(57)【要約】【課題】トレンチコンタクト部の閾値電圧特性への影響を低減する半導体装置を提供することである。【解決手段】実施形態の一つは、第１面と、前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板において、前記第１面上から離れる方向において幅が広がるレジストを前記第１面上に形成する工程と、前記第１面、及び前記レジスト上に金属膜を形成する工程と、前記第２面に対して、プラズマダイシングにより前記半導体基板の一部をエッチングする工程と、前記レジストを酸素処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。【選択図】図１
2018186240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板において、前記第１面上か
ら離れる方向において幅が広がるレジストを前記第１面上に形成する工程と、
前記第１面、及び前記レジスト上に金属膜を形成する工程と、
前記第２面に対して、プラズマダイシングにより前記半導体基板の一部をエッチングす
る工程と、
前記レジストを酸素処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レジストは、２００℃以上の耐熱性を有する樹脂である請求項１に記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項３】
前記レジストは、金属膜の厚さ以上に厚い請求項１または２に記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項４】
前記レジストは、プラズマダイシング時に除去される請求項１から３のいずれか１つに
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記レジストは、酸薬液の耐性を有する請求項１から４のいずれか１つに記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジストは、逆テーパー形成される請求項１から５のいずれか１つに記載の半導体
装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを用いたウエハダイシングは、半導体ウエハのＳｉ部のみを選択的にエッチン
グする。このため、裏面に形成されたメタル層のダイシングには、専用の装置が別に必要
となる。また、メタルダイシング処理前後で、半導体ウエハを反転させる必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４４５１３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、プラズマダイシングにおける、金属層の部分除去を
可能とする半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１面と、前記第１面に対向する第２面を有
する半導体基板において、前記第１面上から離れる方向において幅が広がるレジストを前
記第１面上に形成する工程と、前記第１面、及び前記レジスト上に金属膜を形成する工程
と、前記第２面に対して、プラズマダイシングにより前記半導体基板の一部をエッチング
する工程と、前記レジストを酸素処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【図２】比較例に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材に
は同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００８】
なお、図面での部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実
のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸
法や比率が異なって表される場合もある。
【０００９】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１、図２を用いて説明する。図１は、第１の実施
形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図である。ここで半導体装置は、例
えばＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等である。
【００１０】
＜作用及び効果＞
第１の実施形態による作用および効果について、図１、図２を用いて説明する。
【００１１】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ裏面上において、半導体装置のチップへ
分割する位置に、レジストでパターニングする。
【００１２】
この時、裏面電極面のダイシング部にレジストが残るようにパターニングする。その際
、レジストは、スパッタ中の温度（少なくとも１００〜１５０℃）でも形状を維持するた
め、２００℃以上の耐性があるものが望ましい。これは、熱によりレジストが平坦となる
と、スパッタ時に金属膜がくっついて一体化してしまい、先の工程において個片化するこ
とができなくためである。また、パターニングするレジストは、逆テーパー形状であるこ
とが望ましい。逆テーパー形状は、スパッタ時に金属膜が一体に形成されることを防ぐ。
この逆テーパー形状は、露光装置のフォーカスをずらすことによって、作成可能である。
レジストをパターニングした後は、ＤＨＦ等でスパッタ前処理を行う。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、ウエハの裏面及びレジスト上に金属膜を生成するよう
スパッタ処理する。この時スパッタする金属層の厚さは、レジスト層の厚さよりも薄いこ
とが望ましい。これは、スパッタ後の金属層が、レジスト部の段差によって、隣り合うチ
ップの金属層とつながらないようにするためである。この時、例えば金属膜の厚さは、２
μｍほどである。
【００１４】
次に、図１（ｃ）に示すように、ダイシングテープへ転写して、反転する。
【００１５】
次に、図１（ｄ）に示すように、半導体ウエハの表面パターン側からプラズマダイシン
グする。このプラズマダイシングによって、半導体ウエハのＳｉ部を選択的にエッチング
する。これにより、半導体装置の各チップ部分を形成する。
【００１６】
次に、図１（ｅ）に示すように、プラズマダイシング後の、表面パターン上に残留する
Ｃｌ（塩素）、Ｆ（フッ素）等の処理に、Ｏ２処理などを実施する。この時、スパッタ前
に形成したレジスト膜は、酸素を流入し、熱処理されることで除去される。
【００１７】
次に、図１（ｆ）に示すように、エキスパンドする。レジストによってスパッタ時に自
動的に金属層がダイシングされていた箇所から分割され、半導体装置の各チップへと個片
化する。
【００１８】
以上より、逆テーパー上に形成されたレジストパターンをスパッタ前に形成することで
、金属層を自己形成的にダイシングすることが可能である。
【００１９】
次に、比較例に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２は、比較例に係る半
導体装置の製造方法を模式的に示す断面図である。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示すように、ＤＨＦ等でスパッタ前処理を行った後の半導体ウエハ
の裏面に、金属膜を生成するようスパッタ処理する。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示すように、ダイシングテープへ転写し反転する。
【００２２】
次に、図２（ｃ）に示すように、表面パターン側からプラズマを用いたウエハダイシン
グにより、半導体ウエハのＳｉ部のみを選択的にエッチングする。これにより、半導体装
置の各チップ部分を形成する。
【００２３】
次に、図２（ｄ）に示すように、再度ダイシングテープへ転写し、反転する。
【００２４】
次に、図２（ｅ）に示すように、ＣＯ２ブラストまたは、超音波水洗等によって、裏面
に形成された金属層をダイシング（メタルダイシング）する。メタルダイシング専用の装
置を用いて、半導体ウエハを選択的にエッチングした箇所に対応する位置で金属層を切断
する。
【００２５】
次に、図２（ｆ）に示すように、再度ダイシングテープへ転写し、反転する。
【００２６】
次に、図２（ｇ）に示すように、エキスパンドにより、図２（ｅ）の工程で、ダイシン
グした金属層の箇所から、分割して個片化する。
【００２７】
以上に示すように、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法では、比較例に
対して、ＣＯ２ブラストや超音波水洗などといったメタルダイシング専用の装置を用いる
必要がない。また、転写作業が少なく済むことで、薄ウエハのハンドリングリスクが減り
、歩留まりが向上する。更に、転写作業が少なく済むことで、工程数を削減することが可
能である。また、半導体装置のチップの金属層がテーパー形状となることで、金属層の表
面積が増え放熱性が上がる。
【００２８】
また、メタルダイシング時に専用の装置を用いた際と比較して、側面の荒れを押さえる
ことができ、チッピングや金属層のめくれを防ぐことができる。更に、メタルダイシング
専用の装置を用いた場合には、作業時間に２０分ほどを要すことや、金属膜を除去するこ
とでダイシングライン上でのズレが生じる虞もある。一方、第１実施形態に係る半導体装
置の製造方法では、レジストを生成することで、自己形成的に個片化することができ、そ
もそも金属膜を部分的に除去する必要がなくなる。
【００２９】
本発明の実施形態と変形例を説明したが、これらの実施形態及び変形例は、例として提
示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態
は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で
、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。実施形態に含まれる、各要素の具体
的な構成に関しては、当業者が公知の技術から適宜選択することが可能である。これらの
実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載さ
れた発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３０】
１  半導体ウエハ
２  レジスト
３  金属膜
４、５、６  ダイシングシート
【図１】
2018186240.tif 000003
【図２】
2018186240.tif 000004