(57)【要約】      （修正有）【課題】ＩＣまたは他の電子素子を実質的に完全に排除して機密性を維持する。【解決手段】過渡電子デバイス１００は、脆弱ガラス基板１１０上に配置された電子素子（例えば、ＳＯＩまたはチップベースＩＣ）１２０及びトリガ機構１３０を含む。トリガ機構は、受信されるトリガ信号に応答して自己制限抵抗素子１４０を通る大きなトリガ電流を開始するスイッチ１５０を含む。自己制限抵抗素子は、トリガ電流に応答して熱を発生させ、それによって脆弱ガラス基板の局所的な（小さい）領域の温度を急速に増大させる抵抗部１４２と、所定の時間後にトリガ電流を自己制限（終結）し、局所的な領域を急速に冷却させる電流制限部（例えば、ヒューズ）１４５とを含む。局所的な領域の急速な加熱／冷却によって生成される応力プロファイルが、ガラス基板全体に続いて伝播する初期破砕力を生成し、それによって十分な電位エネルギーが解放されて電子素子を粉化する。【選択図】図１
2018019078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過渡電子デバイスであって、
脆弱ガラス基板と、
前記脆弱ガラス基板の分解が前記電子素子の分解を引き起こすように、前記脆弱ガラス基板上に配置されている、１つまたは複数の電子素子と、
トリガ機構であり、
前記脆弱ガラス基板の局所的な領域上に配置された抵抗材料から成る自己制限抵抗素子と、
前記自己制限抵抗素子に結合されたスイッチ素子と
を備え、
前記自己制限抵抗素子は、前記スイッチ素子が作動して電源から前記自己制限抵抗素子を通るトリガ電流を開始した後の第１の期間中に、前記自己制限抵抗素子が発生させる熱が、前記局所的な領域の局所的な温度を初期温度から第１の温度レベルに向かって急速に増大させるように構成されており、
前記自己制限抵抗素子の電流制限部が、前記局所的な領域の前記局所的な温度が前記第１の温度レベルに達したときに前記トリガ電流の流れを終結させ、それにより前記局所的な温度を前記第１の温度レベルから第２の温度レベルまで急速に低減させるように、前記トリガ電流の流れを独立に制御する、トリガ機構と
を備え、
前記脆弱ガラス基板は前記急速な熱の増大と前記急速な熱の低減とを含む熱パルスによって前記局所的な領域内に生成される応力プロファイルが、前記局所的な領域に初期破砕力を発生させるのに十分であるように構成されている、過渡電子デバイス。
【請求項２】
前記自己制限抵抗素子の前記抵抗材料は、前記脆弱ガラス基板の表面上に直接配置されたマグネシウム、銅、タングステン、アルミニウム、モリブデンおよびクロムのうちの１つまたは複数を含む、請求項１に記載の過渡電子デバイス。
【請求項３】
前記自己制限抵抗素子は、第１の端子と第２の端子との間で前記電流制限部に直列に接続された少なくとも１つの抵抗部を含み、
前記第１の端子は前記スイッチ素子によって直流（ＤＣ）電源に接続されており、
前記第２の端子は接地に接続されている、
請求項１に記載の過渡電子デバイス。
【請求項４】
前記少なくとも１つの抵抗部は、第１の抵抗構造および第２の抵抗構造を含み、
前記電流制限部は、前記第１の抵抗構造と前記第２の抵抗構造との間に接続されており、前記第１の期間後に破断し、それによって、前記第１の抵抗構造および前記第２の抵抗構造を通る前記トリガ電流の流れを終結させるように構成されているヒューズ素子を含む、
請求項３に記載の過渡電子デバイス。
【請求項５】
基本的にある融点温度を有するガラスから成る脆弱ガラス基板上に配置された電子素子の粉化を開始するためのトリガ方法であって、
電源と自己制限抵抗素子との間に結合されているスイッチ素子を、前記電源から前記スイッチ素子および前記自己制限抵抗素子を通じて直流電流が流れるように作動させ、それによって、前記局所的な領域の局所的な温度を初期温度から第１の温度まで急速に増大させるのに十分高い速度で、前記自己制限抵抗素子に、熱を発生させて前記局所的な領域へと伝達させることによって、前記脆弱ガラス基板の局所的な領域に急速な熱増大を生じさせるステップであって、前記第１の温度は前記融点温度より高い、急速な熱増大を生じさせるステップと、
前記局所的な領域内の前記局所的な温度が前記第１の温度から第２の温度まで急速に低減するように、急速な熱低減を生じさせるステップであって、前記第２の温度は前記第１の温度よりも低い、急速な熱低減を生じさせるステップと
を含み、
前記急速な熱増大および前記急速な熱低減によって発生する熱パルスは、前記局所的な領域内で初期破砕力を生成し、前記急速な熱増大の持続時間は、前記自己制限抵抗素子によって独立して制御される、方法。
【請求項６】
前記方法は波信号を検出するステップをさらに含み、前記急速な熱増大を生じさせるステップは、検出される前記波信号に応答して前記スイッチ素子を制御するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記波信号を検出するステップは、光波信号、無線周波信号、および音響波信号のうちの１つを検出するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記波信号を検出するステップは、フォトダイオードを利用して光信号を検出するステップを含み、前記スイッチ素子を制御するステップは、前記フォトダイオードを通過する電流を使用してシリコン制御整流器を制御するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
過渡電子デバイスであって、
脆弱ガラス基板と、
前記脆弱ガラス基板上に配置された１つまたは複数の電子素子と、
トリガ機構であり、
前記脆弱ガラス基板上に配置された第１の抵抗構造体と第２の抵抗構造体との間に配置されたヒューズ素子を含む自己制限抵抗素子と、
前記自己制限抵抗素子と電源との間に、前記スイッチ素子の作動が前記電源から前記自己制限抵抗素子を通るトリガ電流を開始させるように結合されているスイッチ素子と
を備える、トリガ機構と
を備え、
前記自己制限抵抗素子は、前記トリガ電流を前記電源から前記自己制限抵抗素子に流すことにより、前記脆弱ガラス基板内に熱パルスが生成されるように構成されており、
前記脆弱ガラス基板は、前記熱パルスによって生成される応力プロファイルが、前記局所的な領域内の初期破砕力を引き起こすように構成されており、前記脆弱ガラス基板は、前記初期破砕力が、前記脆弱ガラス基板および前記１つまたは複数の電子素子の完全な分解をもたらす伝搬破砕力を引き起こすようにさらに構成されている、過渡電子デバイス。
【請求項１０】
前記スイッチ素子は、シリコン制御整流器、単一トランジスタおよび多素子回路のうちの１つを含む、請求項９に記載の過渡電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過渡電子装置に関し、特に、過渡電子アセンブリにおける脆弱ガラス基板の破砕を開始するために利用されるトリガデバイスおよびトリガ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
広域検知は、様々な軍事的、生態学的および商業的利益のために重要であり、歴史的には集中型長距離センサの使用によって提供されてきた。一方、電子システムの小型化の急速な改善により、小型センサデバイスの能力が大幅に改善されている。これらのマイクロセンサは、動作順応性、近接近することによってのみ可能である従来的でない検知モダリティ、感度の増大、および、ネットワークインテリジェンスによる知識抽出において利点を有する「大Ｎ」分散ネットワークを作成する可能性を有する。
【０００３】
分散型ネットワークシステムは目覚ましい可能性を秘めているが、それらの現実的な使用は、（集中型長距離センサとは異なり）積極的な制御を維持できないことによる環境への蓄積、検出および失敗、ならびに悪用によるリスクによって制限される。
【０００４】
「過渡電子装置」という句は、設定期間内に消滅する（分解して消散する）相対的に新しい系統の電子デバイスを指し、分散型ネットワークシステムに最適である。従来の過渡電子システムは、典型的には可溶性基板および電子材料（シルクなど）の使用に依拠している。溶媒（典型的には水）中に置かれると、これらの従来の基板および電子装置はゆっくりと溶液中に溶解する。このように、従来の過渡電子装置から成る分散型ネットワークシステムは、相対的に短時間（たとえば、定期的な降雨後）に「消滅」すると予測することができる。
【０００５】
従来の過渡電子手法は、使用後に電子装置を「消滅」させる目的を達成するが、完全な分解および消散を達成するのに必要な長い溶解期間が、従来の手法を、命令に応じた迅速で完全な分解を必要とする個別の（たとえば、軍事）用途にとって不適当なものにする。さらに、初期の従来の手法は、既存の集積回路製造およびアセンブリ技術に適合していない材料を利用し、相当のコストで新規のＩＣ製造プロセスを開発する必要がある。
【０００６】
より最近では、機能回路が、周知の低コスト製造技術（たとえば、ＣＭＯＳまたはＳＯＩ）を使用して製造され、小さな初期破砕力を受けると、機能回路の分解をも引き起こすのに十分な電位エネルギーを放出するように、完全な分解（粉砕）を被る脆弱ガラス基板上に配置される、新しいタイプの過渡電子デバイスが導入されている。過渡事象（すなわち、分解）は、適切なトリガ信号に応答して脆弱ガラス基板に抵抗加熱、化学反応または局所機械的圧力を加えることによって、必要な初期破砕力を生成するように構成されたトリガ機構によって制御されている。いくつかのトリガ方法の問題は、破砕を開始するのに必要な条件を提供するために、特定の電流パルスまたは電圧パルスを供給するために実質的な電子システムを必要とし得ることである。たとえば、抵抗加熱型のトリガ機構は、初期破砕を発生させるために、整形された電流パルスを生成して電源から抵抗加熱素子に送るように構成されたパルス整形回路を必要とし得る。
【０００７】
電子トリガ信号に応答してその上に形成される電子回路の完全な命令に応じた分解を確実に達成する、過渡電子デバイス内の脆弱ガラス基板の粉化を開始するための簡単で信頼できるトリガ機構およびトリガ方法が必要とされている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、電流パルス整形回路および／または複雑な接続構成の必要性を回避し、それによって従来の手法に関連する問題を回避する自己制限回路構成を使用して、局所熱パルス（すなわち、急速加熱に続く急速冷却）を発生させることによって過渡電子装置内の機能回路（電子素子）の粉化を確実に開始するための、単純で信頼できるトリガ機構および関連するトリガ方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、トリガ機構は、脆弱ガラス基板上に少なくとも部分的に形成された自己制限抵抗素子を含む。脆弱ガラス基板は、加えられる初期破砕力に応答して完全に分解（粉砕）されるように、既知の技法を用いて関連する融点温度を有するガラス材料から実質的に全体的に構成されている。電子素子（たとえば、シリコンオンインシュレータベース（ＳＯＩベース）ＩＣ、チップベースＩＣ、または脆弱ガラス基板上に直接パターニングされた薄膜電子装置）およびトリガ機構の自己制限抵抗素子は、脆弱ガラス基板の片面または両面に固定して取り付けられ、電子素子は一般的に、脆弱ガラス基板の第１の領域の上に配置され、自己制限抵抗素子は、脆弱ガラス基板の局所的な（すなわち、相対的に小さい）第２の領域上に配置される。この構成によって、自己制限抵抗素子によって生成される局所熱パルスが、自己制限抵抗素子に隣接する（たとえば、下にある）局所的な領域におけるガラスの融点温度を超える急速加熱、および、その後の冷却によって引き起こされる応力プロファイルを生成する。トリガ機構を以下に説明するように構成することによって、結果として得られる応力プロファイルは、局所的な領域において所望の初期破砕力を発生させ、それによって脆弱ガラス基板とその上に配置される電子素子との完全な分解を開始する。
【００１０】
本発明の別の態様によれば、自己制限抵抗素子は、所定量の発生熱が脆弱ガラス基板の局所的な領域に伝達された後に、自己制限抵抗素子を通るトリガ電流の流れを終結させることによって、発生する熱の量を独立して（すなわち、外部で生成される制御信号を必要とせずに）制御する電流制限部（たとえば、ヒューズ、タイマベースまたはサーミスタベースの回路）を含む。例示的な実施形態では、電流制限部は、自己制限抵抗素子によって所定量の熱が発生した後に溶融／破断し、それによって、自己制限抵抗素子を通るさらなるトリガ電流の流れを防止することによってさらなる発熱を終結させる開回路を生成するように構成されたヒューズ構造によって実装される。さらに、自己制限抵抗素子を、以下に説明するように、トリガ電流の終結後に脆弱ガラス基板の局所的な領域から熱が迅速に放散するように構成することによって、自己制限抵抗素子は、所望の熱パルスを発生させ、脆弱ガラス基板の局所的な領域に初期破砕力を発生させる応力プロファイルをもたらすための単純で信頼できる機構を提供する。
【００１１】
本発明の別の態様によれば、自己制限抵抗素子は、非常に単純なアドレス指定電子装置を使用してトリガ事象の電子制御を容易にし、それによってシステムの複雑さを最小にする。すなわち、自己制限抵抗素子は電流整形電子装置の必要性を排除するため、トリガ機構は、自己制限抵抗素子を直流（ＤＣ）電源（たとえば、バッテリ）に選択的に結合するための電子トリガ信号によって制御可能な（すなわち、トリガ電流を生成するように作動される）単純なスイッチ素子を使用して、脆弱ガラス基板上に形成された電子回路の完全な命令に応じた分解を達成することが可能である。この構成を使用して、スイッチ素子は、電子トリガ信号に応答して過渡事象の開始時にオンにされ、それによって、大きな直流電流（すなわち、トリガ電流）がＤＣ電源から自己制限抵抗素子を通って流れ始め、それによって、自己制限抵抗素子が上述したように、熱パルスを発生させ、脆弱ガラス基板の分解を引き起こす初期破砕力をもたらすように動作する。このように、パルス整形回路および複雑なアドレス指定構成を必要とする従来の抵抗熱型トリガ機構とは対照的に、本発明のトリガ機構は単純で信頼性があり、それによって製造コストおよび複雑性が低減される。
【００１２】
上述したように、熱パルスの特性（すなわち、急速な温度増大を生じる発熱の速度および持続時間）は、自己制限抵抗素子の動作によって全体的に独立して（すなわち、外部で生成される制御信号を必要とせずに）制御される。具体的には、自己制限抵抗素子は、スイッチ素子の作動後に所定の時間、抵抗熱を発生させる（すなわち、１つまたは複数の抵抗構造を通じて大きなトリガ電流を流すことにより）ように構成され、それにより、脆弱ガラス基板の局所的な領域の温度は、相対的に低い初期温度（たとえば、約１４０℃）から、脆弱ガラス基板を形成するガラスの融点温度を上回る高い（第１の）温度レベルの温度（たとえば、約２２０℃）に急速に増大する。自己制限抵抗素子は、所定の期間の終結時に抵抗素子を通るトリガ電流の流れを終結させることによって、発生する熱量を独立して制御するようにさらに構成されており、これにより、発熱プロセスを終了させることによって、局所的な領域から周囲の基板領域への熱放散によって（たとえば、高い（第１の）温度（たとえば、約２２０℃）から低い（第２の）温度（たとえば約２００℃）への、たとえば、約１秒内での）局所的な領域の迅速な冷却が引き起こされる。本発明者らは、このようにして生成された熱パルスが、脆弱ガラス基板全体を通過するその後の伝播する破砕力を生成するのに十分な強度を有する局所的な領域内に初期破砕力を確実に発生させる応力プロファイルを生成し、脆弱ガラス基板を「粉化」（すなわち、分解または破砕）してマイクロメートルサイズの微粒子にすることを究明した。過渡電子デバイスが本発明に従って構成されるとき、ガラス基板から電子素子および他のデバイス構造（たとえば、自己制限抵抗素子）へのクラックの伝搬を引き起こすために十分な電位エネルギーが、これらの構造も完全に粉化するのに十分な力をもって、ガラス基板の分解／破砕から放出される。トリガ機構は、単純なスイッチおよび自己制限抵抗素子のみを使用して（すなわち、外部制御信号または整形された電流パルスを生成することができる他の回路を必要とせずに）急速加熱／冷却応力プロファイルを生成するため、本発明は、過渡電子デバイス上に配置された電子素子の粉化を開始するための、低コストで信頼できるトリガ機構を提供する。
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、自己制限抵抗素子は全体的に、標準的な薄膜作製技法（たとえば、フォトリソグラフィまたはインクジェット印刷）を使用して脆弱ガラス基板の表面上に直接堆積され、パターニングされる抵抗材料によって形成される。代替的な実施形態では、抵抗材料は、マグネシウム、銅、タングステン、アルミニウム、モリブデンもしくはクロム、または、これらの金属のうちの１つまたは複数の組み合わせを含む。材料が十分に導電性であり、熱パルスの急速加熱部分の間に熱が効率的に局所的な領域に伝達されるように脆弱ガラス基板表面に十分に接着することを条件として、他の適切な材料を使用することもできる。
【００１４】
本発明の一実施形態によれば、自己制限抵抗素子は、２つの（第１および第２の）端子間の電流制限部に直列に接続された１つまたは複数の抵抗部を含み、第１の端子はスイッチ素子によって直流（ＤＣ）電源に接続され、第２の端子は適切な接地構造に接続される。一実施形態では、上述した抵抗材料がパターニングされて細いヒューズ素子によって接続された２つの相対的に大きな抵抗構造が形成され、抵抗構造は加熱するが熱パルス中にコヒーレントなままであり、ヒューズ素子が急速加熱（第１）期間の終了時に溶融および破断するように構成されている。自己制限抵抗素子の電流制御部を実装するためにヒューズ素子を使用することによって、急速加熱プロセスの間に発生する熱量を独立して制御するための低コスト、単純で信頼性の高い構造が提供され、熱パルスの急速冷却部分の開始時に抵抗構造を通るトリガ電流の流れを終結させる開回路状態（すなわち、溶融／破断による）が確実に生成される。
【００１５】
現在の好ましい実施形態では、自己制限抵抗素子を形成するために利用される抵抗材料は、２つの抵抗構造がそれぞれの下向きテーパ部分を含むボウタイ型構造にパターニングされ、ヒューズ素子は、下向きテーパ部分のテーパ端部の間に抵抗性材料の細い部分が接続されることによって形成される。一実施形態では、ヒューズ素子は、テーパ端部の間に延伸する直線状の矩形構造を含み、別の実施形態では、ヒューズ素子を形成する細い抵抗材料部分は、実質的にＳ字形状のパターンで配置される。いずれの場合も、細い抵抗材料部分の幅Ｗは、脆弱ガラス基板の厚さよりも大きく、確実な分解を誘導すると判断される。厚さ０．２５ｍｍの脆弱ガラス基板を使用する実際的な実施形態では、ヒューズ素子を形成する細い抵抗材料部分は、少なくとも０．３ｍｍの幅を有する。対照的に、抵抗構造はほぼ任意のサイズを有することができ、抵抗が大きいほど確実な破砕が保証されるが、電源からのさらに多くの電力およびエネルギーも必要になる。したがって、可能な最も小さい抵抗構造が電力およびエネルギー要件を最小にするために好ましい。
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、過渡電子装置に対する遠隔（無線）制御を容易にするために、過渡電子装置は、送信波信号（たとえば、光波信号、無線周波数（ＲＦ）、または音響／音声信号）を受信するように構成されており、その後、スイッチ素子を作動させるために使用される電子トリガ信号を生成するように構成されているセンサをさらに含む。例示的な実施形態では、遠隔光信号がフォトダイオード（光波センサ）によって検出され、それによって、フォトダイオードを通る電流によりシリコン制御整流器（スイッチ素子）がラッチされ、これにより、バッテリが自己制限抵抗素子にわたって結合され、最終的に、ガラス基板および任意の電子装置の分解（破砕）が引き起こされる。この実施例では、光信号を使用して過渡電子デバイスの遠隔作動が達成されているが、ＲＦ信号および音波信号が、フォトダイオードを無線周波センサまたは音響波センサに置き換えることによって利用されてもよい。さらに、破砕シーケンスを開始するために、他の物理的および化学的刺激もまた、適切なセンサと組み合わせて利用されてもよい。同様に、シリコン制御整流器を使用してラッチが達成されているが、単一ＭＯＳＦＥＴトランジスタまたは多素子ラッチ回路のような他のスイッチ素子も利用されてもよい。
【００１７】
他の代替的な実際の実施形態によれば、トリガ機構の動作を制御するために利用されるスイッチ素子およびセンサの１つまたは複数は、脆弱ガラス基板上に直に形成／搭載されてもよく、電子素子が形成される半導体層／ダイ上に形成されてもよく、過渡電子装置が取り付けられる外部プリント回路基板上に配置されてもよい。たとえば、上述の実際の実施形態では、フォトダイオード／センサとシリコン制御整流器（スイッチ）の一方または両方は、脆弱ガラス基板上に適切な材料を直接パターニングすることによって実装されてもよく、または、電子素子がその上に形成され、脆弱ガラス基板に固定して取り付けられる半導体構造（たとえば、ＩＣチップまたはＳＯＩ層）に対してＣＭＯＳ作製技法を使用して実装されてもよい。
【００１８】
さらなる代替実施形態では、脆弱ガラス基板は、ともに動作可能に取り付けられている応力加工された引張変形および圧縮層を含む応力ガラス基板、異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）値を有する複数の異なるガラスタイプから成る積層を含む熱強化ガラス基板、および、イオン交換処理ガラス基板のうちの１つを含む。各事例において、脆弱ガラス基板は、初期破砕力に応答して自己伝播二次破砕を発生させるのに十分な蓄積エネルギーを含み、それによって、ガラス基板は、プリンスラパートの滴において捉えられるものと同様のメカニズムによって完全に分解（「粉化」）してマイクロメートルサイズの粒子になる。代替的な実施形態では、電子デバイスは、標準的なシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）作製技法を使用して（すなわち、機能回路がＳＯＩ集積回路構造として実装されるように）脆弱ガラス基板上に直接作製されるか、または、後に陽極接合を使用して脆弱ガラス基板に取り付けられるＩＣダイ（チップ）上に別個に作製されるかのいずれかである。いずれの場合も、脆弱ガラス基板の分解中に放出される電位エネルギーは、脆弱ガラス基板上に配置されている場合があるトリガ機構および任意の他の構造と共に、電子デバイスをも粉化するのに十分である。
【００１９】
本発明のこれらのおよび他の特徴、態様および利点が、以下の説明、添付の特許請求の範囲、および添付の図面に関連してよりよく理解されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の簡略化された実施形態による脆弱ガラス基板上に配置されたトリガ機構を含む過渡電子装置を示す上面斜視図である。
【図２】図２は、図１に示される過渡電子デバイスに対する分解事象をトリガする一般化された方法を示すフロー図である。
【図３Ａ】図３Ａは、分解時焼酎の様々な瞬間のうちの１つにおける図１の過渡電子デバイスの一部を示す部分側断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、分解時焼酎の様々な瞬間のうちの１つにおける図１の過渡電子デバイスの一部を示す部分側断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、分解時焼酎の様々な瞬間のうちの１つにおける図１の過渡電子デバイスの一部を示す部分側断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、分解時焼酎の様々な瞬間のうちの１つにおける図１の過渡電子デバイスの一部を示す部分側断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、分解時焼酎の様々な瞬間のうちの１つにおける図１の過渡電子デバイスの一部を示す部分側断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、分解時焼酎の様々な瞬間のうちの１つにおける図１の過渡電子デバイスの一部を示す部分側断面図である。
【図４】図４は、図３Ａ〜図３Ｆを参照して説明される分解事象中に生成される例示的な熱パルスを示す時間−温度グラフの図である。
【図５】図５は、図３Ａ〜図３Ｆを参照して説明される分解事象中に使用されるトリガ機構の例示的動作特性を示す時間−電圧／電流グラフである。
【図６】図６は、本発明の例示的な実践的実施形態によるトリガ機構の自己制限抵抗素子を示す部分斜視図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の代替的な、例示的な特定的実施形態によるボウタイ型パターンを有する自己制限抵抗素子を示す平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の代替的な、例示的な特定的実施形態によるボウタイ型パターンを有する自己制限抵抗素子を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明の別の実施形態による遠隔作動のために構成された例示的なトリガ機構を示す回路図である。
【図９Ａ】図９Ａは、代替的な特定の実施形態による遠隔作動を含む過渡電子デバイスを示す簡略斜視図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、代替的な特定の実施形態による遠隔作動を含む過渡電子デバイスを示す簡略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明は、過渡電子デバイスの改良に関する。以下の説明は、当業者が、特定の用途およびその要件の文脈において規定されているように、本発明を作成および使用することを可能にするために提示されている。本明細書において使用されている場合、「上側（ｕｐｐｅｒ）」、「上向き（ｕｐｗａｒｄ）」、「下側（ｌｏｗｅｒ）」、「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）」および「上方（ｏｖｅｒ）」のような方向を示す用語は、説明を目的として相対位置を提示するように意図されており、絶対的な基準系を指定するようには意図されていない。本明細書で使用される用語「結合されている」および「接続されている」は、以下のように定義される。用語「接続されている」は、たとえば、通常の集積回路製造技法に従って形成された金属線を介した、２つの回路素子間の直接接続を記述するために使用される。対照的に、用語「結合されている」は、２つの回路素子間の直接接続または間接接続のいずれかを記述するために使用される。たとえば、２つの結合されている素子は、金属線を介して直接的に接続されていてもよく、または、介在する回路素子（たとえば、キャパシタ、抵抗器、インダクタ、または、トランジスタのソース／ドレイン端子を介して）によって間接的に接続されていてもよい。好ましい実施形態に対する様々な改変が、当業者には明らかとなり、本明細書において定義されている一般原理は他の実施形態に適用することができる。それゆえ、本発明は、図示および説明されている特定の実施形態には限定されず、本明細書において開示されている原理および新規の特徴と一致する最も広い範囲を与えられるべきである。
【００２２】
図１は、過渡前の「無傷」状態（すなわち、図１の中央部分に示されているデバイス１００（ｔ０））および過渡後の「粉化」状態（すなわち、図１の下部に示されているデバイス１００（ｔ２））にある過渡電子デバイス１００を示す簡略化された斜視図を含む。過渡前状態（たとえば、製造直後、通常動作中、および、分解前に発生する過渡事象の部分の間）において、過渡電子デバイス１００（ｔ０）は、概して、脆弱ガラス基板１１０の対応する領域上に配置されている機能電子装置１２０とトリガ機構１３０とを含む。図１の下部のデバイス１００（ｔ２）で示されている好ましい実施形態では、過渡後の「粉化」状態において、脆弱ガラス基板およびその上に配置されている任意の構造（すなわち、脆弱ガラス基板１１０に搭載されている機能電子装置１２０およびトリガ機構１３０の任意の部分）は、完全に分解（「粉化」）されてマイクロメートルサイズの微粒子１０１（すなわち、直径で１００μｍ以下のサイズを有する）になっている。
【００２３】
過渡電子デバイス１００が、図１に示す好適な過渡後の「粉化」状態を達成するように当該デバイスを製造するために、以下に示す特徴を有する脆弱ガラス基板を製造または調達することが必要である。図１の中央を参照すると、脆弱ガラス基板１１０は、対向する上面１１１および下面１１２を有するウェハ状構造であり、トリガ機構１３０によって生成／印加される初期破砕力に応答して完全な分解（粉砕）を受けるように、既知の技法を使用して構築される。１つの特定の実施形態では、脆弱ガラス基板１１０は、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）値を有する第１のガラス材料を含む少なくとも１つのガラス構造と、それぞれ第２のＣＴＥ値を有する１つまたは複数の異なる（第２の）ガラス材料をそれぞれ含む複数の第２のガラス構造とを含み、第２のＣＴＥ値は第１のＣＴＥ値とは異なる。たとえば、図１の右上のバブルに示すように、熱強化ガラス基板１１０Ａは、２つのガラス構造１１０Ａ−２１と１１０Ａ−２２との間に配置されたガラス構造１１０Ａ−１を含み、ガラス構造１１０Ａ−１は、ガラス構造１１０Ａ−２１および１１０Ａ−２２が形成されるガラス材料とは異なるＣＴＥ値を有する異なるガラス材料を含む。同様に、図１の左上のバブルに示すように、熱強化ガラス基板１１０Ｂは、（第１の）ガラス構造１１０Ｂ−１内に配置された（第２の）ガラス構造１１０Ｂ−２１、１１０Ｂ−２２および１１０Ｂ−２３を含み、ガラス構造１１０Ｂ−１は、ガラス構造１１０Ｂ−２１〜１１０Ｂ−２３のものとは異なるガラス材料を含む。このような熱強化ガラス基板の作製は、米国特許出願公開第２０１５／０３５８０２１号明細書に記載されている。別の代替的な特定の実施形態では、脆弱ガラス基板１１０は、米国特許第９，１５４，１３８号に記載されているように、ともに動作可能に取り付けられた応力加工された引張変形および圧縮層を含む応力ガラス基板を含む。さらに別の代替的な特定の実施形態では、脆弱ガラス基板１１０は、２０１５年４月２３日に出願された、「Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｗｉｔｈ  Ｉｏｎ−Ｅｘｃｈａｎｇｅｄ  Ｇｌａｓｓ  Ｔｒｅａｔｅｄ  Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ」と題する米国特許出願第１４／６９４，１３２号明細書（代理人整理番号２０１４１６０６ＵＳ０１／ＸＣＰ−２０５）に記載されているように作製されるイオン交換処理ガラス基板またはインターポーザを含む。上述した特定の実施形態のいずれかを使用して実装されると、脆弱ガラス基板１１０は、初期破砕力に応答して自己伝播二次破砕を発生させるのに十分な蓄積エネルギーを含み、それによって、図１の下部のデバイス１００（ｔ２）によって示されているように、脆弱ガラス基板１１０は、プリンスラパートの滴において捉えられるものと同様のメカニズムによって完全に分解（「粉化」）してマイクロメートルサイズの粒子（すなわち、直径で１００μｍ以下）になる。加えて、脆弱ガラス基板１１０の分解の間に放出される電位エネルギーは、デバイス１００（ｔ２）によっても示されるように、機能電子装置１２０をも粉化するのに十分である。一実施形態では、解放された電位エネルギーはまた、トリガ機構１３０の部分および脆弱ガラス基板１１��上に配置され得る任意の他の構造をも粉化する。
【００２４】
機能電子装置１２０は、上面１１１に固定して取り付けられ、脆弱ガラス基板１１０の対応する領域１１０−１の上に配置されている半導体ベース層１２１（たとえば、ＳＯＩ層または集積回路（ＩＣ）ダイ／チップ）上に作製されている電子素子１２２を含む。上述したように、過渡電子装置の主目的は、環境保護または機密性の維持（すなわち、素子／回路の不正なリバースエンジニアリングの防止）の目的で、ＩＣまたは他の電子素子を実質的に完全に排除する方法を提供することである。脆弱ガラス基板１１０上に過渡電子デバイス１００を製造する利点は、この手法が低コスト製造技術を使用して機能電子装置１２０を形成することを容易にすることと、脆弱ガラス基板１１０の分解を引き起こすことによって機能電子装置１２０を確実に排除することを容易にすることの両方である。好ましい実施形態では、機能電子装置１２０は、既存のＩＣ作製技術（たとえば、ＣＭＯＳ）を使用して適切な半導体（ベース）層１２１上に電子素子１２２を形成することによって製造され、電子素子１２２は、規定の有用な機能（たとえば、センサ動作）を過渡事象まで繰り返すように構成されている。一実施形態では、半導体層１２１は、電子素子１２２がその上に作製されるシリコン「チップ」（ダイ）であり、次いで、半導体層１２１は、電子素子１２２と脆弱ガラス基板１１０との同時の粉化を確実にする既知のダイボンディング技術（たとえば、陽極接合または封着ガラスを用いること）を使用してガラス基板１１０に固定して取り付けられる。現在の好ましい実施形態では、機能電子装置１２０は、標準的なシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）作製技法を使用して（すなわち、機能回路がＳＯＩ集積回路構造として実装されるように）ＩＣデバイスを形成するように構成された電子素子１２２を含む。別の実施形態では、機能電子装置１２０は、ボンディングプロセスの前に「薄くされた」（たとえば、化学的機械研磨を施された）ＩＣダイ上に作製される。
【００２５】
上述のように、トリガ機構１３０は、電子トリガ信号ＴＳに応答して脆弱ガラス基板１１０内に初期破砕力を生成するように構成される。本発明によれば、トリガ機構１３０は、バッテリ（または他のＤＣ電源ＰＳ）と接地との間に直列に接続された自己制限抵抗素子１４０およびスイッチ素子１５０を使用してこの機能を達成する。図１に示すように、トリガ機構１３０の少なくとも一部は、脆弱ガラス基板１１０の第２の領域１１０−２の上で（すなわち、機能回路１２０から離れて）上面１１１上に配置されるが、代替的に、下面１１２上に形成されてもよい。スイッチ素子１５０は、電池ＰＳに接続された第１の端子と、素子１４０の第１の端子１４１−１に接続された第２の端子と、任意選択のセンサまたは他の制御回路（図示せず）によって生成され得る電子トリガ信号ＴＳを受信するように動作可能に配置された制御端子とを有する。以下で説明するように、トリガ信号ＴＳをアサートすることによって過渡事象の開始時にスイッチ素子１５０が作動され（開／非導通状態から閉／導通状態に切り替えられ）、それによって、スイッチ素子１５０は、バッテリＰＳから自己制限抵抗素子１４０を通って接地に流れるＤＣトリガ電流ＩＴを始動する。一実施形態では、自己制限抵抗素子１４０は、それぞれ、第１の端子１４１−１および第２の端子１４１−２を介してバッテリＰＳと接地との間に直列に接続された抵抗部１４２および電流制限部１４５を含み、抵抗部１４２および電流制限部１４５の少なくとも１つが、脆弱ガラス基板１１０の局所的な（すなわち、相対的に小さい）領域１１０−２１の上で上面１１１上に配置される。抵抗部１４２および電流制限部１４５の一方または両方は、自己制限抵抗素子１４０が、局所的な領域１１０−２１の局所的な温度を急速に増大させる測度において熱を生成するように構成され、脆弱ガラス基板１１０に、動作可能に熱的に結合され、電流制限部１４５は、さらに、局所的な領域１１０−２１が自己制限抵抗素子１４０によって発生される十分に大きな量の熱を受け取った後にトリガ電流ＩＴの流れを終結させることによって、トリガ電流ＩＴの流れを独立して（すなわち、外部で生成される制御信号を必要とせずに）制御するように構成されている。以下に説明する好適な実施形態では、電流制限部１４５は、所定量のトリガ電流ＩＴを導通させた後（すなわち、自己制限抵抗素子１４０によって所定量の熱が発生した後に）故障（溶融および破断）するように構成されたヒューズ素子によって実装される。他の実施形態では、電流制限部１４５は、所定の温度レベルを検出したときにトリガ電流を終結させるように構成されたサーミスタベースの回路、または、またはスイッチ素子１５０の作動後の予め設定された時間にトリガ電流を終結させるように構成されたタイマベースの回路のような、トリガ電流ＩＴに対する記載されている独立した制御を実施するように構成された他の素子／回路によって実装されてもよい。
【００２６】
図２は、過渡電子デバイス１００（図１に示す）に対する分解事象をトリガするための一般化された方法を示す流れ図であり、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅおよび図３Ｆは、例示的な分解事象の前および間における過渡電子デバイス１００の一部を示す部分側断面図である。
【００２７】
図２の上部を参照すると、過渡電子デバイス１００（ｔ０）（図１）は通常動作を受ける（すなわち、機能回路１２０が意図したとおりに動作する）。図３Ａは、デバイス１００（ｔ０）の一部を示す簡略断面図であり、自己制限抵抗素子１４０の抵抗部１４２は、局所的な領域１１０−２１の上で脆弱ガラス基板１１０の上面１１１上に配置された金属構造として示されており、電流制御部１４５は、閉（すなわち、導通）状態のスイッチとして示されている。この時間ｔ０において、スイッチ部１５０は開いている（すなわち、非導通状態にある）ため、バッテリＰＳから自己制限抵抗素子１４０を通って電流は流れず、したがって、抵抗部１４２によって熱が発生しない。したがって、時間ｔ０において、局所的な領域１１０−２１における局所的な温度ＴＬＲは、脆弱ガラス基板１１０の周囲の隣接領域１１０−２２と同じ（相対的に低い）初期温度Ｔ０をとる。
【００２８】
図２の上部付近のブロック２０５を参照すると、時間ｔ１０において、たとえば、トリガ事象信号が（たとえば、無線で送信された光またはＲＦ信号に応答して）センサによって検出されたとき、または、不正な改ざんが検出されたとき、過渡事象が開始される。
【００２９】
ブロック２１０（図２および図３Ｂ）に示すように、時間ｔ１１（すなわち、時間ｔ１０後の瞬間）において、トリガ信号ＴＳ（図１）がアサートされ、スイッチ素子１５０の制御端子に印加され、それによって、スイッチ１５０が作動して、抵抗部１４２および電流制御部１４５を通るトリガ電流ＩＴの流れが開始し、それにより、抵抗部１４２が脆弱ガラス基板１１０の上面１１１を通じて局所的な領域１１０−２１に伝達される熱ＨＧを発生させ始め、それによって、局所的な温度ＴＬＲが初期温度Ｔ０を上回って増大させられる。
【００３０】
ブロック２２０（図２および図３Ｃ）に示すように、その後の時間ｔ１２において、トリガ電流ＩＴの継続的な流れにより、抵抗部１４２は、局所的な温度ＴＬＲを所定の目標温度Ｔ１に向けて急速に増大させる測度において熱ＨＧを発生させられる。本発明の一態様によれば、この急速な温度増大は、周囲領域１１０−２２における温度よりも速い速度において、局所的な温度ＴＬＲを増大させる速度で生じる。すなわち、図３Ｃに示すように、自己制限抵抗素子１４０から発生した熱ＨＧは、放散する熱ＨＧが局所的な領域１１０−２１を出て周囲領域１１０−２２に入るよりも速い速度で局所的な領域１１０−２１に入り、それによって、局所的な領域１１０−２１の局所的な温度ＴＬＲを初期温度Ｔ０からより高い目標（第１）温度レベルＴ１に向かって急速に増大させ、一方で周囲領域１１０−２２を実質的により低い温度に維持する。
【００３１】
ブロック２３０（図２および図３Ｄ）に示すように、電流制限部１４５は、時間ｔ１３において、抵抗部１４２を通るトリガ電流の流れを終結させる開回路条件を生成することによって熱ＨＧの生成を終結させるように作動する。本発明の別の態様によれば、発生した熱の終結が、局所的な領域１１０−２１から熱ＨＤをより低温の周囲領域１１０−２２へと放散させることによって、局所的な温度ＴＬＲをより低い（第２の）温度Ｔ２に向かって急速に低減させるように、自己制限抵抗素子が構成される。
【００３２】
ブロック２４０（図２および図３Ｅ）に示すように、時間ｔ１４において、図３Ｃおよび図３Ｄを参照して上述した急速な温度増大および急速な温度低下によって生成された熱パルスは、脆弱ガラス基板１１０の局所的な領域１１０−２１内に、局所的な領域１１０−２１に初期破砕力Ｆ０を生成するのに十分な応力プロファイルを生成する。
【００３３】
ブロック２４０（図２および図３Ｅ）に示すように、時間ｔ１４において、図３Ｃおよび図３Ｄを参照して上述した急速な温度増大および急速な温度低下によって生成された熱パルスは、脆弱ガラス基板１１０の局所的な領域１１０−２１内に、局所的な領域１１０−２１に初期破砕力Ｆ０を生成するのに十分な力を有する応力プロファイルを生成する。その後、ブロック２５０（図２および図３Ｆ）に示すように、時間ｔ１５において、初期破砕力Ｆ０は、局所的な領域１１０−２１から脆弱ガラス基板１１０および電子素子１２２全体を通じて放射する伝播破砕力ＦＰを生成し、それによって、図１の下部におけるデバイス１００（ｔ２）によって示されている完全な分解が引き起こされる。したがって、上述したように脆弱ガラス基板１１０に熱パルスを発生するようにトリガ機構１３０を構成すること、および、熱パルスが加えられたことに応答して局所的な領域１１０−２１に初期破砕力Ｆ０を発生するように、かつ、初期破砕力Ｆ０が、上述したように脆弱ガラス基板１１０および電子素子１２２を完全に分解させる伝播破砕力ＦＰを引き起こすように、脆弱ガラス基板１１０を構成することによって、本発明は、パルス整形回路および複雑なアドレス指定構成を必要とせずに、低コスト、高信頼性の過渡電子デバイス１００の構築を容易にする。
【００３４】
図４は、図３Ａ〜図３Ｆを参照して上述した例示的な分解事象の間に自己制限抵抗素子１４０によって生成される例示的な熱パルスを示す局所的な温度ＴＬＲの変化を示す時間−温度グラフである。図５は、例示的な分解事象中の自己制限抵抗素子１４０の例示的な動作特性を示す時間−電圧／電流グラフである。図４に示すように、局所的な温度ＴＬＲは、時間ｔ１１まで（すなわち、図３Ｂを参照して上述したようにトリガ電流の流れが開始されるまで）初期温度Ｔ０（たとえば約１４０℃）にとどまる。時刻ｔ１１から時刻ｔ１３までの期間中のその後の急速な増大は、図３Ｂおよび図３Ｃを参照して上述したように、発生した熱ＨＧが局所的な領域１１０−２１に入ることによって引き起こされる。自己制限抵抗素子１４０は、時間ｔ１３で生じる、局所的な温度ＴＬＲのピーク（最高）値（すなわち、図４の図示の例では約２２０℃である高い／第１の温度Ｔ１）が、脆弱ガラス基板１１０を形成するガラスの融点温度ＴＭＰよりも高くなるように構成されている。自己制限抵抗素子１４０が作動した後、図３Ｄに示すように、局所的な領域１１０−２１から脆弱ガラス基板１１０の周囲領域１１０−２２に熱が発散し始め、その後の時間ｔ１３〜ｔ１４の期間中の急速な温度低減（たとえば、図４に示す例では、約１秒で約２２０℃から約２００℃への約２０℃）を引き起こす。時間ｔ１４において、温度Ｔ１への急速な増大、および、それに続く急速な冷却の期間に起因する応力プロファイルは、図３Ｅに示すように、局所的な領域１１０−２１において初期破砕力Ｆ０を生じる。時刻ｔ１４のほぼ直後には、初期破砕力Ｆ０が伝播破砕力ＦＰを引き起こし、これは、図３Ｆに示すように、デバイス１００を非常に短い時間で完全に分解し、急速な冷却をもたらす。図５に示すように、自己制限抵抗素子１４０を流れる電流は、スイッチ１５０が作動する時刻ｔ１０で最大値（たとえば、約５アンペア）にジャンプし、抵抗部１４２が徐々に加熱するとゆっくりと低減し、次いで電流制御素子１４５が作動する時間ｔ１４でゼロになる。対照的に、自己制限抵抗素子１４０にわたる電圧は、抵抗部１４２が徐々に加熱するときに、時間ｔ１０において０Ｖから中間値（たとえば、約４ボルト）へと徐々に増大し、次いで、電流制御素子１４５が作動する時間ｔ１４において最大値（たとえば、約９ボルト）にジャンプする。
【００３５】
図６は、対向する（第１および第２の）端子１４２Ａ−１／２にそれぞれ接続され、上述のように局所的な領域１１０−２１の上に配置されている２つの（第１および第２の）抵抗構造（抵抗部）１４２Ａ−１と１４２Ａ−２との間に直列に接続されたヒューズ型電流制限部１４５Ａを備える自己制限抵抗素子１４０Ａを有する過渡電子デバイス１００Ａの一部を示す斜視図である。図１に示す実施形態の場合と同様に、ともに動作可能に接続されると、端子１４１Ａ−１はスイッチ素子（図示せず）によって直流（ＤＣ）電源に接続され、端子１４１Ａ−２は適切な接地構造に接続される。好ましい実施形態では、抵抗構造１４２Ａ−１および１４２Ａ−２ならびにヒューズ型電流制限部１４５Ａは、単一の（共通の）抵抗材料（たとえば、マグネシウム、銅、タングステン、アルミニウム、モリブデンおよびクロムのうちの１つまたは複数）を脆弱ガラス基板１１０Ａの上面１１１Ａ上に直接堆積させることによって生成される。抵抗材料の選択に関連する重要な問題は、それが十分に導電性であり、熱パルスの急速加熱プロセス中に抵抗部１４２Ａ−１および１４２Ａ−２ならびに電流制限部１４５Ａによって生成される熱が効率的に局所的な領域１１０−２１へと伝達されるのに十分に、脆弱ガラス基板１１０Ａの上面１１１Ａに付着することである。抵抗構造１４２Ａ−１および１４２Ａ−２がそれぞれ相対的に大きな構造１４２Ａ−１／２を含むように、抵抗材料が印刷、エッチングまたは他の方法でパターニングされ、ヒューズ型電流制限部１４５Ａは、ヒューズ素子として機能するように構成されている相対的に細く薄い構造を備える。すなわち、端子１４１Ａ−１と１４１Ａ−２との間に十分に大きな電流が流れると、抵抗構造１４２Ａ−１および１４２Ａ−２ならびに電流制限部１４５Ａは抵抗加熱を受けるが、その断面が相対的に細いため、電流制限部１４５Ａはより高い温度を生成することになり、この温度は好ましい実施形態では、適切なトリガ電流にさらされたときに溶融および破断を引き起こすのに十分である。自己制限抵抗素子の電流制御部を実装するためにヒューズ型電流制限部（ヒューズ素子）を使用して電流制限部１４５Ａを実装することによって、熱パルスの急速加熱プロセスの間に自己制限抵抗素子１４０Ａによって発生する熱量を独立して制御するための低コスト、単純で信頼性の高い構造が提供され、熱パルスの急速冷却部分の開始時に抵抗構造１４２Ａ−１および１４２Ａ−２を通るトリガ電流の流れを終結させる開回路状態（すなわち、溶融／破断による）が確実に生成される。
【００３６】
図７Ａおよび図７Ｂは、脆弱ガラス基板１１０Ｂの上面１１１Ｂ上に直接配置されたボウタイ型パターン化金属層構造を含む自己制限抵抗素子１４０Ｂ−１および１４０Ｂ−２を示す平面図であり、各抵抗素子は、２つの抵抗構造の下向きテーパ部分の間に接続されたヒューズ素子を含む。たとえば、自己制限抵抗素子１４０Ｂ−１は、下向きテーパ部分１４６Ｂ−１１を含む第１の抵抗構造１４２Ｂ−１１と、下向きテーパ部分１４６Ｂ−１２を含む第２の抵抗構造１４２Ｂ−１２と、それぞれ下向きテーパ部分１４６Ｂ−１１のテーパ端部１４７Ｂ−１１と下向きテーパ部分１４６Ｂ−１２のテーパ端部１４７Ｂ−１２との間に接続されたヒューズ素子１４５Ｂ−１とを含む。同様に、自己制限抵抗素子１４０Ｂ−２は、下向きテーパ部分１４６Ｂ−２１を含む第１の抵抗構造１４２Ｂ−２１と、下向きテーパ部分１４６Ｂ−２２を含む第２の抵抗構造１４２Ｂ−２２と、テーパ端部１４７Ｂ−２１とテーパ端部１４７Ｂ−２２との間に接続されたヒューズ素子１４５Ｂ−２とを含む。各事例において、ヒューズ素子１４５Ｂ−１および１４５Ｂ−２は、トリガ電流にさらされたときに溶融し破断するように構成された幅Ｗ１を有する細い頸部構造を含む。好ましい実施形態では、幅Ｗ１は、脆弱ガラス基板１１０Ｂの厚さ（たとえば、図６に示す厚さＴ）よりも大きい。たとえば、厚さ０．２５ｍｍの脆弱ガラス基板を使用する実際的な実施形態では、ヒューズ素子１４５Ｂ−１および１４５Ｂ−２は、少なくとも０．３ｍｍの幅Ｗ１を有する。対照的に、より大きな抵抗は電源からより多くの電力およびエネルギーを必要とするが、両方の自己制限抵抗素子（たとえば抵抗構造１４６Ｂ−１１）の抵抗構造はほぼ任意の幅（サイズ）Ｗ２を有することができる。
【００３７】
図７Ａおよび図７Ｂに示される代替的な実施形態によって示されるように、異なるヒューズ構成を利用して所望の熱パルス特性を生成することができる。具体的には、ヒューズ素子１４５Ｂ−１が、テーパ端部１４７Ｂ−１１と１４７Ｂ−１２との間に延伸する直線状の矩形構造を含み、ヒューズ素子１４５Ｂ−２が、テーパ状の端部１４７Ｂ−２１と１４７Ｂ−２２との間に延伸するＳ字形状を有している点で、自己制限抵抗素子１４０Ｂ−１と１４０Ｂ−２とは異なっている。これらの異なるヒューズ構成は、トリガの抵抗を調整すること、および、破砕までの時間に影響を与え得る、熱が加えられる面積を調整することにより、加えられるエネルギーおよび電力を制御することを可能にすることによって、異なる利益をもたらす。
【００３８】
図８は、送信波信号ＷＳ（たとえば、光波信号、無線周波数（ＲＦ）、または音響／音声信号）を検出するように構成されており、次いで、スイッチ素子を作動させるために使用される電子トリガ信号ＴＳを生成するように構成されているセンサ１６０Ｃを含む遠隔（無線）制御可能トリガ機構１３０Ｃを含む部分過渡電子デバイス１００Ｃを示す回路図である。前述の実施形態と同様に、トリガ機構１３０Ｃは、自己制限抵抗素子１４０Ｃとスイッチ素子１５０Ｃとを含み、自己制限抵抗素子１４０Ｃは、第１の抵抗構造１４２Ｃ−１と第２の抵抗構造１４２Ｃ−２との間に接続されたヒューズ素子１４５Ｃを含む。例示的な実施形態では、スイッチ素子１５０Ｃは、シリコン制御整流器を用いて実現され、波信号ＷＳは光信号であり、センサ１６０Ｃは、スイッチ素子１５０Ｃに動作可能に結合され、光信号ＷＳに応答して作動するように構成されているフォトダイオード（または他の光波センサ）であり、それによって、フォトダイオード１６０Ｃを流れる電流が、電流を利用してシリコン制御整流器をラッチさせることによってスイッチ素子１５０Ｃを作動させ、次にバッテリＰＳが自己制限抵抗素子１４０Ｃにわたって結合され、最終的に、ガラス基板および任意の含まれている電子装置が上述したように分解（破砕）される。この実施例では、光信号を使用して過渡電子デバイスの遠隔作動が達成されているが、ＲＦ信号および音波信号が、フォトダイオード１６０Ｃを無線周波センサまたは音響波センサに置き換えることによって利用されてもよい。さらに、破砕シーケンスを開始するために、他の物理的および化学的刺激もまた、適切なセンサと組み合わせて利用されてもよい。同様に、この実際的な実施形態においてはシリコン制御整流器１５０Ｃを使用してラッチが達成されているが、単一ＭＯＳＦＥＴトランジスタまたはＭＯＳＦＥＴベース多素子回路を含むラッチ回路のような他のスイッチ素子も利用されてもよい。
【００３９】
図９Ａおよび図９Ｂは、センサおよび／またはスイッチ素子が「ホスト」脆弱ガラス基板上に直接的に製造もしくは搭載されているか、または、半導体層上の電子素子と同時に作製されているかのいずれかである、代替の実際的な実施形態による簡略化された過渡電子デバイス１００Ｄ−１および１００Ｄ−２を示す。たとえば、図９Ａは、センサ１６０Ｄ−１（たとえば、フォトダイオード）およびスイッチ素子１５０Ｄ−１（たとえば、シリコン制御整流器）が、脆弱ガラス基板１１０Ｄの表面１１１Ｄ上に直接的に印刷またはパターン化された適切な材料によって実装されるデバイス１１０Ｄ−１を示す。代替的に、図９Ｂに示すように、デバイス１１０Ｄ−２は、電子素子１２２Ｄが形成される半導体構造１２１Ｄ−２（たとえば、ＩＣチップまたはＳＯＩ層）に対してＣＭＯＳ作製技法を使用して作製されたセンサ１６０Ｄ−２およびスイッチ素子１５０Ｄ−２を含む。両方の実施形態において、自己制限抵抗素子１４０Ｄ−１および１４０Ｄ−２が基板１上に直接形成される。別の実施形態（図示せず）では、センサおよびスイッチ素子の一方または両方がホストＰＣ基板上に配置され、適切な導電性接続によって接続されてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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