(57)【要約】【課題】パターンの微細化と多階調とを両立できるハーフトーンマスクを提供する。【解決手段】透明基板上に、第１の半透過膜からなる第１の半透過領域、前記第１の半透過膜と第２の半透過膜との積層からなる第２の半透過領域及び透明領域、並びに第１の半透過領域と第２の半透過領域とが隣接する領域とを有し、前記第１及び第２の半透過領域の露光光に対する透過率は、それぞれ１０〜７０［％］及び１〜８［％］であり、第２の半透過領域は露光光の位相を反転する。その結果、隣接する第１の半透過領域と第２の半透過領域との境界部分において、露光光の強度分布が急峻に変化し、露光されたフォトレジストパターンの断面形状を改善することができる。【選択図】  図２
2018109672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、
第１の半透過膜からなる第１の半透過領域と、
前記第１の半透過膜と第２の半透過膜とが積層された第２の半透過領域と、
前記第１の半透過膜及び前記第２の半透過膜のいずれも存在しない透明領域と、
前記第１の半透過領域と前記第２の半透過領域とが隣接する領域とを有し、
前記第１の半透過領域は、露光光に対する透過率が１０〜７０［％］であり、
前記第２の半透過領域は、露光光に対する透過率が１〜８［％］であり、露光光の位相を反転する
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記積層膜は、前記第１の半透過領域に対して露光光の位相を反転、若しくは前記透明領域に対して露光光の位相を反転する、
ことを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記積層膜は、第１の半透過膜の位相シフト角をα［度］、第２の半透過膜の位相シフト角をβ［度］としたとき、１８０−α≦β≦１８０の関係を満たす
ことを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記第１の半透過膜及び前記第２の半透過膜は、それぞれ互いのウェットエッチング液に対する選択性を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記第１の半透過膜として、Ｔｉ（チタン）、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第２の半透過膜は、酸化Ｃｒ（クロム）、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択するか、
又は、前記第１の半透過膜として、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第２の半透過膜は、酸化Ｔｉ（チタン）、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記積層膜は、前記第２の半透過膜のエッジが、前記第１の半透過膜のエッジより所定の寸法突出しており、
前記寸法は、露光光の波長をλ、投影露光光学系の開口数をＮＡとすると、λ／（８ＮＡ）以上λ／（３ＮＡ）以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項７】
透明基板上に第３の半透過膜、第４の半透過膜並びに前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜とがこの順で積層されている積層膜を有し、
前記積層膜は、前記第４の半透過膜のエッジが、前記第３の半透過膜のエッジより突出しており、
前記第３の半透過膜は、露光光に対する透過率が１０〜７０［％］であり、
前記第４の半透過膜は、露光光に対する透過率が２〜９［％］であり、露光光の位相を反転する
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項８】
前記第４の半透過膜は、位相シフト角を略１８０［度］とすることで、前記第３の半透過膜に対して露光光の位相を反転し、かつ前記透明基板に対して露光光の位相を反転する
ことを特徴とする請求項７記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜とがこの順で積層されている積層膜からなる領域と、前記第４の半透過膜のみからなる領域とを有することを特徴とする請求項７又は８記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜は、それぞれ互いのウェットエッチング液に対する選択性を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記第３の半透過膜は、Ｔｉ（チタン）、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第４の半透過膜は、酸化Ｃｒ（クロム）、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択するか、
又は、前記第３の半透過膜は、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第４の半透過膜は、酸化Ｔｉ（チタン）、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択する
ことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項１２】
透明基板上に、第１の半透過膜を形成する工程と、
前記第１の半透過膜上に第２の半透過膜を形成する工程と、
前記第２の半透過膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第１のフォトレジストをマスクに前記第２の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第２のフォトレジストをマスクに前記第１の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１３】
透明基板上に、第１の半透過膜を形成する工程と、
前記第１の半透過膜上に第２の半透過膜を形成する工程と、
前記第２の半透過膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第１のフォトレジストをマスクに前記第２の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第２のフォトレジストをマスクに、前記第１の半透過膜をサイドエッチングし、
前記第２の半透過膜の端部が前記第１の半透過膜の端部より所定範囲の寸法だけ突出させる工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１４】
透明基板上に第３の半透過膜を形成する工程と、
前記第３の半透過膜上に第３のフォトレジストを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第３のフォトレジストをマスクに前記第３の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第３のフォトレジストを除去する工程と、
第４の半透過膜を形成する工程と、
第４のフォトレジストを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第４のフォトレジストをマスクに前記第４の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第４のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１５】
透明基板上に第１の半透過膜及び第２の半透過膜がこの順に積層され、
前記第１の半透過膜の露光光に対する透過率は１０〜７０［％］であり、
前記第１の半透過膜と前記第２の半透過膜との積層膜の露光光に対する透過率が１〜８［％］であり、前記積層膜により露光光の位相が反転する
ことを特徴とするフォトマスクブランクス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ等に使用される多階調のハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法に関する。
【０００２】
フラットパネルディスプレイ等の技術分野においては、半透過膜の透過率で露光量を制限するという機能を備えた、ハーフトーンマスクと呼ばれる多階調のフォトマスクが使用されている。
ハーフトーンマスクは、透明基板と遮光膜と、それらの中間の透過率を有する半透過膜とにより、３階調又はそれ以上の多階調のフォトマスクを実現することができる。
【０００３】
特許文献１には、透明基板に遮光膜を形成したフォトマスクブランクスを加工し、遮光膜のパターンを形成後、半透過膜を形成し、遮光膜と半透過膜とをパターニングすることにより、ハーフトーンマスクを形成する方法が開示されている。
【０００４】
このようなハーフトーンマスクは、例えば液晶表示装置の製造工程において、ＴＦＴのチャネル領域及びソース／ドレイン電極形成領域で、それぞれ膜厚の異なるフォトレジストパターンを１回の露光工程で形成することによりリソグラフィー工程を削減するために用いられることがある。
【０００５】
その一方で、フラットパネルディスプレイの高画質化のため、配線パターンの微細化の要望が、ますます強くなってきている。プロジェクション露光機で、解像限界に近いパターンを露光しようとする場合、露光マージンを確保するため、遮光領域のエッジ部に位相を反転させる位相シフタを設けた位相シフトマスクが特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２５７７１２
【特許文献２】特開２０１１−１３２８３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ハーフトーンマスクにおいては、半透過膜と遮光膜との境界部分での露光光強度の変化が比較的緩やかであり、ハーフトーンマスクを用いて露光したフォトレジストは、このような境界部分での断面形状が緩やかな傾斜を示し、プロセスマージンが低下し、その結果、微細なパターンを形成することが困難である。
【０００８】
位相シフトマスクを使用することにより解像度を向上させ、パターンの更なる微細化は可能となるが、ハーフトーンマスクの様なリソグラフィー工程の削減は不可能である。そのため、フラットパネルディスプレイの製造に使用した場合、製造コストの低減に寄与することができない。
【０００９】
ハーフトーンマスクと異なる方式である微細パターンタイプのグレートーンマスクは、遮光部と半透過部との間で比較的急峻な露光光強度分布を得ることができるものの、焦点深度が浅くなるという問題がある。
【００１０】
このように従来のフォトマスクでは、フラットパネルディスプレイ等の製造コストの低減と解像度の問題を両立させることは不可能であった。
【００１１】
上記課題を鑑み、本発明は、リソグラフィー工程の削減とパターンの更なる微細化を両立することができるフォトマスク及びその製造に使用するフォトマスクブランクス、ならびにフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明にかかるフォトマスクは、
透明基板上に、
第１の半透過膜からなる第１の半透過領域と、
前記第１の半透過膜と第２の半透過膜とが積層された第２の半透過領域と、
前記第１の半透過膜及び前記第２の半透過膜のいずれも存在しない透明領域と、
前記第１の半透過領域と前記第２の半透過領域とが隣接する領域とを有し、
前記第１の半透過領域は、露光光に対する透過率が１０〜７０［％］であり、
前記第２の半透過領域は、露光光に対する透過率が１〜８［％］であり、露光光の位相を反転する
ことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記積層膜は、前記第１の半透過領域に対して露光光の位相を反転、若しくは前記透明領域に対して露光光の位相を反転する
ことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記積層膜は、第１の半透過膜の位相シフト角をα［度］、第２の半透過膜の位相シフト角をβ［度］としたとき、１８０−α≦β≦１８０の関係を満たす
ことを特徴とする。
【００１５】
このようなフォトマスクの構成とすることにより、第１の半透過領域、第２の半透過領域及び透明領域の階調を有する多階調マスクを得ることができ、さらに第２の半透過領域の露光光の位相の反転効果により、第１の半透過領域と第２の半透過領域とが隣接する領域の露光光の強度分布の変化が急峻となる。その結果、本発明のフォトマスクを使用することで、異なる膜厚のフォトレジストを形成でき、さらに急峻な断面形状を有するフォトレジストを得ることができる。
【００１６】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記第１の半透過膜及び前記第２の半透過膜は、それぞれ互いのウェットエッチング液に対する選択性を有することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記第１の半透過膜として、Ｔｉ（チタン）、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第２の半透過膜は、酸化Ｃｒ（クロム）、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択するか、
又は、前記第１の半透過膜として、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第２の半透過膜は、酸化Ｔｉ（チタン）、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択する
ことを特徴とする。
【００１８】
このような構成とすることにより、第１の半透過膜及び第２の半透過膜に対して、必要な光学特性を実現できるとともに、所望のパターンに形成することが容易になる。
【００１９】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記積層膜は、前記第２の半透過膜のエッジが、前記第１の半透過膜のエッジより所定の寸法突出しており、
前記寸法は、露光光の波長をλ、投影露光光学系の開口数をＮＡとすると、λ／（８ＮＡ）以上λ／（３ＮＡ）以下であることを特徴とする。
【００２０】
このような構成とすることにより、第１の半透過膜及び第２の半透過膜との積層膜と透明基板との境界部の露光光強度分布が急峻となり、微細パターンの形成が可能となる。
【００２１】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
透明基板上に第３の半透過膜、第４の半透過膜並びに前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜とがこの順で積層されている積層膜を有し、
前記積層膜は、前記第４の半透過膜のエッジが、前記第３の半透過膜のエッジより突出しており、
前記第３の半透過膜は、露光光に対する透過率が１０〜７０［％］であり、
前記第４の半透過膜は、露光光に対する透過率が２〜９［％］であり、露光光の位相を反転することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記第４の半透過膜は、位相シフト角を略１８０［度］とすることで、前記第３の半透過膜に対して露光光の位相を反転し、かつ前記透明基板に対して露光光の位相を反転する
ことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜とがこの順で積層されている積層膜からなる領域と、前記第４の半透過膜のみからなる領域とを有することを特徴とする。
【００２４】
このような領域により構成されるパターンを用い、例えばＴＦＴのチャネル領域及び周辺回路部の配線パターンの微細化が容易になる。
【００２５】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜は、それぞれ互いのウェットエッチング液に対する選択性を有することを特徴とする。
【００２６】
また、本発明にかかるフォトマスクは、
前記第３の半透過膜は、Ｔｉ（チタン）、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第４の半透過膜は、酸化Ｃｒ（クロム）、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択するか、
又は、前記第３の半透過膜は、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、かつ第４の半透過膜は、酸化Ｔｉ（チタン）、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択する
ことを特徴とする。
【００２７】
このような構成とすることにより、第３の半透過膜及び第４の半透過膜に対して、必要な光学特性を実現できるとともに、所望のパターンに形成することが容易になる。
【００２８】
本発明にかかるフォトマスクの製造方法は、
透明基板上に、第１の半透過膜を形成する工程と、
前記第１の半透過膜上に第２の半透過膜を形成する工程と、
前記第２の半透過膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第１のフォトレジストをマスクに前記第２の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第２のフォトレジストをマスクに前記第１の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００２９】
また、本発明にかかるフォトマスクの製造方法は、
透明基板上に、第１の半透過膜を形成する工程と、
前記第１の半透過膜上に第２の半透過膜を形成する工程と、
前記第２の半透過膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第１のフォトレジストをマスクに前記第２の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第２のフォトレジストをマスクに、前記第１の半透過膜をサイドエッチングし、
前記第２の半透過膜の端部が前記第１の半透過膜の端部より所定範囲の寸法だけ突出させる工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とする。
【００３０】
また、本発明にかかるフォトマスクの製造方法は、
透明基板上に第３の半透過膜を形成する工程と、
前記第３の半透過膜上に第３のフォトレジストを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第３のフォトレジストをマスクに前記第３の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第３のフォトレジストを除去する工程と、
第４の半透過膜を形成する工程と、
第４のフォトレジストを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第４のフォトレジストをマスクに前記第４の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第４のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とする。
【００３１】
このようなフォトマスクの製造方法により、ハーフトーン効果と位相シフト効果とを両立するフォトマスクを製造することができる。
【００３２】
本発明にかかるフォトマスクブランクスは、
透明基板上に第１の半透過膜及び第２の半透過膜がこの順に積層され、
前記第１の半透過膜の露光光に対する透過率は１０〜７０［％］であり、
前記第１の半透過膜と前記第２の半透過膜との積層膜の露光光に対する透過率が１〜８［％］であり、前記積層膜により露光光の位相が反転する
ことを特徴とする。
【００３３】
このようなフォトマスクブランクスを準備することにより、ハーフトーン効果と位相シフト効果とを両立するフォトマスクの製造工期を短縮することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、ハーフトーン効果と位相シフト効果を両立し得るフォトマスクを実現することができ、パターンの微細化とリソグラフィーの工数削減に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施形態によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態によるフォトマスクと従来のハーフトーンマスクとにより露光されたフォトレジストの断面形状を比較するグラフ。
【図４】本発明の第２の実施形態によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。
【図５】本発明の第３の実施形態によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。
【図６】本発明の第３の実施形態によるフォトマスクを示す断面図。
【図７】本発明の第４の実施形態によるフォトマスクの主要製造工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は、いずれも本発明の要旨の認定において限定的な解釈を与えるものではない。また、同一又は同種の部材については同じ参照符号を付して、説明を省略することがある。
【００３７】
（実施形態１）
以下、本発明に係るフォトマスクの実施形態１の製造工程を詳細に説明する。
【００３８】
図１（Ａ）に示すように、合成石英ガラス等の透明基板１１上に、第１の半透過膜１２をスパッタ法等により成膜し、その上に第１の半透過膜１２と異なる材質の第２の半透過膜１３をスパッタ法等により成膜することにより、フォトマスクブランクス１０を準備する。その後、第２の半透過膜１３上に第１のフォトレジスト１４を塗布法により形成する。
【００３９】
予め上記フォトマスクブランクス１０を準備しておくことで、フォトマスクの製造工期を短縮することもできる。
第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３とが、それぞれ異なる材質であるため、異なるエッチング液によりエッチングされ、互いのエッチング液に対して耐性があるため、それぞれ選択的にエッチングすることが可能である。
【００４０】
例えば、第１の半透過膜１２として、Ｔｉ（チタン）、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、第２の半透過膜１３として、酸化Ｃｒ（クロム）、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択することができる。
又は、第１の半透過膜１２として、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、第２の半透過膜１３として、酸化Ｔｉ（チタン）、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択することができる。
また、上記酸化物、窒化物、酸窒化物の組成は膜厚方向に対して変化してもよい。
【００４１】
後述するように第１の半透過膜１２は、ハーフトーン膜としての機能を有する。
一般には、Ｃｒ系材料により位相シフトの調整が比較的容易であるため、以下では、第１の半透過膜１２として上記のＴｉ系材料、第２の半透過膜１３として上記Ｃｒ系材料の例について説明するが、上記膜構成を入れ替えてもよい。
【００４２】
第１の半透過膜１２の露光光に対する透過率は１０〜７０［％］である。第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３との積層膜の露光光に対する透過率は１〜８［％］となるように第２の半透過膜１３の露光光に対する透過率を設定する。
第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３との積層膜は、位相シフターとして機能するため、露光光の位相が反転するように、第２の半透過膜１３の膜厚を調整し位相シフト角を決定する。
露光光の位相が反転するとは、露光光の位相シフト角が略１８０［度］であることを意味するが、略１８０［度］とは、具体的には、１８０±１０［度］の範囲であり、この範囲であれば位相反転の効果を十分に得ることができる。
【００４３】
なお、露光光として、ｇ線、ｈ線、ｉ線やこれらの２つ以上の混合光を用いることができ、混合波長においては、代表波長若しくはスペクトル分布の重心波長に対して透過率及び位相シフトを定義する。
【００４４】
第２の半透過膜１３の単層膜の位相シフト角が略１８０［度］の場合、第１の半透過膜１２の透過光と、第１の半透過膜１２及び第２の半透過膜１３の積層膜の透過光との位相シフト角が略１８０［度］であることを意味する。
このような位相シフトの状態を、以下では便宜上第１の位相シフト条件と称す。
【００４５】
第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３との積層膜の位相シフト角が透明基板１１が露出している領域に対して露光光が反転する条件、すなわち、第１の半透過膜１２の透明基板１１の透過光に対する位相差をα、第２の半透過膜１３の透明基板１１の透過光に対する位相差をβとすると、α＋βは略１８０［度］となる位相シフトの状態を、以下では便宜上第２の位相シフト条件と称す。
【００４６】
透過率と位相シフト角は、第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３とに使用される膜の材質と、膜厚により調整することが可能である。
【００４７】
次に図１（Ｂ）に示すように、第１のフォトレジスト１４を、例えばフォトマスク描画装置により露光し、その後現像することにより、第１のフォトレジストパターン１４ａ、１４ｂ、１４ｃを形成する。
【００４８】
次に図１（Ｃ）に示すように、第１のフォトレジストパターン１４ａ、１４ｂ、１４ｃをマスクに、第１の半透過膜１２に対して第２の半透過膜１３を選択的にエッチングし、第２の半透過膜のパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成し、その後、アッシング等により第１のフォトレジストパターン１４ａ、１４ｂ、１４ｃを除去する。
【００４９】
第２の半透過膜１３のエッチング法は、十分な選択比が得られれば、ウェットエッチング法でもドライエッチング法でもよいが、高い選択比が得られるウェットエッチング法が好適に使用できる。
第２の半透過膜１３としてＣｒ系材料を使用した場合、セリウム系のエッチング液である例えば硝酸第二セリウムアンモニア水溶液を好適に使用することができるが、これに限定するものではない。
【００５０】
次に図１（Ｄ）に示すように、第２のフォトレジスト１５を塗布法により形成する。
【００５１】
次に図１（Ｅ）に示すように、第２のフォトレジスト１５を露光し、その後現像することにより、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂを形成する。
【００５２】
次に図２に示すように、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂをマスクに、第１の半透過膜１２をエッチングし、第１の半透過膜のパターン１２ａ、１２ｂを形成し、その後、アッシング等により第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂを除去する。
第１の半透過膜１２のエッチングはウェットエッチング法でもドライエッチング法でもよいが、高い選択比が得られるウェットエッチング法が好適に使用できる。
第１の半透過膜１２として、第２の半透過膜１３と材質が異なる材料として、例えばＴｉ系材料を使用した場合、水酸化カリウム（ＫＯＨ）と過酸化水素水との混合溶液を好適に使用することができるが、これに限定するものではない。
【００５３】
図２に示すように、透明基板１１上に、第１の半透過膜１２の単層膜の領域Ｃと、第１の半透過膜のパターン１２ａと第２の半透過膜のパターン１３ａ、１３ｂとの積層膜からなり領域Ｃと隣接する領域Ａ、Ｂと、領域Ｃと隣接しない第１の半透過膜のパターン１２ｂと第２の半透過膜のパターン１３ｃとの積層膜の領域Ｄが存在する。
以下、第１の半透過膜１２の単層膜の領域を第１の半透過領域、第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３とが積層された領域を第２の半透過領域と称することがある。
【００５４】
第２の半透過領域（領域Ａ、Ｂ、Ｄ）においては、露光光の透過率は１〜８［％］であり、露光光の位相は反転する。
一方、第１の半透過領域（領域Ｃ）においては、露光光の透過率は１０〜７０［％］である。
第１の半透過領域及び第２の半透過領域以外の領域は、透明基板１１が露出する領域Ｅ、Ｆ、Ｇ（透明領域と称することがある）であり、透過率は１００％である。
第１の半透過領域は、透明領域の透過率と第２の半透過領域の透過率との中間の透過率であり、多階調のフォトマスクとなる。
【００５５】
第１の位相シフト条件、すなわち第２の半透過膜１３の単層膜の位相シフト角が略１８０［度］の場合、領域Ｃと領域Ａ、Ｂとの境界部分において、透過する露光光強度分布の変化が急峻になる。このため、本フォトマスクにより露光されたフォトレジストの断面形状が、この境界部分の対応する箇所で、膜厚が急峻に変化する。例えば、領域ＣでＴＦＴのチャネル領域を形成し、領域Ａ、Ｂでソース・ドレイン電極を形成する場合、チャネル長の制御が正確にできるため、ＴＦＴの寸法設計に対して、従来のフォトマスクを使用した場合と比較し、設計マージン（余裕）を大きくすることができ、微細なＴＦＴを製造することができる。
【００５６】
領域Ｄは、半透過領域との境界を有しない領域であり、この領域は、例えば、周辺回路の配線等の露光に使用できる。
【００５７】
第２の位相シフト条件、すなわち第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３との積層膜の透明領域に対する位相シフト角が略１８０［度］の場合、例えば領域Ｅと領域Ａとの境界、領域Ｆと領域Ｂとの境界、領域Ｆ、Ｇと領域Ｄとの境界において、位相が反転するため、これらの境界での露光光の強度分布が急峻に変化する。そのため、このフォトマスクにより露光されたフォトレジストの断面形状も、これらの境界に相当する箇所において、急峻な形状となる。その結果、微細なパターンを形成することができる。
例えば、フラットパネルディスプレイ等の周辺回路部において配線の微細化を優先する場合、第２の位相シフト条件を採用すればよい。
【００５８】
また、第１の位相シフト条件と第２の位相シフト条件の中間の状態とすることで、両方の効果を得ることができる。
位相シフトによる解像度向上の効果は、略１８０［度］を中心として±１０［度］の範囲であれば十分である。第一の位相シフト条件はβ＝１８０、第二の位相シフト条件はα＋β＝１８０であるが、第一の半透過膜の位相シフト角αが概ね２０［度］以下の場合（材料にＣｒ系フラットハーフトーン膜を選択して透過率が１５％以上の場合やＣｒ系ノーマルハーフトーン膜を選択して透過率が４５％以上の場合）には、第二の半透過膜の位相シフト角βを第一の位相シフト条件と第二の位相シフト条件の中間である
１８０−α≦β≦１８０
より好ましくは
β＝１８０−α／２
とすることで、両方の効果を得ることも可能である。
例えばα＝２０［度］の場合、β＝１７０とすればα＋β＝１９０となるため、β及びα＋βは、共に１８０±１０の範囲に収まる。
このような位相シフト条件では、すべての境界で、露光光の強度分布が急峻になり、露光されたフォトレジストの断面形状は、いずれの境界においても急峻な形状となる。
なお、位相シフト角α、βは、空気に対する位相差であるため、通常マイナスの数値となることは無く、また現実のαは（透過率が下限の１０％の場合でも）、高々８２［度］であるため上記条件式を満たすβがマイナスの数値となることはない。
【００５９】
なお、Ｃｒ系フラットハーフトーン膜とは、Ｃｒ（クロム）を主成分として、極微量の酸素、窒素を含有する膜を意味し、Ｃｒ系ノーマルハーフトーン膜は、酸化Ｃｒ（クロム）を主成分とする膜を意味する。
【００６０】
図３は、ハーフトーン膜と位相シフト膜とを組み合わせた本実施形態により露光したフォトレジストの形状と、ハーフトーン膜と露光光を透過しない遮光膜とを組み合わせた従来のフォトマスクにより露光したフォトレジストの形状とを比較して示す。
【００６１】
図３（ａ）は、本実施形態のフォトマスクの断面であり、図３（ａ）は図２の一部を拡大した図である。
図３（ｂ）は、特許文献１に開示される従来のフォトマスクの断面の一部であり、透明基板４１上に遮光膜のパターン４２が形成され、遮光膜のパターン４２上にハーフトーン膜のパターン４３が形成されている。
【００６２】
図３（ｃ）は、図３（ａ）に示すフォトマスクにより露光されたフォトレジスト３０の断面形状を模式的に示す。ハーフトーン膜である第１の半透過膜１２ａに相当する箇所のフォトレジスト膜厚は、位相シフト膜に相当する第２の半透過膜１３ａ箇所のフォトレジスト膜厚より薄く、１つのフォトマスクにより、１回の露光で異なるフォトレジスト膜厚を有する領域を形成することができる。
図３（ｃ）において、黒丸で示す点Ｐは、ハーフトーン膜と位相シフト膜との境界に相当する箇所を示す。
【００６３】
同様に、従来のフォトマスクを用いて、異なる膜厚領域を有するフォトレジスト４０を１回の露光で形成することができる。図３（ｄ）は、図３（ｂ）に示すフォトマスクにより露光されたフォトレジスト４０の断面形状を模式的に示す。図３（ｄ）中の黒丸で示す点Ｑは、ハーフトーン膜と遮光膜との境界に相当する箇所を示す。
【００６４】
図３（ｅ）は、各フォトレジスト３０、４０の点Ｐ及びＱでの傾斜角のシミュレーションによる算出値を比較して示すグラフである。
位相シフト膜である第２の半透過膜の位相シフト角は１８０［度］、透過率は５［％］、ハーフトーン膜である第１の半透過膜の位相シフト角は２［度］、透過率は５４［％］であり、第１の位相シフト条件と第２の位相シフト条件との両方を満足する。なお、図３（ｂ）に示す従来のフォトマスクの遮光膜の透過率は０［％］であり、位相シフトの効果はない。
【００６５】
図３（ｅ）より明らかなように、従来のフォトマスクの点Ｑの傾斜角と比較し、本実施形態によるフォトマスクの点Ｐの傾斜角は大きく、フォトレジスト３０の境界部分の断面形状が急峻になることが理解できる。すなわち、本実施形態により、フォトレジストの断面形状が改善されることが理解できる。
【００６６】
（実施形態２）
実施形態１で使用するフォトマスクブランクス１０を用い、第１の半透過膜１２と第２の半透過膜１３との積層領域の周囲に第２の半透過膜１３の単層膜を形成することが可能である。
第２の半透過膜１３による露光光の反転効果により、第１の半透過膜１２及び第２の半透過膜１３の積層領域と透明基板１１が露出している領域との境界部での露光光の強度分布が急峻に変化し、対応するフォトレジストの断面形状が急峻となる。
【００６７】
図４（Ａ）に示すとおり、図１（Ｅ）の工程後、第１の半透過膜１２を第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂをマスクに、第２の半透過膜に対して選択的にエッチングする。
このとき、第１の半透過膜１２の側面が露出した段階から更にサイドエッチングすることにより、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂ及び、第２の半透過膜のパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃに対して後退した第１の半透過膜のパターン１２ｃ、１２ｄを形成する。このようなエッチングは等方性エッチングにより可能であり、ウェットエッチング法又はドライエッチング法が可能であるが、選択比の高いウェットエッチング法が好適に使用できる。
【００６８】
このときのエッチングは第２の半透過膜に対して、エッチング選択性があるため、第２のレジストパターンは、少なくとも第１の半透過膜のみが露出した領域を覆っていればよい。そのため、フォトマスク描画装置のアライメント誤差を考慮し、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂ幅を調整、例えば狭く、してもよい。
【００６９】
その後図４（Ｂ）に示すように、アッシング法により、第２のフォトレジストパターン１５ａ、１５ｂを除去する。
図４（Ｂ）に示すように、第２の半透過膜のパターン１３ａ、１３ｂは第１の半透過膜のパターン１２ｃに対して、透明基板１１が露出する領域側に距離Ｚ突出しており、第２の半透過膜のパターン１３ｃは第１の半透過膜のパターン１２ｄに対して、透明基板１１が露出する領域側に距離Ｚ突出する。Ｚの寸法はサイドエッチング量、例えばウェットエッチング時間、により制御することができる。
【００７０】
このようにエッチングプロセスによりＺの寸法を制御し、アライメント誤差を発生させることなく自己整合的に第１の半透過膜パターン１２ｃ、２１ｄを形成できるため、第２の半透過膜パターンの位相シフト効果を均一にすることができる。
【００７１】
第２の半透過膜のパターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃの位相シフト角を透明基板１１が露出している領域に対して露光光が反転する条件、すなわち位相シフト角を略１８０［度］（１８０±１０［度］）に設定することにより、第２の半透過膜のパターン１３ａ、１３ｂ及び第１の半透過膜のパターン１２ｃが積層する領域と透明基板１１が露出する領域との境界、並びに第２の半透過膜のパターン１３ｃ及び第１の半透過膜のパターン１２ｄとが積層する領域と透明基板１１が露出する領域との境界において、露光光の強度分布が急峻に変化する。その結果、露光されたフォトレジストの断面形状も急峻となる。
【００７２】
上記Ｚの寸法が大き過ぎると、第１の半透過膜のパターン１２ｄと第２の半透過膜のパターン１３ｃとの積層膜からなるパターンが不要に細り、場合に依っては欠落（断線）し、回路不良の原因となる。
Ｚの寸法は、フォトマスクを使用する投影露光装置の光学系の開口数をＮＡ、露光光の波長（代表波長）をλとすると、λ／（８ＮＡ）以上λ／（３ＮＡ）以下となるように設定する。
【００７３】
（実施形態３）
実施例１、２では、ハーフトーン膜としての第１の半透過膜１２と位相シフターとしての第２の半透過膜１３の積層膜を形成後にパターニングを行ったが、ハーフトーン膜のパターンを形成後に位相シフター膜のパターンを形成することでフォトマスクを製造してもよい。本実施形態により、ハーフトーン膜のエッジ部に位相シフターの単層膜を形成することもでき、位相シフト角の制御が容易になる。
【００７４】
図５（Ａ）に示すように、透明基板１１上に第３の半透過膜２２をスパッタ法等により成膜し、フォトマスクブランクス２０を準備し、その後第３の半透過膜２２上に第３のフォトレジスト２３を塗布法により形成する。
第３の半透過膜２２は、ハーフトーン膜としての機能を有し、露光光に対する透過率が１０〜７０［％］である。
例えば、第３の半透過膜２２として、Ｔｉ、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜、又はＣｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択することができる。
【００７５】
次に図５（Ｂ）に示すように、第３のフォトレジスト２３を、例えばフォトマスク描画装置により露光し、その後現像することにより、第３のフォトレジストパターン２３ａ、２３ｂを形成する。
【００７６】
次に図５（Ｃ）に示すように、第３のフォトレジストパターン２３ａ、１３ｂをマスクに、第３の半透過膜２２をエッチングし、第３の半透過膜のパターン２２ａ、２２ｂを形成し、その後アッシング等により第３のフォトレジストパターン２３ａ、２３ｂを除去する。
【００７７】
次に図５（Ｄ）に示すように、第３の半透過膜２２と異なる材質の第４の半透過膜２４をスパッタ法等により成膜し、その後第４のフォトレジスト２５を塗布法により形成する。
第４の半透過膜２４は、位相シフターとしての機能を有し、露光光に対する透過率は２〜９［％］である。
例えば、第３の半透過膜２２として、Ｔｉ、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、第４の半透過膜２４として、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択することができる。又は、例えば第３の半透過膜２２として、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、第４の半透過膜２４として、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択することができる。
【００７８】
次に図５（Ｄ）に示すように、第４のフォトレジスト２５を露光し、その後現像することにより、第４のフォトレジストパターン２５ａ、２５ｂ、２５ｃを形成する。
【００７９】
次に図６に示すように、第４のフォトレジストパターン２５ａ、２５ｂ、２５ｃをマスクに、第３の半透過膜のパターン２２ａ、２２ｂに対して、第４の半透過膜２４を選択的にエッチングし、第４の半透過膜のパターン２４ａ、２４ｂ、２４ｃを形成し、その後アッシング法により第４のフォトレジストパターン２５ａ、２５ｂ、２５ｃを除去する。
【００８０】
図６に示すように、フォトマスクには、第３の半透過膜２２の単層で構成されている領域Ｋ、第４の半透過膜２４の単層で構成されている領域Ｉ、Ｍ、第３の半透過膜２２と第４の半透過膜２４との積層で構成されている領域Ｊ、Ｌ、Ｏ、透明基板１１が露出している領域Ｈ、Ｎ、Ｐが存在する。
【００８１】
第４の半透過膜２４の位相シフト角を第３の半透過膜２２に対して露光光が反転する条件、すなわち位相シフト角が略１８０［度］（１８０±１０［度］）となる条件（第３の位相シフト条件と称す）とすることにより、領域Ｋと領域Ｊ、Ｌとの境界において、露光光の強度分布が急峻に変化し、露光されたフォトレジストの断面形状も急峻に変化し、パターンの微細化が可能になる。
例えば、領域ＫをＴＦＴのチャネル領域、領域Ｊ、Ｌをソースドレイン電極領域に採用することができる。
【００８２】
第４の半透過膜２４の位相シフト角を透明基板１１が露出している領域に対して露光光が反転する条件、すなわち位相シフト角が略１８０［度］（１８０±１０［度］）となる条件（第４の位相シフト条件と称す）とすることにより、第４の半透過膜２４の単層で構成されている領域Ｉ、Ｍと透明基板１１が露出している領域Ｈ、Ｎとの境界部分で、露光光の強度分布が急峻に変化し、露光されたフォトレジストの断面形状も急峻に変化し、パターンの微細化が可能になる。その結果、領域Ｊ、Ｌと領域Ｈ、Ｎとの間の領域での露光光の強度分布が急峻に変化し、この部分に対応するフォトレジストの断面形状が急峻となる。
【００８３】
第３の位相シフト条件と第４の位相シフト条件とを両立する条件とすることにより、すべての境界において露光光の強度分布が急峻となり、露光されたフォトレジストの断面形状も境界部分において急峻となり、パターンの微細化が可能となる。
例えば、透明基板に対する第３の半透過膜２２の位相シフト角を、小さい角、例えば０．４〜１０［度］に設定することにより、いずれの境界においても急峻な露光光の強度分布を得ることができる。
このような第３の半透過膜２２と第４の半透過膜２４との積層領域と隣接しない孤立した領域Ｏは、周辺回路等の配線のパターンに採用することができ、ＴＦＴと配線の微細化が容易に両立できる。
【００８４】
なお、第４の半透過膜２４との単層で構成されている領域Ｉ、Ｍの幅を解像限界以下とすることにより、これらの領域Ｉ、Ｍのフォトレジストのパターンへの悪影響をなくすことができる。
具体的には、フォトマスク描画装置のアライメント精度（第３、第４のフォトレジストパターンの位置ずれ）を考慮して領域Ｊ、Ｌの幅として０．５［ｍｍ］程度とすることが望ましい。この程度の寸法であれば投影露光装置の解像限界よりも十分に小さく、露光光によりフォトレジストに解像することなく、これらの領域の悪影響は抑制できる。
【００８５】
（実施形態４）
図７に示すように、領域Ｏの膜構成を、第４の半透過膜２４の単層構造としてもよい。
第４の半透過膜２４の単層構造は、図５（Ｂ）工程において、第３のフォトレジスト２３ｂを形成せずに、第３の半透過膜２２をパターニングすることにより形成できる。
第３の半透過膜２２がなく、単独の第４の半透過膜２４の位相シフト角により、領域Ｏにおいて、透明基板１１との位相シフト角を略１８０［度］（１８０±１０［度］）に設定でき、パターンの微細化が可能となる。
このような第４の半透過膜２４の単層膜は、例えば周辺回路の配線パターンに使用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明によれば、フォトリソグラフィー工程の削減と、パターンの微細化を実現することができるフォトマスクを提供することができ、産業上の利用可能性は極めて大きい。
【符号の説明】
【００８７】
１０  フォトマスクブランクス
１１  透明基板
１２  第１の半透過膜
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ  第１の半透過膜のパターン
１３  第２の半透過膜
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  第２の半透過膜のパターン
１４  第１のフォトレジスト
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ  第１のフォトレジストパターン
１５  第２のフォトレジスト
１５ａ、１５ｂ  第２のフォトレジストパターン
２０  フォトマスクブランクス
２２  第３の半透過膜
２２ａ、２２ｂ  第３の半透過膜のパターン
２３  第３のフォトレジスト
２３ａ、２３ｂ  第３のフォトレジストパターン
２４  第４の半透過膜
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ第４の半透過膜のパターン
２５  第４のフォトレジスト
２５ａ、２５ｂ、２５ｃ  第４のフォトレジストパターン
３０  フォトレジスト
４０  フォトレジスト
４１  基板
４２  遮光膜のパターン
４３  ハーフトーン膜のパターン
【図１】
2018109672.tif 000003
【図２】
2018109672.tif 000004
【図３】
2018109672.tif 000005
【図４】
2018109672.tif 000006
【図５】
2018109672.tif 000007
【図６】
2018109672.tif 000008
【図７】
2018109672.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月27日(2017.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、
第１の半透過膜からなる第１の半透過領域と、
前記第１の半透過膜と第２の半透過膜とが積層された第２の半透過領域と、
前記第１の半透過膜及び前記第２の半透過膜のいずれも存在しない透明領域と、
前記第１の半透過領域と前記第２の半透過領域とが隣接する領域とを有し、
前記第１の半透過領域は、露光光に対する透過率が１０〜７０［％］であり、
前記第２の半透過領域は、露光光に対する透過率が１〜８［％］であり、露光光の位相を反転する
ことを特徴とするフォトマスクであって、
前記第１の半透過膜と前記第２の半透過膜との積層膜は、前記第１の半透過膜の位相シフト角をα［度］、前記第２の半透過膜の位相シフト角をβ［度］としたとき、１８０−α≦β≦１８０の関係を満たす
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記積層膜は、前記第１の半透過領域に対して露光光の位相を反転、若しくは前記透明領域に対して露光光の位相を反転する、
ことを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記第１の半透過膜の位相シフト角をα［度］と前記第２の半透過膜の位相シフト角β［度］が、さらに、β＝１８０−α／２の関係を満たすことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記第１の半透過膜及び前記第２の半透過膜は、それぞれ互いのウェットエッチング液に対する選択性を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記第１の半透過膜として、Ｔｉ（チタン）、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択され、かつ第２の半透過膜は、酸化Ｃｒ（クロム）、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択されるか、
又は、前記第１の半透過膜として、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択され、かつ第２の半透過膜は、酸化Ｔｉ（チタン）、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記積層膜は、前記第２の半透過膜のエッジが、前記第１の半透過膜のエッジより所定の寸法突出しており、
前記寸法は、露光光の波長をλ、前記露光光を投影する投影露光装置の光学系の開口数をＮＡとすると、λ／（８ＮＡ）以上λ／（３ＮＡ）以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項７】
透明基板上に第３の半透過膜、第４の半透過膜並びに前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜とがこの順で積層されている積層膜を有し、
前記積層膜は、前記第４の半透過膜のエッジが、前記第３の半透過膜のエッジより突出しており、
前記第３の半透過膜は、露光光に対する透過率が１０〜７０［％］であり、
前記第４の半透過膜は、露光光に対する透過率が２〜９［％］であり、露光光の位相を反転する
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項８】
前記第４の半透過膜は、位相シフト角を略１８０［度］とすることで、前記第３の半透過膜に対して露光光の位相を反転し、かつ前記透明基板に対して露光光の位相を反転する
ことを特徴とする請求項７記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜とがこの順で積層されている積層膜からなる領域と、前記第４の半透過膜のみからなる領域とを有することを特徴とする請求項７又は請求項８記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記第３の半透過膜及び前記第４の半透過膜は、それぞれ互いのウェットエッチング液に対する選択性を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記第３の半透過膜は、Ｔｉ（チタン）、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくは
これらの２つ以上の積層膜から選択され、かつ第４の半透過膜は、酸化Ｃｒ（クロム）、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択されるか、
又は、前記第３の半透過膜は、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択され、かつ第４の半透過膜は、酸化Ｔｉ（チタン）、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択される
ことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項１２】
請求項１記載のフォトマスクの製造方法であって、
透明基板上に、第１の半透過膜を形成する工程と、
前記第１の半透過膜上に第２の半透過膜を形成する工程と、
前記第２の半透過膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第１のフォトレジストをマスクに前記第２の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第２のフォトレジストをマスクに前記第１の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１３】
透明基板上に、第１の半透過膜を形成する工程と、
前記第１の半透過膜上に第２の半透過膜を形成する工程と、
前記第２の半透過膜上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第１のフォトレジストをマスクに前記第２の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第１のフォトレジストを除去する工程と、
第２のフォトレジストを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第２のフォトレジストをマスクに、前記第１の半透過膜をサイドエッチングし、
前記第２の半透過膜の端部が前記第１の半透過膜の端部より所定範囲の寸法だけ突出させる工程と、
前記第２のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１４】
透明基板上に第３の半透過膜を形成する工程と、
前記第３の半透過膜上に第３のフォトレジストを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第３のフォトレジストをマスクに前記第３の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第３のフォトレジストを除去する工程と、
第４の半透過膜を形成する工程と、
第４のフォトレジストを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストをパターニングする工程と、
前記第４のフォトレジストをマスクに前記第４の半透過膜をエッチングする工程と、
前記第４のフォトレジストを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１５】
透明基板上に第１の半透過膜及び第２の半透過膜がこの順に積層され、
前記第１の半透過膜の露光光に対する透過率は１０〜７０［％］であり、
前記第１の半透過膜と前記第２の半透過膜との積層膜の露光光に対する透過率が１〜８［％］であり、前記積層膜により露光光の位相が反転し、
前記積層膜は、前記第１の半透過膜の位相シフト角をα［度］、前記第２の半透過膜の位相シフト角をβ［度］としたとき、１８０−α≦β≦１８０の関係を満たすことを特徴とするフォトマスクブランクス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
次に図５（Ｄ）に示すように、第３の半透過膜２２と異なる材質の第４の半透過膜２４をスパッタ法等により成膜し、その後第４のフォトレジスト２５を塗布法により形成する。
第４の半透過膜２４は、位相シフターとしての機能を有し、露光光に対する透過率は２〜９［％］である。
例えば、第３の半透過膜２２として、Ｔｉ、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、第４の半透過膜２４として、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択することができる。又は、例えば第３の半透過膜２２として、Ｃｒ、酸化Ｃｒ、窒化Ｃｒ、酸窒化Ｃｒ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択し、第４の半透過膜２４として、酸化Ｔｉ、窒化Ｔｉ、酸窒化Ｔｉ、若しくはこれらの２つ以上の積層膜から選択することができる。