(57)【要約】【課題】  記録容量や記録品質の向上が可能な磁気ディスク装置を提供することである。【解決手段】  本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、ディスクに記録磁界を印加する主磁極と、主磁極に対して第１方向に沿って設けられ、第１方向に沿う磁化方向の磁界を有するサイドシールドとを有するヘッドと、サイドシールドの磁界に応じて、第１電流の大きさと、第１電流と電流の向きが反対の第２電流の大きさとが異なる記録電流をヘッドに出力するコントローラと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクと、
前記ディスクに記録磁界を印加する主磁極と、前記主磁極に対して第１方向に沿って設けられ、前記第１方向に沿う磁化方向の磁界を有するサイドシールドとを有するヘッドと、
前記サイドシールドの磁界に応じて、第１電流の大きさと、前記第１電流と電流の向きが反対の第２電流の大きさとが異なる記録電流を前記ヘッドに出力するコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記ディスクの径方向において、第１トラックの一部に第２トラックを重ね書きする、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記第１電流が前記第２電流よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１、又は２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記第１電流は、第１振幅と、前記第１振幅よりも大きい第２振幅とを有し、
前記第２電流は、第３振幅と、前記第３振幅よりも大きい第４振幅とを有し、
前記コントローラは、前記第１振幅が前記第３振幅よりも大きく、且つ前記第２振幅が前記第４振幅よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記第１電流は、第１振幅と、前記第１振幅よりも大きい第２振幅とを有し、
前記第２電流は、第３振幅と、前記第３振幅よりも大きい第４振幅とを有し、
前記コントローラは、前記第１振幅が前記第３振幅と同じであり、且つ前記第２振幅が前記第４振幅よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記第１電流は、第１振幅と、前記第１振幅よりも大きい第２振幅とを有し、
前記第２電流は、第３振幅と、前記第３振幅よりも大きい第４振幅とを有し、
前記コントローラは、前記第１振幅が前記第３振幅よりも大きく、且つ前記第２振幅が前記第４振幅と同じ前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記第２電流が前記第１電流よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１、又は２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記第１電流は、第１振幅と、前記第１振幅よりも大きい第２振幅とを有し、
前記第２電流は、第３振幅と、前記第３振幅よりも大きい第４振幅とを有し、
前記コントローラは、前記第３振幅が前記第１振幅よりも大きく、且つ前記第４振幅が前記第２振幅よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記第１電流は、第１振幅と、前記第１振幅よりも大きい第２振幅とを有し、
前記第２電流は、第３振幅と、前記第３振幅よりも大きい第４振幅とを有し、
前記コントローラは、前記第３振幅が前記第１振幅と同じであり、且つ前記第４振幅が前記第２振幅よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記第１電流は、第１振幅と、前記第１振幅よりも大きい第２振幅とを有し、
前記第２電流は、第３振幅と、前記第３振幅よりも大きい第４振幅とを有し、
前記コントローラは、前記第３振幅が前記第１振幅よりも大きく、且つ前記第４振幅が前記第２振幅と同じ前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記第１電流は、正の電流であり、
前記第２電流は、負の電流である、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１２】
前記ディスクは、周方向に沿って径方向に変動する第１トラックエッジと、径方向で前記第１トラックエッジと反対側に周方向に沿って延長する第２トラックエッジとを有する第１トラックを有している、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１３】
前記ディスクは、周方向に沿って延長する第１トラックエッジを有する第１トラックと、径方向で前記第１トラックエッジの反対側に重ね書きされ、径方向の前記第１トラック側で周方向に沿って延長する第２トラックエッジと径方向で前記第２トラックエッジと反対側に周方向に沿って径方向に変動する第３トラックエッジと有する第２トラックとを有している、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１４】
ディスクと、
前記ディスクに記録磁界を印加する主磁極と、前記主磁極に対して第１方向に沿って設けられ、前記第１方向に沿う磁化方向の磁界を有するサイドシールドとを有するヘッドと、
前記サイドシールドの磁界に応じて、第１電流の大きさと、前記第１電流と電流の向きが反対の第２電流の大きさとが異なる記録電流を前記ヘッドに出力する集積回路と、
前記記録電流を制御するコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
【請求項１５】
前記コントローラは、前記ディスク１０の径方向において、第１トラックの一部に第２トラックを重ね書きする、請求項１４に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１６】
前記集積回路は、前記第１電流が前記第２電流よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１４、又は１５に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１７】
前記集積回路は、前記第２電流が前記第１電流よりも大きい前記記録電流を前記ヘッドに出力する、請求項１４、又は１５に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、主磁極、ライトシールド、及びサイドシールドを有するライトヘッドを備えている。磁気ディスク装置は、ライトヘッドに記録電流を印可することで記録磁界を励起し、ライトヘッドの主磁極の直下のディスクの記録層にデータを記録する。サイドシールドは、ライトシールドと一体に形成され、主磁極のクロストラック方向に位置している。サイドシールドは、クロストラック方向において、一方向に着磁されている。そのため、ライトヘッドには、クロストラック方向において、記録磁界の磁束が流れ易い磁化容易方向と、記録磁界の磁束が流れ難い磁化困難方向とが存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第８６８７３１１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／０２５０１７４号明細書
【特許文献３】米国特許第８８６７１６１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、記録容量や記録品質の向上が可能な磁気ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに記録磁界を印加する主磁極と、前記主磁極に対して第１方向に沿って設けられ、前記第１方向に沿う磁化方向の磁界を有するサイドシールドとを有するヘッドと、前記サイドシールドの磁界に応じて、第１電流の大きさと、前記第１電流と電流の向きが反対の第２電流の大きさとが異なる記録電流を前記ヘッドに出力するコントローラと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、データがライトされた瓦記録領域の一例を示す模式図である。
【図３】図３は、ディスク及びヘッドの一例を示す拡大断面図である。
【図４】図４は、ディスク対向面側から観察したヘッドの下面の一例を示す平面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図３のＶ−Ｖ線に沿って切断した主磁極の先端部とサイドシールドとの一例を模式的に示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図３のＶ−Ｖ線に沿って切断した主磁極の先端部とサイドシールドとの一例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、データのライト処理の制御の一例を示す概要図である。
【図７】図７は、正負で同じ大きさの記録電流の波形の一例を示す図である。
【図８】図８（ａ）は、サイドシールドの磁化方向の磁界が作用した記録磁界によりライトした記録ビットの配置の一例を示す模式図であり、図８（ｂ）は、サイドシールドの磁化方向の磁界が作用した記録磁界によりライトした記録ビットの配置の一例を示す模式図である。
【図９】図９は、負の記録電流よりも正の記録電流を大きくした記録電流の波形の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、負の記録電流よりも正の記録電流を大きくした記録電流の波形の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、負の記録電流よりも正の記録電流を大きくした記録電流の波形の一例を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図であり、図１２（ｂ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図である。
【図１３】図１３（ａ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図であり、図１３（ｂ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図である。
【図１４】図１４は、それぞれ、本実施形態に係る正負で異なる大きさの記録電流の波形の一例を示す図である。
【図１５】図１５（ａ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図であり、図１５（ｂ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図である。
【図１６】図１６は、記録電流と誤り率との関係を示す図である。
【図１７】図１７は、記録電流と誤り率との関係を示す図である。
【図１８】図１８は、記録電流の調整方法の一例を示すフローチャートである。
【図１９】図１９は、本実施形態に係るデータのライト方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。  
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。  
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（head-disk assembly：ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（ホスト）１００と接続される。
【０００８】
ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスク）１０と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１４とを有する。ディスク１０は、スピンドルモータ１２により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０上の目標半径位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。
【０００９】
ディスク１０は、データ領域に、瓦記録領域（（Shingled Magnetic Recording：ＳＭＲ）領域）１０ｓと、メディアキャッシュ（media cache）領域１０ｍと、が割り当てられている。瓦記録領域１０ｓは、ホスト１００からライト要求されたユーザデータ等が記録される。メディアキャッシュ領域１０ｍは、瓦記録領域１０ｓのキャッシュとして利用され得る。瓦記録領域１０ｓは、トラックの一部に次にライトされたトラック（ライトトラック）が重ね書きされている記録領域である。このように複数のトラックが重ね書きされていることで、瓦記録領域１０ｓのトラック密度（Track Per Inch：ＴＰＩ）は、重ね書きされていない通常の記録領域のトラック密度よりも高くなる。瓦記録領域１０ｓにおいて、複数のトラックが重ね書きされたトラック群をバンド領域と称する。バンド領域は、隣接トラックの一部分に重ね書きされた少なくとも１つのトラック（瓦記録トラック）と、最後に重ね書きされたトラック（最終トラック）とを含む。最終トラックは、他のトラックを重ね書きされていないため、瓦記録トラックよりもトラック幅が広い。瓦記録領域１０ｓは、複数のバンド領域を含み得る。以下で、データのライト時のヘッド１５のトラックをライトトラックと称する。また、重ね書きされた領域を除いた残りのライトトラックの領域をリードトラックと称する。なお、“トラック”という用語を“ライトトラック”及び“リードトラック”を含む用語として用いる場合もある。トラックは、複数の記録ビットを含む。
【００１０】
図２は、データがライトされた瓦記録領域１０ｓの一例を示す模式図である。図２において、横軸をディスク１０の周方向（以下、単に、周方向と称する）とし、縦軸を周方向に対して直交するディスク１０の径方向とする。周方向は、ディスク１０の回転方向（以下、単に、回転方向と称する）と平行な方向である。周方向において、一方向を前方ＦＤとし、前方と反対方向を後方ＢＤとする。また、周方向において、データをライトする方向を進行方向と称する。例えば、進行方向は、回転方向と反対方向である。図２において、進行方向は、前方ＦＤと同じ方向である。なお、進行方向は、後方ＢＤと同じ方向であってもよい。径方向において、ディスク１０の内周から外周へ向かう方向を外側ＯＤとし、外側ＯＤと反対方向を内側ＩＤとする。また、径方向において、データをライトする方向を順方向と称する。図２おいて、順方向は、外側ＯＤと同じ方向である。なお、順方向は、内側ＩＤと同じ方向であってもよい。
【００１１】
図２には、瓦記録領域１０ｓにライトされたバンド領域ＢＡを示している。図２では、説明の便宜上、各トラックをあるトラック幅で周方向に沿って延出する直線で示しているが、実際には周方向に沿った曲線である。また、図２において、各トラックは、外乱やその他の構造等の影響によるずれ等を含まないものとする。
【００１２】
図２には、ライトトラックＷｔ１、Ｗｔ２、及びＷｔ３を示している。ライトトラックＷｔ１は、トラックエッジｉｇ１１とトラックエッジｉｇ１２とを有している。図示した例では、トラックエッジｉｇ１１は、ライトトラックＷｔ１の順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部であり、トラックエッジｉｇ１２は、ライトトラックＷｔ２の順方向（外側ＯＤ）の端部である。ライトトラックＷｔ２は、トラックエッジｉｇ２１とトラックエッジｉｇ２２とを有している。図示した例では、トラックエッジｉｇ２１は、ライトトラックＷｔ１の順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部であり、トラックエッジｉｇ２２は、ライトトラックＷｔ２の順方向（外側ＯＤ）の端部である。ライトトラックＷｔ３は、トラックエッジｉｇ３１とトラックエッジｉｇ３２と有している。図示した例では、トラックエッジｉｇ３１は、ライトトラックＷｔ１の順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部であり、トラックエッジｉｇ３２は、ライトトラックＷｔ２の順方向（外側ＯＤ）の端部である。
【００１３】
図２において、ライトトラックＷｔ１のトラック幅（以下、単に、ライトトラック幅と称する）Ｗｔｗ１１は、トラックエッジｉｇ１１及びｉｇ１２の間の径方向の幅である。ライトトラック幅Ｗｔｗ２１は、トラックエッジｉｇ２１及びｉｇ２２の間の径方向の幅である。ライトトラック幅Ｗｔｗ３１は、トラックエッジｉｇ３１及びｉｇ３２の間の径方向の幅である。また、図２には、ライトトラックＷｔ１のトラックセンタＷｔｃ１と、ライトトラックＷｔ２のトラックセンタＷｔｃ２と、ライトトラックＷｔ３のトラックセンタＷｔｃ３とを示している。トラックセンタＷｔｃ１、Ｗｔｃ２、及びＷｔｃ３は、それぞれ、各トラックの周方向の各位置で、ライトトラック幅Ｗｔｗ１１、Ｗｔｗ２１、及びＷｔｗ３１の中心位置を通る軌道である。図示した例では、トラックセンタＷｔｃ１、Ｗｔｃ２、及びＷｔｃ３は、周方向に沿って直線で示しているが、実際にはディスク１０の周方向に沿った曲線である。  
また、図２には、リードトラックＲｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３を示している。リードトラックＲｔ１は、ライトトラックＷｔ１に対応し、リードトラックＲｔ２は、ライトトラックＷｔ２に対応し、リードトラックＲｔ３は、ライトトラックＷｔ３に対応する。図２には、リードトラックＲｔ１の径方向のトラック幅（以下、単に、リードトラック幅と称する）Ｒｔｗ１１と、リードトラックＲｔ２のリードトラック幅Ｒｔｗ２１と、リードトラックＲｔ３のリードトラック幅Ｒｔｗ３１とを示している。リードトラック幅Ｒｔｗ１１は、トラックエッジｉｇ１１からトラックエッジｉｇ２１までの径方向の幅である。つまり、リードトラック幅Ｒｔｗ１１は、リードトラックＲｔ１とリードトラックＲｔ２とのトラックピッチである。リードトラック幅Ｒｔｗ２１は、トラックエッジｉｇ２１からトラックエッジｉｇ３１までの径方向の幅である。つまり、リードトラック幅Ｒｔｗ２１は、リードトラックＲｔ２とリードトラックＲｔ３とのトラックピッチである。リードトラック幅Ｒｔｗ３１は、トラックエッジｉｇ３１からトラックエッジｉｇ３２までの径方向の幅である。つまり、リードトラック幅Ｒｔｗ３１は、ライトトラック幅Ｗｔｗ３１である。以下で、リードトラックＲｔ１及びＲｔ２を瓦記録トラックと称し、リードトラックＲｔ３を最終トラックと称する場合もある。
【００１４】
バンド領域ＢＡは、瓦記録トラックＲｔ１及びＲｔ２と最終トラックＲｔ３とを含む。図示していないが、瓦記録トラックＲｔ１及びＲｔ２と最終トラックＲｔ３とは、それぞれ、複数のセクタに区分されている。  
瓦記録トラックＲｔ１は、順方向に隣接するライトトラックＷｔ２が重ね書きされているライトトラックＷｔ１の一部以外の残りのライトトラックＷｔ１である。瓦記録トラックＲｔ２は、順方向に隣接するライトトラックＷｔ３が重ね書きされているライトトラックＷｔ２の一部以外の残りのライトトラックＷｔ２である。最終トラックＲｔ３は、瓦記録トラックＲｔ２の一部に重ね書きされているライトトラックＷｔ３である。図２において、瓦記録トラックＲｔ１及びＲｔ２のトラック幅Ｒｔｗ１１及びＲｔｗ２１は、ほぼ同じである。最終トラックＲｔ３のトラック幅Ｒｔｗ３１は、瓦記録トラックＲｔ１及びＲｔ２のトラック幅Ｒｔｗ１及びＲｔｗ２よりも大きい。また、バンド領域ＢＡは、３つのトラックを含むように記載したが、３つ未満、又は３つよりも多くのトラックを含んでいてもよい。
【００１５】
図１に示すように、ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。  
ヘッドアンプＩＣ３０は、リードアンプ３１及びライトドライバ３３を備えている。リードアンプ３１は、ディスク１０からリードされたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０）に出力する。ライトドライバ３３は、システムコントローラ１３０から出力されるライトデータに応じた記録電流（ライト電流）をヘッド１５に出力する。また、ライトドライバ３３は、システムコントローラ１３０、例えば、ＭＰＵ６０からの制御信号に応じて記録電流値の大きさを変化させる。なお、ライトドライバ３３は、システムコントローラ１３０からの制御信号に応じた記録電流を供給する電源を含んでいてもよい。また、ヘッドアンプＩＣ３０は、ライトドライバ３３とは別に、この電源を備えていてもよい。
【００１６】
ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗ、及びリードヘッド１５Ｒを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ライトドライバ３３から出力された記録電流に応じてディスク１０上にデータを書き込む（ライトする）。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０上のデータトラックにライトされているデータを読み込む（リードする）。
【００１７】
図３は、ディスク１０及びヘッド１５の一例を示す拡大断面図である。以下で、ヘッド１５からディスク１０へ向かう方向を下方向と称し、ディスク１０からヘッド１５へ向かう方向を上方向と称する。図３において、ディスク１０の回転方向Ｂと空気流Ｃの方向とは一致している。
【００１８】
図示した例では、ディスク１０は、基板１１１と、軟磁性層１１２と、磁気記録層１１３と、保護膜層１１４とが順に積層されている。基板１１１は、円板状の非磁性体で形成されている。軟磁性層１１２は、基板１１１の上方に軟磁気特性を示す材料で形成されている。磁気記録層１１３は、軟磁性層１１２の上方にディスク１０の表面に対して垂直方向に磁気異方性を有する。保護膜層１１４は、磁気記録層１１３の上方に形成されている。
【００１９】
図示した例では、ヘッド１５は、スライダ１５０を備えている。スライダ１５０は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（アルチック）とで形成されている。スライダ１５０は、ディスク１０の表面に対向するディスク対向面（エア・ベアリング・サーフェイス（ＡＢＳ））１５１と、空気流Ｃの流出側に位置するトレーリング端１５３とを有している。リードヘッド１５Ｒおよびライトヘッド１５Ｗの一部は、ディスク対向面１５１に露出している。
【００２０】
リードヘッド１５Ｒは、磁性膜１６１と、シールド膜１６２と、シールド膜１６３とで構成されている。磁性膜１６１は、シールド膜１６２とシールド膜１６３との間に位置し、磁気抵抗効果を生じる。シールド膜１６２は、磁性膜１６１に対してトレーリング端１５３側に位置する。シールド膜１６３は、シールド膜１６２と対向している。磁性膜１６１、シールド膜１６２、及びシールド膜１６３の下端は、ディスク対向面１５１に露出している。
【００２１】
ライトヘッド１５Ｗは、リードヘッド１５Ｒに対して、スライダ１５０のトレーリング端１５３側に設けられている。ライトヘッド１５Ｗは、主磁極１７１と、トレーリングシールド（ライトシールド）１７２と、主磁極１７１に磁束を流すために主磁極１７１およびライトシールド１７２を含む磁気回路に巻きつくように配置された記録コイル１８０を備えている。
【００２２】
主磁極１７１は、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。主磁極１７１は、ディスク１０の磁気記録層１０３を磁化させるために、ディスク１０の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる。図示した例では、主磁極１７１は、ＡＢＳ１５１に対してほぼ垂直に延出している。主磁極１７１において、ＡＢＳ１５１側を先端部１７１ａと称する。先端部１７１ａの下面は、ＡＢＳ１５１に露出している。主磁極１７１の先端部１７１ａは、ＡＢＳ１５１に向かって先細に絞り込まれ、他の部分に対して幅の狭い柱状に形成されている。主磁極１７１の先端部１７１ａのクロストラック方向（トラック幅方向（第１方向））の幅は、ライトトラックのトラック幅にほぼ対応している。クロストラック方向は、トラックに直交する方向である。例えば、クロストラック方向は、ディスク１０の径方向に沿った方向である。
【００２３】
ライトシールド１７２は、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。ライトシールド１７２は、主磁極１７１直下の軟磁性層１１２を介して効率的に磁路を閉じるために設けられている。ライトシールド１７２は、主磁極１７１に対してトレーリング端１５３側に位置している。ライトシールド１７２は、絶縁体１７３を介して主磁極１７１に連結している。主磁極１７１とライトシールド１７２とは、電気的に絶縁され、且つ磁気回路を形成している。ライトシールド１７２は、略Ｌ字形状に形成され、主磁極１７１の先端部１７１ａにライトギャップを置いて対向する先端部１７２ａを有している。先端部１７２ａの下面は、スライダ１５０のＡＢＳ１５１に露出している。
【００２４】
記録コイル１８０は、主磁極１７１に磁束を流すために主磁極１７１およびライトシールド１７２を含む磁気回路に巻きつくように設けられている。記録コイル１８０は、例えば、主磁極１７１とライトシールド１７２との間に設けられている。記録コイル１８０は、ライトドライバ３３に接続されている。
【００２５】
ライトドライバ３３から記録コイル１８０に供給される記録電流は、システムコントローラ１３０、例えば、ＭＰＵ６０によって制御される。ライトドライバ３３から記録コイル１８０にある大きさの電流が供給されることで、主磁極１７１及びライトシールド１７２に記録磁界が励起される。そのため、主磁極１７１及びライトシールドが磁化される。この磁化された主磁極１７１及びライトシールド１７２を流れる磁束によりディスク１０の記録層１１３の記録ビットの磁化方向を変化させることで、ディスク１０に記録電流に応じた磁化パターンを記録する。以下で、“記録ビットの磁化方向を変化させる”ことを“記録ビットをライトする“ことと表現する場合もある。
【００２６】
図４は、ディスク対向面ＡＢＳ１５１側から観察したヘッド１５の下面の一例を示す平面図である。図４は、データをディスク１０にライトしていない時のライトシールド１７２及びサイドシールド１７５の磁化方向の一例を示している。図４には、ライトしていない時のライトシールド１７２の磁化方向ＭＧ１、サイドシールド１７４の磁化方向ＭＧ２、サイドシールド１７５の磁化方向ＭＧ３を示している。また、図４には、クロストラック方向Ｘｄを示している。
【００２７】
ライトヘッド１５Ｗは、主磁極１７１のクロストラック方向Ｘｄの両側に設けられたサイドシールド１７４、１７５を備えている。サイドシールド１７４、１７５は、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなり、ライトシールド１７２に連結されている。図示した例では、サイドシールド１７４、１７５は、ライトシールド１７２と一体に形成されている。また、サイドシールド１７４とサイドシールド１７５とは、クロストラック方向Ｘｄにおいて、主磁極１７１を間に挟んで対向している。換言すると、サイドシールド１７４とサイドシールド１７５とは、主磁極１７１に対してクロストラック方向Ｘｄに沿って設けられている。ライトシールド１７２とサイドシールド１７４、１７５とは、主磁極１７１から物理的に分断している。
【００２８】
ライトシールド１７２とサイドシールド１７４、１７５とは、ディスク１０の方向に意図しない磁界を生じないように、ライトしていない時の磁化方向を固定（着磁）されている。例えば、ライトシールド１７２、サイドシールド１７４、及びサイドシールド１７５の磁化方向ＭＧ１、ＭＧ２、及びＭＧ３は、ディスク１０の表面と平行な方向、例えば、クロストラック方向Ｘｄに固定されている。図示した例では、磁化方向ＭＧ１、ＭＧ２及びＭＧ３は、クロストラック方向Ｘｄにおいて、サイドシールド１７４からサイドシールド１７５へ向かう方向である。ライトシールド１７２及びサイドシールド１７４、１７５は、１つの磁石のような挙動をとる。そのため、以下で、ライトシールド１７２、サイドシールド１７４、及びサイドシールド１７５の磁化方向ＭＧ１、ＭＧ２及びＭＧ３をまとめて磁化方向ＭＧＨと称する。
【００２９】
図５Ａ及び図５Ｂは、図３のＶ−Ｖ線に沿って切断した主磁極１７１の先端部１７１ａとサイドシールド１７４、１７５との一例を模式的に示す断面図である。図５Ａ及び図５Ｂは、データをディスク１０にライトしている時の主磁極１７１及びサイドシールド１７４、１７５でのクロストラック方向Ｘｄの磁束の流れの一例を模式的に示している。図５Ａ及び図５Ｂは、互いにライトヘッド１５Ｗで生じた記録磁界の磁気的な極性が反転した状態を示している。すなわち、図５Ａ及び図５Ｂは、互いにライトヘッド１５Ｗで生じた記録磁界の磁束が反対方向に流れている。また、図５Ａ及び図５Ｂにおいて、サイドシールド１７４及び１７５の磁化方向ＭＧＨは、同じである。なお、説明の便宜上、図５Ａには、２つ磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２のみを示しているが、他にも多くの磁束の流れが生じている。同様に、図５Ｂには、２つの磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２のみを示しているが、他にも多くの磁束の流れが生じている。また、以下で、“磁束の流れ”を単に“磁束”と表現する場合もある。  
主磁極１７１の記録磁界の磁束の流れる方向（極性）は、記録コイル１８０に印加される記録電流の方向の変化（正負の変化、又は極性反転）に応じて反転する。
【００３０】
図５Ａは、クロストラック方向Ｘｄの記録磁界の磁束の流れＭＳ１、ＭＳ２の一例を模式的に示す図である。図示した例では、記録磁界の磁束の流れＭＳ１は、主磁極１７１からディスク１０へ向かい、ディスク１０の軟磁性層１１２を通ってサイドシールド１７４へ向かい、サイドシールド１７４を通って主磁極１７１に戻ってくる。同様に、記録磁界の磁束の流れＭＳ２は、主磁極１７１からディスク１０へ向かい、ディスク１０の軟磁性層１１２を通ってサイドシールド１７５へ向かい、サイドシールド１７５を通って主磁極１７１に戻ってくる。この場合、サイドシールド１７４、１７５の磁化方向ＭＧＨは、クロストラック方向Ｘｄにおいて、サイドシールド１７４からサイドシールド１７５へ向かう方向である。磁束の流れＭＳ１は、磁化方向ＭＧＨと同じ方向に流れている。そのため、磁束の流れＭＳ１は、磁化方向ＭＧＨの磁界の作用により流れ易い。一方、磁束の流れＭＳ２は、磁化方向ＭＧＨと反対方向に流れている。そのため、磁束の流れＭＳ２は、磁化方向ＭＧＨの磁界の作用により流れ難い。
【００３１】
図５Ｂは、図５Ａと反対向きのクロストラック方向Ｘｄの記録磁界の磁束の流れＭＮ１、ＭＮ２の一例を模式的に示す図である。図示した例では、記録磁界の磁束の流れＭＮ１は、主磁極１７１からサイドシールド１７４へ向かい、サイドシールド１７４からディスク１０へ向かい、ディスク１０の軟磁性層１１２を通って主磁極１７１に戻ってくる。同様に、記録磁界の磁束の流れＭＮ２は、主磁極１７１からサイドシールド１７５へ向かい、サイドシールド１７５からディスク１０へ向かい、ディスク１０の軟磁性層１１２を通って主磁極１７１に戻ってくる。この場合、サイドシールド１７４、１７５の磁化方向ＭＧＨは、クロストラック方向Ｘｄにおいて、サイドシールド１７４からサイドシールド１７５へ向かう方向である。磁束の流れＭＮ１は、磁化方向ＭＧＨと反対方向に流れている。そのため、磁束の流れＭＮ１は、磁化方向ＭＧＨの磁界の作用により流れ難い。一方、磁束の流れＭＮ２は、磁化方向ＭＧＨと同じ方向に流れている。そのため、磁束の流れＭＮ２は、磁化方向ＭＧＨの磁界の作用により流れ易い。
【００３２】
図５Ａ及び図５Ｂに示したように、サイドシールド１７４、１７５での磁化方向ＭＧＨの磁界が記録磁界に作用することにより、記録磁界の磁束が流れ易い磁化容易方向ＥＤと、記録磁界の磁束が流れ難い磁化困難方向ＤＤとが生じ得る。このように磁化方向ＭＧＨの磁界が記録磁界に作用した場合、ライトヘッド１５Ｗは、あるトラックの目標位置から磁化容易方向にずれた位置に記録ビットをライトし得る。つまり、磁化方向ＭＧＨの磁界が記録磁界に作用した場合、ライトヘッド１５Ｗは、あるトラックの目標位置から磁化容易方向ＥＤにシフトした位置にデータをライトする。磁化容易方向ＥＤ及び磁化困難方向ＤＤは、記録磁界の磁束の流れる方向と、サイドシールド１７４、１７５での磁界の磁化方向ＭＧＨとに基づいて決定される。図５Ａと図５Ｂとに示した例では、サイドシールド１７４、１７５の磁化方向ＭＧＨは同じであるが、磁束の流れが反対向きであるために、磁化容易方向ＥＤ及び磁化困難方向ＤＤは、それぞれ、互いに反対向きになっている。
【００３３】
図１において、揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。
【００３４】
不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。
【００３５】
バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。
【００３６】
システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(SoC)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）５０と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０とを含む。
【００３７】
Ｒ／Ｗチャネル４０は、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル４０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。  
ＨＤＣ５０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル４０との間のデータ転送を制御する。  
ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを行なうサーボ制御を実行する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるライトデータの保存先を選択する。
【００３８】
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１と、記録電流制御部６３と、調整部６５とを含む。ＭＰＵ６０は、これら各部の処理をファームウェア上で実行してもよい。  
リード／ライト制御部６１は、ホスト１００からのコマンドに従って、データのリード処理およびライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の目標位置に位置決めし、リード処理又はライト処理を実行する。例えば、リード／ライト制御部６１は、ライト処理を実行する際に、各トラックのトラックセンタを目標位置として、瓦記録を実行する。
【００３９】
図６は、データのライト処理の制御の一例を示す概要図である。図６には、ディスク１０の径方向の内周ＩＣ、切り換え位置ＣＣ、メディアキャッシュ領域１０ｍと瓦記録領域１０ｓとの境界位置ＢＰ、及びディスク１０の径方向の外周ＯＣを示している。また、図６には、内周ＩＣから外周ＯＣへ向かう外側ＯＤと、外周ＯＣから内周ＣＩへ向かう内側ＩＤとを示している。切り換え位置ＣＣは、径方向においてデータをライトする方向（順方向）を切り換える位置である。切り換え位置ＣＣは、内周ＩＣと境界位置ＢＰとの間に位置している。例えば、切り換え位置ＣＣは、ディスク１０の周方向に対するヘッド１５の傾きであるスキュ角がほぼ０になる位置である。なお、切り換え位置ＣＣは、ヘッドや磁気ディスク装置毎に異なる位置に設定されていてもよい。
【００４０】
リード／ライト制御部６１は、順方向を外側ＯＤ又は内側ＩＤに切り換えてデータをライトする。一例として、リード／ライト制御部６１は、内周ＩＣから切り換え位置ＣＣまで外側ＯＤにデータを瓦記録した後に、境界位置ＢＰから切り換え位置ＣＣまで内側ＩＤにデータを瓦記録する。また、リード／ライト制御部６１は、境界位置ＢＰから切り換え位置ＣＣまで内側ＩＤにデータを瓦記録した後に、内周ＩＣから切り換え位置ＣＣまで外側ＯＤにデータを瓦記録してもよい。このように、リード／ライト制御部６１は、順方向を切り換え位置ＣＣで外側ＯＤ、又は内側ＩＤに切り換えて瓦記録することで、ディスク１０の内周ＩＣの近傍のトラックと外周ＯＣの近傍のトラックとで生じるスキュ角の差異によるトラック幅等への影響を抑制することができる。なお、リード／ライト制御部６１は、順方向を切り換え位置ＣＣで外側ＯＤ又は内側ＩＤに切り換えるとしたが、順方向を切り換えなくともよい。例えば、リード／ライト制御部６１は、順方向を内側ＩＤ又は外側ＯＤのいずれか一方に固定してデータを瓦記録してもよい。なお、リード／ライト制御部６１は、瓦記録ではない通常のライト処理を実行してもよい。
【００４１】
記録電流制御部６３は、ヘッドアンプＩＣ３０（詳細には、ライトドライバ３３）からライトヘッド１５Ｗに出力する記録電流を制御し、ライトヘッド１５Ｗでこの記録電流に応じた記録磁界を発生させる。すなわち、記録電流制御部６３は、ライトヘッド１５Ｗを介して記録電流に応じたデータをディスク１０にライトする。例えば、記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、記録電流を制御する。調整値は、例えば、ディスク１０の半径位置やトラック毎に調整された記録電流に関連する情報を含む。なお、調整値は、ヘッドや磁気ディスク装置毎に異なっていてもよい。調整値は、メモリ、例えば、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０の少なくとも１つに保持されている。また、調整値は、図示しないＭＰＵ６０内の内部メモリに記録されていてもよい。調整値は、後述する記録電流の調整処理等で取得される。なお、記録電流制御部６３は、ヘッドアンプＩＣ３０に備えられていてもよいし、システムコントローラ１３０のＭＰＵ６０以外に備えられていてもよいし、ヘッドアンプ３０とシステムコントローラ１３０との間に備えられていてもよい。
【００４２】
記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、電流の向き（正負、又は高低）に応じて異なる大きさ（振幅、又は絶対値）の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで磁界（磁束）の向きに応じて異なる大きさの記録磁界を発生させる。また、記録電流制御部６３は、電流の向きに依らずに同じ大きさの記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで磁界（磁束）の向きに依らず同じ大きさの記録磁界を発生させることもできる。
【００４３】
図７は、正負で同じ大きさの記録電流の波形の一例を示す図である。図示した例では、縦軸は、記録電流［ミリアンペア（ｍＡ）］を示し、横軸は、時間［ナノ秒（ｎｓｅｃ）］を示している。図７には、記録電流の波形Ｗ７１を示している。波形Ｗ７１は、時間に応じて正負が変化している。図示した例では、波形Ｗ７１は、正の記録電流の波形（又は、Ｈｉｇｈの記録電流の波形）Ｐ７１と、負の記録電流の波形（又は、Ｌоｗの記録電流の波形）Ｎ７１とが周期的に繰り返されている。波形Ｐ７１と波形Ｎ７１との期間は、同一の期間Ｔ１である。波形Ｐ７１は、オーバーシュートＯ７１と、正の電流ＰＣ７１とを含む。図７には、オーバーシュートＯ７１の振幅ＯＡ１と、正の電流ＰＣ７１の振幅ＰＣＡ１とを示している。振幅（第１振幅）ＯＡ１は、振幅（第２振幅）ＰＣＡ１よりも大きい。波形Ｎ７１は、アンダーシュートＵ７１と、負の電流ＮＣ７１とを含む。図７には、アンダーシュートＵ７１の振幅ＵＡ１と、負の電流ＮＣ７１の振幅ＮＣＡ１とを示している。振幅（第３振幅）ＵＡ１は、振幅（第４振幅）ＮＣＡよりも大きい。波形Ｐ７１と波形Ｎ７１とは、ある記録電流、例えば、記録電流０［ｍＡ］を基準として対称である。非対称率で表すと、（ＯＡ１−ＵＡ１）／（ＯＡ１＋ＵＡ１）＝０、（ＰＣＡ１−ＮＣＡ１）／（ＰＣＡ１＋ＮＣＡ１）＝０となる。つまり、波形Ｐ７１と波形Ｎ７１とは、同じ振幅である。図示した例では、オーバーシュートＯ７１の振幅ＯＡとアンダーシュートＵ７１の振幅ＵＡ１は、約１．４ｘ［ｍＡ］である。また、電流ＰＣ７１の振幅ＰＣＡと電流ＮＣ７１の振幅ＮＣＡ１とは、約０．４ｘ［ｍＡ］である。なお、図７において、波形Ｗ７１では、波形Ｐ７１と波形Ｎ７１とが、周期的に繰り返されているとしたが、周期的に繰り返されていなくともよい。
【００４４】
例えば、記録電流制御部６３は、図７に示した波形Ｗ７１の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで磁束の向きに依らず同じ大きさの記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、正の記録電流、例えば、波形Ｐ７１の正の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ｂに示した磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、負の記録電流、例えば、波形Ｎ７１の負の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ａに示した磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界を発生させる。この場合、磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界と磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界とは、同じ大きさである。記録電流制御部６３は、ライトヘッド１５Ｗを介して記録電流に応じたデータをディスク１０の目標位置にライトする。このとき、サイドシールド１７４、１７５の磁化方向ＭＧＨの磁界が作用するため、ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０上の目標位置から磁化容易方向にシフトした位置にデータをライトする。なお、記録電流制御部６３は、正の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ａに示した磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界を発生させてもよい。記録電流制御部６３は、負の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ｂに示した磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界を発生させてもよい。
【００４５】
図８（ａ）及び（ｂ）は、サイドシールド１７４、１７５の磁化方向ＭＧＨの磁界が作用した記録磁界によりライトした記録ビットの配置の一例を示す模式図である。図８（ａ）及び（ｂ）において、順方向は、外側ＯＤと同じ方向である。  
図８（ａ）は、磁化方向ＭＧＨの磁界が作用した記録磁界によりライトされたライトトラックＷｔ１での記録ビットの配置の一例を示す模式図である。  
図８（ａ）には、図２に示したライトトラックＷｔ１のトラックエッジｉｇ１１と、トラックエッジｉｇ１２とを示している。また、図８（ａ）には、図２に示したライトトラックＷｔ１のライトトラック幅Ｗｔｗ１１も示している。図２に示したライトトラックＷｔ１は、磁化方向ＭＧＨの磁界が作用していない、又は磁化方向ＭＧＨの磁界が記録磁界に影響を与えない程度に作用している記録磁界によりライトされているものとする。説明の便宜上、トラックエッジｉｇ１１及びトラックエッジｉｇ１２は、変動していないものとする。なお、実際には、トラックエッジｉｇ１１及びｉｇ１２は、それぞれ、外乱等の影響により変動する場合もある。
【００４６】
図８（ａ）において、ライトトラックＷｔ１は、トラックエッジＴＧ１１と、トラックエッジＴＧ１２とを有している。図示した例では、トラックエッジＴＧ１１は、ライトトラックＷｔ１の順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部であり、トラックエッジＴＧ１２は、ライトトラックＷｔ１２の順方向（外側ＯＤ）の端部である。また、ライトトラックＷｔ１は、記録ビットＢＴ１と記録ビットＢＴ２とを含む。ライトトラックＷｔ１において、記録ビットＢＴ１及び記録ビットＢＴ２は、周方向に沿って交互に配置されている。なお、記録ビットＢＴ１及び記録ビットＢＴ２は、交互に配置されていなくともよい。例えば、複数の記録ビットＢＴ１が周方向に沿っていくつか連続して配置されていてもよい。複数の記録ビットＢＴ２が周方向に沿っていくつか連続して配列されていてもよい。また、ライトトラックＷｔ１以外の他のライトトラックについてもライトトラックＷｔ１と同様の説明ができるため、他のライトトラックでの記録ビットの配置の詳細な説明を省略する。
【００４７】
図示した例では、記録ビットＢＴ１及びＢＴ２は、矩形状である。なお、記録ビットＢＴ１及びＢＴ２は、他の形状であってもよい。記録ビットＢＴ１は、順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部ｂｅ１１と、記録ビットＢＴ１の順方向（外側ＯＤ）の端部ｂｅ１２とを有している。また、記録ビットＢＴ２は、順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部ｂｅ２１と、順方向（外側ＯＤ）の端部ｂｅ２２とを有している。記録ビットＢＴ１の径方向の幅Ｂｔｗ１１は、端部ｂｅ１１と端部ｂｅ１２との間の径方向の幅である。記録ビットＢＴ２の径方向の幅Ｂｔｗ１２は、端部ｂｅ２１と端部ｂｅ２２との間の径方向の幅である。図８（ａ）において、幅Ｂｔｗ１１と幅Ｂｔｗ１２とは、同じである。また、記録ビットＢＴ１の周方向の幅と記録ビットＢＴ２の周方向の幅とは、同じである。なお、記録ビットＢＴ１の周方向の幅と記録ビットＢＴ２の周方向の幅とは、異なっていてもよい。
【００４８】
図８（ａ）では、記録ビットＢＴ１は、トラックセンタＷｔｃ１に対して磁化容易方向、例えば、順方向（外側ＯＤ）にずれている。記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１１及び端部ｂｅ１２は、それぞれ、トラックエッジｉｇ１１及びトラックエッジｉｇ１２に対して磁化容易方向、例えば、順方向（外側ＯＤ）にずれている。
【００４９】
図８（ａ）に示した例では、記録ビットＢＴ２は、トラックセンタＷｔｃ１に対して磁化容易方向、例えば、順方向と反対方向（内側ＩＤ）にずれている。記録ビットＢＴ２の端部ｂｅ２１及び端部ｂｅ２２は、それぞれ、トラックエッジｉｇ１１及びｉｇ１２に対して磁化容易方向、例えば、順方向と反対方向（内側ＩＤ）にずれている。
【００５０】
図８（ａ）において、記録ビットＢＴ１と記録ビットＢＴ２とは、互いに径方向にずれている。記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１１は、記録ビットＢＴ２に対して順方向（外側ＯＤ）にずれている。記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１２は、記録ビットＢＴ２に対して順方向（外側ＯＤ）にずれている。図８（ａ）において、端部ｂｅ１１と端部ｂｅ２１との間の径方向の差Ｄ１は、端部ｂｅ１２と端部ｂｅ２２との間の径方向の差Ｄ２とほぼ同じである。
【００５１】
端部ｂｅ１１及び端部ｂｅ２１は、トラックエッジＴＧ１１に対応している。端部ｂｅ１２及び端部ｂｅ２２は、トラックエッジＴＧ１２に対応している。図８（ａ）において、トラックエッジＴＧ１１及びトラックエッジＴＧ１２は、周方向に沿って径方向に凸凹状に変動している。例えば、トラックエッジＴＧ１１は、トラックエッジｉｇ１１に従う線上で凸凹状に変動している。また、トラックエッジＴＧ１２は、トラックエッジｉｇ１２に従う線上で凸凹状に変動している。図８（ａ）には、ライトトラックＷｔ１のライトトラック幅Ｗｔｗ１２を示している。ライトトラック幅Ｗｔｗ１２は、トラックエッジＴＧ１１とトラックエッジＴＧ１２との径方向の幅である。ライトトラック幅Ｗｔｗ１２は、周方向に沿って径方向に変動している。
【００５２】
図８（ａ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６に示した切り換え位置ＣＣ近傍のトラックにライトヘッド１５Ｗを位置決めしている。  
記録電流制御部６３は、ライトヘッド１５Ｗを介して、正の記録電流、例えば、波形Ｐ７１の正の記録電流に基づいて、図５Ｂに示した磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界により記録ビットＢＴ１をライトする。磁化方向ＭＧＨの磁化方向が記録磁界に作用するため、記録電流制御部６３は、図８（ａ）に示すように、トラックセンタＷｔｃ１に対して磁化容易方向、例えば、順方向（外側ＯＤ）にずれた位置に記録ビットＢＴ１をライトする。
【００５３】
記録電流制御部６３は、ライトヘッド１５Ｗを介して、負の記録電流、例えば、波形Ｎ７１の負の記録電流に基づいて、図５Ａに示した磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界により記録ビットＢＴ２をライトする。磁化方向ＭＧＨの磁化方向が記録磁界に作用するため、記録電流制御部６３は、図８（ａ）に示すように、トラックセンタＷｔｃ１に対して磁化容易方向、例えば、順方向と反対方向（内側ＩＤ）にずれた位置に記録ビットＢＴ２をライトする。  
そのため、記録電流制御部６３は、周方向に沿って径方向に凸凹状に変動するライトトラック幅Ｗｔｗ１２のライトトラックＷｔ１を生成し得る。
【００５４】
図８（ｂ）は、サイドシールド１７４、１７５の磁化方向ＭＧＨの磁界が作用した記録磁界により瓦記録したバンド領域ＢＡの一例を示す模式図である。  
図８（ｂ）には、図２に示したライトトラックＷｔ１のトラックエッジｉｇ１１と、ライトトラックＷｔ２のトラックエッジｉｇ２１と、ライトトラックＷｔ３のトラックエッジｉｇ３１及びトラックエッジｉｇ３２とを示している。図２に示したライトトラックＷｔ１、Ｗｔ２、及びＷｔ３は、磁化方向ＭＧＨの磁界が作用していない、又は磁化方向ＭＧＨの磁界が記録磁界に影響を与えない程度に作用している記録磁界によりライトされているものとする。説明の便宜上、トラックエッジｉｇ１１、ｉｇ２１、ｉｇ３１、及びｉｇ３２は、変動していないものとするが、実際には外乱等の影響により変動する場合もある。
【００５５】
図８（ｂ）は、リードトラックＲｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３を含むバンド領域ＢＡを示している。バンド領域ＢＡは、図８（ａ）に示したライトトラックＷｔ１と、このライトトラックＷｔ１にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ２が重ね書きされ、このライトトラックＷｔ２にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ３が重ね書きされて形成されている。
【００５６】
リードトラックＲｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３は、それぞれ、記録ビットＢＴ１と記録ビットＢＴ２とを含む。リードトラックＲｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３の各々で、記録ビットＢＴ１と記録ビットＢＴ２とは、周方向に沿って交互に配置されている。
【００５７】
図８（ｂ）には、トラックエッジＴＧ１１と、リードトラックＲｔ２の順方向と反対方向のトラックエッジＴＧ２１と、リードトラックＲｔ３の順方向と反対方向（内側ＩＤ）のトラックエッジＴＧ３１と、リードトラックＲｔ３の順方向（外側ＯＤ）のトラックエッジＴＧ３２とを示している。トラックエッジＴＧ１１、ＴＧ２１、ＴＧ３１、及びＴＧ３２は、それぞれ、周方向に沿って径方向に凸凹状に変動している。例えば、トラックエッジＴＧ１１は、トラックエッジｉｇ１１に従う線上で凸凹状に変動している。トラックエッジＴＧ２１は、トラックエッジｉｇ２１に従う線上で凸凹状に変動している。トラックエッジＴＧ３１は、トラックエッジｉｇ３１に従う線上で凸凹状に変動している。トラックエッジＴＧ３２は、トラックエッジｉｇ３２に従う線上で凸凹状に変動している。
【００５８】
図８（ｂ）には、リードトラックＲｔ１のリードトラック幅Ｒｔｗ１２と、リードトラックＲｔ２のリードトラック幅Ｒｔｗ２２と、リードトラックＲｔ３のリードトラック幅Ｒｔｗ３２とを示している。リードトラック幅Ｒｔｗ１２は、トラックエッジＴＧ１１とトラックエッジＴＧ２１との径方向の幅である。リードトラック幅Ｒｔｗ２２は、トラックエッジＴＧ２１とトラックエッジＴＧ３１との径方向の幅である。リードトラック幅Ｒｔｗ３２は、トラックエッジＴＧ３１とトラックエッジＴＧ３３との径方向の幅である。そのため、リードトラック幅Ｒｔｗ１２、Ｒｔｗ２２、及びＲｔｗ３２は、それぞれ、周方向に沿って径方向に変動している。例えば、リードトラック幅Ｒｔｗ１２及びＲｔｗ２２の最大値は、それぞれ、リードトラックＲｔｗ１１及びＲｔｗ２１よりも大きい。
【００５９】
図８（ｂ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６に示した切り換え位置ＣＣ近傍のトラックにライトヘッド１５Ｗを位置決めし、データを瓦記録する。  
記録電流制御部６３は、図７に示した波形Ｗ７１の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、図８（ｂ）に示すように、リードトラックＲｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３をバンド領域ＢＡに瓦記録する。この場合、図８（ｂ）に示すように、リードトラック幅Ｒｔｗ１２、Ｒｔｗ２２、及びＲｔｗ３２は、それぞれ、周方向に沿って径方向に変動している。  
本実施形態では、リードトラック幅の変動を抑制するために、記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、正負で異なる大きさの記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで磁束の向きで異なる大きさの記録磁界を発生させる。
【００６０】
図９、図１０、及び図１１は、それぞれ、本実施形態に係る正負で異なる大きさの記録電流の波形の一例を示す図である。図９乃至図１１は、ぞれぞれ、図７に対応している。図９乃至図１１は、図７と正の記録電流の大きさが異なる。図９乃至図１１について、図７と同様の部分についてはその詳細な説明を省略し、図７と異なる点について説明する。
【００６１】
図９乃至図１１を参照して、本実施形態に係る正負で異なる大きさの記録電流の波形のいくつかの例を示す。なお、図９乃至図１１に示す記録電流の波形は一例であり、これらの記録電流の波形に限定するものではない。  
図９は、負の記録電流よりも正の記録電流を大きくした記録電流の波形の一例を示す図である。図９には、正の記録電流の波形Ｐ７２で示している。図９において、波形Ｗ７１は、正の記録電流の波形Ｐ７２と、負の記録電流の波形Ｎ７１とが周期的に繰り返されている。図９には、比較のために、図７に示した正の記録電流の波形Ｐ７１を破線で示している。波形Ｐ７２は、オーバーシュートＯ７２と、正の電流ＰＣ７２とを含む。図９には、オーバーシュートＯ７２の振幅ＯＡ２と、正の電流ＰＣ７２の振幅ＰＣＡ２とを示している。振幅ＯＡ２は、振幅ＰＣＡ２よりも大きい。波形Ｐ７２の記録電流は、波形Ｐ７１の記録電流よりも大きい。すなわち、図９において、波形Ｐ７２と波形Ｎ７１とは、ある記録電流、例えば、記録電流０［ｍＡ］を基準として非対称である。非対称率で表すと、（ＯＡ２−ＵＡ１）／（ＯＡ２＋ＵＡ１）＞０、（ＰＣＡ２−ＮＣＡ１）／（ＰＣＡ２＋ＮＣＡ１）＞０となる。つまり、波形Ｐ７２と波形Ｎ７１とは、異なる振幅である。図示した例では、オーバーシュートＯ７２は、約１．９ｘ［ｍＡ］である。また、電流ＰＣ７２は、約０．６［ｍＡ］である。なお、図９において、波形Ｗ７１では、波形Ｐ７２と波形Ｎ７１とが、周期的に繰り返されているとしたが、周期的に繰り返されていなくともよい。
【００６２】
図１０は、負の記録電流よりも正の記録電流を大きくした記録電流の波形の一例を示す図である。図１０には、正の記録電流の波形Ｐ７３を示している。図１０において、波形Ｗ７１は、正の記録電流の波形Ｐ７３と、負の記録電流の波形Ｎ７１とが周期的に繰り返されている。図１０には、比較のために、図７に示した正の記録電流の波形Ｐ７１を破線で示している。波形Ｐ７３は、オーバーシュートＯ７２と、正の電流ＰＣ７１とを含む。オーバーシュートＯ７２は、オーバーシュートＯ７１よりも大きい。すなわち、図１０において、波形Ｐ７３と波形Ｎ７１とは、ある記録電流、例えば、記録電流０［ｍＡ］を基準として非対称である。非対称率で表すと、（ＯＡ２−ＵＡ１）／（ＯＡ２＋ＵＡ１）＞０、（ＰＣＡ１−ＮＣＡ１）／（ＰＣＡ１＋ＮＣＡ１）＝０となる。つまり、波形Ｐ７３と波形Ｎ７１とは、異なる振幅である。なお、図１０において、波形Ｗ７１では、波形Ｐ７３と波形Ｎ７１とが、周期的に繰り返されているとしたが、周期的に繰り返されていなくともよい。
【００６３】
図１１は、負の記録電流よりも正の記録電流を大きくした記録電流の波形の一例を示す図である。図１１には、正の記録電流の波形Ｐ７４を示している。図１１において、波形Ｗ７１は、正の記録電流の波形Ｐ７４と、負の記録電流の波形Ｎ７１とが周期的に繰り返されている。図１１には、比較のために、図７に示した正の記録電流の波形Ｐ７１を破線で示している。波形Ｐ７４は、オーバーシュートＯ７１と、正の電流ＰＣ７２とを含む。正の電流ＰＣ７２は、正の電流ＰＣ７１よりも大きい。すなわち、図１１において、波形Ｐ７４と波形Ｎ７１とは、ある記録電流、例えば、記録電流０［ｍＡ］を基準として非対称である。非対称率で表すと、（ＯＡ１−ＵＡ１）／（ＯＡ１＋ＵＡ１）＝０、（ＰＣＡ２−ＮＣＡ１）／（ＰＣＡ２＋ＮＣＡ１）＞０となる。つまり、波形Ｐ７４と波形Ｎ７１とは、異なる振幅である。なお、図１１において、波形Ｗ７１では、波形Ｐ７４と波形Ｎ７１とが、周期的に繰り返されているとしたが、周期的に繰り返されていなくともよい。
【００６４】
例えば、記録電流制御部６３は、図９乃至図１１に示した記録電流の内のいずれか１つをライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで磁束の向きで異なる大きさの記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、例えば、図９、図１０、又は図１１に示した記録電流の波形Ｗ７１の正の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ｂに示した磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、例えば、図９、図１０、又は図１１に示した記録電流の波形Ｗ７１の負の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ａに示した磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、ライトヘッド１５Ｗを介して記録電流に応じたデータをディスク１０の目標位置にライトする。このとき、記録電流制御部６３は、負の記録電流に基づく磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界よりも大きい正の記録電流に基づく磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界を発生させる。そのため、記録電流制御部６３は、記録ビットＢＴ２よりも径方向（クロストラック方向）に延長した記録ビットＢＴ１をライトする。
【００６５】
図１２（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図である。図１２（ａ）及び（ｂ）において、順方向は、外側ＯＤと同じ方向である。  
図１２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図８（ａ）及び（ｂ）に対応している。図１２（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ１は、図８（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ１の径方向の幅が異なる。なお、図１２（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ２は、図８（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ２と同じである。図１２（ａ）及び（ｂ）について、図８（ａ）及び（ｂ）と同様の部分についてはその詳細な説明を省略し、図８（ａ）及び（ｂ）と異なる点について説明する。
【００６６】
図１２（ａ）は、記録電流の正負に応じて異なる強さの記録磁界でライトしたライトトラックＷｔ１での記録ビットの配置の一例を示す模式図である。  
図１２（ａ）において、記録ビットＢＴ１の径方向の幅Ｂｔｗ１３は、端部ｂｅ１１と端部ｂｅ１２との間の径方向の幅である。また、記録ビットＢＴ２の径方向の幅Ｂｔｗ１２は、図８（ａ）に示したものと同じである。図１２（ａ）において、幅Ｂｔｗ１３は、幅Ｂｔｗ１２よりも大きい。
【００６７】
図１２（ａ）に示した例では、記録ビットＢＴ１は、図８（ａ）に示した記録ビットＢＴ１と比較して、径方向に延長している。記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１１は、記録ビットＢＴ２の端部ｂｅ２１と径方向でほほ同じ位置に位置している。記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１２は、記録ビットＢＴ２の端部２２に対して順方向（外側ＯＤ）にずれている。記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１２は、記録ビットＢＴ２の端部ｂｅ２２に対して差Ｄ３で離間している。例えば、端部ｂｅ１２と端部ｂｅ２２との間の径方向の差Ｄ３は、図８（ａ）に示した端部ｂｅ１２と端部ｂｅ２２との間の径方向の差Ｄ２よりも大きい。なお、端部ｂｅ１１は、端部ｂｅ２１と径方向でほぼ同じ位置に位置しているとしたが、端部ｂｅ２１と差Ｄ３よりも小さい距離で順方向と径方向に離間していてもよい。
【００６８】
図１２（ａ）において、トラックエッジＴＧ１１は、周方向に沿って直線状に延出している。トラックエッジＴＧ１２は、周方向に沿って径方向に凸凹状に変動している。図１２（ａ）には、ライトトラックＷｔ１のライトトラック幅Ｗｔｗ１３を示している。ライトトラック幅Ｗｔｗ１３は、トラックエッジＴＧ１１とトラックエッジＴＧ１２との径方向の幅である。ライトトラック幅Ｗｔｗ１３は、周方向に沿って径方向に変動している。
【００６９】
図１２（ａ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６に示した切り換え位置ＣＣ近傍のトラックにライトヘッド１５Ｗを位置決めしている。  
記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、正の記録電流、例えば、図９、図１０、又は図１１に示した記録電流の波形Ｗ７１の正の記録電流に基づいて、図５Ｂに示した磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界により記録ビットＢＴ１をライトする。記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、負の記録電流、例えば、図９、図１０、又は図１１に示した記録電流の波形Ｗ７１の負の記録電流に基づいて、図５Ｂに示した磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界により記録ビットＢＴ２をライトする。記録電流制御部６３は、負の記録電流に基づく記録磁界よりも大きい正の記録電流に基づく記録磁界により、図１２（ａ）に示すように、順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部ｂｅ１１が記録ビットＢＴ２の順方向と反対方向（内側ＩＤ）の端部ｂｅ２１まで延長した記録ビットＢＴ１をライトする。
【００７０】
図１２（ｂ）は、記録電流の正負に応じて異なる強さの記録磁界により瓦記録したバンド領域ＢＡの一例を示す模式図である。  
図１２（ｂ）は、リードトラックＲｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３を含むバンド領域ＢＡを示している。バンド領域ＢＡは、図１２（ａ）に示したライトトラックＷｔ１と、このライトトラックＷｔ１にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ２が重ね書きされ、このライトトラックＷｔ２にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ３が重ね書きされて形成されている。
【００７１】
図１２（ｂ）において、トラックエッジＴＧ１１、ＴＧ２１、及びＴＧ３１は、それぞれ、周方向に沿って延出している。また、トラックエッジＴＧ３２は、周方向に沿って径方向に変動している。  
図１２（ｂ）には、リードトラックＲｔ１のリードトラック幅Ｒｔｗ１３と、リードトラックＲｔ２のリードトラック幅Ｒｔｗ２３と、リードトラックＲｔ３のリードトラック幅Ｒｔｗ３３とを示している。リードトラック幅Ｒｔｗ１３は、トラックエッジＴＧ１１とトラックエッジＴＧ２１との径方向の幅である。リードトラック幅Ｒｔｗ２３は、トラックエッジＴＧ２１とトラックエッジＴＧ３１との径方向の幅である。そのため、リードトラック幅Ｒｔｗ１３及びＲｔｗ２３は、それぞれ、周方向に沿って同じである。  
また、リードトラック幅Ｒｔｗ３３は、トラックエッジＴＧ３１とトラックエッジＴＧ３２との径方向の幅である。そのため、リードトラック幅Ｒｔｗ３３は、周方向に沿って径方向に変動している。
【００７２】
図１２（ｂ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６に示した切り換え位置ＣＣ近傍で外側ＯＤに向かってデータを瓦記録する。  
記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、図９、図１０、又は図１１に示した波形Ｗ７１の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、図１２（ｂ）に示すように、リードトラックＲｔ１、ＲＴ２、及びＲｔ３をバンド領域ＢＡに瓦記録する。バンド領域ＢＡにおいて、トラックエッジＴＧ１１、ＴＧ２１、及びＴＧ３１とは、それぞれ、周方向に沿って延長している。図１２（ｂ）に図示した例では、トラックエッジＴＧ１１、ＴＧ２１、及びＴＧ３１は、ほぼ平行に並んでいる。そのため、図１２（ｂ）に示すように、リードトラック幅Ｒｔｗ１３及びＲｔｗ２３は、周方向に沿って同じである。
【００７３】
図１３（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、ディスク１０の周方向に対してヘッド１５がスキュ角を有する場合にライトした記録ビットの配置の一例を示す模式図である。図１３（ａ）及び（ｂ）において、順方向は、外側ＯＤと同じ方向である。  
図１３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図１２（ａ）及び（ｂ）とほぼ同じである。図１３（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ１及び記録ビットＢＴ２は、傾斜している点が図１２（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ１及び記録ビットＢＴ２と異なる。図１３（ａ）及び（ｂ）について、図１２（ａ）及び（ｂ）と同様の部分についてはその詳細な説明を省略し、図１２（ａ）及び（ｂ）と異なる点について説明する。
【００７４】
図１３（ａ）は、記録電流の正負に応じて異なる強さの記録磁界でライトしたライトトラックＷｔ１での記録ビットの配置の一例を示す模式図である。図１３（ａ）は、ディスク１０の周方向に対してヘッド１５がスキュ角を有する場合にライトしたライトトラックＷｔ１での記録ビットの配置の一例を示している。
【００７５】
図１３（ａ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６において内周ＩＣ、又は境界位置ＢＰの近傍のトラックにライトヘッド１５Ｗを位置決めしている。  
記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、正の記録電流、例えば、図９、図１０、又は図１１に示した記録電流の波形Ｗ７１の正の記録電流に基づいて、図１３（ａ）に示すように記録ビットＢＴ１をライトする。記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、負の記録電流、例えば、図９、図１０、又は図１１に示した記録電流の波形Ｗ７１の負の記録電流に基づいて、図１３（ａ）に示すように記録ビットＢＴ２をライトする。記録電流制御部６３は、負の記録電流に基づく記録磁界よりも大きい正の記録電流に基づく記録磁界により、図１３（ａ）に示すように順方向と反対方向（内側ＩＤ）のトラックエッジが記録ビットＢＴ２の順方向と反対方向（内側ＩＤ）のトラックエッジまで延長した記録ビットＢＴ１をライトする。この場合、調整値は、ディスク１０の周方向に対してヘッド１５がスキュ角を有していない場合、例えば、図１２（ａ）に示した一例と同じであることが望ましい。なお、調整値は、ディスク１０の周方向に対してヘッド１５がスキュ角を有していない場合と異なっていてもよい。
【００７６】
図１３（ｂ）は、記録電流の正負に応じて異なる強さの記録磁界により瓦記録した領域ＢＡの一例を示す模式図である。図１３（ｂ）は、ディスク１０の周方向に対してヘッド１５がスキュ角を有する場合に瓦記録した領域ＢＡの一例を示している。  
バンド領域ＢＡは、図１３（ａ）に示したライトトラックＷｔ１と、このライトトラックＷｔ１にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ２が重ね書きされ、このライトトラックＷｔ２にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ３が重ね書きされて形成されている。
【００７７】
図１３（ｂ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６に示した切り換え位置ＣＣ近傍で外側ＯＤに向かってデータを瓦記録する。  
記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、図９、図１０、又は図１１に示した波形Ｗ７１の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、図１２（ｂ）に示すように、リードトラックＲｔ１、ＲＴ２、及びＲｔ３をバンド領域ＢＡに瓦記録する。この場合、トラックエッジＴＧ１１、ＴＧ２１、及びＴＧ３１とは、周方向に沿って延長している。図１３（ｂ）に示した例では、トラックエッジＴＧ１１、ＴＧ２１、及びＴＧ３１は、ほぼ平行に並んでいる。そのため、図１３（ｂ）に示すように、リードトラック幅Ｒｔｗ１３及びＲｔｗ２３は、周方向に沿って同じである。
【００７８】
図１４は、それぞれ、本実施形態に係る正負で異なる大きさの記録電流の波形の一例を示す図である。図１４は、図７及び図９に対応している。図１４は、図７と負の記録電流の大きさが異なる。図１４は、図９と異なり負の記録電流が正の記録電流よりも大きい場合について示している。図１４について、図７及び図９と同様の部分についてはその詳細な説明を省略し、図７と異なる点について説明する。なお、図１４に示す記録電流の波形は一例であり、これらの記録電流の波形に限定するものではない。  
図１４は、正の記録電流よりも負の記録電流を大きくした記録電流の波形の一例を示す図である。図１４には、負の記録電流の波形Ｎ７２を示している。図１４において、波形Ｗ７１は、正の記録電流の波形Ｐ７１と、負の記録電流の波形Ｎ７２とが周期的に繰り返されている。図１４には、比較のために、図７に示した負の記録電流の波形Ｎ７１を破線で示している。波形Ｎ７２は、アンダーシュートＵ７２と、負の電流ＮＣ７２とを含む。図７には、アンダーシュートＵ７２の振幅ＵＡ２と、負の電流ＮＣ７２の振幅ＮＣＡ２とを示している。振幅ＵＡ２は、振幅ＮＣＡ２よりも大きい。波形Ｎ７２の記録電流は、波形Ｎ７１の記録電流よりも大きい。すなわち、図１４において、波形Ｐ７１と波形Ｎ７２とは、ある記録電流、例えば、記録電流０［ｍＡ］を基準として非対称である。非対称率で表すと、（ＯＡ１−ＵＡ２）／（ＯＡ１＋ＵＡ２）＜０、（ＰＣＡ１−ＮＣＡ２）／（ＰＣＡ１＋ＮＣＡ２）＜０となる。つまり、波形Ｐ７１と波形Ｎ７２とは、異なる振幅である。図示した例では、アンダーシュートＵ７２の振幅ＵＡ２は、約１．９ｘ［ｍＡ］である。また、電流ＮＣ７２の振幅ＮＣＡ２は、約０．６［ｍＡ］である。なお、図１４において、波形Ｗ７１では、波形Ｐ７１と波形Ｎ７２とが、周期的に繰り返されているとしたが、周期的に繰り返されていなくともよい。
【００７９】
例えば、記録電流制御部６３は、図１４に示した波形Ｗ７１の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで磁束の向きで異なる大きさの記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、正の記録電流、例えば、波形Ｐ７１の正の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ｂに示した磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、負の記録電流、例えば、波形Ｎ７２の負の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで図５Ａに示した磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界を発生させる。記録電流制御部６３は、ライトヘッド１５Ｗを介して記録電流に応じたデータをディスク１０の目標位置にライトする。このとき、記録電流制御部６３は、正の記録電流に基づく磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界よりも大きい負の記録電流に基づく磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界を発生させる。そのため、記録電流制御部６３は、記録ビットＢＴ１よりも径方向（クロストラック方向）に延長した記録ビットＢＴ２をライトする。
【００８０】
図１５（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る記録ビットの配置の一例を示す模式図である。図１５（ａ）及び（ｂ）において、順方向は、内側ＩＤと同じ方向である。  
図１５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図８（ａ）及び（ｂ）と図１２（ａ）及び（ｂ）とに対応している。図１５（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ２は、図８（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ２の径方向の幅が異なる。なお、図１５（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ１は、図８（ａ）及び（ｂ）に示す記録ビットＢＴ１と同じである。図１５（ａ）及び（ｂ）について、図８（ａ）及び（ｂ）や図１２（ａ）及び（ｂ）と同様の部分についてはその詳細な説明を省略し、図８（ａ）及び（ｂ）と異なる点について説明する。
【００８１】
図１５（ａ）は、記録電流の正負に応じて異なる強さの記録磁界でライトしたライトトラックＷｔ１での記録ビットの配置の一例を示す模式図である。  
図１５（ａ）において、記録ビットＢＴ１の径方向の幅Ｂｔｗ１１は、図８（ａ）に示したものと同じである。また、記録ビットＢＴ２の径方向の幅Ｂｔｗ１４は、端部ｂｅ２１と端部ｂｅ２２との間の径方向の幅である。
【００８２】
図１５（ａ）に示した例では、記録ビットＢＴ２は、図８（ａ）に示した記録ビットＢＴ２と比較して、径方向に延長している。記録ビットＢＴ２の端部ｂｅ２２は、記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１２と径方向でほほ同じ位置に位置している。記録ビットＢＴ２の端部ｂｅ２１は、記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１１に対して順方向（内側ＩＤ）にずれている。記録ビットＢＴ２の端部ｂｅ２１は、記録ビットＢＴ１の端部ｂｅ１１に対して差Ｄ４で離間している。例えば、端部ｂｅ２１と端部ｂｅ１１との間の径方向の差Ｄ４は、図１２（ａ）に示した端部ｂｅ１２と端部ｂｅ２２との間の径方向の差Ｄ３と同じである。なお、端部ｂｅ２２は、端部ｂｅ１２と径方向でほぼ同じ位置に位置しているとしたが、端部ｂｅ１２と差Ｄ４よりも小さい距離で径方向に離間していてもよい。
【００８３】
トラックエッジＴＧ１１は、周方向に沿って径方向に凸凹状に変動している。図１５（ａ）において、トラックエッジＴＧ１２は、周方向に沿って直線状に延出している。図１５（ａ）には、ライトトラックＷｔ１のライトトラック幅Ｗｔｗ１５を示している。ライトトラック幅Ｗｔｗ１５は、トラックエッジＴＧ１１とトラックエッジＴＧ１２との径方向の幅である。ライトトラック幅Ｗｔｗ１５は、周方向に沿って径方向に変動している。
【００８４】
図１５（ａ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６に示した切り換え位置ＣＣ近傍のトラックにライトヘッド１５Ｗを位置決めしている。  
記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、正の記録電流、例えば、図１４に示した正の記録電流の波形Ｐ７１に基づいて、図５Ｂに示した磁束の流れＭＮ１及びＭＮ２の記録磁界により記録ビットＢＴ１をライトする。記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、負の記録電流、例えば、図１４に示した負の記録電流Ｎ７２に基づいて、図５Ａに示した磁束の流れＭＳ１及びＭＳ２の記録磁界により記録ビットＢＴ２をライトする。記録電流制御部６３は、正の記録電流に基づく記録磁界よりも大きい負の記録電流に基づく記録磁界により、図１３（ａ）に示すように順方向と反対方向（外側ＯＤ）の端部ｂｅ２２が記録ビットＢＴ１の順方向と反対方向（外側ＯＤ）の端部ｂｅ１２まで延長した記録ビットＢＴ２をライトする。
【００８５】
図１５（ｂ）は、記録電流の正負に応じて異なる強さの記録磁界により瓦記録したバンド領域ＢＡの一例を示す模式図である。  
図１５（ｂ）は、リードトラックＲｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３を含むバンド領域ＢＡを示している。バンド領域ＢＡは、図１５（ａ）に示したライトトラックＷｔ１と、このライトトラックＷｔ１にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ２が重ね書きされ、このライトトラックＷｔ２にライトトラックＷｔ１と同様にライトトラックＷｔ３が重ね書きされて形成されている。
【００８６】
図１５（ｂ）には、リードトラックＲｔ１の順方向と反対方向のトラックエッジＴＧ１２と、リードトラックＲｔ２の順方向と反対方向のトラックエッジＴＧ２２と、リードトラックＲｔ３の順方向のトラックエッジＴＧ３１と、リードトラックＲｔ３の順方向と反対方向のトラックエッジＴＧ３２とを示している。  
図１５（ｂ）において、トラックエッジＴＧ１２、ＴＧ２２、及びＴＧ３２は、それぞれ、周方向に沿って延出している。図１５（ｂ）に示した例では、トラックエッジＴＧ１２、ＴＧ２２、及びＴＧ３２は、ほぼ平行に並んでいる。また、トラックエッジＴＧ３１は、周方向に沿って径方向に変動している。  
図１５（ｂ）には、リードトラックＲｔ１のリードトラック幅Ｒｔｗ１５と、リードトラックＲｔ２のリードトラック幅Ｒｔｗ２５と、リードトラックＲｔ３のリードトラック幅Ｒｔｗ３５とを示している。リードトラック幅Ｒｔｗ１５は、トラックエッジＴＧ１２とトラックエッジＴＧ２２との径方向の幅である。リードトラック幅Ｒｔｗ２５は、トラックエッジＴＧ２２とトラックエッジＴＧ３２との径方向の幅である。そのため、リードトラック幅Ｒｔｗ１５及びＲｔｗ２５は、それぞれ、周方向に沿って同じである。  
また、リードトラック幅Ｒｔｗ３５は、トラックエッジＴＧ３２とトラックエッジＴＧ３１との径方向の幅である。そのため、リードトラック幅Ｒｔｗ３５は、周方向に沿って径方向に変動している。
【００８７】
図１５（ｂ）に示す例では、例えば、リード／ライト制御部６１は、図６に示した切り換え位置ＣＣ近傍で内側ＩＤに向かってデータを瓦記録する。  
記録電流制御部６３は、調整値に基づいて、図１４に示した波形Ｗ７１の記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、図１５（ｂ）に示すように、リードトラックＲｔ１、ＲＴ２、及びＲｔ３をバンド領域ＢＡに瓦記録する。バンド領域ＢＡにおいて、トラックエッジＴＧ１２、ＴＧ２２、及びＴＧ３２は、周方向に沿って延長している。そのため、図１５（ｂ）に示すように、リードトラック幅Ｒｔｗ１５及びＲｔｗ２５は、周方向に沿って同じである。なお、図１５（ａ）及び（ｂ）に示した例において、ディスク１０の周方向に対してヘッド１５がスキュ角を有する場合でも、リードトラック幅Ｒｔｗ１５及びＲｔｗ２５は、周方向に沿って同じである。
【００８８】
調整部６５は、ライトヘッド１５Ｗに出力する記録電流を調整する。調整部６５は、ある記録電流で、ディスク１０のあるトラックにデータを重ね書きする。調整部６５は、重ね書きしたこのトラック（リードトラック）をリードし、誤り率（Bit Erroe Rate（BER））を検出する。調整部６５は、記録電流の内の正の記録電流、又は負の記録電流の大きさを変更しながら、ディスク１０のある範囲で誤り率を繰り返し検出する。例えば、リードトラック幅の変動が小さい場合、誤り率が小さく成り得る。調整部６５は、ディスク１０の位置、正の記録電流、負の記録電流、及び誤り率の関係を示す情報を調整値としてメモリ、例えば、不揮発性メモリ８０、又はメディアキャッシュ領域１０ｍ等の不揮発性の記録領域にライトする。なお、調整部６５は、最適な記録電流、例えば、ディスク１０のある範囲で最も誤り率が低くなる記録電流のみを調整値としてメモリにライトしてもよい。また、調整部６５は、正の記録電流及び負の記録電流を調整する前に、正負が同じ記録電流を最適な値に調整していてもよい。
【００８９】
図１６及び図１７は、記録電流と誤り率との関係を示す図である。図１６及び図１７において、横軸は、負の記録電流を示し、縦軸は、正の記録電流を示している。図１６及び図１７において、横軸（負の記録電流）の上段の数値は、負のオーバーシュートを示し、横軸の下段の数値は、負の記録電流を示している。縦軸（正の記録電流）の外側の数値は、正のオーバーシュートを示し、縦軸の内側の数値は、正の電流を示している。図１６及び図１７において、正及び負のオーバーシュートは、Ｚ１＜Ｚ２＜Ｚ３である。正及び負の電流は、Ｙ１＜Ｙ２＜Ｙ３である。また、図１６及び図１７において、色が濃い方が、ＢＥＲが良好であることを示し、色の薄い方が、ＢＥＲが悪いことを示している。つまり、図１６及び図１７において、色の濃い方が、ＢＥＲが低いことを示し、色の薄い方が、ＢＥＲが高いことを示している。また、図１６及び図１７において、領域α０が、正の記録電流と負の記録電流とがほぼ同じ場合のＢＥＲを示している。領域α１が、正の記録電流の方が負の記録電流よりも大きい場合のＢＥＲを示している。領域α２が、負の記録電流の方が正の記録電流よりも大きい場合のＢＥＲを示している。
【００９０】
図１６は、外側ＯＤへ向かってデータを瓦記録した場合の記録電流と誤り率との関係を示す図である。図１６は、例えば、図９乃至図１３（ｂ）に示した例に対応する。図１６では、領域α１のＢＥＲの方が、領域α２のＢＥＲよりも良好である。  
調整部６５は、記録電流の大きさを変更しながら、ディスク１０で外側ＯＤに向かって誤り率を繰り返し検出する。調整部６５は、図１６に示すような記録電流と誤り率との関係を示す情報を取得する。調整部６５は、図１６に示すような記録電流と誤り率との関係を示す情報から最も誤り率の低い記録電流を調整値としてメモリ、例えば、不揮発性メモリ８０、又はメディアキャッシュ領域１０ｍ等の不揮発性の記録領域にライトする。この場合、調整値は、例えば、負の記録電流よりも大きい正の記録電流を含む。
【００９１】
図１７は、内側ＩＤへ向かってデータを瓦記録きした場合の記録電流と誤り率との関係を示す図である。図１７は、例えば、図１４乃至図１５（ｂ）に示した例に対応する。図１７では、領域α２のＢＥＲの方が、領域α１のＢＥＲよりも良好である。  
調整部６５は、記録電流の大きさを変更しながら、ディスク１０で内側ＩＤに向かって誤り率を繰り返し検出する。調整部６５は、図１６に示すような記録電流と誤り率との関係を示す情報を取得する。調整部６５は、図１６に示すような記録電流と誤り率との関係を示す情報から最も誤り率の低い記録電流を調整値としてメモリ、例えば、不揮発性メモリ８０、又はメディアキャッシュ領域１０ｍ等の不揮発性の記録領域にライトする。この場合、調整値は、例えば、正の記録電流よりも大きい負の記録電流を含む。
【００９２】
図１８は、記録電流の調整方法の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、対象とするトラックにデータをライトする（Ｂ１８０１）。システムコントローラ１３０は、順方向と反対方向に隣接するトラック（以下、前のトラック）があるかどうかを判定する（Ｂ１８０２）。前のトラックがないと判定した場合（Ｂ１８０２）、システムコントローラ１３０は、Ｂ１８０６の処理に進む。前のトラックがあると判定した場合（Ｂ１８０２のＹｅｓ）、システムコントローラ１３０は、前のトラックのデータをリードし（Ｂ１８０３）、リードしたデータの誤り率を検出する（Ｂ１８０４）。システムコントローラ１３０は、ディスク１０の位置、記録電流、及び誤り率等を含む調整値を取得する（Ｂ１８０５）。システムコントローラ１３０は、順方向に隣接するトラック（以下、次のトラックと称する）にデータをライトするかしないかを判定する（Ｂ１８０６）。次のトラックにデータをライトすると判定した場合（Ｂ１８０６のＹｅｓ）、システムコントローラ１３０は、Ｂ１８０１の処理へ進む。次のトラックにデータをライトしないと判定した場合（Ｂ１８０６のＮｏ）、システムコントローラ１３０は、調整を終了するかしないかを判定する（Ｂ１８０７）。調整を終了しないと判定した場合（Ｂ１８０７のＮо）、システムコントローラ１３０は、記録電流を変更し（Ｂ１８０８）し、Ｂ１８０１の処理へ進む。調整を終了すると判定した場合（Ｂ１８０７のＹｅｓ）、システムコントローラ１３０は、処理を終了する。
【００９３】
図１９は、本実施形態に係るデータのライト方法の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、対象とするトラックにヘッド１５を移動する（Ｂ１９０１）。システムコントローラ１３０は、メモリ、例えば、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、又はバッファメモリ９０から調整値をリードする（Ｂ１９０２）。システムコントローラ１３０は、調整値に基づいて記録電流を制御し（Ｂ１９０３）、記録電流に応じた記録磁界により、対象とするトラックにデータをライトし（Ｂ１９０４）、処理を終了する。
【００９４】
本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、サイドシールド１７４、１７５の磁化方向ＭＧＨの磁界が作用するため、正負に応じて異なる大きさの記録電流をライトヘッド１５Ｗに出力し、ライトヘッド１５Ｗで磁界の向きに応じて異なる大きさの記録磁界を発生させる。磁気ディスク装置１は、正の記録電流に対応する記録ビット及び負の記録電流に対応する記録ビットの径方向のトラックエッジのいずれか一方の変動を抑制することができる。そのため、磁気ディスク装置１は、隣接トラックとのトラックピッチを容易に調整できる。したがって、磁気ディスク装置１は、トラック密度や誤り率を改善することができる。本実施形態では、記録容量や記録品質の向上が可能な磁気ディスク装置１を提供できる。
【００９５】
なお、磁気ディスク装置１は、瓦記録によりデータをライトするとしたが、瓦記録以外の通常のライト処理（Conventional Magnetic Recording：ＣＭＲ）によりデータをライトしてもよい。この場合、磁気ディスク装置１は、電流の正負で異なるヘッド１５の応答特性を改善することができる。
【００９６】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９７】
１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ｓ…瓦記録領域、１０ｍ…メディアキャッシュ領域、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、５０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…不揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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