(57)【要約】【課題】配線層の薄型化を実現することができる電子部品用配線基板、電子部品及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一形態に係る電子部品用配線基板は、複数の金属板と、電気絶縁性の支持体とを具備する。上記複数の金属板は、第１の厚みを有し、同一平面内に配列される。上記支持体は、上記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、上記複数の金属板の周面どうしを相互に接合する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の厚みを有し、同一平面内に配列された複数の金属板と、
前記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、前記複数の金属板の周面どうしを相互に接合する電気絶縁性の支持体と
を具備する電子部品用配線基板
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品用配線基板であって、
前記支持体は、前記第２の厚みを有する第１の樹脂部と、前記第２の厚みを有し前記第１の樹脂部と前記複数の金属板の周面とを相互に接合する第２の樹脂部と、を含む
電子部品用配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品用配線基板であって、
前記第１の樹脂部は、前記第２の樹脂部を構成する樹脂材料よりも絶縁耐圧性及び耐熱性の高い樹脂材料で構成される。
電子部品用配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品用配線基板であって、
前記第１の樹脂部は、ポリイミドで構成される
電子部品用配線基板。
【請求項５】
第１の厚みを有する複数の金属板と、
前記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、前記複数の金属板を個々に収容する複数の収容部を有する、第１の樹脂材料で構成された樹脂基板と、
前記第２の厚みを有し、前記複数の収容部内において前記複数の金属板と前記樹脂基板との間を相互に接合する第２の樹脂材料で構成された接合部と
を具備する電子部品用配線基板。
【請求項６】
第１の厚みを有する第１の金属板と、
前記第１の厚みを有し、前記第１の金属板と同一平面内に配列された第２の金属板と、
前記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、前記第１及び第２の金属板の周面どうしを相互に接合する電気絶縁性の支持体と、
前記第１の金属板と電気的に接続される第１の電極と、前記第１の電極と同一平面内に配列され前記第２の金属板と電気的に接続される第２の電極とを有する半導体素子と
を具備する電子部品。
【請求項７】
複数の電極の配置予定領域に開口部を有するポリイミド基板を準備し、
前記開口部に、銅からなる電極を設け、
前記開口部と前記電極との間に絶縁樹脂を設けることにより、前記ポリイミド基板と前記電極とが固定された電子部品用配線基板を作製し、
前記電極と半導体素子が電気的に接続されるように、前記電子部品用配線基板の上に前記半導体素子を搭載する
電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体パッケージの外部電極等に用いられる電子部品用配線基板、電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年における電子機器の小型化、多機能化に伴い、電子機器に搭載される配線基板やパッケージ部品の更なる小型化、薄型化、高密度実装化が求められている。このような要求に応えるため、例えば特許文献１には、電子部品を収容可能なキャビティを有する金属製のコア基材と、コア基材の両面に設けられた第１及び第２配線層と、コア基材を貫通して第１及び第２配線層の間を電気的に接続するビアとを備えた部品内蔵基板が開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、分離溝により所定の間隔で離間する複数の金属コア層と、これら金属コア層の上面及び下面を被覆する絶縁層と、これら絶縁層の上面及び下面に形成された第１及び第２配線層と、絶縁層を貫通して第１及び第２配線層と金属コア層とを電気的に接続する層間接続部とを備えた配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５４６２４０４号公報
【特許文献２】特開２００８−６０３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パワー半導体の小型モジュール化を実現しようとする場合、大電流に対する耐久性と放熱性の確保が課題になっている。しかしながら、特許文献１に記載の部品内蔵基板は、金属製のコア基材を用いた熱伝導性に優れた部品内蔵技術ではあるが、コア基材は単板に穴あけ加工を施したものであり、配線には適さない。
【０００６】
一方、特許文献２に記載の配線基板は、金属コア層どうしが分離溝内の絶縁層で電気的に絶縁されているため配線層として用いることができる。しかし、金属コア層とその上下面に形成される絶縁層とにより配線基板のトータル厚みが増加するため、これを電子部品に適用したとしても部品の薄型化に貢献できない。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、配線層の薄型化を実現することができる電子部品用配線基板、電子部品及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る電子部品用配線基板は、複数の金属板と、電気絶縁性の支持体とを具備する。
上記複数の金属板は、第１の厚みを有し、同一平面内に配列される。
上記支持体は、上記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、上記複数の金属板の周面どうしを相互に接合する。
【０００９】
上記配線基板において、支持体は、各金属板と実質的に同一の厚みで形成されているため、配線基板の厚みを実質的に金属板の厚みにまで抑えることができる。上記配線基板は、例えば電子部品の外部電極として好適に用いられ、これにより大電流特性、放熱特性に優れた薄型の電子部品を提供することができる。
【００１０】
上記支持体は、上記第２の厚みを有する第１の樹脂部と、上記第２の厚みを有し上記第１の樹脂部と上記複数の金属板の周面とを相互に接合する第２の樹脂部と、を含んでもよい。
【００１１】
上記第１の樹脂部は、上記第２の樹脂部を構成する樹脂材料よりも絶縁耐圧性及び耐熱性の高い樹脂材料で構成されてもよい。
上記第１の樹脂部は、例えば、ポリイミドで構成される。
【００１２】
本発明の他の形態に係る電子部品用配線基板は、複数の金属板と、樹脂基板と、接合部とを具備する。
上記複数の金属板は、第１の厚みを有する。
上記樹脂基板は、上記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、上記複数の金属板を個々に収容する複数の収容部を有する。上記樹脂基板は、第１の樹脂材料で構成される。
上記接合部は、上記第２の厚みを有し、上記複数の収容部内において上記複数の金属板と上記樹脂基板との間を相互に接合する第２の樹脂材料で構成される。
【００１３】
本発明の一形態に係る電子部品は、第１の金属板と、第２の金属板と、電気絶縁性の支持体と、半導体素子とを具備する。
上記第１の金属板は、第１の厚みを有する。
上記第２の金属板は、上記第１の厚みを有し、上記第１の金属板と同一平面内に配列される。
上記支持体は、上記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、上記第１及び第２の金属板の周面どうしを相互に接合する。
上記半導体素子は、上記第１の金属板と電気的に接続される第１の電極と、上記第１の電極と同一平面内に配列され上記第２の金属板と電気的に接続される第２の電極とを有する。
【００１４】
本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、複数の電極を配置予定領域に開口部を有するポリイミド基板を準備することを含む。
上記開口部に、銅からなる電極が設けられる。
上記開口部と上記電極との間に絶縁樹脂が設けられることにより、上記ポリイミド基板と上記電極とが固定された電子部品用配線基板が作製される。
上記電極と半導体素子が電気的に接続されるように、上記電子部品用配線基板の上に上記半導体素子が設けられる。
【発明の効果】
【００１５】
以上述べたように、本発明によれば、配線層の薄型化を実現することができる電子部品用配線基板及び電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子部品の構成を示す概略側断面図である。
【図２】上記電子部品の概略平面図である。
【図３】上記電子部品の概略底面図である。
【図４】上記電子部品の等価回路図である。
【図５】図１における電極基板の要部の拡大図である。
【図６】図３における上記電極基板の要部の拡大図である。
【図７】上記電極基板の製造方法を示す各工程の概略断面図である。
【図８】上記電極基板の概略平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る電子部品の構成を示す概略側断面図である。
【図１０】図８の変形例を示す図である。
【図１１】図８の他の変形例を示す図である。
【図１２】図２の変形例を示す図である。
【図１３】図８の更に他の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１００の構成を示す概略側断面図、図２は電子部品１００の概略平面図、図３は電子部品１００の概略底面図、図４は電子部品１００の等価回路図である。
なお図１〜図３においてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する３軸方向を示しており、Ｚ軸は電子部品１００の高さ（厚み）方向に相当する。
【００１９】
本実施形態の電子部品１００は、第１の半導体素子１１と、第２の半導体素子１２と、これら半導体素子１１，１２を外部回路に接続する外部リード又はバスバーとしての第１〜第３の金属板２１〜２３とを含むＰＯＬ（Power Overlay）構造のパワー半導体パッケージ部品で構成される。
【００２０】
本実施形態において、第１の半導体素子１１は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）等のスイッチング素子で構成される。第１の半導体素子１１は、一方の面（図１において下面）に配置されたゲート端子（Ｇ）及びソース端子（Ｓ）と、他方の面（図１において上面）に配置されたドレイン端子（Ｄ）とを有する（図４参照）。ソース端子（Ｓ）は第１の金属板２１に、ゲート端子（Ｇ）は第２の金属板２２に、ドレイン端子（Ｄ）は、半導体素子１１，１２及び樹脂層１３上に配置された第３の金属板２３に、それぞれ電気的に接続される。
【００２１】
第２の半導体素子１２は、ダイオード等の整流素子で構成される。第２の半導体素子１２は、一方の面（図１において下面）に配置されたアノード端子（Ａ）と、他方の面（図１において上面）に配置されたカソード端子（Ｋ）とを有し、アノード端子（Ａ）は第１の金属板２１に、カソード端子（Ｋ）は第３の金属板２３に、それぞれ電気的に接続される。
【００２２】
第１の半導体素子１１及び第２の半導体素子１２は、シリコン系の半導体基板で構成され、それぞれ同一又は略同一の厚み（例えば５００μｍ〜８００μｍ）で構成され、樹脂層１３を介して同一平面上に一体的に接合される。樹脂層１３は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材料で構成され、本例において、樹脂層１３は、各半導体素子１１，１２と同一又は略同一の厚みで構成され、各半導体素子１１，１２の周縁部を取り囲むように平面形状が矩形に形成される（図１、図２参照）。
【００２３】
第１の金属板２１は、図３に示すように、Ｘ軸方向に沿った短辺とＹ軸方向に沿った長辺とを有する所定厚み（第１の厚み）の金属製の板材で構成される。第１の金属板２１は、典型的には、銅（Ｃｕ）で構成されるが、これに限られず、ステンレス鋼やアルミニウム合金等の他の金属材料で構成されてもよい。第１の金属板２１の厚みは特に限定されず、例えば、数百μｍ〜数千μｍ（具体的には、１００〜１０００μｍ）とされる。
【００２４】
第１の金属板２１の長辺方向の両端部２１ａ，２１ｂには、当該金属板２１を上記外部回路と機械的かつ電気的に接続する締結用ボルトが挿通される貫通孔２１ｈがそれぞれ設けられている。第１の金属板２１の長手方向の概略中央部には、後述する支持体３０を介して接合される第２の金属板２２の一端部２２ａを収容する矩形の切欠き部２１ｃが設けられている。
【００２５】
第２の金属板２２は、図３に示すように、Ｘ軸方向に沿った長辺とＹ軸方向に沿った短辺とを有する金属製の板材で構成される。第２の金属板２２は、典型的には、第１の金属板２１と同一の金属材料で構成されるとともに、第１の金属板２１と同一の厚み（第１の厚み）で形成される。そして、第２の金属板２２は、第１の金属板２１と同一の平面上に配置される。
【００２６】
第２の金属板２２の長辺方向の一端部２２ａは、第１の金属板２１の切欠き部２１ｃの内部に配置され、その他端部２２ｂは、第１の金属板２１の側面からＸ軸方向へ突出している。
【００２７】
第３の金属板２３は、図２に示すように、実質矩形の主板部２３１と、実質矩形の突片部２３２とを有する金属製の板材で構成される。主板部２３１は、Ｘ軸方向に沿った短辺とＹ軸方向に沿った長辺とを有し、突片部２３２は、Ｘ軸方向に沿った長辺とＹ軸方向に沿った短辺とを有する。突片部２３２の突出端部２３ａには、当該金属板２３を上記外部回路と機械的かつ電気的に接続する締結用ボルトが挿通される貫通孔２３ｈが設けられている。
【００２８】
第３の金属板２３は、典型的には、第１の金属板２１と同一の金属材料で構成されるとともに、第１の金属板２１と同一の厚みで形成される。第３の金属板２３は、第１及び第２の金属板２１，２２と平行な面内に配置される。第３の金属板２３が第１及び第２の金属板２１，２２と同一の材料で構成されることにより、各金属板２１〜２３の熱膨張係数を同一とすることができので、これら金属板２１〜２３の熱膨張差に起因する半導体素子１１，１２への熱応力が緩和される。
【００２９】
図１に示すように、第１及び第２の金属板２１，２２は、電気絶縁性の支持体３０を介して相互に一体的に接合される電極基板４０を構成する。支持体３０は、第１及び第２の金属板２１，２２の厚み（第１の厚み）と実質的に同一の厚み（第２の厚み）を有し、各金属板２１，２２の周面どうしを相互に接合する。
【００３０】
支持体３０は、図１及び図３に示すように、第１の金属板２１の切欠き部２１ｃの内部に充填される。支持体３０は、図５及び図６に示すように、芯材としての第１の樹脂部３１と、その両側に配置された接合部としての第２の樹脂部３２の複合構造を有する。
【００３１】
図５は、図１における電極基板４０の要部の拡大図、図６は、図３における電極基板４０の要部の拡大図である。同図に示すように、第１及び第２の樹脂部３１，３２はそれぞれ同一の厚み（第２の厚み）を有し、その値は、第１及び第２の金属板２１，２２の厚み（第１の厚みと実質的に同一である。
【００３２】
ここで、実質的に同一の厚みとは、完全に同一の厚みである場合だけでなく、当業者において同一の厚みと見做せるものをも含む。第１及び第２の樹脂部３１，３２は、第１の金属板２１と同一の厚みとなるように設計されるが、例えば、製造公差内での厚みバラツキがあってもよい。
【００３３】
第２の樹脂部３２は、第１の樹脂部３１と第１及び第２の金属板２１，２２の周面とを相互に接合する接着性の樹脂材料で構成される。このような樹脂材料として、例えば、耐熱性を有する絶縁性樹脂が挙げられ、典型的には、エポキシ樹脂等が用いられる。これ以外にも、第２の樹脂部３２には、シリコン樹脂やウレタン樹脂等の適度な弾性を有する材料が用いられてもよい。
【００３４】
一方、第１の樹脂部３１を構成する材料は特に限定されない。本実施形態では、第１の樹脂部３１は、第２の樹脂部３２を構成する樹脂材料よりも絶縁耐圧性及び耐熱性の高い樹脂材料で構成される。このような樹脂材料として、典型的には、ポリイミドが挙げられるが、これ以外にも、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、フェノール樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。
【００３５】
後述するように、第１の樹脂部３１は、定形性を有するシート状の樹脂基板の一部で構成され、所定形状に切り出すことで第１の金属板２１の切欠き部２１ｃ内に配置される。一方、第２の樹脂部３２は、ペースト状の樹脂材料の硬化物で構成され、スクリーン印刷法等の塗布技術を用いて、切欠き部２１ｃ内に充填される。
【００３６】
電子部品１００はさらに、電極基板４０と半導体素子１１，１２との間を接合する中間接続層５０を有する。図１に示すように、中間接続層５０は、基材５１と、接着層５２と、層間接続部５３〜５５とを有する。
【００３７】
基材５１は、電気絶縁性材料（誘電材料）で構成されたシート部材であり、典型的にはポリイミドで構成されるが、勿論これに限られない。接着層５２は、エポキシ系、アクリル系等の樹脂材料で構成されてもよいし、市販の両面粘着テープ等で構成されてもよい。
【００３８】
層間接続部５３〜５５は、銅めっきや銀めっき等の金属めっき層で構成され、基材５１及び接着層５２を貫通して第１及び第２の半導体素子１１，１２へ接続される。はんだや導電性接着剤、銀ペースト等の焼成体等が、層間接続部５３〜５５と電極基板４０との間に別途設けられてもよく、これにより第１及び第２の金属板２１，２２との密着性を高めることができる。
【００３９】
層間接続部５３は、第１の金属板２１と第２の半導体素子１２のアノード端子（Ａ）との間を電気的に接続し、層間接続部５４は、第１の金属板２１と第１の半導体素子１１のソース端子（Ｓ）との間を電気的に接続する。層間接続部５５は、第２の金属板２２と第１の半導体素子１１のゲート端子（Ｇ）との間を電気的に接続する。層間接続部５３〜５５は、金属めっき層に代えて、はんだ等で構成されてもよい。
【００４０】
なお、第３の金属板２３は、第１の半導体素子１１のドレイン端子（Ｄ）と第２の半導体素子１２のカソード端子（Ｋ）に共通に接続される。接合方法は特に限定されず、典型的には、はんだ接合である。なお、銀ペーストなどの導電ペーストを使って接合してもよい。
【００４１】
また、電子部品１００は、例えば図１において二点鎖線で示すように、電極基板４０上の半導体素子１１，１２、中間接続層５０を被覆する封止樹脂層６０が設けられてもよい。封止樹脂層６０の構成材料には、典型的には、エポキシ樹脂が用いられる。封止樹脂層６０の形成により、外部から半導体素子１１，１２への水分の侵入を防止できるとともに、中間接続層５０による電極基板４０と半導体素子１１，１２との接合信頼性を高めることができる。
【００４２】
以上のように構成される本実施形態の電子部品１００において、電極基板４０は、支持体３０を介して第１の金属板２１及び第２の金属板２２を一体的に保持する配線基板を構成する。そして、支持体３０は、各金属板２１，２２と実質的に同一の厚みで形成されているため、電極基板４０の厚みを実質的に金属板２１，２２の厚みにまで抑えることができる。
【００４３】
本実施形態において、電極基板４０は、電子部品１００の外部電極として用いられる。当該外部電極は、金属板（Ｃｕ板）で構成されているため、良好な電気伝導性と熱伝導性を有する。これにより、大電流特性、放熱特性に優れた薄型の電子部品１００を提供することができる。
【００４４】
また、支持体３０は、ポリイミドからなる第１の樹脂部３１と接着性樹脂からなる第２の樹脂部３２との複合構造を有するため、耐熱性及び耐圧性に優れ、かつ金属板２１，２２との良好な密着性を確保することができる。
【００４５】
さらに、中間接続層５０を構成する基材５１にポリイミドが採用されているため、比較的薄い厚みで層間接続部５３〜５５間における良好な電気的耐圧性を安定に確保することができる。これにより、パワー半導体部品の信頼性を高めることができる。
【００４６】
続いて、本実施形態の電子部品１００の製造方法、特に、電極基板４０の製造方法について説明する。図７Ａ〜Ｃは、電極基板４０の製造方法を示す各工程の概略断面図、図８は、電極基板４０の平面図である。
【００４７】
まず、図７Ａに示すように、金属板２１，２２を収容可能な複数の開口部３１０ｈを有する樹脂基板３１０を準備し、支持シートＭの上に貼着する。開口部３１０ｈは、樹脂基板３１０の複数の電極の配置予定領域に設けられる。
【００４８】
樹脂基板３１０は、支持体３０における第１の樹脂部３１を構成するもので、本実施形態では、ポリイミド基板が用いられる。樹脂基板３１０は、金属板２１，２２と実質的に同一の厚みで形成される。支持シートＭは、例えば、樹脂基板３１０が載置される表面に粘着性を有する粘着テープで構成され、耐熱性を有する樹脂シート、金属シート、セラミックシート等の適宜の材料で構成される。なお、樹脂基板３１０はポリイミドから構成されてもよい。
【００４９】
開口部３１０ｈは、樹脂基板３１０をその厚み方向に貫通する貫通孔であり、第１の金属板２１を収容する第１の開口部ｈ２１と、第２の金属板２２を収容する第２の開口部ｈ２２とを含む。第１及び第２の開口部ｈ２１，ｈ２２はそれぞれ、第１及び第２の金属板２１，２２の外形に対応し、かつそれらよりも若干大きい開口形状を有する（図８参照）。
【００５０】
続いて、図７Ｂに示すように、支持シートＭ上の樹脂基板３１０の各開口部３１０ｈ（ｈ２１，ｈ２２）に、第１の金属板２１及び第２の金属板２２がそれぞれ配置される。このとき、各開口部３１０ｈ（ｈ２１，ｈ２２）の内周面と各金属板２１，２２の外周面との間に所定の隙間（例えば、１００μｍ〜１０００μｍ）が形成されるように、各金属板２１，２２が配置される。金属板２１，２２は、例えば、打ち抜きプレス加工、レーザー加工、エッチング加工等により所定形状に形成される。
【００５１】
次に、図７Ｃに示すように、開口部３１０ｈ（ｈ２１，ｈ２２）の内周面と各金属板２１，２２の外周面との間の隙間をエポキシ樹脂等の接着性を有する樹脂材料で充填し、熱硬化させることで第２の樹脂部３２（接合部）を形成する。上記樹脂材料の充填方法は特に限定されず、スクリーン印刷技術やディスペンサノズルを用いた塗布技術が採用可能である。
【００５２】
以上のようにして作製された電極基板４０は、図８に示すように、第１の金属板２１及び第２の金属板２２各々の周面部が第２の樹脂部３２（図中太実線の部分）で被覆されるとともに、切欠き部２１ｃにおける第１の金属板２１と第２の金属板２２との境界部に、第１の樹脂部３１と第２の樹脂部３２との複合構造からなる支持体３０が構成される（図１参照）。
【００５３】
続いて、以上のように作製された電極基板４０の上に、中間接続層５０、第１及び第２の半導体素子１１，１２、第３の金属板２３がそれぞれ積層される。その後、支持シートＭが除去され、樹脂基板３１０の外形を適宜の形状に加工することにより、図１〜図３に示す本実施形態の電子部品１００が作製される。
【００５４】
ここでは、第１及び第２の半導体素子１１，１２の表面に、接着層５２を介して基材５１を形成した後に、第１及び第２の半導体素子１１，１２の電極露出用の開口部を基材５１と接着層５２からなる積層体に形成し、ここにメッキにより銅（Ｃｕ）を析出させることで、層間接続部５３〜５５を形成する。そしてその後に、金属板２３を固着しても良い。この状態のものを予め準備する事により、電極基板４０上に容易に搭載が可能となる。
【００５５】
支持シートＭは、中間接続層５０等の形成前に、電極基板４０から除去されてもよい。樹脂基板３１０は、切欠き部２１ｃの内部以外の領域はすべて除去されてもよいし、第１及び第２の金属板２１，２２の周面部に一部が残留するように加工されてもよい。第２の樹脂部３２も同様に、支持体３０を構成する第１及び第２の金属板２１，２２の接合領域を除く各金属板２１，２２の周面部から完全に除去されてもよいし、一部が残留するように加工されてもよい。
【００５６】
本実施形態によれば、電極基板４０が樹脂基板３１０を出発材料としてその開口部３１０ｈ内に第１及び第２の金属板２１，２２をそれぞれ収容することで作製されるため、第１及び第２の金属板２１，２２の間にその厚み範囲にわたってポリイミドからなる第１の樹脂部３１を容易に配置することができる。これにより、第１及び第２の金属板２１，２２間において耐圧性部材をより安定に形成することができるため、パワー半導体部品の信頼性を高めることができる。
【００５７】
特に図１３に示すように、ソース、ドレインおよびゲートが電極基板１４０に一緒に形成されると、高電圧が印加される部分、例えばドレイン−ゲート、ドレイン−ソース間に高電圧が加わる。この場合、高耐圧材料のポリイミドシートを加工して開口部を形成するため、その高耐圧が加わる部分には、シート状のポリイミドシートが残ることになり、高耐圧に対して耐性を持つことが可能となる。
【００５８】
また、本実施形態によれば、第１及び第２の金属板２１，２２が相互に一体化された電極基板４０を用いて電子部品１００を製造することができるため、中間接続層５０の形成工程や半導体素子１１，１２の実装工程を電極基板４０上において実施することができる。これにより、貼り替え用のサポート基板等を別途必要とすることなく、少ない部材数、工程数で電子部品１００を容易に製造することができる。
【００５９】
＜第２の実施形態＞
図９は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品２００の構成を示す概略側断面図である。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
【００６０】
本実施形態の電子部品２００は、表面実装型の電子部品で構成されている点で第１の実施形態と異なる。本実施形態の電子部品２００において、電極基板４０の一方の面（図８において下面）は、絶縁性の保護層（例えばＰＳＲ（Photo Sensitive Resist））７０で被覆されており、その保護層７０の一部を開口させて外部接続用の複数のボール端子７１がそれぞれ接続される。
【００６１】
ボール端子７１は、図示しない回路基板（マザーボード）に表面実装される。第１の金属板２１及び第２の金属板２２の直下にそれぞれ少なくとも１つずつ配置される。第３の金属板２３と上記回路基板との電気的接続には、別途設けられたボール端子が用いられてもよいし、ボンディングワイヤが用いられてもよい。あるいは専用の接続部材が、第３の金属板２３と上記回路基板上にマウントされてもよい。
【００６２】
以上のように構成される本実施形態の電子部品２００においても、上述の第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。本実施形態の電子部品２００によれば、大電流特性、放熱特性に優れた薄型の表面実装部品を提供することができる。
【００６３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【００６４】
例えば以上の実施形態では、第１及び第２の半導体素子１１，１２として、高耐圧用のシリコン系のトランジスタ及びダイオードが用いられたが、これ以外の他の半導体素子が用いられてもよい。例えば、ガリウムヒ素系の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）や窒化ガリウム系の発光ダイオード等が採用可能である。また、搭載される半導体素子の数は２つに限られず、１つ又は３つ以上であってもよい。
【００６５】
また、以上の実施形態では、第１の金属板２１と第２の金属板２２とを相互に接合する支持体３０が第１の樹脂部３１と第２の樹脂部３２とを含む複合構造で構成されたが、これに代えて、第２の樹脂部３２のみで構成されてもよい。この場合、例えば図１０に示すように第１の金属板２１の切欠き部２１ｃと第２の金属板２２との間に第２の樹脂部３２が充填されることで、当該樹脂部３２からなる支持体３３が構成される。
【００６６】
切欠き部２１ｃの形状は上述の例に限られず、図１１に示すようにＹ軸方向に比較的広く切欠き開口が形成されてもよい。この場合、樹脂基板３２０から電極基板４０を切り出したときに、切欠き部２１ｃ内に存在する樹脂基板由来の第１の樹脂部３２を比較的広い面積で形成することができるため、電極基板４０の形状保持性が高められる。さらには、延面距離を確保でき、高耐圧特性を向上させることもできる。
【００６７】
樹脂基板３１０は枚葉サイズのものに限られず、第１の金属板２１の長辺方向に長手の長尺のシート状に形成されてもよい。これにより、ロールツーロール方式で電極基板４０を製造あるいは搬送することが可能となる。
【００６８】
第１の金属板２１は、部品サイズよりも大きく形成されてもよい。この場合、図１２に示すように一方の端部２１ａに設けられる締結用ボルトの貫通孔２４ｈを金属板２１の長手方向（Ｙ軸方向）に長軸を有する長孔又は楕円形状に形成されてもよい。この場合、上記締結用ボルトに対して金属板２１が貫通孔２４ｈ内を上記長手方向に移動可能に外部回路へ固定することで、当該固定部における金属板２１の熱膨張あるいは熱収縮による応力を緩和することができる。
【００６９】
さらに、電極基板は、２つの金属板を支持する構成に限られず、例えば図１３に示すように、第１〜第３の金属板２１〜２３を共通に支持可能に構成されてもよい。同図に示す電極基板１４０において、樹脂基板３１０は、第１〜第３の金属板１２１〜１２３を個々に収容可能な３つの開口部を有し、各金属板１２１〜１２３は、これら各開口部内において接合部（第２の樹脂部３２）を介して樹脂基板３１０と接合される。これにより、３つの金属板１２１〜１２３は、樹脂基板３１０によって同一平面内において共通に支持される。
【００７０】
図１３に示す電極基板１４０を備えた電子部品としては、典型的には、同一平面内にソース端子、ゲート端子及びドレイン端子を有するトランジスタ部品が挙げられる。この場合、第１の金属板１２１はソース端子（Ｓ）に、第２の金属板１２２はゲート端子（Ｇ）に、そして第３の金属板１２３はドレイン端子（Ｄ）に、それぞれ電気的に接続される。
【００７１】
また、図１３に示すように、電極基板１４０上に２つの半導体素子１１１，１１２が搭載されてもよい。第１の半導体素子１１１としてはトランジスタ部品が、第２の半導体素子１１２としてはダイオード部品がそれぞれ採用されてもよい。これにより、図４に示す等価回路を備えた電子部品を構成することができる。また、第２の半導体素子１１２はダイオード部品に限られず、コンデンサ部品やコイル部品、抵抗部品等の他の受動部品が採用されてもよい。
【符号の説明】
【００７２】
１１，１１１…第１の半導体素子
１２，１１２…第２の半導体素子
２１，１２１…第１の金属板
２２，１２２…第２の金属板
２３，１２３…第３の金属板
３０，３３…支持体
３１…第１の樹脂部（樹脂基板）
３２…第２の樹脂部（接合部）
４０，１４０…電極基板
５０…中間接続層
１００，２００，３００…電子部品
３１０…樹脂基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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