電層１６１ｃ、１６１ｄが設けられている。層間絶縁層１２２上には、平坦化膜１６２が設けられている。なお、導電層１６４ａ、１６４ｂは、表示領域１０３に設けられるトランジスタ１２０が有するゲート電極１１６と同じ材料で形成されている。導電層１６１ａ、１６１ｂは、表示領域１０３に設けられるトランジスタ１２０が有するソース電極又はドレイン電極１１７、１１８と同じ材料で形成されている。また、端子部１５１に設けられる平坦化膜１６２の膜厚は、表示領域１０３に設けられる平坦化膜１２３の膜厚よりも薄い。
【００５４】
また、平坦化膜１６２上には、無機絶縁層１６３が設けられている。無機絶縁層１６３は、導電層１６１ｃ、１６１ｄの端部を覆うように設けられている。無機絶縁層１６３は、平坦化膜１６２と比較して、導電層１６１ｃ、１６１ｄの端部から剥離することを防止することができる。
【００５５】
導電層１６１ａ、１６１ｂは、異方性導電膜１６８を介して、ＣＯＦフィルム１０８の端子１６９と電気的に接続されている。異方性導電膜１６８には、導電性粒子１６６及び熱硬化性樹脂１６７が含まれている。また、ＣＯＦフィルムは、ベースフィルム１７０に、端子１６９が設けられている。導電性粒子１６６は、導電層１６１ａ、１６１ｂとの接触抵抗を低減するために、硬度が高いことが好ましい。
【００５６】
第１端子１７１ａ、１７１ｂと同様に、層間絶縁層１２２上において、平坦化膜１６２の上面は、導電層１６１ａ、１６１ｂの上面よりも低く設けられる。また、平坦化膜１６２上には、無機絶縁層１６３が設けられている。無機絶縁層１６３は、導電層１６１ａ、１６１ｂの端部を覆っている。
【００５７】
図５に示す第２端子１７２ａ、１７２ｂの構成においても、平坦化膜１６２の上面を、導電層１６１ｃ、１６１ｄの上面よりも低くし、平坦化膜１６２上に、導電層１６１ｃ、１６１ｄの端部を覆うように無機絶縁層１６３を設ける構成とする。導電層１６１ｃ、１６１ｄと、無機絶縁層１６３とは、密着性が高いため、無機絶縁層１６３が剥離してしまうことを防止することができる。これにより、信頼性が向上した表示装置とすることができる。
【００５８】
また、端子部１５１と、ＣＯＦフィルム１０８と、を異方性導電膜１６８を介して圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８に加わる圧力を、導電層１６１ｃ、１６１ｄ上と無機絶縁層１６３上とで均一にすることができる。これにより、ＣＯＦフィルム１０８の変形を防止することができるため、導電層１６１ｃ、１６１ｄと異方性導電膜１６８との剥離を防止することができる。また、端子部１５１に、ＣＯＦフィルム１０８を圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８のベースフィルム１７０の伸びを均一にすることができる。これにより、導電層１６１ｃ、１６１ｄとＣＯＦフィルム１０８に設けられた端子１６９とを、良好に接続することができる。また、平坦化膜１６２よりも硬質な無機絶縁層１６３を再表面に配置することで、導電性粒子１６６がめり込むことを抑制できる。これにより、端子部において、導電性粒子が流れやすくなり、熱硬化性樹脂１６７の伸びを均一にすることができる。
【００５９】
なお、図５において、導電層１６１ａと導電層１６４ａとを接続するための層間絶縁層１２２の開口部が１つの場合について示したが、本発明はこれに限定されない。層間絶縁層１２２の開口部は、複数設けてもよい。
【００６０】
なお、第３端子１７３の構成は、端子の大きさが異なること以外は、第１端子１７１ａ、１７１ｂと同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００６１】
〈端子部の構成２〉
次に、端子部の構成１で説明した端子部１５１の構成とは、一部異なる端子部の構成について、図６乃至図８を参照して説明する。
【００６２】
図６に、第１基板１０１上に設けられた端子部１５１の一部を拡大した平面図を示す。図６では、第１端子１７１ａ、１７１ｂ、第２端子１７２ａ、１７２ｂ、及び第３端子１７３を示している。図６では、端子部１５１が有する複数の第１端子及び複数の第２端子を、千鳥配置する例を示している。なお、図６では、第１端子１７１ａ、１７１ｂ、第２端子１７２ａ、１７２ｂ、及び第３端子１７３は、導電層のみを示しており、絶縁層の図示を省略している。また、端子部１５１に接続されたＣＯＦフィルム１０８の構成についても図示を省略している。
【００６３】
図６に示す端子部１５１では、第１端子１７１ａ、１７１ｂ、第２端子１７２ａ、１７２ｂ、及び第３端子１７３は、それぞれ、透明導電層１６５ａ〜１６５ｅを有している。
【００６４】
第１端子１７１ａは、導電層１６１ａ及び透明導電層１６５ａを有し、第１端子１７１ｂは、導電層１６１ｂ及び透明導電層１６５ｂを有する。また、第２端子１７２ａは、導電層１６１ｃ、導電層１６４ａ、及び透明導電層１６５ｃを有し、第２端子１７２ｂは、導電層１６１ｄ、導電層１６４ｂ、及び透明導電層１６５ｄを有する。なお、第３端子１７３は、導電層１６１ｅ及び透明導電層１６５ｅを有する。
【００６５】
第１端子１７１ａ、１７１ｂは、例えば、走査線駆動回路１０４を制御する配線と電気的に接続される。また、第２端子１７２ａ、１７２ｂは、例えば、データ線駆動回路１０５と電気的に接続される。なお、データ線駆動回路１０５が、ドライバＩＣに組み込まれている場合には、第２端子１７２ａ、１７２ｂは、表示領域１０３の信号線と電気的に接続される。また、第３端子１７３は、例えば、電流供給線に電気的に接続される。
【００６６】
図７に、図６に示す破線Ｄ１−Ｄ２に沿った断面図を示す。図７に示す断面図は、第１端子１７１ａ、１７１ｂの断面図である。図７では、第１端子１７１ａ、１７１ｂ上に設けられた異方性導電膜１６８及びＣＯＦフィルム１０８も示している。
【００６７】
図７に示すように、第１基板１０１上に、下地膜１１３が設けられており、下地膜１１３上にゲート絶縁膜１１５が設けられている。また、ゲート絶縁膜１１５上には層間絶縁層１２２が設けられている。層間絶縁層１２２上には、導電層１６１ａ、１６１ｂが設けられている。導電層１６１ａ、１６１ｂは、表示領域１０３に設けられるトランジスタ１２０が有するソース電極又はドレイン電極１１７、１１８と同じ材料で形成されている。また、層間絶縁層１２２上には、平坦化膜１６２が設けられている。ここで、端子部１５１に設けられる平坦化膜１６２の膜厚は、表示領域１０３に設けられる平坦化膜１２３の膜厚よりも薄い。
【００６８】
図４に示す第１端子１７１ａ、１７１ｂと異なる点は、導電層１６１ａ、１６１ｂ上に、それぞれ透明導電層１６５ａ、１６５ｂが設けられている点である。透明導電層１６５ａ、１６５ｂを設けることにより、導電層１６１ａ、１６１ｂの上面が酸化されてしまうことを防止することができる。また、透明導電層１６５ａ、１６５ｂは、表示領域１０３に設けられる透明導電層１８１と同じ材料で形成されている。なお、透明導電層１６５ａ、１６５ｂは、画素電極１２５及び対向電極１２８と同じ材料で形成されていてもよい。
【００６９】
また、平坦化膜１６２上には、無機絶縁層１６３が設けられており、無機絶縁層１６３は、透明導電層１６５ａ、１６５ｂの端部を覆っている。
【００７０】
図７に示す第１端子１７１ａ、１７１ｂの構成においては、平坦化膜１６２の上面を、導電層１６１ａ、１６１ｂの上面よりも低くし、平坦化膜１６２上に、透明導電層１６５ａ、１６５ｂの端部を覆うように無機絶縁層１６３を設ける構成とする。透明導電層１６５ａ、１６５ｂと、無機絶縁層１６３とは、密着性が高いため、無機絶縁層１６３が剥離してしまうことを防止することができる。これにより、信頼性が向上した表示装置とすることができる。
【００７１】
また、端子部１５１と、ＣＯＦフィルム１０８と、を異方性導電膜１６８を介して圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８に加わる圧力を、透明導電層１６５ａ、１６５ｂ上と無機絶縁層１６３上とで均一にすることができる。これにより、ＣＯＦフィルム１０８の変形を防止することができるため、透明導電層１６５ａ、１６５ｂと異方性導電膜１６８との剥離を防止することができる。また、端子部１５１に、ＣＯＦフィルム１０８を圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８のベースフィルム１７０の伸びを均一にすることができる。これにより、透明導電層１６５ａ、１６５ｂとＣＯＦフィルム１０８に設けられた端子１６９とを、良好に接続することができる。
【００７２】
図８に、図６に示す破線Ｅ１−Ｅ２に沿った断面図を示す。図８に示す断面図は、第２端子１７２ａ、１７２ｂの断面図である。図８では、第２端子１７２ａ、１７２ｂ上に設けられた異方性導電膜１６８及びＣＯＦフィルム１０８も示している。
【００７３】
図８に示すように、第１基板１０１上に、下地膜１１３が設けられており、下地膜１１３上にゲート絶縁膜１１５が設けられている。また、ゲート絶縁膜１１５上には導電層１６４ａ、１６４ｂが設けられている。導電層１６４ａ、１６４ｂ上には層間絶縁層１２２が設けられており、導電層１６４ａ、１６４ｂにおいて開口部を有している。また、導電層１６４ａ、１６４ｂ上には、層間絶縁層１２２の開口部を介して、導電層１６１ａ、１６１ｂが設けられている。層間絶縁層１２２上には、平坦化膜１６２が設けられている。導電層１６４ａ、１６４ｂは、表示領域１０３に設けられるトランジスタ１２０が有するゲート電極１１６と同じ材料で形成されている。導電層１６１ａ、１６１ｂは、表示領域１０３に設けられるトランジスタ１２０が有するソース電極又はドレイン電極１１７、１１８と同じ材料で形成されている。ここで、端子部１５１に設けられる平坦化膜１６２の膜厚は、表示領域１０３に設けられる平坦化膜１２３の膜厚よりも薄い。
【００７４】
図５に示す第２端子１７２ａ、１７２ｂと異なる点は、導電層１６１ｃ、１６１ｄ上に、それぞれ透明導電層１６５ｃ、１６５ｄが設けられている点である。透明導電層１６５ｃ、１６５ｄを設けることにより、導電層１６１ａ、１６１ｂの上面が酸化されてしまうことを防止することができる。また、透明導電層１６５ａ、１６５ｂは、表示領域１０３に設けられる画素電極１２５と同じ材料で形成されている。
【００７５】
また、平坦化膜１６２上には、無機絶縁層１６３が設けられており、無機絶縁層１６３は、透明導電層１６５ａ、１６５ｂの端部を覆っている。
【００７６】
図８に示す第２端子１７２ａ、１７２ｂの構成においても、平坦化膜１６２の上面を、導電層１６１ｃ、１６１ｄの上面よりも低くし、平坦化膜１６２上に、透明導電層１６５ｃ、１６５ｄの端部を覆うように無機絶縁層１６３を設ける構成とする。透明導電層１６５ｃ、１６５ｄと、無機絶縁層１６３とは、密着性が高いため、無機絶縁層１６３が剥離してしまうことを防止することができる。これにより、信頼性が向上した表示装置とすることができる。
【００７７】
また、端子部１５１と、ＣＯＦフィルム１０８と、を異方性導電膜１６８を介して圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８に加わる圧力を、透明導電層１６５ｃ、１６５ｄ上と無機絶縁層１６３上とで均一にすることができる。これにより、ＣＯＦフィルム１０８の変形を防止することができるため、透明導電層１６５ｃ、１６５ｄと異方性導電膜１６８との剥離を防止することができる。また、端子部１５１に、ＣＯＦフィルム１０８を圧着する際に、ＣＯＦフィルム１０８のベースフィルム１７０の伸びを均一にすることができる。これにより、透明導電層１６５ｃ、１６５ｄとＣＯＦフィルム１０８に設けられた端子１６９とを、良好に接続することができる。
【００７８】
なお、本実施形態では、端子部１５１が、第１端子１７１ａ、１７１ｂ、第２端子１７２ａ、１７２ｂ、及び第３端子１７３の三種類を有する例を示したが、本発明はこれに限定されない。端子部１５１が、第１端子１７１ａ、１７１ｂの一種類のみで構成されていてもよいし、第２端子１７２ａ、１７２ｂの一種類のみで構成されていてもよい。
【００７９】
なお、図３及び図６において、端子部１５１が有する複数の第１端子１７１ａ、１７１ｂ及び複数の第２端子１７２ａ、１７２ｂを、千鳥配置する例を示したが、本発明の一態様はこれに限定されない。例えば、第１基板１０１の一辺に沿って、複数の第１端子１７１ａ、１７１ｂ及び複数の第２端子１７２ａ、１７２ｂを一列に配置してもよい。
【００８０】
なお、第３端子１７３の構成は、端子の大きさが異なること以外は、第１端子１７１ａ、１７１ｂと同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００８１】
〈端子部の形成方法〉
次に、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法について、図９乃至図１２を参照して説明する。図９乃至図１２では、図７に示す端子部１５１の第１端子１７１ａ、１７１ｂの形成方法について示す。また、端子部１５１の第１端子１７１ａ、１７１ｂは、表示領域１０３の画素１０９と同時に形成されるため、画素１０９の一部を参照しながら説明する。
【００８２】
まず、図９に示すように、第１基板１０１上に、下地膜１１３を形成する。下地膜１１３は、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料を用いて形成される。下地膜１１３は、上記の材料を用いて、単層構造又は積層構造で形成することができる。
【００８３】
次に、画素１０９において、下地膜１１３上に、半導体層１１４を形成する。半導体層１１４は、ポリシリコン、アモルファスシリコン、又は酸化物半導体を用いて形成することができる。次に、画素１０９及び第１端子１７１ａ、１７１ｂにおいて、ゲート絶縁膜１１５を形成する。ゲート絶縁膜１１５は、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いて形成される。ゲート絶縁膜１１５は、上記の材料を用いて、単層構造又は積層構造で形成することができる。
【００８４】
次に、画素１０９において、半導体層１１４上に、ゲート絶縁膜１１５を介して、ゲート電極１１６を形成する。ゲート電極１１６は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料で形成される。
【００８５】
次に、画素１０９及び第１端子１７１ａ、１７１ｂにおいて、層間絶縁層１２２を形成する。層間絶縁層１２２は、ゲート絶縁膜１１５は、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いて形成される。次に、画素１０９において、層間絶縁層１２２に開口部を形成する。
【００８６】
次に、画素１０９及び第１端子１７１ａ、１７１ｂにおいて、層間絶縁層１２２上に、導電膜を形成して、当該導電膜をパターニングをする。これにより、画素１０９において、ソース電極又はドレイン電極１１７、１１８を形成し、第１端子１７１ａ、１７１ｂにおいて、導電層１６１ａ、１６１ｂを形成することができる。
【００８７】
次に、図１０に示すように、層間絶縁層１２２、ソース電極又はドレイン電極１１７、１１８、及び導電層１６１ａ、１６１ｂ上に、感光性有機樹脂１３７を塗布する。本実施形態では、ポジ型の感光性有機樹脂を用いる場合について説明するが、ネガ型の感光性有機樹脂であってもよい。
【００８８】
次に、ハーフトーンマスク１７５に、露光光を照射して、感光性有機樹脂１３７を露光する。ハーフトーンマスクとは、透過率の異なる領域を有するマスクのことである。本実施形態におけるハーフトーンマスク１７５は、第１端子１７１ａ、１７１ｂに対応する領域の透過率が、画素１０９に対応する領域の透過率よりも高い。そのため、感光性有機樹脂１３７において、第１端子１７１ａ、１７１ｂに対応する領域では、画素１０９に対応する領域と比較して、より多く露光される。
【００８９】
次に、露光された感光性有機樹脂１３７にエッチングを行う。エッチングにより、感光性有機樹脂１３７において、多く露光された第１端子１７１ａ、１７１ｂに対応する領域は、画素１０９に対応する領域と比較して、除去される膜厚が大きくなる。これにより、図１１に示すように、画素１０９と第１端子１７１ａ、１７１ｂとで膜厚の異なる平坦化膜を形成することができる。また、第１端子１７１ａ、１７１ｂの上面を、導電層１６１ａ、１６１ｂの上面よりも低くすることができる。このように、ハーフトーンマスク１７５を用いることにより、同時に膜厚の異なる平坦化膜を形成することができる。なお、エッチングを行った後、第１端子１７１ａ、１７１ｂの領域に対して、アッシングを行ってもよい。
【００９０】
次に、画素１０９、及び第１端子１７１ａ、１７１ｂ上に、透明導電膜を形成し、パターニングを行う。これにより、画素１０９においては、透明導電層１８１を形成することができる。また、第１端子１７１ａ、１７１ｂにおいては、透明導電層１６５ａ、１６５ｂを形成することができる。透明導電層１８１及び透明導電層１６５ａ、１６５ｂは、同じ工程で形成することができる。なお、画素１０９に設けられる透明導電層１８１は、省略することもできる。
【００９１】
次に、画素１０９、及び第１端子１７１ａ、１７１ｂにおいて、平坦化膜１６２上に、無機絶縁層を形成する。画素１０９においては、図示しないが、無機絶縁層１８３を形成する。また、第１端子１７１ａ、１７１ｂにおいては、無機絶縁層１６３を形成する。無機絶縁層１８３及び無機絶縁層１６３は、同じ工程で形成することができる。無機絶縁層１６３は、導電層１６１ａ、１６１ｂの端部を覆うように形成される。なお、画素１０９に設けられる無機絶縁層１８３は、省略することもできる。
【００９２】
その後、表示領域において、発光素子を形成し、封止膜を形成する。次に、封止膜上に、接着材を介して対向基板を形成する。
【００９３】
最後に、導電性粒子１６６を含む異方性導電膜１６８を塗布し、ＣＯＦフィルム１０８を圧着することにより、図７に示す端子部１５１の第１端子１７１ａ、１７１ｂを形成することができる。
【００９４】
以上の通り、本発明の一態様に係る表示装置を製造することができる。ハーフトーンマスク１７５を用いることにより、工程を増やすことなく、周辺領域１１０の平坦化膜の膜厚を、表示領域１０３の平坦化膜の膜厚よりも薄くすることができる。また、周辺領域１１０において、層間絶縁層１２２上の平坦化膜の上面を、導電層１６４ａ、１６４ｂの上面よりも低くすることができる。
【００９５】
なお、図４に示す第１端子１７１ａ、１７１ｂを形成する場合には、図１２に示す工程において、透明導電層１６５ａ、１６５ｂを形成する工程を省略すればよい。
【００９６】
また、図５及び図８に示す第２端子１７２ａ、１７２ｂを形成する場合には、図９に示す工程において、ゲート絶縁膜１１５上に、導電層１６４ａ、１６４ｂを形成する。次に、導電層１６４ａ、１６４ｂ上に、層間絶縁層１２２を形成した後、層間絶縁層１２２に開口を形成する。次に、層間絶縁層１２２上に、導電層１６１ａ、１６１ｂを形成することで、導電層１６４ａ、１６４ｂと、導電層１６１ａ、１６１ｂと、を層間絶縁層１２２の開口部を介して接続することができる。平坦化膜１６２を形成する工程以降は、図１０乃至図１２に示す工程と同様である。なお、図５に示す第２端子１７２ａ、１７２ｂを形成する場合には、図１２示す工程において、透明導電層１６５ａ、１６５ｂを形成する工程を省略すればよい。
【００９７】
本発明の実施形態及び実施例として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
【００９８】
また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００９９】
１００：表示装置、１０１：第１基板、１０２：対向基板、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路、１０５：データ線駆動回路、１０６：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：ＣＯＦフィルム、１０９：画素、１１０：周辺領域、１１２：第２基板、１１３：下地膜、１１４：半導体層、１１５：ゲート絶縁膜、１１６：ゲート電極、１１７：ソース電極又はドレイン電極、１１８：ソース電極又はドレイン電極、１２０：トランジスタ、１２２：層間絶縁層、１２３：平坦化膜、１２４：保護膜、１２５：画素電極、１２６：第１絶縁層、１２７：発光層、１２８：対向電極、１３０：発光素子、１３１：第１無機絶縁層、１３２：有機絶縁層、１３３：第２無機絶縁層、１３５：粘着材、１３８：偏光板、１４０：トランジスタ、１４１：支持基板、１４２：第１凸部、１４３：第２凸部、１４４：配線、１４５：電極、１４６：第１絶縁層、１４７：バリア層、１５０：トランジスタ、１５１：端子部、１５２：端子部、１５３：ＦＯＦ、１５４：ドライバＩＣ、１６１ａ：導電層、１６１ｂ：導電層、１６１ｃ：導電層、１６１ｄ：導電層、１６１ｅ：導電層、１６２：平坦化膜、１６３：無機絶縁層、１６４ａ：導電層、１６４ｂ：導電層、１６５ａ：透明導電層、１６５ｂ：透明導電層、１６５ｃ：透明導電層、１６５ｄ：透明導電層、１６５ｅ：透明導電層、１６６：導電性粒子、１６７：熱硬化性樹脂、１６８：異方性導電膜、１６９：端子、１７０：ベースフィルム、１７１ａ：第１端子、１７１ｂ：第１端子、１７２ａ：第２端子、１７２ｂ：第２端子、１７３：第３端子、１７５：ハーフトーンマスク、１８１：透明導電層、１８２：導電層、１８３：無機絶縁層、１８４：正孔注入層及び／又は正孔輸送層、１８５：電子注入層及び／又は電子輸送層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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