(57)【要約】      （修正有）【課題】中立面の位置が変化し難い構造を有する可撓性の表示装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】表示装置１００であって、第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有する可撓性基材１０４、第１の面に設けられたＴＦＴアレイ層１１０、ＴＦＴアレイ層上の表示素子層１９８、第２の面に設けられた第１の放熱層３１０、第２の面側に設けられた第１の保護層３１２、表示素子層上の第２の放熱層３２２、及び、表示素子層上の第２の保護層３２４を含み、第２の放熱層の透過率は９０％以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面とを有する可撓性基材、
前記第１の面に設けられたＴＦＴアレイ層、前記ＴＦＴアレイ層上の表示素子層、
前記第２の面に設けられた第１の放熱層、前記第２の面側に設けられた第１の保護層、
前記表示素子層上の第２の放熱層、及び、前記表示素子層上の第２の保護層、
を含み、
前記第２の放熱層の透過率は９０％以上である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の放熱層、及び前記第２の放熱層は、前記第１の保護層と前記第２の保護層との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の保護層、前記第１の放熱層、前記第２の放熱層、及び前記第２の保護層は、可撓性を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置を曲げたときの中立面は、前記ＴＦＴアレイ層と前記表示素子層とを含む層に配置されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記第２の面に設けられた前記第１の放熱層において、前記第２の面と逆側の面に、第１の保護層が接することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ＴＦＴアレイ層は、複数のトランジスタと、複数の配線とを含み、
前記表示素子層は、複数の表示素子を含み、
前記表示素子は、前記トランジスタの少なくとも一つと、前記複数の配線の少なくとも一つと電気的に接続された構成を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の放熱層と、前記第２の放熱層の少なくとも一方は、前記表示素子層の一部と重なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
さらに、タッチセンサ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示素子は、発光素子であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
さらに、封止層を含み、
前記封止層は、前記第２の放熱層と接することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止層は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２の放熱層の透過率は、前記第１の放熱層の透過率よりも相対的に高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記ＴＦＴアレイ層の厚さ及び前記表示素子層の厚さは、前記可撓性基材の厚さよりも相対的に薄く、
前記第１の保護層の厚さは、前記第２の保護層の厚さよりも相対的に厚い、
事を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１の放熱層の熱伝導率は、前記第２の放熱層の熱伝導率よりも相対的に高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。例えば、可撓性の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、ガラス基板を用いて作製される場合が多い。ガラス基板は重く、衝撃に対して破損しやすい。近年は、軽く、破損しにくい樹脂などの可撓性を有する基板を用いて作成された、所謂、フレキシブルな表示装置（以下、フレキシブル表示装置と記す）が注目を集めている。一方、フレキシブル表示装置は、曲げに対する耐久性が要求される。例えば、特許文献１には、反復的なベンディングに対する耐久性を向上させ、曲げられる程度を向上することが可能な表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５７９１６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フレキシブル表示装置は、多数の層が積層された構造を有している。フレキシブル表示装置は曲げられると、曲げモーメントを受けて、ある層が有する面は伸び、ある層が有する面は縮む。しかし、伸縮しない面が存在し、その面は、例えば中立面と呼ばれる。フレキシブル表示装置は曲げられると、中立面から離れた層ほど、引っ張り方向、又は圧縮方向の力がかけられる。そして、映像を表示する表示素子の発熱や、外部からの熱などにより、各層は熱収縮や熱膨張などを起こし、中立面の位置が変化する。中立面の位置の変化は、表示装置に含まれる配線やトランジスタの破損や、表示素子を含む層がはがれることなどを引き起こし、終には、フレキシブル表示装置が表示する映像が暗くなる、或いは明るくなる、或いは表示されない部分が発生する。
【０００５】
このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、中立面の位置が変化し難い構造を有する可撓性の表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は表示装置であって、第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有する可撓性基材、第１の面に設けられたＴＦＴアレイ層、ＴＦＴアレイ層上の表示素子層、第２の面に設けられた第１の放熱層、第２の面側に設けられた第１の保護層、表示素子層上の第２の放熱層、及び、表示素子層上の第２の保護層を含み、第２の放熱層の透過率は９０％以上である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素の模式的な図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【０００９】
本明細書において、ある層又は領域が他の層又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の層又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の層又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の層又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。
【００１０】
本明細書において説明される第１基板（可撓性基材）は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に絶縁層、半導体層及び導電層の各層、あるいはトランジスタ及び表示素子等の各素子が設けられる。以下の説明では、断面視において、第１基板（可撓性基材）の一主面を基準とし、第１基板（可撓性基材）に対して「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する場合には、特に断りのない限り、第１基板（可撓性基材）の一主面を基準にして述べるものとする。
【００１１】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の模式的な斜視図である。ここでは、理解の促進のため、表示素子層１９８は表示層１０２と分離して示している。表示素子層１９８は、表示装置１００に映像を表示するための表示素子を含んでいる。表示素子は画素１２０に含まれ、表示層１０２に含まれることはいうまでもない。
【００１３】
表示装置１００は、映像を表示するための表示層１０２を有している。表示層１０２は、可撓性基材１０４が有する第１の面に配置される。表示層１０２は、ＴＦＴアレイ層１１０と表示素子層１９８とにまたがり、一方向と一方向と交差する方向に複数の画素１２０が配列される。表示層１０２の上に重なるように、封止層１８０、タッチセンサ層１１２が設けられる。また、可撓性基材１０４が有する第２の面には、第１の放熱層３１０、第１の保護層３１２が設けられる。さらに、タッチセンサ層１１２の上面には、第２の放熱層３２２、第２の保護層３２４が設けられる。すなわち、第１の放熱層３１０と、表示層１０２と、第２の放熱層３２２とが重なる領域において、第１の放熱層３１０は、表示層１０２よりも相対的に下に配置され、第２の放熱層３２２は、表示層１０２よりも相対的に上に配置される。この時、表示装置１００の中立面が、ＴＦＴアレイ層１１０と表示素子層１９８との近傍に位置するように、第１の放熱層３１０、第２の放熱層３２２、第１の保護層３１２、及び第２の保護層３２４のそれぞれの厚さを調整する。なお、ＴＦＴアレイ層の厚さ、及び表示素子層の厚さは、可撓性基材の厚さよりも相対的に薄くてもよい。また、第１の保護層３１２の厚さは、前記第２の保護層３２４の厚さよりも、相対的に厚くてもよい。
【００１４】
以上のような構成とすることで、表示装置の熱を効率的に逃がすことができ、表示装置の中立面の位置が熱により変化することを抑えることができる。
【００１５】
図１にはさらに、タッチセンサ層１１２に外部回路（図示せず）からタッチセンサ用信号が与えられる第１の端子２１２及び第２の端子２２２、表示層１０２内の画素１２０へ信号を供給するための第３の端子１２２や、画素１２０の駆動を制御するためのＩＣチップ１２４及び走査線駆動回路１２６が示されている。
【００１６】
図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の模式的な平面図である。ここでは、理解の促進のため、可撓性基材１０４、表示層１０２、及びタッチセンサ層１１２を示しているが、可撓性基材１０４の下側には、第１の放熱層３１０、及び第１の保護層３１２が配置され、タッチセンサ層１１２の上側には第２の放熱層３２２、及び第２の保護層３２４が配置されているものとする。
【００１７】
ＴＦＴアレイ層１１０及び表示素子層１９８は、可撓性基材１０４の第１の面に設けられる。上述したように、表示層１０２は、ＴＦＴアレイ層１１０及び表示素子層１９８にまたがっている。表示層１０２には、複数の画素１２０が備えられる。表示層１０２の外には、画素１２０の駆動を制御するためのＩＣチップ１２４及び走査線駆動回路１２６が設けられる。ここでは、走査線駆動回路１２６は、可撓性基材１０４の上に直接形成される例を示すが、この例に限定されない。例えば、可撓性基材１０４とは異なる基板（半導体基板など）の上に形成された駆動回路を、可撓性基材１０４やコネクタ２１４上に設け、これらの駆動回路によって各画素１２０を制御してもよい。または、走査線駆動回路１２６の一部を可撓性基材１０４とは異なる基板の上に形成し、可撓性基材１０４やコネクタ２１４上に設ける構成としてもよい。また、ＩＣチップ１２４に含まれる駆動回路あるいは駆動回路の一部を、可撓性基材１０４の上に直接形成されてもよい。
【００１８】
タッチセンサ層１１２は複数の第１のタッチ電極２０２と複数の第２のタッチ電極２０４によって形成される。タッチセンサ層１１２は、表示層１０２と比較して、おおよそ同じ大きさ、おおよそ同じ形状のタッチ検出層を有することができる。このようにすることで、タッチセンサ層１１２は、ＴＦＴアレイ層１１０、表示素子層１９８などを作製する一連の工程の中で作製することができる。所謂、インセル型のタッチセンサを有する表示装置を提供することができる。なお、タッチセンサ層１１２のタッチ検出層は、この構造に限定されない。例えば、タッチセンサ層１１２はベース基板１０４よりも相対的に小さく、表示層１０２よりも相対的に大きな形状になるように別の基板上に形成し、表示装置と張り合わせてもよい。表示層１０２の領域よりも大きな領域にタッチ検出層の領域があることで、表示層１０２の端をタッチした際も、精度よく検出することができる。
【００１９】
第１のタッチ電極２０２は、表示層１０２の外から延びる第１の配線２０６と電気的に接続される。第１の配線２０６は表示層１０２の外を延伸し、コンタクトホール２０８を介して第１の端子配線２１０と電気的に接続される。第１の端子配線２１０は表示装置１００の端部付近で露出され、第１の端子２１２を形成する。第１の端子２１２はフレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ２１４と電気的に接続され、外部回路（図示せず）からタッチセンサ用信号が第１の端子２１２を経由して第１のタッチ電極２０２に与えられる。
【００２０】
同様に、第２のタッチ電極２０４は、表示層１０２の外から延びる第２の配線２１６と電気的に接続される。第２の配線２１６は表示層１０２の外を延伸し、コンタクトホール２１８を介して第２の端子配線２２０と電気的に接続される。第２の端子配線２２０は表示装置１００の端部付近で露出されて第２の端子２２２を形成する。第２の端子２２２はコネクタ２１４と接続され、外部回路からタッチセンサ用信号が第２の端子２２２を経由して第２のタッチ電極２０４に与えられる。
【００２１】
なお、ここでは図示していないが、表示素子層１９８が有する表示素子は、例えば、発光素子、液晶素子である。表示素子は画素１２０に含まれる。表示層１０２においては、一方向と一方向と交差する方向に複数の表示素子が配列される。また、ＴＦＴアレイ層１１０には、画素１２０内に設けられるトランジスタや容量などを制御するための各種半導体素子、及び配線などが複数、形成される。各種半導体素子などとは、例えば、トランジスタ、容量素子、及び抵抗素子などである。画素１２０は、少なくとも１つの表示素子と、少なくとも１つのトランジスタと、少なくとも１つの配線とが電気的に接続された構成を有している。
【００２２】
図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００が有する画素１２０の模式的な図である。
【００２３】
画素１２０は複数の副画素を有している。例えば、図３（Ａ）に示すように、一つの画素１２０は、三つの副画素１３０、１３２、１３４で形成されるように配置される。各副画素には発光素子や液晶素子などの表示素子が一つ備えられる。副画素が与える色は、例えば、発光素子、あるいは副画素上に設けられるカラーフィルタの特性によって決定される。本明細書及び請求項では、画素１２０は、それぞれ一つの表示素子を有し、かつ、少なくとも一つは異なる色を与える副画素を複数備え、表示層１０２で再現される映像の一部を構成する最小単位である。表示層１０２が有する副画素はいずれかの画素１２０に含まれる。
【００２４】
図３（Ａ）に例示する配列では、三つの副画素１３０、１３２、１３４が互いに異なる色を与えるように構成することができる。例えば、副画素１３０、１３２、１３４にそれぞれ、赤色、緑色、青色の三原色を発する発光素子を備えることができる。そして、三つの副画素のそれぞれに２５６段階の電圧あるいは電流を供給することで、フルカラーの表示装置を提供することができる。
【００２５】
図３（Ｂ）に示した配列では、一つの画素１２０は、与える色が異なる二つの副画素が含まれている。例えば、一つの画素１２０は赤色と緑色を与える副画素１３０、１３２を備え、それに隣接する画素１２０には青色と緑色を与える副画素１３４と１３２を設けることができる。この場合、再現される色域が隣接する画素１２０間で異なることになる。
【００２６】
各画素１２０内の副画素の面積は同一である必要はない。例えば、図３（Ｃ）に示すように、一つの副画素の面積が他の二つの副画素よりも相対的に大きくてもよい。この場合、例えば、青色を与える副画素１３４の面積は最も大きく形成し、緑色と赤色を与える副画素１３２と１３０の面積は同一で、かつ、副画素１３４の面積よりも相対的に小さくなるように形成してもよい。
【００２７】
図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の模式的な断面図である。図２のＢ１とＢ２の断面を模式的に示している。
【００２８】
図４に示すように、本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、第１の保護層３１２、第１の放熱層３１０、可撓性基材１０４、ＴＦＴアレイ層１１０、表示素子層１９８、封止層１８０、タッチセンサ層１１２、第２の放熱層３２２、及び第２の保護層３２４を含んでいる。また、表示装置１００は、映像を表示するための表示層１０２を有し、表示層１０２は、ＴＦＴアレイ層１１０と表示素子層１９８とにまたがる。第１の放熱層３１０は、表示層１０２よりも相対的に下に配置され、第２の放熱層３２２は、表示層１０２よりも相対的に上に配置される。なお、図５に示すように、表示装置１００はタッチセンサ層１１２を含まない構成としてもよい。なお、図４及び図５においては、表示装置１００の積層構造が見やすいように、各層、膜、領域の厚さをほぼ同じ厚さにしている。実際は、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さが、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。また、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さほどではないが、第１の放熱層３１０及び第２の保護層３２２の厚さも、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。
【００２９】
表示装置の中立面１１６は、ＴＦＴアレイ層１１０と表示素子層１９８との近傍に位置されるように、第１の放熱層３１０、第２の放熱層３２２、第１の保護層３１２、及び第２の保護層３２４のそれぞれの厚さが調整される。例えば、第１の放熱層３１０の厚さは、第２の放熱層３２２の厚さよりも相対的に薄く、第１の保護層３１２の厚さは、第２の保護層３２４の厚さよりも相対的に厚くする。この時、中立面１１６よりも相対的に下の厚さをａ、中立面１１６よりも相対的に上の厚さをｂとする。こうすることで、ａとｂとが同じになる中立面１１６を、ＴＦＴアレイ層１１０と表示素子層１９８の近傍に位置させることができる（図４においては、中立面１１６は表示素子層１９８に含まれる）。
【００３０】
中立面１１６の位置は、例えば、以下に示す数１で表すことができる。ここで、Ｈは表示装置１００の下からの高さ、Ｅｉはｉ番目の層を構成する材料のヤング率、Ｔｉはｉ番目の層を形成する材料の厚さである。また、Ｎは１以上の正の整数である。
【００３１】
【数１】
2018194600.tif 000003
【００３２】
表示装置１００を構成する各層の材料、膜厚などにより、中立面１１６の位置を算出することができる。
【００３３】
表示装置１００の製造工程において、第１の放熱層３１０、第２の放熱層３２２、第１の保護層３１２、及び第２の保護層３２４は、最後に貼り合わせればよい。よって、中立面１１６が、破損や膜剥がれが生じた際に表示装置に直接的な影響を及ぼすＴＦＴアレイ層１１０及び表示素子層１９８の近傍に位置されるように、第１の放熱層３１０、第２の放熱層３２２、第１の保護層３１２、及び第２の保護層３２４を、調整しやすい構造を有する表示装置を提供することができる。
【００３４】
また、表示装置１００を曲げても、中立面１１６近傍のＴＦＴアレイ層１１０及び表示素子層１９８にかかる引っ張り応力及び圧縮応力を最小限にすることができる。よって、発熱により、中立面１１６近傍のＴＦＴアレイ層１１０及び表示素子層１９８が有するトランジスタや容量素子が破損すること、表示素子がはがれることなどを防ぐことができる。したがって、中立面の調整が可能で、曲げに対する耐久性及び熱に対する信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【００３５】
（第２実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置のほかの構成を説明する。なお、第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
【００３６】
図６は、本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図である。図４で説明した構成とは、タッチセンサ層１１２が配置される場所が異なる例を示している。それ以外の構成は図４と同じであるため、説明は省略する。なお、図６においても、表示装置１００の積層構造が見やすいように、各層、膜、領域を記載している。実際は、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さが、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。また、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さほどではないが、第１の放熱層３１０及び第２の保護層３２２の厚さも、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。
【００３７】
タッチセンサ層１１２は、第２の放熱層３２２と第２の保護層３２４との間に配置される。
【００３８】
このような構成とすることで、第２の放熱層３２２を表示素子層１９８に近づけることができる。すなわち、表示装置１００を曲げた際に、表示素子層１９８が発熱しても、第２の放熱層３２２が熱を逃がしやすい構成を有する表示装置を提供することができる。
【００３９】
また、このような構成とすることで、表示素子層１９８と第２の放熱層３２２との距離が近くなったことから、第２の放熱層３２２の膜厚を第１の放熱層３１０と同等の放熱特性になるように薄膜化することができ、第２の放熱層３２２を第１の放熱層３１０と比較して光が透過しやすくすることができる。または、第２の放熱層３２２は第１の放熱層３１０よりも膜厚が相対的に薄く、透過率が相対的に高い材料を用いてもよい。よって、中立面の調整が比較的容易で、高輝度な表示装置を提供することができる。
【００４０】
さらに、表示素子層１９８と第２の放熱層３２２との距離が近くなったことから、封止層１８０を薄くしてもよい。封止層１８０は、例えば、熱伝導率が高い材料を含むことが好ましい。熱伝導率が高い材料は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの無機絶縁膜材料がある。このような構成とすることで、中立面１１６に対して、相対的に下側の放熱特性と、相対的に上側の放熱特性を同等にすることができる。
【００４１】
本実施形態において、表示装置１００の製造工程は、第１の放熱層３１０、第２の放熱層３２２、第１の保護層３１２、第２の保護層３２４、及びタッチセンサ層１１２は、最後に貼り合わせればよい。よって、中立面１１６が調整しやすい構造を有する表示装置を提供することができる。また、曲げに対する耐久性及び信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【００４２】
（第３実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置のほかの構成を説明する。なお、第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
【００４３】
図７は、本発明の一実施形態に係るほかの表示装置４００の模式的な斜視図である。ここでは、理解の促進のため、表示素子層１９８は表示層１０２と分離して示している。表示素子層１９８は、表示装置１００に映像を表示するための表示素子を含んでいる。表示素子は画素１２０に含まれ、表示層１０２に含まれることはいうまでもない。図７は、図１に示した表示装置１００の構成に対して、タッチセンサ層１１２を含まずに、第２の放熱層３２２が表示装置の一部に配置されている例を示している。それ以外の構成は図１と同じであるため、説明は省略する。なお、タッチセンサ層１１２を含む構成としてもよい。タッチセンサ層１１２は、図４に示すように、第２の放熱層３２２と封止層１８０の間に配置されてもよいし、図６に示すように、第２の保護層３２４と第２の放熱層３２２との間に配置されてもよい。
【００４４】
図８は、本発明の一実施形態に係る表示装置４００の模式的な平面図である。図２に示した表示装置１００の構成に対して、タッチセンサ層１１２を含まずに、第２の放熱層３２２が表示装置の一部に配置されている例を示している。それ以外の構成は図２と同じであるため、説明は省略する。ここでは、理解の促進のため、可撓性基材１０４、表示層１０２、及びタッチセンサ層１１２を示しているが、可撓性基材１０４の下側には、第１の放熱層３１０、及び第１の保護層３１２が配置され、タッチセンサ層１１２の上側には第２の放熱層３２２、及び第２の保護層３２４が配置されているものとする。
【００４５】
なお、ここでは図示していないが、表示素子層１９８が有する表示素子は、例えば、発光素子、液晶素子である。表示素子は画素１２０に含まれる。表示層１０２においては、一方向と一方向と交差する方向に複数の表示素子が配列される。また、ＴＦＴアレイ層１１０には、画素１２０内に設けられるトランジスタや容量などを制御するための各種半導体素子、及び配線などが複数、形成される。各種半導体素子などとは、例えば、トランジスタ、容量素子、及び抵抗素子などである。画素１２０は、少なくとも１つの表示素子と、少なくとも１つのトランジスタと、少なくとも１つの配線とが電気的に接続された構成を有している。
【００４６】
図９は、本発明の一実施形態に係る表示装置４００の模式的な断面図である。図８のＢ１とＢ２の断面を模式的に示している。図４に示した表示装置１００の構成に対して、タッチセンサ層１１２を含まずに、第２の放熱層３２２が表示装置の一部に配置されている例を示している。それ以外の構成は図４と同じであるため、説明は省略する。なお、図９においても、表示装置１００の積層構造が見やすいように、各層、膜、領域を記載している。実際は、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さが、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。また、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さほどではないが、第１の放熱層３１０及び第２の保護層３２２の厚さも、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。
【００４７】
図９に示すように、表示装置４００の中立面１１６が面内で連続的になるように、第２の保護層３２４が第２の放熱層３２２を覆うように配置される。表示装置４００を曲げた際に、温度が高く、熱が発生しやすい部分のみに、第１の放熱層３２２を配置する。例えば、バッテリ等熱を発生する構成の近傍がこれに相当する。また、表示装置４００の使用態様上折り曲げ頻度が高い部分等も、これに相当する。なお、図９においては、中立面１１６が面内で連続的になる例を示したが、この例に限定されない。中立面１１６が、第２の放熱層３２２が存在する部分と、存在しない部分でずれていてもよい。中立面１１６がＴＦＴアレイ層１１０及び表示素子層１９８に位置されるように、第２の放熱層３２２が存在しない部分に配置される第２の保護層３２４の厚さを調整すればよい。
【００４８】
第１の放熱層３１０も、熱が発生しやすい部分のみに配置してもよい。その場合は、第１の保護層３１２が第１の放熱層３１０を覆うような構造とすることで、中立面１１６を連続的にすることができる。ただし、表示装置４００を携帯情報端末などに実装した場合、第１の放熱層３１０が配置される可撓性基材１０４よりも相対的に下側は、バッテリなどの熱を発する層が配置されることが多いため、第１の放熱層３１０は表示装置４００の全面に配置されることがより好ましい。
【００４９】
このような構造にすることで、放熱層の使用量を少なくすることができるため、製造コストを低減することができる。かつ、中立面の調整が可能で、曲げに対する耐久性及び信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【００５０】
（第４実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置１００が、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置の場合の作製方法を例に説明する。なお、第１実施形態乃至第３実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
【００５１】
表示装置１００の製造方法を、図１０、および図１１乃至図１６を用いて述べる。なお、図１１乃至図１６は、図１０に示した断面に対応する。
【００５２】
図１１（Ａ）に示すように、まず、可撓性基材１０４上に下地膜１０６を形成する。可撓性基材１０４は、トランジスタ１４０など、表示層１０２に含まれる半導体素子やタッチセンサ層１１２などを支持する機能を有する。したがって、可撓性基材１０４には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、可撓性基材１０４はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックやポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネートに例示される高分子材料から選択される材料などを含むことができる。
【００５３】
可撓性基材１０４はガラス基板などの基材の上に形成されていてもよい。この場合、基材は支持基板とも呼ばれる。可撓性基材１０４は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成してもよい。この場合は、表示装置１００の作製後に、可撓性基材１０４が有する基材との界面から可撓性基材１０４が有する基材以外の部分を剥離することで、可撓性を持った表示装置１００が得られる。一方、可撓性基材１０４自体を前述した可撓性を有する材料とし、表示装置１００を作製しても良い。なお、図示していないが、可撓性基材１０４は、接着剤などの粘着性の材料を用いて、ガラス基板などの基材と、絶縁膜、可撓性を有するフィルムなどが張り合わされていてもよい。
【００５４】
下地膜１０６は可撓性基材１０４からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１４０などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜であり、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜１０６は化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。下地膜１０６中の不純物濃度が小さい場合、下地膜１０６は設けない、あるいは可撓性基材１０４の一部だけを覆うように形成してもよい。
【００５５】
次に半導体膜１４２を形成する（図１１（Ａ））。半導体膜１４２は例えばケイ素などの１４族元素を含むことができる。あるいは半導体膜１４２は酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。酸化物半導体を用いる場合、半導体膜１４２はさらに１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜１４２の結晶性に限定はなく、半導体膜１４２は単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスのいずれの結晶場外と含んでもよい。
【００５６】
半導体膜１４２がケイ素を含む場合、半導体膜１４２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜１４２が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
【００５７】
次に半導体膜１４２を覆うようにゲート絶縁膜１４４を形成する（図１１（Ａ））。ゲート絶縁膜１４４は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。
【００５８】
引き続き、ゲート絶縁膜１４４上にゲート電極１４６をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図１１（Ｂ））。ゲート電極１４６はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００５９】
次にゲート電極１４６上に層間膜１０８を形成する（図１２（Ａ））。層間膜１０８は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。積層構造を有する場合、例えば有機化合物を含む層を形成したのち、無機化合物を含む層を積層してもよい。なお、半導体膜１４２がケイ素を含む場合、ゲート電極１４６を形成した後に、半導体膜１４２にリン、ホウ素などの不純物をドープし、ソース／ドレイン領域１４２ｂを形成してもよい。同時に、ゲート電極１４６と半導体膜１４２が重なる不純物がドープされない領域はチャネル領域１４２ａとなる。
【００６０】
次に、層間膜１０８とゲート絶縁膜１４４に対してエッチングを行い、半導体膜１４２に達する開口を形成する。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。
【００６１】
次に開口を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース／ドレイン電極１４８を形成する。本実施形態では、ソース／ドレイン電極１４８の形成と同時に第１の端子配線２１０を形成する（図１２（Ｂ））。したがって、ソース／ドレイン電極１４８と第１の端子配線２１０は同一の層内に存在することができる。金属膜はゲート電極１４６と同様の構造を有することができ、ゲート電極１４６の形成と同様の手法を用いて形成することができる。
【００６２】
次に平坦化膜１１４を、ソース／ドレイン電極１４８や第１の端子配線２１０を覆うように形成する（図１３（Ａ））。平坦化膜１１４は、トランジスタ１４０や第１の端子配線２１０などに起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜１１４は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、上述した湿式成膜法などによって形成することができる。
【００６３】
引き続き、平坦化膜１１４上には無機絶縁膜１５０が形成される（図１３（Ａ））。上述したように、無機絶縁膜１５０はトランジスタ１４０に対する保護膜として機能するだけでなく、のちに形成される発光素子１６０の第１の電極１６２とともに容量（図示せず）を形成する。したがって、誘電率の比較的高い材料を用いることが好ましい。例えば窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などを用い、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して第１の電極１６２を形成することができる。
【００６４】
次に図１３（Ｂ）に示すように、ソース／ドレイン電極１４８と第１の端子配線２１０をエッチングストッパーとして用い、無機絶縁膜１５０と平坦化膜１１４に対してエッチングを行い、開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を形成する。その後これらの開口、あるいはコンタクトホール１５２、２０８を覆うように第１の電極１６２、および接続電極２３４、２３６を形成する（図１４（Ａ））。
【００６５】
ここで、接続電極２３６が形成された領域、すなわち開口１５４は、後に異方性導電膜等を介してＦＰＣなどのコネクタ２１４が接続される領域となるため、接続電極２３４が形成された領域、すなわちコンタクトホール２０８よりもはるかに面積が大きい。前者は、コネクタ２１４の端子ピッチ等により前後するが、例えば幅１０μｍから５０μｍ、長さ１ｍｍから２ｍｍ、等といったサイズであるのに対し、後者は、数μｍ□から１０数μｍ□程度あれば十分である。開口１５４については、コネクタ２１４の実装工程上、微細化には制限があるが、コンタクトホール２０８は、ここで接続される導電層同士（ここでは、第１の端子配線２１０、接続配線２３４、および第１の配線２０６）が十分に低いコンタクト抵抗で接続される程度であれば最小限で良い。
【００６６】
発光素子１６０からの発光を第２の電極１６６から取り出す場合、第１の電極１６２は可視光を反射するように構成される。この場合、第１の電極１６２は、銀やアルミニウム、マグネシウムなどの反射率の高い金属やその合金が含まれる。例えば、これらの金属や合金を含む膜上に、透光性を有する導電性酸化物の膜を形成する。導電性酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。発光素子１６０からの発光を第１の電極１６２から取り出す場合には、透光性を有する導電性酸化物を用いて第１の電極１６２を形成すればよい。
【００６７】
本実施形態では、第１の電極１６２、および接続電極２３４、２３６が無機絶縁膜１５０上に形成される。したがって、例えば開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように上記金属の膜を形成し、その後可視光を透過する導電酸化物を含む膜を形成し、エッチングによる加工を行って第１の電極１６２、および接続電極２３４、２３６を形成することができる。あるいは、導電酸化物の膜、上記金属の膜、導電酸化物の膜を開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように順次積層し、その後エッチング加工を行ってもよい。あるいは、導電性酸化物を開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように形成し、その後、コンタクトホール１５２を選択的に覆うように導電酸化物の膜／上記金属の膜／導電酸化物の膜の積層膜を形成してもよい。
【００６８】
次に、第１の電極１６２の端部を覆うように、隔壁１６８を形成する（図１４（Ｂ））。隔壁１６８により、第１の電極１６２などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する副画素の第１の電極１６２を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁１６８はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを用い、湿式成膜法で形成することができる。
【００６９】
次に発光素子１６０の機能層１６４、および第２の電極１６６を、第１の電極１６２と隔壁１６８を覆うように形成する（図１４（Ｂ））。機能層１６４は、主に有機化合物を含み、インクジェット法やスピンコート法などの湿式成膜法、あるいは蒸着などの乾式成膜法を適用して形成することができる。
【００７０】
発光素子１６０からの発光を第１の電極１６２から取り出す場合には、第２の電極１６６として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金を用いればよい。逆に発光素子１６０からの発光を第２の電極１６６から取り出す場合には、第２の電極１６６として、ＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。
【００７１】
次に封止層１８０を形成する。図１５（Ａ）に示すように、まず第１の無機膜１８２を発光素子１６０や接続電極２３４、２３６を覆うように形成する。第１の無機膜１８２は、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁膜材料を含むことができ、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。
【００７２】
引き続き有機膜１８４を形成する（図１５（Ａ））。有機膜１８４は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、図１５（Ａ）に示すように、隔壁１６８に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。有機膜１８４は、表示層１０２内に選択的に形成することが好ましい。すなわち有機膜１８４は、接続電極２３４、２３６と重ならないように形成することが好ましい。有機膜１８４は、インクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の無機膜１８２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって有機膜１８４を形成してもよい。
【００７３】
その後、第２の無機膜１８６を形成する（図１５（Ａ））。第２の無機膜１８６は、第１の無機膜１８２と同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。第２の無機膜１８６も、有機膜１８４上だけでなく、接続電極２３４、２３６を覆うように形成することができる。これにより、有機膜１８４を第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６で封止する。これにより、外部からの水分侵入を防止することが出来る。本実施例では、封止層１８０は、三層構造としたが、例えば第１の無機膜１８２一層でも良く、また、二層以上の複数層から成っても良い。
【００７４】
引き続き、有機絶縁膜１９０を形成する（図１５（Ｂ））。有機絶縁膜１９０は、封止層１８０の有機膜１８４と同様の材料を含むことができ、これと同様の方法で形成することができる。有機絶縁膜１９０は、図１５（Ｂ）に示すように、表示層１０２内に選択的に、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６が互いに接する領域を覆い、かつ、接続電極２３４、２３６と重ならないように形成することが好ましい。このとき、有機絶縁膜１９０上に形成される第１のタッチ電極２０２の各々に凹部が形成されるように、有機絶縁膜１９０に凹部を形成しておく。引き続き有機絶縁膜１９０をマスクとして用い、有機絶縁膜１９０から露出した第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６をエッチングによって除去する（図１６（Ａ））。これにより、表示層１０２の外に配置されるコンタクトホール２０８および開口１５４において、それぞれ接続電極２３４、２３６が露出される。この時、無機絶縁膜１５０も一部エッチングされ、厚さが小さくなることがある。
【００７５】
以上のプロセスにより、ＴＦＴアレイ層１１０、表示素子層１９８、及び封止層１８０が形成される。なお、ＴＦＴアレイ層の厚さ、及び表示素子層の厚さは、可撓性基材の厚さよりも相対的に薄くてもよい。
【００７６】
こののち、タッチセンサ層１１２を形成する。具体的には、有機絶縁膜１９０上に第１のタッチ電極２０２を形成する（図１６（Ｂ））。このとき、第２のタッチ電極２０４も同時に形成される。第１のタッチ電極２０２及び第２のタッチ電極２０４は透光性を有する導電性酸化物を主成分として含むことができる。その導電性酸化物はＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。
【００７７】
第１のタッチ電極２０２及び第２のタッチ電極２０４の形成と同時に、第１の配線２０６を形成する。第１の配線２０６は、コンタクトホール２０８を覆うように形成され、これにより、第１のタッチ電極２０２と第１の端子配線２１０が電気的に接続される（図１６（Ｂ））。
【００７８】
引き続き、第１のタッチ電極２０２及び第２のタッチ電極２０４の上に層間絶縁膜２４６を形成する（図１６（Ｂ））。層間絶縁膜２４６は、有機膜１８４と同等な材料、及び方法で形成することができる。平坦化膜１１４等と異なるのは、例えばベーク処理等を行う場合に、高温を用いない点である。この時点で既に有機化合物を含む機能層１６４が形成されているため、有機化合物が分解しない程度の温度下で処理を行うことが望まれる。
【００７９】
層間絶縁膜２４６を形成する他の方法の例として、予めシート状の層間絶縁膜２４６を形成しておき、その後、複数の第１のタッチ電極２０２及び複数の第２のタッチ電極２０４を覆うように貼り付けてもよい。
【００８０】
以上のプロセスにより、タッチセンサ層１１２が形成される。
【００８１】
その後、絶縁膜２６６を形成する。絶縁膜２６６は、ポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができ、印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。図１０において、絶縁膜は１つの層で構成される例を示したが、２つ以上の膜を積層して構成されてもよい。こうすることで、さらに平坦性を高めることができ、表示装置１００の強度を向上させることができる。
【００８２】
図示していないが、可撓性基材１０４がガラス基板などの基材上に設けられている場合、例えばコネクタ２１４を形成した後、あるいは絶縁膜２６６を形成した後に、レーザなどの光を可撓性基材１０４側から照射して可撓性基材１０４が有する基材とそれ以外の部分との間の接着力を低下させ、その後物理的な力を利用してこれらの界面で可撓性基材１０４を剥離すればよい。
【００８３】
こののち、第１の放熱層３１０、第２の放熱層３２２、第１の保護層３１２、第２の保護層３２４を貼り合わせる。なお、図示していないが、それぞれを張り合わせる際は、接着剤などの粘着性の材料を用いることができる。
【００８４】
なお、第１の保護層３１２、及び第２の保護層３２４も絶縁膜２６６と同様の高分子材料を含むことができ、上述した高分子材料に加え、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子材料を適用することも可能である。
【００８５】
第１の放熱層３１０と第２の放熱層３２２とは、透明性が高く、熱伝導率が高い材料を用いることが好ましい。その材料は、例えば、グラファイトのシート、カーボンナノチューブなどの炭素系材料、インジウムスズ酸化物などの透光性導電材料、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）やそれらの合金などを用いたナノワイヤなどが挙げられる。特に、グラファイトのシートは、高い熱伝導率を有するものが多い。そのため、本願発明の表示装置に用いることで、熱を逃がしやすく中立面が変化しにくい表示装置を提供することができる。なお、図１０においては、表示装置１００の積層構造が見やすいように、各層、膜、領域を記載している。実際は、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さが、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。また、第１の保護層３１２及び第２の保護層３２４の厚さほどではないが、第１の放熱層３１０及び第２の保護層３２２の厚さも、その他の層や膜や領域と比較して、相対的に厚い。
【００８６】
例えば、表示装置１００を落とす、ぶつけるなどによって生じる損傷を防ぐため、表示装置の第１の保護層３１２の厚さは、第２の保護層３２４の厚さよりも相対的に厚いことが好ましい。一方、表示装置１００の下面をバッテリなどの熱源から距離を離すため、熱源からの熱を直接受けないようにするため、第１の保護層３１２の厚さは、第２の保護層３２４の厚さよりも相対的に厚いことが好ましい。なお、その場合においても、中立面１１６がＴＦＴアレイ層１１０及び表示素子層１９８の近傍から変化しないように、それぞれの層の厚さを調整すればよい。
【００８７】
また、本実施形態の表示装置１００の製造方法は、表示装置１００が上面出射型の有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置である例を示した。第２の放熱層３２２の透過率は第１の放熱層３１０の透過率よりも相対的に高い方が好ましい。また、その透過率は９０％以上であることが好ましい。
【００８８】
なお、表示装置１００を携帯情報端末などに実装した場合、第１の放熱層３１０が配置される可撓性基材１０４の相対的に下側は、バッテリなどの熱を発する層が配置されることが多い。したがって、第１の放熱層３１０の熱伝導率は、第２の放熱層３２２の熱伝導率よりも相対的に高いことが好ましい。具体的には、第２の放熱層３２２の熱伝導率は、第１の放熱層３１０の熱伝導率をｋとすると、ｋは１／１０以上１未満であることが好ましい。
【００８９】
以上のような製造方法を用いることで、図１０に示す表示装置１００を形成することができる。このように製造された本願の発明に係る表示装置は、中立面が、ＴＦＴアレイ層及び表示素子層の近傍に位置されるように、放熱層や保護層を調整しやすい構造を有する表示装置を提供することができる。また、表示装置を曲げても、中立面近傍のＴＦＴアレイ層及び表示素子層にかかる応力を最小限にすることができるため、中立面近傍のＴＦＴアレイ層及び表示素子層が有するトランジスタや容量素子が破損すること、表示素子がはがれることなどを防ぐことができる。
【００９０】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９１】
本明細書においては、開示例として主に表示装置を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００９２】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００９３】
１００、４００・・・表示装置、１０２・・・表示層、１０４・・・可撓性基材、１０６・・・下地膜、１０８・・・層間膜、１１０・・・ＴＦＴアレイ層、１１２・・・タッチセンサ層、１１４・・・平坦化膜、１１６・・・中立面、１２０・・・画素、１２２・・・第３の端子、１２４・・・ＩＣチップ、１２６・・・走査線駆動回路、１３０、１３２、１３４・・・副画素、１４０・・・トランジスタ、１４２・・・半導体膜、１４２ａ・・・チャネル領域、１４２ｂ・・・ソース／ドレイン領域、１４４・・・ゲート絶縁膜、１４６・・・ゲート電極、１４８・・・ソース／ドレイン電極、１５０・・・無機絶縁膜、１５２、２０８・・・コンタクトホール、１５４・・・開口、１６０・・・発光素子、１６２・・・第１の電極、１６４・・・機能層、１６６・・・第２の電極、１６８・・・隔壁、１７０・・・層、１７２・・・層、１７４・・・層、１８０・・・封止層、１８２・・・第１の無機膜、１８４・・・有機膜、１８６・・・第２の無機膜、１９０・・・有機絶縁膜、１９８・・・表示素子層、２０２・・・第１のタッチ電極、２０４・・・第２のタッチ電極、２０６・・・第１の配線、２１０・・・第１の端子配線、２１２・・・第１の端子、２１４・・・コネクタ、２１６・・・第２の配線、２１８・・・コンタクトホール、２２０・・・第２の端子配線、２２２・・・第２の端子、２３４・・・接続電極、２３６・・・接続電極、２４６・・・層間絶縁膜、２６６・・・絶縁膜、３１０・・・第１の放熱層、３１２・・・第１の保護層、３２２・・・第２の放熱層、３２４・・・第２の保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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