(57)【要約】【課題】表示領域の電気光学層の温度を適正に監視することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００において、第２基板２０では、表示領域の外縁とシール材との間の枠状領域１０ｂに、見切り用遮光層２９ａ（遮光層２９）と透光部２９ｅとが設けられている。第１基板１０には、透光部２９ｅと平面視で重なる位置に画素トランジスターの半導体層と同層に温度センサー８が形成されている。温度センサー８と電気光学層５０との間に積層された層間絶縁膜１３、１４の層間には、温度センサー８に平面視で重なる遮光性の熱伝達層７ｓが形成されており、熱伝達層７ｓは、層間絶縁膜１２、１３、１４より熱伝導率が高い。層間絶縁膜１２、１３、１４は、温度センサー８と平面視で重なる部分の総厚が、温度センサー８と平面視で重ならない部分の総厚より薄い。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に画素電極を備えた第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、
前記シール材の内側で前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
前記表示領域の外縁に沿って延在する枠状領域に設けられた遮光層と、
を有し、
前記第１基板は、前記枠状領域に設けられた温度センサーと、前記温度センサーと前記電気光学層との間に積層された複数層の絶縁層と、前記複数層の絶縁層のうちのいずれか２つの絶縁層の間で前記温度センサーに平面視で重なるように設けられ、前記複数層の絶縁層より熱伝導率が高い遮光性の熱伝達層と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記２つの絶縁層のうち、前記温度センサー側に位置する第１絶縁層に穴が形成されており、
前記熱伝達層は、前記２つの絶縁層の間と、前記穴の内部とに存在することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記穴は、前記温度センサーの１つの電極まで到達し、
前記熱伝達層は、前記穴の底部で前記１つの電極に接していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記複数層の絶縁層は、前記温度センサーと平面視で重なる部分の総厚が、前記温度センサーと平面視で重ならない部分の総厚より薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記複数層の絶縁層は、前記熱伝達層に対して前記電気光学層側で前記温度センサーと平面視で重なる部分の総厚が、前記熱伝達層に対して前記電気光学層側で前記温度センサーと平面視で重ならない部分の総厚より薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記２つの絶縁層のうち、前記熱伝達層に前記電気光学層側で重なる第２絶縁層には、前記温度センサーと平面視で重なる凹部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置において、
前記凹部は、前記第２絶縁層を貫通しており、
前記複数層の絶縁層には、前記凹部の底部で露出する前記熱伝達層を覆う第３絶縁層が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
表示領域に画素電極を備えた第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、
前記シール材の内側で前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
前記表示領域の外縁に沿って延在する枠状領域に設けられた遮光層と、
を有し、
前記第１基板は、前記枠状領域に設けられた温度センサーと、前記温度センサーと前記電気光学層との間に積層された複数層の絶縁層と、
を有し、
前記複数層の絶縁層は、前記温度センサーと平面視で重なる部分の総厚が、前記温度センサーと平面視で重ならない部分の総厚より薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記温度センサーの少なくとも一部と平面視で重なる領域には、前記遮光層に形成された開口部、前記遮光層に形成された切り欠き、前記遮光層の途切れ部分、または前記遮光層が部分的に薄くなっている部分が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置において、
前記遮光層は、前記第２基板に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の電気光学装置において、
前記遮光層は、黒色の樹脂によって形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置において、
前記遮光層は、前記第１基板に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１から１２までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１基板は、前記画素電極に電気的に接続された画素トランジスターを備え、
前記温度センサーは、前記画素トランジスターの半導体層と同層に設けられたセンサー用半導体層を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１から１３までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記温度センサーは、ダイオードセンサーであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度センサーが設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置は、表示領域に画素トランジスターおよび画素電極を備えた第１基板と、画素電極に対向する共通電極が形成された第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた電気光学層とを有しており、画素電極と共通電極との間で電気光学層を駆動する。第２基板には、表示領域の外縁に沿って延在する枠状領域に見切り用遮光層が形成されている。このように構成した電気光学装置では、第２基板の側から照射された光源光を変調して画像を表示する。
【０００３】
電気光学装置では、光源光の照射によって電気光学層の温度が上昇し、表示性能や寿命が低下することがある。このため、第１基板に抵抗線等を温度センサーとして設け、電気光学層等の温度を監視する技術が提案されている（特許文献１、２参照）。特許文献１では、第１基板と第２基板とを貼り合せるシール材と重なる領域に感温配線（温度センサー）を配置した構造が提案されている。特許文献２では、表示領域の外縁に沿って抵抗線（温度センサー）を配置した構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１５５００７号公報
【特許文献２】特開２００９−１０３７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電気光学装置において、第１基板に温度センサーを設けた場合、電気光学層と温度センサーとの間には複数層の絶縁層が介在し、絶縁層は熱伝導性が低い。このため、特許文献１、２に記載の構成のように、第１基板に温度センサーを配置しただけでは、電気光学層の温度を適正に監視することが困難である。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、表示領域の電気光学層の温度を適正に監視することのできる電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る電気光学装置の一態様は、表示領域に画素電極を備えた第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、前記シール材の内側で前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記表示領域の外縁に沿って延在する枠状領域に設けられた遮光層と、を有し、前記第１基板は、前記枠状領域に設けられた温度センサーと、前記温度センサーと前記電気光学層との間に積層された複数層の絶縁層と、前記複数層の絶縁層のうちのいずれか２つの絶縁層の間で前記温度センサーに平面視で重なるように設けられ、前記複数層の絶縁層より熱伝導率が高い遮光性の熱伝達層と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明において、表示領域の外縁とシール材との間に沿って延在する枠状領域では、第１基板に温度センサーが設けられている。このため、温度センサーは電気光学層に近接しているので、電気光学層の温度を温度センサーによって適正に監視することができる。また、第１基板には、電気光学層と温度センサーとの間に複数層の絶縁層が介在するが、いずれか２つの絶縁層の層間には、複数層の絶縁層より熱伝導率が高い熱伝達層が設けられている。このため、電気光学層の熱が熱伝達層を介して温度センサーに伝わりやすい。従って、温度センサーによって、表示領域の電気光学層の温度を適正に監視することができる。
【０００９】
本発明において、前記２つの絶縁層のうち、前記温度センサー側に位置する第１絶縁層に穴が形成されており、前記熱伝達層は、前記２つの絶縁層の間と、前記穴の内部とに存在する態様を採用することができる。かかる態様によれば、熱伝達層が温度センサーの近くに位置するので、電気光学層の熱が熱伝達層を介して温度センサーに伝わりやすい。
【００１０】
本発明において、前記穴は、前記温度センサーの１つの電極まで到達し、前記熱伝達層は、前記穴の底部で前記１つの電極に接している態様を採用することができる。かかる態様によれば、熱伝達層が温度センサーの近くに位置するので、電気光学層の熱が熱伝達層を介して温度センサーに伝わりやすい。この場合でも、熱伝達層は、温度センサーの一方の電極のみに接しているので、温度センサーの動作を妨げない。
【００１１】
本発明において、前記複数層の絶縁層は、前記温度センサーと平面視で重なる部分の総厚が、前記温度センサーと平面視で重ならない部分の総厚より薄い態様を採用することができる。かかる態様によれば、電気光学層の熱が絶縁層を介して温度センサーに伝わりやすい。
【００１２】
本発明において、前記複数層の絶縁層は、前記熱伝達層に対して前記電気光学層側で前記温度センサーと平面視で重なる部分の総厚が、前記熱伝達層に対して前記電気光学層側で前記温度センサーと平面視で重ならない部分の総厚より薄い態様を採用することができる。かかる態様によれば、熱伝達層に対して温度センサー側の絶縁層の厚さを部分的に調整しなくても、複数層の絶縁層のうち、温度センサーと平面視で重なる部分の総厚を温度センサーと平面視で重ならない部分の総厚より薄くすることができる。
【００１３】
本発明において、前記２つの絶縁層のうち、前記熱伝達層に前記電気光学層側で重なる第２絶縁層には、前記温度センサーと平面視で重なる凹部が形成されている態様を採用することができる。この場合、前記凹部は、前記第２絶縁層を貫通しており、前記複数層の絶縁層には、前記凹部の底部で露出する前記熱伝達層を覆う第３絶縁層が含まれている態様を採用することができる。かかる態様によれば、複数層の絶縁層のうち、熱伝達層に対して電気光学層側で温度センサーと平面視で重なる部分の総厚を薄くことができる。また、熱伝達層が凹部の底部で露出していないので、熱伝達層から電気光学層への電気的な影響を抑制することができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の別態様は、表示領域に画素電極を備えた第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、前記シール材の内側で前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記表示領域の外縁に沿って延在する枠状領域に設けられた遮光層と、を有し、前記第１基板は、前記枠状領域に設けられた温度センサーと、前記温度センサーと前記電気光学層との間に積層された複数層の絶縁層と、を有し、前記複数層の絶縁層は、前記温度センサーと平面視で重なる部分の総厚が、前記温度センサーと平面視で重ならない部分の総厚より薄いことを特徴とする。
【００１５】
本発明では、表示領域の外縁とシール材との間に沿って延在する枠状領域では、第１基板に温度センサーが設けられている。このため、温度センサーは電気光学層に近接しているので、電気光学層の温度を温度センサーによって適正に監視することができる。また、第１基板には、電気光学層と温度センサーとの間に複数層の絶縁層が介在するが、複数層の絶縁層は、温度センサーと平面視で重なる部分の総厚が薄い。このため、電気光学層の熱が絶縁層を介して温度センサーに伝わりやすい。従って、温度センサーによって、表示領域の電気光学層の温度を適正に監視することができる。
【００１６】
本発明において、前記温度センサーの少なくとも一部と平面視で重なる領域には、前記遮光層に形成された開口部、前記遮光層に形成された切り欠き、前記遮光層の途切れ部分、または前記遮光層が部分的に薄くなっている部分が設けられている態様を採用することができる。かかる態様によれば、例えば、電気光学層に対して温度センサーとは反対側（第２基板）に遮光層が設けられている場合でも、温度センサーと平面視で重なる部分の電気光学層には、開口部や切り欠き等を介して光源光が照射されるので、表示領域の電気光学層と同様に加熱される。従って、温度センサーでの監視結果は、表示領域の電気光学層の温度との誤差が小さい。また、遮光層が第１基板に形成されている場合に遮光層の熱伝導性が低い場合でも、開口部や切り欠き等を介して電気光学層の熱が温度センサーに適正に伝わる。従って、温度センサーによって電気光学層の温度を適正に監視することができる。それ故、温度センサーによる電気光学層の温度の監視結果に遮光層が影響を及ぼしにくい。
【００１７】
本発明において、前記遮光層は、前記第２基板に設けられている態様を採用することができる。かかる態様の場合、温度センサーと平面視で重なる部分の電気光学層にも、開口部や切り欠き等を介して光源光が照射されるので、表示領域の電気光学層と同様に加熱される。従って、温度センサーでの監視結果は、表示領域の電気光学層の温度との誤差が小さい。それ故、温度センサーによる電気光学層の温度の監視結果に遮光層が影響を及ぼしにくい。
【００１８】
本発明において、前記遮光層は、黒色の樹脂によって形成されている態様を採用してもよい。例えば、前記遮光層は、前記第１基板に形成されている態様を採用してもよい。かかる態様の場合、遮光層が黒色の樹脂によって構成されているため、熱伝導性が低い場合でも、開口部や切り欠き等を介して電気光学層の熱が温度センサーに適正に伝わる。従って、温度センサーによって電気光学層の温度を適正に監視することができる。
【００１９】
本発明において、前記第１基板は、前記画素電極に電気的に接続された画素トランジスターを備え、前記温度センサーは、前記画素トランジスターの半導体層と同層に設けられたセンサー用半導体層を備えている態様を採用することができる。本発明において、前記温度センサーは、ダイオードセンサーである態様を採用することができる。
【００２０】
本発明を適用した液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に実施形態１に係る電気光学装置の構成例を示す平面図である。
【図２】図１に示す電気光学装置のＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】図１に示す液晶装置の画素の構成例を模式的に示す断面図である。
【図５】図１に示す電気光学装置に形成した温度センサーの周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。
【図６】図５に示す温度センサーの回路図である。
【図７】図５に示す温度センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る電気光学装置に形成した温度センサーの周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。
【図９】図８に示す温度センサーの回路図である。
【図１０】図８に示す温度センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。
【図１１】図８に示す温度センサーの別の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図１２】本発明の実施形態３に係る電気光学装置に形成した温度センサーの周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。
【図１３】図１２に示す電気光学装置の製造工程のうち、絶縁膜形成工程を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の実施形態４に係る電気光学装置に形成した温度センサーの周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。
【図１５】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板および液晶層が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板の基板本体が位置する側を意味する。第２基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（第１基板および液晶層が位置する側）を意味し、下層側とは第２基板の基板本体が位置する側を意味する。また、本発明において、「平面視」とは第１基板１０または第２基板２０に対する法線方向からみた様子を意味する。
【００２３】
［実施形態１］
（電気光学装置１００の具体的構成）
図１は、本発明に実施形態１に係る電気光学装置１００の構成例を示す平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＨ−Ｈ′断面図である。
【００２４】
図１および図２に示す電気光学装置１００は液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域内には、電気光学層５０が設けられている。シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。なお、液晶材料を滴下法で封入する場合は、途切れ部分１０７ｃは形成されない。
【００２５】
第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２６】
第１基板１０において、外周領域１０ｃのうち、第１基板１０が第２基板２０から張り出している側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２は、シール材１０７より外周側に設けられている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。本実施形態において、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４は一部がシール材１０７と平面視で重なっている。
【００２７】
第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗを有しており、第１基板１０（基板本体１０ｗ）の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、複数の画素トランジスター、および複数の画素トランジスターの各々に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。画素電極９ａの上層側には第１配向膜１６が形成されている。第１基板１０の一方面１０ｓの側において、外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａの外縁とシール材１０７との間に沿って延在する四角形の枠状領域１０ｂには、表示領域１０ａの辺に沿って延在する部分に、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２８】
第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗを有しており、第２基板２０（基板本体２０ｗ）の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って包含した領域として形成されている。本実施形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。
【００２９】
第２基板２０の一方面２０ｓの側において、枠状領域１０ｂには、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の電気光学層５０側の表面には第２配向膜２６が積層されている。遮光層２９と共通電極２１との間には透光性の平坦化膜２２が形成されている。遮光層２９は、枠状領域１０ｂに沿って延在する見切り用遮光層２９ａとして形成されており、見切り用遮光層２９ａの内縁によって、表示領域１０ａが規定されている。遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。見切り用遮光層２９ａはダミー画素電極９ｂと平面的に重なる位置に形成されており、見切り用遮光層２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、見切り用遮光層２９ａとシール材１０７とは重なっていない。見切り用遮光層２９ａ（遮光層２９）は、遮光性の金属膜や黒色の樹脂によって構成されている。
【００３０】
第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯＸ（ｘ≦２）、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、カラムと称せられる柱状体が第１基板１０および第２基板２０に対して斜めに形成された柱状構造体層からなる。従って、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、電気光学層５０に用いた負の誘電異方性を備えたネマチック液晶分子を第１基板１０および第２基板２０に対して斜め傾斜配向させ、液晶分子にプレチルトを付している。このようにして、電気光学装置１００は、ノーマリブラックのＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置として構成されている。
【００３１】
電気光学装置１００において、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２４ｔが形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２４ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位線６ｓに導通しており、共通電位線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２４ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２４ｔを介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。
【００３２】
本実施形態の電気光学装置１００は透過型液晶装置である。従って、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる電気光学装置１００（透過型液晶装置）では、第２基板２０の側から入射した光源光Ｌが第１基板１０から出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０あるいは第１基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、例えば、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３４】
（透光部２９ｅの構成）
本実施形態において、枠状領域１０ｂには、見切り用遮光層２９ａより光透過性が高い透光部２９ｅが形成されている。本実施形態において、透光部２９ｅは、表示領域１０ａの角に隣り合う１個所に形成されている。かかる透光部２９ｅは、遮光層２９（見切り用遮光層２９ａ）に形成された開口部２９ｆからなる。
【００３５】
電気光学装置１００を投射型表示装置等に搭載する際、電気光学装置１００は、液晶パネル１００ｐの外周領域１０ｃを第２基板２０の側から覆う枠状の板部１１０を備えたホルダ（図示せず）に保持される。板部１１０の内縁１１１は、見切り用遮光層２９ａの内縁と重なる位置よりわずかに外側に位置する。従って、光源光Ｌの一部は、透光部２９ｅに入射する。また、板部１１０が見切り用遮光層２９ａを完全に覆うように配置される場合、板部１１０において透光部２９ｅと平面視で重なる位置には透光窓が形成される。
【００３６】
（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図１および図２等を参照して説明した第１基板１０では、表示領域１０ａの内側には、走査線駆動回路１０４に接続された複数本の走査線３ａ、およびデータ線駆動回路１０１に接続された複数本のデータ線６ａが各々、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延在しており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続された画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。
【００３７】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１および図２を参照して説明した第２基板２０の共通電極２１と電気光学層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量と並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂには共通電位が供給されている。本実施形態において、容量線５ｂは走査線３ａに沿って第１方向Ｘに延在している。
【００３８】
（画素１００ａの具体的構成）
図４は、図１に示す電気光学装置１００の画素１００ａの構成例を模式的に示す断面図である。図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の走査線３ａが形成されている。走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなる。走査線３ａの上層側には、透光性の絶縁膜１１が形成されており、かかる絶縁膜１１の表面側に、半導体層３０ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。絶縁膜１１はシリコン酸化膜等からなる。
【００３９】
画素トランジスター３０は、半導体層３０ａと、半導体層３０ａと交差するゲート電極３０ｇとを備えており、半導体層３０ａとゲート電極３０ｇとの間に透光性のゲート絶縁層３０ｂを有している。半導体層３０ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。ゲート絶縁層３０ｂは、半導体層３０ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層と、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３０ｇは、ゲート絶縁層３０ｂおよび絶縁膜１１を貫通するコンタクトホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。
【００４０】
ゲート電極３０ｇの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜１２、１３、１４（複数層の絶縁層）が順に形成されており、層間絶縁膜１２、１３、１４の間等を利用して、図３を参照して説明した保持容量５５が構成されている。層間絶縁膜１２と層間絶縁膜１３との間にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されており、層間絶縁膜１３と層間絶縁膜１４との間に中継電極７ａが形成されている。データ線６ａは、層間絶縁膜１２およびゲート絶縁層３０ｂを貫通するコンタクトホール１２ａを介して半導体層３０ａのソース領域に電気的に接続している。ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜１２およびゲート絶縁層３０ｂを貫通するコンタクトホール１２ｂを介して半導体層３０ａのドレイン領域に電気的に接続している。中継電極７ａは、層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール１３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。層間絶縁膜１４は、表面が平坦面になっており、層間絶縁膜１４の表面側（電気光学層５０の側の面側）には画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホール１４ａを介して中継電極７ａに導通している。従って、画素電極９ａは、中継電極７ａおよびドレイン電極６ｂを介して画素トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続している。中継電極７ａおよびデータ線６ａ等は、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
【００４１】
（温度センサー８の構成）
図５は、図１に示す電気光学装置１００に形成した温度センサー８の周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。図６は、図５に示す温度センサー８の回路図である。図７は、図５に示す温度センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。なお、図５では、絶縁膜１１およびゲート絶縁層３０ｂ等の図示を省略してある。また、図７では、センサー用半導体層３０ｓを太い実線で示し、センサー用半導体層３０ｓの各領域の境界を細い二点鎖線で示し、ダイオードセンサー８ａの電極６ｅ〜６ｉ等を長い破線で示し、熱伝達層７ｓを太い一点鎖線で示し、コンタクトホール１２ｓを細い実線の四角形で示してある。
【００４２】
図５に示すように、電気光学装置１００の第１基板１０において、第２基板２０に形成した見切り用遮光層２９ａの開口部２９ｆ（透光部２９ｅ）と平面視で重なる位置には、図４に示す画素トランジスター３０の半導体層３０ａと同層に温度センサー８が設けられている。本実施形態において、温度センサー８は、半導体層３０ａと同層のセンサー用半導体層３０ｓを用いたダイオードセンサー８ａである。本実施形態において、温度センサー８は、図６に示すように、複数のダイオード素子８ｂを有している。ダイオードセンサー８ａでは、所望の感度を得るのに必要な数のダイオード素子８ｂが直列、あるいは並列に電気的接続される。本実施形態では、４つのダイオード素子８ｂが直列に電気的接続された場合を例示してある。
【００４３】
ダイオード素子８ｂでは、一定の電流を流した時の順方向電圧が温度によって変化する。従って、一定の電流を流した時の順方向電圧を測定することにより、ダイオードセンサー８ａを温度センサー８として利用することができる。本実施形態では、温度センサー８によって電気光学層５０の温度を監視し、電気光学装置１００の寿命の監視等に用いる。また、電気光学層５０の温度の監視結果に基づいて、電気光学装置１００での駆動条件を補正してもよい。
【００４４】
図５および図７に示すように、複数のダイオード素子８ｂの各々において、センサー用半導体層３０ｓには、高濃度Ｐ＋領域と高濃度Ｎ＋領域との間に真性半導体層（Ｉ層）が介在する。図４を参照して説明した画素トランジスター３０はＮチャネル型薄膜トランジスターであり、図３を参照して説明した走査線駆動回路１０４等では、Ｎチャネル型薄膜トランジスターとＰチャネル型薄膜トランジスターとによって構成されたＣＭＯＳ回路を備えている。従って、Ｎチャネル型薄膜トランジスターおよびＰチャネル型薄膜トランジスターを形成する際、ダイオード素子８ｂを同時に形成することができる。
【００４５】
ダイオードセンサー８ａの上層側（電気光学層５０の側）の構成は、図４を参照して説明した構造と略同様であり、ダイオードセンサー８ａと電気光学層５０との間では、複数の層間絶縁膜１２、１３、１４（複数層の絶縁層）が積層されている。従って、層間絶縁膜１２、１３のいずれかの層間を利用して、ダイオード素子８ｂに接続する複数の電極６ｅ〜６ｉが形成されている。本実施形態において、電極６ｅ〜６ｉは、図４に示すデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同層であり、層間絶縁膜１２、１３の層間に形成されている。従って、電極６ｅ〜６ｉは、層間絶縁膜１２に形成された複数のコンタクトホール１２ｓを介してダイオード素子８ｂのＮ＋層、およびＰ＋層に接続されている。より具体的には、電極６ｅは、負極用の配線として、４つのダイオード素子８ｂのうち、一方端のダイオード素子８ｂのＮ＋層に接続し、図１に示す端子１０２まで延在している。電極６ｉは、正極用の配線として、４つのダイオード素子８ｂのうち、他方端のダイオード素子８ｂのＰ＋層に接続し、図１に示す端子１０２まで延在している。電極６ｆ、６ｇ、６ｈは、中継電極であり、隣り合う２つのダイオード素子８ｂのうちの一方のダイオード素子８ｂのＮ＋層と、他方のダイオード素子８ｂのＰ＋領域に接続している。
【００４６】
複数の層間絶縁膜１２、１３、１４のうちのいずれか２つの絶縁層の間には、温度センサー８の少なくとも一部と平面視で重なる遮光性の熱伝達層７ｓが設けられている。熱伝達層７ｓは、図４に示す中継電極７ａと同層の金属層等によって構成されており、層間絶縁膜１３、１４の層間に設けられている。熱伝達層７ｓは、層間絶縁膜１２、１３、１４を構成するシリコン酸化膜より熱伝導率が高い。本実施形態において、熱伝達層７ｓは、複数のダイオード素子８ｂを一体に覆うように形成されている。
【００４７】
（本実施形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態では、表示領域１０ａの外縁とシール材１０７との間に沿って延在する枠状領域１０ｂでは、第１基板１０に温度センサー８が設けられている。このため、温度センサー８は電気光学層５０に近接しているので、電気光学層５０の温度を温度センサー８によって適正に監視することができる。また、枠状領域１０ｂには、見切り用遮光層２９ａが設けられているが、温度センサー８は、枠状領域１０ｂの一部に設けられた透光部２９ｅと重なる位置に設けられている。従って、温度センサー８による電気光学層５０の温度の監視結果に遮光層２９が影響を及ぼしにくい。具体的には、電気光学層５０に対して温度センサー８とは反対側（第２基板２０）に、透光部２９ｅが設けられているので、温度センサー８と平面視で重なる部分の電気光学層５０にも、表示領域１０ａの電気光学層５０と同様、光源光Ｌが照射される。従って、温度センサー８と平面視で重なる部分の電気光学層５０と、表示領域１０ａの電気光学層５０とでは温度差が小さいので、温度センサー８での監視結果は、表示領域１０ａの電気光学層５０の温度との誤差が小さい。
【００４８】
また、第１基板１０には、電気光学層５０と温度センサー８との間には複数の層間絶縁膜１２、１３、１４が介在するが、層間絶縁膜１３、１４の層間には、層間絶縁膜１２、１３、１４より熱伝導率が高い熱伝達層７ｓが設けられているため、電気光学層５０の熱が熱伝達層７ｓを介して温度センサー８に効率よく伝わる。従って、温度センサー８によって、表示領域１０ａの電気光学層５０の温度を適正に監視することができる。しかも、熱伝達層７ｓは遮光性であるため、枠状領域１０ｂの透光部２９ｅから光が漏れにくい。
【００４９】
［実施形態２］
図８は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００に形成した温度センサー８の周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。図９は、図８に示す温度センサー８の回路図である。図１０は、図８に示す温度センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図１１は、図８に示す温度センサー８の別の平面構成を模式的に示す説明図である。本実施形態、および後述する実施形態３、４の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。なお、図１０および図１１では、穴１３ｓに右下がりの斜線を付してある。
【００５０】
図８、図９および図１０に示すように、電気光学装置１００の第１基板１０においても、実施形態１と同様、第２基板２０に形成した見切り用遮光層２９ａの開口部２９ｆ（透光部２９ｅ）と平面視で重なる位置に、図４に示す画素トランジスター３０の半導体層３０ａと同層に温度センサー８（ダイオードセンサー８ａ）が設けられている。ダイオードセンサー８ａと電気光学層５０との間では、複数の層間絶縁膜１２、１３、１４（複数層の絶縁層）が積層されており、層間絶縁膜１２、１３の層間を利用して、ダイオード素子８ｂに接続する複数の電極６ｅ〜６ｉが形成されている。層間絶縁膜１３、１４の層間には、図４に示す中継電極７ａと同層の金属層等によって、温度センサー８に平面視で重なる遮光性の熱伝達層７ｓが設けられている。熱伝達層７ｓは、層間絶縁膜１２、１３、１４より熱伝導率が高い。
【００５１】
ここで、熱伝達層７ｓは、複数のダイオード素子８ｂに対応して複数形成されている。本実施形態において、熱伝達層７ｓは、４つのダイオード素子８ｂに対応して４つ形成されている。また、層間絶縁膜１３、１４のうち、ダイオードセンサー８ａの側に位置する層間絶縁膜１３（第１絶縁層）には、熱伝達層７ｓと重なる位置に穴１３ｓが形成されており、複数の熱伝達層７ｓは各々、層間絶縁膜１３、１４の層間と、穴１３ｓの内部とに存在する。従って、熱伝達層７ｓは、穴１３ｓの深さ分、ダイオード素子８ｂに接近している。それ故、電気光学層５０の熱は、熱伝達層７ｓを介してダイオードセンサー８ａに効率よく伝わるので、電気光学層５０の温度を温度センサー８によって適正に監視することができる。
【００５２】
本実施形態において、複数の穴１３ｓは各々、ダイオードセンサー８ａの１つの電極まで到達し、熱伝達層７ｓは、穴１３ｓを介してダイオードセンサー８ａの１つの電極に接している。例えば、複数の熱伝達層７ｓの１つは、穴１３ｓを介して電極６ｅに接し、他の１つは、穴１３ｓを介して電極６ｆに接し、他の１つは、穴１３ｓを介して電極６ｇに接し、他の１つは、穴１３ｓを介して電極６ｈに接している。このため、電気光学層５０の熱は、熱伝達層７ｓおよび電極６ｅ〜６ｉを介して温度センサー８に効率よく伝わるので、電気光学層５０の温度を温度センサー８によって適正に監視することができる。この場合でも、複数の熱伝達層７ｓは各々、ダイオードセンサー８ａの１つの電極のみに接しているので、ダイオードセンサー８ａの動作を妨げない。
【００５３】
なお、図１０に示すように、複数の穴１３ｓは各々、コンタクトホール１２ｓと交互に配置されている。但し、図１１に示すように、複数の穴１３ｓが、複数のコンタクトホール１２ｓから一方側に離間した位置に纏めて配置された態様を採用してもよい。
【００５４】
［実施形態３］
図１２は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００に形成した温度センサー８の周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。図１３は、図１２に示す電気光学装置１００の製造工程のうち、絶縁膜形成工程を示す工程断面図である。
【００５５】
図１２に示すように、電気光学装置１００の第１基板１０においても、実施形態１と同様、第２基板２０に形成した見切り用遮光層２９ａの開口部２９ｆ（透光部２９ｅ）と平面視で重なる位置には、図４に示す画素トランジスター３０の半導体層３０ａと同層に温度センサー８（ダイオードセンサー８ａ）が設けられている。ダイオードセンサー８ａと電気光学層５０との間では、複数の層間絶縁膜１２、１３、１４（複数層の絶縁層）が積層されており、層間絶縁膜１２、１３の層間を利用して、ダイオード素子８ｂに接続する複数の電極６ｅ〜６ｉが形成されている。また、層間絶縁膜１３、１４の層間には、図４に示す中継電極７ａと同層の金属層等によって、温度センサー８に平面視で重なる遮光性の熱伝達層７ｓが設けられている。熱伝達層７ｓは、層間絶縁膜１２、１３、１４より熱伝導率が高い。熱伝達層７ｓは、実施形態２と同様、層間絶縁膜１３、１４の間と、穴１３ｓの内部とに存在する。また、熱伝達層７ｓは、穴１３ｓを介して電極６ｅに接している等、穴１３ｓを介して１つの電極に接している。
【００５６】
このように構成した電気光学装置１００において、層間絶縁膜１２、１３、１４（複数層の絶縁層）は、温度センサー８を構成するダイオード素子８ｂと平面視で重なる部分の総厚が、温度センサー８を構成するダイオード素子８ｂと平面視で重ならない部分の総厚より薄い。本実施形態において、層間絶縁膜１２、１３、１４は、熱伝達層７ｓに対して電気光学層５０側でダイオード素子８ｂと平面視で重なる部分の総厚が、熱伝達層７ｓに対して電気光学層５０側でダイオード素子８ｂとで重ならない部分の総厚より薄い。
【００５７】
より具体的には、層間絶縁膜１３、１４のうち、熱伝達層７ｓに電気光学層５０側で重なる層間絶縁膜１４（第２絶縁層）には、温度センサー８を構成するダイオード素子８ｂと平面視で重なる領域に凹部１４ｓが形成されている。このため、層間絶縁膜１２、１３、１４は、熱伝達層７ｓに対して電気光学層５０側でダイオード素子８ｂと平面視で重なる部分の総厚が、熱伝達層７ｓに対して電気光学層５０側でダイオード素子８ｂとで重ならない部分の総厚より薄い。ここで、凹部１４ｓは、層間絶縁膜１４を貫通する貫通穴であり、複数層の絶縁層には、凹部１４ｓの底部で露出する熱伝達層７ｓを覆う絶縁膜１５（第３絶縁層）が含まれている。従って、層間絶縁膜１２、１３、１４については、熱伝達層７ｓに対して電気光学層５０側でダイオード素子８ｂと平面視で重なる部分の総厚を、熱伝達層７ｓに対して電気光学層５０側でダイオード素子８ｂとで重ならない部分の総厚より十分に薄くすることができる。
【００５８】
それ故、電気光学層５０とダイオードセンサー８ａとの間には複数層の層間絶縁膜１２、１３、１４が介在するが、層間絶縁膜１２、１３、１４は、ダイオード素子８ｂと平面視で重なる部分の総厚が薄いので、電気光学層５０の熱がダイオードセンサー８ａに伝わりやすい。よって、ダイオードセンサー８ａによって、表示領域１０ａの電気光学層５０の温度を適正に監視することができる。また、絶縁膜１５を形成したため、熱伝達層７ｓが凹部１４ｓの底部で露出していない。従って、熱伝達層７ｓから電気光学層５０への影響を抑制することができる。
【００５９】
かかる構成の電気光学装置１００の製造工程では、図１３に示す工程ＳＴ１において層間絶縁膜１４を形成した後、工程ＳＴ２において、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程を行い、層間絶縁膜１４に貫通穴１４ｔを形成する。次に、工程ＳＴ３において、絶縁膜１５を形成し、底部に絶縁膜１５を備えた凹部１４ｓを形成する。
【００６０】
［実施形態４］
図１４は、本発明の実施形態４に係る電気光学装置１００に形成した温度センサー８の周辺の断面構成を模式的に示す説明図である。
【００６１】
実施形態１等では、見切り用遮光層２９ａ（遮光層２９）が第２基板２０に形成されていたが、本実施形態では、図１４に示すように、第１基板１０において、層間絶縁膜１４の電気光学層５０の面に見切り用遮光層２９ａ（遮光層２９）が黒色の樹脂によって形成されている。本実施形態でも、実施形態１と同様、枠状領域１０ｂには透光部２９ｅ（開口部２９ｆ）が形成されている。また、透光部２９ｅと平面視で重なる位置には、図４に示す画素トランジスター３０の半導体層３０ａと同層に温度センサー８が設けられている。本実施形態でも、実施形態１と同様、温度センサー８は、半導体層３０ａと同層のセンサー用半導体層３０ｓを用いたダイオードセンサー８ａであり、層間絶縁膜１２、１３の層間には複数の電極６ｅ〜６ｉが形成されている。また、層間絶縁膜１３、１４の層間には遮光性の熱伝達層７ｓが設けられている。
【００６２】
このように構成した電気光学装置１００では、見切り用遮光層２９ａ（遮光層２９）が黒色の樹脂によって構成されているため、熱伝導性が低い。このような場合でも、温度センサー８が透光部２９ｅ（開口部２９ｆ）と平面視で重なる位置に設けられているので、電気光学層５０から温度センサー８に熱が適正に伝わる。従って、温度センサー８によって電気光学層５０の温度を適正に監視することができる。また、熱伝達層７ｓが遮光性であるため、透光部２９ｅ（開口部２９ｆ）を通過した光が漏れにくい。
【００６３】
［他の実施形態］
上記実施形態では、表示領域１０ａの１つの角に透光部２９ｅおよび温度センサー８が設けられていたが、表示領域１０ａの複数の角に透光部２９ｅおよび温度センサー８を設けてもよい。また、表示領域１０ａの辺に沿うように透光部２９ｅおよび温度センサー８を設けてもよい。上記実施形態では、温度センサー８がダイオードセンサー８ａによって構成され、画素トランジスター３０と同一層の半導体層を用いていたが、画素トランジスター３０と異なる半導体層を用いてもよい。上記実施形態では、温度センサー８がダイオードセンサー８ａによって構成されていたが、温度センサー８が、半導体層等を利用した抵抗線等によって構成されている場合に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、透光部２９ｅが遮光層２９（見切り用遮光層２９ａ）の開口部によって構成されていたが、透光部２９ｅは遮光層２９より光透過性が高ければよいので、遮光層２９に形成された切り欠き、遮光層２９の途切れ部分、または遮光層２９が部分的に薄くなっている部分によって透光部２９ｅを形成してもよい。
【００６４】
本発明が適用される電気光学装置１００はＶＡモードの液晶装置に限定されない。例えば、電気光学装置１００がＴＮ（Twisted Nematic）モードやＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードの液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。また、上記実施形態では、透過型液晶装置を例示したが、反射型液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００６５】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。ここでは、本発明に係る電子機器として、投射型表示装置（液晶プロジェクター）を例に説明する。図１５は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の説明図である。
【００６６】
図１５に示す投射型表示装置２１００においては、上述した透過型の電気光学装置１００がライトバルブとして用いられている。投射型表示装置２１００には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から出射された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂに各々導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００６７】
投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００を含む液晶装置がＲ色、Ｇ色、Ｂ色の各々に対応して３組設けられている。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した透過型の電気光学装置１００と同様である。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによって変調された光は各々、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。
【００６８】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００６９】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、６ｂ…ドレイン電極、６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈ、６ｉ、…電極、７ａ…中継電極、７ｓ…熱伝達層、８…温度センサー、８ａ…ダイオードセンサー、８ｂ…ダイオード素子、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１０ｂ…枠状領域、１５…絶縁膜、１２、１３、１４…層間絶縁膜、１２ａ、１２ｂ、１２ｓ、１３ａ、１４ａ…コンタクトホール、１３ｓ…穴、１４ｓ…凹部、２０…第２基板、２１…共通電極、２９…遮光層、２９ａ…見切り用遮光層、２９ｂ…ブラックマトリクス部、２９ｅ…透光部、２９ｆ…開口部、３０…画素トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｓ…センサー用半導体層、５０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１００ａ…画素、１００ｐ…液晶パネル、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、１０７…シール材、１１０…板部、１１１…内縁、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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