(57)【要約】【課題】酸化物半導体を用いる半導体装置において、電気特性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に酸化物半導体膜および絶縁膜を有し、酸化物半導体膜の側面は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟んで形成されたドーパントを含む領域とを含み、酸化物半導体膜上に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲート電極と、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソース電極およびドレイン電極とを有する半導体装置である。【選択図】図１
2018019090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜の上面と接する領域を有する導電層と、
前記ゲート電極上及び前記導電層上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記酸化物半導体膜のチャネル長方向において、前記ゲート絶縁膜の端部は前記ゲート電極の端部から突出し、且つ前記酸化物半導体膜上に位置し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域よりも低抵抗な第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、チャネル形成領域としての機能を有し、
前記第２の領域は、前記ゲート絶縁膜の端部と重なる領域を有し、
前記導電層は、ソース電極又はドレイン電極としての機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の端部と接する領域と、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜の上面と接する領域を有する導電層と、
前記ゲート電極上及び前記導電層上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記酸化物半導体膜のチャネル長方向において、前記ゲート絶縁膜の端部は前記ゲート電極の端部から突出し、且つ前記酸化物半導体膜上に位置し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域よりも低抵抗な第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記第２の領域は、前記ゲート絶縁膜の端部と重なる領域を有し、
前記導電層は、ソース電極又はドレイン電極としての機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の端部と接する領域と、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜の上面と接する領域を有する導電層と、
前記ゲート電極上及び前記導電層上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記酸化物半導体膜のチャネル長方向において、前記ゲート絶縁膜の端部は前記ゲート電極の端部から突出し、且つ前記酸化物半導体膜上に位置し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域としての機能を有する第１の領域と、ドーパントを含む第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記ゲート絶縁膜の端部と重なる領域を有し、
前記導電層は、ソース電極又はドレイン電極としての機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の端部と接する領域と、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
トランジスタなどの半導体素子を含む回路を有する半導体装置およびその作製方法に関す
る。例えば、電源回路に搭載されるパワーデバイス、メモリ、サイリスタ、コンバータ、
イメージセンサなどを含む半導体集積回路、液晶表示パネルに代表される電気光学装置、
発光素子を有する発光表示装置等を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、発光表示装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置
である。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等に形成されるトランジスタはアモルファ
スシリコン、多結晶シリコンなどによって構成されている。アモルファスシリコンを用い
たトランジスタは電界効果移動度が低いものの大面積のガラス基板上に作製することがで
きる。また、多結晶シリコンを用いたトランジスタの電界効果移動度は高いが大面積のガ
ラス基板上に作製することは難しいという欠点を有している。
【０００４】
シリコンを用いたトランジスタに対して、酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、
電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体とし
て、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いてトランジスタを作製し、表示装置
の画素のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献１および特許文献２で開示されて
いる。
【０００５】
ところで、特に酸化物半導体においては、水素がキャリアの供給源となることが指摘され
ている。そのため、酸化物半導体の形成時に水素が混入しないような措置を講じることが
求められる。また、酸化物半導体のみならず、酸化物半導体に接するゲート絶縁膜中の水
素の量を低減することで、しきい値電圧の変動を低減することができる（特許文献３参照
）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【特許文献３】特開２００９−２２４４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、作製工程中に酸化物半導体
膜の表面および側面が減圧雰囲気に曝されると、酸化物半導体膜中の酸素が脱離してしま
い、酸素欠陥（又は酸素欠損ともいう）が形成されてしまう。酸化物半導体膜において、
酸素欠陥が形成された領域は、キャリアが流れやすくなることにより、トランジスタのソ
ースおよびドレイン間においてリーク電流が高くなるという問題が生じる。また、酸化物
半導体膜の酸素欠陥が形成され、キャリアが流れやすくなることにより、トランジスタの
しきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。
【０００８】
このように、酸化物半導体膜において酸素欠陥が形成されることにより、トランジスタの
電気特性が低下する。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良
好なトランジスタおよびその作製方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、酸化物半
導体膜から酸素が脱離することを防止するために、酸化物半導体膜に接するように、酸素
を含む絶縁膜を設ける。以下、具体的な態様について説明する。
【００１１】
本発明の一態様は、基板上に酸化物半導体膜および絶縁膜を有し、酸化物半導体膜の側面
は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟
んで形成されたドーパントを含む領域とを含み、酸化物半導体膜上に接して形成されたゲ
ート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲート電極と
、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソース電極およびドレイン電極と、
を有する半導体装置である。
【００１２】
また、本発明の一態様は、基板上に酸化物半導体膜および絶縁膜を有し、酸化物半導体膜
の側面は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領
域を挟んで形成されたドーパントを含む第１の領域と、ドーパントを含む第１の領域を挟
んで形成されたドーパントを含む第２の領域と、を含み、酸化物半導体膜上に接して形成
されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲー
ト電極と、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソース電極およびドレイン
電極と、を有し、酸化物半導体膜において、サイドウォール絶縁膜と重なるドーパントを
含む第１の領域と、ドーパントを含む第１の領域を挟んで形成されたドーパントを含む第
２の領域と、に含まれるドーパント濃度がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置で
ある。
【００１３】
また、ドーパントを含む第１の領域のドーパントの濃度は、ドーパントを含む第２の領域
のドーパントの濃度よりも低いことが好ましい。
【００１４】
また、本発明の一態様は、基板上に酸化物半導体膜および絶縁膜を有し、酸化物半導体膜
の側面は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領
域を挟んで形成されたドーパントを含む領域とを含み、酸化物半導体膜上に接して形成さ
れたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲート
電極と、サイドウォール絶縁膜、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソー
ス電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置である。
【００１５】
また、本発明の一態様は、基板上に酸化物半導体膜および絶縁膜を有し、酸化物半導体膜
の側面は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領
域を挟んで形成されたドーパントを含む第１の領域と、ドーパントを含む第１の領域を挟
んで形成されたドーパントを含む第２の領域と、を含み、酸化物半導体膜上に接して形成
されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲー
ト電極と、サイドウォール絶縁膜、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソ
ース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、サイドウォール絶縁
膜と重なるドーパントを含む第１の領域と、ソース電極およびドレイン電極と接するドー
パントを含む第２の領域と、に含まれるドーパント濃度がそれぞれ異なることを特徴とす
る半導体装置である。
【００１６】
また、ドーパントを含む第１の領域のドーパントの濃度は、ドーパントを含む第２の領域
のドーパントの濃度よりも低いことが好ましい。
【００１７】
また、ソース電極又はドレイン電極は、第１の導電膜および第２の導電膜を有し、第１の
導電膜が、サイドウォール絶縁膜に接することが好ましい。また、第１の導電膜の膜厚は
、第２の導電膜の膜厚よりも薄いことが好ましい。
【００１８】
また、絶縁膜は、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜であることが好ましい。加熱処理
により酸素が脱離する絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む
ことが好ましい。このような絶縁膜と、酸化物半導体膜とを接して設けることにより、加
熱処理の際に、絶縁膜から酸素が脱離し、酸化物半導体膜に拡散させることができる。こ
れにより、酸化物半導体膜の酸素欠陥を低減することができる。
【００１９】
加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン
、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハ
フニウム、酸化イットリウム等が挙げられる。
【００２０】
また、酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた一種以上の元素を含む
ことが好ましい。
【００２１】
ここで、酸化物半導体は、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔ
ａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様に示す構成によって、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠陥を低減すること
ができる。この結果、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減させることが
できる。また、トランジスタのソースおよびドレインにおけるリーク電流や、酸化物半導
体膜の側面におけるリーク電流を低減させることができる。以上により、トランジスタの
電気特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する上面図および断面図である。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する上面図および断面図である。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図１３】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図および回路図である。
【図１４】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図１５】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図である。
【図１６】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図および回路図である。
【図１７】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図である。
【図１８】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図および断面図である。
【図１９】本発明の一態様に係る電子機器のブロック図である。
【図２０】本発明の一態様に係る電子機器のブロック図である。
【図２１】本発明の一態様に係る電子機器のブロック図である。
【図２２】本発明の一態様に係る電子機器である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細
を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示
す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発
明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には、同一の符号を異なる図
面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２５】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、または領域は、明
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
【００２６】
また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるため
に付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を、
「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の構造について、図１および図２を
用いて説明する。
【００２８】
図１は、トランジスタ２００の上面図および断面図である。図１（Ａ）は、トランジスタ
の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の破線Ａ１−Ａ２に対応する断面図であり、
図１（Ｃ）は、図１（Ａ）の破線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図である。なお、図１（Ａ）
では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ２００の構成要素の一部（例えば、ゲ
ート絶縁膜１１４ａ、絶縁膜１１８ａ、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ、絶縁
膜１３０、絶縁膜１３２など）を省略している。
【００２９】
図１に示すトランジスタ２００は、基板１００上に設けられた絶縁膜１０２ａと、絶縁膜
１０２ａ上に設けられた酸化物半導体膜１０６ａと、酸化物半導体膜１０６ａと接するゲ
ート絶縁膜１１４ａと、ゲート絶縁膜１１４ａ上に形成されたサイドウォール絶縁膜１２
４ａ、１２４ｂを有するゲート電極１１６ａと、酸化物半導体膜１０６ａと接して形成さ
れた導電膜１２８ａ、１２８ｂと、を有する。なお、導電膜１２８ａ、１２８ｂは、ソー
ス電極およびドレイン電極として機能する。また、ゲート電極１１６ａ上には絶縁膜１１
８ａが設けられている。さらに、トランジスタ２００を覆うように絶縁膜１３０および絶
縁膜１３２が設けられている。
【００３０】
また、図１に示すトランジスタ２００には、酸化物半導体膜１０６ａに接する絶縁膜とし
て、絶縁膜１０２ａ、絶縁膜１１０ａ、およびゲート絶縁膜１１４ａが形成されている。
また、絶縁膜１１０ａと接するように絶縁膜１１２ａが設けられている。酸化物半導体膜
１０６ａに接する絶縁膜は、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜であることが好ましい
。
【００３１】
なお、本明細書等において、「加熱処理により酸素が脱離する」とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒ
ｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）分析
にて、酸素原子に換算しての酸素の放出量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、
好ましくは３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることをいう。
【００３２】
ここで、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量を測定する方法について、
以下に説明する。
【００３３】
ＴＤＳ分析したときの気体の脱離量は、スペクトルの積分値に比例する。このため、絶縁
膜のスペクトルの積分値と、標準試料の基準値に対する比とにより、気体の放出量を計算
することができる。標準試料の基準値とは、所定の原子を含む試料の、スペクトルの積分
値に対する原子の密度の割合である。
【００３４】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのＴＤＳ分析結果、およ
び絶縁膜のＴＤＳ分析結果から、絶縁膜の酸素分子の脱離量（ＮＯ２）は、下記の数式１
で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量数３２で検出されるスペクト
ルの全てが酸素分子由来と仮定する。質量数３２のものとしてメタノール（ＣＨ３ＯＨ）
があるが、存在する可能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位
体である質量数１７の酸素原子および質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、
自然界における存在比率が極微量であるため考慮しない。
【００３５】
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α            （数式１）
【００３６】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試
料をＴＤＳ分析したときのスペクトルの積分値である。ここで、標準試料の基準値を、Ｎ
Ｈ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、絶縁膜をＴＤＳ分析したときのスペクトルの積分値であ
る。αは、ＴＤＳ分析におけるスペクトル強度に影響する係数である。数式１の詳細に関
しては、特開平６−２７５６９７公報を参照する。なお、上記絶縁膜の酸素の脱離量は、
電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料と
して１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した
。
【００３７】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の脱離量につ
いても見積もることができる。
【００３８】
なお、ＮＯ２は酸素分子の脱離量である。絶縁膜においては、酸素原子に換算したときの
酸素の放出量は、酸素分子の脱離量の２倍となる。
【００３９】
上記において、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜は、酸素が過剰な酸化シリコン（Ｓ
ｉＯＸ（Ｘ＞２））であってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））
とは、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位
体積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法により測定し
た値である。
【００４０】
一般に、酸化物半導体膜は、酸素欠陥の一部がドナーとなりキャリアである電子を生じる
場合がある。そのため、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう
。また、酸化物半導体膜の側面に酸素欠陥が生じると、側面が低抵抗化し、酸化物半導体
膜の側面を介してソース電極およびドレイン電極間にリーク電流が発生する恐れがある。
【００４１】
そこで、本発明の一態様では、酸化物半導体膜１０６ａの側面に接して、加熱処理により
酸素が脱離する絶縁膜を設けることとする。これにより、加熱処理の際に絶縁膜から酸素
が脱離し、酸化物半導体膜１０６ａに拡散（又は供給）して酸化物半導体膜１０６ａの酸
素欠損を補うことができる。そのため酸化物半導体膜１０６ａの側面の低抵抗化を抑制す
ることができる。そのため、ソース電極およびドレイン電極間のリーク電流を抑制するこ
とができる。
【００４２】
加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン
、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハ
フニウム、酸化イットリウム等を用いることができる。
【００４３】
また、酸化アルミニウムは酸素を透過しにくい性質を持つ。そこで、酸化アルミニウム膜
を、酸化物半導体膜１０６ａの近傍に設けることとする。これにより、酸化物半導体膜１
０６ａに接して設けられた、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜から酸素が拡散してし
まうことを抑制することができる。
【００４４】
例えば、絶縁膜１１０ａとして加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜、代表的には酸化シ
リコン膜を用い、絶縁膜１１２ａとして酸素を透過しにくい膜、代表的には酸化アルミニ
ウム膜を用いることができる。上述のように、酸化物半導体膜１０６ａに接する絶縁膜１
１０ａに加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜１０６ａ
に酸素を拡散（又は供給）させることができる。絶縁膜１１０ａに接する絶縁膜１１２ａ
として、酸素を透過しにくい膜を用いることで、絶縁膜１１０ａおよび酸化物半導体膜１
０６ａから酸素が外部に放出されることを抑制することができる。
【００４５】
また、酸化物半導体膜１０６ａの側面に、絶縁膜１１０ａを設けることにより、酸化物半
導体膜１０６ａの側面がソース電極およびドレイン電極と接触しない構成とすることがで
きる。そのため、酸化物半導体膜１０６ａの側面を介したソース電極およびドレイン電極
間のリーク電流の発生をより抑制することができる。
【００４６】
また、ゲート絶縁膜１１４ａとして、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜、代表的には
酸化シリコン膜を用いることができる。これにより、酸化物半導体膜１０６ａに酸素を拡
散（又は供給）させることで酸化物半導体膜１０６ａの酸素欠陥を補うことができる。そ
のため、ゲート絶縁膜１１４ａと酸化物半導体膜１０６ａの界面準位を低減し、トランジ
スタの動作などに起因して生じうる電荷が、ゲート絶縁膜１１４ａと酸化物半導体膜１０
６ａの界面等に捕獲されることを抑制することができる。そのため、しきい値電圧がマイ
ナス方向へシフトすることを抑制することができ、トランジスタの電気特性の劣化を抑制
することができる。
【００４７】
酸化物半導体膜１０６ａとして、少なくとも、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた
一種以上の元素を含む金属酸化物を用いる。代表的には、四元系金属酸化物であるＩｎ−
Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系
金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、
Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−
Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−
Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＩｎＯなどを用いることができる。また、上
記金属酸化物に酸化シリコンを含んでもよい。
【００４８】
ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。ま
た、インジウムとガリウムと亜鉛以外の元素を含んでいてもよい。このとき、上記酸化物
半導体膜においては、化学量論比に対し、酸素を過剰にすることが好ましい。酸素を過剰
にすることにより、酸化物半導体膜の酸素欠陥に起因するキャリアの生成を抑制すること
ができる。
【００４９】
なお、酸化物半導体膜１０６ａとして用いる金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ
以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である。このように、エネ
ルギーギャップの広い金属酸化物を、酸化物半導体膜１０６ａとして用いることで、トラ
ンジスタのオフ電流を低減することができる。
【００５０】
酸化物半導体膜１０６ａは、単結晶、多結晶（ポリクリスタルともいう。）または非晶質
などの状態をとる。
【００５１】
好ましくは、酸化物半導体膜１０６ａは、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅ
ｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜とする。
【００５２】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、完全な単結晶ではなく、完全な非晶質でもない。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜
は、非晶質相に結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜である。なお、当
該結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる非晶質部と結晶部との境界
は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には粒界（グレインバウンダリ
ーともいう。）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、粒界に起因する電子移
動度の低下が抑制される。
【００５３】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見て三角
形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または
金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸お
よびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、８
５°以上９５°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、−５
°以上５°以下の範囲も含まれることとする。
【００５４】
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被形
成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部が非晶
質化することもある。
【００５５】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状（被形成
面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある。な
お、結晶部のｃ軸の方向は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されたときの被形成面の法線方向ま
たは表面の法線方向に平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、または成膜後
に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
【００５６】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動
を低減することが可能である。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
【００５７】
また、酸化物半導体膜１０６ａには、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素が含ま
れてもよい。
【００５８】
ここで、酸化物半導体膜１０６ａにおいて、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度
は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以下であることが望ましい。アルカリ金属およびアルカリ土類金属は、酸化物半導
体と結合するとキャリアが生成されることがあり、トランジスタのオフ電流の上昇の原因
となるためである。
【００５９】
さらに、酸化物半導体膜１０６ａは、水素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、
好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好
ましい。酸化物半導体および水素の結合により、水素の一部がドナーとなり、キャリアで
ある電子が生じてしまう。そのため、酸化物半導体膜中の水素濃度を低減することが望ま
しい。酸化物半導体膜中の水素濃度を低減することで、トランジスタのしきい値電圧がマ
イナス方向にシフトすることを抑制することができる。
【００６０】
また、酸化物半導体膜１０６ａは、チャネル形成領域１２２と、チャネル形成領域１２２
を挟んで形成されたドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂを含む。ドーパントを含む
領域１２０ａ、１２０ｂは、ソース領域およびドレイン領域として機能する。ドーパント
を含む領域１２０ａ、１２０ｂには、窒素、リン、若しくは砒素などの１５族元素、ホウ
素、アルミニウムなどの１３族元素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
またはキセノンの少なくともいずれか一以上のドーパントが含まれている。
【００６１】
酸化物半導体膜１０６ａにおいて、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂに含まれる
ドーパントの濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３未満とする。
【００６２】
また、酸化物半導体膜１０６ａにおいて、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂはド
ーパントを含むため、キャリア密度または欠陥が増加する。このため、ドーパントを含む
領域１２０ａ、１２０ｂは、ドーパントを含まない領域（チャネル形成領域１２２）と比
較して導電性を高めることができる。なお、ドーパント濃度を増加させすぎると、ドーパ
ントがキャリアの移動を阻害することになり、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂ
の導電性を低下させることになる。
【００６３】
ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂは、導電率が１×１０６Ω／ｓｑ．以上１×１
０８Ω／ｓｑ．以下とすることが好ましい。
【００６４】
酸化物半導体膜１０６ａにおいて、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂを有するこ
とで、チャネル形成領域１２２の端部に加わる電界を緩和させることができる。このため
、トランジスタの短チャネル効果を抑制することができる。
【００６５】
図１に示すトランジスタ２００は、酸化物半導体膜１０６ａの側面に接するように絶縁膜
１１０ａが設けられている。これにより、酸化物半導体膜１０６ａの側面において、ソー
ス電極およびドレイン電極が接しないため、酸化物半導体膜１０６ａの側面の低抵抗化に
よる、ソース電極およびドレイン電極間のリーク電流の発生を抑制することができる。ま
た、ソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極１１６ａとが重畳しないため、ソース
電極およびドレイン電極と、ゲート電極１１６ａとの間に生じる寄生容量を低減すること
ができる。これにより、トランジスタの高速動作が可能となる。また、酸化物半導体膜１
０６ａのチャネル形成領域において、水素濃度を低くすることができるため、トランジス
タのオフ電流を極めて小さくすることができる。例えば、室温（２５℃）でのオフ電流を
１０ｚＡ（１ｚＡ（ゼプトアンペア）は１×１０−２１Ａ）以下とすることができる。以
上によりトランジスタ２００の電気特性を向上させることができる。
【００６６】
なお、図１では導電膜１２８ａ、１２８ｂとサイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂは
接していないが、導電膜１２８ａ、１２８ｂとサイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ
は接していてもよい。
【００６７】
次に、図１に示すトランジスタ２００と、一部異なる構造を有するトランジスタ２１０に
ついて、図２を参照して説明する。
【００６８】
図２は、トランジスタ２１０の上面図および断面図である。図２（Ａ）は、トランジスタ
２１０の上面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の破線Ａ１−Ａ２に対応する断面図で
あり、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）の破線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図である。なお、図２
（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ２１０の構成要素の一部（例え
ば、ゲート絶縁膜１１４ａ、絶縁膜１１８ａ、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ
、絶縁膜１３０、絶縁膜１３２など）を省略している。
【００６９】
図２に示すトランジスタ２１０は、基板１００上に設けられた絶縁膜１０２ａと、絶縁膜
１０２ａ上に設けられた酸化物半導体膜１０６ａと、酸化物半導体膜１０６ａと接するゲ
ート絶縁膜１１４ａと、ゲート絶縁膜１１４ａ上に形成されたサイドウォール絶縁膜１２
４ａ、１２４ｂを有するゲート電極１１６ａと、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４
ｂおよび酸化物半導体膜１０６ａと接して形成された導電膜１２６ａ、１２６ｂと、を有
する。また、導電膜１２６ａ上には導電膜１２８ａが形成されており、導電膜１２６ｂ上
には導電膜１２８ｂが形成されている。なお、導電膜１２６ａ、１２６ｂを、ソース電極
およびドレイン電極として機能させてもよいし、導電膜１２６ａおよび導電膜１２８ａ、
並びに導電膜１２６ｂおよび導電膜１２８ｂを、ソース電極およびドレイン電極として機
能させてもよい。また、ゲート電極１１６ａ上には絶縁膜１１８ａが設けられている。さ
らに、トランジスタ２１０を覆うように絶縁膜１３０および絶縁膜１３２が設けられてい
る。
【００７０】
また、図２に示すトランジスタ２１０において、酸化物半導体膜１０６ａに接する絶縁膜
として、絶縁膜１０２ａ、絶縁膜１１０ａ、およびゲート絶縁膜１１４ａが形成されてい
る。また、絶縁膜１１０ａと接するように絶縁膜１１２ａが設けられている。また、酸化
物半導体膜１０６ａに接する絶縁膜は、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜であること
が好ましい。
【００７１】
図２に示すトランジスタ２１０において、図１に示すトランジスタ２００と異なる点は、
サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂおよび酸化物半導体膜１０６ａと接するように
設けられた導電膜１２６ａ、導電膜１２６ｂを有する点にある。また、導電膜１２６ａ、
１２６ｂの膜厚は、導電膜１２８ａ、導電膜１２８ｂと比較して薄いことが好ましい。
【００７２】
ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜１２６ａ、１２６ｂを、サイドウォ
ール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂに接して設けることにより、トランジスタの作製工程にお
いてマスクずれが生じたとしても、酸化物半導体膜１０６ａの表面を導電膜１２６ａ、１
２６ｂで確実に覆うことができる。また、マスクずれに伴うトランジスタの電気特性のバ
ラツキを抑制することができる。さらに、ソース電極およびドレイン電極を形成する際に
、酸化物半導体膜１０６ａがエッチングガスに曝されないため、好ましい。
【００７３】
なお、本実施の形態においては、ソース電極およびドレイン電極の対向領域が矩形状のト
ランジスタを用いて説明したが、ソース電極およびドレイン電極の対向領域を適宜、Ｕ字
状、Ｃ字状等としてもよい。このような構造のトランジスタは、チャネル幅を大きくする
ことが可能であり、オン電流を高くすることができる。
【００７４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１および図２に示すトランジスタの作製方法について、図３乃至図
７を用いて説明する。
【００７５】
まず、図１に示すトランジスタ２００の作製方法について、図３乃至図６を用いて以下に
説明する。
【００７６】
まず、基板１００上に、絶縁膜１０２を形成した後、絶縁膜１０２上に酸化物半導体膜１
０４を形成する（図３（Ａ）参照）。
【００７７】
基板１００の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の
耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板などを、基板１００として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなど
の単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板
、ＳＯＩ基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられ
たものを、基板１００として用いてもよい。
【００７８】
また、基板１００として、可撓性基板を用いてもよい。基板１００と絶縁膜１０２の間に
剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後
、基板１００より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その際、半導体
装置は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。
【００７９】
絶縁膜１０２は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成される。絶縁膜１０２は、加
熱処理により酸素が脱離する絶縁膜であることが好ましい。加熱処理により酸素が脱離す
る絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む絶縁膜を用いること
が好ましい。加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜は、加熱処理の際に、酸素が脱離する
ことにより、後に形成される酸化物半導体膜に酸素を拡散（又は供給）させることができ
る。絶縁膜１０２として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン
、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イッ
トリウム等を用いることができる。スパッタリング法を用いて絶縁膜１０２を形成するこ
とにより、加熱処理により酸素が脱離しやすい絶縁膜とすることができるため、好ましい
。
【００８０】
絶縁膜１０２は、５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以
下とする。絶縁膜１０２を厚く形成することで、絶縁膜１０２から放出される酸素の量を
増加させることができると共に、絶縁膜１０２と後に形成される酸化物半導体膜との界面
における界面準位を低減することが可能である。
【００８１】
絶縁膜１０２は、単層構造でも積層構造でもよい。例えば、酸化シリコン膜を単層で設け
てもよいし、酸化アルミニウム膜又は窒化酸化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層で設け
てもよい。酸化アルミニウム膜および窒化酸化シリコン膜は、ブロッキング膜として機能
させることができる。これにより、基板１００に含まれる不純物を酸化アルミニウム膜お
よび窒化酸化シリコン膜にてブロッキングすることができるため、後に形成される酸化物
半導体膜に不純物が混入することを防止することができる。本実施の形態では、酸化シリ
コン膜を用いて絶縁膜１０２を形成する場合について説明する。
【００８２】
絶縁膜１０２をスパッタリング法により形成する場合は、成膜ガスとして、酸素ガス、又
は酸素および希ガスの混合ガス等を用いることができる。また、成膜ガス中の酸素量を高
くすることにより、絶縁膜１０２に含まれる酸素の量を増加させることができるため、好
ましい。代表的には、成膜ガス中の酸素濃度を６％以上１００％以下にするとよい。
【００８３】
絶縁膜１０２として、酸化シリコン膜を形成する場合、石英（好ましくは合成石英）をタ
ーゲットに用い、基板温度３０℃以上４５０℃以下（好ましくは７０℃以上２００℃以下
）、基板とターゲットの間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を２０ｍｍ以上４００ｍｍ以下（好ま
しくは４０ｍｍ以上２００ｍｍ以下）、圧力を０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下（好ましくは０
．２Ｐａ以上１．２Ｐａ以下）、高周波電源を０．５ｋＷ以上１２ｋＷ以下（好ましくは
１ｋＷ以上５ｋＷ以下）、成膜ガス中のＯ２／（Ｏ２＋Ａｒ）割合を１％以上１００％以
下（好ましくは６％以上１００％以下）として、ＲＦスパッタリング法を用いることが好
ましい。なお、石英（好ましくは合成石英）ターゲットに代えてシリコンターゲットを用
いることもできる。なお、成膜ガスとしては、酸素のみを用いてもよい。
【００８４】
酸化物半導体膜１０４は、スパッタリング法、塗布法、印刷法、パルスレーザー蒸着法等
により成膜することができる。ここでは、酸化物半導体膜１０４は、スパッタリング法に
より、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さで成膜する。
【００８５】
次に、酸化物半導体膜１０４を成膜するスパッタリング装置について、詳細に説明する。
【００８６】
酸化物半導体膜１０４を成膜する成膜室は、リークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／
秒以下とすることが好ましい。これにより、スパッタリング法により成膜する際、膜中へ
水素を含む不純物の混入を低減することができる。
【００８７】
リークレートを低減するためには、外部リークのみならず内部リークを低減する必要があ
る。外部リークは、微小な穴やシール不良などによって真空系の外から気体が流入するこ
とに起因する。また、内部リークは、真空系内のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の
部材からの放出ガスに起因する。リークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とす
るためには、外部リークおよび内部リークの両面から対策をとる必要がある。
【００８８】
外部リークを低減するためには、成膜室の開閉部分はメタルガスケットでシールするとよ
い。メタルガスケットは、フッ化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化クロムによって被覆さ
れた金属材料を用いることが好ましい。メタルガスケットはＯリングと比べ密着性が高く
、外部リークを低減できる。また、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどによっ
て被覆された鉄、アルミニウム、クロム等、不動態の金属材料を用いることで、メタルガ
スケットから生じる水素を含む放出ガスが抑制され、内部リークも低減することができる
。
【００８９】
成膜室の内壁を構成する部材として、水素を含む放出ガスの少ないアルミニウム、クロム
、チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の材料を鉄、
クロムおよびニッケルなどを含む合金材料に被覆して用いてもよい。鉄、クロムおよびニ
ッケルなどを含む合金材料は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで、
表面積を小さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガス
を低減できる。あるいは、前述の成膜装置の部材をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化ク
ロムなどで被覆された鉄、アルミニウム、クロム等の不動態の金属にしてもよい。
【００９０】
さらに、スパッタガスを成膜室に導入する直前に、スパッタガスの精製機を設けることが
好ましい。このとき、精製機から成膜室までの配管の長さを５ｍ以下、好ましくは１ｍ以
下とする。配管の長さを５ｍ以下または１ｍ以下とすることで、配管からの放出ガスの影
響を長さに応じて低減できる。
【００９１】
成膜室の排気は、ドライポンプなどの粗引きポンプと、スパッタイオンポンプ、ターボ分
子ポンプおよびクライオポンプなどの高真空ポンプとを適宜組み合わせて行うとよい。タ
ーボ分子ポンプは大きいサイズの分子の排気が優れる一方、水素や水の排気能力が低い。
そこで、水の排気能力の高いクライオポンプおよび水素の排気能力の高いスパッタイオン
ポンプを組み合わせることが有効となる。
【００９２】
成膜室の内側に存在する吸着物は、内壁に吸着しているために成膜室の圧力に影響しない
が、成膜室を排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に
相関はないが、排気能力の高いポンプを用いて、成膜室に存在する吸着物をできる限り脱
離し、予め排気しておくことが重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、成膜室を
ベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を１０倍程度大きくする
ことができる。ベーキングは１００℃以上４５０℃以下で行えばよい。このとき、不活性
ガスを導入しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しにくい水などの脱離
速度をさらに大きくすることができる。
【００９３】
このように、酸化物半導体膜１０４の成膜工程において、好ましくは絶縁膜１０２の成膜
工程においても、成膜室の圧力、成膜室のリークレートなどの制御において、水素を含む
不純物の混入を極力抑えることによって、酸化物半導体膜１０４への、水素を含む不純物
の混入を低減することができる。また、絶縁膜１０２から酸化物半導体膜１０４への水素
を含む不純物の拡散を低減することができる。
【００９４】
酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水となると共に、
酸素が脱離した格子（あるいは酸素が脱離した部分）には欠陥が形成されてしまう。これ
を防止するために、酸化物半導体膜の成膜工程において、水素を含む不純物を極めて減ら
すことにより、酸化物半導体膜の欠陥を低減することが重要である。このように、水素を
含む不純物をできるだけ除去し、高純度化された酸化物半導体膜をチャネル形成領域とし
て用いることにより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
【００９５】
スパッタリング法において、プラズマを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、Ａ
Ｃ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜用いることができる。
【００９６】
酸化物半導体膜１０４は、少なくともＩｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた一種以上
の元素を含有する。このような酸化物半導体膜は、例えば、四元系金属酸化物であるＩｎ
−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ
系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物
、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ
−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ
−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｏ系金属酸化物などのターゲ
ットを用いて成膜することができる。また、上記酸化物半導体膜１０４に、ＩｎとＧａと
ＳｎとＺｎ以外の元素、例えばＳｉＯ２を含ませてもよい。
【００９７】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物半導体、という意味であり、その組成比は問わない。
【００９８】
また、酸化物半導体膜は、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を
用いることができる。ここで、Ｍは、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一
または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、ＧａおよびＭｎ
、またはＧａおよびＣｏなどがある。
【００９９】
酸化物半導体としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、ターゲットの一例とし
て、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比の金属酸化物
ターゲットを用いることができる。また、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２
［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝
１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：Ｚｎ
Ｏ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【０１００】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組
成比は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３
：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル数比に
換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１
５：１〜１．５：１（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１５：２〜３：４）と
する。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比が
Ｉｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【０１０１】
なお、スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気、酸素雰囲気、希ガ
スおよび酸素の混合ガスを適宜用いる。また、スパッタリングガスには、水素を含む不純
物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１０２】
なお、絶縁膜１０２および酸化物半導体膜１０４は連続的に形成することが好ましい。絶
縁膜１０２を形成した後、大気に曝さず酸化物半導体膜１０４を形成することで、絶縁膜
１０２と酸化物半導体膜１０４との界面における水素の付着を低減することができる。ま
たは、加熱装置を有するマルチチャンバーのスパッタリング装置において、絶縁膜１０２
を形成し、加熱装置で絶縁膜１０２を加熱して水素を脱離させた後、絶縁膜１０２上に酸
化物半導体膜１０４を形成してもよい。
【０１０３】
次に、基板１００に加熱処理を施して、酸化物半導体膜１０４より水素を放出させると共
に、絶縁膜１０２に含まれる酸素を、酸化物半導体膜１０４と、絶縁膜１０２と酸化物半
導体膜１０４との界面近傍に拡散させる。この結果、図３（Ｂ）に示すように、水素濃度
および酸素欠陥が低減された酸化物半導体膜１０６を形成することができる。
【０１０４】
加熱処理の温度は、酸化物半導体膜１０４から水素を放出させると共に、絶縁膜１０２に
含まれる酸素を脱離させ、さらには酸化物半導体膜１０４に拡散させる温度が好ましく、
例えば、１５０℃以上基板歪み点未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下、更に好ま
しくは３００℃以上４５０℃以下とする。
【０１０５】
また、加熱処理は、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置を用いる
ことができる。ＲＴＡ装置を用いることで、短時間に限り、基板１００の歪み点以上の温
度で熱処理を行うことができる。そのため、酸化物半導体膜１０４からの水素の放出、お
よび絶縁膜１０２から酸化物半導体膜１０４への酸素拡散の時間を短縮することができる
。
【０１０６】
加熱処理は、不活性ガス雰囲気で行うことができ、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン
、キセノン、クリプトン等の希ガス、または窒素雰囲気で行うことが好ましい。また、酸
素雰囲気および減圧雰囲気で行ってもよい。処理時間は３分〜２４時間とする。
【０１０７】
酸化物半導体膜中における酸素欠陥はドナーとなり、キャリアである電子が生じてしまう
。酸化物半導体膜１０４が絶縁膜１０２を覆う状態で加熱処理を行うことで、絶縁膜１０
２に含まれる酸素が酸化物半導体膜１０４に拡散するため、酸化物半導体膜１０６に含ま
れる酸素欠陥を低減することができる。また、絶縁膜１０２が酸化物半導体膜１０４に覆
われており、絶縁膜１０２の表面が露出していないため、絶縁膜１０２から脱離した酸素
を効率良く酸化物半導体膜１０４に拡散させることができる。これにより、酸化物半導体
膜の酸素欠陥、および絶縁膜１０２と酸化物半導体膜１０６との界面準位を低減すること
ができる。
【０１０８】
また、酸化物半導体膜１０４の成膜工程において、成膜室の圧力、成膜室のリークレート
などにおいて、水素を含む不純物の混入を極力抑えることによって、絶縁膜１０２および
酸化物半導体膜１０４への水素を含む不純物の混入を低減することができる。また、絶縁
膜１０２から酸化物半導体膜１０４への水素を含む不純物の拡散を低減することができる
。また、加熱処理により酸化物半導体膜１０４中の水素濃度を低減することができる。酸
化物半導体においては、水素との結合により、水素の一部がドナーとなり、キャリアであ
る電子が生じてしまう。このため、酸化物半導体膜１０４の成膜工程およびその後の加熱
工程において、不純物、代表的には水素を極めて減らすことにより、酸化物半導体膜の欠
陥を低減することが可能である。
【０１０９】
次に、該酸化物半導体膜１０６上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化物半導
体膜１０４を選択的にエッチングして、島状の酸化物半導体膜１０６ａおよび絶縁膜１０
２ａを形成する（図３（Ｃ）参照）。
【０１１０】
酸化物半導体膜１０６および絶縁膜１０２をエッチングするためのマスクは、フォトリソ
グラフィ工程、インクジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。また、酸化物半
導体膜１０６のエッチングはウエットエッチングまたはドライエッチングを用いることが
でき、ウエットエッチングとドライエッチングを組み合わせて用いてもよい。また、酸化
物半導体膜１０６ａの端部がテーパ形状となるようにエッチングすることが好ましい。フ
ォトリソグラフィ工程を用いる場合は、レジストマスクを後退させつつエッチングするこ
とでテーパ形状とすることができる。
【０１１１】
ウエットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液など
を用いることができる。
【０１１２】
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例え
ば塩素（Ｃｌ２）、塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（
ＣＣｌ４）など）が好ましい。また、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四フッ化
炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタ
ン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、メタン（ＣＨ４）酸素（Ｏ２）、これらの
ガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを用いる
ことができる。
【０１１３】
ドライエッチングとしては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結
合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。所望の形状に加工できるように、エ
ッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、
基板側の電極温度など）を適宜調節する。
【０１１４】
ドライエッチングの条件として、例えば、ＩＣＰ４５Ｗ、Ｂｉａｓ１００Ｗ、圧力１．９
Ｐａ，エッチングガスは、ＢＣｌ３およびＣｌ２の混合ガスとし、流量は、ＢＣｌ３／Ｃ
ｌ２＝６０ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍとする。このような条件を採用することにより、酸化
物半導体膜１０６を島状に形成した後、絶縁膜１０２を選択的に除去して絶縁膜１０２ａ
を形成することができる。エッチングの際に、水素を含む不純物が含まれないように行う
ことが望ましい。
【０１１５】
なお、絶縁膜１０２を除去する深さは、絶縁膜１０２の膜厚にもよるが、例えば、絶縁膜
１０２の膜厚が４５０ｎｍの場合、１００ｎｍ除去することが好ましい。
【０１１６】
この後、マスクを除去する。なお、マスクを除去するために、剥離液を用いると、酸化物
半導体膜１０６ａの側面から酸素が脱離する場合があるため、マスクの除去方法としてア
ッシングを用いてもよい。
【０１１７】
酸化物半導体膜を選択的にエッチングする際、例えば、ドライエッチングにおいて酸化物
半導体膜の側面が塩素ラジカル、フッ素ラジカル等を含むプラズマに曝されると、酸化物
半導体膜の側面に露出する金属原子と、塩素ラジカル、フッ素ラジカル等とが結合する。
このとき、金属原子と塩素原子、フッ素原子が結合して脱離するため、酸化物半導体膜中
に当該金属原子と結合していた酸素原子が活性となる。活性となった酸素原子は容易に反
応し、脱離しやすい。そのため、酸化物半導体膜の側面には酸素欠陥が生じやすい。
【０１１８】
エッチング工程により露出された酸化物半導体膜の側面が活性であると、減圧雰囲気また
は還元雰囲気、更には減圧雰囲気での加熱処理において、酸素を引き抜かれ、該酸化物半
導体膜の側面で酸素欠陥を生じる。当該酸素欠陥の一部はドナーとなり、キャリアである
電子を生成するため、該酸化物半導体膜の側面はｎ型化する。
【０１１９】
トランジスタのソース電極およびドレイン電極が、ｎ型化した酸化物半導体膜の側面と接
することにより、酸化物半導体膜の側面を介して、ソース電極およびドレイン電極間にリ
ーク電流が発生してしまう。該リーク電流は、トランジスタのオフ電流の上昇の原因とな
る。また、酸化物半導体膜の側面を介して流れる電流は、場合によって、酸化物半導体膜
の側面をチャネル領域とするトランジスタを形成する可能性がある。
【０１２０】
そこで、次に、絶縁膜１０２ａおよび酸化物半導体膜１０６ａ上に絶縁膜１１０および絶
縁膜１１２を形成する（図３（Ｄ）参照）。絶縁膜１１０および絶縁膜１１２は、絶縁膜
１０２と同様に、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いて形成することが好ましい
。また、絶縁膜１１０および絶縁膜１１２の成膜方法は、絶縁膜１０２と同様の成膜方法
を適宜選択することができる。なお、絶縁膜１１０および絶縁膜１１２を成膜する際に、
酸化物半導体膜１０６ａの側面から酸素の脱離量を低減するため、絶縁膜１１０および絶
縁膜１１２の成膜温度は、可能な限り低い温度、好ましくは室温で成膜することが望まし
い。
【０１２１】
例えば、絶縁膜１１０として、酸化シリコンを用い、絶縁膜１１２として、酸化アルミニ
ウムを用いることができる。または、絶縁膜１１０として、酸化アルミニウムを用い、絶
縁膜１１２として、酸化シリコンを用いてもよい。なお、本実施の形態では、絶縁膜１１
０および絶縁膜１１２の積層構造を示すが、本発明の一態様はこれに限定されず、絶縁膜
１１０又は絶縁膜１１２の単層構造としてもよい。
【０１２２】
酸化物半導体膜１０６ａの側面に接して、熱を与えられることにより酸素が脱離する絶縁
膜１１０を設けることにより、酸化物半導体膜１０６ａの側面に酸素欠陥が生じたとして
も、後の加熱処理により、絶縁膜１１０に含まれる酸素が脱離することによって、酸化物
半導体膜１０６ａと絶縁膜１１０とが接している面と、その近傍の酸化物半導体膜１０６
ａに酸素を供給することができる。これにより、酸化物半導体膜１０６ａと絶縁膜とが接
している面、代表的には酸化物半導体膜１０６ａの側面における酸素欠陥を低減すること
ができる。
【０１２３】
次に、絶縁膜１１２に平坦化処理を行うことにより、絶縁膜１１２ａを形成する（図３（
Ｅ）参照）。平坦化処理は、化学的機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａ
ｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ法）等の研磨処理、ドライエッチング又はウエットエッ
チング等のエッチング処理、または研磨処理とエッチング処理を組み合わせて行うことが
できる。ここでは、ＣＭＰ処理を用いて、絶縁膜１１２に平坦化処理を行う場合について
説明する。絶縁膜１１２の平坦化処理は、絶縁膜１１０が露出、又は絶縁膜１１０の表面
と同じ高さになるまで行う。なお、酸化物半導体膜１０６ａの膜厚が数ｎｍ〜数十ｎｍと
薄いため、酸化物半導体膜１０６ａが、平坦化処理によって除去されないようにすること
が望ましい。
【０１２４】
絶縁膜１１２にＣＭＰ処理を行う条件は、例えば、ポリウレタン地の研磨布を用い、スラ
リー供給用の薬液としてシリカ系スラリー液（粒径６０ｎｍ）、スラリー流量１００ｍｌ
／ｍｉｎ以上５００ｍｌ／ｍｉｎ以下、研磨圧０．００５ＭＰａ以上０．０８ＭＰａ以下
、スピンドル回転数２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、テーブル回転数２０ｒｐｍ以上５０
ｒｐｍ以下、処理時間０．２ｍｉｎとすることができる。
【０１２５】
次に、絶縁膜１１０が露出した箇所を除去して、酸化物半導体膜１０６ａの表面を露出さ
せる。これにより、絶縁膜１１０ａが形成される（図４（Ａ）参照）。絶縁膜１１０の除
去は、エッチング処理を用いて行う。但し、酸化物半導体膜１０６ａに対して絶縁膜１１
０の選択比が高いエッチング条件を採用することが必要である。絶縁膜１１０の露出した
箇所を除去した後、酸化物半導体膜１０６ａの表面を平坦にしておくことで、トランジス
タの電気特性を向上させることができる。
【０１２６】
ドライエッチングの条件として、例えば、ＩＣＰ５００Ｗ、Ｂｉａｓ５０Ｗ、圧力１．５
Ｐａ，エッチングガスは、ＣＦ４およびＯ２の混合ガスとし、流量は、ＣＦ４／Ｏ２＝７
０ｓｃｃｍ／３０ｓｃｃｍとする。このような条件を採用することにより、絶縁膜１１０
を選択的に除去して絶縁膜１１０ａを形成することができる。また、酸化物半導体膜１０
６ａが除去されてしまうことを抑制することができる。エッチングの際に、水素を含む不
純物が含まれないように行うことが望ましい。
【０１２７】
ここで、加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜１０６ａ中の
水素を含む不純物を除去することができる。また、絶縁膜１０２ａ、絶縁膜１１０ａ、お
よび絶縁膜１１２ａに含まれる酸素が脱離することにより、酸化物半導体膜１０６ａと、
絶縁膜１０２ａ、絶縁膜１１０ａとが接している面に酸素を供給することができるため、
酸化物半導体膜１０６ａと絶縁膜とが接している面における酸素欠陥を低減することがで
きる。
【０１２８】
次に、酸化物半導体膜１０６ａ、および絶縁膜１１２ａ上に絶縁膜１１４を成膜する（図
４（Ｂ）参照）。絶縁膜１１４は、絶縁膜１０２と同様に、加熱処理により酸素が脱離す
る絶縁膜を用いて形成することが好ましい。また、絶縁膜１１４として、ハフニウムシリ
ケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ
）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム
、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることにより、ゲートリークを低減で
きる。
【０１２９】
絶縁膜１１４の成膜方法は、絶縁膜１０２と同様の成膜方法を適宜選択することができる
。また、絶縁膜１１４の膜厚は、好ましくは１ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは
５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とするとよい。なお、絶縁膜１１４を形成する際、酸化物半導体
膜１０６ａの表面から酸素の脱離量を低減するため、絶縁膜１１４の成膜温度は、可能な
限り低い温度、好ましくは室温で成膜することが望ましい。
【０１３０】
次に、導電膜１１６を形成した後、絶縁膜１１８を形成する（図４（Ｃ）参照）。導電膜
１１６は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等を用いて形成する。また、導電膜１１
６は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選
ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、又は上述した金属元素を組み合わ
せた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか
一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。
【０１３１】
また、導電膜１１６は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリ
コンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造
、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積
層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
などがある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ク
ロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、
もしくは窒化膜を用いてもよい。
【０１３２】
また、導電膜１１６は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化珪素を添加したイン
ジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透
光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【０１３３】
また、絶縁膜１１４と導電膜１１６との間に、絶縁膜１１４に接する材料膜として、窒素
を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｇ
ａ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＳｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ
−Ｏ膜や、金属窒化膜（ＩｎＮ、ＺｎＮなど）を設けることが好ましい。これらの膜は５
ｅＶ、好ましくは５．５ｅＶ以上の仕事関数を有し、トランジスタの電気特性のしきい値
電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現できる。
例えば、窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いる場合、少なくとも酸化物半導体膜１
０６ａより高い窒素濃度、具体的には７原子％以上の窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜
を用いる。
【０１３４】
絶縁膜１１８は、絶縁膜１０２と同様の材料および成膜方法を用いて形成することができ
る。また、絶縁膜１１８の膜厚は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とする。本実施の形態で
は、絶縁膜１１８として、酸化窒化シリコン膜を用いて形成する。
【０１３５】
次に、絶縁膜１１８上にマスクを形成して導電膜１１６および絶縁膜１１８をエッチング
して、ゲート電極１１６ａおよび絶縁膜１１８ａを形成する（図４（Ｄ）参照）。絶縁膜
１１８上に形成するマスクの形成には、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ
法を適宜用いることができる。なお、ゲート電極１１６ａおよび絶縁膜１１８ａを形成し
た後、マスクを除去する。絶縁膜１１８ａを形成することにより、後に形成されるソース
電極およびドレイン電極と、ゲート電極１１６ａとがショートすることを防止することが
できる。
【０１３６】
導電膜１１６および絶縁膜１１８のエッチングには、ウエットエッチングまたはドライエ
ッチングを用いることができ、ウエットエッチングとドライエッチングを組み合わせて用
いてもよい。導電膜１１６および絶縁膜１１８を所望の形状にエッチングできるよう、材
料に合わせてエッチング条件（エッチングガスやエッチング液、エッチング時間、温度等
）を適宜設定する。ただし、トランジスタのチャネル長（Ｌ）を微細に加工するためには
、ドライエッチングを用いることが好ましい。
【０１３７】
絶縁膜１１８のドライエッチングに用いるエッチング用ガスとしては、例えば、六フッ化
硫黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）などのフッ
素を含むガス、又は、四フッ化炭素（ＣＦ４）と水素の混合ガス等を用いることができ、
希ガス（ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ））、一酸化炭素、又は
二酸化炭素等を添加しても良い。また、導電膜１１６のエッチング用ガスとしては、塩素
、塩化ホウ素、塩化珪素、四塩化炭素などの塩素系ガス、四フッ化炭素、フッ化硫黄、フ
ッ化窒素などのフッ素系ガス、または酸素などを適宜用いることができる。
【０１３８】
次に、酸化物半導体膜１０６ａにドーパント添加する処理を行って、ドーパントを含む領
域１２０ａ、１２０ｂを形成する（図５（Ａ）参照）。ゲート電極１１６ａおよび絶縁膜
１１８ａをマスクとしてドーパントを添加することにより、セルフアラインでドーパント
が添加されたドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂ、およびドーパントが添加されな
い領域（チャネル形成領域１２２）を形成することができる。
【０１３９】
酸化物半導体膜１０６ａにドーパントを添加する方法として、イオンドーピング法、イオ
ンインプランテーション法、またはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法
等を用いることができる。また、添加するドーパントとしては、窒素、リン、若しくは砒
素などの１５族元素、ホウ素、アルミニウムなどの１３族元素、水素、ヘリウム、ネオン
、アルゴン、クリプトン、またはキセノンから少なくとも一つを選択する。ここでは、ゲ
ート電極１１６ａおよび絶縁膜１１８ａがマスクとなるため、ドーパントが添加される領
域であるドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂと、チャネル形成領域１２２をセルフ
アラインで形成することができる。
【０１４０】
さらに、上記ドーパントの添加はイオンドーピング法、イオンインプランテーション法、
またはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法等による注入する以外の方法
でも行うことができる。例えば、添加する元素を含むガス雰囲気にてプラズマを発生させ
て、被添加物に対してプラズマ処理を行うことによって、ドーパントを添加することがで
きる。上記プラズマを発生させる装置としては、ドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ
装置、高密度プラズマＣＶＤ装置などを用いることができる。
【０１４１】
ドーパントの添加の条件として、例えば、ドーパントが窒素の場合、加速電圧を２０ｋＶ
として行う。また、ドーパントがリンの場合、加速電圧を４０ｋＶとして行う。後の工程
で形成するゲート絶縁膜１１４ａの厚さ、材料等によるが、窒素又はリンのドーズ量が１
×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下の場合は、４５０℃未満で熱処理を行うことが好ましい
。これにより、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂにおいてシート抵抗を１×１０
７Ω／ｓｑ．以下とすることができる。また、ドーズ量が５×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２
以上５×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２未満の場合は、４５０℃以上６００℃以下で熱処理を
行うことが好ましい。これにより、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂにおいてシ
ート抵抗を１×１０５Ω／ｓｑ．以下とすることができる。さらに、ドーズ量が５×１０
１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上の場合は、６００℃より高い温度で熱処理を行うことが好まし
い。これにより、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂにおいてシート抵抗を１×１
０５Ω／ｓｑ．以下とすることができる。
【０１４２】
ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂにおいて、シート抵抗を低減することにより、
トランジスタのオン電流および電界効果移動度を向上させることができる。
【０１４３】
次に、絶縁膜１１２ａ、１１２ｂ、酸化物半導体膜１０６ａ、および絶縁膜１１８ａ等を
覆うように、絶縁膜１２４を形成する（図５（Ｂ）参照）。絶縁膜１２４は、絶縁膜１０
２と同様の材料および成膜方法を用いて形成することができる。例えば、窒化シリコン膜
上に酸化シリコン膜が成膜された積層構造を採用することもできる。本実施の形態では、
絶縁膜１２４は、酸化シリコン膜の単層構造を採用する。
【０１４４】
次に、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上４５
０℃以下、好ましくは２５０℃以上３２５℃以下とする。または、２５０℃から３２５℃
まで徐々に温度上昇させながら加熱してもよい。
【０１４５】
加熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜１０６ａに接している絶縁膜から酸化物半導
体膜１０６ａに酸素が拡散し、絶縁膜と接する酸化物半導体膜１０６ａの面とその近傍の
酸素欠陥を低減することができる。また、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂの抵
抗を低減することができる。なお、当該加熱処理を行った後、ドーパントを含む領域１２
０ａ、１２０ｂは、結晶状態でも非晶質状態でもよい。
【０１４６】
次に、絶縁膜１２４に異方性の高いエッチングを行うことにより、サイドウォール絶縁膜
１２４ａ、１２４ｂを形成する（図５（Ｃ）参照）。
【０１４７】
次に、導電膜１２８を形成する（図６（Ａ）参照）。導電膜１２８として、アルミニウム
、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タン
タル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を用いる。
また、導電膜１２８は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。例えば、シリコンを含
むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タング
ステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に
銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し
、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。また、導電膜１１６と同様に
、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。本実施の
形態では、導電膜１２８として、チタンを用いる場合について説明する。
【０１４８】
次に、導電膜１２８上にマスクを形成し、導電膜１２８をエッチングすることにより、導
電膜１２８ａ、１２８ｂを形成する（図６（Ｂ）参照）。導電膜１２８のエッチングには
、ウエットエッチングまたはドライエッチングを用いることができ、ウエットエッチング
とドライエッチングを組み合わせて用いてもよい。導電膜１２８を所望の形状にエッチン
グできるよう、材料に合わせてエッチング条件（エッチングガスやエッチング液、エッチ
ング時間、温度等）を適宜設定する。ただし、トランジスタを微細に加工するためには、
ドライエッチングを用いるのが好ましい。
【０１４９】
導電膜１２８のドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫
黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）などのフッ素
を含むガス、又は、四フッ化炭素（ＣＦ４）と水素の混合ガス等を用いることができ、希
ガス（ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ））、一酸化炭素、又は二
酸化炭素等を添加しても良い。
【０１５０】
導電膜１２８としてチタンを用いた場合のエッチング条件として、例えば、ＩＣＰ４５０
Ｗ、Ｂｉａｓ１００Ｗ、圧力１．９Ｐａ、エッチングガスは、ＢＣｌ３およびＣｌ２の混
合ガスとし、流量は、ＢＣｌ３／Ｃｌ２＝６０ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍとする。このよう
な条件を採用することにより、導電膜１２８ａ、１２８ｂを形成することができる。
【０１５１】
次に、導電膜１２８ａ、１２８ｂ、および絶縁膜１１８ａ上に絶縁膜１３０を形成し、該
絶縁膜１３０上に絶縁膜１３２を形成する（図６（Ｃ）参照）。絶縁膜１３０および絶縁
膜１３２は、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化ア
ルミニウム、酸化タンタル等の無機絶縁材料を含む材料を用いて形成することができる。
また、ポリイミド、アクリル等の有機絶縁材料を用いて形成することも可能である。ここ
では、絶縁膜１３０および絶縁膜１３２の二層構造としているが、トランジスタを覆う絶
縁膜の構成はこれに限定されない。絶縁膜１３２の形成後には、その表面を、ＣＭＰやエ
ッチング処理などによって平坦化してもよい。
【０１５２】
以上の工程により、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を作製することができる（
図６（Ｃ）参照）。
【０１５３】
本発明の一態様に係る作製方法によれば、酸化物半導体膜に含まれる水素を含む不純物の
濃度を低減することができる。したがって、該酸化物半導体膜のチャネル形成領域を、ｉ
型（真性）又はｉ型に限りなく近い半導体とすることができる。これにより、トランジス
タのオフ電流を極めて小さくすることができる。
【０１５４】
また、本発明の一態様に係る作製方法によれば、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜上
に酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜における酸
素欠陥と、絶縁膜および酸化物半導体膜の界面における界面準位を低減することができる
。また、酸化物半導体膜を選択的にエッチングした後、エッチングされた酸化物半導体膜
の側面と接するように、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を形成する。これにより、
エッチングされた酸化物半導体膜の側面が減圧雰囲気およびエッチャントに曝されないた
め、酸化物半導体膜の側面における酸素欠陥の生成を低減することができる。さらに、ゲ
ート絶縁膜を形成した後の加熱工程により、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜から酸
化物半導体膜に酸素が拡散するため、酸化物半導体膜の側面に酸素欠陥が生じたとしても
、当該酸素欠陥を補償することができる。この結果、トランジスタのしきい値電圧のマイ
ナスシフトを低減すると共に、トランジスタのソースおよびドレインにおけるリーク電流
を低減することが可能であり、トランジスタの電気特性を向上させることができる。
【０１５５】
次に、図２に示すトランジスタ２１０の作製方法について、図３乃至図５および図７を用
いて以下に説明する。
【０１５６】
図２に示すトランジスタ２１０において、図１に示すトランジスタ２００と異なる点は、
サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ、酸化物半導体膜１０６ａと接するように設け
られた導電膜１２６ａ、導電膜１２６ｂを有する点にある。そのため、導電膜１２６ａ、
１２６ｂを形成する前の工程に関する詳細な説明は省略する。
【０１５７】
まず、図３（Ａ）から図５（Ｃ）に示す工程に従って、基板１００上に設けられた絶縁膜
１０２ａと、酸化物半導体膜１０６ａと、酸化物半導体膜１０６ａの側面に接する絶縁膜
１１０ａと、絶縁膜１１０ａ上に設けられた絶縁膜１１２ａと、絶縁膜１１４と、絶縁膜
１１４上に設けられたゲート電極１１６ａと、ゲート電極１１６ａ上に設けられた絶縁膜
１１８ａと、を形成する。また、酸化物半導体膜１０６ａに、チャネル形成領域１２２と
、チャネル形成領域１２２を挟むようにドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂと、を
形成し、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂおよびゲート絶縁膜１１４ａを形成す
る。
【０１５８】
次に、導電膜１２６を形成し、該導電膜１２６上に、導電膜１２８を形成する（図７（Ａ
）参照）。導電膜１２６および導電膜１２８として、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングス
テンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を用いる。また、導電膜１２６お
よび導電膜１２８は、それぞれ単層構造でもよいし、積層構造でもよい。例えば、シリコ
ンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、
タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金
膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上に重ねてアルミニウム膜を
積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。また、導電膜１１６と
同様に、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。本
実施の形態では、導電膜１２６として、タングステンを用い、導電膜１２８として、チタ
ンを用いる場合について説明する。また、導電膜１２６の膜厚は、導電膜１２８の膜厚よ
りも薄いことが好ましい。例えば、導電膜１２６の膜厚は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下と
し、導電膜１２８の膜厚は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。導電膜１２６を薄く形
成することで、後の工程での加工が容易となる。より詳細には、導電膜１２６が厚い場合
、後のエッチング工程において、エッチングレートのばらつきが大きくなり、エッチング
の速い部分で導電膜１２６ａ、１２６ｂがサイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂに接
した構成とならない恐れがある。しかし導電膜１２６を薄く形成することで、導電膜１２
６のエッチングレートのばらつきを小さくでき、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４
ｂに接した導電膜１２６ａ、１２６ｂに加工することが容易となる。
【０１５９】
次に、導電膜１２８上にマスクを形成し、導電膜１２８をエッチングすることにより、導
電膜１２８ａ、１２８ｂを形成する（図７（Ｂ）参照）。導電膜１２８のエッチングには
、ウエットエッチングまたはドライエッチングを用いることができ、ウエットエッチング
とドライエッチングを組み合わせて用いてもよい。導電膜１２８を所望の形状にエッチン
グできるよう、材料に合わせてエッチング条件（エッチングガスやエッチング液、エッチ
ング時間、温度等）を適宜設定する。ただし、トランジスタを微細に加工するためには、
ドライエッチングを用いるのが好ましい。
【０１６０】
導電膜１２８のドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫
黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）などのフッ素
を含むガス、又は、四フッ化炭素（ＣＦ４）と水素の混合ガス等を用いることができ、希
ガス（ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ））、一酸化炭素、又は二
酸化炭素等を添加しても良い。
【０１６１】
導電膜１２６としてタングステンおよび導電膜１２８としてチタンを用いた場合のエッチ
ング条件として、例えば、ＩＣＰ４５０Ｗ、Ｂｉａｓ１００Ｗ、圧力１．９Ｐａ、エッチ
ングガスは、ＢＣｌ３およびＣｌ２の混合ガスとし、流量は、ＢＣｌ３／Ｃｌ２＝６０ｓ
ｃｃｍ／２０ｓｃｃｍとする。このような条件を採用することにより、導電膜１２８は除
去され、導電膜１２６が除去されないようにすることが可能である。また、導電膜１２８
が除去されることによって、導電膜１２８ａ、１２８ｂを形成することができる。
【０１６２】
次に、導電膜１２８ａ、１２８ｂ、および導電膜１２６上にマスクを形成し、導電膜１２
６の、ゲート電極１１６ａと重なる部分を含む一部をエッチングすることにより、導電膜
１２６ａ、１２６ｂを形成する（図７（Ｃ）参照）。これにより、ソース電極およびドレ
イン電極を形成することができる。導電膜１２６ａ、１２６ｂを、サイドウォール絶縁膜
１２４ａ、１２４ｂに接して設けることにより、マスクずれが生じたとしても酸化物半導
体膜１０６ａの表面を導電膜１２６ａ、１２６ｂで確実に覆うことができる。また、マス
クずれに伴うトランジスタの電気特性のバラツキを抑制することができる。さらに、ソー
ス電極およびドレイン電極を形成する際に、酸化物半導体膜１０６ａがエッチングガスに
曝されないため、好ましい。また、ゲート電極１１６ａ上に絶縁膜１１８ａが形成されて
いるため、導電膜１２６ａ、１２６ｂと、ゲート電極１１６ａとがショートすることを防
止することができる。
【０１６３】
導電膜１２６としてタングステンを用いた場合のエッチング条件として、例えば、ＩＣＰ
５００Ｗ、Ｂｉａｓ１０Ｗ、圧力１．５Ｐａ、エッチングガスは、ＣＦ４、Ｃｌ２および
Ｏ２の混合ガスとし、流量は、ＣＦ４／Ｃｌ２／Ｏ２＝２５ｓｃｃｍ／２５ｓｃｃｍ／１
０ｓｃｃｍとする。このような条件を採用することにより、導電膜１２６の一部は除去さ
れ、絶縁膜１１８ａ、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂが除去されないようにす
ることが可能である。また、導電膜１２６の一部が除去されることによって、導電膜１２
６ａ、１２６ｂを形成することができる。
【０１６４】
次に、導電膜１２６ａ、１２６ｂ、導電膜１２８ａ、１２８ｂ、および絶縁膜１１８ａ上
に絶縁膜１３０を形成し、該絶縁膜１３０上に絶縁膜１３２を形成する（図７（Ｄ）参照
）。絶縁膜１３０および絶縁膜１３２は、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の無機絶縁材料を含む材料を用
いて形成することができる。また、ポリイミド、アクリル等の有機絶縁材料を用いて形成
することも可能である。ここでは、絶縁膜１３０および絶縁膜１３２の二層構造としてい
るが、トランジスタを覆う絶縁膜の構成はこれに限定されない。絶縁膜１３２の形成後に
は、その表面を、ＣＭＰやエッチング処理などによって平坦化してもよい。
【０１６５】
以上の工程により、本発明の一態様に係るトランジスタ２１０を作製することができる（
図７（Ｄ）参照）。
【０１６６】
本発明の一態様に係る作製方法によれば、酸化物半導体膜に含まれる水素を含む不純物を
低減することができる。したがって、該酸化物半導体膜のチャネル形成領域を、ｉ型（真
性）又はｉ型に限りなく近い半導体とすることができる。これにより、トランジスタのオ
フ電流を極めて小さくすることができる。
【０１６７】
また、本発明の一態様に係る作製方法によれば、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜上
に酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜における酸
素欠陥と、絶縁膜と酸化物半導体膜との界面における界面準位を低減することができる。
また、酸化物半導体膜を選択的にエッチングした後、エッチングされた酸化物半導体膜の
側面と接するように、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を形成する。これにより、エ
ッチングされた酸化物半導体膜の側面が減圧雰囲気およびエッチャントに曝されないため
、酸化物半導体膜の側面における酸素欠陥の生成を低減することができる。さらに、ゲー
ト絶縁膜を形成した後の加熱工程により、加熱処理により酸素が脱離する絶縁膜から酸化
物半導体膜に酸素が拡散するため、酸化物半導体膜の側面に酸素欠陥が生じたとしても、
当該酸素欠陥を補償することができる。この結果、トランジスタのしきい値電圧のマイナ
スシフトを低減すると共に、トランジスタのソースおよびドレインにおけるリーク電流を
低減することが可能であり、トランジスタの電気特性を向上させることができる。
【０１６８】
ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜１２６ａ、１２６ｂを、サイドウォ
ール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂに接して設けることにより、トランジスタの作製工程にお
いてマスクずれが生じたとしても確実に酸化物半導体膜１０６ａの表面を導電膜１２６ａ
、１２６ｂで覆うことができる。また、マスクずれに伴うトランジスタの電気特性のバラ
ツキを抑制することができる。さらに、ソース電極およびドレイン電極を形成する際に、
酸化物半導体膜１０６ａがエッチングガスに曝されないため、好ましい。また、ゲート電
極１１６ａ上に絶縁膜１１８ａが形成されていることにより、導電膜１２６ａ、１２６ｂ
と、ゲート電極１１６ａとがショートすることを防止することができる。
【０１６９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図１および図２に示すトランジスタと比較してオン電流の高いトラン
ジスタの作製方法の一例について、図３乃至図１１を用いて説明する。
【０１７０】
まず、図１に示すトランジスタと比較してオン電流の高いトランジスタの作製方法の一例
について、図３〜図５および図８を用いて説明する。図８（Ｂ）に示すトランジスタ２２
０は、図１に示すトランジスタ２００と比較して、酸化物半導体膜１０６ａに形成される
ドーパントを含む領域の構造が異なる。
【０１７１】
まず、図１に示すトランジスタ２００と同様に、図３（Ａ）乃至図５（Ｃ）の工程を経て
、基板１００上に設けられた絶縁膜１０２ａと、酸化物半導体膜１０６ａと、酸化物半導
体膜１０６ａの側面に接する絶縁膜１１０ａと、絶縁膜１１０ａ上に設けられた絶縁膜１
１２ａと、絶縁膜１１４と、絶縁膜１１４上に設けられたゲート電極１１６ａと、ゲート
電極１１６ａ上に設けられた絶縁膜１１８ａと、酸化物半導体膜１０６ａに、チャネル形
成領域１２２と、チャネル形成領域１２２を挟むようにドーパントを含む領域１２０ａ、
１２０ｂと、を形成する。また、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂおよびゲート
絶縁膜１１４ａを形成する。
【０１７２】
次に、酸化物半導体膜１０６ａにさらにドーパント添加する処理を行って、ドーパントを
含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂを形成する（図８（Ａ）参照）。ここ
では、ゲート電極１１６ａおよび絶縁膜１１８ａ並びにサイドウォール絶縁膜１２４ａ、
１２４ｂをマスクとしてドーパントを酸化物半導体膜１０６ａに添加することにより、セ
ルフアラインでドーパントが添加されたドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４
２ａ、１４２ｂ、およびドーパントが添加されない領域（チャネル形成領域１２２）を形
成することができる。
【０１７３】
例えば、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂのドーパントの濃度は、図５（Ａ）に
示すドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂのドーパントの濃度と同程度とすることが
好ましい。また、ドーパントを含む領域１４２ａ、１４２ｂのドーパントの濃度は、ドー
パントを含む領域１４０ａ、１４０ｂよりも高濃度とすることが好ましい。
【０１７４】
具体的には、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂに含まれる
ドーパントの濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３未満とする。
【０１７５】
なお、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂを形成した後、加
熱処理を行って、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂのシー
ト抵抗を更に低減してもよい。
【０１７６】
この結果、後に形成する導電膜１２８ａ、１２８ｂと、ドーパントを含む領域１４２ａ、
１４２ｂとの接触抵抗を低減すると共に、チャネル形成領域１２２の端部に加わる電界を
緩和させることができる。この結果、後に形成されるトランジスタのオン電流を高めると
ともに、短チャネル効果を抑制することができる。
【０１７７】
この後、導電膜１２８ａ、１２８ｂを形成する。次に、導電膜１２８ａ、１２８ｂ、およ
び絶縁膜１１８ａ上に絶縁膜１３０を形成し、該絶縁膜１３０上に絶縁膜１３２を形成す
る。
【０１７８】
以上の工程により、本発明の一態様に係るトランジスタ２２０を作製することができる（
図８（Ｂ）参照）。本実施の形態に示すトランジスタは、酸化物半導体膜において、チャ
ネル領域となるチャネル形成領域１２２と、チャネル形成領域１２２を挟むドーパントを
含む領域１４０ａ、１４０ｂと、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂを挟むと共に
、ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜１２８ａ、１２８ｂと接するドー
パントを含む領域１４２ａ、１４２ｂとを有する。このため、トランジスタのオン電流を
高めるとともに、短チャネル効果を抑制することができる。また、トランジスタのしきい
値電圧のマイナスシフトを低減すると共に、トランジスタのソースおよびドレインにおけ
るリーク電流を低減することが可能であり、トランジスタの電気特性を向上させることが
できる。
【０１７９】
次に、図１に示すトランジスタ２００と比較してオン電流の高いトランジスタの作製方法
の他の一例について、図３〜図５および図９を用いて説明する。図９（Ｂ）に示すトラン
ジスタ２３０は、図１および図８（Ｂ）に示すトランジスタと比較して、酸化物半導体膜
１０６ａに形成されるドーパントを含む領域の構造が異なる。
【０１８０】
まず、図１に示すトランジスタ２００と同様に、図３（Ａ）乃至図５（Ｃ）の工程を経て
、基板１００上に設けられた絶縁膜１０２ａと、酸化物半導体膜１０６ａと、酸化物半導
体膜１０６ａの側面に接する絶縁膜１１０ａと、絶縁膜１１０ａ上に設けられた絶縁膜１
１２ａと、ゲート絶縁膜１１４ａと、ゲート絶縁膜１１４ａ上に設けられたゲート電極１
１６ａと、ゲート電極１１６ａ上に設けられた絶縁膜１１８ａと、酸化物半導体膜１０６
ａに、チャネル形成領域１２２と、チャネル形成領域１２２を挟むドーパントを含む領域
１２０ａ、１２０ｂと、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂを形成する。
【０１８１】
次に、導電膜を形成した後、導電膜を選択的にエッチングして、導電膜１２８ａ、１２８
ｂを形成する（図９（Ａ）参照）。
【０１８２】
次に、酸化物半導体膜１０６ａにさらにドーパント添加する処理を行って、ドーパントを
含む領域１５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂを形成する（図
９（Ａ）参照）。ここでは、ゲート電極１１６ａおよび絶縁膜１１８ａ、サイドウォール
絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ、並びに導電膜１２８ａ、１２８ｂをマスクとしてドーパント
を添加することにより、セルフアラインでドーパントが添加されたドーパントを含む領域
１５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂ、およびドーパントが添
加されない領域（チャネル形成領域１２２）を形成することができる。
【０１８３】
例えば、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂの濃度は、図５（Ａ）に示すドーパン
トを含む領域１２０ａ、１２０ｂの濃度と同程度とすることが好ましい。また、ドーパン
トを含む領域１５２ａ、１５２ｂの濃度は、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂよ
りも高濃度とすることが好ましい。
【０１８４】
ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂに
含まれるドーパントの濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３未満とする。なお、ドーパントが、露出した酸化物半導体膜１０６ａに添加
されることにより、ドーパントを含む領域１５２ａ、１５２ｂが形成される。一方、サイ
ドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ、および導電膜１２８ａ、１２８ｂと重畳する酸化
物半導体膜１０６ａにおいては、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ、および導電
膜１２８ａ、１２８ｂがマスクとなり、ドーパントが添加されないため、ドーパントを含
む領域１５０ａ、１５０ｂ、およびドーパントを含む領域１５４ａ、１５４ｂにおけるド
ーパントの濃度は略同じである。以上のことから、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５
０ｂ、１５４ａ、１５４ｂと比較して、ドーパントを含む領域１５２ａ、１５２ｂにおけ
るドーパントの濃度が高い。
【０１８５】
なお、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５
４ｂを形成した後、加熱処理を行って、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂ、１５
２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂのシート抵抗を更に低減してもよい。
【０１８６】
この結果、導電膜１２８ａ、１２８ｂと、ドーパントを含む領域１５４ａ、１５４ｂとの
接触抵抗を低減すると共に、チャネル形成領域１２２の端部に加わる電界を緩和させるこ
とができる。この結果、後に形成されるトランジスタのオン電流を高めるとともに、短チ
ャネル効果を抑制することができる。
【０１８７】
この後、導電膜１２８ａ、１２８ｂ、および絶縁膜１１８ａ上に絶縁膜１３０を形成し、
該絶縁膜１３０上に絶縁膜１３２を形成する。
【０１８８】
以上の工程により、本発明の一態様に係るトランジスタ２３０を作製することができる（
図９（Ｂ）参照）。本実施の形態に示すトランジスタは、酸化物半導体膜において、チャ
ネル領域となるチャネル形成領域１２２と、チャネル形成領域１２２を挟むドーパントを
含む領域１５０ａ、１５０ｂと、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂを挟むと共に
、ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜１２８ａ、１２８ｂと接するドー
パントを含む領域１５４ａ、１５４ｂとを有する。このため、トランジスタのオン電流を
高めるとともに、短チャネル効果を抑制することができる。また、トランジスタのしきい
値電圧のマイナスシフトを低減すると共に、トランジスタのソースおよびドレインにおけ
るリーク電流を低減することが可能であり、トランジスタの電気特性を向上させることが
できる。
【０１８９】
次に、図２に示すトランジスタ２１０と比較してオン電流の高いトランジスタの作製方法
の一例について、図３〜図５および図１０を用いて説明する。図１０（Ｂ）に示すトラン
ジスタ２４０は、図２に示すトランジスタ２１０と比較して、酸化物半導体膜１０６ａに
形成されるドーパントを含む領域の構造が異なる。
【０１９０】
まず、図２に示すトランジスタ２１０と同様に、図３（Ａ）乃至図５（Ｃ）の工程を経て
、基板１００上に設けられた絶縁膜１０２ａと、酸化物半導体膜１０６ａと、酸化物半導
体膜１０６ａの側面に接する絶縁膜１１０ａと、絶縁膜１１０ａ上に設けられた絶縁膜１
１２ａと、ゲート絶縁膜１１４ａと、ゲート絶縁膜１１４ａ上に設けられたゲート電極１
１６ａと、ゲート電極１１６ａ上に設けられた絶縁膜１１８ａと、酸化物半導体膜１０６
ａに、チャネル形成領域１２２と、チャネル形成領域１２２を挟むようにドーパントを含
む領域１２０ａ、１２０ｂと、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂを形成する。
【０１９１】
次に、酸化物半導体膜１０６ａにさらにドーパント添加する処理を行って、ドーパントを
含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂを形成する（図１０（Ａ）参照）。こ
こでは、ゲート電極１１６ａおよび絶縁膜１１８ａ並びにサイドウォール絶縁膜１２４ａ
、１２４ｂをマスクとしてドーパントを酸化物半導体膜１０６ａに添加することにより、
セルフアラインでドーパントが添加されたドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１
４２ａ、１４２ｂ、およびドーパントが添加されない領域（チャネル形成領域１２２）を
形成することができる。
【０１９２】
例えば、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂのドーパントの濃度は、図５（Ａ）に
示すドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂのドーパントの濃度と同程度とすることが
好ましい。また、ドーパントを含む領域１４２ａ、１４２ｂのドーパントの濃度は、ドー
パントを含む領域１４０ａ、１４０ｂよりも高濃度とすることが好ましい。
【０１９３】
具体的には、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂに含まれる
ドーパントの濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３未満とする。
【０１９４】
なお、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂを形成した後、加
熱処理を行って、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂ、１４２ａ、１４２ｂのシー
ト抵抗を更に低減してもよい。
【０１９５】
この結果、後に形成する導電膜１２６ａ、１２６ｂと、ドーパントを含む領域１４２ａ、
１４２ｂとの接触抵抗を低減すると共に、チャネル形成領域１２２の端部に加わる電界を
緩和させることができる。この結果、後に形成されるトランジスタのオン電流を高めると
ともに、短チャネル効果を抑制することができる。
【０１９６】
この後、導電膜１２６ａ、１２６ｂ、導電膜１２８ａ、１２８ｂを形成する。導電膜１２
６ａ、１２６ｂを、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂに接して設けることにより
、マスクずれが生じたとしても確実に酸化物半導体膜１０６ａの表面を導電膜で覆うこと
ができる。また、マスクずれに伴うトランジスタの電気特性のバラツキを抑制することが
できる。さらに、ソース電極およびドレイン電極を形成する際に、酸化物半導体膜１０６
ａがエッチングガスに曝されないため、好ましい。
【０１９７】
次に、導電膜１２６ａ、１２６ｂ、導電膜１２８ａ、１２８ｂ、および絶縁膜１１８ａ上
に絶縁膜１３０を形成し、該絶縁膜１３０上に絶縁膜１３２を形成する。
【０１９８】
以上の工程により、本発明の一態様に係るトランジスタ２４０を作製することができる（
図１０（Ｂ）参照）。本実施の形態に示すトランジスタは、酸化物半導体膜において、チ
ャネル領域となるチャネル形成領域１２２と、チャネル形成領域１２２を挟むドーパント
を含む領域１４０ａ、１４０ｂと、ドーパントを含む領域１４０ａ、１４０ｂを挟むと共
に、ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜１２６ａ、１２６ｂと接するド
ーパントを含む領域１４２ａ、１４２ｂとを有する。このため、トランジスタのオン電流
を高めるとともに、短チャネル効果を抑制することができる。また、トランジスタのしき
い値電圧のマイナスシフトを低減すると共に、トランジスタのソースおよびドレインにお
けるリーク電流を低減することが可能であり、トランジスタの電気特性を向上させること
ができる。
【０１９９】
次に、図２に示すトランジスタと比較してオン電流の高いトランジスタの作製方法の他の
一例について、図３〜図５、図７（Ａ）〜（Ｃ）および図１１を用いて説明する。図１１
（Ｂ）に示すトランジスタ２５０は、図２および図１０（Ｂ）に示すトランジスタと比較
して、酸化物半導体膜１０６ａに形成されるドーパントを含む領域の構造が異なる。
【０２００】
図２に示すトランジスタと同様に、図３乃至図５の工程を経て、基板１００上に設けられ
た絶縁膜１０２ａと、酸化物半導体膜１０６ａと、酸化物半導体膜１０６ａの側面に接す
る絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ａ上に設けられた絶縁膜１１２ａと、ゲート絶縁膜１１
４ａと、ゲート絶縁膜１１４ａ上に設けられたゲート電極１１６ａと、ゲート電極１１６
ａ上に設けられた絶縁膜１１８ａと、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂを形成す
る。
【０２０１】
次に、２層の導電膜を形成した後、それぞれの導電膜を選択的にエッチングして、導電膜
１２６ａ、１２６ｂ、１２８ａ、１２８ｂを形成する（図１１（Ａ）参照）。
【０２０２】
次に、酸化物半導体膜１０６ａにドーパント添加する処理を行って、ドーパントを含む領
域１５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂを形成する（図１１（
Ａ）参照）。ここでは、ゲート電極１１６ａおよび絶縁膜１１８ａ、サイドウォール絶縁
膜１２４ａ、１２４ｂ、ならびに導電膜１２８ａ、１２８ｂをマスクとしてドーパントを
添加することにより、セルフアラインでドーパントが添加されたドーパントを含む領域１
５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂ、およびドーパントが添加
されない領域（チャネル形成領域１２２）を形成することができる。
【０２０３】
例えば、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂのドーパントの濃度は、図５（Ａ）に
示すドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂのドーパントの濃度と同程度とすることが
好ましい。また、ドーパントを含む領域１５２ａ、１５２ｂのドーパントの濃度は、ドー
パントを含む領域１５０ａ、１５０ｂよりも高濃度とすることが好ましい。
【０２０４】
ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂに
含まれるドーパントの濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３未満とする。なお、導電膜１２６ａ、１２６ｂを透過したドーパントが酸化
物半導体膜１０６ａに添加され、ドーパントを含む領域１５２ａ、１５２ｂが形成される
。一方、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ、および導電膜１２８ａ、１２８ｂと
重畳する酸化物半導体膜１０６ａにおいては、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂ
ならびに導電膜１２８ａ、１２８ｂがマスクとなり、ドーパントが添加されないため、ド
ーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂ、およびドーパントを含む領域１５４ａ、１５４
ｂにおけるドーパントの濃度は略同じである。以上のことから、ドーパントを含む領域１
５０ａ、１５０ｂ、１５４ａ、１５４ｂと比較して、ドーパントを含む領域１５２ａ、１
５２ｂにおけるドーパントの濃度が高い。
【０２０５】
なお、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５
４ｂを形成した後、加熱処理を行って、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂ、１５
２ａ、１５２ｂ、１５４ａ、１５４ｂのシート抵抗を更に低減してもよい。
【０２０６】
この結果、導電膜１２６ａ、１２６ｂと、ドーパントを含む領域１５２ａ、１５２ｂとの
接触抵抗を低減すると共に、チャネル形成領域１２２の端部に加わる電界を緩和させるこ
とができる。この結果、後に形成されるトランジスタのオン電流を高めるとともに、短チ
ャネル効果を抑制することができる。
【０２０７】
この後、導電膜１２６ａ、１２６ｂ、導電膜１２８ａ、１２８ｂ、および絶縁膜１１８ａ
上に絶縁膜１３０を形成し、該絶縁膜１３０上に絶縁膜１３２を形成する。
【０２０８】
以上の工程により、本発明の一態様に係るトランジスタ２５０を作製することができる（
図１１（Ｂ）参照）。本実施の形態に示すトランジスタは、酸化物半導体膜において、チ
ャネル領域となるチャネル形成領域１２２と、チャネル形成領域１２２を挟むドーパント
を含む領域１５０ａ、１５０ｂと、ドーパントを含む領域１５０ａ、１５０ｂを挟むと共
に、ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜１２６ａ、１２６ｂと接するド
ーパントを含む領域１５２ａ、１５２ｂとを有する。このため、トランジスタのオン電流
を高めるとともに、短チャネル効果を抑制することができる。また、トランジスタのしき
い値電圧のマイナスシフトを低減すると共に、トランジスタのソースおよびドレインにお
けるリーク電流を低減することが可能であり、トランジスタの電気特性を向上させること
ができる。
【０２０９】
また、導電膜１２６ａ、１２６ｂを介して酸化物半導体膜にドーパントを添加することに
より、酸化物半導体膜がドーパントの添加により損傷を受けることを抑制することができ
るため、好ましい。
【０２１０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図１および図２に示す半導体装置と一部異なる構造を有する半導体装
置について、図１２を参照して説明する。
【０２１１】
図１２（Ａ）は、図１と一部異なる構造を有するトランジスタ２６０である。図１に示す
トランジスタ２００は、図３（Ｅ）に示すように、絶縁膜１１２に平坦化処理を行った後
に、絶縁膜１１０を酸化物半導体膜１０６ａが露出するまで除去しているため、絶縁膜１
１０ａおよび絶縁膜１１２ａにおいて段差が生じている。これに対し、図１２（Ａ）に示
す半導体装置は、絶縁膜１１２および絶縁膜１１０に平坦化処理を行っているため、絶縁
膜１１０ａおよび絶縁膜１１２ａにおいて、段差が生じない。これにより、導電膜１２８
ａおよび導電膜１２８ｂの被覆性を良好にすることができる。
【０２１２】
また、図３（Ａ）において説明したように、基板１００上に設ける絶縁膜を積層構造とし
てもよい。図１２（Ａ）の場合は、絶縁膜１０２ｂと絶縁膜１０２ａの２層構造とし、絶
縁膜１０２ｂとして、酸化アルミニウム膜を用い、絶縁膜１０２ａとして酸化シリコン膜
を用いる場合について示す。
【０２１３】
図１２（Ｂ）は、図２および図１２（Ａ）と一部異なる構造を有するトランジスタ２７０
である。図２に示すトランジスタ２１０は、図３（Ｅ）に示すように、絶縁膜１１２に平
坦化処理を行った後に、絶縁膜１１０を酸化物半導体膜１０６ａが露出するまで除去して
いるため、絶縁膜１１０ａおよび絶縁膜１１２ａにおいて段差が生じている。これに対し
、図１２（Ｂ）に示す半導体装置は、絶縁膜１１２および絶縁膜１１０に平坦化処理を行
っているため、絶縁膜１１０ａおよび絶縁膜１１２ａにおいて、段差が生じない。これに
より、導電膜１２６ａ、１２６ｂ、導電膜１２８ａ、１２８ｂの被覆性を良好にすること
ができる。
【０２１４】
また、図３（Ａ）において説明したように、基板１００上に設ける絶縁膜を積層構造とし
てもよい。図１２（Ｂ）の場合は、絶縁膜１０２ｂと絶縁膜１０２ａの２層構造とし、絶
縁膜１０２ｂとして、酸化アルミニウム膜を用い、絶縁膜１０２ａとして酸化シリコン膜
を用いる場合について示す。
【０２１５】
図１２（Ｃ）は、図２、図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）と一部異なる構造を有するトラ
ンジスタ２８０である。図２に示すトランジスタ２１０は、導電膜１２６ａ上に導電膜１
２６ａよりも膜厚が厚い導電膜１２８ａが形成され、導電膜１２６ｂ上に導電膜１２６ｂ
よりも膜厚が厚い導電膜１２８ｂが形成されている。これに対し、図１２（Ｃ）に示すト
ランジスタ２８０は、膜厚が厚い導電膜１２８ａ、１２８ｂ上に導電膜１２６ａ、１２６
ｂが形成され、導電膜１２６ａ、１２６ｂがサイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂと
接している。
【０２１６】
図１２（Ａ）乃至図１２（Ｃ）に示す半導体装置は、図１、図２、および図８乃至図１１
に示す半導体装置と自由に組み合わせることができる。
【０２１７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すトランジスタを用いた半導体装置の回路構成お
よび動作の例について、図１３乃至図１５を参照して説明する。なお、回路図においては
、酸化物半導体を用いたトランジスタであることを示すために、ＯＳの符号を併せて付す
場合がある。
【０２１８】
〈半導体装置の断面構成〉
はじめに、半導体装置の断面構成の一例について、図１３（Ａ）を参照して説明する。図
１３（Ａ）に示す半導体装置は、下部に第１の半導体材料を用いたトランジスタ１６０を
有し、上部に容量素子１６４と、第２の半導体材料を用いたトランジスタ３００を有する
ものである。また、トランジスタ１６０と、トランジスタ３００と、容量素子１６４とで
、１つのメモリセルを構成する。
【０２１９】
図１３（Ａ）におけるトランジスタ１６０は、基板１００上に、半導体材料（例えば、シ
リコンなど）を含むチャネル形成領域１１７ａと、チャネル形成領域１１７ａを挟むよう
に設けられた不純物領域１１９ａおよび不純物領域１１９ｂと、チャネル形成領域１１７
ａ上に設けられたゲート絶縁層１０８と、ゲート絶縁層１０８上に設けられたゲート電極
１０９と、を有する。なお、図１３（Ａ）において、明示的にはソース電極やドレイン電
極を有しない場合について示すが、便宜上、このような状態を含めてトランジスタと呼ぶ
。また、この場合、トランジスタの接続関係を説明するために、ソース領域やドレイン領
域を含めてソース電極やドレイン電極と表現することがある。つまり、本明細書において
、ソース電極との記載には、ソース領域が含まれうる。
【０２２０】
不純物領域１１９ａは、トランジスタ１６０のソース電極およびドレイン電極の一方とし
て機能する。不純物領域１１９ｂは、トランジスタ１６０のソース電極およびドレイン電
極の他方として機能する。また、図１３（Ａ）において、不純物領域１１９ｂは、不純物
領域１２１、配線１０７、および酸化物半導体層のドーパントを含む領域１２０ｂを介し
て導電膜１２８ｂに接続されている。すなわち、トランジスタ１６０のソース電極または
ドレイン電極の他方とトランジスタ３００のソース電極またはドレイン電極の一方は電気
的に接続されている。
【０２２１】
ただし、本発明の一態様はこれに限られるものではない。メモリセル、トランジスタおよ
び容量素子の電気的接続は適宜変更することができる。例えば、不純物領域１１９ｂは、
不純物領域１２１および不純物領域１１９ｃを介して、他のメモリセルの不純物領域１１
９ａと電気的に接続していてもよい。その場合、ゲート絶縁層１０８には開口が形成され
なくてもよい。また配線１０７が形成されなくてもよい。すなわち、トランジスタ１６０
のソース電極またはドレイン電極の他方と他のメモリセルのトランジスタ１６０のソース
電極またはドレイン電極の一方とが電気的に接続される場合は、トランジスタ１６０のソ
ース電極またはドレイン電極の他方とトランジスタ３００のソース電極またはドレイン電
極の一方は、電気的に接続されていなくてもよい。
【０２２２】
配線１０７はゲート電極１０９と同様の材料および工程により形成することができる。配
線１０７を設けることにより、ＣＭＰ処理の際に生じるディッシングを防ぐことができ、
絶縁膜１０２ａ、ゲート電極１０９および配線１０７の上面をより平坦化することができ
る。
【０２２３】
なお、図１３（Ａ）においてゲート電極１０９および配線１０７は１層となっているが、
これに限定されるものではない。ゲート電極１０９および配線１０７を２層以上の構造と
してもよい。例えば、窒化タンタル層の上にタングステン層を積層した構造としてもよい
。窒化タンタルは仕事関数が大きいため、タングステンのみを用いる場合と比べトランジ
スタ１６０のしきい値電圧の絶対値を大きくすることができ、また応力を緩和することが
できる。また、窒化タンタルのみを用いる場合と比べゲート電極１０９の抵抗を低減する
ことができる。
【０２２４】
なお、高集積化を実現するためには、図１３（Ａ）に示すようにトランジスタ１６０がサ
イドウォール絶縁層を有しない構成とすることが望ましい。一方で、トランジスタ１６０
の特性を重視する場合には、ゲート電極１０９の側面にサイドウォール絶縁層を設け、そ
のサイドウォール絶縁層と重畳する領域に形成された不純物濃度が異なる領域を含めて不
純物領域１１９ａ、不純物領域１１９ｂを設けても良い。
【０２２５】
図１３（Ａ）におけるトランジスタ３００には、本発明の一態様に係るトランジスタが適
用される。トランジスタ３００は、チャネル形成領域１２２ａと、ゲート電極１１６ａと
、ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂと、サイドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４
ｂと、ゲート絶縁膜１１４ａと、絶縁膜１１８ａと、導電膜１２８ｂと、を有する。
【０２２６】
図１３（Ａ）における容量素子１６４は、絶縁層１１４ｂ、電極１１６ｂ、酸化物半導体
層においてドーパントが添加されていない領域１２２ｂ、ゲート電極１０９、で構成され
る。すなわち、電極１１６ｂは、容量素子１６４の一方の電極として機能し、ゲート電極
１０９は、容量素子１６４の他方の電極として機能することになる。
【０２２７】
トランジスタ３００および容量素子１６４を覆うように絶縁膜１３０が設けられており、
絶縁膜１３０の上には絶縁膜１３２が設けられている。そして、絶縁膜１３０および絶縁
膜１３２に形成された開口とを介して、導電膜１２８ｂと配線１３４は接続されている。
なお、図１３（Ａ）では導電膜１２８ｂを用いてドーパントを含む領域１２０ｂと配線１
３４を接続しているが、開示する発明はこれに限定されない。例えば、配線１３４を直接
、ドーパントを含む領域１２０ｂに接触させてもよい。
【０２２８】
なお、上記トランジスタは、いずれもｎチャネル型トランジスタであるものとして説明す
るが、ｐチャネル型トランジスタを用いることができるのはいうまでもない。また、開示
する発明の技術的な本質は、情報を保持するために酸化物半導体のようなオフ電流を十分
に低減することが可能な半導体材料をトランジスタ３００に用いる点にあるから、半導体
装置に用いられる材料や半導体装置の構造など、半導体装置の具体的な構成をここで示す
ものに限定する必要はない。
【０２２９】
〈基本回路〉
次に、図１３（Ａ）で示した半導体装置の基本的な回路構成およびその動作について、図
１３（Ｂ）を参照して説明する。図１３（Ｂ）に示す半導体装置において、第１の配線（
１ｓｔ  Ｌｉｎｅ）とトランジスタ１６０のソース電極またはドレイン電極とは、電気的
に接続され、第２の配線（２ｎｄ  Ｌｉｎｅ）とトランジスタ１６０のドレイン電極また
はソース電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄ  Ｌｉｎｅ）と
トランジスタ３００のソース電極またはドレイン電極とは、電気的に接続され、第４の配
線（４ｔｈ  Ｌｉｎｅ）と、トランジスタ３００のゲート電極とは、電気的に接続されて
いる。そして、トランジスタ１６０のゲート電極と、トランジスタ３００のドレイン電極
またはソース電極とは、容量素子１６４の電極の一方と電気的に接続され、第５の配線（
５ｔｈ  Ｌｉｎｅ）と、容量素子１６４の電極の他方とは電気的に接続されている。なお
、第１の配線（１ｓｔ  Ｌｉｎｅ）と第３の配線（３ｒｄ  Ｌｉｎｅ）は電気的に接続さ
れていてもよい。
【０２３０】
ここで、トランジスタ３００には、本発明の一態様に係るトランジスタが適用される。本
発明の一態様に係るトランジスタは、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。
このため、トランジスタ３００をオフ状態とすることで、トランジスタ１６０のゲート電
極の電位を極めて長時間にわたって保持することが可能である。そして、容量素子１６４
を有することにより、トランジスタ１６０のゲート電極に与えられた電荷の保持が容易に
なり、また、保持された情報の読み出しが容易になる。
【０２３１】
なお、トランジスタ１６０については特に限定されない。情報の読み出し速度を向上させ
るという観点からは、例えば、単結晶シリコンを用いたトランジスタなど、スイッチング
速度の高いトランジスタを適用するのが好適である。
【０２３２】
図１３（Ｂ）に示す半導体装置では、トランジスタ１６０のゲート電極の電位が保持可能
という特徴を生かすことで、次のように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である
。
【０２３３】
はじめに、情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、第４の配線の電位を、ト
ランジスタ３００がオン状態となる電位にして、トランジスタ３００をオン状態とする。
これにより、第３の配線の電位が、トランジスタ１６０のゲート電極、および容量素子１
６４に与えられる。すなわち、トランジスタ１６０のゲート電極には、所定の電荷が与え
られる（書き込み）。ここでは、異なる二つの電位に対応する電荷（以下、低電位ＶＬに
よって与えられる電荷を電荷ＱＬ、高電位ＶＨによって与えられる電荷を電荷ＱＨという
）のいずれかが与えられるものとする。なお、異なる三つまたはそれ以上の電位を与える
電荷を適用して、記憶容量を向上させても良い。その後、第４の配線の電位を、トランジ
スタ３００がオフ状態となる電位にして、トランジスタ３００をオフ状態とすることによ
り、トランジスタ１６０のゲート電極に与えられた電荷が保持される（保持）。
【０２３４】
トランジスタ３００のオフ電流は極めて小さいから、トランジスタ１６０のゲート電極の
電荷は長時間にわたって保持される。
【０２３５】
次に、情報の読み出しについて説明する。第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状
態で、第５の配線に適切な電位（読み出し電位）を与えると、トランジスタ１６０のゲー
ト電極に保持された電荷量に応じて、第２の配線は異なる電位をとる。一般に、トランジ
スタ１６０をｎチャネル型とすると、トランジスタ１６０のゲート電極にＱＨが与えられ
ている場合の見かけのしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ１６０のゲート電極にＱ
Ｌが与えられている場合の見かけのしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｌより低くなるためである。こ
こで、見かけのしきい値電圧とは、トランジスタ１６０を「オン状態」とするために必要
な第５の配線の電位をいうものとする。したがって、第５の配線の電位をＶｔｈ＿ＨとＶ
ｔｈ＿Ｌの中間の電位Ｖ０（たとえばＶ０＝接地電位ＧＮＤ）とすることにより、トラン
ジスタ１６０のゲート電極に与えられた電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいてＱ
Ｈが与えられた場合には、第５の配線の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジ
スタ１６０は「オン状態」となる。ＱＬが与えられた場合には、第５の配線の電位がＶ０
（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ１６０は「オフ状態」のままである。このた
め、第２の配線の電位を見ることで、保持されている情報を読み出すことができる。
【０２３６】
なお、メモリセルをアレイ状に配置して用いる場合には、所望のメモリセルの情報のみを
読み出せることが必要になる。このように、所定のメモリセルの情報を読み出し、それ以
外のメモリセルの情報を読み出さない場合には、読み出しの対象ではないメモリセルの第
５の配線に対して、ゲート電極の状態にかかわらずトランジスタ１６０が「オフ状態」と
なるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈより低い電位（たとえばＶ１）を与えればよい。
【０２３７】
次に、情報の書き換えについて説明する。情報の書き換えは、上記情報の書き込みおよび
保持と同様に行われる。つまり、第４の配線の電位を、トランジスタ３００がオン状態と
なる電位にして、トランジスタ３００をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位
（新たな情報に係る電位）が、トランジスタ１６０のゲート電極および容量素子１６４に
与えられる。その後、第４の配線の電位を、トランジスタ３００がオフ状態となる電位に
して、トランジスタ３００をオフ状態とすることにより、トランジスタ１６０のゲート電
極は、新たな情報に係る電荷が与えられた状態となる。
【０２３８】
このように、本実施の形態に係る半導体装置は、再度の情報の書き込みによって直接的に
情報を書き換えることが可能である。このためフラッシュメモリなどにおいて必要とされ
る高電圧を用いてのフローティングゲートからの電荷の引き抜きが不要であり、消去動作
に起因する動作速度の低下を抑制することができる。つまり、半導体装置の高速動作が実
現される。
【０２３９】
なお、トランジスタ３００のドレイン電極（またはソース電極）は、トランジスタ１６０
のゲート電極と電気的に接続されることにより、不揮発性メモリ素子として用いられるフ
ローティングゲート型トランジスタのフローティングゲートと同等の作用を奏する。以下
において、トランジスタ３００のドレイン電極（またはソース電極）とトランジスタ１６
０のゲート電極が電気的に接続される部位をノードＦＧと呼ぶ場合がある。トランジスタ
３００がオフの場合、当該ノードＦＧは絶縁体中に埋設されたと見ることができ、ノード
ＦＧには電荷が保持される。酸化物半導体を用いたトランジスタ３００のオフ電流は、シ
リコン半導体などで形成されるトランジスタの１０万分の１以下であるため、トランジス
タ３００のリークによる、ノードＦＧに蓄積された電荷の消失を無視することが可能であ
る。つまり、酸化物半導体を用いたトランジスタ３００により、電力の供給が無くても情
報の保持が可能な不揮発性の記憶装置を実現することが可能である。
【０２４０】
例えば、トランジスタ３００は、室温（２５℃）でのオフ電流が１０ｚＡ（１ｚＡ（ゼプ
トアンペア）は１×１０−２１Ａ）以下であり、容量素子１６４の容量値が１０ｆＦ程度
である場合には、少なくとも１０６秒以上のデータ保持が可能である。なお、当該保持時
間が、トランジスタ特性や容量値によって変動することはいうまでもない。
【０２４１】
また、本実施の形態に係る半導体装置においては、従来のフローティングゲート型トラン
ジスタにおいて指摘されているゲート絶縁膜（トンネル絶縁膜）の劣化という問題が存在
しない。つまり、従来問題とされていた、電子をフローティングゲートに注入する際のゲ
ート絶縁膜の劣化という問題を解消することができる。これは、原理的な書き込み回数の
制限が存在しないことを意味するものである。また、従来のフローティングゲート型トラ
ンジスタにおいて書き込みや消去の際に必要であった高電圧も不要である。
【０２４２】
本実施の形態に係る半導体装置においては、ノードＦＧが、フラッシュメモリ等のフロー
ティングゲート型トランジスタのフローティングゲートと同等の作用をするが、本実施の
形態のノードＦＧは、フラッシュメモリ等のフローティングゲートと本質的に異なる特徴
を有している。
【０２４３】
フラッシュメモリでは、コントロールゲートに印加される電位が高いため、その電位が、
隣接するセルのフローティングゲートに影響を与えないように、セルとセルとの間隔をあ
る程度保つ必要が生じる。このことは、半導体装置の高集積化を阻害する要因の一つであ
る。そして、当該要因は、高電界をかけてトンネル電流を発生させるというフラッシュメ
モリの根本的な原理に起因するものである。
【０２４４】
一方、本実施の形態に係る半導体装置は、酸化物半導体を用いたトランジスタのスイッチ
ングによって動作し、上述のようなトンネル電流による電荷注入の原理を用いない。すな
わち、フラッシュメモリのような、電荷を注入するための高電界が不要である。これによ
り、隣接セルに対する、コントロールゲートによる高電界の影響を考慮する必要がないた
め、高集積化が容易になる。
【０２４５】
また、高電界が不要であり、大型の周辺回路（昇圧回路など）が不要である点も、フラッ
シュメモリに対するアドバンテージである。例えば、本実施の形態に係るメモリセルに印
加される電圧（メモリセルの各端子に同時に印加される電位の最大のものと最小のものの
差）の最大値は、２段階（１ビット）の情報を書き込む場合、一つのメモリセルにおいて
、５Ｖ以下、好ましくは３Ｖ以下とすることができる。
【０２４６】
なお、半導体装置の記憶容量を大きくするためには、高集積化以外に、多値化の手法を採
ることもできる。例えば、メモリセルの一に３段階以上の情報を書き込む構成とすること
で、２段階（１ビット）の情報を書き込む場合と比較して記憶容量を増大させることがで
きる。例えば、上述のような、低電位を与える電荷ＱＬ、高電位を与える電荷ＱＨに加え
、他の電位を与える電荷Ｑを第１のトランジスタのゲート電極に与えることで、多値化を
実現することができる。この場合、比較的規模の大きい回路構成（例えば、１５Ｆ２〜５
０Ｆ２など：Ｆは最小加工寸法）を採用しても十分な記憶容量を確保することができる。
【０２４７】
次に、図１３に示す半導体装置と、一部異なる構造の半導体装置について、図１４を参照
して説明する。図１３に示す半導体装置と、図１４に示す半導体装置との異なる点は、サ
イドウォール絶縁膜１２４ａ、１２４ｃおよび酸化物半導体膜１０６ａに接するように設
けられた導電膜１２６ａと、サイドウォール絶縁膜１２４ｂおよび酸化物半導体膜１０６
ａに接するように設けられた導電膜１２６ｂと、を有する点にある。また、トランジスタ
１６０と、トランジスタ３１０と、容量素子１６４とで、１つのメモリセルを構成する。
なお、図１４に示す半導体装置の基本的な回路構成およびその動作は、図１３（Ｂ）と同
様であるため、詳細な説明は省略する。
【０２４８】
ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜１２６ａ、１２６ｂを、サイドウォ
ール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂに接して設けることにより、マスクずれが生じたとしても
確実に酸化物半導体膜１０６ａの表面を導電膜で覆うことができる。また、マスクずれに
伴うトランジスタの電気特性のバラツキを抑制することができる。さらに、ソース電極お
よびドレイン電極を形成する際に、酸化物半導体膜１０６ａがエッチングガスに曝されな
いため、好ましい。
【０２４９】
図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）は、（ｍ×ｎ）個のメモリセル１９０を有する半導体装
置の回路図の一例である。図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）中のメモリセル１９０の構成
は、図１３と同様である。すなわち、図１３における第１の配線および第３の配線は電気
的に接続され図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）におけるビット線ＢＬに相当し、図１３に
おける第２の配線が図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）におけるソース線ＳＬに相当し、図
１３における第４の配線が図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）における書き込みワード線Ｗ
ＷＬに相当し、図１３における第５の配線が図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）における読
み出しワード線ＲＷＬに相当する（図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）参照）。
【０２５０】
図１５（Ａ）に示す半導体装置は、ｍ本（ｍは２以上の整数）の書き込みワード線ＷＷＬ
と、ｍ本の読み出しワード線ＲＷＬと、ｎ本（ｎは２以上の整数）のビット線ＢＬと、メ
モリセル１９０が縦ｍ個（行）×横ｎ個（列）のマトリクス状に配置されたメモリセルア
レイと、ｎ本のビット線ＢＬに接続する第１の駆動回路１９１と、ｍ本の書き込みワード
線ＷＷＬおよびｍ本の読み出しワード線ＲＷＬに接続する第２の駆動回路１９２と、を有
する。なお、図１５（Ａ）に示すメモリセルアレイは、メモリセルが並列に接続されたＮ
ＯＲ型のメモリセルアレイである。
【０２５１】
また、図１５（Ｂ）に示す半導体装置は、ｍ本（ｍは２以上の整数）の書き込みワード線
ＷＷＬと、ｍ本の読み出しワード線ＲＷＬと、ｎ本（ｎは２以上の整数）のビット線ＢＬ
と、ｎ本の信号線Ｓと、メモリセル１９０が縦ｍ個（行）×横ｎ個（列）のマトリクス状
に配置されたメモリセルアレイと、ｎ本のビット線ＢＬおよびｎ本の信号線Ｓに接続する
第１の駆動回路１９１と、ｍ本の書き込みワード線ＷＷＬおよびｍ本の読み出しワード線
ＲＷＬに接続する第２の駆動回路１９２と、を有する。なお、図１５（Ｂ）に示すメモリ
セルアレイは、メモリセルが直列に接続されたＮＡＮＤ型のメモリセルアレイである。
【０２５２】
なお、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）において、ＯＳと付されたトランジスタとして、
トランジスタ３００およびトランジスタ３１０の他に、先の実施の形態で示したトランジ
スタ（２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０）を適用することができる。図
１５では、トランジスタ３００を用いる場合について示す。
【０２５３】
その他、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）において、第２の駆動回路１９２には、アドレ
ス選択信号線Ａが接続されている。アドレス選択信号線Ａは、メモリセルの行方向のアド
レスを選択する信号を伝達する配線である。
【０２５４】
次に、図１５（Ａ）に示す半導体装置のデータの書き込み、保持、および読み出しについ
て説明する。
【０２５５】
図１５（Ａ）に示す半導体装置において、データの書き込み、保持、および読み出しは、
基本的に図１３の場合と同様である。つまり、具体的な書き込みの動作は以下のようにな
る。なお、ここでは一例として、ノードＦＧに電位ＶＨ（ここで、ＶＨは電源電位ＶＤＤ
より低い。すなわちＶＨ＜ＶＤＤ）または電位ＶＬのいずれかを与える場合について説明
するが、ノードＦＧに与える電位の関係はこれに限られない。また、ノードＦＧに電位Ｖ
Ｈを与えた場合に保持されるデータをデータ”１”、ノードＦＧに電位ＶＬを与えた場合
に保持されるデータをデータ”０”とする。
【０２５６】
まず、メモリセル１９０に接続される読み出しワード線ＲＷＬの電位をＶ０とし、書き込
みワード線ＷＷＬの電位をＶＤＤとして、書き込むメモリセル１９０を選択する。
【０２５７】
メモリセル１９０にデータ”０”を書き込む場合には、ビット線ＢＬにはＶＬを与える。
メモリセル１９０にデータ”１”を書き込む場合には、トランジスタ３００において生じ
るしきい値電圧分の電位の低下を考慮し、ビット線ＢＬにはＶＨまたはＶＨよりトランジ
スタ３００のしきい値電圧分高い電位を与える。
【０２５８】
データの保持は、読み出しワード線ＲＷＬおよび書き込みワード線ＷＷＬの電位をＶ１と
することにより行われる（ここでＶ１はＶ０より低い。すなわちＶ１＜Ｖ０、例えばＶ１
はＶ０よりＶＤＤ分低い）。
【０２５９】
読み出しワード線ＲＷＬの電位をＶ０からＶ１に低下させると、ノードＦＧの電位は容量
素子１６４との容量結合によってＶ０−Ｖ１低下する。このため、データ”１”とデータ
”０”のいずれが書き込まれた場合でも、トランジスタ１６０はオフ状態となる。
【０２６０】
書き込みワード線ＷＷＬにはＶ１が与えられているため、トランジスタ３００はオフ状態
となる。トランジスタ３００のオフ電流は極めて小さいから、ノードＦＧの電荷は長時間
にわたって保持される。
【０２６１】
データの読み出しは、読み出しワード線ＲＷＬの電位をＶ０とし、書き込みワード線ＷＷ
Ｌの電位をＶ１とすることにより行われる。
【０２６２】
読み出しワード線ＲＷＬの電位をＶ１からＶ０に上昇させると、ノードＦＧの電位は容量
素子１６４との容量結合によってＶ０−Ｖ１上昇する。このため、ノードＦＧにデータ”
１”が与えられている場合、ノードＦＧの電位はＶＨとなり、ノードＦＧにデータ”０”
が与えられていれば、ノードＦＧの電位はＶＬとなる。
【０２６３】
上述の読み出し動作により、メモリセル１９０にデータ”１”が書き込まれている場合に
は、トランジスタ１６０がオン状態となり、ビット線ＢＬの電位が低下する。また、デー
タ”０”が書き込まれている場合には、トランジスタ１６０がオフ状態となり、読み出し
開始時のビット線ＢＬの電位が維持されるか、または上昇する。
【０２６４】
トランジスタ３００には、本発明の一態様である半導体装置が適用される。本発明の一態
様である半導体装置は、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタであるた
め、オフ電流が小さいという特徴を有する。このため、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）
に示す半導体装置に当該トランジスタを適用する場合、電力の供給がない場合であっても
長期にわたって記憶内容を保持することが可能であり、かつ書き換え可能回数に制限のな
い記憶装置を得ることが可能である。
【０２６５】
（実施の形態６）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すトランジスタを用いた半導体装置の回路構成お
よび動作の例について、図１６および図１７を参照して説明する。なお、回路図において
は、酸化物半導体を用いたトランジスタであることを示すために、ＯＳの符号を併せて付
す場合がある。
〈半導体装置の断面構成〉
本実施の形態では、いわゆるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  
Ｍｅｍｏｒｙ）に相当する構成の半導体装置の一例について、図１６（Ａ）を参照して説
明する。図１６（Ａ）に示す半導体装置は、トランジスタ３２０と、容量素子１６８を有
する。
【０２６６】
図１６（Ａ）におけるトランジスタ３２０は、本発明の一態様であるトランジスタが適用
される。トランジスタ３２０は、チャネル形成領域１２２ａと、ゲート電極１１６ａと、
ドーパントを含む領域１２０ａ、１２０ｂと、導電膜１２８ａ、１２８ｂと、サイドウォ
ール絶縁膜１２４ａ、１２４ｂと、ゲート絶縁膜１１４ａと、絶縁膜１１８ａと、を有す
る。
【０２６７】
図１６（Ａ）における容量素子１６８は、ドーパントを含む領域１２０ａ、絶縁膜１３０
、および導電膜１２８ａで構成される。すなわち、導電膜１２８ａは、容量素子１６８の
一方の電極として機能し、ドーパントを含む領域１２０ａは、容量素子１６８の他方の電
極として機能することになる。
【０２６８】
トランジスタ３２０および容量素子１６８を覆うように絶縁膜１３２が設けられている。
そして、絶縁膜１３０および絶縁膜１３２に形成された開口を介して、導電膜１２８ｂと
配線１３４は接続されている。なお、図１６（Ａ）では導電膜１２８ｂを用いてドーパン
トを含む領域１２０ｂと配線１３４を接続しているが、開示する発明はこれに限定されな
い。例えば、導電膜１２８ｂを設けず、配線１３４を、ドーパントを含む領域１２０ｂに
接触させてもよい。
【０２６９】
次に、図１６（Ａ）に示す半導体装置と、一部異なる構造の半導体装置について図１６（
Ｂ）を参照して説明する。図１６（Ａ）に示す半導体装置と、図１６（Ｂ）に示す半導体
装置との異なる点は、サイドウォール絶縁膜１２４ａおよび酸化物半導体膜１０６ａに接
するように設けられた導電膜１２６ａと、サイドウォール絶縁膜１２４ｂおよび酸化物半
導体膜１０６ａに接するように設けられた導電膜１２６ｂと、を有する点にある。また、
導電膜１２６ａ上に、絶縁膜１３０を介して導電膜１２８ａが設けられている。また、絶
縁膜１３０に設けられた開口を介して、導電膜１２６ｂと、導電膜１２８ｂとが接続され
ている。
【０２７０】
図１６（Ｂ）における容量素子１６９は、導電膜１２６ａ、絶縁膜１３０、および導電膜
１２８で構成される。すなわち、導電膜１２８ａは、容量素子１６９の一方の電極として
機能し、導電膜１２６ａは、容量素子１６９の他方の電極として機能する。
【０２７１】
また、トランジスタ３２０および容量素子１６９を覆うように絶縁膜１３２が設けられて
いる。そして、絶縁膜１３０および絶縁膜１３２に形成された開口を介して、導電膜１２
８ｂと配線１３４は接続されている。なお、図１６（Ｂ）では導電膜１２８ｂを用いて導
電膜１２６ｂと配線１３４を接続しているが、開示する発明はこれに限定されない。例え
ば、導電膜１２８ｂを設けず、配線１３４を、導電膜１２６ｂに接触させてもよい。
【０２７２】
〈基本回路〉
次に、図１６（Ａ）で示した半導体装置の基本的な回路構成およびその動作について、図
１６（Ｃ）を参照して説明する。図１６（Ｃ）に示す半導体装置において、第１の配線（
１ｓｔ  Ｌｉｎｅ）とトランジスタ３２０のソース電極またはドレイン電極とは、電気的
に接続され、第２の配線（２ｎｄ  Ｌｉｎｅ）とトランジスタ３２０のゲート電極とは、
電気的に接続され、容量素子１６８の電極の一方とトランジスタ３２０のドレイン電極ま
たはソース電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄ  Ｌｉｎｅ）
と容量素子１６８の他方とは、電気的に接続されている。なお、図１６（Ｂ）に示す半導
体装置の基本的な回路構成およびその動作についても、図１６（Ｃ）の記載を参酌するこ
とができる。
【０２７３】
ここで、トランジスタ３２０には、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタが適用さ
れる。酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が極めて小さいという特徴を有し
ている。このため、トランジスタ３２０をオフ状態とすることで、容量素子１６８に与え
られた電位を、極めて長時間にわたって保持することが可能である。
【０２７４】
図１６（Ｃ）に示す半導体装置では、容量素子１６８に与えられた電位が保持可能という
特徴を生かすことで、次のように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
【０２７５】
はじめに、情報の書き込みおよび保持について説明する。ここでは簡単のため、第３の配
線の電位は固定されているものとする。まず、第２の配線の電位を、トランジスタ３２０
がオン状態となる電位にして、トランジスタ３２０をオン状態とする。これにより、第１
の配線の電位が、容量素子１６８の電極の一方に与えられる。すなわち、容量素子１６８
には、所定の電荷が与えられる（書き込み）。その後、第２の配線の電位を、トランジス
タ３２０がオフ状態となる電位にして、トランジスタ３２０をオフ状態とすることにより
、容量素子１６８に与えられた電荷が保持される（保持）。トランジスタ３２０は上述の
とおり、極めてオフ電流が小さいので、長時間にわたって電荷を保持できる。
【０２７６】
次に、情報の読み出しについて説明する。第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状
態で、第２の配線の電位を、トランジスタ３２０がオン状態となる電位にすると、容量素
子１６８に保持されている電荷量に応じて、第１の配線は異なる電位をとる。このため、
第１の配線の電位を見ることで、保持されている情報を読み出すことができる。
【０２７７】
次に、情報の書き換えについて説明する。情報の書き換えは、上記情報の書き込みおよび
保持と同様に行われる。つまり、第２の配線の電位を、トランジスタ３２０がオン状態と
なる電位にして、トランジスタ３２０をオン状態とする。これにより、第１の配線の電位
（新たな情報に係る電位）が、容量素子１６８の電極の一方に与えられる。その後、第２
の配線の電位を、トランジスタ３２０がオフ状態となる電位にして、トランジスタ３２０
をオフ状態とすることにより、容量素子１６８は、新たな情報に係る電荷が与えられた状
態となる。
【０２７８】
このように、開示する発明に係る半導体装置は、再度の情報の書き込みによって直接的に
情報を書き換えることが可能である。このため、半導体装置の高速動作が実現される。
【０２７９】
なお、上記説明は、電子をキャリアとするｎ型トランジスタ（ｎチャネル型トランジスタ
）を用いる場合についてのものであるが、ｎ型トランジスタに代えて、正孔を多数キャリ
アとするｐ型トランジスタを用いることができるのはいうまでもない。
【０２８０】
図１７に、（ｍ×ｎ）個のメモリセル１９５を有する半導体装置の回路図の一例を示す。
図１７中のメモリセル１９５の構成は、図１６（Ｃ）と同様である。すなわち、図１６（
Ｃ）における第１の配線が図１７におけるビット線ＢＬに相当し、図１６（Ｃ）における
第２の配線が図１７におけるワード線ＷＬに相当し、図１６（Ｃ）における第３の配線が
図１７におけるソース線ＳＬに相当する（図１７参照）。
【０２８１】
図１７に示す半導体装置は、ｎ本のビット線ＢＬと、ｍ本のワード線ＷＬと、メモリセル
１９５が縦ｍ個（行）×横ｎ個（列）のマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
ｎ本のビット線ＢＬに接続する第１の駆動回路１９６と、ｍ本のワード線ＷＬに接続する
第２の駆動回路１９７と、を有する。
【０２８２】
メモリセル１９５は、トランジスタ３２０と、容量素子１６８と、から構成されている。
トランジスタ３２０のゲート電極は、ワード線ＷＬと接続されている。また、トランジス
タ３２０のソース電極またはドレイン電極の一方は、ビット線ＢＬと接続されており、ト
ランジスタ３２０のソース電極またはドレイン電極の他方は、容量素子の電極の一方と接
続されている。また、容量素子の電極の他方はソース線ＳＬと接続され、一定の電位が与
えられている。トランジスタ３２０には、先の実施の形態に示すトランジスタが適用され
る。
【０２８３】
本発明の一態様である半導体装置は、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いるトランジ
スタであるため、単結晶シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタに比べてオフ
電流が小さいという特徴を有する。このため、いわゆるＤＲＡＭとして認識されている図
１５および図１６に示す半導体装置に当該トランジスタを適用する場合、リフレッシュ期
間の間隔がきわめて長いメモリを得ることが可能である。
【０２８４】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適
宜組み合わせて用いることができる。
【０２８５】
（実施の形態７）
本発明の一態様に係る半導体装置を用いて、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能
を有する半導体装置を作製することができる。
【０２８６】
図１８（Ａ）に、イメージセンサ機能を有する半導体装置の一例を示す。図１８（Ａ）は
フォトセンサの等価回路であり、図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）はフォトセンサの一部
を示す断面図である。
【０２８７】
図１８（Ａ）において、フォトセンサ６０１は、フォトダイオード６０２と、増幅回路６
０３とを有している。フォトダイオード６０２は、半導体の接合部に光があたると電流が
発生する性質を有する光電変換素子である。増幅回路６０３は、フォトダイオード６０２
が受光することで得られる電流を増幅する、或いは、上記電流によって蓄積された電荷を
保持する回路である。フォトセンサ６０１は、フォトダイオード６０２に入射する光を検
出することによって、被検出物の情報を読み取ることができる。なお、被検出物の情報を
読み取る際にバックライトなどの光源を用いることができる。
【０２８８】
増幅回路６０３の構成は、フォトダイオード６０２において生じる電流を増幅できれば良
く、あらゆる形態を採用することができるが、少なくとも増幅回路６０３は、フォトダイ
オード６０２において生じる電流を増幅するトランジスタ６０５を有する。
【０２８９】
以下、ソース電極とドレイン電極のいずれか一方を第１端子、他方を第２端子とし、図１
８（Ａ）に示したフォトセンサ６０１の、具体的な構成について説明する。
【０２９０】
図１８（Ａ）に示すフォトセンサ６０１は、増幅回路６０３が、増幅回路６０３内への上
記電流の供給を制御するスイッチング素子として機能するトランジスタ６０４と、トラン
ジスタ６０４の第２端子に与えられる電位に従って、その第１端子と第２端子間の電流値
又は抵抗値が定まるトランジスタ６０５と、上記電流値又は抵抗値によって定まる出力信
号の電位を、配線ＯＵＴに供給するためのスイッチング素子として機能するトランジスタ
６０６とを有する。
【０２９１】
本実施の形態では、トランジスタ６０４として、本発明の一態様に係る半導体装置を適用
することができる。トランジスタ６０４は、酸化物半導体に含まれる酸素欠陥が低減され
ているため、しきい値電圧のマイナスシフトが低減され、トランジスタのソースおよびド
レインにおけるリーク電流が低減されている。したがって、本発明の一態様の係る半導体
装置を適用することで、電気特性が向上した半導体装置を提供することができる。
【０２９２】
具体的に、図１８（Ａ）では、フォトダイオード６０２の陽極が、配線ＰＲに接続されて
いる。また、フォトダイオード６０２の陰極が、トランジスタ６０４の第１端子に接続さ
れている。トランジスタ６０４の第２端子は、増幅回路６０３内の他の半導体素子に接続
されているため、増幅回路６０３内の構成によって、トランジスタ６０４の第２端子の接
続先は異なる。図１８（Ａ）では、トランジスタ６０４の第２端子がトランジスタ６０５
のゲート電極に接続されている。また、トランジスタ６０４のゲート電極は、配線ＴＸに
接続されている。配線ＴＸには、トランジスタ６０４のスイッチングを制御するための信
号の電位が与えられる。トランジスタ６０５の第１端子は、ハイレベルの電源電位ＶＤＤ
が与えられる配線ＶＲに接続されている。トランジスタ６０５の第２端子は、トランジス
タ６０６の第１端子に接続されている。トランジスタ６０６の第２端子は、配線ＯＵＴに
接続されている。トランジスタ６０６のゲート電極は、配線ＳＥに接続されており、配線
ＳＥにはトランジスタ６０６のスイッチングを制御する信号の電位が与えられる。そして
、配線ＯＵＴには、増幅回路６０３から出力される出力信号の電位が与えられる。
【０２９３】
図１８（Ａ）では、トランジスタ６０４の第２端子とトランジスタ６０５のゲート電極が
接続されているノードを、ノードＦＤとして示している。ノードＦＤに蓄積される電荷の
量によって、出力信号の電位が定まる。ノードＦＤにおいて電荷をより確実に保持するた
めに、ノードＦＤに保持容量を接続するようにしても良い。
【０２９４】
なお、回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際に
は、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の
機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜
が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【０２９５】
なお、図１８（Ａ）では、配線ＰＲと、配線ＴＸと、配線ＯＵＴとがフォトセンサ６０１
に接続されている場合を例示しているが、本発明の一態様では、フォトセンサ６０１が有
する配線の数はこれに限定されない。上記配線に加えて、電源電位が与えられる配線、増
幅回路６０３に保持されている電荷の量をリセットするための信号の電位が与えられる配
線などが、フォトセンサ６０１に接続されていても良い。
【０２９６】
なお、図１８（Ａ）では、増幅回路６０３がスイッチング素子として機能するトランジス
タ６０４を一つだけ有するフォトセンサ６０１の構成を示しているが、本発明の一態様は
この構成に限定されない。本実施の形態では、一のトランジスタが一のスイッチング素子
として機能する構成を示しているが、複数のトランジスタが一のスイッチング素子として
機能していても良い。複数のトランジスタが一のスイッチング素子として機能する場合、
上記複数のトランジスタは並列に接続されていても良いし、直列に接続されていても良い
し、直列と並列が組み合わされて接続されていても良い。
【０２９７】
本明細書において、トランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトラ
ンジスタの第１端子と第２端子のいずれか一方のみが、第２のトランジスタの第１端子と
第２端子のいずれか一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並
列に接続されている状態とは、第１のトランジスタの第１端子が第２のトランジスタの第
１端子に接続され、第１のトランジスタの第２端子が第２のトランジスタの第２端子に接
続されている状態を意味する。
【０２９８】
なお、図１８（Ａ）において、増幅回路６０３を構成しているトランジスタ６０４として
、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる。トランジスタ６０４は、酸化
物半導体に含まれる酸素欠陥が低減されているため、しきい値電圧のマイナスシフトが低
減され、トランジスタのソースおよびドレインにおけるリーク電流が低減されている。ま
た、トランジスタ６０４の活性層に、酸化物半導体膜を用いることで、トランジスタ６０
４のオフ電流を著しく小さくすることができる。トランジスタ６０４は、フォトセンサ６
０１において蓄積された電荷を保持するためのスイッチング素子として機能するため、電
荷保持期間における電荷のリークを小さく抑えることができる。
【０２９９】
図１８（Ｂ）に、フォトセンサ６０１が有するフォトダイオード６０２、トランジスタ６
０４を含む断面を示す。
【０３００】
フォトセンサ６０１が有するフォトダイオード６０２は、基板６５１上に、順に積層され
たｐ型の半導体膜６１５と、ｉ型の半導体膜６１６と、ｎ型の半導体膜６１７とを有して
いる。導電膜６１０は、フォトダイオード６０２の陽極として機能するｐ型の半導体膜６
１５に接続されている。
【０３０１】
フォトセンサ６０１が有する導電膜６１８は、トランジスタ６０４のゲート電極として機
能している。導電膜６１９ａは、トランジスタ６０４の第１端子として機能する。導電膜
６２０ａは、トランジスタ６０４の第２端子として機能する。導電膜６２１は、ｎ型の半
導体膜６１７と、導電膜６１９ａとに接続されている。
【０３０２】
図１８（Ｂ）において、フォトセンサ６０１は、配線ＰＲとして機能する導電膜６１０を
有している。導電膜６１０、導電膜６１９ａ、導電膜６２０ａは、絶縁膜６２８上に形成
された一の導電膜を所望の形状に加工することで形成することができる。
【０３０３】
なお、図１８（Ｂ）に示すフォトセンサ６０１の断面図は、導電膜６２１まで形成された
状態を示している。表示装置の場合は、フォトセンサ６０１に加えて表示素子が設けられ
ているので、実際には、導電膜６２１を形成した後に、表示素子の形成を行う。
【０３０４】
図１８（Ｃ）に、フォトセンサ６０１が有するフォトダイオード６０２、トランジスタ６
１４を含む断面図を示す。トランジスタ６１４は、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジ
スタ６０４に相当する。また、トランジスタ６１４は、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すトラ
ンジスタ６０４と一部異なる構成を有する。
【０３０５】
フォトセンサ６０１が有する導電膜６１８は、トランジスタ６１４のゲート電極として機
能している。導電膜６１９ａおよび導電膜６１９ｂは、トランジスタ６１４の第１端子と
して機能する。導電膜６２０ａおよび導電膜６１９ｂは、トランジスタ６１４の第２端子
として機能する。導電膜６２１は、ｎ型の半導体膜６１７と、導電膜６１９ａとに接続さ
れている。
【０３０６】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０３０７】
（実施の形態８）
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した半導体装置を電子機器に適用する場合につ
いて、図１９乃至図２１を参照して説明する。
【０３０８】
図１９は携帯機器のブロック図である。図１９に示す携帯機器はＲＦ回路５０１、アナロ
グベースバンド回路５０２、デジタルベースバンド回路５０３、バッテリー５０４、電源
回路５０５、アプリケーションプロセッサ５０６、フラッシュメモリ５１０、ディスプレ
イコントローラ５１１、メモリ回路５１２、ディスプレイ５１３、タッチセンサ５１９、
音声回路５１７、キーボード５１８などより構成されている。ディスプレイ５１３は表示
部５１４、ソースドライバ５１５、ゲートドライバ５１６によって構成されている。アプ
リケーションプロセッサ５０６はＣＰＵ５０７、ＤＳＰ５０８、インターフェイス５０９
（ＩＦ５０９）を有している。一般にメモリ回路はＳＲＡＭまたはＤＲＡＭで構成されて
いるが、メモリ回路５１２に先の実施の形態で説明した半導体装置を採用することによっ
て、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持が可能で、且つ消費電力
を十分に低減することができる。
【０３０９】
次に、図２０はディスプレイのメモリ回路４００に先の実施の形態で説明した半導体装置
を使用した例である。図２０に示すメモリ回路４００は、メモリ４０２、メモリ４０３、
スイッチ４０４、スイッチ４０５およびメモリコントローラ４０１により構成されている
。メモリ４０２、メモリ４０３には、先の実施の形態で説明した半導体装置が適用される
。
【０３１０】
まず、ある画像データがアプリケーションプロセッサ（図示しない）によって、形成され
る。この形成された画像データ（入力画像データ１）は、スイッチ４０４を介してメモリ
４０２に記憶される。そしてメモリ４０２に記憶された画像データ（記憶画像データ１）
は、スイッチ４０５、およびディスプレイコントローラ４０６を介してディスプレイ４０
７に送られ、表示される。
【０３１１】
入力画像データ１に変更が無い場合、記憶画像データ１は、通常３０〜６０Ｈｚ程度の周
期でメモリ４０２からスイッチ４０５を介して、ディスプレイコントローラ４０６から読
み出される。
【０３１２】
次に、例えばユーザーが画面を書き換える操作をしたとき（すなわち、入力画像データに
変更が有る場合）、アプリケーションプロセッサは新たな画像データ（入力画像データ２
）を形成する。入力画像データ２はスイッチ４０４を介してメモリ４０３に記憶される。
この間も定期的にメモリ４０２からスイッチ４０５を介して記憶画像データ１は読み出さ
れている。メモリ４０３に新たな画像データ（記憶画像データ２）が記憶し終わると、デ
ィスプレイ４０７の次のフレームより、記憶画像データ２は読み出され、スイッチ４０５
、およびディスプレイコントローラ４０６を介して、ディスプレイ４０７に記憶画像デー
タ２が送られ、表示がおこなわれる。この読み出しはさらに次に新たな画像データがメモ
リ４０２に記憶されるまで継続される。
【０３１３】
このようにメモリ４０２、およびメモリ４０３は交互にデータの書き込みと、データの読
み出しを行うことによって、ディスプレイ４０７の表示をおこなう。なお、メモリ４０２
、およびメモリ４０３はそれぞれ別のメモリには限定されず、１つのメモリを分割して使
用してもよい。先の実施の形態で説明した半導体装置をメモリ４０２、およびメモリ４０
３に採用することによって、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持
が可能で、且つ消費電力を十分に低減することができる。
【０３１４】
次に、図２１は電子書籍のブロック図である。図２１に示す電子書籍はバッテリー７０１
、電源回路７０２、マイクロプロセッサ７０３、フラッシュメモリ７０４、音声回路７０
５、キーボード７０６、メモリ回路７０７、タッチパネル７０８、ディスプレイ７０９、
ディスプレイコントローラ７１０によって構成される。先の実施の形態で説明した半導体
装置をメモリ回路７０７に使用することができる。メモリ回路７０７の役割は書籍の内容
を一時的に保持する機能を持つ。電子書籍の内容を一時的に保持する機能を使用する例と
しては、ユーザーがハイライト機能を使用する場合などがある。ユーザーが電子書籍を読
んでいるときに、特定の箇所にマーキングをしたい場合がある。このような場合、本実施
の形態の電子書籍はハイライト機能によって、表示の色を変える、アンダーラインを引く
、文字を太くする、文字の書体を変えるなどによって、周囲との違いを示すことができる
。すなわちハイライト機能とは、ユーザーが指定した箇所の情報を記憶し、保持する機能
である。この情報を長期間保存する場合には、情報をフラッシュメモリ７０４にコピーし
ても良い。このような場合においても、先の実施の形態で説明した半導体装置を採用する
ことによって、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持が可能で、且
つ消費電力が十分に低減することができる。
【０３１５】
（実施の形態９）
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を電子機器に適用する場合に
ついて、図２２を用いて説明する。本実施の形態では、コンピュータ、携帯電話機（携帯
電話、携帯電話装置ともいう）、携帯情報端末（携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含
む）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子ペーパー、テレビジョン装置（テレ
ビ、またはテレビジョン受信機ともいう）などの電子機器に、上述の半導体装置を適用す
る場合について説明する。
【０３１６】
図２２（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、筐体８０１、筐体８０２、
表示部８０３、キーボード８０４などによって構成されている。筐体８０１と筐体８０２
の少なくとも一の内部には、半導体回路（例えば、メモリ回路）が設けられており、半導
体回路には、先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。そのため、情報の書き
込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持が可能で、且つ消費電力が十分に低減さ
れたノート型のパーソナルコンピュータが実現される。
【０３１７】
図２２（Ｂ）は、タブレット型端末８１０である。タブレット型端末８１０は、表示部８
１２を有する筐体８１１と、表示部８１４を有する筐体８１３と、操作ボタン８１５と、
外部インターフェイス８１６を有する。また、タブレット型端末８１０を操作するスタイ
ラス８１７などを備えている。筐体８１１と筐体８１３の内部には、半導体回路（例えば
、メモリ回路）が設けられており、半導体回路には、先の実施の形態に示す半導体装置が
設けられている。そのため、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持
が可能で、且つ消費電力が十分に低減されたタブレット型端末が実現される。
【０３１８】
図２２（Ｃ）は、電子ペーパーを実装した電子書籍８２０であり、筐体８２１と筐体８２
３の２つの筐体で構成されている。筐体８２１および筐体８２３には、それぞれ表示部８
２５および表示部８２７が設けられている。筐体８２１と筐体８２３は、軸部８３７によ
り接続されており、該軸部８３７を軸として開閉動作を行うことができる。また、筐体８
２１は、電源８３１、操作キー８３３、スピーカー８３５などを備えている。筐体８２１
、筐体８２３の少なくとも一の内部には、半導体回路（例えば、メモリ回路）が設けられ
ており、半導体回路には、先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。そのため
、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持が可能で、且つ消費電力が
十分に低減された電子書籍が実現される。
【０３１９】
図２２（Ｄ）は、携帯電話機であり、筐体８４０と筐体８４１の２つの筐体で構成されて
いる。さらに、筐体８４０と筐体８４１は、スライドし、図２２（Ｄ）のように展開して
いる状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。ま
た、筐体８４１は、表示パネル８４２、スピーカー８４３、マイクロフォン８４４、操作
キー８４５、ポインティングデバイス８４６、カメラ用レンズ８４７、外部接続端子８４
８などを備えている。また、筐体８４０は、携帯電話機の充電を行う太陽電池セル８４９
、外部メモリスロット８５０などを備えている。また、アンテナは、筐体８４１に内蔵さ
れている。筐体８４０と筐体８４１の少なくとも一の内部には、半導体回路（例えば、メ
モリ回路）が設けられており、半導体回路には、先の実施の形態に示す半導体装置が設け
られている。そのため、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持が可
能で、且つ消費電力が十分に低減された携帯電話機が実現される。
【０３２０】
図２２（Ｅ）は、デジタルカメラであり、本体８６１、表示部８６７、接眼部８６３、操
作スイッチ８６４、表示部８６５、バッテリー８６６などによって構成されている。本体
８６１内部には、半導体回路（例えば、メモリ回路）が設けられており、半導体回路には
、先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。そのため、情報の書き込みおよび
読み出しが高速で、長期間の記憶保持が可能で、且つ消費電力が十分に低減されたデジタ
ルカメラが実現される。
【０３２１】
図２２（Ｆ）は、テレビジョン装置８７０であり、筐体８７１、表示部８７３、スタンド
８７５などで構成されている。テレビジョン装置８７０の操作は、筐体８７１が備えるス
イッチや、リモコン操作機８８０により行うことができる。筐体８７１およびリモコン操
作機８８０の内部には、半導体回路（例えば、メモリ回路）が設けられており、半導体回
路には、先の実施の形態に示す半導体装置が搭載されている。そのため、情報の書き込み
および読み出しが高速で、長期間の記憶保持が可能で、且つ消費電力が十分に低減された
テレビジョン装置が実現される。
【０３２２】
以上のように、本実施の形態に示す電子機器には、先の実施の形態に係る半導体装置が搭
載されている。このため、消費電力を低減した電子機器が実現される。
【符号の説明】
【０３２３】
１００    基板
１０２    絶縁膜
１０２ａ    絶縁膜
１０２ｂ    絶縁膜
１０４    酸化物半導体膜
１０６    酸化物半導体膜
１０６ａ    酸化物半導体膜
１０７    配線
１０８    ゲート絶縁層
１０９    ゲート電極
１１０    絶縁膜
１１０ａ    絶縁膜
１１２    絶縁膜
１１２ａ    絶縁膜
１１２ｂ    絶縁膜
１１４    絶縁膜
１１４ａ    ゲート絶縁膜
１１６    導電膜
１１６ａ    ゲート電極
１１６ｂ    電極
１１７ａ    チャネル形成領域
１１８    絶縁膜
１１８ａ    絶縁膜
１１９ａ    不純物領域
１１９ｂ    不純物領域
１１９ｃ    不純物領域
１２０ａ    ドーパントを含む領域
１２０ｂ    ドーパントを含む領域
１２１    不純物領域
１２２    チャネル形成領域
１２２ａ    チャネル形成領域
１２４    絶縁膜
１２４ａ    サイドウォール絶縁膜
１２４ｂ    サイドウォール絶縁膜
１２４ｃ    サイドウォール絶縁膜
１２６    導電膜
１２６ａ    導電膜
１２６ｂ    導電膜
１２８    導電膜
１２８ａ    導電膜
１２８ｂ    導電膜
１３０    絶縁膜
１３２    絶縁膜
１３４    配線
１４０ａ    ドーパントを含む領域
１４０ｂ    ドーパントを含む領域
１４２ａ    ドーパントを含む領域
１４２ｂ    ドーパントを含む領域
１５０ａ    ドーパントを含む領域
１５０ｂ    ドーパントを含む領域
１５２ａ    ドーパントを含む領域
１５２ｂ    ドーパントを含む領域
１５４ａ    ドーパントを含む領域
１５４ｂ    ドーパントを含む領域
１６０    トランジスタ
１６４    容量素子
１６８    容量素子
１６９    容量素子
１９０    メモリセル
１９１    駆動回路
１９２    駆動回路
１９５    メモリセル
１９６    駆動回路
１９７    駆動回路
２００    トランジスタ
２１０    トランジスタ
２２０    トランジスタ
２３０    トランジスタ
２４０    トランジスタ
２５０    トランジスタ
２６０    トランジスタ
２７０    トランジスタ
２８０    トランジスタ
３００    トランジスタ
３１０    トランジスタ
３２０    トランジスタ
４００    メモリ回路
４０１    メモリコントローラ
４０２    メモリ
４０３    メモリ
４０４    スイッチ
４０５    スイッチ
４０６    ディスプレイコントローラ
４０７    ディスプレイ
５０１    ＲＦ回路
５０２    アナログベースバンド回路
５０３    デジタルベースバンド回路
５０４    バッテリー
５０５    電源回路
５０６    アプリケーションプロセッサ
５０７    ＣＰＵ
５０８    ＤＳＰ
５０９    インターフェイス
５１０    フラッシュメモリ
５１１    ディスプレイコントローラ
５１２    メモリ回路
５１３    ディスプレイ
５１４    表示部
５１５    ソースドライバ
５１６    ゲートドライバ
５１７    音声回路
５１８    キーボード
５１９    タッチセンサ
６０１    フォトセンサ
６０２    フォトダイオード
６０３    増幅回路
６０４    トランジスタ
６０５    トランジスタ
６０６    トランジスタ
６１０    導電膜
６１４    トランジスタ
６１５    半導体膜
６１６    半導体膜
６１７    半導体膜
６１８    導電膜
６１９ａ    導電膜
６１９ｂ    導電膜
６２０ａ    導電膜
６２１    導電膜
６２８    絶縁膜
６５１    基板
７０１    バッテリー
７０２    電源回路
７０３    マイクロプロセッサ
７０４    フラッシュメモリ
７０５    音声回路
７０６    キーボード
７０７    メモリ回路
７０８    タッチパネル
７０９    ディスプレイ
７１０    ディスプレイコントローラ
８０１    筐体
８０２    筐体
８０３    表示部
８０４    キーボード
８１０    タブレット型端末
８１１    筐体
８１２    表示部
８１３    筐体
８１４    表示部
８１５    操作ボタン
８１６    外部インターフェイス
８１７    スタイラス
８２０    電子書籍
８２１    筐体
８２３    筐体
８２５    表示部
８２７    表示部
８３１    電源
８３３    操作キー
８３５    スピーカー
８３７    軸部
８４０    筐体
８４１    筐体
８４２    表示パネル
８４３    スピーカー
８４４    マイクロフォン
８４５    操作キー
８４６    ポインティングデバイス
８４７    カメラ用レンズ
８４８    外部接続端子
８４９    太陽電池セル
８５０    外部メモリスロット
８６１    本体
８６３    接眼部
８６４    操作スイッチ
８６５    表示部
８６６    バッテリー
８６７    表示部
８７０    テレビジョン装置
８７１    筐体
８７３    表示部
８７５    スタンド
８８０    リモコン操作機
【図１】
2018019090.tif 000003
【図２】
2018019090.tif 000004
【図３】
2018019090.tif 000005
【図４】
2018019090.tif 000006
【図５】
2018019090.tif 000007
【図６】
2018019090.tif 000008
【図７】
2018019090.tif 000009
【図８】
2018019090.tif 000010
【図９】
2018019090.tif 000011
【図１０】
2018019090.tif 000012
【図１１】
2018019090.tif 000013
【図１２】
2018019090.tif 000014
【図１３】
2018019090.tif 000015
【図１４】
2018019090.tif 000016
【図１５】
2018019090.tif 000017
【図１６】
2018019090.tif 000018
【図１７】
2018019090.tif 000019
【図１８】
2018019090.tif 000020
【図１９】
2018019090.tif 000021
【図２０】
2018019090.tif 000022
【図２１】
2018019090.tif 000023
【図２２】
2018019090.tif 000024