(57)【要約】【課題】素子基板と対向基板との間の電気的導通を安定的に確保することが可能な電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】液晶表示装置１は、素子基板１０と対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層４０と、基板１１の面１１ａ側に設けられた凸条部１９と、基板２１の面２１ａ側に凸条部１９と対向するように設けられた凸条部２６と、凸条部１９上に形成された導通端子１６と、凸条部２６上に形成された共通電極２３と、導通端子１６と共通電極２３との間に配置された、導通端子１６と共通電極２３との電気的導通を取るための少なくとも一つの導通粒子５８とを備え、凸条部１９と凸条部２６とは、同じピッチＰで、かつ、互いにピッチＰの１／２ずれて複数配置され、導通粒子５８の径Ｄ１は、ピッチＰよりも小さい。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された電気光学層と、
前記第１基板の前記第２基板と対向する第１面側に設けられた第１凸条部と、
前記第２基板の前記第１基板と対向する第２面側に前記第１凸条部と対向するように設けられた第２凸条部と、
前記第１凸条部上に形成された第１導通端子と、
前記第２凸条部上に形成された第２導通端子と、
前記第１導通端子と前記第２導通端子との間に配置された、前記第１導通端子と前記第２導通端子との電気的導通を取るための少なくとも一つの導通粒子と、を備え、
前記第１凸条部と前記第２凸条部とは、同じピッチで、かつ、互いに前記ピッチの１／２ずれて複数配置され、
前記導通粒子の径は、前記ピッチよりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１凸条部は、前記第１導通端子上に第１無機配向膜が形成された第１斜面と、前記第１導通端子上に前記第１無機配向膜が形成されていない第２斜面と、を有し、
前記第２凸条部は、前記第２導通端子上に第２無機配向膜が形成された第３斜面と、前記第２導通端子上に前記第２無機配向膜が形成されていない第４斜面と、を有し、
前記第２斜面における前記第１導通端子と前記第４斜面における前記第２導通端子とは、前記導通粒子を挟んで対向配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記第１基板の前記第１面に対する前記第２斜面の傾斜角度および前記第２基板の前記第２面に対する前記第４斜面の傾斜角度は、４５°以上９０°未満であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記電気光学層として、電界無印加状態において液晶分子にプレチルトが付与された液晶層を有し、
前記第１凸条部と前記第２凸条部とは、前記液晶分子の前記プレチルトの方位角の方向と交差する方向に延在していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板との間に前記液晶層を囲むように配置された、ギャップ材を含むシール材を有し、
前記導通粒子の径は、前記ギャップ材の径よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１導通端子と前記第２導通端子との間に接着剤が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置が知られている。液晶表示装置では、配向膜の配向処理により液晶分子にプレチルトを付与し、電圧印加時に液晶分子が傾く方向を制御している。配向膜としては、近年、ポリイミド等の有機配向膜よりも耐光性や耐熱性に優れた酸化シリコン等の無機配向膜が用いられる。酸化シリコン等の無機配向膜は絶縁性が高く硬いため、素子基板と対向基板との電気的導通を取るための導通端子の表面が無機配向膜で覆われると、導通端子間で導通不良が生じ易い。
【０００３】
そこで、導通端子よりも基板内面側に突出する壁を導通端子の近くに設けたり、導通端子を凹状部の底面に形成したりすることで、導通端子の表面が無機配向膜で完全に覆われることを防止する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の技術によれば、無機配向膜を斜方蒸着法により形成する際に、突出する壁や凹状部の壁により導通端子が影になるような方向から斜方蒸着を行うことで、導通端子の表面が無機配向膜で完全に覆われることを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１７３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の記載によれば、導通端子の表面の約１０％以上が無機配向膜で覆われていない構成とすることとされているが、導通端子の面積のうち素子基板と対向基板との電気的導通に実質的に寄与する面積が１０％程度に限定された場合、導通端子間で導通不良が生じるおそれがある。また、製造工程において、平面に形成された導通端子における無機配向膜で覆われていない領域の面積を適正に制御することは困難であると考えられ、素子基板と対向基板との電気的導通を安定的に確保できないおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板と対向する第１面側に設けられた第１凸条部と、前記第２基板の前記第１基板と対向する第２面側に前記第１凸条部と対向するように設けられた第２凸条部と、前記第１凸条部上に形成された第１導通端子と、前記第２凸条部上に形成された第２導通端子と、前記第１導通端子と前記第２導通端子との間に配置された、前記第１導通端子と前記第２導通端子との電気的導通を取るための少なくとも一つの導通粒子と、を備え、前記第１凸条部と前記第２凸条部とは、同じピッチで、かつ、互いに前記ピッチの１／２ずれて複数配置され、前記導通粒子の径は、前記ピッチよりも小さいことを特徴とする。
【０００８】
本適用例の構成によれば、第１基板に設けられた複数の第１凸条部上に第１導通端子が形成され、第２基板に設けられた複数の第２凸条部上に第２導通端子が形成されている。そのため、第１導通端子および第２導通端子が平面に形成されている場合と比べて、互いに対向する第１導通端子の表面積と第２導通端子の表面積とを大きくできる。また、第１凸条部と第２凸条部とが同じピッチで配置され、第１導通端子と第２導通端子との電気的導通を取るための導通粒子の径が第１凸条部および第２凸条部のピッチよりも小さいため、導通粒子を、隣り合う第１凸条部同士の間および隣り合う第２凸条部同士の間に収容して第１導通端子と第２導通端子との間に挟持することができる。そして、第１凸条部と第２凸条部とが互いに１／２ピッチずれて配置されているため、１／２ピッチずれていない場合と比べて、第１導通端子と第２導通端子とが対向する領域内における両導通端子間の距離がより均一になるので、第１導通端子と第２導通端子との間に挟持された導通粒子の移動を抑制できる。これらにより、第１導通端子と第２導通端子との間の導通不良を抑止し、製造工程において安定的に電気的導通を確保することが可能な電気光学装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１凸条部は、前記第１導通端子上に第１無機配向膜が形成された第１斜面と、前記第１導通端子上に前記第１無機配向膜が形成されていない第２斜面と、を有し、前記第２凸条部は、前記第２導通端子上に第２無機配向膜が形成された第３斜面と、前記第２導通端子上に前記第２無機配向膜が形成されていない第４斜面と、を有し、前記第２斜面における前記第１導通端子と前記第４斜面における前記第２導通端子とは、前記導通粒子を挟んで対向配置されていることが好ましい。
【００１０】
本適用例の構成によれば、第１導通端子上に第１無機配向膜が形成されていない第２斜面と、第２導通端子上に第２無機配向膜が形成されていない第４斜面とが導通粒子を挟んで対向配置されている。そのため、第１斜面において第１導通端子上に第１無機配向膜が形成され、第３斜面において第２導通端子上に第２無機配向膜が形成されていても、第１導通端子と第２導通端子との間の電気的導通を確保することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１基板の前記第１面に対する前記第２斜面の傾斜角度および前記第２基板の前記第２面に対する前記第４斜面の傾斜角度は、４５°以上９０°未満であることが好ましい。
【００１２】
本適用例の構成によれば、蒸着の指向性が高い斜方蒸着法を用いて、第１基板の第１面に対して４５°未満の角度で第２斜面の背面側から第１導通端子の表面に第１無機配向膜を形成すれば、第２斜面が第１無機配向膜で覆われることを抑止できる。同様に、第２導通端子についても、第４斜面が第２無機配向膜で覆われることを抑止できる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記電気光学層として、電界無印加状態において液晶分子にプレチルトが付与された液晶層を有し、前記第１凸条部と前記第２凸条部とは、前記液晶分子の前記プレチルトの方位角の方向と交差する方向に延在していることが好ましい。
【００１４】
本適用例の構成によれば、斜方蒸着法により無機配向膜を形成する際の蒸着方向に沿って決まるプレチルトの方位角の方向と、第１凸条部および第２凸条部の延在方向とが交差している。そのため、第１凸条部の第１斜面に対してその延在方向と交差する側から斜方蒸着法により第１無機配向膜を形成すれば、第１斜面において第１導通端子の表面に第１無機配向膜が配置され、第２斜面においては第１導通端子の表面に第１無機配向膜が配置されない構成を容易かつ確実に実現できる。同様に、第２凸条部についても、第３斜面において第２導通端子の表面に第２無機配向膜が配置され、第４斜面においては第２導通端子の表面に第２無機配向膜が配置されない構成を容易かつ確実に実現できる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板との間に前記液晶層を囲むように配置された、ギャップ材を含むシール材を有し、前記導通粒子の径は、前記ギャップ材の径よりも小さいことが好ましい。
【００１６】
本適用例の構成によれば、導通粒子の径がシール材に含まれるギャップ材の径よりも小さいので、ギャップ材により第１基板と第２基板との適正なギャップを確保できる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１導通端子と前記第２導通端子との間に接着剤が配置されていることが好ましい。
【００１８】
接着剤は、配向膜に対して良好な密着性を有するが、導通端子に対しては密着不良が生じ易い。本適用例の構成によれば、第１基板の第１斜面における第１導通端子上に第１無機配向膜が形成され、第２基板の第３斜面における第２導通端子上に第２無機配向膜が形成されている。そのため、第１無機配向膜および第２無機配向膜が形成されていない場合と比べて、第１導通端子と第２導通端子との間に配置された接着剤の密着性を向上できる。これにより、第１導通端子と第２導通端子との電気的導通を確保しつつ第１導通端子と第２導通端子との接着強度を向上できる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２０】
本適用例の構成によれば、導通端子間の導通不良が抑止された電気光学装置を備えているので、表示品質および信頼性が高い電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。
【図３】第１の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】配向膜の配向処理方向を示す概略平面図。
【図５】図４のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図。
【図６】図４のＢ部を拡大して示す平面透視図。
【図７】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図８】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図９】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１０】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１１】第２の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
（第１の実施形態）
＜液晶表示装置の構成＞
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶表示装置を例に挙げて説明する。この液晶表示装置は、例えば、後述する投写型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置について、図１、図２、および図３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。また、図３は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２６】
図１および図２に示すように、第１の実施形態に係る液晶表示装置１は、素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に配置された電気光学層としての液晶層４０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基板としての基板１１と、対向基板２０を構成する第２基板としての基板２１とには、例えば、ガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる基板が用いられている。
【００２７】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、枠状に配置されたシール材４２を介して接合されている。液晶層４０は、素子基板１０と対向基板２０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。
【００２８】
シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ）を一定に保持するためのギャップ材４３（図５参照）が混入されている。枠状に配置されたシール材４２の内側には、対向基板２０に設けられた枠状の遮光層２５が配置されている。遮光層２５は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。
【００２９】
遮光層２５の内側は、複数の画素Ｇが配列された表示領域Ｅとなっている。表示領域Ｅは、液晶表示装置１において、実質的に表示に寄与する領域である。なお、図１および図２では図示を省略したが、表示領域Ｅ内においても、複数の画素Ｇを平面的に区画する格子状の遮光部が、素子基板１０および対向基板２０の少なくとも一方に設けられている。
【００３０】
素子基板１０の１辺部のシール材４２の外側には、１辺部に沿ってデータ線駆動回路５１および複数の外部接続端子５４が設けられている。また、その１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４２の内側には、検査回路５３が設けられている。さらに、これらの２辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。
【００３１】
検査回路５３が設けられた１辺部のシール材４２の内側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板２０の角部には、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３２】
以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた１辺部に沿った方向をＸ方向とし、この１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向とする。図１のＡ−Ａ’線の方向は、Ｙ方向に沿った方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図２における上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶表示装置１の対向基板２０の表面の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。
【００３３】
図２に示すように、基板１１の液晶層４０側の表面には、画素Ｇ毎に設けられたスイッチング素子としてのＴＦＴ３０と、光透過性を有する画素電極１５と、信号配線（図示しない）と、画素電極１５を覆う第１無機配向膜としての配向膜１８とが設けられている。画素電極１５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する導電膜からなる。
【００３４】
また、本実施形態の素子基板１０には、ＴＦＴ３０の半導体層（図示しない）に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００３５】
対向基板２０の液晶層４０側には、遮光層２５と、層間層２２と、共通電極２３と、共通電極２３と、第２無機配向膜としての配向膜２４とが設けられている。
【００３６】
遮光層２５は、図１および図２に示すように、平面的に走査線駆動回路５２、複数の配線５５や検査回路５３と重なる位置に枠状に設けられている。遮光層２５は、対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３７】
図２に示す層間層２２は、遮光層２５を覆うように形成されている。層間層２２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの絶縁膜で形成され、光透過性を有している。層間層２２は、遮光層２５などに起因する凹凸を緩和し、共通電極２３が形成される液晶層４０側の面が平坦となるように設けられている。層間層２２の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３８】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する導電膜からなり、層間層２２を覆うとともに、図２に示すように対向基板２０の４隅に設けられた上下導通部５６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００３９】
配向膜１８および配向膜２４は、液晶表示装置１の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８および配向膜２４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、ＭｇＦ2等の無機材料を用いて斜方蒸着法により形成された無機配向膜である。
【００４０】
液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｇの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｇの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶表示装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。
【００４１】
本実施形態に係る液晶表示装置１では、配向膜１８，２４の表面において、液晶層４０に含まれる液晶分子の長軸が、素子基板１０および対向基板２０の表面の法線に対して、わずかに傾斜（プレチルト）して略垂直配向する垂直配向モードを採用している。電界無印加状態において、液晶分子の長軸と素子基板１０および対向基板２０の表面の法線とがなす角度をプレチルト角といい、平面視において液晶分子が傾斜する方向とＸ方向とがなす角度をプレチルトの方位角という。このプレチルトの方位角を予め規定することで、液晶分子の倒れる方位が制御される。
【００４２】
図３に示すように、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差するように形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｇが設けられている。画素Ｇのそれぞれには、画素電極１５とＴＦＴ３０とが設けられている。
【００４３】
ＴＦＴ３０のソース電極（図示しない）は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号（データ信号）Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ３０のゲート電極（図示しない）は、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部である。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ３０のドレイン電極（図示しない）は、画素電極１５に電気的に接続されている。
【００４４】
画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、ＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線３を介して画素電極１５に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極１５を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板２０に設けられた共通電極２３（図２参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。
【００４５】
なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極１５との間に蓄積容量５が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｇの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図２参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００４６】
上述したように、配向膜１８および配向膜２４の配向処理により、液晶層４０の液晶分子にプレチルトを付与し、電圧印加時に液晶分子が傾く方向を制御している。液晶表示装置１の配向膜１８および配向膜２４の配向処理方向を図４を参照して説明する。図４は、配向膜の配向処理方向を示す概略平面図である。
【００４７】
図４に、平面視における素子基板１０の配向膜１８の配向処理方向１８ａを破線で示す。平面視における配向膜１８の配向処理方向１８ａは、図４の右上から左下に向かい、Ｘ方向に対して反時計回りにθ１の角度をなす方向である。平面視における対向基板２０の配向膜２４の配向処理方向２４ａを実線で示す。平面視における配向膜２４の配向処理方向２４ａは、図４の左下から右上に向かい、Ｘ方向に対して反時計回りにθ１の角度をなす方向である。
【００４８】
液晶層４０の液晶分子のプレチルトの方位角の方向は、配向膜１８，２４の配向処理方向１８ａ，２４ａで規定される。本実施形態では、配向膜１８，２４の配向処理方向１８ａ，２４ａとＸ方向とがなす角度θ１は４５°である。したがって、液晶層４０の液晶分子のプレチルトの方位角の方向は、配向処理方向２４ａと同様に、Ｘ方向に対して４５°をなし、左下から右上に向かう方向である。配向膜１８，２４は、素子基板１０および対向基板２０における表示領域Ｅだけでなく、４隅に配置された上下導通部５６（図４のＢ部）にも形成されている。なお、図４のＢ部におけるＣ−Ｃ’線は、配向処理方向１８ａ，２４ａ、すなわち、液晶層４０の液晶分子のプレチルトの方位角の方向に沿った線である。
【００４９】
＜上下導通部の構成＞
続いて、上下導通部５６の具体的な構成を図５および図６を参照して説明する。図５は、図４のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。したがって、図５は、液晶層４０の液晶分子のプレチルトの方位角の方向に沿った概略断面図である。なお、図５には、配線や絶縁層などを省略し、要部のみを図示している。図６は、図４のＢ部を拡大して示す平面透視図である。図５は、図６のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図でもある。
【００５０】
図５に示すように、素子基板１０は対向基板２０と対向する側に第１面としての面１１ａを有する。素子基板１０の面１１ａ側の上下導通部５６には、第１凸条部としての凸条部１９が複数設けられている。対向基板２０は、素子基板１０と対向する側に第２面としての面２１ａを有する。対向基板２０の面２１ａ側の上下導通部５６には、第２凸条部としての凸条部２６が凸条部１９と対向するように複数設けられている。凸条部１９と凸条部２６とは、それぞれ同じピッチＰで配置されており、互いにピッチＰの１／２ずれて配置されている。
【００５１】
素子基板１０の凸条部１９は、第１斜面としての斜面１９ａと、第２斜面としての斜面１９ｂとを有する。素子基板１０の面１１ａに対する斜面１９ａおよび斜面１９ｂの傾斜角度θ３は、４５°以上９０°未満である。凸条部１９上には、斜面１９ａと斜面１９ｂとを覆うように、第１導通端子としての導通端子１６が形成されている。導通端子１６上には、第１無機配向膜としての配向膜１８が部分的に設けられている。具体的には、斜面１９ａにおける導通端子１６上に配向膜１８が形成されており、斜面１９ｂにおける導通端子１６上には配向膜１８が形成されていない。
【００５２】
対向基板２０の凸条部２６は、第３斜面としての斜面２６ａと、第４斜面としての斜面２６ｂとを有する。対向基板２０の面２１ａに対する斜面２６ａおよび斜面２６ｂの傾斜角度は、斜面１９ａおよび斜面１９ｂと同様にθ３である。凸条部２６上には、斜面２６ａと斜面２６ｂとを覆うように、第２導通端子としての共通電極２３が形成されている。共通電極２３上には、斜面２６ａにおいて第２無機配向膜としての配向膜２４が形成されており、斜面２６ｂにおいては配向膜２４が形成されていない。
【００５３】
凸条部１９と凸条部２６とは、導通端子１６上に配向膜１８が形成された斜面１９ａと共通電極２３上に配向膜２４が形成された斜面２６ａとが対向し、導通端子１６上に配向膜１８が形成されていない斜面１９ｂと共通電極２３上に配向膜２４が形成されていない斜面２６ｂとが対向するように配置されている。したがって、上下導通部５６において、配向膜１８と配向膜２４とが対向する斜面１９ａ，２６ａと、導通端子１６と共通電極２３とが対向する斜面１９ｂ，２６ｂとが交互に配列されている。
【００５４】
導通端子１６と共通電極２３との間には、導通粒子５８を含む接着剤５７が配置されている。導通粒子５８は、導通端子１６（素子基板１０）と共通電極２３（対向基板２０）との間で電気的導通をとるためのものである。導通粒子５８は、例えば、ファイバー状であるが、ビーズ状であってもよい。導通粒子５８の径Ｄ１は、凸条部１９と凸条部２６とが配置されるピッチＰよりも小さい。また、導通粒子５８の径Ｄ１は、後述するギャップ材４３の径Ｄ２よりも小さい。
【００５５】
斜面１９ｂにおける導通端子１６と斜面２６ｂにおける共通電極２３とは、導通粒子５８を挟んで対向配置されている。導通粒子５８が導通端子１６と共通電極２３とに接触することで、素子基板１０と対向基板２０との電気的導通が確保される。上述したように、配向膜１８および配向膜２４は酸化シリコン等の絶縁性が高く硬い無機膜からなる。そのため、導通粒子５８と導通端子１６との間に配向膜１８が介在する場合や、導通粒子５８と共通電極２３との間に配向膜２４が介在する場合には電気的導通が阻害される。
【００５６】
したがって、導通端子１６と共通電極２３との間に配置される複数の導通粒子５８のうち、斜面１９ｂ，２６ｂにおいて対向する導通端子１６と共通電極２３との間に配置された導通粒子５８は電気的導通に寄与するが、斜面１９ａ，２６ａにおいて対向する配向膜１８と配向膜２４との間に配置された導通粒子５８は電気的導通に寄与しない。
【００５７】
本実施形態では、凸条部１９と凸条部２６とがそれぞれ同じピッチＰで配置され、導通粒子５８の径が凸条部１９と凸条部２６とが配置されるピッチＰよりも小さいため、導通粒子５８を隣り合う凸条部１９同士の間および隣り合う凸条部２６同士の間に収容できる。したがって、斜面１９ｂ，２６ｂにおいて、対向する導通端子１６と共通電極２３との間に少なくとも一つの導通粒子５８を容易に挟持できる。
【００５８】
そして、凸条部１９と凸条部２６とが互いにピッチＰの１／２ずれて配置されているため、ピッチＰの１／２ずれていない場合と比べて、導通端子１６と共通電極２３とが対向する領域内における両導通端子間の距離がより均一になるので、導通端子１６と共通電極２３との間に挟持された導通粒子５８の移動を抑制できる。これにより、導通端子１６と共通電極２３との間の導通不良を抑止できる。
【００５９】
接着剤５７は、上下導通部５６において、素子基板１０と対向基板２０とを固着し、導通端子１６と共通電極２３との間で導通粒子５８を固定する。接着剤５７は、配向膜１８および配向膜２４に対して良好な密着性を有するが、導通端子１６および共通電極２３に対しては密着不良が生じ易い。本実施形態では、斜面１９ａ，２６ａにおいて対向する配向膜１８と配向膜２４との間に接着剤５７が配置されるので、密着不良の発生を抑止できる。
【００６０】
本実施形態では、素子基板１０の凸条部１９上に導通端子１６が形成され、対向基板２０の凸条部２６上に共通電極２３が形成されているので、導通端子１６および共通電極２３が平面（面１１ａおよび面２１ａ）に形成されている場合と比べて、互いに対向する導通端子１６の表面積と共通電極２３の表面積とを大きくできる。そして、配向膜１８と配向膜２４とが対向する斜面１９ａ，２６ａと、導通端子１６と共通電極２３とが対向する斜面１９ｂ，２６ｂとが交互に配列されているので、導通端子１６と共通電極２３との電気的導通を確保しつつ、素子基板１０と対向基板２０との接着強度を向上できる。
【００６１】
図６に示すように、破線で示す凸条部１９と実線で示す凸条部２６とは、配向処理方向１８ａ，２４ａと交差する方向に沿って延在している。凸条部１９，２６の延在方向と配向処理方向１８ａ，２４ａとがなす角度θ２は略９０°である。したがって、凸条部１９，２６の延在方向は、Ｘ方向に対して反時計回りにθ１＋θ２（本実施形態では、略１３５°）の角度をなす方向である。
【００６２】
配向処理方向１８ａ，２４ａと交差する方向に沿って、斜面１９ａと斜面２６ａとが対向配置された領域と、斜面１９ｂと斜面２６ｂとが対向配置された領域とが延在している。導通端子１６と共通電極２３とは、上下導通部５６の全領域に配置されている。図６において、斜線を付した領域が、導通端子１６上に配向膜１８が形成された斜面１９ｂと共通電極２３上に配向膜２４が形成された斜面２６ｂとが対向配置された領域である。
【００６３】
図５の左右方向（液晶分子のプレチルトの方位角の方向）における上下導通部５６と液晶層４０との間には、ギャップ材４３を含むシール材４２が配置されている。シール材４２は、素子基板１０（基板１１）の面１１ａから窪むように設けられた凹部１１ｂと、対向基板２０（基板２１）の面２１ａから窪むように設けられた凹部２１ｂとの間に配置されている。ギャップ材４３は、例えば、ファイバーやビーズ等からなる。
【００６４】
ギャップ材４３の径Ｄ２は、上述した導通粒子５８の径Ｄ１よりも大きい。導通粒子５８の径Ｄ１がギャップ材４３の径Ｄ２よりも大きいと、素子基板１０と対向基板２０とのギャップを適正に制御できない場合がある。本実施形態では、導通粒子５８の径Ｄ１がギャップ材４３の径Ｄ２よりも小さいので、ギャップ材４３により素子基板１０と対向基板２０とのギャップを適正に制御できる。
【００６５】
＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、液晶表示装置１の製造方法を説明する。本実施形態では、上下導通部５６以外は、公知の方法を用いて形成できる。ここでは、上下導通部５６に関わる製造工程について、対向基板２０を例に取り説明するが、その他の製造工程については説明を省略する。図７〜図１０は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。図７〜図１０は、図５と同様に、液晶層４０の液晶分子のプレチルトの方位角の方向に沿った概略断面図に相当する。なお、図７〜図１０では、図５に対して対向基板２０（基板２１）の上下が反転している。
【００６６】
まず、図７に示すように、フォトリソグラフィ法などを用いて、基板２１の面２１ａ側の一部を除去して、凹部２１ｂと複数のＶ字状の溝２１ｃとを形成する。溝２１ｃが形成されることにより隣り合う溝２１ｃ同士の間に残った部分が、凸条部２６となる。凸条部２６の断面形状は略２等辺三角形状であり、斜面２６ａと斜面２６ｂとを有する。Ｖ字状の溝２１ｃを形成する際に、形成される斜面２６ａおよび斜面２６ｂの面２１ａに対する傾斜角度θ３が４５°以上９０°未満となるように、エッチング条件を調整する。
【００６７】
続いて、基板２１上に遮光層２５（図２参照）などを形成した後、図８に示すように、基板２１の面２１ａと凹部２１ｂと凸条部２６（斜面２６ａおよび斜面２６ｂ）とを覆うように共通電極２３を形成する。共通電極２３の表面には、斜面２６ａおよび斜面２６ｂを有する凸条部２６の形状が反映される。
【００６８】
次に、図９および図１０に示すように、共通電極２３が形成された基板２１に配向膜２４を形成する。配向膜２４を形成する工程では、図９に矢印で示すように、所定の方向から斜方蒸着法を用いて、例えば、酸化シリコンを基板２１の面２１ａに対して所定の角度で蒸着させる。所定の方向は、凸条部２６の斜面２６ａに向かう方向（図９の左側から右側に向かう方向）である。所定の角度θ４は、基板２１の面２１ａに対して４５°未満の角度である。したがって、所定の角度θ４は、斜面２６ａおよび斜面２６ｂの傾斜角度θ３よりも小さい。
【００６９】
このとき、凸条部２６（斜面２６ａおよび斜面２６ｂ）が蒸着方向（所定の方向）に対して交差する方向に延在しているので、斜方蒸着により、蒸着方向に対して正面側に位置する斜面２６ａにおいて、共通電極２３の表面に酸化シリコンの柱状結晶体が蒸着方向に向かって柱状に成長する。これにより、斜面２６ａの延在方向に亘って、共通電極２３上に配向膜２４が形成される。
【００７０】
一方、斜面２６ｂは、蒸着方向に対して斜面２６ａとは反対側に位置しており、斜面２６ａの陰となる。そして、蒸着方向の所定の角度θ４が斜面２６ｂの傾斜角度θ３よりも小さいため、蒸着の指向性が高い斜方蒸着法では斜面２６ｂへの酸化シリコンの回り込みがほとんど生じないので、斜面２６ｂにおいては共通電極２３の表面に配向膜２４が形成されない。これにより、斜面２６ｂにおいては、共通電極２３が露出したままの状態となる。
【００７１】
ここで、上下導通部５６において、基板２１に凸条部２６が形成されておらず、共通電極２３が平面（面２１ａ）上に形成されている場合を想定する。この場合、そのまま斜方蒸着により配向膜２４を形成すると共通電極２３が配向膜２４で覆われてしまう。酸化シリコンなどからなる配向膜２４は硬いため、配向膜２４を突き破って導通粒子５８を共通電極２３に接触させることは困難である。そのため、形成後に配向膜２４の一部を除去するか、または、共通電極２３の一部をマスク等で覆って配向膜２４が形成されない部分を残すようにする必要がある。しかしながら、いずれの方法も、配向膜２４を形成する工程における工数が増加するとともに歩留まり低下を招くおそれがある。
【００７２】
これに対して、本実施形態では、対向基板２０に凸条部２６を形成し、凸条部２６の斜面２６ａと斜面２６ｂとの上に共通電極２３を形成して、配向膜２４を形成する工程において斜方蒸着法により配向膜２４を形成するので、斜面２６ａにおいてのみ共通電極２３上に選択的に配向膜２４を形成できる。また、蒸着方向の所定の角度θ４が斜面２６ｂの傾斜角度θ３よりも小さいため、斜面２６ｂにおいては、共通電極２３上に配向膜２４が形成されない。したがって、斜面２６ａにおいて共通電極２３の表面に配向膜２４が配置され、斜面２６ｂにおいては共通電極２３の表面に配向膜２４が配置されない構成を、容易かつ確実に実現できる。
【００７３】
図示を省略するが、素子基板１０についても、対向基板２０と同様にして、基板１１に斜面１９ａと斜面１９ｂとを有する凸条部１９と、凹部１１ｂとを形成する。そして、ＴＦＴ３０や画素電極１５（図２参照）を形成した後に、凸条部１９を覆うように導通端子１６を形成する。なお、導通端子１６は、画素電極１５を形成する工程で形成してもよいし、画素電極１５を形成する前に形成してもよい。そして、基板１１に対して凸条部１９の斜面１９ａに向かう方向から斜方蒸着法により配向膜１８を形成する。この結果、図５に示すように、蒸着方向に対して正面側に位置する斜面１９ａにおいてのみ、導通端子１６上に配向膜１８が形成される。
【００７４】
素子基板１０に配向膜１８を形成し、対向基板２０に配向膜２４を形成した後、素子基板１０と対向基板２０の少なくとも一方の表示領域Ｅの周囲にギャップ材４３を含むシール材４２を塗布し、上下導通部５６に導通粒子５８を含む接着剤５７を塗布する。そして、素子基板１０と対向基板２０とをギャップ材４３が素子基板１０および対向基板２０の双方に当接するまで押圧して貼り合せる。
【００７５】
これにより、上下導通部５６においては、導通粒子５８が、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持され、導通端子１６と共通電極２３との双方に接触する。このとき、導通粒子５８の径Ｄ１がギャップ材４３の径Ｄ２よりも小さいので、ギャップ材４３により素子基板１０と対向基板２０とのギャップを適正に制御できる。そして、素子基板１０と対向基板２０とシール材４２とで構成される空間に液晶を封入することにより、液晶表示装置１が完成する。素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せる前にシール材４２で囲まれた領域に液晶を配置することとしてもよい。
【００７６】
図５に、完成した液晶表示装置１における配向膜１８の配向処理方向１８ａと配向膜２４の配向処理方向２４ａとを矢印で示す。配向処理方向１８ａおよび配向処理方向２４ａは、配向膜１８及び配向膜２４において、酸化シリコンの柱状結晶体が傾斜する方向、すなわち、斜方蒸着法により形成された柱状結晶体が成長した方向である。
【００７７】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶表示装置の構成およびその製造方法では、上下導通部５６において、凸条部１９の斜面１９ａにおける導通端子１６上と凸条部２６の斜面２６ａにおける共通電極２３上とに選択的に配向膜１８，２４を形成し、凸条部１９の斜面１９ｂにおける導通端子１６上と凸条部２６の斜面２６ｂにおける共通電極２３上とには配向膜１８，２４を形成せず、導通端子１６と共通電極２３とが露出した状態にできる。したがって、導通端子１６と共通電極２３との電気的導通を確保しつつ、素子基板１０と対向基板２０との接着強度が向上した液晶表示装置１を安定的に製造することができる。
【００７８】
（第２の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第２の実施形態に係る電子機器について図１１を参照して説明する。図１１は、第２の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。
【００７９】
図１１に示すように、第２の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクター（投写型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１１６と、投写レンズ１１７とを備えている。
【００８０】
偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌｘに沿って配置されている。
【００８１】
ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８２】
ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。
【００８３】
光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。
【００８４】
クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１１７によってスクリーン１３０上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００８５】
液晶ライトバルブ１２１は、第１の実施形態の液晶表示装置１が適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。
【００８６】
第２の実施形態に係るプロジェクター１００の構成によれば、小型化されコスト競争力がある液晶表示装置１を備えているので、小型化でコスト競争力があるプロジェクター１００を提供することができる。
【００８７】
上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形および応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。
【００８８】
（変形例１）
第１の実施形態に係る液晶表示装置１では、素子基板１０の凸条部１９と対向基板２０の凸条部２６とを、基板１１，２１の面１１ａ，２１ａの一部を除去して形成したが、本発明は、このような形態に限定されない。基板１１，２１の面１１ａ，２１ａ上に、面１１ａ，２１ａから突出する凸条部１９，２６を形成する構成としてもよい。
【００８９】
（変形例２）
第１の実施形態に係る液晶表示装置１を適用可能な電子機器は、プロジェクター１００に限定されない。液晶表示装置１は、例えば、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９０】
１…液晶表示装置（電気光学装置）、１０…素子基板、１１…基板（第１基板）、１１ａ…面（第１面）、１６…導通端子（第１導通端子）、１９…凸条部（第１凸条部）、１９ａ…斜面（第１斜面）、１９ｂ…斜面（第２斜面）、２０…対向基板、２１…基板（第２基板）、２１ａ…面（第２面）、２３…共通電極（第２導通端子）、２６…凸条部（第２凸条部）、２６ａ…斜面（第３斜面）、２６ｂ…斜面（第４斜面）、４０…液晶層（電気光学層）、４２…シール材、４３…ギャップ材、５７…接着剤、５８…導通粒子、１００…プロジェクター（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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