(57)【要約】【課題】基板や該基板上の配線を破損することなく、封止樹脂上にシールド用の溝やビア用の穴を形成する。【解決手段】基板上に配設された電子部品及び電極パッドを封止する封止樹脂の表面上に、該電極パッドに到達する溝又は穴を形成する電子部品パッケージの製造方法において、前記封止樹脂の表面上における前記溝又は穴が形成される位置に、前記電極パッドに到達しない下溝又は下穴を金型成形によって形成する第１工程と、前記第１工程にて形成された下溝又は下穴の深さを増大させる加工により前記電極パッドを露出させる第２工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配設された電子部品及び電極パッドを封止する封止樹脂の表面上に、該電極パッドに到達する溝又は穴を金型成形によって形成する方法であって、
一方の型と、キャビティ底部に突起ピンを備えた他方の型とを用い、
a) 前記基板を裏面側から保持した前記一方の型と前記他方の型とを当接させて型締めすることによって前記突起ピンの先端を前記電極パッドに当接させる突起ピン当接工程と、
b) 前記キャビティに樹脂材料を充填する充填工程と
を含むことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項２】
基板上に配設された電子部品及び電極パッドを封止する封止樹脂の表面上に、該電極パッドに到達する溝又は穴を金型成形によって形成する方法であって、
一方の型と、キャビティ底部に突起ピンを備えた他方の型とを用い、
a) 前記キャビティに樹脂材料を供給する樹脂材料供給工程と、
b) 前記基板を裏面側から保持した前記一方の型と前記他方の型とを当接させて型締めすることによって前記突起ピンの先端を前記電極パッドに当接させる突起ピン当接工程と、
c) 前記キャビティに供給された樹脂材料を加圧する樹脂材料加圧工程と
を含むことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記突起ピンが、前記キャビティ底部から突出可能なエジェクターピンの頭部天面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記突起ピン当接工程及び前記充填工程において、前記一方の型と前記突起ピンとによって基板が挟持される請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記突起ピン当接工程及び前記樹脂材料加圧工程において、前記一方の型と前記突起ピンとによって基板が挟持される請求項２に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記基板は複数の個片基板であり、
前記一方の型には、複数の前記個片基板が保持されており、
前記突起ピンが複数の前記個片基板に対応するように複数設けられており、
複数の前記突起ピンを用いて複数の前記個片基板の位置を固定する複数個片基板位置固定工程を含む
請求項１、２、４及び５のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ等の電子部品を樹脂封止したパッケージの製造方法に関し、特に、パッケージ内のチップを電磁的に遮蔽するシールド用の溝の形成方法、及び、ＰｏＰ（Package on Package）技術において上下のパッケージを電気的に接続するためのビア用の穴の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品を水平方向（面方向）に配置して樹脂封止したパッケージでは、近接する部品による干渉を防止するため、パッケージ内の部品を電磁的に遮蔽（シールド）する必要がある。
【０００３】
パッケージ内での電磁遮蔽を行う場合の一般的な構成例について、図１を参照して説明を行う。なお、以降本明細書にて参照する各図面は、説明の簡略化のために各部の寸法比が適宜に変更されており、実際の製品の形状を正確に表したものではない。図１（ａ）は半導体パッケージ１の断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す半導体パッケージ１の上面図である。図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。半導体パッケージ１の製造工程においては、まず、半導体チップ２０が備える電極端子２１を、基板１０上の配線１１にバンプ２２を介して接続し、これらを熱硬化性の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）から成る樹脂層３０にて封止する。次に、樹脂層３０の表面３０１（上面）に所定パターンの溝３１を形成して基板１０上の接地電極１２を露出させる。そして、形成された溝３１にシールド材３２を埋め込んだりめっきを施したりする。以上の工程により、半導体パッケージ１内の部品間の電磁的干渉を遮蔽することが可能となる。
【０００４】
また、電子機器の小型化に伴い半導体パッケージの高密度化に対する需要は増大しており、こうした需要に応える技術として、ＰｏＰ型のチップ積層構造を利用したＴＭＶ（Through Mold Via）法による製品が提供されている。
【０００５】
図２を参照して、ＴＭＶ法によるＰｏＰ型のチップ積層構造の一例を説明する。図２（ａ）はＰｏＰにおける下側パッケージ１ａ及び上側パッケージ１ｂを、図２（ｂ）は両者が積層接続された状態を示す。上側パッケージ１ｂ上に配設される電子部品等については図示を適宜省略し、図１と同一又は類似の機能を有する部材には同一の番号の末尾に所定のアルファベットを付したものを割り当てる。半導体チップ２０ａや各種配線等の樹脂封止工程については図１に示す例と同様である。図２（ａ）においては、下側パッケージ１ａには、溝３１に代えて、基板１０ａ上の上下接続電極１３ａに到達する穴３１ａ（例えば円形の開口部）が形成されている。上側パッケージ１ｂには、裏面（同図において下側の面）に設けられた上下接続電極１３ｂ上にはんだボール３３がマウントされている。次に、上下接続電極１３ｂ上のはんだボール３３が穴３１ａに嵌入するよう、上側パッケージ１ｂを下側パッケージ１ａ上に載置する。上下のパッケージ１ｂ、１ａの位置関係が適切であることが確認されれば、リフロー加熱によりはんだボール３３が溶融して穴３１ａ内を満たし、上下のパッケージ１ｂ、１ａの上下接続電極１３ｂ、１３ａを接続する接続ビア３４となる。なお、上下接続電極１３ｂ上のはんだボール３３に代えて、穴３１ａ内に導電性材料が充填されてもよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2009-26805号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の例において、シールド用の溝やビア用の穴の形成は、従来はレーザー加工により行われることが一般的である。この加工はレーザー照射により樹脂材料を溶融させることで行われ、切削器具の磨耗等の劣化を伴わないことから広く採用されている手法である。
【０００８】
しかしながら、レーザー加工はパッケージの厚みのバラツキや湾曲等の影響を受けやすく、例えばパッケージの厚みが想定より小さいとレーザー強度が大き過ぎて配線を焼き切ったり、基板を傷つけたりする不具合が生じることがあるために、精密な制御を要し加工が複雑になるといった問題がある。
【０００９】
こうした問題を回避する方法の１つとして、特許文献１では、基板フレームとモールド金型との密閉空間に封止樹脂を充填する被覆方法において、基板フレーム上の配線に圧接される柱状突起を金型に設けることでビア用の貫通孔を形成することが記載されている。
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、柱状突起の先端と配線との間に僅かな間隙が存在した場合に貫通孔が形成されなかったり、これを避けるために強く圧接させることで配線に傷が付いたりするおそれがある。
溝や穴の深さを正確に形成するためにはミーリング加工が現在のところ最も適していると言えるが、磨耗した切削器具を頻繁に交換する必要がある。
【００１１】
本発明は上記の事情に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、電子部品パッケージの製造工程において、基板や該基板上の配線を破損することなく、封止樹脂上にシールド用の溝やビア用の穴を形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために成された本発明に係る電子部品パッケージの製造方法は、基板上に配設された電子部品及び電極パッドを封止する封止樹脂の表面上に、該電極パッドに到達する溝又は穴を形成する方法であって、
a) 前記封止樹脂の表面上における前記溝又は穴が形成される位置に、前記電極パッドに到達しない下溝又は下穴を金型成形によって形成する第１工程と、
b) 前記第１工程にて形成された下溝又は下穴の深さを増大させる加工により前記電極パッドを露出させる第２工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る電子部品パッケージの製造方法では、電子部品と電極パッドとを封止する封止樹脂の表面上の、電極パッドを露出させる溝又は穴の形成位置に、該電極パッドに到達しない程度の深さの下溝又は下穴を、金型成形により形成しておく（第１工程）。そして、この下溝又は下穴の深さを増大させる加工により前記電極パッドを露出させることで、該下溝又は下穴を、シールド用の溝又はビア用の穴とする（第２工程）。第２工程においては、例えばミーリング加工やレーザー加工によって、前記下溝又は下穴の深さを増大させることができる。
【００１４】
ここで、上記「封止樹脂の表面」とは、個々の電子部品パッケージにおいて基板と接する面と反対側の封止樹脂の面（図１及び図２に示す例では３０１、３０１ａ及び３０１ｂの符号にて図示）を意味する。また、上記「電極パッド」には接地電極、並びに電子部品が備える端子及びこれに接続される配線電極等が含まれる。なお上記「封止樹脂」は、樹脂の収縮によるパッケージの湾曲を防止するフィラー（例えばＳｉＯ２等の粒子）を高率で含み得ることは、当該分野において周知のとおりである。
【００１５】
上記の構成によれば、基板上の電極パッドに到達する溝又は穴の形成において、第１工程で形成する下溝又は下穴を電極パッドに到達させる必要がないため、特許文献１のように金型で電極パッドを圧迫して傷を付けるおそれがない。さらに、第１工程で金型成形で途中まで加工を済ませておくことで、第２工程をミーリング加工にて行う場合には、切削器具の消耗を抑えることができる。また、第２工程をレーザー加工にて行う場合には、下溝又は下穴の深さに応じて照射レーザーの強度が抑えられるので、基板や配線が破損する不具合が発生しにくくなる。従って、基板や該基板上の配線を破損することなく、封止樹脂上にシールド用の溝やビア用の穴を形成することができる。
【００１６】
前記第１工程は、一方の型と、キャビティ底部に前記溝又は穴の深さより低い高さを有する突起ピンを備えた他方の型とを用い、前記基板を裏面側から保持した前記一方の型と前記他方の型とを当接させ型締めし、前記キャビティに樹脂材料を充填する工程を含むことが好ましい。これにより、下溝又は下穴を簡易に形成することができる。
上記「一方の型」及び「他方の型」とは例えば上型（又は下型）及び下型（又は上型）であり、それぞれがいずれに対応するかは本発明の趣旨を変更するものではない。例えば上記「他方の型」が上型である場合には、上記「底部」は鉛直線において上方に位置することとなり、本発明における底部という語は下部と同義ではない。
なお、上記「底部」には、キャビティの底面と面一な、エジェクターピン等の頭部天面も含まれる。この「底面」、「頭部」及び「天面」との語についても上記と同様に、鉛直線における上下で定義されるものではない。
【００１７】
前記第１工程においては、前記キャビティの底面から突出可能なエジェクターピンの頭部天面に設けられた前記突起ピンによって前記下溝又は下穴を形成してもよい。これにより、キャビティからの電子部品パッケージの取り出しが容易となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る電子部品パッケージの製造方法によれば、基板や該基板上の配線を破損することなく、封止樹脂上にシールド用の溝やビア用の穴を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】一般的なシールド用の溝が形成された半導体パッケージの構造例の断面図（ａ）及び上面図（ｂ）。
【図２】ＴＭＶ法によるＰｏＰ型のチップ積層構造の一例において、下側パッケージにはんだボールがマウントされた状態の断面図（ａ）及び下側パッケージに上側パッケージが積層接続された状態の断面図（ｂ）。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の第１工程の第１段階（ａ）、第２段階（ｂ）、第３段階（ｃ）及び第４段階（ｄ）。
【図４】同実施形態における、突起ピンを備えたエジェクターピンの斜視図（ａ）及びその変形例（ｂ）。
【図５】同実施形態において形成される下穴の断面図（ａ）及び該下穴の深さを加工により増大させて成る穴の断面図（ｂ）。
【図６】電子部品パッケージの製造方法の別の例における第１段階（ａ）、第２段階（ｂ）、第３段階（ｃ）及び第４段階（ｄ）。
【図７】電子部品パッケージの製造方法のさらに別の例における第１段階（ａ）、第２段階（ｂ）及び第３段階（ｃ）。
【図８】複数の個片基板を中空領域に配置した状態の金属プレート及び粘着シートの上面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図９】複数の個片基板を封止した電子部品パッケージの製造方法の一例における第１段階（ａ）、第２段階（ｂ）、第３段階（ｃ）及び第４段階（ｄ）。
【図１０】複数の個片基板を封止した電子部品パッケージの製造方法のさらに別の例における第１段階（ａ）、第２段階（ｂ）及び第３段階（ｃ）。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。以下の記載において、先に説明した図面と同一又は類似の機能を有する部材には、同一又は類似の番号の末尾に所定のアルファベットを適宜付したものを割り当て、その説明を省略する。なお、本実施形態ではＴＭＶ法によるＰｏＰ型のチップ積層構造に用いられるビア用の穴の形成方法について説明するが、後述するように、シールド用の溝の形成についても類似の方法を適用することができる。
【００２１】
図３に、本発明の第１工程を説明するための各段階の断面図を示す。なお、半導体チップ６２を基板６１上にマウントするための電極端子、配線及びバンプについては図示を省略する。
【００２２】
まず、図３（ａ）に示すように、基板６１を上下反転させた状態（すなわち、基板６１上にマウントされた半導体チップ６２と上下接続電極６３とが下面側となる状態）にて保持可能な保持部４１を備えた上型４０と、キャビティ５１を備えた下型５０とを予め所定の（樹脂材料６４の融点以上の）温度に加熱しておく（後述の各例でも金型の事前加熱は行われているものとする）。次に、固定された上型４０に対し下型５０を上昇させ（図中の黒太矢印方向）、図３（ｂ）のように当接させ、型締めする。そして、下型５０に設けられたサイドゲート５２から樹脂材料６４をキャビティ５１に充填する。なお、離型時に樹脂材料６４が下型５０に付着することを防止するための離型フィルムでキャビティ５１を被覆してもよいが、図示を省略する。
【００２３】
キャビティ５１の底部には、基板６１上の上下接続電極６３と対向する位置に、所定の高さを有する突起ピン５３が複数設けられている。上記所定の高さは、キャビティ５１の深さや上下接続電極６３の厚み等により異なり得るが、図３（ｂ）のように上下の金型４０、５０を当接させ型締めしたときに、対向する上下接続電極６３に対し例えば100〜300μmの間隙ができる程度の高さとすることが好ましい。
【００２４】
また、キャビティ５１の底部には座ぐり部５６を有する貫通孔５７が設けられており、第１工程に先立ち、図中上方向からエジェクターピン５４が貫通孔５７に挿通され、エジェクターピン５４の頭部５５が座ぐり部５６に収容される。座ぐり部５６の深さや頭部５５の高さ、及びこれらの形状は、頭部５５が座ぐり部５６に収容されたときに、頭部５５の上面とキャビティ５１の底面が面一となるよう適宜に決定されることが好ましい。樹脂材料６４の硬化に必要な所定時間の経過後、図３（ｃ）のように、上型４０の保持部４１に基板６１を保持させたまま下型５０を下降させる（図中の白太矢印方向）とともにエジェクターピン５４に対し図中の黒細矢印方向の力を印加して型開きを行う。この状態からさらに下型５０を下降させれば、樹脂層６５（本発明の封止樹脂に相当）の表面６５１において上下接続電極６３の直上（図３においては下側）に下穴６７が形成されたパッケージ構造体が、保持部４１によって保持された状態で取り出される（図３（ｄ））。サイドゲート５２から離型されたゲート部６６については任意の工程にて除去することとなる。
【００２５】
なお、本実施形態ではエジェクターピン５４の頭部５５にも突起ピン５３が設けられている。図４（ａ）にエジェクターピン５４の拡大斜視図を示す。突起ピン５３は、樹脂層６５から容易に離型されるよう、例えば５度程度の抜き勾配（テーパー）を有することが好ましい。また、頭部５５の上面形状は同図に示すような円形に限定されず、図４（ｂ）に示す頭部５５ａのように、円の一部が欠けた形状、あるいは楕円形やその他の多角形とすることでエジェクターピン５４ａの回動による突起ピン５３の位置ずれを防止してもよい。
【００２６】
図３に示す第１工程及び図４に示す突起ピン５３によって形成された下穴６７の断面図を図５（ａ）に示す。なお、同図では図中の上下が図３と逆転している。下穴６７はその最深部が上下接続電極６３に到達しておらず、この時点で上下接続電極６３は残留樹脂層６５２によって被覆・保護された状態となっている。
【００２７】
この下穴６７に対しミーリング加工又は低強度のレーザー加工を施すことで、該下穴６７の底部と上下接続電極６３上面との間の残留樹脂層６５２を除去し、図５（ｂ）に示すように上下接続電極６３を露出させる。この第２工程により、図２に示した穴３１ａと同一に機能する穴６８が形成される。すなわち、下穴６７の深さをＤ１、穴６８の深さをＤ２、残留樹脂層６５２の厚みをＴ（好ましくは100〜300μm）としたとき、Ｔ＝Ｄ２−Ｄ１が成立する。
【００２８】
ミーリング加工は高さ方向（図５における上下方向）の切削深さの正確な制御が可能であるために上下接続電極６３や基板６１を破損しにくいことや、レーザー加工時に生じるフィラー粒子の残留等がないため、第２工程に用いられる加工法としては特に好適である。また本実施形態によれば、切削する残留樹脂層６５２の厚みが小さいために切削器具の消耗が抑えられる。
【００２９】
また、第２工程においてレーザー加工を用いる場合にも、溶融させる残留樹脂層６５２の厚みが小さいためにレーザー強度を抑えることができ、上下接続電極６３や基板６１の破損を低減することができる。
【００３０】
従って、以上説明した第１及び第２工程により、上下接続電極６３や基板６１を破損することなく、半導体パッケージの樹脂層６５の表面６５１に接続ビア用の穴６８を形成することができる。
【００３１】
なお、図２、図３及び図５に示す上下接続電極１３ａ、１３ｂ及び６３の組成は一般的な配線電極と同様であり、これらの名称は機能的な特徴を表すための便宜的なものである。
【００３２】
〔変更例〕
上述の実施形態ではエジェクターピン５４が棒状の芯部より大径の頭部５５を有するために、キャビティ５１の底部に座ぐり部５６を設けたが、頭部５５がエジェクターピン５４の芯部と同径であってもよい。すなわち、エジェクターピン５４全体が棒状のピンである場合には座ぐり部５６は不要であり、エジェクターピン５４を図中下方向から貫通孔５７に挿通することもできる。この場合には、エジェクターピン５４の下部に、落下防止用の支持体を設ければよい。
【００３３】
また、図３及び図４に示す突起ピン５３の高さを、対向する上下接続電極６３に到達するよう変更し、金型成形のみで穴６８を形成するようにしてもよい。あるいは、ミーリング加工のみで穴６８を形成してもよい。
【００３４】
〔シールド用の溝を形成する場合の構成例〕
上述の実施形態では接続ビア用の穴を形成する方法について説明したが、シールド用の溝を樹脂層に形成する場合には、第１工程において、溝パターンに対応するライン状の突起を、キャビティ５１の底部に設ければよい。第２工程については上述の実施形態と同様である。
【００３５】
さらなる応用の例として、接地電極ではなく上下接続電極の配線パターンに対応する下溝パターンを形成した上で、該下溝上の任意の位置にミーリング加工又はレーザー加工を施して電極を露出させ、接続ビア用の穴とすることもできる。
【００３６】
また、下穴又は下溝をレーザー加工で形成し、次にミーリング加工を施してもよい。
【００３７】
上述にて、突起ピン５３の高さを変更して金型成形のみで穴６８を形成してもよい旨について言及した。以下にその具体例を記載する。
【００３８】
〔金型成形のみで穴を形成する場合：構成例１−１〕
図６を参照して、金型成形のみで穴を形成する場合の構成の一例について説明を行う。図６では金型の上下が図３と逆転しているが、例えば上型４０ｂと下型５０ｂとは成形工程における機能においては同等であり、上下どちらの型で基板６１ｂを保持しても構わない。但し、突起ピン４３ｂは基板６１ｂを保持する型と対向する型に設けられている必要がある。
【００３９】
本構成例では、下型５０ｂの保持部５１ｂにて基板６１ｂを保持した状態で（図６（ａ））下型５０ｂを上昇させて（図中の黒太矢印方向）上型４０ｂと下型５０ｂとを当接させ型締めしたときに、突起ピン４３ｂの先端が上下接続電極６３ｂに当接する（図６（ｂ））。すなわち突起ピン４３ｂの高さは、型締めされた状態におけるキャビティ４１ｂの天井面から上下接続電極６３ｂの上面までの距離に等しい。従って、樹脂材料６４ｂの硬化後、図６（ｃ）のように下型５０ｂの保持部５１ｂに基板６１ｂを保持させたまま下型５０ｂを下降させる（図中の白太矢印方向）とともにエジェクターピン４４ｂに対し図中の白細矢印方向の力を印加して型開きを行い、下型５０ｂをさらに下降させて樹脂層６５ｂ（本発明の封止樹脂に相当）を上型４０ｂから離型すると（図６（ｄ））、樹脂層６５ｂの表面６５１ｂには上下接続電極６３ｂまで到達する穴６８ｂが形成される。
【００４０】
本構成によれば、複数の上下接続電極６３ｂにそれぞれ突起ピン４３ｂを当接させることで、基板６１ｂは保持部５１ｂの底面に固定される。従って、基板６１ｂの熱反りが抑制される。また、上記のように突起ピン４３ｂの高さを定めることにより、穴６８ｂの形成工数を抑えることができる。
【００４１】
〔金型成形のみで穴を形成する場合：構成例１−２〕
図７を参照して、金型成形のみで穴を形成する場合の別の構成例について説明を行う。図３及び図６ではトランスファー成形により樹脂層６５及び６５ｂを形成する例について説明したが、本構成例では圧縮成形により樹脂層６５ｃを形成する。本構成例における圧縮成形型は上型４０ｃと下型５００とから成る。上型４０ｃには不図示の基板セット部が設けられており、基板６１ｃは、半導体チップ６２ｃが下型５００と対向するように該基板セット部に固定される。
【００４２】
下型５００には、キャビティ側面部材５０１、キャビティ底面部材５０２、及びこれらをまとめて上下させるためのベースプレート５０３が含まれている。キャビティ底面部材５０２には、座ぐり部５６ｃを有する貫通孔５７ｃが設けられており、該貫通孔５７ｃに、つば部５８を有する突起ピン５３ｃが図中下方から挿通され、つば部５８が座ぐり部５６ｃに収容される。貫通孔５７ｃは、基板６１ｃ上の上下接続電極６３ｃと対向する位置に穿孔される。キャビティ側面部材５０１及び突起ピン５３ｃとベースプレート５０３とは、コイルばね等により実現される弾性部材５０４及び５０５を介して接続されている。
【００４３】
まず、図７（ａ）に示すようにキャビティ側面部材５０１及びキャビティ底面部材５０２から成る下型キャビティ（符号は省略）に所定量の樹脂材料６４ｃを供給し、下型５００を上昇させる（図中黒矢印方向）。なお、樹脂材料６４ｃの供給前に、上記下型キャビティを構成する面及びその周辺に離型フィルム７００を同図に示すように吸着固定してもよい。これにより樹脂層６５ｃの離型が容易となる。
【００４４】
このようにして下型５００を上昇させると、まず突起ピン５３ｃと上下接続電極６３ｃが当接して圧接され、次にキャビティ側面部材５０１の上面と上型４０ｃに保持された基板６１ｃの周縁部とが当接して型締めされる。続いてベースプレート５０３を上昇させると、樹脂材料６４ｃ中に半導体チップ６２ｃが浸漬され、キャビティ底面部材５０２が、樹脂材料６４ｃを加圧することで圧縮成形が行われる（図７（ｂ））。このとき、突起ピン５３ｃと上下接続電極６３ｃとの当接面は弾性部材５０５の弾性力により圧接されているため、（加熱により溶融した）樹脂材料６４ｃの当該当接面への浸入が防止される。樹脂材料６４ｃの硬化後、下型５００を下降させる（図中白矢印方向）と、圧縮成形により樹脂層６５ｃの表面６５１ｃに穴６８ｃが形成された半導体パッケージが得られる（図７（ｃ））。なお、キャビティ側面部材５０１及び突起ピン５３ｃは、弾性部材５０４及び５０５の弾性力により、ベースプレート５０３に対し元の位置に戻る。
本構成によれば、圧縮成形により上述の構成例１−１と同様の効果が得られる。
なお、突起ピン５３ｃと上下接続電極６３ｃとの当接に先立ってキャビティ側面部材５０１の上面と基板６１ｃの周縁部とが当接してもよく、その順序は問わない。また、突起ピン５３ｃが上下接続電極６３ｃに圧接されたときに上下接続電極６３ｃが破損しないよう、弾性部材５０５の弾性力は適宜調節されればよい。
【００４５】
〔複数の個片基板を１パッケージとして封止する場合：構成例２−１〕
１つの基板上に配置された複数の電子部品の中には、不良品が含まれていることもある。こうした部分的な不良の発生により歩留まりが低下し得る場合には、樹脂封止工程の前に基板を個片に切断して良品と不良品とを判別し、良品の個片基板のみを樹脂封止する手法がとられる。こうした手法における樹脂封止工程の前段階として、例えば図８に示すように、個片基板６１ｄを水平方向に複数配置可能な中空領域を成す矩形状の貫通孔８００を有する金属フレーム８０１の裏面から粘着シート８０２を貼り付け、上記貫通孔８００内に露出している粘着シート８０２の粘着層上に個片基板６１ｄを載置する。図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。このようにして複数の個片基板６１ｄを粘着固定した金属フレーム８０１及び粘着シート８０２を成形型にセットして樹脂封止する。
【００４６】
しかしながら、個片基板６１ｄは粘着シート８０２上に粘着固定されているため、成形時の樹脂流動によって水平面内の位置ずれを生じることがある。こうした位置ずれはトランスファー成形では特に顕著に見られ、製品をパッケージごとに切断する際に、事前に定めた位置と異なる位置に封止固定された個片基板６１ｄを誤って切断してしまうおそれがある。また、金型のキャビティ底面上の突起ピンによって樹脂層に下穴又は穴を形成する際、個片基板６１ｄの位置ずれによって、上下接続電極の直上に下穴又は穴が形成されないという問題もある。
【００４７】
そこで、本発明者らは図９に示すような成形方法を考案した。まず、図９（ａ）のように下型５０ｄの保持部５１ｄに金属フレーム８０１及び粘着シート８０２を保持させた状態で、下型５０ｄを上昇させて（図中の黒太矢印方向）上型４０ｄと下型５０ｄとを当接させ型締めする。これにより、図９（ｂ）に示すように突起ピン４３ｄの先端は上下接続電極６３ｄの上面に当接する。この状態でキャビティ４１ｄ（及び下型５０ｄ側における金属フレーム８０１の貫通孔８００内）に樹脂材料６４ｄを充填し、該樹脂材料６４ｄの硬化後、図９（ｃ）のように、下型５０ｄの保持部５１ｄに金属フレーム８０１及び粘着シート８０２を保持させたまま下型５０ｄを下降させる（図中の白太矢印方向）とともにエジェクターピン４４ｄに対し図中の白細矢印方向の力を印加して型開きを行い、下型５０ｄをさらに下降させて樹脂層６５ｄ（本発明の封止樹脂に相当）を上型４０ｄから離型すると（図９（ｄ））、樹脂層６５ｄの表面６５１ｄには上下接続電極６３ｄまで到達する穴６８ｄが形成される。
【００４８】
本構成によれば、樹脂材料６４ｄの充填前に突起ピン４３ｄの先端が上下接続電極６３ｄに当接するため、個片基板６１ｄ及び粘着シート８０２が突起ピン４３ｄと保持部５１ｄとにより挟持され、粘着シート８０２上での個片基板６１ｄの位置が固定される。従って、樹脂流動に起因する粘着シート８０２上での個片基板６１ｄの位置ずれを防止することができる。また、上記の構成例１−１及び１−２と同様、熱反りを抑制する効果もある。
【００４９】
〔複数の個片基板を１パッケージとして封止する場合：構成例２−２〕
本例でも、上述した構成例１−２に類似の構成が適用可能である。上記構成例１−２と同様の部分については説明を適宜省略する。図１０（ａ）に示すように、まず、上型４０ｅと下型５００ａとから成る圧縮成形型を用い、複数の個片基板６１ｅが粘着固定された金属フレーム８０１及び粘着シート８０２を上型４０ｅが備える不図示のセット部に固定する。次にキャビティ側面部材５０１ａ、突起ピン５３ｅをそれぞれ金属フレーム８０１、上下接続電極６３ｅに当接させる。この時点で、個片基板６１ｅ及び粘着シート８０２が突起ピン５３ｅと上型４０ｅのセット部とにより挟持され、粘着シート８０２上での個片基板６１ｅの位置が固定される。さらに、図１０（ｂ）に示す状態においては弾性部材５０５ａの弾性力により、個片基板６１ｅ及び粘着シート８０２に対する挟持圧力が増大する。
本構成によれば、圧縮成形により上述の構成例２−１と同様の効果が得られる。
【００５０】
なお、上述した実施形態及び応用例は本発明の例であり、本発明の趣旨の範囲で適宜に変更、修正、追加、組み合わせを行っても本願特許請求の範囲に包含されることは当然である。
【符号の説明】
【００５１】
１、１ａ、１ｂ…半導体パッケージ
１０、１０ａ、１０ｂ…基板
１１、１１ａ、１１ｂ…配線
１２…接地電極
１３ａ、１３ｂ…上下接続電極
２０、２０ａ…半導体チップ
２１、２１ａ…電極端子
２２、２２ａ…バンプ
３０、３０ａ、３０ｂ…樹脂層
３１…溝
３１ａ…穴
３２…シールド材
３３…はんだボール
３４…接続ビア
３０１、３０１ａ、３０１ｂ…樹脂層の表面
４０、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ…上型
４１、４１ｂ、４１ｄ、５１ｂ…保持部
５０、５０ｂ、５０ｄ、５００、５００ａ…下型
５１、４１ｂ、４１ｄ…キャビティ
５２、４２ｂ、４２ｄ…サイドゲート
５３、４３ｂ、５３ｃ、４３ｄ、５３ｅ…突起ピン
５４、５４ａ、４４ｂ、４４ｄ…エジェクターピン
５５、５５ａ、４５ｂ、４５ｄ…頭部
５６、４６ｂ、５６ｃ、４６ｄ、５６ｅ…座ぐり部
５７、４７ｂ、５７ｃ、４７ｄ、５７ｅ…貫通孔
５８、５８ａ…つば部
５０１、５０１ａ…キャビティ側面部材
５０２、５０２ａ…キャビティ底面部材
５０３、５０３ａ…ベースプレート
５０４、５０４ａ、５０５、５０５ａ…弾性部材
６１、６１ｂ、６１ｃ…基板
６１ｄ、６１ｅ…個片基板
６２、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ…半導体チップ
６３、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ、６３ｅ…上下接続電極
６４、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ、６４ｅ…樹脂材料
６５、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｅ…樹脂層
６６、６６ｂ、６６ｄ…ゲート部
６７…下穴
６８、６８ｂ、６８ｃ、６８ｄ、６８ｅ…穴
６５１、６５１ｂ、６５１ｃ、６５１ｄ、６５１ｅ…樹脂層の表面
６５２…残留樹脂層
７００、７００ａ…離型フィルム
８００…貫通孔
８０１…金属フレーム
８０２…粘着シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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