(57)【要約】【課題】  電子部品の信号端子の周辺においてパッケージと筐体間の面圧を高くすることができ、ＥＭＣ耐性を強化する技術を提供する。【解決手段】  取付け構造は、高周波信号を入出力するＲＦ信号端子１１を有するハイブリッドＩＣ１と、導波管２１が内蔵される筐体２と、導波管２１への挿入長が調整される調整ネジ３と、調整ネジ３を利用してハイブリッドＩＣ１を筐体２に押しつけるナット５と、を有している。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を入出力する信号端子を有する電子部品と、
導波管が内蔵される筐体と、
前記導波管への挿入長が調整される調整ネジと、
前記調整ネジを利用して前記電子部品を前記筐体に押しつける押し付け部と、
を有する電子部品取付け構造。
【請求項２】
前記電子部品は、前記調整ネジを通す貫通穴を有するパッケージを有し、
前記押し付け部は、前記調整ネジに取り付けられるナットである、
請求項１に記載の電子部品取付け構造。
【請求項３】
前記ナットは、前記調整ネジを締め付けたとき、前記調整ネジが調整された前記挿入長で前記導波管に挿入され、かつ、前記パッケージを押し付けて固定できる厚さを有する、
請求項２に記載の電子部品取付け構造。
【請求項４】
前記ナットは、前記挿入長の調整結果に基づいて前記調整ネジを締め付けたとき、前記調整ネジが調整された前記挿入長で前記導波管に挿入され、かつ、前記パッケージを押し付けて固定できる厚さに加工された、
請求項２又は３に記載の電子部品取付け構造。
【請求項５】
前記パッケージは、前記調整ネジを通す複数の貫通穴を有する、
請求項２又は３に記載の電子部品取付け構造。
【請求項６】
前記電子部品は、前記調整ネジを通す貫通穴を有するパッケージを有し、
前記調整ネジは、前記挿入長の調整結果に基づいて前記調整ネジを締め付けたとき、前記調整ネジが調整された前記挿入長で前記導波管に挿入され、かつ、前記パッケージを押し付けて固定できる長さに加工された、
請求項１に記載の電子部品取付け構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品取付け構造に関し、特に高周波用のハイブリッドＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）のように、高周波信号を入出力する電子部品取付け構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１にマイクロ波用電子部品の取付け構造が開示されている。図６は、特許文献１に開示の取り付け構造の構成を示す断面図である。特許文献１には、２つのマイクロ波用電子部品１０１、１０２の入力端子１０１ａ、１０２ａ及び出力端子１０１ｂ、１０２ｂをそれぞれ通す通穴１０１ｃ、１０１ｄ、１０２ｃ、１０２ｄが管状の外部導体１０３に設けられ、この外部導体１０３に２つのマイクロ波用電子部品１０１、１０２が実装されることが開示されている。また特許文献１には、２つのマイクロ波用電子部品１０１、１０２間に複数の調整ネジ１０４を所定間隔おきに取り付け、各調整ネジ１０４を調整することにより、各マイクロ波用電子部品１０１、１０２間の入出力インピーダンス整合をとることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６３−３１０２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、ハイブリッドＩＣは、ハイブリッドＩＣのパッケージに設けられた複数の貫通穴に取付けネジを挿入し、内部に導波管を備えた筐体にネジ止めすることにより、筐体に取り付けられる。このようなハイブリッドＩＣの実装構造においては、取付けネジが導波管内を貫通しないよう導波管の外になるよう配置される。しかしＲＦ信号端子の周辺の広い範囲が導波管内となっているためＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号端子に対して取付けネジ本数を多くすることが困難であり、また取付けネジがＲＦ信号端子から離れた位置に配置される。このためＲＦ信号端子周辺の面圧が弱くなり、ハイブリッドＩＣのパッケージの接地が弱くなり、これはすなわち隙間が生じることになる。これによりＲＦ信号端子からＲＦ信号が漏洩したり、あるいは外部からＲＦ信号端子を介してＲＦ信号が入り込んだりすることになる。したがってハイブリッドＩＣを含む機器のＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）耐性が弱くなる。特許文献１にはこの課題を解決する技術は開示されていない。
【０００５】
本発明の目的は、電子部品の信号端子の周辺においてパッケージと筐体間の面圧を高くすることができ、ＥＭＣ耐性を強化する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子部品取付け構造は、高周波信号を入出力する信号端子を有する電子部品と、導波管が内蔵される筐体と、前記導波管への挿入長が調整される調整ネジと、前記調整ネジを利用して前記電子部品を前記筐体に押しつける押し付け部と、を有している。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、電子部品の信号端子の周辺においてパッケージと筐体間の面圧を高くすることができ、ＥＭＣ耐性を強化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態の取付け構造の構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１の取付け構造の構成を示す断面図である。
【図３】図３は、図１のパッケージの構成を示す平面図である。
【図４】図４は、図１の筐体の構成を示す平面図である。
【図５】図５は、図１の第１の変形例の構成を示す図である。
【図６】図６は、図１の第２の変形例の調整ネジによる調整時の様子を示す断面図である。
【図７】図７は、図１の第２の変形例の調整ネジ調整後にナットによりパッケージを押さえつけた様子を示す断面図である。
【図８】図８は、特許文献１に開示される取付け構造の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態の電子部品取付け構造の構成を示す平面図である。図２は、図１の電子部品取付け構造の構成を示す断面図である。図３は、図１のパッケージの構成を示す平面図である。図４は、図１の筐体の構成を示す平面図である。
【００１０】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電子部品取付け構造は、ハイブリッドＩＣ１と、導波管２１を内蔵する筐体２と、導波管２１への挿入長が調整される調整ネジ３と、ハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２を筐体２に取付ける取付けネジ４を備えている。さらに、本実施形態の電子部品取付け構造は、調整ネジ３を利用してパッケージ１２を筐体２に押し付けて固定するナット５を備えている。
【００１１】
ハイブリッドＩＣ１は、ＲＦ信号端子１１と、パッケージ１２と、貫通穴１３、１４を備えている。ハイブリッドＩＣ１は、高周波信号を入力または出力するのであれば、ハイブリッドＩＣに限定されない。ＲＦ信号端子１１は、パッケージ１２に収容されている電子回路に電気的に接続されている。ＲＦ信号端子１１は、外部で発生した高周波信号をパッケージ１２に収容されている電子回路に入力し、又は、パッケージ１２に収容されている電子回路で発生する高周波信号を外部へ出力する。
【００１２】
パッケージ１２は、矩形状の板状に形成されている。パッケージ１２は、例えば、樹脂成型品などによって構成される。ハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２には、図３に示されるように、ＲＦ信号端子１１の周辺に、例えばＲＦ信号端子１１を挟んで２か所に貫通穴１４が設けられている。この貫通穴１４は、ハイブリッドＩＣ１を筐体２に取付けネジ４によって実装する際に用いられる。
【００１３】
ハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２は、ＲＦ信号端子１１からみて取付けネジ４を通す２つの貫通穴１４と異なる方向に調整ネジ３を通す貫通穴１３を備えている。
【００１４】
また図４に示すように、筐体２は、導波管２１と、ＲＦ信号端子１１を通す貫通穴２２と、調整ネジ３に対応するタップ２３と、取付けネジ４に対応するタップ２４を備えている。パッケージ１２の調整ネジ３を通す貫通穴１３に対応する位置にタップ２３が切られている。またパッケージ１２の取付けネジ４を通す貫通穴１４に対応する位置にタップ２４が切られている。
【００１５】
調整ネジ３は、図１および図２に示すように貫通穴１３及びタップ２３を通して導波管２１内へ挿入され、挿入長が調整される。
【００１６】
本実施形態では、調整ネジ３を利用してナット５によりハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２が筐体２に押しつけられる。例えば、厚さの異なるナット５を複数準備しておき、ＲＦ特性が最適に調整された調整後の調整ネジ３の挿入長を測定し、調整ネジ３の挿入長の調整結果に基づいてナット５の厚さを選択することで実現してもよい。
【００１７】
次に本実施形態のＩＣパッケージの取付け方法について説明する。まずハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２が取付けネジ４により筐体２に取付けられる。
【００１８】
次に調整ネジ３をパッケージ１２の貫通穴１３及び筐体２のタップ２３を通して導波管２１に挿入してＲＦ特性が最適となるように調整する。そしてＲＦ特性が最適に調整された調整ネジ３の挿入長を測定する。
【００１９】
次に調整された調整ネジ３の挿入長の測定結果に基づいて調整ネジ３が調整された挿入長で導波管２１に挿入され、かつ、ハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２を押し付けて固定できるような厚さのナット５を調整ネジ３に取り付ける。
【００２０】
そしてナット５を取り付けた調整ネジ３を貫通穴１３に挿入し筐体２のタップ２３に十分なトルクで締め付けネジ止めすることにより調整ネジ３が最適な挿入長で挿入されるとともにハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２が筐体２に押し付けられて固定される。
【００２１】
このような取付け構造によりＲＦ信号端子１１の周辺の面圧を高くすることができ、パッケージ１２と筐体２の間の接地が強化されるため、ＥＭＣの耐性が向上する。
【００２２】
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【００２３】
例えば上記説明ではＲＦ信号端子１１の周辺部に調整ネジ３を通す貫通穴１３を１つ設けるとして説明したが、これに限らない。図５は、図１の第１の変形例の構成を示す平面図である。図５に示すように、ハイブリッドＩＣ１のパッケージ１２のＲＦ信号端子１１の周辺部に複数の貫通穴１５、１６を設けて、複数の調整ネジ６、７が挿入できるようにしてもよい。
【００２４】
この場合、まずパッケージ１２に調整ネジ６、７を挿入して、ＲＦ特性が最適となったときのそれぞれの挿入長を測定する。次にそれぞれ最適な挿入長でハイブリッドＩＣのパッケージ１２を固定できる厚さのナット８、９がそれぞれ調整ネジ６、７に取り付けられる。そしてナット８を取付けた調整ネジ６を貫通穴１５に挿入し、ナット９を取付けた調整ネジ７を貫通穴１６に挿入し、それぞれがネジ止めされることによりハイブリッドＩＣのパッケージ１２が筐体１０に固定される。
【００２５】
このように本変形例によればＲＦ信号端子１１の周辺に複数の調整ネジ６、７を設けて、これを取り付けネジとして併用することで、ＲＦ信号端子１１の周辺の面圧を高め、接地を強化することができる。これによりＥＭＣ耐性の向上が期待できる。
【００２６】
また、上記説明では最適な挿入長でハイブリッドＩＣパッケージ１を固定できる厚さのナット５を調整ネジ３に取り付けるとして説明したが、これに限らない。例えばナットと調整ネジ３のネジ頭との間にはさむ、厚さの異なるワッシャを複数準備しておき、ＲＦ特性が最適に調整された調整後の調整ネジ３の挿入長を測定し、調整ネジ３の挿入長の調整結果に基づいてワッシャの厚さを選択することで実現してもよい。
【００２７】
また調整ネジ３の挿入長の調整結果に基づいてナット５の厚さを加工することで実現してもよい。
【００２８】
さらに調整ネジ３の調整時には、ナット５の位置はパッケージに接触しないように調整ネジのネジ頭よりに配置し、調整後に、ナット５を締め付け、パッケージ１２を押さえ付けるようにしてもよい。図６は、図１の第２の変形例の調整ネジによる調整時の様子を示す断面図である。図７は、図１の第２の変形例の調整ネジ調整後にナットによりパッケージを押さえつけた様子を示す断面図である。
【００２９】
この場合、図６に示すように、ナット５が調整ネジのネジ頭よりの位置までねじ込まれ、調整ネジ３がパッケージ１２の貫通穴１３及び筐体２のタップ２３を通して導波管２１に挿入されてＲＦ特性が最適となるように調整される。調整後に、図７に示すように、ナット５が締め付けられナット５によってパッケージ１２が押し付けられる。
【００３０】
このように本変形例によれば、複数のナットを準備したり、ナットの厚さを加工したりする必要がなく、調整ネジ３を利用したパッケージ１２の固定が容易に実現できる。
【００３１】
また、ナットを用いず、挿入長の調整後、調整ネジ３の挿入長の調整結果に基づいてＲＦ特性が最適に調整されたときの調整ネジ３の挿入長にする長さの調整ネジを選択する構成としてもよい。あるいは挿入長の調整後、調整ネジ３の長さを、挿入長の調整結果に基づいてＲＦ特性が最適に調整されたときの挿入長にする長さに加工してもよい。
【００３２】
このようにすれば、ナットを不要として、パッケージを固定することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、マイクロ波を使用した装置で使用されるハイブリッドＩＣのみならず、他の用途で使用されるハイブリッドＩＣ全般へも応用可能である。
【符号の説明】
【００３４】
１    ハイブリッドＩＣ
２    筐体
３    調整ネジ
４    取付けネジ
５    ナット
１１    ＲＦ信号端子
１２    パッケージ
１３、１４、１５、１６    貫通穴
２１    導波管
２２    貫通穴
２３、２４    タップ
１０１、１０２    マイクロ波用電子部品
１０１ａ、１０２ａ    入力端子
１０１ｂ、１０２ｂ    出力端子
１０３    外部導体
１０４    調整ネジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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