(57)【要約】      （修正有）【課題】タッチ位置のセンシングを妨げずに押圧をセンシングすることを目的とする。【解決手段】タッチセンサ５４において、複数の第１電極５６は、絶縁表面上に形成され、第１方向Ｄ１に隣同士が接続して配置されると共に、第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に隣同士が離間して配置される。複数の第２電極５８は、絶縁表面上に形成され、第２方向Ｄ２に隣同士が接続して配置されると共に、第１方向Ｄ１に隣同士が離間して配置される。複数の第３電極６６は、複数の第１電極５６と重畳するが複数の第２電極５８のいずれにも重畳しない領域にそれぞれ形成され、第２方向Ｄ２に隣同士が接続して配置されると共に、第１方向Ｄ１に隣同士が離間して配置される。複数の第１電極５６と複数の第３電極６６との間に可撓性絶縁層が設けられる。複数の第３電極６６のそれぞれの面積は、複数の第１電極５６のそれぞれの面積よりも小さい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成され、第１方向に隣同士が接続して配置されると共に、前記第１方向と交差する第２方向に隣同士が離間して配置された複数の第１電極と、
前記絶縁表面上に形成され、前記第２方向に隣同士が接続して配置されると共に、前記第１方向に隣同士が離間して配置された複数の第２電極と、
前記複数の第１電極と重畳するが前記複数の第２電極のいずれにも重畳しない領域にそれぞれ形成され、前記第２方向に隣同士が接続して配置されると共に、前記第１方向に隣同士が離間して配置された複数の第３電極と、
前記複数の第１電極と前記複数の第３電極との間に設けられた可撓性絶縁層と、
を有し、
前記複数の第３電極のそれぞれの面積は、前記複数の第１電極のそれぞれの面積よりも小さいことを特徴とするタッチセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載されたタッチセンサにおいて、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との間の静電容量の変化を検出することにより、タッチの有無及び座標を判定すると共に、前記可撓性絶縁層の膜厚方向の変位による、前記複数の第１電極と前記複数の第３電極との間の静電容量の変化を検出することにより、タッチの押圧を判定することを特徴とするタッチセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載されたタッチセンサにおいて、
センシング回路をさらに有し、
前記センシング回路は、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極からなる電極群のそれぞれに寄生する第１静電容量に対応する第１物理量を測定し、得られた第１測定値が第１範囲から外れるときに、指を含む導電体の接近に起因して前記第１静電容量の有意な変化があったことを検知し、
前記センシング回路は、さらに、前記複数の第１電極のそれぞれと前記複数の第３電極のそれぞれとの間の第２静電容量に対応する第２物理量を測定し、得られた第２測定値が第２範囲から外れるときに、押圧力による前記可撓性絶縁層の圧縮に起因して前記第２静電容量の有意な変化があったことを検知することを特徴とするタッチセンサ。
【請求項４】
請求項３に記載されたタッチセンサにおいて、
前記第１物理量は、前記複数の第１電極のそれぞれと前記複数の第２電極のそれぞれとの間の静電容量に対応し、
前記第１測定値は、第１所定値よりも小さいときに、前記第１範囲から外れることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項５】
請求項３又は４に記載されたタッチセンサにおいて、
前記第２測定値は、第２所定値よりも大きいときに、前記第２範囲から外れることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載されたタッチセンサにおいて、
前記可撓性絶縁層は、前記複数の第１電極と重畳する複数の第１領域から、前記複数の第２電極と重畳する複数の第２領域に連続的に設けられることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載されたタッチセンサにおいて、
前記可撓性絶縁層は、前記複数の第１電極と重畳する複数の第１領域と、前記複数の第１領域とは異なる第２領域とに、互いに離間して設けられることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載されたタッチセンサにおいて、
前記複数の第３電極のそれぞれの前記面積は、前記複数の第１電極のそれぞれの前記面積に対して６５％以下であることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載されたタッチセンサと、
発光素子をそれぞれ有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する基板と、
前記表示領域を覆うと共に、少なくとも一層の無機絶縁層と、少なくとも一層の有機絶縁層と、を有する封止層と、
を有し、
前記タッチセンサは、前記封止層上にあることを特徴とするタッチセンサ付表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチセンサ及びタッチセンサ付表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンなどのモバイルディスプレイのタッチパネルには、静電容量方式が広く採用されている。タッチパネルは、従来、ディスプレイとは別に形成することが多かったが、最近は、薄さ、低コスト及び光学特性の優位性から内蔵化の傾向が見られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１１−５０１３０７号公報
【特許文献２】特許第５７８３３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
センシングの方式として、位置の検出だけでなく、指で押したときの押圧を検出する感圧センサを搭載することが知られている（特許文献１）。感圧センサは、透明ではないので、発光を妨げないように、タッチ位置検出用のセンサとは別に、ディスプレイの後ろまたは表示領域の周辺領域（額縁）に置かれていた。
【０００５】
特許文献２には、位置検出用の電極と押圧検出用の電極を重ねて配置する構造が開示されている。この構造では、静電容量方式で位置を検出するときの電界を、押圧検出用の電極がシールドすることで、タッチ位置のセンシング動作を妨げるおそれがある。
【０００６】
本発明は、タッチ位置のセンシングを妨げずに押圧を検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るタッチセンサは、絶縁表面上に形成され、第１方向に隣同士が接続して配置されると共に、前記第１方向と交差する第２方向に隣同士が離間して配置された複数の第１電極と、前記絶縁表面上に形成され、前記第２方向に隣同士が接続して配置されると共に、前記第１方向に隣同士が離間して配置された複数の第２電極と、前記複数の第１電極と重畳するが前記複数の第２電極のいずれにも重畳しない領域にそれぞれ形成され、前記第２方向に隣同士が接続して配置されると共に、前記第１方向に隣同士が離間して配置された複数の第３電極と、前記複数の第１電極と前記複数の第３電極との間に設けられた可撓性絶縁層と、を有し、前記複数の第３電極のそれぞれの面積は、前記複数の第１電極のそれぞれの面積よりも小さいことを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、第３電極の面積が第１電極の面積よりも小さいので、第１電極と第２電極との間に生じる電界を第３電極が完全にはシールドしない。したがって、第１電極と第２電極を使用してタッチ位置のセンシングが可能であり、第１電極と第３電極を使用して押圧を検出することができる。
【０００９】
本発明に係るタッチセンサ付表示装置は、タッチセンサと、発光素子をそれぞれ有する複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する基板と、前記表示領域を覆うと共に、少なくとも一層の無機絶縁層と、少なくとも一層の有機絶縁層と、を有する封止層と、を有し、前記タッチセンサは、前記封止層上にあることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。
【図２】図１においてIIで指す部分を示す拡大図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面を一部省略して示す拡大図である。
【図４】図２に示す表示装置のIV−IV線断面の拡大図である。
【図５】図２に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面の拡大図である。
【図６】実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。
【図７】実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを示す図である。
【図８】画面を指で押した状態を示す図である。
【図９】実施形態に係る表示装置の押圧センシングのための回路を示す図である。
【図１０】実施形態に係る表示装置の押圧センシングのフローを示す図である。
【図１１】第３電極によるシールドの影響を調べるために行ったシミュレーションの結果を示す図である。
【図１２】第１電極と第３電極の面積比率を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態の変形例１を示す図である。
【図１４】図１３に示す構造のXIV−XIV線断面図である。
【図１５】本発明の実施形態の変形例２を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１２】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１３】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、第１基板１０を有する。第１基板１０は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域ＤＡを有する。第１基板１０には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載され、外部との電気的接続のために図示しないフレキシブルプリント基板を接続してもよい。
【００１５】
図２は、図１においてIIで指す部分を示す拡大図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面を一部省略して示す拡大図である。第１基板１０は、樹脂又はガラスからなり、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有するフィルムであってもよい。第１基板１０には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１４が形成される。アンダーコート層１４は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等からなり、それらの積層構造であっても良い。アンダーコート層１４の上には半導体層１６が形成されている。半導体層１６にソース電極１８及びドレイン電極２０が電気的に接続し、半導体層１６を覆ってゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２の上にはゲート電極２４が形成され、ゲート電極２４を覆って層間絶縁膜２６が形成されている。ソース電極１８及びドレイン電極２０は、ゲート絶縁膜２２及び層間絶縁膜２６を貫通している。半導体層１６、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２４によって薄膜トランジスタ２８が構成される。薄膜トランジスタ２８を覆うようにパッシベーション膜３０が設けられている。
【００１６】
パッシベーション膜３０の上には、平坦化層３２が設けられている。平坦化層３２の上には、複数の単位画素（サブピクセル）それぞれに対応するように構成された複数の画素電極３４（例えば陽極）が設けられている。平坦化層３２は、少なくとも画素電極３４が設けられる面が平坦になるように形成される。平坦化層３２としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料が多く用いられる。画素電極３４は、平坦化層３２及びパッシベーション膜３０を貫通するコンタクトホール３６によって、半導体層１６上のソース電極１８及びドレイン電極２０の一方に電気的に接続している。
【００１７】
平坦化層３２及び画素電極３４上に、絶縁層３８が形成されている。絶縁層３８は、画素電極３４の周縁部に載り、画素電極３４の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層３８によって、画素電極３４の一部を囲むバンクが形成される。
【００１８】
画素電極３４上に発光層４０が設けられている。発光層４０は、画素電極３４ごとに別々に（分離して）設けられ、絶縁層３８にも載るようになっている。この場合は各画素に対応して青、赤、緑で発光層４０が発光するようになる。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄、白等でもよい。発光層４０は、例えば、蒸着により形成される。また、発光層４０は、表示領域ＤＡ（図１参照）を覆う全面に、複数の画素に亘るように形成してもよい。つまり、発光層４０を絶縁層３８上で連続するように形成してもよい。この場合、発光層４０は溶媒分散による塗布により形成する。発光層４０を複数の画素に亘るように形成する場合は、全サブピクセルにおいて白色で発光し、図示しないカラーフィルタを通して所望の色波長部分を取り出す構成になる。
【００１９】
発光層４０の上には、対向電極４２（共通電極又は陽極）が設けられている。対向電極４２は、バンクとなる絶縁層３８の上に載る。発光層４０並びに発光層４０を挟む画素電極３４及び対向電極４２を含む発光素子４４が構成される。複数の画素のそれぞれが発光素子４４を有する。発光層４０は、画素電極３４及び対向電極４２に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層４０と画素電極３４との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層４０と対向電極４２との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
【００２０】
発光素子４４は、対向電極４２に積層する封止層４６によって覆われることで封止されて水分から遮断される。封止層４６は、ＳｉＮなどからなる少なくとも一層の無機絶縁層を含み、積層構造であってもよい。例えば、封止層４６は、図３に示すように、一対の無機絶縁層４８，５０の間に樹脂などからなる少なくとも一層の有機絶縁層５２を挟む構造であってもよい。封止層４６は、表示領域ＤＡ（図１参照）を覆う。
【００２１】
本実施形態に係る表示装置は、封止層４６上にタッチセンサ５４を有する。タッチセンサ５４は、複数の第１電極５６を有する。複数の第１電極５６は、封止層４６の絶縁表面８４上に形成されている。複数の第１電極５６は、第１方向Ｄ１に隣同士が接続して配置され（詳細は後述）、第１方向Ｄ１と交差（例えば直交）する第２方向Ｄ２に隣同士が離間して配置されている。
【００２２】
図３に示すように、複数の第１電極５６は、隣同士の第１電極５６の間の領域（スペース）が、絶縁層３８（バンク）の上方に位置するが、それぞれの第１電極５６は、複数の画素を覆う大きさである。第１電極５６と発光素子４４の距離が近い場合には、第１電極５６の形状を画素の形状に対応させることで光学特性が向上する。第１電極５６と発光素子４４が十分に離れていれば、画素の形状に応じて第１電極５６を形成する必要は無い。なお、この段落に記載した内容は、次に述べる第２電極５８にも該当する。
【００２３】
タッチセンサ５４は、図２に示すように、複数の第２電極５８を有する。複数の第２電極５８は、封止層４６の絶縁表面８４上に形成される（図３参照）。複数の第２電極５８は、第２方向Ｄ２に隣同士が接続して配置され、第１方向Ｄ１に隣同士が離間して配置されている。第２方向Ｄ２に隣同士の第２電極５８は第２接続部６０によって接続されている。第２電極５８と第２接続部６０は同じ層に配置されている。複数の第１電極５６と複数の第２電極５８とは、相互に重畳せずに同じ層に配置され、間隔をあけることで絶縁されている。
【００２４】
図４及び図５は、それぞれ、図２に示す表示装置のIV−IV線断面及びＶ−Ｖ線断面の拡大図である。隣同士の第１電極５６は第１接続部６２によって接続されている。第１接続部６２は、第２接続部６０と重畳するが、絶縁膜６４が介在して両者が導通しないようになっている。絶縁膜６４は、ここでは第１接続部６２の直下のみに配置されることで、複数の部位に分離されているが、第１電極５６を全体的に覆うように絶縁膜６４が形成され、第１接続部６２と第１電極５６との接続箇所のみコンタクトホールを開口しても良い。
【００２５】
タッチセンサ５４は、図２に示すように、複数の第３電極６６を有する。複数の第３電極６６は、それぞれ、複数の第１電極５６と重畳する。複数の第１電極５６と複数の第３電極６６との間に可撓性絶縁層９０が設けられる。可撓性絶縁層９０は、複数の第１電極５６と重畳する複数の第１領域から、複数の第２電極５８と重畳する複数の第２領域に連続的に設けられる。可撓性絶縁層９０は、水分散ポリウレタンのような、容易に形成できて透明で軟性の材料から形成することが望ましい。
【００２６】
複数の第３電極６６は、図２に示すように、複数の第２電極５８のいずれにも重畳しない。複数の第３電極６６は、第１方向Ｄ１に隣同士が離間して配置されている。複数の第３電極６６は、第２方向Ｄ２に隣同士が接続するように配置されている。第２方向Ｄ２に隣同士の第３電極６６は第３接続部６８によって接続されている。第３電極６６と第３接続部６８は同じ層に配置されている。なお、第１電極５６、第２電極５８及び第３電極６６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）のような透明で低温形成可能な材料からなる。
【００２７】
タッチセンサ５４の最上層である複数の第３電極６６には、図３に示すように、第２基板７０が貼り付けられている。第２基板７０は、樹脂又はガラスからなり、第１基板１０と同様に、可撓性を有するフィルムであってもよい。第２基板７０の貼り付けには、図示しない粘着材を使用する。表示装置は、タッチパネルを内蔵するということもでき、指などの導電体の接近によるタッチを検出するようになっている。本実施形態では、相互容量方式の原理が採用されている。相互容量方式では、複数の第１電極５６と複数の第２電極５８との間の静電容量の変化を検出することにより、タッチの有無及び座標を判定する。
【００２８】
図６は、実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。表示装置は、センシング回路７２を有する。例えば、図１に示す集積回路チップ１２にセンシング回路７２が内蔵されている。センシング回路７２は、第１選択回路７４を含む。第１選択回路７４は、第１方向Ｄ１に接続された一群の第１電極５６を選択する。センシング回路７２は、第２選択回路７６を含む。第２選択回路７６は、第２方向Ｄ２に接続された一群の第２電極５８を選択する。センシング回路７２は、パルス発生器７８を含む。パルス発生器７８から出力されたパルス電圧は、選択された一群の第１電極５６及び選択された一群の第２電極５８の一方（この例では前者）に印加される。パルス電圧が印加される電極とは別の電極（この例では第２電極５８）は電流計８０に接続されている。電流計８０は、第１静電容量に対応する第１物理量（電流値）を測定する。第１物理量は、一群の第１電極５６と一群の第２電極５８との間の静電容量に対応する。
【００２９】
第１方向Ｄ１に接続された一群の第１電極５６と、第２方向Ｄ２に接続された一群の第２電極５８との間には静電容量が形成される。例えば、選択された一群の第１電極５６及び選択された一群の第２電極５８の間には、第１静電容量が形成される。第１電極５６及び第２電極５８の一方にパルスが入力されると、この第１静電容量に基づくカップリングによって第１電極５６及び第２電極の他方に電位変動が伝達する。指などの導電体のタッチがあると、第１電極５６及び第２電極５８の間の電界の他に、タッチした導電体と第１電極５６との間や、タッチした導電体と第２電極５８との間にも電界が生ずる。これらの電界によって、第１電極５６と第２電極５８との間のカップリングが一部阻害される。よって、タッチがあった場所においては、カップリングによる第１電極５６と第２電極５８との間の電位変動の伝達が減少する。この変化量を検知（次段落を参照）することにより、タッチの有無とその座標を検知する。
【００３０】
図７は、実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを示す図である。図６に示す電流計８０で第１物理量（電流値）が測定される（Ｓ１１）と、その測定によって得られた第１測定値は、判別回路８２に入力される。判別回路８２では、第１測定値が第１範囲から外れるか否かを判定する。第１範囲は、指などの導電体のタッチがないときの設計値に誤差を考慮した範囲である。第１測定値が第１範囲内にあればタッチがないことになる。第１測定値が第１範囲から外れると、指などの導電体の接近に起因して第１静電容量の有意な変化があったこと（すなわちタッチがあったこと）を検知する。
【００３１】
本実施形態では、タッチがあれば第１測定値が下がる相互容量方式が採用されているため、第１測定値が第１範囲から外れるか否かの判定として、第１測定値が第１所定値よりも小さいか否かを判別回路８２で判別する（Ｓ１２）。判別の結果がＮＯであれば、タッチはなかったことを検知する（Ｓ１３）。ＹＥＳであれば、タッチがあったことを検知する（Ｓ１４）。
【００３２】
図８は、画面を指で押した状態を示す図である。押圧によって、第２基板７０及び第３電極６６を介して、可撓性絶縁層９０が圧縮される。これにより、第１電極５６及び第３電極６６の間隔が狭くなる。その結果、第１電極５６と第３電極６６との間の静電容量が増大する。本実施形態では、可撓性絶縁層９０の膜厚方向の変位による、複数の第１電極５６と複数の第３電極６６との間の静電容量の変化を検出することにより、タッチの押圧を判定する。
【００３３】
図９は、実施形態に係る表示装置の押圧センシングのための回路を示す図である。センシング回路７２は、複数の第１電極５６のそれぞれと複数の第３電極６６のそれぞれとの間の第２静電容量に対応する第２物理量を測定する。押圧の有無だけを検出する（押圧の位置は検出しない）のであれば、複数の第２静電容量の合計に対応する第２物理量を測定すればよい。例えば、複数の第１電極５６を相互に接続し、複数の第３電極６６を相互に接続し、パルス発生器７８から印加されたパルス電圧によって、第２物理量（電流値）を電流計８０で測定する。第１選択回路７４（図６参照）によって複数の第１電極５６を相互に接続し、第２選択回路７６（図６参照）によって複数の第３電極６６を相互に接続してもよい。指などによる押圧があれば、第２静電容量は増大する。従って、パルス発生器７８が複数の第１電極５６又は複数の第３電極６６にパルスを入力して充放電を行う際の消費電流が増大する。
【００３４】
図１０は、実施形態に係る表示装置の押圧センシングのフローを示す図である。電流計８０で第２物理量（電流値）が測定されると（Ｓ２１）、その測定によって得られた第２測定値は、判別回路８２に入力される（図９参照）。判別回路８２では、第２測定値が第２範囲から外れるか否かを判定する。第２範囲は、指などによる押圧がないときの設計値に誤差を考慮した範囲である。第２測定値が第２範囲内であれば、押圧がないことになる。第２測定値が第２範囲から外れると、押圧力による可撓性絶縁層９０の圧縮に起因して第２静電容量の有意な変化があったこと（すなわち押圧があったこと）を検知する。
【００３５】
可撓性絶縁層９０の圧縮があれば、第１電極５６及び第３電極６６の間隔が狭くなって第２測定値が上がるので、第２測定値が第２範囲から外れるか否かの判定として、第２測定値が第２所定値よりも大きいか否かを判別回路８２で判別する（Ｓ２２）。判別の結果がＮＯであれば、押圧はなかったことを検知する（Ｓ２３）。ＹＥＳであれば、押圧があったことを検知する（Ｓ２４）。
【００３６】
本実施形態によれば、図２に示すように、複数の第３電極６６のそれぞれの面積は、複数の第１電極５６のそれぞれの面積よりも小さい。したがって、タッチセンシングのときに第１電極５６と第２電極５８との間に生じる電界が、第３電極６６によって完全にシールドされることはない。そのため、第１電極５６と第２電極５８を使用してタッチセンシングが可能であり、これに加えて第１電極５６と第３電極６６を使用して押圧センシングが可能になる。
【００３７】
図１１は、第３電極６６によるシールドの影響を調べるために行ったシミュレーションの結果を示すグラフである。具体的には、第３電極６６の下に重畳する第１電極５６にパルス電圧を印加したときに、第１電極５６と図示しない指との間の静電容量が、第１電極５６に対する第３電極６６の面積比率に応じてどのように変化するかを計算した。図１１には、第１電極５６に対する第３電極６６の面積比率を横軸に示し、静電容量の比率を縦軸に示す。面積比率が０％とは第３電極６６が存在しないことであり、そのときの静電容量を１００％とする。換言すると、この場合は第１電極５６と指との間の静電容量の阻害率が０％ということである。
【００３８】
第１電極５６及び第２電極５８による位置センシング機能と、第１電極５６及び第３電極６６による感圧センシング機能を両立させるには、このシミュレーションで少なくとも５０％の静電容量を確保する必要がある。静電容量が５０％になるのは面積比率が６５％のときである。換言すると、第１電極５６に対する第３電極の面積比が６５％であるとき、第１電極５６と指との間の静電容量の５０％が第３電極６６によって阻害されるということである。したがって、複数の第３電極６６のそれぞれの面積は、複数の第１電極５６のそれぞれの面積に対して６５％以下であることが好ましい。また、９０％の静電容量が得られる２５％を面積比率の下限に設定してもよい。
【００３９】
図１２は、第１電極５６と第３電極６６の面積比率を説明するための図である。この例では、第１電極５６がダイヤモンドパターンである。例えば、第１電極５６の辺の幅Ｗ１が４ｍｍとすると、面積が１６ｍｍ２である。第３電極６６の面積は、その６５％である１０．４ｍｍ２以下にすればよく、第３電極６６の辺の幅Ｗ３は３．２ｍｍ以下にすればよい。
【００４０】
図１３は、本発明の実施形態の変形例１を示す図である。図１４は、図１３に示す構造のXIV−XIV線断面図である。この例では、絶縁表面１８４上に、第１電極１５６及び第２電極１５８が配列されている。可撓性絶縁層１９０は、複数の第１電極１５６と重畳する複数の第１領域Ａ１と、複数の第１領域Ａ１とは異なる第２領域Ａ２とに、互いに離間して設けられている。第３電極１６６は、第１電極１５６の上方であって可撓性絶縁層１９０の上に配置されている。この例によれば、可撓性絶縁層１９０は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とで離間しているので変形しやすくなっている。可撓性絶縁層１９０が大きく変化するので、静電容量の変化が大きくなり、押圧センシングの感度が高くなる。
【００４１】
図１５は、本発明の実施形態の変形例２を示す図である。この例では、第３電極２６６と可撓性絶縁層２９０の間にバッファ層２８６が介在している。バッファ層２８６は、フォトリソグラフィやエッチングで使用される薬品に対する耐性がある材料からなり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）プロセスで形成するシリコン窒化膜が挙げられる。
【００４２】
バッファ層２８６があることで、その上に第３電極２６６をフォトリソグラフィやエッチングを適用して形成するときに、薬品から可撓性絶縁層２９０を保護することができる。なお、第３電極２６６の電気的接続のためのコンタクトホール（図示せず）は、バッファ層２８６とともに可撓性絶縁層２９０をエッチングして形成する。可撓性絶縁層２９０がフッ素系樹脂のように耐薬品性に優れている場合や、第３電極２６６の形成プロセスがインクジェットのように薬品を大量には使用しないプロセスであればバッファ層２８６は不要である。
【００４３】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。また、タッチセンサは、相互容量方式に限らず、自己容量方式であってもよい。
【００４４】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１０  第１基板、１２  集積回路チップ、１４  アンダーコート層、１６  半導体層、１６  ソース電極、１８  ソース電極、２０  ドレイン電極、２２  ゲート絶縁膜、２４  ゲート電極、２６  層間絶縁膜、２８  薄膜トランジスタ、３０  パッシベーション膜、３２  平坦化層、３４  画素電極、３６  コンタクトホール、３８  絶縁層、４０  発光層、４２  対向電極、４４  発光素子、４６  封止層、４８  無機絶縁層、５０  無機絶縁層、５２  有機絶縁層、５４  タッチセンサ、５６  第１電極、５８  第２電極、６０  第２接続部、６２  第１接続部、６４  絶縁膜、６６  第３電極、６８  第３接続部、７０  第２基板、７２  センシング回路、７４  第１選択回路、７６  第２選択回路、７８  パルス発生器、８０  電流計、８２  判別回路、８４  絶縁表面、９０  可撓性絶縁層、１９０  可撓性絶縁層、１５６  第１電極、１５８  第２電極、１６６  第３電極、１８４  絶縁表面、２９０  可撓性絶縁層、２６６  第３電極、２８６  バッファ層、Ａ１  第１領域、Ａ２  第２領域、Ｄ１  第１方向、Ｄ２  第２方向、ＤＡ  表示領域、Ｗ１  幅、Ｗ２  幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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