(57)【要約】      （修正有）【課題】優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている表示装置用の位相シフトマスクブランクを提供する。【解決手段】透明基板２０上に設けられた位相シフト膜３０が、第１及び第２の機能層と、間に配置される中間層とを有し、第１及び第２の機能層はクロムと酸素と窒素とを含有するクロム系材料で構成され、クロムが３０〜７０原子％、酸素が２０〜６０原子％、窒素が０．４〜３０原子％であり、第１の機能層に含まれる窒素の含有率は第２の機能層に含まれる窒素の含有率と同じか、又はそれよりも多く、第２の機能層に含まれる酸素の含有率は第１の機能層に含まれる酸素の含有率よりも多く、中間層はクロムと炭素とを含有し、クロムの含有率が５５〜９０原子％、炭素の含有率が１０〜４５原子％であり、中間層に含まれるクロムの含有率は、第１及び第２の機能層に含まれるクロムの含有率よりも多い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロム系材料で構成される位相シフト膜を透明基板上に備える位相シフトマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、その下層を構成する第１の機能層と、その上層を構成する第２の機能層と、前記第１の機能層と前記第２の機能層との間に配置される中間層とを有し、
前記第１の機能層および前記第２の機能層は、クロムと酸素と窒素とを含有するクロム系材料で構成され、クロムが３０〜７０原子％、酸素が２０〜６０原子％、窒素が０．４〜３０原子％であり、前記第１の機能層に含まれる窒素の含有率は、前記第２の機能層に含まれる窒素の含有率と同じか、又はそれよりも多く、前記第２の機能層に含まれる酸素の含有率は、前記第１の機能層に含まれる酸素の含有率よりも多く、
前記中間層は、クロムと炭素とを含有し、クロムの含有率が５５〜９０原子％、炭素の含有率が１０〜４５原子％であり、前記中間層に含まれるクロムの含有率は、前記第１の機能層、前記第２の機能層に含まれるクロムの含有率よりも多い、ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項２】
前記第１の機能層は、露光光に対する透過率と位相差とを主に調整する機能を有し、前記第２の機能層は、前記位相シフト膜側より入射される光に対する反射率を低減される機能を有するものであって、
前記第１の機能層の膜厚は、前記第２の機能層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項３】
前記第１の機能層は、一窒化クロム又は窒化二クロムを含み、
前記第２の機能層は、クロムと酸素が結合した酸化クロム（ＩＩＩ）を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項４】
前記中間層は、さらに酸素を含有するクロム系材料で構成され、
前記第１の機能層、前記中間層、及び前記第２の機能層は、酸化クロム（ＩＩＩ）を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項５】
前記位相シフト膜側より入射される光に対する前記位相シフト膜の膜面反射率が３５０〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項６】
前記透明基板側より入射される光に対する前記位相シフト膜の裏面反射率が３１３〜４３６ｎｍの波長域において２２．５％以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項７】
前記透明基板と前記位相シフト膜との間に、遮光性膜パターンを備えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランクの前記位相シフト膜上に、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光を用いた描画処理、および現像処理により、レジスト膜パターンを形成する工程と、
該レジスト膜パターンをマスクにして前記位相シフト膜をエッチングして、前記透明基板上に位相シフト膜パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置基板上に形成されたレジスト膜に前記位相シフト膜パターンを転写する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記露光光は、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択される複数の波長の光を含む複合光であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等の表示装置の高解像度化、高精細化に伴い、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている表示装置用の位相シフトマスクが求められている。
【０００３】
また、ＦＰＤ等の表示装置の低価格化の影響を受け、位相シフトマスクの製造コストの削減が必要となっている。位相シフト膜上に遮光性膜が形成されている従来の位相シフトマスクブランクの場合、レジスト膜パターンをマスクにして遮光性膜をエッチングして遮光性膜パターンを形成し、その後、遮光性膜パターンをマスクにして位相シフト膜をエッチングして位相シフト膜パターンを形成し、その後、レジスト膜パターンを剥離し、さらに、遮光性膜パターンを剥離して位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクを製造する。一方、位相シフト膜上に遮光性膜が形成されていない位相シフトマスクブランクの場合、位相シフト膜上の遮光性膜パターンの形成工程および剥離工程が不要となり、製造コストを削減することができる。
【０００４】
このような近年の状況に対応して、位相シフト膜上に遮光性膜が形成されていない位相シフトマスクブランクを用いて製造される、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている表示装置用の位相シフトマスクが要求されている。
【０００５】
例えば、特許文献１では、透明基板上に、２層以上の薄膜が積層された構成の位相シフト膜を備えた表示装置用の位相シフトマスクブランクが提案されている。この位相シフト膜を構成する各薄膜は、互いに異なる組成を持つが、共に同じエッチング溶液によってエッチング可能な物質からなり、組成が相異なることで異なるエッチング速度を持つ。特許文献１では、位相シフト膜のパターニング時に位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面傾斜が険しく形成されるように、位相シフト膜を構成する各薄膜のエッチング速度が調整されている。
なお、特許文献１では、位相反転膜の上部または下部に、遮光性膜、半透過膜、エッチング阻止膜、およびハードマスク膜を始めとして転写用パターンに必要な膜のうち一つ以上の膜を含む機能性膜が配された表示装置用の位相シフトマスクブランクも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−２６２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来提案されている表示装置用の位相シフトマスクに用いられる位相シフト膜は、位相シフト膜パターンを形成するために用いるレジスト膜のパターニング時に使用するレーザー描画光の反射によるレジスト膜への影響を考慮して設計されていない。このため、レーザー描画光に対する位相シフト膜の膜面反射率が２０％を超えてしまう。その結果、レジスト膜中に定在波が発生し、これに伴いレジスト膜パターンのＣＤ均一性が悪化し、延いては、レジスト膜パターンをマスクにしてパターニングして形成される位相シフト膜パターンのＣＤ均一性が、近年要求される値を満たすことができない場合がある。
【０００８】
このため、本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、レーザー描画光として用いられる３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域の光に対する膜面反射率を低減させた位相シフト膜を備えることで、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている表示装置用の位相シフトマスクの形成に用いる位相シフトマスクブランク、及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。さらに、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている表示装置用の位相シフトマスクを使用することで、高解像度、高精細の表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上述した目的を達成するために鋭意検討し、クロム系材料で構成される位相シフト膜を少なくとも３層で構成し、位相シフト膜を構成する各層の組成や膜厚を工夫することにより、露光光に対する位相シフト膜の透過率と位相差とが位相シフト膜として必要な所定の光学特性を満たしつつ、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域の光に対する位相シフト膜の膜面反射率を低減させることができるという知見を得るに至った。
【００１０】
本発明は、この知見に基づいてなされたものであり、以下の構成を有する。
【００１１】
（構成１）
クロム系材料で構成される位相シフト膜を透明基板上に備える位相シフトマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、その下層を構成する第１の機能層と、その上層を構成する第２の機能層と、前記第１の機能層と前記第２の機能層との間に配置される中間層とを有し、
前記第１の機能層および前記第２の機能層は、クロムと酸素と窒素とを含有するクロム系材料で構成され、クロムが３０〜７０原子％、酸素が２０〜６０原子％、窒素が０．４〜３０原子％であり、前記第１の機能層に含まれる窒素の含有率は、前記第２の機能層に含まれる窒素の含有率と同じか、又はそれよりも多く、前記第２の機能層に含まれる酸素の含有率は、前記第１の機能層に含まれる酸素の含有率よりも多く、
前記中間層は、クロムと炭素とを含有し、クロムの含有率が５５〜９０原子％、炭素の含有率が１０〜４５原子％であり、前記中間層に含まれるクロムの含有率は、前記第１の機能層、前記第２の機能層に含まれるクロムの含有率よりも多い、ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【００１２】
（構成２）
前記第１の機能層は、露光光に対する透過率と位相差とを主に調整する機能を有し、前記第２の機能層は、前記位相シフト膜側より入射される光に対する反射率を低減される機能を有するものであって、
前記第１の機能層の膜厚は、前記第２の機能層の膜厚よりも厚いことを特徴とする構成１記載の位相シフトマスクブランク。
【００１３】
（構成３）
前記第１の機能層は、一窒化クロムを含み、
前記第２の機能層は、クロムと酸素が結合した酸化クロム（ＩＩＩ）を含むことを特徴とする構成１又は２に記載の位相シフトマスクブランク。
【００１４】
（構成４）
前記中間層は、さらに酸素を含有するクロム系材料で構成され、
前記第１の機能層、前記中間層、及び前記第２の機能層は、酸化クロム（ＩＩＩ）を含むことを特徴とする構成１乃至３の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【００１５】
（構成５）
前記位相シフト膜側より入射される光に対する前記位相シフト膜の膜面反射率が３５０〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下であることを特徴とする構成１乃至４の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【００１６】
（構成６）
前記透明基板側より入射される光に対する前記位相シフト膜の裏面反射率が３１３〜４３６ｎｍの波長域において２０％以下であることを特徴とする構成１乃至５の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【００１７】
（構成７）
前記透明基板と前記位相シフト膜との間に、遮光性膜パターンを備えることを特徴とする構成１乃至６の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【００１８】
（構成８）
構成１乃至７の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランクの前記位相シフト膜上に、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光を用いた描画処理、および現像処理により、レジスト膜パターンを形成する工程と、
該レジスト膜パターンをマスクにして前記位相シフト膜をエッチングして、前記透明基板上に位相シフト膜パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【００１９】
（構成９）
構成８に記載の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置基板上に形成されたレジスト膜に前記位相シフト膜パターンを転写する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【００２０】
（構成１０）
前記露光光は、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択される複数の波長の光を含む複合光であることを特徴とする構成９に記載の表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
上述したように、本発明に係る位相シフトマスクブランクは、クロム系材料で構成される位相シフト膜を透明基板上に備える位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜は、その上層を構成する第１の機能層と、その下層を構成する第２の機能層と、前記第１の機能層と前記第２の機能層との間に配置される中間層とを有し、前記第１の機能層および前記第２の機能層は、クロムと酸素と窒素とを含有するクロム系材料で構成され、クロムが３０〜７０原子％、酸素が２０〜６０原子％、窒素が０．５〜３０原子％であり、前記第１の機能層に含まれる窒素の含有率は、前記第２の機能層に含まれる窒素の含有率と同じか、又はそれよりも多く、前記第２の機能層に含まれる酸素の含有率は、前記第１の機能層に含まれる酸素の含有率よりも多く、前記中間層は、クロムと炭素とを含有し、クロムの含有率が５５〜９０原子％、炭素の含有率が１０〜４５原子％であり、前記中間層に含まれるクロムの含有率は、前記第１の機能層、前記第２の機能層に含まれるクロムの含有率よりも多い。このため、この位相シフトマスクブランクを用いて、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている位相シフトマスクを製造することができる。また、この位相シフトマスクを用いて、高解像度、高精細の表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】位相シフトマスクブランクの膜構成を示す模式図である。
【図２】位相シフトマスクブランクの他の膜構成を示す模式図である。
【図３】実施例１、２、３比較例１における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の膜面反射率スペクトルである。
【図４】実施例１、２、３比較例１における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の裏面反射率スペクトルである。
【図５】実施例１における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示すグラフである。
【図６】実施例２における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示すグラフである。
【図７】実施例３における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施の形態は、本発明を具体化する際の一形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。なお、図中、同一又は同等の部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略する場合がある。
【００２４】
実施の形態１．
実施の形態１では、位相シフトマスクブランクについて説明する。
【００２５】
図１は位相シフトマスクブランク１０の膜構成を示す模式図である。位相シフトマスクブランク１０は、露光光に対して透明な透明基板２０と、透明基板２０上に配置されたクロム系材料からなる位相シフト膜３０とを備える。透明基板２０は、表面反射ロスが無いとしたときに、露光光に対して８５％以上の透過率、好ましくは９０％以上の透過率を有するものである。位相シフト膜３０は、透明基板２０側からその下層を構成する第１の機能層として位相シフト層３１、その上層を構成する第２の機能層として反射率低減層３２、位相シフト層３１と反射率低減層３２との間に配置される中間層としてメタル層３３を有する。位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々は、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料から形成される。このため、位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２は、同じエッチング溶液によりエッチングすることができる。
【００２６】
位相シフト層３１は、透明基板２０の主表面上に配置される。位相シフト層３１は、露光光に対する透過率と位相差とを主に調整する機能を有する。位相シフト層３１は、位相シフト膜３０において、反射率低減層３２、メタル層３３の膜厚と比べて一番膜厚の厚い層である。尚、後述する位相シフト層３１、メタル層３３、反射率低減層３２を構成する各元素の含有率は、X線光電子分光法（ＸＰＳ、ＥＳＣＡ）により測定された値とする。
位相シフト層３１は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）とを含有するクロム系材料で構成され、各元素の平均含有率は、クロムが３０〜７０原子％、酸素が２０〜６０原子％、窒素が０．４〜３０原子％である。また、位相シフト層３１は、該位相シフト層３１を構成する成分の結合状態（化学状態）として、ウェットエッチングにより優れたパターン断面形状を形成する観点から、クロムと窒素が結合したクロム窒化物を含み、特に一窒化クロム（ＣｒＮ）又は窒化二クロム（Ｃｒ２Ｎ）を含むことが好ましい。さらに、位相シフト層３１は、炭素（Ｃ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも一種を含むクロム系材料としてもよい。例えば、位相シフト層３１を形成する材料として、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣＮ、ＣｒＦＣＯＮが挙げられる。
位相シフト層３１は、スパッタリング法により形成することができる。
【００２７】
反射率低減層３２は、位相シフト層３１の上側に配置される。反射率低減層３２は、位相シフト膜３０側（すなわち、反射率低減層３２の透明基板２０側とは反対側）より入射される光に対する反射率を低減させる機能を主に有する。反射率低減層３２は、メタル層３３と反射率低減層３２の界面による反射と反射率低減層３２表面による反射による干渉効果により位相シフト膜３０の反射率を低減するために膜厚調整されている層である。
反射率低減層３２は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）とを含有するクロム系材料で構成され、各元素の平均含有率は、クロムが３０〜７０原子％、酸素が２０〜６０原子％、窒素が０．４〜３０原子％である。また、反射率低減層３２は、該反射率低減層３２を構成する成分の結合状態（化学状態）として、ウェットエッチングによる優れたパターン断面形状を得るという観点から、クロムと酸素が結合したクロム酸化物を含み、特に酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含むことが好ましい。さらに、反射率低減層３２は、炭素（Ｃ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも一種を含むクロム系材料としてもよい。例えば、反射率低減層３２を形成する材料として、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣＮ、ＣｒＦＯＮが挙げられる。
位相シフト膜３０側（反射率低減層３２の表面側）より入射される光に対する反射率の低減効果と、位相シフト膜３０全体として、ウェットエッチングにより優れたパターン断面形状を形成する観点から、位相シフト層３１に含まれる窒素（Ｎ）の含有率は、反射率低減層３２に含まれる窒素（Ｎ）の含有率と同じか、又はそれよりも多く、反射率低減層３２に含まれる酸素（Ｏ）の含有率は、位相シフト層３１に含まれる酸素（Ｏ）の含有率よりも多い状態とする。また、反射率低減層３２に含まれる酸素（Ｏ）の含有率は、位相シフト層３１に含まれる酸素（Ｏ）の含有率よりも少なくとも１原子％以上、好ましくは、５原子％以上多くすることが、膜面反射率の低減効果の点で好ましい。
反射率低減層３２は、スパッタリング法により形成することができる。
【００２８】
メタル層３３は、位相シフト層３１と反射率低減層３２との間に配置される。メタル層３３は、露光光に対する透過率を調整する機能を有するとともに、反射率低減層３２と組み合わさって、位相シフト膜３０側より入射される光に対する反射率を低減させる機能を有する。さらに、位相シフト層と組み合わさって、透明基板２０側より入射される光に対する反射率を低減させる機能を有する。
メタル層３３は、クロム（Ｃｒ）と炭素（Ｃ）とを含有し、各元素の平均含有率は、クロム（Ｃｒ）の含有率が５５〜９０原子％、炭素（Ｃ）の含有率が１０〜４５原子％である。さらに、メタル層３３は、位相シフト層３１、反射率低減層３２との関係において、メタル層３３に含まれるクロムの含有率は、位相シフト層３１、反射率低減層３２に含まれるクロムの含有率よりも多い。炭素（Ｃ）の含有率を１０原子％以上とすることで、サイドエッチングレートが速くなることによるメタル層３３の断面形状に侵食（喰われ）が生じることを抑制することができる。また、炭素（Ｃ）の含有率を４５原子％以下とすることで、メタル層３３断面形状がテーパー形状となることを抑制できる。メタル層３３に含まれる炭素（Ｃ）含有率を上記適切な範囲とすることにより、適切なマスクプロセスでメタル層３３にパターンを形成することができる。また、メタル層３３は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも一種を含むクロム系材料としてもよい。例えば、メタル層３３を形成する材料として、ＣｒＣ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＦ、ＣｒＣＯＮが挙げられる。中でも、メタル層３３は、クロム（Ｃｒ）と炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含有したクロム系材料とすることが好ましい。そして、位相シフト層３１、反射率低減層３２、及びメタル層３３を構成する成分の結合状態（化学状態）として、ウェットエッチングによる優れたパターン断面形状を得るという観点から、これら全ての層に酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含むことがさらに好ましい。
メタル層３３を備えることにより、位相シフト膜のシート抵抗が下がるため、位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクのチャージアップを防止することができる。メタル層３３を備えていない場合、位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクをケースから出し入れするとき発生する電気が逃げずに位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクに電気が貯まるため、異物を付着させやすい。また、位相シフトマスクに小さなパターンが形成されているとき、パターンからパターンに電気が飛び、静電気破壊が起こりやすい。
メタル層３３は、スパッタリング法により形成することができる。
【００２９】
メタル層３３は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、反射率低減層３２の消衰係数よりも高い消衰係数を有することが好ましい。また、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、反射率低減層３２の消衰係数よりも高い消衰係数を有することが好ましい。
メタル層３３の消衰係数と反射率低減層３２の消衰係数との差は、好ましくは、１．５〜３．５であり、より好ましくは、１．８〜３．５である。消衰係数の差が、１．５〜３．５であると、メタル層３３と反射率低減層３２との界面の上記波長域（３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域、または、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域）における反射率を高めることができるので、より反射率低減効果が発揮されるので好ましい。
なお、メタル層３３は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、位相シフト層３１の消衰係数よりも高い消衰係数を有することが好ましい。また、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、位相シフト層３１の消衰係数よりも高い消衰係数を有することが好ましい。
消衰係数は、ｎ＆ｋアナライザーやエリプソメータなどを用いて測定することができる。
【００３０】
メタル層３３は、位相シフト層３１及び反射率低減層３２のクロム（Ｃｒ）含有率（原子％）よりも高いクロム（Ｃｒ）含有率（原子％）を有する。
メタル層３３の平均Ｃｒ含有率と、位相シフト層３１及び反射率低減層３２の平均Ｃｒ含有率との差は、好ましくは、１０〜８０原子％であり、より好ましくは、１５〜８０原子％である。平均Ｃｒ含有率の差が、１０〜８０原子％であると、メタル層３３と反射率低減層３２との界面の上記波長域（３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域、または、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域）における反射率を高めることができるので、より反射率低減効果が発揮されるので好ましい。
メタル層３３の平均Ｃｒ含有率と、位相シフト層３１及び反射率低減層３２の平均Ｃｒ含有率の差は、さらに好ましくは１５〜６０原子％、２０〜５０原子％とすることが望ましい。平均Ｃｒ含有率の差を、上記範囲にすることにより、反射率低減層側より入射される光に対して、メタル層３３と反射率低減層３２との界面の上記波長域（３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域、または、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域）での反射率低減効果に加え、透明基板側より入射される光に対して、メタル層３３と位相シフト層３１との界面の上記波長域（３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域）での反射率低減効果を発揮されるので好ましい。
なお、メタル層３３のエッチング速度は、クロム（Ｃｒ）に窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）を含有させてクロム系材料とすることにより調整することができる。例えば、クロム（Ｃｒ）に炭素（Ｃ）やフッ素（Ｆ）を含有させることにより、ウェットエッチング速度を遅くすることができ、クロム（Ｃｒ）に窒素（Ｎ）や酸素（Ｏ）を含有させることにより、ウェットエッチング速度を速くすることができる。メタル層３３の上下に形成されている位相シフト層３１、反射率低減層３２とのウェットエッチング速度を考慮して、クロムに上述の元素を添加したクロム系材料とすることにより、エッチング後の位相シフト膜３０の断面形状を良好にすることができる。
【００３１】
位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、２．０以上の屈折率を有することが好ましい。２．０以上の屈折率を有すると、所望の光学特性（透過率および位相差）を得るために必要な位相シフト膜３０の膜厚を薄膜化することができる。したがって、該位相シフト膜３０を備えた位相シフトマスクブランク１０を用いて作製される位相シフトマスクは、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有する位相シフト膜パターンを備えることができる。
屈折率は、ｎ＆ｋアナライザーやエリプソメータなどを用いて測定することができる。
【００３２】
位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の積層構造により、露光光に対する位相シフト膜３０の透過率および位相差は所定の光学特性を有する。
露光光に対する位相シフト膜３０の透過率は、位相シフト膜３０として必要な値を満たす。位相シフト膜３０の透過率は、露光光に含まれる所定の波長の光（以下、代表波長という）に対して、好ましくは、１％〜３０％であり、より好ましくは、２％〜２０％であり、さらに好ましくは３％〜１０％である。すなわち、露光光が３１３ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の波長範囲の光を含む複合光である場合、位相シフト膜３０は、その波長範囲に含まれる代表波長の光に対して、上述した透過率を有する。例えば、露光光がｊ線、ｉ線、ｈ線およびｇ線を含む複合光である場合、位相シフト膜３０は、ｊ線、ｉ線、ｈ線およびｇ線のいずれかに対して、上述した透過率を有する。
露光光に対する位相シフト膜３０の位相差は、位相シフト膜３０として必要な値を満たす。位相シフト膜３０の位相差は、露光光に含まれる代表波長の光に対して、好ましくは、１６０°〜２００°であり、より好ましくは、１７０°〜１９０°である。この性質により、露光光に含まれる代表波長の光の位相を１６０°〜２００°変えることができる。このため、位相シフト膜３０を透過した代表波長の光と透明基板２０のみを透過した代表波長の光との間に１６０〜２００°の位相差が生じる。すなわち、露光光が３１３ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の波長範囲の光を含む複合光である場合、位相シフト膜３０は、その波長範囲に含まれる代表波長の光に対して、上述した位相差を有する。例えば、露光光がｊ線、ｉ線、ｈ線およびｇ線を含む複合光である場合、位相シフト膜３０は、ｊ線、ｉ線、ｈ線およびｇ線のいずれかに対して、上述した位相差を有する。
位相シフト膜３０の透過率および位相差は、位相シフト膜３０を構成する位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の組成および厚さを調整することにより制御することができる。このため、この実施の形態では、位相シフト膜３０の透過率および位相差が上述した所定の光学特性を有するように、位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の組成および厚さが調整されている。なお、位相シフト膜３０の透過率は、主に、位相シフト層３１およびメタル層３３の組成および厚さに影響される。位相シフト膜３０の屈折率は、主に、位相シフト層３１の組成および厚さに影響される。
透過率および位相差は、位相シフト量測定装置などを用いて測定することができる。
【００３３】
位相シフト膜３０側より入射される光に対する位相シフト膜３０の膜面反射率は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下である。また、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において２２．５％以下であることが好ましい。すなわち、位相シフト膜３０側より入射される光に対する位相シフト膜３０の膜面反射率は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下であり、波長域を３１３ｎｍ〜４３６ｎｍに広げても、２２％以下であることが好ましい。位相シフト膜３０の膜面反射率が３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下であると、レーザー描画光に対する膜面反射率が低減するため、優れたＣＤ均一性を有する位相シフトマスクを形成することができる。また、位相シフト膜３０の膜面反射率が３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において２２．５％以下であると、露光光に対する膜面反射率が低減するため、位相シフトマスクに形成されているパターンを転写する際に、表示装置基板からの反射光に起因する転写パターンのぼやけ（フレア）を防止することができる。位相シフト膜３０の膜面反射率は、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍにおいて、好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下が望ましい。
位相シフト膜３０の膜面反射率の変動幅は、好ましくは、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において９％以下、さらに好ましくは、８．５％以下である。また、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１２．５％以下であることが好ましく、さらに好ましくは、１２％である。すなわち、位相シフト膜３０の膜面反射率の変動幅は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において９％以下、さらには８．５％以下であることが好ましく、波長域を３１３ｎｍ〜４３６ｎｍに広げても、１２．５％以下、さらには１２％以下であることが好ましい。
位相シフト膜３０の膜面反射率およびその変動幅は、位相シフト膜３０を構成する位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の屈折率、消衰係数および厚さを調整することにより制御することができる。消衰係数および屈折率は、組成を調整することにより制御することができるため、この実施の形態では、位相シフト膜３０の膜面反射率およびその変動幅が上述した所定の物性を有するように、位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の組成および厚さが調整されている。なお、位相シフト膜３０の膜面反射率およびその変動幅は、主に、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の組成および厚さに影響される。
膜面反射率は、分光光度計などを用いて測定することができる。膜面反射率の変動幅は、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍまたは３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域における最大の反射率と最小の反射率との差から求められる。
【００３４】
位相シフト層３１は、組成の均一な単一の膜からなる場合であってもよいし、組成の異なる複数の膜からなる場合であってもよいし、厚さ方向に組成が連続的に変化する単一の膜からなる場合であってもよい。メタル層３３および反射率低減層３２についても同様である。
また、位相シフト層３１とメタル層３３の界面、メタル層３３と反射率低減層３２の界面に、位相シフト層３１、メタル層３３、反射率低減層２３の各々を構成する各元素が組成傾斜した組成傾斜領域を有していても構わない。なお、組成傾斜領域では、領域全体にわたって連続的に組成傾斜していてもよく、段階的に組成傾斜していてもよく、さらに、一部が段階的で他の一部が連続的に組成傾斜していてもよい。
【００３５】
図２は位相シフトマスクブランク１０の他の膜構成を示す模式図である。図２に示すように、位相シフトマスクブランク１０は、透明基板２０と位相シフト膜３０との間に遮光性膜パターン４０を備えるものであってもよい。
【００３６】
位相シフトマスクブランク１０が遮光性膜パターン４０を備える場合、遮光性膜パターン４０は、透明基板２０の主表面上に配置される。遮光性膜パターン４０は、露光光の透過を遮る機能を有する。
遮光性膜パターン４０を形成する材料は、露光光の透過を遮る機能を有する材料であれば、特に制限されない。例えば、クロム系材料が挙げられる。クロム系材料として、クロム（Ｃｒ）、または、クロム（Ｃｒ）と、炭素（Ｃ）および窒素（Ｎ）のうちの少なくとも一種とを含むクロム系材料が挙げられる。その他、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも一種とを含むクロム系材料、または、クロム（Ｃｒ）と、炭素（Ｃ）および窒素（Ｎ）のうちの少なくとも一種とを含み、さらに、酸素（Ｏ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも一種を含むクロム系材料が挙げられる。例えば、遮光性膜パターン４０を形成する材料として、Ｃｒ、ＣｒＣ、ＣｒＮ、ＣｒＣＮが挙げられる。
遮光性膜パターン４０は、スパッタリング法により成膜した遮光性膜を、エッチングによりパターニングすることにより形成することができる。
【００３７】
位相シフト膜３０と遮光性膜パターン４０とが積層する部分において、露光光に対する光学濃度は、好ましくは３以上であり、より好ましくは、３．５以上である。
光学濃度は、分光光度計もしくはＯＤメーターなどを用いて測定することができる。
【００３８】
遮光性膜パターン４０は、組成が均一な単一の膜からなる場合であってもいし、組成が異なる複数の膜からなる場合であってもよいし、厚さ方向に組成が連続的に変化する単一の膜からなる場合であってもよい。
【００３９】
なお、位相シフトマスクブランク１０は、位相シフト膜３０上にレジスト膜を備えるものであってもよい。
【００４０】
次に、この実施の形態の位相シフトマスクブランク１０の製造方法について説明する。位相シフトマスクブランク１０は、以下の準備工程と位相シフト膜形成工程とを行うことによって製造される。
以下、各工程を詳細に説明する。
【００４１】
１．準備工程
準備工程では、先ず、透明基板２０を準備する。透明基板２０の材料は、使用する露光光に対して透光性を有する材料であれば、特に制限されない。例えば、合成石英ガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラスが挙げられる。
遮光性膜パターン４０を備える位相シフトマスクブランク１０を製造する場合、その後、透明基板２０上に、スパッタリング法により、例えば、クロム系材料からなる遮光性膜を形成する。その後、遮光性膜上にレジスト膜パターンを形成し、レジスト膜パターンをマスクにして遮光性膜をエッチングして、遮光性膜パターン４０を形成する。その後、レジスト膜パターンを剥離する。
【００４２】
２．位相シフト膜形成工程
位相シフト膜形成工程では、透明基板２０上に、スパッタリング法により、クロム系材料からなる位相シフト膜３０を形成する。ここで、透明基板２０上に遮光性膜パターン４０が形成されている場合、遮光性膜パターン４０を覆うように、位相シフト膜３０を形成する。
【００４３】
位相シフト膜３０は、透明基板２０の主表面上に位相シフト層３１を成膜し、位相シフト層３１上にメタル層３３を成膜し、メタル層３３上に反射率低減層３２を成膜することにより形成される。
【００４４】
位相シフト層３１の成膜は、クロムまたはクロム系材料を含むスパッタターゲットを使用して、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスと、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、二酸化炭素ガス、炭化水素系ガス、フッ素系ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む活性ガスとの混合ガスからなるスパッタガス雰囲気で行われる。炭化水素系ガスとしては、例えば、メタンガス、ブタンガス、プロパンガス、スチレンガス等が挙げられる。スパッタターゲットとしては、クロム金属の他に、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、酸化窒化炭化クロム等のクロム系材料を使用することができる。
同様に、メタル層３３の成膜は、クロムまたはクロム系材料を含むスパッタターゲットを使用して、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスからなるスパッタガス雰囲気、または、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスと、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、二酸化炭素ガス、炭化水素系ガス、フッ素系ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む活性ガスとの混合ガスからなるスパッタガス雰囲気で行われる。炭化水素系ガスとしては、例えば、メタンガス、ブタンガス、プロパンガス、スチレンガス等が挙げられる。スパッタターゲットとしては、クロム金属の他に、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、酸化窒化炭化クロム等のクロム系材料を使用することができる。
同様に、反射率低減層３２の成膜は、クロムまたはクロム系材料を含むスパッタターゲットを使用して、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスと、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、二酸化炭素ガス、炭化水素系ガス、フッ素系ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む活性ガスとの混合ガスからなるスパッタガス雰囲気で行われる。炭化水素系ガスとしては、例えば、メタンガス、ブタンガス、プロパンガス、スチレンガス等が挙げられる。スパッタターゲットとしては、クロム金属の他に、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、酸化窒化炭化クロム等のクロム系材料を使用することができる。
【００４５】
位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２を成膜する際、位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の組成および厚さは、位相シフト膜３０の透過率および位相差が上述した所定の光学特性を有し、かつ、位相シフト膜３０の膜面反射率およびその変動幅が上述した所定の物性を有するように調整される。位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の組成は、スパッタガスの組成および流量などにより制御することができる。位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の厚さは、スパッタパワー、スパッタリング時間などにより制御することができる。また、スパッタリング装置がインライン型スパッタリング装置の場合、基板の搬送速度によっても、位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々の厚さを制御することができる。
【００４６】
位相シフト層３１が、組成の均一な単一の膜、または複数の膜からなる場合、上述した成膜プロセスを、スパッタガスの組成および流量を変えずに１回だけ、または複数回行う。位相シフト層３１が、組成の異なる複数の膜からなる場合、上述した成膜プロセスを、成膜プロセス毎にスパッタガスの組成および流量を変えて複数回行う。位相シフト層３１が、厚さ方向に組成が連続的に変化する単一の膜からなる場合、上述した成膜プロセスを、スパッタガスの組成および流量を変化させながら１回だけ行う。メタル層３３の成膜および反射率低減層３２の成膜についても同様である。成膜プロセスを複数回行う場合、スパッタターゲットに印加するスパッタパワーを小さくすることができる。
【００４７】
位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２は、インライン型スパッタリング装置を用いて、透明基板２０を装置外に取り出すことによって大気に曝すことなく、連続して成膜することが好ましい。装置外に取り出さずに、連続して成膜することにより、意図しない各層の表面酸化や表面炭化を防止することができる。各層の意図しない表面酸化や表面炭化は、位相シフト膜３０上に形成されたレジスト膜を描画する際に使用するレーザー光や表示装置基板上に形成されたレジスト膜に位相シフト膜パターンを転写する際に使用する露光光に対する反射率を変化させたり、また、酸化部分や炭化部分のエッチングレートを変化させる恐れがある。
【００４８】
なお、レジスト膜を備える位相シフトマスクブランク１０を製造する場合、次に、位相シフト膜上にレジスト膜を形成する。
【００４９】
この実施の形態１の位相シフトマスクブランク１０は、透明基板２０上に設けられたクロム系材料からなる位相シフト膜３０が、位相シフト層３１と、反射率低減層３２と、位相シフト層３１と反射率低減層３２との間に設けられた、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、反射率低減層３２の消衰係数よりも高い消衰係数を有するメタル層３３とを有しており、露光光に対する位相シフト膜３０の透過率と位相差とが位相シフト膜３０として必要な所定の光学特性を満たしつつ、位相シフト膜３０の膜面反射率が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下である。このため、この位相シフトマスクブランク１０を用いて、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている位相シフトマスクを製造することができる。
【００５０】
また、この実施の形態１の位相シフトマスクブランク１０は、透明基板２０上に設けられたクロム系材料からなる位相シフト膜３０が、位相シフト層３１と、反射率低減層３２と、位相シフト層３１と反射率低減層３２との間に設けられた、反射率低減層３２のクロム含有率よりも高いクロム含有率を有するメタル層３３とを有しており、露光光に対する位相シフト膜３０の透過率と位相差とが位相シフト膜３０として必要な所定の光学特性を満たしつつ、位相シフト膜３０の膜面反射率が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下である。このため、この位相シフトマスクブランク１０を用いて、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている位相シフトマスクを製造することができる。
【００５１】
また、この実施の形態１の位相シフトマスクブランク１０は、位相シフト膜の裏面反射率が３６５〜４３６ｎｍの波長域において２０％以下である。このため、露光装置側への反射の影響を抑えることができるので、高精度のパターン転写が可能な位相シフトマスクを製造することができる。
【００５２】
実施の形態２．
実施の形態２では、位相シフトマスクの製造方法について説明する。位相シフトマスクブランクは、以下のレジスト膜パターン形成工程と位相シフト膜パターン形成工程とを行うことによって製造される。
以下、各工程を詳細に説明する。
【００５３】
１．レジスト膜パターン形成工程
レジスト膜パターン形成工程では、先ず、実施の形態１の位相シフトマスクブランク１０の位相シフト膜３０上に、レジスト膜を形成する。ただし、位相シフトマスクブランク１０が、位相シフト膜３０上にレジスト膜を備えるものである場合、レジスト膜の形成は行わない。使用するレジスト膜材料は、特に制限されない。後述する３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光に対して感光するものであればよい。また、レジスト膜は、ポジ型、ネガ型のいずれであっても構わない。
その後、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光を用いて、レジスト膜に所定のパターンを描画する。レジスト膜に描画するパターンとして、ラインアンドスペースパターンやホールパターンが挙げられる。
その後、レジスト膜を所定の現像液で現像して、位相シフト膜３０上にレジスト膜パターンを形成する。
【００５４】
２．位相シフト膜パターン形成工程
位相シフト膜パターン形成工程では、先ず、レジスト膜パターンをマスクにして位相シフト膜３０をエッチングして、位相シフト膜パターンを形成する。位相シフト膜３０を構成する位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２の各々は、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料から形成される。このため、位相シフト層３１、メタル層３３および反射率低減層３２は、同じエッチング媒質（エッチング溶液、エッチングガス）によりエッチングすることができる。位相シフト膜３０をエッチングするエッチング媒質（エッチング溶液、エッチングガス）は、位相シフト膜３０を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。具体的には、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング溶液や、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスからなるエッチングガスが挙げられる。
その後、レジスト剥離液を用いて、または、アッシングによって、レジスト膜パターンを剥離する。
【００５５】
この実施の形態２の位相シフトマスクの製造方法によれば、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、微細なパターンが形成されている位相シフトマスクを製造することができる。
【００５６】
実施の形態３．
実施の形態３では、表示装置の製造方法について説明する。表示装置は、以下のマスク載置工程とパターン転写工程とを行うことによって製造される。
以下、各工程を詳細に説明する。
【００５７】
１．載置工程
載置工程では、実施の形態２で製造された位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する。ここで、位相シフトマスクは、露光装置の投影光学系を介して表示装置基板上に形成されたレジスト膜に対向するように配置される。
【００５８】
２．パターン転写工程
パターン転写工程では、位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置基板上に形成されたレジスト膜に位相シフト膜パターンを転写する。露光光は、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択される複数の波長の光を含む複合光や、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域からある波長域をフィルターなどでカットし選択された単色光である。例えば、露光光は、ｉ線、ｈ線およびｇ線を含む複合光や、ｊ線、ｉ線、ｈ線およびｇ線を含む混合光や、ｉ線の単色光である。露光光として複合光を用いると、露光光強度を高くしてスループットを上げることができるため、表示装置の製造コストを下げることができる。
さらに、位相シフト膜の裏面反射率が３６５〜４３６ｎｍの波長域において２０％以下となる位相シフトマスクであるため、露光装置側への反射の影響を抑えることができ、表示装置基板上に形成されたレジスト膜に対して高精度のパターン転写を行うことができる。
【００５９】
この実施の形態３の表示装置の製造方法によれば、高解像度、高精細の表示装置を製造することができる。
【実施例】
【００６０】
以下、実施例および比較例に基づいて、本発明をより具体的に説明する。なお、以下の実施例は、本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。
【００６１】
実施例１〜３および比較例１の位相シフトマスクブランクは、透明基板と、透明基板上に配置されたクロム系材料からなる位相シフト膜とを備える。透明基板として、大きさが８００ｍｍ×９２０ｍｍであり、厚さが１０ｍｍである合成石英ガラス基板を用いた。
図３は実施例１、２、３、比較例１における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の膜面反射率スペクトルを示し、図４は実施例１、２、３、比較例１における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の裏面反射率スペクトルを示す。図５は実施例１における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示すグラフである。図６は実施例２における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示すグラフである。図７は実施例３における位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示すグラフである。
以下、実施例１〜３および比較例１について詳細に説明する。
【００６２】
実施例１．
実施例１の位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜は、透明基板側から順に配置された、位相シフト層とメタル層と反射率低減層とから構成され、さらに、位相シフト層とメタル層の界面、メタル層と反射率低減層の界面に、組成傾斜領域が形成されている（図５参照）。
【００６３】
実施例１の位相シフトマスクブランクは、以下の方法により製造した。
先ず、透明基板である合成石英ガラス基板を準備した。透明基板の両主表面は鏡面研磨されている。実施例２、３および比較例１において準備した透明基板の両主表面も同様に鏡面研磨されている。
次に、透明基板をインライン型スパッタリング装置に搬入した。インライン型スパッタリング装置には、スパッタ室が設けられている。
次に、スパッタ室に配置されたクロムターゲットに２．７ｋＷのスパッタパワーを印加し、ＡｒガスとＮ２ガスとＣＯ２ガスとＯ２ガスとの混合ガスをスパッタ室内に導入しながら、２００ｍｍ／分の速度で透明基板を搬送させた。ここで、混合ガスは、Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ２が３５ｓｃｃｍ、ＣＯ２が１３ｓｃｃｍ、Ｏ２が１０ｓｃｃｍの流量となるようにスパッタ室内に導入した。透明基板がクロムターゲット付近を通過する際に、透明基板上にＣｒとＣとＯとＮを含むクロム系材料（ＣｒＣＯＮ）からなる位相シフト層を成膜した。
次に、クロムターゲットに０．６ｋＷのスパッタパワーを印加し、ＡｒガスとＣＨ４ガスとの混合ガス（Ａｒガス中に４％の濃度でＣＨ４ガスが含まれている混合ガスをスパッタ室内に導入しながら、４００ｍｍ／分の速度で透明基板を搬送させた。透明基板がクロムターゲット付近を通過する際に、位相シフト層上にＣｒとＣを含むクロム系材料（ＣｒＣ）からなるメタル層を成膜した。
次に、クロムターゲットに３．３ｋＷのスパッタパワーを印加し、ＡｒガスとＮ２ガスとＣＯ２ガスとＯ２ガスとの混合ガスをスパッタ室内に導入しながら、４００ｍｍ／分の速度で透明基板を搬送させた。透明基板がクロムターゲット付近を通過する際に、メタル層上にＣｒとＣとＯとＮを含むクロム系材料（ＣｒＣＯＮ）からなる反射率低減層を成膜した。ここで、混合ガスは、Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ２が３５ｓｃｃｍ、ＣＯ２が１３ｓｃｃｍ、Ｏ２が９ｓｃｃｍの流量となるようにスパッタ室内に導入した。
次に、位相シフト層とメタル層と反射率低減層とから構成される位相シフト膜が形成された透明基板をインライン型スパッタリング装置から取り出し、洗浄を行った。
なお、位相シフト層の成膜、メタル層の成膜、および反射率低減層の成膜は、透明基板をインライン型スパッタリング装置外に取り出すことによって大気に曝すことなく、インライン型スパッタリング装置内で連続して行った。
実施例１の位相シフト層、メタル層、反射率低減層より構成される位相シフト膜は、インライン型スパッタリング装置で成膜しているので、位相シフト層とメタル層との界面、メタル層と反射率低減層との界面に、各層を構成する元素が連続的に組成傾斜している組成傾斜領域が形成されている。
実施例１の位相シフト膜について、深さ方向の組成をＸ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）により測定した結果を、図５に示す。
位相シフト層は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）と炭素（Ｃ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：４９．８原子％、Ｏ：４０．０原子％、Ｎ：８．２原子％、Ｃ：２．０原子％あった。また、メタル層は、クロム（Ｃｒ）と炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：６９．９原子％、Ｃ：２２．７原子％、Ｏ：７．４原子％であった。さらに、反射率低減層は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）と炭素（Ｃ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：４８．５原子％、Ｏ：４７．４原子％、Ｎ：３．７原子％、Ｃ：０．４原子％あった。また、位相シフト層とメタル層との間、メタル層と反射率低減層との間には、連続的に各元素が減少又は増加した組成傾斜領域を有していた。
また、各層のＣｒ、Ｏ、Ｎのスペクトルから、元素の結合状態（化学状態）を評価した。その結果、位相シフト層は、主として一窒化クロム（ＣｒＮ）を含み、さらに酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）が存在していることが確認できた。
また、メタル層を構成する元素の結合状態（化学状態）は、主としてクロム（Ｃｒ）を含み、さらに酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）が存在していることが確認できた。
また、反射率低減層を構成する元素の結合状態（化学状態）は、主として酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含み、一窒化クロム（ＣｒＮ）と窒化二クロム（Ｃｒ２Ｎ）が存在していることが確認できた。
【００６４】
位相シフト膜は、上述した３層構造により、３６５ｎｍの光に対する透過率は４．９％および位相差は１８７°を有していた。
なお、透過率および位相差は、レーザーテック社製のＭＰＭ−１００（商品名）を用いて測定した。実施例２、３および比較例１においても同様に測定した。
【００６５】
図３中の曲線ａは、実施例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の膜面反射率スペクトルを示す。図４中の曲線ａは、実施例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の裏面反射率スペクトルを示す。
図３に見られるように、位相シフト膜は、膜面反射率が、３１３ｎｍの波長において１３．３％であり、３５０ｎｍにおいて９．６％であり、３６５ｎｍの波長において８．３％であり、４０５ｎｍの波長において７．１％であり、４１３ｎｍ波長において７．３％であり、４３６ｎｍの波長において８．１％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、２．５％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、１．２％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、６．２％であった。
図４に見られるように、位相シフト膜は、裏面反射率が、３１３ｎｍの波長において９．７％であり、３５０ｎｍにおいて８．８％であり、３６５ｎｍの波長において９．０％であり、４０５ｎｍの波長において１２．３％であり、４１３ｎｍ波長において１３．２％であり、４３６ｎｍの波長において１６．１％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、７．３％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、７．１％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、７．３％であった。
なお、膜面反射率および裏面反射率は、島津製作所社製のＳｏｌｉｄＳｐｅｃ−３７００（商品名）を用いて測定した。実施例２、３および比較例１においても同様に測定した。
【００６６】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて、以下の方法により位相シフトマスクを製造した。
先ず、上述した位相シフトマスクブランクの位相シフト膜上に、ノボラック系のポジ型のフォトレジストからなるレジスト膜を形成した。
その後、レーザー描画機により、波長４１３ｎｍのレーザー光を用いて、レジスト膜に所定のパターンを描画した。
その後、レジスト膜を所定の現像液で現像して、位相シフト膜上にレジスト膜パターンを形成した。
その後、レジスト膜パターンをマスクにして位相シフト膜をエッチングして、位相シフト膜パターンを形成した。位相シフト膜を構成する位相シフト層、メタル層および反射率低減層の各々は、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料から形成される。このため、位相シフト層、メタル層および反射率低減層は、同じエッチング溶液によりエッチングすることができる。ここでは、位相シフト膜をエッチングするエッチング溶液として、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング溶液を用いた。
その後、レジスト剥離液を用いて、レジスト膜パターンを剥離した。
【００６７】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて製造された位相シフトマスクの位相シフト膜パターン断面は、位相シフト膜パターンの膜厚方向の中央部に位置するメタル層において若干の食われが発生しているが、マスク特性に影響ない程度のものであった。
なお、位相シフトマスクの位相シフト膜パターン断面は、電子顕微鏡（日本電子株式会社製のＪＳＭ７４０１Ｆ（商品名））を用いて観察した。実施例２、３および比較例１においても同様に測定した。
【００６８】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて製造された位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、７０ｎｍであり、良好であった。ＣＤばらつきは、目標とするラインアンドスペースパターン（ラインパターンの幅：２．０μｍ、スペースパターンの幅：２．０μｍ）からのずれ幅である。
なお、位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、セイコーインスツルメンツナノテクノロジー社製ＳＩＲ８０００を用いて測定した。実施例２および比較例１においても同様に測定した。
【００６９】
上述した位相シフトマスクは、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、また、露光光に対する位相シフト膜パターンの膜面反射率が低いため、上述した位相シフトマスクを用いて、高解像度、高精細の表示装置を製造することができた。
【００７０】
実施例２．
実施例２の位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜は、透明基板側から順に配置された、位相シフト層とメタル層と反射率低減層とから構成される（図６参照）。 
【００７１】
実施例２の位相シフトマスクブランクを構成する反射率低減層を、以下の成膜条件で成膜した以外は、実施例１と同様にして位相シフトマスクブランクを製造した。反射率低減層は、クロムターゲットに２．１５ｋｗのスパッタパワーを印加し、ＡｒガスとＮ２ガスとＯ２ガスとの混合ガスをスパッタ室内に導入しながら、２００ｍｍ／分の速度で透明基板を搬送させた。透明基板がクロムターゲット付近を通過する際に、メタル層上にＣｒＯＮからなる反射率低減層を成膜した。ここで、混合ガスは、Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ２が３５ｓｃｃｍ、Ｏ２が２２ｓｃｃｍの流量となるようにスパッタ室内に導入した。
実施例２の位相シフト膜について、深さ方向の組成をＸ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）により測定した結果を、図６に示す。
位相シフト層は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）と炭素（Ｃ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：５０．６原子％、Ｏ：３９．５原子％、Ｎ：８．３原子％、Ｃ：１．６原子％あった。また、メタル層は、クロム（Ｃｒ）と炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：６９．２原子％、Ｃ：２２．８原子％、Ｏ：８．０原子％であった。さらに、反射率低減層３３は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：４６．６原子％、Ｏ：５１．５原子％、Ｎ：１．７原子％、C：０．２原子％あった。また、位相シフト層とメタル層との間、メタル層と反射率低減層との間には、連続的に各元素が減少又は増加した組成傾斜領域を有していた。
また、位相シフト層、メタル層、反射率低減層の各層のＣｒ、Ｏ、Ｎのスペクトルから、元素の結合状態（化学状態）を評価した結果、実施例１と結合状態（化学状態）と同じであった。
また、図５、図６に見られるように、実施例２の反射率低減層は、実施例１の反射率低減層に対して、酸素（Ｏ）の含有率が４．１原子％増大している一方でクロム（Ｃｒ）の含有率が１．９原子％減少している。このように、実施例１の反射率低減層に対して酸素（Ｏ）の含有率が多いので、レジスト膜との密着性の観点では、実施例２の位相シフト膜の方がより優れている。
【００７２】
位相シフト膜は、上述した３層構造により、３６５ｎｍの光に対する透過率は５．２％および位相差は１８３°を有していた。
【００７３】
図３中の曲線ｂは、実施例２の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の膜面反射率スペクトルを示す。図４中の曲線ｂは、実施例２の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の裏面反射率スペクトルを示す。
【００７４】
図３に見られるように、位相シフト膜は、膜面反射率が、３１３ｎｍの波長において８．８％であり、３５０ｎｍにおいて７．５％であり、３６５ｎｍの波長において８．１％であり、４０５ｎｍの波長において１０．６％であり、４１３ｎｍ波長において１１．１％であり、４３６ｎｍの波長において１２．４％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、４．８％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、４．３％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、４．９％であった。
図４に見られるように、位相シフト膜は、裏面反射率が、３１３ｎｍの波長において８．７％であり、３５０ｎｍにおいて８．９％であり、３６５ｎｍの波長において１０．１％であり、４０５ｎｍの波長において１５．０％であり、４１３ｎｍ波長において１６．０％であり、４３６ｎｍの波長において１８．１％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、９．２％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、８．０％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、９．７％であった。
このように、膜面反射率の観点では、実施例１の位相シフト膜の方がより優れている。
【００７５】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて、実施例１と同様に方法により位相シフトマスクを製造した。
【００７６】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて製造された位相シフトマスクの位相シフト膜パターン断面は垂直であり、メタル層において食われが発生しなかった。
【００７７】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて製造された位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、６０ｎｍであり、良好であった。
このように、レジスト膜パターンをマスクにして形成された実施例１と実施例２の位相シフト膜パターンのＣＤばらつきを比較すると、実施例２の方が、ＣＤばらつきが少ないことから、レジスト膜との密着性の観点では、実施例２の位相シフト膜の方がより優れていると考えられる。
【００７８】
上述した位相シフトマスクは、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、また、露光光に対する位相シフト膜パターンの膜面反射率が低いため、上述した位相シフトマスクを用いて、高解像度、高精細の表示装置を製造することができた。
【００７９】
実施例３
実施例３の位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜は、透明基板側から順に配置された、位相シフト層とメタル層と反射率低減層とから構成される（図７参照）。
実施例３の位相シフトマスクブランクにおける位相シフト層、メタル層、反射率低減層の各層は、以下の成膜条件により成膜した。
位相シフト層は、混合ガスとして、Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ２が３５ｓｃｃｍ、ＣＯ２が１００ｓｃｃｍ、Ｏ２が３５ｓｃｃｍの流量となるようにスパッタ室内に導入した以外は、実施例１と同様にして透明基板上にＣｒとＯとＮを含むクロム系材料（ＣｒＯＮ）からなる位相シフト層を成膜した。
次に、メタル層は、スパッタ室に配置されたクロムターゲットに０．５ｋＷのスパッタパワーを印加した以外は実施例１と同様にして位相シフト層上にＣｒとＣを含むクロム系材料（ＣｒＣ）からなるメタル層を成膜した。
次に、反射率低減層は、混合ガスとして、Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ２が３５ｓｃｃｍ、ＣＯ２が１００ｓｃｃｍ、Ｏ２が３５ｓｃｃｍの流量となるようにスパッタ室内に導入した以外は、実施例１と同様にしてメタル層上にＣｒとＯとＮを含むクロム系材料（ＣｒＣＯ）からなる反射率低減層を成膜した。
【００８０】
実施例３の位相シフト膜について、深さ方向の組成をＸ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）により測定した結果を、図７に示す。
位相シフト層は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）と炭素（Ｃ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：４５．５原子％、Ｏ：５３．８原子％、Ｎ：０．６原子％、Ｃ：０．１原子％あった。また、メタル層は、クロム（Ｃｒ）と炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：７４．７原子％、Ｃ：１５．８原子％、Ｏ：８．８原子％、Ｎ：０．７原子％であった。さらに、反射率低減層３３は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）と炭素（Ｃ）とを含むクロム系材料で構成されており、各元素の平均含有率は、Ｃｒ：４４．４原子％、Ｏ：５５．０原子％、Ｎ：０．５原子％、Ｃ：０．１原子％あった。また、位相シフト層とメタル層との間、メタル層と反射率低減層との間には、連続的に各元素が減少又は増加した組成傾斜領域を有していた。
また、各層のＣｒ、Ｏ、Ｎのスペクトルから、元素の結合状態（化学状態）を評価した。その結果、位相シフト層は、主として窒化二クロム（Ｃｒ２Ｎ）を含み、さらに酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）と酸化クロム（ＶＩ）（ＣｒＯ３）が存在していることが確認できた。
また、メタル層を構成する元素の結合状態（化学状態）は、主としてクロム（Ｃｒ）を含み、さらに酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）が存在していることが確認できた。
また、反射率低減層を構成する元素の結合状態（化学状態）は、主として酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含んでいることが確認できた。
位相シフト膜は、上述した３層構造により、３６５ｎｍの光に対する透過率４．９％および位相差１８７°を有していた。
図３中の曲線ｃは、実施例３の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の膜面反射率スペクトルを示す。図４中の曲線ｃは、実施例３の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の裏面反射率スペクトルを示す。
図３に見られるように、位相シフト膜は、膜面反射率が、３１３ｎｍの波長において２１％であり、３５０ｎｍにおいて１４．７％であり、３６５ｎｍの波長において１２．８％であり、４０５ｎｍの波長において１０．２％であり、４１３ｎｍ波長において９．８％であり、４３６ｎｍの波長において９．０％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、５．７％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、３．８％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、１２．０％であった。
図４に見られるように、位相シフト膜は、裏面反射率が、３１３ｎｍの波長において７．５％であり、３５０ｎｍにおいて８．３％であり、３６５ｎｍの波長において９．８％であり、４０５ｎｍの波長において１４．９％であり、４１３ｎｍ波長において１５．９％であり、４３６ｎｍの波長において１８．２％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、９．９％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、８．３％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、１１．０％であった。
なお、膜面反射率および裏面反射率は、島津製作所社製のＳｏｌｉｄＳｐｅｃ−３７００（商品名）を用いて測定した。
上述の実施例と同様に実施例３の位相シフトマスクブランクを用いて、位相シフトマスクを製造した。得られた位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、６５ｎｍであり、良好であった。ＣＤばらつきは、目標とするラインアンドスペースパターン（ラインパターンの幅：２．０μｍ、スペースパターンの幅：２．０μｍ）からのずれ幅である。
上述した位相シフトマスクは、優れたパターン断面形状および優れたＣＤ均一性を有し、また、露光光に対する位相シフト膜パターンの膜面反射率が低いため、上述した位相シフトマスクを用いて、高解像度、高精細の表示装置を製造することができた。
【００８１】
比較例１．
比較例１の位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜は、位相シフト層（ＣｒＯＣＮ、膜厚１２２ｎｍ）のみから構成される。比較例１の位相シフトマスクブランクは、位相シフト膜がメタル層と反射率低減層とを備えていない点で上述の実施例の位相シフトマスクブランクと異なる。
比較例１の位相シフトマスクブランクにおける位相シフト層は、以下の成膜条件により成膜した。
位相シフト層は、スパッタ室に配置されたクロムターゲットに３．５ｋＷのスパッタパワーを印加し、ＡｒガスとＮ２ガスとＣＯ２ガスとの混合ガスをスパッタ室内に導入しながら、２００ｍｍ／分の速度で透明基板を搬送させた。透明基板がクロムターゲット付近を通過する際に、透明基板の主表面上にＣｒＯＣＮからなる膜厚１２２ｎｍの位相シフト層を成膜した。ここで、混合ガスは、Ａｒが４６ｓｃｃｍ、Ｎ２が３２ｓｃｃｍ、ＣＯ２が１８．５ｓｃｃｍの流量となるようにスパッタ室内に導入した。
比較例１の位相シフト膜については、深さ方向の組成をX線光電子分光法（ＥＳＣＡ）により測定した。位相シフト膜は深さ方向に均一で、Ｃｒ：４４原子％、Ｃ：８原子％、Ｏ：３０原子％、Ｎ：１８原子％であった。
【００８２】
位相シフト膜は、上述した１層構造により、３６５ｎｍの光に対する透過率４．５％および位相差１８１°を有していた。
【００８３】
図３中の曲線ｄは、比較例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の膜面反射率スペクトルを示す。図４中の曲線ｄは、比較例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の裏面反射率スペクトルを示す。
図３に見られるように、位相シフト膜は、膜面反射率が、３１３ｎｍの波長において２１．０％であり、３５０ｎｍにおいて２３．９％であり、３６５ｎｍの波長において２４．０％であり、４０５ｎｍの波長において２５．１％であり、４１３ｎｍ波長において２５．３％であり、４３６ｎｍの波長において２６．０％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、２．１％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、２．０％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、１２．０％であった。
図４に見られるように、位相シフト膜は、裏面反射率が、３１３ｎｍの波長において７．５％であり、３５０ｎｍにおいて１７．１％であり、３６５ｎｍの波長において１７．９％であり、４０５ｎｍの波長において１９．９％であり、４１３ｎｍ波長において２０．２％であり、４３６ｎｍの波長において２０．３％であった。また、位相シフト膜は、膜面反射率の変動幅が、３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、３．２％であり、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、２．４％であり、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域において、１１．０％であった。
【００８４】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて、実施例１と同様に方法により位相シフトマスクを製造した。
【００８５】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて製造された位相シフトマスクの位相シフト膜パターン断面は垂直であった。
【００８６】
上述した位相シフトマスクブランクを用いて製造された位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、９０ｎｍであり、高解像度、高精細の表示装置の製造に用いられる位相シフトマスクに求められるレベルを達していなかった。
【００８７】
上述した位相シフトマスクは、優れたパターン断面形状を有しているが、ＣＤばらつきが大きく、また、露光光に対する位相シフト膜パターンの膜面反射率が高いため、上述した位相シフトマスクを用いて、高解像度、高精細の表示装置を製造することができなかった。
【００８８】
以上のように、本発明を実施の形態および実施例に基づいて詳細に説明したが、本発明はこれに限定されない。該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白である。例えば、実施の形態においては、第１の機能層として反射率低減層を、第２の機能層として位相シフト層を有するものとしたが、所定の光学特性を満たす場合には、第１の機能層として位相シフト層を、第２の機能層として反射率低減層を有するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８９】
１０  位相シフトマスクブランク、２０  透明基板、３０  位相シフト膜、３１  位相シフト層、３２  反射率低減層、３３  メタル層、４０  遮光性膜パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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