(57)【要約】【課題】レーザー光を照射して半導体ウエハ内部に改質層を形成するステルスダイシングにおいて、ステルスダイシング用粘着テープをエキスパンドした際に半導体ウエハの分割を容易に行うことができ、個片化された半導体チップを容易に剥離できるステルスダイシング用粘着テープを供給する。【解決手段】本発明によれば、基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤層を有するステルスダイシング用粘着テープであって、前記紫外線硬化型粘着剤層が特定の組成であり、紫外線照射前の紫外線硬化型粘着剤層の周波数１Ｈｚ、２３℃における貯蔵弾性率、前記基材フィルムの２３℃における引張弾性率を規定することにより、半導体ウエハの分割性、剥離性が優れるステルスダイシング用粘着テープを提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤層を積層してなるステルスダイシング用粘着テープであって、
前記紫外線硬化型粘着剤層が（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部、ウレタンアクリレートオリゴマー２０〜１５０質量部、多官能イソシアネート硬化剤０．１〜２０質量部及び光重合開始剤０．１〜１０質量部を含み、
前記基材フィルムの２３℃における引張弾性率が４０〜１５０ＭＰａであり、
紫外線照射前の前記紫外線硬化型粘着剤層の周波数１Ｈｚ、２３℃における貯蔵弾性率が０．０５〜０．５ＭＰａであり、
前記ウレタンアクリレートオリゴマーの重量平均分子量が４０，０００〜３５０，０００である、ステルスダイシング用粘着テープ。
【請求項２】
前記紫外線硬化型粘着剤層の厚みが１〜３０μｍである、請求項１に記載のステルスダイシング用粘着テープ。
【請求項３】
前記基材フィルムの厚みが３０〜１５０μｍである請求項１又は請求項２に記載のステルスダイシング用粘着テープ。
【請求項４】
表面に回路が形成された半導体ウエハに、
（ａ）請求項１〜３のいずれか一項に記載のステルスダイシング用粘着テープを半導体ウエハとリングフレームに貼り付ける貼付工程、
（ｂ）半導体ウエハ上に赤外領域の波長のレーザー光を照射して、半導体ウエハ内部に改質層を形成するステルスダイシング工程、
（ｃ）ステルスダイシング用粘着テープをエキスパンドすることにより、半導体ウエハを分割してチップ化する分割工程、
（ｄ）ステルスダイシング用粘着テープの基材フィルム面に紫外線を照射する紫外線照射工程、
（ｅ）個片化された半導体チップをステルスダイシング用粘着テープから剥離する剥離工程、
とを有する半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステルスダイシング用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハは、回路を形成した後に粘着テープを貼合してから、素子小片への切断（ダイシング）、洗浄、乾燥、粘着テープの延伸（エキスパンド）、粘着テープからの素子小片の剥離（ピックアップ）、などの各工程を経て半導体チップ化される。これらの工程で使用される粘着テープ（ダイシングテープ）には、ダイシング工程から乾燥工程までは切断された素子小片（チップ）に対して充分な粘着力を有しながら、剥離工程時には糊残りのない程度に粘着力が減少していることが望まれる。
【０００３】
一方、近年のＩＣデバイスの高性能化および小型化に伴い、半導体チップの薄型化が進められており、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを１００μｍ以下にまで薄くすることが求められるようになった。
【０００４】
しかし、半導体ウエハとして用いられるシリコンやガラス等は脆性材料であり、厚さが薄くなると運搬や加工の際に破損するおそれがあった。特に、ウエハを回転刃でダイシングした際に欠けやチッピングが生じると、チップの抗折強度が著しく低下する。
【０００５】
このため、チッピングの発生を抑制する方法として、赤外領域の波長のレーザー光を半導体ウエハの内部に集光させて改質層を形成させ、改質層を起点としてウエハを分割する、いわゆるステルスダイシングたるウエハの分割方法が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
また、特許文献２には、粘着テープの２３℃におけるヤング率、周波数１Ｈｚ、２３℃における粘着剤層の貯蔵弾性率を特定したステルスダイシング用粘着テープが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００３／０７７２９５号
【特許文献２】特開２０１１−１１９５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これら半導体ウエハの内部にレーザー光を集光させて改質層を形成させるステルスダイシングにおいては、粘着剤層の硬さと基材層の延伸性のバランスが重要である。しかし、特許文献２に記載の粘着テープは粘着剤層の貯蔵弾性率が高く、ウエハ分割時にウエハが粘着テープから滑り、分割できない可能性がある。また粘着剤層も規定されていないため、ウエハ分割後に粘着テープから半導体チップを剥離できない可能性もある。
【０００９】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、ステルスダイシング後、ステルスダイシング用粘着テープをエキスパンドした際に半導体ウエハの分割を容易に行うことができ、チップ化された半導体チップを容易に剥離できるステルスダイシング用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記の課題を解決するために、下記の手段を採用する。
（１）基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤層を積層してなるステルスダイシング用粘着テープであって、
前記紫外線硬化型粘着剤層が（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部、ウレタンアクリレートオリゴマー２０〜１５０質量部、多官能イソシアネート硬化剤０．１〜２０質量部及び光重合開始剤０．１〜１０質量部を含み、
前記基材フィルムの２３℃における引張弾性率が４０〜１５０ＭＰａであり、
紫外線照射前の前記紫外線硬化型粘着剤層の周波数１Ｈｚ、２３℃における貯蔵弾性率が０．０５〜０．５ＭＰａであり、
前記ウレタンアクリレートオリゴマーの重量平均分子量が４０，０００〜３５０，０００である、ステルスダイシング用粘着テープ。
（２）前記紫外線硬化型粘着剤層の厚みが１〜３０μｍである、（１）に記載のステルスダイシング用粘着テープ。
（３）前記基材フィルムの厚みが３０〜１５０μｍである（１）又は（２）に記載のステルスダイシング用粘着テープ。
（４）表面に回路が形成された半導体ウエハに、
（ａ）（１）〜（３）のいずれか一項に記載のステルスダイシング用粘着テープを半導体ウエハとリングフレームに貼り付ける貼付工程、
（ｂ）半導体ウエハ上に赤外領域の波長のレーザー光を照射して、半導体ウエハ内部に改質層を形成するステルスダイシング工程、
（ｃ）ステルスダイシング用粘着テープをエキスパンドすることにより、半導体ウエハを分割してチップ化する分割工程、
（ｄ）ステルスダイシング用粘着テープの基材フィルム面に紫外線を照射する紫外線照射工程、
（ｅ）個片化された半導体チップをステルスダイシング用粘着テープから剥離する剥離工程、
とを有する半導体チップの製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、ステルスダイシング後、ステルスダイシング用粘着テープをエキスパンドした際に半導体ウエハの分割を容易に行うことができ、チップ化された半導体チップを容易に剥離できるステルスダイシング用粘着テープ及びびそれを用いた半導体チップの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本発明の範囲が狭く解釈されることはない。
【００１３】
本発明は、基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤層を積層してなるステルスダイシング用粘着テープであって、前記紫外線硬化型粘着剤層が、特定の成分であり、前記基材フィルムの引張弾性率及び紫外線硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率が特定の数値であるステルスダイシング用粘着テープである。
【００１４】
＜基材フィルム＞
本発明の基材フィルムは、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸−アクリル酸エステルフィルム、エチレン−エチルアクリレート共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、および、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体やエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等を金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂などが挙げられる。基材フィルムは、これら樹脂の混合物又は共重合体であってよく、これら樹脂からなるフィルムやシートの積層体であってもよい。基材フィルムの２３℃における引張弾性率が４０以上１５０以下であり、好ましくは６０以上１２０以下である。この範囲であれば、ステルスダイシング用粘着テープをエキスパンドした際に半導体ウエハの分割を容易に行うことができる。基材フィルムの引張弾性率が４０未満では、エキスパンドの際の力が半導体ウエハに十分に伝わらず、半導体ウエハの分割性が悪くなる。また。基材フィルムの引張弾性率が１５０を超過すると、エキスパンド性が低下し半導体ウエハの分割性が低下する。
【００１５】
基材フィルムはアイオノマ樹脂を用いることが好ましい。アイオノマ樹脂の中でも、エチレン単位、メタアクリル酸単位、及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位を有する共重合体をＮａ＋、Ｋ＋、Ｚｎ２＋等の金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂を用いると、エキスパンド性が良好であり、好適に用いられる。
【００１６】
基材フィルムの厚さは３０〜１５０μｍが好ましく、更に好ましくは５０〜１２０μｍである。
【００１７】
基材フィルムには、帯電防止処理をすることが好ましい。帯電防止処理としては、基材フィルムに帯電防止剤を配合する処理、基材フィルム表面に帯電防止剤を塗布する等の方法がある。
【００１８】
帯電防止剤としては、例えば四級アミン塩単量体などを用いることができる。四級アミン塩単量体としては、例えばジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、メチルエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ｐ−ジメチルアミノスチレン四級塩化物、およびｐ−ジエチルアミノスチレン四級塩化物が挙げられる。このうち、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級塩化物が好ましい。
【００１９】
基材フィルムの片面に紫外線硬化型粘着剤層を積層し、他方の面は平均表面粗さ（Ｒａ）が０．１〜１．５μｍのエンボス面とすることが可能である。エンボス面を有することにより、ダイシング後のエキスパンド工程で基材フィルムを容易に拡張することができる。
【００２０】
ダイシング後のエキスパンド性を向上させるために、基材フィルムの粘着剤を積層した他方の面に、滑り剤を塗布したり、基材フィルムに滑り剤を練り込むことができる。
【００２１】
滑り剤は、ステルスダイシング用粘着テープとエキスパンド装置の摩擦係数を低下させる材料であれば特に限定されず、例えばシリコーン樹脂や（変性）シリコーン油等のシリコーン化合物、フッ素樹脂、六方晶ボロンナイトライド、カーボンブラック、及び二硫化モリブデン等が挙げられる。これらは複数の成分を混合してもよい。電子部品の製造はクリーンルームで行われるため、シリコーン化合物又はフッ素樹脂を用いることが好ましい。シリコーン化合物の中でも特にシリコーンマクロモノマー単位を有する共重合体は帯電防止層との相溶性が良く、帯電防止性とエキスパンド性のバランスが図れるため、好適に用いられる。
【００２２】
＜紫外線硬化型粘着剤層＞
紫外線硬化型粘着剤層は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ウレタンアクリレートオリゴマー、多官能イソシアネート硬化剤及び光重合開始剤を含み、有機溶剤で希釈して基材フィルムに塗布、乾燥して得られる。
（（メタ）アクリル酸エステル共重合体）
本発明で使用される（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらのエステルモノマーを重合させたポリマー、これらモノマーと共重合可能な不飽和単量体（例えば、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル）とを共重合させたコポリマーである。
【００２３】
（メタ）アクリル重合体の主単量体としては、例えば、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル単量体が挙げられる。
【００２４】
（メタ）アクリル単量体としては、少なくとも一部に官能基を含有する単量体を有するものが好ましい。官能基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エポキシ基、アミド基、アミノ基、メチロール基、スルホン酸基、スルファミン酸基及び亜リン酸エステル基等が挙げられる。これらの中でヒドロキシル基が好ましい。
【００２５】
ヒドロキシル基を有する官能基含有単量体としては、例えば２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、及び２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートがある。
【００２６】
カルボキシル基を有する単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、フマール酸、アクリルアミドＮ−グリコール酸、及びケイ皮酸等が挙げられる。
【００２７】
エポキシ基を有する単量体としては、例えばアリルグリシジルエーテル、及び（メタ）アクリル酸グリシジルエーテル等が挙げられる。
【００２８】
アミド基を有する単量体としては、例えば（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
【００２９】
アミノ基を有する単量体としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００３０】
メチロール基を有する単量体としては、例えばＮ−メチロールアクリルアミド等が挙げられる。
【００３１】
（ウレタンアクリレートオリゴマー）
ウレタンアクリレートオリゴマーは、ポリエステル型又はポリエーテル型などのポリオール化合物と多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマ−に、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得られる。
【００３２】
多価イソシアネート化合物には、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどが用いらえる。また、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートには、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリシドールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートなどが用いられる。
【００３３】
ウレタンアクリレートオリゴマーは、不飽和二重結合を４個以上有するウレタンアクリレートオリゴマーが、紫外線等の照射後の粘着剤の硬化が良好である点で、好ましい。
【００３４】
ウレタンアクリレートオリゴマーの重量平均分子量は４０，０００以上３５０，０００以下であり、好ましくは８０，０００〜２００，０００である。ウレタンアクリレートオリゴマーの重量平均分子量が４０，０００未満では半導体ウエハの分割性が低下し、３５０，０００を超過すると半導体ウエハの分割性が低下する。
【００３５】
ウレタンアクリレートオリゴマーの配合量は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して２０質量部以上１５０質量部以下であり、好ましくは４０質量部以上１００質量部以下である。ウレタンアクイレートオリゴマーの配合量が２０質量部未満では紫外線照射後の粘着ステルスダイシング用粘着テープから半導体チップを剥離し難く、１５０質量部を超過すると半導体ウエハの分割性が低下する。
【００３６】
（多官能イソシアネート硬化剤）
本発明の紫外線硬化型粘着剤層に用いる紫外線硬化型粘着剤には、多官能イソシアネート硬化剤を配合する。多官能イソシアネート硬化剤の配合は、（メタ）アクリル重合体１００質量部に対し、０．１質量部以上２０質量部以下であり、好ましくは２質量部以上１５重量部以下である。多官能イソシアネート硬化剤の配合比が０．１質量部未満の場合は半導体ウエハの分割性が低下し、２０質量部超過の場合はエキスパンド時に半導体ウエハが滑り、分割性が低下する。
【００３７】
多官能イソシアネート硬化剤としては、例えば芳香族ポリイソシアネート硬化剤、脂肪族ポリイソシアネート硬化剤、脂環族ポリイソシアネート硬化剤がある。また、好ましくは、脂肪族ポリイソシアネート硬化剤、特にそのうちのキサメチレンジイソシアネート硬化剤がよい。
【００３８】
芳香族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えば１，３−フェニレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−トルイジンジイソシアネート、２，４，６−トリイソシアネートトルエン、１，３，５−トリイソシアネートベンゼン、ジアニシジンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’，４”−トリフェニルメタントリイソシアネート、ω，ω’−ジイソシアネート−１，３−ジメチルベンゼン、ω，ω’−ジイソシアネート−１，４−ジメチルベンゼン、ω，ω’−ジイソシアネート−１，４−ジエチルベンゼン、１，４−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、及び１，３−テトラメチルキシリレンジイソシアネート等が挙げられる。
【００３９】
脂肪族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えばトリメチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、１，２−プロピレンジイソシアネート、２，３−ブチレンジイソシアネート、１，３−ブチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、及び２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。
【００４０】
脂環族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えば３−イソシアネートメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイソシアネート、１，３−シクロペンタンジイソシアネート、１，３−シクロヘキサンジイソシアネート、１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，６−シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネート）、１，４−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン、及び１，４−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサンがある。
【００４１】
ポリイソシアネートのうち、１，３−フェニレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−トルイジンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートが好適に用いられる。
【００４２】
多官能エポキシ硬化剤は、主にエポキシ基を２個以上、第３級窒素原子を１個以上有する化合物をいい、Ｎ・Ｎ−グリシジルアニリン、Ｎ・Ｎ−グリシジルトルイジン、ｍ−Ｎ・Ｎ−グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、ｐ−Ｎ・Ｎ−グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート、Ｎ・Ｎ・Ｎ’・Ｎ’−テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、Ｎ・Ｎ・Ｎ’・Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、Ｎ・Ｎ・Ｎ’・Ｎ’・Ｎ’’−ペンタグリシジルジエチレントリアミンなどが挙げられる。
【００４３】
（光重合開始剤）
光重合開始剤には、ベンゾイン、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類及びキサントン類などが挙げられる。
【００４４】
ベンゾインとしては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテルなどがある。
アセトフェノン類としては、例えばベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−アセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−アセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン、２−ヒロドキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどがある。
アントラキノン類としては、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ターシャリブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノンなどがある。
チオキサントン類としては、例えば２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどがある。
ケタール類としては、例えばアセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルメタール、ベンジルジフエニルサルフアイド、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどがある。
【００４５】
光重合開始剤の配合量は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、０．１〜１０質量部である。光重合開始剤の配合量が０．１質量部未満では紫外線照射後のステルスダイシング用粘着テープから半導体チップを剥離する際に剥離性が低下し、１０質量部超過では光重合開始剤が紫外線硬化型粘着剤層表面へブリードアウトし、半導体ウエハの分割性が低下する。
【００４６】
光重合開始剤には、必要に応じて従来公知の光重合促進剤を１種または２種以上を組合せて併用してもよい。光重合促進剤には、安息香酸系や第三級アミンなどを用いることができる。第三級アミンとしては、トリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエーテルなどが挙げられる。  
【００４７】
紫外線硬化型粘着剤層の組成物には、例えば、粘着付与樹脂、軟化剤、老化防止剤、充填剤、導電剤、紫外線吸収剤、及び光安定剤等の各種添加剤を添加してもよい。
【００４８】
紫外線硬化型粘着剤層の厚みは、１μｍ以上３０μｍが好ましく、３μｍ以上１５μｍ以下が特に好ましい。紫外線硬化型粘着剤層が３０μｍを超過すると紫外線照射後のステルスダイシング用粘着テープから半導体チップを剥離する際に剥離性が低下する。また、紫外線硬化型粘着剤層が１μｍ未満では、粘着力が低くなり過ぎ、半導体ウエハの分割性が低下する。
【００４９】
＜ステルスダイシング用粘着テープの製造＞
基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤層を形成して粘着テープとする方法としては、例えばグラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター又はロールコーターといったコーターで基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤を直接塗布する方法や、剥離フィルムに粘着剤を塗布／乾燥後に基材フィルムに貼り合わせる方法がある。凸板印刷、凹板印刷、平板印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、又はスクリーン印刷等で基材フィルム上に粘着剤を印刷してよい。
【００５０】
＜半導体チップの製造方法＞
本発明に係る半導体チップの製造方法の具体的な工程を順に説明する。
【００５１】
（１）貼付工程
貼付工程では、ステルスダイシング用粘着テープを半導体ウエハとリングフレームに貼り付ける。半導体ウエハはシリコンウエハおよびガリウムナイトライドウエハ、炭化ケイ素ウエハ、ガラスウエハ、サファイアウエハなどの従来汎用のウエハであってよい。
【００５２】
（２）ステルスダイシング工程
ステルスダイシング工程では、半導体ウエハ上に赤外領域の波長のレーザー光を照射して、半導体ウエハ内部に複数回改質層を形成する。赤外領域の波長は半導体ウエハの種類によって異なるが、１，０６４ｎｍの波長を用いることが多い。
【００５３】
（３）分割工程
分割工程では、ステルスダイシングにて半導体ウエハ内部に改質層を形成された半導体ウエハをエキスパンドにより分割する。
【００５４】
（４）紫外線照射工程
紫外線照射工程では、基材フィルム側から紫外線硬化型粘着剤層に紫外線等の活性光線を照射する。紫外線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプを用いることができる。また、紫外線に替えて電子線を用いてもよく、電子線の光源としてはα線、β線、γ線を用いることができる。
【００５５】
紫外線により紫外線硬化型粘着剤層は三次元網状化して硬化し、紫外線硬化型粘着剤層の粘着力が低下する。
【００５６】
（５）剥離工程
剥離工程では、分割された半導体チップをニードルピン等で突き上げる。その後、半導体チップ又は部品を真空コレットまたはエアピンセット等で吸着し、紫外線硬化型粘着剤層から剥離する。
【実施例】
【００５７】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
【００５８】
＜実施例＞
表１、２に示す配合に従ってステルスダイシング用粘着テープを調製した。紫外線硬化型粘着剤層は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体等を混合させて得た紫外線硬化型粘着剤をポリエチレンテレフタレート製のセパレーターフィルム上に、乾燥後の紫外線硬化型粘着層の厚みが１０μｍとなるように塗工することにより、得た。この紫外線硬化型粘着層を基材フィルムに積層し、４０℃で７日間熟成し、ステルスダイシング用粘着テープを得た。
【００５９】
【表１】
2018186119.tif 000002
【００６０】
【表２】
2018186119.tif 000003
【００６１】
［紫外線硬化型粘着剤層］
紫外線硬化型粘着剤層の各成分は、以下を用いた。
（（メタ）アクリル酸エステル共重合体）
Ａ−１：メチルアクリレート６０質量％、２−エチルへキシルアクリレート３５質量％、アクリル酸４．５質量％及び２−ヒドロキシエチルアクリレート０．５質量％を含有する共重合体であり、溶液重合により得られる。重量平均分子量２０万。
Ａ−２：エチルアクリレート５４％、ブチルアクリレート１９％及びメトキシエチルアクリレート２４％を含有する共重合体であり、乳化重合により得られる。重量平均分子量２００万。
（ウレタンアクリレートオリゴマー）
イソホロンジイソシアネートの三量体のイソシアネートにジペンタエリスリトールペンタアクリレートを主成分とする水酸基含有アクリレートを特開昭６１−４２５２９号公報や特開２０１２−３６２５３公報等に公知の方法により調整したものであり、不飽和二重結合官能基数が１５のウレタンアクリレート（合成品）である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、測定し、ポリスチレン換算して重量平均分子量を得た。
Ｂ−１：重量平均分子量  １１，０００
Ｂ−２：重量平均分子量  ４３，０００
Ｂ−３：重量平均分子量  ７９，０００
Ｂ−４：重量平均分子量  １５４，０００
Ｂ−５：重量平均分子量  ３３８，０００
Ｂ−６：重量平均分子量  ３８５，０００
重量平均分子量の測定：以下の条件で、測定した。
・装置：ＧＰＣ−８０２０  ＳＥＣ  システム（東ソー社製）
・カラム：ＴＳＫ  Ｇｕａｒｄ  ＨＺ−Ｌ＋ＨＺＭ−Ｎ  ６．０×１５０ｍｍ×３
・流量：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
・検出器：ＲＩ−８０２０
・濃度：０．２ｗｔ／Ｖｏｌ％
・注入量：２０μＬ
・カラム温度：４０℃
・システム温度：４０℃
・溶媒：ＴＨＦ
・検量線：標準ポリスチレン（ＰＬ社製）を用いて作製し、重量平均分子量（Ｍｗ）はポリスチレン換算値で表した。
（多官能イソシアネート硬化剤）
Ｃ−１：東ソー社製コロネートＬ−４５Ｅ；２，４−トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体
Ｃ−２：東ソー社製コロネートＨＬ；ヘキサメチレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体
（光重合開始剤）
Ｄ−１：ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１；ベンジルジメチルケタール
Ｄ−２：ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
［基材フィルム］
Ｅ−１：アイオノマ樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、品番：ＨＭ１８５５）をＴダイ押出しにより８０μｍに製膜して得た。
Ｅ−２：ポリエチレン／アイオノマ樹脂／ポリエチレン（アキレス社製、品番：ＨＣＶＨ）を２種３層Ｔダイ押出しにより８０μｍに製膜（構成比：１０／６０／１０）して得た。
Ｅ−３：ポリ塩化ビニル（ダイヤフラム社製、品番：ＧＭ−３１１）、８０μｍ
Ｅ−４：エチレン酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、品番：６３５）をカレンダー成形により８０μｍに製膜して得た。
Ｅ−５：ポリ塩化ビニル（アキレス社製、品番：ＦＵＺＢ−２９５０）、８０μｍ
【００６２】
［評価］
各種評価は、以下のとおり実施した。
（１）紫外線硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率の測定
剥離フィルムに紫外線硬化型粘着剤層を積層したフィルムを作製後、直径８ｍｍの円柱形に型抜きする。その後、剥離フィルムを剥がし、紫外線硬化型粘着剤層が厚み１ｍｍのなるように前記フィルムを重ね合わせて試料とした。これを捻り剪断法により周波数１Ｈｚ、温度２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）を、粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ  Ｐａａｒ社製ＭＣＲ−３０１）を用いて測定した。
【００６３】
（２）基材フィルムの引張弾性率の測定
基材フィルムの引張弾性率は、万能引張試験機（オリエンテック社製テンシロンＲＴＡ−Ｔ−２Ｍ）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１６１：１９９４に準拠して、２３℃、湿度５０％の環境下において引張速度５ｍｍ／分で測定した。
【００６４】
（３）半導体ウエハ分割性、剥離性評価
半導体ウエハ分割性、剥離性は、ステルスダイシング用粘着テープを厚み３００μｍの８インチシリコンウエハとリングフレームに貼り合わせ、その後、ステルスダイシング、エキスパンドすることによって、評価した。
【００６５】
ステルスダイシングにおける、レーザー光の照射条件は以下のとおり。
・光源                ：Ｎｄ−ＹＡＧレーザー
・波長                ：１，０６４ｎｍ
・繰り返し周波数      ：１００ｋＨｚ
・レーザー出力        ：０．３Ｗ
・パルス幅            ：３０ｎｓ
・カット速度          ：１００ｍｍ／秒
・カットチップサイズ  ：５ｍｍ×５ｍｍ
【００６６】
エキスパンドによる半導体ウエハ分割の条件は以下の通りとした。
・エキスパンド装置：ＨＵＧＬＥ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ社製ＨＳ−１８００
・エキスパンド速度：５ｍｍ／秒
・引き落とし量    ：２５ｍｍ
【００６７】
剥離の条件は以下の通りとした。
・剥離装置              ：キャノンマシナリー社製ＣＡＰ−３００ＩＩ
・エキスパンド量          ：５ｍｍ
・ニードルピン形状        ：２５０μｍＲ
・ニードルピン数          ：４本
・ニードルピン突き上げ高さ：１．５ｍｍ
【００６８】
１）半導体ウエハ分割性の評価
半導体ウエハをステルスダイシングした後、ステルスダイシング用粘着テープをエキスパンドし、チップを分割した。半導体ウエハの分割性は、分割された半導体チップと分割されなかったチップの総数から、分割された半導体チップの個数の割合により、評価した。
◎（優）  ：半導体ウエハ分割率９５％以上
○（良）  ：半導体ウエハ分割率９０％以上９５％未満
×（不可）：半導体ウエハ分割率９０％未満
【００６９】
２）剥離性の評価
半導体チップの剥離性は、分割された半導体チップのうち、剥離できた個数により、評価した。
◎（優）  ：半導体チップの剥離成功率が９５％以上
○（良）  ：半導体チップの剥離成功率が８０％以上９５％未満
×（不可）：半導体チップの剥離成功率が８０％未満
【００７０】
表１、２の結果のとおり、本発明の実施例のステルスダイシング用粘着テープは、半導体ウエハの分割、剥離性が良好であった。
＜比較例１＞
ウレタンアクリレートオリゴマーの配合量が少ないため、紫外線照射後の紫外線硬化型粘着剤層の架橋密度が低く、剥離性に不良が生じたと考えられる。
＜比較例２＞
ウレタンアクリレートオリゴマーの配合量が多く、紫外線硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率が低いため、半導体ウエハの分割性が低下したと考えられる。
＜比較例３＞
多官能イソシアネート硬化剤の配合量が少ないため、紫外線硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率が低く、半導体ウエハの分割性に不良が生じたと考えられる。
＜比較例４＞
多官能イソシアネート硬化剤の配合量が多く、紫外線硬化型粘着剤層が半導体ウエハを保持できず、エキスパンド時に半導体ウエハが滑り、分割性に不良を生じたと考えられる。
＜比較例５＞
光重合開始剤の配合量が少ないため、紫外線照射後の紫外線硬化型粘着剤層の架橋密度が低く、剥離性に不良が生じたと考えられる。
＜比較例６＞
光重合開始剤の配合量が多いため、光重合開始剤が紫外線硬化型粘着剤層表面へブリードアウトし、半導体ウエハの分割性に不良が生じたと考えられる。
＜比較例７＞
ウレタンアクリレートオリゴマーの重量平均分子量が低いため、紫外線硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率が低く、半導体ウエハの分割性に不良が生じたと考えられる。
＜比較例８＞
ウレタンアクリレートオリゴマーの重量平均分子量が高いため、紫外線硬化型粘着剤層が半導体を保持できず、半導体ウエハの分割性に不良が生じたと考えられる。
＜比較例９＞
基材フィルムの引張弾性率が低いため、エキスパンドの際の力が半導体ウエハに十分に伝わらず、半導体ウエハの分割性に不良を生じたと考えられる。
＜比較例１０＞
基材フィルムの引張弾性率が高いため、エキスパンド性が低下し半導体ウエハの分割性が低下したものと考えられる。