(57)【要約】【課題】  フリンジ電界を強くしてディスクリネーションの発生を抑制し、光透過率を向上することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】  基板３上に配置された複数本のゲート信号線と、ゲート信号線と交差させて配置された複数本の画像信号線６と、ゲート信号線と画像信号線６の交差部に対応してそれぞれ配置されている複数の画素電極９と、画素電極９と絶縁層を介してそれぞれ対向配置されている複数の共通電極１１と、を有しており、共通電極１１が、互いに平行に配置された、複数のスリット状の開口１２を有している、フリンジ・フィールド・スイッチング方式の液晶表示装置であって、画素電極９はそれに隣接する画素電極９と電気的に絶縁されているとともに、それらの画素電極９の隣接する側の端部同士が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている上記端部同士と共通電極１１が平面視で重なった構成とする。【選択図】      図１
2018109685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された複数本のゲート信号線と、
前記ゲート信号線と交差させて配置された複数本の画像信号線と、
前記ゲート信号線と前記画像信号線の交差部に対応してそれぞれ配置されている複数の第１の電極と、
絶縁層と、
前記第１の電極と前記絶縁層を介して対向配置されている第２の電極と、を有しており、
前記第２の電極が、互いに平行に配置された、複数のスリット状の開口を有している、フリンジ・フィールド・スイッチング方式の液晶表示装置であって、
前記第１の電極はそれに隣接する前記第１の電極と電気的に絶縁されているとともに、それらの前記第１の電極における互いに隣接する側の端部同士の少なくとも一部が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている前記端部同士の部位と前記第２の電極とが平面視で重なっている液晶表示装置。
【請求項２】
平面視で重なっている前記端部同士の部位において、前記第１の電極は、その端部と隣接する前記第１の電極の端部との間に絶縁体部が配置されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の電極とそれに隣接する前記第１の電極とは、
一方の前記第１の電極が、他方の前記第１の電極が配置された平面と同じ平面上に配置された層状の絶縁体部上に、配置されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の電極は、平板状の画素電極であり、
前記第２の電極は、帯状の共通電極である請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共通電極が画素電極および薄膜トランジスタの側に設けられるフリンジ・フィールド・スイッチング（Fringe  Field  Switching；略称ＦＦＳ）方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、視野角依存性において非常に優れ、光透過率が高く、表示面に加えられる圧力による影響を受けにくく、低電圧でも効率のよいスイッチングが可能であるＦＦＳ方式の液晶表示装置が、スマートフォン、タブレット型パーソナルコンピュータなどのタッチ型ディスプレイ機器などに多く用いられている。
【０００３】
ＦＦＳ方式の液晶表示装置は、画素電極および薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor：略称ＴＦＴ）が形成された反表示面側の基板に、複数の帯状の共通電極が画素電極と絶縁層を挟んで対向するように形成されている。各共通電極の間には、スリットが形成されており、スリットを介して画素電極と共通電極との間に電界が発生する。画素電極は、面状のいわゆるベタ電極であり、各共通電極が同じ電位を有するため、電極同士を近づけることができる。これによって、各共通電極上にも電界が生じてスイッチングプロセスに寄与するため、電界が帯状の共通電極の周辺で最も強くなり、液晶に対して低電圧でも効率のよいスイッチングが可能となり、優れた視野角依存性、高い光透過率を実現している。
【０００４】
このようなＦＦＳ方式の液晶表示装置の従来技術は、たとえば特許文献１，２に記載されている。また、ＦＦＳ方式の液晶表示装置ではないが、隣り合う画素電極の各端部が平面視で供給電極に絶縁層を介して重なっている構成、隣り合う画素電極の端部同士が厚み方向で異なる位置にある液晶表示装置の従来技術が、たとえば特許文献３，４に記載されている。
【０００５】
特許文献１に記載されている従来技術では、薄膜トランジスタのドレイン電極の画素容量形成領域が複層構造の絶縁膜間を共通電極の周縁に沿って形成されているため、このドレイン電極の画素容量形成領域と共通電極との間に画素容量が形成され、しかも、ドレイン電極の画素容量形成領域と共通電極との間の距離は画素電極と共通電極との間の距離よりも短いため、ドレイン電極の画素容量形成領域と共通電極との間に大きな画素容量が形成される。したがって、高精細化されることによって各画素のサイズが小さくなっても、効率よく画素容量を大きくでき、クロストークやフリッカが少なく、表示画質が良好なＦＦＳ方式の液晶表示装置が提案されている。
【０００６】
特許文献２に記載されている従来技術では、基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線と、行方向と交差する列方向にゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、ゲート信号線と画像信号線の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子および画素電極と、画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに列方向における複数の画素電極にわたって形成されたスリットを有する共通電極と、を備えたＦＦＳ方式の液晶表示装置が提案されている。スリットに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧と、スリットに列方向で隣接するスリットに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧とは、互いに逆極性であり、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動される。スリットは、複数の画素電極における列方向の一端側から他端側に延びるように形成されている。これによって、画面全体における画素の中に存在するスリットの端部（エッジ）の個数を少なくすることができ、ディスクリネーションに起因する光透過率、コントラストの低下を抑えることが提案されている。
【０００７】
特許文献３に記載されている従来技術では、隣り合う画素電極を異なる平面上に別々に形成することによって、画素電極間のスペースを小さく、あるいは無くし、これによって開口率を高くして、画質を向上することが提案されている。
【０００８】
特許文献４に記載されている従来技術では、隣接する一方の絵素電極と他方の絵素電極の端部とを、絶縁膜を介在させることによって、表示装置の厚さ方向にずらし、これによって絵素電極以外の表示に寄与しない部分の面積を小さくし、一方の絵素電極および他方の絵素電極の面積を拡大し、開口率を向上することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−５１８４６号公報
【特許文献２】特開２０１５−１６１８５２号公報
【特許文献３】特開平６−１６０８７５号公報
【特許文献４】特開平９−１９７４４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記特許文献１，２に記載されている各従来技術では、隣接する画素電極は同層で絶縁層を挟んで離間しているので、隣接する画素電極の互いに近接する２つの縁端部と共通電極との間にフリンジ電界が生じない領域が発生し、これによってディスクリネーションが発生し、この領域が非透過領域となって光透過率を高くすることができないという問題がある。また、上記特許文献３，４に記載される従来技術では、いずれにおいても開口率を大きくすることはできるが、共通電極が画素電極および薄膜トランジスタの側に設けられるＦＦＳ方式の液晶表示装置ではないので、フリンジ電界が生じる領域がＦＦＳ方式の液晶表示装置とは異なり、隣接する画素電極の間または隣接する絵素電極の間のスペースを小さくしても、ディスクリネーションの発生を抑制することはできない。
【００１１】
本発明の目的は、フリンジ電界を強くしてディスクリネーションの発生を抑制し、光透過率を向上することができる液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、基板上に配置された複数本のゲート信号線と、
前記ゲート信号線と交差させて配置された複数本の画像信号線と、
前記ゲート信号線と前記画像信号線の交差部に対応してそれぞれ配置されている複数の第１の電極と、
絶縁層と、
前記第１の電極と前記絶縁層を介してそれぞれ対向配置されている複数の第２の電極と、を有しており、
前記第２の電極が、互いに平行に配置された、複数のスリット状の開口を有している、フリンジ・フィールド・スイッチング方式の液晶表示装置であって、
前記第１の電極はそれに隣接する前記第１の電極と電気的に絶縁されているとともに、それらの前記第１の電極における互いに隣接する側の端部同士の少なくとも一部が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている前記端部同士の部位と前記第２の電極とが平面視で重なっている液晶表示装置である。
【００１３】
また本発明は、平面視で重なっている前記端部同士の部位において、前記第１の電極は、その端部と隣接する前記第１の電極の端部との間に絶縁体部が配置されていることを特徴とする。
【００１４】
また本発明は、前記第１の電極とそれに隣接する前記第１の電極とは、
一方の前記第１の電極が、他方の前記第１の電極が配置された平面と同じ平面上に配置された層状の絶縁体部上に、配置されていることを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、前記第１の電極は、平板状の画素電極であり、
前記第２の電極は、帯状の共通電極であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第１の電極はそれに隣接する第１の電極と電気的に絶縁されているとともに、それらの第１の電極における互いに隣接する側の端部同士の少なくとも一部が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている端部同士の部位と前記第２の電極とが平面視で重なっているので、例えば第１の電極である画素電極間の絶縁をとるための離間部（絶縁部でもある）を平面視において無くすことができる。その結果、フリンジ電界が生じない部位を小さくすることができる。また、画素電極間の絶縁部上の共通電極の幅を小さくすることができ、その点においてもフリンジ電界が生じない部位を小さくすることができる。その結果、フリンジ電界によって駆動される液晶分子が増加し、ノーマリブラックにおける黒っぽく見える部位が小さくなり、画素における光透過率を向上することができる。
【００１７】
また、画素電極とそれに隣接する画素電極との間に平面視での隙間が無くなるために、画素電極間の絶縁部上で共通電極と各画素電極との間に生じるフリンジ電界を強くすることができる。これによって、液晶分子の配向の乱れが抑えられ、ディスクリネーションを抑制することがきる。したがって、画素における光透過率が向上し、延いては液晶表示装置としての光透過率を向上することができる。
【００１８】
また本発明によれば、第１の電極とそれに隣接する第１の電極とは、同じ平面上に配置されるので、第１の電極上に絶縁層を介して配置される複数の第２の電極もほとんどが同じ平面上に配置される。その結果、液晶層の厚みも均一化され、光透過率が劣化することを抑えて高い光透過率を維持することができる。
【００１９】
また本発明によれば、第１の電極間の絶縁部上の第２の電極の部位にある絶縁層の段差および第１の電極間の絶縁部の段差がそれぞれ１つだけにすることができる。これによって、第１の電極間の絶縁部上の第２の電極の周囲に生じるフリンジ電界の乱れを抑えることができ、ディスクリネーションをより小さくすることができる。
【００２０】
また本発明によれば、第１の電極が平板状の画素電極であり、第２の電極が帯状の共通電極であるので、画素電極と各共通電極との間により強いフリンジ電界を生じさせ、液晶分子の配向の乱れを抑制し、表示品位の高い高密度画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態の液晶表示装置１の構成を示す一部の拡大断面図である。
【図２】図１の上方から見た液晶表示装置１の一部の拡大平面図である。
【図３】図２の切断面線ＩＩＩ-ＩＩＩから見た断面図である。
【図４】ＦＦＳ方式の液晶表示装置１の動作原理を説明するための図であり、図４（ａ）は図３の上方から見た液晶１６の挙動を説明するための模式図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の切断面線ＩＶｂ−ＩＶｂから見た一部の断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態の液晶表示装置１ａの構成を示す一部の拡大断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態の液晶表示装置１ｂの構成を示す一部の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は本発明の一実施形態の液晶表示装置１の構成を示す一部の拡大断面図であり、図２は図１の上方から見た液晶表示装置１の一部の拡大平面図であり、図３は図２の切断面線ＩＩＩ-ＩＩＩから見た断面図である。本実施形態の液晶表示装置１は、フリンジ・フィールド・スイッチング（Fringe  Field  Switching；略称ＦＦＳ）方式の液晶表示装置であって、ＶＡ（vertical  alignment）、ＩＰＳ（In-Plane  Switching）と並び、液晶テレビジョン受像機、スマートフォン、タブレット型パーソナルコンピュータなどの高い画像品質が求められる液晶表示装置に好適に実施される。
【００２３】
液晶表示装置１は、薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor：略称ＴＦＴ）が実装された反表示面２側の基板３の上面４に絶縁層５が積層され、絶縁層５上に画像信号線６が形成され、絶縁層５の上面および画像信号線６上にそれらを覆うパッシベーション膜７が形成されている。パッシベーション膜７上には、平坦化膜８が形成され、平坦化膜８上に酸化インジウムスズ（Indium  Tin  Oxide；ＩＴＯ）などの透明電極等から成る画素電極９が形成され、平坦化膜８の上面および画素電極９上にそれらを覆う絶縁層１０が形成され、絶縁層１０上にスリット状の開口１２を有するＩＴＯ等の透明電極から成る共通電極１１が形成されている。
【００２４】
表示面側の基板１３の下面には、カラーフィルタ（図示せず）およびブラックマトリクス１４が形成され、基板１３の下面、カラーフィルタおよびブラックマトリクス１４下にはそれらを覆うオーバーコート層１５が形成されている。共通電極１１にカラーフィルタとブラックマトリクス１４とが対向するように、ＴＦＴ素子側の基板３とカラーフィルタ側の基板１３が対向配置され、それらの間には液晶１６が充填され、両基板３，１３の外周部をシールすることによって液晶１６が封止されている。
【００２５】
画素電極９は、それに隣接する他の画素電極９と絶縁層１０によって電気的に絶縁されているとともに、それらの画素電極９における互いに隣接する側の端部同士の少なくとも一部が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている上記端部同士の部位（重なり部）と共通電極１１とが図１の上方から見た平面視において重なって形成されている。すなわち、各画素電極９の隣接する各端部は平面視において互いに重なり、かつ各画素電極９の隣接する各端部は、共通電極１１と平面視において重なっている。
【００２６】
画素電極９と共通電極１１との間の絶縁層１０および絶縁体部１０ａは、透光性を有する無機材料または有機材料から成る。無機材料としては、窒化珪素、酸化珪素等を用いることができる。有機材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、ポリシロキサン、ポリシラザン等を用いることができる。ポリシロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合によって骨格構造が形成されたものである。ポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。絶縁層１０として無機材料から成るものを用いると、画素電極９の表面形状に沿うような表面を有するものとなり、厚くすることによって表面を平坦化することができる。絶縁層１０として有機材料から成るものを用いると、表面の平坦性を高めることができる。
【００２７】
絶縁層１０の最小厚みは、絶縁層１０が窒化珪素（ＳｉＮｘ）層の場合、１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度が好ましい。絶縁層１０の厚みが１００ｎｍ未満では、画素容量が大きくなり、書き込み不足が起こりやすく、表示品位が低下する傾向にある。また、製造の歩留低下を招きやすい。絶縁層１０の最小厚みが３００ｎｍを超えると、共通電極１１と画素電極９との間で生じる電界が弱くなりやすい。また、画素容量が小さくなり、クロストークやフリッカなどの表示不良が目立つようになる傾向がある。
【００２８】
ＩＴＯ等の透明電極から成る共通電極１１の厚みは、４０ｎｍ〜１１０ｎｍ程度である。また、共通電極１１に形成される開口１２の幅ｂは、２μｍ〜４μｍが好ましい。開口１２の幅が２μｍ未満である場合、開口１２の左側辺近傍で配向する液晶分子と開口１２の右側辺近傍で配向する液晶分子とが干渉しやすくなり、液晶分子の配向が乱れる傾向がある。また、液晶分子に加わる電界が弱くなるため、駆動電圧が高くなる傾向ある。開口１２の幅が４μｍを超える場合、開口１２の幅方向の中間部で配向しない液晶分子が多くなり、開口１２の幅方向の中間部における光透過率の低下が大きくなる傾向がある。
【００２９】
開口１２の長さは、それに対向する複数の画素電極９の列方向の画素端（画素電極部端）より１μｍ〜３μｍ短いことが好ましい。１μｍ未満である場合、製造ばらつきによっては、平面視で隣接する画素電極９をわたって上下の開口１２がつながり、その結果液晶分子に加わる電界が弱くなり、液晶分子が所定の方向に配向し難くなる傾向がある。３μｍを超える場合、開口１２の側辺近傍で配向する液晶分子が所望の数より少なくなり、画素電極９における光透過率の低下が大きくなる傾向がある。
【００３０】
ＴＦＴ素子側の基板３上にはまた、列方向に延びる複数本の画像信号線（ソース信号線）６に交差して複数本のゲート信号線（図示せず）が形成され、画像信号線６とゲート信号線との交差部にＴＦＴ素子が形成され、このＴＦＴ素子および画素電極９と共通電極１１との間で液晶１６に印加する電界を形成する。各ゲート信号線には、ゲート信号線駆動回路からゲート信号が与えられる。画素電極９には、ソース信号線６がコンタクトホール等を介して電気的に接続されており、画像信号線駆動回路からデータ信号としてのソース信号が与えられる。共通電極１１は、それに接続された共通電圧線（図示せず）を介して共通電圧が入力される。
【００３１】
図４はＦＦＳ方式の液晶表示装置１の動作原理を説明するための図であり、図４（ａ）は図３の上方から見た液晶１６の挙動を説明するための模式図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の切断面線ＩＶｂ−ＩＶｂから見た一部の断面図である。前述した液晶表示装置１は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置と同様、反表示面２側の基板３の表面に対して平行に並んだ電界線１７を形成して、液晶１６を駆動する。共通電極１１は、板状の画素電極９に対向する領域においてスリット状の開口１２によって帯状の複数の電極部分１１ａが互いに平行に整列するように区分けされて構成されるとともに、周囲で繋がった構成であるので、同じ電位を有し、電極部分１１ａ同士を近づけることができるので、電極部分１１ａの上の部分も液晶１６のスイッチングプロセスに寄与し、光透過率を向上することができる。また共通電極１１は、画素電極９のそれぞれに対向するように一つの画素電極９に対して一つの共通電極１１を設けてよいが、複数の画素電極９の全体に対して一つの共通電極１１を設けてもよい。
【００３２】
本実施形態の液晶表示装置１は、その構成が、板状の画素電極９と共通電極１１とを組み合わせ、画素電極９はそれに隣接する画素電極９と絶縁層１０の一部を成す絶縁体部１０ａによって電気的に絶縁されているとともに、それらの画素電極９の各端部ａ１，ａ２同士が平面視で重なり、かつ各端部ａ１，ａ２同士と共通電極１１が平面視で重なっている構成であるので、画素電極９間の絶縁をとるための離間部を平面視において無くすことができる。その結果、フリンジ電界が生じない部位１８（図１に示す）を小さくすることができる。また、画素電極９間の絶縁層１０上の共通電極１１の幅を小さくすることができ、その点においてもフリンジ電界が生じない部位１８を小さくすることができる。その結果、電界線１７（図４（ｂ）に示す）で示すフリンジ電界によって駆動される液晶分子が増加し、ノーマリブラックにおける黒っぽく見える部位が小さくなり、画素における光透過率を向上することができる。
【００３３】
また、画素電極９とそれに隣接する画素電極９との間に平面視での隙間が無いために、画素電極９間の絶縁層１０上で共通電極１１と各画素電極９との間に生じるフリンジ電界を強くすることができる。これによって、液晶分子の配向の乱れが抑えられ、ディスクリネーション、すなわち意図しない液晶の配向の乱れを抑制することがきる。したがって、画素における光透過率が向上し、延いては液晶表示装置としての光透過率およびコントラストを向上することができる。
【００３４】
以上のように、本実施形態の液晶表示装置１によれば、画素電極９はそれに隣接する画素電極９と電気的に絶縁されているとともに、それらの画素電極９の各端部と共通電極１１とが平面視で重なっているので、画素電極９間の絶縁をとるための離間部を平面視において無くし、フリンジ電界が生じない部位１８を小さくすることができる。また、画素電極９間の絶縁層１０上の共通電極１１の幅ｂ（図１に示す）を小さくすることができ、その点においてもフリンジ電界が生じない部位１８を小さくすることができる。その結果、フリンジ電界によって駆動される液晶分子が増加し、ノーマリブラックにおける黒っぽく見える部位が小さくなり、画素における光透過率およびコントラストを向上することができる。本発明の液晶表示装置１において、好ましくは、互いに隣接する画素電極９における隣接する側の端部の全体同士が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている上記端部の全体同士と共通電極１１とが平面視で重なっていることがよく、その場合上記の効果がより向上する。
【００３５】
また、図２に示す実施形態においては、ゲート信号線に平行な方向である横方向（行方向）で互いに隣接する画素電極９について、それらの画素電極９における隣接する側の端部同士が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている上記端部同士と共通電極１１とが平面視で重なっている構成であるが、画像信号線（ソース信号線）に平行な縦方向（列方向）で互いに隣接する画素電極９について、それらの画素電極９における隣接する側の端部同士の少なくとも一部が平面視で重なっており、さらに平面視で重なっている上記端部同士の部位（重なり部）と共通電極１１とが平面視で重なっている構成であってもよい。
【００３６】
図５は、本発明の他の実施形態の液晶表示装置１ａの構成を示す一部の拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付す。本実施形態の液晶表示装置１ａは、各画素電極９の幅方向一方の端部が、その画素電極９に隣接する画素電極９の幅方向他方の端部の上方にあって、平面視において重なって形成される。
【００３７】
このような構成によって、画素電極９とそれに隣接する画素電極９との間に平面視での隙間が無いために、画素電極９間の絶縁層１０上で共通電極１１と各画素電極９との間に生じるフリンジ電界を強くすることができる。これによって、液晶分子の配向の乱れが抑えられ、ディスクリネーションを抑制し、画素における光透過率が向上し、延いては液晶表示装置１ａとしての光透過率およびコントラストを向上することができる。
【００３８】
図６は、本発明のさらに他の実施形態の液晶表示装置１ｂの構成を示す一部の拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付す。本実施形態の液晶表示装置１ｂは、一方の画素電極９が、それに隣接する他方の画素電極９が配置された平面と同じ平面上に配置された層状の絶縁体部１０ａ上に、配置される。
【００３９】
このような構成によって、画素電極９間の絶縁体部１０ａ上の共通電極１１の部位にある絶縁層１０の段差を１つだけにすることができる。これによって、画素電極９間の絶縁体部１０ａ上の共通電極１１の周囲に生じるフリンジ電界の乱れを抑えることができ、ディスクリネーションをより小さくすることができる。
【００４０】
本発明の液晶表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、ヘッドアップディスプレイ、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、デジタル表示式腕時計などがある。
【符号の説明】
【００４１】
１  液晶表示装置
２  反表示面
３  基板
４  上面
５  絶縁層
６  画像信号線
７  パッシベーション膜
８  平坦化膜
９  画素電極
１０  絶縁層
１１  共通電極
１２  開口
１３  基板
１４  ブラックマトリクス
１５  オーバーコート層
１６  液晶
１７  電界線
【図１】
2018109685.tif 000003
【図２】
2018109685.tif 000004
【図３】
2018109685.tif 000005
【図４】
2018109685.tif 000006
【図５】
2018109685.tif 000007
【図６】
2018109685.tif 000008