(57)【要約】      （修正有）【課題】高いキャリア移動度、高耐熱性及び適当な溶解性を持つ塗布型の有機半導体材料である芳香族化合物、並びにこれを用いた有機半導体層、有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】下記一般式（１−Ｉ）又は（１−ＩＩ）で示される芳香族化合物。2018174322.tif 000043（Ａは共有結合、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ１４又はＣＲ１５＝ＣＲ１６；Ａ１はＣＲ３＝ＣＲ４、Ｏ、Ｓ又はＳｅ；Ａ２はＣＲ７＝ＣＲ８、Ｏ、Ｓ又はＳｅ；Ａ３はＣＲ５＝ＣＲ６、Ｏ、Ｓ又はＳｅ。隣接するＲ１〜Ｒ８のうち１組〜３組が単環〜縮合４環を形成する。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１−Ｉ）または（１−ＩＩ）で示される芳香族化合物。
【化１】
2018174322.tif 000040
（ここで、Ａは共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６を示し、Ａ１はＣＲ３＝ＣＲ４、酸素、硫黄、またはセレンを示し、Ａ２はＣＲ７＝ＣＲ８、酸素、硫黄、またはセレンを示し、Ａ３はＣＲ５＝ＣＲ６、酸素、硫黄、またはセレンを示す。Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が単環〜縮合４環を形成し、該単環〜縮合４環を構成する全ての環が４〜６員環である。該単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数４〜２２のアルカジエニル基、炭素数４〜２２のアルカジイニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。Ｒ１４〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数４〜２２のアルカジエニル基、炭素数４〜２２のアルカジイニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。）
【請求項２】
Ａが共有結合であることを特徴とする請求項１に記載の芳香族化合物。
【請求項３】
Ａが酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６であることを特徴とする請求項１に記載の芳香族化合物。
【請求項４】
請求項１に記載の一般式（１−Ｉ）で示される芳香族化合物であり、下記一般式（７）で示されることを特徴とするビフェニレン誘導体。
【化２】
2018174322.tif 000041
［（ここで、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が下記一般式（８）を構成し、５又は６員環を形成する。下記一般式（８）を構成しなかったＲ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。）
【化３】
2018174322.tif 000042
（ここで、Ｘは酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝ＣＲ１１、又はＮＲ１２を示し、ＹはＣＲ１３又は窒素を示す。Ｒ９〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。）］
【請求項５】
Ｒ１〜Ｒ４の隣接する二つからなる組合せの内、１組のみ、及びＲ５〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組のみが一般式（８）を構成することを特徴とする請求項４に記載のビフェニレン誘導体。
【請求項６】
Ｘが酸素、硫黄、セレン、又はＣＲ１０＝ＣＲ１１を示し、かつＹがＣＲ１３又は窒素を示すことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のビフェニレン誘導体。
【請求項７】
Ｘが酸素、硫黄、又はセレンを示し、かつＹがＣＲ１３又は窒素を示すことを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれかに記載のビフェニレン誘導体。
【請求項８】
Ｒ１とＲ２及びＲ５とＲ６が一般式（８）を構成することを特徴とする請求項４〜請求項７のいずれかに記載のビフェニレン誘導体。
【請求項９】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の芳香族化合物、または請求項４〜請求項８のいずれかに記載のビフェニレン誘導体を含有することを特徴とする有機半導体層形成用溶液。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機半導体層形成用溶液を用いてなることを特徴とする有機半導体層。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機半導体層を含んでなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体材料等の電子材料への展開が可能な新規な芳香族化合物、これを用いた有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタに関するものであり、特に溶解性及び耐熱性に優れることから様々なデバイス作製プロセスに適用可能な新規な芳香族化合物、これを用いた有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタに代表される有機半導体デバイスは、省エネルギー、低コスト及びフレキシブルといった無機半導体デバイスにはない特徴を有することから近年注目されている。この有機半導体デバイスは、有機半導体層、基板、絶縁層、電極等の数種類の材料から構成され、中でも電荷のキャリア移動を担う有機半導体層は該デバイスの中心的な役割を有している。そして、有機半導体デバイス性能は、この有機半導体層を構成する有機半導体材料のキャリア移動度により左右されることから、高キャリア移動度を与える有機半導体材料の出現が所望されている。
【０００３】
有機半導体層を作製する方法としては、高温真空下、有機材料を気化させて実施する真空蒸着法、有機材料を適当な溶媒に溶解させその溶液を塗布する塗布法等の方法が一般的に知られている。このうち、塗布法においては、高温高真空条件を用いることなく印刷技術を用いても実施することができるため、デバイス作製の大幅な製造コストの削減を図ることが期待でき、経済的に好ましいプロセスである。
【０００４】
このような塗布法に使用される有機半導体材料は、高いキャリア移動度、及びデバイス作製のプロセス上の観点から、１３０℃以上の耐熱性及び室温での溶解度が０．１重量％以上を持つことが好ましい。さらに、デバイスの観点からは電極との接触抵抗を小さくするためＨＯＭＯレベル−５．４ｅＶ以上であり、電極の仕事関数に近いことが好ましい。
【０００５】
ここで、一般的に、縮合環系の棒状の分子長軸を有する低分子半導体は、高分子半導体と比べて結晶性が高いため高キャリア移動度を発現しやすいことが知られている。しかし、縮合環数が５以下では低融点及びＨＯＭＯレベルが低い課題が、縮合環数が６以上では低溶解性である課題があり、高キャリア移動度、高耐熱性、適当な溶解性及び高いＨＯＭＯレベルを兼ね合わせた低分子系の有機半導体材料は殆ど知られていないのが現状である。
【０００６】
現在、低分子系材料としては、２，７−ジアルキル置換ベンゾチエノベンゾチオフェン（縮合４環）（例えば、特許文献１参照及び非特許文献１参照）、６，６’−ジアルキルジナフトチエノチオフェン（縮合６環）（例えば、特許文献２参照）、ターフェニレン誘導体（例えば、特許文献３参照）等が提案されている。
【０００７】
しかし、特許文献１及び非特許文献１に記載されたジアルキル置換ベンゾチエノベンゾチオフェンの場合、ＨＯＭＯレベルが−５．５ｅＶであり、ＨＯＭＯレベルの向上が求められるものであった。また、１３０℃以上に加熱するとトランジスタ動作が失われるという問題があった。
【０００８】
特許文献２に記載の６，６’−ジアルキルジナフトチエノチオフェンは、６０℃での溶解度が０．０８ｇ／Ｌ以下（０．０１重量％以下、トルエン）と低い課題があった。
【０００９】
さらに特許文献３に記載のターフェニレン誘導体は、ベンゼン環とシクロブテン環からなる直線性の高い縮合環骨格を有するため、溶解度が低下する課題があった。
【００１０】
また、テトラチエノビフェニレン骨格を有する化合物が報告されているが、円盤形状に近い構造を有することから、構造的に有機半導体の層を形成するのに適さず、有機半導体材料として適したものではなかった（非特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】ＷＯ２００８／０４７８９６号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１０／０９８３７２号公報
【特許文献３】ＷＯ２００６／１０９５６９号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】ジャーナル  オブ  アメリカン  ケミカル  ソサエティー、２００７年、１２９巻、１５７３２〜１５７３３頁
【非特許文献２】ジャーナル  オブ  アメリカン  ケミカル  ソサエティー、２０１３年、１３５巻、１７３１〜１７３４頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高キャリア移動度で高耐熱性、適当な溶解性及び高いＨＯＭＯレベルを持つ新規な塗布型の有機半導体材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討の結果、新規な芳香族化合物が高キャリア移動度を与えると共に、高耐熱性、適当な溶解性及びＨＯＭＯレベルを持つ有機半導体材料となることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１５】
即ち、本発明は、下記一般式（１−Ｉ）または（１−ＩＩ）で示されることを特徴とする芳香族化合物、有機半導体層、それを用いてなる有機薄膜トランジスタに関するものである。
【００１６】
【化１】
2018174322.tif 000002
【００１７】
（ここで、Ａは共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６を示し、Ａ１はＣＲ３＝ＣＲ４、酸素、硫黄、またはセレンを示し、Ａ２はＣＲ７＝ＣＲ８、酸素、硫黄、またはセレンを示し、Ａ３はＣＲ５＝ＣＲ６、酸素、硫黄、またはセレンを示す。Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が単環〜縮合４環を形成し、該単環〜縮合４環を構成する全ての環が４〜６員環である。該単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数４〜２２のアルカジエニル基、炭素数４〜２２のアルカジイニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。Ｒ１４〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数４〜２２のアルカジエニル基、炭素数４〜２２のアルカジイニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。）
以下に本発明を詳細に説明する。
【００１８】
本発明の芳香族化合物は上記一般式（１−Ｉ）または（１−ＩＩ）で示される誘導体である。
【００１９】
一般式（１−Ｉ）及び（１−ＩＩ）のＡは、共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６を示し、高移動度のため、共有結合、酸素、硫黄が好ましい。
【００２０】
一般式（１−Ｉ）及び（１−ＩＩ）のＡ１は、ＣＲ３＝ＣＲ４、酸素、硫黄、またはセレンを示し、安定性のため、ＣＲ３＝ＣＲ４、硫黄が好ましく、ＣＲ３＝ＣＲ４がさらに好ましい。
【００２１】
一般式（１−Ｉ）及び（１−ＩＩ）のＡ２は、ＣＲ７＝ＣＲ８、酸素、硫黄、またはセレンを示し、安定性のため、ＣＲ７＝ＣＲ８、硫黄が好ましく、ＣＲ７＝ＣＲ８がさらに好ましい。
【００２２】
一般式（１−Ｉ）及び（１−ＩＩ）のＡ３は、ＣＲ５＝ＣＲ６、酸素、硫黄、またはセレンを示し、安定性のため、ＣＲ５＝ＣＲ６、硫黄が好ましく、ＣＲ５＝ＣＲ６がさらに好ましい。
【００２３】
一般式（１−Ｉ）及び（１−ＩＩ）において、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が単環〜縮合４環を形成し、該単環〜縮合４環を構成する全ての環が４〜６員環である。本発明において、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が単環〜縮合４環を形成しないとき、または、該単環〜縮合４環を構成する全ての環が４〜６員環でないとき、結晶性が低下し、キャリア移動が低下する原因となる。
【００２４】
該４〜６員環である環の具体例としてはシクロブテン環、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ベンゼン環、ピリジン環等を挙げることができ、高移動度のため、シクロブテン環、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、ベンゼン環が好ましい。特に高溶解性のため、４または５員環が好ましく、シクロブテン環、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環がさらに好ましい。
【００２５】
一方、一般式（１−Ｉ）及び（１−ＩＩ）において、該単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数４〜２２のアルカジエニル基、炭素数４〜２２のアルカジイニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。
【００２６】
該Ｒ１〜Ｒ８におけるハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示し、安定であることからフッ素、塩素が好ましい。
【００２７】
該Ｒ１〜Ｒ８における炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、イソバレリル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルデシル、２−ヘキシルデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の直鎖、分岐、又は環状アルキル基が挙げられる。そして、その中でも特に高移動度及び高溶解性を示すビフェニレン誘導体となることから、炭素数１〜１４のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基である炭素数１〜１４の直鎖アルキル基がさらに好ましい。
【００２８】
該Ｒ１〜Ｒ８における炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、２−メチルプロペニル基、ｎ−ペンテニル基、２−メチルブテニル基、ｎ−ヘキセニル基、２−メチルペンテニル基、ｎ−ヘプテニル基、ｎ−オクテニル基、２−エチルヘキセニル基、ｎ−ノネル基、２−エチルヘプテニル基、ｎ−デセニル基、ｎ−ドデセニル基、シクロペンテニル−１−基、シクロヘキセニル−１−基、シクロヘプテニル−１−基等が挙げられる。
【００２９】
該Ｒ１〜Ｒ８における炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ｎ−ヘキシニル基、ｎ−ヘプチニル基、ｎ−オクチニル基、ｎ−ノニニル基、ｎ−デシニル基、ｎ−ドデシニル基等が挙げられる。
【００３０】
該Ｒ１〜Ｒ８における炭素数４〜２２のアルカジエニル基としては、例えば、ブタジエニル基、ペンタジエニル基、ヘキサジエニル基、ｎ−ヘプタジエニル基、ｎ−オクタジエニル基、ｎ−ノナジエニル基、ｎ−デカジエニル基、ｎ−ドデカジエニル基、ｎ−トリデカジエニル基等が挙げられ、炭素数４〜２２のアルカ−１，３−ジエニル基であることが好ましく、ヘキサ−１，３−ジエニル基、ｎ−ヘプタ−１，３−ジエニル基、ｎ−オクタ−１，３−ジエニル基、ｎ−ノナ−１，３−ジエニル基、ｎ−デカ−１，３−ジエニル基がさらに好ましい。
【００３１】
該Ｒ１〜Ｒ８における炭素数４〜２２のアルカジイニル基としては、例えば、ブタジイニル基、ペンタジイニル基、ヘキサジイニル基、ｎ−ヘプタジイニル基、ｎ−オクタジイニル基、ｎ−ノナジイニル基、ｎ−デカジイニル基、ｎ−ドデカジイニル基、ｎ−トリデカジイニル基等が挙げられ、炭素数４〜２２の１，３−アルカジイニル基であることが好ましく、ヘキサ−１，３−ジイニル基、ｎ−ヘプタ−１，３−ジイニル基、ｎ−オクタ−１，３−ジイニル基、ｎ−ノナ−１，３−ジイニル基、ｎ−デカ−１，３−ジイニル基がさらに好ましい。
【００３２】
該Ｒ１〜Ｒ８における炭素数４〜２６のアリール基は、炭素数４〜２４のヘテロアリール基を含む。該炭素数４〜２６のアリール基としては、例えば、フェニル基；ｐ−トリル基、ｐ−（ｎ−ヘキシル）フェニル基、ｐ−（ｎ−オクチル）フェニル基、ｐ−（２−エチルヘキシル）フェニル基等のアルキル置換フェニル基；２−フリル基、２−チエニル基；５−フルオロ−２−フリル基、５−メチル−２−フリル基、５−エチル−２−フリル基、５−（ｎ−プロピル）−２−フリル基、５−（ｎ−ブチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−フリル基、５−（ｎ−オクチル）−２−フリル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−フリル基、５−フルオロ−２−チエニル基、５−メチル−２−チエニル基、５−エチル−２−チエニル基、５−（ｎ−プロピル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ブチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−チエニル基、５−（ｎ−オクチル）−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基等のアルキル置換ヘテロアリール基を挙げることができる。
【００３３】
これらのＲ１〜Ｒ８のうち、高移動度のため、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素、フッ素、塩素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基がさらに好ましく、水素が特に好ましい。
【００３４】
一般式（１−Ｉ）及び（１−ＩＩ）において、Ｒ１４〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数４〜２２のアルカジエニル基、炭素数４〜２２のアルカジイニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。
【００３５】
該Ｒ１４〜Ｒ１６におけるハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示し、安定であることからフッ素、塩素が好ましい。
【００３６】
該Ｒ１４〜Ｒ１６における炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、イソバレリル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルデシル、２−ヘキシルデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の直鎖、分岐、又は環状アルキル基が挙げられる。そして、その中でも特に高移動度及び高溶解性を示す芳香族化合物となることから、炭素数１〜１４のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基ｎ−テトラデシル基である炭素数１〜１４の直鎖アルキル基がさらに好ましい。
【００３７】
該Ｒ１４〜Ｒ１６における炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、２−メチルプロペニル基、ｎ−ペンテニル基、２−メチルブテニル基、ｎ−ヘキセニル基、２−メチルペンテニル基、ｎ−ヘプテニル基、ｎ−オクテニル基、２−エチルヘキセニル基、ｎ−ノネル基、２−エチルヘプテニル基、ｎ−デセニル基、ｎ−ドデセニル基、シクロペンテニル−１−基、シクロヘキセニル−１−基、シクロヘプテニル−１−基等が挙げられる。
【００３８】
該Ｒ１４〜Ｒ１６における炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ｎ−ヘキシニル基、ｎ−ヘプチニル基、ｎ−オクチニル基、ｎ−ノニニル基、ｎ−デシニル基、ｎ−ドデシニル基等が挙げられる。
【００３９】
該Ｒ１４〜Ｒ１６における炭素数４〜２２のアルカジエニル基としては、例えば、ブタジエニル基、ペンタジエニル基、ヘキサジエニル基、ｎ−ヘプタジエニル基、ｎ−オクタジエニル基、ｎ−ノナジエニル基、ｎ−デカジエニル基、ｎ−ドデカジエニル基、ｎ−トリデカジエニル基等が挙げられ、炭素数４〜２２のアルカ−１，３−ジエニル基であることが好ましく、ヘキサ−１，３−ジエニル基、ｎ−ヘプタ−１，３−ジエニル基、ｎ−オクタ−１，３−ジエニル基、ｎ−ノナ−１，３−ジエニル基、ｎ−デカ−１，３−ジエニル基がさらに好ましい。
【００４０】
該Ｒ１４〜Ｒ１６における炭素数４〜２２のアルカジイニル基としては、例えば、ブタジイニル基、ペンタジイニル基、ヘキサジイニル基、ｎ−ヘプタジイニル基、ｎ−オクタジイニル基、ｎ−ノナジイニル基、ｎ−デカジイニル基、ｎ−ドデカジイニル基、ｎ−トリデカジイニル基等が挙げられ、炭素数４〜２２の１，３−アルカジイニル基であることが好ましく、ヘキサ−１，３−ジイニル基、ｎ−ヘプタ−１，３−ジイニル基、ｎ−オクタ−１，３−ジイニル基、ｎ−ノナ−１，３−ジイニル基、ｎ−デカ−１，３−ジイニル基がさらに好ましい。
【００４１】
該Ｒ１４〜Ｒ１６における炭素数４〜２６のアリール基は、炭素数４〜２４のヘテロアリール基を含む。該炭素数４〜２６のアリール基としては、例えば、フェニル基；ｐ−トリル基、ｐ−（ｎ−ヘキシル）フェニル基、ｐ−（ｎ−オクチル）フェニル基、ｐ−（２−エチルヘキシル）フェニル基等のアルキル置換フェニル基；２−フリル基、２−チエニル基；５−フルオロ−２−フリル基、５−メチル−２−フリル基、５−エチル−２−フリル基、５−（ｎ−プロピル）−２−フリル基、５−（ｎ−ブチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−フリル基、５−（ｎ−オクチル）−２−フリル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−フリル基、５−フルオロ−２−チエニル基、５−メチル−２−チエニル基、５−エチル−２−チエニル基、５−（ｎ−プロピル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ブチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−チエニル基、５−（ｎ−オクチル）−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基等のアルキル置換ヘテロアリール基を挙げることができる。
【００４２】
これらのＲ１４〜Ｒ１６のうち、高移動度のため、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましい。
【００４３】
上記一般式（１−Ｉ）または（１−ＩＩ）の芳香族化合物は、合成の容易さから、下記一般式（２）で示される芳香族化合物であることが好ましい。
【００４４】
【化２】
2018174322.tif 000003
【００４５】
［（ここで、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が下記一般式（３）で示される単環〜縮合４環を形成し、該単環〜縮合４環を構成する全ての環が４〜６員環である。下記一般式（３）を形成しなかったＲ１〜Ｒ８、及びＡは、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ８、及びＡとそれぞれ同意義を示す。）
【００４６】
【化３】
2018174322.tif 000004
【００４７】
（ここで、Ｘは共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝Ｃ、または窒素を示し、Ｙは炭素または窒素を示す。ｌはＸが共有結合、酸素、硫黄、セレンのとき０であり、ＸがＣＲ１０＝Ｃ、窒素のとき１である。ｍはＹが炭素のとき１であり、Ｙが窒素のとき０である。Ｒ９〜Ｒ１１及びＲ１３の隣接する二つからなる組合せの内、１組が下記一般式（４）で示される単環〜縮合３環を形成し、該単環〜縮合３環を構成する全ての環が４〜６員環であることができる。下記一般式（４）を形成しなかったＲ９〜Ｒ１１及びＲ１３は、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ４又はＲ５〜Ｒ８と同様の基を示す。Ｘが共有結合のとき、一般式（２）のＡは酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６であり、Ｘが酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝Ｃ、または窒素のとき、一般式（２）のＡは共有結合である。ＸがＣＲ１０＝Ｃのとき、６員環を形成する隣接する二つからなる組合せの位置は、Ｒ１及びＲ２、Ｒ５及びＲ６である。但し、単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ８、一般式（４）を形成しなかったＲ９〜Ｒ１１及びＲ１３、並びにＲ１４、Ｒ１５、及びＲ１６が、同時に水素であることを除く。）
【００４８】
【化４】
2018174322.tif 000005
【００４９】
（ここで、Ｘ１は共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１８＝Ｃ、または窒素を示し、Ｙ１は炭素または窒素を示す。ｎはＸ１が共有結合、酸素、硫黄、またはセレンのとき０であり、Ｘ１がＣＲ１８＝Ｃ、または窒素のとき１である。ｏはＹ１が炭素のとき１であり、Ｙ１が窒素のとき０である。Ｒ１７〜Ｒ２０の隣接する二つからなる組合せの内、１組が下記一般式（５）または一般式（６）を構成し、４〜６員環を形成することができる。一般式（２）のＡが共有結合、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６であるとき、一般式（５）または一般式（６）を構成しなかったＲ１７〜Ｒ２０は、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ４又はＲ５〜Ｒ８と同様の基を示す。また、一般式（２）のＡが酸素、硫黄、またはセレンであるとき、一般式（５）または一般式（６）を構成しなかったＲ１７〜Ｒ２０は、それぞれ独立して、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、炭素数４〜２０のアルキル基からなる群から選ばれ、一つのみが炭素数４〜２０のアルキル基である。但し、該Ｒ１７〜Ｒ２０は、同時に水素であることを除く。）
【００５０】
【化５】
2018174322.tif 000006
【００５１】
（ここで、Ｘ２は酸素、硫黄、セレン、ＣＲ２２＝ＣＲ２３、またはＮＲ２４を示し、Ｙ２はＣＲ２５または窒素を示す。Ｒ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数1〜２０のアルキル基からなる群から選ばれ、Ｒ２１〜Ｒ２５のうち、１つ以上がハロゲンまたは炭素数1〜２０のアルキル基である。）
【００５２】
【化６】
2018174322.tif 000007
【００５３】
（ここで、Ｒ２６は、炭素数1〜２０のアルキル基を示す。）］
上記一般式（２）において、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が上記一般式（３）で示される単環〜縮合４環を形成し、該単環〜縮合４環を構成する全ての環が４〜６員環である。該４〜６員環である環の具体例としては、上記（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における環と同様の環が挙げられ、特に高溶解性のため、４または５員環が好ましく、シクロブテン環、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環がさらに好ましい。
【００５４】
該Ｒ１〜Ｒ８のうち、Ｒ１〜Ｒ４の隣接する二つからなる組合わせとしては、一般式（３）で示される単環〜縮合４環を形成するのが容易となることから、Ｒ１とＲ２のみ、Ｒ２とＲ３のみ、Ｒ３とＲ４のみ、Ｒ１とＲ２及びＲ３とＲ４の組み合わせが好ましい。該Ｒ１〜Ｒ８のうち、Ｒ５〜Ｒ８の隣接する二つからなる。組み合わせとしては、Ｒ５とＲ６のみ、Ｒ６とＲ７のみ、Ｒ５とＲ６及びＲ７とＲ８の組み合わせが好ましい。
【００５５】
また、該Ｒ１〜Ｒ８のうち、高移動度のため、Ｒ１〜Ｒ４の隣接する二つからなる組合せの内、１組のみ、及びＲ５〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組のみが一般式（３）を構成することが好ましい。高耐熱性及び高溶解性の観点からＲ１とＲ２及びＲ５とＲ６が一般式（３）を構成すること、またはＲ２とＲ３及びＲ６とＲ７が一般式（３）を構成することがさらに好ましい。
【００５６】
なお、一般式（２）において、Ｒ１〜Ｒ８の全て、即ちＲ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６及びＲ７とＲ８が、一般式（３）を形成（隣接する４組全てが一般式（３）を形成）すると一般式（２）の芳香族化合物が円盤形状となり、有機半導体材料としての性能発現が困難になる場合がある。
【００５７】
一般式（２）において、一般式（３）を形成しなかったＲ１〜Ｒ８及びＡは、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ８、及びＡとそれぞれ同意義を示す。
【００５８】
上記一般式（３）において、Ｘは共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝Ｃ、または窒素を示し、Ｙは炭素または窒素を示す。高移動度のため、Ｘが共有結合、酸素、硫黄、セレン、またはＣＲ１０＝Ｃを示し、かつＹが炭素であることが好ましく、Ｘが酸素、硫黄、又はセレンを示し、かつＹが炭素であることがさらに好ましい。ここで、一般式（２）におけるＲ２とＲ３及びＲ６とＲ７が一般式（３）を形成する場合は、高溶解性のため、Ｘは酸素、硫黄、セレンが好ましい。
【００５９】
上記一般式（３）において、ｌはＸが共有結合、酸素、硫黄、セレンのとき０であり、ＸがＣＲ１０＝Ｃ、窒素のとき１である。ｍはＹが炭素のとき１であり、Ｙが窒素のとき０である。
【００６０】
上記一般式（３）において、Ｒ９〜Ｒ１１及びＲ１３の隣接する二つからなる組合せの内、１組が上記一般式（４）で示される単環〜縮合３環を形成し、該単環〜縮合３環を構成する全ての環が４〜６員環であることができる。該４〜６員環である環は、例えば、シクロブテン環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、チアゾール環、ベンゼン環、ピリジン環等を挙げることができ、高移動度であるため、シクロブテン環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、ベンゼン環が好ましい。一般式（４）を形成しなかったＲ９〜Ｒ１１及びＲ１３は、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ４又はＲ５〜Ｒ８と同様の基を示す。
【００６１】
上記一般式（３）において、Ｘが共有結合のとき、一般式（２）のＡは酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６であり、Ｘが酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝Ｃ、または窒素のとき、一般式（２）のＡは共有結合である。すなわち、一般式（３）のＸが共有結合のとき、一般式（２）のＡは、安定であることから、酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、ＣＲ１５＝ＣＲ１６であることが有機半導体材料として好適なものとなり、Ｘが酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝Ｃ、窒素のとき、高移動度のため、一般式（２）のＡは共有結合であることが有機半導体材料として好適なものとなる。
【００６２】
上記一般式（３）において、ＸがＣＲ１０＝Ｃのとき、６員環を形成する隣接する二つからなる組合せの位置は、Ｒ１及びＲ２、Ｒ５及びＲ６である。このとき、屈曲構造で高溶解性となるため、有機半導体材料として好適なものとなる。
【００６３】
上記一般式（３）において、単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ８、並びに一般式（４）を形成しなかったＲ９〜Ｒ１１及びＲ１３は、同時に水素であることを除く。同時に水素であることを除くとき、高溶解性となるため、有機半導体材料として好適なものとなる。
【００６４】
上記一般式（４）において、Ｘ１は共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１８＝Ｃ、または窒素を示し、Ｙ１は炭素または窒素を示す。Ｘ１は高移動度のため、共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１８＝Ｃが好ましく、Ｙ１は高移動度のため、炭素が好ましい。なお、一般式（３）のＸが共有結合である時、高安定性であるため、一般式（４）のＸ１は酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１８＝Ｃ、窒素であることが好ましく、ＣＲ１８＝Ｃがさらに好ましい。
【００６５】
上記一般式（４）において、ｎはＸ１が共有結合、酸素、硫黄、またはセレンのとき０であり、Ｘ１がＣＲ１８＝Ｃ、または窒素のとき１である。ｏはＹ１が炭素のとき１であり、Ｙ１が窒素のとき０である。
【００６６】
上記一般式（４）において、Ｒ１７〜Ｒ２０の隣接する二つからなる組合せの内、１組が上記一般式（５）または一般式（６）を構成し、４〜６員環を形成することができる。該４〜６員環としては、例えば、ベンゾシクロブテン環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、チアゾール環、ベンゼン環、ピリジン環を挙げることができ、高移動度であるため、ベンゾシクロブテン環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、ベンゼン環が好ましい。
【００６７】
上記一般式（４）において、一般式（２）のＡが共有結合、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６であるとき、一般式（５）または一般式（６）を構成しなかったＲ１７〜Ｒ２０は、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における単環〜縮合４環を形成しなかったＲ１〜Ｒ４又はＲ５〜Ｒ８と同様の基を示す。このうち、該Ｒ１７〜Ｒ２０が炭素数１〜２０のアルキル基であるとき、特に高移動度及び高溶解性を示す芳香族化合物となることから、炭素数４〜１４のアルキル基が好ましく、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基である炭素数４〜１４の直鎖アルキル基がさらに好ましい。なお、一般式（５）または一般式（６）を構成しなかったＲ１７〜Ｒ２０は、高溶解性のため同時に水素でないことが好ましい。
【００６８】
一般式（２）のＡが酸素、硫黄、またはセレンであるとき、一般式（５）または一般式（６）を構成しなかったＲ１７〜Ｒ２０は、それぞれ独立して、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、炭素数４〜２０のアルキル基からなる群から選ばれ、一つのみが炭素数４〜２０のアルキル基である。このとき、高移動度となるため、有機半導体材料として好適なものとなる。また、該Ｒ１７〜Ｒ２０のうち、一つのみが炭素数４〜１４のアルキル基であることがさらに好ましい。
【００６９】
上記一般式（４）において、一般式（５）または一般式（６）を構成しなかったＲ１７〜Ｒ２０は、同時に水素であることを除く。同時に水素であることを除くとき、高溶解性となるため、有機半導体材料として好適なものとなる。
【００７０】
上記一般式（５）において、Ｘ２は酸素、硫黄、セレン、ＣＲ２２＝ＣＲ２３、またはＮＲ２４を示し、Ｙ２はＣＲ２５または窒素を示す。Ｘ２は高移動度のため、酸素、硫黄、セレン、ＣＲ２２＝ＣＲ２３が好ましく、Ｙ１は高移動度のためＣＲ２５が好ましい。
【００７１】
上記一般式（５）において、Ｒ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数1〜２０のアルキル基からなる群から選ばれ、Ｒ２１〜Ｒ２５のうち、１つ以上がハロゲン、または炭素数1〜２０のアルキル基である。該Ｒ２１〜Ｒ２５のうち、１つ以上がハロゲンまたは炭素数１〜２０のアルキル基であるとき、高溶解性となり、好適なものとなる。
【００７２】
該ハロゲンは、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示し、安定であることからフッ素、塩素が好ましい。
【００７３】
該Ｒ２１〜Ｒ２５の炭素数1〜２０のアルキル基としては、例えば、上述の（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）のＲ１〜Ｒ８における炭素数１〜２０のアルキル基の例を挙げることができ、その中でも特に高移動度及び高溶解性を示す芳香族化合物となることから、炭素数４〜１４のアルキル基が好ましく、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基である炭素数４〜１４の直鎖アルキル基がさらに好ましい。
【００７４】
上記一般式（６）のＲ２６は、炭素数1〜２０のアルキル基を示し、高移動度及び高溶解性を示すビフェニレン誘導体となることから、炭素数４〜１４のアルキル基が好ましく、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基である炭素数４〜１４の直鎖アルキル基がさらに好ましい。
【００７５】
また、上記一般式（１−Ｉ）又は一般式（１−ＩＩ）で示される芳香族化合物は、下記一般式（７）で示されるビフェニレン誘導体としても好適である。
【００７６】
【化７】
2018174322.tif 000008
【００７７】
［（ここで、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が下記一般式（８）を構成し、５又は６員環を形成する。下記一般式（８）を構成しなかったＲ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。）
【００７８】
【化８】
2018174322.tif 000009
【００７９】
（ここで、Ｘは酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝ＣＲ１１、又はＮＲ１２を示し、ＹはＣＲ１３又は窒素を示す。Ｒ９〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。）］
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が上記一般式（８）を構成し、５又は６員環を形成する。該Ｒ１〜Ｒ８のうち、Ｒ１〜Ｒ４の隣接する二つからなる組合わせとしては、一般式（８）を構成するのが容易となることから、Ｒ１とＲ２のみ、Ｒ２とＲ３のみ、Ｒ３とＲ４のみ、Ｒ１とＲ２及びＲ３とＲ４の組み合わせが好ましい。該Ｒ１〜Ｒ８のうち、Ｒ５〜Ｒ８の組み合わせとしては、Ｒ５とＲ６のみ、Ｒ６とＲ７のみ、Ｒ５とＲ６及びＲ７とＲ８の組み合わせが好ましい。
【００８０】
一般式（８）を構成しなかったＲ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示す。
【００８１】
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８におけるハロゲンは、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示し、安定であることからフッ素が好ましい。
【００８２】
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８における炭素数１〜２０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、イソバレリル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルデシル、２−ヘキシルデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の直鎖、分岐、又は環状アルキル基が挙げられる。そして、その中でも特に高移動度及び高溶解性を示すビフェニレン誘導体となることから、炭素数１〜１４のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基である炭素数１〜１４の直鎖アルキル基がさらに好ましい。
【００８３】
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８における炭素数２〜２０のアルケニル基は、例えば、エテニル基、ｎ−プロペニル基、ｎ−ブテニル基、２−メチルプロペニル基、ｎ−ペンテニル基、２−メチルブテニル基、ｎ−ヘキセニル基、２−メチルペンテニル基、ｎ−ヘプテニル基、ｎ−オクテニル基、２−エチルヘキセニル基、ｎ−ノネル基、２−エチルヘプテニル基、ｎ−デセニル基、ｎ−ドデセニル基、シクロペンテニル−１−基、シクロヘキセニル−１−基、シクロヘプテニル−１−基等が挙げられる。
【００８４】
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８における炭素数２〜２０のアルキニル基は、例えば、エチニル基、ｎ−プロピニル基、ｎ−ブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ｎ−ヘキシニル基、ｎ−ヘプチニル基、ｎ−オクチニル基、ｎ−ノニニル基、ｎ−デシニル基、ｎ−ドデシニル基等が挙げられる。
【００８５】
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８における炭素数４〜２６のアリール基は、炭素数４〜２４のヘテロアリール基を含む。例えば、フェニル基；ｐ−トリル基、ｐ−（ｎ−ヘキシル）フェニル基、ｐ−（ｎ−オクチル）フェニル基、ｐ−（２−エチルヘキシル）フェニル基等のアルキル置換フェニル基；２−フリル基、２−チエニル基；５−フルオロ−２−フリル基、５−メチル−２−フリル基、５−エチル−２−フリル基、５−（ｎ−プロピル）−２−フリル基、５−（ｎ−ブチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−フリル基、５−（ｎ−オクチル）−２−フリル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−フリル基、５−フルオロ−２−チエニル基、５−メチル−２−チエニル基、５−エチル−２−チエニル基、５−（ｎ−プロピル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ブチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−チエニル基、５−（ｎ−オクチル）−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基等のアルキル置換ヘテロアリール基を挙げることができる。
【００８６】
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８としては、高移動度のため、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素、フッ素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基がさらに好ましく、水素が特に好ましい。
【００８７】
上記一般式（７）におけるＲ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、少なくとも１組が一般式（８）を構成し、５又は６員環を形成することができるが、該５又は６員環の具体例としてはチオフェン環、フラン環、セレノフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ベンゼン環、ピリジン環等を挙げることができ、高移動度のため、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、ベンゼン環が好ましい。特に高溶解性のため、５員環が好ましく、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環がさらに好ましい。
【００８８】
一般式（７）においてＲ１〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組〜３組が下記一般式（８）を構成し、５又は６員環を形成することができるが、高移動度のため、Ｒ１〜Ｒ４の隣接する二つからなる組合せの内、１組のみ、及びＲ５〜Ｒ８の隣接する二つからなる組合せの内、１組のみが一般式（８）を構成することが好ましい。高耐熱性及び高溶解性の観点からＲ１とＲ２及びＲ５とＲ６が一般式（８）を構成すること、またはＲ２とＲ３及びＲ６とＲ７が一般式（２）を構成することがさらに好ましい。
【００８９】
一般式（８）のＸは酸素、硫黄、セレン、ＣＲ１０＝ＣＲ１１、又はＮＲ１２を示し、ＹはＣＲ１３又は窒素を示す。高移動度のため、Ｘは酸素、硫黄、セレン、又はＣＲ１０＝ＣＲ１１を示し、かつＹがＣＲ１３であることが好ましく、Ｘが酸素、硫黄、又はセレンを示し、かつＹがＣＲ１３であることがさらに好ましい。
【００９０】
ここで、Ｒ２とＲ３及びＲ６とＲ７が一般式（８）を構成する場合は、高溶解性のため、Ｘは酸素、硫黄、セレンが好ましい。
【００９１】
上記一般式（７）において、Ｒ１〜Ｒ８の全て、即ちＲ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６及びＲ７とＲ８が、一般式（８）を構成（隣接する４組全てが一般式（８）を構成）すると一般式（７）のビフェニレン誘導体が円盤形状となるものである。より高移動度かつ高溶解性の有機半導体材料を得るため、該円盤形状の構造でないことが好ましい。
【００９２】
一般式（８）において、Ｒ９〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数1〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、または炭素数４〜２６のアリール基を示すが、高溶解性のため、Ｒ９はハロゲン、炭素数1〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数４〜２６のアリール基であることが好ましい。該ハロゲン、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基の例は、上記Ｒ１〜Ｒ８で示した基を挙げることができる。
【００９３】
一般式（８）において、Ｒ９〜Ｒ１３としては、高移動度のため、水素、ハロゲン、炭素数１〜１４のアルキル基が好ましく、水素、フッ素、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、イソバレリル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基がさらに好ましい。
【００９４】
一般式（８）において、Ｒ９〜Ｒ１３としては、高移動度及び高溶解性のため、Ｒ９が炭素数１〜１４のアルキル基、Ｒ１０〜Ｒ１３が、水素、フッ素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基であることが好ましい。Ｒ１０〜Ｒ１３は、高移動度のため、水素が特に好ましい。
【００９５】
本発明の芳香族化合物のより好ましい具体的な骨格は、下記一般式（１−１）〜（１−３３）で示される。これらの中でも高移動度の観点から、分子長軸を有する一般式（１−１）〜（１−５）、（１−１１）〜（１−１７）、（１−２１）〜（１−２３）、及び（１−２９）〜（１−３３）が好ましく、点対称構造の一般式（１−１）〜（１−３）、（１−１１）〜（１−１７）、（１−２９）、及び（１−３０）がさらに好ましい。
【００９６】
【化９】
2018174322.tif 000010
【００９７】
（ここで、Ｒ１、Ｒ３〜Ｒ８は、一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）におけるＲ１、Ｒ３〜Ｒ８と同意義を示し、Ｘ、Ｙ、Ｒ９、Ｒ１３、及びｍは、一般式（３）におけるＸ、Ｙ、Ｒ９、Ｒ１３、及びｍと同意義を示す。）
【００９８】
【化１０】
2018174322.tif 000011
【００９９】
（ここで、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、及びＲ８は、一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）におけるＲ３、Ｒ４、Ｒ７、及びＲ８と同意義を示し、Ｘは、一般式（３）におけるＸと同意義を示し、Ｘ１及びＲ１７は、一般式（４）におけるＸ１及びＲ１７と同意義を示す。）
【０１００】
【化１１】
2018174322.tif 000012
【０１０１】
（ここで、Ａ１、Ｒ１〜Ｒ８は、一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）におけるＡ１、Ｒ１〜Ｒ８と同意義を示し、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｘは一般式（３）におけるＲ１０、Ｒ１１、Ｘと同意義を示し、Ｘ１及びＲ１７は、一般式（４）で示されるＸ１及びＲ１７と同意義を示し、Ｘ２、Ｒ２１、及びＲ２５は、一般式（５）で示されるＸ２、Ｒ２１、及びＲ２５と同意義を示す。）
【０１０２】
【化１２】
2018174322.tif 000013
【０１０３】
（ここで、Ａ３、Ｒ１〜Ｒ４は一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）におけるＡ３、Ｒ１〜Ｒ４と同意義を示し、Ｘ、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１３、ｌは、一般式（３）におけるＸ、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１３、ｌと同意義を示し、Ｘ１、Ｒ１９、ｎは、一般式（４）で示されるＸ１、Ｒ１９、ｎと同意義を示し、Ｒ２１〜Ｒ２５は一般式（５）におけるＲ２１〜Ｒ２５と同意義を示し、Ｒ２６は、一般式（６）で示されるＲ２６と同意義を示す。）
本発明の芳香族化合物の具体的例示としては、以下のものを挙げることができる。
【０１０４】
【化１３】
2018174322.tif 000014
【０１０５】
【化１４】
2018174322.tif 000015
【０１０６】
【化１５】
2018174322.tif 000016
【０１０７】
【化１６】
2018174322.tif 000017
【０１０８】
【化１７】
2018174322.tif 000018
【０１０９】
【化１８】
2018174322.tif 000019
【０１１０】
【化１９】
2018174322.tif 000020
【０１１１】
【化２０】
2018174322.tif 000021
【０１１２】
【化２１】
2018174322.tif 000022
【０１１３】
【化２２】
2018174322.tif 000023
【０１１４】
【化２３】
2018174322.tif 000024
【０１１５】
【化２４】
2018174322.tif 000025
【０１１６】
本発明の芳香族化合物の製造方法としては、該芳香族化合物を製造することが可能であれば如何なる製造方法を用いることも可能である。
【０１１７】
本発明の芳香族化合物の製造方法としては、例えば、一般式（２）のＲ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８が水素で、かつＡが共有結合で、一般式（３）のＸが硫黄で、かつＹが炭素、Ｒ１３が水素である一般式（１−１）の芳香族化合物（１−１ａ）は、下記Ａ１〜Ｅ１の工程を経る方法により製造することができる。
（Ａ１工程）；パラジウム触媒の存在下、１−ブロモ−４−フルオロ−２−ヨードベンゼンから誘導された１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−亜鉛クロライドと、２−ブロモ−４−フルオロ−１−ヨードベンゼンから２，２’−ジブロモ−４，５’−ジフルオロビフェニルを製造する工程。
（Ｂ１工程）；Ａ１工程により得られた２，２’−ジブロモ−４，５’−ジフルオロビフェニルをブチルリチウムでジリチウム塩とし、塩化銅（ＩＩ）で分子内環化することによる２，６−ジフルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｃ１工程）；Ｂ１工程により得られた２，６−ジフルオロビフェニレンをリチウムジイソプロピルアミド（以後、ＬＤＡと略す。）処理／ヨウ素化で２，６−ジフルオロ−１，５−ジハロビフェニレンを製造する工程。
（Ｄ１工程）；パラジウム／銅触媒の存在下、Ｃ１工程により得られた２，６−ジフルオロ−１，５−ジハロビフェニレンとアルキニル化合物の薗頭カップリングにより１，５−ジアルキニル−２，６−ジフルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｅ１工程）；Ｄ１工程により得られた１，５−ジアルキニル−２，６−ジフルオロビフェニレンと硫化ナトリウムを反応に供し、ビフェニレン誘導体（１−１ａ）を製造する工程。
【０１１８】
各工程の詳細を以下に示す。
【０１１９】
該Ａ１工程は、パラジウム触媒の存在下、１−ブロモ−４−フルオロ−２−ヨードベンゼンから誘導された１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−亜鉛クロライドと、２−ブロモ−４−フルオロ−１−ヨードベンゼンのクロスカップリングから２，２’−ジブロモ−４，５’−ジフルオロビフェニルを製造する工程である。
【０１２０】
１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−亜鉛クロライドは、例えば、エチルマグネシウムクロライド、イソプロピルマグネシウムブロマイド等の有機金属試薬を用い、１−ブロモ−４−フルオロ−２−ヨードベンゼンのヨウ素をマグネシウムハライドに交換後（１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−マグネシウムハライドの調製）、塩化亜鉛と金属交換することで調製することができる。また、該有機金属試薬の代わりにマグネシウム金属を用いることも可能である。
【０１２１】
１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−マグネシウムハライドを調製する条件としては、例えば、テトラヒドロフラン（以後、ＴＨＦと記す。）又はジエチルエーテル等の溶媒中、−８０℃〜２０℃の温度範囲内で実施することができる。該マグネシウム塩（１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−マグネシウムハライド）の溶液に塩化亜鉛を反応させることで１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−亜鉛クロライドを調製することができる。塩化亜鉛はそのままの状態でもよいし、ＴＨＦまたはジエチルエーテル溶液であってもかまわない。該マグネシウム塩と塩化亜鉛との反応の温度としては、−８０℃〜３０℃の範囲内で実施できる。
【０１２２】
Ａ１工程におけるパラジウム触媒としては、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等を挙げることができ、反応温度としては、２０℃〜８０℃の範囲を挙げることができる。
【０１２３】
該Ｂ１工程は、Ａ１工程により得られた２，２’−ジブロモ−４，５’−ジフルオロビフェニルを２当量以上のブチルリチウムでジリチウム塩とし、塩化銅（ＩＩ）で分子内環化することによる２，６−ジフルオロビフェニレンを製造する工程である。
【０１２４】
該ジリチウム塩を調製する条件としては、例えば、２〜３当量のｎ−ブチルリチウム又はｔｅｒｔ−ブチルリチウムを用い、ＴＨＦ又はジエチルエーテル等の溶媒中、−８０℃〜２０℃の温度範囲で実施することができる。
【０１２５】
塩化銅（ＩＩ）は該ジリチウム塩に対し１〜３当量使用し、分子内環化反応は−８０℃〜３０℃の温度範囲で実施することができる。なお、塩化銅（ＩＩ）の代わりに臭化銅（ＩＩ）を用いることもできる。
【０１２６】
該Ｃ１工程は、Ｂ１工程により得られた２，６−ジフルオロビフェニレンをＬＤＡと反応させ１位と５位にジリチウム塩を発生させた後、ハロゲン化することで２，６−ジフルオロ−１，５−ジハロビフェニレンを製造する工程である。
【０１２７】
ＬＤＡと反応させる条件としては、例えば、２〜４当量のＬＤＡを用い、ＴＨＦ又はジエチルエーテル等の溶媒中、−８０℃〜２０℃の温度範囲で実施することができる。該ジリチウム塩とハロゲン化剤の反応は、−８０℃〜３０℃の範囲で実施することができる。
【０１２８】
ＬＤＡの代わりに、ｎ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム／テトラメチルエチレンジアミンを用いることができ、ハロゲン化剤としては、ヨウ素、１−クロロ−２−ヨードエタン、Ｎ−ヨードスクシンイミド、ブロモトリクロロメタン、テトラブロモメタン、１，２−ジブロモテトラクロロエタン、Ｎ−ブロモスクシンイミド（以後、ＮＢＳと略す。）、Ｎ−フルオルベンゼンスルホンイミド等のハロゲン化剤を用いることができる。
【０１２９】
該Ｄ１工程は、パラジウム触媒及び銅触媒の存在下、Ｃ１工程により得られた２，６−ジフルオロ−１，５−ジハロビフェニレンとアルキニル化合物の薗頭カップリングにより１，５−ジアルキニル−２，６−ジフルオロビフェニレンを製造する工程である。
【０１３０】
その際のパラジウム触媒としては、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等が挙げられ、銅触媒としてはヨウ化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）等を挙げることができる。また、薗頭カップリングでは、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピペリジン、ピリジン等の溶媒中、２０℃〜８０℃の温度範囲で実施することができる。なお、溶媒としてトルエン、ＴＨＦ等を添加しても良い。
【０１３１】
Ｄ１工程におけるアルキニル化合物としては、例えば、１−プロピン、１−ブチン、１−ペンチン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニン、１−デシン、１−ウンデシン、１−ドデシンが挙げられる。
【０１３２】
該Ｅ１工程は、Ｄ１工程により得られた１，５−ジアルキニル−２，６−ジフルオロビフェニレンと硫化ナトリウムの反応により芳香族化合物（１−１ａ）を製造する工程である。
【０１３３】
該反応は、例えば、ジメチルスルホフォキシド（以後、ＤＭＳＯと略す。）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以後、ＤＭＦと略す。）、Ｎ−メチルピロリドン（以後、ＮＭＰと略す。）等の溶媒中、４０〜２００℃の温度範囲で実施することができる。
【０１３４】
なお、該工程は、２−ハロアルキニルベンゼンからベンゾチオフェン環を合成する公知の反応条件を用いて実施することもできる（例えば、オーガニック  レターズ、２００９年、１１巻、２４７３〜２４７５頁）。
【０１３５】
そして、反応工程数が少ないことから好ましいより具体的な製造方法を以下の反応スキームに示す。
【０１３６】
【化２５】
2018174322.tif 000026
【０１３７】
（ここで、Ｒ９は、一般式（３）で示されるＲ９と同意義を示す。）
一方、本発明で用いられる一般式（２）の芳香族化合物の内、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８が水素で、Ａが共有結合で、一般式（３）のＸが硫黄で、Ｙが炭素、Ｒ１３が水素である一般式（１−２）の芳香族化合物（１−２ａ）は、下記Ａ２〜Ｅ２の工程を経る方法により製造することができる。
（Ａ２工程）；パラジウム触媒の存在下、１−ブロモ−３−フルオロ−２−ヨードベンゼンから誘導された１−ブロモ−３−フルオロフェニル−２−亜鉛クロライドと、２−ブロモ−１−フルオロ−３−ヨードベンゼンから２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニルを製造する工程。
（Ｂ２工程）；Ａ２工程により得られた２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニルをブチルリチウムでジリチウム塩とし、塩化銅（ＩＩ）で分子内環化することによる１，５−ジフルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｃ２工程）；Ｂ２工程により得られた１，５−ジフルオロビフェニレンをＬＤＡ処理／ハロゲン化で１，５−ジフルオロ−２，６−ジハロビフェニレンを製造する工程。
（Ｄ２工程）；パラジウム／銅触媒の存在下、Ｃ２工程により得られた１，５−ジフルオロ−２，６−ジハロビフェニレンとアルキニル化合物の薗頭カップリングにより２，６−ジアルキニル−１，５−ジフルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｅ２工程）；Ｄ２工程により得られた２，６−ジアルキニル−１，５−ジフルオロビフェニレンと硫化ナトリウムを反応に供し、芳香族化合物（１−２ａ）を製造する工程。
【０１３８】
該Ａ２〜Ｅ２工程は、Ａ２工程で、１−ブロモ−３−フルオロ−２−ヨードベンゼン及び２−ブロモ−１−フルオロ−３−ヨードベンゼンを用いること以外は、上記Ａ１〜Ｅ１工程の試薬及び反応条件等を用いて、（１−２ａ）で示される芳香族化合物を製造することができる。
【０１３９】
そして、反応工程数が少ないことから好ましいより具体的な製造方法を以下の反応スキームに示す。
【０１４０】
【化２６】
2018174322.tif 000027
【０１４１】
（ここで、Ｒ９は、一般式（３）で示されるＲ９と同意義を示す。）
該ビフェニレン誘導体（１−２ａ）のＲ９が炭素数1〜２０のアルキル基であるものは、上記Ａ２工程で得られた２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニルを原料に、例えば、下記Ｂ３〜Ｅ３の工程を経る方法により製造することもできる。
（Ｂ３工程）；Ａ２工程により得られた２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニルをブチルリチウムでジリチオ化し、Ｎ−フルオロベンゼンスルホンイミドと反応させることによる１，５−ジフルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｃ３工程）；Ｂ３工程により得られた１，５−ジフルオロビフェニレンを硫化ナトリウムと反応させ、ジチオールとし、さらに２−ブロモアセトアルデヒドジメチルアセタールと反応させてビフェニレン−１，５−ビス（チオアセトアルデヒドジメチルアセタール）を製造する工程。
（Ｄ３工程）；Ｃ３工程で得られたビフェニレン−１，５−ビス（チオアセトアルデヒドジメチルアセタール）をりん酸触媒で環化し、ジチエノビフェニレンの無置換体を製造する工程。
（Ｅ３工程）；Ｄ３工程により得られた無置換体をｎ−ブチルリチウムとの反応で、ジリチオ化し、アルキルハライドと処理することで芳香族化合物（１−２ａ）を製造する工程。
【０１４２】
Ｂ３工程は、例えば、Ａ２工程により得られた２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニルを２当量以上のブチルリチウムでジリチオ化し、ベンザインを発生させて分子内環化し、Ｎ−フルオロベンゼンスルホンイミドでフッ素化することによる１，５−ジフルオロビフェニレンを製造する工程である。
【０１４３】
該ジリチオ化の条件としては、例えば、２〜３当量のｎ−ブチルリチウム又はｔｅｒｔ−ブチルリチウムを用い、ＴＨＦ又はジエチルエーテル等の溶媒中、−８０℃〜２０℃の温度範囲で実施することができる。Ｎ−フルオロベンゼンスルホンイミドによるフッ素化は、ＴＨＦ又はジエチルエーテル等の溶媒中、−８０℃〜２０℃の温度範囲で実施することができる。
【０１４４】
Ｃ３工程は、例えば、１，５−ジフルオロビフェニレンを、ＤＭＦ，ＮＭＰ等の溶媒中、９０℃〜１５０℃で２〜６当量の硫化ナトリウム（水和物）と反応させることでビフェニレン−１，５−ジチオールのジナトリウム塩とし、さらに２−ブロモアセトアルデヒドジメチルアセタールを添加し、９０℃〜１５０℃で処理する。
【０１４５】
Ｄ３工程は、例えば、Ｃ３工程により得られたビフェニレン−１，５−ビス（チオアセトアルデヒドジメチルアセタール）を５〜２０モル％のりん酸、ポリりん酸等の触媒下、キシレン、クロロベンゼン等の溶媒中、１１０〜１４０℃で行う。
【０１４６】
Ｅ３工程は、例えば、Ｄ３工程により得られた無置換体をＴＨＦ等の溶媒中、２〜６当量のｎ−ブチルリチウムを−１０〜６５℃で反応させた後、２〜８当量のアルキルハライドで−１０〜６５℃で処理する。これにより、（１−３ａ）で示される芳香族化合物を製造することができる。
【０１４７】
そして、反応工程数が少ないことから好ましいより具体的な製造方法を以下の反応スキームに示す。
【０１４８】
【化２７】
2018174322.tif 000028
【０１４９】
（ここで、Ｒ９は、炭素数1〜２０のアルキル基を示す。）
さらに、本発明で用いられる一般式（２）の芳香族化合物の内、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ８が水素で、Ａが共有結合で、一般式（３）のＸが硫黄で、Ｙが炭素、Ｒ１３が水素である一般式（１−３）の芳香族化合物（１−３ａ）は、上記Ａ１及びＢ１工程で得られた２，６−ジフルオロビフェニレンを原料に下記Ｃ４〜Ｅ４の工程を経る方法により製造することができる。
（Ｃ４工程）；Ｂ１工程により得られた２，６−ジフルオロビフェニレンをハロゲン化し、２，６−ジハロ−３，７−ジフルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｄ４工程）；パラジウム／銅触媒の存在下、Ｃ４工程により得られた２，６−ジハロ−３，７−ジフルオロビフェニレンとアルキニル化合物の薗頭カップリングにより２，６−ジアルキニル−３，７−ジフルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｅ４工程）；Ｄ４工程により得られた２，６−ジアルキニル−３，７−ジフルオロビフェニレンと硫化ナトリウムを反応に供し、芳香族化合物（１−３ａ）を製造する工程。
【０１５０】
該反応工程におけるＣ４工程は、例えば、Ｂ１工程により得られた２，６−ジフルオロビフェニレンを、ハロゲン化剤と反応させ３位と７位をハロゲン化することで２，６−ジハロ−３，７−ジフルオロビフェニレンを製造する工程である。
【０１５１】
ハロゲン化剤と反応させる条件としては、例えば、２〜４当量のハロゲン化剤を用い、ＤＭＦ、ＮＭＰ、ＤＭＳＯ等の溶媒中、２０℃〜７０℃の温度範囲内で実施することができる。
【０１５２】
ハロゲン化剤としては、ＮＢＳ、臭素、ヨウ素、Ｎ−ヨードスクシンイミド等のハロゲン化剤を用いることができる。
【０１５３】
該Ｄ４及びＥ４工程は、Ｄ４工程で、２，６−ジハロ−３，７−ジフルオロビフェニレンを用いること以外は、上記Ｄ１及びＥ１工程の試薬及び反応条件等を用いて、（１−３ａ）で示される芳香族化合物を製造することができる。
【０１５４】
そして、反応工程数が少ないことから好ましいより具体的な製造方法を以下の反応スキームに示す。
【０１５５】
【化２８】
2018174322.tif 000029
【０１５６】
（ここで、Ｒ９は、一般式（３）で示されるＲ９と同意義を示す。）
一方、上記一般式（１−１１）で示される芳香族化合物は、例えば、上記（Ｃ１工程）で得られた２，６−ジフルオロ−１，５−ジヨードビフェニレンを用いて製造することができる。
【０１５７】
一般式（１−１１）の内、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８が水素で、Ｘ及びＸ１が硫黄である芳香族化合物（１−１１ａ）は、下記Ｄ５〜Ｆ５の工程を経る方法により製造することができる。
（Ｄ５工程）；パラジウム触媒の存在下、２−ブロモ−３−クロロチオフェンから誘導された３−クロロチエニル−２−亜鉛クロライドと、２，６−ジフルオロ−１，５−ジヨードビフェニレンから２，６−ジフルオロ−１，５−ビス（３−クロロ−２−チエニル）ビフェニレンを製造する工程。
（Ｅ５工程）；Ｄ５工程により得られた２，６−ジフルオロ−１，５−ビス（３−クロロ−２−チエニル）ビフェニレンと硫化ナトリウムを反応に供し、ビス（ジチエノ）ビフェニレンの無置換体を製造する工程。
（Ｆ５工程）；Ｅ５工程により得られた無置換体をｎ−ブチルリチウムとの反応で、ジリチオ化し、アルキルハライドと処理することで芳香族化合物（１−１１ａ）を製造する工程。
【０１５８】
そして、反応工程数が少ないことから好ましいより具体的な製造方法を以下の反応スキームに示す。
【０１５９】
【化２９】
2018174322.tif 000030
【０１６０】
（ここで、Ｒ１７は、炭素数1〜２０のアルキル基を示す。）
また、上記一般式（１−１６）で示される芳香族化合物は、例えば、上記（Ｃ４工程）で得られた２，６−ジブロモ−３，７−ジフルオロビフェニレンを用いて製造することができる。
【０１６１】
一般式（１−１６）の内、Ｒ３、Ｒ７がフッ素で、Ｒ４、Ｒ８が水素で、Ｘ１が硫黄である芳香族化合物（１−１６ａ）は、下記Ｄ６〜Ｆ６の工程を経る方法により製造することができる。
（Ｄ６工程）；パラジウム触媒の存在下、５−アルキル−２，３−ジブロモチオフェンから誘導された５−アルキル−３−ブロモチエニル−２−亜鉛クロライドと、２，６−ジブロモ−３，７−ジフルオロビフェニレンから２，６−ジフルオロ−３，７−ビス（５−アルキル−３−ブロモ−２−チエニル）ビフェニレンを製造する工程。
（Ｅ６工程）；パラジウム／銅触媒の存在下、Ｄ６工程により得られた２，６−ジフルオロ−３，７−ビス（５−アルキル−３−ブロモ−２−チエニル）ビフェニレンとトリメチルシリルアセチレンの薗頭カップリングにより２，６−ジフルオロ−３，７−ビス（５−アルキル−３−（トリメチルシリルエチニル）−２−チエニル）ビフェニレンを製造し、希塩酸処理で脱トリメチルシリル化し、２，６−ジフルオロ−３，７−ビス（５−アルキル−３−エチニル−２−チエニル）ビフェニレンを製造する工程。
（Ｆ６工程）；ルテニウム触媒または白金触媒の存在下、Ｅ６工程により得られた２，６−ジフルオロ−３，７−ビス（５−アルキル−３−エチニル−２−チエニル）ビフェニレンを環化反応に供し、ビフェニレン誘導体（１−１６ａ）ビス（ジチエノ）ビフェニレンの無置換体を製造する工程。
【０１６２】
そして、反応工程数が少ないことから好ましいより具体的な製造方法を以下の反応スキームに示す。
【０１６３】
【化３０】
2018174322.tif 000031
【０１６４】
（ここで、Ｒ１７は、炭素数1〜２０のアルキル基を示す。）
上記一般式（１−２１）で示される芳香族化合物は、例えば、一般式（１−２１）の内、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ８が水素で、Ｘ１がＣＨ＝Ｃ、Ｒ１９が水素である芳香族化合物（１−２１ａ）は、下記Ａ７〜Ｆ７の工程を経る方法により製造することができる。
（Ａ７工程）；パラジウム触媒の存在下、４−アルキル−２−ブロモ−１−ヨードベンゼンから誘導された４−アルキル−２−ブロモ−フェニル−２−亜鉛クロライドと、２−ブロモ−４−フルオロ−１−ヨードベンゼンから４−アルキル−２，２’−ジブロモ−４’−フルオロビフェニルを製造する工程。
（Ｂ７工程）；Ａ７工程により得られた４−アルキル−２，２’−ジブロモ−４’−フルオロビフェニルをブチルリチウムでジリチウム塩とし、塩化銅（ＩＩ）で分子内環化することによる２−アルキル−７−フルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｃ７工程）；Ｂ７工程により得られた２−アルキル−７−フルオロビフェニレンをハロゲン化し、２−アルキル−３，６−ジハロ−７−フルオロビフェニレンを製造する工程。
（Ｄ７工程）；Ｃ７工程により得られた２−アルキル−３，６−ジハロ−７−フルオロビフェニレンをイソプロピルグリニャールでモノメタル化し、塩化銅（ＩＩ）でホモカップリングさせて、ビ（３−フルオロ−６−アルキル−７−ブロモ−２−ビフェニレニル）を製造する工程。
（Ｅ７工程）；Ｄ７工程により得られたビ（３−フルオロ−６−アルキル−７−ブロモ−２−ビフェニレニル）をブチルリチウムでジリチオ化し、メタノールでプロトネーションさせて、ビ（３−フルオロ−６−アルキル−２−ビフェニレニル）を製造する工程。
（Ｆ７工程）；Ｅ７工程により得られたビ（３−フルオロ−６−アルキル−２−ビフェニレニル）を硫化ナトリウムと共に反応に供し、芳香族化合物（１−２１ａ）を製造する工程。
【０１６５】
各工程の条件は、例えば、上記で挙げた条件を使用することができる。
【０１６６】
そして、反応工程数が少ないことから好ましいより具体的な製造方法を以下の反応スキームに示す。
【０１６７】
【化３１】
2018174322.tif 000032
【０１６８】
（ここで、Ｒ１７は、炭素数1〜２０のアルキル基を示す。）
さらに、製造した芳香族化合物は、カラムクロマトグラフィー等に供することにより精製することができ、その際の分離剤としては、例えば、シリカゲル、活性アルミナ、溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、ジクロロメタン、クロロホルム等を挙げることができる。
【０１６９】
製造した芳香族化合物は、活性炭、ゼオライト、活性アルミナ等に供することにより溶液中で脱色精製することができ、その際の溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、ジクロロメタン、クロロホルム等を挙げることができる。
【０１７０】
また、製造した芳香族化合物は、さらに再結晶により精製してもよく、再結晶の回数を増やすことで純度を向上させることができる。再結晶の回数としては、高純度、高収率の観点から、好ましくは２〜５回である。再結晶の回数を増やすことで純度を向上させることができる。再結晶に用いる溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等を挙げることができ、これらの任意の割合の混合物であってもよい。
【０１７１】
再結晶法では、加熱により芳香族化合物の溶液を調製し（その際の溶液の濃度は、不純物を効率よく除去するため、０．０１〜１０．０重量％の範囲が好ましく、０．０５〜５．０重量％の範囲がさらに好ましい。）、該溶液を冷却することで芳香族化合物の結晶を析出させ単離するが、単離する際の最終的な冷却温度は、純度及び回収率向上のため、−２０℃から４０℃の範囲にあることが好ましい。なお、純度を測定する際には液体クロマトグラフィーにより分析することが可能である。
【０１７２】
本発明の芳香族化合物の製造方法としては、下記一般式（１０−Ｉ）または（１０−ＩＩ）で示される化合物を直鎖アルキルリチウムと反応させて、下記一般式（９−Ｉ）または（９−ＩＩ）で示される芳香族化合物の製造方法であってもよい。
【０１７３】
【化３２】
2018174322.tif 000033
【０１７４】
（ここで、Ａ、Ａ１〜Ａ３、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ５〜Ｒ８は、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における、Ａ、Ａ１〜Ａ３、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ５〜Ｒ８と同意義を示す。）
【０１７５】
【化３３】
2018174322.tif 000034
【０１７６】
（ここで、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立してハロゲンを示す。Ａ、Ａ１〜Ａ３、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ５〜Ｒ８は、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）における、Ａ、Ａ１〜Ａ３、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ５〜Ｒ８と同意義を示す。）
上記の製造方法について、以下に詳細に説明する。
【０１７７】
上記一般式（９−Ｉ）、（９−ＩＩ）、（１０−Ｉ）、及び（１０−ＩＩ）のＡは、共有結合、酸素、硫黄、セレン、ＮＲ１４、またはＣＲ１５＝ＣＲ１６を示し、反応の収率が高いことから共有結合が好ましい。
【０１７８】
Ａ１はＣＲ３＝ＣＲ４、酸素、硫黄、またはセレン、Ａ２はＣＲ７＝ＣＲ８、酸素、硫黄、またはセレン、Ａ３はＣＲ５＝ＣＲ６、酸素、硫黄、またはセレンを示すが、反応が進行しやすいことから、Ａ１がＣＲ３＝ＣＲ４、硫黄、Ａ２がＣＲ７＝ＣＲ８、硫黄、Ａ３がＣＲ５＝ＣＲ６、硫黄であることが好ましく、Ａ１がＣＲ３＝ＣＲ４、Ａ２がＣＲ７＝ＣＲ８、Ａ３がＣＲ５＝ＣＲ６であることがさらに好ましい。
【０１７９】
Ｘ３及びＸ４におけるハロゲンは、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示し、反応活性中間体のベンザインが安定に発生することから、Ｘ３は、フッ素、塩素、臭素が好ましく、Ｘ４は臭素が好ましい。
【０１８０】
Ｒ１は、反応活性中間体のベンザインを発生しやすいことから、ハロゲンまたは水素が好ましく、臭素、水素がさらに好ましい。
【０１８１】
上記一般式（１０−Ｉ）または（１０−ＩＩ）で示される化合物と反応させる直鎖アルキルリチウムとしては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、メチルリチウム、ｎ−プロピルリチウム、ｎ−ペンチルリチウム、ｎ−ヘキシルリチウム、ｎ−ヘプチルリチウム、ｎ−オクチルリチウム、ｎ−ノニルリチウム、ｎ−デシルリチウム等が挙げられ、入手性が良好なことからｎ−ブチルリチウムが好ましい。
【０１８２】
該直鎖アルキルリチウムは、一般式（１０−Ｉ）または（１０−ＩＩ）で示される化合物と反応し、該化合物のジリチウム塩を生成させることから、該化合物に対して、２．０から７．０当量の範囲で使用するが、高収率なため、２．２から６．０当量が好ましい。
【０１８３】
該反応は溶媒中で行うが、該溶媒としては該化合物のジリチウム塩が安定に存在できる溶媒であれば特に限定はないが、反応が進行しやすいことから、ＴＨＦ、ジエチルエーテル、ターシャリーブチルメチルエーテル、ターシャリーブチルエチルエーテル、ジメトキシエタン、ジメトキシプロパン、ジオキサン等のエーテル系溶媒が好ましく、ＴＨＦがさらに好ましい。
【０１８４】
該反応の温度は、例えば、−８０℃〜４０℃が挙げられ、反応活性中間体のベンザインが発生しやすいことから−７０℃〜２０℃が好ましい。
【０１８５】
本発明の芳香族化合物の製造方法としては、下記一般式（１２−Ｉ）または（１２−ＩＩ）で示される化合物を用い、下記一般式（１１−Ｉ）または（１１−ＩＩ）で示される芳香族化合物を製造する製造方法であってもよい。
【０１８６】
【化３４】
2018174322.tif 000035
【０１８７】
（ここで、Ａ１、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ５〜Ｒ８は、上記一般式（１−Ｉ）、（１−ＩＩ）におけるＡ１、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ５〜Ｒ８と同意義を示す。Ｒ１０及びＲ１１は、上記一般式（３）におけるＲ１０及びＲ１１と同意義を示す。Ｒ２１及びＲ２５は、上記一般式（５）におけるＸ２、Ｒ２１及びＲ２５と同意義を示す。）
【０１８８】
【化３５】
2018174322.tif 000036
【０１８９】
（ここで、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立して、ハロゲンを示し、Ａ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｘ２、Ｒ２１、及びＲ２５は、上記一般式（１１−Ｉ）、（１１−ＩＩ）における、Ａ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｘ２、Ｒ２１、及びＲ２５と同意義を示す。）
上記一般式（１１−Ｉ）、（１１−ＩＩ）、（１２−Ｉ）、及び（１２−ＩＩ）のＡ１は、反応が進行しやすいことから、ＣＲ３＝ＣＲ４、硫黄であることが好ましく、ＣＲ３＝ＣＲ４であることがさらに好ましい。Ｘ２は、反応が進行しやすいことから、ＣＲ２２＝ＣＲ２３、硫黄であることが好ましく、ＣＲ２２＝ＣＲ２３であることがさらに好ましい。
【０１９０】
Ｒ１、Ｒ８、Ｒ１１、及びＲ２５は、反応活性中間体のベンザインを発生しやすいことから、ハロゲンまたは水素が好ましく、臭素、水素がさらに好ましい。
【０１９１】
一般式（１２−Ｉ）または（１２−ＩＩ）で示される化合物を直鎖アルキルリチウムと反応させる場合、該直鎖アルキルリチウムは、該化合物に対して、高収率なため、３．５から６．５当量の範囲で使用することが好ましく、３．８から６．０当量がさらに好ましい。
【０１９２】
本発明の芳香族化合物は、適当な溶媒に溶解させることで該芳香族化合物を含有する有機半導体層形成用溶液とすることができる。該溶媒としては、一般式（１）で示される芳香族化合物を溶解することが可能な溶媒であれば如何なる溶媒を使用してもよく、有機半導体層を形成する際、溶媒の乾燥速度を好適なものとすることができることから、常圧での沸点が１００℃以上である有機溶媒が好ましい。
【０１９３】
本発明で用いることが可能な溶媒として、特に制限はなく、例えば、トルエン、メシチレン、ｏ−キシレン、イソプロピルベンゼン、ペンチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、テトラリン、インダン等の芳香族炭化水素類；アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、２，６−ジメチルアニソール、エチルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、１，２−メチレンジオキシベンゼン、１，２−エチレンジオキシベンゼン等の芳香族エーテル類；クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、１，４−ジクロロベンゼン、１，２−ジフルオロベンゼン、１，３−ジフルオロベンゼン、１，４−ジフルオロベンゼン等の芳香族ハロゲン化合物；チオフェン、３−クロロチオフェン、２−クロロチオフェン、３−メチルチオフェン、２−メチルチオフェン、ベンゾチオフェン、２−メチルベンゾチオフェン、２，３−ジヒドロベンゾチオフェン、フラン、３−メチルフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、ベンゾフラン、２−メチルベンゾフラン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、チアゾール、オキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ピリジン等のヘテロ芳香族類；ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、デカリン等の飽和炭化水素類；ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、１,４−ブタンジオールジアセテート、１,３−ブチレングリコールジアセテート、１,３−ブチレングリコールジアセテート、１,６−ヘキサンジオールジアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のグリコール類；フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、テレフタル酸ジメチル、酢酸フェニル、シクロヘキサノールアセテート、３−メトキシブチルアセテート、テトラヒドロフルフリルアセテート、テトラヒドロフルフリルプロピオネート、γ−ブチロラクトン等のエステル類；ＴＨＦ、２−メトキシメチルテトラヒドロフラン等の環状エーテルなどを挙げられることができ、その中でも適度な乾燥速度を持つことから、好ましくはトルエン、ｏ−キシレン、メシチレン、１，２，４−トリメチルベンゼン、テトラリン、インダン、オクタン、ノナン、デカン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、２，６−ジメチルアニソール、エチルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、１，２−メチレンジオキシベンゼン、１，２−エチレンジオキシベンゼン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、１，４−ジクロロベンゼン、３−メチルチオフェン、ベンゾチアゾールであり、さらに好ましくは、トルエン、ｏ−キシレン、メシチレン、テトラリン、インダン、オクタン、ノナン、デカン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、２，６−ジメチルアニソールである。
【０１９４】
なお、本発明で用いる溶媒は、１種類の溶媒を単独で使用、または沸点、極性、溶解度パラメーターなど性質の異なる溶媒を２種類以上混合して使用することが可能である。
【０１９５】
一般式（１）で示される芳香族化合物を溶媒に混合溶解する際の温度としては、溶解を促進させる目的のため、０〜８０℃の温度範囲で行うことが好ましく、１０〜６０℃の温度範囲で行うことが更に好ましい。
【０１９６】
また、一般式（１）で示される芳香族化合物を有機溶媒に溶解混合する時間は、均一溶液を得るため、１分〜１時間で溶解することが好ましい。
【０１９７】
本発明では本発明の有機半導体層形成用溶液における一般式（１）で示される芳香族化合物の濃度が０．１〜１０．０重量％の範囲であると、取り扱い容易になり、有機半導体層を形成する際の効率により優れるものとなる。また、有機半導体層形成用溶液の粘度が０．３〜１０ｍＰａ・ｓの範囲であると、より好適な塗工性を発現するものとなる。
【０１９８】
なお該溶液は、該芳香族化合物自体が適度の凝集性を有することから比較的に低温で調製することが可能、且つ耐酸化性があることから、塗布法による有機薄膜の製造に好適に適用できる。即ち、雰囲気から空気を除く必要がないことから塗布工程を簡略化することができる。さらに該溶液は、例えば、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（４−メチルスチレン）、ポリ（１−ビニルナフタレン）、ポリ（２−ビニルナフタレン）、ポリ（スチレン−ブロック−ブタジエン−ブロック−スチレン）、ポリ（スチレン−ブロック−イソプレン−ブロック−スチレン）、ポリ（ビニルトルエン）、ポリ（スチレン−コ−２，４−ジメチルスチレン）、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（スチレン−コ−α−メチルスチレン）、ポリ（スチレン−コ−ブタジエン）、ポリ（エチレン−コ−ノルボルネン）、ポリフェニレンエーテル、ポリカーボネート、ポリカルバゾール、ポリトリアリールアミン、ポリ（９,９−ジオクチルフルオレン−コ−ジメチルトリアリールアミン）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメタクリル酸メチル、ポリ（スチレン−コ−メタクリル酸メチル）、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ｎ−プロピル、ポリメタクリル酸イソプロピル、ポリメタクリル酸ｎ−ブチル、ポリメタクリル酸フェニル、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ｎ−プロピル等が挙げることができ、好ましくはポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（エチレン−コ−ノルボルネン）、ポリメタクリル酸メチル等のポリマーをバインダーとして存在させることもできる。これらのポリマーバインダーの濃度は、適度な溶液の粘度のため、０．００１〜１０．０重量％であることが好ましい。
【０１９９】
該ポリマーバインダーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、電子デバイス製造時のプロセス温度への対応により好適であることから１０５℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが特に好ましい。
【０２００】
また、該ポリマーの分子量は、よりキャリア移動度の大きい有機薄膜トランジスタを得るのに好適であるため、５，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、１０，０００〜５００，０００がさらに好ましく、２０，０００〜１００，０００が特に好ましい。なお、本発明において、ポリマーの分子量はポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）をいうものである。
【０２０１】
該ポリマーは、一般的なポリマーバインダーとしての効果を有し、得られる有機半導体層の成膜性を向上させるものであり、絶縁性ポリマー及び半導体性ポリマーも用いることができる。
【０２０２】
本発明でポリマーバインダーとして用いることが可能なポリマーの具体的な例としては、上記で挙げたポリマー以外に、例えば、極性環状ポリオレフィン類、ポリスルホン類、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体類等を挙げることができる。
【０２０３】
該極性環状ポリオレフィン類はより具体的には下記一般式（１３）で示されるポリマーがさらに好ましい。
【０２０４】
【化３６】
2018174322.tif 000037
【０２０５】
（ここで、Ｒ２７〜Ｒ２９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素数１〜２０のアルキルアミノ基を示し、Ｘ３は、ハロゲン原子、炭素数２〜２０のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素数１〜２０のアルキルアミノ基を示す。ｐは２０〜５，０００の整数を示し、ｑ及びｒはそれぞれ独立して０〜２の整数を示す。実線と点線からなる結合は、単結合又は２重結合を示す。）
一般式（１３）におけるＲ２７〜Ｒ２９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素数１〜２０のアルキルアミノ基を示し、高耐熱性のため、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましい。
【０２０６】
Ｒ２７〜Ｒ２９における炭素数１〜２０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等の直鎖又は分岐アルキル基が挙げられる。炭素数６〜２０のアリール基は、例えば、フェニル基、ｐ−トリル基、ｐ−（ｎ−ヘキシル）フェニル基、ｐ−（ｎ−オクチル）フェニル基、ｐ−（２−エチルヘキシル）フェニル基等が挙げられる。炭素数２〜２０のアルキルオキシカルボニル基は、例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基等が挙げられる。炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基は、例えば、フェノキシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基等が挙げられる。炭素数１〜２０のアルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリールオキシ基は、例えば、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ等が挙げられる。炭素数１〜２０のアルキルアミノ基は、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基等が挙げられる。そして、その中でも高耐熱性のため、置換基Ｒ２７はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基であることが好ましく、置換基Ｒ２８及びＲ２９は水素原子であることが好ましい。
【０２０７】
一般式（１３）におけるＸ３は、ハロゲン原子、炭素数２〜２０のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素数１〜２０のアルキルアミノ基を示す。
【０２０８】
置換基Ｘ３における炭素数２〜２０のアルキルオキシカルボニル基は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基等が挙げられ、炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基は、例えば、フェノキシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、２，４−ジメチルフェニキシカルボニル基、４−エチルフェノキシカルボニル基等が挙げられる。炭素数１〜２０のアルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリールオキシ基は、例えば、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ等が挙げられる。炭素数１〜２０のアルキルアミノ基は、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基等が挙げられる。高溶解性及び高耐熱性のため、炭素数２〜２０のアルキルオキシカルボニル基であることが好ましい。
【０２０９】
ｐは２０〜５，０００の整数を示し、よりキャリア移動度の大きい有機薄膜トランジスタを得るのに好適であるため、好ましくは４０〜２，０００である。ｑは０〜２の整数を示し、好ましくは１である。ｒは０〜２の整数を示し、好ましくは０または１である。さらに好ましくは０である。
【０２１０】
実線と点線からなる結合は単結合又は２重結合を示し、熱的安定性のため、好ましくは単結合である。
【０２１１】
本発明でポリマーバインダーとして用いられるポリスルホン類はポリスルホン構造を有していれば特に制限がなく、より具体的には下記ポリスルホン１〜５で示されるポリスルホン類が挙げられる。
【０２１２】
【化３７】
2018174322.tif 000038
【０２１３】
（ここで、置換基Ｒ３０〜Ｒ３３は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を示し、ｓは１０〜２０，０００の整数を示す。）
置換基Ｒ３０〜Ｒ３３における炭素数１〜２０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルデシル基、２−ヘキシルデシル基等の直鎖又は分岐アルキル基が挙げられる。
【０２１４】
ｓは１０〜２０，０００の整数を示し、好ましくは１０〜１０，０００の整数である。
【０２１５】
本発明でポリマーバインダーとして用いられるアクリロニトリル−スチレン共重合体は、アクリロニトリルとスチレンの任意の比率の共重合体であり、良好な電気特性を示し、バイアスストレスをかけた時の閾値電圧の変化がより小さいものになるなど信頼性が向上することから、アクリロニトリルとスチレン重量比で１０：９０〜５０：５０の比率であることが好ましく、２０：８０〜４０：６０であることがさらに好ましい。
【０２１６】
本発明でポリマーバインダーとして用いられるメチルメタクリレート−スチレン共重合体は、メチルメタクリレートとスチレンの任意の比率の共重合体であり、良好な電気特性を示し、バイアスストレスをかけた時の閾値電圧の変化がより小さいものになるなど信頼性が向上することから、メチルメタクリレートとスチレンのモル比で１：９９〜９０：１０であることが好ましく、１：９９〜７０：３０であることがさらに好ましい。
【０２１７】
本発明でポリマーバインダーとして用いられるポリマーは、表面処理剤により表面エネルギーを調整したものを用いることができる。表面処理剤としては、シランカップリング剤を用いることができ、その具体例としては、例えば、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン、フェニルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリメトキシシラン等を挙げることができる。なお、本発明で用いるポリマーは、１種類のポリマーを単独で使用、または２種類以上のポリマーの混合物として使用することが可能である。更に、異なる分子量のポリマーを混合して使用することも可能である。
【０２１８】
本発明の有機半導体層形成用溶液を用いて有機半導体層を形成する際の塗布方法としては、有機半導体層を形成可能な方法であれば特に制限はなく、例えば、スピンコート、ドロップキャスト、ディップコート、キャストコート等の簡易塗工法；ディスペンサー、インクジェット、スリットコート、ブレードコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷等の印刷法を挙げることができ、中でも容易に効率よく有機半導体層とすることが可能となることから、スピンコート、ドロップキャスト、インクジェットであることが好ましい。
【０２１９】
本発明の有機半導体層形成用溶液を塗布後、溶媒を乾燥除去することにより、該有機半導体層形成用溶液を用いてなる有機半導体層を形成することが可能である。
【０２２０】
塗布した有機半導体層から溶媒を乾燥除去する際、乾燥する条件に特に制限はなく、例えば、常圧下、又は減圧下で溶媒の乾燥除去を行うことが可能である。
【０２２１】
塗布した有機半導体層から有機溶媒を乾燥除去する温度に特に制限はないが効率よく塗布した有機半導体層から有機溶媒を乾燥除去することができ、有機半導体層を形成することが可能であるため、１０〜１５０℃の温度範囲で行うことが好ましい。
【０２２２】
塗布した有機半導体層から有機溶媒を乾燥除去する際、除去する有機溶媒の気化速度を調節することで、一般式（１）で示される芳香族化合物体の結晶成長を制御することが可能である。
【０２２３】
本発明の有機半導体層形成用溶液により形成される有機半導体層の膜厚に制限はなく、良好なキャリア移動が得られることから、１ｎｍ〜１μｍの範囲であることが好ましく、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であることが更に好ましい。
【０２２４】
また、得られる有機半導体層は、有機半導体層を形成後、４０〜１８０℃でアニール処理を行ってもよい。
【０２２５】
本発明の有機半導体層形成用溶液より形成される有機半導体層は、該有機半導体層を含んでなる有機半導体デバイス、特に該有機半導体層を含んでなる有機薄膜トランジスタとして使用することが可能である。
【０２２６】
有機薄膜トランジスタは、基板上に、ソース電極及びドレイン電極を付設した有機半導体層とゲート電極とを絶縁層を介し積層することにより得ることができ、該有機半導体層に本発明の有機半導体層形成用溶液により形成した有機半導体層を用いることにより、優れた半導体・電気特性を発現する有機薄膜トランジスタとすることが可能である。
【０２２７】
図１に一般的な有機薄膜トランジスタの断面形状による構造を示す。ここで、（Ａ）は、ボトムゲート−トップコンタクト型、（Ｂ）は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型、（Ｃ）は、トップゲート−トップコンタクト型、（Ｄ）は、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタであり、１は有機半導体層、２は基板、３はゲート電極、４はゲート絶縁層、５はソース電極、６はドレイン電極を示し、本発明の有機半導体層形成用溶液より形成される有機半導体層は、いずれの有機薄膜トランジスタにも適用することが可能である。
【０２２８】
本発明に係る基板としては特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、環状ポリオレフィン、フッ素化環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ（ジイソプロピルフマレート）、ポリ（ジエチルフマレート）、ポリ（ジイソプロピルマレエート）、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、セルローストリアセテート等のプラスチック基板；ガラス、石英、酸化アルミニウム、シリコン、ハイドープシリコン、酸化シリコン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウム錫酸化物等の無機材料基板；金、銅、クロム、チタン、アルミニウム等の金属基板等を挙げることができる。なお、ハイドープシリコンを基板に用いた場合、その基板はゲート電極を兼ねることができる。
【０２２９】
本発明に係るゲート電極としては特に制限はなく、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、ハイドープシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、クロム、チタン、タンタル、グラフェン、カーボンナノチューブ等の無機材料；ドープされた導電性高分子（例えばＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等の有機材料を挙げることができる。
【０２３０】
また、上記の無機材料は、金属のナノ粒子インクとしても差し支えなく使用することができる。この場合の溶媒は、適度の分散性のため、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール等の極性溶媒；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン等の炭素数６〜１４の脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、オクチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、インダン、アニソール、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、１，２−ジメチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール等の炭素数７〜１４の芳香族炭化水素溶媒であることが好ましい。該ナノ粒子インクを塗布後、導電性向上のため、８０℃〜２００℃の温度範囲でアニール処理することが好ましい。
【０２３１】
本発明に係るゲート絶縁層としては特に制限はなく、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウム錫酸化物、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス等の無機材料；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイミド、ポリアミド酸ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ（ジイソプロピルフマレート）、ポリ（ジエチルフマレート）、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリけい皮酸エチル、ポリけい皮酸メチル、ポリクロトン酸エチル、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン−コ−１−ブテン、ポリイソブチレン、ポリプロピレン、ポリシクロペンタン、ポリシクロヘキサン、ポリシクロヘキサン−エチレン共重合体、ポリフッ素化シクロペンタン、ポリフッ素化シクロヘキサン、ポリフッ素化シクロヘキサン−エチレン共重合体、ＢＣＢ樹脂（商品名：サイクロテン、ダウ・ケミカル社製）、Ｃｙｔｏｐ（商標）、Ｔｅｆｌｏｎ（商標）、パリレンＣ等のパリレン（商標）類のポリマー絶縁材料を挙げることができ、製法が簡便であることから、塗布法が適用できるポリマー絶縁材料（ポリマーゲート絶縁層）であることが好ましい。
【０２３２】
該ポリマー材料を溶解させるに用いる溶媒としては特に制限がなく、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン等の炭素数６〜１４の脂肪族炭化水素溶媒；ＴＨＦ、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；エタノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−エチルヘキサノール、テトラヒドロフルフリルアルコール等のアルコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソプロピルケトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノールアセテート、３−メトキシブチルアセテート、テトラヒドロフルフリルアセテート、テトラヒドロフルフリルプロピオネート等のエステル系溶媒；ＤＭＦ、ＮＭＰ等のアミド系溶媒；ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、１，４−ブタンジオールジアセテート、１，３−ブチレングリコールジアセテート、１，６−ヘキサンジオールジアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のグリコール系溶媒；パーフルオロヘキサン、パーフルオロオクタン、２−（ペンタフルオロエチル）ヘキサン、３−（ペンタフルオロエチル）ヘプタン等のフッ素化溶媒等が挙げられる。
【０２３３】
該ポリマー絶縁材料の濃度は、例えば、２０〜４０℃の温度において０．１〜１０．０重量％である。当該濃度において得られる絶縁層の膜厚に制限はなく、耐絶縁性の観点から、好ましくは１００ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは１５０ｎｍ〜９００ｎｍである。
【０２３４】
そして、これらのゲート絶縁層の表面は、例えば、オクタデシルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、β−フェネチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン等のシラン類；オクタデシルホスホン酸、デシルホスホン酸、オクチルホスホン酸等のホスホン酸類；ヘキサメチルジシラザン等のシリルアミン類で修飾処理したものであっても使用することができる。一般的にゲート絶縁層の表面処理を行うことにより、有機半導体材料の結晶粒径の増大及び分子配向の向上のため、キャリア移動度、電流オン・オフ比の向上、及び閾値電圧の低下という好ましい結果が得られる。
【０２３５】
本発明の有機薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の材料としては特に制限がなく、ゲート電極と同様の材料を用いることができ、ゲート電極の材料と同じであっても異なっていてもよく、異種材料を積層してもよい。また、キャリアの注入効率を上げるために、これらの電極材料に表面処理を実施することもできる。表面処理に用いる表明処理剤としては、例えば、ベンゼンチオール、ペンタフルオロベンゼンチオール、４−フルオロベンゼンチオール、４−メトキシベンゼンチオール等を挙げることができる。
【０２３６】
本発明の有機薄膜トランジスタは、速い動作性のため、キャリア移動度が、０．２０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上であることが好ましい。また、高いスイッチ特性のため、電流オン・オフ比が、１．０×１０６以上であることが好ましい。
【０２３７】
本発明の有機薄膜トランジスタは、電子ペーパー、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＩＣタグ（ＲＦＩＤタグ）、圧力センサー、バイオセンサー等のトランジスタの有機半導体層用途；有機ＥＬディスプレイ材料；有機半導体レーザー材料；有機薄膜太陽電池材料；フォトニック結晶材料等の電子材料に利用することができ、一般式（１）で示される芳香族化合物が結晶性の薄膜となるため、有機薄膜トランジスタの半導体層用途として用いられることが好ましい。
【発明の効果】
【０２３８】
本発明の新規な芳香族化合物は、高いキャリア移動度を与えると共に高耐熱性及び適当な溶解性及びＨＯＭＯレベルを持っている。従って、塗布で優れた半導体特性を発現する有機薄膜トランジスタを提供することが可能となり、その効果は極めて高いものである。
【図面の簡単な説明】
【０２３９】
【図１】；有機薄膜トランジスタの断面形状による構造を示す図である。
【実施例】
【０２４０】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０２４１】
生成物の同定には１Ｈ  ＮＭＲスペクトル、ガスクロマトグラフィー−マススペクトル（ＧＣＭＳ）、及び液体クロマトグラフィー−マススペクトル（ＬＣＭＳ）分析を用いた。
【０２４２】
＜１Ｈ  ＮＭＲスペクトル分析＞
装置；日本電子製、（商品名）Ｄｅｌｔａ  Ｖ５（４００ＭＨｚ）
測定温度；２３℃（温度指定がない場合）
＜ガスクロマトグラフィー−マススペクトル分析＞
装置；パーキンエルマー製、（商品名）オートシステムＸＬ（ＭＳ部；ターボマスゴールド）（合成例１、２、４、６）
装置；島津製作所製、（商品名）ＱＰ−２０１０  Ｕｌｔｒａ（合成例９、１１）
カラム；Ｊ＆Ｗサイエンティフィック社製、（商品名）ＤＢ−１，３０ｍ。
ＭＳイオン化；電子衝突（ＥＩ）法（７０エレクトロンボルト）
＜直接導入マススペクトル分析＞
装置；島津製作所製、（商品名）ＱＰ−２０１０  Ｕｌｔｒａ
ＭＳイオン化；電子衝突（ＥＩ）法（７０エレクトロンボルト）
＜液体クロマトグラフィー−マススペクトル（ＬＣＭＳ）分析＞
装置；ブルカー・ダルトニクス、（商品名）ｍｉｃｒｏＴＯＦ  ｆｏｃｕｓ
ＭＳイオン化；大気圧化学イオン化（ＡＰＣＩ）法
ＬＣ条件；下記液体クロマトグラフィー分析の項目にて記載の条件
反応の進行の確認等は薄層クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）、液体クロマトグラフィー（ＬＣ）分析を用いた。ビフェニレン誘導体の純度測定についても液体クロマトグラフィー分析を用いた実施した。
【０２４３】
＜薄層クロマトグラフィー分析＞
メルク社の薄層クロマトグラフィー用ＰＬＣシリカゲル６０Ｆ２５４  ０．５ｍｍを使用し、展開溶媒として、ヘキサン及び／又はトルエンを用いた。
【０２４４】
＜ガスクロマトグラフィー分析＞
装置；島津製作所製、（商品名）ＧＣ２０１４
カラム；Ｊ＆Ｗサイエンティフィック社製、（商品名）ＤＢ−１，３０ｍ
＜液体クロマトグラフィー分析＞
装置；東ソー製（コントローラー；ＰＸ−８０２０、ポンプ；ＣＣＰＭ−ＩＩ、デガッサー；ＳＤ−８０２２）
カラム；東ソー製、（商品名）ＯＤＳ−１００Ｖ、５μｍ、４．６ｍｍ×２５０ｍｍ
カラム温度；３３℃
溶離液；ジクロロメタン：アセトニトリル＝２：８（容積比）
流速；１．０ｍｌ／分
検出器；ＵＶ（東ソー製、（商品名）ＵＶ−８０２０、波長；２５４ｎｍ）。
【０２４５】
ビフェニレン誘導体の融点測定はＤＳＣ（示差走査熱量計）を用いた。
【０２４６】
＜ＤＳＣ測定＞
装置；エスアイアイナノテクノロジー社製、型式；ＤＳＣ６２２０
昇降温速度；１０℃／ｍｉｎ
走査範囲；−１０℃〜３００℃
合成例１（２，２’−ジブロモ−４，５’−ジフルオロビフェニルの合成）（Ａ１工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、１−ブロモ−４−フルオロ−２−ヨードベンゼン（東京化成工業）３．９５ｇ（１３．１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）１５ｍｌを添加した。この溶液を０℃に冷却し、エチルマグネシウムクロライド（シグマ−アルドリッチ、２．０Ｍ）のＴＨＦ溶液６．８ｍｌ（１３．６ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を０℃で１５分間熟成し、１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−マグネシウムクロライドを調製した。
【０２４７】
一方、窒素雰囲気下、別の１００ｍｌシュレンク反応容器に、塩化亜鉛（和光純薬工業）２．４２ｇ（１７．７ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）１９ｍｌを添加し、０℃に冷却した。この得られた白色微スラリー溶液中に、先に調製した１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−マグネシウムクロライド溶液をテフロン（登録商標）キャヌラーを用いて滴下し、さらにＴＨＦ（脱水グレード）２ｍｌを用いて１００ｍｌシュレンク反応容器及びテフロン（登録商標）キャヌラーを洗浄しながら投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。生成した１−ブロモ−４−フルオロフェニル−２−亜鉛クロライドのスラリー液に、２−ブロモ−４−フルオロ−１−ヨードベンゼン（東京化成工業）３．１８ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）及び触媒としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（東京化成工業）１１５ｍｇ（０．０９９５ｍｍｏｌ、２−ブロモ−４−フルオロ−１−ヨードベンゼンに対し０．９４８モル％）を添加した。５０℃で７時間反応を実施した後、容器を水冷し１Ｍ塩酸を添加することで反応を停止させた。トルエン及び食塩水を添加し、有機相を分相し、有機相を食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒：ヘキサン）。２，２’−ジブロモ−４，５’−ジフルオロビフェニルの無色オイル３．４８ｇを得た（収率９４％）。
【０２４８】
ＭＳ  ｍ／ｚ：  ３５０（Ｍ＋＋２、５１％）、３４８（Ｍ＋、１００％）、３４６（Ｍ＋−２、５３）。
【０２４９】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．６２（ｄｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，５．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４３（ｄｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２．３Ｈｚ，１Ｈ），７．２７〜７．１９（ｍ，１Ｈ），７．１１（ｄｔ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２．７Ｈｚ，１Ｈ），７．０４〜６．９６（ｍ，２Ｈ）。
【０２５０】
合成例２  （２，６−ジフルオロビフェニレンの合成）（Ｂ１工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１で合成した２，２’−ジブロモ−４，５’−ジフルオロビフェニル３．３０ｇ（９．４８ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）１６０ｍｌを添加した。この混合物を−７８℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（関東化学、１．６Ｍ）のヘキサン溶液１２．５ｍｌ（２０．０ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を−７８℃で１時間熟成した。ここへ、−７８℃下で、塩化銅（ＩＩ）（和光純薬工業製）３．７５ｇ（２７．９ｍｍｏｌ）を投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。反応混合物に１Ｍ塩酸を添加後、トルエンを添加し分相した。有機相を食塩水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン）。２，６−ジフルオロビフェニレンの淡黄色固体１．４８ｇを得た（収率９１％）。
【０２５１】
ＭＳ  ｍ／ｚ：  １８８（Ｍ＋、１００％）。
【０２５２】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．５６（ｄｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ，４．０Ｈｚ，２Ｈ），６．４２〜６．３５（ｍ，４Ｈ）。
【０２５３】
合成例３  （２，６−ジフルオロ−１，５−ジヨードビフェニレンの合成）（Ｃ１工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、ジイソプロピルアミン５１６ｍｇ（５．１０ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）９ｍｌを添加した。この混合物を−４０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（関東化学、１．６Ｍ）のヘキサン溶液３．１ｍｌ（５．０ｍｍｏｌ）を滴下し、ＬＤＡを調製した。この混合物を−７８℃に冷却し、ここへ、合成例２で合成した２，６−ジフルオロビフェニレン３８０ｍｇ（２．０２ｍｍｏｌ）を少しずつ投入し、−７８℃〜−６０℃で２．５時間攪拌した。得られた混合物を−７８℃とし、ヨウ素１．２６ｇ（４．９６ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）４ｍｌからなる溶液を滴下した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。反応混合物０℃に冷却後、水及びトルエンを添加し、分相した。水相をトルエン抽出し、合わせた有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン）、２，６−ジフルオロ−１，５−ジヨードビフェニレンの淡黄色固体４７１ｍｇを得た（収率５３％）。
【０２５４】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．６８（ｄｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３．６Ｈｚ，２Ｈ），６．４４（ｄｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，７．３Ｈｚ，２Ｈ）。
【０２５５】
合成例４  （２，６−ジフルオロ−１，５−ジオクチニルビフェニレンの合成）（Ｄ１工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例３で合成した２，６−ジフルオロ−１，５−ジヨードビフェニレン４５３ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（和光純薬工業）６４．３ｍｇ（０．０９１６ｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（和光純薬工業）３５．９ｍｇ（０．１８８ｍｍｏｌ）、トルエン９ｍｌ、及びトリエチルアミン９ｍｌを添加した。さらに１−オクチン（和光純薬工業）３３７ｍｇ（３．０６ｍｍｏｌ）を添加した。この混合物を３０℃で１０時間反応を実施した。得られた反応混合物にトルエン及び水を添加し、分相後、有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン）。２，６−ジフルオロ−１，５−ジオクチニルビフェニレンの黄色固体２９３ｍｇを得た（収率７１％）。
【０２５６】
ＭＳ  ｍ／ｚ：  ４０６（Ｍ＋＋２、６．０％），４０５（Ｍ＋＋１、３４％），４０４（Ｍ＋、１００％）。
【０２５７】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．５４（ｄｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４．１Ｈｚ，２Ｈ），６．４０（ｄｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ，７．７Ｈｚ，２Ｈ），２．４４（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ），１．６１（ｍ，４Ｈ），１．４６（ｍ，４Ｈ），１．３２（ｍ，８Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２５８】
実施例１  （芳香族化合物（１−１ａ、Ｒ９＝Ｃ６Ｈ１３））の合成（Ｅ１工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例４で合成した２，６−ジフルオロ−１，５−ジオクチニルビフェニレン２８７ｍｇ（０．７０９ｍｍｏｌ）、硫化ナトリウム・９水和物（和光純薬工業）６１３ｍｇ（２．５５ｍｍｏｌ）、及びＤＭＳＯ（和光純薬工業）６ｍｌを添加した。混合物を８０℃に加熱し、５時間攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却後、水及びトルエンを添加した。分相後、有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン）。さらにヘキサンから２回再結晶を行い、２，７−ジヘキシルジチエノビフェニレン（１−１ａ、化合物１）の黄色固体１８４ｍｇを得た（収率６１％）。ＬＣ分析より純度は９９．３％であった。
【０２５９】
融点：１５５℃
ＭＳ  ｍ／ｚ：  ４３４（Ｍ＋＋２、１４％），４３３（Ｍ＋＋１、３４％），４３２（Ｍ＋、１００％），３６１（Ｍ＋−Ｃ５Ｈ１１、９０％），２９０（Ｍ＋−２Ｃ５Ｈ１１、５５％）。
【０２６０】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．０４（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），６．６０（ｓ，２Ｈ），６．５４（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），２．７８（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），１．３９（ｍ，４Ｈ），１．３２（ｍ，８Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２６１】
ＣＶ測定よりＨＯＭＯレベルは、−５．３１ｅＶであった。
【０２６２】
合成例５  （２，６−ジブロモ−３，７−ジフルオロビフェニレンの合成）（Ｃ４工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例２で合成した２，６−ジフルオロビフェニレン３５１ｍｇ（１．８６ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ（脱水グレード）７ｍｌを添加した。ここへ、室温下、ＮＢＳ（和光純薬工業）９５４ｍｇ（５．３６ｍｍｏｌ）を投入した。４０℃で１０時間攪拌後、得られた反応混合物を室温まで冷却した。水及びトルエンを添加し、分相した。有機相を水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をヘキサン：トルエン＝１：２の混合溶媒から再結晶し、２，６−ジブロモ−３，７−ジフルオロビフェニレンの黄色針状結晶３０２ｍｇを得た（収率４７％）。
【０２６３】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．８２（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，２Ｈ），６．４９（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，２Ｈ）。
【０２６４】
合成例６  （２，６−ジフルオロ−３，７−ジオクチニルビフェニレンの合成）（Ｄ４工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例５で合成した２，６−ジブロモ−３，７−ジフルオロビフェニレン２７０ｍｇ（０．７８０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（和光純薬工業）４５．３ｍｇ（０．０６４５ｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（和光純薬工業）２６．０ｍｇ（０．１３６ｍｍｏｌ）、トルエン３ｍｌ、及びトリエチルアミン５ｍｌを添加した。さらに１−オクチン（和光純薬工業）５６０ｍｇ（５．０８ｍｍｏｌ）を添加した。この混合物を６０℃で３５時間反応を実施した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、トルエン及び水を添加した。分相後、有機相を水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン）。２，６−ジフルオロ−３，７−ジオクチニルビフェニレンの黄色固体３０３ｍｇを得た（収率９６％）。
【０２６５】
ＭＳ  ｍ／ｚ：  ４０６（Ｍ＋＋２、５．０％），４０５（Ｍ＋＋１、３６％），４０４（Ｍ＋、１００％）。
【０２６６】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．６０（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，２Ｈ），６．４２（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），２．４２（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），１．４４（ｍ，４Ｈ），１．３２（ｍ，８Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２６７】
実施例２  （芳香族化合物（１−３ａ、Ｒ９＝Ｃ６Ｈ１３））の合成（Ｅ４工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例６で合成した２，６−ジフルオロ−３，７−ジオクチニルビフェニレン１０７ｍｇ（０．２６４ｍｍｏｌ）、硫化ナトリウム・９水和物（和光純薬工業）２５２ｍｇ（１．０５ｍｍｏｌ）、及びＤＭＳＯ（和光純薬工業）３ｍｌを添加した。混合物を８０℃に加熱し、５時間攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却後、水及びトルエンを添加した。分相後、有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン／トルエン＝１／１〜０：１）。さらにトルエンから２回再結晶を行い、２，７−ジヘキシルジチエノビフェニレン（１−３ａ、化合物２）の黄色固体７２ｍｇを得た（収率６２％）。ＬＣ分析より純度は９９．２％であった。
【０２６８】
融点：＞３００℃
ＭＳ  ｍ／ｚ：  ４３４（Ｍ＋＋２、１３％），４３３（Ｍ＋＋１、３６％），４３２（Ｍ＋、１００％），３６１（Ｍ＋−Ｃ５Ｈ１１、８８％），２９０（Ｍ＋−２Ｃ５Ｈ１１、５２％）。
【０２６９】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．０４（ｓ，２Ｈ），６．９５（ｓ，２Ｈ），６．７９（ｓ，２Ｈ），２．８１（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），１．３８（ｍ，４Ｈ），１．３２（ｍ，８Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２７０】
ＣＶ測定よりＨＯＭＯレベルは、−５．４０ｅＶであった。
【０２７１】
合成例７  （２，６−ジフルオロ−１，５−ジデシニルビフェニレンの合成）（Ｄ１工程）
合成例４で、１−オクチンの代わりに１−デシン（和光純薬工業）を用いた以外は、合成例４と同じ操作を繰り返して２，６−ジフルオロ−１，５−ジデシニルビフェニレンの黄色固体を得た（収率７１％）。
【０２７２】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．５３（ｄｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４．１Ｈｚ，２Ｈ），６．３９（ｄｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ，７．７Ｈｚ，２Ｈ），２．４３（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ），１．６０（ｍ，４Ｈ），１．４６（ｍ，４Ｈ），１．３２（ｍ，１６Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２７３】
実施例３  （芳香族化合物（１−１ａ、Ｒ９＝Ｃ８Ｈ１７））の合成（Ｅ１工程）
実施例１で、２，６−ジフルオロ−１，５−ジオクチニルビフェニレンの代わりに合成例７で合成した２，６−ジフルオロ−１，５−ジデシニルビフェニレンを用いた以外は、実施例１と同じ操作を繰り返して２，７−ジオクチルジチエノビフェニレン（１−１ａ、化合物３）の黄色固体を得た（収率６１％）。ＬＣ分析より純度は９９．３％であった。
【０２７４】
融点：１４０℃
ＭＳ（ＡＰＣＩ＋）  ｍ／ｚ：  ４８９（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０２７５】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．０３（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），６．６０（ｓ，２Ｈ），６．５４（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），２．７７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６８（ｍ，４Ｈ），１．４０−１．２０（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２７６】
ＣＶ測定よりＨＯＭＯレベルは、−５．２９ｅＶであった。
【０２７７】
合成例８  （２，６−ジフルオロ−１，５−ジドデシニルビフェニレンの合成）（Ｄ１工程）
合成例４で、１−オクチンの代わりに１−ドデシン（和光純薬工業）を用いた以外は、合成例４と同じ操作を繰り返して２，６−ジフルオロ−１，５−ジドデシニルビフェニレンの黄色固体を得た（収率７８％）。
【０２７８】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．５２（ｄｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４．１Ｈｚ，２Ｈ），６．３８（ｄｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ，７．７Ｈｚ，２Ｈ），２．４２（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ），１．５９（ｍ，４Ｈ），１．４６（ｍ，４Ｈ），１．３２（ｍ，２４Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２７９】
実施例４  （芳香族化合物（１−１ａ、Ｒ９＝Ｃ１０Ｈ２１））の合成（Ｅ１工程）
実施例１で、２，６−ジフルオロ−１，５−ジオクチニルビフェニレンの代わりに合成例８で合成した２，６−ジフルオロ−１，５−ジドデシニルビフェニレンを用いた以外は、実施例１と同じ操作を繰り返して２，７−ジデシルジチエノビフェニレン（１−１ａ、化合物４）の黄色固体を得た（収率６１％）。ＬＣ分析より純度は９９．３％であった。
【０２８０】
融点：１３２℃
ＭＳ（ＡＰＣＩ＋）  ｍ／ｚ：  ５４５（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０２８１】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．０２（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），６．５９（ｓ，２Ｈ），６．５３（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），２．７６（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６８（ｍ，４Ｈ），１．４０−１．２０（ｍ，２８Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【０２８２】
ＣＶ測定よりＨＯＭＯレベルは、−５．２７ｅＶであった。
【０２８３】
合成例９  （２−ブロモ−１−フルオロ−３−ヨードベンゼンの合成）
窒素雰囲気下、５００ｍｌシュレンク反応容器に、ジイソプロピルアミン５．７６ｇ（５６．９ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）１１５．０ｍｌを添加した。この溶液を−５０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（東京化成工業、１．６Ｍ）のヘキサン溶液３４．０ｍｌ（５４．４ｍｍｏｌ）を滴下し、ＬＤＡを調製した。この混合物を−７８℃に冷却し、１−フルオロ−３−ヨードベンゼン（東京化成工業）１１．５ｇ（５１．８ｍｍｏｌ）を添加し、−７８℃で２時間保持した。ここへ、−７８℃下、テトラブロモメタン（東京化成工業）３４．４ｇ（１０３．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（脱水グレード）１６０．０ｍｌに溶解した溶液を滴下し、室温まで徐々に昇温した。得られた反応混合物に水及びトルエンを添加し、分相した。有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒：ヘキサン）。メタノール（和光純薬工業）３．０ｇを加え、５０℃に昇温して再結晶することで２−ブロモ−１−フルオロ−３−ヨードベンゼンの白色固体７．４３ｇを得た（収率４３．３％）。
【０２８４】
ＭＳ  ｍ／ｚ：  ３０２（Ｍ＋＋２、７５％）、３００（Ｍ＋、７８％）、１７５（Ｍ＋＋２−Ｉ、３８％）、１７３（Ｍ＋−Ｉ、３９％）、９４（Ｍ＋−ＢｒＩ、１００％）。
【０２８５】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．６８〜７．６４（ｍ，１Ｈ），７．１２〜７．０８（ｍ，１Ｈ），７．０５〜７．００（ｍ，１Ｈ）
合成例１０  （２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニルの合成）（Ａ２工程）
窒素雰囲気下、２００ｍｌシュレンク反応容器に、１−ブロモ−３−フルオロ−２−ヨードベンゼン（東京化成工業）４．８９ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）５０．０ｍｌを添加した。この溶液を０℃に冷却し、エチルマグネシウムクロライド（シグマ−アルドリッチ、２．０Ｍ）のＴＨＦ溶液８．４ｍｌ（１９．８ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を０℃で２０分間熟成し、１−ブロモ−３−フルオロフェニル−２−マグネシウムクロライドを調製した。
【０２８６】
一方、窒素雰囲気下、別の３００ｍｌシュレンク反応容器に、塩化亜鉛（和光純薬工業）３．２８ｇ（２４．１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）３０ｍｌを添加し、０℃に冷却した。この得られた白色微スラリー溶液中に、先に調製した１−ブロモ−３−フルオロフェニル−２−マグネシウムクロライド溶液をテフロン（登録商標）キャヌラーを用いて滴下し、さらにＴＨＦ（脱水グレード）２ｍｌを用いて１００ｍｌシュレンク反応容器及びテフロン（登録商標）キャヌラーを洗浄しながら投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。生成した１−ブロモ−３−フルオロフェニル−２−亜鉛クロライドのスラリー液に、合成例９で合成した２−ブロモ−１−フルオロ−３−ヨードベンゼン３．５１ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）及び触媒としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（東京化成工業）１．４０ｇ（１．２ｍｍｏｌ、２−ブロモ−１−フルオロ−３−ヨードベンゼンに対し１０モル％）を添加した。６０℃で３時間反応を実施した後、容器を水冷し１Ｍ塩酸を添加することで反応を停止させた。トルエンを添加し、有機相を分相し、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒：ヘキサン）。２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニルの無色固体２．９０ｇを得た（収率７１．３％）。
【０２８７】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．５０（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．４２〜７．３６（ｍ，１Ｈ），７．３３〜７．２６（ｍ，１Ｈ），７．２３〜７．１８（ｍ，１Ｈ），７．１７〜７．１２（ｍ，１Ｈ），７．０５〜６．９６（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ１Ｈ）。
【０２８８】
合成例１１  （１，５−ジフルオロビフェニレンの合成）（Ｂ３工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１０で合成した２，２’−ジブロモ−３，６’−ジフルオロビフェニル３９５．５ｍｇ（１．１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）２０ｍｌを添加した。この混合物を−７８℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（関東化学、１．６Ｍ）のヘキサン溶液２．９ｍｌ（４．６ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を−７８℃で１時間熟成した後、−４０℃に１０分かけて昇温し１時間熟成させた。ここへ、Ｎ−フルオロベンゼンスルホンイミド（東京化成工業）１．５０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。反応混合物に１Ｍ塩酸を添加後、トルエンを添加し分相した。有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン）。１，５−ジフルオロビフェニレンの淡黄色固体１３０．０ｍｇを得た（収率５１．７％）。
【０２８９】
ＭＳ  ｍ／ｚ：  １８８（Ｍ＋、１００％）、１６８（Ｍ＋−ＨＦ、１５％）９４（Ｍ＋−Ｃ６Ｈ３Ｆ、１５％）。
【０２９０】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．８０（ｄｄｄ，２Ｈ）δ＝６．５６〜６．５０（ｍ，４Ｈ）。
【０２９１】
合成例１２  （ビフェニレン−１，５−ビス（チオアセトアルデヒドジメチルアセタール）の合成（Ｃ３工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１１で合成した１，５−ジフルオロビフェニレン５７．６ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ）、硫化ナトリウム・９水和物（和光純薬工業）３９８．０ｍｇ（１．６５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰ（和光純薬工業）４ｍｌを添加した。混合物を１１０℃で、６時間攪拌した。得られた反応混合物に２−ブロモアセトアルデヒドジメチルアセタール（東京化成工業）５７８．２ｍｇ（３．４２ｍｍｏｌ）を添加し、１００℃で、３時間加熱攪拌した。得られた反応混合物を室温に冷却後、水及びトルエンを添加した。分相後、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン／酢酸エチル＝１０／1〜１０／２）。さらに低沸分を減圧除去し、ビフェニレン−１，５−ビス（チオアセトアルデヒドジメチルアセタール）の黄色固体６５．４ｍｇを得た（収率６４．７％）。
【０２９２】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．７０（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，２Ｈ），６．６９（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，２Ｈ），６．５４（ｄｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１．４Ｈｚ，２Ｈ），４．５３（ｔ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，２Ｈ），３．３８（ｓ，１２Ｈ），３．１０（ｄ，Ｊ＝５．９，Ｈｚ，４Ｈ）。
【０２９３】
実施例５  （ジチエノビフェニレン誘導体の合成（Ｄ３工程）
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１２で合成したビフェニレン−１，５−ビス（チオアセトアルデヒドジメチルアセタール）５７．７ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、ポリリン酸（和光純薬工業）１０９．４ｍｇ、及びクロロベンゼン（和光純薬工業）４ｍｌを添加した。混合物を１３０℃で、５時間攪拌した。得られた反応混合物を室温に冷却後、水及びトルエンを添加した。分相後、有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１〜１０／２）、ジチエノビフェニレン誘導体の黄色固体２２．５ｍｇを得た（収率５５％）。
【０２９４】
ＭＳ  ｍ／ｚ：  ２６４（Ｍ＋）。
【０２９５】
実施例６  （芳香族化合物（１−２ａ、Ｒ９＝Ｃ８Ｈ１７））の合成（Ｅ３工程）
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、実施例５で合成したジチエノビフェニレン誘導体２２．５ｍｇ（０．０８５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）４ｍｌを添加した。この混合物を０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（東京化成工業、１．６Ｍ）のヘキサン溶液０．２０ｍｌ（０．３２ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を６０℃で２時間熟成した後、１−ヨードオクタン（和光純薬工業）１３６ｍｇ（０．５６７ｍｍｏｌ）を投入した。得られた混合物を６０℃で７時間、攪拌した。反応混合物氷冷し、１Ｍ塩酸を添加後、トルエンを添加し分相した。有機相を水洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン）、２，７−ジオクチルジチエノビフェニレン（（１−２ａ）、化合物５））の黄色固体１７ｍｇを得た（収率４１％）。
【０２９６】
ＭＳ（ＡＰＣＩ＋）  ｍ／ｚ：  ４８９（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０２９７】
ＣＶ測定よりＨＯＭＯレベルは、−５．３０ｅＶであった。
【０２９８】
合成例１３  （１，５−ビス（３−クロロ−２−チエニル）−２，６−ジフルオロビフェニレンの合成）（Ｄ５工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、３−クロロチオフェン４．９６ｇ（４１．９ｍｍｏｌ）、クロロホルム２３ｍｌ、及び酢酸２３ｍｌを添加した。ここへ、ＮＢＳ（和光純薬工業）８．１６ｇ（４５．８ｍｍｏｌ）を投入した。室温で８時間攪拌後、得られた反応混合物を氷冷し、飽和重曹水３０ｍｌを添加し、クエンチした。ジクロロメタンで２回抽出し、合わせた有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をダイヤフタムポンプを用い１７００Ｐａの減圧下で乾燥し、２−ブロモ−３−クロロチオフェンの薄赤色オイル７．９４ｇを得た（収率９６％）。
【０２９９】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．８２（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，２Ｈ），６．４９（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，２Ｈ）。
【０３００】
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、上記で合成した２−ブロモ−３−クロロチオフェン７１．２ｍｇ（０．３６１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）３ｍｌを添加した。この溶液を０℃に冷却し、エチルマグネシウムクロライド（シグマ−アルドリッチ、２．０Ｍ）のＴＨＦ溶液０．２０ｍｌ（０．４０ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を０℃で１０分間熟成し、３−クロロ−２−チエニル−２−マグネシウムクロライドを調製した。
【０３０１】
一方、窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、塩化亜鉛（和光純薬工業）８７．８ｍｇ（０．６４４ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）２ｍｌを添加し、０℃に冷却した。この得られた白色微スラリー溶液中に、先に調製した３−クロロ−２−チエニル−２−マグネシウムクロライド溶液をテフロン（登録商標）キャヌラーを用いて滴下し、さらにＴＨＦ（脱水グレード）１ｍｌを用いて５０ｍｌシュレンク反応容器及びテフロン（登録商標）キャヌラーを洗浄しながら投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。生成した３−クロロ−２−チエニル−２−亜鉛クロライドのスラリー液に、合成例３で合成した２，６−ジフルオロ−１，５−ジヨードビフェニレン４９．３ｍｇ（０．１１２ｍｍｏｌ）及び触媒としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（東京化成工業）３．４ｍｇ（０．００２９４ｍｍｏｌ、２，６−ジフルオロ−１，５−ジヨードビフェニレンに対し  ２．６３モル％）を添加した。６０℃で７時間反応を実施した後、容器を水冷し１Ｍ塩酸を添加することで反応を停止させた。トルエン及び食塩水を添加し、有機相を分相し、有機相を水および食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン／トルエン＝１／０〜９５／５）。１，５−ビス（３−クロロ−２−チエニル）−２，６−ジフルオロビフェニレンの黄色固体  １５．１ｍｇを得た（収率３２％）。
【０３０２】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．４２（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．０４（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），６．５５〜６．５１（ｍ，４Ｈ）。
【０３０３】
実施例７  （ビス（ジチエノ）ビフェニレン誘導体）の合成（Ｅ５工程）
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１３で合成した１，５−ビス（３−クロロ−２−チエニル）−２，６−ジフルオロビフェニレン１５．１ｍｇ（０．０３５８ｍｍｏｌ）、硫化ナトリウム・９水和物（和光純薬工業）４４．２ｍｇ（０．１８４ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰ（和光純薬工業）２ｍｌを添加した。混合物を１７０℃に加熱し、４時間攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却後、水及びトルエンを添加した。分相後、有機相を水、食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン／トルエン＝１／１）、ビス（ジチエノ）ビフェニレン誘導体の黄色固体７．６ｍｇを得た（収率５６．７％）。
【０３０４】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．５５（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），７．０１（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），６．５８（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ）。
【０３０５】
実施例８  （芳香族化合物（１−１１ａ、Ｒ９＝Ｃ８Ｈ１７））の合成（Ｆ５工程）
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１４で合成したビス（ジチエノ）ビフェニレン誘導体７．３ｍｇ（０．０１９４ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）３ｍｌを添加した。この混合物を０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（東京化成工業、１．６Ｍ）のヘキサン溶液０．０５ｍｌ（０．０８ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を６０℃で２時間熟成した後、１−ヨードオクタン（和光純薬工業）５７．７ｍｇ（０．２４０ｍｍｏｌ）を投入した。得られた混合物を６０℃で８時間、攪拌した。反応混合物を氷冷し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を添加後、トルエンを添加し分相した。有機相を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン）、２，８−ジオクチルビス（ジチエノ）ビフェニレン（（１−１１ａ）、化合物６）の赤色固体を７．０ｍｇを得た（収率６０．１％）。
【０３０６】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．１６（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），６．９１（ｓ，２Ｈ），６．７４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），２．９２（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．７４（ｍ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），１．４１〜１．２７（ｍ，２０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【０３０７】
ＣＶ測定よりＨＯＭＯレベルは、−５．１２ｅＶであった。
【０３０８】
合成例１４  （１−ブロモ−５−ヘキシル−２−ヨードベンゼンの合成）
窒素雰囲気下、３００ｍｌ一口ナスフラスコ反応容器に、酢酸アンモニウム４４４ｍｇ（５．７８ｍｍｏｌ）、アセトニトリル１７０ｍｌ、及び４−ヘキシルアニリン（東京化成工業）１０．６ｇ（５９．７ｍｍｏｌ）を添加した。氷冷後、ＮＢＳ（和光純薬工業）１１．２ｇ（６２．７ｍｍｏｌ）を添加し、室温で７時間攪拌した。得られた反応混合物をロータリーエバポレーターで濃縮し、低沸分を除去した。トルエン及び水を添加し、分相後、有機相を水洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン／トルエン＝１０／１〜２／１）、２−ブロモ−４−ヘキシルアニリンの赤色オイル１１．９ｇを得た（収率７８％）。
【０３０９】
１ｌ一口ナスフラスコに、上記で得られた２−ブロモ−４−ヘキシルアニリン１１．７ｇ（４５．８ｍｍｏｌ）及び水２１０ｍｌを添加した。この混合物を氷冷し、硫酸（和光純薬工業）２３．２ｇを添加し、１０分間攪拌した。この混合物を５℃に冷却し、亜硝酸ナトリウム（和光純薬工業）４．１７ｇ（６０．４ｍｍｏｌ）と水１４０ｍｌからなる水溶液を投入し、５〜１０℃で３時間、攪拌した。ここへ、ヨウ化カリウム（和光純薬工業）６１．８ｇ（３７２ｍｍｏｌ）と水１４０ｍｌからなる水溶液を５℃下で投入し、室温で２時間攪拌した。さらに、得られた混合物を加熱還流下で２０分間、攪拌後、室温に冷却し、亜硫酸ナトリウム４．１７ｇ（６０．４ｍｍｏｌ）と水２１０ｍｌからなる水溶液を投入した。得られた反応混合物をトルエン抽出し、有機相を水洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン）、１−ブロモ−５−ヘキシル−２−ヨードベンゼンの薄赤色オイル９．１６ｇを得た（収率５４％）。
【０３１０】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．７２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４５（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ），６．８１（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ），２．５２（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），１．５５（ｍ，２Ｈ）、１．３１（ｍ，６Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）。
【０３１１】
合成例１５  （２，２’−ジブロモ−４−ヘキシル−４’−フルオロビフェニルの合成）（Ａ７工程）
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１４で合成した１−ブロモ−５−ヘキシル−２−ヨードベンゼン１．２５ｇ（３．４０ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）７ｍｌを添加した。この溶液を０℃に冷却し、エチルマグネシウムクロライド（シグマ−アルドリッチ、２．０Ｍ）のＴＨＦ溶液１．８ｍｌ（３．６ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を０℃で２０分間熟成し、１−ブロモ−５−ヘキシルフェニル−２−マグネシウムクロライドを調製した。
【０３１２】
一方、窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、塩化亜鉛（和光純薬工業）６６８ｍｇ（４．９０ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）１１ｍｌを添加し、０℃に冷却した。この得られた白色微スラリー溶液中に、先に調製した１−ブロモ−５−ヘキシルフェニル−２−マグネシウムクロライド溶液をテフロン（登録商標）キャヌラーを用いて滴下し、さらにＴＨＦ（脱水グレード）２ｍｌを用いて１００ｍｌシュレンク反応容器及びテフロン（登録商標）キャヌラーを洗浄しながら投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。生成した１−ブロモ−５−ヘキシルフェニル−２−亜鉛クロライドのスラリー液に、２−ブロモ−４−フルオロ−１−ヨードベンゼン（東京化成工業）１．１９ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）及び触媒としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（東京化成工業）２８．４ｍｇ（０．０２４５ｍｍｏｌ、２−ブロモ−４−フルオロ−１−ヨードベンゼンに対し０．６１８モル％）を添加した。５０℃で  ７時間反応を実施した後、容器を水冷し１Ｍ塩酸を添加することで反応を停止させた。トルエン及び食塩水を添加し、有機相を分相し、有機相を食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒：ヘキサン）。２，２’−ジブロモ−４−ヘキシル−４’−フルオロビフェニルの無色オイル１．１８ｇを得た（収率７２％）。
【０３１３】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝７．４８（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４０（ｄｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２．４Ｈｚ，１Ｈ），７．２２（ｄｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，６．０Ｈｚ，１Ｈ），７．１８（ｄｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１．６Ｈｚ，１Ｈ），７．１３（ｓ，１Ｈ），７．０７（ｄｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２．４Ｈｚ，１Ｈ），２．６３（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ），１．６３（ｍ，２Ｈ）、１．３３（ｍ，６Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）。
【０３１４】
合成例１６  （２−フルオロ−７−ヘキシルビフェニレンの合成）（Ｂ７工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１５で合成した２，２’−ジブロモ−４−ヘキシル−４’−フルオロビフェニル１．１８ｇ（２．８５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）７０ｍｌを添加した。この混合物を−７８℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（東京化成工業、１．６Ｍ）のヘキサン溶液４．７ｍｌ（７．５ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を−７８℃〜―７０℃で１時間熟成した。ここへ、−７８℃下で、塩化銅（ＩＩ）（和光純薬工業製）１．４６ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）を投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら攪拌した。反応混合物に１Ｍ塩酸を添加後、トルエンを添加し分相した。有機相を食塩水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（溶媒；ヘキサン）。２−フルオロ−７−ヘキシルビフェニレンの淡黄色固体４８５ｍｇを得た（収率６７％）。
【０３１５】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．５６（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ），６．５２（ｓ，１Ｈ），６．５０−６．４５（ｍ，２Ｈ），６．４０（ｄｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２．２Ｈｚ，１Ｈ），６．３４（ｍ，１Ｈ），２．４０（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），１．５２（ｍ，２Ｈ）、１．３１（ｍ，６Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）。
【０３１６】
合成例１７  （２，７−ジブロモ−３−フルオロ−６−ヘキシルビフェニレンの合成）（Ｃ７工程）
窒素雰囲気下、２００ｍｌ一口ナスフラスコ反応容器に、合成例１６で合成した２−フルオロ−７−ヘキシルビフェニレン４８１ｍｇ（１．８９ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ（脱水グレード）１２ｍｌを添加した。ここへ、室温下、ＮＢＳ（和光純薬工業）１．２９ｇ（７．２４ｍｍｏｌ）を投入した。室温で２日間及び４０℃で６時間攪拌後、得られた反応混合物を氷冷した。水及びトルエンを添加し、分相した。有機相を水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン）、２，７−ジブロモ−３−フルオロ−６−ヘキシルビフェニレンの黄色固体２８４ｍｇを得た（収率３６％）。
【０３１７】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．７８（ｓ，１Ｈ），６．７４（ｄ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，１Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），６．５０（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ），２．５６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），１．５０（ｍ，２Ｈ）、１．３２（ｍ，６Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）。
【０３１８】
合成例１８  （ビ（７−ブロモ−３−フルオロ−６−ヘキシル−２−ビフェニレニル）の合成）（Ｄ７工程）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１７で合成した２，７−ジブロモ−３−フルオロ−６−ヘキシルビフェニレン１７０ｍｇ（０．４１２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）１０ｍｌを添加した。この溶液を−１０℃に冷却し、イソプロピルマグネシウムクロライド（シグマ−アルドリッチ、２．０Ｍ）のＴＨＦ溶液０．７０ｍｌ（１．４ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を−１０℃で７０分間熟成し、７−ブロモ−３−フルオロ−６−ヘキシルビフェニレニル−２−マグネシウムクロライドを調製した。ここへ、０℃下で、塩化銅（ＩＩ）（和光純薬工業）１８３ｍｇ（１．３６ｍｍｏｌ）を投入した。得られた混合物を室温まで徐々に昇温しながら一晩攪拌した。反応混合物に１Ｍ塩酸を添加後、トルエンを添加し分相した。有機相を食塩水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機相を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン）、ビ（７−ブロモ−３−フルオロ−６−ヘキシル−２−ビフェニレニル）の黄色固体６６．４ｍｇを得た（収率４８．５％）。
【０３１９】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．７９（ｓ，２Ｈ），６．５７（ｓ，２Ｈ），６．５６−６．５０（ｍ，４Ｈ），２．５６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），１．５２（ｍ，４Ｈ）、１．３１（ｍ，１２Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【０３２０】
合成例１９  （ビ（３−フルオロ−６−ヘキシル−２−ビフェニレニル）の合成）（Ｅ７工程）
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１８で合成したビ（７−ブロモ−３−フルオロ−６−ヘキシル−２−ビフェニレニル）３３．１ｍｇ（０．０４９８ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（脱水グレード）３ｍｌを添加した。この溶液を−７８℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（東京化成工業、１．６Ｍ）のヘキサン溶液０．１１０ｍｌ（０．１７６ｍｍｏｌ）を滴下した。この混合物を−５０℃まで１時間かけて昇温した後、メタノール０．５ｍｌを添加し、反応をクエンチした。得られた反応混合物に水及びトルエンを添加し、分相した。有機相を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶媒；ヘキサン／トルエン＝１／０〜９／１）、ビ（３−フルオロ−６−ヘキシル−２−ビフェニレニル）の黄色固体１５．２ｍｇを得た（収率６０．２％）。
【０３２１】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝６．５９（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），６．５６（ｓ，２Ｈ），６．５４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），６．５２〜６．５０（ｍ，２Ｈ），６．４８〜６．４６（ｍ，２Ｈ），２．４１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．５８〜１．５０（ｍ，４Ｈ），１．３１〜１．２６（ｍ，１２Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）。
【０３２２】
実施例９  （芳香族化合物（１−２１ａ、Ｒ１７＝Ｃ６Ｈ１３））の合成（Ｆ７工程）
窒素雰囲気下、５０ｍｌシュレンク反応容器に、合成例１９で合成したビ（３−フルオロ−６−ヘキシル−２−ビフェニレニル）１５．２ｍｇ（０．０３００ｍｍｏｌ）、硫化ナトリウム・９水和物（和光純薬工業）２４．９ｍｇ（０．１０４ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰ（和光純薬工業）３ｍｌを添加した。混合物を１７０℃に加熱し、４時間攪拌した。得られた反応混合物を氷冷後、水及び１Ｎ塩酸でクエンチした。得られた橙色懸濁反応液を吸引濾過し、濾取した固体を水、冷メタノール、冷ヘキサンで順次リンス洗浄した。得られた残渣をヘキサン／トルエン＝６／４から再結晶精製し、化合物７（１−２１ａ）の黄色固体１０．３ｍｇを得た（収率６８．６％）。
【０３２３】
ＭＳ（ＡＰＣＩ＋）  ｍ／ｚ：  ５０１（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０３２４】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８、５０℃）：δ＝７．２１（ｓ，２Ｈ），７．００（ｓ，２Ｈ），６．６７〜６．６２（ｍ，６Ｈ），２．４５（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６２〜１．５５（ｍ，４Ｈ），１．３８〜１．３０（ｍ，１２Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ）。
【０３２５】
ＣＶ測定よりＨＯＭＯレベルは、−５．１６ｅＶであった。
【０３２６】
実施例１０  （有機半導体層形成用溶液の作製）
空気下、１０ｍｌサンプル管に、実施例１で合成した２，７−ジヘキシルジチエノビフェニレン（１−１ａ、化合物１）０．８７ｍｇ及びトルエン（和光純薬工業、ピュアーグレード）４３４ｍｇを添加し、５０℃に加熱溶解後、室温下（２５℃）に放冷し、有機半導体層形成用溶液を調製した。２５℃で１０時間後も溶液状態を維持しており（化合物１の濃度は０．２０重量％）、ドロップキャスト及びインクジェットによる製膜に適した化合物であることを確認した。
【０３２７】
実施例１１  （有機半導体層及び有機薄膜トランジスタの作製）
空気下、直径２インチのｎ型にハイドープしたシリコン基板（ミヨシ、抵抗値；０．００４Ω、表面に２００ｎｍのシリコン酸化膜付き）上に、実施例１０で得られた有機半導体層形成用溶液をシリンジに充填し、０．２μｍのフィルターを通した溶液を、空気下、ドロップキャストした。室温下（２５℃）で自然乾燥し、膜厚５６ｎｍの芳香族化合物（化合物１）の薄膜を作製した。
【０３２８】
該有機半導体層にチャネル長５０μｍ、チャネル幅５００μｍのシャドウマスクを置き、金を真空蒸着することでソース及びドレイン電極を形成し、ボトムゲート−トップコンタクト型のｐ型有機薄膜トランジスタを作製した。
【０３２９】
作製した有機薄膜トランジスタの電気物性を半導体パラメーターアナライザー（ケースレー４２００ＳＣＳ）を用いて、ドレイン電圧（Ｖｄ＝−５０Ｖ）で、ゲート電圧（Ｖｇ）を＋５〜−７０Ｖまで１Ｖ刻みで走査し、伝達特性の評価を行った。正孔のキャリア移動度は０．３１ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は２．０×１０６であった。
【０３３０】
さらにこの有機薄膜トランジスタを１５０℃で１５分間アニール処理した後の電気物性を測定した。正孔のキャリア移動度は０．３３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は１．９×１０６であり、熱処理による性能の低下はほとんど見られなかった。
【０３３１】
実施例１２  （有機半導体層形成用溶液の作製）
実施例２で合成した２，７−ジヘキシルジチエノビフェニレン（１−３ａ、化合物２）の０．４３ｍｇを用いた以外は、実施例１０と同様の方法により、有機半導体層形成用溶液を調製した。２５℃で１０時間後も溶液状態を維持しており（化合物２の濃度は０．１０重量％）、ドロップキャスト及びインクジェットによる製膜に適した化合物であることを確認した。
【０３３２】
実施例１３  （有機半導体層及び有機薄膜トランジスタの作製）
実施例１２で得られた有機半導体層形成用溶液を用い、実施例１１と同様の方法により、膜厚２９ｎｍの芳香族化合物（化合物２）の薄膜を作製し、ボトムゲート−トップコンタクト型のｐ型有機薄膜トランジスタを作製した。
【０３３３】
該トランジスタ素子の伝達特性の評価を行った結果、正孔のキャリア移動度は０．２３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は１．０×１０６であった。
【０３３４】
さらにこの有機薄膜トランジスタを１５０℃で１５分間アニール処理した後の電気物性を測定した。正孔のキャリア移動度は０．２２ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は１．０×１０６であり、熱処理による性能の低下はほとんど見られなかった。
【０３３５】
実施例１４  （有機半導体層形成用溶液の作製）
実施例３で合成した２，７−ジオクチルジチエノビフェニレン（１−１ａ、化合物３）の０．８８ｍｇを用いた以外は、実施例１０と同様の方法により、有機半導体層形成用溶液を調製した。２５℃で１０時間後も溶液状態を維持しており（化合物３の濃度は０．２０重量％）、ドロップキャスト及びインクジェットによる製膜に適した化合物であることを確認した。
【０３３６】
実施例１５  （有機半導体層及び有機薄膜トランジスタの作製）
実施例１４で得られた有機半導体層形成用溶液を用い、トップゲート−ボトムコンタクト型のｐ型有機薄膜トランジスタを作製した。各構成部材の材質及び成膜方法を表１に示した。芳香族化合物（化合物３）の薄膜の膜厚は５８ｎｍであった。
【０３３７】
【表１】
2018174322.tif 000039
【０３３８】
該トランジスタ素子の伝達特性の評価を行った結果、正孔のキャリア移動度は０．６０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は３．０×１０６であった。
【０３３９】
さらにこの有機薄膜トランジスタを１３０℃で１５分間アニール処理した後の電気物性を測定した。正孔のキャリア移動度は０．５８ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は２．８×１０６であり、熱処理による性能の低下はほとんど見られなかった。
【０３４０】
実施例１６  （有機半導体層及び有機薄膜トランジスタの作製）
実施例１４で得られた有機半導体層形成用溶液を用い、実施例１５に示した各構成部材の材質及び成膜方法を用いボトムゲート−ボトムコンタクト型のｐ型有機薄膜トランジスタを作製した。ビフェニレン誘導体（化合物３）の薄膜の膜厚は５５ｎｍであった。
【０３４１】
該トランジスタ素子の伝達特性の評価を行った結果、正孔のキャリア移動度は０．３３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は１．５×１０６であった。
【０３４２】
さらにこの有機薄膜トランジスタを１３０℃で１５分間アニール処理した後の電気物性を測定した。正孔のキャリア移動度は０．３１ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は１．３×１０６であり、熱処理による性能の低下はほとんど見られなかった。
【０３４３】
比較例１
（有機半導体層形成用溶液の作製）
空気下、１０ｍｌサンプル管に、２，７−ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン（シグマ−アルドリッチ）を用い、実施例１０と同様の方法により、有機半導体層形成用溶液を調製した。２５℃で１０時間後も溶液状態を維持しており（０．２０重量％）、ドロップキャスト及びインクジェットによる製膜に適した化合物であることを確認した。
【０３４４】
（有機半導体層及び有機薄膜トランジスタの作製）
該有機半導体層形成用溶液を用い、実施例１１と同様の方法により、膜厚６０ｎｍの２，７−ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェンの薄膜を作製し、ボトムゲート−トップコンタクト型のｐ型有機薄膜トランジスタを作製した。
【０３４５】
該トランジスタ素子の伝達特性の評価を行った結果、正孔のキャリア移動度は０．０１ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、電流オン・オフ比は３．０×１０５であった。
【０３４６】
さらにこの有機薄膜トランジスタを１５０℃で１５分間アニール処理した後の電気物性を測定した。その結果、トランジスタ動作は得られず、熱処理による著しい性能の低下が見られた。顕微鏡観察から有機半導体層が加熱により破壊されていることが確認された。
【０３４７】
比較例２
（有機半導体層及び有機薄膜トランジスタの作製）
比較例１で作製した有機薄膜トランジスタを１３０℃で１５分間アニール処理した以外は、比較例１と同様の操作を繰り返した。その結果、トランジスタ動作は得られず、熱処理による著しい性能の低下が見られた。顕微鏡観察から有機半導体層が加熱により破壊されていることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０３４８】
本発明の芳香族化合物は、高いキャリア移動度を与えると共に、耐熱性及び溶解性に優れることから有機薄膜トランジスタに代表される半導体デバイス材料としての適用が期待できる。
【符号の説明】
【０３４９】
（Ａ）：ボトムゲート−トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｂ）：ボトムゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｃ）：トップゲート−トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｄ）：トップゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
１：有機半導体層
２：基板
３：ゲート電極
４：ゲート絶縁層
５：ソース電極
６：ドレイン電極
【図１】
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