(57)【要約】【課題】ガラスコア基板の割れを生じにくくする技術を提供する。【解決手段】本発明のコア基板１は、ガラス板１０と、前記ガラス板１０の一方の主面上に設けられた第１導体パターン２０とを備え、前記第１導体パターン２０は、前記ガラス板１０の前記一方の主面上に設けられた、リン含有率が５質量％以下の第１ニッケルめっき層２１０と、前記第１ニッケルめっき層２１０上に設けられた第１銅めっき層２２とを含んでいる。【選択図】図２
2018093141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板と、前記ガラス板の一方の主面上に設けられた第１導体パターンとを備え、
前記第１導体パターンは、
前記ガラス板の前記一方の主面上に設けられた、リン含有率が５質量％以下の第１ニッケルめっき層と、
前記第１ニッケルめっき層上に設けられた第１銅めっき層と
を含んだコア基板。
【請求項２】
前記第１導体パターンの少なくとも一部の上に設けられた電極と、
前記第１導体パターンと前記電極との間に介在した誘電体層と
を更に備え、
前記電極と、前記第１導体パターンのうち前記電極と向き合った部分と、前記誘電体層とはコンデンサを構成している請求項１に記載のコア基板。
【請求項３】
前記第１導体パターンの少なくとも一部の上に設けられた第１電極と、
前記第１電極と前記第１導体パターンとの間に介在した第２電極と、
前記第１及び第２電極間に介在した誘電体層と
を更に備え、
前記第１及び第２電極と前記誘電体層とはコンデンサを構成している請求項１に記載のコア基板。
【請求項４】
前記誘電体層は、酸化アルミニウム、タンタルオキサイド及びシリコンナイトライドの少なくとも一方を含んだ請求項２又は３に記載のコア基板。
【請求項５】
前記第１ニッケルめっき層の厚さは０．３μｍ以下である請求項１乃至４の何れか１項に記載のコア基板。
【請求項６】
前記第１導体パターンは、前記第１ニッケルめっき層と前記ガラス板との間に介在したチタン層と、前記チタン層と前記第１ニッケルめっき層との間に介在した銅層とを更に含んだ請求項１乃至５の何れか１項に記載のコア基板。
【請求項７】
前記ガラス板の他方の主面上に設けられた第２導体パターンを更に備え、
前記第２導体パターンは、
前記ガラス板の前記他方の主面上に設けられた、リン含有率が５質量％以下の第２ニッケルめっき層と、
前記第２ニッケルめっき層上に設けられた第２銅めっき層と
を含んだ請求項１乃至６の何れか１項に記載のコア基板。
【請求項８】
前記ガラス板は貫通孔を有し、
前記コア基板は、前記貫通孔の側壁を被覆するとともに、前記第１及び第２導体パターンを互いに電気的に接続した導体層を更に備え、
前記導体層は、
前記側壁上に設けられた、リン含有率が５質量％以下の第３ニッケルめっき層と、
前記第３ニッケルめっき層上に設けられた第３銅めっき層と
を含んだ請求項７に記載のコア基板。
【請求項９】
前記第３ニッケルめっき層は前記貫通孔の側壁に接触している請求項８に記載のコア基板。
【請求項１０】
銅からなり、前記導体層と共に前記貫通孔を充填したビア、又は、樹脂からなり、前記導体層と共に前記貫通孔を充填したプラグを更に備えた請求項８又は９に記載のコア基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載のコア基板と、
前記第１導体パターンを間に挟んで前記ガラス板と向き合った配線層と、
前記第１導体パターンと前記配線層との間に介在した絶縁層と
を備えた多層配線基板。
【請求項１２】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載のコア基板又は請求項１１に記載の多層配線基板と、
これに搭載された半導体チップと
を備えた半導体パッケージ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体パッケージと、
これを搭載したマザーボードと
を備えた半導体モジュール。
【請求項１４】
ガラス板と、
前記ガラス板の一方の主面上に設けられた、リン含有率が５質量％以下のニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層上に設けられた銅めっき層と
を備えた銅張基板。
【請求項１５】
ガラス板の少なくとも一方の主面上に、無電解めっき法により、リン含有率が５質量％以下のニッケルめっき層を形成することと、
電解めっき法を利用して、前記ニッケルめっき層の一部を被覆した銅めっき層を形成することと、
前記ニッケルめっき層の他の部分を、エッチング剤として酸を用いてエッチングして、前記ニッケルめっき層の前記一部と前記銅めっき層とを含んだ導体パターンを形成することと
を含んだコア基板の製造方法。
【請求項１６】
前記エッチングに先立って、前記銅めっき層上にコンデンサを形成することを更に含み、前記エッチングは前記コンデンサの端面を露出させた状態で行う請求項１５に記載のコア基板の製造方法。
【請求項１７】
前記ニッケルめっき層の形成に先立ち、前記ガラス板の一方の主面上に、スパッタ法又は気相堆積法により金属含有層を形成することを更に含んだ請求項１５又は１６に記載のコア基板の製造方法。
【請求項１８】
前記ガラス板として貫通孔を有しているものを使用し、前記ニッケルめっき層は、前記ガラス板の前記一方の主面と、前記ガラス板の他方の主面と、前記貫通孔の側壁とに形成し、前記銅めっき層は、前記ニッケルめっき層のうち、前記ガラス板の前記一方の主面の一部、前記ガラス板の前記他方の主面の一部、及び、前記貫通孔の前記側壁上に位置した部分を被覆するように形成する請求項１５乃至１７の何れか１項に記載のコア基板の製造方法。
【請求項１９】
前記エッチングの後に、前記貫通孔内の隙間を銅又は樹脂で充填することを更に含んだ請求項１８に記載のコア基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板、多層配線基板、半導体パッケージ、半導体モジュール、銅張基板、及びコア基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化及び小型化が進んでいる。これに伴い、電子機器に搭載される半導体モジュールの高密度化が要求されている。このような要求に応えるために、半導体チップを実装するための配線基板の配線密度を高めることが検討されている。
【０００３】
配線基板に含まれるコア材としては、一般的にガラスエポキシ樹脂が用いられている（特許文献１）。近年、コア材としてガラス板を用いたガラス配線基板が注目されている。
【０００４】
ガラス板は、ガラスエポキシ樹脂からなるコア材と比較して、より高い平滑度を実現できる。そのため、ガラス配線基板では、超微細配線の形成が可能である。それゆえ、ガラス配線基板を用いると、高密度な実装が可能になる。
【０００５】
また、ガラス板の２０℃乃至２６０℃の温度範囲における線膨張係数（ＣＴＥ）は、シリコン基板を用いた半導体チップの２０℃乃至２６０℃の温度範囲における線膨張係数とほぼ一致する。それゆえ、ガラス配線基板を用いると、残留応力が小さな実装が可能である。  
さらに、ガラス配線基板は、高速伝送に優れている。
【０００６】
以上のことから、ガラス配線基板は、高性能な電子機器に搭載される半導体モジュールの配線基板の一つとして注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２５２６３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ガラスコア基板は、ガラス配線基板又はその一部である。ガラスコア基板は、ガラス板の少なくとも一方の主面上に、無電解めっき法により、ニッケルめっき層を形成すること、電解めっき法を利用して、このニッケルめっき層の一部を被覆した銅めっき層を形成すること、及び、ニッケルめっき層の他の部分、すなわち、ニッケルめっき層のうち、銅めっき層によって被覆されていない部分をエッチングして、導体パターンを形成することにより得ることができる。
【０００９】
しかしながら、このような方法により得られるガラスコア基板には、割れが生じやすいという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、ガラスコア基板の割れを生じにくくする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１側面によると、ガラス板と、前記ガラス板の一方の主面上に設けられた第１導体パターンとを備え、前記第１導体パターンは、前記ガラス板の前記一方の主面上に設けられた、リン含有率が５質量％以下の第１ニッケルめっき層と、前記第１ニッケルめっき層上に設けられた第１銅めっき層とを含んだコア基板が提供される。
【００１２】
本発明の第２側面によると、第１側面に係るコア基板と、前記第１導体パターンを間に挟んで前記ガラス板と向き合った配線層と、前記第１導体パターンと前記配線層との間に介在した絶縁層とを備えた多層配線基板が提供される。
【００１３】
本発明の第３側面によると、第１側面に係るコア基板又は第２側面に係る多層配線基板と、これに搭載された半導体チップとを備えた半導体パッケージが提供される。
【００１４】
本発明の第４側面によると、第３側面に係る半導体パッケージと、これを搭載したマザーボードとを備えた半導体モジュールが提供される。
【００１５】
本発明の第５側面によると、ガラス板と、前記ガラス板の一方の主面上に設けられた、リン含有率が５質量％以下のニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上に設けられた銅めっき層とを備えた銅張基板が提供される。
【００１６】
本発明の第６側面によると、ガラス板の少なくとも一方の主面上に、無電解めっき法により、リン含有率が５質量％以下のニッケルめっき層を形成することと、電解めっき法を利用して、前記ニッケルめっき層の一部を被覆した銅めっき層を形成することと、前記ニッケルめっき層の他の部分を、エッチング剤として酸を用いてエッチングして、前記ニッケルめっき層の前記一部と前記銅めっき層とを含んだ導体パターンを形成することとを含んだコア基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、ガラスコア基板の割れを生じにくくする技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一態様に係るコア基板を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示すコア基板のＦ２−Ｆ２線に沿った断面図。
【図３】図１及び図２に示すコア基板の第１変形例を概略的に示す断面図。
【図４】図１及び図２に示すコア基板の第２変形例を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の他の態様に係るコア基板を概略的に示す平面図。
【図６】図５に示すコア基板のＦ６−Ｆ６線に沿った断面図。
【図７】図５及び図６に示すコア基板の第１変形例を概略的に示す断面図。
【図８】図５及び図６に示すコア基板の第２変形例を概略的に示す断面図。
【図９】図３に示すコア基板を含む多層配線基板を概略的に示す断面図。
【図１０】図７に示すコア基板を含む多層配線基板を概略的に示す断面図。
【図１１】図９又は図１０に示す多層配線基板を含む半導体モジュールの一例を概略的に示す断面図。
【図１２】図９又は図１０に示す多層配線基板を含む半導体モジュールの他の例を概略的に示す断面図。
【図１３Ａ】図１及び図２に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１３Ｂ】図１及び図２に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１３Ｃ】図１及び図２に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１３Ｄ】図１及び図２に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１３Ｅ】図１及び図２に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１３Ｆ】図１及び図２に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ａ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｂ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｃ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｄ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｅ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｆ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｇ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｈ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１４Ｉ】図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ａ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｂ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｃ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｄ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｅ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｆ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｇ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｈ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１５Ｉ】図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図１６】図１０に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明者らは、上記の問題に対して、詳細な検証を行った。その結果、ニッケルめっき層のリン含有率が、コア基板の割れに影響していることを見出した。すなわち、従来、ガラス板の少なくとも一方の主面上に形成されるニッケルめっき層のリン含有率は、６質量％以上であった。しかしながら、本発明者らは、このニッケルめっき層のリン含有率を十分に小さくすることにより、コア基板の割れが生じにくくなるという知見を得た。本発明はこの知見に基づくものである。
【００２０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する各部分には、同一符号を用いて、重複する説明は省略する。
【００２１】
図１は、本発明の一態様に係るコア基板を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示すコア基板のＦ２−Ｆ２線に沿った断面図である。
【００２２】
図１及び図２に示すコア基板１は、貫通孔ＴＨが設けられたガラス板１０と、第１導体パターン２０と、第２導体パターン３０と、導体層４０とを備えている。
【００２３】
ガラス板１０は、典型的には、光透過性を有する。ガラス板１０を構成するガラス材料の成分、及びその配合比率は特に限定されない。ガラス板１０としては、例えば、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、及び感光性ガラスなど、ケイ酸塩を主成分とするガラスを用いることができる。ガラス板１０としては、半導体パッケージ及び半導体モジュールに用いられるという観点からは、無アルカリガラスを用いることが望ましい。無アルカリガラスに含まれるアルカリ成分の含有率は、０．１質量％以下であることが好ましい。
【００２４】
ガラス板１０の厚さは、１ｍｍ以下であることが好ましい。ガラス板１０の厚さは、貫通孔ＴＨの形成容易性や製造時のハンドリング性を考慮すると、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００２５】
ガラス板１０の製造方法としては、例えば、フロート法、ダウンドロー法、フュージョン法、アップドロー法、及びロールアウト法などが挙げられる。ガラス板１０は、いずれの方法によって作製されたものを用いてもよい。
【００２６】
ガラス板１０の線膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）は、２０℃乃至２６０℃の温度範囲において、１×１０-6／Ｋ以上１５．０×１０-6／Ｋ以下の範囲内にあることが好ましく、０．５×１０-6／Ｋ以上８．０×１０-6／Ｋ以下の範囲内にあることがより好ましく、０．５×１０-6／Ｋ以上４．０×１０-6／Ｋ以下の範囲内にあることが更に好ましい。ガラス板１０の線膨張係数がこの範囲内にあると、コア基板１上に表面実装されるシリコン基板を用いた半導体チップの線膨張係数との差が小さい傾向にある。なお、線膨張係数とは、温度の上昇に対応して長さが変化する割合を意味している。
【００２７】
ガラス板１０の少なくとも一方の主面は、機能層を備えていてもよい。機能層としては、例えば、微粒子を含む反射防止層、赤外線吸収剤を含む赤外線遮蔽層、ハードコート材料を含む強度付与層、帯電防止剤を含む帯電防止層、着色剤を含む着色層、光学薄膜を含む光学フィルタ層、光散乱膜を含むテクスチャ制御層及びアンチグレア層など挙げることができる。このような機能層は、例えば、蒸着法、スパッタ法、又はウエット方式などの表面処理技術によって形成することができる。
【００２８】
貫通孔ＴＨの長さ方向に対して平行な断面の形状は、長方形であってもよく、Ｘシェイプ、すなわち、貫通孔ＴＨのトップ径及びボトム径に対して、中央部の径がより小さい形状であってもよく、テーパ状、すなわち、貫通孔ＴＨのトップ径に対してボトム径がより小さい形状であってもよく、Ｏシェイプ、すなわち、貫通孔ＴＨのトップ径及びボトム径に対して、中央部の径がより大きい形状であってもよく、その他の形状であってもよい。
【００２９】
貫通孔ＴＨの長さ方向に対して垂直な断面の形状は、円形であってもよく、楕円形であってもよく、多角形であってもよい。
【００３０】
第１導体パターン２０は、ガラス板１０の一方の主面上に設けられている。第１導体パターン２０は、例えば、回路配線や電極パッドを構成している。
【００３１】
第１導体パターン２０は、第１シード層２１と、第１銅めっき層２２とを含んでいる。第１シード層２１は、ガラス板１０上に設けられている。第１銅めっき層２２は、第１シード層２１上に設けられている。
【００３２】
第１シード層２１は、第１金属含有層２１１と、第１ニッケルめっき層２１０とを含んでいる。第１金属含有層２１１は、ガラス板１０上に設けられている。第１ニッケルめっき層２１０は、第１金属含有層２１１上に設けられている。
【００３３】
第２導体パターン３０は、ガラス板１０の他方の主面上に設けられている。第２導体パターン３０は、例えば、回路配線や電極パッドを構成している。
【００３４】
第２導体パターン３０は、第２シード層３１と、第２銅めっき層３２とを含んでいる。第２シード層３１は、ガラス板１０上に設けられている。第２銅めっき層３２は、第２シード層３１上に設けられている。
【００３５】
第２シード層３１は、第２金属含有層３１１と、第２ニッケルめっき層３１０とを含んでいる。第２金属含有層３１１は、ガラス板１０上に設けられている。第２ニッケルめっき層３１０は、第２金属含有層３１１上に設けられている。
【００３６】
なお、第１銅めっき層２２、第１ニッケルめっき層２１０、第１金属含有層２１１、第２銅めっき層３２、第２ニッケルめっき層３１０及び第２金属含有層３１１については、後で詳しく説明する。
【００３７】
導体層４０は、貫通孔ＴＨの側壁を被覆している。導体層４０は、第１導体パターン２０の少なくとも一部と第２導体パターン３０の少なくとも一部とを電気的に接続している。導体層４０は、第３シード層４１と第３銅めっき層４２とを含んでいる。
【００３８】
第３シード層４１は、第３ニッケルめっき層を含んでいる。第３シード層４１は、典型的には、第３ニッケルめっき層からなる。第３シード層４１は、貫通孔ＴＨの側壁上に接触している。第３銅めっき層４２は、第３シード層４１上に設けられている。
【００３９】
第３ニッケルめっき層の組成等は、第１ニッケルめっき層２１０及び第２ニッケルめっき層３１０について後述する組成等と同様である。第３銅めっき層４２の組成等は、第１銅めっき層２２及び第２銅めっき層３２について後述する組成等と同様である。
【００４０】
第１ニッケルめっき層２１０及び第２ニッケルめっき層３１０は、リン（Ｐ）を含有している。これらニッケルめっき層２１０及び３１０のリン含有率は、５質量％以下であり、好ましくは３質量％以下であり、より好ましくは１質量％以下である。
【００４１】
これらニッケルめっき層２１０及び３１０のリン含有率が十分に小さい場合、コア基板１に割れが生じにくい。このリン含有率に下限値は特にないが、リン含有率は、一例によれば０．１質量％以上であり、他の例によれば０．５質量％以上であり、さらに他の例によれば１質量％以上である。
【００４２】
これらニッケルめっき層２１０及び３１０におけるリン含有率は、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）により得ることができる。
【００４３】
これらニッケルめっき層２１０及び３１０は、ニッケル及びリン以外にも、硫黄（Ｓ）、鉛（Ｐｂ）及びビスマス（Ｂｉ）などの他の成分を含んでいてもよい。これらニッケルめっき層２１０及び３１０に含まれる他の成分の含有率は、２０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
ニッケルめっき層における硫黄の含有率は、例えば、以下の方法により求めることができる。  
先ず、無電解めっき法によりステンレス板上にニッケルめっき層を形成する。次いで、ステンレス板からニッケルめっき層を剥離する。次いで、このニッケルめっき層について、特許公開公報２００３−１６６９７４号公報に記載された方法（燃焼−電量法）により、硫黄の含有率を求めることができる。
【００４５】
ニッケルめっき層における鉛及びビスマスの含有率は、例えば、以下の方法により得ることができる。  
先ず、無電解めっき法によりステンレス板上にニッケルめっき層を形成する。次いで、ステンレス板からニッケルめっき層を剥離する。次いで、このニッケルめっき層について、ＩＣＰ質量分析法により、鉛及びビスマスの含有率を求めることができる。
【００４６】
これらニッケルめっき層２１０及び３１０の厚さは、典型的には１μｍ以下であり、望ましくは０．４μｍ以下であり、より望ましくは０．３μｍ以下であり、更に望ましくは０．１μｍ以下である。
【００４７】
これらニッケルめっき層２１０及び３１０が薄いと、第１ニッケルめっき層２１０とガラス板１０との密着性、及び第２ニッケルめっき層３１０とガラス板１０との密着性が高い傾向にある。また、これらニッケルめっき層２１０及び３１０が薄いと、これらニッケルめっき層２１０及び３１０の形成及びエッチングに要する時間が短く、製造が容易である。
【００４８】
これらニッケルめっき層２１０及び３１０の厚さは、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．０５μｍ以上であることがより好ましい。これらニッケルめっき層２１０及び３１０が厚いと、第１ニッケルめっき層２１０と第１銅めっき層２２との密着性、及び第２ニッケルめっき層３１０と第２銅めっき層３２との密着性が高い傾向にある。
【００４９】
これらニッケルめっき層２１０及び３１０の厚さは、例えば、蛍光Ｘ線元素分析法により得ることができる。
【００５０】
第１金属含有層２１１及び第２金属含有層３１１は、それぞれ、ガラス板１０と第１ニッケルめっき層２１０との密着性、及びガラス板１０と第２ニッケルめっき層３１０との密着性を向上させる。これら金属含有層２１１及び３１１は、典型的には、スパッタ法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。
【００５１】
これら金属含有層２１１及び３１１は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金、Ａｌ−Ｃｕ系合金、Ｎｉ−Ｆｅ系合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、活性酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ｃｕ3Ｎ4、Ｃｕ合金の単体又はこれらの混合物からなる。
【００５２】
これら金属含有層２１１及び３１１は、単一層であってもよく、２層以上の多層であってもよい。これら金属含有層２１１及び３１１の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．１μｍ以上０．６μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。これら金属含有層２１１及び３１１の厚さがこの範囲内にあると、第１ニッケルめっき層２１０とガラス板１０との密着性、及び第２ニッケルめっき層３１０とガラス板１０との密着性と、工程時間の短縮とを両立することができる。
【００５３】
これら金属含有層２１１及び３１１の各々は、チタン層を含んでいることが好ましい。チタン層は、ガラス板１０との密着性に優れている。チタン層の厚さは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００５４】
これら金属含有層２１１及び３１１の各々は、銅層を含んでいることが好ましい。銅層は、第１ニッケルめっき層２１０及び第２ニッケルめっき層３１０との密着性に優れている。銅層の厚さは、０．０９μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００５５】
これら金属含有層２１１及び３１１の各々は、チタン層と銅層との双方を含んでいることが好ましい。この場合、チタン層は、第１ニッケルめっき層２１０とガラス板１０との間、及び第２ニッケルめっき層３１０とガラス板１０との間に介在し、銅層は、チタン層と第１ニッケルめっき層２１０との間、及びチタン層と第２ニッケルめっき層３１０との間に介在することが好ましい。このような構成を採用した場合、ガラス板１０と第１ニッケルめっき層２１０、及びガラス板１０と第２ニッケルめっき層３１０との密着性をより向上させることができる。
【００５６】
これら金属含有層２１１及び３１１上には、パラジウムが層として形成されていてもよい。パラジウムは、無電解ニッケルめっき時の触媒となる。したがって、パラジウムは、第１ニッケルめっき層２１０とガラス板との間、及び第２ニッケルめっき層３１０とガラス板１０との間に介在することが好ましい。
【００５７】
なお、パラジウム層と、これら金属含有層２１１及び３１１に含まれる他の金属含有層との間、並びにパラジウム層とこれらニッケルめっき層２１０及び３１０との間には、金属間化合物層が形成されていてもよい。
【００５８】
第１銅めっき層２２及び第２銅めっき層３２は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、及びアディティブ法などの公知の方法で形成できる。
【００５９】
これら銅めっき層２２及び３２の厚さは、１μｍ乃至２０μｍの範囲内にあることが好ましく、３μｍ乃至１８μｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６０】
これら銅めっき層２２及び３２は、ニッケルや硫黄など銅以外の成分を含んでいてもよい。これら銅めっき層２２及び３２における銅以外の成分の含有率は、１質量％以下であることが好ましい。
【００６１】
これら銅めっき層２２及び３２の表面は、粗化されていてもよい。このようにすると、第１銅めっき層２２と後述する第１絶縁層６１との密着性、及び第２銅めっき層３２と後述する第２絶縁層６２との密着性が向上する。
【００６２】
このコア基板１は、図示しない第１及び第２密着層を更に備えていてもよい。第１密着層は、ガラス板１０の一方の主面のうち、第１導体パターン２０により被覆されていない部分に設けられる。第２密着層は、ガラス板１０の他方の主面のうち、第２導体パターン３０により被覆されていない部分に設けられる。第１密着層は、ガラス板１０と後述する第１絶縁層６１との密着性を向上させる。第２密着層は、ガラス板１０と後述する第２絶縁層６２との密着性を向上させる。第１及び第２密着層は、典型的には、シランカップリング剤を含んでいる。
【００６３】
また、銅めっき層２２及び３２の表面を粗化しない場合、コア基板１は、銅めっき層２２及び３２の表面に、図示しない第３及び第４密着層を更に備えていてもよい。第３密着層は、第１銅めっき層２２上に設けられる。第４密着層は、第２銅めっき層３２上に設けられる。第３密着層は、第１銅めっき層２２と後述する第１絶縁層６１との密着性を向上させる。第４密着層は、第２銅めっき層３２と後述する第２絶縁層６２との密着性を向上させる。第３及び第４密着層は、典型的には、スズ（Ｓｎ）を含む層とシランカップリング剤を含む層との積層構造を含んでいる。
【００６４】
なお、ここでは、このコア基板１について、ガラス板１０の両面に導体パターンを備えたものを例に挙げて説明したが、導体パターンは、ガラス板の少なくとも一方の主面に形成されていればよい。
【００６５】
また、第３シード層４１について、第３ニッケルめっき層のみからなる単層構造を備えたものを例に挙げて説明したが、第３シード層４１は、２層以上の多層であってもよい。第３シード層４１は、例えば、第３ニッケルめっき層とガラス板１０との間に介在する第３金属含有層を含んでいてもよい。第３金属含有層の組成等は、典型的には、金属含有層２１１及び３１１の組成等と同様である。
【００６６】
図３は、図１及び図２に示すコア基板の第１変形例を概略的に示す断面図である。このコア基板１は、銅からなるビアＶＩを更に備えている。ビアＶＩは、貫通孔ＴＨを、導体層４０とともに銅で充填することにより形成される。この銅の組成等は、典型的には、上述した銅めっき層２２及び３２の組成等と同様である。ビアＶＩを形成する方法としては、電解めっき法を挙げることができる。
【００６７】
図４は、図１及び図２に示すコア基板の第２変形例を概略的に示す断面図である。このコア基板１は、樹脂からなるプラグＰＬと、第１絶縁層６１と、第２絶縁層６２とを更に備えている。
【００６８】
プラグＰＬは、貫通孔ＴＨを、導体層４０とともに樹脂で充填することにより形成される。絶縁層６１及び６２は、それぞれ、コア基板１の一方の主面及び他方の主面を被覆している。プラグＰＬと第１絶縁層６１と第２絶縁層６２とは、典型的には、同一の樹脂により一体的に形成されている。
【００６９】
樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー及びこれらの複合材料を用いることができる。樹脂としては、電気特性や製造容易性の観点から、フィラーを含有したエポキシ樹脂を使用するが望ましい。フィラーとしては、例えば、シリカ、硫酸バリウム、酸化チタン又はこれらの混合物を用いることができる。なお、樹脂としては、導電性ペースト又は導電性樹脂を用いてもよい。
【００７０】
図５は、本発明の他の態様に係るコア基板を概略的に示す平面図である。図６は、図５に示すコア基板のＦ６−Ｆ６線に沿った断面図である。
【００７１】
このコア基板１は、コンデンサ５０を更に備えている。コンデンサ５０は、典型的には、薄膜コンデンサである。コンデンサ５０は、第１電極５１と、第２電極５２と、誘電体層５３とから構成されている。
【００７２】
第１電極５１は、第１導体パターン２０の少なくとも一部の上に設けられている。第２電極５２は、第１電極５１と第１導体パターン２０との間に介在している。誘電体層５３は、第１電極５１と第２電極５２との間に介在している。
【００７３】
電極５１及び５２は、それぞれ、単一層であってもよく、２層以上の多層であってもよい。これら電極５１及び５２の組成等は、典型的には、金属含有層２１１及び３１１の組成等と同様である。
【００７４】
誘電体層５３は、例えば、無機化合物を含んでいる。無機化合物としては、例えば、アルミニウム、チタン、タンタル、クロム、ランタン、サマリウム、イッテルビウム、イットリウム、ガドリニウム、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、ガリウム、セリウム、及びシリコンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む酸化物、炭化物、窒化物及びホウ化物を挙げることができる。
【００７５】
誘電体層５３は、シリコンナイトライド、酸化タンタル（タンタルオキサイド）及び酸化アルミニウムの少なくとも一方を含んでいることが望ましい。シリコンナイトライド、酸化タンタル（タンタルオキサイド）及び酸化アルミニウムは、誘電率が低く、絶縁性に優れている。
【００７６】
誘電体層５３は、典型的には、スパッタ法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。
【００７７】
なお、コンデンサ５０は、第２電極５２を備えていなくてもよい。すなわち、コンデンサ５０は、第１電極５１と、第１導体パターン２０のうち第１電極５１と向き合った部分と、誘電体層５３とから構成されていてもよい。
【００７８】
また、コンデンサ５０は、第１電極５１の少なくとも一部の上に、銅めっき層を更に備えていてもよい。この銅めっき層の組成等は、典型的には、上述した銅めっき層２２及び３２の組成等と同様である。
【００７９】
また、コンデンサ５０は、第１導体パターン２０と第２導体パターン３０との双方の上に設けられていてもよい。また、コンデンサ５０は、導体パターン２０及び３０の一方の上に複数設けられていてもよく、導体パターン２０及び３０の各々の上に複数設けられていてもよい。
【００８０】
図５及び図６に示す他の態様に係るコア基板１には、図７及び図８に示すように、上述した第１及び第２変形例を適用することができる。  
図７は、図５及び図６に示すコア基板の第１変形例を概略的に示す断面図である。このコア基板１は、銅からなるビアＶＩを更に備えている。
【００８１】
図８は、図５及び図６に示すコア基板の第２変形例を概略的に示す断面図である。このコア基板１は、樹脂からなるプラグＰＬと、第１絶縁層６１と、第２絶縁層６２とを更に備えている。
【００８２】
このコア基板１について説明した技術は、銅張基板にも適用することができる。すなわち、本発明の更に他の態様に係る銅張基板は、ガラス板と、ニッケルめっき層と、銅めっき層とを備えている。
【００８３】
このニッケルめっき層は、ガラス板の一方の主面上に設けられている。ニッケルめっき層の組成等は、ニッケルめっき層２１０及び３１０の組成等と同様である。
【００８４】
この銅めっき層は、ニッケルめっき層上に設けられている。銅めっき層の組成等は、銅めっき層２２及び３２の組成等と同様である。
【００８５】
図９は、図４に示すコア基板を含む多層配線基板を概略的に示す断面図である。この多層配線基板１０００は、図４に示すコア基板１と、第１絶縁層６１と、第２絶縁層６２と、第３絶縁層６３と、第４絶縁層６４と、第５絶縁層６５と、第６絶縁層６６と、第１配線層７１と、第２配線層７２と、第３配線層７３と、第４配線層７４と、第１表面処理層８１と、第２表面処理層８２と、第１はんだ層９１と、第２はんだ層９２とを備えている。
【００８６】
第１絶縁層６１は、第１導体パターン２０と第１配線層７１との間に介在している。第２絶縁層６２は、第２導体パターン３０と第２配線層７２との間に介在している。第３絶縁層６３は、第１配線層７１と第３配線層７３との間に介在している。第４絶縁層６４は、第２配線層７２と第４配線層７４との間に介在している。
【００８７】
絶縁層６３及び６４の組成等は、典型的には、上述した絶縁層６１及び６２の組成等の同様である。これら絶縁層６１乃至６４の組成は、同一であることが好ましい。
【００８８】
第５絶縁層６５は、第３配線層７３の少なくとも一部を被覆している。第６絶縁層６６は、第４配線層７４の少なくとも一部を被覆している。
【００８９】
絶縁層６５及び６６、すなわち、多層配線基板１０００の表面に位置する絶縁層は、典型的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、及びこれらの複合材料を含んでいる。絶縁層６５及び６６は、ソルダーレジストであることが好ましい。絶縁層６５及び６６としてソルダーレジストを用いると、同一はんだ層内に設けられ、離れて位置しているはんだ部（例えば、はんだボール）間での短絡を抑制できる。
【００９０】
第１配線層７１は、第１導体パターン２０を間に挟んでガラス板１０と向き合っている。第２配線層７２は、第２導体パターン３０を間に挟んでガラス板１０と向き合っている。第３配線層７３は、第１配線層７１を間に挟んでガラス板１０と向き合っている。第４配線層７４は、第２配線層７２を間に挟んでガラス板１０と向き合っている。
【００９１】
これら配線層７１乃至７４は、例えば、回路配線や電極パッドを構成している。これら配線層７１乃至７４は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、及びアディティブ法などの公知の方法で形成できる。
【００９２】
これら配線層７１乃至７４は、電気伝導率の観点から、銅又は銅合金を含むことが好ましい。これら配線層７１乃至７４の組成等は、典型的には、銅めっき層２２及び３２の組成等と同様である。
【００９３】
第１表面処理層８１は、第３配線層７３と第１はんだ層９１との間に介在している。第１表面処理層８１は、第３配線層７３と第１はんだ層９１との接合性を向上させる。
【００９４】
第２表面処理層８２は、第４配線層７４と第２はんだ層９２との間に介在している。第２表面処理層８２は、第４配線層７４と、第２はんだ層９２との接合性を向上させる。
【００９５】
これら表面処理層８１及び８２としては、スズめっき、スズ合金めっき、無電解Ｎｉ−Ｐ／無電解Ｐｄ−Ｐ／Ａｕめっき、又は無電解Ｎｉ−Ｐ／Ａｕめっきなどのめっき被膜を用いることができる。これら表面処理層８１及び８２は、めっき被膜を用いる代わりに、有機被膜を用いてもよい。有機被膜としては、プレソルダー処理被膜、又は、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）などのプレフラックス処理被膜を挙げることができる。
【００９６】
第１はんだ層９１は、第１表面処理層８１上に設けられている。第２はんだ層９２は、第２表面処理層８２上に設けられている。これらはんだ層９１及び９２の各々は、典型的には、複数のはんだ部を含んでいる。
【００９７】
これらはんだ層９１及び９２は、スズ、銀、銅、ビスマス、鉛、亜鉛、インジウム、アンチモン又はこれらの混合物を含んでいる。
【００９８】
なお、ここでは、多層配線基板１０００について、両面に２層の配線層と３層の絶縁層とを備えたものを例に挙げて説明したが、配線層は１層でもよく、３層以上でもよい。また、絶縁層は、２層でもよく、４層以上でもよい。
【００９９】
また、多層配線基板１０００について、図４に示すコア基板１を含むものを例に挙げて説明したが、多層配線基板１０００は、図１及び図２に示すコア基板又は図３に示すコア基板１を含んでいてもよい。
【０１００】
また、多層配線基板１０００について、表面処理層８１及び８２を備えたものを例に挙げて説明したが、表面処理層８１及び８２は、省略してもよい。
【０１０１】
また、多層配線基板１０００について、はんだ層９１及び９２を備えたものを例に挙げて説明したが、はんだ層９１及び９２の代わりにワイヤーボンディング用のパッドを設けてもよい。
【０１０２】
図１０は、図８に示すコア基板を含む多層配線基板を概略的に示す断面図である。図１０に示す多層配線基板１０００は、コンデンサ５０を更に含み、その第１電極５１が第１配線層７１の一部と電気的に接続されていること以外は、図９に示す多層配線基板１０００と同様の構成を備えている。
【０１０３】
図１１は、図９又は図１０に示す多層配線基板を含む半導体モジュールの一例を概略的に示す断面図である。この半導体モジュール５０００は、マザーボード４０００と、半導体チップ２０００と、図９又は図１０に示す多層配線基板１０００とを備えている。
【０１０４】
多層配線基板１０００は、半導体チップ２０００とマザーボード４０００との間に介在し、これらを電気的に接続している。すなわち、多層配線基板１０００は、半導体モジュール５０００のインターポーザとして機能することができる。
【０１０５】
半導体チップ２０００は、第１はんだ層９１を介して、多層配線基板１０００に接続されている。多層配線基板１０００は、第２はんだ層９２を介して、マザーボード４０００と接続されている。
【０１０６】
半導体チップ２０００は、例えば、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）又は固体撮像素子である。集積回路は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたトランジスタ及びダイオードなどの素子とを備えている。固体撮像素子は、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサ又はＣＣＤセンサである。半導体チップ２０００は、一例によると、略直方体形状を有している。
【０１０７】
半導体基板としては、例えば、シリコン基板（Ｓｉ基板）、窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）、又は炭化ケイ素基板（ＳｉＣ基板）などの無機物を主成分とした基板を用いることができ、シリコン基板を用いることが好ましい。
【０１０８】
シリコン基板の２０℃乃至２６０℃の温度範囲における線膨張係数は、約２×１０-6／Ｋ乃至４×１０-6／Ｋの範囲内にある。すなわち、半導体基板としてシリコン基板を用いると、半導体チップ２０００の２０℃乃至２６０℃の温度範囲における線膨張係数と、多層配線基板１０００の２０℃乃至２６０℃の温度範囲における線膨張係数との差を小さくすることができる。この差が小さいと、残留応力が小さな実装を実現できる。
【０１０９】
図１２は、図９又は図１０に示す多層配線基板を含む半導体モジュールの他の例を概略的に示す断面図である。この半導体モジュール５０００は、半導体パッケージ３０００とマザーボード４０００とを備えている。
【０１１０】
半導体パッケージ３０００は、図９又は図１０に示す多層配線基板１０００と、半導体チップ２０００と、封止樹脂とを備えている。一例によれば、半導体チップ２０００は、多層配線基板１０００にフリップチップ実装されている。この場合、封止樹脂は、半導体チップ２０００と多層配線基板１０００との隙間を充填している。
【０１１１】
半導体パッケージ３０００とマザーボード４０００とは、多層配線基板１０００に備えられた第２はんだ層９２を介して接続されている。
【０１１２】
なお、ここでは、半導体モジュール５０００について、はんだ層９１及び９２を介して多層配線基板１０００を接続したものを例に挙げて説明したが、はんだ層９１及び９２の代わりに、例えば、銅ポストなどの柱状金属含有層によって接続してもよい。この銅ポストは、表面処理層やはんだ層を更に備えていることが好ましい。
【０１１３】
次に、上述した多層配線基板１０００の製造方法の一例について説明する。  
先ず、図１３Ａ乃至図１３Ｆを参照しながら、図１及び図２に示すコア基板１の製造方法の一例を説明する。図１３Ａ乃至図１３Ｆは、図１及び図２に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【０１１４】
先ず、貫通孔ＴＨが設けられたガラス板１０を準備する。次に、図１３Ａに示すように、ガラス板１０の一方の主面に第１金属含有層２１１を、他方の主面に第２金属含有層３１１を形成する。具体的には、ガラス板１０の一方の主面に、スパッタ法又はＣＶＤ法によりチタンを堆積させて、第１チタン層２１１ａを形成する。同様の方法により、ガラス板１０の他方の主面に、第２チタン層３１１ａを形成する。次いで、このチタン層２１１ａ及び３１１ａ上に、スパッタ法又はＣＶＤ法により銅を堆積させて、第１銅層２１１ｂ及び第２銅層３１１ｂをそれぞれ形成する。
【０１１５】
次に、図１３Ｂに示すように、無電解めっき法により、金属含有層２１１及び３１１上に、それぞれ、ニッケルめっき層２１０及び３１０を形成するとともに、貫通孔ＴＨの側壁上に、第３ニッケルめっき層を形成する。このようにして、第１シード層２１、第２シード層３１及び第３シード層４１を得る。
【０１１６】
無電解ニッケルめっき液は、ニッケルを含む金属塩と、還元剤とを含んでいる。  
ニッケルを含む金属塩としては、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル又はこれらの混合物を挙げることができる。  
無電解ニッケルめっき液に含まれるニッケルを含む金属塩の濃度は、１０ｇ／Ｌ乃至５０ｇ／Ｌの範囲内にあることが好ましく、１５ｇ／Ｌ乃至４５ｇ／Ｌの範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ乃至３０ｇ／Ｌの範囲内にあることが更に好ましい。
【０１１７】
還元剤は、ニッケルを含む金属塩を還元する。  
還元剤としては、例えば、ホルマリン、ヒドラジン、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム又はこれらの混合物を挙げることができる。  
無電解ニッケルめっき液に含まれる還元剤の濃度は、１０ｇ／Ｌ乃至５０ｇ／Ｌの範囲内にあることが好ましく、１５ｇ／Ｌ乃至４５ｇ／Ｌの範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ乃至３０ｇ／Ｌの範囲内にあることが更に好ましい。
【０１１８】
無電解ニッケルめっき液は、金属系添加剤、有機系添加剤、錯化剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤又はこれらの混合物を更に含んでいてもよい。
【０１１９】
金属系添加剤は、無電解ニッケルめっき液の安定性を高める。金属系添加剤は、例えば、鉛塩、ビスマス塩又はこれらの混合物を含んでいる。
【０１２０】
有機系添加剤は、ニッケルの析出を促す。有機系添加剤は、例えば、硫黄を含んでいる。
【０１２１】
錯化剤としては、例えば、水酸化アンモニウム、クエン酸ナトリウム、エチレングリコール又はこれらの混合物を挙げることができる。  
無電解ニッケルめっき液に含まれる錯化剤の濃度は、１０ｇ／Ｌ乃至５０ｇ／Ｌの範囲内にあることが好ましく、１０ｇ／Ｌ乃至４０ｇ／Ｌの範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ乃至３０ｇ／Ｌの範囲内にあることが更に好ましい。
【０１２２】
ｐＨ調整剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、アンモニア、硫酸又はこれらの混合物を挙げることができる。
【０１２３】
緩衝剤としては、例えば、クエン酸ナトリウム、ホウ酸、炭酸又はこれらの混合物を挙げることができる。
【０１２４】
また、無電解ニッケルめっき液は、塩化アンモニウムを含んでいてもよい。  
無電解ニッケルめっき液に含まれる塩化アンモニウムの濃度は、１０ｇ／Ｌ乃至５０ｇ／Ｌの範囲内にあることが好ましく、１０ｇ／Ｌ乃至４０ｇ／Ｌの範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ乃至３０ｇ／Ｌの範囲内にあることが更に好ましい。
【０１２５】
無電解めっき処理に際しては、無電解ニッケルめっき液のｐＨは、７．５乃至１０．０の範囲内とすることが好ましく、８．０乃至９．５の範囲内とすることがより好ましく、８．２乃至９．３の範囲内とすることが更に好ましい。
【０１２６】
また、無電解ニッケルめっき液の温度は、例えば、３０℃乃至６０℃の範囲内とすることが好ましく、３５℃乃至５５℃の範囲内とすることがより好ましく、４０℃乃至５０℃の範囲内とすることが更に好ましい。
【０１２７】
次に、第１ニッケルめっき層２１０上に、ロールラミネート装置などを用いてドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第１レジスト層ＲＥ１を形成する。同様の方法により、第２ニッケルめっき層３１０上に、第２レジスト層ＲＥ２を形成する。
【０１２８】
なお、これらレジスト層は、流動性のレジスト材料を塗布することにより形成してもよい。
【０１２９】
次に、図１３Ｃに示すように、フォトリソグラフィー法により、第１レジスト層ＲＥ１の一部を除去して、第１開口部ＯＰ１を設ける。同様の方法により、第２レジスト層ＲＥ２の一部を除去して、第２開口部ＯＰ２を設ける。
【０１３０】
次に、図１３Ｄに示すように、第１銅めっき層２２、第２銅めっき層３２及び導体層４０を形成する。具体的には、電解めっき法により、第１ニッケルめっき層２１０のうち、第１レジスト層ＲＥ１によって被覆されていない部分と、第２ニッケルめっき層３１０のうち、第２レジスト層ＲＥ２によって被覆されていない部分とに、それぞれ、第１銅めっき層２２と第２銅めっき層３２とを形成するとともに、第３シード層４１上に、第３銅めっき層４２を形成する。
【０１３１】
次に、図１３Ｅに示すように、アルカリ溶液などのレジスト剥離液を用いて、レジスト層ＲＥ１及びＲＥ２を剥離する。
【０１３２】
次に、図１３Ｆに示すように、第１導体パターン２０及び第２導体パターン３０を形成する。  
具体的には、先ず、第１エッチング剤として酸を用いて、第１ニッケルめっき層２１０及び第１銅層２１１ｂのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分と、第２ニッケルめっき層３１０及び第２銅層３１１ｂのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分とをエッチングする。
【０１３３】
第１エッチング剤としては、ｐＨが０．５乃至２の範囲内にある酸性水溶液を用いることが好ましい。酸性水溶液は、硫酸及び過酸化水素水の少なくとも一方を含んでいることが好ましく、双方を含んでいることがより好ましい。
【０１３４】
この第１エッチング剤の温度は、２０℃乃至４０℃の範囲内とすることが好ましく、２５℃乃至３５℃の範囲内とすることがより好ましい。
【０１３５】
次いで、第２エッチング剤として弱アルカリ溶液を用いて、第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分と、第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分とをエッチングする。
【０１３６】
第２エッチング剤としては、ｐＨが７乃至１２の範囲内にある弱アルカリ性水溶液を用いることが好ましく、ｐＨが８乃至１０の範囲内にある弱アルカリ性水溶液を用いることがより好ましい。弱アルカリ性水溶液としては、アンモニア水と過酸化水素水との混合物を用いることが好ましい。
【０１３７】
この第２エッチング剤の温度は、２０℃乃至４０℃の範囲内とすることが好ましく、２５℃乃至３５℃の範囲内とすることが好ましい。
【０１３８】
以上のようにして、図１及び図２に示すコア基板１を得ることができる。  
この方法では、上述した条件のもとで第１乃至第３ニッケルめっき層を形成している。それゆえ、このようにして得られたコア基板１において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、上述したように低い。
【０１３９】
また、このような、ニッケルめっき層は、上述した条件のもとでエッチングすることができる。このような条件のもとでは、ガラス板１０はエッチングによるダメージを受けにくい。例えば、このようにして得られたコア基板１において、シード層２１及び３１をエッチングすることにより露出したガラス板１０の部分の粗さは、製造開始時に準備したガラス板１０の表面の粗さと比較して、ほぼ変わらない。
【０１４０】
一例によると、非接触型干渉顕微鏡を用いて得られた、ガラス板１０の表面の粗さは、製造開始前では０．５ｎｍであり、シード層２１及び３１をエッチングすることにより露出させた部分でも０．５ｎｍである。
【０１４１】
したがって、このようにして得られたコア基板１は、リン含有率が６質量％以上であるニッケルめっき層が設けられたコア基板と比較して、割れが生じにくい。
【０１４２】
また、本発明者らは、このようにして得られたコア基板１のシード層２１及び３１には、リン含有率が６質量％以上であるニッケルめっき層が設けられたコア基板のシード層と比較して、アンダーカットが発生しにくいことを見出している。したがって、このコア基板１は、電気特性に優れている。
【０１４３】
また、このような方法によると、ニッケルめっき層２１０及び３１０と、銅層２１１ｂ及び３１１ｂとを、同じエッチング剤を用いて、同時に除去することができる。それゆえ、このような方法によると、コア基板１の製造時間を短縮することができる。
【０１４４】
次に、図１４Ａ乃至図１４Ｉを参照しながら、図９に示す多層配線基板の製造方法を説明する。図１４Ａ乃至図１４Ｉは、図９に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【０１４５】
先ず、図１４Ａに示すように、図４を参照しながら説明したコア基板１を準備する。具体的には、図１及び図２に示すコア基板１の一方の主面及び他方の主面に、真空ラミネート法を用いて樹脂フィルムをラミネートすることにより、それぞれ、第１絶縁層６１及び第２絶縁層６２を形成するとともに、貫通孔ＴＨ内を樹脂で充填して、プラグＰＬを形成する。
【０１４６】
次に、図１４Ｂに示すように、第１絶縁層６１に、レーザー加工を施し、第３開口部ＯＰ３を形成する。同様の方法により、第２絶縁層６２に第４開口部ＯＰ４を形成する。
【０１４７】
次いで、デスミア処理を行い、スミアを除去するとともに、絶縁層６１及び６２の表面を粗化する。
【０１４８】
次に、図１４Ｃに示すように、無電解めっき法により、第１絶縁層６１と、第１銅めっき層２２のうち第１絶縁層６１によって被覆されていない部分とに、シード層７１ａを形成する。同様の方法により、第２絶縁層６２と、第２銅めっき層３２のうち第２絶縁層６２によって被覆されていない部分とに、シード層７２ａを形成する。シード層７１ａ及びシード層７２ａは、典型的には、銅を含んでいる。
【０１４９】
なお、シード層７１ａ及び７２ａの各々は、無電解めっき法の代わりに、スパッタ法又はＣＶＤ法により形成してもよい。但し、開口部ＯＰ３及びＯＰ４の側壁への堆積させやすさの観点では、無電解めっき法を用いることが好ましい。
【０１５０】
次に、ロールラミネート装置を用いて、シード層７１ａ上にドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第３レジスト層ＲＥ３を形成する。同様の方法により、シード層７２ａ上に、第４レジスト層ＲＥ４を形成する。
【０１５１】
次に、図１４Ｄに示すように、フォトリソグラフィー法により、第３レジスト層ＲＥ３の一部を除去して第５開口部ＯＰ５を設ける。同様の方法により、第４レジスト層ＲＥ４の一部を除去して第６開口部ＯＰ６を設ける。
【０１５２】
次に、図１４Ｅに示すように、電解めっき法により、シード層７１ａのうち、第３レジスト層ＲＥ３によって被覆されていない部分に、銅めっき層７１ｂを形成するとともに、シード層７２ａのうち、第４レジスト層ＲＥ４によって被覆されていない部分に、銅めっき層７２ｂを形成する。
【０１５３】
次に、アルカリ溶液などのレジスト剥離液を用いて、レジスト層ＲＥ３及びＲＥ４を剥離する。
【０１５４】
次に、図１４Ｆに示すように、シード層７１ａのうち銅めっき層７１ｂで被覆されていない部分と、シード層７２ａのうち銅めっき層７２ｂで被覆されていない部分とをエッチングする。このようにして、第１配線層７１及び第２配線層７２を得る。
【０１５５】
次に、図１４Ａ乃至図１４Ｆを参照しながら説明した工程を繰り返して、図１４Ｇに示すように、第３配線層７３と第４配線層７４とを形成する。第３配線層７３は、シード層７３ａ及び銅めっき層７３ｂを含んでいる。第４配線層７４は、シード層７４ａ及び銅めっき層７４ｂを含んでいる。
【０１５６】
次に、ラミネート装置を用いてフィルム状のソルダーレジスト材料をラミネートすることにより、第３絶縁層６３及び第３配線層７３上に、第５絶縁層６５を形成する。同様の方法により、第４絶縁層６４及び第４配線層７４上に、第６絶縁層６６を形成する。絶縁層６５及び６６は、液状のソルダーレジスト材料を塗工することにより形成してもよい。
【０１５７】
次に、図１４Ｈに示すように、フォトリソグラフィー法又はレーザー加工により、第５絶縁層６５の一部を除去して、第７開口部ＯＰ７を形成する。同様の方法により、第６絶縁層６６の一部を除去して、第８開口部ＯＰ８を形成する。
【０１５８】
次に、図１４Ｉに示すように、無電解めっき法により、第３配線層７３のうち、第５絶縁層６５によって被覆されていない部分に、第１表面処理層８１を形成するとともに、第４配線層７４のうち、第６絶縁層６６によって被覆されていない部分に、第２表面処理層８２を形成する。
【０１５９】
次に、スクリーン印刷法、半田ボール振込み搭載法及び電解めっき法など公知の方法により、第１表面処理層８１上に、第１はんだ層９１を形成する。同様の方法により、第２表面処理層８２上に、第２はんだ層９２を形成する。  
このようにして、図９に示す多層配線基板１０００を得ることができる。
【０１６０】
次に、図１０に示す多層配線基板１０００の製造方法について説明する。
【０１６１】
先ず、図１５Ａ乃至図１５Ｉを参照しながら、図５及び図６に示すコア基板１の製造方法を説明する。図１５Ａ乃至図１５Ｉは、図５及び図６に示すコア基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【０１６２】
先ず、図１３Ａ乃至図１３Ｅを参照しながら説明したのと同様の方法により、銅めっき層２２及び３２がパターニングされ、シード層２１及び３１がパターニングされていないコア基板を準備する。
【０１６３】
次に、図１５Ａに示すように、第１銅めっき層２２と、第１ニッケルめっき層２１０のうち第１銅めっき層２２により被覆されていない部分とに、スパッタ法又はＣＶＤ法により、第２導電層５２’を形成する。次いで、同様の方法により、第２導電層５２’上に誘電体層５３を形成する。次いで、同様の方法により、誘電体層５３上に第３チタン層５１ａを形成する。次いで、同様の方法により、第３チタン層５１ａ上に第３銅層５１ｂを形成する。このようにして、第３チタン層５１ａと第３銅層５１ｂとを含んだ第１導電層５１’を得る。なお、導電層５１’及び５２’は、それぞれ、第１電極５１及び第２電極５２として利用する層である。
【０１６４】
次に、ロールラミネート装置を用いてドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第１導電層５１’を被覆するように第１レジスト層ＲＥ１を形成する。同様の方法により、第２銅めっき層３２と、第２ニッケルめっき層３１０のうち第２銅めっき層３２により被覆されていない部分とに、第２レジスト層ＲＥ２を形成する。
【０１６５】
次に、図１５Ｂに示すように、フォトリソグラフィー法又はレーザー加工により、第１レジスト層ＲＥ１の一部を除去して第１開口部ＯＰ１を設ける。同様の方法により、第２レジスト層ＲＥ２の一部を除去して、第２開口部ＯＰ２を設ける。
【０１６６】
次に、図１５Ｃに示すように、電解めっき法により、第１導電層５１’のうち、第１レジスト層ＲＥ１によって被覆されていない部分に、第４銅めっき層５４を形成する。同様の方法により、第２銅めっき層３２のうち、第２レジスト層ＲＥ２によって被覆されていない部分に、第５銅めっき層５５を形成する。
【０１６７】
次に、図１５Ｄに示すように、アルカリ溶液などのレジスト剥離液を用いて、レジスト層ＲＥ１及びＲＥ２を剥離する。
【０１６８】
次に、図１５Ｅに示すように、ロールラミネート装置を用いてドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第４銅めっき層５４と第３銅層５１ｂの一部とを被覆するように、第３レジスト層ＲＥ３を形成する。同様の方法により、第２銅めっき層３２と、第２ニッケルめっき層３１０のうち第２銅めっき層３２により被覆されていない部分とを被覆するように、第４レジスト層ＲＥ４を形成する。
【０１６９】
次に、図１５Ｆに示すように、ドライエッチングにより、第１導電層５１’、誘電体層５３及び第２導電層５２’のうち、第３レジスト層ＲＥ３により被覆されていない部分を順次エッチングして、導電層５１’及び５２’をそれぞれ電極５１及び５２へと加工するとともに、誘電体層５３のうち電極５１及び５２間に介在していない部分を除去する。なお、ドライエッチングの代わりに、ウェットエッチングを行ってもよい。
【０１７０】
次に、図１５Ｇに示すように、アルカリ溶液などのレジスト剥離液を用いて、レジスト層ＲＥ３及びＲＥ４を剥離する。このようにして、コンデンサ５０を得る。
【０１７１】
次に、図１５Ｈに示すように、第１エッチング剤として酸を用いて、第１ニッケルめっき層２１０及び第１銅層２１１ｂのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分をエッチングするとともに、第２ニッケルめっき層３１０及び第２銅層３１１ｂのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分をエッチングする。
【０１７２】
この酸によるエッチングは、コンデンサ５０の端面が外部に露出した状態で行う。また、この酸によるエッチングは、図１３Ｆを参照しながら説明した第１エッチング剤を用いたエッチングと同様の条件下で行う。
【０１７３】
次に、図１５Ｉに示すように、第２エッチング剤として弱アルカリ溶液を用いて、第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分をエッチングするとともに、第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分をエッチングする。このようにして導体パターン２０及び３０を得る。
【０１７４】
この弱アルカリ溶液によるエッチングは、コンデンサ５０の端面が外部に露出した状態で行う。また、この弱アルカリ溶液によるエッチングは、図１３Ｆを参照しながら説明した第２エッチング剤を用いたエッチングと同様の条件下で行う。  
このようにして、コンデンサ５０を備えたコア基板１を得る。
【０１７５】
このようにして得られたコア基板１は、リン含有率が６質量％以上であるニッケルめっき層が設けられたコア基板と比較して、割れが生じにくい。また、この製造方法では、コンデンサ５０を形成後に、シード層２１及び３１をエッチングしている。このエッチングの際、シード層２１及び３１をレジスト層でマスクしていないにもかかわらず、コンデンサ５０は、その端面のダメージが少なく、良好なキャパシタ性能を有する。
【０１７６】
次に、図１０に示す多層配線基板の製造方法を説明する。図１６は、図１０に示す多層配線基板の製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【０１７７】
先ず、図１５Ａ乃至図１５Ｉを参照しながら説明した方法により、図５及び図６に示す構造を得る。次に、図１及び図２に示す構造の代わりに、図５及び図６に示す構造を用いること以外は、図１４Ａ乃至図１４Ｉを参照しながら説明した方法により、図１６に示す構造を得る。図１０に示す多層配線基板１０００は、例えば、このようにして得られる。
【０１７８】
上述した各実施形態に係るコア基板１は、リン含有率が６質量％以上のニッケルめっき層を備えたコア基板と比較して、割れが生じにくい。また、このコア基板１は、電気特性に優れている。
【０１７９】
したがって、このコア基板１を含む多層配線基板１０００、半導体パッケージ３０００及び半導体モジュール５０００は、耐久性に優れるとともに、電気特性に優れている。
【０１８０】
なお、本発明は上述の実施形態及び変形例に限定されるものではない。この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
【実施例】
【０１８１】
以下、本発明の実施例について説明する。
【０１８２】
＜例１＞
図９に示す多層配線基板１０００を、以下に記載する方法により製造した。  
先ず、図１３Ａに示すように、貫通孔ＴＨを備えたガラス板１０（ＯＡ−１０Ｇ；日本電気硝子株式会社製）を準備した。このガラス板１０の厚さは５００μｍであった。また、非接触型干渉顕微鏡を用いて得られた、ガラス板１０の表面の粗さは、０．５ｎｍであった。
【０１８３】
また、ガラス板１０に設けられた貫通孔ＴＨの径は、ガラス板１０の一方の主面では８０μｍであり、ガラス板１０の他方の主面では６０μｍであった。
【０１８４】
次に、ガラス板１０の一方の主面に、スパッタ法によりチタンを堆積させて、第１チタン層２１１ａを形成した。次いで、同様の方法により、ガラス板１０の他方の主面に、第２チタン層３１１ａを形成した。これらチタン層２１１ａ及び３１１ａの厚さは、５０ｎｍであった。次いで、第１チタン層２１１ａ及び第２チタン層３１１ａ上に、それぞれ、スパッタ法により銅を堆積させて、第１銅層２１１ｂ及び第２銅層３１１ｂを形成した。これら銅層２１１ｂ及び３１１ｂの厚さは、３００ｎｍであった。
【０１８５】
次に、図１３Ｂに示すように、無電解めっき法により、第１銅層２１１ｂ及び第２銅層３１１ｂ上に、それぞれ、第１ニッケルめっき層２１０及び第２ニッケルめっき層３１０を形成するとともに、貫通孔ＴＨの側壁上に、第３ニッケルめっき層を形成した。
【０１８６】
この第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さについて、上述した方法により測定したところ、その厚さは０．１μｍであった。また、この第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率について、上述した方法により測定したところ、その含有率は１質量％であった。
【０１８７】
無電解ニッケルめっき液としては、硫酸ニッケル濃度が２０ｇ／Ｌであり、次亜リン酸ニッケル濃度が１５ｇ／Ｌであり、クエン酸ナトリウム濃度が３０ｇ／Ｌであり、塩化アンモニウム濃度が３０ｇ／Ｌであるものを用いた。以下、この無電解ニッケルめっき液をめっき液Ａという。
【０１８８】
無電解めっき処理に際しては、無電解ニッケルめっき液のｐＨは９．０とし、無電解ニッケルめっき液の温度は５０℃とし、めっき処理時間は５分とした。
【０１８９】
次に、第１ニッケルめっき層２１０上に、ロールラミネート装置を用いて感光性ドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第１レジスト層ＲＥ１を形成した。同様の方法により、第２ニッケルめっき層３１０上に、第２レジスト層ＲＥ２を形成した。
【０１９０】
次に、図１３Ｃに示すように、フォトリソグラフィー法により、第１レジスト層ＲＥ１の一部を除去して、第１開口部ＯＰ１を設けた。同様の方法により、第２レジスト層ＲＥ２の一部を除去して、第２開口部ＯＰ２を設けた。
【０１９１】
次に、図１３Ｄに示すように、電解めっき法により、第１ニッケルめっき層２１０のうち、第１レジスト層ＲＥ１で被覆されていない部分と、第２ニッケルめっき層３１０のうち、第２レジスト層ＲＥ２で被覆されていない部分とに、それぞれ、第１銅めっき層２２と第２銅めっき層３２とを形成するとともに、第３ニッケルめっき層上に、第３銅めっき層４２を形成した。第１乃至第３銅めっき層の厚さは、１０μｍであった。
【０１９２】
次に、図１３Ｅに示すように、アルカリ溶液を用いて、レジスト層ＲＥ１及びＲＥ２を剥離した。
【０１９３】
次に、図１３Ｆに示すように、第１エッチング剤として硫酸と過酸化水素との混合溶液を用いて、第１ニッケルめっき層２１０及び第１銅層２１１ｂのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分と、第２ニッケルめっき層３１０及び第２銅層３１１ｂのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分とをエッチングした。  
硫酸と過酸化水素との混合溶液のｐＨは１とし、この混合溶液の温度は、２５℃とした。
【０１９４】
次に、第２エッチング剤として過酸化水素水とアンモニア水との混合溶液を用いて、第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分と、第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分とをエッチングした。  
この混合溶液のｐＨは９とし、その温度は、２５℃とした。
【０１９５】
以上のようにして、コア基板１を得た。このコア基板１において、非接触型干渉顕微鏡を用いて得られた、シード層２１及び３１をエッチングすることにより露出したガラス板１０の部分の粗さは、０．５ｎｍであった。
【０１９６】
次に、図１４Ａに示すように、真空ラミネート法を用いてエポキシ樹脂をラミネートすることにより、コア基板１の一方の主面及び他方の主面を被覆するように、それぞれ、第１絶縁層６１及び第２絶縁層６２を形成するとともに、貫通孔ＴＨ内を樹脂で充填して、プラグＰＬを形成した。エポキシ樹脂の厚さは、２５μｍであった。
【０１９７】
次に、図１４Ｂに示すように、第１絶縁層６１に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いてレーザービームを照射して、第３開口部ＯＰ３を形成した。同様の方法により、第２絶縁層６２に第４開口部ＯＰ４を形成した。開口部ＯＰ３及びＯＰ４は、それぞれ、直径が６０μｍの円柱形状になるように形成した。
【０１９８】
次いで、デスミア処理を行い、スミアを除去するとともに、絶縁層６１及び６２の表面を粗化した。
【０１９９】
次に、図１４Ｃに示すように、無電解めっき法により、第１絶縁層６１と、第１銅めっき層２２のうち第１絶縁層６１によって被覆されていない部分とに、シード層７１ａを形成した。同様の方法により、第２絶縁層６２と、第２銅めっき層３２のうち第２絶縁層６２によって被覆されていない部分とに、シード層７２ａを形成した。シード層７１ａ及び７２ａの厚さは、１μｍであった。
【０２００】
次に、ロールラミネート装置を用いて、感光性ドライフィルムレジストをラミネートすることにより、シード層７１ａ上に、第３レジスト層ＲＥ３を形成した。同様の方法により、シード層７２ａ上に、第４レジスト層ＲＥ４を形成した。感光性ドライフィルムレジストの厚さは、２５μｍであった。
【０２０１】
次に、図１４Ｄに示すように、フォトリソグラフィー法により、第３レジスト層ＲＥ３の一部を除去して第５開口部ＯＰ５を設けた。同様の方法により、第４レジスト層ＲＥ４の一部を除去して第６開口部ＯＰ６を設けた。
【０２０２】
次に、図１４Ｅに示すように、電解めっき法により、シード層７１ａのうち、第３レジスト層ＲＥ３によって被覆されていない部分に、銅めっき層７１ｂを形成するとともに、シード層７２ａのうち、第４レジスト層ＲＥ４によって被覆されていない部分に、銅めっき層７２ｂを形成した。銅めっき層７１ｂ及び７２ｂの厚さは、１０μｍであった。
【０２０３】
次に、アルカリ溶液を用いて、レジスト層ＲＥ３及びＲＥ４を剥離した。
【０２０４】
次いで、図１４Ｆに示すように、シード層７１ａのうち銅めっき層７１ｂで被覆されていない部分と、シード層７２ａのうち銅めっき層７２ｂで被覆されていない部分とをエッチングした。このようにして、配線層７１及び７２を得た。
【０２０５】
次に、図１４Ａ乃至図１４Ｆを参照しながら説明した工程を繰り返して、図１４Ｇに示すように、第１配線層７１の一部及び第３絶縁層６３の一部の上に第３配線層７３を形成した。同様にして、第２配線層７２の一部及び第４絶縁層６４の一部の上に第４配線層７４を形成した。
【０２０６】
次に、ラミネート装置を用いて感光性ソルダーレジストをラミネートすることにより、第３絶縁層６３及び第３配線層７３上に、第５絶縁層６５を形成した。同様の方法により、第４絶縁層６４及び第４配線層７４上に、第６絶縁層６６を形成した。感光性ソルダーレジストの厚さは、２５μｍであった。
【０２０７】
次に、図１４Ｈに示すように、フォトリソグラフィー法により、第５絶縁層６５の一部を除去して、第７開口部ＯＰ７を形成した。第７開口部ＯＰ７は、直径が５００μｍの円柱形状であった。同様の方法により、第６絶縁層６６の一部を除去して、第８開口部ＯＰ８を形成した。第８開口部ＯＰ８は、直径が１００μｍの円柱形状であった。
【０２０８】
次に、図１４Ｉに示すように、無電解めっき法により、第３配線層７３のうち、第５絶縁層６５によって被覆されていない部分に、第１表面処理層８１を形成するとともに、第４配線層７４のうち、第６絶縁層６６によって被覆されていない部分に、第２表面処理層８２を形成した。表面処理層８１及び８２の厚さは、０．０５μｍであった。無電解めっき液としては、無電解Ｎｉ−Ｐ／Ａｕめっき液を用いた。
【０２０９】
次に、はんだボール振込み搭載法により、第１表面処理層８１上に、第１はんだ層９１を形成した。第１はんだ層９１に含まれるはんだボールの平均径は、５５０μｍであった。同様の方法により、第２表面処理層８２上に、第２はんだ層９２を形成した。第２はんだ層９２に含まれるはんだボールの平均径は９０μｍであった。はんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだを用いた。  
このようにして、図９に示す多層配線基板１０００を得た。
【０２１０】
＜例２＞
ガラス板１０の厚さを５００μｍから３００μｍに変更したこと、無電解ニッケルめっきの浴温を５０℃から４５℃に変更したこと、無電解ニッケルめっき処理時間を５分から２０分に変更したこと以外は、例１に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２１１】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、３質量％であった。また、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．３μｍであった。
【０２１２】
＜例３＞
無電解ニッケルめっきの浴温を４５℃から４０℃に変更したこと、及び無電解ニッケルめっき処理時間を２０分から３０分に変更したこと以外は、例２に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２１３】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、５質量％であった。また、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．３μｍであった。
【０２１４】
＜例４＞
無電解ニッケルめっき処理時間を２０分から３５分に変更したこと以外は、例２に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２１５】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、３質量％であった。また、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．４μｍであった。
【０２１６】
＜例５＞
無電解ニッケルめっきの浴温を４５℃から４０℃に変更したこと、及び無電解ニッケルめっき処理時間を２０分から４０分に変更したこと以外は、例２に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２１７】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、５質量％であった。また、この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．４μｍであった。
【０２１８】
＜例６＞
先ず、ガラス板１０の厚さを５００μｍから３００μｍに変更したこと、無電解ニッケルめっき液として、めっき液Ａの代わりにめっき液Ｂを用いたこと、無電解ニッケルめっきの浴温を５０℃から９０℃に変更したこと、及び無電解ニッケルめっき液のｐＨを９．０から４．５に変更にしたこと以外は、例１に記載したのと同様の方法で、図１３Ｅに示す、銅めっき層２２及び３２がパターニングされ、シード層２１及び３１がパターニングされていないコア基板を得た。
【０２１９】
なお、めっき液Ｂとしては、硫酸ニッケル濃度が２０ｇ／Ｌであり、乳酸濃度が２５ｇ／Ｌであり、次亜リン酸ナトリウム濃度が２５ｇ／Ｌであり、鉛濃度が１ｍｇ／Ｌであり、硫黄化合物濃度が１ｍｇ／Ｌであるものを用いた。
【０２２０】
次に、図１３Ｆに示すように、第１エッチング剤として水酸化ナトリウムを含む無電解ニッケルめっき剥離剤を用いて、第１ニッケルめっき層２１０、第１銅層２１１ｂ及び第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分と、第２ニッケルめっき層３１０、第２銅層３１１ｂ及び第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分とをエッチングして、コア基板１を得た。
【０２２１】
なお、このエッチングにおいて、水酸化ナトリウムを含む無電解ニッケルめっき剥離剤のｐＨは１３とし、その温度は、８０℃とした。
【０２２２】
このコア基板１を用いたこと以外は、例１に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。  
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、６質量％であった。また、この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．１μｍであった。
【０２２３】
＜例７＞
先ず、例６に記載したのと同様の方法で、図１３Ｅに示す、銅めっき層２２及び３２がパターニングされ、シード層２１及び３１がパターニングされていないコア基板を得た。
【０２２４】
次に、第１エッチング剤として硫酸と過酸化水素との混合溶液を用いて、第１ニッケルめっき層２１０及び第１銅層２１１ｂのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分と、第２ニッケルめっき層３１０及び第２銅層３１１ｂのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分とをエッチングした。
【０２２５】
なお、このエッチングに際しては、硫酸と過酸化水素との混合溶液のｐＨは１とし、この混合溶液の温度は、２５℃とした。
【０２２６】
また、このエッチングにおいて、第１及び第２ニッケルめっき層の一部は、十分にエッチングされなかった。すなわち、第１ニッケルめっき層２１０及び第１銅層２１１ｂのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分の一部と、第２ニッケルめっき層３１０及び第２銅層３１１ｂのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分の一部とが除去されなかった。
【０２２７】
次に、第２エッチング剤として、過酸化水素水とアンモニア水との混合溶液を用いて、第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分及び第１ニッケルめっき層２１０に被覆されていない部分と、第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分及び第２ニッケルめっき層３１０によって被覆されていない部分とをエッチングして、コア基板１を得た。
【０２２８】
このコア基板１を用いたこと以外は、例１に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２２９】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、６質量％であった。また、この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．１μｍであった。
【０２３０】
＜例８＞
先ず、ガラス板１０の厚さを５００μｍから３００μｍに変更したこと以外は、例１に記載したのと同様の方法で、図１３Ｅに示す、銅めっき層２２及び３２がパターニングされ、シード層２１及び３１がパターニングされていないコア基板を得た。
【０２３１】
次に、第１エッチング剤として水酸化ナトリウムを含む無電解ニッケルめっき剥離剤を用いて、第１ニッケルめっき層２１０、第１銅層２１１ｂ及び第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分と、第２ニッケルめっき層３１０、第２銅層３１１ｂ及び第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分とをエッチングして、コア基板１を得た。。
【０２３２】
なお、このエッチングにおいて、水酸化ナトリウムを含む無電解ニッケルめっき剥離剤のｐＨは１３とし、その温度は、８０℃とした。
【０２３３】
また、このエッチングにおいては、第１及び第２ニッケルめっき層の一部は、十分にエッチングされなかった。すなわち、第１ニッケルめっき層２１０、第１銅層２１１ｂ及び第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分の一部と、第２ニッケルめっき層３１０、第２銅層３１１ｂ及び第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分の一部とが除去されなかった。
【０２３４】
このコア基板１を用いたこと以外は、例１に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２３５】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、１質量％であった。また、この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．１μｍであった。
【０２３６】
＜例９＞
図１０に示す多層配線基板１０００を、以下に記載する方法により製造した。  
先ず、例１に記載したのと同様の方法で、図１３Ｅに示すように、銅めっき層２２及び３２がパターニングされ、シード層２１及び３１がパターニングされていないコア基板を得た。
【０２３７】
次に、図１５Ａに示すように、第１銅めっき層２２と、第１ニッケルめっき層２１０のうち第１銅めっき層２２により被覆されていない部分に、スパッタ法により、チタンを堆積させて、第２導電層５２’を形成した。この第２導電層５２’の厚さは、０．０５μｍであった。
【０２３８】
次いで、同様の方法により、第２導電層５２’上に酸化アルミニウムを堆積させて、誘電体層５３を形成した。この誘電体層５３の厚さは、０．３μｍであった。
【０２３９】
次いで、同様の方法により、誘電体層５３上に第３チタン層５１ａを形成した。この第３チタン層５１ａの厚さは０．０５μｍであった。次いで、同様の方法により、第３チタン層５１ａ上に第３銅層５１ｂを形成して、第１導電層５１’を得た。この第３銅層５１ｂの厚さは０．３μｍであった。
【０２４０】
次に、ロールラミネート装置を用いて感光性ドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第１導電層５１’を被覆するように第１レジスト層ＲＥ１を形成した。同様の方法により、第２銅めっき層３２と、第２ニッケルめっき層３１０のうち第２銅めっき層３２により被覆されていない部分に、第２レジスト層ＲＥ２を形成した。なお、感光性ドライフィルムレジストの厚さは２５μｍであった。
【０２４１】
次に、図１５Ｂに示すように、フォトリソグラフィー法により、第１レジスト層ＲＥ１の一部を除去して第１開口部ＯＰ１を設けた。同様の方法により、第２レジスト層ＲＥ２の一部を除去して、第２開口部ＯＰ２を設けた。
【０２４２】
次に、図１５Ｃに示すように、電解めっき法により、第１導電層５１’のうち、第１レジスト層ＲＥ１により被覆されていない部分に、第４銅めっき層５４を形成した。同様の方法により、第２銅めっき層３２のうち、第２レジスト層ＲＥ２により被覆されていない部分に、第５銅めっき層５５を形成した。
【０２４３】
次に、図１５Ｄに示すように、アルカリ溶液を用いて、レジスト層ＲＥ１及びＲＥ２を剥離した。
【０２４４】
次に、図１５Ｅに示すように、ロールラミネート装置を用いて感光性ドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第４銅めっき層５４と第３銅層５１ｂの一部とを被覆するように、第３レジスト層ＲＥ３を形成した。同様の方法により、第２銅めっき層３２と、第２ニッケルめっき層３１０のうち第２銅めっき層３２により被覆されていない部分とを被覆するように、第４レジスト層ＲＥ４を形成した。なお、感光性ドライフィルムレジストの厚さは２５μｍであった。
【０２４５】
次に、図１５Ｆに示すように、ドライエッチングにより、第１導電層５１’、誘電体層５３及び第２導電層５２’のうち、第３レジスト層ＲＥ３により被覆されていない部分を、順次エッチングした。
【０２４６】
次に、図１５Ｇに示すように、アルカリ溶液を用いて、レジスト層ＲＥ３及びＲＥ４を剥離した。このようにして、コンデンサ５０を得た。
【０２４７】
次に、図１５Ｈに示すように、第１エッチング剤として硫酸と過酸化水素との混合溶液を用いて、第１ニッケルめっき層２１０及び第１銅層２１１ｂのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分をエッチングするとともに、第２ニッケルめっき層３１０及び第２銅層３１１ｂのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分をエッチングした。
【０２４８】
この酸によるエッチングは、コンデンサ５０の端面が外部に露出した状態で行った。また、この酸によるエッチングは、例１で説明した第１エッチング剤を用いたエッチングと同様の条件下で行った。
【０２４９】
次に、図１５Ｉに示すように、第２エッチング剤としてアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液を用いて、第１チタン層２１１ａのうち、第１銅めっき層２２によって被覆されていない部分をエッチングするとともに、第２チタン層３１１ａのうち、第２銅めっき層３２によって被覆されていない部分をエッチングした。このようにして導体パターン２０及び３０を得た。
【０２５０】
このアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液によるエッチングは、コンデンサ５０の端面が外部に露出した状態で行った。また、このアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液によるエッチングは、例１で説明した第２エッチング剤を用いたエッチングと同様の条件下で行った。  
このようにして、コンデンサ５０を含むコア基板１を得た。
【０２５１】
次に、図１及び図２に示す構造の代わりに、図５及び図６に示す構造を用いたこと以外は、図１４Ａ乃至図１４Ｉを参照しながら説明した方法により、図１６に示す多層配線基板を得た。
【０２５２】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、１質量％であった。また、この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．１μｍであった。
【０２５３】
＜例１０＞
ガラス板の厚さを５００μｍから３００μｍに変更したこと、無電解ニッケルめっきの浴温を５０℃から４５℃に変更したこと、及び無電解ニッケルめっき処理時間を５分から２０分に変更したこと以外は、例９に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２５４】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、３質量％であった。また、この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．３μｍであった。
【０２５５】
＜例１１＞
無電解ニッケルめっきの浴温を４５℃から４０℃に変更したこと、及び無電解ニッケルめっき処理時間を２０分から３０分に変更したこと以外は、例１０に記載したのと同様の方法で、多層配線基板を得た。
【０２５６】
この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層のリン含有率は、５質量％であった。また、この多層配線基板において、第１乃至第３ニッケルめっき層の厚さは、０．３μｍであった。
【０２５７】
＜評価＞
例１乃至例８において製造した多層配線基板の各々について、以下の方法により、割れやすさ、密着性及び導体パターン形成の可否を評価した。また、例９乃至例１１において製造した多層配線基板の各々については、上記特性に加え、コンデンサ形成の可否についても評価した。
【０２５８】
［割れやすさ］
例１乃至例１１に記載した方法によって得られたコア基板について、目視により、割れを確認した。そして、各方法によって得られた１０枚のコア基板のうち、割れが生じたコア基板の数を表１にまとめた。
【０２５９】
［密着性］
例１乃至例１１に記載した方法によって得られたコア基板について、日本工業規格ＪＩＳ Ｋ ５４００：１９９０「塗料一般試験方法」で規定されている碁盤目テープ試験を行った。  
具体的には、先ず、コア基板の一方の主面に、カッターナイフを用いて、等間隔に１１本の切込みを入れた。次いで、このコア基板の向きを９０°変えて、更に１１本の切込みを入れて、コア基板の一方の主面上に１００個の桝目を作成した。なお、これらの切込みの深さは、ガラス板１０にまで達していた。また、これらの桝目の一片の長さは１ｍｍであった。次いで、このコア基板の桝目上に粘着テープを張り付け、圧着させた。次いで、コア基板の主面からこの粘着テープを引きはがした。次いで、目視により、引きはがされた桝目の数を確認した。  
コア基板に形成された１００個の桝目のうち、引きはがされた桝目の数を表１にまとめた。
【０２６０】
［導体パターン形成の可否］
例１乃至例１１に記載した方法によって得られたコア基板について、目視により、所望の導体パターンが形成されているかを確認した。所望の導体パターンが形成されていた場合をＯＫとした。シード層のエッチングが不十分であり、所望の導体パターンが得られなかった場合をＮＧとした。
【０２６１】
［コンデンサ形成の可否］
例９乃至例１１に記載した方法によって得られたコア基板について、目視により、所望のコンデンサが形成されているかを確認した。例９乃至例１１に係るコア基板は、何れも、その端面にサイドエッチングなどは見られず、所望のコンデンサが形成されていたため、ＯＫとした。
【０２６２】
表１は、例１乃至例１１について上記の結果をまとめたものである。
【０２６３】
【表１】
2018093141.tif 000003
【０２６４】
表１に示すように、リン含有率が５質量％以下である第１乃至第３ニッケルめっき層を備えたコア基板は、割れを生じることなく、形状が設計通りの導体パターン２０及び３０を有していた。また、リン含有率が５質量％以下である第１乃至第３ニッケルめっき層を備えたコア基板は、コンデンサ５０を備えた場合であっても、コンデンサ５０の端面にサイドエッチングは見られなかった。
【０２６５】
更に、リン含有率が５質量％以下であり、かつ、厚さが０．３μｍ以下である第１乃至第３ニッケルめっき層を備えたコア基板は、ガラス板１０と第１ニッケルめっき層２１０との密着性、及びガラス板１０と第２ニッケルめっき層３１０との密着性にも優れていた。
【０２６６】
これに対して、リン含有率が６質量％以上である第１乃至第３ニッケルめっき層を備えたコア基板は、割れが生じるか、又は導体パターン形成が不十分であった。
【符号の説明】
【０２６７】
１…コア基板、１０…ガラス板、２０…第１導体パターン、２１…第１シード層、２２…第１銅めっき層、３０…第２導体パターン、３１…第２シード層、３２…第２銅めっき層、４０…導体層、４１…第３シード層、４２…第３銅めっき層、５０…コンデンサ、５１…第１電極、５１’…第１導電層、５１ａ…第３チタン層、５１ｂ…第３銅層、５２…第２電極、５２’…第２導電層、５３…誘電体層、５４…第４銅めっき層、５５…第５銅めっき層、６１…第１絶縁層、６２…第２絶縁層、６３…第３絶縁層、６４…第４絶縁層、６５…第５絶縁層、６６…第６絶縁層、７１…第１配線層、７１ａ…シード層、７１ｂ…銅めっき層、７２…第２配線層、７２ａ…シード層、７２ｂ…銅めっき層、７３…第３配線層、７３ａ…シード層、７３ｂ…銅めっき層、７４…第４配線層、７４ａ…シード層、７４ｂ…銅めっき層、８１…第１表面処理層、８２…第２表面処理層、９１…第１はんだ層、９２…第２はんだ層、２１０…第１ニッケルめっき層、２１１…第１金属含有層、２１１ａ…第１チタン層、２１１ｂ…第１銅層、３１０…第２ニッケルめっき層、３１１…第２金属含有層、３１１ａ…第２チタン層、３１１ｂ…第２銅層、１０００…多層配線基板、２０００…半導体チップ、３０００…半導体パッケージ、４０００…マザーボード、５０００…半導体モジュール、ＯＰ１…第１開口部、ＯＰ２…第２開口部、ＯＰ３…第３開口部、ＯＰ４…第４開口部、ＯＰ５…第５開口部、ＯＰ６…第６開口部、ＰＬ…プラグ、ＲＥ１…第１レジスト層、ＲＥ２…第２レジスト層、ＲＥ３…第３レジスト層、ＲＥ４…第４レジスト層、ＴＨ…貫通孔、ＶＩ…ビア。
【図１】
2018093141.tif 000004
【図２】
2018093141.tif 000005
【図３】
2018093141.tif 000006
【図４】
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【図５】
2018093141.tif 000008
【図６】
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【図７】
2018093141.tif 000010
【図８】
2018093141.tif 000011
【図９】
2018093141.tif 000012
【図１０】
2018093141.tif 000013
【図１１】
2018093141.tif 000014
【図１２】
2018093141.tif 000015
【図１３Ａ】
2018093141.tif 000016
【図１３Ｂ】
2018093141.tif 000017
【図１３Ｃ】
2018093141.tif 000018
【図１３Ｄ】
2018093141.tif 000019
【図１３Ｅ】
2018093141.tif 000020
【図１３Ｆ】
2018093141.tif 000021
【図１４Ａ】
2018093141.tif 000022
【図１４Ｂ】
2018093141.tif 000023
【図１４Ｃ】
2018093141.tif 000024
【図１４Ｄ】
2018093141.tif 000025
【図１４Ｅ】
2018093141.tif 000026
【図１４Ｆ】
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【図１４Ｇ】
2018093141.tif 000028
【図１４Ｈ】
2018093141.tif 000029
【図１４Ｉ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
2018093141.tif 000033
【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１５Ｆ】
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【図１５Ｇ】
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【図１５Ｈ】
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【図１５Ｉ】
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【図１６】
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