(57)【要約】【課題】パッドのサイズや間隔が小さくなることにより、電子部品を実装する際に発生する接触不良を防止し、リフロー工程等における空隙の発生を防止することができるはんだ粒子を提供することである。【解決手段】本発明によるはんだ粒子は、プラスチックコア、プラスチックコアの外表面上の銅フリー金属層、及び銅フリー金属層の上に配置され、錫を８５ｗｔ％以上含むはんだ層を有することを特徴とする。これにより、耐久性及び導電性に優れ、リフロー工程等における空洞（ボイド）の発生を防止または最小化した銅フリー金属層を含むはんだ粒子を提供することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチックコア、前記プラスチックコアの外表面上の銅フリー金属層、及び前記銅フリー金属層の上に配置され、錫を８５ｗｔ％以上含むはんだ層を有することを特徴とするはんだ粒子。
【請求項２】
前記銅フリー金属層及びはんだ層は、同一のチェンバ内においてスパッタリングにより連続的に形成されたことを特徴とする請求項１に記載のはんだ粒子。
【請求項３】
前記銅フリー金属層は、ニッケルとクロムの合金を含み、前記ニッケルの含量は、前記クロムの含量よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のはんだ粒子。
【請求項４】
前記銅フリー金属層の厚さは、前記はんだ層の厚さの１／１００倍以下であることを特徴とする請求項１に記載のはんだ粒子。
【請求項５】
前記はんだ層の外表面上の保護層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のはんだ粒子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだ粒子の製造方法及びはんだ粒子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＣＢに半導体チップや抵抗チップのような小型電子部品を実装するための接合材料として、はんだ粒子が用いられている。近年、集積回路の微細化に伴い、パッドのサイズやパッド間の間隔が縮小され、パッド数が増加する傾向にあり、これにより、不要な電気的連結による素子の不良が増えている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、かかる従来の問題に鑑みてなされたもので、その目的は、パッドのサイズや間隔が小さくなることにより、電子部品を実装する際に発生する接触不良を防止し、リフロー工程等における空隙の発生を防止することができるはんだ粒子を提供することである。上述した課題は、例示的なものであって、これにより本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施例によるはんだ粒子は、プラスチックコア、前記プラスチックコアの外表面上の銅フリー金属層、及び前記銅フリー金属層の上に配置され、錫を８５ｗｔ％以上含むはんだ層を有することを特徴とする。
【０００５】
また、前記銅フリー金属層及びはんだ層は、同一のチェンバ内においてスパッタリングにより連続的に形成されることを特徴とする。
【０００６】
また、前記銅フリー金属層は、ニッケルとクロムの合金を含み、前記ニッケルの含量は、前記クロムの含量よりも大きいことを特徴とする。
また、前記銅フリー金属層の厚さは、前記はんだ層の厚さの１／１００倍以下であることを特徴とする。
【０００７】
また、前記はんだ層の外表面上の保護層をさらに有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施例によれば、耐久性及び導電性に優れ、リフロー工程等における空洞（ボイド）の発生を防止または最小化した銅フリー金属層を含むはんだ粒子を提供することができる。勿論、このような効果により本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施例によるはんだ粒子を概略的に示す正面図である。
【図２】図１に示したはんだ粒子の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例によるはんだ粒子の断面図である。
【図４】本発明の比較例によるはんだ粒子の断面図である。
【図５】はんだ粒子を用いたパッケージング状態を概略的に示す断面図である。
【図６】図４のＶＩ部分に該当する断面画像である。
【図７】本発明の一実施例によるはんだ粒子の製造方法を概略的に示す流れ図である。
【図８】製造方法に用いられるスパッタ装置の概略図である。
【図９】本発明の他の実施例によるはんだ粒子の製造方法を概略的に示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付された図面を参照して、本発明の好適な実施例にについて詳述するが、図面を参照して説明するとき、同一または対応する構成要素については、同一の図面符号を付け、その重複する説明を省略する。
【００１１】
以下の実施例において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的として用いられ、単数の表現は、文脈から明らかに他を意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１２】
図１乃至図３を参照すると、はんだ粒子１０は、プラスチックコア１１、及びプラスチックコア１１の表面上の銅フリー金属層１３、銅フリー金属層１３上のはんだ層１５を含む。
【００１３】
プラスチックコア１１は、外表面が滑らかな球形のコアとして、電気絶縁性の物質を含む。プラスチックコア１１の内部は、電気絶縁性の物質で充填された、また内部には空き空間のない球形であり、内部が中空であるシェルタイプのコアとは区別される。電気絶縁性の物質としては、絶縁性樹脂が含まれてもよい。絶縁性樹脂は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ：Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリメチルアクリレートのようなアクリル系樹脂、ポリシロキサンのようなシリコン系樹脂、及びポリエチレン、ポリプロチレン、ポリスチレンのようなポリオレフィン系樹脂の少なくともいずれか一つの樹脂を含んでもよい。また他の実施例として、絶縁性樹脂は、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリブチレン、ポリエステル、ポリウレタン、スチレンブタジエン、ポリエーテルスルホン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリ酢酸ビニル、スチレンジビニルベンゼン、エポキシ、及びフェノールの少なくともいずれか一つの樹脂を含んでもよい。一部の選択的な実施例として、プラスチックコア１１は、耐熱性及び衝撃強度のよいポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）からなってもよい。他の選択的な実施例として、プラスチックコア１１は、熱安定性及び耐久性に優れたシリコンを含んでもよい。
【００１４】
銅フリー金属層１３は、導電性物質、例えば、金属性物質を含んでもよく、スパッタリング工程により形成される。金属性物質は、ニッケル（Ｎｉ）とクロム（Ｃｒ）の合金、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ステンレス（ＳＵＳ）、またはこれらの合金のいずれか一つを含んでもよく、単一層または多層であってもよい。選択的な実施例として、銅フリー金属層１３は、ニッケルとクロムの合金層であってもよい。ニッケルとクロムの合金を含む銅フリー金属層１３のニッケルとクロムの重量比は、８：２乃至９．５：０．５の範囲から選ばれてもよい。クロムは、プラスチックコア１１とはんだ層１５との間の粘着力の向上を増加させることができる。ニッケルのみからなる銅フリー金属層に比べて、ニッケルとクロムの合金の銅フリー金属層１３の場合、プラスチックコア１１とはんだ層１５との間の粘着力を約１．５倍以上向上させることができる。クロムの重量比が上述した範囲から選ばれる場合、銅フリー金属層１３は、プラスチックコア１１の外表面を剥離無しに全体的に覆うように配置されてもよく、プラスチックコア１１とはんだ層１５との間の粘着力を向上させることができる。クロムが上記範囲を外れた場合、銅フリー金属層１３そのものが剥がされてしまうという問題、すなわち、銅フリー金属層１３の一部がプラスチックコア１１から取れてしまうという問題が生じ得る。
【００１５】
それだけでなく、ニッケルとクロムの合金を含む銅フリー金属層１３の場合、ニッケルのみからなる銅フリー金属層１３０に比べて、スパッタリング工程における薄膜形成の効率を向上させることができる。磁性を有するニッケルのみでスパッタを行う場合、銅フリー金属層１３の薄膜の厚さ均一度などにおいて品質が低下するという問題が生じ得る。しかし、本発明の実施例のように、クロムを含むニッケルとクロムの合金の場合、スパッタ工程を通じて形成される薄膜の品質を向上させ、上述のようにプラスチックコア１１とはんだ層１５との間の粘着力を向上させることができる。
【００１６】
本発明の比較例として、図４を参照すると、はんだ粒子Ｓは、プラスチックコア１とはんだ層５との間に銅（Ｃｕ）を含む銅層３を有してもよい。このようなはんだ粒子Ｓが、図５に示すように、配線基板ＳＵＢと素子ＢＣＰ（例えば、ＢＧＡ用の半導体チップパッケージ）との間に介在して配置された状態でリフローされると、配線基板と素子が接続され得る。素子ＢＣＰは、基板ＢＣＰ−Ｓ、基板ＢＣＰ−Ｓ上に実装された半導体チップＢＣＰ−Ｃ、半導体チップＢＣＰ−Ｃ上の成形用樹脂ＢＣＰ−Ｍからなってもよく、基板ＢＣＰ−Ｓの接続部Ｔ２と配線基板ＳＵＢの接続部Ｔ１との間にはんだ粒子Ｓが介在される。
【００１７】
リフロー工程等により、はんだ粒子Ｓの銅層３とはんだ層５との間の金属間化合物（Ｃｕ６Ｓｎ５）が形成され、それにより、はんだ粒子Ｓの界面、すなわち、銅層３とはんだ層５との間には、図６に示すように、カーケンダルボイド（ｋｉｒｋｅｎｄａｌｌ  ｖｏｉｄ、Ｖｄ）が生じるという問題が発生する。
【００１８】
しかし、本発明は、上述のように、プラスチックコア１１とはんだ層１５との間に銅フリー金属層１３を形成するので、銅と錫の金属間化合物（Ｃｕ６Ｓｎ５）が形成されず、よって、パッケージ工程において空隙が生じるという問題がない。それだけでなく、銅フリー金属層１３が上述した物質を含むので、プラスチックコア１１とはんだ層１５との間の粘着力を向上させることができるなどというのは、上述の通りである。
【００１９】
さらに図１乃至図３を参照すると、はんだ層１５は、錫（Ｓｎ）をベースとした鉛フリーはんだ物質層であり、錫（Ｓｎ）を約８５ｗｔ％以上含んでもよい。一部の選択的な実施例として、はんだ層１５は、錫（Ｓｎ）を約９０ｗｔ％以上、例えば、約９５ｗｔ％以上含んでもよい。
【００２０】
はんだ層１５は、錫（Ｓｎ）以外に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びインジウム（Ｉｎ）の少なくともいずれか一つをさらに含んでもよい。はんだ層１５が銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）を含む場合、融点を下げるために、銀（Ａｇ）は、銅（Ｃｕ）よりも多く含まれてもよい。例えば、はんだ層１５は、上述した錫（Ｓｎ）と、約３．５ｗｔ％の銀（Ａｇ）及び約０．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を含んでもよいが、これに制限されるものではない。
【００２１】
はんだ層１５は、スパッタリング工程により形成される。具体的に、本発明による前記銅フリー金属層１３及びはんだ層１５は、同一のチェンバ内においてスパッタリングにより連続的に形成される。これについては後述する。
【００２２】
はんだ層１５は、スパッタリング法を用いて銅フリー金属層１３の表面に形成されることにより、実質的に滑らかな外表面及び一定の厚さを有し、銅フリー金属層１３の表面に密着して形成されるのみならず、ターゲットから放出される物質（例えば、はんだ物質）以外の不純物（例えば、有機物）を実質的に含まないことができる。このように形成されたはんだ層１５は、例えば、ｉ）外表面上に複数の導電性粒子（突起）が配置され、表面粗さの大きな（すなわち、外表面が凸凹の）「はんだ層」、及びｉｉ）めっき用組成物に必然的に含まれるしかない各種の分散剤、酸度調整剤に由来する有機物を必須に含んだ、めっき法により形成された「はんだ層」とは明確に区分される。
【００２３】
本発明の実施例によるプラスチックコア１１を含むはんだ粒子１０は、プラスチックコア１１無しにはんだ物質からなるはんだ粒子とは区分される。特に、プラスチックコア１１無しに、約８５重量％以上の錫（Ｓｎ）を含む粒子の場合、柔軟性（ｄｕｃｔｉｌｉｔｙ）の大きな錫（Ｓｎ）により、はんだ粒子が容易に変形されてしまう。すなわち、配線基板と素子（例えば、ＢＧＡ用の半導体チップパッケージ）との間に介在された粒子が変形（例えば、楕円形に変形）されながら、隣の粒子同士が接触して不要な電気的連結を引き起こし、接続不良を誘発し得る。
【００２４】
しかし、プラスチックコア１１を含むはんだ粒子１０は、プラスチックコア１１により、その形状が変わることが防止または減少され、素子（例えば、ＢＧＡ用の半導体チップパッケージ等）の重さによるストレスを分散及び／または吸収することができる。
【００２５】
プラスチックコア１１の直径Ｒとはんだ層１５の厚さｄ３との間の比は、０．５：１〜５．２：１の範囲から選ばれてもよい。プラスチックコア１１の直径Ｒは、２０〜１８０μｍの範囲から選ばれてもよい。はんだ層１５の厚さｄ３は、３０〜６０μｍの範囲から選ばれてもよい。プラスチックコア１１の直径Ｒとはんだ層１５の厚さｄ３が上記した範囲内であれば、はんだ粒子１０の基本的な機能である電気的接続機能を維持しながら、微細ピッチの電極（例えば、４００μｍの間隔）を有するパッケージにおいて、はんだ粒子１０の変形による隣接したはんだ粒子１０間の不要な電気的接続の問題を防止することができる。
【００２６】
銅フリー金属層１３の厚さｄ１は、はんだ層１５の厚さｄ３の１／１００倍またはそれよりも小さくてもよい。銅フリー金属層１３の厚さは、例えば、０．１〜０．５μｍの範囲、一部の選択的実施例として、０．２〜０．４μｍの範囲から選ばれてもよい。銅フリー金属層１３の厚さが上記した範囲を外れれば、プラスチックコア１１とはんだ層１５との間の接着力が低下し、はんだ粒子１０のサイズを減らすのに限界がある。
【００２７】
はんだ粒子１０は、図２及び図３に示すように、プラスチックコア１１の外表面を全体的に覆うようにプラスチックコア１１の外表面と直接接触する銅フリー金属層１３、及び銅フリー金属層１３を全体的に覆って直接接触するはんだ層１５を含む。または、はんだ粒子１０は、図３に示すように、はんだ層１５の外表面上の保護層１７をさらに有してもよい。
【００２８】
保護層１７は、金属性の素材を含んでもよい。例えば、保護層１７は、銅フリー金属であって、金属性物質は、ニッケル（Ｎｉ）とクロム（Ｃｒ）の合金、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ステンレス（ＳＵＳ）、またはこれらの合金のいずれか一つを含んでもよい。一部の選択的な実施例として、保護層１７は、銅フリー金属層１３と同一の物質を含んでもよい。
【００２９】
保護層１７は、製造工程及び流通過程において、はんだ層１５の汚染を防止することができる。保護層１７は、パッケージ工程において、配線基板と素子（例えば、ＢＧＡ用の半導体チップパッケージ）との間に介在されたまま、所定の圧力を受けて壊れることにより、パッケージ工程においてはんだ層１５が参加できるようになる。このため、保護層１７の厚さは、０．３μｍと同じまたはそれよりも小さな厚さに形成されてもよい。
【００３０】
図７は、本発明の一実施例によるはんだ粒子の製造方法を概略的に示す流れ図であり、図８は、製造方法に用いられるスパッタリング装置を概略的に示す。
【００３１】
図１乃至図３、また図７及び図８を参照すると、プラスチックコア１１を準備する（Ｓ１０）。プラスチックコア１１は、直径が約２０〜１８０μｍの範囲から選ばれた球形の粒子であって、内部に空き空間がない。プラスチックコア１１は、スパッタリング装置の容器２００内に収容されてもよい。複数のプラスチックコア１１は、パウダー状態であるので、スパッタリング工程中、容器２００内で分離機（図示せず）により混ざり合う。
プラスチックコア１１は、後述する工程において、銅フリー金属層１３との結合力を向上させ、及び／またはプラスチックコア１１の表面上に存在した各種の汚染物質、水分、及び静電気等を取り除くために、前処理段階をさらに含んでもよい。前処理段階は、例えば、プラスチックコア１１の表面へのプラズマ処理及び超音波処理の少なくとも一つを含んでもよい。
【００３２】
プラズマ処理は、例えば、アルゴン、酸素、及び窒素の少なくとも一つを含む雰囲気の下で、プラスチックコア１１の表面をプラズマ処理することにより行われ得る。超音波処理は、超音波振動によりプラスチックコア１１間の摩擦を誘導して、プラスチックコア１１の表面の各種の汚染物質が除去され得る。
【００３３】
以降、前記銅フリー金属層１３及びはんだ層１５が、同一のチェンバ１００内において、スパッタリングにより連続的に形成される。さらには、保護層１７が同一のチェンバ１００内において、スパッタリングにより連続的に形成される。
【００３４】
具体的に説明すると、先ず、チェンバ１００の排気口１０５を用いて、真空状態、例えば、内部を真空状態にする。例えば、チェンバ１００の内部は、約０．１〜１０ｍＴｏｒｒの真空度を有してもよいが、本発明は、これに制限されない。以降、プラスチックコア１１の外表面上に銅フリー金属層１３をスパッタリングする（Ｓ２０）。
【００３５】
チェンバ１００の導入口１０６からアルゴンガスのような不活性ガスを供給し、第１のターゲット３１０のカソード電極に電源を印加してプラズマを発生させる。一実施例として、不活性ガスは、１０〜５００ｓｃｃｍの流速で供給されてもよいが、本発明は、これに限定されない。カソード電極に印加される電源は、ＲＦまたはＤＣ電源を用いてもよい。プラズマのイオンまたは中性粒子が第１のターゲット３１０の表面を打撃し、第１のターゲット３１０から分離された原子は、プラスチックコア１１の外表面に被膜、すなわち、銅フリー金属層１３を形成する。銅フリー金属層１３は、プラスチックコア１１の外表面を全体的に覆うように形成される。第１のターゲット３１０と第２のターゲット３２０との間には、遮蔽膜４００が介在され、第１のターゲット３１０による銅フリー金属層１３の形成工程中、第２のターゲット３２０が汚染することが防止される。
【００３６】
チェンバ１００内に設置された第１のターゲット３１０は、銅フリー金属材を含む。銅フリー金属材は、例えば、ニッケルとクロムの合金、チタン、及びステンレス（ＳＵＳ）の少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【００３７】
一部の選択的な実施例として、第１のターゲット３１０は、ニッケルとクロムの合金層であってもよく、よって、第１のターゲット３１０で形成された銅フリー金属層１３も、ニッケルとクロムの合金層であってもよく、このとき、ニッケルの含量は、クロムの含量よりもさらに大きくてもよい。例えば、ニッケルとクロムの合金を含む銅フリー金属層１３におけるニッケルとクロムの重量比は、８：２〜９．５：０．５の範囲から選んでもよい。
【００３８】
磁性を有するニッケルのみでスパッタを行う場合、スパッタリング工程の効率が低下し、銅フリー金属層１３の薄膜の厚さ均一度などにおいて品質が低下するという問題があり得る。しかし、本発明の実施例のように、第１のターゲット３１０がクロムを含むニッケルとクロムの合金で形成された場合、スパッタ工程を通じて、高品質の薄膜、すなわち、銅フリー金属層１３を形成することができる。それだけでなく、上述したようにプラスチックコア１１とはんだ層１５との間の粘着力を向上させることができるのは、上述の通りである。
【００３９】
次に、第１のターゲット３１０に連結されたカソード電極をオフした後、第２のターゲット３２０のカソード電極に電源を印加し、銅フリー金属層１３の外表面上にはんだ層１５をスパッタリングする（Ｓ３０）。はんだ層１５の形成段階におけるチェンバ１００内の真空度は、銅フリー金属層１３の形成段階におけるチェンバ１００内の真空度と同一に維持されてもよい。不活性ガスは、上述した工程におけるように、１０〜５００ｓｃｃｍの流速で供給されてもよいが、本発明は、これに限定されない。第２のターゲット３２０と第１のターゲット３１０との間には、遮蔽膜４００が介在され、第２のターゲット３２０によるはんだ層１５の形成工程中、第１のターゲット３１０が汚染することが防止される。
【００４０】
第２のターゲット３２０のカソード電極がオンしながら、プラズマのイオンまたは中性粒子が第２のターゲット３２０の表面を打撃し、第２のターゲット３２０から分離された原子は、銅フリー金属層１３の外表面に被膜、すなわち、はんだ層１５を形成する。第１のターゲット３１０を用いた銅フリー金属層１３のスパッタ工程と、第２のターゲット３２０を用いたはんだ層１５のスパッタ工程は、同一のチェンバ１００において連続的に行われる。したがって、銅フリー金属層１３とはんだ層１５との間に異なる層、銅フリー金属層１３とはんだ層１５をなす物質層以外の層（例えば、酸化被膜）が形成されることが防止される。
【００４１】
第２のターゲット３２０は、錫（Ｓｎ）をベースとした鉛フリーはんだ物質を含む。例えば、第２のターゲット３２０は、錫（Ｓｎ）を約８５ｗｔ％以上、一部の選択的な実施例として、第２のターゲット３２０は、錫（Ｓｎ）を約９０ｗｔ％以上、例えば、約９５ｗｔ％以上含んでもよい。
【００４２】
第２のターゲット３２０は、錫（Ｓｎ）以外に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びインジウム（Ｉｎ）の少なくともいずれか一つをさらに含んでもよい。第２のターゲット３２０が、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）を含む場合、融点を下げるために、銀（Ａｇ）を銅（Ｃｕ）よりも多く含んでもよい。例えば、第２のターゲット３２０は、上述した錫（Ｓｎ）及び 銀（Ａｇ）を約３．５ｗｔ％、銅（Ｃｕ）を約０．５ｗｔ％含んでもよいが、本発明は、これに制限されない。
【００４３】
第２のターゲット３２０の物質は、プラズマのイオンまたは中性粒子により第２のターゲット３２０から分離され、銅フリー金属層１３の外表面上に蒸着されてはんだ層１５を形成する。はんだ層１５の厚さは、銅フリー金属層１３の厚さの１００倍またはそれよりも大きく形成されてもよいことは、図１乃至図３を参照して説明した通りである。
【００４４】
スパッタリングにより形成されたはんだ層１５は、上述のように、めっき用組成物に必然的に含まれるしかない各種の分散剤、酸度調整剤に由来する有機物を必須に含まない。このように形成されたはんだ層１５は、めっきにより形成されたはんだ層に比べて、膜の構造が相対的に緻密であり、パッケージ工程中、素子の荷重等により発生するクラックが減少または防止され得る。
【００４５】
図９は、本発明の他の実施例によるはんだ粒子の製造方法を概略的に示す流れ図である。図９を参照すると、上述した段階（Ｓ１０〜Ｓ３０）を通じて、プラスチックコア１１上に順次に銅フリー金属層１３及びはんだ層１５を形成した後、はんだ層１５の外表面に保護層１７をスパッタすることができる（Ｓ４０）。
【００４６】
保護層１７は、銅フリー金属層１３と同一の物質を含んでもよい。例えば、第２のターゲット３２０と連結されたカソード電極をオフし、第１のターゲット３１０と連結されたカソード電極をオンし、プラズマを発生させ、はんだ層１５の外表面に保護層１７を形成してもよい。
【００４７】
保護層１７は、はんだ層１５を保護し、リフロー工程時、はんだ層１５が配線基板と素子を接続するのに参加できるように、パッケージ工程中、はんだ粒子１０が配線基板と素子（例えば、ＢＧＡ用の半導体チップパッケージ）との間に配置されるとき、素子の荷重等によりクラックが生じ得る。このため、保護層１７の厚さは、はんだ層１５の厚さの１／１００よりも小さな厚さに形成されてもよい。例えば、保護層１７の厚さは、０．４μｍと同じまたはそれよりも小さな厚さ、例えば、０．３μｍと同じまたはそれよりも小さな厚さに形成されてもよい。
【００４８】
図７及び図９に示されてはいないが、はんだ層１５または保護層１７を形成した後、はんだ粒子１０を乾燥する段階をさらに含んでもよい。乾燥段階は、例えば、２５％以下（例えば、５〜２５％の相対湿度）の相対湿度及び５０〜８０℃の温度条件の下で、１〜２時間の間乾燥させることにより行われる。前記乾燥温度は、常温から特定の温度に漸進的に加温させることにより調整されてもよい。
【００４９】
以上、本発明は、図示された一実施例を参考として説明されているが、これは、例示に過ぎず、当該分野における通常の知識を有する者であれば、これに基づいて様々な変形及び実施例の変形が可能であるということが理解されるだろう。したがって、本発明の真正の技術的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲の技術的思想により定められなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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