(57)【要約】【課題】レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止することを目的とする。【解決手段】レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する方法であって、レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第１の照射角度に傾け、前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程と、前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動する工程と、前記基板からのレーザ光の反射光を測定する工程と、前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記レーザ照射ヘッドを前記第１の照射角度と異なる第２の照射角度に傾け、前記ベベル部にレーザ光を照射する工程と、を有する付着物除去方法が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する方法であって、
レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第１の照射角度に傾け、前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程と、
前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動する工程と、
前記基板からのレーザ光の反射光を測定する工程と、
前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記レーザ照射ヘッドを前記第１の照射角度と異なる第２の照射角度に傾け、前記ベベル部にレーザ光を照射する工程と、
を有する付着物除去方法。
【請求項２】
前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程では、
前記第１の照射角度を、前記基板の裏面に対して６０°〜８０°の範囲のいずれかの角度に制御する、
請求項１に記載の付着物除去方法。
【請求項３】
前記ベベル部にレーザ光を照射する工程では、
前記第２の照射角度を、前記基板の裏面に対して３５°〜５５°の範囲のいずれかの角度に制御する、
請求項１又は２に記載の付着物除去方法。
【請求項４】
前記ベベル部にレーザ光を照射する工程では、
前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部よりも外側に退避させた後、前記レーザ照射ヘッドを前記２の照射角度に傾ける、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の付着物除去方法。
【請求項５】
前記ベベル部にレーザ光を照射する工程では、
測定した前記レーザ光の反射光が予め定められた閾値を超えている場合、前記レーザ照射ヘッドを前記２の照射角度に傾ける、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の付着物除去方法。
【請求項６】
レーザ光を照射するレーザ照射ヘッドと、前記レーザ照射ヘッドの水平移動と照射角度とを調整可能なヘッド調整機構と、前記ヘッド調整機構を制御する制御部とを有し、前記レーザ照射ヘッドからレーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去するベベルエッチング装置であって、
前記制御部は、
前記ヘッド調整機構を制御して前記レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第１の照射角度に傾け、前記レーザ照射ヘッドから前記基板の裏面にレーザ光を照射させ、
前記ヘッド調整機構を制御して前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動させ、
前記基板からのレーザ光の反射光を測定し、
前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記ヘッド調整機構を制御して前記レーザ照射ヘッドを前記第１の照射角度と異なる第２の照射角度に傾け、前記レーザ照射ヘッドから前記ベベル部にレーザ光を照射させる、
ベベルエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、付着物除去方法及びベベルエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）のベベル部（ウェハ端部の面取りされた部分）や裏面に付着したベベル／バックサイドポリマーは、デバイスの表面を汚染したり、製品の歩留まりに影響を与えたりする。そこで、ウェハのベベル部にレーザ光を照射し、ベベル／バックサイドポリマーを除去することが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
また、被照射物による反射光が戻り光として半導体レーザに再入射し、この戻り光によって半導体レーザが劣化又は破損することが知られている。この対策として、レーザ光を被照射物に対して斜めに照射することが知られている（例えば、特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２３３０６４号公報
【特許文献２】特開２００１−２５２７７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、レーザ光をウェハ裏面に対して斜めに照射しても、戻り光の大小によっては半導体レーザが破損してしまう場合がある。すなわち、ウェハのように水平部（ウェハの裏面）と傾斜部（ベベル部）とを有する物体にレーザを照射した場合、ウェハ裏面に対しては戻り光が発生しない又は戻り光の光量が少なく問題にならない角度に照射角度を設定したとしても、ベベル部において戻り光の光量が多くなり、レーザ発振器を破損する場合がある。
【０００６】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する方法であって、レーザ照射ヘッドを前記基板の裏面に対して第１の照射角度に傾け、前記基板の裏面にレーザ光を照射する工程と、前記レーザ照射ヘッドを前記ベベル部に向けて水平移動する工程と、前記基板からのレーザ光の反射光を測定する工程と、前記レーザ光の反射光を測定した結果に基づき、前記レーザ照射ヘッドを前記第１の照射角度と異なる第２の照射角度に傾け、前記ベベル部にレーザ光を照射する工程と、を有する付着物除去方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一の側面によれば、レーザ光を照射して基板の裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係るベベルエッチング装置の一例を示す図。
【図２】一実施形態に係るレーザ発振器への戻り光を説明するための図。
【図３】一実施形態に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャート。
【図４】一実施形態に係る付着物除去処理を説明するための図。
【図５】一実施形態に係るレーザ発振器への戻り光の一例を示す図。
【図６】一実施形態の変形例１に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャート。
【図７】一実施形態の変形例１に係る付着物除去処理を説明するための図。
【図８】一実施形態の変形例２に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
（はじめに）
半導体集積回路の製造では、ウェハに対してプラズマエッチングが行われると、プラズマ中で発生するラジカルやイオンがウェハの裏面の水平部やベベル部（ウェハの端部の傾斜部）に回り込み、ポリマーがウェハの裏面やベベル部に付着する。この付着物は、ベベル／バックサイドポリマー（Ｂｅｖｅｌ／Ｂａｃｋｓｉｄｅ  Ｐｏｌｙｍｅｒ、以下、「ＢＳＰ」という）といわれる。ＢＳＰは、半導体集積回路に対してデバイスの表面を汚染したり、製品の歩留まりに影響を与えたりするため除去することが好ましい。そこで、以下に説明するベベルエッチング装置１は、レーザ光とオゾンガスを用いた熱処理によりＢＳＰを除去する。
【００１２】
［ベベルエッチング装置の全体構成］
一実施形態に係るベベルエッチング装置１の一例について、図１を参照しながら説明する。図１には、ウェハＷの裏面及びベベル部にＢＳＰ２が付着している様子が示されている。ベベルエッチング装置１は、レーザ照射ヘッド１８からレーザ光を照射してウェハＷの裏面及びベベル部に付着するＢＳＰ２を除去する。
【００１３】
図２に示す領域Ａは、ウェハＷの末端部から概ね０．５ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲に形成されたベベル部の領域であり、所定の傾斜を有する。図２に示す領域Ｂは、べベル部から１０ｍｍ程度内側のウェハＷ裏面のエッジ部の領域であり、フラットな形状を有する。ベベルエッチング装置１は、主に領域Ａ及び領域Ｂに付着したＢＳＰを除去する。
【００１４】
図１に戻り、ベベルエッチング装置１は、ウェハＷを収容するチャンバ１１を備えている。チャンバ１１の内部には、ウェハＷを回転可能にかつ水平に保持するスピンチャック１２が設けられている。スピンチャック１２は、チャンバ１１の下方に設けられたモータ１３に接続されている。スピンチャック１２は、例えば真空吸着によりウェハＷを保持した状態でウェハＷを回転させる。
【００１５】
チャンバ１１の内部には、ウェハＷの周縁部に対応する位置にＢＳＰ除去部１４が設けられている。ＢＳＰ除去部１４には、ウェハＷの周縁部が回転しながら通過するように切り欠き部１６が設けられている。切り欠き部１６の下方部分には、レーザ照射ヘッド１８が設けられている。レーザ照射ヘッド１８は、光ファイバ１５によりレーザ発振器３０に接続されている。
【００１６】
図２に示すように、レーザ発振器３０は、レーザダイオード３７とモニタダイオード３６とを有する。レーザダイオード３７は、レーザダイオード３７に流す電流値によって所定の光量に制御されたレーザ光を出射する。出射されたレーザ光は、光ファイバ１５を介してレーザ照射ヘッド１８から出射され、ウェハＷの裏面やベベル部に照射される。レーザ光の少なくとも一部は、ウェハＷで反射してレーザダイオード３７に戻ってくる。レーザ発振器３０は、レーザダイオード３７に戻った戻り光によってダメージを受け、破損する場合がある。
【００１７】
そこで、本実施形態では、モニタダイオード３６は、ウェハＷにて反射したレーザ光の反射光に対応するレーザダイオード３７の漏れ光（散乱光）を検出する。図１の制御装置５０のモニタ部５１は、モニタダイオード３６が検出した漏れ光をモニタする。制御部５２は、漏れ光の検出値からレーザ光の反射光を測定する。測定の結果、レーザ光の反射光が予め定められた閾値を超えた場合、ヘッド調整機構１７を制御してレーザ照射ヘッド１８の角度を変えて、レーザ光を照射させることで、レーザダイオード３７への戻り光を減らすことができる。これにより、レーザ光発振器３０の破損を防止できる。
【００１８】
レーザ照射ヘッド１８は、ヘッド調整機構１７により水平移動と照射角度とを調整可能になっている。つまり、ヘッド調整機構１７によりレーザ照射ヘッド１８を水平方向に移動させることで、レーザ発振器３０から出力されたレーザ光をウェハＷの裏面やベベル部に照射する。また、ヘッド調整機構１７によりレーザ照射ヘッド１８の角度を制御することで、レーザ光のウェハＷへの照射角度が変わる。
【００１９】
ＢＳＰ除去部１４には、ＢＳＰ２にオゾンガスを吐出するオゾンガス吐出ノズル２０と、オゾンガスをほぼ１００％吸引するオゾンガス吸引ノズル１９とが設けられている。オゾンガス吐出ノズル２０はオゾンガスを供給する供給ライン（配管）２１を介してオゾンガス発生器２２に接続されている。オゾンガス発生器２２から出力されたオゾンガスは、供給ライン２１を介してオゾンガス吐出ノズル２０からチャンバ１１内に導入される。オゾンガス吸引ノズル１９には、主にオゾンガスを排気する排気流路を構成する排気配管３１が接続されている。排気配管３１は、工場酸排気配管（図示せず）に接続されている。排気配管３１には、オゾンガスを分解するオゾンキラー４１が接続されている。
【００２０】
チャンバ１１の上部には大気を吸引してチャンバ１１の内部に取り入れるためのファン３２と、ファン３２により吸引された大気のパーティクルを除去するフィルタ３３とが設けられている。
【００２１】
チャンバ１１の底部には、排気口３４が設けられている。ファン３２によりフィルタ３３を介してチャンバ１１内に大気が取り込まれ、排気口３４から排気されることによりチャンバ１１内に清浄空気のダウンフローが形成されるようになっている。排気口３４には排気配管３５が接続されており、排気配管３５は工場酸排気配管に接続されている。
【００２２】
チャンバ１１の側壁には、ウェハ搬入出口１１ａが設けられており、ウェハ搬入出口１１ａはゲートバルブ２３により開閉可能となっている。ゲートバルブ２３は、弁体２４と弁体２４を開閉するエアシリンダ２６とを有している。弁体２４を閉じたとき、弁体２４とチャンバ１１との間はシールリング２５によりシールされるようになっている。
【００２３】
ベベルエッチング装置１は、制御装置５０を有する。制御装置５０は、ベベルエッチング装置１の全体を制御する。制御装置５０は、モニタ部５１、制御部５２、記憶部５３及び入出力Ｉ／Ｆ（インターフェース）部５４を有する。モニタ部５１は、モニタダイオード３６の検出値を所定期間毎に取得し、モニタリングする。
【００２４】
制御部５２は、レーザ照射ヘッド１８をウェハＷの裏面に対して第１の照射角度に傾けるようにヘッド調整機構１７を制御し、レーザ照射ヘッド１８からウェハＷの裏面にレーザ光を照射させる。例えば、図２の位置ａにおいて、レーザ照射ヘッド１８からウェハＷの裏面にレーザ光が照射されている。これにより、第１の照射角度に応じてレーザ光が照射された範囲にて、ウェハＷの裏面に付着したＢＳＰを除去することができる。
【００２５】
制御部５２は、レーザ照射ヘッド１８をベベル部に向けて水平移動させるようにヘッド調整機構１７を制御する。これにより、レーザ照射ヘッド１８は、ウェハＷの裏面とベベル部とを移動しながら、レーザ光を照射することができる。
【００２６】
制御部５２は、ウェハＷからのレーザ光の反射光を測定した結果に基づき、レーザ照射ヘッド１８を第１の照射角度と異なる第２の照射角度に傾けるようにヘッド調整機構１７を制御し、ベベル部にレーザ光を照射させる。制御部５２は、測定したレーザ光の反射光が閾値を超えた場合、ヘッド調整機構１７を制御してレーザ照射ヘッド１８の角度を変える。
【００２７】
例えば、レーザ照射ヘッド１８が図２の位置ａから位置ｂに水平移動したとき、測定したレーザ光の反射光が閾値を超えた場合、制御部５２は、レーザ照射ヘッド１８の角度を第１の照射角度から第２の照射角度に変える。第２の照射角度に傾けた状態でベベル部にレーザ光を照射することでレーザダイオード３７に戻る戻り光を減らし、レーザ発振器３０の破損を防止できる。
【００２８】
図１に戻り、制御部５２は、入出力Ｉ／Ｆ部５４に接続され、入出力Ｉ／Ｆ部５４を介してキーボード６２、ディスプレイ６０及びスピーカ６１と接続される。オペレータは、キーボード６２を用いてベベルエッチング装置１を管理するためのコマンド等の入力操作を行う。ディスプレイ６０には、所定の情報が表示される。
【００２９】
記憶部５３には、本実施形態に係る付着物除去方法を実行するためのプログラムやレシピが格納されている。閾値は、レーザ発振器３０の破損が防止できる値に予め設定され、記憶部５３に記憶されている。
【００３０】
制御装置５０は、マイクロプロセッサ、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等を有する。制御部５２の機能は、マイクロプロセッサによって実現される。記憶部５３の機能は、ＲＯＭ又はＲＡＭによって実現される。マイクロプロセッサは、ＲＯＭ等の記憶領域に格納されたレシピに従って、オゾンガスの供給、レーザ光の強度等を制御し、ＢＳＰの付着物除去方法を実行する。なお、制御部５２の機能は、ソフトウエアを用いて実現されてもよく、ハードウエアを用いて実現されてもよい。
【００３１】
［付着物除去処理］
次に、一実施形態に係る付着物除去処理の一例について、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施形態に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図３に示す処理が開始されると、制御部５２は、ヘッド調整機構１７を制御してウェハＷ裏面のエッジ部の領域Ｂにレーザ照射ヘッド１８を移動させる（ステップＳ１０）。
【００３２】
次に、制御部５２はヘッド調整機構１７を制御してレーザ照射ヘッド１８を第１の照射角度に制御し、レーザ光をウェハＷ裏面のエッジ部の領域Ｂに照射する（ステップＳ１２）。これにより、例えば、図４に示すように、レーザ照射ヘッド１８の角度は、ウェハＷの裏面平坦部（領域Ｂ）の径方向に対して初期角度θ０＝９０°から第１の照射角度θ１＝７５°に傾けられる。ただし、第１の照射角度θ１は、７５°に限らず、６０°〜８０°の範囲のいずれかの角度に制御してもよい。
【００３３】
次に、制御部５２は、レーザ照射ヘッド１８をベベル部へ向けて水平移動させる（ステップＳ１４）。次に、制御部５２は、レーザ照射ヘッド１８がベベル部の領域Ａまで移動したかを判定する（ステップＳ１６）。制御部５２は、レーザ照射ヘッド１８がベベル部の領域Ａまで移動したと判定するまで、ステップＳ１４及びＳ１６の処理を繰り返す。
【００３４】
次に、制御部５２は、更にレーザ照射ヘッド１８を水平移動させる（ステップＳ２０）。制御部５２は、モニタダイオード３６が検出した、モニタダイオード３６の出力が、予め定められた閾値を超えたか否かを判定する（ステップＳ２２）。本実施形態では、モニタダイオード３６の出力が、予め定められた閾値を超えたか否かの判定は、レーザ光の反射光（戻り光）が閾値を超えたか否かの判定に相当する。つまり、モニタダイオード３６の出力は、レーザダイオード３７からの漏れ光の光量であり、レーザダイオード３７からの漏れ光は、レーザ光の反射光に比例する。したがって、モニタダイオード３６の出力が、予め定められた閾値を超えたか否かを判定することで、レーザ光の反射光が所定の閾値を超えたか否かを判定することができる。
【００３５】
制御部５２は、モニタダイオード３６の出力が、予め定められた閾値を超えていないと判定した場合、直ちにステップＳ２６に進む。一方、制御部５２は、モニタダイオード３６の出力が、予め定められた閾値を超えていると判定した場合、レーザ照射ヘッド１８を第１の照射角度と異なる第２の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Ａに照射する（ステップＳ２４）。これにより、例えば、図４に示すように、レーザ照射ヘッド１８の角度は、ウェハＷの裏面平坦部（領域Ｂ）の径方向に対して第１の照射角度θ１＝７５°と異なる第２の照射角度θ２＝４５°に傾けられる。ただし、第２の照射角度θ２は、４５°に限らず、３５°〜５５°の範囲のいずれかの角度に制御してもよい。
【００３６】
例えば、図５にモニタダイオード３６の出力値の一例が示されている。この例では、領域Ａおよび領域Ｂともに第１の照射角度により照射している。図２に示すエッジ部の領域Ｂでは、モニタダイオード３６の出力値は閾値よりも小さい。これに対して、ベベル部の領域Ａでは、領域Ｂでは発生しなかった戻り光が発生し、モニタダイオード３６の出力値は閾値を超える。よって、制御部５２は、ベベル部の領域Ａでは、レーザ照射ヘッド１８を第２の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Ａに照射する。これにより、モニタダイオード３６が検出する出力値が閾値よりも小さくなり、レーザ発振器３０の破損を防止できる。
【００３７】
このようにして、本実施形態では、レーザダイオード３７への戻り光の変化をモニタダイオード３６で検知する。これにより、戻り光が閾値を超えたときにレーザ照射ヘッド１８の角度を変化させることで、戻り光を少なくするように制御することができる。この結果、レーザ発振器３０の破損を防止できる。
【００３８】
［付着物除去処理（変形例１）］
次に、一実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例について、図６を参照しながら説明する。図６は、本実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図６に示す変形例に係る付着物除去処理のステップＳ１０〜Ｓ２６は、図３に示す本実施形態に係る付着物除去処理のステップＳ１０〜Ｓ２６と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３９】
本変形例では、ステップＳ２２おいて、制御部５２は、モニタダイオード３６の出力が、予め定められた閾値を超えていると判定した場合、ステップＳ３０の処理を実行した後、ステップＳ２４の処理を実行する。
【００４０】
ステップＳ３０では、制御部５２は、ヘッド調整機構１７を制御してレーザ照射ヘッド１８をベベル部よりも外側まで水平移動させる。これによれば、図７（ａ）に示すベベル部にレーザ照射ヘッド１８が位置するときにモニタダイオード３６の出力が、予め定められた閾値を超えていると判定した場合、図７（ｂ）に示すように、レーザ照射ヘッド１８はウェハＷの外側に退避される。その状態で、図７（ｃ）に示すように、レーザ照射ヘッド１８の角度を変化させ、図７（ｄ）に示すように、ベベル部へのレーザ光の照射が再開される。
【００４１】
これによれば、レーザ照射ヘッド１８の角度を変化させる間、レーザ光がベベル部に照射されない。これにより、レーザ照射ヘッド１８の角度を変化させる間のレーザ光の反射光が戻り光としてレーザダイオード３７に戻り、レーザ発振器３０がダメージを受けることを回避できる。特に、本変形例に係る付着物除去処理によれば、戻り光が多いときにより高い効果を得ることができる。
【００４２】
［付着物除去処理（変形例２）］
次に、一実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例について、図８を参照しながら説明する。図８は、本実施形態の変形例に係る付着物除去処理の一例を示すフローチャートである。図８に示す変形例に係る付着物除去処理のステップＳ１８およびＳ２４以外は、図３に示す本実施形態に係る付着物除去処理のステップＳ１０〜Ｓ２６と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４３】
本変形例では、ステップＳ１８おいて、予め第２の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Ａに照射する。
【００４４】
第２の照射角度による領域Ａへのレーザ光照射により、ステップＳ２２においてモニタダイオード３６の出力が予め定められた閾値を超えていると判定した場合、レーザ照射ヘッド１８を第２の照射角度と異なる第３の照射角度に制御し、レーザ光をベベル部の領域Ａに照射する（ステップＳ２４）。これにより、例えば、図４に示すように、レーザ照射ヘッド１８の角度は、ウェハＷに対して第２の照射角度θ２＝４５°と異なる第３の照射角度θ３＝３０°に傾けられる。第３の照射角度θ３は、第２の照射角度θ２と異なればよいので、第１の照射角度θ１と同じ角度に戻してもよい。
【００４５】
これによれば、領域Ａによる戻り光が少ないと想定される第２の照射角度に、レーザ照射ヘッド１８の角度を予め変化させているため、レーザ光の反射光が戻り光としてレーザダイオード３７に戻る可能性を低減させることができる。また、仮に戻り光が発生しても、ステップＳ２２およびステップＳ２４により、レーザ発振器３０がダメージを受けることを回避できる。
【００４６】
以上に説明したように、本実施形態及び変形例に係る付着物除去方法及びベベルエッチング装置１によれば、レーザ光を照射してウェハＷの裏面及びベベル部に付着する付着物を除去する際、レーザ発振器の破損を防止できる。
【００４７】
（おわりに）
以上、付着物除去方法及びベベルエッチング装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる付着物除去方法及びベベルエッチング装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００４８】
例えば、上記実施形態及び変形例では、モニタダイオード３６の出力が閾値を超えた場合、レーザ照射ヘッド１８の角度を変えた。しかし、これに限らず、モニタダイオード３６の出力が閾値を超えた場合、レーザ照射ヘッド１８の角度を変える間、レーザ発振器３０の出力を停止したり、レーザ発振器３０の出力を下げたりしてもよい。
【００４９】
また、レーザ照射ヘッド１８の角度は、上記実施形態及び変形例ではウェハＷの径方向に傾けたが、ウェハＷの回転方向に傾けてもよい。さらに、第１の照射角度をウェハＷの径方向とし、第２の照射角度をウェハＷの回転方向としてもよい。また、逆に第１の照射角度をウェハＷの回転方向とし、第２の照射角度をウェハＷの径方向としてもよい。これらの場合、ウェハＷの径方向における角度の大きさと、ウェハＷの回転方向における角度の大きさは、同じでも構わない。また、図８のステップＳ１８を、図６に示す変形例１において実施してもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１：ベベルエッチング装置
２：ＢＳＰ
１１：チャンバ
１１ａ：ウェハ搬入出口
１２：スピンチャック
１３：モータ
１４：ＢＳＰ除去部
１５：光ファイバ
１７：ヘッド調整機構
１８：レーザ照射ヘッド
２２：オゾンガス発生器
２３：ゲートバルブ２３
２４：弁体
２５：シールリング
２６：エアシリンダ
３０：レーザ発振器
３２：ファン
３３：フィルタ
３６：モニタダイオード
３７：レーザダイオード
５０：制御装置
５１：モニタ部
５２：制御部
５３：記憶部
５４：入出力Ｉ／Ｆ部
Ａ：ベベル部の領域
Ｂ：ウェハＷ裏面のエッジ部の領域
【図１】
2018012132.tif 000003
【図２】
2018012132.tif 000004
【図３】
2018012132.tif 000005
【図４】
2018012132.tif 000006
【図５】
2018012132.tif 000007
【図６】
2018012132.tif 000008
【図７】
2018012132.tif 000009
【図８】
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