(57)【要約】      （修正有）【課題】感光層の結晶化の抑制及び転写メモリーの発生の抑制を両立できる正帯電積層型電子写真感光体を提供する。【解決手段】正帯電積層型電子写真感光体３０は、導電性基体３１と電荷輸送層３２と電荷発生層３３とを備える。導電性基体３１の上に電荷輸送層３２が備えられる。電荷輸送層３２の上に電荷発生層３３が備えられる。電荷発生層３３は、電荷発生剤と第一正孔輸送剤と第一電子輸送剤と第一バインダー樹脂とを含有する。第一電子輸送剤は、５つの特定構造で表される化合物のうちの２種以上を含む。第一バインダー樹脂の質量に対する２種以上の第一電子輸送剤の合計質量の比率は、０．４５以上である。２種以上の第一電子輸送剤の合計質量は、第一正孔輸送剤の質量よりも多い。電荷輸送層３２は、第二正孔輸送剤と、第二電子輸送剤とを含有する。【選択図】図１
2018105972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、前記導電性基体の上に備えられる電荷輸送層と、前記電荷輸送層の上に備えられる電荷発生層とを備え、
前記電荷発生層は、電荷発生剤と、第一正孔輸送剤と、第一電子輸送剤と、第一バインダー樹脂とを含有し、
前記第一電子輸送剤は、一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）で表される化合物のうちの２種以上を含み、
前記第一バインダー樹脂の質量に対する２種以上の前記第一電子輸送剤の合計質量の比率は、０．４５以上であり、
２種以上の前記第一電子輸送剤の合計質量は、前記第一正孔輸送剤の質量よりも多く、
前記電荷輸送層は、第二正孔輸送剤と、第二電子輸送剤とを含有する、正帯電積層型電子写真感光体。
【化１】
2018105972.tif 000037
【化２】
2018105972.tif 000038
【化３】
2018105972.tif 000039
【化４】
2018105972.tif 000040
【化５】
2018105972.tif 000041
（前記一般式（１−１）、（２）及び（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を有してもよい炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表し、但しＲ14は水素原子ではなく、
前記一般式（４）中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して、水素原子、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
前記一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7は、各々独立して、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１以上８以下のアルキル基、及び
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表し、Ｑ6及びＱ7のうち少なくとも一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する。）
【請求項２】
前記第二電子輸送剤は、一般式（５−２）で表される化合物を含む、請求項１に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【化６】
2018105972.tif 000042
（前記一般式（５−２）中、Ｑ106及びＱ107は、各々独立して、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１以上８以下のアルキル基、及び
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表し、Ｑ106及びＱ107のうち少なくとも一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する。）
【請求項３】
前記一般式（５−２）中、Ｑ106及びＱ107は、各々独立して、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、及び
１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基からなる群より選択される基を表し、Ｑ106及びＱ107のうち少なくとも一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する、請求項２に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【請求項４】
前記一般式（５−２）で表される化合物は、化学式（ＥＴ５−１）、（ＥＴ５−２）又は（ＥＴ５−３）で表される化合物である、請求項２又は３に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【化７】
2018105972.tif 000043
【化８】
2018105972.tif 000044
【化９】
2018105972.tif 000045
【請求項５】
前記第二電子輸送剤は、一般式（１−２）で表される化合物を含む、請求項１に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【化１０】
2018105972.tif 000046
（前記一般式（１−２）中、Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103及びＲ104は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を有してもよい炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表す。）
【請求項６】
前記一般式（１−２）中、Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103及びＲ104は、各々独立して、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表す、請求項５に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【請求項７】
前記一般式（１−２）で表される化合物は、化学式（ＥＴ１−３）又は（ＥＴ１−１２）で表される化合物である、請求項５又は６に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【化１１】
2018105972.tif 000047
【化１２】
2018105972.tif 000048
【請求項８】
前記第一電子輸送剤は、前記一般式（１−１）、（２）及び（３）で表される化合物のうちの２種以上を含む、請求項１〜７の何れか一項に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【請求項９】
前記一般式（１−１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、各々独立して、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表し、
前記一般式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表し、
前記一般式（３）中、Ｒ12及びＲ13は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ14は、ハロゲン原子を表す、請求項８に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【請求項１０】
前記一般式（１−１）、（２）及び（３）で表される化合物のうちの２種以上は、化学式（ＥＴ１−３）、（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−４）及び（ＥＴ３−１）で表される化合物のうちの２種以上である、請求項８又は９に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【化１３】
2018105972.tif 000049
【化１４】
2018105972.tif 000050
【化１５】
2018105972.tif 000051
【化１６】
2018105972.tif 000052
【請求項１１】
前記第一正孔輸送剤の質量に対する２種以上の前記第一電子輸送剤の合計質量の比率は、１．００より大きく１．６０以下である、請求項１〜１０の何れか一項に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【請求項１２】
前記電荷発生層の質量に対する前記第一バインダー樹脂の質量の比率は、０．５５以下である、請求項１〜１１の何れか一項に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【請求項１３】
前記電荷発生層は、最表面層として備えられる、請求項１〜１２の何れか一項に記載の正帯電積層型電子写真感光体。
【請求項１４】
請求項１〜１３の何れか一項に記載の正帯電積層型電子写真感光体を備える、プロセスカートリッジ。
【請求項１５】
請求項１〜１３の何れか一項に記載の正帯電積層型電子写真感光体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える画像形成装置であって、
前記帯電部は、前記正帯電積層型電子写真感光体の表面を正極性に帯電し、
前記露光部は、帯電された前記正帯電積層型電子写真感光体の前記表面を露光して、前記正帯電積層型電子写真感光体の前記表面に静電潜像を形成し、
前記現像部は、前記静電潜像にトナーを供給して、前記静電潜像をトナー像として現像し、
前記転写部は、前記正帯電積層型電子写真感光体から被転写体へ前記トナー像を転写する、画像形成装置。
【請求項１６】
前記現像部は、供給ローラーと、現像ローラーと、規制ブレードとを備え、
前記供給ローラーは、非磁性一成分現像剤である前記トナーを、前記現像ローラーに供給し、
前記現像ローラーは、前記現像ローラーの表面に、前記トナーを含むトナー層を保持し、
前記規制ブレードは、前記現像ローラーの前記表面に保持された前記トナー層の厚さを規制し、
厚さが規制された前記トナー層に含まれる前記トナーが、前記現像ローラーの前記表面から前記静電潜像に供給されて、前記静電潜像が前記トナー像として現像される、請求項１５に記載の画像形成装置。
【請求項１７】
前記現像部は、前記正帯電積層型電子写真感光体の前記表面を清掃する、請求項１５又は１６に記載の画像形成装置。
【請求項１８】
前記被転写体へ前記トナー像が転写された前記正帯電積層型電子写真感光体の前記表面の領域は、除電されることなく前記帯電部によって再び帯電される、請求項１５〜１７の何れか一項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正帯電積層型電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体の一例として、正帯電用電子写真感光体が知られている。特許文献１に記載の正帯電用電子写真感光体は、導電性支持体上にキャリア輸送層とキャリア発生層とをこの順に有する。キャリア発生層は、Ｐ型キャリア輸送物質とＮ型キャリア輸送物質とを含有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−２４２２５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の正帯電用電子写真感光体において、キャリア発生層中のＰ型キャリア輸送物質に対するＮ型キャリア輸送物質の量比が０．０１〜１．０である。このような正帯電用電子写真感光体は転写メモリーの発生を抑制する点で不十分であることが、本発明者らの検討により判明した。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、感光層の結晶化の抑制及び転写メモリーの発生の抑制を両立できる正帯電積層型電子写真感光体を提供することである。また、本発明の目的は、このような正帯電積層型電子写真感光体を備えることで、形成画像における転写メモリーに起因する画像不良の発生を抑制できるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の正帯電積層型電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体の上に備えられる電荷輸送層と、前記電荷輸送層の上に備えられる電荷発生層とを備える。前記電荷発生層は、電荷発生剤と、第一正孔輸送剤と、第一電子輸送剤と、第一バインダー樹脂とを含有する。前記第一電子輸送剤は、一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）で表される化合物のうちの２種以上を含む。前記第一バインダー樹脂の質量に対する２種以上の前記第一電子輸送剤の合計質量の比率は、０．４５以上である。２種以上の前記第一電子輸送剤の合計質量は、前記第一正孔輸送剤の質量よりも多い。前記電荷輸送層は、第二正孔輸送剤と、第二電子輸送剤とを含有する。
【０００７】
【化１】
2018105972.tif 000003
【０００８】
【化２】
2018105972.tif 000004
【０００９】
【化３】
2018105972.tif 000005
【００１０】
【化４】
2018105972.tif 000006
【００１１】
【化５】
2018105972.tif 000007
【００１２】
前記一般式（１−１）、（２）及び（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を有してもよい炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表す。但しＲ14は水素原子ではない。前記一般式（４）中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して、水素原子、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。前記一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7は、各々独立して、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１以上８以下のアルキル基、及び１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表す。Ｑ6及びＱ7のうち少なくとも一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する。
【００１３】
本発明のプロセスカートリッジは、上述の正帯電積層型電子写真感光体を備える。
【００１４】
本発明の画像形成装置は、上述の正帯電積層型電子写真感光体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記帯電部は、前記正帯電積層型電子写真感光体の表面を正極性に帯電する。前記露光部は、帯電された前記正帯電積層型電子写真感光体の前記表面を露光して、前記正帯電積層型電子写真感光体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像にトナーを供給して、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記正帯電積層型電子写真感光体から被転写体へ前記トナー像を転写する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の正帯電積層型電子写真感光体によれば、感光層の結晶化の抑制及び転写メモリーの発生の抑制を両立することができる。また、本発明のプロセスカートリッジ及び画像形成装置によれば、このような電子写真感光体を備えることで、形成画像において、転写メモリーに起因する画像ゴーストの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、本発明の実施形態に係る正帯電積層型電子写真感光体の一例を示す部分断面図である。
【図２】チタニルフタロシアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルチャートの一例である。
【図３】チタニルフタロシアニンの示差走査熱量分析スペクトルチャートの一例である。
【図４】画像形成装置の構成の一例を示す図であり、この画像形成装置は本発明の実施形態に係る正帯電積層型電子写真感光体を備える。
【図５】図４に示すＶ領域の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨は限定されない。
【００１８】
以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。
【００１９】
以下、ハロゲン原子、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、炭素原子数２以上４以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数６以上１０以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数７以上９以下のアラルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基及び炭素原子数５以上７以下のシクロアルキル基は、何ら規定していなければ、各々次の意味である。
【００２０】
ハロゲン原子（ハロゲン基）は、例えば、フッ素原子（フルオロ基）、塩素原子（クロロ基）、臭素原子（ブロモ基）又はヨウ素原子（ヨード基）である。
【００２１】
炭素原子数１以上８以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、は、各々、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上８以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基が挙げられる。炭素原子数１以上６以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上６以下である基である。炭素原子数１以上５以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上５以下である基である。炭素原子数１以上３以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上３以下である基である。
【００２２】
炭素原子数２以上６以下のアルケニル基及び炭素原子数２以上４以下のアルケニル基は、各々、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数２以上６以下のアルケニル基は、例えば、１個以上３個以下の二重結合を有する。炭素原子数２以上６以下のアルケニル基の例としては、ビニル基（エテニル基）、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基及びヘキサジエニル基が挙げられる。炭素原子数２以上４以下のアルケニル基の例は、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が２以上４以下である基である。
【００２３】
炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基及び炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基は、各々、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ネオペントキシ基及びヘキシル基が挙げられる。炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基の例は、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上３以下である基である。
【００２４】
炭素原子数６以上１４以下のアリール基及び炭素原子数６以上１０以下のアリール基の各々は、非置換である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、インダセニル基、ビフェニレニル基、アセナフチレニル基、アントリル基及びフェナントリル基が挙げられる。炭素原子数６以上１０以下のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。
【００２５】
炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基及び炭素原子数７以上９以下のアラルキル基は、各々、非置換である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数１以上６以下のアルキル基である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基における炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基としては、例えば、フェニルメチル基（ベンジル基）、２−フェニルエチル基（フェネチル基）、１−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基及び４−フェニルブチル基が挙げられる。
【００２６】
炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基及び炭素原子数５以上７以下のシクロアルキル基は、各々、非置換である。炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基及びシクロデシル基が挙げられる。炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基の例は、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が３以上８以下である基である。炭素原子数５以上７以下のシクロアルキル基の例は、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が５以上７以下である基である。
【００２７】
＜１．感光体＞
本実施形態は正帯電積層型電子写真感光体（以下、感光体と記載する）に関する。以下、図１（ａ）〜図１（ｃ）を参照して、感光体３０の構造について説明する。図１（ａ）〜図１（ｃ）は、それぞれ、本実施形態に係る感光体３０の一例を示す断面図である。
【００２８】
図１（ａ）に示すように、感光体３０は、例えば、導電性基体３１と電荷輸送層３２と電荷発生層３３とを備える。電荷輸送層３２は、導電性基体３１の上に備えられる。電荷発生層３３は、電荷輸送層３２の上に備えられる。感光層は、電荷輸送層３２と電荷発生層３３とを含む。感光体３０は、感光層として電荷輸送層３２と電荷発生層３３とを備える積層型電子写真感光体である。感光体３０は正帯電させることができる。詳しくは、感光体３０が画像形成装置１００（図４参照）に備えられた場合に、帯電部４２（図４参照）が感光体３０を正極性に帯電することができる。
【００２９】
正帯電積層型である感光体３０は、負帯電積層型電子写真感光体と比較して、次の利点を有する。なお、負帯電積層型電子写真感光体では、通常、導電性基体の上に電荷発生層が備えられ、電荷発生層の上に電荷輸送層が備えられる。負帯電積層型電子写真感光体は、画像形成装置に備えられた場合に、帯電部によって負極性に帯電される。
【００３０】
正帯電積層型である感光体３０の第一の利点は、解像度が向上することである。負帯電積層型電子写真感光体では、露光時に、導電性基体の上の電荷発生層において電荷（正孔と電子）が発生する。発生した正孔は、電荷発生層及び電荷発生層上の電荷輸送層を移動し、電荷輸送層の表面に到達する。そして、電荷輸送層の表面に到達した正孔が、電荷輸送層の表面の負電荷を打ち消す。負帯電積層型電子写真感光体では、正孔の移動距離が長いため、正孔が移動している間に、露光された箇所から若干離れたところに正孔が到達することがある。そのため、負帯電積層型電子写真感光体では、解像度が低下することがある。しかし、正帯電積層型である感光体３０では、露光時に、感光体３０の表面３０ａ（図５参照）に近い電荷発生層３３において電荷（正孔と電子）が発生する。発生した電子は、電荷発生層３３を移動し、電荷発生層３３の表面に到達する。そして、電荷発生層３３の表面に到達した電子が、電荷発生層３３の表面の正電荷を打ち消す。感光体３０では電子の移動距離が短いため、露光された箇所と同じ箇所に電子が到達する傾向がある。そのため、正帯電積層型である感光体３０では、解像度が向上する。
【００３１】
正帯電積層型である感光体３０の第二の利点は、オゾンが発生し難いことである。負帯電積層型電子写真感光体は、負極性に帯電されるため、画像形成においてオゾンが発生することがある。しかし、感光体３０は正極性に帯電されるため、オゾンの発生を抑制できると考えられる。
【００３２】
図１（ｂ）に示すように、感光体３０は、導電性基体３１と電荷輸送層３２と電荷発生層３３と中間層３４（下引き層）とを備えてもよい。中間層３４は、導電性基体３１と電荷輸送層３２との間に設けられる。図１（ａ）に示すように、電荷輸送層３２は導電性基体３１の上に直接設けられてもよいし、図１（ｂ）に示すように、電荷輸送層３２は導電性基体３１の上に中間層３４を介して設けられてもよい。
【００３３】
図１（ｃ）に示すように、感光体３０は、導電性基体３１と電荷輸送層３２と電荷発生層３３と保護層３５とを備えてもよい。保護層３５は、電荷発生層３３の上に設けられる。しかし、露光時の感光体３０の光感度を向上させるためには、感光体３０は保護層３５を備えないことが好ましい。感光体３０が保護層３５を備えない場合、電荷発生層３３が感光体３０の最表面層として備えられる。
【００３４】
電荷発生層３３及び電荷輸送層３２の厚さは、それぞれの層として機能できる限り、特に限定されない。電荷発生層３３の厚さは、０．０１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましく、８μｍ以上１５μｍ以下であることが更に好ましい。電荷輸送層３２の厚さは、２μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【００３５】
本実施形態に係る感光体３０は、感光層の結晶化の抑制及び転写メモリーの発生の抑制を両立させることができる。その理由は以下のように推測される。
【００３６】
理解を容易にするために、まず転写メモリーについて説明する。感光体３０を備える画像形成装置１００を用いて記録媒体Ｐ（図４参照）に画像を形成する場合、感光体３０が１周回転する間に、帯電工程、露光工程、現像工程及び転写工程が行われる。帯電工程では、感光体３０の表面３０ａ（図５参照）が一定の正極性の電位まで帯電される。続いて、露光工程及び現像工程を経て、転写工程では、帯電とは逆極性の転写バイアス（負極性の転写バイアス）が、被転写体（例えば中間転写ベルト５６、図４参照）を介して感光体３０に印加される。印加された逆極性の転写バイアスの影響により、感光体３０の表面３０ａの非露光領域（非画像領域）の電位が低下し、電位が低下した状態が保持されることがある。この電位低下の影響を受け、非露光領域は、次の周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電され難くなる。一方、感光体３０の表面３０ａの露光領域（画像領域）にはトナーが付着しているため、露光領域に転写バイアスが直接印加され難い。そのため、転写バイアスが印加されても、露光領域の電位は低下し難い。その結果、露光領域と非露光領域との間で、次の周の感光体３０の表面３０ａの帯電電位に差が生じることがある。このように、転写バイアスの影響によって、感光体３０の表面３０ａにおいて、前の周の非露光領域に対応する領域の帯電電位が、前の周の露光領域に対応する領域よりも低下する現象を、転写メモリーという。転写メモリーは、高速で画像を形成する場合に発生し易い。高速で画像を形成する場合には、強い転写バイアスを感光体３０へ印加する転写条件に設定されることが多いからである。感光体３０に転写メモリーが発生すると、形成画像にネガゴーストが発生し易くなる。ネガゴーストは、形成画像において、感光体３０の前の周の非露光領域に対応する領域が黒ずむ画像不良である。
【００３７】
ここで、本実施形態の感光体３０の電荷発生層３３においては、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量が、第一正孔輸送剤の質量よりも多い。通常、電荷発生層において、第一電子輸送剤の質量は、第一正孔輸送剤の質量よりも少ない。その理由は次のとおりである。画像形成において感光体３０を露光すると、電荷発生層３３中の電荷発生剤から電子及び正孔が発生する。発生した電子は、第一電子輸送剤によって電荷発生層３３の表面へ輸送される。発生した正孔は、第一正孔輸送剤によって電荷輸送層３２へ輸送され、更に導電性基体３１へ輸送される。露光した光の透過率は、電荷発生層３３の表面付近では高く、電荷発生層３３の深部（電荷輸送層３２側）では低くなる。そのため、露光した光の透過率が高い電荷発生層３３の表面付近に存在する電荷発生剤から、多くの電子及び正孔が発生する傾向がある。電荷発生層３３の表面付近に存在する電荷発生剤から電子及び正孔が発生した場合、電荷輸送層３２までの正孔の移動距離は、電荷発生層３３の表面までの電子の移動距離よりも長い。そのため、第一正孔輸送剤を、第一電子輸送剤よりも多く含有させることが一般的である。しかし、本発明者らは鋭意検討し、電荷発生層３３において、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量を、第一正孔輸送剤の質量よりも多くすることで、転写メモリーの発生を抑制できることを見出した。
【００３８】
また、第一電子輸送剤は、電荷発生層３３を形成するための溶剤に溶解し難い化学構造を有する。しかし、電荷発生層３３に第一電子輸送剤として、一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）で表される化合物のうちの２種以上を含有させることで、電荷発生層３３を形成するための溶剤に対する第一電子輸送剤の溶解性を向上させることができる。これにより、電荷発生層３３を形成するための溶剤に多くの第一電子輸送剤を溶解させることができる。その結果、電荷発生層３３において、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量を、第一正孔輸送剤の質量よりも多くすることができる。これにより、電荷発生層３３の結晶化を抑制しつつ、転写メモリーの発生を抑制することができる。
【００３９】
更に、電荷発生層３３に第一電子輸送剤として一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）で表される化合物のうちの２種以上を含有させることで、電荷発生層３３に含有される第一バインダー樹脂と第一電子輸送剤との相溶性が向上する。これにより、電荷発生層３３の結晶化を抑制しつつ、第一バインダー樹脂の質量に対する２種以上の第一電子輸送剤の合計質量の比率を０．４５以上にすることができる。その結果、電荷発生層３３の結晶化を抑制しつつ、転写メモリーの発生を抑制することができる。
【００４０】
そして、電荷輸送層３２は、第二正孔輸送剤と、第二電子輸送剤とを含有する。既に述べたように、画像形成において感光体３０が露光されると、電荷発生層３３中の電荷発生剤から電子及び正孔が発生する。発生した電子は第一電子輸送剤によって電荷発生層３３の表面へ輸送され、発生した正孔は第一正孔輸送剤によって電荷輸送層３２へ輸送され、更に第二正孔輸送剤によって導電性基体３１へ輸送される。そのため、電荷輸送層３２には、第二正孔輸送剤が含有されていれば十分であるとも考えられる。しかし、本発明者らは鋭意検討し、電荷輸送層３２が第二正孔輸送剤に加えて第二電子輸送剤を更に含有することで、転写メモリーの発生を好適に抑制できることを見出した。
【００４１】
以上、図１（ａ）〜図１（ｃ）を参照して、感光体３０の構造、及び効果を奏すると推測される理由について説明した。以下、本実施形態に係る感光体について更に説明する。
【００４２】
＜１−１．導電性基体＞
導電性基体の一例としては、導電性を有する材料で構成される導電性基体が挙げられる。導電性基体の別の例としては、導電性を有する材料で構成される被覆層を備える導電性基体が挙げられる。導電性を有する材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼及び真鍮が挙げられる。これらの導電性を有する材料を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて（例えば、合金として）用いてもよい。これらの導電性を有する材料のなかでも、電荷輸送層から導電性基体への電荷の移動が良好であることから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
【００４３】
導電性基体の形状は、画像形成装置の構造に合わせて適宜選択される。導電性基体の形状としては、例えば、シート状及びドラム状が挙げられる。また、導電性基体の厚さは、導電性基体の形状に応じて適宜選択される。
【００４４】
＜１−２．電荷発生層＞
電荷発生層は、電荷発生剤と、第一正孔輸送剤と、第一電子輸送剤と、第一バインダー樹脂とを含有する。第一正孔輸送剤は、電荷発生層に含有される正孔輸送剤である。第一電子輸送剤は、電荷発生層に含有される電子輸送剤である。第一バインダー樹脂は、電荷発生層３３に含有されるバインダー樹脂である。電荷発生層３３は、必要に応じて、添加剤を含有してもよい。
【００４５】
電荷発生層において、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1）は、第一正孔輸送剤の質量（ＭHTM1）よりも多い。つまり、電荷発生層において、第一正孔輸送剤の質量（ＭHTM1）に対する、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1）の比率（ＭETM1／ＭHTM1）は、１．００より大きい。２種以上の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1）が第一正孔輸送剤の質量（ＭHTM1）と同じ又は少ないと、既に述べたように、転写メモリーが発生する。電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を更に抑制するためには、比率（ＭETM1／ＭHTM1）が１．００より大きく１．６０以下であることが好ましく、１．００より大きく１．５０以下であることがより好ましく、１．０５以上１．３０以下であることが更に好ましく、１．０５以上１．２０以下であることが一層好ましく、１．１０以上１．１３以下であることが特に好ましい。
【００４６】
第一バインダー樹脂の質量（ＭRESIN1）に対する２種以上（好ましくは２種又は３種）の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1）の比率（ＭETM1／ＭRESIN1）は、０．４５以上である。比率（ＭETM1／ＭRESIN1）が０．４５未満であると、転写メモリーが発生する。転写メモリーの発生を更に抑制するためには、比率（ＭETM1／ＭRESIN1）は、０．５０以上であることがより好ましい。電荷発生層の結晶化を更に抑制するためには、比率（ＭETM1／ＭRESIN1）は、０．８０以下であることが好ましく、０．６０以下であることがより好ましく、０．５５以下であることが更に好ましい。
【００４７】
電荷発生層の質量（ＭCGL）に対する２種以上の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1）の比率（ＭETM1／ＭCGL）は、０．２０以上であることが好ましく、０．２４以上であることがより好ましく、０．２５以上であることが更に好ましい。また、比率（ＭETM1／ＭCGL）は、０．５０以下であることが好ましく、０．３０以下であることがより好ましく、０．２６以下であることが更に好ましい。電荷発生層の質量（ＭCGL）は、電荷発生層に含まれる全ての材料の質量の和である。例えば、電荷発生層が電荷発生剤と２種以上の第一電子輸送剤と第一正孔輸送剤と第一バインダー樹脂とを含む場合には、電荷発生層の質量（ＭCGL）は、電荷発生剤の質量、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量、第一正孔輸送剤の質量及び第一バインダー樹脂の質量の和である。
【００４８】
電荷発生層の質量（ＭCGL）に対する第一バインダー樹脂の質量（ＭRESIN1）の比率（ＭRESIN1／ＭCGL）は、０．５５以下であることが好ましく、０．５３以下であることがより好ましく、０．５２以下であることが更に好ましい。比率（ＭRESIN1／ＭCGL）が０．５５以下であると、転写メモリーの発生を好適に抑制することができる。また、比率（ＭRESIN1／ＭCGL）は、０．４０以上であることが好ましく、０．４５以上であることがより好ましく、０．４８以上であることが更に好ましい。比率（ＭRESIN1／ＭCGL）が０．４０以上であると、感光体の耐摩耗性を向上できると考えられる。
【００４９】
電荷発生層の質量（ＭCGL）に対する第一正孔輸送剤の質量（ＭHTM1）の比率（ＭHTM1／ＭCGL）は、０．１０以上０．５０以下であることが好ましく、０．２０以上０．３０以下であることがより好ましく、０．２１以上０．２４以下であることが更に好ましい。
【００５０】
電荷発生層の質量（ＭCGL）に対する電荷発生剤の質量（ＭCGM）の比率（ＭCGM／ＭCGL）は、０．００５以上０．１０以下であることが好ましく、０．０１以上０．０２以下であることがより好ましい。
【００５１】
（第一電子輸送剤）
第一電子輸送剤は、一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）で表される化合物のうちの２種以上を含む。以下、一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）で表される化合物の各々を、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）と記載することがある。電荷発生層は、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの２種以上を含有する。２種以上の第一電子輸送剤の各々の間の還元電位差は、小さいことが好ましい。
【００５２】
【化６】
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【００５３】
【化７】
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【００５４】
【化８】
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【００５５】
【化９】
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【００５６】
【化１０】
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【００５７】
一般式（１−１）、（２）及び（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を有してもよい炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ14は、水素原子ではない。つまり、Ｒ14は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を有してもよい炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表す。
【００５８】
一般式（４）中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して、水素原子；ニトロ基；シアノ基；炭素原子数２以上６以下のアルケニル基；炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基；炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基；炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基；又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。
【００５９】
一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7は、各々独立して、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１以上８以下のアルキル基；及び１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表す。Ｑ6及びＱ7のうち少なくとも一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する。つまり、化合物（５−１）はハロゲン原子を必須で有する。
【００６０】
一般式（１−１）、（２）及び（３）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14で表されるハロゲン原子（ハロゲン基）は、塩素原子（クロロ基）であることが好ましい。
【００６１】
一般式（１−１）、（２）及び（３）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14で表される炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基又はｎ−ペンチル基がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を更に有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基及びシアノ基が挙げられる。炭素原子数１以上６以下のアルキル基が有する置換基としては、炭素原子数６以上１４以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。置換基の数は、特に限定されないが、３個以下であることが好ましい。置換基としての炭素原子数６以上１４以下のアリール基が更に有する置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数２以上７以下のアルカノイル基（炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するカルボニル基）、ベンゾイル基、フェノキシ基、炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基（炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を有するカルボニル基）及びフェノキシカルボニル基が挙げられる。
【００６２】
一般式（１−１）、（２）及び（３）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14で表される炭素原子数２以上６以下のアルケニル基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基及びシアノ基が挙げられる。置換基の数は、特に限定されないが、３個以下であることが好ましい。
【００６３】
一般式（１−１）、（２）及び（３）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14で表される炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基及びシアノ基が挙げられる。置換基の数は、特に限定されないが、３個以下であることが好ましい。
【００６４】
一般式（１−１）、（２）及び（３）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14で表される炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、フェニル基が好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数２以上７以下のアルカノイル基（炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するカルボニル基）、ベンゾイル基、フェノキシ基、炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基（炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を有するカルボニル基）、フェノキシカルボニル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基及びビフェニル基が挙げられる。炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有する置換基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又はニトロ基が好ましく、メチル基、エチル基又はニトロ基がより好ましい。置換基の数は、特に限定されないが、３個以下であることが好ましい。
【００６５】
一般式（１−１）、（２）及び（３）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14で表される炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基としては、炭素原子数５以上７以下のシクロアルキル基が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい。炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基及びシアノ基が挙げられる。置換基の数は、特に限定されないが、３個以下であることが好ましい。
【００６６】
一般式（１−１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、各々独立して、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表すことが好ましい。
【００６７】
一般式（１−１）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基；炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基；炭素原子数６以上１４以下のアリール基；又は炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表し、Ｒ3及びＲ4は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表すことがより好ましい。
【００６８】
一般式（１−１）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、メチル基、イソプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ペンチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、フェニルメチル基、フェニル基又はメトキシ基を表し、Ｒ1及びＲ2は、同じ基を表し、Ｒ3及びＲ4は、各々独立して、メチル基又は水素原子を表すことが更に好ましい。
【００６９】
一般式（１−１）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基又はメトキシ基を表し、Ｒ1及びＲ2は、同じ基を表し、Ｒ3及びＲ4は、各々水素原子を表すことが特に好ましい。
【００７０】
一般式（２）中のＲ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表すことが好ましい。一般式（２）中のＲ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことがより好ましい。Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11が炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す場合、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11が炭素原子数１以上６以下のアルキル基のうちの同じ基を表してもよく、炭素原子数１以上６以下のアルキル基のうちの異なる基を表してもよい。一般式（２）中のＲ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は、各々独立して、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基又は１，１−ジメチルプロピル基を表すことが更に好ましい。一般式（２）中のＲ8及びＲ10は、同じ基を表すことが好ましい。一般式（２）中のＲ9及びＲ11は、同じ基を表すことが好ましい。
【００７１】
一般式（３）中のＲ12及びＲ13は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基、イソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。一般式（３）中のＲ14は、ハロゲン原子を表すことが好ましい。一般式（３）中のＲ14の結合位置は特に限定されない。Ｒ14が結合するフェニル基が結合する窒素原子に対して、Ｒ14はこのフェニル基のオルト位、パラ位又はメタ位に結合することができ、パラ位に結合することが好ましい。
【００７２】
一般式（４）中のＲ6及びＲ7で表される炭素原子数２以上６以下のアルケニル基としては、炭素原子数２以上４以下のアルケニル基が好ましい。
【００７３】
一般式（４）中のＲ6及びＲ7で表される炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基が好ましい。
【００７４】
一般式（４）中のＲ6及びＲ7で表される炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基としては、炭素原子数５以上７以下のシクロアルキル基が好ましい。
【００７５】
一般式（４）中のＲ6及びＲ7で表される炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基又はｎ−ペンチル基がより好ましく、エチル基又は１，２−ジメチルプロピル基が更に好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を少なくとも１つ有してもよい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基が有する炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基が有する炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の数は、３個以下であることが好ましく、１個又は２個であることがより好ましく、１個であることが更に好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基を有してもよい炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、エトキシエチル基がより好ましく、２−エトキシエチル基が更に好ましい。
【００７６】
一般式（４）中のＲ6及びＲ7で表される炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有する炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有する炭素原子数１以上６以下のアルキル基の数は、３個以下であることが好ましく、１個又は２個であることがより好ましく、２個であることが更に好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を１つ又は２つ有するフェニル基が好ましく、エチルメチルフェニル基がより好ましく、２−エチル−６−メチルフェニル基が更に好ましい。
【００７７】
一般式（４）中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基；又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。
【００７８】
一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい。このようなハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有するハロゲン原子の数は、１つ以上３つ以下であることが好ましい。１つ以上のハロゲン原子を有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、１つ以上３つ以下のハロゲン原子を有するフェニル基が好ましく、ジクロロフェニル基又はトリクロロフェニル基がより好ましく、２，６−ジクロロフェニル基又は２，４，６−トリクロロフェニル基が更に好ましい。
【００７９】
一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を１つ以上５つ以下有するフェニル基が好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を１つ又は２つ有するフェニル基がより好ましく、エチルメチルフェニル基が更に好ましく、２−エチル−６−メチルフェニル基が特に好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、１つ以上（好ましくは１つ以上３つ以下）のハロゲン原子を有してもよい。このようなハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基がハロゲン原子を有する場合、炭素原子数１以上６以下のアルキル基がハロゲン原子を有していてもよく、炭素原子数６以上１４以下のアリール基がハロゲン原子を有していてもよい。
【００８０】
一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7が表すベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、ベンゾイル基を少なくとも１つ有するフェニル基が好ましく、ベンゾイル基を１つ以上３つ以下有するフェニル基がより好ましく、ベンゾイル基を１つ有するフェニル基が更に好ましく、２−ベンゾイルフェニル基が特に好ましい。ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、１つ以上（好ましくは１つ以上３つ以下）のハロゲン原子を有してもよい。このようなハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。ベンゾイル基を有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基がハロゲン原子を有する場合、ベンゾイル基がハロゲン原子を有していてもよく、炭素原子数６以上１４以下のアリール基がハロゲン原子を有していてもよい。１つ以上のハロゲン原子を有し、ベンゾイル基を有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、１つ以上３つ以下のハロゲン原子を有し、ベンゾイル基を有するフェニル基が好ましく、１つ以上３つ以下の塩素原子を有し、ベンゾイル基を有するフェニル基がより好ましく、クロロ（ベンゾイル）フェニル基であることが更に好ましく、４−クロロ−２−ベンゾイルフェニル基であることが特に好ましい。
【００８１】
一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7が表す炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基としては、炭素原子数７以上９以下のアラルキル基が好ましく、フェニルエチル基がより好ましく、１−フェニルエチル基が更に好ましい。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、１つ以上（好ましくは１つ以上３つ以下）のハロゲン原子を有してもよい。このようなハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基がハロゲン原子を有する場合、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基のアルキル部位がハロゲン原子を有していてもよく、アリール部位がハロゲン原子を有していてもよい。１つ以上のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基としては、１つ以上３つ以下のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上９以下のアラルキル基が好ましく、１つ以上３つ以下の塩素原子を有する１−フェニルエチル基がより好ましく、１−（２，４−ジクロロフェニル）エチル基が更に好ましい。
【００８２】
一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7が表す炭素原子数１以上８以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましい。炭素原子数１以上８以下のアルキル基は、１つ以上（好ましくは１つ以上３つ以下）のハロゲン原子を有してもよい。このようなハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましい。
【００８３】
一般式（５−１）中、Ｑ6及びＱ7が表す炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基としては、炭素原子数５以上７以下のシクロアルキル基が好ましい。炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基は、１つ以上（好ましくは１つ以上３つ以下）のハロゲン原子を有してもよい。このようなハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましい。
【００８４】
一般式（５−１）中のＱ6及びＱ7は、好ましくは以下のとおりである。Ｑ6及びＱ7は、各々独立して、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；及び１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基からなる群より選択される基を表す。Ｑ6及びＱ7のうち少なくとも一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する。
【００８５】
一般式（５−１）中のＱ6及びＱ7は、より好ましい例において、以下のとおりである。Ｑ6及びＱ7の一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有し、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；又は１つ以上のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表す。Ｑ6及びＱ7の他方が、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。
【００８６】
一般式（５−１）中のＱ6及びＱ7は、より好ましい別の例において、以下のとおりである。Ｑ6及びＱ7の両方が、１つ以上のハロゲン原子を有し、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；又は１つ以上のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表す。なお、化合物（５−１）は、実施例に記載の方法又はその代替法によって製造することができる。
【００８７】
電荷発生層は、例えば、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの２種を含むことができる。化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）から２種を選択する場合、同じ一般式（具体的には、一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）の何れか）で表される異なる種類の化合物を２種選択してもよい。また、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）から２種を選択する場合、異なる一般式で表される化合物を２種選択してもよい。
【００８８】
電荷発生層は、例えば、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの３種を含むこともできる。化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）から３種を選択する場合、同じ一般式（具体的には、一般式（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）の何れか）で表される異なる種類の化合物を３種選択してもよい。また、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）から３種を選択する場合、異なる一般式で表される化合物を３種選択してもよい。
【００８９】
化合物（１−１）の好適な例は、下記化学式（ＥＴ１−１）〜（ＥＴ１−１２）で表される化合物であり、より好適な例は、化学式（ＥＴ１−３）又は（ＥＴ１−１２）で表される化合物である。化合物（２）の好適な例は、下記化学式（ＥＴ２−１）〜（ＥＴ２−１０）で表される化合物であり、より好適な例は、化学式（ＥＴ２−４）で表される化合物である。化合物（３）の好適な例は、下記化学式（ＥＴ３−１）〜（ＥＴ３−３）で表される化合物であり、より好適な例は、化学式（ＥＴ３−１）で表される化合物である。化合物（４）の好適な例は、下記化学式（ＥＴ４−１）〜（ＥＴ４−４）で表される化合物である。化合物（５−１）の好適な例は、下記化学式（ＥＴ５−１）〜（ＥＴ５−６）で表される化合物であり、より好適な例は、化学式（ＥＴ５−１）、（ＥＴ５−２）又は（ＥＴ５−３）で表される化合物である。以下、化学式（ＥＴ１−１）〜（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−１）〜（ＥＴ２−１０）、（ＥＴ３−１）〜（ＥＴ３−３）、（ＥＴ４−１）〜（ＥＴ４−４）及び（ＥＴ５−１）〜（ＥＴ５−６）で表される化合物の各々を、化合物（ＥＴ１−１）〜（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−１）〜（ＥＴ２−１０）、（ＥＴ３−１）〜（ＥＴ３−３）、（ＥＴ４−１）〜（ＥＴ４−４）及び（ＥＴ５−１）〜（ＥＴ５−６）と記載することがある。
【００９０】
【化１１】
2018105972.tif 000013
【００９１】
【化１２】
2018105972.tif 000014
【００９２】
【化１３】
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【００９３】
【化１４】
2018105972.tif 000016
【００９４】
【化１５】
2018105972.tif 000017
【００９５】
【化１６】
2018105972.tif 000018
【００９６】
電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）及び（３）のうちの２種以上を含有することが好ましく、化合物（１−１）、（２）及び（３）のうちの２種又は３種を含有することがより好ましい。
【００９７】
電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（ＥＴ１−１）〜（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−１）〜（ＥＴ２−１０）、（ＥＴ３−１）〜（ＥＴ３−３）、（ＥＴ４−１）〜（ＥＴ４−４）及び（ＥＴ５−１）〜（ＥＴ５−６）のうちの２種以上を含有することが好ましく、化合物（ＥＴ１−３）、（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−４）及び（ＥＴ３−１）のうちの２種以上を含有することがより好ましく、化合物（ＥＴ１−３）、（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−４）及び（ＥＴ３−１）のうちの２種又は３種を含有することが更に好ましい。
【００９８】
電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層が第一電子輸送剤として、化合物（１−１）及び化合物（２）を含有することが好ましい。また、電荷発生層が第一電子輸送剤として、化合物（１−１）及び化合物（３）を含有することも好ましい。また、電荷発生層が第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、化合物（２）及び化合物（３）を含有することも好ましい。
【００９９】
電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）を含有することが好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）を含有することも好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−４）及び化合物（ＥＴ３−１）を含有することも好ましい。
【０１００】
電荷発生層は、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの２種のみを含有することができる。また、電荷発生層は、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの３種のみを含有することができる。また、電荷発生層は、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの４種以上のみを含有することができる。また、電荷発生層は、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの２種以上に加えて、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）以外の化合物を更に含有していてもよい。電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、化合物（１−１）、（２）、（３）、（４）及び（５−１）のうちの２種以上の合計質量は、第一電子輸送剤の合計質量に対して、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、１００質量％であることが特に好ましい。
【０１０１】
（第一正孔輸送剤）
電荷発生層は、第一正孔輸送剤を含有する。第一正孔輸送剤としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体、ジアミン誘導体（例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体、又はジ（アミノフェニルエテニル）ベンゼン誘導体）、オキサジアゾール系化合物（例えば、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、スチリル系化合物（例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン）、カルバゾール系化合物（例えば、ポリビニルカルバゾール）、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン系化合物（例えば、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン）、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物及びトリアゾール系化合物が挙げられる。第一正孔輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１０２】
第一正孔輸送剤の好適な例は、下記一般式（１０）、（１１）又は（１２）で表される化合物（以下、化合物（１０）、（１１）又は（１２）と記載することがある）である。電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を一層抑制するためには、電荷発生層は、第一正孔輸送剤として、化合物（１２）を含むことが好ましい。
【０１０３】
【化１７】
2018105972.tif 000019
【０１０４】
一般式（１０）中、Ｒ20〜Ｒ22は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。Ｒ20〜Ｒ22としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、ｎ−ブチル基を表すことがより好ましい。
【０１０５】
一般式（１０）中、ｐ、ｑ及びｒは、各々独立して、０以上５以下の整数を表す。ｐが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ20は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｑが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ21は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｒが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ22は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｐは１を表すことが好ましい。ｑ及びｒは０を表すことが好ましい。
【０１０６】
Ｒ20〜Ｒ22の結合位置は特に限定されない。Ｒ20〜Ｒ22は、各々、フェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ20は、フェニル基のパラ位に結合することが好ましい。
【０１０７】
【化１８】
2018105972.tif 000020
【０１０８】
一般式（１１）中、Ｒ23〜Ｒ27は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。Ｒ23〜Ｒ25は、各々、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが特に好ましい。Ｒ26〜Ｒ27は、各々、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を有してもよいフェニル基を表すことがより好ましく、メチルフェニル基を表すことが更に好ましく、ｐ−メチルフェニル基を表すことが特に好ましい。
【０１０９】
一般式（１１）中、ｓ、ｔ及びｕは、各々独立して、０以上５以下の整数を表す。ｓが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ23は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｔが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ24は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｕが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ25は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｓ、ｔ及びｕは、各々、１を表すことが好ましい。
【０１１０】
Ｒ23〜Ｒ25の結合位置は特に限定されない。Ｒ23〜Ｒ25は、各々、フェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ23〜Ｒ25は、各々、フェニル基のパラ位に結合することが好ましい。
【０１１１】
【化１９】
2018105972.tif 000021
【０１１２】
一般式（１２）中、Ｒ28〜Ｒ33は、各々独立して、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表す。炭素原子数２以上６以下のアルケニル基が置換基を有する場合、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基が有する置換基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。炭素原子数２以上６以下のアルケニル基が有する置換基の数は、特に限定されないが、３以下であることが好ましく、２であることがより好ましい。Ｒ28〜Ｒ33としては、炭素原子数１以上６以下のアルキルが好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。
【０１１３】
一般式（１２）中、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、各々独立して、０以上５以下の整数を表す。ｇが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ28は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｈが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ29は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｉが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ30は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｊが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ31は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｇ及びｈの一方は２を表し、他方は０又は１を表すことが好ましい。ｇ及びｈの一方は２を表し、他方は０を表すことがより好ましい。ｉ及びｊの一方は２を表し、他方は０又は１を表すことが好ましい。ｉ及びｊの一方は２を表し、他方は０を表すことがより好ましい。
【０１１４】
Ｒ28〜Ｒ31の結合位置は特に限定されない。Ｒ28〜Ｒ31は、各々、フェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ28〜Ｒ31は、各々、フェニル基のオルト位又はパラ位に結合することが好ましい。
【０１１５】
一般式（１２）中、ｋ及びｌは、各々独立して、０以上４以下の整数を表す。ｋが２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＲ32は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｌが２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＲ33は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｋ及びｌは、各々、０を表すことが好ましい。
【０１１６】
Ｒ32及びＲ33の結合位置は特に限定されない。Ｒ32及びＲ33は、各々、フェニレン基が結合する窒素原子に対して、オルト位及びメタ位の何れに結合（位置）してもよい。
【０１１７】
ｇが２を表しｈが０又は１を表す場合、２個のＲ28は、各々独立して炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基及びエチル基を表すことがより好ましい。ｇが２を表しｈが０又は１を表す場合、Ｒ29は、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことが好ましく、２個の炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことがより好ましく、２，２−ジフェニルエテニル基を表すことが特に好ましい。ｇが２を表しｈが０又は１を表す場合、２個のＲ28はフェニル基のオルト位に結合することが好ましい。この場合、Ｒ29はフェニル基のパラ位に結合することが好ましい。
【０１１８】
ｈが２を表しｇが０又は１を表す場合、２個のＲ29は、各々独立して炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基及びエチル基を表すことがより好ましい。ｈが２を表しｇが０又は１を表す場合、Ｒ28は、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことが好ましく、２個の炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことがより好ましく、２，２−ジフェニルエテニル基を表すことが特に好ましい。ｈが２を表しｇが０又は１を表す場合、２個のＲ29はフェニル基のオルト位に結合することが好ましい。この場合、Ｒ28はフェニル基のパラ位に結合することが好ましい。
【０１１９】
ｉが２を表しｊが０又は１を表す場合、２個のＲ30は、各々独立して炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基及びエチル基を表すことがより好ましい。ｉが２を表しｊが０又は１を表す場合、Ｒ31は、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことが好ましく、２個の炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことがより好ましく、２，２−ジフェニルエテニル基を表すことが特に好ましい。ｉが２を表しｊが０又は１を表す場合、２個のＲ30はフェニル基のオルト位に結合することが好ましい。この場合、Ｒ31はフェニル基のパラ位に結合することが好ましい。
【０１２０】
ｊが２を表しｉが０又は１を表す場合、２個のＲ31は、各々独立して炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基及びエチル基を表すことがより好ましい。ｉが２を表しｊが０又は１を表す場合、Ｒ30は、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことが好ましく、２個の炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表すことがより好ましく、２，２−ジフェニルエテニル基を表すことが特に好ましい。ｊが２を表しｉが０又は１を表す場合、２個のＲ31はフェニル基のオルト位に結合することが好ましい。この場合、Ｒ30はフェニル基のパラ位に結合することが好ましい。
【０１２１】
化合物（１０）の好適な例は、下記化学式（ＨＴ２）で表される化合物である。化合物（１１）の好適な例は、下記化学式（ＨＴ３）で表される化合物である。化合物（１２）の好適な例は、下記化学式（ＨＴ１）で表される化合物である。以下、化学式（ＨＴ１）〜（ＨＴ３）で表される化合物の各々を、化合物（ＨＴ１）〜（ＨＴ３）と記載することがある。
【０１２２】
【化２０】
2018105972.tif 000022
【０１２３】
【化２１】
2018105972.tif 000023
【０１２４】
【化２２】
2018105972.tif 000024
【０１２５】
電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層が、第一電子輸送剤として化合物（１−１）及び化合物（２）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（１２）を含有することが好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）及び化合物（３）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（１２）を含有することも好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、化合物（２）及び化合物（３）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（１２）を含有することも好ましい。
【０１２６】
電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層が、第一電子輸送剤として化合物（１−１）及び化合物（２）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有することが好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）及び化合物（３）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有することも好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、化合物（２）及び化合物（３）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有することも好ましい。
【０１２７】
電荷発生層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有することが好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有することも好ましい。また、電荷発生層が、第一電子輸送剤として、化合物（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−４）及び化合物（ＥＴ３−１）を含有し、第一正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有することも好ましい。
【０１２８】
（電荷発生剤）
電荷発生層は、電荷発生剤を含有する。電荷発生剤は、感光体用の電荷発生剤である限り、特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（例えば、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム又はアモルファスシリコン）の粉末、ピリリウム顔料、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料及びキナクリドン系顔料が挙げられる。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１２９】
フタロシアニン系顔料としては、例えば、無金属フタロシアニン及び金属フタロシアニンが挙げられる。金属フタロシアニンとしては、例えば、化学式（ＣＧ１）で表されるチタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン及びクロロガリウムフタロシアニンが挙げられる。フタロシアニン系顔料は、結晶であってもよく、非結晶であってもよい。フタロシアニン系顔料の結晶形状（例えば、α型、β型、Ｙ型、Ｖ型又はＩＩ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。
【０１３０】
【化２３】
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【０１３１】
無金属フタロシアニンの結晶としては、例えば、無金属フタロシアニンのＸ型結晶が挙げられる。チタニルフタロシアニンの結晶としては、例えば、チタニルフタロシアニンのα型、β型及びＹ型結晶（以下、α型、β型及びＹ型チタニルフタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。
【０１３２】
例えば、デジタル光学式の画像形成装置（例えば、半導体レーザーのような光源を使用した、レーザービームプリンター又はファクシミリ）には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。７００ｎｍ以上の波長領域で高い量子収率を有することから、電荷発生剤としては、フタロシアニン系顔料が好ましく、無金属フタロシアニン又はチタニルフタロシアニンがより好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンが更に好ましく、Ｙ型チタニルフタロシアニンが特に好ましい。また、Ｙ型チタニルフタロシアニンには、電荷発生効率が高く、電荷発生層内に電荷が残留し難いという利点がある。
【０１３３】
Ｙ型チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、例えば、ブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．２°に主ピークを有する。ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおける主ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２°）が３°以上４０°以下である範囲において、１番目又は２番目に大きな強度を有するピークである。Ｙ型チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、２６．２℃にピークを有しない。
【０１３４】
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法の一例について説明する。試料（チタニルフタロシアニン）をＸ線回折装置（例えば、株式会社リガク製「ＲＩＮＴ（登録商標）１１００」）のサンプルホルダーに充填して、Ｘ線管球Ｃｕ、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡ、かつＣｕＫα特性Ｘ線の波長１．５４２Åの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定する。測定範囲（２θ）は、例えば３°以上４０°以下（スタート角３°、ストップ角４０°）であり、走査速度は、例えば１０°／分である。
【０１３５】
図２は、チタニルフタロシアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルチャートの一例である。図２において、横軸はブラッグ角２θ（°）を示し、縦軸は強度（ｃｐｓ）を示す。図２のＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルチャートから、測定されたチタニルフタロシアニンの結晶型がＹ型であることを推定できる。
【０１３６】
Ｙ型チタニルフタロシアニンは、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）スペクトルにおける熱特性（詳しくは、次に示す熱特性（ａ）〜（ｃ））の違いによって３種類に分類される。
（ａ）ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃以下の範囲にピーク（例えば、１つのピーク）を有する。
（ｂ）ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上４００℃以下の範囲にピークを有しない。
（ｃ）ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃未満の範囲にピークを有さず、２７０℃以上４００℃以下の範囲にピーク（例えば、１つのピーク）を有する。
【０１３７】
示差走査熱量分析スペクトルの測定方法の一例について説明する。サンプルパンにチタニルフタロシアニン結晶粉末の評価用試料を載せて、示差走査熱量計（例えば、株式会社リガク製「ＴＡＳ−２００型  ＤＳＣ８２３０Ｄ」）を用いて示差走査熱量分析スペクトルを測定する。測定範囲は、例えば４０℃以上４００℃以下であり、昇温速度は、例えば２０℃／分である。
【０１３８】
図３は、チタニルフタロシアニンの示差走査熱量分析スペクトルチャートの一例である。具体的には、図２のＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルチャートで示されるチタニルフタロシアニンの示差走査熱量分析スペクトルチャートである。図３において、横軸は温度（℃）を示し、縦軸は熱流束（ｍｃａｌ／秒）を示す。図３の示差走査熱量分析スペクトルチャートでは、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃未満の範囲にピークが観察されず、２９６℃（２７０℃以上４００℃以下の範囲）に１つのピークが観察される。従って、測定されたチタニルフタロシアニン結晶が、主に熱特性（ｃ）を有するＹ型チタニルフタロシアニンであることを推定できる。
【０１３９】
熱特性（ｂ）及び（ｃ）を有するＹ型チタニルフタロシアニンは、結晶安定性に優れており、有機溶媒中で結晶転移を起こしにくく、電荷発生層中に分散し易い。電荷発生層の結晶化の抑制及び転写メモリーの発生の抑制を両立させるためには、熱特性（ｃ）を有するＹ型チタニルフタロシアニンが好ましい。
【０１４０】
短波長レーザー光源（例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長を有するレーザー光源）を用いた画像形成装置に適用される感光体には、電荷発生剤として、アンサンスロン系顔料が好適に用いられる。
【０１４１】
（第一バインダー樹脂）
電荷発生層は、第一バインダー樹脂を含有する。第一バインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル酸重合体、スチレン重合体（ポリスチレン）、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂及びポリエーテル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂及びメラミン樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ化合物のアクリル酸付加物及びウレタン化合物のアクリル酸付加物が挙げられる。これらの第一バインダー樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４２】
これらの樹脂の中では、加工性、機械的特性、光学的特性及び耐摩耗性のバランスに優れた電荷発生層が得られることから、第一バインダー樹脂としてはポリカーボネート樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂の例としては、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＺＣ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＣ型ポリカーボネート樹脂及びビスフェノールＡ型ポリカーボネート樹脂が挙げられる。ポリカーボネート樹脂としては、下記化学式（Ｒ−１）で表される繰り返し単位を有するビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（以下、ポリカーボネート樹脂（Ｒ−１）と記載することがある）が好ましい。
【０１４３】
【化２４】
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【０１４４】
第一バインダー樹脂の粘度平均分子量は、２５，０００以上であることが好ましく、２５，０００以上５２，５００以下であることがより好ましい。第一バインダー樹脂の粘度平均分子量が２５，０００以上であると、感光体の耐摩耗性を向上させ易い。第一バインダー樹脂の粘度平均分子量が５２，５００以下であると、第一バインダー樹脂が電荷発生層用塗布液の溶剤に溶解し易くなり、電荷発生層用塗布液の粘度が高くなり過ぎない。その結果、電荷発生層を形成し易くなる。
【０１４５】
＜１−３．電荷輸送層＞
電荷輸送層は、第二正孔輸送剤と、第二電子輸送剤とを含有する。電荷輸送層は、第二バインダー樹脂を含有してもよい。第二正孔輸送剤は、電荷輸送層に含有される正孔輸送剤である。第二電子輸送剤は、電荷輸送層に含有される電子輸送剤である。第二バインダー樹脂は、電荷輸送層に含有されるバインダー樹脂である。電荷輸送層は、必要に応じて、添加剤を含有してもよい。
【０１４６】
電荷輸送層が第二正孔輸送剤と第二電子輸送剤とを含有することで、既に述べたように、転写メモリーの発生を抑制することができる。また、電荷輸送層が第二電子輸送剤を含有することで、電荷輸送層に残る空間電荷が第二電子輸送剤によって中和されると考えられる。更に、電荷輸送層が第二電子輸送剤を含有することで、第二電子輸送剤が可視光を吸収し、感光体の耐光性が向上すると考えられる。更に、電荷輸送層が第二電子輸送剤を含有することで、感光体に露光された光に対する感光体の感度が向上すると考えられる。
【０１４７】
（第二電子輸送剤）
第二電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ジイミド系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸及びジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ジフェノキノン系化合物、アゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物及びジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。第二電子輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４８】
転写メモリーの発生を抑制するためには、第二電子輸送剤は、下記一般式（５−２）又は（１−２）で表される化合物を含むことが好ましい。以下、一般式（５−２）及び（１−２）で表される化合物を、各々、化合物（５−２）及び（１−２）と記載することがある。電荷輸送層は、第二電子輸送剤として、化合物（５−２）又は（１−２）を含有することが好ましい。電荷輸送層が第二正孔輸送剤に加えて第二電子輸送剤を含有すると、電荷輸送層の結晶化が発生し易くなる。しかし、第二電子輸送剤として化合物（５−２）又は（１−２）が含有されることで、電荷輸送層の結晶化を抑制しつつ、転写メモリーの発生を抑制することができる。
【０１４９】
【化２５】
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【０１５０】
一般式（５−２）中、Ｑ106及びＱ107は、各々独立して、１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい、ベンゾイル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基；１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１以上８以下のアルキル基；及び１つ以上のハロゲン原子を有してもよい炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表す。Ｑ106及びＱ107のうち少なくとも一方が、１つ以上のハロゲン原子を有する。
【０１５１】
一般式（５−２）中のＱ106及びＱ107は、各々、一般式（５−１）中のＱ6及びＱ7と同義である。一般式（５−２）中のＱ106及びＱ107の好適な例は、各々、一般式（５−１）中のＱ6及びＱ7の好適な例と同じである。化合物（５−２）の好適な例は、化合物（５−１）の好適な例と同じである。なお、化合物（５−２）は、実施例に記載の方法又はその代替法によって製造することができる。
【０１５２】
【化２６】
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【０１５３】
一般式（１−２）中、Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103及びＲ104は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を有してもよい炭素原子数３以上８以下のシクロアルキル基を表す。
【０１５４】
一般式（１−２）中のＲ101、Ｒ102、Ｒ103及びＲ104は、各々、一般式（１−１）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4と同義である。一般式（１−２）中のＲ101、Ｒ102、Ｒ103及びＲ104の好適な例は、各々、一般式（１−１）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の好適な例と同じである。化合物（１−２）の好適な例は、化合物（１−１）の好適な例と同じである。
【０１５５】
電荷輸送層は、第二電子輸送剤として、化合物（５−２）及び（１−２）の１種を単独で含有してもよく、２種以上を組み合わせて含有してもよい。電荷輸送層は、第二電子輸送剤として、化合物（５−２）又は（１−２）のみを含有してもよい。化合物（５−２）又は（１−２）の含有率は、第二電子輸送剤の質量に対して、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、１００質量％であることが特に好ましい。第二電子輸送剤の含有量は、第二バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。
【０１５６】
（第二正孔輸送剤）
第二正孔輸送剤の好適な例は、第一正孔輸送剤の好適な例と同じである。第二正孔輸送剤は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。第二正孔輸送剤は、第一正孔輸送剤と同じであってもよく、異なっていてもよい。第二正孔輸送剤の含有量は、第二バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。
【０１５７】
（第二バインダー樹脂）
第二バインダー樹脂の例は、第一バインダー樹脂の例及び好適な例と同じである。第二バインダー樹脂は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。第二バインダー樹脂は、第一バインダー樹脂と同じであってもよいし、異なっていてもよい。電荷輸送層に含有される第二バインダー樹脂は、電荷発生層に含有される第一バインダー樹脂とは異なることが好ましい。感光体の製造では、例えば、導電性基体の上に電荷輸送層が形成され、電荷輸送層の上に電荷発生層が形成される。その際に、電荷輸送層の上に、電荷発生層用塗布液が塗布される。そのため、電荷輸送層は、電荷発生層用塗布液の溶剤に溶解しないことが好ましいからである。第一バインダー樹脂がポリカーボネート樹脂である場合、第二バインダー樹脂としてはポリスチレンが好ましい。
【０１５８】
転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（１２）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（５−２）を含有することが好ましい。同じ理由から、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（１２）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（ＥＴ５−１）、（ＥＴ５−２）又は（ＥＴ５−３）を含有することが好ましい。同じ理由から、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（５−２）を含有することが好ましい。同じ理由から、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（ＥＴ５−１）、（ＥＴ５−２）又は（ＥＴ５−３）を含有することが好ましい。
【０１５９】
転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（１２）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（１−２）を含有することも好ましい。同じ理由から、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（１２）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（ＥＴ１−３）又は（ＥＴ１−１２）を含有することが好ましい。同じ理由から、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（１−２）を含有することが好ましい。同じ理由から、電荷輸送層が、第二正孔輸送剤として化合物（ＨＴ１）を含有し、第二電子輸送剤として化合物（ＥＴ１−３）又は（ＥＴ１−１２）を含有することが好ましい。
【０１６０】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることが好ましい。
第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（３）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（１−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（２）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（１−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；又は
第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（３）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（５）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）である。
【０１６１】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることがより好ましい。第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（３）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（５）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）である。
【０１６２】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることが好ましい。
第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（３）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（１−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（２）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（１−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；又は
第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（３）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（５）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）である。
【０１６３】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることがより好ましい。第一電子輸送剤が化合物（１−１）及び化合物（３）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（５）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）である。
【０１６４】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることが好ましい。
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−１）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）、化合物（ＥＴ２−４）及び化合物（ＥＴ３−１）の３種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；又は
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）である。
【０１６５】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることがより好ましい。
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−１）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）であるか；又は
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（１２）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（１２）である。
【０１６６】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることが好ましい。
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）及び化合物（ＥＴ２−４）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−１）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）、化合物（ＥＴ２−４）及び化合物（ＥＴ３−１）の３種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；又は
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−１２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）である。
【０１６７】
電荷発生層の結晶化、電荷輸送層の結晶化及び転写メモリーの発生を好適に抑制するためには、電荷発生層に含有される第一電子輸送剤及び第一正孔輸送剤、並びに電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤及び第二正孔輸送剤が、次に示す組み合わせであることがより好ましい。
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−１）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−２）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であるか；又は
第一電子輸送剤が化合物（ＥＴ１−３）及び化合物（ＥＴ３−１）の２種であり、第一正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）であり、第二電子輸送剤が化合物（ＥＴ５−３）であり、第二正孔輸送剤が化合物（ＨＴ１）である。
【０１６８】
電荷輸送層において、第二正孔輸送剤の質量（ＭHTM2）に対する、第二電子輸送剤の合計質量（ＭETM2）の比率（ＭETM2／ＭHTM2）は、０．９０以上１．１０以下であることが好ましく、０．９５以上１．０５以下であることがより好ましく、１．００であることが更に好ましい。電荷輸送層において、第二バインダー樹脂の質量（ＭRESIN2）に対する第二電子輸送剤の合計質量（ＭETM2）の比率（ＭETM2／ＭRESIN2）は、０．３０以上０．５０以下であることが好ましく、０．３５以上０．４５以下であることがより好ましく、０．４０であることが更に好ましい。電荷輸送層の質量（ＭCTL）に対する第二電子輸送剤の合計質量（ＭETM2）の比率（ＭETM2／ＭCTL）は、０．２０以上０．２５以下であることが好ましく、０．２１以上０．２３以下であることがより好ましく、０．２２であることが更に好ましい。電荷輸送層の質量（ＭCTL）に対する第二バインダー樹脂の質量（ＭRESIN2）の比率（ＭRESIN2／ＭCTL）は、０．５０以上０．６０以下であることが好ましく、０．５５以上０．５７以下であることがより好ましく、０．５６であることが更に好ましい。なお、電荷輸送層の質量（ＭCTL）は、電荷輸送層に含まれる全ての材料の質量の和である。例えば、電荷輸送層が第二電子輸送剤と第二正孔輸送剤と第二バインダー樹脂とを含む場合には、電荷輸送層の質量（ＭCTL）は、第二電子輸送剤の質量と、第二正孔輸送剤の質量と、第二バインダー樹脂の質量との和である。
【０１６９】
＜１−４．中間層＞
中間層（下引き層）は、例えば、無機粒子及び中間層に用いられる樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層が存在することにより、リーク発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、抵抗の上昇が抑えられると考えられる。
【０１７０】
無機粒子としては、例えば、金属（例えば、アルミニウム、鉄又は銅）、金属酸化物（例えば、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ又は酸化亜鉛）の粒子及び非金属酸化物（例えば、シリカ）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１７１】
中間層用樹脂としては、中間層を形成する樹脂として用いることができる限り、特に限定されない。中間層は、添加剤を含有してもよい。
【０１７２】
＜１−５．感光体の製造方法＞
感光体は、例えば、以下のように製造される。まず、電荷輸送層用塗布液及び電荷発生層用塗布液を調製する。電荷輸送層用塗布液を導電性基体に塗布し、乾燥することによって、電荷輸送層を形成する。続いて、電荷発生層用塗布液を電荷輸送層に塗布し、乾燥することによって、電荷発生層を形成する。これにより、感光体が製造される。
【０１７３】
電荷輸送層用塗布液は、第二正孔輸送剤、第二バインダー樹脂及び必要に応じて添加される成分（例えば、添加剤）を、溶剤に溶解又は分散させることにより調製される。電荷発生層用塗布液は、電荷発生剤、第一電子輸送剤、第一正孔輸送剤、第一バインダー樹脂及び必要に応じて添加される成分（例えば、添加剤）を、溶剤に溶解又は分散させることにより調製される。
【０１７４】
塗布液（電荷輸送層用塗布液又は電荷発生層用塗布液）に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できる限り、特に限定されない。溶剤の例としては、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール又はブタノール）、脂肪族炭化水素（例えば、ｎ−ヘキサン、オクタン又はシクロヘキサン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン又はキシレン）、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素又はクロロベンゼン）、エーテル類（例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテル）、ケトン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノン）、エステル類（例えば、酢酸エチル又は酢酸メチル）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。感光体の製造時の作業性を向上させるためには、溶剤として非ハロゲン溶剤（ハロゲン化炭化水素以外の溶剤）を用いることが好ましい。
【０１７５】
塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー又は超音波分散機を用いることができる。
【０１７６】
塗布液（電荷輸送層用塗布液又は電荷発生層用塗布液）は、各成分の分散性を向上させるために、例えば、界面活性剤を含有してもよい。
【０１７７】
塗布液（電荷輸送層用塗布液又は電荷発生層用塗布液）を塗布する方法としては、塗布液を導電性基体に均一に塗布できる方法である限り、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法及びバーコート法が挙げられる。
【０１７８】
塗布液（電荷輸送層用塗布液又は電荷発生層用塗布液）を乾燥する方法としては、塗布液中の溶剤を蒸発させ得る限り、特に限定されない。例えば、高温乾燥機又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。
【０１７９】
なお、感光体の製造方法は、必要に応じて、中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程の一方又は両方を更に含んでもよい。中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程では、公知の方法が適宜選択される。
【０１８０】
＜２．画像形成装置＞
以下、本実施形態に係る感光体を備える画像形成装置について説明する。画像形成装置は、本実施形態に係る感光体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。帯電部は、感光体の表面を正極性に帯電する。露光部は、帯電された感光体の表面を露光して、感光体の表面に静電潜像を形成する。現像部は、静電潜像にトナーを供給して、静電潜像をトナー像として現像する。転写部は、感光体から被転写体へトナー像を転写する。
【０１８１】
本実施形態に係る感光体は、感光層の結晶化の抑制及び転写メモリーの発生の抑制を両立させることができる。このような本実施形態に係る感光体を備えることで、画像形成装置は、形成画像において、転写メモリーに起因する画像ゴーストの発生を抑制することができる。
【０１８２】
以下、本実施形態に係る感光体を備える画像形成装置の一態様として、タンデム方式で且つ中間転写方式のカラー画像形成装置を例に挙げて、図４を参照しながら説明する。
【０１８３】
画像形成装置１００は、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄと、中間転写ベルト５６と、二次転写部５８と、定着部５２とを備える。以下、区別する必要がない場合には、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄの各々を、画像形成ユニット４０と記載する。
【０１８４】
画像形成ユニット４０は、感光体３０と、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部とを備える。画像形成装置１００が中間転写方式を採用する場合、転写部は一次転写部５４及び二次転写部５８に相当する。画像形成ユニット４０の中央位置に、感光体３０が設けられる。感光体３０は、矢符方向（時計回り）に回転可能に設けられる。感光体３０の周囲には、感光体３０の回転方向の上流側から、帯電部４２、露光部４４、現像部４６及び一次転写部５４が記載された順に設けられる。
【０１８５】
なお、画像形成ユニット４０には、クリーニング部（不図示）及び除電部（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。画像形成ユニット４０にクリーニング部及び除電部が備えられる場合、感光体３０の周囲には、感光体３０の回転方向の上流側から、帯電部４２、露光部４４、現像部４６、一次転写部５４、クリーニング部及び除電部が記載された順に設けられる。
【０１８６】
帯電部４２は、感光体３０の表面３０ａ（具体的には周面、図５参照）を正極性に帯電する。帯電部４２は、非接触方式又は接触方式である。非接触方式の帯電部４２の例は、コロトロン帯電器又はスコロトロン帯電器である。接触方式の帯電部４２の例は、帯電ローラー又は帯電ブラシである。
【０１８７】
露光部４４は、帯電された感光体３０の表面３０ａを露光する。これにより、感光体３０の表面３０ａに静電潜像が形成される。静電潜像は、画像形成装置１００に入力された画像データに基づいて形成される。
【０１８８】
現像部４６は、感光体３０の表面３０ａに形成された静電潜像にトナーを供給する。これにより、静電潜像がトナー像として現像される。感光体３０は、トナー像を担持する像担持体に相当する。現像部４６の詳細については、後述する。
【０１８９】
転写部は、現像部４６によって現像されたトナー像を、感光体３０から被転写体へ転写する。画像形成装置１００が中間転写方式を採用する場合、転写部は、一次転写部５４及び二次転写部５８に相当する。画像形成装置１００が中間転写方式を採用する場合、被転写体は、中間転写ベルト５６及び記録媒体Ｐに相当する。一次転写部５４は、中間転写ベルト５６を介して一次転写バイアス（具体的には、トナーの帯電極性と逆極性を有するバイアス）を感光体３０に印加する。中間転写ベルト５６は、無端状のベルトである。中間転写ベルト５６は、矢符（反時計回り）方向に回転する。一次転写バイアスが印加されると、感光体３０と一次転写部５４との間で、感光体３０から中間転写ベルト５６の表面（感光体３０との接触面）へ、感光体３０の表面３０ａに形成されたトナー像が転写（一次転写）される。
【０１９０】
次いで、記録媒体Ｐが二次転写部５８と中間転写ベルト５６との間に搬送される。搬送された記録媒体Ｐに、二次転写部５８が二次転写バイアス（具体的には、トナー像と逆極性を有するバイアス）を印加する。その結果、中間転写ベルト５６の表面に一次転写されたトナー像は、二次転写部５８と中間転写ベルト５６との間で、中間転写ベルト５６の表面から記録媒体Ｐの表面（中間転写ベルト５６との接触面）に転写（二次転写）される。これにより、未定着のトナー像が記録媒体Ｐに転写される。
【０１９１】
画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々によって、中間転写ベルト５６の上に、複数色（例えば、ブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの４色）のトナー像が順に重ねられる。そして、中間転写ベルト５６の上に重ねられた複数色のトナー像は、二次転写部５８によって、記録媒体Ｐに一度に二次転写される。
【０１９２】
画像形成装置１００は、クリーニング部（不図示）を備えてもよい。クリーニング部の例は、クリーニングブレード又はクリーニングローラーである。感光体３０の電荷発生層３３の摩耗を低減させるためには、クリーニング部がクリーニングローラーであることが好ましい。但し、画像形成装置１００は、クリーニング部（不図示）を備えない設計とすることができる。つまり、画像形成装置１００は、クリーニング部を備えないクリーナーレス方式を採用することができる。感光体３０の電荷発生層３３の摩耗を低減させるためには、画像形成装置１００がクリーニングブレードを備えないことが好ましい。感光体３０の表面３０ａ（周面）は、現像部４６によって清掃（クリーニング）されてもよい。感光体３０の表面３０ａを清掃する現像部４６については後述する。
【０１９３】
画像形成装置１００は、除電部を備えない設計とすることができる。つまり、画像形成装置１００は、除電部を備えない除電レス方式を採用することができる。画像形成装置１００が中間転写方式及び除電レス方式を採用する場合、一次転写部５４によって、感光体３０の表面３０ａから中間転写ベルト５６の表面（感光体３０との接触面）に、トナー像が転写される。そして、感光体３０の表面３０ａにおけるトナー像が転写された領域は、除電されることなく帯電部４２によって再び帯電される。除電部を備えない除電レス方式の画像形成装置１００では、転写電流の影響が残り易く、転写メモリーが発生し易い。しかし、本実施形態の感光体３０によれば、既に述べたように転写メモリーを抑制することができる。そのため、画像形成装置１００が本実施形態の感光体３０を備えることにより、画像形成装置１００が除電部を備えない場合であっても、転写メモリーの発生を抑制することができる。
【０１９４】
定着部５２は、二次転写部５８によって記録媒体Ｐに二次転写された未定着のトナー像を、加熱及び／又は加圧する。定着部５２は、例えば、加熱ローラー及び／又は加圧ローラーである。トナー像を加熱及び／又は加圧することにより、記録媒体Ｐにトナー像が定着する。その結果、記録媒体Ｐに画像が形成される。
【０１９５】
（現像部）
現像部４６は、非磁性一成分現像方式を採用することができる。これにより、感光体３０の電荷発生層３３の摩耗を低減させることができる。以下、図５を参照して、非磁性一成分現像方式を採用する現像部４６について説明する。図５は、図４に示すＶ領域の拡大図である。
【０１９６】
現像部４６は、収容フレーム２１０と、供給ローラー２２０と、現像ローラー２３０と、規制ブレード４００とを備える。供給ローラー２２０及び現像ローラー２３０の軸方向（図５の紙面と直交する方向）の長さは、感光体３０の長さとほぼ同じである。
【０１９７】
収容フレーム２１０は、その内部に非磁性一成分現像剤を収容する。非磁性一成分現像剤は、トナーに相当する。トナーは磁性粉を含まない。収容フレーム２１０は、その内部に、供給ローラー２２０、現像ローラー２３０及び規制ブレード４００も収容する。収容フレーム２１０は、感光体３０と対向して配置される開口部２１１を有する。開口部２１１は、現像ローラー２３０の一部を、収容フレーム２１０の外部に露出させる。
【０１９８】
供給ローラー２２０は、収容フレーム２１０の内部に配置される。供給ローラー２２０は、現像ローラー２３０に対向して配置される。供給ローラー２２０は、供給ローラー軸部材２２１と、ローラー部２２２とを備える。供給ローラー軸部材２２１は、供給ローラー２２０の回転軸２２３方向に延びるように配置される。供給ローラー軸部材２２１は、収容フレーム２１０の軸支持部（不図示）に回転可能に支持される。供給ローラー２２０は、矢符方向（反時計回り）に回転可能である。ローラー部２２２は、供給ローラー軸部材２２１の外側に取り付けられる円筒状の部材である。
【０１９９】
供給ローラー２２０は、収容フレーム２１０の内部に収容された非磁性一成分現像剤であるトナーを、供給ローラー２２０の表面２２０ａ（周面）に保持する。詳しくは、ローラー部２２２は、供給ローラー軸部材２２１の回転にともなって、供給ローラー軸部材２２１と一体的に回転する。そして、ローラー部２２２は、収容フレーム２１０に収容されたトナーを、ローラー部２２２の外周面に保持する。ローラー部２２２の外周面は、供給ローラー２２０の表面２２０ａに相当する。供給ローラー２２０は、その表面２２０ａに保持したトナーを、現像ローラー２３０に供給する。
【０２００】
現像ローラー２３０は、感光体３０に対向して配置される。現像ローラー２３０は、収容フレーム２１０の開口部２１１を介して、感光体３０に対向して配置される。また、現像ローラー２３０は、供給ローラー２２０に対向して配置される。供給ローラー２２０は、現像ローラー２３０を介して、感光体３０に対向して配置される。
【０２０１】
現像ローラー２３０は、現像ローラー軸部材２３１と、ローラー部２３２とを備える。現像ローラー軸部材２３１は、現像ローラー２３０の回転軸２３３方向に延びるように配置される。現像ローラー軸部材２３１は、収容フレーム２１０の軸支持部（不図示）に回転可能に支持される。現像ローラー２３０は、矢符方向（反時計回り）に回転可能である。現像ローラー軸部材２３１は、１つ以上の磁石部（不図示）を有する。現像ローラー軸部材２３１が１つ以上の磁石部を有することで、規制ブレード４００と現像ローラー２３０の表面２３０ａとの間に所定の間隔が設けられる。ローラー部２３２は、現像ローラー軸部材２３１の外側に取り付けられる円筒状の部材である。ローラー部２３２は、現像ローラー軸部材２３１の回転にともなって、現像ローラー軸部材２３１と一体的に回転する。
【０２０２】
現像ローラー２３０は、供給ローラー２２０からトナーの供給を受ける。供給ローラー２２０から供給されたトナーは、現像ローラー２３０の表面２３０ａ（周面）にトナー層ＴＬとして保持される。トナー層ＴＬは、供給ローラー２２０から供給されたトナーを含む。現像ローラー２３０の表面２３０ａは、ローラー部２３２の表面に相当する。例えば、現像ローラー２３０の鏡像力によって、トナーが現像ローラー２３０の表面２３０ａに保持される。
【０２０３】
現像ローラー２３０の表面２３０ａに保持されたトナー層ＴＬの厚さは、規制ブレード４００によって規制される。トナー層ＴＬの厚さを規制するとは、トナー層ＴＬの厚さを所定の値に均一に調整することである。
【０２０４】
規制ブレード４００の形状は、板状である。規制ブレード４００は、一端４０１が収容フレーム２１０に固定され、他端４０２が自由端である。他端４０２（自由端）は、規制ブレード４００を構成する板状部材の外縁付近を現像ローラー２３０側と反対側に折り曲げて形成される。
【０２０５】
規制ブレード４００は、現像ローラー２３０の表面２３０ａに保持されるトナー層ＴＬに当接（具体的には、面接触）するように配置される。規制ブレード４００と現像ローラー２３０との間には、規制ニップＮ１が形成される。
【０２０６】
既に述べたように、現像ローラー軸部材２３１は、１つ以上の磁石部を有する。また、規制ブレード４００は、磁性を有する。更に、規制ブレード４００は、他端４０２側が現像ローラー２３０側に近づくように、撓み変形可能である。これにより、磁石部からの磁力により生じる付勢力によって、規制ブレード４００の他端４０２（自由端）側が現像ローラー２３０に向かうよう付勢される。そして、現像ローラー２３０の表面２３０ａに保持されるトナー層ＴＬに、規制ブレード４００が所定の圧力で当接する。これにより、現像ローラー２３０の表面２３０ａに保持されたトナー層ＴＬの厚さを、規制（所定の値に均一に調整する）ことができる。
【０２０７】
規制ブレード４００は、他端４０２側が現像ローラー２３０から離間する側に移動するように、撓み変形可能でもある。これにより、規制ブレード４００は、供給ローラー２２０から現像ローラー２３０に供給されたトナーを、規制ニップＮ１にスムーズに誘導することができる。
【０２０８】
トナー層ＴＬに含まれるトナーは、規制ブレード４００との当接によって摩擦され帯電する。規制ブレード４００は、トナー層ＴＬの厚さを規制するとともに、トナー層ＴＬに含まれるトナーを帯電させる。
【０２０９】
感光体３０は、例えば円筒形状を有する。感光体３０の回転軸３０１を中心に、感光体３０は矢符方向（時計回り）に回転可能である。感光体３０の回転軸３０１は、図５の紙面と直交する。
【０２１０】
トナー層ＴＬの厚さが規制ブレード４００によって規制された後、現像ローラー２３０は、その表面２３０ａに保持されたトナー層ＴＬに含まれるトナーを、感光体３０の表面３０ａ（周面）に形成された静電潜像に供給する。これにより、静電潜像がトナー像として現像される。現像ローラー２３０の表面２３０ａから感光体３０の表面３０ａにトナーを効率的に移動させるためには、現像バイアスを印加することが好ましい。以上、一成分現像方式を採用する現像部４６について説明した。
【０２１１】
次に、感光体３０の表面３０ａを清掃する現像部４６について説明する。現像部４６が感光体３０の表面３０ａを清掃することで、クリーニング部（特にクリーニングブレード）を備えない場合であっても、感光体３０の表面３０ａを清掃することができる。これにより、感光体３０の電荷発生層３３の摩耗を低減させつつ、感光体３０の表面３０ａを清掃することができる。
【０２１２】
現像部４６は、感光体３０の表面３０ａに残留する成分（以下、「残留成分」と記載することがある）を除去することができる。残留成分の一例は、トナー成分であり、より具体的には、トナー又は遊離した外添剤である。残留成分の別の例は、非トナー成分であり、より具体的には記録媒体Ｐの微小成分（例えば、紙粉）である。
【０２１３】
現像部４６が感光体３０の表面３０ａを効率的に清掃するためには、以下に示す条件（ａ）及び条件（ｂ）の一方又は両方を満たすことが好ましい。
条件（ａ）：接触現像方式を採用し、感光体３０と現像部４６との間に周速（回転速度）差が設けられる。
条件（ｂ）：感光体３０の表面電位と、現像バイアスの電位とが以下の数式（ｂ−１）及び数式（ｂ−２）を満たす。
０（Ｖ）＜現像バイアスの電位（Ｖ）＜感光体３０の未露光領域の表面電位（Ｖ）・・・（ｂ−１）
現像バイアスの電位（Ｖ）＞感光体３０の露光領域の表面電位（Ｖ）＞０（Ｖ）・・・（ｂ−２）
【０２１４】
条件（ａ）に示す接触現像方式を採用し、感光体３０と現像部４６（具体的には現像ローラー２３０）との間に周速差が設けられていると、感光体３０の表面３０ａは現像ローラー２３０と接触し、感光体３０の表面３０ａの付着成分が現像ローラー２３０との摩擦により除去される。現像ローラー２３０の周速は、感光体３０の周速よりも速いことが好ましい。
【０２１５】
条件（ｂ）では、現像方式が反転現像方式である場合を想定している。単層型感光体である感光体３０の電気特性を向上させるためには、トナーの帯電極性、感光体３０の未露光領域の表面電位、感光体３０の露光領域の表面電位及び現像バイアスの電位が何れも正極性であることが好ましい。なお、感光体３０の未露光領域の表面電位及び露光領域の表面電位は、一次転写部５４がトナー像を感光体３０から中間転写ベルト５６へ転写した後、帯電部４２が次周回の感光体３０の表面３０ａを帯電する前に測定される。
【０２１６】
条件（ｂ）の数式（ｂ−１）を満たすと、感光体３０に残留したトナー（以下、残留トナーと記載することがある）と感光体３０の未露光領域との間に作用する静電的斥力が、残留トナーと現像部４６（具体的には現像ローラー２３０）との間に作用する静電的斥力に比べ大きくなる。このため、感光体３０の未露光領域の残留トナーは、感光体３０の表面３０ａから現像ローラー２３０へ移動し、回収される。
【０２１７】
条件（ｂ）の数式（ｂ−２）を満たすと、残留トナーと感光体３０の露光領域との間に作用する静電的斥力が、残留トナーと現像ローラー２３０との間に作用する静電的斥力に比べ小さくなる。このため、感光体３０の露光領域の残留トナーは、感光体３０の表面３０ａに保持される。感光体３０の露光領域に保持されたトナーは、そのまま画像形成に使用される。
【０２１８】
以上、図４及び図５を参照して、本実施形態の感光体３０を備える画像形成装置１００の一例について説明した。なお、本実施形態の感光体３０を備える画像形成装置は、上述した画像形成装置１００に限定されない。例えば、画像形成装置は、モノクロ画像形成装置であってもよい。この場合、画像形成装置は、例えば画像形成ユニットを１つだけ備えていればよい。また、上述した画像形成装置１００はタンデム方式の画像形成装置であったが、画像形成装置は例えばロータリー方式を採用してもよい。また、上述した画像形成装置１００は中間転写方式の画像形成装置であったが、画像形成装置は例えば直接転写方式を採用してもよい。画像形成装置が直接転写方式を採用する場合、被転写体は、記録媒体に相当する。
【０２１９】
＜３．プロセスカートリッジ＞
引き続き、図４を参照して、本実施形態に係る感光体３０を備えるプロセスカートリッジの一例について説明する。プロセスカートリッジは、画像形成用のカートリッジである。プロセスカートリッジは、画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々に相当する。プロセスカートリッジは、本実施形態に係る感光体３０を備える。プロセスカートリッジは、感光体３０に加えて、帯電部４２、露光部４４、現像部４６及び転写部（一次転写部５４に相当）からなる群より選択される少なくとも１つを更に備えていてもよい。プロセスカートリッジには、クリーニング部（不図示）及び除電部（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。プロセスカートリッジは、クリーニングブレードを備えないことが好ましい。プロセスカートリッジには、除電レス方式が採用されていてもよい。プロセスカートリッジは、画像形成装置１００に対して着脱自在に設計される。そのため、プロセスカートリッジは取り扱いが容易であり、感光体３０の感度特性等が劣化した場合に、感光体３０を含めて容易かつ迅速に交換することができる。以上、図４を参照して、本実施形態の感光体３０を備えるプロセスカートリッジについて説明した。
【実施例】
【０２２０】
以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。しかし、本発明は実施例の範囲に何ら限定されない。
【０２２１】
＜電荷発生層を形成するための材料＞
感光体の電荷発生層を形成するための材料として、以下の電荷発生剤、第一正孔輸送剤、第一電子輸送剤及び第一バインダー樹脂を準備した。
【０２２２】
（電荷発生剤）
電荷発生剤として、実施形態で述べたＹ型チタニルフタロシアニンを準備した。チタニルフタロシアニンは、実施形態で述べた化学式（ＣＧ１）で表される化合物であった。また、このチタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．２°に主ピークを有し、２６．２℃にピークを有していなかった。このチタニルフタロシアニンは、ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃未満の範囲にピークを有さず、２７０℃以上４００℃以下の範囲に１つのピークを有していた。
【０２２３】
（第一正孔輸送剤）
第一正孔輸送剤として、実施形態で述べた化合物（ＨＴ１）を準備した。
【０２２４】
（第一電子輸送剤）
第一電子輸送剤として、実施形態で述べた化合物（ＥＴ１−３）、（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ２−４）及び（ＥＴ３−１）を準備した。第一電子輸送剤として、これら化合物のうちの２種又は３種を選択して使用した。使用した２種の第一電子輸送剤の各々を、第一電子輸送剤Ａ及び第一電子輸送剤Ｂと記載する。また、使用した３種の第一電子輸送剤の各々を、第一電子輸送剤Ａ、第一電子輸送剤Ｂ及び第一電子輸送剤Ｃと記載する。
【０２２５】
（第一バインダー樹脂）
電荷発生層を形成するための第一バインダー樹脂として、実施形態で述べたポリカーボネート樹脂（Ｒ−１）を準備した。ポリカーボネート樹脂（Ｒ−１）の粘度平均分子量は、３００００であった。
【０２２６】
＜電荷輸送層を形成するための材料＞
感光体の電荷輸送層を形成するための材料として、以下の第二正孔輸送剤、第二電子輸送剤及び第二バインダー樹脂を準備した。
【０２２７】
（第二正孔輸送剤）
第二正孔輸送剤として、実施形態で述べた化合物（ＨＴ１）を準備した。
【０２２８】
（第二バインダー樹脂）
第二バインダー樹脂として、ポリスチレン樹脂（ＰＳジャパン株式会社製「ＰＳＪ−ポリスチレン  ＨＩＰＳ」）を準備した。
【０２２９】
（第二電子輸送剤）
第二電子輸送剤として、実施形態で述べた化合物（ＥＴ１−３）、（ＥＴ１−１２）、（ＥＴ５−１）、（ＥＴ５−２）及び（ＥＴ５−３）を準備した。なお、化合物（ＥＴ５−１）、（ＥＴ５−２）及び（ＥＴ５−３）は、以下の方法で合成した。
【０２３０】
（化合物（ＥＴ５−１）の製造）
反応式（ｒ−４）で表される反応（以下、反応（ｒ−４）と記載することがある）に従って化合物（ＥＴ５−１）を製造した。
【０２３１】
【化２７】
2018105972.tif 000029
【０２３２】
反応（ｒ−４）では、化合物（Ｆ）（ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物）２．６８ｇ（１０ミリモル）と、化学式（１Ｇ）で表される化合物４．６４ｇ（２０ミリモル）と、ピコリン５０ｍＬとをフラスコに投入し、ピコリン溶液を調製した。フラスコ内容物の温度を１００℃に昇温し、１００℃に維持して４時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、イオン交換水をフラスコに投入し、クロロホルムで抽出した。有機層の溶媒（ピコリン）を除去し、残渣を得た。得られた残渣を展開溶媒としてクロロホルムを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。これにより、化合物（ＥＴ５−１）を得た。化合物（ＥＴ５−１）の収量は４．１６ｇであり、反応（ｒ−４）における化合物（Ｆ）からの化合物（ＥＴ５−１）の収率は６０モル％であった。
【０２３３】
（化合物（ＥＴ５−３）の製造）
以下の点を変更した以外は、化合物（ＥＴ５−１）の製造と同じの方法で、化合物（ＥＴ５−３）を製造した。化合物（ＥＴ５−３）の製造では、反応（ｒ−４）で使用した化合物（１Ｇ）（４．６４ｇ、２０ミリモル）を、化合物（５Ｇ）（３．８０ｇ、２０ミリモル）に変更した。なお、化合物（５Ｇ）は、下記化学式（５Ｇ）で表される。その結果、化合物（ＥＴ５−１）の代わりに、化合物（ＥＴ５−３）を得た。化合物（ＥＴ５−３）の収量は３．９８ｇであり、反応（ｒ−４）における化合物（Ｆ）からの化合物（ＥＴ５−３）の収率は６５モル％であった。
【０２３４】
【化２８】
2018105972.tif 000030
【０２３５】
（化合物（ＥＴ５−２）の製造）
反応式（ｒ’−１）、（ｒ’−２）及び（ｒ’−３）で表される反応（以下、それぞれ反応（ｒ’−１）、反応（ｒ’−２）、及び反応（ｒ’−３）と記載することがある）に従って化合物（ＥＴ５−２）を製造した。
【０２３６】
【化２９】
2018105972.tif 000031
【０２３７】
反応（ｒ’−１）では、化合物（１Ａ）３．４２ｇ（１０ミリモル）と、化合物（２Ｅ）１．３５ｇ（１０ミリモル）と、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１．３ｇ（１０ミリモル）と、ジオキサン５０ｍＬとをフラスコに投入し、ジオキサン溶液を調製した。フラスコ内容物の温度を１００℃に昇温し、１００℃に維持して２時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、ジオキサンを除去し、残渣を得た。展開溶媒として酢酸エチル／ヘキサン（体積比Ｖ／Ｖ＝１／２）を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより得られた残渣を精製した。これにより、化学式（２Ｃ’）で表される中間生成物（以下、化合物（２Ｃ’）と記載することがある）を得た。
【０２３８】
【化３０】
2018105972.tif 000032
【０２３９】
反応（ｒ’−２）では、化合物（２Ｃ’）と、トリフルオロ酢酸１５ｍＬとをフラスコに投入し、トリフルオロ酢酸溶液を調製した。化合物（２Ｃ’）は、反応（ｒ’−１）で得られた全量を反応（ｒ’−２）で使用した。フラスコ内容物の温度を８０℃に昇温し、８０℃に維持して２４時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、トリフルオロ酢酸を除去し、残渣を得た。展開溶媒として酢酸エチル／ヘキサン（体積比Ｖ／Ｖ＝１／４）を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより得られた残渣を精製した。これにより、化学式（２Ｄ’）で表される中間生成物（以下、化合物（２Ｄ’）と記載することがある）を得た。
【０２４０】
【化３１】
2018105972.tif 000033
【０２４１】
反応（ｒ’−３）では、化合物（２Ｄ’）と、化学式（２Ｂ）で表される化合物２．３２ｇ（１０ミリモル）と、ジイソプロピルエチルアミン１．３ｇ（１０ミリモル）と、ジオキサン５０ｍＬとをフラスコに投入し、ジオキサン溶液を調製した。フラスコ内容物の温度を１００℃に昇温し、１００℃に維持して２時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、ジオキサンを除去し、残渣を得た。展開溶媒として酢酸エチルを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより得られた残渣を精製した。これにより、化合物（ＥＴ５−２）を得た。化合物（ＥＴ５−２）の収量は２．６９ｇであり、反応（ｒ’−１）〜（ｒ’−３）における化合物（１Ａ）からの化合物（ＥＴ５−２）の収率は４５モル％であった。
【０２４２】
次に、プロトン核磁気共鳴分光計（日本分光株式会社製、３００ＭＨｚ）を用いて、製造した化合物（ＥＴ５−１）〜（ＥＴ５−３）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。溶媒としてＣＤＣｌ3を用いた。内部標準試料としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。これらのうち代表例として、（ＥＴ５−１）の化学シフト値を示す。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの化学シフト値により、（ＥＴ５−１）が得られていることを確認した。化合物（ＥＴ５−２）及び（ＥＴ５−３）も同じように、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの化学シフト値から、化合物（ＥＴ５−２）及び（ＥＴ５−３）が得られていることを確認した。
化合物（ＥＴ５−１）：1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ＝８．７０（ｄ，  ４Ｈ），  ７．６２−７．７５（ｍ，  ８Ｈ），  ７．３６−７．５５（ｍ，  ８Ｈ）．
【０２４３】
＜感光体の製造＞
電荷発生層及び電荷輸送層を形成するための材料を用いて、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）を製造した。
【０２４４】
（感光体（Ａ−１）の製造）
まず、電荷輸送層を形成した。詳しくは、容器内に、第二正孔輸送剤としての化合物（ＨＴ１）４０質量部、第二電子輸送剤としての化合物（ＥＴ１−３）、第二バインダー樹脂１００質量部及び溶剤としてのテトラヒドロフラン３００質量部を投入した。容器の内容物を、ボールミルを用いて１０時間混合して、溶剤に材料を溶解させた。これにより、電荷輸送層用塗布液を得た。ディップコート法を用いて、導電性基体（アルミニウム製のドラム状支持体、直径３０ｍｍ、全長２４７ｍｍ）に電荷輸送層用塗布液を塗布し、導電性基体上に塗布膜を形成した。塗布膜が形成された導電性基体を１００℃で３０分間乾燥させて、塗布膜からテトラヒドロフランを除去した。これにより、導電性基体の上に、電荷輸送層（膜厚２０μｍ）が形成された。
【０２４５】
次に、電荷発生層を形成した。詳しくは、電荷発生剤３質量部、第一正孔輸送剤としての化合物（ＨＴ１）５０質量部、第一電子輸送剤Ａとしての化合物（ＥＴ１−３）２５質量部、第一電子輸送剤Ｂとしての化合物（ＥＴ３−１）３０質量部、第一バインダー樹脂１００質量部及び溶剤としてのトルエン８００質量部を投入した。容器の内容物を、ボールミルを用いて５０時間混合して、溶剤に材料を分散させた。これにより、電荷発生層用塗布液を得た。ディップコート法を用いて、導電性基体の上に形成された電荷輸送層に、電荷発生層用塗布液を塗布し、電荷輸送層の上に塗布膜を形成した。塗布膜が形成された電荷輸送層を備える導電性基体を、１００℃で６０分間乾燥させた。これにより、塗布膜からトルエンを除去し、電荷輸送層の上に電荷発生層（膜厚１０μｍ）を形成した。その結果、感光体（Ａ−１）が得られた。
【０２４６】
（感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の製造）
下記（１）〜（７）の点を変更した以外は、感光体（Ａ−１）の製造と同じ方法で、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の各々を製造した。
（１）感光体（Ａ−１）の電荷輸送層の形成においては第二電子輸送剤として化合物（ＥＴ１−３）を添加したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−４）〜（Ｂ−６）の電荷輸送層の形成においては表１に示す種類の第二電子輸送剤を添加した。なお、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の電荷輸送層の形成においては第二電子輸送剤を添加しなかった。
（２）感光体（Ａ−１）の電荷発生層の形成においては第一電子輸送剤Ａとして化合物（ＥＴ１−３）を添加したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の電荷発生層の形成においては表２に示す種類の第一電子輸送剤Ａを添加した。
（３）感光体（Ａ−１）の電荷発生層の形成においては２５質量部の第一電子輸送剤Ａを添加したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の電荷発生層の形成においては表２に示す量（質量ＭETM1A）の第一電子輸送剤Ａを添加した。
（４）感光体（Ａ−１）の電荷発生層の形成においては第一電子輸送剤Ｂとして化合物（ＥＴ３−１）を添加したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−４）〜（Ｂ−６）の電荷発生層の形成においては表２に示す種類の第一電子輸送剤Ｂを添加した。なお、感光体（Ｂ−３）の電荷発生層の形成においては第一電子輸送剤Ｂを添加しなかった。
（５）感光体（Ａ−１）の電荷発生層の形成においては３０質量部の第一電子輸送剤Ｂを添加したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−４）〜（Ｂ−６）の電荷発生層の形成においては表２に示す量（質量ＭETM1B）の第一電子輸送剤Ｂを添加した。
（６）感光体（Ａ−８）の電荷発生層の形成においては、第一電子輸送剤Ａ及び第一電子輸送剤Ｂに加えて、表２に示す種類の第一電子輸送剤Ｃを表２に示す量（質量ＭETM1C）で添加した。
（７）感光体（Ａ−１）の電荷発生層の形成においては５０質量部の第一正孔輸送剤を添加したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の電荷発生層の形成においては表２に示す量（質量ＭHTM1）の第一正孔輸送剤を添加した。
【０２４７】
＜転写メモリー抑制の評価＞
製造した感光体（Ａ−１）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の各々に対して、転写メモリーの発生が抑制されているか否かを評価した。転写メモリーの発生が抑制されているか否かの評価は、温度２５℃且つ相対湿度４５％ＲＨの環境下で行った。
【０２４８】
まず、感光体を評価機に搭載した。評価機として、モノクロプリンター（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−１３００Ｄ」）から除電器及びクリーニングブレードを取り外した改造機を用いた。評価機は、非磁性一成分現像方式、除電レス方式及びクリーナーレス方式を採用していた。評価機の現像部は、供給ローラーと現像ローラーと規制ブレードとを備えていた。評価機の現像部は、感光体の表面を清掃する構成を有していた。転写部が印加する転写電流を、−１５μＡに設定した。感光体の回転速度は１５０ｍｍ／秒であった。また、評価機の現像部には、非磁性一成分現像剤を投入した。
【０２４９】
評価機を用いて、５０００枚の用紙（富士ゼロックス株式会社製「上質ＰＰＣ用紙」）に画像Ｉ（印字率４％のパターン画像）を連続して印刷した。続いて、画像ＩＩ及び画像ＩＩＩを含む評価用画像を１枚印刷した。画像ＩＩは、黒色（画像濃度１００％）の背景に、１個の白色（画像濃度０％）の円型パターンが現された画像であった。画像ＩＩは、感光体の１周目で形成される画像に相当していた。画像ＩＩＩは、全面ハーフトーン（画像濃度１２．５％）の画像であった。画像ＩＩＩは、感光体の２周目で形成される画像に相当していた。
【０２５０】
得られた画像ＩＩＩを肉眼で観察し、画像ＩＩに由来する画像ゴーストの有無を確認した。また、得られた画像ＩＩＩを、ルーペ（ＴＲＵＳＣＯ社製「ＴＬ−ＳＬ１０Ｋ」）を用いて倍率１０倍で観察し、画像ＩＩに由来する画像ゴーストの有無を確認した。なお、感光体に転写メモリーが発生すると、形成画像に画像ゴースト（特にネガゴースト）が発生する。画像ゴーストは、感光体の１周目で印刷された画像ＩＩの白色の円型パターンに対応する領域が、感光体の２周目で印刷された全面ハーフトーンの画像ＩＩＩにおいて黒く現れる画像不良である。画像ゴーストの確認結果に基づいて、下記の基準に従って、転写メモリーの発生が抑制されているか否かを評価した。評価結果を、表３に示す。なお、評価がＡ又はＢである感光体を、転写メモリーの発生が抑制されていると評価した。
【０２５１】
（転写メモリー抑制の評価基準）
評価Ａ：画像ゴーストが、肉眼観察でもルーペ観察でも全く確認されなかった。
評価Ｂ：画像ゴーストが、肉眼観察では確認されないが、ルーペ観察では確認された。
評価Ｃ：画像ゴーストが、肉眼観察で観察された。
【０２５２】
＜感光層の結晶化抑制の評価＞
製造した感光体（Ａ−１）〜（Ａ−９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の各々に対して、感光層の結晶化が抑制されているか否かを評価した。まず、感光体の表面の全域を肉眼で観察し、感光層における結晶化した部分の有無を確認した。また、感光体の表面の全域を、ルーペ（ＴＲＵＳＣＯ社製「ＴＬ−ＳＬ１０Ｋ」）を用いて倍率１０倍で観察し、感光層における結晶化した部分の有無を確認した。確認結果に基づいて、下記の基準に従って、感光層の結晶化が抑制されているか否かを評価した。評価結果を、表３に示す。なお、評価がＡである感光体を、感光層の結晶化が抑制されていると評価した。
【０２５３】
（結晶化抑制の評価基準）
評価Ａ：感光層に結晶化した部分が、肉眼観察でもルーペ観察でも確認されなかった。
評価Ｂ：感光層に結晶化した部分が、肉眼観察では確認されないが、ルーペ観察では確認された。
評価Ｃ：感光層に結晶化した部分が、肉眼観察で観察された。
【０２５４】
表１中、部、ＭHTM2、及びＭETM2は、各々、質量部、電荷輸送層に含有される第二正孔輸送剤の質量、及び電荷輸送層に含有される第二電子輸送剤の質量を示す。表１中、「ＭETM2／ＭHTM2」は、第二正孔輸送剤の質量（ＭHTM2、単位：質量部）に対する、第二電子輸送剤の質量（ＭETM2、単位：質量部）の比率を示す。表１中、「ＭETM2／ＭRESIN2」は、第二バインダー樹脂の質量（ＭRESIN2、単位：質量部）に対する、第二電子輸送剤の質量（ＭETM2、単位：質量部）の比率を示す。表１中、「ＭRESIN2／ＭCTL」は、電荷輸送層の質量（ＭCTL、単位：質量部）に対する、第二バインダー樹脂の質量（ＭRESIN2、単位：質量部）の比率を示す。表１中、「ＭETM2／ＭCTL」は、電荷輸送層の質量（ＭCTL、単位：質量部）に対する、第二電子輸送剤の質量（ＭETM2、単位：質量部）の比率を示す。なお、「ＭCTL」は、計算式「ＭCTL＝第二正孔輸送剤の質量ＭHTM2＋第二電子輸送剤の質量ＭETM2＋第二バインダー樹脂の質量ＭRESIN2」から算出される。
【０２５５】
表２中、部、及びＣＧＭは、各々、質量部、及び電荷発生剤を示す。表２中、ＭCGM、ＭETM1A、ＭETM1B、ＭETM1C、ＭHTM1、ＭRESIN1は、各々、電荷発生層に含有される、電荷発生剤の質量、第一電子輸送剤Ａの質量、第一電子輸送剤Ｂの質量、第一電子輸送剤Ｃの質量、第一正孔輸送剤の質量、及び第一バインダー樹脂の質量を示す。
【０２５６】
表２中、「ＭETM1／ＭHTM1」は、第一正孔輸送剤の質量（ＭHTM1、単位：質量部）に対する、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1、単位：質量部）の比率を示す。ＭETM1／ＭHTM1は、計算式「ＭETM1／ＭHTM1＝（第一電子輸送剤Ａの質量ＭETM1A＋第一電子輸送剤Ｂの質量ＭETM1B＋第一電子輸送剤Ｃの質量ＭETM1C）／第一正孔輸送剤の質量ＭHTM1」から算出される。比率ＭETM1／ＭHTM1が１．００より大きいとき、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量ＭETM1が第一正孔輸送剤の質量ＭHTM1よりも多いことを示す。
【０２５７】
表２中、「ＭETM1／ＭRESIN1」は、第一バインダー樹脂の質量（ＭRESIN1、単位：質量部）に対する、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1、単位：質量部）の比率を示す。ＭETM1／ＭRESIN1は、計算式「ＭETM1／ＭRESIN1＝（第一電子輸送剤Ａの質量ＭETM1A＋第一電子輸送剤Ｂの質量ＭETM1B＋第一電子輸送剤Ｃの質量ＭETM1C）／第一バインダー樹脂の質量ＭRESIN1」から算出される。
【０２５８】
表２中、「ＭRESIN1／ＭCGL」は、電荷発生層の質量（ＭCGL、単位：質量部）に対する、第一バインダー樹脂の質量（ＭRESIN1、単位：質量部）の比率を示す。ＭRESIN1／ＭCGLは、計算式「ＭRESIN1／ＭCGL＝第一バインダー樹脂の質量ＭRESIN1／電荷発生層の質量ＭCGL」から算出される。なお、「ＭCGL」は、計算式「ＭCGL＝電荷発生剤の質量ＭCGM＋第一電子輸送剤Ａの質量ＭETM1A＋第一電子輸送剤Ｂの質量ＭETM1B＋第一電子輸送剤Ｃの質量ＭETM1C＋第一正孔輸送剤の質量ＭHTM1＋第一バインダー樹脂の質量ＭRESIN1」から算出される。
【０２５９】
表２中、「ＭETM1／ＭCGL」は、電荷発生層の質量（ＭCGL、単位：質量部）に対する、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量（ＭETM1、単位：質量部）の比率を示す。ＭETM1／ＭCGLは、計算式「ＭETM1／ＭCGL＝（第一電子輸送剤Ａの質量ＭETM1A＋第一電子輸送剤Ｂの質量ＭETM1B＋第一電子輸送剤Ｃの質量ＭETM1C）／電荷発生層の質量ＭCGL」から算出される。
【０２６０】
【表１】
2018105972.tif 000034
【０２６１】
【表２】
2018105972.tif 000035
【０２６２】
【表３】
2018105972.tif 000036
【０２６３】
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−９）は、導電性基体と、導電性基体の上に備えられる電荷輸送層と、電荷輸送層の上に備えられる電荷発生層とを備えていた。電荷発生層は、電荷発生剤と、第一正孔輸送剤と、第一電子輸送剤と、第一バインダー樹脂とを含有していた。第一電子輸送剤は、化合物（１−１）、化合物（２）、化合物（３）、化合物（４）及び化合物（５−１）のうちの２種以上を含んでいた。第一バインダー樹脂の質量に対する２種以上の第一電子輸送剤の合計質量の比率ＭETM1／ＭRESIN1は、０．４５以上であった。２種以上の第一電子輸送剤の合計質量ＭETM1は、第一正孔輸送剤の質量ＭHTM1よりも多かった。つまり、比率ＭETM1／ＭHTM1が１．００より大きかった。電荷輸送層は、第二正孔輸送剤と、第二電子輸送剤とを含有していた。そのため、表３から明らかなように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−９）では、転写メモリー抑制の評価がＡ又はＢであり、転写メモリーの発生が抑制されていた。また、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−９）では、結晶化抑制の評価がＡであり、感光層の結晶化も抑制されていた。
【０２６４】
一方、感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−２）の電荷輸送層は、第二電子輸送剤を含有していなかった。そのため、表３から明らかなように、感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−２）では、転写メモリー抑制の評価がＣあり、転写メモリーが発生していた。
【０２６５】
感光体（Ｂ−３）の電荷輸送層は、第二電子輸送剤を含有していなかった。また、感光体（Ｂ−３）の電荷発生層は、第一電子輸送剤として、化合物（１−１）、化合物（２）、化合物（３）、化合物（４）及び化合物（５−１）のうちの２種以上を含んでいなかった。そのため、表３から明らかなように、感光体（Ｂ−３）では、転写メモリー抑制の評価がＣあり、転写メモリーが発生していた。また、感光体（Ｂ−３）では、結晶化抑制の評価がＣであり、感光層の結晶化が抑制されていなかった。
【０２６６】
感光体（Ｂ−４）では、第一バインダー樹脂の質量に対する２種以上の第一電子輸送剤の合計質量の比率ＭETM1／ＭRESIN1が０．４５未満であった。また、感光体（Ｂ−４）では、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量ＭETM1が第一正孔輸送剤の質量ＭHTM1よりも多くなかった。つまり、比率ＭETM1／ＭHTM1が１．００以下であった。そのため、表３から明らかなように、感光体（Ｂ−４）では、転写メモリー抑制の評価がＣあり、転写メモリーが発生していた。
【０２６７】
感光体（Ｂ−５）では、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量ＭETM1が第一正孔輸送剤の質量ＭHTM1よりも多くなかった。つまり、比率ＭETM1／ＭHTM1が１．００以下であった。そのため、表３から明らかなように、感光体（Ｂ−５）では、転写メモリー抑制の評価がＣあり、転写メモリーが発生していた。
【０２６８】
感光体（Ｂ−６）では、２種以上の第一電子輸送剤の合計質量ＭETM1が第一正孔輸送剤の質量ＭHTM1よりも多くなかった。つまり、比率ＭETM1／ＭHTM1が１．００以下であった。そのため、表３から明らかなように、感光体（Ｂ−６）では、転写メモリー抑制の評価がＣあり、転写メモリーが発生していた。また、感光体（Ｂ−６）では、結晶化抑制の評価がＢであり、感光層の結晶化が抑制されていなかった。
【０２６９】
以上のことから、本発明に係る感光体は、感光層の結晶化の抑制及び転写メモリーの発生の抑制を両立できることが示された。また、本発明に係るプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、このような感光体を備えることで、形成画像において、転写メモリーに起因する画像ゴーストの発生を抑制できることが示された。
【産業上の利用可能性】
【０２７０】
本発明に係る感光体は、画像形成装置に利用することがきる。本発明に係るプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、記録媒体に画像を形成するために利用することができる。
【符号の説明】
【０２７１】
３０        正帯電積層型電子写真感光体
３０ａ      感光体の表面
３１        導電性基体
３２        電荷輸送層
３３        電荷発生層
４２        帯電部
４４        露光部
４６        現像部
５４        一次転写部
５６        中間転写ベルト
５８        二次転写部
１００      画像形成装置
２２０      供給ローラー
２２０ａ    供給ローラーの表面
２３０      現像ローラー
２３０ａ    現像ローラーの表面
４００      規制ブレード
ＴＬ        トナー層
Ｐ          記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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