(57)【要約】【課題】過電流を誤検出する可能性を極力なくすことができるようにした過電流検出回路を提供する。【解決手段】電流回路１２が、基準電圧生成回路１０から与えられる一定の基準電圧に応じてトランジスタＴｒ１のコレクタエミッタ間を通じて電流を引く。電流回路１３は、バイアス回路Ｂによりバッテリ電圧ＢＡＴの入力ノードＮｉからトランジスタＴｒ３の通電端子のバイアスを出力する。第３のトランジスタＴｒ３はバイアスを制御端子に入力すると共に出力ノードＮｏからコレクタエミッタ間に通電する。また、第２及び第３のトランジスタＴｒ２及びＴｒ３は温度変化に対するコレクタエミッタ間の通電電流の変化を低減するように接続されている。【選択図】図１
2018019264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリ電圧（ＢＡＴ）の入力ノード（Ｎｉ）と出力ノード（Ｎｏ）との間にＭＯＳトランジスタ（２）のドレイン／ソースを接続すると共に前記バッテリ電圧の昇圧回路（６）から前記ＭＯＳトランジスタのゲートに昇圧電圧を印加することで前記出力ノードから負荷（３）に電流を出力する負荷通電回路（１）の過電流検出回路（９、１０９、２０９）であって、
基準電圧生成回路（１０）から制御端子に所定の基準電圧を入力する第１のトランジスタ（Ｔｒ１）を備えると共に前記バッテリ電圧の入力ノードから前記第１のトランジスタの通電端子を通じて電流（Ｉ１）を引く第１の電流回路（１２、１１２、２１２）と、
前記バッテリ電圧又はその比例電圧を制御端子に入力し前記バッテリ電圧の入力ノードから通電端子に通電する第２のトランジスタ（Ｔｒ２）を備え当該第２のトランジスタの通電端子のバイアスを出力するバイアス回路（Ｂ）と、前記バイアス回路のバイアスを制御端子に入力すると共に前記出力ノードから通電端子に通電するように接続された第３のトランジスタ（Ｔｒ３）とを備え、前記第２及び第３のトランジスタは温度変化に対する前記通電端子の通電電流の変化を低減するように接続され、前記出力ノードから前記第３のトランジスタの通電端子を通じて電流（Ｉ２）を引く第２の電流回路（１３、１１３）と、
前記第１及び第２のトランジスタの通電端子の電圧を比較する過電流検出用の比較部（１４）と、
を備える過電流検出回路。
【請求項２】
請求項１記載の過電流検出回路において、
前記バッテリ電圧を検出し、前記ＭＯＳトランジスタのオン抵抗のゲートソース間電圧に対する変化率が所定以下となる条件を満たす前記ＭＯＳトランジスタのゲートソース間電圧が印加されているか否かを判定する判定部（１５）と、
前記判定部により条件を満たすと判定されたときには前記第２の電流回路に代えて、当該第２の電流回路に比較して前記バッテリ電圧に依存し難く前記温度の変化にも依存し難い定電流特性を備えた定電流回路（１８）を用いて前記出力ノードから定電流を引く過電流検出回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過電流検出回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の過電流検出回路は、通電経路に流れる電流を検出し閾値と比較することで過電流を検出する（例えば特許文献１参照）。特許文献１の技術は、ＭＯＳＦＥＴの温度特性と検出回路の温度特性とを合わせて温度特性をキャンセルするようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１７０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載の技術を適用しても、ＭＯＳトランジスタのゲートソース間の電圧が小さくなると、ＭＯＳトランジスタのオン抵抗の上昇により検出値が小さくなり、特に電源となるバッテリの電圧や温度に応じて特性が変化してしまうと、過電流検出値が変化し過電流を誤検出してしまう可能性を生じる。
【０００５】
本発明の目的は、バッテリの電圧や温度による過電流検出値の変化を抑制し、過電流を誤検出する可能性を極力なくすことができるようにした過電流検出回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の発明によれば、第１の電流回路が、基準電圧生成回路から与えられる一定の基準電圧に応じて第１のトランジスタの通電端子を通じて電流を引くが、第２の電流回路が、バイアス回路によりバッテリ電圧の入力ノードから第２のトランジスタの通電端子のバイアスを出力し、バイアスを制御端子に入力すると共に出力ノードから第３のトランジスタの通電端子に通電するようにしている。また、第２及び第３のトランジスタは温度変化に対する通電端子の通電電流の変化を低減するように接続されている。
【０００７】
第２の電流回路はバッテリ電圧の出力ノードから第３のトランジスタの通電端子を通じて電流を引く。このため、比較部が第１及び第２のトランジスタの通電端子の電圧を比較して過電流検出したとしても、温度変化及びバッテリ電圧の変化に極力依存することのない過電流検出値を設定できるようになり、過電流を誤検出する可能性を極力なくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態における過電流検出回路の電気的構成図
【図２】バッテリ電圧の変化に応じたチャージポンプ回路の出力電圧変化の依存性を示す説明図
【図３】バッテリ電圧の変化に応じた過電流検出値の依存性を示す説明図
【図４】温度変化に応じた過電流検出値の依存性を示す説明図
【図５】第２実施形態における過電流検出回路の電気的構成図
【図６】ＭＯＳトランジスタのゲートソース間電圧に応じたオン抵抗値の依存性を示す説明図
【図７】第３実施形態における過電流検出回路の電気的構成図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、過電流検出回路の幾つかの実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に説明する各実施形態において、同一又は類似の動作を行う構成については、同一又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略する。なお、下記の実施形態において同一又は類似する構成には、符号の十の位と一の位とに同一符号を付して説明を行っている。
【００１０】
（第１実施形態）
図１から図４は第１実施形態の説明図を示している。図１に示すように、負荷通電回路１は、ＭＯＳトランジスタ２を主として備えている。バッテリ電圧ＢＡＴ（例えばＢＡＴの標準値＝１２Ｖ）の入力ノードＮｉ／出力ノードＮｏにはＭＯＳトランジスタ２のドレイン／ソースがそれぞれ接続されている。バッテリ電圧ＢＡＴの出力ノードＮｏには、負荷３となるインバータ回路４及びモータ５が接続されている。インバータ回路４は例えば３相インバータによるものである。
【００１１】
またバッテリ電圧ＢＡＴの入力ノードＮｉには、昇圧回路としてのチャージポンプ回路６が接続されている。チャージポンプ回路６は、バッテリ電圧ＢＡＴの入力を受けてバッテリ電圧ＢＡＴの昇圧電圧ＶＣＰを生成し、この昇圧電圧ＶＣＰをドライバ７の電源として印加する。ドライバ７は、駆動指令によりＭＯＳトランジスタ２のゲートの出力をオン／オフ制御する。例えば、駆動指令＝「Ｈ」のときには、昇圧電圧ＶＣＰ（例えば２×ＢＡＴ）、駆動指令＝「Ｌ」のときにはＧＮＤ出力し、これによりＭＯＳトランジスタ２のオン／オフを制御する。
【００１２】
図２はバッテリ電圧ＢＡＴの変化に応じたチャージポンプ回路６の出力昇圧電圧ＶＣＰとＭＯＳトランジスタのゲートソース間電圧Ｖｇｓの変化特性を示している。図２に示すように、バッテリ電圧ＢＡＴが変化すれば、チャージポンプ回路６の出力昇圧電圧ＶＣＰもこのバッテリ電圧ＢＡＴの変化に依存して変化する。バッテリ電圧ＢＡＴは、負荷３の変動に応じて上下動するため、図２に示すように、バッテリ電圧ＢＡＴの変動に応じてチャージポンプ回路６の出力昇圧電圧ＶＣＰも大きく変化することになる。
【００１３】
他方、図１に示すように、制御装置８は、過電流検出回路９、基準電圧生成回路１０及び出力回路１１を接続して構成される。また過電流検出回路９は、例えば半導体集積回路によりＩＣチップ化されており、外付けのＭＯＳトランジスタ２の出力電流の過電流を検出するために設けられる。
【００１４】
過電流検出回路９は、第１の電流回路１２、第２の電流回路１３、を備え、さらに、比較部としてのコンパレータ１４を備える。基準電圧生成回路１０は、例えばバンドギャップリファレンス回路を用いて構成され、環境温度及びその電源電圧により変化しにくい電圧を生成し、トランジスタＴｒ１のベース（制御端子相当）に一定の基準電圧Ｖinを印加する。
【００１５】
第１の電流回路１２は、トランジスタＴｒ１、抵抗Ｒ１及びＲ３を備える。トランジスタＴｒ１は、例えばＮＰＮ形のバイポーラトランジスタＴｒ１を用いて構成される。この場合、バイポーラトランジスタＴｒ１のコレクタ、エミッタが通電端子として用いられる。バッテリ電圧ＢＡＴの入力ノードＮｉとグランドとの間には、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ間（通電端子間）及び抵抗Ｒ３が直列接続されている。抵抗Ｒ１は、例えば１０ｋΩ程度の値に設定され、抵抗Ｒ３は、例えば６ｋΩ程度の値に設定されている。
【００１６】
トランジスタＴｒ１のコレクタ（通電端子相当）と抵抗Ｒ１との共通接続点Ｎ１は、コンパレータ１２の非反転入力端子に接続されている。この共通接続点Ｎ１の電圧Ｖｏ１は、バッテリ電圧ＢＡＴ及び基準電圧生成回路１０の出力電圧に応じて設定される電圧である。
【００１７】
他方、第２の電流回路１３は、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ３、及び、抵抗Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ７を備える。この第２の電流回路１３は、バッテリ電圧ＢＡＴ又はその比例電圧を入力して電流Ｉ２を出力する。
【００１８】
以下、第２の電流回路１３の構成の詳細を説明する。バッテリ電圧ＢＡＴの入力ノードＮｉとグランドとの間には、抵抗Ｒ５及びＲ６が直列接続されている。入力ノードＮｉとグランドとの間には、抵抗Ｒ７及びトランジスタＴｒ２のエミッタコレクタ間が接続されている。トランジスタＴｒ２のエミッタと抵抗Ｒ７との共通接続点Ｎｂには、トランジスタＴｒ３のベース（制御端子相当）が接続されている。トランジスタＴｒ３は、例えばＮＰＮ形のバイポーラトランジスタＴｒ３により構成されている。バッテリ電圧ＢＡＴの出力ノードＮｏとグランドとの間には、抵抗Ｒ２、トランジスタＴｒ３のコレクタ−エミッタ間、及び、抵抗Ｒ４が直列接続されている。そして、トランジスタＴｒ３のコレクタと抵抗Ｒ２との間の共通接続点Ｎ２はコンパレータ１４の反転入力端子に接続されており、この共通接続点Ｎ２の電圧をＶｏ２とする。
【００１９】
コンパレータ１４は、チャージポンプ回路６の出力昇圧電圧ＶＣＰを電源電圧ＶRGとして入力して動作する。コンパレータ１４は、電圧Ｖｏ１と電圧Ｖｏ２とを比較し、この比較結果を過電流検出結果として出力回路１１に出力する。出力回路１１は、このコンパレータ１４による過電流検出結果を入力し過電流検出時の所定の出力を行う。
【００２０】
この過電流検出回路９は、ＭＯＳトランジスタ２のドレインソース間電圧Ｖｇｓが規定値以上になると、出力電流Ｉoutが過電流検出値以上となったと判定する。この過電流検出値は、ＭＯＳトランジスタ２のオン抵抗Ｒonの変化に応じて変動する。このオン抵抗Ｒonの変動要因は、ＭＯＳトランジスタ２のゲートソース間電圧Ｖｇｓに加えて環境温度Ｔによるものが大きい。したがって、環境温度Ｔによる過電流検出値変動、及び、バッテリ電圧ＢＡＴの変動に基づく過電流検出値変動を極力低減できるようにすることが望ましい。
【００２１】
過電流検出回路９は、その回路構成上では、下記の数式に基づく関係性が成立する。以下のように各種ノードの電圧値や各種抵抗の値を設計することが望ましい。コンパレータの両入力端子電圧が一致するときには（０）式が成立する。なお、ゲートソース間電圧Ｖｇｓや温度Ｔに依存する変数については、カッコ書きで記している。
【００２２】
ＢＡＴ−Ｒ１×Ｉ１  ＝
ＢＡＴ−Ｒｏｎ（Ｖｇｓ，Ｔ）×Ｉｏｕｔ（Ｖｇｓ，Ｔ）−Ｒ２×Ｉ２（Ｖｇｓ）
…（０）
そして、この（０）式からバッテリ電圧ＢＡＴを削除して整理すると、
Ｒ１×Ｉ１（Ｔ）  ＝
Ｒｏｎ（ＢＡＴ，Ｔ）×Ｉｏｕｔ（ＢＡＴ，Ｔ）  ＋  Ｒ２×Ｉ２（ＢＡＴ）
…（１）
他方、抵抗Ｒ５及びＲ６の共通接続点Ｎａの分圧電圧は、Ｒ６／（Ｒ５＋Ｒ６）×ＢＡＴとなる。また回路構成上、トランジスタＴｒ２及びＴｒ３のベースエミッタ間電圧を同一のＶｆと仮定すると、トランジスタＴｒ３のベースノードＮｂの電圧はＲ６／（Ｒ５＋Ｒ６）×ＢＡＴ＋Ｖｆとなり、さらにトランジスタＴｒ３のエミッタ電圧はＲ６／（Ｒ５＋Ｒ６）×ＢＡＴになる。すなわち、トランジスタＴｒ２及びＴｒ３の電圧変動の影響は原理的には相殺され、この場合ノードＮ２に流れる電流Ｉ２としては下記の（２）式の関係が成立する。
【００２３】
Ｉ２  ≒  ｛Ｒ６／（Ｒ５＋Ｒ６）｝  ×  ＢＡＴ  ／  Ｒ４    …（２）
また、ノードＮ１に流れる電流Ｉ２としては、下記の（３）式の関係が成立する。
Ｉ１≒（Ｖｉｎ−Ｖｆ（Ｔ））／Ｒ３    …（３）
ＶＣＰ  ＝  ２  ×  ＢＡＴとすればＶｇｓ＝ＢＡＴにできる。この関係を（１）式に代入し、（１）、（３）式を温度で微分すれば、
Ｉ１‘（Ｔ）＝  Ｒｏｎ’（ＢＡＴ，Ｔ）×Ｉｏｕｔ（ＢＡＴ，Ｔ）／Ｒ１
＝  −Ｖｆ‘（Ｔ）／Ｒ３                        …（４）
（４）式のＲ３を（３）式に挿入して整理すると、
Ｉ１  ＝  −（Ｖｉｎ−Ｖｆ（Ｔ））×Ｉ１‘（Ｔ）  ／  Ｖｆ‘（Ｔ）  …（５）
また（１）式をＶｇｓで微分したときには、（１）式のＲ１×Ｉ１（Ｔ）の項がＶｇｓには依存しないように構成しているため、この項は０になる。したがって、Ｉ２‘を左式にて整理すると（６−１）式が成立する。
【００２４】
Ｉ２‘＝  −Ｒｏｎ（ｖｇｓ）’  ×  Ｉｏｕｔ／Ｒ２  …（６−１）
また前述したようにＶｇｓ＝ＢＡＴとなるため、（２）式をＶｇｓで微分したときには、（６−２）式が成立する。
【００２５】
Ｉ２  ≒  ｛Ｒ６／（Ｒ５＋Ｒ６）｝  ／  Ｒ４        …（６−２）
（６−２）式からＩ２とＩ２‘の関係は（７）式のようになる。
Ｉ２  ＝  ＢＡＴ  ×  Ｉ２‘                            …（７）
したがって、このような（６−１）式、（６−２）式、（７）式の関係を成立させるように、各種バイアス電圧（例えば抵抗Ｒ５及びＲ６の共通接続点Ｎａの電圧）及び各種抵抗値（抵抗Ｒ５及びＲ６の値）を設定することが望ましい。
【００２６】
発明者はこのように設定された特性について評価した。図３はバッテリ電圧ＢＡＴの変化に依存した過電流検出値の特性図を示しており、図４は温度Ｔの変化に依存した過電流検出値の特性図を示している。
【００２７】
図３及び図４の「補正あり」のバッテリ電圧ＢＡＴの依存特性は図１に示す回路の特性変化を示す。また図３及び図４の「補正なし」のバッテリ電圧ＢＡＴの依存特性は、トランジスタＴｒ２や抵抗Ｒ５〜Ｒ７による補正回路を用いないときの依存特性を示す。このとき、過電流検出値はバッテリ電圧ＢＡＴの変化に依存することなく概ね一定となる。このため、バッテリ電圧ＢＡＴの変化に応じた過電流検出値の変動を抑制できることが観察できた。
【００２８】
すなわち、負荷変動などの影響によりバッテリ電圧ＢＡＴが低下したときには、図２に示すように昇圧電圧ＶＣＰが低下し、ＭＯＳトランジスタ２のゲートソース間電圧Ｖgsも低下する。このときＭＯＳトランジスタ２のオン抵抗Ｒonが大きくなり、過電流検出値がずれやすくなる。しかし本実施形態の構成によれば、バッテリ電圧ＢＡＴの変動に応じて第２の電流回路１３が引く電流Ｉ２を調整するようにしている。このため、バッテリ電圧ＢＡＴの変化に応じた過電流検出値のバラつきを抑制できる。
【００２９】
また、図４の「補正あり」の特性は、ＶＳ＝１０Ｖ、昇圧電圧ＶＣＰ＝２０Ｖのときの温度変化に応じた特性を示す。図４に示すように、「補正なし」の回路の場合には、過電流検出値は周辺の温度Ｔの変化に大きく依存することがわかるが、「補正あり」の回路の場合には、周辺の温度変化に依存する変化は２０Ａ程度と少なくなる。このため、周辺の温度Ｔの変化に対しても、過電流検出値の変化は少なくなることがわかり、温度特性についても良好な特性となることがわかる。
【００３０】
これらの図３、図４に示す特性は、第２の電流回路１３がバッテリ電圧ＢＡＴを電源として動作し、２つのトランジスタＴｒ２及びＴｒ３が温度変化に対するコレクタ電流、エミッタ電流の変化を低減するように接続されているためであり、第２の電流回路１３がバッテリ電圧ＢＡＴの出力ノードＮｏからトランジスタＴｒ３のコレクタエミッタ間を通じて電流Ｉ２を引くことで、コレクタ電流、エミッタ電流変化を低減、さらに望ましくは相殺するように作用することによるものである。
【００３１】
以上説明したように本実施形態によれば、第１の電流回路１２が、基準電圧生成回路１０から与えられる一定の基準電圧に応じて第１のトランジスタＴｒ１のコレクタエミッタ間を通じて電流Ｉ１を引くが、第２の電流回路１３が、バイアス回路Ｂによりバッテリ電圧ＢＡＴを抵抗Ｒ７を通じてトランジスタＴｒ３のベースに入力させ、このときトランジスタＴｒ２及びＴｒ３がコレクタ電流、エミッタ電流の温度変化に対する変化を低減するように接続されている。これによりコンパレータ１４がトランジスタＴｒ１、Ｔｒ３のコレクタのノードＮ１、Ｎ２間の電圧Ｖｏ１、Ｖｏ２を比較して過電流検出したとしても、温度変化及びバッテリ電圧ＢＡＴの変化に極力依存することのない過電流検出値を設定できるようになる。
【００３２】
（第２実施形態）
図５及び図６は第２実施形態の追加説明図を示している。以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。その他の部分については第１実施形態の説明と同様であるため、その説明を省略する。
【００３３】
第１実施形態では、ＭＯＳトランジスタ２のオン抵抗Ｒonがバッテリ電圧ＢＡＴに対し線形的に変化する場合について説明した。このような条件を満たすことが考慮可能な動作領域でＭＯＳトランジスタ２を用いる場合には、第１実施形態の構成を用いることが望ましく、この場合、回路を小規模化できる。
【００３４】
しかし、例えば図６にＭＯＳトランジスタ２のオン抵抗Ｒonのゲートソース間電圧Ｖgsの依存特性の一例を示すが、ゲートソース間電圧Ｖgsが例えば８Ｖ、９Ｖ、１０Ｖ〜以上に大きくなると、オン抵抗Ｒonの値が安定し一定となることが確認されている。
【００３５】
バッテリ電圧ＢＡＴが大きくなると、ＭＯＳトランジスタ２のゲートソース間電圧Ｖgsが大きくなるが、バッテリ電圧ＢＡＴが所定値以上に大きくなったときにはオン抵抗Ｒonが飽和する。このため、あらゆるＭＯＳトランジスタ２のゲートソース間電圧Ｖgsの変化に応じて電流Ｉ２に正の電圧依存特性を付すと、過電流検出値が低下する虞がある。
【００３６】
このような場合、図５に示すように過電流検出回路１０９を構成することが望ましい。図５に示すように、本実施形態に係る過電流検出回路１０９は、バッテリ電圧ＢＡＴが所定電圧以上となっているか否かを判定するためのコンパレータ１５を判定部として備えている。
【００３７】
このコンパレータ１５の非反転入力端子は、バッテリ電圧ＢＡＴの入力ノードＮｉに接続されており、無効化用の所定電圧ＶＯＶをコンパレータ１５の反転入力端子に入力して構成される。このコンパレータ１５は、バッテリ電圧ＢＡＴが所定電圧ＶＯＶよりも高くなると「Ｈ」をトランジスタ１６に出力する。トランジスタ１６は、例えばＮチャネル型のＭＯＳトランジスタ１６により構成され、そのドレインをトランジスタＴｒ３のベースに接続すると共にソースをグランドに接続して構成されている。
【００３８】
また、コンパレータ１５の出力はバッファ１７を通じてトランジスタ１９にも出力されている。このトランジスタ１９もまた、例えばＮチャネル型のＭＯＳトランジスタ１９により構成され、そのドレインが定電流回路１８を介してトランジスタＴｒ３のコレクタに接続されると共に、そのソースがグランドに接続されている。定電流回路１８は、トランジスタ１９がオンしているときにバッテリ電圧ＢＡＴの出力ノードＮｏから抵抗Ｒ２を通じて定電流を引くように構成されている。この定電流回路１８は、第２の電流回路１３よりもバッテリ電圧ＢＡＴの変化に依存し難く温度Ｔの変化にも依存し難い定電流特性を備える。
【００３９】
なお、第１の電流回路１１２は、トランジスタＴｒ１及び抵抗Ｒ３に加えてトランジスタＴｒ４及び抵抗Ｒ８を備えている。トランジスタＴｒ４は例えばＰＮＰ形のバイポーラトランジスタにより構成される。抵抗Ｒ８とトランジスタＴｒ４のエミッタとの共通接続点はトランジスタＴｒ１のベースに接続されている。図示しない１２Ｖ系の電源回路から生成された電源電圧Ｖｃｃ（例えば５Ｖ）の供給ノードとグランドとの間には抵抗Ｒ８及びトランジスタＴｒ４のエミッタコレクタ間が接続されている。
【００４０】
第１の電流回路１１２のトランジスタＴｒ１とＴｒ４の接続関係は、第２の電流回路１３のトランジスタＴｒ３とＴｒ２の接続関係と同様となっている。このため、第１の電流回路１１２は、周囲の温度変化に応じて出力電流Ｉ１の変化特性を概ね平坦にでき、温度変化したとしても出力電流Ｉ１を安定的に保持できる。この場合、ＭＯＳ温度特性による検出電流変動をキャンセルし難くなるが、この問題が顕著となる場合には、図１の第１の電流回路１２に示すように、あえて温特を備える回路を用いて構成しても良い。
【００４１】
この構成の作用を説明する。バッテリ電圧ＢＡＴが、所定電圧ＶＯＶよりも高くなるとコンパレータ１５が「Ｈ」を出力することで両トランジスタ１６及び１９をオンさせる。これにより、トランジスタＴｒ３のベースをグランド電位に固定することができトランジスタＴｒ３がオフする。定電流回路１８は出力ノードＮｏから電流Ｉ２を引く。
【００４２】
このため、過電流検出用のコンパレータ１５は、バッテリ電圧ＢＡＴが高くなると、定電流回路１８の定電流Ｉ２に応じて決定される電圧Ｖｏ２を比較対象にできる。これにより、バッテリ電圧ＢＡＴの変化に依存した電流Ｉ２を生じさせるための第２の電流回路１１３の動作を無効化できる。
【００４３】
本実施形態によれば、コンパレータ１５がバッテリ電圧ＢＡＴを検出し、コンパレータ１５は、ＭＯＳトランジスタ２のオン抵抗Ｒonのゲートソース間電圧Ｖgsに対する変化率が所定以下となる条件を満たすＭＯＳトランジスタ２のゲートソース間電圧が印加されているか否かを判定し、この条件を満たすと判定されたときには、第２の電流回路１３に代えて、バッテリ電圧ＢＡＴに依存し難く温度Ｔの変化にも依存し難い定電流特性を備えた定電流回路１８を用いて、出力ノードＮｏから定電流Ｉ２を引くように構成されている。これにより、バッテリ電圧ＢＡＴが所定電圧ＶＯＶより高いときには、第２の電流回路１１３の動作が無効化された条件で過電流を検出できる。
【００４４】
（第３実施形態）
図７は第３実施形態の追加説明図を示す。第３実施形態においては第１又は第２実施形態と異なる部分について説明し、その他の部分についてはその説明を省略する。
【００４５】
図７に示すように、ＭＯＳトランジスタ２０２に感温ダイオード２０２ｂを設けて構成しても良い。この場合、ＭＯＳトランジスタ２０２の温度を測定可能になる。このとき、第１の電流回路２１２は、ダイオード２０２ｂのアノード−カソード間接続をトランジスタＴｒ１及び抵抗Ｒ３の通電電流が流れるノードに直列接続して構成すると良い。
【００４６】
これにより、ＭＯＳトランジスタ２０２の直接の温度の変化に応じた過電流を検出できるようになる。例えばＭＯＳトランジスタ２０２と過電流検出回路９のＩＣ内部の温度が異なる場合において、特に過電流検出値の温度特性変動を抑制するのに有効な構成となる。
【００４７】
（他の実施形態）
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができ、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。例えば以下に示す変形又は拡張が可能である。
【００４８】
外付けのＭＯＳトランジスタ２が変更されると当該ＭＯＳトランジスタ２０２の特性に応じて本来設定すべき定数も変化することが考えられる。このため、このＭＯＳトランジスタ２の取換、交換に合わせて過電流検出回路９を構成する各素子の内部定数を変更可能にするため、電流回路１３の抵抗Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ７の値を調整可能にする回路を別途設けても良い。
【００４９】
前述実施形態では、トランジスタ２、１０２、２０２としてＮチャネル型のＭＯＳトランジスタ２、１０２、２０２を用いた例を説明したが、Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタを用いた場合でも同様に適用できる。
【００５０】
トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３の制御端子をベース、通電端子をコレクタ、エミッタとしたバイポーラトランジスタを例示して説明したが、ＭＯＳトランジスタに適用しても良い。この場合、制御端子をゲート、通電端子をドレイン、ソースとして考慮できる。
【００５１】
前述した複数の実施形態は組み合わせ可能であれば、何れか複数の実施形態を組み合わせて構成しても良い。なお、特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、本発明の一つの態様として前述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００５２】
前述実施形態の一部を、課題を解決できる限りにおいて省略した態様も実施形態と見做すことが可能である。また、特許請求の範囲に記載した文言のみによって特定される発明の本質を逸脱しない限度において考え得るあらゆる態様も実施形態と見做すことが可能である。本発明は、前述した実施形態に準拠して記述したが、本発明は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。
【００５３】
本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範畴や思想範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００５４】
図面中、１は負荷通電回路、２はＭＯＳトランジスタ、３は負荷、６はチャージポンプ回路（昇圧回路）、９、１０９、２０９は過電流検出回路、１０は基準電圧生成回路、１２、１１２、２１２は第１の電流回路、１３、１１３は第２の電流回路、１４はコンパレータ（比較部）、１５はコンパレータ（判定部）、１８は定電流回路、Ｉ１、Ｉ２は電流、Ｔｒ１は第１のトランジスタ、Ｔｒ２は第２のトランジスタ、Ｔｒ３は第３のトランジスタ、Ｎｉは入力ノード、Ｎｏは出力ノード、ＢＡＴはバッテリ電圧、Ｂはバイアス回路、を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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