(57)【要約】【課題】絶縁層を薄くすることができ、センサー感度を高めることのできる圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する半導体基板と、前記ダイアフラムに設けられているセンサー部と、前記ダイアフラム上に配置されている絶縁層と、前記絶縁層上に配置されている導電層と、を有し、前記導電層は、前記センサー部に印加される駆動電圧と同電位に接続されているか、前記駆動電圧よりも大きい電位に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受圧により撓み変形するダイアフラムを有する半導体基板と、
前記ダイアフラムに設けられ、駆動電圧が印加されるセンサー部と、
前記ダイアフラム上に配置されている絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されている導電層と、を有し、
前記導電層は、前記駆動電圧と同電位とされるか、または、前記駆動電圧よりも大きい電位とされることを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記半導体基板は、シリコンを含んでいる請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記導電層は、前記センサー部と電気的に接続される請求項１または２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記導電層は、ポリシリコンを含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項５】
前記導電層の厚さは、５０ｎｍ以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項６】
前記絶縁層は、酸化シリコンを含んでいる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項７】
前記絶縁層の厚さは、４００ｎｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項８】
前記ダイアフラムの前記導電層側に位置する圧力基準室を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項９】
前記ダイアフラムの前記導電層と反対側に位置する圧力基準室を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする圧力センサーモジュール。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧力センサーとして、例えば、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有するＮ型シリコン基板と、ダイアフラム上に形成されたピエゾ抵抗素子を含むブリッジ回路と、を有し、ダイアフラムの撓みに基づいてピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化することを利用して、圧力を検出するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２８１０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
また、特許文献１の圧力センサーでは、ダイアフラムの上面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる絶縁層が成膜されている。このシリコン酸化膜によって、ピエゾ抵抗素子の界面順位を安定化し、検出信号に生じるノイズを低減することができる。また、特許文献１の圧力センサーでは、シリコン酸化膜上にポリシリコン膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜）からなる導電層が成膜されており、導電層をグランドに接続（接地）することで、センサー特性の安定化を図っている。
【０００５】
しかしながら、このような構成では、シリコン酸化膜が薄いと、導電層の電位（グランド）とブリッジ回路に印加される駆動電圧との電位差に起因する電界効果によって、Ｎ型シリコン基板の複数のピエゾ抵抗素子の間にＰ型の反転層が形成され、この反転層を介してピエゾ抵抗素子同士がショートしてしまう。
【０００６】
そのため、特許文献１の圧力センサーではシリコン酸化膜を薄くすることができず、その結果、ダイアフラムが撓み難くなり、センサー感度が低下してしまう。
【０００７】
本発明の目的は、絶縁層を薄くすることができ、センサー感度を高めることのできる圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する半導体基板と、
前記ダイアフラムに設けられ、駆動電圧が印加されるセンサー部と、
前記ダイアフラム上に配置されている絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されている導電層と、を有し、
前記導電層は、前記駆動電圧と同電位とされるか、または、前記駆動電圧よりも大きい電位とされることを特徴とする。
これにより、半導体基板に反転層が形成されるのを抑制することができ、センサー部のショートを抑制することができる。そのため、絶縁層を薄くすることができ、その分、ダイアフラムが撓み易くなり、センサー感度が向上する。
【０００９】
本発明の圧力センサーでは、前記半導体基板は、シリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を有する半導体基板となる。
【００１０】
本発明の圧力センサーでは、前記導電層は、前記センサー部と電気的に接続されることが好ましい。
これにより、センサー部とは別に導電層に電圧を印加する回路を用意する必要がないため、装置構成が簡単なものとなる。
【００１１】
本発明の圧力センサーでは、前記導電層は、ポリシリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、半導体プロセスによる製造に適した導電層となる。
【００１２】
本発明の圧力センサーでは、前記導電層の厚さは、５０ｎｍ以下であることが好ましい。
これにより、導電層を十分に薄くすることができる。
【００１３】
本発明の圧力センサーでは、前記絶縁層は、酸化シリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、半導体プロセスによる製造に適した絶縁層となる。
【００１４】
本発明の圧力センサーでは、前記絶縁層の厚さは、４００ｎｍ以下であることが好ましい。
これにより、絶縁層を十分に薄くすることができる。
【００１５】
本発明の圧力センサーでは、前記ダイアフラムの前記導電層側に位置する圧力基準室を有していることが好ましい。
これにより、圧力基準室内の圧力が、圧力センサーが検出する圧力の基準値となる。そのため、ダイアフラムが受ける圧力をより精度よく検出することができる。
【００１６】
本発明の圧力センサーでは、前記ダイアフラムの前記導電層と反対側に位置する圧力基準室を有していることが好ましい。
これにより、圧力基準室内の圧力が、圧力センサーが検出する圧力の基準値となる。そのため、ダイアフラムが受ける圧力をより精度よく検出することができる。
【００１７】
本発明の圧力センサーモジュールは、本発明の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い圧力センサーモジュールが得られる。
【００１８】
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１９】
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。
【図３】図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。
【図４】図１に示す圧力センサーが有するダイアフラムの部分拡大断面図である。
【図５】図１に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
【図１８】本発明の第４実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
【図１９】本発明の第５実施形態に係る圧力センサーモジュールの断面図である。
【図２０】図１９に示す圧力センサーモジュールが有する支持基板の平面図である。
【図２１】本発明の第６実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【図２２】本発明の第７実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【図２３】本発明の第８実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００２３】
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。図３は、図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーが有するダイアフラムの部分拡大断面図である。図５は、図１に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。図６ないし図１５は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下の説明では、図１、図４、図６ないし図１５中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、半導体基板の平面視、すなわち、図１中の上下方向から見た平面視を単に「平面視」とも言う。
【００２４】
図１に示す圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する半導体基板２と、半導体基板２の上面に配置された絶縁層３１および導電層３２と、ダイアフラム２５の上面側に配置された圧力基準室Ｓと、半導体基板２と共に圧力基準室Ｓを形成する周囲構造体４と、ダイアフラム２５の上面側に配置されたセンサー部５と、を有している。
【００２５】
図１に示すように、半導体基板２は、第１シリコン層２１と、第１シリコン層２１の上側に配置された第２シリコン層２３と、第１、第２シリコン層２１、２３の間に配置された酸化シリコン層２２と、を有するＳＯＩ基板で構成されている。すなわち、半導体基板２は、シリコンを含んでいる。これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を有する半導体基板２となる。
【００２６】
なお、本実施形態では、第１、第２シリコン層２１、２３は、それぞれ、Ｎ型のシリコン層である。ただし、半導体基板２としては、特に限定されず、例えば、第１、第２シリコン層２１、２３としてＰ型のシリコン層を用いてもよい。また、半導体基板２としては、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。また、半導体基板２は、シリコン以外の半導体材料、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素等で構成された基板であってもよい。
【００２７】
また、半導体基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２５が設けられている。半導体基板２には、下方に開放する有底の凹部２４が形成されており、この凹部２４の上側（凹部２４によって半導体基板２が薄くなっている部分）がダイアフラム２５となっている。そして、ダイアフラム２５の下面が、圧力を受ける受圧面となっている。凹部２４は、ダイアフラム２５の受圧面と反対側に形成される後述する圧力基準室Ｓを形成するための空間（空洞部）である。なお、本実施形態では、ダイアフラム２５の平面視形状は、略正方形であるが、ダイアフラム２５の平面視形状としては、特に限定されず、例えば、円形であってもよい。
【００２８】
ここで、本実施形態では、凹部２４は、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングで形成されている。具体的には、半導体基板２の下面側から等方性エッチング、保護膜成膜および異方向性エッチングという工程を繰り返して、第１シリコン層２１を掘ることで凹部２４を形成する。この工程を繰り返し、エッチングが酸化シリコン層２２まで達すると酸化シリコン層２２がエッチングストッパーとなってエッチングが終了し、凹部２４が得られる。このような形成方法によれば、凹部２４の内壁側面が半導体基板２の主面に対して略垂直となるため、凹部２４の開口面積を小さくすることができる。そのため、半導体基板２の機械的強度の低下を抑制することができ、また、圧力センサー１の大型化を抑制することもできる。なお、図示しないが、前述した工程の繰り返しによって、凹部２４の内壁側面には掘り方向に周期的な凹凸が形成される。
【００２９】
ただし、凹部２４の形成方法としては、上記の方法に限定されず、例えば、ウェットエッチングによって形成してもよい。また、本実施形態では、ダイアフラム２５の下面側に酸化シリコン層２２が残っているが、この酸化シリコン層２２をさらに除去してもよい。すなわち、ダイアフラム２５を第２シリコン層２３の単層で構成してもよい。これにより、ダイアフラム２５をより薄くすることができ、より撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。また、本実施形態のように、ダイアフラム２５を複数の層（酸化シリコン層２２と第２シリコン層２３）で構成した場合には、各層の熱膨張率の異なりに起因する熱応力が発生し、ダイアフラム２５が不本意に、すなわち検出対象である圧力以外の力に起因して撓み変形するおそれがある。これに対して、ダイアフラム２５を単層で構成することで、前述のような熱応力が生じることが無いため、検出対象である圧力をより精度よく検出することができる。
【００３０】
ダイアフラム２５の厚さとしては、特に限定されず、ダイアフラム２５の大きさ等によっても異なるが、例えば、ダイアフラム２５の幅が１００μｍ以上１５０μｍ以下の場合には、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。このような厚さとすることで、機械的な強度を十分に保ちつつ、十分に薄く、受圧により撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。
【００３１】
ダイアフラム２５には、ダイアフラム２５に作用する圧力を検出し得るセンサー部５が設けられている。また、センサー部５は、後述するように駆動電圧ＡＶＤＣの印加により駆動する。このようなセンサー部５は、図２に示すように、ダイアフラム２５に設けられた４つのピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を有している。また、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、配線５５を介して、互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路５０（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。ブリッジ回路５０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給（印加）する駆動回路５９が接続されている。そして、ブリッジ回路５０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の抵抗値変化に応じた検出信号（電圧）を出力する。そのため、この出力された検出信号に基づいてダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができる。
【００３２】
特に、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、ダイアフラム２５の外縁部に配置されている。受圧によりダイアフラム２５が撓み変形すると、ダイアフラム２５の中でも特にその外縁部に大きな応力が加わるため、外縁部にピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を配置することで、前述した検出信号を大きくすることができ、圧力検知の感度が向上する。なお、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の配置は、特に限定されず、例えば、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４がダイアフラム２５の外縁を跨いで配置されていてもよい。
【００３３】
ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、それぞれ、例えば、半導体基板２の第２シリコン層２３にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、配線５５は、例えば、半導体基板２の第２シリコン層２３に、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
【００３４】
なお、センサー部５の構成としては、ダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができれば、特に限定されない。例えば、ブリッジ回路５０を構成していない少なくとも１つのピエゾ抵抗素子がダイアフラム２５に配置されている構成であってもよい。
【００３５】
図１に示すように、半導体基板２の上面には、絶縁層３１と、導電層３２と、が成膜されている。より具体的には、半導体基板２の上面に絶縁層３１が成膜（配置）されており、絶縁層３１の上面に導電層３２が成膜（配置）されている。また、絶縁層３１および導電層３２は、半導体基板２の平面視で、ダイアフラム２５の全域と重なるように配置されている。
【００３６】
絶縁層３１は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成されている。すなわち、絶縁層３１は、酸化シリコンを含んでいる。このように、絶縁層３１をシリコン酸化膜で構成することで、センサー部５が有する後述するピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができる。また、絶縁層３１をシリコン酸化膜で構成することで、半導体プロセスによる製造に適した、すなわち形成が容易でかつその後の製造プロセスに与える制約（特に熱的制約）が少ない絶縁層３１となる。
【００３７】
導電層３２は、ポリシリコン膜（Ｐｏｉｙ−Ｓｉ膜）で構成されている。すなわち、導電層３２は、ポリシリコンを含んでいる。このように、導電層３２をポリシリコン膜で構成することで、半導体プロセスによる製造に適した、すなわち形成が容易でかつその後の製造プロセスに与える制約（特に熱的制約）が少ない導電層３２となる。
【００３８】
また、図１および図３に示すように、導電層３２は、配線層４２を介して、ブリッジ回路５０に駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路５９と電気的に接続されている。すなわち、導電層３２は、ブリッジ回路５０（センサー部５）に印加される駆動電圧と同電位とされる。これにより、次の効果を発揮することができる。
【００３９】
図４に示すように、従来（前述した特許文献１）のように、導電層３２をグランドに接続（接地）した場合、絶縁層３１が薄いと、導電層３２の電位（グランド電位）とブリッジ回路５０に印加される駆動電圧ＡＶＤＣとの電位差に起因する電界効果により、第２シリコン層２３（Ｎ型シリコン層）にＰ型の反転層２３１が形成され、この反転層２３１を介してセンサー部５がショートしてしまう。そのため、従来では、絶縁層３１を薄くすることができなかった。
【００４０】
これに対して、前述したように、本実施形態では、導電層３２がブリッジ回路５０に印加される駆動電圧と同電位とされている。そのため、従来のようなＰ型の反転層２３１が形成されず、反転層２３１を介したセンサー部５のショートも発生しない。したがって、絶縁層３１を従来よりも薄くすることが可能となる。そのため、絶縁層３１を十分に薄くすることができ、絶縁層３１によって、ダイアフラム２５が撓み難くなってしまうことを低減することができる。
【００４１】
以上のような導電層３２は、センサー部５と電気的に接続されている。これにより、センサー部５用の駆動回路５９から導電層３２にも駆動電圧ＡＶＤＣを印加することができるため、簡単な構成で導電層３２を駆動電圧ＡＶＤＣと同じ電位に接続することができる。また、センサー部５用の駆動回路５９とは別に、導電層３２に電圧を印加するための回路を設ける必要が無いため、装置構成が簡単なものとなる。特に、本実施形態では、導電層３２は、後述するように、周囲構造体４内においてセンサー部５と電気的に接続されている。これにより、より簡単に導電層３２をセンサー部５と電気的に接続することができる。
【００４２】
なお、絶縁層３１の厚さとしては、特に限定されず、ダイアフラム２５の厚さによっても異なるが、例えば、ダイアフラム２５の厚さが１μｍ以上１０μｍ以下である場合、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、ダイアフラム２５に対して絶縁層３１を十分に薄くすることができ、絶縁層３１によって、ダイアフラム２５が撓み難くなってしまうことを低減することができる。なお、絶縁層３１の厚さの最小値としては、特に限定されないが、例えば、５０ｎｍであることが好ましく、１００ｎｍであることがより好ましい。これにより、前述した効果（ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の電界順位の低減という効果）をより確実に発揮することができる。
【００４３】
また、導電層３２の厚さとしては、特に限定されず、ダイアフラム２５の厚さによっても異なるが、例えば、ダイアフラム２５の厚さが１μｍ以上１０μｍ以下である場合、５０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、ダイアフラム２５に対して導電層３２を十分に薄くすることができ、導電層３２によって、ダイアフラム２５が撓み難くなってしまうことを低減することができる。なお、導電層３２の厚さの最小値としては、特に限定されないが、例えば、５ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍであることがより好ましい。これにより、導電層３２の破損を抑制することができる。また、導電層３２の抵抗値の過度な上昇を抑制し、例えば、導電層３２の過度な昇温を抑制することができる。そのため、熱応力（ダイアフラム２５と導電層３２の熱膨張率の異なりに起因する応力）によるダイアフラム２５の不本意な撓み変形を抑制することができ、より精度よく、受けた圧力を検出することができる。
【００４４】
また、絶縁層３１および導電層３２の厚さの合計（総厚さ）としては、特に限定されないが、ダイアフラム２５の厚さの１／１０以下であることが好ましく、１／１００以下であることがより好ましい。これにより、絶縁層３１および導電層３２の積層体を十分に薄くすることができる。
【００４５】
このように、絶縁層３１および導電層３２を薄くすることで、前述したようなダイアフラム２５が撓み難くなってしまうことを低減することができると共に、次のような効果を発揮することもできる。本実施形態では、ダイアフラム２５上に絶縁層３１および導電層３２が積層されているため、ダイアフラム２５、絶縁層３１および導電層３２の積層体が受圧により撓み変形する「ダイアフラム」として機能するとも言える。このダイアフラムについて、その厚さ方向で議論すれば、ダイアフラムの厚さ方向中央部から表面（上面および下面）に向けて、受圧により撓み変形したときに生じる応力が大きくなる。そのため、ダイアフラムの上面または下面のより近くにピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を配置することで、同じ圧力を受けた場合でも、より大きな検出信号が得られる。この点に鑑みれば、前述したように、絶縁層３１および導電層３２を薄くすることで、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４をダイアフラムの上面のより近くに配置することができるため、より大きな検出信号が得られ、圧力検出精度がさらに向上する。
【００４６】
以上、絶縁層３１および導電層３２について説明した。本実施形態では、絶縁層３１がシリコン酸化膜で構成されているが、絶縁層３１の構成としては、絶縁性を有していれば、これに限定されず、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等を用いてもよい。また、絶縁層３１は、異なる材料で構成された複数の層の積層体で構成されていてもよい。また、本実施形態では、導電層３２がポリシリコン膜で構成されているが、導電層３２の構成としては、導電性を有していれば、これに限定されず、例えば、アルミニウム等の金属材料を用いてもよい。また、本実施形態では、絶縁層３１上に導電層３２が積層されているが、これらの間に、少なくとも１つの異なる層が介在していてもよい。
【００４７】
図１に示すように、ダイアフラム２５の上側には、圧力基準室Ｓが設けられている。すなわち、圧力センサー１は、ダイアフラム２５の導電層３２側に位置する圧力基準室Ｓを有している。圧力基準室Ｓは、半導体基板２と周囲構造体４とに囲まれることで形成されている。このような圧力基準室Ｓは、密閉された空間であり、圧力基準室Ｓ内の圧力が、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる。そのため、ダイアフラム２５が受ける圧力をより精度よく検出することができる。
【００４８】
特に、圧力基準室Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、圧力基準室Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
【００４９】
図１に示すように、周囲構造体４は、半導体基板２の上面側に、半導体基板２の平面視で圧力基準室Ｓを囲む枠状の側壁部４Ａと、側壁部の開口を塞ぐ蓋部４Ｂと、を有している。このような周囲構造体４は、半導体基板２上に配置されている層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置されている配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置されている層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に配置されている配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置されている表面保護膜４５と、表面保護膜４５上に配置されている被覆層４６と、被覆層４６上に配置されている封止層４７と、を有している。
【００５０】
層間絶縁膜４１、４３は、平面視で圧力基準室Ｓの周囲を囲むように枠状に配置されている。層間絶縁膜４１、４３としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。
【００５１】
配線層４２、４４は、層間絶縁膜４１、４３上に設けられ、層間絶縁膜４１、４３を貫通することでセンサー部５の配線５５と電気的に接続されている。そして、配線層４２、４４を介して配線５５が周囲構造体４の上面に引き出されている。このような配線層４２、４４としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。
【００５２】
ここで、前述したように、配線層４２によって、センサー部５と導電層３２とが電気的に接続されている。これにより、周囲構造体４内で導電層３２をセンサー部５と電気的に接続することができ、これらの電気的な接続がより簡単となる。
【００５３】
表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。このような表面保護膜４５としては、特に限定されず、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。ただし、本実施形態では、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層体を用いている。
【００５４】
被覆層４６は、側壁部４Ａの上側開口を覆うように配置されている。そして、被覆層４６の圧力基準室Ｓの天井部分が蓋部４Ｂとなっている。また、被覆層４６は、圧力基準室Ｓの内外を連通する複数の貫通孔４６１を有している。これら貫通孔４６１は、後述する製造方法でも説明するように、圧力基準室Ｓを埋めている犠牲層を除去するためのリリースエッチング用の孔である。このような被覆層４６は、特に限定されないが、例えば、シリコンで構成することができる。
【００５５】
封止層４７は、被覆層４６の上面に配置されており、封止層４７によって貫通孔４６１が封止されている。このような封止層４７は、特に限定されないが、例えば、シリコンで構成することができる。また、被覆層４６は、複数層が積層した積層体で構成してもよい。
【００５６】
以上、圧力センサー１の構成について説明した。前述したように、このような圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する半導体基板２と、ダイアフラム２５に設けられ、駆動電圧ＡＶＤＣが印加されるセンサー部５と、ダイアフラム２５上に配置されている絶縁層３１と、絶縁層３１上に配置されている導電層３２と、を有している。また、導電層３２は、センサー部５に印加される駆動電圧ＡＶＤＣと同電位とされる。これにより、前述したように、半導体基板２に反転層が形成されるのを抑制することができ、センサー部５のショートを抑制することができる。そのため、絶縁層３１を薄くすることができ、その分、ダイアフラム２５が撓み易くなり、センサー感度が向上する。また、導電層３２の電位が固定されるため、センサー部５が受ける外乱の影響を低減することができ、より精度よく圧力を検出することができる。
【００５７】
なお、本実施形態では、導電層３２がセンサー部５と電気的に接続されており、導電層３２に駆動電圧ＡＶＤＣが印加される構成について説明したが、圧力センサー１の構成としては、これに限定されない。例えば、圧力センサー１内に配置され、駆動電圧ＡＶＤＣを増幅する増幅回路（図示せず）を有し、駆動電圧ＡＶＤＣよりも大きい電圧が導電層３２に印加されるように構成されていてもよい。すなわち、導電層３２は、センサー部５に印加される駆動電圧ＡＶＤＣよりも大きい電位とされてもよい。このような構成によっても、前述した本実施形態の圧力センサー１と同様の効果を発揮することができる。
【００５８】
次に、圧力センサー１の製造方法について説明する。圧力センサー１の製造方法は、図５に示すように、半導体基板２を準備する準備工程と、半導体基板２にセンサー部５を形成するセンサー部形成工程と、半導体基板２の上面に導電層３２を形成する導電層形成工程と、半導体基板２の上側に圧力基準室Ｓを形成する圧力基準室形成工程と、半導体基板２にダイアフラム２５を形成するダイアフラム形成工程と、を含んでいる。
【００５９】
［準備工程］
まず、図６に示すように、第１シリコン層２１、酸化シリコン層２２および第２シリコン層２３が積層してなるＮ型のＳＯＩ基板からなる半導体基板２を準備する。次に、図７に示すように、第２シリコン層２３の表面を熱酸化し、シリコン酸化膜からなる絶縁層３１を形成する。
【００６０】
［センサー部形成工程］
次に、図８に示すように、第２シリコン層２３の表面に、リン、ボロン等の不純物を注入することで、センサー部５を形成する。
【００６１】
［導電層形成工程］
次に、図９に示すように、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて、ポリシリコン膜からなる導電層３２を形成する。
【００６２】
［圧力基準室形成工程］
次に、図１０に示すように、半導体基板２上に、層間絶縁膜４１、配線層４２、層間絶縁膜４３、配線層４４および表面保護膜４５をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて順に形成する。なお、本実施形態では、層間絶縁膜４１、４３をシリコン酸化膜で構成し、配線層４２、４４をアルミニウム膜で構成している。また、配線層４２は、平面視で、後にダイアフラム２５となる領域２５Ａを囲む枠状のガードリング４２９を有している。また、配線層４４は、平面視で、領域２５Ａを囲む枠状をなしガードリング４２９と接続されているガードリング４４９と、領域２５Ａと対向し、ガードリング４４９の開口を覆う天井部４４７と、を有しており、天井部４４７には複数の貫通孔４４８が形成されている。
【００６３】
次に、半導体基板２を例えばバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、図１１に示すように、貫通孔４４８を介して層間絶縁膜４１、４３の一部（ガードリング４２９、４４９に囲まれた部分）が除去される。この際、アルミニウム膜で構成されているガードリング４２９、４４９は、エッチングストッパーとして機能する。
【００６４】
次に、図１２に示すように、配線層４４および表面保護膜４５の上面に、被覆層４６をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成する。なお、本実施形態では、被覆層４６をシリコン膜で構成している。本工程では、天井部４４７の貫通孔４４８を完全に塞がないように被覆層４６が成膜され、これにより、貫通孔４４８と連通する貫通孔４６１を備えた被覆層４６が得られる。
【００６５】
次に、半導体基板２を、例えば、リン酸、酢酸および硝酸の混酸等のエッチング液に晒す。これにより、貫通孔４６１を介して配線層４２、４４（ガードリング４２９、４４９および天井部４４７）が除去される。これにより、図１３に示すように、圧力基準室Ｓが形成される。
【００６６】
次に、図１４に示すように、圧力基準室Ｓを真空状態とし、被覆層４６上に封止層４７をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜し、貫通孔４６１を封止する。これにより、真空状態で封止された圧力基準室Ｓが得られる。
【００６７】
［ダイアフラム形成工程］
次に、図１５に示すように、例えば、ドライエッチング（特に、シリコンディープエッチング）法を用いて第１シリコン層２１をエッチングし、半導体基板２の下面に開放する凹部２４を形成してダイアフラム２５を得る。なお、ダイアフラム形成工程の順番は、特に限定されず、例えば、準備工程の次に行ってもよい。
【００６８】
以上により、圧力センサー１が得られる。このような製造方法によれば、圧力センサー１を容易に形成することができる。
【００６９】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００７０】
図１６は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
本実施形態にかかる圧力センサーで１は、センサー部５と導電層３２とが電気的に接続されてない以外は、前述した第１実施形態の圧力センサーと同様である。
【００７１】
以下、第２実施形態の圧力センサーについて、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００７２】
図１６に示すように、本実施形態の圧力センサー１では、配線層４２、４４を介してセンサー部５と導電層３２とが接続されていない。そして、センサー部５は、駆動回路５９と電気的に接続され、導電層３２は、図示しない電源回路と電気的に接続されるようになっている。また、電源回路から導電層３２へは、駆動回路５９からセンサー部５に印加される駆動電圧ＡＶＤＣ以上の電圧が印加されるようになっている。
【００７３】
ここで、電源回路の構成としては、特に限定されないが、例えば、駆動回路５９からの駆動電圧ＡＶＤＣを増幅する増幅回路を有し、増幅した電圧を導電層３２に印加するようになっていてもよい。
【００７４】
以上の説明より、本実施形態の圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する半導体基板２と、ダイアフラム２５に設けられ、駆動電圧ＡＶＤＣが印加されるセンサー部５と、ダイアフラム２５上に配置されている絶縁層３１と、絶縁層３１上に配置されている導電層３２と、を有している。また、導電層３２は、センサー部５に印加される駆動電圧ＡＶＤＣと同電位とされるか、または、駆動電圧ＡＶＤＣよりも大きい電位とされる。これにより、前述したように、半導体基板２に反転層が形成されるのを抑制することができ、センサー部５のショートを抑制することができる。そのため、絶縁層３１を薄くすることができ、その分、ダイアフラム２５が撓み易くなり、センサー感度が向上する。
【００７５】
このような第２実施形態によっても前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００７７】
図１７は、本発明の第３実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
本実施形態にかかる圧力センサーでは、圧力基準室Ｓの配置が異なること以外は、前述した第１実施形態の圧力センサーと同様である。
【００７８】
以下、第３実施形態の圧力センサーについて、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００７９】
図１７に示すように、本実施形態の圧力センサー１は、前述した第１実施形態に対して周囲構造体４の一部が省略されている替りに、半導体基板２の下面に接合され、凹部２４を気密封止するベース基板６を有している。このような構成の圧力センサー１では、ダイアフラム２５とベース基板６との間に圧力基準室Ｓが配置されている。すなわち、本実施形態の圧力センサー１は、ダイアフラム２５の導電層３２と反対側に位置する圧力基準室Ｓを有している。圧力基準室Ｓは、密閉された空間であり、圧力基準室Ｓ内の圧力が、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる。そのため、ダイアフラム２５が受ける圧力をより精度よく検出することができる。
【００８０】
ベース基板６としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等を用いることができる。なお、ベース基板６は、圧力基準室Ｓを介してダイアフラム２５と対向している部分が差圧（圧力基準室Ｓの圧力と環境圧力との差）で変形しないように、ダイアフラム２５に対して十分に厚くなっている。
【００８１】
このような第３実施形態によっても前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００８３】
図１８は、本発明の第４実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
以下、第４実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００８４】
本発明の第４実施形態に係る圧力センサーは、圧力基準室Ｓがないこと以外は、前述した第３実施形態とほぼ同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００８５】
図１８に示すように、本実施形態の圧力センサー１では、ベース基板６に凹部２４に連通する貫通孔６１が形成されている。そして、本実施形態の圧力センサー１は、ダイアフラム２５の上面と下面とが互いに異なる空間に位置するように配置されている。具体的には、ダイアフラム２５の上面は、空間Ｓ２に位置しており、ダイアフラム２５の下面は、空間Ｓ３に位置している。このような構成によれば、圧力センサー１によって、空間Ｓ２と空間Ｓ３の圧力差を検出することができる。すなわち、圧力センサー１を、差圧センサーとして用いることができる。
【００８６】
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８７】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る圧力センサーモジュールについて説明する。
【００８８】
図１９は、本発明の第５実施形態に係る圧力センサーモジュールの断面図である。図２０は、図１９に示す圧力センサーモジュールが有する支持基板の平面図である。
【００８９】
以下、第５実施形態の圧力センサーモジュールについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９０】
図１９に示すように、圧力センサーモジュール１００は、内部空間Ｓ１を有するパッケージ１１０と、内部空間Ｓ１内からパッケージ１１０の外側に引き出されて配置された支持基板１２０と、内部空間Ｓ１内で支持基板１２０に支持されている回路素子１３０および圧力センサー１と、内部空間Ｓ１に配置されている充填部１４０と、を有している。このような圧力センサーモジュール１００によれば、パッケージ１１０および充填部１４０によって圧力センサー１を保護することができる。なお、圧力センサー１としては、例えば、前述した第１、第２、第３実施形態のいずれかのものを用いることができる。
【００９１】
パッケージ１１０は、ベース１１１およびハウジング１１２を有し、ベース１１１およびハウジング１１２が支持基板１２０を挟み込むようにして互いに接着層を介して接合されている。このようにして形成されているパッケージ１１０は、その上端部に形成された開口１１０ａと、開口１１０ａに連通する内部空間Ｓ１と、を有している。
【００９２】
これらベース１１１およびハウジング１１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物セラミックスのような各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂のような各種樹脂材料等の絶縁性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、各種セラミックスを用いることが特に好ましい。
【００９３】
以上、パッケージ１１０について説明したが、パッケージ１１０の構成としては、その機能を発揮することができれば特に限定されない。
【００９４】
支持基板１２０は、ベース１１１およびハウジング１１２の間に挟まれており、内部空間Ｓ１内からパッケージ１１０の外側に引き出されて配置されている。また、支持基板１２０は、回路素子１３０および圧力センサー１を支持すると共に、回路素子１３０および圧力センサー１を電気的に接続している。このような支持基板１２０は、図２０に示すように、可撓性を有する基材１２１と、基材１２１に配置された複数の配線１２９と、を有している。
【００９５】
基材１２１は、開口１２２ａを有する枠状の基部１２２と、基部１２２から延出する帯状の帯体１２３と、を有している。そして、基部１２２の外縁部においてベース１１１とハウジング１１２とに挟まれ、帯体１２３がパッケージ１１０の外側に延出している。このような基材１２１としては、例えば、一般的に用いられているフレキシブルプリント基板を用いることができる。なお、本実施形態では基材１２１が可撓性を有しているが、基材１２１の全部または一部は、硬質であってもよい。
【００９６】
基材１２１の平面視で、回路素子１３０および圧力センサー１は、開口１２２ａの内側に位置し、並んで配置されている。また、回路素子１３０および圧力センサー１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷを介して基材１２１に吊られ、支持基板１２０から浮遊した状態で支持基板１２０に支持されている。また、回路素子１３０および圧力センサー１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷおよび配線１２９を介して電気的に接続されている。このように、回路素子１３０および圧力センサー１を支持基板１２０に対して浮遊した状態で支持することで、支持基板１２０から回路素子１３０および圧力センサー１に応力が伝わり難くなり、圧力センサー１の圧力検知精度が向上する。
【００９７】
回路素子１３０は、ブリッジ回路５０に電圧を供給するための駆動回路、ブリッジ回路５０からの出力を温度補償するための温度補償回路、温度補償回路からの出力から受けた圧力を求める圧力検出回路、圧力検出回路からの出力を所定の出力形式（ＣＭＯＳ、ＬＶ−ＰＥＣＬ、ＬＶＤＳ等）に変換して出力する出力回路等を有している。
【００９８】
充填部１４０は、回路素子１３０および圧力センサー１を覆うように内部空間Ｓ１に配置されている。このような充填部１４０により、回路素子１３０および圧力センサー１を保護（防塵および防水）すると共に、圧力センサー１に作用した外部応力（例えば、落下衝撃）が回路素子１３０および圧力センサー１に伝わり難くなる。
【００９９】
また、充填部１４０は、液状またはゲル状の充填材で構成することができ、回路素子１３０および圧力センサー１の過剰な変位を抑制することができる点で、特にゲル状の充填材で構成するのが好ましい。このような充填部１４０によれば、回路素子１３０および圧力センサー１を水分から効果的に保護することができると共に、圧力を効率的に圧力センサー１へ伝達することができる。このような充填部１４０を構成する充填材としては、特に限定されず、例えば、シリコーンオイル、フッ素系オイル、シリコーンゲル等を用いることができる。
【０１００】
以上、圧力センサーモジュール１００について説明した。このような圧力センサーモジュール１００は、圧力センサー１と、圧力センサー１を収納しているパッケージ１１０と、を有している。そのため、パッケージ１１０によって、圧力センサー１を保護することができる。また、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、優れた信頼性を発揮することができる。
【０１０１】
なお、圧力センサーモジュール１００の構成としては、前述の構成に限定されず、例えば、充填部１４０は、省略してもよい。また、本実施形態では、圧力センサー１および回路素子１３０が、ボンディングワイヤーＢＷによって、支持基板１２０に吊られた状態で支持されているが、例えば、圧力センサー１および回路素子１３０が、直接、支持基板１２０上に配置されていてもよい。また、本実施形態では、圧力センサー１および回路素子１３０が横に並んで配置されているが、例えば、圧力センサー１および回路素子１３０が高さ方向に並んで配置されていてもよい。
【０１０２】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１０３】
図２１は、本発明の第６実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
図２１に示すように、電子機器としての高度計２００は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１（圧力センサーモジュール１００）が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
【０１０４】
このような電子機器の一例である高度計２００は、圧力センサー１を有している。そのため、高度計２００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１０５】
＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１０６】
図２２は、本発明の第７実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【０１０７】
図２２に示すように、電子機器としてのナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１（圧力センサーモジュール１００）と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【０１０８】
このナビゲーションシステム３００によれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【０１０９】
このような電子機器の一例としてのナビゲーションシステム３００は、圧力センサー１を有している。そのため、ナビゲーションシステム３００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１１０】
なお、本発明の電子機器は、前述の高度計およびナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、ドローン、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１１１】
＜第８実施形態＞
次に、本発明の第８実施形態に係る移動体について説明する。
【０１１２】
図２３は、本発明の第８実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
図２３に示すように、移動体としての自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２（タイヤ）と、を有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。また、自動車４００は、車体４０１に搭載されている電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）４０３を有しており、この電子制御ユニット４０３に圧力センサー１が内蔵されている。電子制御ユニット４０３は、圧力センサー１が車体４０１の加速度や傾斜等を検出することにより、移動状態や姿勢等を把握し、車輪４０２等の制御を的確に行うことができる。これにより、自動車４００は、安全で安定した移動をすることができる。なお、圧力センサー１は、自動車４００に備えられているナビゲーションシステム等に搭載されていてもよい。
【０１１３】
このような移動体の一例としての自動車４００は、圧力センサー１を有している。そのため、自動車４００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１１４】
以上、本発明の圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１１５】
１…圧力センサー、２…半導体基板、２１…第１シリコン層、２２…酸化シリコン層、２３…第２シリコン層、２３１…反転層、２４…凹部、２５…ダイアフラム、２５Ａ…領域、３１…絶縁層、３２…導電層、４…周囲構造体、４Ａ…側壁部、４Ｂ…蓋部、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２９…ガードリング、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４７…天井部、４４８…貫通孔、４４９…ガードリング、４５…表面保護膜、４６…被覆層、４６１…貫通孔、４７…封止層、５…センサー部、５０…ブリッジ回路、５１、５２、５３、５４…ピエゾ抵抗素子、５５…配線、５９…駆動回路、６…ベース基板、６１…貫通孔、１００…圧力センサーモジュール、１１０…パッケージ、１１０ａ…開口、１１１…ベース、１１２…ハウジング、１２０…支持基板、１２１…基材、１２２…基部、１２２ａ…開口、１２３…帯体、１２９…配線、１３０…回路素子、１４０…充填部、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、４０３…電子制御ユニット、ＡＶＤＣ…駆動電圧、ＢＷ…ボンディングワイヤー、Ｓ…圧力基準室、Ｓ１…内部空間、Ｓ２、Ｓ３…空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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