(57)【要約】【課題】優れた強靭性を有し、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制でき、引き延ばし性にも優れたダイシングテープ及びその製造方法、並びに該ダイシングテープを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】樹脂を含み、かつ厚み方向の第１の面１０ａ側に偏って架橋された基材フィルム１０と、粘着剤層１２と、離型処理フィルム１４とを備えるダイシングテープ１。基材フィルム１０に対して、厚み方向における第１の面１０ａから途中までの部分に部分的に電子線が到達するように電子線照射を行う工程と、電子線照射後の基材フィルム１０の第１の面１０ａ側に粘着剤層１２を形成する工程とを有する、ダイシングテープ１の製造方法。また、ダイシングテープ１を用いた半導体デバイスの製造方法。【選択図】図１
2018093058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を含む基材フィルムと、前記基材フィルムの厚み方向の第１の面側に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングテープの製造方法であって、
前記基材フィルムに対して、厚み方向における前記第１の面から途中までの部分に部分的に電子線が到達するように電子線照射を行う工程と、
電子線照射後の前記基材フィルムの前記第１の面側に前記粘着剤層を形成する工程とを有する、ダイシングテープの製造方法。
【請求項２】
前記第１の面が露出した状態の前記基材フィルムに、前記第１の面側から下式（１）の条件を満たすように電子線照射を行う、請求項１に記載のダイシングテープの製造方法。
０＜Ｐ／ｄ１＜１  ・・・（１）
（ただし、式（１）中、ｄ１は前記基材フィルムの厚み（μｍ）であり、Ｐは電子線照射の加速電圧（ｋＶ）である。）
【請求項３】
前記基材フィルムの前記第１の面側にダミーフィルムを積層した状態で、前記ダミーフィルム側から下式（２）の条件を満たすように前記基材フィルムに電子線照射を行った後、前記ダミーフィルムを取り除いて前記粘着剤層を形成する、請求項１に記載のダイシングテープの製造方法。
０＜（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＜１  ・・・（２）
（ただし、式（２）中、ｄ１は前記基材フィルムの厚み（μｍ）であり、ｄ２は前記ダミーフィルムの厚み（μｍ）であり、Ｐは電子線照射の加速電圧（ｋＶ）である。）
【請求項４】
電子線照射後の前記基材フィルムの前記第１の面側に、粘着剤を用いて離型処理フィルムをラミネートして、前記粘着剤層上に前記離型処理フィルムをさらに備えるダイシングテープを得る、請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイシングテープの製造方法。
【請求項５】
樹脂を含み、かつ前記樹脂が架橋されている基材フィルムと、前記基材フィルムの厚み方向の第１の面側に設けられた粘着剤層とを備え、
前記基材フィルムの厚み方向における前記第１の面側に偏って架橋されている、ダイシングテープ。
【請求項６】
前記粘着剤層における前記基材フィルムと反対側に設けられた離型処理フィルムをさらに備える、請求項５に記載のダイシングテープ。
【請求項７】
請求項５に記載のダイシングテープにおける前記粘着剤層上に、半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を設置した状態で、前記ウエハ回路をダイシングして複数の半導体デバイスとした後、前記ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成して各半導体デバイスをピックアップする、半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載のダイシングテープにおける前記離型処理フィルムを剥離し、
前記粘着剤層上に、半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を設置した状態で、前記ウエハ回路をダイシングして複数の半導体デバイスとした後、前記ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成して各半導体デバイスをピックアップする、半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ等の半導体デバイスの製造方法としては、例えば、略円板形状の半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を、ダイシングテープ上でダイシングにより分割し、個々の半導体デバイスを得る方法が広く用いられている。ダイシング後は、例えば、ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成した後に各半導体デバイスがロボット等でピックアップされる。
【０００３】
ダイシングテープとしては、例えば、ポリオレフィン等を含有する基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層を備えるものが知られている。ダイシングテープの基材フィルムにおいては、ウエハ回路のダイシングを容易にするために、充分な強靭性を有し、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制できることが重要である。そこで、基材フィルムに電子線架橋を施すことで、基材フィルムの強靭性を高め、ダイシング時のバリ発生を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記方法では、基材フィルムの電子線架橋によってダイシングテープが引き延ばされにくくなり、ダイシング後に半導体デバイス間に充分な隙間を形成しにくくなることで、半導体デバイスのピックアップが困難になる。
【０００６】
本発明は、優れた強靭性を有し、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制でき、引き延ばし性にも優れたダイシングテープ及びその製造方法、並びに前記ダイシングテープを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の構成を有する。
［１］樹脂を含む基材フィルムと、前記基材フィルムの厚み方向の第１の面側に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングテープの製造方法であって、前記基材フィルムに対して、厚み方向における前記第１の面から途中までの部分に部分的に電子線が到達するように電子線照射を行う工程と、電子線照射後の前記基材フィルムの前記第１の面側に前記粘着剤層を形成する工程とを有する、ダイシングテープの製造方法。
［２］前記第１の面が露出した状態の前記基材フィルムに、前記第１の面側から下式（１）の条件を満たすように電子線照射を行う、［１］に記載のダイシングテープの製造方法。
０＜Ｐ／ｄ１＜１  ・・・（１）
（ただし、式（１）中、ｄ１は前記基材フィルムの厚み（μｍ）であり、Ｐは電子線照射の加速電圧（ｋＶ）である。）
［３］前記基材フィルムの前記第１の面側にダミーフィルムを積層した状態で、前記ダミーフィルム側から下式（２）の条件を満たすように前記基材フィルムに電子線照射を行った後、前記ダミーフィルムを取り除いて前記粘着剤層を形成する、［１］に記載のダイシングテープの製造方法。
０＜（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＜１  ・・・（２）
（ただし、式（２）中、ｄ１は前記基材フィルムの厚み（μｍ）であり、ｄ２は前記ダミーフィルムの厚み（μｍ）であり、Ｐは電子線照射の加速電圧（ｋＶ）である。）
［４］電子線照射後の前記基材フィルムの前記第１の面側に、粘着剤を用いて離型処理フィルムをラミネートして、前記粘着剤層上に前記離型処理フィルムをさらに備えるダイシングテープを得る、［１］〜［３］のいずれかに記載のダイシングテープの製造方法。
［５］樹脂を含み、かつ前記樹脂が架橋されている基材フィルムと、前記基材フィルムの厚み方向の第１の面側に設けられた粘着剤層とを備え、前記基材フィルムの厚み方向における前記第１の面側に偏って架橋されている、ダイシングテープ。
［６］前記粘着剤層における前記基材フィルムと反対側に設けられた離型処理フィルムをさらに備える、［５］に記載のダイシングテープ。
［７］［５］に記載のダイシングテープにおける前記粘着剤層上に、半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を設置した状態で、前記ウエハ回路をダイシングして複数の半導体デバイスとした後、前記ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成して各半導体デバイスをピックアップする、半導体デバイスの製造方法。
［８］［６］に記載のダイシングテープにおける前記離型処理フィルムを剥離し、前記粘着剤層上に、半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を設置した状態で、前記ウエハ回路をダイシングして複数の半導体デバイスとした後、前記ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成して各半導体デバイスをピックアップする、半導体デバイスの製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のダイシングテープの製造方法によれば、優れた強靭性を有し、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制でき、引き延ばし性にも優れたダイシングテープが得られる。
本発明のダイシングテープは、優れた強靭性を有し、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制でき、引き延ばし性にも優れている。
本発明の半導体デバイスの製造方法によれば、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制でき、ダイシング後の半導体デバイスのピックアップも容易である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のダイシングテープの製造方法の一例を示した工程図である。
【図２】本発明のダイシングテープの製造方法の他の例を示した工程図である。
【図３】本発明の半導体デバイスの製造方法の一例を示した工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜ダイシングテープ＞
本発明のダイシングテープは、樹脂を含み、かつ前記樹脂が架橋されている基材フィルムと、前記基材フィルムの厚み方向の第１の面側に設けられた粘着剤層とを備えている。本発明のダイシングテープにおいては、基材フィルムの樹脂は、基材フィルムの厚み方向における第１の面側に偏って架橋されている。すなわち、基材フィルムの架橋は、基材フィルムの厚み方向における粘着剤層側に偏っている。
【００１１】
架橋が基材フィルムの第１の面側（粘着剤層側）に偏っていることで、基材フィルムの第１の面側の強靭性が充分に高まる。これにより、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制することができる。また、架橋が基材フィルムの第１の面側に偏っていることで、基材フィルムにおける第１の面と反対側の第２の面側では、架橋による引き延ばし性の低下が抑制されている。そのため、本発明のダイシングテープは優れた引き延ばし性が確保されている。
基材フィルムの厚み方向の第１の面側に偏った架橋は、後述するように電子線照射によって形成することができる。
【００１２】
基材フィルムを形成する樹脂としては、ダイシングテープに通常用いられる公知の樹脂を用いることができる。樹脂の具体例としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；エチレン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体等のアクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリウレタン；ポリアミド；エチレン−ビニルアルコール共重合体等が挙げられる。基材フィルムを形成する樹脂としては、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１３】
基材フィルムには、前記した樹脂に加えて、各種添加剤が含有されていてもよい。
添加剤としては、ダイシングテープに通常用いられる公知の添加剤を用いることができ、例えば、架橋助剤、帯電防止剤、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、アンチブロッキング剤、着色剤等が挙げられる。添加剤としては、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１４】
架橋助剤としては、例えば、トリアリルイソシアヌレート等が挙げられる。
基材フィルムが架橋助剤を含有する場合、基材フィルム中の架橋助剤の含有量は、樹脂１００質量部に対して、０．０５〜５質量部が好ましく、１〜３質量部がより好ましい。
【００１５】
基材フィルムの厚みは、５０〜２００μｍが好ましく、７０〜１５０μｍがより好ましい。基材フィルムの厚みが下限値以上であれば、必要な強靭性を確保しやすい。基材フィルムの厚みが上限値以下であれば、強靭性と低価格が両立する。
【００１６】
粘着剤層を形成する粘着剤としては、ダイシングテープに通常用いられる公知の粘着剤を用いることができる。粘着剤の具体例としては、例えば、天然ゴム系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂等が挙げられる。粘着剤としては、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１７】
粘着剤層の厚みは、５〜５０μｍが好ましく、５〜２５μｍがより好ましい。粘着剤層の厚みが下限値以上であれば、十分な接着力が得られる。粘着剤層の厚みが上限値以下であれば、接着力と低価格が両立する。
【００１８】
本発明のダイシングテープは、粘着剤層における基材フィルムと反対側に設けられた離型処理フィルムをさらに備えることが好ましい。離型処理フィルムが設けられていることで、保管時や輸送時等において粘着剤層を保護することができる。半導体デバイスの製造に使用する際には、離型処理フィルムは粘着剤層から剥離されて取り除かれる。
【００１９】
離型処理フィルムとしては、特に限定されず、例えば、粘着剤層が設けられる側の表面にシリコーンによる離型処理を施したフィルム等が挙げられる。
【００２０】
離型処理フィルムの厚みは、２５〜７５μｍが好ましく、３０〜５０μｍがより好ましい。離型処理フィルムの厚みが下限値以上であれば、コシがあり作業性がよい。離型処理フィルムの厚みが上限値以下であれば、作業性と低価格を両立する。
【００２１】
本発明のダイシングテープの実施形態の一例としては、例えば、図１（ｂ）に示すように、基材フィルム１０と、基材フィルム１０の第１の面１０ａ側に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２の基材フィルム１０と反対側に設けられた離型処理フィルム１４とを備えるダイシングテープ１が挙げられる。基材フィルム１０は樹脂を含有し、かつ厚み方向における第１の面１０ａ側に偏って架橋されている。
なお、本発明のダイシングテープは、離型処理フィルムを有しない物であってもよい。
【００２２】
以上説明したように、本発明のダイシングテープにおいては、基材フィルム内の架橋が厚み方向における第１の面側（粘着剤層側）に偏っているため、基材フィルムの粘着剤層側で優れた強靭性と、優れた引き延ばし性が両立されている。そのため、本発明のダイシングテープを半導体デバイスの製造に用いることで、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制できるうえ、ダイシング後の半導体デバイスのピックアップも容易になる。
本発明のダイシングテープは、後述する本発明のダイシングテープの製造方法により製造することができる。
【００２３】
＜ダイシングテープの製造方法＞
本発明のダイシングテープの製造方法は、樹脂を含む基材フィルムと、前記基材フィルムの厚み方向の第１の面側に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングテープの製造方法であって、下記の工程（１）及び工程（２）を有する。
（１）基材フィルムに対して、厚み方向における第１の面から途中までの部分に部分的に電子線が到達するように電子線照射を行う工程。
（２）電子線照射後の基材フィルムの第１の面側に粘着剤層を形成する工程。
【００２４】
本発明のダイシングテープの製造方法は、基材フィルムに電子線照射を施す際にダミーフィルムを用いるか否かによって下記の方法（α）及び方法（β）に分けられる。
（α）ダミーフィルムを用いず、基材フィルムの第１の面を露出させた状態で電子線照射を行う方法。
（β）基材フィルムの第１の面側にダミーフィルムを積層した状態で、ダミーフィルム側から基材フィルムに電子線照射を行う方法。
以下、方法（α）及び方法（β）についてそれぞれ説明する。
【００２５】
［方法（α）］
方法（α）としては、下記の工程（α−１）及び工程（α−２）を有する方法が挙げられる。
（α−１）第１の面が露出した状態の基材フィルムに、第１の面側から下式（１）の条件（以下、条件（１）ともいう。）を満たすように電子線照射を行う工程。
０＜Ｐ／ｄ１＜１  ・・・（１）
（ただし、式（１）中、ｄ１は基材フィルムの厚み（μｍ）であり、Ｐは電子線照射の加速電圧（ｋＶ）である。）
（α−２）電子線照射後の基材フィルムの第１の面側に粘着剤層を形成する工程。
【００２６】
（工程（α−１））
工程（α−１）では、第１の面側に何も設けられていない基材フィルム、すなわち第１の面が露出した状態の基材フィルムを用いて電子線照射を行う。具体的には、例えば、図１（ａ）に示すように、基材フィルム１０に対して、基材フィルム１０の厚み方向の第１の面１０ａ側から、条件（１）を満たすように電子線（ＥＢ）を照射する。すなわち、基材フィルム１０の厚みをｄ１（μｍ）、電子線照射の加速電圧をＰ（ｋＶ）としたとき、０＜Ｐ／ｄ１＜１の条件を満たすように、第１の面１０ａ側から基材フィルム１０に電子線照射を行う。
【００２７】
電子線照射が条件（１）を満たすことで、基材フィルム１０の厚み方向における第１の面１０ａから途中までの部分に部分的に電子線が到達する。これにより、基材フィルム１０の厚み方向において、第１の面１０ａから途中までの部分に偏って電子線架橋が生じる。そのため、基材フィルム１０における厚み方向の第１の面１０ａ側の強靭性が高まる。一方、基材フィルム１０における厚み方向の第２の面１０ｂ側は電子線架橋がほとんど生じないため、優れた引き延ばし性が確保される。
【００２８】
条件（１）におけるＰ／ｄ１は、０超であり、０．２以上が好ましく、０．４以上がより好ましい。Ｐ／ｄ１の値が大きくなるほど、基材フィルムにおける厚み方向の第１の面側において電子線架橋が生じやすく、強靭性が向上する。
条件（１）におけるＰ／ｄ１は、１未満であり、０．７５以下が好ましく、０．８以下がより好ましい。Ｐ／ｄ１の値が小さくなるほど、基材フィルムにおける厚み方向の第２の面側で電子線架橋が生じにくくなるため、優れた引き延ばし性が確保されやすい。
【００２９】
方法（α）における電子線照射の加速電圧Ｐは、基材フィルムの厚みに応じて条件（１）を満たすように調節すればよい。方法（α）における加速電圧Ｐは条件（１）を満たす範囲内において、６０〜２００ｋＶが好ましく、７０〜１８０ｋＶがより好ましく、８０〜１５０ｋＶがさらに好ましい。加速電圧Ｐが下限値以上であれば、基材フィルムにおける厚み方向の第１の面側において電子線架橋が生じやすく、強靭性を向上させやすい。加速電圧Ｐが上限値以下であれば、基材フィルムにおける厚み方向の第２の面側で電子線架橋が生じにくくなるため、優れた引き延ばし性が確保されやすい。
【００３０】
方法（α）における電子線照射の線量は、１０〜４００ｋＧｙが好ましく、３０〜３００ｋＧｙがより好ましく、７０〜１５０ｋＧｙがさらに好ましい。電子線照射の線量が下限値以上であれば、基材フィルムにおける厚み方向の第１の面側において電子線架橋が生じやすく、強靭性を向上させやすい。電子線照射の線量が上限値以下であれば、加工中の基材フィルムの耐熱性が保たれ、加工性が向上する。
【００３１】
（工程（α−２））
例えば、図１（ｂ）に示すように、電子線照射後の基材フィルム１０の第１の面１０ａ側に、粘着剤を用いて離型処理フィルム１４をラミネートする。これにより、基材フィルム１０と、基材フィルム１０の第１の面１０ａ側に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた離型処理フィルム１４とを備えるダイシングテープ１が得られる。
ラミネート法としては、特に限定されず、公知のラミネート法を採用できる。
【００３２】
なお、工程（α−２）においては、離型処理フィルムを用いずに、電子線照射後の基材フィルムの第１の面側に粘着剤を塗工して粘着剤層を形成してもよい。
【００３３】
［方法（β）］
方法（β）としては、下記の工程（β−１）及び工程（β−２）を有する方法が挙げられる。
（β−１）基材フィルムの第１の面側にダミーフィルムを積層した状態で、ダミーフィルム側から下式（２）の条件（以下、条件（２）ともいう。）を満たすように基材フィルムに電子線照射を行った後、ダミーフィルムを取り除く工程。
０＜（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＜１  ・・・（２）
（ただし、式（２）中、ｄ１は基材フィルムの厚み（μｍ）であり、ｄ２はダミーフィルムの厚み（μｍ）であり、Ｐは電子線照射の加速電圧（ｋＶ）である。）
（β−２）電子線照射後の基材フィルムの第１の面側に粘着剤層を形成する工程。
【００３４】
（工程（β−１））
例えば、図２（ａ）に示すように、基材フィルム１０の第１の面１０ａ側にダミーフィルム１６を積層して積層フィルム２とする。基材フィルム１０とダミーフィルム１６の積層方法としては、特に限定されず、例えば、ラミネート法により積層する方法が挙げられる。なお、基材フィルム１０とダミーフィルム１６とは単に重ね合せるだけでもよい。
【００３５】
次いで、ダミーフィルム１６側から条件（２）を満たすように基材フィルム１０に電子線（ＥＢ）を照射する。すなわち、基材フィルム１０の厚みをｄ１（μｍ）、ダミーフィルムの厚みをｄ２（μｍ）、電子線照射の加速電圧をＰ（ｋＶ）としたとき、０＜（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＜１の条件を満たすように積層フィルム２のダミーフィルム１６側から基材フィルム１０に電子線照射を行う。
【００３６】
このように、工程（β−１）では、積層フィルム２における基材フィルム１０に対して、ダミーフィルム１６側から条件（２）を満たすように電子線照射を行い、ダミーフィルム１６を通過した電子線（ＥＢ）を第１の面１０ａ側から基材フィルム１０に進入させて電子線架橋を施す。電子線照射を行った後は、図２（ｂ）に示すように、基材フィルム１０からダミーフィルム１６を取り除く。
【００３７】
電子線照射が条件（２）を満たすことで、基材フィルム１０の厚み方向における第１の面１０ａから途中までの部分に部分的に電子線が到達する。これにより、方法（α）の場合と同様に、基材フィルム１０の厚み方向において、第１の面１０ａから途中までの部分に偏って電子線架橋が生じる。そのため、基材フィルム１０における厚み方向の第１の面１０ａ側の強靭性が高まる。一方、基材フィルム１０における厚み方向の第２の面１０ｂ側は電子線架橋がほとんど生じないため、優れた引き延ばし性が確保される。
【００３８】
条件（２）における（Ｐ−ｄ２）／ｄ１は、０超であり、０．２５以上が好ましく、０．４以上がより好ましい。（Ｐ−ｄ２）／ｄ１の値が大きくなるほど、基材フィルムにおける厚み方向の第１の面側において電子線架橋が生じやすく、強靭性が向上する。
条件（２）における（Ｐ−ｄ２）／ｄ１は、１未満であり、０．６以下が好ましく、０．５以下がより好ましい。（Ｐ−ｄ２）／ｄ１の値が小さくなるほど、基材フィルムにおける厚み方向の第２の面側で電子線架橋が生じにくくなるため、優れた引き延ばし性が確保されやすい。
【００３９】
方法（β）における電子線照射の加速電圧Ｐは、基材フィルム及びダミーフィルムの厚みに応じて条件（２）を満たすように調節すればよい。方法（β）における加速電圧Ｐは条件（２）を満たす範囲内において、８０〜３００ｋＶが好ましく、１００〜２５０ｋＶがより好ましく、１５０〜２００ｋＶがさらに好ましい。加速電圧Ｐが下限値以上であれば、基材フィルムにおける厚み方向の第１の面側において電子線架橋が生じやすく、強靭性を向上させやすい。加速電圧Ｐが上限値以下であれば、基材フィルムにおける厚み方向の第２の面側で電子線架橋が生じにくくなるため、優れた引き延ばし性が確保されやすい。
【００４０】
方法（β）における電子線照射の線量は、３０〜４００ｋＧｙが好ましく、５０〜３００ｋＧｙがより好ましく、７０〜１５０ｋＧｙがさらに好ましい。電子線照射の線量が下限値以上であれば、基材フィルムにおける厚み方向の第１の面側において電子線架橋が生じやすく、強靭性を向上させやすい。電子線照射の線量が上限値以下であれば、加工中の基材フィルムの耐熱性が保たれ、加工性が向上する。
【００４１】
方法（β）における基材フィルムとしては、方法（α）で説明した基材フィルムと同じものを用いることができる。
【００４２】
ダミーフィルムとしては、例えば、基材フィルムとして挙げたものと同じ材質のフィルムを用いることができる。
ダミーフィルムの厚みは、特に限定されず、例えば、５０〜２００μｍのものを用いることができる。
【００４３】
（工程（β−２））
例えば、工程（α−２）と同様にして、図２（ｃ）に示すように、電子線照射後の基材フィルム１０の第１の面１０ａ側に、粘着剤を用いて離型処理フィルム１４をラミネートする。これにより、基材フィルム１０と、基材フィルム１０の第１の面１０ａ側に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた離型処理フィルム１４とを備えるダイシングテープ１が得られる。
なお、工程（β−２）においては、離型処理フィルムを用いずに、電子線照射後の基材フィルムの第１の面側に粘着剤を塗工して粘着剤層を形成してもよい。
【００４４】
以上説明した本発明のダイシングテープの製造方法においては、基材フィルムの厚み方向における第１の面から途中までの部分に部分的に電子線が到達するように電子線照射を行う。これにより、基材フィルムの厚み方向における、第１の面から途中までの部分に偏って電子線架橋が生じる。そのため、基材フィルムにおける粘着剤層側の強靭性が高まり、ダイシング時に半導体デバイスにバリが生じることが抑制される。また、基材フィルムの厚み方向における第１の面と反対側の第２の面側の部分では電子線架橋がほとんど生じないため、優れた引き延ばし性が確保される。このように、本発明のダイシングテープの製造方法によれば、ダイシング時の半導体デバイスのバリ発生を抑制できる優れた強靭性と、優れた引き延ばし性を兼ね備えたダイシングテープが得られる。
【００４５】
本発明のダイシングテープの製造方法によって得られるダイシングテープの用途は、特に限定されないが、ＩＣチップ等の半導体デバイスの製造に好適に使用できる。
【００４６】
＜半導体デバイスの製造方法＞
本発明の半導体デバイスの製造方法は、前述した本発明のダイシングテープの製造方法によって得られるダイシングテープを用いて半導体デバイスを製造する方法である。本発明の半導体デバイスの製造方法は、以下の工程（ａ）及び工程（ｂ）を有する。
（ａ）ダイシングテープの粘着剤層上に、半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を設置した状態で、前記ウエハ回路をダイシングして複数の半導体デバイスとする工程。
（ｂ）ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成した後、各半導体デバイスをピックアップする工程。
【００４７】
［工程（ａ）］
例えば、前記したダイシングテープの製造方法で製造した、図３（ａ）に示すダイシングテープ１を用いる場合は、図３（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１から離型処理フィルム１４を剥離し、半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路２０を粘着剤層１２上に設置した状態とする。工程（ａ）では、半導体ウエハ上に回路が形成してウエハ回路２０を得た後に、そのウエハ回路２０を粘着剤層１２上に設置してもよく、粘着剤層１２上に半導体ウエハを設置してから回路を形成してウエハ回路２０としてもよい。
なお、ダイシングテープの製造時に粘着剤層上に離型処理フィルムを設けていない場合は、そのダイシングテープをそのまま用いればよい。
【００４８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１の粘着剤層１２上のウエハ回路２０をダイシングし、複数の半導体デバイス２２とする。本発明では、用いるダイシングテープの粘着剤層側の強靭性が優れているため、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することが抑制される。
ウエハ回路２０をダイシングする方法は、公知の方法を採用でき、例えば、レーザーを用いて切断する方法、ダイシング刃を用いて切断する方法等が挙げられる。
【００４９】
［工程（ｂ）］
図３（ｄ）に示すように、ダイシングテープ１を引き延ばし、各半導体デバイス２２の間に隙間を形成し、各半導体デバイス２２をロボット等によりピックアップする。本発明では、用いるダイシングテープが優れた引き延ばし性を有しているため、ダイシング後にダイシングテープを引き延ばすことで各半導体デバイスの間に充分な隙間を形成できるため、半導体デバイスのピックアップが容易である。
【００５０】
以上説明した本発明の半導体デバイスの製造方法においては、本発明の製造方法で得られるダイシングテープを用いるため、ダイシング時に半導体デバイスにバリが発生することを抑制でき、また半導体デバイスのピックアップも容易である。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の記載によっては限定されない。
［強靭性及びバリ抑制の評価］
各例のダイシングテープの粘着剤層上にウエハ回路を設置し、ダイシング刃を用いて半導体デバイスを形成し、基材フィルムの強靭性及びバリ抑制について以下の基準で評価した。
（評価基準）
○：基材フィルムが強靭で断面がシャープであり、カットバリの発生もない。
△：基材フィルムが強靭で断面が湾曲せず、カットバリも少なく、使用上問題ない。
×：基材フィルムの強靭性が不足して断面が湾曲し、カットバリも多く、使用できない。
【００５２】
［引き延ばし性の評価］
各例のダイシングテープの粘着剤層上にウエハ回路を設置し、ダイシング刃を用いて半導体デバイスを形成し、ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス（チップ）のピックアップ状況を確認し、基材フィルムの引き延ばし性について以下の基準で評価した。
（評価基準）
○：チップを容易にピックアップできる。
△：チップをピックアップできるが、隣のチップを引っ掛けることがある。
×：チップをピックアップできない。
【００５３】
［製造例１］
低密度ポリエチレン樹脂（ＬＤＰＥ）（製品名「Ｐ１８４５」、Ｄｏｗ社製）を用いて、Ｔダイを備える押出機により温度１８０℃で押し出し成形し、厚みがそれぞれ８０μｍ、１００μｍ、２００μｍの基材フィルムを得た。
【００５４】
［製造例２］
製造例１で得た各厚みの基材フィルムの第１の面側に、厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（製品名「ルミラー」、東レ社製）をダミーフィルムとしてラミネートして積層フィルムを得た。
【００５５】
［例１］
電子線照射装置（製品名「キュアトロン」、ＮＨＶコーポレーション社製）を用いて、製造例１で得た各厚みの基材フィルムに対して、表１に示す条件で第１の面側から電子線照射を行った。次いで、基材フィルムの第１の面側に、粘着剤（製品名「Ｓ−１５１１Ｘ」、東亞合成社製）を用いて離型処理フィルム（製品名「ＰＥＴ−０１−ＢＵ」、三井化学東セロ社製）をラミネートした。次いで、該離型処理フィルムを剥離して、基材フィルムと粘着剤層を備えるダイシングテープを得た。
評価結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2018093058.tif 000003
【００５７】
表１に示すように、基材フィルムの厚みｄ１が１００μｍであるのに対して、加速電圧Ｐを８０ｋＶ（Ｐ／ｄ１＝０．８０）とした場合には、基材フィルムは優れた強靭性と引き延ばし性を兼ね備えていた。ｄ１＝２００μｍに対してＰ＝８０ｋＶ（Ｐ／ｄ１＝０．４０）とした場合、ｄ１＝２００μｍに対してＰ＝１５０ｋＶ（Ｐ／ｄ１＝０．７５）とした場合も、基材フィルムは優れた強靭性と引き延ばし性を兼ね備えていた。このように、０＜Ｐ／ｄ１＜１とした場合には、強靭性に優れ、ダイシング時のバリ発生が充分に抑制され、引き延ばし性にも優れた基材フィルムが得られた。
【００５８】
一方、Ｐ／ｄ１が１以上の場合には、充分な引き延ばし性が得られなかった。これは、基材フィルムの厚み方向において全体的に電子線架橋が生じたためであると考えられる。
また、電子線照射を行っていない（Ｐ／ｄ１＝０）基材フィルムは、引き延ばし性には優れるものの、強靭性に劣り、ダイシング時のバリ発生の抑制も不充分であった。
【００５９】
［例２］
電子線照射装置（製品名「キュアトロン」、ＮＨＶコーポレーション社製）を用いて、製造例２で得た各厚みの積層フィルムに対して、表２に示す条件でダミーフィルム側から電子線照射を行った。次いで、ダミーフィルムを取り除いた後、例１と同様にしてダイシングテープを得た。
【００６０】
【表２】
2018093058.tif 000004
【００６１】
表２に示すように、基材フィルムの厚みｄ１が８０μｍ、ダミーフィルムの厚みｄ２が１００μｍであるのに対して、加速電圧Ｐを１５０ｋＶ（（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＝０．６３）とした場合には、基材フィルムは優れた強靭性と引き延ばし性を兼ね備えていた。ｄ１＝１００μｍ、ｄ２＝１００μｍに対してＰ＝１５０ｋＶ（（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＝０．５０）とした場合、ｄ１＝２００μｍ、ｄ２＝１００μｍに対してＰ＝１５０ｋＶ（（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＝０．２５）とした場合も、基材フィルムは優れた強靭性と引き延ばし性を兼ね備えていた。また、ｄ１＝２００μｍ、ｄ２＝１００μｍに対してＰ＝２００ｋＶ（（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＝０．５０）とした場合も、基材フィルムは優れた強靭性と引き延ばし性を兼ね備えていた。このように、０＜（Ｐ−ｄ２）／ｄ１＜１とした場合には、強靭性に優れ、ダイシング時のバリ発生が充分に抑制され、引き延ばし性にも優れた基材フィルムが得られた。
【００６２】
一方、（Ｐ−ｄ２）／ｄ１が１以上の場合には、充分な引き延ばし性が得られなかった。これは、基材フィルムの厚み方向において全体的に電子線架橋が生じたためであると考えられる。
また、（Ｐ−ｄ２）／ｄ１が０以下の場合の基材フィルムは、引き延ばし性には優れるものの、強靭性に劣り、ダイシング時のバリ発生の抑制も不充分であった。
【符号の説明】
【００６３】
１  ダイシングテープ
２  積層フィルム
１０  基材フィルム
１０ａ  第１の面
１０ｂ  第２の面
１２  粘着剤層
１４  離型処理フィルム
１６  ダミーフィルム
２０  ウエハ回路
２２  半導体デバイス
【図１】
2018093058.tif 000005
【図２】
2018093058.tif 000006
【図３】
2018093058.tif 000007