(57)【要約】【課題】熱的安定性、電気的安定性に優れ、高い透過率を有する高抵抗膜及びこの高抵抗膜を有する液晶レンズを製造する。【解決手段】  高抵抗膜の製造方法は、基板３に高抵抗膜９を形成するリアクティブスパッタリング工程を備える。本方法は、第１の基板３と、インジウムスズ酸化物を含むスパッタターゲット２２とをチャンバ１８内に配置し、チャンバ１８内にスパッタガス、酸素ガス及び窒素ガスを導入しリアクティブスパッタリング工程を実行する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に高抵抗膜を形成するリアクティブスパッタリング工程を備える高抵抗膜の製造方法において、
前記基板と、インジウムスズ酸化物を含むスパッタターゲットとをチャンバ内に配置し、前記チャンバ内にスパッタガス、酸素ガス及び窒素ガスを導入し前記リアクティブスパッタリング工程を実行することを特徴とする、高抵抗膜の製造方法。
【請求項２】
前記スパッタガスは、アルゴンガスである、請求項１に記載の高抵抗膜の製造方法。
【請求項３】
第１の電極を有する第１の基板と、前記第１の電極に対向する第２の電極を有する第２の基板と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配される液晶層と、前記第１の電極と前記液晶層との間に配される高抵抗膜と、を備える液晶レンズを製造する方法において、
前記第１の基板に、前記第１の電極を被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記高抵抗膜を前記第１の基板に形成するリアクティブスパッタリング工程とを備え、
前記第１の基板と、インジウムスズ酸化物を含むスパッタターゲットとをチャンバ内に配置し、前記チャンバ内にスパッタガス、酸素ガス及び窒素ガスを導入し前記リアクティブスパッタリング工程を実行することを特徴とする、液晶レンズの製造方法。
【請求項４】
インジウムスズ酸化物を含む高抵抗膜であって、シート抵抗が１×１０６Ω／ｓｑ以上１×１０７Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする、高抵抗膜。
【請求項５】
第１の電極を有する第１の基板と、前記第１の電極に対向する第２の電極を有する第２の基板と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配される液晶層と、前記第１の電極と前記液晶層との間に配される高抵抗膜と、を備える液晶レンズにおいて、
前記高抵抗膜はインジウムスズ酸化物を含み、かつシート抵抗が１×１０６Ω／ｓｑ以上１×１０７Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする、液晶レンズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高抵抗膜及び液晶レンズに係る製造技術の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、液晶レンズは、液晶分子が一方向に配向している液晶層に電圧を印加し、この液晶分子の配向制御を行うことで屈折率分布を変化させるデバイスであり、モータ等の機械的な駆動部を持たずに焦点距離を可変できるという特徴を有する。
【０００３】
従来の液晶レンズは、特許文献１に開示されるように、第１の電極を有する第１の基板と、第１の電極に対向する、円形の開口部を有する第２の電極及びこの開口部内に設けられる円形の第３の電極を有する第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に設けられる液晶層と、第２の電極及び第３の電極と液晶層との間に設けられる高抵抗膜とを主に備える。
【０００４】
液晶レンズは、第１の電極と第２の電極との間に第１の電圧を印加し、第１の電極と第３の電極との間に第１の電圧とは独立した第２の電圧を印加する。この場合、液晶レンズは、第２の電極と液晶層との間の高抵抗膜を仲介して誘電結合が生じる結果としての電位分布の中継効果により、第２の電極における開口部の中心に対応する液晶層の位置にまで不均一電界を生じさせる。このような高抵抗膜の作用により、液晶レンズの低電圧駆動が可能になる。
【０００５】
高抵抗膜の材質としては、従来、特許文献２に開示されるように酸化亜鉛が使用される他、酸化スズ、アルミニウム亜鉛酸化物、アンチモンスズ酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、シリコン亜鉛酸化物、スズ亜鉛酸化物、ホウ素亜鉛酸化物及びゲルマニウム亜鉛酸化物等が一般に使用され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１８０３７３号公報
【特許文献２】特開２０１３−１７１１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液晶レンズに適した高抵抗膜の条件としては、その抵抗値が熱的及び電気的に安定することが重視される。しかしながら、従来の高抵抗膜では、これらの特性を向上させようとすると、透過率が低下してしまい、液晶レンズとして好適に使用することができなかった。
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたものであり、熱的安定性及び電気的安定性に優れ、かつ透過率の高い高抵抗膜及びこの高抵抗膜を有する液晶レンズを製造することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、高い透過率を有するインジウムスズ酸化物に着目し、鋭意研究を重ねた結果、リアクティブスパッタリング処理によってインジウムスズ酸化物を基板に成膜することにより、熱的安定性、電気的安定性及び高透過率を兼ね備えた高抵抗膜を形成できることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は上記の課題を解決するためのものであり、基板に高抵抗膜を形成するリアクティブスパッタリング工程を備える高抵抗膜の製造方法において、前記基板と、インジウムスズ酸化物を含むスパッタターゲットとをチャンバ内に配置し、前記チャンバ内にスパッタガス、酸素ガス及び窒素ガスを導入し前記リアクティブスパッタリング工程を実行することを特徴とする。この場合、スパッタガスとしては、アルゴンガスが好適に使用される。
【００１１】
また、本発明は、第１の電極を有する第１の基板と、前記第１の電極に対向する第２の電極を有する第２の基板と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配される液晶層と、前記第１の電極と前記液晶層との間に配される高抵抗膜と、を備える液晶レンズを製造する方法において、前記第１の基板に、前記第１の電極を被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記高抵抗膜を前記第１の基板に形成するリアクティブスパッタリング工程とを備え、前記第１の基板と、インジウムスズ酸化物を含むスパッタターゲットとをチャンバ内に配置し、前記チャンバ内にスパッタガス、酸素ガス及び窒素ガスを導入し前記リアクティブスパッタリング工程を実行することを特徴とする。
【００１２】
本発明は、インジウムスズ酸化物を含む高抵抗膜であって、シート抵抗が１×１０６Ω／ｓｑ以上１×１０７Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、第１の電極を有する第１の基板と、前記第１の電極に対向する第２の電極を有する第２の基板と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配される液晶層と、前記第１の電極と前記液晶層との間に配される高抵抗膜と、を備える液晶レンズにおいて、前記高抵抗膜はインジウムスズ酸化物を含み、かつシート抵抗が１×１０６Ω／ｓｑ以上１×１０７Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、熱的安定性、電気的安定性に優れ、高い透過率を有する高抵抗膜及びこの高抵抗膜を有する液晶レンズを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】液晶レンズの第１実施形態を示す断面図である。
【図２】第１の電極を示す平面図である。
【図３】液晶レンズの製造方法を示す断面図である。
【図４】液晶レンズの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図５】液晶レンズの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図６】液晶レンズの第２実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。図１乃至図５は、本発明に液晶レンズ及びその製造方法の第１実施形態を示す。
【００１７】
図１に示すように、液晶レンズ１は、第１の電極２を有する第１の基板３と、この第１の基板３に対向するとともに第２の電極４を有する第２の基板５と、第１の基板３と第２の基板５との間に配される液晶層６と、同じく第１の基板３と第２の基板５との間に配されるスペーサ７とを主に備える。
【００１８】
第１の基板３は、透明なガラス板により構成されるが、これに限定されるものではない。第１の基板３は、第１の電極２の他、この第１の電極２を覆う絶縁膜８と、この絶縁膜８に積層される高抵抗膜９と、この高抵抗膜９に積層される配向膜１０とを備える。
【００１９】
図１及び図２に示すように、第１の電極２は、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明酸化物により構成されるが、これに限定されるものではない。本実施形態において第１の電極２のシート抵抗は、１Ω／ｓｑ以上１ｋΩ／ｓｑ以下であるが、この範囲に限定されない。
【００２０】
第１の電極２は、第１電極部１１と、第２電極部１２とを備える。図２に示すように、第１電極部１１は、矩形状に形成されるとともに、その中央部に、円形の開口１３を有する。図１に示すように、第１電極部１１は、矩形電圧を印加する電源（以下「第１電源」という）１４に接続されている。第１電源１４は、第１電極部１１における外縁部の一部に接続される。この第１電源１４により、第１電極部１１には所定の矩形波形を有する電圧が印加される。
【００２１】
第２電極部１２は、第１電極部１１の開口１３内に設けられている。図２に示すように、第２電極部１２は、円形の主電極部１２ａと、矩形の端子部１２ｂとを有する。主電極部１２ａの直径Ｄ１は、第１電極部１１における開口１３の直径Ｄ２よりも小さい。主電極部１２ａは、第１電極部１１の開口１３と同心状に配置される。この構成により、第１電極部１１の開口１３と主電極部１２ａとの間には隙間が形成される。
【００２２】
端子部１２ｂは、その一端部が主電極部１２ａの縁部に一体に形成されてなる。端子部１２ｂは、主電極部１２ａの半径方向に沿って、当該主電極部１２ａから突出するように形成される。  
【００２３】
図１に示すように、第２電極部１２は、第１電源１４とは独立した矩形電圧を印加する電源（以下「第２電源」という）１５に接続されている。この第２電源１５は、第２電極部１２の端子部１２ｂに接続される。この第２電源１５により、第２電極部１２には所定の矩形波形を有する電圧が印加される。
【００２４】
絶縁膜８は、可視光で透明な膜であり、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の酸化物により構成され、又は、ＡｌＮ、ＳｉＮ等の窒化物、ＭｇＦ２、ＣＦ２等のフッ化物、ＺｎＳ等の硫化物等の非酸化物により構成され得る。絶縁膜８は、第１電極部１１及び第２電極部１２を被覆することで、第１電極部１１、第２電極部１２及び高抵抗膜９を絶縁する。絶縁膜８の厚みは、１００ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、２００ｎｍ〜６００ｎｍがより好ましく、３００ｎｍ〜４００ｎｍが最も好ましい。
【００２５】
高抵抗膜９は、第１電極部１１の開口１３の中心部にまで軸対称の電界が好適に発生し得るようにするためのものである。高抵抗膜９は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）により構成される。
【００２６】
高抵抗膜９の厚みは、２０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましく、７０ｎｍ〜２００ｎｍが最も好ましい。高抵抗膜９のシート抵抗は、１×１０６Ω／ｓｑ以上１×１０７Ω／ｓｑ以下とされることが望ましい。
【００２７】
図２に示すように、高抵抗膜９は円形に構成されている。高抵抗膜９は、第１電極部１１における円形の開口１３及び第２電極部１２の主電極部１２ａと同心状に配される。高抵抗膜９の直径Ｄ３は、液晶レンズ１の第１電極部１１における開口１３の直径Ｄ２よりも大きく設定されている。
【００２８】
配向膜１０は、例えばラビング処理で微小な溝部が形成されたポリイミド膜により構成され得るが、これに限定されるものではない。液晶層６に含まれる液晶分子は、配向膜１０の作用により、プレチルト角で配向され得る。
【００２９】
第２の基板５は、透明なガラス板により構成されるが、これに限定されるものではない。第２の基板５は、その一方の表面に固定される第２の電極４を、第１の基板３における第１の電極２に対向させるように設けられる。
【００３０】
第２の基板５に形成される第２の電極４は、本実施形態ではグラウンド電極として構成されるが、これに限定されず、第２の電極４に矩形電圧を印加可能な電源（第３電源）を接続してもよい。第２の電極４は、第１の電極２（第１電極部１１及び第２電極部１２）と対向することが可能な面積を有する円形又は矩形状に構成される。また、第２の電極４は、第１の電極２と同様に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明酸化物により構成されるが、これに限定されるものではない。本実施形態における第２の電極４のシート抵抗は、１Ω／ｓｑ以上１ｋΩ／ｓｑ以下であるが、この範囲に限定されるものではない。
【００３１】
第２の基板５は、上記の第２の電極４の他、液晶層６に面するように設けられる配向膜１６を有する。配向膜１６は、第２の電極４を覆うように、当該第２の電極４に積層されている。配向膜１６は、例えばラビング処理されたポリイミド膜などにより構成され得るが、これに限定されない。
【００３２】
液晶層６は、第１の基板３、第２の基板５及びスペーサ７によって構成される空間にホモジニアス液晶を収容することにより構成される。液晶層６の厚みは、液晶レンズ１に必要とされるレンズパワーに応じて適宜設定され得る。
【００３３】
スペーサ７は、金属（例えばアルミニウム）、ガラスその他の材料により環状に構成される。スペーサ７は、陽極接合により第１の基板３と第２の基板５とに接合されるが、接合方法は陽極接合に限定されない。スペーサ７の厚みは、液晶層６の厚みや液晶層６に要求される応答速度等に応じて適宜設定できる。スペーサ７の厚みは、例えば１０μｍ以上８０μｍ以下とすることができるが、この範囲に限定されない。
【００３４】
以下、上記構成の液晶レンズ１を製造する方法について図３乃至図５を参照しながら説明する。
【００３５】
本方法は、第１の基板３に第１の電極２を形成する工程（第１電極形成工程）と、第２の基板５に第２の電極４を形成する工程（第２電極形成工程）と、第１の基板３に絶縁膜８を形成する工程（絶縁膜形成工程）と、第１の基板３に高抵抗膜９を形成する工程（高抵抗膜形成工程）と、各基板３，５に配向膜１０，１６を形成する工程（配向膜形成工程）と、第１の基板３、スペーサ７、及び第２の基板５を相互に接合する工程（接合工程）と、液晶層６を形成する工程（液晶層形成工程）とを主に備える。
【００３６】
第１電極形成工程では、まず、第１の基板３の一方の表面に第１の電極２としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）による膜を形成する。この成膜は、スパッタリングによって実行される。その後、形成したインジウムスズ酸化物の膜の一部をエッチング処理により除去し、第１の電極２における第１電極部１１と第２電極部１２とを形成する。すなわち、このエッチングにより、第１電極部１１と第２電極部１２間に隙間が形成される。
【００３７】
第２電極形成工程では、第１電極形成工程と同様に、第２の基板５の表面に、スパッタリングにより、第２の電極４として、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の膜を形成する。なお、この第２電極形成工程は、第１電極形成工程と同時に実行しても良く、第１電極形成工程とは別に実行してもよい。
【００３８】
絶縁膜形成工程は、第１電極形成工程後に実行される。絶縁膜形成工程は、スパッタリングによって、第１の電極２に絶縁膜８を積層する。これにより、第１の基板３の第１の電極２は、絶縁膜８によって被覆される（図３（ａ）参照）。
【００３９】
高抵抗膜形成工程は、図３（ｂ）、図４及び図５に示すように、リアクティングスパッタリング工程を実行可能なマグネトロンスパッタ装置１７によって、第１の基板３に高抵抗膜９を形成する。マグネトロンスパッタ装置１７は、第１の基板３を収容するチャンバ１８と、チャンバ１８の排気を実行する真空ポンプ１９とを備える。
【００４０】
チャンバ１８は、スパッタガスを導入可能な第１導入部１８ａと、反応性ガスを導入可能な第２導入部１８ｂ及び第３導入部１８ｃと、真空ポンプ１９に接続される排気部１８ｄとを備える。本実施形態では、第１導入部１８ａからアルゴンガス（Ａｒ）、第２導入部１８ｂから酸素ガス（Ｏ２）、そして第３導入部１８ｃから窒素ガス（Ｎ２）がチャンバ１８内に導入される。各導入部１８ａ〜１８ｃには、ガスの流通を遮断、調整が可能なバルブ（図示せず）が設けられている。
【００４１】
チャンバ１８内には、アノード電極２０に接続された第１の基板３と、カソード電極２１に接続されたスパッタターゲット２２とが対向するように配置される。スパッタターゲット２２は、インジウムスズ酸化物により構成される。
【００４２】
また、チャンバ１８内には、第１の基板３と重なるように、シャドウマスク２３が配置される。シャドウマスク２３は、第１の基板３とスパッタターゲット２２との間に配される。シャドウマスク２３には、円形の開口部２３ａが形成されている。
【００４３】
高抵抗膜形成工程では、図４に示すように、真空ポンプ１９及びチャンバ１８の排気部１８ｄを通じて排気を実行し（排気工程）、チャンバ１８内を所定の真空度に維持する。さらに、第１導入部１８ａからアルゴンガスをチャンバ１８内に導入し、第２導入部１８ｂから酸素ガス、第３導入部１８ｃから窒素ガスをチャンバ１８内に導入する（ガス導入工程）。所定量のガスがチャンバ１８内に導入され、所定の分圧状態を維持するように各導入部１８ａ〜１８ｃのバルブが調整される。
【００４４】
その後、図示しないスパッタ電源により、カソード電極２１に所定の電圧を印加する。そうすると、スパッタターゲット２２の近傍にプラズマの高密度領域が形成される。このプラズマの高密度領域において活性化されたアルゴンをスパッタターゲット２２に衝突させることにより、当該スパッタターゲット２２からインジウムスズ酸化物の粒子を飛散させる。飛散した粒子は、シャドウマスク２３の開口部２３ａを通じて第１の基板３における絶縁膜８の表面に堆積する。これにより、所定の直径及び厚みを有する高抵抗膜９が形成される（図５参照）。
【００４５】
なお、一般に、インジウムスズ酸化物のシート抵抗は、１ｋΩ／ｓｑ以下と低いが、本発明の高抵抗膜の製造方法においては、チャンバ１８内に導入するスパッタガスとして、アルゴン以外にも、酸素ガス及び窒素ガスを導入させてインジウムスズ酸化物の膜を形成しているため、形成された膜９は、インジウムスズ酸化物の酸窒化膜となり、そのシート抵抗を１×１０６Ω／ｓｑ以上１×１０７Ω／ｓｑ程度に高くすることができる。
【００４６】
配向膜形成工程では、高抵抗膜形成工程後の第１の基板３に対して、高抵抗膜９に積層されるように配向膜１０を形成する（図３（ｃ）参照）。また、第２の基板５に対しても、第２の電極４に積層されるように配向膜１６を形成する。各配向膜１０，１６はポリイミドを各基板３，５に塗布することにより形成される。
【００４７】
接合工程では、陽極接合により第１の基板３とスペーサ７とを接合し、第２の基板５とスペーサ７とを接合する（図３（ｄ）参照）。
【００４８】
スペーサ７がアルミニウムにより構成される場合、当該スペーサ７の端面を第１の基板３の一方の面（第１の電極２が形成される面）に当接させ、第１の基板３の他方の面にダミー電極（陰極）を設ける。この状態で、スペーサ７を陽極とし、電極間に電圧を印加することで、スペーサ７と第１の基板３とが接合される。同じ手順により、スペーサ７と第２の基板５とを接合する。
【００４９】
なお、スペーサ７がガラス等によって構成される場合は、スペーサ７の端面又は各基板３,５の表面にアルミニウム箔を貼付し、あるいはスパッタリング等によってアルミニウム膜を成膜し、これを陽極として使用してもよい。
【００５０】
接合工程が終了すると、第１の基板３、第２の基板５及びスペーサ７によるセルが構成される。セルには、液晶の収容空間が形成される。この収容空間に液晶が注入されることで（液晶層形成工程）、液晶レンズが完成する（図３（ｅ）参照）。
【００５１】
以上説明した本実施形態によれば、リアクティブスパッタリング工程によって第１の基板３に形成されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）による高抵抗膜９は、電気的安定性、熱的安定性に優れたものとなる。また、高抵抗膜９は高い透過性を有するものとなり、液晶レンズ１に好適に使用され得る。
【００５２】
図６は本発明に係る液晶レンズの第２実施形態を示す。上記の第１実施形態では、一層の液晶層６を含む液晶レンズ１を例示したが、本実施形態では、液晶レンズ１は複数（２層）の液晶層６ａ，６ｂを含む。
【００５３】
具体的には、液晶レンズ１は、第１の基板３と第２の基板５との間に、中間基板２４を配するとともに、第１の基板３と中間基板２４との間に第１の液晶層６ａが配され、第２の基板５と中間基板２４との間に第２の液晶層６ｂが配されてなる。
【００５４】
中間基板２４の両面には、配向膜２５が形成されている。各液晶層６ａ，６ｂは、第１の基板３、第２の基板５、中間基板２４及びスペーサ７ａ，７ｂにより区画された空間内に形成されている。その他の構成は第１実施形態と同じであり、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素には共通の符号を付している。
【００５５】
本実施形態に係る液晶レンズ１を製造するには、第１実施形態と同様に、第１の基板３に第１の電極２、絶縁膜８、高抵抗膜９、及び配向膜１０を形成する。さらに、第２の基板５に第２の電極４及び配向膜１０を形成する。同様に、中間基板２４の両面に配向膜２５を形成する。
【００５６】
その後、スペーサ７ａを介して第１の基板３と中間基板２４とを連結し、スペーサ７ｂを介して第２の基板５と中間基板２４とを連結する。その後、第１の基板３と中間基板２４との間に形成される空間に第１の液晶層６ａを形成するとともに、第２の基板５と中間基板２４との間に形成される空間に第２の液晶層６ｂを形成する。以上により本実施形態に係る液晶レンズ１が完成する。
【００５７】
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【実施例】
【００５８】
本発明者等は、本方法により高抵抗膜の実施例を製作するとともに、その熱的安定性、電気的安定性及び透過率を測定した。実施例は、直径１．８ｍｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）による膜をリアクティブスパッタ法によりガラス基板に形成したものである。
【００５９】
リアクティブスパッタリングは、スパッタ電力５００Ｗ、スパッタ圧力２Ｐａ、スパッタ時間２００秒の条件にて実施した。なお、チャンバ内に導入される各ガスの流量は、アルゴンガスが２０ｓｃｃｍ（５０．７×１０−４Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）、酸素ガスが２．６ｓｃｃｍ（４．３９×１０−４Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）、窒素ガスが７８ｓｃｃｍ（１３１．８×１０−４Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）である。
【００６０】
これにより得られた実施例に係る高抵抗膜は、抵抗が１×１０６Ω／ｓｑ以上１×１０７Ω／ｓｑ以下の範囲で、熱的・電気的安定性に優れたものとなった。また、実施例に係る高抵抗膜は、高い透過率を示した。
【符号の説明】
【００６１】
１          液晶レンズ
２          第１の電極
３          第１の基板
４          第２の電極
５          第２の基板
６          液晶層
７          スペーサ
８          絶縁膜
９          高抵抗膜
１０          配向膜
１１          第１電極部
１２          第２電極部
１６          配向膜
【図１】
2018128565.tif 000003
【図２】
2018128565.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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