(57)【要約】【課題】より高い複合シールド効果を得ることが可能な電子回路パッケージを提供する。【解決手段】電源パターン２５Ｇを有する基板２０と、基板２０の表面２１に搭載された電子部品３１，３２と、電子部品３１，３２を埋め込むよう基板２０の表面２１を覆い、熱硬化性樹脂材料及び磁性フィラーを含む複合磁性材料からなる磁性モールド樹脂４０と、磁性モールド樹脂４０の上面４１を覆う、少なくとも金属膜６０及び磁性膜５０を含む積層膜とを備える。金属膜６０は電源パターン２５Ｇに接続されており、磁性膜５０磁性モールド樹脂４０よりも実効透磁率が高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源パターンを有する基板と、
前記基板の表面に搭載された電子部品と、
前記電子部品を埋め込むよう前記基板の前記表面を覆い、熱硬化性樹脂材料及び磁性フィラーを含む複合磁性材料からなる磁性モールド樹脂と、
前記磁性モールド樹脂の少なくとも上面を覆う、少なくとも金属膜及び磁性膜を含む積層膜と、を備え、
前記金属膜は、前記電源パターンに接続されており、
前記磁性膜は、前記磁性モールド樹脂よりも実効透磁率が高い、電子回路パッケージ。
【請求項２】
前記積層膜は、前記磁性モールド樹脂の側面をさらに覆う、請求項１に記載の電子回路パッケージ。
【請求項３】
前記磁性膜は、前記磁性モールド樹脂と前記金属膜の間に位置する、請求項１又は２に記載の電子回路パッケージ。
【請求項４】
前記金属膜は、前記磁性モールド樹脂と前記磁性膜の間に位置する、請求項１又は２に記載の電子回路パッケージ。
【請求項５】
前記積層膜は、前記金属膜と前記磁性膜との間に設けられた接着層をさらに含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項６】
前記接着層の抵抗値が１０６Ω以上である、請求項５に記載の電子回路パッケージ。
【請求項７】
前記磁性膜の実効透磁率は、前記磁性モールド樹脂の実効透磁率の２倍以上である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項８】
前記磁性モールド樹脂の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であり、前記磁性モールド樹脂の前記上面と前記積層膜の界面における抵抗値が１０６Ω以上である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項９】
前記磁性フィラーは、軟磁性金属を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１０】
前記磁性フィラーの表面が絶縁コートされている、請求項９に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１１】
前記絶縁コートの膜厚が１０ｎｍ以上である、請求項１０に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１２】
前記磁性フィラーの形状が略球状である、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１３】
前記磁性フィラーは、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ及びＦｅ−Ｓｉからなる群より選ばれた少なくとも１つの磁性材料を主成分とする、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１４】
前記磁性モールド樹脂は非磁性フィラーをさらに含む、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１５】
前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選ばれた少なくとも１つの金属を主成分とする、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１６】
前記金属膜の表面が酸化防止被覆で覆われている、請求項１５に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１７】
前記電源パターンは前記基板の側面に露出しており、前記金属膜は前記基板の前記側面に露出した前記電源パターンと接している、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１８】
前記磁性膜は、熱硬化性樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜である、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１９】
前記磁性膜は、軟磁性材料もしくはフェライトからなる薄膜、箔又はバルクシートである、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項２０】
前記電子部品と前記磁性モールド樹脂との間に設けられた非磁性部材をさらに備える、請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子回路パッケージに関し、特に、電磁気シールド機能と磁気シールド機能を併せ持つ複合シールド機能を有する電子回路パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンなどの電子機器は、高性能な無線通信回路及びデジタルチップが採用され、使用する半導体ＩＣの動作周波数も上昇する傾向にある。さらに複数の半導体ＩＣを最短配線で接続する２．５Ｄ構造や３Ｄ構造をもったシステムインパッケージ（ＳＩＰ）化が加速し、電源系回路のモジュール化も今後増加していくと予測される。さらに多数の電子部品（インダクタ、コンデンサ、抵抗、フィルターなどの受動部品、トランジスタ、ダイオードなどの能動部品、半導体ＩＣなどの集積回路部品、並びに、その他電子回路構成に必要な部品の総称）がモジュール化された電子回路モジュールも今後益々増加していくことが予測され、これらを総称した電子回路パッケージがスマートフォンなどの電子機器の高機能化および小型化、薄型化により高密度実装される傾向にある。これらの傾向は、一方でノイズによる誤動作及び電波障害が顕著となることを示し、従来のノイズ対策では誤動作や電波障害を防止することが困難である。このため、近年においては、電子回路パッケージのセルフシールド化が進み、導電性ペーストもしくはメッキやスパッタ法による電磁気シールドの提案及び実用化がなされているが、今後はさらに高いシールド特性が要求される。
【０００３】
これを実現すべく、近年においては電磁気シールド機能と磁気シールド機能を併せ持つ複合シールド構造の提案がなされている。複合シールド構造を得るためには、導電膜（金属膜）による電磁気シールドと磁性膜による磁気シールドを電子回路パッケージに形成する必要がある。
【０００４】
例えば、特許文献１には、磁性モールド樹脂によって電子回路をモールドするとともに、全体を金属ケースで覆うことによって、シールド性を高めた電子回路パッケージが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５９−１３２１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の電子回路パッケージでは、全体を金属ケースで覆っていることから、低背化を実現することは困難である。また、金属ケースには多数の孔が設けられており、且つ、金属ケースが基板のグランドパターンなどに接続されていないことから、十分なシールド効果を得ることができない。しかも、磁性モールド樹脂と金属ケースの２層構造では、十分なシールド性が得られない場合もあった。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、より高い複合シールド効果を得ることが可能な電子回路パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による電子回路パッケージは、電源パターンを有する基板と、前記基板の表面に搭載された電子部品と、前記電子部品を埋め込むよう前記基板の前記表面を覆い、熱硬化性樹脂材料及び磁性フィラーを含む複合磁性材料からなる磁性モールド樹脂と、前記磁性モールド樹脂の少なくとも上面を覆う、少なくとも金属膜及び磁性膜を含む積層膜と、を備え、前記金属膜は前記電源パターンに接続されており、前記磁性膜は前記磁性モールド樹脂よりも実効透磁率が高い。
【０００９】
本発明によれば、磁性モールド樹脂の上面が金属膜及び磁性膜を含む積層膜で覆われた３重のシールド構造が得られるため、より高い複合シールド効果を得ることが可能となる。磁性膜の実効透磁率は、磁性モールド樹脂の実効透磁率の２倍以上であることが好ましい。これによれば、よりいっそう高い複合シールド効果を得ることが可能となる。磁性膜は、熱硬化性樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜であっても構わないし、軟磁性材料もしくはフェライトからなる薄膜、箔又はバルクシートであっても構わない。
【００１０】
本発明において、前記積層膜は前記磁性モールド樹脂の側面をさらに覆うことが好ましい。これによれば、側面方向における複合シールド特性を高めることができる。
【００１１】
本発明において、前記磁性膜が前記磁性モールド樹脂と前記金属膜の間に位置しても構わない。或いは、前記金属膜が前記磁性モールド樹脂と前記磁性膜の間に位置しても構わない。
【００１２】
本発明において、前記積層膜は、前記金属膜と前記磁性膜との間に設けられた接着層をさらに含んでも構わない。これによれば、金属膜と磁性膜を密着させることができるとともに、両者の接触を防止することができる。この場合、前記接着層の抵抗値が１０６Ω以上であることが好ましい。これによれば、電磁波ノイズが金属膜に入射されることにより生じる渦電流がほとんど磁性膜に流れ込まない。
【００１３】
本発明において、前記磁性モールド樹脂の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であり、前記磁性モールド樹脂の前記上面と前記積層膜の界面における抵抗値が１０６Ω以上であることが好ましい。これによれば、モールド部材に求められる十分な絶縁性を確保することができる。しかも、磁性モールド樹脂と金属膜の界面における抵抗値が１０６Ω以上であることから、電磁波ノイズが金属膜に入射されることにより生じる渦電流がほとんど磁性モールド樹脂に流れ込まない。このため、渦電流の流入による磁性モールド樹脂の磁気特性の低下を防止することが可能となる。
【００１４】
本発明において、前記磁性フィラーは軟磁性金属を含むことが好ましい。これによれば、磁性モールド樹脂の透磁率を高めることができる。軟磁性金属は、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ及びＦｅ−Ｓｉからなる群より選ばれた少なくとも１つの磁性材料を主成分とすることが好ましい。また、前記磁性フィラーの表面が絶縁コートされていることが好ましく、前記絶縁コートの膜厚が１０ｎｍ以上であることがより好ましい。これによれば、磁性モールド樹脂の体積抵抗を十分に高めることが可能となる。前記磁性フィラーの形状は略球状であることが好ましい。これによれば、磁性モールド樹脂中における磁性フィラーの割合を高めることが可能となる。
【００１５】
本発明において、前記磁性モールド樹脂は非磁性フィラーをさらに含んでいても構わない。これによれば、非磁性フィラーを添加することによって磁性モールド樹脂にフィラーが高充填率化されることから、熱膨張係数を調整することができる。また、非磁性フィラーによって、成形時の流動性、誘電特性および強度、弾性率等の機械物性などを調整することもできるとともに、耐圧、絶縁性、難燃性などを向上することも可能となる。
【００１６】
本発明において、前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選ばれた少なくとも１つの金属を主成分とすることが好ましく、前記金属膜の表面が酸化防止被覆で覆われていることがより好ましい。
【００１７】
本発明において、前記電源パターンは前記基板の側面に露出しており、前記金属膜は前記基板の前記側面に露出した前記電源パターンと接していることが好ましい。これによれば、金属膜を電源パターンに容易かつ確実に接続することが可能となる。
【００１８】
本発明による電子回路パッケージは、前記電子部品と前記磁性モールド樹脂との間に設けられた非磁性部材をさらに備えていても構わない。これによれば、電子部品と磁性モールド樹脂が近接することによる、電子部品の特性の変動などを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１９】
このように、本発明によれば、高い複合シールド効果を有する電子回路パッケージを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態の第１の変形例による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態の第２の変形例による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図４】図４は、図１に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図５】図５は、図１に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図６】図６は、図１に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図７】図７は、図１に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図９】図９は、第２の実施形態の第１の変形例による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図１０】図１０は、第２の実施形態の第２の変形例による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図８に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】図１２は、図８に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図１３】図１３は、図８に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】図１４は、本発明の第３の実施形態による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図１５】図１５は、第３の実施形態の変形例による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図１６】図１６は、図１４に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図１７】図１７は、図１４に示す電子回路パッケージの製造方法を説明するための工程図である。
【図１８】図１８は、本発明の第４の実施形態による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図１９】図１９は、第４の実施形態の変形例による電子回路パッケージの構成を示す断面図である。
【図２０】図２０は、実施例の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による電子回路パッケージ１１Ａの構成を示す断面図である。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態による電子回路パッケージ１１Ａは、基板２０と、基板２０に搭載された複数の電子部品３１，３２と、電子部品３１，３２を埋め込むよう基板２０の表面２１を覆う磁性モールド樹脂４０と、磁性モールド樹脂４０を覆う磁性膜５０と、磁性膜５０及び磁性モールド樹脂４０を覆う金属膜６０とを備えている。
【００２４】
本実施形態による電子回路パッケージ１１Ａの種類については特に限定されないが、例えば、高周波信号を取り扱う高周波モジュールや、電源制御を行う電源モジュール、２．５Ｄ構造や３Ｄ構造をもったシステムインパッケージ（ＳＩＰ）、無線通信用またはデジタル回路用半導体パッケージなどが挙げられる。図１においては、２つの電子部品３１，３２のみを図示しているが、実際にはより多くの電子部品が内蔵されている。
【００２５】
基板２０は、内部に多数の配線が埋め込まれた両面および多層配線構造を有しており、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ＢＴ、シアネートエステル、フェノール、イミドなど熱硬化性樹脂ベースの有機基板、液晶ポリマーなど熱可塑性樹脂ベースの有機基板、ＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、フレキシブル基板など種類は問わない。本実施形態では基板２０が４層構造であり、基板２０の表面２１及び裏面２２に形成された配線層と、内部に埋め込まれた２層の配線層を有している。基板２０の表面２１には、複数のランドパターン２３が形成されている。ランドパターン２３は、電子部品３１，３２と接続するための内部電極であり、両者はハンダ２４（或いは導電性ペースト）を介して電気的且つ機械的に接続される。一例として、電子部品３１はコントローラなどの半導体チップであり、電子部品３２はキャパシタやコイルなどの受動部品である。電子部品の一部（例えば薄型化された半導体チップなど）は、基板２０に埋め込まれていても構わない。
【００２６】
ランドパターン２３は、基板２０の内部に形成された内部配線２５を介して、基板２０の裏面２２に形成された外部端子２６に接続される。実使用時においては、電子回路パッケージ１１Ａが図示しないマザーボードなどに実装され、マザーボード上のランドパターンと電子回路パッケージ１１Ａの外部端子２６が電気的に接続される。ランドパターン２３、内部配線２５及び外部端子２６を構成する導体の材料としては、銅、銀、金、ニッケル、クロム、アルミニウム、パラジウム、インジウムなどの金属もしくはその金属合金であっても構わないし、樹脂やガラスをバインダーとした導電材料であっても構わないが、基板２０が有機基板またはフレキシブル基板である場合は、コストや導電率などの観点より銅、銀を用いることが好ましい。これら導電材料の形成方法としては、印刷、メッキ、箔ラミネート、スパッタ、蒸着、インクジェットなどの方法を用いることができる。
【００２７】
尚、図１において、符号の末尾にＧが付された内部配線２５は、電源パターンであることを意味する。電源パターン２５Ｇは、典型的には、接地電位が与えられるグランドパターンであるが、固定電位が与えられるパターンであればグランドパターンに限定されるものではない。
【００２８】
磁性モールド樹脂４０は、電子部品３１，３２を埋め込むよう基板２０の表面２１を覆って設けられている。磁性モールド樹脂４０は、モールド部材であるとともに、第１の磁気シールドとしても機能する。本実施形態においては、磁性モールド樹脂４０の側面４２と基板２０の側面２７が同一平面を構成している。磁性モールド樹脂４０は、熱硬化性樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる。磁性モールド樹脂４０は、電子部品３１，３２やランドパターン２３と接することから、その体積抵抗率は十分に高い必要があり、具体的には１０１０Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
複合磁性材料に用いる熱硬化性樹脂材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができ、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂系の半導体封止材料に用いられる主剤及び硬化剤を用いることが好ましい。材料の形態は、液状及び固形状のどちらでもよく、成形方法に応じた主剤及び硬化剤の選択によって材料の形態が異なる。固形状の材料を用いる場合は、トランスファー成形用としてはタブレット形状に形成したものを使用することができ、インジェクション、コンプレッション成型用としては顆粒状に形成したものを使用することができる。また、成形方法についてはトランスファー成形、コンプレッション成型、インジェクション成形、注型、真空注型、ディスペンス、スリットノズルによる方法などがあり、適宜選択できる。成形条件は、使用する主剤、硬化剤、硬化促進材の組み合わせから適宜選択すればよく、成形後、必要に応じアフターキュアを施しても構わない。
【００３０】
複合磁性材料に用いる磁性フィラーとしては、バルクでの透磁率が高い軟磁性金属を用いることが好ましい。軟磁性金属としては、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ及びＦｅ−Ｓｉからなる群より選ばれた少なくとも１つの磁性材料が挙げられる。具体例としては、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、スーパーパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ等を挙げることができる。磁性フィラーの形状については特に限定されないが、高充填化するためには球状とし、最密充填となるように複数の粒度分布のフィラーをブレンド、配合してもよい。また、磁性フィラーを略球形とすれば、電子部品３１，３２に対するモールド時のダメージを低減することもできる。
【００３１】
磁性フィラーの表面は、流動性、密着性、絶縁性向上のために、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｇなどの金属の酸化物、或いは、有機材料によって絶縁コートされていることが好ましい。磁性モールド樹脂４０の体積抵抗率を十分に高めるためには、絶縁コートの膜厚を１０ｎｍ以上とすることが好ましい。絶縁コートは、磁性フィラーの表面に熱硬化性材料をコート処理、又は、テトラエチルオキシシラン若しくはテトラメチルオキシシランの金属アルコキシドの脱水反応によって酸化膜を形成してもよく、酸化ケイ素のコート被膜形成が最も好ましい。さらにその上に有機官能性カップリング処理を施すとさらに好適である。
【００３２】
磁性モールド樹脂４０を構成する複合磁性材料には、非磁性フィラーを配合しても構わない。非磁性フィラーとして、溶融シリカ、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化チタンなどを用いれば、磁性モールド樹脂４０の絶縁性及び耐圧性が向上するとともに、難燃性を付与することもできる。また、流動性、誘電率、強度や弾性率等の機械物性を調整することができる。また、非磁性フィラーを添加することによる高充填率化により、熱膨張係数を低減させることもできる。この場合、低熱膨張係数をもつフィラー、例えば、溶融シリカやリン酸ジルコニウムなどを用いることが好適である。さらに、フィラー間の滑り性の向上及び流動性の向上のためには、表面処理された粒径２００ｎｍ以下のナノシリカを使用することが好適である。さらに、非磁性フィラーの表面に密着性及び流動性向上のためのカップリング処理を施しても構わない。
【００３３】
磁性モールド樹脂４０の上面４１は磁性膜５０で覆われている。磁性膜５０は、熱硬化性樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜、軟磁性材料やフェライトからなる薄膜、或いは、箔またはバルクシートからなり、第２の磁気シールドとして機能する。磁性膜５０の実効透磁率は、少なくとも、磁性モールド樹脂４０の実効透磁率よりも大きい必要があり、２倍以上であることが好ましい。
【００３４】
磁性膜５０として複合磁性材料からなる膜を選択する場合、熱硬化性樹脂材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができ、印刷法、成型法、スリットノズル塗布法、スプレー法、ディスペンス法、インジェクション法、トランスファー法、コンプレッション成型法、未硬化のシート状樹脂を用いたラミネート法などの厚膜工法を用いて形成することができる。熱硬化性材料を使用することで、耐熱性、絶縁性、耐衝撃性、落下強度など、電子回路パッケージに要求される信頼性が高められる。
【００３５】
また、磁性フィラーとしては、フェライト又は軟磁性金属を用いることが好ましく、バルクでの透磁率が高い軟磁性金属を用いることが特に好ましい。フェライト又は軟磁性金属としては、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる群から選ばれた１又は２以上の金属、或いはその酸化物が挙げられる。具体例としては、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系などのフェライト、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、スーパーパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ等を挙げることができる。磁性フィラーの形状については特に限定されないが、高充填化するためには球状とし、最密充填となるように複数の粒度分布のフィラーをブレンド、配合してもよい。透磁率実数成分の遮蔽効果と透磁率虚数成分のロスの熱変換効果を最大限に引き出すためには、アスペクト５以上の扁平粉を配向させて形成することがさらに好ましい。
【００３６】
磁性フィラーの表面は、流動性、密着性、絶縁性向上のために、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｇなどの金属の酸化物、或いは、有機材料によって絶縁コートされていることが好ましい。絶縁コートは、磁性フィラーの表面に熱硬化性材料をコート処理、もしくは、金属アルコキシドの脱水反応によって酸化膜を形成してもよく、酸化ケイ素のコート被膜形成が最も好ましい。さらにその上に有機官能性カップリング処理を施すとさらに好適である。
【００３７】
複合磁性材料は、印刷法、成型法、スリットノズル塗布法、スプレー法、ディスペンス法、未硬化のシート状樹脂を用いたラミネート法などの公知の方法を用いて磁性モールド樹脂４０の上面４１に形成することができる。
【００３８】
また、磁性膜５０として軟磁性材料もしくはフェライトからなる薄膜を選択する場合、その材料としては、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる群から選ばれた１又は２以上の金属、或いはその酸化物を用いることができ、スパッタリング法、蒸着法などの薄膜工法の他、メッキ法、スプレー法、ＡＤ法、溶射法などを用いて磁性モールド樹脂４０の上面４１に形成することができる。この場合、磁性膜５０の材料は、必要とされる透磁率と周波数から適時選択すればよいが、低周波（ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ）側のシールド効果を上げるためには、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｓｉ系の合金が最も好ましい。一方、高周波（５０〜数百ＭＨｚ）のシールド効果を上げるためには、ＮｉＺｎ、ＭｎＺｎ、ＮｉＣｕＺｎなどのフェライト膜もしくはＦｅが最も好ましい。
【００３９】
さらに、磁性膜５０として箔またはバルクシートを用いる場合には、磁性モールド樹脂４０を形成する際の金型にあらかじめ箔またはバルクシートを設置しておけば、磁性モールド樹脂４０の上面４１に箔またはバルクシートからなる磁性膜５０を直接形成することができる。
【００４０】
磁性膜５０の上面５１及び側面５２、磁性モールド樹脂４０の側面４２、並びに、基板２０の側面２７は、金属膜６０で覆われている。金属膜６０は電磁気シールドであり、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選ばれた少なくとも１つの金属を主成分とすることが好ましい。金属膜６０はできるだけ低抵抗であることが好ましく、コストなどを鑑みるとＣｕを用いることが最も好ましい。また、金属膜６０の外側表面は、ＳＵＳ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，黄銅などの防食性の金属、或いは、エポキシ、フェノール、イミド、ウレタン、シリコーンなどの樹脂からなる酸化防止被覆で覆われていることが好ましい。これは、金属膜６０は熱、湿度などの外部環境で酸化劣化するため、これを抑制及び防止するために上記処理を施すことが好ましい。金属膜６０の形成方法は、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法、電解メッキ法など公知の方法より適時選択すればよく、金属膜６０を形成する前に密着性向上前処理であるプラズマ処理、カップリング処理、ブラスト処理、エッチング処理などを施しても良い。さらに、金属膜６０の下地として、チタンやクロム、ＳＵＳなどの高密着性金属膜を事前に薄く形成しても構わない。
【００４１】
図１に示すように、基板２０の側面２７には電源パターン２５Ｇが露出しており、金属膜６０は基板２０の側面２７を覆うことによって電源パターン２５Ｇと接続されている。
【００４２】
特に限定されるものではないが、磁性膜５０と磁性モールド樹脂４０の界面における抵抗値は、１０６Ω以上であることが好ましい。これによれば、電磁波ノイズが金属膜６０に入射することにより生じる渦電流がほとんど磁性モールド樹脂４０に流れ込まないことから、渦電流の流入による磁性モールド樹脂４０の磁気特性の低下を防止することが可能となる。磁性膜５０と磁性モールド樹脂４０の界面における抵抗値とは、両者が直接接している場合には磁性モールド樹脂４０の表面抵抗を指し、両者間に絶縁膜が存在する場合には、絶縁膜の表面抵抗を指す。
【００４３】
磁性モールド樹脂４０の表面抵抗値は、基本的に、磁性モールド樹脂４０の体積抵抗率とおおよそ一致する。したがって、磁性モールド樹脂４０の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であれば、基本的に、磁性モールド樹脂４０の表面抵抗値も１０１０Ω以上となる。しかしながら、後述するように、磁性モールド樹脂４０は製造時においてダイシングされるため、切断面（つまり側面４２）に軟磁性金属からなる磁性フィラーが露出することがあり、この場合は、体積抵抗率に比べて側面４２の表面抵抗値が低くなる可能性がある。同様に、低背化や粗面化を目的として磁性モールド樹脂４０の上面４１を研削した場合にも、上面４１に軟磁性金属からなる磁性フィラーが露出することがあり、この場合は、体積抵抗率に比べて上面４１の表面抵抗値が低くなる可能性がある。その結果、磁性モールド樹脂４０の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であっても、磁性モールド樹脂４０の表面抵抗値が１０１０Ω未満となることがあるが、このような場合であっても、磁性モールド樹脂４０の表面抵抗値が１０６Ω以上であれば、渦電流の流入を防止することができる。
【００４４】
また、磁性モールド樹脂４０の上面４１又は側面４２の表面抵抗値が１０６Ω未満に低下する場合は、磁性モールド樹脂４０の上面４１又は側面４２に薄い絶縁膜を形成しても構わない。このような絶縁膜を介在させれば、磁性モールド樹脂４０の上面４１又は側面４２の表面抵抗値が１０６Ω未満に低下している場合であっても、磁性膜５０と磁性モールド樹脂４０の界面における抵抗値を１０６Ω以上とすることが可能となり、渦電流による磁気特性の低下を防止することが可能となる。
【００４５】
また、金属膜６０と磁性膜５０の界面における抵抗値についても、１０６Ω以上であることが好ましい。これによれば、電磁波ノイズが金属膜６０に入射されることにより生じる渦電流がほとんど磁性膜５０に流れ込まないことから、渦電流の流入による磁性膜５０の磁気特性の低下を防止することが可能となる。金属膜６０と磁性膜５０の界面における抵抗値とは、両者が直接接している場合には磁性膜５０の表面抵抗を指し、両者間に絶縁膜が存在する場合には、絶縁膜の表面抵抗を指す。
【００４６】
金属膜６０と磁性膜５０の界面における抵抗値を１０６Ω以上とする方法としては、磁性膜５０の材料として十分に表面抵抗の高い材料を用いるか、或いは、磁性膜５０の上面５１に薄い絶縁材料を形成する方法が挙げられる。図２は、変形例による電子回路パッケージ１１Ｂの構成を示す断面図であり、磁性膜５０と金属膜６０の間に薄い絶縁性の接着層７０が介在している点において、図１に示した電子回路パッケージ１１Ａと相違している。このような接着層７０を介在させれば、磁性膜５０の材料として比較的抵抗値の低い材料を用いた場合であっても、金属膜６０と磁性膜５０の界面における抵抗値を１０６Ω以上とすることが可能となり、渦電流による磁気特性の低下を防止することが可能となる。また、このような接着層７０は、金属膜６０の密着性向上にも寄与する。
【００４７】
さらに、高周波インダクタなどの電子部品は、磁性モールド樹脂４０との距離が近すぎると、インダクタンス値などの特性が設計値から変動してしまうことがある。このような場合、当該電子部品の一部又は全部を非磁性部材で覆うことにより、特性の変動を低減することができる。図３は、第２の変形例による電子回路パッケージ１１Ｃの構成を示す断面図であり、電子部品３２が非磁性部材９０で覆われている点において、図１に示した電子回路パッケージ１１Ａと相違している。非磁性部材９０としては、一般的な樹脂を用いることができる。このような非磁性部材９０を電子部品３２と磁性モールド樹脂４０との間に介在させれば、電子部品３２と磁性モールド樹脂４０との距離が離れるため、インダクタンス値などの特性の変動を低減することが可能となる。
【００４８】
このように、本実施形態による電子回路パッケージ１１Ａ〜１１Ｃは、磁性モールド樹脂４０を用いるとともに、その表面が磁性膜５０及び金属膜６０からなる積層膜で覆われていることから、３重の複合シールド構造を得ることができる。これにより、低背化を実現しつつ、電子部品３１，３２から放射される電磁波ノイズや、外部から電子部品３１，３２に入射する電磁波ノイズを効果的に遮蔽することができる。特に、本実施形態による電子回路パッケージ１１Ａ〜１１Ｃは、電子部品３１，３２から放射される電磁波ノイズをより効果的に遮蔽することができる。これは、電子部品３１，３２から発生した電磁波ノイズが磁性モールド樹脂４０及び磁性膜５０を通過する際にその一部が吸収され、吸収されなかった電磁波ノイズの一部が金属膜６０で反射し、磁性膜５０及び磁性モールド樹脂４０を再び通過するからである。このように、磁性モールド樹脂４０は入射した電磁波ノイズに対して２度作用するので、電子部品３１，３２から放射される電磁波ノイズを効果的に遮蔽することができる。
【００４９】
しかも、磁性膜５０は磁性モールド樹脂４０よりも実効透磁率が高いため、磁性膜５０が存在しない場合と比べて高い電磁波ノイズの吸収効果を得ることが可能となる。このような効果は、磁性膜５０の実効透磁率が磁性モールド樹脂４０の実効透磁率の２倍以上である場合に顕著となる。
【００５０】
次に、本実施形態による電子回路パッケージ１１Ａの製造方法について説明する。
【００５１】
図４〜図７は、電子回路パッケージ１１Ａの製造方法を説明するための工程図である。
【００５２】
まず、図４に示すように、多層配線構造を有する集合基板２０Ａを用意する。集合基板２０Ａの表面２１には複数のランドパターン２３が形成されており、集合基板２０Ａの裏面２２には複数の外部端子２６が形成されている。また、集合基板２０Ａの内層には、電源パターン２５Ｇを含む複数の内部配線２５が形成されている。なお、図４に示す破線ａは、その後のダイシング工程において切断されるべき部分を指している。図４に示すように、電源パターン２５Ｇは、平面視で破線ａと重なる位置に設けられている。
【００５３】
次に、図４に示すように、ランドパターン２３に接続されるよう、集合基板２０Ａの表面２１に複数の電子部品３１，３２を搭載する。具体的には、ランドパターン２３上にハンダ２４を供給した後、電子部品３１，３２を搭載し、リフローを行うことによって電子部品３１，３２をランドパターン２３に接続すればよい。
【００５４】
次に、図５に示すように、電子部品３１，３２を埋め込むよう、磁性モールド樹脂４０によって集合基板２０Ａの表面２１を覆う。磁性モールド樹脂４０の形成方法としては、上述の通り、トランスファー成形、コンプレッション成型、インジェクション成形、注型、真空注型、ディスペンス、スリットノズルによる方法などを用いることができる。
【００５５】
次に、図６に示すように、磁性モールド樹脂４０の上面４１に磁性膜５０を形成する。この場合、磁性モールド樹脂４０と磁性膜５０の密着性を向上させるために、磁性モールド樹脂４０の上面４１をブラスト、エッチングなどの手法で物理的な凹凸を形成したり、プラズマや短波長ＵＶなどで表面改質したり、有機官能性カップリング処理などを施しても構わない。
【００５６】
ここで、磁性膜５０として複合磁性材料からなる膜を用いる場合は、印刷法、成型法、スリットノズル塗布法、スプレー法、ディスペンス法、インジェクション法、トランスファー法、コンプレッション成型法、未硬化のシート状樹脂を用いたラミネート法などの厚膜工法を用いることができる。印刷法、スリットノズル塗付法、スプレー法、ディスペンス法などによる形成時においては、必要に応じて複合磁性材料の粘度を調整することが好ましい。粘度の調整は、沸点が５０〜３００℃である１又は２種類以上の溶剤を用いて希釈すればよい。熱硬化性材料は、主剤、硬化剤、硬化促進剤を基本とするが、主剤、硬化剤は２種以上を要求特性に応じてブレンドしてもよい。また、必要に応じ、溶剤を混合してもよく、密着性、流動性向上のためのカップリング剤、難燃化のための難燃剤、着色のための染料、顔料、可とう性付与などの非反応性樹脂材料、熱膨張係数調整などの目的で非磁性のフィラーをブレンド、配合してもよい。材料はニーダーやミキサー、真空脱泡撹拌装置、３本ロールなどの既知の方法で混錬、分散すればよい。
【００５７】
また、磁性膜５０として軟磁性材料やフェライトからなる薄膜を用いる場合は、スパッタリング法、蒸着法などの薄膜工法の他、メッキ法、スプレー法、ＡＤ法、溶射法などを用いることができる。さらに、磁性膜５０として箔またはバルクシートを用いる場合には、磁性モールド樹脂４０を形成する際の金型にあらかじめ箔またはバルクシートを設置しておけば、磁性モールド樹脂４０の上面４１に箔またはバルクシートからなる磁性膜５０を直接形成することができる。
【００５８】
次に、図７に示すように、破線ａに沿って集合基板２０Ａを切断することにより基板２０を個片化する。本実施形態においては、電源パターン２５Ｇがダイシング位置である破線ａを横切っているため、破線ａに沿って集合基板２０Ａを切断すると、基板２０の側面２７からは電源パターン２５Ｇが露出する。
【００５９】
そして、磁性膜５０の上面５１及び側面５２、磁性モールド樹脂４０の側面４２、並びに、基板２０の側面２７を覆うよう、金属膜６０を形成すれば、本実施形態による電子回路パッケージ１１Ａが完成する。金属膜６０の形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法、電解メッキ法などを用いることができる。また、金属膜６０を形成する前に、密着性向上前処理であるプラズマ処理、カップリング処理、ブラスト処理、エッチング処理などを施しても良い。さらに、金属膜６０の下地として、チタンやクロムなどの高密着性金属膜を事前に薄く形成しても構わない。
【００６０】
また、図２に示した変形例のように、磁性膜５０と金属膜６０との間に接着層７０を介在させる場合には、金属膜６０を形成する前に、磁性膜５０の上面５１及び／又は側面５２に熱硬化性材料や耐熱性熱可塑性材料などの接着材料を薄く形成すればよい。
【００６１】
このように、本実施形態による電子回路パッケージ１１Ａの製造方法によれば、磁性モールド樹脂４０の上面４１を磁性膜５０及び金属膜６０からなる積層膜で覆うことができる。
【００６２】
＜第２の実施形態＞
図８は、本発明の第２の実施形態による電子回路パッケージ１２Ａの構成を示す断面図である。
【００６３】
図８に示すように、本実施形態による電子回路パッケージ１２Ａは、磁性膜５０が磁性モールド樹脂４０の上面４１だけでなく、側面４２を覆っている点において、図１に示した第１の実施形態による電子回路パッケージ１１Ａと相違している。その他の構成は、第１の実施形態による電子回路パッケージ１１Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６４】
本実施形態においては、磁性モールド樹脂４０の側面４２が磁性膜５０によって完全に覆われており、したがって、磁性モールド樹脂４０と金属膜６０が接する部分は実質的に存在しない。このような構成によれば、磁性モールド樹脂４０の側面における複合シールド効果が高められる。特に、磁性モールド樹脂４０の側面方向に放射される電磁波ノイズが効果的にシールドされる。
【００６５】
また、磁性膜５０の材料として比較的抵抗値の低い材料を用いる場合には、図９に示す変形例による電子回路パッケージ１２Ｂのように、磁性膜５０の上面５１と金属膜６０の間に薄い接着層７０を介在させることが好ましく、図１０に示す別の変形例による電子回路パッケージ１２Ｃのように、磁性膜５０の上面５１及び側面５２と金属膜６０の間に薄い接着層７０を介在させることがより好ましい。
【００６６】
図１１〜図１３は、電子回路パッケージ１２Ａの製造方法を説明するための工程図である。
【００６７】
まず、図４及び図５を用いて説明した方法により磁性モールド樹脂４０を形成した後、図１１に示すように、ダイシング位置を示す破線ａに沿って幅Ｗ１の溝４４を形成する。溝４４は、磁性モールド樹脂４０をほぼ完全に切断し、且つ、基板２０に形成された内部配線２５に達しない深さとする。これにより、溝４４の内部には、磁性モールド樹脂４０の側面４２と、基板２０の表面２１が露出することになる。
【００６８】
次に、図１２に示すように、溝４４の内部を埋めるよう磁性膜５０を形成する。この時、溝４４の内部を磁性膜５０で完全に埋めることは必須でないが、溝４４の内部を磁性膜５０で埋める場合には、磁性膜５０にある程度の膜厚が必要となることから、磁性膜５０としては複合磁性材料を用いる必要がある。これにより、磁性モールド樹脂４０の上面４１及び側面４２に磁性膜５０が直接形成されるとともに、溝４４の底部に露出する基板２０の表面２１も磁性膜５０で覆われることになる。また、図９に示した変形例のように、磁性膜５０の上面５１と金属膜６０との間に接着層７０を介在させる場合には、磁性膜５０を形成した後、その上面５１に熱硬化性材料や耐熱性熱可塑性材料などの接着材料を薄く形成すればよい。
【００６９】
次に、図１３に示すように、破線ａに沿って幅Ｗ２の溝４５を形成することによって集合基板２０Ａを切断し、複数の基板２０に個片化する。この時、溝４５の幅Ｗ２は、溝４４の幅Ｗ１よりも細くする必要がある。これにより、溝４４の内部に形成された磁性膜５０を残存させたまま、基板２０が個片化される。また、図１０に示した変形例のように、磁性膜５０の上面５１及び側面５２と金属膜６０との間に接着層７０を介在させる場合には、溝４５によって基板２０を個片化することなく磁性膜５０の側面５２を露出させた後、磁性膜５０の上面５１及び側面５２に熱硬化性材料や耐熱性熱可塑性材料などの接着材料を薄く形成し、その後、基板２０を切断すればよい。
【００７０】
そして、磁性膜５０の上面５１及び側面５２、並びに、基板２０の側面２７を覆うよう、金属膜６０を形成すれば、本実施形態による電子回路パッケージ１２Ａが完成する。
【００７１】
このように、本実施形態による電子回路パッケージ１２Ａの製造方法は、幅の異なる２つの溝４４，４５を順次形成していることから、複雑な工程を用いることなく、磁性モールド樹脂４０の側面４２を磁性膜５０で覆うことが可能となる。
【００７２】
＜第３の実施形態＞
図１４は、本発明の第３の実施形態による電子回路パッケージ１３Ａの構成を示す断面図である。
【００７３】
図１４に示すように、本実施形態による電子回路パッケージ１３Ａは、磁性膜５０が金属膜６０の上面６１に形成されている点において、図１に示した電子回路パッケージ１１Ａと相違している。つまり、磁性膜５０と金属膜６０からなる積層膜の位置関係が逆である。その他の点は、図１に示した電子回路パッケージ１１Ａと同じである。このような構成であっても、磁性モールド樹脂４０、磁性膜５０及び金属膜６０の３重シールド構造が得られることから、高い複合シールド効果を得ることが可能となる。
【００７４】
また、金属膜６０の上面６１に磁性膜５０を直接形成することが困難である場合には、図１５に示す変形例による電子回路パッケージ１３Ｂのように、金属膜６０と磁性膜５０との間に薄い接着層７０を介在させればよい。尚、磁性膜５０が金属膜６０の酸化防止被覆として機能する場合には、金属膜６０の上面６１に酸化防止被覆を施す必要はないが、このような場合であっても、信頼性を高める観点からは金属膜６０の上面６１に酸化防止被覆を施すことが望ましい。
【００７５】
図１６及び図１７は、電子回路パッケージ１３Ａの製造方法を説明するための工程図である。
【００７６】
まず、図４及び図５を用いて説明した方法により、磁性モールド樹脂４０を形成した後、図１６に示すように、ダイシング位置を示す破線ａに沿って集合基板２０Ａを切断することにより基板２０を個片化する。
【００７７】
次に、図１７に示すように、磁性モールド樹脂４０の上面４１及び側面４２、並びに、基板２０の側面２７を覆うよう、金属膜６０を形成する。これにより、基板２０の側面２７に露出する電源パターン２５Ｇに金属膜６０が接続される。そして、金属膜６０の上面６１に磁性膜５０を形成すれば、図１４に示した電子回路パッケージ１３Ａが完成する。尚、金属膜６０の上面６１に磁性膜５０を直接形成することが困難である場合には、金属膜６０を形成した後、磁性膜５０を形成する前に、熱硬化性材料や耐熱性熱可塑性材料などの接着材料を薄く形成すれば、図１５に示した電子回路パッケージ１３Ｂが得られる。
【００７８】
＜第４の実施形態＞
図１８は、本発明の第４の実施形態による電子回路パッケージ１４Ａの構成を示す断面図である。
【００７９】
図１８に示すように、本実施形態による電子回路パッケージ１４Ａは、磁性膜５０が金属膜６０の上面６１のみならず、側面６２にも形成されている点において、図１４に示した電子回路パッケージ１３Ａと相違している。その他の構成は、図１４に示した電子回路パッケージ１３Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。このような構成によれば、磁性モールド樹脂４０の側面における複合シールド効果が高められる。特に、磁性モールド樹脂４０の側面方向から入射される電磁波ノイズが効果的にシールドされる。
【００８０】
また、金属膜６０の上面６１及び側面６２に磁性膜５０を直接形成することが困難である場合には、図１９に示す変形例による電子回路パッケージ１４Ｂのように、金属膜６０の上面６１及び側面６２と磁性膜５０との間に薄い接着層７０を介在させればよい。尚、磁性膜５０が金属膜６０の酸化防止被覆として機能する場合には、金属膜６０の上面６１及び側面６２に酸化防止被覆を施す必要はないが、このような場合であっても、信頼性を高める観点からは金属膜６０の上面６１及び側面６２に酸化防止被覆を施すことが望ましい。
【００８１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【実施例】
【００８２】
＜磁性フィラーの作成＞
まず、三菱製鋼株式会社製ＡＫＴ４．５Ｓｉ−５．０Ｃｒ（Ｄ５０＝３０μｍ）及びＢＡＳＦ社製カルボニル鉄粉（Ｄ５０＝６μｍ）を用意し、金属アルコキシドの加水分解により表面に厚さ３０ｎｍのＳｉＯ２被膜を形成した。ＳｉＯ２被膜の膜厚は、ＦＥ−ＳＥＭによって確認した。
【００８３】
＜複合磁性材料の作成＞
次に、ＡＫＴ４．５Ｓｉ−５．０Ｃｒと製カルボニル鉄粉を重量比で８：２となるよう計量し、熱硬化性樹脂に対して９０ｗｔ％添加した。使用した熱硬化性樹脂及び溶剤は、主剤としてＤＩＣ社製ＨＰ−７２００Ｈ（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、硬化剤としてＤＩＣ社製ＴＤ２２３１（フェノールノボラック）、硬化促進剤として主剤に対し２ｗｔ％のサンアプロ社製Ｕ−ＣＡＴ  ＳＡ８４１（ＤＢＵのフェノールノボラック樹脂塩）をそれぞれ使用した。そして、これらを配合後、ニーダーにて加熱混錬し、複合磁性材料を得た。
【００８４】
＜ノイズ減衰量測定サンプルの作成＞
［サンプルＡ１の作成］
基板に５０Ωの抵抗が実装されたシールド評価用基板上に、コンプレッションモールド法にて上述した複合磁性材料をモールド形成することによって、５０Ωの抵抗を磁性モールド樹脂で覆った。その後、磁性モールド樹脂の上面に厚さ１２μｍのパーマロイ箔を貼り付け、さらに、パーマロイ箔の表面に絶縁層を形成した。次に、ダイサーにより個品化切断を行い、基板の側面にグランドパターンを露出させた。そして、無電解メッキを施すことにより、グランドパターンと接するよう、パーマロイ箔の上面及び側面、磁性モールド樹脂の側面、並びに、基板の側面にＣｕからなる金属膜を形成し、サンプルＡ１を得た。金属膜の膜厚は、０〜７μｍの範囲に設定した。サンプルＡ１は、図１に示した電子回路パッケージ１１Ａと同様の構成を有している。
【００８５】
［サンプルＢ１の作成］
モールド材料として、一般的な半導体封止材料である住友ベークライト社製Ｇ−７７０Ｈを用いた他は、サンプルＡ１と同様にしてサンプルＢ１を作製した。したがって、サンプルＢ１においては、５０Ωの抵抗が非磁性モールド樹脂によってモールドされていることになる。
【００８６】
［サンプルＢ２の作成］
パーマロイ箔及びその表面の絶縁層を省略した他は、サンプルＢ１と同様にしてサンプルＢ２を作製した。
【００８７】
＜ノイズ減衰量の測定＞
サンプルＡ１，Ｂ１，Ｂ２をシグナルジェネレータに接続して２０ＭＨｚの信号を５０Ωの抵抗に送信し、各サンプルから放射されるノイズ量を近傍磁界測定装置によって測定した。この際、事前に磁性モールド樹脂、磁性膜（パーマロイ箔）及び金属膜をもたない基準サンプルを作製し、基準サンプルから放射されるノイズ量を測定しておくことで、基準サンプルにおけるノイズ量と測定用サンプルＡ１，Ｂ１，Ｂ２におけるノイズ量の差を算出し、得られた値をノイズ減衰量とした。結果を図２０に示す。
【００８８】
図２０に示すように、磁性モールド樹脂、磁性膜（パーマロイ箔）及び金属膜からなる３重シールド構造を有するサンプルＡ１は、磁性膜（パーマロイ箔）及び金属膜からなる２重シールド構造を有するサンプルＢ１や、金属膜のみからなる１重シールド構造を有するサンプルＢ２に比べて、高いノイズ減衰量が得られた。
【００８９】
これにより、３重シールド構造を有する電子回路パッケージは、高いシールド特性が得られることが確認された。しかも、金属膜の膜厚が例えば１μｍと薄い場合であっても、３重シールド構造を有するサンプルＡ１は、高いシールド特性が得られることが確認された。
【符号の説明】
【００９０】
１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１２Ｃ，１３Ａ，１３Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ    電子回路パッケージ
２０    基板
２０Ａ    集合基板
２１    表面
２２    裏面
２３    ランドパターン
２４    ハンダ
２５    内部配線
２５Ｇ    電源パターン
２６    外部端子
２７    側面
３１，３２    電子部品
４０    磁性モールド樹脂
４１    上面
４２    側面
４４，４５    溝
５０    磁性膜
５１    上面
５２    側面
６０    金属膜
６１    上面
６２    側面
７０    接着層
９０    非磁性部材
【図１】
2018093155.tif 000003
【図２】
2018093155.tif 000004
【図３】
2018093155.tif 000005
【図４】
2018093155.tif 000006
【図５】
2018093155.tif 000007
【図６】
2018093155.tif 000008
【図７】
2018093155.tif 000009
【図８】
2018093155.tif 000010
【図９】
2018093155.tif 000011
【図１０】
2018093155.tif 000012
【図１１】
2018093155.tif 000013
【図１２】
2018093155.tif 000014
【図１３】
2018093155.tif 000015
【図１４】
2018093155.tif 000016
【図１５】
2018093155.tif 000017
【図１６】
2018093155.tif 000018
【図１７】
2018093155.tif 000019
【図１８】
2018093155.tif 000020
【図１９】
2018093155.tif 000021
【図２０】
2018093155.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源パターンを有する基板と、
前記基板の表面に搭載された電子部品と、
前記電子部品を埋め込むよう前記基板の前記表面を覆い、熱硬化性樹脂材料及び磁性フィラーを含む複合磁性材料からなる磁性モールド樹脂と、
前記磁性モールド樹脂の少なくとも上面を覆う、少なくとも金属膜及び磁性膜を含む積層膜と、を備え、
前記金属膜は、前記電源パターンに接続されており、
前記磁性膜は、前記磁性モールド樹脂よりも実効透磁率が高い、電子回路パッケージ。
【請求項２】
前記積層膜は、前記磁性モールド樹脂の側面をさらに覆う、請求項１に記載の電子回路パッケージ。
【請求項３】
前記磁性膜は、前記磁性モールド樹脂と前記金属膜の間に位置する、請求項１又は２に記載の電子回路パッケージ。
【請求項４】
前記金属膜は、前記磁性モールド樹脂と前記磁性膜の間に位置する、請求項１又は２に記載の電子回路パッケージ。
【請求項５】
前記積層膜は、前記金属膜と前記磁性膜との間に設けられた接着層をさらに含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項６】
前記接着層の表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ以上である、請求項５に記載の電子回路パッケージ。
【請求項７】
前記磁性膜の実効透磁率は、前記磁性モールド樹脂の実効透磁率の２倍以上である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項８】
前記磁性モールド樹脂の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であり、前記磁性モールド樹脂の前記上面と前記積層膜の界面における表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ以上である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項９】
前記磁性フィラーは、軟磁性金属を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１０】
前記磁性フィラーの表面が絶縁コートされている、請求項９に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１１】
前記絶縁コートの膜厚が１０ｎｍ以上である、請求項１０に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１２】
前記磁性フィラーの形状が略球状である、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１３】
前記磁性フィラーは、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ及びＦｅ−Ｓｉからなる群より選ばれた少なくとも１つの磁性材料を主成分とする、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１４】
前記磁性モールド樹脂は非磁性フィラーをさらに含む、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１５】
前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選ばれた少なくとも１つの金属を主成分とする、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１６】
前記金属膜の表面が酸化防止被覆で覆われている、請求項１５に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１７】
前記電源パターンは前記基板の側面に露出しており、前記金属膜は前記基板の前記側面に露出した前記電源パターンと接している、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１８】
前記磁性膜は、熱硬化性樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜である、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項１９】
前記磁性膜は、軟磁性材料もしくはフェライトからなる薄膜、箔又はバルクシートである、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【請求項２０】
前記電子部品と前記磁性モールド樹脂との間に設けられた非磁性部材をさらに備える、請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の電子回路パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明において、前記積層膜は、前記金属膜と前記磁性膜との間に設けられた接着層をさらに含んでも構わない。これによれば、金属膜と磁性膜を密着させることができるとともに、両者の接触を防止することができる。この場合、前記接着層の表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ以上であることが好ましい。これによれば、電磁波ノイズが金属膜に入射されることにより生じる渦電流がほとんど磁性膜に流れ込まない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明において、前記磁性モールド樹脂の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であり、前記磁性モールド樹脂の前記上面と前記積層膜の界面における表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ以上であることが好ましい。これによれば、モールド部材に求められる十分な絶縁性を確保することができる。しかも、磁性モールド樹脂と金属膜の界面における表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ以上であることから、電磁波ノイズが金属膜に入射されることにより生じる渦電流がほとんど磁性モールド樹脂に流れ込まない。このため、渦電流の流入による磁性モールド樹脂の磁気特性の低下を防止することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
特に限定されるものではないが、磁性膜５０と磁性モールド樹脂４０の界面における表面抵抗率は、１０６Ω／ｓｑ以上であることが好ましい。これによれば、電磁波ノイズが金属膜６０に入射することにより生じる渦電流がほとんど磁性モールド樹脂４０に流れ込まないことから、渦電流の流入による磁性モールド樹脂４０の磁気特性の低下を防止することが可能となる。磁性膜５０と磁性モールド樹脂４０の界面における表面抵抗率とは、両者が直接接している場合には磁性モールド樹脂４０の表面抵抗を指し、両者間に絶縁膜が存在する場合には、絶縁膜の表面抵抗を指す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
磁性モールド樹脂４０の表面抵抗率は、基本的に、磁性モールド樹脂４０の体積抵抗率とおおよそ一致する。したがって、磁性モールド樹脂４０の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であれば、基本的に、磁性モールド樹脂４０の表面抵抗率も１０１０Ω／ｓｑ以上となる。しかしながら、後述するように、磁性モールド樹脂４０は製造時においてダイシングされるため、切断面（つまり側面４２）に軟磁性金属からなる磁性フィラーが露出することがあり、この場合は、体積抵抗率に比べて側面４２の表面抵抗率が低くなる可能性がある。同様に、低背化や粗面化を目的として磁性モールド樹脂４０の上面４１を研削した場合にも、上面４１に軟磁性金属からなる磁性フィラーが露出することがあり、この場合は、体積抵抗率に比べて上面４１の表面抵抗率が低くなる可能性がある。その結果、磁性モールド樹脂４０の体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であっても、磁性モールド樹脂４０の表面抵抗率が１０１０Ω／ｓｑ未満となることがあるが、このような場合であっても、磁性モールド樹脂４０の表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ以上であれば、渦電流の流入を防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、磁性モールド樹脂４０の上面４１又は側面４２の表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ未満に低下する場合は、磁性モールド樹脂４０の上面４１又は側面４２に薄い絶縁膜を形成しても構わない。このような絶縁膜を介在させれば、磁性モールド樹脂４０の上面４１又は側面４２の表面抵抗率が１０６Ω／ｓｑ未満に低下している場合であっても、磁性膜５０と磁性モールド樹脂４０の界面における表面抵抗率を１０６Ω／ｓｑ以上とすることが可能となり、渦電流による磁気特性の低下を防止することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、金属膜６０と磁性膜５０の界面における表面抵抗率についても、１０６Ω／ｓｑ以上であることが好ましい。これによれば、電磁波ノイズが金属膜６０に入射されることにより生じる渦電流がほとんど磁性膜５０に流れ込まないことから、渦電流の流入による磁性膜５０の磁気特性の低下を防止することが可能となる。金属膜６０と磁性膜５０の界面における表面抵抗率とは、両者が直接接している場合には磁性膜５０の表面抵抗を指し、両者間に絶縁膜が存在する場合には、絶縁膜の表面抵抗を指す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
金属膜６０と磁性膜５０の界面における表面抵抗率を１０６Ω／ｓｑ以上とする方法としては、磁性膜５０の材料として十分に表面抵抗の高い材料を用いるか、或いは、磁性膜５０の上面５１に薄い絶縁材料を形成する方法が挙げられる。図２は、変形例による電子回路パッケージ１１Ｂの構成を示す断面図であり、磁性膜５０と金属膜６０の間に薄い絶縁性の接着層７０が介在している点において、図１に示した電子回路パッケージ１１Ａと相違している。このような接着層７０を介在させれば、磁性膜５０の材料として比較的抵抗値の低い材料を用いた場合であっても、金属膜６０と磁性膜５０の界面における表面抵抗率を１０６Ω／ｓｑ以上とすることが可能となり、渦電流による磁気特性の低下を防止することが可能となる。また、このような接着層７０は、金属膜６０の密着性向上にも寄与する。