(57)【要約】【課題】レジスト開口部に存在する気泡及びレジスト残渣に起因するめっき不良の発生を抑制する。【解決手段】レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき方法が提供される。このめっき方法は、基板のレジスト開口部が形成された面に第１の処理液をスプレーして基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去工程と、除去工程を経た基板を第２の処理液に浸漬して基板のレジスト開口部内に第２の処理液を充填する充填工程と、液体充填工程を経た基板にめっきするめっき工程と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき方法であって、
前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第１の処理液をスプレーして前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去工程と、
前記除去工程を経た前記基板を第２の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第２の処理液を充填する充填工程と、
前記液体充填工程を経た前記基板にめっきするめっき工程と、を有する、めっき方法。
【請求項２】
請求項１に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面の全面に前記第１の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。
【請求項３】
請求項２に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、ノズルが前記基板上を走査する工程を有する、めっき方法。
【請求項４】
請求項３に記載されためっき方法において、
前記ノズルは、鉛直上下方向に離間した第１ノズル群と、第２ノズル群を有し、
前記レジスト残渣除去工程は、前記第１ノズル群からのスプレーと、前記第２ノズル群からのスプレーと、を鉛直方向に配置された前記基板に対して別々のタイミングで行う工程を有する、めっき方法。
【請求項５】
請求項４に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記第１ノズル群と前記第２ノズル群のうち、前記ノズルの進行方向の先頭側のノズル群から、前記基板に対して前記第１の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。
【請求項６】
請求項５に記載されためっき方法において、
前記第１ノズル群は前記第２ノズル群よりも鉛直方向で上方に位置し、
前記レジスト残渣除去工程は、
前記第１ノズル群を構成するノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して上方に傾斜させてスプレーする工程と、
前記第２ノズル群を構成するノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して下方に傾斜させてスプレーする工程と、を有する、めっき方法。
【請求項７】
請求項２から６のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記基板がノズルに対して移動する工程を有する、めっき方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記前記レジスト残渣除去工程は、ノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して傾斜させてスプレーする工程を有する、めっき方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記基板を鉛直に配置する工程を有する、めっき方法。
【請求項１０】
請求項９に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、
第１処理槽内に配置されたノズルから第１の処理液をスプレーする工程と、
前記ノズルからスプレーした状態で前記基板を前記第１処理槽内に鉛直に収納する工程を有する、めっき方法。
【請求項１１】
請求項１から１２のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、０．０５ＭＰａ以上０．４５ＭＰａ以下の圧力で前記第１の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。
【請求項１２】
請求項１から１３のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、２．５ｍ／秒以上１５．０ｍ／秒以下の流速であり且つ１０Ｌ／分以上２０Ｌ／分以下の流量で前記第１の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、前記第２の処理液を撹拌する工程を有する、めっき方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、前記基板に衝撃又は振動を与える工程を有する、めっき方法。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、
前記基板を収納した第２処理槽の下方から前記第２の処理液を供給する工程と、
前記第２処理槽の上方から前記第２の処理液を排出する工程と、
前記第２処理槽内の前記第２の処理液を循環する工程と、を有する、めっき方法。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面が上方を向き且つ前記基板が傾斜するように、第２処理槽内に前記基板を配置する工程を有する、めっき方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記第１の処理液は、前記第２の処理液と異なる液体である、めっき方法。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記第１の処理液は、純水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき方法。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記第２の処理液は、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき方法。
【請求項２０】
レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき装置であって、
前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第１の処理液を吹き付けるノズルを備
えたスプレー部を有し、前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去装置と、
前記基板を第２の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第２の処理液を充填する液体充填装置と、
前記基板にめっきするめっき槽と、を有する、めっき装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載されためっき装置において、
前記スプレー部が前記基板の面に沿って相対移動するように、前記スプレー部及び前記基板の少なくとも一つを移動させる移動機構を有する、めっき装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載されためっき装置において、
前記スプレー部は、鉛直上下方向に離間した第１ノズル群と、第２ノズル群を有し、
前記第１ノズル群及び前記第２ノズル群は、水平方向に配列された複数のノズルを含む、めっき装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載されためっき装置において、
前記第１ノズル群及び前記第２ノズル群は、それぞれ、水平方向に配列された第１ノズル列と、第２ノズル列とを有し、前記第１ノズル列と前記第２ノズル列は上下方向に隣接して配置される、めっき装置。
【請求項２４】
請求項２２又は２３に記載されためっき装置において、
前記第１ノズル群及び前記第２ノズル群を構成する複数のノズルは、スロット形状のノズル口を有し、
前記複数のノズルの少なくとも一つのノズル口は、水平方向に隣接する他のノズルからのスプレーと干渉しないように方向づけられる、めっき装置。
【請求項２５】
請求項２２から２４のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記スプレー部は、前記第１ノズル群からのスプレーと、前記第２ノズル群からのスプレーと、を鉛直方向に配置された前記基板に対して別々のタイミングで行うように構成される、めっき装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載されためっき装置において、
前記スプレー部は、前記第１ノズル群と前記第２ノズル群のうち、前記スプレー部の進行方向の先頭側のノズル群から、前記基板に対して前記第１の処理液をスプレーするように構成される、めっき装置。
【請求項２７】
請求項２６に記載されためっき装置において、
前記第１ノズル群は前記第２ノズル群よりも鉛直方向で上方に位置し、
前記第１ノズル群を構成するノズルは、そのノズル口が前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して上方に傾斜するように、前記スプレー部に設けられ、
前記第２ノズル群を構成するノズルは、そのノズル口が前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して下方に傾斜するように、前記スプレー部に設けられる、めっき装置。
【請求項２８】
請求項２０から２７のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記ノズルのノズル口は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して傾斜するように前記スプレー部に設けられる、めっき装置。
【請求項２９】
請求項２０から２８のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記レジスト残渣除去装置は、前記基板を鉛直方向に収納する第１処理槽を有する、めっき装置。
【請求項３０】
請求項２０から２９のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記液体充填装置は、前記第２の処理液を撹拌する撹拌装置を有する、めっき装置。
【請求項３１】
請求項２０から３０のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記液体充填装置は、
前記基板を収納する第２処理槽と、
前記第２処理槽内の前記第２の処理液を循環させる循環装置と、を有する、めっき装置。
【請求項３２】
請求項２０から３１のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記第１の処理液は、前記第２の処理液と異なる液体である、めっき装置。
【請求項３３】
請求項２０から３２のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記第１の処理液は、純水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき装置。
【請求項３４】
請求項２０から３３のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記第２の処理液は、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法及びめっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
【０００３】
電解めっき法において、レジスト開口部内に気泡が残っていると、気泡部分にはめっきされず、めっき不良が発生する。特に、バンプ等のアスペクト比の高いレジスト開口部には気泡が残りやすい。このため、めっき不良を回避するためには、レジスト開口部内には気泡が残らないようにめっき液を入れる必要がある。
【０００４】
従来、レジスト開口部内に気泡が残ることを防止するために、基板に親水処理を行う、いわゆるプリウェット処理がめっき前に行われている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、プリウェット処理では基板を脱気水等に浸漬することで、レジスト開口部に水を充満させる。レジスト開口部に水が充満した基板をめっき液に浸漬すると、レジスト開口部に充満した水がめっき液と置換され、めっき液がレジスト開口部に充填される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２２４９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
めっきされる基板には、めっき処理の前工程においてレジストが塗布され、レジスト開口部が形成される。このとき、レジスト開口部の底部にレジストの残渣が存在することがある。この場合は、上記のように基板を脱気水等の液体に浸漬してレジスト開口部に液体を充填することができても、レジスト残渣が存在する部分には液体が充填されないので、めっき不良が発生する。このため、めっき不良を防止するためには、レジスト開口部内の気泡を除去するだけでなく、レジスト残渣も除去する必要がある。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、レジスト開口部に存在する気泡及びレジスト残渣に起因するめっき不良の発生を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態によれば、レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき方法が提供される。このめっき方法は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第１の処理液をスプレーして前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去工程と、前記除去工程を経た前記基板を第２の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第２の処理液を充填する充填工程と、前記液体充填工程を経た前記基板にめっきするめっき工程と、を有する。
【０００９】
本発明の他の一形態によれば、レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき装置
が提供される。このめっき装置は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第１の処理液を吹き付けるノズルを備えたスプレー部を有し、前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去装置と、前記基板を第２の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第２の処理液を充填する液体充填装置と、前記基板にめっきするめっき槽と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。
【図２】図１に示した基板ホルダの斜視図である。
【図３】レジスト残渣除去装置の概略側断面図である。
【図４】図３に示したスプレー部の側面図である。
【図５】図３に示したスプレー部の平面図である。
【図６】最下部に位置するスプレー部の平面図である。
【図７】最上部に位置するスプレー部の平面図である。
【図８Ａ】スプレー部のノズルの向きの比較例を示す平面図である。
【図８Ｂ】スプレー部のノズルの向きの比較例を示す上面図である。
【図９Ａ】スプレー部のノズルの向きの一実施例を示す平面図である。
【図９Ｂ】スプレー部のノズルの向きの一実施例を示す上面図である。
【図１０】スプレー部の第１ノズル群のノズルの配列の一例を示す部分平面図である。
【図１１】スプレー部の第１ノズル群のノズルの配列の他の一例を示す部分平面図である。
【図１２Ａ】基板上のレジスト残渣を除去する手順を示すためのレジスト残渣除去装置の概略側断面図である。
【図１２Ｂ】基板上のレジスト残渣を除去する手順を示すためのレジスト残渣除去装置の概略側断面図である。
【図１２Ｃ】基板上のレジスト残渣を除去する手順を示すためのレジスト残渣除去装置の概略側断面図である。
【図１２Ｄ】基板上のレジスト残渣を除去する手順を示すためのレジスト残渣除去装置の概略側断面図である。
【図１３】液体充填装置の概略側断面図である。
【図１４Ａ】基板を脱気水に浸漬したときのレジスト開口部内の状態を説明するための基板の概略側断面図である。
【図１４Ｂ】基板を脱気水に浸漬したときのレジスト開口部内の状態を説明するための基板の概略側断面図である。
【図１４Ｃ】基板を脱気水に浸漬したときのレジスト開口部内の状態を説明するための基板の概略側断面図である。
【図１５】別の実施形態に係るプリウェット槽を示す概略側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。図１は、本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。図１に示すように、このめっき装置は、２台のカセットテーブル１０２と、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１０４と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ１０６とを有する。カセットテーブル１０２は、半導体ウェハ等の基板を収納したカセット１００を搭載する。スピンリンスドライヤ１０６の近くには、基板ホルダ３０を載置して基板の着脱を行う基板着脱部１２０が設けられている。これらのユニット１００，１０４，１０６，１２０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置１２２が配置され
ている。
【００１２】
基板着脱部１２０は、レール１５０に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート１５２を備えている。２個の基板ホルダ３０は、この載置プレート１５２に水平状態で並列に載置され、一方の基板ホルダ３０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われる。その後、載置プレート１５２が横方向にスライドされ、他方の基板ホルダ３０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われる。
【００１３】
めっき装置は、さらに、ストッカ１２４と、プリウェット槽４０と、プリソーク槽１２８と、第１洗浄槽１３０ａと、ブロー槽１３２と、第２洗浄槽１３０ｂと、めっき槽１１０と、を有する。ストッカ１２４では、基板ホルダ３０の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェット槽４０では、基板に親水処理が行われる。プリソーク槽１２８では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。第１洗浄槽１３０ａでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ３０と共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽１３２では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第２洗浄槽１３０ｂでは、めっき後の基板が基板ホルダ３０と共に洗浄液で洗浄される。基板着脱部１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽４０、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、ブロー槽１３２、第２洗浄槽１３０ｂ、及びめっき槽１１０は、この順に配置されている。
【００１４】
このめっき槽１１０は、例えば、オーバーフロー槽１３６の内部に複数のめっきセル１１４を収納して構成されている。各めっきセル１１４は、内部に１つの基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板を浸漬させて基板表面に銅めっき等のめっきを施すように構成される。
【００１５】
めっき装置は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ３０を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置１４０を有する。この基板ホルダ搬送装置１４０は、第１トランスポータ１４２と、第２トランスポータ１４４を有している。第１トランスポータ１４２は、基板着脱部１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽４０、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、及びブロー槽１３２との間で基板を搬送するように構成される。第２トランスポータ１４４は、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１１０との間で基板を搬送するように構成される。めっき装置は、第２トランスポータ１４４を備えることなく、第１トランスポータ１４２のみを備えるようにしてもよい。
【００１６】
オーバーフロー槽１３６の両側には、各めっきセル１１４の内部に位置してめっきセル１１４内のめっき液を撹拌する掻き混ぜ棒としてのパドルを駆動する、パドル駆動部１６０及びパドル従動部１６２が配置されている。
【００１７】
めっき装置は、上述しためっき装置の各部の動作を制御するように構成された制御部１４５を有する。制御部１４５は、例えば、めっきプロセスをめっき装置に実行させる所定のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、記録媒体のプログラムを実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等を有する。制御部１４５は、例えば、プリウェット槽４０における後述するレジスト残渣除去処理及び液体充填処理、基板着脱部１２０の着脱動作制御、基板搬送装置１２２の搬送制御、基板ホルダ搬送装置１４０の搬送制御、並びにめっき槽１１０におけるめっき電流及びめっき時間の制御等を行うことができる。なお、制御部１４５が有する記録媒体としては、フレキシブルディスク、ハードディスク、メモリストレージ等の磁気的媒体、ＣＤ、ＤＶＤ等の光学的媒体、ＭＯ、ＭＤ等の磁気光学的媒体等、任意の記録手段を採用することができる。  
【００１８】
このめっき装置による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、カセットテーブル１０２に搭載したカセット１００から、基板搬送装置１２２で基板を１つ取出し、アライナ１０４に基板を搬送する。アライナ１０４は、オリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ１０４で方向を合わせた基板を基板搬送装置１２２で基板着脱部１２０まで搬送する。
【００１９】
基板着脱部１２０においては、ストッカ１２４内に収容されていた基板ホルダ３０を基板ホルダ搬送装置１４０の第１トランスポータ１４２で２基同時に把持して、基板着脱部１２０まで搬送する。そして、２基の基板ホルダ３０を基板着脱部１２０の載置プレート１５２の上に同時に水平に載置する。この状態で、それぞれの基板ホルダ３０に基板搬送装置１２２が基板を搬送し、搬送した基板を基板ホルダ３０で保持する。
【００２０】
次に、基板を保持した基板ホルダ３０を基板ホルダ搬送装置１４０の第１トランスポータ１４２で２基同時に把持し、プリウェット槽４０に搬送する。次に、プリウェット槽４０で処理された基板を保持した基板ホルダ３０を、第１トランスポータ１４２でプリソーク槽１２８に搬送し、プリソーク槽１２８で基板上の酸化膜をエッチングする。続いて、この基板を保持した基板ホルダ３０を、第１洗浄槽１３０ａに搬送し、この第１洗浄槽１３０ａに収納された純水で基板の表面を水洗する。
【００２１】
水洗が終了した基板を保持した基板ホルダ３０は、第２トランスポータ１４４により、第１洗浄槽１３０ａからめっき槽１１０に搬送され、めっき液を満たしためっきセル１１４に収納される。第２トランスポータ１４４は、上記の手順を順次繰り返し行って、基板を保持した基板ホルダ３０を順次めっき槽１１０の各々のめっきセル１１４に収納する。
【００２２】
各々のめっきセル１１４では、めっきセル１１４内のアノード（図示せず）と基板Ｗｆとの間にめっき電圧を印加し、同時にパドル駆動部１６０及びパドル従動部１６２によりパドルを基板の表面と平行に往復移動させることで、基板の表面にめっきを行う。
【００２３】
めっきが終了した後、めっき後の基板を保持した基板ホルダ３０を第２トランスポータ１４４で２基同時に把持し、第２洗浄槽１３０ｂまで搬送し、第２洗浄槽１３０ｂに収容された純水に浸漬させて基板の表面を純水洗浄する。次に、基板ホルダ３０を、第２トランスポータ１４４によってブロー槽１３２に搬送し、エアーの吹き付け等によって基板ホルダ３０に付着した水滴を除去する。その後、基板ホルダ３０を、第１トランスポータ１４２によって基板着脱部１２０に搬送する。
【００２４】
基板着脱部１２０では、基板搬送装置１２２によって基板ホルダ３０から処理後の基板が取り出され、スピンリンスドライヤ１０６に搬送される。スピンリンスドライヤ１０６は、高速回転によってめっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させる。乾燥した基板は、基板搬送装置１２２によりカセット１００に戻される。
【００２５】
次に、図１に示した基板ホルダ３０の詳細について説明する。図２は、図１に示した基板ホルダ３０の斜視図である。基板ホルダ３０は、図２に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第１保持部材３５と、この第１保持部材３５にヒンジ３３を介して開閉自在に取付けられた第２保持部材３６とを有している。基板ホルダ３０の第１保持部材３５の略中央部には、基板を保持するための保持面３８が設けられている。また、第１保持部材３５の保持面３８の外周には、保持面３８の周囲に沿って、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状のクランパ３７が等間隔に設けられている。
【００２６】
基板ホルダ３０の第１保持部材３５の端部には、基板ホルダ３０を搬送したり吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略Ｔ字状のハンド３９が連結されている。図１に示
したストッカ１２４内において、ストッカ１２４の周壁上面にハンド３９を引っ掛けることで、基板ホルダ３０が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ３０のハンド３９を第１トランスポータ１４２又は第２トランスポータ１４４で把持して基板ホルダ３０が搬送される。なお、プリウェット槽４０、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１１０内においても、基板ホルダ３０は、ハンド３９を介してそれらの周壁に吊下げ支持される。
【００２７】
また、ハンド３９には、外部の電源に接続するための図示しない外部接点が設けられている。この外部接点は、複数の配線を介して保持面３８の外周に設けられた複数の中継接点（図示せず）と電気的に接続されている。
【００２８】
第２保持部材３６は、ヒンジ３３に固定された基部３１と、基部３１に固定されたリング状のシールホルダ３２とを備えている。第２保持部材３６のシールホルダ３２には、シールホルダ３２を第１保持部材３５に押し付けて固定するための押えリング３４が回転自在に装着されている。押えリング３４は、その外周部において外方に突出する複数の突条部３４ａを有している。突条部３４ａの上面とクランパ３７の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面を有する。
【００２９】
基板を保持するときは、まず、第２保持部材３６を開いた状態で第１保持部材３５の保持面３８に基板を載置し、第２保持部材３６を閉じて第１保持部材３５と第２保持部材３６とで基板を挟み込む。続いて、押えリング３４を時計回りに回転させて、押えリング３４の突条部３４ａをクランパ３７の内方突出部の内部（下側）に滑り込ませる。これにより、押えリング３４とクランパ３７にそれぞれ設けられたテーパ面を介して、第１保持部材３５と第２保持部材３６とが互いに締付けられてロックされ、基板が保持される。保持された基板の被めっき面は、外部に露出される。基板の保持を解除するときは、第１保持部材３５と第２保持部材３６とがロックされた状態において、押えリング３４を反時計回りに回転させる。これにより、押えリング３４の突条部３４ａが逆Ｌ字状のクランパ３７から外されて、基板の保持が解除される。
【００３０】
次に、図１に示したプリウェット槽４０の詳細について説明する。上述したように、レジスト開口部を有する基板にめっきをする場合、レジスト開口部内に液体を充填する必要がある。これに加えて、レジスト開口部内にレジスト残渣が存在する場合には、レジスト残渣を除去する必要もある。そこで、本実施形態のプリウェット槽４０は、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去するためのレジスト残渣除去装置と、レジスト開口部内に液体を充填する液体充填装置とを有する。
【００３１】
図３は、レジスト残渣除去装置の概略側断面図である。図示のように、レジスト残渣除去装置５０は、処理槽５１（第１処理槽の一例に相当する）と、オーバーフロー槽５２と、スプレー部６０と、を有する。処理槽５１は、基板Ｗｆを保持した基板ホルダ３０を鉛直に収容するように構成される。スプレー部６０は、基板ホルダ３０と対向して処理槽５１内に配置され、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面（被めっき面）に第１の処理液を吹き付けるノズルを備える。オーバーフロー槽５２は、処理槽５１と隣接して配置され、処理槽５１から溢れた第１の処理液を受けるように構成される。なお、スプレー部６０が基板Ｗｆにスプレーする第１の処理液としては、例えば、純水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせ等を採用することができる。本実施形態では、第１の処理液として純水を用いた例を説明する。
【００３２】
レジスト残渣除去装置５０は、さらに、スプレー部６０と流体連通する第１供給管５４と、処理槽５１と流体連通する第２供給管５５と、処理槽５１と流体連通する第１排出管５６と、オーバーフロー槽５２と流体連通する第２排出管５７と、を有する。第１供給管５４及び第２供給管５５は、純水供給源５３と流体連通する。第１供給管５４には、第１供給管５４の開閉を行うための第１供給バルブ５４ａが設けられる。第２供給管５５には、第２供給管５５の開閉を行うための第２供給バルブ５５ａが設けられる。第１排出管５６には、第１排出管５６の開閉を行うための第１排出バルブ５６ａが設けられる。
【００３３】
第１供給管５４は、スプレー部６０が基板Ｗｆに純水をスプレーするときに、純水供給源５３から純水をスプレー部６０に供給するように構成される。第２供給管５５は、処理槽５１に純水等の液体を供給するように構成され、これにより基板Ｗｆを液体に浸漬することができる。第１排出管５６は、スプレー部６０から基板Ｗｆにスプレーされた純水を排出するように構成される。第２排出管５７は、オーバーフロー槽５２が受けた純水を排出するように構成される。
【００３４】
スプレー部６０から基板Ｗｆにスプレーされた純水は、レジスト開口部内に入り込み、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。レジスト残渣除去装置５０は、スプレー部６０を鉛直方向に、基板Ｗｆの面に沿って相対移動させる例えばアクチュエータ等の図示しない移動機構を有する。レジスト残渣除去装置５０は、スプレー部６０を鉛直方向に往復移動させることで、スプレー部６０のノズルで基板Ｗｆを走査する。このとき、スプレー部６０は、基板Ｗｆの全てのレジスト開口部に純水をスプレーすることが好ましい。言い換えれば、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面の全面に、スプレー部６０からの純水を衝突させることが好ましい。これにより、基板Ｗｆの被めっき面の全面において、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。なお、本明細書において、「基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面の全面」とは、基板ホルダ３０から露出した基板Ｗｆの面の全面である。
【００３５】
スプレー部６０からの純水はレジスト開口部内に滞留し、レジスト開口部内にある程度の純水を充填することができる。一方で、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去するようにスプレー部６０からの純水の圧力を高くすると、レジスト開口部内に巻き込まれる気泡が多くなる。しかしながら、この気泡は、後述する液体充填装置によって除去することができる。スプレー部６０からの純水は、０．０５ＭＰａ以上０．４５ＭＰａ以下の圧力でスプレーすることが好ましい。これにより、レジスト開口部内のレジスト残渣をより確実に除去することができる。０．０５ＭＰａ未満の圧力でスプレーした場合は、純水の圧力が弱く、レジスト残渣を除去できない虞がある。また、０．４５ＭＰａ超の圧力でスプレーした場合は、レジスト開口部内に巻き込まれる気泡が多くなり、後述する液体充填装置における処理時間が長くなる。
【００３６】
また、スプレー部６０からの純水は、２．５ｍ／秒以上１５．０ｍ／秒以下の流速であり且つ１０Ｌ／分以上２０Ｌ／分以下の流量でスプレーすることが好ましい。純水の流速を上記範囲内にすることにより、レジスト開口部内に巻き込まれる気泡を少なくすることができ、後述する液体充填装置における処理時間を短くすることができる。また、純水の流量を上記範囲内にすることにより、効率よくレジスト残渣を除去することができる。したがって、純水の流速及び流量を上記範囲内にすることにより、レジスト残渣除去装置５０及び後述する液体充填装置における処理時間の両方を短くすることができる。
【００３７】
図３に示すレジスト残渣除去装置５０では、スプレー部６０が鉛直方向に往復移動するように構成されているが、これに限らず、アクチュエータ等の移動機構により、基板ホルダ３０を鉛直方向に往復移動させてもよい。即ち、スプレー部６０と基板ホルダ３０とが、相対的に移動しさえすればよく、これにより基板Ｗｆ全面へ純水をスプレーして、全面
に渡ってレジスト残渣を除去することができる。したがって、例えばスプレー部６０と基板ホルダ３０との両方を互いに反対方向に往復移動させてもよい。この場合は、スプレー部６０の走査のストロークと基板ホルダ３０の移動のストロークを小さくすることができる。また、めっき装置の設置スペースの制約が無い場合は、レジスト残渣除去装置５０は、スプレー部６０及び／又は基板ホルダ３０を水平方向に往復移動させるように構成されていてもよい。
【００３８】
また、図３に示すレジスト残渣除去装置５０では、基板ホルダ３０が鉛直に処理槽５１に収納されているが、これに限らず、基板ホルダ３０を例えば水平に処理槽５１に収納してもよい。この場合も、スプレー部６０は、基板Ｗｆに対向するように配置することができる。なお、本実施形態のように基板ホルダ３０を鉛直に配置した場合は、基板Ｗｆにスプレーされた純水が重力により下方に流れる。このため、基板Ｗｆの表面に滞留する純水の量を減らすことができるので、基板Ｗｆの表面に滞留する純水（水膜）によりスプレー部６０のレジスト残渣除去効率が低下することを抑制することができる。
【００３９】
図４は、図３に示したスプレー部６０の側面図である。また、図５は、図３に示したスプレー部６０の平面図である。図４及び図５においては、説明の便宜上、基板Ｗｆを表示し、ノズル６３の各々から純水をスプレーしている状態を示している。図４及び図５に示すように、スプレー部６０は、純水を噴出する複数のノズル６３と、ノズル６３が取り付けられる略板状の本体部６１と、ノズル６３に純水を供給するための配管部６２と、を有する。本体部６１の内部には、配管部６２からの純水を各ノズル６３に分配するための図示しない配管が設けられる。
【００４０】
図５に示すように、スプレー部６０は、鉛直上下方向に離間した第１ノズル群７０と、第２ノズル群７５と、を有する。第１ノズル群７０及び第２ノズル群７５は、水平方向（幅方向）に配列された複数のノズル６３を有する。また、第１ノズル群７０は、水平方向に配列された第１ノズル列７０−１と、第２ノズル列７０−２とを有する。第１ノズル列７０−１と第２ノズル列７０−２は上下方向に隣接して配置される。同様に、第２ノズル群７５は、水平方向に配列された第１ノズル列７５−１と、第２ノズル列７５−２とを有する。第１ノズル列７５−１と第２ノズル列７５−２は上下方向に隣接して配置される。
【００４１】
第１ノズル群７０及び第２ノズル群７５を構成する複数のノズル６３の各々は、所定の幅で純水をスプレーすることができる。したがって、第１ノズル列７０−１、第２ノズル列７０−２、第１ノズル列７５−１、及び第２ノズル列７５−２は、基板Ｗｆの幅方向（図５中左右方向）の全域にわたって純水をスプレーできるように構成されている。このため、例えば第１ノズル列７０−１又は第１ノズル列７５−１のノズル６３の一つが詰まった場合であっても、スプレー部６０が基板Ｗｆの面に沿って鉛直方向に往復移動することにより、第２ノズル列７０−２又は第２ノズル列７５−２のノズル６３によって基板の幅方向の全域にわたって純水をスプレーすることができる。即ち、本実施形態では、第１ノズル群７０及び第２ノズル群７５が、それぞれ２列のノズル列を有するので、いずれかの列のノズル６３に故障が生じても、基板Ｗｆに純水のスプレーがされない事態を回避することができ、スプレー部６０の信頼性を向上させることができる。また、本実施形態では、スプレー部６０が鉛直上下方向に離間した第１ノズル群７０と第２ノズル群７５とを有するので、スプレー部６０を鉛直方向に往復移動させる際のストロークを小さくすることができる。
【００４２】
本実施形態においては、第１ノズル群７０の第１ノズル列７０−１は２０のノズル６３から構成され、第２ノズル列７０−２は２１のノズル６３から構成される。図５に示すように、第１ノズル列７０−１のノズル６３の各々の水平方向の位置は、第２ノズル列７０−２の隣接する２つのノズル６３の中間位置に対応する。即ち、第１ノズル群７０のノズ
ル６３は千鳥配列で配置される。同様に、第２ノズル群７５の第２ノズル列７５−１は２０のノズル６３から構成され、第２ノズル列７５−２は２１のノズル６３から構成される。図５に示すように、第２ノズル列７５−１のノズル６３の各々の水平方向の位置は、第２ノズル列７５−２の隣接する２つのノズル６３の中間位置に対応する。即ち、第２ノズル群７５のノズル６３は千鳥配列で配置される。このようにノズル６３が千鳥配列で配置されることにより、基板Ｗｆの幅方向（図５中左右方向）により均一に純水をスプレーすることができる。
【００４３】
図４に示されるように、ノズル６３は、ノズル口６３ａが基板Ｗｆの被めっき面と直交する方向に対して傾斜するように、スプレー部６０に設けられる。本実施形態では、第１ノズル群７０のノズル６３は、ノズル口６３ａが水平面に対して約５°だけ上向きになるようにスプレー部６０に設けられる。また、第２ノズル群７５のノズル６３は、ノズル口６３ａが水平面に対して約５°だけ下向きになるようにスプレー部６０に設けられる。図２に関連して説明したように、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆを第１保持部材３５と第２保持部材３６とで挟み込んで保持する。このため、第２保持部材３６を構成する押えリング３４と基板Ｗｆとの間には段差が存在し、基板Ｗｆの被めっき面には押えリング３４によって影になる部分が存在し得る。本実施形態では、ノズル口６３ａが基板Ｗｆの被めっき面に直交する方向に対して傾斜しているので、このような基板Ｗｆの被めっき面の影になる部分にも、スプレーを直接当てることができる。ひいては、基板Ｗｆ全面において、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。
【００４４】
本実施形態において、第１ノズル群７０からのスプレーと第２ノズル群７５からのスプレーとを同時に行った場合、第１ノズル群７０から基板Ｗｆの表面にスプレーされた純水は、重力により下方に流れ、基板Ｗｆの表面上に水膜を形成する。そうすると、第２ノズル群７５は、第１ノズル群７０からのスプレーによる水膜上に純水をスプレーすることになるので、基板Ｗｆのレジスト開口部に直接純水を当てることが困難になり、第２ノズル群７５からのスプレーによるレジスト残渣の除去効率が低下する虞がある。このため、本実施形態では、スプレー部６０で基板Ｗｆに純水をスプレーするときは、第１ノズル群７０からのスプレーと第２ノズル群７５からのスプレーとを、別々のタイミングで行うことが好ましい。これにより、それぞれのノズル群のスプレー時の水膜の影響を低減することができる。
【００４５】
特に、本実施形態では、図４に示すように、第１ノズル群７０のノズル６３が水平面に対して上向きであり、第２ノズル群７５のノズル６３が水平面に対して下向きである。したがって、スプレー部６０が上方に移動しているときは、上方に位置する第１ノズル群７０のノズル６３から純水をスプレーし、スプレー部６０が下方に移動しているときは、下方に位置する第２ノズル群７５のノズル６３から純水をスプレーすることが好ましい。同様に、基板ホルダ３０がスプレー部６０に対して移動する場合には、基板ホルダ３０が上方に移動しているときは、下方に位置する第２ノズル群７０のノズル６３から純水をスプレーし、基板ホルダ３０が下方に移動しているときは、上方に位置する第１ノズル群７０のノズルから純水をスプレーすることが好ましい。言い換えれば、第１ノズル群７０及び第２ノズル群７５のうち、スプレー部６０の相対移動の進行方向の先頭側に位置するノズル群から純水をスプレーすることが好ましい。これにより、それぞれのノズル群のスプレー時の水膜の影響を低減しつつ、上述した基板Ｗｆの被めっき面の影になる部分に、スプレーを直接当てることができる。
【００４６】
次に、スプレー部６０の鉛直方向の往復移動のストロークについて説明する。図６は、最下部に位置するスプレー部６０の平面図である。図７は、最上部に位置するスプレー部６０の平面図である。図６及び図７においては、説明の便宜上、基板Ｗｆを表示してある。本実施形態では、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面のほぼ全面の領域において
、スプレー部６０のノズル６３による走査回数を同一にするようにスプレー部６０のストロークを設定する。具体的には、第１ノズル群７０の第１ノズル列７０−１及び第２ノズル列７０−２並びに第２ノズル群７５の第１ノズル列７５−１及び第２ノズル列７５−２のうち、例えば２つのノズル列から基板Ｗｆの表面にスプレーするように、スプレー部６０のストロークを設定する。
【００４７】
本実施形態において、図６に示すように、スプレー部６０が最下部に位置するとき、第１ノズル群７０の第１ノズル列７０−１のノズル６３からの純水は、基板Ｗｆの上下方向の中心線ＣＬ１よりも上方にスプレーされる。一方で、第１ノズル群７０の第２ノズル列７０−２と、第２ノズル群７５の第１ノズル列７５−１及び第２ノズル列７５−２のノズル６３からの純水は、中心線ＣＬ１よりも下方にスプレーされる。また、図７に示すように、スプレー部６０が最上部に位置するとき、第２ノズル群７５の第２ノズル列７５−２のノズル６３からの純水は、基板Ｗｆの上下方向の中心線ＣＬ１よりも下方にスプレーされる。一方で、第１ノズル群７０の第１ノズル列７０−１及び第２ノズル列７０−２と、第２ノズル群７５の第１ノズル列７５−１のノズル６３からの純水は、中心線ＣＬ１よりも上方にスプレーされる。これにより、例えば基板Ｗｆの中心線ＣＬ１上には、第１ノズル群７０の第２ノズル列７０−２と第２ノズル群７５の第１ノズル列７５−１から純水がスプレーされる。
【００４８】
基板Ｗｆの被めっき面に対するスプレー量を均一化するには、例えば、１つのノズル列を有するスプレー部６０を、基板Ｗｆの被めっき面の全域に同一回数だけ走査することも考えられる。しかしながら、この場合はスプレー部６０のストロークが大きくなり、レジスト残渣の除去処理に時間を要する。本実施形態では、図６及び図７に示すようなストロークでスプレー部６０を鉛直方向に往復移動させることで、基板Ｗｆの被めっき面のほぼ全域に、第１ノズル群７０の第１ノズル列７０−１及び第２ノズル列７０−２並びに第２ノズル群７５の第１ノズル列７５−１及び第２ノズル列７５−２からのスプレーのうち、２つの列からのスプレーが当たることになる。これにより、スプレー部６０のストロークを小さくしつつ、基板Ｗｆの被めっき面に対するスプレー量を均一化することができる。ただし、めっき装置の設置スペースの制約が無く、上下ストロークが大きくなることが許容される場合等には、スプレー部６０が１つのノズル列のみを有するようにしてもよい。
【００４９】
次に、隣接するノズル６３同士の向きについて説明する。図８Ａは、スプレー部６０のノズル６３の向きの比較例を示す平面図である。図８Ｂは、スプレー部６０のノズル６３の向きの比較例を示す上面図である。図８Ａに示すように、ノズル６３のノズル口６３ａは、スロット形状を有する。この比較例においては、隣接するノズル６３のノズル口６３ａは共に、ノズル口６３ａの長手方向が水平になるように設けられる。隣接するノズル６３の向きが図８Ａに示すように配置された場合、図８Ｂに示すように、ノズル６３からスプレーされる純水Ｓ１が互いに干渉する部分Ｓ２が生じ、基板Ｗｆに適切にスプレーがされない虞がある。
【００５０】
図９Ａは、スプレー部６０のノズル６３の向きの一実施例を示す平面図である。図９Ｂは、スプレー部６０のノズル６３の向きの一実施例を示す上面図である。図９Ａに示す例では、隣接するノズル６３のノズル口６３ａは、ノズル口６３ａの長手方向が水平面に対して互いに同一の角度を有するように傾斜している。隣接するノズル６３の向きが図９Ａに示すように配置された場合、図９Ｂに示すように、ノズル６３からスプレーされる純水Ｓ１は、互いに接触せず、ノズル６３の干渉を防止することができる。
【００５１】
図１０は、スプレー部６０の第１ノズル群７０のノズル６３の配列の一例を示す部分平面図である。図１０に示すこの例では、幅方向の中心線ＣＬ２よりも図中左側のノズル６３は、ノズル口６３ａの中心線ＣＬ２側（図中右側）が下がるように所定角度（約５°）
で傾斜している。これに対して、幅方向の中心線ＣＬ２よりも図中右側のノズル６３は、ノズル口６３ａの中心線ＣＬ２側（図中左側）が下がるように所定角度（約５°）で傾斜している。第２ノズル列７０−２の中心線ＣＬ２上に位置するノズル６３は、ノズル口６３ａの長手方向が水平となるように配置される。図１０の例では、第２ノズル列７０−２の中心線ＣＬ２上に位置するノズル６３からのスプレーは、隣接するノズル６３からのスプレーと干渉し得る。
【００５２】
図１１は、スプレー部６０の第１ノズル群７０のノズル６３の配列の他の一例を示す部分平面図である。図１１に示すこの例では、第１ノズル列７０−１のノズル６３は、ノズル口６３ａの図中右側が下がるように所定角度（約５°）で傾斜している。また、第２ノズル列７０−２のノズル６３は、ノズル口６３ａの図中左側が下がるように所定角度（約５°）で傾斜している。図１１の例では、第１ノズル群７０の全てのノズル６３からのスプレーが他のノズルからのスプレーと干渉することを防止することができる。
【００５３】
図９Ａから図１１に示したように、第１ノズル群７０及び第２ノズル群７５を構成する複数のノズル６３が、スロット形状のノズル口６３ａを有する場合は、複数のノズル６３のノズル口６３ａは、水平方向に隣接する他のノズル６３からのスプレーと干渉しないように方向づけられることが好ましい。これにより、基板Ｗｆへのスプレーの均一性を向上することができる。なお、ノズル口６３ａの形状は、任意の形状を採用することができる。ノズル口６３ａの形状がスロット形状ではない場合においても、他のノズル６３からのスプレーと干渉しないようにノズル口６３ａを方向づけることが好ましい。
【００５４】
次に、レジスト残渣除去装置５０において基板Ｗｆ上のレジスト残渣を除去する手順について説明する。図１２Ａから図１２Ｄは、基板Ｗｆ上のレジスト残渣を除去する手順を示すためのレジスト残渣除去装置５０の概略側断面図である。図１２Ａに示すように、基板Ｗｆを保持した基板ホルダ３０が処理槽５１に収納されていないとき、第１排出バルブ５６ａのみが開かれており、他のバルブは閉じられている。
【００５５】
図１２Ｂに示すように、基板ホルダ３０を処理槽５１に収納するときには、第１供給バルブ５４ａを開き、スプレー部６０のノズル６３からの純水のスプレーを予め開始しておくことが好ましい。続いて、ノズル６３からスプレーした状態で、基板Ｗｆを処理槽５１内に鉛直に収納する。このとき、スプレー部６０からのスプレーが予め開始されているので、基板Ｗｆを処理槽５１に収納すると同時に基板Ｗｆに純水がスプレーされる。このため、基板Ｗｆの処理槽５１への収納が完了してからスプレーを開始する場合に比べて、処理時間を短縮できる。
【００５６】
基板Ｗｆを処理槽５１に収納した後、図１２Ｃに示すように、スプレー部６０を鉛直上下方向に往復移動させて、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面の前面に純水をスプレーする。これにより、基板Ｗｆのレジスト開口部内のレジスト残渣が除去される。処理槽５１内に溜まるスプレー部６０からの純水は、第１排出管５６から排出される。スプレー部６０からの純水のスプレーを停止した後、図１２Ｄに示すように基板Ｗｆを処理槽５１から取り出す。他の基板Ｗｆに対してレジスト残渣の除去を行う場合は、図１２Ａから図１２Ｄに示す処理を繰り返すことができる。
【００５７】
次に、プリウェット槽４０を構成する液体充填装置について詳細に説明する。図１３は、液体充填装置の概略側断面図である。液体充填装置８０は、レジスト残渣除去装置５０で処理された基板Ｗｆのレジスト開口部に第２の処理液を充填するように構成される。液体充填装置８０で扱う第２の処理液は、例えば、レジスト残渣除去装置５０で扱う第１の処理液とは異なる液体を採用することができる。具体的には、第２の処理液としては、例えば、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及び
クエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせ等を採用することができる。本実施形態では、第２の処理液として脱気水を用いた例を説明する。
【００５８】
図示のように、液体充填装置８０は、脱気槽８１（第２処理槽の一例に相当する）と、オーバーフロー槽８２と、溶存酸素計８３と、脱気水循環装置８４（循環装置の一例に相当する）と、を有する。脱気槽８１は、脱気水を保持しており、基板Ｗｆを保持した基板ホルダを収容するように構成される。オーバーフロー槽８２は、脱気槽８１と隣接して配置され、脱気槽８１から溢れた脱気水を受けるように構成される。溶存酸素計８３は、脱気槽８１内の脱気水の溶存酸素濃度を計測するように構成される。脱気水循環装置８４は、脱気槽８１内の脱気水を循環させるように構成される。液体充填装置８０は、さらに、脱気槽８１内の脱気水を撹拌する撹拌装置９０を備えていてもよい。また、液体充填装置８０は、これらに加えて、脱気水中において脱気水を基板Ｗｆに吹き付ける水中ノズルを備えていてもよい。
【００５９】
脱気水循環装置８４は、オーバーフロー槽８２と脱気槽８１とを流体連通する循環管路８９を有する。また、脱気水循環装置８４は、循環管路８９上に、ポンプ８５と、脱気ユニット８６と、フィルタ８７と、を有する。ポンプ８５は、オーバーフロー槽８２から脱気槽８１に脱気水を移送するように構成される。脱気ユニット８６は、真空源８８と接続され、循環管路８９中の脱気水の脱気処理を行う。フィルタ８７は、循環管路８９中の脱気水に含まれる不純物を除去する。
【００６０】
液体充填装置８０において脱気水を循環させるときは、まず、脱気水循環装置８４は、ポンプを始動して脱気槽８１の下方から脱気水を供給する。これにより、脱気槽８１から脱気水が溢れ、オーバーフロー槽８２に流れ込む。言い換えれば、脱気槽８１の上方からオーバーフロー槽８２に脱気水を排出する。続いて、オーバーフロー槽８２に流れ込んだ脱気水は、オーバーフロー槽８２の下方から排出され、脱気ユニット８６で脱気され、フィルタ８７で不純物が除去され、脱気槽８１に戻る。このようにして、脱気槽８１内の脱気水が循環される。脱気水循環装置８４は、オーバーフロー槽８２と脱気槽８１との間で脱気水を循環しつつ、脱気水の脱気も行うので、脱気槽８１中の脱気水の溶存酸素濃度を所定値以下に維持することができる。
【００６１】
液体充填装置８０は、レジスト残渣除去装置５０によりレジスト開口部内のレジスト残渣が除去された基板Ｗｆを処理する。具体的には、液体充填装置８０は、脱気槽８１内の脱気水にレジスト残渣が除去された基板Ｗｆを保持した基板ホルダ３０を浸漬することで、基板Ｗｆのレジスト開口部内の気泡を除去することができる。
【００６２】
基板Ｗｆは鉛直方向に脱気水に浸漬されてもよいが、好ましくは、基板Ｗｆは、レジスト開口部が形成された面が上方を向き且つ基板Ｗｆが傾斜するように、脱気槽内に配置される。図１４Ａから図１４Ｃは、基板Ｗｆを脱気水に浸漬したときのレジスト開口部内の状態を説明するための基板Ｗｆの概略側断面図である。図１４Ａに示すように、基板Ｗｆの上方の表面にはレジストパターンＲＰ１が形成され、それによりレジスト開口部ＯＰ１が形成される。また、基板Ｗｆのレジスト開口部ＯＰ１が形成された面が上方を向き、且つ基板Ｗｆが傾斜している。
【００６３】
図１４Ａに示すように基板Ｗｆが傾斜した状態で、脱気水ＤＷ１に徐々に浸漬すると、脱気水ＤＷ１がレジスト開口部ＯＰ１内の気体または気泡を吸収しながらレジスト開口部ＯＰ１内に充填されていく（図１４Ｂ及び図１４Ｃ参照）。基板Ｗｆのレジスト開口部ＯＰ１が形成された面が上方を向き、且つ基板Ｗｆが傾斜していることにより、レジスト開
口部ＯＰ１内に脱気水を充填し易くなる。
【００６４】
基板Ｗｆを脱気水ＤＷ１に浸漬するとき、図示しない駆動装置により、基板Ｗｆに衝撃又は振動を与えてもよい。この衝撃又は振動により、レジスト開口部ＯＰ１内の気泡が基板Ｗｆから分離し易くなり、レジスト開口部ＯＰ１内に脱気水ＤＷ１を充填し易くなる。また、図１３に示したようにレジスト残渣除去装置５０が撹拌装置９０を備えている場合は、基板Ｗｆの表面近傍の脱気水ＤＷ１を撹拌することで、基板Ｗｆ表面に接触する脱気水ＤＷ１の流量が増加するので、レジスト開口部ＯＰ１内への液体の充填効率を向上させることができる。さらに、図１３に示したように、脱気水循環装置８４が脱気槽８１内の脱気水を循環させることにより、基板Ｗｆ表面に接触する脱気水ＤＷ１の流量が増加するので、レジスト開口部ＯＰ１内への液体の充填効率を向上させることができる。また、液体充填装置８０が脱気水ＤＷ１を基板Ｗｆに吹き付ける水中ノズルを備えている場合は、水中で脱気水ＤＷ１を基板Ｗｆに吹き付けることで、基板Ｗｆ表面に接触する脱気水ＤＷ１の流量が増加するので、レジスト開口部ＯＰ１内への液体の充填効率を向上させることができる。
【００６５】
以上で説明したように、本実施形態に係るめっき装置は、レジスト残渣除去装置５０と液体充填装置８０を有するプリウェット槽４０を備える。このため、レジスト開口部ＯＰ１内にレジスト残渣が存在する基板Ｗｆであっても、レジスト残渣を除去した後、レジスト開口部ＯＰ１内の液体を充填することができる。ひいては、気泡及びレジスト残渣に起因するめっき不良の発生を抑制することができる。
【００６６】
以上で説明した実施形態では、レジスト残渣除去装置５０と液体充填装置８０とが別々の装置であるものとして説明したが、これらの装置を一体に構成してもよい。図１５は、別の実施形態に係るプリウェット槽４０を示す概略側断面図である。このプリウェット槽４０は、レジスト残渣除去装置と液体充填装置との両方を含む。図示のように、このプリウェット槽４０は、処理槽４１と、スプレーカバー４２と、スプレー部６０と、回転機構４３と、ロータリージョイント４４と、を備える。
【００６７】
処理槽４１は、基板Ｗｆを保持した基板ホルダ３０を収容するように構成される。処理槽４１は、その側部に開口４１ａを有する。開口４１ａには、略カップ状のスプレーカバー４２が気密に取り付けられる。スプレーカバー４２の基板ホルダ３０に対向する端部の上方には、切欠き４２ａが設けられる。スプレー部６０は、一部が開口４１ａを通じて処理槽４１の外部に位置する。スプレー部６０とスプレーカバー４２との間はメカニカルシール等により封止され、スプレーカバー４２内の純水又は脱気水が処理槽４１の外部に漏出することが防止される。
【００６８】
スプレー部６０の本体部６１は、略円盤状に形成され、スプレーカバー４２の内部に位置する。本体部６１の基板Ｗｆと対向する面には、複数のノズル６３が設けられる。ノズル６３は、基板Ｗｆの直径の全長に渡って純水をスプレーできるように配置されている。
【００６９】
回転機構４３は、例えばモータとギアを有し、処理槽４１の外部に位置するスプレー部６０の一部と係合して、スプレー部６０の本体部６１を基板Ｗｆの周方向に沿って回転させる。スプレー部６０は、ロータリージョイント４４を介して、図示しない液体供給源に接続される。この液体供給源は、純水又は脱気水をスプレー部６０に供給する。
【００７０】
このプリウェット槽４０でレジスト開口部のレジスト残渣を除去するときは、まず、基板ホルダ３０を処理槽４１内に収納する。このとき、基板ホルダ３０は、スプレーカバー４２の端部とは所定距離離間して配置される。図示しない液体供給源から純水をスプレー部６０に供給し、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面に対してノズル６３から純水
をスプレーする。回転機構４３は、スプレー部６０を基板Ｗｆの周方向に沿って回転させる。これにより、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面の全面に、スプレー部６０からの純水を衝突させることができる。ひいては、基板Ｗｆ全面において、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。基板Ｗｆにスプレーされた純水は処理槽４１内に溜まり、図示しない排出部より処理槽４１の外部に排出される。
【００７１】
レジスト開口部のレジスト残渣の除去が終了した後、液体充填処理を行う。まず、基板ホルダ３０をスプレーカバー４２に近接させて、図１５に示すように、スプレーカバー４２の端部を基板ホルダ３０に当接させる。これにより、スプレーカバー４２と基板ホルダ３０とによって閉空間が形成される。この状態で、図示しない液体供給源から脱気水をスプレー部６０に供給し、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面に対してノズル６３から脱気水をスプレーする。基板Ｗｆにスプレーされた脱気水は、スプレーカバー４２と基板ホルダ３０とによって形成される閉空間内に溜まり、スプレーを続けることで閉空間内が脱気水で充満する。これにより、基板Ｗｆのレジスト開口部が形成された面の前面に脱気水が接触して、レジスト開口部内に脱気水が充填される。なお、スプレー部６０からの脱気水の供給を継続することで、閉空間内に溜まった脱気水は、切欠き４２ａから溢れて処理槽４１に流れ込む。処理槽４１内に流れ込んだ脱気水は、図示しない排出部より処理槽４１の外部に排出される。
【００７２】
図１５に示すように、この実施形態におけるプリウェット槽４０は単一の処理槽４１においてレジスト残渣除去処理と液体充填処理を行うことができる。このため、レジスト残渣除去装置５０と液体充填装置８０とを別々の槽に設ける場合に比べて、プリウェット槽４０のフットプリントを低減することができる。
【００７３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。例えば、以上の説明では、めっき装置の一例として電解めっき装置を用いたが、これに限らず、プリウェット処理を行う無電解めっき装置にも本発明を適用することができる。
【００７４】
以下に本明細書が開示する形態のいくつかを記載する。
第１形態によれば、レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき方法が提供される。このめっき方法は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第１の処理液をスプレーして前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去工程と、前記除去工程を経た前記基板を第２の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第２の処理液を充填する充填工程と、前記液体充填工程を経た前記基板にめっきするめっき工程と、を有する。
【００７５】
第１形態によれば、レジスト開口部内にレジスト残渣が存在する基板であっても、レジスト残渣を除去した後、レジスト開口部内に液体を充填することができる。したがって、気泡及びレジスト残渣に起因するめっき不良の発生を抑制することができる。
【００７６】
第２形態によれば、第１形態のめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面の全面に前記第１の処理液をスプレーする工程を有する。
【００７７】
第２形態によれば、レジスト開口部が形成された面の全面に第１の処理液がスプレーさ
れるので、基板上に形成された全てのレジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。なお、「基板のレジスト開口部が形成された面の全面」とは、基板が基板ホルダに保持されている場合には、基板ホルダから露出した基板の面の全面をいう。
【００７８】
第３形態によれば、第２形態のめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、ノズルが前記基板上を走査する工程を有する。第３形態によれば、少ないノズルで基板全面へ第１の処理液をスプレーすることができる。
【００７９】
第４形態によれば、第３形態のめっき方法において、前記ノズルは、鉛直上下方向に離間した第１ノズル群と、第２ノズル群を有し、前記レジスト残渣除去工程は、前記第１ノズル群からのスプレーと、前記第２ノズル群からのスプレーと、を鉛直方向に配置された前記基板に対して別々のタイミングで行う工程を有する。
【００８０】
第４形態によれば、上下方向に離間した第１ノズル群と第２ノズル群とを有するので、ノズルを基板表面に沿って走査させる際のストロークを小さくすることができ、装置サイズを小さくすることができる。また、第１ノズル群からのスプレーと第２ノズル群からのスプレーとが別々のタイミングで行われるので、それぞれのノズル群のスプレー時の水膜の影響を低減することができる。
【００８１】
第５形態によれば、第４形態のめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、前記第１ノズル群と前記第２ノズル群のうち、前記ノズルの進行方向の先頭側のノズル群から、前記基板に対して前記第１の処理液をスプレーする工程を有する。
【００８２】
第６形態によれば、第５形態のめっき方法において、前記第１ノズル群は前記第２ノズル群よりも鉛直方向で上方に位置し、前記レジスト残渣除去工程は、前記第１ノズル群を構成するノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して上方に傾斜させてスプレーする工程と、前記第２ノズル群を構成するノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して下方に傾斜させてスプレーする工程と、を有する。第６形態によれば、それぞれのノズル群のスプレー時の水膜の影響を低減しつつ、基板の被めっき面の影になる部分に、スプレーを直接当てることができる。
【００８３】
第７形態によれば、第２形態から第６形態のいずれかのめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、前記基板がノズルに対して移動する工程を有する。第７形態によれば、少ないノズルで基板全面へ第１の処理液をスプレーすることができる。また、ノズル自体も基板上を走査する場合には、ノズルの走査及び基板の移動のストロークを小さくすることができる。
【００８４】
第８形態によれば、第１形態から第７形態のいずれかのめっき方法において、前記前記レジスト残渣除去工程は、ノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して傾斜させてスプレーする工程を有する。
【００８５】
基板が基板ホルダに保持される場合、基板ホルダによって基板の被めっき面に影になる部分が形成されることがある。第８形態によれば、ノズル口が基板の被めっき面に直交する方向に対して傾斜しているので、このような基板の被めっき面の影になる部分にも、スプレーを直接当てることができる。ひいては、基板の全面において、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。
【００８６】
第９形態によれば、第１形態から第８形態のいずれかのめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、前記基板を鉛直に配置する工程を有する。第９形態によれば、基板
にスプレーされた第１の処理液が重力により下方に流れる。このため、基板の表面に滞留する第１の処理液の量を減らすことができるので、基板の表面に滞留する第１の処理液（水膜）によりレジスト残渣除去効率が低下することを抑制することができる。
【００８７】
第１０形態によれば、第９形態のめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、第１処理槽内に配置されたノズルから第１の処理液をスプレーする工程と、前記ノズルからスプレーした状態で前記基板を前記第１処理槽内に鉛直に収納する工程を有する。第１０形態によれば、基板を処理槽に収納する前にノズルからのスプレーが予め開始されているので、基板を処理槽収納すると同時に基板に第１の処理液がスプレーされる。このため、基板の処理槽への収納が完了してからスプレーを開始する場合に比べて、処理時間を短縮できる。
【００８８】
第１１形態によれば、第１形態から第１２形態のいずれかのめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、０．０５ＭＰａ以上０．４５ＭＰａ以下の圧力で前記第１の処理液をスプレーする工程を有する。第９形態によれば、レジスト開口部内のレジスト残渣をより確実に除去することができる。
【００８９】
第１２形態によれば、第１形態から第１３形態のいずれかのめっき方法において、前記レジスト残渣除去工程は、２．５ｍ／秒以上１５．０ｍ／秒以下の流速であり且つ１０Ｌ／分以上２０Ｌ／分以下の流量で前記第１の処理液をスプレーする工程を有する。第１２形態によれば、第１の処理液の流速を上記範囲内にすることにより、レジスト開口部内に巻き込まれる気泡を少なくすることができ、液体充填工程における処理時間を短くすることができる。また、第１の処理液の流量を上記範囲内にすることにより、効率よくレジスト残渣を除去することができる。したがって、第１の処理液の流速及び流量を上記範囲内にすることにより、レジスト残渣除去工程及び液体充填工程における処理時間の両方を短くすることができる。
【００９０】
第１３形態によれば、第１形態から第１２形態のいずれかのめっき方法において、前記液体充填工程は、前記第２の処理液を撹拌する工程を有する。第１３形態によれば、第２の処理液を撹拌することで、基板表面に接触する第２の処理液の流量が増加するので、レジスト開口部内への液体の充填効率を向上させることができる。
【００９１】
第１４形態によれば、第１形態から第１３形態のいずれかのめっき方法において、前記液体充填工程は、前記基板に衝撃又は振動を与える工程を有する。第１４形態によれば、レジスト開口部内の気泡が基板から分離し易くなり、レジスト開口部内に第２の処理液を充填し易くなる。
【００９２】
第１５形態によれば、第１形態から第１４形態のいずれかのめっき方法において、前記液体充填工程は、前記基板を収納した第２処理槽の下方から前記第２の処理液を供給する工程と、前記第２処理槽の上方から前記第２の処理液を排出する工程と、前記第２処理槽内の前記第２の処理液を循環する工程と、を有する。第１５形態によれば、第２処理槽内の第２の処理液を循環させることにより、基板表面に接触する第２の処理液の流量が増加するので、レジスト開口部内への液体の充填効率を向上させることができる。
【００９３】
第１６形態によれば、第１形態から第１５形態のいずれかのめっき方法において、前記液体充填工程は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面が上方を向き且つ前記基板が傾斜するように、第２処理槽内に前記基板を配置する工程を有する。第１６形態によれば、レジスト開口部内に脱気水を充填し易くなる。
【００９４】
第１７形態によれば、第１形態から第１６形態のいずれかのめっき方法において、前記
第１の処理液は、前記第２の処理液と異なる液体である。
【００９５】
第１８形態によれば、第１形態から第１７形態のいずれかのめっき方法において、前記第１の処理液は、純水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る。
【００９６】
第１９形態によれば、第１形態から第１８形態のいずれかのめっき方法において、前記第２の処理液は、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る。
【００９７】
第２０形態によれば、レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき装置が提供される。このめっき装置は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第１の処理液を吹き付けるノズルを備えたスプレー部を有し、前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去装置と、前記基板を第２の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第２の処理液を充填する液体充填装置と、前記基板にめっきするめっき槽と、を有する。
【００９８】
第２０形態によれば、レジスト開口部内にレジスト残渣が存在する基板であっても、レジスト残渣を除去した後、レジスト開口部内に液体を充填することができる。したがって、気泡及びレジスト残渣に起因するめっき不良の発生を抑制することができる。
【００９９】
第２１形態によれば、第２０形態のめっき装置において、前記スプレー部が前記基板の面に沿って相対移動するように、前記スプレー部及び前記基板の少なくとも一つを移動させる移動機構を有する。第２０形態によれば、少ないノズルで基板全面へ純水をスプレーすることができる。また、また、スプレー部と基板の両方が移動する場合には、ノズルの走査及び基板の移動のストロークを小さくすることができる。
【０１００】
第２２形態によれば、第２１形態のめっき装置において、前記スプレー部は、鉛直上下方向に離間した第１ノズル群と、第２ノズル群を有し、前記第１ノズル群及び前記第２ノズル群は、水平方向に配列された複数のノズルを含む。
【０１０１】
第２２形態によれば、スプレー部が上下方向に離間した第１ノズル群と第２ノズル群とを有するので、スプレー部が基板の面に沿って上下方向に往復移動することで、基板全面に第１の処理液をスプレーすることができる。また、ノズルを基板表面に沿って走査させる際のストロークを小さくすることができ、装置サイズを小さくすることができる。
【０１０２】
第２３形態によれば、第２２形態のめっき装置において、前記第１ノズル群及び前記第２ノズル群は、それぞれ、水平方向に配列された第１ノズル列と、第２ノズル列とを有し、前記第１ノズル列と前記第２ノズル列は上下方向に隣接して配置される。第２３形態によれば、第１ノズル群及び第２ノズル群が、それぞれ２列のノズル列を有するので、いずれか一方の列のノズルに故障が生じても、基板に第１の処理液のスプレーがされない事態を回避することができ、スプレー部の信頼性を向上させることができる。
【０１０３】
第２４形態によれば、第２２形態又は第２３形態のめっき装置において、前記第１ノズ
ル群及び前記第２ノズル群を構成する複数のノズルは、スロット形状のノズル口を有し、前記複数のノズルの少なくとも一つのノズル口は、水平方向に隣接する他のノズルからのスプレーと干渉しないように方向づけられる。第２４形態によれば、隣接するノズル同士のスプレーが干渉しないので、基板へのスプレーの均一性を向上することができる。
【０１０４】
第２５形態によれば、第２２形態から第２４形態のいずれかのめっき装置において、前記スプレー部は、前記第１ノズル群からのスプレーと、前記第２ノズル群からのスプレーと、を鉛直方向に配置された前記基板に対して別々のタイミングで行うように構成される。第２５形態によれば、第１ノズル群からのスプレーと第２ノズル群からのスプレーとが別々のタイミングで行われるので、それぞれのノズル群のスプレー時の水膜の影響を低減することができる。
【０１０５】
第２６形態によれば、第２５形態のめっき装置において、前記スプレー部は、前記第１ノズル群と前記第２ノズル群のうち、前記スプレー部の進行方向の先頭側のノズル群から、前記基板に対して前記第１の処理液をスプレーするように構成される。
【０１０６】
第２７形態によれば、第２６形態のめっき装置において、前記第１ノズル群は前記第２ノズル群よりも鉛直方向で上方に位置し、前記第１ノズル群を構成するノズルは、そのノズル口が前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して上方に傾斜するように、前記スプレー部に設けられ、前記第２ノズル群を構成するノズルは、そのノズル口が前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して下方に傾斜するように、前記スプレー部に設けられる。第２７形態によれば、それぞれのノズル群のスプレー時の水膜の影響を低減しつつ、基板の被めっき面の影になる部分に、スプレーを直接当てることができる。
【０１０７】
第２８形態によれば、第２０形態から第２７形態のいずれかのめっき装置において、前記ノズルのノズル口は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して傾斜するように前記スプレー部に設けられる。
【０１０８】
基板が基板ホルダに保持される場合、基板ホルダによって基板の被めっき面に影になる部分が形成されることがある。第２０形態によれば、ノズル口が基板の被めっき面に直交する方向に対して傾斜しているので、このような基板の被めっき面の影になる部分にも、スプレーを直接当てることができる。ひいては、基板の全面において、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。
【０１０９】
第２９形態によれば、第２０形態から第２８形態のいずれかのめっき装置において、前記レジスト残渣除去装置は、前記基板を鉛直方向に収納する第１処理槽を有する。第２９形態によれば、基板が鉛直方向に収納されるので、基板にスプレーされた第１の処理液が重力により下方に流れる。このため、基板の表面に滞留する第１の処理液の量を減らすことができるので、基板の表面に滞留する第１の処理液（水膜）によりレジスト残渣除去効率が低下することを抑制することができる。
【０１１０】
第３０形態によれば、第２０形態から第２９形態のいずれかのめっき装置において、前記液体充填装置は、前記第２の処理液を撹拌する撹拌装置を有する。第３０形態によれば、第２の処理液を撹拌することで、基板表面に接触する第２の処理液の流量が増加するので、レジスト開口部内への第２の処理液の充填効率を向上させることができる。
【０１１１】
第３１形態によれば、第２０形態から第３０形態のいずれかのめっき装置において、前記液体充填装置は、前記基板を収納する第２処理槽と、前記第２処理槽内の前記第２の処理液を循環させる循環装置と、を有する。第２３形態によれば、第２処理槽内の第２の処
理液を循環させることにより、基板表面に接触する第２の処理液の流量が増加するので、レジスト開口部内への第２の処理液の充填率を向上させることができる。
【０１１２】
第３２形態によれば、第２０形態から第３１形態のいずれかのめっき装置において、前記第１の処理液は、前記第２の処理液と異なる液体である。
【０１１３】
第３３形態によれば、第２０形態から第３２形態のいずれかのめっき装置において、前記第１の処理液は、純水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る。
第３４形態によれば、第２０形態から第３３形態のいずれかのめっき装置において、前記第２の処理液は、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、ＣＯ２イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る。
【符号の説明】
【０１１４】
３０…基板ホルダ
４０…プリウェット槽
４１…処理槽
５０…レジスト残渣除去装置
５１…処理槽
６０…スプレー部
６３…ノズル
７０…第１ノズル群
７０−１…第１ノズル列
７０−２…第２ノズル列
７５…第２ノズル群
７５−１…第１ノズル列
７５−２…第２ノズル列
８０…液体充填装置
８１…脱気槽
８４…脱気水循環装置
９０…撹拌装置
【図１】
2018174217.tif 000003
【図２】
2018174217.tif 000004
【図３】
2018174217.tif 000005
【図４】
2018174217.tif 000006
【図５】
2018174217.tif 000007
【図６】
2018174217.tif 000008
【図７】
2018174217.tif 000009
【図８Ａ】
2018174217.tif 000010
【図８Ｂ】
2018174217.tif 000011
【図９Ａ】
2018174217.tif 000012
【図９Ｂ】
2018174217.tif 000013
【図１０】
2018174217.tif 000014
【図１１】
2018174217.tif 000015
【図１２Ａ】
2018174217.tif 000016
【図１２Ｂ】
2018174217.tif 000017
【図１２Ｃ】
2018174217.tif 000018
【図１２Ｄ】
2018174217.tif 000019
【図１３】
2018174217.tif 000020
【図１４Ａ】
2018174217.tif 000021
【図１４Ｂ】
2018174217.tif 000022
【図１４Ｃ】
2018174217.tif 000023
【図１５】
2018174217.tif 000024