(57)【要約】【課題】  コーティング膜の成膜工程の煩雑化を排除し、時間短縮による工数低減及びコストダウン、更には、高性能水準を有するダハプリズムの低廉化を実現するとともに、ダハプリズムの均質性（品質）を高める。【解決手段】  フェーズコート３の層膜数を、四〜六層膜の範囲とし、かつ誘電体として、光学ガラスＧよりも屈折率ｎが小となる第一誘電体ＤＬ及び光学ガラスＧよりも屈折率ｎが大となる第二誘電体ＤＨを使用し、第二誘電体ＤＨが最外郭に位置することを条件にして、第一誘電体ＤＬと第二誘電体ＤＨを交互に積層するとともに、光学ガラスＧの屈折率ｎが１．５〜１．９の範囲となり、かつダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θが４５〜６５°の範囲及び光波長帯の幅が少なくとも３００ｎｍの範囲の双方を満たすことを条件に、位相差がπに対して１０％以下となるフェーズコート３を施す。【選択図】  図１
2018105937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学ガラスを用いたプリズム本体における直角関係に形成した一対のダハ面に所定の誘電体を用いたフェーズコートを施してなるダハプリズムにおいて、前記フェーズコートの層膜数を、四〜六層膜の範囲とし、かつ前記誘電体として、前記光学ガラスよりも屈折率が小となる第一誘電体及び前記光学ガラスよりも屈折率が大となる第二誘電体を使用し、前記第二誘電体が最外郭に位置することを条件にして、前記第一誘電体と前記第二誘電体を交互に積層するとともに、前記光学ガラスの屈折率が１．５〜１．９の範囲となり、かつ前記ダハ面に対する光の入射角度が４５〜６５〔°〕の範囲及び光波長帯の幅が少なくとも３００〔ｎｍ〕の範囲の双方を満たすことを条件に、ダハ面の反射前後に生じる偏光の垂直成分と平行成分の位相差がπに対して１０〔％〕以下となるフェーズコートを施してなることを特徴とするダハプリズム。
【請求項２】
前記ダハ面に対する光の光波長帯は、少なくとも可視光域の４００〜７００〔ｎｍ〕の範囲を含むことを特徴とする請求項１記載のダハプリズム。
【請求項３】
前記第一誘電体には、少なくとも弗化マグネシウムを含むことを特徴とする請求項１記載のダハプリズム。
【請求項４】
前記第二誘電体には、少なくとも、酸化ジルコニウム，酸化チタンの一つを含むことを特徴とする請求項１又は３記載のダハプリズム。
【請求項５】
前記プリズム本体には、少なくとも、アミチプリズム本体，ペシャンプリズム本体，又はアッベ・ケーニッヒプリズム本体の一つを含むことを特徴とする請求項１記載のダハプリズム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学ガラスを用いたプリズム本体における直角関係となる一対のダハ面に所定の誘電体を用いたフェーズコートを施してなるダハプリズムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、対物レンズを利用する観察用の光学機器では観察像が反転してしまうため、光路に介在させたダハプリズム（ルーフプリズム）を通して正立正像に再反転させている。しかし、ダハプリズムは、光学ガラスを用いたプリズム本体における稜線の両側に直角関係となる一対のダハ面を有するため、反射前後に生じる偏光の垂直成分（Ｐ成分）と平行成分（Ｓ成分）の位相差により画像が劣化する問題があり、通常、ダハ面に多層膜構成の誘電体を用いたフェーズコートを施すことにより位相差により生じる画像の劣化に対処している。
【０００３】
従来、このようなフェーズコートを施したダハプリズムとしては、特許文献１で開示されるダハプリズムが知られている。同文献１で開示されるダハプリズムは、位相差の変化を抑制し、波面収差の劣化を抑えて観察像の性能を向上させることを目的としたものであり、具体的には、呼び面角９０°で交わる一対の反射面を有するダハプリズムにおいて、当該一対の反射面に、誘電体を用いた多層膜、より詳細には９層膜が付され、この９層膜は、４７．７４〜４９．７４°の入射角でダハプリズムの一対の反射面のそれぞれに入射する光束の反射の前後におけるｐ偏光成分とｓ偏光成分の位相差の変化量が９０°以内となるように抑制する性質を備えるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３２６７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述した従来におけるダハプリズムは、次のような問題点があった。
【０００６】
即ち、この種のダハプリズムは、直角関係となる一対のダハ面に誘電体を用いたコーティング膜を多層形成しているため、同様の目的に用いるポロプリズムなどに比べて小型コンパクト化を図れる反面、製造工程が煩雑になり、しかも、ダハ面における一定水準以上となる像の明るさや解像度を確保する必要があるため、高い製造精度も要求されるなど、結果的に、相当に高価となる難点がある。したがって、ダハプリズムの場合、一定の水準以上のプリズム性能を確保しつつ如何に製造コストを低減できるかが最も大きな課題の一つとなっている。
【０００７】
特に、従来のダハプリズムとして代表される特許文献１のダハプリズムは、フェーズコートを構成するコーティング膜が９層膜にも及んでしまうため、コーティング膜の成膜工程の煩雑化及び長時間化が無視できない。結局、特許文献１のダハプリズムは、製造工数の大幅な増加に伴うコストアップが避けられないとともに、品質及び精度の高い高水準の製造設備を確保したとしても９層膜にも及ぶバラツキの累積による全体の均質性（品質）低下も避けられない。
【０００８】
本発明は、このような背景技術に存在する課題を解決したダハプリズムの提供を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るダハプリズム１は、上述した課題を解決するため、光学ガラスＧを用いたプリズム本体１ｍにおける直角関係に形成した一対のダハ面２ｐ，２ｑに所定の誘電体を用いたフェーズコート３を施してなるダハプリズムを構成するに際して、フェーズコート３の層膜数を、四〜六層膜（３ｘ，３ｙ，３ｚ）の範囲とし、かつ誘電体として、光学ガラスＧよりも屈折率ｎが小となる第一誘電体ＤＬ及び光学ガラスＧよりも屈折率ｎが大となる第二誘電体ＤＨを使用し、第二誘電体ＤＨが最外郭に位置することを条件にして、第一誘電体ＤＬと第二誘電体ＤＨを交互に積層するとともに、光学ガラスＧの屈折率ｎが１．５〜１．９の範囲となり、かつダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θが４５〜６５〔°〕の範囲及び光波長帯の幅が少なくとも３００〔ｎｍ〕の範囲の双方を満たすことを条件に、ダハ面２ｐ，２ｑの反射前後に生じる偏光の垂直成分と平行成分の位相差がπに対して１０〔％〕以下となるフェーズコートを施してなることを特徴とする。
【００１０】
この場合、発明の好適な形態により、ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの光波長帯には、少なくとも可視光域の４００〜７００〔ｎｍ〕の範囲を含ませることができる。また、第一誘電体ＤＬには、少なくとも弗化マグネシウムを含ませることができるとともに、第二誘電体ＤＨには、少なくとも、酸化ジルコニウム，酸化チタンの一つを含ませることができる。さらに、プリズム本体１ｍには、少なくとも、アミチプリズム本体１ｍａ，ペシャンプリズム本体１ｍｐ，又はアッベ・ケーニッヒプリズム本体１ｍｋの一つを含ませることができる。
【発明の効果】
【００１１】
このような構成を有する本発明に係るダハプリズム１によれば、次のような顕著な効果を奏する。
【００１２】
（１）  基本構成として、フェーズコート３の層膜数を四〜六層膜（３ｘ，３ｙ，３ｚ）の範囲とし、かつ誘電体として、光学ガラスＧよりも屈折率ｎが小となる第一誘電体ＤＬ及び光学ガラスＧよりも屈折率ｎが大となる第二誘電体ＤＨを使用し、第二誘電体ＤＨが最外郭に位置することを条件にして、第一誘電体ＤＬと第二誘電体ＤＨを交互に積層するとともに、光学ガラスＧの屈折率ｎが１．５〜１．９の範囲となり、かつダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θが４５〜６５〔°〕の範囲及び光波長帯の幅が少なくとも３００〔ｎｍ〕の範囲の双方を満たすことを条件に位相差がπに対して１０〔％〕以下となるフェーズコート３を施してなるため、ダハプリズム１としての十分な性能を確保しつつフェーズコート３を構成するコーティング膜の層膜数を従来の代表的なダハプリズムに対してほぼ半減させることができる。これにより、コーティング膜の成膜工程の煩雑化を排除し、時間短縮による工数低減及びコストダウン、更には、高性能水準を有するダハプリズムの低廉化を実現できるとともに、ダハプリズム１の均質性（品質）をより高めることができる。
【００１３】
（２）  好適な態様により、ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの光波長帯に、少なくとも可視光域の４００〜７００〔ｎｍ〕の範囲を含ませれば、ダハプリズム１として必要な光学性能を得る観点から十分な波長帯域をカバーできるため、高水準の性能を有するダハプリズム１を確保できる。
【００１４】
（３）  好適な態様により、第一誘電体ＤＬに、少なくとも弗化マグネシウムを含ませれば、光学ガラスＧに対して屈折率ｎが小となる条件を満たす各種の第一誘電体ＤＬを選択できることに加え、特に、マイナー素材の範疇ではない汎用性の高い誘電体素材を使用できるため、製造の容易性及び低コスト性を確保できる。
【００１５】
（４）  好適な態様により、第二誘電体ＤＨに、少なくとも、酸化ジルコニウム，酸化チタンの一つを含ませれば、光学ガラスＧに対して屈折率ｎが大となる条件を満たす各種の第二誘電体ＤＨを選択できることに加え、特に、マイナー素材の範疇ではない汎用性の高い誘電体素材を使用できるため、第一誘電体ＤＬとして用いた弗化マグネシウムと同様に、製造の容易性及び低コスト性を確保できる。
【００１６】
（５）  好適な態様により、プリズム本体１ｍには、少なくとも、アミチプリズム本体１ｍａ，ペシャンプリズム本体１ｍｐ，又はアッベ・ケーニッヒプリズム本体１ｍｋの一つを適用できるなど、主要なダハプリズムをカバーできる汎用性の高い発明として利用、更には応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の好適実施形態に係るダハプリズム（アミチプリズム）の一部抽出拡大図を含む図３中Ａ−Ａ線断面図、
【図２】同ダハプリズムの光路を示した斜視図、
【図３】同ダハプリズムの光路を示した側面図、
【図４】同ダハプリズムの光路を示した正面図、
【図５】同ダハプリズムの使用例を示すアングルファインダの原理構成図、
【図６】同ダハプリズムに四層膜のフェーズコートを適用した場合の入射角度と光学ガラス屈折率をパラメータとした光波長に対する位相差の変化特性図、
【図７】同ダハプリズムに五層膜のフェーズコートを適用した場合の入射角度と光学ガラス屈折率をパラメータとした光波長に対する位相差の変化特性図、
【図８】同ダハプリズムに六層膜のフェーズコートを適用した場合の入射角度と光学ガラス屈折率をパラメータとした光波長に対する位相差の変化特性図、
【図９】本発明の変更実施形態に係るダハプリズム（ペシャンプリズム）の斜視図と側面図、
【図１０】本発明の他の変更実施形態に係るダハプリズム（アッベ・ケーニッヒプリズム）の斜視図と側面図、
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明に係る好適実施形態を挙げ、図面に基づき詳細に説明する。
【００１９】
まず、本実施形態に係るダハプリズム１の構成について、図１〜図５を参照して説明する。
【００２０】
図１〜図５には、ダハプリズム１の一例としてアミチプリズム１ａを示す。このアミチプリズム１ａは、図１に示すように、光学ガラスＧを用いて形成したアミチプリズム本体１ｍａ（プリズム本体１ｍ）を備える。アミチプリズム本体１ｍａは、直角関係となる一対のダハ面２ｐ，２ｑを有し、この各ダハ面２ｐ，２ｑに、所定の誘電体を用いたフェーズコート３を施して構成する。これにより、各ダハ面２ｐ，２ｑは、基本的に全反射面となる。
【００２１】
アミチプリズム本体１ｍａの形成素材には、各種の光学ガラスＧを利用可能であり、例えば、光学ガラスＧとして一般に広く使用されている屈折率ｎが１．５１６３３のＢＫ−７（商品名（コードナンバ））や屈折率ｎが１．５６８８３のＢａＫ４（商品名（コードナンバ））等を使用することができる。この場合、光学ガラスＧに対する屈折率ｎの条件としては、１．５〜１．９の範囲を満たすことを条件とする。このように、光学ガラスＧに対する屈折率ｎの条件としては、１．５〜１．９の範囲を満たすことにより、視野角を広く設定できる利点がある。したがって、基本的には、後述する位相差等の他の条件を満たすことができる屈折率ｎを有するコストメリットの高い光学ガラス素材を選定し、屈折率ｎを確保できない場合には、屈折率ｎを確保できる高屈折率ガラスを選定することができる。
【００２２】
一方、実施形態に係るフェーズコート３はコーティング膜の層膜数を特定している。具体的には、フェーズコート３として、図１（ａ）に示す四層膜３ｘ，同図（ｂ）に示す五層膜３ｙ，又は同図（ｃ）に示す六層膜３ｚのいずかを選択する。この場合、層膜数が少ないほど、コストメリットの面で有利になるが画質の面で不利になり、反対に、層膜数が多いほど、コストメリットの面で不利になるが画質の面で有利になる。したがって、四層膜３ｘ〜六層膜３ｚの範囲は、本発明の目的を達成する観点から、一定水準の画質を確保できること、及び十分なコストメリットを確保できること、の双方の要求を満たす層膜数の範囲として設定したものである。
【００２３】
さらに、フェーズコート３に用いる所定の誘電体には、第一誘電体ＤＬと第二誘電体ＤＨを用いる。この場合、第一誘電体ＤＬは、上述した光学ガラスＧよりも屈折率ｎが小となる誘電体であり、第二誘電体ＤＨは、光学ガラスＧよりも屈折率ｎが大となる誘電体である。したがって、第一誘電体ＤＬと第二誘電体ＤＨには、このような条件を満たす様々な種類の誘電体を利用可能である。
【００２４】
実施形態では、第一誘電体ＤＬとして、屈折率ｎが１．３８５の弗化マグネシウム（ＭｇＦ２）を使用した。第一誘電体ＤＬとして、このような弗化マグネシウムを用いれば、特に、マイナー素材の範疇ではない汎用性の高い誘電体素材を使用できるため、製造の容易性及び低コスト性を確保できる。また、第二誘電体ＤＨとしては、屈折率ｎが２．１の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）を使用した。第二誘電体ＤＨとして、このような酸化ジルコニウムを用いれば、特に、マイナー素材の範疇ではない汎用性の高い誘電体素材を使用できるため、第一誘電体ＤＬとして用いた弗化マグネシウムと同様に、製造の容易性及び低コスト性を確保できる。
【００２５】
そして、フェーズコート３を成膜するに際しては、第二誘電体ＤＨが最外郭に位置することを条件にして、第一誘電体ＤＬと第二誘電体ＤＨを交互にコーティング（積層）する。即ち、四層膜３ｘの場合、図１（ａ）に示すように、アミチプリズム本体１ｍａのガラス表面側から空気側に、ＤＬ＋ＤＨ＋ＤＬ＋ＤＨ［最外郭］の順に四層にわたって成膜処理する。また、五層膜３ｙの場合、図１（ｂ）に示すように、アミチプリズム本体１ｍａのガラス表面側から空気側に、ＤＨ＋ＤＬ＋ＤＨ＋ＤＬ＋ＤＨ［最外郭］の順に五層にわたって成膜処理する。さらに、六層膜３ｚの場合、図１（ｃ）に示すように、アミチプリズム本体１ｍａのガラス表面側から空気側に、ＤＬ＋ＤＨ＋ＤＬ＋ＤＨ＋ＤＬ＋ＤＨ［最外郭］の順に六層にわたって成膜処理する。なお、成膜処理に際しては、真空蒸着法やスパッタ法を含む物理的気相法（ＰＶＤ）をはじめ、公知の各種成膜方法を利用することができる。
【００２６】
一方、ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θは、４５〜６５〔°〕の範囲を満たすことを条件とする。ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θは、ダハ面２ｐ，２ｑの法線Ｍｎｐ，Ｍｎｑに対する入射する光Ｃの角度である。アミチプリズム１ａの場合、ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θは、６０〔°〕となる。
【００２７】
即ち、アミチプリズム１ａの場合、図２〜図４に示すように、入射面Ｆｉに対して直角方向となる水平方向から入射した光Ｃは、最初にダハ面２ｐで反射する。この場合、図３（側面図）に示すように、ダハ面２ｐに対する光Ｃの進入角度θｉは、ダハ面２ｐと２ｑにより形成される稜線Ｍｒに対して４５〔°〕となる。そして、ダハ面２ｐでは、入射角度θにより反射する。この入射角度θが、ダハ面２ｐの法線Ｍｎｐに対する入射する光Ｃの角度となり、アミチプリズム１ａの場合、６０〔°〕となる。ダハ面２ｐで反射した光Ｃは、この後、ダハ面２ｑで反射する。ダハ面２ｑでも入射角度θにより反射する。この入射角度θが、ダハ面２ｑの法線Ｍｎｑに対する入射する光Ｃの角度となり、アミチプリズム１ａの場合、６０〔°〕となる。ダハ面２ｑを反射した光Ｃは、入射面Ｆｉに対して直角関係により形成した出射面Ｆｏから、直角方向となる垂直方向（図３中の上方向）に出射する。
【００２８】
他のダハプリズム、例えば、後述の変更実施形態で示すペシャンプリズム１ｐの場合、進入角度θｉは２２．５〔°〕になり、入射角度θは４９．２１〔°〕になるとともに、アッベ・ケーニッヒプリズム１ｋの場合、進入角度θｉは３０〔°〕になり、入射角度θは５２．２４〔°〕になる。したがって、ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θが４５〜６５〔°〕の範囲を満たすことにより、代表的なダハプリズムをカバーすることになる。
【００２９】
加えて、本実施形態に係るダハプリズム１（アミチプリズム１ａ）の場合、ダハ面２ｐ，２ｑに入射する光Ｃの波長帯の幅が少なくとも３００〔ｎｍ〕の範囲を満たすことを条件にする。実施形態では、主波長として５００〔ｎｍ〕を設定し、これにより、４００〜７００〔ｎｍ〕（波長帯：３００〔ｎｍ〕）の可視光域に対して検討した。このように、ダハ面２ｐ，２ｑに入射する光Ｃの波長帯として、少なくとも可視光域の４００〜７００〔ｎｍ〕の範囲を含ませれば、ダハプリズム１として必要な光学性能を得る観点から十分な波長帯域をカバーできるため、高水準の性能を有するダハプリズム１を確保できる利点がある。
【００３０】
以上の条件のもと、本実施形態では、ダハ面２ｐ，２ｑの反射前後に生じる偏光の垂直成分と平行成分の位相差が、πに対して目標とする１０〔％〕以下となるように、フェーズコート３を施した。ところで、一般に、ダハプリズムにおける位相差は、πに近付けるに従って改善できることが知られている。したがって、位相差をπ〔ｒａｄ〕にした場合、位相差を理論上ゼロにできる。本実施形態（本発明）では、この原理に着目して、位相差がπに対して１０〔％〕以下の条件を設定したものであり、具体的には、本発明の目的を達成する観点から、一定水準の画質を確保できること、及び十分なコストメリットを確保できること、の双方の要求を満たす位相差としてπに対して１０〔％〕以下の条件を設定したものである。この場合、位相差１０〔％〕は、角度（ラジアン）に変換した場合、０．３〔ｒａｄ〕となる。即ち、位相差〔ｒａｄ〕をπで割った値がパーセント表示の位相差となる。したがって、パーセント表示の位相差が０〔％〕に近付くに従ってπに近付くことになる。
【００３１】
なお、このようなアミチプリズム１ａの使用例を図５に示す。図５はアングルファインダ１０の原理構成を示している。アングルファインダ１０は、一眼レフカメラ等の接眼部に装着して使用するものであり、撮影者（観察者）Ｈは、上から下方を見ることによりローアングルで撮影することができる。例示のアングルファインダ１０は、図５に示すように、アミチプリズム１ａを内蔵し、このアミチプリズム１ａの入射面Ｆｉの前方に対物レンズ群１１を配設するとともに、アミチプリズム１ａの出射面Ｆｏの後方に接眼レンズ群１２を配設して構成する。これにより、撮影者Ｈは、対物レンズ群１１，アミチプリズム１ａ，接眼レンズ群１２を通して、被写体Ｏの正立正像を見ることができる。なお、アミチプリズム１ａを通さない、通常の反射ミラーの場合には、撮影者Ｈは、被写体Ｏの左右反転像を見ることになるが、アミチプリズム１ａを通すことにより、撮影者Ｈは、被写体Ｏの正立正像を見ることができる。
【実施例】
【００３２】
次に、本実施形態に係るダハプリズム１（アミチプリズム１ａ）の具体的な実施例について、図６〜図９を参照して説明する。
【００３３】
実施例として、四層膜３ｘを形成する望ましいディメンションを［表１］に、また、五層膜３ｙを形成する望ましいディメンションを［表２］に、さらに、六層膜３ｚを形成する望ましいディメンションを［表３］にそれぞれ示した。
【００３４】
【表１】
2018105937.tif 000003
【００３５】
【表２】
2018105937.tif 000004
【００３６】
【表３】
2018105937.tif 000005
【００３７】
［表１］，［表２］及び［表３］は、入射角度θを、「４９．２１〔°〕」，「５２．２３〔°〕」，「６０〔°〕」に設定した際における、屈折率ｎが、「１．５」，「１．６」，「１．７」，「１．８」，「１．９」のときの必要な各層の光学膜厚〔ｎｍ〕を示すとともに、このときに生じる位相差を示したものである。
【００３８】
一方、図６〜図８は、［表１］，［表２］及び［表３］のディメンションに基づく四層膜３ｘ，五層膜３ｙ，六層膜３ｚの各フェーズコート３をそれぞれ適用した場合の入射角度θと光学ガラスＧの屈折率ｎをパラメータとした光波長（４００〜７００〔ｎｍ〕）に対する位相差の変化特性をそれぞれ示している。したがって、実施例は、四層膜３ｘ，五層膜３ｙ，六層膜３ｚの各フェーズコート３を施したアミチプリズム１ｘが本発明の成立条件を満たすか否かの検証も含まれる。
【００３９】
実施例の結果によれば、四層膜３ｘの場合、［表１］及び図６から明らかなように、入射角度θが４９．２１〔°〕であって、光学ガラスＧの屈折率ｎが「１．５」及び「１．６」のときは、位相差がπに対して０．３〔ｒａｄ〕（１０〔％〕）を越えるため、発明の成立条件を満たさないが、屈折率ｎが「１．７」〜「１．９」のときは、位相差がπに対して０．３〔ｒａｄ〕（１０〔％〕）を越えることはなく、発明の成立条件を満たしている。また、入射角度θが５２．２３〔°〕であって、光学ガラスＧの屈折率ｎが、「１．５」の場合は、入射角度θが４９．２１〔°〕の場合と同様に、位相差がπに対して０．３〔ｒａｄ〕（１０〔％〕）を越えるため、発明の成立条件を満たさないが、屈折率ｎが、「１．６」〜「１．９」の場合は、位相差がπに対して０．３〔ｒａｄ〕（１０〔％〕）を越えることはなく、発明の成立条件を満たしている。さらに、入射角度θが６０〔°〕のときは、光学ガラスＧの全ての屈折率ｎ「１．５」〜「１．９」において位相差がπに対して０．３〔ｒａｄ〕（１０〔％〕）を越えることはなく、発明の成立条件を満たしている。このように、四層膜３ｘでは、［表１］における太点線で囲った範囲の条件が本発明の成立条件を満たしている。
【００４０】
五層膜３ｙの場合、［表２］及び図７から明らかなように、入射角度θが、４９．２１〔°〕，５２．２３〔°〕及び６０〔°〕の全ての角度において、光学ガラスＧの各屈折率「１．５」〜「１．９」における位相差がπに対して０．３〔ｒａｄ〕（１０〔％〕）を越えることはなく、発明の成立条件を満たしている。このように、五層膜３ｙの場合には、［表２］における太点線で囲った全ての範囲の条件が本発明の成立条件を満たしている。
【００４１】
六層膜３ｚの場合、［表３］及び図８から明らかなように、入射角度θが、４９．２１〔°〕，５２．２３〔°〕及び６０〔°〕の全ての角度において、光学ガラスＧの各屈折率「１．５」〜「１．９」における位相差がπに対して０．３〔ｒａｄ〕（１０〔％〕）を越えることはなく、発明の成立条件を満たしている。このように、六層膜３ｚの場合には、［表３］における太点線で囲った全ての範囲の条件が本発明の成立条件を満たしている。
【００４２】
［表１］〜［表３］に示すように、［表２］に示す五層膜３ｙ及び［表３］に示す六層膜３ｚについては、いずれも入射角度θが、４９．２１〔°〕，５２．２３〔°〕及び６０〔°〕の全ての角度において、光学ガラスＧの各屈折率ｎ「１．５」〜「１．９」全ての位相差がπに対して本発明の成立条件である１０〔％〕以下となる。一方、［表１］に示す四層膜３ｘについては、屈折率ｎ「１．５」及び「１．６」において、一部の入射角度θ、即ち、４９．２１〔°〕と５２．２３〔°〕では、位相差がπに対して本発明の成立条件となる１０〔％〕以下を満たさないが、屈折率ｎが「１．６」以上（又は「１．７」以上）の光学ガラスＧを使用することにより、位相差がπに対して本発明の成立条件となる１０〔％〕以下を満たすことができる。したがって、四層膜３ｘでは、ややコスト面で不利になるものの本発明の範囲に十分に包含させることができる。
【００４３】
このように、本実施形態に係るアミチプリズム１ａ（ダハプリズム１）は、基本構成として、フェーズコート３の層膜数を四〜六層膜（３ｘ，３ｙ，３ｚ）の範囲とし、かつ誘電体として、光学ガラスＧよりも屈折率ｎが小となる第一誘電体ＤＬ及び光学ガラスＧよりも屈折率ｎが大となる第二誘電体ＤＨを使用し、第二誘電体ＤＨが最外郭に位置することを条件にして、第一誘電体ＤＬと第二誘電体ＤＨを交互に積層するとともに、光学ガラスＧの屈折率ｎが１．５〜１．９の範囲となり、かつダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θが４５〜６５〔°〕の範囲を満たすことを条件に位相差がπに対して１０〔％〕以下となるフェーズコート３を施してなるため、ダハプリズム１としての十分な性能を確保しつつフェーズコート３を構成するコーティング膜の層膜数を従来の代表的なダハプリズムに対してほぼ半減させることができる。これにより、コーティング膜の成膜工程の煩雑化を排除し、時間短縮による工数低減及びコストダウン、更には、高性能水準を有するダハプリズム１の低廉化を実現できるとともに、ダハプリズム１の均質性（品質）をより高めることができる。
【００４４】
さらに、図９には、本発明の変更実施形態に係るダハプリズム１の斜視図（ａ）と側面図（ｂ）をそれぞれ示すとともに、図１０には、本発明の他の変更実施形態に係るダハプリズム１の斜視図（ａ）と側面図（ｂ）をそれぞれ示す。図９は、ダハプリズム１として、ペシャンプリズム１ｐを用いた例を示すとともに、図１０は、ダハプリズム１として、アッベ・ケーニッヒプリズム１ｋを用いた例を示す。
【００４５】
図９に示すペシャンプリズム１ｐは、ダハプリズム１に加え、入射面Ｆｉの手前に補助プリズム１ｓを備えている。このペシャンプリズム１ｐは、光学ガラスＧを用いたペシャンプリズム本体１ｍｐにおける直角関係に形成した一対のダハ面２ｐ，２ｑに図１と同様の誘電体を用いたフェーズコート３を有しており、双眼鏡等に用いられる。ペシャンプリズム１ｐの場合、前述したように、進入角度θｉは２２．５〔°〕になり、入射角度θは４９．２１〔°〕になる。なお、ダハ面２ｐ，２ｑ及びフェーズコート３の構成及び機能（作用）は、図１〜図８に示したアミチプリズム１ａと同じである。このため、図９における図１〜図４と同一の部分には同一符号を付して、その構成を明確にするとともに、その詳細な説明は省略する。
【００４６】
図１０に示すアッベ・ケーニッヒプリズム１ｋは、光学ガラスＧを用いたプリズム本体１ｍｋにおける直角関係に形成した一対のダハ面２ｐ，２ｑに図１と同様の誘電体を用いたフェーズコート３を有している。アッベ・ケーニッヒプリズム１ｋの場合、前述したように、進入角度θｉは３０〔°〕になり、入射角度θは５２．２４〔°〕になる。なお、ダハ面２ｐ，２ｑ及びフェーズコート３の構成及び機能（作用）は、図１〜図８に示したアミチプリズム１ａと同じである。このため、図１０における図１〜図４と同一の部分には同一符号を付して、その構成を明確にするとともに、その詳細な説明は省略する。
【００４７】
このように、アミチプリズム１ａ，ペシャンプリズム１ｐ及びアッベ・ケーニッヒプリズム１ｋは、ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの入射角度θが４５〜６５〔°〕の範囲を満たしており、４５〜６５〔°〕の範囲を満たす入射角度θは、代表的なダハプリズムをカバーすることになる。本発明に係るダハプリズム１におけるプリズム本体１ｍには、少なくとも、アミチプリズム本体１ｍａ，ペシャンプリズム本体１ｍｐ，アッベ・ケーニッヒプリズム本体１ｍｋのいずれか一つを含ませることができるため、各種のダハプリズムに適用できるなど、汎用性の高い発明として利用及び応用することができる。
【００４８】
以上、好適実施形態（変更実施形態）について詳細に説明したが、本発明は、このような実施形態に限定されるものではなく、細部の構成，形状，素材，数量，数値等において、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更，追加，削除することができる。
【００４９】
例えば、光学ガラスＧとして、ＢＫ−７，ＢａＫ４を例示したが、屈折率ｎとして、１．５〜１．９の範囲を満たす他の各種光学ガラスを用いることができる。また、第一誘電体ＤＬとして、弗化マグネシウムを一例として示したが、光学ガラスＧよりも屈折率ｎが小となる他の各種誘電体を用いることができるとともに、第二誘電体ＤＨとして、酸化ジルコニウムを一例として示したが、屈折率ｎが２．３前後の酸化チタン（ＴｉＯ2）等の光学ガラスＧよりも屈折率ｎが大となる他の各種誘電体を用いることができる。なお、ダハ面２ｐ，２ｑに対する光Ｃの光波長帯に、少なくとも可視光域の４００〜７００〔ｎｍ〕の範囲を含ませることが望ましいが、本発明の必須要件を構成するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明に係るダハプリズムは、例示した、アミチプリズム，ペシャンプリズム，アッベ・ケーニッヒプリズムをはじめ、各種タイプのダハプリズムに利用できるとともに、例示したアングルファインダをはじめ、カメラ，交換レンズ，双眼鏡，望遠鏡，顕微鏡等の各種光学機器に利用できる。
【符号の説明】
【００５１】
１：ダハプリズム，１ｍ：プリズム本体，１ｍａ：アミチプリズム本体，１ｍｐ：ペシャンプリズム本体，１ｍｋ：アッベ・ケーニッヒプリズム本体，２ｐ：ダハ面，２ｑ：ダハ面，３：フェーズコート，Ｃ：光，Ｇ：光学ガラス，ＤＬ：第一誘電体，ＤＨ：第二誘電体，ｎ：屈折率，θ：入射角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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