(57)【要約】【課題】  絶縁回路基板に接合する接続端子を有する端子接続部材の両端に荷重が負荷されても、接続端子の高さ変動を抑制し、接続端子と端子接続部材とが適切に接合された高い信頼性を備える半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置１ａは、半導体チップ６ａ〜６ｃを搭載した絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ），（４ａ，４１ｂ，４２ｂ），（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）を収納するケース２と、ケース２の２個の側壁の間に延び両端が架け渡される端子接続部材３ａとを備える。端子接続部材３ａは、中央領域Ｍに半導体チップ６ａ〜６ｃと接続する接続端子５ａ〜５ｃと、ケースへの取り付け部と中央領域Ｍの間に設けられ２個の側壁から負荷される荷重を吸収して変形するように長手方向の剛性が中央領域Ｍの剛性の５０％以下に設定された第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂとを有する。【選択図】図３
2018186244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載した絶縁回路基板と、
前記絶縁回路基板を内側に収納するケースと、
前記ケースの内側で対向する２個の側壁の間に延びるように両端が架け渡されると共に、前記両端間に位置する中央領域に前記半導体チップと接続して設けられた接続端子と、前記ケースへの取り付け部と前記中央領域の間にそれぞれ設けられ前記２個の側壁から負荷される荷重を吸収して変形するように長手方向の剛性が前記中央領域の剛性の５０％以下に設定された荷重吸収部とを有する端子接続部材と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記端子接続部材の前記ケースへの取り付け部、前記荷重吸収部及び前記中央領域が側面パターンでＺ字状または階段状をなすように、前記荷重吸収部が２箇所の屈曲部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記荷重吸収部が、凹部を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記荷重吸収部の幅が、前記中央領域の幅より狭いことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記荷重吸収部の厚みが、前記中央領域の厚みより薄いことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記取り付け部は、前記中央領域の高さより低い位置であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記端子接続部材の前記ケースへの取り付け部、前記荷重吸収部及び前記中央領域が側面パターンでＵ字状をなすように、前記荷重吸収部が４箇所の屈曲部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記Ｕ字状をなす前記荷重吸収部が、前記絶縁回路基板側に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記端子接続部材の前記ケースへの取り付け部、前記荷重吸収部及び前記中央領域が平面パターンでＺ字状または階段状をなすように、前記荷重吸収部が前記中央領域と同じ高さに設けられると共に、前記荷重吸収部の幅が前記中央領域の幅より狭いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体チップを絶縁回路基板に搭載する工程と、
中央領域に設けられた接続端子と、前記中央領域の外側に長手方向の剛性が前記中央領域の剛性の５０％以下に設定されたそれぞれの荷重吸収部とを有する端子接続部材を用意する工程と、
前記接続端子を前記半導体チップと接続する工程と、
前記端子接続部材が、それぞれの前記荷重吸収部の外側においてケースの内側で対向する２個の側壁のそれぞれに取り付けられ前記２個の側壁の間に架け渡されて延びるように、前記絶縁回路基板及び前記端子接続部材を挟み込んで前記ケースを一体成形する工程と、を含み、
前記荷重吸収部が、一体成形後の前記ケースの収縮時に、前記２個の側壁から負荷される荷重を吸収して変形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びこの半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、特に電力用半導体装置等の製造工程では、半導体チップを搭載した絶縁回路基板と、絶縁回路基板と接合させた端子接続部材とをインサート部材として挟み込んで、半導体装置用のケースを一体成形する場合がある。成形時のケースは、例えば２５０℃程度の高温であるが、その後、常温程度まで冷却される。例えばケースが樹脂製であると共に端子接続部材が金属製であると、ケース及び端子接続部材の素材のそれぞれの線膨張係数が大きく異なるので、冷却の際、ケースは端子接続部材より大きく収縮する。
【０００３】
そのため、ケースの内側で側壁間に端子接続部材が架け渡されるように設けられていると、端子接続部材には両端のケースへの取り付け部において、それぞれ側壁から内側に向かって圧縮するように荷重が負荷される。この荷重によって金属製の端子接続部材に反りが生じると、絶縁回路基板との接合のために端子接続部材に設けられている接続端子の高さが変動し、絶縁回路基板との接合において接続不良等の不具合が生じる可能性が懸念される。
【０００４】
端子接続部材の反りを制御できる技術を検討してみると、例えば特許文献１には、ケースの側壁間に架け渡された端子接続部材の両端の上面に、溝幅及び深さがそれぞれ１ｍｍ程度のプレス溝加工を施して凹部を形成する技術が開示されている。この特許文献１に記載された技術では、プレス溝の凹部に、半田付け時に加えられる熱が作用することにより、端子接続部材が下側の絶縁回路基板に向かって反るように、変形の方向が固定的に促進される。
【０００５】
また特許文献２には、端子接続部材に相当する端子導体の中央部近傍に絶縁ブロックを設け、ケースの内側で上下方向に一定間隔を空けて平行に隣り合う端子導体間の距離を、一定以上に保つ技術が開示されている。特許文献２に記載された技術では、上側の端子導体に設けられた絶縁ブロックにより、半田付け時の熱膨張に起因する下側の端子導体の変形が物理的に抑制される。
【０００６】
しかし特許文献１に記載された技術の場合、端子接続部材の接続端子が絶縁回路基板に押し付けられるように変形し、接続端子の高さが変動するため、押し付けで加えられる力によって絶縁回路基板が破損する可能性が懸念される。また特許文献２に記載された技術では、下側の端子導体が上側に反る場合は問題が無いとしても、下側に反る場合には、特許文献１の場合と同様に、絶縁回路基板が破損する可能性が懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０５８０３８号
【特許文献２】国際公開第２０１４／０７３３１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記した問題に着目して為されたものであって、絶縁回路基板に接合する接続端子を有する端子接続部材の両端に荷重が負荷されても、接続端子の高さ変動を抑制し、接続端子と端子接続部材とが適切に接合された高い信頼性を備える半導体装置及びこの半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置のある態様は、半導体チップを搭載した絶縁回路基板と、絶縁回路基板を内側に収納するケースと、ケースの内側で対向する２個の側壁の間に延びるように両端が架け渡されると共に、両端間に位置する中央領域に半導体チップと接続して設けられた接続端子と、ケースへの取り付け部と中央領域の間にそれぞれ設けられ２個の側壁から負荷される荷重を吸収して変形するように長手方向の剛性が中央領域の剛性の５０％以下に設定された荷重吸収部とを有する端子接続部材と、を備えることを要旨とする。
【００１０】
また本発明に係る半導体装置の製造方法のある態様は、半導体チップを絶縁回路基板に搭載する工程と、中央領域に設けられた接続端子と、中央領域の外側に長手方向の剛性が中央領域の剛性の５０％以下に設定されたそれぞれの荷重吸収部とを有する端子接続部材を用意する工程と、接続端子を半導体チップと接続する工程と、端子接続部材が、それぞれの荷重吸収部の外側においてケースの内側で対向する２個の側壁のそれぞれに取り付けられ２個の側壁の間に架け渡されて延びるように、絶縁回路基板及び端子接続部材を挟み込んでケースを一体成形する工程と、を含み、荷重吸収部が、一体成形後のケースの収縮時に、２個の側壁から負荷される荷重を吸収して変形することを要旨とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、絶縁回路基板に接合する接続端子を有する端子接続部材の両端に荷重が負荷されても、接続端子の高さ変動を抑制し、接続端子と端子接続部材とが適切に接合された高い信頼性を備える半導体装置及びこの半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置の収縮前の構成の概略を模式的に説明する平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ線方向から見た断面図である。
【図２】図２は、図１（ｂ）中のＢ−Ｂ線方向から見た断面図である。
【図３】図３は、第１の実施の形態に係る半導体装置の収縮後の構成の概略を模式的に説明する断面図である。
【図４】図４（ａ）は、比較例に係る半導体装置の収縮前の構成の概略を模式的に説明する平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）中のＣ−Ｃ線方向から見た断面図である。
【図５】図５は、比較例に係る半導体装置の収縮後の構成の概略を模式的に説明する断面図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態の変形例（第１変形例）に係る半導体装置の荷重吸収部の構成の概略を模式的に説明する斜視図（鳥瞰図）である。
【図７】図７は、第１の実施の形態の変形例（第２変形例）に係る半導体装置の荷重吸収部の構成の概略を模式的に説明する斜視図である。
【図８】図８は、第１の実施の形態の変形例（第３変形例）に係る半導体装置の荷重吸収部の構成の概略を模式的に説明する斜視図である。
【図９】図９は、第１の実施の形態の変形例（第４変形例）に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。
【図１０】図１０は、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、図１０（ａ）→図１０（ｂ）の順に模式的に説明する工程断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、第２の実施の形態に係る半導体装置の収縮前の構成の概略を模式的に説明する平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）中のＤ−Ｄ線方向から見た断面図である。
【図１２】図１２は、第２の実施の形態に係る半導体装置の収縮後の構成の概略を模式的に説明する断面図である。
【図１３】図１３は、第２の実施の形態の変形例（第５変形例）に係る半導体装置の荷重吸収部の構成の概略を模式的に説明する断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の収縮前の構成の概略を模式的に説明する平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）中のＥ−Ｅ線方向から見た断面図である。
【図１５】図１５は、第３の実施の形態に係る半導体装置の収縮後の構成の概略を模式的に説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明の第１〜第３の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各装置や各部材の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判定すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１４】
また、以下の説明における「左右」や「上下」の方向は、単に説明の便宜上の定義であって、本発明の技術的思想を限定するものではない。よって、例えば、紙面を９０度回転すれば「左右」と「上下」とは交換して読まれ、紙面を１８０度回転すれば「左」が「右」に、「右」が「左」になることは勿論である。
【００１５】
＜第１の実施の形態＞
−半導体装置の構造−
第１の実施の形態に係る半導体装置１ａは、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、ベース５と、ベース５上に設けられ第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃをそれぞれ搭載した第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）と、を備える。また第１の実施の形態に係る半導体装置１ａは、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）を内側に収納するケース２を備える。ケース２の内側で、図１（ａ）及び図１（ｂ）中のそれぞれの左右に位置して対向する２個の側壁の間には、側壁に両端が架け渡されて固定された板状の端子接続部材３ａが梁構造をなして延びるように設けられている。
【００１６】
端子接続部材３ａは、第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃのそれぞれと電気的に接続される３個の第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃを有する。また端子接続部材３ａは、固定されている２個の側壁のうち、図１（ａ）及び図１（ｂ）中のそれぞれの左側に示す一方の側壁と中央領域Ｍとの間に設けられた第１荷重吸収部３１ａを有する。また端子接続部材３ａは、図１（ａ）及び図１（ｂ）中のそれぞれの右側に示す他方の側壁と中央領域Ｍとの間に設けられた第２荷重吸収部３１ｂを有する。すなわち第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂは、端子接続部材３ａの長手方向における中央領域Ｍの外側の両端に設けられている。
【００１７】
端子接続部材３ａは、全体的に板状、又は棒状と見做すことが可能な部材であり、銅等を含むことによって導電性が高められている。端子接続部材３ａは、いわゆる「バスバー」等の導電性連結部材をなし、ケース２の側壁等の内部に設けられた外部接続端子等と第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）とを電気的に接続する。尚、外部接続端子等の図示は省略する。端子接続部材３ａによって、第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃの下面と半導体装置１ａの外部とが連結されている。
【００１８】
ケース２は、例えばポリフェニレンスルファイド樹脂等よりなる絶縁性素材で構成でき、直方体状で底面及び天井部が開口した額縁型である。ベース５は例えば金属製であり、半導体装置１ａの放熱用ベースをなす。
【００１９】
第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）は、ベース５の上面の中央にほぼ等間隔で配置されている。第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）はそれぞれ、いずれもセラミック等を含む第１絶縁基板４ａ〜第３絶縁基板４を有する。第１絶縁基板４ａ〜第３絶縁基板４の上面上には回路パターンが形成される第１表面導電箔４１ａ〜第３表面導電箔４１ｃがそれぞれ対応して設けられている。第１表面導電箔４１ａ〜第３表面導電箔４１ｃ上には第１端子用半田接合部１５ａ〜第１端子用半田接合部１５ａがそれぞれ対応して設けられている。また第１絶縁基板４ａ〜第３絶縁基板４の下面上には第１裏面導電箔４２ａ〜第３裏面導電箔４２ｃがそれぞれ対応して設けられ、第１裏面導電箔４２ａ〜第３裏面導電箔４２ｃ及びベース５間は半田等によって接合されている。
【００２０】
第１表面導電箔４１ａ〜第３表面導電箔４１ｃのそれぞれの上面上の一部の領域には、いずれも半田からなる第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃがそれぞれ対応して設けられる。また第１表面導電箔４１ａ〜第３表面導電箔４１ｃのそれぞれの上面上の他の領域には、いずれも半田からなる第１チップ用半田接合部１６ａ〜第３チップ用半田接合部１６ｃがそれぞれ対応して設けられる。
【００２１】
第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃ及び対応する第１チップ用半田接合部１６ａ〜第３チップ用半田接合部１６ｃは、例えばワイヤーボンディング等でそれぞれ電気的に接続されている。第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃのそれぞれの上面上には、端子接続部材３ａの第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃがそれぞれ対応して接合される。また第１チップ用半田接合部１６ａ〜第３チップ用半田接合部１６ｃのそれぞれの上面上には、いずれも半導体素子である第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃがそれぞれ対応して接合して搭載される。
【００２２】
端子接続部材３ａの第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃは、端子接続部材３ａの中央領域Ｍに、長手方向に沿ってほぼ等間隔で配置される。尚、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）と、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）にそれぞれ対応する第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃとからなる３個の接続構造はいずれも等価である。そのため、以下、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）及び第１接続端子５ａ間の接続構造を代表例として用いて説明し、重複する構造の説明を省略する。
【００２３】
端子接続部材３ａの第１接続端子５ａは、図１（ａ）に示したように、中央領域Ｍの長手方向に直交する幅方向の端部から、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）に向かって突出するように側方に張り出す領域を有する。端子接続部材３ａの「幅」は、端子接続部材３ａの長手方向に直交する方向に測った長さである。第１接続端子５ａは、図１（ｂ）に示したように、張り出した領域の先端から第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）上の第１端子用半田接合部１５ａの上面に向かって下垂するように屈曲する。
【００２４】
すなわち第１接続端子５ａは、端子接続部材３ａから第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）に向かって下垂する「脚」をなし、側面パターンでＬ字状を呈する。第１接続端子５ａは、図１（ｂ）に示したように、Ｌ字の底部が第１端子用半田接合部１５ａの上部に接合している。第１接続端子５ａのＬ字の底面と第１絶縁回路基板４ａ上の第１表面導電箔４１ａの上面との間には、一定の高さｈが形成される。
【００２５】
第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂは、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したように、端子接続部材３ａの中央領域Ｍを挟んで対称的に設けられ、互いの構造はいずれも等価である。そのため第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂの構造については、第１荷重吸収部３１ａを代表例として用いて以下に説明し、重複する構造の説明を省略する。
【００２６】
第１荷重吸収部３１ａは、図１（ｂ）中の左側に示したように、端子接続部材３ａのケース２への取り付け部と、中央領域Ｍの第１接続端子５ａの張り出し位置との間に設けられる。端子接続部材３ａのケース２への取り付け部は、図１（ｂ）中のケース２の左側の側壁の内壁面上の上部に位置する。まず、端子接続部材３ａは、ケース２への取り付け部と中央領域Ｍとの間のほぼ中央位置まで、端子接続部材３ａの長手方向に相当する左右方向に沿って水平に延びている。
【００２７】
その後、端子接続部材３ａは、中央位置において、ケース２への取り付け部とほぼ同じ高さからベース５の上面に向かうように下垂して、側面パターンで、ほぼ直角に表れる屈曲部を有する。その後、端子接続部材３ａは、ケース２への取り付け部の高さから、取り付け部及び第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）間のほぼ中央の高さまで鉛直に延びる。更にその後、端子接続部材３ａは、中央の高さ位置において、ケース２の右側の側壁に向かうように水平に延び、側面パターンで、ほぼ直角に表れる屈曲部を有する。その後、端子接続部材３ａは、第１接続端子５ａまで水平に延び、中央領域Ｍに連続している。
【００２８】
すなわち端子接続部材３ａは、ケース２への取り付け部と中央領域Ｍの第１接続端子５ａとの間において、上下方向に屈曲する２箇所の屈曲部を有して折り返される。そのため図１（ｂ）に示したように、ケース２への取り付け部から、第１荷重吸収部３１ａを経由して中央領域Ｍに至る領域は、側面パターンでＺ字状または階段状をなす。
【００２９】
第１の実施の形態に係る半導体装置１ａの第１荷重吸収部３１ａは、図１（ａ）及び図１（ｂ）中でそれぞれ破線囲み中に示したＺ字状または階段状の折り返し構造によって実現されている。またＺ字状または階段状の構造では、端子接続部材３ａの第１荷重吸収部３１ａの左右両側においては、左側のケース２への取り付け部側の領域の方が右側の中央領域Ｍより高くなるように段差が形成される。
【００３０】
第１荷重吸収部３１ａには、図１（ａ）及び図２に示したように、ほぼ等間隔で３本のスリット３２ａ１〜３２ａ３が設けられる。第１荷重吸収部３１ａの折り返し構造及び３本のスリット３２ａ１〜３２ａ３により、端子接続部材３ａの第１荷重吸収部３１ａの剛性が、上限値として中央領域Ｍの剛性の５０％（１／２）程度以下に低下するように設定されている。
【００３１】
第１荷重吸収部３１ａの剛性は「（負荷される荷重）／（長手方向の変位量）」の値で定義される。また第１荷重吸収部３１ａの剛性の値は、端子接続部材３ａの弾性変形期間中において、端子接続部材３ａの両端への荷重の負荷開始から反る直前の時点までの間であって、第１荷重吸収部３１ａの変形量が線形的に変化する期間に行われる測定によって定義される。
【００３２】
第１荷重吸収部３１ａの剛性の下限値は、半導体装置１ａの通電時において求められる主電流を端子接続部材３ａに流せることが可能となる、最低の断面積を有するように設定される。
【００３３】
一方、端子接続部材３ａのケース２の他方の側壁の近傍に配置される第２荷重吸収部３１ｂにも、図１（ａ）に示したように、第１荷重吸収部３１ａの３本のスリット３２ａ１〜３２ａ３と等価な構造の３本のスリット３２ｂ１〜３２ｂ３が設けられる。第２荷重吸収部３１ｂの折り返し構造及び３本のスリット３２ｂ１〜３２ｂ３により、第２荷重吸収部３１ｂの剛性は、第１荷重吸収部３１ａの場合と同様に、中央領域Ｍの剛性の５０％程度以下に低下するように設定される。
【００３４】
例えば図１（ｂ）に示すように、端子接続部材３ａがケース２の側壁間における梁部分の全長Ｌｗに亘ってほぼ一定の厚みＬｔを有し、かつ、第１荷重吸収部３１ａが、折り返し部の左右両端のそれぞれの端子接続部材３の上面間の長さとして表れる段差の高さＬｂを有する場合を考える。端子接続部材３ａとしては、まず、厚みＬｔが、Ｌｔ＝１ｍｍ程度である、銅を主材料とする板状部材を用意した。
【００３５】
次に、用意した板状部材の両端に、図１（ａ）中のスリット３２ａ１〜３２ａ３，３２ｂ１〜３２ｂ３で例示したようなスリットを所定の幅及び本数で設けた。なお、スリットは、端子接続部材３ａの屈曲部に挟まれた鉛直の領域のみに設けても良いし、該鉛直の領域だけでなく端子接続部材３ａの上側の領域または下側の領域もしくはその両方にまで延伸させてもよい。
【００３６】
また、図１（ｂ）に示したように側面パターンでＺ字状をなすように折り返し部を設けることにより、折り返し部の幅が実質的に中央領域Ｍの幅の半分（１／２）になるように設定した。そして端子接続部材３ａの梁部分の全長Ｌｗが、Ｌｗ＝１００ｍｍ程度、折り返し部の段差の高さＬｂが、Ｌｂ＝６ｍｍ程度の第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂを有する端子接続部材３ａを作製した。
【００３７】
得られた端子接続部材３ａの第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂの剛性を計算した結果、第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂの剛性は中央領域Ｍの剛性の約２０％（１／５）であった。換言すると、第１の実施の形態に係る半導体装置の端子接続部材３ａの第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂの剛性は、側面パターンで真直ぐ平坦に延びて折り返し部を有さない梁構造を有する端子接続部材の剛性と比較し、約２０％（１／５）に低下させることができた。
【００３８】
ここで図１（ａ）及び図１（ｂ）は、ベース５上の第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）及び端子接続部材３ａを挟み込んでケース２を一体的に成形加工した際、冷却によってケース２が収縮する前の状態を示す図であり、ケース２は例えば２５０℃程度に加熱されている。一方、図３は一体成形後、冷却によってケース２が収縮した後の状態を示す図であり、ケース２は例えば常温程度である。
【００３９】
冷却が進行すると、ケース２及び端子接続部材３ａの素材のそれぞれの線膨張係数の差に起因して、ケース２は端子接続部材３ａより大きく収縮する。例えばケース２がポリフェニレンスルファイド樹脂製であると共に端子接続部材３ａが銅等の金属材料であれば、収縮の差は特に大きくなる。そして、ケース２の対向する２個の側壁に取り付けられた端子接続部材３ａには、両端の取り付け部においてケース２のそれぞれの側壁から内側に向かって圧縮するように荷重が負荷される。
【００４０】
荷重が負荷される端子接続部材３ａにおいては、中央領域Ｍよりもケース２の２個の側壁にそれぞれ近接して位置する第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂの剛性が、いずれも中央領域Ｍの剛性の５０％以下に大きく低下するように設定されている。そのため端子接続部材３ａの第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂは、ケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に積極的に荷重を吸収して変形する。そして図３に示したように、第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂはケース２から負荷される荷重の影響を、第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂの領域内に限定して留める。そのため端子接続部材３ａの第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さｈがケース２の収縮後に変動せず、第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃと、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）上の第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃとの間に、それぞれ適正な高さが維持される。
【００４１】
＜比較例＞
一方、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、端子接続部材３ｚが第１荷重吸収部及び第２荷重吸収部を有さない比較例に係る半導体装置１ｚの場合、収縮時の荷重がそのまま端子接続部材３ｚの中央領域Ｍに波及する。そのため、例えば図５に示すように、端子接続部材３ｚが上側に凸状に大きく反る場合には、反りに連動して端子接続部材３ｚと第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）との間の距離が広がる。そして、第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さが変動して、それぞれ第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃから剥離するような状態が生じる。
【００４２】
反対に、端子接続部材３ａが下側に凸状に大きく反る場合には、端子接続部材３ｚが第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）に押し付けられてしまう。そして、例えば第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）が破損するなどの不具合が生じる恐れがある。端子接続部材３ｚの反りによる不具合回避のためには、例えば第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃと、対応する第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃとの接合部において高さ変動が生じても、電気的な導通を維持可能にするために、大量の半田を盛り付ける等の対応が必要になる。そのため比較例に係る半導体装置１ｚの製造コストが嵩んでしまう。また仮に大量の半田を盛り付けたとしても、不具合の発生防止を完全には担保できないため、比較例に係る半導体装置１ｚの場合、良品率の低下を回避できない。
【００４３】
第１の実施の形態に係る半導体装置１ａによれば、端子接続部材３ａのケース２との両端の取り付け部において、ケース２の収縮時にケース２から負荷される荷重を、端子接続部材３ａに意図的に設けた第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂに積極的に吸収させ、端子接続部材３ａの中央領域Ｍの変形を防止する。そのため端子接続部材３ａの中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さｈの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。
【００４４】
よってケース２が収縮しても、成形前に第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）と接合した第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃが、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）から離間することを回避できる。また第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃが第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）側に押し付けられて、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）が破損することを回避できる。よって端子接続部材３ａと第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）とが適切に接合され、高い信頼性を具備した半導体装置１ａを実現できる。
【００４５】
−第１変形例−
図６に示す第１変形例に係る半導体装置の第１荷重吸収部３１ａ１のように、端子接続部材３ａ１の本体に１個以上の凹部２１を設けて幅を減少させても、端子接続部材３ａ１の第１荷重吸収部３１ａ１及び第２荷重吸収部の剛性の低下を実現できる。第１変形例に係る半導体装置の第１荷重吸収部３１ａ１には、長手方向に沿って設けられた５個の凹部２１の組が幅方向に２組並列して計１０個の凹部２１が設けられ、２箇所の屈曲部が形成された場合が例示されている。
【００４６】
凹部２１の形状としては、図６中に例示した貫通穴だけでなく、他にも窪み等が採用されてもよい。また凹部の外縁のパターンも円形に限定されず適宜変更できる。第１変形例に係る半導体装置の他の構造については、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と等価である。
【００４７】
第１変形例に係る半導体装置においても、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と同様に、第１荷重吸収部３１ａ１及び第２荷重吸収部が、冷却による収縮時にケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に、荷重を積極的に吸収して変形する。そのため端子接続部材３ａ１の中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。
【００４８】
−第２変形例−
また図７に示す第２変形例に係る半導体装置の第１荷重吸収部３１ａ２のように、端子接続部材３ａ２の長手方向に沿って、それぞれの他の領域より幅の狭い一方の狭幅領域２２ａ及び他方の狭幅領域２２ｂを設けてもよい。２箇所の狭幅領域２２ａ，２２ｂにおいて屈曲部を形成することによっても、端子接続部材３ａ２の第１荷重吸収部３１ａ２及び第２荷重吸収部の剛性の低下を実現できる。第２変形例に係る半導体装置の他の構造については、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と等価である。
【００４９】
第２変形例に係る半導体装置においても、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と同様に、冷却による収縮時にケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に、第１荷重吸収部３１ａ２及び第２荷重吸収部が荷重を積極的に吸収して変形する。そのため端子接続部材３ａ２の中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。
【００５０】
−第３変形例−
また図８に示す第３変形例に係る半導体装置の第１荷重吸収部３１ａ３のように、端子接続部材３ａ３のケース２への取り付け部と中央領域Ｍの間に、他の領域より厚みの薄い薄肉構造部２３ａを設けても、第１荷重吸収部３１ａ３及び第２荷重吸収部の剛性の低下を実現できる。図８中には、薄肉構造部２３ａの長手方向の両端にそれぞれ屈曲部が形成された場合が例示されている。第３変形例に係る半導体装置の他の構造については、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と等価である。
【００５１】
第３変形例に係る半導体装置においても、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と同様に、冷却による収縮時にケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に、第１荷重吸収部３１ａ３及び第２荷重吸収部が荷重を積極的に吸収して変形する。そのため端子接続部材３ａ３の中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。
【００５２】
−第４変形例−
また図９に示した第４変形例に係る半導体装置１ａ４の端子接続部材３ａ４の第１荷重吸収部３１ａ４及び第２荷重吸収部３１ｂ４のように、図１（ｂ）に示したＺ字状または階段状の第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂを上下で反転させた構造でも、第１の実施の形態に係る半導体装置を実現できる。第４変形例に係る半導体装置の他の構造については、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と等価である。
【００５３】
第４変形例に係る半導体装置１ａ４においても、図１〜図３に示した半導体装置１ａの場合と同様に、冷却による収縮時にケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に、第１荷重吸収部３１ａ４及び第２荷重吸収部３１ｂ４が荷重を積極的に吸収して変形する。そのため端子接続部材３ａ４の中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。
【００５４】
また第４変形例に係る半導体装置１ａ４によれば、図９に示したように、端子接続部材３ａ４はケース２の側壁の下部に取り付けられた後、中央領域Ｍとの間で、２箇所で屈曲して、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）の上に架け渡されている。また荷重の負荷により第１荷重吸収部３１ａ４及び第２荷重吸収部３１ｂ４が変形しても、端子接続部材３ａ４の中央領域Ｍより上側に突出する部位が存在しない。よって半導体装置１ａ４全体の高さを抑え、半導体装置１ａ４の小型化を図ることができる。
【００５５】
−半導体装置の製造方法−
次に、図１〜図３に示した第１の実施の形態に係る半導体装置１ａの製造方法を、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を用いて例示的に説明する。まず図１０（ａ）に示すように、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）を用意し、用意した第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）を放熱用のベース５上の所定の位置に搭載して接合する。また図１（ｂ）に示したような、両端に第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂが設けられると共に、中央領域に第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃが設けられた端子接続部材３ａを用意する。
【００５６】
次に第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）の表面上の所定の領域に印刷技術等により半田メッキ処理等を施して、第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃ及び第１チップ用半田接合部１６ａ〜第３チップ用半田接合部１６ｃをそれぞれ形成する。次に第１チップ用半田接合部１６ａ〜第３チップ用半田接合部１６ｃのそれぞれの上面上に、第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃをそれぞれ搭載して接合する。
【００５７】
一方、図１０（ｂ）に示すように、第１端子用半田接合部１５ａ〜第３端子用半田接合部１５ｃのそれぞれの上面上に、端子接続部材３ａの第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの下面をそれぞれ接合する。次に例えばトランスファー成形等により、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）及び端子接続部材３ａをインサート部材として挟み込んで、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したように、ケース２を一体成形する。
【００５８】
成形後、冷却の進行により、ケース２は端子接続部材３ａよりも大きく収縮し、端子接続部材３ａにはケース２の側壁から荷重が負荷される。図３に示したように、端子接続部材３ａの第１荷重吸収部３１ａ及び第２荷重吸収部３１ｂが負荷される荷重を積極的に吸収することにより、第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さｈが変動せず、適正な高さが維持される。
【００５９】
次に、半導体チップの出力用電極やゲート電極等の電極の表面と、ケース２に設けられた所定の接続端子とを、ボンディングワイヤーやリードフレーム等の連結部材を用いて連結する。そしてケース２の内側にシリコンゲルやエポキシ樹脂等の保護用の充填剤を流し込み、所定の硬度に硬化してケース２の内側を封止すれば、第１の実施の形態に係る半導体装置１ａを得ることができる。その後、得られた半導体装置１ａのベース５の下面側に、熱伝導グリース等を介して冷却器を取り付けることもできる。
【００６０】
第１の実施の形態に係る半導体装置１ａの製造方法によれば、端子接続部材３ａの中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。そのため端子接続部材３ａと第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）とを適切に接合でき、かつ、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）の破損を防止できる。よって第１の実施の形態に係る半導体装置１ａを高い良品率で製造することができる。
【００６１】
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂは、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、ベース５と、ベース５上に設けられ第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃをそれぞれ搭載した第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）と、を備える。また第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂは、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）を内側に収納するケース２を備える。ケース２の内側で、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）中のそれぞれの左右に位置して対向する２個の側壁の間には、側壁に両端が架け渡されて固定された板状の端子接続部材３ｂが梁構造をなして延びるように設けられている。
【００６２】
端子接続部材３ｂは、第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃのそれぞれと電気的に接続される３個の第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃを有する。また端子接続部材３ｂは、２個の側壁のうち、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）中のそれぞれの左側に示す一方の側壁と中央領域Ｍとの間に設けられた第１荷重吸収部１３１ａを有する。また端子接続部材３ｂは、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）中のそれぞれの右側に示す他方の側壁と中央領域Ｍとの間に設けられた第２荷重吸収部１３１ｂを有する。
【００６３】
第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂは、第１荷重吸収部１３１ａ及び第２荷重吸収部１３１ｂが、ケース２の側壁との取り付け部と中央領域Ｍとの間で、それぞれ４回折り返される。ケース２への取り付け部、第１荷重吸収部１３１ａ及び中央領域Ｍは、図１１（ｂ）に示したように、側面パターンでコ字状又は逆Ｕ字状をなす。同様に、ケース２への取り付け部、第２荷重吸収部１３１ｂ及び中央領域Ｍも、側面パターンでコ字状又は逆Ｕ字状をなす。Ｕ字は、ケース２への取り付け部及び中央領域Ｍより高い位置に形成される。すなわち第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂは、端子接続部材３ｂのケース２への取り付け部と中央領域Ｍの間に、屈曲部が４箇所形成されたダブルベント型である点が、屈曲部が２箇所であるシングルベント型の第１の実施の形態と異なる。
【００６４】
第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂの第１荷重吸収部１３１ａ及び第２荷重吸収部１３１ｂにおいても、スリット３２ａ１〜３２ａ３，３２ｂ１〜３２ｂ３がそれぞれ設けられることにより、剛性が中央領域Ｍの剛性の５０％以下に低下している。第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂの他の構造については、第１の実施の形態に係る半導体装置１ａにおいて対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。
【００６５】
図１２に示すように、第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂにおいても、第１の実施の形態に係る半導体装置１ａの場合と同様に、冷却による収縮時にケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に、第１荷重吸収部１３１ａ及び第２荷重吸収部１３１ｂが荷重を積極的に吸収して変形する。そのため端子接続部材３ｂの中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。
【００６６】
また第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂによれば、第１荷重吸収部１３１ａ及び第２荷重吸収部１３１ｂが、屈曲部が４箇所形成されたダブルベント型であるため、屈曲部が２箇所であるシングルベント型の場合と比べ、より変形し易くなる。よって第１の実施の形態に係る半導体装置１ａより、端子接続部材３ｂの中央領域Ｍの反りを一層効果的に抑制できる。第２の実施の形態に係る半導体装置１ｂの他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置１ａの場合と同様である。
【００６７】
−第５変形例−
図１３に示した第５変形例に係る半導体装置１ｂ１の端子接続部材３ｂ１の第１荷重吸収部１３１ａ１及び第２荷重吸収部１３１ｂ１のように、図１１（ｂ）に示したコ字状又はＵ字状の第１荷重吸収部１３１ａ及び第２荷重吸収部１３１ｂを上下で反転させた構造でも、第２の実施の形態に係る半導体装置を実現できる。端子接続部材３ｂ１の第１荷重吸収部１３１ａ１及び第２荷重吸収部１３１ｂ１は、４箇所の屈曲部を有するＵ字形状が、下側のベース５に向かって突出する。
【００６８】
第５変形例に係る半導体装置１ｂ１においても、図１１（ａ）、図１１（ｂ）及び図１２に示した半導体装置１ａの場合と同様に、冷却による収縮時にケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に、第１荷重吸収部１３１ａ１及び第２荷重吸収部１３１ｂ１が荷重を積極的に吸収して変形する。そのため端子接続部材３ｂ１の中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。
【００６９】
また第５変形例に係る半導体装置１ｂ１によれば、図１３に示したように、端子接続部材３ｂ１はケース２の側壁の下部に取り付けられた後、４箇所で屈曲して、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）の上に架け渡されている。また荷重が負荷されることにより第１荷重吸収部１３１ａ１及び第２荷重吸収部１３１ｂ１が変形しても、端子接続部材３ｂ１の中央領域Ｍより上側に突出する部位が存在しない。よって半導体装置１ａ全体の高さを抑え、半導体装置１ａの小型化を図ることができる。
【００７０】
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃは、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、ベース５と、ベース５上に設けられ第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃをそれぞれ搭載した第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）と、を備える。また第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃは、第１絶縁回路基板（４ａ，４１ａ，４２ａ）〜第３絶縁回路基板（４ｃ，４１ｃ，４２ｃ）を内側に収納するケース２を備える。ケース２の内側で、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）中のそれぞれの左右に位置して対向する２個の側壁の間には、側壁に両端が架け渡されて固定された板状の端子接続部材３ｃが梁構造をなして延びるように設けられている。
【００７１】
端子接続部材３ｃは、第１半導体チップ６ａ〜第３半導体チップ６ｃのそれぞれと電気的に接続される３個の第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃを有する。また端子接続部材３ｃは、２個の側壁のうち、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）中のそれぞれの左側に示す一方の側壁と中央領域Ｍとの間に設けられた第１荷重吸収部２３１ａを有する。また端子接続部材３ｃは、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）中のそれぞれの右側に示す他方の側壁と中央領域Ｍとの間に設けられた第２荷重吸収部２３１ｂを有する。
【００７２】
第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃは、端子接続部材３ｃのケース２への一方の取り付け部、第１荷重吸収部３１ａ、中央領域Ｍ、第２荷重吸収部３１ｂ及びケース２への他方の取り付け部が同じ高さに形成される点が、第１及び第２の実施の形態と異なる。また第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃの場合、図７に示した第２変形例に係る半導体装置の第１荷重吸収部３１ａ２で示したような、狭幅の構成が第１荷重吸収部２３１ａ及び第２荷重吸収部２３１ｂに設けられる。第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃにおいても、狭幅構成により、第１荷重吸収部２３１ａ及び第２荷重吸収部２３１ｂの剛性が中央領域Ｍの剛性の５０％以下に低下している。
【００７３】
そのため第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃは、図１４（ａ）に示したように、ケース２の左側の側壁との取り付け部、第１荷重吸収部２３１ａ及び中央領域Ｍが、平面パターンでＺ字状をなす。またケース２の右側の側壁との取り付け部、第２荷重吸収部２３１ｂ及び中央領域Ｍも、平面パターンでＺ字状をなす。第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃの他の構造については、第１及び第２の実施の形態に係る半導体装置において対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。
【００７４】
図１５に示すように、第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃにおいても、第１及び第２の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様に、冷却による収縮時にケース２の側壁から負荷される荷重が中央領域Ｍに波及する前に、第１荷重吸収部２３１ａ及び第２荷重吸収部２３１ｂが荷重を積極的に吸収して変形する。そのため端子接続部材３ｃの中央領域Ｍに設けられた第１接続端子５ａ〜第３接続端子５ｃの高さの変動を抑制し、成形前の高さを適正に保持できる。第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃの他の効果については、第１及び第２の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様である。
【００７５】
また第３の実施の形態に係る半導体装置１ｃによれば、図１４（ｂ）に示したように、端子接続部材３ｃは側面パターンで平坦である。また図１５に示したように、荷重が負荷されても、第１荷重吸収部２３１ａ及び第２荷重吸収部２３１ｂは収縮前と同じ高さで変形する。そのため端子接続部材３ｃには上側に突出する部位が存在しないので、半導体装置１ｃ全体の高さを抑え、半導体装置１ｃの小型化を図ることができる。
【００７６】
−その他の実施の形態−
本発明は上記の開示した実施の形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになると考えられるべきである。
【００７７】
例えば第１〜第３の実施形態では、ケース２として平面パターンで矩形状に表れる直方体状のケース２を説明したが、直方体状に限定されず、六角柱状、八角柱状等、対向する一組の辺をなす側壁が含まれれば、ケース２は他の形状でもよい。
【００７８】
また第１〜第３の実施形態では、絶縁回路基板の表面導電箔上に、端子用半田接合部とチップ用半田接合部を互いに離間して別箇に設け、それぞれに端子接続部材の接続端子及び半導体チップを接合した上で、互いにワイヤーボンディング等で電気的に接続する場合を説明した。しかし接続端子及び半導体チップの接続方法としては、別箇に設けた半田接合部を用いる方法に限定されず、例えば、表面導電箔上に、対応する接続端子及び半導体チップに同時に接合可能な形状を有する１個の半田接合部を設ける方法等、他の接続方法を採用してもよい。
【００７９】
また第１〜第３の実施形態では、第１荷重吸収部及び第２荷重吸収部の剛性の低下を実現する方法として、第１荷重吸収部及び第２荷重吸収部の形状を変化させる方法を説明した。しかし剛性の低下を実現する方法としては、形状変化以外に、例えば第１荷重吸収部及び第２荷重吸収部の材質を中央領域Ｍの材質と異ならせることによって実現することもできる。
【００８０】
尚、剛性の低下を確認するには、端子接続部材の材質、第１荷重吸収部及び第２荷重吸収部の領域の形状及び寸法等からシミュレーション計算して求めることができる。或いは、端子接続部材から、第１荷重吸収部及び第２荷重吸収部と、第１荷重吸収部及び第２荷重吸収部以外の領域とを切断等によって分割して取り出し、取り出した領域のそれぞれの剛性を所定の測定器等を用いて測定して求める等、他の方法も採用できる。
【００８１】
また半導体チップである半導体素子としては、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード等の半導体モジュールに用いられる半導体素子であれば種々の半導体素子が採用可能である。また図１〜図１５に示したそれぞれの半導体装置の構成を部分的に組み合わせて、本発明に係る半導体装置を実現してもよい。以上のとおり本発明は、上記に記載していない様々な実施の形態等を含むとともに、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００８２】
１ａ，１ａ４  半導体装置
１ｂ，１ｂ１  半導体装置
１ｃ  半導体装置
１ｚ  半導体装置
２    ケース
３ａ，３ａ１，３ａ２，３ａ３，３ａ４  端子接続部材
３ｂ，３ｂ１  端子接続部材
３ｃ  端子接続部材
３ｚ  端子接続部材
４ａ〜４ｃ  第１絶縁基板〜第３絶縁基板
５    ベース
５ａ〜５ｃ  第１接続端子〜第３接続端子
６ａ〜６ｃ  第１半導体チップ〜第３半導体チップ
１５ａ〜１５ｃ  第１端子用半田接合部〜第３端子用半田接合部
１６ａ〜１６ｃ  第１チップ用半田接合部〜第３チップ用半田接合部
２１  凹部
２２ａ，２２ｂ  狭幅領域
２３ａ  薄肉構造部
３１ａ，３１ａ１，３１ａ２，３１ａ３，３１ａ４  第１荷重吸収部
３２ａ１〜３２ａ３  スリット
３１ｂ  第２荷重吸収部
３２ｂ１〜３２ｂ３  スリット
３１ｂ４  第２荷重吸収部
４１ａ〜４１ｃ  第１表面導電箔〜第３表面導電箔
４２ａ〜４２ｃ  第１裏面導電箔〜第３裏面導電箔
１３１ａ，１３１ａ１  第１荷重吸収部
１３１ｂ，１３１ｂ１  第２荷重吸収部
２３１ａ  第１荷重吸収部
２３１ｂ  第２荷重吸収部
Ｌｗ  端子接続部材の全長
Ｌｔ  端子接続部材の厚み
Ｌｂ  段差の高さ
Ｍ    中央領域
ｈ    接続端子の高さ
【図１】
2018186244.tif 000003
【図２】
2018186244.tif 000004
【図３】
2018186244.tif 000005
【図４】
2018186244.tif 000006
【図５】
2018186244.tif 000007
【図６】
2018186244.tif 000008
【図７】
2018186244.tif 000009
【図８】
2018186244.tif 000010
【図９】
2018186244.tif 000011
【図１０】
2018186244.tif 000012
【図１１】
2018186244.tif 000013
【図１２】
2018186244.tif 000014
【図１３】
2018186244.tif 000015
【図１４】
2018186244.tif 000016
【図１５】
2018186244.tif 000017