(57)【要約】【課題】排気ダクトの気密性低下を抑制することが可能な成膜装置の制御方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る成膜装置の制御方法は、第１チャンバー１１と、第２チャンバー１２と、排気ポンプ１５と、連結部１６と、第１排気ダクト１３と、第２排気ダクト１４と、第１シャットバルブＳ１３と、第２シャットバルブＳ１４と、第１調圧バルブＡ１３と、第２調圧バルブＡ１４と、を備える成膜装置の制御方法である。本発明に係る成膜装置の制御方法は、第１チャンバー１１による第１成膜期間と第２チャンバー１２による第２成膜期間とを交互に実施し、第１成膜期間後から第２成膜期間前において第１調圧バルブＡ１３を閉じ、第１調圧バルブＡ１３を閉じた後に第１シャットバルブＳ１３を閉じることを特徴とする。【選択図】図１
2018040040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１チャンバーと、
第２チャンバーと、
排気ポンプと、
前記排気ポンプに接続された連結部と、
前記第１チャンバーと前記連結部との間に配置された第１排気ダクトと、
前記第２チャンバーと前記連結部との間に配置された第２排気ダクトと、
前記第１排気ダクトに配置された第１シャットバルブと、
前記第２排気ダクトに配置された第２シャットバルブと、
前記第１シャットバルブと前記連結部との間の前記第１排気ダクトに配置され、前記第１チャンバー内の成膜圧力を調整する第１調圧バルブと、
前記第２シャットバルブと前記連結部との間の前記第２排気ダクトに配置され、前記第２チャンバー内の成膜圧力を調整する第２調圧バルブと、
を備える成膜装置の制御方法であって、
前記第１チャンバーによる第１成膜期間と前記第２チャンバーによる第２成膜期間とを交互に実施し、
前記第１成膜期間後から前記第２成膜期間前において前記第１調圧バルブを閉じ、前記第１調圧バルブを閉じた後に前記第１シャットバルブを閉じることを特徴とする、
成膜装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置の制御方法に関するものであり、特に、排気ダクトの気密性低下を抑制することが可能な成膜装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、２つのチャンバーを備え、それぞれのチャンバーは１つの排気ダクトにつながっており、一方のチャンバーが成膜中の場合、もう一方チャンバーに設けられたストップバルブ（シャットバルブ）を開じるＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置の制御方法が開示されている。ＣＶＤ装置においては、２つのチャンバーは交互に成膜が行われる。一方のチャンバーが成膜のために成膜状態の間、他方の待機状態のチャンバーに成膜状態のチャンバーから未反応ガスが流入しないように、排気ダクトに設けられたシャットバルブは閉じられる。
【０００３】
また、ＣＶＤ装置の排気ダクトには、シャットバルブの他に、調圧のための調圧バルブが設けられる場合がある。シャットバルブと調圧バルブとを有するＣＶＤ装置においては、待機状態のチャンバーに接続されたシャットバルブは閉じており、調圧バルブは調圧のために常に開いている場合がある。このような場合、成膜状態のチャンバーから、共用の排気ダクトを経由して、未反応ガスが待機状態のチャンバーに接続されたシャットバルブの摺動部にカスとして付着し堆積する。摺動部に堆積したカスは経時的に増加し、摺動部がかじることでシャットバルブが完全に閉まらずに、チャンバー及び排気ダクトの気密性が低下するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実公平６−６５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＣＶＤ装置においては、待機状態のチャンバーに接続されたシャットバルブの摺動部に未反応ガスがカスとして堆積し、堆積したカスにより摺動部がかじることでシャットバルブが完全に閉まらずに、チャンバー及び排気ダクトの気密性が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、排気ダクトの気密性低下を抑制することが可能な成膜装置の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、
第１チャンバーと、
第２チャンバーと、
排気ポンプと、
前記排気ポンプに接続された連結部と、
前記第１チャンバーと前記連結部との間に配置された第１排気ダクトと、
前記第２チャンバーと前記連結部との間に配置された第２排気ダクトと、
前記第１排気ダクトに配置された第１シャットバルブと、
前記第２排気ダクトに配置された第２シャットバルブと、
前記第１シャットバルブと前記連結部との間の前記第１排気ダクトに配置され、前記第１チャンバー内の成膜圧力を調整する第１調圧バルブと、
前記第２シャットバルブと前記連結部との間の前記第２排気ダクトに配置され、前記第２チャンバー内の成膜圧力を調整する第２調圧バルブと、
を備える成膜装置の制御方法であって、
前記第１チャンバーによる第１成膜期間と前記第２チャンバーによる第２成膜期間とを交互に実施し、
前記第１成膜期間後から前記第２成膜期間前において前記第１調圧バルブを閉じ、前記第１調圧バルブを閉じた後に前記第１シャットバルブを閉じることを特徴とする、
成膜装置の制御方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、排気ダクトの気密性低下を抑制することが可能な成膜装置の制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【図２】図１に示す部分Ｂを例示するブロック図である。
【図３】実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【図４】実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【図５】実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【図６】実施形態に係るＣＶＤ装置の動作を例示するフローチャートである。
【図７】実施形態の比較例に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【図８】実施形態の比較例に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。各図面において、同一又は対応する要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明を省略する。
【００１１】
［実施形態］
実施形態に係る成膜装置として、成膜装置の一つであるＣＶＤ装置について説明する。
先ず、実施形態に係るＣＶＤ装置（成膜装置）の構成について説明する。
図１は、実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【００１２】
図１に示すように、実施形態に係るＣＶＤ装置１０は、チャンバー１１とチャンバー１２と排気ポンプ１５と連結部１６と排気ダクト１３と排気ダクト１４とを備える。連結部１６は、排気ポンプ１５に接続される。排気ダクト１３は、チャンバー１１と連結部１６との間に配置される。排気ダクト１４は、チャンバー１２と連結部１６との間に配置される。また、ＣＶＤ装置１０は、ガス供給部１１ａとガス供給部１２ａとを有する。
【００１３】
ガス供給部１１ａは、カーボンナノチューブの原料となる原料ガスを、チャンバー１１に供給する。ガス供給部１２ａは、カーボンナノチューブの原料となる原料ガスを、チャンバー１２に供給する。原料ガスは、例えば、メタンなどを含んでいる。尚、原料ガスは、未反応ガスと称することもある。
【００１４】
排気ポンプ１５は、排気ダクト１３及び連結部１６を介して、チャンバー１１内のガスを排気する。また、排気ポンプ１５は、排気ダクト１４及び連結部１６を介して、チャンバー１２内のガスを排気する。
【００１５】
尚、排気ポンプは、真空ポンプ又はドライポンプ（ＤＲＰ）と称することもある。また、チャンバーは、真空チャンバー又は成膜チャンバーと称することもある。
【００１６】
ＣＶＤ装置１０は、さらに、排気ダクト１３に配置されたシャットバルブＳ１３と、排気ダクト１４に配置されたシャットバルブＳ１４と、を備える。ＣＶＤ装置１０は、さらに、シャットバルブＳ１３と連結部１６との間の排気ダクト１３に配置された調圧バルブＡ１３と、シャットバルブＳ１４と連結部１６との間の排気ダクト１４に配置された調圧バルブＡ１４と、を有する。調圧バルブＡ１３は、チャンバー１１内の成膜圧力を調整し、調圧バルブＡ１４は、チャンバー１２内の成膜圧力を調整する。尚、調圧バルブは、開度可変バルブと称することもある。
【００１７】
チャンバー１１及びチャンバー１２は、ワークに対して成膜処理を施すチャンバーである。ワークは、例えば、セパレータである。チャンバー１１及びチャンバー１２は、例えば、ワークであるセパレータに対して、カーボンナノコーティングを施す。
【００１８】
調圧バルブＡ１３は、チャンバー１１内の成膜圧力を調整する。例えば、シャットバルブＳ１３及び調圧バルブＡ１３が開いた状態で、原料ガスをチャンバー１１に供給する。そして、調圧バルブＡ１３が排気ダクト１３のコンダクタンスを制限することで、チャンバー１１内の原料ガスが所望の成膜圧力となる。これにより、原料ガスが放電するため、ワークに対して成膜処理を施すことができる。
【００１９】
同様に、調圧バルブＡ１４は、排気ダクト１４のコンダクタンスを制限してチャンバー１２内を所望の成膜圧力に調整する。これにより、原料ガスを放電させワークに対して成膜処理を施す。
【００２０】
ＣＶＤ装置１０は、チャンバー１１による第１成膜期間とチャンバー１２による第２成膜期間とを交互に実施して成膜処理を施すための成膜状態となる。ＣＶＤ装置１０は、例えば、第１成膜期間後から第２成膜期間前において調圧バルブＡ１３を閉じ、調圧バルブＡ１３を閉じた後にシャットバルブＳ１３を閉じる制御を行う。
【００２１】
また、これとは逆に、ＣＶＤ装置１０は、例えば、第２成膜期間後から第１成膜期間前において調圧バルブＡ１４を閉じ、調圧バルブＡ１４を閉じた後にシャットバルブＳ１４を閉じる制御を行う。
【００２２】
これにより、チャンバー１１の未反応ガスが、排気ダクト１３と連結部１６と排気ダクト１４とを経由してシャットバルブＳ１４に到達しないようにする。その結果、シャットバルブＳ１４の摺動部に未反応ガスが付着すること抑制し、シャットバルブの気密性低下を抑制できる。
【００２３】
図２は、図１に示す部分Ｂを例示するブロック図である。
【００２４】
図１及び図２に示すように、実施形態においては、調圧バルブＡ１４は、そのシール面Ａ１４ｓが排気側（排気ポンプ１５側）になるように配置される。シール面Ａ１４ｓには、シールＡ１４ａが設けられる。調圧バルブＡ１４は、シールが設けられたシール面側からのガスの侵入を、完全に防止することができる。よって、シールＡ１４ａが設けられたシール面Ａ１４ｓを排気ポンプ１５側になるように配置することにより、成膜状態のチャンバー１１からの未反応ガスＧ１の侵入（移動）を完全に防ぐことができる。
【００２５】
また、未反応ガスＧ１の侵入（移動）を防ぐため、待機状態のシャットバルブＳ１４及び調圧バルブＡ１４は、全閉とするように制御される。このとき、チャンバー１１が成膜処理を施すための成膜状態になる前にシャットバルブＳ１４を閉じ、シャットバルブＳ１４を閉じるよりも前に調圧バルブＡ１４を閉じるように制御する。すなわち、チャンバー１１が成膜処理を施すための成膜状態になる前に調圧バルブＡ１４を閉じ、調圧バルブＡ１４を閉じた後にシャットバルブＳ１４を閉じる制御を行う。
【００２６】
図２に示すように、調圧バルブＡ１４を閉じることにより、調圧バルブＡ１４よりもチャンバー１２側と調圧バルブＡ１４よりも排気ポンプ１５側とで気圧差が生じる。調圧バルブＡ１４よりもチャンバー１２側の気圧Ｐ１は、調圧バルブＡ１４よりも排気ポンプ１５側の気圧Ｐ２よりも高くなる。尚、シールＳ１４ａは、シャットバルブＳ１４のシール面に設けられる。
【００２７】
シャットバルブＳ１４よりもチャンバー１２側の気圧は気圧Ｐ１であり、シャットバルブＳ１４と調圧バルブＡ１４との間の排気ダクト１４ｍの気圧も気圧Ｐ１である。すなわち、シャットバルブＳ１４よりもチャンバー１２側の気圧とシャットバルブＳ１４よりも排気ポンプ１５側の気圧とが共に気圧Ｐ１となり気圧差が無い。
【００２８】
これにより、シャットバルブＳ１４を開いたときに、急激な圧力変化が抑制されるのでチャンバー１２の圧力ハンチングの発生が抑制されて圧力の応答性の悪化を防止することができる。すなわち、排気ダクト１４ｍを圧力バッファとして用いることができ、チャンバー１１のハンチングの抑制し、応答性の悪化を防止することができる。
【００２９】
また、排気ダクト１３及び連結部１６を介してチャンバー１１から移動した未反応ガスＧ１は、例えば、移動経路Ｌ１のように移動するが、調圧バルブＡ１４で阻止されて調圧バルブＡ１４のチャンバー１２側には移動しない。その結果、待機状態のチャンバー１２に接続されたシャットバルブＳ１４の摺動部Ｓ１４ｂに未反応ガスＧ１がカスとして付着することは無い。
【００３０】
これにより、カスがシャットバルブＳ１４の摺動部Ｓ１４ｂに堆積することを防止することができる。尚、摺動部をシャフトと称することもある。
【００３１】
尚、図２では、チャンバー１２が待機状態であり、チャンバー１１が成膜状態であるとして説明したが、これには限定されない。すなわち、チャンバー１２が成膜状態であり、チャンバー１１が待機状態である場合でも、調圧バルブは、そのシール面が排気側になるように配置され、調圧バルブを閉じた後にシャットバルブを閉じる。
【００３２】
次に、実施形態に係るＣＶＤ装置の制御方法の動作について説明する。
チャンバー１１が成膜状態から待機状態に移行し、チャンバー１２が待機状態から成膜状態に移行する場合について説明する。
【００３３】
図３は、実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
図４は、実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
図５は、実施形態に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
図６は、実施形態に係るＣＶＤ装置の動作を例示するフローチャートである。
【００３４】
図６に示すように、チャンバー１１にワークを搬入する（ステップＳ１０１）。図３（Ａ）及び図６に示すように、シャットバルブＳ１３を開く（ステップＳ１０２）。
【００３５】
そして、調圧バルブＡ１４を閉じた（ステップＳ１０６）後、シャットバルブＳ１４を閉じる（ステップＳ１０７）。チャンバー１２からワークを搬出する（ステップＳ１０８）。尚、ステップＳ１０６とステップＳ１０７は、ステップＳ１０２の前に行ってもよい。また、調圧バルブＡ１４とシャットバルブＳ１４とが、予め閉じている場合には、ステップＳ１０６とステップＳ１０７は、行わなくてもよい。
【００３６】
図３（Ｂ）及び図６に示すように、調圧バルブＡ１３を開く（ステップＳ１０３）。未反応ガスＧ１は、排気ダクト１３から連結部１６を介して排気ポンプ１５及び排気ダクト１４に移動する。このとき、調圧バルブＡ１４及びシャットバルブＳ１４は閉じられている（ステップＳ１０６及びステップＳ１０７）ので、ガス供給部１１ａが未反応ガスＧ１を供給し始めても、未反応ガスＧ１は、移動経路Ｌ１３のように移動し、調圧バルブＡ１４のチャンバー１２側には移動しない。
【００３７】
その後、チャンバー１１内の成膜圧力が所定のガス圧力となったら、チャンバー１１において成膜プロセスを実行する（ステップＳ１０４）。成膜プロセスが終了しない場合（ステップＳ１０５：Ｎｏ）、ステップＳ１０４に戻り、成膜プロセスを実行する。成膜プロセスが終了した場合（ステップＳ１０５：Ｙｅｓ）、次のステップＳ１０９に移行する。尚、ステップＳ１０４の成膜プロセス開始からステップＳ１０５の成膜終了までのチャンバー１１の状態を成膜状態という。チャンバー１１が成膜状態の間、チャンバー１２は待機状態となる。チャンバー１１が成膜状態にある期間を第１成膜期間という。具体的には、第１成膜期間は、ステップＳ１０４及びステップＳ１０５である。
【００３８】
チャンバー１１における成膜プロセス終了後、図４（Ａ）及び図６に示すように、調圧バルブＡ１３を閉める（ステップＳ１０９）。
【００３９】
図４（Ｂ）及び図６に示すように、シャットバルブＳ１３を閉める（ステップＳ１１０）。これにより、全てのバルブが閉じられる。チャンバー１１からワークを搬出する（ステップＳ１１１）。
【００４０】
チャンバー１１の成膜プロセスが終了した場合（ステップＳ１０５：Ｙｅｓ）、図６に示すように、チャンバー１２にワークを搬入する（ステップＳ１１２）。図５（Ａ）及び図６に示すように、シャットバルブＳ１４を開く（ステップＳ１１３）。
【００４１】
図５（Ｂ）及び図６に示すように、調圧バルブＡ１４を開く（ステップＳ１１４）。未反応ガスＧ１は、排気ダクト１４から連結部１６を介して排気ポンプ１５及び排気ダクト１３に移動する。このとき、調圧バルブＡ１３及びシャットバルブＳ１３は閉じられているので、ガス供給部１２ａが未反応ガスＧ１を供給し始めても、未反応ガスＧ１は、移動経路Ｌ１４のように移動し、調圧バルブＡ１３のチャンバー１１側には移動しない。
【００４２】
図６に示すように、チャンバー１２において成膜プロセスを実行する（ステップＳ１１５）。成膜プロセスが終了しない場合（ステップＳ１１６：Ｎｏ）、ステップＳ１１５に戻り、成膜プロセスを実行する。成膜プロセスが終了した場合（ステップＳ１１６：Ｙｅｓ）、調圧バルブＡ１４を閉める（ステップＳ１１７）。その後、シャットバルブＳ１４を閉める（ステップＳ１１８）。その後、ワークを搬出する（ステップＳ１１９）。
【００４３】
尚、ステップＳ１１５の成膜プロセス開始からステップＳ１１６の成膜終了までのチャンバー１２の状態を成膜状態という。チャンバー１２が成膜状態の間、チャンバー１１は待機状態となる。チャンバー１２が成膜状態にある期間を第２成膜期間という。具体的には、第２成膜期間は、ステップＳ１１５及びステップＳ１１６である。
【００４４】
成膜プロセスを繰り返す場合（ステップＳ１２０：Ｙｅｓ）、チャンバー１１はステップＳ１０１に戻り成膜状態となり、チャンバー１２はステップＳ１０６に戻り待機状態となり、一連の動作を繰り返す。成膜プロセスを繰り返さない場合（ステップＳ１２０：Ｎｏ）、終了する。
【００４５】
上述のように、実施形態においては、チャンバー１１による第１成膜期間とチャンバー１２による第２成膜期間とを交互に実施する。そして、第１成膜期間後から第２成膜期間前において調圧バルブＡ１３を閉じ、調圧バルブＡ１３を閉じた後にシャットバルブＳ１３を閉じる制御を行う。また、これとは逆に、第２成膜期間後から第１成膜期間前において調圧バルブＡ１４を閉じ、調圧バルブＡ１４を閉じた後にシャットバルブＳ１４を閉じる制御を行う。
【００４６】
これにより、成膜状態のチャンバーから移動した未反応ガスが、カスとしてシャットバルブの摺動部に付着し堆積することを防止する。堆積したカスにより、摺動部の摺動性が悪化して気密性が低下することを防止する。すなわち、カスにより、摺動部がかじることでシャットバルブが完全に閉まらずに、チャンバー及び排気ダクトの気密性が低下するということを防止する。
【００４７】
その結果、シャットバルブを完全に閉じることができるので、排気ダクトの気密性低下を抑制することが可能なＣＶＤ装置の制御方法を提供することができる。
【００４８】
また、実施形態に係る成膜装置の制御方法においては、シャットバルブよりもチャンバー側の気圧とシャットバルブよりも排気ポンプ側の気圧とが共に同じ気圧となり気圧差が無い。よって、シャットバルブを開いたときに、急激な圧力変化が抑制されるのでチャンバーの圧力ハンチングの発生が抑制されて圧力の応答性の悪化を防止することができる。
【００４９】
ここで、実施形態に係るＣＶＤ装置の制御方法の特徴を以下に示す。
・実施形態に係るＣＶＤ装置１０の制御方法は、セパレータにＣＶＤ表面処理（カーボンナノコーティング）を施す工程に関する。
・ＣＶＤ装置１０は、チャンバー１１、チャンバー１２、排気ポンプ１５、ガス供給部１１ａ、ガス供給部１２ａ、排気ダクト１３、排気ダクト１４、シャットバルブＳ１３、シャットバルブＳ１４、調圧バルブＡ１３及び調圧バルブＡ１４を有する構成である。
・ＣＶＤ装置１０は、一個流しの高速な成膜装置であり、対をなすチャンバーであるチャンバー１１とチャンバー１２とを使用して交互に成膜する。
・未反応ガスの侵入を防ぐため、一方のチャンバーが成膜状態になる前に他方のチャンバーの排気用バルブ（シャットバルブ及び調圧バルブ）を全閉とするバルブ制御を行う。
・シャットバルブの開時の急激な圧力変化によるハンチングを抑制し、調圧の応答遅れを回避するため、シャットバルブと調圧バルブとの間の配管（排気ダクト）をバッファとして用いる。
・ハンチングを抑制し、調圧の応答遅れを回避するため、チャンバーから調圧バルブまでの気圧を均一とするバルブ制御を行う。
・未反応ガスの侵入を防ぐため、調圧バルブのシールが設けられたシール面が排気側になるように調圧バルブを配置する。
【００５０】
尚、実施形態においては、チャンバーの数を２として説明したが、これには限定されずに、チャンバーの数は３以上あっても良い。また、成膜装置の例として、ＣＶＤ装置について説明したが、これには限定されない。成膜装置としては、ＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)装置やスパッタ装置等であっても良い。
【００５１】
［比較例］
次に、実施形態の比較例について説明する。
図７は、実施形態の比較例に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
図８は、実施形態の比較例に係るＣＶＤ装置を例示するブロック図である。
【００５２】
図７及び図８に示すように、比較例においては、待機状態のチャンバー２２のシャットバルブＳ１４は開いており、調圧バルブＡ１４も調圧のために開いている。また、比較例においては、調圧バルブＡ２４のシール面Ａ２４ｓがチャンバー２２側になるように配置される。このような場合、成膜状態のチャンバー１１から、排気ダクト２３、連結部２６及び排気ダクト２４を経由して未反応ガスＧ１が移動経路Ｌ２のように移動し、シャットバルブＳ２４に到達する。
【００５３】
これにより、シャットバルブＳ２４の摺動部Ｓ２４ｂに未反応ガスＧ１がカスとして付着、堆積して摺動部Ｓ２４ｂの摺動性が悪化して気密性が低下する。すなわち、堆積したカスは経時的に増加し、摺動部Ｓ２４ｂがかじることでシャットバルブＳ２４が完全に閉まらずに、チャンバー及び排気ダクトの気密性が低下する。
【００５４】
尚、比較例においては、シャットバルブＳ２４が開いた状態について説明したが、シャットバルブＳ２４が閉じた状態でも調圧バルブＡ１４が開いているため、同様に摺動部Ｓ２４ｂに未反応ガスＧ１がカスとして付着する。
【００５５】
尚、本発明は上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０、２０…ＣＶＤ装置  １１、１２、２１、２２…チャンバー  １１ａ、１２ａ、２１ａ、２２ａ…ガス供給部  １３、１４、１４ｍ、２３、２４…排気ダクト  １５、２５…排気ポンプ  １６、２６…連結部  Ｇ１…未反応ガス  Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ２３、Ｓ２４…シャットバルブ  Ａ１３、Ａ１４、Ａ２３、Ａ２４…調圧バルブ  Ｓ１３ａ、Ａ１３ａ、Ｓ１４ａ、Ａ１４ａ、Ｓ２３ａ、Ａ２３ａ、Ｓ２４ａ、Ａ２４ａ…シール  Ｓ１３ｂ、Ａ１３ｂ、Ｓ１４ｂ、Ａ１４ｂ、Ｓ２３ｂ、Ａ２３ｂ、Ｓ２４ｂ、Ａ２４ｂ…摺動部  Ａ１４ｓ、Ａ２４ｓ…シール面  Ｐ１、Ｐ２…気圧  Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１３、Ｌ１４…移動経路
【図１】
2018040040.tif 000003
【図２】
2018040040.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018040040.tif 000009
【図８】
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