(57)【要約】      （修正有）【課題】臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物を含むクロロシランの組成物から、臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物を分離する方法の提供。【解決手段】臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物を含むクロロシランの組成物を、非熱プラズマに曝し、引き続き、得られた臭素および／またはヨウ素を含む化合物からクロロシランを蒸留により分離する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロロシランの組成物から、一般式ＩＩＩ
ＳｉＨａｌ4-nＨn    （ＩＩＩ）
の臭素またはヨウ素を含むケイ素化合物を分離する方法において、前記クロロシランは、
−  一般式Ｉ
ＳｉＣｌ4    （Ｉ）
の少なくとも１つのクロロシラン、
−  一般式ＩＩ
【化１】
2018177633.tif 000004
［式中、Ｒ1は、それぞれ塩素であり、かつｍ＝０、１、２、３、４〜１００である］のポリペルクロロシラン、
−  分枝したポリペルクロロシランおよび／または環状のポリペルクロロシランおよび／または前述のクロロシランの混合物、
を含み、
前記方法は、
（ｉ）  前記クロロシランの組成物を気体の状態に変換し、かつ
（ｉｉ）  非熱プラズマに曝し、かつクロロシランの反応した組成物を得て、
（ｉｉｉ）  前記クロロシランの反応した組成物を蒸留し、かつ
（ｉｖ）  臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物の含有率が低減されているクロロシランの組成物を得ること
を含み、ここで、
ｎ＝０の一般式Ｉの四塩化ケイ素および／またはｎ＝０の式ＩＩのヘキサジクロロシランを非熱プラズマに曝し、
かつ前記臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物は、一般式ＩＩＩ
ＳｉＨａｌ4-nＨn    （ＩＩＩ）
のハロゲンシランに相応し、ここで、少なくとも１つのＨａｌは、臭素およびヨウ素から選択され、かつ他のＨａｌは、無関係にヨウ素から選択され、ｎ＝０、１、２または３である、
クロロシランの組成物から臭素またはヨウ素を含むケイ素化合物を分離する方法。
【請求項２】
方法工程（ｉｉ）において、１〜１０００ｍｂａｒabsの圧力で非熱プラズマ処理が行われることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記一般式ＩＩＩのハロゲンシランに相応する前記臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物が、ＨＳｉＣｌ2ＢｒまたはＨＳｉＣｌＢｒ2であることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
方法工程（ｉｉ）と任意の（ｉｉｉ）とを連続的に行うことを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
反応した臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物は、方法工程（ｉｉｉ）において、前記方法を実施する装置の捕集容器内で濃縮されることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
方法工程（ｉｉｉ）において、１〜１５００ｍｂａｒabsの圧力で蒸留による後処理が行われることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
方法工程（ｉｉｉ）において、４０〜２５０℃の範囲の塔頂温度で、前記反応した組成物の蒸留による後処理が行われることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマは非熱プラズマであり、ことに前記プラズマは１〜２０Ｗ／ｃｍ3の電力密度を有することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記組成物は、方法工程（ｉｖ）において、１質量ｐｐｍ以下の臭素および／またはヨウ素を有することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
非熱プラズマを、管型反応器内で、ことにガラス管型反応器内で、好ましくは石英ガラス管型反応器内で生成することを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
クロロシランの組成物から、臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物を分離するための、非熱プラズマの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、臭素、ヨウ素、臭素および／またはヨウ素を含む化合物を含むクロロシランの組成物を非熱プラズマに曝し、引き続きクロロシランを得られた臭素および／またはヨウ素を含む化合物の蒸留により分離できることにより、臭素、ヨウ素、臭素および／またはヨウ素を含む化合物を含むクロロシランの組成物から、臭素、ヨウ素、臭素および／またはヨウ素を含む化合物を分離する方法に関する。
【０００２】
マイクロエレクトロニクスにおいて、例えばエピタキシーを用いた高純度シリコン、または窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、オキシ炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）の製造のために使用されるクロロシランは、特にその純度に関する高い要求を満たさなければならない。これは、ことにこれらの材料の薄層を製造する場合に当てはまる。上述の適用分野では既に、ｐｐｂ範囲〜ｐｐｔ範囲での出発化合物の不純物が妨げになる。クロロシラン、ことに高純度クロロシランは、半導体工業または光導波路工業のような多くの適用分野において、重要な製品クラスを形成する。他のハロゲンまたは他のハロゲン化合物、例えば臭素および／または臭素含有化合物によるクロロシランの汚染は特に不利であることが判明している。このような汚染は、それ自体低ｐｐｍ範囲で、それどころかｐｐｂ範囲で、工業的クロロシラン用途において極端に妨げとなることがある。
【０００３】
例えば、テトラクロロシランおよびヘキサクロロシランは、必要な純度で、エレクトロニクスの分野、半導体工業の分野、ならびに製剤工業においても求められる出発物質である。
【０００４】
上述の高純度化合物の窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、または炭化ケイ素の製造のため、ことにこのような化合物の層の製造のために、テトラクロロシランおよびヘキサクロロシランは、他の窒素含有の、酸素含有の、または炭素含有の前駆体との反応により変換される。低温エピタキシーを用いたエピタキシャルシリコン層の製造のためにも、テトラクロロシランまたはヘキサクロロシランが使用される。
【０００５】
臭素、ヨウ素、臭素および／またはヨウ素を含む化合物の確実でかつ好ましくは連続的な分離を可能にする方法を開発することが課題であった。１つの問題は、臭素および／またはヨウ素を含む化合物が、クロロシランと同様の沸点を有することがあるため、蒸留による分離が不可能であることにある。さらに、この不純物の極端に低い含有率は、一般的な精製方法としての蒸留を用いて得ることができない。
【０００６】
この課題は、請求項１の特徴に相当する本発明による方法により、ならびに請求項１３に記載の使用により解決される。
【０００７】
意外にも、この課題は、臭素および／またはヨウ素を含む上述の不純物を含むクロロシラン質量流を、非熱プラズマ（低温プラズマと同義）を用いて処理することにより解決できることが見出された。好ましくはＳｉＣｌ4ならびに他のハロゲンを有する不純物または他のハロゲン化合物、例えば臭素および／または臭素含有化合物を含むクロロシラン質量流は、プラズマ放電装置内に、好ましくはオゾン発生器内に供給され、かつそこで低温プラズマ中で反応させられる。
【０００８】
非熱プラズマ中での本発明による処理により、クロロシラン質量流は、蒸留による精製、および臭素およびヨウ素のような他のハロゲン化合物の分離が可能となるように処理される。プラズマ処理の作用に関しては、プラズマ化学的に塩素ラジカルが生成され、この塩素ラジカルが相応するハロゲン化合物の臭素およびヨウ素を選択的に置き換えるので、これらの化合物の沸点変化が生じ、この沸点変化が質量流を蒸留により後処理可能となるような動力学的促進が前提とされる。
【０００９】
本発明の主題は、クロロシランの組成物から、他のハロゲンまたは他のハロゲン化合物、一般式ＩＩＩ
ＳｉＨａｌ4-nＨn    （ＩＩＩ）
の臭素またはヨウ素を含むケイ素化合物、ことにＨＳｉＣｌ2Ｂｒおよび／またはＨＳｉＣｌＢｒ2を分離する方法であり、ここで、このクロロシランは、
−  一般式Ｉ
ＳｉＣｌ4    （Ｉ）
の少なくとも１つのクロロシラン、
−  一般式ＩＩ
【化１】
2018177633.tif 000002
［式中、Ｒ1は、それぞれ塩素であり、かつｍ＝０、１、２、３、４〜１００である］のポリペルクロロシラン、
−  分枝したポリペルクロロシランおよび／または環状のポリペルクロロシランおよび／または前述のクロロシランの混合物、
を含み、
この方法は、
（ｉ）  クロロシランの組成物を気体の状態に変換し、かつ
（ｉｉ）  プラズマ、ことに非熱プラズマに曝し、かつクロロシランの反応した組成物を得て、
（ｉｉｉ）  クロロシランの反応した組成物を蒸留し、かつ
（ｉｖ）  臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物の含有率が低減されているクロロシランの組成物を得ること
を含み、ここで、
ｎ＝０の一般式Ｉの四塩化ケイ素および／またはｎ＝０の式ＩＩのヘキサジクロロシランを非熱プラズマに曝し、
かつ臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物は、一般式ＩＩＩ
ＳｉＨａｌ4-nＨn    （ＩＩＩ）
のハロゲンシランに相応し、ここで、少なくとも１つのＨａｌは、臭素およびヨウ素から選択され、かつ他のＨａｌは、無関係にヨウ素から選択され、ｎ＝０、１、２または３である。
【００１０】
意外にも、臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物の含有率が低減されているクロロシランの組成物を得ることができる。この組成物は、単離可能な塩素化合物の純度および最高純度を有する。クロロシランを含む組成物は、不純物がｐｐｂ範囲でだけ存在する場合に高い純度を有し；最高純度とは、０．０５質量ｐｐｍ以下の含有率を有する不純物であると解釈される。
【００１１】
好ましくは、この組成物は、方法工程（ｉｖ）において、１質量ｐｐｍ以下の臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物の含有率、ことに１質量ｐｐｍ以下の臭素の含有率を有する。とりわけ、臭素、臭素および／またはヨウ素を含む化合物の含有率は、０．５質量ｐｐｍ以下、好ましくは０．１１質量ｐｐｍ以下、特に好ましくは０．０５質量ｐｐｍ以下であり、この場合、０．０５質量ｐｐｍ以下の臭素の含有率が特に好ましい。
【００１２】
本発明による方法により製造された、クロロシランを含む組成物は、半導体工業または製剤工業での用途に適している。
【００１３】
方法工程（ｉｉ）では、得られたクロロシランの反応した組成物は、とりわけ、非熱プラズマに１回以上通過させた後に凝縮される。こうして得られたクロロシランの液状の反応した組成物を、引き続きクロロシランから臭素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物を分離するために蒸留することができる。
【００１４】
この方法で使用されるべきクロロシランの組成物は、例えば臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物として、ＳｉＨａｌ4-nＨn（ＩＩＩ）で示される一般式ＩＩＩのハロゲンシランを含むことができ、この場合、少なくとも１つのＨａｌは、臭素およびヨウ素から選択され、かつ任意の他のＨａｌは、それぞれ無関係に塩素、臭素およびヨウ素から選択され、ｎ＝０、１、２または３である。例えば、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物は、一般式ＩＩＩのハロゲンシランのＨＳｉＣｌ2ＢｒまたはＨＳｉＣｌＢｒ2から選択され、とりわけこれはＨＳｉＣｌ2Ｂｒである。
【００１５】
同様に、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物は、線状、分枝状および／または環状のポリハロゲンシラン、例えば式ＩＩＩの線状ポリハロゲンシランであることができ、ここで、Ｒ2は、それぞれ無関係に、塩素、臭素およびヨウ素を含むハロゲン、ならびに水素から選択され、ここで、Ｒ2は、同じまたは異なる基を表し、ここで、少なくとも１つのＲ2は、ハロゲンであり、かつｙ＝０、１、２、３、４〜１００であり、ことにｙ＝０、１、２、３、４、５、６〜１０である。
【化２】
2018177633.tif 000003
【００１６】
方法工程（ｉｉｉ）における反応した臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物に関して、このケイ素化合物が、この方法を実施するための装置の捕集容器内で濃縮される場合が好ましい。相応する濃縮は、水素が塩素により置き換わることによるか、または臭素が塩素に置き換わるかもしくはヨウ素が塩素に置き換わることによるか、またはダイマーの形成により、変更された沸点を有する化合物が形成されるために可能である。
【００１７】
臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物は、臭素を含むシラン、ヨウ素を含むシラン、臭素とヨウ素とを含むシラン、および／または上述の化合物の少なくとも２つを含む混合物を含む。
【００１８】
方法工程（ｉｉ）の非熱プラズマ処理は、１〜１０００ｍｂａｒabs.、とりわけ１００〜８００ｍｂａｒabs.、特に好ましくは１００〜５００ｍｂａｒabs.の圧力で行われる。
【００１９】
好ましい実施形態によれば、方法工程（ｉｉ）および任意の（ｉｉｉ）は連続的に行うことができる。
【００２０】
好ましい実施形態によれば、一般式Ｉのクロロシランとして、ｎ＝０の四塩化ケイ素が非熱プラズマに曝される。別の好ましい実施形態によれば、ｎ＝０の式ＩＩのヘキサジクロロシランが非熱プラズマに曝される。
【００２１】
方法工程（ｉｉｉ）において、蒸留による後処理は、１〜１５００ｍｂａｒabsの圧力で行うことができ、１００〜１０００ｍｂａｒabsの圧力が好ましく、１００〜５００ｍｂａｒabsの圧力が特に好ましい。さらに、方法工程（ｉｉｉ）において、反応した組成物の蒸留による後処理は、４０〜２５０℃、好ましくは５０〜１５０℃、特に好ましくは５０〜１００℃の範囲の塔頂温度で行われる。
【００２２】
オゾン発生器は、好ましくはクローズドループ型反応器（Closed-Loop-Reaktor）として運転される。このプロセスから、純粋生成物が好ましくは引き出される。臭素、ヨウ素、ならびに臭素およびヨウ素を含む化合物の他に、さらにＮ2が分離される。ＨＣｌを含む残留ガスは返送される。
【００２３】
ガス放電およびプラズマ化学の公知の原理については、関連する専門文献を指摘する：例えばA.T. Bell 「Fundamentals of Plasma Chemistry」J.R. HollahanおよびA.T. Bell編, Wiley, New York (1974)。
【００２４】
非熱プラズマは、好ましくは、０．１〜５０Ｗ／ｃｍ3、ことに１〜２０Ｗ／ｃｍ3の電力密度を有し、２〜１５Ｗ／ｃｍ3が好ましく、１０Ｗ／ｃｍ3±２．５Ｗ／ｃｍ3がさらに好ましい。非熱プラズマの生成は、一般に、管型反応器、ことにガラス管型反応器、好ましくは石英ガラス管型反応器中で行われる。
【００２５】
同様に、本発明の主題は、クロロシランの組成物から、臭素、臭素および／またはヨウ素を含む化合物、ことに臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物を分離するための、非熱プラズマの使用である。
【００２６】
未反応の臭素、ヨウ素、臭素および／またはヨウ素を含むケイ素化合物は、必要に応じて非熱プラズマに改めて供給される。これらの化合物の完全な反応のために、１〜１００サイクルを有する循環運転法を利用することができ、１〜５サイクルの少ない数が好ましく、とりわけ１サイクルだけ行われる。
【００２７】
非熱プラズマは、プラズマ電気的物質変換が誘導され、かつ非等温プラズマに基づくプラズマ反応器中で生成される。このプラズマについて、高い電子温度Ｔe≧１０4Ｋおよび比較的低いガス温度ＴG≦１０3Ｋが特徴付けられる。化学プロセスに必要な活性エネルギーは、主に電子衝突を介して行われる（プラズマ電気的物質交換）。典型的な非熱プラズマは、例えばグロー放電、ＨＦ放電、ホローカソード放電、またはコロナ放電により生成することができる。本発明によるプラズマ処理を実施する作業圧力は、１〜１０００ｍｂａｒabs、好ましくは１〜８００ｍｂａｒabs、特に好ましくは１００〜５００ｍｂａｒabs、ことに２００〜５００ｍｂａｒabsにあり、ここで、処理されるべき相は、好ましくは−４０℃〜２００℃、特に好ましくは２０〜８０℃、全く特に好ましくは４０〜６０℃の温度に設定される。ゲルマニウム化合物の場合に、相応する温度はより高くてもよい。
【００２８】
非熱プラズマおよび均一系プラズマ接触作用の定義は、関連する専門文献、例えば「Plasmatechnik: Grundlagen und Anwendungen - Eine Einfuehrung; Autorenkollektiv, Carl Hanser Verlag, Muenchen/Wien; 1984, ISBN 3-446-13627-4」が指摘される。
【００２９】
本発明の場合には、この後処理を、連続的に少なくとも１つの塔を有する塔システム中で、好ましくは少なくとも２つの塔を有するシステム中で行うことができる。この方法様式で、例えば反応の際に同様に生成された塩化水素（ＨＣｌ）は、いわゆる低沸点物塔（第１の塔）によって塔頂を介して分離することができ、かつ塔底からの溜まった混合物を、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）を第２の塔の塔頂で、かつ例えばヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2Ｃｌ6）のような高沸点物を第３の塔の塔頂で蒸留によって分離することにより、それぞれの成分に分離することができ；場合によりオクタクロロトリシランの分離のために第４の塔を接続することができる。この方法様式で、プラズマ反応器から得られた反応混合物を精留によりさらに分離することができる。
【００３０】
さらに、この装置内には、この反応器の他に、直列または並列に接続された１つ以上の他の反応器を使用することもできる。本発明の場合に、この装置の少なくとも１つの反応器は、オゾン発生器である。大きな利点は、市販のオゾン発生器を代替的に使用することができる点にあり、その結果、投資コストはかなり低減される。本発明の反応器に、合理的に、複数のガラス管、ことに石英ガラス管が備えられていて、この場合、これらの管は、好ましくは平行もしくは同軸に配置されていて、かつ不活性材料からなるスペーサーにより離間されている。不活性材料として、ことにテフロンまたはガラスが適している。プラズマ放電のための結合された電子エネルギー「Ｅ」は、圧力「ｐ」と電極間隔「ｄ」との積（ｐ・ｄ）に依存することは公知である。本発明による方法のために、電極間隔と圧力との積は、原則として、０．００１〜３００ｍｍ・ｂａｒ、好ましくは０．０５〜１００ｍｍ・ｂａｒ、特に好ましくは０．０８〜０．３ｍｍ・ｂａｒ、ことに０．１〜０．２ｍｍ・ｂａｒの範囲にある。放電は、１〜１０6Ｖの様々な交流電圧またはパルス電圧を用いて励起することができる。同様に、電圧の曲線推移が、とりわけ長方形、台形、パルス状、または部分状に、個々の時間的な推移から構成されていてよい。特にパルス形状の励起電圧が適していて、この励起電圧は、反応器の全体の放電室内で放電の同時の形成を可能にする。パルス運転の際のインパルス時間はガス系に依存し、このインパルス時間は、好ましくは１０ｎｓ〜１ｍｓである。好ましい電圧振幅は、マイクロシステムにおいて、１０Ｖｐ〜１００ｋＶｐ、好ましくは１００Ｖｐ〜１０Ｖｐ、特に好ましくは５０〜５Ｖｐである。交流電圧の周波数を、１０ＭＨｚ〜１０ｎｓ−インパルス（デューティ比１０：１）の間で、１０〜０．０１Ｈｚの範囲の低い周波数まで設定することができる。例えば、反応器に、１．９ｋＨｚの周波数および３５ｋＶの「ピーク  トゥ  ピーク（Peak to Peak）」の振幅を有する交流電圧を印加することができる。投入電力は、約４０Ｗである。
【００３１】
次の実施例は、本発明を詳細に説明するが、本発明はこの実施例に制限されることはない。
【００３２】
実施例１：
製造に起因してブロモシランまたはブロモハロゲンシランで汚染されたＳｉＣｌ4（図１）４リットルを、蒸留塔のボイラー内へ（負圧により）移した。このＳｉＣｌ4から、１：１０の還流比でＨＣｌならびにシラノールを除去した（図１参照）（プラズマ処理前のＢｒＣｌ2ＳｉＨのＳｉＨバンド）。臭素の含有率は、ＳｉＨバンドを介して測定される（臭素の含有率：１１．５質量ｐｐｍ）。
【００３３】
この蒸留を、Sulzer金属充填物３０ｍｍを備えた１．１ｍの塔を備えた蒸留装置中で不連続式に行った。約５７℃の塔底温度で、かつ７５０ｍｂａｒabsの圧力で、四塩化ケイ素を留去し、かつ約−１０℃で捕集した。この留出物は、工程内制御で、ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、ＢｒＣｌ2ＳｉＨのような臭素化されたシランの明らかな割合を示す（図１参照）（プラズマ処理前のＳｉＨバンド）。
【００３４】
こうして得られた、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）を含む留出物を連続的に蒸発させ、石英ガラス反応器（プラズママイクロリアクター（ギャップ約１ｍｍ））のガス放電区域の非熱プラズマ内に案内した。この気相を、約２５０ｍｌ／ｈで反応器を通過するように案内した。この気相はガラス質反応器を通して流れ、１．９ｋＨｚの周波数および３５ｋＶの振幅「ピーク  トゥ  ピーク（Peak to Peak）」を有する交流電圧を印加した。反応器内への投入電力は約４０Ｗ（一次電力）である。運転圧力を約３５０ｍｂａｒに設定した。プラズマ反応器は「クローズドループ型反応器（Closed-Loop-Reaktor）」として運転された。得られた凝縮物を蒸留塔のボイラー内へ放出し、（以前と同じ条件で）蒸留した。留出物のＦＴ−ＩＲスペクトルは、上述の不純物をもはや有していない（図１参照）（プラズマ処理後のＳｉＨバンド）。臭素を含むＢｒＣｌ2ＳｉＨ化合物は、もはや検出可能でない。ＢｒＣｌ2ＳｉＨの検出は、ＩＲスペクトル中でのＢｒＣｌ2ＳｉＨのＳｉＨバンドの決定を介して行われ、かつ相応して臭素の含有率に換算される。この測定方法は、１０００ｍｍの層厚でのＦＴ−ＩＲ、標準条件でのＳＴＣ（液状、２０℃、１ｂａｒ  ａｂｓ．）である。
【００３５】
プラズマ処理によりプラズマ中でＣｌ−(マイナス)イオンが生成され、このＣｌ−イオンが臭素化されたシラン化合物と反応し、かつ臭素化されたシラン化合物は、臭素が置き換えられることにより、蒸留によりＳｉＣｌ4から容易に分離可能な化合物に変換される。
【００３６】
反応器形状：放電区間：１０ｃｍ、環状スリットの半径：０．６ｃｍ
反応器の直径：１．２ｃｍ；ギャップ／スリット幅：１ｍｍ
【００３７】
実施例２：
この実施例を、実施例１と同様に行うが、蒸留後に臭素を含む化合物９．７質量ｐｐｍが得られたことが相違した。この留出物を、上述のように、プラズマ処理に供し、引き続き蒸留する。こうして得られた留出物は、０．０５質量ｐｐｍ未満の臭素の含有率を有する。
【００３８】
本発明を、次に、図面で示す実施例に基づき詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】プラズマ処理前の、ならびにプラズマ処理および新たな蒸留後のＢｒＣｌ2ＳｉＨのＦＴ−ＩＲスペクトル。ＢｒＣｌ2ＳｉＨを有効に除去することができた（０．０５質量ｐｐｍ以下の臭素）。
【図１】
2018177633.tif 000005