(57)【要約】【課題】マスクブランク用基板やマスクブランクを製造する際の製造歩留まりが高い表示装置製造用のマスクブランク用基板を提供する。【解決手段】転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、第１の主表面及び第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を備える。透光性基板は、第１の主表面を特定するマークを有する。マークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられている。マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置製造用のマスクブランク用基板において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含み、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに前記透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項２】
前記マークは、前記第１の主表面又は前記第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部を含み、
前記粗面部は、目視により又は前記マークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、前記マークが形成された前記第１の主表面又は前記第２の主表面の鏡面研磨により除去可能な粗さを有することを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板。
【請求項３】
前記マークは、前記第１の主表面又は前記第２の主表面の角部に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のマスクブランク用基板。
【請求項４】
前記マークは、前記端面に設けられた鏡面部を含み、
前記鏡面部は、目視により又は前記マークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、前記端面の粗面化処理により除去可能であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【請求項５】
前記マークは、前記端面に設けられた粗面部を含み、
前記粗面部は、目視により又は前記マークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、前記端面の鏡面研磨により除去可能な粗さを有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【請求項６】
前記マークは、前記第２の主表面の外周領域又は前記端面に設けられた、水性染料又は水性顔料を含有するマーカー部を含み、
前記マーカー部は、前記透光性基板の洗浄により除去可能であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【請求項７】
前記透光性基板は、使用済みのマスクから転写パターンが形成された薄膜を除去して得られたリサイクル品であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【請求項８】
表示装置製造用のマスクブランク用基板の製造方法において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を準備する工程と、
前記透光性基板の前記第１の主表面及び前記第２の主表面を鏡面研磨する工程と、
前記鏡面研磨後の前記第１の主表面及び前記第２の主表面並びに前記端面の少なくとも一つに、前記第１の主表面を特定するマークを形成する工程と
を有し、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに前記透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項９】
前記マークの形成前に、前記端面を粗面化処理する工程を有することを特徴とする請求項８に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記マークの形成前に、前記端面を鏡面研磨する工程を有することを特徴とする請求項８に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記鏡面研磨後の前記第１の主表面及び前記第２の主表面の平坦度、表面粗さ、及び欠陥情報の少なくとも一つの表面情報を取得する工程を含み、
前記マークは、前記表面情報に応じて形成されることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記透光性基板は、使用済みのマスクから転写パターンが形成された薄膜を除去して得られたリサイクル品であることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１３】
表示装置製造用のマスクブランクにおいて、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板と、
前記透光性基板の前記第１の主表面上に形成された転写パターンとなる薄膜と
を備え、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、並びに前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスクブランク。
【請求項１４】
表示装置製造用のマスクブランクの製造方法において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板を準備する工程と、
前記マスクブランク用基板を洗浄する工程と、
洗浄後の前記透光性基板の前記第１の主表面上に転写パターンとなる薄膜を形成する工程と
を有し、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに前記透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
表示装置製造用のマスクにおいて、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板と、
前記透光性基板の前記第１の主表面上に形成された転写パターンを有する薄膜と
を備え、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、並びに前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスク。
【請求項１６】
表示装置製造用のマスクの製造方法において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板と、前記透光性基板の前記第１の主表面上に形成された転写パターンとなる薄膜とを含むマスクブランクを準備する工程と、
前記薄膜に転写パターンを形成する工程と
を備え、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、並びに前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置製造用のマスクブランク用基板、このマスクブランク用基板を用いたマスクブランク及びマスク、並びに、それらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置（スマートフォン、タブレット、テレビなど）製造用マスクのガラス基板のサイズは短辺が３３０ｍｍのＧ１−G２サイズから短辺が１６００ｍｍを超えるＧ１０サイズまであり、半導体製造用マスクのガラス基板のサイズである６インチ×６インチ（６０２５）と比べて大きい。
表示装置の価格低下による影響もあり、表示装置製造用マスクは、半導体製造用マスクと比べて長期間使用される。繰り返し使用されることで、汚れたり、傷が生じたりして使用できなくなることがある。使用済みマスクのガラス基板は、資源を有効活用するという観点や、大きなサイズのガラス基板は高価であるために製造コストを低減するという観点から、リサイクルすることが行われている。
近年では、表示装置の高精細化の要求に伴い、表示装置製造用マスクのガラス基板に求められる両主表面の平坦度や平行度が厳しくなってきている。表面に求められる欠陥品質も厳しくなってきている。例えば、高精細パネル向けの高精度ガラス基板として、薄膜が形成される側の主表面の平坦度が１０μｍ以下で平行度が１５μｍ以下、更には主表面の平坦度が７μｍ以下で平行度が１０μｍ以下であることが求められている。また、薄膜が形成される側の主表面の欠陥品質は、２μｍ以上の欠陥が存在しないこと、更には１．５μｍ以上の欠陥が存在しないが求められている。
表示装置製造用マスク及び半導体製造用マスクのガラス基板には、転写パターンとなる薄膜が形成される側の主表面を特定するために、通常、ガラス基板の片面の４つの角部（すなわち、コーナー部）の何れか１つ以上に、斜断面状に切断して形成されたノッチマークが設けられている。このノッチマークは、切り落とした部分が１．０〜２．０ｍｍの大きさである。また、表裏面のコーナー部にノッチマークが形成されたガラス基板も提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１２−００５６９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のマスクのガラス基板には、一方の主表面又は両方の主表面に、コーナー部を切断して形成されたノッチマークが設けられている。このノッチマークは、切り落とした部分が１．０〜２．０ｍｍの大きさであるため、使用済みマスクのガラス基板を同じサイズでリサイクルする際に取り除くことがむずかしい。
マスクのガラス基板は、転写パターンとなる薄膜が形成される主表面の平坦度に対する厳しい要求や、転写パターンとなる薄膜が形成される主表面の欠陥品質に対する厳しい要求を満たす必要がある。このような要求があるため、ガラス基板をリサイクルする際に、当初と同じ側のガラス面を成膜面として用いることができず、当初と逆側のガラス面（一般的に、ノッチマークが形成されている側のガラス面）が成膜面として望ましい場合がある。
しかしながら、マスクに形成する転写パターンによっては、ノッチマークが形成されている主表面に転写パターンを形成できない場合がある。このため、リサイクルされたガラス基板を用いて所定の転写パターンのマスクを形成できない場合があった。その結果、使用済みのマスクからガラス基板をリサイクルしてマスクブランク用基板を製造する際の製造歩留まりが低下する恐れがあるという問題があった。
【０００５】
また、使用済みのマスクからガラス基板をリサイクルして製造したマスクブランク用基板を使用する際に、当初と逆側の主表面に転写パターンとなる薄膜を形成しなければいけないにもかかわらず、マスクブランク製造過程において、当初と同じ側の主表面に転写パターンとなる薄膜を形成してしまい、成膜プロセスが無駄になってしまう恐れがあった。その結果、マスクブランクを製造する際の製造歩留まりが低下する恐れがあるという問題があった。
【０００６】
また、上記のノッチマークをガラス基板に形成した場合、ノッチマークが形成されるコーナー部近傍の主表面において、縁ダレが発生し、また、そのコーナー部近傍に対応する反対側の主表面において、隆起が発生するという報告がなされている（国際公開第２０１２／１５７６２９号）。
このため、上記のノッチマークが形成されたガラス基板では、転写パターンとなる薄膜が形成される主表面に要求される平坦度を満たすことができない場合があった。その結果、特に高精細なパターンを形成するためのマスクなどの製造に適するマスクブランク用基板を製造する際の製造歩留まりが低下する恐れがあるという問題があった。
【０００７】
このため、本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、マスクブランク用基板やマスクブランクを製造する際の製造歩留まりが高い表示装置製造用のマスクブランク用基板、このマスクブランク用基板を用いたマスクブランク及びマスク、並びに、それらの製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上述した目的を達成するために鋭意検討し、透光性基板の転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面を特定するマークが、マスクブランク用基板の製造過程やマスクブランクの製造過程で除去可能であれば、上述した問題点を解決するために有効であるという知見を得るに至った。
【０００９】
本発明は、この知見に基づいてなされたものであり、以下の構成を有する。
【００１０】
（構成１）
表示装置製造用のマスクブランク用基板において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含み、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに前記透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴とするマスクブランク用基板。
【００１１】
（構成２）
前記マークは、前記第１の主表面又は前記第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部を含み、
前記粗面部は、目視により又は前記マークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、前記マークが形成された前記第１の主表面又は前記第２の主表面の鏡面研磨により除去可能な粗さを有することを特徴とする構成１に記載のマスクブランク用基板。
【００１２】
（構成３）
前記マークは、前記第１の主表面又は前記第２の主表面の角部に設けられていることを特徴とする構成２に記載のマスクブランク用基板。
【００１３】
（構成４）
前記マークは、前記端面に設けられた鏡面部を含み、
前記鏡面部は、目視により又は前記マークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、前記端面の粗面化処理により除去可能であることを特徴とする構成１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【００１４】
（構成５）
前記マークは、前記端面に設けられた粗面部を含み、
前記粗面部は、目視により又は前記マークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、前記端面の鏡面研磨により除去可能な粗さを有することを特徴とする構成１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【００１５】
（構成６）
前記マークは、前記第２の主表面の外周領域又は前記端面に設けられた、水性染料又は水性顔料を含有するマーカー部を含み、
前記マーカー部は、前記透光性基板の洗浄により除去可能であることを特徴とする構成１から５のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【００１６】
（構成７）
前記透光性基板は、使用済みのマスクから転写パターンが形成された薄膜を除去して得られたリサイクル品であることを特徴とする構成１から６のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【００１７】
（構成８）
表示装置製造用のマスクブランク用基板の製造方法において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を準備する工程と、
前記透光性基板の前記第１の主表面及び前記第２の主表面を鏡面研磨する工程と、
前記鏡面研磨後の前記第１の主表面及び前記第２の主表面並びに前記端面の少なくとも一つに、前記第１の主表面を特定するマークを形成する工程と
を有し、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに前記透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【００１８】
（構成９）
前記マークの形成前に、前記端面を粗面化処理する工程を有することを特徴とする構成８に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【００１９】
（構成１０）
前記マークの形成前に、前記端面を鏡面研磨する工程を有することを特徴とする構成８に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【００２０】
（構成１１）
前記鏡面研磨後の前記第１の主表面及び前記第２の主表面の平坦度、表面粗さ、及び欠陥情報の少なくとも一つの表面情報を取得する工程を含み、
前記マークは、前記表面情報に応じて形成されることを特徴とする構成８から１０のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【００２１】
（構成１２）
前記透光性基板は、使用済みのマスクから転写パターンが形成された薄膜を除去して得られたリサイクル品であることを特徴とする構成８から１１のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【００２２】
（構成１３）
表示装置製造用のマスクブランクにおいて、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板と、
前記透光性基板の前記第１の主表面上に形成された転写パターンとなる薄膜と
を備え、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、並びに前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスクブランク。
【００２３】
（構成１４）
表示装置製造用のマスクブランクの製造方法において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板を準備する工程と、
前記マスクブランク用基板を洗浄する工程と、
洗浄後の前記透光性基板の前記第１の主表面上に転写パターンとなる薄膜を形成する工程と
を有し、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに前記透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスクブランクの製造方法。
【００２４】
（構成１５）
表示装置製造用のマスクにおいて、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板と、
前記透光性基板の前記第１の主表面上に形成された転写パターンを有する薄膜と
を備え、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、並びに前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスク。
【００２５】
（構成１６）
表示装置製造用のマスクの製造方法において、
転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、該第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含むマスクブランク用基板と、前記透光性基板の前記第１の主表面上に形成された転写パターンとなる薄膜とを含むマスクブランクを準備する工程と、
前記薄膜に転写パターンを形成する工程と
を備え、
前記透光性基板は、前記第１の主表面を特定するマークを有し、
前記マークは、前記第１の主表面、前記第２の主表面及び前記端面の少なくとも一つに設けられ、
前記マークは、前記第１の主表面及び前記第２の主表面の鏡面研磨、並びに前記端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能であることを特徴するマスクの製造方法。
【発明の効果】
【００２６】
上述したように、本発明に係る表示装置製造用のマスクブランク用基板は、透光性基板を含み、透光性基板は、第１の主表面を特定するマークを有し、マークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられ、マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能である。このため、このマスクブランク用基板を用いてマスクブランクを製造する際や、このマスクブランク用基板を用いて製造されたマスクから透光性基板をリサイクルしてマスクブランク用基板を製造する際に行われる第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、透光性基板の端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により、上記のマークを除去することができる。その結果、透光性基板の主表面のコーナー部を切断して形成されたノッチマークに起因するマスクブランク用基板及びマスクブランクの製造歩留まりの低下が起こらず、マスクブランク用基板やマスクブランクを製造する際の製造歩留まりが高い表示装置製造用のマスクブランク用基板を得ることができる。このようなマスクブランク用基板を用いると、マスクブランクやマスクの製造歩留まりも高くなる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】マスクブランク用基板に設けられるマークの第１の例を示す図である。
【図２】マスクブランク用基板に設けられるマークの第２の例を示す図である。
【図３】マスクブランク用基板に設けられるマークの第３の例を示す図である。
【図４】マスクブランク用基板に設けられるマークの第４の例を示す図である。
【図５】マスクブランク用基板に設けられるマークの第５の例を示す図である。
【図６】マスクブランク用基板に設けられるマークの第６の例を示す図である。
【図７】マスクブランク用基板に設けられるマークの第７の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施の形態は、本発明を具体化する際の一形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。なお、図中、同一又は同等の部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略する場合がある。
【００２９】
実施の形態１．
実施の形態１では、表示装置製造用のマスクブランク用基板及びその製造方法について説明する。
【００３０】
＜マスクブランク用基板＞
実施の形態１のマスクブランク用基板は、転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面と、第１の主表面に対向して設けられた第２の主表面と、第１の主表面及び第２の主表面に対して垂直な端面とを有する透光性基板を含む。透光性基板は、第１の主表面を特定するマークを有する。マークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられている。マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能である。
【００３１】
透光性基板は、インゴットなどから基板形状に切り出されたものに研磨などの加工を施して形成したものであってもよいし、使用済みのマスクから転写パターンが形成された薄膜を除去したものに研磨などの加工を施して形成したリサイクル品であってもよい。
透光性基板の第１の主表面及び第２の主表面は、一辺の長さが３３０ｍｍ以上の矩形状である。例えば、縦×横が３３０ｍｍ×４５０ｍｍから１２２０ｍｍ×１４００ｍｍであることが好ましい。
透光性基板は、ケイ素と酸素を含有する材料からなり、合成石英ガラス、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、低熱膨張ガラス（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラス等）などのガラス材料で形成することができる。
透光性基板の第１の主表面及び第２の主表面は、鏡面研磨されている。第１の主表面の平坦度は、１０μｍ以下であると好ましく、７μｍ以下であるとより好ましく、５μｍ以下であるとさらに好ましい。第２の主表面の平坦度は、２０μｍ以下であると好ましく、１５μｍ以下であるとより好ましく、１０μｍ以下であるとさらに好ましい。また、透光性基板の平行度は、２０μｍ以下であると好ましく、１５μｍ以下であるとより好ましく、１０μｍ以下であるとさらに好ましい。また、第１の主表面は、５μｍ以上の欠陥が存在しないことが好ましく、２μｍ以上の欠陥が存在しないことがより好ましい。第２の主表面は、２０μｍ以上の欠陥が存在しないことが好ましく、１０μｍ以上の欠陥が存在しないことがより好ましい。
透光性基板の端面は、粗面化処理されている場合や鏡面研磨されている場合がある。透光性基板の端面が粗面化処理されている場合、透光性基板を把持して運搬する際に、透光性基板を滑り落とす恐れを低減することができる。この場合、透光性基板の端面は、算術平均粗さ（以下、算術平均粗さをＲａと称す。）で０．０５μｍ以上であると好ましく、０．１μｍ以上であるとより好ましい。透光性基板の端面が鏡面研磨されている場合、第１の主表面及び第２の主表面の欠陥の要因となる、端面からのパーティクルなどの発生を抑制することができる。この場合、透光性基板の端面は、Ｒａで０．０３μｍ以下であると好ましく、０．０２μｍ以下であるとより好ましい。
【００３２】
第１の主表面を特定するマークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられ、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能なものである。
【００３３】
以下、マークの例を説明する。
１．主表面の外周領域に形成された粗面部
マークの例として、鏡面研磨された第１の主表面又は鏡面研磨された第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部から構成されるものが挙げられる。このマークの場合、第１の主表面にマークを設ける構成では、粗面部が設けられている側を第１の主表面と特定することができ、第２の主表面にマークを設ける構成では、粗面部が設けられている側と反対側を第１の主表面と特定することができる。第１の主表面にマークを設ける構成では、この粗面部は、透光性基板の第１の主表面の欠陥マップや光学特性データマップの基準位置として用いることができる。粗面部は、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、マークが形成された第１の主表面又は第２の主表面の鏡面研磨により除去可能な粗さを有する。マークとそれ以外の領域を識別する光学特性として、反射率や透過率が挙げられる。
粗面部が設けられる外周領域は、透光性基板の第１の主表面又は第２の主表面の外周端から１０ｍｍ以内の範囲の領域であると好ましく、２ｍｍ以内の範囲の領域であるとより好ましい。１０ｍｍを超える領域に粗面部を設けると、透光性基板の第１の主表面の成膜領域と重なる恐れがある。
粗面部の位置は、外周領域であれば特に制限されないが、角部（すなわち、コーナー部）であれば、従来のノッチマークと同じ位置であるために好ましい。
第１の主表面及び第２の主表面は、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨砥粒が含有されたスラリーにより、その表面粗さがＲａで０．５ｎｍ以下となるように鏡面研磨されている。鏡面研磨された第１の主表面及び第２の主表面の表面粗さは、Ｒａで０．３ｎｍ以下であると好ましく、０．２ｎｍ以下であるとより好ましい。
一方、粗面部の粗さは、Ｒａで０．０５μｍ以上であると好ましい。Ｒａで０．０５μｍ以上であると、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により、粗面部を識別することができる。粗面部の粗さは、Ｒａで０．２μｍ以下であると好ましい。Ｒａで０．２μｍ以下であると、マークが形成された第１の主表面又は第２の主表面の鏡面研磨により粗面部を除去することができる。粗面部の粗さは、Ｒａで０．０５μｍ以上０．２μｍ以下が好ましく、Ｒａで０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下がより好ましい。
粗面部の形状及び大きさは、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な形状及び大きさであれば特に制限されない。
粗面部は、粗面化剤を用いたエッチングやサンドブラスト処理により形成することができる。粗面化剤として、フッ酸水溶液などのフッ素系のエッチング液が挙げられる。
粗面化剤を用いたエッチングにより粗面部を形成する場合、例えば、粗面化剤を第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に塗布し、所定の時間放置する。粗面化剤を塗布した箇所が所定の粗さになった段階で、透光性基板を洗浄し、粗面化剤を除去する。サンドブラスト処理により粗面部を形成する場合、例えば、＃６００〜＃３０００の砥粒をエアーにより吹き付ける。
第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部は、後述する使用済みのマスクからマスクブランク用基板を製造する過程（すなわち、使用済みのマスクからマスクブランク用基板をリサイクルする過程）において、第１の主表面及び前記第２の主表面を鏡面研磨する際に除去することができる。
【００３４】
２．端面に形成された鏡面部
マークの他の例として、端面に設けられた鏡面部から構成されるものが挙げられる。このマークは粗面化処理されている端面に適用することができる。このマークの場合、鏡面部を所定の形状（例えば、厚み方向で非対象な形状）にすることにより、又は、鏡面部を透光性基板の厚み方向の中心位置からずれた位置に設けることにより、第１の主表面を特定することができる。鏡面部は、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、端面の粗面化処理により除去可能である。マークとそれ以外の領域を識別する光学特性として、反射率や透過率が挙げられる。
粗面化処理されている端面の表面粗さは、上述の通り、Ｒａで０．０５μｍ以上であると好ましい。
一方、鏡面部の粗さは、Ｒａで０．０３μｍ以下であると好ましい。Ｒａで０．０３μｍ以下であると、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により、鏡面部を識別することができる。
鏡面部の大きさは、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な大きさであれば特に制限されない。
鏡面部は、研磨パッドを貼り付けた回転加工ツールを用いた部分的な鏡面研磨により形成することができる。
鏡面部を形成する場合、例えば、マスクブランク用基板の厚みよりも小さい直径を有する円柱型の回転加工ツールに研磨パッドを貼り付け、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨砥粒が含まれたスラリーを研磨パッドと透光性基板との間に供給しつつ、研磨パッドと透光性基板とを相対運動しながら接触させる。
端面に設けられた鏡面部は、後述する使用済みのマスクからマスクブランク用基板を製造する過程（すなわち、使用済みのマスクからマスクブランク用基板をリサイクルする過程）において、透光性基板の端面を粗面化処理する際に除去することができる。
【００３５】
３．端面に形成された粗面部
マークの他の例として、端面に設けられた粗面部から構成されるものが挙げられる。このマークは鏡面処理されている端面に適用することができる。このマークの場合、粗面部を所定の形状（例えば、厚み方向で非対象な形状）にすることにより、又は、粗面部を透光性基板の厚み方向の中心位置からずれた位置に設けることにより、第１の主表面を特定することができる。粗面部は、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な粗さを有し、且つ、端面の鏡面研磨により除去可能な粗さを有する。マークとそれ以外の領域を識別する光学特性として、反射率や透過率が挙げられる。
鏡面研磨されている端面の表面粗さは、上述の通り、Ｒａで０．０３μｍ以下であること好ましい。
粗面部の粗さは、Ｒａで０．０５μｍ以上であると好ましい。Ｒａで０．０５μｍ以上であると、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により、鏡面部を識別することができる。粗面部の粗さは、Ｒａで０．２μｍ以下であると好ましい。Ｒａで０．２μｍ以下であると、端面の鏡面研磨により粗面部を除去することができる。粗面部の粗さは、Ｒａで０．０５μｍ以上０．２μｍ以下が好ましく、Ｒａで０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下がより好ましい。
粗面部の大きさは、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な大きさであれば特に制限されない。
粗面部は、粗面化剤を用いたエッチングやサンドブラスト処理により形成することができる。粗面化剤として、上述の通り、フッ酸水溶液などのフッ素系のエッチング液が挙げられる。
粗面化剤を用いたエッチングにより粗面部を形成する場合、例えば、粗面化剤を端面に塗布し、所定の時間放置する。粗面化剤を塗布した箇所が所定の粗さになった段階で、透光性基板を洗浄し、粗面化剤を除去する。サンドブラスト処理により粗面部を形成する場合、例えば、＃６００〜＃３０００の砥粒をエアーにより吹き付ける。
端面に設けられた粗面部は、後述する使用済みのマスクからマスクブランク用基板を製造する過程（すなわち、使用済みのマスクからマスクブランク用基板をリサイクルする過程）において、透光性基板の端面を鏡面研磨する際に除去することができる。
【００３６】
４．第２の主表面の外周領域又は端面に形成されたマーカー部
マークの他の例として、第２の主表面の外周領域又は端面に付けられた、水性染料又は水性顔料を含有するマーカー部から構成されるものが挙げられる。このマークの場合、第２の主表面にマークを付ける構成では、マーカー部が付けられている側と反対側を第１の主表面と特定することができる。また、端面にマークを付ける構成では、マーク部を所定の形状（例えば、厚み方向で非対象な形状）にすることにより、又は、マーク部を透光性基板の厚み方向の中心位置からずれた位置に付けることにより、第１の主表面を特定することができる。マーカー部は、透光性基板の洗浄により除去可能である。
第２の主表面にマークを付ける構成では、マーカー部が付けられる外周領域及びマーカー部の位置については、マークが第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部から構成されるものである場合と同様である。
上述の通り、第２の主表面は、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨砥粒が含有されたスラリーにより、その表面粗さがＲａで０．５ｎｍ以下となるように鏡面研磨されている。鏡面研磨された第２の主表面の表面粗さは、Ｒａで０．３ｎｍ以下であると好ましく、０．２ｎｍ以下であるとより好ましい。また、端面は、粗面化処理されている場合や鏡面研磨されている場合のどちらであってもよい。粗面化処理されている端面の表面粗さは、上述の通り、Ｒａで０．０５μｍ以上であると好ましく、鏡面研磨されている端面の表面粗さは、上述の通り、Ｒａで０．０３μｍ以下であると好ましい。
マーカー部の形状及び大きさは、目視によりにより識別可能な形状及び大きさであれば特に制限されない。
マーカー部は、サインペン・蛍光ペンなどの、水性染料又は水性顔料をインクとして用いる筆記具により形成することができる。
マーカー部を形成する場合、例えば、サインペンなどの筆記具により任意の形状を第２の主表面の外周領域又は端面に書き込む。
第２の主表面の外周領域又は端面に付けられたマーカー部は、後述するマスクブランクを製造する過程において、透光性基板を洗浄する際に除去することができる。
【００３７】
５．主表面の外周領域又は端面に形成された凹部
マークの他の例として、第１の主表面若しくは第２の主表面の外周領域又は端面に設けられた凹部から構成されるものが挙げられる。このマークの場合、第１の主表面にマークを設ける構成では、凹部が設けられている側を第１の主表面と特定することができ、第２の主表面にマークを設ける構成では、凹部が設けられている側と反対側を第１の主表面と特定することができる。第１の主表面にマークを設ける構成では、この凹部は、透光性基板の第１の主表面の欠陥マップや光学特性データマップの基準位置として用いることができる。また、端面にマークを設ける構成では、複数個の凹部を非対称の形状と認識できるように形成することにより、又は、単数又は複数個の凹部を透光性基板の厚み方向の中心位置からずれた位置に形成することにより、第１の主表面を特定することができる。凹部は、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な深さを有し、且つ、マークが形成された第１の主表面若しくは第２の主表面の鏡面研磨、又は、端面の鏡面研磨又は粗面化処理により除去可能な深さを有する。マークとそれ以外の領域を識別する光学特性として、反射率や透過率が挙げられる。
第１の主表面又は第２の主表面にマークを設ける構成では、凹部が設けられる外周領域及び凹部の位置については、マークが第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部から構成されるものである場合と同様である。
上述の通り、第１の主表面及び第２の主表面は、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨砥粒が含有されたスラリーにより、その表面粗さがＲａで０．５ｎｍ以下となるように鏡面研磨されている。鏡面研磨された第１の主表面及び第２の主表面の表面粗さは、Ｒａで０．３ｎｍ以下であると好ましく、０．２ｎｍ以下であるとより好ましい。また、端面は、粗面化処理されている場合や鏡面研磨されている場合のどちらであってもよいが、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別しやすくするために、鏡面研磨されている場合が好ましい。粗面化処理されている端面の表面粗さは、Ｒａで０．０５μｍ以上でありかつ凹部の深さと区別できる程度の表面粗さ以下であると好ましく、鏡面研磨されている端面の表面粗さは、上述の通り、Ｒａで０．０３μｍ以下であると好ましい。
一方、凹部の深さは、１μｍ以上であると好ましい。１μｍ以上であると、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により、凹部を識別することができる。凹部の深さは、５μｍ以下であると好ましい。５μｍ以下であると、凹部が形成された第１の主表面若しくは第２の主表面の鏡面研磨により、又は、凹部が形成された端面の鏡面研磨又は粗面化処理により、凹部を除去することができる。
凹部の形状及び大きさは、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な形状及び大きさであれば特に制限されない。
凹部は、ダイヤモンド針や微小圧子により形成することができる。
凹部を形成する場合、例えば、ダイヤモンド針をガラス基板上で走査して加工痕を形成し、又は、微小圧子をガラス基板に押し込む（インデンテーション）。
第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた凹部は、後述する使用済みのマスクからマスクブランク用基板を製造する過程（すなわち、使用済みのマスクからマスクブランク用基板をリサイクルする過程）において、第１の主表面及び前記第２の主表面を鏡面研磨する際に除去することができる。また、端面に設けられた凹部は、後述する使用済みのマスクからマスクブランク用基板を製造する過程（すなわち、使用済みのマスクからマスクブランク用基板をリサイクルする過程）において、透光性基板の端面を鏡面研磨又は粗面化処理する際に除去することができる。
【００３８】
６．主表面の外周領域又は端面に形成されたレーザーマーキング
マークの他の例として、第１の主表面若しくは第２の主表面の外周領域又は端面に設けられたレーザーマーキングから構成されるものが挙げられる。このマークの場合、第１の主表面にマークを設ける構成では、レーザーマーキングが設けられている側を第１の主表面と特定することができ、第２の主表面にマークを設ける構成では、レーザーマーキングが設けられている側と反対側を第１の主表面と特定することができる。第１の主表面にマークを設ける構成では、このレーザーマーキングは、透光性基板の第１の主表面の欠陥マップや光学特性データマップの基準位置として用いることができる。また、端面にマークを設ける構成では、複数個のレーザーマーキングを非対称の形状と認識できるように形成することにより、又は、単数又は複数個のレーザーマーキングを透光性基板の厚み方向の中心位置からずれた位置に形成することにより、第１の主表面を特定することができる。レーザーマーキングは、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能であり、且つ、マークが形成された第１の主表面若しくは第２の主表面の鏡面研磨、又は、端面の鏡面研磨又は粗面化処理により除去可能な深さ範囲に形成されている。マークとそれ以外の領域を識別する光学特性として、反射率や透過率が挙げられる。
第１の主表面又は第２の主表面にマークを設ける構成では、レーザーマーキングが設けられる外周領域及びレーザーマーキングの位置については、マークが第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部から構成されるものである場合と同様である。
上述の通り、第１の主表面及び第２の主表面は、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨砥粒が含有されたスラリーにより、その表面粗さがＲａで０．５ｎｍ以下となるように鏡面研磨されている。鏡面研磨された第１の主表面及び第２の主表面の表面粗さは、Ｒａで０．３ｎｍ以下であると好ましく、０．２ｎｍ以下であるとより好ましい。また、端面は、粗面化処理されている場合や鏡面研磨されている場合のどちらであってもよいが、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別しやすくするために、鏡面研磨されている場合が好ましい。粗面化処理されている端面の表面粗さは、上述の通り、Ｒａで０．０５μｍ以上であると好ましく、鏡面研磨されている端面の表面粗さは、上述の通り、Ｒａで０．０３μｍ以下であると好ましい。
一方、レーザーマーキングが形成される深さは、レーザーマーキングが形成された第１の主表面、第２の主表面又は端面から５μｍ以下であると好ましい。５μｍ以下であると、レーザーマーキングが形成された第１の主表面若しくは第２の主表面の鏡面研磨により、又は、レーザーマーキングが形成された端面の鏡面研磨又は粗面化処理により、レーザーマーキングを除去することができる。
レーザーマーキングの形状及び大きさは、目視により又はマークとそれ以外の領域との光学特性の差により識別可能な形状及び大きさであれば特に制限されない。
レーザーマーキングは、ＹＡＧレーザーや炭酸ガスレーザーなどにより形成することができる。
第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられたレーザーマーキングは、後述する使用済みのマスクからマスクブランク用基板を製造する過程（すなわち、使用済みのマスクからマスクブランク用基板をリサイクルする過程）において、第１の主表面及び前記第２の主表面を鏡面研磨する際に除去することができる。また、端面に設けられたレーザーマーキングは、後述する使用済みのマスクからマスクブランク用基板を製造する過程（すなわち、使用済みのマスクからマスクブランク用基板をリサイクルする過程）において、透光性基板の端面を鏡面研磨又は粗面化処理する際に除去することができる。
【００３９】
実施の形態１のマスクブランク用基板によれば、透光性基板に設けられている第１の主表面を特定するマークが、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能である。このため、このマスクブランク用基板を用いてマスクブランクを製造する際や、このマスクブランク用基板を用いて製造されたマスクから透光性基板をリサイクルしてマスクブランク用基板を製造する際に行われる第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、透光性基板の端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により、上記のマークを除去することができる。その結果、透光性基板の主表面のコーナー部を切断して形成されたノッチマークに起因するマスクブランク用基板及びマスクブランクの製造歩留まりの低下が起こらず、マスクブランク用基板やマスクブランクを製造する際の製造歩留まりが高い表示装置製造用のマスクブランク用基板を得ることができる。このようなマスクブランク用基板を用いると、マスクブランクやマスクの製造歩留まりも高くなる。
【００４０】
＜マスクブランク用基板の製造方法＞
実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法は、透光性基板を準備する工程と、透光性基板の第１の主表面及び第２の主表面を鏡面研磨する工程と、鏡面研磨後の第１の主表面及び第２の主表面並びに端面の少なくとも一つに、第１の主表面を特定するマークを形成する工程とを有する。マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能である。
端面を粗面化処理する場合には、マークの形成前に、端面を粗面化処理する工程を有し、端面を鏡面研磨する場合には、マークの形成前に、端面を鏡面研磨する工程を有する。
鏡面研磨後の第１の主表面及び第２の主表面の平坦度、表面粗さ、及び欠陥情報の少なくとも一つの表面情報を取得する工程を含み、マークがその表面情報に応じて形成されることが好ましい。
準備する透光性基板は、インゴットなどから基板形状に切り出されたものであってもよいし、使用済みのマスクから転写パターンが形成された薄膜を除去したリサイクル品であってもよい。
透光性基板及びマークの詳細は上記の通りである。
以下、実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法を詳細に説明する。
【００４１】
（透光性基板準備工程）
まず、インゴットなどから基板形状に切り出して得られたものに一方の主表面及び他方の主表面の両主表面の表面研削加工を行って透光性基板を得る。
透光性基板がリサイクル品である場合には、使用済みのマスクから転写パターンが形成された薄膜を除去して透光性基板を得る。透光性基板にダメージを与えないようにするため、この薄膜の除去は、透光性基板に対して十分なエッチングレート差が得られるウェットエッチング液を用いて行うことが望ましい。具体的には、薄膜として、クロム系の材料が用いられているときは、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むクロム用エッチング液を用いるのが好ましい。薄膜が、ＭｏＳｉ系材料からなる場合は、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素を含むエッチング液を用いるのが好ましい。
【００４２】
（基板板厚検査工程）
次に、基板板厚を基板板厚測定機（例えば、フラットネステスター（黒田精工（株）製））などを用いて測定し、十分な研磨取り代がある板厚か検査する。その判断基準は、板厚下限の仕様に１００μｍを加えた板厚が目安となる。例えば、大きさが、８００ｍｍ×９２０ｍｍ×１０ｍｍの透光性基板の板厚の下限仕様が９．８ｍｍの場合、９．９ｍｍ以上の板厚があるかを検査する。
板厚に十分な研磨取り代がある場合は、透光性基板表面の傷欠陥検査に進む。
【００４３】
（傷欠陥検査工程）
傷欠陥検査では、透光性基板の傷欠陥の検査を目視検査などによって行う。この傷欠陥検査は両主表面に対して行う。無傷の場合（傷が見つからなかった場合）は、平坦度算出工程に進む。
なお、傷欠陥検査工程は基板板厚検査工程の前に実施しても、平坦度算出工程の後に実施してもよい。
【００４４】
（平坦度算出工程）
平坦度算出工程では、まず、透光性基板の両主表面の形状を表面形態情報測定装置で測定し、その後、その測定データを基にして平坦度を算出する。ここで、黒田精工（株）製フラットネステスターなど測定装置によっては、表面形態情報として、基板板厚と平坦度を一緒に求めることができる。
【００４５】
（局所ウェットエッチング工程）
局所ウェットエッチング工程では、両主表面のうち少なくとも一方の主表面の、少なくとも許容値を超えて相対的に凸部となっている領域に対して、ウェットエッチング液を接触させて、局所エッチングを行う。
局所ウェットエッチングは、化学的なエッチングであるため、透光性基板表面へのダメージは小さく、その結果、加工取り代を少なくできる。
局所ウェットエッチングを行うときの薬液（ウェットエッチング液）としては、フッ酸水溶液、ＫＯＨやＮａＯＨなどのアルカリ水溶液、及び、りん酸などが挙げられる。
局所ウェットエッチング工程を実施した後は、鏡面研磨工程へ進む。
【００４６】
（鏡面研磨工程）
鏡面研磨工程では、透光性基板の両主表面を研磨して、平坦度、平行度をより高めるとともに、表面平滑度を向上させる。ここで、この研磨は、例えば、片面研磨装置を用いて片面ずつ両面を研磨する。この研磨は、片面研磨装置を用いて片面ずつ研磨するのではなく、両面研磨装置を用いて両面を同時に研磨してもよい。
鏡面研磨工程は、平坦度や平行度の要求値などに応じて、１段階研磨から複数段階研磨まで選択される。複数段階の研磨では、最終研磨を透光性基板表面の平滑化のために用い、それ以前の研磨で平坦度や平行度を高めるのが好ましい。そして、平坦度や平行度を高めるために、途中段階で表面形態情報を取得し、その情報を研磨条件にフィードバックすることが好ましい。
透光性基板がリサイクル品である場合、後述するマーク形成工程においてリサイクル前に付与された、第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部から構成されるマーク、第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた凹部から構成されるやーク、及び第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられたレーザーマーキングから構成されるマークは、この工程で除去される。
【００４７】
（表面情報取得工程）
鏡面研磨後、透光性基板の第１の主表面と第２の主表面の両面の平坦度、表面粗さ、及び欠陥情報の少なくとも一つの表面情報を取得する。
平坦度は上述した平坦度算出工程と同様に算出して取得する。欠陥情報は欠陥検査装置などを用いて取得する。表面粗さは、表面粗さ測定器（例えば、ミツトヨ製ＳＪ−２１０）などを用いて取得する。
【００４８】
（マーク形成工程）
第１の主表面を特定するマークを、鏡面研磨後の第１の主表面及び第２の主表面並びに端面の少なくとも一つに形成する。マークは、表面情報取得工程で得られた表面情報に応じて形成されることが好ましい。例えば、表面情報取得工程で得られた表面情報が両面の平坦度である場合、マスクブランク用基板の仕様を満たす面を第１の主表面とし、その面を特定するマークを形成する。
マークが、第１の主表面又は第２の主表面の外周領域に設けられた粗面部から構成されるものである場合には、粗面化剤を用いたエッチングやサンドブラスト処理等により形成される。
マークが、端面に設けられた鏡面部から構成されるものである場合には、研磨パッドを貼り付けた回転加工ツールを用いた部分的な鏡面研磨などにより形成される。この場合、端面を粗面化処理する工程を表面情報取得工程より前に行うことが好ましい。端面の粗面化処理は、粗面化剤を用いたエッチングやサンドブラスト処理等により行われる。
マークが、端面に設けられた粗面部から構成されるものである場合には、粗面化剤を用いたエッチングやサンドブラスト処理等により形成される。この場合、端面を鏡面研磨する工程を表面情報取得工程より前に行うことが好ましい。端面の鏡面研磨は、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨砥粒が含まれたスラリーを、研磨パッド又はブラシと透光性基板との間に供給しつつ、研磨パッド又はブラシと透光性基板とを相対運動しながら接触させることにより行われる。
マークが、第２の主表面の外周領域又は端面に付けられた、水性染料又は水性顔料を含有するマーカー部から構成されるものである場合には、サインペン・蛍光ペンなどの、水性染料又は水性顔料をインクとして用いる筆記具により形成される。
マークが、第１の主表面若しくは第２の主表面の外周領域又は端面に設けられた凹部から構成されるものである場合には、ダイヤモンド針を走査しての加圧痕、微小圧子によるインデンテーションなどにより形成される。
マークが、第１の主表面若しくは第２の主表面の外周領域又は端面に設けられたレーザーマーキングから構成されるものである場合には、ＹＡＧレーザーや炭酸ガスレーザーなどにより形成される。
【００４９】
マーク形成工程まで行うことによってマスクブランク用基板が製造される。
【００５０】
なお、透光性基板がリサイクル品である場合、リサイクル前に付与された、端面に設けられた鏡面部から構成されるマーク、端面に設けられた粗面部から構成されるマーク、端面に設けられた凹部から構成されるマーク、及び端面に設けられたレーザーマーキングから構成されるマークは、表面情報取得工程より前に端面を粗面化処理する工程又は端面を鏡面研磨する工程を行い、除去する。
【００５１】
実施の形態２．
実施の形態２では、表示装置製造用のマスクブランク及びその製造方法について説明する。
【００５２】
＜マスクブランク＞
実施の形態２のマスクブランクは、透光性基板を含むマスクブランク用基板と、マスクブランク用基板の第１の主表面上に形成された転写パターンとなる薄膜とを備える。透光性基板は、第１の主表面を特定するマークを有する。マークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられている。マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、並びに端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能である。
透光性基板及びマークの詳細は上記の通りである。
【００５３】
＜マスクブランクの製造方法＞
実施の形態２のマスクブランクの製造方法は、透光性基板を含むマスクブランク用基板を準備する工程と、マスクブランク用基板を洗浄する工程と、洗浄後の透光性基板の第１の主表面上に転写パターンとなる薄膜を形成する工程とを有する。透光性基板は、第１の主表面を特定するマークを有する。マークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられている。マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、端面の粗面化処理及び鏡面研磨、並びに透光性基板の洗浄の少なくとも一つの処理により除去可能である。
透光性基板及びマークの詳細は上記の通りである。
以下、実施の形態２のマスクブランクの製造方法の詳細に説明する。
【００５４】
（マスクブランク用基板準備工程）
まず、実施の形態１で製造したマスクブランク用基板を用意する。
【００５５】
（マスクブランク用基板洗浄工程）
次に、実施の形態１で製造したマスクブランク用基板を洗浄する。
この工程で、マーカー部から構成されるマークが除去される。
【００５６】
（薄膜形成工程）
次に、実施の形態１で製造したマスクブランク用基板上に転写パターンとなる薄膜を形成する。
この薄膜としては、マスクの種別、すなわち、バイナリマスク（マスクブランク用基板上に遮光膜パターンが形成された通常のフォトマスク）、ハーフトーン型位相シフトマスクなど毎に適したものを用いる。薄膜の形成法としては、スパッタリング法が好ましく用いられるが、スパッタリング法に限定されるものではない。
例えば、バイナリマスクに使用されるマスクブランクでは、薄膜としては、主に、Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯＮなどＣｒを主成分とする材料を好んで用いることができる。その薄膜の膜厚は、露光光を遮光する、光学濃度ＯＤが２．０以上、好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．０以上となる膜厚に設定する。
また、ハーフトーン型位相シフトマスクに使用されるマスクブランク（位相シフトマスクブランク）の場合は、薄膜を、露光光に対して所定の透過率と位相差を得るための位相シフト膜とする。この位相シフト膜は、露光光に対して略１８０°（例えば１８０°±２０°）の位相差を生じさせる機能と、露光光の一部を透過させる機能を備える膜である。露光光の透過率は、パターン転写用途に応じて、１％以上８０％以下、通常は３％以上４０％以下の所定の値に設定される。位相シフト膜の材料としては、クロム酸化炭化物（ＣｒＯＣ）、クロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）、クロム酸化炭化窒化物（ＣｒＯＣＮ）、クロム窒化物（ＣｒＮ）などのクロム化合物の材料、又はＭｏＳｉなどのモリブデンとケイ素の化合物を主成分としたモリブデンシリサイドに酸素や窒素などを含有したモリブデンシリサイド酸化物（ＭｏＳｉＯ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）、モリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）などの材料を好んで用いることができる。
また、ハーフトーン型位相シフトマスクに使用されるマスクブランク（位相シフトマスクブランク）の場合、位相シフト膜の他に、遮光膜を形成しても構わない。
【００５７】
薄膜形成工程まで行うことによって、マスクブランクが製造される。
【００５８】
実施の形態２のマスクブランクによれば、実施の形態１のマスクブランク用基板の第１の主表面上に転写パターンとなる薄膜が形成されている。これにより、実施の形態２のマスクブランクは、製造歩留まりが高い。
【００５９】
実施の形態３．
実施の形態３では、表示装置製造用のマスク及びその製造方法ついて説明する。
【００６０】
＜マスク＞
実施の形態３のマスクは、透光性基板を含むマスクブランク用基板と、透光性基板の第１の主表面上に形成された転写パターンを有する薄膜とを備える。透光性基板は、第１の主表面を特定するマークを有する。マークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられている。マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、並びに端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能である。
透光性基板及びマークの詳細は上記の通りである。
【００６１】
＜マスクの製造方法＞
実施の形態３のマスクの製造方法は、透光性基板を含むマスクブランク用基板と、透光性基板の第１の主表面上に形成された転写パターンとなる薄膜とを含むマスクブランクを準備する工程と、薄膜に転写パターンを形成する工程とを備える。透光性基板は、第１の主表面を特定するマークを有する。マークは、第１の主表面、第２の主表面及び端面の少なくとも一つに設けられている。マークは、第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨、並びに端面の粗面化処理及び鏡面研磨の少なくとも一つの処理により除去可能である。
透光性基板及びマークの詳細は上記の通りである。
以下、実施の形態３のマスクの製造方法の詳細を説明する。
【００６２】
（マスクブランク準備工程）
まず、実施の形態２で製造したマスクブランクを準備する。このとき、そのマスクブランクにレジスト膜が形成されていない場合は、マスクブランク上にレジスト膜を形成する。ここで、レジスト膜は、ポジ型フォトレジスト材料、又はネガ型フォトレジスト材料により構成され、例えば、スリットコータやスピンコータ等を用いて形成する。
【００６３】
（転写パターン形成工程）
続いて、レジスト膜に対して、レーザー描画機等を用いて所望のパターンを描画露光し、スプレー方式等の手法により現像を行って、レジスト膜パターンを形成する。
そして、形成したレジスト膜パターンをマスクとして、薄膜をエッチングして転写パターンを形成する。薄膜のエッチングは、例えば、薄膜がＣｒ系材料からなる場合は、硝酸セリウム第二アンモニウムと過塩素酸とを含むクロム用エッチング液を用いる。薄膜がＭｏＳｉ系材料からなる場合は、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素とを含むエッチング液を用いる。
その後、剥離液等を用いてレジスト膜パターンを除去する。なお、製造した転写パターンの上面は、ペリクルで覆うことが好ましい。
【００６４】
転写パターン形成工程まで行うことによって、マスクが製造される。
【００６５】
実施の形態３のマスクによれば、実施の形態１のマスクブランク用基板の第１の主表面上に転写パターンが形成されている。これにより、実施の形態３のマスクは、製造歩留まりが高い。
【実施例】
【００６６】
以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明をより具体的に説明する。なお、以下の実施例は、本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。
【００６７】
実施例１から５及び比較例１では、透光性基板が合成石英ガラスからなるガラス基板であり、透光性基板上に形成される薄膜がクロム系材料からなる位相シフト膜である場合について説明する。その他の透光性基板及び薄膜の組合せであっても、本発明を同様に適用することができる。
【００６８】
実施例１．
実施例１の表示装置製造用のマスクブランク用基板は、以下の方法により製造した。尚、実施例１の表示装置製造用のマスクブランク用基板の仕様は、薄膜が形成される側（第１の主表面）の平坦度が７μｍ以下、平行度が１０μｍ以下、薄膜が形成される側（第１の主表面）の欠陥品質を２μｍ以上の欠陥が存在しないこととした。
【００６９】
＜＜ガラス基板準備工程＞＞
まず、合成石英ガラスのインゴットから基板形状に切り出して得られたものに、一方の主表面及び他方の主表面の表面研削加工と、＃１２００のダイヤモンド砥粒を用いて面取り加工を行って、８００ｍｍ×９２０ｍｍ×１０ｍｍの８０９２サイズの合成石英ガラスからなるガラス基板を得た。得られたガラス基板は、両主表面にノッチマークが形成されていないものであった。
【００７０】
＜＜基板板厚検査工程＞＞
洗浄処理したガラス基板の一方の主表面と他方の主表面を黒田精工（株）製フラットネステスターにて測定して表面形態情報を取得した。
この表面形態情報は、両主表面の凹凸を示す情報であり、両主表面の外周５ｍｍを除く領域を１０ｍｍ間隔で測定した、仮想絶対平面に対する両主表面の各測定点の高さ情報である。
得られた表面形態情報を基に、ガラス基板の板厚を、その板厚のバラツキを含めて算出した。
８０９２サイズのフォトマスク用基板の板厚仕様は、１０ｍｍ±０．２ｍｍである。板厚仕様の下限値（９．８ｍｍ）と、その後に行われる研磨工程での研磨取り代を考慮し、このガラス基板の最小板厚が９．９ｍｍ以上を有しているかを検査した。
検査の結果、最小板厚は９．９ｍｍを超えており、要求される表面粗さを得るために必要な研磨取り代を有していること確認した。
【００７１】
＜＜傷欠陥検査工程＞＞
その後、ガラス基板の両主表面における傷の有無の検査を、目視検査により行った。経験的に深さ２０μｍ以上の傷は、目視検査により検出（確認）することができる。得られたガラス基板を検査したところ、両主表面には、目視検査で検出できる傷は、確認できなかった。
【００７２】
＜＜平坦度算出工程＞＞
得られた表面形態情報を基に両主表面の平坦度を算出した。
両主表面の平坦度を算出した結果、一方の主表面は２２．５μｍ、他方の主表面は８．５μｍであった。
【００７３】
＜＜局所ウェットエッチング工程＞＞
次に、先に取得した両主表面の表面形態情報（位置情報と基準面に対する高さ情報）を基に、少なくとも許容値を超えて相対的に凸部となっている領域に対して、フッ酸水溶液による局所ウェットエッチングを行った。
【００７４】
その結果、一方の主表面の平坦度は５．４μｍとなった。
なお、局所ウェットエッチングによる表面荒れは確認されなかった。
局所ウェットエッチングは、研磨取り代を抑えつつ、その後に行われる研磨工程の負荷を低減することができる。
【００７５】
＜＜鏡面研磨工程＞＞
ここでの鏡面研磨工程は、第１研磨工程、研磨後表面形態情報取得工程、研磨後平坦度算出工程、第２研磨工程、及び第３研磨工程からなる。
【００７６】
＜＜＜第１研磨工程＞＞＞
第１研磨工程では、目視で確認が困難な微小傷を消すことを目的に、ガラス基板の第１の主表面と第２の主表面の両主表面を、両面研磨装置を用いて研磨した。ここで、研磨条件は下記の通りとした。
研磨条件：
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：１μｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
研磨布：硬質ポリシャ
上定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て時計回りに回転）
下定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て反時計回りに回転）
圧力：８０〜１００ｇ／ｃｍ２
第１研磨工程が終了したのち、低濃度のアルカリ水溶液を用いて、ガラス基板を薬液洗浄し、その後、ガラス基板を純水洗浄した。
【００７７】
＜＜＜研磨後表面形態情報取得工程＞＞＞
研磨後表面形態情報取得工程では、第１研磨工程後に薬液洗浄と純水洗浄が行われたガラス基板の両主表面に対して、表面形態情報を取得した。
この表面形態情報は、両主表面の凹凸を示す情報であり、具体的には、両主表面の外周５ｍｍを除く領域を、１０ｍｍ間隔で測定した、仮想絶対平面に対する各測定点の高さ情報である。
なお、表面形態情報の取得に用いる測定器としては、黒田精工（株）製のフラットネステスターを用いた。
【００７８】
＜＜＜研磨後平坦度算出工程＞＞＞
研磨後平坦度算出工程では、コンピュータを用いて、研磨後表面形態情報取得工程で得られた両主表面の表面形態情報から、両主表面の平坦度を算出するとともに、ガラス基板の平行度も算出した。
その結果、一方の主表面の平坦度は６．１μｍ、他方の主表面の平坦度は９．４μｍ、そしてガラス基板の平行度は１０．８μｍであった。
【００７９】
＜＜＜第２研磨工程＞＞＞
第２研磨工程では、他方の主表面の平坦度が７μｍ以下で、且つガラス基板の平行度が１０μｍ以下になるように、他方の主表面の面内で加工量の異なる片面研磨装置の加工条件を決定し、他方の主表面に対して片面研磨を実施した。
この研磨の条件は、下記の通りである。
研磨条件：
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：１μｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
研磨布：軟質ポリシャ
基板保持プレートの回転数：３〜２０ｒｐｍ（基板保持プレートの上面から見て反時計回りに回転）
研磨定盤の回転数：３〜２０ｒｐｍ（基板保持プレートの上面から見て時計回りに回転）
第２研磨工程が終了したのち、低濃度のアルカリ水溶液を用いて、ガラス基板を薬液洗浄し、その後、ガラス基板を純水洗浄した。
【００８０】
＜＜＜第３研磨工程＞＞＞
第３研磨工程（精密研磨工程）では、両主表面の平滑度を高める目的で、ガラス基板の両面を、両面研磨装置を用いて研磨した。その研磨条件は、下記の通りである。
研磨条件：
研磨液：コロイダルシリカ（平均粒径：５０〜８０ｎｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
研磨布：軟質ポリシャ
上定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て時計回りに回転）
下定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て反時計回りに回転）
圧力：８０〜１００ｇ／ｃｍ２
第３研磨工程が終了したのち、ガラス基板を、低濃度のアルカリ水溶液を用いて薬液洗浄し、その後、純水洗浄した。
【００８１】
＜＜表面平坦度・平行度、表面粗さ、欠陥検査＞＞
第３研磨工程後に薬液洗浄と純水洗浄が行われた後のガラス基板に対して、両主表面の表面形態情報を取得した。そして、得られた表面形態情報から両主表面の平坦度を算出するとともに、平行度を算出した。
その結果、一方の主表面の平坦度が６．１μｍ、他方の主表面の平坦度が８．８μｍ、平行度が７．７μｍであった。また、ガラス基板の両主表面の欠陥を欠陥検査装置により検査したところ、２μｍ以上の欠陥は検出されなかった。また、ガラス基板の両主表面の表面粗さを表面粗さ測定器により測定したところ、両主表面の表面粗さは、共にＲａで０．２ｎｍであった。この検査結果に基づき、このガラス基板については、上述した一方の主表面を転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面とし、他方の主表面を第２の主表面とした。
得られたガラス基板は、第１の主表面の平坦度が７μｍ以下であり、平行度が１０μｍ以下であり、第１の主表面に２μｍ以上の欠陥が存在しないため、高精細なパターンを形成するためのマスクなどの製造に適するマスクブランク用基板の仕様を満たしていた。
【００８２】
＜＜マーク形成工程＞＞
上記と同様の手順で得られた７枚のガラス基板に、ガラス基板の第１の主表面を特定する図１から図７に示すいずれかのマークを形成した。
図１はマークの第１の例を示す。このマークはガラス基板の第２の主表面１０の外周領域の角部に設けられた粗面部１１から構成される。このマークはフッ酸水溶液をガラス基板の第２の外周領域の角部に塗布し、所定の時間放置した後、ガラス基板を洗浄し、エッチング液を除去することにより形成した。粗面部１１の表面粗さはＲａで０．０７μｍであった。粗面部は第１の主表面に形成することもできる。
図２はマークの第２の例を示す。このマークはガラス基板の端面２０に設けられた鏡面部２１から構成される。このマークを形成するガラス基板の端面２０は、局所ウェットエッチング工程の後であって、ガラス基板の第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨工程の前に、＃１２００のダイヤモンド砥粒を用いた面取り加工により、粗面化処理が施されていた。鏡面部２１以外の粗面化処理されている粗面化処理部２２の表面粗さはＲａで０．１１μｍであった。この鏡面部２１から構成されたマークは、研磨パッドを貼り付けた円柱型の回転加工ツールと、酸化セリウムのスラリーを用いた部分的な鏡面研磨により形成した。鏡面部２１の表面粗さはＲａで０．０１μｍであった。図２の例では、鏡面部２１は第２の主表面１０側が広く、第１の主表面３０側が狭い台形状であるが、その逆であっても構わない。
図３はマークの第３の例を示す。このマークはガラス基板の端面２０に設けられた粗面部２３から構成される。このマークを形成するガラス基板の端面２０は、局所ウェットエッチング工程の後であって、ガラス基板の第１の主表面及び第２の主表面の鏡面研磨工程の前に、酸化セリウムのスラリーを用いたブラシ研磨により鏡面研磨が施されていた。粗面部２３以外の鏡面研磨されている鏡面研磨部２４の表面粗さはＲａで０．０１μｍであった。この粗面部２３から構成されるマークはサンドブラスト処理により形成した。粗面部２３の表面粗さはＲａで０．０１２μｍであった。図３の例では、粗面部２３は第２の主表面１０側が広く、第１の主表面３０側が狭い台形状であるが、その逆であっても構わない。
図４はマークの第４の例を示す。このマークはガラス基板の第２の主表面１０の外周領域の角部に付けられた、水性染料又は水性顔料を含有するマーカー部１２から構成される。このマーカー部１２は、サインペンにより形成された。マーカー部は端面に形成することもできる。
図５はマークの第５の例を示す。このマークはガラス基板の第２の主表面１０の外周領域の角部に設けられた凹部１３から構成される。このマークは、ダイヤモンド針を走査しての加圧痕により形成した。凹部１３の深さは２．２μｍであった。この凹部は第１の主表面や端面に形成することもできる。
図６はマークの第６の例を示す。このマークはガラス基板の第２の主表面１０の外周領域の角部に設けられたレーザーマーキング１４から構成される。このマークは、ＹＡＧレーザーの４倍高調波（波長２６６μｍ）を利用して形成した。このマークは、直径が１０μｍの円形状で、深さが３．３μｍのレーザーマーキング１４を十字型に８箇所形成することにより形成した。このレーザーマーキングは第１の主表面に形成することもできる。
図７はマークの第７の例を示す。このマークはガラス基板の端面２０に設けられたレーザーマーキング２５から構成される。このマークは、ＹＡＧレーザーの４倍高調波（波長２６６μｍ）を利用して形成した。このマークは、直径が１０μｍの円形状で、深さが３．３μのレーザーマーキング２５を、端面の厚み方向の中心位置からずれた位置に、台形状に８箇所形成することにより形成した。図７の例では、レーザーマーキング２５が形成された側に近い面を第２の主表面１０としているが、その逆であっても構わない。
【００８３】
図１から図７に示すマークを形成した後、７枚のガラス基板の平坦度及び平行度を上記と同様の方法により算出した。図１から図７に示すマークを形成したガラス基板は、形成前の平坦度及び平行度を維持しており、図１から図７に示すマーク形成による製造歩留まりは１００％であった。
【００８４】
実施例２．
実施例２の表示装置製造用のマスクブランク用基板は、以下の方法により製造した。
実施例２では、実施例１のマスクブランク用基板を用いて製造された使用済みのマスク（例えば、実施例４のマスク）からガラス基板をリサイクルしてマスクブランク用基板を製造する場合について説明する。尚、実施例２の表示装置製造用のマスクブランク用基板の仕様は、薄膜が形成される側（第１の主表面）の平坦度が７μｍ以下、平行度が１０μｍ以下、薄膜が形成される側（第１の主表面）の欠陥品質が２μｍ以上の欠陥が存在しないこととした。
【００８５】
まず、図１から図７のマークが形成された実施例１の７０枚（各図１から図７のマークが形成された各１０枚のマスクブランク用基板）のマスクブランク用基板上にクロム系材料からなる位相シフト膜パターンが形成された使用済みのマスクを準備した。
次に、位相シフト膜パターンを、硝酸第二セリウムアンモニウム及び過塩素酸と純水を含むクロム用エッチング液にて除去し、ガラス基板を得た。この段階では、図１〜３，図５〜７に示すマークが形成されたガラス基板を用いて製造されたマスクをリサイクルして得られたガラス基板には、図１〜３，図５〜７に示すマークが形成されている。図４に示すマークはマスクブランクの製造過程でガラス基板を洗浄する際に除去されるため、図４に示すマークが形成されたガラス基板を用いて製造されたマスクをリサイクルして得られたガラス基板には、図４に示すマークは形成されていない。
【００８６】
位相シフト膜パターンをクロム用エッチング液で除去した後、洗浄処理したガラス基板に対して、実施例１と同様の手順でマスクブランク用基板を製造した。
【００８７】
図１，５，６に示すマークが形成されたガラス基板を用いて製造されたマスクをリサイクルして得られたガラス基板に形成されていた図１，５，６に示すマークは、鏡面研磨工程により除去された。
図２に示すマークが形成されたガラス基板を用いて製造されたマスクをリサイクルして得られたガラス基板に形成されていた図２に示すマークは、鏡面研磨工程後に、端面のマークが形成されている部分を、粗研磨処理やサンドブラスト処理することにより除去された。
図３，７に示すマークが形成されたガラス基板を用いて製造されたマスクをリサイクルして得られたガラス基板に形成されていた図３に示すマークは、鏡面研磨工程後に、端面のマークが形成されている部分を、回転加工ツールを用いて部分的に鏡面研磨することによって除去された。
【００８８】
実施例１と同様に、第３研磨工程後に薬液洗浄と純水洗浄が行われた後の７０枚のガラス基板に対して、両主表面の表面形態情報を取得し、得られた表面形態情報から両主表面の平坦度を算出するとともに、平行度を算出した。
その結果、一方の主表面の平坦度は５μｍから２０μｍの範囲、他方の主表面の平坦度は５μｍから１２μｍの範囲、平行度は７μｍから１８μｍの範囲であった。また、ガラス基板の両主表面の欠陥を欠陥検査装置により検査したところ、平坦度が良好な第１の主表面及び第２の主表面において、２μｍ以上の欠陥は検出されなかった。また、ガラス基板の両主表面の表面粗さを表面粗さ測定器により測定したところ、第１の主表面及び第２の主表面の表面粗さは、共にＲａで０．３ｎｍ以下であった。この実施例２においては、第１の主表面は、リサイクル前においても転写パターンとなる薄膜が形成されていた表面であり、第２の主表面は、リサイクル前においても裏面であった。
【００８９】
図１から図７に示すマークが形成されたガラス基板を用いて製造されたマスクをリサイクルして得られたガラス基板には、マーク形成工程前の段階でマークが存在しないため、この７０枚のガラス基板に対して、マーク形成工程で、平坦度が良好な面を第１の主表面として特定する図１から図７に示すいずれかのマークを形成した。薄膜が形成される側（第１の主表面）の平坦度が７μｍ以下、平行度が１０μｍ以下の仕様を満たすマスクブランク用基板の製造歩留まりは、９７％であった。
【００９０】
図１から図７に示すいずれかのマークを再度形成した後、ガラス基板の平坦度及び平行度を上記と同様の方法で算出した。図１から図７に示すマークを形成したガラス基板は、形成前の平坦度及び平行度を維持しており、図１から図７に示すマーク形成による製造歩留まりは１００％であった。
【００９１】
実施例３．
この実施例３では、実施例２によって得られたマスクブランク用基板を用いて、以下の方法により、フォトマスクブランクである位相シフトマスクブランクを製造した。
【００９２】
まず、上記実施例２で得られたマスクブランク用基板を低濃度のアルカリ水溶液を用いて薬液洗浄し、その後、純水洗浄した。図４に示すマークは、この洗浄により除去された。
次に、マスクブランク用基板の第１の主表面を、スパッタリング装置内に設置されたスパッタターゲット面と対向するようにして、セットした。そして、スパッタリング法によって、マスクブランク用基板の第１の主表面上に、位相シフト膜を成膜した。
【００９３】
具体的には、まず、クロムターゲットが配置されているスパッタリング装置のスパッタリング室内に、Ａｒガス、Ｎ２ガス及びＣＯ２ガスからなる混合ガスを導入し、反応性スパッタリングによって、ＣｒＯＣＮからなる膜厚８９ｎｍの位相シフト層を成膜した。ここで、この混合ガスを構成する各成分の流量は、Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ２が３５ｓｃｃｍ、そしてＣＯ２が１４．５ｓｃｃｍである。
次に、クロムターゲットが配置されているスパッタリング室内に、ＡｒガスとＣＨ４ガスとの混合ガスを導入し、反応性スパッタリングによって、ＣｒＣからなる膜厚１０ｎｍのメタル層を成膜した。ここで、この混合ガスは、Ａｒガス中に８％の濃度のＣＨ４ガスが含まれている混合ガスである。
【００９４】
最後に、クロムターゲットが配置されているスパッタリング室内に、Ａｒガス、Ｎ２ガス及びＣＯ２ガスからなる混合ガスを導入し、反応性スパッタリングによって、ＣｒＯＣＮからなる膜厚３０ｎｍの反射低減層を成膜した。ここで、この混合ガスを構成する各成分の流量は、Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ２が３５ｓｃｃｍ、そしてＣＯ２が１８．２ｓｃｃｍである。
これにより、基板上に、膜厚８９ｎｍのＣｒＯＣＮからなる位相シフト層と、膜厚１０ｎｍのＣｒＣからなるメタル層と、膜厚３０ｎｍのＣｒＯＣＮからなる反射低減層からなる位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクを得た。
【００９５】
上記のように形成された位相シフト膜は、位相シフト層とメタル層と反射低減層との３層構造により、３６５ｎｍの光に対する透過率として５．９８％、位相差として１７８．６６°を有していた。ここで、透過率と位相差は、レーザーテック株式会社製のＭＰＭ−１００（商品名）を用いて測定した。
また、得られた位相シフトマスクブランクの薄膜が形成されている側の主表面の平坦度は、実施例２によって得られたマスクブランク用基板の第１の主表面の平坦度に依存し、その値は１０μｍ以下であった。
また、得られた位相シフトマスクブランクの平行度も実施例２によって得られたマスクブランク用基板の平行度に依存し、その値は１２μｍ以下であった。
【００９６】
上記の工程によって製造された位相シフトマスクブランクは、薄膜が形成されている側の主表面の平坦度は１０μｍ以下であり、平行度は１２μｍ以下であるため、高精細な位相シフトマスクなどの製造に適している。
特に、２．０μｍ以下（例えば、１．２μｍ〜２．０μｍ）のラインアンドスペースパターンや、２．０μｍ以下（例えば、１．５〜２．０μｍ）のホールパターンが形成される位相シフトマスクの製造に適している。
この位相シフトマスクは、解像度で５００ｐｐｉを超える（例えば、６００ｐｐｉ以上）高解像度の表示パネル（液晶パネルや有機ＥＬパネル）の製造に適用される。
【００９７】
実施例４．
この実施例４では、実施例３で製造された位相シフトマスクブランクを用いて、以下の方法により、フォトマスク（位相シフトマスク）を製造した。
まず、実施例３で製造された位相シフトマスクブランクの位相シフト膜上に、ノボラック系のポジ型のフォトレジストからなるレジスト膜を形成した。その後、レーザー描画機により、波長４１３ｎｍのレーザー光を用いて、そのレジスト膜に所定のパターンを描画した。その後、レジスト膜を所定の現像液で現像して、その位相シフト膜上にレジスト膜パターンを形成した。
その後、レジスト膜パターンをマスクにして、位相シフト膜をエッチングすることで、位相シフト膜パターンを形成した。
【００９８】
位相シフト膜を構成する位相シフト層、メタル層、及び反射低減層の各々は、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料から形成される。このため、位相シフト層、メタル層、及び反射低減層は、同じエッチング液によってエッチングすることができる。
ここでは、位相シフト膜をエッチングするエッチング液として、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むクロム用エッチング液を用いた。
その後、レジスト剥離液を用いて、レジスト膜パターンを剥離することで、露光用マスクを得た。
【００９９】
平坦性の高い基板上でパターン描画が行われるため、位相シフト膜パターンのＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）ばらつきは、７０ｎｍと良好であった。ここで、ＣＤばらつきは、目標とするラインアンドスペースパターン（ラインパターンの幅：２．０μｍ、スペースパターンの幅：２．０μｍ）からのずれ幅である。位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、セイコーインスツルメンツナノテクノロジー（株）製のＳＩＲ８０００を用いて測定した。
上述した位相シフトマスクは、要求基準を満たす平坦度と平行度を備え、且つ優れたパターン断面形状及び優れたＣＤ均一性を有しているので、上述した位相シフトマスクを用いて、高解像度、高精細の表示装置（有機ＥＬパネル）を製造することができると言える。
【０１００】
実施例５．
実施例５では、実施例２と同様に、マスクブランク用基板を用いて製造された使用済みのマスクからガラス基板をリサイクルしてマスクブランク用基板を製造する場合について説明する。
実施例５の表示装置製造用のマスクブランク用基板は、以下の方法により製造した。
【０１０１】
まず、マスクブランク用基板上にクロム系材料からなる位相シフト膜パターンが形成された使用済みのマスクを準備した。これらのガラス基板には、リサイクル前の裏面において、端部の対角となる２箇所に、１．０〜２．０ｍｍのノッチマークが形成されていた。
上述のように、ノッチマークは、縁ダレや隆起の発生原因となるため、高精細なパターンを形成するためのマスクなどの製造に際しては、ノッチマークを有していないマスクブランク用基板とすることが好ましい。しかしながら、既にノッチマークが形成されている基板をリサイクル品として使用したいというニーズが存在し、また、ミドルレイヤーやラフレイヤー用のマスクブランク用基板や、カラーフィルター用のマスクブランク用基板であれば、要求精度が上述の高精細なものに比して緩和される。
これらの点を考慮し、実施例５の表示装置製造用のマスクブランク用基板の第１の仕様（高精細な位相シフトマスクなどの製造に適している仕様）は、実施例２と同様に薄膜が形成される側（第１の主表面）の平坦度が７μｍ以下、平行度が１０μｍ以下、薄膜が形成される側（第１の主表面）の欠陥品質が２μｍ以上の欠陥が存在しないこととした。そして、第２の仕様（ミドルレイヤーやラフレイヤー用の仕様）は、第１の主表面の平坦度が１０μｍ以下、平行度が２０μｍ以下であって、第１の主表面の欠陥品質が５μｍ以上の欠陥が存在しないこととした。
次に、位相シフト膜パターンを、硝酸第二セリウムアンモニウム及び過塩素酸と純水を含むクロム用エッチング液にて除去し、ガラス基板を得た。
位相シフト膜パターンをクロム用エッチング液で除去した後、洗浄処理したガラス基板に対し、実施例１と同様に、＜基板板厚検査工程＞＜傷欠陥検査工程＞＜平坦度算出工程＞を行った。
【０１０２】
その結果、最小板厚は９．９ｍｍを超えており、要求される表面粗さを得るために必要な研磨取り代を有していることを確認した。
また、ガラス基板の両主表面における傷の有無については、目視検査で検出できる傷が、表裏面に形成されていることが確認された。
両主表面の平坦度は、一方の主表面が１０μｍ、他方の主表面が１２μｍであった。
次に、ガラス基板の他方の主表面に形成されているノッチマークと対向した一方の主表面の位置に、同じ大きさのノッチマークを形成した。本実施例５においては、他方の主表面に既に形成されたノッチマークに対応するノッチマークを一方の主表面に形成することで、従来において課題となっていた隆起の発生を抑制している。そして、実施例１と同様に、＜局所ウェットエッチング工程＞と、＜鏡面研磨工程＞のうち＜第２研磨工程＞＜第３研磨工程＞を実施し、第３研磨工程が終了した後、ガラス基板を、低濃度のアルカリ水溶液を用いて薬液洗浄し、その後、純水洗浄した。
【０１０３】
得られたガラス基板に対して、両主表面の表面形態情報を取得した。そして、得られた表面形態情報から両主表面の平坦度を算出するとともに、平行度を算出した。
その結果、上記一方の主表面の平坦度が９．８μｍ、上記他方の主表面の平坦度が６．９μｍ、平行度が９．９μｍであった。また、ガラス基板の両主表面の欠陥を欠陥検査装置により検査したところ、２μｍ以上の欠陥は検出されなかった。また、ガラス基板の両主表面の表面粗さを表面粗さ測定器により測定したところ、上記一方の主表面及び上記他方の主表面の表面粗さは、共にＲａで０．２ｎｍであった。
【０１０４】
これらの検査結果に基づき、このガラス基板においては、リサイクル前において裏面として使用していた他方の主表面を、転写パターンとなる薄膜が形成される第１の主表面に設定し、リサイクル前において表面として使用していた一方の主表面を第２の主表面に設定した。得られたガラス基板は、他方の主表面の平坦度が７μｍ以下であり、平行度が１０μｍ以下であり、第２の主表面に２μｍ以上の欠陥が存在しないため、高精細なパターンを形成するためのマスクなどの製造に適するマスクブランク用基板の仕様を満たしていた。
次に、第１の主表面を特定する図３のマークを形成し、マスクブランク用基板を得た。
【０１０５】
次に、実施例３と同様に、位相シフトマスクブランクを作製した。得られた位相シフトマスクブランクは、薄膜が形成されている側の主表面の平坦度は１０μｍ以下であり、平行度は１２μｍ以下であった。
さらに、実施例４と同様に、位相シフトマスクを作製した。得られた位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、７６ｎｍと良好であった。実施例５の位相シフトマスクは、要求水準を満たす平坦度と平行度を備え、且つ優れたＣＤ均一性を有しており、高解像度、高精細の表示装置（有機ＥＬパネル）を製造することができると言える。
上述に説明した製造方法により製造された７０枚のガラス基板について、両主表面の表面形態情報を取得し、得られた表面形態情報から両主表面の平坦度と平行度を算出した。その結果、一方の主表面の平坦度は５μｍから３０μｍの範囲、他方の主表面の平坦度は５μｍから２０μｍの範囲、平行度は７μｍから３０μｍの範囲であった。上述した第１の仕様を満たす、高精細なパターンを形成するためのマスクなどの製造に適するマスクブランク用基板の製造歩留まりは、８７％であり、実施例１よりは低いものの良好な値であった。また、上述した第２の仕様を満たす、ミドルレイヤーやラフレイヤー用のマスクブランク用基板の製造歩留まりは、９４％であり、さらに良好な値となった。
【０１０６】
実施例５では、第１の主表面及び第２の主表面の両主表面にノッチマークを形成した場合を説明したが、これに限らない。位相シフト膜パターンを剥離した後のガラス基板の両主表面の＜基板板厚検査工程＞＜傷欠陥検査工程＞＜平坦度算出工程＞により、局所加工が不要と判断されるような場合やミドルレイヤー用に使用される等の状況によっては、片面のみにノッチマークを形成したガラス基板に対して、平坦度、欠陥品質の仕様を満たす面を特定するための本実施例のマークを形成してもよい。
【０１０７】
比較例１．
比較例１は、実施例１のマーク形成工程に代えて、従来のノッチマークをガラス基板に形成してマスクブランク用基板を製造した例である。ノッチマークは、ガラス基板の第２の主表面の端部２箇所に、１．０〜２．０ｍｍの大きさで形成した。そして、比較例１の第１の仕様、第２の仕様を、実施例５と同様に設定した。
第３研磨工程（精密研磨工程）後の＜＜表面平坦度・平行度、表面粗さ、欠陥検査＞＞まで実施例１と同様に行い、７０枚のマスクブランク用基板を製造した。
【０１０８】
ノッチマークを形成した後、ガラス基板の平坦度及び平行度を上記と同様の方法により算出した。その結果、ノッチマークが形成されていない第１の主表面の平坦度が７μｍ以下、平行度が１０μｍ以下であって、第１の主表面の欠陥品質が２μｍ以上の欠陥が存在しない、第１の仕様を満たす高精細なパターンを形成するためのマスクなどの製造に適するマスクブランク用基板の製造歩留まりは、２０％であった。また、第２の仕様を満たすミドルレイヤーやラフレイヤー用のマスクブランク用基板の製造歩留まりは、３７％であった。
【符号の説明】
【０１０９】
１０  第２の主表面、１１  粗面部、１２  マーカー部、１３  凹部、１４  レーザーマーキング、２０  端面、２１  鏡面部、２２  粗面化処理部、２３  粗面部、２４  鏡面研磨部、２５  レーザーマーキング、３０  第１の主表面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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