(57)【要約】【課題】環境温度が低温の状態から発熱素子を駆動して基板温度を急激に昇温させた際、想定よりも基板温度が上昇することで、インクの吐出特性に影響を及ぼすことがある。【解決手段】記録素子基板であって、複数の記録素子と、前記複数の記録素子それぞれに対応する複数の第一の駆動回路と、前記記録素子基板を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する第二の駆動回路と、を備え、前記第二の駆動回路は、ソース接地型ＭＯＳトランジスタで形成され、前記第二の駆動回路に供給されるゲート電圧を生成する抵抗分圧部が設けられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録素子基板であって、
複数の記録素子と、
前記複数の記録素子それぞれに対応する複数の第一の駆動回路と、
前記記録素子基板を加熱する発熱素子と、
前記発熱素子を駆動する第二の駆動回路と、
を備え、
前記第二の駆動回路は、
ソース接地型ＭＯＳトランジスタで形成され、
前記第二の駆動回路に供給されるゲート電圧を生成する抵抗分圧部が設けられることを特徴とする記録素子基板。
【請求項２】
前記抵抗分圧部は、
少なくとも、電圧が印加される側の第一の抵抗成分と、接地側の第二の抵抗成分で構成され、
前記第一の抵抗成分と前記第二の抵抗成分の間で、前記第二の駆動回路のゲート端子と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の記録素子基板。
【請求項３】
前記第一の抵抗成分と前記第二の抵抗成分はそれぞれ、少なくとも一つ以上の抵抗成分を有する素子で構成されることを特徴とする請求項２に記載の記録素子基板。
【請求項４】
前記第二の抵抗成分は、前記第一の抵抗成分に比べ、温度上昇による抵抗値の増加が小さいことを特徴とする請求項２または３に記載の記録素子基板。
【請求項５】
前記第一の抵抗成分は、正の温度特性素子で形成され、
前記第二の抵抗成分は、負の温度特性素子で形成される
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項６】
前記第一、第二の抵抗成分は、負の温度特性素子で形成されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項７】
前記第一、第二の抵抗成分は、正の温度特性素子で形成されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項８】
前記正の温度特性素子は、ＡＬ−Ｓｉにより形成されることを特徴とする請求項５または７に記載の記録素子基板。
【請求項９】
前記負の温度特性素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項５または６に記載の記録素子基板。
【請求項１０】
前記抵抗分圧部を構成する抵抗成分のうち、少なくとも前記第二の抵抗成分は、前記発熱素子に隣接して配置されることを特徴とする請求項２乃至９のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項１１】
前記抵抗分圧部は、電圧が印加される側の第一の抵抗分圧部と、前記駆動回路と接続される第二の抵抗分圧部を含んで構成され、
前記第一の抵抗分圧部と前記第二の抵抗分圧部それぞれは、少なくとも電圧が印加される側の第一の抵抗成分と、接地側の第二の抵抗成分で構成され、
前記第一の抵抗分圧部で形成されたゲート電圧は、前記第二の抵抗分圧部における第一の抵抗成分に印加されるよう、電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の記録素子基板。
【請求項１２】
少なくとも二つの前記抵抗分圧部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の記録素子基板。
【請求項１３】
記録素子基板であって、
複数の記録素子と、
前記複数の記録素子それぞれに対応する複数の第一の駆動回路と、
前記記録素子基板を加熱する発熱素子と、
前記発熱素子を駆動する第二の駆動回路と、
前記第二の駆動回路に供給されるゲート電圧を生成するゲート電圧生成部と、
を備え、
前記第二の駆動回路は、
ソース接地型ＭＯＳトランジスタを含んで形成され、
前記ソース接地型ＭＯＳトランジスタに供給されるゲート電圧生成する抵抗分圧部が設けられ、
前記ゲート電圧は、前記記録素子基板の温度上昇に応じて低下することを特徴とする記録素子基板。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の記録素子基板を１または複数備える記録ヘッド。
【請求項１５】
請求項１４に記載の記録ヘッドを１または複数備える記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録素子基板、記録ヘッド、及び記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
所望の文字や画像等の情報を紙やフィルム等の記録媒体に記録する情報出力装置の１つとして液体吐出記録装置（以下、記録装置）がある。記録装置は、液体吐出ヘッド（記録ヘッド）から吐出された液滴を記録媒体に着弾させることで記録を行う。液体吐出ヘッドの液体吐出には様々な方式がある。液体吐出方式の一つとしてサーマルインクジェット方式が良く知られている。サーマルインクジェット方式とはインクに接するヒータに数μ秒程度通電することで発生する熱エネルギーにより誘発されるインクの発泡現象をインク液滴の吐出に利用する液体吐出方式である。
【０００３】
このようなサーマルインクジェット方式の記録ヘッドでは、使用環境が室温から離れた低温環境である場合、室温近くまでインクの温度を加熱することで、インクの粘度を低下させてインク粘度起因による吐出不良を防止する為の温度制御を行うものがある。特許文献１では、環境温度起因によるインク温度の制御方法として、サーミスタによって温調用抵抗素子を自己制御する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２００５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のサーマルインクジェット方式の記録ヘッドでは、温調用の抵抗素子（以下、サブヒータ）を、インクを吐出する記録素子を搭載した記録素子基板に搭載し、サブヒータを発熱させることで、記録素子基板と共にインク液滴を加熱している。その際、温度検出素子の検出結果を元に、記録素子基板の温度を４０〜６０℃の範囲に保つよう、サブヒータに流れる電流を制御する。しかし、環境温度が極めて低い場合、電源投入から印刷を開始する間に、サブヒータに急激に電流を流し、基板と共にインクを短時間で加熱させる必要がある。その為、従来の方法である、温度検出結果を記録装置本体に送信し、本体からサブヒータの電流を制御する方法では、本体を介す分、タイムラグが発生し、基板が過剰に昇温する恐れがある。
【０００６】
そこで、特許文献１のように温度検出結果に応じて、記録装置本体からサブヒータを制御するのではなく、ヘッド部において、サブヒータの制御を受動的に行う技術がある。しかし特許文献１では、記録素子基板外側のヘッド温度を３０〜４０℃といった環境温度の範囲で温調することが前提となっており、また、基板内部での作り込みは想定していない。その為、記録素子基板の正確な温度が検出できず、基板上の発熱素子の温度制御が正しく働かない課題がある。
【０００７】
上記課題を鑑み、本願発明は、急激な温調制御を行った際でも、記録装置本体を介さず、記録素子基板内でサブヒータ電流の自己制御を行い、インクの吐出特性を安定させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本願発明は以下の構成を有する。すなわち、記録素子基板であって、複数の記録素子と、前記複数の記録素子それぞれに対応する複数の第一の駆動回路と、前記記録素子基板を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する第二の駆動回路と、を備え、前記第二の駆動回路は、ソース接地型ＭＯＳトランジスタで形成され、前記第二の駆動回路に供給されるゲート電圧を生成する抵抗分圧部が設けられる。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明により、記録装置本体を介さずに速やかに基板の昇温を抑え、安定した吐出特性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】比較例の記録素子基板の構成例を示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る記録素子基板の構成例を示す平面図。
【図３】第２の実施形態に係る記録素子基板の構成例を示す平面図。
【図４】ゲート電圧生成部および駆動回路からサブヒータまでの等価回路を示す図。
【図５】第１の実施形態に係るゲート電圧生成部の等価回路を示す図。
【図６】第２の実施形態に係るゲート電圧生成部の等価回路を示す図。
【図７】第１の実施形態に係る基板中央部Ａの拡大図。
【図８】第２の実施形態に係る基板中央部Ｂの拡大図。
【図９】第１の実施形態に係る基板温度とサブヒータ電流の関係を示すグラフ。
【図１０】第２の実施形態に係る基板温度とサブヒータ電流の関係を示すグラフ。
【図１１】第１の実施形態に係る基板温度とゲート電圧との関係を示すグラフ。
【図１２】第１の実施形態に係るゲート電圧と駆動回路のＭＯＳオン抵抗の関係を示すグラフ。
【図１３】第１の実施形態に係る基板温度と駆動回路のＭＯＳオン抵抗の関係を示すグラフ。
【図１４】記録ヘッドの斜視図。
【図１５】吐出口形成部材が接合された記録素子基板の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００１２】
なお、この明細書において、「記録」（「プリント」という場合もある）とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わない。さらに人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かも問わず、広く記録媒体上に画像、模様、パターン等を形成する、または媒体の加工を行う場合も表すものとする。
【００１３】
また、「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、広く、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、木材、皮革等、インクを受容可能なものも表すものとする。
【００１４】
さらに、「インク」（「液体」と言う場合もある）とは、上記「記録（プリント）」の定義と同様広く解釈されるべきものである。従って、記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成または記録媒体の加工、或いはインクの処理（例えば記録媒体に付与されるインク中の色剤の凝固または不溶化）に供され得る液体を表すものとする。
【００１５】
またさらに、「記録要素」とは、特にことわらない限り吐出口ないしこれに連通する液路およびインク吐出に利用されるエネルギーを発生する素子を総括して言うものとする。
【００１６】
またさらに、「ノズル」とは、特にことわらない限り吐出口ないしこれに連通する液路およびインク吐出に利用されるエネルギーを発生する素子を総括して言うものとする。
【００１７】
以下に用いる記録ヘッド用の素子基板（ヘッド基板）とは、シリコン半導体からなる単なる基体を指し示すものではなく、各素子や配線等が設けられた構成を差し示すものである。
【００１８】
さらに、基板上とは、単に素子基板の上を指し示すだけでなく、素子基板の表面、表面近傍の素子基板内部側をも示すものである。また、本発明でいう「作り込み（ｂｕｉｌｔ−ｉｎ）」とは、別体の各素子を単に基体表面上に別体として配置することを指し示している言葉ではなく、各素子を半導体回路の製造工程等によって素子板上に一体的に形成、製造することを示すものである。
【００１９】
本発明に係る記録ヘッドは、後述するシリアルタイプの記録装置のみならず、その記録幅が記録媒体の幅に相当するようなフルラインタイプの記録ヘッドを備えた記録装置に用いられる。また、その記録ヘッドはシリアルタイプの記録装置の中でも、Ａ０やＢ０などの大きなサイズの記録媒体を用いる大判プリンタなどに用いられる。
【００２０】
＜第１の実施形態＞
［回路構成］
本発明を適用して作成したインクジェット記録ヘッド用の記録素子基板（以下、記録素子基板）について図を用いて説明する。
【００２１】
図２は、第１の実施形態に係る記録素子基板の構成例を示した平面図である。記録素子基板１００は、発熱素子であるサブヒータ１１２、ゲート電圧生成部１１０、駆動回路１１１を備える。
【００２２】
図２において、記録素子基板１００全体を加熱する為に、インク供給口１０６周辺の記録素子用の選択回路１０４と、記録素子用の駆動回路１０３の間を通す形で、３本のサブヒータ１１２が並列に配置されている。また、記録素子基板１００は、自身の温度を検出する為の温度検出素子１０２を備える。温度検出素子１０２が検出した温度情報としての検出結果は、端子１０１を介して、記録装置本体（不図示）に送信される。この温度情報は、例えばヒータ（記録素子）１０５の駆動制御に使われる。本実施形態では、記録素子基板１００の両側に複数の端子１０１がそれぞれ配置されているものとして説明する。ゲート電圧生成部１１０の形状は、図２に示すように帯状である。
【００２３】
図４は、図２に示した第１の実施形態に係る構成のうち、サブヒータ１１２と駆動回路１１１、ゲート電圧生成部１１０である抵抗分圧部（以下、抵抗分圧部１１０とも称する）の等価回路を示す図である。なお、便宜上、記録素子用の駆動回路１０３を第１の駆動回路とも称し、サブヒータ１１２用の駆動回路１１１を第２の駆動回路とも称する。
【００２４】
図５は、第１の実施形態に係る抵抗分圧部１１０の詳細な回路構成の例を示す図である。本実施形態において、抵抗分圧部１１０は、抵抗成分である２つの素子１２０ａ、１２０ｂから構成される。そして、抵抗分圧部１１０は、電圧が印加される側の素子１２０ａと、接地側の素子１２０ｂの間にて、駆動回路１１１のゲート端子１１１ａと電気的に接続される。
【００２５】
本実施形態において、駆動回路１１１は、ソース接地型ＭＯＳトランジスタで構成する。ゲート電圧生成部１１０は、図５に示す等価回路の構成となるよう、端子１０１ｃ側の素子１２０ａをＡＬ−Ｓｉからなる配線として形成する。なお、素子１２０ａを形成する物質はこれに限定するものではなく、その他の物質により形成されてもよい。また、ＧＮＤ側の素子１２０ｂをダイオードで形成し、それらを図２および図７に示すように、サブヒータ１１２に隣接して配置する。図７は、図２における基板中央部Ａのサブヒータ１１２と、その近傍に配置されたゲート電圧生成部１１０を拡大した図である。図７に示すように、図５に示すＧＮＤ側の抵抗成分がヒータ１０５の配列の中央部近傍に配置される。基板中央部Ａは、記録動作中に過剰に昇温しやすい場所である。この例に限らず、ＧＮＤ側の素子１２０ｂを温度変化の大きい場所に配置すればよい。
【００２６】
サブヒータ１１２は、ゲート電圧生成部１１０で生成されたゲート電圧によって、駆動回路１１１からサブヒータ１１２に電流が流れることで発熱し、記録素子基板１００とインク液滴とを加熱する。
【００２７】
図１４は、第１の実施形態に係る記録素子基板を搭載した記録ヘッド３００を示す斜視図である。筐体３０５には電気配線部材３０２、電気配線基板３０３および記録素子基板３０１（３０１ａ、３０１ｂ）が搭載されている。また、筐体３０５にはインクタンク３０４が装着される。インクタンク３０４に格納されたインクは記録ヘッド３００を通して記録素子基板３０１に導入される。なお、図１４は、シリアルタイプの記録装置における記録ヘッド３００の構成例であるが、上述したように、この構成に限らず、フルラインの記録ヘッドに本願発明を適用してもよい。
【００２８】
図１５は、記録ヘッド３００に搭載される記録素子基板３０１ａを示す斜視図である。記録素子基板３０１ａにおいて記録素子基板１００上にヒータ１０５が配置されている。また記録素子基板１００にはインク供給口１０６が形成されている。ヒータ１０５は、インク供給口１０６に沿って配列している。更に記録素子基板１００上には流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａが設けられ、吐出口形成部材２００ａはヒータ１０５に対応した吐出口２０１を形成する。また端子１０１を通して、外部から記録素子基板１００に電圧や信号を供給している。
【００２９】
［本実施形態に係る効果の説明］
第１の実施形態の効果を確認する為、比較例として、図１に示す回路構成を用いる。なお、回路構成以外は、上述した第１の実施形態の構成と同じであるとし、説明を省略する。
【００３０】
図１は、記録素子基板１００を加熱する為の温調用抵抗素子（以下、サブヒータ）１１２を搭載した比較例の記録素子基板を示す平面図である。比較例では、第１の実施形態に係る図２の構成と比較して、サブヒータ１１２を駆動する為の駆動回路１１１と、ゲート電圧生成部１１０が、それぞれ隣接して端子近傍に配置している。ここでは、３列の１１２に対応して、３つの駆動回路とゲート電圧生成部１１０の組が配置されている。
【００３１】
第１の実施形態の構成の記録ヘッドと比較例１の構成の記録ヘッドを用いて、サブヒータ１１２を加熱させた場合について説明する。ここでは、環境温度が５℃の状態から、記録素子基板１００上の温度検出素子１０２の示す温度が５０℃となるよう、サブヒータ１１２に一定の電流を流しながら、加熱した場合について説明する。その際、全てのヒータを駆動させ、各ヒータから吐出されるインクの吐出特性と、記録素子基板１００上の温度検出素子１０２から出力された基板温度、サブヒータ電流について、同時に測定を行う。
【００３２】
測定の結果、比較例１の構成では、基板温度が５０℃近傍に達したところで、基板中央部近傍の吐出口周辺にインクの液溜りが発生し、その周囲の吐出口からインク液滴が正常に吐出されなかった。このインクの液溜りが見られた時の基板表面の温度を、基板上の温度検出素子の値では無く、サーモグラフィを用いて別途、観察した所、基板中央部周辺の温度が７０℃近傍まで昇温していた。
【００３３】
これは、環境温度が低温（５℃）から基板温度を昇温させた際に、環境温度が常温（２５℃）から昇温させた場合と同一の時間で、所望の温度となるよう、急激に加熱を行っていた。その結果、基板中央部Ａのサブヒータ周辺の基板温度が温度検出素子１０２の示す温度よりも高温となっていたことがわかった。その為、記録素子基板と共にサブヒータ周辺のインク温度も過剰に昇温したことで、インクの特性が変化し、不吐が発生していた。
【００３４】
一方、第１の実施形態の構成では、温度検出素子の示す温度が、５０℃よりも低い４５℃近傍で、基板温度が収束し、インク液滴の不吐は見られなかった。この時の基板表面の温度を、同様にサーモグラフィを用いて確認した所、基板中央部の温度が６０℃弱の値を示していた。更に、この時のサブヒータ１１２に流れる電流を確認した所、サブヒータ１１２の電流が図９に示すように、６０℃近傍から減少していることが分かった。
【００３５】
図９、図１１、および図１２を用いて、上記の理由について更に詳細に説明する。図９は、本実施形態に係る図２に示す記録素子基板１００のサブヒータ１１２の電流と温度の関係を示したものであり、縦軸をサブヒータ温度［ｍＡ］とし、横軸を温度［℃］として示している。また、図１１は、本実施形態に係る抵抗分圧部１１０で生成されるゲート電圧と温度の関係を示したものであり、縦軸をゲート電圧［Ｖ］とし、横軸を温度［℃］として示している。また、図１２は、本実施形態に係るソース接地型ＭＯＳトランジスタである駆動回路１１１の抵抗値［Ω］と抵抗分圧部１１０で生成されるゲート電圧［Ｖ］との関係を示している。
【００３６】
本実施形態において、抵抗分圧部１１０のＧＮＤ側の素子が負の温度特性を持ったダイオード（素子１２０ｂ）で形成されているため、温度上昇に応じて抵抗分圧部１１０のＧＮＤ側の素子１２０ｂの抵抗値が減少する。その結果、抵抗分圧部１１０で生成されるゲート電圧も図１１のように減少する。また、ソース接地型ＭＯＳトランジスタで形成された駆動回路１１１は、ゲート電圧に応じてＭＯＳオン抵抗が図１２のような特性を示し、ゲート電圧が７Ｖ近傍まで低下すると、そこからＭＯＳオン抵抗が急激に上昇する。その結果、図９にあるようにサーモグラフィの示す基板温度が６０℃近傍に達すると、サブヒータ１１２への電流が減少する。このことから、記録装置本体を介さずに、サブヒータ１１２周辺の基板およびインクの過昇温を抑制し、結果として、インクの不吐を防止出来ることとなる。
【００３７】
更に、図７に示すように、抵抗分圧部１１０の素子１２０ａ、１２０ｂをサブヒータ１１２近傍に配置していたことで、端子近傍の温度検出素子に比べ、発熱源との物理的な距離が縮まり、温度変化に対する応答性が向上したことも不吐防止の要因に挙げられる。
【００３８】
更に、図１３は、ソース接地型ＭＯＳトランジスタで形成された駆動回路１１１の抵抗値［Ω］と温度［℃］との関係を示したものである。図１３に示すように、ソース接地型ＭＯＳトランジスタで形成された駆動回路１１１自体も、温度の上昇に応じてＭＯＳオン抵抗が上昇する特性を有する。そのため、本実施形態の構成により、駆動回路１１１の特性自体も、昇温を抑制したと想定される。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
本願発明の第２の実施形態について、図面を用いて説明する。図３は、本発明の第２の実施形態の記録素子基板の平面構成の例を示す図である。なお、本実施形態に係るサブヒータ１１２と駆動回路１１１、ゲート電圧生成部である抵抗分圧部１１０の等価回路は、第１の実施形態にて示した図４と同様である。図６は、第２の実施形態の抵抗分圧部１１０の等価回路図の詳細を示す。
【００４０】
本実施形態では、第１の実施形態と異なる点として、ゲート電圧生成部１１０ａ、１１０ｂを、図６に示すように二段構成で接続して配置している。また、ゲート電圧生成部１１０ａ、１１０ｂは、図８に示すように、サブヒータ１１２を挟んで配置される。その他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、説明は省略する。
【００４１】
［本実施形態に係る効果の説明］
第２の実施形態の構成を備える記録ヘッドを用いて、吐出特性の確認と基板温度およびサブヒータ電流についてモニタリングを行った。図１０は、本実施形態に係る図６に示す記録素子基板１００のサブヒータ１１２の電流と温度の関係を示したものであり、縦軸をサブヒータ温度［ｍＡ］とし、横軸を温度［℃］として示している。その結果、第２の実施形態の構成では、図１０に示すように、温度検出素子の示す温度が４５℃近傍に達すると、ゲート電圧と共にサブヒータ１１２の電流が急激に低下していることが分かった。
【００４２】
これは、二段構成にしたゲート電圧生成部１１０の内、最初のゲート電圧生成部１１０ａで生成されたゲート電圧が、駆動回路１１１側のゲート電圧生成部１１０ｂの温度特性の影響を受けたことで、温度上昇に対してゲート電圧がより低下する特性を示していた。その結果、ゲート電圧生成部１１０を二段構成にしたことによって、第１の実施形態の時のサブヒータ１１２の電流が低下し始めた温度である５０℃よりも低温の領域で、サブヒータ１１２の電流を抑制していることが分かった。
【００４３】
このように、ゲート電圧生成部を二段構成で形成することで、インクの最適吐出温度が第１の実施形態より低温になった場合でも、サブヒータ１１２周辺の基板およびインクの過昇温を防止しつつ、インクの吐出特性を確保することが出来る。
【００４４】
なお、本実施形態では、ゲート電圧生成部を二段構成で配置したが、三段以上の構成であってもよい。
【００４５】
＜その他の実施形態＞
第２の実施形態では、抵抗分圧部１１０の端子側の素子１２０ａおよび素子１２０ｃに正の温度特性を示す素子、ＧＮＤ側の素子１２０ｂおよび素子１２０ｄに負の温度特性を示す素子をそれぞれ用いた構成としている。しかし、ＧＮＤ側の素子の温度特性が、端子側の素子よりも温度に対して抵抗値が下がる特性を示せば、抵抗分圧部の端子側とＧＮＤ側ともに正、もしくは負の温度特性素子を用いても同様の効果が得られる。言い換えると、ＧＮＤ側の素子は、端子側の素子に比べ、温度上昇による抵抗値の増加が小さい構成であればよい。
【００４６】
なお、上記の端子側とＧＮＤ側にそれぞれ配置した二種類の温度特性素子について、各実施形態では各素子を一個のみ配置した構成を示した。しかし、この構成に限定するものではなく、例えば、それぞれが複数個接続された構成でも同様の効果が得られる。
【００４７】
また、各実施形態では、インク供給口１０６が２穴（２列）の構成で実施した。しかし、この構成に限定するものではなく、例えば、サブヒータの近傍もしくは、記録素子基板の上面から見てサブヒータと重なる様に配置されていれば、３穴以上の構成であっても同様の効果が得られる。
【００４８】
更には、上記以外に、記録素子基板の平面形状が平行四辺形といった矩形以外のものや、基板平面に対して垂直に開口されたインク供給口が、ヒータ配列一つ当たりに複数設けられた構成の基板であっても、同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００４９】
１００：基板、１０１：外部接続端子、１０５：記録素子、１０６：インク供給口、１１０：ゲート電圧生成部、１１１：サブヒータ駆動回路、１１２：サブヒータ、１２０ａ：素子（端子側抵抗成分）、１２０ｂ：素子（ＧＮＤ側抵抗成分）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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