(57)【要約】【課題】チャック部材の導電性部材を熱源から保護しながら、導電性部材とチャックカバーとの間に残留する処理液を減らす。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材１３と、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給手段と、基板Ｗの上方に配置される熱源とを備えている。チャック部材１３は、基板Ｗよりも下方に配置される土台部４６と、土台部４６の上面４６ａから上方に突出しており、基板Ｗの外周部に押し付けられる接触部４７とを含み、少なくとも一部が炭素を含む材料で形成された導電性部材４１と、導電性部材４１に取り付けられており、平面視において土台部４６の少なくとも一部を覆わずに接触部４７を覆うチャックカバー４２とを含む。【選択図】図３
2018019016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、
前記複数のチャック部材に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記複数のチャック部材に保持されている前記基板の上方に配置される熱源と、
前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構とを備え、
前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、
前記基板よりも下方に配置される土台部と、前記土台部の上面から上方に突出しており、前記基板の外周部に押し付けられる接触部とを含み、少なくとも一部が炭素を含む材料で形成された導電性部材と、
前記導電性部材に取り付けられており、平面視において前記土台部の少なくとも一部を覆わずに前記接触部を覆うチャックカバーとを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面の全域を平面視で覆っている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面の上方に配置されたカバー部を含み、前記カバー部の下面と前記接触部の天面との間に液体が通る隙間を形成している、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面の上方に配置されたカバー部と、前記接触部の天面で開口する差込穴に挿入された差込軸とを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記チャックカバーは、前記差込軸の外周面から突出するフック部をさらに含み、
前記フック部は、前記差込穴の内周面から凹んだフック挿入穴に挿入されている、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面を平面視で覆っており、
前記チャックカバーの外縁の少なくとも一部は、前記接触部の天面の外縁に平面視で重なっている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面を平面視で覆っており、前記接触部の天面の外縁から突出している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。
特許文献１の基板処理装置は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるスピンチャックと、基板の上面に向けて薬液やリンス液などの処理液を吐出するノズルと、基板の上面に向けて光を発する赤外線ヒータとを備えている。スピンチャックは、基板の外周部に押し付けられる複数のチャックピンを備えている。
【０００３】
チャックピンは、導電性を有する導電性部材と、導電性部材を覆うピンカバーとを含む。導電性部材は、スピンベースの上方に配置された土台部と、土台部の上面から上方に突出する把持部とを含む。ピンカバーは、平面視において導電性部材のほぼ全域を覆っている。導電性部材は、ピンカバーによって赤外線ヒータの光から保護される。これにより、温度上昇に起因する導電性部材の変形が防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２４１３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、熱源の熱から導電性部材を保護するために、ピンカバーで導電性部材を覆っている。しかしながら、このチャックピンでは、導電性部材とピンカバーとの間に処理液が残り易い。特に、ピンカバーが導電性部材のほぼ全域を覆っているので、処理液の残留量が増加してしまう。導電性部材とピンカバーとの間に残留した処理液は、基板の汚染原因となるパーティクルに変化してしまう場合がある。
【０００６】
そこで、本発明の目的の一つは、チャック部材の導電性部材を熱源から保護しながら、導電性部材とチャックカバーとの間に残留する処理液を減らすことである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を水平に挟むことにより水平な姿勢で保持する複数のチャック部材と、前記複数のチャック部材に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給手段と、前記複数のチャック部材に保持されている前記基板の上方に配置される熱源と、前記複数のチャック部材が前記基板の外周部に押し付けられる閉状態と、前記基板に対する前記複数のチャック部材の押付が解除される開状態と、の間で前記複数のチャック部材を切り替えるチャック開閉機構と、を備え、前記複数のチャック部材の少なくとも一つは、前記基板よりも下方に配置される土台部と、前記土台部の上面から上方に突出しており、前記基板の外周部に押し付けられる接触部とを含み、少なくとも一部が炭素を含む材料で形成された導電性部材と、前記導電性部材に取り付けられており、平面視において前記土台部の少なくとも一部を覆わずに前記接触部を覆うチャックカバーとを含む、基板処理装置である。
【０００８】
この構成によれば、基板の外周部に押し付けられる接触部が、チャック部材の導電性部材に設けられている。接触部は、平面視においてチャックカバーに覆われている。したがって、熱源の熱から接触部を保護することができる。さらに、導電性部材に設けられた土台部の一部または全部が平面視でチャックカバーに覆われていないので、土台部の大部分がチャックカバーに覆われている場合と比較して、導電性部材とチャックカバーとの間に残留する処理液を減らすことができる。さらに、土台部は、基板よりも下方に配置されており、基板の上方に配置される熱源から下方に離れている。そのため、土台部がチャックカバーに覆われていなくても、土台部は、土台部の上面から上方に突出する接触部と比較すると、熱の影響を受け難い。これにより、温度上昇に起因する導電性部材の変形を防止しながら、残留処理液に起因するパーティクルを減らすことができる。
【０００９】
複数のチャック部材のそれぞれが導電性部材とチャックカバーとを備えていてもよいし、全数を除く１つ以上のチャック部材だけが導電性部材とチャックカバーとを備えていてもよい。導電性部材とチャックカバーとを備えるチャック部材は、基板の回転軸線に対して移動可能な可動チャックであってもよいし、基板の回転軸線に対して移動できない固定チャックであってもよい。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面の全域を平面視で覆っている、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、接触部の天面の全域が、平面視においてチャックカバーに覆われている。接触部の天面は、導電性部材において最も上方に位置する部分であり、熱源に最も近い。したがって、接触部の天面の全域をチャックカバーで覆うことにより、温度上昇に起因する導電性部材の変形を効果的に防止することができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面の上方に配置されたカバー部を含み、前記カバー部の下面と前記接触部の天面との間に液体が通る隙間を形成している、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、カバー部の下面と接触部の天面とが、両者の間に隙間を形成している。接触部の天面からカバー部の下面までの鉛直方向の距離、つまり、隙間の高さは、接触部の天面上に形成される液滴または液膜の高さよりも大きい。隙間が非常に狭いと、カバー部の下面と接触部の天面との間から液体が排出され難い。したがって、液体が円滑に流れる大きさの隙間をカバー部の下面と接触部の天面との間に設けることにより、両者の間に残留する処理液を減らすことができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面の上方に配置されたカバー部と、前記接触部の天面で開口する差込穴に挿入された差込軸とを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、カバー部と差込軸とをチャックカバーに設けることにより、液残りを低減しながら、締結部材を用いずにチャックカバーを導電性部材に取り付けることができる。具体的には、チャックカバーの差込軸が、接触部の天面で開口する差込穴に挿入される。これにより、チャックカバーが導電性部材に取り付けられると共に、チャックカバーのカバー部が接触部の天面の上方に配置される。このように、チャックカバーの差込軸を導電性部材の差込穴に挿入する簡単な作業でチャックカバーを導電性部材に取り付けることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記チャックカバーは、前記差込軸の外周面から突出するフック部をさらに含み、前記フック部は、前記差込穴の内周面から凹んだフック挿入穴に挿入されている、請求項４に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、チャックカバーの差込軸が導電性部材の差込穴に挿入され、チャックカバーが所定の取付位置に配置されると、差込軸の外周面から突出するフック部が、差込穴の内周面から凹んだフック挿入穴に挿入される。差込穴に対する軸方向への差込軸の移動は、フック部の外面とフック挿入穴の内面との接触によって規制される。したがって、チャックカバーが導電性部材から外れることを確実に防止することができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面を平面視で覆っており、前記チャックカバーの外縁の少なくとも一部は、前記接触部の天面の外縁に平面視で重なっている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、接触部の天面の一部または全部が、平面視でチャックカバーに覆われている。これにより、導電性部材において熱源に最も近い部分を効果的に保護することができる。さらに、チャックカバーは、チャックカバーの外縁の一部または全部が平面視で接触部の天面の外縁に重なるように小型化されている。したがって、接触部の天面を効果的に保護しながら、チャックカバーの大型化を防止することができる。
【００１５】
チャックカバーの外縁の一部だけが接触部の天面の外縁に平面視で重なっていてもよいし、チャックカバーの外縁のいずれの部分も接触部の天面の外縁に平面視で重なっていてもよい。前者の場合、チャックカバーは、接触部の天面の全域を平面視で覆っていてもよいし、接触部の天面の一部だけを平面視で覆っていてもよい。後者の場合は、接触部の天面の全域が、平面視においてチャックカバーに覆われる。チャックカバーの外縁が平面視で接触部の天面の外縁に重なるとは、チャックカバーの外縁が接触部の天面の外縁の真上に位置する場合だけでなく、チャックカバーの外縁が接触部の天面の外縁に対して数ｍｍ（たとえば３ｍｍ以下）水平にずれている場合も含む。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、前記チャックカバーは、前記導電性部材において最も上方に位置する前記接触部の天面を平面視で覆っており、前記接触部の天面の外縁から突出している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、接触部の天面の一部または全部が、平面視でチャックカバーに覆われている。これにより、導電性部材において熱源に最も近い部分を効果的に保護することができる。さらに、接触部の天面の外縁から突出する庇部がチャックカバーに設けられているので、天面以外の導電性部材の一部が、チャックカバーの庇部によって熱源から保護される。これにより、導電性部材をより確実に熱源から保護できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置に備えられたチャンバーの内部を水平に見た模式図である。
【図２】スピンベースおよびこれに関連する構成の模式的な平面図である。
【図３】チャック部材の平面図である。
【図４】図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿う鉛直断面を示す断面図である。
【図５】図３に示すＶ−Ｖ線に沿う鉛直断面を示す断面図である。
【図６】図５に示す矢印ＶＩの方向にチャックカバーを見た外観図である。
【図７】図６に示すＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う水平断面を示す断面図である。
【図８】基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係るチャック部材の一部を示す平面図である。基板処理装置に備えられたチャンバーの内部を水平に見た模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１に備えられたチャンバー４の内部を水平に見た模式図である。図２は、スピンベース１２およびこれに関連する構成の模式的な平面図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液や処理ガスなどの処理流体で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、プログラム等の情報を記憶する記憶部と記憶部に記憶された情報にしたがって基板処理装置１を制御する演算部とを含むコンピュータである。
【００１９】
処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー４と、一枚の基板Ｗをチャンバー４内で水平に保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに処理液を供給する処理液供給装置６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗをその上方から加熱する加熱装置７と、スピンチャック５の周囲を取り囲む筒状のカップ８とを含む。
【００２０】
スピンチャック５は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上面外周部から上方に突出する複数のチャック部材１３と、複数のチャック部材１３を開閉させるチャック開閉機構１４とを含む。スピンチャック５は、さらに、スピンベース１２の中央部から回転軸線Ａ１に沿って下方に延びるスピン軸１５と、スピン軸１５を回転させることによりスピンベース１２およびチャック部材１３を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１６とを含む。
【００２１】
スピンベース１２は、基板Ｗの直径よりも大きい外径を有している。スピンベース１２の中心線は、回転軸線Ａ１上に配置されている。複数のチャック部材１３は、スピンベース１２の外周部でスピンベース１２に保持されている。基板Ｗは、基板Ｗの下面とスピンベース１２の上面とが上下方向に離れた状態で、複数のチャック部材１３に把持される。この状態で、スピンモータ１６がスピン軸１５を回転させると、基板Ｗは、スピンベース１２およびチャック部材１３と共に回転軸線Ａ１まわりに回転する。
【００２２】
図２に示すように、複数のチャック部材１３は、周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に間隔を空けて配置されている。図２は、６つのチャック部材１３がスピンチャック５に設けられている例を示している。６つのチャック部材１３は、スピンベース１２に対して移動可能な３つの可動チャック１３ａと、スピンベース１２に固定された３つの固定チャック１３ｂからなる。３つの可動チャック１３ａは、それらの間に固定チャック１３ｂを挟まずに周方向に並んでいる。可動チャック１３ａの数は、３つ未満であってもよいし、３つを超えていてもよい。複数のチャック部材１３のそれぞれが可動チャック１３ａであってもよい。
【００２３】
可動チャック１３ａは、可動チャック１３ａが基板Ｗの外周面に押し付けられる閉位置（図２に示す位置）と、可動チャック１３ａが基板Ｗの外周面から離れる開位置との間で、スピンベース１２に対してチャック回動軸線Ａ２まわりに回転可能である。固定チャック１３ｂの形状や構造は、可動チャック１３ａと同じである。可動チャック１３ａは、可動チャック１３ａに接続された支持軸５９（図４参照）がチャック開閉機構１４によって駆動される点で固定チャック１３ｂと異なる。チャック開閉機構１４は、可動チャック１３ａを移動させることにより、複数のチャック部材１３が基板Ｗの外周部に押し付けられる閉状態と、基板Ｗに対する複数のチャック部材１３の押付が解除される開状態と、の間で複数のチャック部材１３を切り替える。
【００２４】
図１に示すように、処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けて第１薬液を吐出する第１薬液ノズル１７と、第１薬液ノズル１７に接続された第１薬液配管１８と、第１薬液配管１８に介装された第１薬液バルブ１９と、第１薬液ノズル１７が先端部に取り付けられた第１薬液アーム２０と、第１薬液アーム２０を移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第１ノズル移動装置２１とを含む。
【００２５】
第１薬液バルブ１９が開かれると、第１薬液配管１８から第１薬液ノズル１７に供給された第１薬液が、第１薬液ノズル１７から下方に吐出される。第１薬液バルブ１９が閉じられると、第１薬液ノズル１７からの第１薬液の吐出が停止される。第１ノズル移動装置２１は、第１薬液ノズル１７を移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、第１ノズル移動装置２１は、第１薬液ノズル１７から吐出された第１薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位
置と、第１薬液ノズル１７が平面視でスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間で第１薬液ノズル１７を移動させる。
【００２６】
処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けて第２薬液を吐出する第２薬液ノズル２２と、第２薬液ノズル２２に接続された第２薬液配管２３と、第２薬液配管２３に介装された第２薬液バルブ２４と、第２薬液ノズル２２が先端部に取り付けられた第２薬液アーム２５と、第２薬液アーム２５を移動させることにより、第２薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第２ノズル移動装置２６とを含む。
【００２７】
第２薬液バルブ２４が開かれると、第２薬液配管２３から第２薬液ノズル２２に供給された第２薬液が、第２薬液ノズル２２から下方に吐出される。第２薬液バルブ２４が閉じられると、第２薬液ノズル２２からの第２薬液の吐出が停止される。第２ノズル移動装置２６は、第２薬液ノズル２２を移動させることにより、第２薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、第２ノズル移動装置２６は、第２薬液ノズル２２から吐出された第２薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、第２薬液ノズル２２が平面視でスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間で第２薬液ノズル２２を移動させる。
【００２８】
第１薬液および第２薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。第１薬液の具体例は、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）、リン酸（濃度がたとえば８０％以上１００％未満のリン酸水溶液）、フッ酸（フッ化水素酸）である。第２薬液の具体例は、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液）である。
【００２９】
処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル２７と、リンス液ノズル２７に接続されたリンス液配管２８と、リンス液配管２８に介装されたリンス液バルブ２９と、リンス液ノズル２７が先端部に取り付けられたリンス液アーム３０と、リンス液アーム３０を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第３ノズル移動装置３１とを含む。
【００３０】
リンス液バルブ２９が開かれると、リンス液配管２８からリンス液ノズル２７に供給されたリンス液が、リンス液ノズル２７から下方に吐出される。リンス液バルブ２９が閉じられると、リンス液ノズル２７からのリンス液の吐出が停止される。第３ノズル移動装置３１は、リンス液ノズル２７を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、第３ノズル移動装置３１は、リンス液ノズル２７から吐出されたリンス液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、リンス液ノズル２７がスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間でリンス液ノズル２７を移動させる。
【００３１】
リンス液ノズル２７に供給されるリンス液は、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液ノズル２７に供給されるリンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）または希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、などであってもよい。
カップ８は、スピンベース１２を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、処理液が基板Ｗから基板Ｗの周囲に飛散する。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ８の上端部８ａは、スピンベース１２よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、カップ８によって受け止められる。カップ８に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。
【００３２】
加熱装置７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上方に配置された赤外線ヒータ３２と、赤外線ヒータ３２が先端部に取り付けられたヒータアーム３５と、ヒータアーム３５を移動させるヒータ移動装置３６とを含む。
赤外線ヒータ３２は、赤外線を含む光を発する赤外線ランプ３３と、赤外線ランプ３３を収容するランプハウジング３４とを含む。赤外線ランプ３３は、ランプハウジング３４内に配置されている。ランプハウジング３４は、平面視で基板Ｗよりも小さい。赤外線ランプ３３およびランプハウジング３４は、ヒータアーム３５に取り付けられている。赤外線ランプ３３およびランプハウジング３４は、ヒータアーム３５と共に移動する。
【００３３】
赤外線ランプ３３は、ハロゲンランプである。赤外線ランプ３３は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。赤外線ランプ３３は、カーボンヒータであってもよいし、ハロゲンランプおよびカーボンヒータ以外の発熱体であってもよい。ランプハウジング３４の少なくとも一部は、石英などの光透過性および耐熱性を有する材料で形成されている。
【００３４】
ランプハウジング３４は、基板Ｗの上面と平行な底壁を有している。赤外線ランプ３３は、底壁の上方に配置されている。底壁の下面は、基板Ｗの上面と平行でかつ平坦な照射面３２ａを含む。赤外線ヒータ３２が基板Ｗの上方に配置されている状態では、照射面３２ａが、間隔を空けて基板Ｗの上面に対向する。この状態で赤外線ランプ３３が光を発すると、照射面３２ａを通過した光が、基板Ｗの上面に照射される。照射面３２ａは、たとえば、直径が基板Ｗの半径よりも小さい円形である。照射面３２ａは、円形以外の形状であってもよい。
【００３５】
ヒータ移動装置３６は、赤外線ヒータ３２を所定の高さで保持している。ヒータ移動装置３６は、スピンチャック５の周囲で上下方向に延びるヒータ回動軸線Ａ３まわりにヒータアーム３５を回動させることにより、赤外線ヒータ３２を水平に移動させる。これにより、赤外線が照射される照射位置（基板Ｗの上面内の一部の領域）が基板Ｗの上面内で移動する。図２に示すように、ヒータ移動装置３６は、平面視で基板Ｗの中心を通る円弧状の経路に沿って赤外線ヒータ３２を水平に移動させる。赤外線ヒータ３２は、スピンチャック５の上方を含む水平面内で移動する。また、ヒータ移動装置３６は、赤外線ヒータ３２を鉛直方向に移動させることにより、照射面３２ａと基板Ｗとの距離を変化させる。
【００３６】
赤外線ヒータ３２の光は、基板Ｗの上面内の照射位置に照射される。制御装置３は、赤外線ヒータ３２が赤外線を発している状態で、スピンチャック５に基板Ｗを回転させながら、ヒータ移動装置３６に赤外線ヒータ３２をヒータ回動軸線Ａ３まわりに回動させる。これにより、基板Ｗの上面が、加熱位置としての照射位置によって走査される。したがって、赤外線を含む光が基板Ｗの上面に吸収され、輻射熱が赤外線ランプ３３から基板Ｗに伝達される。処理液などの液体が基板Ｗ上に保持されている状態で赤外線ランプ３３が赤外線を発すると、基板Ｗおよび処理液が加熱され、これらの温度が上昇する。
【００３７】
図３は、チャック部材１３の平面図である。図４は、図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿う鉛直断面を示す断面図である。図５は、図３に示すＶ−Ｖ線に沿う鉛直断面を示す断面図である。図６は、図５に示す矢印ＶＩの方向にチャックカバー４２を見た外観図である。図７は、図６に示すＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う水平断面を示す断面図である。図３は、チャック部材１３（可動チャック１３ａ）が閉位置に配置されている状態を示している。
【００３８】
図４に示すように、チャック部材１３は、スピンベース１２の上方に配置された導電性部材４１と、導電性部材４１を平面視で覆うチャックカバー４２とを含む。チャック部材１３は、さらに、導電性部材４１をチャック開閉機構１４の支持軸５９に固定する固定ボルト４３と、固定ボルト４３を平面視で覆うキャップ４４と、導電性部材４１と支持軸５９との間に介在する環状のワッシャー４５とを含む。基板Ｗの帯電を防止するために、導電性部材４１は、固定ボルト４３および支持軸５９を介して接地されている。
【００３９】
導電性部材４１は、耐薬品性および導電性を有する複合材料で形成されている。複合材料の具体例は、樹脂と炭素とを含む材料である。導電性部材４１は、樹脂で形成された樹脂部材と炭素を含む炭素材料で形成された炭素部材とが交互に積層された積層部材であってもよいし、炭素材料が分散した樹脂によって形成されていてもよい。
導電性部材４１に含まれる炭素は、炭素繊維（カーボンファイバー）であってもよいし、炭素の粉末または粒子であってもよい。導電性部材４１に含まれる樹脂の具体例は、ＰＦＡ（tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、ＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene)、およびＰＥＥＫ（polyetheretherketone）である。
【００４０】
チャックカバー４２は、耐薬品性を有する樹脂で形成されている。チャックカバー４２に含まれる樹脂の具体例は、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ（ethylene tetrafluoroethylene）、ＰＥＥＫである。本実施形態では、チャックカバー４２が、白色（純白および乳白色を含む）のＰＴＦＥで形成されており、白色の外面を有している。前述のように、黒色の炭素が導電性部材４１に含まれているので、導電性部材４１の外面は、黒色である。チャックカバー４２の外面は、導電性部材４１の外面よりも光（可視光線）の反射率が高い。
【００４１】
図４に示すように、導電性部材４１は、スピンベース１２の上方に配置された土台部４６と、土台部４６の上面４６ａから上方に突出する接触部４７とを含む。接触部４７は、土台部４６の上面４６ａよりも上方に位置する部分を意味する。土台部４６の上面４６ａは、たとえば、基板Ｗの下面に平行で水平な平面である。接触部４７は、基板Ｗの外周部に押し付けられる把持部４８と、基板Ｗをその下方から支持する支持部４９とを含む。
【００４２】
複数のチャック部材１３が開状態および閉状態のいずれにあるときでも、基板Ｗは接触部４７に接触する。土台部４６は、複数の接触部４７によって支持または把持されている基板Ｗよりも下方に配置されている。接触部４７の天面４７ａは、接触部４７に支持または把持されている基板Ｗよりも上方に配置される。接触部４７の天面４７ａは、水平な平面であり、導電性部材４１において最も上方に位置している。
【００４３】
土台部４６は、固定ボルト４３およびキャップ４４が挿入されたボルト取付穴５１を形成している。土台部４６は、さらに、ワッシャー４５が挿入されたワッシャー取付穴５５を形成している。ボルト取付穴５１は、土台部４６を上下方向に貫通する貫通穴である。ワッシャー取付穴５５は、土台部４６の下面から上方に凹んだ凹部である。ボルト取付穴５１は、ワッシャー取付穴５５の底面で開口している。貫通穴を形成する土台部４６の内周面は、キャップ４４を取り囲む上側筒状部５２と、固定ボルト４３のフランジ部５７に接する環状部５３と、固定ボルト４３の径方向に間隔を空けて固定ボルト４３の軸部５８を取り囲む下側筒状部５４とを含む。
【００４４】
固定ボルト４３は、雄ネジが設けられた軸部５８と、固定ボルト４３を回転させる工具が取り付けられる頭部５６と、軸部５８と頭部５６との間に配置されたフランジ部５７とを含む。軸部５８の雄ネジは、支持軸５９の内周面に設けられた雌ネジに取り付けられている。フランジ部５７の下面は、土台部４６の環状部５３に下方に押し付けられている。ワッシャー４５の下面は、支持軸５９の上端面に下方に押し付けられている。導電性部材４１およびワッシャー４５は、フランジ部５７と支持軸５９とによって上下方向に挟まれている。これにより、導電性部材４１およびワッシャー４５が支持軸５９に固定されている。
【００４５】
支持軸５９は、スピンベース１２の外面で開口するシャフト挿入穴６０内に挿入されている。スピンベース１２は、水平な姿勢で保持された円板部６１と、円板部６１から上方に突出する筒状部６２とを含む。シャフト挿入穴６０は、円板部６１の内部空間から筒状部６２の上端面に延びている。筒状部６２の上端面は、ワッシャー４５の下面から下方に離れている。支持軸５９および筒状部６２は、チャック部材１３の下方に配置されている。チャック開閉機構１４は、可動チャック１３ａに接続された支持軸５９をチャック回動軸線Ａ２に相当する鉛直な支持軸５９の中心線まわりに回動させる。これにより、導電性部材４１、チャックカバー４２、固定ボルト４３、キャップ４４、およびワッシャー４５が、一体的にチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する。
【００４６】
キャップ４４は、平面視で導電性部材４１を覆うカバー部６３と、ボルト取付穴５１に挿入された挿入部６４とを含む。カバー部６３は、導電性部材４１の上方に配置されている。カバー部６３の下面は、土台部４６の上面４６ａに接している。挿入部６４は、カバー部６３から下方に延びている。土台部４６の上側筒状部５２は、挿入部６４を取り囲んでいる。挿入部６４に設けられた雄ネジは、上側筒状部５２に設けられた雌ネジに取り付けられている。これにより、キャップ４４が導電性部材４１に固定されている。ボルト取付穴５１の上端は、キャップ４４によって塞がれている。
【００４７】
図５に示すように、接触部４７の把持部４８は、内方に開いた収容溝を形成する２つの溝内面を含む。２つの溝内面は、収容溝の底から斜め上に延びる上側溝内面４８ａと、収容溝の底から斜め下に延びる下側溝内面４８ｂとを含む。接触部４７の支持部４９は、水平面に対して斜めに傾いた支持面４９ａを含む。支持面４９ａは、下側溝内面４８ｂの下端から回転軸線Ａ１（図２参照）の方に斜め下に延びている。支持面４９ａは、水平面に対する下側溝内面４８ｂの傾斜角度よりも小さい角度で水平面に対して傾いている。
【００４８】
複数のチャック部材１３が開状態のとき、基板Ｗは、複数の把持部４８が基板Ｗから離れた状態で複数の支持部４９に支持される。この状態でチャック開閉機構１４が可動チャック１３ａを閉位置の方に内方に移動させると、複数の支持部４９によって基板Ｗが持ち上げられながら、複数の把持部４８が基板Ｗの外周部に近づく。その過程で、支持部４９の支持面４９ａが基板Ｗから離れ、把持部４８の上側溝内面４８ａおよび下側溝内面４８ｂが基板Ｗの外周部に押し付けられる。これとは反対に、チャック開閉機構１４が可動チャック１３ａを開位置の方に外方に移動させると、把持部４８が基板Ｗから離れ、支持部４９の支持面４９ａが基板Ｗの外周部に接触する。
【００４９】
図５に示すように、チャックカバー４２は、接触部４７の上方に配置されたカバー部６５と、接触部４７の天面４７ａで開口する差込穴６８に挿入された差込軸６６と、差込穴６８内に設けられたフック挿入部６９に収容されたフック部６７とを含む。差込軸６６は、カバー部６５から下方に延びており、フック部６７は、差込軸６６から外方に突出している。平面視におけるカバー部６５の輪郭形状は、接触部４７の天面４７ａと同じである。図３に示すように、平面視において、カバー部６５の外縁６５ｏは、いずれの位置においても接触部４７の天面４７ａの外縁に重なっている。カバー部６５は、平面視で接触部４７の天面４７ａの全域を覆っている。
【００５０】
図６に示すように、チャックカバー４２のカバー部６５は、水平で平坦な上面６５ａと、上面６５ａの外縁から斜め下方に延びる環状の傾斜面６５ｂと、傾斜面６５ｂの外縁から下方に延びる外周面６５ｃと、外周面６５ｃの下端から差込軸６６の外周面６６ａまで水平に内方に延びる下面６５ｄとを含む。下面６５ｄは、接触部４７の天面４７ａから上方に離れており、接触部４７の天面４７ａに平行に対向している。カバー部６５の下面６５ｄと接触部４７の天面４７ａは、チャックカバー４２と接触部４７との間に隙間Ｇ１を形成している。この隙間Ｇ１の大きさ、つまり、接触部４７の天面４７ａからカバー部６５の下面６５ｄまでの鉛直方向の距離は、たとえば、０．５〜１．０ｍｍである。
【００５１】
基板Ｗを処理するときは、薬液およびリンス液を順次基板Ｗに供給し、その後、高速回転によって基板Ｗを乾燥させる。導電性部材４１とチャックカバー４２との間に隙間Ｇ１があるから薬液等の液体が導電性部材４１とチャックカバー４２との間から容易に排出される。微量の薬液が導電性部材４１とチャックカバー４２との間の隙間Ｇ１に残ったとしても、リンス液が隙間Ｇ１に供給される。これにより、薬液が隙間Ｇ１から洗い流される。さらに、導電性部材４１とチャックカバー４２との間のリンス液は、基板Ｗを乾燥させるときに隙間Ｇ１から排出されるので、リンス液も隙間Ｇ１に残り難い。そのため、導電性部材４１とチャックカバー４２との間に残留する液体に起因するパーティクルを減らすことができる。
【００５２】
図６に示すように、チャックカバー４２の差込軸６６は、水平で平坦な下面６６ｃと、下面６６ｃの外縁から斜め上に延びる環状の傾斜面６６ｂと、傾斜面６６ｂの上端から上方に延びる筒状の外周面６６ａとを含む。フック部６７は、差込軸６６の外周面６６ａから外方に突出している。フック部６７は、差込軸６６の先端に設けられている。フック部６７の下面は、差込軸６６の傾斜面６６ｂよりも小さな角度で水平面に対して傾いている。
【００５３】
図７に示すように、差込軸６６は、楕円形の水平断面を有している。図７は、差込軸６６の外周面６６ａから突出する２つの突起がフック部６７に設けられている例を示している。フック部６７は、差込軸６６の全周に亘って連続した環状の突起であってもよい。２つの突起は、差込軸６６の外周面６６ａにおいて差込軸６６の中心線まわりに１８０度回転角が異なる２つの位置から互いに反対の方向に突出している。２つの突起は、差込軸６６の短軸に沿って延びる直線上に位置している。
【００５４】
図６に示すように、導電性部材４１の差込穴６８は、接触部４７の天面４７ａから下方に延びる凹部である。差込穴６８は、差込軸６６の外周面６６ａを取り囲む内周面６８ａと、差込軸６６の下面６６ｃを支持する底面６８ｂとを含む。図７に示すように、差込穴６８は、楕円形の水平断面を有している。差込穴６８の水平断面は、差込軸６６の水平断面と相似であり、差込軸６６の水平断面よりも大きい。フック挿入部６９は、差込穴６８の内周面６８ａから外方に凹んでいる。図７は、差込穴６８を介して互いに対向する２つの凹部がフック挿入部６９に設けられている例を示している。フック挿入部６９は、差込穴６８の全周に亘って連続した環状の凹部であってもよい。
【００５５】
差込軸６６が差込穴６８に挿入されるとき、フック部６７は、差込穴６８の内周面６８ａに押し付けられ弾性変形する。そのため、差込軸６６は、フック部６７が弾性変形した状態で差込穴６８の底面６８ｂの方に移動する。差込軸６６の下面６６ｃが差込穴６８の底面６８ｂに到達すると、差込穴６８に対する差込軸６６の移動が止り、チャックカバー４２がその場に保持される。さらに、フック部６７がフック挿入部６９に入り、元の形状に戻る。導電性部材４１に対する上方向へのチャックカバー４２の移動は、フック部６７の外面とフック挿入部６９の内面との接触によって規制される。差込軸６６の下面６６ｃが差込穴６８の底面６８ｂに接触する位置は、導電性部材４１とチャックカバー４２との間に隙間Ｇ１が形成されるように設定されている。
【００５６】
図３に示すように、土台部４６は、平面視で接触部４７よりも大きい。接触部４７は、平面視でチャック回動軸線Ａ２のまわりに位置しており、チャック回動軸線Ａ２に交わっていない。基板Ｗが複数のチャック部材１３によって把持されているとき、土台部４６の一部は平面視で基板Ｗから露出しており、土台部４６の残りの部分は平面視で基板Ｗに覆われている。このとき、接触部４７の支持部４９は、基板Ｗの下方に位置しており、平面視で基板Ｗに覆われている。同様に、キャップ４４は平面視で基板Ｗに覆われている。
【００５７】
その一方で、接触部４７の天面４７ａの大部分は、平面視で基板Ｗの外縁（図３において二点鎖線で示す部分）の外側に位置しており、接触部４７の天面４７ａの残りの部分は、平面視で基板Ｗの外縁の内側に位置している。チャックカバー４２は、平面視において接触部４７の天面４７ａの全域を覆っている。そのため、接触部４７の天面４７ａは、平面視で露出しておらず、平面視で視認できない。赤外線ヒータ３２が光を発したとしても、赤外線ヒータ３２の光が接触部４７の天面４７ａに直接照射されることはない。
【００５８】
図８は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図８のステップＳ１）が行われる。
【００５９】
具体的には、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している搬送ロボットのハンドをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットによって、基板Ｗを複数のチャック部材１３上に載置する。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内から退避させる。また、制御装置３は、基板Ｗが複数のチャック部材１３上に載置された後、可動チャック１３ａを開位置から閉位置に移動させる。その後、制御装置３は、スピンモータ１６に基板Ｗの回転を開始させる。
【００６０】
次に、第１薬液の一例であるＳＰＭを基板Ｗに供給する第１薬液供給工程（図８のステップＳ２）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第１ノズル移動装置２１を制御することにより、第１薬液ノズル１７を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、第１薬液ノズル１７が基板Ｗの上方に配置される。その後、制御装置３は、第１薬液バルブ１９を開いて、室温よりも高温（たとえば、１４０℃）のＳＰＭを回転状態の基板Ｗの上面に向けて第１薬液ノズル１７に吐出させる。制御装置３は、この状態で第１ノズル移動装置２１を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と外周部との間で移動させる。
【００６１】
第１薬液ノズル１７から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジスト膜などの異物がＳＰＭによって基板Ｗから除去される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と外周部との間で移動させるので、ＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、第１薬液ノズル１７から吐出されたＳＰＭが、基板Ｗの上面全域に直接供給され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。
【００６２】
次に、基板ＷへのＳＰＭの供給を停止させた状態でＳＰＭの液膜を基板Ｗ上に保持するパドル工程（図８のステップＳ３）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンチャック５を制御することにより、基板Ｗの上面全域がＳＰＭの液膜に覆われている状態で、第１薬液供給工程での基板Ｗの回転速度よりも小さい低回転速度（たとえば１〜３０ｒｐｍ）まで基板Ｗの回転速度を低下させる。そのため、基板Ｗ上のＳＰＭに作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出されるＳＰＭの量が減少する。制御装置３は、基板Ｗが低回転速度で回転している状態で、第１薬液バルブ１９を閉じて、第１薬液ノズル１７からのＳＰＭの吐出を停止させる。これにより、基板ＷへのＳＰＭの供給が停止された状態で、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に保持される。制御装置３は、基板ＷへのＳＰＭの供給を停止した後、第１ノズル移動装置２１を制御することにより、第１薬液ノズル１７をスピンチャック５の上方から退避させる。
【００６３】
次に、基板Ｗと基板Ｗ上のＳＰＭとを加熱する加熱工程（図８のステップＳ４）が、パドル工程と並行して行われる。
具体的には、制御装置３は、赤外線ヒータ３２に発光を開始させる。これにより、赤外線ヒータ３２の温度（加熱温度）が、第１薬液（この処理例では、ＳＰＭ）の沸点よりも高い温度まで上昇し、その温度に維持される。その後、制御装置３は、ヒータ移動装置３６によって赤外線ヒータ３２を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、赤外線ヒータ３２が基板Ｗの上方に配置された後、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置が中央部および外周部の一方から他方に移動するように、ヒータ移動装置３６によって赤外線ヒータ３２を水平に移動させる。制御装置３は、赤外線ヒータ３２による基板Ｗの加熱が所定時間に亘って行われた後、赤外線ヒータ３２を基板Ｗの上方から退避させる。その後、制御装置３は、赤外線ヒータ３２の発光を停止させる。赤外線ヒータ３２の発光および移動は、同時に開始されてもよいし、別々の時期に開始されてもよい。
【００６４】
このように、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置を中央部および外周部の一方から他方に移動させるので、基板Ｗが均一に加熱される。したがって、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜も均一に加熱される。赤外線ヒータ３２による基板Ｗの加熱温度は、ＳＰＭのその濃度における沸点以上の温度に設定されている。したがって、基板Ｗ上のＳＰＭが、その濃度における沸点まで加熱される。特に、赤外線ヒータ３２による基板Ｗの加熱温度が、ＳＰＭのその濃度における沸点よりも高温に設定されている場合には、基板ＷとＳＰＭとの界面の温度が、沸点よりも高温に維持され、基板Ｗからの異物の除去が促進される。
【００６５】
次に、基板Ｗ上のＳＰＭを排出する第１薬液排出工程（図８のステップＳ５）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンチャック５を制御することにより、基板Ｗへの液体の供給が停止されている状態で、パドル工程での基板Ｗの回転速度よりも大きい回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、パドル工程のときよりも大きな遠心力が基板Ｗ上のＳＰＭに加わり、基板Ｗ上のＳＰＭが基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、殆ど全てのＳＰＭが基板Ｗ上から排出される。また、基板Ｗの周囲に飛散したＳＰＭは、カップ８によって受け止められ、カップ８を介して回収装置または排液装置に案内される。
【００６６】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第１リンス液供給工程（図８のステップＳ６）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、リンス液ノズル２７が基板Ｗの上方に配置された後、リンス液バルブ２９を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２７に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成され、基板Ｗに残留しているＳＰＭが純水によって洗い流される。そして、リンス液バルブ２９が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２９を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を基板Ｗの上方から退避させる。
【００６７】
次に、第２薬液の一例であるＳＣ１を基板Ｗに供給する第２薬液供給工程（図８のステップＳ７）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第２ノズル移動装置２６を制御することにより、第２薬液ノズル２２を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、第２薬液ノズル２２が基板Ｗの上方に配置された後、第２薬液バルブ２４を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＳＣ１を第２薬液ノズル２２に吐出させる。制御装置３は、この状態で第２ノズル移動装置２６を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と外周部との間で移動させる。そして、第２薬液バルブ２４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、第２薬液バルブ２４を閉じてＳＣ１の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第２ノズル移動装置２６を制御することにより、第２薬液ノズル２２を基板Ｗの上方から退避させる。
【００６８】
第２薬液ノズル２２から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、基板Ｗ上の純水は、ＳＣ１によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上の純水の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜に置換される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と外周部との間で移動させるので、ＳＣ１の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、第２薬液ノズル２２から吐出されたＳＣ１が、基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。
【００６９】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第２リンス液供給工程（図８のステップＳ８）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、リンス液ノズル２７が基板Ｗの上方に配置された後、リンス液バルブ２９を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２７に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が、純水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＳＣ１の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜に置換される。そして、リンス液バルブ２９が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２９を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第３ノズル移動装置３１を制御することにより、リンス液ノズル２７を基板Ｗの上方から退避させる。
【００７０】
次に、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図８のステップＳ９）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンチャック５に基板Ｗの回転を加速させて、第１薬液供給工程から第２リンス液供給工程までの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１６を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。
【００７１】
次に、基板Ｗをチャンバー４内から搬出する搬出工程（図８のステップＳ１０）が行われる。
具体的には、制御装置３は、各可動チャック１３ａを閉位置から開位置に移動させて、スピンチャック５による基板Ｗの把持を解除させる。その後、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避している状態で、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。
【００７２】
以上のように本実施形態では、基板Ｗの外周部に押し付けられる接触部４７が、チャック部材１３の導電性部材４１に設けられている。接触部４７は、平面視においてチャックカバー４２に覆われている。したがって、赤外線ヒータ３２の熱から接触部４７を保護することができる。さらに、導電性部材４１に設けられた土台部４６の一部または全部が平面視でチャックカバー４２に覆われていないので、土台部４６の大部分がチャックカバー４２に覆われている場合と比較して、導電性部材４１とチャックカバー４２との間に残留する処理液を減らすことができる。さらに、土台部４６は、基板Ｗよりも下方に配置されており、基板Ｗの上方に配置される赤外線ヒータ３２から下方に離れている。そのため、土台部４６がチャックカバー４２に覆われていなくても、土台部４６は、土台部４６の上面４６ａから上方に突出する接触部４７と比較すると、熱の影響を受け難い。これにより、温度上昇に起因する導電性部材４１の変形を防止しながら、残留処理液に起因するパーティクルを減らすことができる。
【００７３】
本実施形態では、接触部４７の天面４７ａの全域が、平面視においてチャックカバー４２に覆われている。接触部４７の天面４７ａは、導電性部材４１において最も上方に位置する部分であり、赤外線ヒータ３２に最も近い。したがって、接触部４７の天面４７ａの全域をチャックカバー４２で覆うことにより、温度上昇に起因する導電性部材４１の変形を効果的に防止することができる。
【００７４】
本実施形態では、カバー部６５の下面６５ｄと接触部４７の天面４７ａとが、両者の間に隙間Ｇ１を形成している。接触部４７の天面４７ａからカバー部６５の下面６５ｄまでの鉛直方向の距離、つまり、隙間Ｇ１の高さは、接触部４７の天面４７ａ上に形成される液滴または液膜の高さよりも大きい。隙間Ｇ１が非常に狭いと、カバー部６５の下面６５ｄと接触部４７の天面４７ａとの間から液体が排出され難い。したがって、液体が円滑に流れる大きさの隙間Ｇ１をカバー部６５の下面６５ｄと接触部４７の天面４７ａとの間に設けることにより、両者の間に残留する処理液を減らすことができる。
【００７５】
本実施形態では、カバー部６５と差込軸６６とをチャックカバー４２に設けることにより、液残りを低減しながら、締結部材を用いずにチャックカバー４２を導電性部材４１に取り付けることができる。具体的には、チャックカバー４２の差込軸６６が、接触部４７の天面４７ａで開口する差込穴６８に挿入される。これにより、チャックカバー４２が導電性部材４１に取り付けられると共に、チャックカバー４２のカバー部６５が接触部４７の天面４７ａの上方に配置される。このように、チャックカバー４２の差込軸６６を導電性部材４１の差込穴６８に挿入する簡単な作業でチャックカバー４２を導電性部材４１に取り付けることができる。
【００７６】
本実施形態では、チャックカバー４２の差込軸６６が導電性部材４１の差込穴６８に挿入され、チャックカバー４２が所定の取付位置に配置されると、差込軸６６の外周面６６ａから突出するフック部６７が、差込穴６８の内周面６８ａから凹んだフック挿入穴に挿入される。差込穴６８に対する軸方向（上下方向）への差込軸６６の移動は、フック部６７の外面とフック挿入穴の内面との接触によって規制される。したがって、チャックカバー４２が導電性部材４１から外れることを確実に防止することができる。
【００７７】
本実施形態では、接触部４７の天面４７ａの一部または全部が、平面視でチャックカバー４２に覆われている。これにより、導電性部材４１において赤外線ヒータ３２に最も近い部分を効果的に保護することができる。さらに、チャックカバー４２は、チャックカバー４２の外縁の一部または全部が平面視で接触部４７の天面４７ａの外縁に重なるように小型化されている。したがって、接触部４７の天面４７ａを効果的に保護しながら、チャックカバー４２の大型化を防止することができる。
【００７８】
他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、チャックカバー４２が接触部４７の天面４７ａの全域を平面視で覆っている場合について説明したが、接触部４７の天面４７ａの一部が平面視でチャックカバー４２から露出していてもよい。
【００７９】
前述の実施形態では、カバー部６５の下面６５ｄが接触部４７の天面４７ａから上方に離れており、導電性部材４１とチャックカバー４２との間に隙間Ｇ１が形成されている場合について説明したが、カバー部６５の下面６５ｄが接触部４７の天面４７ａに接触していてもよい。
前述の実施形態では、差込穴６８に対する差込軸６６の挿入によってチャックカバー４２が導電性部材４１に取り付けられている場合について説明したが、差込軸６６および差込穴６８を用いずにチャックカバー４２を導電性部材４１に取り付けてもよい。また、フック部６７がチャックカバー４２から省略されてもよい。差込穴６８への液体の進入を防止するために、差込軸６６を差込穴６８に圧入してもよい。
【００８０】
前述の実施形態では、平面視において、チャックカバー４２のカバー部６５の外縁６５ｏは、いずれの位置においても接触部４７の天面４７ａの外縁に重なっている場合について説明したが、図９に示すように、カバー部６５の外周部が、接触部４７の天面４７ａの外縁から突出していてもよい。この場合、カバー部６５はその全周に亘って接触部４７の天面４７ａの外縁から突出していてもよいし、カバー部６５の一部だけが接触部４７の天面４７ａの外縁から突出していてもよい。
【００８１】
図９は、カバー部６５の外縁６５ｏの前部が接触部４７の天面４７ａの外縁に重なっており、カバー部６５の外縁６５ｏの後部および側部が接触部４７の天面４７ａの外縁から突出している例を示している。カバー部６５の後部および側部は、平面視で土台部４６に重なっており、土台部４６の一部を覆っている。この構成によれば、接触部４７の天面４７ａの外縁から突出する庇部７１がチャックカバー４２に設けられているので、天面４７ａ以外の導電性部材４１の一部が、チャックカバー４２の庇部７１によって赤外線ヒータ３２から保護される。これにより、導電性部材４１をより確実に赤外線ヒータ３２から保護できる。
【００８２】
前述の実施形態では、基板Ｗおよび処理液の少なくとも一方を加熱する熱源が、赤外線ランプ３３を含む赤外線ヒータ３２である場合について説明したが、通電により発熱する電熱線を含む抵抗ヒータや、室温よりも高温の熱風を吹き出す送風機が、熱源として用いられてもよい。
前述の実施形態では、赤外線ヒータ３２の発光が停止された状態で、乾燥工程が行われる場合について説明したが、制御装置３は、乾燥工程と並行して、赤外線ヒータ３２に基板Ｗと基板Ｗ上の液体とを加熱させてもよい。この場合、制御装置３は、基板Ｗの上面に対する光の照射位置が基板Ｗの上面内で移動するように赤外線ヒータ３２を移動させてもよいし、赤外線ヒータ３２を静止させた状態で赤外線ヒータ３２を発光させてもよい。いずれの場合でも、基板Ｗおよび液体の加熱によって、液体の蒸発が促進されるので、基板Ｗが乾燥するまでの時間を短縮できる。
【００８３】
前述の実施形態では、第１薬液ノズル１７、第２薬液ノズル２２、およびリンス液ノズル２７が、別々のアームに取り付けられている場合について説明したが、第１薬液ノズル１７、第２薬液ノズル２２、およびリンス液ノズル２７のうちの二つ以上が、共通のアームに取り付けられていてもよい。赤外線ヒータ３２は、第１薬液ノズル１７、第２薬液ノズル２２、およびリンス液ノズル２７の少なくとも一つを保持するアームに取り付けられていてもよい。
【００８４】
前述の実施形態では、ＳＰＭの液膜を基板Ｗ上に保持するパドル工程と、基板Ｗ上のＳＰＭを排出する第１薬液排出工程とが行われる場合について説明したが、パドル工程および第１薬液排出工程の一方または両方が省略されてもよい。パドル工程が省略される場合、赤外線ヒータ３２で基板Ｗおよび液体を加熱する加熱工程は、第１薬液供給工程と並行して行われる。
【００８５】
前述の実施形態では、可動チャック１３ａが鉛直なチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する場合について説明したが、可動チャック１３ａの移動は、鉛直線まわりの回動に限らず、水平線まわりの回動であってもよいし、直線移動であってもよい。
前述の実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
【００８６】
前述の全ての構成の二つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の二つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１      ：基板処理装置
５      ：スピンチャック
６      ：処理液供給装置（処理液供給手段）
７      ：加熱装置
１３    ：チャック部材
１４    ：チャック開閉機構
１７    ：第１薬液ノズル
２２    ：第２薬液ノズル
２７    ：リンス液ノズル
３２    ：赤外線ヒータ
４１    ：導電性部材
４２    ：チャックカバー
４６    ：土台部
４６ａ  ：上面
４７    ：接触部
４７ａ  ：天面
４８    ：把持部
４９    ：支持部
６５    ：チャックカバーのカバー部
６５ｏ  ：カバー部の外縁
６６    ：チャックカバーの差込軸
６７    ：フック部
６８    ：差込穴
６９    ：フック挿入部
７１    ：庇部
Ａ１    ：回転軸線
Ａ２    ：チャック回動軸線
Ａ３    ：ヒータ回動軸線
Ｇ１    ：隙間
Ｗ      ：基板
【図１】
2018019016.tif 000003
【図２】
2018019016.tif 000004
【図３】
2018019016.tif 000005
【図４】
2018019016.tif 000006
【図５】
2018019016.tif 000007
【図６】
2018019016.tif 000008
【図７】
2018019016.tif 000009
【図８】
2018019016.tif 000010
【図９】
2018019016.tif 000011