(57)【要約】      （修正有）【課題】高記録容量化、高精度化にも充分に対応できる算術平均粗さの微小な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板の主表面を研磨する粗研磨工程により、原子間力顕微鏡を用いて１μｍ×１μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度で測定した場合の前記主表面における算術平均粗さＲａが０．２ｎｍ以下のガラス基板を製造し、その後、平均粒子径が１５ｎｍ以下のダイヤモンド、酸化アルミニウム及び酸化セリウムなる群から選ばれる少なくとも１種の砥粒を含む研磨スラリーを用いて研磨をする仕上げ研磨工程により、ガラス基板を研磨する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を研磨する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記ガラス基板の主表面を研磨する粗研磨工程により、原子間力顕微鏡を用いて１μｍ×１μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度で測定した場合の前記主表面における算術平均粗さＲａが０．２ｎｍ以下のガラス基板を製造し、
その後、平均粒子径が１５ｎｍ以下のダイヤモンド、酸化アルミニウム及び酸化セリウムなる群から選ばれる少なくとも１種の砥粒を含む研磨スラリーを用いて研磨をする仕上げ研磨工程により、前記ガラス基板を研磨することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記仕上げ研磨工程で用いる研磨スラリーの砥粒は、平均粒子径が１０ｎｍ以下のダイヤモンドであることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記仕上げ研磨工程で用いる研磨スラリーの固形分濃度は、０．０００１〜０．１重量％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記仕上げ研磨工程により、前記ガラス基板の主表面における算術平均粗さＲａが０．０５ｎｍ以下とされる請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記粗研磨工程が、酸化アルミニウム又は酸化セリウムの砥粒を含む研磨スラリーによる研磨であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記粗研磨工程が、酸化セリウムの砥粒を含む研磨スラリーによる研磨工程と、その後に続くコロイダルシリカの砥粒を含む研磨スラリーによる研磨工程とからなる請求項５に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法で製造された情報記録媒体用ガラス基板の主表面に磁気記録層を形成する情報記録媒体の製造方法。
【請求項８】
中央に円孔を有する円板状の情報記録媒体用ガラス基板であって、
原子間力顕微鏡を用いて１μｍ×１μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したガラス基板の主表面における算術平均粗さＲａが０．０５ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
【請求項９】
請求項８に記載の情報記録媒体用ガラス基板の主表面に磁気記録層が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用ガラス基板、並びに磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク（情報記録媒体）の高記録容量化が著しくなっている。ハードディスクの基板には、耐衝撃性に優れ、平坦性（平滑性）が得られやすい化学強化ガラス、液晶化ガラスなどのガラス基板が用いられてきている。ガラス基板を使用したハードディスクの容量を高めるために、ガラス基板の上に成膜される磁性膜の高性能化が重要な要素となっている。
【０００３】
磁性膜の性能改善のためには、ガラス基板の主表面のＲａ（算術平均粗さ）を低くすることが求められている。Ｒａを低くすることで磁性膜の凹凸が軽減され、読み取りヘッドとガラス基板との距離が縮まって記憶素子の高密度化が可能になる。
【０００４】
Ｒａを低くするためには、ガラス基板の表面を細かい砥粒を用いて研磨すればよい。一般的に直径が３０ｎｍ以下の研磨砥粒としては、コロイダルシリカスラリーを用いて仕上げ研磨を行っている。コロイダルシリカは、直径１０ｎｍ以下の粒子径の場合、研磨剤として利用すると、ガラス基板との親和性が高く、ガラス基板に強固に付着してＲａを上昇させてしまう問題がある。
【０００５】
上記のような背景から、コロイダルシリカではなく、有機系粒子、例えばスチレン系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂などの粒子を研磨剤として用いて、平坦性を改善することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際特許出願２０１４／０６７２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の有機系粒子は、Ｒａの改善幅が小さいという問題がある。また、粒子が大きいため、研磨機の立ち上げ初期にガラス基板と研磨パッドとの間に充分粒子が入り込まず、研磨負荷が大きくなり、ガラス基板に割れが発生する場合があることが確認されている。
【０００８】
高記録容量化、高精度化のためには、ガラス基板の主表面のＲａが０．０５ｎｍ以下であることが好ましいが、有機系粒子による仕上げ研磨では困難である。また、他の研磨スラリーにおいても、主表面のＲａが０．０５ｎｍ以下となるガラス基板を実現できていない。したがって、従来の技術では今後求められる更なる高記録容量化、高精度化に対応できない虞がある。
【０００９】
本発明の一つの目的は、上記課題を解決することであり、今後求められる更なる高記録容量化、高精度化にも充分に対応できるＲａの微小な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題は、
ガラス基板を研磨する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記ガラス基板の主表面を研磨する粗研磨工程により、原子間力顕微鏡を用いて１μｍ×１μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度で測定した場合の前記主表面における算術平均粗さＲａが０．２ｎｍ以下のガラス基板を製造し、
その後、平均粒子径が１５ｎｍ以下のダイヤモンド、酸化アルミニウム及び酸化セリウムなる群から選ばれる少なくとも１種の砥粒を含む研磨スラリーを用いて研磨をする仕上げ研磨工程により、前記ガラス基板を研磨することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により解決できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、今後求められる更なる高記録容量化、高精度化にも充分に対応できるＲａの微小な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。本実施形態に関して磁気ディスク用のガラス基板（ハードディスク用ガラス基板；以下、単に「ガラス基板」という）の製造を例にして詳細に説明する。
【００１３】
本発明のガラス基板に使用するガラスとしては、通常の磁気ディスク用のガラス基板に使用できるガラスであれば、使用できる。例えばモル％表示で、ＳｉＯ２を５５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を５〜１７％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏを４〜２７％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜２０％含有し、これら成分の含有量の合計が９０％以上であるガラス、またはモル％表示でＳｉＯ２を６２〜７４％、Ａｌ２Ｏ３を７〜１８％、Ｂ２Ｏ３を２〜１５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で８〜２１％含有し、上記７成分の含有量合計が９５％以上であり、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏのいずれか１成分以上を合計で４％未満含有するガラス板等がある。
【００１４】
本実施形態では、出発原料として、例えばＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス（アルミノシリケートガラス）からなるガラス基板を用いる。そして、通常、以下のような各工程を経てガラス基板を製造する。即ち、ガラス基板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、端面鏡面研磨を順次行う。その後、前述の加工が行われたガラス基板を積層し、内周端面をエッチング処理する場合もある。そして、ガラス基板の主表面を研磨して平坦かつ平滑な面（以下、主表面の研磨工程という）とし、当該主表面に磁気記録媒体を塗工（磁性膜の成膜）してガラス基板を製造する。
【００１５】
因みに、主表面ラッピング工程を、粗ラッピング工程と精ラッピング工程とに分け、それらの間に形状加工工程（ガラス板円中央の孔開け、面取り、端面鏡面研磨）を設けてもよいし、主表面の研磨工程の後に化学強化工程を設けてもよい。なお、中央に円孔を有さないガラス基板を製造する場合には、ガラス基板中央の孔開けは不要である。
【００１６】
主表面ラッピングは、代表的な例では平均粒子径が６〜８μｍである酸化アルミニウム砥粒または酸化アルミニウム質の砥粒を用いて行う。ラッピングにより、ガラス基板の主表面の板厚の減少量（研磨量）は通常、１００〜４００μｍである。ただし、最終的にガラス基板の主表面における算術平均粗さＲａが０．０５ｎｍ以下にできれば、上記数値範囲を外れていてよい。
【００１７】
（主表面の研磨工程）
次に、本発明の特徴を含む主表面の研磨工程について具体的に説明する。主表面の研磨工程は、粗研磨工程と、仕上げ研磨工程とからなり、さらに粗研磨工程が複数の工程に分かれる、例えば３つの研磨工程を有してよい。次に、粗研磨工程が第１の研磨工程と第２の研磨工程の２工程に分かれており、仕上げ研磨工程が第３の研磨工程の１つの工程である例で説明するが、粗研磨工程が３工程以上に分かれていてもよいし、仕上げ研磨工程が２工程以上に分かれていてもよい。
【００１８】
第１の研磨工程は粗研磨工程であり、ガラス基板の主表面を酸化セリウム、酸化アルミニウム、または酸化ジルコニムの砥粒により研磨する工程である。特に、酸化セリウムの砥粒を使用することが、研磨レートと研磨面品質を両立させやすいため好ましい。
【００１９】
この第１研磨工程は、基板の主表面を通常平均粒子径が０．５〜２．０μｍである砥粒を含有する研磨スラリーを用いて研磨する。この際、前記研磨スラリーとウレタン製の研磨パッドとを用いて研磨してよい。研磨パッドとしてはスエードパッドが好ましい。このスエードパッドとは、代表的なものとして、発泡層を有する発泡ウレタンシートと下地層が積層された研磨パッドであり、発泡させた穴がシートの厚み方向に長いことを特徴とする研磨パッドである。なお、本実施形態の平均粒子径はレーザー回折・散乱法を用いて測定された体積基準の平均粒子径（分散径）に基づくものとする。
【００２０】
この第１の研磨工程を、研磨砥粒の粒径、研磨スラリーの組成、研磨パッドが異なる等の異なる研磨条件や研磨装置を用いた２つ以上の研磨工程に分けたりしてよい。
【００２１】
その際、三次元表面構造解析顕微鏡（例えばＺｙｇｏ社製ＮＶ２００）を用いて、波長領域がλ≦０．２５ｍｍの条件で１ｍｍ×０．７ｍｍの範囲で測定された微小うねり（Ｗａ）を、例えば１ｎｍ以下となるように研磨する。
【００２２】
この研磨におけるガラス基板の研磨量は、概ね２０〜５０μｍとされるが、第２研磨工程を経た後のガラス基板の主表面における算術平均粗さＲａが０．２ｎｍ以下となるように適宜設定すればよい。
【００２３】
次に、第２の研磨工程を説明する。第２の研磨工程も粗研磨工程であり、ガラス基板の主表面をコロイダルシリカスラリーにより研磨する工程（以下、コロイダルシリカ研磨工程ともいう）である。コロイダルシリカ研磨工程は、ガラス基板の主表面をコロイダルシリカスラリーと研磨パッドを用いて研磨する。コロイダルシリカ砥粒は、平均粒子径が３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下が好ましい。研磨パッドは、スエードパッドが好ましい。コロイダルシリカスラリーで研磨されたガラス基板はＡＦＭで測定される主表面のＲａが０．２ｎｍ以下となるように研磨される。
【００２４】
前記したように、この第２の研磨工程も、コロイダルシリカ砥粒の粒径、コロイダルシリカスラリーの組成、研磨パッドが異なる等の異なる研磨条件や研磨装置を用いた２つ以上の研磨工程に分けたりしてもよく、最終的にＡＦＭで測定されるガラス基板の主表面のＲａが０．２ｎｍ以下となるように研磨されればよい。
【００２５】
次に、第３の研磨工程を説明する。第３の研磨工程は、本発明の特徴を成す工程であり仕上げ研磨工程である。
【００２６】
仕上げ研磨工程に使用する研磨スラリーとして、本出願人らは以下の検討を行った。即ち、前述したようにコロイダルシリカは、直径１０ｎｍ以下の粒子径の場合、ガラス基板との親和性が高く、ガラス基板に強固に付着して、研磨を行っても、Ｒａ（算術平均粗さ）が上昇してしまう。コロイダルシリカで粒子径が１０ｎｍより小さい粒子でガラス基板を研磨した場合、適切に洗浄ができれば、基板のＲａを下げられると考えられる。しかし、コロイダルシリカとガラス基板の表面の水酸基の脱水縮合反応により強固にガラス基板に砥粒が付着している可能性が高い。そこで、本出願人らは、粒子の材質により、ガラス基板との付着性を変えられると思料し、平均粒子径が１５ｎｍ以下の粒子を調査した。その結果、１０ｎｍより小さいコロイダルシリカと比較して、ガラス基板との反応性の低い（不活性）粒子を用いることでＲａが小さくなり、目的とする０．０５ｎｍ以下のＲａが実現できることを見出した。
【００２７】
したがって、本実施形態の仕上げ研磨工程は、ガラス基板の主表面を、不活性で平均粒子径が１５ｎｍ以下のダイヤモンド、酸化アルミニウム及び、酸化セリウムなる群から選ばれる少なくとも１種の砥粒を含む研磨スラリーを用いて研磨を行う。
【００２８】
研磨スラリーの平均粒子径の測定に関しては、ＢＥＴ比表面積から算出されるＢＥＴ径を用いることが好ましい。また、透過電子顕微鏡像から、粒子径を測定してもよい。
【００２９】
ダイヤモンドを使用した研磨スラリーは、具体的には平均粒子径が１０ｎｍ以下のものが好ましい。より好ましくは４ｎｍ以下である。また、最大径が３０ｎｍ以下であることがより好ましい。因みに、酸化アルミニウム又は酸化セリウムを使用した研磨スラリーは、平均粒子径が２０ｎｍ以下のものが好ましい。より好ましくは１５ｎｍ以下である。
【００３０】
前記した研磨スラリーはいわゆる水系媒体であり、スラリーは水を含有する。また、水溶性のポリマー、オリゴマー、モノマーを含んでもよい。具体的には、（Ａ）ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩等のポリカルボン酸、ポリカルボン酸塩及びこれらの共重合体の塩、（Ｂ）ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等のポリビニル系ポリマー、（Ｃ）クエン酸塩、オレイン酸塩等の有機酸塩、２りん酸塩等が用いられる。
【００３１】
研磨スラリーのｐＨは、４〜９で使用することが望ましい。ｐＨ４以下であれば、ガラス表面にリーチング層が発生し、研磨後にアルカリ性の洗浄剤により洗浄を行う際に、ガラス表面が荒れてしまうため、好ましくない。一方、ｐＨ９以上であれば、研磨パッドとして用いられるスエードパッド、不織布パッド、硬質ウレタンパッドに含まれるウレタン樹脂の劣化が発生するため、好ましくない。
【００３２】
研磨スラリー中の粒子の分散性を安定化させるため、各種分散剤を適宜添加してよい。例えば、クエン酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウムなどの有機酸塩、ポリアクリル酸塩やポリスルフォン酸塩、またはポリアクリル酸とポリマレイン酸の共重合体の塩などのアニオン系ポリマーなどを使用できる。
【００３３】
研磨スラリーの固形分濃度としては、０．０００１〜０．１重量％が好ましい。０．００１重量％未満では、研磨能力がなく、０．１重量％以上であれば、砥粒の凝集により、ガラス基板に傷が発生するため、好ましくない。より好ましくは０．００１〜０．０１重量％である。
【００３４】
本実施形態の研磨スラリーの固形分濃度は、上記のように非常に低いため比較的高価なダイヤモンドスラリーを使用してもコストの上昇を抑えることができる。因みにダイヤモンドスラリーの固形分濃度は、０．０１％としてよい。
【００３５】
使用する研磨パッドとしては、従来のコロイダルシリカ研磨で使用されるスエードパッド、不織布パッド、硬質ウレタンパッドを用いることができる。本実施形態ではスエードパッドが好ましい。本実施形態のスエードパッドとは、代表的なものとして、発泡層を有する発泡ウレタンシートと下地層が積層された研磨パッドであり、発泡させた穴がシートの厚み方向に長いことを特徴とする研磨パッドがある。この研磨パッドの下地層としては、たとえば、ＰＥＴフィルムを使用しているものを使用できる。
【００３６】
上記の平均粒子径が１５ｎｍ以下のダイヤモンド、酸化アルミニウム、酸化セリウムのうち、いずれか一つの砥粒を含む研磨スラリーを用いて研磨することにより、ガラス基板の主表面は、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）で測定されるＲａが０．０５ｎｍ以下の平坦性を有するようになる。
【００３７】
研磨後、砥粒を除去するために洗浄を行う。そして、洗浄後にガラス基板を乾燥させる。乾燥方法としてはイソプロピルアルコール蒸気を用いる乾燥方法やスピン乾燥、真空乾燥などが用いられる。
【００３８】
上記一連の工程により本発明のガラス基板が得られる。また、主表面に磁気記録媒体（磁性膜）を塗工して本発明の磁気記録媒体が得られる。
【００３９】
上記してきたように本実施形態のガラス基板は、Ｒａが０．０５ｎｍ以下の優れた平坦性（平滑性）を有するため、今後、磁気記録媒体に求められる更なる高記録容量化、高精度化にも充分に対応できる。
【００４０】
また、本実施形態は、不活性で平均粒子径の細かい研磨スラリーを使用して仕上げ研磨工程を行う構成としたため、ガラス基板上に成膜される磁性膜の配向性が改善され、更なる記憶容量の高密度化が期待できる。また、熱アシスト磁気記録方式のハードディスクにおいて、磁性膜を加熱させる近接場光を発振させるヘッドと基板の距離を１０ｎｍ以下でかつ、照射スポットの凹凸をより小さくすることにより、より均一的に基板を加熱できる。すると、書き込みの安定性を向上させる効果を期待できる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。
【００４２】
（ガラス基板の作製）
フロート法で成形されたシリケートガラス板（モル％表示含有量が、ＳｉＯ２：６７．７％、Ａｌ２Ｏ３：４．９％、ＭｇＯ：１０．９％、ＴｉＯ２：４％、Ｎａ２Ｏ：４．９％、Ｋ２Ｏ：７．６％であるＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス板）を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板が得られるようなドーナツ状ガラス基板（中央に円孔を有するガラス基板）に加工した。なお、内周面および外周面の研削加工は、ダイヤモンド砥石を用いて行い、ガラス基板上下面のラッピングは酸化アルミニウム砥粒を用いて行った。
【００４３】
次に、内外周の端面を、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°となるように面取り加工を行った。内外周加工の後、研磨剤として酸化セリウムスラリーを用い、研磨具としてブラシを用い、ブラシ研磨により端面の鏡面加工を行った。研磨量は、半径方向の除去量で３０μｍであった。
【００４４】
その後、酸化セリウム研磨工程（第１の研磨工程：粗研磨工程）を行った。即ち、研磨材として酸化セリウムスラリー（酸化セリウム平均粒子径：約１．１μｍ）を用い、研磨具としてスエードパッドを用いて、両面研磨装置によりガラス基板の上下主表面の研磨加工を行った。研磨量は、上下主表面の厚さ方向で計３５μｍであった。
【００４５】
その後、コロイダルシリカ研磨工程（第２の研磨工程：粗研磨工程）を行った。即ち、研磨剤としてコロイダルシリカスラリー（コロイダルシリカ平均粒子径：約２０ｎｍ）を用い、研磨具としてスエードパッドを用いて、両面研磨装置によりガラス基板の上下主表面の研磨加工を行った。研磨量は、上下主表面の厚さ方向で計２．６μｍであった。
【００４６】
また、ガラス基板の主表面における算術平均粗さＲａが０．１５〜０．２ｎｍとなるように研磨した。
【００４７】
次いで、下記の試験スラリーＡ〜Ｄと、下記の研磨パッドＦ、Ｇを用いて仕上げ研磨工程（第３の研磨工程）を行った。
【００４８】
（試験スラリーＡ）
蒸留水４．９Ｌに超音波を照射しながら、エア・ブラウン（株）製のダイヤモンドスラリー（製品名μＤｉａｍｏｎｄ  Ａｎｄａｎｔｅ）を０．１Ｌ添加して試験スラリーＡを調製した。なお、スラリーのｐＨは４．５、固形分濃度は０．０１重量％であった。なお、ダイヤモンド砥粒の平均粒子径４ｎｍのものを使用した。
【００４９】
（試験スラリーＢ）
蒸留水０．１Ｌに対し、オレイン酸ソーダをそれぞれ０．２ｇ添加し、攪拌した。攪拌したまま、ＮＡＮＡＲＲＥＡＮ  ＮＡＮＯＰＲＯＤＵＣＴ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ製酸化アルミニウム粒子（平均粒子径１５ｎｍ）を２ｇ添加して、ビーズミル分散を行い、分散液Ｂを作成した。分散液Ｂを２g、純水５００gを混ぜ、試験スラリーＢを調製した。なお、スラリーのｐＨは４．２、固形分濃度は０．００８重量％であった。
【００５０】
（試験スラリーＣ）
蒸留水０．１Ｌに対し、オレイン酸ソーダをそれぞれ０．２ｇ添加し、攪拌した。攪拌したまま、ＮＡＮＡＲＲＥＡＮ  ＮＡＮＯＰＲＯＤＵＣＴ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ製酸化セリウム粒子（平均粒子径１５ｎｍ）を２ｇ添加して、ビーズミル分散を行い、分散液Ｃを作成した。分散液Ｃを２g、水５００g、クエン酸０．００１４gを混ぜ、試験スラリーＣを調製した。なお、スラリーのｐＨは３．９、固形分濃度は０．００８重量％であった。
【００５１】
（試験スラリーＤ）
蒸留水１．５２Ｌに対し、硝酸を１０．０ｍＬ添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業（株）製コロイダルシリカ（製品名ＳＴ−ＸＬ）を１．４８Ｌ添加して試験スラリーＤを調製した。なお、スラリーのｐＨは１．９であった。なお、平均粒子径は、７ｎｍのものを使用した。
【００５２】
（研磨パッドＦ）
発泡ウレタンからなるスエードパッドであり、物性値は、ショアＡ硬度が６５．０°、圧縮率が２．３％かつ密度が０．６８ｇ／ｃｍ３であった。
【００５３】
（研磨パッドＧ）
不織布パッドであり、物性値は、ショアＡ硬度が５１．５°、圧縮率が１１．７％かつ密度が０．２８ｇ／ｃｍ３であった。
【００５４】
［実施例１］
コロイダルシリカ研磨工程後のガラス基板の主表面を、試験スラリーＡを使用し研磨パッドＦを用いて、スピードファム製９Ｂ両面研磨機にて５分間研磨した。
【００５５】
［実施例２］
コロイダルシリカ研磨工程後のガラス基板の主表面を、試験スラリーＡを使用し研磨パッドＧを用いて、スピードファム製９Ｂ両面研磨機により５分間研磨した。
【００５６】
［実施例３］
コロイダルシリカ研磨工程後のガラス基板の主表面を、試験スラリーＢを使用し研磨パッドＦを用いて、スピードファム製９Ｂ両面研磨機により５分間研磨した。
【００５７】
［実施例４］
コロイダルシリカ研磨工程後のガラス基板の主表面を、試験スラリーＣを使用し研磨パッドＦを用いて、スピードファム製９Ｂ両面研磨機により５分間研磨した。
【００５８】
［比較例］
コロイダルシリカ研磨工程後のガラス基板の主表面を、試験スラリーＤを使用し研磨パッドＦを用いて、スピードファム製９Ｂ両面研磨機により５分間研磨した。
【００５９】
そして、実施例１〜４及び比較例において、上記各仕上げ研磨工程を行った後、純水シャワー洗浄、ベルクリンおよび水によるスクラブ洗浄、ベルクリンおよびアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、ベルクリンおよび水によるスクラブ洗浄、純水シャワー洗浄を順次行い、エアブローを行った。
【００６０】
その後、アライサム製のＡＦＭ（商品名Ｃｙｐｈｅｒ）にてＡＦＭ測定を行い、主表面のＲａを求めた。測定エリアは１×１μｍ、測定点数はＸ、Ｙ方向共に２５６ポイント（２５６×２５６ピクセルの解像度）で測定した。その結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
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表１から、ダイヤモンド粒子（研磨スラリーＡ）、酸化アルミニウム粒子（研磨スラリーＢ）、酸化セリウム粒子（研磨スラリーＣ）を使用した場合（実施例１〜４）、Ｒａが０．０５ｎｍ以下になることが確認された。一方、コロイダルシリカ粒子（研磨スラリーＤ）を使用した場合（比較例）、Ｒａは０．６８であり親和性などによりＲａが上昇したと推察される。
【００６２】
以上、ガラス基板及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の実施形態や実施例などを説明したが、本発明は上記実施形態や実施例などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。例えば、ガラス基板の主表面の研磨工程が、３つの研磨工程を有する例を示したが、この限りではない。端的に云うと、仕上げ研磨工程以前の前工程については、他の方法が実施されてよい。