(57)【要約】【課題】ナールスゲンの４つの光学異性体を完全分離する方法を提供する。【解決手段】本発明の、ＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体の光学分割方法は、下記式（１）で表される４つの光学異性体の混合物であるＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を、キラルセレクターとしてセルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカーバメート）を備えたキラル固定相を用いることにより、４つの光学異性体に光学分割することを特徴とする。【化１】2018043944.tif 000105【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
2018043944.tif 000072
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される４つの光学異性体の混合物であるＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を、キラルセレクターとしてセルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカーバメート）を備えたキラル固定相を用いることにより、下記式（1-1）〜（1-4）
【化２】
2018043944.tif 000073
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
で表される４つの光学異性体に光学分割することを特徴とする、ＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体の光学分割方法。
【請求項２】
下記式（1-1）
【化３】
2018043944.tif 000074
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体。
【請求項３】
下記式（1-2）
【化４】
2018043944.tif 000075
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体。
【請求項４】
下記式（1-3）
【化５】
2018043944.tif 000076
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体。
【請求項５】
下記式（1-4）
【化６】
2018043944.tif 000077
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体。
【請求項６】
下記式（1-1）〜（1-4）
【化７】
2018043944.tif 000078
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
の何れか１つの光学異性体を脱保護処理に付すことにより、前記被処理化合物と同じ立体配置を有する下記式（1-1'）〜（1-4'）
【化８】
2018043944.tif 000079
（式中、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする、光学活性な２−アミノ−４−［（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸の製造方法。
【請求項７】
下記式（1-1'）
【化９】
2018043944.tif 000080
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸。
【請求項８】
下記式（1-2'）
【化１０】
2018043944.tif 000081
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸。
【請求項９】
下記式（1-3'）
【化１１】
2018043944.tif 000082
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸。
【請求項１０】
下記式（1-4'）
【化１２】
2018043944.tif 000083
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸。
【請求項１１】
下記式（１’）
【化１３】
2018043944.tif 000084
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を、水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた分別晶析に付して、下記式（1-1'-1）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物と下記式（1-4'-1）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物との混合物を析出させることを特徴とする、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物との混合物の製造方法。
【化１４】
2018043944.tif 000085
（式中、ｔは０より大きい数を示す。＊は前記に同じ）
【請求項１２】
下記式（1-1'-1）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物と、下記式（1-4'-1）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物との混合物。
【化１５】
2018043944.tif 000086
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
【請求項１３】
下記式（1-1'-1）
【化１６】
2018043944.tif 000087
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物。
【請求項１４】
下記式（1-4'-1）
【化１７】
2018043944.tif 000088
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物。
【請求項１５】
下記式（２）
【化１８】
2018043944.tif 000089
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸のホスホン酸部位をエステル化することにより、下記式（2-1）
【化１９】
2018043944.tif 000090
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は前記に同じ）
で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を得る、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の製造方法。
【請求項１６】
下記式（2-1）
【化２０】
2018043944.tif 000091
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物。
【請求項１７】
下記式（2-1）
【化２１】
2018043944.tif 000092
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を分別晶析に付して、下記式（1-1）及び（1-2）
【化２２】
2018043944.tif 000093
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の光学分割方法。
【請求項１８】
下記式（1-1）
【化２３】
2018043944.tif 000094
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を脱保護処理に付すことにより、下記式（1-1'）
【化２４】
2018043944.tif 000095
（式中、＊は前記に同じ）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を得、得られたＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に付して、下記式（1-1'-1）
【化２５】
2018043944.tif 000096
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物を得る、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物の製造方法。
【請求項１９】
下記式（３）
【化２６】
2018043944.tif 000097
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸のホスホン酸部位をエステル化することにより、下記式（3-1）
【化２７】
2018043944.tif 000098
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は前記に同じ）
で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を得る、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の製造方法。
【請求項２０】
下記式（3-1）
【化２８】
2018043944.tif 000099
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物。
【請求項２１】
下記式（3-1）
【化２９】
2018043944.tif 000100
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を分別晶析に付して、下記式（1-3）及び（1-4）
【化３０】
2018043944.tif 000101
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の光学分割方法。
【請求項２２】
下記式（1-4）
【化３１】
2018043944.tif 000102
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を脱保護処理に付すことにより、下記式（1-4'）
【化３２】
2018043944.tif 000103
（式中、＊は前記に同じ）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を得、得られたＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に付して、下記式（1-4'-1）
【化３３】
2018043944.tif 000104
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物を得る、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナールスゲンの光学分割方法、及び前記光学分割方法により単離される光学活性な化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナールスゲン（登録商標）或いはＧＧｓＴｏｐ［一般名称：ＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸］は、優れたＧＧＴ阻害剤として知られている（特許文献１等）。
【０００３】
ナールスゲンは４つの光学異性体の混合物であるが、前記混合物から４つの光学異性体を完全に分離する方法は知られていなかった。また、ナールスゲンは室温では結晶化せず油状を呈し、凍結乾燥に付してようやく得られるアモルファスの粉末固体も潮解性を有して室温で分解しやすい。そのため、冷蔵若しくは冷凍保存が必要であり、取り扱いが非常に困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２７０１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、ナールスゲンを構成する４つの光学異性体を完全分離する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、ナールスゲンを構成する４つの光学異性体のそれぞれを効率よく製造する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、ナールスゲンを構成する４つの光学異性体のそれぞれ、及びそれらの合成中間体を提供することにある。
本発明の他の目的は、ＧＧＴ阻害作用に優れ、且つ室温において保存安定性に優れるナールスゲン由来の新規化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は上記課題を解決するため鋭意検討した。
まず、ナールスゲン（４つの光学異性体の混合物）の合成中間体のうちアミノ基が特定の嵩高い保護基で保護された中間体（４つの光学異性体の混合物）に着目し、この中間体の４つの光学異性体を効率よく光学分割できるキラルカラムを探索したところ、多数のキラルカラムのうち、ある特定のキラルカラムを用いることにより４ピークに完全分離できることを見いだした。キラルカラムで２つの光学異性体を分離・分割する方法は一般的であるが、４つもの光学異性体を１つのキラルカラムで完全分離できる例は極めて少なく、見いだすのには多大な実験と労力を要する。
前記特定構造の中間体と特定のキラルカラムとの組みあわせの発見により、前記中間体の４つの光学異性体の量的な分離に成功すると共に、この中間体の４つの光学異性体のうちの２つが結晶体として得られることを発見した（尚、この中間体の４つの光学異性体の混合物は、室温下では油状物である）。更に、前記中間体の４つの光学異性体の保護基を外すことにより、ナールスゲンの４つの光学異性体の全てを量的に取得することができ、それぞれの物理化学的性質を明らかにすることができた。
更にまた、ナールスゲンの４つの光学異性体のうち２つが水和物として結晶化することを見いだした。この２つの水和物の結晶体は、ナールスゲンの４つの光学異性体を単離できたことによって初めて取得できた化合物である。この水和物の結晶体を発見したことによって、その単結晶化にも成功し、Ｘ線構造解析によってナールスゲンの４つの光学異性体の全ての絶対配置を明らかにすることができた。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、下記式（１）
【化１】
2018043944.tif 000002
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される４つの光学異性体の混合物であるＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を、キラルセレクターとしてセルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカーバメート）を備えたキラル固定相を用いることにより、下記式（1-1）〜（1-4）
【化２】
2018043944.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
で表される４つの光学異性体に光学分割することを特徴とする、ＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体の光学分割方法を提供する。
【０００８】
本発明は、また、下記式（1-1）
【化３】
2018043944.tif 000004
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を提供する。
【０００９】
本発明は、また、下記式（1-2）
【化４】
2018043944.tif 000005
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を提供する。
【００１０】
本発明は、また、下記式（1-3）
【化５】
2018043944.tif 000006
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を提供する。
【００１１】
本発明は、また、下記式（1-4）
【化６】
2018043944.tif 000007
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を提供する。
【００１２】
本発明は、また、下記式（1-1）〜（1-4）
【化７】
2018043944.tif 000008
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
の何れか１つの光学異性体を脱保護処理に付すことにより、前記被処理化合物と同じ立体配置を有する下記式（1-1'）〜（1-4'）
【化８】
2018043944.tif 000009
（式中、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする、光学活性な２−アミノ−４−［（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明は、また、下記式（1-1'）
【化９】
2018043944.tif 000010
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を提供する。
【００１４】
本発明は、また、下記式（1-2'）
【化１０】
2018043944.tif 000011
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を提供する。
【００１５】
本発明は、また、下記式（1-3'）
【化１１】
2018043944.tif 000012
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を提供する。
【００１６】
本発明は、また、下記式（1-4'）
【化１２】
2018043944.tif 000013
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を提供する。
【００１７】
本発明は、また、下記式（１’）
【化１３】
2018043944.tif 000014
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を、水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた分別晶析に付して、下記式（1-1'-1）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物と下記式（1-4'-1）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物との混合物を析出させることを特徴とする、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物との混合物の製造方法を提供する。
【化１４】
2018043944.tif 000015
（式中、ｔは０より大きい数を示す。＊は前記に同じ）
【００１８】
本発明は、また、下記式（1-1'-1）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物と、下記式（1-4'-1）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物との混合物を提供する。
【化１５】
2018043944.tif 000016
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
【００１９】
本発明は、また、下記式（1-1'-1）
【化１６】
2018043944.tif 000017
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物を提供する。
【００２０】
本発明は、また、下記式（1-4'-1）
【化１７】
2018043944.tif 000018
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物を提供する。
【００２１】
本発明は、また、下記式（２）
【化１８】
2018043944.tif 000019
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸のホスホン酸部位をエステル化することにより、下記式（2-1）
【化１９】
2018043944.tif 000020
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は前記に同じ）
で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を得る、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の製造方法を提供する。
【００２２】
本発明は、また、下記式（2-1）
【化２０】
2018043944.tif 000021
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を提供する。
【００２３】
本発明は、また、下記式（2-1）
【化２１】
2018043944.tif 000022
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を分別晶析に付して、下記式（1-1）及び（1-2）
【化２２】
2018043944.tif 000023
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の光学分割方法を提供する。
【００２４】
本発明は、また、下記式（1-1）
【化２３】
2018043944.tif 000024
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を脱保護処理に付すことにより、下記式（1-1'）
【化２４】
2018043944.tif 000025
（式中、＊は前記に同じ）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を得、得られたＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に付して、下記式（1-1'-1）
【化２５】
2018043944.tif 000026
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物を得る、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物の製造方法を提供する。
【００２５】
本発明は、また、下記式（３）
【化２６】
2018043944.tif 000027
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸のホスホン酸部位をエステル化することにより、下記式（3-1）
【化２７】
2018043944.tif 000028
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は前記に同じ）
で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を得る、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の製造方法を提供する。
【００２６】
本発明は、また、下記式（3-1）
【化２８】
2018043944.tif 000029
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を提供する。
【００２７】
本発明は、また、下記式（3-1）
【化２９】
2018043944.tif 000030
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物を分別晶析に付して、下記式（1-3）及び（1-4）
【化３０】
2018043944.tif 000031
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体とのジアステレオマー混合物の光学分割方法を提供する。
【００２８】
本発明は、また、下記式（1-4）
【化３１】
2018043944.tif 000032
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体を脱保護処理に付すことにより、下記式（1-4'）
【化３２】
2018043944.tif 000033
（式中、＊は前記に同じ）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を得、得られたＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に付して、下記式（1-4'-1）
【化３３】
2018043944.tif 000034
（式中、＊は不斉原子を示し、ｔは０より大きい数を示す）
で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物を得る、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の光学分割方法によれば、ナールスゲンの合成中間体（アミノ基保護体）の４つの光学異性体を簡便且つ効率よく単離することができ、高純度の光学活性体が得られる。また、前記合成中間体の４つの光学異性体をそれぞれ脱保護することにより、ナールスゲンを構成する４つの光学異性体のそれぞれを選択的に得ることができる。
また、本発明の製造方法によれば、ナールスゲンと同等の薬理活性を有するＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物とＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物との混合物を、キラルカラムを用いること無く、結晶として容易に取得することができる。
更に、本発明のキラルプール法を用いたジアステレオマー混合物の製造方法により得られるジアステレオマー混合物は分別晶析により容易に光学異性体を単離することができ、単離された光学異性体を更に脱保護処理、及び水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた分別晶析処理に付すと、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物、及びＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物を、それぞれ純度良く製造することができる。
更にまた、このようにして得られるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物、及びＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物、又はこれらの混合物は、室温において吸湿せず、保存安定性に優れるため、取り扱いが容易である。また、細胞毒性を有さず、安全性に優れる。その上、優れたＧＧＴ阻害作用を有する。例えば、皮膚線維芽細胞に特異的に作用して、ＧＧＴを阻害してグルタチオンの一時的な減少を引き起こし、抗酸化ストレス応答を介してコラーゲンの産生を亢進する効果を発揮することができ、それにより皮膚のバリア機能を向上させてアレルゲンの侵入を抑制し、アレルギー反応を抑制することができる。そのため、ＧＧＴが関与する種々の疾患、例えば、アレルギー性皮膚疾患、尋常性魚鱗癬、老人性乾皮症等の皮膚疾患に、治療や予防の目的で好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物のパッキング構造を示す模式図である。
【図２】ＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジルを、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＩＢを用いたＨＰＬＣ分析に付して得られたチャートである。
【図３】Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物のＸ線結晶構造解析結果を示す図である。
【図４】ナールスゲン（ＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸）の熱分析結果を示す図である。
【図５】Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物／Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物の混合物の熱分析結果を示す図である。
【図６】Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物の熱分析結果を示す図である。
【図７】Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物の熱分析結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
［ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体の光学分割方法］
本発明のＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体（本明細書では、「ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体」と称する場合がある）の光学分割方法は、下記式（１）
【化３４】
2018043944.tif 000035
（式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ2は置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基を示す。ｋは０又は１を示し、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、ｋは１であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は単結合である。Ｒ2が置換基を有していても良いフェニルメチリデン基若しくはジフェニルメチリデン基の場合、ｋは０であり、式中の窒素原子とＲ2との結合は二重結合である。＊は不斉原子を示す）
で表される４つの光学異性体の混合物であるＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体を、キラルセレクターとしてセルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカーバメート）を備えたキラル固定相を用いることにより、下記式（1-1）〜（1-4）
【化３５】
2018043944.tif 000036
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
で表される４つの光学異性体に光学分割することを特徴とする。
【００３２】
上記式中、（Ｄ）、（Ｌ）は不斉中心である炭素原子に結合するリガンドの立体配置をＤ−Ｌ表示法で示したものであり、カルボキシ基を上においたＦｉｓｃｈｅｒの投影において、（Ｄ）はアミノ基が右側に来ることを示し、（Ｌ）は、アミノ基が左側に来ることを示す。また、（Ｒ）、（Ｓ）は不斉中心であるリン原子に結合しているリガンドの立体配置をＲ−Ｓ表示法で示したものである。
【００３３】
前記Ｒ1におけるカルボキシ基の保護基としては、有機合成の分野で通常使用される保護基を使用することができるが、なかでも、当該カルボキシ基とエステルを形成する基（エステル型保護基）が好ましく使用できる。前記保護基としては、例えば、置換基を有していてもよい、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基（例えば、エチル基、ｔ−ブチル基等）、炭素数２〜５の直鎖状又は分岐鎖状アルケニル基（例えば、アリル基等）、炭素数６〜１０のアリール基（例えば、フェニル基等）、又はこれらが単結合若しくは連結基（例えば、カルボニル基（−ＣＯ−）、エーテル結合（−Ｏ−）等）を介して結合した基等を挙げることができる。
【００３４】
前記カルボキシ基の保護基の具体例としては、ベンジル基、ベンジルオキシメチル基、フェナシル基、トリフェニルメチル基、ジフェニルメチル基等を挙げることができる。尚、前記カルボキシ基の保護基を構成するベンゼン環には置換基（例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルコキシ基、ニトロ基等）が１個又は２個以上結合していても良い。
【００３５】
前記カルボキシ基の保護基としては、なかでも、接触水素還元又はギ酸等を水素源とした水素移動反応により、前者の場合はＲ2と同時に、後者の場合は単独で、効率よく脱保護することができる点で、置換基を有していてもよいベンジル基等が好ましい。
【００３６】
前記Ｒ2はアミノ基の保護基であり、置換基を有していても良い、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基であり、前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルコキシ基、ニトロ基等を挙げることができる。これらの保護基は、接触水素還元により容易に脱保護することができる。
【００３７】
前記Ｒ2としては、なかでも、上記式（1-1）〜（1-4）で表される４つの光学異性体の分割精度をより一層向上することができる点で、置換基を有していてもよいベンジルオキシカルボニル基が好ましい。
【００３８】
上記式（１）で表されるＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体は、例えば、後述の式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸を使用して、式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を得る製造工程において、式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸に代えてＤＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸を使用することにより製造することができる。
【００３９】
本発明の光学分割法では、キラルセレクターとしてセルローストリス（３，５−ジメチルフェニルカーバメート）を備えたキラル固定相を有するキラルカラムを用いてＨＰＬＣ法により光学分割することが好ましい。上記式（1-1）〜（1-4）で表される４つの光学異性体は、それぞれ、前記キラルセレクターとの相互作用の強さが異なるため、キラルカラムから溶出する時間に差が生じることを利用して完全に分離することができる。
【００４０】
前記キラルカラムとしては、例えば、商品名「CHIRALPAK IB」、「CHIRALPAK IB-3」（以上、（株）ダイセル製）等の市販品を好適に使用することができる。
【００４１】
分割時のカラム温度は、例えば１０〜４５℃である。流速は、カラムの大きさによるが、例えばカラムの大きさが２．００φ×２５ｃｍ、粒子径５μｍの場合は、５.００〜２０.０ｍＬ／ｍｉｎ程度である。検出波長は、例えば２００〜３００ｎｍである。
【００４２】
また、移動相としては、例えば、炭化水素（例えば、ｎ−ヘキサン等の炭素数５〜８の脂肪族炭化水素）とアルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の炭素数１〜５の１価脂肪族アルコール）の混合溶媒［混合比（前者／後者(v/v)）は、例えば６０／４０〜９０／１０、好ましくは７０／３０〜９０／１０、特に好ましくは８０／２０〜９０／１０］を使用することが好ましい。
【００４３】
光学分割に付すＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体は、溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール等の炭素数１〜５の１価脂肪族アルコールが好ましい）で希釈（例えば、ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体濃度が５〜２０重量％程度となるように希釈）した状態でＨＰＬＣに注入することが好ましい。
【００４４】
キラルカラムからの溶出分画は、その後、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段に付すことが、高純度の光学活性体が得られる点で好ましい。
【００４５】
本発明の光学分割方法によれば、ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体の４つの光学異性化合物を完全に分離して、高純度（光学純度は、例えば９９．０％de以上、好ましくは９９．５％de以上、特に好ましくは９９．９％de以上）の下記光学活性体を得ることができる。
１．上記式（1-1）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体（本明細書では、「Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体」と称する場合がある）
２．上記式（1-2）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体（本明細書では、「Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体」と称する場合がある）
３．上記式（1-3）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体（本明細書では、「Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体」と称する場合がある）
４．上記式（1-4）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸誘導体（本明細書では、「Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体」と称する場合がある）
【００４６】
上記方法で単離されるＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体は非晶質であるが、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体は結晶体であり、室温において吸湿せず、保存安定性に優れるため、取り扱いが容易である。
【００４７】
［２−アミノ−４−［（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸の製造方法］
本発明の２−アミノ−４−［（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸の製造方法は、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体の何れか１つの光学異性体を脱保護処理に付すことにより、前記被処理化合物と同じ立体配置を有する下記式（1-1'）〜（1-4'）
【化３６】
2018043944.tif 000037
（式中、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする。
【００４８】
より詳細には、
１．式（1-1）で表されるＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体を脱保護処理に付すと、式（1-1'）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（本明細書では、「Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）」と称する場合がある）が得られる。
２．式（1-2）で表されるＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体を脱保護処理に付すと、式（1-2'）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（本明細書では、「Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）」と称する場合がある）が得られる。
３．式（1-3）で表されるＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体を脱保護処理に付すと、式（1-3'）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（本明細書では、「Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）」と称する場合がある）が得られる。
４．式（1-4）で表されるＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体を脱保護処理に付すと、式（1-4'）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（本明細書では、「Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）」と称する場合がある）が得られる。
【００４９】
脱保護処理に付すＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、又はＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体は、特に限定されることがないが、例えば、上述のＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体の光学分割方法で単離されたＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、又はＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体を好適に使用することができる。
【００５０】
脱保護処理は、アミノ基の保護基（カルボキシ基も保護されている場合は、より詳細には、式（1-1）〜（1-4）中のＲ1がカルボキシ基の保護基である場合は、カルボキシ基の保護基も）を脱保護できる方法であれば特に限定されない。また、アミノ基とカルボキシ基が何れも保護基で保護されている場合、アミノ基の保護基とカルボキシ基の保護基は、前記２種の保護基を同時に（例えば、同一の方法で同時に）外しても良く、前記２種の保護基を段階的に（例えば、２種の保護基をそれぞれ異なる方法で段階的に）に外しても良い。
【００５１】
本発明においては、なかでも、前記２種の保護基（すなわち、アミノ基の保護基とカルボキシ基の保護基）を同一の方法で同時に外すことが好ましく、例えば還元法（特に、接触水素還元法）により前記２種の保護基を同時に外すことが、効率よく脱保護できる点で好ましい。
【００５２】
前記接触水素還元法は、通常、触媒（例えば、ラネーニッケル、パラジウム−炭素（Ｐｄ−Ｃ）、ＰｔＯ2、Ｐｄ（ＯＨ）2等）の存在下で、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体の何れか１つの光学異性体と水素ガスとを接触させる方法で行われる。
【００５３】
接触水素還元法による脱保護処理は、溶媒の存在下で行うことが好ましい。前記溶媒としては、例えば、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の炭素数１〜５の１価脂肪族アルコール）、脂肪酸類（例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の炭素数１〜５の低級脂肪酸）、脂肪酸エステル類（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等の炭素数１〜５の低級脂肪酸と炭素数１〜５の１価アルコールとのエステル）を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００５４】
接触水素還元法による脱保護処理としては、水素ガス雰囲気下、且つ溶媒の存在下、前記何れか１つの光学異性体と触媒とを反応させる方法や、前記何れか１つの光学異性体と触媒と溶媒を含む混合液中に水素ガスバブリングする方法を採用することが好ましい。
【００５５】
接触水素還元法による脱保護処理時の温度は、例えば０〜４０℃程度である。脱保護処理時間は、例えば０．５〜５時間程度である。脱保護処理はバッチ式、セミバッチ式、連続式等の何れの方法でも行うことができる。
【００５６】
脱保護処理終了後は、反応生成物を、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段に付すことが、高純度の式（1-1'）〜（1-4'）の何れか１つの光学異性体が得られる点で好ましい。
【００５７】
上記方法で得られる式（1-1'）〜（1-4'）で表される光学異性体は、何れも、優れたＧＧＴ阻害作用を有する。例えば、皮膚線維芽細胞に特異的に作用して、ＧＧＴを阻害してグルタチオンの減少を引き起こし、抗酸化ストレス応答を介してコラーゲンの産生を亢進する効果を発揮することができ、それによりバリア機能を向上させてアレルゲンの侵入を抑制し、アレルギー反応を抑制することができる。そのため、前記光学異性体は、それぞれ、ＧＧＴが関与する種々の疾患、例えば、アレルギー性皮膚疾患、尋常性魚鱗癬、老人性乾皮症等の皮膚疾患に、治療や予防の目的で好適に使用することができる。
【００５８】
［ジアステレオマー混合物の製造方法］
本発明のジアステレオマー混合物の製造方法は、下記式（１’）
【化３７】
2018043944.tif 000038
（式中、＊は不斉原子を示す）
で表される、４つの光学異性体の混合物であるＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（本明細書では、「ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）」と称する場合がある）を、水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた分別晶析に付して、下記式（1-1'-1）で表されるＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物（本明細書では、「Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物」と称する場合がある）と下記式（1-4'-1）で表されるＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸水和物（本明細書では、「Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物」と称する場合がある）との混合物（等量混合物）を析出させることを特徴とする。
【化３８】
2018043944.tif 000039
（式中、ｔは０より大きい数を示す。＊は前記に同じ）
【００５９】
式中、ｔは０より大きい数を示し、例えば０．５〜５、好ましくは０．５〜３、特に好ましくは１である。
【００６０】
ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）としては、例えば、商品名「ＧＧｓＴｏｐ」（和光純薬工業（株）製）等の市販品を使用しても良い。
【００６１】
前記水可溶性有機溶媒としては、室温（２５℃）において水と任意の割合で溶解する有機溶媒が好ましく、水に対する溶解度が５０％以上（特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは９５％以上）のものが好ましい。
【００６２】
前記水可溶性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、エチレングリコール等のアルコール；１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル；アセトン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル等を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００６３】
前記水可溶性有機溶媒としては、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物の溶解度が低い溶媒、すなわち貧溶媒を使用することが好ましく、特に、アルコール（とりわけ好ましくは、炭素数１〜５の１価アルコール）を使用することが好ましい。
【００６４】
水の使用量は、ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）１重量部に対して、例えば１〜１００重量部が好ましく、より好ましくは１〜３０重量部、特に好ましくは１〜１０重量部である。
【００６５】
また、前記混合溶媒における水と水可溶性有機溶媒との混合割合としては、水１重量部に対して、水可溶性有機溶媒の混合量は、例えば１〜１０重量部、好ましくは１〜５重量部である。水可溶性有機溶媒を前記範囲で水に混合することが、晶析効率を向上する効果が得られる点で好ましい。
【００６６】
ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）を、水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒に溶解させる際は、適宜な温度（例えば１０〜５０℃、好ましくは１５〜３５℃）で撹拌することが好ましい。
【００６７】
また、前記混合物を析出させる方法としては、例えば、ＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）を、水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒に溶解して得られる溶液を冷却等により降温（例えば、２０℃以下に降温）する方法や、前記溶液を濃縮する方法（尚、この方法は、水より高い沸点を有する水可溶性有機溶媒を使用する場合に好適に利用できる）等を採用することができる。前記混合物を析出させる際、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物の何れか一方、又は両方の結晶を接種することが、晶析効率を向上することができる点で好ましい。尚、接種に用いるＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物や、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、例えば、上述の２−アミノ−４−［（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸の製造方法により得られるＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）の何れか一方、又は両方を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に付すことにより製造することができる。
【００６８】
析出した混合物は、遠心分離や濾過等の周知慣用の手段により回収することができる。また、回収された混合物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶や、これらを組み合わせた精製処理に付してもよい。更に、回収された混合物は、乾燥処理（例えば、自然乾燥、減圧真空乾燥、熱風乾燥など）に付してもよい。
【００６９】
本発明の混合物の製造方法で得られるＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物との混合物は、室温において吸湿せず、保存安定性に優れるため、取り扱いが容易である。また、細胞毒性を有さず、安全性に優れる。更に、優れたＧＧＴ阻害作用を有する。例えば、皮膚線維芽細胞に特異的に作用して、ＧＧＴを阻害してグルタチオンの減少を引き起こし、抗酸化ストレス応答を介してコラーゲンの産生を亢進する効果を発揮することができ、それによりバリア機能を向上させてアレルゲンの侵入を抑制し、アレルギー反応を抑制することができる。そのため、前記混合物は、ＧＧＴが関与する種々の疾患、例えば、アレルギー性皮膚疾患、尋常性魚鱗癬、老人性乾皮症等の皮膚疾患に、治療や予防の目的で好適に使用することができる。
【００７０】
［ジアステレオマー混合物の製造方法（キラルプール法）］
本発明のジアステレオマー混合物の製造方法は、下記式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸又は下記式（３）で表されるＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸を原料として使用し、原料として使用する化合物のホスホン酸部位をエステル化することにより、いわゆるキラルプール法によって、ジアステレオマー混合物（ジアステレオマー関係にある１対の化合物の混合物）を製造する方法である。原料として下記式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸を使用した場合は下記式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物が得られ、原料として下記式（３）で表されるＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸を使用した場合は下記式（3-1）で表される、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物が得られる。
【化３９】
2018043944.tif 000040
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
【００７１】
原料として、式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸を使用して、式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を得る反応は、例えば、下記工程を経て行われる。尚、下記式中のＲ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ。Ｘは同一又は異なってハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）を示す。
【化４０】
2018043944.tif 000041
【００７２】
原料として使用する式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸、及び式（３）で表されるＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸は、例えば、非特許文献［Kosolapoff G.M. Isomerization of alkyl phosphites.VII. Some derivatives of 2-bromoethanephosphonic acid J. Am. Chem. Soc. 1948, 70, 1971-1972; Chambers, J. R., Isbell, A. F. A new synthesis of amino phosphonic acids. J. Org. Chem. 1964, 29, 832-836］に記載の方法で製造することができる。
【００７３】
工程[１]は、式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸のアミノ基に保護基を導入する工程であり、例えば、Ｒ2が置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基の場合、溶媒に溶解したＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸と、Ｒ2Ｘ（例えば、クロロギ酸ベンジル、ブロモギ酸ベンジル等）を、必要に応じて塩基（例えば、水酸化ナトリウム等）の存在下で反応させることにより保護基を導入することができる。また、Ｒ2が置換基を有していても良い、フェニルメチリデン基、又はジフェニルメチリデン基の場合、Ｄ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸に、置換基を有していてもよい、ベンズアルデヒド又はベンゾフェノンを、必要に応じて酸触媒の存在下で反応させることにより保護基を導入することができる。
【００７４】
前記溶媒としては、例えば、水、ハロゲン化炭化水素系溶媒、飽和又は不飽和炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒等を１種又は２種以上使用することができる。
【００７５】
工程[１]の反応温度は、室温（１５〜２５℃）が好ましい。また、反応時間は、例えば１０〜４０時間程度である。
【００７６】
工程[２]は、式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸のカルボキシ基に保護基を導入する工程であり、工程［１］を経て得られた式（2-2）で表される化合物に、塩化チオニル等のハロゲン化剤を反応させて対応するカルボン酸ハライドとした後、Ｒ1ＯＨを反応させることにより行うことができる。
【００７７】
工程[２]の反応温度は、５〜３０℃が好ましい。また、反応時間は、例えば１〜１０時間程度である。
【００７８】
尚、工程［１］と工程［２］は、順序を入れ替えてもよい。すなわち、工程［２］−工程［１］の順で行ってもよい。
【００７９】
工程［３］は、工程［１］、［２］を経て得られた式（2-3）で表される化合物にハロゲン化剤を反応させて、ホスホン酸部位の水酸基をハロゲン原子で置換して、式（2-4）で表される化合物を得る工程である。前記ハロゲン化剤としては、例えば、二塩化オキサリル等を挙げることができる。ハロゲン化剤は１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。前記反応は、触媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等）、及び溶媒（例えば、ハロゲン化炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒等）の存在下で行うことが好ましい。
【００８０】
工程[３]の反応温度は、５〜３０℃が好ましい。また、反応時間は、例えば１〜１０時間程度である。
【００８１】
工程［４］は、工程［３］を経て得られた式（2-4）で表される化合物にメタノールを反応させて、ホスホン酸部位のハロゲン原子をメトキシ基で置換して、式（2-5）で表される化合物を得る工程である。この反応は塩基の存在下で行うことが好ましく、塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジエチルイソプロピルアミン、Ｎ−メチルイミダゾール、ピリジン等を挙げることができる。また、この反応は溶媒の存在下で行うことが好ましく、溶媒としてはジクロロメタンを使用することが好ましい。
【００８２】
工程[４]の反応温度は、５〜３０℃が好ましい。また、反応時間は、例えば１〜２０時間程度である。
【００８３】
工程［５］は、工程［４］を経て得られた式（2-5）で表される化合物に脱アルキル化剤を反応させて、ホスホン酸部位の２つのメトキシ基の一方を脱アルキル化して、式（2-6）で表される化合物を得る工程である。前記脱アルキル化剤としては、例えば、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化カルシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のヨウ化物を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００８４】
工程[５]の反応は、溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類）の存在下で行うことが好ましい。
【００８５】
工程[５]の反応温度は、５０〜８０℃が好ましい。また、反応時間は、例えば５〜１０時間程度である。
【００８６】
工程［６］は、工程［５］を経て得られた式（2-6）で表される化合物にハロゲン化剤を反応させて、ホスホン酸部位の水酸基をハロゲン原子で置換して、式（2-7）で表される化合物を得る工程であり、工程［３］と同様の方法で行われる。
【００８７】
工程［７］は、工程［６］を経て得られた式（2-7）で表される化合物に、２−（３−ヒドロキシフェニル）酢酸又はその誘導体［＝上記式（ａ）で表される化合物］を反応させて、ホスホン酸部位をエステル化して、式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を得る工程である。
【００８８】
この反応は塩基の存在下で行うことが好ましく、塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジエチルイソプロピルアミン、Ｎ−メチルイミダゾール、ピリジン等を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。また、この反応は溶媒の存在下で行うことが好ましく、溶媒としてはジクロロメタンを使用することが好ましい。
【００８９】
工程[７]の反応温度は、５〜３０℃が好ましい。また、反応時間は、例えば１〜２０時間程度である。
【００９０】
上記［１］〜［７］の各工程終了後は、得られた反応生成物に、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段を施して精製してから次の工程へ付してもよい。
【００９１】
式（3-1）で表される、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物の製造は、原料として式（２）で表されるＤ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸に代えて、式（３）で表されるＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸を使用する以外は、上述の式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を得る反応と同じ方法により行うことができる。
【００９２】
［ジアステレオマー混合物の光学分割方法］
本発明のジアステレオマー混合物の光学分割方法は、式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物、又は式（3-1）で表される、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を分別晶析に付して、式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を原料として使用した場合は、下記式（1-1）及び（1-2）
【化４１】
2018043944.tif 000042
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得、式（3-1）で表される、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を原料として使用した場合は、下記式（1-3）及び（1-4）
【化４２】
2018043944.tif 000043
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｋ、＊は前記に同じ）
の何れか１つの光学異性体を得ることを特徴とする。
【００９３】
本発明のジアステレオマー混合物の光学分割方法で使用されるジアステレオマー混合物は、特に限定されることがないが、例えば、上述のジアステレオマー混合物の製造方法で得られる、式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物、又は式（3-1）で表される、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を好適に使用することができる。
【００９４】
ジアステレオマー混合物の分別晶析は、周知慣用の方法で行うことができ、特に制限されないが、例えば、ジアステレオマー混合物を良溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等）に溶解し、そこへ貧溶媒（例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等）を添加する方法等により行うことが好ましい。また、式（2-1）で表される、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を原料として使用する場合は、式（1-1）及び（1-2）の何れか１つの光学異性体であって、析出を所望する一方の化合物を接種することが、晶析効率を向上することができる点で好ましい。また、式（3-1）で表される、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体とのジアステレオマー混合物を原料として使用する場合は、式（1-3）及び（1-4）の何れか１つの光学異性体であって、析出を所望する一方の化合物を接種することが、晶析効率を向上することができる点で好ましい。尚、接種に用いる式（1-1）、（1-2）、（1-3）、又は（1-4）の光学異性体としては、例えば、上述のＤＬ−ＧＧｓＴｏｐ（ＲＳ）誘導体の光学分割方法を用いて製造されたものを使用することができる。
【００９５】
上記ジアステレオマー混合物の光学分割方法で得られる式（1-1）、（1-2）、（1-3）、及び（1-4）で表される光学異性体は、室温において吸湿せず、保存安定性に優れるため、取り扱いが容易である。また、前記光学異性体を脱保護処理に付すことにより、それぞれ、式（1-1'）、（1-2'）、（1-3'）、及び（1-4'）で表される光学異性体が得られ、これらの化合物は、何れも、細胞毒性を有さず、安全性に優れる。更に、優れたＧＧＴ阻害作用を有する。例えば、皮膚線維芽細胞に特異的に作用して、ＧＧＴを阻害してグルタチオンの減少を引き起こし、抗酸化ストレス応答を介してコラーゲンの産生を亢進する効果を発揮することができ、それによりバリア機能を向上させてアレルゲンの侵入を抑制し、アレルギー反応を抑制することができる。そのため、ＧＧＴが関与する種々の疾患、例えば、アレルギー性皮膚疾患、尋常性魚鱗癬、老人性乾皮症等の皮膚疾患に、治療や予防の目的で使用される。従って、前記式（1-1）、（1-2）、（1-3）、及び（1-4）で表される光学異性体は、式（1-1'）、（1-2'）、（1-3'）、及び（1-4'）で表される光学異性体の合成中間体として有用である。
【００９６】
［Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物の製造方法］
本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物の製造方法は、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体を脱保護処理に付すことにより、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）を得、得られたＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に付して、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物を得る、又は、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体を脱保護処理に付すことにより、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）を得、得られたＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に付して、Ｌ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物を得ることを特徴とする。
【００９７】
原料として使用するＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体は、特に限定されることがないが、例えば、上述のジアステレオマー混合物の光学分割方法で得られる、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）誘導体、又はＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）誘導体を好適に使用することができる。
【００９８】
Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）又はＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）を水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析する方法としては、上述のジアステレオマー混合物の製造方法における水、又は水と水可溶性有機溶媒との混合溶媒を用いた晶析に準じた方法で行うことができる。
【００９９】
脱保護処理は、上述の［２−アミノ−４−［（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸の製造方法］と同様の方法で行うことができる。
【０１００】
本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、ｔ個の水分子が結合した構成を有するため、室温において結晶化する。Ｈ2Ｏ分子が結晶構造に大きく関与していることは、図１に示されるパッキング構造から明らかである。
【０１０１】
本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、上述の通り室温において結晶化する。また、潮解性を有さない。そのため、保存安定性に優れ、取り扱いが容易である。さらに、本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、ナールスゲン（登録商標）と同程度、又はそれ以上の薬理活性を有する。すなわち、ＧＧＴ阻害作用に優れ、例えば、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、又はＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物（１０μｍ程度）をヒト皮膚線維芽細胞に投与すると、一時的にグルタチオン濃度が低下し、それが引き金となって、コラーゲンの産生を亢進する効果が得られる。すなわち、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、コラーゲン産生促進効果を発揮する。また、前記コラーゲンの産生は濃度依存的に亢進するが、たとえ過剰に投与しても、コラーゲンの産生が無制限に亢進することはない。Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、その他、エラスチン産生促進効果、ＨＳＰ４７産生促進効果、グルタチオン産生促進効果、フィラグリン産生促進効果、フィラグリン遺伝子発現促進効果、皮膚表皮の角化細胞の遊走・増殖の促進効果等も発揮することができる。更に、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、細胞毒性を有さず、安全性に優れる。そのため、Ｄ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、ＧＧＴ阻害剤、コラーゲン産生促進剤、エラスチン産生促進剤、ＨＳＰ４７産生促進剤、グルタチオン産生促進剤、フィラグリン産生促進剤、フィラグリン遺伝子発現促進剤、皮膚表皮の角化細胞の遊走・増殖の促進剤等として、好適に使用することができる。
【０１０２】
本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、皮膚や毛髪の美容・健康を目的として好適に使用することができる。その他、ＧＧＴが関与する種々の疾患に、治療や予防の目的で好適に使用することができる。
【０１０３】
本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物を外皮（皮膚、毛髪、爪等）に適用した場合は、コラーゲンの産生が促進され、バリア機能が改善する効果が得られる。そのため、前記化合物は、例えば、アレルギー性皮膚疾患、尋常性魚鱗癬、老人性乾皮症等の皮膚疾患の治療又は予防に好適に用いることができる。また、前記化合物を皮膚に適用すると、グルタチオンの産生や、フィラグリンの産生が促進されることにより、アンチエイジング効果や美白効果が得られる。そのため、前記化合物は、スキンケアにも好適に使用することができる。
【０１０４】
更に、本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物を眼に適用した場合は、白内障予防又は進行抑制、角膜潰瘍、角膜上皮剥離、角膜炎等の治療又は予防に効果を発揮する。更にまた、鼻（詳細には、鼻腔、副鼻腔等）に適用した場合は、アレルギー性鼻炎の治療又は予防等に効果を発揮する。
【０１０５】
以上より、本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物、及びＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物は、例えば、外皮用剤、点眼薬、点鼻薬、点耳薬、口腔薬、スキンケア用化粧料、入浴剤等の添加剤として好適に使用することができる。
【０１０６】
前記外皮用剤には、塗布剤（クリーム剤、軟膏剤、ゲル剤、ローション剤、液剤、チンキ剤）、貼付剤（パップ剤、プラスター剤、テープ剤、パッチ剤）、噴霧剤が含まれる。また前記口腔薬には含嗽薬、噴霧薬が含まれる。
【０１０７】
前記スキンケア用化粧料には、例えば、ファンデーション、アイシャドウ、マスカラ、アイブロウ、チーク、口紅、マニキュア等のメイクアップ化粧料や、化粧水、乳液、美容液等の基礎化粧料等が含まれる。
【実施例】
【０１０８】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。尚、下記式中、Ｚはベンジルオキシカルボニル基を示し、Ｂｎはベンジル基を示す。
【０１０９】
実施例１
【化４３】
2018043944.tif 000044
【０１１０】
ＤＬ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸（１．８３ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）に水（５ｍＬ）とジエチルエーテル（７．５ｍＬ）を加え、氷冷下に水（５ｍＬ）に溶解した水酸化ナトリウム（１．２０ｇ，３０．０ｍｍｏｌ）を加えて溶解した。この溶液を激しく撹拌し、クロロギ酸ベンジル（Ｚ−Ｃｌ：２．５６ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）および炭酸水素ナトリウム（１．２６ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を交互に少しずつ加え、原料が消失するまで室温下に撹拌し続けた。尚、原料の消失は、ＴＬＣ（展開溶媒：クロロホルム／メタノール／酢酸＝８５／１５／３（v/v）、呈色剤：ニンヒドリン）を用いて確認した。
反応液を静置後分液し、水層をジエチルエーテルで洗浄し、その後６Ｎ塩酸を加えてｐＨ１に調整し、酢酸エチルで抽出した。
酢酸エチル層を分液し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を４０℃で減圧下に留去し、残渣を乾燥することにより無色固体のＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸（２．３０ｇ，収率：７３％）を得た。
IR(cm-1):3300-2000(br), 3340, 2286, 1713, 1652, 1548, 1268, 1229, 1177, 1114, 1057, 1004, 946, 938, 919, 738, 725, 693.
【０１１１】
【化４４】
2018043944.tif 000045
【０１１２】
氷冷下において、ベンジルアルコール（ＢｎＯＨ：２６ｍＬ）中に塩化チオニル（２．３８ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）を滴下し、５℃以下に保持した状態で、得られたＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸（２．２２ｇ，７．００ｍｍｏｌ）を加えた。この反応液を、室温下で、原料が消失するまで撹拌し続けた。尚、原料の消失は、ＴＬＣ（展開溶媒：ｎ−ブタノール／酢酸／水＝５／２／２（v/v）、検出：ＵＶ）を用いて確認した。
反応後、過剰のベンジルアルコールを減圧下で留去し、酢酸エチルに溶解して飽和食塩水で洗浄した。
酢酸エチル層を分液し、無水硫酸マグネシウムによる乾燥処理を施した後、４０℃で減圧濃縮し、残渣にジエチルエーテルを加え、析出晶をろ取し、４０℃で減圧乾燥することにより白色粉末のＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸ベンジル（２．３１ｇ，収率：８１％）を得た。
IR(cm-1):3344, 3300-2200(br), 3129, 3064, 3035, 2950, 2879, 2233, 1695, 1542, 1293, 1246, 1198, 1176, 1159, 1118, 1067, 983, 937, 902, 732, 693.
【０１１３】
【化４５】
2018043944.tif 000046
【０１１４】
得られたＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸ベンジル（２．２０ｇ，５．４０ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１１ｍＬ）に懸濁し、触媒量のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を加えた後、二塩化オキサリル（１．５４ｇ，１２．１ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で暫く撹拌した後、反応液を減圧濃縮して、黄色の油状物を得た。これをジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解し、氷冷下にてメタノール（０．４０ｇ，１２．５ｍｍｏｌ）を加えた後、トリエチルアミン（１．１６ｇ，１１．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温下で一夜撹拌した。反応液にシリカゲル（３５ｇ）を加えて減圧濃縮した後、酢酸エチル（１００ｍＬ）を加えてよく撹拌した。これを濾過し、ろ液を４０℃で減圧濃縮・乾燥して、油状のＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ジメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（１．７１ｇ，収率：７３％）を得た。
IR(cm-1):3251, 3063, 3033, 2953, 2851, 1716, 1533, 1498, 1454, 1241, 1213, 1174, 1026, 816, 737, 697.
【０１１５】
【化４６】
2018043944.tif 000047
【０１１６】
得られたＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ジメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（１．７１ｇ，３．９３ｍｍｏｌ）をメチルエチルケトン（ＭＥＫ：４５ｍＬ）に溶解し、ヨウ化ナトリウム（０．８８ｇ，５．８７ｍｍｏｌ）を加えて４時間還流した。ＴＬＣ（展開溶媒：クロロホルム／メタノール／酢酸＝８５／１５／３（v/v）、検出：ＵＶ）にて原料がほとんど消失したのを確認後、反応液を減圧濃縮し、水を加えて溶解させた。この水溶液に６Ｎ塩酸を加えて酸性とし、沈殿した黄褐色油状物をジクロロメタンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥処理後、４０℃で溶媒を減圧濃縮・乾燥して、褐色油状のＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．２０ｇ，収率：定量的）を得た。
IR(cm-1):3286, 3065, 3034, 2953, 2897, 2851, 1739, 1708, 1686, 1532, 1256, 1225, 1200, 1170, 1033, 1018, 1000, 950, 732, 697.
【０１１７】
【化４７】
2018043944.tif 000048
【０１１８】
得られたＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（１．６０ｇ，３．８０ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１５ｍＬ）に溶解し、触媒量のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を加え、二塩化オキサリル（０．５８ｇ，４．５７ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温で４時間撹拌した。反応液を減圧濃縮して得られた褐色油状物をジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解し、３−ヒドロキシフェニル酢酸ベンジル（０．９０ｇ，３．７２ｍｍｏｌ）を加えて氷冷した。これにトリエチルアミン（０．４５ｇ，４．４５ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で一夜撹拌した。反応液にシリカゲルを加えて減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１〜１／４（v/v））に供して、黄色油状のＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２．０１ｇ，収率：８４％）を得た。
IR(cm-1):3268, 3064, 3033, 2953, 2852, 1956, 1868, 1721, 1239, 1143, 1041, 1005, 972, 857, 736, 696.
【０１１９】
得られたＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（１．５０ｇ）をエタノール（１５ｍＬ）に溶解してこれを試料とした。
【０１２０】
キラルカラム（商品名「ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＩＢ」、２．０φ×２５.０ｃｍ、粒子径５μｍ、（株）ダイセル製）を備えた液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ、商品名「ＬＣ−１０ＡＤ」、（株）島津製作所製、移動相：ｎ−ヘキサン／エタノール＝８５／１５（v/v）、カラム温度：２５℃、検出波長：２６０ｎｍ、流速：７．６ｍＬ／ｍｉｎ）に、前記試料（０.２０ｍＬ）（ＤＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル２０ｍｇ相当）を一回に注入し、溶出順にピーク（１）〜（４）を分画した（図２参照）。
【０１２１】
【表１】
2018043944.tif 000049
【０１２２】
【化４８】
2018043944.tif 000050
【０１２３】
溶出したピーク（１）化合物の画分を濃縮し、無色油状の、上記式（p1）で表される、Ｌ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．３１ｇ，収率：２１％）を取得した。
［α］D24 +12.1(c1, CHCl3)，［α］D24 -3.4(c1, MeOH)，99.9％de 
IR(cm-1):3700-2700(br), 1720, 1586, 1488, 1447, 1338, 1239, 1143, 1041, 972, 835.
1H-NMR (600 MHz, CDCl3) δH: 1.82-2.08 (3H, m), 2.23-2.32 (1H, m), 3.63 (2H, s), 3.71 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 4.47 (1H, ddd, JH-H = 7.7, 7.7, 5.2 Hz), 5.08 (1H, d, JH-H = 12.4 Hz), 5.11 (1H, d, JH-H = 12.4 Hz), 5.11 (2H, s), 5.17 (2H, br s), 5.56 (1H, br d, JH-H = 7.7 Hz), 7.06-7.08 (2H, m), 7.11 (1H, br s), 7.25 (1H, dd, JH-H = 7.9, 7.9 Hz), 7.28-7.37 (15H, m).
31P-NMR (243 MHz, CDCl3) δP: 29.5. HRMS-FAB (m/z): [M + H]+ calcd for C35H37NO9P, 646.2206; found, 646.2210.
【０１２４】
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２２０ｍｇ，０．３４１ｍｍｏｌ）をメタノール（１０ｍＬ）に溶解し、系内を窒素ガスで置換しながら１０％パラジウム炭素（２２ｍｇ）を加え、その後、反応液に水素ガスを吹き込みながら室温下で２時間撹拌した。反応終了後セライトを用いてパラジウム炭素をろ去し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を水（１０ｍＬ）に溶解し、トルエン（２．５ｍＬ）を加えて３回洗浄した。水溶液を減圧濃縮した後、凍結乾燥して、上記式（p1'）で表される、無色粉末状のＬ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（８７．８ｍｇ，収率：７８％）を得た。
［α］D25 +20.4(c0.25, MeOH)，［α］D24 +20.8(c0.5, H2O)，99.9％de（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）IR(cm-1):3500-2300(br), 1714, 1584, 1487, 1445, 1403, 1221, 1144, 1038, 979, 854.
1H-NMR (600 MHz, D2O) δH: 2.17-2.36 (4H, m), 3.78 (2H, s), 3.88-3.90 (1H, m), 3.90 (3H, d, JH-P = 11.3 Hz), 7.19-7.21 (2H, m), 7.25 (1H, br d, JH-H = 7.6 Hz), 7.44-7.47 (1H, m).
31P-NMR (243 MHz, D2O) δP: 32.6.
HRMS-FAB (m/z): [M + H]+ calcd for C13H19NO7P, 332.0899; found, 332.0898.
【０１２５】
【化４９】
2018043944.tif 000051
【０１２６】
溶出したピーク（２）化合物の画分を濃縮し、残渣（０．３１ｇ）に酢酸エチル（１．６ｍＬ）加え、５０℃で撹拌下ヘプタン（７．５ｍＬ）を徐々に加えて冷却し、冷蔵庫に３日放置した。析出した結晶をろ過し、４０℃で減圧乾燥して無色結晶の、上記式（p2）で表される、Ｄ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．２８ｇ，トータル収率：１９％）を取得した。
Mp(DSC)：75.5℃, ［α］D24 +19.5 (c1, MeOH)、［α］D24 +3.7 (c1, CHCl3)，99.9％de
IR(cm-1):3400-2800(br), 1718, 1586, 1454, 1402, 1340, 1234, 1130, 1046, 990, 850.
1H-NMR (600 MHz, CDCl3) δH: 1.82-2.09 (3H, m), 2.23-2.32 (1H, m), 3.64 (2H, s), 3.72 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 4.48 (1H, ddd, JH-H = 7.6, 7.6, 4.8 Hz), 5.10 (2H, s), 5.12 (2H, s), 5.17 (2H, br s), 5.52 (1H, br d, JH-H = 7.6 Hz), 7.07-7.09 (2H, m), 7.11 (1H, br s), 7.26 (1H, dd, JH-H = 7.9, 7.9 Hz), 7.28-7.37 (15H, m). 
31P-NMR (243 MHz, CDCl3) δP: 29.4. 
HRMS-FAB (m/z): [M + H]+ calcd for C35H37NO9P, 646.2206; found, 646.2215. 
【０１２７】
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２２０ｍｇ，０．３４１ｍｍｏｌ）をメタノール（１０ｍＬ）に溶解し、系内を窒素ガスで置換しながら１０％パラジウム炭素（２２ｍｇ）を加え、その後、反応液に水素ガスを吹き込みながら室温で２時間撹拌した。反応終了後、セライトを用いてパラジウム炭素をろ去し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を水（１０ｍＬ）に溶解し、トルエン（２．５ｍＬ）を加えて３回洗浄した。水溶液を減圧濃縮した後、凍結乾燥して、無色粉末状の、上記式（p2'）で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（８９．８ｍｇ，収率：８０％）を得た。
［α］D25 +9.6(c0.25, MeOH)，［α］D24 +4.0 (c0.5, H2O), 99.9%de（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）
IR(cm-1):3600-2200(br), 1683, 1583, 1537, 1392, 1248, 1206, 1144, 1045, 983, 854.
1H-NMR (600 MHz, D2O) δH: 2.15-2.36 (4H, m), 3.78 (2H, s), 3.88-3.90 (1H, m), 3.89 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 7.19-7.20 (2H, m), 7.25 (1H, br d, JH-H = 7.9 Hz), 7.44-7.47 (1H, m).
31P-NMR (243 MHz, D2O) δP: 32.6.
【０１２８】
【化５０】
2018043944.tif 000052
【０１２９】
得られたＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（８０ｍｇ）に水（２．５ｍＬ）及びエタノール（２．５ｍＬ）を加えて、一夜冷蔵庫に静置した。適宜ソニック処理を施して、さらにエタノール（２．５ｍＬ）を加えて一夜冷蔵庫に静置後、析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で乾燥して、無色結晶の、上記式（p2'-1）で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物（５３ｍｇ，収率：６３％）を得た。得られた化合物の単結晶を作成し、Ｘ線結晶構造解析に付したところ、図３に示される絶対配置を有することが判明した。
Mp(DSC)：108.0℃, ［α］D20 +4.0 (c 0.5, H2O), ［α］D25 +9.6 (c 0.25, MeOH) , 99.9%de（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）
IR(cm-1): 3459, 3150, 2947, 1980, 1682, 1583, 1537, 1392, 1248, 1206, 1144, 1045, 981, 805.
1H-NMR (600 MHz, D2O) δH: 2.15-2.36 (4H, m), 3.78 (2H, s), 3.88-3.90 (1H, m), 3.89 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 7.19-7.20 (2H, m), 7.25 (1H, br d, JH-H = 7.9 Hz), 7.44-7.47 (1H, m).
31P-NMR (243 MHz, D2O) δP: 32.6.
HRMS-FAB (m/z): [M -H2O + H]+ calcd for C13H19NO7P, 332.0899; found, 332.0898.
【０１３０】
【化５１】
2018043944.tif 000053
【０１３１】
溶出したピーク（３）化合物の画分を濃縮し、無色油状の、上記式（p3）で表される、Ｄ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．３２ｇ，収率：２１％）を取得した。
［α］D24 -12.6(c1, CHCl3)，［α］D24 +3.0(c1, MeOH)，99.9％de  
IR(cm-1):3500-2800(br), 1720, 1532, 1454, 1378, 1338, 1239, 1081, 1005, 971, 856.
1H-NMR (600 MHz, CDCl3) δH: 1.82-2.08 (3H, m), 2.23-2.32 (1H, m), 3.63 (2H, s), 3.71 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 4.47 (1H, ddd, JH-H = 7.7, 7.7, 5.2 Hz), 5.08 (1H, d, JH-H = 12.4 Hz), 5.11 (1H, d, JH-H = 12.4 Hz), 5.11 (2H, s), 5.17 (2H, br s), 5.56 (1H, br d, JH-H = 7.7 Hz), 7.06-7.08 (2H, m), 7.11 (1H, br s), 7.25 (1H, dd, JH-H = 7.9, 7.9 Hz), 7.28-7.37 (15H, m). 
31P-NMR (243 MHz, CDCl3) δP: 29.5. 
HRMS-FAB (m/z): [M + H]+ calcd for C35H37NO9P, 646.2206; found, 646.2206. 
【０１３２】
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２２０ｍｇ，０．３４１ｍｍｏｌ）をメタノール（１０ｍＬ）に溶解し、系内を窒素ガスで置換しながら１０％パラジウム炭素（２２ｍｇ）を加え、その後、反応液に水素ガスを吹き込みながら室温で２時間撹拌した。反応終了後セライトを用いてパラジウム炭素をろ去し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を水（１０ｍＬ）に溶解し、トルエン（２．５ｍＬ）を加えて３回洗浄した。水溶液を減圧濃縮した後、凍結乾燥して、無色粉末状の、上記式（p3'）で表される、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（１２５ｍｇ，収率：定量的）を得た。
［α］D25 -18.8(c0.25, MeOH)，［α］D25 -21.6(c0.5, H2O)，99.9％de（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）
IR(cm-1):3800-2200(br), 1715, 1584, 1486, 1445, 1337, 1228, 1144, 1041, 983, 858.
1H-NMR (600 MHz, D2O) δH: 2.17-2.36 (4H, m), 3.78 (2H, s), 3.88-3.90 (1H, m), 3.90 (3H, d, JH-P = 11.3 Hz), 7.19-7.21 (2H, m), 7.25 (1H, br d, JH-H = 7.6 Hz), 7.44-7.47 (1H, m).
31P-NMR (243 MHz, D2O) δP: 32.6.
HRMS-FAB (m/z): [M + H]+ calcd for C13H19NO7P, 332.0899; found, 332.0900.
【０１３３】
【化５２】
2018043944.tif 000054
【０１３４】
溶出したピーク（４）化合物の画分を濃縮し、残渣０．３０ｇに酢酸エチル１．５ｍＬ加え、５０℃で撹拌下ヘプタンを７．５ｍＬ徐々に加えて冷却し、冷蔵庫に３日放置した。析出した結晶をろ過し、４０℃で減圧乾燥し、無色結晶の、上記式（p4）で表される、Ｌ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．３０ｇ，収率：２０％）を取得した。
Mp(DSC)：75.3℃, ［α］D25 -18.8 (c1, MeOH)、［α］D25 -3.5 (c1, CDCl3),99.9％de
IR(cm-1):3400-2800(br), 1719, 1585, 1454, 1403, 1340, 1235, 1151, 1047, 990, 850.
1H-NMR (600 MHz, CDCl3) δH: 1.82-2.09 (3H, m), 2.23-2.32 (1H, m), 3.64 (2H, s), 3.72 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 4.48 (1H, ddd, JH-H = 7.6, 7.6, 4.8 Hz), 5.10 (2H, s), 5.12 (2H, s), 5.17 (2H, br s), 5.52 (1H, br d, JH-H = 7.6 Hz), 7.07-7.09 (2H, m), 7.11 (1H, br s), 7.26 (1H, dd, JH-H = 7.9, 7.9 Hz), 7.28-7.37 (15H, m). 
31P-NMR (243 MHz, CDCl3) δP: 29.4. 
HRMS-FAB (m/z): [M + H]+ calcd for C35H37NO9P, 646.2206; found, 646.2206. 
Anal. Found: C, 65.18; H, 5.65; N, 2.13. Calcd. for C35H36NO9P: C, 65.11; H, 5.62; N, 2.17. 
【０１３５】
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２２０ｍｇ，０．３４１ｍｍｏｌ）をメタノール（１０ｍＬ）に溶解し、系内を窒素ガスで置換しながら１０％パラジウム炭素（２２ｍｇ）を加え、その後、反応液に水素ガスを吹き込みながら室温で２時間撹拌した。反応終了後セライトを用いてパラジウム炭素をろ去し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を水（１０ｍＬ）に溶解し、トルエン（２．５ｍＬ）を加えて３回洗浄した。水溶液を減圧濃縮した後、凍結乾燥して、無色粉末状の、上記式（p4'）で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（１０３ｍｇ，収率：９１％）を得た。
99.9%de（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）
IR(cm-1):3600-2300(br), 1683, 1583, 1537, 1485, 1392, 1248, 1144, 1045, 982, 780.
1H-NMR (600 MHz, D2O) δH: 2.15-2.36 (4H, m), 3.78 (2H, s), 3.88-3.90 (1H, m), 3.89 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 7.19-7.20 (2H, m), 7.25 (1H, br d, JH-H = 7.9 Hz), 7.44-7.47 (1H, m).
31P-NMR (243 MHz, D2O) δP: 32.6.
【０１３６】
【化５３】
2018043944.tif 000055
【０１３７】
得られたＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（９６ｍｇ）に水（３ｍＬ）及びエタノール（３ｍＬ）を加えて、一夜冷蔵庫に静置した。適宜ソニック処理を施して、さらにエタノール（３ｍＬ）を加えて一夜冷蔵庫に静置後、析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で減圧乾燥して、無色結晶の、上記式（p4'-1）で表される、Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物（５１ｍｇ，収率：５０％）を得た。
Mp(DSC)：107.0℃, ［α］D25 -4.0 (c0.5, H2O), ［α］D25 -10.0 (c 0.25, MeOH) , 99.9%de（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）
IR(cm-1): 3459, 3150, 2947, 1980, 1682, 1583, 1537, 1392, 1248, 1206, 1144, 1045, 981, 805.
1H-NMR (600 MHz, D2O) δH: 2.15-2.36 (4H, m), 3.78 (2H, s), 3.88-3.90 (1H, m), 3.89 (3H, d, JH-P = 11.0 Hz), 7.19-7.20 (2H, m), 7.25 (1H, br d, JH-H = 7.9 Hz), 7.44-7.47 (1H, m).
31P-NMR (243 MHz, D2O) δP: 32.6.
HRMS-FAB (m/z): [M -H2O + H]+ calcd for C13H19NO7P, 332.0899; found, 332.0901. 
Anal. Found: C, 44.53; H, 5.79; N, 3.93. Calcd. for C13H20NO8P: C, 44.70; H, 5.77; N, 4.01.
【０１３８】
実施例２
【化５４】
2018043944.tif 000056
【０１３９】
ＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸（図４に熱分析結果を示す）（１０.０ｇ）を水（１０ｍＬ）に７０℃で加熱溶解し、エタノール（４５ｍＬ）を加えて、４０℃で少量のＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物／Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物の結晶を接種し、室温下で２日間ゆっくりと撹拌した。さらに１５℃で３時間撹拌した後、析出した結晶をろ過・洗浄・乾燥して、無色結晶（３．８６ｇ，収率：３９％）を得た。得られた無色結晶（３．８０ｇ）を水（３．８ｍＬ）に７０℃に加熱し、メタノール（３．８ｍＬ）とエタノール（４５ｍＬ）を加えて溶解後、室温下で２日間ゆっくりと撹拌した。さらに１５℃で３時間撹拌した後、析出した結晶をろ過・洗浄・乾燥して、無色結晶（３．１０ｇ，収率：８２％）を得た。さらにこの無色結晶（３．００ｇ）を、水（３．０ｍＬ）とメタノール（６．０ｍＬ）とエタノール（３０ｍＬ）の混合溶媒を用いて３回再結晶して、Ｄ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物／Ｌ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物の等量混合物（図５に熱分析結果を示す）（２．２１ｇ，トータル収率：２４％）を無色結晶として得た。
Mp(DSC)：106.3℃,
1H-NMR (600 MHz, D2O) δH: 2.12-2.34 (4H, m), 3.74 (2H, s), 3.87 (3H, d, JH-P = 11.3 Hz)3.87-3.89 (1H, m), 7.16-7.17 (2H, m), 7.21 (1H, br d, JH-H = 7.9 Hz), 7.42(1H,dd JH-H = 7.9 and 7.9 Hz).
31P-NMR (121 MHz, D2O) δP: 32.5.
HRMS-FAB (m/z): [M -H2O + H]+ calcd for C13H19NO7P, 332.0899; found, 332.0887.
【０１４０】
実施例３
【化５５】
2018043944.tif 000057
【０１４１】
Ｌ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸（１．５５ｇ，８．４７ｍｍｏｌ）に水（５ｍＬ）とジエチルエーテル（７ｍＬ）を加え氷冷し、水（１０ｍＬ）に溶解した水酸化ナトリウム（１．０５ｇ，２６．３ｍｍｏｌ）を加えて溶解した。この溶液を激しく撹拌しながら、クロロギ酸ベンジル（３．２５ｇ，１９．１ｍｍｏｌ）および炭酸水素ナトリウム（１．１０ｇ，１３．１ｍｍｏｌ）を少しずつ交互に加えた。その後、室温下で激しく撹拌し、原料が消失するまで撹拌し続けた。尚、原料の消失はＴＬＣ（展開溶媒：ｎ−ブタノール／酢酸／水＝５／３／２（v/v）、呈色剤：ニンヒドリン）を用いて確認した。
反応液を静置後、分液し、水層をジエチルエーテルで洗浄した。水層に６Ｎ塩酸を加えてｐＨ１に調整し、酢酸エチルで抽出した。
酢酸エチル層を分液し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムによる乾燥処理を施した後、溶媒を４０℃減圧下に留去し、残渣を乾燥することによって、無色固体のＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸（２．６４ｇ，収率：９８％）を得た。［α］D25 +1.8 (c1, MeOH)
IR(cm-1)：3300-2000(br), 3320, 2309, 1755, 1731, 1694, 1656, 1549, 1427, 1356, 1240, 1204, 1167, 1153, 1113, 1061, 1008, 944, 731, 693.
【０１４２】
【化５６】
2018043944.tif 000058
【０１４３】
氷冷下において、ベンジルアルコール（２７ｍＬ）中に塩化チオニル（２．４５ｇ，２０．６ｍｍｏｌ）を滴下し、５℃以下に保持した状態で、得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸（２．５０ｇ，７．８８ｍｍｏｌ）を加えた。この反応液を、室温下で、原料が消失するまで撹拌し続けた。尚、原料の消失はＴＬＣ（展開溶媒：ｎ−ブタノール／メタノール／水＝５／３／２（v/v）、検出：ＵＶ）を用いて確認した。
反応後、過剰のベンジルアルコールを減圧下で留去し、酢酸エチルに溶解して飽和食塩水で洗浄した。
酢酸エチル層を分液し、無水硫酸マグネシウムによる乾燥処理を施した後、４０℃で減圧濃縮し、残渣にジエチルエーテル（２５ｍＬ）を加え、１時間以上撹拌した。析出晶をろ過し、４０℃で減圧乾燥することにより無色粉末のＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸ベンジル（２．８７ｇ，収率：８９％）を得た。
［α］D25 -15.8 (c1, MeOH)
IR(cm-1)：3324, 3200-2500(br), 3033, 2951, 2895, 1734, 1679, 1524, 1346, 1184, 1051, 997, 981, 940, 749, 696.
【０１４４】
【化５７】
2018043944.tif 000059
【０１４５】
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸ベンジル（２．７０ｇ，６．６３ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１３ｍＬ）に懸濁し、触媒量のジメチルホルムアミドを加えた後、二塩化オキサリル（１．９０ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で暫く撹拌した後、反応液を減圧濃縮して、褐色の油状物を得た。これをジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解し、氷冷下にメタノール（０．４８ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を加えた後、トリエチルアミン（１．４３ｇ，１４．１ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、室温で一夜撹拌した。反応液にシリカゲル（６．６ｇ）を加えて減圧濃縮した後、酢酸エチル（４０ｍＬ）を加えてよく撹拌した。これを濾過し、ろ液を４０℃で減圧濃縮・乾燥させることで、褐色油状のＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ジメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．６１ｇ，収率：９０％）を得た。
［α］D25 -20.5 (c1, MeOH)、99.9%ee（カラム：CHIRALPAK IB（5μｍ, 4.6φ×250mm）；移動相：n-ヘキサン/エタノール＝95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：25℃；検出波長：UV220nm）
IR(cm-1)：3248, 3063, 3033, 2953, 2851, 1716, 1534, 1498, 1454, 1240, 1213, 1174, 1025, 816, 737, 696.
【０１４６】
【化５８】
2018043944.tif 000060
【０１４７】
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ジメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．４０ｇ，５．５１ｍｍｏｌ）をメチルエチルケトン（５０ｍＬ）に溶解し、ヨウ化ナトリウム（１．３２ｇ，８．８１ｍｍｏｌ）を加えて４時間還流した。ＴＬＣ（展開溶媒：クロロホルム／メタノール／酢酸＝８５／１５／３（v/v）、検出：ＵＶ）にて原料がほとんど消失したのを確認後、反応液を減圧濃縮し、水（５０ｍＬ）を加えて溶解させた。これに６Ｎ塩酸を加えて酸性とし、沈殿した黄褐色の油状物をジクロロメタンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥処理した。４０℃で溶媒を減圧濃縮・乾燥して、褐色油状のＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．２７ｇ，収率：９８％）を得た。
［α］D25 -17.6 (c1, MeOH)
IR(cm-1)：3314, 3290, 3056, 3033, 2968, 2955, 2895, 1726, 1698, 1679, 1537, 1269, 1228, 1202, 1148, 1039, 965, 820, 753, 697.
【０１４８】
【化５９】
2018043944.tif 000061
【０１４９】
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．２２ｇ，５．２７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解し、触媒量のジメチルホルムアミドを加え、二塩化オキサリル（０．８２ｇ，６．４６ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温で３時間撹拌した。反応液を減圧濃縮して得られた褐色油状物をジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解し、３−ヒドロキシフェニル酢酸ベンジル（１．２９ｇ，５．３２ｍｍｏｌ）を加えて氷冷した。ここにトリエチルアミン（０．６６ｇ，６．５２ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で一夜撹拌した。反応液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１〜１／２（v/v））に供して、黄色油状のＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２．３９ｇ，収率：７０％）を得た。
［α］D25 -10.8 (c1, MeOH)、99.9%ee（カラム：CHIRALPAK IB（5μｍ, 4.6φ×250mm）；移動相：n-ヘキサン/エタノール＝95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV220nm）
IR(cm-1)：3269, 3063, 3033, 2953, 2852, 1953, 1868, 1721, 1239, 1143, 1041, 1005, 972, 857, 736, 696.
【０１５０】
【化６０】
2018043944.tif 000062
【０１５１】
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２．００ｇ）を酢酸エチル（３２ｍＬ）に溶解し、ヘプタン（６２ｍＬ）を徐々に加えた。この溶液に少量のＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジルの結晶を接種し、室温下で２時間撹拌した。一夜冷蔵庫に静置後、さらにヘプタン（１０ｍＬ）を加え、室温下で３時間撹拌した。以後、この操作を７日間繰り返してヘプタン（計１６．５ｍＬ）を加えた後、冷蔵庫に静置して、室温下で４時間撹拌した。析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で乾燥して、Ｌ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．５１ｇ，収率：２６％）を得た。
［α］D25 -16.7 (c1, MeOH) ,73.3%de（カラム：CHIRALPAK IB(5μｍ, 4.6φ×250mm)；移動相n-ヘキサン/エタノール=95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：25℃；検出波長：UV220nm）
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．４９ｇ）を酢酸エチル（１６ｍＬ）に溶解し、ヘプタン（４３．３ｍＬ）を徐々に加え、室温下で４時間撹拌した。二夜冷蔵庫に静置後、さらにヘプタン（４．０ｍＬ）を加え、一夜冷蔵庫に静置した。析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で減圧乾燥し、Ｌ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．３５ｇ，収率：７１％）を得た。
［α］D25 -18.8 (c1, MeOH) , 97.5%de（カラム：CHIRALPAK IB(5μｍ, 4.6φ×250mm)；移動相：n-ヘキサン/エタノール=95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：25℃；検出波長：UV220nm）
IR(cm-1)：3278, 3186, 3068, 3036, 2986, 2958, 2921, 2890, 2857, 1744, 1718, 1234, 1151, 1135, 1046, 990, 850, 751, 737, 697, 684.
【０１５２】
【化６１】
2018043944.tif 000063
【０１５３】
得られたＬ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（３００ｍｇ，０．４６５ｍｍｏｌ）をメタノール（１０ｍＬ）に溶解し、系内を窒素ガスで置換しながら１０％パラジウム炭素（２２ｍｇ）を加え、その後、反応液に水素ガスを吹き込みながら室温で２時間撹拌した。反応終了後セライトを用いてパラジウム炭素をろ去し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を水（１０ｍＬ）に溶解し、トルエン（２．５ｍＬ）を加えて３回洗浄した。水溶液を減圧濃縮した後、残渣にエタノール（２．５ｍＬ）を加えて一夜冷蔵庫に静置した。適宜ソニック処理を施して、さらに一夜冷蔵庫に静置後、析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で減圧乾燥して、無色結晶のＬ−２−アミノ−４−［（Ｓｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物（１３４ｍｇ，収率：８３％）を得た。得られた化合物の熱分析結果を図６に示す。
Mp(DSC)：98.4℃，［α］D25 -4.4 (c0.5, H2O) , 99.9%ee（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）
IR(cm-1):3600-2300(br), 1683, 1583, 1537, 1485, 1392, 1248, 1144, 1045, 982, 780.
【０１５４】
実施例４
【化６２】
2018043944.tif 000064
【０１５５】
Ｄ−２−アミノ−４−ホスホノブタン酸（１．８３ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）に水（１０ｍＬ）とジエチルエーテル（７．５ｍＬ）を加え氷冷し、水（１０ｍＬ）に溶解した水酸化ナトリウム（１．２０ｇ，３０．０ｍｍｏｌ）を加えて溶解した。この溶液を激しく撹拌し、クロロギ酸ベンジル（３．５４ｇ，２０．８ｍｍｏｌ）および炭酸水素ナトリウム（１．３６ｇ，１６．２ｍｍｏｌ）を少しずつ交互に加えた後、室温下で原料が消失するまで激しく撹拌し続けた。尚、原料の消失はＴＬＣ（展開溶媒：クロロホルム／メタノール／酢酸＝８５／１５／３（v/v）、呈色剤：ニンヒドリン）を用いて確認した。
反応液を静置後、分液し、水層をジエチルエーテルで洗浄後、水層に６Ｎ塩酸を加えてｐＨ１に調整し、酢酸エチルで抽出した。
酢酸エチル層を分液し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムによる乾燥処理を施した後、溶媒を４０℃減圧下に留去し、残渣を乾燥することによって無色固体のＤ−２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ−４−ホスホノブタン酸（２．９２ｇ，収率：９２％）を得た。
［α］D25 -2.0 (c1, MeOH)
IR(cm-1):3300-2000(br), 3318, 2286, 1754, 1730, 1694, 1654, 1548, 1428, 1356, 1240, 1205, 1168, 1153, 1113, 1062, 1008, 945, 732, 693. 
【０１５６】
【化６３】
2018043944.tif 000065
【０１５７】
氷冷下において、ベンジルアルコール（２７ｍＬ）中に塩化チオニル（２．４５ｇ，２０．６ｍｍｏｌ）を滴下し、５℃以下に保持した状態で、得られたＤ−２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ−４−ホスホノブタン酸（２．５０ｇ，７．８８ｍｍｏｌ）を加えた。この反応液を、室温下で、原料が消失するまで撹拌し続けた。尚、原料の消失はＴＬＣ（展開溶媒：ｎ−ブタノール／メタノール／水＝５／２／２（v/v）、検出：ＵＶ）を用いて確認した。
反応後、過剰のベンジルアルコールを減圧下で留去し、酢酸エチルに溶解して飽和食塩水で洗浄した。
酢酸エチル層を分液し、無水硫酸マグネシウムによる乾燥処理を施した後、４０℃で減圧濃縮し、残渣にジエチルエーテル（４０ｍＬ）を加え、１時間以上撹拌した。析出晶をろ取し、４０℃で減圧乾燥することによりＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸ベンジル（３．００ｇ，収率：９３％）を得た。
［α］D25 +15.8 (c1, MeOH)
IR(cm-1):3324, 3200-2500(br), 3033, 2951, 2894, 1734, 1679, 1524, 1347, 1186, 1052, 997, 981, 940, 749, 696.
【０１５８】
【化６４】
2018043944.tif 000066
【０１５９】
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ホスホノブタン酸ベンジル（２．８０ｇ，６．８７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２０ｍＬ）に懸濁し、触媒量のジメチルホルムアミドを加えた後、二塩化オキサリル（２．００ｇ，１５．８ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で暫く撹拌した後、反応液を減圧濃縮して、黄色の油状物を得た。これをジクロロメタン（２５ｍＬ）に溶解し、氷冷下にてメタノール（０．５０ｇ，１５．６ｍｍｏｌ）を加えた後、トリエチルアミン（１．４５ｇ，１４．３ｍｍｏｌ）を滴下し、室温下で一夜撹拌した。反応液にシリカゲル（１７ｇ）を加えて減圧濃縮した後、酢酸エチル（３００ｍＬ）を加えてよく撹拌した。これを濾過し、ろ液を４０℃で減圧濃縮・乾燥させることにより、油状のＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ジメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．５５ｇ，収率：８５％）を得た。
［α］D25 ＋19.8 (c1, MeOH) , 99.7%ee（カラム：CHIRALPAK IB(5μｍ, 4.6φ×250mm)；移動相：n-ヘキサン/エタノール=95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：25℃；検出波長：UV220nm）
IR(cm-1):3245, 3063, 3033, 2953, 2851, 1716, 1536, 1498, 1454, 1242, 1213, 1173, 1025, 815, 737, 696.
【０１６０】
【化６５】
2018043944.tif 000067
【０１６１】
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ジメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．４０ｇ，５．５１ｍｍｏｌ）をメチルエチルケトン（６０ｍＬ）に溶解し、ヨウ化ナトリウム（１．４０ｇ，９．３４ｍｍｏｌ）を加えて７時間還流した。ＴＬＣ（展開溶媒：クロロホルム／メタノール／酢酸＝８５／１５／３（v/v）、検出：ＵＶ）にて原料がほとんど消失したのを確認後、反応液を減圧濃縮し、水（６０ｍＬ）を加えて溶解させた。この水溶液に６Ｎ塩酸を加えて酸性とし、沈殿した黄褐色油状物をジクロロメタンで抽出し、無水硫酸マグネシウムによる乾燥処理を施した後、４０℃で溶媒を減圧濃縮・乾燥して、褐色固体のＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．３２ｇ，収率：定量的）を得た。
［α］D25 ＋17.5 (c1, MeOH)
IR(cm-1):3314, 3290, 3058, 3033, 2968, 2955, 2896, 1726, 1698, 1679, 1538, 1269, 1228, 1202, 1148, 1039, 965, 820, 753, 697.
【０１６２】
【化６６】
2018043944.tif 000068
【０１６３】
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメトキシホスホリル）ブタン酸ベンジル（２．１０ｇ，４．９８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解し、触媒量のジメチルホルムアミドを加え、二塩化オキサリル（０．７４ｇ，５．８３ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温で４時間撹拌した。反応液を減圧濃縮して得られた褐色油状物をジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解し、３−ヒドロキシフェニル酢酸ベンジル（１．１５ｇ，４．７５ｍｍｏｌ）を加えて氷冷した。これにトリエチルアミン（０．５８ｇ，５．７３ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で一夜撹拌した。反応液にシリカゲル（１０ｇ）を加えて減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１〜１／３（v/v））に供して、黄色油状のＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２．３９ｇ，収率：７８％）を得た。
［α］D25 ＋10.6 (c1, MeOH) , 99.2%ee（カラム：CHIRALPAK IB(5μｍ, 4.6φ×250mm)；移動相：n-ヘキサン/エタノール=95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：25℃；検出波長：UV220nm）
IR(cm-1):3267, 3063, 3033, 2954, 2852, 1953, 1875, 1721, 1239, 1143, 1041, 1005, 972, 856, 736, 696.
【０１６４】
【化６７】
2018043944.tif 000069
【０１６５】
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（１．４５ｇ）を酢酸エチル（２３．３ｍＬ）に溶解し、ヘプタン（４３．０ｍＬ）を徐々に加えた。この溶液に少量のＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジルの結晶を接種し、室温下で２時間撹拌した。一夜冷蔵庫に静置後、さらにヘプタン（１４．５ｍＬ）を加え、室温下で４時間撹拌した。以後、この操作を７日間繰り返し、さらにヘプタン（７．０ｍＬ）を加えた後、室温下で４時間撹拌して、析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で減圧乾燥し、無色粉末状のＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．３２ｇ，収率：２２％）を得た。
［α］D25 ＋18.2 (c1, MeOH) , 93.3%de（カラム：CHIRALPAK IB(5μｍ, 4.6φ×250mm)：移動相n-ヘキサン/エタノール=95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：25℃；検出波長：UV260nm）
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．３２ｇ）を酢酸エチル（１０ｍＬ）に溶解し、ヘプタン（２７．７ｍＬ）を徐々に加え、室温下で４時間撹拌した。一夜冷蔵庫に静置後、さらにヘプタン（５ｍＬ）を加え、室温下で４時間撹拌した。析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で減圧乾燥し、無色粉末状のＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（０．２９ｇ，収率：９１％）を得た。
［α］D25 ＋18.8 (c1, MeOH) , 97.9%de（カラム：CHIRALPAK IB(5μｍ, 4.6φ×250mm)；移動相：n-ヘキサン/エタノール=95/5（v/v）；流速：1.0mL/min；温度：25℃；検出波長：UV260nm）
IR(cm-1):3277, 3186, 3068, 3037, 2987, 2958, 2921, 2891, 2857, 1744, 1718, 1234, 1151, 1130, 1046, 990, 850, 751, 737, 697, 684.
【０１６６】
【化６８】
2018043944.tif 000070
【０１６７】
得られたＤ−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−ベンジルオキシカルボニルメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸ベンジル（２２０ｍｇ，０．３４１ｍｍｏｌ）をメタノール（１０ｍＬ）に溶解し、系内を窒素ガスで置換しながら１０％パラジウム炭素（２２ｍｇ）を加え、その後、反応液に水素ガスを吹き込みながら室温で２時間撹拌した。反応終了後、セライトを用いてパラジウム炭素をろ去し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を水（１０ｍＬ）に溶解し、トルエン（２．５ｍＬ）を加えて３回洗浄した。水溶液を減圧濃縮した後、残渣にエタノール（２ｍＬ）を加えて、一夜冷蔵庫に静置した。適宜ソニック処理を施して、さらに一夜冷蔵庫に静置後、析出した結晶をろ過・洗浄後、４０℃で減圧乾燥して、無色結晶のＤ−２−アミノ−４−［（Ｒｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸・１水和物（９９ｍｇ，収率：８３％）を得た。得られた化合物の熱分析結果を図７に示す。
Mp(DSC)：108.2℃, ［α］D25 +4.4 (c0.5, H2O), ［α］D25 +9.6 (c0.25, MeOH), 99.9%ee（カラム：OA-6100(5μｍ, 4.6φ×150mm)；移動相：2mM硫酸銅10%アセトニトリル水溶液；流速：1.0mL/min；温度：30℃；検出波長：UV254nm）
IR(cm-1):3600-2300(br), 1683, 1584, 1537, 1485, 1392, 1249, 1145, 1046, 983, 780.
【０１６８】
実施例２で得られた等量混合物をサンプルとして使用し、これについて、下記方法により、グルタチオン産生促進作用を評価した。
すなわち、正常ヒト表皮細胞を、正常ヒト表皮角化細胞増殖用培地（商品名「HuMedia KG2」、倉敷紡績（株）製）を用いて９６穴マイクロプレートに、２．０×１０4cells/96wellの細胞密度にて播種した。
播種２４時間後、所定濃度のサンプルを含有した正常ヒト表皮角化細胞増殖用培地（商品名「HuMedia KB2」、倉敷紡績（株）製）と交換して培養を続けた。
陽性対象として、前記サンプルに代えてナールスゲン（ＤＬ−２−アミノ−４−［（ＲＳｐ）−（３−カルボキシメチルフェノキシ）（メトキシ）ホスホリル］ブタン酸、商品名「ＧＧｓＴｏｐ」、和光純薬工業（株）製）を用いた以外は同様に培養を行った。
また、ブランクとして、前記サンプルを使用しない以外は同様に培養を行った。
２４時間の培養後、１００μｍのフェニルメチルスルフォニルフルオライド含有リン酸バッファーを用い、超音波処理にて細胞を破砕し、後述のグルタチオンレダクターゼリサイクリング法により総グルタチオン量を定量した。
すなわち、細胞破砕液を還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドリン酸及びグルタチオンレダクターゼと混合し、３７℃にて１０分間反応させた。
次に、１０ｍＭの５，５’−ジチオビス（２−ニトロ安息香酸）を溶解させた０．１Ｍリン酸バッファー（０．５Ｍ ＥＤＴＡ含有、ｐＨ７．５）を加え、添加直後、及び３０分間インキュベート後の吸光度（４５０ｎｍにおける）を測定し、その差［３０分後の吸光度−添加直後の吸光度］をグルタチオン合成量の指標とした
尚、細胞破砕液中の総グルタチオン量は、酸化型グルタチオンを用いて作成した検量線より算出した。また、細胞破砕液のタンパク質含有量は、Pierce Microplate BCA Protein Assay Kit(Thermo SCIENTIFIC)を用いて定量した。グルタチオン合成量は、Ｓｔｕｄｅｎｔ  ｔ検定を用いて有意差検定を行い、試料未処理、及び陽性対象との差異を評価した。結果を下記表に示す。
【０１６９】
【表２】
2018043944.tif 000071
【０１７０】
表２より、ブランク（未処理の場合）に比べて、実施例２で得られた等量混合物による処理を行った細胞では、ナールスゲンによる処理を行った場合と同等、若しくはそれ以上にグルタチオン（ＧＳＨ）量が有意に増加していた。以上より、本発明のＤ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｒ）水和物とＬ−ＧＧｓＴｏｐ（Ｓ）水和物との混合物は、ナールスゲンと同等、若しくはそれ以上に、優れたグルタチオン産生促進作用を有することがわかった。
【図１】
2018043944.tif 000106
【図２】
2018043944.tif 000107
【図３】
2018043944.tif 000108
【図４】
2018043944.tif 000109
【図５】
2018043944.tif 000110
【図６】
2018043944.tif 000111
【図７】
2018043944.tif 000112