(57)【要約】【課題】１２０℃程度の焼成温度で十分な導電性及びトランジスタ特性を発現する金属微粒子分散体又は該金属微粒子分散体含有インク、及び、２３℃での長期保存安定性・分散安定性を有する金属微粒子分散体又は該金属微粒子分散体含有インクを提供する。【解決手段】  アミノ基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する第一級アミン化合物と、カルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸を保護剤として用いることにより、高分子量の分散剤を使用することなく、極性溶媒又は低極性溶媒に極めて安定的に分散可能な金属微粒子分散体の発明を完成するに至った。本発明に係る金属微粒子分散体は、１２０℃程度の低温での焼結で優れた導電性を示すとともに、優れたトランジスタ特性を示す電極を得ることができる。また、当該微粒子分散体は、上記特性を示すことに加え、室温下で特に優れた分散安定性を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミノ基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する第一級アミン化合物と、
カルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸と、
を含む金属微粒子を、極性溶媒に分散させた金属微粒子分散体。
【請求項２】
請求項１記載の一塩基カルボン酸が、ヘテロ元素よりも末端側に水素以外の原子からなる置換基を有する一塩基カルボン酸である請求項１記載の金属微粒子分散体。
【請求項３】
請求項１又は２記載のヘテロ元素が少なくとも窒素、酸素、硫黄又は燐のいずれかから選択されるヘテロ元素である請求項１記載の金属微粒子分散体。
【請求項４】
請求項１〜３記載の金属微粒子が銀である金属微粒子分散体。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の金属微粒子分散体を含有するインク。
【請求項６】
表面エネルギー調整剤を含むことを特徴とする請求項５記載のインク。
【請求項７】
印刷助剤を含むことを特徴とする請求項５又は６記載のインク。
【請求項８】
請求項５〜７いずれか１項記載のインクジェット又は凸版反転印刷用インク。
【請求項９】
請求項５〜８いずれか１項記載のインクを用いて形成される導電膜又は導電パターン。
【請求項１０】
請求項５〜８いずれか１項記載のインクを用いて形成される半導体デバイス用電極。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体デバイス用電極を構成に含む電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜太陽電池等、有機電子デバイスにおいて、形成される配線、電極等に用いる事を目的とした導電性材料である。当該導電性材料は金属微粒子分散体であり、極性溶媒中への分散安定性に大変優れ、かつ、低温で焼結でき優れた導電性を発揮するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの軽量化、薄膜化に加えて、フレキシブル、ストレッチャブルな基板に回路を形成するため、半導体材料、導電性材料、絶縁材料を印刷することで電子デバイスを作製するプリンタブルエレクトロニクス技術が注目されている。
【０００３】
プリンテッドエレクトロニクス技術による配線部分、電極部分の形成には、ナノサイズ、マイクロサイズの金属微粒子が用いられ、この金属微粒子をインク化することで、配線部分、電極部分を印刷により簡便に形成することが可能になる。薄膜トランジスタ用電極のソース電極、ドレイン電極は、電極表面の平滑性がトランジスタ特性のひとつである電荷移動度に大きく影響を及ぼす。したがって、金属微粒子はナノサイズのものであること、もしくは、ナノサイズのものが混在していることが必要となる。
【０００４】
ナノサイズの金属微粒子はその表面活性の高さから、有機物で保護しないと安定して分散体として存在することができない。しかし、電極形成後の表面に残存する有機物は、絶縁物として、電極と有機半導体との界面における電子パスを阻害する要因となり、トランジスタ特性を低下させる要因となる。この分散安定性を担保しながら高い導電性及び高いトランジスタ特性を発現させることは難しい。
【０００５】
高精細な配線部分、電極部分を印刷により作製する方法としては凸版反転印刷法が知られている。凸版反転印刷法は、一般にシリコーンゴムからなる離型性を有する転写部材を介して印刷を行う。したがって、非極性溶媒である金属微粒子分散体をインクとして用いた場合、分散媒である非極性溶媒が、離型性を有する転写部材であるシリコーンゴムを膨潤させるため、連続的に、かつ、再現性よく電極画像を作製することができない。凸版反転印刷法により電極画像を作製するためには金属微粒子分散体を低極性又は高極性溶媒中に分散させなければならない。
【０００６】
高い導電性及びトランジスタ特性を発現させるために、電極形成後の表面に残存する有機物を少なくする方法として、金属微粒子を保護する有機物（保護剤）に低分子量の物質をもちいた金属微粒子分散体を用いる方法が開示されている（特許文献１、特許文献２）。低分子量の保護剤は、塗膜焼結時に電極表面から脱離するため、電極表面に残存する有機物を減らすことができるためである。しかしながら、いずれの公報も低分子量系保護剤を用いた金属微粒子を非極性溶媒中へ分散させたものであり、凸版反転印刷用のインクとして好適に用いることができない。
【０００７】
また、低分子系の保護剤のみを用いた金属微粒子分散体は、その保護剤が金属表面から脱離しやすいがゆえに、保存安定性に優れず冷蔵又は冷凍での保管が必要であった。しかし、インクとして印刷に使用する場合には室温での十分な分散安定性確保が要件となる。分散安定性不足による粒子凝集は、インクジェット印刷の場合にはジェットノズルの詰まりを、凸版反転印刷ではコーターヘッドのノズルの詰まりを発生させる。したがって、室温での長期にわたる分散安定性確保は、連続的に、かつ、再現性よく画像を形成させることを可能とするうえで、また、量産工程において適応させることができるか否かを判断する上で非常に重要である。
【０００８】
これまで、低分子系保護剤を用いる金属微粒子分散体に高い分散安定性を付与するために、高分子量の分散剤を併用することで、極性溶媒に金属微粒子を分散させる方法が開示されている（特許文献３、特許文献４）。高分子量の分散剤は、金属微粒子表面に強固に付着するため、極性溶媒中でも安定な金属微粒子分散体を得ることができ、長期の分散安定性を確保できることが知られている。しかしながら、この金属表面へ強固に付着した分散剤は、１２０℃の低温焼成では脱離せず、金属微粒子間の融着を妨げるため、高い導電性を発現させることが困難となる。この高い焼結温度は、フレキシブル基材に対応したトランジスタ電極やその周辺回路への適応を困難にさせる。加えて、高分子量の分散剤を含む当該分散体を使用した場合には、電極表面に残存する分散剤が半導体との界面の絶縁体となって、トランジスタ特性を著しく低下させる。したがって、高分子量の分散剤を使用しない低分子量の保護剤のみからなる金属微粒子分散体が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＷＯ２００７／１２０７５６号公報
【特許文献２】特開２００８−２７０２４５号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１６／０８４３１２号公報
【特許文献４】特開２０１０−１７７０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
これまで低分子系保護剤のみを用いて極性溶媒に安定的に分散させた例は報告されていない。また、低分子系の保護剤のみを用いた金属微粒子分散体は、その保護剤が金属表面から解離しやすいがゆえに、保存安定性に優れず冷蔵又は冷凍での保管が必要であるという課題があった。この課題は、金属微粒子分散体をインクとして印刷に使用する場合に、室温での十分な分散安定性確保が必要不可欠であるという点において問題となる。
【００１１】
本発明では、極性又は低極性溶媒中に分散可能な低分子量の保護剤のみからなる金属微粒子分散体を提供することを課題とし、また、低温焼結においても良好な導電性を発現し、室温での長期にわたる分散安定性を有する金属微粒子分散体を提供することを課題としている。
【００１２】
具体的には、１２０℃程度の焼成温度で十分な導電性及びトランジスタ特性を発現する金属微粒子分散体又は該金属微粒子分散体含有インク、及び、２３℃での長期保存安定性・分散安定性を有する金属微粒子分散体又は該金属微粒子分散体含有インクを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
アミノ基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する第一級アミン化合物を保護剤として用いることにより、高分子量の分散剤を使用することなく、極性溶媒又は低極性溶媒に安定的に分散可能な金属微粒子分散体の発明を完成するに至った（特願２０１７−０４９８２０）。本発明は、このアミノ基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する第一級アミン化合物に加えてカルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸を保護剤として用いることにより、良好な導電性及びトランジスタ特性を保持したまま、極性溶媒又は低極性溶媒に対して室温下で飛躍的に優れた分散安定性を有する金属微粒子分散体の発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち本発明は、
（１）アミノ基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する第一級アミン化合物と、
カルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸と、
を含む金属微粒子を、極性溶媒に分散させた金属微粒子分散体。
【００１５】
（２）上記一塩基カルボン酸が、ヘテロ元素よりも末端側に水素以外の原子からなる置換基を有する一塩基カルボン酸である上記金属微粒子分散体。
【００１６】
（３）ヘテロ元素が少なくとも窒素、酸素、硫黄又は燐のいずれかから選択される、ヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸を含む金属微粒子分散体。
【００１７】
（４）金属微粒子が銀である金属微粒子分散体。
【００１８】
（５）アミノ基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する第一級アミン化合物と、
カルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸と、
を含む金属微粒子を、極性溶媒に分散させた金属微粒子分散体を含有するインク。
【００１９】
（７）表面エネルギー調整剤を含む上記インク。
【００２０】
（８）印刷助剤を含む上記インク。
【００２１】
（９）インクジェット又は凸版反転印刷に用いられる上記インク。
【００２２】
（１０）上記インクを用いて形成される導電膜又は導電パターン。
【００２３】
（１１）上記インクを用いて形成される半導体デバイス用電極。
【００２４】
（１２）上記半導体デバイス用電極を構成に含む電子デバイスを提供するものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、良好な導電性及びトランジスタ特性を保持したまま、極性溶媒又は低極性溶媒に対して室温下で飛躍的に優れた分散安定性を有する金属微粒子分散体を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施例１に基づいて作製した銀微粒子分散体の透過型電子顕微鏡像。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２８】
（金属微粒子粒子の合成）
本実施形態に係る金属微粒子の製造方法は、少なくとも第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素を有する第一級アミンを含有するアミン混合液と、金属化合物とを混合して錯化合物を生成させる工程（第一工程）と、錯化合物を加熱して分解させて金属微粒子を生成する工程（第二工程）と、金属微粒子を含む反応生成物から不要物を除去する精製工程（第三工程）と、精製工程後に得られた金属微粒子を再分散させる工程（第四工程）と、を備えている。本明細書において、「沸点」は、１気圧での沸点を意味する。
【００２９】
錯化合物を生成させる工程（第一工程）では、金属化合物を完全に錯化できるアミン化合物を用いることが好ましい。第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素を含有する炭素数３以上の第一級アミン化合物から一種以上選ばれる第一級アミノ基を含む化合物であれば、単体で用いても、二種以上の化合物を混合して用いても良い。反応性の観点から、体積当りのアミン濃度が高いアミン化合物が好ましく、炭素数が８以下のアミン化合物を含むことが好ましい。
【００３０】
錯化合物を加熱して分解させて金属微粒子を形成する工程（第二工程）では、金属コロイド粒子同士の衝突を防止することによって分散安定化する観点から、生成した金属微粒子表面を効果的に被覆できるアミン化合物を用いることが好ましい。第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素を含有する炭素数４以上の第一級アミン化合物から一種以上選ばれる第一級アミノ基を含む化合物であれば、単体で用いても、二種以上の化合物を混合して用いても良い。粒子間の接触による凝集体の形成を低減するため、炭素数が６以上の長鎖構造又は分岐構造を有するアミン化合物を含有することが好ましい。
【００３１】
錯化合物を生成させる工程（第一工程）と錯化合物を加熱して分解させて金属微粒子を形成する工程（第二工程）は連続して行うものであるため、第二工程を行う前に、第一工程で生成した錯化合物には、第二工程で有用なアミン化合物が共存している必要がある。第一工程において有用なアミン化合物だけで第一工程を開始した場合であっても、第二工程を開始する前に第二工程において有用なアミン化合物を添加することができる。
また、第一工程を開始する時に、第一工程において有用なアミン化合物と第二工程において有用なアミン化合物を併用することもできる。第一工程において有用なアミン化合物と第二工程において有用なアミン化合物として同一種の化合物を利用できる場合には、アミン化合物として一種のみ利用しても良い。
【００３２】
以下に第一工程と第二工程に利用できるアミン化合物を例示するが、これに限定されるものではない。尚、分子構造中に三価以上の共有結合が可能な元素を含有する場合には、分岐構造が存在しても良く、分岐部分の元素は炭素以外に例えば、窒素、リンなどのヘテロ元素であっても良い。
【００３３】
第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素として酸素を含有するアミン化合物として、第一級アミノ基の他にアルコキシ基を有する炭素数３以上のアルコキシアルキルアミン類を用いることができる。具体的には２−メトキシエチルアミン、２−エトキシエチルアミン、２−ｎ−プロポキシエチルアミン、２−イソプロポキシエチルアミン、２−ｎ−ブトキシエチルアミン、２−イソブトキシエチルアミン、２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルアミン、２−ｎ−ペンチルオキシエチルアミン、２−ｎ−ヘキシルオキシエチルアミン、２−ｎ−ヘプチルオキシエチルアミン、２−ｎ−オクチルオキシエチルアミン、２−（２−エチルヘキシルオキシ）エチルアミン、２−（２−ブチルヘキシルオキシ）エチルアミン、２−デシルオキシエチルアミン、２−ドデシルオキシエチルアミン、２−テトラデシルオキシエチルアミン、２−ステアリルオキシエチルアミン、２−オレイルオキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、３−エトキシプロピルアミン、３−ｎ−プロポキシプロピルアミン、３−イソプロポキシプロピルアミン、３−ｎ−ブトキシプロピルアミン、３−イソブトキシプロピルアミン、３−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピルアミン、３−ｎ−ペンチルオキシプロピルアミン、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピルアミン、３−ｎ−ヘプチルオキシプロピルアミン、３−ｎ−オクチルオキシプロピルアミン、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミン、３−（２−ブチルヘキシルオキシ）プロピルアミン、３−デシルオキシプロピルアミン、３−ドデシルオキシプロピルアミン、３−テトラデシルオキシプロピルアミン、３−ステアリルオキシプロピルアミン、３−オレイルオキシプロピルアミン、ビス（２−アミノエチル）エーテル、ビス（３−アミノプロピル）エーテル、１，２−ビス（３−アミノエトキシ）エタン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン等を例示することができる。
【００３４】
第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素として酸素を含有するアミン化合物として、第一級アミノ基の他にヒドロキシル基を有する炭素数４以上のアルカノールアミン等を用いることができる。具体的には、２−（アミノエチルアミノ）エタノール、２−（アミノエトキシ）エタノール、３−（２−ヒドロキシエチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（３−アミノプロピル）ジエタノールアミン等を例示することができる。
【００３５】
第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素として窒素を含有するアミン化合物として、第一級アミンの他に第二級又は第三級アミノ基等を有する炭素数４以上のジアミンを用いることができる。具体的には、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ−ｎ−プロピルチルエチレンジアミン、Ｎ−イソプロピルチルエチレンジアミン、Ｎ−ｎ−ブチルエチレンジアミン、Ｎ−イソブチルエチレンジアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルエチレンジアミン、Ｎ−メチル−１，３−プロパンジアミン、Ｎ−エチル−１，３−プロパンジアミン、３−ｎ−プロピルアミノプロピルアミン、３−イソプロピルアミノプロピルアミン、３−ｎ−ブチルアミノプロピルアミン、３−イソブチルアミノプロピルアミン、３−ｔｅｒｔ−ブチルアミノプロピルアミン、３−ドデシルアミノプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，３−プロパンジアミン、３−（ジ−ｎ−プロピルアミノ）プロピルアミン、３−（ジイソプロピルアミノ）プロピルアミン、３−（１，３−プジ−ｎ−ブチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジイソブチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシプロピルアミン、Ｎ−（３−アミノプロピル）モルホリン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、Ｎ−（２−アミノエチル）−４−ピペコリン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ピペコリン、Ｎ−（２−アミノエチル）−２−ピペコリン、Ｎ−（３−アミノプロピル）−４−ピペコリン、Ｎ−（３−アミノプロピル）−３−ピペコリン、Ｎ−（３−アミノプロピル）−２−ピペコリン、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，４−ジアミノブタン、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，５−ジアミノペンタン、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，６−ジアミノヘキサン等を例示することができる。
【００３６】
第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素として窒素を含有するアミン化合物として、第一級アミンの他に第二級又は第三級アミノ基等を有する炭素数４以上のポリアミンを用いることもできる。具体的にはイミノビスエチルアミン、メチルイミノビスエチルアミン、イミノビスプロピルジアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、１−(３−アミノエチル)ピペラジン、１−(３−アミノプロピル)ピペラジン、１,４−ビス(３−アミノエチル)ピペラジン、１,４−ビス(３−アミノプロピル)ピペラジン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等を例示することができる。
【００３７】
第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素として硫黄を含有するアミン化合物として、第一級アミノ基の他にアルキルチオ基を有する炭素数３以上のアルキルチオアルキルアミン類を用いることができる。具体的には２−メチルチオエチルアミン、２−エチルチオエチルアミン、２−ｎ−プロピルチオエチルアミン、２−イソプロピルチオエチルアミン、２−ｎ−ブチルチオエチルアミン、２−イソブチルチオエチルアミン、２−ｔｅｒｔ−ブチルチオエチルアミン、２−ｎ−ペンチルチオエチルアミン、２−ｎ−ヘキシルチオエチルアミン、２−ｎ−ヘプチルチオエチルアミン、２−ｎ−オクチルチオエチルアミン、２−（２−エチルヘキシルチオ）エチルアミン、２−（２−ブチルヘキシルチオ）エチルアミン、２−デシルチオエチルアミン、２−ドデシルチオエチルアミン、２−テトラデシルチオエチルアミン、２−ステアリルチオエチルアミン、２−オレイルチオエチルアミン、３−メチルチオプロピルアミン、３−エチルチオプロピルアミン、３−ｎ−プロピルチオアミン、３−イソプロピルチオプロピルアミン、３−ｎ−ブチルチオプロピルアミン、３−イソブチルチオプロピルアミン、３−ｔｅｒｔ−ブチルチオプロピルアミン、３−ｎ−ペンチルチオプロピルアミン、３−ｎ−ヘキシルチオプロピルアミン、３−ｎ−ヘプチルチオプロピルアミン、３−ｎ−オクチルチオプロピルアミン、３−（２−エチルヘキシルチオ）プロピルアミン、３−（２−ブチルヘキシルチオ）プロピルアミン、３−デシルチオプロピルアミン、３−ドデシルチオプロピルアミン、３−テトラデシルチオプロピルアミン、３−ステアリルチオアミン、３−オレイルチオプロピルアミン等を例示することができる。
【００３８】
この他に、本発明の効果を損なわない範囲であれば、アミン類として第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素を含まないアミン化合物を併用することができる。例えば、第一級アミンとしては、アルキルアミンを用いることができ、具体的には、１−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、１−ノニルアミン、１−デシルアミン、イソデシルアミン、１−ウンデシルアミン、１−ドデシルアミン、１−トリデシルアミン、１−テトラデシルアミン、１−ペンタデシルアミン、１−ヘキサデシルアミン、１−ヘプタデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン等を例示することができる。
【００３９】
この他に、本発明の効果を損なわない範囲であれば、アミン類として第二級アミン化合物も併用することができる。例えば、ジアルキルアミンを用いることができ、具体的には、ジ−ｎ−エチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−１−オクチルアミン、ビス（２−エチルヘキシル）アミン、ジ−１−ノニルアミン、ジ−１−デシルアミン、ジイソデシルアミン、ジ−１−ウンデシルアミン、ジ−１−ドデシルアミン、ジオレイルアミン等を例示することができる。
【００４０】
この他に、本発明の効果を損なわない範囲であれば、アミン類として第三級アミン化合物も併用することができる。例えば、トリアルキルアミンを用いることができ、具体的には、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ヘプタコサフルオロトリブチルアミン、トリ−ｎ−アミルアミン、パーフルオロトリアミルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリス（２−エチルヘキシル）アミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリイソデシルアミン、トリ−ｎ−ウンデシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン、トリオレイルアミン、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール、キヌクリジン、ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチルプロパンジアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、ペンタメチルジプロパントリアミン、ヘキサメチルトリエチレンテトラミン等を例示することができる。。
【００４１】
この他に、本発明の効果を損なわない範囲であれば、第三級アミン化合物としてヒドロキシル基を有する炭素数４以上のアルカノールアミン類を用いることができる。具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ジイソブチルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノイソプロパノール、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノイソプロパノール、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノイソプロパノール、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノイソプロパノール、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノイソプロパノール、Ｎ，Ｎ−ジイソブチルアミノイソプロパノール、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノイソプロパノール、２−（２−ジメチルアミノエトキシ）エタノール、２−（２−ジエチルアミノエトキシ）エタノール、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−ｎ−プロピルジエタノールアミン、Ｎ−イソプロピルジエタノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ−イソブチルジエタノールアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ−ｎ−ヘキシルジエタノールアミン、Ｎ−ｎ−オクチルジエタノールアミン、Ｎ−（２−エチルヘキシル）ジエタノールアミン、Ｎ−ｎ−デシルジエタノールアミン、Ｎ−イソデシルジエタノールアミン、Ｎ−ドデシルジエタノールアミン、Ｎ−テトラデシルジエタノールアミン、Ｎ−ヘキサデシルジエタノールアミン、Ｎ−ステアリルジエタノールアミン、Ｎ−オレイルジエタノールアミン、２，２‘−［［（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル］イミノ］ビスエタノール、ジイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ｎ−プロピルジイソプロパノールアミン、Ｎ−イソプロピルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−イソブチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ｎ−ヘキシルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ｎ−オクチルジイソプロパノールアミン、Ｎ−（２−エチルヘキシル）ジイソプロパノールアミン、Ｎ−ｎ−デシルジイソプロパノールアミン、Ｎ−イソデシルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ドデシルジイソプロパノールアミン、Ｎ−テトラデシルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ヘキサデシルジイソプロパノールアミン、Ｎ−ステアリルジイソプロパノールアミン、Ｎ−オレイルジイソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、３−（ジメチルアミノ）−１，２−プロパンジオール、３−（ジエチルアミノ）−１，２−プロパンジオール等を例示することができる。
【００４２】
この他に、本発明の効果を損なわない範囲であれば、アミジン類も併用することができる。例えば、１、５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等を例示することができる。
【００４３】
この他に、本発明の効果を損なわない範囲であれば、チオール類を添加することもできる。チオールとしては、オクタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、パーフルオロオクタンチオール、パーフルオロデカンチオール、パーフルオロドデカンチオール、ベンゼンチオール、３−メチルベンゼンチオール、４−メチルベンゼンチオール、３−フルオロベンゼンチオール、４−フルオロベンゼンチオール、３−クロロベンゼンチオール、４−クロロベンゼンチオール、ペンタクロロベンゼンチオール、３−ブロモベンゼンチオール、４−ブロモベンゼンチオール、３−メトキシベンゼンチオール、４−メトキシベンゼンチオール、３−メチルチオベンゼンチオール、４−メチルチオベンゼンチオール、３−トリフルオロメトキシベンゼンチオール、４−トリフルオロメトキシベンゼンチオール、３−トリフルオロメチルチオベンゼンチオール、４−トリフルオロメチルチオベンゼンチオール、ペンタフルオロベンゼンチオール、３−トリフルオロメチルベンゼンチオール、４−トリフルオロメチルベンゼンチオール、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンチオール、３−ニトロベンゼンチオール、４−ニトロベンゼンチオール、フルオレンチオール、３−シアノベンゼンチオール、４−シアノベンゼンチオール、ビフェニルチオール、２−メルカプト−５−ニトロベンズイミダゾール、５−クロロ−２−メルカプトベンゾイミダゾール等を例示することができる。
【００４４】
この他に、本発明の効果を損なわない範囲であれば、ホスフィン類を添加することもできる。トリ−１−ブチルホスフィン、トリ−１−オクチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン等を例示することができる。
【００４５】
本発明の金属微粒子の金属種としては、その金属が１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、アミジノ基から選択される窒素含有官能基と化学的に結合できるものであれば制限されず、例えば、金、銀、銅、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、白金、パラジウム、スズ、クロム、鉛、タングステン等を用いることができる。また、金属種は、一種類であっても、二種類以上の混合物、または合金であっても良い。
【００４６】
また、アミン化合物と反応して錯化合物を形成可能な金属化合物としては、例えば、カルボン酸塩、塩化物、酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。これらの中でも、特に、シュウ酸塩、蟻酸塩が好ましい。シュウ酸塩、蟻酸塩は、カルボン酸イオンが加熱により分解し、銀イオンを還元すると同時に二酸化炭素として揮発するため、不純物が残留しにくいためである。
【００４７】
（第一工程）
錯化合物を生成させる第一工程においては、アミン化合物と銀化合物とを混合することにより、両者間の錯化合物が生成する。アミン混合液に含まれるアミンの総量は、金属化合物中の金属の化学量論量以上であることが好ましい。錯化合物とならない金属化合物が残留すると、金属ナノ粒子の均一かつ安定的な分散が阻害される可能性があるためである。
【００４８】
アミン混合液と金属化合物との錯化合物の形成反応は、用いるアミン化合物と金属化合物によって反応性が変化するため調整が必要であるが、アミン混合液と金属化合物とを含む混合液を３０℃から５０℃程度で５分から３時間程度撹拌することにより行うことができる。反応温度を高めることによって反応時間を短縮することができるが、第二工程の熱分解開始温度と十分な温度差を設けることによって、予期しない分解反応を避ける観点から反応温度は５０℃以下が好ましい。反応系、特にアミン化合物の化学変化や引火を避けるために、二酸化炭素や水分の混入を避けることが好ましく、窒素、アルゴンなどの不活性ガス、又は、乾燥空気雰囲気下で反応させることができる。
【００４９】
（第二工程）
次の工程（第二工程）においては、先の工程で生成した錯化合物を加熱して分解させることにより金属微粒子を形成する。加熱により錯化合物を分解させる際の温度は、用いるアミン化合物と金属化合物によって変動するため調整が必要であるが、金属化合物を分解して金属を生成させ、また、生成する金属微粒子からのアミン化合物の脱離を防ぐ観点から、７０℃から１５０℃の範囲で５分から２時間程度反応させることが好ましい。特に、低温で電極を形成するために、低沸点のアミン化合物を用いる場合には、本工程における反応温度がアミン化合物の沸点を超えないようにすることが、熱分解反応の進行に伴う発熱による突沸を避ける観点から好ましい。また、気化したアミン化合物の引火を防止するため、低酸素濃度条件で反応させることが好ましい。
【００５０】
第二工程では、シュウ酸金属塩アミン錯体の熱分解に起因する発熱が生じるため、反応スケールを拡大した時に反応熱を制御できない可能性が考えられる。したがって、金属のモル量ｍ１に対するアミンのモル量ｍ２の比率（ｍ２／ｍ１）を、例えば、５〜２０の範囲になるようにアミン溶液を過剰に加えることにより、シュウ酸塩の熱分解時に発生する反応熱をアミン溶液に吸収させることができ、突沸を防止することができる。
【００５１】
錯化合物の加熱分解後の反応液は、例えば、金属種が銀の場合には褐色懸濁液となる。この懸濁液から、デカンテーション等の分離操作により、目的とする金属微粒子を得ることができる。
【００５２】
（第三工程）
金属微粒子を含む反応生成物から不要物を除去する精製工程として、第二工程で得られる金属微粒子をデカンテーションにより洗浄する。デカンテーションを行う際は、目的の金属微粒子が十分な分散性を示さないヘキサンやアルコール等の有機溶媒を用いることが好ましい。上述した本実施形態に係る製造方法によれば、洗浄後においても１００ｎｍ以下の平均粒径を有する金属微粒子を得ることができる。また、第三工程においては、金属微粒子を含む反応生成物から不要物を除去すればよく、デカンテーション以外の方法を採用することもできる。
【００５３】
（第四工程）
第三工程によるデカンテーションによって得られた金属微粒子は、表面が保護剤に被覆された金属微粒子である。得られた金属微粒子は、その保護剤の化学的性質を反映し、特定範囲内の相互作用を与える溶剤中に良好に分散すると考えられる。第一級アミノ基の窒素以外にヘテロ元素を含有するアミン化合物を選択して使用することにより、アミン化合物に被覆された微粒子表面の極性を高めることができ、極性溶媒中に均一かつ安定的に分散させることが可能な金属微粒子が得られる。
【００５４】
本発明における金属微粒子を再分散させる工程（第四工程）において使用される極性溶媒とは、極性官能基として、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、エーテル基、カルボニル基、アミド基、ニトリル基、又はエステル基を少なくとも１以上有し、溶解度パラメーター（ＳＰ値）が２０［ＭＰａ１／２］以上の溶剤を指す。なお、ここで用いる極性溶媒は、単独で使用しても良いが、混合して用いることもできる。混合物としてのＳＰ値が２０［ＭＰａ１／２］以上であれば、ＳＰ値が２０［ＭＰａ１／２］未満の低極性溶媒などを併用することもできる。なお、選定基準としてＳＰ値に限定されるものではなく、溶剤の極性を適切な基準で評価可能であれば、別のパラメーターを利用しても良い。
【００５５】
溶解性パラメーターとはＨｉｌｄｅｂｒａｎｄらにより提唱された物質の相互溶解性に関わるパラメーターで、式（１）に示す通り、平均モル体積当りの単一成分の気化に要するエネルギーを測定することによって求められる。
δ  ＝  （Ｅ／Ｖｍ）１／２ =  (ΔＨｅｖａｐ  −  ＲＴ)／Ｖｍ）１／２          式（１）  
ここで、δ：溶解性パラメーター［ＭＰａ１／２］
Ｅ；気化熱
Ｔ；温度
Ｒ；気体定数
Ｖｍ；モル体積
ΔＨ；気化エンタルピー
ΔＥ；気化エネルギー
【００５６】
極性溶媒として溶解性パラメーター（ＳＰ値）が２０［ＭＰａ１／２］以上の有機溶剤を選定し、第三工程で得られた金属微粒子を加え、攪拌することにより本発明の金属微粒子分散体を得ることができる。ＳＰ値が２０［ＭＰａ１／２］以上である有機溶剤は、例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  第４版,  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆Ｓｏｎｓ,  Ｉｎｃ．に記載されており、その値を基に選ぶことができる。
【００５７】
ＳＰ値が２０［ＭＰａ１／２］以上である有機溶剤として以下の水酸基含有溶媒を挙げることができる。（）内の値はその溶剤のＳＰ値である。メタノール（２９．７）、エタノール（２６．０）、１−プロパノール（２４．３）、イソプロパノール（２３．５）、１−ブタノール（２３．３）、イソブタノール（２１．５）、ｓｅｃ−ブタノール（２２．１）、ｔｅｒｔ−ブタノール（２１．７）、アミルアルコール（２２．３）、ｔｅｒｔ−アミルアルコール（２２．３）、１−ヘキサノール（２１．９）、シクロヘキサノール（２３．３）、ベンジルアルコール（２４．８）、２−エチル−１−ブタノール（２１．５）、１−ヘプタノール（２１．７）、１−オクタノール（２１．１）、４−メチル−２−ペンタノール（２０．５）、ネオペンチルグリコール（２２．５）、プロピオニトリル（２２．１）、エチレングリコール（２９．９）、プロピレングリコール（２５．８）、１，３−ブタンジオール（２３．７）、１，４−ブタンジオール（２４．８）、２，３−ブタンジオール（２２．７）、イソブチレングリコール（２２．９）、２，２−ジメチル−１，３−ブタンジオール（２０．５）、２−メチル−１，３−ペンタンジオール（２１．１）、２−メチル−２，４−ペンタンジオール（１９．８）、ジエチレングリコール（２４．８）、トリエチレングリコール（２１．９）、テトラエチレングリコール（２０．３）、１，５−ペンタンジオール（２３．５）、２，４−ペンタンジオール（２２．１）、ジプロピレングリコール（２０．７）、２，５−ヘキサンジオール（２１．２）、グリセリン（３３．８）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２０．９）、エチレングリコールモノベンジルエーテル（２２．３）、エチレングリコールモノエチルエーテル（２１．５）、エチレングリコールモノメチルエーテル（２３．３）、エチレングリコールモノフェニルエーテル（２３．５）、プロピレングリコールジメチルエーテル（２０．７）などを挙げることができる。
【００５８】
ＳＰ値が２０［ＭＰａ１／２］以上である有機溶剤として、その他、アセトン（２０．３）、シクロペンタノン（２１．３）、シクロヘキサノン（２０．３）、アセトフェノン（２１．７）、アクリロニトリル（２４．３）、プロピオニトリル（２２．１）、ｎ−ブチロニトリル（２１．５）、イソブチロニトリル（２０．１）、γ−ブチロラクトン（２５．８）、ε−カプロラクトン（２０．７）、プロピオラクトン（２７．２）、炭酸−２，３−ブチレン（２４．８）、炭酸エチレン（３０．１）、炭酸１，２−エチレン（２７．２）、炭酸ジメチル（２０．３）、炭酸エチレン（３０．１）、マロン酸ジメチル（２２．５）、乳酸エチル（２０．５）、安息香酸メチル（２１．５）、サリチル酸メチル（２１．７）、二酢酸エチレングリコール（２０．５）、ε−カプロラクタム（２６．０）、ジメチルスルホキシド（２９．７）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２４．８）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（２２．１）、Ｎ−メチルホルムアミド（３２．９）、Ｎ−メチルアセトアミド（２９．９）、Ｎ−エチルアセトアミド（２５．２）、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド（２１．７）、ホルムアミド（３９．３）、ピロリジン（３０．１）、１−メチル−２−ピロリジノン（２３．１）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（２１．５）、ナフタレン（２０．３）も例示することができる。
【００５９】
併用できる溶剤の例としては具体例としては、水、イソアミルアルコール、３−メトキシ−１−ブタノール、２−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、２−エチルヘキサノール、１−オクタノール、イソオクチルアルコール、２−ブチル−１−オクタノール、１−ノナノール、１−デカノール、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアルコール、ステアリルアルコール、オレイルアルコール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール、フルフリルアルコール、ターピネオール、フェノール、２−フェノキシエタノール、１−フェノキシ−２−プロパノールなどのアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−ブタンジオール、１,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、モノオレイン、２,３−ブタンジオール、オクタンジオール、トリエチレングリコールなどのジオール類、グリセリンなどのポリオール類、ペンタン、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、オクタデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、トルエン、キシレンなどの脂肪族炭化水素、リモネン、シメン、テルピネン、α−フェランドレンなどの不飽和炭化水素、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアセテート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルアセテート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、γ−ブチロラクトン、乳酸エチルなどのエステル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類などが挙げられる。前記分散溶媒は、単独または二種以上を用いても良い。
【００６０】
本発明の金属微粒子分散体には、さらに分散安定性を付与するために、上記極性溶媒に加えて、カルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸を添加できる。中でもカルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸としてヒドロキシ脂肪酸を好適に用いることができる。非極性溶媒への分散性が向上し金属濃度２０％以上であっても、室温下で粒子径を維持したまま極性溶媒に極めて安定して分散させることが可能となる。添加量について、特に制限はないが、導電性確保の観点から金属微粒子に対して２０質量％以下とすることが望ましい。
【００６１】
添加するカルボン酸は、カルボキシル基および少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸であれば特に限定されるものではないが、例えば、リシノール酸、Ｎ−オレイルサルコシン、２−（２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ）酢酸、Ｎ−カルボベンゾキシ−４−アミノ酪酸、ｐ−クマル酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、１２−ヒドロキシステアリン酸、２−ヒドロキシカプリン酸、１０−ヒドロキシラウリン酸、２−ヒドロキシミリスチン酸、２−ヒドロキシパルミチン酸、２−ヒドロキシイコサン酸、２−ヒドロキシドコサン酸、２−ヒドロキシトリコサン酸、２−ヒドロキシテトラコサン酸、３−ヒドロキシカプロン酸、３−ヒドロキシオクタン酸、３−ヒドロキシペラルゴン酸、３−ヒドロキシノナン酸、３−ヒドロキシデカン酸、３−ヒドロキシウンデカン酸、３−ヒドロキシドデカン酸、３−ヒドロキシトリデカン酸、３−ヒドロキシテトラデカン酸、３−ヒドロキシテトラデカン酸、３−ヒドロキシヘキサデカン酸、３−ヒドロキシヘプタデカン酸、３−ヒドロキシオクタデカン酸、１０−ヒドロキシ−２−（Ｅ）−デセン酸、１５−ヒドロキシペンタデカン酸、１７−ヒドロキシヘプタデカン酸、１５−ヒドロキシペンタデカン酸、１７−ヒドロキシヘプタデカン酸、１５−ヒドロキシペンタデカン酸、コール酸、デオキシコール酸、デヒドロコール酸、ケノオキシコール酸、１２−オキソケノデオキシコール酸、グリココール酸、コラン酸、リトコール酸、ヒオデオキシコール酸、ウルソデオキシコール酸、アポコール酸、タウロコール酸、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、グリチルリチン酸、グリシルリジン酸、ラウロイルサルコシン、ステアロイルサルコシン、オレオイルサルコシン酸、６−アミノヘキサン酸、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−６−アミノヘキサン酸、２−（２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ）酢酸、２−ベンゾイル安息香酸等を例示することができる。これら、少なくとも一種のヘテロ元素を有する一塩基カルボン酸は、２種以上を併用して用いることもできる。また、これらの二量体及び三量体から六量体までの多量体を用いても良い。
【００６２】
金属微粒子の平均粒径は、例えば、以下の方法で算出できる。まず、銀ナノ粒子を電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察する。得られた像における特定の金属微粒子の面積Ｓの平方根を当該銀ナノ粒子の粒径ａと定義する（ａ＝Ｓ１／２）。任意の５０個の銀ナノ粒子の粒径ａを算出する。算出された粒径ａの平均値を銀ナノ粒子の１次粒子の平均粒径と定義する。又は、動的光散乱法、極小角Ｘ線散乱によっても金属微粒子の平均粒径を求めることができる。
【００６３】
（金属微粒子インク）
本発明の金属微粒子分散体は、インク化することによりパッド印刷、スクリーン印刷、スクリーンオフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷、凸版印刷、平版オフセット印刷、水無平版オフセット印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、凸版反転印刷、レーザー印刷、ゼログラフィー印刷、パッド印刷、およびこれらの組合せからなる群から選択される印刷方法を用いて画像を形成することができる。
【００６４】
本発明の金属微粒子分散体をインク化する場合、２０℃で５０ｍＰａ・ｓ以下の低粘度の溶媒をさらに添加することができる。このような溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、１-プロパノール、イソプロパノール、１-ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、イソアミルアルコール、３−メトキシ−１−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、２−エチルヘキサノール、１−オクタノール、イソオクチルアルコール、２−ブチル−１−オクタノール、１−ノナノール、１−デカノール、オレイルアルコール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール、フルフリルアルコール、ターピネオール、２−フェノキシエタノール、１−フェノキシ−２−プロパノールなどのアルコール類、ペンタン、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、オクタデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、トルエン、キシレンなどの脂肪族炭化水素、リモネン、シメン、テルピネン、α−フェランドレンなどの不飽和炭化水素、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、エチレングリコールモノメチルアセテート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアセテート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルアセテート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、γ−ブチロラクトン、乳酸エチルなどのエステル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類などが挙げられる。前記分散溶媒は、単独または二種以上を用いても良く、二種以上を併用する場合は、混合液として粘度が２０℃で５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００６５】
金属微粒子インクには、前記溶媒（分散媒）の他、必要に応じて、樹脂等のバインダー成分、消泡剤、基材への密着付与剤、酸化防止剤、皮膜形成促進のための各種触媒、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤の様な各種界面活性剤、レベリング剤、離型促進剤等を印刷助剤として添加できる。
【００６６】
本発明の金属微粒子インクは、分散安定性に優れているため、薄膜電極のような画像の形成にも好適に用いることができる。さらに、低温での焼成が可能であることから、樹脂基板、紙基板等の耐熱性の低い基板の上に本実施形態の金属微粒子インクを塗布又は印刷して配線を形成することもできる。
【００６７】
（凸版反転印刷による画像形成）
本発明の金属微粒子インクを用いて半導体デバイス用電極を作製する場合には、より狭い線幅かつ平滑な薄膜形成が可能である、凸版反転印刷を好適に用いることができる。
また、凸版反転印刷法では、薄膜トランジスタの積層断面における、採用した電極幅が厚み方向で相違することがなく、転写異常のない、デバイス用電極が得られる。このようなソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタは、駆動した際に、移動度や閾値電圧のバラツキがより少ない薄膜トランジスタとなる。
【００６８】
具体的には、電極厚みが同一であり、そのいずれもが５０ｎｍ以上、好ましくは１００〜２００ｎｍといった極めて均一な導電体からなり、凹型、凸型といった異常のない、適正な電極形状の電極が容易に得られる。その結果、このような電極は薄膜トランジスタをはじめとするトランジスタアレイや集積回路等を得るのに最適である。また、薄膜トランジスタ用電極においては安定したチャネル形状が得られるため、駆動した際に、移動度や閾値電圧のバラツキがより少ない薄膜トランジスタとなる。この様な優れた特徴は、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法の様な、従来の印刷方法では到底達し得ない、上記した転写印刷の特徴である。
【００６９】
凸版反転印刷法は、画像の反転パターンに対応する凸部が形成された凸版と、離形性を有する被転写部材（ブランケット）とが用いられる。金属微粒子インクを該被転写部材の表面全面に塗布する工程と、当該凸版を当該被転写部材上の塗布された面に押圧して、画像の反転パターンに対応する部分を凸版上に転移・除去する工程と、凸版で押圧された反転パターンが除去されることにより、画像パターンに対応する画像部が形成された被転写部材を用いて、基板等の支持体上に画像を転写印刷する工程と、を備えた印刷方法である。
【００７０】
凸版反転印刷は、凸版により被転写部材上に形成された画像が被印刷基材上に転写印刷されるまでの間、高沸点溶剤がインキ塗膜中に残留することにより、インキの粘度が過度に上昇することを防ぎ、転写に必要な適度な粘着性および凝集力を保持でき、印刷が可能となる。
【００７１】
凸版反転印刷に使用する金属微粒子インクに添加する高沸点溶剤溶剤としては、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤のいずれか１つ以上が用いられ、この遅乾性溶剤は全インキ組成物中、５〜９０質量％、好ましくは３０〜７０質量％、さらに好ましくは４０〜６０質量％含有されることが好ましい。また、その配合量は、凸版反転印刷法の印刷速度や印刷順序によって、５〜９０質量％の範囲で調整される。充分な量の高沸点溶剤が用いられない場合、ブランケット上のインク塗膜が乾燥し過ぎるため、凸版へインク塗膜が転移せず、ブランケット上に良好な画像が形成されないなどの不具合が生じる。また、過剰になるとブランケット上のインク塗膜が乾燥せず凸版に転移しないため好ましくない。
【００７２】
上記インクに使用する高沸点溶剤は、金属微粒子の分散安定性を考慮して選択され、次に挙げるものを用いることができるが、これに限られるものではない。例えば、ｎ−ノナン（沸点１５０℃）、ｎ−デカン（沸点１７４℃）、ｎ−ウンデカン（沸点１９５℃）、ｎ−ドデカン（沸点２１６℃）、ｎ−トリデカン（沸点２３５℃）、ｎ−テトラデカン（沸点２５３℃）、ｎ−ヘキサノール（沸点１５７℃）、ｎ−ヘプタノール（沸点１７７℃）、ｎ−オクタノール（沸点１９４℃）、ｎ−ノナノール（沸点２１４℃）、ｎ−デカノール（沸点２３３℃）、ｎ−ウンデカノール（沸点２４３℃）、トリデカノール（沸点２４５℃）、ペンタデカノール（沸点２７０℃）、エステル系溶剤として、酢酸ブチル（沸点１２６℃）、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）、乳酸エチル（沸点１５５℃）、３−メトキシ−３−メチル−１−ブチルアセテート（沸点１８８℃）、プロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＧＭＡｃ）（沸点１４６℃）、プロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（沸点１６０℃）、エトキシエチルプロピオネート（ＥＥＰ）（沸点１７０℃）等が挙げられ、これらを混合して用いてもよい。
【００７３】
（金属微粒子の焼結方法）
本発明の金属微粒子は低温焼結性に優れており、１２０℃以下の温度で焼結させることによって優れた導電性を発現することができる。したがって、本発明の金属微粒子は樹脂フィルムなどの耐熱性の低い材料にも利用が可能である。
【００７４】
ここで、金属微粒子を焼結させる焼成方法としては、熱による焼結に制限されるものではなく、金属微粒子の融着が生じればよい。例えば、可視光、赤外光又はレーザー光の照射、水素ガスをはじめとするプラズマ処理を用いても金属微粒子を焼結することができる。例えば、金属微粒子の焼結に可視光を用いる場合、フラッシュランプを用いた光照射により行うことができる。
【００７５】
本実施形態の金属微粒子を使用すれば、十分に低い抵抗率（金属に銀を用いた場合には、１２０℃の焼成により６×１０Ｅ−６Ω・ｃｍ以下）をもった、配線、電極等の導電構造を形成できる。したがって、本実施形態の金属微粒子は、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを含む集積回路、タッチパネル、ＲＦＩＤ、フレキシブルディスプレイ、有機ＥＬ、回路基板、センサーデバイス等の様々な電子部品の製造に好適に用いることができる。
【００７６】
（薄膜有機トランジスタ）
本発明において薄膜トランジスタとは、少なくともゲート電極と、絶縁体層と、ソース電極及びドレイン電極と、半導体層とを基板上に積層したトランジスタである。薄膜トランジスタは、通常、支持体となる基板を含めない厚さが０．１〜３μｍである。
【００７７】
薄膜トランジスタは、導電体からなるソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、絶縁体層とを、トランジスタの機能が発現する様に、基板上に、任意の順序で積層することで容易に製造することができる。
【００７８】
本発明の薄膜トランジスタは、横型および縦型のトランジスタ構造をとることができる。横型トランジスタとして例えば、ゲート電極のトランジスタ構成要素との位置関係により定義されるボトムゲート型（ＢＧ）又はトップゲート型（ＴＧ）のトランジスタが適用できる。またＢＧ型やＴＧ型それぞれにソース・ドレイン電極と有機半導体層の位置関係より、ボトムコンタクト型、トップコンタクト型、ボトムトップコンタクト型等のトランジスタ構造をとることができる。
【００７９】
（薄膜有機トランジスタ用電極）
本発明の薄膜トランジスタは、少なくとも一つの電極が本発明の金属微粒子を用いて形成されることを特徴とする。また、当該薄膜有機トランジスタ用電極には、本発明の金属微粒子と他の導電性材料（例えば、金、銀、銅、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、鉄、白金、パラジウム、スズ、クロム、鉛、等の金属粒子や、銀／パラジウム等のこれら金属の合金；酸化銀、有機銀、有機金等の比較的低温で熱分化して導電性金属を与える熱分解性金属化合物；酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジュウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物粒子等）とを混合して用いることもできる。
【００８０】
本発明の薄膜有機トランジスタ用電極は、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、スクリーンオフセット印刷法、スピンコート法、バーコート法、パッド印刷法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、平版オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版オフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法等およびこれらの組合せからなる群から選択される印刷方法を用いて画像形成することができる。中でも、より高精細かつ平滑な薄膜で電極画像部が形成できることから、凸版反転印刷法を用いることが好ましい。
【００８１】
凸版反転印刷法では、薄膜トランジスタの積層断面における電極幅が、厚み方向で相違することがなく、転写異常のない、電極が得られる。このような電極を有する薄膜トランジスタは、駆動した際に、移動度や閾値電圧のバラツキがより少ない薄膜トランジスタとなる。
【００８２】
凸版反転印刷法によりトランジスタ用電極を形成する方法は、蒸着等の乾式により当該電極を得る方法に比べて、高価な真空装置が必要なく、設備投資も含めた生産コストの劇的な低減が可能となる。また、プロセスの低温化が可能であり、また基板として樹脂フィルムを用いることができることから、フレキシブル性および低コストの実現の上で好ましい。
【００８３】
本発明の薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極は必要に応じて表面処理をすることで、半導体層への電荷注入効率を向上させることができる。薄膜有機トランジスタ用電極の表面処理材料は半導体のエネルギー準位と合わせて任意に選択することができるが、例えば、オクタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、パーフルオロオクタンチオール、パーフルオロデカンチオール、パーフルオロドデカンチオール、ベンゼンチオール、３−メチルベンゼンチオール、４−メチルベンゼンチオール、３−フルオロベンゼンチオール、４−フルオロベンゼンチオール、３−クロロベンゼンチオール、４−クロロベンゼンチオール、ペンタクロロベンゼンチオール、３−ブロモベンゼンチオール、４−ブロモベンゼンチオール、３−メトキシベンゼンチオール、４−メトキシベンゼンチオール、３−メチルチオベンゼンチオール、４−メチルチオベンゼンチオール、、３−トリフルオロメトキシベンゼンチオール、４−トリフルオロメトキシベンゼンチオール、３−トリフルオロメチルチオベンゼンチオール、４−トリフルオロメチルチオベンゼンチオール、ペンタフルオロベンゼンチオール、３−トリフルオロメチルベンゼンチオール、４−トリフルオロメチルベンゼンチオール、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンチオール、３−ニトロベンゼンチオール、４−ニトロベンゼンチオール、フルオレンチオール、３−シアノベンゼンチオール、４−シアノベンゼンチオール、ビフェニルチオール、２−メルカプト−５−ニトロベンズイミダゾール、５−クロロ−２−メルカプトベンゾイミダゾール等のチオール化合物；ジフェニルジスルフィド等のジスルフィド化合物；ジフェニルスルフィド等のスルフィド化合物；長鎖フルオロアルキルシラン等のシランカップリング剤；モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物などを使用することができる。中でも電極表面と化学的に結合可能な官能基を有するものが好ましい。
【００８４】
薄膜有機トランジスタ用電極の表面処理方法としては、公知慣用の、乾式、湿式のいずれのプロセスでも形成させることができる。湿式法の具体例としては、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、ディスペンサー法、インクジェット法等が挙げられる。
【００８５】
薄膜有機トランジスタ用電極の表面処理量は、表面処理前後の電極の仕事関数を、大気中光電子分光装置を用いて測定することで求めることができる。
【００８６】
（薄膜有機トランジスタ用基材）
本発明の薄膜トランジスタに適用できる基板に制限は無く、例えば、シリコン、絶縁層となるよう表面を酸化シリコン化した熱酸化膜シリコン、ガラス、絶縁層を形成したステンレス等の金属薄板；ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリパラキシリレン、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、セルロース等のプラスチックフィルム；これらプラスチックフィルムにガスバリヤー層、ハードコート層等を付与した複合フィルム等が使用できる。なかでも、トランジスタのフレキシブル化の観点から、基板としては樹脂フィルムを好適に使用できる。
【００８７】
（薄膜有機トランジスタ用絶縁層）
本発明の薄膜トランジスタの絶縁体層に用いられる絶縁体材料としては、絶縁性を有する材料を含んでいれば制限はなく、公知公用の材料を用いることができる。例えば、ポリパラキシリレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、ポリシアネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリテルペン樹脂、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の有機膜を形成する樹脂や、加水分解および必要に応じて加熱処理により無機皮膜を形成する、シラン化合物、シラザン化合物、マグネシウムアルコキシド化合物、アルミニウムアルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、イオン性液体、イオン性ゲルが使用できる。又、これら単体又は２種類以上を併用してもよく、必要に応じてジルコニア、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル等の酸化物、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３等の強誘電性酸化物、窒化珪素、窒化アルミニウム等の窒化物、硫化物、フッ化物等の誘電体微粒子を分散させることができる。
【００８８】
この絶縁体層、およびゲート電極層は、公知慣用の、乾式、湿式のいずれのプロセスでも形成させることができる。
【００８９】
絶縁体層表面は、トランジスタ特性の向上のために、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、オクチルトリクロロシラン（ＯＴＳ−８）、オクタデシルトリクロロシラン、（ＯＴＳ−１８）、ドデシルトリクロロシラン（ＤＴＳ）、フッ素置換オクタトリクロロシラン（ＰＦＯＴＳ）、β−フェネチルトリクロロシラン等の各種シランカップリング剤でＳＡＭ（自己組織膜）処理を行うことができる。
【００９０】
また、上記ＳＡＭ処理を行った絶縁体層と半導体層との界面の親和性が不充分である場合には、それを良好にし、かつトランジスタ特性を向上させるために、必要であれば、フッ素系界面活性剤等を用いることができる。
【００９１】
本発明の薄膜トランジスタの絶縁層、ゲート電極の厚みは、特に制限されるものではないが、絶縁層の厚みはＯＮ／ＯＦＦ値のバラツキを抑えられる点で５〜１０００ｎｍが好ましい。ゲート電極の厚みは、フレキシブル基材への追従性が良い点で２０〜１０００ｎｍが好ましい。
【００９２】
（薄膜有機トランジスタ用半導体層）
薄膜トランジスタの半導体層に用いられる半導体材料としては、有機、無機の半導体材料が適用できる。有機半導体材料としては、例えば、低分子有機半導体して、フタロシアニン誘導体、ポリフィリン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体、フラーレン誘導体、ペンタセンおよびペンタセントリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）ペンタセン等のアセン系化合物、各種ペンタセン前駆体、アントラセン、ペリレン、ピレン、フェナントレン、コロネン等の多環芳香族化合物およびその誘導体、オリゴチオフェンおよびその誘導体、チアゾール誘導体、フラーレン誘導体、ジナフトチオフェン系化合物、カーボンナノチューブ等の炭素系化合物、その他、ベンゾチエノベンゾチオフェン等のチオフェン、フェニレン、ビニレン等を組み合わせた各種低分子半導体の一種以上およびこれら共重合体が好適に使用できる。
【００９３】
また、高分子化合物として、ポリチオフェン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ＰＱＴ−１２等のポリチオフェン系高分子、Ｂ１０ＴＴＴ、ＰＢ１２ＴＴＴ、ＰＢ１４ＴＴＴ等のチオフェン−チエノチオフェン共重合体、Ｆ８Ｔ２等のフルオレン系高分子、その他、パラフェニレンビニレン等のフェニレンビニレン系高分子、ポリトリアリールアミン等のアリールアミン系高分子等が好適に使用できる。また、これら有機半導体材料に加え、加熱処理やＥＢ、Ｘｅフラッシュランプ等のエネルギー線照射により無機半導体へと改質可能な溶液溶解性のＳｉ半導体前駆体、ＩＧＺＯ、ＹＧＺＯ、ＺｎＯ等の酸化物半導体の前駆体等が適用できる。
【００９４】
薄膜トランジスタの半導体層に用いられる半導体材料としては、より低温かつ簡便に半導体層を形成することができ、取扱いが容易であることから、無機半導体よりも有機半導体の方が好ましい。有機半導体の中でも、自己凝集性が高く、結晶構造を取り易いものが、より優れたトランジスタ特性を発揮することができるので好ましい。
【００９５】
有機および無機半導体材料のインク化に適用可能な溶剤は、常温もしくは多少の加熱で該半導体材料を溶解でき、適度の揮発性を有し、溶剤揮発後に有機半導体薄膜を形成できればよく、例えば、トルエン、キシレン、クロロホルム、クロロベンゼン類、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、１−メチル−２−ピロリジノン、ジメチルスルホキシド、イソホロン、スルホラン、テトラヒドロフラン、メシチレン、アニソール、ナフタレン誘導体、ベンゾニトリル、アミルベンゼン、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン等の有機溶剤を用いることができる。
【００９６】
薄膜トランジスタの半導体層の成膜方法としては、特に制限はなく、公知慣用の、乾式、湿式のいずれのプロセスでも形成させることができる。
【００９７】
本発明の薄膜トランジスタは必要であれば最上層に保護膜層を形成することができる。保護膜層を設けることで外気の影響を最小限にでき、薄膜トランジスタの電気的特性を安定化することができる。
【００９８】
本発明の薄膜トランジスタは、上記に例示した任意の製造方法で製造することができる。更に、こうして得られた薄膜トランジスタは、複数の素子を集積化することでトランジスタアレイや集積回路とすることができる。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。ここで「％」は、特に断らない限り「質量％」である。
【０１００】
〔金属微粒子分散体の経時安定性評価〕
上記方法により作製した本発明の金属微粒子分散体を、容積１０ｍＬのガラス容器に６ｍＬ程度入れ、密閉した。当該分散体を５℃及び２３℃の環境下で保管した後の保存安定性を評価した。金属微粒子分散液の保存安定性は、ヘテロダイン法による粒子径分布の測定（動的光散乱測定）により評価した。金属濃度を２０ｗｔ％に調製して評価を実施した。
【０１０１】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
金属微粒子分散体を粒子径分布測定装置（ＭｉｃｒｏｔｒａｃＢＥＬ製ＵＰＡ−ＥＸ）で動的光散乱測定を行い、得られた散乱光の周波数から粒子径分布を算出して、体積平均粒径値を基準値として用いた。
【０１０２】
〔小角Ｘ線測定による平均一次粒子径の測定〕
金属微粒子分散体を小角Ｘ線測定装置（リガク製ＳｍａｒｔＬａｂ）で極小角Ｘ線散乱（ＵＳＡＸＳ）測定を行い、得られた散乱曲線から平均一次粒子径を算出した。
【０１０３】
〔焼結膜の作製方法と体積抵抗率の測定〕
０．７ｍｍ厚の無アルカリガラス基板（４０ｍｍ×５０ｍｍ）上に金属微粒子分散体をスピンコートすることにより塗布膜を作製した。得られた塗布膜を１２０℃で３０分間恒温・乾燥器（クリーンオーブンＤＥ４１１ヤマト科学製）で焼結することにより焼結膜を得た。焼結膜の膜厚は、１００ｎｍとなるようにスピンコート時の回転数を調整した。体積抵抗率は、四端子測定法の低抵抗率計ロレスターＥＰ（三菱化学株式会社製）にて測定した。試験片の導電性膜（焼結膜）の膜厚から体積抵抗率を求めた。なお、体積抵抗率は、例えば、２．０×１０−５Ω・ｃｍを「２．０Ｅ−５Ω・ｃｍ」と記載する方法により示した。
【０１０４】
〔熱重量分析による重量減少率の測定〕
金属微粒子分散体２〜２５ｍｇを熱重量分析用アルミパンに精密にはかり、ＥＸＳＴＡＲ  ＴＧ／ＤＴＡ６３００型示差熱重量分析装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製）に載せ、空気気流下、室温〜６００℃まで毎分１０℃の割合で昇温して、１００℃〜６００℃の重量減少率を測定した。
【０１０５】
（薄膜有機トランジスタの作製と評価）
〔凸版反転印刷法による電極の作製〕
平均粒子径がナノメートルオーダーの銀微粒子が均一に液媒体に分散させられた、銀微粒子インクを、フィルム上にシリコーンゴム層を形成した透明ブランケットのシリコーンゴム面にスリットコーターにより均一に塗布し、タックが残る程度に乾燥させた。所望するソース及びドレイン電極パターンのネガパターンを形成したガラス凸版を、該銀微粒子インク均一塗布面に押し当てて不要な部分を除去した。ガラス凸版は凸状の鋭角部分（エッジ）の精度に優れたガラスのウェットエッチングにより得たものである。ブランケット上に残存したパターンを、さらに乾燥させ銀微粒子インク中の溶媒が十分に揮発した後に、基材上に１５０ｋＰａの圧力で押し当てて、所望するソース及びドレイン電極パターンを基材上に転写した。尚、透明ブランケットのシリコーンゴム面全面を対象に、１×１μｍ角の範囲を任意に１０箇所設けて、それらの算術平均粗さを測定したところ、その平均値は０．８ｎｍであった。凸版反転印刷により作製された電極パターンは、チャネル長（Ｌ）２０μｍ、チャネル幅（Ｗ）１００μｍで作製した。電極の膜厚は、焼結後に１００ｎｍとなるように作製した。
【０１０６】
〔薄膜有機トランジスタの特性評価〕
作製した素子は、大気中で５０℃、約１０分の熱処理を行った後にＩｄ−Ｖｇ、Ｉｄ−Ｖｄ特性を半導体パラメーター測定装置（ケースレー社４２００ＣＳＣ）により測定し、これより電界効果移動度及びＯＮ／ＯＦＦ比を周知の方法より求めた。電界効果移動度の単位は、ｃｍ２／Ｖｓである。
【０１０７】
（実施例１）
（銀微粒子分散体の合成）
アルゴンガス雰囲気下で１Ｌフラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン（東京化成工業社製）１５３．２ｇ（１．７３８ｍｏｌ）、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミン（東京化成工業社製）３２５．６ｇ（１．７３８ｍｏｌ）を添加後、この混合液の内温が３０℃になるまでオイルバスで加熱攪拌した。加熱攪拌下、シュウ酸銀（松田産業社製）３５．２ｇ（０．１１６ｍｏｌ）を添加して、内温が４０℃になるまで加熱攪拌した。１時間加熱攪拌を維持した後、フラスコ上部を開放し、オイルバスを９５℃まで昇温した。シュウ酸銀とアミンの熱分解により反応液が９０−９７℃まで上昇することを確認後、フラスコをオイルバスから外し、アルゴンガス雰囲気下で反応液の内温が４０℃以下になるまで冷却し、銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
過剰なアミンを銀微粒子分散体から除去するために、Ｎ−ヘキサン（関東化学社製）によりデカンテーションを実施し、銀微粒子分散体を洗浄した。デカンテーション後、銀微粒子分散体約２２ｇを得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に銀に対して２．０重量％の濃度になるように、リシノール酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール（関東化学社製）混合液を銀濃度が２０質量％になるように添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１０８】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
得られた銀微粒子分散体を２３℃環境下に４２日間静置した際の銀微粒子の沈降の有無について目視により評価した。また、１週間ごとの経時変化についても同様に評価した。その結果を表１に示した。
【０１０９】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
動的光散乱測定により算出された粒子径分布より、得られた銀微粒子分散体を２３℃環境下に４２日間静置した際の銀微粒子分散体の体積平均粒子径を動的光散乱測定により算出した。また、１週間ごとの経時変化についても同様に算出した。その結果を表１に示した。体積平均粒子径が、５００ｎｍ以上の場合には５００≦として記載した。
【０１１０】
〔小角Ｘ線測定による平均一次粒子径の測定〕
ＵＳＡＸＳ測定により算出された平均一次粒子径は、１８ｎｍと見積もられた。
【０１１１】
〔焼結膜の体積抵抗率の測定〕
作製した金属微粒子分散体をガラス基材上にスピンコートすることにより塗布膜を作製した。得られた塗布膜を１２０℃で３０分間、恒温乾燥器で焼結することにより焼結膜を得た。測定により得られた抵抗値及び焼結膜厚より見積もられた体積抵抗率は、２．５Ｅ−５Ω・ｃｍであった。
【０１１２】
〔熱重量分析による重量減少率の測定〕
作製した銀微粒子分散体約１ｇをブリキ製シャーレにとり、室温で低沸点の有機溶媒を乾燥させ、不揮発物を得た。この不揮発分２０．１３ｍｇを熱重量分析用アルミパンに精密にはかり、空気気流下において室温〜６００℃まで毎分１０℃の割合で昇温して、重量減少率を測定した。このとき、１２０℃での重量減少率は０．５７％、２００℃での重量減少率が２．６６％、３００℃での重量減少率は４．５７％であった。また、得られた結果を図２に示した。
【０１１３】
（薄膜有機トランジスタの作製）
本発明の銀微粒子分散体を用いて作製した銀微粒子インクを凸版反転印刷法によりパターン形成したソース電極又はドレイン電極を有するボトムゲートボトムコンタクト（ＢＧＢＣ）構造の薄膜トランジスタを下記の手順で作製し評価した。
【０１１４】
（１）ゲート電極の作製
厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス上に膜厚１００ｎｍのＣｒ膜をスパッタリング法に    
【０１１５】
より成膜した後、フォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチングでＣｒ膜をパターニングすることでゲート電極を形成した。
【０１１６】
（２）絶縁層の作製
ポリパラキシリレン樹脂（日本パリレン社製、商品名パリレン−C）をゲート電極が形成された支持体上にＣＶＤ法により化学蒸着し、厚さ１０００ｎｍの絶縁層を形成した。
【０１１７】
（３）凸版反転印刷法によるソース電極およびドレイン電極の作製
絶縁層上に、１−ブタノール又は１−プロパノール（関東化学社製）を溶媒に含む本発明の銀微粒子分散体からなる銀微粒子インクを用い、凸版反転印刷法によりソース電極およびドレイン電極を作製した。トランジスタのチャネル長は２０μｍ、チャネル幅は１００μｍとした。パターン形成後、クリーンオーブン中で１２０℃３０分焼結した。焼結後の電極厚さは、１００ｎｍであった。
【０１１８】
（５）電極の表面処理
ペンタフルオロベンゼンチオール（東京化成工業社製）のイソプロピルアルコール（関東化学社製）３０ｍｍｏｌ／Ｌ溶液中に上記ソース電極及びドレイン電極基板を２０分間浸漬させた後に、イソプロピルアルコールで洗浄し、エアーガンで乾燥させた。
【０１１９】
（６）半導体層の形成
有機半導体２，７−ジオクチル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（Ｃ８−ＢＴＢＴ）（アルドリッチ社製）のパラキシレン０．４重量％溶液を用いて、ドロップキャスト法により先に形成したソース電極及びドレイン電極のチャネル上に半導体層を形成し、ホットプレート上で５０℃１０分乾燥させた。
【０１２０】
（薄膜有機トランジスタの特性評価）
作製した素子の電界効果移動度は０．５５であり、ＯＮ／ＯＦＦ比は１．７Ｅ＋６であった。
【０１２１】
（実施例２）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにリシノール酸を加えた１−ブタノール混合液を銀濃度が２０質量％になるように添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１２２】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１２３】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１２４】
（実施例３）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して０．５重量％の濃度になるようにリシノール酸を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１２５】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１２６】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１２７】
（実施例４）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように１２−ヒドロキシステアリン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１２８】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１２９】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１３０】
（実施例５）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように１５−ヒドロキシペンタデカン酸を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１３１】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１３２】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１３３】
（実施例６）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して２．０重量％の濃度になるように［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１３４】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１３５】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１３６】
（実施例７）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１３７】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１３８】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１３９】
（実施例８）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して０．５重量％の濃度になるように［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１４０】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１４１】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１４２】
（実施例９）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して２．０重量％の濃度になるようにＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−６−アミノヘキサン酸を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１４３】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１４４】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１４５】
（実施例１０）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−６−アミノヘキサン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１４６】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１４７】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１４８】
（実施例１１）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して０．５重量％の濃度になるようにＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−６−アミノヘキサン酸を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１４９】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１５０】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１５１】
（実施例１２）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにＮ−カルボベンゾキシ−β−アラニン（東京化成工業製社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１５２】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１５３】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１５４】
（実施例１３）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにN-オレオイルサルコシンを加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１５５】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１５６】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表１に示した。
【０１５７】
（比較例１）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、１−ブタノールを１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１５８】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１５９】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１６０】
〔小角Ｘ線測定による平均一次粒子径の測定〕
ＵＳＡＸＳ測定により算出された平均一次粒子径は、２０ｎｍと見積もられた。
【０１６１】
〔焼結膜の体積抵抗率の測定〕
実施例１記載の方法により作製した焼結膜の抵抗値及び焼結膜厚より見積もられた体積抵抗率は、８．１Ｅ−６Ω・ｃｍであった。
【０１６２】
（薄膜有機トランジスタの特性評価）
実施例１記載の方法により作製した素子の電界効果移動度は０．６であり、ＯＮ／ＯＦＦ比は３．８Ｅ＋６であった。
【０１６３】
（比較例２）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して２．０重量％の濃度になるようにオレイン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１６４】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１６５】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１６６】
〔小角Ｘ線測定による平均一次粒子径の測定〕
ＵＳＡＸＳ測定により算出された平均一次粒子径は、１７ｎｍと見積もられた。
【０１６７】
〔焼結膜の体積抵抗率の測定〕
実施例１記載の方法により作製した焼結膜の抵抗値及び焼結膜厚より見積もられた体積抵抗率は、２．５Ｅ−５Ω・ｃｍであった。
【０１６８】
（薄膜有機トランジスタの特性評価）
実施例１記載の方法により作製した素子の電界効果移動度は０．３４であり、ＯＮ／ＯＦＦ比は９．８Ｅ＋５であった。
【０１６９】
（比較例３）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにウンデシレン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１７０】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１７１】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１７２】
（比較例４）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．１重量％の濃度になるように３，５，５−トリメチルヘキサン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１７３】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１７４】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１７５】
（比較例５）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように３−フェニルプロピオン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１７６】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１７７】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１７８】
（比較例６）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように６−アミノヘキサン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１７９】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１８０】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１８１】
（比較例７）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにドデカン二酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１８２】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１８３】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１８４】
（比較例８）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにエイコサン二酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１８５】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１８６】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１８７】
（比較例９）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように２−ブチルオクタン二酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１８８】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１８９】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１９０】
（比較例１０）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように２，２−ジプロピルマロン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１９１】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１９２】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１９３】
（比較例１１）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように４−ブチルシクロヘキサンカルボン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１９４】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１９５】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１９６】
（比較例１２）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように１−アダマンタンカルボン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０１９７】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１９８】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０１９９】
（比較例１３）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるようにシトロネル酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０２００】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０２０１】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０２０２】
（比較例１４）
（銀微粒子分散体の合成）
実施例１記載の銀微粒子分散体の合成方法により銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体のデカンテーション）
実施例１記載の銀微粒子分散体のデカンテーションにより銀微粒子分散体を得た。
（銀微粒子分散体の再分散）
得られた銀微粒子分散体に、銀に対して１．０重量％の濃度になるように３−メチルクロトン酸（東京化成工業社製）を加えた１−ブタノール混合液を１６ｇ添加した。０．５時間程度攪拌することで、褐色の銀微粒子分散体を得た。
【０２０３】
（銀微粒子分散体の評価）
〔銀微微粒子分散体の安定性評価〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０２０４】
〔ヘテロダイン法による粒子径分布の測定〕
実施例１記載の方法により評価し、その結果を表２に示した。
【０２０５】
実験結果を以下にまとめる。
【０２０６】
実施例１から３において、ヘテロ元素として水酸基を有し、鎖中に不飽和結合を有する一塩基カルボン酸であるリシノール酸を添加剤に用いた。当該実施例では、室温環境下において、少なくとも４２日間の分散安定性を示した。また、体積平均粒子径においても１．０％以上の転嫁率では２０ｎｍ以下の粒子径を維持した。
比較例２及び３には、カルボキシル基以外にヘテロ元素を有しない不飽和脂肪酸であるオレイン酸又はウンデシレン酸を添加剤として用いた。オレイン酸を添加剤として用いた場合、１４日間は沈降が生じなかったが、２１日後には沈降が生じた。ウンデシレン酸を添加剤として用いた場合、７日後には沈降した。
【０２０７】
実施例４では、ヘテロ元素として水酸基を有するが、不飽和結合を有しない一塩基カルボン酸である１２−ヒドロキシステアリン酸を添加剤に用いた。不飽和結合を有しない場合であっても、室温で２８日間２０ｎｍの体積平均粒子径を維持し、非常に良好な分散安定性を示した。また、４２日経過後においても分散液に銀微粒子の沈降は観測されなかった。以上の結果より、不飽和結合の有無は、分散安定性に影響を及ぼさないと考えられる。
【０２０８】
実施例５では、ヘテロ元素として水酸基を末端に有するが、不飽和結合を有しない一塩基カルボン酸である１５−ヒドロキシペンタデカン酸を添加剤として用いた。当該実施例においては、室温環境下において１４日間安定に分散したが、添加剤を加えない場合（比較例１）と同等の分散安定性であった。しかしながら、体積平均粒子径において、１４日目の測定において６７ｎｍと比較例１と比較して半分以下の粒子径を示した。以上より、水酸基を末端に有する場合においても分散安定性の効果を発揮することができるが、水酸基は末端よりも鎖中に存在することが分散安定性確保の観点からは望ましい。
【０２０９】
実施例６から８では、ヘテロ元素を鎖中に有する一塩基カルボン酸である［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸を添加剤として用いた。銀に対して２．０質量％を添加する事で、３５日後も沈降することなく良好な分散安定性を保持した。このときの体積平均粒子径は２５ｎｍであった。実施例６の結果より、銀に対して０．５質量％を添加することで、比較例１と比較して分散安定性が向上する効果が得られる。この結果は、一塩基カルボン酸中のカルボキシル基以外のヘテロ元素が主鎖中のみに存在する場合であっても発明の効果が損なわれないことを示している。
【０２１０】
また、実施例９から１１では、カルボキシル基以外のヘテロ元素として酸素及び窒素を鎖中に有する一塩基カルボン酸であって、末端側に立体障害のあるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を有するＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−６−アミノヘキサン酸を添加剤として用いた。銀に対して２．０質量％を添加する事で、４２日後も沈降することなく、良好な分散安定性を保持した。このときの体積平均粒子径は１４４ｎｍであった。銀に対して０．５質量％を添加することで、少なくとも２１日間の分散安定性が得られた。
実施例１２では、カルボキシル基以外のヘテロ元素として酸素及び窒素を鎖中に有する一塩基カルボン酸であって、末端側に立体障害のあるベンジルオキシカルボニル基を有するＮ−カルボベンゾキシ−β−アラニンを添加剤として用いた。１４日の分散安定性を示すと共に１４日後においても体積平均粒子径は５３ｎｍであった。
比較例４では、カルボキシル基以外にヘテロ元素を有しない一塩基カルボン酸である３，５，５−トリメチルヘキサン酸を添加剤として用いた。添加後の体積平均粒子径は１３９ｎｍであったが、７日後には沈降が生じた。
比較例５では、末端側に立体障害としてフェニル基を有するが、カルボキシル基以外にヘテロ元素を有しない一塩基カルボン酸である３−フェニルプロピオン酸を添加剤として用いた。添加後の体積平均粒子径は１６４ｎｍであったが、７日後には沈降が生じた。
比較例６では、末端側にｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基及びベンジルオキシカルボニル基を有していない、すなわちカルボキシル基以外のヘテロ元素よりも末端側に立体障害を有していない一塩基カルボン酸である６−アミノヘキサン酸を添加剤として使用した。添加後すぐに銀微粒子が凝集し、沈降が生じた。
以上の結果から、カルボキシル基以外のヘテロ元素よりも末端側に水素以外の原子からなる置換基は、メチル基又はｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等の立体障害のあるものでも良く、特に制限はない。
【０２１１】
実施例１３では、カルボキシル基以外のヘテロ元素よりも末端側にアルケニル基を有する一塩基カルボン酸であるＮ−オレオイルサルコシンを添加剤として用いた。銀に対して１．０質量％を添加する事で、２１日後も沈降することなく良好な分散安定性を保持した。このときの体積平均粒子径は４６ｎｍであった。
比較例２において、カルボキシル基以外にヘテロ元素を有しない一塩基カルボン酸であるオレイン酸を添加剤に用いた際には、銀に対して２．０質量％を添加しても１４日間の安定性に留まった。体積平均粒子径は８０ｎｍであった。
【０２１２】
比較例７から１０では、二塩基酸であるジカルボン酸を添加剤としてそれぞれ用いた。いずれの場合もすぐに沈降が発生し、良好な分散体は得られなかった。
【０２１３】
【表１】
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【０２１４】
【表２】
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【図１】
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