(57)【要約】      （修正有）【課題】特に、カバーフィルムの剥離前に、剥離起点を設けて、第１のマスク層がカバーフィルム側に残存することを抑制する転写方法及び熱ナノインプリント装置の提供。【解決手段】第１のマスク層の表面を、被処理体１０４の表面に向けて貼り合せる貼合部２０１と、カバーフィルムを、第２のマスク層及び第１のマスク層より取り除く剥離部２０６と、貼合部と、剥離部との間に設けられ、第１のマスク層から前記カバーフィルムまで打ち抜かないように、少なくとも被処理体の外側の前記第１のマスク層に、切り込みを入れるカット部５０１と、を具備する熱ナノインプリント装置３００。【選択図】図１１
2018126929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の表面にナノスケールの凹凸構造が形成されたカバーフィルムと、前記凹凸構造の凹部内部に設けられた第２のマスク層と、前記凹凸構造及び前記第２のマスク層を覆うように設けられた第１のマスク層と、を具備する微細パタン形成用シートを使用し、被処理体上に前記第１のマスク層及び前記第２のマスク層を転写付与する転写方法であって、
前記転写方法は、前記第１のマスク層の表面を、前記被処理体の表面に向けて貼り合せる貼合工程と、
前記カバーフィルムを、前記第２のマスク層及び前記第１のマスク層より取り除く離型工程と、を有し、
前記貼合工程後、前記離型工程の前に、前記第１のマスク層から前記カバーフィルムまで打ち抜かないように、少なくとも前記被処理体の外側の前記第１のマスク層に、切り込みを入れるカット工程を、含むことを特徴とする転写方法。
【請求項２】
前記カット工程を、前記離型工程の直前に行うことを特徴とする請求項１に記載の転写方法。
【請求項３】
前記切り込みを、前記被処理体から見て前記カバーフィルムの剥離開始側に、前記被処理体の外側を略半分以上囲むように入れることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の転写方法。
【請求項４】
一方の表面にナノスケールの凹凸構造が形成されたカバーフィルムと、前記凹凸構造の凹部内部に設けられた第２のマスク層と、前記凹凸構造及び前記第２のマスク層を覆うように設けられた第１のマスク層と、を具備する微細パタン形成用シートを使用し、被処理体上に前記第１のマスク層及び前記第２のマスク層を転写付与するための熱ナノインプリント装置であって、
前記第１のマスク層の表面を、前記被処理体の表面に向けて貼り合せる貼合部と、
前記カバーフィルムを、前記第２のマスク層及び前記第１のマスク層より取り除く剥離部と、
前記貼合部と、前記剥離部との間に設けられ、前記第１のマスク層から前記カバーフィルムまで打ち抜かないように、少なくとも前記被処理体の外側の前記第１のマスク層に、切り込みを入れるカット部と、を具備することを特徴とする熱ナノインプリント装置。
【請求項５】
前記カット部は、前記被処理体の対向位置よりも剥離部側に、前記被処理体の厚み以上の切り込み刃を具備したプレートを有しており、前記被処理体を前記切り込み刃の内側に位置させると共に、前記微細パタン形成用シートと前記被処理体からなる積層体を、前記プレートに押さえつけて、前記被処理体の外側の前記第１のマスク層に切り込みが入るように制御されることを特徴とする請求項４に記載の熱ナノインプリント装置。
【請求項６】
前記切り込み刃は、前記被処理体の外側を略半分以上囲むように設けられることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の熱ナノインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写方法及び熱ナノインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、熱ナノインプリント装置を用いた転写方法について開示されている。熱ナノインプリント法においては、特許文献１の例えば、図２に示すように、凹面に凹凸構造１１が形成されたカバーフィルム１０を用意する。そして、カバーフィルム１０の凹部１１ａ内に第１のマスク層をパターニングするための第２のマスク層１２を充填し、更に、第２のマスク層１２及び凹凸構造１１を覆うように第１のマスク層１３を充填する。そして、特許文献１の図３に示すように、第１のマスク層１３を被処理体に貼り合わせ、続いて、カバーフィルム１０を、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２から剥離する。
【０００３】
その後、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２を用いてパターニングを行い、微細パタンを有する被処理体を得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５５６０３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、カバーフィルム１０を、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２から剥離したときに、第１のマスク層１３も一緒に被処理体側から剥がれ、カバーフィルム１０側に残存する問題が生じる。
【０００６】
この結果、精度よく、微細パタンを有する被処理体を得ることができず、生産効率（歩留まり）が悪化する。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、剥離起点を設けて、カバーフィルムの剥離した際に、第１のマスク層がカバーフィルム側に残存することを防止する転写方法及び熱ナノインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る転写方法は、一方の表面にナノスケールの凹凸構造が形成されたカバーフィルムと、前記凹凸構造の凹部内部に設けられた第２のマスク層と、前記凹凸構造及び前記第２のマスク層を覆うように設けられた第１のマスク層と、を具備する微細パタン形成用シートを使用し、被処理体上に前記第１のマスク層及び前記第２のマスク層を転写付与する転写方法であって、前記転写方法は、前記第１のマスク層の表面を、前記被処理体の表面に向けて貼り合せる貼合工程と、前記カバーフィルムを、前記第２のマスク層及び前記第１のマスク層より取り除く離型工程と、を有し、前記貼合工程後、前記離型工程の前に、前記第１のマスク層から前記カバーフィルムまで打ち抜かないように、少なくとも前記被処理体の外側の前記第１のマスク層に、切り込みを入れるカット工程を、含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明では、前記カット工程を、前記離型工程の直前に行うことが好ましい。
【００１０】
また、本発明では、前記切り込みを、前記被処理体から見て前記カバーフィルムの剥離開始側に、前記被処理体の外側を略半分以上囲むように入れることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る熱ナノインプリント装置は、一方の表面にナノスケールの凹凸構造が形成されたカバーフィルムと、前記凹凸構造の凹部内部に設けられた第２のマスク層と、前記凹凸構造及び前記第２のマスク層を覆うように設けられた第１のマスク層と、を具備する微細パタン形成用シートを使用し、被処理体上に前記第１のマスク層及び前記第２のマスク層を転写付与するための熱ナノインプリント装置であって、前記第１のマスク層の表面を、前記被処理体の表面に向けて貼り合せる貼合部と、前記カバーフィルムを、前記第２のマスク層及び前記第１のマスク層より取り除く剥離部と、前記貼合部と、前記剥離部との間に設けられ、前記第１のマスク層から前記カバーフィルムまで打ち抜かないように、少なくとも前記被処理体の外側の前記第１のマスク層に、切り込みを入れるカット部と、を具備することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明では、前記カット部は、前記被処理体の対向位置よりも剥離部側に、前記被処理体の厚み以上の切り込み刃を具備したプレートを有しており、前記被処理体を前記切り込み刃の内側に位置させると共に、前記微細パタン形成用シートと前記被処理体からなる積層体を、前記プレートに押さえつけて、前記被処理体の外側の前記第１のマスク層に切り込みが入るように制御されることが好ましい。
【００１３】
また、本発明では、前記切り込み刃は、前記被処理体の外側を略半分以上囲むように設けられることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、熱ナノインプリント法を用いて、微細パタン形成用シートに被処理体が貼り合わせられた積層体からカバーフィルムを剥離する際に、カバーフィルムに第１のマスク層が残存することを抑制できる。この結果、生産効率（歩留まり）を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを示す断面模式図である。
【図２】本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを使用し、被処理体に対し微細パタンを形成する方法を説明するための工程図である。
【図３】本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを使用し、被処理体に対し微細パタンを形成する方法を説明するための工程図である。
【図４】本実施の形態に係る微細パタン形成用シートの第１のマスク層に切り込みを入れた状態を説明するための部分断面図である。
【図５】本実施の形態のカット工程に用いられる切り込み刃付きプレートの説明図である。
【図６】本実施の形態の第１のマスク層に切り込みを入れた状態を示す顕微鏡写真である。
【図７】図６の模式図である。
【図８】本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを使用し、被処理体に対し微細パタンを形成する方法を説明するための工程図である。
【図９】本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを使用し、被処理体に対し微細パタンを形成する方法を説明するための工程図である。
【図１０】本実施の形態に係る微細パタン形成用シートと被処理体との貼合に関する断面模式図である。
【図１１】本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置を示す模式図である。
【図１２】本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置おけるカット部によるカット位置を示す平面模式図である。
【図１３】本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置における剥離部による微細パタン形成用シートの剥離を示す模式図である。
【図１４】本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置における剥離部による微細パタン形成用シートの剥離を示す模式図である。
【図１５】本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置における剥離部での微細パタン形成用シートの方向変化について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態（以下、「実施の形態」という。）について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００１７】
＜微細パタン形成用シート、及び、熱ナノインプリント法（転写方法）の概要＞
まず、本実施の形態に係る微細パタン形成用シートの概要について説明する。
【００１８】
本発明の熱ナノインプリント方法においては、以下に説明する微細パタン形成用シートを使用する。これにより、低温且つ低圧での熱ナノインプリントを精度高く実施することができる。
【００１９】
本実施の形態に係る微細パタン形成用シートは、一方の表面に凹凸構造が形成されたカバーフィルムの凹凸構造上に、第２のマスク層及び第１のマスク層が成膜されたフィルムである。図１は、本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを示す断面模式図である。図１に示すように、微細パタン形成用シートＩは、カバーフィルム２の表面上に樹脂層３が設けられている。樹脂層３のカバーフィルム２に接する面とは反対側の面に凹凸構造３ａが形成されている。以下の説明で、単にカバーフィルム２という場合には、凹凸構造３ａが形成された樹脂層３も含む。第２のマスク層４は、凹凸構造３ａの凹部内部に充填されている。また、第１のマスク層５は、第２のマスク層４及び凹凸構造３ａを覆うように成膜されている。この第１のマスク層５の上には、保護フィルム（図示せず）が設けられていてもよい。
【００２０】
なお、後で説明する熱ナノインプリント装置に付帯される貼合部において、被処理体に貼合する面は、第１のマスク層５の表面である。また、剥離部において剥離されるフィルムは、カバーフィルム２であり、被処理体上に第１のマスク層５及び第２のマスク層４よりなる凹凸構造が転写される。
【００２１】
図２Ａ〜図２Ｃ及び図３Ａ〜図３Ｆは、本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを使用し、被処理体に対し微細パタンを形成する方法を説明するための工程図である。図２Ａに示すように、カバーフィルム１０は、その主面上に凹凸構造１１が形成されている。凹凸構造１１は、複数の凹部１１ａと凸部１１ｂで構成されている。カバーフィルム１０は、例えば、フィルム状又はシート状の成形体である。
【００２２】
まず、図２Ｂに示すように、カバーフィルム１０の凹凸構造１１の凹部１１ａの内部に、第１のマスク層をパターニングするための第２のマスク層１２を充填する。第２のマスク層１２は、例えば、ゾルゲル材料からなる。ここで、カバーフィルム１０、及び第２のマスク層１２を備えた積層体を、第１の微細パタン形成用シートＩ、又は単に第１の積層体Ｉと呼ぶ。
【００２３】
次に、図２Ｃに示すように、第１の積層体Ｉの第２のマスク層１２を含む凹凸構造１１の上に、第１のマスク層１３を形成する。この第１のマスク層１３は、被処理体のパターニングに用いられる。第１のマスク層１３は、例えば、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂からなる。
【００２４】
更に、図２Ｃに示すように、第１のマスク層１３の上側には、保護フィルム１４を設ける。保護フィルム１４は、第１のマスク層１３を保護するものである。ここで、カバーフィルム１０、第２のマスク層１２、及び、第１のマスク層１３からなる積層体を、第２の微細パタン形成用シートＩＩ、又は、単に第２の積層体ＩＩと呼ぶ。この第２の積層体ＩＩは、第１のマスク層１３を被処理体に貼合させることにより、被処理体のパターニングに用いることができる。
【００２５】
次に、図３Ａに示すような被処理体２０を用意する。被処理体２０は、例えば、平板状の無機基板であり、サファイア基板、ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板、Ｓｉ（シリコン）基板、スピネル基板、又は、窒化物半導体基板等である。図３Ｂに示すように、被処理体２０の主面上に、第２の積層体ＩＩの第１のマスク層１３の露出面を、被処理体２０の主面に対面させて貼合する。この結果、第２の積層体ＩＩ及び被処理体２０で構成される第３の積層体ＩＩＩが得られる。貼合は、例えば、ラミネーションであり、特に、熱ラミネーションが好適である。本操作を、後で説明する熱ナノインプリント装置の貼合部にて行う。
【００２６】
次に、図３Ｃに示すように、カバーフィルム１０を、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２から剥離する。この結果、被処理体２０、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２からなる中間体２１が得られる。本操作を、後で説明する熱ナノインプリント装置の剥離部にて行う。
【００２７】
また、第２の積層体ＩＩは、送出しローラにより巻き出され、巻き取りローラにより巻き取られる。即ち、送出しローラよりも、第２の積層体ＩＩの流れ方向後段において上記貼合が行われると共に、貼合よりも更に流れ方向後段且つ巻き取りローラよりも前段において上記離型が行われる。
【００２８】
更に、上記貼合と剥離の間において、被処理体は第２の積層体ＩＩの搬送に伴い移動することができる。換言すれば、第２の積層体ＩＩが被処理体のキャリアとしての機能を果たす。
【００２９】
なお、上述した貼合と剥離の間において、第２の積層体ＩＩに対してエネルギー線を照射して第１のマスク層１３を硬化又は固化させてもよい。また、貼合及び押圧時に加える熱により、第１のマスク層１３を硬化又は固化させてもよい。また、第２の積層体ＩＩに対してエネルギー線を照射して第１のマスク層１３を硬化又は固化させた後に、第３の積層体ＩＩＩを加熱することで、第１のマスク層１３の安定性を向上させてもよい。更に、剥離後のエネルギー線照射或いは加熱処理により、第１のマスク層１３を硬化又は固化させてもよい。これらの操作は、貼合と剥離と、の間により行われるため、貼合時に加わる圧力が解放された状態にて行われる。特に、貼合を行い、続いてエネルギー線を照射する工程においては、エネルギー線照射時に貼合時の圧力が解放されている。
【００３０】
得られた中間体２１は、上記説明した回収部により回収され、一時保管され、或いは直ぐに以下に説明する工程へ、と回される。
【００３１】
回収部により回収された中間体２１は、熱ナノインプリント装置とは異なる別の装置へと搬送される。そして、第２のマスク層１２をマスクとして、第１のマスク層１３を、例えば酸素アッシングにより、図３Ｄに示すようにパターニングする。この結果、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２により構成された高いアスペクト比を有する微細マスクパタン１６ａが設けられた微細マスク構造体１６を得る。更に、パターニングされた第１のマスク層１３をマスクとして、被処理体２０に、例えば、反応性イオンエッチングを施して、図３Ｅに示すように、被処理体２０の主面に微細パタン２２を形成する。最後に、図３Ｆに示すように、被処理体２０の主面に残った第１のマスク層１３を除去して、微細パタン２２を有する被処理体２０を得る。
【００３２】
本実施の形態では、図２Ａ〜図２Ｃに示すカバーフィルム１０から第２の積層体ＩＩを得るところまでを一つのライン（以下、第１のラインという）で行う。それ以降の、図３Ａ〜図３Ｆまでを別のライン（以下、第２のラインという）で行う。より好ましい態様においては、第１のラインと、第２のラインとは、別の施設で行われる。このため、第２の積層体ＩＩは、第２の積層体ＩＩを巻物状（ロール状）にして梱包され、保管又は運搬される。
【００３３】
ところで、図３Ｂに示すように、カバーフィルム１０を剥離する離型工程において、第１のマスク層１３と、被処理体２０とが接触しているにも関わらず、第１のマスク層１３が剥離されたカバーフィルム１０側に残存することがわかっている。原因はいくつか考えられる。例えば、第１のマスク層１３の厚みやパタン形状、被処理体２０の第１のマスク層１３と接触する端部の形状、及び、被処理体２０の表面状態や洗浄状態等である。
【００３４】
このように、本実施の形態では、貼合部で第１のマスク層と被処理体とを接触させて貼り合せているにも拘らず、カバーフィルムの剥離後において、「カバーフィルム側に第１のマスク層が残存する」問題を課題としている。
【００３５】
ここで、第１のマスク層と被処理体との接着力は、互いに平面接合のため、接合場所によって大きく変わることはない。しかしながら、樹脂層と第１のマスク層及び第２のマスク層との密着力は、凹凸パタン側であるため、接着力は、接合場所によって変わる。このとき、樹脂層と第１のマスク層及び第２のマスク層との密着力が高いパタン（平面部が多いと密着力が高くなる）の場合、「カバーフィルム側に第１のマスク層が残存」しやすくなる。
【００３６】
また、サファイア基板等からなる被処理体の表面及び洗浄状態が異なる場合、第１のマスク層と被処理体との接着力が変わる。このとき、第１のマスク層と被処理体との接着力が弱い状態であると、「カバーフィルム側に第１のマスク層が残存」しやすくなる。
【００３７】
また、被処理体の端部形状は、面取りされた緩やかな形状や、矩形状など様々である。特に、端部が面取りされた形状の場合、カバーフィルムの剥離時に、第１のマスク層にかかる力がなだらかに弱まって働くため、第１のマスク層の破壊が発生せず、「カバーフィルム側に第１のマスク層が残存」しやすくなる。
【００３８】
また、第１のマスク層の厚みが厚い場合、第１のマスク層が破壊されにくくなり、「カバーフィルム側に第１のマスク層が残存する」ことがある。また、第１のマスク層が薄い場合も、樹脂層と第１のマスク層及び第２のマスク層とのアンカー効果が高まり、密着力が高くなるため、「カバーフィルム側に第１のマスク層が残存する」ことがある。
【００３９】
そこで、本実施の形態では、第１のマスク層１３の表面を、被処理体２０の表面に向けて貼り合せる貼合工程と、カバーフィルムを、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３より取り除く離型工程との間に、以下のカット工程を含めることとした。
【００４０】
＜カット工程＞
カット工程では、被処理体２０の外側であって、第１のマスク層１３からカバーフィルム１０まで打ち抜かないように、少なくとも第１のマスク層１３に切り込みを入れる。例えば、図４に示すように、第１のマスク層から支持基材１０ａの途中まで切り込みＡを入れることができる。
【００４１】
図４に示すように、被処理体２０の外側に位置する第１のマスク層１３に、切り込みＡを入れる。切り込みＡは、被処理体２０から見て、Ｘ２側の領域に入れられているが、Ｘ２側は、被処理体２０から見て、カバーフィルム２の剥離開始側である。したがって、Ｘ２は、剥離工程側であり、Ｘ１側は、貼合工程側である。図４に示す実施の形態では、第１のマスク層１３のみならず、第２のマスク層１２及び、樹脂層１０ｂ、及び支持基材１０ａの途中まで切り込みＡが入れられているが、カバーフィルム１０の表面まで打ち抜かれていない。切り込みＡは、カバーフィルム１０を剥離する際の、剥離起点となる。すなわち、第１のマスク層５に予め亀裂を入れておけば、その部分でのカバーフィルム１０と第１のマスク層１３との接着力は無くなり、或いは接着力が弱まっているため、カバーフィルム１０側に第１のマスク層１３が残存することなく、カバーフィルム１０を適切に剥離することができる。切り込みＡを入れる際、カバーフィルム１０まで打ち抜いてしまうと、切り込みＡが剥離起点として適性に機能しないため、カバーフィルム１０まで打ち抜かないように、切り込みＡを入れる。
【００４２】
切り込みＡは、第１のマスク層１３の途中まで、第１のマスク層１３を打ち抜き第２のマスク層１２の途中まで、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２を打ち抜き樹脂層１０ｂの途中まで、或いは、第１のマスク層１３、第２のマスク層１２、及び樹脂層１０ｂを打ち抜き支持基材１０ａの途中まで入れられる形態を提示できる。このうち、切り込みＡは、少なくとも第１のマスク層１３を打ち抜いていることが好ましい。また、切り込みＡは、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２を打ち抜きカバーフィルム１０の途中にまで至っていることがより好ましい。
【００４３】
図５の左図は、本実施の形態の熱ナノインプリント装置に使用される切り込み刃付きプレート６の平面図であり、図５の右図は、切り込み刃付きプレート６の側面図である。図５の左図に示すように、プレート６の中央には複数の吸引口６ａが設けられている。吸引口６ａは、被処理体２０との対向領域Ｂ内に配置されている。被処理体２０の平面形状が、例えば、円形であるため、対向領域Ｂも被処理体２０の平面形状に合わせて円形である。吸引口６ａは、円形の対向領域Ｂ内に略均等に配置されている。被処理体２０をプレート６の表面に押し付ける際に、複数の吸引口６ａにて被処理体２０の表面全体をプレート６の対向領域Ｂ内に吸引し、これにより、プレート６と被処理体２０とを適切に固定することができる。
【００４４】
図５に示すように、プレート６には、対向領域Ｂの外側に、切り込み刃７が設けられている。この実施の形態では、切り込み刃７は半円弧状であるが、半円弧状から円形状までの範囲でも構わない。被処理体２０が、プレート６の対向領域Ｂにて固定された際、切り込み刃７は、被処理体２０から見て剥離部側の外側に位置する。図５の右図には、被処理体２０が、プレート６の対向領域Ｂ内に吸着された際の、被処理体２０と切り込み刃７との厚みの関係が示されている。図５の右図に示すように、切り込み刃７は、被処理体２０の厚み以上の高さを有している。このため、被処理体２０をプレート６の対向領域Ｂに吸着させると、被処理体２０の剥離部側の外側に位置する第１のマスク層１３に、切り込み刃７により切り込みＡを入れることができる（図４参照）。
【００４５】
図５に示すように、切り込み刃７は、プレート６の対向領域Ｂに固定された被処理体２０のほぼ外周側面に沿って設けられているが、被処理体２０の外周側面よりも更に外側に離れていてもよい。このとき、被処理体２０の外周側面から、被処理体２０の径（或いは被処理体２０の中心から辺までの距離）の１．１倍以内の外周範囲内に切り込み刃７を配置することができる。また、第１のマスク層１３に切り込みＡを入れるタイミングについては、被処理体２０の貼合工程から、カバーフィルム１０の離型工程までの範囲であるが、好ましくは、離型工程の直前である。ここで、「離型工程の直前」とは、貼合工程から離型工程までの時間の約半分以降、好ましくは約１／４以降、更に好ましくは、約１／１０以降、離型工程寄りであることを指す。或いは、貼合工程から離型工程の間に、複数の別の工程が含まれる場合、本実施の形態のカット工程を、これら別の工程内で行うことも可能であり、このとき、カット工程を、出来る限り離型工程に近い別の工程内で行うことが、搬送によりカット部から発生するパーティクルを抑制できるため、好ましい。また、図４に示す切り込みＡを、被処理体２０の外周を一周囲むように設けることもできるが、被処理体２０から見て剥離開始側の一部にだけ設けることが好ましい。このとき、切り込みＡを、被処理体２０の外側の略半分だけ囲むように入れることが好ましい。これによって、カット部から発生するパーティクルを最低限に抑制でき、且つ、カバーフィルム側に第１のマスク層が残存することなく剥離する事ができる。図５に示すように、切り込み刃７を、半円弧状に設けることで、切り込みＡを、被処理体２０の外周の半分だけに入れることができる。
【００４６】
図６は、実際に、本実施の形態の第１のマスク層に切り込みを入れた状態を示す顕微鏡写真であり、図７は、図６の模式図である。なお、図６では、第１のマスク層と第２のマスク層との境界は見えにくくなっている。図６、図７に示すように、カバーフィルムを打ち抜くことなく、適切に第１のマスク層に切り込みを入れることができた。そして、この切り込みを剥離起点として、カバーフィルムを剥離することができた。剥離されたカバーフィルムに第１のマスク層の残存は見当たらなかった。
【００４７】
本実施の形態では、第１のマスク層の厚みやパタン形状、被処理体２０の第１のマスク層と接触する端部の形状、被処理体２０の表面状態や洗浄状態等がいかなる状態であっても、第１のマスク層１３に切り込みＡを入れ、剥離起点を設ける。このように、カバーフィルム１０の剥離前に、事前に、第１のマスク層１３に剥離起点を設けておくとで、剥離されたカバーフィルム１０側に第１のマスク層１３が残存することを適切に防ぐことができる。これにより、生産収率（歩留まり）を適切に向上させることができる。
【００４８】
＜マスクパタン転写工程＞
次に、微細パタン形成用シートを使用する各工程について説明する。被処理体２０上に微細パタン２２を形成する方法は、マスクパタン転写工程とエッチング工程とに分けられる。
【００４９】
図８及び図９は、本実施の形態に係る微細パタン形成用シートを使用し、被処理体に対し微細パタンを形成する方法を説明するための工程図である。マスクパタン転写工程は、図８Ａ及び図８Ｂ並びに図９Ｂ〜図９Ｃで示される。
【００５０】
マスクパタン転写工程は、少なくとも貼合工程（押圧工程）、エネルギー線照射工程及び離型工程をこの順に含み、且つ、貼合工程（押圧工程）とエネルギー線照射工程とはそれぞれ独立で行うことを特徴とする。ここで、押圧工程は、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置の貼合部で実施される。また、離型工程は、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置の剥離手段及び固定手段により行われる。
【００５１】
図８Ａに示す第２の積層体ＩＩは、支持基材１０ａ及び樹脂層１０ｂで構成されるカバーフィルム１０と、カバーフィルム１０の樹脂層１０ｂに形成された凹凸構造１１の内部に充填された第２のマスク層１２と、第２のマスク層１２を含む凹凸構造１１の上に設けられた第１のマスク層１３とで構成されている。第２の積層体ＩＩの第１のマスク層１３の表面には保護フィルム１４が設けられている場合、まず、第２の積層体ＩＩから保護フィルム１４を外して、図８Ｂに示すように、第１のマスク層１３の表面を露出させる。
【００５２】
（貼合工程（押圧工程））
貼合工程において、図９Ａに示すように、第２の積層体ＩＩを第１のマスク層１３を介して被処理体２０に対して押圧して、第２の積層体ＩＩ及び被処理体２０を貼り合わせて接着し、第３の積層体ＩＩＩを得る。このとき、第２の積層体ＩＩ及び被処理体２０は、加熱しながら押圧されることにより密着される。第２の積層体ＩＩに関しては、被処理体２０と第１のマスク層１３との接着を目的として行う。
【００５３】
第１のマスク層１３として熱圧着可能な樹脂を選択した場合には、第１のマスク層１３の流動性を上昇させるために、押圧時に加熱を行うことが好ましい。この加熱は、少なくとも被処理体２０面側から行うことが好ましく、加熱温度は６０℃〜２００℃が好ましい。
【００５４】
（貼合）
貼合時の環境雰囲気の巻き込みは、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の被処理体２０に転写付与される割合（転写率）を減少させる。このため、被処理体２０の用途に応じた問題が発生する。例えば、被処理体をＬＥＤ用の基板として使用する場合、貼合時の酸素（空気中の酸素）のミクロな巻き込み（ナノメートルから数十マイクロメートルスケールの環境雰囲気の巻き込み）は、ＬＥＤの半導体結晶層の欠陥を導き、ＬＥＤの発光特性を悪化させたり、リーク電流を増加させる場合がある。また、貼合時のマクロな巻き込み（数十マイクロメートルからミリメートルスケールの気泡）は、大きな欠陥となり、高効率なＬＥＤを製造する際の収率の低下を招く。そのため、第１のマスク層１３を被処理体２０に貼合する際には、以下の（１）〜（４）に示すいずれかの手法、又は、これらの複合手法を採用することが好ましい。
【００５５】
（１）低酸素雰囲気下で貼合を行う。酸素濃度を低下させておくことにより、第１のマスク層１３と被処理体２０との界面に環境雰囲気を巻き込んだ場合であっても、第１のマスク層１３の硬化性を良好に保つことができるため、転写精度を向上させることができる。低酸素雰囲気は、真空（減圧）、Ｎ２ガスやＡｒガスに代表されるガスの導入、ペンタフルオロプロパンや二酸化炭素に代表される圧縮性ガスの導入等で作製可能である。特に、真空（減圧）環境を採用することで、貼合性を改良することができる。
【００５６】
図１０は、本実施の形態に係る微細パタン形成用シートと被処理体との貼合に関する断面模式図である。なお、図１０Ａ〜図１０Ｃでは、便宜上、第１の積層体Ｉと第２の積層体ＩＩと、を同一の模式図として表現するために、第１の積層体Ｉの凹凸構造１１の表面の凹凸は省略してフラットな形状として示している。図１０Ａ〜図１０Ｃに示す第２の積層体ＩＩにおいては、被処理体２０と貼り合わされる面側に、第１のマスク層１３が設けられ、第１のマスク層１３が被処理体２０に接触するようになっている。
【００５７】
（２）図１０Ａに示すように、第２の積層体ＩＩを、その一方の端部から他方の端部に向かって被処理体２０に接触させ、接触面積を徐々に増加させる方法が挙げられる。この場合、平行平板型の貼合に比べ、環境雰囲気の逃げ道が作られるため、環境雰囲気の抱き込みが減少する。
【００５８】
（３）図１０Ｂに示すように、第２の積層体ＩＩの中央付近を下に凸の形状に変形させ、その状態で第２の積層体ＩＩを被処理体２０に接触させ、続いて、変形を元に戻していく手法が挙げられる。この場合、平行平板型の貼合に比べ、環境雰囲気の逃げ道が作られるため、環境雰囲気の抱き込みが減少する。
【００５９】
（４）図１０Ｃ示すように、第２の積層体ＩＩを湾曲させると共に、第２の積層体ＩＩを、その一方の端部から他方の端部に向かって接触させ、ラミネートの要領で貼合する手法が挙げられる。この場合、平行平板型の貼合に比べ、環境雰囲気の逃げ道が作られるため、環境雰囲気の抱き込みが減少する。特に、第２の積層体ＩＩのカバーフィルムがフレキシブルモールドの場合に有効である。第２の積層体ＩＩを湾曲させて、第２の積層体ＩＩの一方の端部から他方の端部に向かって被処理体２０に接触させることで、第２の積層体ＩＩを被処理体２０にロールツーロールで連続貼合することができる。
【００６０】
（エネルギー線照射工程）
エネルギー線照射工程において、図９Ｂに示すように、第２の積層体ＩＩと被処理体２０とが接着された積層体ＩＩＩに対して、貼合時の圧力を開放した状態でエネルギー線を照射して第１のマスク層１３を硬化する。これにより、第１のマスク層１３を従来のように押圧しながら硬化させる必要がなくなるので、押圧工程とエネルギー線照射工程とを独立して行うことができ、凹凸構造体の製造における工程管理が容易となる。
【００６１】
また、エネルギー線照射工程は、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の安定性を向上させると共に、第２のマスク層１２と第１のマスク層１３の界面密着力を大幅に向上させることを目的とする。更に、第２の積層体ＩＩの場合は、更に、第１のマスク層１３と被処理体２０を接着することも目的とする。
【００６２】
エネルギー線照射は、第２のマスク層１２と第１のマスク層１３の界面に化学反応に基づく化学結合を生じる場合に有効である。エネルギー線の種類は、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の組成により適宜選択できるため、特に限定されないが、例えば、Ｘ線、ＵＶ、ＩＲ等が挙げられる。また、エネルギー線は第２の積層体ＩＩ側と被処理体２０側の、少なくとも一方から照射することが好ましい。特に、第２の積層体ＩＩの少なくとも一部或いは被処理体２０がエネルギー線吸収体である場合は、エネルギー線を透過する媒体側から、エネルギー線を照射することが好ましい。
【００６３】
エネルギー線照射時の積算光量は、５００〜５０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、８００〜２５００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましい。また、異なる発光波長域を有するエネルギー線源を２つ以上選択してもよい。
【００６４】
なお、第２の積層体ＩＩを被処理体２０に押圧した後、圧力開放した状態でエネルギー線照射工程を行うことで、第１のマスク層１３の膜厚を厚くすることが可能となるため、エッチング工程を経ることで、被処理体２０にアスペクト比の高いマスクを転写することが可能となる。
【００６５】
（離型工程）
離型工程において、図９Ｂ及び図９Ｃに示すように、第３の積層体ＩＩＩにおいて、被処理体２０に接着された第２の積層体ＩＩのうち、カバーフィルム１０を取り除く。この結果、被処理体２０、第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２からなる中間体２１が得られる。
【００６６】
以上のように、本実施の形態に係るマスクパタン転写工程によって、第２の積層体ＩＩを用いて被処理体２０へ凹凸構造を転写し、図９Ｄに示すように、被処理体２０の表面上に第１のマスク層１３及び第２のマスク層１２が設けられた微細マスク構造体１６が得られる。この際、被処理体２０上に第１のマスク層１３を厚く形成することが可能となり、エッチング工程を経ることで、被処理体２０上に高アスペクト比のマスクパタンを形成することが可能となる。
【００６７】
（加熱工程）
エネルギー線照射後に加熱工程を加えることで、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の組成にもよるが、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の安定性が向上し、離型工程時の転写不良、特に第１のマスク層１３の凝集破壊を減少させる効果が得られる。加熱温度は、概ね４０℃〜２００℃の範囲で、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３のガラス転移温度Ｔｇよりも低い温度が好ましい。また、加熱時間は概ね５秒〜６０分であると好ましく、転写精度を向上させ、且つ工業製を高める観点から、５秒〜３分であることが最も好ましい。なお、加熱工程は低酸素雰囲気下で行ってもよい。
【００６８】
加熱工程後は、カバーフィルム１０／第１のマスク層１３／被処理体２０からなる積層体が好ましくは５℃〜８０℃になるまで、更に好ましくは１８℃〜３０℃になるまで冷却した後に離型工程に移ることが好ましい。なお、冷却方法については、積層体が前記の温度範囲内に冷却されれば、特に限定しない。
【００６９】
更に、マスクパタン転写工程における離型工程の後に、後処理工程を加えてもよい。即ち、マスクパタン転写工程は、押圧工程、エネルギー線照射工程、離型工程及び後処理工程をこの順に経る構成としてもよく、また、押圧工程、エネルギー線照射工程、加熱工程、離型工程及び後処理工程をこの順に経る構成としてもよい。
【００７０】
（後処理工程）
後処理工程は、図９Ｄに示す微細マスク構造体１６の第２のマスク層１２側と被処理体２０側の両方又はいずれか一方から、エネルギー線を照射して行う。また、後処理工程は、微細マスク構造体１６に対して、加熱とエネルギー線照射との両方、或いは、いずれか一方を行うことによって行う。
【００７１】
エネルギー線を照射することにより、第２のマスク層１２と第１のマスク層１３との両方又はいずれか一方に含まれる未反応成分の反応を促進させることができ、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の安定性が向上し、第２のマスク層１２の残膜処理工程、第１のマスク層１３のエッチング工程及び被処理体２０のエッチング工程を良好に行えるため好ましい。エネルギー線としては、Ｘ線、ＵＶ、ＩＲ等が挙げられる。また、エネルギー線は、微細マスク構造体１６に対して、第２のマスク層１２側及び被処理体２０側の少なくとも一方から照射することが好ましい。特に、第２のマスク層１２側から照射することが好ましい。
【００７２】
＜エッチング工程＞
中間体２１は、第２の積層体ＩＩを被処理体２０に貼り合わせた後に、カバーフィルム１０を剥離することで製造される第２のマスク層１２／第１のマスク層１３／被処理体２０から成る積層体であり、その製造方法の詳細はマスクパタン転写工程において既に説明した通りである。ここで、中間体２１に対して、図９Ｄに示すようにエッチングを行うことで、微細マスク構造体１６を製造できる。更に、微細マスク構造体１６に対して図９Ｅ及び図９Ｆに示すようにエッチングを行うことで、被処理体２０上に微細パタン２２を形成し、凹凸構造体４０を得ることができる。
【００７３】
＜熱ナノインプリント装置＞
次に本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置について説明する。
【００７４】
本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置は、熱ナノインプリント法に用いられる。熱ナノインプリント法とは、凹凸構造が表面に形成されたモールド、特にナノスケールの凹凸構造を具備するモールドを、被処理体に熱を加えながら貼り合わせ、押圧することで、被処理体の表面（以下、被処理面ともいう）に凹凸構造を転写する転写方法である。
【００７５】
本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置は、第１のマスク層の表面を、被処理体の表面に向けて貼り合せる貼合部と、カバーフィルムを、第２のマスク層及び第１のマスク層より取り除く剥離部と、貼合部と、剥離部との間に設けられ、第１のマスク層からカバーフィルムまで打ち抜かないように、少なくとも第１のマスク層に、切り込みを入れるカット部と、を具備することを特徴とする。
【００７６】
この構成により、カバーフィルムを剥離する際に、第１のマスク層に剥離起点を設けることができ、剥離されたカバーフィルム側に第１のマスク層が残存する不具合を抑制することができる。これにより、従来に比べて、生産効率（歩留まり）を向上させることができる。
【００７７】
図１１は、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置を示す模式図である。熱ナノインプリント装置３００は、長尺の微細パタン形成用シート１０１が巻き回された送出しローラ２０２を具備する。送出しローラ２０２は、微細パタン形成用シート１０１を所定の速度で送出する。この送出しローラ２０２と対になって、送出された微細パタン形成用シート１０１を巻き取る巻き取りローラ２０３が設けられている。巻き取りローラ２０３の回転数と送出しローラ２０２の回転数とは微細パタン形成用シート１０１の送り出し速度と巻き取り速度と、が同期するように制御されてもよいが、微細パタン形成用シート１０１のテンションを制御するために、ダンサーローラー、トルクモータ又はテンションコントローラ等を用いることができるため、微細パタン形成用シート１０１の搬送機構は採用するテンション制御方式に応じて適宜設計することができる。なお、送出しローラ２０２及び巻き取りローラ２０３にはそれぞれ駆動部を連結することができる。
【００７８】
送出しローラ２０２よりも流れ方向ＭＤの更に後段には、貼合部２０１が設けられている。貼合部２０１は、回転体１０２を備えた押圧部１００を備えている。回転体１０２については、既に説明した通りである。本実施の形態においては、回転体１０２の表層をシリコーンゴムとした。なお、シリコーンゴムとしてはそのガラス転移温度Ｔｇが２０℃以下のものを採用した。また、貼合雰囲気を除電する除電機（不図示）を別途設置した。
【００７９】
この回転体１０２は、微細パタン形成用シート１０１の幅方向に亘って延設されている。回転体１０２の断面形状は略真円形である。回転体１０２の、微細パタン形成用シート１０１の幅方向の長さは、微細パタン形成用シート１０１を貼合する被処理体１０４の大きさよりも大きければ特に限定されない。例えば、２インチ強、４インチ強、６インチ強、或いは８インチ強である。また、微細パタン形成用シート１０１の幅方向に複数の被処理体１０４を配置し、同時に微細パタン形成用シート１０１を被処理体１０４に貼合するために、回転体１０２は微細パタン形成用シート１０１の幅方向全体に亘って延設されると好ましい。本実施の形態においては、微細パタン形成用シート１０１の幅として、２．１インチ、４．５インチ、及び６．５インチの３種類を実施した。これらの微細パタン形成用シート１０１のいずれに対しも、回転体１０２の幅方向の長さは３００ｍｍとした。
【００８０】
回転体１０２による、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４との貼合は、微細パタン形成用シート１０１の搬送と同時に行われても、微細パタン形成用シート１０１の搬送が停止した状態にて行われてもよい。本実施の形態においては、微細パタン形成用シート１０１が静止した状態で貼合を行った。
【００８１】
微細パタン形成用シート１０１の被処理体１０４への押圧が、微細パタン形成用シート１０１の搬送と同時に行われる場合、回転体１０２は、微細パタン形成用シート１０１の搬送に支障をきたさぬように回転することが好ましい。このため、回転体１０２の回転手段は、微細パタン形成用シート１０１の搬送に伴い受動的に回転体１０２を回転させるものであっても、能動的に回転させるものであってもよい。特に、微細パタン形成用シート１０１の搬送に伴って受動的に回転することが貼合精度を向上するため、好ましい。この場合、回転体１０２の回転手段には、フリーローラのように受動的に回転体１０２を回転させるものや、微細パタン形成用シート１０１の搬送速度に同期するように、回転体１０２の回転数を制御しながら受動的に回転させるものを採用できる。
【００８２】
一方、微細パタン形成用シート１０１の搬送が停止した状態にて微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４とを貼合する場合、回転体１０２は回転軸を中心に回転すると共に、被処理体１０４の主面に平行な面内において、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤとは反対の方向又は微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤに平行な方向に移動することが好ましい。
【００８３】
本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置２００の貼合部２０１においては、上記説明した押圧部１００の回転体１０２により、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４とを押圧し、低温且つ低圧にて熱ナノインプリントを行うことができる。ここで、微細パタン形成用シート１０１を被処理体１０４に押圧する際、被処理体１０４のその面内方向に対して垂直方向の振動を抑制し、押圧時の圧力の均等性を向上させるために、被処理体１０４の微細パタン形成用シート１０１と接する面とは反対側の面上に被処理体保持部２０５を設けることが好ましい。
【００８４】
被処理体保持部２０５の保持機構は、被処理体１０４の被処理面に接触しないものであれば、特に限定されない。被処理体保持部２０５は、既に説明した機構を採用できる。また、被処理体１０４を保持する方法は、既に説明した通り、被処理体１０４と微細パタン形成用シート１０１が接触しない位置で被処理体１０４を保持することが好ましい。なお、本実施の形態においては、減圧（吸引）チャックを採用した。
【００８５】
また、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置３００においては、回転体１０２及び被処理体保持部２０５の少なくとも一方に、上述の押圧加熱部を付帯することが好ましい。ここで、押圧加熱部は、微細パタン形成用シート１０１及び被処理体１０４を回転体１０２で押圧する際、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４との界面を加熱する目的にて導入する。押圧加熱部を設けることで、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４との界面の温度が向上するため、熱ナノインプリント精度が向上する。なお、本実施の形態においては、回転体１０２及び被処理体保持部２０５の双方に押圧加熱部を設け、回転体１０２の表面を９０℃〜１３０℃にて加熱し、被処理体保持部２０５の表面を８０℃〜１５０℃の範囲にて加熱し実施した。
【００８６】
（カット部）
図１１に示すように、貼合部２０１よりも流れ方向ＭＤの後段であって、巻き取りローラ２０３よりも前段には、カット部５０１が設けられている。なお、回転体１０２とカット部５０１との間、又は、巻き取りローラ２０３とカット部５０１との間は、エネルギー線照射部等の任意の構成要素を併設するのに充分な間隔を設けることが好ましい。
【００８７】
カット部５０１は、図５で説明したプレート６を具備する。プレート６は、切り込み刃７を備えており、カット部５０１では、被処理体１０４の外周よりも外側に位置する微細パタン形成用シート１０１の第１のマスク層に切り込みを入れる。図１２は、カット部によるカット位置を示す平面模式図である。図１２に示すように、微細パタン形成用シート１０１／被処理体１０４からなる積層体２０７に対し、被処理体１０４の外周より剥離部２０６側の外側に位置する第１のマスク層に、切り込み刃７を押し当てて、切り込みを入れる。図１２中の一点破線は、カット位置５０２を示す。
【００８８】
図１１に示すように、カット部５０１は、切り込み刃付きプレート６と、積層体２０７を支持する支持部５０１ｂと、を有して構成される。切り込み刃７は、積層体２０７の被処理体１０４の上方に位置し、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤに垂直な方向（上下方向）に沿って移動する。また、支持部５０１ｂは、積層体２０７を微細パタン形成用シート１０１の下方から支え、特に、積層体２０７が微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤに垂直な方向に振動することを抑制する。切り込み刃７が、支持部５０１ｂで支持された積層体２０７に向かって移動し、被処理体１０４から見て、剥離部２０６側に位置する第１のマスク層に切り込みを入れる。この際、カバーフィルムまで打ち抜かれることはない。
【００８９】
本実施の形態においては、貼合部２０１とカット部５０１との間に、エネルギー照射部、積層体加熱部及び冷却部を組み込むことができる。このとき、カット部５０１を、エネルギー照射部、積層体加熱部及び冷却部のいずれかに組み込むことも出来る。また、貼合部２０１よりも流れ方向ＭＤの前段には、搬送部及び前処理部を組み込むことができる。
【００９０】
（剥離部）
貼合部２０１よりも流れ方向ＭＤ後段であって、巻き取りローラ２０３よりも前段には、剥離部２０６が設けられている。なお、巻き取りローラ２０３と回転体１０２との間には、エネルギー線照射部等を併設するのに充分な間隔を設けると好ましい。剥離部２０６は、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４からなる積層体２０７から、カバーフィルムを剥離できれば特に限定されない。即ち、積層体２０７において、被処理体１０４は固定されその主面に対して垂直方向の移動をほぼ起こらないと共に、カバーフィルムが被処理体１０４より引き離される。特に、剥離部２０６が、微細パタン形成用シート１０１の流れを利用して剥離できるものであれば、微細パタン形成用シート１０１の捩れをより抑制すると共に、転写精度を向上できる。本実施の形態では、カバーフィルムの剥離前に、第１のマスク層に剥離起点を設けているため、カバーフィルムを適切に剥離することができ、剥離されたカバーフィルムに第１のマスク層が残存する不具合を防止することができる。更に、微細パタン形成用シート１０１とある被処理体１０４（Ａ）との押圧と、微細パタン形成用シート１０１の別の被処理体１０４（Ｂ）からの剥離と、を同時に行うことができるため、装置の過大化を抑制しながら、タクトを向上させることができる。更に、剥離部２０６において、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向が変化することで、カバーフィルムを剥離することが好ましく、剥離用ローラや剥離用エッジを利用できる。
【００９１】
なお、積層体２０７は、図３Ｂ及び図９Ａに示す第３の積層体ＩＩＩに相当する。積層体２０７を構成する被処理体１０４は、微細パタン形成用シート１０１に貼り合わされ、一体となっている。
【００９２】
剥離部２０６における剥離力は、少なくとも被処理体１０４の被処理面に対して垂直で、且つ、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤの成分を含む。例えば、積層体２０７の被処理体１０４の露出する面を保持して固定し、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤがローラ又はエッジにより変化することで、転写精度高くカバーフィルムを剥離することができる。
【００９３】
図１３は、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置における剥離部によるカバーフィルムの剥離を示す模式図である。図１３Ａ及び図１３Ｂは、微細パタン形成用シート１０１／被処理体１０４からなる積層体２０７が搬送されると共に、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤが変化することで、カバーフィルムが被処理体１０４より剥離される場合を示している。被処理体１０４は、図中矢印Ａで示す方向に移動する。
【００９４】
図１３Ａにおいては、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤが、曲率半径が０超の曲率を有す剥離用エッジ３０１により変化している。一方、図１３Ｂにおいては、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤが、円筒状の剥離用ローラ３０２により変化している。いずれの場合においても、被処理体１０４の被処理面とは反対の面（以下、露出面ともいう）を固定手段により保持し、被処理体１０４を固定することが、微細パタン形成用シート１０１のカバーフィルムの剥離時に被処理体１０４の物理的な安定性が向上するため、好ましい。
【００９５】
図１４は、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置における剥離部による微細パタン形成用シートの剥離を示す模式図である。図１４Ａ及び図１４Ｂでは、積層体２０７は静止しており、移動用ロール４０１及び剥離用ロール４０２からなる剥離部２０６が、被処理体１０４の被処理面に平行且つ微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤに平行な方向に移動することで、カバーフィルムが剥離される場合を示している。より具体的には、移動用ロール４０１が、図中矢印Ｂで示すように、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤとは反対側に移動する。この移動に伴い、剥離用ロール４０２も微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤとは反対側へと移動し、カバーフィルムが剥離される。
【００９６】
剥離部２０６における微細パタン形成用シート１０１の方向変化について更に詳細に説明する。図１５は、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置における剥離部での微細パタン形成用シート１０１の方向変化について説明するための説明図である。図１５に示すように、剥離部２０６を通過前の微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤ−１の作る面と、剥離部２０６を通過した後の微細パタン形成用シート１０１（カバーフィルム）の流れ方向ＭＤ−２の作る面と、のなす角θ１を、剥離方向の変化量として定義することができる。この角度θ１は剥離角である。剥離角θ１は、１５度以上１７０度以下であることが好ましい。１５度以上であることにより、第１のマスク層とカバーフィルムと、の界面に加わる剥離応力を小さくできるため、熱ナノインプリント法により得られる中間体２１への負荷（剥離応力）が低減されるため、転写精度が向上する。一方、１７０度以下であることにより、微細パタン形成用シート１０１の搬送に係る負荷が低下するため、搬送精度が向上する。同様の理由から、剥離角θ１は、３０度以上１６０度以下であることがより好ましく、６０度以上１６０度以下であることが最も好ましい。なお、剥離角θ１が９０度以上であることで、装置の過大化を抑制することができる。よりコンパクトな装置を設計する観点から、剥離角θ１は、１００度以上であることが好ましく、１１０度以上であることがより好ましく、１２５度以上であることが最も好ましい。なお、剥離部２０６を通過前の微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤ−１の作る面は、微細パタン形成用シート１０１の剥離前の被処理体１０４の被処理面と略平行である。
【００９７】
ここで、被処理体１０４の露出面を脱着自在に固定できる固定手段を更に設けることで、剥離部２０６による剥離時の、被処理体１０４の物理的バランスが良好となるため、微細パタン形成用シート１０１の捩れや熱ナノインプリントにより得られる凹凸構造の欠損をより抑制することができる。固定手段は、例えば、減圧チャック、静電チャック、外周縁部を把持するもの、又は、当業者に周知のカセット支持方式のものである。なお、本実施の形態においては減圧（吸引）チャックを採用すると共に、静電気を抑制する目的で、除電機（不図示）を剥離部２０６の周辺に取り付けた。
【００９８】
上記説明した回転体１０２を備えた押圧部１００により、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４とが押圧され、微細パタン形成用シート１０１／被処理体１０４からなる積層体２０７が得られる。また、押圧部１００を備えた貼合部２０１と、カット部５０１と、剥離部２０６とは、微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤに沿って、互いに離間して配置されている。即ち、積層体２０７を、カット部５０１まで搬送して、積層体２０７のうち、被処理体１０４の外側に位置する微細パタン形成用シート１０１の第１のマスク層に切り込みを入れる。更に、積層体２０７を、剥離部２０６まで搬送し、剥離部２０６において積層体２０７から微細パタン形成用シート１０１のカバーフィルムを剥離する。ここで、積層体２０７の搬送は、積層体２０７の被処理体１０４の露出面を保持し、搬送する被処理体搬送手段を別途設けることでも実現できるが、装置の過大化を抑制する観点から、微細パタン形成用シート１０１の流れを利用して搬送する、換言すれば微細パタン形成用シート１０１を被処理体１０４のキャリアフィルムとして機能させることが好ましい。
【００９９】
一般的にはワーク（被処理体１０４）とキャリア（微細パタン形成用シート１０１）とは別々の移動機構により移動及び搬送されるが、本実施の形態に関しては、ワークはキャリアの搬送により移動することができる。即ち、ワークとキャリアとが一体化した状態を経ることができる。これにより、ワークの搬送機構を別途設ける必要がなくなることから、装置のコンパクト設計が可能となると共に、貼合部２０１から剥離部２０６までの間に、任意の構成要素、例えばエネルギー線照射部を容易に組み込むことができる。
【０１００】
即ち、図１１においては、微細パタン形成用シート１０１の、回転体１０２が設けられた側の面とは反対側の面、即ち第１のマスク層面上に、被処理体１０４が配置され、微細パタン形成用シート１０１の搬送に伴い、被処理体１０４も移動する。また、微細パタン形成用シート１０１を裏表が逆（第１のマスク層面が下向き）の状態で搬送するとき、微細パタン形成用シート１０１の上側に回転体１０２を配置し、微細パタン形成用シート１０１の下側、即ち、第１のマスク層面上に被処理体１０４を配置し、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４とを押圧する。この場合、微細パタン形成用シート１０１と貼合された被処理体１０４は、宙吊りの状態にて微細パタン形成用シート１０１の搬送に伴い、移動することができる。
【０１０１】
微細パタン形成用シート１０１の表面上に保護層が設けられている場合、貼合部２０１にて微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４とを貼合する前に保護層を取り除く必要がある。この場合、送出しローラ２０２よりも微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤの後段に、微細パタン形成用シート１０１から保護層（図８中１４）を剥離する保護層剥離ローラ部が設けられる。保護層剥離ローラには、保護層剥離ローラよりも保護層の流れ方向の後段に、保護層を巻き取って回収する保護層巻き取りローラが併設される。保護層剥離ローラは、駆動部を具備しないフリーローラとして設けても、駆動部を付帯したローラであっても、微細パタン形成用シート１０１より保護層を剥離可能であれば特に限定されない。一方、保護層巻き取りローラは、微細パタン形成用シート１０１より剥離された保護層を巻き取り回収する役割を担うため、駆動部を付帯することが好ましい。駆動部により回転する保護層巻き取りローラの回転数は、保護層の捩れや微細パタン形成用シート１０１の捩れ、蛇行等を抑制するように、フィルムテンションの観点から適宜設計することができる。また、保護層剥離ローラは、回転体１０２に近い位置に設けられると、保護層を剥離し露出した表面の異物の付着を抑制し、この結果、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４との貼合精度が向上するため、好ましい。
【０１０２】
上記説明した貼合部２０１における微細パタン形成用シートの被処理体１０４への貼合に際し、微細パタン形成用シート１０１の被処理体１０４への貼合精度をより向上させる観点から、除電機を設けることができる。除電機を設けることで、微細パタン形成用シート１０１の第１のマスク層面上、又は被処理体１０４の被処理面上に付着するパーティクルを抑制できることから、第１のマスク層に対するパーティクル由来の応力集中を抑制でき、これにより転写精度を向上させることができる。
【０１０３】
次に、貼合部２０１と剥離部２０６との間に設けられる任意の他の構成要素について説明する。
【０１０４】
（エネルギー線照射部）
貼合部２０１と剥離部２０６との間に、エネルギー線照射部を設けることができる。エネルギー線照射部においては、貼合部２０１で得られた積層体２０７に対してエネルギー線を照射する。このため、エネルギー線照射部は、微細パタン形成用シート１０１に向かってエネルギーを照射しても、被処理体１０４に向かってエネルギーを照射しても、その両方であっても良い。特に少なくとも被処理体１０４に向かってエネルギーを照射することで、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４との界面強度を向上できるため、好ましい。
【０１０５】
（積層体加熱部）
剥離部２０６よりも微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤ前段であり、且つ、エネルギー線照射よりも流れ方向ＭＤ後段には、積層体２０７を加熱する積層体加熱部を設けることができる。積層体加熱部を設けることで、微細パタン形成用シート１０１と被処理体１０４との界面強度を向上させることができるため、熱ナノインプリント精度が向上する。積層体加熱部による加熱温度は、微細パタン形成用シート１０１の特性に応じて適宜選定できるため、特に限定されないが、微細パタン形成用シート１０１の融点（Ｔｍｃ）未満であると、装置の過大化を抑制できると共に、熱ナノインプリント精度が向上するため好ましい。特に、被処理体１０４の加熱温度が、３０℃〜２００℃の範囲になるように加熱できると好ましく、６０℃〜１３０℃であるとより好ましい。加熱温度は、微細パタン形成用シート１０１の搬送の観点から、概ね、Ｔｍｃの０．６倍以下であると好ましい。このように加熱条件下で積層体２０７の加熱が行われる。
【０１０６】
（冷却部）
更に、剥離部２０６よりも微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤの前段であり、且つ、積層体加熱部よりも流れ方向ＭＤの後段に、積層体２０７を冷却する冷却部を設けることができる。冷却部を設けることで、カバーフィルムを剥離する際の、剥離性を向上させることができる。ここで、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置２００においては、冷却部が微細パタン形成用シート１０１の流れ方向ＭＤに対して、貼合部２０１と離間して設けられる。更に、本実施の形態では、上述のような回転体１０２を採用していることから、熱ナノインプリントに必要な温度を低く保っている。このため、冷却部の過大化を抑制できる。冷却部は、積層体２０７に対して空気を吹き付ける程度でよい。冷却部は、少なくとも被処理体１０４の温度が１２０℃以下になるように冷却すると、剥離性を向上できるため、好ましい。微細パタン形成用シート１０１の特性に応じて最適な被処理体１０４の冷却後の温度は決定されるが、概ね、５℃以上６０℃以下が好ましく、１８℃以上３０℃以下がより好ましい。
【０１０７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状等については、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
以上説明したように、本発明は、カバーフィルムの表面に形成された凹凸構造を、第１のマスク層を介して被処理体に転写する際に、第１のマスク層の膜厚分布を良好にし、転写精度を向上させ、且つ効率よく転写可能であり、過大な設備を要しない熱ナノインプリント装置を提供するという効果を有し、特に、ＬＥＤに関する光取り出し効率向上用基材、内部量子効率向上用基材、光取り出し効率及び内部量子効率向上用基材の製造における凹凸構造加工技術に有用である。
【符号の説明】
【０１０９】
１、１０１  微細パタン形成用シート
２、１０  カバーフィルム
３  樹脂層
３ａ、１１、４０、１１０２  凹凸構造
４、１２  第２のマスク層
５、１３  第１のマスク層
６  プレート
６ａ  吸引口
７  切り込み刃
１０ａ  支持基材
１６  微細マスク構造体
２０、１０４、１４０  被処理体
２１  中間体
２２  微細パタン
３００  熱ナノインプリント装置
２０１  貼合部
２０６  剥離部
２０７  積層体
５０１  カット部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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