(57)【要約】【課題】基板の下地膜が微細化された場合であっても、下地膜上に該下地膜の形状に対応した形状の所望の膜を容易に形成できるようにする。【解決手段】基板処理方法は、ウェハＷの下地膜が金属膜４０１と絶縁膜４０２を含み、金属膜４０１上に該金属膜４０１の形状に対応した形状のパターンを形成し、または、絶縁膜４０２上に該絶縁膜４０２の形状に対応した形状のパターンを形成する方法であり、表面修飾流体により、絶縁膜４０２を表面修飾する表面修飾工程と、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体４０３を下地膜に塗布する塗布工程と、ウェハＷを加熱し、ブロック共重合体４０３を、金属膜４０１の形状及び絶縁膜４０２の形状に対応した形状に相分離する相分離工程と、相分離されたブロック共重合体の第１のポリマー及び第２のポリマーのいずれか一方を選択的に除去する除去工程とを含む。【選択図】図６
2018020282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の下地膜が第１の膜と第２の膜を含み、前記第１の膜上に該第１の膜の形状に対応した形状のパターンを形成し、または、前記第２の膜上に該第２の膜の形状に対応した形状のパターンを形成する基板処理方法であって、
表面修飾流体により、前記下地膜の前記第１の膜及び前記第２の膜のいずれか一方を表面修飾する表面修飾工程と、
第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を、前記下地膜に塗布する塗布工程と、
前記基板を加熱し、前記ブロック共重合体を、前記第１の膜の形状及び前記第２の膜の形状に対応した形状に相分離する相分離工程と、
相分離された前記ブロック共重合体の前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方を選択的に除去する除去工程と、を含むことを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方が選択的に除去された部分に、該部分を充填するように所望の膜を形成する膜形成工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
相分離された前記ブロック共重合体に前記ブロック共重合体を再塗布すると共に、再塗布したブロック共重合体を、既に相分離された第１のポリマー及び第２のポリマーの形状に対応した形状に相分離する積層工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記積層工程は複数回行われることを特徴とする、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記除去工程は、前記相分離工程で相分離されたブロック共重合体及び前記積層工程で相分離されたブロック共重合体について、前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方をまとめて選択的に除去することを特徴とする、請求項３または４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方がまとめて選択的に除去された部分に、該部分を充填するように所望の膜を形成する膜一括形成工程を含むことを特徴とする、請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第１の膜は金属膜であり、前記第２の膜は半導体膜または絶縁膜であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記金属膜は、コバルト、ニッケル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、銅またはルテニウムから形成されることを特徴とする、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記半導体膜または前記絶縁膜は、シリコン半導体膜またはシリコンを含む絶縁膜であることを特徴とする、請求項７または８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記表面修飾流体は、Ｓｉ−Ｎ結合を有する化合物の気体または液体であることを特徴とする、請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記Ｓｉ−Ｎ結合を有する化合物は、トリメチルシリルジメチルアミンまたはジフェニルメチルジメチルアミノシランであることを特徴とする、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記表面修飾流体は、前記金属膜に反応する官能基を有する化合物の気体または液体であることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１４】
請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１５】
基板の下地膜が第１の膜と第２の膜を含み、前記第１の膜上に該第１の膜の形状に対応した形状のパターンを形成し、または、前記第２の膜上に該第２の膜の形状に対応した形状のパターンを形成する基板処理システムであって、
表面修飾流体により、前記下地膜の前記第１の膜及び前記第２の膜のいずれか一方を表面修飾する表面修飾装置と、
第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を、前記下地膜に塗布する塗布装置と、
前記基板を加熱し、前記ブロック共重合体を、前記第１の膜の形状及び前記第２の膜の形状に対応した形状に相分離する相分離装置と、
相分離された前記ブロック共重合体の前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方を選択的に除去するポリマー除去装置と、を含むことを特徴とする、基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の下地膜上に該下地膜の形状に対応したパターンを形成する基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、基板の下地膜に含まれる金属膜上に、該金属膜に対応した形状の配線を形成する手法として、配線材料に銅を用いたダマシン法が知られている（特許文献１及び２参照）。
【０００３】
また、半導体デバイスの製造工程では、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などを順次行い、基板上に所定のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー技術が用いられる。
【０００４】
上述のダマシン法でもこのフォトリソグラフィー技術が用いられ、基板の下地膜上にレジストパターンが形成される。そして、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜をエッチングし溝パターンを形成する。その後、レジストパターンを除去した後、銅膜を堆積し、続いて、化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）で不要な銅膜を除去する。これにより上記溝パターン内に形成された銅膜が、配線を構成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２２００２５号公報
【特許文献２】特開２０００−２１８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、半導体デバイスのさらなる高集積化のために、配線の微細化すなわち上述した溝パターンの微細化が求められている。このため、レジストパターンの微細化が求められている。レジストパターンの微細化の手法としては、露光処理及び現像処理を複数回行ういわゆるダブルパターニング等のマルチパターニングが知られている。
【０００７】
しかし、配線を微細化することはその下地の金属膜も微細化するということであり、微細化された金属膜上にマルチパターニングにより配線を形成することは技術上非常に困難である。微細化された金属膜に対して位置合わせしてレジストパターンを形成するのが非常に難しいからである。
また、マルチパターニングは工程数が多いこと等からコストが高い。
【０００８】
このような課題は、基板の下地膜に含まれる金属膜上に該金属膜に対応した形状の配線を形成する場合だけでなく、基板の下地膜に含まれる金属膜上に該金属膜に対応した形状の金属以外の所望の膜を形成する場合にも存在する。また、基板の下地膜に含まれる金属膜以外の膜上に該膜に対応した形状の所望の膜を形成する場合にも存在する。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の下地膜が微細化された場合であっても、下地膜上に該下地膜の形状に対応した形状の所望の膜を容易に形成することができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板の下地膜が第１の膜と第２の膜を含み、前記第１の膜上に該第１の膜の形状に対応した形状のパターンを形成し、または、前記第２の膜上に該第２の膜の形状に対応した形状のパターンを形成する基板処理方法であって、表面修飾流体により、前記下地膜の前記第１の膜及び前記第２の膜のいずれか一方を表面修飾する表面修飾工程と、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を、前記下地膜に塗布する塗布工程と、前記基板を加熱し、前記ブロック共重合体を、前記第１の膜の形状及び前記第２の膜の形状に対応した形状に相分離する相分離工程と、相分離された前記ブロック共重合体の前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方を選択的に除去する除去工程と、を含む基板処理成方法。
【００１１】
前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方が選択的に除去された部分に、該部分を充填するように所望の膜を形成する膜形成工程を含むことが好ましい。
【００１２】
相分離された前記ブロック共重合体に前記ブロック共重合体を再塗布すると共に、再塗布したブロック共重合体を、既に相分離された第１のポリマー及び第２のポリマーの形状に対応した形状に相分離する積層工程を含むことが好ましい。
【００１３】
前記積層工程は複数回行われることが好ましい。
【００１４】
前記除去工程は、前記相分離工程で相分離されたブロック共重合体及び前記積層工程で相分離されたブロック共重合体について、前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方をまとめて選択的に除去することが好ましい。
【００１５】
前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方がまとめて選択的に除去された部分に、該部分を充填するように所望の膜を形成する膜一括形成工程を含むことが好ましい。
【００１６】
前記第１の膜は金属膜、前記第２の膜は半導体膜または絶縁膜とすることができる。
【００１７】
前記金属膜は、コバルト、ニッケル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、銅またはルテニウムから形成することができる。
【００１８】
前記半導体膜または前記絶縁膜は、例えば、シリコン半導体膜またはシリコンを含む絶縁膜である。
【００１９】
前記表面修飾流体は、Ｓｉ−Ｎ結合を有する化合物の気体または液体を用いることができる。
【００２０】
前記Ｓｉ−Ｎ結合を有する化合物は、例えばトリメチルシリルジメチルアミンまたはジフェニルメチルジメチルアミノシランである。
【００２１】
前記表面修飾流体は、前記金属膜に反応する官能基を有する化合物の気体または液体であってもよい。
【００２２】
別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２３】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００２４】
さらに別な観点による本発明は、基板の下地膜が第１の膜と第２の膜を含み、前記第１の膜上に該第１の膜の形状に対応した形状のパターンを形成し、または、前記第２の膜上に該第２の膜の形状に対応した形状のパターンを形成する基板処理システムであって、表面修飾流体により、前記下地膜の前記第１の膜及び前記第２の膜のいずれか一方を表面修飾する表面修飾装置と、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を、前記下地膜に塗布する塗布装置と、前記基板を加熱し、前記ブロック共重合体を、前記第１の膜の形状及び前記第２の膜の形状に対応した形状に相分離する相分離装置と、相分離された前記ブロック共重合体の前記第１のポリマー及び前記第２のポリマーのいずれか一方を選択的に除去するポリマー除去装置と、を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、基板の下地膜が微細化された場合であっても、下地膜上に該下地膜の形状に対応した形状の所望の膜を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理方法を実施する基板処理システム１の構成の概略を示す平面の説明図である。
【図２】パターン形成装置の構成の概略を示す平面の説明図である。
【図３】パターン形成装置の構成の概略を示す正面の説明図である。
【図４】パターン装置の構成の概略を示す背面の説明図である。
【図５】ウェハ処理を説明したフローチャートである。
【図６】ウェハ処理時のウェハの様子を示す図である。
【図７】ウェハ処理時のウェハの様子を示す図である。
【図８】表面修飾流体（表面改質剤とも言う）の例を示す図である。
【図９】本発明の第５の実施形態に係るウェハ処理時のウェハの様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に示す実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２８】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理方法を実施する基板処理システム１の構成の概略を示す平面の説明図である。
【００２９】
基板処理システム１は、パターン形成装置２と、金属膜形成装置３と、絶縁膜形成装置４とを備え、各装置２、３、４はそれぞれ制御部３００に接続されている。
【００３０】
図２は、パターン形成装置２の平面の説明図であり、図３及び図４は、パターン形成装置２の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。
【００３１】
パターン形成装置２は、基板としてのウェハにフォトリソグラフィー処理などにより基板上に所定のパターンを形成するものである。このパターン形成装置２は、図２に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
なお、パターン形成装置２が処理するウェハＷには予め下地膜が形成されている。下地膜は、所定の形状の第１の膜と、別の所定の形状の第２の膜とが含まれ、第１の膜は例えば金属膜、第２の膜は例えば絶縁膜である。
【００３２】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。
【００３３】
カセットステーション１０には、図２に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００３４】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図２のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図２のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図２のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図２のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００３５】
例えば第１のブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷ上に有機溶剤を供給する、ポリマー除去装置としての有機溶剤供給装置３０、ウェハＷ上にブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布装置３１が下から順に重ねられている。
【００３６】
例えば、有機溶剤供給装置３０、ブロック共重合体塗布装置３１は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら液処理装置の数や配置は、任意に選択できる。
【００３７】
また、これら液処理装置では、例えばウェハＷ上に所定の塗布液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に塗布液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、塗布液をウェハＷの表面に拡散させる。
【００３８】
なお、ブロック共重合体塗布装置３１でウェハＷ上に塗布されるブロック共重合体は第１のモノマーと第２のモノマーが直鎖状に重合した、第１のポリマー（第１のモノマーの重合体）と第２のポリマー（第２のモノマーの重合体）とを有する高分子（共重合体）である。第１のポリマーとしては、親水性（極性）を有する親水性ポリマーが用いられ、第２のポリマーとしては、疎水性（非極性）を有する疎水性ポリマーが用いられる。本実施の形態では、ブロック共重合体における親水性ポリマーの分子量の比率は約４０％〜６０％であり、ブロック共重合体における疎水性ポリマーの分子量の比率は約６０％〜４０％である。また、親水性ポリマーとして例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）が用いられ、疎水性ポリマーとしては例えばポリスチレン（ＰＳ）が用いられる。以下、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）とのブロック共重合体をＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡという。
【００３９】
そして、ブロック共重合体塗布装置３１が塗布するのは、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを溶剤により溶液状としたものである。なお、溶剤は、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを構成するＰＳ及びＰＭＭＡと相溶性の高いものであれば特に限定されることなく、例えばトルエン、プロピレングリコール・モノメチルエーテル・アセテート（ＰＧＭＥＡ）などである。
【００４０】
例えば第２のブロックＧ２には、図４に示すように、ウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０、表面修飾流体によりウェハＷの下地膜を選択的に表面修飾する表面修飾装置４１、ブロック共重合体塗布装置３１でウェハＷ上に塗布されたブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離装置４２、ウェハＷに対して紫外線を照射する紫外線照射装置４３が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、ポリマー分離装置４２もウェハＷに対して熱処理を施す装置であり、その構成は熱処理装置４０と同様である。紫外線照射装置４３は、ウェハＷを載置する載置台と、載置台の上のウェハＷに対して例えば波長が１７２ｎｍの紫外線を照射する紫外線照射部を有している。熱処理装置４０、表面修飾装置４１、ポリマー分離装置４２、紫外線照射装置４３の数や配置は、任意に選択できる。
【００４１】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
【００４２】
図２に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【００４３】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００４４】
シャトル搬送装置８０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４５】
図２に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
【００４６】
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置９１と受け渡し装置９２が設けられている。ウェハ搬送装置９１は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９１は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置９２及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４７】
図１の説明に戻る。
金属膜形成装置３は、ウェハ上に金属膜を形成するものである。金属膜形成装置３における金属膜の成膜は例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）により行われる。
絶縁膜形成装置４は、ウェハ上に層間絶縁膜を形成するものである。絶縁膜形成装置４における層間絶縁膜の形成は例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により行われる。
【００４８】
制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１におけるウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００４９】
本実施の形態に係る基板処理システム１は以上のように構成されている。次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図５は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフローチャートである。図６及び図７は、上記ウェハ処理時のウェハの様子を示す図である。また、図６（Ａ）〜（Ｄ）及び図７（Ａ）〜（Ｅ）はウェハの上面を示し、図６（ａ）〜（ｄ）及び図７（ａ）〜（ｅ）は、図６（Ａ）〜（Ｄ）及び図７（Ａ）〜（Ｅ）に対応するものであり、ウェハ中心部の断面を示す。図８は、表面修飾流体（表面改質剤とも言う）の例を示す図である。
【００５０】
先ず、下地膜が形成されたウェハＷを複数収納したカセットＣが、パターン形成装置２のカセットステーション１０に搬入される。カセットＣ内の各ウェハＷは、順次処理ステーション１１の熱処理装置４０に搬送されて温度調節される。
本例のウェハＷには、図６（Ａ）及び図６（ａ）に示すように、下地膜としての金属膜４０１と絶縁膜４０２が、直線状に交互に並ぶように形成されている。
【００５１】
その後ウェハＷは、表面修飾装置４１に搬送され、図６（Ｂ）及び図６（ｂ）に示すように、ウェハＷの下地膜の金属膜４０１と絶縁膜４０２のうち、表面修飾流体によって絶縁膜４０２の表面４０２ａのみ選択的に表面修飾され、ＤＳＡ（Directed Self-Assembly）膜の形成が可能とされる（表面修飾工程。図６の工程Ｓ１）。通常の表面修飾流体を用いた場合、下字膜の金属膜と絶縁膜の両方が表面に露出している場合、両方が表面修飾されてしまう。そこで、本実施形態では、表面修飾流体として図８のようにＳｉ−Ｎ結合を有する有機化合物の気体を用いる。より具体的には、トリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）を用いる。
【００５２】
ＴＭＳＤＭＡを用いれば、例えば、金属膜４０１がコバルト膜（Ｃｏ）、絶縁膜４０２が熱酸化により形成されたシリコン酸化膜であった場合、絶縁膜４０２が選択的に表面修飾され、具体的には、ＴＭＳＤＭＡのＳｉ−Ｎ結合が解離して得られるトリメチルシリル基が絶縁膜４０２の表面に結合される。金属膜４０１については表面修飾されない。ＴＭＳＤＭＡによる選択的表面修飾処理は、例えば、ＴＭＳＤＭＡがキャリアガスとしての窒素と共に所定流量で導入される気体雰囲気内に所定時間（例えば５分）保持する処理である。
【００５３】
選択的表面修飾後、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、加熱され、温度調節される。
【００５４】
その後ウェハＷは、ブロック共重合体塗布装置３１に搬送される。ブロック共重合体塗布装置３１では、図６（Ｃ）及び図６（ｃ）に示すように、絶縁膜４０２の表面４０２ａのみ選択的に疎水化されたウェハＷの下地膜上に、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ４０３が塗布される（ブロック共重合体塗布工程。図６の工程Ｓ２）。
【００５５】
次にウェハＷは、ポリマー分離装置４２に搬送され、所定の温度で熱処理が行われる。これにより、ウェハＷ上のＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ４０３が、図６（Ｄ）及び図６（ｄ）に示すように、ＰＭＭＡ４０４とＰＳ４０５に相分離される（ポリマー分離工程。図６の工程Ｓ３）。ここで、ＰＳ４０５に近い構造を有する官能基を含むトリメチルシリル基によって、下地膜のうち絶縁膜４０２が選択的に表面修飾されているため、ＰＳ４０５が、絶縁膜４０２の形状に対応した直線状に相分離される。また、ＰＭＭＡ４０４は、ＰＳ４０５とＰＳ４０５との間に位置するように、金属膜４０１の形状に対応した直線状に相分離される。この結果、ＰＭＭＡ４０４とＰＳ４０５が所望の形状に相分離する。
【００５６】
ポリマー分離装置４２でブロック共重合体４０３を相分離させた後、ウェハＷは、紫外線照射装置４３に搬送される。紫外線照射装置４３では、ウェハＷに紫外線を照射することで、ＰＭＭＡ４０４の結合鎖を切断すると共に、ＰＳ４０５を架橋反応させる（図６の工程Ｓ４）。
【００５７】
次にウェハＷは、有機溶剤供給装置３０に搬送される。有機溶剤供給装置３０では、ウェハＷに極性を有する有機溶剤（極性有機溶剤）が供給される。極性有機溶剤としては、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などが用いられる。これにより、紫外線照射で結合鎖が切断されたＰＭＭＡ４０４が有機溶剤により溶解され、ウェハＷからＰＳ４０５が選択的に除去される（ポリマー除去工程。図６の工程Ｓ５）。その結果、図７（Ａ）及び図７（ａ）に示すように、ＰＳ４０５によりラインパターン４０６が形成される。
【００５８】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５０に搬送され、
その後カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。その後、カセットＣすなわちウェハＷは金属膜形成装置３に搬送される。
【００５９】
金属膜形成装置３において、ラインパターン４０６が形成されたウェハＷ上に金属膜がＰＶＤにより堆積され、適宜不要な金属膜がＣＭＰにより除去され、これにより、図７（Ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、ラインパターン４０６内を充填するように金属膜４０７が形成される（配線形成工程、図６のステップＳ６）。この金属膜４０７が配線を構成する。下地の金属膜４０１と、ラインパターン４０６内に充填された金属膜４０７は同種の金属で形成されることが好ましい。
【００６０】
その後、ウェハＷは、不図示のエッチング装置に搬送され、ＰＳ４０５がエッチングされ、図７（Ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、金属膜４０７が絶縁膜４０２より突出する形状となる（エッチング工程、図６のステップＳ７）。ＰＳ４０５のエッチングは例えば酸素（Ｏ２）を主体としたドライエッチングにより行うことができる。
【００６１】
次いで、ウェハＷは、絶縁膜形成装置４に搬送され、図７（Ｄ）及び図７（ｄ）に示すように、ＣＶＤにより絶縁膜４０８がウェハＷ全体に形成される（絶縁膜形成工程、図６のステップＳ８）。そして、ウェハＷは、不図示の研磨装置に搬送され、図７（Ｅ）及び図７（ｅ）に示すように、研磨装置によるＣＭＰにより絶縁膜４０８が研磨されて、ウェハＷの表面を平坦にすると共に、配線としての金属膜４０７が露出される（研磨工程、図６のステップＳ９）。
【００６２】
以上の工程により、基板の、所定の形状を有する下地膜上に、該下地膜の形状に対応した形状の所望の膜、本例では金属膜及び絶縁膜を形成することができる。また、本実施形態では、マルチパターニングを用いずに、表面修飾とＤＳＡ技術により、所望の膜を形成しているため、基板の下地膜が微細化された場合であっても、下地膜上に該下地膜の形状に対応した形状の所望の膜を容易に形成することができる。さらに、マルチパターニングを用いていないため低コストで成膜することができる。
【００６３】
また、表面修飾材として気体を用いることにより以下の効果がある。すなわち、一般にフィルタを液体よりも気体の方が桁違いに異物を捕集できる。そのため、表面修飾材を気体にし、表面修飾処理前にフィルタを通すことで、異物をほとんどゼロにすることができる。また、気体の方が使用量や均一性についても優れている。
【００６４】
表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの気体を用いる場合、選択的に表面修飾される下地膜の絶縁膜は、ＴＭＳＤＭＡのトリメチルシリル基が結合するものであれば良く、選択的に表面修飾されない下地膜の金属膜は、ＴＭＳＤＭＡのトリメチルシリル基との結合が少ないものであれば良い。この点を、トリメチルシリル基が結合することにより疎水化することを踏まえて言い換えると、下地の絶縁膜は、以下の実験を行ったときに、少なくとも純水の接触角が約９０度となる膜が好ましく、下地膜の金属膜は少なくとも同接触角が７０度以下となる膜が好ましい。
【００６５】
当該実験では、各種膜のサンプルをアセトン、ＩＰＡの順で有機洗浄した後、乾燥させ、次に１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線（波長１７２ｍ）を窒素雰囲気（酸素濃度５０ｐｐｍ以下）で照射する。これにより、表面に吸着した有機系不純物を除去する。また、下地膜の絶縁膜の表面には、多くのアルキル基（メチル基やアルキル基等）が存在する場合があり、この場合、表面修飾流体から得られる官能基に対する該表面の反応性も弱くなる。上記紫外線を照射することで、表面に存在するアルキル基が脱離されて、表面修飾流体から得られる官能基（この例ではトリメチルシリル基）が反応できるサイトができる。なお、下地膜の絶縁膜の表面の官能基に対する反応性が高い場合は、この紫外線照射は不要である。
【００６６】
そして、キャリアガスとして窒素を１０Ｌ／ｍｉｎ（リットル毎分）で流している状態で、室温の気化器にＴＭＳＤＭＡを注入して、各膜のサンプルをＴＭＳＤＡの気体に５分間晒した後、ＰＧＭＥＡでリンスし乾燥し、その後各膜のサンプルの純水の接触角を測定する。
【００６７】
上述の実験で純水の接触角が約９０度となったもの、すなわち、表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの気体を用いて選択的に表面修飾される下地膜の絶縁膜として適した膜は、前述の熱酸化による酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）の他、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン含有反射防止コーティング膜（ＳｉＡＲＣ）等のＳｉを含む絶縁膜である。Ｓｉを含む絶縁膜としては、他に、例えば、アプライド・マテリアルズ（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ)社製の商品Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄにより形成可能炭素添加シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ系膜）や、シリカ（ＳｉＯ２）を溶剤に溶かして液体とし該液体をスピンコートして形成される膜（ＳＯＧ）も挙げられる。また、Ｓｉ半導体膜も上記接触角が約９０度であり下地膜の非導体膜に用いることができる。以下の説明では、説明の簡易化のため、Ｓｉを含む絶縁体にＳＩ半導体膜が含まれているものとする。
【００６８】
一方、上述の実験で純水の接触角が７０度以下となったもの、すなわち、表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの気体を用いる場合に下地膜の金属膜として適した膜は、前述のＣｏの他、ニッケル膜（Ｎｉ）、チタン膜（Ｔｉ）、窒化チタン膜（ＴｉＮ）、タングステン膜（Ｗ）、窒化タングステン膜（ＷＮ）、銅膜（Ｃｕ）、ルテニウム膜（Ｒｕ）である。なお、ＴＭＳＤＭＡのジメチルアミノ基との結合のし易い金属膜であっても、結合し難い金属膜であってもよい。ＣｏやＮｉについてはメッキにより成膜できるため、下地膜の金属膜としてより適している。
【００６９】
なお、以上の例では、基板の下地膜に含まれる金属膜上に金属膜（配線）を形成していたが、基板の下地膜に含まれる金属膜上に金属以外の所望の膜を形成するようにしてもよい。また、基板の下地膜に含まれる金属膜以外の絶縁膜上に所望の膜を形成するようにしてもよい。
【００７０】
＜第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、下地膜を選択的に表面修飾する表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの気体を用いていたが、第２の実施の形態では表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの液体を用いる。
【００７１】
表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの液体を用いる場合、選択的に表面修飾される下地膜の絶縁膜は、以下の実験を行ったときに、少なくとも純水の接触角が約９０度となる膜が好ましく、下地膜の金属膜は少なくとも同接触角が７０度以下となる膜が好ましい。
【００７２】
当該実験では、各種膜のサンプルをアセトン、ＩＰＡの順で有機洗浄した後、乾燥させ、次に１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線（波長１７２ｍ）を窒素雰囲気（酸素濃度５０ｐｐｍ以下）で照射する。そして、液体のＴＭＳＤＭＡに各膜のサンプルを５秒間浸漬した後、ＰＧＭＥＡでリンスし乾燥し、その後各膜のサンプルの純水の接触角を測定する。
【００７３】
上述の試験で純水の接触角が約９０度となったもの、すなわち、表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの液体を用いて選択的に表面修飾される下地膜の絶縁膜として適した膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＡＲＣ、ＳｉＯＣ系膜、ＳＯＧ等のＳｉを含む絶縁膜や、Ｓｉ半導体膜である。
【００７４】
一方、上述の試験で純水の接触角が７０度となったもの、すなわち、表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの気体を用いる場合に下地膜の金属膜として適した膜は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、ＷＮ、Ｃｕ、Ｒｕである。
【００７５】
＜第３の実施形態＞
第１及び第２の実施の形態では、下地膜を選択的に表面修飾する表面修飾流体としてＴＭＳＤＭＡの気体または液体を用いていたが、第３の実施の形態では表面修飾流体としてジフェニルメチルジメチルアミノシラン（ＤＰＭＤＭＡＳ）の気体を用いる。ＤＰＭＤＭＡＳに含まれるジフェニルメチルシランが絶縁膜に選択的に反応するため有効である。
【００７６】
表面修飾流体としてＤＰＭＤＭＡＳの気体を用いる場合、ジフェニルメチルシランにより選択的に表面修飾される下地膜の絶縁膜は、以下の実験を行ったときに、少なくとも純水の接触角が約８０度となる膜が好ましく、下地膜の金属膜は少なくとも同接触角が７０度以下となる膜が好ましい。ジフェニルメチルシランと反応した表面は疎水性を有するからである。
【００７７】
当該実験では、各種膜のサンプルをアセトン、ＩＰＡの順で有機洗浄した後、乾燥させ、次に１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線（波長１７２ｍ）を窒素雰囲気（酸素濃度５０ｐｐｍ以下）で照射する。そして、キャリアガスとして窒素を１０Ｌ／ｍｉｎ（リットル毎分）で流している状態で、１８０℃の気化器にＤＰＭＤＭＡＳを注入して、各膜のサンプルをＤＰＭＤＭＡＳの気体に５分間晒す。この際、ウェハ及びウェハまでの配管系路は全て１２０℃に加熱する。その後、ＰＧＭＥＡでリンスし乾燥し、その後各膜のサンプルの純水の接触角を測定する。
【００７８】
上述の試験で純水の接触角が約８０度となったもの、すなわち、表面修飾流体としてＤＰＭＤＭＡＳの気体を用いる場合に選択的に表面修飾される下地膜の絶縁膜として適した膜は、ＴＭＳＤＭＡの気体を用いる場合と同様、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＡＲＣ、ＳｉＯＣ系膜、ＳＯＧ等のＳｉを含む絶縁膜や、Ｓｉ半導体膜である。
【００７９】
一方、上述の試験で純水の接触角が７０度となったもの、すなわち、表面修飾流体としてＤＰＭＤＭＡＳの気体を用いる場合に下地膜の金属膜として適した膜は、ＴＭＳＤＭＡの気体を用いる場合と同様、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、ＷＮ、Ｃｕ、Ｒｕである。
【００８０】
なお、ＤＰＭＤＭＡＳの液体は、表面修飾が完了するまでの時間、すなわち、ＤＰＭＤＭＡＳのジフェニルメチルシリル基が結合するまでに長時間を要するため、ＤＭＰＤＭＡＳを表面修飾材として用いる場合は、気体として用いることが好ましい。
【００８１】
また、本実施形態のＤＭＰＤＭＡＳのように表面修飾剤の沸点が高い場合には、加熱することにより気体として供給することが好ましく、また、ウェハまでの途中経路で結露防止のために、途中経路やウェハ本体を加熱することが好ましい。
【００８２】
また、表面修飾剤は、下地膜の絶縁膜を選択的に表面修飾しＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを用いたＤＳＡを可能とするものであり、第１〜第３の実施の形態で用いたＴＭＳＤＭＡやＤＰＭＤＭＡＳに限られず、他のＳｉ−Ｎ結合を有する有機化合物であってもよい。
【００８３】
Ｓｉを含む絶縁膜を選択的に表面修飾しＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを用いたＤＳＡを可能とする他の表面修飾剤としては、Ｓｉ−Ｎ結合を有する有機化合物であって、図８のＲ１〜Ｒ３の少なくとも１つにＰＳ構造の分子や、ＰＳ構造に似た分子（例えば、Ｃ２Ｈ４Ｃ６Ｈ５）を含むものが考えられる。また、Ｓｉ−Ｎ結合を有する有機化合物であって、図８のＲ１〜Ｒ３のうちの複数個を組み合わせてＰＳの性質をもたせたものを用いてもよい。さらに、表面修飾剤に用いるＳｉ−Ｎ結合を有する有機化合物において、アミノ基の水素原子をメチル基で置換した置換アミノ基の数は１つに限られず複数であってもよく、また、置換アミノ基はエチル基やプロピル基で置換したものであってもよいし、置換アミノ基に代えて、通常のアミノ基（水素原子が置換されていないもの）としてもよい。
反応速度の観点からは、Ｓｉ−Ｎ結合を有する有機化合物であって、図８のＲ２、Ｒ３をメチル基、Ｒ１を（Ｃ８Ｈ８）ｎ（ＣＨ２）３とすれば、Ｓｉ原子の周囲の立体障害が減少するので、反応速度を速くすることができる。
【００８４】
なお、Ｓｉを含む絶縁膜を選択的に表面修飾する際、疎水化するのではなく親水化するようにしてもよい。この場合は、表面修飾剤としては、Ｓｉ−Ｎ結合を有する有機化合物であって図８のＲ１〜Ｒ３の少なくとも１つにＰＭＭＡに近い構造の分子を含むものを用いることができる。
【００８５】
＜第４の実施の形態＞
第１〜第３の実施の形態では、下地膜の絶縁膜を選択的に表面修飾していたが、第４の実施の形態では、下地膜の金属膜を選択的に表面修飾する。
下地膜の金属膜を選択的に表面修飾する表面修飾剤としては、絶縁膜を表面修飾せずに金属のみ表面修飾する官能基を有する有機化合物、例えばアルキルチオール、アルキルセレノレート、ジアルキルジセレニド、アルキルテルロレート等を用いることができる。
アルキルチオールの具体例としては、オクタデカンチオールが挙げられる。
【００８６】
本実施形態における下地膜の金属膜には、金膜や銀膜を用いることができる。
また、本実施形態の表面修飾剤は、液体であっても気体であってもよい。
【００８７】
＜第１〜第４の実施の形態の変形例＞
表面修飾剤は、気体として用いる場合は、その供給量調節性や取扱性を向上させるために、当該表面修飾剤や表面修飾対象表面とは反応しない有機溶剤で希釈して用いてもよい。
また、表面修飾剤は、１種類だけでなく複数種類を含んでいてもよい。例えば、絶縁膜を選択的に表面修飾する表面修飾剤の液体と、金属膜を選択的に表面修飾する表面修飾剤の液体とを混合させた液体を気化して選択的表面修飾に用いてもよい。
【００８８】
絶縁膜を選択的に表面修飾する表面修飾剤と金属膜を選択的に表面修飾する表面修飾剤とを別々に気化させて、気化したものを混合して選択的表面修飾に用いてもよいし、気化したものを順番に供給してもよい。
【００８９】
さらに、絶縁膜及び金属膜のいずれか一方を選択的に表面色する表面修飾剤として、２種類以上の表面修飾剤を供給してもよい。例えば、ＤＰＭＤＭＡＳとＴＭＳＤＭＡは共に絶縁膜に反応し、金属表面とは反応し難いので、これらＤＰＭＤＭＡＳとＴＭＳＤＭＡの両方を供給することとし、供給の順番を立体障害が大きくて反応し難いＤＰＭＤＭＡＳを先に供給し、その後に立体障害が小さくて反応し易いＴＭＳＤＭＡを供給することで、絶縁膜に目的とする表面改質を行うことができる。
【００９０】
＜第５の実施の形態＞
図９は、第５の実施形態に係るウェハ処理時のウェハの様子を示す図であり、図９（Ａ）〜（Ｅ）はウェハの上面を示し、図９（ａ）〜（ｅ）は、図９（Ａ）〜（Ｅ）に対応するものであり、ウェハ中心部の断面を示す。
【００９１】
第５の実施形態に係るウェハ処理は、第１の実施形態に係るウェハ処理のポリマー分離工程まで同じである。図９（Ａ）及び図９（ａ）に示すように、ポリマー分離後のウェハＷでは、ＰＳ４０５が、下地膜の絶縁膜４０２の形状に対応した直線状に形成され、ＰＭＭＡ４０４が、ＰＳ４０５とＰＳ４０５との間に位置するように、下地膜の金属膜４０１の形状に対応した直線状に形成される。このように下地膜の形状に対応した形状にＰＳ４０５やＰＭＭＡ４０４が形成されるのは、絶縁膜４０２がトリメチルシリル基によって表面修飾され、絶縁膜４０２の表面がＰＳの状態に近くなっているからである。
【００９２】
ここで、相分離後のＰＳ４０５の表面は当然ＰＳであるため、相分離後のＰＳ４０５の表面は表面修飾された絶縁膜４０２と同様の状態にある。
したがって、相分離後のウェハＷに、ブロック共重合体塗布装置３１からＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを再塗布し、ポリマー分離装置４２により所定の温度で熱処理を行うと、再塗布されたＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡは先に相分離されたＰＳ４０５の形状に合わせて相分離される。言い換えると、ブロック共重合体塗布装置３１からＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを再塗布し、ポリマー分離装置４２により所定の温度で熱処理を行うと、図９（Ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、絶縁膜４０２の形状と同一の形状を有するＰＭＭＡの二重の積層膜５０１と、金属膜４０１の形状と同一の形状を有するＰＳの二重の積層膜５０２とが形成される。
【００９３】
同様に、ブロック共重合体塗布装置３１からＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡをさらに再塗布し、ポリマー分離装置４２により所定の温度で熱処理を行うと、図９（Ｃ）及び図９（ｃ）に示すように、絶縁膜４０２の形状と同一の形状を有するＰＭＭＡの三重の積層膜５０３と、金属膜４０１の形状と同一の形状を有するＰＳの三重の積層膜５０４とが形成される。
【００９４】
そして、紫外線照射装置４３によって紫外線をウェハＷに照射し、三重の積層膜５０４のＰＭＭの結合鎖を切断すると共に、三重の積層膜５０３のＰＳ４０５を架橋反応させる。その後、有機溶剤供給装置３０から極性有機溶剤をウェハＷに供給し、これにより結合鎖が切断されたＰＭＭＡの積層膜５０３が有機溶剤により溶解され、ウェハＷから３層分のＰＭＭＡがまとめて選択的に除去される。その結果、図９（Ｄ）及び図９（ｄ）に示すように、ＰＳの三重の積層膜５０４により深いラインパターン５０５が形成される。
【００９５】
その後、金属膜形成装置３において、ラインパターン５０５が形成されたウェハＷ上に金属膜がＰＶＤにより堆積され、適宜不要な金属膜がＣＭＰにより除去され、ＰＳの三重の積層膜５０４がエッチングされ、図９（Ｅ）及び図９（ｅ）に示すように、厚い金属膜５０６が絶縁膜４０２より突出する形状となる。
【００９６】
本実施の形態では、相分離されたポリマーの除去及び配線用の金属膜すなわち所望の膜の形成をまとめて行うため、厚い配線（金属膜）を形成する際に短時間で形成することができる。
【００９７】
＜参考例＞
参考例のウェハ処理では、まず、最初にウェハの表面を所望の形状に表面修飾し、前述のブロック共重合体を用いたＤＳＡが可能な状態とする。この表面修飾には従来の技術を用いることができる。
【００９８】
そして、ブロック共重合体塗布装置を用いて、ウェハの表面修飾された表面／塗布面に、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡなどの第１のポリマーと第２のポリマーからなるブロック共重合体を塗布する。
【００９９】
続いて、ブロック共重合体が塗布されたウェハに対して。ポリマー分離装置を用いて所定の温度で熱処理を行い、第１のポリマーと第２のポリマーに相分離する。
【０１００】
その後、いずれのポリマーも除去しないで、相分離後のウェハに、ブロック共重合体塗布装置を用いて上記ブロック共重合体を再塗布し、再度ポリマー分離装置を用いて所定の温度で熱処理を行うと、所望の形状を有する第１のポリマーの２重の積層膜と、別の所望の形状を有する第２のポリマーの２重の積層膜が得られる。
【０１０１】
さらに、ブロック共重合体の再塗布と、相分離を繰り返すと、さらに厚い所望の形状を有する第１のポリマーの積層膜及び別の所望の形状を有する第２のポリマーの積層膜が得られる。
【０１０２】
そして、第１のポリマーの積層膜または第２のポリマーの積層膜のいずれかを紫外線照射装置及び有機溶剤供給装置などを用いて選択的に除去する。
【０１０３】
残されたいずれかの積層膜を用いて、例えば、前述の第５の実施形態のように所望の膜を形成することができる。また、残されたいずれかの積層膜をマスクとして用いてエッチングをしてもよい。エッチングを行う場合、積層膜がマスクとなるため、すなわち、マスクが厚いため、エッチング耐性を高くすることができる。
【０１０４】
以上の説明では、ライン＆スペースパターンを形成する例で説明したが、本発明はホールパターンを形成する場合にも適用することができる。
【０１０５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は、微細なパターンから成る下地膜上に該下地膜に合わせて所望の膜を形成する際に有用である。
【符号の説明】
【０１０７】
１…基板処理システム
２…パターン形成装置
３…金属膜形成装置
４…絶縁膜形成装置
３０…有機溶剤供給装置
３１…ブロック共重合体塗布装置
４１…表面修飾装置
４２…ポリマー分離装置
４３…紫外線照射装置
３００…制御部
４０１…金属膜
４０２…絶縁膜
４０３…ブロック共重合体
４０４…ＰＭＭＡ
４０５…ＰＳ
４０６…ラインパターン
４０７…金属膜
４０８…絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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