(57)【要約】【課題】リンギングを抑制する動作時にコモンモードノイズが重畳した場合でも通信線の電位を安定化する。【解決手段】リンギング抑制回路５は、一対の信号線３Ｐ、３Ｎを介して差動信号を伝送することで他のノードとの通信を行う通信回路６を備えたノード２に設けられたものであり、抑制部７および基準電位付与部９を備えている。抑制部７は、信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗成分である抵抗１０、１１を接続することにより差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う。基準電位付与部９は、抵抗成分の中間点である相互接続ノードＮ１に対し、信号線３Ｐ、３Ｎの定常時における中点電位に対応した基準電位Ｖｍを付与する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノード（２）との通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたリンギング抑制回路（５、４１、４４、４７、４９）であって、
前記一対の通信線間に抵抗成分（１０、１１）を接続することにより前記差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う抑制部（７、４２、４５、４８、５０）と、
前記抵抗成分の中間点に対し、前記一対の通信線の定常時における中点電位に対応した基準電位を付与する基準電位付与部（９、２１、２２、３１）と、
を備えるリンギング抑制回路。
【請求項２】
前記抵抗成分は、ＭＯＳトランジスタ（Ｔ４、Ｔ５、Ｔ４１〜Ｔ４６）のオン抵抗を含む構成である請求項１に記載のリンギング抑制回路。
【請求項３】
前記抵抗成分は、抵抗素子（Ｒ４１）を含む構成である請求項１または２に記載のリンギング抑制回路。
【請求項４】
前記基準電位付与部（９、２１、３１）は、所定の電源電圧を分圧する分圧回路（１７、３３）を備え、その分圧回路により分圧された分圧電圧に対応した電圧を前記基準電位とする請求項１から３のいずれか一項に記載のリンギング抑制回路。
【請求項５】
前記基準電位付与部（９、３１）は、さらに、前記分圧電圧を入力するバッファ回路（１６、３２）を備え、前記バッファ回路の出力電圧を前記基準電位とする請求項４に記載のリンギング抑制回路。
【請求項６】
前記基準電位付与部（２２）は、前記中間点と回路の基準電位が付与されるグランドとの間に接続されたコンデンサ（Ｃ２１）を備えている請求項１から３のいずれか一項に記載のリンギング抑制回路。
【請求項７】
前記ノードは、前記基準電位を生成する基準電位生成部（３１）を備え、
前記基準電位付与部は、前記基準電位生成部により構成される請求項１から６のいずれか一項に記載のリンギング抑制回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の通信線を介した差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制するリンギング抑制回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の通信線からなる伝送線路を介してデジタル信号を伝送する場合、受信側においては、信号レベルが変化するタイミングで信号エネルギーの一部が反射することで、オーバーシュートやアンダーシュートのような波形の歪み、すなわちリンギングが生じる問題がある。従来、このような波形歪みを抑制するため、様々な技術が提案されている。
【０００３】
例えば、通信バス間にスイッチング素子を設け、差動信号のレベルが変化したことを検出すると上記スイッチング素子を一定期間オンさせるといった簡単な構成のリンギング抑制回路でリンギングを抑制して通信の信頼性を高める技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２５７２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来技術の構成では、通信バス間のインピーダンスをスイッチング素子であるＭＯＳトランジスタのオン抵抗により低下させることで、リンギングを抑制する抑制動作が行われるようになっている。このような抑制動作が行われる際、コモンモードのノイズが重畳すると、そのノイズの影響により一対の通信線の電位（中点電位）が不安定になるおそれがある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、リンギングを抑制する動作時にコモンモードノイズが重畳した場合でも、通信線の電位を安定化することができるリンギング抑制回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載のリンギング抑制回路（５、４１、４４、４７、４９）は、一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノード（２）との通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたものであり、抑制部（７、４２、４５、４８、５０）および基準電位付与部（９、２１、２２、３１）を備えている。抑制部は、一対の通信線間に抵抗成分を接続することにより差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う。つまり、抑制動作が行われる際、一対の通信線間には抵抗成分が接続された状態となる。従来技術の説明にて前述したように、このような状態において、コモンモードノイズが重畳すると、その影響により通信線の中点電位が不安定になるおそれがある。
【０００８】
そこで、本手段では、基準電位付与部は、上記抵抗成分の中間点に対し、一対の通信線の定常時における中点電位に対応した基準電位を付与するようになっている。そのため、抑制動作が行われる際にコモンモードのノイズが重畳した場合、通信線の中点電位はノイズの影響により変動するものの、抵抗成分の中間点に基準電位が付与されていることから、その変動は比較的小さく抑えられる。さらに、この場合、変動した通信線の中点電位は、抵抗成分の中間点に付与された基準電位、つまり定常時の中点電位へと、比較的短時間で復帰することになる。したがって、上記構成によれば、リンギングを抑制する抑制動作時にコモンモードノイズが重畳した場合でも通信線の電位を安定化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るリンギング抑制回路の概略構成を模式的に示す図
【図２】通信ネットワークの構成を模式的に示す図
【図３】リンギング抑制回路の具体的な構成を模式的に示す図
【図４】第１実施形態および比較例に係るリンギング抑制回路の動作をシミュレーションした結果であり、差動信号および電流差分の波形を模式的に示す図
【図５】第１実施形態および比較例に係るリンギング抑制回路の動作をシミュレーションした結果であり、電流ノイズの周波数特性を模式的に示す図
【図６】第２実施形態に係る基準電位付与部の他の構成を模式的に示す図その１
【図７】第２実施形態に係る基準電位付与部の他の構成を模式的に示す図その２
【図８】第３実施形態に係るリンギング抑制回路の具体的な構成を模式的に示す図
【図９】第４実施形態に係る抑制部の具体的な構成を模式的に示す図その１
【図１０】第４実施形態に係る抑制部の具体的な構成を模式的に示す図その２
【図１１】第４実施形態に係る抑制部の具体的な構成を模式的に示す図その３
【図１２】第４実施形態に係る抑制部の具体的な構成を示す図その４
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図１〜図５を参照して説明する。
【００１１】
図２に示す通信ネットワーク１は、車両に搭載される複数のノード２間の制御通信のために、それらのノード２がツイストペア線で構成される伝送線路３を介して接続されたネットワークである。各ノード２は、それぞれ車両の状態を検出するためのセンサ類やセンサからの情報に基づいてアクチュエータをコントロールする電子制御装置である。
【００１２】
各ノード２には、それぞれ図示しない通信回路が設けられており、伝送線路３での通信プロトコル、例えばＣＡＮプロトコルに従って送信データや受信データを通信信号に変換し、他のノード２との間で通信、つまりデータの送受信を行う。伝送線路３、つまり通信バスの途中には、適宜、伝送線路３を分岐するための分岐コネクタ４が設けられている。
【００１３】
なお、図２に示したノード２のうち、長方形内に「Ｔ」と記載したノード２は、その外部に終端抵抗を持つノードを示している。また、図２に示したノード２のうち、単なる長方形のシンボルで表したノード２は終端抵抗を備えていないノードを示している。この場合、終端抵抗の抵抗値は、例えば１２０Ωとなっている。
【００１４】
図１に示すリンギング抑制回路５は、データの送信および受信を行う通信回路６とともに、図２に示したノード２に設けられる。リンギング抑制回路５は、抑制部７、動作制御部８および基準電位付与部９を備える。抑制部７は、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎからなる伝送線路３のインピーダンスを低下させることにより、差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う。なお、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎは、一対の通信線に相当するものであり、以下、単に信号線３Ｐおよび信号線３Ｎと省略することもある。
【００１５】
抑制部７は、抵抗１０、１１およびスイッチ１２、１３を備えている。スイッチ１２、抵抗１０、抵抗１１およびスイッチ１３は、この順に信号線３Ｐ、３Ｎ間に直列接続されている。抵抗１０、１１の抵抗比は１：１となっており、それらの抵抗値は伝送線路３の特性インピーダンスや伝送線路３の長さなどに応じて設定されている。
【００１６】
スイッチ１２、１３は、動作制御部８により制御されるもので、抑制動作が実行されるときにはいずれもオンされるとともに、抑制動作が実行されないときにはいずれもオフされる。スイッチ１２、１３がオンされることにより、信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗１０、１１が接続され、信号線３Ｐ、３Ｎ間のインピーダンス（以下、線間インピーダンスと呼ぶ）が低下する。なお、この場合、線間インピーダンスは、スイッチ１２、１３がオフのときには例えば１００ｋΩ程度であるものが、スイッチ１２、１３がオンのときには例えば１２０Ω程度となる。
【００１７】
動作制御部８は、抑制部７による動作を制御する。具体的には、動作制御部８は、差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことを検出すると、抑制部７のスイッチ１２、１３をオンすることにより抑制部７による抑制動作を開始させる。基準電位付与部９は、抵抗１０、１１の相互接続ノードＮ１に対し、信号線３Ｐ、３Ｎの定常時における中点電位に対応した基準電位Ｖｍを付与する。
【００１８】
なお、この場合、抵抗１０、１１の直列回路が抵抗成分に相当し、それら抵抗１０、１１の相互接続ノードＮ１が抵抗成分の中間点に相当する。また、この場合、基準電位Ｖｍは、信号線３Ｐ、３Ｎの定常時における中点電位（例えば２．５Ｖ）と同じ電位となっている。
【００１９】
このようなリンギング抑制回路５の具体的な構成としては、例えば図３に示すような構成を採用することができる。図３に示すように、リンギング抑制回路５は、通信回路６とともに、信号線３Ｐ、３Ｎの間に並列に接続されている。リンギング抑制回路５は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるトランジスタＴ１〜Ｔ５を備えている。
【００２０】
トランジスタＴ１〜Ｔ３のソースは、信号線３Ｎに接続されている。トランジスタＴ１、Ｔ３のゲートは、信号線３Ｐに接続されている。トランジスタＴ２、Ｔ３のドレインは、トランジスタＴ４、Ｔ５のゲートに接続されているとともに抵抗素子Ｒ１を介して電源線１４に接続されている。電源線１４には、リンギング抑制回路５の動作用の電源電圧Ｖｃｃ（例えば５Ｖ）が供給される。
【００２１】
トランジスタＴ１のドレインは、抵抗素子Ｒ２を介して電源線１４に接続されているとともに、抵抗素子Ｒ３を介してトランジスタＴ２のゲートに接続されている。また、トランジスタＴ２のゲートは、コンデンサＣ１を介して信号線３Ｎに接続されている。抵抗素子Ｒ３およびコンデンサＣ１は、ＲＣフィルタ回路１５を構成している。
【００２２】
トランジスタＴ４のドレインは信号線３Ｐに接続され、そのソースはトランジスタＴ５のドレインに接続されている。トランジスタＴ５のソースは、信号線３Ｎに接続されている。つまり、信号線３Ｐ、３Ｎ間に、２つのトランジスタＴ４、Ｔ５が直列接続されている。トランジスタＴ４、Ｔ５のバックゲートは、信号線３Ｎに接続されている。トランジスタＴ４、Ｔ５の相互接続ノードＮ１は、図１における相互接続ノードＮ１に相当するものであり、基準電位付与部９の出力端子に接続されている。
【００２３】
このような構成において、トランジスタＴ４、Ｔ５により抑制部７が構成されている。つまり、この場合、トランジスタＴ４、Ｔ５のオン抵抗が抵抗１０、１１として機能するとともに、トランジスタＴ４、Ｔ５によるスイッチング動作がスイッチ１２、１３として機能する。なお、トランジスタＴ４、Ｔ５のオン抵抗は、互いに等しい値となっている。また、トランジスタＴ１〜Ｔ３、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３およびコンデンサＣ１により動作制御部８が構成されている。
【００２４】
基準電位付与部９は、抵抗素子Ｒ４、Ｒ５およびバッファ回路に相当するＯＰアンプ１６を備えている。抵抗素子Ｒ４、Ｒ５は、電源線１４と回路の基準電位であるグランドとの間に直列接続されている。抵抗素子Ｒ４、Ｒ５は、電源電圧Ｖｃｃを分圧する分圧回路１７を構成している。抵抗素子Ｒ４、Ｒ５の抵抗比は１：１となるように設定されている。抵抗素子Ｒ４、Ｒ５の相互接続ノードＮ２は、ＯＰアンプ１６の非反転入力端子に接続されている。ＯＰアンプ１６の反転入力端子は、その出力端子に接続されている。
【００２５】
つまり、ＯＰアンプ１６は、ボルテージフォロアの回路を構成している。ＯＰアンプ１６の出力端子は、基準電位Ｖｍの出力端子となっている。このような構成により、基準電位付与部９は、電源電圧Ｖｃｃを抵抗素子Ｒ４、Ｒ５により分圧した分圧電圧（＝Ｖｃｃ／２）を、ボルテージフォロアを介してトランジスタＴ４、Ｔ５の相互接続ノードＮ１に付与するようになっている。この場合、相互接続ノードＮ１に付与される基準電位Ｖｍは、電源電圧Ｖｃｃの１／２の電圧である２．５Ｖであり、信号線３Ｐ、３Ｎの定常時における中点電位に相当する。
【００２６】
次に、上記構成の作用について説明する。
この場合、伝送線路３は、ハイレベル、ロウレベルの２値信号を差動信号として伝送する。例えば、電源電圧が５Ｖの場合、信号線３Ｐ、３Ｎは、非ドライブ状態においていずれも中間電位である２．５Ｖに設定され、差動電圧は０Ｖであり、差動信号はレセッシブを表すロウレベルとなる。なお、上記中間電位は、信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位に相当する。
【００２７】
そして、通信回路６の送信回路（図示略）が伝送線路３をドライブすると、信号線３Ｐは例えば３．５Ｖ以上に、信号線３Ｎは例えば１．５Ｖ以下にドライブされ、差動電圧は２Ｖ以上となり、差動信号はドミナントを表すハイレベルとなる。また、図示しないが、信号線３Ｐ、３Ｎの両端は１２０Ωの終端抵抗により終端されている。したがって、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する際には、伝送線路３が非ドライブ状態となり伝送線路３のインピーダンスが高くなることから、差動信号波形にリンギングが発生する。
【００２８】
そこで、リンギング抑制回路５は、差動信号の信号レベルがハイレベルからレセッシブを表すロウレベルに変化したことをトリガとして、トランジスタＴ４、Ｔ５をターンオンさせることで抑制部７による抑制動作を開始する。この動作は、次のようにして実現される。すなわち、差動信号のレベルがハイレベルの場合、トランジスタＴ１、Ｔ３がオンしているため、トランジスタＴ２はオフしている。したがって、トランジスタＴ４、Ｔ５はオフ状態となっている。
【００２９】
この状態から、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化すると、トランジスタＴ１、Ｔ３がターンオフするため、トランジスタＴ４、Ｔ５がターンオンする。すると、信号線３Ｐ、３Ｎの間は、トランジスタＴ４、Ｔ５のオン抵抗を介して接続されることになり、インピーダンスが低下する。これにより、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する立ち下がり期間に発生する波形歪みのエネルギーが上記オン抵抗により消費され、リンギングが抑制される。
【００３０】
以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
本実施形態により得られる効果は、抑制動作時に信号線３Ｐ、３Ｎ間に接続される抵抗成分の中間点の電位が固定されていない従来のリンギング抑制回路に相当する構成（以下、比較例と呼ぶ）と比較することで一層明確になる。そこで、以下では、比較例および本実施形態のそれぞれにおける回路動作のシミュレーション結果を表す図４および図５を参照しながら、比較例と本実施形態とを比較しつつ本実施形態により得られる効果を説明する。
【００３１】
抑制動作が行われる際、信号線３Ｐ、３Ｎ間には抵抗成分が接続された状態となる。抵抗成分の中間点の電位が固定されていない比較例では、抑制動作の実行中にコモンモードノイズが重畳すると、その影響により信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位が不安定になるおそれがある。
【００３２】
例えば、図４に示すように、比較例の場合、抑制動作中にコモンモードノイズが重畳することにより、差動信号の基準点、つまり信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位が振られてしまい、本来あるべき値（２．５Ｖ）から大きく変動した値となってしまう。しかも、中点電位が最も大きく変動した付近においては、信号線３Ｐ、３Ｎ間に大きな電位差が生じ、信号線３Ｐ、３Ｎの電流差分が大きな値となっている。そして、このように大きく変動した中点電位が定常時における中点電位の値（２．５Ｖ＝Ｖｃｃ／２）に復帰するまでには、比較的長い時間を要することになる。
【００３３】
これに対し、本実施形態のリンギング抑制回路５の場合、抵抗成分の中間点に対し定常時における中点電位の値に相当する基準電位Ｖｍが付与されている。そのため、図４に示すように、抑制動作中にコモンモードノイズが重畳した場合、信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位は、ノイズの影響により変動するものの、その変動は比較例に比べて小さく抑えられる。
【００３４】
また、この場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間に大きな電位差は生じていないため、信号線３Ｐ、３Ｎの電流差分についても比較例に比べ非常に小さな値となっている。さらに、この場合、変動した信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位は、基準電位Ｖｍ、つまり本来あるべき値（２．５Ｖ）へと、比較例に比べ非常に短い時間で復帰することになる。
【００３５】
したがって、本実施形態によれば、リンギングを抑制する抑制動作時にコモンモードノイズが重畳した場合でも信号線３Ｐ、３Ｎの電位を安定化することができるという優れた効果が得られる。
【００３６】
さらに、比較例では、コモンモードノイズが連続して重畳されると、信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位の変動が次第に大きくなり、信号線３Ｐ、３Ｎ間に大きな電位差が生じて電流差分も大きくなる。これに対し、本実施形態では、コモンモードノイズが連続して重畳しても、信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位が比較的短時間で本来あるべき値（定常時における中点電位）に戻る。そのため、信号線３Ｐ、３Ｎ間に大きな電位差が生じることがなく、電流差分も小さいものとなる。
【００３７】
そのため、図５に示すように、本実施形態のリンギング抑制回路５では、比較例に比べ、信号線３Ｐ、３Ｎの電流差分、つまり電流ノイズのレベルが小さく抑えられる。したがって、本実施形態によれば、比較例に対して電流ノイズの周波数特性が向上するという効果も得られる。
【００３８】
また、基準電位付与部９は、ボルテージフォロアを含む構成となっているため、その入出力間でインピーダンス変換が行われる。そのため、抵抗素子Ｒ４、Ｒ５の抵抗値を比較的高い値に設定することが可能となる。このようにすれば、常時消費する電流を低く抑えつつ、出力する基準電位Ｖｍの精度および安定性を高めることができる。
【００３９】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について図６および図７を参照して説明する。
本実施形態では、基準電位付与部の具体的な他の構成例を示している。
【００４０】
図６は、図３に示した基準電位付与部９に対し、構成を簡略化した基準電位付与部２１を示している。この場合、ＯＰアンプ１６が省かれており、抵抗素子Ｒ４、Ｒ５の相互接続ノードＮ２が、基準電位Ｖｍの出力端子となっている。このような構成によっても、信号線３Ｐ、３Ｎ間に接続される抵抗成分の中間点に基準電位Ｖｍを付与することができるため、第１実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。さらに、この構成の場合、回路構成を簡略化することができるという効果が得られる。
【００４１】
図７は、コンデンサＣ２１により構成された基準電位付与部２２を示している。この場合、コンデンサＣ２１の一方の端子は、基準電位Ｖｍの出力端子となり、抵抗成分の中間点である相互接続ノードＮ１に接続される。コンデンサＣ２１の他方の端子は、回路の基準電位が付与されるグランドに接続される。
【００４２】
上記構成の場合、コモンモードノイズが重畳していない定常時において、信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗成分が接続された際、コンデンサＣ２１への充電が行われる。これにより、コンデンサＣ２１の一方の端子の電位は、定常時における信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位である基準電位Ｖｍとなる。つまり、上記構成によれば、定常時、コンデンサＣ２１への充電が行われることにより、相互接続ノードＮ１に対し基準電位Ｖｍが付与されるようになっている。
【００４３】
このような構成において、抑制動作の実行中にコモンモードノイズが重畳した場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間の中点電位はノイズの影響により変動するものの、抵抗成分の中間点である相互接続ノードＮ１にコンデンサＣ２１が接続されていることから、その変動は小さく抑えられる。したがって、このような構成によっても、第１実施形態と同様の作用および効果が得られる。
【００４４】
さらに、この構成の場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間に接続された抵抗成分を介してコンデンサＣ２１に充電が行われることにより、定常時における信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位に相当する基準電位Ｖｍが抵抗成分の中間点に自動的に付与される。したがって、回路定数などに関して厳格な設計を行わなくとも、付与する基準電位Ｖｍの値を所望する値（定常時における信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位）に精度良く設定することが可能となる。
【００４５】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について図８を参照して説明する。
図８に示すように、ノード２には、基準電位生成部３１が設けられている。基準電位生成部３１は、抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２およびバッファ回路に相当するＯＰアンプ３２を備えており、基準電位付与部９と同様の構成となっている。すなわち、抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２は、電源線１４およびグランドの間に直列接続されている。抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２は、電源電圧Ｖｃｃを分圧する分圧回路３３を構成している。抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２の抵抗比は１：１となるように設定されている。抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２の相互接続ノードＮ３１は、ＯＰアンプ３２の非反転入力端子に接続されている。ＯＰアンプ３２の反転入力端子は、その出力端子に接続されている。
【００４６】
このような構成により、基準電位生成部３１は、電源電圧Ｖｃｃを抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２により分圧した分圧電圧（＝Ｖｃｃ／２）を、ボルテージフォロアを介して出力するようになっている。この場合、基準電位生成部３１の出力電圧は、外部に出力されるようになっている。
【００４７】
このように、ノード２には、元々、定常時における信号線３Ｐ、３Ｎの中点電位に相当する基準電位Ｖｍｏ（＝Ｖｃｃ／２）を生成する基準電位生成部３１が設けられている。したがって、図示は省略するが、基準電位付与部９を省略し、その基準電位生成部３１により生成された基準電位Ｖｍｏを抵抗成分の中間点に付与する構成としてもよい。このようにすれば、基準電位付与部９を別途設ける必要が無くなる分だけ回路規模を小さく抑えることができる。
【００４８】
ただし、本実施形態では、その元々設けられている基準電位生成部３１とは別に、同様の構成をなす基準電位付与部９を設け、その基準電位付与部９により抵抗成分の中間点に対して基準電位Ｖｍを付与する構成としている。このような構成とすれば、基準電位生成部３１の出力電圧が与えられる外部の回路の状態などに影響を受けることのない基準電位Ｖｍを抵抗成分の中間点に付与することができる。
【００４９】
（第４実施形態）
以下、第４実施形態について図９〜図１２を参照して説明する。
本実施形態では、抑制部の具体的な他の構成例を示している。
【００５０】
図９に示すリンギング抑制回路４１の抑制部４２は、図３に示した抑制部７に対し、トランジスタＴ４、Ｔ５に代えて、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるトランジスタＴ４１、Ｔ４２を備えている点が異なる。トランジスタＴ４１のソースは信号線３Ｐに接続され、そのドレインはトランジスタＴ４２のソースに接続されている。トランジスタＴ４２のドレインは、信号線３Ｎに接続されている。
【００５１】
つまり、信号線３Ｐ、３Ｎ間に、２つのトランジスタＴ４１、Ｔ４２が直列接続されている。トランジスタＴ４１、Ｔ４２のバックゲートは、信号線３Ｐに接続されている。トランジスタＴ４１、Ｔ４２のオン抵抗は、互いに等しい値となっている。この場合、トランジスタＴ４１、Ｔ４２の相互接続ノードＮ１が、抵抗成分の中間点に相当する。
【００５２】
動作制御部４３は、動作制御部８と同様の動作を行うことができる構成であればよい。すなわち、動作制御部４３は、差動信号の信号レベルがハイレベルからレセッシブを表すロウレベルに変化したことをトリガとして、トランジスタＴ４１、Ｔ４２をターンオンさせることで抑制部４２による抑制動作を開始する構成であればよい。動作制御部４３としては、例えば特開２０１２−２５７２０５号公報の図６に示す第２抑制回路１Ｐのうちトランジスタ７Ｐを除く構成などを採用することができる。このような構成によっても、第１実施形態と同様の作用および効果が得られる。
【００５３】
図１０に示すリンギング抑制回路４４の抑制部４５は、図３に示した抑制部７と図９に示した抑制部４２とを組み合わせたものである。つまり、抑制部４５は、抑制部７および抑制部４２を伝送線路３に並列接続した構成となっている。
【００５４】
この場合、動作制御部４６は、動作制御部８、４３と同様の動作を行うことができる構成であればよい。すなわち、動作制御部４６は、差動信号の信号レベルがハイレベルからレセッシブを表すロウレベルに変化したことをトリガとして、トランジスタＴ４、Ｔ５、Ｔ４１、Ｔ４２をターンオンさせることで抑制部４５による抑制動作を開始する構成であればよい。動作制御部４６としては、例えば特開２０１２−２５７２０５号公報の図６に示す第１、第２抑制回路１Ｎ、１Ｐのうちトランジスタ７Ｎ、７Ｐを除く構成などを採用することができる。
【００５５】
このような構成によっても、第１実施形態と同様の作用および効果が得られる。さらに、上記構成によれば、次のような効果も得られる。すなわち、電源電圧Ｖｃｃは、リンギング抑制回路４４が設けられたノード２のグランドレベルを基準として５Ｖなどに設定されている。一方、伝送線路３を介して伝送される差動信号のハイ、ロウレベルは、伝送線路３をドライブする送信側のノード２のグランドレベルに応じて決まる。
【００５６】
そして、車載ＬＡＮの伝送線路３のように車両の各部にノード２が配置される構成の場合、各ノード２におけるグランドの電位が異なることが想定される。上記構成によれば、各ノード２間にグランドオフセットが存在する場合でも、抑制部７、４２のうち少なくともいずれか一方が確実に動作することになるため、リンギングの抑制効果を確実に得ることができる。
【００５７】
図１１に示すリンギング抑制回路４７の抑制部４８は、図３に示した抑制部７に対し、トランジスタＴ４、Ｔ５に代えて、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるトランジスタＴ４３〜Ｔ４６を備えている点が異なる。この場合、トランジスタＴ４３のドレインは信号線３Ｐに接続され、そのソースはトランジスタＴ４４のドレインに接続されている。
【００５８】
トランジスタＴ４４のソースはトランジスタＴ４５のドレインに接続され、トランジスタＴ４５のソースはトランジスタＴ４６のドレインに接続されている。トランジスタＴ４６のソースは、信号線３Ｎに接続されている。つまり、信号線３Ｐ、３Ｎ間に、４つのトランジスタＴ４３〜Ｔ４６が直列接続されている。トランジスタＴ４３〜Ｔ４６のバックゲートは、信号線３Ｎに接続されている。この場合、トランジスタＴ４４、Ｔ４５の相互接続ノードＮ１が、抵抗成分の中間点に相当する。
【００５９】
トランジスタＴ４３、Ｔ４４の各オン抵抗の直列合成抵抗値と、トランジスタＴ４５、Ｔ４６の各オン抵抗の直列合成抵抗値とが互いに等しい値となっている。すなわち、トランジスタＴ４３〜Ｔ４６のオン抵抗は、下記（１）式を満たすように設定されている。ただし、トランジスタＴ４３〜Ｔ４６の各オン抵抗値をＲｏｎ４３〜Ｒｏｎ４６とする。
【００６０】
Ｒｏｎ４３＋Ｒｏｎ４４＝Ｒｏｎ４５＋Ｒｏｎ４６      …（１）
このような構成によっても、第１実施形態と同様の作用および効果が得られる。
図１２に示すリンギング抑制回路４９の抑制部５０は、図３に示した抑制部７に対し、トランジスタＴ４に代えて抵抗素子Ｒ４１を備えている点が異なる。抵抗素子Ｒ４１の一方の端子は信号線３Ｐに接続され、その他方の端子はトランジスタＴ５のドレインに接続されている。つまり、信号線３Ｐ、３Ｎ間に、抵抗素子Ｒ４１およびトランジスタＴ５が直列接続されている。
【００６１】
この場合、抵抗素子Ｒ４１が抵抗１０として機能し、トランジスタＴ５のオン抵抗が抵抗１１として機能する。つまり、抵抗素子Ｒ４１およびトランジスタＴ５のオン抵抗により抵抗成分が構成される。また、トランジスタＴ５によるスイッチング動作がスイッチ１２、１３として機能する。
【００６２】
なお、抵抗素子Ｒ４１の抵抗値は、トランジスタＴ５のオン抵抗の値と等しい値に設定されている。また、抵抗素子Ｒ４１およびトランジスタＴ５の相互接続ノードＮ１が、抵抗成分の中間点に相当する。このような構成によっても、第１実施形態と同様の作用および効果が得られる。
【００６３】
（その他の実施形態）
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
抑制部としては、信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗成分を接続することによりリンギングを抑制する抑制動作を行うことができる構成であればよく、その具体的な構成は適宜変更することが可能である。
【００６４】
例えば、抑制部として、信号線３Ｐ、３Ｎ間に、３つまたは５つ以上のトランジスタを直列接続した構成を採用してもよい。この場合、信号線３Ｐと基準電位Ｖｍが付与されるノード（抵抗成分の中間点）との間に接続されるトランジスタのオン抵抗の直列合成抵抗値と、上記ノードと信号線３Ｎとの間に接続されるトランジスタのオン抵抗の直列合成抵抗値と、が等しくなるように各トランジスタのオン抵抗を設定すればよい。なお、この場合のトランジスタは、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴでもＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴのいずれも構わない。
また、図１２に示した抑制部５０において、抵抗素子Ｒ４１およびトランジスタＴ５の接続位置を入れ替えてもよい。さらに、この場合、トランジスタＴ５に代えて複数のトランジスタを直列接続した構成としてもよい。
【００６５】
基準電位付与部としては、信号線３Ｐ、３Ｎ間に接続される抵抗成分の中間点に基準電位を付与することができる構成であればよく、その具体的な構成は適宜変更することが可能である。
通信プロトコルはＣＡＮに限ることなく、一対の通信線を介して差動信号を伝送する通信プロトコルであれば適用が可能である。
【００６６】
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００６７】
２…ノード、３Ｐ…高電位側信号線、３Ｎ…低電位側信号線、５、４１、４４、４７、４９…リンギング抑制回路、６…通信回路、７、４２、４５、４８、５０…抑制部、９、２１、２２、３１…基準電位付与部、１０、１１…抵抗。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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