(57)【要約】【課題】熱エネルギーを有効活用することができる、新規の断熱材料を提供する。【解決手段】本開示は、非晶質シリコン層、及び、結晶質シリコンと非晶質シリコンとが混合している混合層、を備え、前記非晶質シリコン層と前記混合層とが、互いに接している、断熱材料についてである。本開示によれば、結晶質シリコンと非晶質シリコンとが混合している混合層が、非晶質シリコン層と接していることによって、熱伝導が抑制される断熱材料を提供することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質シリコン層、及び
結晶質シリコンと非晶質シリコンとが混合している混合層、
を備え、
前記非晶質シリコン層と前記混合層とが、互いに接している、
断熱材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、断熱材料に関する。本開示は、特に、シリコン系断熱材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱エネルギーを利用するとき、投入された熱エネルギーの全てが、目的に供されるわけではなく、投入された熱エネルギーの多くは、利用されることなく、排熱されている。
【０００３】
排熱を抑制するのに、断熱材料の利用は、効果的である。近年では、基材の結晶構造を変化させることによって、基材の熱伝導率を低下させることが試みられている。
【０００４】
例えば、非特許文献１には、基材に特定の元素のイオンを注入して、熱伝導率を低下させる試みがなされている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｔａｋｕｍａ  Ｓｈｉｇａ  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ  ｏｆ  ｍａｓｓ  ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｉｎ  ａｌｌｏｙ  ｐｈｏｎｏｎ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ”，  Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．，  ５３，  ０２１８０２  （２０１４）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような試みから分かるように、本発明者らは、熱エネルギーを有効活用するため、新規の断熱材料が求められている、という課題を見出した。
【０００７】
本開示は、上記課題を解決するために完成されたものであり、熱エネルギーを有効活用することができる、新規の断熱材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成すべく、鋭意検討を重ね、本開示の断熱材料を完成させた。その要旨は、次のとおりである。
〈１〉非晶質シリコン層、及び
結晶質シリコンと非晶質シリコンとが混合している混合層、
を備え、
前記非晶質シリコン層と前記混合層とが、互いに接している、
断熱材料。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、結晶質シリコンと非晶質シリコンとが混合している混合層が、非晶質シリコン層と接していることによって、熱伝導が抑制される断熱材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本開示の断熱材料の構造の一態様を示す模式図である。
【図２】図２は、実施例１の断熱材料の透過型電子顕微鏡像を示す図である。
【図３】図３は、実施例２の断熱材料の透過型電子顕微鏡像を示す図である。
【図４】図４は、実施例３の断熱材料の透過型電子顕微鏡像を示す図である。
【図５】図５は、実施例４の断熱材料の透過型電子顕微鏡像を示す図である。
【図６】図６は、比較例１の材料の透過型電子顕微鏡像を示す図である。
【図７】図７は、単結晶シリコン（１１１）の透過型電子顕微鏡像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の断熱材料の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本開示の断熱材料を限定するものではない。
【００１２】
本発明者らは、結晶質シリコン基板に特定の元素のイオンを注入すると、非晶質シリコン層が形成されるだけでなく、この非晶質シリコン層に接して、結晶質シリコンと非晶質シリコンとが混合している混合層が形成されることを知見した。そして、本発明者らは、非晶質シリコン層と混合層とを備える部分の熱伝導率は、非晶質シリコン層の熱伝導率よりも低いことを知見した。
【００１３】
これらの知見に基づく、本開示の断熱材料の構成を、次に説明する。図１は、本開示の断熱材料の構造の一態様を示す模式図である。
【００１４】
本開示の断熱材料（１００）は、非晶質シリコン層（１０）及び混合層（２０）を備えている。混合層（２０）は、結晶質シリコンと非晶質シリコンとが混合している。
【００１５】
図１に示した態様では、断熱材料（１００）は、２つの混合層（２０ａ、２０ｂ）を有しているが、少なくとも１つの混合層を有していればよい。
【００１６】
非晶質シリコン層（１０）と混合層（２０ａ、２０ｂ）は、互いに接している。図１に示した態様のように、断熱材料（１００）が２つの混合層（２０ａ、２０ｂ）を有している場合には、それらのそれぞれが、非晶質シリコン層（１０）と互いに接している。すなわち、非晶質シリコン層（１０）と混合層（２０ａ）が接しており、非晶質シリコン層（１０）と混合層（２０ｂ）が接している。
【００１７】
図１に示した態様では、断熱材料（１００）は、結晶質シリコン層（３０）を備えている。断熱材料（１００）は、結晶質シリコン基板にイオン注入することによって製造されたものである。結晶質シリコン層（３０）は、イオン注入によって、結晶構造が変化しなかった部分である。断熱材料（１００）の混合層（２０ａ）側の表面は、イオン注入前の結晶質シリコン基板に、イオンを注入した表面である。なお、断熱材料（１００）の製造方法は、後ほど詳述する。
【００１８】
断熱材料（１００）のように、多層構造を有する断熱材料の熱伝導率は、個々の層の熱伝導率の値を用いて、Ｍａｘｗｅｌｌの複合則によって算出された熱伝導率となるのが一般的である。そして、非晶質シリコンの熱伝導率と比べて、結晶質シリコンの熱伝導率は著しく高い。これらのことから、断熱材料（１００）を製造する上で支障がない限り、結晶質シリコン層（３０）の厚さは薄いほど好ましい。断熱材料（１００）中に、結晶質シリコン層（３０）を備えないことが理想である。
【００１９】
理論に拘束されないが、断熱材料（１００）が熱伝導を抑制する機構は、次のように考えられる。混合層（２０ａ、２０ｂ）を伝わった熱が、非晶質シリコン層（１０）へ伝わるとき、混合層（２０ａ、２０ｂ）と非晶質シリコン層（１０）との界面があることによって、熱が混合層（２０ａ、２０ｂ）の内部で拡散する。一方、非晶質シリコン層（１０）を伝わった熱が、混合層（２０ａ、２０ｂ）へ伝わるとき、非晶質シリコン層（１０）と混合層（２０ａ、２０ｂ）との界面があることによって、熱が非晶質シリコン層（１０）の内部で拡散する。混合層（２０ａ、２０ｂ）の内部は、結晶質シリコンと非晶質シリコンとの界面が多数存在し、その界面で熱が拡散する。したがって、非晶質シリコン層（１０）の内部よりも、混合層（２０ａ、２０ｂ）の内部の方が、熱が拡散し易い。この熱拡散により、断熱材料（１００）は、低熱伝導率を有する。
【００２０】
このような機構を有すると考えられる、本開示の断熱材料（１００）を、構成要素ごとに説明する。
【００２１】
（非晶質シリコン層）
非晶質シリコン層（１０）は、その大部分が非晶質シリコンである。しかし、製造上の理由等により、非晶質シリコン層（１０）中に、不可避的に、結晶質シリコンが少量残留する。非晶質シリコン層（１０）は、結晶質シリコンの含有量が１０体積％未満の領域と定義する。
【００２２】
非晶質シリコンの含有量は、次のようにして求める。対象物を透過型電子顕微鏡で観察する。透過型電子顕微鏡像において、非晶質部は透明（不可視）であり、結晶質部は結像（可視）する。非晶質シリコンの含有量（体積％）は、透過型電子顕微鏡像の視野全体を１００％としたときの透明部分の面積率（％）に比例すると考えられる。そこで、その面積率（％）を、非晶質シリコンの含有量（体積％）と定義する。
【００２３】
非晶質シリコン層（１０）は、結晶質シリコン基板に、特定の元素のイオンを注入することによって、形成されてもよい。特定の元素のイオンを注入することについては、後ほど詳述する。非晶質シリコン層（１０）は、注入されたイオンを少量含有してもよい。イオン注入数が、１×１０１８個／ｃｍ３以上、１×１０１９個／ｃｍ３以上、又は５×１０１９個／ｃｍ３以上であれば、結晶質シリコン基板中の少なくとも一部を非晶質シリコン層（１０）にすることができる。一方、イオン注入数が、１×１０２２個／ｃｍ３以下、５×１０２１個／ｃｍ３以下、又は１×１０２１個／ｃｍ３以下であれば、注入されたイオンによって、非晶質シリコン層（１０）の熱伝導率が高くなることはない。
【００２４】
非晶質シリコン層（１０）は、注入されたイオン以外に、不可避的不純物を含んでもよい。不可避的不純物とは、イオン注入前の結晶質シリコン基板に含まれる不純物、及びイオン注入時のコンタミ等である。不可避的不純物には、本開示の断熱材料の効果に影響しない少量の物質も含まれる。非晶質シリコン層（１０）中の不可避的不純物の含有量は、注入されたイオンを除いて、９８．０質量％以上が好ましく、９９．０質量％がより好ましく、９９．５質量％以上がより一層好ましい。
【００２５】
非晶質シリコン層（１０）が、結晶質シリコン基板に特定の元素のイオンを注入することによって形成される場合、非晶質シリコン層（１０）の厚さは、断熱材料（１００）の熱伝導率に影響する。
【００２６】
非晶質シリコン層（１０）の厚さが、１５０ｎｍ以下であれば、イオン注入のエネルーが、過度に非晶質シリコン層（１０）の形成に費やされることがない。そのため、イオン注入のエネルギ−が、不足なく混合層（２０）の形成に費やされる。その結果、混合層（２０）を厚くすることができるため、断熱材料（１００）の熱伝導率は、一層低下する。この観点から、非晶質シリコン層（１０）の厚さは、１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２７】
一方、非晶質シリコン層（１０）の厚さが、４ｎｍ以上であれば、混合層（２０ａ、２０ｂ）との界面が一層明瞭に区別できるようになる。そのため、断熱材料（１００）の熱伝導率は、一層低下する。この観点から、非晶質シリコン層（１０）の厚さは、８ｎｍ以上であることが好ましく、１６ｎｍ以上であることがより好ましい。
【００２８】
（混合層）
混合層（２０ａ、２０ｂ）は、結晶質シリコンと非晶質シリコンが混合している層である。上述したように、非晶質シリコン層（１０）中には、不可避的に少量の結晶質シリコンが残留する。そこで、非晶質シリコン層（１０）は、結晶質シリコンの含有量が１０体積％未満の領域と定義する。同様に、結晶質シリコン層（３０）中には、不可避的に少量の非晶質シリコンが残留する。そこで、結晶質シリコン層（３０）は、結晶質シリコンの含有量が９０体積％をこえる領域と定義する。したがって、混合層（２０ａ、２０ｂ）は、非晶質シリコンの含有量が１０体積％以上、９０体積％以下であり、残部が結晶質シリコンである領域と定義する。
【００２９】
混合層（２０ａ、２０ｂ）は、結晶質シリコン基板に特定の元素のイオンを注入することによって形成されてもよい。特定の元素のイオン注入については、後ほど詳述する。混合層（２０）は、注入されたイオンを少量含有してもよい。イオン注入数が、１×１０１８個／ｃｍ３以上、１×１０１９個／ｃｍ３以上、又は５×１０１９個／ｃｍ３以上であれば、結晶質シリコン基板中の少なくとも一部を、混合層（２０ａ、２０ｂ）にすることができる。一方、イオン注入数が、１×１０２２個／ｃｍ３以下、５×１０２１個／ｃｍ３以下、又は１×１０２１個／ｃｍ３以上であれば、注入されたイオンによって、非晶質シリコン層（１０）の熱伝導率が高くなってしまうことはない。
【００３０】
混合層（２０ａ、２０ｂ）は、注入されたイオン以外に、不可避的不純物を含んでもよい。不可避的不純物とは、イオン注入前の結晶質シリコン基板に含まれる不純物、及びイオン注入時のコンタミ等である。不可避的不純物には、本開示の断熱材料の効果に影響しない少量の物質も含まれる。混合層（２０ａ、２０ｂ）中の不可避的不純物の含有量は、上述した注入されたイオンを除いて、９８．０質量％以上が好ましく、９９．０質量％がより好ましく、９９．５質量％以上がより一層好ましい。
【００３１】
混合層（２０ａ、２０ｂ）を、結晶質シリコン基板に特定の元素のイオンを注入することによって形成する場合、混合層（２０ａ、２０ｂ）の厚さは、次のとおりであることが好ましい。イオン注入のエネルギーの全てが、混合層（２０ａ、２０ｂ）の形成に供されて、非晶質シリコン層（１０）が形成されないことがなければ、混合層（２０ａ、２０ｂ）は、厚い方が好ましい。混合層（２０ａ、２０ｂ）が厚いと、混合層（２０ａ、２０ｂ）の内部で熱の拡散がしやすく、その結果、断熱材料（１００）の熱伝導率が低下する。
【００３２】
熱の拡散の観点からは、イオン注入表面側の混合層（２０ａ）、及び結晶質シリコン層（３０）側の混合層（２０ｂ）ともに、その厚さは、それぞれ、２ｎｍ以上、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、４０ｎｍ以上、又は８０ｎｍ以上であってよい。
【００３３】
非晶質シリコン層（１０）が形成されないことを抑制する観点からは、イオン注入表面側の混合層（２０ａ）、及び結晶質シリコン層（３０）側の混合層（２０ｂ）ともに、その厚さは、それぞれ、５００ｎｍ以下、４００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、又は１００ｎｍ以下であってよい。
【００３４】
（非晶質シリコン層と混合層の位置関係）
非晶質シリコン層（１０）は、混合層（２０ａ、２０ｂ）と接している。これにより、混合層（２０ａ、２０ｂ）と非晶質シリコン層（１０）との界面、あるいは、非晶質シリコン層（１０）と混合層（２０ａ、２０ｂ）との界面を形成する。混合層（２０ａ、２０ｂ）と非晶質シリコン層（１０）との界面は、混合層（２０ａ、２０ｂ）から非晶質シリコン層（１０）へ熱が伝わるときの界面である。非晶質シリコン層（１０）と混合層（２０ａ、２０ｂ）との界面は、非晶質シリコン層（１０）から混合層（２０ａ、２０ｂ）へ熱が伝わるときの界面である。これらの界面によって、熱が拡散し、その結果、断熱材料（１００）は低熱伝導率を得られる。
【００３５】
（製造方法）
次に、本開示の断熱材料（１００）の製造方法の一例について説明する。得られる断熱材料（１００）が、これまでに説明してきた構成要件を満たせば、ここに開示される製造方法に限られない。
【００３６】
結晶質シリコン基板を準備する。結晶質シリコン基板は、単結晶シリコン基板でもよいし、多結晶シリコン基板でもよい。単結晶シリコン基板の面方位に、特に制限はなく。単結晶シリコン基板の面方位としては、（１００）、（１１０）、及び（１１１）等が挙げられる。なお、本明細書では、面方位が（１１１）の単結晶シリコン基板を、単結晶シリコン（１１１）基板と表すことがある。
【００３７】
結晶質シリコンに、特定の元素のイオンを注入する。特定の元素としては、アルミニウム（２７．０）、リン（３１．０）、ヒ素（７４．９）、及びアンチモン（１２１．８）が挙げられる。元素名のあとの括弧内の数字は、その元素の原子量を表す。
【００３８】
上述した元素の中で、アルミニウム及びリンが、特定の元素として、より好ましい。アルミニウム又はリンのイオンを結晶質シリコン基板に注入すると、図１に示したように、非晶質シリコン層（１０）と、その両側に混合層（２０ａ、２０ｂ）が形成される。両側とは、イオン注入表面側（混合層（２０ａ））と結晶質シリコン層（３０）側（混合層（２０ｂ））である。
【００３９】
一方、ヒ素又はアンチモンを結晶質シリコン基板に注入すると、非晶質シリコン層（１０）の結晶質シリコン層（３０）側のみに、混合層（２０ｂ）が形成される。すなわち、非晶質シリコン層（１０）のイオン注入表面側には、混合層（２０ａ）が形成されない。
【００４０】
また、ホウ素（１０．８）のイオンを結晶質シリコン基板に注入すると、イオン注入表面側及び結晶質シリコン層（３０）側のいずれにも、混合層（２０ａ、２０ｂ）が形成されない。なお、ホウ素のあとの括弧内の数字は、ホウ素の原子量を表す。
【００４１】
アルミニウムとリンの原子量は、それぞれ、２７．０と３１．０である。これに対し、シリコンの原子量は、２８．１である。したがって、アルミニウムとリンの原子量は、シリコンの原子量に近い。理論に拘束されないが、アルミニウム又はリンのイオンを結晶質シリコン基板に注入したとき、基板が受け取るエネルギーは、シリコンの結晶構造を完全に破壊する程には大きくない。そのため、非晶質シリコン層（１０）の両側に、一部に結晶質シリコンが残留している混合層（２０ａ、２０ｂ）が形成される。
【００４２】
一方、ヒ素とアンチモンの原子量は、それぞれ、７４．９と１２１．８である。したがって、ヒ素とアンチモンの原子量は、シリコンの原子量よりも大きい。理論に拘束されないが、ヒ素又はアンチモンのイオンを結晶質シリコン基板に注入したとき、基板が受け取るエネルギーは、アルミニウム又はリンのイオンを結晶質シリコン基板に注入したときよりも大きい。そのため、非晶質シリコン層（１０）のイオン注入表面側には、混合層（２０ａ）が形成されず、結晶質シリコン層（３０）側のみに、混合層（２０ｂ）が形成される。すなわち、ヒ素又はアンチモンのイオンを結晶質シリコン基板に注入したとき、イオン注入表面側には、一部に結晶質シリコンが残留している混合層（２０ａ）は形成されず、その部分も非晶質化される。
【００４３】
さらに、ホウ素の原子量は１０．８であり、シリコンの原子量よりも非常に小さい。理論に拘束されないが、ホウ素のイオンを結晶質シリコン基板に注入したとき、ホウ素がシリコン結晶内に侵入するものの、そのシリコン結晶を破壊するほどの大きなエネルギーを、結晶質シリコン基板は受け取ることができない。したがって、ホウ素のイオンを結晶質シリコン基板に注入したとき、非晶質シリコン層（１０）及び混合層（２０ａ、２０ｂ）のいずれも形成されない。
【００４４】
イオン注入の諸条件は、イオンの種類、非晶質シリコン層（１０）及び混合層（２０ａ、２０ｂ）の厚さ等によって、適宜決定すればよい。注入電圧は、５ｋｅＶ以上、１０ｋｅＶ以上、２０ｋｅＶ以上、又は４０ｋｅＶ以上であってよく、１００ｋｅＶ以下、８０ｋｅＶ以下、６０ｋｅＶ以下、又は５０ｋｅＶ以下であってよい。注入角は、４度以上、５度以上、又は６度以上であってよく、１０度以下、９度以下、又は８度以下であってよい。狙い注入深さは、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、又は４０ｎｍ以上であってよく、１２０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は７０ｎｍ以下であってよい。
【００４５】
これまで説明したようにイオン注入をすることによって、非晶質シリコン層（１０）と、非晶質シリコン層（１０）と互いに接している混合層（２０ａ、２０ｂ）とが得られるため、熱伝導を抑制することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、本開示の断熱材料を実施例により、さらに具体的に説明する。なお、本開示の断熱材料は、これらに限定されるものではない。
【００４７】
（試料の作製）
厚さ１０００μｍの単結晶シリコン（１１１）基板を準備した。アルミニウム、リン、ヒ素、アンチモン、及びホウ素のイオンを、それぞれの基板に、注入した。注入電圧は１０〜９５ｋｅＶ、注入角は７度、そして、狙い注入深さは２０〜１００ｎｍであった。狙い注入深さは、イオン注入可能な深さ及び熱抵抗計測可能な膜厚によって決定した。
【００４８】
（評価方法）
作製した試料について、熱伝導率測定を行った。熱伝導率測定については、周期数領域サーモリフレクタンス（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｄｏｍａｉｎ  Ｔｈｅｒｍｏｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）法によって、混合層（２０ａ）側の表面から、５０ｎｍまでの深さの熱伝導率を測定した。なお、混合層（２０ａ）側が、イオン注入側である。一部の試料については、透過型電子顕微鏡観察を行った。透過型電子顕微鏡像から、非晶質シリコン層（１０）の厚さと、混合層（２０ａ、２０ｂ）の厚さとを求めた。
【００４９】
また、全ての試料について二次イオン質量分析（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＳＩＭＳ）を行った。
【００５０】
（評価結果）
評価結果を表１及び２に示す。いずれの表にも、イオン注入条件を併記した。すなわち、注入イオン、注入電圧、注入角度、及び狙い注入深さを併記した。
【００５１】
実施例１〜４及び比較例１については、非晶質シリコン層（１０）の厚さと混合層（２０ａ、２０ｂ）の厚さの測定結果を示した。混合層（２０ａ、２０ｂ）の厚さについては、混合層（２０ａ）の厚さを「イオン注入表面側」の欄に、混合層（２０ｂ）の厚さを「結晶質シリコン層側」の欄に、それぞれ示した。また、混合層（２０ａ）の厚さと混合層（２０ｂ）の厚さの合計を「合計」の欄に示した。
【００５２】
実施例５及び６の非晶質シリコン層（１０）の厚さは、実施例１の非晶質シリコン層（１０）の厚さから推定して求めた。同様に、実施例７及び８の非晶質シリコン層（１０）の厚さは、実施例２の非晶質シリコン層（１０）の厚さから推定して求めた。具体的には、実施例５及び６と実施例１とで、非晶質シリコン層（１０）の厚さは、狙い注入厚さに比例すると推定して求めた。実施栄７及び８と実施例２との関係も同様である。このような推定で求めた非晶質シリコン層（１０）の厚さの値は、表２において、括弧付の数字で示した。また、表１及び２には記載していないが、二次イオン質量分析の結果、全ての試料でイオン注入されていることを確認した。
【００５３】
【表１】
2018105460.tif 000003
【００５４】
【表２】
2018105460.tif 000004
【００５５】
図２〜５に、実施例１〜４の試料の透過電子顕微鏡像を示した。また、図６に、比較例１の試料の透過電子顕微鏡像を示した。そして、図７に、イオン注入前のシリコン（１１１）単結晶基板の透過型電子顕微鏡像を示した。
【００５６】
図２及び３は、非晶質シリコン層（１０）の両側に混合層（２０ａ、２０ｂ）が存在していることを示している、図４及び５は、非晶質シリコン層（１０）の結晶質シリコン層（３０）側のみに、混合層（２０ｂ）が存在していることを示している。図６は、二次イオン質量分析で、ホウ素イオンが基板内に注入されていることが確認されているにもかかわらず、図７に示したイオン注入前の基板と同様の様相を呈していることを示している。
【００５７】
表１及び図２〜５から分かるように、非晶質シリコン層（１０）の片側又は両側に、混合層（２０ａ、２０ｂ）が接していると、低熱伝導率を有する材料、すなわち、断熱材料（１００）が得られることを確認できた。特に、非晶質シリコン層（１０）の両側に、混合層（２０ａ、２０ｂ）が接していると、断熱材料（１００）の熱伝導率が非常に低くなることを確認できた。
【００５８】
表１及び２から分かるように、本開示の断熱材料（１００）は、非晶質シリコン層（１０）の厚さが５０ｎｍ以下のとき、特に熱伝導率が低下することを確認できた。
【００５９】
すなわち、以上の結果から、本開示の断熱材料の効果を確認できた。
【符号の説明】
【００６０】
１０    非晶質シリコン層
２０、２０ａ、２０ｂ    混合層
３０    結晶質シリコン層
１００    断熱材料
【図１】
2018105460.tif 000005
【図２】
2018105460.tif 000006
【図３】
2018105460.tif 000007
【図４】
2018105460.tif 000008
【図５】
2018105460.tif 000009
【図６】
2018105460.tif 000010
【図７】
2018105460.tif 000011