(57)【要約】【課題】回転体の駆動を制御する電装部品のような高温化する必要のない部分の高温化を避け、例えばネジ溝ポンプステータのように、真空ポンプの中で高温化が必要とされる部分を効率よく高温化することで、反応生成物の堆積を軽減するのに好適な真空ポンプとその回転体と静翼およびその製造方法を提供する。【解決手段】回転体４は、ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体４Ａとターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体４Ｂとを備え、第２の円筒体４Ｂの外周面に複数の動翼６を多段に配置した構成になっており、第１の円筒体４Ａの内面Ｓ１と第２の円筒体４Ｂの内面Ｓ２とからなる円筒内面の少なくとも一部、および、第１の円筒体４Ａの外面Ｑ１は、動翼６の外面より放射率の小さい低放射率部として構成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体の回転によりガスを吸気し排気する真空ポンプにおいて、
前記回転体は、ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置しており、
前記第１の円筒体の内面と前記第２の円筒体の内面とからなる円筒内面の少なくとも一部、および、前記第１の円筒体の外面が、前記動翼の外面より放射率の小さい低放射率部として構成されていること
を特徴とする真空ポンプ。
【請求項２】
前記低放射率部とこれに隣接して設けた高放射率部との間に、前記低放射率部の放射率より大きくかつ前記高放射率部の放射率より小さい放射率を備えた中間部が存在すること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ
【請求項３】
前記高放射率部と前記低放射率部それぞれの設計範囲のうち、いずれか一方の設計範囲内に前記中間部が位置することで、他方の設計範囲内は、前記中間部を含まない前記高放射率部のみまたは前記低放射率部のみで構成されていること
を特徴とする請求項２に記載の真空ポンプ。
【請求項４】
前記第２の円筒体の前記内面は、前記低放射率部よりも高い放射率をもった高放射率部として構成されること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項５】
前記第１の円筒体の端部面は、前記低放射率部よりも高い放射率をもった高放射率部として構成されること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項６】
前記第１の円筒体の端部面は、前記高放射率部よりも低い放射率をもった低放射率部として構成されること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項７】
前記動翼のうち最下段の前記動翼の表面は、前記低放射率部として構成されること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項８】
前記動翼のうち最下段の前記動翼において、前記ネジ溝ポンプ機構部の固定部材に対向する面に、前記低放射率部が構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項９】
前記動翼のうち最下段の前記動翼と前記ネジ溝ポンプ機構部の固定部材との間に、遮蔽部材が配置され、前記遮蔽部材に前記低放射率部が構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項１０】
前記動翼のうちポンプ軸心方向の前記動翼間に静翼が設けられており、
前記静翼はその外周部および／又は該外周部の近傍で支持されるための外リムを備え、
前記外リムの上下面、外周面のうち少なくともいずれか一つの面は、前記低放射率部として構成されること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項１１】
前記動翼のうちポンプ軸心方向の前記動翼間に静翼が設けられており、
前記静翼はその外周部および／又は該外周部の近傍で支持されるための外リムを備え、
前記外リムは、複数のリム部材を突合わせ接合することにより全体として環状に形成されており、
前記リム部材の突合わせ面は、前記低放射率部として構成されること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項１２】
前記低放射率部は、第１の低放射率部の上に第２の低放射率部を積層してなる多層構造で構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。
【請求項１３】
ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置した真空ポンプの回転体を製造する方法において、
前記第１の円筒体の内面と前記第２の円筒体の内面とからなる円筒内面の少なくとも一部、および／又は、前記第１の円筒体の外面を、高放射率表面処理から保護する保護工程と、
前記保護工程の後に前記回転体に対して前記高放射率表面処理を施す表面処理工程と、を備えてなること
を特徴とする真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項１４】
前記回転体は、前記第１の円筒体または前記第２の円筒体を回転軸に締結するための貫通穴を備え、
前記保護工程は、前記貫通穴を塞ぐ処理を含むこと
を特徴とする請求項１３に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項１５】
前記保護工程の前に、締結工程があり、
前記回転体は、前記第１の円筒体または前記第２の円筒体を回転軸に締結するための複数の貫通穴を備え、
前記締結工程は、前記貫通穴のうち、前記回転体の回転中心線上に位置する一つの貫通穴に対して前記回転体の内面側から前記回転軸の先端を挿入した後、他の貫通穴に締結ボルトを挿入して締付けることにより、前記第２の円筒体と前記回転軸とを締結する工程であり、
前記保護工程は、前記締結工程で挿入した前記回転軸の先端部に保護カバーを取付ける工程を含むこと
を特徴とする請求項１３に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項１６】
前記保護カバーは、前記締結ボルトと前記貫通穴との隙間を介して前記回転体の内面側へ前記高放射率表面処理が施されることを防止する機能と、腐食性ガスによる前記回転軸や前記締結ボルトの腐食物が真空ポンプ外へ流出することを防止する機能と、を有すること
を特徴とする請求項１５に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項１７】
ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置し、前記第１の円筒体または第２の円筒体を回転軸に締結するための貫通穴が設けられている真空ポンプの回転体を製造する方法において、
前記回転体の外面に高放射率表面処理を施した後に、前記貫通穴を加工すること
を特徴とする真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項１８】
前記動翼の間に設けられた静翼の外リムは、複数のリム部材を突合わせ接合することにより全体として環状に形成されており、
前記リム部材を突合わせ接合した状態で前記静翼に対して前記高放射率表面処理を施すことにより、前記リム部材の突合わせ面は、前記高放射率表面処理で前記静翼の表面に形成される高放射率部より低い放射率を持った状態になっていること
を特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の真空ポンプの静翼の製造方法。
【請求項１９】
前記高放射率表面処理を施す際に、前記第１の円筒体の外面を耐酸性のマスキング部材で保護すること
を特徴とする請求項１７に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項２０】
前記保護工程は、耐酸性のマスキング部材で保護する工程を含むこと
を特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項２１】
前記マスキング部材は、フッ素を含有するゴム材料であること
を特徴とする請求項１９または請求項２０に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項２２】
ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置した真空ポンプの回転体を製造する方法において、
前記回転体の外周面全体のうち少なくとも低放射率部として構成したい部分に低放射率表面処理を施す第１表面処理工程と、
前記低放射率部として構成したい部分の前記第１表面処理工程における前記低放射率表面処理で形成された低放射率表面層をマスキングするマスキング工程と、
前記マスキング工程によりマスキングされた前記回転体の全体に対して高放射率表面処理を施す第２表面処理工程と、を含むこと
を特徴とする真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項２３】
前記第１表面処理工程は、低放射率表面処理液を充填した処理槽を用意し、前記回転体の前記外周面全体のうち少なくとも前記低放射率部として構成したい部分をその処理漕に漬けることで、その部分に前記低放射率表面処理を施す工程であり、
前記第２表面処理工程は、高放射表面処理液を充填した処理槽を用意し、前記マスキング工程によりマスキングされた前記回転体の全体をその処理槽に漬けることにより、前記回転体に対して前記高放射率表面処理を施す工程であること
を特徴とする請求項２２に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項２４】
前記マスキング工程は、マスキング部材で保護する工程であること
を特徴とする請求項２２または請求項２３に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項２５】
前記マスキング部材は、被マスキング面の表面粗さによる凹凸形状に倣って変形可能な弾性を有していること
を特徴とする請求項１９乃至２１または２４のいずれか１項に記載の真空ポンプの回転体の製造方法。
【請求項２６】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の真空ポンプに用いられることを特徴とする回転体。
【請求項２７】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の真空ポンプに用いられることを特徴とする静翼。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置、フラット・パネル・ディスプレイ製造装置、ソーラー・パネル製造装置におけるプロセスチャンバやその他の密閉チャンバのガス排気手段等として利用される真空ポンプとその回転体と静翼およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の真空ポンプとしては、例えば特許文献１または特許文献２に記載の真空ポンプが知られている。特許文献１の図３（ｃ）を参照すると、この特許文献１に記載の従来の真空ポンプでは、一枚の動翼（１２）、具体的には最下段の動翼（１２）の上面を高放射率部（高放射領域）として構成する一方、同じ動翼（最下段の動翼）の下面を低放射率部（低放射領域）として構成している。これは、ネジ溝ポンプステータ（円筒状ステータ２２）から最下段の動翼（１２）への熱放射を減らすことによって、ネジ溝ポンプステータ（円筒状ステータ２２）の高温化を図り易くし、ネジ溝ポンプステータ（円筒状ステータ２２）における反応生成物の堆積を低減するためである。
【０００３】
ところで、前記のような高放射率部と低放射率部を備えた動翼（１２）を得るには、例えば薬液によって高放射率部を設ける際に、その薬液から低放射率部（最下段の動翼（１２）の下面）を保護するため、最下段の動翼の下面（低放射率部）をマスキング部材でマスキングする必要がある。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の真空ポンプによると、動翼（１２）の構造上、前記のように最下段の動翼（１２）の下面（低放射率部）をマスキング部材でマスキングすることは難しく、マスキング不良による不具合、すなわち、低放射率部として構成したい本来の範囲（最下段の動翼（１２）の下面）が部分的に意図しない高放射率部として構成されてしまうこともある。この場合、その意図しない高放射率部を介して、ネジ溝ポンプステータ（円筒状ステータ２２）から最下段の動翼（１２）側に向って熱が移行し易くなるため、局所的な高温化によって反応生成物の堆積を低減したい部分、すなわち、ネジ溝ポンプステータ（円筒状ステータ２２）を高温化することが困難となり、ネジ溝ポンプステータにおける反応生成物の堆積を十分に軽減できないという問題点がある。
【０００５】
また、特許文献１では、回転体（ポンプロータ１０）の内面がどの程度の放射率を有するのか、この点については何ら開示も示唆もない。回転体（ポンプロータ１０）の内面の放射率が高い場合は、回転体（ポンプロータ１０）の熱が回転体（ポンプロータ１０）内側の部材へ放射されてしまい、より一層ネジ溝ポンプステータ、すなわち高温化を必要とする部分の高温化が困難になるとともに、回転体（ポンプロータ１０）の内側に位置する電装部品、例えば、当該回転体を支持する磁気軸受や当該回転体を駆動するモータ等が加熱されてしまうことで、かかる電装部品の誤動作、ポンプ故障が生じる等の不具合も想定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−２２９９４９号公報
【特許文献２】特開２００５−３２０９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回転体の駆動を制御する電装部品のような高温化する必要のない部分の高温化を避け、例えばネジ溝ポンプステータのように、真空ポンプの中で高温化が必要とされる部分を効率よく高温化することで、反応生成物の堆積を軽減するのに好適な真空ポンプとその回転体と静翼およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、第１の本発明は、回転体の回転によりガスを吸気し排気する真空ポンプにおいて、前記回転体は、ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置しており、前記第１の円筒体の内面と前記第２の円筒体の内面とからなる円筒内面の少なくとも一部、および、前記第１の円筒体の外面が、前記動翼の外面より放射率の小さい低放射率部として構成されていることを特徴とする。
【０００９】
前記第１の本発明において、前記低放射率部とこれに隣接して設けた高放射率部との間に、前記低放射率部の放射率より大きくかつ前記高放射率部の放射率より小さい放射率を備えた中間部が存在することを特徴としてもよい。
【００１０】
前記第１の本発明において、前記高放射率部と前記低放射率部それぞれの設計範囲のうち、いずれか一方の設計範囲内に前記中間部が位置することで、他方の設計範囲内は、前記中間部を含まない前記高放射率部のみまたは前記低放射率部のみで構成されていることを特徴としてもよい。
【００１１】
前記第１の本発明において、前記第２の円筒体の前記内面は、前記低放射率部よりも高い放射率をもった高放射率部として構成されることを特徴としてもよい。
【００１２】
前記第１の本発明において、前記第１の円筒体の端部面は、前記低放射率部よりも高い放射率をもった高放射率部として構成されることを特徴としてもよい。
【００１３】
前記第１の円筒体の端部面は、前記高放射率部よりも低い放射率をもった低放射率部として構成されることを特徴としてもよい。
【００１４】
前記第１の本発明において、前記動翼のうち最下段の前記動翼の表面は、前記低放射率部として構成されることを特徴としてもよい。
【００１５】
前記第１の本発明において、前記動翼のうち最下段の前記動翼において、前記ネジ溝ポンプ機構部の固定部材に対向する面に、前記低放射率部が構成されていることを特徴としてもよい。
【００１６】
前記第１の本発明において、前記動翼のうち最下段の前記動翼と前記ネジ溝ポンプ機構部の固定部材との間に、遮蔽部材が配置され、前記遮蔽部材に前記低放射率部が構成されていることを特徴としてもよい。
【００１７】
前記第１の本発明において、前記動翼のうちポンプ軸心方向の前記動翼間に静翼が設けられており、前記静翼はその外周部および／又は該外周部の近傍で支持されるための外リムを備え、前記外リムの上下面、外周面のうち少なくともいずれか一つの面は、前記低放射率部として構成されることを特徴としてもよい。
【００１８】
前記第１の本発明において、前記動翼のうちポンプ軸心方向の前記動翼間に静翼が設けられており、前記静翼はその外周部および／又は該外周部の近傍で支持されるための外リムを備え、前記外リムは、複数のリム部材を突合わせ接合することにより全体として環状に形成されており、前記リム部材の突合わせ面は、前記低放射率部として構成されることを特徴としてもよい。
【００１９】
前記第１の本発明において、前記低放射率部は、第１の低放射率部の上に第２の低放射率部を積層してなる多層構造で構成されていることを特徴としてもよい。
【００２０】
第２の本発明は、ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置した真空ポンプの回転体を製造する方法において、前記第１の円筒体の内面と前記第２の円筒体の内面とからなる円筒内面の少なくとも一部、および／又は、前記第１の円筒体の外面を、高放射率表面処理から保護する保護工程と、前記保護工程の後に前記回転体に対して前記高放射率表面処理を施す表面処理工程と、を備えてなることを特徴とする。
【００２１】
前記第２の本発明において、前記回転体は、前記第１の円筒体または前記第２の円筒体を回転軸に締結するための貫通穴を備え、前記保護工程は、前記貫通穴を塞ぐ処理を含むことを特徴としてもよい。
【００２２】
前記第２の本発明において、前記保護工程の前に、締結工程があり、前記回転体は、前記第１の円筒体または前記第２の円筒体を回転軸に締結するための複数の貫通穴を備え、前記締結工程は、前記貫通穴のうち、前記回転体の回転中心線上に位置する一つの貫通穴に対して前記回転体の内面側から前記回転軸の先端を挿入した後、他の貫通穴に締結ボルトを挿入して締付けることにより、前記第２の円筒体と前記回転軸とを締結する工程であり、前記保護工程は、前記締結工程で挿入した前記回転軸の先端部に保護カバーを取付ける工程を含むことを特徴としてもよい。
【００２３】
前記第２の本発明において、前記保護カバーは、前記締結ボルトと前記貫通穴との隙間を介して前記回転体の内面側へ前記高放射率表面処理が施されることを防止する機能と、腐食性ガスによる前記回転軸や前記締結ボルトの腐食物が真空ポンプ外へ流出することを防止する機能と、を有することを特徴としてもよい。
【００２４】
第３の本発明は、ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置し、前記第１の円筒体または第２の円筒体を回転軸に締結するための貫通穴が設けられている真空ポンプの回転体を製造する方法において、前記回転体の外面に高放射率表面処理を施した後に、前記貫通穴を加工することを特徴とする。
【００２５】
前記第２、第３の本発明において、前記動翼の間に設けられた静翼の外リムは、複数のリム部材を突合わせ接合することにより全体として環状に形成されており、前記リム部材を突合わせ接合した状態で前記静翼に対して前記高放射率表面処理を施すことにより、前記リム部材の突合わせ面は、前記高放射率表面処理で前記静翼の表面に形成される高放射率部より低い放射率を持った状態になっていることを特徴としてもよい。
【００２６】
前記第２、第３の本発明において、前記高放射率表面処理を施す際に、前記第１の円筒体の外面を耐酸性のマスキング部材で保護することを特徴としてもよい。
【００２７】
前記第２、第３の本発明において、前記保護工程は、耐酸性のマスキング部材で保護する工程を含むことを特徴としてもよい。
【００２８】
前記マスキング部材は、フッ素を含有するゴム材料であることを特徴としてもよい。
【００２９】
第４の本発明は、ネジ溝ポンプ機構部を構成する第１の円筒体とターボ分子ポンプ機構部を構成する第２の円筒体とを備え、前記第２の円筒体の外周面に複数の動翼を多段に配置した真空ポンプの回転体を製造する方法において、前記回転体の外周面全体のうち少なくとも低放射率部として構成したい部分に低放射率表面処理を施す第１表面処理工程と、
前記低放射率部として構成したい部分の前記第１表面処理工程における前記低放射率表面処理で形成された低放射率表面層をマスキングするマスキング工程と、前記マスキング工程によりマスキングされた前記回転体の全体に対して高放射率表面処理を施す第２表面処理工程と、を含むことを特徴とする。
【００３０】
前記第４の本発明において、前記第１表面処理工程は、低放射率表面処理液を充填した処理槽を用意し、前記回転体の前記外周面全体のうち少なくとも前記低放射率部として構成したい部分をその処理漕に漬けることで、その部分に前記低放射率表面処理を施す工程であり、前記第２表面処理工程は、高放射表面処理液を充填した処理槽を用意し、前記マスキング工程によりマスキングされた前記回転体の全体をその処理槽に漬けることにより、前記回転体に対して前記高放射率表面処理を施す工程であることを特徴としてもよい。
【００３１】
前記マスキング部材は、被マスキング面の表面粗さによる凹凸形状に倣って変形可能な弾性を有していることを特徴としてもよい。
【００３２】
別の本発明は、前記真空ポンプに用いられることを特徴とする回転体、または、前記真空ポンプに用いられることを特徴とする静翼である。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によると、前記の通り、回転体における円筒内面の少なくとも一部が、動翼の外面より放射率の小さい低放射率部として構成される。このため、回転体の外側に位置する部材、例えばネジ溝ポンプステータのように、真空ポンプの中でも特に高温化が必要とされる部分から回転体の外面に対して放射される熱量が減ることにより、その高温化が必要とされる部分を効率よく高温化することができ、かかる部分の高温化による反応生成物の堆積を軽減するのに好適な真空ポンプを提供し得る。
【００３４】
また、本発明では、前記のように、回転体からその内側への熱の放射量が減るので、回転体の内側に位置する電装部品（例えば、回転体を支持する磁気軸受や回転体を回転駆動するモータなど）のように高温化を避けたい部分を比較的低温に維持することができ、かかる電装部品の過熱による誤動作、ポンプ故障等も効果的に低減できる。
【００３５】
さらに、保護工程を採用した本発明では、回転体の外面に対して高放射率表面処理を施す際に、回転体の内面がその高放射率表面処理から保護され、かかる回転体の内面を低放射率部として構成することが可能となるため、これもまた同様に前述の作用効果、すなわち、回転体の外側に位置する部材であって真空ポンプの中でも特に高温化が必要とされる部分を効率よく高温化できるという作用効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明を適用した真空ポンプ断面図。
【図２】図１の真空ポンプを構成する回転体における低放射率部と高放射率部の範囲の説明図。
【図３】メッキ処理によって高放射率部を得る工程（第１の例）の説明図。
【図４】メッキ処理によって高放射率部を得る工程（第２の例）の説明図。
【図５】メッキ処理によって高放射率部を得る工程（第３の例）の説明図。
【図６】低放射率部と高放射率部との境界部付近の構造（境界構造）の説明図。
【図７】最下段の動翼の表面を低放射率部として構成した例の説明図。
【図８】最下段の動翼とこれに対向する固定部材との間に低放射率部を備えた遮熱部材となる部品が介在する例の説明図。
【図９】外リムの上下面、外周面のうち少なくともいずれか一つの面を低放射率部として構成した例の説明図。
【図１０】複数のリム部材の突合わせ面を低放射率部として構成した例の説明図。
【図１１】高放射率部が多層構造の最上層である例の説明図である。
【図１２】マスキング部材と被マスキング面における表面粗さの説明図。
【図１３】弾性を有するマスキング部材を被マスキング面に装着した状態の説明図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３８】
図１は、本発明を適用した真空ポンプ断面図、図２は、図１の真空ポンプＰを構成する回転体における低放射率部と高放射率部の範囲の説明図である。
【００３９】
図１の真空ポンプＰは、ガス排気機構としてターボ分子機構部Ｐｔとネジ溝ポンプ機構部Ｐｓを備えた複合ポンプであって、例えば、半導体製造装置、フラット・パネル・ディスプレイ製造装置、ソーラー・パネル製造装置におけるプロセスチャンバやその他の密閉チャンバのガス排気手段等として利用される。
【００４０】
図１の真空ポンプＰにおいて、外装体１は、筒状のポンプケースＣとポンプベースＢとをその筒軸方向に締結部材で一体に連結することにより、有底の略円筒形状になっている。
【００４１】
ポンプケースＣの上端部側（図１において紙面上方）はガス吸気口１Ａとして開口しており、また、ポンプベースＢにはガス排気口２を設けてある。なお、ガス吸気口１Ａは例えば半導体製造装置のプロセスチャンバ等、高真空となる図示しない密閉チャンバに接続され、ガス排気口２は、図示しない補助ポンプに連通接続される。
【００４２】
ポンプケースＣ内の中央部には円筒状のステータコラム３が設けられている。ステータコラム３はポンプベースＢ上に立設されており、ステータコラム３の外側には回転体４が設けられ、ステータコラム３の内側には、回転体４をその径方向および軸方向に支持する手段としての磁気軸受ＭＢや、該回転体４を回転駆動する手段としての駆動モータＭＴなどの各種電装部品が内蔵されている。なお、磁気軸受ＭＢや駆動モータＭＴは公知であるため、その具体的な構成の詳細説明は省略する。
【００４３】
回転体４は、ポンプベースＢ上に回転可能に配置され、ポンプベースＢとポンプケースＣとに内包された状態になっている。
【００４４】
また、この回転体４は、ステータコラム３の外周を囲む略円筒形状であって、直径の異なる２つの円筒体（図１の真空ポンプＰでは、ネジ溝ポンプ機構部Ｐｓを構成する第１の円筒体４Ａと、ターボ分子ポンプ機構部Ｐｔを構成する第２の円筒体４Ｂ）をその筒軸方向に連結部４Ｃで連結した構造、第２の円筒体４Ｂと後述する回転軸４とを締結するための締結部４Ｄを第２の円筒体４Ｂの内面に備えた構造、および、第２の円筒体４Ｂの外周面に後述する複数の動翼６を多段に配置した構造になっている。
【００４５】
回転体４の内側には回転軸４１が設けられており、回転軸４１は締結部４Ｄを介して第２の円筒体４Ｂに一体に締結されている。このような回転軸４１の具体的な締結構造として、図１の真空ポンプＰでは、第２の円筒体４Ｂを回転軸４１に締結するための複数の貫通穴Ｈ１、Ｈ２（図２参照）が締結部４Ｄに設けられている。
【００４６】
そして、これら複数の貫通穴Ｈ１、Ｈ２のうち、回転体４の回転中心線上に位置する貫通穴（以下「中心貫通穴Ｈ１」という）に対して回転体４の内面側から回転軸４１の先端を圧入で挿入した後、中心貫通穴Ｈ１の周囲に位置する他の貫通穴（以下「周囲貫通穴Ｈ２」という）に対して締結ボルトＢＴを挿入して締付けることにより、第２の円筒体４Ｂと回転軸４１は一体に締結されている。
【００４７】
なお、前記のように貫通穴Ｈ１に対する回転軸４１の挿入による組立ては、前記のような圧入に限定されず、焼嵌めや冷やし嵌めでの組立てや、すきま嵌めの構造となっても良い。
【００４８】
また、図１の真空ポンプＰにおいて、回転軸４１をステータコラム３に内蔵の磁気軸受ＭＢで支持すること、および、回転軸４１をステータコラム３に内蔵の駆動モータＭＴで回転駆動することにより、回転体４は、その軸方向と径方向の所定位置において磁力で支持されながら、回転中心（回転軸４１中心）回りに回転する構造になっている。この構造の場合、回転軸４１、磁気軸受ＭＢ及び駆動モータＭＴが回転体４の支持及び駆動手段として機能する。これとは別の構成により回転体４をその軸心周りに回転可能に支持し回転駆動してもよい。
【００４９】
図１の真空ポンプＰは、回転軸４１を中心とした回転体４の回転によりガス吸気口１Ａからガスを吸気し、吸気したガスをガス排気口２から外部へ排気する手段として、ガス流路Ｒ１、Ｒ２を備えている。
【００５０】
ガス流路Ｒ１、Ｒ２の一実施形態として、図１の真空ポンプＰにおいては、そのガス流路Ｒ１、Ｒ２全体のうち、前半の吸気側ガス流路Ｒ１（回転体４の連結部４Ｃより上流側）は、回転体４の外周面に設けた複数の動翼６と、ポンプケースＣの内周面にスペーサ９を介して固定された複数の静翼７とによって形成してあり、また、後半の排気側ガス流路Ｒ２（回転体４の連結部４Ｃより下流側）については、回転体４の外周面（具体的には、第１の円筒体４Ａの外周面）とこれに対向するネジ溝ポンプステータ８とによりネジ溝状の流路として形成してある。
【００５１】
吸気側ガス流路Ｒ１の構成を更に詳細に説明すると、図１の真空ポンプＰにおいて、吸気側ガス流路Ｒ１を構成する動翼６は、ポンプ軸心（例えば、回転体４の回転中心等）を中心として放射状に並んで複数配置されている。この一方、吸気側ガス流路Ｒ１を構成する静翼７は、スペーサ９を介してポンプ径方向及びポンプ軸方向に位置決めされる形式でポンプケースＣの内周側に配置固定されるとともに、ポンプ軸心を中心として放射状に並んで複数配置されている。
【００５２】
そして、図１の真空ポンプＰでは、前記のように放射状に配置された動翼６と静翼７とがポンプ軸心方向に交互に多段に配置されることにより、吸気側ガス流路Ｒ１が形成されるように構成してある。
【００５３】
以上の構成からなる吸気側ガス流路Ｒ１では、駆動モータＭＴの起動により回転体４および複数の動翼６が一体に高速回転することにより、動翼６がガス吸気口１Ａから入射したガス分子に下向き方向の運動量を付与する。そして、このような下向き方向の運動量を有するガス分子が静翼７によって次段の動翼側へ送り込まれる。以上のようなガス分子への運動量の付与と送り込み動作とが繰り返し多段に行われることによって、ガス吸気口側のガス分子は、吸気側ガス流路Ｒ１を通じて、排気側ガス流路Ｒ２の方向に順次移行するように排気される。
【００５４】
次に、排気側ガス流路Ｒ２の構成を更に詳細に説明すると、図１の真空ポンプＰにおいて、排気側ガス流路Ｒ２を構成するネジ溝ポンプステータ８は、回転体４の下流側外周面（具体的には、第１の円筒体４Ａの外周面。以下も同様）を囲む環状の固定部材であって、かつ、その内周面側が所定隙間を隔てて回転体４の下流側外周面（具体的には、第１の円筒体４Ａの外周面）と対向するように配置してある。
【００５５】
また、このネジ溝ポンプステータ８の内周部にはネジ溝８Ａを形成してあり、ネジ溝８Ａは、その深さが下方に向けて小径化したテーパコーン形状に変化し、ネジ溝ポンプステータ８の上端から下端にかけて螺旋状に刻設してある。
【００５６】
そして、図１の真空ポンプＰでは、回転体４の下流側外周面とネジ溝８Ａを備えたネジ溝ポンプステータ８とが対向することで、排気側ガス流路Ｒ２がネジ溝状のガス流路として形成されるように構成してある。これとは別の実施形態として、図示は省略するが、例えば、かかるネジ溝８Ａを回転体４の下流側外周面に設けることにより、前記のような排気側ガス流路Ｒ２が形成される構成を採用することも可能である。
【００５７】
以上の構成からなる排気側ガス流路Ｒ２では、駆動モータＭＴの起動により回転体４が回転すると、吸気側ガス流路Ｒ１からガスが流入し、ネジ溝８Ａと回転体４の下流側外周面でのドラッグ効果により、その流入したガスを遷移流から粘性流に圧縮しながら移送する形式で排気する。
【００５８】
図２を参照すると、図１の真空ポンプＰにおいて、回転体４の内面、具体的には、第１の円筒体４Ａの内面Ｓ１と第２の円筒体４Ｂの内面Ｓ２とからなる円筒内面の少なくとも一部（図２の例では内面Ｓ１と内面Ｓ２の全体）および第１の円筒体４Ａの外面Ｑ１は、いずれも、動翼６の外面より放射率の低い低放射率部ＥＭ１として構成されている。また、本実施形態では、締結部４Ｄの内面Ｓ３も動翼６の外面より放射率の低い低放射率部ＥＭ１として構成されている。
【００５９】
図１の真空ポンプＰによると、前記のように回転体４における円筒内面の少なくとも一部が、低放射率部ＥＭ１として構成される。このため、例えばネジ溝ポンプステータ８のように、真空ポンプＰの中でも特に高温化が必要とされる部分から回転体４の外面に対して放射される熱量が減ることで、その高温化が必要とされる部分を効率よく高温化することができ、かかる部分の高温化による反応生成物の堆積を軽減するのに好適である。
【００６０】
また、図１の真空ポンプＰによると、前記のように、回転体４からその内側への熱の放射量が減るので、回転体４の内側に位置する電装部品（例えば、回転体４を支持する磁気軸受ＭＢや回転体４を回転駆動するモータＭＴなど）のように高温化を避けたい部分を比較的低温に維持することができ、かかる電装部品の過熱による誤動作、ポンプ故障も効果的に減る。
【００６１】
低放射率部ＥＭ１とは、熱量の放射率が変わるような表面処理（例えば、メッキ処理）を何も行なわずに得られるもの、すなわち、第１または第２の円筒体４Ａ、４Ｂ若しくは締結部４Ｄを構成する材料本来の放射率を持ったもの（ノーメッキタイプ）と、例えばニッケル合金メッキなどのメッキ処理による低放射率メッキ層の形成によって得られる放射率を持ったもの（メッキタイプ）などを含む。
【００６２】
また、低放射率部ＥＭ１は、第１の低放射率部の上に第２の低放射率部を積層してなる多層構造になっていてもよい。このような多層構造の低放射率部は、例えば、被メッキ面の上にニッケル合金メッキ処理を施すことによって下地層（第１の低放射率部）を形成し、さらに、この下地層の上にニッケル合金メッキ処理を施すことによってニッケル合金メッキ層（第２の低放射率部）を設けることで得てもよい。
【００６３】
回転体４の全面において、先に説明した低放射率部ＥＭ１以外の部分、例えば第２の円筒体４Ｂの外面Ｑ２や動翼６の外面Ｑ３は、低放射率部ＥＭ１よりも高い放射率を備えた高放射率部ＥＭ２として構成してある。このような高放射率部ＥＭ２は例えば高放射メッキ液による高放射率表面処理で得ることができる。
【００６４】
また、回転体４を酸に浸して表面を酸化させることにより形成することができる。
【００６５】
高放射率部ＥＭ２については、例えば、ニッケル酸化物メッキを採用することができる。ここで、ノーメッキとニッケル合金メッキとニッケル酸化物メッキの放熱性を比較すると、その大小関係は下記のような放熱性の大小関係になる。
・放熱性の大小関係
ニッケル酸化物メッキ  ＞  ニッケル合金メッキ  ＞  ノーメッキ（母材）
【００６６】
前記のように第２の円筒体４Ｂの外面Ｑ２や動翼６の外面Ｑ３を高放射率部ＥＭ２として構成したのは、回転体４から外装体１の方向への放熱性を高めることにより、動翼６の熱膨張変形やクリープ破壊を低減するためである。
【００６７】
《回転体４の第１の製造方法の説明》
図３は、図１の真空ポンプを構成する回転体の第１の製造方法の説明図である。
【００６８】
前記のような低放射率部ＥＭ１と高放射率部ＥＭ２を備えた回転体４の第１の製造方法として、かかる回転体４は、その機械加工（例えば、切削加工により動翼６を形成するなど）が完了した後に、後述の保護工程と表面処理工程とを実施することによって製造することができる。
【００６９】
保護工程とは、低放射率部ＥＭ１として構成したい部分（具体的には、第１の円筒体４Ａの内面Ｓ１と第２の円筒体４Ｂの内面Ｓ２とからなる円筒内面の少なくとも一部、および、第１の円筒体４Ａの外面Ｑ１）を高放射率表面処理から保護する工程である。
【００７０】
また、表面処理工程とは、保護工程の後に回転体４に対して高放射率表面処理を施す工程である。
【００７１】
保護工程は、低放射率部ＭＥ１（図２参照）として構成したい部分を図３のようにマスキング部材ＭＳＫ１あるいは図示しないマスキング専用治具で保護してもよい。
【００７２】
マスキング部材ＭＳＫ１は、低放射率部ＭＥ１として構成したい第１の円筒体４Ａの外面Ｑ１に対して高放射率表面処理が施されることを防ぐとともに、第１の円筒体４Ａの下端開口を閉鎖することにより、低放射率部ＭＥ１として構成したい第１の円筒体４Ａの内面Ｓ１と第２の円筒体４Ｂの内面Ｓ２とからなる円筒内面に対して高放射率表面処理が施されることを防ぐものである。
【００７３】
また、保護工程の中には、図３に示したように、第２の円筒体４Ｂの上端開口をマスキング部材ＭＳＫ２あるいは図示しないマスキング専用治具で閉鎖することにより、間接的に複数の貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）を塞ぐ処理（以下「貫通穴封鎖処理」という）が含まれている。
【００７４】
貫通穴封鎖処理は、低放射率部ＭＥ１として構成したい部分、具体的には、第１の円筒体４Ａの内面Ｓ１と第２の円筒体４Ｂの内面Ｓ２とからなる円筒内面に対して高放射率表面処理が施されることを防ぐものである。
【００７５】
表面処理工程では、高放射メッキ液を充填したメッキ槽ＰＢ、または、酸性の溶液に回転体４全体を漬けることによって、回転体４の外面のマスキング処理実施部以外に高放射率表面処理を施す。
【００７６】
《回転体４の第２の製造方法の説明》
図４は、図１の真空ポンプを構成する回転体の第２の製造方法の説明図である。
【００７７】
この第２の製造方法が先に説明した第１の製造方法と異なる点は、保護工程中の貫通穴封鎖処理のみであり、それ以外は第１の製造方法と同様であるため、その詳細説明は省略する。
【００７８】
図４を参照すると、この第２の製造方法における保護工程中の貫通穴封鎖処理は、貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）の一方ないし両端開口を蓋部材ＬＩＤで閉鎖することにより、直接的に複数の貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）をすべて塞ぐというものである。図３の保護工程と異なる点は、回転体４の上端開口の一部が保護処理されないという点であり、蓋部材ＬＩＤは、既存の貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）を使用して固定することが可能である。
【００７９】
《回転体４の第３の製造方法の説明》
図５は、図１の真空ポンプを構成する回転体の第３の製造方法の説明図である。
【００８０】
前記のような低放射率部ＥＭ１と高放射率部ＥＭ２を備えた回転体４の第３の製造方法として、かかる回転体４は、その機械加工が完了した後に、締結工程、保護工程、メッキ工程をその順に設けることによっても製造できる。
【００８１】
先に説明した第１または第２の製造方法では、回転体４に対して回転軸４１を取り付ける前に、回転体４の外面に高放射率表面処理を施している。これに対し、図５を参照すると、この第３の製造方法では、第２の円筒体４Ｂと回転軸４１を締結した状態、つまり回転体４に対して回転軸４１を取り付けた状態で、高放射メッキ液を充填したメッキ槽ＰＢ、または、酸性の溶液に回転体４全体を漬けることによって、回転体４に対して高放射率表面処理を施すようにしている。
【００８２】
この第３の製造方法における締結工程は、複数の貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）のうち、中心貫通穴Ｈ１に対して回転体４の内面側から回転軸４１の先端を圧入した後、周囲貫通穴Ｈ２に締結ボルトＢＴを挿入して締付けることにより、第２の円筒体４Ｂと回転軸４１とを締結する。
【００８３】
この第３の製造方法における保護工程は、その一部、具体的には貫通穴封鎖処理が先に説明した第１の製造方法における保護工程と異なる。すなわち、図５を参照すると、第３の製造方法における保護工程では、貫通穴封鎖処理の一例として、締結工程で圧入した回転軸４１の先端部に保護カバーＰＣを取付けることにより、高放射率表面処理から回転体４の内面を保護している。
【００８４】
なお、この第３の製造方法におけるメッキ工程は、第１の製造方法におけるメッキ工程と同様であるため、その詳細説明は省略する。
【００８５】
ところで、前記のように取付けた保護カバーＰＣは、貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）と締結ボルトＢＴとの隙間を介して回転体４の内面が高放射率表面処理されることを防止する手段として機能する。また、前記のように取付けた保護カバーＰＣは、真空ポンプＰの組立完成後も取外されることなく真空ポンプ構成部品として存在することにより、腐食性ガスによる回転軸４１や締結ボルトＢＴの腐食の防止、また、腐食された場合でも腐食物が真空ポンプＰの外へ流出することを防止する手段として機能する。
【００８６】
《回転体４の第４の製造方法の説明》
先に説明した第１から第３の製造方法では、回転体４に複数の貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）が形成されている状態で、高放射メッキ液を充填したメッキ槽または、酸性の溶液に回転体４を漬けることによって、回転体４の外面に高放射率表面処理を施している。それに対し、この第４の製造方法は、高放射率表面処理を施した後に、複数の貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）を加工（形成）するものである。
【００８７】
このため、この第４の製造方法によると、高放射率表面処理を施す段階で、複数の貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）は存在しないから、かかる貫通穴（Ｈ１、Ｈ２）を高放射率表面処理時に塞ぐ処理（貫通穴封鎖処理）は不要である。
【００８８】
《回転体４の第５の製造方法の説明》
回転体４における第１の円筒体４Ａの外面Ｑ１をメッキタイプの低放射率部ＥＭ１として構成する場合、メッキタイプの低放射率部ＥＭ１は、例えば、ニッケル合金メッキなどのメッキ処理による低放射率メッキ層として設けられる。
【００８９】
一方、第２の円筒体４Ｂの外面Ｑ２や動翼６の外面Ｑ３等のように、高放射率部ＥＭ２として構成される回転体４の外面には、高放射率部ＥＭ２として例えばニッケル酸化物が設けられる。
【００９０】
したがって、前記のような低放射率部ＥＭ１と高放射率部ＥＭ２を備える回転体４を製造するには、低放射率メッキ層と高放射率層を形成するための、いわゆる部分メッキ処理が行なわれる。部分メッキ処理の具体的な方式については、下記のような《部分メッキ処理（その１）》と《部分メッキ処理（その２）》が考えられる。
【００９１】
《部分メッキ（その１）》
部分メッキ処理（その１）は、下記（１−１）第１マスキング工程、（１−２）第１メッキ工程、（１−３）第２マスキング工程、（１−４）第２メッキ工程という４つの工程で構成される。
【００９２】
（１−１）第１マスキング工程
第１マスキング工程では、回転体４の外面全体のうち低放射率部ＥＭ１として構成したい部分を第１マスキング部材でマスキング保護する。
【００９３】
（１−２）第１メッキ工程（第１表面処理工程）
第１メッキ工程では、低放射率表面処理液を充填した処理槽として、低放射率メッキ液を充填したメッキ槽を用意し、第１マスキング工程によりマスキングされた回転体４全体をそのメッキ槽（処理槽）に漬けることにより、低放射率部ＥＭ１として構成したい部分のみに低放射率表面処理（本例では、メッキ処理）を施す。その後、回転体４から第１のマスキング部材を除去する。
【００９４】
（１−３）第２マスキング工程
第２マスキング工程では、第１メッキ工程における低放射率表面処理で形成された低放射率表面処理層（本例では、前述のメッキ処理によって形成された低放射率メッキ層）を第２マスキング部材でマスキング保護する。
【００９５】
（１−４）第２メッキ処理工程（第２表面処理工程）
第２メッキ処理工程では、高放射表面処理液を充填した処理槽として、高低放射率メッキ液を充填したメッキ槽を用意し、第２マスキング工程によりマスキングされた回転体４全体をそのメッキ槽（処理槽）に漬ける、つまり、第２マスキング工程によりマスキングされた回転体４の全体に対して高放射率表面処理を施すことにより、高放射率部ＥＭ２として構成したい部分（マスキング処理実施部以外）に高放射率表面処理を施す。その後、第２マスキング部材を除去する。
【００９６】
ここでは、低放射率部ＥＭ１または高放射率部ＥＭ２を形成するためにメッキ処理を採用しているが、これに限定するものではなく、低放射率部ＥＭ１または高放射率部ＥＭ２を形成する方法であれば適用することができる。
【００９７】
《部分メッキ（その２）》
部分メッキ処理（その１）は、下記（２−１）第１メッキ工程、（２−２）第１マスキング工程、（２−３）第２メッキ工程という３つの工程で構成される。
【００９８】
（２−１）第１メッキ工程（第１表面処理工程）
第１メッキ工程では、低放射率表面処理液を充填した処理槽として、低放射率メッキ液を充填したメッキ槽を用意し、回転体４の外面全体のうち低放射率部ＥＭ１として構成したい部分、すなわち回転体４の下半分（具体的には、第１の円筒体４Ａ）のみをそのメッキ漕（処理槽）に漬けることで、回転体４の下半分（回転体４の外面全体のうち低放射率部ＥＭ１として構成したい部分）のみに低放射率表面処理を施す。
【００９９】
（２−２）マスキング工程
マスキング工程では、第１メッキ工程における低放射率表面処理で形成された低放射率メッキ層、すなわち回転体４の下半分をマスキング部材などで保護する。
【０１００】
（２−３）第２メッキ工程（第２表面処理工程）
第２メッキ工程では、高放射表面処理液を充填した処理槽として、高放射メッキ液を充填したメッキ槽を用意し、マスキング工程によりマスキングされた回転体４全体をそのメッキ槽（処理槽）に漬けることにより、回転体４の外面全体に対して高放射率表面処理を施す。その後、第２マスキング部材を除去する。
【０１０１】
ここでは、低放射率部ＥＭ１または高放射率部ＥＭ２を形成するためにメッキ処理を採用しているが、これに限定するものではなく、低放射率部ＥＭ１または高放射率部ＥＭ２を形成する方法であれば適用することができる。例えば、高放射率表面処理であるニッケル酸化物メッキ層を実施する場合、低放射率部とする部分は、マスキングなどをして、高放射率処理を行わなければ、そのまま低放射率部であるニッケル合金メッキ層のまま存在することが可能となる。
【０１０２】
《低放射率部と高放射率部の境界構造の説明》
図６は、低放射率部ＥＭ１と高放射率部ＥＭ２との境界部付近の構造（境界構造）の説明図である。
【０１０３】
図６を参照すると、低放射率部ＥＭ１とこれに隣接して設けた高放射率部ＥＭ２との間には、低放射率部ＥＭ１の放射率より大きくかつ高放射率部ＥＭ２の放射率より小さい放射率を備えた中間部ＥＭ３が存在する。
【０１０４】
前記のような高放射率部ＥＭ１と低放射率部ＥＭ２は予め設計（設定）された範囲（以下「設計範囲」という）に設けられるように構成される。しかし、先に説明した工程において、例えばマスキング部材ＭＳＫ１の施された下面側に高放射率表面処理が施される場合がある。その場合は、前記のような中間部ＥＭ３が形成されることになる。この際、低放射率部ＥＭ１と高放射率部ＥＭ２それぞれの設計範囲Ａ１、Ａ２のうち、いずれか一方の設計範囲（図５の例では低放射率部ＥＭ１の設計範囲Ａ１）内に中間部ＥＭ３が位置することで、他方の設計範囲（図５の例では高放射率部ＥＭ２の設計範囲Ａ２）は中間部ＥＭ３を含まない高放射率部ＥＭ２または低放射率部ＥＭ１のみ（図５の例では高放射率部ＥＭ２のみ）で構成される。なお、いずれの設計範囲Ａ１、Ａ２を高放射率部ＥＭ２または低放射率部ＥＭ１のいずれかのみで構成するかは、マスキング部材ＭＳＫ１の位置をずらすことによって、必要に応じて適宜調整することができる。
【０１０５】
ここでの中間部ＥＭ３は、元の低放射率部ＥＭ１と高放射率部ＥＭ２の放射率の大きさや高放射率表面処理の方法によって、一様な放射率ではなく、放射率の分布が発生した部分を意味する。
【０１０６】
《低放射率部と高放射率部に関する他の実施形態》
図２の回転体４を採用した図１の真空ポンプＰでは、第２の円筒体４Ｂの外面Ｑ２や動翼６の外面Ｑ３が高放射率部ＥＭ２として構成されることにより、第２の円筒体４Ｂから外装体１の方向への熱の放射量が増大する。このため、図示は省略するが、第２の円筒体４Ｂの内面Ｓ２は、低放射率部ＥＭ１よりも高い放射率をもった高放射率部ＥＭ２として構成することで、ステータコラム３から第２の円筒体４Ｂの方向への熱の放射量を増やして、ステータコラム３の過熱を低減するようにしてもよい。
【０１０７】
図２の回転体４では、第１の円筒体４Ａの端部面Ｓ４も低放射率部ＥＭ１として構成したが、これに代えて、その端部面Ｓ４は、その低放射率部ＥＭ１よりも高い放射率をもった高放射率部ＥＭ２として構成してもよい。この構成によると、第１の円筒体４Ａの端部面Ｓ４からポンプベースＢの方向への熱の放射量が増大することで、回転体４全体の放熱性が高まる。
【０１０８】
図７は、最下段の動翼の表面を低放射率部として構成した例の説明図である。
【０１０９】
図２の回転体４では、すべての動翼６の表面を高放射率部ＥＭ２として構成したが、これに代えて、図７に示したように、複数の動翼６のうち最下段の動翼６Ｅの表面は、その高放射率部ＥＭ２よりも低い放射率を備えた低放射率部ＥＭ１として構成してもよい。
【０１１０】
この構成によると、最下段の動翼６Ｅと対向する固定部材（具体的には、ネジ溝ポンプステータ８）から最下段の動翼６Ｅの方向への熱の放射量が減ることで、動翼６の過熱は効果的に低減される。このような動翼過熱低減効果は、最下段の動翼６Ｅの表面全体のうちネジ溝ポンプステータ８と対向する面のみを低放射率部ＥＭ１として構成するよりも効果的に得られ、更に対向する面のみをマスキングするような複雑なマスキング処理を無くすことが出来る。
【０１１１】
図８は、最下段の動翼とこれに対向する固定部材との間に低放射率部を備えた遮熱部材となる部品が介在する例の説明図である。
【０１１２】
前記のように最下段の動翼６Ｅの表面を低放射率部ＥＭ１として構成する代わりに、図８に示したように、最下段の動翼６Ｅとこれに対向する固定部材（具体的には、ネジ溝ポンプステータ８）との間に、低放射率部を備えた遮熱部材となる部品（図８の例では、表面を低放射率部ＥＭ１として構成した最下段の固定翼７Ｅ）が介在する構成でも、前記のような動翼過熱低減効果は得られる。
【０１１３】
図９は、外リムの上下面、外周面のうち少なくともいずれか一つの面を低放射率部として構成した例の説明図、図１０は、複数のリム部材の突合わせ面を低放射率部として構成した例の説明図である。
【０１１４】
図１の真空ポンプＰは、前述の通り、放射状に配置された動翼６と静翼７とがポンプ軸方向に交互に多段に配置される構成、つまり、複数の動翼６のうちポンプ軸心方向の動翼６間に静翼７が設けられる構成になっている。そして、その各段における放射状に配置された複数の静翼７は、図９に示したように、その外周端部７Ａが外リム１０で保持され、かつ、その内周端部７Ｂが内リム１１で保持される構成になっている。そして複数の静翼７は、外リム１０の外周部またはその外周部の近傍を上下のスペーサ９（図１参照）で挟み込むことによりポンプケースＣの内周面に固定（支持）される構成になっている。
【０１１５】
前記のような静翼７の固定構造によると、静翼７の熱は外リム１０およびスペーサ９を介する熱伝導で外装体１側へ放熱されるので、その放熱経路の熱伝導性を高めるために、図９に示したように、外リム１０の上下面、外周面のうち少なくともいずれか一つの面（図９の例では、外リム１０の外周面）は、ノーメッキあるいはニッケル合金メッキ処理によるニッケル合金メッキ層等からなる低放射率部ＥＭ１として構成するのが好ましい。
【０１１６】
外リム１０の外周面のスペーサ９との接触部分を低放射率部ＥＭ１として構成したい場合には、例えば、静翼７を突合せ接合した状態で、外リム１０の外周面にゴム製のリング等からなるマスク部材を装着し、この状態で高放射率表面処理を行なえばよい。この場合、静翼７は高放射率表面処理の対象となり、一方、マスキング処理された外リム１０の外周面のスペーサ９との接触部分は高放射率表面処理の対象外、つまりノーメッキの状態となるので、静翼７よりも低い放射率を持った低放射率部として構成される。
【０１１７】
また、図９を参照すると、外リム１０は、複数のリム部材（図９の例では、半円弧状の２つのリム部材１０Ａ、１０Ｂ（図１０参照）を突合わせ接合することにより全体として環状に形成されており、その複数のリム部材１０Ａ、１０Ｂの突合わせ面Ｓ５は、図１０に示したように、ノーメッキあるいはニッケル合金メッキ処理によるニッケル合金メッキ層等からなる低放射率部ＥＭ１として構成するのが好ましい。
【０１１８】
このような構成によると、例えば、一つのリム部材１０Ａに熱が集中的に蓄積された場合に、集中した熱を他のリム部材１０Ｂの方向へ分散することで、一つのリム部材１０Ａの過熱を効果的に低減することができる。
【０１１９】
前記のようにリム部材１０Ａ、１０Ｂの突合わせ面Ｓ５を低放射率部ＥＭ１として構成する方法としては、例えば、複数のリム部材１０Ａ、１０Ｂを互いに突合わせ接合した状態で、静翼７に対して高放射率表面処理を施すという方法が考えられる。
【０１２０】
このような方法によると、リム部材１０Ａ、１０Ｂの突合わせ面Ｓ５間には高放射率表面処理が施されないので、その突合わせ面Ｓ５は、高放射率表面処理で静翼７の表面に形成される高放射率部ＥＭ２より低い放射率を持った状態になる。
【０１２１】
低放射率部ＥＭ１をニッケル合金メッキ層で構成し、かつ、高放射率部ＥＭ２をニッケル酸化物で構成する場合は、図６に示したように、被メッキ面に対してニッケル合金メッキ処理を施すことによってニッケル合金メッキ層Ｍｅ１からなる低放射率部ＥＭ１を形成した後、ニッケル合金メッキ層Ｍｅ１の表面を薬液で酸化させること等によってニッケル酸化物Ｍｅ２からなる高放射率部ＥＭ２を形成してもよい。この場合、ニッケル酸化物Ｍｅ２からなる高放射率部ＥＭ２は、ニッケル合金メッキ層Ｍｅ１からなる低放射率部ＥＭの上に形成された構造になる。
【０１２２】
図１１は、高放射率部が多層構造の最上層である例の説明図である。
【０１２３】
先に説明した高放射率部ＥＭ２は、図１１に示したように、被メッキ面に対してニッケル合金メッキからなる下地層Ｍｅ０を形成した後、さらに、その下地層Ｍｅ０の上にニッケル合金メッキ層Ｍｅ１からなる低放射率部ＥＭ１を形成し、その後、そのニッケル合金メッキ層Ｍｅ１の表面を薬液（酸）で酸化させること等によってニッケル酸化物Ｍｅ２からなる高放射率部ＥＭ２を形成してもよい。この場合、ニッケル酸化物Ｍｅ２からなる高放射率部ＥＭ２は、ニッケル合金メッキ層Ｍｅ１の上に形成された構造、すなわち多層構造（本実施例の場合は２層構造）の最上層に設けられることになる。
【０１２４】
この場合のメリットとしては、部分メッキ方法（その１、その２）では発生しやすい、低放射部ＥＭ１と高放射部ＥＭ２の境目での隙間を防止し、腐食ガスに対する耐食性の低下を防止することが可能となる。また、低放射率部ＥＭ２で発生するピンホールの数を低減することができる。
【０１２５】
《マスキング部材の説明》
図１２は、マスキング部材と被マスキング面における表面粗さの説明図、図１３は、弾性を有するマスキング部材を被マスキング面に装着した状態の説明図である。
【０１２６】
先に説明した第１から第５の製造方法における高放射率表面処理で使用する溶液は酸性であるため、その高放射率表面処理で使用するマスキング部材ＭＳＫ１としては耐酸性仕様のものが好ましい。耐酸性のある材料としては、フッ素を含有するゴム材料がある。
【０１２７】
図１２を参照すると、マスキング部材ＭＳＫ１や被マスキング面（同図の例では、第１の円筒体４Ａの外面）はそれぞれ固有の表面粗さＳＲ１、ＳＲ２を有する。このため、マスキング部材ＭＳＫ１を被マスキング面に装着したときに、マスキング部材ＭＳＫ１と被マスキング面との間に表面粗さによる凹凸で隙間Ｇ１が生じることは避けられず、かかる隙間Ｇ１に高放射率表面処理が施されるおそれがある。このことから、マスキング部材ＭＳＫ１は、被マスキング面の表面粗さによる凹凸形状に倣って変形可能な弾性を有していることが好ましい。
【０１２８】
図１３を参照すると、前記のような弾性を有するマスキング部材ＭＳＫ１は環状に形成され、そのマスキング部材ＭＳＫ１の内径は第１の円筒体４Ａの外径より小さくなるように設けている。このようなマスキング部材ＭＳＫ１を第１の円筒体４Ａの外面に装着すると、その装着時に弾性変形して拡大したマスキング部材ＭＳＫ１が元の状態に戻ろうとする復元力によって、マスキング部材ＭＳＫ１全体に張力が発生し、マスキング部材ＭＳＫ１全体に張力による面圧が生じることで、マスキング部材ＭＳＫ１は、被マスキング面（第１の円筒体４Ａの外面）の表面粗さによる凹凸形状に倣って変形し、前記のような隙間Ｇ１は小さくなり、必要としない部分に低放射率表面処理や高放射率表面処理が施されることを低減させることが可能となる。
【０１２９】
また、以上説明した各実施形態は組み合わせて使用しても良い。
【０１３０】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により多くの変形が可能である。
【符号の説明】
【０１３１】
１  外装体
１Ａ  ガス吸気口
２  ガス排気口
３  ステータコラム
４  回転体
４１  回転軸
４Ａ  第１の円筒体
４Ｂ  第２の円筒体
４Ｃ  連結部
４Ｄ  締結部
６  動翼
６Ｅ  最下段の動翼
７  静翼
８  ネジ溝ポンプステータ
８Ａ  ネジ溝
９  スペーサ
１０  外リム
１０Ａ、１０Ｂ  リム部材
１１  内リム
Ａ１  低放射率部の設計範囲
Ａ２  高放射率部の設計範囲
Ｂ  ポンプベース
ＢＴ  締結ボルト
Ｃ  ポンプケース
Ｇ１  表面粗さによる隙間
ＥＭ１  低放射率部
ＥＭ２  高放射率部
ＥＭ３  中間部
Ｈ１  貫通穴（中心貫通穴）
Ｈ２  貫通穴（周囲貫通穴）
ＬＩＤ  蓋部材
ＭＳＫ１、ＭＳＫ２  マスキング部材
ＭＢ  磁気軸受
ＭＴ  駆動モータ
Ｍｅ０  下地層
Ｍｅ１  ニッケル合金メッキ層
Ｍｅ２  ニッケル酸化物
Ｐ  真空ポンプ
ＰＢ  メッキ槽
ＰＣ  保護カバー
Ｒ  ガス流路
Ｒ１  吸気側ガス流路
Ｒ２  排気側ガス流路
Ｑ１  第１の円筒体の外面
Ｑ２  第２の円筒体の外面
Ｑ３  動翼の外面
Ｒ１、Ｒ２  ガス流路
Ｓ  回転体の内面
Ｓ１  第１の円筒体の内面
Ｓ２  第２の円筒体の内面
Ｓ３  締結部の内面
Ｓ４  第１の円筒体の端部面
Ｓ５  外リムの突合せ面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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