(57)【要約】【課題】補助電極を用いて電圧降下による輝度不均一を防止するディスプレイ装置を提供する。【解決手段】補助電極の形状変更を通じて、絶縁膜によるアンダーカット領域が充填剤で完全に充填されるようにして、表示される映像の品質を向上させ、上部電極と補助電極との接触面積を増加させて、信頼性及び集積度を向上させる。【選択図】図２
2018109758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板上に位置し、ベース貫通孔を含むベース絶縁膜と、
前記ベース絶縁膜上に位置し、前記ベース貫通孔と重なる下部貫通孔を含む下部絶縁膜と、
前記下部絶縁膜上に位置し、前記下部貫通孔上に延びる突出領域を含む上部絶縁膜と、
前記下部基板上で前記ベース貫通孔内に位置する補助電極とを含み、
前記補助電極は、前記上部絶縁膜の前記突出領域と重なる前記ベース絶縁膜の第１側面領域上に延びる、ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ベース絶縁膜の前記第１側面領域の近くに位置する前記補助電極の端部（ｅｎｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）は、前記ベース絶縁膜と前記下部絶縁膜との間に位置する、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記上部絶縁膜は、前記ベース絶縁膜の第２側面領域を露出させる上部貫通孔をさらに含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記補助電極は、前記ベース絶縁膜の前記第２側面領域上に延びる、請求項３に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記下部基板上に位置し、前記補助電極と離隔する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続される下部電極、前記補助電極と接続される上部電極、及び前記下部電極と前記上部電極との間に位置する発光層を含む、発光構造物と、
前記薄膜トランジスタと前記発光構造物との間に位置する下部保護膜とを含み、
前記下部絶縁膜は、前記下部保護膜と同一の物質を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記下部絶縁膜上に位置し、前記下部電極の縁部を覆うバンク絶縁膜をさらに含み、
前記上部絶縁膜は、前記バンク絶縁膜と同一の物質を含む、請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタは、半導体パターン、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含み、
前記補助電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一の物質を含む、請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に位置する層間絶縁膜をさらに含み、
前記ベース絶縁膜は、前記層間絶縁膜と同一の物質を含む、請求項７に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
下部基板上に位置し、ベース貫通孔を含むベース絶縁膜と、
前記下部基板及び前記ベース絶縁膜上に位置し、前記ベース貫通孔内に位置する第１電極領域及び第２電極領域を含む補助電極と、
前記ベース絶縁膜上に位置し、前記ベース貫通孔と重なる下部貫通孔を含む下部絶縁膜と、
前記下部絶縁膜上に位置する上部絶縁膜とを含み、
前記上部絶縁膜は、前記補助電極の前記第１電極領域と重なる突出領域、及び前記補助電極の前記第２電極領域と重なる上部貫通孔を含む、ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記補助電極の前記第１電極領域と前記上部絶縁膜の前記突出領域との間の垂直距離は、前記下部絶縁膜の垂直厚さよりも大きい、請求項９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記ベース絶縁膜は、前記下部基板の近くに位置し、第１ベース貫通孔を含む第１ベース絶縁膜、及び前記第１ベース絶縁膜と前記下部絶縁膜との間に位置し、前記第１ベース貫通孔と重なる第２ベース貫通孔を含む第２ベース絶縁膜を含む、請求項９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第１ベース貫通孔の大きさは、前記第２ベース貫通孔の大きさよりも小さい、請求項１１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記下部基板上に位置し、前記補助電極と離隔する薄膜トランジスタと、
前記下部基板と前記薄膜トランジスタとの間に位置するバッファ絶縁膜とをさらに含み、
前記第１ベース絶縁膜は、前記バッファ絶縁膜と同一の物質を含む、請求項１１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体パターン、ソース電極及びドレイン電極を含み、
前記第２ベース絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と同一の物質を含む、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記下部基板上に位置し、順に積層された下部電極、発光層及び上部電極を含む発光構造物をさらに含み、
前記ベース絶縁膜は、前記補助電極の前記第１電極領域の近くに位置する第１側面領域、及び前記補助電極の前記第２電極領域の近くに位置する第２側面領域を含み、
前記上部電極は、前記ベース絶縁膜の前記第１側面領域上で前記補助電極と直接接触する、請求項９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
下部基板上に位置する補助電極と、
前記下部基板上に位置し、前記補助電極を露出させる下部貫通孔を含む下部絶縁膜と、
前記下部絶縁膜上に位置し、前記補助電極の一部の領域を遮る突出領域を含む上部絶縁膜と、
前記下部基板と前記下部絶縁膜との間に位置し、前記上部絶縁膜の前記突出領域と重なる第１側面領域及び前記上部絶縁膜によって露出する第２側面領域を含むベース絶縁膜とを含み、
前記補助電極は、前記ベース絶縁膜の前記第１側面領域及び前記第２側面領域上に延びる、ディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記ベース絶縁膜の前記第１側面領域及び前記第２側面領域は、前記下部絶縁膜の前記下部貫通孔と重なる、請求項１６に記載のディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記補助電極の端部は、前記ベース絶縁膜と前記下部絶縁膜との間に位置する、請求項１６に記載のディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記上部絶縁膜は、前記下部絶縁膜上に順に積層された第１上部絶縁膜及び第２上部絶縁膜を含み、
前記補助電極と重なる前記第１上部絶縁膜の側面は、前記補助電極と重なる前記第２上部絶縁膜の側面と異なる形状を有する、請求項１６に記載のディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記補助電極と重なる前記第１上部絶縁膜の側面は逆テーパーを有する、請求項１９に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧降下による輝度不均一を防止する補助電極を含むディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、モニタ、ＴＶ、ノートパソコン、デジタルカメラなどのような電子機器は、映像を表示するためのディスプレイ装置を含む。例えば、ディスプレイ装置は液晶表示装置及び有機発光表示装置を含むことができる。
【０００３】
ディスプレイ装置は多数の画素領域を含むことができる。隣接する画素領域は互いに異なる色を示すことができる。例えば、ディスプレイ装置は、青色を示す青色画素領域、赤色を示す赤色画素領域、緑色を示す緑色画素領域、及び白色を示す白色画素領域を含むことができる。
【０００４】
ディスプレイ装置の各画素領域内には発光構造物が設置可能である。例えば、発光構造物は、順に積層された下部電極、発光層及び上部電極を含むことができる。上部電極は共通電極であってもよい。例えば、ディスプレイ装置における隣接する画素領域は上部電極が互いに接続されてもよい。
【０００５】
ディスプレイ装置は、上部電極の電圧降下による輝度不均一を防止する補助電極を含むことができる。例えば、補助電極は、隣接する画素領域の間で側方に延びることができる。上部電極は補助電極と電気的に接続可能である。ディスプレイ装置には、上部電極と補助電極とを接続するための様々な構造が適用されてもよい。例えば、ディスプレイ装置は、補助電極上に位置する多数の絶縁膜によるアンダーカット領域を含むことができる。
【０００６】
しかし、補助電極上に位置する絶縁膜の垂直方向の厚みが大きくないため、ディスプレイ装置では、下部基板と上部基板との間の空間を満たす充填剤が前記アンダーカット領域に十分に流入しない可能性がある。これによって、ディスプレイ装置では、アンダーカット領域内に充填剤の未充填によるボイドが発生し得る。このボイドはムラのように見えるため、ディスプレイ装置では、表示される映像の品質がボイドによって低下するという問題がある。
【０００７】
また、絶縁膜によるアンダーカット領域の大きさを減少させることで、充填剤の未充填によるボイドを防止することができるが、アンダーカット領域の大きさが減少すると、発光層が覆われない補助電極の領域も減少し得る。これによって、ディスプレイ装置では、補助電極と上部電極との接触面積が減少して電気的接続に対する信頼性が低下するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、補助電極上に位置する絶縁膜によるアンダーカット領域でボイドの発生を防止することができるディスプレイ装置を提供することである。
【０００９】
本発明が解決しようとする他の課題は、補助電極と上部電極との接触面積を十分に確保することができるディスプレイ装置を提供することである。
【００１０】
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に限定されない。ここで言及していない他の課題は、下記の記載から通常の技術者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
解決しようとする課題を達成するための本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、下部基板上に位置するベース絶縁膜を含む。ベース絶縁膜はベース貫通孔を含む。ベース絶縁膜上には下部絶縁膜が位置する。下部絶縁膜は、ベース貫通孔と重なる下部貫通孔を含む。下部絶縁膜上には上部絶縁膜が位置する。上部絶縁膜は、下部貫通孔上に延びる突出領域を含む。ベース絶縁膜は、上部絶縁膜の突出領域と重なる第１側面領域を含む。下部基板上においてベース貫通孔内には補助電極が位置する。補助電極は、ベース絶縁膜の第１側面領域上に延びる。
【００１２】
ベース絶縁膜の第１側面領域の近くに位置する補助電極の端部は、ベース絶縁膜と下部絶縁膜との間に位置してもよい。
【００１３】
上部絶縁膜は、ベース絶縁膜の第２側面領域を露出させる上部貫通孔をさらに含むことができる。
【００１４】
補助電極は、ベース絶縁膜の第２側面領域上に延びてもよい。
【００１５】
下部基板上には薄膜トランジスタが位置してもよい。薄膜トランジスタは、補助電極と離隔していてもよい。薄膜トランジスタ上には下部保護膜が位置してもよい。下部保護膜上には発光構造物が位置してもよい。発光構造物は、順に積層された下部電極、発光層及び上部電極を含むことができる。下部電極は薄膜トランジスタと接続されてもよい。上部電極は補助電極と接続されてもよい。下部絶縁膜は、下部保護膜と同一の物質を含むことができる。
【００１６】
下部絶縁膜上にはバンク絶縁膜が位置してもよい。バンク絶縁膜は下部電極の縁部を覆ってもよい。上部絶縁膜は、バンク絶縁膜と同一の物質を含むことができる。
【００１７】
薄膜トランジスタは、半導体パターン、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含むことができる。補助電極は、ソース電極及びドレイン電極と同一の物質を含むことができる。
【００１８】
薄膜トランジスタは、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に位置する層間絶縁膜をさらに含むことができる。ベース絶縁膜は、層間絶縁膜と同一の物質を含むことができる。
【００１９】
上記解決しようとする他の課題を達成するための本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、下部基板上に位置するベース絶縁膜を含む。ベース絶縁膜はベース貫通孔を含む。下部基板及びベース絶縁膜上には補助電極が位置する。補助電極は、ベース絶縁膜のベース貫通孔内に位置する第１電極領域及び第２電極領域を含む。ベース絶縁膜上には下部絶縁膜が位置する。下部絶縁膜は、ベース貫通孔と重なる下部貫通孔を含む。下部絶縁膜上には上部絶縁膜が位置する。上部絶縁膜は、補助電極の第１電極領域と重なる突出領域、及び補助電極の第２電極領域と重なる上部貫通孔を含む。
【００２０】
補助電極の第１電極領域と上部絶縁膜の突出領域との間の垂直距離は、下部絶縁膜の垂直方向の厚みよりも大きくてもよい。
【００２１】
ベース絶縁膜は第１ベース絶縁膜及び第２ベース絶縁膜を含むことができる。第１ベース絶縁膜は、下部基板の近くに位置してもよい。第１ベース絶縁膜は第１ベース貫通孔を含むことができる。第２ベース絶縁膜は、第１ベース絶縁膜と下部絶縁膜との間に位置してもよい。第２ベース絶縁膜は第２ベース貫通孔を含むことができる。第２ベース貫通孔は第１ベース貫通孔と重なってもよい。
【００２２】
第１ベース貫通孔の大きさは、第２ベース貫通孔の大きさよりも小さくてもよい。
【００２３】
下部基板上には薄膜トランジスタが位置してもよい。薄膜トランジスタは、補助電極と離隔していてもよい。下部基板と薄膜トランジスタとの間にはバッファ絶縁膜が位置してもよい。第１ベース絶縁膜は、バッファ絶縁膜と同一の物質を含むことができる。
【００２４】
薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体パターン、ソース電極及びドレイン電極を含むことができる。第２ベース絶縁膜は、ゲート絶縁膜と同一の物質を含むことができる。
【００２５】
下部基板上には発光構造物が位置してもよい。発光構造物は、順に積層された下部電極、発光層及び上部電極を含むことができる。ベース絶縁膜は第１側面領域及び第２側面領域を含むことができる。第１側面領域は、補助電極の第１電極領域の近くに位置してもよい。第２側面領域は、補助電極の第２電極領域の近くに位置してもよい。上部電極は、ベース絶縁膜の第１側面領域上で補助電極と直接接触することができる。
【００２６】
上記解決しようとする他の課題を達成するための本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、下部基板上に位置する補助電極を含む。下部基板上には下部絶縁膜が位置する。下部絶縁膜は、補助電極を露出させる下部貫通孔を含む。下部絶縁膜上には上部絶縁膜を含む。上部絶縁膜は、補助電極の一部の領域を遮る突出領域を含む。下部基板と下部絶縁膜との間にはベース絶縁膜が位置する。ベース絶縁膜は、上部絶縁膜の突出領域と重なる第１側面領域、及び上部絶縁膜によって露出する第２側面領域を含む。補助電極は、ベース絶縁膜の第１側面領域及び第２側面領域上に延びる。
【００２７】
ベース絶縁膜の第１側面領域及び第２側面領域は、下部絶縁膜の下部貫通孔と重なってもよい。
【００２８】
補助電極の端部は、ベース絶縁膜と下部絶縁膜との間に位置してもよい。
【００２９】
上部絶縁膜は第１上部絶縁膜及び第２上部絶縁膜を含むことができる。第１上部絶縁膜は、下部絶縁膜と第２上部絶縁膜との間に位置してもよい。補助電極と重なる第１上部絶縁膜の側面は、補助電極と重なる第２上部絶縁膜の側面と異なる形状を有することができる。
【００３０】
補助電極と重なる第１上部絶縁膜の側面は逆テーパーを有することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、アンダーカット領域に充填剤が流入できる経路を十分に確保すると共に、上部電極と補助電極との接触面積を増加させることができる。これによって、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、充填剤の未充填によるボイドの発生を防止し、上部電極と補助電極とを安定的に接続させることができる。したがって、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、表示される映像の品質及び電気的接続に対する信頼性が向上し、集積度を増加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施例に係るディスプレイ装置の平面を概略的に示す図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面を概略的に示す図である。
【図３】図２のＰ領域を拡大した図である。
【図４】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図５】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図６】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図７】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図８】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図９】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図１０】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図１１】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図１２】それぞれ、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の上記目的、技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細は、本発明の実施例を示している図面を参照した以下の詳細な説明によってさらに明確に理解されるであろう。ここで、本発明の実施例は、当業者に本発明の技術的思想を十分に伝達するために提供されるものであるため、本発明は、以下に説明される実施例に限定されないように他の形態に具体化することができる。
【００３４】
また、明細書全体において同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を意味し、図面において、層又は領域の長さ及び厚さは、便宜のために誇張されて表現され得る。なお、第１構成要素が第２構成要素の「上」にあると記載される場合、第１構成要素が第２構成要素と直接接触する上側に位置する場合のみならず、第１構成要素と第２構成要素との間に第３構成要素が位置する場合も含む。
【００３５】
ここで、第１、第２などの用語は様々な構成要素を説明するためのもので、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用される。ただし、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で第１構成要素と第２構成要素は当業者の便宜に応じて任意に命名することができる。
【００３６】
本発明の明細書で使用する用語は、単に特定の実施例を説明するために使用されるもので、本発明を限定しようと意図するものではない。例えば、単数で表現された構成要素は、文脈上明らかに単数のみを意味しない限り、複数の構成要素を含む。また、本発明の明細書において、「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを特定しようとするものであり、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解しなければならない。
【００３７】
なお、別に定義されない限り、技術的又は科学的な用語を含め、ここで使用される全ての用語は、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。一般的に使用される辞書に定義されている用語は、関連技術の文脈上有する意味と同じ意味を有するものと解釈すべきであり、本発明の明細書で明確に定義しない限り、理想的又は過度に形式的な意味として解釈されるべきではない。
【００３８】
（実施例）
【００３９】
図１は、本発明の実施例に係るディスプレイ装置の平面を概略的に示した図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面を示した図である。図３は、図２のＰ領域を拡大した図である。
【００４０】
図１乃至図３を参照すると、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２、発光構造物３００、補助電極５００、上部基板６００及び充填剤７００を含むことができる。
【００４１】
下部基板１００は、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２、発光構造物３００及び補助電極５００を支持することができる。下部基板１００は絶縁性物質を含むことができる。例えば、下部基板１００は、ガラス又はプラスチックを含むことができる。
【００４２】
下部基板１００上には、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ及び電源電圧ラインＰＬが位置し得る。ゲートラインＧＬは側方に延びることができる。データラインＤＬはゲートラインＧＬと交差することができる。データラインＤＬは、ゲートラインＧＬと異なる層に位置し得る。電源電圧ラインＰＬは、ゲートラインＧＬ又はデータラインＤＬと平行であってもよい。例えば、電源電圧ラインＰＬはゲートラインＧＬと交差することができる。電源電圧ラインＰＬは、データラインＤＬと同じ層に位置し得る。
【００４３】
ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ及び電源電圧ラインＰＬは画素領域ＰＡを定義することができる。例えば、画素領域ＰＡは、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ及び電源電圧ラインＰＬによって取り囲まれてもよい。画素領域ＰＡ内には、発光構造物３００を制御するための回路部が設置される。例えば、画素領域ＰＡ内には、選択薄膜トランジスタＴｒ１、駆動薄膜トランジスタＴｒ２及びストレージキャパシタＣｓｔが位置し得る。
【００４４】
選択薄膜トランジスタＴｒ１は、ゲートラインＧＬを介して印加されるゲート信号に応じて駆動薄膜トランジスタＴｒ２をオン／オフすることができる。駆動薄膜トランジスタＴｒ２は、選択薄膜トランジスタＴｒ１の信号に応じて発光構造物３００に駆動電流を供給することができる。ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴｒ２に印加される選択薄膜トランジスタＴｒ１の信号を一定期間維持することができる。
【００４５】
駆動薄膜トランジスタＴｒ２の構造は、選択薄膜トランジスタＴｒ１の構造と同一であってもよい。例えば、駆動薄膜トランジスタＴｒ２は、半導体パターン２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３０、層間絶縁膜２４０、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０を含むことができる。
【００４６】
半導体パターン２１０は、下部基板１００に隣接して設置される。半導体パターン２１０は半導体物質を含むことができる。例えば、半導体パターン２１０は、非晶質シリコン又は多結晶シリコンを含むことができる。半導体パターン２１０は酸化物半導体物質を含むことができる。例えば、半導体パターン２１０はＩＧＺＯを含むことができる。
【００４７】
半導体パターン２１０は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含むことができる。チャネル領域は、ソース領域とドレイン領域との間に位置し得る。チャネル領域の伝導率（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）は、ソース領域の伝導率及びドレイン領域の伝導率よりも低くてもよい。例えば、ソース領域及びドレイン領域は導電型不純物を含むことができる。
【００４８】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００と半導体パターン２１０との間に位置するバッファ絶縁膜１１０をさらに含むことができる。バッファ絶縁膜１１０は、半導体パターン２１０の外側方向に延びることができる。例えば、バッファ絶縁膜１１０は、下部基板１００の表面を全体的に覆うことができる。バッファ絶縁膜１１０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、バッファ絶縁膜１１０はシリコン酸化物を含むことができる。
【００４９】
ゲート絶縁膜２２０は、半導体パターン２１０上に設置される。ゲート絶縁膜２２０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、ゲート絶縁膜２２０は、シリコン酸化物及び／又はシリコン窒化物を含むことができる。ゲート絶縁膜２２０は多重層構造であってもよい。ゲート絶縁膜２２０はＨｉｇｈ−Ｋ物質を含むことができる。例えば、ゲート絶縁膜２２０は、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ）又はチタン酸化物（ＴｉＯ）を含むことができる。
【００５０】
ゲート電極２３０は、ゲート絶縁膜２２０上に設置される。ゲート電極２３０は半導体パターン２１０のチャネル領域と重なることができる。ゲート電極２３０は、ゲート絶縁膜２２０によって半導体パターン２１０と絶縁される。例えば、ゲート電極２３０は、ゲート絶縁膜２２０の側面と垂直に整列される側面を含むことができる。ゲート絶縁膜２２０の側面はゲート電極２３０の側面と連続していてもよい。
【００５１】
ゲート電極２３０は導電性物質を含むことができる。例えば、ゲート電極２３０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。ゲート電極２３０は多重層構造であってもよい。ゲートラインＧＬは、ゲート電極２３０と同一の物質を含むことができる。ゲート電極２３０は、ゲートラインＧＬと同じ層に位置し得る。例えば、ゲートラインＧＬの構造は、ゲート電極２３０の構造と同一であってもよい。
【００５２】
層間絶縁膜２４０は、半導体パターン２１０及びゲート電極２３０上に設置される。層間絶縁膜２４０は、半導体パターン２１０の外側方向に延びることができる。例えば、半導体パターン２１０の外側で層間絶縁膜２４０はバッファ絶縁膜１１０と直接接触することができる。層間絶縁膜２４０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、層間絶縁膜２４０はシリコン酸化物を含むことができる。
【００５３】
ソース電極２５０及びドレイン電極２６０は層間絶縁膜２４０上に設置される。ソース電極２５０は、半導体パターン２１０のソース領域と電気的に接続される。ドレイン電極２６０は、半導体パターン２１０のドレイン領域と電気的に接続される。例えば、層間絶縁膜２４０は、半導体パターン２１０のソース領域及びドレイン領域を露出させる層間コンタクトホール２４０ｈを含むことができる。ドレイン電極２６０はソース電極２５０と離隔していてもよい。
【００５４】
ソース電極２５０及びドレイン電極２６０は導電性物質を含むことができる。例えば、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。ドレイン電極２６０は、ソース電極２５０と同一の物質を含むことができる。ソース電極２５０は多重層構造であってもよい。ドレイン電極２６０の構造は、ソース電極２５０の構造と同一であってもよい。例えば、ドレイン電極２６０は多重層構造であってもよい。
【００５５】
データラインＤＬ及び電源電圧ラインＰＬは、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０と同一の物質を含むことができる。例えば、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０は、データラインＤＬ及び電源電圧ラインＰＬと同じ層に設置されてもよい。データラインＤＬ及び電源電圧ラインＰＬは層間絶縁膜２４０上に設置される。データラインＤＬの構造及び電源電圧ラインＰＬの構造は、ソース電極２５０の構造及びドレイン電極２６０の構造と同一であってもよい。例えば、データラインＤＬ及び電源電圧ラインＰＬは多重層構造であってもよい。
【００５６】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２上に位置する下部保護膜１３０をさらに含むことができる。下部保護膜１３０は、外部の水分及び衝撃から薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の損傷を防止することができる。下部保護膜１３０は、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０の外側方向に延びることができる。下部保護膜１３０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、下部保護膜１３０は、シリコン酸化物及び／又はシリコン窒化物を含むことができる。下部保護膜１３０は多重層構造であってもよい。
【００５７】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、下部保護膜１３０上に位置するオーバーコート層１４０をさらに含むことができる。オーバーコート層１４０は、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２による段差を除去することができる。例えば、下部基板１００と対向するオーバーコート層１４０の上部面は、平らな平面（ｆｌａｔ  ｓｕｒｆａｃｅ）であってもよい。オーバーコート層１４０の上部面は下部基板１００の表面と平行であってもよい。オーバーコート層１４０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、オーバーコート層１４０は有機絶縁物質を含むことができる。
【００５８】
発光構造物３００は、特定の色を表示することができる。例えば、発光構造物３００は、順に積層された下部電極３１０、発光層３２０及び上部電極３３０を含むことができる。
【００５９】
発光構造物３００は、当該回路部の薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２によって制御されてもよい。例えば、発光構造物３００の下部電極３１０は、駆動薄膜トランジスタＴｒ２と電気的に接続されてもよい。発光構造物３００はオーバーコート層１４０上に設置される。例えば、下部保護膜１３０及びオーバーコート層１４０は、駆動薄膜トランジスタＴｒ２のドレイン電極２６０を露出させる第１コンタクトホール１３０ｈ及び第２コンタクトホール１４０ｈを含むことができる。下部電極３１０は、第１コンタクトホール１３０ｈ及び第２コンタクトホール１４０ｈを介して駆動薄膜トランジスタＴｒ２のドレイン電極２６０と電気的に接続され得る。
【００６０】
下部電極３１０は導電性物質を含むことができる。下部電極３１０は、反射率の高い物質を含むことができる。例えば、下部電極３１０は、アルミニウム（Ａｌ）及び銀（Ａｇ）のような金属を含むことができる。下部電極３１０は多重層構造であってもよい。例えば、下部電極３１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な導電性物質を含む透明電極の間に、反射率の高い物質を含む反射電極が位置する構造であってもよい。
【００６１】
発光層３２０は、下部電極３１０と上部電極３３０との間の電圧差に対応する輝度の光を生成することができる。例えば、発光層３２０は、発光物質を含む発光物質層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）を含むことができる。発光物質には、有機発光物質、無機発光物質、及びハイブリッド発光物質が含まれる。例えば、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、有機発光物質の発光層３２０を含む有機発光表示装置であってもよい。
【００６２】
発光層３２０は多重層構造であってもよい。例えば、発光層３２０は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）のうち少なくとも１つをさらに含むことができる。
【００６３】
上部電極３３０は導電性物質を含むことができる。上部電極３３０の構造は下部電極３１０の構造と異なっていてもよい。例えば、上部電極３３０は透明電極であってもよい。これによって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、発光層３２０によって生成された光が上部電極３３０を介して外部に放出され得る。
【００６４】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、隣接する画素領域ＰＡに位置する発光構造物３００が独立に制御され得る。例えば、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、各発光構造物３００の下部電極３１０を絶縁するバンク絶縁膜１５０をさらに含むことができる。バンク絶縁膜１５０は、下部電極３１０の縁部を覆うことができる。発光層３２０及び上部電極３３０は、バンク絶縁膜１５０によって露出した下部電極３１０の表面上に順に積層することができる。バンク絶縁膜１５０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、バンク絶縁膜１５０は有機絶縁物質を含むことができる。バンク絶縁膜１５０は、下部電極３１０の外側でオーバーコート層１４０と直接接触することができる。バンク絶縁膜１５０は、オーバーコート層１４０と異なる物質を含むことができる。
【００６５】
補助電極５００は下部基板１００上に設置される。補助電極５００は、画素領域ＰＡの外側に設置される。例えば、補助電極５００は、データラインＤＬの外側に設置されてもよい。薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２及びストレージキャパシタＣｓｔは、補助電極５００と離隔していてもよい。補助電極５００は側方に延びることができる。例えば、補助電極５００はデータラインＤＬと平行であってもよい。
【００６６】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００が、隣接する画素領域ＰＡの間で側方に延びるライン状（ｌｉｎｅ  ｔｙｐｅ）であるものとして説明する。しかし、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００が各画素領域ＰＡを取り囲んでいてもよい。例えば、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、メッシュ（ｍｅｓｈ）状の補助電極５００を含むことができる。
【００６７】
補助電極５００は導電性物質を含むことができる。例えば、補助電極５００は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。補助電極５００は多重層構造であってもよい。
【００６８】
補助電極５００は、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を構成する導電層のうち１つと同一の物質を有することができる。例えば、補助電極５００は、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０と同一の物質を含むことができる。補助電極５００の構造は、ソース電極２５０の構造及びドレイン電極２６０の構造と同一であってもよい。例えば、補助電極５００は、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０と同時に形成されてもよい。
【００６９】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００と補助電極５００との間に位置するベース絶縁膜４２０をさらに含むことができる。例えば、ベース絶縁膜４２０は、バッファ絶縁膜１１０と補助電極５００との間に設置される。ベース絶縁膜４２０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、ベース絶縁膜４２０は、下部基板１００とソース電極２５０及びドレイン電極２６０との間に位置する絶縁膜のうち１つと同一の物質を含むことができる。例えば、ベース絶縁膜４２０は、層間絶縁膜２４０と同一の物質を含むことができる。
【００７０】
ベース絶縁膜４２０は、補助電極５００と重なるベース貫通孔４２０ｈを含むことができる。補助電極５００は、ベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈ内に位置する第１電極領域５０１及び第２電極領域５０２を含むことができる。例えば、補助電極５００の第１電極領域５０１及び第２電極領域５０２は、バッファ絶縁膜１１０と直接接触することができる。補助電極５００は、ベース絶縁膜４２０の側面４２１Ｓ，４２２Ｓ上に延びることができる。例えば、補助電極５００の端部（ｅｎｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）は、ベース絶縁膜４２０の上部面上に設置される。
【００７１】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、ベース絶縁膜４２０及び補助電極５００上に位置する下部絶縁膜４３０をさらに含むことができる。下部絶縁膜４３０は、補助電極５００の第１電極領域５０１及び第２電極領域５０２を露出させることができる。例えば、下部絶縁膜４３０は、ベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈと重なる下部貫通孔４３０ｈを含むことができる。補助電極５００の端部（ｅｎｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）は、ベース絶縁膜４２０と下部絶縁膜４３０との間に位置し得る。例えば、下部絶縁膜４３０は、補助電極５００の縁部を覆うことができる。ベース貫通孔４２０ｈの側面４２１Ｓ，４２２Ｓ上に位置する補助電極５００は、下部貫通孔４３０ｈによって露出される。
【００７２】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、下部絶縁膜４３０上に位置する中間絶縁膜４４０をさらに含むことができる。中間絶縁膜４４０は、補助電極５００の第１電極領域５０１及び第２電極領域５０２を露出させることができる。例えば、中間絶縁膜４４０は、下部絶縁膜４３０の下部貫通孔４３０ｈと重なる中間貫通孔４４０ｈを含むことができる。中間貫通孔４４０ｈの大きさは、下部貫通孔４３０ｈの大きさよりも大きくてもよい。例えば、補助電極５００と重なる下部絶縁膜４３０の側面４３１Ｓ，４３２Ｓは、中間貫通孔４４０ｈと重なることができる。
【００７３】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、中間絶縁膜４４０上に位置する上部絶縁膜４５０をさらに含むことができる。上部絶縁膜４５０は、補助電極５００を部分的に露出させることができる。例えば、上部絶縁膜４５０は、補助電極５００の第２電極領域５０２と重なる上部貫通孔４５０ｈを含むことができる。補助電極５００の第１電極領域５０１は、上部絶縁膜４５０によって遮られていてもよい。例えば、上部絶縁膜４５０は、補助電極５００の第１電極領域５０１と重なる突出領域４５０ｐを含むことができる。下部絶縁膜４３０、中間絶縁膜４４０及び上部絶縁膜４５０はアンダーカット領域ＵＣを形成し得る。
【００７４】
上部絶縁膜４５０の前記突出領域４５０ｐは前記下部貫通孔４３０ｈ上に延びることができる。前記突出領域４５０ｐは、前記中間貫通孔４４０ｈ内に延びることができる。例えば、前記下部基板１００と対向する前記突出領域４５０ｐの下部面４５０ｂｓは、前記中間絶縁膜４４０と対向する前記下部絶縁膜４３０の上部面と同一平面（ｃｏｐｌａｎａｒ）であってもよい。アンダーカット領域ＵＣは、下部絶縁膜４３０及び上部絶縁膜４５０によって形成され得る。
【００７５】
下部絶縁膜４３０は、突出領域４５０ｐによって遮られる第１側面領域４３１Ｓ、及び上部貫通孔４５０ｈによって露出する第２側面領域４３２Ｓを含むことができる。下部絶縁膜４３０の第１側面領域４３１Ｓは、補助電極５００の第１電極領域５０１と隣接して設置される。下部絶縁膜４３０の第２側面領域４３２Ｓは、補助電極５００の第２電極領域５０２と隣接して設置される。
【００７６】
ベース絶縁膜４２０は、下部絶縁膜４３０の第１側面領域４３１Ｓの近くに位置する第１側面領域４２１Ｓ、及び下部絶縁膜４３０の第２側面領域４３２Ｓの近くに位置する第２側面領域４２２Ｓを含むことができる。ベース絶縁膜４２０の第１側面領域４２１Ｓは、上部絶縁膜４５０の突出領域４５０ｐと重なることができる。ベース絶縁膜４２０の第２側面領域４２２Ｓは、上部絶縁膜４５０の上部貫通孔４５０ｈと重なることができる。補助電極５００は、ベース絶縁膜４２０の第１側面領域４２１Ｓ及び第２側面領域４２２Ｓ上に延びることができる。
【００７７】
アンダーカット領域ＵＣは、補助電極５００の第１電極領域５０１と上部絶縁膜４５０の突出領域４５０ｐとの間に位置し得る。アンダーカット領域ＵＣはベース貫通孔４２０ｈと重なることができる。補助電極５００の第１電極領域５０１と上部絶縁膜４５０の突出領域４５０ｐとの垂直距離は、下部絶縁膜４３０の垂直方向の厚みよりも大きくてもよい。
【００７８】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置において、発光層３２０は、バンク絶縁膜１５０上に延びることができる。発光層３２０は、下部貫通孔４３０ｈ、中間貫通孔４４０ｈ及び上部貫通孔４５０ｈを介して補助電極５００上に延びることができる。例えば、下部絶縁膜４３０、中間絶縁膜４４０及び上部絶縁膜４５０は、それぞれ、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２と発光構造物３００との間に位置する絶縁膜のうち１つと同一の物質を含むことができる。例えば、下部絶縁膜４３０は、下部保護膜１３０と同一の物質を含むことができる。例えば、中間絶縁膜４４０は、オーバーコート層１４０と同一の物質を含むことができる。例えば、上部絶縁膜４５０は、バンク絶縁膜１５０と同一の物質を含むことができる。
【００７９】
発光層３２０は、補助電極５００と重なる上部絶縁膜４５０の側面上に延びることができる。発光層３２０は、上部絶縁膜４５０の上部貫通孔４５０ｈによって露出した下部絶縁膜４３０の第２側面領域４３２Ｓ上に延びることができる。発光層３２０は、ベース絶縁膜４２０の第２側面領域４２２Ｓ上に位置する補助電極５００を覆うことができる。上部貫通孔４５０ｈと重なる補助電極５００の第２電極領域５０２は、発光層３２０によって覆われてもよい。
【００８０】
発光層３２０は、相対的に低いステップカバレッジ（ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）を有する工程により形成することができる。例えば、発光層３２０を形成するステップは、熱を用いた蒸着工程（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を含むことができる。発光層３２０は、アンダーカット領域ＵＣによって終端されてもよい。例えば、発光層３２０は、突出領域４５０ｐの下部面４５０ｂｓを露出させることができる。下部絶縁膜４３０の第１側面領域４３１Ｓは、発光層３２０と接触しなくてもよい。ベース絶縁膜４２０の第１側面領域４２１Ｓ上に位置する補助電極５００は、発光層３２０によって覆われなくてもよい。補助電極５００の第１電極領域５０１の表面上には発光層３２０が形成されなくてもよい。
【００８１】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置において、上部電極３３０は、発光層３２０に沿って延びることができる。上部電極３３０は、相対的に高いステップカバレッジを有する工程により形成することができる。例えば、上部電極３３０を形成するステップは、スパッタリング工程（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を含むことができる。上部電極３３０は、発光層３２０によって露出した領域上に延びることができる。例えば、上部電極３３０は、突出領域４５０ｐの下部面４５０ｂｓ上に延びることができる。下部絶縁膜４３０の第１側面領域４３１Ｓは、上部電極３３０によって覆われてもよい。上部電極３３０は、ベース絶縁膜４２０の第１側面領域４２１Ｓ上で補助電極５００と直接接触することができる。上部電極３３０は、補助電極５００の第１電極領域５０１の表面上に形成されてもよい。
【００８２】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００が、補助電極５００の下に位置するベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈ内に延び、補助電極５００上に位置する上部絶縁膜４５０が、ベース絶縁膜４２０の第１側面領域４２１Ｓと重なる突出領域４５０ｐを含むことができる。これによって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、上部電極３３０が、上部絶縁膜４５０の突出領域４５０ｐと重なる補助電極５００の第１電極領域５０１及びベース絶縁膜４２０の第１側面領域４２１Ｓ上に位置する補助電極５００と直接接触することができる。したがって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、上部電極３３０と補助電極５００との接触面積が増加することができる。
【００８３】
また、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、上部電極３３０と補助電極５００との接触面積が、ベース絶縁膜４２０の第１側面領域４２１Ｓの長さと比例する。これによって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、上部電極３３０と補助電極５００との接触面積を十分に確保し、補助電極５００の水平長さを減少させることができる。すなわち、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、上部電極３３０と補助電極５００とを安定して接続し、補助電極５００の水平長さを減少させることができる。したがって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では集積度を増加することができる。
【００８４】
上部基板６００は前記下部基板１００と対向する。例えば、上部基板６００は発光構造物３００上に位置してもよい。上部基板６００は絶縁性物質を含むことができる。上部基板６００は透明な物質を含むことができる。例えば、上部基板６００はガラス又はプラスチックを含むことができる。
【００８５】
充填剤７００は、下部基板１００と上部基板６００との間に位置し得る。例えば、発光構造物３００の上部電極３３０と上部基板６００との間の空間は、充填剤７００によって満たされてもよい。充填剤７００は、上部絶縁膜４５０の上部貫通孔４５０ｈを介してアンダーカット領域ＵＣに流入することができる。
【００８６】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００が、ベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈ内に位置する第１電極領域５０１及び第２電極領域５０２を含むことができる。これによって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、下部絶縁膜４３０及び上部絶縁膜４５０によるアンダーカット領域ＵＣの垂直長さが増加し得る。すなわち、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、アンダーカット領域ＵＣの内部に充填剤７００が円滑に移動することができる。したがって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、アンダーカット領域ＵＣにおける充填剤７００の未充填によるボイドの発生を防止することができる。
【００８７】
充填剤７００は絶縁性物質を含むことができる。充填剤７００は透明な物質を含むことができる。充填剤７００は硬化性物質を含むことができる。例えば、充填剤７００は熱硬化性樹脂を含むことができる。
【００８８】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、発光構造物３００が充填剤７００と直接接触するものとして説明する。しかし、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、発光構造物３００上に位置する上部保護膜をさらに含むことができる。上部保護膜は、外部の水分及び衝撃から発光構造物３００を保護することができる。上部保護膜は絶縁性物質を含むことができる。例えば、上部保護膜は、無機物質を含む無機膜と有機物質を含む有機膜との積層構造であってもよい。
【００８９】
結果的に、本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００と補助電極５００との間に位置するベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈを用いて補助電極５００の形状を変更することによって、充填剤７００の未充填によるボイドの発生を防止することができる。これによって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、表示される映像の品質を向上させ、上部電極３３０と補助電極５００との接触面積を十分に確保することができる。したがって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、電気的接続に対する信頼性が向上し、集積度が増加する。
【００９０】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、バッファ絶縁膜１１０と補助電極５００との間に位置するベース絶縁膜４２０が単一層であるものとして説明する。本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、多重層構造のベース絶縁膜４２０を含んでもよい。例えば、図４に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００と補助電極５００との間に位置するベース絶縁膜４２０が、順に積層された第１ベース絶縁膜４２１及び第２ベース絶縁膜４２２を含むことができる。第１ベース絶縁膜４２１は、下部基板１００の近くに設置してもよい。例えば、第１ベース絶縁膜４２１は、バッファ絶縁膜１１０と同一の物質を含むことができる。第２ベース絶縁膜４２２は、第１ベース絶縁膜４２１と補助電極５００との間に設置してもよい。例えば、第２ベース絶縁膜４２２は、層間絶縁膜２４０と同一の物質を含むことができる。ベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈは、第１ベース絶縁膜４２１及び第２ベース絶縁膜４２２を貫通し得る。例えば、第１ベース絶縁膜４２１は第１ベース貫通孔４２１ｈを含むことができる。第２ベース絶縁膜４２２は、第１ベース貫通孔４２１ｈと重なる第２ベース貫通孔４２２ｈを含むことができる。補助電極５００の端部は、第２ベース絶縁膜４２２と下部絶縁膜４３０との間に設置してもよい。補助電極５００は、第１ベース貫通孔４２１ｈ及び第２ベース貫通孔４２２ｈ内に延びることができる。補助電極５００は、第１ベース貫通孔４２１ｈ内で下部基板１００と直接接触することができる。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、アンダーカット領域ＵＣに充填剤７００が流入する経路が十分に確保され、上部電極３３０と補助電極５００との接触面積を増加させることができる。
【００９１】
本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、第１ベース絶縁膜４２１が、補助電極５００上で第２ベース絶縁膜４２２の側面と連続する側面を含むものとして説明する。本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００と重なる第１ベース絶縁膜４２１の側面が第２ベース絶縁膜４２２の側面と垂直に整列されなくてもよい。例えば、図５に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、第１ベース貫通孔４２１ｈの大きさが第２ベース貫通孔４２２ｈの大きさよりも小さくてもよい。第２ベース絶縁膜４２２の第２ベース貫通孔４２２ｈは、補助電極５００と重なる第１ベース絶縁膜４２１の側面を露出させることができる。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、充填剤７００の未充填によるボイドの発生が防止され、上部電極３３０が補助電極５００と安定して接続され得る。
【００９２】
本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００が、多重層構造であるベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈ内で下部基板１００と直接接触するものとして説明する。図６に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、バッファ絶縁膜１１０が、下部基板１００と多重層構造であるベース絶縁膜４２０及び補助電極５００との間に延びることができる。例えば、第１ベース絶縁膜４２１は、半導体パターン２１０とゲート電極２３０との間に位置するゲート絶縁膜２２０と同一の物質を含むことができる。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、表示される映像の品質、信頼性及び集積度を効果的に向上させることができる。
【００９３】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、単一層構造のベース絶縁膜４２０が層間絶縁膜２４０と同一の物質を含むものとして説明する。本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、層間絶縁膜２４０が下部基板１００と補助電極５００との間に延びなくてもよい。例えば、図７に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００と補助電極５００との間に位置する単一層構造のベース絶縁膜４２０が、バッファ絶縁膜１１０と同一の物質を含むことができる。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、充填剤７００の流入経路、及び上部電極３３０と補助電極５００との接触面積を効率的に確保することができる。
【００９４】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が、ゲート電極２３０とソース電極２５０及びドレイン電極２６０との間に位置する層間絶縁膜２４０を含むものとして説明する。図８に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が、下部基板１００の近くに位置するゲート電極８１０、ゲート電極８１０上に位置するゲート絶縁膜８２０、ゲート絶縁膜８２０上に位置する半導体パターン８３０、半導体パターン８３０の一側端部上に位置するソース電極８４０、及び半導体パターン８３０の他側端部上に位置するドレイン電極８５０を含むことができる。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００と補助電極５００との間に位置する多重層構造のベース絶縁膜４２０が、バッファ絶縁膜１１０と同一の物質を含む第１ベース絶縁膜４２１、及びゲート絶縁膜８２０と同一の物質を含む第２ベース絶縁膜４２２を含むことができる。第２ベース絶縁膜４２２の第２ベース貫通孔４２２ｈは、補助電極５００と重なる第１ベース絶縁膜４２１の側面を露出させることができる。例えば、第２ベース絶縁膜４２２の第２ベース貫通孔４２２ｈは、第１ベース絶縁膜４２１の第１ベース貫通孔４２１ｈと段差を形成することができる。したがって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、様々な薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を使用できるため、具現される映像の品質、電気的接続に対する信頼性及び集積度を効率的に向上させることができる。
【００９５】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００の端部がベース絶縁膜４２０と下部絶縁膜４３０との間に位置するものとして説明する。図９に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、上部絶縁膜４５０の上部貫通孔４５０ｈと重なる領域の近くに位置する補助電極５００の端部は、ベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈ内に設置されてもよい。例えば、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、下部基板１００上でベース絶縁膜４２０のベース貫通孔４２０ｈ内に位置する補助電極５００が、上部絶縁膜４５０の突出領域４５０ｐと重なるベース絶縁膜４２０の側面上にのみ延びることができる。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、上部電極３３０が補助電極５００と安定して接続され、充填剤７００が円滑に流入することができる。
【００９６】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、下部絶縁膜４３０と単一層構造の上部絶縁膜４５０との間に中間絶縁膜４４０が位置するものとして説明する。本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、下部絶縁膜４３０上に位置する上部絶縁膜４５０が多重層構造であってもよい。例えば、図１０に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、上部絶縁膜４５０が、下部絶縁膜４３０上に順に積層された第１上部絶縁膜４５１及び第２上部絶縁膜４５２を含むことができる。第１上部絶縁膜４５１は下部絶縁膜４３０と直接接触することができる。例えば、第１上部絶縁膜４５１は、オーバーコート層１４０と同一の物質を含むことができる。第２上部絶縁膜４５２は、バンク絶縁膜１５０と同一の物質を含むことができる。第１上部絶縁膜４５１は、第１上部貫通孔４５１ｈ及び第１突出領域４５１ｐを含むことができる。第２上部絶縁膜４５２は、第２上部貫通孔４５２ｈ及び第２突出領域４５２ｐを含むことができる。第１上部貫通孔４５１ｈの大きさは、第２上部貫通孔４５２ｈの大きさよりも小さくてもよい。例えば、下部貫通孔４３０ｈ上に延びる第２突出領域４５２ｐの水平長さは、下部貫通孔４３０ｈ上に延びる第１突出領域４５１ｐの水平長さよりも短くてもよい。補助電極５００と重なる第１上部絶縁膜４５１の側面は、補助電極５００と重なる第２上部絶縁膜４５２の側面と異なる形状を有することができる。例えば、補助電極５００と重なる第１上部絶縁膜４５１の側面は、逆テーパーを有することができる。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、上部電極３３０と補助電極５００との接触面積を向上させると共に、充填剤７００によるボイド（ｖｏｉｄ）の発生を効果的に防止することができる。
【００９７】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００の端部が、上部基板６００に向かうベース絶縁膜４２０の上部面上に位置するものとして説明する。図１１に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、補助電極５００が、ベース絶縁膜４２０の側面上に位置する端部を含むことができる。例えば、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置において、補助電極５００の断面は‘Ｕ’字状であってもよい。これによって、本発明の実施例に係るディスプレイ装置では、具現される映像の品質が向上し、集積度が増加することができる。
【００９８】
本発明の実施例に係るディスプレイ装置は、ベース絶縁膜４２０が、上部絶縁膜４５０の上部貫通孔４５０ｈによって露出する第２側面領域４２２Ｓを含むものとして説明する。図１２に示したように、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、ベース絶縁膜４２０の側面の全ての領域が上部絶縁膜４５０の突出領域４５０ｐによって遮られてもよい。例えば、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置は、上部貫通孔４５０ｈと重なる補助電極５００の第２電極領域５０２が、突出領域４５０ｐと重なる補助電極５００の第１電極領域５０１によって取り囲まれてもよい。これによって、本発明の他の実施例に係るディスプレイ装置では、上部電極３３０と補助電極５００との安定した接続によって集積度が増加し、具現される映像の品質を向上させることができる。
【符号の説明】
【００９９】
１００    下部基板
１１０    バッファ絶縁膜
１３０    下部保護膜
１４０    オーバーコート層
１５０    バンク絶縁膜
Ｔｒ１，Ｔｒ２    薄膜トランジスタ
３００    発光構造物
４２０    ベース絶縁膜
４２０ｈ    ベース貫通孔
４３０    下部絶縁膜
４３０ｈ    下部貫通孔
４４０    中間絶縁膜
４５０    上部絶縁膜
４５０ｈ    上部貫通孔
５００    補助電極
【図１】
2018109758.tif 000003
【図２】
2018109758.tif 000004
【図３】
2018109758.tif 000005
【図４】
2018109758.tif 000006
【図５】
2018109758.tif 000007
【図６】
2018109758.tif 000008
【図７】
2018109758.tif 000009
【図８】
2018109758.tif 000010
【図９】
2018109758.tif 000011
【図１０】
2018109758.tif 000012
【図１１】
2018109758.tif 000013
【図１２】
2018109758.tif 000014