(57)【要約】【課題】シート抵抗が低い透明導電層を有する積層体を提供する。【解決手段】積層体は、支持体と、支持体の一方の側の面に形成されたＩＴＯからなる透明導電層と、を備えている。積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で測定した場合の、透明導電層のＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、透明導電層のＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上となっている。【選択図】図１０
2018156945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
当該支持体の一方の側の面に形成されたＩＴＯからなる透明導電層と、
を備えた積層体であって、
当該積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で実施した場合の、前記透明導電層のＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、当該透明導電層のＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上である、積層体。
【請求項２】
前記透明導電層中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が、９３：７である
ことを特徴とする請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記支持体は、１または複数の層を含んでおり、
当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる、請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
当該積層体は、タッチパネル用導電性パターン基材を作製するために用いられる積層体である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項５】
請求項１に記載の積層体を加工することによって得られる、タッチパネル用導電性パターン基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体およびタッチパネル用導電性パターン基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性を有しながら透光性を示す透明導電層、例えばインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）からなる透明導電層は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置における透明電極や、タッチパネルセンサにおける検出用の透明導電パターンなどとして利用されている。
【０００３】
透明電極や透明導電パターンの特性を高めるため、透明導電層のシート抵抗を低くすることが期待されている。ＩＴＯからなる透明導電層のシート抵抗は、ＩＴＯが結晶化されている場合の方が、アモルファス状態の場合に比べ、低くなることが知られている。このような特性を考慮して、特許文献１においては、基材上に形成されたＩＴＯ層に対してアニール処理を施し、これによって、ＩＴＯ層の結晶化を促進することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＩＴＯ層のシート抵抗は、ＩＴＯ層の厚みを大きくするほど低くすることが可能である。しかしながら、ＩＴＯ層の厚みを大きくしてしまうと、ＩＴＯ層の透光性が劣化してしまったり、ＩＴＯ層に色味が生じたりしてしまう。従って、一般にＩＴＯ層の厚みは数十ｎｍ程度になっている。このような薄膜状のＩＴＯ層においてそのシート抵抗を低くするためには、単にＩＴＯ層の結晶化を促すだけでは足りず、ＩＴＯ層に対する更なる改善が必要であると考えられる。
【０００６】
本発明は、このような課題を効果的に解決し得る、積層体およびタッチパネル用導電性パターン基材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、支持体と、当該支持体の一方の側の面に形成されたＩＴＯからなる透明導電層と、を備えた積層体であって、当該積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で実施した場合の、前記透明導電層のＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、当該透明導電層のＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上である、積層体である。
【０００８】
例えば、本発明の積層体において、前記透明導電層中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が、９３：７である。
【０００９】
例えば、本発明の積層体において、前記支持体は、１または複数の層を含んでおり、当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる
【００１０】
本発明は、上記記載の積層体を加工することによって得られる、タッチパネル用導電性パターン基材である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で実施した場合の、透明導電層のＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、透明導電層のＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上となっている。これによって、シート抵抗の低い透明導電層を実現し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態における積層体を示す断面図。
【図２】図２は、図１の積層体を作製するために用いられる支持体を示す断面図。
【図３】図３は、図１の積層体の変形例を示す断面図。
【図４】図４は、図３の積層体を作製するために用いられる支持体を示す断面図。
【図５Ａ】図５Ａは、図２に示す支持体の製造方法を説明するための図。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図２に示す支持体の製造方法を説明するための図。
【図６】図６は、図３に示す積層体を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材を示す平面図。
【図７】図７は、図６の導電性パターン基材の、線VII−VIIに沿った断面図。
【図８】図８は、ＩＴＯの結晶構造を示す図。
【図９】図９は、サンプル５の積層体から得られた回折ピークを示す図。
【図１０】図１０は、各サンプルの積層体におけるＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）と、透明導電層のシート抵抗と、の関係を示す図。
【図１１】図１１は、各サンプルの積層体におけるＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）と、各サンプルの支持体の表面自由エネルギーと、の関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図１乃至図８を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１に示すように、積層体１０は、支持体１１と、支持体１１の一方の側の面１１ａに設けられた第１透明導電層１６ａと、を含んでいる。まず、支持体１１について説明し、その後、第１透明導電層１６ａについて説明する。
【００１４】
（支持体）
支持体１１は、図１および図２に示すように、基材１２と、基材１２の一方の側の面１２ａに順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、および第１インデックスマッチング層１４ａと、を含んでいる。以下、基材１２、第１ハードコート層１３ａ、および第１インデックスマッチング層１４ａについてそれぞれ説明する。
【００１５】
（基材）
基材１２としては、十分な透光性を有するフィルムやガラスが用いられる。基材１２に用いられるフィルムを構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。
【００１６】
（ハードコート層）
第１ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図１および図２に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材１２の他方の面１２ｂにさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。
【００１７】
（インデックスマッチング層）
第１インデックスマッチング層１４ａは、積層体１０における光の透過率や反射率を調整するという目的のために、基材１２と第１透明導電層１６ａとの間に設けられる層である。本実施の形態では、第１インデックスマッチング層１４ａは、基材１２を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される第１高屈折率層を含んでいる。また、本実施の形態の第１インデックスマッチング層１４ａは、第１高屈折率層と第１透明導電層１６ａとの間に、基材１２を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される第１低屈折率層を含んでいる。
【００１８】
第１低屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化珪素やフッ化マグネシウムが用いられる。第１高屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムが用いられる。第１高屈折率層および第１低屈折率層の厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。
【００１９】
なお本実施の形態においては、上述の第１インデックスマッチング層１４ａが積層体１０に含まれている例について説明するが、しかしながら、第１インデックスマッチング層１４ａは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層１３ａ，１３ｂも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材１２の一方の側の面１２ａや第１ハードコート層１３ａの一方の側の面に直接的に接するよう第１透明導電層１６ａが設けられることもある。さらに、基材１２やハードコート層１３ａ，１３ｂ、第１インデックスマッチング層１４ａが、酸素等を含むいわゆるアウトガスを発生させる材料で構成される場合には、アウトガスによって第１透明導電層１６ａのＩＴＯの結晶化が阻害されることを防止するために、基材１２、ハードコート層１３ａ，１３ｂないし第１インデックスマッチング層１４ａの一方の側の面にアウトガスを遮断するバリア層が設けられてもよい。バリア層を構成する材料としては、例えばシリカが用いられる。
【００２０】
（透明導電層）
第１透明導電層１６ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、本実施の形態では、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。ここでＩＴＯとは、８９〜９９重量％のインジウムと、１〜１１重量％の錫と、０．５重量％以下のその他の添加元素または不可避の不純物と、を含む金属酸化物を意味している。第１透明導電層１６ａの厚みは、例えば１８〜５０ｎｍの範囲内となっている。
【００２１】
ところで一般に、ＩＴＯからなる透明導電層は、その厚みを大きくすることなくそのシート抵抗が低くなるように形成されることが期待されている。この点に関して、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、透明導電層の成膜条件や、透明導電層が形成される支持体の構成等によって、透明導電層のシート抵抗が異なることを見出した。原因について調べるべく、ＩＴＯからなる第１透明導電層１６ａの結晶構造を調べた結果、後述する実施例において示されるように、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の所定の結晶面の比率が十分に高ければ、第１透明導電層１６ａのシート抵抗が十分に低くなる、ということを見出した。
【００２２】
具体的には、ＩＴＯの結晶構造は、図８に示すようなビックスバイト（Ｂｉｘｂｙｔｅ）構造であり、積層体１０の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で実施すると、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の（２２２）面や（４００）面、（４４０）面等に基づく回折ピークが表れる。ここで、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ測定とは、積層体１０の第１透明導電層１６ａの表面すれすれにＸ線を入射させ、この際に生じるＸ線の回折を観察することによって、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の結晶面を測定する方法である。この方法においては、第１透明導電層１６ａの法線方向に平行に広がる結晶面の方位が測定される。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ測定によれば、従来一般に用いられてきたθ／２θ測定に比べて、基材１２や第１ハードコート層１３ａ、第１インデックスマッチング層１４ａに起因する信号を抑制することができるので、第１透明導電層１６ａの表面の結晶情報を感度良く測定することができる。
【００２３】
そして、本件発明者らの研究の成果によれば、上述のＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定を実施することにより得られた第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が十分に高ければ第１透明導電層１６ａのシート抵抗が十分に低くなる。
そして、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上であれば、第１透明導電層１６ａのシート抵抗は、タッチパネル用導電性パターン基材としての実用上十分な程度に低くなる、具体的には１４０Ω／□以下になる、ということが見出された。
【００２４】
なお、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さＰＩＴＯ（２２２）が高くなるようにＩＴＯ結晶の配向性を制御する方法としては、特に限定されないが、本件発明者らが試行錯誤を重ねた結果、次のような方法が採用され得ることが知見された。すなわち、後述する実施例によって支持されるように、支持体１１の一方の側の表面１１ａにおける表面自由エネルギーを十分に高めることで、当該表面１１ａに形成される第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の配向性を、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が十分に高くなるように制御し得る、というものである。具体的には、当該表面１１ａにおける表面自由エネルギーを６０ｍＪ／ｍ２以上とすることで、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上、より好ましくは３．８以上、さらに好ましくは４．４以上となるように、ＩＴＯの結晶の配向性を制御し得る。
【００２５】
支持体１１の表面における表面自由エネルギーを高める方法としては、特には限定されないが、例えば、支持体１１の表面にプラズマ処理を施したり、支持体１１の最表層をポリシロキサンを含む材料で構成する、という方法が採用され得る。ここで、支持体１１の表面にプラズマ処理を施したり、支持体１１の最表層をポリシロキサンを含む材料で構成することによって当該表面における表面自由エネルギーを高めることが可能な理由については、特に限定されないが、例えば、次のような理由が考えられる。すなわち、支持体１１の表面にプラズマ処理が施されることにより、支持体１１中のＯＨ基が支持体１１の表面に露出されることとなる。また、支持体１１の最表層がポリシロキサンを含む材料で構成されることにより、支持体１１の表面にＯＨ基が存在することとなる。そして、支持体１１の表面におけるＯＨ基の存在が当該表面における表面自由エネルギーを高めることに寄与する、というものである。
【００２６】
なお、支持体１１の表面における表面自由エネルギーについては、支持体１１の表面における水接触角、ジヨードメタン接触角、およびエチレングリコール接触角等を用いて調べることが可能である。
【００２７】
その他、第１透明導電層１６ａを構成するために用いられる材料なども、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ結晶の配向性に影響を及ぼすものと考えられる。
【００２８】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の支持体１１を製造する方法および支持体１１を用いて積層体１０を製造する方法について説明する。次に、積層体１０を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材の製造方法について説明する。
【００２９】
支持体の製造方法
はじめに、図５Ａに示すように、基材１２を用意する。次に、図５Ｂに示すように、アクリル樹脂を含む塗工液を、コーターを用いて基材１２の両側に塗工する。これによって、基材１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗工液を、コーターを用いて第１ハードコート層１３ａ上に塗工する。これによって、第１ハードコート層１３ａ上に第１高屈折率層が形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１高屈折率層上に塗工する。これによって、第１高屈折率層上に第１低屈折率層が形成される。このようにして、第１ハードコート層１３ａ上に第１インデックスマッチング層１４ａが形成され、図２に示す支持体１１を得ることができる。
【００３０】
積層体の製造方法
次に、本実施の形態では、第１透明導電層１６ａが形成される支持体１１の一方の表面１１ａの表面自由エネルギーを高めるため、第１インデックスマッチング層１４ａ上にプラズマ処理を施す。続いて、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１インデックスマッチング層１４ａ上に第１透明導電層１６ａを形成する。本実施の形態では、酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が９３：７（９２．５：７．５〜９３．５：６．５の範囲内）のターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、第１透明導電層１６ａを形成する。その後、第１透明導電層１６ａ中のＩＴＯの結晶化をさらに進行させるため、第１透明導電層１６ａに対してアニール処理を施してもよい。このようにして、図１に示す積層体１０を得ることができる。
【００３１】
タッチパネル用導電性パターン基材の製造方法
次に、積層体１０の用途の一例として、積層体１０を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材について説明する。タッチパネル用導電性パターン基材６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。タッチパネル用導電性パターン基材６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のタッチパネルセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のタッチパネルセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１０をパターニングすることによって静電容量方式のタッチパネルセンサとしてのタッチパネル用導電性パターン基材６０を形成する例について、図６および図７を参照して説明する。図６は、タッチパネル用導電性パターン基材６０を示す平面図であり、図７は、図６に示すタッチパネル用導電性パターン基材６０の線VII−VIIに沿った断面図である。なお図６および図７においては、図４に示す基材１２の一方の側および他方の側に配置されたインデックスマッチング層１４ａ，１４ｂを含む支持体１１を用いて作製された積層体１０であって、図３に示すように支持体１１の一方の側および他方の側に配置された透明導電層１６ａ，１６ｂを含む積層体１０を用いることにより、タッチパネルセンサ６０が作製されている。
【００３２】
図６に示すように、タッチパネル用導電性パターン基材６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン６２ａ，６２ｂを備えている。透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、基材１２の一方の側に配置され、図６の横方向に延びる第１透明導電パターン６２ａと、基材１２の他方の側に配置され、図６の縦方向に延びる第２透明導電パターン６２ｂと、からなっている。なお図６において、下側に設けられた第２透明導電パターン６２ｂが点線で表されている。図７に示すように、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、積層体１０の透明導電層１６ａ，１６ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層１６ａ，１６ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。
【００３３】
また図６に示すように、タッチパネル用導電性パターン基材６０は、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂに接続された取出パターン６４ａ，６４ｂと、各取出パターン６４ａ，６４ｂに接続され、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂと、をさらに有していてもよい。これら取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂは、タッチパネル用導電性パターン基材６０のうち表示パネルからの映像光が通過しない領域、いわゆる額縁領域に配置されている。このため、取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂを構成する材料が透明性を有する必要はない。従って、取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂは一般に、透明導電パターン６２ａ，６２ｂを構成する透明導電性材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。
【００３４】
このような取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂを形成する方法が特に限られることはなく、フォトリソグラフィー法や印刷法が適宜用いられる。例えば、はじめに積層体１０の透明導電層１６上に金属材料層（図示せず）を形成し、次に、フォトリソグラフィー法を用いて金属材料層および透明導電層１６ａ，１６ｂを順次または同時にエッチングすることにより、取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂと透明導電パターン６２ａ，６２ｂとが形成されてもよい。この場合、図７に示すように、取出パターン６４ａ，６４ｂとインデックスマッチング層１４ａ，１４ｂとの間に透明導電パターン６２ａ，６２ｂが介在されていてもよい。これによって、透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を取り出す際の電気抵抗をより小さくすることができる。なお、表示パネルからの映像光が通過する領域にある透明導電パターン６２ａ，６２ｂ上に残っている金属材料層を取り除くためのエッチングにおいては、エッチング液として、金属材料層のみを選択的に溶解させるエッチング液が用いられる。
【００３５】
本実施の形態によれば、タッチパネル用導電性パターン基材６０は、積層体１０の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で実施した場合の、透明導電層１６ａ，１６ｂのＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、透明導電層１６ａ，１６ｂのＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上であるという積層体１０を加工することにより作製されている。これにより、シート抵抗が十分に低い、具体的には、１４０Ω／□以下、より好ましくは１３０Ω／□以下の、透明導電パターン６２ａ，６２ｂを有するタッチパネル用導電性パターン基材６０を得ることが可能である。
【実施例】
【００３６】
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００３７】
様々な作成条件下において、積層体のサンプル１〜７を作製した。以下では、まず、積層体のサンプル１〜７を作製するために用意された支持体のサンプル１〜７について説明し、次に、各支持体を用いて作製された積層体のサンプル１〜７について説明する。
【００３８】
（支持体）
基材１２と、基材１２の一方の側に順に設けられた第１ハードコート層１３ａおよび第１インデックスマッチング層１４ａと、を備えた支持体１１のサンプル１〜
を作製した。第１インデックスマッチング層１４ａは、第１ハードコート層１３ａ上に形成された第１高屈折率層と、第１高屈折率層上に形成された第１低屈折率層と、から構成された。各支持体１１の最表層となる第１低屈折率層は、第１高屈折率層上に、以下の材料を含む塗工液を塗工することにより形成された。塗工液の塗工は、ミカサ社製スピンコーターを用いて行われた。
［サンプル１］アルコキシ金属系材料（（株）日板研究所製：セラミカG-90 A, B）
［サンプル２］シリコーン系材料（信越化学（株）製：KS-3601 / CAT-PL-56）
［サンプル３］シラザン系材料（AZ ELECTRONIC MATERIALS製：NL-120A-20）
［サンプル４］有機−無機ハイブリット系材料（JSR（株）製：グラスカHPC7506A）
［サンプル５］シロキサン系材料（コルコート（株）製：コルコートN-103X）
［サンプル６］シロキサン系材料（コルコート（株）製：コルコートPX）
［サンプル７］シロキサン系材料（コルコート（株）製：コルコートSS-C1）
【００３９】
〔評価１  支持体の表面自由エネルギー〕
続いて、このようにして得られた各支持体１１の第１低屈折率層の表面１１ａにおける水接触角、ジヨードメタン接触角、および、エチレングリコール接触角を測定し、当該表面１１ａにおける表面自由エネルギーを測定した。各接触角の測定条件および表面自由エネルギーの測定・解析条件を、以下に示す。
＜接触角の測定条件＞
測定装置：共和界面科学株式会社製接触角計
水、ジヨードメタン及びエチレングリコールの滴下量：１．０マイクロリットル
＜表面自由エネルギーの測定・解析条件＞
表面自由エネルギーの測定解析に使用されたソフトウェア：KYOWA interFAce Measurement and Analysis System（FAMAS）
表面自由エネルギー理論名：Owens-Wendt
【００４０】
このようにして測定された各支持体１１の表面１１ａにおける表面自由エネルギーは、以下の通りであった。
＜表面自由エネルギー＞
［サンプル１］６２．１ｍＪ／ｍ２
［サンプル２］２５．３ｍＪ／ｍ２
［サンプル３］１９．３ｍＪ／ｍ２
［サンプル４］２６．２ｍＪ／ｍ２
［サンプル５］６３．２ｍＪ／ｍ２
［サンプル６］６２．０ｍＪ／ｍ２
［サンプル７］６６．０ｍＪ／ｍ２
【００４１】
（積層体）
続いて、各支持体１１の表面１１ａ上にスパッタリング法によって第１透明導電層１６ａを形成し、積層体１０のサンプル１〜７を形成した。各積層体１０の第１透明導電層１６ａの厚さは、３０ｎｍ程度であった。各積層体１０の第１透明導電層１６ａの形成に用いられたターゲット中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比は、以下の通りであった。
＜重量比（酸化スズ：酸化インジウムスズ）＞
［サンプル１］９５：５
［サンプル２］９３：７
［サンプル３］９０：１０
［サンプル４］９３：７
［サンプル５］９３：７
［サンプル６］９３：７
［サンプル７］９３：７
【００４２】
〔評価２  透明導電層のシート抵抗〕
このようにして得られた各積層体１０の第１透明導電層１６ａのシート抵抗の測定を行った。シート抵抗の測定条件を、以下に示す。
＜測定条件＞
測定装置：三菱化学（株）製ロレスター
測定方法：４端子法
【００４３】
このようにして測定された各積層体１０の第１透明導電層１６ａのシート抵抗は、以下の通りであった。
＜測定結果＞
［サンプル１］１５９Ω/□
［サンプル２］１４０Ω/□
［サンプル３］１６９Ω/□
［サンプル４］１４０Ω/□
［サンプル５］１２５Ω/□
［サンプル６］１２８Ω/□
［サンプル７］１２９Ω/□
【００４４】
〔評価３  回折ピーク〕
その後、各積層体１０の一方の側の面にＸ線を入射させ、第１透明導電層１６ａに含まれるＩＴＯ結晶の回折ピークを測定した。測定は、厚みが３０ｎｍ程度の透明導電層についても精度よくＩＴＯ結晶の回折ピークが得られるよう、以下の条件で行われた。
測定装置：リガク製ＳｍａｒｔＬａｂ
測定方法：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ測定
Ｘ線：管電圧４５ｋＶ、管電流２００ｍＡ
測定範囲：１０°〜７０°
スキャン軸：２θχ／φ
入射角ω：０．４３°
固定角２θ：０．４３°
【００４５】
図９に、積層体のサンプル５において得られた回折ピークを示す。図９において、縦軸は、検出された回折Ｘ線の強度（cps:count per sec.）を表しており、横軸は、固定角２θを表している。
【００４６】
図９において、２θ＝３０．５°近傍の回折ピークは、ＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークである。２θ＝３５°近傍の回折ピークは、ＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークである。
【００４７】
このようにして測定された各積層体１０の第１透明導電層１６ａの、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）は、以下の通りであった。
［サンプル１］２．８
［サンプル２］３．０
［サンプル３］２．９
［サンプル４］３．３
［サンプル５］４．４
［サンプル６］３．８
［サンプル７］３．６
【００４８】
図１０に、各積層体１０の第１透明導電層１６ａにおけるＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）とシート抵抗との関係を示す。図１０において、縦軸は、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）を表しており、横軸は、第１透明導電層１６ａのシート抵抗（Ω／□）を表している。図１０から分かるように、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が十分に高ければ、透明導電層のシート抵抗が十分に低くなることが分かる。そして、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上の場合、当該表面に形成される透明導電層のシート抵抗は、実用上十分な程度に低減された。すなわち、１４０Ω／□以下、より具体的には１３０Ω／□以下に低減された。また、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）がより高い場合、例えば３．８以上の場合、より好ましくは４．４以上の場合、当該表面に形成される透明導電層のシート抵抗がさらに低減された。
【００４９】
また、図１１に、支持体１１のサンプル１〜７の表面１１ａにおける表面自由エネルギーと、当該表面１１ａに形成された第１透明導電層１６ａのＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）と、の関係を示す。図１１において、縦軸は、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）を表しており、横軸は、シート抵抗値を表している。図１１から分かるように、支持体の表面における表面自由エネルギーが十分に高ければ、当該表面に形成される透明導電層のＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が十分に高くなることが分かる。
そして、表面自由エネギーが６０ｍＪ／ｍ２以上の場合、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上になった。
【符号の説明】
【００５０】
１０  積層体
１１  支持体
１２  基材
１３  ハードコート層
１４  インデックスマッチング層
１６  透明導電層
６０  タッチパネルセンサ
６２  透明導電パターン
６４  取出パターン
６５  端子部
【図１】
2018156945.tif 000003
【図２】
2018156945.tif 000004
【図３】
2018156945.tif 000005
【図４】
2018156945.tif 000006
【図５Ａ】
2018156945.tif 000007
【図５Ｂ】
2018156945.tif 000008
【図６】
2018156945.tif 000009
【図７】
2018156945.tif 000010
【図８】
2018156945.tif 000011
【図９】
2018156945.tif 000012
【図１０】
2018156945.tif 000013
【図１１】
2018156945.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月18日(2018.5.18)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、積層体、タッチパネル用導電性パターン基材および積層体の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
当該支持体の一方の側の面に形成されたＩＴＯからなる透明導電層と、
を備えた積層体であって、
前記支持体の一方の側の面の表面自由エネルギーが、６０ｍＪ／ｍ２以上であり、
当該積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で実施した場合の、前記透明導電層のＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、当該透明導電層のＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上である、積層体。
【請求項２】
前記透明導電層中のスズとインジウムの組成比は、酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が９３：７である場合に相当している、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記支持体は、１または複数の層を含んでおり、
当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる、請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
当該積層体は、タッチパネル用導電性パターン基材を作製するために用いられる積層体である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項５】
請求項１に記載の積層体を加工することによって得られる、タッチパネル用導電性パターン基材。
【請求項６】
ＩＴＯからなる透明導電層を含む積層体であって、当該積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をＩｎ−Ｐｌａｎｅ測定で実施した場合の、前記透明導電層のＩＴＯ結晶の（２２２）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（２２２）とし、当該透明導電層のＩＴＯ結晶の（４００）面に基づく回折ピークの高さをＰＩＴＯ（４００）とするとき、ＰＩＴＯ（２２２）／ＰＩＴＯ（４００）が３．６以上である積層体の製造方法であって、
一方の側の面の表面自由エネルギーが６０ｍＪ／ｍ２以上である支持体を用意する工程と、
前記支持体の前記一方の側の面に前記透明導電層を形成する工程と、
を備えた、積層体の製造方法。
【請求項７】
前記透明導電層を形成する工程において、酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が９３：７であるターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより前記透明導電層を形成する、請求項６に記載の積層体の製造方法。
【請求項８】
前記支持体は、１または複数の層を含んでおり、
当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる、請求項６または７に記載の積層体の製造方法。
【請求項９】
前記支持体を用意する工程は、
前記支持体の前記一方の側の面に、当該一方の側の面の表面自由エネルギーが６０ｍＪ／ｍ２以上となるようにプラズマ処理を施す工程を有している、請求項６または７に記載の積層体の製造方法。