(57)【要約】【課題】小型化を図りつつ、直流重畳特性の低下が抑制されたコイル部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】  コイル部品１０においては、磁性基板１１を構成するＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料におけるＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％であり、このようなフェライト材料を採用することにより高い実効飽和磁束密度（Ｂｍｓ）が得られることを発明者らは新たに見出した。すなわち、上記フェライト材料を採用した磁性基板１１では磁気飽和状態になりにくく、磁性基板を薄くしたときにコイル部品の直流重畳特性が低下する事態が効果的に抑制され得る。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有し、Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料で構成されるとともに、該フェライト材料におけるＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％である磁性基板と、
前記磁性基板の主面上に配置され、該主面の法線方向に沿うコイル軸を有するコイルと、
前記磁性基板の主面上に設けられ、該主面側から前記コイルを覆う磁性樹脂層と
を備える、コイル部品。
【請求項２】
前記磁性基板は、１０ＭＨｚ以下における複素透磁率が３５未満である、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
前記磁性樹脂層が、前記コイルを挟んで前記磁性基板と対向する層状の被覆層部を有し、
前記磁性基板の厚さが、前記磁性樹脂層の前記被覆層部の厚さよりも厚い、請求項１または２に記載のコイル部品。
【請求項４】
Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料で構成されるとともに、該フェライト材料におけるＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％である磁性基板を準備する工程と、
前記磁性基板の主面上に、該主面の法線方向に沿うコイル軸を有するコイルを配置する工程と、
前記磁性基板の主面上に、該主面側から前記コイルを覆う磁性樹脂層を形成する工程と
を含む、コイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のコイル部品として、たとえば特許文献１には、磁性基板上に、コイルと、該コイルを覆うとともに金属磁性粉末とポリマーとの複合体からなる上部カバー層とが設けられた構成のコイル部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１４０９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のようなコイル部品は、スマートフォン等の電子機器の電源回路に採用され得るが、電子機器の近年における小型化、高機能化および多機能化に対応すべく、コイル部品自体の小型化や特性向上が求められている。
【０００５】
コイル部品自体の小型化には、磁性基板を薄くすることが考えられるが、磁性基板を単に薄くしただけではコイル部品の直流重畳特性が低下するため、小型化と特性向上との両立が難しい。
【０００６】
そこで、本発明は、小型化を図りつつ、直流重畳特性の低下が抑制されたコイル部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係るコイル部品は、主面を有し、Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料で構成されるとともに、該フェライト材料におけるＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％である磁性基板と、磁性基板の主面上に配置され、該主面の法線方向に沿うコイル軸を有するコイルと、磁性基板の主面上に設けられ、該主面側からコイルを覆う磁性樹脂層とを備える。
【０００８】
上記コイル部品においては、磁性基板を構成するＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料におけるＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％であり、このようなフェライト材料を採用することにより高い実効飽和磁束密度（Ｂｍｓ）が得られることを発明者らは新たに見出した。すなわち、上記フェライト材料を採用した磁性基板では磁気飽和状態になりにくく、磁性基板を薄くしたときにコイル部品の直流重畳特性が低下する事態が効果的に抑制されている。
【０００９】
本発明の他の側面に係るコイル部品では、磁性基板は、１０ＭＨｚ以下における複素透磁率（μ”）が３５未満である。このような磁性基板によれば、高い実効飽和磁束密度が得られる。
【００１０】
本発明の他の側面に係るコイル部品では、磁性樹脂層が、コイルを挟んで磁性基板と対向する層状の被覆層部を有し、磁性基板の厚さが、磁性樹脂層の被覆層部の厚さよりも厚い。この場合、磁性基板のほうが磁性樹脂層よりも磁気飽和状態になりやすいが、上記フェライト材料で磁性基板を構成することで、磁性基板における磁気飽和状態が生じにくくなる。
【００１１】
本発明の一側面に係るコイル部品の製造方法は、Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料で構成されるとともに、該フェライト材料におけるＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％である磁性基板を準備する工程と、磁性基板の主面上に、該主面の法線方向に沿うコイル軸を有するコイルを配置する工程と、磁性基板の主面上に、該主面側からコイルを覆う磁性樹脂層を形成する工程とを含む。
【００１２】
上記コイル部品の製造方法では、磁性基板を準備する工程において準備される磁性基板は、ＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％であるＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料で構成されている。このようなフェライト材料を採用することにより高い実効飽和磁束密度（Ｂｍｓ）が得られることを発明者らは新たに見出した。すなわち、上記フェライト材料を採用した磁性基板では磁気飽和状態になりにくく、磁性基板を薄くしたときにコイル部品の直流重畳特性が低下する事態が効果的に抑制されている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、小型化を図りつつ、直流重畳特性の低下が抑制されたコイル部品およびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る電源回路ユニットを示す斜視図である。
【図２】図１の電源回路ユニットの等価回路を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るコイル部品の斜視図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】コイル部品の分解斜視図である。
【図６】コイル部品の製造工程を説明する図である。
【図７】コイル部品の製造工程を説明する図である。
【図８】コイル部品の製造工程を説明する図である。
【図９】実施例に係る実験結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１６】
まず、図１及び図２を参照して、一実施形態に係る電源回路ユニット１の全体的な構成を説明する。本実施形態で説明する電源回路ユニットは、例えば、直流電圧の電圧変換（降圧）をおこなうスイッチング電源回路ユニット等である。図１及び図２に示されるように、電源回路ユニット１は、回路基板２と、電子部品３、４、５、６、１０とを備えている。具体的には、回路基板２上に、電源ＩＣ３、ダイオード４、コンデンサ５、スイッチング素子６、及びコイル部品１０が搭載された構成となっている。
【００１７】
図３〜図５を参照して、コイル部品１０の構成について説明する。図３は、コイル部品１０の斜視図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。図５は、コイル部品の分解斜視図である。図５の分解斜視図では、図３の磁性樹脂層１８の図示を省略している。
【００１８】
図３に示されるように、コイル部品１０は、後述するコイル１２が内部に設けられた素体７（磁性素体）と、素体７の主面７ａ上に設けられた絶縁層３０とを備えている。素体７は、直方体形状の外形を有している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。素体７は、主面７ａを有しており、主面７ａは長辺および短辺を有する矩形状をなしている。矩形状には、角部が丸められている矩形が含まれる。
【００１９】
主面７ａには、絶縁層３０を介して端子電極２０Ａ、２０Ｂが設けられている。端子電極２０Ａは、主面７ａにおける一方の短辺に沿っており、端子電極２０Ｂは、主面７ａにおける他方の短辺に沿っている。端子電極２０Ａ、２０Ｂは、主面７ａにおける長辺に沿った方向に互いに離間している。
【００２０】
素体７は、例えば磁性材料で構成されている。具体的には、素体７は、磁性基板１１と、磁性樹脂層１８とで構成されている。
【００２１】
磁性基板１１は、磁性材料で構成された略平板状の基板である（図５参照）。磁性基板１１は、素体７の、主面７ａとは反対側に位置している。磁性基板１１の主面１１ａ上に、磁性樹脂層１８および後述するコイル１２が設けられている。
【００２２】
磁性基板１１は、具体的には、Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料で構成されている。本実施形態では、磁性基板１１を構成するフェライト材料は、主材料としてＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯおよびＺｎＯを含み、添加物としてＴｉＯ、ＣｏＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃａ２Ｏ３を含んでいる。また、本実施形態に係るフェライト材料では、Ｆｅ２Ｏ３の含有率が４５〜４９．５ｍｏｌ％、ＮｉＯの含有率が２４〜３０ｍｏｌ％、ＺｎＯの含有率が１９〜２５ｍｏｌ％となっている。さらに、本実施形態に係るフェライト材料では、Ｆｅ２Ｏ３の純度は９９．３％以上である。
【００２３】
磁性樹脂層１８は、磁性基板１１上に形成されており、後述するコイル１２（図４及び図５参照）を内部に備えている。磁性樹脂層１８の磁性基板１１側の面１８ｂとは反対側の面１８ａは、素体７の主面７ａを構成している。磁性樹脂層１８は、磁性粉とバインダ樹脂との混合物であり、磁性粉の構成材料は例えば鉄、カルボニル鉄、ケイ素、コバルト、クロム、ニッケル、又はホウ素等であり、バインダ樹脂の構成材料は例えばエポキシ樹脂である。磁性樹脂層１８の全体の９０％以上が、例えば磁性粉で構成されていてもよい。磁性樹脂層１８の透磁率は１０〜１００（一例として、３５）である。
【００２４】
磁性樹脂層１８は、後述するコイル１２の空芯部分（内径側の部分）に位置する空芯部１８ｃと、コイル１２の外周部分（外径側の部分）に位置する外周部１８ｄと、コイル１２を挟んで磁性基板１１と対向する層状の被覆層部１８ｅを含んでいる。磁性樹脂層１８の被覆層部１８ｅの厚さｔ１は、磁性基板１１の厚さｔ２よりも薄くなるように設計されている。被覆層部１８ｅの厚さｔ１および磁性基板１１の厚さｔ２は、５０〜２００μｍの範囲内で決定され得る。一例として、被覆層部１８ｅの厚さｔ１は１１０μｍであり、磁性基板１１の厚さｔ２は１４５μｍである。
【００２５】
素体７の主面７ａに設けられた一対の端子電極２０Ａ、２０Ｂはいずれも、膜状であり、平面視で略長方形形状を呈している。端子電極２０Ａ、２０Ｂ各面積は、略同じである。端子電極２０Ａ、２０Ｂは、例えばＣｕ等の導電性材料によって構成されている。端子電極２０Ａ、２０Ｂは、めっき形成により形成されためっき電極である。端子電極２０Ａ、２０Ｂは、単層構造でも複数層構造でもよい。
【００２６】
図４及び図５に示されるように、コイル部品１０の素体７は、内部に、（具体的には、磁性樹脂層１８内）において、コイル１２、被覆部１７、引出導体１９Ａ、１９Ｂを有する。
【００２７】
コイル１２は、平面視において矩形状に巻回されている。コイル１２は、例えばＣｕ等の金属材料で構成されており、その軸心（コイル軸）が磁性基板１１の主面１１ａおよび素体７の主面７ａの法線方向（主面１１ａおよび素体７の主面７ａに直交する方向）に沿って延びている。コイル１２は、二層のコイル導体層で構成されており、コイル導体層として下コイル部１３及び上コイル部１４を備えると共に連結部１５、１６を備える。下コイル部１３と上コイル部１４とは、主面７ａに直交する方向（コイル１２の軸心方向）に並んでおり、上コイル部１４が下コイル部１３よりも主面７ａ側に位置している。下コイル部１３と上コイル部１４とは、巻回方向が同じである。連結部１５は、下コイル部１３と上コイル部１４との間に介在して、下コイル部１３の最も内側の巻回部分と上コイル部１４の最も内側の巻回部分とを連結している。連結部１６は、下コイル部１３から主面７ａ側に延び、下コイル部１３と引出導体１９Ｂとを連結している。
【００２８】
被覆部１７は、絶縁性を有し、絶縁性樹脂で構成されている。被覆部１７に用いられる絶縁性樹脂としては、例えばポリイミド、又はポリエチレンテレフタレートが挙げられる。被覆部１７は、素体７内において、コイル１２の下コイル部１３及び上コイル部１４を一体的に覆っている。被覆部１７は、下コイル部１３、上コイル部１４、及び連結部１５のそれぞれを個別に覆っている。被覆部１７は、積層構造を有し、本実施形態では五層の絶縁性樹脂層１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅで構成されている（図５参照）。絶縁性樹脂層１７ａは、下コイル部１３の下側（磁性基板１１側）に位置し、平面視におけるコイル１２の形成領域と略同じ領域に形成されている。絶縁性樹脂層１７ｂは、下コイル部１３の同一層内の周囲及び巻回部分の間を埋めており、コイル１２の内径に対応する領域は開いている。絶縁性樹脂層１７ｂは、磁性基板１１に直交する方向に沿って延びている。絶縁性樹脂層１７ｃは、下コイル部１３と上コイル部１４との間に挟まれる位置にあり、コイル１２の内径に対応する領域が開いている。絶縁性樹脂層１７ｄは、上コイル部１４の同一層内の周囲及び巻回部分の間を埋めており、コイル１２の内径に対応する領域が開いている。絶縁性樹脂層１７ｅは、上コイル部１４の上側（主面７ａ側）に位置し、コイル１２の内径に対応する領域が開いている。
【００２９】
一対の引出導体１９Ａ、１９Ｂは、例えばＣｕで構成されており、コイル１２の両端部Ｅ１、Ｅ２それぞれから主面７ａに直交する方向に沿って延びている。
【００３０】
引出導体１９Ａは、上コイル部１４の最外の巻回部分に設けられたコイル１２の一方の端部Ｅ１に接続されている。引出導体１９Ａは、磁性樹脂層１８を貫通するようにしてコイル１２の端部Ｅ１から素体７の主面７ａまで延びて、主面７ａに露出している。引出導体１９Ａの露出した部分に対応する位置に、端子電極２０Ａが設けられている。引出導体１９Ａは、絶縁層３０の貫通孔３１ａ内の導体部３１によって、端子電極２０Ａに接続されている。これにより、引出導体１９Ａ及び導体部３１を介して、コイル１２の端部Ｅ１と端子電極２０Ａとが電気的に接続されている。
【００３１】
引出導体１９Ｂは、下コイル部１３の最外の巻回部分に設けられたコイル１２の他方の端部Ｅ２に接続されている。引出導体１９Ｂは、磁性樹脂層１８を貫通するようにしてコイル１２の端部Ｅ２から素体７の主面７ａまで延びて、主面７ａに露出している。引出導体１９Ｂの露出した部分に対応する位置に、端子電極２０Ｂが設けられている。引出導体１９Ｂは、絶縁層３０の貫通孔３２ａ内の導体部３２によって、端子電極２０Ｂに接続されている。これにより、引出導体１９Ｂ及び導体部３２を介して、コイル１２の端部Ｅ２と端子電極２０Ｂとが電気的に接続されている。
【００３２】
素体７の主面７ａ上に設けられた絶縁層３０は、主面７ａ上の一対の端子電極２０Ａ、２０Ｂの間に介在している。本実施形態では、絶縁層３０は、一対の引出導体１９Ａ、１９Ｂを露出させているように、主面７ａの全領域を覆うように設けられていると共に、長辺方向（一対の端子電極２０Ａ、２０Ｂが隣り合っている方向）に交差する方向に延びて主面７ａを横断する部分を含む。絶縁層３０は、引出導体１９Ａ、１９Ｂに対応する位置に貫通孔３１ａ、３２ａ（孔）を有している。貫通孔３１ａ、３２ａ内には、Ｃｕ等の導電性材料によって構成された導体部３１、３２が設けられている。絶縁層３０は、絶縁性材料により構成されており、例えばポリイミド、エポキシ等の絶縁性樹脂で構成されている。
【００３３】
次に、図６〜図８を参照して、コイル部品１０の製造方法について説明する。図６〜図８は、コイル部品１０の製造工程を説明する図である。
【００３４】
まず、図６の（ａ）に示されるように、上述した磁性基板１１を準備し、準備した磁性基板１１の上に絶縁性樹脂ペーストパターンを塗布して、被覆部１７の絶縁性樹脂層１７ａを形成する。続いて、図６の（ｂ）に示されるように、絶縁性樹脂層１７ａの上に、下コイル部１３をめっき形成するためのシード部２２を形成する。シード部２２は、所定のマスクを用いてめっきやスパッタリング等により形成することができる。続いて、図６の（ｃ）に示されるように、被覆部１７の絶縁性樹脂層１７ｂを形成する。この絶縁性樹脂層１７ｂは、磁性基板１１の全面に絶縁性樹脂ペーストを塗布した後、シード部２２に対応する部分を除去することで得ることができる。すなわち、絶縁性樹脂層１７ｂは、シード部２２を露出させる機能を有する。この絶縁性樹脂層１７ｂは、磁性基板１１上に立設された壁状の部分であり、下コイル部１３形成される領域を画成する。続いて、図６の（ｄ）に示されるように、絶縁性樹脂層１７ｂの間においてシード部２２を用いて、めっき層２４を形成する。このとき、絶縁性樹脂層１７ｂの間に画成された領域を充たすように成長するめっきが、下コイル部１３となる。その結果、下コイル部１３の巻回部分が隣り合う絶縁性樹脂層１７ｂの間に位置するようになる。
【００３５】
続いて、図７の（ａ）に示されるように、絶縁性樹脂ペーストパターンを下コイル部１３の上に塗布することにより、被覆部１７の絶縁性樹脂層１７ｃを形成する。その際、絶縁性樹脂層１７ｃに、連結部１５、１６を形成するための開口部１５’、１６’を形成する。続いて、図７の（ｂ）に示されるように、絶縁性樹脂層１７ｃの開口部１５’、１６’に、連結部１５、１６をめっき形成する。
【００３６】
続いて、図７の（ｃ）に示されるように、上述した工程と同様にして、絶縁性樹脂層１７ｃの上に、上コイル部１４および被覆部１７の絶縁性樹脂層１７ｄ、１７ｅを形成する。具体的には、図６の（ｂ）〜（ｄ）に示す手順と同様に、上コイル部１４をめっき形成するためのシード部を形成し、上コイル部１４が形成される領域を画成する絶縁性樹脂層１７ｄを形成し、絶縁性樹脂層１７ｄの間において上コイル部１４をめっき形成する。
【００３７】
そして、絶縁性樹脂ペーストパターンを上コイル部１４の上に塗布することにより、被覆部１７の絶縁性樹脂層１７ｅを形成する。その際、絶縁性樹脂層１７ｅに、引出導体１９Ａ、１９Ｂを形成するための開口部１９Ａ’、１９Ｂ’を形成する。以上のように、被覆部１７は、複数の絶縁性樹脂層１７ａ〜１７ｅを含む積層構造を有し、これらの絶縁性樹脂層１７ａ〜１７ｅによって、下コイル部１３及び上コイル部１４が取り囲まれる。
【００３８】
続いて、図７の（ｄ）に示されるように、めっき層２４のうち、下コイル部１３及び上コイル部１４を構成していない部分（下コイル部１３及び上コイル部１４の内径部及び外周部に対応する部分）をエッチング処理によって除去する。換言すると、図７の（ｃ）の被覆部１７に覆われていないめっき層２４除去する。続いて、図８の（ａ）に示されるように、絶縁性樹脂層１７ｅの開口部１９Ａ’に対応する位置に引出導体１９Ａを形成すると共に、開口部１９Ｂ’に対応する位置に引出導体１９Ｂを形成する。具体的には、所定のマスクを用いてめっきやスパッタリング等により、開口部１９Ａ’、１９Ｂ’上に引出導体１９Ａ、１９Ｂのためのシード部を形成し、当該シード部を用いて引出導体１９Ａ、１９Ｂをめっき形成する。
【００３９】
続いて、図８の（ｂ）に示されるように、磁性基板１１の全面に磁性樹脂を塗布すると共に所定の硬化処理をおこない、磁性樹脂層１８を形成する。それにより、被覆部１７及び引出導体１９Ａ、１９Ｂの周りが磁性樹脂層１８で覆われる。このとき、コイル１２の内径部分に磁性樹脂層１８が充填される。続いて、図８の（ｃ）に示されるように、引出導体１９Ａ、１９Ｂが磁性樹脂層１８から露出するように研磨する。
【００４０】
上記工程により、素体７の主面７ａから引出導体１９Ａ、１９Ｂが露出する素体７が得られ、素体７を準備する工程が終了する。
【００４１】
続いて、図８の（ｄ）に示されるように、端子電極２０Ａ、２０Ｂをめっき形成する前に、主面７ａ上に絶縁性樹脂ペースト等の絶縁性材料を塗布することにより、絶縁層３０を形成する。絶縁層３０を形成する際、主面７ａの全体を覆うと共に、一対の引出導体１９Ａ、１９Ｂに対応する位置に貫通孔３１ａ、３２ａを形成し、絶縁層３０から一対の引出導体１９Ａ、１９Ｂを露出させる。具体的には、一旦、主面７ａの全領域に絶縁性材料を塗布し、その後、引出導体１９Ａ、１９Ｂに対応する箇所の絶縁層３０を除去する。
【００４２】
そして、絶縁層３０上に、所定のマスクを用いてめっきやスパッタリング等により、端子電極２０Ａ、２０Ｂに対応する領域にシード部（図示せず）を形成する。シード部は、絶縁層３０の貫通孔３１ａ、３２ａから露出する引出導体１９Ａ、１９Ｂ上にも形成される。続いて、当該シード部を用いて、端子電極２０Ａ、２０Ｂを、無電解めっきにより形成する。このとき、めっきは、絶縁層３０の貫通孔３１ａ、３２ａを埋めるように成長して導体部３１、３２を形成すると共に、絶縁層３０上の端子電極２０Ａ、２０Ｂを形成する。以上によって、コイル部品１０が形成される。
【００４３】
発明者らは、Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料を用いた磁性基板における各種特性について研究を重ねた結果、ＮｉＯ含有率を所定の範囲内に設計することで、高い実効飽和磁束密度が得られるとの知見を得た。そこで、発明者らは、以下に示す実験をおこない、ＮｉＯ含有率と実効飽和磁束密度との関係を確認した。
【００４４】
実験では、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料のＮｉＯ含有率が異なる複数の磁性基板を準備して、それぞれについて、実効飽和磁束密度（Ｂｍｓ）、残留磁束密度（Ｂｒ）、保持力（Ｈｃ）、透磁率μ’および複素透磁率μ”を求めた。実験結果は、図９に示すとおりであった。
【００４５】
準備した磁性基板は、図９の表に示すとおり、実施例１の磁性基板ではＮｉＯ含有率が２４．５ｍｏｌ％であり、実施例２、実施例２’および実施例２’’の磁性基板ではＮｉＯ含有率が２６．５ｍｏｌ％であり、実施例３および実施例３’の磁性基板ではＮｉＯ含有率が２９．５ｍｏｌ％である。なお、実施例２で用いた磁性基板は６０ｍｍ径であり、実施例２’および実施例２’’で用いた磁性基板は６インチ径である。また、実施例２’では磁性基板の周縁部で測定し、実施例２’’では磁性基板の中央部で測定した。さらに、実施例３で用いた磁性基板は６０ｍｍ径であり、実施例３’で用いた磁性基板は６インチ径である。比較例１の磁性基板ではＮｉＯ含有率が２３．５ｍｏｌ％であり、比較例２および比較例３の磁性基板ではＮｉＯ含有率が３０．５ｍｏｌ％であり、比較例４の磁性基板ではＮｉＯ含有率が１９．５ｍｏｌ％である。
【００４６】
図９に示した実験結果から明らかなように、ＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％の範囲内である各実施例の磁性基板においては、実用上十分に高い値の実効飽和磁束密度（すなわち、４９５〜５３６ｍＴ）が得られた。一方、ＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％の範囲外である各比較例の磁性基板においては、上記実施例に係る磁性基板の実効飽和磁束密度の値に比べて顕著に低い値（すなわち、４２７〜４７６ｍＴ）となった。
【００４７】
すなわち、上述した磁性基板１１のように、Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料におけるＮｉＯ含有率が２４〜３０ｍｏｌ％である磁性基板では、高い実効飽和磁束密度が得られる。換言すると、上記フェライト材料を採用した磁性基板１１は磁気飽和状態になりにくい。そのため、コイル部品１０の小型化を図るために、磁性基板１１を薄くしたときであっても、コイル部品１０の直流重畳特性が低下する事態を効果的に抑制され得る。
【００４８】
特に、上述した実施形態のように、磁性基板１１の厚さｔ２が磁性樹脂層１８の被覆層部１８ｅの厚さｔ１よりも厚い構成（ｔ２＞ｔ１）では、磁性樹脂層１８よりも磁性基板１１のほうが磁気飽和状態になりやすい。そこで、上記フェライト材料で磁性基板１１を構成することで、磁性基板１１における磁気飽和状態が生じにくくなり、直流重畳特性の低下が抑制され得る。
【００４９】
また、図９に示した実験結果から明らかなように、磁性基板１１が１０ＭＨｚ以下における複素透磁率（μ”）が３５未満である場合には、高い実効飽和磁束密度を得ることができる。
【００５０】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他に適用してもよい。
【００５１】
例えば、コイル導体層の数等は、上記実施形態に限られない。例えば、コイル１２を構成するコイル導体層の数は二つに限られず、一つ又は三つ以上であってもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１…電源回路ユニット、７…素体、７ａ…主面、１０…コイル部品、１１…磁性基板、１１ａ…主面、１２…コイル、１８…磁性樹脂層、１８ｅ…被覆層部。
【図１】
2018156992.tif 000003
【図２】
2018156992.tif 000004
【図３】
2018156992.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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