(57)【要約】【課題】半導体ウェハや半導体パッケージ、とりわけ、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）におけるウェハないしパッケージの反りを低減できる半導体封止材を提供する。【解決手段】熱硬化性成分（Ａ）と、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とを少なくとも含む半導体用封止材であって、活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃中で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性成分（Ａ）と、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とを少なくとも含む半導体用封止材であって、
活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）であることを特徴とする、半導体用封止材。
【請求項２】
活性エネルギー線に晒されない環境下で、半導体用封止材を示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温させた際の発熱量β（Ｊ／ｇ）が、１≦β（Ｊ／ｇ）である、請求項１記載の半導体用封止材。
【請求項３】
活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を、活性エネルギー線に晒されない環境下で、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温させた際の発熱量γ（Ｊ／ｇ）が、１≦γ（Ｊ／ｇ）である、請求項１または２記載の半導体用封止材。
【請求項４】
液状、顆粒状、タブレット状、またはシート状のいずれかの形態にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用封止材。
【請求項５】
２層以上に積層されたシート状の半導体用封止材であって、各層の材料組成が互いに異なる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体用封止材。
【請求項６】
半導体チップの外周または一部の領域に接触して用いられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用封止剤。
【請求項７】
ファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用封止剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体封止材に関し、より詳細には、外部接続用電極の配置領域が半導体の平面サイズよりも大きいファンアウト（Fan-out）型のウェハレベルパッケージ用の半導体封止材に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体回路等の分野において小型化の要求が高まっており、その要求に応えるために半導体回路はそのチップサイズに近いパッケージ（Chip Size Package）に実装されることがある。チップサイズパッケージを実現する手段の一つとして、ウエハレベルで接合し断片化するウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package、以下、ＷＬＰと略す場合がある。）と呼ばれるパッケージ方法が提案されている。ＷＬＰは、低コスト化、小型化に寄与し得るため、注目されている。ＷＬＰは、電極が形成された回路基板上にフェースダウンで実装される。
【０００３】
ところで、半導体チップの小型化、高集積化に伴って、半導体チップの外部接続用の電極（端子、バンプ）の数は多くなる傾向にあり、そのため半導体チップの外部接続用の電極のピッチは小さくなる傾向にある。しかしながら、微細なピッチでバンプが形成された半導体チップを回路基板上に直接実装するのは必ずしも容易ではない。
【０００４】
上記のような課題に対して、半導体チップの外周または一部の領域に接触するように半導体用封止材の領域を形成し、電極に接続された再配線層を半導体用封止材の領域にも設けて、バンプのピッチを大きくすることが提案されている。このようなＷＬＰは、半導体チップのサイズに対してバンプの配置エリアのサイズが大きくなるため、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略す場合がある。）と称される。
【０００５】
ＦＯ−ＷＬＰでは、半導体チップが半導体用封止材により埋め込まれる。半導体チップの回路面は外側にむき出しとなり、半導体チップと半導体用封止材との境界が形成される。半導体チップを埋め込む半導体用封止材の領域にも、半導体チップの電極に接続された再配線層が設けられ、バンプが再配線層を介して半導体チップの電極に電気的に接続される。かかるバンプのピッチは、半導体チップの電極のピッチに対して大きく設定できるようになる。
【０００６】
また、半導体チップのみならず、複数の電子部品を１つのパッケージ内に収めたり、複数の半導体チップを半導体用封止材に埋め込み1つの半導体部品とすることも考えられる。このようなパッケージでは、複数の電子部品が半導体用封止材により埋め込まれる。複数の電子部品を埋め込む半導体用封止材には、電子部品の電極に接続された再配線層が設けられ、バンプが再配線層を介して電子部品の電極に電気的に接続される。この場合にも、半導体チップのサイズに対してバンプの配置エリアのサイズが大きくなるため、ＦＯ−ＷＬＰといえる。
【０００７】
このようなパッケージでは、一般的に支持体上に一定の間隔を設けて半導体チップや電子部品を配置し、半導体用封止材を用いて埋め込み、封止材を加熱硬化させた後に、支持体から剥離して擬似ウェハが作製される。続いて、擬似ウェハの半導体チップ回路面から拡張された半導体用封止材料領域にかけて、再配線層が形成される。このようにしてバンプのピッチは、半導体チップの電極のピッチに対して大きく設定できるようになる。
【０００８】
上記のように、ＷＬＰやＦＯ−ＷＬＰは異なる材料からなる層が積層された構造を有しているため、パッケージの形成工程において半導体ウェハや半導体チップに反りが発生することがあり生産性や品質に影響を及ぼすため、種々の対策が採られている。例えば、特許文献１には、ＷＬＰにおいて生産性の低下を招く擬似ウェハの反りを抑制できる液状封止樹脂組成物を用いて作製された半導体パッケージが開示されており、特許文献２には、反り量を抑制できる電子部品封止用樹脂シートが開示されている。
【０００９】
また、特許文献３〜５には、大口径で薄膜のウェハに対してもウェハを一括してモールド（ウェハモールド）できると同時に、モールド後においてウェハの反りを抑制できる良好なウェハ保護性能を有する、ＷＬＰに好適な樹脂組成物が開示されている。また、ウェハの反りを抑制するために支持体の厚みや無機フィラーの含有量を調整したり（特許文献６）、複数層を有する積層構造の封止材を用いることが試みられている（特許文献７、８）。
【００１０】
また、封止樹脂の硬さを調整して反りを抑制したり（特許文献９）、封止樹脂の貯蔵弾性率に着目し、反りの発生原因である半導体チップと封止材との熱膨張係数の差から生じる熱応力を緩和できるような樹脂封止材を用いることが提案されている（特許文献１０）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１２−２０９４５３号公報
【特許文献２】特開２０１４−３６０９７号公報
【特許文献３】特開２０１３−９５９１５号公報
【特許文献４】特開２０１５−５０４４７号公報
【特許文献５】特開２０１５−５０３９９号公報
【特許文献６】特開２０１５−９０９２６号公報
【特許文献７】特開２０１５−５３３４１号公報
【特許文献８】特開２０１４−１９７６７０号公報
【特許文献９】特開２０１５−５３４６９号公報
【特許文献１０】特開２０１５−８６３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、ＦＯ−ＷＬＰの擬似ウェハの形成工程では、その後に続く再配線形成工程のために、チップ回路面が半導体封止材からむき出しとなる。そのため、半導体チップと、チップ回路面の裏側に接した封止樹脂との熱膨張係数の違いから、チップ回路面側に凸となるように反る傾向がある。このような凸の反りは、その後の搬送工程での擬似ウェハの破損や再配線層形成でのパターニングの焦点ずれが生じる恐れがある。
【００１３】
一方、半導体チップの回路面側に再配線層を形成する工程では、絶縁層に相当する高分子膜の形成と現像に続く加熱処理によって、擬似ウェハに対して収縮する応力が働くため、上記とは逆に、チップ回路面側に凹となるように反る傾向がある。このような凹の反りは、その後の搬送工程での擬似ウエハの破損や、モールド樹脂へのマーキング等での焦点ずれや、半導体チップに加工された後の実装歩留まりが低下する恐れがある。
【００１４】
このように、ＷＬＰやＦＯ−ＷＬＰでは、封止材の材料に起因する反りの要因だけでなく、各封止工程や再配線層形成工程などの各加工工程においてパッケージに作用する収縮応力が異なるため、反りの量だけでなく反りの向きも考慮する必要がある。そのため、上記した先行特許文献で提案されている反り抑制や反り矯正の手法で対応するには限界があった。
【００１５】
したがって、本発明の目的は、半導体ウェハや半導体パッケージ、とりわけ、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）におけるウェハないしパッケージの反りを低減できる半導体封止材を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、上記のような課題に対して、熱硬化性成分と活性エネルギー線硬化性成分とを含む半導体用封止材において、各成分を硬化させる順序や硬化程度を熱や活性エネルギー線の量により調整して、各加工工程においてパッケージに作用する収縮応力とは逆の応力が作用するようにすることで、反りの向きや反りの量が各加工工程で異なる場合であっても、反りのない半導体パッケージを実現できるとことが分かった。そして、封止材を構成する樹脂組成物の光硬化時の発熱量や熱硬化時の発熱量を制御することによって、各加工工程においてパッケージに作用する収縮応力を適度に発生させて反りを矯正できるとの知見を得た。より具体的には、熱硬化性成分と活性エネルギー線硬化性成分とを含む半導体用封止材に１５０℃で１０分間の加熱処理を行い、熱硬化反応がある程度進行はしているが完全には熱硬化していない状態にしてＦＯ−ＷＬＰ等の擬似ウェハの予備成形しておき、その後の２５℃中で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の活性エネルギー線硬化反応を進行し易くすることにより、活性エネルギー線硬化性成分の硬化収縮を促進させ、予備成形した擬似ウェハ中に内在している反り応力を打ち消すように該硬化収縮による応力を作用させて反りを矯正することができることを見出した。本発明は係る知見によるものである。
【００１７】
本発明による半導体用封止材は、熱硬化性成分（Ａ）と、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とを少なくとも含む半導体用封止材であって、
活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）であることを特徴とする。
【００１８】
本発明による半導体封止材においては、活性エネルギー線に晒されない環境下で、半導体用封止材を示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１分当たり１０℃で昇温させた際の発熱量β（Ｊ／ｇ）、が１≦β（Ｊ／ｇ）であることが好ましい。
【００１９】
本発明による半導体封止材においては、活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を、活性エネルギー線に晒されない環境下で、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１分当たり１０℃で昇温させた際の発熱量γ（Ｊ／ｇ）、が１≦γ（Ｊ／ｇ）であることが好ましい。
【００２０】
本発明による半導体封止材においては、液状、顆粒状、タブレット状、またはシート状のいずれかの形態にあってもよい。
【００２１】
本発明による半導体封止材においては、２層以上に積層されたシート状の半導体用封止材であって、各層の材料組成が互いに異なるものであることが好ましい。
【００２２】
本発明による半導体封止材においては、半導体チップの外周または一部の領域に接触して用いられてもよい。
【００２３】
また、本発明による半導体封止材においては、ファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、半導体用封止材を用いて加熱により擬似ウェハをモールド形成した後、半導体用封止材の熱硬化後の収縮により半導体チップ回路面側が凸形成された場合は、半導体チップ回路面側から活性エネルギー線を照射することにより、各半導体チップの間に存在する半導体用封止材の体積収縮により擬似ウェハの反りを矯正することができる。一方、再配線形成工程においてチップ回路面側に凹となる反りが発生した場合は、上記とは逆の面に活性エネルギー線照射することにより、半導体チップ回路面とは反対側の半導体用封止材の体積収縮により反りを矯正することができる。さらに活性エネルギー線の照射量を調整することで反り矯正量も調整することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明による半導体封止材は、少なくとも２種の成分として熱硬化性成分（Ａ）と活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とを含み、活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃中で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）であることを特徴とする。本発明にように、さらに、加熱処理後、即ち、熱硬化性成分（Ａ）の硬化反応がある程度進行した後に活性エネルギー線照射を行った際の発熱量が、上記のように１Ｊ／ｇ以上であるような活性エネルギー線硬化性成分が含まれることにより、活性エネルギー線を照射した側の封止材中に含まれる活性エネルギー線硬化性成分の硬化収縮を促進させてそりの状態を変化させることができる。発熱量αは、より好ましくは２Ｊ／ｇ以上、さらに好ましくは３Ｊ／ｇ以上、特に好ましくは４Ｊ／ｇ以上である。発熱量αは大きい程、活性エネルギー線硬化性成分の硬化収縮を促進させることができるが、上限は概ね３００Ｊ／ｇである。
【００２６】
本明細書において、「１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃中で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α」とは、硬化させる前の半導体封止材組成物を２５℃から１５０℃まで１０℃／分で昇温して１５０℃で１０分間保持し、続いて１０℃／分の降温速度にて２５℃まで冷却した半導体封止材組成物を、光示差走査熱量測定装置（示差走査熱量測定装置と光照査装置とを組み合わせた装置）を用いて３５１ｎｍの波長の活性エネルギー線を１Ｊ／ｃｍ２照射して測定した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）を意味するものとする。なお、２５℃から１５０℃まで１０℃／分で昇温して１５０℃で１０分間保持する手段、および１０℃／分の降温速度で２５℃まで冷却する手段としては、ホットプレートやＤＳＣ等が挙げられる。
【００２７】
また、本発明においては、硬化前の半導体封止材を活性エネルギー線に晒されない環境下で、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温させた際の半導体封止材の発熱量βが１Ｊ／ｇ以上であることが好ましい。このような発熱量βを有するような熱硬化性成分（Ａ）および活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）を含む半導体用封止材とすることにより、初期の硬化反応は素早く進行するためＦＯ−ＷＬＰ等の擬似ウェハを成形する際にその形状を維持し易くなる。半導体用封止材を室温から加熱した際の発熱量が大きい方が硬化反応が促進されるため、発熱量βの上限は特に限定されるものではないが、加熱硬化反応後の活性エネルギー線照射による硬化収縮量の調整を考慮すると、発熱量の上限は３００Ｊ／ｇ程度である。
【００２８】
さらに本発明においては、硬化前の半導体封止材に１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体封止材を、活性エネルギー線に晒されない環境下で、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温させた際の発熱量γは１Ｊ／ｇ以上であることが好ましい。このように、加熱処理後、すなわち熱硬化性成分（Ａ）の硬化反応がある程度進行した後の半導体封止材において発熱量γが１Ｊ／ｇ以上であるような成分を含むことより、１５０℃で１０分の間加熱処理であっても半導体封止材の熱熱硬化反応が完結していないため、ＦＯ−ＷＬＰ等の擬似ウェハを成形する際にその形状を維持し易くできるとともに、加熱硬化反応後の活性エネルギー線照射による硬化収縮量の調整が容易となる。半導体封止材中に含まれる熱硬化性成分（Ａ）を熱硬化させても活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）の硬化反応が進行しなくなることはないが、熱硬化性成分（Ａ）が完全に硬化してしまうと、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）の分子運動が制約されるため、活性エネルギー線による硬化反応が進行しにくくなるものと考えられる。本発明のように、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の発熱量γが１Ｊ／ｇ以上であるような半導体封止材とすることにより、熱硬化反応後の活性エネルギー線硬化反応を進行させ易くして、硬化収縮量の調整を可能としている。発熱量γの上限は特に限定されるものではないが、熱硬化反応による擬似ウェハの形状保持性を考慮すると発熱量の上限は３００Ｊ／ｇ程度である。
【００２９】
半導体封止材の硬化反応に伴う反応熱量の測定はＤＳＣ装置を用いて行うことができる。例えば、熱ＤＳＣとして、ＴＡインスツルメント社製  ＤＳＣ  Ｑ１００を用いることができる。また、半導体封止材に活性エネルギー線を１Ｊ／ｃｍ２照射して測定した際の発熱量は、ＤＳＣ装置に紫外線等の活性エネルギー線を照射する装置（例えば紫外線照射ユニット）を組み込んだ光ＤＳＣ装置を用いて測定することができる。光ＤＳＣ装置として、例えば、ＴＡインスツルメント社製  ＤＳＣ  Ｑ１００のＤＳＣモジュールに、高圧水銀灯を内蔵した光ＤＳＣ用光源装置ＰＣＡからデュアルライトガイドを通じて活性エネルギー線を導入することにより、活性エネルギー線に晒されない環境下での熱硬化反応時の反応熱や活性エネルギー線を所定量照射した際の光硬化反応時の反応熱を定量的に測定することができる。以下、本発明による半導体封止材を構成する各成分について説明する。
【００３０】
＜熱硬化性成分（Ａ）＞
本発明による半導体用封止材に含まれる熱硬化性成分（Ａ）は、例えば熱硬化剤成分等によって硬化反応が開始されるもので特に制限なく従来公知の材料を用いることができるが、エポキシやオキセタン等の環状エーテル類を使用することが好ましい。これらエポキシやオキセタン等の環状エーテル類は硬化反応により体積が収縮するが、後記するように熱硬化性成分（Ａ）が硬化した際に擬似ウェハとの密着性が向上するため、擬似ウェハの強度を向上させるとともに、半導体チップと半導体用封止材との密着性を向上させることができる。
【００３１】
エポキシ樹脂には反応前の形状から固形、半固形、液状のエポキシ樹脂がある。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。固形エポキシ樹脂としては、日本化薬社製ＥＰＰＮ−５０２Ｈ（トリスフェノールエポキシ樹脂）等のフェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製エピクロンＨＰ−７２００Ｈ（ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂；ＤＩＣ社製エピクロンＮ６６０、エピクロンＮ６９０、日本化薬社製ＥＯＣＮ−１０４Ｓ等のノボラック型エポキシ樹脂；ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製ＤＥＮ−４３１等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂；三菱化学社製ＹＸ−４０００等のビフェニル型エポキシ樹脂；新日鉄住金化学社製ＴＸ０７１２等のリン含有エポキシ樹脂；日産化学工業社製ＴＥＰＩＣ等のトリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。
【００３２】
半固形エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製エピクロン８６０、エピクロン９００−ＩＭ、エピクロンＥＸＡ―４８１６、エピクロンＥＸＡ−４８２２、旭チバ社製アラルダイトＡＥＲ２８０、東都化成社製エポトートＹＤ−１３４、三菱化学社製ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ８７２、ｊＥＲ１００１、住友化学工業社製ＥＬＡ−１３４等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ社製エピクロンＮ−７４０等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３３】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３４】
上記した熱硬化性成分（Ａ）は、１種を単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３５】
本発明による半導体用封止材は、上記した熱硬化性成分（Ａ）を硬化させ得る硬化剤成分を含むことが好ましい。熱硬化剤成分としては、熱により熱硬化性成分（Ａ）をイオン性の開環重合または重付加の重合反応させ得るものを使用することができる。
【００３６】
熱硬化性成分（Ａ）をイオン性の開環重合させ得る硬化剤成分としては、イミダゾール類、ベンジルスルホニウム塩、ルイス酸−アミン錯体などを用いることができる。その中でも、擬似ウェハとの密着力や保存安定性、耐湿信頼性などの観点から、イミダゾール類を用いることが望ましい。
【００３７】
イミダゾール類としては、例えば、２ＭＺ、Ｃ１１Ｚ、２ＰＺ、２Ｅ４ＭＺ、２Ｐ４ＭＺ、１Ｂ２ＭＺ、１Ｂ２ＰＺ、２ＭＺ−ＣＮ、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮＳ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、２ＭＺ−Ａ、Ｃ１１Ｚ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、２Ｐ４ＭＨＺ、２ＰＨＺ、２ＭＡ−ＯＫ、２ＰＺ−ＯＫ（四国化成工業株式会社製、製品名）などや、これらのイミダゾール類をエポキシ樹脂と付加させた化合物が挙げられる。また、これら硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは可使時間が延長されるために好ましい。これらは単独または２種以上を混合して使用することもできる。
【００３８】
イミダゾール類の配合量としては、熱硬化性成分（Ａ）に対して０．１〜１０質量％配合することが好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、さらに好ましくは１〜１０質量％である。イオン性の開環重合させ得る硬化剤成分であるイミダゾール類を上記範囲で配合することにより、硬化性と保存安定性とを両立させることができる。
【００３９】
ベンジルスルホニウム塩としては三新化学サンエイドシリーズである、ＳＩ−４５，ＳＩ−６０，ＳＩ−８０，ＳＩ−１００，ＳＩ−１５０、ＳＩ−１１０，ＳＩ−３６０，ＳＩ−３６０，ＳＩ−Ｂ２Ａ，ＳＩ−Ｂ３Ａ，ＳＩ−Ｂ３，ＳＩ−Ｂ４，ＳＩ−Ｂ５を用いることができる。これらは単独または２種以上を混合して使用することもできる。
【００４０】
ベンジルスルホニウム塩の配合量としては、熱硬化性成分（Ａ）に対して０．１〜１０質量％配合することが好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、さらに好ましくは１〜１０質量％である。イオン性の開環重合させ得る硬化剤成分であるベンジルスルホニウム塩を上記範囲で配合することにより、硬化性と保存安定性とを両立させることができる。
【００４１】
また、ルイス酸−アミン錯体としては、ＢＦ３−トリエチルアミン錯体やＢＦ３−ピリジン錯体等の公知のものを使用することができる。
【００４２】
ルイス酸−アミン錯体等の熱硬化剤成分の配合量としては、熱硬化性成分（Ａ）に対して０．１〜１０質量％配合することが好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、さらに好ましくは１〜１０質量％である。イオン性の開環重合させ得る硬化剤成分であるルイス酸−アミン錯体等上記範囲で配合することにより、硬化性と保存安定性とを両立させることができる。
【００４３】
熱硬化性成分（Ａ）は重付加の重合反応により硬化させてもよい。熱硬化性成分（Ａ）を重付加の重合反応させ得る硬化剤成分としては、酸無水物類、カルボン酸類、アミン類、フェノール類、ヒドラジド類、ポリメルカプタン類などを用いることができる。その中でも、擬似ウェハとの密着力や保存安定性、耐湿信頼性などの観点から、カルボン酸類、アミン類、フェノール類を用いることが望ましい。
【００４４】
酸無水物類としては、例えば、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、１−イソプロピル−４−メチル−ビシクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物などを用いることができる。これらは単独または２種以上を混合して使用することもできる。
【００４５】
酸無水物の配合量としては、例えば熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ化合物の場合、硬化官能基（エポキシ基）の数と酸無水物基から発生するカルボン酸の数の比（熱硬化性成分（Ａ）の硬化官能基の数／カルボン酸の数）が０．２〜２０となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．４〜１６である。酸無水物の配合量を上記範囲とすることにより、硬化反応を効果的に進行させることができる。一方、熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ基以外の場合、その硬化反応に関与する硬化官能基の数と酸無水物基から発生するカルボン酸の数の比（熱硬化性成分（Ａ）の硬化官能基の数／カルボン酸の数）から同様に算出できる。
【００４６】
カルボン酸類としてはアジピン酸、マレイン酸、メチルテトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルハイミック酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸、１−イソプロピル−４−メチル−ビシクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン酸、側鎖にカルボキシル基を有する樹脂などを用いることができる。
【００４７】
カルボン酸の配合量としては、熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ化合物の場合、硬化官能基（エポキシ基）の数とカルボキシル基の数の比（熱硬化性成分（Ａ）の硬化官能基の数／カルボキシル基の数）が０．２〜２０となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．４〜１６である。カルボン酸の配合量を上記範囲とすることにより、硬化反応を効果的に進行させることができる。一方、熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ基以外の場合、その硬化反応に関与する硬化官能基の数とカルボキシル基の数の比（熱硬化性成分（Ａ）の硬化官能基の数／カルボキシル基の数）から同様に算出できる。
【００４８】
アミン類としては、１級または２級アミノ基を分子内に少なくとも一つ以上有している化合物であれば特に限定されないが、保存安定性及び硬化物の耐熱性の観点から芳香族アミン類が望ましい。芳香族アミン類としては、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルスルフィド、メタキシレンジアミン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、２，２−ビス−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，４−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルトルエンジアミン、アニリン類、アルキル化アニリン類、Ｎ−アルキル化アニリン類、などを用いることができる。これらは単独または２種以上を混合して使用することもできる。
【００４９】
アミン類の配合量としては熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ化合物の場合、硬化官能基（エポキシ基）の数と活性水素の数の比（エポキシ基の数／活性水素の数）が０．２〜２０になるように配合することが望ましく、より好ましくは０．４〜１６である。アミン類の配合量を上記範囲とすることにより、硬化反応を効果的に進行させることができる。一方、熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ基以外の場合、その硬化反応に関与する硬化官能基の数と活性水素の数の比（熱硬化性成分（Ａ）の硬化官能基の数／活性水素の数）から同様に算出できる。
【００５０】
フェノール類としては、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、Ｘｙｌｏｋ型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、クレゾール／ナフトール樹脂、ポリビニルフェノール類、フェノール／ナフトール樹脂、α−ナフトール骨格含有フェノール樹脂、トリアジン含有クレゾールノボラック樹脂、各種多官能フェノール樹脂等を使用することができる。これらは１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
【００５１】
フェノール類の配合量としては、熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ化合物の場合、硬化官能基（エポキシ基）の数とフェノール性水酸基の数の比（エポキシ基の数／フェノール性水酸基の数）が０．２〜２０になるように配合することが望ましく、より好ましくは０．４〜１６である。フェノール類の配合量を上記範囲とすることにより、硬化反応を効果的に進行させることができる。一方、熱硬化性成分（Ａ）がエポキシ基以外の場合、その硬化反応に関与する硬化官能基の数とフェノール性水酸基の数の比（熱硬化性成分（Ａ）の硬化官能基の数／フェノール性水酸基の数）から同様に算出できる。
【００５２】
上記した以外にも、熱硬化性成分（Ａ）を重付加の重合反応により重合させ得る硬化剤成分してはシアネートエステル樹脂や活性エステル樹脂を用いることもできる。シアネートエステル樹脂は、一分子中に２個以上のシアネートエステル基（−ＯＣＮ）を有する化合物である。シアネートエステル樹脂は、従来公知のものをいずれも使用することができる。シアネートエステル樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、アルキルフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＦ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＳ型シアネートエステル樹脂が挙げられる。また、一部がトリアジン化したプレポリマーであってもよい。
【００５３】
活性エステル樹脂は、一分子中に２個以上の活性エステル基を有する樹脂である。活性エステル樹脂は、一般に、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物との縮合反応によって得ることができる。中でも、ヒドロキシ化合物としてフェノール化合物またはナフトール化合物を用いて得られる活性エステル化合物が好ましい。フェノール化合物またはナフトール化合物としては、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。
【００５４】
カルボン酸、酸無水物類、アミン類、フェノール類、シアネートエステル樹脂、活性エステル樹脂を、熱硬化性成分（Ａ）を重付加の重合反応により重合させ得る硬化剤成分として用いる場合、硬化促進剤を併用してもよい。硬化促進剤としては前記イミダゾール類を用いることができる。さらに、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナミン類；ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、ジシアンジアミド、尿素、尿素誘導体、メラミン、多塩基ヒドラジド等のポリアミン類の有機酸塩および／またはエポキシアダクト；三フッ化ホウ素のアミン錯体；エチルジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−キシリル−Ｓ−トリアジン等のトリアジン誘導体類；トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス−２−シアノエチルホスフィン等の有機ホスフィン類；トリ−ｎ−ブチル（２，５−ジヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロマイド、ヘキサデシルトリブチルホスホニウムクロライド等のホスホニウム塩類；ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、フェニルトリブチルアンモニウムクロライド等の４級アンモニウム塩類；前記多塩基酸無水物が挙げられる。これら１種を単独または２種以上混合して用いることができる。
【００５５】
硬化促進剤成分は必須ではないが、特に硬化反応を促進したい場合には、上記した熱により熱硬化性成分（Ａ）を重付加の重合反応により重合させ得る硬化剤成分１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２０質量部の範囲で用いることができる。硬化促進剤成分として金属触媒を使用する場合、その含有量は、硬化性成分１００質量部に対して金属換算で１０〜５５０ｐｐｍが好ましく、２５〜２００ｐｐｍが好ましい。
【００５６】
＜活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）＞
本発明による半導体用封止材は、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）を含む。活性エネルギー線硬化性成分とは、活性エネルギー線を照射することにより硬化反応が進行する成分を意味する。また、本明細書において、活性エネルギー線とは、硬化剤成分が基底状態から遷移状態に励起するのに必要なエネルギーを有する電磁波を意味し、例えば電子線、紫外線、可視光線等を意味する。このような活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）としては、公知の材料から選択できるが、例えば、ラジカル性の付加重合反応により硬化し得る硬化性成分を好ましく使用することができる。本明細書において、ラジカル性の付加重合とは、ラジカルにより重合が開始され、二重結合あるいは三重結合をもった不飽和化合物が付加して重合体になる反応を意味するものとする。このようなラジカル性付加重合反応により硬化し得る硬化性成分としては、分子中に１個以上のエチレン性不飽和基を有する化合物が好ましい。
【００５７】
半導体用封止材中に、上記したような熱硬化性成分（Ａ）と、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とが含まれることにより、半導体用封止材を硬化させる際に、熱硬化性成分（Ａ）と活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とをそれぞれ別個に硬化させることができる。そのため、当該半導体用封止材を用いて擬似ウェハを作製する際に、ウェハの反りの方向や反り量に応じて活性エネルギー線の照射量を調節し、擬似ウェハが内在する反り応力と同程度の収縮応力を、活性エネルギー線の照射面側に発生させることができる。その結果、再配線層の材料、厚さ、パターンが異なるようなＦＯ−ＷＬＰを製造する場合であっても、反りが低減されたＦＯ−ＷＬＰを得ることができる。反り量に応じて半導体封止材の収縮量を制御する観点からは、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は、ラジカル性の付加重合反応によって体積が収縮するものを使用することが好ましい。また、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は、上記した熱硬化性成分（Ａ）を硬化させる際の熱エネルギーや発生する硬化反応熱によって、活性エネルギー線硬化性成分の硬化反応の全部が進行しないものを使用すること好ましい。
【００５８】
このようなラジカル性の付加重合反応性成分の具体例としては、例えば、慣用公知のポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、カーボネート（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げることができる。具体的には、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等のヒドロキシアルキルアクリレート類；エチレングリコール、メトキシテトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコールのジアクリレート類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド等のアクリルアミド類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリレート等のアミノアルキルアクリレート類；ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリス−ヒドロキシエチルイソシアヌレート等の多価アルコールまたはこれらのエチレオキサイド付加物、プロピレンオキサイド付加物、もしくはε−カプロラクトン付加物等の多価アクリレート類；フェノキシアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、およびこれらのフェノール類のエチレンオキサイド付加物もしくはプロピレンオキサイド付加物等の多価アクリレート類；グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート等のグリシジルエーテルの多価アクリレート類；前記に限らず、ポリエーテルポリオール、ポリカーボネートジオール、水酸基末端ポリブタジエン、ポリエステルポリオール等のポリオールを直接アクリレート化、もしくは、ジイソシアネートを介してウレタンアクリレート化したアクリレート類およびメラミンアクリレート、および前記アクリレートに対応する各メタクリレート類の少なくとも何れか一種等が挙げられる。上記した中でも、好適なアクリル当量は５００以下である、より好ましくは３００以下であり、特に２００未満であることが好ましい。
【００５９】
また、ラジカル性の付加重合反応により硬化し得る活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）として、以下のマレイミド化合物を使用してもよい。例えば、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−ドデシルマレイミド、Ｎ−アリルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ニトロフェニルマレイミド、Ｎ−ヒドロキシフェニルマレイミド、Ｎ−メトキシフェニルマレイミド、Ｎ−エトキシフェニルマレイミド、Ｎ−モノクロロフェニルマレイミド、Ｎ−ジクロロフェニルマレイミド、Ｎ−モノメチルフェニルマレイミド、Ｎ−ジメチルフェニルマレイミド、Ｎ−エチルフェニルマレイミド、エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ，ｐ’−ジフェニルジメチルシリルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ，ｐ’−ジフェニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ，ｐ’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ，ｐ’−ジフェニルチオエーテルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−キシリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ，ｐ’−ベンゾフェノンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（３，３’−ジクロロ−ｐ，ｐ’−ビフェニレン）ビスマレイミドなどを挙げることができる。活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）としてマレイミド化合物を用いる場合、後記する光ラジカル開始剤を用いてもよいし、用いなくとも活性エネルギー線の照射により光二量化反応させて半導体用封止材のそり量を低減することもできる。
【００６０】
上記した以外にも、ラジカル性の付加重合反応により硬化し得る活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）としては、以下の（１）〜（１１）のような化合物を使用してもよい。
（１）１分子中に複数のフェノール性水酸基を有する化合物とアルキレンオキシドとを反応させて得られる反応生成物に、不飽和基含有モノカルボン酸を反応させ、得られる反応生成物に多塩基酸無水物を反応させて得られる不飽和基含有ポリマー、
（２）２官能またはそれ以上の多官能エポキシ樹脂に（メタ）アクリル酸を反応させ、側鎖に存在する水酸基に２塩基酸無水物を付加させたアクリル含有ポリマー、
（３）２官能エポキシ樹脂の水酸基をさらにエピクロロヒドリンでエポキシ化した多官能エポキシ樹脂に（メタ）アクリル酸を反応させ、生じた水酸基に２塩基酸無水物を付加させたアクリル含有ポリマー、
（４）１分子中に複数のフェノール性水酸基を有する化合物と環状カーボネート化合物とを反応させて得られる反応生成物に不飽和基含有モノカルボン酸を反応させ、得られる反応生成物に多塩基酸無水物を反応させて得られる不飽和基含有ポリマー、
（５）ジイソシアネートと、２官能エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートもしくはその部分酸無水物変性物、カルボキシル基含有ジアルコール化合物およびジオール化合物との重付加反応によるアクリル含有ウレタン樹脂、
（６）不飽和カルボン酸と、不飽和基含有化合物との共重合により得られる不飽和基含有ポリマー、
（７）ジイソシアネートと、カルボキシル基含有ジアルコール化合物およびジオール化合物との重付加反応による樹脂の合成中に、分子内に１つの水酸基と１つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物を加え、末端（メタ）アクリル化したアクリル含有ウレタン樹脂、
（８）ジイソシアネートと、カルボキシル基含有ジアルコール化合物およびジオール化合物との重付加反応による樹脂の合成中に、分子内に１つのイソシアネート基と１つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物を加え、末端（メタ）アクリル化したアクリル含有ウレタン樹脂、
（９）前記（５）の樹脂の合成中に、分子内に１つの水酸基と１つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物を加え、末端（メタ）アクリル化したアクリル含有ウレタン樹脂、
（１０）前記（５）の樹脂の合成中に、分子内に１つのイソシアネート基と１つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物を加え末端（メタ）アクリル化したアクリル含有ウレタン樹脂、および
（１１）上記（１）〜（１０）の樹脂にさらに１分子内に１つのエポキシ基と１個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物を付加してなるアクリル含有ポリマー、
等を単独でまたは２種以上を組み合わせて、あるいは上記した分子中に１個以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーと併用して、用いることができる。
【００６１】
上記した活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は、活性エネルギー線に晒されない環境下で、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温させた際の発熱量が実質的に０Ｊ／ｇであるものを使用することが好ましい。熱硬化性成分（Ａ）の熱硬化反応を進行させるために加熱処理を行った際に活性エネルギー線硬化反応が進行しないような活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）を使用することにより、より一層、活性エネルギー線照射による硬化収縮量の調整（即ち、反り量の調整）を行い易くなる。
【００６２】
本発明による半導体用封止は、上記した活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）を硬化させ得る硬化剤成分（以下、光硬化剤成分ともいう。）を含むことが好ましい。光硬化剤成分としては、活性エネルギー線により活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）をラジカル重合させ得るものであってもよい。
【００６３】
また、光硬化剤成分としては、例えば、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）−２，５−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）−４−プロピルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）−１−ナフチルホスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，５−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ８１９）、２，６−ジメトキシベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、２，６−ジクロロベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィン酸メチルエステル、２−メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ピバロイルフェニルホスフィン酸イソプロピルエステル、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＴＰＯ）等のアシルホスフィンオキサイド類；１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等のヒドロキシアセトフェノン類；ベンゾイン、ベンジル、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインｎ−プロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル等のベンゾイン類；ベンゾインアルキルエーテル類；ベンゾフェノン、ｐ−メチルベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、メチルベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン類；アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル)メチル）−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアセトフェノン等のアセトフェノン類；チオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類；アントラキノン、クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアン���ラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−アミルアントラキノン、２−アミノアントラキノン等のアントラキノン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類；エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、２−（ジメチルアミノ）エチルベンゾエート、ｐ−ジメチル安息香酸エチルエステル等の安息香酸エステル類；１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）等のオキシムエステル類；ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル）チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス［２，６−ジフルオロ−３−（２−（１−ピル−１−イル）エチル）フェニル］チタニウム等のチタノセン類；フェニルジスルフィド２−ニトロフルオレン、ブチロイン、アニソインエチルエーテル、アゾビスイソブチロニトリル、テトラメチルチウラムジスルフィド等を挙げることができる。上記した活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）をラジカル性の付加重合反応により重合させ得る光硬化剤成分は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６４】
また、光硬化剤成分は加熱によって蒸発ないし分解しにくい物質から選択することが好ましい。具体的には、光硬化剤成分の２５℃の蒸気圧が１×１０−３Ｐａ以下が好ましく、５×１０−４Ｐａ以下がより好ましく、１×１０−４Ｐａ以下がさらに好ましい。２５℃の蒸気圧が１×１０−４Ｐａ以下であるような光硬化剤成分の例示としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ８１９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３７９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン社製）等が挙げられる。また、光硬化剤成分の熱分解温度は１５０℃以上が好ましく、１５５℃以上がより好ましく１６０℃以上がさらに好ましい。熱分解温度が高い光硬化剤成分を使用することで、半導体用封止材の熱反応時に光硬化剤成分が失活してしまうのを効果的に抑制できる。このような光硬化剤成分としては、例えばＩＲＧＡＣＵＲＥ  ８１９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３７９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１などが挙げられる。
【００６５】
これらの中でも、オキシムエステル類（以下「オキシムエステル系光重合開始剤」と称する）、アセトフェノン類の１つであるα−アミノアセトフェノン類（以下、「α−アミノアセトフェノン系光重合開始剤」と称する）、およびアシルホスフィンオキサイド類（以下、「アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤」と称する）からなる群から選択される１種以上の光重合開始剤を用いることが好ましい。オキシムエステル系光重合開始剤としては、市販品として、ＢＡＳＦジャパン社製のＣＧＩ−３２５、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０２、ＡＤＥＫＡ社製Ｎ−１９１９等が挙げられる。また、分子内に２個のオキシムエステル基を有する光重合開始剤も加熱によって蒸発ないし分解しにくいことに加え、さらに高い反応性を有するラジカルを複数生成できることから、反り矯正をより効率良く実施できるため好適に用いることができる。このような光重合開始剤の具体例としては、下記一般式で表されるカルバゾール構造を有するオキシムエステル化合物が挙げられる。
【化１】
2018024731.tif 000002
【００６６】
上記式中、Ｘは、水素原子、炭素数１〜１７のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、フェニル基、フェニル基（炭素数１〜１７のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基を持つアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基により置換されている）、ナフチル基（炭素数１〜１７のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基を持つアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基により置換されている）を表し、Ｙ、Ｚはそれぞれ、水素原子、炭素数１〜１７のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、ハロゲン基、フェニル基、フェニル基（炭素数１〜１７のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基を持つアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基により置換されている）、ナフチル基（炭素数１〜１７のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基を持つアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基により置換されている）、アンスリル基、ピリジル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基を表し、Ａｒは、炭素数１〜１０のアルキレン、ビニレン、フェニレン、ビフェニレン、ピリジレン、ナフチレン、チオフェン、アントリレン、チエニレン、フリレン、２，５−ピロール−ジイル、４，４’−スチルベン−ジイル、４，２’−スチレン−ジイルを表し、ｎは０または１の整数である。
【００６７】
上記一般式で表されるカルバゾール構造を有するオキシムエステル化合物として特に好ましくは、式中、Ｘ、Ｙが、それぞれ、メチル基またはエチル基であり、Ｚがメチルまたはフェニルであり、ｎが０であり、Ａｒが、フェニレン、ナフチレン、チオフェンまたはチエニレンであるオキシムエステル化合物である。
【００６８】
オキシムエステル系光重合開始剤の配合量は、分子中にエチレン性不飽和基を含有するポリエーテル化合物１００質量部に対して、０．０１〜５質量部とすることが好ましい。
【００６９】
α−アミノアセトフェノン系光重合開始剤としては、具体的には２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパノン−１、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアセトフェノン等が挙げられる。市販品としては、ＢＡＳＦジャパン社製のＩＲＧＡＣＵＲＥ  ９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３７９等が挙げられる。
【００７０】
アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤としては、上記の化合物が挙げられる。市販品としては、ＢＡＳＦジャパン社製のＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＴＰＯ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ８１９等が挙げられる。
【００７１】
光硬化剤成分としてオキシムエステル系光重合開始剤を用いると、少量でも十分な感度を得ることができるだけでなく、光重合開始剤の揮発が少ないため、乾燥炉等の装置の汚染を少なくすることができる。
【００７２】
また、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤を用いると、光反応時の深部硬化性を向上させるため、厚い半導体封止材においてもより効果的なそり矯正力を発現できることから好ましい。
【００７３】
また、光硬化剤成分として市販のものを使用してもよく、例えば、ＢＡＳＦジャパン社製のＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３８９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ７８４を好適に使用することができる。
【００７４】
上記したように、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分（Ａ）を硬化させる際の熱エネルギーや発生する硬化反応熱によって、活性エネルギー線硬化性成分の硬化反応の一部または全部が進行しないものを使用すること好ましい。そのため、光硬化剤成分も熱エネルギーや発生する硬化反応熱によって実質的に活性化（ラジカルを発生）しないものであることが好ましい。このような光硬化剤成分としては、ＢＡＳＦジャパン社製のイルガキュアＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３７９、イルガキュアＩＲＧＡＣＵＲＥ  ７８４、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ８１９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１などのオキシム化合物、上記一般式で表されるカルバゾール構造を有するオキシムエステル化合物等が挙げられる。
【００７５】
光硬化剤成分の配合量は、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは１〜２５質量部、より好ましくは５〜２０質量部、更に好ましくは１０〜２０質量部である。特に、オキシムエステル系光重合開始剤を使用する場合の光重合開始剤配合量は、分子中にエチレン性不飽和基を含有するポリエーテル化合物１００質量部に対して、０．０１〜５質量部とすることが好ましい。
【００７６】
本発明においては、半導体用封止材中に硬化剤成分として光硬化剤成分が含まれる場合、更に、光開始助剤または増感剤が含まれていてもよい。光開始助剤および増感剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アントラキノン化合物、チオキサントン化合物、ケタール化合物、ベンゾフェノン化合物、３級アミン化合物、およびキサントン化合物等を挙げることができる。光開始助剤および増感剤は、１種を単独で用いてもよく、２種類以上の混合物として使用してもよい。上記した中でも、チオキサントン化合物および３級アミン化合物が好ましい。特に、チオキサントン化合物が含まれることが、半導体用封止材の深部硬化性の面から好ましい。中でも、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン化合物を含むことが好ましい。
【００７７】
本発明による半導体用封止材は、液状、顆粒状、タブレット状、またはシート状のいずれかの形態であってもよいが、フィルム（ないしシート）状に加工する場合にはフィルム（ないしシート）形状の維持が容易となるフィルム性付与ポリマー成分（Ｃ）を含んでもよい。このようなフィルム性付与ポリマー成分（Ｃ）としては、熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂や、エピクロルヒドリンと各種２官能フェノール化合物の縮合物であるフェノキシ樹脂またはその骨格に存在するヒドロキシエーテル部の水酸基を各種酸無水物や酸クロリドを使用してエステル化したフェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ブロック共重合体等が挙げられる。これらのポリマーは１種を単独または２種以上を組み合わせて用いてもよい。フィルム（ないしシート）形状を維持できるためには、これらポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常２×１０４以上であり、２×１０４〜３×１０６であることが好ましい。
【００７８】
なお、本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）の値は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー法（ＧＰＣ）法（ポリスチレン標準）により、下記測定装置、測定条件にて測定できる。
測定装置：Ｗａｔｅｒｓ製「Ｗａｔｅｒｓ  ２６９５」
検出器：Ｗａｔｅｒｓ製「Ｗａｔｅｒｓ２４１４」、ＲＩ（示差屈折率計）
カラム：Ｗａｔｅｒｓ製「ＨＳＰｇｅｌ  Ｃｏｌｕｍｎ，ＨＲ  ＭＢ−Ｌ，３μｍ，６ｍｍ×１５０ｍｍ」×２＋Ｗａｔｅｒｓ製「ＨＳＰｇｅｌ  Ｃｏｌｕｍｎ，ＨＲ１，３μｍ，６ｍｍ×１５０ｍｍ」×２
測定条件：
カラム温度：４０℃
ＲＩ検出器設定温度：３５℃
展開溶媒：テトラヒドロフラン
流速：０．５ｍｌ／分
サンプル量：１０μｌ
サンプル濃度：０．７ｗｔ％
【００７９】
ポリビニルアセタール樹脂は、例えば、ポリビニルアルコール樹脂をアルデヒドでアセタール化することで得られる。上記アルデヒドとしては、特に限定されず、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等が挙げられる。
【００８０】
フェノキシ樹脂の具体例としては東都化成社製ＦＸ２８０、ＦＸ２９３、三菱化学社製ＹＸ８１００、ＹＬ６９５４、ＹＬ６９７４等が挙げられる。
【００８１】
ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、積水化学工業社製エスレックＫＳシリーズ、ポリアミド樹脂としては日立化成社製ＫＳ５０００シリーズ、日本化薬社製ＢＰシリーズ等が挙げられる。
【００８２】
ポリアミドイミド樹脂としては日立化成社製ＫＳ９０００シリーズ等が挙げられる。
【００８３】
熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂は、フルオレン骨格を有する場合、高いガラス転移点を有し耐熱性に優れるため、半固形または固形エポキシ樹脂による低い熱膨張率を維持すると共にそのガラス転移点を維持し、得られる硬化皮膜は低い熱膨張率と高いガラス転移点をバランス良く併せ有するものとなる。また、熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂は水酸基を有するため、擬似ウェハに対して良好な密着性を示す。
【００８４】
フィルム性付与ポリマー成分（Ｃ）は、上記した成分を構成するモノマーがブロック共重合したものであってもよい。ブロック共重合体とは、性質の異なる二種類以上のポリマーが、共有結合で繋がり長い連鎖になった分子構造の共重合体のことである。ブロック共重合体としてはＸ−Ｙ−Ｘ型またはＸ−Ｙ−Ｘ’型ブロック共重合体が好ましい。Ｘ−Ｙ−Ｘ型およびＸ−Ｙ−Ｘ’型ブロック共重合体のうち、中央のＹがソフトブロックでありガラス転移温度（Ｔｇ）が低く、その両外側ＸまたはＸ’がハードブロックでありガラス転移温度（Ｔｇ）が中央のＹブロックよりも高いポリマー単位により構成されているものが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）は示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により測定される。
【００８５】
また、Ｘ−Ｙ−Ｘ型およびＸ−Ｙ−Ｘ’型ブロック共重合体のうち、ＸまたはＸ’が、Ｔｇが５０℃以上のポリマー単位からなり、Ｙのガラス転移温度（Ｔｇ）が、ＸまたはＸ’のＴｇ以下であるポリマー単位からなるブロック共重合体がさらに好ましい。また、Ｘ−Ｙ−Ｘ型およびＸ−Ｙ−Ｘ’型ブロック共重合体のうち、ＸまたはＸ’が、熱硬化性成分（Ａ）または活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）との相溶性が高いものが好ましく、Ｙが熱硬化性成分（Ａ）または活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）との相溶性が低いものが好ましい。このように、両端のブロックがマトリックス（硬化性成分）に相溶であり、中央のブロックがマトリックス（硬化性成分）に不相溶であるブロック共重合体とすることで、マトリックス中において特異的な構造を示しやすくなると考えられる。
【００８６】
上記した種々のフィルム性付与ポリマー成分（Ｃ）のなかでも、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フルオレン骨格を有する熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂、ブロック共重合体が好ましい。
【００８７】
本発明の半導体用封止材にフィルム性付与ポリマー成分（Ｃ）を添加する場合、半導体用封止材を構成する全成分占めるフィルム性付与ポリマー成分（Ｃ）の割合は、特に限定されるものではなく、全成分の合計を１００質量部としたときに２〜４０質量部であることが好ましく、より好ましくは５〜３５質量部である。
【００８８】
本発明による半導体用封止材には、無機フィラー成分（Ｄ）が含まれていてもよい。無機フィラー成分（Ｄ）が含有されることにより、例えばＦＯ−ＷＬＰの個片化（ダイシング）での切断が容易になる。また、保護膜にレーザーマーキングを施すことにより、レーザー光により削り取られた部分に無機フィラー成分（Ｄ）が露出して、反射光が拡散するために白色に近い色を呈する。これにより、ＦＯ−ＷＬＰ用反り矯正材が後述する着色剤成分（Ｅ）を含有する場合、レーザーマーキング部分と他の部分とでコントラスト差が得られ、マーキング（印字）が明瞭になるという効果がある。
【００８９】
無機フィラー成分（Ｄ）としては、活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）となる範囲であれば、従来公知のものを制限なく使用することができ、例えばシリカ、アルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、ノイブルグ珪土、ガラス粉末、クレー、炭酸マグネシウム、天然マイカ、合成マイカ、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、ハイドロタルサイト、ミネラルウール、アルミニウムシリケート、カルシウムシリケート、亜鉛華、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられ、１種を単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。これらの中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタンが好ましい。
【００９０】
無機フィラー成分（Ｄ）は、平均粒子径は、好ましくは０．０１〜１５μｍ、より好ましくは０．０２〜１２μｍ、特に好ましくは０．０３〜１０μｍのものを使用することが好ましい。なお、本明細書中、平均粒子径は、電子顕微鏡で無作為に選んだ無機フィラー（Ｄ）２０個の長軸径を測定し、その算術平均値として算出される個数平均粒子径とする。
【００９１】
無機フィラー成分（Ｄ）の含有量は、半導体用封止材中に含まれる硬化性成分（Ａ）および（Ｂ）と、両者の硬化剤成分と、フィルム付与性ポリマー成分（Ｃ）との合計を１００質量部とした場合、これに対して好ましくは１０〜４００質量部、より好ましくは２０〜３５０質量部、特に好ましくは３０〜３００質量部である。無機フィラー成分（Ｄ）の含有量が４００質量部以内の場合、活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃中で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）となりやすいため好ましい。
【００９２】
本発明による半導体用封止材には、着色剤成分（Ｅ）が含まれていてもよい。着色剤成分（Ｅ）が含まれることにより、半導体用封止材を配置した半導体チップを機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができる。また、レーザーマーキング等の手段により硬化剤お組成物に刻印を行った場合に、文字、記号等のマークが認識しやすくなる。すなわち、半導体用封止材が形成された半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が通常レーザーマーキング法（レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字されるが、半導体用封止材が着色剤を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。
【００９３】
着色剤成分（Ｅ）として、有機または無機の顔料および染料を１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができるが、これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、ペリレンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の誤作動防止の観点からはカーボンブラックが特に好ましい。また、カーボンブラックに代えて、赤、青、緑、黄色などの顔料または染料を混合し、黒色またはそれに近い黒色系の色とすることもできる。
【００９４】
赤色着色剤としてはモノアゾ系、ジスアゾ系、アゾレーキ系、ベンズイミダゾロン系、ペリレン系、ジケトピロロピロール系、縮合アゾ系、アントラキノン系、キナクリドン系などがあり、具体的には以下のものが挙げられる。ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ  １，  ２，  ３，４，５，６，８，９，１２，１４，１５，１６，１７，２１，２２，２３，３１，３２，１１２，１１４，１４６，１４７，１５１，１７０，１８４，１８７，１８８，１９３，２１０，２４５，２５３，２５８，２６６，２６７，２６８，２６９等のモノアゾ系赤色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ３７，３８，４１等のジスアゾ系赤色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ４８：１，４８：２，４８：３，４８：４，４９：１，４９：２，５０：１，５２：１，５２：２，５３：１，５３：２，５７：１，５８：４，６３：１，６３：２，６４：１，６８等のモノアゾレーキ系赤色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１７１、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１７５、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１７６、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１８５、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２０８等のベンズイミダゾロン系赤色着色剤、ＳｏｌｖｅｎｔＲｅｄ１３５、ＳｏｌｖｅｎｔＲｅｄ１７９、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１２３、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１４９、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１６６、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１７８、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１７９、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１９０、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１９４、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２２４等のぺリレン系赤色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２５４、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２５５、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２６４、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２７０、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２７２等のジケトピロロピロール系赤色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２２０、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１４４、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１６６、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２１４、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２２０、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２２１、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２４２等の縮合アゾ系赤色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１６８、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１７７、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２１６、ＳｏｌｖｅｎｔＲｅｄ１４９、ＳｏｌｖｅｎｔＲｅｄ１５０、ＳｏｌｖｅｎｔＲｅｄ５２、ＳｏｌｖｅｎｔＲｅｄ２０７等のアンスラキノン系赤色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ１２２、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２０２、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２０６、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２０７、ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ２０９等のキナクリドン系赤色着色剤が挙げられる。
【００９５】
青色着色剤としてはフタロシアニン系、アントラキノン系などがあり、顔料系はピグメント（Ｐｉｇｍｅｎｔ）に分類されている化合物、具体的には：ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５、ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５：１、ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５：２、ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５：３、ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５：４、ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５：６、ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１６、ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ６０等が挙げられる。染料系としては、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ３５、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ６３、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ６８、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ７０、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ８３、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ８７、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ９４、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ９７、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ１２２、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ１３６、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ６７、ＳｏｌｖｅｎｔＢｌｕｅ７０等を使用することができる。また、これら以外にも、金属置換もしくは無置換のフタロシアニン化合物も使用することができる。
【００９６】
緑色着色剤としては、同様にフタロシアニン系、アントラキノン系、ペリレン系などがあり、具体的にはＰｉｇｍｅｎｔＧｒｅｅｎ７、ＰｉｇｍｅｎｔＧｒｅｅｎ３６、ＳｏｌｖｅｎｔＧｒｅｅｎ３、ＳｏｌｖｅｎｔＧｒｅｅｎ５、ＳｏｌｖｅｎｔＧｒｅｅｎ２０、ＳｏｌｖｅｎｔＧｒｅｅｎ２８等を使用することができる。上記以外にも、金属置換もしくは無置換のフタロシアニン化合物も使用することができる。
【００９７】
黄色着色剤としてはモノアゾ系、ジスアゾ系、縮合アゾ系、ベンズイミダゾロン系、イソインドリノン系、アントラキノン系などがあり、具体的には以下のものが挙げられる。ＳｏｌｖｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１６３、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ２４、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１０８、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１９３、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１４７、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１９９、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ２０２等のアントラキノン系黄色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１１０、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１０９、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１３９、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１７９、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１８５等のイソインドリノン系黄色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ９３、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ９４、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ９５、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１２８、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１５５、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１６６、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１８０等の縮合アゾ系黄色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１２０、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１５１、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１５４、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１５６、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１７５、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１８１等のベンズイミダゾロン系黄色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１，２，３，４，５，６，９，１０，１２，６１，６２，６２：１，６５，７３，７４，７５，９７，１００，１０４，１０５，１１１，１１６，１６７，１６８，１６９，１８２，１８３等のモノアゾ系黄色着色剤、ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１２，１３，１４，１６，１７，５５，６３，８１，８３，８７，１２６，１２７，１５２，１７０，１７２，１７４，１７６，１８８，１９８等のジスアゾ系黄色着色剤等を使用することができる。
【００９８】
また、色調を調整する目的で紫、オレンジ、茶色、黒などの着色剤を加えてもよい。具体的に例示すれば、ＰｉｇｍｅｎｔＶｉｏｌｅｔ１９、２３、２９、３２、３６、３８、４２、ＳｏｌｖｅｎｔＶｉｏｌｅｔ１３、３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ１、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ５、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ１３、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ１４、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ１６、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ１７、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ２４、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３４、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３８、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ４０、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ４３、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ４６、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ４９、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ５１、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ６１、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ６３、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ６４、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ７１、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ７３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラウン２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラウン２５、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック７等が挙げられる。
【００９９】
なお、ＦＯ−ＷＬＰのファンアウト領域に貫通電極を形成する場合は、ファンアウト領域とＦＯ−ＷＬＰ用反り矯正層とを同時にレーザー加工する必要があるため、アライメント用に反り矯正層も光透過性を有していることが好ましい。このような場合も適宜考慮して着色剤成分（Ｅ）を選択することができる。
【０１００】
着色剤成分（Ｅ）の配合量は、深部への光透過性に優れ、その結果、より好ましい反り矯正層が得られる観点から、半導体用封止材の半導体用封止材中に含まれる硬化性成分（Ａ）および（Ｂ）と、両者の硬化剤成分と、フィルム付与性ポリマー成分（Ｃ）との合計を１００質量部とした場合、これに対して好ましくは０．１〜３５質量部、より好ましくは０．５〜２５質量部、特に好ましくは１〜１５質量部の範囲である。
【０１０１】
本発明による半導体用封止材には、半導体チップに対する接着性、密着性の少なくとも何れか一方を向上させるため、無機物と反応する官能基および有機官能基と反応する官能基を有するカップリング剤成分（Ｆ）が含まれていてもよい。また、カップリング剤成分（Ｆ）が含まれることにより、半導体用封止材の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上させることができる。このようなカップリング剤としては、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、シランカップリング剤等が挙げられる。これらのうちでも、シランカップリング剤が好ましい。
【０１０２】
シランカップリング剤に含有される有機基としては、例えば、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、クロロプロピル基、メルカプト基、ポリスルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。シランカップリング剤として市販されているものを使用することができ、例えば、ＫＡ−１００３、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−３０３、ＫＢＭ−４０３、ＫＢＥ−４０２、ＫＢＥ−４０３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２、ＫＢＭ−５０３、ＫＢＥ−５０２、ＫＢＥ−５０３、ＫＢＭ−５１０３、ＫＢＭ−６０２、ＫＢＭ−６０３、ＫＢＥ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−９０３、ＫＢＥ−９１０３、ＫＢＭ−９１０３、ＫＢＭ−５７３、ＫＢＭ−５７５、ＫＢＭ−６１２３、ＫＢＥ−５８５、ＫＢＭ−７０３、ＫＢＭ−８０２、ＫＢＭ−８０３、ＫＢＥ−８４６、ＫＢＥ−９００７（いずれも商品名；信越シリコーン社製）などを挙げることができる。これらは１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【０１０３】
本発明による半導体用封止材には、上記した成分以外に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、酸化剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤、剥離剤、防錆剤、密着促進剤、紫外線吸収剤、熱重合禁止剤、増粘剤、消泡剤等の電子材料の分野において公知慣用の添加剤を含有してもよい。
【０１０４】
本発明による半導体用封止材には、有機溶剤を含有することができる。有機溶剤は、分子中にエチレン性不飽和基を含有するポリエーテル化合物の合成、各成分の混合、および得られた半導体用封止材を基板や支持体フィルムに塗布する際の、粘度調整のために使用できる。
【０１０５】
有機溶剤としては、ケトン類、芳香族炭化水素類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類、エステル類、アルコール類、脂肪族炭化水素、石油系溶剤等が挙げることができる。
【０１０６】
より具体的には、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテート等のエステル類、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素、石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサ等の石油系溶剤等を挙げることができる。有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０７】
本発明の半導体用封止材は、フィルム（ないしはシート状）形状とする場合、その厚さは特に限定されないが、好ましくは３〜５００μｍ、より好ましくは５〜４５０μｍ、特に好ましくは７〜４００μｍである。
【０１０８】
本発明による半導体用封止材は、例えば、熱硬化性成分（Ａ）として環状エーテル類化合物を含み、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）として分子中に１個以上のエチレン性不飽和基を有する化合物を含む場合、初期密着性を有するため、未硬化状態では擬似ウェハやチップ等に押圧することで容易に接着する。また押圧する際に半導体用封止材に対して、加熱および加圧の何れかの手段を実施してもよい。そして異なる硬化反応を経て最終的には密着性と反り矯正力の高い硬化膜（反り矯正層）を形成することができる。本発明による半導体用封止材を用いて形成された硬化膜（反り矯正層）は、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、半導体用封止材を硬化させて得られる反り矯正層は単層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
【０１０９】
本発明の半導体用封止材は、ドライフィルム化して用いてもよく、液状のまま用いても良い。液状として用いる場合は、１液性でも２液性以上でもよい。
【０１１０】
ドライフィルム化に際しては、半導体用封止材を有機溶剤で希釈して適切な粘度に調整し、コンマコーター、ブレードコーター、リップコーター、ロッドコーター、スクイズコーター、リバースコーター、トランスファロールコーター、グラビアコーター、スプレーコーター等で支持体フィルム上に均一な厚さに塗布し、通常、５０〜１３０℃の温度で１〜３０分間乾燥して膜を得ることができる。
【０１１１】
塗布膜厚については特に制限はないが、より好ましい反り矯正能力を有する半導体用封止材が得られる点で、一般に、乾燥後のドライフィルムの膜厚で、５〜１５０μｍ、好ましくは１０〜６０μｍの範囲で適宜選択される。
【０１１２】
支持体フィルムとしては、セパレート紙、セパレートフィルム、セパ紙、剥離フィルム、剥離紙等の従来公知のものを好適に使用できる。また、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルフィルム、延伸ポリプロピレンフィルム（ＯＰＰ）等のポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムからなる離型紙用基材の片面または両面に離型層を形成したものを用いてもよい。離型層としては、離型性を有する材料であれば、特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂、有機樹脂変性シリコーン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
【０１１３】
支持体フィルムの厚さについては特に制限はないが、一般に、１０〜１５０μｍの範囲で適宜選択される。
【０１１４】
支持体フィルム上に半導体用封止材を成膜した後、さらに、膜の表面への塵の付着防止等の目的で、膜の表面に剥離可能なカバーフィルムを積層してもよい。剥離可能なカバーフィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、表面処理した紙等を用いることができる。カバーフィルムの剥離を考慮して、膜と支持体フィルムとの接着力よりも、膜とカバーフィルムとの接着力が小さくなるようにする。
【０１１５】
本発明の半導体用封止材は、例えば有機溶剤で塗布方法に適した粘度に調整し、基材上に、ディップコート法、フローコート法、ロールコート法、バーコーター法、スクリーン印刷法、カーテンコート法等の方法により塗布し、約６０〜１００℃の温度で組成物中に含まれる有機溶剤を揮発乾燥（仮乾燥）させることにより、フィルム形状を形成できる。
【０１１６】
本発明の半導体用封止材を塗布した後に行う揮発乾燥は、熱風循環式乾燥炉、ＩＲ炉、ホットプレート、コンベクションオーブン等（蒸気による空気加熱方式の熱源を備えたものを用い乾燥機内の熱風を向流接触せしめる方法およびノズルより支持体に吹き付ける方式）を用いて行うことができる。
【０１１７】
半導体用封止材をフィルム状の形態とする場合、上記した成分を含む層を少なくとも２層以上備えた積層フィルムの形態としてもよい。積層フィルムとする場合は、各層を構成する半導体用封止材の組成が互いに異なるようにすることが好ましい。特に、各層で、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）の種類や配合比、および／または、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）の硬化剤成分の種類や配合量を変えることにより、活性エネルギー線の照射によって表面と裏面の硬化収縮量をより広範囲に制御することもできる。例えば、従来の半導体封止材を用いた場合の擬似ウェハの反り方向や反り量が予め判明している場合、反り方向や反り量に応じて積層フィルムの各層の活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）の種類や配合比、あるいは硬化剤成分の種類や配合量を調整することにより、所望の反り矯正力を発現できるようにすることができる。
【０１１８】
半導体用封止材が上記のような積層フィルムの形態とする場合、半導体用封止材を構成する少なくとも１層、好ましくは全ての層で、活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量が１Ｊ／ｇ以上であることが好ましい。活性エネルギー線を照射した側の半導体用封止材中に含まれる活性エネルギー線硬化性成分の硬化収縮を促進させてそりの状態を変化させることができる。
【０１１９】
このように、本発明の半導体用封止材によれば、熱によって熱硬化性成分（Ａ）をある程度硬化させてモールド成形（予備成形）を行った後、擬似ウェハの一方の面または両面に活性エネルギー線を照射することによって、反りの方向や反り量を考慮した矯正を行うことができる。本発明の半導体用封止材は、特に、半導体チップの外周または一部の領域に接触するように半導体用封止材の領域を形成し、電極に接続された再配線層を半導体用封止材の領域にも設けたファンアウト型のウェハレベルパッケージに使用されることで、反りのないウェハレベルパッケージを実現することができる。
【実施例】
【０１２０】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に断りのないかぎり、「部」、「％」は質量部を意味するものとする。また、半導体用封止材の作製やその後の測定は特に断りのない限り活性エネルギー線に晒されない環境下で行った。
【０１２１】
＜樹脂溶液（Ｒｅ１）の調製＞
温度計、窒素導入装置兼アルキレンオキシド導入装置、および撹拌装置を備えたオートクレーブに、ノボラック型クレゾール樹脂（昭和電工社製、ショーノールＣＲＧ９５１、ＯＨ当量：１１９．４）１１９．４部、水酸化カリウム１．１９部およびトルエン１１９．４部を仕込み、撹拌しつつ系内を窒素置換し、加熱昇温した。次に、プロピレンオキシド６３．８部を徐々に滴下し、１２５〜１３２℃、０〜４．８ｋｇ／ｃｍ２で１６時間反応させた。その後、室温まで冷却し、この反応溶液に８９％リン酸１．５６部を添加混合して水酸化カリウムを中和し、不揮発分６２．１％、水酸基価が１８２．２ｇ／ｅｑ．であるノボラック型クレゾール樹脂のプロピレンオキシド反応溶液を得た。これは、フェノール性水酸基１当量当りアルキレンオキシドが平均１．０８モル付加しているものであった。
【０１２２】
得られたノボラック型クレゾール樹脂のアルキレンオキシド反応溶液２９３．０部、アクリル酸４３．２部、メタンスルホン酸１１．５３部、メチルハイドロキノン０．１８部およびトルエン２５２．９部を、撹拌機、温度計および空気吹き込み管を備えた反応器に仕込み、空気を１０ｍｌ／分の速度で吹き込み、撹拌しながら、１１０℃で１２時間反応させた。反応により生成した水は、トルエンとの共沸混合物として、１２．６部の水が留出した。その後、室温まで冷却し、得られた反応溶液を１５％水酸化ナトリウム水溶液３５．３５部で中和し、次いで水洗した。その後、エバポレーターにてトルエンをジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（カルビトールアセテート）１１８．１部で置換しつつ留去し、ノボラック型アクリレート樹脂溶液を得た。
【０１２３】
次に、得られたノボラック型アクリレート樹脂溶液３３２．５部およびトリフェニルホスフィン１．２２部を、撹拌器、温度計および空気吹き込み管を備えた反応器に仕込み、空気を１０ｍｌ／分の速度で吹き込み、撹拌しながら、テトラヒドロフタル酸無水物６０．８部を徐々に加え、９５〜１０１℃で６時間反応させ、冷却後、固形物の酸価８８ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分７０．９％のアクリル含有ポリエーテル化合物溶液：樹脂溶液（Ｒｅ１）を得た。
【０１２４】
＜半導体用封止材１の作製＞
以下の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散させて、固形分質量濃度２０％の封止材用組成溶液１ａを調製した。
・フェノキシ樹脂（東都化成社製ＦＸ２９３）                            ５０部
・樹脂溶液Ｒｅ１                                                  ７０．４部
・ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂
（ＤＩＣ社製  エピクロンＨＰ−７２００Ｈ）                          ３０部
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製  ｊＥＲ８２８）        １０部
・フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製  ＤＥＮ−４３１）                １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製  カーボンＭＡ−１００）              １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製  アドマファインＳＯ−Ｅ２）        ２００部
・水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製ハイジライト４２Ｍ）          １５０部
・シランカップリング剤（信越化学社製  ＫＢＭ−４０３）                  ２部
・アントラキノン                                                        ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製  ２ＰＺ）              ２部
・ウレタンアクリレートオリゴマー（日本化薬（株）製ＤＰＨＡ−４０Ｈ）  １０部
・トリメチロールプロパントリアクリレート（日本化薬（株）製ＴＭＰＴＡ）１０部
・光ラジカル重合開始剤（イルガキュアー７８４）                          ２部
【０１２５】
保護膜形成封止材用組成溶液１ａを表面に剥離処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）に塗布し、１００℃で１０分乾燥させて厚み５０μｍの半導体用封止材１ａを作製した。
【０１２６】
続いて、以下の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散させて、固形分質量濃度２０％の封止材用組成溶液１ｂを調製した。
・フェノキシ樹脂（東都化成社製ＦＸ２９３）                            ５０部
・樹脂溶液Ｒｅ１                                                  ７０．４部
・ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂
（ＤＩＣ社製  エピクロンＨＰ−７２００Ｈ）                          ３０部
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製  ｊＥＲ８２８）        １０部
・フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製  ＤＥＮ−４３１）                １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製  カーボンＭＡ−１００）              １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製  アドマファインＳＯ−Ｅ２）        ２００部
・水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製ハイジライト４２Ｍ）          １５０部
・シランカップリング剤（信越化学社製  ＫＢＭ−４０３）                  ２部
・アントラキノン                                                        ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製  ２ＰＺ）              ２部
・ウレタンアクリレートオリゴマー（日本化薬（株）製ＤＰＨＡ−４０Ｈ）  １０部
・光ラジカル重合開始剤（イルガキュアー７８４）                      １．５部
【０１２７】
保護膜形成封止材用組成溶液１ｂを表面に剥離処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）に塗布し、１００℃で１０分乾燥させて厚み５０μｍの半導体用封止材シート１ｂを作製した。
【０１２８】
ロールラミネータを用いて半導体用封止材シート１ａを２枚張り合わせ、剥離処理を施したＰＥＴフィルムの片側１枚をはく離し、はく離した面にさらに半導体用封止材シート１ａを張り合わせて半導体用封止材シート１ａが３枚積層されたシートを作製した。また、半導体用封止材シート１ｂを用いて同様の工程を行い半導体用封止材シート１ｂが３枚積層されたシートを作製した。
【０１２９】
次いで、半導体用封止材シート１ａが３枚積層されたシートから剥離処理を施したＰＥＴフィルムの片側を１枚はく離し、半導体用封止材シート１ｂが３枚積層されたシートからも剥離処理を施したＰＥＴフィルムの片側を１枚はく離し、半導体用封止材シート１ａと半導体用封止材シート１ｂを張り合わせて、半導体用封止材シート１ａが３枚と半導体用封止材シート１ｂが３枚この順番で積層された合計厚み３００μｍの半導体用封止材１を作製した。
【０１３０】
＜半導体用封止材２の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃で４分間、続いて１００℃で６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物２を作製した。
・ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂
（ＤＩＣ社製  エピクロンＨＰ−７２００Ｈ）                          ３０部
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製  ｊＥＲ８２８）        １０部
・フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製  ＤＥＮ−４３１）                １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製  カーボンＭＡ−１００）              １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製  アドマファインＳＯ−Ｅ２）        ５００部
・シランカップリング剤（信越化学社製  ＫＢＭ−４０３）                  ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製  ２ＰＺ）              ２部
・ウレタンアクリレートオリゴマー（日本化薬（株）製ＵＸ−５０００）    １０部
・トリメチロールプロパントリアクリレート（日本化薬（株）製ＴＭＰＴＡ）１０部
・光ラジカル重合開始剤（イルガキュアー７８４）                          ２部
・アントラキノン                                                        ２部
【０１３１】
得られた混練物２を２枚の５０μｍのカバーフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００μｍのシート状の半導体用封止材２を得た。
【０１３２】
＜半導体用封止材３の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃で４分間、続いて１００℃で６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物３を作製した。
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製  ｊＥＲ１００１）      ３０部
・フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製  ＤＥＮ−４３１）                １０部
・Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  １５：３                        ０．８部
・Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １４７                    ０．５５部
・Ｐａｌｉｏｇｅｎ  Ｒｅｄ  Ｋ３５８０                              １．５部
・球状シリカ（アドマテックス社製  アドマファインＳＯ−Ｅ２）        ４００部
・シランカップリング剤（信越化学社製  ＫＢＭ−４０３）                  ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製  ２ＰＺ）              ２部
・ウレタンアクリレートオリゴマー（日本化薬（株）製ＤＰＨＡ−４０Ｈ）  ２０部
・光ラジカル重合開始剤（化学式−１の化合物）                            ２部
【化２】
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【０１３３】
得られた混練物３を２枚の５０μｍのＰＥＴフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００μｍのシート状の半導体用封止材３を得た。
【０１３４】
＜半導体用封止材４の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃で４分間、続いて１００℃で６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物４を作製した。
・ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂
（ＤＩＣ社製  エピクロンＨＰ−７２００Ｈ）                          ３０部
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製  ｊＥＲ８２８）        １０部
・フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製  ＤＥＮ−４３１）                １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製  カーボンＭＡ−１００）              １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製  アドマファインＳＯ−Ｅ２）        ６００部
・酸化チタン（石原産業（株）製  ＣＲ−９０）                          １５部
・シランカップリング剤（信越化学社製  ＫＢＭ−４０３）                  ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製  ２ＰＺ）              ２部
・ウレタンアクリレートオリゴマー（日本化薬（株）製ＤＰＨＡ−４０Ｈ）  ２０部
・光ラジカル重合開始剤（イルガキュアー７８４）                          ２部
【０１３５】
得られた混練物４を２枚の５０μｍのカバーフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００μｍのシート状の半導体用封止材４を得た。
【０１３６】
＜半導体用封止材５の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃で４分間、続いて１００℃で６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物５を作製した。
・ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂
（ＤＩＣ社製  エピクロンＨＰ−７２００Ｈ）                          ３０部
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製  ｊＥＲ８２８）        １０部
・フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製  ＤＥＮ−４３１）                １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製  カーボンＭＡ−１００）              １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製  アドマファインＳＯ−Ｅ２）        ５００部
・シランカップリング剤（信越化学社製  ＫＢＭ−４０３）                  ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製  ２ＰＺ）              ２部
・ウレタンアクリレートオリゴマー（日本化薬（株）製ＵＸ−５０００）    ２０部
・光ラジカル重合開始剤（上記化学式−１の化合物）                        ２部
・アントラキノン                                                        ３部
・酸化防止剤（アデカスタブ ＡＯ−６０）                                 １部
【０１３７】
得られた混練物５を２枚の５０μｍのカバーフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００μｍのシート状の半導体用封止材５を得た。
【０１３８】
＜半導体用封止材６の作製＞
アクリレートと光ラジカル重合開始剤を用いなかったこと以外は半導体用封止材１と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材６を作製した。
【０１３９】
＜半導体用封止材７の作製＞
アクリレートと光ラジカル重合開始剤を用いなかったこと以外は半導体用封止材２と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材７を作製した。
【０１４０】
＜半導体用封止材８の作製＞
アクリレートと光ラジカル重合開始剤を用いなかったこと以外は半導体用封止材３と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材８を作製した。
【０１４１】
＜半導体用封止材９の作製＞
アクリレートと光ラジカル重合開始剤を用いなかったこと以外は半導体用封止材４と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材９を作製した。
【０１４２】
＜半導体用封止材１０の作製＞
アクリレートと光ラジカル重合開始剤を用いなかったこと以外は半導体用封止材５と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材１０を作製した。
【０１４３】
＜半導体用封止材の加熱時の反応熱量測定＞
上記のようにして得られた半導体用封止材１〜１０について、活性エネルギー線に晒されない環境下での加熱時の反応熱量を測定するためにＤＳＣ測定を行った。ＤＳＣ測定装置（ＴＡインスツルメント社製  ＤＳＣ  Ｑ１００）を用いて、窒素ガス雰囲気下でアルミニウムサンプルパンを用いて反応熱量の測定を行った。
【０１４４】
＜半導体用封止材の加熱時の反応熱の確認＞
半導体用封止材１〜１０をＤＳＣ装置に入れ、２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温しその時の反応熱量βを測定した。その結果、いずれの半導体用封止材においても、１Ｊ／ｇ以上の反応熱量が発生したことを確認した。
【０１４５】
＜半導体用封止材の加熱後の再加熱による反応熱の確認＞
また、半導体用封止材１〜１０をＤＳＣ装置に入れ、２５℃から１５０℃まで１０℃／分で昇温し、１５０℃で１０分間保持し、続いて１０℃／分で降温して２５℃に戻し、さらに２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温し、その時の反応熱量γを測定した。その結果、いずれの半導体用封止材においても、１Ｊ／ｇ以上の反応熱量が発生したことを確認した。
【０１４６】
＜半導体用封止材の反りの変化の測定＞
半導体用封止材は５０ｍｍ×５０ｍｍ角で厚み３００μｍのシート状に成形し、さらにその両面からそれぞれ１ｍｍ厚みのＳＵＳ板で挟んだ積層物を作製した。この積層物をホットプレート上に載せ１０℃／分で昇温し、更に１５０℃で１０分間加熱して熱硬化性成分を反応させた。ＳＵＳ板とＰＥＴフィルムを除去し、得られた５０ｍｍ×５０ｍｍ角で厚み３００μｍの熱硬化後のシート状封止材を平板に載せて、角の反りかえりがないことを確認した。
【０１４７】
熱硬化後のシート状封止材の片面に２５℃の環境下で高圧水銀灯を用いて１Ｊ／ｃｍ２の活性エネルギー線を照射し、シート状封止材の反り変形の有無を観察した。この際に、半導体用封止材１と６は  半導体用封止材シート１ａ面と半導体用封止材シート６ａ面に活性エネルギー線を照射した。活性エネルギー線を照射した面が収縮し、凹状に変形した場合、四隅の反りあがりを金属定規で測定した。４か所の反りあがりの値の合計が４ｍｍ以上の場合は合格（〇）、８ｍｍ以上の場合は合格（◎）、４ｍｍ未満の場合は不合格（×）と判定した。結果を表１、２に示した。
【０１４８】
＜半導体用封止材の活性光線照射時の反応熱量αの測定＞
上記のようにして１５０℃で１０分間加熱して熱硬化性成分を反応させた、熱硬化後のシート状半導体用封止材を準備し、Ｐｈｏｔｏ−ＤＳＣで活性エネルギー線照射時の反応熱量α（Ｊ／ｇ）を測定した。Ｐｈｏｔｏ−ＤＳＣは以下の条件で測定した。
・Ｐｈｏｔｏ−ＤＳＣ装置：ＴＡインスツルメント社製  ＤＳＣ  Ｑ１００と光源装置Ｑｓｅｒｉｅｓ  ＰＣＡの組み合わせを用い、２５℃、窒素ガス雰囲気下でアルミニウムサンプルパンを用いて測定
・光源：高圧水銀灯（波長カットフィルターなし）
・照度：３．７Ｗ／ｃｍ２  デュアルライトガイドを用いてこの照度から１％に減衰するフィルタを通じてサンプルに光照射を行った
・積算光量計：ＯＲＣ社  ＵＶ−３５１を用い、波長３５１ｎｍの積算光量が１Ｊ／ｃｍ２となる照射時間を確認し、Ｐｈｏｔｏ−ＤＳＣの照射時間を設定した。
活性エネルギー線照射時の反応熱（Ｊ／ｇ）の結果は表１および２に示される通りであった。
【０１４９】
【表１】
2018024731.tif 000004
【０１５０】
【表２】
2018024731.tif 000005
【０１５１】
表１に示される通り、１５０℃で１０分間加熱した熱硬化後のシート状封止材に活性エネルギー線を照射すると活性エネルギー線照射時の反応熱量α（Ｊ／ｇ）が１Ｊ／ｇ以上を示した実施例１〜５は、シート状封止材の片面に活性エネルギー線を照射することによって、いずれも４ｍｍ以上の反りの変化を確認することができた。一方、表２に示される通り、１５０℃で１０分間加熱した熱硬化後のシート状封止材に活性エネルギー線を照射すると活性エネルギー線照射時の反応熱量α（Ｊ／ｇ）が１Ｊ／ｇ未満であった比較例１〜５は、シート状封止材の片面に活性エネルギー線を照射しても４ｍｍ以上の反りの変化を確認することができなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月14日(2017.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性成分（Ａ）と、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とを少なくとも含む、ファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる半導体用封止材であって、
活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）であることを特徴とする、ファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる半導体用封止材。
【請求項２】
活性エネルギー線に晒されない環境下で、半導体用封止材を示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温させた際の発熱量β（Ｊ／ｇ）が、１≦β（Ｊ／ｇ）である、請求項１記載のファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる半導体用封止材。
【請求項３】
活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を、活性エネルギー線に晒されない環境下で、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で２５℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温させた際の発熱量γ（Ｊ／ｇ）が、１≦γ（Ｊ／ｇ）である、請求項１または２記載のファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる半導体用封止材。
【請求項４】
液状、顆粒状、タブレット状、またはシート状のいずれかの形態にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載のファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる半導体用封止材。
【請求項５】
２層以上に積層されたシート状の半導体用封止材であって、各層の材料組成が互いに異なる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる半導体用封止材。
【請求項６】
半導体チップの外周または一部の領域に接触して用いられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用封止材。
【請求項７】
ファンアウト型のウェハレベルパッケージの製造方法であって、
熱硬化性成分（Ａ）と、活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）とを少なくとも含む半導体用封止材であって、活性エネルギー線に晒されない環境下で、１５０℃で１０分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を２５℃で波長３５１ｎｍを含む紫外線を１Ｊ／ｃｍ２を照射した際の発熱量α（Ｊ／ｇ）が、１≦α（Ｊ／ｇ）である半導体用封止材を準備する工程、
前記半導体用封止材を加熱し、前記半導体用封止材中の熱硬化性成分（Ａ）の熱硬化反応がある程度進行はしているが完全には熱硬化していない状態にして、ファンアウト型のウェハレベルパッケージの擬似ウェハを形成する工程、および
前記擬似ウェハの半導体用封止材に活性エネルギー線を照射して、前記半導体用封止材中の活性エネルギー線硬化性成分（Ｂ）の硬化収縮を促進させて、前記擬似ウェハ中に内在している反り応力を打ち消すように硬化収縮により応力を作用させて反りを矯正する工程、
を含む、ファンアウト型のウェハレベルパッケージの製造方法。