(57)【要約】【課題】クラックが発生した場合に、そのクラックの進展を有効に抑止することのできるハンダ接合体を提供する。【解決手段】第１の被接合材（Ｍ１）と第２の被接合材（Ｍ２）と、第１の被接合材と第２の被接合材との間にあって、両者を接合するハンダ接合層（Ｓ）と、を有するハンダ接合体（１）であって、ハンダ接合層内に、所定形状を呈する柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（２０ａ）を含有することを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の被接合材（Ｍ１）と第２の被接合材（Ｍ２）と、
前記第１の被接合材と前記第２の被接合材との間にあって、両者を接合するハンダ接合層（Ｓ）と、
を有するハンダ接合体（１）であって、
前記ハンダ接合層内に、所定形状を呈する柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（２０ａ）を含有することを特徴とするハンダ接合体。
【請求項２】
前記所定形状は、前記柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さが、前記ハンダ接合層の厚さに対して所定の長さ以上となる形状であることを特徴とする請求項１に記載のハンダ接合体。
【請求項３】
前記所定の長さは、前記柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの中央値が、前記ハンダ接合層の厚さの１２％以上となる長さであることを特徴とする請求項２に記載のハンダ接合体。
【請求項４】
前記所定形状は、前記柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度が、前記ハンダ接合層のせん断方向に対して所定の角度以上となる形状であることを特徴とする請求項１に記載のハンダ接合体。
【請求項５】
前記所定の角度は、前記ハンダ接合層の厚さ方向を９０°としたときに、前記柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の中央値が５０°以上となる形状であることを特徴とする請求項４に記載のハンダ接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハンダ接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属同士の間あるいは金属と半導体との間の接合は、ハンダを溶融させた後、室温まで冷却して形成されるハンダ接合層を介して行われることが多い。
【０００３】
ここで、ハンダ接合層には、熱伝導率および電気抵抗率に関する所定の性能が求められる。
【０００４】
また、種々の使用環境下において各種性能を維持するために、所定の耐久性も求められている。
【０００５】
ところで、ハンダ接合層には、弾性領域だけではなく塑性領域まで歪みが加わる。そのため、ハンダ接合層には、脆性的な破断を示す材料は採用することはできず、クラック進展が進み難い材料や構造等が求められている。
【０００６】
ハンダ接合層におけるクラックの発生を抑制する技術は種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
特許文献１に係る従来技術では、絶縁基板下の金属層とヒートシンクとの間を接合するハンダ接合層にクラックが入るのを抑制するために、金属層をアルミニウムと銅とから成る二層構造としている。 
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１４−１６０７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記のような従来技術では、ハンダ接合層にクラックが発生することを抑制することは可能であるが、一旦クラックが発生してしまうと途中でクラックの進展が止まらないという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、クラックが発生した場合に、そのクラックの進展を有効に抑止することのできるハンダ接合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に係るハンダ接合体は、第１の被接合材と第２の被接合材と、前記第１の被接合材と前記第２の被接合材との間にあって、両者を接合するハンダ接合層と、を有するハンダ接合体であって、前記ハンダ接合層内に、所定形状を呈する柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（ＩＭＣ：Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）を含有することを特徴とする。
【００１２】
また、他の発明に係るハンダ接合体は、前記所定形状は、前記柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さが、前記ハンダ接合層の厚さに対して所定の長さ以上となる形状であることを特徴とする。
【００１３】
また、他の発明に係るハンダ接合体は、前記柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度が、前記ハンダ接合層のせん断方向に対して所定の角度以上となる形状であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るハンダ接合体によれば、ハンダ接合層内に、所定の形状を呈する柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物を含有するので、ハンダ接合層内にクラックが発生した場合であっても、クラックがこの所定の形状の柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物に突き当たることにより、クラックのさらなる進展を有効に抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係るハンダ接合体の模式的構成例を示す断面図である。
【図２】実施の形態に係るハンダ接合方法によるハンダ接合工程の処理手順を示す工程図である。
【図３】柱状金属間化合物の形成過程を示す説明図である。
【図４】柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成例を示す撮像図である。
【図５】Ｃｕ溶出の場合と未溶出の場合の初期断面とクラック進展部を対比する撮像図である。
【図６】実施の形態に係るハンダ接合体において、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の絶対最大長の測定の仕方を示す模式図（ａ）、二値化した絶対最大長の例を示す撮像図（ｂ）である。
【図７】条件Ａ１における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラム（ａ）、条件Ａ２における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラム（ｂ）である。
【図８】条件Ａ３における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラム（ａ）、条件Ａ４における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラム（ｂ）である。
【図９】実施の形態に係るハンダ接合体において、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さと強度との関係を示すグラフ（ａ）、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の一例を示す撮像図（ｂ）、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の他の例を示す撮像図（ｃ）である。
【図１０】実施の形態に係るハンダ接合体におけるクラックの進展度合いを示す模式的説明図（ａ）〜（ｄ）である。
【図１１】実施の形態に係るハンダ接合体において、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の測定の仕方を示す模式図（ａ）、二値化した絶対最大長の例を示す撮像図（ｂ）である。
【図１２】柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の定義を示す模式的説明図（ａ）、（ｂ）である。
【図１３】条件Ｂ１における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラム（ａ）、条件Ｂ２における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラム（ｂ）である。
【図１４】条件Ｂ３における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラム（ａ）、条件Ｂ４における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラム（ｂ）である。
【図１５】実施の形態に係るハンダ接合体において、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度と強度との関係を示すグラフ（ａ）、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の一例を示す撮像図（ｂ）、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の他の例を示す撮像図（ｃ）である。
【図１６】比較例に係るハンダ接合層に発生したクラックの進展状態を示す撮像図である。
【図１７】実施の形態に係るハンダ接合層に発生したクラックの抑止状態を示す撮像図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一例としての実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
【００１７】
［実施の形態に係るハンダ接合体］
図１から図４を参照して、実施の形態に係るハンダ接合体１について説明する。
【００１８】
まず、図１を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合体１の構成例について説明する。
【００１９】
図１は、本実施の形態に係るハンダ接合体１の模式的構成例を示す断面図である。
【００２０】
図１に示すように、ハンダ接合体１は、第１の被接合材Ｍ１と、第２の被接合材Ｍ２と、この第１の被接合材Ｍ１と第２の被接合材Ｍ２との間にあって、両者を接合するハンダ接合層Ｓとを備えて構成されている。
【００２１】
なお、第１の被接合材Ｍ１および第２の被接合材Ｍ２としては、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）金属（例えば、金属板や金属層等）または半導体（例えば、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどで構成されるパワー半導体素子等を含む）を掲げることができる。
【００２２】
次に、図２の工程図を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合体１に適用可能なハンダ接合方法におけるハンダ接合工程の処理手順について説明する。
【００２３】
まず、ステップＳ１０では、例えば銅（Ｃｕ）などの金属や半導体等で構成される第１の被接合材Ｍ１の上に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダとＣｕ供給源とを載置する。
【００２４】
なお、Ｃｕ供給源としては、Ｃｕ箔やＣｕの粒子等を用いることができる。
【００２５】
また、第１の被接合材Ｍ１あるいは後述の第２の被接合材Ｍ２として、銅板、銅から成る金属層あるいは銅を含む金属層等を用いる場合には、第１の被接合材Ｍ１自体あるいは第２の被接合材Ｍ２自体がＣｕ供給源として機能するので、別途Ｃｕ供給源を設けなくてもよい。
【００２６】
次いで、ステップＳ１１では、ハンダの上に第２の被接合材Ｍ２を載置する。
【００２７】
第２の被接合材Ｍ２としては、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）金属（例えば、金属板や金属層等）または半導体（例えば、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどで構成されるパワー半導体素子等を含む）を掲げることができる。
【００２８】
そして、ステップＳ１２で、温度をＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダの融点に６０℃〜９０℃を加えた温度（例えば、２９５℃）まで加熱して、１０分〜２０分間保持してステップＳ１３に移行する。
【００２９】
ステップＳ１３では、溶融したＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダにＣｕを溶出させる。
【００３０】
これにより、ステップＳ１４では、ハンダ接合層Ｓ内に、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０（後述の図４等参照）が形成される。
【００３１】
ここで、図３を参照して、柱状金属間化合物の形成過程（形成メカニズム）について説明する。
【００３２】
図３に示す例では、第２の被接合材Ｍ２として、銅板、銅から成る金属層あるいは銅を含む金属層等を用いるものとする。これにより、第２の被接合材Ｍ２自体がＣｕ供給源となる。
【００３３】
まず、過程（１）〜（２）では、室温でＣｕ（０．７ｗｔ％）の状態（図３（ｂ）に示すようにハンダ接合層ＳにＣｕの供給源となる第２の被接合材Ｍ２が密着した状態）からリフロー方式で２９５℃まで加熱する。
【００３４】
これにより、ハンダ接合層Ｓは液相状態となる。
【００３５】
過程（２）〜（３）では、２９５℃でＣｕ（０．７ｗｔ％）の状態で、図３（ｃ）に示すようにハンダ接合層Ｓに第２の被接合材Ｍ２からＣｕが液相状態で拡散（溶出）し始める。
【００３６】
過程（３）〜（４）では、２９５℃でＣｕ（２．５ｗｔ％）となり、図３（ｄ）に示すようにハンダ接合層ＳにＳｎ−Ｃｕ金属間化合物 （ＩＭＣ：Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）が徐々に成長する。
【００３７】
なお、過程（２）〜（４）は、５分間保持した。
【００３８】
過程（４）〜（５）では、２９５℃から室温まで冷却され、Ｃｕ（５．０ｗｔ％）となり、図３（ｅ）に示すようにハンダ接合層Ｓに組成がＣｕ６Ｓｎ５である柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０ａが複数にわたって形成される。
【００３９】
図４は、上述のような過程を経て形成される柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成例を示す撮像図（電子顕微鏡写真）である。
【００４０】
図４に示すように、ハンダ接合層Ｓには、柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物２０ａが複数にわたって形成されていることが分かる。
【００４１】
（柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さと強度の関係）
ここで、図６〜図１０を参照して、ハンダ接合層Ｓにおける柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（ＩＭＣ）の長さと強度との関係について説明する。
【００４２】
具体的には、図６（ａ）に示すような柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（ＩＭＣ）の絶対最大長Ｌを、図６（ｂ）に示すような画像処理（二値化）によって測定した。
【００４３】
ここで、ＩＭＣの絶対最大長Ｌは、見た目状の各ＩＭＣの端部間の距離の最大値をいうものとする。
【００４４】
測定作業としては、まず、ＩＭＣを種々の条件下で形成した複数の試料を用意し、各試料について、せん断応力に対する強度を測定する。
【００４５】
次いで、各試料について、ＩＭＣの成長方向と略平行な面で切断し、その端面にエッチング処理を施す。
【００４６】
続いて、エッチング処理された端面をデジタルカメラや電子顕微鏡等で撮影して撮像データを得る。
【００４７】
次に、取得した撮像データに所定の画像処理（二値化処理等）を施して、各ＩＭＣの形状を観察し、各ＩＭＣの長さを測定して、長さ毎の度数を記録した。
【００４８】
ここで、図７（ａ）は、条件Ａ１における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラム、図７（ｂ）は、条件Ａ２における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラム、図８（ａ）は、条件Ａ３における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラム、図８（ｂ）は、条件Ａ４における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の長さの度数分布を示すヒストグラムである。
【００４９】
そして、各ヒストグラムに基いて、条件Ａ１〜Ａ４におけるＩＭＣの長さの中央値（メディアン）を算出したところ、図７（ａ）に示す条件Ａ１では、ＩＭＣの長さの中央値は４７．１μｍ、図７（ｂ）に示す条件Ａ２では、ＩＭＣの長さの中央値は６７．９μｍであった。
【００５０】
また、図８（ａ）に示す条件Ａ３では、ＩＭＣの長さの中央値は９４．６μｍ、図８（ｂ）に示す条件Ａ４では、ＩＭＣの長さの中央値は９８．７μｍであった。
【００５１】
このようなＩＭＣの長さの中央値を、強度（ＭＰａ）とＩＭＣの長さ（μｍ）との関係を示すグラフにプロットしたものが図９（ａ）のグラフである。
【００５２】
なお、図９（ｂ）は、条件Ａ１における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の一例を示す撮像図、図９（ｃ）は、条件Ａ４における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の他の例を示す撮像図である。
【００５３】
そして、図９（ａ）におけるＩＭＣの長さの中央値のプロット線を参照すると分かるように、条件Ａ１〜Ａ４におけるＩＭＣの長さの中央値は、何れも４０μｍ以上であり、その場合におけるハンダ接合体のせん断応力に対する強度は、何れも４４ＭＰａ以上を示している。
【００５４】
また、ＩＭＣの所定の長さは、ＩＭＣの長さの中央値が、ハンダ接合層Ｓの厚さの１２％以上となる長さとすることができる。
【００５５】
より具体的には、例えばハンダ接合層Ｓの厚さが４００μｍのときには、所定の長さは４７μｍ以上とするとよい。
【００５６】
このような数値例は、ＩＭＣの長さの中央値がハンダ接合層Ｓの厚さの１２％以上であった試料についてのせん断応力に対する強度を測定したところ、その他の場合（即ち、ＩＭＣの長さの中央値が、ハンダ接合層Ｓの厚さの１２％未満の場合）よりも１０％以上向上したとの実験結果から導き出されたものである。
【００５７】
ここで、図１０（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態に係るハンダ接合体におけるクラックＣの進展度合いを示す模式的説明図である。
【００５８】
即ち、図１０（ａ）に示すように、ハンダ接合層ＳにＩＭＣを形成しないハンダ接合体では、クラックＣが一旦発生すると、途中で止まることなく進展してしまう。
【００５９】
一方、図１０（ｂ）に示すように、上述のように、所定の長さを有するＩＭＣ２０ａをハンダ接合層Ｓに形成した場合には、ハンダ接合層Ｓ内にクラックＣが発生した場合であっても、クラックＣがこの所定の長さのＩＭＣ２０ａに突き当たることにより、クラックＣのさらなる進展を有効に抑止することができる。
【００６０】
また、図１０（ｃ）に示すように、ハンダ接合層ＳにＩＭＣを形成した場合であっても、そのＩＭＣ２０ｂが所定の長さに達していない場合には、クラックＣの進展を有効には阻止できない。
【００６１】
（柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度と強度の関係）
次に、図１１〜図１５を参照して、ハンダ接合層Ｓにおける柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（ＩＭＣ）の角度と強度との関係について説明する。
【００６２】
具体的には、図１１（ａ）に示すような柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（ＩＭＣ）の角度θを、図１１（ｂ）に示すような画像処理（二値化）によって測定した。
【００６３】
ここで、ＩＭＣの角度は、ハンダ接合層Ｓの厚さ方向を９０°としたときの角度をいうものとする。
【００６４】
なお、図１２（ａ）、（ｂ）は、ＩＭＣの角度の定義を示す模式的説明図である。
【００６５】
図１２（ｂ）に示すように、ＩＭＣの角度が９１°を超える場合には、補角に変換して測定することとした。
【００６６】
測定作業としては、まず、ＩＭＣを種々の条件下で形成した複数の試料を用意し、各試料について、せん断応力に対する強度を測定する。
【００６７】
次いで、各試料について、ＩＭＣの成長方向と略平行な面で切断し、その端面にエッチング処理を施す。
【００６８】
次いで、エッチング処理された端面をデジタルカメラや電子顕微鏡等で撮影して撮像データを得る。
【００６９】
次に、その撮像データに所定の画像処理（二値化処理等）を行って、各ＩＭＣの形状を観察し、各ＩＭＣの角度θを測定して、角度毎の度数を記録した。
【００７０】
ここで、図１３（ａ）は、条件Ｂ１における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラム、図１３（ｂ）は、条件Ｂ２における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラム、図１４（ａ）は、条件Ｂ３における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラム、図１４（ｂ）は、条件Ｂ４における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の角度の度数分布を示すヒストグラムである。
【００７１】
そして、各ヒストグラムに基いて、条件Ｂ１〜Ｂ４におけるＩＭＣの角度の中央値（メディアン）を算出したところ、図１３（ａ）に示す条件Ｂ１では、ＩＭＣの角度の中央値は５５．５ｄｅｇ．、図１３（ｂ）に示す条件Ｂ２では、ＩＭＣの角度の中央値は６５．１ｄｅｇ．であった。
【００７２】
また、図１４（ａ）に示す条件Ｂ３では、ＩＭＣの角度の中央値は７０．９ｄｅｇ．、図１４（ｂ）に示す条件Ｂ４では、ＩＭＣの角度の中央値は７２．４ｄｅｇ．であった。
【００７３】
このようなＩＭＣの角度の中央値を、強度（ＭＰａ）とＩＭＣの角度（ｄｅｇ．）との関係を示すグラフにプロットしたものが図１５（ａ）のグラフである。
【００７４】
なお、図１５（ｂ）は、条件Ｂ１における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の一例を示す撮像図、図１５（ｃ）は、条件Ｂ４における柱状のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物の形成状態の他の例を示す撮像図である。
【００７５】
そして、図１５（ａ）に示すＩＭＣの角度の中央値のプロット線を参照すると分かるように、条件Ｂ１〜Ｂ４におけるＩＭＣの角度の中央値は、何れも５０°以上を示し、その場合におけるハンダ接合体のせん断応力に対する強度は、何れも４４ＭＰａ以上を示している。
【００７６】
このように、ＩＭＣの所定の角度は、ハンダ接合層Ｓの厚さ方向を９０°としたときに、ＩＭＣの角度の中央値が５０°以上となる形状とすることにより、クラックの進展を有効に阻止することができる。
【００７７】
ここで、前出の図１０を参照して、実施の形態に係るハンダ接合体におけるクラックＣの進展度合いについて簡単に説明する。
【００７８】
図１０（ａ）に示すように、ハンダ接合層ＳにＩＭＣを形成しないハンダ接合体では、クラックＣが一旦発生すると、途中で止まることなく進展してしまう。
【００７９】
一方、図１０（ｂ）に示すように、上述のように、所定の角度を有するＩＭＣ２０ａをハンダ接合層Ｓに形成した場合には、ハンダ接合層Ｓ内にクラックＣが発生した場合であっても、クラックＣがこの所定の長さのＩＭＣ２０ａに突き当たることにより、クラックＣのさらなる進展を有効に抑止することができる。
【００８０】
また、図１０（ｄ）に示すように、ハンダ接合層ＳにＩＭＣを形成した場合であっても、そのＩＭＣ２０ｃが所定の角度を有していない場合には、クラックＣの進展を有効には阻止できない。
【００８１】
（比較例との対比）
図５、図１６および図１７を参照して、本実施の形態と比較例との対比について述べる。
【００８２】
ここで、図５は、Ｃｕ溶出の場合と未溶出の場合の初期断面とクラック進展部を対比する撮像図、図１６は、比較例としてのハンダ接合層に発生したクラックの進展状態を示す撮像図、図１７は、実施の形態に係るハンダ接合層に発生したクラックの抑止状態を示す撮像図である。
【００８３】
まず、図５の（ｂ）および図１６を参照すると分かるように、比較例に係るハンダ接合層（Ｃｕが未溶出のハンダ接合層）１００に発生したクラックＣ２は、矢印Ｄ１方向への進展が止まらず、図上、ほぼ左端から右端まで達している。
【００８４】
一方、図５の（ａ）および図１７を参照すると分かるように、本実施の形態に係るハンダ接合層Ｓ（Ｃｕが溶出したハンダ接合層）では、発生したクラックＣ１は、矢印Ｄ１方向へ進展するものの、位置Ｐ１で、そのクラックの進展が抑止されていることが分かる。
【００８５】
これは、ハンダ接合層Ｓ内に複数にわたって形成された所定の長さ或いは所定の角度を有するＩＭＣ２０ａにより、クラックＣ１の進展が阻害された結果であると推察される。
【００８６】
このように、本実施の形態に係るハンダ接合体１によれば、クラックＣ１がＩＭＣ２０ａに突き当たることにより、クラックＣ１のさらなる進展を抑止することができる。
【００８７】
また、ＩＭＣ２０ａの形成により、ハンダ接合層Ｓのせん断応力に対する強度が向上され機械的強度を高めることができる。
【００８８】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。すなわち、本発明の技術的な範囲は、前記の実施の形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載にしたがって解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００８９】
１…ハンダ接合体
Ｍ１…第１の被接合材
Ｍ２…第２の被接合材
２０、２０ａ〜２０ｃ…Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物（ＩＭＣ）
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２…クラック
Ｓ…ハンダ接合層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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