(57)【要約】【課題】磁気抵抗素子の経年劣化による検出の精度の低下を抑制できるセンサ装置を提供する。【解決手段】センサ装置１は、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂから構成される第１ブリッジ１０と、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの中点電位の電位差を示す角度検出信号を検出する出力切替回路３０と、出力切替回路３０で検出した角度検出信号の演算結果を出力する演算出力回路６０とを備えている。各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂには、各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２がそれぞれ直列接続されている。そして、出力切替回路３０は、角度検出信号を検出することに加えて、各電流値用検出信号と、各抵抗値用検出信号をそれぞれ検出する。演算出力回路６０は、各電流値用検出信号と、各抵抗値用検出信号とに基づいて、補正値を設定し、当該補正値を重畳した補正後の角度検出信号を用いて演算結果を演算するようにしている。【選択図】図１
2018084514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの磁気抵抗素子を直列接続した第１のハーフブリッジ回路と、２つの磁気抵抗素子を直列接続した第２のハーフブリッジ回路とを有し、各ハーフブリッジ回路を電源とグランドとの間に並列に配置して構成されるフルブリッジ回路と、
各ハーフブリッジ回路の中点電位の電位差を示す検出信号を検出する検出回路と、
前記検出回路で検出した前記検出信号の演算結果を出力する演算出力回路と、を備え、
前記第１のハーフブリッジ回路には、当該第１のハーフブリッジ回路に流れる第１の電流値を検出するための第１の電流検出用抵抗が直列接続されるとともに、前記第２のハーフブリッジ回路には、当該第２のハーフブリッジ回路に流れる第２の電流値を検出するための第２の電流検出用抵抗が直列接続され、
前記検出回路は、前記検出信号を検出することに加えて、前記第１の電流値を示す第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値を示す第２の電流値用検出信号とを検出し、各磁気抵抗素子の抵抗値を示す各抵抗値用検出信号をそれぞれ検出し、
前記演算出力回路は、前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号と、前記各抵抗値用検出信号とに基づいて、前記検出信号を補正するための補正値を設定し、当該補正値を重畳した補正後の検出信号を用いて前記演算結果を演算するセンサ装置。
【請求項２】
前記各ハーフブリッジ回路には、前記各ハーフブリッジ回路の中点電位を検出するための中点電位検出用回路と、前記第１の電流値及び前記第２の電流値を検出するための電流値検出用回路と、各磁気抵抗素子の抵抗値を検出するための抵抗値検出用回路とがそれぞれ構成されるように切り替える切替回路が接続され、
前記検出回路は、前記切替回路が切り替えられることによって、前記中点電位検出用回路を通じて前記検出信号を検出することに加えて、前記電流値検出用回路を通じて前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号とを検出し、前記抵抗値検出用回路を通じて前記各抵抗値用検出信号をそれぞれ検出する請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記第１のハーフブリッジ回路の第１の磁気抵抗素子の第１の抵抗値用検出信号と、前記第２のハーフブリッジ回路の前記第１の磁気抵抗素子に対して対向する第４の磁気抵抗素子の第４の抵抗値用検出信号の差の基準値として設定される第１の初期値と、
前記第１のハーフブリッジ回路の前記第１の磁気抵抗素子とは異なる第２の磁気抵抗素子の第２の抵抗値用検出信号と、前記第２のハーフブリッジ回路の前記第２の磁気抵抗素子に対して対向する第３の磁気抵抗素子の第３の抵抗値用検出信号との差の基準値として設定される第２の初期値と、
前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号との差の基準値として設定される第３の初期値と、を記憶する記憶部をさらに備え、
前記演算出力回路は、
前記第１の抵抗値用検出信号と、前記第４の抵抗値用検出信号との差である第１の差分値と、前記第２の抵抗値用検出信号と、前記第３の抵抗値用検出信号との差である第２の差分値と、前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号との差である第３の差分値と、をそれぞれ算出し、
前記第１の初期値に対する前記第１の差分値の変化と、前記第３の初期値に対する前記第３の差分値の変化とに基づいて第１の補正値を設定するとともに、前記第２の初期値に対する前記第２の差分値の変化と、前記第３の初期値に対する前記第３の差分値の変化とに基づいて第２の補正値を設定し、
前記第１の補正値と、前記第２の補正値とを前記検出信号に重畳した前記補正後の検出信号を用いて前記演算結果を演算する請求項１又は請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記検出回路は、前記第２のハーフブリッジ回路の検出信号を正値として検出し、前記第１のハーフブリッジ回路の検出信号を負値として検出し、
前記演算出力回路は、
前記第１の差分値の変化と、前記第３の差分値の変化とに基づいて、前記第１の磁気抵抗素子又は前記第４の磁気抵抗素子の抵抗値の増減を検出し、さらに前記第１の磁気抵抗素子又は前記第４の磁気抵抗素子の増加を検出する場合、前記検出信号を減少させるように前記第１の補正値を設定し、一方で前記第１の磁気抵抗素子又は前記第４の磁気抵抗素子の減少を検出する場合、前記検出信号を増加させるように前記第１の補正値を設定し、
前記第２の差分値の変化と、前記第３の差分値の変化とに基づいて、前記第２の磁気抵抗素子又は前記第３の磁気抵抗素子の抵抗値の増減を検出し、さらに前記第２の磁気抵抗素子又は前記第３の磁気抵抗素子の増加を検出する場合、前記検出信号を増加させるように前記第２の補正値を設定し、一方で前記第２の磁気抵抗素子又は前記第３の磁気抵抗素子の減少を検出する場合、前記検出信号を減少させるように前記第２の補正値を設定する請求項３に記載のセンサ装置。
【請求項５】
前記第１の電流検出用抵抗及び前記第２の電流検出用抵抗は、前記電源及び当該電源に隣接する磁気抵抗素子との間、又は、前記グランド及び当該グランドに隣接する磁気抵抗素子との間に接続される請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
２つの磁気抵抗素子を直列接続した一対のハーフブリッジ回路を、電源とグランドとの間に並列に配置して構成されるフルブリッジ回路を用いて、一対のハーフブリッジ回路の中点電位を検出するセンサ装置として、例えば、特許文献１に記載のものがある。
【０００３】
特許文献１のセンサ装置では、２つのフルブリッジ回路を用いて、回転体を検出対象として当該回転体の角度位置（回転角度）を検出するようにしている。２つのフルブリッジ回路の各磁気抵抗素子は、検出対象が回転すると、抵抗値が変化し、この抵抗値の変化がそれぞれ中点電位の変化として現れる。すなわち、中点電位の変化は、検出対象の角度位置に応じて変化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−９４７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、センサ装置は、フルブリッジ回路で対向する磁気抵抗素子の抵抗値がそれぞれ一致すること、一対のハーフブリッジ回路の間で、それぞれの電流値が一致すること、これらの関係を満たすように設計される。ただし、磁気抵抗素子の抵抗値が変化する場合には、設計当初の関係がずれてしまう。この原因としては、例えば、磁気抵抗素子の経年劣化による抵抗値の変化が考えられる。この場合、センサ装置の検出の精度の低下が懸念される。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、磁気抵抗素子の経年劣化による検出の精度の低下を抑制できるセンサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するセンサ装置は、２つの磁気抵抗素子を直列接続した第１のハーフブリッジ回路と、２つの磁気抵抗素子を直列接続した第２のハーフブリッジ回路とを有し、各ハーフブリッジ回路を電源とグランドとの間に並列に配置して構成されるフルブリッジ回路と、各ハーフブリッジ回路の中点電位の電位差を示す検出信号を検出する検出回路と、前記検出回路で検出した前記検出信号の演算結果を出力する演算出力回路と、を備え、前記第１のハーフブリッジ回路には、当該第１のハーフブリッジ回路に流れる第１の電流値を検出するための第１の電流検出用抵抗が直列接続されるとともに、前記第２のハーフブリッジ回路には、当該第２のハーフブリッジ回路に流れる第２の電流値を検出するための第２の電流検出用抵抗が直列接続され、前記検出回路は、前記検出信号を検出することに加えて、前記第１の電流値を示す第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値を示す第２の電流値用検出信号とを検出し、各磁気抵抗素子の抵抗値を示す各抵抗値用検出信号をそれぞれ検出し、前記演算出力回路は、前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号と、前記各抵抗値用検出信号とに基づいて、前記検出信号を補正するための補正値を設定し、当該補正値を重畳した補正後の検出信号を用いて前記演算結果を演算するようにしている。
【０００８】
ここで、上記［発明が解決しようとする課題］で述べたような磁気抵抗素子の経年劣化による抵抗値の変化は、各磁気抵抗素子の抵抗値の設計当初の関係のずれとして現れるだけでなく、各ハーフブリッジ回路の電流値の設計当初の関係のずれとしても現れる。
【０００９】
これに対して、上記構成では、各抵抗値用検出信号を検出することによって、各磁気抵抗素子の抵抗値を検出することができる。また、第１の電流値用検出信号及び第２の電流値用検出信号を検出することによって、各ハーフブリッジ回路の電流値を検出することができる。これにより、設計当初に対する検出信号の検出時における磁気抵抗素子の関係のずれを、各抵抗値用検出信号に基づき検出できる。また、設計当初に対する検出信号の検出時における各ハーフブリッジ回路の電流値の関係のずれを、各電流値用検出信号に基づき検出できる。
【００１０】
そして、これら関係のずれに対して補正値を設定し、磁気抵抗素子の抵抗値の設計当初からの変化に対する検出信号の補正が可能となる。したがって、磁気抵抗素子の抵抗値が設計当初から変化したとしても設計当初の関係のずれを補正した補正後の検出信号を用いて、演算結果を演算することができるようになり、磁気抵抗素子の経年劣化による検出の精度の低下を抑制することができる。
【００１１】
上記センサ装置において、前記各ハーフブリッジ回路には、前記各ハーフブリッジ回路の中点電位を検出するための中点電位検出用回路と、前記第１の電流値及び前記第２の電流値を検出するための電流値検出用回路と、各磁気抵抗素子の抵抗値を検出するための抵抗値検出用回路とがそれぞれ構成されるように切り替える切替回路が接続され、前記検出回路は、前記切替回路が切り替えられることによって、前記中点電位検出用回路を通じて前記検出信号を検出することに加えて、前記電流値検出用回路を通じて前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号とを検出し、前記抵抗値検出用回路を通じて前記各抵抗値用検出信号をそれぞれ検出することが望ましい。
【００１２】
上記構成によれば、フルブリッジ回路を切り替えることによって、検出信号とともに、検出信号の補正に必要な各電流値用検出信号や各抵抗値用検出信号をそれぞれ検出することができる。これにより、互いの信号の検出において、他の信号の検出に妨げになったりすることが抑制されるようになる。したがって、各種の検出信号を好適に検出することができる。
【００１３】
また、上記センサ装置において、前記第１のハーフブリッジ回路の第１の磁気抵抗素子の第１の抵抗値用検出信号と、前記第２のハーフブリッジ回路の前記第１の磁気抵抗素子に対して対向する第４の磁気抵抗素子の第４の抵抗値用検出信号の差の基準値として設定される第１の初期値と、前記第１のハーフブリッジ回路の前記第１の磁気抵抗素子とは異なる第２の磁気抵抗素子の第２の抵抗値用検出信号と、前記第２のハーフブリッジ回路の前記第２の磁気抵抗素子に対して対向する第３の磁気抵抗素子の第３の抵抗値用検出信号との差の基準値として設定される第２の初期値と、前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号との差の基準値として設定される第３の初期値と、を記憶する記憶部をさらに備え、前記演算出力回路は、前記第１の抵抗値用検出信号と、前記第４の抵抗値用検出信号との差である第１の差分値と、前記第２の抵抗値用検出信号と、前記第３の抵抗値用検出信号との差である第２の差分値と、前記第１の電流値用検出信号と、前記第２の電流値用検出信号との差である第３の差分値と、をそれぞれ算出し、前記第１の初期値に対する前記第１の差分値の変化と、前記第３の初期値に対する前記第３の差分値の変化とに基づいて第１の補正値を設定するとともに、前記第２の初期値に対する前記第２の差分値の変化と、前記第３の初期値に対する前記第３の差分値の変化とに基づいて第２の補正値を設定し、前記第１の補正値と、前記第２の補正値とを前記検出信号に重畳した前記補正後の検出信号を用いて前記演算結果を演算することが望ましい。
【００１４】
上記構成では、設計当初においてフルブリッジ回路で対向する第１の磁気抵抗素子及び第４の磁気抵抗素子の抵抗値や、第２の磁気抵抗素子及び第３の磁気抵抗素子の抵抗値に関係を持たせているので、設計当初の関係のずれは検出信号の検出時における第１の差分値及び第２の差分値や第３の差分値として現れるようになる。そして、設計当初の関係を示す各初期値を設計時に予め記憶部に記憶しておくことによって、少なくとも各初期値を記憶した時点である設計当初からの磁気抵抗素子の抵抗値の変化に対して、検出信号を補正することができる。したがって、各初期値を記憶した時点からの磁気抵抗素子の経年劣化による検出の精度の低下を好適に抑制することができる。
【００１５】
上記センサ装置において、前記検出回路は、前記第２のハーフブリッジ回路の検出信号を正値として検出し、前記第１のハーフブリッジ回路の検出信号を負値として検出し、前記演算出力回路は、前記第１の差分値の変化と、前記第３の差分値の変化とに基づいて、前記第１の磁気抵抗素子又は前記第４の磁気抵抗素子の抵抗値の増減を検出し、さらに前記第１の磁気抵抗素子又は前記第４の磁気抵抗素子の増加を検出する場合、前記検出信号を減少させるように前記第１の補正値を設定し、一方で前記第１の磁気抵抗素子又は前記第４の磁気抵抗素子の減少を検出する場合、前記検出信号を増加させるように前記第１の補正値を設定し、前記第２の差分値の変化と、前記第３の差分値の変化とに基づいて、前記第２の磁気抵抗素子又は前記第３の磁気抵抗素子の抵抗値の増減を検出し、さらに前記第２の磁気抵抗素子又は前記第３の磁気抵抗素子の増加を検出する場合、前記検出信号を増加させるように前記第２の補正値を設定し、一方で前記第２の磁気抵抗素子又は前記第３の磁気抵抗素子の減少を検出する場合、前記検出信号を減少させるように前記第２の補正値を設定することが望ましい。
【００１６】
上記構成によれば、検出信号は、電源電圧を用いれば以下の式、
Ｓ＝（Ｒ４）／（Ｒ２＋Ｒ４）×Ｅ−（Ｒ３）／（Ｒ１＋Ｒ３）×Ｅ
（ただし、Ｓ：検出信号、Ｒ１〜Ｒ４：第１〜第４の磁気抵抗素子の抵抗値、Ｅ：電源電圧）
で表すことができる。
【００１７】
例えば、上記式に対して第１の磁気抵抗素子の抵抗値（Ｒ１）又は第４の磁気抵抗素子の抵抗値（Ｒ４）が増加する場合、検出信号（Ｓ）は上記式に対して増加する。この場合、演算出力回路は、抵抗値の変化に対する検出信号（Ｓ）の増加分、検出信号（Ｓ）を減少させるように第１の補正値を設定する。
【００１８】
また、上記式に対して第２の磁気抵抗素子の抵抗値（Ｒ２）又は第３の磁気抵抗素子の抵抗値（Ｒ３）が増加する場合、検出信号（Ｓ）は上記式に対して減少する。この場合、演算出力回路は、抵抗値の変化に対する検出信号（Ｓ）の減少分、検出信号（Ｓ）を増加させるように第２の補正値を設定する。
【００１９】
このように、上記構成では、磁気抵抗素子の抵抗値の変化が検出信号に与える影響を好適に補正することができる。
上記センサ装置において、前記第１の電流検出用抵抗及び前記第２の電流検出用抵抗は、前記電源及び当該電源に隣接する磁気抵抗素子との間、又は、前記グランド及び当該グランドに隣接する磁気抵抗素子との間に接続されることが望ましい。
【００２０】
上記構成によれば、各電流検出用抵抗を対称的に配置することができ、回路の対称性を確保することができる。この場合、回路として比較的に安定状態とすることができ、そもそも対称性を有するようなフルブリッジ回路であれば特に効果的である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、磁気抵抗素子の経年劣化による検出の精度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】センサ装置の概略構成を示す図。
【図２】同センサ装置においてその中点電位検出用回路の構成を示す図。
【図３】同センサ装置においてその抵抗値検出用回路の構成を示す図。
【図４】同じく抵抗値検出用回路の構成を示す図。
【図５】同センサ装置においてその電流値検出用回路の構成示す図。
【図６】同センサ装置においてその演算出力回路が実行する検出処理の流れを示すフローチャート。
【図７】（ａ），（ｂ）は、同演算出力回路が補正値を設定する態様を説明する表。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、センサ装置の一実施形態を説明する。
図１に示すように、センサ装置１は、例えば、車両のステアリング軸等の回転体を検出対象として、当該回転体に取り付けられるバイアス磁石の磁気の変化を検出することによって、当該回転体の角度位置を検出するのに用いられる。
【００２４】
センサ装置１は、各種のセンサ信号を出力するセンサＩＣ２と、センサＩＣ２から出力されるセンサ信号の演算結果として、回転体の角度位置を示す情報である角度情報θを外部（例えば、車両の制御装置）に出力するマイクロコンピュータ（以下「マイコン」という）３とを備えている。センサＩＣ２は、複数の磁気抵抗素子を有するセンサチップ４と、センサチップ４から電気信号（電圧信号）を検出してセンサ信号としてマイコン３に出力するＩＣチップ５とを備えている。
【００２５】
ここで、センサチップ４の構成について説明する。
センサチップ４は、第１のブリッジ回路（以下「第１ブリッジ」という）１０と、第２のブリッジ回路（以下「第２ブリッジ」という）２０とを備えている。第１ブリッジ１０と、第２ブリッジ２０とは、それぞれ４つの磁気抵抗素子（Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ５〜Ｍ８）がブリッジ状に配置されて構成されている。
【００２６】
具体的には、第１ブリッジ１０は、第１の磁気抵抗素子（以下「第１磁気抵抗」という）Ｍ１と、第３の磁気抵抗素子（以下「第３磁気抵抗」という）Ｍ３とが直列接続された第１のハーフブリッジ回路（以下「第１ハーフブリッジ」という）１１ａを有している。また、第１ブリッジ１０は、第２の磁気抵抗素子（以下「第２磁気抵抗」という）Ｍ２と、第４の磁気抵抗素子（以下「第４磁気抵抗」という）Ｍ４とが直列接続された第２のハーフブリッジ回路（以下「第２ハーフブリッジ」という）１１ｂを有している。第１ハーフブリッジ１１ａと、第２ハーフブリッジ１１ｂとは、それぞれ電源Ｖ（電源電圧Ｅ）とグランドＧとの間に並列に接続されている。第１ブリッジ１０で対向する第１磁気抵抗Ｍ１及び第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値は、それぞれ一致するように構成されている。同じく第１ブリッジ１０で対向する第２磁気抵抗Ｍ２及び第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値は、それぞれ一致するように設計されている。この場合、第１ブリッジ１０において、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの間で、それぞれの電流値が一致するように設計されている。
【００２７】
なお、第２ブリッジ２０は、第１ブリッジ１０と同一構成からなり、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４に対応するように、第５〜第８の磁気抵抗素子（第５〜第８磁気抵抗）Ｍ５〜Ｍ８を有しているとともに、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂに対応するように、第３，第４のハーフブリッジ回路（第３，第４ハーフブリッジ）２１ａ，２１ｂを有している。すなわち、第５磁気抵抗Ｍ５及び第８磁気抵抗Ｍ８の抵抗値がそれぞれ一致するように構成されているとともに、第６磁気抵抗Ｍ６及び第７磁気抵抗Ｍ７の抵抗値がそれぞれ一致するように設計されている。この場合、各ハーフブリッジ２１ａ，２１ｂの間で、それぞれの電流値が一致するように設計されている。
【００２８】
第１ブリッジ１０に対して第２ブリッジ２０が異なる点は、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の配置に対して、それぞれ対応する各磁気抵抗Ｍ５〜Ｍ８が、図１中、反時計回り方向に４５°回転して配置されている点である。
【００２９】
第１ハーフブリッジ１１ａには、電源Ｖ及び当該電源Ｖに隣接する第１磁気抵抗Ｍ１との間に第１の電流検出用抵抗（以下「第１検出抵抗」という）ＲＲ１が直列接続されている。また、第２ハーフブリッジ１１ｂには、電源Ｖ及び当該電源Ｖに隣接する第２磁気抵抗Ｍ２の間に第２の電流検出用抵抗（以下「第２検出抵抗」という）ＲＲ２が直列接続されている。各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２は、所謂、シャント抵抗であり、抵抗値がそれぞれ各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４と比較して、十分に小さく設定されている。なお、第２ブリッジ２０において、各ハーフブリッジ２１ａ，２１ｂには、各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２に対応する各検出抵抗ＲＲ５，ＲＲ６が接続されている。
【００３０】
第１ブリッジ１０は、複数（本実施形態では６つ）の検出点Ｐ０〜Ｐ５を有しており、各検出点Ｐ０〜Ｐ５の電位に応じた電気信号がＩＣチップ５によってそれぞれ検出されるように構成されている。例えば、検出点Ｐ３では、第１磁気抵抗Ｍ１と第３磁気抵抗Ｍ３との接続点の電位が検出される。また、検出点Ｐ４では、第２磁気抵抗Ｍ２と第４磁気抵抗Ｍ４との接続点の電位が検出される。なお、第２ブリッジ２０は、各検出点Ｐ０〜Ｐ５に対応する各検出点Ｐ６〜Ｐ１１を有している。
【００３１】
また、第１ブリッジ１０において、第１ハーフブリッジ１１ａには、第１切替回路１３が接続されている。また、第２ハーフブリッジ１１ｂには、第２切替回路１４が接続されている。第１切替回路１３は、電源Ｖに接続される分圧抵抗Ｒと、検出点Ｐ３とをスイッチＳＷ１を介して接続（オン）又は遮断（オフ）するとともに、グランドＧに接続される分圧抵抗Ｒと、検出点Ｐ３とをスイッチＳＷ２を介して接続（オン）又は遮断（オフ）するように構成されている。また、第２切替回路１４は、電源Ｖに接続される分圧抵抗Ｒと、検出点Ｐ４とをスイッチＳＷ３を介して接続（オン）又は遮断（オフ）するとともに、グランドＧに接続される分圧抵抗Ｒと、検出点Ｐ４とをスイッチＳＷ４を介して接続（オン）又は遮断（オフ）するように構成されている。本実施形態において、分圧抵抗Ｒはそれぞれ同一の抵抗値に設定されている。なお、第２ブリッジ２０において、各ハーフブリッジ２１ａ，２１ｂには、各切替回路１３，１４に対応する各切替回路１５，１６が接続されており、各スイッチＳＷ１〜ＳＷ４に対応する各スイッチＳＷ５〜ＳＷ８が接続されている。
【００３２】
次に、ＩＣチップ５の構成について説明する。
ＩＣチップ５は、センサチップ４で検出する電気信号を選択的に切り替えて出力する出力切替回路３０と、当該出力切替回路３０が出力する電気信号を差動増幅する増幅回路４０と、増幅後の電気信号をデジタル変換（Ａ／Ｄ変換）する変換回路５０とを備えている。なお、本実施形態において、出力切替回路３０及び増幅回路４０は検出回路の一例である。
【００３３】
出力切替回路３０は、各検出点Ｐ０〜Ｐ５（第１ブリッジ１０）から電気信号をそれぞれ検出する検出端子ｔ０〜ｔ５と、各検出点Ｐ６〜Ｐ１１（第２ブリッジ２０）から電気信号をそれぞれ検出する検出端子ｔ６〜ｔ１１とを有している。また、出力切替回路３０は、増幅回路４０の非反転入力端子（「＋」）に対して電気信号を出力可能に接続される出力端子ｔ（＋）と、増幅回路４０の反転入力端子（−）に対して電気信号を出力可能に接続される出力端子ｔ（−）とを有している。各検出端子ｔ０〜ｔ１１は、それぞれ対応するスイッチＳＷｔ０〜ＳＷｔ１１を介して各出力端子ｔ（＋），ｔ（−）に接続されている。
【００３４】
具体的には、各検出端子ｔ１〜ｔ４，ｔ７〜ｔ１０は、出力端子ｔ（＋），ｔ（−）のいずれかと、それぞれ対応する各スイッチＳＷｔ１〜ＳＷｔ４，ＳＷｔ７〜ＳＷｔ１０を介して接続可能である。各検出端子ｔ０，ｔ６は、出力端子ｔ（＋）と、それぞれ対応する各スイッチＳＷｔ０，ＳＷｔ６を介して接続可能である。各検出端子ｔ５，ｔ１１は、出力端子ｔ（−）と、それぞれ対応する各スイッチＳＷｔ５，ＳＷｔ１１を介して接続可能である。
【００３５】
出力切替回路３０は、各スイッチＳＷｔ０〜ＳＷｔ１１を選択的に切り替えることによって、増幅回路４０に対して選択的に電気信号を出力する。各出力端子ｔ（＋），ｔ（−）から出力された電気信号は、増幅回路４０で差動増幅されて出力される。増幅後の電気信号は、変換回路５０でデジタル変換されて各種のセンサ信号として出力される。
【００３６】
次に、マイコン３の構成についてその機能と合わせて説明する。
マイコン３は、デジタル回路からなる演算出力回路６０と、演算出力回路６０での演算に必要な情報を記憶する記憶部７０とを有している。
【００３７】
演算出力回路６０は、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ８の切り替えを制御するとともに、ＩＣチップ５の各スイッチＳＷｔ０〜ＳＷｔ１１の切り替えを制御する。これにより、演算出力回路６０は、センサＩＣ２から必要な情報として各種のセンサ信号を取得する。
【００３８】
各種のセンサ信号として、角度情報θを演算するための角度検出信号Ｓ１，Ｓ２が取得される。角度検出信号Ｓ１は、第１ブリッジ１０の各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの中点電位の電位差として取得される。角度検出信号Ｓ２は、第２ブリッジ２０の各ハーフブリッジ２１ａ，２１ｂの中点電位の電位差として取得される。
【００３９】
例えば、図２に示すように、角度検出信号Ｓ１は、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ４を全てオフに切り替えることにより構成される回路で検出される。この場合、第１ブリッジ１０は、第１ハーフブリッジ１１ａの中点電位を検出点Ｐ３で検出するとともに、第２ハーフブリッジ１１ｂの中点電位を検出点Ｐ４で検出する回路を構成するように切り替えられる。本実施形態において、このように切り替えられた上記回路は各ハーフブリッジ１１ａ,１１ｂの中点電位の電位差を検出するための中点電位検出用回路の一例である。
【００４０】
そして、同図中に示すように、角度検出信号Ｓ１は、ＩＣチップ５のスイッチＳＷｔ３を出力端子ｔ（−）に対してオン、スイッチＳＷｔ４を出力端子ｔ（＋）に対してオン、且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより取得される。この場合、増幅回路４０において、非反転入力端子（「＋」）には第２ハーフブリッジ１１ｂの中点電位（検出点Ｐ３の電位）が入力されるとともに、反転入力端子（「−」）には第１ハーフブリッジ１１ａの中点電位（検出点Ｐ４の電位）が入力される。増幅回路４０からは、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの中点電位の差に比例する値が出力される。この各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの中点電位の差に比例する値が、角度検出信号Ｓ１として取得される。
【００４１】
なお、角度検出信号Ｓ２については、角度検出信号Ｓ１と同様、対応するスイッチを切り替えることにより取得されるので、その詳しい説明を割愛する。
また、各種のセンサ信号として、各ブリッジ１０，２０の各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の抵抗値を演算するための抵抗値用検出信号ΔＶ１，ΔＶ２，ΔＶ３，ΔＶ４，ΔＶ５，ΔＶ６，ΔＶ７，ΔＶ８が取得される。各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ８は、各ブリッジ１０，２０の各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の抵抗値として取得される。
【００４２】
例えば、図３に示すように、各抵抗値用検出信号ΔＶ１，ΔＶ４は、センサチップ４の各スイッチＳＷ２，ＳＷ３をオン且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより構成される回路で検出される。この場合、第１ブリッジ１０は、第１磁気抵抗Ｍ１の高電位側の電位を検出点Ｐ１で検出する分圧回路とともに、第１磁気抵抗Ｍ１の低電位側の電位を検出点Ｐ３で検出する分圧回路を構成するように切り替えられる。また、第１ブリッジ１０は、第４磁気抵抗Ｍ４の高電位側の電位を検出点Ｐ４で検出する分圧回路とともに、第４磁気抵抗Ｍ４の低電位側の電位を検出点Ｐ５で検出する回路を構成するように切り替えられる。本実施形態において、このように切り替えられた上記回路は各磁気抵抗Ｍ１、Ｍ４の抵抗値を検出するための抵抗値検出用回路の一例である。
【００４３】
そして、同図中、上側に示すように、抵抗値用検出信号ΔＶ１（第１の抵抗値用検出信号）は、ＩＣチップ５のスイッチＳＷｔ１を出力端子ｔ（＋）に対してオン、スイッチＳＷｔ３を出力端子ｔ（−）に対してオン、且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより取得される。この場合、増幅回路４０において、非反転入力端子（「＋」）には第１磁気抵抗Ｍ１の高電位側の電位が入力されるとともに、反転入力端子（「−」）には第１磁気抵抗Ｍ１の低電位側の電位が入力される。この場合に増幅回路４０からは、第１磁気抵抗Ｍ１にかかる電圧であって、第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値に比例する値が出力される。この第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値に比例する値が、抵抗値用検出信号ΔＶ１として取得される。
【００４４】
また、同図中、下側に示すように、抵抗値用検出信号ΔＶ４（第４の抵抗値用検出信号）は、ＩＣチップ５のスイッチＳＷｔ４を出力端子ｔ（＋）に対してオン、スイッチＳＷｔ５をオン、且つこれら以外のスイッチをオフに切り替える。この場合、増幅回路４０において、非反転入力端子（「＋」）には第４磁気抵抗Ｍ４の高電位側の電位が入力されるとともに、反転入力端子（「−」）には第４磁気抵抗Ｍ４の低電位側の電位が入力される。この場合に増幅回路４０からは、第４磁気抵抗Ｍ４にかかる電圧であって、第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値に比例する値が出力される。この第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値に比例する値が、抵抗値用検出信号ΔＶ４として取得される。
【００４５】
また、図４に示すように、各抵抗値用検出信号ΔＶ２，ΔＶ３は、センサチップ４の各スイッチＳＷ１，ＳＷ４をオン且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより構成される回路で検出される。この場合、第１ブリッジ１０は、第２磁気抵抗Ｍ２の高電位側の電位を検出点Ｐ２で検出する分圧回路とともに、第２磁気抵抗Ｍ２の低電位側の電位を検出点Ｐ４で検出する分圧回路を構成するように切り替えられる。また、第１ブリッジ１０は、第３磁気抵抗Ｍ３の高電位側の電位を検出点Ｐ３で検出する分圧回路とともに、第３磁気抵抗Ｍ３の低電位側の電位を検出点Ｐ５で検出する回路を構成するように切り替えられる。本実施形態において、このように切り替えられた上記回路は各磁気抵抗Ｍ２、Ｍ３の抵抗値を検出するための抵抗値検出用回路の一例である。
【００４６】
そして、同図中、下側に示すように、抵抗値用検出信号ΔＶ２（第２の抵抗値用検出信号）は、ＩＣチップ５のスイッチＳＷｔ２を出力端子ｔ（＋）に対してオン、スイッチＳＷｔ４を出力端子ｔ（−）に対してオン、且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより取得される。この場合、増幅回路４０において、非反転入力端子（「＋」）には第２磁気抵抗Ｍ２の高電位側の電位が入力されるとともに、反転入力端子（「−」）には第２磁気抵抗Ｍ２の低電位側の電位が入力される。この場合に増幅回路４０からは、第２磁気抵抗Ｍ２にかかる電圧であって、第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値に比例する値が出力される。この第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値に比例する値が、抵抗値用検出信号ΔＶ２として取得される。
【００４７】
また、同図中、上側に示すように、抵抗値用検出信号ΔＶ３（第３の抵抗値用検出信号）は、ＩＣチップ５のスイッチＳＷｔ３を出力端子ｔ（＋）に対してオン、スイッチＳＷｔ５をオン、且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより取得される。この場合、増幅回路４０において、非反転入力端子（「＋」）には第３磁気抵抗Ｍ３の高電位側の電位が入力されるとともに、反転入力端子（「−」）には第３磁気抵抗Ｍ３の低電位側の電位が入力される。この場合に増幅回路４０からは、第３磁気抵抗Ｍ３にかかる電圧であって、第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値に比例する値が出力される。この第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値に比例する値が、抵抗値用検出信号ΔＶ３として取得される。
【００４８】
なお、各抵抗値用検出信号ΔＶ５〜ΔＶ８については、各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ４と同様、対応するスイッチを切り替えることにより取得されるので、その詳しい説明を割愛する。
【００４９】
また、各種のセンサ信号として、各ブリッジ１０，２０の各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂ，２１ａ，２１ｂに流れる電流値を演算するための電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖ，ΔＲＲ５Ｖ，ΔＲＲ６Ｖが取得される。各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖは、第１ブリッジ１０の各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂに流れる電流値として取得される。各電流値用検出信号ΔＲＲ５Ｖ，ΔＲＲ６Ｖは、第２ブリッジ２０の各ハーフブリッジ２１ａ，２１ｂに流れる電流値として取得される。
【００５０】
例えば、図５に示すように、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖは、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ４を全てオフに切り替えることにより構成される回路で検出される。この場合、第１ブリッジ１０は、第１検出抵抗ＲＲ１の高電位側の電位を検出点Ｐ０で検出する回路とともに、第１検出抵抗ＲＲ１の低電位側の電位を検出点Ｐ１で検出する分圧回路を構成するように切り替えられる。また、第１ブリッジ１０は、第２検出抵抗ＲＲ２の高電位側の電位を検出点Ｐ０で検出する回路とともに、第２検出抵抗ＲＲ２の低電位側の電位を検出点Ｐ２で検出する分圧回路を構成するように切り替えられる。本実施形態において、このように切り替えられた上記回路は各ハーフブリッジ１１ａ,１１ｂに流れる電流値を検出するための電流値検出用回路の一例である。
【００５１】
そして、同図中、上側に示すように、電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ（第１の電流値用検出信号）は、ＩＣチップ５のスイッチＳＷｔ０をオン、スイッチＳＷｔ１を出力端子ｔ（−）に対してオン、且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより検出される。この場合、増幅回路４０において、非反転入力端子（「＋」）には第１検出抵抗ＲＲ１の高電位側の電位が入力されるとともに、反転入力端子（「−」）には第１検出抵抗ＲＲ１の低電位側の電位が入力される。この場合に増幅回路４０からは、第１検出抵抗ＲＲ１にかかる電圧であって、第１ハーフブリッジ１１ａに流れる電流値に比例する値が出力される。この第１ハーフブリッジ１１ａに流れる電流値に比例する値が、電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖとして取得される。
【００５２】
また、同図中、下側に示すように、電流値用検出信号ΔＲＲ２Ｖ（第２の電流値用検出信号）は、ＩＣチップ５のスイッチＳＷｔ０をオン、スイッチＳＷｔ２を出力端子ｔ（−）に対してオン、且つこれら以外のスイッチをオフに切り替えることにより検出される。この場合、増幅回路４０において、非反転入力端子（「＋」）には第２検出抵抗ＲＲ２の高電位側の電位が入力されるとともに、反転入力端子（「−」）には第２検出抵抗ＲＲ２の低電位側の電位が入力される。この場合に増幅回路４０からは、第２検出抵抗ＲＲ２にかかる電圧であって、第２ハーフブリッジ１１ｂに流れる電流値に比例する値が出力される。この第２ハーフブリッジ１１ｂに流れる電流値に比例する値が、電流値用検出信号ΔＲＲ２Ｖとして取得される。
【００５３】
なお、各電流値用検出信号ΔＲＲ５Ｖ，ΔＲＲ６Ｖについては、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖと同様、対応するスイッチを切り替えることにより取得されるので、その詳しい説明を割愛する。
【００５４】
上記回路のうち、図２に示す中点電位検出用回路では、検出対象である回転体とともに当該回転体に取り付けられているバイアス磁石が回転すると、センサチップ４の各ブリッジ１０，２０の各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の抵抗値が変化する。各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の抵抗値が変化することにより、各角度検出信号Ｓ１，Ｓ２が変化する。
【００５５】
本実施形態において、角度検出信号Ｓ１は、以下の式（ｃ１）、
Ｓ１＝Ｉ２×Ｒ４−Ｉ１×Ｒ３  …（ｃ１）
で表すことができる（説明の便宜上、増幅回路４０の比例定数は省略している）。
【００５６】
上記式（ｃ１）の各項を電源電圧Ｅを用いれば、以下の式（ｃ２）、
Ｓ１＝（Ｒ４）／（Ｒ２＋Ｒ４）×Ｅ−（Ｒ３）／（Ｒ１＋Ｒ３）×Ｅ  …（ｃ２）
（ただし、Ｓ１：角度検出信号、Ｒ１〜Ｒ４：第１〜第４磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値、Ｉ１，Ｉ２：第１，第２ハーフブリッジの電流値、Ｅ：電源電圧、Ｒ１＝Ｒ４、Ｒ２＝Ｒ３、Ｉ１＝Ｉ２）
で表すことができる。なお、角度検出信号Ｓ２についても同様である。
【００５７】
そして、各角度検出信号Ｓ１，Ｓ２の振幅変化は、ｓｉｎ（正弦波）又はｃｏｓ（余弦波）として表すことができ、例えば、角度検出信号Ｓ１が検出対象である回転体の回転に対してｓｉｎ状に変化するｓｉｎ信号であり、角度検出信号Ｓ２が検出対象である回転値の回転に対してｃｏｓ状に変化するｃｏｓ信号である。そして、演算出力回路６０は、角度検出信号Ｓ１のｓｉｎ信号と、角度検出信号Ｓ２のｃｏｓ信号とに基づいて角度情報θを演算することができる。
【００５８】
上記式（ｃ２）の角度検出信号Ｓ１は、「Ｒ１＝Ｒ４」、「Ｒ２＝Ｒ３」、「Ｉ１＝Ｉ２」という条件を満たした上での、あくまで設計上の理論値という位置付けである。一方、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４は、抵抗値に個体差があるのが一般的である。そこで、本実施形態では、工場出荷時等、製造時にまず上記中点電位検出用回路（図２）の実測結果を用いて角度検出信号Ｓ１を初期補正するようにしている。これにより、製造時における各磁気抵抗Ｍ１〜Ｒ４の抵抗値の個体差を吸収することができる。
【００５９】
このため、記憶部７０には、初期補正に必要な初期補正値が製造時に予め記憶されている。演算出力回路６０は、上記中点電位検出用回路（図２）の実測結果に対して、記憶部７０に記憶されている初期補正値を加算（重畳）した値を角度検出信号Ｓ１として角度情報θの演算に用いるように構成されている。
【００６０】
また、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値は、個体差の他、経年劣化により増加又は減少変化する可能性がある。そこで、本実施形態では、設計当初である製造時の各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂに流れる電流値の関係に対するずれを検出することによって、角度検出信号Ｓ１を製造時に対してオフセット補正するようにしている。これにより、製造時からの各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値の経年劣化による変化を吸収するようにしている。
【００６１】
このため、記憶部７０には、オフセット補正に必要な各種の初期値が製造時に予め記憶されている。各種の初期値として、第１の初期値（以下「第１初期値」という）ＲＸｓｔと、第２の初期値（以下「第２初期値」という）ＲＹｓｔと、第３の初期値（以下「第３初期値」という）Ｉｓｔとが記憶されている。
【００６２】
本実施形態において、第１初期値ＲＸｓｔは、以下の式（ｃ３）、
ＲＸｓｔ＝ΔＶ１ｓｔ−ΔＶ４ｓｔ  …（ｃ３）
（ただし、ΔＶ１ｓｔ，ΔＶ４ｓｔ：製造時の各抵抗値用検出信号ΔＶ１，ΔＶ４）
で表すことができる。
【００６３】
第１初期値ＲＸｓｔは、抵抗値用検出信号ΔＶ１と、抵抗値用検出信号ΔＶ４との差分値の、製造時における値でありオフセット補正の際の基準値となる。なお、第１初期値ＲＸｓｔは、第１磁気抵抗Ｍ１及び第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値の製造時における差（主に個体差）であり、当該差がなければ零値である。この組み合わせは、上記式（ｃ２）が満たす条件である「Ｒ１＝Ｒ４」の関係を考慮して決められている。
【００６４】
また、第２初期値ＲＹｓｔは、以下の式（ｃ４）、
ＲＹｓｔ＝ΔＶ２ｓｔ−ΔＶ３ｓｔ  …（ｃ４）
（ただし、ΔＶ２ｓｔ，ΔＶ３ｓｔ：製造時の各抵抗値用検出信号ΔＶ２，ΔＶ３）
で表すことができる。
【００６５】
第２初期値ＲＹｓｔは、抵抗値用検出信号ΔＶ２と、抵抗値用検出信号ΔＶ３との差分値の、製造時における値でありオフセット補正の際の基準値となる。なお、第２初期値ＲＹｓｔは、第２磁気抵抗Ｍ２及び第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値の差（主に個体差）であり、当該差がなければ零値である。この組み合わせは、上記式（ｃ２）が満たす条件である「Ｒ２＝Ｒ３」の関係を考慮して決められている。
【００６６】
また、第３初期値Ｉｓｔは、以下の式（ｃ５）、
Ｉｓｔ＝ΔＲＲ１Ｖｓｔ−ΔＲＲ２Ｖｓｔ  …（ｃ５）
（ただし、ΔＲＲ１Ｖｓｔ，ΔＲＲ２Ｖｓｔ：製造時の各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖ）
で表すことができる。
【００６７】
第３初期値Ｉｓｔは、電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖと、電流値用検出信号ΔＲＲ２Ｖとの差分値の、製造時における値でありオフセット補正の際の基準値となる。なお、第３初期値Ｉｓｔは、第１磁気抵抗Ｍ１及び第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値の差（主に個体差）や、第２磁気抵抗Ｍ２及び第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値の差（主に個体差）に基づくものであり、これら差がなければ零値である。
【００６８】
なお、個体差や経年劣化による抵抗値の変化については、各磁気抵抗Ｍ５〜Ｍ８についても各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４と同様である。そのため、角度検出信号Ｓ２は、角度検出信号Ｓ１と同様、初期補正やオフセット補正によって、製造時からの各磁気抵抗Ｍ５〜Ｍ８の抵抗値の経年劣化による変化が吸収されるように構成されている。
【００６９】
そして、演算出力回路６０は、角度情報θを演算するために各角度検出信号Ｓ１，Ｓ２を取得する際、当該取得時の各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ４、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖを取得し、各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔとの比較を通じてオフセット補正を実行する。
【００７０】
以下、演算出力回路６０が各角度検出信号Ｓ１，Ｓ２を取得する際に実行する信号取得処理について詳しく説明する。なお、演算出力回路６０は、制御周期毎に以下の処理を繰り返し実行する。演算出力回路６０は、各角度検出信号Ｓ１，Ｓ２を取得する際、同様の処理を実行する。このため、以下では、便宜上、角度検出信号Ｓ１を取得する際に実行する処理についてのみ説明し、角度検出信号Ｓ２を取得する際に実行する処理の詳しい説明を割愛する。
【００７１】
図６に示すように、信号取得処理において、演算出力回路６０は、各抵抗値用検出信号ΔＶ１，ΔＶ４を取得する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０にて、演算出力回路６０は、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ８のオンオフを切り替えることによって、第１ブリッジ１０を各磁気抵抗Ｍ１、Ｍ４の抵抗値を検出するための抵抗値検出用回路（図３）に切り替える。また、演算出力回路６０は、ＩＣチップ５の各スイッチＳＷｔ０〜ＳＷｔ１１のオンオフを切り替えることによって、各抵抗値用検出信号ΔＶ１，ΔＶ４を取得し、記憶部７０の所定の記憶領域にそれぞれ一時記憶させる。
【００７２】
続いて、演算出力回路６０は、各抵抗値用検出信号ΔＶ２，ΔＶ３を取得する（ステップＳ２０）。ステップＳ２０にて、演算出力回路６０は、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ８のオンオフを切り替えることによって、第１ブリッジ１０を各磁気抵抗Ｍ２、Ｍ３の抵抗値を検出するための抵抗値検出用回路（図４）に切り替える。また、演算出力回路６０は、ＩＣチップ５の各スイッチＳＷｔ０〜ＳＷｔ１１のオンオフを切り替えることによって、各抵抗値用検出信号ΔＶ２，ΔＶ３を取得し、記憶部７０の所定の記憶領域にそれぞれ一時記憶させる。
【００７３】
続いて、演算出力回路６０は、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖを取得する（ステップＳ３０）。ステップＳ３０にて、演算出力回路６０は、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ８のオンオフを切り替えることによって、第１ブリッジ１０を各ハーフブリッジ１１ａ,１１ｂに流れる電流値を検出するための電流値検出用回路（図５）に切り替える。また、演算出力回路６０は、ＩＣチップ５の各スイッチＳＷｔ０〜ＳＷｔ１１のオンオフを切り替えることによって、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖを取得し、記憶部７０の所定の記憶領域にそれぞれ一時記憶させる。
【００７４】
続いて、演算出力回路６０は、ステップＳ１０〜Ｓ３０で取得した各種のセンサ信号に基づいて、オフセット補正するための第１の補正値Ｘｒｍ及び第２の補正値Ｙｒｍを設定し（ステップＳ４０）、記憶部７０の所定の記憶領域にそれぞれ一時記憶させる。ステップＳ４０にて、演算出力回路６０は、ステップＳ１０〜Ｓ３０で取得したセンサ信号を記憶部７０から読み出し、当該記憶部７０に記憶されている各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔと比較する。
【００７５】
具体的には、演算出力回路６０は、第１の差分値（以下「第１抵抗差」という）ΔＲＸと、第２の差分値（以下「第２抵抗差」という）ΔＲＹと、第３の差分値（以下「電流差」という）ΔＩとを演算する。
【００７６】
本実施形態において、第１抵抗差ΔＲＸは、以下の式（ｃ６）、
ΔＲＸ＝ΔＶ１−ΔＶ４  …（ｃ６）
で表すことができ、各種のセンサ信号の検出時における抵抗値用検出信号ΔＶ１と、抵抗値用検出信号ΔＶ４との差分値であり、第１初期値ＲＸｓｔに対応する。なお、第１抵抗差ΔＲＸは、第１磁気抵抗Ｍ１及び第４磁気抵抗Ｍ４において、抵抗値の経年劣化による変化がなければ第１初期値ＲＸｓｔと一致し、抵抗値の経年劣化による変化があれば第１初期値ＲＸｓｔに対して増減する。
【００７７】
また、第２抵抗差ΔＲＹは、以下の式（ｃ７）、
ΔＲＹ＝ΔＶ２−ΔＶ３  …（ｃ７）
で表すことができ、各種のセンサ信号の検出時における抵抗値用検出信号ΔＶ２と、抵抗値用検出信号ΔＶ３との差分値であり、第２初期値ＲＹｓｔに対応する。なお、第２抵抗差ΔＲＹは、第２磁気抵抗Ｍ２及び第３磁気抵抗Ｍ３において、抵抗値の経年劣化による変化がなければ第２初期値ＲＹｓｔと一致し、抵抗値の経年劣化による変化があれば第２初期値ＲＹｓｔに対して増減する。
【００７８】
また、電流差ΔＩは、以下の式（ｃ８）、
ΔＩＲＸ＝ΔＲＲ１Ｖ−ΔＲＲ２Ｖ  …（ｃ８）
で表すことができ、各種のセンサ信号の検出時における電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖと、電流値用検出信号ΔＲＲ２Ｖとの差分値であり、第３初期値Ｉｓｔに対応する。なお、電流差ΔＩは、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４において、抵抗値の経年劣化による変化がなければ第３初期値Ｉｓｔと一致し、抵抗値の経年劣化による変化があれば第３初期値Ｉｓｔに対して増減する。
【００７９】
そして、演算出力回路６０は、第１初期値ＲＸｓｔに対する第１抵抗差ΔＲＸの変化、第２初期値ＲＹｓｔに対する第２抵抗差ΔＲＹの変化、第３初期値Ｉｓｔに対する電流差ΔＩの変化として、それぞれ増減を判定する。なお、本実施形態では、第１初期値ＲＸｓｔに対する第１抵抗差ΔＲＸの変化、第２初期値ＲＹｓｔに対する第２抵抗差ΔＲＹの変化として、変化なしの場合、オフセット補正を不要とし、各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍを零値に設定するように構成されている。演算出力回路６０は、これらの変化の増減に基づいて、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４について、抵抗値が製造時から経年劣化により変化している磁気抵抗を推定し、その推定した磁気抵抗の抵抗値が増加変化しているのか減少変化しているのかを推定する。
【００８０】
本実施形態において、電流差ΔＩの増加（＞第３初期値Ｉｓｔ）では、第１ハーフブリッジ１１ａの電流値Ｉ１の増加を推定し、当該電流値Ｉ１の増加が当該第１ハーフブリッジ１１ａの各磁気抵抗Ｍ１，Ｍ３の何れかの抵抗値の変化が影響していることを推定する。電流差ΔＩの減少（＜第３初期値Ｉｓｔ）では、第２ハーフブリッジ１１ｂの電流値Ｉ２の増加を推定し、当該電流値Ｉ２の増加が当該第２ハーフブリッジ１１ｂの各磁気抵抗Ｍ２，Ｍ４の何れかの抵抗値の変化が影響していることを推定する。
【００８１】
第１抵抗差ΔＲＸの増加（＞第１初期値ＲＸｓｔ）では、第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値が増加変化している、又は第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値が減少変化している何れかを推定する。この場合、電流差ΔＩが増加であれば第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値が増加変化していること、電流差ΔＩが減少であれば第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値が減少変化していることが推定される。
【００８２】
第１抵抗差ΔＲＸの減少（＜第１初期値ＲＸｓｔ）では、第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値が減少変化している、又は第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値が増加変化している何れかを推定する。この場合、電流差ΔＩが増加であれば第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値が減少変化していること、電流差ΔＩが減少であれば第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値が増加変化していることが推定される。
【００８３】
第２抵抗差ΔＲＹの増加（＞第２初期値ＲＹｓｔ）では、第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値が増加変化している、又は第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値が減少変化している何れかを推定する。この場合、電流差ΔＩが増加であれば第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値が高くずれていること、電流差ΔＩが減少であれば第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値が低くずれていることが推定される。
【００８４】
第２抵抗差ΔＲＹの減少（＜第２初期値ＲＹｓｔ）では、第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値が減少変化しているか第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値が増加変化しているかを推定する。この場合、電流差ΔＩが増加であれば第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値が減少変化していること、電流差ΔＩが減少であれば第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値が増加変化していることが推定される。
【００８５】
そして、第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値が増加変化している、又は第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値が増加変化している場合、角度検出信号Ｓ１について、抵抗値Ｒ１又は抵抗値Ｒ４が増加することから、上記式（ｃ２）の理論値である製造時の値に対する増加が推定される。これは、第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値Ｒ２が減少変化している、又は第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値Ｒ３が減少変化している場合も同様である。
【００８６】
また、第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値Ｒ１が減少変化している、又は第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値Ｒ４が減少変化している場合、角度検出信号Ｓ１について、抵抗値Ｒ１又は抵抗値Ｒ４が減少することから、上記式（ｃ２）の理論値である製造時の値に対する減少が推定される。これは、第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値Ｒ２が増加変化している、又は第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値Ｒ３が増加変化している場合も同様である。
【００８７】
図７（ａ），（ｂ）に示すように、演算出力回路６０は、それぞれの増減の判定結果に基づいて、各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍを設定する。なお、記憶部７０は、各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍと、各抵抗差ΔＲＸ，ΔＲＹの増減量と、電流差ΔＩの増減量との関係を定めたマップを備えている。このマップは、各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍとして角度検出信号Ｓ１を増加させる値を設定する場合、各抵抗差ΔＲＸ，ΔＲＹの増減量と、電流差ΔＩの増減量とが大きいほど、大きい値が設定されている。また、このマップは、各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍとして角度検出信号Ｓ１を減少させる値を設定する場合、各抵抗差ΔＲＸ，ΔＲＹの増減量と、電流差ΔＩの増減量とが大きいほど、大きい値が設定されている。
【００８８】
図７（ａ）中、オフセット補正欄「減」に示すように、演算出力回路６０は、第１抵抗差ΔＲＸの増減と、電流差ΔＩの増減とに基づいて、角度検出信号Ｓ１の上記製造時の値に対する増加が推定される場合、角度検出信号Ｓ１を減少させるように第１の補正値Ｘｒｍを設定する。
【００８９】
すなわち、演算出力回路６０は、第１抵抗差ΔＲＸの増加且つ電流差ΔＩの増加、又は第１抵抗差ΔＲＸの減少且つ電流差ΔＩの減少の場合であって、第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値Ｒ１が増加変化している、又は第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値Ｒ４が増加変化している場合、角度検出信号Ｓ１を減少させるように第１の補正値Ｘｒｍを設定する。
【００９０】
また、図７（ａ）中、オフセット補正欄「増」に示すように、演算出力回路６０は、第１抵抗差ΔＲＸの増減と、電流差ΔＩの増減とに基づいて、角度検出信号Ｓ１の上記製造時の値に対する減少が推定される場合に、角度検出信号Ｓ１を増加させるように第１の補正値Ｘｒｍを設定する。
【００９１】
すなわち、演算出力回路６０は、第１抵抗差ΔＲＸの増加且つ電流差ΔＩの減少、又は第１抵抗差ΔＲＸの減少且つ電流差ΔＩの増加の場合であって、第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値Ｒ１が減少変化している、又は第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値Ｒ４が減少変化している場合、角度検出信号Ｓ１を増加させるように第１の補正値Ｘｒｍを設定する。
【００９２】
また、図７（ｂ）中、オフセット補正欄「減」に示すように、演算出力回路６０は、第２抵抗差ΔＲＹの増減と、電流差ΔＩの増減とに基づいて、角度検出信号Ｓ１の上記製造時の値に対する増加が推定される場合に、角度検出信号Ｓ１を減少させるように第２の補正値Ｙｒｍを設定する。
【００９３】
すなわち、演算出力回路６０は、第２抵抗差ΔＲＹの増加且つ電流差ΔＩの増加、又は第２抵抗差ΔＲＹの減少且つ電流差ΔＩの減少の場合であって、第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値Ｒ２が減少変化している、又は第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値Ｒ３が減少変化している場合、角度検出信号Ｓ１を減少させるように第２の補正値Ｙｒｍを設定する。
【００９４】
また、図７（ｂ）中、オフセット補正欄「増」に示すように、演算出力回路６０は、第２抵抗差ΔＲＹの増減と、電流差ΔＩの増減とに基づいて、角度検出信号Ｓ１の上記製造時の値に対する減少が推定される場合に、角度検出信号Ｓ１を増加させるように第２の補正値Ｙｒｍを設定する。
【００９５】
すなわち、演算出力回路６０は、第２抵抗差ΔＲＹの増加且つ電流差ΔＩの減少、又は第２抵抗差ΔＲＹの減少且つ電流差ΔＩの増加の場合であって、第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値Ｒ２が増加変化している、又は第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値Ｒ３が増加変化している場合、角度検出信号Ｓ１を減少させるように第２の補正値Ｙｒｍを設定する。
【００９６】
続いて、演算出力回路６０は、角度検出信号Ｓ１を取得する（ステップＳ５０）。ステップＳ５０にて、演算出力回路６０は、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ８のオンオフを切り替えることによって、各ハーフブリッジ１１ａ,１１ｂの中点電位の電位差を検出するための中点電位検出用回路（図２）に切り替える。また、演算出力回路６０は、ＩＣチップ５の各スイッチＳＷｔ０〜ＳＷｔ１１のオンオフを切り替えることによって、角度検出信号Ｓ１を取得する。
【００９７】
続いて、演算出力回路６０は、初期補正値とともに、ステップＳ４０で設定した各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍを読み出し、角度検出信号Ｓ１に対して初期補正値とともに、各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍを加算（重畳）した値である補正後の検出信号である補正後検出信号Ｓ１ｒｍを演算し（ステップＳ６０）、記憶部７０の所定の記憶領域に一時記憶させる。
【００９８】
その後、演算出力回路６０は、ステップＳ６０で演算した補正後検出信号Ｓ１ｒｍと、同様に演算される角度検出信号Ｓ２の補正後の検出信号である補正後検出信号Ｓ２ｒｍとを用いて、角度情報θを演算して出力する。
【００９９】
以上に説明した本実施形態によれば、以下に示す作用及び効果を奏する。
（１）ここで、第１ブリッジ１０について、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値の経年劣化による変化は、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値の製造時の関係のずれとして現れるだけでなく、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの電流値の製造時の関係のずれとしても現れる。本実施形態において、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値の製造時の関係は、第１初期値ＲＸｓｔ、第２初期値ＲＹｓｔである。また、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの電流値の製造時の関係は、第３初期値Ｉｓｔである。これは、第２ブリッジ２０についても同様である。
【０１００】
これに対して、本実施形態では、各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ８を検出することによって、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の抵抗値を検出することができる。また、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖを検出することによって、各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの電流値を検出することができる。
【０１０１】
これにより、製造時に対する各種のセンサ信号の検出時における各磁気抵抗Ｍ１，Ｍ４の関係のずれを、各抵抗値用検出信号ΔＶ１，ΔＶ４に基づき演算される第１抵抗差ΔＲＸの第１初期値ＲＸｓｔに対する増減から検出できる。また、製造時に対する各種のセンサ信号の検出時における各磁気抵抗Ｍ２，Ｍ３の関係のずれを、各抵抗値用検出信号ΔＶ２，ΔＶ３に基づき演算される第２抵抗差ΔＲＹの第２初期値ＲＹｓｔに対する増減から検出できる。また、製造時に対する各種のセンサ信号の検出時における各ハーフブリッジ１１ａ，１１ｂの電流値の関係のずれを、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖに基づき演算される電流差ΔＩの第３初期値Ｉｓｔに対する増減から検出できる。
【０１０２】
そして、これら関係のずれに対して各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍを設定し、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値の製造時からの変化に対する角度検出信号Ｓ１の補正が可能となる。これは、各磁気抵抗Ｍ５〜Ｍ８の抵抗値の製造時からの変化に対しても同様であり、角度検出信号Ｓ２の補正も同様に可能となる。したがって、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の抵抗値が製造時から変化したとしても製造時の関係のずれを補正した補正後検出信号Ｓ１ｒｍ，Ｓ２ｒｍを用いて、角度情報θを演算することができるようになり、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の経年劣化による検出の精度の低下を抑制することができる。
【０１０３】
（２）本実施形態では、センサチップ４の各スイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオンオフの切り替えにより第１ブリッジ１０の回路構成を切り替えることによって、角度検出信号Ｓ１とともに、角度検出信号Ｓ１の補正に必要な各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖや各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ４をそれぞれ検出することができる。これは、第２ブリッジ２０についても同様であり、センサチップ４の各スイッチＳＷ５〜ＳＷ８のオンオフの切り替えにより回路構成を切り替えることによって、角度検出信号Ｓ２とともに、対応する各種のセンサ信号を検出することができる。これにより、互いの信号の検出において、他の信号の検出に妨げになったりすることが抑制されるようになる。したがって、各種のセンサ信号を好適に検出することができる。
【０１０４】
（３）本実施形態では、製造時において第１ブリッジ１０で対向する第１磁気抵抗Ｍ１及び第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値や、第２磁気抵抗Ｍ２及び第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値に関係を持たせているので、製造時の関係のずれは各種のセンサ信号の検出時における第１抵抗差ΔＲＸ及び第２抵抗差ΔＲＹや電流差ΔＩとして現れるようになる。そして、製造時の関係を示す各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔを製造時に予め記憶部７０に記憶しておくことによって、少なくとも各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔを記憶した時点である製造時からの各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値の変化に対して、角度検出信号Ｓ１を補正することができる。これは、各磁気抵抗Ｍ５〜Ｍ８の抵抗値の製造時からの変化に対しても同様であり、角度検出信号Ｓ２の補正も同様に可能となる。したがって、各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔを記憶した時点からの各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の経年劣化による検出の精度の低下を好適に抑制することができる。
【０１０５】
（４）本実施形態によれば、角度検出信号Ｓ１は、電源電圧Ｅを用いれば上記式（ｃ２）で表すことができる。これは、角度検出信号Ｓ２についても同様である。
例えば、上記式（ｃ２）に対して第１磁気抵抗Ｍ１の抵抗値Ｒ１又は第４磁気抵抗Ｍ４の抵抗値Ｒ４が増加する場合、角度検出信号Ｓ１は上記式（ｃ２）に対して増加する。この場合、演算出力回路６０は、抵抗値の変化に対する角度検出信号Ｓ１の増加分、角度検出信号Ｓ１を減少させるように第１の補正値Ｘｒｍを設定する（図７（ａ））。
【０１０６】
また、上記式（ｃ２）に対して第２磁気抵抗Ｍ２の抵抗値Ｒ２又は第３磁気抵抗Ｍ３の抵抗値Ｒ３が増加する場合、角度検出信号Ｓ１は上記式（ｃ２）に対して減少する。この場合、演算出力回路６０は、抵抗値の変化に対する角度検出信号Ｓ１の減少分、角度検出信号Ｓ１を増加させるように第２の補正値Ｙｒｍを設定する（図７（ｂ））。
【０１０７】
このように、本実施形態では、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ８の抵抗値の変化が各角度検出信号Ｓ１，Ｓ２に与える影響を好適に補正することができる。
（５）第１ブリッジ１０において、各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２は、電源Ｖ及び当該電源Ｖに隣接する各磁気抵抗Ｍ１，Ｍ２との間に直列接続されるようにしている。これは、第２ブリッジ２０においても同様であり、各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２が電源Ｖ及び当該電源Ｖに隣接する各磁気抵抗Ｍ５，Ｍ６との間に直列接続されるようにしている。これにより、各ブリッジ１０，２０において、各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２を対称的に配置することができ、回路の対称性を確保することができる。この場合、回路として比較的に安定状態とすることができ、そもそも対称性を有するようなフルブリッジ回路を構成する各ブリッジ１０，２０であれば特に効果的である。
【０１０８】
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
・第１ブリッジ１０において、各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２は、グランドＧ及び当該グランドＧに隣接する各磁気抵抗Ｍ３，Ｍ４の間に直列接続されるようにしてもよい。これは、第２ブリッジ２０においても同様である。この場合、上記実施形態の（５）と同様の作用及び効果を奏する。
【０１０９】
・第１検出抵抗ＲＲ１は、第１ハーフブリッジ１１ａの電流値を検出可能であれば接続される位置を変更してもよい。また、第２検出抵抗ＲＲ２は、第２ハーフブリッジ１１ｂの電流値を検出可能であれば接続される位置を変更してもよい。これらの場合、各検出抵抗ＲＲ１，ＲＲ２は、第１ブリッジ１０において対称性を有していなくてもよい。これは、第２ブリッジ２０においても同様である。
【０１１０】
・各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍを設定するためのマップは、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の特性やセンサ装置１の使用環境等に応じて、各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍと、各抵抗差ΔＲＸ，ΔＲＹの増減量と、電流差ΔＩの増減量との関係を変更してもよい。また、マップには、不感帯を設定するようにしてもよい。この不感帯は、各抵抗差ΔＲＸ，ΔＲＹの増減量や電流差ΔＩの増減量に基づいて設定されていてもよい。
【０１１１】
・各補正値Ｘｒｍ，Ｙｒｍは、これらが共に加算される場合、どちらか支配的な値のみが加算されるようにしてもよい。
・各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔは、上記式（ｃ２）が満たす、「Ｒ１＝Ｒ４」、「Ｒ２＝Ｒ３」、「Ｉ１＝Ｉ２」の条件としてもよい。すなわち、各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔは、何れも零値となる。これらを基準値として、オフセット補正する場合、各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値の個体差まで含めて、角度検出信号Ｓ１をオフセット補正することができる。これは、角度検出信号Ｓ２についても同様である。本変形例では、製造時において初期補正値を設定する工程を削減したり、各種のセンサ信号の検出時において初期補正の処理を削減したりすることができる。
【０１１２】
・各初期値ＲＸｓｔ,ＲＹｓｔ及び各抵抗差ΔＲＸ，ΔＲＹにおける各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の組み合わせは、各ハーフブリッジ１１ａ,１１ｂを構成する磁気抵抗を一つずつ組み合わせるなかであれば変更してもよい。これは、各磁気抵抗Ｍ５〜Ｍ８の組み合わせについても同様である。
【０１１３】
・各初期値ＲＸｓｔ,ＲＹｓｔ，Ｉｓｔを表す各式では、減算される項の内容と、減算する項の内容とを入れ替えて構成してもよい。この場合、各抵抗差ΔＲＸ，ΔＲＹや電流差ΔＩについても同様に入れ替えて構成すればよい。
【０１１４】
・各切替回路１３，１４は、角度検出信号Ｓ１に加えて、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖと、各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ４を検出可能に構成されていればよく、第１ブリッジ１０に対する分圧回路の構成等その具体的な構成は変更可能である。これは、第２ブリッジ２０についても同様である。
【０１１５】
・各磁気抵抗Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値は、各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ４のように電位差を検出することに替えて、抵抗値と相関関係を有するパラメータ、例えば、磁気抵抗の温度を検出して換算するようにしてもよい。
【０１１６】
・増幅回路４０としては、複数設けるようにしてもよい。この場合、出力切替回路３０のスイッチの数を減らすことができる。また、増幅回路４０としては、第１ブリッジ１０における角度検出信号Ｓ１、各抵抗値用検出信号ΔＶ１〜ΔＶ４、各電流値用検出信号ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖを、出力切替回路３０のスイッチの切り替えなしでそれぞれ検出するように、複数（この場合、７個）設けるようにしてもよい。なお、第２ブリッジ２０における各種のセンサ信号についても同様に構成してもよい。
【０１１７】
・演算出力回路６０は、信号取得処理のステップＳ１０〜Ｓ４０の処理、すなわちオフセット補正に関わる処理について、その実行頻度を任意に変更してもよい。例えば、センサ装置１が車両に搭載される場合であればイグニッションオンのタイミングで、オフセット補正に関わる処理を実行するようにしてもよい。
【０１１８】
・信号取得処理は、ステップＳ１０〜Ｓ４０の処理のみで構成し、ステップＳ５０，Ｓ６０の処理については他の処理で行うようにしてもよい。
・演算出力回路６０は、１制御周期前の第１抵抗差ΔＲＸ、第２抵抗差ΔＲＹ、電流差ΔＩを記憶部７０に記憶保持するように構成してもよい。この場合、演算出力回路６０は、オフセット補正のために新たに第１抵抗差ΔＲＸ、第２抵抗差ΔＲＹ、電流差ΔＩを演算した際、記憶部７０に記憶されている１制御周期前の値に対して、新たに演算した値が増減しているか判定することで、第１ブリッジ１０や出力切替回路３０等の異常を検出することができる。例えば、記憶部７０に記憶されている１制御周期前の値に対して、上記新たに演算した値が大幅（設計上、想定されない）に増減している場合、第１ブリッジ１０に短絡異常等の異常が生じている可能性があることを検出することができる。
【０１１９】
・センサチップ４は、第１ブリッジ１０及び第２ブリッジ２０のうちいずれかのみを備えるものであってもよい。この場合には、例えば、車両のステアリング軸等の回転体を検出対象として、当該回転体に取り付けられるバイアス磁石の磁気の変化を検出することによって、当該回転体に作用するトルク値を検出するトルクセンサ装置として用いることができる。
【０１２０】
・記憶部７０に記憶されている各初期値ＲＸｓｔ，ＲＹｓｔ，Ｉｓｔは、センサ装置１のメンテナンスのタイミングで新たに更新可能に構成してもよい。
・各変形例は、互いに組み合わせて適用してもよく、例えば、トルクセンサ装置に具体化することと、その他の変形例の構成とは、互いに組み合わせて適用してもよい。
【０１２１】
次に、上記実施形態及び変形例から把握できる技術的思想について記載する。
（イ）上記センサ装置は、回転体に取り付けられたバイアス磁石の磁気の変化を検出することによって、前記演算結果として前記回転体の角度位置を示す角度情報を出力する回転角検出センサとして用いられ、前記フルブリッジ回路を第１のフルブリッジ回路とした場合、当該第１のフルブリッジ回路と同一構成を有する第２のフルブリッジ回路をさらに備え、前記検出回路は、前記第１のフルブリッジ回路について、各ハーフブリッジ回路の中点電位の電位差を示す第１の検出信号を検出するとともに、前記第２のフルブリッジ回路について、各ハーフブリッジ回路の中点電位の電位差を示す第２の検出信号を検出し、前記演算出力回路は、前記第１の検出信号と、前記第２の検出信号とに基づいて前記角度情報を演算するものである。この構成によれば、回転体の角度位置を検出するもの、所謂、回転角検出センサに対して適用することができ、回転角検出センサの検出の精度の向上とともに信頼性の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【０１２２】
１…センサ装置、１０…第１ブリッジ、１１ａ，１１ｂ…第１，第２ハーフブリッジ、１３，１４…第１，第２切替回路、２０…ブリッジ、３０…出力切替回路、４０…増幅回路、６０…演算出力回路、７０…記憶部、θ…角度情報、Ｇ…グランド、Ｖ…電源、ΔI…電流差、Ｉ１，Ｉ２…電流値、Ｍ１〜Ｍ４…第１〜第４磁気抵抗、Ｒ１〜Ｒ４…抵抗値、Ｓ１，Ｓ２…角度検出信号、ΔＲＸ…第１抵抗差、ΔＲＹ…第２抵抗差、ΔＶ１〜ΔＶ８…抵抗値用検出信号、Ｉｓｔ…第３初期値、ＲＲ１，ＲＲ２…第１，第２検出抵抗、Ｘｒｍ…第１の補正値、Ｙｒｍ…第２の補正値、ＲＸｓｔ…第１初期値、ＲＹｓｔ…第２初期値、Ｓ１ｒｍ，Ｓ２ｒｍ…補正後検出信号、ΔＲＲ１Ｖ，ΔＲＲ２Ｖ…電流値用検出信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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