(57)【要約】【課題】荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる荷電粒子ビーム装置を提供すること。【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビームを試料に照射する照射部と、荷電粒子ビームの照射により試料から発生する荷電粒子を検出し、当該荷電粒子を検出した信号に基づく画像を形成する像形成部と、観察条件を受け付ける入力受付部と、受け付けた観察条件と、記憶部に記憶された第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出する導出部と、第２観察パラメーターに基づいて照射部を制御する制御部と、を備える。【選択図】図３
2018106832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを試料に照射する照射部と、
前記荷電粒子ビームの照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出し、当該荷電粒子を検出した信号に基づく画像を形成する像形成部と、
観察条件を受け付ける入力受付部と、
受け付けた前記観察条件と、記憶部に記憶された第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出する導出部と、
前記第２観察パラメーターに基づいて前記照射部を制御する制御部と、
を備える荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
前記入力受付部は、前記荷電粒子ビームを加速させる加速電圧、前記荷電粒子ビームのビーム電流、前記荷電粒子ビームを集束させる対物レンズの動作モードであるレンズモード、前記試料を保持させるホルダの種類、前記試料の材質、前記試料を載置するステージの位置であるステージ位置のうちの一部又は全部の組み合わせを前記観察条件として受け付け、
前記記憶部には、当該組み合わせが前記第１観察パラメーターとして記憶されている、
請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
前記記憶部には、前記照射部による前記荷電粒子ビームの照射に関するビーム照射条件を表す１以上のビーム照射パラメーターと、前記荷電粒子の検出に関する検出条件を表す１以上の検出パラメーターとの一部又は全部の組み合わせが前記第２観察パラメーターとして記憶されている、
請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
前記ビーム照射パラメーターは、前記照射部に前記荷電粒子ビームを照射させる際に前記照射部に設定するアライナー、ビームシフト、ＯＬ値、スティグマ値のうちの一部又は全部の組み合わせであり、
前記検出条件は、コントラスト値、ブライト値のいずれか一方又は両方の組み合わせである、
請求項３に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
前記記憶部には、前記第１観察パラメーターと、前記第２観察パラメーターとが対応付けられたデータベースが記憶されており、
前記導出部は、受け付けた前記観察条件と前記第１観察パラメーターとに基づいて、前記データベースに含まれる前記第２観察パラメーターのうち当該観察条件に対応することが尤もらしい前記第２観察パラメーターを、当該観察条件に適した前記第２観察パラメーターとして導出する、
請求項１から４のうちいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
前記導出部は、前記データベースに含まれる前記第１観察パラメーターのうち受け付けた前記観察条件に最も近い前記第１観察パラメーターを特定し、特定した当該第１観察パラメーターに対応付けられた前記第２観察パラメーターを、当該観察条件に対応することが尤もらしい前記第２観察パラメーターとして導出する、
請求項５に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
前記データベースに含まれる前記第１観察パラメーターに含まれるパラメーターにはそれぞれ、優先順位が対応付けられており、
前記導出部は、前記優先順位と、受け付けた前記観察条件とに基づいて、前記データベースに含まれる前記第１観察パラメーターのうち当該観察条件に最も近い前記第１観察パラメーターを特定する、
請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
前記導出部は、前記データベースを学習させた機械学習のアルゴリズムと、受け付けた前記観察条件とに基づいて、当該観察条件に対応することが尤もらしい前記第２観察パラメーターを前記データベースから導出する、
請求項５に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
前記データベースを記憶する記憶部を更に備え、
前記導出部は、前記記憶部から前記データベースを読み出す、
請求項５から８のうちいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１０】
前記導出部は、ネットワークを介して前記記憶部から前記データベースを取得する、
請求項５から９のうちいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１１】
前記データベースとは、前記照射部が試料に対して過去に前記荷電粒子ビームを照射した際の前記第１観察パラメーターと前記第２観察パラメーターとが対応付けられたデータベースである、
請求項５から１０のうちいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１２】
荷電粒子ビームを試料に照射する照射部と、前記荷電粒子ビームの照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出し、当該荷電粒子を検出した信号に基づく画像を形成する像形成部と、を備えた荷電粒子ビーム装置の制御方法であって、
観察条件を受け付けるステップと、
受け付けた前記観察条件と、記憶部に記憶された第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出部によって導出するステップと、
導出した前記第２観察パラメーターに基づいて、前記照射部を制御部によって制御するステップと、
を有する制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、荷電粒子ビーム装置、及び制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
物体の断面・表面に荷電粒子ビーム（荷電粒子のビーム）を照射し、当該断面の断面像・表面像を取得する技術の研究や開発が行われている。
【０００３】
これに関し、イオンビームを発生するイオン源と、イオンビームを集束させるレンズ系と、イオンビームの電流を制限する電動可変マルチアパーチャと、イオンビームで加工しようとする試料を載せるステージと、イオンビームを試料上に照射する時に発生する二次粒子を検出する検出器と、電動可変マルチアパーチャをコントロールするイオン光学系制御部と、二次粒子に基づき試料の加工を制御するコンピューターシステムよりなる集束イオンビーム加工装置において、イオンビームの電流量に対応して、レンズの設定、非点補正値、アパーチャ径及び像のズレ量などのイオンビーム光学的条件及び、複数個の加工内容をコンピューターに記憶させておき、加工内容に従って光学的条件を選択、設定し、複数個の加工を行う加工装置が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１０６４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の加工装置では、加工する試料を変更する毎に、光学的条件等の試料の加工・観察に関する各種の条件を調整しなければならなかった。その結果、加工装置では、複数の試料を加工する作業の効率を向上させることが困難な場合があった。
【０００６】
そこで本発明は、上記従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる荷電粒子ビーム装置、及び制御方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、荷電粒子ビームを試料に照射する照射部と、前記荷電粒子ビームの照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出し、当該荷電粒子を検出した信号に基づく画像を形成する像形成部と、観察条件を受け付ける入力受付部と、受け付けた前記観察条件と、記憶部に記憶された第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出する導出部と、前記第２観察パラメーターに基づいて前記照射部を制御する制御部と、を備える荷電粒子ビーム装置である。
【０００８】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記入力受付部は、前記荷電粒子ビームを加速させる加速電圧、前記荷電粒子ビームのビーム電流、前記荷電粒子ビームを集束させる対物レンズの動作モードであるレンズモード、前記試料を保持させるホルダの種類、前記試料の材質、前記試料を載置するステージの位置であるステージ位置のうちの一部又は全部の組み合わせを前記観察条件として受け付け、前記記憶部には、当該組み合わせが前記第１観察パラメーターとして記憶されている、構成が用いられてもよい。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記記憶部には、前記照射部による前記荷電粒子ビームの照射に関するビーム照射条件を表す１以上のビーム照射パラメーターと、前記荷電粒子の検出に関する検出条件を表す１以上の検出パラメーターとの一部又は全部の組み合わせが前記第２観察パラメーターとして記憶されている、構成が用いられてもよい。
【００１０】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記ビーム照射パラメーターは、前記照射部に前記荷電粒子ビームを照射させる際に前記照射部に設定するアライナー、ビームシフト、ＯＬ値、スティグマ値のうちの一部又は全部の組み合わせであり、前記検出条件は、コントラスト値、ブライト値のいずれか一方又は両方の組み合わせである、構成が用いられてもよい。
【００１１】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記記憶部には、前記第１観察パラメーターと、前記第２観察パラメーターとが対応付けられたデータベースが記憶されており、前記導出部は、受け付けた前記観察条件と前記第１観察パラメーターとに基づいて、前記データベースに含まれる前記第２観察パラメーターのうち当該観察条件に対応することが尤もらしい前記第２観察パラメーターを、当該観察条件に適した前記第２観察パラメーターとして導出する、構成が用いられてもよい。
【００１２】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記導出部は、前記データベースに含まれる前記第１観察パラメーターのうち受け付けた前記観察条件に最も近い前記第１観察パラメーターを特定し、特定した当該第１観察パラメーターに対応付けられた前記第２観察パラメーターを、当該観察条件に対応することが尤もらしい前記第２観察パラメーターとして導出する、構成が用いられてもよい。
【００１３】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記データベースに含まれる前記第１観察パラメーターに含まれるパラメーターにはそれぞれ、優先順位が対応付けられており、前記導出部は、前記優先順位と、受け付けた前記観察条件とに基づいて、前記データベースに含まれる前記第１観察パラメーターのうち当該観察条件に最も近い前記第１観察パラメーターを特定する、構成が用いられてもよい。
【００１４】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記導出部は、前記データベースを学習させた機械学習のアルゴリズムと、受け付けた前記観察条件とに基づいて、当該観察条件に対応することが尤もらしい前記第２観察パラメーターを前記データベースから導出する、構成が用いられてもよい。
【００１５】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記データベースを記憶する記憶部を更に備え、前記導出部は、前記記憶部から前記データベースを読み出す、構成が用いられてもよい。
【００１６】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記導出部は、ネットワークを介して前記記憶部から前記データベースを取得する、構成が用いられてもよい。
【００１７】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム装置において、前記データベースとは、前記照射部が試料に対して過去に前記荷電粒子ビームを照射した際の前記第１観察パラメーターと前記第２観察パラメーターとが対応付けられたデータベースである、構成が用いられてもよい。
【００１８】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビームを試料に照射する照射部と、前記荷電粒子ビームの照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出し、当該荷電粒子を検出した信号に基づく画像を形成する像形成部と、を備えた荷電粒子ビーム装置の制御方法であって、観察条件を受け付けるステップと、受け付けた前記観察条件と、記憶部に記憶された第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出部によって導出するステップと、導出した前記第２観察パラメーターに基づいて、前記照射部を制御部によって制御するステップと、を有する制御方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる荷電粒子ビーム装置、及び制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態に係る荷電粒子ビーム装置１の構成の一例を示す図である。
【図２】制御装置３０のハードウェア構成の一例を示す図である。
【図３】制御装置３０の機能構成の一例を示す図である。
【図４】制御装置３０が行うパラメーター導出処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図５】入力受付部３３により操作画面を介して導出部３６３がユーザーから受け付けた観察条件の一例を示す図である。
【図６】記憶部３２に予め記憶されたデータベースＤに格納された１以上の第１観察パラメーター及び各第１観察パラメーターに対応付けられた第２観察パラメーターを例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜実施形態＞
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
＜荷電粒子ビーム装置が行う処理の概要＞
まず、実施形態に係る荷電粒子ビーム装置１が行う処理の概要について説明する。
【００２３】
荷電粒子ビーム装置１は、例えば、荷電粒子ビームを試料に照射することにより、試料の表面の構造を観察する荷電粒子顕微鏡である。当該構造は、当該表面の化学組成、当該表面の結晶構造等のことである。なお、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビームによるエッチングにより試料を加工する荷電粒子加工装置等の荷電粒子ビームを試料に照射する他の装置であってもよい。また、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビームとして集束イオンビームと電子イオンビームとのいずれか一方又は両方によって試料を加工することが可能な複合機であっても良い。荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビーム装置１に設定可能な複数のパラメーターのうち、１以上のパラメーターの組み合わせ（セット、パラメーター群）を観察条件としてユーザーから受け付ける。以下では、説明の便宜上、観察条件に含まれる１以上のパラメーターのそれぞれを、入力パラメーターと称して説明する。入力パラメーターは、荷電粒子ビーム装置１によって表面の構造を観察する対象となる試料に応じてユーザーにより決められるパラメーターである。荷電粒子ビーム装置１は、受け付けた観察条件に基づいて、荷電粒子ビーム装置１の状態を当該観察条件に応じた状態に変更する。
【００２４】
具体的には、荷電粒子ビーム装置１には、予めデータベースＤが記憶されている。データベースＤとは、１以上の観察条件のそれぞれが第１観察パラメーターとして格納されたデータベースのことである。すなわち、第１観察パラメーターのそれぞれは、前述の１以上の入力パラメーターの組み合わせである。当該１以上の観察条件は、例えば、荷電粒子ビーム装置１が過去に受け付けた観察条件、他の荷電粒子ビーム装置１が過去に受け付けた観察条件、ユーザーにより登録された観察条件等である。また、データベースＤに格納された１以上の第１観察パラメーターのそれぞれには、第２観察パラメーターが対応付けられている。第２観察パラメーターは、荷電粒子ビーム装置１に設定可能な複数のパラメーターのうち、入力パラメーター以外のパラメーターの組み合わせである。以下では、説明の便宜上、第２観察パラメーターに含まれる１以上のパラメーターのそれぞれを、導出パラメーターと称して説明する。なお、第２観察パラメーターは、荷電粒子ビーム装置１に設定可能な複数のパラメーターのうち、入力パラメーター以外のパラメーターの一部の組み合わせであってもよい。導出パラメーターは、例えば、荷電粒子ビーム装置１による荷電粒子ビームの照射に関するビーム照射条件を表す１以上のビーム照射パラメーターと、荷電粒子ビームが照射された試料から発生する荷電粒子の荷電粒子ビーム装置１による検出に関する検出条件を表す１以上の検出パラメーターとの一部又は全部の組み合わせである。
【００２５】
荷電粒子ビーム装置１は、予め記憶されたデータベースＤに格納された１以上の第１観察パラメーターのうち、受け付けた観察条件に最も近い第１観察パラメーターを特定する。そして、荷電粒子ビーム装置１は、特定した当該第１観察パラメーターに対応付けられた第２観察パラメーターを、当該観察条件に適した第２観察パラメーターとしてデータベースＤから導出（特定）する。荷電粒子ビーム装置１は、受け付けた観察条件と特定した第２観察パラメーターとを荷電粒子ビーム装置１に設定する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビーム装置１の状態を当該観察条件に応じた状態に変更する。すなわち、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビーム装置１に設定可能なパラメーターのうちの一部（前述の入力パラメーターの組み合わせ）を観察条件として受け付けることにより、当該パラメーターのうちの観察条件以外のパラメーターの少なくとも一部（前述の導出パラメーターの組み合わせ）を導出する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、試料が変更される毎にユーザーによって行われるパラメーターの設定に要する手間と時間を少なくすることができる。当該パラメーターは、荷電粒子ビーム装置１に設定可能なパラメーターのことである。すなわち、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる当該試料に応じた作業の効率を向上させることができる。
【００２６】
荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビーム装置１の状態を当該観察条件に応じた状態に変更した後、試料に荷電粒子ビームを照射し、荷電粒子ビームの照射により試料から発生する荷電粒子を検出する。荷電粒子ビーム装置１は、当該荷電粒子を検出した信号に基づく画像を形成する。当該画像は、この一例において、当該試料の表面を表す二次元画像である。
【００２７】
ここで、試料は、例えば、導電性の試料である。なお、試料は、これに代えて、絶縁性の試料であってもよく、半導電性の試料（半導体試料）であってもよい。また、物体は、試料に代えて、他の物体であってもよく、例えば、生物を構成する細胞、骨等の生体であってもよい。以下では、荷電粒子ビーム装置１が受け付けた観察条件と荷電粒子ビーム装置１に予め記憶された第１観察パラメーターとに基づいて当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出するパラメーター導出処理について詳しく説明する。
【００２８】
＜荷電粒子ビーム装置の構成＞
以下、荷電粒子ビーム装置１の構成について説明する。図１は、実施形態に係る荷電粒子ビーム装置１の構成の一例を示す図である。
【００２９】
荷電粒子ビーム装置１は、照射部１０と、制御装置３０と、表示装置３５を備える。なお、この一例における荷電粒子ビーム装置１では、照射部１０と、制御装置３０と、表示装置３５とのそれぞれが別体に構成されているが、これに代えて、照射部１０と、制御装置３０と、表示装置３５との一部又は全部が一体に構成されてもよい。
【００３０】
照射部１０は、例えば、集束イオンビーム（ＦＩＢ（Focused  Ion  Beam））鏡筒１１と、電子ビーム（ＥＢ（Electron  Beam））鏡筒１２と、試料室１３を備える。
【００３１】
集束イオンビーム鏡筒１１は、予め決められた種類のイオンを集束させた集束イオンビームＢ１を照射する。集束イオンビームＢ１は、荷電粒子ビームの一例である。集束イオンビーム鏡筒１１は、例えば、イオン源と、イオン加速部と、イオン照射部とを備える。イオン源は、イオンを発生させる。イオン加速部は、イオン源が発生させたイオンに対してイオン加速方向に電場を印加し、当該イオンを加速させる。イオン加速方向は、集束イオンビーム鏡筒１１の中心軸に沿った方向であって集束イオンビーム鏡筒１１のイオン源から集束イオンビーム鏡筒１１の集束イオンビームＢ１が出射する出射口に向かう方向である。イオン照射部は、静電レンズを備え、イオン加速部によって加速されたイオンに、当該静電レンズによって電場を印加し、当該イオンを集束させる。そして、イオン照射部は、集束させたイオンを集束イオンビームＢ１として当該出射口から所定の照射範囲に照射する。照射範囲については、後述する。なお、当該静電レンズは、加速型であってもよく、減速型であってもよい。また、イオン照射部は、磁場レンズを備え、イオン加速部によって加速されたイオンに、当該磁場レンズによって磁場を印加し、当該イオンを集束させる構成であってもよい。
【００３２】
集束イオンビーム鏡筒１１は、試料室１３内に挿入されている。試料室１３には、試料を載置する試料台であるステージ１４と、制御装置３０からの要求に応じてステージ１４の位置及び姿勢を変化させるステージ駆動部が備えられている。集束イオンビーム鏡筒１１は、ステージ１４の位置及び姿勢が、予め決められた基準となる位置及び姿勢である基準位置及び基準姿勢と一致している場合において、集束イオンビーム鏡筒１１の中心軸がステージ１４の上面と直交する位置に設置される。また、集束イオンビーム鏡筒１１は、集束イオンビームＢ１を所定の照射領域に照射可能な位置に設置される。この照射領域は、ステージ１４の位置及び姿勢が基準位置及び基準姿勢と一致している場合におけるステージ１４の上面に沿った平面上に設定される領域である。以下では、一例として、照射領域が、当該場合におけるステージ１４の上面の内側に設定される領域である場合について説明する。なお、照射領域は、これに代えて、当該場合におけるステージ１４の上面の一部又は全部を含む範囲に設定される領域であってもよい。また、照射領域は、常に固定されており、ステージ駆動部がステージ１４の位置及び姿勢を変化させた場合であっても、ステージ１４の上面とともに動くわけではない。すなわち、ステージ駆動部は、ステージ１４の位置及び姿勢を変化させることにより、ステージ１４の上面に載置された試料を照射領域に対して相対的に並進又は傾斜させることができる。図１に示した試料Ｓは、当該試料の一例である。
【００３３】
電子ビーム鏡筒１２は、電子を集束させた電子ビームＢ２を照射する。電子ビームＢ２は、荷電粒子ビームの一例である。電子ビーム鏡筒１２は、例えば、電子源（例えば、電子銃）と、電子加速部と、電子照射部とを備える。電子源は、電子を発生させる。電子加速部は、電子源が発生させた電子に対して電子加速方向に電場を印加し、当該電子を加速させる。電子加速方向は、電子ビーム鏡筒１２の中心軸に沿った方向であって電子ビーム鏡筒１２の電子源から電子ビーム鏡筒１２の電子ビームＢ２が出射する出射口に向かう方向である。電子照射部は、静電レンズを備え、電子加速部によって加速された電子に、当該静電レンズによって電場を印加し、当該電子を集束させる。そして、電子照射部は、集束させた電子を電子ビームＢ２として当該出射口から照射する。なお、当該静電レンズは、加速型であってもよく、減速型であってもよい。また、電子照射部は、磁場レンズを備え、電子加速部によって加速された電子に、当該磁場レンズによって磁場を印加し、当該電子を集束させる構成であってもよい。この場合、当該磁場レンズは、試料が磁場中に配置されるように電子ビーム鏡筒１２からレンズ磁場を漏れさせるセミインレンズモードであってもよく、電子ビーム鏡筒１２からレンズ磁場を漏らさないアウトレンズモードであってもよい。
【００３４】
電子ビーム鏡筒１２は、集束イオンビーム鏡筒１１とともに試料室１３内に収容されている。電子ビーム鏡筒１２は、ステージ１４の位置及び姿勢が基準となる基準位置及び基準姿勢と一致している場合において、電子ビーム鏡筒１２の中心軸がステージ１４の上面に対して所定角度傾く位置に設置される。また、電子ビーム鏡筒１２は、電子ビームＢ２を前述の照射領域に照射可能な位置に設置される。
【００３５】
また、照射部１０は、二次電子検出器１６と、ＥＤＳ検出器１７と、ＥＢＳＤ検出器１８を更に備える。なお、照射部１０は、これらの一部又は全部に代えて、反射電子検出器、透過電子検出器等の他の検出器を備える構成であってもよく、当該一部又は当該全部に加えて、反射電子検出器、透過電子検出器等の他の検出器を備える構成であってもよい。反射電子検出器は、電子ビームＢ２の少なくとも一部の電子であって試料によって反射された電子を検出する検出器である。透過電子検出器は、電子ビームＢ２の少なくとも一部の電子であって試料を透過した電子を検出する検出器である。
【００３６】
二次電子検出器１６は、集束イオンビームＢ１が試料に照射された場合に試料から発生する電子のエネルギーを検出する。当該電子には、試料に含まれる電子のうち集束イオンビームＢ１によって散乱された反跳電子等が含まれる。また、二次電子検出器１６は、電子ビームＢ２が試料に照射された場合に試料から発生する電子のエネルギーを検出する。当該電子には、試料に含まれる電子のうち電子ビームＢ２によって散乱された反跳電子、電子ビームＢ２に含まれる電子のうち試料によって反射された反射電子等が含まれる。二次電子検出器１６は、検出した電子のエネルギーを示す情報を含む信号を制御装置３０に出力する。
【００３７】
ＥＤＳ検出器１７は、電子ビームＢ２が試料に照射された場合に試料から発生するＸ線のエネルギーを検出する。試料から発生するＸ線は、試料を構成する物質毎に特有の特性Ｘ線を含む。荷電粒子ビーム装置１は、この特性Ｘ線によって、試料を構成する物質を特定することができる。ＥＤＳ検出器１７は、検出したＸ線のエネルギーを示す情報を含む信号を制御装置３０に出力する。
【００３８】
ＥＢＳＤ検出器１８は、試料が結晶性材料であった場合、且つ、電子ビームＢ２が試料の断面に照射された場合に、当該断面において生じる電子線後方散乱回折により発生する電子の強度分布（回折図形）、すなわちＥＢＳＤパターンを検出する。当該断面において発生するＥＢＳＤパターンは、当該断面の結晶構造（すなわち、結晶系、結晶方位等）を表す。荷電粒子ビーム装置１は、このＥＢＳＤパターンによって、当該断面の化学組成を特定することができる。ＥＢＳＤ検出器１８は、検出した当該ＥＢＳＤパターンを示す情報を含む信号を制御装置３０に出力する。
【００３９】
また、照射部１０は、ケーブルによって制御装置３０と通信可能に接続されている。これにより、照射部１０が備える集束イオンビーム鏡筒１１、電子ビーム鏡筒１２、ステージ１４、二次電子検出器１６、ＥＤＳ検出器１７、ＥＢＳＤ検出器１８のそれぞれは、制御装置３０から取得される制御信号に基づく動作を行う。なお、ケーブルを介した有線通信は、例えば、イーサネット（登録商標）やＵＳＢ（Universal  Serial  Bus）等の規格によって行われる。また、照射部１０は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）等の通信規格により行われる無線通信によって制御装置３０と接続される構成であってもよい。
【００４０】
なお、照射部１０は、二次電子検出器１６と、ＥＤＳ検出器１７と、ＥＢＳＤ検出器１８のうちのいずれか１つを備えない構成であってもよい。また、照射部１０は、二次電子検出器１６と、ＥＤＳ検出器１７と、ＥＢＳＤ検出器１８とのいずれかに代えて、他の検出器を備える構成であってもよい。また、照射部１０は、二次電子検出器１６と、ＥＤＳ検出器１７と、ＥＢＳＤ検出器１８との全部に代えて、２以上の他の検出器を備える構成であってもよい。
【００４１】
制御装置３０は、例えば、例えば、デスクトップＰＣ（Personal  Computer）、ノートＰＣ、ワークステーション等の情報処理装置である。なお、制御装置３０は、これらに代えて、タブレットＰＣや多機能携帯電話（スマートフォン）、ＰＤＡ（Personal  Data  Assistant）等の他の情報処理装置であってもよい。
【００４２】
制御装置３０は、照射部１０を制御する。例えば、制御装置３０は、照射部１０に荷電粒子ビームを試料の表面へ照射させる。また、制御装置３０は、照射部１０による荷電粒子ビームの照射により試料の表面から発生する荷電粒子を照射部１０に検出させる。制御装置３０は、当該荷電粒子を検出した信号を照射部１０から取得し、取得した当該信号に基づいて当該表面を表す画像を形成（生成）する。制御装置３０は、形成した当該画像を表示装置３５に表示させる。
【００４３】
また、制御装置３０は、照射部１０を制御し、試料に荷電粒子ビームを照射させることによって行う当該試料に応じた作業を照射部１０に行わせる。当該試料に応じた作業は、例えば、当該試料の表面をエッチングする作業、前述のように当該試料の表面を表す画像を生成し、生成した当該画像を表示装置３５に表示させる作業等である。なお、当該試料に応じた作業は、これらに代えて、当該試料に荷電粒子ビームを照射させることによって行う他の作業であってもよい。
【００４４】
また、制御装置３０は、前述の観察条件を受け付ける。制御装置３０は、受け付けた観察条件と、予め記憶されたデータベースＤに格納された１以上の第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出する。すなわち、制御装置３０は、前述のパラメーター導出処理を行う。なお、当該データベースＤは、制御装置３０に予め記憶される構成に代えて、制御装置３０とネットワークを介して接続されたサーバーから制御装置３０が取得する構成であってもよい。この場合、制御装置３０は、当該サーバーから予めデータベースＤを取得して記憶する。制御装置３０は、受け付けた観察条件と導出した第２観察パラメーターとに基づいて照射部１０を制御する。
【００４５】
なお、制御装置３０は、照射部１０によって試料の表面を保護するデポジション膜を当該表面に形成させる処理等の他の処理も行うことができるが、以下では、パラメーター導出処理について説明するために必要な処理以外の制御装置３０が行う処理の説明については、省略する。
【００４６】
表示装置３５は、例えば、前述の表示部として液晶ディスプレイパネル、あるいは、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイパネルを備えたディスプレイである。表示装置３５は、制御装置３０から取得した各種の画像を当該表示部に表示する。なお、表示装置３５は、タッチパネルを備える構成であってもよい。この場合、表示装置３５は、タブレット型のタッチパネル付ディスプレイであってもよく、据え置き型のタッチパネル付ディスプレイであってもよい。また、当該場合、表示装置３５は、ユーザーから受け付けた操作に基づいて制御装置３０を操作可能である。
【００４７】
＜制御装置のハードウェア構成＞
以下、図２を参照し、制御装置３０のハードウェア構成について説明する。図２は、制御装置３０のハードウェア構成の一例を示す図である。
【００４８】
制御装置３０は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）３１と、記憶部３２と、入力受付部３３と、通信部３４を備える。これらの構成要素は、バスＢｕｓを介して相互に通信可能に接続されている。また、制御装置３０は、通信部３４を介して照射部１０、表示装置３５のそれぞれと通信を行う。
【００４９】
ＣＰＵ３１は、記憶部３２に格納された各種プログラムを実行する。
記憶部３２は、例えば、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）やＳＳＤ（Solid  State  Drive）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically  Erasable  Programmable  Read−Only  Memory）、ＲＯＭ（Read−Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等を含む。なお、記憶部３２は、制御装置３０に内蔵されるものに代えて、ＵＳＢ等のデジタル入出力ポート等によって接続された外付け型の記憶装置であってもよい。記憶部３２は、制御装置３０が処理する各種情報や画像、各種のプログラム、データベースＤ等を記憶する。
【００５０】
入力受付部３３は、例えば、キーボードやマウス、タッチパッド等の入力装置である。なお、入力受付部３３は、制御装置３０が表示装置３５と一体に構成されている場合、表示装置３５が備える表示部と一体に構成されたタッチパネル等の他の入力装置であってもよい。
通信部３４は、例えば、ＵＳＢ等のデジタル入出力ポートやイーサネット（登録商標）ポート等を含んで構成される。
【００５１】
＜制御装置の機能構成＞
以下、図３を参照し、制御装置３０の機能構成について説明する。図３は、制御装置３０の機能構成の一例を示す図である。
【００５２】
制御装置３０は、記憶部３２と、入力受付部３３と、制御部３６を備える。
【００５３】
制御部３６は、制御装置３０の全体を制御する。制御部３６は、照射部制御部３６１と、像形成部３６２と、導出部３６３と、表示制御部３６７を備える。制御部３６が備えるこれらの機能部は、例えば、ＣＰＵ３１が、記憶部３２に記憶された各種プログラムを実行することにより実現される。また、当該機能部のうち一部又は全部は、ＬＳＩ（Large  Scale  Integration）やＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）等のハードウェア機能部であってもよい。
【００５４】
照射部制御部３６１は、照射部１０の全体を制御する。照射部制御部３６１は、入力受付部３３によりユーザーから受け付けられた観察条件と、導出部３６３が導出した第２観察パラメーターとを照射部１０に設定する。照射部制御部３６１は、設定した当該観察条件及び当該第２観察パラメーターに基づいて、集束イオンビーム鏡筒１１と電子ビーム鏡筒１２とのうちいずれか一方又は両方に荷電粒子ビームを照射させる。また、照射部制御部３６１は、二次電子検出器１６が電子のエネルギーを検出した信号を二次電子検出器１６から取得する。また、照射部制御部３６１は、ＥＤＳ検出器１７がＸ線のエネルギーを検出した信号を二次電子検出器１６から取得する。また、照射部制御部３６１は、ＥＢＳＤ検出器１８がＥＢＳＤパターンを検出した信号をＥＢＳＤ検出器１８から取得する。
【００５５】
像形成部３６２は、照射部制御部３６１が二次電子検出器１６から取得した信号に基づくＳＩＭ像、ＳＥＭ像等を形成する。また、像形成部３６２は、照射部制御部３６１がＥＤＳ検出器１７から取得した信号に基づくＥＤＳマップを形成する。また、像形成部３６２は、照射部制御部３６１がＥＢＳＤ検出器１８から取得した信号に基づくＥＢＳＤマップを形成する。
【００５６】
導出部３６３は、入力受付部３３によりユーザーから受け付けられた観察条件と、記憶部３２に予め記憶されたデータベースＤとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出する。
表示制御部３６７は、表示装置３５が備える表示部に表示させる各種の画面を生成する。表示制御部３６７は、生成した画面を表示装置３５に出力し、当該表示部に表示させる。また、表示制御部３６７は、例えば、像形成部３６２により形成されたＳＩＭ像、ＳＥＭ像、ＥＤＳマップ、ＥＢＳＤマップ等の画像を当該表示部に表示させる。
【００５７】
＜制御装置が行うパラメーター導出処理＞
以下、図４を参照し、制御装置３０が行うパラメーター導出処理について説明する。図４は、制御装置３０が行うパラメーター導出処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【００５８】
制御装置３０は、予め決められた１以上の試料のそれぞれ毎に、ステップＳ１２０〜ステップＳ１７０の処理を繰り返し行う（ステップＳ１１０）。
【００５９】
制御装置３０は、ステップＳ１１０においてユーザーにより選択された試料が、ユーザーによってステージ１４の上面に載置されるまで待機する（ステップＳ１２０）。具体的には、制御装置３０は、表示装置３５が備える表示部に表示制御部３６７が予め表示させた操作画面を介してユーザーから受け付けた操作であってパラメーター導出処理を開始させる操作を受け付けるまで待機する。当該操作画面は、ユーザーが制御装置３０を操作する画面である。そして、制御装置３０は、当該操作を受け付けた場合、当該試料がユーザーによって当該上面に載置されたと判定し、ステップＳ１３０の処理を開始する。
【００６０】
ステップＳ１２０の処理が行われた後、導出部３６３は、入力受付部３３により操作画面を介してユーザーから観察条件を受け付ける（ステップＳ１３０）。具体的には、導出部３６３は、この一例において、荷電粒子ビーム装置１に設定可能な複数のパラメーターのうち、加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージ１４の位置それぞれの組み合わせを観察条件として受け付ける。なお、観察条件は、これらのパラメーターの組み合わせに代えて、他のパラメーターの組み合わせであってもよい。
【００６１】
加速電圧とは、この一例において、集束イオンビーム鏡筒１１に予め決められた種類のイオンを加速させる電圧、又は、電子ビーム鏡筒１２に電子を加速させる電圧のことである。
【００６２】
ビーム電流とは、この一例において、集束イオンビーム鏡筒１１に照射させる集束イオンビームＢ１のビーム電流、又は、電子ビーム鏡筒１２に照射させる電子ビームＢ２のビーム電流のことである。
【００６３】
レンズモードとは、この一例において、集束イオンビーム鏡筒１１が備える静電レンズのうちの対物レンズの動作モードを表す値、又は、電子ビーム鏡筒１２が備える静電レンズ（又は、磁場レンズ）のうちの対物レンズの動作モードを表す値である。ここで、集束イオンビーム鏡筒１１及び電子ビーム鏡筒１２が備える対物レンズのそれぞれは、複数の動作モードを有する。また、複数の動作モードのうち、ユーザーにより似ていると判断された動作モード同士には、近い値（差分が小さい値）が動作モードを表す値として対応付けられている。
【００６４】
ホルダの種類とは、この一例において、ステージ１４の上面に試料を載置させる際に試料を保持するホルダの種類を表す値のことである。ユーザーは、当該上面に試料を載置する際、ユーザーが選択した種類のホルダに試料を保持させ、当該ホルダを当該上面に取り付けることにより、試料を当該上面に載置する。ここで、複数の当該種類のうち、ユーザーにより似ていると判断された当該種類同士には、近い値（差分が小さい値）が当該種類を表す値として対応付けられている。
【００６５】
ステージ１４の位置は、この一例において、荷電粒子ビーム装置１の予め決められた位置に対応付けられた三次元座標系１Ｃによって表されるステージ１４の位置のことである。
【００６６】
また、加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージ１４の位置のそれぞれには、観察条件とデータベースＤに格納された第１観察パラメーターとを比較する際に比較する順番を示す優先順位が対応付けられている。当該優先順位は、加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージ１４の位置の順に低くなる。すなわち、加速電圧には、最も高い優先順位が対応付けられており、ステージ１４の位置には、最も低い優先順位が対応付けられている。
【００６７】
図５は、入力受付部３３により操作画面を介して導出部３６３がユーザーから受け付けた観察条件の一例を示す図である。図５に示したように、導出部３６３は、照射部１０に設定可能なパラメーターのうち、加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージ１４の位置の組み合わせを観察条件としてユーザーから受け付ける。
【００６８】
ステップＳ１３０の処理が行われた後、導出部３６３は、記憶部３２に予め記憶されたデータベースＤを記憶部３２から読み出す（ステップＳ１４０）。ここで、ステップＳ１４０の処理について説明する。
【００６９】
記憶部３２に予め記憶されたデータベースＤには、図６に示したように、複数の第１観察パラメーターと、第１観察パラメーターのそれぞれに対応付けられた第２観察パラメーターとが格納されている。図６は、記憶部３２に予め記憶されたデータベースＤに格納された１以上の第１観察パラメーター及び各第１観察パラメーターに対応付けられた第２観察パラメーターを例示する図である。
【００７０】
第１観察パラメーターは、記憶部３２に予め記憶されたデータベースＤが格納する複数のパラメーターのうち、像形成部３６２がユーザーから受け付けた入力パラメーターの種類と同じ種類のパラメーターの組み合わせのことである。すなわち、この一例では、第１観察パラメーターには、加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージ１４の位置のそれぞれが含まれる。また、第１観察パラメーターに含まれる加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージ１４の位置のそれぞれには、前述の優先順位が対応付けられている。当該優先順位は、加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージ１４の位置の順に低くなる。すなわち、加速電圧には、最も高い優先順位が対応付けられており、ステージ１４の位置には、最も低い優先順位が対応付けられている。
【００７１】
第２観察パラメーターは、この一例において、集束イオンビーム鏡筒１１又は電子ビーム鏡筒１２に設定するアライナー、ビームシフト、ＯＬ値、スティグマ値のそれぞれと、二次電子検出器１６とＥＤＳ検出器１７とＥＢＳＤ検出器１８との一部又は全部に設定するコントラスト値、ブライト値のそれぞれとの組み合わせである。ここで、集束イオンビーム鏡筒１１又は電子ビーム鏡筒１２に設定するアライナー、ビームシフト、ＯＬ値、スティグマ値のそれぞれは、前述のビーム照射パラメーターの一例である。また、二次電子検出器１６とＥＤＳ検出器１７とＥＢＳＤ検出器１８との一部又は全部に設定するコントラスト値、ブライト値のそれぞれは、前述の検出条件の一例である。
【００７２】
ステップＳ１４０の処理が行われた後、導出部３６３は、ステップＳ１３０においてユーザーから受け付けた観察条件と、ステップＳ１４０において記憶部３２から読み出したデータベースＤに格納された第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出する（ステップＳ１５０）。ここで、ステップＳ１５０の処理について説明する。
【００７３】
導出部３６３は、ステップＳ１３０においてユーザーから受け付けた観察条件と、ステップＳ１４０において記憶部３２から読み出したデータベースＤに格納された１以上の第１観察パラメーターとを比較する。より具体的には、導出部３６３は、観察条件に含まれる入力パラメーターと、第１観察パラメーターに含まれる入力パラメーターとを、各入力パラメーターに対応付けられた優先順位の順に比較する。
【００７４】
例えば、導出部３６３は、受け付けた観察条件に含まれる入力パラメーターのうち優先順位が最も高い入力パラメーターと、各第１観察パラメーターに含まれる入力パラメーターのうち優先順位が最も高い入力パラメーターとの差分のそれぞれを算出する。そして、導出部３６３は、算出した差分が最も小さい当該入力パラメーターを含む第１観察パラメーターを特定する。次に、導出部３６３は、受け付けた観察条件に含まれる入力パラメーターのうち優先順位が２番目に高い入力パラメーターと、特定した１以上の当該第１観察パラメーターに含まれる入力パラメーターのうち優先順位が２番目に高い入力パラメーターとの差分のそれぞれを算出する。そして、導出部３６３は、算出した差分が最も小さい当該入力パラメーターを含む当該第１観察パラメーターを特定する。導出部３６３は、このような処理を、観察条件を表すパラメーターのうち優先順位が最も低いパラメーターを用いた当該処理を行い終わるまで繰り返し行う。導出部３６３は、最後に残った第１観察パラメーターを、当該観察条件に最も近い第１観察パラメーターとして特定する。そして、導出部３６３は、特定した当該第１観察パラメーターに対応付けられた第２観察パラメーターを、当該観察条件に対応することが尤もらしい第２観察パラメーター、すなわち当該観察条件に適した第２観察パラメーターとして導出する。ここで、導出部３６３は、当該最後に複数の第１観察パラメーターが残った場合、例えば、当該複数の第１観察パラメーターの中からランダムに選択した第１観察パラメーターを当該観察条件に最も近い第１観察パラメーターとして選択する構成であってもよく、当該複数の第１観察パラメーターの中から所定の条件を満たす第１観察パラメーターを当該観察条件に最も近い第１観察パラメーターとして選択する構成であってもよく、当該複数の第１観察パラメーターの中から他の方法によって選択した第１観察パラメーターを当該観察条件に最も近い第１観察パラメーターとして選択する構成であってもよい。
【００７５】
なお、導出部３６３は、データベースＤを学習させた機械学習のアルゴリズムと、受け付けた観察条件とに基づいて、当該観察条件に対応することが尤もらしい第２観察パラメーターをデータベースＤから導出する構成等の他の方法によって当該第２観察パラメーターをデータベースＤから導出する構成であってもよい。
【００７６】
ステップＳ１５０の処理が行われた後、照射部制御部３６１は、ステップＳ１５０において導出された第２観察パラメーターと、ステップＳ１３０において受け付けた観察条件とを照射部１０に設定する（ステップＳ１６０）。具体的には、照射部制御部３６１は、当該観察条件に含まれる加速電圧、ビーム電流のそれぞれを、集束イオンビーム鏡筒１１と電子ビーム鏡筒１２とのうちユーザーにより選択されたいずれか一方又は両方に対して設定する。また、照射部制御部３６１は、当該観察条件に含まれるレンズモードを、集束イオンビーム鏡筒１１と電子ビーム鏡筒１２とのうちユーザーにより選択されたいずれか一方又は両方が備える対物レンズに対して設定する。また、照射部制御部３６１は、当該観察条件に含まれる試料の材質を記憶部３２に記憶する。また、照射部制御部３６１は、当該観察条件に含まれるステージ１４の位置に基づいてステージ１４が備えるステージ駆動部を制御し、当該位置にステージ１４の位置を一致させる。また、照射部制御部３６１は、当該第２観察パラメーターに含まれるアライナー、ビームシフト、ＯＬ値、スティグマ値のそれぞれを、集束イオンビーム鏡筒１１と電子ビーム鏡筒１２とのうちユーザーにより選択されたいずれか一方又は両方に対して設定する。また、照射部制御部３６１は、当該第２観察パラメーターに含まれるコントラスト値、ブライト値のそれぞれを、二次電子検出器１６、ＥＤＳ検出器１７、ＥＢＳＤ検出器１８のうちユーザーにより選択された一部又は全部に対して設定する。
【００７７】
次に、照射部制御部３６１は、ステップＳ１６０において照射部１０に設定した各入力パラメーター及び各導出パラメーターの微調整を行う操作を入力受付部３３により操作画面を介してユーザーから受け付ける（ステップＳ１６５）。具体的には、照射部制御部３６１は、当該操作を受け付けるまで待機する。そして、照射部制御部３６１は、当該微調整を終了させる操作を入力受付部３３により操作画面を介してユーザーから受け付けた場合、ステップＳ１７０の処理を行う。
【００７８】
ステップＳ１６５の処理が行われた後、照射部制御部３６１は、照射部１０を制御し、ステージ１４の上面に載置された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、試料に応じた所定の作業を行う（ステップＳ１７０）。その後、ユーザーは、ステップＳ１３０に遷移し、次の試料を選択する。
【００７９】
以上説明したように、上記の実施形態に係る荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビーム（この一例において、集束イオンビームＢ１、電子ビームＢ２等）を照射部（この一例において、照射部１０）により試料に照射し、荷電粒子ビームの照射により試料から発生する荷電粒子を検出し、当該荷電粒子を検出した信号に基づく画像を形成する。また、荷電粒子ビーム装置１は、観察条件を受け付け、受け付けた観察条件と、記憶部（この一例において、記憶部３２、又はネットワーク上のサーバー）に記憶された第１観察パラメーターとに基づいて、当該観察条件に適した第２観察パラメーターを導出し、第２観察パラメーターに基づいて照射部を制御する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる。
【００８０】
また、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビームを加速させる加速電圧、前記荷電粒子ビームのビーム電流、荷電粒子ビームを集束させる対物レンズの動作モードであるレンズモード、試料を保持させるホルダの種類、試料の材質、試料を載置するステージの位置であるステージ位置のうちの一部又は全部の組み合わせを観察条件として受け付ける。また、荷電粒子ビーム装置１では、記憶部には、当該組み合わせが第１観察パラメーターとして記憶されている。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、加速電圧、ビーム電流、レンズモード、ホルダの種類、試料の材質、ステージの位置の組み合わせに基づいて、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる。
【００８１】
また、荷電粒子ビーム装置１では、記憶部には、照射部による荷電粒子ビームの照射に関するビーム照射条件を表す１以上のビーム照射パラメーターと、荷電粒子ビームの照射により試料から発生する荷電粒子の検出に関する検出条件を表す１以上の検出パラメーターとの一部又は全部の組み合わせが第２観察パラメーターとして記憶されている。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、ビーム照射パラメーターと、検出パラメーターとの一部又は全部の組み合わせに基づいて、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる。
【００８２】
また、荷電粒子ビーム装置１では、ビーム照射パラメーターは、照射部に荷電粒子ビームを照射させる際に照射部に設定するアライナー、ビームシフト、ＯＬ値、スティグマ値のうちの一部又は全部の組み合わせであり、検出条件は、コントラスト値、ブライト値のいずれか一方又は両方の組み合わせである。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、受け付けた観察条件に基づいて、アライナー、ビームシフト、ＯＬ値、スティグマ値、コントラスト値、ブライト値の一部又は全部を導出することができる。
【００８３】
また、荷電粒子ビーム装置１では、記憶部には、第１観察パラメーターと、第２観察パラメーターとが対応付けられたデータベース（この一例において、データベースＤ）が記憶されている。また、荷電粒子ビーム装置１は、受け付けた観察条件と第１観察パラメーターとに基づいて、データベースに含まれる第２観察パラメーターのうち当該観察条件に対応することが尤もらしい第２観察パラメーターを、当該観察条件に適した第２観察パラメーターとして導出する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、受け付けた観察条件に適した第２観察パラメーターをユーザーが特定する作業をユーザーに省略させることができる。
【００８４】
また、荷電粒子ビーム装置１は、データベースに含まれる第１観察パラメーターのうち受け付けた観察条件に最も近い第１観察パラメーターを特定し、特定した当該第１観察パラメーターに対応付けられた第２観察パラメーターを、当該観察条件に対応することが尤もらしい第２観察パラメーターとして導出する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、データベースに含まれる第１観察パラメーターのうち受け付けた観察条件に最も近い第１観察パラメーターに基づいて、受け付けた観察条件に適した第２観察パラメーターをユーザーが特定する作業をユーザーに省略させることができる。
【００８５】
また、荷電粒子ビーム装置１では、データベースに含まれる第１観察パラメーターに含まれるパラメーターにはそれぞれ、優先順位が対応付けられている。また、荷電粒子ビーム装置１は、当該優先順位と、受け付けた観察条件とに基づいて、データベースに含まれる第１観察パラメーターのうち当該観察条件に最も近い第１観察パラメーターを特定する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、当該優先順位に基づいて、受け付けた観察条件に適した第２観察パラメーターをユーザーが特定する作業をユーザーに省略させることができる。
【００８６】
また、荷電粒子ビーム装置１は、データベースを学習させた機械学習のアルゴリズムと、受け付けた観察条件とに基づいて、当該観察条件に対応することが尤もらしい第２観察パラメーターをデータベースから導出する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、機械学習のアルゴリズムに基づいて、受け付けた観察条件に適した第２観察パラメーターをユーザーが特定する作業をユーザーに省略させることができる。
【００８７】
また、荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子ビーム装置１が備えた記憶部（この一例において、記憶部３２）からデータベースを読み出す。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、当該記憶部に予め記憶されたデータベースに基づいて、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる。
【００８８】
また、荷電粒子ビーム装置１は、ネットワークを介して記憶部（この一例において、ネットワーク上のサーバー）からデータベースを取得する。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、当該記憶部から取得されたデータベースに基づいて、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる。
【００８９】
また、荷電粒子ビーム装置１では、記憶部に記憶されたデータベースとは、照射部が試料に対して過去に荷電粒子ビームを照射した際の第１観察パラメーターと第２観察パラメーターとが対応付けられたデータベースである。これにより、荷電粒子ビーム装置１は、照射部が試料に対して過去に荷電粒子ビームを照射した際の第１観察パラメーターと第２観察パラメーターとが対応付けられたデータベースに基づいて、荷電粒子ビームを試料に照射することによって行われる試料に応じた作業の効率を向上させることができる。
【００９０】
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない限り、変更、置換、削除等されてもよい。
【００９１】
また、以上に説明した装置（例えば、制御装置３０）における任意の構成部の機能を実現するためのプログラムを、コンピューター読み取り可能な記録媒体に記録し、そのプログラムをコンピューターシステムに読み込ませて実行するようにしてもよい。なお、ここでいう「コンピューターシステム」とは、ＯＳ（Operating  System）や周辺機器等のハードウェアを含むものとする。また、「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ（Compact  Disk）−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピューターシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバーやクライアントとなるコンピューターシステム内部の揮発性メモリー（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
【００９２】
また、上記のプログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピューターシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピューターシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記のプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、上記のプログラムは、前述した機能をコンピューターシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。
【符号の説明】
【００９３】
１…荷電粒子ビーム装置、１０…照射部、１１…集束イオンビーム鏡筒、１２…電子ビーム鏡筒、１３…試料室、１６…二次電子検出器、１７…ＥＤＳ検出器、１８…ＥＢＳＤ検出器、３０…制御装置、３１…ＣＰＵ、３２…記憶部、３３…入力受付部、３４…通信部、３５…表示装置、３６…制御部、３６１…照射部制御部、３６２…像形成部、３６３…導出部、３６７…表示制御部
【図１】
2018106832.tif 000003
【図２】
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【図３】
2018106832.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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