(57)【要約】【課題】ロードロックモジュールや真空処理モジュールの取り扱い易さを維持しつつ、複数の真空処理モジュールを配置することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、真空雰囲気下で基板Ｗを処理する真空処理モジュール４Ａ、４Ｂを備え、基板搬送部２０の第１の基板搬送機構２は常圧雰囲気下で基板Ｗを搬送する。処理ユニット支持部６は、複数の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂと、前記基板搬送部２０と、各真空処理モジュール４Ａ、４Ｂとの間で基板Ｗを搬送するための第２の基板搬送機構３３が設けられたロードロックモジュール３と、を備えた処理ユニットＵを支持し、処理ユニット収容部７は、ロードロックモジュール３が基板搬送部２０に接続された状態にて、処理ユニット支持部６に支持された複数の処理ユニットＵを上下方向に多段に並べて収容する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気下で基板を処理する真空処理モジュールを備えた基板処理装置において、
常圧雰囲気下で基板を搬送する第１の基板搬送機構が設けられた基板搬送部と、
基板の処理が行われる真空容器を備えた真空処理モジュールと、真空処理モジュールの真空容器に接続され、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替え自在に構成されたロードロック室内に、前記基板搬送部と、前記真空容器との間で基板を搬送するための第２の基板搬送機構が設けられたロードロックモジュールと、を備えた処理ユニットと、
前記処理ユニットを支持する処理ユニット支持部と、
各々、前記ロードロックモジュールが前記基板搬送部に接続された状態にて、前記処理ユニット支持部に支持された複数の処理ユニットを上下方向に多段に並べて収容する処理ユニット収容部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
各々、前記複数の処理ユニットを上下方向に収容し、横方向に並べて配置された複数の処理ユニット収容部を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理ユニット収容部に収容された処理ユニットは、前記基板搬送部にロードロックモジュールを接続する位置と、当該ロードロックモジュールを基板搬送部から離間させる位置との間で処理ユニットを横方向に移動させる移動機構を備える処理ユニット支持部に支持されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記移動機構を備えた処理ユニット支持部は、前記処理ユニット収容部に上下方向に並べて収容された複数の処理ユニットのうち、最上段よりも下方側の段に配置された処理ユニットを支持するものであることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理ユニット収容部に収容された処理ユニットは、前記ロードロックモジュールが基板搬送部に接続される接続位置よりも上方側の切り離し位置へと処理ユニットを上昇移動させることにより、前記基板搬送部からロードロックモジュールを切り離すように構成したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理ユニット支持部には、前記接続位置と切り離し位置との間で処理ユニットを昇降させる昇降機構が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理ユニット収容部には、前記基板搬送部側から見て処理ユニットの左右両側に位置し、当該処理ユニットのロードロックモジュールを前記切り離し位置から接続位置まで降下させて基板搬送部に接続する際に、前記処理ユニットの左右方向の位置決めを行うテーパー状の案内面を備えた案内部材が設けられていることと、
処理ユニットまたは処理ユニット支持部には、前記処理ユニットの降下動作に伴って、前記案内部材の案内面に沿って移動するテーパー状の被案内面を備えた被案内部材が設けられていることと、を特徴とする請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
一端部が前記真空処理モジュールまたはロードロックモジュールに接続され、他端部が開口した処理ユニット側の処理ユニット側配管部と、
前記処理ユニット側配管部に接続される開口端部を備えた前記処理ユニット収容部側の装置側配管部と、を備え、
前記処理ユニット側配管部の他端部、及び前記装置側配管部の開口端部には、前記切り離し位置から接続位置まで処理ユニットを降下させて基板搬送部に接続する動作に伴って互いに連結される連結部材が設けられていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ロードロックモジュール及び基板搬送部の各々には、前記切り離し位置から接続位置まで処理ユニットを降下させて基板搬送部に接続する動作に伴って互いに嵌合する連結口部が設けられていることと、
これら連結口部は、連結口部同士を嵌合させたとき、上下に重なり合って密着する上下斜め方向に伸びる傾斜縁部を備えることと、を特徴とする請求項５ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理ユニット収容部は、上下方向に並べて収容された複数の処理ユニットのうち、最上段に配置された処理ユニットに対して上面側からアクセス可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に、ロードロックモジュールと真空処理モジュールとを備えた処理ユニットを設置する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおいては、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対して成膜、エッチング、アッシング、アニールなどの真空処理が行われる。真空処理を高いスループットで行うために、ＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）にロードロックモジュールを介して平面視多角形状の真空搬送室を接続し、この真空搬送室の各側壁面に真空処理モジュールを接続したマルチチャンバシステムなどと呼ばれている基板処理装置が知られている。
【０００３】
一方最近では、半導体デバイスの多様化により、処理の完了までに長い時間を要する真空処理が必要となる場合がある。例えば三次元のメモリーであるＮＡＮＤ回路を形成する場合には、酸化層、窒化層を交互に多数回積層するために、１回の成膜処理にかなり長い時間が必要となる。このため、スループットを高めるために、基板処理装置に設けられる真空処理モジュール数を増やす技術の構築が望まれている。
【０００４】
ここで特許文献１には、基板に対する加熱処理や冷却処理などが行われる複数の処理室を垂直方向へ積層して配置するために、これらの処理室を多段に収容することが可能な処理装置フレーム（第１支持構造）を備えた基板処理装置が記載されている。
【０００５】
しかしながら、基板に対する真空処理を行う基板処理装置においては、真空雰囲気と常圧雰囲気との間で内部雰囲気を自在に切り替えることが可能なロードロックモジュールと、真空処理モジュールとを組み合わせて基板の処理が行われる。この点、特許文献１に記載の処理装置フレームの各段に真空処理モジュールを積層して配置したとしても、ロードロックモジュールをどこにどのように配置することが好ましいのか明らかでなく、基板に対する真空処理を実施可能な基板処理装置を構築することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２１０７６７号公報：請求項１、段落０００２、００１７、図１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、ロードロックモジュールや真空処理モジュールの取り扱い易さを維持しつつ、複数の真空処理モジュールを配置することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板処理装置は、真空雰囲気下で基板を処理する真空処理モジュールを備えた基板処理装置において、
常圧雰囲気下で基板を搬送する第１の基板搬送機構が設けられた基板搬送部と、
基板の処理が行われる真空容器を備えた真空処理モジュールと、真空処理モジュールの真空容器に接続され、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替え自在に構成されたロードロック室内に、前記基板搬送部と、前記真空容器との間で基板を搬送するための第２の基板搬送機構が設けられたロードロックモジュールと、を備えた処理ユニットと、
前記処理ユニットを支持する処理ユニット支持部と、
各々、前記ロードロックモジュールが前記基板搬送部に接続された状態にて、前記処理ユニット支持部に支持された複数の処理ユニットを上下方向に多段に並べて収容する処理ユニット収容部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、真空処理モジュールと、真空処理モジュールに接続されたロードロックモジュールとにより１組の処理ユニットを構成し、さらに処理ユニット支持部によって処理ユニットを支持した状態にて、処理ユニット収容部内に複数の処理ユニットを上下方向に多段に並べて収容する。この構成により、処理ユニット支持部を移動させることによって、互いに組み合わせて使用される真空処理モジュールとロードロックモジュールとを一体に移動させることが可能となり、メンテナンス時などにおける取り扱いが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の外観斜視図である。
【図２】前記基板処理装置の横断平面図である。
【図３】前記基板処理装置に設けられているアウターフレームの側面図である。
【図４】前記アウターフレームの外観斜視図である。
【図５】前記アウターフレームに処理ユニットが組み込まれた状態を示す斜視図である。
【図６】前記アウターフレームに処理ユニットを組み込む手法を示す斜視図である。
【図７】１段目の処理ユニットへアクセスする手法を示す側面図である。
【図８】２段目の処理ユニットへアクセスする手法を示す側面図である。
【図９】３段目の処理ユニットへアクセスする手法を示す側面図である。
【図１０】前記処理ユニットを引き出した状態を示す第１の作用図である。
【図１１】前記処理ユニットを接続した状態を示す第２の作用図である。
【図１２】位置決め前の処理ユニットを示す説明図である。
【図１３】位置決めされた処理ユニットを示す説明図である。
【図１４】処理ユニットと大気搬送ブロックとの接続部の構成を示す斜視図である。
【図１５】他の位置決め手法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図１〜５を参照しながら本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成について説明する。図１の外観斜視図に示すように、本例の基板処理装置は、複数枚のウエハＷを収容した搬送容器であるキャリアＣからウエハＷを取り出すためのＥＦＥＭ１０１と、このＥＦＥＭ１０１に接続され、ウエハの処理を行う処理ブロック１０２と、を備えている。
【００１２】
例えばＥＦＥＭ１０１は、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）であるキャリアＣが、手前から見て左右方向（図１中のＸ方向）に４個載置されるように構成された容器載置部であるロードポート１１を備えている。図２に示すように、ロードポート１１におけるキャリアＣの載置面には、キャリアＣの底面を位置決めした状態で支持する支持部１０が設けられている。ロードポート１１の奥手側には、キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う受け渡し機構１２を備えた搬送室１３が設けられている。搬送室１３の上面側には、不図示のファンフィルタユニットが設けられ、搬送室１３内は例えば常圧の清浄空気雰囲気の空間となっている。搬送室１３におけるロードポート１１側の側壁面には、キャリアＣの側面側に設けられた蓋体を脱着する脱着機構を備えると共に、ウエハＷの搬入出が行われる開口部の開閉を行う開閉ドア１４が設けられている。
【００１３】
受け渡し機構１２は、ロードポート１１側から見て左右方向に伸びる走行レール１５に沿って移動自在な基体（図示せず）に、伸縮自在な関節アームを昇降、回転自在に設けた構成となっている。開閉ドア１４によりキャリアＣの蓋が取り外され、開口部が開かれると、キャリアＣ内に受け渡し機構１２が進入してウエハＷが取り出される。
【００１４】
ロードポート１１から見て、搬送室１３の背面側には、受け渡し機構１２がウエハＷを保持した状態で通過するための不図示の受け渡し口が形成されている。受け渡し機構１２によるウエハＷの受け渡しが行われない期間中は、ＥＦＥＭ１０１と処理ブロック１０２との雰囲気を区画するために図示しないシャッターにより受け渡し口を閉じてもよい。
【００１５】
図２に示すように処理ブロック１０２は、ＥＦＥＭ１０１側から受け渡されたウエハＷが搬送される基板搬送部２０と、この基板搬送部２０に接続された複数の処理ユニットＵを収容したアウターフレーム７とを備える。これら基板搬送部２０やアウターフレーム７は、例えば筐体内に収容されている（図１）。
【００１６】
図２に示すように基板搬送部２０は、ＥＦＥＭ１０１から見て、前後方向に伸びる細長い基板搬送室２００を備える。基板搬送室２００は、後述のアウターフレーム７に多段に収容された各処理ユニットＵ（より詳細には処理ユニットＵ内のロードロックモジュール３）を基板搬送室２００に対して接続することが可能な高さを有する。基板搬送室２００の上面側には、不図示のファンフィルタユニットが設けられ、基板搬送室２００内は例えば常圧の清浄空気雰囲気の空間となっている。
【００１７】
基板搬送室２００の底部には、前後方向に沿って伸びる移動路である走行レール２１が設けられている。さらに基板搬送室２００内には、走行レール２１に案内されながら前後方向に移動自在に構成された支柱部２２が設けられ、この支柱部２２のＥＦＥＭ１０１側の側面には、当該支柱部２２に沿って昇降自在に構成された第１の基板搬送機構２が設けられている。
【００１８】
本例において、第１の基板搬送機構２は、例えば全面が開口した筐体内に、ウエハＷを１枚ずつ保持する不図示のウエハ保持部を多段に設けた構造となっている。また第１の基板搬送機構２は、前記筐体を鉛直軸周りに回転させる不図示の回転駆動部を介して支柱部２２に支持されている。この構成により第１の基板搬送機構２は、前記筐体の開口面をＥＦＥＭ１０１側、及びアウターフレーム７が設けられている基板搬送室２００の左右の両側面側に向けることができる。
【００１９】
なお、多段にウエハＷを収容可能な筐体によって第１の基板搬送機構２を構成することは必須の要件ではない。例えば伸縮、回転自在な１本、または複数本の関節アームを走行レール２１に沿って移動自在、支柱部２２に沿って昇降自在に設けてもよい。この場合には、ＥＦＥＭ１０１と基板搬送部２０との間に、受け渡し対象のウエハＷを一時的に載置するための棚段状のウエハ載置部を設けてもよい。
【００２０】
ＥＦＥＭ１０１側から見て基板搬送部２０の左右側方には、処理ユニットＵを収容した処理ユニット収容部であるアウターフレーム７が、複数基ずつ（本例では３基ずつ）配置されている。  
以下、図３〜１５を参照しながらアウターフレーム７や処理ユニットＵの構成、作用の説明を行うが、これらの図には、アウターフレーム７から基板搬送部２０の側壁面を見たとき、基板搬送部２０へ近づく方向をＸ’軸の正方向、アウターフレーム７から見て右手側をＹ’軸の正方向、鉛直方向の上側をＺ’軸の正方向とする副座標軸を併記してある。
【００２１】
図３、４に示すようにアウターフレーム７は例えば骨組み構造の枠体に、上下方向に間隔を開けて例えば２枚の棚板部７２を設けた棚段構造となっている。アウターフレーム７において、処理ブロック１０２内の床面と下段側の棚板部７２との間の空間、下段側の棚板部７２と上段側の棚板部７２との間の空間、上段側の棚板部７２の上方の空間は、各々、処理ユニットＵを収容するための収容空間７０Ａ〜７０Ｃとなっている。
【００２２】
これら収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内に収容される処理ユニットＵの構成について述べておく。各処理ユニットＵは、ロードロックモジュール（ＬＬＭ）３と、このＬＬＭ３を介して第１の基板搬送機構２との間でウエハＷの受け渡しが行われる複数、例えば２つの真空処理モジュール４Ａ、４Ｂとを備える。
【００２３】
図２、６などに示すように、ＬＬＭ３は、平面形状が五角形のロードロック室３２内に、第２の基板搬送機構３３を設けた構造となっている。ロードロック室３２の一側面には連結口部３４が設けられ、当該連結口部３４の内側にはウエハＷの搬入出が行われる搬入出口３１を開閉するためのゲートバルブＧ１が設けられている。一方、基板搬送部２０の側壁面には連結部２３が設けられ、ＬＬＭ３側の連結口部３４は当該連結部２３に接続される。連結口部３４や連結部２３の詳細な構成、及びこれらの接続手法については後段にて詳しく説明する。
なお、図示の便宜上、図２においては、ＬＬＭ３の連結口部３４や基板搬送部２０の連結部２３の記載を省略してある。
【００２４】
一方、基板搬送部２０との接続面から見て、ロードロック室３２の背面側に位置する２つの面には、各々、ゲートバルブＧ２、Ｇ３により開閉自在な搬入出口３５が設けられている。そして、これら搬入出口３５が設けられた基板搬送部２０の側壁面には、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂを構成する真空容器４０が気密に接続されている。
【００２５】
ロードロック室３２には、不図示の排気管が接続され、当該排気管を介してロードロック室３２内を真空排気することにより、常圧の大気雰囲気（常圧雰囲気）と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替えることができる。  
ロードロック室３２内に設けられた第２の基板搬送機構３３は、例えば、伸縮自在、及び鉛直軸周りに回転自在に構成された関節アームによって構成され、当該ＬＬＭ３の接続位置の前方に移動してきた第１の基板搬送機構２と、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００２６】
真空処理モジュール４Ａ、４Ｂを構成する真空容器４０は、ウエハＷに対して真空処理である例えば成膜を実施する。真空容器４０には、処理対象のウエハＷが載置される載置台や、真空容器４０内に成膜用の処理ガスの供給を行う処理ガス供給部、真空容器４０の内部をクリーニングするためのクリーニングガスの供給を行うクリーニングガス供給部、プラズマを利用した成膜を行う場合に、処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ発生機構などが設けられている（いずれも不図示）。
【００２７】
以上に説明した構成を備える処理ユニットＵは、図６に示すように、例えば骨組み構造の枠体として構成されたインナーフレーム６によってＬＬＭ３や真空処理モジュール４Ａ、４Ｂが下面側から支持されている。インナーフレーム６の内側（処理ユニットＵの下方側）の空間には、ＬＬＭ３内の第２の基板搬送機構３３を駆動する駆動機構や、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０内に設けられた載置台と、ＬＬＭ３側の第２の基板搬送機構３３との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し機構など、各種の付帯機器が収容されているが、個別の図示、説明は省略する。
【００２８】
そして図２、３、５などに示すように、処理ユニットＵはインナーフレーム６に支持された状態にて、アウターフレーム７内の収容空間７０Ａ〜７０Ｃに収容され、各処理ユニットＵのＬＬＭ３が基板搬送部２０に接続される。この結果、本例の基板処理装置では、６基のアウターフレーム７内に収容された合計１８台の処理ユニットＵが基板搬送部２０に接続され、３６台の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂを用いてウエハＷに対する成膜を行うことができる。  
なお、図示の便宜上、図２においてはアウターフレーム７やインナーフレーム６の記載を簡略化して、枠線のみを表示してある。
【００２９】
図２に示すように、基板搬送部２０に向かうアウターフレーム７から見て、アウターフレーム７の例えば左手側には、各処理ユニットＵの真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに対して成膜用の各種処理ガスや、不要な処理ガスを排出するためのパージガスなどを供給するためのガスボックス８１が設けられている。さらに基板搬送部２０側から見てガスボックス８１の後方には、ＬＬＭ３や真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに設けられた各種の駆動機器やプラズマ発生機構などに電力を供給するための電源ボックス８２が設けられている。
【００３０】
本例の基板処理装置において、これらガスボックス８１や電源ボックス８２は各アウターフレーム７内に多段に収容された複数台の処理ユニットＵ（本例では３台の処理ユニットＵ）に共通に設けられている。そして図２に示すようにガスボックス８１や電源ボックス８２は、処理ブロック１０２内に設けられた各々のアウターフレーム７の側方に配置される。このとき図２に示すように、アウターフレーム７から見たガスボックス８１、電源ボックス８２の配置位置を共通化しておくとよい。これにより、ガスボックス８１から真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに供給される処理ガスなどの供給配管や、電源ボックス８２からＬＬＭ３、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに供給される電力の供給線の構成や配置経路を、全ての処理ユニットＵで共通化することが可能となる。
【００３１】
このように、各アウターフレーム７、ガスボックス８１、電源ボックス８２のレイアウト、処理ユニットＵ内におけるＬＬＭ３、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂのレイアウトを共通化しておくことにより、共通の構成を備えたＬＬＭ３、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ、アウターフレーム７やインナーフレーム６を用いて基板処理装置を構成することが可能となる。
【００３２】
この要件を満たすため、本例の基板処理装置は、図２に示すように、基板搬送部２０を挟んで３基ずつ配置されたアウターフレーム７やこれに付設されたガスボックス８１、電源ボックス８２の配置レイアウトが、基板搬送部２０を挟んで回転対称に配置された構成となっている。  
またここで、上述のガスボックス８１や電源ボックス８２のほか、アウターフレーム７の最上段の収容空間７０Ｃに収容された処理ユニットＵの上方側には、各真空処理モジュール４Ａ、４３Ｂの真空容器４０内をドライクリーニングするためのクリーニングガス供給部が設けられているが、本例ではクリーニングガス供給部の記載は省略してある。
【００３３】
さらに図６、１０、１２などに示すように、インナーフレーム６の下面側には、当該インナーフレーム６及び処理ユニットＵを下面側から支持するスライダー部６１が設けられている。本例のスライダー部６１は、細長い板状の部材によって構成され、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの並び方向（Ｙ’方向）と交差する方向（Ｘ’方向）に沿って、互いに間隔を開けて２本設けられている。
【００３４】
また図６〜８、１２などに示すように、各収容空間７０Ａ〜７０Ｃに収容される処理ユニットＵにおいて、スライダー部６１の下面側には、スライダー部６１の延伸方向に沿って複数組のカムフォロア（ローラーフォロアでもよい）６３が設けられている。これらのカムフォロア６３は、アウターフレーム７側の棚板部７２に、基板搬送部２０の側壁面と直交する方向（図６のＸ’方向）に伸びるように形成された溝状の走行軌道７４に沿ってインナーフレーム６を移動させる機能を果たす。これらのインナーフレーム６において、スライダー部６１やカムフォロア６３は、処理ユニットＵを移動させる移動機構に相当する。また、カムフォロア（ローラーフォロア）６３に替えて、スライダー部６１にキャスターを設けて移動機構を構成してもよい。なお、図５〜６、１２〜１３以外においては走行軌道７４の記載は、省略してある。  
さらに、各カムフォロア６３とスライダー部６１との間には、インナーフレーム６を昇降させるための昇降機構であるジャッキ部６２が介設されている。
【００３５】
上述の構成により、収容空間７０Ａ〜７０Ｃでは走行軌道７４に沿ってカムフォロア６３が移動することにより、各々の収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内で、インナーフレーム６に支持された処理ユニットＵ（ＬＬＭ３及び真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ）を一体として横方向に移動させることができる。
【００３６】
さらに本例の処理ユニットＵは、既述の移動機構や昇降機構を用いた横方向の移動と昇降動作とを利用して、真空容器４０内を真空排気するためのユニット側排気管４１や、真空容器４０に処理ガスなどを供給するためのユニット側ガス供給管４２を、アウターフレーム７側に配置された装置側排気管５１や装置側ガス供給管５２に対して簡便に接続することが可能な構成を備えている。  
なお、図示の便宜上、以下に説明するユニット側排気管４１、ユニット側ガス供給管４２、装置側排気管５１や装置側ガス供給管５２などについては、図２、４、１０、１１以外の図では適宜、記載を省略してある。
【００３７】
特に図２に示すように、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの前方側であって、ＬＬＭ３の左右両脇の領域には、処理ユニットＵの本体機器（ＬＬＭ３や真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ）が配置されていない空き領域となっている。そこで、本例の基板処理装置では、この空き領域を利用して処理ユニット側配管部であるユニット側排気管４１、ユニット側ガス供給管４２を、装置側配管部である装置側排気管５１、装置側ガス供給管５２に対して接続する。
【００３８】
図２、４、１０などに示すように、アウターフレーム７には、基板搬送部２０に向かって前方側の左右両角の領域（既述の「空き領域」）を上下方向に貫通するように、真空排気用の装置側排気管５１が１本ずつ配置されている。各装置側排気管５１の上端は、収容空間７０Ｃまで延びだした後、フランジ蓋にて封止されている。各装置側排気管５１は、棚板部７２の前記空き領域に形成された開口部７２１を通ってアウターフレーム７を上下方向に貫通し、その下端は、例えば処理ブロック１０２の床面の下方側にて、工場用力の真空排気ラインに接続されている。
【００３９】
各装置側排気管５１からは、収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内の所定の高さ位置にて分岐管５１１が分岐し、これらの分岐管５１１の末端は、上面へ向いて開口する開口端部を構成すると共に、当該開口端部には、フランジ状の連結部材５１０が設けられている。  
なお、分岐管５１１には真空容器４０内の圧力制御を行うためのバタフライ弁が設けられているが、本例では図示を省略してある。
【００４０】
一方、図２、１０などに示すように、各真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの下面側には、真空容器４０内の真空排気を行うためのユニット側排気管４１が接続されている。一端部が真空容器４０に接続されたニット側排気管４１は、前方側へ向けて延伸され、その他端部は、ＬＬＭ３と基板搬送部２０とが接続される接続位置に処理ユニットＵを配置したとき、分岐管５１１の開口と連通する位置に開口している。当該ユニット側排気管４１の末端部にもフランジ状の連結部材４１０が設けられている。
【００４１】
ユニット側排気管４１の末端部と分岐管５１１の末端部を接続したとき、フランジ状の連結部材５１０と連結部材４１０の対向面同士は不図示のＯ‐リングなどを介して気密に連結され、さらに不図示のクランプ機構を用いて、連結された状態を固定することができるようになっている。なお、クランプ機構を用いる場合に限らず、ねじなどを用いて連結部材５１０と連結部材４１０とを締結する構造としてもよい。  
また、一方側の装置側排気管５１から分岐した分岐管５１１に設けられている連結部材５１０には、ロードロック室３２に設けられた既述の不図示の排気管の末端部に設けられたフランジ状の連結部（不図示）と連結される開口が形成されている。
【００４２】
次にガス供給用の配管（装置側ガス供給管５２、ユニット側ガス供給管４２）の構成について説明する。なお、ガス供給用の配管の配置数は、成膜に利用されるガスの種類数やパージガスの利用の有無などに応じて変化するが、図示の便宜上、図１、４、１０、１１においては、１〜２本の配管のみを表示してある。  
図２、４、１０などに示すように、アウターフレーム７に隣接して配置されたガスボックス８１からは、各収容空間７０Ａ〜７０Ｃの高さ位置にて、ガス供給用の装置側ガス供給管５２（５２Ａ、５２Ｂ）が２組ずつ各収容空間７０Ａ〜７０Ｃへ向けて延びだしている。一方の組の装置側ガス供給管５２Ｂは、アウターフレーム７の側面に沿って真空処理モジュール４Ｂの手前側、且つ、ＬＬＭ３の側方位置（既述の「空き領域」の一方側）まで延びだしている。
【００４３】
また、他方の組の装置側ガス供給管５２Ａは、既述の装置側ガス供給管５２Ｂとは反対向きに、基板搬送部２０側へ向けて延伸された後、基板搬送部２０に対向するアウターフレーム７の前面にて下方側へと延伸方向を変え、基板搬送部２０とＬＬＭ３との接続部を迂回するようにガスボックス８１の配置面とは反対のアウターフレーム７の側面まで引き回されている。さらに装置側ガス供給管５２Ａは、延伸方向を上向きに変えた後、既述の装置側ガス供給管５２Ｂと同じ高さ位置にて、アウターフレーム７の側面に沿って真空処理モジュール４Ａの手前側、且つ、ＬＬＭ３の側方位置（既述の「空き領域」の他方側）まで延伸されている。
【００４４】
図１０、１１に示すように、ＬＬＭ３の側方位置に配置された装置側ガス供給管５２（図１０、１１には、装置側ガス供給管５２Ｂの例を示してある）からは、さらに処理ユニットＵが配置される方向であるアウターフレーム７（収容空間７０Ａ〜７０Ｃ）の内側領域へ向けて接続管５２１が延伸されている。そして、各接続管５２１の末端部は、これらの接続管５２１が共通に接続されたブロック形状の連結部材５２０が設けられ、当該接続管５２１内には、各接続管５２１に対応する流路が形成され、上面へ向けて開口している（装置側ガス供給管５２Ｂの開口端部）。
【００４５】
一方、図２、１０などに示すように、各真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの上面側には、真空容器４０に処理ガスなどを供給するための複数本のユニット側ガス供給管４２が接続されている。一端部が真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続された各ユニット側ガス供給管４２は、前方側へ向けて延伸された後、その他端部において、ブロック形状の共通の連結部材４２０に接続されている。当該連結部材４２０内には、各ユニット側ガス供給管４２に対応する流路が形成され、下面へ向けて開口している。連結部材４２０は、ＬＬＭ３と基板搬送部２０とが接続される接続位置に処理ユニットＵを配置したとき、連結部材５２０と連結される位置に配置されている。
【００４６】
装置側ガス供給管５２側の連結部材５２０とユニット側ガス供給管４２側の連結部材４２０とは不図示のＯ‐リングなどを介して気密に連結される。さらにこれらの連結部材５２０、４２０は、ねじなどを用いて連結する構造としてもよいし、簡易に連結、取り外しすることが可能なソケット構造としてもよい。
【００４７】
上述のように、処理ユニットＵの移動動作を利用して真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ側の処理ユニット側配管部（ユニット側の排気管４１、ユニット側ガス供給管４２）と、アウターフレーム７側の装置側配管部（装置側排気管５１、装置側ガス供給管５２）とを接続する場合は、処理ユニットＵを正確な位置に配置することが必要となる。この点、基板搬送部２０側から見て前後方向（図１０、１１に示すＸ’方向）の配置については、連結部２３に対するＬＬＭ３の接続に伴って正確な位置決めを行うことができる。
【００４８】
一方で、基板搬送部２０側から見て左右方向（図１２、１３に示すＹ’方向）の位置決めについては、連結部２３に対するＬＬＭ３の接続だけでは不十分なおそれがある。そこで本例のアウターフレーム７及びインナーフレーム６には、前記左右方向の位置決め用の部材（案内部材７３、被案内部材６４）が設けられている。
【００４９】
図１２、１３に示すように、アウターフレーム７及びインナーフレーム６を構成する枠体の両側面側には、処理ユニットＵを基板搬送部２０との接続位置まで挿入したとき、互いに対向し合う枠体部材が、基板搬送部２０から見て左右両側に設けられている。そして、アウターフレーム７側の両枠体部材の内側面には、ジャッキ部６２によりインナーフレーム６を降下させてＬＬＭ３を連結部２３に接続する際に、インナーフレーム６の左右方向の位置を案内するためのテーパー状の案内面を備えた案内部材７３が配置されている。  一方、インナーフレーム６側においても、アウターフレーム７側と対向する両対向部材の外側面には、インナーフレーム６が降下する際に、前記案内部材７３によって案内されるテーパー状の被案内面を備えた被案内部材６４が配置されている。
【００５０】
次に、基板搬送部２０（連結部２３）と接続されるＬＬＭ３側の接続部位の構成について説明する。  
図１２、１４などに示すように、基板搬送部２０と接続されるＬＬＭ３の先端部には、ゲートバルブＧ１の周囲を囲むように連結口部３４が設けられている。例えば連結口部３４は、例えば下辺に比べて上辺が短く、両側辺が傾斜した傾斜縁部となっていて、正面視した形状が等脚台形である筒型の部材として構成されている。
【００５１】
一方、連結部２３側には、前記ＬＬＭ３側の連結口部３４に対応して、正面視形状が等脚台形である枠体からなる連結口部２３１が設けられ、この連結口部２３１の内側に、ウエハＷの搬入出口が開口している。詳細には、連結口部２３１は前記連結口部３４の上辺及び傾斜縁部の内側に嵌合するように段差が形成されている。また連結口部２３１の下辺側の部材は、その上面に連結口部３４の下辺側の部材を載置することが可能なように、連結口部３４側へ向けて突出している。
【００５２】
この他、本例の基板処理装置には、不図示の制御部が設けられている。例えば制御部はＣＰＵ（Central Processing Unit）と記憶部とを備えたコンピュータからなり、記憶部には各処理ユニットＵの真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて実施される成膜の内容や第１の基板搬送機構２によるウエハＷの搬送順などの制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
【００５３】
以上に説明した構成を備える基板処理装置の作用について説明する。  
図３などに示すように、基板処理装置の通常の運転時において、処理ユニットＵはインナーフレーム６に支持された状態で各アウターフレーム７の収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内に収容され、それぞれの処理ユニットＵのＬＬＭ３は基板搬送部２０に接続されている。
【００５４】
そして、処理対象のウエハＷを収容したキャリアＣがＥＦＥＭ１０１のロードポート１１に載置されると、受け渡し機構１２によってキャリアＣからウエハＷが取り出され、第１の基板搬送機構２に搬送される。予め設定された枚数だけ処理対象のウエハＷが第１の基板搬送機構２内に収容されたら、これらのウエハＷに対して成膜を行う処理ユニットＵが収容されている位置まで第１の基板搬送機構２を移動させる。そして、第１の基板搬送機構２を構成する筐体の開口面を処理ユニットＵ側に向けると共に、当該処理ユニットＵ内のＬＬＭ３内の第２の基板搬送機構３３との間でウエハＷを受け渡し可能な高さに、取り出されるウエハＷの高さ位置を合わせる。
【００５５】
一方、処理ユニットＵ側では、ロードロック室３２内が常圧雰囲気の状態にて基板搬送部２０側のゲートバルブＧ１を開き、第２の基板搬送機構３３の関節アームを延伸させて第１の基板搬送機構２内に進入させ、関節アームのフォークを、受け取るウエハＷの下方側に位置させる。しかる後、第１の基板搬送機構２を少し降下させることにより、第１の基板搬送機構２内の保持部材からフォークへとウエハＷを受け取る。なお、上記ウエハＷの受け渡し動作に先行して、当該処理ユニットＵ内での成膜が終了したウエハＷを第１の基板搬送機構２の空いているウエハ保持部に受け渡す動作を実施してもよい。  
ウエハＷを受け取った第２の基板搬送機構３３は、関節アームを縮退させ、ゲートバルブＧ１を閉じてロードロック室３２内を真空雰囲気に切り替える。
【００５６】
次いで、当該ウエハＷへの成膜を行う真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ側のゲートバルブＧ２、Ｇ３を開き、真空容器４０内にウエハＷを搬入して成膜を実施する。処理ユニットＵに設けられている２つの真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの使用方法については、例えば一方側の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて成膜を行っている期間中、他方側の真空処理モジュール４Ｂ、４Ａにクリーニングガスを供給してクリーニングを実施してもよい。また、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて並行してウエハＷへの成膜を行ってもよい。
【００５７】
所定の処理ユニットＵにウエハＷを受け渡した第１の基板搬送機構２は、当該第１の基板搬送機構２内に収容されている他のウエハＷに対して成膜を行う処理ユニットＵの配置位置へと順次、移動してウエハＷの受け渡しを行う。この動作により、基板処理装置に設けられている複数の処理ユニットＵにて並行してウエハＷに対する成膜を行うことができる。  
そして処理ユニットＵにおける成膜が終了したら、第１の基板搬送機構２を移動させて当該処理ユニットＵから成膜後のウエハＷを受け取る。しかる後、第１の基板搬送機構２内に、成膜後のウエハＷを所定枚数だけ収容したら、第１の基板搬送機構２をＥＦＥＭ１０１側へ移動させ、搬入時とは反対の経路にて、成膜後のウエハＷを元のキャリアＣに戻す。
【００５８】
上述の手順に基づき、ウエハＷに対する成膜が行われる基板処理装置において、例えばいずれかの処理ユニットＵに設けられている真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて真空容器４０を開放してメンテナンスを行う必要が生じた場合を考える。  
この場合には、メンテナンス対象の処理ユニットＵが、第１の基板搬送機構２によるウエハＷの搬送先から外されるように制御部の設定を行い、ＬＬＭ３のロードロック室３２内を常圧状態とし、また真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０の真空状態を解除して開放可能な状態とする。基板処理装置は、メンテナンスの対象ではない他のアウターフレーム７内に設けられた処理ユニットＵを用いて、ウエハＷの処理を継続することができる。
【００５９】
所定の処理ユニットＵがメンテナンス可能な状態となったら、当該処理ユニットＵについて、作業者Ｐが真空容器４０を開放する準備を行う。このとき、本例の基板処理装置は、処理ユニットＵを収容する収容空間７０Ａ〜７０Ｃの位置に応じて準備の内容が異なる。
【００６０】
はじめに、最下段の収容空間７０Ａに収容された処理ユニットＵについては、例えば真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの上面側に設けられているクリーニングガスの供給配管（不図示）を取り外す。また、ユニット側排気管４１及びロードロック室３２の排気管（不図示）と分岐管５１１との連結部材４１０、５１０の締結を解除し、さらにユニット側ガス供給管４２及び接続管５２１の連結部材４２０、５２０の締結を解除する。しかる後、ジャッキ部６２を用いてインナーフレーム６（処理ユニットＵ）を上昇させ、ユニット側排気管４１と分岐管５１１、ユニット側ガス供給管４２と接続管５２１を各々、切り離す。次いで、カムフォロア６３のロックを解除し、処理ブロック１０２内の床面に設けられた走行軌道７４に沿って、基板搬送部２０から離間させる方向へとインナーフレーム６及びインナーフレーム６に支持された処理ユニットＵを引き出す。上記操作により、図７に示すように真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０を開放することが可能な状態となり、作業者Ｐによって必要なメンテナンスが実施される。
【００６１】
次に、中段の収容空間７０Ｂに収容された処理ユニットＵについては、処理ユニットＵが引き出される位置に、インナーフレーム６を載置する載置台９１を設ける。載置台９１の上面側に設けられた天板は、アウターフレーム７側の棚板部７２と連続した面が形成されるように配置され、また当該天板面には棚板部７２側の走行軌道７４と連続する不図示の溝状の走行軌道が形成されている。
【００６２】
そして、最下段の処理ユニットＵの場合と同様に、クリーニングガスの供給配管を取り外すと共に、ユニット側排気管４１と分岐管５１１、ユニット側ガス供給管４２と接続管５２１の連結を解除し、ジャッキ部６２を用いてインナーフレーム６（処理ユニットＵ）を上昇させる。次いで、カムフォロア６３のロックを解除し、棚板部７２及び載置台９１の天板の走行軌道７４に沿ってカムフォロア６３を移動させ、基板搬送部２０から離間させる方向へとインナーフレーム６及びインナーフレーム６に支持された処理ユニットＵを引き出す。図８に示すように作業者Ｐは手すり９２１付の踏み台９２Ａに乗って真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０を開放し、必要なメンテナンスを行う。
【００６３】
最後に、最上段の収容空間７０Ｃに収容された処理ユニットＵについては、当該処理ユニットＵよりも上段側に処理ユニットＵが配置されていないので、処理ブロック１０２を収容する筐体の一部、及びクリーニングガスの供給配管を取り外すことにより、直接、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにアクセスすることができる。そこで図９に示すように、作業者Ｐは手すり９２１付の踏み台９２Ｂに乗って処理ブロック１０２の筐体の一部を取り外し、処理ユニットＵの取り外しを行わずに真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０を開放し、必要なメンテナンスを行う。
【００６４】
次に、図７、８に示すように収容空間７０Ａ、７０Ｂから引き出された処理ユニットＵを基板搬送部２０に接続する動作について図１０〜図１４を参照しながら説明する。図１０〜図１３は、中段の収容空間７０Ｂに収容されたが処理ユニットＵ及びインナーフレーム６の例を示しているが最下段の収容空間７０Ａに収容された処理ユニットＵ、インナーフレーム６についての動作も同様である。
【００６５】
図８、１０に示すように基板搬送部２０から離間した所定のメンテナンス位置まで引き出された処理ユニットＵについて、メンテナンスが終了したら、真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０を閉じて開放状態から復旧する。ついで、カムフォロア６３のロックを解除し、棚板部７２の走行軌道７４に沿ってカムフォロア６３を移動させ、基板搬送部２０にＬＬＭ３を接続する位置、より詳細には、ＬＬＭ３が基板搬送部２０に接続される接続位置よりも上方側の切り離し位置まで、横方向にインナーフレーム６を押し戻す。  しかる後、ジャッキ部６２によりインナーフレーム６を降下させ、処理ユニットＵを接続位置まで移動させて、ＬＬＭ３の連結口部３４と連結部２３の連結口部２３１とを嵌合させることにより、ＬＬＭ３を基板搬送部２０に接続する（図１１）。
【００６６】
上記切り離し位置から接続位置までの降下動作において、インナーフレーム６を切り離し位置まで移動させると、アウターフレーム７の枠体部材の内側面に設けられた２つの案内部材７３の案内面に対して、インナーフレーム６の枠体部材の外側面に設けられた２つの被案内部材６４の各被案内面が隙間を空けて対向した状態となる（図１２）。
【００６７】
しかる後、インナーフレーム６を切り離し位置から接続位置まで降下させると、各被案内部材６４の被案内面が案内部材７３の案内面に当接する。このとき、インナーフレーム６の左右方向の位置がずれていると、案内部材７３の案内面に沿って被案内部材６４が移動し、基板搬送部２０側から見たインナーフレーム６（処理ユニットＵ）の左右方向の位置が修正される。
【００６８】
また上記切り離し位置から接続位置までの降下動作に伴って、図１４に嵌め合いの関係を示すように、ＬＬＭ３に設けられた連結口部３４の先端部と連結部２３側の連結口部２３１とが嵌合し、基板搬送部２０側から見て前後方向の位置決めも行われる。
【００６９】
このとき連結口部３４、２３１においては、横方向に伸びる上辺、下辺同士を互いに嵌合させることにより、ＬＬＭ３の降下動作にてこれらの部材間に密着面を形成することができる。また、連結口部３４、２３１の両側辺が傾斜縁部となっていることによっても、これらの辺同士を互いに嵌合させることにより、ＬＬＭ３の降下動作にてこれらの部材間に容易に密着面を形成することができる。  
この点、連結口部３４、２３１の両側辺が垂直方向に伸びる縁部となっている場合には、ＬＬＭ３の降下動作のみで気密な密着面を形成することは難しい。
【００７０】
以上に説明した構成により処理ユニットＵが正確な接続位置に配置されると、処理ユニットＵ側に設けられたユニット側排気管４１やユニット側ガス供給管４２は、アウターフレーム７側に設けられた分岐管５１１や接続管５２１と切り離される前の位置に配置される。そこで、当該位置にてユニット側排気管４１及び分岐管５１１の連結部材４１０、５１０を締結し、ユニット側ガス供給管４２及びロードロック室３２の排気管（不図示）と、接続管５２１との連結部材４２０、５２０を締結することにより、処理ユニットＵは再稼働の準備を開始可能な状態となる。
【００７１】
以上に説明した実施の形態に係る基板処理装置によれば以下の効果がある。複数の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂと、これらの真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続されたＬＬＭ３とにより１組の処理ユニットＵを構成し、さらにインナーフレーム６によって処理ユニットＵを支持した状態にて、アウターフレーム７内に複数の処理ユニットＵを上下方向に多段に並べて収容する。この構成により、インナーフレーム６を移動させることによって、互いに組み合わせて使用される真空処理モジュール４Ａ、４ＢとＬＬＭ３とを一体に移動させることが可能となり、メンテナンス時などにおける取り扱いが容易となる。
【００７２】
ここで、基板搬送部２０から見た処理ユニットＵの左右方向の位置決めを行う案内部材７３、被案内部材６４の配置位置は、図１２、１３に示した例に限定されない。例えば、図１５に模式的に示すアウターフレーム７においては、棚板部７２の板面上に案内部材７３が設けられ、基板搬送部２０から見て後方側へテーパー状の案内面を向けて、案内部材７３が配置されている。一方、例えば処理ユニットＵ側のＬＬＭ３の両脇に位置するユニット側排気管４１には、下方側へ向けて伸びる支柱部６６が設けられ、当該支柱部６６の下端に、前記案内部材７３側へテーパー状の被案内面を向けて被案内部材６４が配置されている。
【００７３】
被案内部材６４の配置高さ位置は、処理ユニットＵを既述の切り離し位置まで進入させたとき、被案内部材６４の被案内面が案内部材７３の案内面に当接する高さ位置に調節されている。従って本例では、基板搬送部２０から離間する方向に抜き出された処理ユニットＵを切り離し位置まで横方向に移動させる際に、処理ユニットＵの左右方向の位置がずれている場合には、当該切り離し位置へ移動する間に被案内部材６４が案内部材７３に接触し、処理ユニットＵの左右方向の位置が修正される。そして、切り離し位置から接続位置までの降下動作の期間中は、被案内部材６４の被案内面が案内部材７３の案内面に当接した状態のまま、被案内部材６４の被案内面が案内部材７３の案内面に沿って下方側へ移動する。
【００７４】
また、図３に示すように複数の処理ユニットＵを上下方向に多段に並べて収容するアウターフレーム７において、アウターフレーム７に収容される全ての処理ユニットＵがインナーフレーム６に支持されていることは必須の要件ではない。例えば最上段の収容空間７０Ｃに収容される処理ユニットＵについては、アウターフレーム７に対して直接、組み付けてもよい。
【００７５】
一方で、図９を用いて説明したように、収容空間７０Ｃから横方向に引き出しての真空容器４０の開放メンテナンスを行わない例を示した最上段側に配置される処理ユニットＵについても、インナーフレーム６により支持する手法を選択し、さらに昇降機構であるジャッキ部６２や移動機構であるスライダー部６１、カムフォロア６３などを設けて横方向に引き出してもよいことは勿論である。例えば真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの交換や、ＬＬＭ３内の機器の補修など、より大がかりなメンテナンスが必要な場合に、図８に示した例と同様に、載置台９１上に処理ユニットＵを引き出すことが必要な場合もある。
【００７６】
またここで、処理ユニットＵを支持するインナーフレーム６には、常設の昇降機構（ジャッキ部６２）や移動機構（スライダー部６１、カムフォロア（ローラーフォロア）６３やキャスター）を設けることは必須ではない。例えば、処理ユニットＵを移動させる必要が生じた場合に、インナーフレーム６の下方側にエアキャスターを挿入し、エアキャスターによってインナーフレーム６を浮上させて、基板搬送部２０から離間させる処理ユニットＵの横方向移動を行ってもよい。
【００７７】
さらには、各処理ユニットＵにおいて、ＬＬＭ３に接続する真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの数は２台に限られるものではなく、３台以上の真空処理モジュール４を接続してもよい。また、各処理ユニットＵに２台のＬＬＭ３を設け、一方のＬＬＭ３に対して真空処理モジュール４Ａを接続し、他方のＬＬＭ３に対してＬＬＭ３に対して真空処理モジュール４Ｂを接続する構成としてもよい。この他、１台のＬＬＭ３と１台の真空処理モジュール４Ａとにより処理ユニットＵを構成してもよい。  
【００７８】
これに加えて、上下方向に多段に並べて処理ユニットＵを収容するアウターフレーム７における処理ユニットＵの収容段数は、図４、３などに示した例の如く３段に限られるものではない。例えば２段であってもよいし、４段以上であってもよい。そして、基板搬送部２０の側面に配置されるアウターフレーム７の配置基数についても、図２に示す例の如く３基ずつに限定されるものではなく、２基ずつ、若しくは４基以上ずつであってもよい。この他、例えばＥＥＦＭ１０１に、例えば１基のアウターフレーム７を直接接続してもよい。この場合には、ＥＦＥＭ１０１が基板搬送部に相当し、受け渡し機構１２が第１の基板搬送機構に相当することとなる。
【００７９】
そして、基板搬送部２０の構成についても平面視したとき、細長い直線状の基板搬送室２００の両側にアウターフレーム７を複数基ずつ配置した、図２に示す例に限定されない。例えば、平面形状が多角形の基板搬送部２０の一面にＥＦＥＭ１０１を接続し、他の面にアウターフレーム７を放射状に接続する構成としてもよい。
【００８０】
この他、基板処理装置に設けられる処理ユニットＵの真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて実施される処理の種類は、成膜に限られるものではなく、エッチングやアッシング、アニールなどであってもよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００８１】
Ｕ          処理ユニット
Ｗ          ウエハ
２          第１の基板搬送機構
２０        基板搬送部
３          ロードロックモジュール（ＬＬＭ）
３２        ロードロック室
３３        第２の基板搬送機構
４Ａ、４Ｂ  真空処理モジュール
４０        真空容器
６          インナーフレーム
７          アウターフレーム
【図１】
2018093087.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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