(57)【要約】      （修正有）【課題】アクティブマトリクス表示装置の視野角特性を向上する。【解決手段】アクティブマトリクス表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を備え、複数の画素のそれぞれは、Ｘ方向に沿って配列され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素を有している。副画素のそれぞれは、ＴＦＴ基板に設けられたＴＦＴ素子Ｔｄと、ＴＦＴ基板上に設けられた有機ＥＬ素子とを有し、有機ＥＬ素子は、発光した光を出射する領域である開口部５１を有し、ＴＦＴ基板は、第１レイヤー４１と第２レイヤー４２とを有している。Ｘ方向に隣り合う２つの画素のうち、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２を平面視した場合に、第１レイヤー４１は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２間において線対称に配置された部分を有し、第２レイヤー４２は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２のそれぞれの開口部５１において同じ位置に配置されている。【選択図】図３Ａ
2018128612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、所定方向に沿って配列され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素を有し、
前記複数の副画素のそれぞれは、ＴＦＴ基板に設けられたＴＦＴ素子と、前記ＴＦＴ基板上に設けられ前記ＴＦＴ素子の駆動によって発光する発光素子とを有し、
前記発光素子は、発光した光を出射する領域である開口部を有し、
前記ＴＦＴ基板は、第１レイヤーと第２レイヤーとを有し、
前記所定方向に隣り合う２つの前記画素のうち、同色の前記副画素を前記ＴＦＴ基板の厚み方向から見た場合に、
前記第１レイヤーは、同色の前記副画素間において線対称に配置された部分を有し、
前記第２レイヤーは、同色の前記副画素のそれぞれの前記開口部において同じ位置に配置されている
アクティブマトリクス表示装置。
【請求項２】
さらに、前記副画素のそれぞれに電力を供給する電源線を有し、
前記電源線は、前記所定方向と直交する方向に沿って延設され、前記所定方向に隣り合う前記副画素間にて共有されている
請求項１に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項３】
前記ＴＦＴ基板の厚み方向において、
前記第２レイヤーは、前記第１レイヤーよりも前記発光素子側に配置されている
請求項１または２に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項４】
前記第２レイヤーは、前記副画素に電力を供給する電源線または前記副画素に信号電圧を供給する信号線を含む
請求項１〜３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項５】
前記第２レイヤーは、前記副画素に電力を供給する電源線または前記副画素に信号電圧を供給する信号線を有する金属層と前記金属層とは異なる層とを接続するコンタクト層を含む
請求項１〜４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項６】
さらに、前記ＴＦＴ基板は、基板、第１絶縁層、第２絶縁層および第３絶縁層を有し、
前記第１レイヤーは、下部配線層および上部配線層を有し、
前記第２レイヤーは、前記金属層および前記コンタクト層を有し、
前記下部配線層は、前記基板上に設けられ、
前記第１絶縁層は、前記下部配線層を覆うように前記基板上に設けられ、
前記上部配線層は、前記第１絶縁層上に設けられ、
前記第２絶縁層は、前記上部配線層を覆うように前記第１絶縁層上に設けられ、
前記金属層は、前記第２絶縁層上に設けられ、
前記コンタクト層は、前記上部配線層に接し前記第２絶縁層を貫通して前記金属層に接続する層と、前記下部配線層に接し前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を貫通して前記金属層に接続する層とを有し、
前記第３絶縁層は、前記金属層および前記コンタクト層を覆うように前記第２絶縁層上に設けられている
請求項５に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項７】
前記下部配線層は、前記ＴＦＴ素子のチャネルを含み、
前記上部配線層は、前記ＴＦＴ素子のゲートを含む
請求項６に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項８】
さらに、前記複数の副画素のそれぞれは、前記ＴＦＴ素子に接続される容量素子を有し、
前記容量素子は、互いに対向する一方の電極および他方の電極を有し、
前記下部配線層は、前記一方の電極を含み
前記上部配線層は、前記他方の電極を含む
請求項６または７に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリクス状に配置された複数の画素を有するアクティブマトリクス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（OLED：Organic  Light-Emitting  Diode）表示装置などのアクティブマトリクス表示装置（表示パネル）は、複数の画素が行並び方向および列並び方向にマトリクス状に配置された表示領域を備えている。複数の画素のそれぞれは、互いに異なる色の光を出射する複数１組の副画素を有している。各副画素は、ＴＦＴ基板に設けられたＴＦＴ（TFT：Thin  Film  Transistor）素子および容量素子と、有機ＥＬ素子などの発光素子とを備える。ＴＦＴ基板には、各副画素に電力を供給する電源線が設けられる。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス表示装置において、電源線に対して２つの副画素を左右対称に配置するとともに、２つの副画素で１つの電源線を共有する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。この構成によれば、副画素数に対する電源線の本数を減らすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８０４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ基板上に液状の樹脂材料を塗布し乾燥することで形成されるが、その場合、有機ＥＬ素子の表面に電源線の厚みを起因とする段差（または凹凸）が形成される。そのため、特許文献１に示すように２つの副画素を左右対称に配置する構成では、当該段差が左右対称となって形成される。これにより、２つの同色の副画素が互いに異なる膜厚分布を有する場合が生じ、視野角特性が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、視野角特性を向上することができるアクティブマトリクス表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るアクティブマトリクス表示装置の一態様は、マトリクス状に配置された複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれは、所定方向に沿って配列され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素を有し、前記複数の副画素のそれぞれは、ＴＦＴ基板に設けられたＴＦＴ素子と、前記ＴＦＴ基板上に設けられ前記ＴＦＴ素子の駆動によって発光する発光素子とを有し、前記発光素子は、発光した光を出射する領域である開口部を有し、前記ＴＦＴ基板は、第１レイヤーと第２レイヤーとを有し、前記所定方向に隣り合う２つの前記画素のうち、同色の前記副画素を前記ＴＦＴ基板の厚み方向から見た場合に、前記第１レイヤーは、同色の前記副画素間において線対称に配置された部分を有し、前記第２レイヤーは、同色の前記副画素のそれぞれの前記開口部において同じ位置に配置されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係るアクティブマトリクス表示装置によれば、視野角特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態に係るアクティブマトリクス表示装置の一部切り欠き斜視図である。
【図２Ａ】実施の形態に係る表示装置の画素の概略構成を示す図である。
【図２Ｂ】実施の形態に係る画素のうち、同色の副画素を示す回路図である。
【図３Ａ】実施の形態に係る同色の副画素の配線レイアウトを示す平面図である。
【図３Ｂ】実施の形態に係る同色の副画素の第１レイヤーの配置を示す平面図である。
【図３Ｃ】実施の形態に係る同色の副画素の第２レイヤーの配置を示す平面図である。
【図３Ｄ】実施の形態に係る同色の副画素の配線を示す断面図（図３Ａに示すＩＩＩＤ−ＩＩＩＤ線の断面図）である。
【図３Ｅ】実施の形態に係る副画素の配線を示す断面図（図３Ａに示すＩＩＩＥ−ＩＩＩＥ線の断面図）である。
【図４】比較例における画素のうち、同色の副画素を示す回路図である。
【図５Ａ】比較例における同色の副画素の配線レイアウトを示す平面図である。
【図５Ｂ】比較例における同色の副画素の第１レイヤーの配置を示す平面図である。
【図５Ｃ】比較例における同色の副画素の第２レイヤーの配置を示す平面図である。
【図５Ｄ】比較例における同色の副画素の配線を示す断面図（図５Ａに示すＶＤ−ＶＤ線の断面図）である。
【図６】実施の形態の変形例に係る画素のうち、同色の副画素の配線レイアウトを示す平面図である。
【図７】薄型ディスプレイ装置の外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係るアクティブマトリクス表示装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１１】
各図において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を付している。また、各図は、模式図であり、膜厚および各部の大きさの比などは、必ずしも厳密に表したものではない。
【００１２】
（実施の形態）
［１−１．全体構成］
本実施の形態に係るアクティブマトリクス表示装置１（以下、表示装置１と呼ぶ）の全体構成について、図１を基に説明する。図１は、表示装置１の一部切り欠き斜視図である。
【００１３】
表示装置１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示パネル）である。表示装置１は、行並び方向および列並び方向にマトリクス状に配置された複数の画素３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、・・を備えている。
【００１４】
以下、本実施の形態において、複数の画素３０ａ、３０ｂが並ぶ方向をＸ方向（列並び方向）、Ｘ方向に直交する方向であって、複数の画素３０ａ、３０ｃが並ぶ方向をＹ方向（行並び方向）、表示装置１から光が出射される方向であって、Ｘ方向およびＹ方向の両方に直交する方向をＺ方向として説明する。また、表示装置１が有する複数の画素３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、・・を総称して、複数の画素３０と呼ぶ場合がある。
【００１５】
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ素子（発光素子）１０と、ＴＦＴ素子を含むＴＦＴ基板２０とを備えている。
【００１６】
有機ＥＬ素子１０は、アノードを含むＡＭ層（アノードメタル層）１１１と、発光層を含む有機ＥＬ層１１２と、カソードを含む透明電極層１１３とを備える。ＡＭ層１１１、有機ＥＬ層１１２および透明電極層１１３は、ＴＦＴ基板２０上にこの順で積層されている。
【００１７】
ＴＦＴ基板２０は、Ｘ方向に沿って延設された複数のゲート線ＧＬと、Ｙ方向に沿って延設された複数の信号線ＳＬと、Ｙ方向に沿って延設された複数の電源線ＰＬとを備える。複数の信号線ＳＬと複数のゲート線ＧＬとは、互いに直交するように配置されている。
【００１８】
複数の画素３０のそれぞれは、互いに異なる色の光を出射する複数１組の副画素（サブピクセル）を有している。
【００１９】
例えば、画素３０ａは、ＲＧＢ原色の赤色に対応する副画素Ｒ１、緑色に対応する副画素Ｇ１および青色に対応する副画素Ｂ１を有している。例えば、Ｘ方向において画素３０ａの隣に位置する画素３０ｂは、赤色に対応する副画素Ｒ２、緑色に対応する副画素Ｇ２および青色に対応する副画素Ｂ２を有している。副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２は、Ｘ方向に沿ってこの順で配置されている。また、Ｙ方向において画素３０ａの隣に位置する画素３０ｃは、画素３０ａと同様に、Ｘ方向に沿って順に配置された副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１を有している。
【００２０】
この表示装置１では、副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２（以下、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂと呼ぶ場合がある）のそれぞれに対応してＴＦＴ素子および有機ＥＬ素子１０が備えられ、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに対して表示制御を行うアクティブマトリクス方式が採用されている。
【００２１】
すなわち、本実施の形態の表示装置１は、マトリクス状に配置された複数の画素３０を備え、複数の画素３０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って配列され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを有している。複数の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれは、ＴＦＴ基板２０に設けられたＴＦＴ素子と、ＴＦＴ基板２０上に設けられＴＦＴ素子の駆動によって発光する有機ＥＬ素子１０とを有している。
【００２２】
そして、Ｘ方向に隣り合う２つの画素３０ａ、３０ｂのうち、同色の副画素（例えばＲ１、Ｒ２）をＴＦＴ基板２０の厚み方向から見た場合に、ＴＦＴ基板２０内の第１レイヤーは、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２間において線対称に配置されている。第１レイヤーを線対称に配置することで、副画素Ｒ１、Ｒ２を構成するＴＦＴ素子などの電気素子の形状、周辺電位を同じにすることができ、ＴＦＴ基板２０にて発生する寄生容量や寄生抵抗などの電気的性質を揃えることができる。
【００２３】
また、本実施の形態では、第１レイヤーよりも有機ＥＬ素子１０の表面の段差形成に影響を与える第２レイヤーが、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２のそれぞれの開口部（光の出射領域）内において同じ位置に配置されている。このように同色の副画素Ｒ１、Ｒ２において、第２レイヤーを上記開口部の同じ位置に配置することで、有機ＥＬ素子１０の表面に形成される段差を上記開口部の同じ位置に形成することができる。同色の副画素Ｒ１、Ｒ２が互いに異なる膜厚分布を有すると表示装置の視野角特性の低下を招くことになるが、本実施の形態では、上記構成により同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の上記開口部が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。以下、表示装置１の詳細について説明する。
【００２４】
［１−２．画素の回路構成］
まず、表示装置１の画素３０の回路構成について説明する。図２Ａは、表示装置１の画素３０の概略構成を示す図である。
【００２５】
表示装置１は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂに電源電圧Ｖｃｃを供給する複数の電源線ＰＬと、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ内に設けられた容量素子の電圧を初期化するための初期化電圧Ｖｓｓを供給する複数の電源線ＰＬとを備えている。また、表示装置１は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂに信号電圧Ｖｓｉｇを供給する複数の信号線ＳＬを有している。また、表示装置１は、副画素Ｒ、Ｇ、ＢにＷＳ信号およびＡＺ信号等のタイミング信号（ゲート電圧）を供給する複数のゲート線ＧＬを有している。
【００２６】
上記２種類の電源線ＰＬのそれぞれは、副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１が並ぶ方向と直交する方向（Ｙ方向）に沿って延設されている。また、電源電圧Ｖｃｃを供給する電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）と初期化電圧Ｖｓｓを供給する電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）とは、Ｘ方向に並ぶ副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１のうち、１つの副画素に対して１つの電源線ＰＬ（ＶｃｃおよびＶｓｓのいずれか一方）が対応するように、交互に等ピッチで配置されている。
【００２７】
２種類の電源線ＰＬのそれぞれは、隣り合う異なる色の２つの副画素間で共有されている。例えば、電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）は副画素Ｒ１、Ｇ１で共有され、その隣に位置する電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）は副画素Ｇ１、Ｂ１で共有され、さらにその隣に位置する電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）は副画素Ｂ１、Ｒ２で共有され、さらにその隣の電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）は副画素Ｒ２、Ｇ２で共有され、さらにその隣の電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）は副画素Ｇ２、Ｂ２で共有されている。
【００２８】
信号線ＳＬのそれぞれは、副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１が並ぶ方向と直交する方向（Ｙ方向）に沿って延設されている。また、信号線ＳＬは、１つの副画素に対して１つの信号線ＳＬが対応するように等ピッチで配置されている。
【００２９】
ゲート線ＧＬのそれぞれは、副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１が並ぶ方向（Ｘ方向）に沿って延設されている。また、ゲート線ＧＬは、１つの副画素に対して２つのゲート線ＧＬ（ＷＳ）およびＧＬ（ＡＺ）が対応するように配置されている。
【００３０】
なお、表示装置１における複数の画素３０の配線レイアウトは、Ｘ方向に沿って２画素ごとに繰り返され、Ｙ方向に沿って１画素ごとに繰り返されている。例えば、Ｘ方向における複数の画素３０は、画素３０ａ、３０ｂからなる組の副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２の配線レイアウトが繰り返して配置されている。また、Ｙ方向における複数の画素３０は、副画素Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２のそれぞれの配線レイアウトが、同色で並ぶように配置されている。
【００３１】
図２Ｂは、画素３０の副画素Ｒ１、Ｒ２を示す回路図である。図２Ｂでは、Ｘ方向において隣り合う２つの画素３０ａ、３０ｂのうち、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２を抜き出して示している。
【００３２】
以下、画素３０ａ、３０ｂのうち、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２を例に挙げて説明する。なお、画素３０ａ、３０ｂのうち同色の副画素Ｇ１、Ｇ２も副画素Ｒ１、Ｒ２と同様の関係を有しており、画素３０ａ、３０ｂのうち同色の副画素Ｂ１、Ｂ２も副画素Ｒ１、Ｒ２と同様の関係を有している。
【００３３】
図２Ｂに示すように、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２のそれぞれは、トランジスタＴｄ、ＴｗｓおよびＴａｚと、容量素子ＣＳと、有機ＥＬ素子１０とを備える。
【００３４】
有機ＥＬ素子１０は、トランジスタＴｄによって供給される画素電流に応じて発光する発光素子である。
【００３５】
トランジスタＴｄは、容量素子ＣＳに保持された電圧に応じた画素電流を有機ＥＬ素子１０に供給することにより、有機ＥＬ素子１０を発光させる駆動トランジスタである。トランジスタＴｗｓは、信号線ＳＬに供給される信号電圧Ｖｓｉｇを容量素子ＣＳに書き込むためのスイッチングトランジスタである。トランジスタＴａｚは、容量素子ＣＳの電圧を初期化（オートゼロ）させるためのスイッチングトランジスタである。トランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚのそれぞれは、ｎチャネル型のＴＦＴ素子によって構成される。
【００３６】
容量素子ＣＳは、信号線ＳＬに供給されるデータ（ここでは信号電圧Ｖｓｉｇ）に対応する電圧を保持するコンデンサであり、互いに対向する一方の電極および他方の電極を有している。容量素子ＣＳの一方の電極は、トランジスタＴｄのゲートに接続され、他方の電極は、トランジスタＴａｚのソースに接続されている。例えば、容量素子ＣＳは、トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈを保持し、さらに、信号線ＳＬで供給される信号電圧Ｖｓｉｇによって、トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが補償された電圧（Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈ）を保持する。
【００３７】
このように構成された副画素Ｒ１、Ｒ２では、ゲート線ＧＬで供給されるＡＺ信号によってトランジスタＴａｚがオン状態からオフ状態となることで、容量素子ＣＳがトランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈを検出して保持する。その後、ゲート線ＧＬで供給されるＷＳ信号によってトランジスタＴｗｓがオン状態となって信号電圧Ｖｓｉｇが供給されることで、容量素子ＣＳに電圧（Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈ）が保持される。これにより、トランジスタＴｄは、トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈに因らない信号電圧Ｖｓｉｇに応じた画素電流を有機ＥＬ素子１０に供給し、有機ＥＬ素子１０は、信号電圧Ｖｓｉｇの階調に応じた輝度で発光する。
【００３８】
［１−３．画素の配線の構成］
次に、表示装置１における画素３０の配線の構成について、図３Ａ〜図３Ｅを用いて説明する。なお、ここでは、Ｘ方向において隣り合う２つの画素３０ａ、３０ｂのうち、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２に着目して説明する。
【００３９】
図３Ａは、画素３０のうち同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の配線レイアウトを示す平面図である。図３Ｂは、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の第１レイヤー４１の配置を示す平面図である。図３Ｃは、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の第２レイヤー４２の配置を示す平面図である。
【００４０】
図３Ａ〜図３Ｃに示すように、副画素Ｒ１、Ｒ２のそれぞれは、トランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚと、容量素子ＣＳとを備えている。副画素Ｒ１の周囲には、電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）と、信号線ＳＬと、ゲート線ＧＬ（ＷＳ）およびＧＬ（ＡＺ）とが配置されている。副画素Ｒ２の周囲には、電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）と、信号線ＳＬと、ゲート線ＧＬ（ＷＳ）およびＧＬ（ＡＺ）とが配置されている。
【００４１】
電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）、ＰＬ（Ｖｓｓ）および信号線ＳＬは、後述する第２レイヤー４２の一部によって構成され、ゲート線ＧＬ（ＷＳ）、ＧＬ（ＡＺ）、トランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚおよび容量素子ＣＳは、後述する第１レイヤー４１の一部によって構成されている。なお、有機ＥＬ素子１０のＡＭ層１１１は、アノードコンタクト層４５、金属層４２ａ、コンタクト層４２ｂを介して第１レイヤー４１に接続されている。
【００４２】
ここで、副画素Ｒ１、Ｒ２の断面図を参照しながら、各構成と各レイヤーとの関係を説明する。
【００４３】
図３Ｄおよび図３Ｅは、副画素Ｒ１、Ｒ２の配線を示す断面図であって、図３Ｄは、図３Ａに示すＩＩＩＤ−ＩＩＩＤ線の断面図であり、図３Ｅは、図３Ａに示すＩＩＩＥ−ＩＩＩＥ線の断面図である。
【００４４】
図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、ＴＦＴ基板２０は、基板１００と第１絶縁層１０２と第２絶縁層１０４と第３絶縁層１０６とを備えている。ＴＦＴ基板２０は、下部配線層４１ａおよび上部配線層４１ｂを有する第１レイヤー４１と、金属層４２ａおよびコンタクト層４２ｂを有する第２レイヤー４２とを備えている。第２レイヤー４２は、第１レイヤー４１よりも有機ＥＬ素子１０側に配置されている。
【００４５】
基板１００は、例えば、ガラス基板またはフレキシブルな樹脂基板である。なお、基板１００は、基板１００上に形成された保護層１００ａを含む。
【００４６】
第１レイヤー４１の下部配線層４１ａは、基板１００上に設けられている。図３Ｅに示すように、下部配線層４１ａは、トランジスタＴｗｓのチャネルを含む層であり、また、容量素子ＣＳの一方の電極を含む層でもある。なお、下部配線層４１ａは、トランジスタＴｄ、Ｔａｚのチャネルも含む（図３Ｂ参照）。
【００４７】
第１絶縁層１０２は、下部配線層４１ａを覆うように、基板１００上に設けられている。
【００４８】
第１レイヤー４１の上部配線層４１ｂは、第１絶縁層１０２上に設けられている。図３Ｅに示すように、上部配線層４１ｂは、トランジスタＴｗｓのゲートを含む層であり、また、容量素子ＣＳの他方の電極を含む層でもある。なお、上部配線層４１ｂは、トランジスタＴｄ、Ｔａｚのゲートも含む（図３Ｂ参照）。
【００４９】
このように、トランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚのそれぞれは、下部配線層４１ａの一部であるチャネルと、上部配線層４１ｂの一部であるゲートと、下部配線層４１ａと上部配線層４１ｂとの間に設けられた第１絶縁層１０２とで構成されている。また、容量素子ＣＳは、第１絶縁層１０２と、第１絶縁層１０２を挟む下部配線層４１ａおよび上部配線層４１ｂとで構成されている。
【００５０】
第２絶縁層１０４は、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、上部配線層４１ｂを覆うように第１絶縁層１０２上に設けられている。
【００５１】
第２レイヤー４２の金属層４２ａは、第２絶縁層１０４に設けられている。金属層４２ａは、電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）、ＰＬ（Ｖｓｓ）および信号線ＳＬを含む層であり、また、下部配線層４１ａと上部配線層４１ｂとを電気的に接続するための中継導体を含む層である。金属層４２ａである電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）、ＰＬ（Ｖｓｓ）、信号線ＳＬおよび上記中継導体のそれぞれの厚みは、同じである。また、金属層４２ａの厚みは、電気抵抗を小さくするため、上部配線層４１ｂ、下部配線層４１ａのそれぞれの厚みよりも厚く形成されている。
【００５２】
第２レイヤー４２のコンタクト層４２ｂは、金属層４２ａと金属層４２ａとは異なる層とを接続する柱状の層間接続導体である。例えば、図３Ｅでは２つのコンタクト層４２ｂが示されており、一方のコンタクト層４２ｂは、下部配線層４１ａに接し第１絶縁層１０２および第２絶縁層１０４を貫通して金属層４２ａに接続されている。また、他方のコンタクト層４２ｂは、上部配線層４１ｂに接し第２絶縁層１０４を貫通して金属層４２ａに接続されている。なお、図３Ｅにて２つのコンタクト層４２ｂに接続されている金属層４２ａは、前述した中継導体に相当する。
【００５３】
第３絶縁層１０６は、金属層４２ａおよびコンタクト層４２ｂを覆うように第２絶縁層１０４上に設けられている。第３絶縁層１０６は、例えば、液状の有機樹脂材料を第２絶縁層１０４上に塗布することで形成される。
【００５４】
第３絶縁層１０６上には、図３Ｄに示すように、アノードメタル層１１１を介して有機ＥＬ素子１０が設けられている。有機ＥＬ素子１０は、発光した光を出射する領域である開口部５１を有している。開口部５１は、第３絶縁層１０６上に設けられたバンク（隔壁）１１５によって囲まれ、外形が矩形状である。なお、有機ＥＬ素子１０上にさらに封止樹脂層が設けられていてもよい。
【００５５】
ここで、図３Ａに示すように副画素Ｒ１、Ｒ２を平面視した場合（ＴＦＴ基板２０の厚み方向から見た場合）、第１レイヤー４１は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２間において線対称に配置された部分を有している。具体的には、各副画素Ｒ１、Ｒ２のトランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚおよび容量素子ＣＳは、列並び方向において副画素Ｒ１、Ｒ２の中間に位置する中心線ＣＬ１（図２Ａ参照）に対して鏡映対称に配置されている。
【００５６】
また、図３Ａに示すように副画素Ｒ１、Ｒ２を平面視した場合、第２レイヤー４２は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２のそれぞれの開口部５１において、同じ位置に配置されている。なお、ここで示す「同じ位置」とは、開口部５１の中心を基準とする第２レイヤー４２の位置（相対座標）がそれぞれ同じであることを意味する。
【００５７】
例えば、副画素Ｒ１の開口部５１では、信号線ＳＬは矩形状である開口部５１の左辺と重なる位置に設けられ、電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）は上記開口部５１の右辺と重なる位置に設けられている。前述した中継導体は、上記開口部５１の中心からＹ方向プラス側に少し寄った位置に設けられている。また、コンタクト層４２ｂは、前述した中継導体と重なる位置に２つ、上記開口部５１の中心からＸ方向プラス側であって電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）と重なる位置に１つ設けられている。
【００５８】
一方、副画素Ｒ２の開口部５１では、信号線ＳＬは矩形状である開口部５１の左辺と重なる位置に設けられ、電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）は上記開口部５１の右辺と重なる位置に設けられている。前述した中継導体は、上記開口部５１の中心からＹ方向プラス側に少し寄った位置に設けられている。また、コンタクト層４２ｂは、前述した中継導体と重なる位置に２つ、上記開口部５１の中心からＸ方向プラス側であって電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）と重なる位置に１つ設けられている。なお、副画素Ｒ２にて、電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）と重なる位置に設けられているコンタクト層４２ｂは、副画素Ｒ１に設けられたコンタクト層４２ｂと同じ位置となるように対応して設けられたダミー層であって、ＴＦＴ素子や容量素子ＣＳなどの電気素子には接続されていない。
【００５９】
本実施の形態ではこのように、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２において、第２レイヤー４２をそれぞれの開口部５１の同じ位置に配置することで、有機ＥＬ素子１０の表面に形成される段差（または凹凸）を開口部５１の同じ位置に形成することができる。これにより、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００６０】
なお、画素３０ａ、３０ｂのうち同色の副画素Ｇ１、Ｇ２も副画素Ｒ１、Ｒ２と同様の関係を有し、画素３０ａ、３０ｂのうち同色の副画素Ｂ１、Ｂ２も副画素Ｒ１、Ｒ２と同様の関係を有している。これにより、各副画素Ｇ１、Ｇ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有し、また、各副画素Ｂ１、Ｂ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００６１】
［１−４．効果等］
上記構成を有する表示装置１は、第１レイヤー４１および第２レイヤー４２がともに線対称に配置された比較例の表示装置に比べて、視野角特性を向上することができる。この理解を容易にするために、比較例における表示装置の構成を説明する。
【００６２】
図４は、比較例における画素３０のうち、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２を示す回路図である。図５Ａは、比較例における同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の配線レイアウトを示す平面図である。図５Ｂは、比較例における同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の第１レイヤー４１の配置を示す平面図である。図５Ｃは、比較例における同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の第２レイヤー４２の配置を示す平面図である。図５Ｄは、比較例における同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の配線を示す断面図（図５Ａに示すＶＤ−ＶＤ線の断面図）である。
【００６３】
図４〜図５Ｄに示す副画素Ｒ１、Ｒ２は、実施の形態に係る副画素Ｒ１、Ｒ２に対して、回路構成の接続関係は同じであるものの、配線レイアウトが異なる。具体的には、比較例における複数の画素３０は、列並び方向（Ｘ方向）に隣り合う２つの画素３０ａ、３０ｂのうち、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の配線レイアウトが完全に線対称となっている。
【００６４】
図４〜図５Ｄでは、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２を抜き出して示している。比較例の表示装置のように、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の各構成の配置を線対称とすることで、副画素数に対する電源線ＰＬの本数を減らすことができる。
【００６５】
しかしながら、比較例の表示装置は以下に示す問題を有している。例えば、ＴＦＴ基板２０の第３絶縁層１０６は、第２レイヤー４２上に第３絶縁層１０６の材料を塗布することで形成されるが、乾燥後の第３絶縁層１０６は、その表面が完全に平坦とならず、図５Ｄに示すように、表面に段差が残る場合がある。具体的には、第２レイヤー４２の厚みに起因して、第２レイヤー４２が配置されている領域において、第３絶縁層１０６の表面が凸状に突出して形成される。そのため、第３絶縁層１０６上にさらに液状の有機樹脂材料を塗布して有機ＥＬ素子１０を形成する場合、上記段差の影響を受け、有機ＥＬ素子１０の表面にも段差が形成される。
【００６６】
前述したように比較例の表示装置では、各副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１の配線レイアウトが線対称となっており、第２レイヤー４２が開口部５１の異なる位置に配置されている。そのため、有機ＥＬ素子１０の表面に形成される段差が、各副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１の異なる位置に形成される。これにより、各副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が互いに異なる膜厚分布を有することとなり、表示装置の視野角特性が低下する。
【００６７】
それに対して、本実施の形態に係るアクティブマトリクス表示装置１は、マトリクス状に配置された複数の画素３０を備え、複数の画素３０のそれぞれは、所定方向（例えばＸ方向）に沿って配列され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、を有している。複数の副画素Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれは、ＴＦＴ基板２０に設けられたＴＦＴ素子と、ＴＦＴ基板２０上に設けられＴＦＴ素子の駆動によって発光する有機ＥＬ素子１０とを有している。有機ＥＬ素子１０は、発光した光を出射する領域である開口部５１を有し、ＴＦＴ基板２０は、第１レイヤー４１と第２レイヤー４２とを有している。そして、所定方向に隣り合う２つの画素３０ａ、３０ｂのうち、同色の副画素（例えばＲ１、Ｒ２）をＴＦＴ基板２０の厚み方向から見た場合に、第１レイヤー４１は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２間において線対称に配置された部分を有し、第２レイヤー４２は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２のそれぞれの開口部５１において同じ位置に配置されている。
【００６８】
このように、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２において、第２レイヤー４２をそれぞれの開口部５１の同じ位置に配置することで、有機ＥＬ素子１０の表面に形成される段差を開口部５１の同じ位置に形成することができる。これにより、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。また、この表示装置１は、第１レイヤー４１を線対称に配置することで、副画素Ｒ１、Ｒ２を構成するＴＦＴ素子などの電気素子の形状、周辺電位を同じにすることができ、ＴＦＴ基板２０にて発生する寄生容量や寄生抵抗などの電気的性質が揃うという効果も有している。
【００６９】
さらに、表示装置１は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに電力を供給する電源線ＰＬを有し、電源線ＰＬは、上記所定方向と直交する方向（例えばＹ方向）に沿って延設され、所定方向に隣り合う副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間にて共有されていてもよい。
【００７０】
この構成によれば、副画素Ｒ，Ｇ、Ｂの数に対する電源線ＰＬの本数を減らすことができる。そのため、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの面積を小さくすることができ、表示装置１を高精細化することが可能となる。
【００７１】
また、ＴＦＴ基板２０の厚み方向において、第２レイヤー４２は、第１レイヤー４１よりも有機ＥＬ素子１０側に配置されていてもよい。
【００７２】
このように、有機ＥＬ素子１０の表面の段差形成に影響を与えやすい第２レイヤー４２が、有機ＥＬ素子１０側に配置されている場合であっても、第２レイヤー４２をそれぞれの開口部５１の同じ位置に配置することで、当該段差を開口部５１の同じ位置に形成することができる。これにより、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００７３】
また、第２レイヤー４２は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂに電力を供給する電源線ＰＬまたは副画素Ｒ、Ｇ、Ｂに信号電圧を供給する信号線ＳＬを含んでいてもよい。
【００７４】
このように、第２レイヤー４２が電源線ＰＬまたは信号線ＳＬであって膜厚が厚く形成される場合であっても、電源線ＰＬまたは信号線ＳＬを、それぞれの開口部５１の同じ位置に配置することで、当該段差を開口部５１の同じ位置に形成することがでる。これにより、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００７５】
また、第２レイヤー４２は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂに電力を供給する電源線ＰＬまたは副画素Ｒ、Ｇ、Ｂに信号電圧を供給する信号線ＳＬを有する金属層４２ａと金属層４２ａとは異なる層とを接続するコンタクト層４２ｂを含んでいてもよい。
【００７６】
このように、第２レイヤー４２が金属層４２ａと金属層４２ａと異なる層とを接続するコンタクト層４２ｂであっても、コンタクト層４２ｂをそれぞれの開口部５１の同じ位置に配置することで、当該段差を開口部５１の同じ位置に形成することができる。これにより、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００７７】
さらに、表示装置１のＴＦＴ基板２０は、基板１００、第１絶縁層１０２、第２絶縁層１０４および第３絶縁層１０６を有し、第１レイヤー４１は、下部配線層４１ａおよび上部配線層４１ｂを有し、第２レイヤー４２は、金属層４２ａおよびコンタクト層４２ｂを有し、下部配線層４１ａは、基板１００上に設けられ、第１絶縁層１０２は、下部配線層４１ａを覆うように基板１００上に設けられ、上部配線層４１ｂは、第１絶縁層１０２上に設けられ、第２絶縁層１０４は、上部配線層４１ｂを覆うように第１絶縁層１０２上に設けられ、金属層４２ａは、第２絶縁層１０４上に設けられ、コンタクト層４２ｂは、上部配線層４１ｂに接し第２絶縁層１０４を貫通して金属層４２ａに接続する層と、下部配線層４１ａに接し第１絶縁層１０２および第２絶縁層１０４を貫通して金属層４２ａに接続する層とを有し、第３絶縁層１０６は、金属層４２ａおよびコンタクト層４２ｂを覆うように第２絶縁層１０４上に設けられていてもよい。
【００７８】
このように、第２レイヤー４２が金属層４２ａとコンタクト層４２ｂとを有し、第２絶縁層１０４上に設けられている場合であっても、第２レイヤー４２をそれぞれの開口部５１の同じ位置に配置することで、当該段差を開口部５１の同じ位置に形成することができる。これにより、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００７９】
また、下部配線層４１ａは、ＴＦＴ素子（トランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚ）のチャネルを含み、上部配線層４１ｂは、上記ＴＦＴ素子のゲートを含んでいてもよい。
【００８０】
このように、ＴＦＴ素子のチャネルおよびゲートを、第２絶縁層１０４よりも基板１００側に位置する下部配線層４１ａおよび上部配線層４１ｂで構成することで、ＴＦＴ素子の厚みを起因とする段差の影響を抑制することができ、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００８１】
さらに、複数の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれは、上記ＴＦＴ素子に接続される容量素子ＣＳを有し、容量素子ＣＳは、互いに対向する一方の電極および他方の電極を有し、下部配線層４１ａは、上記一方の電極を含み、上部配線層４１ｂは、上記他方の電極を含んでいてもよい。
【００８２】
このように、容量素子ＣＳの一方の電極および他方の電極を、第２絶縁層１０４よりも基板１００側に位置する下部配線層４１ａおよび上部配線層４１ｂで構成することで、容量素子ＣＳの厚みを起因とする段差の影響を抑制することができ、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００８３】
［１−５．変形例］
図６は、実施の形態の変形例に係る画素３０のうち、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の配線レイアウトを示す平面図である。変形例に係る画素３０では、副画素Ｒ２の電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）と信号線ＳＬとの位置が、実施の形態と逆になっている。
【００８４】
図６に示すように副画素Ｒ１、Ｒ２を平面視した場合、第１レイヤー４１は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２間において線対称に配置されている。具体的には、各副画素Ｒ１、Ｒ２のトランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚおよび容量素子ＣＳは、列並び方向において副画素Ｒ１、Ｒ２の中間に位置する中心線に対して鏡対称に配置されている。
【００８５】
また、図６に示すように副画素Ｒ１、Ｒ２を平面視した場合、第２レイヤー４２は、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２のそれぞれの開口部５１において、同じ位置に配置されている。
【００８６】
例えば、副画素Ｒ１の開口部５１では、信号線ＳＬは矩形状である開口部５１の左辺と重なる位置に設けられ、電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）は上記開口部５１の右辺と重なる位置に設けられている。中継導体は、上記開口部５１の中心からＹ方向プラス側に少し寄った位置に設けられている。また、コンタクト層４２ｂは、中継導体と重なる位置に２つ、上記開口部５１の中心からＸ方向プラス側であって電源線ＰＬ（Ｖｃｃ）と重なる位置に１つ設けられている。
【００８７】
一方、副画素Ｒ２の開口部５１では、電源線ＰＬ（Ｖｓｓ）は開口部５１の左辺と重なる位置に設けられ、信号線ＳＬは上記開口部５１の右辺と重なる位置に設けられている。中継導体は、上記開口部５１の中心からＹ方向プラス側に少し寄った位置に設けられている。また、コンタクト層４２ｂは、中継導体と重なる位置に２つ、上記開口部５１の中心からＸ方向プラス側であって信号線ＳＬと重なる位置に１つ設けられている。なお、副画素Ｒ２にて、信号線ＳＬと重なる位置に設けられているコンタクト層４２ｂは、副画素Ｒ１に設けられたコンタクト層４２ｂと同じ位置となるように対応して設けられたダミー層であって、ＴＦＴ素子や容量素子ＣＳなどの電気素子には接続されていない。
【００８８】
変形例の表示装置１では、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２において、第２レイヤー４２をそれぞれの開口部５１において同じ位置に配置することで、有機ＥＬ素子１０に形成される段差を開口部５１の同じ位置に形成することができる。これにより、同色の副画素Ｒ１、Ｒ２の開口部５１が同じ膜厚分布を有することとなり、表示装置１の視野角特性を向上することができる。
【００８９】
（その他の形態）
以上、本発明に係るアクティブマトリクス表示装置１について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係るアクティブマトリクス表示装置１を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００９０】
例えば、上記説明では、画素３０は、有機ＥＬ素子１０を駆動する表示装置として、３つのトランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚと１つの容量素子ＣＳとを有する、いわゆる３Ｔｒ１Ｃの構成について説明した。しかし、表示装置１の構成は、これに限らず、例えば、トランジスタＴｄとトランジスタＴｗｓと容量素子ＣＳとを有する、いわゆる２Ｔｒ１Ｃの構成であってもかまわない。
【００９１】
また、トランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚはｎチャネル型のＴＦＴとしたが、ｐチャネル型のＴＦＴであってもかまわない。また、複数のトランジスタのうちの一部のトランジスタがｎチャネル型のＴＦＴであって、他のトランジスタがｐチャネル型のＴＦＴであってもかまわない。また、各トランジスタＴｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚはトップゲート型のＴＦＴ素子に限らず、ボトムゲート型のＴＦＴ素子であってもかまわない。
【００９２】
また、発光素子は、電流によって発光する有機ＥＬ素子１０に限らず、例えば、電圧によって発光する無機化合物を用いた無機ＥＬ素子であってもかまわない。
【００９３】
例えば、アクティブマトリクス表示装置１は、図７に示すような薄型ディスプレイ装置２００として実現される。図７は、薄型ディスプレイ装置２００の外観図である。このような薄型ディスプレイ装置２００は、高い表示品位で映像等を表示することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明に係るアクティブマトリクス表示装置は、高い表示品位が要求されるディスプレイ装置等に有用である。
【符号の説明】
【００９５】
１      表示装置（アクティブマトリクス表示装置）
１０    有機ＥＬ素子（発光素子）
２０    ＴＦＴ基板
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ  画素
４１    第１レイヤー
４１ａ  下部配線層
４１ｂ  上部配線層
４２    第２レイヤー
４２ａ  金属層
４２ｂ  コンタクト層
４５  アノードコンタクト層
５１    開口部
１００  基板
１００ａ  保護層
１０２  第１絶縁層
１０４  第２絶縁層
１０６  第３絶縁層
１１１  ＡＭ層（アノードメタル層）
１１２  有機ＥＬ層
１１３  透明電極層
１１５  バンク
２００  薄型ディスプレイ装置
ＣＬ    中心線
ＣＳ    容量素子
ＧＬ    ゲート線
ＰＬ    電源線
Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２  副画素
ＳＬ    信号線
Ｔｄ、Ｔｗｓ、Ｔａｚ  トランジスタ（ＴＦＴ素子）
Ｖｃｃ  電源電圧
Ｖｓｓ  初期化電圧
Ｖｓｉｇ  信号電圧
Ｘ      列並び方向
Ｙ      行並び方向
Ｚ      出射方向
【図１】
2018128612.tif 000003
【図２Ａ】
2018128612.tif 000004
【図２Ｂ】
2018128612.tif 000005
【図３Ａ】
2018128612.tif 000006
【図３Ｂ】
2018128612.tif 000007
【図３Ｃ】
2018128612.tif 000008
【図３Ｄ】
2018128612.tif 000009
【図３Ｅ】
2018128612.tif 000010
【図４】
2018128612.tif 000011
【図５Ａ】
2018128612.tif 000012
【図５Ｂ】
2018128612.tif 000013
【図５Ｃ】
2018128612.tif 000014
【図５Ｄ】
2018128612.tif 000015
【図６】
2018128612.tif 000016
【図７】
2018128612.tif 000017