(57)【要約】【課題】温度検出素子において空所を高い精度で設けることを可能とする構成、構造を有する撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置は、第１構造体２０及び第２構造体４０から構成されており；第１構造体２０は、第１基板２１、第１基板２１に形成され、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子１５、駆動線７２及び信号線７１を備えており；第２構造体４０は、第２基板４１、及び、第２基板４１に設けられ、被覆層４３によって被覆された駆動回路を備えており；第１基板２１は被覆層４３と接合されており、温度検出素子１５と被覆層４３との間には空所５０が設けられており、駆動線７２及び信号線７１は、駆動回路と電気的に接続されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１構造体及び第２構造体から構成されており、
第１構造体は、
第１基板、
第１基板に設けられ、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、並びに、
温度検出素子に接続された駆動線及び信号線、
を備えており、
第２構造体は、
第２基板、及び、
第２基板に設けられ、被覆層によって被覆された駆動回路、
を備えており、
第１基板は、被覆層と接合されており、
温度検出素子と被覆層との間には、空所が設けられており、
駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている撮像装置。
【請求項２】
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された複数の温度検出素子、
を備えており、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を更に備えており、
第１構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を有しており、
周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
１次元に配列されたＱ個（但し、Ｑ≧１）の温度検出素子を備えている請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第１基板の部分には、隔壁が形成されており、
隔壁の底部は、被覆層と接合されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されており、
隔壁の側壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている請求項４又は請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
赤外線が入射する温度検出素子の側には、第１赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており、
空所と対向する温度検出素子の側には、第２赤外線吸収層が形成されている請求項４又は請求項５に記載の撮像装置。
【請求項８】
温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第１基板の部分と被覆層との間には、第１基板と独立して隔壁が形成されており、
隔壁の底部は、被覆層と接合されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されており、
隔壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている請求項８又は請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
赤外線が入射する温度検出素子の側には、第１赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており、
空所と対向する温度検出素子の側には、第２赤外線吸収層が形成されている請求項８又は請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１２】
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、赤外線の入射に沿って上下に配設された２つの温度検出素子から成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は同じであり、又は、異なっており、又は、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
被覆層には熱伝導層が形成されている請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
被覆層には温度制御層が形成されており、
温度検知手段を更に有する請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
温度制御層はヒータとして機能する請求項１４に記載の撮像装置。
【請求項１６】
複数の温度検出素子を備えており、空所は、隣接する２×ｋ個の温度検出素子（但し、ｋは１以上の整数）において共有化されている請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１７】
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子が並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は異なっている撮像装置。
【請求項１８】
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子が並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている撮像装置。
【請求項１９】
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、Ｍ0×Ｎ0個（但し、Ｍ0≧２，Ｎ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
第１の方向に沿って配設された複数の駆動線、
第２の方向に沿って配設されたＮ0×Ｐ0本（但し、Ｐ0≧２）の信号線、
複数の駆動線が接続された第１駆動回路、及び、
Ｎ0×Ｐ0本の信号線が接続された第２駆動回路、
を備えており、
各温度検出素子は、第１端子部及び第２端子部を備えており、
各温度検出素子の第１端子部は、駆動線に接続されており、
第（ｎ，ｐ）番目の信号線（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ0、ｐ＝１，２・・・，Ｐ0）は、第２の方向に沿って配設された第ｎ番目のＮ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｑ−１）Ｐ0＋ｐ｝番目の温度検出素子（但し、ｑ＝１，２，３・・・）の第２端子部に接続されている撮像装置。
【請求項２０】
複数の駆動線の本数は、Ｍ0／Ｐ0であり、
第ｍ番目の駆動線（但し、ｍ＝１、２・・・，Ｍ0／Ｐ0）は、第１の方向に沿って配設された第｛（ｍ−１）Ｐ0＋ｐ’｝番目のＭ0個の温度検出素子（但し、ｐ’＝１，２・・・Ｐ0の全ての値）から構成された温度検出素子群に共通である請求項１９に記載の撮像装置。
【請求項２１】
第２駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されており、
アナログ・フロント・エンドは差動積分回路を有する請求項１９又は請求項２０に記載の撮像装置。
【請求項２２】
温度検出素子は、温度検出素子用基板に設けられた空所の上方に配設されており、
温度検出素子用基板に設けられた第１接続部と、温度検出素子の第１端子部とは、第１スタッド部を介して接続されており、
温度検出素子用基板に設けられた第２接続部と、温度検出素子の第２端子部とは、第２スタッド部を介して接続されている請求項１９乃至請求項２１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項２３】
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、Ｓ0×Ｔ0個（但し、Ｓ0≧２，Ｔ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
第１の方向に沿って配設されたＳ0×Ｕ0本（但し、Ｕ0≧２）の駆動線、
第２の方向に沿って配設された複数の信号線、
Ｓ0×Ｕ0本の駆動線が接続された第１駆動回路、及び、
複数の信号線が接続された第２駆動回路、
を備えており、
各温度検出素子は、第１端子部及び第２端子部を備えており、
各温度検出素子の第２端子部は、信号線に接続されており、
第（ｓ，ｕ）番目の駆動線（但し、ｓ＝１，２・・・，Ｓ0、ｕ＝１，２・・・，Ｕ0）は、第１の方向に沿って配設された第ｓ番目のＳ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｔ−１）Ｕ0＋ｕ｝番目の温度検出素子（但し、ｔ＝１，２，３・・・）の第１端子部に接続されている撮像装置。
【請求項２４】
温度検出素子は、ｐｎ接合ダイオード、ボロメータ素子、サーモパイル素子、金属膜抵抗素子、金属酸化物抵抗素子、セラミック抵抗素子、サーミスタ素子から成る請求項１乃至請求項２３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項２５】
集光素子を更に備えている請求項１乃至請求項２４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項２６】
遮光部を更に備えている請求項１乃至請求項２５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、撮像装置、より具体的には、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子を備えた撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子として、
（ａ）減圧封止された空洞部を有し、赤外線を透過する第１基板、
（ｂ）第１基板において外部から赤外線が入射する側とは反対側に設けられ、空洞部を通過した赤外線を受光することにより出力変化を生じる検知部、
第１基板との間に検知部を囲む減圧空間を形成する凹部、及び、
検知部に受光されずに第１基板を通過した赤外線を検知部に向けて反射集光可能に構成された反射面、
を有し、第１基板に積層される第２基板、並びに、
（ｃ）第２基板において検知部に対して反射面を挟んだ位置に設けられ、検知部の出力を増幅又は積分する演算回路、
を備えた赤外線センサが、特開２０１１−１３７７４４号公報から周知である。
【０００３】
また、特開２００５−２３６７１７号公報には、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子から出力された信号を積分する差動積分回路を備えた赤外線固体撮像装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１３７７４４号公報
【特許文献２】特開２００５−２３６７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特開２０１１−１３７７４４号公報に開示された技術にあっては、第２基板に凹部（空所）を形成するために、図４Ｄ〜図４Ｅに示されているような複雑な工程を必要とし、凹部（空所）を高い精度で設けることが困難である。また、特開２００５−２３６７１７号公報にあっては、温度検出素子から出力される信号を差動積分回路によって積分するのに必要とされる時間が十分ではないといった問題がある。即ち、半導体基板や半導体層、温度検出素子におけるジョンソンノイズや電流ショットノイズの内、差動積分回路によって抑圧されずに出力されるノイズの強度は積分時間に反比例するため、積分時間を長くすることが望ましい。特開２００５−２３６７１７号公報に開示された技術における最大積分時間は、１フレーム読み出し時間を温度検出素子の読み出し行数で除した時間である。積分時間を長くするためには、１フレーム読み出し時間を長くするか、読み出し行数を減らすしかないため、動画フレームレートの減少又は解像度低下の犠牲を伴っていた。更には、撮像装置において、温度検出素子毎に波長分光特性や赤外線の感度を変えることに対する要求、温度検出素子の駆動における消費電力の低減に対する要求がある。しかしながら、これらの特許公開公報には、これらの要求への対処は何ら言及されていない。
【０００６】
従って、本開示の第１の目的は、温度検出素子において空所を高い精度で設けることを可能とする構成、構造を有する撮像装置を提供することにある。本開示の第２の目的は、温度検出素子毎に波長分光特性や赤外線の感度を変え得る構成、構造を有する撮像装置を提供することにある。本開示の第３の目的は、温度検出素子から出力される信号を積分するのに必要とされる時間を十分に確保し得る構成、構造を有する撮像装置を提供することにある。本開示の第４の目的は、温度検出素子の駆動における消費電力の低減を図り得る構成、構造を有する撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の第１の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る撮像装置は、
第１構造体及び第２構造体から構成されており、
第１構造体は、
第１基板、
第１基板に設けられ、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、並びに、
温度検出素子に接続された駆動線及び信号線、
を備えており、
第２構造体は、
第２基板、及び、
第２基板に設けられ、被覆層によって被覆された駆動回路、
を備えており、
第１基板は、被覆層と接合されており、
温度検出素子と被覆層との間には、空所が設けられており、
駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている。
【０００８】
上記の第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る撮像装置は、
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子が並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は異なっている。
【０００９】
上記の第２の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る撮像装置は、
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子が並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている。
【００１０】
上記の第３の目的を達成するための本開示の第４の態様に係る撮像装置は、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、Ｍ0×Ｎ0個（但し、Ｍ0≧２，Ｎ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
第１の方向に沿って配設された複数の駆動線、
第２の方向に沿って配設されたＮ0×Ｐ0本（但し、Ｐ0≧２）の信号線、
複数の駆動線が接続された第１駆動回路、及び、
Ｎ0×Ｐ0本の信号線が接続された第２駆動回路、
を備えており、
各温度検出素子は、第１端子部及び第２端子部を備えており、
各温度検出素子の第１端子部は、駆動線に接続されており、
第（ｎ，ｐ）番目の信号線（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ0、ｐ＝１，２・・・，Ｐ0）は、第２の方向に沿って配設された第ｎ番目のＮ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｑ−１）Ｐ0＋ｐ｝番目の温度検出素子（但し、ｑ＝１，２，３・・・）の第２端子部に接続されている。
【００１１】
上記の第４の目的を達成するための本開示の第５の態様に係る撮像装置は、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、Ｓ0×Ｔ0個（但し、Ｓ0≧２，Ｔ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
第１の方向に沿って配設されたＳ0×Ｕ0本（但し、Ｕ0≧２）の駆動線、
第２の方向に沿って配設された複数の信号線、
Ｓ0×Ｕ0本の駆動線が接続された第１駆動回路、及び、
複数の信号線が接続された第２駆動回路、
を備えており、
各温度検出素子は、第１端子部及び第２端子部を備えており、
各温度検出素子の第２端子部は、信号線に接続されており、
第（ｓ，ｕ）番目の駆動線（但し、ｓ＝１，２・・・，Ｓ0、ｕ＝１，２・・・，Ｕ0）は、第１の方向に沿って配設された第ｓ番目のＳ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｔ−１）Ｕ0＋ｕ｝番目の温度検出素子（但し、ｔ＝１，２，３・・・）の第１端子部に接続されている。
【発明の効果】
【００１２】
本開示の第１の態様に係る撮像装置において、第１の基板は第２の基板に形成された被覆層と接合され、温度検出素子と被覆層との間に空所が設けられているので、温度検出素子において空所を高い精度で設けることが可能となる。本開示の第２の態様あるいは第３の態様に係る撮像装置において、温度検出素子ユニットは複数の温度検出素子が並置されて成り、温度検出素子ユニットにおいて各温度検出素子が検出する赤外線の波長は異なっており、あるいは又、温度検出素子ユニットにおいて各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっているので、温度検出素子毎に波長分光特性や赤外線の感度を変え得ることが可能である。本開示の第４の態様に係る撮像装置において、第（ｎ，ｐ）番目の信号線は、第２の方向に沿って配設された第ｎ番目のＮ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｑ−１）Ｐ0＋ｐ｝番目の温度検出素子の第２端子部に接続されているので、温度検出素子から出力される信号を積分するのに必要とされる時間を十分に確保することができ、撮像装置の高感度化、低ノイズ化を図ることができる。本開示の第５の態様に係る撮像装置において、第（ｓ，ｕ）番目の駆動線は、第１の方向に沿って配設された第ｓ番目のＳ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｔ−１）Ｕ0＋ｕ｝番目の温度検出素子の第１端子部に接続されているので、温度検出素子の駆動における消費電力の低減を図ることができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、実施例１の撮像装置の模式的な一部端面図、及び、模式的な部分的平面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、実施例１の撮像装置の変形例の模式的な一部端面図である。
【図３】図３は、実施例１の撮像装置における第１構造体及び第２構造体の模式的な分解斜視図である。
【図４】図４は、実施例１の撮像装置の等価回路図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、実施例２の撮像装置及びその変形例の模式的な一部端面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、実施例２の撮像装置の別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図７】図７は、実施例２の撮像装置の更に別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、実施例３の撮像装置及びその変形例の模式的な一部端面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、実施例４の撮像装置及びその変形例の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０は、実施例４の撮像装置における温度検出素子と温度制御層との配置状態を模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、実施例４の撮像装置の別の変形例における温度検出素子と温度制御層との配置状態を模式的に示す図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、実施例５の撮像装置及びその変形例の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、それぞれ、実施例５の撮像装置における温度検出素子の配置状態を模式的に示す図である。
【図１４】図１４は、物体からの放射スペクトルと赤外線波長の関係を模式的に示すグラフである。
【図１５】図１５は、実施例６の撮像装置の等価回路図である。
【図１６】図１６は、実施例６の撮像装置の変形例の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１７は、図１６に示した実施例６の撮像装置の変形例の構成要素の配置状態を模式的に示す図である。
【図１８】図１８は、実施例６の撮像装置の別の変形例の等価回路図である。
【図１９】図１９は、図１８に示した実施例６の撮像装置の別の変形例の構成要素の配置状態を模式的に示す図である。
【図２０】図２０は、実施例７の撮像装置の等価回路図である。
【図２１】図２１は、実施例８の撮像装置の一部端面図としての概念図である。
【図２２】図２２は、実施例１０の撮像装置の等価回路図である。
【図２３】図２３は、本開示の撮像装置を備えた赤外線カメラの概念図である。
【図２４】図２４は、実施例５の撮像装置の変形例の等価回路図である。
【図２５】図２５Ａ、図２５Ｂ、図２５Ｃ及び図２５Ｄは、実施例１の撮像装置の製造方法を説明するためのＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である。
【図２６】図２６Ａ、図２６Ｂ及び図２６Ｃは、図２５Ｄに引き続き、実施例１の撮像装置の製造方法を説明するためのＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である。
【図２７】図２７Ａ及び図２７Ｂは、図２６Ｃに引き続き、実施例１の撮像装置の製造方法を説明するためのＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である。
【図２８】図２８Ａ及び図２８Ｂは、図２７Ｂに引き続き、実施例１の撮像装置の製造方法を説明するためのＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である。
【図２９】図２９Ａ、図２９Ｂ及び図２９Ｃは、実施例２の撮像装置の製造方法を説明するためのＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である。
【図３０】図３０Ａ、図３０Ｂ、図３０Ｃ及び図３０Ｄは、図２９Ｃに引き続き、実施例１の撮像装置の製造方法を説明するためのＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である。
【図３１】図３１は、実施例２の撮像装置の更に別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図３２】図３２Ａ及び図３２Ｂは、実施例２の撮像装置の更に別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図３３】図３３Ａ及び図３３Ｂは、実施例２の撮像装置の更に別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図３４】図３４は、実施例１及び実施例２の撮像装置を構成する温度検出素子を上下に組み合わせた撮像装置の模式的な一部端面図である。
【図３５】図３５Ａ及び図３５Ｂは、それぞれ、実施例１の変形例及び実施例２の更に別の変形例の撮像装置の模式的な一部端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜本開示の第５の態様に係る本開示の撮像装置、本開示における好ましい態様の撮像装置、本開示における好ましい態様の撮像装置におけるノイズ低減方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る撮像装置、具体的には、フェース・ツー・バック構造の撮像装置、及び、その変形例）
３．実施例２（実施例１の変形、具体的には、フェース・ツー・フェース構造の撮像装置）
４．実施例３（実施例１〜実施例２の変形）
５．実施例４（実施例１〜実施例３の変形）
６．実施例５（本開示の第２の態様〜第３の態様に係る撮像装置）
７．実施例６（本開示の第４の態様に係る撮像装置）
８．実施例７（本開示の第５の態様に係る撮像装置）
９．実施例８（本開示の第６の態様に係る撮像装置）
１０．実施例９（本開示の第７の態様に係る撮像装置）
１１．実施例１０（撮像装置におけるノイズ低減方法）
１２．実施例１１（本開示の撮像装置の応用例）
１３．その他
【００１５】
〈本開示の第１の態様〜本開示の第５の態様に係る本開示の撮像装置、本開示における好ましい態様の撮像装置、本開示における好ましい態様の撮像装置におけるノイズ低減方法、全般に関する説明〉
撮像装置全体の構成の簡素化、後述する駆動回路チップにおいて発生する熱の影響を受け難くするために、また、積層コストの低減を図るといった観点から、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を有する温度検出素子用基板を備えており、
温度検出素子用基板は、複数の温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
赤外線が入射する側の周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路チップに設けられた駆動回路と電気的に接続される撮像装置といった態様を採用することができる。尚、このような態様の撮像装置を、便宜上、『本開示の第６の態様に係る撮像装置』と呼ぶ。
【００１６】
あるいは又、撮像装置全体の構成の簡素化、赤外線通過用窓との兼用化、撮像装置全体の厚さを薄くするといった観点から、
第１構造体及び第２構造体から構成されており、
第１構造体は、
第１基板、
第１基板に設けられ、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を備えており、
第２構造体は、
第２基板、及び、
第２基板に設けられた駆動回路、
を備えており、
第１構造体は、複数の温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
第２構造体は、赤外線が入射する第１基板の側に取り付けられており、
周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている撮像装置といった態様を採用することができる。尚、このような態様の撮像装置を、便宜上、『本開示の第７の態様に係る撮像装置』と呼ぶ。
【００１７】
本開示の第１の態様に係る撮像装置において、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された複数の温度検出素子、
を備えており、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を更に備えており、
第１構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を有しており、
周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている形態とすることができる。あるいは又、本開示の第１の態様に係る撮像装置は、１次元に配列されたＱ個（但し、Ｑ≧１）の温度検出素子を備えている形態とすることもできる。
【００１８】
上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る撮像装置において、温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第１基板の部分には、隔壁が形成されており；隔壁の底部は、被覆層と接合されている構成とすることができる。尚、このような構成の撮像装置を、便宜上、『フェース・ツー・バック構造の撮像装置』と呼ぶ。第２基板と対向する第１基板の面を『第１基板の第１面』と呼び、第１基板の第１面と対向する第１基板の面を『第１基板の第２面』と呼ぶ場合、温度検出素子は、第１基板の第２面側に設けられている。
【００１９】
そして、フェース・ツー・バック構造の撮像装置において、空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されており；隔壁の側壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている構成とすることができる。隔壁の側壁によって囲まれた隔壁内部は第１基板の一部から構成されている。場合によっては、隔壁内部は、隔壁の側壁を構成する材料と同じ材料から構成されていてもよいし、第１基板や隔壁の側壁を構成する材料とは異なる材料から構成されていてもよい。
【００２０】
あるいは又、フェース・ツー・バック構造の撮像装置において、空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている構成とすることができる。そして、このような構成を含むフェース・ツー・バック構造の撮像装置において、隔壁の側壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている構成とすることができる。
【００２１】
空所に露出した被覆層の露出面を構成する絶縁材料層として、酸化物から成る絶縁材料層（具体的には、例えば、ＳｉＯX（１≦Ｘ≦２）、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣ）、窒化物から成る絶縁材料層（具体的には、例えば、ＳｉＮ）、酸窒化物から成る絶縁材料層（具体的には、例えば、ＳｉＯＮ）、接着材料層を挙げることができるし、空所に露出した被覆層の露出面を構成する金属材料層として、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができるし、空所に露出した被覆層の露出面を構成する合金材料層として、これらの金属を含む合金層や半田層を挙げることができるし、空所に露出した被覆層の露出面を構成する炭素材料層として、カーボンフィルムやカーボンナノチューブを挙げることができる。
【００２２】
また、隔壁の側壁を構成する絶縁材料層、金属材料層、合金材料層、炭素材料層として、上述した各種材料を挙げることができる。
【００２３】
（空所に露出した被覆層の露出面を構成する絶縁材料層の材料，隔壁の側壁を構成する絶縁材料層の材料）の組み合わせとして、（絶縁材料層，絶縁材料層）、（絶縁材料層，金属材料層）、（絶縁材料層，合金材料層）、（絶縁材料層，炭素材料層）、（金属材料層，絶縁材料層）、（金属材料層，金属材料層）、（金属材料層，合金材料層）、（金属材料層，炭素材料層）、（合金材料層，絶縁材料層）、（合金材料層，金属材料層）、（合金材料層，合金材料層）、（合金材料層，炭素材料層）、（炭素材料層，絶縁材料層）、（炭素材料層，金属材料層）、（炭素材料層，合金材料層）、（炭素材料層，炭素材料層）の１６通りの組み合わせを挙げることができる。
【００２４】
空所に露出した被覆層の露出面を構成する絶縁材料層と、隔壁の側壁を構成する絶縁材料層とは、同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。空所に露出した被覆層の露出面を構成する金属材料層と、隔壁の側壁を構成する金属材料層とは、同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。空所に露出した被覆層の露出面を構成する合金材料層と、隔壁の側壁を構成する合金材料層とは、同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。空所に露出した被覆層の露出面を構成する炭素材料層と、隔壁の側壁を構成する炭素材料層とは、同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。後述するフェース・ツー・フェース構造の撮像装置においても同様である。但し、「隔壁の側壁」を『隔壁』と読み替えるものとする。
【００２５】
以上に説明した各種の好ましい構成を含むフェース・ツー・バック構造の撮像装置において、赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており；空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている構成とすることができる。赤外線反射層は、空所の底部に位置する被覆層の部分に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分の一部に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分からはみ出るように形成されていてもよい。そして、この場合、赤外線吸収層は、温度検出素子の上方に形成されている構成とすることができる。具体的には、赤外線吸収層は、温度検出素子の上に形成された絶縁膜の上に形成されていてもよいし、赤外線吸収層と温度検出素子との間に隙間（空間）が存在する状態で赤外線吸収層を形成してもよい。更には、これらの場合、赤外線反射層は、被覆層の頂面（被覆層の頂面上、あるいは、被覆層の頂面の一部を含む）、又は、被覆層の内部に形成されている構成とすることができる。更には、これらの場合、赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離（材料の厚さ及び屈折率を考慮した距離）Ｌ0は、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する構成とすることができる。λIRとして、８μｍ乃至１４μｍを例示することができる。
【００２６】
あるいは又、以上に説明した各種の好ましい構成を含むフェース・ツー・バック構造の撮像装置において、赤外線が入射する温度検出素子の側には、第１赤外線吸収層が形成されており；空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており；空所と対向する温度検出素子の側には、第２赤外線吸収層が形成されている構成とすることができる。赤外線反射層は、空所の底部に位置する被覆層の部分に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分の一部に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分からはみ出るように形成されていてもよい。そして、この場合、第１赤外線吸収層は、温度検出素子の上方に形成されている構成とすることができる。具体的には、第１赤外線吸収層は、温度検出素子の上に形成された絶縁膜の上に形成されていてもよいし、第１赤外線吸収層と温度検出素子との間に隙間（空間）が存在する状態で第１赤外線吸収層を形成してもよい。第２赤外線吸収層は、例えば、空所と対向する温度検出素子の面上に形成すればよいし、温度検出素子の上に形成された絶縁膜の上に形成されていてもよいし、第２赤外線吸収層と温度検出素子との間に隙間（空間）が存在する状態で第２赤外線吸収層を形成してもよい。更には、これらの場合、赤外線反射層は、被覆層の頂面（被覆層の頂面上、あるいは、被覆層の頂面の一部を含む）、又は、被覆層の内部に形成されている構成とすることができる。各赤外線吸収層は、赤外線を吸収するだけでなく、一部を透過し、一部を反射するため、透過や反射を低減する構造とすることで、より感度を向上させることができる。即ち、このような構成により、第１赤外線吸収層を透過した一部の赤外線が第２赤外線吸収層で更に吸収されるため、透過を低減させることができる。また、第１赤外線吸収層で反射した赤外線と第２赤外線吸収層で反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。また、第２赤外線吸収層を反射した赤外線と赤外線反射層を反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。更には、これらの場合、第１赤外線吸収層及び第２赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第１赤外線吸収層と第２赤外線吸収層との光学的距離Ｌ1とし、第２赤外線吸収層と赤外線反射層との光学的距離をＬ2としたとき、
０．７５×λIR／４≦Ｌ1≦１．２５×λIR／４
０．７５×λIR／４≦Ｌ2≦１．２５×λIR／４
を満足する構成とすることができる。λIRとして、８μｍ乃至１４μｍを例示することができる。
【００２７】
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る撮像装置において、温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第１基板の部分と被覆層との間には、第１基板と独立して隔壁が形成されており；隔壁の底部は、被覆層と接合されている構成とすることができる。尚、このような構成の撮像装置を、便宜上、『フェース・ツー・フェース構造の撮像装置』と呼ぶ。隔壁は第１基板と異なる材料から構成されている。温度検出素子は、第１基板の第１面側に設けられている。
【００２８】
そして、フェース・ツー・フェース構造の撮像装置において、空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されており；隔壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている構成とすることができる。
【００２９】
あるいは又、フェース・ツー・フェース構造の撮像装置において、空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている構成とすることができる。そして、このような構成を含むフェース・ツー・フェース構造の撮像装置において、隔壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている構成とすることができる。
【００３０】
尚、空所に露出した被覆層の露出面を構成する絶縁材料層、金属材料層、合金材料層、炭素材料層、あるいは又、隔壁を構成する絶縁材料層、金属材料層、合金材料層、炭素材料層の具体例や組み合わせは、上述したフェース・ツー・バック構造の撮像装置における被覆層の露出面を構成する材料、隔壁の側壁を構成する材料に関して説明したと同様とすることができる。
【００３１】
以上に説明した各種の好ましい構成を含むフェース・ツー・フェース構造の撮像装置において、赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており；空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている構成とすることができる。赤外線反射層は、空所の底部に位置する被覆層の部分に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分の一部に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分からはみ出るように形成されていてもよい。また、赤外線吸収層は、第１基板の第１面側に設けられていてもよいし、第１基板の第２面側に設けられていてもよいし、あるいは又、次に述べる保護基板に設けられていてもよい。そして、この場合、赤外線反射層は、被覆層の頂面（被覆層の頂面上、あるいは、被覆層の頂面の一部を含む）、又は、被覆層の内部に形成されている構成とすることができる。更には、これらの場合、赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離Ｌ0は、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する構成とすることができる。場合によっては、赤外線が入射する温度検出素子の側とは反対側に赤外線吸収層を形成してもよい。
【００３２】
あるいは又、以上に説明した各種の好ましい構成を含むフェース・ツー・フェース構造の撮像装置において、赤外線が入射する温度検出素子の側には、第１赤外線吸収層が形成されており；空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており；空所と対向する温度検出素子の側には、第２赤外線吸収層が形成されている構成とすることができる。赤外線反射層は、空所の底部に位置する被覆層の部分に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分の一部に形成されていてもよいし、空所の底部に位置する被覆層の部分からはみ出るように形成されていてもよい。そして、この場合、第１赤外線吸収層は、第１基板の第１面側に設けられていてもよいし、第１基板の第２面側に設けられていてもよいし、あるいは又、次に述べる保護基板に設けられていてもよい。第２赤外線吸収層は、例えば、空所と対向する温度検出素子の面上に形成すればよいし、温度検出素子の上に形成された絶縁膜の上に空所と対向して形成されていてもよいし、第２赤外線吸収層と温度検出素子との間に隙間（空間）が存在する状態で第２赤外線吸収層を形成してもよい。更には、これらの場合、赤外線反射層は、被覆層の頂面（被覆層の頂面上、あるいは、被覆層の頂面の一部を含む）、又は、被覆層の内部に形成されている構成とすることができる。各赤外線吸収層は、赤外線を吸収するだけでなく、一部を透過し、一部を反射するため、透過や反射を低減する構造とすることで、より感度を向上させることができる。即ち、このような構成により、第１赤外線吸収層を透過した一部の赤外線が第２赤外線吸収層で更に吸収されるため、透過を低減させることができる。また、第１赤外線吸収層で反射した赤外線と第２赤外線吸収層で反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。また、第２赤外線吸収層を反射した赤外線と赤外線反射層を反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。更には、これらの場合、第１赤外線吸収層及び第２赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第１赤外線吸収層と第２赤外線吸収層との光学的距離Ｌ1とし、第２赤外線吸収層と赤外線反射層との光学的距離をＬ2としたとき、
０．７５×λIR／４≦Ｌ1≦１．２５×λIR／４
０．７５×λIR／４≦Ｌ2≦１．２５×λIR／４
を満足する構成とすることができる。λIRとして、８μｍ乃至１４μｍを例示することができる。
【００３３】
更には、以上に説明した各種の好ましい構成を含むフェース・ツー・フェース構造の撮像装置において、赤外線が入射する第１基板の面側（第１基板の第２面側）に保護基板が配設されている構成とすることができる。そして、この場合、保護基板は、第１基板の面上（第１基板の第２面上）に配設されていてもよいし、第１基板の面の上方（第１基板の第２面の上方）に配設されていてもよい。また、以上に説明した各種の好ましい構成を含むフェース・ツー・バック構造の撮像装置において、赤外線が入射する第１基板の面（第１基板の第２面）の上方に保護基板が配設されている構成とすることができる。保護基板を構成する材料として、シリコン半導体基板、石英基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム、ゲルマニウム基板、赤外線を透過する材料（具体的には、ＣａＦ2、ＢａＦ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＳｅ等）から成る基板を例示することができる。また、プラスチックとして、ポリエチレンを例示することができる。
【００３４】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る撮像装置にあっては、被覆層に熱伝導層が形成されている形態とすることができる。熱伝導層は、高い熱伝導性を有していてもよいし、逆に、低い熱伝導性を有していてもよい。高い熱伝導性を有する熱伝導層を構成する材料として、金属材料、カーボンフィルムやカーボンナノチューブといったカーボン系材料を挙げることができるし、低い熱伝導性を有する熱伝導層を構成する材料として、有機系材料を挙げることができる。熱伝導層は、限定するものではないが、温度検出素子アレイ領域の全面に形成することが好ましい。また、熱伝導層は、限定するものではないが、被覆層の内部であって、赤外線反射層の下方に配設することが望ましい。場合によっては、熱伝導層は赤外線反射層を兼ねていてもよい。
【００３５】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る撮像装置において、被覆層には温度制御層が形成されており、温度検知手段を更に有する構成とすることができ、これによって、温度検出素子の温度や温度分布を高い精度で制御することができる。ここで、温度制御層はヒータ（抵抗体、抵抗部材）として機能する構成とすることができ、例えば、温度制御層は配線を兼ねている構成とすることができる。具体的には、温度検知手段として、温度に依存した電気抵抗値の変化を測定することで温度を検出するシリコンダイオードやトランジスタ、ポリシリコン薄膜を例示することができるし、配線を兼ねる温度制御層を構成する材料として、タングステン膜等の金属系材料膜、ポリシリコン膜、チタン膜を例示することができるし、温度制御層を構成する材料として、ペリチェ効果を用いた積層膜、カーボン膜を例示することができる。場合によっては、温度制御層を第２基板に設けてもよい。更には、これらの場合、温度検知手段の温度検知結果に基づき、駆動回路は温度制御層を制御する（具体的には、例えば、温度制御層に流す電流を制御し、以て、温度制御層の発熱量を制御する）構成とすることができる。そして、これらの構成において、
第１構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
温度制御層は温度検出素子アレイ領域に形成されている構成とすることができるし、あるいは又、
温度制御層は、温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する被覆層の領域に形成されている構成とすることができるし、あるいは又、
駆動回路は、アナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ）を備えており、
温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する駆動基板の領域には、アナログ−デジタル変換回路が配設されていない構成とすることができる。アナログ−デジタル変換回路は発熱量が多いので、このような構成を採用することで、より一層温度の均一化を図ることができる。尚、このような温度制御層の配設は、温度検出素子ではなく周知の受光素子（可視光を受光する受光素子）が形成された構造に対して適用することもできる。また、場合によっては、温度制御層は赤外線反射層を兼ねていてもよい。
【００３６】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る撮像装置において、複数の温度検出素子を備えており、空所は、隣接する２×ｋ個の温度検出素子（但し、ｋは１以上の整数）において共有化されている形態とすることができる。
【００３７】
本開示の第２の態様に係る撮像装置において、
各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離Ｌ0は異なっており、
各温度検出素子における光学的距離Ｌ0は、温度検出素子を構成する赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する形態とすることができる。そして、このような好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る撮像装置において、
各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層を構成する材料、構成、構造、又は、赤外線反射層を構成する材料、構成、構造、又は、赤外線吸収層を構成する材料、構成、構造及び赤外線反射層を構成する材料、構成、構造は、異なっている形態とすることができる。即ち、
（ケースＡ）各温度検出素子における赤外線吸収層を構成する材料、構成、構造が異なっており、赤外線反射層を構成する材料、構成、構造は同じである形態
（ケースＢ）各温度検出素子における赤外線反射層を構成する材料、構成、構造が異なっており、赤外線吸収層を構成する材料、構成、構造は同じである形態
（ケースＣ）各温度検出素子における赤外線吸収層を構成する材料、構成、構造が異なっており、赤外線反射層を構成する材料、構成、構造が異なっている形態
とすることができる。
【００３８】
本開示の第３の態様に係る撮像装置において、
各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層を構成する材料、又は、赤外線反射層を構成する材料、又は、赤外線吸収層を構成する材料及び赤外線反射層を構成する材料は、異なっている形態とすることができる。そして、このような好ましい形態を含む本開示の第３の態様に係る撮像装置において、
各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有し、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層、又は、赤外線反射層、又は、赤外線吸収層及び赤外線反射層の面積、又は、厚さ、又は、面積及び厚さは異なっている形態とすることができる。即ち、
（ケースａ）各温度検出素子における赤外線吸収層の面積が異なっており、赤外線反射層の面積は同じである形態
（ケースｂ）各温度検出素子における赤外線反射層の面積が異なっており、赤外線吸収層の面積は同じである形態
（ケースｃ）各温度検出素子における赤外線吸収層の面積が異なっており、赤外線反射層の面積が異なっている形態
（ケースｄ）各温度検出素子における赤外線吸収層の厚さが異なっており、赤外線反射層の厚さは同じである形態
（ケースｅ）各温度検出素子における赤外線反射層の厚さが異なっており、赤外線吸収層の厚さは同じである形態
（ケースｆ）各温度検出素子における赤外線吸収層の厚さが異なっており、赤外線反射層の厚さが異なっている形態
（ケースｇ）各温度検出素子における赤外線吸収層の面積及び厚さが異なっており、赤外線反射層の面積及び厚さは同じである形態
（ケースｈ）各温度検出素子における赤外線反射層の面積及び厚さが異なっており、赤外線吸収層の面積及び厚さは同じである形態
（ケースｉ）各温度検出素子における赤外線吸収層の面積及び厚さが異なっており、赤外線反射層の面積及び厚さが異なっている形態
とすることができる。
【００３９】
本開示の第２の態様〜第３の態様に係る撮像装置において、温度検出素子ユニットを構成する温度検出素子の数は、２以上であればよい。
【００４０】
本開示の第４の態様に係る撮像装置において、
複数の駆動線の本数は、Ｍ0／Ｐ0であり、
第ｍ番目の駆動線（但し、ｍ＝１、２・・・，Ｍ0／Ｐ0）は、第１の方向に沿って配設された第｛（ｍ−１）Ｐ0＋ｐ’｝番目のＭ0個の温度検出素子（但し、ｐ’＝１，２・・・Ｐ0の全ての値）から構成された温度検出素子群に共通である形態とすることができる。
【００４１】
そして、上記の好ましい形態を含む本開示の第４の態様に係る撮像装置にあっては、第２駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されており、アナログ・フロント・エンドは、増幅器（プリアンプ）として機能する差動積分回路を有する構成とすることができる。あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の第４の態様に係る撮像装置にあっては、第２駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されている構成とすることができ、この場合、アナログ・フロント・エンドは差動積分回路を有する構成とすることができる。差動積分回路を含むアナログ・フロント・エンド、アナログ−デジタル変換回路は、周知の回路構成とすることができる。
【００４２】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第４の態様に係る撮像装置において、
温度検出素子は、温度検出素子用基板に設けられた空所の上方に配設されており、
温度検出素子用基板に設けられた第１接続部と、温度検出素子の第１端子部とは、第１スタッド部（支持脚あるいは細長い梁であり、以下においても同様）を介して接続されており、
温度検出素子用基板に設けられた第２接続部と、温度検出素子の第２端子部とは、第２スタッド部を介して接続されている形態とすることができる。そして、この場合、
Ｐ0＝２であり、
第２の方向に隣接する２つの温度検出素子のそれぞれの第２端子部は、１つの第２スタッド部を介して温度検出素子用基板に設けられた第２接続部に接続されており、
第１の方向に隣接する２つの温度検出素子と、第２の方向に隣接する２つの温度検出素子の、合計４つの温度検出素子のそれぞれの第１端子部は、１つの第１スタッド部を介して温度検出素子用基板に設けられた第１接続部に接続されている形態とすることができる。
【００４３】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第７の態様に係る撮像装置にあっては、駆動回路あるいは第２駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されている形態とすることができる。そして、この場合、アナログ・フロント・エンドは差動積分回路を有し、差動積分回路と信号線との間に、差動積分回路と信号線との導通状態を制御するスイッチ手段が設けられている形態とすることができ、更には、この場合、スイッチ手段は、差動積分回路と信号線との間を不導通状態とするとき、信号線を固定電位とする形態とすることができる。差動積分回路を含むアナログ・フロント・エンド、アナログ−デジタル変換回路、スイッチ手段は、周知の回路構成とすることができる。
【００４４】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第７の態様に係る撮像装置において、温度検出素子は、ＳＯＩダイオードを含むｐｎ接合ダイオードやショットキダイオードといった各種ダイオード、あるいは、トランジスタ、ダイオードと能動素子の組合せ；酸化バナジウム膜やアモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜、炭化ケイ素膜、チタン膜等を備えた抵抗ボロメータ素子；白金や金、ニッケル等の金属、サーミスタ等を用いた熱電変換素子；ゼーベック効果を用いたサーモパイル素子；誘電体の表面電荷が変化する焦電素子；強誘電体素子；トンネル効果を用いたダイオード；超電導を応用した素子から成る形態とすることができ、これらは、周知の構成、構造を有する。より具体的には、温度検出素子は、ｐｎ接合ダイオード、ボロメータ素子、サーモパイル素子、金属膜抵抗素子、金属酸化物抵抗素子、セラミック抵抗素子、サーミスタ素子から成る形態とすることができる。１つの温度検出素子は、例えば、直列に接続された複数のダイオードから構成することもできる。温度検出素子は、例えば、所謂ＭＥＭＳ技術に基づき形成することができる。
【００４５】
本開示の第２の態様〜第５の態様に係る撮像装置において、温度検出素子は、第１基板あるいは温度検出素子用基板の赤外線入射側に設けられていてもよいし、第１基板あるいは温度検出素子用基板の赤外線入射側とは反対側に設けられていてもよい。
【００４６】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第７の態様に係る撮像装置（以下、『本開示における撮像装置等』と呼ぶ場合がある）において、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に（具体的には、例えば、２次元マトリクス状に）配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子あるいは温度検出素子ユニットの数として、６４０×４８０（ＶＧＡ）、３２０×２４０（ＱＶＧＡ）、１６０×１２０（ＱＱＶＧＡ）、６１２×５１２、１９８０×１０８０（及びその整数倍）、２０４８×１０８０（及びその整数倍）を例示することができる。第１の方向と第２の方向とは、直交していることが好ましいが、これに限定するものではなく、上記画素数の画素配列において、画素を市松状に除去して、斜め４５度回転した配列としてもよい。
【００４７】
本開示における撮像装置等において、第１基板や温度検出素子用基板は、例えば、シリコン半導体基板やＳＯＩ基板から構成することができるし、第２基板は、例えば、シリコン半導体基板から構成することができる。駆動線、信号線は周知の導電材料から、周知の方法に基づき、形成すればよい。第２構造体に備えられた駆動回路も周知の駆動回路から構成することができる。あるいは又、駆動回路を、周知の読出し用集積回路（ＲＯＩＣ）から構成することもできる。
【００４８】
第２構造体における駆動回路を被覆する被覆層は、例えば、酸化シリコン系材料、窒化シリコン系材料、酸窒化シリコン系材料、各種有機材料から構成することができる。被覆層は、単層構成であってもよいし、複数層の積層構造を有していてもよい。
【００４９】
駆動線及び信号線と駆動回路とを電気的に接続する方法として、半田やインジウム、金（Ａｕ）等を含むバンプを用いる方法、チップ・オン・チップ方式に基づく方法、スルーチップビヤ（ＴＣＶ）やスルーシリコンビヤ（ＴＳＶ）を用いる方法、Ｃｕ−Ｃｕを含む金属―金属接合を例示することができる。
【００５０】
第１基板と被覆層との接合、具体的には、隔壁の底部と被覆層との接合は、例えば、脱水縮合によるシリコン−酸素共有結合の形成といった方法に基づき行うことができる。
【００５１】
赤外線吸収層を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）及びその合金、アルミニウム（Ａｌ）及びその合金、これらの材料から成る層と例えばＳｉＯ2膜やＳｉＮ膜との積層構造を例示することができる。赤外線吸収層において赤外線が吸収される結果発生した熱は、温度検出素子に確実に伝熱されることが望ましい。また、赤外線吸収層は、赤外線吸収層を構成する導電体材料や抵抗体材料のシート抵抗値が３７７Ω□±３０％の範囲になるよう厚さに設定することが望ましい。赤外線反射層を構成する材料として、赤外線吸収層とは特性（例えば、面積抵抗率、シート抵抗値）が異なるアルミニウム（Ａｌ）及びその合金、金（Ａｕ）及びその合金、銀（Ａｇ）及びその合金、銅（Ｃｕ）及びその合金、白金（Ｐｔ）及びその合金、これらの材料から成る層の積層構造を例示することができる。赤外線反射層は、被覆層の露出面を構成する金属材料層や合金材料層を兼ねていてもよい。
【００５２】
温度検出素子が配置される空間は、減圧され、また、真空（真空に近い低圧を含み、以下においても同様）とされていることが好ましい。空所も、減圧され、また、真空とされていることが好ましい。あるいは又、撮像装置、全体は、減圧され、また、真空にされたパッケージあるいは容器（ケース）内に格納されていることが好ましい。
【００５３】
赤外線入射側の撮像装置には、必要に応じて、赤外線の反射を防止する構造や、特定周波数の赤外線のみを通すための赤外線フィルタ、回折格子やレンズ等の集光素子を配設してもよい。
【００５４】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る撮像装置〜本開示の第７の態様に係る撮像装置とを、任意に組み合わせることができる。組み合わせは、２種類の態様の撮像装置だけでなく、３種類以上の態様の撮像装置とすることもできる。
【００５５】
本開示における撮像装置等は、例えば、赤外線カメラ、暗視カメラ、サーモグラフ、車載カメラ（人検知）、エアコンディショナー（人検知センサ）、電子レンジに対して適用することができる。
【実施例１】
【００５６】
実施例１は、本開示の第１の態様に係る撮像装置に関する。実施例１の撮像装置の模式的な一部端面図を図１Ａに示し、模式的な部分的平面図を図１Ｂに示す。また、実施例１の撮像装置における第１構造体及び第２構造体の模式的な分解斜視図を図３に示し、実施例１の撮像装置の等価回路図を図４に示す。実施例１の撮像装置は、具体的には、フェース・ツー・バック構造の撮像装置である。ここで、図１Ａは、図１Ｂの矢印Ａ−Ａに沿った模式的な一部端面図である。また、図１Ｂにおいて、絶縁膜や赤外線吸収層の図示を省略し、明確化のために空所、信号線、配線に斜線を付し、駆動線を点線で示し、ｐｎ接合ダイオードを記号で示している。
【００５７】
実施例１の撮像装置１０は、
第１構造体２０及び第２構造体４０から構成されており、
第１構造体２０は、
第１基板２１、
第１基板２１に設けられ、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子１５、並びに、
駆動線７２及び信号線７１、
を備えており、
第２構造体４０は、
第２基板４１、及び、
第２基板４１に設けられ、被覆層（層間絶縁層）４３によって被覆された駆動回路、
を備えており、
第１基板２１は、被覆層４３と接合されており、
温度検出素子１５と被覆層４３との間には、空所５０が設けられている。そして、駆動線７２及び信号線７１は、駆動回路と電気的に接続されている。
【００５８】
尚、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例１１にあっては、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された複数の温度検出素子１５、
を備えており、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子１５が接続された複数の駆動線７２、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子１５が接続された複数の信号線７１、
を更に備えている。図面において、駆動回路が形成された層を、模式的に参照番号４２で示す。ここで、第１構造体２０は、図３に示すように、温度検出素子１５を備えた温度検出素子アレイ領域１１（点線で囲んで示す）、及び、温度検出素子アレイ領域１１を取り囲む周辺領域１２を有しており、周辺領域１２において、駆動線７２及び信号線７１は、駆動回路と電気的に接続されている。尚、第２構造体４０における中央領域を参照番号１３で示し、第２構造体４０における周辺領域を参照番号１４で示す。
【００５９】
駆動線７２及び信号線７１は、周辺領域１２，１４において、駆動回路と、例えば、スルーシリコンビヤ（ＴＳＶ）によって電気的に接続されているが、スルーシリコンビヤ（ＴＳＶ）の図示は省略した。第２構造体４０における周辺領域１４には、例えば、駆動回路を構成する差動積分回路を含むアナログ・フロント・エンド（ＡＦＥ）８３、サンプルホールド回路８４及びアナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ）８５が設けられた領域、並びに、定電流回路８２及び垂直走査回路８１が配置されている。差動積分回路は増幅器（プリアンプ）としての機能を有する。また、第２構造体４０における中央領域１３には、例えば、駆動回路を構成する水平走査回路８６、ＣＰＵ（あるいはＤＳＰ）、信号処理回路、記憶装置（例えば、メモリや不揮発性メモリ）等が配置されている。尚、ＣＰＵ（あるいはＤＳＰ）、信号処理回路、記憶装置の図示は省略した。第２構造体４０に備えられた駆動回路は、周知の駆動回路から構成することができる。
【００６０】
実施例１の撮像装置１０において、温度検出素子１５と温度検出素子１５との間に位置する第１基板２１の部分には、隔壁２３が形成されており、隔壁２３の底部は、被覆層４３と接合されている。ここで、隔壁２３の底部と被覆層４３とは、脱水縮合によるシリコン−酸素共有結合の形成といった方法に基づき接合されている。隔壁２３の側壁２４は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている。具体的には、実施例１において、隔壁２３の側壁２４はＳｉＯ2層といった絶縁材料層から構成されている。また、隔壁２３の側壁２４によって囲まれた隔壁２３の内部は、第１基板２１の一部、具体的には、シリコン層２２から構成されている。空所５０に露出した被覆層４３の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている。具体的には、実施例１において、空所５０に露出した被覆層４３の露出面はＳｉＯ2層といった絶縁材料層から構成されており、ＳｉＯ2層の下方には、被覆層４３を構成するＳｉＮ等から成る層間絶縁層（具体的には図示せず）が形成されている。尚、隔壁２３の側壁２４を、赤外線を反射する材料から構成すれば、入射した赤外線を効果的に反射することができる。
【００６１】
実施例１において、温度検出素子１５は、複数（図示した例では４つ）のｐｎ接合ダイオード３０が配線３１を介して直列接続されて成るが、これに限定されるものではなく、周知の構成、構造を有する抵抗ボロメータ素子や、熱電変換素子、サーモパイル素子、焦電素子、強誘電体素子から構成することもできる。ｐｎ接合ダイオードは、周知の構成、構造を有する。温度検出素子１５は、後述するように、所謂ＭＥＭＳ技術に基づき形成される。温度検出素子１５は、第１基板２１の赤外線入射側（第１基板２１の第２面２１Ｂ）に設けられている。
【００６２】
温度検出素子１５（具体的には、ｐｎ接合ダイオード３０）は、ＳｉＯ2から成る絶縁材料層から構成されたダイヤフラム部（架空部、架空薄層部）２５Ａ上に形成されている。また、隔壁２３の頂面にはＳｉＯ2から成る絶縁材料層２５Ｂが形成されている。ダイヤフラム部２５Ａと絶縁材料層２５Ｂとは、ダイヤフラム部２５Ａ及び絶縁材料層２５Ｂの延在部に相当する第１スタッド部２５Ｃ（支持脚あるいは細長い梁。以下においても同様）、第２スタッド部２５Ｄを介して、一体に形成されている。ダイヤフラム部２５Ａ、第１スタッド部２５Ｃ及び第２スタッド部２５Ｄの下には空所５０が位置する。
【００６３】
温度検出素子１５の一端（複数のｐｎ接合ダイオード３０における一端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）は、ダイヤフラム部２５Ａ及び第２スタッド部２５Ｄ上に形成された配線３１を介して、隔壁２３の上に形成された絶縁材料層２５Ｂの上に設けられた信号線７１に接続されている。また、温度検出素子１５の他端（複数のｐｎ接合ダイオード３０における他端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）は、ダイヤフラム部２５Ａ及び第１スタッド部２５Ｃ上に形成された配線３１、更には、コンタクトホール７３を介して、隔壁２３の上方に形成された駆動線７２に接続されている。ダイヤフラム部２５Ａ、第１スタッド部２５Ｃ、第２スタッド部２５Ｄ、ｐｎ接合ダイオード３０、配線３１、信号線７１、駆動線７２は、ＳｉＯ2から成る絶縁膜２６で被覆されている。
【００６４】
温度検出素子１５（具体的には、ｐｎ接合ダイオード３０）は、シリコン層にｎ型不純物及びｐ型不純物を、例えば、イオン注入することによって形成することができる。複数の温度検出素子１５の数は、例えば、６４０×４８０（ＶＧＡ）である。第１の方向と第２の方向とは直交している。第１基板２１は、全て、又は、一部がＳＯＩ基板から構成されており、第２構造体４０はシリコン半導体基板から成る第２基板４１から構成されている。配線３１、信号線７１、駆動線７２及びコンタクトホール７３は、例えば、アルミニウム合金から形成されている。
【００６５】
赤外線が入射する温度検出素子１５の側（第１基板２１の第２面２１Ｂ）には、アルミニウム薄膜から成る赤外線吸収層６１が形成されており、空所５０の底部に位置する被覆層４３の領域には、銅薄膜から成る赤外線反射層６２が形成されている。図示した例では、赤外線反射層６２は、空所５０の底部に位置する被覆層４３の部分の一部に形成されている。また、赤外線吸収層６１は、温度検出素子１５の上方に形成されている。具体的には、絶縁膜２６の上には、絶縁膜２６と一部が接し、一部が絶縁膜２６から隙間を開けた状態（空間が設けられた状態）の赤外線吸収層６１が形成されている。赤外線反射層６２は、被覆層４３の頂面に形成されている。そして、赤外線吸収層６１が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層６１と赤外線反射層６２との間の光学的距離Ｌ0は、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する。実施例１において、具体的には、
Ｌ0＝λIR／４
を満足する。λIRの値は、８μｍ乃至１４μｍであり、実施例１において、具体的には、限定するものではないが、λIR＝１０μｍとした。ウィング状の赤外線吸収層６１は、隣接する温度検出素子１５の間で部分的に繋がっていてもよい。
【００６６】
撮像装置の動作にあっては、垂直走査回路８１の制御下、１本の駆動線７２を選択する。一方、全ての信号線７１に定電流回路８２から一定の電流を流す。選択された温度検出素子１５にあっては、入射した赤外線に依存して温度が変化し、この温度変化は、温度検出素子１５（具体的には、ｐｎ接合ダイオード３０）の電気抵抗値に変化を生じさせる。その結果、各信号線７１に現れる電圧に変化が生じる。各信号線７１における電圧は、アナログ・フロント・エンド（ＡＦＥ）８３を構成する差動積分回路の一方の入力部に入力される。一方、差動積分回路の他方の入力部には基準電圧（参照電圧）が入力される。差動積分回路においては、温度検出素子１５の出力の増幅が図られる。そして、所定の時間経過後、差動積分回路から電圧の差分の積分値がサンプルホールド回路８４に送出され、サンプルホールド回路８４においてホールドされたアナログ値はアナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ）８５に出力され、アナログ−デジタル変換回路８５において電圧の差分の積分値がデジタル値に変換され、水平走査回路８６に送出される。そして、水平走査回路８６の作動によって、温度検出素子毎、順次、信号処理回路に出力され、最終的にデジタル出力として出力される。
【００６７】
以下、実施例１の撮像装置の製造方法、特に、第１構造体２０の製造方法の概要を、ＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である図２５Ａ、図２５Ｂ、図２５Ｃ、図２５Ｄ、図２６Ａ、図２６Ｂ、図２６Ｃ、図２７Ａ、図２７Ｂ、図２８Ａ及び図２８Ｂを参照して説明する。
【００６８】
［工程−１００］
表面に第１シリコン層９１が形成され、第１シリコン層９１の下にＳｉＯ2層９２が形成されたＳＯＩ基板９０を準備する。ＳｉＯ2層９２の下に位置するＳＯＩ基板９０を構成するシリコン半導体基板の部分を、便宜上、『第２シリコン層９３』と呼ぶ。そして、先ず、隔壁２３の側壁２４を形成すべきＳＯＩ基板９０の第２シリコン層９３の部分をエッチングして溝部を形成し、側壁２４を構成する材料で溝部を埋め込む（図２５Ａ参照）。その後、ＳＯＩ基板９０の表面の第１シリコン層９１をパターニングすることで、ｐｎ接合ダイオード３０を形成すべき第１シリコン層９１の領域を残す。次いで、周知の方法に基づき、第１シリコン層９１にｐｎ接合ダイオード３０を形成する（図２５Ｂ参照）。
【００６９】
［工程−１１０］
その後、周知の方法に基づき、ＳｉＯ2層９２の上、及び、ｐｎ接合ダイオード３０の一部の上に、配線３１、信号線７１を形成する（図２５Ｃ参照）。次に、全面に、ＳｉＯ2から成る絶縁膜２６、コンタクトホール７３、駆動線７２を形成した後、絶縁膜２６をパターニングする（図２５Ｄ参照）。但し、コンタクトホール７３、駆動線７２は、図２５Ｄ以降の図面には図示していない。
【００７０】
［工程−１２０］
その後、第１犠牲層９４の形成（図２６Ａ参照）、赤外線吸収層６１の形成、第２犠牲層９５の形成（図２６Ｂ参照）を行った後、第２犠牲層９５に支持基板９６を貼り付ける（図２６Ｃ参照）。
【００７１】
［工程−１３０］
次に、ＳＯＩ基板９０の第２シリコン層９３を、ＣＭＰ法によって薄くする（図２７Ａ参照）。第２シリコン層９３の厚さによってＬ0が規定される。それ故、Ｌ0の値を正確に規定することが可能である。こうして図２７Ｂに示す構造を得ることができるが、側壁２４の内側の部分の第２シリコン層９３が隔壁２３に相当し、便宜上、この部分のハッチングを第２シリコン層９３のハッチングと異ならせた。
【００７２】
［工程−１４０］
駆動回路が設けられた第２構造体４０を準備する。尚、被覆層４３には、赤外線反射層６２を形成しておく。そして、周知の方法で、第２シリコン層９３と被覆層４３とを接合する（図２８Ａ参照）。そして、周辺領域１２，１４において、駆動線７２及び信号線７１を、駆動回路と、例えば、図示しないスルーシリコンビヤ（ＴＳＶ）によって電気的に接続する。
【００７３】
［工程−１５０］
その後、支持基板９６を除去し、エッチング法に基づき第２犠牲層９５及び第１犠牲層９４を除去する（図２８Ｂ参照）。更には、ｐｎ接合ダイオード３０の下方に位置する第２シリコン層９３を、エッチング法に基づき除去する。こうして、図１Ａに示した撮像装置１０を得ることができる。ＳｉＯ2層９２によって、ダイヤフラム部２５Ａ、絶縁材料層２５Ｂ、第１スタッド部２５Ｃ、第２スタッド部２５Ｄが構成される。尚、ｐｎ接合ダイオード３０の下方に位置する第２シリコン層９３が、全てが除去されていなくともよい。
【００７４】
その後、得られた撮像装置１０を真空雰囲気下でパッケージする。これによって、温度検出素子１５が配置される空間は、減圧され、あるいは又、真空とされる。空所５０も、減圧され、あるいは又、真空とされる。
【００７５】
実施例１の撮像装置において、第１の基板は第２の基板に形成された被覆層と接合されており、温度検出素子の下方に位置するシリコン層は、シリコン層よりもエッチングされ難い被覆層及び隔壁の側壁によって囲まれている。従って、温度検出素子と被覆層との間に、確実に、しかも、高い精度で空所を設けることができる。その結果、例えば、赤外線吸収層に、所望の波長を有する赤外線を、確実に、高い効率で吸収させることができ、温度検出素子における検出感度の向上を図ることができる。また。任意の公知の駆動回路、信号処理回路を備えた第２構造体を組み合わせることが可能となるため、撮像装置の製造コストの低減、設計自由度の向上、設計時間の短縮化を図ることができるし、入出力ピン数の削減、入出力信号帯域の低減が可能となる。
【００７６】
図１Ａに示した実施例１の撮像装置の変形例を、図２Ａ及び図２Ｂに示す。図２Ａに示す実施例１の撮像装置の変形例において、赤外線吸収層６１は絶縁膜２６の上に形成されている。図２Ｂに示す実施例１の撮像装置の変形例において、赤外線反射層６２は、被覆層４３の内部に形成されている。図２Ｂにおいて、赤外線吸収層６１を図２Ａに示した構造としたが、図１Ａに示した構造とすることもできる。また、赤外線吸収層６１を絶縁膜２６の内部に形成してもよいし、赤外線反射層６２を被覆層４３の頂面の上に形成してもよい。
【実施例２】
【００７７】
実施例２は、実施例１の変形であり、フェース・ツー・フェース構造の撮像装置に関する。実施例２の撮像装置の模式的な一部端面図を図５Ａに示す。
【００７８】
実施例２の撮像装置１０Ａにおいて、温度検出素子１１５と温度検出素子１１５との間に位置する第１基板１２１の部分と被覆層４３との間には、第１基板１２１と独立して隔壁１２３が形成されており、隔壁１２３の底部は被覆層４３と接合されている。空所５０に露出した被覆層４３の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている。具体的には、実施例２の撮像装置１０Ａにおいては、空所５０に露出した被覆層４３の露出面は、ＳｉＯ2から成る。また、隔壁１２３は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている。隔壁１２３は、具体的には、ＳｉＯ2から成る。参照番号２２Ａは、後述するシリコン層から延びる凸部を指し、参照番号２４Ａは凸部２２Ａの側壁を指す。
【００７９】
赤外線が入射する温度検出素子１１５の側には、赤外線吸収層６１が形成されており、空所５０の底部に位置する被覆層４３の領域には、赤外線反射層６２が形成されている。赤外線反射層６２は、被覆層４３の頂面又は被覆層４３の内部に形成されている。また、赤外線反射層６２は、空所５０の底部に位置する被覆層４３の部分に形成されていてもよいし、空所５０の底部に位置する被覆層４３の部分の一部に形成されていてもよいし、空所５０の底部に位置する被覆層４３の部分からはみ出るように形成されていてもよい。具体的には、赤外線反射層６２は、実施例１と同様の構成、構造を有する。赤外線吸収層６１は、第１基板１２１の第１面側に設けられていてもよいし、第１基板１２１の第２面側に設けられていてもよい。図５Ａに示した実施例２において、具体的には、第１基板１２１の第２面側（第１基板１２１の第２面１２１Ｂの上）に設けられている。実施例２にあっても、赤外線吸収層６１が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層６１と赤外線反射層６２との間の光学的距離Ｌ0は、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する。場合によっては、空所５０と対向する温度検出素子１５の側に赤外線吸収層６１を形成してもよい。
【００８０】
以下、実施例２の撮像装置の製造方法、特に、第１構造体２０の製造方法の概要を、ＳＯＩ基板等の模式的な一部端面図である図２９Ａ、図２９Ｂ、図２９Ｃ、図３０Ａ、図３０Ｂ、図３０Ｃ及び図３０Ｄを参照して説明する。
【００８１】
［工程−２００］
先ず、実施例１と同様に、ＳＯＩ基板９０を準備する。そして、第１シリコン層側からＳＯＩ基板９０に凹部を形成した後、凹部を、例えば、絶縁材料で埋め込み、凸部２２Ａの側壁２４Ａを形成する（図２９Ａ参照）。次いで、ＳＯＩ基板９０の表面の第１シリコン層９１をパターニングすることで、ｐｎ接合ダイオード３０を形成すべき第１シリコン層９１の領域を残す。次に、周知の方法に基づき、第１シリコン層９１にｐｎ接合ダイオード３０を形成する（図２９Ｂ参照）。
【００８２】
［工程−２１０］
その後、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、周知の方法に基づき、ＳｉＯ2層９２の上、及び、ｐｎ接合ダイオード３０の一部の上に、配線３１、信号線７１を形成する。次に、全面に、ＳｉＯ2から成る絶縁膜２６、コンタクトホール７３、駆動線７２を形成した後、絶縁膜２６をパターニングする（図２９Ｃ参照）。但し、コンタクトホール７３、駆動線７２は、図２９Ｃ以降の図面には図示していない。
【００８３】
［工程−２２０］
その後、絶縁材料から成る犠牲層９７を全面に形成し（図３０Ａ参照）、隔壁１２３を形成すべき犠牲層９７の部分をエッチングして溝部を形成し、隔壁１２３を構成する材料で溝部を埋め込むことで、隔壁１２３を得る（図３０Ｂ参照）。犠牲層９７の厚さによってＬ0が規定される。それ故、Ｌ0の値を正確に規定することが可能である。更に、隔壁１２３を形成すべき部分の犠牲層９７にエッチング用マスク層（図示せず）を形成する。
【００８４】
［工程−２３０］
次に、エッチング法に基づき犠牲層９７を除去し（図３０Ｃ参照）、更に、エッチャントを変更して、エッチング法に基づき第２シリコン層９３の一部を除去することで（図３０Ｄ参照）、ダイヤフラム部２５Ａと第２シリコン層との間に空洞５１を設ける。その後、隔壁１２３に形成しておいたエッチング用マスク層を除去する。尚、空洞５１の断面形状は図示した形状に限定されない。
【００８５】
［工程−２４０］
駆動回路が設けられた第２構造体４０を準備する。尚、被覆層４３には、赤外線反射層６２を形成しておく。そして、周知の方法で、隔壁１２３と被覆層４３とを、真空雰囲気下で接合する。次いで、周辺領域１２，１４において、駆動線７２及び信号線７１を、駆動回路と、例えば、図示しないスルーシリコンビヤ（ＴＳＶ）によって電気的に接続する。こうして、図５Ａに示した撮像装置１０Ａを得ることができる。その後、得られた撮像装置１０をパッケージする。
【００８６】
図５Ｂに模式的な一部端面図を示すように、赤外線吸収層６１は、第１基板１２１の第１面１２１Ａに設けられていてもよい。あるいは又、図６Ａに模式的な一部端面図を示すように、赤外線吸収層６１は、第１基板１２１の内部に設けられていてもよい。あるいは又、図６Ｂに模式的な一部端面図を示すように、赤外線吸収層６１は、ダイヤフラム部２５Ａの赤外線入射側に設けられていてもよい。
【００８７】
また、実施例２の撮像装置において、図７に模式的な一部端面図を示すように、赤外線が入射する第１基板１２１の面（第１基板１２１の第２面１２１Ｂ）に、シリコン半導体基板から成る保護基板１２２が取り付けられていてもよい。周辺領域に駆動回路が設けられたシリコン半導体基板から保護基板１２２を構成し、保護基板１２２と第１基板１２１とを貼り合わせ、周辺領域１２において、保護基板１２２の周辺領域に設けられた駆動回路と、駆動線７２及び信号線７１とを、例えば、スルーシリコンビヤ（ＴＳＶ）によって電気的に接続してもよい。尚、この場合、第２構造体４０には駆動回路を設けなくともよい場合がある。
【実施例３】
【００８８】
実施例３は、実施例１〜実施例２の変形である。実施例３にあっては、模式的な一部端面図を図８Ａ（実施例１の変形例）及び図８Ｂ（実施例２の変形例）に示すように、被覆層４３には、金属材料、カーボンフィルムやカーボンナノチューブといったカーボン系材料、あるいは、有機系材料から成る熱伝導層（熱均一化層）６３が形成されている。具体的には、熱伝導層６３は、被覆層４３の内部であって、赤外線反射層６２の下方に配設されている。熱伝導層６３の形成によって、温度のより一層の均一化、温度分布のより一層の均一化を図ることができる。場合によっては、熱伝導層（熱均一化層）６３を真空層から構成することもできる。また、温度検出素子アレイ領域１１の領域に依存して、熱伝導層（熱均一化層）６３の構成を変えてもよい。
【００８９】
以上の点を除き、実施例３の撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例２の撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、熱伝導層（熱均一化層）を、実施例１〜実施例２の撮像装置以外の撮像装置（例えば、可視光に基づき撮像を行う撮像装置）に適用することもできる。
【実施例４】
【００９０】
実施例４は、実施例１〜実施例３の変形である。実施例４にあっては、模式的な一部端面図を図９Ａ（実施例１の変形例）及び図９Ｂ（実施例２の変形例）に示すように、被覆層４３には（具体的には、被覆層４３の内部には）、タングステン（Ｗ）から成る温度制御層６４が形成されており、被覆層４３には、シリコンダイオードから成る温度検知手段（図示せず）が設けられている。温度制御層６４はヒータ（抵抗体、抵抗部材）として機能する。尚、温度制御層は配線を兼ねている構成とすることもできる。そして、温度検知手段の温度検知結果に基づき、駆動回路は温度制御層６４を制御する。具体的には、例えば、温度制御層６４に流す電流を制御することで、温度制御層６４の発熱量を制御する。尚、温度制御層６４を制御するために温度制御層６４と制御回路を結ぶ配線の図示は省略した。
【００９１】
即ち、温度検知手段の温度検知結果を受け取った駆動回路（具体的には、ＣＰＵあるいはＤＳＰ）は、受け取った温度検知結果に基づき被覆層４３の温度分布を求める。そして、駆動回路は、必要とされる熱量を計算し、個別に温度制御層６４に流す電流の値を制御することで、被覆層４３の温度の均一化、温度分布の均一化（面内温度バラツキ発生の抑制）、更には、第１基板２１，１２１の温度の均一化、温度分布の均一化、温度検出素子１５の温度の均一化、温度分布の均一化を図る。従って、例えば、アナログロジックブロックの電流量が変化し、アナログロジックブロックにおける発熱量が変化した場合にも、容易に温度制御を行うことができる。温度制御層６４による温度制御の範囲を逸脱した場合、駆動回路は、アナログロジックブロックにおける電流量の制御、アナログロジックブロックにおける動作クロックの制御を行うことで、温度の均一化、温度分布の均一化を図ることができる。尚、温度制御層６４を設けずに、駆動回路が、アナログロジックブロックにおける電流量の制御、アナログロジックブロックにおける動作クロックの制御を行うことで、温度の均一化、温度分布の均一化を図ることも可能である。温度制御層６４によって制御される温度を、例えば、室温よりも高く設定することで、温度制御層６４は、一種のオン／オフ動作となり、温度制御層６４の消費電力の低下を図ることが可能となる。また、実施例３において説明した熱伝導層６３と組み合わせることで、より一層、温度の均一化、温度分布の均一化を図ることができる。この場合、温度制御層６４の上方に熱伝導層６３を配設することが好ましい。場合によっては、温度制御層６４は赤外線反射層６２を兼ねていてもよい。
【００９２】
温度検出素子１５と温度制御層６４の配置状態を模式的に図１０及び図１１に例示するが、温度検出素子１５の正射影像と温度制御層６４の正射影像とは重なっていてもよいし（図１０参照）、温度検出素子１５の正射影像と温度検出素子１５の正射影像との間に温度制御層６４の正射影像が位置する配置とすることもできる（図１１参照）。温度制御層６４の面積や配置位置、配置密度は、温度の均一化、温度分布の均一化を達成できるような面積や配置位置、配置密度とすればよい。尚、温度検出素子１５よりも温度制御層６４は下方に位置するので、図１０、図１１において、温度制御層６４を点線で示した。
【００９３】
ここで、第１構造体２０は、複数の温度検出素子１５を備えた温度検出素子アレイ領域１１、及び、温度検出素子アレイ領域１１を取り囲む周辺領域１２を備えており、温度制御層６４は温度検出素子アレイ領域１１に形成されている構成とすることが好ましい。あるいは又、温度制御層６４は、温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する被覆層４３の領域に形成されていることが好ましい。あるいは又、駆動回路は、アナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ）を備えており、温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する駆動基板の領域には、アナログ−デジタル変換回路が配設されていない構成とすることが好ましい。
【００９４】
以上の点を除き、実施例４の撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例３の撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、温度制御層を、実施例１〜実施例３の撮像装置以外の撮像装置（例えば、可視光に基づき撮像を行う撮像装置）に適用することもできる。
【実施例５】
【００９５】
実施例５は、本開示の第２の態様〜第３の態様に係る撮像装置に関する。
【００９６】
室温前後の温度にある物体からの放射スペクトルは、波長１０μｍ付近にピークを有する（図１４における放射スペクトル「Ｂ」を参照）。尚、図１４の放射スペクトル「Ａ」は、室温よりも高い温度にある物体からの放射スペクトルを示す。そして、例えば、このピーク波長よりも短い感度波長を有する温度検出素子と、このピーク波長よりも長い感度波長を有する温度検出素子とを同一画素内において組み合わせることで、２つの温度検出素子からの信号の強度の比率から、物体の温度を高い精度で測定することが可能となる。
【００９７】
実施例５の撮像装置にあっては、
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子１５Ａ，１５Ｂが並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂが検出する赤外線の波長は異なっている。尚、実施例５にあっては、複数の温度検出素子ユニットが、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に（具体的には、２次元マトリクス状に）配列されている。
【００９８】
そして、実施例５の撮像装置において、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂは、赤外線入射側に赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂにおける赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂと赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂとの間の光学的距離Ｌ0，Ｌ0’は異なっており、
各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂにおける光学的距離Ｌ0，Ｌ0’は、温度検出素子１５Ａ，１５Ｂを構成する赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂが吸収すべき赤外線の波長をλIR-A，λIR-Bとしたとき、
０．７５×λIR-A／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR-A／２
又は、
０．７５×λIR-A／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR-A／４
を満足し、
０．７５×λIR-B／２≦Ｌ0’≦１．２５×λIR-B／２
又は、
０．７５×λIR-B／４≦Ｌ0’≦１．２５×λIR-B／４
を満足する。また、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂは、赤外線入射側に赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂにおける赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを構成する材料、構成、構造、又は、赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを構成する材料、構成、構造、又は、赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを構成する材料、構成、構造及び赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを構成する材料、構成、構造は、異なっている。即ち、具体的には、前記（ケースＡ）、（ケースＢ）、（ケースＣ）において説明したとおりである。
【００９９】
あるいは又、実施例５の撮像装置は、
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子１５Ａ，１５Ｂが並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂの赤外線吸収量は異なっている。尚、この実施例５にあっても、複数の温度検出素子ユニットが、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に（具体的には、２次元マトリクス状に）配列されている。
【０１００】
そして、実施例５の撮像装置において、
各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂは、赤外線入射側に赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子１５における赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを構成する材料、又は、赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを構成する材料、又は、赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを構成する材料及び赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを構成する材料は、異なっている。また、実施例５の撮像装置において、
各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂは、赤外線入射側に赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂを有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂを有し、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子１５における赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂ、又は、赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂ、又は、赤外線吸収層６１，６１Ａ，６１Ｂ及び赤外線反射層６２，６２Ａ，６２Ｂの面積、又は、厚さ、又は、面積及び厚さは異なっている。即ち、具体的には、前記（ケースａ）、（ケースｂ）、（ケースｃ）、（ケースｄ）、（ケースｅ）、（ケースｆ）、（ケースｇ）、（ケースｈ）、（ケースｉ）において説明したとおりである。
【０１０１】
より具体的には、模式的な一部端面図を図１２Ａに示すように、温度検出素子１５Ａと温度検出素子１５Ｂにおける赤外線吸収層６１Ａ，６１Ｂの構造が異なっている。これによって、温度検出素子１５Ａ，１５ＢにおけるＬ0，Ｌ0’の値を変えることができ、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂが検出する赤外線の波長を異ならせることができるし、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂの赤外線吸収量を異ならせることができる。
【０１０２】
あるいは又、模式的な一部端面図を図１２Ｂに示すように、温度検出素子１５Ａと温度検出素子１５Ｂにおける赤外線吸収層６１Ａ，６１Ｂの構造は同じであるが、形成されている位置が異なっている。これによっても、温度検出素子１５Ａ，１５ＢにおけるＬ0，Ｌ0’の値を変えることができ、各温度検出素子１５Ａ，１５Ｂが検出する赤外線の波長を異ならせることができる。
【０１０３】
２種類の温度検出素子１５Ａ及び温度検出素子１５Ｂから温度検出素子ユニットを構成する場合の温度検出素子１５Ａ及び温度検出素子１５Ｂの配置を図１３Ａに例示する。１画素を構成する４つの温度検出素子１５Ａ，１５Ｂから構成された温度検出素子ユニットを点線で囲んで示す。尚、２つの温度検出素子１５Ａ，１５Ｂから温度検出素子ユニットを構成することもできる。また、３種類の温度検出素子１５Ａ、温度検出素子１５Ｂ及び温度検出素子１５Ｃから温度検出素子ユニットを構成する場合の温度検出素子１５Ａ、温度検出素子１５Ｂ及び温度検出素子１５Ｃの配置を図１３Ｂに例示する。高い空間分解が要求される赤外線波長に対応する温度検出素子を温度検出素子１５Ａとすればよい。
【０１０４】
実施例５の撮像装置において、温度検出素子ユニットは複数の温度検出素子が並置されて成り、温度検出素子ユニットにおいて各温度検出素子が検出する赤外線の波長は異なっており、あるいは又、温度検出素子ユニットにおいて各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっているので、温度検出素子毎に波長分光特性や赤外線の感度を変え得ることが可能である。そして、異なる感度波長を有する温度検出素子を同一画素内において組み合わせることで、複数の温度検出素子からの信号の強度の比率から物体の温度を高い精度で測定することが可能となる。あるいは又、高感度温度検出素子と低感度温度検出素子を組み合わせた温度検出素子ユニットとすることで、温度検出素子ユニットとしてのダイナミックレンジを変えることが可能となる。即ち、赤外線強度が高い場合には低感度温度検出素子を作動させ、赤外線強度が低い場合には高感度温度検出素子を作動させればよい。あるいは又、赤外線強度が低い状態から高い状態に被写体（あるいは環境）が変化した場合、高感度温度検出素子から低感度温度検出素子へと切り替え、赤外線強度が高い状態から低い状態に被写体（あるいは環境）が変化した場合、低感度温度検出素子から高感度温度検出素子へと切り替えればよい。
【０１０５】
図１２Ａ、図１２Ｂに示した温度検出素子１５Ａ，１５Ｂの構成、構造として、実施例１において説明した温度検出素子の構成、構造を採用したが、これに限定するものではなく、実施例５の撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例４において説明した撮像装置の構成、構造と同様とすることができる。あるいは又、温度検出素子ユニットが、複数の温度検出素子が並置されて成り、温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は異なっており、あるいは又、温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている限りにおいて、実施例１〜実施例４において説明した撮像装置の構成、構造に限定するものではなく、他の構成、構造を有する撮像装置に適用することもできる。
【実施例６】
【０１０６】
実施例６は、本開示の第４の態様に係る撮像装置に関する。
【０１０７】
前述したとおり、第２の方向に沿って配列された複数の温度検出素子が接続された信号線に差動積分回路を配置した場合、温度検出素子から出力される信号を差動積分回路によって積分するのに必要とされる時間が十分ではない場合がある。
【０１０８】
実施例６の撮像装置は、このような問題を解決するために、図１５に等価回路図を示すように、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に（具体的には、２次元マトリクス状に）、Ｍ0×Ｎ0個（但し、Ｍ0≧２，Ｎ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
第１の方向に沿って配設された複数の駆動線７２、
第２の方向に沿って配設されたＮ0×Ｐ0本（但し、Ｐ0≧２）の信号線、
複数の駆動線７２が接続された第１駆動回路（具体的には、垂直走査回路８１）、及び、
Ｎ0×Ｐ0本の信号線が接続された第２駆動回路（具体的には、水平走査回路８６等）、
を備えている。そして、
各温度検出素子は、第１端子部（具体的には、複数のｐｎ接合ダイオード３０における一端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）、及び、第２端子部（具体的には、複数のｐｎ接合ダイオード３０における他端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）を備えており、
各温度検出素子の第１端子部は、駆動線７２に接続されており、
第（ｎ，ｐ）番目の信号線（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ0、ｐ＝１，２・・・，Ｐ0）は、第２の方向に沿って配設された第ｎ番目のＮ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｑ−１）Ｐ0＋ｐ｝番目の温度検出素子（但し、ｑ＝１，２，３・・・）の第２端子部に接続されている。
【０１０９】
実施例６にあっては、より具体的には、Ｐ0＝２とした。従って、ｐの値は、１又は２である。即ち、信号線の数は２Ｎ0本である。奇数番目の信号線７１Ａ（７１1,1，７１2,1，７１3,1・・・）に接続された温度検出素子を参照番号６１５Ａで示し、偶数番目の信号線７１Ｂ（７１1,2，７１2,2，７１3,2・・・）に接続された温度検出素子を参照番号６１５Ｂで示す。
【０１１０】
ｐ＝１としたとき、第（ｎ，１）番目の信号線は、第２の方向に沿って配設された第ｎ番目のＮ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｑ−１）Ｐ0＋１｝番目の温度検出素子（但し、ｑ＝１，２，３・・・）、即ち、奇数番目の温度検出素子６１５Ａの第２端子部に接続されている。また、ｐ＝２としたとき、第（ｎ，２）番目の信号線は、第２の方向に沿って配設された第ｎ番目のＮ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｑ−１）Ｐ0＋２｝番目の温度検出素子（但し、ｑ＝１，２，３・・・）、即ち、偶数番目の温度検出素子６１５Ｂの第２端子部に接続されている。
【０１１１】
ここで、実施例６の撮像装置において、各信号線７１Ａ，７１Ｂは、第２駆動回路を構成するアナログ・フロント・エンド（ＡＦＥ）８３ａ，８３ｂ、サンプルホールド回路８４及びアナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ）８５ａ，８５ｂに接続されており、アナログ・フロント・エンド８３ａ，８３ｂは差動積分回路を有する。差動積分回路を含むアナログ・フロント・エンド８３ａ，８３ｂ、アナログ−デジタル変換回路８５ａ，８５ｂは、周知の回路構成とすることができる。
【０１１２】
このように、第２の方向に沿って配列された一群の温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂを、２つのグループ（第２の方向に沿って配列された奇数番目の温度検出素子６１５Ａ、及び、第２の方向に沿って配列された偶数番目の温度検出素子６１５Ｂ）に分け、それぞれのグループの温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂを信号線７１Ａ，７１Ｂに接続する。即ち、第２の方向に沿って配列された温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂを２本の信号線７１Ａ，７１Ｂに接続する。従って、第２の方向に沿って配列された温度検出素子を１本の信号線に接続する場合と比較して、差動積分回路が並列に配置されているが故に、温度検出素子から出力される信号を差動積分回路によって積分するのに必要とされる時間を２倍とすることができ、高い感度を有し、低ノイズ化された撮像装置を提供することができる。このような実施例６の撮像装置の構成、構造を、実施例１〜実施例５において説明した撮像装置に適用することができる。場合によっては、このような実施例６の撮像装置の構成、構造を、実施例１〜実施例５において説明した撮像装置以外の構成、構造を有する撮像装置（例えば、可視光に基づき撮像を行う撮像装置）に適用することもできる。
【０１１３】
温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂあるいは撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例４において説明した温度検出素子１５あるいは撮像装置の構成、構造と同様とすることができる。あるいは又、温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂの構成、構造を、実施例５において説明した温度検出素子１５Ａ，１５Ｂの構成、構造と同様とすることができる。それ故、温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂあるいは撮像装置の説明は省略する。
【０１１４】
尚、模式的な一部端面図を図１６に示し、撮像装置の構成要素の配置状態を模式的に図１７に示すように、空所５０は、隣接する２×ｋ個の温度検出素子６１５（但し、ｋは１以上の整数であり、図示した例では、ｋ＝１）において共有化されている構造とすることもできる。尚、空所５０を明確化するために、図１７において、空所５０に斜線を付した。また、信号線７１Ａ，７１Ｂ、駆動線７２を太い実線で示し、配線３１の一部分も太い実線で示した。後述する図１９においても同様である。温度検出素子６１５の検出感度を高めるためには、第１スタッド部２５Ｃ及び第２スタッド部２５Ｄを介した熱の散逸をできる限り抑制する必要がある。図１６に示す例では、第１の方向に沿って隣接する２つの温度検出素子で第１スタッド部２５Ｃの一部が共有されているので、第１スタッド部２５Ｃを介した熱の散逸を抑制することができる。尚、図１６、図１７に示した空所５０の構造を、実施例１〜実施例５において説明した撮像装置に適用することができる。
【０１１５】
以下、実施例６の撮像装置の変形例を説明する。
【０１１６】
図１８に等価回路図に示し、構成要素の配置状態を模式的に図１９に示すように、実施例６の撮像装置の変形例にあっては、
複数の駆動線の本数は、Ｍ0／Ｐ0であり、
第ｍ番目の駆動線（但し、ｍ＝１、２・・・，Ｍ0／Ｐ0）は、第１の方向に沿って配設された第｛（ｍ−１）Ｐ0＋ｐ’｝番目のＭ0個の温度検出素子（但し、ｐ’＝１，２・・・Ｐ0の全ての値）から構成された温度検出素子群に共通である。
【０１１７】
実施例６にあっては、より具体的には、前述したとおり、Ｐ0＝２とした。従って、ｐ’の値は、１及び２である。即ち、第ｍ番目の駆動線７２mは、第１の方向に沿って配設された第｛（ｍ−１）Ｐ0＋ｐ’｝番目のＭ0個の温度検出素子（具体的には、第｛（ｍ−１）Ｐ0＋１｝番目のＭ0個の温度検出素子、及び、第｛（ｍ−１）Ｐ0＋２｝番目のＭ0個の温度検出素子の全て）から構成された温度検出素子群に共通である。
【０１１８】
そして、図１８に示した実施例６の撮像装置の変形例において、
温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂは、温度検出素子用基板（第１基板２１）に設けられた空所５０の上方に配設されており、
温度検出素子用基板（第１基板２１）に設けられた第１接続部（具体的には、駆動線７２の一部）と、温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂの第１端子部（具体的には、複数のｐｎ接合ダイオード３０における一端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）とは、第１スタッド部２５Ｃを介して（具体的には、一部が共有化された第１スタッド部２５Ｃを介して）接続されており、
温度検出素子用基板（第１基板２１）に設けられた第２接続部（具体的には、信号線７１Ａ，７１Ｂの一部）と、温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂの第２端子部（具体的には、複数のｐｎ接合ダイオード３０における他端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）とは、第２スタッド部２５Ｄを介して（具体的には、一部が共有化された第２スタッド部２５Ｄを介して）接続されている。
【０１１９】
あるいは又、Ｐ0＝２であり、
第２の方向に隣接する２つの温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂのそれぞれの第２端子部は、１つの第２スタッド部２５Ｄを介して（具体的には、一部が共有化された第２スタッド部２５Ｄを介して）温度検出素子用基板（第１基板２１）に設けられた第２接続部（信号線７１Ａ，７１Ｂの一部）に接続されており、
第１の方向に隣接する２つの温度検出素子６１５Ａあるいは温度検出素子６１５Ｂと、第２の方向に隣接する２つの温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂの、合計４つの温度検出素子６１５Ａ，６１５Ｂのそれぞれの第１端子部は、１つの第１スタッド部２５Ｃを介して（具体的には、一部が共有化された第１スタッド部２５Ｃを介して）温度検出素子用基板（第１基板２１）に設けられた第１接続部（駆動線７２の一部）に接続されている。
【０１２０】
温度検出素子６１５の検出感度を高めるためには、第１スタッド部２５Ｃ及び第２スタッド部２５Ｄを介した熱の散逸をできる限り抑制する必要がある。図１８に示す例では、第１の方向及び第２の方向に沿って隣接する４つの温度検出素子で第１スタッド部２５Ｃの一部が共有されており、第２の方向に沿って隣接する２つの温度検出素子で第２スタッド部２５Ｄの一部が共有されているので、第１スタッド部２５Ｃ、第２スタッド部２５Ｄを介した熱の散逸を抑制することができる。尚、図１８に示した空所５０の構造を、実施例１〜実施例５において説明した撮像装置に適用することができる。
【実施例７】
【０１２１】
実施例７は、本開示の第５の態様に係る撮像装置に関する。等価回路図を図２０に示すように、実施例７の撮像装置は、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に（具体的には、２次元マトリクス状に）、Ｓ0×Ｔ0個（但し、Ｓ0≧２，Ｔ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂ、
第１の方向に沿って配設されたＳ0×Ｕ0本（但し、Ｕ0≧２）の駆動線７２、
第２の方向に沿って配設された複数の信号線７１、
Ｓ0×Ｕ0本の駆動線７２が接続された第１駆動回路（具体的には、垂直走査回路８１）、及び、
複数の信号線７１が接続された第２駆動回路（具体的には、水平走査回路８６等）、
を備えている。そして、
各温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂは、第１端子部（具体的には、複数のｐｎ接合ダイオード３０における一端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）、及び、第２端子部（具体的には、複数のｐｎ接合ダイオード３０における他端に位置するｐｎ接合ダイオード３０）を備えており、
各温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂの第２端子部は、信号線７１に接続されており、
第（ｓ，ｕ）番目の駆動線７２（但し、ｓ＝１，２・・・，Ｓ0、ｕ＝１，２・・・，Ｕ0）は、第１の方向に沿って配設された第ｓ番目のＳ0個の温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂから構成された温度検出素子群における第｛（ｔ−１）Ｕ0＋ｕ｝番目の温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂ（但し、ｔ＝１，２，３・・・）の第１端子部に接続されている。
【０１２２】
実施例７にあっては、より具体的には、Ｕ0＝２とした。従って、ｕの値は、１又は２である。即ち、駆動線の数は２Ｓ0本である。奇数番目の駆動線７２Ａ（７２1,1，７２2,1，７２3,1・・・）に接続された温度検出素子を参照番号７１５Ａで示し、偶数番目の駆動線７２Ｂ（７２1,2，７２2,2，７２3,3・・・）に接続された温度検出素子を参照番号７１５Ｂで示す。
【０１２３】
ｕ＝１としたとき、第（ｓ，１）番目の駆動線は、第１の方向に沿って配設された第ｓ番目のＳ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｔ−１）Ｕ0＋１｝番目の温度検出素子（但し、ｔ＝１，２，３・・・）、即ち、奇数番目の温度検出素子７１５Ａの第１端子部に接続されている。また、ｕ＝２としたとき、第（ｓ，２）番目の駆動線は、第１の方向に沿って配設された第ｓ番目のＳ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｔ−１）Ｐ0＋２｝番目の温度検出素子（但し、ｔ＝１，２，３・・・）、即ち、偶数番目の温度検出素子７１５Ｂの第２端子部に接続されている。
【０１２４】
このように、第１の方向に沿って配列された一群の温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂを、２つのグループ（第１の方向に沿って配列された奇数番目の温度検出素子７１５Ａ、及び、第１の方向に沿って配列された偶数番目の温度検出素子７１５Ｂ）に分け、それぞれのグループの温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂを駆動線７２Ａ，７２Ｂに接続する。即ち、第１の方向に沿って配列された温度検出素子７１５Ａ，７１５Ｂを２本の駆動線７２Ａ，７２Ｂに接続する。従って、駆動線を流れる電流の電流密度低減を図ることができる結果、温度検出素子の駆動における消費電力の低減を図ることができるし、例えば、駆動線における電圧低下の抑制を図ることができる。このような実施例７の撮像装置の構成、構造を、実施例１〜実施例６において説明した撮像装置に適用することができる。場合によっては、このような実施例７の撮像装置の構成、構造を、実施例１〜実施例６において説明した撮像装置以外の構成、構造を有する撮像装置（例えば、可視光に基づき撮像を行う撮像装置）に適用することもできる。
【実施例８】
【０１２５】
実施例８は、本開示の第６の態様に係る撮像装置に関する。一部端面図としての概念図を図２１に示すように、実施例８の撮像装置は、
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に（具体的には、２次元マトリクス状に）配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子１５、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子１５が接続された複数の駆動線７２、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子１５が接続された複数の信号線７１、
を有する温度検出素子用基板２０１を備えている。そして、
温度検出素子用基板２０１は、複数の温度検出素子１５を備えた温度検出素子アレイ領域１１、及び、温度検出素子アレイ領域１１を取り囲む周辺領域１２を備えており、
赤外線が入射する側の周辺領域１２において、駆動線７２及び信号線７１は、駆動回路チップ２０２に設けられた駆動回路と電気的に接続される。尚、温度検出素子用基板２０１は、実施例１〜実施例７において説明した第１構造体２０及び第２構造体４０の積層構造から構成することができる。但し、第２構造体４０における駆動回路の形成は不要であり、第２基板４１は、必ずしも、シリコン半導体基板から構成する必要はないが、赤外線反射層や温度制御層、熱伝導層（熱均一化層）を設けることが好ましい。
【０１２６】
ここで、電気的な接続として、図示するように半田バンプ２０３を用いる方法（チップ・オン・チップ方式に基づく方法）を挙げることができるし、あるいは又、スルーチップビヤ（ＴＣＶ）やスルーシリコンビヤ（ＴＳＶ）を用いる方法を採用すればよい。駆動回路は周知の構成、構造の回路とすればよい。後述する実施例９においても同様である。
【０１２７】
このような構成、構造を採用することで、撮像装置全体の構成の簡素化を図ることができる。実施例８の撮像装置あるいは後述する実施例９の撮像装置における温度検出素子の構成、構造、信号線、駆動線の構成は、実施例１〜実施例７において説明した温度検出素子の構成、構造、信号線、駆動線の構成を適用することができる。
【実施例９】
【０１２８】
実施例９は、本開示の第７の態様に係る撮像装置に関する。実施例７の撮像装置は、
第１構造体２０及び第２構造体４０から構成されており、
第１構造体２０は、
第１基板２１、
第１基板２１に設けられ、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に（具体的には、２次元マトリクス状に）配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子１５、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子１５が接続された複数の駆動線７２、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子１５が接続された複数の信号線７１、
を備えている。そして、第２構造体４０は、
第２基板４１、及び、
第２基板４１に設けられた駆動回路、
を備えており、
第１構造体２０は、複数の温度検出素子１５を備えた温度検出素子アレイ領域１１、及び、温度検出素子アレイ領域１１を取り囲む周辺領域１２を備えており、
第２構造体４０は、赤外線が入射する第１基板の側に取り付けられており、
周辺領域１２において、駆動線７２及び信号線７１は、駆動回路と電気的に接続されている。
【０１２９】
具体的には、例えば、実施例１〜実施例８において説明した撮像装置において、第２構造体４０における中央領域１３には駆動回路を設けずに、第２構造体４０における中央領域１３から赤外線が入射する構成とし、赤外線吸収層６１を赤外線反射層６２の配設位置に配置し、赤外線反射層６２を赤外線吸収層６１の配設位置に配置すればよい。また、空所５０と空洞５１の位置関係を逆とすればよい。駆動回路は被覆層４３によって覆われていてもよい。
【実施例１０】
【０１３０】
実施例１０は、本開示の撮像装置におけるノイズ低減方法に関する。実施例１０における撮像装置は、実施例１〜実施例９において説明した撮像装置である。即ち、実施例１０における撮像装置は、等価回路図を図２２に示すように、
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子１５、
温度検出素子１５が接続された駆動線７２、及び、
温度検出素子１５が接続された信号線７１、
を備えており、
駆動線７２が接続された第１駆動回路、信号線７１が接続された第２駆動回路、記憶装置（例えば、図示しない不揮発性メモリ）を更に備えており、
第２駆動回路において、信号線７１は差動積分回路８３Ａ及びアナログ−デジタル変換回路８５に接続されている。
【０１３１】
ここで、実施例１〜実施例１０の撮像装置において、各信号線７１における電圧は、アナログ・フロント・エンド（ＡＦＥ）８３を構成する差動積分回路８３Ａの一方の入力部に入力される。また、差動積分回路８３Ａの他方の入力部には基準電圧（参照電圧）が、配線８３Ｂを介して入力される。配線８３Ｂは、また、定電流回路８３Ｃに接続されている。更には、各信号線７１と配線８３とを短絡するためのスイッチ手段８３Ｄが、各信号線７１と配線８３Ｂとの間に配設されている。尚、定電流回路８３Ｃを信号線毎に配設した構成により、配線抵抗による電圧降下に起因した誤差を低減することができる。即ち、定電流回路８３Ｃを信号線毎に配設すると、配線８３Ｂの電流分布と駆動線７２の電流分布を概ね同等にすることができる。電流分布が同等で、なおかつ、配線８３Ｂと駆動線７２の長さ当たりの配線抵抗値を概ね同等にすると、配線抵抗と電流の積による電圧降下を列毎にほぼ等しくすることができる。配線８３Ｂの電圧降下は差動積分回路８３Ａのプラス側の端子電圧を低下させ、駆動線７２の電圧降下は差動積分回路８３Ａのマイナス側の端子電圧を低下させるが、プラス側の端子とマイナス側の端子の等しい電圧降下は差動積分によって相殺されるため、差動積分回路８３Ａの出力端子に現れる誤差が低減される。
【０１３２】
実施例１０のノイズ低減方法にあっては、先ず、温度検出素子１５を不作動の状態として、差動積分回路８３Ａをリセットする。即ち、垂直走査回路８１からの温度検出素子１５の選択を行うこと無く、スイッチ手段８３Ｄを「閉」状態とし、差動積分回路８３Ａの２つの入力部を短絡させ、差動積分回路８３Ａをリセットする。
【０１３３】
次いで、温度検出素子１５を不作動の状態として、温度検出素子１５が作動状態にある時間ＴＭ0と同じ時間ＴＭ0だけ信号線７１に定電流を流し、信号線７１の電圧を差動積分回路８３Ａにおいて積分し、得られた積分値をアナログ−デジタル変換回路８５においてデジタル値に変換し、得られたデジタル値をオフセット値として記憶装置に記憶する。
【０１３４】
具体的には、スイッチ手段８３Ｄを「開」状態とし、温度検出素子１５を不作動の状態のままとして、温度検出素子１５が作動状態にある時間ＴＭ0と同じ時間ＴＭ0だけ信号線７１に定電流を流す一方、差動積分回路８３Ａの他方の入力部に基準電圧（参照電圧）を配線８３Ｂを介して入力する。信号線７１の電圧（原則、無変化の電圧値）は差動積分回路８３Ａにおいて積分される。そして、時間ＴＭ0が経過した後、得られた積分値をアナログ−デジタル変換回路８５においてデジタル値に変換し、得られたデジタル値をオフセット値として記憶装置に記憶する。このように、差動積分回路８３Ａの他方の入力部には基準電圧（参照電圧）が入力され、差動積分回路８３Ａの一方の入力部には不作動の温度検出素子１５の出力が入力されるので、結局、差動積分回路８３Ａにおいて得られた積分値は、差動積分回路８３Ａにおける特性バラツキ（具体的には、差動積分回路を構成するオペアンプにおけるオフセットのバラツキ）に起因した値である。
【０１３５】
次に、温度検出素子１５を実際に作動させる。ここで、温度検出素子１５を、時間ＴＭ0だけ動作状態として、信号線７１の電圧を差動積分回路８３Ａにおいて積分し、得られた積分値をアナログ−デジタル変換回路８５においてデジタル値に変換してデジタル信号値を得た後、デジタル信号値からオフセット値を減じる。
【０１３６】
こうして、差動積分回路８３Ａに起因したノイズを低減させることができ、あるいは又、差動積分回路８３Ａの特性バラツキを抑制することができ、所謂縦筋固定パターンノイズを低減させることができる。以上の処理は、１撮像フレーム（１画面）を読み出す前に行えばよい。
【実施例１１】
【０１３７】
実施例１１では、実施例１〜実施例１０において説明した撮像装置を赤外線カメラに適用した例を説明する。図２３に概念図を示すように、赤外線カメラは、レンズ３０１、シャッター３０２、実施例１〜実施例１０において説明した撮像装置３０３、駆動回路３０４、電源部３０５、記憶媒体３０６、ビデオ出力部３０７、各種インターフェース３０８から構成されている。駆動回路３０４には、先に説明した各種の回路の他、例えば、画素間バラツキを補正し、また、欠陥画素の補正を行い、また、各種ノイズ除去を行う信号処理回路が含まれる。このような構成の赤外線カメラの構成要素は、撮像装置３０３を除き、周知の構成要素とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１３８】
以上、本開示の撮像装置を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示の撮像装置はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した撮像装置や温度検出素子の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができるし、撮像装置や温度検出素子を構成する材料、撮像装置や温度検出素子の製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。場合によっては、赤外線反射層の形成を省略し、被覆層の頂面、それ自体を赤外線反射層として機能させてもよい。
【０１３９】
撮像装置の赤外線入射側に、例えば、レンズ等から成る集光素子を配設してもよい。例えば、図６Ｂに示した実施例２の変形例において、第１基板１２１の第１面１２１Ａの側に集光素子（レンズ）１０１を設けた例を図３１に示す。このような集光素子１０１は、例えば、実施例２の［工程−２３０］において、エッチング法に基づき犠牲層９７を除去し（図３０Ｃ参照）、更に、エッチャントを変更して、エッチング法に基づき第２シリコン層９３の一部を除去して（図３０Ｄ参照）、ダイヤフラム部２５Ａと第２シリコン層との間に空洞５１を設けると同時に形成することができる。即ち、エッチング法に基づき第２シリコン層９３の一部を除去するとき、エッチング液は隔壁１２３の近傍から第２シリコン層９３へと浸入するが、エッチング条件を適切に設定することで、隔壁１２３の近傍の第２シリコン層９３の部分の方を、隔壁１２３から遠い第２シリコン層９３の部分よりも、多くエッチングすることができる。その結果、第１基板１２１（第２シリコン層９３）の第１面１２１Ａの側に集光素子（レンズ）１０１を設けることができる。
【０１４０】
あるいは又、例えば、図７に示した実施例２の変形例において、第１基板１２１の面（第１基板１２１の第２面１２１Ｂ）に取り付けられたシリコン半導体基板から成る保護基板１２２の赤外線入射側に、集光素子（レンズ）１０２，１０３を設けてもよい（図３２Ａ及び図３２Ｂ参照）。図３２Ａに示す例は、保護基板１２２とは別の部材（例えば、レジスト材料）から集光素子１０２を形成した例であり、図３２Ｂに示す例は、保護基板１２２をエッチング加工することで集光素子１０３を形成した例である。これらの集光素子は、例えば、周知のオンチップ・マイクロ・レンズの形成方法と同様の方法で形成することができる。シリコン半導体基板から成る保護基板１２２の代わりに、例えば、ＣａＦ2、ＢａＦ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＳｅ等の赤外線を透過する材料から成る保護基板とすることもできる。また、図３３Ａ及び図３３Ｂに示すように、撮像装置の赤外線入射側に遮光部１１１を設け、隣接する温度検出素子への赤外線の入射を抑制してもよい。遮光部１１１は、例えば、保護基板１２２に溝部を形成し、この溝部に金属材料や合金材料を埋め込むことで形成することができる。集光素子１０２，１０３、遮光部１１１は、他の実施例に対しても、適宜、適用することができることは云うまでもない。
【０１４１】
また、温度検出素子ユニットを、赤外線の入射に沿って上下に配設された２つの温度検出素子（各実施例において説明した温度検出素子）から構成することもできる。図２Ａに示した実施例１の変形例と、図５Ａに示した実施例２を組み合わせた例を図３４に示すが、他の実施例に対しても適用することができることは云うまでもない。具体的には、このような撮像装置は、
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、赤外線の入射に沿って上下に配設された２つの温度検出素子から成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は同じであり、又は、異なっており、又は、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている。尚、２つの温度検出素子は、同じ駆動線及び信号線に接続されていてもよいし、異なる駆動線及び信号線に接続されていてもよい。
【０１４２】
また、本開示の撮像装置を構成する温度検出素子の１つから温度検出素子を構成することもできるし、本開示の撮像装置を構成する温度検出素子を１次元に配列した撮像装置とすることもできる。即ち、広くは、本開示の撮像装置を構成する温度検出素子を、Ｑ個（但し、Ｑ≧１）、１次元に配列した撮像装置、云い換えれば、１次元に配列されたＱ個（但し、Ｑ≧１）の温度検出素子を備えている本開示の撮像装置とすることもできる。
【０１４３】
実施例５において説明した撮像装置においては、複数の温度検出素子を有する温度検出素子ユニットが備えられている。ここで、温度検出素子ユニットにおいて、場合によっては１つの温度検出素子を動作させればよい場合、等価回路図を図２４に示すように、ＡＦＥ８３（具体的には、差動積分回路）と信号線７１との間に、差動積分回路と信号線７１との導通状態を制御するスイッチ手段８７を設ければよい。更には、この場合、スイッチ手段８７は、差動積分回路と信号線７１との間を不導通状態とするとき、信号線７１を固定電位へと切り替えることが好ましい。これによって、撮像装置の消費電力の低減を図ることができる。尚、このような回路構成を他の実施例に適用することもできる。即ち、作動する温度検出素子の間引きを行うことで、解像度は低下するが、撮像装置の消費電力の低減を図ることができる。同様に、実施例７において、例えば、奇数番目の駆動線あるいは偶数番目の駆動線の一方を動作させ（あるいは、複数の駆動線の組におけるいずれかの駆動線を動作させ）、作動する温度検出素子の間引きを行うことで、解像度は低下するが、撮像装置の消費電力の低減を図ることができる。また、読み出しデータ量を減少させることができ、データ出力レートの増加を図ることができる。尚、高い解像度が要求される場合には、全ての温度検出素子を作動させればよい。
【０１４４】
図２Ａに示した実施例１の変形例の撮像装置の模式的な一部端面図を図３５Ａに示すように、赤外線が入射する温度検出素子１５の側には、第１赤外線吸収層６１Ｃが形成されており、空所５０の底部に位置する被覆層４３の領域には、赤外線反射層６２が形成されており、空所５０と対向する温度検出素子１５の側には、第２赤外線吸収層６１Ｄが形成されている構成とすることができる。図示した例では、第１赤外線吸収層６１Ｃは、温度検出素子１５の上に形成された絶縁膜２６の上に形成されており、第２赤外線吸収層６１Ｄは、空所５０と対向する温度検出素子１５の面上（より具体的には、空所５０と対向するダイヤフラム部２５Ａの面上）に形成されている。赤外線吸収層６１Ｃ，６１Ｄは、赤外線を吸収するだけでなく、一部を透過し、一部を反射するため、透過や反射を低減する構造とすることで、より感度を向上させることができる。即ち、このような構成により、第１赤外線吸収層６１Ｃを透過した一部の赤外線が第２赤外線吸収層６１Ｄで更に吸収されるため、透過を低減させることができる。また、第１赤外線吸収層６１Ｃで反射した赤外線と第２赤外線吸収層６１Ｄで反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。また、第２赤外線吸収層６１Ｄを反射した赤外線と赤外線反射層６２を反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。尚、第１赤外線吸収層６１Ｃ及び第２赤外線吸収層６１Ｄが吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第１赤外線吸収層６１Ｃと第２赤外線吸収層６１Ｄとの光学的距離Ｌ1とし、第２赤外線吸収層６１Ｄと赤外線反射層６２との光学的距離をＬ2としたとき、
０．７５×λIR／４≦Ｌ1≦１．２５×λIR／４
０．７５×λIR／４≦Ｌ2≦１．２５×λIR／４
を満足することが好ましい。第１赤外線吸収層６１Ｃ及び第２赤外線吸収層６１Ｄを備える構成は、その他の実施例１の撮像装置やその他の実施例の撮像装置に、適宜、適用することができることは云うまでもない。
【０１４５】
あるいは又、図６Ｂに示した実施例２の変形例の撮像装置の模式的な一部端面図を図３５Ｂに示すように、赤外線が入射する温度検出素子１１５の側には、第１赤外線吸収層６１Ｃが形成されており；空所５０の底部に位置する被覆層４３の領域には、赤外線反射層６２が形成されており；空所５０と対向する温度検出素子１１５の側には、第２赤外線吸収層６１Ｄが形成されている構成とすることができる。赤外線反射層６２は、空所５０の底部に位置する被覆層４３の部分の一部に形成されている。第１赤外線吸収層６１Ｃは、第１基板１２１の第１面側に設けられている。具体的には、第１赤外線吸収層６１は、ダイヤフラム部２５Ａの赤外線入射側に設けられている。第２赤外線吸収層６１Ｄは、温度検出素子１１５の上に形成された絶縁膜２６の上に空所５０と対向して形成されている。各赤外線吸収層６１Ｃ，６１Ｄは、赤外線を吸収するだけでなく、一部を透過し、一部を反射するため、透過や反射を低減する構造とすることで、より感度を向上させることができる。即ち、このような構成により、第１赤外線吸収層６１Ｃを透過した一部の赤外線が第２赤外線吸収層６１Ｄで更に吸収されるため、透過を低減させることができる。また、第１赤外線吸収層６１Ｃで反射した赤外線と第２赤外線吸収層６１Ｄで反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。また、第２赤外線吸収層６１Ｄを反射した赤外線と赤外線反射層６２を反射した赤外線が逆位相で打ち消し合い、反射を低減させることができる。更には、これらの場合、第１赤外線吸収層６１Ｃ及び第２赤外線吸収層６１Ｄが吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第１赤外線吸収層６１Ｃと第２赤外線吸収層６１Ｄとの光学的距離Ｌ1とし、第２赤外線吸収層６１Ｄと赤外線反射層６２との光学的距離をＬ2としたとき、
０．７５×λIR／４≦Ｌ1≦１．２５×λIR／４
０．７５×λIR／４≦Ｌ2≦１．２５×λIR／４
を満足することが好ましい。第１赤外線吸収層６１Ｃ及び第２赤外線吸収層６１Ｄを備える構成は、その他の実施例２の撮像装置やその他の実施例の撮像装置に、適宜、適用することができることは云うまでもない。
【０１４６】
信号処理回路には、ノイズを予め測定することによる固定パターンノイズ補正処理、ノイズモデルに基づくノイズ低減処理、レンズ結像モデルに基づく解像度補正処理を含めることができる。また、赤外線カメラから得られた画像と、通常の可視光に基づき撮像された画像を合成することも可能である。以下に、各種信号処理の概略を説明するが、信号処理はこれらに限定されるものではない。
【０１４７】
固定パターンノイズ補正処理として、例えば、前回の撮像フレームにおいて得られた固定パターンノイズデータと今回の撮像フレームにおいて得られた固定パターンノイズデータとの差に応じた差分データを生成し、差分データと前回の撮像フレームにおいて得られた固定パターンノイズデータとを加算して新たな固定パターンノイズデータとするといった処理を挙げることができる。
【０１４８】
また、無限インパルス応答（ＩＩＲ，Infinite Impulse Response）型フィルターを用いたノイズ低減処理として、例えば、
ＩＩＲフィルタ処理により、補正対象画素の近傍の参照画素の信号値の平均値を算出する第１工程と、
ＩＩＲフィルタ処理により、補正対象画素の近傍の参照画素の信号値の分散値を算出する第２工程と、
参照画素の平均値と分散値を入力し、平均値と分散値を適用したエッジ保存平滑化処理を実行する第３工程と、
第１工程と第２工程において適用するＩＩＲフィルタ係数を、画像を構成する画素の信号値に応じて更新する第４工程、
から構成されたノイズ低減処理を挙げることができる。
【０１４９】
また、解像度補正処理として、複数の像高にそれぞれ設定されているぼけ補正を行うフィルタを取得し、取得されたフィルタを用いて、補正対象とされた像高における画素の画素値を補正する方法を挙げることができる。ここで、補正は、補正対象とされた像高に隣接する像高に設定されているフィルタを、補正対象とされた画素の画素値に適用し、補正対象とされた像高と隣接する像高との位置関係から係数を算出し、フィルタ適用後の画素値と係数を用いて補正後の画素値を算出する処理とすることができる。あるいは又、補正は、補正対象とされた像高と隣接する像高との位置関係から係数を算出し、補正対象とされた像高に隣接する像高に設定されているフィルタと係数を用いて、補正対象とされた画素の画素値に適用するフィルタを生成し、生成されたフィルタと補正対象とされた画素の画素値を用いて補正後の画素値を算出する処理とすることができる。更には、フィルタの係数は、第１の像高上の複数の像点からＰＳＦ（Point Spread Function）データを算出し、ＰＳＦデータを平均化し、平均化されたＰＳＦデータを所定の関数で近似し、近似されたＰＳＦデータから算出された係数とすることができ、フィルタの係数の算出はウィナーフィルタを用いることができる。
【０１５０】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《撮像装置：第１の態様》
第１構造体及び第２構造体から構成されており、
第１構造体は、
第１基板、
第１基板に設けられ、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、並びに、
温度検出素子に接続された駆動線及び信号線、
を備えており、
第２構造体は、
第２基板、及び、
第２基板に設けられ、被覆層によって被覆された駆動回路、
を備えており、
第１基板は、被覆層と接合されており、
温度検出素子と被覆層との間には、空所が設けられており、
駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている撮像装置。
［Ａ０２］第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された複数の温度検出素子、
を備えており、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を更に備えており、
第１構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を有しており、
周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている［Ａ０１］に記載の撮像装置。
［Ａ０３］１次元に配列されたＱ個（但し、Ｑ≧１）の温度検出素子を備えている［Ａ０１］に記載の撮像装置。
［Ａ０４］温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第１基板の部分には、隔壁が形成されており、
隔壁の底部は、被覆層と接合されている［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ０５］空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されており、
隔壁の側壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている［Ａ０４］に記載の撮像装置。
［Ａ０６］空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている［Ａ０４］に記載の撮像装置。
［Ａ０７］隔壁の側壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている［Ａ０４］又は［Ａ０６］に記載の撮像装置。
［Ａ０８］赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている［Ａ０４］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ０９］赤外線吸収層は、温度検出素子の上方に形成されている［Ａ０８］に記載の撮像装置。
［Ａ１０］赤外線反射層は、被覆層の頂面又は被覆層の内部に形成されている［Ａ０８］又は［Ａ０９］に記載の撮像装置。
［Ａ１１］赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離Ｌ0は、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する［Ａ０８］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ１２］赤外線が入射する温度検出素子の側には、第１赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており、
空所と対向する温度検出素子の側には、第２赤外線吸収層が形成されている［Ａ０４］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ１３］第１赤外線吸収層及び第２赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第１赤外線吸収層と第２赤外線吸収層との光学的距離Ｌ1とし、第２赤外線吸収層と赤外線反射層との光学的距離をＬ2としたとき、
０．７５×λIR／４≦Ｌ1≦１．２５×λIR／４
０．７５×λIR／４≦Ｌ2≦１．２５×λIR／４
を満足する［Ａ１２］に記載の撮像装置。
［Ａ１４］温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第１基板の部分と被覆層との間には、第１基板と独立して隔壁が形成されており、
隔壁の底部は、被覆層と接合されている［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ１５］空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されており、
隔壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている［Ａ１４］に記載の撮像装置。
［Ａ１６］空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている［Ａ１４］に記載の撮像装置。
［Ａ１７］隔壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも１種類の材料層から構成されている［Ａ１４］又は［Ａ１６］に記載の撮像装置。
［Ａ１８］赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている［Ａ１４］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ１９］赤外線反射層は、被覆層の頂面又は被覆層の内部に形成されている［Ａ１８］に記載の撮像装置。
［Ａ２０］赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離Ｌ0は、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する［Ａ１８］又は［Ａ１９］に記載の撮像装置。
［Ａ２１］赤外線が入射する温度検出素子の側には、第１赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており、
空所と対向する温度検出素子の側には、第２赤外線吸収層が形成されている［Ａ１４］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ２２］第１赤外線吸収層及び第２赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第１赤外線吸収層と第２赤外線吸収層との光学的距離Ｌ1とし、第２赤外線吸収層と赤外線反射層との光学的距離をＬ2としたとき、
０．７５×λIR／４≦Ｌ1≦１．２５×λIR／４
０．７５×λIR／４≦Ｌ2≦１．２５×λIR／４
を満足する［Ａ２１］に記載の撮像装置。
［Ａ２３］赤外線が入射する第１基板の面側に保護基板が配設されている［Ａ１４］乃至［Ａ２０］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ２４］赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、赤外線の入射に沿って上下に配設された２つの温度検出素子から成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は同じであり、又は、異なっており、又は、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ２５］被覆層には熱伝導層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ２６］被覆層には温度制御層が形成されており、
温度検知手段を更に有する［Ａ０１］乃至［Ａ２５］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ２７］温度制御層はヒータとして機能する［Ａ２６］に記載の撮像装置。
［Ａ２８］温度制御層は配線を兼ねている［Ａ２７］に記載の撮像装置。
［Ａ２９］温度検知手段の温度検知結果に基づき、駆動回路は温度制御層を制御する［Ａ２６］乃至［Ａ２８］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ３０］第１構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
温度制御層は温度検出素子アレイ領域に形成されている［Ａ２６］乃至［Ａ２９］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ３１］温度制御層は、温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する被覆層の領域に形成されている［Ａ２６］乃至［Ａ２９］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ３２］駆動回路は、アナログ−デジタル変換回路を備えており、
温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する駆動基板の領域には、アナログ−デジタル変換回路が配設されていない［Ａ０１］乃至［Ａ２９］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ３３］複数の温度検出素子を備えており、空所は、隣接する２×ｋ個の温度検出素子（但し、ｋは１以上の整数）において共有化されている［Ａ０１］乃至［Ａ３２］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ３４］《撮像装置：第２の態様》
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子が並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は異なっている撮像装置。
［Ａ３５］各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離Ｌ0は異なっており、
各温度検出素子における光学的距離Ｌ0は、温度検出素子を構成する赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、
０．７５×λIR／２≦Ｌ0≦１．２５×λIR／２
又は、
０．７５×λIR／４≦Ｌ0≦１．２５×λIR／４
を満足する［Ａ３４］に記載の撮像装置。
［Ａ３６］各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層を構成する材料、又は、赤外線反射層を構成する材料、構成、構造、又は、赤外線吸収層を構成する材料、構成、構造及び赤外線反射層を構成する材料、構成、構造は、異なっている［Ａ３４］又は［Ａ３５］に記載の撮像装置。
［Ａ３７］《撮像装置：第３の態様》
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、複数の温度検出素子が並置されて成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている撮像装置。
［Ａ３８］各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有しており、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層を構成する材料、又は、赤外線反射層を構成する材料、又は、赤外線吸収層を構成する材料及び赤外線反射層を構成する材料は、異なっている［Ａ３７］に記載の撮像装置。
［Ａ３９］各温度検出素子は、赤外線入射側に赤外線吸収層を有し、赤外線入射側とは反対側に赤外線反射層を有し、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子における赤外線吸収層、又は、赤外線反射層、又は、赤外線吸収層及び赤外線反射層の面積、又は、厚さ、又は、面積及び厚さは異なっている［Ａ３７］又は［Ａ３８］に記載の撮像装置。
［Ａ４０］駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されている［Ａ０１］乃至［Ａ３９］に記載の撮像装置。
［Ａ４１］アナログ・フロント・エンドは差動積分回路を有し、
差動積分回路と信号線との間に、差動積分回路と信号線との導通状態を制御するスイッチ手段が設けられている［Ａ４０］に記載の撮像装置。
［Ａ４２］スイッチ手段は、差動積分回路と信号線との間を不導通状態とするとき、信号線を固定電位とする［Ａ４１］に記載の撮像装置。
［Ａ４３］《撮像装置：第４の態様》
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、Ｍ0×Ｎ0個（但し、Ｍ0≧２，Ｎ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
第１の方向に沿って配設された複数の駆動線、
第２の方向に沿って配設されたＮ0×Ｐ0本（但し、Ｐ0≧２）の信号線、
複数の駆動線が接続された第１駆動回路、及び、
Ｎ0×Ｐ0本の信号線が接続された第２駆動回路、
を備えており、
各温度検出素子は、第１端子部及び第２端子部を備えており、
各温度検出素子の第１端子部は、駆動線に接続されており、
第（ｎ，ｐ）番目の信号線（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ0、ｐ＝１，２・・・，Ｐ0）は、第２の方向に沿って配設された第ｎ番目のＮ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｑ−１）Ｐ0＋ｐ｝番目の温度検出素子（但し、ｑ＝１，２，３・・・）の第２端子部に接続されている撮像装置。
［Ａ４４］複数の駆動線の本数は、Ｍ0／Ｐ0であり、
第ｍ番目の駆動線（但し、ｍ＝１、２・・・，Ｍ0／Ｐ0）は、第１の方向に沿って配設された第｛（ｍ−１）Ｐ0＋ｐ’｝番目のＭ0個の温度検出素子（但し、ｐ’＝１，２・・・Ｐ0の全ての値）から構成された温度検出素子群に共通である［Ａ４３］に記載の撮像装置。
［Ａ４５］第２駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されており、
アナログ・フロント・エンドは差動積分回路を有する［Ａ４３］又は［Ａ４４］に記載の撮像装置。
［Ａ４６］第２駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されている［Ａ４３］又は［Ａ４４］に記載の撮像装置。
［Ａ４７］アナログ・フロント・エンドは差動積分回路を有する［Ａ４６］に記載の撮像装置。
［Ａ４８］温度検出素子は、温度検出素子用基板に設けられた空所の上方に配設されており、
温度検出素子用基板に設けられた第１接続部と、温度検出素子の第１端子部とは、第１スタッド部（支持脚あるいは細長い梁）を介して接続されており、
温度検出素子用基板に設けられた第２接続部と、温度検出素子の第２端子部とは、第２スタッド部（支持脚あるいは細長い梁）を介して接続されている［Ａ４３］乃至［Ａ４７］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ａ４９］Ｐ0＝２であり、
第２の方向に隣接する２つの温度検出素子のそれぞれの第２端子部は、１つの第２スタッド部（支持脚あるいは細長い梁）を介して温度検出素子用基板に設けられた第２接続部に接続されており、
第１の方向に隣接する２つの温度検出素子と、第２の方向に隣接する２つの温度検出素子の、合計４つの温度検出素子のそれぞれの第１端子部は、１つの第１スタッド部（支持脚あるいは細長い梁）を介して温度検出素子用基板に設けられた第１接続部に接続されている［Ａ４８］に記載の撮像装置。
［Ａ５０］《撮像装置：第５の態様》
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、Ｓ0×Ｔ0個（但し、Ｓ0≧２，Ｔ0≧２）、配列された、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
第１の方向に沿って配設されたＳ0×Ｕ0本（但し、Ｕ0≧２）の駆動線、
第２の方向に沿って配設された複数の信号線、
Ｓ0×Ｕ0本の駆動線が接続された第１駆動回路、及び、
複数の信号線が接続された第２駆動回路、
を備えており、
各温度検出素子は、第１端子部及び第２端子部を備えており、
各温度検出素子の第２端子部は、信号線に接続されており、
第（ｓ，ｕ）番目の駆動線（但し、ｓ＝１，２・・・，Ｓ0、ｕ＝１，２・・・，Ｕ0）は、第１の方向に沿って配設された第ｓ番目のＳ0個の温度検出素子から構成された温度検出素子群における第｛（ｔ−１）Ｕ0＋ｕ｝番目の温度検出素子（但し、ｔ＝１，２，３・・・）の第１端子部に接続されている撮像装置。
［Ａ５１］第２駆動回路において、各信号線は、アナログ・フロント・エンド及びアナログ−デジタル変換回路に接続されている［Ａ５０］に記載の撮像装置。
［Ａ５２］《撮像装置：第６の態様》
第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を有する温度検出素子用基板を備えており、
温度検出素子用基板は、複数の温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
赤外線が入射する側の周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路チップに設けられた駆動回路と電気的に接続される撮像装置。
［Ａ５３］《撮像装置：第７の態様》
第１構造体及び第２構造体から構成されており、
第１構造体は、
第１基板、
第１基板に設けられ、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子、
第１の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第２の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を備えており、
第２構造体は、
第２基板、及び、
第２基板に設けられた駆動回路、
を備えており、
第１構造体は、複数の温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
第２構造体は、赤外線が入射する第１基板の側に取り付けられており、
周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている撮像装置。
［Ｂ０１］温度検出素子は、ｐｎ接合ダイオード、ボロメータ素子、サーモパイル素子、金属膜抵抗素子、金属酸化物抵抗素子、セラミック抵抗素子、サーミスタ素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ５３］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ｂ０２］集光素子を更に備えている［Ａ０１］乃至［Ｂ０１］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ｂ０３］遮光部を更に備えている［Ａ０１］乃至［Ｂ０２］のいずれか１項に記載の撮像装置。
［Ｃ０１］《撮像装置におけるノイズ低減方法》
赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、
温度検出素子が接続された駆動線、及び、
温度検出素子が接続された信号線、
を備えており、
駆動線が接続された第１駆動回路、信号線が接続された第２駆動回路、記憶装置を更に備えており、
第２駆動回路において、信号線は差動積分回路及びアナログ−デジタル変換回路に接続されている撮像装置におけるノイズ低減方法であって、
温度検出素子を不作動の状態として、差動積分回路をリセットし、次いで、
温度検出素子を不作動の状態として、温度検出素子が作動状態にある時間ＴＭ0と同じ時間ＴＭ0だけ信号線に定電流を流し、信号線の電圧を差動積分回路において積分し、得られた積分値をアナログ−デジタル変換回路においてデジタル値に変換し、得られたデジタル値をオフセット値として記憶装置に記憶しておき、
温度検出素子を、時間ＴＭ0だけ、動作状態として、信号線の電圧を差動積分回路において積分し、得られた積分値をアナログ−デジタル変換回路においてデジタル値に変換してデジタル信号値を得た後、デジタル信号値からオフセット値を減じる、
各工程から成る撮像装置におけるノイズ低減方法。
【符号の説明】
【０１５１】
１０，１０Ａ・・・撮像装置、１１・・・温度検出素子アレイ領域、１３・・・中央領域、１２，１４・・・周辺領域、１５，１１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，６１５Ａ，６１５Ｂ，７１５Ａ，７１５Ｂ・・・温度検出素子、２０・・・第１構造体、２１，１２１・・・第１基板（温度検出素子用基板）、１２１Ａ・・・第１基板の第２面、１２２・・・保護基板、２１Ｂ，１２１Ｂ・・・第１基板の第２面、２２・・・シリコン層、２２Ａ・・・シリコン層から延びる凸部、２３，１２３・・・隔壁、２４・・・隔壁の側壁、２４Ａ・・・凸部の側壁、２５Ａ・・・ダイヤフラム部（架空部、架空薄層部）、２５Ｂ・・・絶縁材料層、２５Ｃ・・・第１スタッド部、２５Ｄ・・・第２スタッド部、２６・・・絶縁膜、３０・・・ｐｎ接合ダイオード、３１・・・配線、４０・・・第２構造体、４１・・・第２基板、４２・・・駆動回路が形成された層、４３・・・被覆層（層間絶縁層）、５０・・・空所、５１・・・空洞、６１，６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，６１Ｄ・・・赤外線吸収層、６２，６２Ａ，６２Ｂ・・・赤外線反射層、６３・・・熱伝導層、６４・・・温度制御層（ヒータ）、７１，７１Ａ，７１1,1，７１2,1，７１3,1，７１Ｂ，７１1,2，７１2,2，７１3,2・・・信号線、７２，７２Ａ，７２1,1，７２2,1，７２3,1，７２Ｂ，７２1,2，７２2,2，７２3,3・・・駆動線、７３・・・コンタクトホール、８１・・・垂直走査回路、８２・・・定電流回路、８３，８３ａ，８３ｂ・・・アナログ・フロント・エンド（ＡＦＥ）、８３Ａ・・・差動積分回路、８３Ｂ・・・配線、８３Ｃ・・・定電流回路、８３Ｄ・・・スイッチ手段、８４・・・サンプルホールド回路、８５，８５ａ，８５ｂ・・・アナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ）、８６・・・水平走査回路、９０・・・ＳＯＩ基板、９１・・・第１シリコン層、９２・・・ＳｉＯ2層、９３・・・第２シリコン層、９４・・・第１犠牲層、９５・・・第２犠牲層、９６・・・支持基板、９７・・・犠牲層、１０１，１０２，１０３・・・集光素子（レンズ）、１１１・・・遮光部、２０１・・・温度検出素子用基板、２０２・・・駆動回路チップ、２０３・・・半田バンプ、３０１・・・レンズ、３０２・・・シャッター、３０３・・・撮像装置、３０４・・・駆動回路３０４、３０５・・・電源部、３０６・・・記憶媒体、３０７・・・ビデオ出力部、３０８・・・各種インターフェース
【図１】
2018040791.tif 000003
【図２】
2018040791.tif 000004
【図３】
2018040791.tif 000005
【図４】
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【図５】
2018040791.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018040791.tif 000009
【図８】
2018040791.tif 000010
【図９】
2018040791.tif 000011
【図１０】
2018040791.tif 000012
【図１１】
2018040791.tif 000013
【図１２】
2018040791.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2018040791.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2018040791.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2018040791.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2018040791.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
2018040791.tif 000031
【図３０】
2018040791.tif 000032
【図３１】
2018040791.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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