(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザ光を用いることなく導電層（配線）の多層化をすることができる多層回路基板構造を提供する。【解決手段】多層回路基板構造２は、フレキシブル基板４と、フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層６と、第１導電層６を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層１０と、感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層１２とを含む。感光樹脂絶縁層１０には、第１導電層６と第２導電層１２とを電気的に接続するためのコンタクトホール３０が設けられる。リソグラフィーにより形成されるコンタクトホール３０の幅又は直径を、第１及び第２導電層６、１２における配線８ａ、８ｂ、１４ａ〜１４ｆの線幅に等しく又は小さくする。また、このフレキシブル基板４の他側表面に、金属層及び／又は樹脂層を設けてもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板と、前記フレキシブルの片側表面に設けられた第１導電層と前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成されていることを特徴とする多層回路基板構造。
【請求項２】
前記コンタクトホールの幅又は直径は、前記第１及び第２導電層における配線幅に等しい又は前記配線幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板構造。
【請求項３】
前記フレキシブル基板の他側表面には、金属層及び／又は樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板構造。
【請求項４】
前記フレキシブル基板の前記他側表面には、金属層が設けられ、前記金属層の表面に樹脂層が設けられ、前記樹脂層は感光性樹脂又はソルダーレジストから形成されていることを特徴とする請求項３に記載の多層回路基板構造。
【請求項５】
前記第１導電層の厚さ（ｔ１）は、前記第２導電層の厚さ（ｔ２）以下である（ｔ１≦ｔ２）ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層回路基板構造。
【請求項６】
前記第２導電層の少なくとも一部には電気的接続用の金属メッキ層が設けられ、前記第１導電層には電気的接続用の金属メッキ層が設けられていないことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層回路基板構造。
【請求項７】
前記第２導電層の一部には、金属メッキで積み上げた厚肉接続部が設けられ、前記第１導電層の厚み（ｔ１）と前記第２導電層の厚み（ｔ２）とは等しく、前記厚肉接続部の厚み（ｔ３）は、前記第１及び第２導電層の厚み（ｔ１、ｔ２）よりも厚い（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ことを特徴とする請求項６に記載の多層回路基板構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルなどを駆動させるための半導体チップなどを実装する多層回路基板構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置などの表示パネル装置は、近年、ＨＤ（ハイビジョン）、ＦＨＤ（フルハイビジョン）、4Ｋ及び8Ｋへと高画質化に推移している。このような高画質化の流れにより、表示パネル装置の画素が微細化して画素数が増加とともに、それを駆動するための半導体チップの出力数も増加傾向にある。特に、スマートフォンなどの小型表示パネル装置の場合、実装面積が小さいために、１チップの半導体で駆動する必要があり、そのために、複数の半導体チップを搭載して駆動するテレビ用途などと比較して、１チップの出力数は増大傾向である。
【０００３】
更に、従来、液晶表示パネルに半導体チップを直接実装していたが、狭額縁化のデザインが主流となってきており、それを実現するために、ポリイミドフィルムの表面に配線を形成したフレキシブル基板に半導体チップを実装し（ＣＯＦ：Chip On Film）、液晶表示パネルとフレキシブル基板の出力部とを、ＡＣＦ(Anisotropic
Conductive Film)で電気的に接続し、このフレキシブル基板を折り曲げてチップ実装部を液晶表示パネルの裏に回す実装形態が主流となっている。
【０００４】
このような実装形態では、ＣＯＦの寸法精度、半導体チップの実装精度、ＡＣＦの実装精度の制約などで、従来のポリイミドフィルムの片面に銅配線を形成する構造では出力数が、１４４０本程度までしか対応できず、スマートフォン向けに要望される３０００本前後の出力数は対応することができない。
【０００５】
そこで、このような不都合を改善のため、フレキシブル基板としてのポリイミドフィルムの両面に導電層（銅配線）を形成するＣＯＦ構造（図１０）が主流となりつつある。図１０を参照して、この従来の回路基板構造１０２においては、ポリイミドフィルム１０４の片側表面（図１０において上側表面）に第１導電層１０６（所謂、第１銅配線）が設けられ、この第１導電層１０６の表面が第１ソルダ−レジスト層１０８で覆われている。また、このポリイミドフィルム１０４の他側表面（図１０において下側表面）に第２導電層１１０（所謂、第２銅配線）が設けられ、この第２導電層１１０の表面が第２ソルダ−レジスト層１１２により覆われている。そして、ポリイミドフィルム１０４の片面側において、半導体チップ１１４がＡｕバンプ１１６を介して第１導電層１０６に電気的に接続され、その他面側に例えば液晶表示パネルとの電気的接合部１１８が設けられ、第１導電層１０６と第２導電層１１０とがＶＩＡホール１２０を介して電気的に接続されている。
【０００６】
このようなＶＩＡホール１２０は、ポリイミドフィルム１０４にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内に金属メッキを施して形成している。このコンタクトホールの形成にはレーザ光利用の技術が適用され（例えば、特許文献１参照）、レーザ光を利用することにより直径２５μｍ前後のコンタクトホールを形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−８７５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、レーザ光を利用してコンタクトホールを形成する場合、コンタクトホールを形成するための形成装置が高価になるとともに、ポリイミドフィルムにコンタクトホールを所要の通りに形成するための作業時間が長くなり、その結果、回路基板の製造コストが上昇するという問題がある。
【０００９】
また、レーザ光を利用したコンタクトホール（ＶＩＡホール）の直径は２５μｍ前後となり、このことに関連して、配線を接続するためのランド寸法が７０μｍ前後と大きくなるという問題がある。更に、ＣＯＦ実装では、その配線ピッチは約２０μｍピッチで、配線幅は１０μｍ前後であり、そのような配線を引き回す場合、このような大きなランド寸法がネックとなって配線を引き回す箇所の面積が大きくなり、半導体チップのサイズが大きくなるという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、レーザ光を用いることなく導電層（配線）の多層化をすることができる多層回路基板構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の多層回路基板構造は、フレキシブル基板と、前記フレキシブルの片側表面に設けられた第１導電層と前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成されていることを特徴とする。
【００１２】
このような多層回路基板構造では、前記コンタクトホールの幅又は直径を、前記第１及び第２導電層における配線幅に等しい又は前記配線幅より小さくすることが好ましく、また前記フレキシブル基板の他側表面に、金属層及び／又は樹脂層を設けるのが好ましく、前記フレキシブル基板の前記他側表面に金属層を設け、前記金属層の表面に樹脂層を設け、前記樹脂層を感光性樹脂又はソルダーレジストから形成するのが好ましい。
【００１３】
更に、前記第１導電層の厚さ（ｔ１）を、前記第２導電層の厚さ（ｔ２）以下にする（ｔ１≦ｔ２）のが好ましく、前記第２導電層の少なくとも一部に電気的接続用の金属メッキ層を設け、前記第１導電層に電気的接続用の金属メッキ層を設けない構成にするのが好ましく、更にまた前記第２導電層の一部に、金属メッキで積み上げた厚肉接続部を設け、前記第１導電層の厚み（ｔ１）と前記第２導電層の厚み（ｔ２）とを等しく、前記厚肉接続部の厚み（ｔ３）を、前記第１及び第２導電層の厚み（ｔ１、ｔ２）よりも厚くする（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ことが望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の多層回路基板構造によれば、フレキシブルの片側表面に設けられた第１導電層とこの第１導電層の表面に感光樹脂絶縁層を介して設けられた第２導電層との間にこの感光樹脂絶縁層を貫通してコンタクトホールが設けられ、コンタクトホールがリソグラフィーにより形成されているので、コンタクトホール（ＶＩＡホール）を比較的安価な製造装置を用い、複数のコンタクトホールを同時に形成することができるために短い作業時間でもって形成することができる。またリソグラフィーにより形成するので、例えば５μｍ前後の大きさのコンタクトホール（ＶＩＡホール）の形成が可能となり、これにより、ランドが不要となり、回路基板構造における配線の引き回しが容易となる。
【００１５】
また、コンタクトホールの幅又は直径を、第１及び第２導電層における配線幅に等しい又はこれらの配線幅より小さくすることにより回路基板構造を小さくすることができ、またフレキシブル基板の他側表面に金属層を設けることにより、電磁シールド効果及び放熱効果を持たせることができるとともに、片側表面における樹脂硬化時の収縮による反りを抑えることができ、また樹脂層を設けることにより、この樹脂硬化時の収縮による反りを抑えることができ、更にフレキシブル基板の他側表面に金属層及び樹脂層を設けることにより、上述の効果をより高めることができる。
【００１６】
更に、第１導電層の厚さ（ｔ１）を第２導電層の厚さ（ｔ２）以下にする（ｔ１≦ｔ２）ことにより、また第２導電層の少なくとも一部に電気的接続用の金属メッキ層を設け、第１導電層に電気的接続用の金属メッキ層を設けない構成にすることにより、多層回路基板構造の薄型化を図ることができ、更にまた第２導電層の一部に、金属メッキで積み上げた厚肉接続部を設けることにより、ＡＣＦ（接合する場合における接合性低下を防止し、例えば液晶表示パネルとの電気的接続を確実にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に従う多層回路基板構造の第１の実施形態を示す拡大断面図。
【図２】図１の多層回路基板構造を示す拡大平面図。
【図３】図３（ａ）は、図１の多層回路基板構造におけるＶＩＡホール及びその近傍を示す部分拡大平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線による部分拡大断面図。
【図４】図４（ａ）は、レーザ光を利用して形成したＶＩＡホールを及びその近傍を示す部分拡大平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＩＶ−ＩＶ線による部分拡大断面図。
【図５】本発明に従う多層回路基板構造の第２の実施形態を示す拡大断面図。
【図６】本発明に従う多層回路基板構造の第３の実施形態を示す拡大断面図。
【図７】第１の実施形態の多層回路基板構造を製造する製造工程におけるコンタクトホールを形成するまでの工程を簡略的に示す図。
【図８】第１の実施形態の多層回路基板構造を製造する製造工程におけるドライフィルムレジスト層を形成するまでの工程を簡略的に示す図。
【図９】第１の実施形態の多層回路基板構造を製造する製造工程におけるソルダーレジスト層を形成するまでの工程を簡略的に示す図。
【図１０】従来の回路基板構造の一例を示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図１〜図９を参照して、本発明に従う多層回路基板構造の実施形態について説明する。まず、図１〜図３を参照して、第１の実施形態の多層回路基板構造について説明する。図１及び図２において、図示の多層回路基板構造２は、例えばポリイミドフィルムから構成されたフレキシブル基板４を備え、このフレキシブル基板４の片側表面（図１において上側表面）に第１導電層６が設けられている。この第１導電層６は、所望形状の複数の配線８ａ，８ｂから構成され、これら配線８ａ，８ｂは、例えば両側に直線状に延びる銅配線から形成されている。これら配線８ａ，８ｂは、このような形状に限定されず、適宜の形状でよい。
【００１９】
この第１導電層６の表面側には感光樹脂絶縁層１０が設けられ、この感光樹脂絶縁層１０は、第１導電層６の配線８の表面を覆うとともに、配線８間の領域（即ち、フレキシブル基板４における配線８が設けられていない部分の表面）を覆っている。
【００２０】
この感光性樹脂絶縁層１０の表面側には、第２導電層１２が設けられている。第２導電層１２は、所望形状の複数の配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆから構成されている。この形態では、フレキシブル基板４の略中央部にはチップ搭載域Ｓが設けられ、このチップ搭載域Ｓに比較的短い配線１４ｃ，１４ｄが設けられ、このチップ搭載域Ｓから両側に配線１４ｂ，１４ｄが設けられ、チップ搭載域Ｓの外側（図１及び図２において左端部）に配線１４ａが設けられ、これら配線１４ａ〜１４ｆは、例えば銅配線から形成される。この形態では、複数の配線１４ａは、フレキシブル基板４の左端部において直線状に延び、複数の配線１４ｂは、チップ搭載域Ｓの外側から内側に直線状に延び、また複数の配線１４ｅは、チップ搭載域Ｓの内側から図１及び図２において右側に直線状に延び、複数の配線１４ｆはフレキシブル基板４の右端部に設けられている。これら配線１４ａ〜１４ｆは、これらの形状に限定されず、適宜の形状でよい。このように第１導電層６（配線８ａ，８ｂ）と第２導電層１２（配線１４ａ〜１４ｆ）との間に感光性樹脂絶縁層１０が介在されているので、第１導電層６と第２導電層１２との間の電気的絶縁が確保される。
【００２１】
この第２導電層１２（配線１４ａ〜１４ｆ）の表面には、金属メッキ層としての錫メッキ層１６が設けられている。尚、このような錫メッキ層は第１導電層６（配線８ａ，８ｂ）の表面に設けられることはない。また、下側の第１導電層６と表面側の第２導電層１２とは、所定の接続部位にてＶＩＡホール１８を介して電気的に接続されている。このＶＩＡホール１８については、後述する。
【００２２】
また、第２導電層１２（具体的には、錫メッキ層１６）の表面側の所定部位には、ソルダーレジスト層２０が設けられている。このソルダーレジスト層２０は、電気的絶縁信頼性、難燃性、低コンタミ性などを確保するために設けられる。
【００２３】
このフレキシブル基板４のチップ搭載域Ｓには、半導体チップ２２が搭載される。この半導体チップは矩形状であり、Ａｕバンプ２４を介して第２導電層１２（図示の例では、配線１４ｂ〜１４ｅ）に電気的に接続される。この実施形態では、半導体チップ２２内の配線２６及びＡｕバンプ２４を介して第２導電層１２の配線１４ｂと１４ｄとが電気的に接続されている。そして、このチップ搭載域Ｓに封止樹脂材２８が充填され、この封止樹脂２８により、フレキシブル基板４側（ソルダーレジスト層２０、第２導電層１２、Ａｕバンプ２４及び感光性樹脂絶縁層２０）と半導体チップ２２との間の空間が密封される。
【００２４】
また、この多層回路基板構造２の表面側の図１において左部に接合域Ｐが設けられ、この接合域Ｐに例えば液晶表示パネル側（図示せず）が電気的に接合される。即ち、この液晶表示パネルの端子部は、第２導電層１２の配線１４ａ，１４ｂに電気的に接続され、この反動隊チップ２２からの駆動信号により液晶表示パネル（図示せず）が駆動される。
【００２５】
この多層回路基板構造２では、図１に示すように、第１導電層６（配線８ａ，８ｂ）の厚さｔ１は、第２導電層１２（配線１４ａ〜１４ｆ）の厚さｔ２以下に形成されており、このように形成することにより、充分な耐久性を維持しながらその薄型化を図ることができる。尚、第１導電層６の厚さｔ１は、例えば１〜６μｍにすることができ、第２導電層１２の厚さｔ２は、例えば６〜９μｍとすることができる。
【００２６】
次いで、図３を参照して、第１の実施形態におけるＶＩＡホール１８及びそれに関連する構成について説明する。この実施形態では、後に詳述するように、ＶＩＡホール１８を形成するためのコンタクトホール３０（貫通孔）は感光樹脂絶縁層リソグラフィーにより形成され、かく形成されたコンタクトホール３０に金属メッキ処理（例えば、銅メッキ処理）を施して金属３２（例えば、銅）で埋めることによりＶＩＡホール３０が形成され、このようにすることにより、下側側の第１導電層６と上側の第２導電層１２とがＶＩＡホール１８を介して電気的に接続される。
【００２７】
このようにリソグラフィーを利用した方法によりコンタクトホール３０を形成する場合、比較的安価な製造装置でもって複数のコンタクトホール３０を同時に形成し、短い作業時間でもって形成することができる。加えて、第１導電層６の配線８ａ（８ｂ）及び第２導電層１２の配線１４ａ（１４ｃ，１４ｄ，１４ｆ）の線幅が１０μｍ前後であっても、このリソグラフィーにより形成されるコンタクトホール３０の内径は５μｍ前後とすることができ、従って、図３（ａ）に示すように、このコンタクトホール３０（換言すると、ＶＩＡホール１８）を第１導電層６の配線８ａ（８ｂ）及び第２導電層１２の配線１４ａ（１４ｃ，１４ｄ，１４ｆ）の線幅内に位置付けることが可能となり、従来のようにランドを設ける必要がなくなる。
【００２８】
このコンタクトホール３０を円形状に形成した場合にその内径（直径）の大きさを第１導電層６（及び第２導電層１２）の配線８ａ，８ｂ（及び配線１４ａ〜１４ｆ）の線幅と等しく又はこれよりも小さくすることによって、またその形状を矩形状に形成した場合にその一辺の大きさを第１導電層６（及び第２導電層１２）の配線幅と等しく又はこれよりも小さくすることによって、上述の効果を得ることができる。
【００２９】
参考に図４を参照して従来のレーザ光を利用した方法について説明すると、レーザ光を利用してコンタクトホール３０を形成した場合、コンタクトホール３０の内径は２５μｍ前後となり、第１導電層６の配線８ａ（８ｂ）及び第２導電層１２の配線１４ａ（１４ｃ，１４ｄ，１４ｆ）の線幅が１０μｍ前後であると、ＶＩＡホール１８がこの線幅からはみ出てしまうことになる。このような場合、これら配線８ａ（８ｂ）、１４ａ（１４ｃ，１４ｄ，１４ｆ）にラウンド３４を設け、このラウンド３４内にＶＩＡホール１８を位置付けるようにしなければならず、またこのときのラウンド３４の大きさは７０μｍ程度と大きくなる。従って、このような大きなラウンド３４のために、第１導電層６及び第２導電層１２の配線を引き回して形成する必要が生じ、半導体チップ及びフレキシブル基板が大きくなるという問題が生じる。
【００３０】
次に、図５を参照して、本発明に従う多層回路基板構造の第２の実施形態について説明する。この第２実施形態においては、フレキシブル基板の裏面に金属層及び樹脂層が設けられている。尚、以下の実施形態において、上述した第１の実施形態と実質上同一の部材には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。
【００３１】
図５において、この第２の実施形態では、フレキシブル基板４Ａの片側表面（図５において上側表面）に第１導電層６、感光樹脂絶縁層１０及び第２導電層１２などが設けられ、この片側表面の構造は、上述した第１の実施形態と同様である。このフレキシブル基板４Ａの裏面に熱伝導性樹脂層４２が設けられ、この熱伝導性樹脂層４２の表面に金属層４４が設けられ、更にこの金属層４４を覆うように樹脂層４６が設けられている。金属層４４は、例えば銅などから形成され、樹脂層４６は、例えば感光性樹脂、ソルダーレジストなどから形成される。この第２の実施形態のその他の構成は、上述した第１の実施形態と実質上同一である。
【００３２】
このように金属層４４を設けることにより、半導体チップ２２にて発生する熱をこの金属層４４を介して放熱することができ、また電磁シールド効果を持たせることができる。また、金属層４４及び樹脂層４６を設けることにより、フレキシブル基板４Ａの片面側を製造する際に発生するその反りを抑えることができる。尚、この形態では、フレキシブル基板４Ａの裏面に熱伝導性樹脂層４２を設けているが、この熱伝導性樹脂層４２を省略してフレキシブル基板２Ａに直接的に金属層４４を設けるようにしてもよい。また、フレキシブル基板２Ａの裏面に金属層４４及び樹脂層４６を設けているが、金属層及び樹脂層４６のいずれか一方のみを設けるようにしてもよい。
【００３３】
次に、図６を参照して、本発明に従う多層回路基板構造の第３の実施形態について説明する。この第３実施形態においては、第２導電層の一部（即ち、接合域Ｐに位置する部位）に厚肉接続部が設けられている。図６を参照して、この第３の実施形態の多層回路基板構造２Ｂにおいては、第２導電層１２Ｂの一部（接合域Ｐに位置する部位）に厚肉接続部５２が設けられている。この厚肉接続部５２は、第２導電層１２Ｂの配線１４ａ，１４ｂの一部に金属メッキ処理（例えば、銅メッキ処理）を施して金属（例えば、銅）を積み上げてメッキ金属層５４とし、配線１４ａ，１４ｂ及びメッキ金属層５４により構成されている。
【００３４】
このように第２導電層１２Ｂに厚肉接続部５２を形成した場合、次のように構成するのが望ましい。即ち、第１導電層６（配線８ａ，８ｂ）の厚さｔ１は、例えば１〜６μｍにすることができ、第２導電層１２Ｂ（配線１４ａ〜１４ｆ）の厚さｔ２は、第１導電層６の厚さｔ１と等しい厚さ（ｔ１＝ｔ２）、例えば１〜６μｍとすることができ、また第２導電層１２Ｂの厚肉接続部５２の厚さｔ３は、第１及び第２導電層６，１２Ｂの厚さｔ１，ｔ２より厚く（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）、例えば６〜９μｍとすることができる。このように厚肉接続部５２の厚さを厚くすることにより、ＡＣＦ接合する場合の接合性低下を防止することができる。
【００３５】
次に、図１とともに図７〜図９を参照して、第１の実施形態の多層回路基板構造の製造方法の一例について説明する。まず、図７（ａ）に示すように、フレキシブル基板４の片側表面にその全域を覆うように第１導電層６（例えば、銅から形成される）を形成し、この第１導電層６の表面にその全域を覆うように感光レジストを塗布してレジスト層６２を形成する。
【００３６】
次いで、このレジスト層６２の表面に第１導電層６の配線パターンが形成された第１マスク（図示せず）を位置付けて露光・現像を行い、図７（ｂ）で示すように、レジスト層６２の不要部分を除去し、第１導電層６の配線８ａ，８ｂとなる部分にのみレジスト層６２が残るようにする。
【００３７】
そして、このようにレジスト層６２が残った状態にて、銅エッチング処理を行い、図７（ｃ）で示すように、第１導電層６の不要な部分（即ち、レジスト層６２で覆われていない部分）を除去する。その後、図７（ｄ）で示すように、第１導電層６を覆うレジスト層６２を除去し、このようにしてフレキシブル基板４の表面に第１導電層６の配線８ａ，８ｂを形成することができる。
【００３８】
次に、図８（ａ）で示すように、第１導電層６の表面側に、第１導電層６及びフレキシブル基板４の全域を覆うように感光樹脂絶縁材料を塗布して感光樹脂絶縁層１０を形成する。尚、感光樹脂絶縁材料を塗布することに代えて、感光樹脂絶縁フィルムをラミネートして感光樹脂絶縁層１０を形成するようにしてもよい。
【００３９】
その後、この感光樹脂絶縁層１０の表面にコンタクトホール３０のパターンが形成された第２マスク（図示せず）を位置付けて露光・現像を行い、図８（ｂ）で示すように、感光樹脂絶縁層１０の不要部分を除去し、この感光樹脂絶縁層１０にコンタクトホール３０（即ち、ＶＩＡホール１８となる部分）を形成する。そして、図８（ｃ）で示すように、無電解銅メッキ処理を施してコンタクトホール３０内に金属３２としての銅を積み上げて銅３２で埋め、このようにして感光樹脂絶縁層１０の所定部位にＶＩＡホール１８を形成する。尚、このとき、感光樹脂絶縁層１０の表面には薄い銅被覆層６３が形成される。
【００４０】
次に、図８（ｄ）で示すように、感光樹脂絶縁層１０の表面側に、この感光樹脂絶縁層１０及びＶＩＡホール１８の全域を覆うように感光ドライフィルム６４をラミネートする。そして、この感光ドライフィルム６４の表面に第２導電層１２の配線１４ａ〜１４ｆ）のパターンが形成された第３マスク（図示せず）を位置付けて露光・現像を行い、図９（ａ）で示すように、感光ドライフィルム１０の不要部分（配線１４ａ〜１４ｆに対応する部分）を除去する。そして、図９（ｂ）で示すように、電解銅メッキ処理を施して露出している薄い銅被覆層６３にメッキ層を形成し、このようにして感光樹脂絶縁層１０の表面に第２導電層１２の配線１４ａ〜１４ｆを形成することができる。
【００４１】
その後、図９（ｃ）で示すように、感光樹脂絶縁層１０（具体的には、銅被覆層６３）の表面に残留する感光ドライフィルム６４を除去し、更に銅フラッシュエッチングを施して露出している銅被覆層６３を除去し、このようにしてフレキシブル基板４の表面側の第１導電層６（配線８ａ，８ｂ）に感光樹脂絶縁層１０を介して第２導電層１２（配線１４ａ〜１４ｆ）を形成することができる。
【００４２】
しかる後、第２導電層１２の表面に、必要に応じて錫メッキ層１６（図１参照）を設け、更にソルダーレジスト層２０を印刷することにより、図９（ｄ）に示す多層回路基板を形成することができ、このように形成した多層回路基板に半導体チップ２２を搭載して図１に示す多層回路基板構造２を製作することができる。
【００４３】
以上、本発明に従う多層回路基板構造の実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形乃至修正が可能である。
【００４４】
例えば、上述した実施形態では、フレキシブル基板４（４Ａ，４Ｂ）の片面側に第１導電層６（配線８ａ，８ｂ）を設け、この第１導電層６の表面側に感光樹脂絶縁層１０を介して第２導電層１２（配線１４ａ〜１４ｅ）を設けて導電層（配線）の２層構造にしているが、この第２導電層１２の表面側に更に感光樹脂絶縁層を介して第３導電層を設けて導電層の３層構造とすることもでき、更には４層構造、５層構造などとすることもできる。
【符号の説明】
【００４５】
２，２Ａ，２Ｂ  多層回路基板構造
４，４Ａ，４Ｂ  フレキシブル基板
６  第１導電層
８ａ，８ｂ  配線
１０  感光樹脂絶縁層
１２，１２Ｂ  第２導電層
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ  配線
１８  ＶＩＡホール
２０  ソルダーレジスト層
２２  半導体チップ
２８  封止樹脂材
３０  コンタクトホール
４４  金属層
４６  樹脂層
５２  厚肉接続部
Ｓ  チップ搭載域
【図１】
2018174236.tif 000003
【図２】
2018174236.tif 000004
【図３】
2018174236.tif 000005
【図４】
2018174236.tif 000006
【図５】
2018174236.tif 000007
【図６】
2018174236.tif 000008
【図７】
2018174236.tif 000009
【図８】
2018174236.tif 000010
【図９】
2018174236.tif 000011
【図１０】
2018174236.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月10日(2017.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、また前記フレキシブル基板の他側表面には、金属層が設けられているとともに、前記金属層の表面に樹脂層が設けられ、前記樹脂層は感光性樹脂又はソルダーレジストから形成されていることを特徴とする多層回路基板構造。
【請求項２】
フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、また前記第２導電層の一部には、金属メッキで積み上げた厚肉接続部が設けられ、前記厚肉接続部の厚み（ｔ３）は、前記第１及び第２導電層の厚み（ｔ１、ｔ２）よりも厚い（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ことを特徴とする多層回路基板構造。
【請求項３】
前記圧肉接続部は、前記第２導電層に設けられているが、前記第１導電層に設けられていないことを特徴とする請求項２に記載の多層回路基板構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の多層回路基板構造は、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、また前記フレキシブル基板の他側表面には、金属層が設けられているとともに、前記金属層の表面に樹脂層が設けられ、前記樹脂層は感光性樹脂又はソルダーレジストから形成されていることを特徴とする。
また、本発明の他の多層回路基板構造は、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、また前記第２導電層の一部には、金属メッキで積み上げた厚肉接続部が設けられ、前記厚肉接続部の厚み（ｔ３）は、前記第１及び第２導電層の厚み（ｔ１、ｔ２）よりも厚い（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このような多層回路基板構造では、金属メッキで積み上げた厚肉接続部を第２導電層に設け、第１導電層に設けないことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の多層回路基板構造によれば、フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、この第１導電層の表面に感光樹脂絶縁層を介して設けられた第２導電層との間にこの感光樹脂絶縁層を貫通してコンタクトホールが設けられ、コンタクトホールがリソグラフィーにより形成されているので、コンタクトホール（ＶＩＡホール）を比較的安価な製造装置を用い、複数のコンタクトホールを同時に形成することができるために短い作業時間でもって形成することができる。またリソグラフィーにより形成するので、例えば５μｍ前後の大きさのコンタクトホール（ＶＩＡホール）の形成が可能となり、これにより、ランドが不要となり、回路基板構造における配線の引き回しが容易となる。
また、フレキシブル基板の他面表面に金属層が設けられ、この金属層の表面側に樹脂層が設けられているので、この金属層により電磁シールド効果及び放熱効果を持たせることができるとともに、その片側表面における樹脂硬化時の収縮による反りを抑えることができ、また樹脂層により上述の樹脂硬化時の収縮の反りをより効果的に抑えることができる。
また、本発明の他の多層回路基板構造によれば、第２導電層の一部に、金属メッキで積み上げた厚肉接続部を設け、この厚肉接続部の厚さ（ｔ３）を第１及び第２導電層の厚さ（ｔ１，ｔ２）よりも厚くする（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ことにより、ＡＣＦ（接合する場合における接合性低下）を防止し、例えば液晶表示パネルとの電気的接続を確実にすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
更に、厚肉接続部を第２導電層に設け、第１導電層に設けない構成にすることにより、第２導電層の一部に、金属メッキで積み上げた厚肉接続部を設けることにより、多層回路基板構造の薄肉化を図ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、この多層回路基板構造２の表面側の図１において左部に接合域Ｐが設けられ、この接合域Ｐに例えば液晶表示パネル側（図示せず）が電気的に接合される。即ち、この液晶表示パネルの端子部は、第２導電層１２の配線１４ａ，１４ｂに電気的に接続され、この半導体チップ２２からの駆動信号により液晶表示パネル（図示せず）が駆動される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月30日(2018.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層の配線と前記第２導電層の配線とを直接的に電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、前記コンタクトホールの内径又は一辺が前記第１導電層の前記配線及び前記第２導電層の前記配線の幅と等しく又はこれらよりも小さく、また前記フレキシブル基板の他側表面には、金属層が設けられているとともに、前記金属層の表面に樹脂層が設けられ、前記樹脂層は感光性樹脂又はソルダーレジストから形成されていることを特徴とする多層回路基板構造。
【請求項２】
フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層の配線と前記第２導電層の配線とを直接的に電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、前記コンタクトホールの内径又は一辺が前記第１導電層の前記配線及び前記第２導電層の前記配線の幅と等しく又はこれらよりも小さく、また前記第２導電層の一部にはＡＣＦ接続用の厚肉接続部が設けられ、前記厚肉接続部は、前記第２導電層の前記配線の一部に金属メッキを積み上げて形成され、前記厚肉接続部の厚み（ｔ３）は、前記第１及び第２導電層の厚み（ｔ１、ｔ２）よりも厚い（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ことを特徴とする多層回路基板構造。
【請求項３】
前記厚肉接続部は、前記第２導電層に設けられているが、前記第１導電層に設けられていないことを特徴とする請求項２に記載の多層回路基板構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の多層回路基板構造は、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層の配線と前記第２導電層の配線とを直接的に電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、前記コンタクトホールの内径又は一辺が前記第１導電層の前記配線及び前記第２導電層の前記配線の幅と等しく又はこれらよりも小さく、また前記フレキシブル基板の他側表面には、金属層が設けられているとともに、前記金属層の表面に樹脂層が設けられ、前記樹脂層は感光性樹脂又はソルダーレジストから形成されていることを特徴とする。
また、本発明の他の多層回路基板構造は、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、前記第１導電層を覆うように設けられた感光樹脂絶縁層と、前記感光樹脂絶縁層の表面に設けられた第２導電層とを含み、前記感光樹脂絶縁層には、前記第１導電層の配線と前記第２導電層の配線とを直接的に電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールがリソグラフィーにより形成され、前記コンタクトホールの内径又は一辺が前記第１導電層の前記配線及び前記第２導電層の前記配線の幅と等しく又はこれらよりも小さく、また前記第２導電層の一部にはＡＣＦ接続用の厚肉接続部が設けられ、前記厚肉接続部は、前記第２導電層の前記配線の一部に金属メッキを積み上げて形成され、前記厚肉接続部の厚み（ｔ３）は、前記第１及び第２導電層の厚み（ｔ１、ｔ２）よりも厚い（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の多層回路基板構造によれば、フレキシブル基板の片側表面に設けられた第１導電層と、この第１導電層の表面に感光樹脂絶縁層を介して設けられた第２導電層との間にこの感光樹脂絶縁層を貫通してコンタクトホールが設けられ、コンタクトホールがリソグラフィーにより形成されているので、コンタクトホール（ＶＩＡホール）を比較的安価な製造装置を用い、複数のコンタクトホールを同時に形成することができるために短い作業時間でもって形成することができる。またリソグラフィーにより形成するので、例えば５μｍ前後の大きさのコンタクトホール（ＶＩＡホール）の形成が可能となる。
また、このコンタクトホールは第１導電層の配線と第２導電層の配線とを直接的に電気的に接続するので、電気的に接続するためのランドを設ける必要はなく、また、コンタクトホールの内径又は一辺が第１導電層の配線及び第２導電層の配線の幅と等しく又はこれらよりも小さく、これのことに関連して、第１導電層及び第２導電層の配線の引き回しが容易となる。
また、フレキシブル基板の他面表面に金属層が設けられ、この金属層の表面側に樹脂層が設けられているので、この金属層により電磁シールド効果及び放熱効果を持たせることができるとともに、その片側表面における樹脂硬化時の収縮による反りを抑えることができ、また樹脂層により上述の樹脂硬化時の収縮の反りをより効果的に抑えることができる。
また、本発明の他の多層回路基板構造によれば、第１導電層の配線と第２導電層の配線とを直接的に電気的に接続するコンタクトホールが設けられ、このコンタクトホールの内径又は一辺が第１導電層の配線及び第２導電層の配線の幅と等しく又はこれらよりも小さくなっており、このような基本的構成により、上述したと同様の作用効果を奏する。加えて、第２導電層の配線の一部に、金属メッキで積み上げたＡＣＦ接続用の厚肉接続部が設けられ、この厚肉接続部の厚さ（ｔ３）が第１及び第２導電層の厚さ（ｔ１，ｔ２）よりも厚くなっている（ｔ１，ｔ２＜ｔ３）ので、ＡＣＦ接合する場合における接合性低下を防止し、例えば液晶表示パネルとの電気的接続を確実にすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このフレキシブル基板４のチップ搭載域Ｓには、半導体チップ２２が搭載される。この半導体チップは矩形状であり、Ａｕバンプ２４を介して第２導電層１２（図示の例では、配線１４ｂ〜１４ｅ）に電気的に接続される。この実施形態では、半導体チップ２２内の配線２６及びＡｕバンプ２４を介して第２導電層１２の配線１４ｂと１４ｄとが電気的に接続されている。そして、このチップ搭載域Ｓに封止樹脂材２８が充填され、この封止樹脂２８により、フレキシブル基板４側（ソルダーレジスト層２０、第２導電層１２、Ａｕバンプ２４及び感光性樹脂絶縁層１０）と半導体チップ２２との間の空間が密封される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、この多層回路基板構造２の表面側の図１において左部に接合域Ｐが設けられ、この接合域Ｐに例えば液晶表示パネル側（図示せず）が電気的に接合される。即ち、この液晶表示パネルの端子部は、第２導電層１２の配線１４ａ，１４ｂに電気的に接続され、この半導体チップ２２からの駆動信号により液晶表示パネル（図示せず）が駆動される。