(57)【要約】      （修正有）【課題】低消費電力で安定した電気磁気記録が可能な磁気記録システムを提供する。【解決手段】磁気記録システム１００は、記録媒体１と、記録ヘッド７と、位相制御装置８、を含む。記録媒体は、基板４０と、基板上に基板側から表面側に向けて順に保持された、第一の電極３１と、第一の記録媒体層１０１と、第二の記録媒体層１０２と、を含む。第一の記録媒体層は、電気磁気効果を有する反強磁性体またはフェリ磁体を含み、第二の記録媒体層は、第一の記録媒体層と磁気的に接続された、強磁性体を含む。記録ヘッドは、磁界印加装置５と、電界印加装置２を含む。電界印加装置は、第二の電極３２と、交番電界発生機構と、を含み、記録情報の書き込み時に、交番電界と、交番電界と同位相または逆位相の交番磁界、とを同時に印加する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体と、記録ヘッドと、位相制御装置、を含む磁気記録システムであって、
前記記録媒体は基板と、前記基板上に前記基板側から表面側に向けて順に保持された、前記第一の電極と、第一の記録媒体層と、第二の記録媒体層と、を含み、
前記第一の記録媒体層は、電気磁気効果を有する反強磁性体またはフェリ磁体を含み、
前記第二の記録媒体層は、前記第一の記録媒体層と磁気的に接続された、強磁性体を含み
前記記録ヘッドは、
磁界印加装置と、電界印加装置、位相制御装置を含み、
前記磁界印加装置は、交番磁界印加機構を含み、
前記電界印加装置は、第二の電極と、交番電界発生機構と、を含み、
記録情報の書き込み時に、前記交番電界と、前記交番電界と同位相または逆位相の交番磁界、とを同時に印加する
ことを特徴とする磁気記録システム。
【請求項２】
記録媒体と、記録ヘッドと、位相制御装置、を含む磁気記録システムであって、
前記記録媒体は基板と、前記基板上に前記基板側から表面側に向けて順に保持された、前記第一の電極と、第一の記録媒体層と、第二の記録媒体層と、を含み、
前記第一の記録媒体層は、電気磁気効果を有する反強磁性体またはフェリ磁体を含み、
前記第二の記録媒体層は、前記第一の記録媒体層と磁気的に接続された、強磁性体を含み
前記記録ヘッドは、
磁界印加装置と、電界印加装置、位相制御装置を含み、
前記磁界印加装置は、交番磁界印加機構を含み、
前記電界印加装置は、第二の電極と、交番電界発生機構と、を含み、
１ビットの書き込み時に、前記交番電界と、前記交番電界と同位相または逆位相の交番磁界、とを同時に印加する
ことを特徴とする磁気記録システム
【請求項３】
請求項１、または請求項２のいずれか一項に記載の磁気記録システムであって、
前記交番電界の１周期毎の波形が常に一定であり、交番電界に対して交番磁界の位相を制御することで書き込みをおこなう
ことを特徴とする磁気記録システム。
【請求項４】
請求項１、または請求項２のいずれか一項に記載の磁気記録システムであって、
前記交番磁界の１周期毎の波形が常に一定であり、交番磁界に対して交番電界の位相を制御することで書き込みをおこなう
ことを特徴とする磁気記録システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクを代表とする磁気記録システムは、コンピュータネットワークの発展、特にクラウドコンピューティングに対応した大規模データセンター向け用途の拡大とともに、大容量化が強く求められている。
【０００３】
これまで、記録ビットの小面積化と強磁性結晶粒子の微小化により記録密度の大容量化に対応してきたが、強磁性体結晶を微粒子化すると磁気特性の熱的安定性が低下することが知られており、さらなる記録密度の大容量化に対して大きな障壁となっていた。
【０００４】
このことから、従来の信号の記録や保持とは異なる原理に基づく磁気記録技術が着目されている。特許文献１（ＵＳ８７２４４３４）には電気と磁気の交差相関である電気磁気効果（以下、「ＭＥ効果」という。）を利用し、電界と磁界の同時印加により、記録情報の書き込みをおこなう磁気記録システムが提案されている。同特許では、記録ビットに印加する磁界と電界の向きを平行状態、または反平行状態に適宜切り替えることで記録情報の書き込みをおこなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許ＵＳ８７２４４３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に示されている電界と磁界の同時印加の方法は、固定電界を印加しつつ、記録情報にあわせて磁界の方向を適宜切り替える方法と、固定磁界を印加しつつ、記録情報にあわせて電界の方向を適宜切り替える方法が提案されている。
【０００７】
固定電界と交番磁界を用いる方法では、同一方向の電界が媒体に長時間印加されることとなり、電界印加点から離れた場所で媒体に電荷が蓄積されることとなり、結果として消費電力が大きくなってしまう課題があった。また電界印加地点から離れた場所で蓄積された電荷により意図しない書き込みが生じてしまう課題があった。
【０００８】
また、固定磁界と交番電界を用いる方法においても、同一方向の記録情報の書き込みが続いた場合、電界が一方向に長時間印加されることとなり、電界印加点から離れた位置での電荷の蓄積が進んでしまうという課題があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、低消費電力で安定したＭＥ記録が可能な磁気記録システムを提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の第１の様態に係る磁気記録システムは、記録媒体と、記録ヘッドと、位相制御装置、を含む磁気記録システムであって、記録媒体は基板と、基板上に基板側から表面側に向けて順に保持された、第一の電極と、第一の記録媒体層と、第二の記録媒体層と、を含み、前記第一の記録媒体層は、電気磁気効果を有する反強磁性体またはフェリ磁体を含み、前記第二の記録媒体層は、前記第一の記録媒体層と磁気的に接続された、強磁性体を含み、記録ヘッドは、磁界印加装置と、電界印加装置、位相制御装置を含み、磁界印加装置は、交番磁界印加機構を含み、電界印加装置は、第二の電極と、交番電界発生機構と、を含み、交番電界と、交番電界と同位相または逆位相の交番磁界、とを同時に印加することで、記録情報の書き込みをおこなう、ことを特徴とする。
【００１１】
さらに本発明の第２の様態に係る磁気記録システムは、記録媒体と、記録ヘッドと、位相制御装置、を含む磁気記録システムであって、記録媒体は基板と、基板上に基板側から表面側に向けて順に保持された、第一の電極と、第一の記録媒体層と、第二の記録媒体層と、を含み、前記第一の記録媒体層は、電気磁気効果を有する反強磁性体またはフェリ磁体を含み、前記第二の記録媒体層は、前記第一の記録媒体層と磁気的に接続された、強磁性体を含み、記録ヘッドは、磁界印加装置と、電界印加装置、位相制御装置を含み、磁界印加装置は、交番磁界印加機構を含み、電界印加装置は、第二の電極と、交番電界発生機構と、を含み、交番電界と、交番電界と同位相または逆位相の交番磁界、とを同時に印加することで、１ビットの書き込みをおこなうことを特徴とする。
【００１２】
さらに本発明の第３の様態に係る磁気記録システムでは、前記交番電界の１周期毎の波形が常に一定であり、交番電界に対して交番磁界の位相を制御することで書き込みをおこなう、ことを特徴とする。
【００１３】
さらに本発明の第４の様態に係る磁気記録システムでは、前記交番磁界の１周期毎の波形が常に一定であり、交番磁界に対して交番電界の位相を制御することで書き込みをおこなう、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、交番電界と、交番電界と同位相または逆位相の交番磁界を同時印加することで、電界印加点から離れた場所での電界の蓄積を抑制できる。結果として、安定したＭＥ記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態に係る磁気記録システムの構成を示した断面模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る磁気記録システムの印加電界および印加磁界の方向とスピンの方向の関係を示した図である。
【図３】第１の実施形態に係る磁気記録システムの記録ビットと印加電界波形および印加磁界波形の関係を示した図である。
【図４−ａ】従来技術において、同じ記録情報が続いた場合の記録ビットへの印加電界波形および印加磁界波形の関係を示した図である。
【図４−ｂ】第１の実施形態において、同じ記録情報が続いた場合の記録ビットへの印加電界波形および印加磁界波形を示した図である。
【図５】第２の実施形態に係る磁気記録システムの記録ビットと印加電界波形および印加磁界波形を示した図である
【図６】本発明における電位算出のためのシミュレーションに用いた等価回路図である。
【図７】実施例１におけるシミュレーション結果を示したグラフである。
【図８】実施例２におけるシミュレーション結果を示したグラフである。
【図９】比較例におけるシミュレーション結果を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を用いて本発明を実施するための形態の例を説明する。なお、以下の説明は本発明の実施形態の一部を例示するものであり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、形態が本発明の技術的思想を有するものである限り、本発明の範囲に含まれる。各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせなどは一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、及びその他の変更が可能である。
【００１７】
（実施形態１）
本実施形態が開示する磁気記録システム１００の概略について図１を利用して説明する。本実施形態の磁気記録システム１００を構成する基本要素はＭＥ効果を利用して磁気情報を記録する記録媒体１と、記録媒体１に対して磁界および電界を印加する記録ヘッド７と、電界と磁界の位相をそろえる、もしくは位相を１８０°ずらす機能を有する位相制御装置８、の少なくとも３つからなる。本実施形態が開示する磁気記録システムにおける磁気情報の記録は、記録媒体１に対して磁界と電界を同時に印加することによっておこなう。ここで、「電界と磁界とを同時に印加する」とは、記録媒体１に、より正確には記録媒体１に含まれる第一の記録媒体層１０１に対して、電界と磁界とが重畳する領域を一時的に形成することを意味する。以下、本実施形態における、ＭＥ記録方式を、記録媒体に対して電界と磁界との掛け合わせを生じさせ、電界と磁界の積の符号を反転させることで記録媒体の磁化方向を操作する記録方式と定義する。
【００１８】
記録媒体１について説明する。記録媒体１は、ＭＥ効果を有する反強磁性層を含む第一の記録媒体層１０１と、第一の記録媒体層と交換結合を介して磁気的に接続された強磁性層を含む第二の記録媒体層１０２と、第一の電極３１と、基板４０を備える。基板４０は、第一の電極３１と、第一の記録媒体層１０１と、第二の記録媒体層１０２と、をこの順に保持する。第二の記録媒体層１０２は、第一の記録媒体層１０１に記録された磁気情報を転写し、読み取りに必要な強さの磁化を発生するための機能を有する。
【００１９】
記録媒体１について説明する。第一の記録媒体層１０１は様々な構成とすることが可能である。記録媒体層１０２は、例えば（ａ）Ｃｒ２Ｏ３、ＹＭｎＯ３、ＢｉＦｅＯ３、あるいはＧａ１−ｘＡｌｘＦｅＯ３（０≦ｘ≦１）などＭＥ効果を有する酸化物反強磁性体またはフェリ磁性体の少なくとも一つを含む薄膜材料とすることが可能である、あるいは（ｂ）Ｃｒ２Ｏ３、ＹＭｎＯ３、ＢｉＦｅＯ３、あるいはＧａ１−ｘＡｌｘＦｅＯ３（０≦ｘ≦１）などＭＥ効果を有する酸化物反強磁性体またはフェリ磁性体の少なくとも１種を母体とする混晶体も可能である。もしくは、（ｃ）前記（ａ）または（ｂ）のＭＥ効果を有する酸化物反強磁性体またはフェリ磁性体のうちの少なくとも１種と、これらＭＥ効果を有する酸化物反強磁性体より高いネール温度を有する反強磁性材料との積層体、もしくは混合体としてもよい。前記反強磁性体材料としては、公知のネール温度の高い反強磁性材料を適宜選択して用いることができる。代表的にはＮｉＯ、Ｆｅ２Ｏ３、（１−ｘ）Ｆｅ２Ｏ３−ｘＲｈ２Ｏ３、（１−ｘ）Ｆｅ２Ｏ３−ｘＲｕＯ２、（１−ｘ）Ｆｅ２Ｏ３−ｘＩｒＯ２（ただしｘは０＜ｘ＜１）のような酸化物反強磁性体、またはＩｒＭｎ、ＦｅＭｎ、ＰｔＭｎなどのような金属反強磁性体を用いることができる。前記第一の記録媒体層１０１は１ｎｍ〜１μｍ程度の厚みであってよい。
【００２０】
第二の記録媒体層１０２は、第一の記録媒体層１０１に書込まれた磁気情報を読み出すための磁界を発生する機能を有する。記録媒体層の強磁性体材料には、このような機能を有する金属の合金、あるいは規則合金から成る硬質磁性材料を適宜選択して使用できる。代表的には、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｔおよびその合金も好適に用いられる。特に、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系を用いることができる。ＣｏＣｒＰｔ系では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ含有量１４〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、残部Ｃｏ）、ＣｏＣｒＰｔＢ系では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ（Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｂ含有量０〜１６ａｔ％、残部Ｃｏ）が好ましい。その他の系では、ＣｏＣｒＰｔＴａ系としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ（Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、残部Ｃｏ）を、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ系としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｂ（Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、Ｂ含有量１〜１０ａｔ％、残部Ｃｏ）を用いることができる。その他にも、ＣｏＣｒＰｔＢＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＮｂ系、ＣｏＣｒＰｔＢＷ系、ＣｏＣｒＰｔＭｏ系、ＣｏＣｒＰｔＣｕＲｕ系、ＣｏＣｒＰｔＲｅ系、ＦｅＰｔＲｈ系およびＣｏ／Ｆｅ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄなどの強磁性体/強磁性体積層膜系の材料を適宜選択して用いることができる。第二の記録媒体層１０２の全体は１〜１０ｎｍ程度の厚みであってよい。
【００２１】
前記第二の記録媒体層１０２は、任意の軟磁性材料を用いることもできる。軟磁性材料は非晶質であっても微結晶であってもよい。第二の記録媒体層１０３に用いる軟磁性材料としては飽和磁束密度Ｂｓの値が大きいほうが好ましい。軟磁性材料は、公知の保磁力の小さな軟磁気特性を示す材料を適宜選択して用いることができる。例えば、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＣｒＦｅＢ、ＦｅＣｏＮ、ＦｅＣｏＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒＮｂなどのＣｏ−Ｆｅ系合金、ＮｉＦｅ、［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｓｎ］ｎ多層構造やＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなどのＮｉ−Ｆｅ系合金、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなどのＣｏ−Ｆｅ系合金、ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなどのＣｒ−Ｆｅ系合金、ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなどのＴａ−Ｆｅ系合金、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなどのＦｅＡｌ系合金、ＦｅＭｇＯなどのＦｅＭｇ系合金、ＦｅＺｒＮなどのＦｅＺｒ系合金、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金、Ｆｅ、ＭｎＺｎなどを、単独であるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。あるいは、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。
【００２２】
また、第二の記録媒体層１０２は、上記硬質磁性材料と軟磁性材料の積層膜、あるいは傾斜組成膜であってもよい。さらに、第二の記録媒体層１０２は、いわゆるＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）方式の垂直磁気記録媒体に用いられる記録層であってもよい。
【００２３】
第二の記録媒体層１０２は、第一の記録媒体層１０１から交換バイアスと呼ばれる一方向異方性を受ける。この交換バイアスは、反強磁性体のとることができる２つの等価な反強磁性体状態を反映し、正、あるいは負の値をもつことができる。
【００２４】
第一の記録媒体層１０１、第二の記録媒体層１０２のどちらか一方、または両方は接地されていなくともよいが接地されていることが好ましい。第一の記録媒体層１０１に酸化物反強磁性体、第二の記録媒体層１０２に金属強磁性体を使用することを想定する場合、第二の記録媒体層に電荷が蓄積されやすいため、第二の記録媒体層１０２を接地することがより好ましい。記録媒体層を接地することで、記録媒体層に蓄積された電荷を逃がすことができ、これにより記録情報の書き込み時に、電界印加点から離れた場所での電界の広がりを抑制でき、より安定して記録情報の書き込みが可能となる。
【００２５】
記録ヘッド７について説明する。図1に示したように、記録ヘッド７は第二の電極３２を備えた電界印加装置２、および磁界印加機構を有する磁界印加装置５を有する。記録ヘッド７は、記録媒体１の表面における任意の場所に移動させる機能を付加されており、使用時、未使用時に記録媒体表面と物理的に接触しないように保持されている。記録された情報を利用するに当たっての再生技術については、従来技術によるものであってかまわない。
【００２６】
電界印加装置２について説明する。電界印加装置２には、電界を狭窄して印加する機構が設けられていることが好ましい。これにより電界印加点から離れた場所での電界の広がりを抑制でき、より局所的な記録情報の書き込みが可能となる。
【００２７】
電源３３について説明する。電源３３は、電界の大きさおよび印加時間を制御する機能を付加されている。本実施形態において、電源３３は交番電界を発生させることができる。電源３３は、第一の電極３１と、電界印加装置２とに、接続され、第一の電極３１と、第二の電極３２間に交番電界を印加することができる。印加される交番電界の波形の形状は矩形波であってもよいし、サイン波であってもよいし、それらを組み合わせた波形であってもよい。
【００２８】
磁界印加装置５について説明する。磁界印加装置５には、媒体1に交番磁界を印加する機構が備えられている。また、磁界印加装置５には狭窄する機構が備えられていることが望ましい。本実施形態においては、電界と磁界の重畳領域に記録情報の書き込みがおこなわれるため、電界と磁界が重畳する領域を狭窄することで、より高密度な記録が可能となる。印加される磁界の波形の形状は、矩形波であってもよいし、サイン波であってもよいし、それらを組み合わせた波形であってもよいが、交番電界と同様の形状であることが望ましい。
【００２９】
位相制御装置８について説明する。位相制御８は、交番電界と交番磁界の周波数を揃え、書き込みたい記録情報に応じて交番電界と交番磁界の位相を揃える、もしくは交番電界と交番磁界の位相を逆位相にする機能を有する。
【００３０】
基板４０について説明する。基板４０の形状は特に限定されないが、記録を効率的に行うことを鑑みて、従来利用されているハードディスクに想定されるように円盤形状であることが好ましい。
【００３１】
図２は、印加された電界と磁界の方向と記録媒体１の磁化状態を示した図である。ＭＥ効果を有する反強磁性体に外部から電界と磁界が同時に加えられた場合、ＭＥ効果によってこの等価な２つの状態が摂動を受け、印加された電界と磁界の関係が、概平行、あるいは概反平行であるかによって、一方の反強磁性状態が他方の反強磁性状態よりもエネルギー的により安定になる。これを利用することで反強磁性体のスピンの状態を能動的に制御することができ、結果として図２に示したように、交換バイアスを介して隣接する第二の記録媒体層１０２の磁化状態を操作し、“０”状態と、“１”状態を作ることができるようになる。
【００３２】
図３は、本実施形態における記録情報の書き込み時の印加電界と印加磁界の波形である。本実施形態において、印加する電界、および印加する磁界は時間によって符号が随時変わる交番電界、および交番磁界を用いており、交番電界の１周期毎の波形は常に一定である。領域１、２はそれぞれ隣接する記録ビットを示している。領域１では交番電界と交番磁界の位相を同位相にしており、この領域では電界と磁界の積は常に正となっている。領域２では電界に対して磁界の位相が逆位相となっており、この領域では電界と磁界の積は常に負となっている。よって領域１での磁化状態を“０”状態とすると、領域２では“１”状態となる。本実施形態では、このように、印加する電界と磁界を同位相とするか、逆位相とするかによって磁化情報の書き込みをおこなっている。なお、同位相とは、交番電界と交番磁界の周波数が同じで、かつ電界と磁界の位相が揃っていることを意味する。このときわずかに位相がずれていても問題ないが、意図しない記録情報の書き込みを防止するため位相のズレは±３°以下であることが好ましい。また、逆位相とは、交番電界と交番磁界の周波数が同じで、かつ位相が１８０°ずれている状態を意味する。このとき、１８０°からわずかに位相がずれていても問題ないが、同様の理由で１８０°からのズレは±３°以下であることが好ましい。電界と磁界の位相の制御は、位相制御装置によりおこなっている。
【００３３】
図４ａは、同一記録情報が続いた場合での、従来方式での電界と磁界の印加波形を示した図である。なお、図中では省略しているが、記録情報の書き込み時は電界と共に、固定磁界を同時に印加している。従来の固定磁界と交番電界を用いる方式では、同一記録情報が続いた場合に、記録情報が続いた分だけ同じ方向に電界を印加することとなる。結果として、電界印加地点から離れた場所で電界の蓄積が進み、消費電力が大きくなってしまう。また、固定電界と、交番磁界を用いる方式においても、常に一定方向に電界を印加していることから同様の理由で消費電力が大きくなってしまう。
【００３４】
図４ｂは、同一記録情報が続いた場合の、本実施形態での、電界と磁界の印加波形を示した図である。なお、図中では省略しているが、記録情報の書き込み時は交番電界と同位相、もしくは逆位相の交番磁界を同時に印加している。本実施形態においては、1ビット内で電界の符号を周期的に切り替えていることから、同一記録情報が続いた場合においても、一定の方向に電界を印加している時間を短くできる。これにより、電界印加地点から離れた場所での電荷の蓄積を抑制でき、消費電力を低減できる。
【００３５】
（実施形態２）
本発明の磁気記録システム１００の第２の実施形態について説明する。第１の実施形態の磁気記録システム１００と異なる点について主に説明し、共通する事項は適宜説明を省略する。
【００３６】
図５は、第２の実施形態における記録情報の書き込み時の印加電界と印加磁界の波形である。第２の実施形態では、交番磁界の１周期毎の波形は常に一定であり、交番磁界に対して同位相の交番電界のか、逆位相の交番電界を印加することによって記録情報の書き込みをおこなっている。
【００３７】
第２の実施形態では交番磁界の１周期毎の波形を常に一定としていることから、常に同じ状態の交番磁界を印加することができる。これにより磁界の変動から生じるノイズを抑制でき、より安定して記録情報の書き込みをおこなうことができる。
【００３８】
（実施例１）
以下、本発明を具体的な実施例をもとに説明する。
【００３９】
図６は、電界印加装置２より記録媒体１に垂直の方向に電圧を印加した場合の、電圧印加地点と、電圧印加地点から離れた場所での電位を計算するためのシミュレーションのモデルである。位置Ｐ２は電圧の印加地点を示し、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４はそれぞれ電圧印加地点Ｐ１から等間隔で一定距離離れた位置を示している。容量Ｃ１、Ｒ１などのパラメータはサンプルサイズ・膜厚、ビット長などから適宜決定されるサンプル固有値である。
【００４０】
図７は、１ビット中に振幅１Ｖ、周波数１０ＭＨｚ（１０周期分）のサイン波を印加した場合を想定したシミュレーション結果であり、Ｐ１地点から１００ｎｍ離れたＰ２地点、２００ｎｍ離れたＰ３地点、３００ｎｎｍ離れたＰ４地点での電位をそれぞれ計算した結果である。シミュレーションの結果から、Ｐ２地点、Ｐ３、Ｐ４地点の、最大電位はそれぞれ約０．９Ｖ、０．５Ｖ、０．３Ｖとなった。
（実施例２）
【００４１】
図８は、１ビット中に振幅１Ｖ、周波数２０ＭＨｚ（２０周期分）のサイン波を印加した場合のシミュレーション結果であり、Ｐ１地点から１００ｎｍ離れたＰ２地点、２００ｎｍ離れたＰ３地点、３００ｎｎｍ離れたＰ４地点での電位をそれぞれ計算した結果である。シミュレーションの結果から、Ｐ２地点、Ｐ３、Ｐ４地点の、最大電位はそれぞれ約０．８Ｖ、０．３Ｖ、０．１Ｖとなった。
（比較例）
【００４２】
図９は、比較例として、実施例１、２と同様のモデルで従来技術の１ビットごとに電圧の方向を切り替える方式を想定した場合のシミュレーション結果であり、Ｐ１地点から１００ｎｍ離れたＰ２地点、２００ｎｍ離れたＰ３地点、３００ｎｎｍ離れたＰ４地点での電位を計算した結果である。シミュレーションの結果から、Ｐ２地点、Ｐ３、Ｐ４地点の最大電位はそれぞれ１Ｖとなっており、電圧の印加地点から離れた場所で電荷の蓄積が進んでいることがわかる。
【００４３】
以上、実施例に基づいて本発明を説明したが、当業者には、特許請求の範囲に記載した発明の範囲から逸脱することなく、これまで説明した例にたいして種々の変更を行うことが可能であることは明らかであろう。
【符号の説明】
【００４４】
１００…磁気記録システム、１…記録媒体、２…電界印加装置、７…記録ヘッド、３１…第一の電極、３２…第二の電極、３３…電源、４０…基板、５…磁界印加装置、８…位相制御装置、１０１…第一の記録媒体層、１０２…第二の記録媒体層
【図１】
2018174008.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４−ａ】
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【図４−ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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