(57)【要約】【課題】発熱部の耐久性に優れた信頼性の高い液体吐出ヘッドおよび基板の提供。【解決手段】液体吐出ヘッド用基板の製造において、Ｃｕを含有するＡｌ合金からなる電極配線層をウェットエッチングにより除去して発熱部を形成した後、ウェットエッチング液を酸化剤で洗浄する。これにより、電極配線端面に露出したＣｕおよびＡｌの表面に酸化被膜が形成されて、フォトレジスト剥離液を介してＡｌとＣｕ粒との間に電池反応が生ずることが抑制され、電極配線端面の局所的な孔食が防止される。【選択図】図３
2018089901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
発熱抵抗体層と、Ｃｕを含有するＡｌ合金の電極配線層と、がこの順に積層された基体の前記電極配線層の上にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を厚さ方向に貫通する開口部を前記フォトレジスト層に形成する工程と、
前記開口部に対応した前記電極配線層をウェットエッチングにより除去して前記発熱抵抗体層を露出させて発熱部を形成する工程と、
前記基体を液体の形態の酸化剤に浸漬することにより、前記ウェットエッチングにより露出された前記電極配線層の端面に酸化被膜を形成する工程と、
前記酸化被膜を形成する工程の後に、前記基体をフォトレジスト剥離液に浸漬することにより、前記フォトレジスト層を剥離する工程と、
前記フォトレジスト層を剥離する工程の後に、前記酸化被膜が形成された前記電極配線層の端面に保護絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項２】
前記液体の形態の酸化剤は過酸化水素水であることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項３】
前記液体の形態の酸化剤はオゾン水であることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項４】
前記液体の形態の酸化剤が常温の状態で前記酸化被膜を形成する工程を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項５】
前記発熱部はＴａＳｉＮで構成され、前記酸化被膜を形成する工程では、前記発熱部の表面に形成される酸化被膜が１０ｎｍ未満となるように、前記電極配線層の端面に前記酸化被膜を形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を吐出して記録を行う液体吐出ヘッド用基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録方式を実現するための液体吐出ヘッドには熱エネルギを利用してインクを吐出するものがある。インクを加熱発泡させるための複数の発熱部（ヒータ）およびこれに電気的接続を行う電極配線等を同一の基体上に作製して液体吐出ヘッド用基板とし、その上に発熱部に対応してインクを吐出させるための吐出口を形成した構成が一般的である。この構成は、半導体製造工程と同様のプロセスを経て製造することができる。例えば電極配線は、Ａｌ（アルミニウム）合金などの材料で形成された電極配線層をエッチングすることにより形成されることができる。表面の盛り上がりをもった粒成長であるヒロックを抑制するために、電極配線の材質としてＣｕ（銅）を含有するＡｌ（アルミニウム）合金が近年好ましく使用されている。一般に、発熱部および電極配線の上層には、インクによる腐食防止用の保護絶縁膜や、発熱部の温度変化によるインクの発泡と消泡との繰り返しによるキャビテーションがもたらす機械的衝撃を低減させる耐キャビテーション膜などの層（保護膜層等）が設けられる。
【０００３】
近年、記録媒体に記録される文字や画像等の画質や保存信頼性向上のためインクに様々な顔料分散体や溶剤が用いられるようになってきた。インクによっては保護膜層等を溶解しやすいものがある。仮にそのようなインクが保護膜層等を溶解して、電極配線や駆動素子、駆動回路等に到達した場合、当該液体吐出ヘッド用基板は誤動作をおこす恐れがある。そのため、とりわけ高い熱ストレスのかかる電極配線端面部において、保護膜層等の良好な被覆性が要求されている。電極配線端面が凹凸のないフラットな端面に形成されていることが、上層の保護膜層等の被覆性を向上させる手段として重要な要件となってくる。
【０００４】
しかしながら、電極配線の材料としてＣｕを含有するＡｌ合金が使用される場合、電極配線層のエッチングに際して、フォトレジスト層除去後の有機薬液等による洗浄中にＣｕ偏析物を起因とした局所的な電池効果が起きることが知られている（例えば特許文献１）。この電池効果によるＡｌの溶解により、電極配線であるＡｌの端面に微小な孔食が発生し、電極配線端面の上層に形成された保護絶縁膜の被覆性を阻害する要因になっている。
【０００５】
特許文献１では、一般的な半導体基板の製造方法において、フォトレジスト除去時にＳ（硫黄）を含むガスでアッシング処理を行い、Ｃｕ偏析物を硫化して、その後の有機洗浄時の電池効果を抑制し、孔食の発生を抑制する提案がなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２０４４１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、液体吐出ヘッド用基板の製造に特許文献１に提案される先行技術を適用した場合、電極配線層だけでなく、発熱部表面まで硫化されてしまう。これにより、電極配線層端部の孔食による耐久性低下は防止できるが、一方で、発熱部表面が硫化膜で被覆されることで発熱部の耐久性が低下してしまうという液体吐出ヘッド用基板特有の問題が発生する可能性がある。この問題は、吐出時に発熱部が高温になることで発熱部表面の硫化物が分解し、遊離した硫黄によってリーク電流が発生することによるものと考えられる。
【０００８】
本発明の目的は、上記課題を解決することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する本発明は、液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、発熱抵抗体層と、Ｃｕを含有するＡｌ合金の電極配線層と、がこの順に積層された基体の前記電極配線層の上にフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層を厚さ方向に貫通する開口部を前記フォトレジスト層に形成する工程と、前記開口部に対応した前記電極配線層をウェットエッチングにより除去して前記発熱抵抗体層を露出させて発熱部を形成する工程と、前記基体を液体の形態の酸化剤に浸漬することにより、前記ウェットエッチングにより露出された前記電極配線層の端面に酸化被膜を形成する工程と、前記酸化被膜を形成する工程の後に、前記基体をフォトレジスト剥離液に浸漬することにより、前記フォトレジスト層を剥離する工程と、前記フォトレジスト層を剥離する工程の後に、前記酸化被膜が形成された前記電極配線層の端面に保護絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電極配線層をウェットエッチングで除去して発熱部を形成した後、ウェットエッチング液を酸化剤で洗浄するので、電極配線層端面に露出したＣｕおよびＡｌの表面に酸化被膜が形成される。これにより、後続するフォトレジスト剥離工程において、フォトレジスト剥離液を介してＡｌと微小なＣｕ粒との間に電池反応が生ずることが抑制される。その結果、電極配線層端面の局所的な孔食の発生が抑制され、これを原因とする保護絶縁膜等の被覆性の低下、およびこれに伴う発熱部の耐久性の低下を防止できる。酸化剤による洗浄工程により、発熱部表面に酸化被膜が形成されるが、ある程度の厚さ（例えば１０ｎｍ以下）であれば、液体吐出ヘッド用基板として使用した場合に、実使用上の問題は生じない。よって、より信頼性の高い液体吐出ヘッド用基板およびこれを用いた液体吐出ヘッドを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】液体吐出ヘッド用基板を用いて構成された液体吐出ヘッドの模式的斜視図である。
【図２】本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の発熱部周辺の模式図である。
【図３】本発明に係る基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図４】従来技術に係る液体吐出ヘッド用基板の発熱部周辺の模式図である。
【図５】従来技術に係る基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（液体吐出ヘッド）
まず、本発明の実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板を用いた液体吐出ヘッドについて説明する。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板を用いて構成された液体吐出ヘッドの模式的な斜視図である。
【００１４】
この液体吐出ヘッド４１０は、所定のピッチで発熱部１０２が形成された発熱部列を２列、並列させてなる液体吐出ヘッド用基板（以下、基板１とも記す）を有している。この構成は、縁部に沿って１列の発熱部列を有する基板を２枚、発熱部１０２が配列されている側の縁部を対向配置することで発熱部列を並列させたものであってもよいし、１枚の基体上に予め２列の発熱部列を並列させて設けたものであってもよい。この基板１に対して、発熱部１０２に対応したインク吐出口５と、吐出口５にインクを供給するためのインク供給口９と、吐出口５と供給口９とを連通する流路とが形成された部材４が接合されて、液体吐出ヘッド４１０が構成されている。
【００１５】
なお、図１は、各列の発熱部１０２およびインク吐出口５を互いに半ピッチずらして配置することで記録の解像度を高めた構成の例を示すが、各列の発熱部１０２およびインク吐出口５は、線対称に配置されているように配置されていてもよい。
【００１６】
この液体吐出ヘッドは、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、さらには各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。この液体吐出ヘッドを用いることによって、種々の記録媒体に記録を行うことができる。
【００１７】
（本発明の実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板）
図２（ａ）は、本発明の実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板の発熱部周辺の模式的平面図であり、図２（ｂ）は、そのＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿って取った模式的断面図である。図２（ｂ）に示すように、基体１２０上には、発熱抵抗体層１０７と、その上層の電極配線層１０３とが積層され、電極配線層１０３の一部を部分的に除去してその部分に対応する発熱抵抗体層を露出させることで発熱部１０２が形成されている。電極配線層により形成される電極配線のパターンは基体１２０上で引き回されており、駆動素子回路ないし外部電源端子に接続されて、外部からの電力供給を受けることができる。発熱抵抗体層１０７は電気抵抗値が高い材料（ＴａＳｉＮ（タンタルシリコン窒化物）等）で形成されており、電極配線層１０３を介して外部から電流を流すことによって電極配線層１０３の非存在部分である発熱部１０２が熱エネルギを発生しインクを発泡させる。電極配線層１０３を形成する材料には、ヒロックを抑制する目的で、Ｃｕ（銅）を含有するＡｌ合金（アルミニウム合金）（以下、Ａｌ−Ｃｕ系合金ともいう）が用いられている。Ａｌ−Ｃｕ系合金は、少なくとも銅を含むアルミニウム合金であればよく、Ａｌ（アルミニウム）とＣｕ（銅）に加えて、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）などのマイナー成分を含んでいてもよい。
【００１８】
かかる液体吐出ヘッド用基板において、発熱部１０２は、液体吐出ヘッドの使用時に、短時間に１０００℃前後の温度の上昇および下降にさらされ、また発泡と消泡との繰り返しによるキャビテーションがもたらす機械的衝撃が加わるなど、厳しい環境におかれる。そこで、保護膜を複数設ける層構成が採用されている。図２（ｂ）を参照して、発熱部１０２は、発熱部１０２の発熱抵抗体層１０７をインクから絶縁および保護するためのＳｉＮ（窒化ケイ素）等の無機化合物による保護絶縁膜１０８で覆われている。また、その上層に、機械的安定性の高い金属（Ｔａ（タンタル）等）の耐キャビテーション膜１１０が形成されている。また、発熱部１０２の発熱抵抗体層１０７だけではなく、例えば発熱抵抗体層１０７に対する電気的接続を行うための電極配線層１０３に対しても、インクによる腐食を防止するために同様の層構成が採用されている。
【００１９】
（本発明の実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法および特徴）
図３（ａ）から図３（ｇ）を参照して、図２（ａ）および図２（ｂ）に示される液体吐出ヘッド用基板の製造方法の実施形態を説明する。
【００２０】
まず、図３（ａ）に示されるように、Ｓｉ（シリコン）でなる基体１２０に熱酸化により蓄熱層１０９を形成する。ここで、基体１２０は、Ｓｉ（１００）の基体に対し、発熱部１０２を選択的に駆動するためのスイッチングトランジスタ等の半導体素子でなる駆動回路を予め作り込こんでおいたものとすることができる。
【００２１】
次に、図３（ｂ）に示されるように、蓄熱層１０９の上面に、スパッタリングによりＴａＳｉＮの発熱抵抗体層１０７を形成し、次いで、Ａｌ−Ｃｕ（アルミニウム銅）の電極配線層１０３を形成する。上述のように、電極配線層１０３の材料は、少なくともＣｕ（銅）を含むＡｌ（アルミニウム）であることができる。本例では、発熱抵抗体層１０７を３０ｎｍの厚さに形成し、電極配線層１０３を３００ｎｍの厚さに形成した。
【００２２】
次に、図３（ｂ）に示される電極配線層１０３および発熱抵抗体層１０７に対し、フォトリソグラフィ法によりエッチングを施し、例えば図２（ａ）に示されるような所望の平面形状とする。フォトリソグラフィ法としては、例えばリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いることができる。Ｃｕ（銅）のＡｌ（アルミニウム）に対する溶解度は非常に低いため、略常温の状態では、電極配線であるＡｌ−ＣｕにおいてＡｌ粒塊界の界面に微小な析出Ｃｕ粒１３０が存在する。
【００２３】
次に、再びフォトリソグラフィ法を用いて、発熱部１０２を形成する、この発熱部形成工程を以下に説明する。なお、特段の記載のない限り、以下に示される本実施形態の各構成の層（膜）の材料および厚さは、１つの例であり、本発明を限定するものではない。
【００２４】
図３（ｂ）に示される状態の基板の上面に対し、感光性材料である発熱部形成用のフォトレジスト１０５を塗布し、プリベーク、露光、現像、およびポストベークの各工程を行う。図３（ｃ）は、これらの工程が完了した状態を示す。発熱部１０２が形成されるべき位置に対応するフォトレジスト１０５は取り除かれており、フォトレジスト１０５の層（フォトレジスト層）を厚さ方向に貫通する開口部が形成されている。塗布、プリベーク、露光、現像およびポストベークの各工程には、従来知られている方法を用いることができる。本例では、フォトレジスト１０５の塗布を、スピンコート法により厚さ２μｍで行った。
【００２５】
次に、図３（ｄ）に示されるように、図３（ｃ）に示される製造段階の液体吐出ヘッド用基板をエッチング液１３１に浸漬することにより、フォトレジスト１０５の開口部に対応する電極配線層１０３をエッチングして、その部分の発熱抵抗体層１０７を露出させる。このような、エッチングに液体を用いるウェットエッチングは等方性エッチングである。エッチング液１３１は金属を溶解するための適正な濃度で用いられるため、電極配線層１０３の構成材料であるＡｌ−Ｃｕにおいて、ＡｌおよびＣｕともにエッチングが進行する。そのため、電極配線層１０３には、層の厚さ方向に沿って取った仮想的な断面において、その電極配線層１０３の発熱抵抗体層１０７側の面とエッチングにより露出された端面とが鋭角をなすような断面が形成される。
【００２６】
図３（ｄ）に示されるウェットエッチング工程において電極配線層１０３を所望の程度までエッチングした後、液体吐出ヘッド用基板をエッチング液１３１から引き上げて洗浄する。
【００２７】
図３（ｅ）は、液体吐出ヘッド用基板を洗浄のために洗浄液に浸漬した状態を示す。本発明は、洗浄液として強い酸化力を持つ液体の形態の酸化剤を使用することに特徴を有する。そのような液体の形態の酸化剤の例として、本例では濃度１．０ｗ／ｖ%の過酸化水素水１３５を使用した。
【００２８】
電極配線層１０３付近のエッチング液１３１は過酸化水素水１３５による置換の進行により中間濃度となっているため、電極配線層１０３のエッチング界面においてはＡｌの溶解が進む一方でＣｕの溶解が生じない。その結果、エッチング液１３１の洗浄過程において、電極配線層１０３のエッチング界面に存在していた微小なＣｕ粒１３０が露出する。その一方で、過酸化水素水１３５の強い酸化作用により、電極配線層１０３端面のＣｕおよびＡｌの表面には酸化被膜１０４が形成される。
【００２９】
これにより、後続するフォトレジスト剥離工程において、フォトレジスト剥離液１３３を介してＡｌと微小なＣｕ粒１３０との間に電池反応が生ずることが抑制される。その結果、従来技術に係る製造方法において生じていた電極配線層端面の局所的な孔食が防止され、これを原因とする保護絶縁膜等の被覆性の低下、およびこれに伴う発熱部の耐久性の低下の防止が可能となる。
【００３０】
なお、本例では、温度２０℃（常温）で過酸化水素水１３５による洗浄を行い、電極配線層端面のＡｌの表面に形成された酸化被膜の厚さは５ｎｍであった。ただし、これに限らず、ＣｕおよびＡｌに少なくとも自然酸化膜の膜厚（一般に、数１０オングストロームとも言われる）よりも厚い膜厚でＡｌとＣｕとの間の電池反応を抑制可能な酸化被膜を形成することのできる酸化剤および条件であればよい。例えば、オゾン（Ｏ3）が水（Ｈ2Ｏ）に溶存し強い酸化力を持つオゾン水等を用いてもよい。
【００３１】
なお、加温した酸化剤を用いる場合、図３（ｅ）に示されるような発熱部形成用のフォトレジスト下の窪み部分でエッチング液と酸化剤との置換が生じ難い傾向があり、また、温度が局所的に不安定となることがあり温度制御は困難である。そのため、酸化被膜が所望の場所に所望の厚さで形成されないことがある。そのため、加温しない常温の酸化剤を使用することが望ましい。なお、本明細書において、常温とは、特に冷やしたり熱したりしない、室温等の平常の温度を言い、例えば２０℃±１５℃（５〜３５℃）の範囲内の温度であることができ、１５℃〜２５℃の範囲内の温度であることができる。
【００３２】
また、酸化被膜形成法として数百度以上に到達する熱酸化処理もあるが、そのような高い温度においては、一般的に樹脂である発熱部形成用のフォトレジスト１０５が変質し、後工程のフォトレジスト除去性に問題が生じるため適用できない。
【００３３】
また、発熱部１０２を形成する発熱抵抗体層１０７の材料であるＴａＳｉＮも少なからず酸化し、電極配線層１０３端面のＡｌの表面に形成される酸化被膜よりも薄いものの、酸化被膜が形成される。本例において、ＴａＳｉＮの表面の酸化被膜の厚さは５ｎｍであった。液体吐出ヘッドとして使用される場合、発熱部１０２のＴａＳｉＮの表面は使用が継続されると少なからず酸化するものであり、この程度の酸化被膜の厚さであれば、実使用上問題は生じない。しかし、過度の酸化処理を施し酸化被膜がある程度厚くなると、発熱部の耐久性は低下する傾向がある。したがって、形成される酸化被膜の厚さが発熱部の耐久性を低下させない程度となるような条件で酸化処理を行うことが好ましい。例えば、発熱部のＴａＳｉＮの表面に形成される酸化被膜が１０ｎｍ未満となるような条件で酸化処理を行うことが好ましい。
【００３４】
図３（ｅ）に示される酸化剤によるエッチング液の洗浄工程の後、図３（ｆ）に示されるように、有機アミン系のフォトレジスト剥離液１３３に浸漬させて発熱部形成用のフォトレジストを除去する。この時、電極配線層１０３の端面は前の工程で形成された酸化被膜１０４で覆われているため、電極配線層１０３の端面ではフォトレジスト剥離液１３３を介したＡｌと微小なＣｕ粒１３０との間の電池反応は生じない。また、フォトレジストを除去すると電極配線層１０３の上面が露出するが、電極配線層をエッチングした後の洗浄工程時に電極配線層の上面はフォトレジストでカバーされていたため、電極配線層の上面のＡｌの表面に露出する微小なＣｕ粒１３０は存在しない。よって、電極配線層１０３の上面においても電池反応は生じない。
【００３５】
次に、図３（ｇ）に示されるように、露出された発熱抵抗体層１０７（発熱部１０２）の領域を含む電極配線層１０３の上方に、保護絶縁膜１０８を形成する。本例では、保護絶縁膜１０８として、ＳｉＮ（窒化ケイ素）の層をプラズマＣＶＤ法によって３００ｎｍの厚さに形成した。
【００３６】
さらに、保護絶縁膜１０８の上面に耐キャビテーション膜１１０を形成する。本例では、耐キャビテーション膜１１０として、Ｔａの層をスパッタリング法によって２３０ｎｍの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法を用いてドライエッチングにより所望の形状に形成した。
【００３７】
（従来技術に係る液体吐出ヘッド用基板、その製造方法、および特徴）
図４（ａ）は、従来技術の１つの例に係る液体吐出ヘッド用基板の発熱部周辺の模式的平面図であり、図４（ｂ）は、そのＩＶｂ−ＩＶｂ線に沿って取った模式的断面図である。
【００３８】
図５（ａ）から図５（ｅ）を参照して、図４（ａ）および図４（ｂ）に示される液体吐出ヘッド用基板の従来技術に係る製造方法および特徴を説明する。
【００３９】
図５（ａ）および図５（ｂ）はそれぞれ本発明に係る図３（ｃ）および図３（ｄ）に対応する図であり、この製造段階まで、従来技術と本発明の製造工程は共通するため、説明を省略する。図５（ｂ）に示されるウェットエッチング工程において電極配線層１０３を所望の程度までエッチングした後、液体吐出ヘッド用基板をエッチング液１３１から引き上げて洗浄する。
【００４０】
図５（ｃ）は、液体吐出ヘッド用基板を洗浄のために洗浄液に浸漬した状態を示す。この従来技術に係る製造方法の例では、洗浄液として純水１３２を使用した。電極配線層１０３付近のエッチング液１３１は純水１３２による置換の進行により中間濃度となっているため、電極配線層１０３のエッチング界面においてはＡｌの溶解が進む一方でＣｕの溶解が生じない。その結果、エッチング液１３１の洗浄過程において電極配線層１０３のエッチング界面に存在していた微小なＣｕ粒１３０が露出する。
【００４１】
ここで、図３（ｅ）に示される本発明においては、洗浄液として強い酸化力を持つ液体の形態の酸化剤を使用するため、酸化作用により、電極配線層１０３端面のＣｕおよびＡｌの表面には酸化被膜１０４が形成される。これに対して、図５（ｃ）に示される従来技術に係る製造方法においては、洗浄液として純水１３２を使用するため、酸化作用は働かず、電極配線層１０３端面のＣｕおよびＡｌの表面に洗浄液に起因する酸化被膜１０４は形成されない。そのため、この洗浄工程により、電極配線層１０３のエッチング界面においては、Ａｌの表面に微小なＣｕ粒１３０が存在する状態となる。
【００４２】
図５（ｃ）に示される洗浄工程の後、図５（ｄ）に示されるように、有機アミン系のフォトレジスト剥離液１３３に浸漬させて発熱部形成用のフォトレジストを除去する。この時、電極配線層のエッチング界面においてはＡｌの表面に微小なＣｕ粒１３０が存在するため、電極配線層１０３の端面ではフォトレジスト剥離液１３３を介したＡｌと微小なＣｕ粒１３０との間の電池反応が生ずる。一方、フォトレジストを除去すると電極配線層１０３の上面が露出するが、電極配線層をエッチングした後の洗浄工程時に電極配線層の上面はフォトレジストでカバーされていたため、電極配線層の上面のＡｌの表面に露出する微小なＣｕ粒１３０は存在しない。よって、電極配線層１０３の上面においては、電池反応は生じない。その結果、電極配線層１０３の端面において、微小なＣｕ粒１３０の周囲のＡｌの局所的な孔食１３４が発生する。
【００４３】
次に、図５（ｅ）に示されるように、露出された発熱抵抗体層１０７（発熱部１０２）の領域を含む電極配線層１０３の上方に、保護絶縁膜１０８を形成する。本例では、保護絶縁膜１０８として、ＳｉＮ（窒化ケイ素）の層をプラズマＣＶＤ法によって３００ｎｍの厚さに形成した。さらに、保護絶縁膜１０８の上面に耐キャビテーション膜１１０を形成する。本例では、耐キャビテーション膜１１０として、Ｔａの層をスパッタリング法によって２３０ｎｍの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法を用いてドライエッチングにより所望の形状に形成した。
【００４４】
電極配線層１０３の端面には局所的な孔食１３４により窪み部分が生じている。この窪み部分について、電極配線層の上に設けられる保護絶縁膜等の被覆性が低下し得る。
【００４５】
このように、この従来技術の製造方法により製造された液体吐出ヘッド用基板においては、電極配線と発熱部の界面を形成する電極配線層の端面において微小な保護膜被覆不良が生ずることがある。そのため、この液体吐出ヘッド用基板を用いて構成された液体吐出ヘッドから長時間のインク吐出を行うと、保護膜等を溶解しやすい一部のインクの場合、この被覆不良の部分を起点にインクが保護絶縁膜等を貫通しやすく、発熱部の耐久性を低下させることがある。
【００４６】
これに対し、本発明の製造方法においては、電極配線層の端面における局所的な孔食を防止することができ、保護膜被覆不良に起因する発熱部への影響が抑制される。
【００４７】
＜評価＞
以下の試料を用意して、本発明の評価を行った。
【００４８】
［試料］
（実施例１）
上述の本発明の実施形態の製造方法に従い液体吐出ヘッド用基板を製造し、実施例１とした。実施例１において、図３（ｅ）に示される洗浄工程により電極配線層端面のＡｌの表面に形成された酸化被膜の厚さは５ｎｍであった。
【００４９】
（比較例１）
上述の従来技術の製造方法に従い液体吐出ヘッド用基板を製造し、比較例１とした。比較例１において、図５（ｄ）に示される洗浄工程により電極配線層端面のＡｌの表面に洗浄液に起因する酸化被膜は形成されなかった。
【００５０】
（比較例２）
洗浄工程において過酸化水素水に長時間浸漬することにより酸化処理を過度に施し発熱部表面の酸化被膜を１０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして液体吐出ヘッド用基板を製造し、比較例２とした。
【００５１】
［評価方法］
発熱部と保護膜との総合的な状態を確認するために、インクのない状態において実際の製品で駆動する条件で（つまり一定の駆動周波数、駆動電圧、駆動パルス幅の連続パルスを印加して）発熱部を駆動させ、その時の発熱部の抵抗値の変化率をモニタリングした。また、断線の発生の有無および断線に至るまでの印加パルスを確認した。以降、この評価試験をＣＳＴ試験と呼ぶものとする。
【００５２】
［評価結果］
（実施例１）
本発明の実施形態に係る実施例１は、ＣＳＴ試験において、８Ｅ＋０８パルスまで発熱部の断線はなく、十分な耐久性を有することを確認できた。また、発熱部の抵抗値の変化率は±３％以下に抑えられていた。
【００５３】
（比較例１）
従来技術に係る比較例１は、ＣＳＴ試験において、１Ｅ＋０８パルスで発熱部の断線が発生した。
【００５４】
（比較例２）
比較例２は、ＣＳＴ試験において、３Ｅ＋０８パルスで発熱部の断線が発生した。また、発熱部の断線に至るまでの発熱部の抵抗値の変化率は±８％であり、実施例１と比べて変化が大きかった。
【符号の説明】
【００５５】
１０２  発熱部
１０３  電極配線層
１０４  酸化被膜
１０５  フォトレジスト
１０７  発熱抵抗体層
１０８  保護絶縁膜
１０９  蓄熱層
１１０  耐キャビテーション膜
１２０  基体
１３０  析出Ｃｕ粒
１３１  エッチング液
１３２  純水
１３３  フォトレジスト剥離液
１３４  孔食（窪み）
１３５  過酸化水素水（酸化剤）
４１０  液体吐出ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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