(57)【要約】【課題】ＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数範囲において低磁気損失と高透磁率を備え且つ異方性を持たないため高周波磁性部品に適用しても設計が制限されない、六方晶フェライト焼結体を提供する。【解決手段】ＭＡαＦｅ１２−β（ＭＢ１−（γ＋δ）ＭｎγＭＣδ）βＯ１９（式中、ＭＡはＢａ、Ｓｒ、及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＢは、４価の金属イオンより選択される少なくとも一種であり、ＭＣはＮｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｕ及びＣｏからなる群より選択され、αは０．８以上１．２以下、βは３．０以上５．５以下、γ＋δは０．４８以上０．５５以下、δは０．００以上０．１５以下である）で表されるＭ型六方晶フェライトを主相として含み、全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）が（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上であることを特徴とする六方晶フェライト焼結体。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＡαＦｅ１２−β（ＭＢ１−（γ＋δ）ＭｎγＭＣδ）βＯ１９（式中、ＭＡはＢａ、Ｓｒ、及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＢは、４価の金属イオンより選択される少なくとも一種であり、ＭＣはＮｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｕ及びＣｏからなる群より選択され、αは０．８以上１．２以下、βは３．０以上５．５以下、γ＋δは０．４８以上０．５５以下、δは０．００以上０．１５以下である）で表されるＭ型六方晶フェライトを主相として含み、全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）が（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上であることを特徴とする六方晶フェライト焼結体。
【請求項２】
前記六方晶フェライト焼結体における、αが１．０以上１．１以下、βが４．０以上５．０以下、γ＋δが０．４９以上０．５１以下、δが０．００以上０．１０以下であることを特徴とする、請求項１に記載の六方晶フェライト焼結体。
【請求項３】
請求項１、及び２のいずれかに記載の六方晶フェライト焼結体を用いることを特徴とする高周波磁性部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数範囲での使用に適した六方晶フェライト焼結体、及びこの六方晶フェライト焼結体を用いたアンテナ、インダクタ、フィルタなどの高周波磁性部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯情報端末等の無線通信機器に利用される周波数帯の高周波化が進行し、例えば無線ＬＡＮ等で使用される２．４ＧＨｚ帯など、使用される無線信号周波数はＧＨｚ帯となっている。そのため、そのようなＧＨｚ帯の高周波で使用される電子部品、例えば、インダクタ、電子機器の高周波ノイズ対策用として用いられるＥＭＩフィルタ、無線通信機器に用いられるアンテナなどに対して、特性の改善や寸法の小型化を図る目的で、高透磁率、且つ低磁気損失な磁性材料を適用する試みがなされている。
【０００３】
ＧＨｚ帯を含む高周波領域で使用可能な軟磁性材料として、近年、スピネルフェライトよりも自然共鳴周波数が高周波となる六方晶フェライトを用いる検討がなされている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、ＧＨｚ以上の高周波帯域で透磁率及び誘電率を調整できる電磁波吸収体、磁性アンテナに適した固溶系Ｙ型六方晶フェライト材料、及び該材料を用いた成型体、電磁波吸収体、及びアンテナについて記載されている。
【０００５】
特許文献１によると、Ｂａ２（ＺｎａＮｉｂＣｏｃ）２Ｆｅ１２Ｏ２２の組成において、ｂ＝０．５、ｃ＝０．５となるように作製した固溶系Ｙ型六方晶フェライト粉末をシート形成したものについて、５００ＭＨｚでの複素透磁率μ’が２．１１０、ｔａｎδが０．００９となり、優れたアンテナ材料となるとされている。
【０００６】
しかし、特許文献１では、２ＧＨｚまではμ’＞２、ｔａｎδ＜０．１の条件を満たすとされていることから、例えば２．４ＧＨｚでｔａｎδ＜０．０１などのより低い磁気損失は得られないと推察される。
【０００７】
また、特許文献２には、本出願人らによりＭ型六方晶フェライトを主相として含み、平均結晶粒子径が５μｍ以上であって、２ＧＨｚにおける複素比透磁率実数部が１．２以上であり、且つ、２ＧＨｚにおける磁気損失が０．０１以下である、アンテナ用磁性材料、並びにアンテナ及び無線通信機器について記載されている。
【０００８】
特許文献２によると、ＭＡＦｅ１２−ｘＭＢｘＯ１９（式中、ＭＡは、Ｓｒ及びＢａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭＢは、ＭＣ又はＭＤであり、ＭＣは、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｃ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭＤは、Ｔｉ及びＺｒからなる群より選択される少なくとも１種と、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｕ及びＣｏからなる群より選択される少なくとも１種との等量混合物であり、ｘは、１以上５以下の数である）で表されるＭ型六方晶フェライトを主相として含み、且つ、平均結晶粒子径が５μｍ以上のものにおいて、自然共鳴が５ＧＨｚ程度以上の周波数帯域に出現し、それ未満の周波数における自然共鳴に起因する磁気損失は十分に抑えられ、さらに磁壁共鳴が１ＧＨｚ程度以下の低周波側へシフトするため、１〜５ＧＨｚ程度の広い周波数帯域で透磁率の損失係数ｔａｎδμが効果的に低減されるとしている。
【０００９】
しかし、特許文献２では、高周波のｔａｎδμを低減するため、磁壁共鳴を低周波側へシフトさせるのみで、磁壁共鳴そのものが無くなるわけではないため、低周波側（１ＧＨｚ以下）では磁壁共鳴に起因する高いｔａｎδμが存在するという問題がある。
【００１０】
また、特許文献３には、本出願人により数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高周波までを含む幅広い周波数範囲において、低磁気損失と高透磁率を備える六方晶フェライト焼結体、及びそれを用いた高周波磁性部品について記載されている。
【００１１】
この特許文献３によると、六方晶のｃ軸方向に磁化容易軸を有する六方晶フェライト焼結体について、Ｘ線回折測定により２θが１５°から８０°の範囲で求めた結晶配向度Ｏｒ（ｆ）＝Σ（００ｌ）／Σ（ｈｋｌ）を０．８０以上、磁化容易軸に垂直な方向に磁場を印加した際に得られる１００ＭＨｚ以上３ＧＨｚ以下における磁気損失ｔａｎδμを０．０１０以下で、且つ複素透磁率の実部μ´を１．５０以上とすることで、数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高周波を含む広い周波数範囲に対応した、インダクタ、ＥＭＩフィルタ、アンテナなどの磁性材料として適用可能であるとされている。
【００１２】
しかし、特許文献３では、結晶配向度Ｏｒを０．８０以上に高めることで磁性材料に異方性が生じるため、ｔａｎδμが０．０１０以下の低い値となるのが磁化容易軸に垂直な方向に磁場を印加した際に限られることから、この材料を高周波磁性部品に適用する場合、高周波磁性部品の設計が制限されるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第５２８２３１８号公報
【特許文献２】特許第５８５３３８１号公報
【特許文献３】特開２０１５−１９１９３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明はかかる事情に鑑み、ＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数範囲において、低磁気損失と高透磁率を備え、且つ異方性を持たないため高周波磁性部品に適用しても設計が制限されない、六方晶フェライト焼結体、及びそれを用いた高周波磁性部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明の六方晶フェライト焼結体は、ＭＡαＦｅ１２−β（ＭＢ１−（γ＋δ）ＭｎγＭＣδ）βＯ１９（式中、ＭＡはＢａ、Ｓｒ、及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＢは、４価の金属イオンより選択される少なくとも一種であり、ＭＣはＮｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｕ及びＣｏからなる群より選択され、αは０．８以上１．２以下、βは３．０以上５．５以下、γ＋δは０．４８以上０．５５以下、δは０．００以上０．１５以下である）で表されるＭ型六方晶フェライトを主相として含み、全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）が（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上であることを特徴とする六方晶フェライト焼結体とする。
【００１６】
また、本発明の六方晶フェライト焼結体は、上記六方晶フェライト焼結体における、  αが１．０以上１．１以下、βが４．０以上５．０以下、γ＋δが０．４９以上０．５１以下、δは０．００以上０．１０以下であることが好ましい。本発明の発明者は、六方晶フェライト焼結体を上記組成、且つＭｎ２＋／ＭｎのＭ型六方晶フェライトとすることで、高い自然共鳴周波数ｆｒに起因する高周波での低ｔａｎδμを維持しつつ、異方性磁界ＨＡを効果的に減少させることができるため、磁壁共鳴に起因する低周波でのｔａｎδμも抑制され、且つμ´も高められることを見出した。さらに、上記組成のＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、α、β、γ、及びδを適宜調整することにより、ＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数範囲において、低ｔａｎδμを維持しつつ、所望の周波数におけるμ´を最大限に高めることができる。
【００１７】
本発明による高周波磁性部品は、本発明による前述の六方晶フェライト焼結体を用いることを特徴とし、例えば、インダクタや、ノイズ対策用として用いられるＥＭＩフィルタ、無線通信機器に用いられるアンテナとして電子機器あるいは無線通信機器内で使用される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数範囲において、低磁気損失と高透磁率を備えた六方晶フェライト焼結体、及びそれを用いた高周波磁性部品を、異方性を考慮した設計に制限されることなく提供することができる。本発明の六方晶フェライト焼結体をインダクタ、ＥＭＩフィルタ、アンテナなどの磁性材料として適用することにより、それら電子部品をＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数範囲で使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、実施例１、実施例４、実施例５、実施例６、実施例１１、及び比較例３、比較例４、比較例８、比較例９、比較例１０のＭｎ２＋／Ｍｎ、さらにＭｎ２＋／Ｍｎが（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上となる範囲を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。また、下記の実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。
【００２１】
本実施形態の六方晶フェライト焼結体は、ＭＡαＦｅ１２−β（ＭＢ１−（γ＋δ）ＭｎγＭＣδ）βＯ１９（式中、ＭＡはＢａ、Ｓｒ、及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＢは、４価の金属イオンより選択される少なくとも一種であり、ＭＣはＮｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｕ及びＣｏからなる群より選択され、αは０．８以上１．２以下、βは３．０以上５．５以下、γ＋δは０．４８以上０．５５以下、δは０．００以上０．１５以下である）で表されるＭ型六方晶フェライト焼結体である。そのような組成式で表されるＭ型六方晶フェライトにおいては、高周波でのｔａｎδμを増大させることなくＨＡが低められるため、μ＝４πＭＳ／ＨＡ（ＭＳは飽和磁化）で表される磁化回転による透磁率が高められ、低ｔａｎδμを維持しつつ、ＧＨｚ帯の高周波におけるμ´を高い値とすることが可能となる。
【００２２】
本実施形態の六方晶フェライト焼結体は、必ずしも上記組成で表されるＭ型六方晶フェライト焼結体単相である必要はない。製造過程のばらつき等により、Ｙ型フェライトやＦｅ３Ｏ４、及びＣａやＳｉを含む粒界成分等の異相が六方晶フェライト焼結体に生成する場合があり得る。したがって、本実施形態に係る六方晶フェライト焼結体は、上記組成で表されるＭ型六方晶フェライト焼結体を主相とするが、上述したような異相を含むことも許容する。
【００２３】
ただし、異相の存在に伴ってＧＨｚ帯の高周波領域におけるｔａｎδμが増加することを防ぐため、上記組成で表されるＭ型六方晶フェライトの比率は９５％以上とする。ここで、上記組成で表されるＭ型六方晶フェライトの比率とは、本実施形態に係る六方晶フェライト焼結体を構成する各相のＸ線回折（ＸＲＤ）測定におけるメインピーク（強度が最も強いピーク）の強度の合計に対する上記組成で表されるＭ型六方晶フェライトのメインピ−ク強度の合計の割合である。
【００２４】
本実施形態の六方晶フェライト焼結体は、全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）が（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上である。Ｍｎ２＋／Ｍｎをそのような範囲に限定することで、ＨＡが効果的に調整されるため、磁壁共鳴が抑制され、１ＧＨｚ以下を含む広い周波数帯において、ｔａｎδμを０．０１０以下とすることが可能となる。ここで、本発明における「全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）」は、蛍光Ｘ線分析装置を用いたガラスビード法により測定した組成分析値と、電位差滴定により求めたＭｎ２＋量より求めた。
【００２５】
また、本実施形態の六方晶フェライト焼結体は、上記Ｍ型六方晶フェライト焼結体のαが１．０以上１．１以下、βが４．０以上５．０以下、γ＋δが０．４９以上０．５１以下、δは０．００以上０．１０以下であることが好ましい。そのような組成式で表されるＭ型六方晶フェライトにおいてはＨＡがより効果的に調整されてμ´がより高められるため、低ｔａｎδμを維持しつつ、μ´をより高い値とすることが可能となる。
【００２６】
本実施形態の六方晶フェライト焼結体は、例えば、次のように作製される。まず、Ｍ型六方晶フェライト粉を作製する。所望の組成となるように原料となる炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を秤量し、ボールミル等の混合手段によって所定の時間配合し、配合が終了した配合粉について電気炉等を用いて適宜の温度、且つ、適宜の時間仮焼する。そして、仮焼終了後の仮焼粉を振動ミルやボールミル等の粉末作製手段で所定の時間粉砕して粉末とすることで、Ｍ型六方晶フェライト粉が完成する。
【００２７】
次に、このＭ型六方晶フェライト焼結体を作製する。まず、作製したＭ型六方晶フェライト粉にＰＶＡなどのバインダーを添加した後、スプレイドライヤー等によって造粒することにより造粒粉を得る。この造粒粉を所定の圧力でプレス機により所望の形状に成形した後、電気炉等を用いて適宜の温度、且つ、適宜の時間焼成を行い、焼結体を得る。
【００２８】
上記焼結体のＭｎ２＋／Ｍｎは、配合組成を適宜調整することにより、（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上の範囲に限定することができる。例えば、配合するＭｎの量を化学量論組成よりも少なくするほど、Ｍｎ２＋／Ｍｎは高くなる傾向がある。さらに、焼結体の焼成条件を適宜調整することによっても、（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上の範囲に限定することができる。例えば、焼成温度を高くするほど、また焼成雰囲気を低酸素雰囲気にするほど、Ｍｎ２＋／Ｍｎは高くなる傾向がある。
【００２９】
本実施形態の六方晶フェライト焼結体は、作製時に磁場成形等の結晶配向工程を含まないため、様々な方法で比較的容易に作製可能である。
【００３０】
本実施形態の高周波磁性部品は、磁性材料として上記六方晶フェライト焼結体を用いる。上記六方晶フェライト焼結体は、ＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数において低ｔａｎδμ、且つ高μ´であり、さらに磁性材料として異方性を持たないことから、高周波で使用されるインダクタ、ＥＭＩフィルタ、アンテナ等の高周波磁性部品に好適である。
【実施例】
【００３１】
次に、上述した実施形態をより具体的に実施した実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。表１に、実施例、及び比較例に係る六方晶フェライト焼結体の組成、（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］の計算値、全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）の実測値、及び８００ＭＨｚと２．４ＧＨｚでのμ´とｔａｎδμの評価結果を示す。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
（実施例１〜実施例１３、及び比較例１〜比較例１０）
実施例１〜実施例１３、及び比較例１〜比較例１０として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）を原料とし、これらを表１に示す所定の組成となるように秤量した。秤量後の原料を湿式ボールミルで水を媒体として１６時間配合した後、大気中において１３００℃で２時間仮焼した。得られた仮焼粉を振動ミルで１０分間乾式粉砕した後、湿式ボールミルで水を媒体として２４時間粉砕し、粉砕後の粉を１５０℃で２４時間乾燥させて粉砕粉を得た。
【００３４】
次に、粉砕粉にバインダーとしてＰＶＡを添加して造粒し、得られた造粒粉をプレス機により１００ＭＰａの圧力で成形して成形体とした。この成形体を酸素分圧０〜２０％の低濃度の酸素雰囲気中（実施例４では１％、実施例５では１５％とし、他のものはこれらを指標として目的とするＭｎ２＋／Ｍｎとなるよう適宜調整した。ただし、比較例８〜比較例１０については大気中とした）、１１５０℃から１３００℃（実施例５では１１５０℃、実施例６では１２８０℃とし、他のものはこれらを指標として目的とするＭｎ２＋／Ｍｎとなるよう適宜調整した）で、１０時間保持する焼成を行い、焼結体を得た。
【００３５】
このようにして得られた実施例１〜実施例９の六方晶フェライト焼結体は、αが０．８以上１．２以下、βが３．０以上５．５以下、γ＋δが０．４８以上０．５５以下、δが０．００以上０．１５以下の範囲にあり、さらにＭｎ２＋／Ｍｎが（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上であるため、低ｔａｎδμを維持しつつＨＡが調整されて透磁率が高められることから、８００ＭＨｚと２．４ＧＨｚでのｔａｎδμが０．０１０以下の低い値であり、且つμ´が１．６０以上の高い値となっている。
【００３６】
実施例１０〜実施例１３の六方晶フェライト焼結体は、αが１．０以上１．１以下、βが４．０以上５．０以下、γ＋δが０．４９以上０．５１以下、δが０．００以上０．１０以下の範囲にあり、さらにＭｎ２＋／Ｍｎが（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上であるため、ＨＡがより効果的に調整されて透磁率がより高められることから、８００ＭＨｚと２．４ＧＨｚでのｔａｎδμが０．０１０以下の低い値であり、且つμ´が１．７０以上のより高い値となっている。
【００３７】
比較例１、及び比較例２の六方晶フェライト焼結体は、αの値が０．８以上１．２以下の範囲から逸脱するため、ＧＨｚ帯周辺のｔａｎδμが広い周波数範囲で低い値に維持されず、αの値が０．８よりも小さい比較例１の六方晶フェライト焼結体においては８００ＭＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となり、αの値が１．２よりも大きい比較例２の六方晶フェライト焼結体においては２．４ＧＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となっている。
【００３８】
比較例３、及び比較例４の六方晶フェライト焼結体は、βの値が３．０以上５．５以下の範囲から逸脱するため、ＧＨｚ帯周辺のｔａｎδμが広い周波数範囲で低い値に維持されず、βの値が３．０よりも小さい比較例３の六方晶フェライト焼結体においては８００ＭＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となり、βの値が５．５よりも大きい比較例４の六方晶フェライト焼結体においては２．４ＧＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となっている。
【００３９】
比較例５、及び比較例６の六方晶フェライト焼結体は、γ＋δの値が０．４８以上０．５５以下の範囲から逸脱するため、ＧＨｚ帯周辺のｔａｎδμが広い周波数範囲で低い値に維持されず、γ＋δの値が０．４８よりも小さい比較例５の六方晶フェライト焼結体においては２．４ＧＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となり、γ＋δの値が０．５５よりも大きい比較例６の六方晶フェライト焼結体においては８００ＭＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となっている。
【００４０】
比較例７の六方晶フェライト焼結体は、δの値が０．００以上０．１５以下の範囲から逸脱するため、ＧＨｚ帯周辺のｔａｎδμが広い周波数範囲で低い値に維持されず、δの値が０．１５よりも大きい比較例７の六方晶フェライト焼結体においては８００ＭＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となっている。
【００４１】
比較例８〜比較例１０の六方晶フェライト焼結体は、αが０．８以上１．２以下、βが３．０以上５．５以下、γ＋δが０．４８以上０．５５以下、δが０．００以上０．１５以下の範囲内にあるものの、Ｍｎ２＋／Ｍｎの値が（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］未満であるため、磁壁共鳴が十分に抑制されず、８００ＭＨｚでのｔａｎδμが０．０１０よりも高い値となっている。
【００４２】
（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）
全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）は組成分析と、Ｆｅ２＋とＭｎ２＋の定量によって求めた。組成分析は焼結体を粉砕し、粉末状にした後、蛍光Ｘ線分析装置（リガク（株）製、ＳＭＸ−１４）を用いガラスビード法によって測定した。Ｍｎ２＋量は、最初にＦｅ２＋量を上記粉末状にした試料２００ｍｇにシュウ酸、強リン酸を加え加熱溶解後、脱気水を加えＮ／５００  Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７溶液を用いた電位差滴定で求めた後、上記粉末状にした試料２００ｍｇに強リン酸を加え加熱溶解後、脱気水を加えＮ／１００  硫酸第一鉄アンモニウム溶液を用いた電位差滴定及び先に求めたＦｅ２＋量の値より求めた。
【００４３】
（複素透磁率の実部μ´、及び磁気損失ｔａｎδμ）
調製した各原料粉末の焼結体からリング状試料（外径７ｍｍ×内径３．１ｍｍ×厚さ２〜２．５ｍｍ）を各々成形加工し、得られたリング状試料の１ＭＨｚから３ＧＨｚにおける複素透磁率の実部μ´、及び磁気損失ｔａｎδμを、アジレント・テクノロジー（株）製、Ｅ４９９１Ａ  ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザを用いて測定した。また、調製した各原料粉末の焼結体から棒状試料（１．２ｍｍ×１．２ｍｍ×１２０ｍｍ）を各々成形加工し、得られた各棒状試料の２．４ＧＨｚにおける複素透磁率の実部μ´、及び磁気損失ｔａｎδμを、ネットワークアナライザ（アジレント・テクノロジー（株）製、ＨＰ８７５３Ｄ）と空洞共振器を用いた摂動法により測定した。
【００４４】
表１の結果から分かるように、実施例１から実施例１３に係る六方晶フェライト焼結体は、いずれも８００ＭＨｚと２．４ＧＨｚのｔａｎδμが０．０１０以下であり、且つμ´が１．６０以上となっている。これらの六方晶フェライト焼結体は全て、ＭＡαＦｅ１２−β（ＭＢ１−（γ＋δ）ＭｎγＭＣδ）βＯ１９で表され、ＭＡはＢａ、Ｓｒ、及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＢは、４価の金属イオンより選択される少なくとも一種であり、ＭＣはＮｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｕ及びＣｏからなる群より選択され、αは０．８以上１．２以下、βは３．０以上５．５以下、γ＋δは０．４８以上０．５５以下、δは０．００以上０．１５以下の範囲にあり、且つ全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）が（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］以上である。そのため、ｆｒが十分に高く、また磁壁共鳴は抑制されたことから、１ＧＨｚ以下を含む広い周波数帯でｔａｎδμが低い値で維持され、且つＨＡが調整されてμ´が高められたと考えられる。
【００４５】
実施例１０から実施例１３に係る六方晶フェライト焼結体は、８００ＭＨｚと２．４ＧＨｚのμ´が１．７０以上となっており、実施例１から実施例９に係る六方晶フェライト焼結体と比較して、より高いμ´が達成されている。これは、この実施例に係る六方晶フェライト焼結体のαが１．０以上１．１以下、βが４．０以上５．０以下、γ＋δが０．４９以上０．５１以下、δが０．００以上０．１０以下の範囲にあるため、実施例１から実施例９に係る六方晶フェライト焼結体と比較して、異方性磁界ＨＡがより効果的に調整されたため、低ｔａｎδμを維持しつつ、μ´がより高められたと考えられる。
【００４６】
比較例１から比較例７に係る六方晶フェライト焼結体は、いずれも８００ＭＨｚ、または２．４ＧＨｚいずれかのｔａｎδμが０．０１０よりも大きい値となっている。これは、この比較例に係る六方晶フェライト焼結体のα、β、γ＋δ、またはδのいずれかが、αについては０．８以上１．２以下、βについては３．０以上５．５以下、γ＋δについては０．４８以上０．５５以下、そしてδについては０．００以上０．１５以下の範囲から逸脱するため、ｆｒが十分に高い値とならなかった、または磁壁共鳴が十分に抑制されなかったことなどを理由に、１ＧＨｚ以下を含む広い周波数帯でｔａｎδμを低い値に維持することができなかったと考えられる。
【００４７】
比較例８から比較例１０に係る六方晶フェライト焼結体は、いずれも８００ＭＨｚのｔａｎδμが０．０１０よりも大きい値となっている。これは、この比較例に係る六方晶フェライト焼結体のα、β、γ＋δ、そしてδについては、αが０．８以上１．２以下、βが３．０以上５．５以下、γ＋δが０．４８以上０．５５以下、そしてδが０．００以上０．１５以下の範囲内にあるものの、全マンガンイオンに対する２価のマンガンイオンの割合（Ｍｎ２＋／Ｍｎ）が（１．３４０−０．１１６β）×１００［％］未満となっているため、磁壁共鳴が十分に抑制されず、８００ＭＨｚのｔａｎδμが０．０１０よりも大きい値となったと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
以上説明した通り、本発明の六方晶フェライト焼結体は、１ＧＨｚ以下から２．４ＧＨｚ周辺を含む高周波の広い周波数範囲で０．０１０以下の低いｔａｎδμを維持しつつμ´を１．６０以上とすることができる。そのため、本発明による六方晶フェライト焼結体を用いることにより、例えば、ＧＨｚ帯周辺の幅広い周波数範囲で使用可能なインダクタ、ＥＭＩフィルタ、アンテナなどを提供することができる。
【図１】
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