(57)【要約】      （修正有）【課題】マスクプレートと基板との間のギャップを計測することができるギャップ計測方法を提供する。【解決手段】基板Ｓｗの一方の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、投光素子６と受光素子７とを有する計測部１１を計測対象物の下方に離隔配置する工程と、投光素子６からの光が基板Ｓｗ下面で反射する位置を起点位置とし、この起点位置から計測部１１を計測対象物に対してＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に相対的に走査し、投光素子６からの光がマスクプレートＭｐで反射する計測位置にて投光素子６から光を照射して受光素子７でその反射光を受光することで、計測部１１に対するマスクプレートＭｐの変位量に応じた走査データを取得する工程と、走査データとマスクプレートＭｐの板厚とから基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐを計測する工程を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に、板厚方向に貫通する透孔を備えて基板への処理範囲を規定するマスクプレートを近接配置させたとき、基板とマスクプレートとの間のギャップを計測するためのギャップ計測方法であって、
マスクプレートから基板に向かう方向を上として、基板とマスクプレートとを上下方向で位置合わせして重ね、基板上にタッチプレートを介して保持手段を配置することで当該基板を挟み込むようにしてタッチプレートにマスクプレートを保持させた計測対象物を準備する工程と、
基板の一方の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、投光素子と受光素子とを有する計測部を計測対象物の下方に離隔配置する工程と、
投光素子からの光が基板下面で反射する位置を起点位置とし、この起点位置から計測部を計測対象物に対してＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に相対的に走査し、投光素子からの光がマスクプレートで反射する計測位置にて投光素子から光を照射して受光素子でその反射光を受光することで、計測部に対するマスクプレートの変位量に応じた走査データを取得する工程と、
走査データとマスクプレートの板厚とから、基板とマスクプレートとの間のギャップを計測する工程を含むことを特徴とするギャップ計測方法。
【請求項２】
請求項１記載のギャップ計測方法であって、マスクプレートの各透孔が下方向に向けて末拡がり内面を持つものにおいて、
前記計測位置に、透孔の下面内縁部で反射する光を受光するものを含むことを特徴とするギャップ計測方法。
【請求項３】
請求項２記載のギャップ計測方法であって、投光素子から基板に対して垂直に光を照射するものにおいて、
投光素子からの光が基板下面で反射する位置を起点位置とし、この起点位置から計測部を計測対象物に対してＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に相対的に走査し、投光素子からの光が基板下面で反射する複数の位置にて受光素子でその反射光を受光し、ＸＹ平面に対する基板の傾きを計測する工程と、投光素子からの光が基板に対して直角に入射するように、計測した基板の傾きに応じて計測部を傾動させる工程とを更に含むことを特徴とするギャップ計測方法。
【請求項４】
前記計測部は、広帯域レーザーを使用して分光干渉法により前記変位量を計測することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のギャップ計測方法。
【請求項５】
前記計測部の投光素子から計測対象物に対して光を照射した領域を拡大して表示する工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のギャップ計測方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ギャップ計測方法に関し、より詳しくは、基板の一方の面に、板厚方向に貫通する透孔を備えて基板への処理範囲を規定するマスクプレートを近接配置（密着させるものを含む）させたとき、基板とマスクプレートとの間のギャップを計測するためのものに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、有機ＥＬデバイスを製造する方法の一つとして真空蒸着法が知られている。この真空蒸着法では、真空雰囲気の形成が可能な真空チャンバ内に、ガラス基板等の基板と、板厚方向に貫通する透孔（開口径が例えば２０〜５０μｍのもの）を備えて蒸着（処理）範囲を規定するマスクプレートとを重ね合わせて配置し、蒸着源より蒸着物質を昇華または気化させ、この昇華または気化した蒸着物質をマスクプレート越しに基板の一方の面（即ち、成膜面）に付着、堆積させることで、各種の薄膜が所定のパターンで成膜される（例えば、特許文献１参照）。この場合、製品歩留まりを考慮して、マスクプレートの下方に蒸着源を配置し、所謂デポアップ式で成膜することが通常である。このとき、所謂マスクボケを可及的に抑制しつつ所定のパターンで成膜するには、真空蒸着による成膜時、基板の一方の面にマスクプレートを近接配置、より好ましくは、基板とマスクプレートとをその全面に亘って密着させることが好ましい。
【０００３】
このことから、マスクプレートから基板に向かう方向を上として、基板とマスクプレートとを上下方向で位置合わせして重ね、基板上にタッチプレートを介して保持手段を配置することで当該基板を挟み込むようにしてタッチプレートにマスクプレートを保持させることが一般に知られている。保持手段としては、複数個の磁石を列設してなる磁石アレイが用いられている。ここで、近年、処理すべき基板が大型化しており、これに伴い、マスクプレート自体も大型すると共に（例えば、１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、マスクプレートの各透孔を通過して基板に成膜される膜が断面略矩形の輪郭を持つように高精度に成膜するために、マスクプレートとしては数十μｍ〜数百μｍの板厚である箔状のものが用いられるようになっている。この場合、保持手段で基板を挟み込むようにしてタッチプレートにマスクプレートを保持させたとしても、例えばマスクプレートの自重による撓みやマスクプレート面内における磁石アレイの磁場強度の相違により、マスクプレートと基板との間にギャップが局所的に生じる場合がある。この場合、マスクプレートと基板との間のギャップによっては、マスクボケが発生して製品歩留まりを低下させてしまう。
【０００４】
そこで、従来では、保持手段で基板を挟み込むようにしてタッチプレートにマスクプレートを保持させた状態で真空チャンバ内に搬送して成膜し、成膜後の基板を実際に評価することで、ギャップが発生している位置を特定していた。然し、このような方法では、ギャップの特定に多大な時間とコストが必要となる。このため、成膜後の基板を評価することなしに、マスクプレートと基板との間のギャップを計測する方法の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−９３２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑み、保持手段で基板を挟み込むようにしてタッチプレートにマスクプレートを保持させた後、マスクプレートと基板との間のギャップを計測することができるギャップ計測方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、基板の一方の面に、板厚方向に貫通する透孔を備えて基板への処理範囲を規定するマスクプレートを近接配置させたとき、基板とマスクプレートとの間のギャップを計測するための本発明のギャップ計測方法は、マスクプレートから基板に向かう方向を上として、基板とマスクプレートとを上下方向で位置合わせして重ね、基板上にタッチプレートを介して保持手段を配置することで当該基板を挟み込むようにしてタッチプレートにマスクプレートを保持させた計測対象物を準備する工程と、基板の一方の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、投光素子と受光素子とを有する計測部を計測対象物の下方に離隔配置する工程と、投光素子からの光が基板下面で反射する位置を起点位置とし、この起点位置から計測部を計測対象物に対してＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に相対的に走査し、投光素子からの光がマスクプレートで反射する計測位置にて投光素子から光を照射して受光素子でその反射光を受光することで、計測部に対するマスクプレートの変位量に応じた走査データを取得する工程と、走査データとマスクプレートの板厚とから、基板とマスクプレートとの間のギャップを計測する工程を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、起点位置において投光素子からの光を基板下面の所定位置に対して照射し、この下面からの反射光を受光素子で受光し、これを基準とする。次に、例えば、投光素子から照射される光のスポット径を走査ピッチとして、この走査ピッチで起点位置から計測部を相対的に間欠走査し、投光素子から光を照射していくと、マスクプレート下面で反射するもの、マスクプレートの透孔の内面で反射するものや基板下面で再度反射するものが順次繰り返して受光素子で受光され、計測部に対するマスクプレートの変位量に応じた矩形波状の走査データが取得できる。そして、例えば、マスクプレートに撓みが生じているような場合には、マスクプレート下面で反射する各計測位置でのピーク値とマスクプレートの板厚とから、基板とマスクプレートとの間のギャップを計測することができる。このように本発明では、成膜後の基板を評価することなしに、基板面内において基板とマスクプレートとの間のギャップを効率よく計測することができる。本発明のギャップ計測方法は、大気中だけでなく、真空雰囲気でも実施することができ、例えば、大気圧下の基板を真空チャンバ内に搬送するために、この真空チャンバにゲートバルブを介して連設されるロードロックチャンバにて行い、真空雰囲気中で計測後のものを搬送してそのまま成膜を行うことができる。なお、本発明において、「近接配置」といった場合、基板とマスクプレートとをその全面に亘って密着させている場合を含む概念である。
【０００９】
ところで、マスクプレートに設けられる透孔の中には、例えば成膜レートの向上等の目的でマスクプレートの各透孔が下方向に向けて末拡がり内面を持つようにしたものがある。このような透孔をマスクプレートにエッチング等により形成すると、各透孔の末拡がり内面が歪んでいる場合があり、これに起因して、基板とマスクプレートとの間に、測定誤差に起因する見かけ上のギャップが生じることがある。そこで、本発明では、前記計測位置に、透孔の下面内縁部で反射する光（つまり、透孔のエッジでの反射光）を受光するものを含むことが可能な方式である。これにより、当該計測位置でのピーク値とマスクプレートと板厚とが一致すれば、基板とマスクプレートとの間のギャップは生じていないと判断でき、矩形波のピーク値とマスクプレートの板厚との間に差があれば、この差が基板とマスクプレートとの間のギャップとして計測することができる。この場合、より正確な計測を行うには、投光素子から基板に対して垂直に光を照射することが好ましいため、投光素子からの光が基板下面で反射する位置を起点位置とし、この起点位置から計測部を計測対象物に対してＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に相対的に走査し、投光素子からの光が基板下面で反射する複数の位置にて受光素子でその反射光を受光し、ＸＹ平面に対する基板の傾きを計測する工程と、投光素子からの光が基板に対して直角に入射するように、計測した基板の傾きに応じて計測部を傾動させる工程とを更に含む構成を採用してもよい。なお、本発明においては、前記計測部は、広帯域レーザーを使用して分光干渉法により前記変位量を計測することが好ましい。
【００１０】
ところで、上記の如く、計測対象物に対し、例えば透孔の径より小さいスポット径のレーザー光を照射し、そのスポット径を走査ピッチとして、この走査ピッチで計測部をマスクプレートに対してその透孔を横切るように相対的に走査させて、計測部に対するマスクプレートの変位量を計測していく場合、視野角が非常に小さくなるため、マスクプレートのどの位置を実際に測定しているかを確認できず、マスクボケを招くマスクプレートと基板との間に生じたギャップを特定できない虞がある。そこで、本発明においては、前記計測部の投光素子から計測対象物に対して光を照射した領域を拡大して表示する工程を更に含むことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態のギャップ計測方法を実施する計測装置を示す模式断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線に沿う模式断面図。
【図２】計測対象物を示す模式断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態のギャップ計測方法を説明する図。
【図４】図１に示す計測装置の変形例を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、基板を矩形のガラス基板とし（以下、単に基板Ｓｗとする）、基板Ｓｗの一方の面に、板厚方向に貫通する透孔Ｍｆを備えて基板Ｓｗへの処理範囲を規定するマスクプレートＭｐを密着させたとき、基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐを計測するための本発明のギャップ計測方法の実施形態を説明する。以下においては、マスクプレートＭｐから基板Ｓｗに向かう方向をＺ軸方向の上として、Ｚ軸方向に直交する基板の一方の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とする。
【００１３】
図１を参照して、ＬＣは、基板Ｓｗに対して真空蒸着法による成膜が実施できる真空チャンバ（図示省略）にゲートバルブ（図示省略）を介して連設された予備チャンバである。予備チャンバＬＣには真空ポンプ１０が接続され、その内部を大気圧から所定圧力まで真空引きできるようになっている。予備チャンバＬＣには、本実施形態のギャップ計測方法を実施する計測装置１が設けられている。計測装置１は計測部１１と計測部１１をＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に移動可能な移動部１２とで構成されている。移動部１２は、予備チャンバＬＣの底面にＸ軸方向に沿って敷設された２本のレール２，２に摺動自在に係合するスライダ（図示せず）を有する門型のフレーム３を備え、図示省略のモータにより所定のピッチでＸ軸方向にフレーム３が進退できるようになっている。また、フレーム３には、Ｙ軸方向にのびる送りねじ４が設けられ、送りねじ４には支持台５の図示省略する取付部が螺合し、支持台５が図示省略のモータにより所定のピッチでＹ軸方向に進退できるようになっている。そして、支持台５に計測部１１が設けられている。
【００１４】
計測部１１は、投光素子６と受光素子７とを有する変位センサで構成される。この場合、投光素子６としては、半導体レーザーやファイバーヘッド等を用いることができ、受光素子７としては、ＣＭＯＳやＣＣＤを用いることができ、また、その計測方法としては、反射光をもとに三角測量の原理で計測するものや、投影したレーザーとその反射光の位相差で計測するものが利用できる。また、μｍオーダーのギャップＧｐを効率よく計測するために、広帯域レーザーを使用して分光干渉法により変位量を計測できるものが好ましい。なお、計測部１１自体は公知のものであるため、これ以上の詳細な説明は省略する。また、特に図示して説明しないが、計測装置１は、計測部１１や移動部１２の作動や計測処理を統括制御するコントローラを備え、コントローラが、例えば、後述の走査データを取得したり、基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐを計測したりするようになっている。
【００１５】
計測部１１から離隔した予備チャンバＬＣの上部空間には支持枠８が設けられ、支持枠８で計測対象物Ｍｏが後述のマスクプレートＭｐを下側にした姿勢で支持される。図２を参照して、計測対象物Ｍｏは、マスクプレートＭｐと基板ＳｗとタッチプレートＴｐと保持手段たる磁石アレイＭａとで構成される。マスクプレートＭｐは、常温付近で熱膨張率が小さい金属材料から選択され、例えばインバーで作製される。マスクプレートＭｐには、板厚方向に貫通する複数の透孔Ｍｆが所定のパターンで開設されている。この場合、マスクプレートＭｐとしては、透孔Ｍｆを通過して基板Ｓｗに成膜される膜が断面略矩形の輪郭を持ち、かつ、このような膜を高精度に成膜するために、数十μｍ〜数百μｍの板厚である箔状のものが用いられ、マスクプレートＭｐより板厚の厚い支持枠８で保持されるようになっている。また、透孔Ｍｆの内面は、成膜レートを向上させる目的で、下方に向けて末広がりなすり鉢状に開設されている（図３参照）。この場合、マスクプレートＭｐの上面での透孔Ｍｆの輪郭は、円形や長円等、成膜しようとするパターンに応じて適宜設定される。なお、このような透孔Ｍｆを開設すると、各透孔Ｍｆの末拡がり内面が歪んでいる場合があり、これに起因して、基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間に、測定誤差に起因する見かけ上のギャップが生じることがある。
【００１６】
タッチプレートＴｐは、透磁率が小さい金属材料でから選択され、例えば、オーステナイト系ステンレスが用いられる。この場合、基板Ｓｗが密着するタッチプレートＴｐの下面は、所定の平坦度を有するように加工され、タッチプレートＴｐに基板Ｓｗがその全面に亘って密着したとき、基板Ｓｗを平坦に保持する役割を果たすようにしている。磁石アレイＭａは、板状のヨークＹｏと、ヨークＹｏの下面に、同一形状かつ同種のＹ軸方向に長手の棒状磁石ＢｍをＸ軸方向に間隔を存してかつ下側の磁極を交互に変えて列設して構成されている。以下に、本実施形態のギャップ計測方法を具体的に説明する。
【００１７】
先ず、予備チャンバＬＣ内で計測対象物Ｍｏを準備する。予備チャンバＬＣに設けた支持枠８上にマスクプレートＭｐを設置する。次に、マスクプレートＭｐ上に位置合わせして基板Ｓｗを重ね合わせる。この場合、マスクプレートＭｐと基板Ｓｗとの所定位置にはアライメントマーク（図示せず）が設けられ、アライメントマークをＣＣＤカメラ等で撮像しながら、マスクプレートＭｐに対する基板Ｓｗの位置が調整される。そして、基板Ｓｗ上に、その上方から下降させてタッチプレートＴｐを載置した後、その上方から下降させてタッチプレートＴｐ上に磁石アレイＭａを設置する。これにより、基板Ｓｗを挟み込むようにしてタッチプレートＴｐにマスクプレートＭｐが密着保持され、計測対象物Ｍｏが準備される。
【００１８】
次に、計測対象物Ｍｏが準備されると、投光素子６からの光が基板下面Ｓｗ１で反射する位置を起点位置とし（図３（ａ）中、計測部１１が最左端にある位置）、この起点位置にて、投光素子６から光を基板下面Ｓｗ１の所定位置（光がマスクプレートＭｐの透孔Ｍｆを通過する位置）に対して照射し、この基板下面Ｓｗ１からの反射光を受光素子７で受光し、これを基準とする。そして、移動部１２により計測部１１を起点位置からＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に相対的に走査する。ここで、例えば、投光素子６から照射される光のスポット径を走査ピッチとし、この走査ピッチで起点位置から、図３（ａ）中右側に向かって計測部１１を相対的に間欠走査し、投光素子６から光を照射していくと、マスクプレートＭｐの透孔Ｍｆの内面で反射する光、透孔Ｍｆの下面内縁部Ｍｐ２で反射する光（つまり、図３（ａ）中、透孔Ｍｆの左側のエッジでの反射光）、マスクプレート下面Ｍｐ１で反射する光、透孔Ｍｆの他の下面内縁部Ｍｐ２で反射する光（つまり、図３（ａ）中、透孔Ｍｆの右側のエッジでの反射光）が、透孔Ｍｆの他の下面内縁部Ｍｐ２で反射する光（つまり、透孔Ｍｆのエッジでの反射光）が順次受光素子７で受光され、これを一周期としてこの操作が繰り返される（図３（ａ）参照）。これにより、計測部１１に対するマスクプレートＭｐの変位量に応じた矩形波状の走査データ（図３（ｂ）参照）を取得できる。マスクプレートＭｐに撓みが生じているような場合には、例えば、マスクプレート下面Ｍｐ１で反射する各計測位置でのピーク値とマスクプレートＭｐの板厚とから、基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐを計測することができる。計測後、基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐが全て所定の範囲である場合には、計測対象物Ｍｏを予備チャンバＬＣから真空チャンバ（図示省略）に搬送して所定の蒸着処理が行われる。
【００１９】
このように本実施形態では、成膜後の基板Ｓｗを評価することなしに、基板Ｓｗ面内において基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐを効率よく計測することができる。この場合、計測部１１を計測対象物Ｍｏの下方に離隔配置する構成を採用したため、ギャップＧｐの計測時にマスクプレートＭｐに計測部１１が接触して傷を付けるといった不具合は生じない。
【００２０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変形が可能である。上記実施形態では、保持手段として磁石アレイＭａを用いるものを例に説明したが、基板Ｓｗを挟み込むようにしてタッチプレートＴｐにマスクプレートＭｐを保持できるものであれば、その形態は問わない。また、上記実施形態では、計測装置１の移動部１２として、フレーム３や送りねじ４を備えるものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、計測部１１が計測対象物ＭｏからＺ軸方向に一定の間隔を保持したまま、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動できるものであれば、その形態は問わない。他方、計測部１１を固定とし、計測対象物ＭｏをＸ軸方向及びＹ軸方向に移動できるように構成することもできる。
【００２１】
また、上記実施形態では、計測部１１のＺ軸方向の位置は変更できないが、計測部１１をＺ軸方向に昇降自在に構成し、計測対象物Ｍｏを所定位置に設置する場合には、下方に離れた位置に退避させ、ギャップ計測時には、計測対象物Ｍｏに近接できるように構成してもよい。更に、発光素子６や受光素子７に角度調整機構を付設し、マスクプレートＭｐに対する光の入射角やマスクプレートＭｐでの反射角を調整できるように構成することができる。計測部１１の昇降機構や、角度調整機構としては、公知のものを用いることができるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００２２】
ところで、図２及び図３（ａ）に示すような下方に向けて末広がりな内面を持つ透孔ＭｆをマスクプレートＭｐにエッチング等により形成すると、各透孔Ｍｆの末拡がり内面が歪んでいる場合があり、これに起因して、基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間に、測定誤差に起因する見かけ上のギャップが生じることがある。このような場合には、計測位置として、透孔Ｍｆの下面内縁部Ｍｐ２で反射する光を含むことで、当該計測位置でのピーク値とマスクプレートＭｐの板厚とが一致すれば、基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐは生じていないと判断でき、矩形波のピーク値とマスクプレートＭｐの板厚との間に差があれば、この差を基板ＳｗとマスクプレートＭｐとの間のギャップＧｐとして計測することができる。
【００２３】
また、計測位置として、透孔Ｍｆの下面内縁部Ｍｐ２で反射する光を含む場合、精度よく計測するには、投光素子６から基板Ｓｗに対して垂直に光を照射する必要がある。そこで、投光素子６からの光が基板下面Ｓｗ１で反射する位置を起点位置とし、この起点位置から計測部１１を計測対象物Ｍｏに対してＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方向に相対的に走査し、投光素子６からの光が基板下面Ｓｗ１で反射する複数の位置（少なくとも３点）にて受光素子７でその反射光を受光し、ＸＹ平面に対する基板Ｓｗの傾きを計測する。そして、計測した基板Ｓｗの傾きに応じて、公知のチルト機構等を用いて計測部１１を傾動させれば、投光素子６からの光を基板Ｓｗに対して直角に入射させることができ、有利である。なお、計測部１１を移動させるものとして、５軸以上の多関節式ロボットを用いることもできる。
【００２４】
なお、計測部１１として分解能の高いものを用いる場合、計測部１１とマスクプレートＭｐとの距離を短くする必要がある。このため、マスクプレートＭｐの撓み量が多い場合等には、計測部１１を移動させると、計測部１１がマスクプレートＭｐに接触する虞がある。そこで、計測部１１とは別に、計測部１１とマスクプレートＭｐとの距離を長くできる分解能の低い他の計測部を更に設け、この他の計測部により基板Ｓｗの傾きや撓みを上記と同様にして測定し、計測部１１を移動させてもマスクプレートＭｐに接触しないことを確認して走査するようにしてもよい。
【００２５】
ところで、上記の如く、計測対象物Ｍｏに対し、投光素子６により例えば透孔Ｍｆの径より小さいスポット径のレーザー光を照射し、そのスポット径を走査ピッチとして、この走査ピッチで計測部１１をマスクプレートＭｐに対してその透孔Ｍｆを横切るように相対的に走査させて（図３（ａ）参照）、計測部に対するマスクプレートの変位量を計測していく場合、視野角が非常に小さくなるため、マスクプレートＭｐのどの部分を実際に測定しているかを確認できない虞がある（例えば、測定を開始しようとする起点位置に投光素子６からの光が正確に照射されているかを判断できない）。
【００２６】
そこで、上記実施形態の変形例にかかる計測装置１では、計測部１１の投光素子６や受光素子７が設置される支持台５に、例えば、ＣＣＤカメラやマイクロスコープを備えた撮像手段２０が更に設けられている。そして、撮像手段２０により、投光素子６から計測対象物Ｍｏに光を照射したとき、光の照射位置を含む所定領域を撮像し、これを画像処理してディスプレイ等の表示手段（図示せず）に拡大して表示できるようにしている。この場合、計測対象物Ｍｏに対して投光素子６により光を照射した後、マスクプレートＭｐに対して計測部１１を相対走査するのに先立って、撮像手段２０により光の照射位置を含む所定領域を撮像する工程が更に設けられ、例えば、測定を開始しようとする起点位置の確認が行われる。これにより、マスクプレートＭｐのどの部分を実際に測定しているかを確実に把握でき、マスクボケを招くマスクプレートＭｐと基板Ｓｗとの間に生じたギャップＧｐを確実に特定できる。
【符号の説明】
【００２７】
Ｇｐ…ギャップ、Ｓｗ…基板、Ｍｆ…透孔、Ｍｐ…マスクプレート、Ｔｐ…タッチプレート、Ｍａ…磁石アレイ，保持手段、Ｍｏ…計測対象物、１１…計測部、６…投光素子、７…受光素子、Ｂｍ…磁石。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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