(57)【要約】【課題】はんだ等の固定部を精度よく形成できる半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレームと、リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置であって、リードフレームは、上面に設けられた窪み部と、上面とは逆側の下面において窪み部と対向する位置に設けられ、下面よりも下側に突出した突出部とを有し、半導体チップを窪み部の底面に固定する固定部を更に備える半導体装置を提供する。窪み部および突出部は、リードフレームを半抜きすることで形成してよい。【選択図】図２
2018174232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、前記リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置であって、
前記リードフレームは、
上面に設けられた窪み部と、
前記上面とは逆側の下面において前記窪み部と対向する位置に設けられ、前記下面よりも下側に突出した突出部と
を有し、
前記半導体チップを前記窪み部の底面に固定する固定部を更に備える半導体装置。
【請求項２】
前記窪み部の前記底面は、前記リードフレームの前記上面と前記下面との間に配置されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記固定部は、前記窪み部の底面全体に設けられている
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレームの上面と垂直な方向において、前記窪み部の深さは、前記窪み部および前記突出部が形成されていない領域における前記リードフレームの厚みより小さい
請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップの上端は、前記窪み部の上端よりも下側に配置されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップの上端は、前記窪み部の上端よりも上側に配置されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記突出部が、前記窪み部とは異なる形状を有する
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記リードフレームの上面と平行な面において、前記突出部は、前記窪み部よりも広い範囲に設けられ、
前記突出部の厚みは、前記窪み部の深さよりも小さい
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記リードフレームの上面と平行な面において、前記突出部は、前記窪み部よりも狭い範囲に設けられ、
前記突出部の厚みは、前記窪み部の深さよりも大きい
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記突出部の個数が、前記窪み部の個数よりも多い
請求項７から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
いずれかの前記突出部の形状が、他のいずれかの前記突出部の形状と異なる
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記窪み部の側壁と前記半導体チップとの、前記リードフレームの上面と平行な面における距離が、前記半導体チップの下面と前記窪み部の底面との間の前記固定部の厚みの半分以上、２倍以下である
請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
リードフレームと、前記リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームに、前記リードフレームの上面に設けられた窪み部と、前記上面とは逆側の下面において前記窪み部と対向する位置に設けられ、前記下面よりも下側に突出した突出部とを形成する段階と、
固定部により、前記半導体チップを前記窪み部の底面に固定する段階と
を備える製造方法。
【請求項１４】
前記窪み部および前記突出部を形成する段階において、形成すべき前記窪み部の形状に応じた押圧部材を用いて前記リードフレームの上面側を押圧することで、前記窪み部および前記突出部を形成する
請求項１３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、リードフレームのダイパッド等の上に、はんだ等の固定部で半導体チップを固定した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。関連する先行技術文献として下記がある。
特許文献１  特開２０１４−２７２６６号公報
特許文献２  特開２００１−３５８２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
固定部は、冷熱変化に対する信頼性が高いことが好ましい。固定部の信頼性を高くすべく、固定部を厚く形成することが考えられる。しかし、固定部を厚く形成する場合、加熱時等において固定部が広がる面積も大きくなる。固定部が広がりすぎると、半導体チップの位置精度が悪くなる可能性があり、また、固定部の厚さを均一にすることも難しい。また、固定部が広がりすぎると、リードフレームの側面まで固定部が垂れる可能性もある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、リードフレームと、リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置を提供する。リードフレームは、上面に設けられた窪み部を備えてよい。リードフレームは、上面とは逆側の下面において窪み部と対向する位置に設けられ、下面よりも下側に突出した突出部を備えてよい。半導体装置は、半導体チップを窪み部の底面に固定する固定部を備えてよい。
【０００５】
窪み部の底面は、リードフレームの上面と下面との間に配置されていてよい。固定部は、窪み部の底面全体に設けられていてよい。
【０００６】
リードフレームの上面と垂直な方向において、窪み部の深さは、窪み部および突出部が形成されていない領域におけるリードフレームの厚みより小さくてよい。半導体チップの上端は、窪み部の上端よりも下側に配置されていてよい。半導体チップの上端は、窪み部の上端よりも上側に配置されていてよい。
【０００７】
突出部が、窪み部とは異なる形状を有してよい。リードフレームの上面と平行な面において、突出部は、窪み部よりも広い範囲に設けられてよい。突出部の厚みは、窪み部の深さよりも小さくてよい。リードフレームの上面と平行な面において、突出部は、窪み部よりも狭い範囲に設けられてよい。突出部の厚みは、窪み部の深さよりも大きくてよい。
【０００８】
突出部の個数が、窪み部の個数よりも多くてよい。いずれかの突出部の形状が、他のいずれかの突出部の形状と異なってよい。
【０００９】
窪み部の側壁と半導体チップとの、リードフレームの上面と平行な面における距離が、半導体チップの下面と窪み部の底面との間の固定部の厚みの半分以上、２倍以下であってよい。
【００１０】
本発明の第２の態様においては、リードフレームと、リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置の製造方法を提供する。製造方法は、リードフレームに、リードフレームの上面に設けられた窪み部と、上面とは逆側の下面において窪み部と対向する位置に設けられ、下面よりも下側に突出した突出部とを形成する段階を備えてよい。製造方法は、固定部により、半導体チップを窪み部の底面に固定する段階を備えてよい。
【００１１】
窪み部および突出部を形成する段階において、形成すべき窪み部の形状に応じた押圧部材を用いてリードフレームの上面側を押圧することで、窪み部および突出部を形成してよい。
【００１２】
上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一つの実施形態に係る半導体装置１００の一例を示す上面図である。
【図２】半導体装置１００の一例を示す断面図である。
【図３】半導体装置１００の下面における、各リードフレームの配置例を示す図である。
【図４】リードフレーム１２、半導体チップ８０および固定部２０を拡大した断面図である。
【図５】窪み部１８、半導体チップ８０および固定部２０の配置の他の例を示す断面図である。
【図６】半導体装置１００の製造方法の一部の工程を示す図である。
【図７】ステップＳ５０２の他の例を示す図である。
【図８】窪み部１８および突出部３０の形状の他の例を示す断面図である。
【図９】窪み部１８および突出部３０の形状の他の例を示す断面図である。
【図１０】実装基板２１０に固定された半導体装置１００を示す図である。
【図１１】実装基板２１０に固定された半導体装置１００の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１５】
本明細書においては、半導体チップの厚み方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、リードフレームまたはその他の部材の２つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」の方向は、重力方向または半導体装置の実装時における方向に限定されない。
【００１６】
本明細書では、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の直交座標軸を用いて技術的事項を説明する場合がある。直交座標軸は、構成要素の相対位置を特定するに過ぎず、特定の方向を限定するものではない。例えば、Ｚ軸は地面に対する高さ方向を限定して示すものではない。なお、＋Ｚ軸方向と−Ｚ軸方向とは互いに逆向きの方向である。正負を記載せず、Ｚ軸方向と記載した場合、＋Ｚ軸および−Ｚ軸に平行な方向を意味する。本明細書では、半導体チップの厚み方向をＺ軸方向として、半導体チップの上面と平行な面をＸＹ面とする。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、半導体チップの上面のいずれかの端辺と平行な方向とする。
【００１７】
図１は、本発明の一つの実施形態に係る半導体装置１００の一例を示す上面図である。半導体装置１００は、半導体チップ８０を備える。半導体チップ８０は、シリコン等の半導体基板に、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子が形成されたチップである。半導体素子は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、または、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー半導体素子であってよい。図１においては、半導体チップ８０の上面と平行なＸＹ面内における、各部材の配置例を示している。本例の半導体装置１００は、２つの半導体チップ８０を備えているが、半導体装置１００が備える半導体チップ８０の個数は、１つであってよく、３つ以上であってもよい。
【００１８】
半導体装置１００は、半導体チップ８０が固定されるリードフレームを備える。本例の半導体装置１００は、それぞれ１つの半導体チップ８０が固定されるリードフレーム１２およびリードフレーム２２を備える。リードフレーム１２およびリードフレーム２２は互いに分離して設けられている。
【００１９】
リードフレーム１２およびリードフレーム２２は、アルミニウム、銅またはその他の金属材料で形成されている。リードフレーム１２は、板形状を有してよい。板形状とは、対向する２つの主面（上面および下面）の各面積が、当該２つの主面に挟まれる各側面の面積よりも大きい形状を指す。
【００２０】
リードフレーム１２およびリードフレーム２２は、対応する半導体チップ８０と電気的に接続されてよい。例えば半導体チップ８０の下面と、リードフレーム１２とがはんだ等の固定部２０により電気的に接続される。また、リードフレーム１２およびリードフレーム２２は、対応する半導体チップ８０の上面と、ワイヤ２６等により電気的に接続されてもよい。半導体チップ８０の上面および下面には、例えばエミッタパッド、コレクタパッドおよびゲートパッド等のパッドが設けられる。
【００２１】
半導体装置１００は、半導体チップ８０が固定されていない１つ以上のリードフレーム２４を更に備えてよい。それぞれのリードフレーム２４は、他のリードフレームとは分離して設けられている。リードフレーム２４は、ワイヤ２６等により、半導体チップ８０の上面と電気的に接続されてよい。
【００２２】
本例の半導体装置１００は、半導体チップ８０および各リードフレームを収容する収容部１０を備える。収容部１０は樹脂等の絶縁材料で形成されている。各リードフレームの端部は、収容部１０の外部に露出していてよい。例えば、リードフレーム１２の端部１４は、収容部１０の外部に露出している。リードフレーム２２も、収容部１０の外部に露出する端部１４（吊りリード）を有してよい。各リードフレームは、屈曲部１６を有してもよい。屈曲部１６は、リードフレームの上面に対して傾きを有する。つまり、屈曲部１６の両端におけるＺ軸方向の位置が異なる。屈曲部１６を設けることで、収容部１０の外部に露出する端部の高さ位置（Ｚ軸方向の位置）を調整できる。
【００２３】
それぞれの半導体チップ８０は、固定部２０により、対応するリードフレーム１２またはリードフレーム２２に固定されている。固定部２０は、はんだまたは接着剤である。リードフレーム１２およびリードフレーム２２の上面には、窪み部１８が設けられている。窪み部１８は、リードフレーム１２およびリードフレーム２２の上面から、下面側に向かって窪んだ領域である。
【００２４】
リードフレーム１２の上面と垂直な方向からみた上面視において、本例の窪み部１８および半導体チップ８０は矩形形状を有する。窪み部１８および半導体チップ８０のいずれかの辺はＸ軸と平行であり、他のいずれかの辺はＹ軸と平行である。
【００２５】
図２は、半導体装置１００の一例を示す断面図である。図２においては、ＸＺ面と平行な断面を示している。なお、ワイヤ２６については、部材全体をＸＺ面に投影して示している。本例では、リードフレーム１２の構造を説明するが、リードフレーム２２もリードフレーム１２と同様の構造を有してよい。
【００２６】
リードフレーム１２は、窪み部１８と、突出部３０とを有する。窪み部１８は、リードフレーム１２の上面において、下面側に窪んだ領域である。突出部３０は、リードフレーム１２の上面とは逆側の下面において、窪み部１８と対向する位置に設けられ、リードフレーム１２の下面よりも下側に突出している。
【００２７】
窪み部１８と突出部３０とが対向するとは、リードフレーム１２の上面と垂直な方向からみた上面視において、窪み部１８が設けられる領域の少なくとも一部と、突出部３０が設けられる領域の少なくとも一部が重なることを指す。突出部３０が設けられる領域の半分以上が、窪み部１８が設けられる領域に重なっていてよく、突出部３０が設けられる領域の全体が、窪み部１８が設けられる領域に重なっていてもよい。また、窪み部１８が設けられる領域の半分以上が、突出部３０が設けられる領域に重なっていてよく、窪み部１８が設けられる領域の全体が、突出部３０が設けられる領域に重なっていてもよい。また、窪み部１８が設けられる領域と、突出部３０が設けられる領域とが一致していてもよい。
【００２８】
窪み部１８の底面には、固定部２０が設けられる。固定部２０は、一例として、はんだ、または、接着剤である。固定部２０は、窪み部１８の底面の全体に設けられてよい。窪み部１８の底面とは、窪み部１８の内面のうちの、半導体チップ８０の下面と平行な面を指してよい。固定部２０により、半導体チップ８０の下面が、窪み部１８の底面に固定される。
【００２９】
窪み部１８の内部に固定部２０を設けることで、固定部２０が広がる範囲を、窪み部１８の形状で制御できる。このため、固定部２０を厚く形成した場合であっても、固定部２０が広がる範囲を一定に制御できる。また、固定部２０の厚みを均一にできる。このため、固定部２０の冷熱変化に対する信頼性を向上させつつ、固定部２０の形状を高精度に制御できる。また、固定部２０の広がり方が均一なので、半導体チップ８０の位置も高精度に制御できる。これにより、半導体チップ８０の上面にワイヤを接続する場合の接続位置の誤差も低減できる。
【００３０】
また、固定部２０の冷熱変化に対する信頼性を向上できるので、半導体装置１００は、自動車のエンジンルーム等の厳しい環境にも適応できる。また、固定部２０が広がる範囲を抑制できるので、固定部２０と収容部１０の樹脂とが接触する面積を抑制できる。このため、固定部２０と収容部１０との間における剥離を抑制できる。また、固定部２０との密着性が比較的に低い材料であっても、収容部１０の材料に用いることができる。また、固定部２０が窪み部１８の内部に収容されるので、固定部２０の残渣が、収容部１０の樹脂部分に入り込むことを抑制できる。
【００３１】
また、突出部３０をリードフレーム１２の下面側に設けることで、リードフレーム１２と、他の部材との位置精度を向上させることができる。例えば、リードフレーム１２の下面を、他の部材にはんだ等で固定する場合において、突出部３０の下面にはんだを設けることができる。この場合、表面張力等により、突出部３０の下面より外側には、はんだが広がりにくくなる。このため、リードフレーム１２と、はんだとの位置を高精度に制御できる。
【００３２】
一例として、突出部３０の少なくとも一部は、収容部１０の外部に露出していてよい。これにより、半導体装置１００を基板等に実装する場合において、突出部３０の下面にはんだを設けることで、はんだの広がりを抑制できる。また、実装時において、突出部３０と、はんだとの位置が整合しているかを確認することが容易となる。
【００３３】
図３は、半導体装置１００の下面における、各リードフレームの配置例を示す図である。図３においては、各リードフレームのうち、収容部１０の外部に露出する部分を示しており、収容部１０の内部に配置される部分は示していない。
【００３４】
上述したように、突出部３０は、収容部１０の下面において外部に露出していてよい。また、リードフレーム１２およびリードフレーム２２の下面のうち、突出部３０の周囲の少なくとも一部の領域が更に露出していてもよい。リードフレーム１２およびリードフレーム２２の下面は、全体が収容部１０の下面に露出していてよく、全体が収容部１０に覆われていてもよい。
【００３５】
図４は、リードフレーム１２、半導体チップ８０および固定部２０を拡大した断面図である。本例では、ＸＺ面と平行な断面を示している。窪み部１８のＸ軸方向における幅をＷ１とする。一例として窪み部１８の幅Ｗ１とは、半導体チップ８０の下面３４と平行な底面３６の幅を指す。底面３６には、部分的に凹凸が設けられていてもよい。底面３６は、側壁４０に囲まれた領域を指してもよい。
【００３６】
窪み部１８の深さをＤとする。一例として窪み部１８の深さＤとは、リードフレーム１２の上面３２から、窪み部１８の底面３６までのＺ軸方向の深さを指す。窪み部１８の下端が、半導体チップ８０の下面とは平行な面を有さない場合、窪み部１８の深さＤは、リードフレーム１２の上面３２から、窪み部１８の下端までのＺ軸方向の深さを指してもよい。リードフレーム１２の上面３２とは、窪み部１８に隣接する領域において、半導体チップ８０の上面３８と平行な面を指してよい。
【００３７】
突出部３０のＸ軸方向における幅をＷ２とする。突出部３０の幅Ｗ２とは、半導体チップ８０の下面３４における幅を指す。突出部３０の高さをＨとする。突出部３０の高さＨとは、リードフレーム１２の下面３４から、突出部３０の下端までのＺ軸方向の高さを指す。リードフレーム１２の下面３４とは、突出部３０に隣接する領域において、半導体チップ８０の下面と平行な面を指してよい。
【００３８】
リードフレーム１２の厚みをＴ１とする。リードフレーム１２の厚みＴ１とは、窪み部１８および突出部３０が設けられていない領域であり、且つ、窪み部１８および突出部３０のいずれかと隣接する領域の、Ｚ軸方向における、リードフレーム１２の上面３２と、下面３４との間の距離を指す。
【００３９】
固定部２０のＺ軸方向における厚みをＴ２とする。固定部２０の厚みＴ２は、半導体チップ８０の下面と重なる領域における厚みの平均を用いてよい。半導体チップ８０のＺ軸方向における厚みをＴ３とする。半導体チップ８０の厚みＴ３は、半導体チップの上面３８と下面とのＺ軸方向における距離の最大値を用いてよい。半導体チップ８０と窪み部１８の側壁４０との距離をＬとする。距離Ｌは、ＸＹ面における、半導体チップ８０と側壁４０との距離の最小値を用いてよい。
【００４０】
本例の窪み部１８の底面３６は、リードフレーム１２の上面３２と下面３４との間に配置されている。つまり、窪み部１８の深さＤは、リードフレーム１２の厚みＴ１よりも小さい。一例として、窪み部１８は、リードフレーム１２を半抜きすることで形成される。つまり、板状のリードフレーム１２の上面を、所定の形状の押圧部材で押圧することで、窪み部１８を形成する。これにより、突出部３０も形成できる。
【００４１】
突出部３０の幅Ｗ２は、窪み部１８の幅Ｗ１と同一であってよい。幅が同一とは、１０％以内の誤差を有する場合も含まれる。突出部３０の高さＨは、窪み部１８の深さＤと同一であってよい。深さおよび高さが同一とは、１０％以内の誤差を有する場合も含まれる。
【００４２】
上述したように、リードフレーム１２を半抜きする場合、窪み部１８の形状は、押圧部材の形状で制御できる。また、リードフレーム１２の下面側に、形成すべき突出部３０の形状に対応する型を配置することで、突出部３０の形状も制御することができる。リードフレーム１２の下面側に型を配置しない場合、突出部３０の形状は、窪み部１８の形状とほぼ同一となる。
【００４３】
固定部２０は、窪み部１８の底面３６全体に設けられることが好ましい。本例では、固定部２０は、窪み部１８の側壁４０と接して設けられている。本例における側壁４０は、リードフレーム１２の上面３２に対して垂直に形成されているが、他の例の側壁４０は、リードフレーム１２の上面３２に対して９０度より小さい傾きを有してもよい。固定部２０を底面３６の全体に設けることで、ＸＹ面において固定部２０が設けられる範囲のバラツキを無くすことができる。また、固定部２０の厚みＴ２のバラツキを低減できる。
【００４４】
窪み部１８の深さＤは、固定部２０の厚みＴ２よりも大きいことが好ましい。これにより、固定部２０が、窪み部１８の外側に流出することを抑制できる。深さＤは、厚みＴ２の１．５倍以上であってよく、２倍以上であってもよい。
【００４５】
本例では、半導体チップ８０の上端（本例では上面３８）は、窪み部１８の上端（本例ではリードフレーム１２の上面３２）よりも下側（すなわちＺ軸負側）に配置されている。つまり、固定部２０の厚みＴ２と、半導体チップ８０の厚みＴ３との和Ｔ２＋Ｔ３は、窪み部１８の深さＤよりも小さい。固定部２０および半導体チップ８０の全体が収容できる程度に窪み部１８を深く形成することで、冷熱信頼性を向上させるべく固定部２０を厚くしても、固定部２０および半導体チップ８０が窪み部１８の外側にはみ出してしまうことを抑制できる。
【００４６】
窪み部１８の側壁４０と、半導体チップ８０との距離Ｌは、固定部２０の厚みＴ２の半分以上、２倍以下であってよい。距離Ｌが小さくなりすぎると、半導体チップ８０とリードフレーム１２との絶縁性が低下してしまう。また、距離Ｌが大きくなりすぎると、固定部２０を加熱した場合に、固定部２０が窪み部１８の底面全体に広がらない場合があり、固定部２０の位置および厚みにバラツキが生じやすくなる。距離Ｌは、固定部２０の厚みＴ２と同程度であることが好ましい。距離Ｌは、厚みＴ２の８０％以上、１２０％以下であってもよい。
【００４７】
また、固定部２０の厚みＴ２は、２０μｍ以上、２００μｍ以下であってよい。厚みＴ２は、３０μｍ以上であってよく、５０μｍ以上であってもよい。厚みＴ２は、１５０μｍ以下であってよく、１００μｍ以下であってもよい。
【００４８】
図５は、窪み部１８、半導体チップ８０および固定部２０の配置の他の例を示す断面図である。本例では、半導体チップ８０の上端（上面３８）は、窪み部１８の上端（上面３２）よりも上側（Ｚ軸正側）に配置されている。つまり、固定部２０の厚みＴ２と、半導体チップ８０の厚みＴ３との和Ｔ２＋Ｔ３は、窪み部１８の深さＤよりも大きい。固定部２０の厚みＴ２と、半導体チップ８０の厚みＴ３との和Ｔ２＋Ｔ３は、窪み部１８の深さＤと等しくてもよい。厚みおよび深さが等しいとは、１０％以内の誤差を有する場合も含む。
【００４９】
窪み部１８の深さＤを比較的に小さくすることで、突出部３０の高さＨも小さくなる。このため、リードフレーム１２の上面３２から突出部３０の下端までの厚みを低減できる。
【００５０】
図６は、半導体装置１００の製造方法の一部の工程を示す図である。ステップＳ５００において、リードフレーム１２を準備する。複数の半導体装置１００に対応する複数のリードフレーム１２が、共通のフレーム部材に連結されていてよい。
【００５１】
ステップＳ５０２において、形成すべき窪み部１８の形状に応じた押圧部材２００を用いて、リードフレーム１２の上面３２側を押圧する。押圧部材２００は、リードフレーム１２を貫通しない範囲において所定の深さまで、リードフレーム１２の内部に挿入される。これにより、窪み部１８および突出部３０が形成される。ステップ５０２においては、屈曲部１６を同一の工程で形成してもよい。例えば、押圧部材２００と、屈曲部１６を形成するための押圧部材とを同時に動かして、リードフレーム１２を押圧してよい。
【００５２】
ステップＳ５０４において、押圧部材２００を抜いた後の窪み部１８の底面３６全体に固定部２０を形成する。また、固定部２０の上に半導体チップ８０を配置する。半導体チップ８０の下面に固定部２０を形成してから、半導体チップ８０を窪み部１８の底面３６に配置してもよい。固定部２０を加熱等することで、半導体チップ８０を窪み部１８の底面３６に固定する。
【００５３】
半導体チップ８０を固定した後、ワイヤ２６等を接続する。また、収容部１０を形成するための型の内部にリードフレーム１２等を配置して、当該型の内部に樹脂を注入する。樹脂を硬化させた後、リードフレーム１２等をフレーム部材から切り離すことで、それぞれの半導体装置１００を製造できる。
【００５４】
図７は、ステップＳ５０２の他の例を示す図である。本例においては、押圧部材２００によってリードフレーム１２を押圧する場合に、リードフレーム１２の下面に接して、所定の型部材２０２を配置する。型部材２０２は、リードフレーム１２の下面と接する面に、形成すべき突出部３０の形状に応じた窪み２０４が設けられている。窪み２０４を囲む領域においては、型部材２０２は、リードフレーム１２の下面と接している。
【００５５】
型部材２０２を用いることで、突出部３０の形状を、窪み２０４の形状で制御できる。このため、突出部３０の形状を、窪み部１８の形状と異ならせることができる。なお、突出部３０の体積は、窪み部１８の体積と同一であってよい。
【００５６】
例えば、リードフレーム１２の上面３２と平行な面において、窪み２０４を設ける領域を、窪み部１８を設ける領域よりも広くすることで、突出部３０が設けられる領域を、窪み部１８が設けられる領域よりも広くできる。一例として、窪み２０４の幅を窪み部１８の幅Ｗ１よりも大きくすることで、突出部３０の幅Ｗ２を、窪み部１８の幅Ｗ１よりも大きくすることができる。また、窪み２０４の深さを窪み部１８の深さＤよりも小さくすることで、突出部３０の高さＨを、窪み部１８の深さＤよりも小さくすることができる。
【００５７】
このような形状により、突出部３０の高さＨを小さくできるので、リードフレーム１２の上面３２から突出部３０の下端までの厚みを小さくできる。
【００５８】
図８は、窪み部１８および突出部３０の形状の他の例を示す断面図である。本例では、リードフレーム１２の上面３２と平行な面において、突出部３０は、窪み部１８よりも狭い範囲に設けられている。一例として、突出部３０の幅Ｗ２は、窪み部１８の幅Ｗ１よりも小さい。また、突出部３０の高さＨは、窪み部１８の深さＤよりも大きい。図７に示した窪み２０４の形状を調整することで、突出部３０の形状を図８の例のように調整できる。
【００５９】
突出部３０の幅Ｗ２を小さくすることで、突出部３０の下面側において、はんだ等が広がる範囲を小さくできる。このため、ＸＹ面において微細な構造を有する実装基板に、半導体装置１００を容易に実装できる。
【００６０】
図９は、窪み部１８および突出部３０の形状の他の例を示す断面図である。本例では、窪み部１８と対向して設けられる突出部３０の個数が、窪み部１８の個数よりも多い。図９の例では、一つの窪み部１８に対向して、二つの突出部３０−１および突出部３０−２が設けられている。本例において突出部３０−１および突出部３０−２の間には、リードフレーム１２の下面３４が配置されている。他の例では、突出部３０−１および突出部３０−２は、リードフレーム１２の下面３４よりも下側に突出した連結部で連結されていてもよい。連結部の高さは、突出部３０−１および突出部３０−２のいずれの高さよりも小さくてよい。
【００６１】
一つの窪み部１８に対向する複数の突出部３０のうち、いずれかの突出部３０の形状が、他のいずれかの突出部３０の形状と異なっていてよい。これにより、異なる機能を有する複数の突出部３０を設けることができる。
【００６２】
図９に示した例では、突出部３０−２の高さＨ２は、突出部３０−１の高さＨ１よりも大きい。高さＨ２は、高さＨ１の倍以上であってよく、３倍以上であってもよい。また、突出部３０−２の幅Ｗ２２は、突出部３０−１の幅Ｗ２１よりも小さい。幅Ｗ２２は、幅Ｗ２１の半分以下であってよく、１／３以下であってもよい。なお、突出部３０−１および突出部３０−２の体積は、同一であってよく、異なっていてもよい。
【００６３】
一例として、比較的に高く形成された突出部３０−２を、実装基板への実装位置を規定する位置決め部材として用いることができる。また、比較的に幅が広く形成された突出部３０−１を、実装基板のパッドへのはんだ付け用に用いることができる。
【００６４】
図１０は、実装基板２１０に固定された半導体装置１００を示す図である。実装基板２１０は、プリント基板等である。本例の半導体装置１００は、突出部３０が収容部１０の外部に露出している。
【００６５】
突出部３０と、実装基板２１０との間には、はんだ部２０６が設けられている。上述したように、突出部３０を設けることで、はんだ部２０６が広がることを抑制でき、また、はんだ部２０６が適切な位置に設けられているかを容易に確認できる。また、リードフレーム２４等のリードフレームの端部も、はんだ部２０６により実装基板２１０に接続される。
【００６６】
図１１は、実装基板２１０に固定された半導体装置１００の他の例を示す図である。本例の半導体装置１００は、図９に示した例と同様に、形状の異なる突出部３０−１および突出部３０−２を有する。
【００６７】
本例の突出部３０−２は、実装基板２１０に設けられた凹部２０８に挿入される。これにより、実装基板２１０に対する半導体装置１００の位置を規定する。凹部２０８は実装基板２１０を貫通する貫通孔であってもよい。
【００６８】
本例の突出部３０−１は、はんだ部２０６により実装基板２１０に接続される。突出部３０−１の高さは、他の窪み部１８に対応する突出部３０の高さと同一であってよい。突出部３０も、はんだ部２０６により実装基板２１０に接続されている。
【００６９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００７０】
１０・・・収容部、１２・・・リードフレーム、１４・・・端部、１６・・・屈曲部、１８・・・窪み部、２０・・・固定部、２２・・・リードフレーム、２４・・・リードフレーム、２６・・・ワイヤ、３０・・・突出部、３２・・・上面、３４・・・下面、３６・・・底面、３８・・・上面、４０・・・側壁、８０・・・半導体チップ、１００・・・半導体装置、２００・・・押圧部材、２０２・・・型部材、２０４・・・窪み、２０６・・・はんだ部、２０８・・・凹部、２１０・・・実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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