(57)【要約】【課題】エネルギー変換装置の構成の簡素化及び／又はその変換効率の向上を促進する。【解決手段】エネルギー変換装置１００は、第１導電型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に配された第２導電型の第２半導体層１２を含む、光電変換層１０と、光電変換層１０を透過した光を吸収する光吸収層４２と、光吸収層４２に対して熱的に接続される熱電変換素子５０を含む。光吸収層４２が、少なくとも第１及び第２半導体層１１，１２それぞれの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する導電性材料を含む。光電変換層１０と光吸収層４２が少なくとも絶縁層４１を介して積層され、光電変換層１０から光吸収層４２へ熱が伝達可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に配された第２導電型の第２半導体層を含む、光電変換層と、
前記光電変換層を透過した光を吸収する光吸収層と、
前記光吸収層に対して熱的に接続される熱電変換素子を備え、
前記光吸収層が、少なくとも前記第１及び第２半導体層それぞれの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する導電性材料を含み、
前記光電変換層と前記光吸収層が少なくとも絶縁層を介して積層され、前記光電変換層から前記光吸収層へ熱が伝達可能である、エネルギー変換装置。
【請求項２】
前記導電性材料が、金属又は合金又は炭素系材料を含む、請求項１に記載のエネルギー変換装置。
【請求項３】
前記導電性材料が、シリコンの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する金属又は合金を含む、請求項１又は２に記載のエネルギー変換装置。
【請求項４】
前記導電性材料が、Ｇｅを含む金属、又はＧｅＳｎを含む合金を含む、請求項３に記載のエネルギー変換装置。
【請求項５】
前記絶縁層が、５ｎｍ以上であり、１００ｎｍ以下の厚みを有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のエネルギー変換装置。
【請求項６】
前記光吸収層が、１０μｍ以下の厚みを有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のエネルギー変換装置。
【請求項７】
前記光吸収層により吸収されずに前記光吸収層を透過した光の入射に応じて表面プラズモン共鳴が生じるプラズモン部を更に備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のエネルギー変換装置。
【請求項８】
前記第１及び第２半導体層が、シリコンを含み、
前記絶縁層が、酸化シリコンを含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のエネルギー変換装置。
【請求項９】
前記光電変換層から電流を取り出すための一対の電極層を更に備え、一方の電極層が、前記光電変換層と前記絶縁層の間に設けられる、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のエネルギー変換装置。
【請求項１０】
前記光電変換層は、粗面化された光入射面を有する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のエネルギー変換装置。
【請求項１１】
第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に配された第２導電型の第２半導体層を含む光電変換層を製造又は用意する工程と、
前記光電変換層を透過した光を吸収する光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層に対して熱的に接続される熱電変換素子を製造又は用意する工程を含み、
前記光吸収層が、少なくとも前記第１及び第２半導体層それぞれの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する導電性材料を含み、
前記光電変換層と前記光吸収層が少なくとも絶縁層を介して積層される、エネルギー変換装置の製造方法。
【請求項１２】
前記光吸収層を形成する工程は、前記光電変換層上に形成された絶縁層上に前記導電性材料を堆積する工程を含む、請求項１１に記載のエネルギー変換装置の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性材料が、シリコンの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する合金を含む、請求項１１又は１２に記載のエネルギー変換装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性材料が、Ｇｅを含む金属、又はＧｅＳｎを含む合金を含む、請求項１３に記載のエネルギー変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、エネルギー変換装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、同文献の要約に記載のように、太陽電池３の裏面に赤外線のみを透過し可視光線を反射する赤外線選択透過層７、断熱層８、赤外線を熱に変換する集熱電気絶縁層９、太陽熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子４、電気絶縁層６、冷却装置１１が順次積層された装置を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１１０６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示のエネルギー変換装置は、太陽電池と熱電素子の間に断熱層を設ける点から理解されるように装置構成が複雑であり、また、太陽電池で生じる熱利用も妨げられる。本願発明者は、エネルギー変換装置の構成の簡素化及び／又はその変換効率の向上を促進する意義を新たに見出した。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係るエネルギー変換装置は、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に配された第２導電型の第２半導体層を含む、光電変換層と、
前記光電変換層を透過した光を吸収する光吸収層と、
前記光吸収層に対して熱的に接続される熱電変換素子を備え、
前記光吸収層が、少なくとも前記第１及び第２半導体層それぞれの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する導電性材料を含み、
前記光電変換層と前記光吸収層が少なくとも絶縁層を介して積層され、前記光電変換層から前記光吸収層へ熱が伝達可能である。
【０００６】
幾つかの実施形態においては、前記導電性材料が、金属又は合金又は炭素系材料を含む。
【０００７】
幾つかの実施形態においては、前記導電性材料が、シリコンの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する金属又は合金を含む。
【０００８】
幾つかの実施形態においては、前記導電性材料が、Ｇｅを含む金属、又はＧｅＳｎを含む合金を含む。
【０００９】
幾つかの実施形態においては、前記絶縁層が、５ｎｍ以上であり、１００ｎｍ以下の厚みを有する。
【００１０】
幾つかの実施形態においては、前記光吸収層が、１０μｍ以下の厚みを有する。
【００１１】
幾つかの実施形態においては、前記光吸収層により吸収されずに前記光吸収層を透過した光の入射に応じて表面プラズモン共鳴が生じるプラズモン部を更に備える。
【００１２】
幾つかの実施形態においては、前記第１及び第２半導体層が、シリコンを含み、前記絶縁層が、酸化シリコンを含む。
【００１３】
幾つかの実施形態においては、前記光電変換層から電流を取り出すための一対の電極層を更に備え、一方の電極層が、前記光電変換層と前記絶縁層の間に設けられる。
【００１４】
幾つかの実施形態においては、前記光電変換層は、粗面化された光入射面を有する。
【００１５】
本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の製造方法は、
第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に配された第２導電型の第２半導体層を含む光電変換層を製造又は用意する工程と、
前記光電変換層を透過した光を吸収する光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層に対して熱的に接続される熱電変換素子を製造又は用意する工程を含み、
前記光吸収層が、少なくとも前記第１及び第２半導体層それぞれの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する導電性材料を含み、
前記光電変換層と前記光吸収層が少なくとも絶縁層を介して積層される。
【００１６】
幾つかの実施形態においては、前記光吸収層を形成する工程は、前記光電変換層上に形成された絶縁層上に前記導電性材料を堆積する工程を含む。
【００１７】
幾つかの実施形態においては、前記導電性材料が、シリコンの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する合金を含む。
【００１８】
幾つかの実施形態においては、前記導電性材料が、Ｇｅを含む金属、又はＧｅＳｎを含む合金を含む。
【発明の効果】
【００１９】
本開示の一態様によれば、エネルギー変換装置の構成の簡素化及び／又はその変換効率の向上を促進することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の積層構造を示す概略図であり、光電変換層への光入射に応じて第１電流が生成され、また、光吸収層から熱電変換素子への熱の伝達に応じて第２電流が生成されることが模式的に示される。光電変換層と光吸収層が絶縁層を介して積層され、光電変換層から光吸収層へ熱が伝達可能である。
【図２】地上に到達する太陽光の波長軸上の放射度を示す概略的なグラフであり、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置においてエネルギー利用効率が高められることを示すために参照される。
【図３】３つの異構造のエネルギー変換装置に関して波長軸上の反射率を示すグラフであり、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の光吸収特性の優位性を示すために参酌される。
【図４】２つの異構造のエネルギー変換装置に関して同一の照射条件において熱電変換素子の出力電圧が異なることを示すグラフであり、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の熱電変換素子の変換効率の優位性を示すために参酌される。
【図５】本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の製造方法を示す概略図である。
【図６】本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の積層構造を示す概略図であり、光吸収層での光吸収効率を高めるためにプラズモン部が設けられることが示される。
【図７】実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＳＥＭ写真である。
【図８】実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＥＤＳ写真である。
【図９】実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＳＥＭ写真であり、光電変換層の粗面化された光入射面を示す。
【図１０】実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＳＥＭ写真であり、光吸収層の形成状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図１乃至図１０を参照しつつ、本発明の非限定の実施形態例について説明する。開示の１以上の実施形態例及び実施形態例に包含される各特徴は、個々に独立したものではない。当業者は、過剰説明を要せず、各実施形態例及び／又は各特徴を組み合わせることができる。また、当業者は、この組み合わせによる相乗効果も理解可能である。実施形態例間の重複説明は、原則的に省略する。参照図面は、発明の記述を主たる目的とするものであり、作図の便宜のために簡略化されている場合がある。
【００２２】
以下に記述において、あるエネルギー変換装置及び／又はエネルギー変換装置の製造方法に関して記述される複数の特徴が、これらの特徴の組み合わせとして理解されることに加えて、他の特徴とは独立した個別の特徴として理解される。個別の特徴は、他の特徴との組み合わせを必須とすることなく独立した個別の特徴として理解されるが、１以上の他の個別の特徴との組み合わせとしても理解される。個別の特徴の組み合わせの全てを記述することは当業者には冗長であり、省略される。個別の特徴は、「幾つかの実施形態」、「幾つかの場合」、「幾つかの例」といった表現により明示される。個別の特徴は、例えば、図面に図示されたエネルギー変換装置及び／又はエネルギー変換装置の製造方法にのみ有効であるものではなく、他の様々なエネルギー変換装置及び／又はエネルギー変換装置の製造方法にも通用する普遍的な特徴として理解される。
【００２３】
図１は、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置１００の積層構造を示す概略図であり、光電変換層１０への光入射に応じて第１電流Ｉ1が生成され、また、光吸収層４２から熱電変換素子５０への熱の伝達に応じて第２電流Ｉ2が生成されることが模式的に示される。実施形態によっては、第１電流Ｉ1と第２電流Ｉ2が合流し、両者の合計に相当する第３電流が生成され得る。光電変換層１０と光吸収層４２が絶縁層４１を介して積層され、光電変換層１０から光吸収層４２へ熱が伝達可能である。なお、図１に図示のエネルギー変換装置１００は、一例のエネルギー変換装置であり、これに関して記述される１以上の特徴が他の構成のエネルギー変換装置においても通用する。
【００２４】
エネルギー変換装置１００は、地上又は宇宙空間において自然光（太陽、月、又は他の惑星から到来する光）を受光し、光電変換及び熱電変換を行う。追加的又は代替的に、エネルギー変換装置１００は、人工光（例えば、蛍光灯、半導体光源（例えば、ＬＥＤ光源）、各種ランプ（例えば、ハロゲンランプ）から到来する光）を受光し、光電変換及び熱電変換を行う。エネルギー変換装置１００の発電能力は、エネルギー変換装置１００に含まれる太陽電池３０及び／又は光電変換層１０の面積や光電変換効率に依存し、また、エネルギー変換装置１００に含まれる熱電変換素子５０の面積や光電変換効率に依存し得る。当業者は、エネルギー変換装置１００の目標出力を得るため、エネルギー変換装置１００に含まれる太陽電池３０及び／又は熱電変換素子５０を適切に設計し得る。
【００２５】
エネルギー変換装置１００は、幾つかの場合、窓材３５、太陽電池３０、絶縁層４１、光吸収層４２、熱電変換素子５０、及びヒートシンク６１をこの順で有する。窓材３５、太陽電池３０、絶縁層４１、光吸収層４２、熱電変換素子５０、及びヒートシンク６１は、自然光又は人工光の伝播方向Ｄ１に沿ってこの順で配置される。なお、自然光又は人工光の伝播方向Ｄ１は、実施形態に依存して変化することが当然に予期される。自然光又は人工光の伝播方向が、図示の方向Ｄ１に対して斜めに傾斜し、或いは、図示の方向Ｄ１の反対方向であることも予期される。言うまでも無く、窓材３５、ヒートシンク６１はオプションの要素である。
【００２６】
太陽電池３０は、光電変換層１０を含み、オプションとして、光電変換層１０から電流を取り出すための一対の電極層２１，２２を有する。光電変換層１０は、第１導電型（Ｎ型及びＰ型の一方）の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に配された第２導電型（Ｎ型及びＰ型の他方）の第２半導体層１２を含む。光電変換層１０の光入射面、例えば、第１半導体層１１とは反対側の第２半導体層１２の主面がエッチングによって粗面化され得る。この場合、光電変換層１０の光入射面での光反射が低減され、光利用効率が高められる。粗面化された表面上に光学機能層が追加的に形成され得る。
【００２７】
窓材３５を介して入射した光は、太陽電池３０の光電変換層１０により光電変換される。太陽電池３０の光電変換層１０を透過した光は、光吸収層４２によって吸収される。熱電変換素子５０は、光吸収層４２に対して熱的に接続される。光電変換層１０で光電変換されず光電変換層１０を透過した光が、光吸収層４２によって熱として吸収され、続いて、熱電変換素子５０において熱電変換される。幾つかの実施形態においては、光吸収層４２は、光電変換層１０の第１及び第２半導体層１１，１２それぞれの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する導電性材料を含む。更には、光電変換層１０と光吸収層４２が少なくとも絶縁層４１を介して積層され、光電変換層１０から光吸収層４２へ熱が伝達可能である。光電変換層１０と光吸収層４２が少なくとも絶縁層４１を介して積層され、エネルギー変換装置１００の積層構造が簡素化される。また、光吸収層４２における又は光吸収層４２を介した熱移動が円滑化され、エネルギー変換装置１００のエネルギー変換効率が高められる。
【００２８】
光電変換層１０の光の吸収波長帯に属する入射光線の全てが光電変換層１０において光電変換されず、光電変換層１０において熱に変換されてしまう。光電変換層１０で生じる熱は、光電変換層１０の光電変換効率の低下に寄与し得る。従って、光電変換層１０の光電変換効率を維持するため、光電変換層１０を冷却することも検討される。しかしながら、この場合、エネルギー変換装置１００に入射した光の利用効率は高められることなく、冷却のため、例えば、冷却水の循環のために余分なエネルギーが消費されるだけである。
【００２９】
図２は、地上に到達する太陽光の波長軸上の放射度を示す概略的なグラフであり、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置１００においてエネルギー利用効率が高められることを示すために参照される。図２の実線Ｌ５が、地上に到達する太陽光の波長軸上の放射度を示す。図２の点線Ｌ１０が、光電変換層１０において光電変換される光の割合を示す。なお、図２は、光電変換層１０が多結晶シリコンを含み（又は、光電変換層１０が多結晶シリコン製であり）、つまりは、第１及び第２半導体層１１，１２が多結晶シリコンを含む（又は、第１及び第２半導体層１１，１２が多結晶シリコン製である）ことを前提としている。光電変換層１０（又は、第１及び第２半導体層１１，１２）が異なる半導体材料から成る場合、点線Ｌ１０が異なる波形を描くことが容易に理解される。
【００３０】
光電変換層１０の光電変換効率は、１００％未満、又は５０％未満であり得、例えば、２０％程度である。光電変換層１０の材料は、短波長側の吸収端波長Ｅ１と、長波長側の吸収端波長Ｅ２の間において光を吸収する吸収波長帯Ｒ１０を有し得る。多結晶シリコンの吸収端波長Ｅ２が約１１００ｎｍである。なお、半導体材料によっては、不連続の複数の吸収波長帯を有し得る。光電変換層１０の材料がシリコンであるとしても、アモルファスシリコンであるか、多結晶シリコンであるかに依存して、又は、追加的な他の要因に依存して、吸収波長特性が異なり得る。
【００３１】
吸収波長帯Ｒ１０における実線Ｌ５と点線Ｌ１０の間の間隔の少なくとも一部に相当する光が、光電変換層１０において熱として吸収される。すなわち、吸収波長帯Ｒ１０に属する光の一部は、光電変換層１０により光電変換されず、光電変換層１０において熱に変換されてしまう。光電変換層１０における熱の蓄積は、光電変換層１０の光電変換効率を低下することに寄与し得る。
【００３２】
上述のように、幾つかの実施形態では、光吸収層４２は、光電変換層１０の第１及び第２半導体層１１，１２それぞれの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する導電性材料を含む。更には、光電変換層１０と光吸収層４２が少なくとも絶縁層４１を介して積層され、光電変換層１０から光吸収層４２へ熱が伝達可能である。従って、光電変換層１０で生成される熱が少なくとも絶縁層４１及び光吸収層４２を介して熱電変換素子５０に伝達可能であり、熱ロス分のエネルギーの少なくとも一部が熱電変換素子５０により電気的に取り出すことができる。光電変換層１０の排熱も促進され、光電変換層１０の光電変換効率の維持も促進される。
【００３３】
なお、光電変換層１０の吸収波長帯Ｒ１０よりも長波長の光が光吸収層４２によって吸収される。光吸収層４２における光吸収によって光吸収層４２で熱が生じる。光吸収層４２で生じた熱が、熱電変換素子５０に伝達され、熱電変換される。シリコンの長波長側の吸収端波長Ｅ２よりも長波長の光の利用効率が高められる。
【００３４】
幾つかの場合、光吸収層４２の導電性材料が、少なくとも一つの金属又は合金又は炭素系材料を含む。金属は、光電変換層１０の光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する任意の種類の金属から選択され得る。合金は、２元系合金、又は３元系合金、又は４以上の元素数の合金であり得る。金属や合金は、言うまでもなく、良好な導電性を有し、また、良好な導電性のために良好な熱伝達性を有し得る。金属及び／又は合金を含む光吸収層４２によって光電変換層１０への反射光も生じ、光電変換層１０における光電変換効率が高められ得る。なお、光吸収層４２は、合金に加えて、合金化されていない合金の構成金属も含み得る。
【００３５】
炭素系材料は、炭素と、炭素以外の元素及び／又は材料を含む導電性材料であり得る。グラファイトといった炭素材料が分散された樹脂は、良好な導電性を有し、また、良好な導電性のために良好な熱伝達性を有する。このように、様々な種類の金属、合金、又は炭素系材料が光吸収層４２の候補として考えられ得る。
【００３６】
幾つかの場合、光吸収層４２の導電性材料が、シリコンの光の吸収波長帯よりも長波長の光を吸収する金属又は合金を含む。幾つかの場合、光吸収層４２の導電性材料が、Ｇｅを含む金属、又はＧｅＳｎを含む合金を含む。Ｇｅの長波長側の吸収端波長は、シリコン（Ｓｉ）の長波長側の吸収端波長よりも大きい。従って、シリコン製の光電変換層１０を透過した赤外線がＧｅによって熱として吸収される。Ｇｅを含む金属は、Ｇｅ単体、又は、Ｇｅに加えて他の金属を含む金属を意味し得る。ＧｅＳｎを含む合金は、ＧｅＳｎの２元系合金、又は、ＧｅとＳｎ以外の元素を追加的に含む合金を意味し得る。ＧｅＳｎは、Ｇｅ単体よりも長波長の光を吸収することができ、Ｇｅ単体よりも有利である。Ｇｅ以外の金属が用いられることも想定される。
【００３７】
幾つかの場合、光吸収層４２は、１０μｍ以下の厚みを有する。光吸収層４２が金属又は合金から成る場合、蒸着といった薄膜形成技術により薄層の光吸収層が容易に形成できる。絶縁層４１は、幾つかの場合、５ｎｍ以上であり、及び／又は、１００ｎｍ以下の厚みを有する。絶縁層４１は、光電変換層１０と光吸収層４２の絶縁を確保するのに要求される厚みを有し得る。絶縁層４１は、例えば、酸化シリコン、端的には、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）であり得る。薄層の光吸収層４２及び／又は薄層の絶縁層４１は、これらの層の追加にも関わらず、エネルギー変換装置１００の薄型化を維持することに貢献する。
【００３８】
以下、図面を参照して、より詳細に記述する。以下の記述に含まれる各特徴は、図示例に限定されず、図示例以外のものにも通用するものと理解される。
【００３９】
太陽電池３０上に窓材３５が配置される。窓材３５は、可視光及び／又は赤外線に対して透明性を有する材料、例えば、ガラスから成る。エネルギー変換装置１００が収納されるパッケージ部材側に窓材３５が設けられることも想定される。窓材３５は、単なるオプションの要素である。
【００４０】
太陽電池３０に含まれる光電変換層１０は、第１導電型（Ｎ型及びＰ型の一方）の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に配された第２導電型（Ｎ型及びＰ型の他方）の第２半導体層１２を含む。図示例では、第１半導体層１１がＮ型であり、第２半導体層１２がＰ型である。別例においては、第１半導体層１１がＰ型であり、第２半導体層１２がＮ型である。各半導体層１１，１２は、幾つかの場合、シリコンを含み、端的には、シリコン半導体層であり得る。別例においては、各半導体層１１，１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体層、又はこれ以外の材料から成る半導体層であり得る。説明の便宜上、一対の電極層２１，２２の一方を第１電極層２１と第２電極層２２と呼ぶ場合がある。
【００４１】
第１半導体層１１と第２半導体層１２の間には空乏層が形成される。入射光に応じて荷電子帯の電子が伝導帯へ励起され、荷電帯に正孔が残される。空乏層のバイアスに応じて電子がＮ型の半導体層に流入し、正孔がＰ型の半導体層に流入する。このようなメカニズムにより光電変換層１０では入射光に応じて電流が生成される。幾つかの場合、第１半導体層１１に電気的に接続された第１電極２１と、第２半導体層１２に対して電気的に接続された第２電極２２の間に負荷１９、例えば、電流電圧変換回路が接続される。電流電圧変換回路によって電流Ｉ1が電圧に変換され得る。負荷１９は、他の種類の回路であり得る。
【００４２】
各電極層２１，２２は、入射光（例えば、可視光及び／又は赤外光）に対して実質的に透明な材料、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成り得る。各電極層２１，２２は、可視光及び／又は赤外光に対して不透明な材料、例えば、アルミニウムから成り得る。電極層２１，２２によって光電変換層１０への入射光強度が低減してしまうことを回避するべく、幾つかの場合、電極層２１，２２は、格子状にパターニングされる。代替的又は追加的に、電極層２１，２２は、光電変換層１０の光入射領域の外周に形成される。
【００４３】
光電変換層１０は、現在又は将来にて利用可能な半導体プロセスにより製造される。例えば、第１半導体層１１として第１導電型のシリコン基板が用意され、不純物打ち込みによって第２導電型のウェル領域が形成される。このウェル領域は、第１半導体層１１上に配された第２半導体層１２として理解される。別の製造方法としては、第１半導体層１１として第１導電型のシリコン基板が用意され、第２半導体層１２として第２導電型のシリコン基板が用意され、第１及び第２導電型のシリコン基板が貼り合わされて接合される。各製造方法又は上述以外の製造方法において、必要に応じて、付加的な不純物拡散領域や絶縁トレンチが形成され、或いは、アニールが実施され得る。
【００４４】
光電変換層１０に対する電極の接続態様は様々であり得る。一対の電極層２１，２２によって光電変換層１０を挟む態様以外の態様で光電変換層１０に対して電極が接続され得る。例えば、絶縁層４１を貫通する貫通電極を介して第１半導体層１１に対する電気的接続が確保され得る。かかる観点から、太陽電池３０の本質的部分は、光電変換層１０であり、一対の電極層２１，２２を含まないものと理解される。本明細書の記述は、不適切でなければ、太陽電池３０が光電変換層１０に読み替えて理解され得る（逆も然り）。
【００４５】
光吸収層４２は、光電変換層１０を透過した光を吸収する。光吸収層４２は、絶縁層４１を介して光電変換層１０上に積層される。第１電極２１が第１半導体層１１上に形成される場合、光吸収層４２は、第１電極２１及び絶縁層４１を介して光電変換層１０上に積層される。光吸収層４２の材料については上述したとおりである。絶縁層４１は、光電変換層１０と光吸収層４２の間に配される。絶縁層４１は、第１半導体層１１上、又は、第１電極２１上に積層され得る。絶縁層４１の材料については上述したとおりである。
【００４６】
幾つかの場合、熱電変換素子５０は、光吸収層４２に対して貼り合わされる。光吸収層４２の面内で生じた熱が熱電変換素子５０に効率的に伝達される。熱電変換素子５０としては様々な種類の熱電変換素子が用いられ得る。必ずしもこの限りではないが、幾つかの場合、熱電変換素子５０は、ゼーベック効果に基づいて熱電変換する素子である。
【００４７】
熱電変換素子５０は、第１導電型の第１半導体部５３と、第２導電型の第２半導体部５４の組み合わせから成る複数のユニットと、ユニット内において第１及び第２半導体部５３，５４を接続する接続配線５１と、隣接するユニット間において第１及び第２半導体部５３，５４を接続する接続配線５２を有する。第１導電型と第２導電型の半導体部の直列接続、ＰＮＰＮ・・・・ＰＮＰＮが構築される。幾つかの場合、この直列接続の一端と他端の間に負荷５９、例えば、電流電圧変換回路が接続される。電流電圧変換回路によって電流Ｉ2が電圧に変換され得る。負荷５９は、他の種類の回路であり得る。
【００４８】
図示は省略するが、熱電変換素子５０は、接続配線５２と光吸収層４２の間に設けられる吸熱層を有し得る。吸熱層は、光吸収層４２から伝達する熱を蓄積する絶縁層であり得る。図示は省略するが、熱電変換素子５０は、接続配線５１とヒートシンク６１の間に排熱層を有し得る。排熱層は、ヒートシンク６１に熱接続され、熱電変換素子５０の温度上昇の抑制に寄与する。
【００４９】
熱電変換素子５０は、光電変換層１０、絶縁層４１、及び光吸収層４２で生じる熱を排熱するための排熱素子として理解され得る。光電変換層１０と熱電変換素子５０が絶縁層４１及び光吸収層４２を介して熱接続され、光電変換層１０からの排熱が円滑に行われ得る。ヒートシンク６１は、熱電変換素子５０の排熱性能を高めることに貢献し得る。ヒートシンク６１は、空冷式、水冷式、又はこれらの組み合わせであり得る。ヒートシンク６１は、高い熱伝導性を有し、冷媒（例えば、空気、水）との広い接触面積を有する。
【００５０】
自然光又は人工光の伝播方向Ｄ１に沿う積層方向において隣り合う要素、例えば、太陽電池３０と絶縁層４１、或いは、光吸収層４２と熱電変換素子５０の間に１以上の他の層が挿入されることが当然に予期される。例えば、太陽電池３０と絶縁層４１の間には太陽電池３０を保護するための保護層が形成され得る。光吸収層４２と熱電変換素子５０の間には熱接続の向上のためにグリース層が形成され得る。
【００５１】
図３を参照してエネルギー変換装置１００の光吸収特性について記述する。図３は、３つの異構造のエネルギー変換装置に関して波長軸上の反射率を示すグラフであり、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の光吸収特性の優位性を示すために参酌される。図３（ａ）は、光入射面が鏡面の光電変換層１０の反射率を観察したものである。図３（ｂ）は、光入射が粗面化された光電変換層１０の反射率を観察したものであり、光電変換層１０の光入射面の反対側に絶縁層４１を介して光吸収層４２が積層されていない。図３（ｃ）は、光入射が粗面化された光電変換層１０の反射率を観察したものであり、光電変換層１０の光入射面の反対側に絶縁層４１を介して光吸収層４２が積層されている。なお、図３（ｃ）は、絶縁層４１として二酸化シリコンが用いられ、光吸収層４２としてはＧｅＳｎの２元系合金が用いられる。光吸収層４２は、ＧｅとＳｎの蒸着により形成され、Ｇｅ単体とＳｎ単体も含まれる。図３から分かるように、図３（ｃ）の場合、光反射率の低減が観察され、エネルギー変換装置１００における光吸収が増加したことが分かる。
【００５２】
図４は、２つの異構造のエネルギー変換装置に関して同一の照射条件において熱電変換素子の出力電圧が異なることを示すグラフであり、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の熱電変換素子の変換効率の優位性を示すために参酌される。前提として、メタルハライトとハロゲンランプの組み合わせが光源として用いられる。図４（ｂ）は、光電変換層の光入射が粗面化され、太陽電池の光入射面の反対側に絶縁層及び光吸収層を介さずに熱電変換素子が設けられるエネルギー変換装置の熱電変換素子の出力電圧波形を示す。図４（ｃ）は、光電変換層の光入射が粗面化され、太陽電池の光入射面の反対側に絶縁層及び光吸収層を介して熱電変換素子が設けられるエネルギー変換装置の熱電変換素子の出力電圧波形を示す。図４（ｂ）と図４（ｃ）の比較から分かるように、光吸収層４２の存在に起因して熱電変換素子５０の出力電圧が高められる。
【００５３】
図５は、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の製造方法を示す概略図である。エネルギー変換装置１００は、様々な製造方法に依拠して製造される。エネルギー変換装置１００の太陽電池３０や熱電変換素子５０が既製品である場合も容易に想定され、従って、この場合、太陽電池３０や熱電変換素子５０の各部分の製造が省略される。窓材３５、太陽電池３０、絶縁層４１、光吸収層４２、熱電変換素子５０、及びヒートシンク６１は、自然光又は人工光の伝播方向Ｄ１に沿ってこの順で配置されると上述した。しかし、これは、製造方法における積層順とは無関係である。
【００５４】
図５から分かるように、エネルギー変換装置１００の製造方法は、太陽電池又は光電変換層を製造又は用意する工程、熱電変換素子を製造又は用意する工程、絶縁層を形成する工程、光吸収層を形成する工程を含み、場合によっては、光吸収層と熱電変換素子を熱的に接続する工程を更に含む。追加として、他の様々な工程、例えば、一対の電極層２１，２２を形成する工程等を含み得ることに留意されたい。
【００５５】
絶縁層を形成する工程は、太陽電池３０又は光電変換層１０上に絶縁層４１を形成する工程を含み、又は、熱電変換素子５０上又は支持基板に配された光吸収層４２上に絶縁層４１を形成する工程を含み得る。絶縁層４１の形成は、絶縁材料の堆積を含み得る。絶縁材料の堆積は、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、ＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)、又はこれらの組み合わせにより行われ得る。
【００５６】
光吸収層を形成する工程は、太陽電池３０又は光電変換層１０上に形成された絶縁層４１上に光吸収層４２を形成する工程を含み、又は、熱電変換素子５０上又は支持基板上に光吸収層４２を形成する工程を含み得る。光吸収層４２の形成は、光吸収層４２の導電性材料の堆積を含み得る。導電性材料の堆積は、蒸着、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、ＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)、又はこれらの組み合わせにより行われ得る。
【００５７】
光吸収層と熱電変換素子の熱接続は、太陽電池３０側に積層された光吸収層４２に対して熱電変換素子５０を貼り合わせることを含み得る。幾つかの場合、光吸収層４２と熱電変換素子５０がグリースを介して貼り合わせられる。
【００５８】
上述した支持基板は、絶縁層又は光吸収層の堆積のために用いられる基板であり、場合によっては、エネルギー変換装置１００に組み込まれる。
【００５９】
図６は、本開示の一態様に係るエネルギー変換装置の積層構造を示す概略図であり、光吸収層での光吸収効率を高めるためにプラズモン部が設けられることが示される。幾つかの場合、プラズモン部７１では、光吸収層４２により吸収されずに光吸収層４２を透過した光の入射に応じて表面プラズモン共鳴が生じる。表面プラズモン共鳴に応じて光吸収層４２による光吸収効率が高められ得る。同時にプラズモン共鳴により光熱変換効率を向上させることができる。プラズモン部７１は、光電変換層１０側とは反対側において光吸収層４２上に設けられる。プラズモン部７１は、例えば、微小な金の粒子がランダムに分布する層、或いは、光吸収層４２で吸収される光の波長に基づいて構築された周期構造を含み得る。
【００６０】
＜実施例＞
まず、Ｎ型シリコン基板に対して不純物打ち込みによりＰ型ウェル領域を形成した。続いて、Ｐ型ウェルの表面をエッチングにより粗面化した。続いて、マスク層を用いて真空蒸着によりＮ型シリコン基板とＰ型ウェルそれぞれに対して電極層を選択的に形成した。続いて、マスク層を除去した。光入射又は光透過を妨げない限定した範囲で電極層を形成した。続いて、Ｎ型シリコン基板の裏面に二酸化シリコンを堆積した。続いて、ＧｅとＳｎの蒸着により二酸化シリコン上にＧｅＳｎ層を堆積させた。ＧｅＳｎ層は、ＧｅＳｎ合金に加えてＧｅ単体とＳｎ単体を含む。続いて、グリースを介して市販の熱電変換素子をＧｅＳｎ層に対して貼り合わせた。
【００６１】
図７は、実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＳＥＭ写真であり、Ｎ型シリコン基板に対して絶縁層を介して光吸収層が形成されることを示す。図７の写真下部の黒色部分が光電変換層のＳｉ部分を示し、写真上部の凸凹構造がＧｅＳｎ層を示す。１０ｎｍ厚の絶縁層が両者の間に存在する。図８は、実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＥＤＳ写真である。Ｇｅ／Ｓｎの組成は、Ｇｅ0.65Ｓｎ0.35からＧｅ0.93Ｓｎ0.07へ厚み方向において徐々に変化した。シリコン基板側でＳｎがリッチである。Ｓｎは、Ｇｅよりも融点が低いためと推定される。
【００６２】
図９は、実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＳＥＭ写真であり、光電変換層の粗面化された光入射面を示す。図１０は、実施例に係るエネルギー変換装置の一部のＳＥＭ写真であり、光吸収層の形成状態を示す。
【００６３】
上述の教示を踏まえると、当業者をすれば、各実施形態に対して様々な変更を加えることができる。請求の範囲に盛り込まれた符号は、参考のためであり、請求の範囲を限定解釈する目的で参照されるべきものではない。
【符号の説明】
【００６４】
１００            エネルギー変換装置
１０            光電変換層
３０            太陽電池
４１            絶縁層
４２            光吸収層
５０            熱電変換素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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