(57)【要約】【課題】層間界面強度を改善しつつ、量産時のコストを改善した、信頼性・耐久性に優れた高性能な電気化学素子等を提供する。【解決手段】反応防止層５は、電解質層４との界面に凹部Ｆおよび凸部Ｇから形成される凹凸形状を有して形成される。反応防止層５において、凸部Ｇを介して隣り合う２つの凹部Ｆの底部間を結ぶ線分Ｊに対して電解質層４の側の領域を突出領域Ｋとする。そして反応防止層５において、線分Ｊに対して第２電極層の側の領域を隣接領域Ｌとして、突出領域Ｋの頂部の線分Ｊからの高さが０．５μｍ以上であり、かつ、気孔率が隣接領域Ｌの気孔率よりも大きい突出領域Ｋである疎突出領域Ｎが存在する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質層と、電極層と、前記電解質層と前記電極層との間に配置された反応防止層とを有する電気化学素子であって、
前記反応防止層は、前記電解質層との界面に凹部および凸部から形成される凹凸形状を有し、
前記反応防止層において、前記凸部を介して隣り合う２つの凹部の底部間を結ぶ線分に対して前記電解質層の側の領域を突出領域とし、前記線分に対して前記電極層側の領域を隣接領域として、
前記突出領域の頂部の前記線分からの高さが０．５μｍ以上であり、かつ、気孔率が前記隣接領域の気孔率よりも大きい突出領域である疎突出領域が存在する、電気化学素子。
【請求項２】
前記疎突出領域において、前記凸部を介して隣り合う２つの凹部の底部間の距離が１５μｍ以下である請求項１に記載の電気化学素子。
【請求項３】
前記疎突出領域の気孔率が１０％以上３０％以下である請求項１または２に記載の電気化学素子。
【請求項４】
前記隣接領域の気孔率が１％以上２０％以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項５】
前記隣接領域の気孔率に対する前記疎突出領域の気孔率の比が１．５以上１５以下である請求項１から４のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項６】
前記反応防止層がＣｅを含有する請求項１から５のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項７】
前記反応防止層が、Ｓｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素のうち少なくとも１つを含有する請求項１から６のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項８】
前記反応防止層が、Ｓｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素のうち少なくとも１つを含有し、これら元素の含有率の合計が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下である請求項１から７のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項９】
前記反応防止層の厚さが１μｍより大きく１００μｍ以下である請求項１から８のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項１０】
前記電極層が、Ｌａ、Ｓｒ、Ｓｍ、Ｍｎ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選ばれる２種類以上の元素を含有するペロブスカイト型酸化物である請求項１から９のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項１１】
前記電解質層がジルコニア系セラミックスを含有する請求項１から１０のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項１２】
前記電解質層の前記反応防止層と前記電極層が配置されている側と反応の側に、前記電極層の対極となる対極電極層を有している請求項１から１１のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項１３】
金属支持体に支持されることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の電気化学素子。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の電気化学素子が複数集合した状態で配置される電気化学モジュール。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気化学モジュールと改質器とを少なくとも有し、前記電気化学モジュールに対して還元性成分を含有する燃料ガスを供給する燃料供給部を有する電気化学装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の電気化学モジュールと、前記電気化学モジュールから電力を取り出すインバータとを有する電気化学装置。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の電気化学装置と、前記電気化学装置から排出される熱を再利用する排熱利用部を有するエネルギーシステム。
【請求項１８】
請求項１２に記載の電気化学素子を有し、前記対極電極層が燃料極もしくは空気極となり、前記電極層が空気極もしくは燃料極となる固体酸化物形燃料電池。
【請求項１９】
金属支持体と、電解質層と、電極層と、前記電解質層と前記電極層との間に配置された反応防止層とを有する電気化学素子の製造方法であって、
前記反応防止層の焼成を１１００℃以下で行う製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気化学素子と、その電気化学素子を備えた固体酸化物形燃料電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体酸化物型燃料電池は高温で作動するため、ヒートサイクル時に層間の熱膨張係数の差に起因して生じる応力によって層間の剥離が生じるという問題が知られている。そこで従来技術では剥離に対する強度を向上させるため、反応防止層に密着層を挿入した２層構造とすることで剥離に対する強度が向上することが開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし従来技術は６００℃程度の比較的低温での作動に適したＳＯＦＣを実現するための技術を開示しており、より高温で作動させる場合には更に層間界面強度の改善が望まれていた。
【０００５】
本発明は上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、層間界面強度を改善しつつ、量産時のコストを改善した、信頼性・耐久性に優れた高性能な電気化学素子等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
〔構成１〕
電解質層と、電極層と、前記電解質層と前記電極層との間に配置された反応防止層とを有する電気化学素子であって、
前記反応防止層は、前記電解質層との界面に凹部および凸部から形成される凹凸形状を有し、
前記反応防止層において、前記凸部を介して隣り合う２つの凹部の底部間を結ぶ線分に対して前記電解質層の側の領域を突出領域とし、前記線分に対して前記電極層側の領域を隣接領域として、
前記突出領域の頂部の前記線分からの高さが０．５μｍ以上であり、かつ、気孔率が前記隣接領域の気孔率よりも大きい突出領域である疎突出領域が存在する点にある。
【０００７】
上記の特徴構成のように、反応防止層と電解質層との界面に気孔率の大きい疎突出領域が存在すると、この疎突出領域がヒートサイクルにより生じる応力を緩和させるため、層間の界面強度が向上し、剥離しづらい電気化学素子を提供できる。
【０００８】
〔構成２〕
前記疎突出領域において、前記凸部を介して隣り合う２つの凹部の底部間の距離が１５μｍ以下であると、十分に応力を吸収緩和でき好ましい。
【０００９】
〔構成３〕
前記疎突出領域の気孔率が１０％以上３０％以下であると、十分に応力を吸収緩和でき好ましい。なお、前記疎突出領域の気孔率が１３％以上であるとより応力を吸収緩和でき好ましい。また、前記疎突出領域の気孔率が２６％以下であると反応防止層の強度も向上できるのでより好ましい。
【００１０】
〔構成４〕
前記隣接領域の気孔率が１％以上２０％以下であると、反応防止層の強度を確保できかつ、電極層の成分が電解質層に拡散するのを防止する効果が高められるので好ましい。なお、前記隣接領域の気孔率が１５％以下であると上述の効果を更に向上できるので好ましい。また、前記隣接領域の気孔率が２％以上であると応力の緩和効果も高められるのでより好ましい。
【００１１】
〔構成５〕
前記隣接領域の気孔率に対する前記疎突出領域の気孔率の比が１．５以上１５以下であると、疎突出領域での応力緩和と反応防止層の強度確保とが両立でき好ましい。また、前記隣接領域の気孔率に対する前記疎突出領域の気孔率の比が２以上１０以下であると疎突出領域での応力緩和と反応防止層の強度確保の効果をより高められるので好ましい。
【００１２】
〔構成６〕
前記反応防止層がＣｅを含有する材料を含んでいると、イオン導電率が高く、反応防止層の抵抗値増加を抑制できるため、高性能な電気化学素子を実現することができ好ましい。
【００１３】
〔構成７〕
前記反応防止層が、Ｓｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素のうち少なくとも１つを含有すると、反応防止層を構成する材料内に酸素欠陥が導入され、反応防止層が高いイオン導電率を有するものとすることができ、高性能な電気化学素子を実現することができるので好ましい。
【００１４】
〔構成８〕
前記反応防止層が、Ｓｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素のうち少なくとも１つを含有し、これら元素の含有率の合計が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であると、高いイオン導電率が得られる。また、前記反応防止層に含有されるＳｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素の含有率の合計が１０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下であるとさらに高いイオン伝導率が得られるため、より好ましい。
【００１５】
〔構成９〕
前記反応防止層の厚さが１μｍより大きく１００μｍ以下であると、反応防止層が十分に応力を吸収緩和でき好ましい。また、前記反応防止層の厚さが２μｍより大きいと反応防止層がより応力を吸収緩和できるため好ましく、厚さが３μｍより大きいと、さらに応力を吸収緩和できるため好ましい。また、前記反応防止層の厚さが５０μｍ以下であると、高価な反応防止層の材料コストを抑制できるため好ましく、２５μｍ以下であるとさらにその材料コストを抑制できるため好ましい。
【００１６】
〔構成１０〕
本発明に係る電気化学素子の特徴構成は、前記電極層が、Ｌａ、Ｓｒ、Ｓｍ、Ｍｎ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選ばれる２種類以上の元素を含有するペロブスカイト型酸化物である点にある。
【００１７】
上記の特徴構成によれば、高性能な電極層を有する電気化学素子とすることができるため好ましい。
【００１８】
〔構成１１〕
本発明に係る電気化学素子の別の特徴構成は、前記固体電解質層がジルコニア系セラミックスを含有する点にある。
【００１９】
上記の特徴構成によれば、イオン伝導率が高く、高温、酸化・還元雰囲気において熱力学的に安定である固体電解質層とすることができるため、信頼性・耐久性に優れた高性能な電気化学素子を得ることができる。
【００２０】
〔構成１２〕
本発明に係る電気化学素子の別の特徴構成は、前記固体電解質層の前記反応防止層と前記電極層が配置されている側と反応の側に、前記電極層の対極となる対極電極層を有している点にある。
【００２１】
上記の特徴構成によれば、電極層と対極電極層を有する電気化学素子を形成できるから、燃料電池などに適用しやすくなるので好ましい。
【００２２】
〔構成１３〕
本発明に係る電気化学素子の別の特徴構成は、金属支持体に支持される点にある。
【００２３】
上記の特徴構成によれば、安価で堅牢な金属支持体により電気化学素子を支持することができるため、高価なセラミック材料の使用量を低減できると共に、強度が高く信頼性・耐久性に優れた電気化学素子を得ることができる。さらに加工性にも優れるため、製造コストの低減も可能となる。
【００２４】
〔構成１４〕
本発明に係る電気化学モジュールの特徴構成は、上述の電気化学素子が複数集合した状態で配置される点にある。
【００２５】
上記の特徴構成によれば、上述の電気化学素子が複数集合した状態で配置されるので、材料コストと加工コストを抑制しつつ、コンパクトで高性能な、強度と信頼性に優れた電気化学モジュールを得ることができる。
【００２６】
〔構成１５〕
本発明に係る電気化学装置の特徴構成は、上述の電気化学モジュールと改質器とを少なくとも有し、前記電気化学モジュールに対して還元性成分を含有する燃料ガスを供給する燃料供給部を有する点にある。
【００２７】
上記の特徴構成によれば、電気化学モジュールと改質器を有し電気化学モジュールに対して還元性成分を含有する燃料ガスを供給する燃料供給部を有するので、都市ガス等の既存の原燃料供給インフラを用い、耐久性・信頼性に優れた高性能な電気化学モジュールを運転させることができる。また、電気化学モジュールから排出される未利用の燃料ガスをリサイクルするシステムを構築し易くなるため、高効率な電気化学装置を実現することができる。
【００２８】
〔構成１６〕
本発明に係る電気化学装置の特徴構成は、前記電気化学モジュールから電力を取り出すインバータとを有する点にある。
【００２９】
上記の特徴構成によれば、電気化学モジュールから電力を取り出すことができ、耐久性・信頼性および性能に優れた電気化学装置を実現することができる。
【００３０】
〔構成１７〕
本発明に係るエネルギーシステムの特徴構成は、上述の電気化学装置と、前記電気化学装置から排出される熱を再利用する排熱利用部を有する点にある。
【００３１】
上記の特徴構成によれば、電気化学装置と、電気化学装置から排出される熱を再利用する排熱利用部を有するので、耐久性・信頼性および性能に優れ、かつエネルギー効率にも優れたエネルギーシステムを実現することができる。なお、電気化学装置から排出される未利用の燃料ガスの燃焼熱を利用して発電する発電システムと組み合わせてエネルギー効率に優れたハイブリットシステムを実現することもできる。
【００３２】
〔構成１８〕
本発明に係る固体酸化物形燃料電池の特徴構成は、前記対極電極層が燃料極もしくは空気極となり、前記電極層が空気極もしくは燃料極となる点にある。
【００３３】
上記の特徴構成によれば、ヒートサイクルや発電時に起こるセルの膨張収縮に起因する応力を吸収緩和できる反応防止層と固体電解質層と燃料極及び空気極を備えた固体酸化物形燃料電池を実現できるので好ましい。なお、固体酸化物形燃料電池が定格運転時に６５０℃以上の温度域で運転可なものであると、都市ガス等の炭化水素系ガスを原燃料とする燃料電池システムにおいて、原燃料を水素に変換する際に必要となる熱を燃料電池の排熱で賄うことが可能なシステムを構築できるため、燃料電池システムの発電効率を高めることができるので、より好ましい。また、固体酸化物形燃料電池が定格運転時に９００℃以下の温度域で運転されるものであると、金属支持体を用いる場合は、支持体の損傷を抑制できるため好ましい。また、定格運転時に８５０℃以下の温度域で運転されると支持体の損傷を更に抑制できるためより好ましい。
【００３４】
〔構成１９〕
本発明に係る電気化学素子の製造方法の特徴構成は、金属支持体と、電解質層と、電極層と、前記電解質層と前記電極層との間に配置された反応防止層とを有する電気化学素子の製造方法であって、前記反応防止層の焼成を１１００℃以下で行う点にある。
【００３５】
上記の特徴構成によれば、反応防止層の焼成を１１００℃以下で行うことにより、多孔質かつ微細な構造を有し、例えば燃料電池セルで用いる場合、ヒートサイクルや発電時に起こるセルの膨張収縮に起因する応力を吸収緩和することができ、さらには隣接する層との剥離が抑制できる反応防止層を得ることができるので好ましい。また１０５０℃以下の温度で反応防止層の焼成を行うと上述の効果が得やすくなるので更に好ましい。さらに金属基板１の劣化を抑制するため、反応防止層の焼成を１１００℃以下の温度で行うことが好ましく、１０５０℃以下の温度で行うと更に好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】電気化学素子の構成を示す概略図
【図２】電気化学素子および電気化学モジュールの構成を示す概略図
【図３】電気化学装置およびエネルギーシステムの構成を示す概略図
【図４】電気化学モジュールの構成を示す概略図
【図５】電気化学素子の断面の電子顕微鏡写真
【００３７】
＜第１実施形態＞
以下、図１を参照しながら、本実施形態に係る電気化学素子Ｅおよび固体酸化物形燃料電池（Ｓｏｌｉｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｆｕｅｌ  Ｃｅｌｌ：ＳＯＦＣ）について説明する。電気化学素子Ｅは、例えば、水素を含む燃料ガスと空気の供給を受けて発電する固体酸化物形燃料電池の構成要素として用いられる。なお以下、層の位置関係などを表す際、例えば電解質層４から見て第２電極層６の側を「上」または「上側」、第１電極層２の側を「下」または「下側」という場合がある。また、金属基板１における第１電極層２が形成されている側の面を「表側」、反対側の面を「裏側」という場合がある。
【００３８】
（電気化学素子）
電気化学素子Ｅは、図１に示される通り、金属基板１（金属支持体）と、金属基板１の上に形成された第１電極層２（対極電極層）と、第１電極層２の上に形成された中間層３と、中間層３の上に形成された電解質層４とを有する。そして電気化学素子Ｅは、更に、電解質層４の上に形成された反応防止層５と、反応防止層５の上に形成された第２電極層６（電極層）とを有する。つまり第２電極層６は電解質層４の上に形成され、反応防止層５は電解質層４と第２電極層６との間に形成されている。本実施形態に係る電気化学素子Ｅは、電解質層４と、電解質層４と第２電極層との間に配置された反応防止層５とを有する。第１電極層２は多孔質であり、電解質層４は緻密である。
【００３９】
（金属基板）
金属基板１は、第１電極層２、中間層３および電解質層４等を支持して電気化学素子Ｅの強度を保つ、支持体としての役割を担う。金属基板１の材料としては、電子伝導性、耐熱性、耐酸化性および耐腐食性に優れた材料が用いられる。例えば、フェライト系ステンレス、オーステナイト系ステンレス、ニッケル基合金などが用いられる。特に、クロムを含む合金が好適に用いられる。なお本実施形態では、金属支持体として板状の金属基板１が用いられるが、金属支持体としては他の形状、例えば箱状、円筒状などの形状も可能である。
なお、金属基板１は、支持体として電気化学素子を形成するのに充分な強度を有すれば良く、例えば、０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度、好ましくは０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の厚みのものを用いることができる。
【００４０】
金属基板１は、表側の面と裏側の面とを貫通して設けられる複数の貫通孔１ａを有する。なお、例えば、貫通孔１ａは、機械的、化学的あるいは光学的穿孔加工などにより、金属基板１に設けることができる。貫通孔１ａは、金属基板１の裏側の面から表側の面へ気体を透過させる機能を有する。金属基板１に気体透過性を持たせるために、多孔質金属を用いることも可能である。例えば、金属基板１は、焼結金属や発泡金属等を用いることもできる。
【００４１】
金属基板１の表面に、拡散抑制層としての金属酸化物層１ｂが設けられる。すなわち、金属基板１と後述する第１電極層２との間に、拡散抑制層が形成されている。金属酸化物層１ｂは、金属基板１の外部に露出した面だけでなく、第１電極層２との接触面（界面）および貫通孔１ａの内側の面にも設けられる。この金属酸化物層１ｂにより、金属基板１と第１電極層２との間の元素相互拡散を抑制することができる。例えば、金属基板１としてクロムを含有するフェライト系ステンレスを用いた場合は、金属酸化物層１ｂが主にクロム酸化物となる。そして、金属基板１のクロム原子等が第１電極層２や電解質層４へ拡散することを、クロム酸化物を主成分とする金属酸化物層１ｂが抑制する。金属酸化物層１ｂの厚さは、拡散防止性能の高さと電気抵抗の低さを両立させることのできる厚みであれば良い。例えばサブミクロンオーダーであることが好ましく、具体的には、平均的な厚さが０．３μｍ以上０．７μｍ以下程度であることがより好ましい。また、最小厚さは約０．１μｍ以上であることがより好ましい。
また、最大厚さが約１．１μｍ以下であることが好ましい。
金属酸化物層１ｂは種々の手法により形成されうるが、金属基板１の表面を酸化させて金属酸化物とする手法が好適に利用される。また、金属基板１の表面に、金属酸化物層１ｂをスプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、スパッタリング法やＰＬＤ法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法などにより形成しても良いし、メッキと酸化処理によって形成しても良い。更に、金属酸化物層１ｂは導電性の高いスピネル相などを含んでも良い。
【００４２】
金属基板１としてフェライト系ステンレス材を用いた場合、第１電極層２や電解質層４の材料として用いられるＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）やＧＤＣ（ガドリウム・ドープ・セリア、ＣＧＯとも呼ぶ）等と熱膨張係数が近い。従って、低温と高温の温度サイクルが繰り返された場合も電気化学素子Ｅがダメージを受けにくい。よって、長期耐久性に優れた電気化学素子Ｅを実現できるので好ましい。
【００４３】
（第１電極層）
第１電極層２は、図１に示すように、金属基板１の表側の面であって貫通孔１ａが設けられた領域より大きな領域に、薄層の状態で設けることができる。薄層とする場合は、その厚さを、例えば、１μｍ〜１００μｍ程度、好ましくは、５μｍ〜５０μｍとすることができる。このような厚さにすると、高価な電極層材料の使用量を低減してコストダウンを図りつつ、十分な電極性能を確保することが可能となる。貫通孔１ａが設けられた領域の全体が、第１電極層２に覆われている。つまり、貫通孔１ａは金属基板１における第１電極層２が形成された領域の内側に形成されている。換言すれば、全ての貫通孔１ａが第１電極層２に面して設けられている。
【００４４】
第１電極層２の材料としては、例えばＮｉＯ−ＧＤＣ、Ｎｉ−ＧＤＣ、ＮｉＯ−ＹＳＺ、Ｎｉ−ＹＳＺ、ＣｕＯ−ＣｅＯ2、Ｃｕ−ＣｅＯ2などの複合材を用いることができる。これらの例では、ＧＤＣ、ＹＳＺ、ＣｅＯ2を複合材の骨材と呼ぶことができる。なお、第１電極層２は、低温焼成法（例えば１１００℃より高い高温域での焼成処理をしない低温域での焼成処理を用いる湿式法）やスプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法やパルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などにより形成することが好ましい。これらの、低温域で使用可能なプロセスにより、例えば１１００℃より高い高温域での焼成を用いずに、良好な第１電極層２が得られる。そのため、金属基板１を傷めることなく、また、金属基板１と第１電極層２との元素相互拡散を抑制することができ、耐久性に優れた電気化学素子を実現できるので好ましい。更に、低温焼成法を用いると、原材料のハンドリングが容易になるので更に好ましい。
【００４５】
第１電極層２は、気体透過性を持たせるため、その内部および表面に複数の細孔を有する。
すなわち第１電極層２は、多孔質な層として形成される。第１電極層２は、例えば、その緻密度が３０％以上８０％未満となるように形成される。細孔のサイズは、電気化学反応を行う際に円滑な反応が進行するのに適したサイズを適宜選ぶことができる。なお緻密度とは、層を構成する材料の空間に占める割合であって、（１−空孔率）と表すことができ、また、相対密度と同等である。
【００４６】
（中間層）
中間層３は、図１に示すように、第１電極層２を覆った状態で、第１電極層２の上に薄層の状態で形成することができる。薄層とする場合は、その厚さを、例えば、１μｍ〜１００μｍ程度、好ましくは２μｍ〜５０μｍ程度、より好ましくは４μｍ〜２５μｍ程度とすることができる。このような厚さにすると、高価な中間層材料の使用量を低減してコストダウンを図りつつ、十分な性能を確保することが可能となる。中間層３の材料としては、例えば、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）、ＳＳＺ（スカンジウム安定化ジルコニア）やＧＤＣ（ガドリウム・ドープ・セリア）、ＹＤＣ（イットリウム・ドープ・セリア）、ＳＤＣ（サマリウム・ドープ・セリア）等を用いることができる。特にセリア系のセラミックスが好適に用いられる。
【００４７】
中間層３は、低温焼成法（例えば１１００℃より高い高温域での焼成処理をしない低温域での焼成処理を用いる湿式法）やスプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などにより形成することが好ましい。これらの、低温域で使用可能な成膜プロセスにより、例えば１１００℃より高い高温域での焼成を用いずに中間層３が得られる。そのため、金属基板１を傷めることなく、金属基板１と第１電極層２との元素相互拡散を抑制することができ、耐久性に優れた電気化学素子Ｅを実現できる。
また、低温焼成法を用いると、原材料のハンドリングが容易になるので更に好ましい。
【００４８】
中間層３としては、酸素イオン（酸化物イオン）伝導性を有することが好ましい。また、酸素イオン（酸化物イオン）と電子との混合伝導性を有すると更に好ましい。これらの性質を有する中間層３は、電気化学素子Ｅへの適用に適している。
【００４９】
（電解質層）
電解質層４は、図１に示すように、第１電極層２および中間層３を覆った状態で、中間層３の上に薄層の状態で形成される。また、厚さが１０μｍ以下の薄膜の状態で形成することもできる。詳しくは電解質層４は、図１に示すように、中間層３の上と金属基板１の上とにわたって（跨って）設けられる。このように構成し、電解質層４を金属基板１に接合することで、電気化学素子全体として堅牢性に優れたものとすることができる。
【００５０】
また電解質層４は、図１に示すように、金属基板１の表側の面であって貫通孔１ａが設けられた領域より大きな領域に設けられる。つまり、貫通孔１ａは金属基板１における電解質層４が形成された領域の内側に形成されている。
【００５１】
また電解質層４の周囲においては、第１電極層２および中間層３からのガスのリークを抑制することができる。説明すると、電気化学素子ＥをＳＯＦＣの構成要素として用いる場合、ＳＯＦＣの作動時には、金属基板１の裏側から貫通孔１ａを通じて第１電極層２へガスが供給される。電解質層４が金属基板１に接している部位においては、ガスケット等の別部材を設けることなく、ガスのリークを抑制することができる。なお、本実施形態では電解質層４によって第１電極層２の周囲をすべて覆っているが、第１電極層２および中間層３の上部に電解質層４を設け、周囲にガスケット等を設ける構成としてもよい。
【００５２】
電解質層４の材料としては、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）、ＳＳＺ（スカンジウム安定化ジルコニア）やＧＤＣ（ガドリウム・ドープ・セリア）、ＹＤＣ（イットリウム・ドープ・セリア）、ＳＤＣ（サマリウム・ドープ・セリア）、ＬＳＧＭ（ストロンチウム・マグネシウム添加ランタンガレート）等を用いることができる。特にジルコニア系のセラミックスが好適に用いられる。電解質層４をジルコニア系セラミックスとすると、電気化学素子Ｅを用いたＳＯＦＣの稼働温度をセリア系セラミックスに比べて高くすることができる。例えば電気化学素子ＥをＳＯＦＣに用いる場合、電解質層４の材料としてＹＳＺのような６５０℃程度以上の高温域でも高い電解質性能を発揮できる材料を用い、システムの原燃料に都市ガスやＬＰＧ等の炭化水素系の原燃料を用い、原燃料を水蒸気改質等によってＳＯＦＣのアノードガスとするシステム構成とすると、ＳＯＦＣのセルスタックで生じる熱を原燃料ガスの改質に用いる高効率なＳＯＦＣシステムを構築することができる。
【００５３】
電解質層４は、低温焼成法（例えば１１００℃を越える高温域での焼成処理をしない低温域での焼成処理を用いる湿式法）やスプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などにより形成することが好ましい。これらの、低温域で使用可能な成膜プロセスにより、例えば１１００℃を越える高温域での焼成を用いずに、緻密で気密性およびガスバリア性の高い電解質層４が得られる。そのため、金属基板１の損傷を抑制し、また、金属基板１と第１電極層２との元素相互拡散を抑制することができ、性能・耐久性に優れた電気化学素子Ｅを実現できる。特に、低温焼成法やスプレーコーティング法などを用いると低コストな素子が実現できるので好ましい。更に、スプレーコーティング法を用いると、緻密で気密性およびガスバリア性の高い電解質層が低温域で容易に得られやすいので更に好ましい。
【００５４】
電解質層４は、アノードガスやカソードガスのガスリークを遮蔽し、かつ、高いイオン伝導性を発現するために、緻密に構成される。電解質層４の緻密度は９０％以上が好ましく、９５％以上であるとより好ましく、９８％以上であると更に好ましい。電解質層４は、均一な層である場合は、その緻密度が９５％以上であると好ましく、９８％以上であるとより好ましい。また、電解質層４が、複数の層状に構成されているような場合は、そのうちの少なくとも一部が、緻密度が９８％以上である層（緻密電解質層）を含んでいると好ましく、９９％以上である層（緻密電解質層）を含んでいるとより好ましい。このような緻密電解質層が電解質層の一部に含まれていると、電解質層が複数の層状に構成されている場合であっても、緻密で気密性およびガスバリア性の高い電解質層を形成しやすくできるからである。
【００５５】
（反応防止層）
反応防止層５は、電解質層４の上に薄層の状態で形成することができる。薄層とする場合は、その厚さを、１μｍより大きく１００μｍ以下であると、反応防止層が十分に応力を吸収緩和でき好ましい。また、前記反応防止層の厚さが２μｍより大きいと反応防止層がより応力を吸収緩和できるため好ましく、厚さが３μｍより大きいと、さらに応力を吸収緩和できるため好ましい。また、前記反応防止層の厚さが５０μｍ以下であると、高価な反応防止層の材料コストを抑制できるため好ましく、２５μｍ以下であるとさらにその材料コストを抑制できるため好ましい。
【００５６】
反応防止層５の材料としては、電解質層４の成分と第２電極層６の成分との間の反応を防止できる材料が用いられる。反応防止層５を電解質層４と第２電極層６との間に導入することにより、第２電極層６の構成材料と電解質層４の構成材料との反応が効果的に抑制され、電気化学素子Ｅの性能の長期安定性を向上できる。
【００５７】
本実施形態では、反応防止層５の材料としてはＣｅを含有する材料が用いられる。また反応防止層５の材料として、Ｓｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素のうち少なくとも１つを含有する材料が好適に用いられる。形成された反応防止層５が、反応防止層が、Ｓｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素のうち少なくとも１つを含有し、これら元素の含有率の合計が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であると高いイオン伝導率が得られるため好ましい。また、前記反応防止層に含有されるＳｍ、ＧｄおよびＹからなる群から選ばれる元素の含有率の合計が１０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下であるとさらに高いイオン伝導率が得られるため、より好ましい。具体的には反応防止層５の材料としては、ＧＤＣ（ガドリウム・ドープ・セリア）、ＹＤＣ（イットリウム・ドープ・セリア）、ＳＤＣ（サマリウム・ドープ・セリア）等を用いることができる。
【００５８】
反応防止層５の形成は、１１００℃以下の処理温度で形成できる方法を適宜用いて行うと、金属基板１の損傷を抑制し、また、金属基板１と第１電極層２との元素相互拡散を抑制でき、性能・耐久性に優れた電気化学素子Ｅを実現できるので好ましい。例えば、低温焼成法（例えば１１００℃を越える高温域での焼成処理をしない低温域での焼成処理を用いる湿式法）、スプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などを適宜用いて行うことができる。特に、低温焼成法やスプレーコーティング法などを用いると低コストな素子が実現できるので好ましい。更に、低温焼成法を用いると、原材料のハンドリングが容易になるので更に好ましい。
【００５９】
本実施形態では反応防止層５は、多孔質かつ微細な構造と緻密な構造の２領域が形成される。
【００６０】
以下、図５を参照しながら本実施形態の電解質層４が有する特徴的な凹凸形状について説明する。図５は、本実施形態に係る電気化学素子Ｅの断面の電子顕微鏡写真である。図５では、反応防止層５の内部の細孔空間が黒く示されている。
【００６１】
反応防止層５は、電解質層４との界面に凹部Ｆおよび凸部Ｇから形成される凹凸形状を有して形成される。反応防止層５において、凸部Ｇを介して隣り合う２つの凹部Ｆの底部間を結ぶ線分Ｊに対して電解質層４の側の領域を突出領域Ｋとする。そして反応防止層５において、線分Ｊに対して第２電極層６の側の領域を隣接領域Ｌとして、突出領域Ｋの頂部の線分Ｊからの高さが０．５μｍ以上であり、かつ、気孔率が隣接領域Ｌの気孔率よりも大きい突出領域Ｋである疎突出領域Ｎが存在する。なお疎突出領域Ｎにおいて、凸部Ｇを介して隣り合う２つの凹部Ｆの底部間の距離は１５μｍ以下である。
【００６２】
図５の電子顕微鏡写真には、第１電極層２、電解質層４および反応防止層５が示されている。反応防止層５と電解質層４との界面は、視野の上下方向の中央付近に、左右方向に延びて位置している。界面には視野の左から順に、凹部Ｆ１、凸部Ｇ１、凹部Ｆ２、凸部Ｇ２、および凹部Ｆ３が形成されている。
【００６３】
線分Ｊ１は、２つの凹部Ｆ１および凹部Ｆ２の底部の間を結ぶ線分である。線分Ｊ１に対して電解質層４の側の領域を突出領域Ｋ１とする。線分Ｊ１に対して第２電極層６の側の領域を隣接領域Ｌ１とする。突出領域Ｋ１の頂部の線分Ｊ１からの高さは、１．３９μｍであり、０．５μｍ以上である。そして図５に示されるように、突出領域Ｋ１には、隣接領域Ｌ１に比べてより多い細孔空間が存在する。したがって突出領域Ｋ１は、気孔率が隣接領域Ｌ１の気孔率よりも大きい。ゆえに突出領域Ｋ１は、疎突出領域Ｎに該当する。
【００６４】
疎突出領域Ｎである突出領域Ｋ１において、凸部Ｇ１を介して隣り合う２つの凹部Ｆ１および凹部Ｆ２の底部間の距離は、１０．５μｍであるため、１５μｍ以下である。
【００６５】
線分Ｊ２は、２つの凹部Ｆ２および凹部Ｆ３の底部の間を結ぶ線分である。線分Ｊ２に対して電解質層４の側の領域を突出領域Ｋ２とする。線分Ｊ２に対して第２電極層６の側の領域を隣接領域Ｌ２とする。突出領域Ｋ２の頂部の線分Ｊ２からの高さは、１．６３μｍであり、０．５μｍ以上である。そして図５に示されるように、突出領域Ｋ２には、隣接領域Ｌ２に比べてより多い細孔空間が存在する。したがって突出領域Ｋ２は、気孔率が隣接領域Ｌ２の気孔率よりも大きい。ゆえに突出領域Ｋ２は、疎突出領域Ｎに該当する。
【００６６】
疎突出領域Ｎである突出領域Ｋ２において、凸部Ｇ２を介して隣り合う２つの凹部Ｆ２および凹部Ｆ３の底部間の距離は、１０．３μｍであるため、１５μｍ以下である。
【００６７】
また本実施形態では、疎突出領域Ｎの気孔率が１０％以上３０％以下であり、隣接領域Ｌの気孔率が１％以上１５％以下であるように、反応防止層５が形成される。特に、隣接領域Ｌの気孔率に対する疎突出領域Ｎの気孔率の比が１．５以上１５以下であると好適である。
【００６８】
（第２電極層）
第２電極層６は、反応防止層５の上に薄層の状態で形成することができる。薄層とする場合は、その厚さを、例えば、１μｍ〜１００μｍ程度、好ましくは、５μｍ〜５０μｍとすることができる。このような厚さにすると、高価な第２電極層材料の使用量を低減してコストダウンを図りつつ、十分な電極性能を確保することが可能となる。第２電極層６の材料としては、例えば、ＬＳＣＦ、ＬＳＭ等の複合酸化物、セリア系酸化物およびこれらの混合物を用いることができる。特に第２電極層６が、Ｌａ、Ｓｒ、Ｓｍ、Ｍｎ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選ばれる２種類以上の元素を含有するペロブスカイト型酸化物を含むことが好ましい。以上の材料を用いて構成される第２電極層６は、カソードとして機能する。
【００６９】
なお、第２電極層６の形成は、１１００℃以下の処理温度で形成できる方法を適宜用いて行うと、金属基板１の損傷を抑制し、また、金属基板１と第１電極層２との元素相互拡散を抑制でき、性能・耐久性に優れた電気化学素子Ｅを実現できるので好ましい。例えば、低温焼成法（例えば１１００℃を越える高温域での焼成処理をしない低温域での焼成処理を用いる湿式法）、スプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などを適宜用いて行うことができる。特に、低温焼成法やスプレーコーティング法などを用いると低コストな素子が実現できるので好ましい。更に、低温焼成法を用いると、原材料のハンドリングが容易になるので更に好ましい。
【００７０】
（固体酸化物形燃料電池）
以上のように電気化学素子Ｅを構成することで、電気化学素子Ｅを固体酸化物形燃料電池の発電セルとして用いることができる。例えば、金属基板１の裏側の面から貫通孔１ａを通じて水素を含む燃料ガスを第１電極層２へ供給し、第１電極層２の対極となる第２電極層６へ空気を供給し、例えば、５００℃以上９００℃以下の温度で作動させる。そうすると、第２電極層６において空気に含まれる酸素Ｏ２が電子ｅ−と反応して酸素イオンＯ２−が生成される。その酸素イオンＯ２−が電解質層４を通って第１電極層２へ移動する。第１電極層２においては、供給された燃料ガスに含まれる水素Ｈ２が酸素イオンＯ２−と反応し、水Ｈ２Ｏと電子ｅ−が生成される。以上の反応により、第１電極層２と第２電極層６との間に起電力が発生する。この場合、第１電極層２はＳＯＦＣの燃料極（アノード）として機能し、第２電極層６は空気極（カソード）として機能する。
【００７１】
（電気化学素子の製造方法）
次に、本実施形態に係る電気化学素子Ｅの製造方法について説明する。
【００７２】
（第１電極層形成ステップ）
第１電極層形成ステップでは、金属基板１の表側の面の貫通孔１ａが設けられた領域より広い領域に第１電極層２が薄膜の状態で形成される。金属基板１の貫通孔はレーザー加工等によって設けることができる。第１電極層２の形成は、上述したように、低温焼成法（１１００℃以下の低温域での焼成処理を行う湿式法）、スプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などの方法を用いることができる。いずれの方法を用いる場合であっても、金属基板１の劣化を抑制するため、１１００℃以下の温度で行うことが望ましい。
【００７３】
第１電極層形成ステップを低温焼成法で行う場合には、具体的には以下の例のように行う。
まず、第１電極層２の材料粉末と溶媒（分散媒）とを混合して材料ペーストを作成し、金属基板１の表側の面に塗布する。そして第１電極層２を圧縮成形し（電極層平滑化工程）、１１００℃以下で焼成する（電極層焼成工程）。第１電極層２の圧縮成形は、例えば、ＣＩＰ（Ｃｏｌｄ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｉｎｇ  、冷間静水圧加圧）成形、ロール加圧成形、ＲＩＰ（Ｒｕｂｂｅｒ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）成形などにより行うことができる。また、電極層の焼成は、８００℃以上１１００℃以下の温度で行うと好適である。また、電極層平滑化工程と電極層焼成工程の順序を入れ替えることもできる。
なお、中間層を有する電気化学素子を形成する場合では、電極層平滑化工程や電極層焼成工程を省いたり、電極層平滑化工程や電極層焼成工程を後述する中間層平滑化工程や中間層焼成工程に含めることもできる。
なお、電極層平滑化工程は、ラップ成形やレベリング処理、表面の切削・研磨処理などを施すことでもできる。
【００７４】
（拡散抑制層形成ステップ）
上述した第１電極層形成ステップにおける焼成工程時に、金属基板１の表面に金属酸化物層１ｂ（拡散抑制層）が形成される。なお、上記焼成工程に、焼成雰囲気を酸素分圧が低い雰囲気条件とする焼成工程が含まれていると元素の相互拡散抑制効果が高く、抵抗値の低い良質な金属酸化物層１ｂ（拡散抑制層）が形成されるので好ましい。第１電極層形成ステップを、焼成を行わないコーティング方法とする場合を含め、別途の拡散抑制層形成ステップを含めても良い。いずれにおいても、金属基板１の損傷を抑制可能な１１００℃以下の処理温度で実施することが望ましい。また、後述する中間層形成ステップにおける焼成工程時に、金属基板１の表面に金属酸化物層１ｂ（拡散抑制層）が形成されても良い。
【００７５】
（中間層形成ステップ）
中間層形成ステップでは、第１電極層２を覆う形態で、第１電極層２の上に中間層３が薄層の状態で形成される。中間層３の形成は、上述したように、低温焼成法（１１００℃以下の低温域での焼成処理を行う湿式法）、スプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などの方法を用いることができる。いずれの方法を用いる場合であっても、金属基板１の劣化を抑制するため、１１００℃以下の温度で行うことが望ましい。
【００７６】
中間層形成ステップを低温焼成法で行う場合には、具体的には以下の例のように行う。
まず、中間層３の材料粉末と溶媒（分散媒）とを混合して材料ペーストを作成し、金属基板１の表側の面に塗布する。そして中間層３を圧縮成形し（中間層平滑化工程）、１１００℃以下で焼成する（中間層焼成工程）。中間層３の圧延は、例えば、ＣＩＰ（Ｃｏｌｄ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｉｎｇ  、冷間静水圧加圧）成形、ロール加圧成形、ＲＩＰ（Ｒｕｂｂｅｒ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）成形などにより行うことができる。また、中間層の焼成は、８００℃以上１１００℃以下の温度で行うと好適である。このような温度であると、金属基板１の損傷・劣化を抑制しつつ、強度の高い中間層３を形成できるためである。また、中間層３の焼成を１０５０℃以下で行うとより好ましく、１０００℃以下で行うと更に好ましい。これは、中間層３の焼成温度を低下させる程に、金属基板１の損傷・劣化をより抑制しつつ、電気化学素子Ｅを形成できるからである。また、中間層平滑化工程と中間層焼成工程の順序を入れ替えることもできる。
なお、中間層平滑化工程は、ラップ成形やレベリング処理、表面の切削・研磨処理などを施すことでもできる。
【００７７】
（電解質層形成ステップ）
電解質層形成ステップでは、第１電極層２および中間層３を覆った状態で、電解質層４が中間層３の上に薄層の状態で形成される。また、厚さが１０μｍ以下の薄膜の状態で形成されても良い。電解質層４の形成は、上述したように、低温焼成法（１１００℃以下の低温域での焼成処理を行う湿式法）、スプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などの方法を用いることができる。いずれの方法を用いる場合であっても、金属基板１の劣化を抑制するため、１１００℃以下の温度で行うことが望ましい。
【００７８】
緻密で気密性およびガスバリア性能の高い、良質な電解質層４を１１００℃以下の温度域で形成するためには、電解質層形成ステップをスプレーコーティング法で行うことが望ましい。その場合、電解質層４の材料を金属基板１上の中間層３に向けて噴射し、電解質層４を形成する。
【００７９】
（反応防止層形成ステップ）
反応防止層形成ステップでは、反応防止層５が電解質層４の上に薄層の状態で形成される。反応防止層５の形成は、上述したように、低温焼成法、スプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などの方法を用いることができる。いずれの方法を用いる場合であっても、金属基板１の劣化を抑制するため、１１００℃以下の温度で行うことが好ましく、１０５０℃以下の温度で行うと更に好ましい。なお反応防止層５の上側の面を平坦にするために、例えば反応防止層５の形成後にレベリング処理や表面を切削・研磨処理を施したり、湿式形成後焼成前に、プレス加工を施してもよい。
【００８０】
（第２電極層形成ステップ）
第２電極層形成ステップでは、第２電極層６が反応防止層５の上に薄層の状態で形成される。第２電極層６の形成は、上述したように、低温焼成法、スプレーコーティング法（溶射法やエアロゾルデポジション法、エアロゾルガスデポジッション法、パウダージェットデポジッション法、パーティクルジェットデポジション法、コールドスプレー法などの方法）、ＰＶＤ法（スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法など）、ＣＶＤ法などの方法を用いることができる。いずれの方法を用いる場合であっても、金属基板１の劣化を抑制するため、１１００℃以下の温度で行うことが望ましい。
【００８１】
以上の様にして、電気化学素子Ｅを製造することができる。なお、以上述べた第１電極層形成ステップおよび中間層形成ステップを行って、金属支持型電気化学素子用の電極層付基板Ｂを製造することができる。すなわち本実施形態に係る製造方法は、金属基板１（金属支持体）と、金属基板１の上に形成された第１電極層２と、第１電極層２の上に形成された中間層３とを有する金属支持型電気化学素子用の電極層付基板Ｂの製造方法であって、中間層３をの表面を平滑化する中間層平滑化工程を含み、中間層３の焼成を１１００℃以下で行う中間層焼成工程を含む。
【００８２】
なお電気化学素子Ｅにおいて、中間層３を備えない形態とすることも可能である。すなわち、第１電極層２と電解質層４とが接触して形成される形態も可能である。この場合に上述の製造方法では、中間層形成ステップが省略される。なお、他の層を形成するステップを追加したり、同種の層を複数積層したりすることも可能であるが、いずれの場合であっても、１１００℃以下の温度で行うことが望ましい。
【００８３】
＜実施例＞
厚さ０．３ｍｍ、ｃｒｏｆｅｒ２２ＡＰＵの金属板に対して、中心の領域にレーザー加工により貫通孔１ａを複数設けて、金属基板１を作製した。
【００８４】
次に、６０重量％のＮｉＯ粉末と４０重量％のＧＤＣ粉末を混合し、有機バインダーと有機溶媒（分散媒）を加えてペーストを作製した。そのペーストを用いて、金属基板１の中心から半径３ｍｍの領域に第１電極層２を積層した。なお、第１電極層２の形成にはスクリーン印刷を用いた。そして第１電極層２を積層した金属基板１に対して、８５０℃で焼成処理を行った（第１電極層形成ステップ、拡散抑制層形成ステップ）。
【００８５】
次に、ＧＤＣの微粉末に有機バインダーと有機溶媒（分散媒）を加えてペーストを作製した。そのペーストを用いて、スクリーン印刷により、第１電極層２を積層した金属基板１の中心から半径５ｍｍの領域に中間層３を積層した。次に、中間層３を積層した金属基板１に対してＣＩＰ成形した後、１０５０℃で焼成処理を行うことで、表面が平坦な中間層３を形成した（中間層形成ステップ）。
【００８６】
以上のステップで得られた第１電極層２の厚さは約１０μｍであり、中間層３の厚さは約１０μｍであった。第１電極層２と中間層３を積層した金属基板１はガスの流通性を有する電極層付基板となっている。
【００８７】
続いて、モード径が約０．７μｍの８ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）成分を２．４ｇ／分の供給速度で、金属基板１の中間層３の上に、中間層３を覆うように１５ｍｍ×１５ｍｍの範囲で５ｍｍ／秒のスキャン速度で基板を移動させながら噴射し、電解質層４を形成した（スプレーコート）。なお、その際、金属基板１は加熱しなかった（電解質層形成ステップ）。
【００８８】
以上のステップで得られた電解質層４の厚さは４〜５μｍ程度であった。このように第１電極層２と中間層３と電解質層４を積層した状態での金属基板１のＨｅリーク量を０．２ＭＰａの圧力下で測定したところ、Ｈｅリーク量は検出下限（１．０ｍＬ／分・ｃｍ２）未満であった。従って、形成された電解質層４は、ガスバリア性を有することが分かる。
【００８９】
次に、ＧＤＣの微粉末に有機バインダーと有機溶媒（分散媒）を加えてペーストを作製した。そのペーストを用いて、スクリーン印刷により、電気化学素子Ｅの電解質層４の上に、反応防止層５を形成した。
【００９０】
その後、反応防止層５を形成した電気化学素子Ｅに対して、３００ＭＰａの圧力でＣＩＰ成形した後、１０００℃で１時間還元雰囲気での焼成処理を行うことで、表面が平坦な反応防止層５を形成した（反応防止層形成ステップ）。
【００９１】
また、この電気化学素子Ｅの断面の電子顕微鏡写真を図５に示す。この電子顕微鏡写真から分かるように、反応防止層５が、内部に複数の細孔空間（黒く示された部位）を有する状態に形成されている。そして上述したように、図５に示されるサンプルでは、反応防止層５と電解質層４との界面に、凹部Ｆおよび凸部Ｇから形成される凹凸形状が存在する。界面には視野の左から順に、凹部Ｆ１、凸部Ｇ１、凹部Ｆ２、凸部Ｇ２、および凹部Ｆ３が形成されている。
【００９２】
線分Ｊ１は、２つの凹部Ｆ１および凹部Ｆ２の底部の間を結ぶ線分である。線分Ｊ１に対して電解質層４の側の領域を突出領域Ｋ１とする。線分Ｊ１に対して第２電極層６の側の領域を隣接領域Ｌ１とする。突出領域Ｋ１の頂部の線分Ｊ１からの高さは、１．３９μｍであり、０．５μｍ以上である。そして図５に示されるように、突出領域Ｋ１には、隣接領域Ｌ１に比べてより多い細孔空間が存在する。したがって突出領域Ｋ１は、気孔率が隣接領域Ｌ１の気孔率よりも大きい。ゆえに突出領域Ｋ１は、疎突出領域Ｎに該当する。
【００９３】
疎突出領域Ｎである突出領域Ｋ１において、凸部Ｇ１を介して隣り合う２つの凹部Ｆ１および凹部Ｆ２の底部間の距離は、１０．５μｍであるため、１５μｍ以下である。
【００９４】
線分Ｊ２は、２つの凹部Ｆ２および凹部Ｆ３の底部の間を結ぶ線分である。線分Ｊ２に対して電解質層４の側の領域を突出領域Ｋ２とする。線分Ｊ２に対して第２電極層６の側の領域を隣接領域Ｌ２とする。突出領域Ｋ２の頂部の線分Ｊ２からの高さは、１．６３μｍであり、０．５μｍ以上である。そして図５に示されるように、突出領域Ｋ２には、隣接領域Ｌ２に比べてより多い細孔空間が存在する。したがって突出領域Ｋ２は、気孔率が隣接領域Ｌ２の気孔率よりも大きい。ゆえに突出領域Ｋ２は、疎突出領域Ｎに該当する。
【００９５】
疎突出領域Ｎである突出領域Ｋ２において、凸部Ｇ２を介して隣り合う２つの凹部Ｆ２および凹部Ｆ３の底部間の距離は、１０．３μｍであるため、１５μｍ以下である。
【００９６】
疎突出領域Ｎである突出領域Ｋ１の気孔率は、図５の電子顕微鏡写真から、１５．０％と推定される。隣接領域Ｌ１の気孔率は、図５の電子顕微鏡写真から、３．８％と推定される。したがって隣接領域Ｌ１の気孔率に対する突出領域Ｋ１の気孔率の比は、３．９４である。
【００９７】
疎突出領域Ｎである突出領域Ｋ２の気孔率は、図５の電子顕微鏡写真から、１３．１％と推定される。隣接領域Ｌ２の気孔率は、図５の電子顕微鏡写真から、２．５１％と推定される。したがって隣接領域Ｌ２の気孔率に対する突出領域Ｋ２の気孔率の比は、５．２２である。
【００９８】
＜第２実施形態＞
図２・図３を用いて、本実施形態に係る電気化学素子Ｅ、電気化学モジュールＭ、電気化学装置ＹおよびエネルギーシステムＺについて説明する。
【００９９】
本実施形態に係る電気化学素子Ｅは、図２に示すように、金属基板１の裏面にＵ字部材７が取り付けられており、金属基板１とＵ字部材７とで筒状支持体を形成している。
【０１００】
そして集電部材２６を間に挟んで電気化学素子Ｅが複数積層され、集合されている、電気化学モジュールＭが構成されている。集電部材２６は、電気化学素子Ｅの第２電極層６と、Ｕ字部材７とに接合され、両者を電気的に接続している。
【０１０１】
電気化学モジュールＭは、ガスマニホールド１７、集電部材２６、終端部材および電流引出し部を有する。複数集合した電気化学素子Ｅは、筒状支持体の一方の開口端部がガスマニホールド１７に接続されて、ガスマニホールド１７から気体の供給を受ける。供給された気体は、筒状支持体の内部を通流し、金属基板１の貫通孔１ａを通って第１電極層２に供給される。
【０１０２】
図３には、エネルギーシステムＺおよび電気化学装置Ｙの概要が示されている。
エネルギーシステムＺは、電気化学装置Ｙと、電気化学装置Ｙから排出される熱を再利用する排熱利用部としての熱交換器５３とを有する。
電気化学装置Ｙは、電気化学モジュールＭと、脱硫器３１と改質器３４とを有し電気化学モジュールＭに対して還元性成分を含有する燃料ガスを供給する燃料供給部と、電気化学モジュールＭから電力を取り出すインバータ３８とを有する。
【０１０３】
詳しくは電気化学装置Ｙは、脱硫器３１、改質水タンク３２、気化器３３、改質器３４、ブロア３５、燃焼部３６、インバータ３８、制御部３９、収納容器４０および電気化学モジュールＭを有する。
【０１０４】
脱硫器３１は、都市ガス等の炭化水素系の原燃料に含まれる硫黄化合物成分を除去（脱硫）する。原燃料中に硫黄化合物が含有される場合、脱硫器３１を備えることにより、硫黄化合物による改質器３４あるいは電気化学素子Ｅに対する影響を抑制することができる。気化器３３は、改質水タンク３２から供給される改質水から水蒸気を生成する。改質器３４は、気化器３３にて生成された水蒸気を用いて脱硫器３１にて脱硫された原燃料を水蒸気改質して、水素を含む改質ガスを生成する。
【０１０５】
電気化学モジュールＭは、改質器３４から供給された改質ガスと、ブロア３５から供給された空気とを用いて、電気化学反応させて発電する。燃焼部３６は、電気化学モジュールＭから排出される反応排ガスと空気とを混合させて、反応排ガス中の可燃成分を燃焼させる。
【０１０６】
電気化学モジュールＭは、複数の電気化学素子Ｅとガスマニホールド１７とを有する。
複数の電気化学素子Ｅは互いに電気的に接続された状態で並列して配置され、電気化学素子Ｅの一方の端部（下端部）がガスマニホールド１７に固定されている。電気化学素子Ｅは、ガスマニホールド１７を通じて供給される改質ガスと、ブロア３５から供給された空気とを電気化学反応させて発電する。
【０１０７】
インバータ３８は、電気化学モジュールＭの出力電力を調整して、商用系統（図示省略）から受電する電力と同じ電圧および同じ周波数にする。制御部３９は電気化学装置ＹおよびエネルギーシステムＺの運転を制御する。
【０１０８】
気化器３３、改質器３４、電気化学モジュールＭおよび燃焼部３６は、収納容器４０内に収納される。そして改質器３４は、燃焼部３６での反応排ガスの燃焼により発生する燃焼熱を用いて原燃料の改質処理を行う。
【０１０９】
原燃料は、昇圧ポンプ４１の作動により原燃料供給路４２を通して脱硫器３１に供給される。改質水タンク３２の改質水は、改質水ポンプ４３の作動により改質水供給路４４を通して気化器３３に供給される。そして、原燃料供給路４２は脱硫器３１よりも下流側の部位で、改質水供給路４４に合流されており、収納容器４０外にて合流された改質水と原燃料とが収納容器４０内に備えられた気化器３３に供給される。
【０１１０】
改質水は気化器３３にて気化され水蒸気となる。気化器３３にて生成された水蒸気を含む原燃料は、水蒸気含有原燃料供給路４５を通して改質器３４に供給される。改質器３４にて原燃料が水蒸気改質され、水素ガスを主成分とする改質ガス（還元性成分を有する第１気体）が生成される。改質器３４にて生成された改質ガスは、改質ガス供給路４６を通して電気化学モジュールＭのガスマニホールド１７に供給される。
【０１１１】
ガスマニホールド１７に供給された改質ガスは、複数の電気化学素子Ｅに対して分配され、電気化学素子Ｅとガスマニホールド１７との接続部である下端から電気化学素子Ｅに供給される。改質ガス中の主に水素（還元性成分）が、電気化学素子Ｅにて電気化学反応に使用される。反応に用いられなかった残余の水素ガスを含む反応排ガスが、電気化学素子Ｅの上端から燃焼部３６に排出される。
【０１１２】
反応排ガスは燃焼部３６で燃焼され、燃焼排ガスとなって燃焼排ガス排出口５０から収納容器４０の外部に排出される。燃焼排ガス排出口５０には燃焼触媒部５１（例えば、白金系触媒）が配置され、燃焼排ガスに含有される一酸化炭素や水素等の還元性成分を燃焼除去する。燃焼排ガス排出口５０から排出された燃焼排ガスは、燃焼排ガス排出路５２により熱交換器５３に送られる。
【０１１３】
熱交換器５３は、燃焼部３６における燃焼で生じた燃焼排ガスと、供給される冷水とを熱交換させ、温水を生成する。すなわち熱交換器５３は、電気化学装置Ｙから排出される熱を再利用する排熱利用部として動作する。
【０１１４】
なお、排熱利用部の代わりに、電気化学モジュールＭから（燃焼されずに）排出される反応排ガスを利用する反応排ガス利用部を設けてもよい。反応排ガスには、電気化学素子Ｅにて反応に用いられなかった残余の水素ガスが含まれる。反応排ガス利用部では、残余の水素ガスを利用して、燃焼による熱利用や、燃料電池等による発電が行われ、エネルギーの有効利用がなされる。
【０１１５】
＜第３実施形態＞
図４に、電気化学モジュールＭの他の実施形態を示す。本実施形態に係る電気化学モジュールＭは、上述の電気化学素子Ｅを、セル間接続部材７１を間に挟んで積層し集合させることで、電気化学モジュールＭを構成する。
【０１１６】
セル間接続部材７１は、導電性を有し、かつ気体透過性を有さない板状の部材であり、表面と裏面に、互いに直交する溝７２が形成されている。セル間接続部材７１はステンレス等の金属や、金属酸化物を用いることができる。
【０１１７】
図４に示すように、このセル間接続部材７１を間に挟んで電気化学素子Ｅを積層し集合させると、溝７２を通じて気体を電気化学素子Ｅに供給することができる。詳しくは一方の溝７２が第１気体流路７２ａとなり、電気化学素子Ｅの表側、すなわち第２電極層６に気体を供給する。他方の溝７２が第２気体流路７２ｂとなり、電気化学素子Ｅの裏側、すなわち金属基板１の裏側の面から貫通孔１ａを通じて第１電極層２へ気体を供給する。
【０１１８】
この電気化学モジュールＭを燃料電池として動作させる場合は、第１気体流路７２ａに酸素を供給し、第２気体流路７２ｂに水素を供給する。そうすると電気化学素子Ｅにて燃料電池としての反応が進行し、起電力・電流が発生する。発生した電力は、積層された電気化学素子Ｅの両端のセル間接続部材７１から、電気化学モジュールＭの外部に取り出される。
【０１１９】
なお、本本実施形態では、セル間接続部材７１の表面と裏面に、互いに直交する溝７２を形成したが、セル間接続部材７１の表面と裏面に、互いに並行する溝７２を形成することもできる。
【０１２０】
（他の実施形態）
（１）上記の実施形態では、電気化学素子Ｅを固体酸化物形燃料電池に用いたが、電気化学素子Ｅは、固体酸化物形電解セルや、固体酸化物を利用した酸素センサ等に利用することもできる。
【０１２１】
（２）上記の実施形態では、金属基板１を支持体とする金属支持型の固体酸化物形燃料電池に用いたが、本願は、第１電極層２もしくは第２電極層６を支持体とする電極支持型の固体酸化物形燃料電池や電解質層４を支持体とする電解質支持型の固体酸化物形燃料電池に利用することもできる。それらの場合は、第１電極層２もしくは第２電極層６、または、電解質層４を必要な厚さとして、支持体としての機能が得られるようにすることができる。
【０１２２】
（３）上記の実施形態では、第１電極層２の材料として例えばＮｉＯ−ＧＤＣ、Ｎｉ−ＧＤＣ、ＮｉＯ−ＹＳＺ、Ｎｉ−ＹＳＺ、ＣｕＯ−ＣｅＯ２、Ｃｕ−ＣｅＯ２などの複合材を用い、第２電極層６の材料として例えばＬＳＣＦ、ＬＳＭ等の複合酸化物を用いた。このように構成された電気化学素子Ｅは、第１電極層２に水素ガスを供給して燃料極（アノード）とし、第２電極層６に空気を供給して空気極（カソード）とし、固体酸化物形燃料電池セルとして用いることが可能である。この構成を変更して、第１電極層２を空気極とし、第２電極層６を燃料極とすることが可能なように、電気化学素子Ｅを構成することも可能である。すなわち、第１電極層２の材料として例えばＬＳＣＦ、ＬＳＭ等の複合酸化物を用い、第２電極層６の材料として例えばＮｉＯ−ＧＤＣ、Ｎｉ−ＧＤＣ、ＮｉＯ−ＹＳＺ、Ｎｉ−ＹＳＺ、ＣｕＯ−ＣｅＯ２、Ｃｕ−ＣｅＯ２などの複合材を用いる。このように構成した電気化学素子Ｅであれば、第１電極層２に空気を供給して空気極とし、第２電極層６に水素ガスを供給して燃料極とし、電気化学素子Ｅを固体酸化物形燃料電池セルとして用いることができる。
【０１２３】
なお、上記の実施形態で開示される構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示される構成と組み合わせて適用することが可能である。また本明細書において開示された実施形態は例示であって、本発明の実施形態はこれに限定されず、本発明の目的を逸脱しない範囲内で適宜改変することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
電気化学素子および固体酸化物形燃料電池セルとして利用可能である。
【符号の説明】
【０１２５】
１        ：金属基板（金属支持体）
１ａ      ：貫通孔
２        ：電極層
３        ：中間層
４        ：第１電解質層（対極電極層）
４ａ      ：電解質層上側面
５        ：反応防止層
６        ：第２電極層（電極層）
Ｂ        ：電極層付基板
Ｅ        ：電気化学素子
Ｆ        ：凹部 
Ｇ        ：凸部
Ｊ        ：線分
Ｋ        ：突出領域
Ｌ        ：隣接領域
Ｍ        ：電気化学モジュール
Ｎ        ：疎突出領域
Ｙ        ：電気化学装置
Ｚ        ：エネルギーシステム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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