(57)【要約】【課題】横方向のリーク電流を抑制する表示装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】表示装置であって、第１の電極と、第１の電極と隣接する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に配置される隔壁と、隔壁の上に配置される配線と、第１の電極と第２の電極と隔壁と配線とを覆う有機層と、有機層を覆う第３の電極と、を含み、配線と第３の電極との間に有機層が配置され、配線の幅は第１の電極と第２の電極との間の長さよりも狭く、配線と第３の電極との間の抵抗値は、第１の電極と第２の電極層との間の抵抗値よりも高い。【選択図】図３
2018194572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極と隣接する第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される隔壁と、
前記隔壁の上に配置される配線と、
前記第１の電極と前記第２の電極と前記隔壁と前記配線とを覆う有機層と、
前記有機層を覆う第３の電極と、
を含み、
前記配線と前記第３の電極との間に、前記有機層が配置され、
前記配線の幅は前記第１の電極と前記第２の電極との間の長さよりも狭く、
前記配線と前記第３の電極との間の抵抗値は、前記第１の電極と前記第３の電極との間の抵抗値よりも高い、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記配線と前記第３の電極との間の前記有機層は劣化している、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記隔壁と、前記配線とは接している、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記配線が前記隔壁と接する部分の幅は、前記配線が接する前記隔壁の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
さらに、発光層を含み、
前記発光層は、前記配線と、前記配線と隣接する配線との間に配置され、互いに独立している、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
互いに隣接する前記発光層の間隔よりも、前記配線の幅は細く、かつ、互いに隣接する前記発光層の間隔よりも、前記隔壁の幅は太いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記有機層、及び前記第３の電極は、それぞれが連続的に繋がっている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記有機層は、電子輸送層と、ホール輸送層と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
第１の電極を複数有する第１の電極層と、
第２の電極層と、
一方向と前記一方向に交差する方向に配列される複数の発光層と、
有機層と、
前記一方向と前記一方向に交差する方向に延伸する配線を複数有する配線層と、隔壁と、
を含み、
前記隔壁の上に接するように前記配線が配置され、
前記配線と前記第２の電極層との間に、前記有機層が配置され、
前記配線は、電気的に接続され、
前記発光層は前記配線と前記配線と隣接する配線との間に配置され、
前記配線が電気的に接続される領域を二つ以上有し、
前記領域のそれぞれは互いに電気的に切り離されている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
隣接する前記発光層が互いに異なる色を発光する場合、前記発光層の間に配置される前記配線は、互いに電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光層は、前記配線と前記配線と隣接する配線との間に配置され、互いに独立している、
ことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記一方向と前記一方向と交差する方向に複数の前記第１の電極は配列され、互いに隣接する前記第１の電極の間には前記隔壁が充填されている、
ことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記配線が前記隔壁と接する部分の幅は、前記配線が接する前記隔壁の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
互いに隣接する前記発光層の間隔よりも、前記配線の幅は細く、かつ、互いに隣接する前記発光層の間隔よりも、前記隔壁の幅は太いことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記有機層、及び前記第２の電極は、それぞれが連続的に繋がっている、
ことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記有機層は、電子輸送層と、ホール輸送層と、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は表示装置において画素が配列される領域の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置（以下、ＥＬ表示装置と記す）は、基板上に形成された複数の画素内の各々に複数のトランジスタ、容量素子及び有機発光素子（以下、発光素子と記す）で構成されている。発光素子は、例えば、陽極、陰極及びＥＬ層から構成される。発光素子は、例えば、陽極及び陰極与えられた電位差により、キャリア（電子、ホール）が陽極及び陰極からＥＬ層へ注入され、キャリアの再結合がＥＬ層内で生じ、ＥＬ層に含まれる有機化合物が励起状態となり、この励起状態が基底状態へ緩和する際にエネルギーが放出されることで、発光する。各画素は、画素を制御する信号により駆動される。各画素が有するトランジスタの駆動を信号により制御することで、発光素子に供給される電流が制御され、ＥＬ表示装置は映像を表示することができる。近年、表示装置において、映像をきめ細かく表示する要求が高まっている。すなわち、ＥＬ表示装置の高精細化への要求が高まっている。表示装置が高精細になると、映像のデータ量も多くなり、消費電力が増大することから、低消費電力化の要求も高い。
【０００３】
ＥＬ表示装置の高精細化が進むと、画素と画素との距離が近くなるため、隣接する画素間に流れるリーク電流（以下、「横方向のリーク電流」ともいう）の影響が顕在化される。また、ＥＬ表示装置の消費電力を下げるため、ＥＬ層に導電率が高い材料を用いることで、陽極と陰極との印加電圧の差を小さくすることが考えられるが、材料の移動度が高いゆえに、横方向のリーク電流も大きくなってしまう。ＥＬ表示装置において、横方向のリーク電流は、隣接する画素を発光させ、色純度が低下する可能性がある。例えば、特許文献１には、横方向のリーク電流を少なくするＥＬ表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−８５９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のＥＬ表示装置は、横方向のリークを抑制するためにバイアス回路が必要となる。バイアス回路はＥＬ表示装置で画像を表示するとき動作させる必要があるため、消費電力が増加することが懸念される。
【０００６】
このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、横方向のリーク電流を抑制する表示装置を提供することを目的の一つとする。また、本発明の一実施形態は、消費電力が小さい表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態は表示装置であって、第１の電極と、第１の電極と隣接する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に配置される隔壁と、隔壁の上に配置される配線と、第１の電極と第２の電極と隔壁と配線とを覆う有機層と、有機層を覆う第３の電極と、を含み、配線と第３の電極との間に有機層が配置され、配線の幅は第１の電極と第２の電極との間の長さよりも狭く、配線と第３の電極との間の抵抗値は、第１の電極と第３の電極との間の抵抗値よりも高い。
【０００８】
本発明の一実施形態は表示装置であって、第１の電極を複数有する第１の電極層と、第２の電極層と、一方向と一方向に交差する方向に配列される複数の発光層と、有機層と、一方向と一方向に交差する方向に延伸する配線を複数有する配線層と、隔壁と、を含み、隔壁の上に接するように配線が配置され、配線と第２の電極層との間に有機層が配置され、配線は電気的に接続され、発光層は配線と当該配線と隣接する配線との間に配置され、当該配線が電気的に接続される領域を二つ以上有し、領域のそれぞれは互いに電気的に切り離されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な平面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素の構成を示す模式的な断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素の構成を示す模式的な断面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素の構成を示す模式的な断面図。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の回路構成示す模式的な平面図。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素回路を示す模式的な平面図。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図。
【図１８】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図。
【図１９】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図。
【図２０】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図。
【図２１】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図。
【図２２】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図。
【図２３】本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する模式的な断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１１】
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。
【００１２】
本明細書において説明される第１基板は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に絶縁層、半導体層及び導電層の各層、あるいはトランジスタ及び発光素子等の各素子が設けられる。以下の説明では、断面視において、第１基板の一主面を基準とし、第１基板に対して「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する場合には、特に断りのない限り、第１基板の一主面を基準にして述べるものとする。
【００１３】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置（以下、表示装置と記す）１００の模式的な平面図である。
【００１５】
図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００が有する画素と配線の模式的な平面図であり、図１のＢを拡大した図である。
【００１６】
図３及び図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００が有する画素の構成を示す模式的な断面図であり、図１及び図２に示すＡ１とＡ２の間の断面図である。
【００１７】
表示装置１００は、第１の電極（画素電極）１６２と、第１の電極（画素電極）１６２と隣接する第１の電極（画素電極）と、第１の電極（画素電極）１６２と隣接する第１の電極（画素電極）との間に配置される隔壁１６８とを含む。また、隔壁１６８の上に配置される配線２０７と、第１の電極（画素電極）１６２と、第１の電極（画素電極）１６２と隣接する第１の電極（画素電極）と、隔壁１６８と、配線２０７とを覆う有機層３００とを含み、配線２０７と第２の電極層１６６との間に有機層３００が配置される。配線２０７の幅は、第１の電極（画素電極）１６２と、第１の電極（画素電極）１６２と隣接する第１の電極（画素電極）との間の長さよりも狭い。また、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えることで、配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値を高くすることができる。なお、有機層３００は、隣接する画素電極間において、連続する少なくとも一つの層を含む。また、連続する少なくとも一つの層は、ホールや電子などのキャリアを輸送する導電性を有している。例えば、有機層３００は、電子輸送層１７４及びホール輸送層１７０の少なくとも一方から構成されていてもよい。また、第１の電極１６２と第２の電極層１６６との間には発光層１７６が含まれる。第１の電極１６２と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えると、電子輸送層１７４からは電子が、ホール輸送層１７０からはホールが、発光層１７６に注入されることから、第１の電極１６２と第２電極層１６６との間には電流が流れるため、抵抗値を小さくできる。よって、配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値は、第１の電極１６２と第２電極層１６６との間の抵抗値よりも高くなっている。なお、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに印可された電圧の電位差（Ｖ１）は、第１の電極１６２と第２電極層１６６のそれぞれに印可された電圧の電位差（Ｖ２）よりも大きいことが好ましい。
【００１８】
表示装置１００は、第１の電極１６２を複数有する第１の電極層と、第２の電極層１６６と、一方向と一方向に交差する方向に配列される複数の発光層１７６と、有機層３００と、一方向と一方向に交差する方向に延伸する配線２０７を複数有する配線層と、隔壁１６８とを含む。また、表示装置１００は、隔壁１６８の上に接するように配線２０７が配置され、配線２０７と第２の電極層１６６との間に有機層３００が配置され、配線２０７は電気的に接続される。そして、前述したように、配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値は、第１の電極１６２と第２の電極層１６６との間の抵抗値よりも高くなっている。なお、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに印可された電圧の電位差（Ｖ１）は、第１の電極１６２と第２電極層１６６のそれぞれに印可された電圧の電位差（Ｖ２）よりも大きいことが好ましい。
【００１９】
また、配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値が高くなることは、配線２０７と第２の電極層１６６との間に配置される電子輸送層１７４及びホール輸送層１７０を含む有機層３００の絶縁性が高くなると換言してもよい。本発明の一実施形態においては、抵抗値が高くなること、または、絶縁性が高くなることを、劣化していると換言してもよい。例えば、有機層３００は劣化すると、劣化する前と比較して大きな電圧を印加しないと、同じ電流を流すことはできないことが知られている。すなわち、有機層３００の劣化は、抵抗値が大きいことと換言することができる。
【００２０】
以上のような構成とすることで、一つの副画素を発光させるため、その副画素の第１の電極１６２と、第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えた際に、ホール輸送層１７０から励起されたホールが当該副画素に隣接する副画素の端部に移動しようとしても、配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値が高くなっているため、当該ホールは、隣接する副画素の端部に到達することを防ぐことができる。すなわち、横方向のリーク電流が抑制され、隣接する画素が発光するのを防ぐことができるため、混色を防ぐことができる。よって、表示装置の色純度を低下させることがなく、鮮明な映像を表示することができる表示装置を提供することができる。
【００２１】
図１に示すように、表示装置１００は、基板１０４、表示領域１０２、配線２０７、第２の電極層１６６、画素１２０を有する。表示領域１０２、配線２０７、第２の電極層１６６、及び画素１２０は、基板１０４の上に設けられる。表示領域１０２には複数の画素１２０が備えられる。画素１２０は副画素１３０、１３２、１３４を有する。表示領域１０２の外には、画素１２０の駆動を制御するための走査線駆動回路１２６及びＩＣチップ１２４が設けられる。ここでは、走査線駆動回路１２６及びＩＣチップ１２４は基板１０４の上に設けられる例を示すが、この例に限定されない。例えば、基板１０４とは異なる基板（半導体基板など）の上に形成された駆動回路を、基板１０４やフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板などのコネクタ２１４の上に設け、これらの駆動回路によって各画素１２０を制御してもよい。また、走査線駆動回路１２６及びＩＣチップ１２４が有する回路の一部または全部を基板１０４とは異なる基板の上に形成し、基板１０４やコネクタ２１４の上に設ける構成としてもよい。また、ＩＣチップ１２４に含まれる駆動回路あるいは駆動回路の一部が、基板１０４の上に直接形成されてもよい。なお、ここでは図示していないが、基板１０４の上には、画素１２０内に設けられる発光素子などの表示素子、およびそれらを制御するための各種半導体素子が形成される。なお、理解の促進のため、図１では、配線２０７を線で示しているが、配線２０７は、図２に示すように幅を有している。
【００２２】
また、表示装置１００は、第１の配線２０６、コンタクトホール２０８、第１の端子配線２１０、第１の端子２１２、第２の配線２１６、コンタクトホール２１８、第２の端子配線２２０、第２の端子２２２、第３の端子１２２なども有する。これらも、走査線駆動回路１２６などと同様に、基板１０４の上に設けられる。
【００２３】
また、配線２０７が、一方向と一方向に交差する方向とに延伸し、電気的に接続されている。また、配線２０７は、副画素が有する発光層１７６と隣接する副画素の発光層１７６との間に配置される。さらに、配線２０７は、表示領域１０２の外から延びる第１の配線２０６と電気的に接続される。第１の配線２０６は表示領域１０２の外を延伸し、コンタクトホール２０８を介して第１の端子配線２１０と電気的に接続される。第１の端子配線２１０は表示装置１００の端部付近で露出され、第１の端子２１２を形成する。第１の端子２１２はコネクタ２１４と接続され、配線２０７に印可する電圧が、外部回路（図示せず）から第１の端子２１２を経由して、配線２０７に与えられる。
【００２４】
同様に、第２の電極層１６６は、表示領域１０２の外から延びる第２の配線２１６と電気的に接続される。第２の配線２１６は表示領域１０２の外を延伸し、コンタクトホール２１８を介して第２の端子配線２２０と電気的に接続される。第２の端子配線２２０は表示装置１００の端部付近で露出されて第２の端子２２２を形成する。第２の端子２２２はコネクタ２１４と接続され、第２の電極層１６６に印可される電圧が外部回路から第２の端子２２２を経由して第２の電極層１６６に与えられる。
【００２５】
さらに、表示領域１０２内の画素１２０への信号の供給は、外部回路（図示せず）から第３の端子１２２、捜査線駆動回路１２６及びＩＣチップ１２４を経由して、行われる。第１の端子２１２、第２の端子２２２、第３の端子１２２は、表示装置１００の一つの辺に並ぶように形成することができる。このため、単一のコネクタ２１４を用いて、表示領域１０２、配線２０７、第２の電極層１６６などへ、電圧や信号を供給することができる。
【００２６】
なお、画素１２０は、ストライプ配列で、三つの副画素１３０、１３２、１３４で一つの画素１２０が形成されるように配置される例を示している。各副画素には発光素子などの表示素子が一つ備えられる。副画素が対応する色は発光素子、あるいは副画素上に設けられるカラーフィルタの特性によって決定される。本明細書及び請求項では、画素１２０とは、それぞれ一つの発光素子を有し、かつ、少なくとも一つは異なる色を与える副画素を複数備え、表示領域１０２で再現される映像の一部を構成する最小単位である。表示領域１０２が有する副画素はいずれかの画素１２０に含まれる。
【００２７】
また、ストライプ配列では、三つの副画素１３０、１３２、１３４が互いに異なる色を与えるように構成することができ、例えば、副画素１３０、１３２、１３４にそれぞれ、赤色、緑色、青色の三原色を発する発光層を備えることができる。そして、三つの副画素のそれぞれに２５６段階の電圧あるいは電流を供給することで、フルカラーの表示装置を提供することができる。発光層が互いに異なる色を発光する場合、発光層と発光層との間に配置される配線２０７は、互いに電気的に接続される。なお、隣接する副画素が有する発光層が同じ色を発光する場合、発光層と発光層との間に配置される配線２０７は、電気的に接続されなくてもよい。配線２０７が互いに電気的に接続されることで、第２の電極層１６６と配線２０７とのそれぞれに一様に電圧を印加し、電位差を与えることができるため、配線２０７と第２の電極層１６６との間に配置される電子輸送層１７４及びホール輸送層１７０を、一様に高抵抗化させることができる。
【００２８】
図２は、図１のＢの拡大である。なお、第２の電極層１６６、電子輸送層１７４、及びホール輸送層１７０は全面に配置されている。
【００２９】
図３に示すように、副画素１３０では、無機絶縁膜１５０の上に第１の電極１６２及び隔壁１６８が配置される。また、第１の電極１６２の上にはホール輸送層１７０、発光層１７６、電子輸送層１７４、第２の電極層１６６、層（第１の無機膜）１８２、層（第２の無機膜）１８６、層（有機膜）１８４、層間絶縁膜１９０、及びカバーフィルム２６８が配置される。発光層１７６は発光層１７６Ｒ、発光層１７６Ｇ、及び発光層１７６Ｂから構成される。配線２０７の上に配置されるホール輸送層、電子輸送層、及び第２の電極は、それぞれが連続的に繋がっている。さらに、隔壁１６８の上には配線２０７が配置され、隔壁１６８と配線２０７とは接している。画素１３２、及び画素１３４も、画素１３０と同様である。なお、ここでは、カバーフィルム２６８を配置される例を示すが、この例に限定されず、カバーフィルム２６８は配置されなくてもよい。なお、図３は、理解の促進ため、無機絶縁膜１５０、第１の電極１６２よりも上の構造の断面を示している。
【００３０】
また、発光層１７６Ｒ、発光層１７６Ｇ、及び発光層１７６Ｂのそれぞれは、配線２０７と隣接する配線２０７との間に配置される。なお、前述のように、配線２０７は、一方向と一方向に交差する方向とに延伸し、電気的に接続されている。発光層１７６Ｒと、発光層１７６Ｇと、発光層１７６Ｂと、配線２０７とが互いに独立して配置されることで、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えた際に、発光層１７６Ｒ、発光層１７６Ｇ、及び発光層１７６Ｂのそれぞれと配線２０７とがショートすることなく、かつ、配線２０７と第２の電極層１６６との間に配置される電子輸送層１７４及びホール輸送層１７０を高抵抗化、あるいは、劣化させることができる。
【００３１】
また、配線２０７が隔壁１６８と接する部分の幅は、配線２０７が接している隔壁１６８の幅よりも狭いことがわかる。換言すると、配線２０７の底部の幅は、隔壁１６８の上部の幅よりも狭い。こうすることで、隔壁１６８の上に、配線２０７を確実に接するように配置することができる。また、隔壁１６８の上に、配線２０７が配置されるため、配線２０７と第２の電極層１６６とを近くすることができ、電子輸送層１７４及びホール輸送層１７０を高抵抗化しやすくできる。
【００３２】
図４は、図３において、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えた後に、電子輸送層１７４及びホール輸送層１７０が高抵抗な状態となっている様子を模式的に示している。例えば、図４では、高抵抗な状態となっている様子を、高抵抗な領域３５０と呼び、模式的に示している。高抵抗な領域３５０は、隣接する第１の電極１６２（画素電極）間において連続する層の一部が高抵抗化（劣化）されている。高抵抗な状態は、劣化している状態と、換言してもよい。なお、図４も、理解の促進ため、無機絶縁膜１５０、第１の電極１６２よりも上の構造の断面を示している。なお、高抵抗な領域３５０は、全体が高抵抗な状態となっていても良いし、外郭部分から中央部分にかけて徐々に抵抗が高くなっていてもよい。
【００３３】
また、配線２０７は、副画素１３０の発光層１７６Ｒと、隣接する副画素１３２の発光層１７６Ｇの間に、独立して配置されている。図３においては、配線２０７は、発光層１７６Ｒと発光層１７６Ｇのそれぞれと隙間を有している例を示している。そして、その隙間には、電子輸送層１７４、ホール輸送層１７０の少なくとも一方が配置されている。また、配線２０７の底部の幅は、隔壁１６８の上部の幅よりも狭い。かつ、配線２０７と隣接する副画素１３２の発光層１７６Ｇとの間隔よりも、隔壁１６８の上部の幅が太い。こうすることで、第２の電極層１６６と配線２０７とに電圧を印加した際に、第２の電極層１６６と、配線２０７と隣接する発光層１７６Ｒと、発光層１７６Ｂとのそれぞれとを、高抵抗な領域３５０を隔てて、確実に分離することができる。すなわち、高抵抗な領域３５０を第２の電極層１６６と配線２０７との間に形成し、隣接する副画素間で横方向のリーク電流を抑制することができる。なお、発光層１７６Ｒ、発光層１７６Ｇ、及び発光層１７６Ｂのそれぞれの端部は配線２０７に被っていてもよい。発光層１７６Ｒ、発光層１７６Ｇ、及び発光層１７６Ｂのそれぞれの端部が配線２０７に被ることで、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えた際に、配線２０７に被る発光層１７６Ｒ、発光層１７６Ｇ、及び発光層１７６Ｂの端部も高抵抗な領域３５０の一部となるため、隣接する副画素間で横方向のリーク電流を抑制することができ、隣接する画素が発光することを防ぐことができる。
【００３４】
また、副画素１３０は赤色に対応する発光層１７６Ｒと第１の電極１６２とを有する。副画素１３２は緑色に対応する発光層１７６Ｇと第１の電極１６２とを有する。副画素１３４は青色に対応する発光層１７６Ｂと第１の電極１６２とを有する。互いに隣接する第１の電極１６２同士は、隔壁１６８により分離されている。さらに、互いに隣接する第１の電極１６２同士と、配線２０７とは、隔壁１６８により分離されている。こうすることで、第１の電極１６２同士と、配線２０７とがショートすることがなく、隣接する副画素間で横方向のリーク電流を抑制することができる。
【００３５】
なお、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加することは、配線２０７と第２の電極層１６６とが配置された後であれば、どの段階で行ってもよい。例えば、表示装置１００の製造が終了した直後でもよいし、表示装置１００を出荷する直前でもよい。また、配線２０７に印可される電圧は、第２の電極層１６６に印可される電圧と比較して高い方が好ましい。
【００３６】
図５は、図４に示されたＣの領域を拡大した図である。高抵抗な領域３５０は、配線２０７の上面だけでなく、配線２０７の側面あるいは側壁及び隔壁１６８と接する領域に存在してもよい。一例として、配線２０７と、第２の電極１６６との間に配置される電子輸送層１７４と、ホール輸送層１７０と、配線２０７の上面と、配線２０７の上に配置される第２の電極１６６の面とが、理想的な平面であり、それぞれが平行になっている場合、高抵抗な領域３５０は、配線２０７の上面と、配線２０７の上に配置される第２の電極１６６の面との間の領域となる。そして、高抵抗な領域３５０の抵抗値をＲとすると、配線２０７の上面と、配線２０７の上に配置される第２の電極１６６の面とが重なる部分の面積をＳ、電子輸送層１７４の厚さをＨ１、電子輸送層１７４の抵抗率をｒ１、ホール輸送層１７０の厚さをＨ２、ホール輸送層１７０の抵抗率をｒ２とした場合、数式（１）で示すことができる。
【００３７】
【数１】
2018194572.tif 000003
【００３８】
本発明の一実施形態においては、配線２０７と第２電極層１６６との間の有機層３００が、電子輸送層１７４と、ホール輸送層１７０とから構成されている例を示すが、この例に限定されない。有機層３００は、ホール注入層と、ホール輸送層と、電子注入層と、電子輸送層など、複数の層から構成されていてもよい。有機層３００が複数の層から構成される場合、高抵抗な領域３５０の抵抗値Ｒｎは、層の数をｎ、それぞれの層の厚さをＨｎ、それぞれの層の抵抗率をｒｎとし、数式（２）で示すことができる。
【００３９】
【数２】
2018194572.tif 000004
【００４０】
図６に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の回路構成の平面模式図を示す。表示装置１００は、少なくとも、表示領域１０２、各種配線４０９、４１０、４２８、走査信号線駆動回路１２６、ＩＣチップ１２４、端子領域４１４を有する。なお、表示領域１０２は、複数の画素１２０を有している。
【００４１】
走査信号線駆動回路１２６及びＩＣチップ１２４は、複数の画素１２０の各々に設けられた画素回路４３０を駆動し、複数の画素１２０の発光を制御する。
【００４２】
走査線駆動回路１２６は、複数の走査信号線４１０に接続されている。複数の走査信号線４１０は、複数の画素１２０の水平方向の並び（行）毎に設けられている。走査線駆動回路１２６は、複数の端子電極１２２から入力されるタイミング信号及び電源などに応じて複数の走査信号線４１０を順番に選択する。
【００４３】
ＩＣチップ１２４は、複数の映像信号線４０９に接続されている。複数の映像信号線４０９は、複数の画素１２０の垂直方向の並び（列）毎に設けられている。ＩＣチップ１２４は、複数の端子電極１２２から映像信号を入力され、走査線駆動回路１２６による走査信号線４１０の選択に合わせて、選択された画素の映像信号に応じた電圧を複数の映像信号線４１０の各々を介して書き込む。また、ＩＣチップ１２４は、複数の端子電極１２２から供給された電流を、各々の駆動電源線４２８に供給し、選択された行の画素１２０を発光させる。
【００４４】
複数の画素１２０は、行方向及び列方向に配列されている。画素１２０の配列数は任意である。例えば、行方向（Ｘ方向）にｍ個、列方向（Ｙ方向）にｎ個の画素１２０が配列される（ｍ及びｎは整数）。表示領域１０２において、複数の走査信号線４１０は行方向に配設され、複数の映像信号線４０９は列方向に配設される。
【００４５】
図７に、本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素１２０の画素回路４３０の回路図を示す。なお、以下で説明する画素回路４３０の回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。
【００４６】
複数の画素回路４３０の各々は、少なくとも駆動トランジスタ４３４、選択トランジスタ４３２、発光素子４３６及び保持容量４３８を含む。
【００４７】
駆動トランジスタ４３４は、発光素子４３６に接続され、発光素子４３６の発光輝度を制御するトランジスタである。駆動トランジスタ４３４は、ゲート−ソース間電圧によってドレイン電流が制御される。駆動トランジスタ４３４は、ゲートが選択トランジスタ４３２のドレインに接続され、ソースが駆動電源線４２８に接続され、ドレインが発光素子４３６の陽極に接続されている。
【００４８】
選択トランジスタ４３２は、オンオフ動作により、映像信号線４０９と駆動トランジスタ４３４のゲートとの導通状態を制御するトランジスタである。選択トランジスタ４３２は、ゲートが走査信号線４１０に接続され、ソースが映像信号線４０９に接続され、ドレインが駆動トランジスタ４３４のゲートに接続されている。
【００４９】
発光素子４３６は、陽極が駆動トランジスタ４３４のドレインに接続され、陰極が基準電源線４２６に接続されている。
【００５０】
保持容量４３８は、駆動トランジスタ４３４のゲート−ドレイン間に接続される。保持容量４３８は、駆動トランジスタ４３４のゲート−ドレイン間電圧を保持する。
【００５１】
ここで、図７に記載のように基準電源線４２６は、複数の画素１２０に共通して設けられている。基準電源線には、複数の端子電極１２２から定電位が与えられる。
【００５２】
図８は、本発明の一実施形態に係る表示装置の画素と配線を示す模式的な図である。図１では、画素１２０は、ストライプ構造で、三つの副画素１３０、１３２、１３４で一つの画素１２０が形成されるように配置される例を示したが、画素の構造は図１に示す構造に限定されない。図８に示すように、対応する色が異なる二つの副画素が一つの画素１２０に含まれていてもよい。例えば、一つの画素１２０は赤色に対応する副画素１３０と緑色に対応する副画素１３２を備え、それに隣接する画素１２０は青色に対応する副画素１３４と、緑色に対応する副画素１３２を備えることができる。この場合、再現される色域が隣接する画素１２０間で異なることになる。
【００５３】
また、図９に示すように、隣接する副画素において、対応する色が同じ場合は、配線２０７が設けられなくてもよい。これは隣接する副画素で対応する色が同じである場合は、電気混色が実質的に問題にならないからである。ある副画素が発光した時、その隣の同じ色の副画素が電気混色によりわずかに発光したとしても、同じ色であり、発光が弱く、さらに発光箇所が非常に互いに近いために人間の目には殆ど認識されない。逆に隣接する副画素で対応する色が互いに異なる場合は、違う色が隣接箇所で不所望な発光を行うこととなり、人間の目に色度の違いとして認識されるため、電気混色が問題となる。よって本発明のような配線２０７が設けられる。さらに、図１０に示すように、隣接する副画素において、対応する色が同じ場合は、設けられた配線２０７が電気的に接続されていなくてもよい。配線２０７が設けられていない領域、あるいは、配線２０７が電気的に接続されていない領域を設けることで、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えた際に、高抵抗になる、または劣化する箇所を減らすことができる。すなわち、高抵抗化または劣化処理時の熱発生を抑えることができるため、発光素子の劣化を防ぐことができる。
【００５４】
また、各画素１２０内の副画素の面積は同一である必要はない。例えば、図１１に示すように、一つの副画素が他の二つの副画素と異なる面積を有していてもよい。この場合、例えば青色を与える副画素１３４を最も大きな面積で形成し、緑色と赤色を与える副画素１３２と１３０は同一の面積を有するように形成してもよい。なお、図１１に示すように、一つの副画素が他の二つの副画素と異なる面積を有していても、配線２０７は隣接する副画素間に設けることができる。
【００５５】
また、図１２に示すように、一つの副画素が他の二つの副画素と異なる面積を有していても、隣接する副画素において、対応する色が同じ場合は、配線２０７が設けられなくてもよい。さらに、図１３に示すように、一つの副画素が他の二つの副画素と異なる面積を有していても、隣接する副画素において、対応する色が同じ場合は、設けられた配線２０７が電気的に接続されていなくてもよい。配線２０７が設けられていない領域、あるいは、配線２０７が電気的に接続されていない領域を設けることで、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えた際に、高抵抗になる、または劣化する箇所を減らすことができる。すなわち、高抵抗化または劣化処理時の熱発生を抑えることができるため、発光素子の劣化を防ぐことができる。
【００５６】
さらに、画素１２０の配列は、図１４に示すように、所謂、ダイヤモンドペンタイル配列としてもよい。ダイヤモンドペンタイル配列においては、一つの画素１２０は、赤色を与える副画素１３０と、青色を与える副画素１３４がそれぞれ二つ、緑色を与える副画素１３２が四つ含まれる。ダイヤモンドペンタイル配列においても、配線２０７は隣接する副画素間に設けることができる。
【００５７】
以上のような構成とすることで、横方向のリーク電流をなくすことができるため、表示装置が画像を表示していても、隣接する画素が発光することを防ぐことができる。また、表示装置は、表示する画像の色純度を低下させることなく、鮮明な表示を提供することができる。さらに、以上のような構成とすることで、リーク電流をなくすことができるため、消費電流を低減し、低電力な表示装置を提供することができる。また、以上のような構成とすることで、高精細化と低消費電力化を両立することができる表示装置を提供することができる。
【００５８】
（第２実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置が有する表示領域において、複数の配線が配置される領域を２箇所に分割した構成を説明する。なお、第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
【００５９】
図１５は、本発明の一実施形態に係る表示装置２００が有する表示領域１０２において、配線２０７が配置される領域を２箇所に分割した構成を示す模式的な平面図である。
【００６０】
表示装置２００は、配線２０７が一方向と一方向に交差する方向とに延伸し電気的に接続されている領域Ａ、及び、同様の領域Ｂを有する。領域Ａと領域Ｂとは互いに独立しており、配線２０７で電気的に接続されていない。各領域においては、配線２０７は、副画素が有する発光層１７６Ｒ、または発光層１７６Ｇ、または発光層１７６Ｂの何れか一つと、隣接する副画素が有する発光層１７６Ｒ、または発光層１７６Ｇ、または発光層１７６Ｂの何れか一つとの間に配置される。また、配線２０７は、さらに、領域Ａが有する配線２０７は、表示領域１０２の外から延びる第１の配線２０６と電気的に接続される。第１の配線２０６は表示領域１０２の外を延伸し、コンタクトホール２０８を介して第１の端子配線２１０と電気的に接続される。第１の端子配線２１０は表示装置１００の端部付近で露出され、第１の端子２１２を形成する。第１の端子２１２はコネクタ２１４と接続され、領域Ａが有する配線２０７に印可する電圧が、外部回路（図示せず）から第１の端子２１２を経由して、領域Ａが有する配線２０７に与えられる。
【００６１】
領域Ｂが有する配線２０７も同様に、表示領域１０２の外から延びる第２の配線２０６Ｂと電気的に接続される。第２の配線２０６Ｂは表示領域１０２の外を延伸し、コンタクトホール２０８Ｂを介して第２の端子配線２１０Ｂと電気的に接続される。第２の端子配線２１０Ｂは表示装置１００の端部付近で露出され、第２の端子２１２Ｂを形成する。第２の端子２１２Ｂはコネクタ２１４と接続され、領域Ｂが有する配線２０７に印可する電圧が、外部回路（図示せず）から第２の端子２１２Ｂを経由して、領域Ｂが有する配線２０７に与えられる。なお、電圧の印加は、領域Ａと領域Ｂとで、それぞれ一度ずつ、合計２回行われる。
【００６２】
同様に、第２の電極層１６６は、表示領域１０２の外から延びる第２の配線２１６と電気的に接続される。第２の配線２１６は表示領域１０２の外を延伸し、コンタクトホール２１８を介して第２の端子配線２２０と電気的に接続される。第２の端子配線２２０は表示装置１００の端部付近で露出されて第２の端子２２２を形成する。第２の端子２２２はコネクタ２１４と接続され、第２の電極層１６６に印可される電圧が外部回路から第２の端子２２２を経由して第２の電極層１６６に与えられる。第２の電極層１６６は、領域Ａ、領域Ｂに共通である。領域が二つであっても、第２の電極層１６６を共有することで、領域Ａが有する配線２０７、及び領域Ｂが有する配線２０７と、第２の電極層１６６との電位差のばらつきを抑制することができる。なお、領域Ａが有する配線２０７、領域Ｂが有する配線２０７に電圧を供給し、各領域が有する配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値を高くした後に、第１の端子配線２１０を断線させてもよい。こうすることで、表示装置２００が有する第１の端子２１２に予期せぬ過電流、過電圧が供給されたとしても、表示装置２００の破損、表示不良を防止することができる。
【００６３】
このような構成とすることで、領域を分けて、各領域が有する配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値を高くすることができるため、全領域に一度に電圧を印加して抵抗値を高くする場合と比較して、表示装置が破損する可能性を低減できる。さらに詳しく説明すると、有機層３００や発光層１７６が熱に弱く、一度の電圧印加に伴う熱発生により、これらの層が破壊されるリスクを低減できる。また、領域を分割したことで、一度の電圧印加で消費される電力は減らすことができる。
【００６４】
図１６は、図１５の構成に対して、選択回路３６０を追加した例を示す。
【００６５】
図１６は、図１５において、領域Ａが有する配線２０７と領域Ｂが有する配線２０７に電圧を供給する配線が二系統であった構成を、各領域が有する配線２０７に電圧を供給する配線を一系統（ＶＩＮ）にした例である。領域Ａが有する配線２０７、及び領域Ｂが有する配線２０７への電圧の供給は、一系統の配線（ＶＩＮ）から振り分けられる。
【００６６】
具体的には、選択回路３６０は、一系統の配線（ＶＩＮ）、選択信号１（ＩＮ１）、選択信号２（ＩＮ２）が入力され、領域Ａが有する配線２０７に電圧を供給するＯＵＴ１、及び領域Ｂが有する配線２０７に電圧を供給するＯＵＴ２が出力される。選択回路３６０は、例えば、ＯＵＴ１に電気的の接続されるスイッチ１と、ＯＵＴ２に接続されるスイッチ２とを有し、少なくとも選択信号１と選択信号２のいずれか一方により、ＯＵＴ１あるいはＯＵＴ２のいずれかに電圧を供給するように構成すればよい。また、選択回路３６０は、論理回路により、領域Ａが有する配線２０７、領域Ｂが有する配線２０７に電圧を供給するように構成してもよい。論理回路は、例えば、ＮＡＮＤ、インバータなどを含んでいてもよいし、デマルチプレクサなどを含んでいてもよい。
【００６７】
なお、本実施形態のように、配線２０７が配置される領域を２箇所に分割した構成において、画素１２０の配列をダイヤモンドペンタイル配列とした場合を説明する。例えば、図１７のように、対応する色が同じ副画素が隣接している領域において、設けられた配線２０７が電気的に接続されないような配列とすることができる。図１７に示す上面視において、向かって左側の配線２０７が図１５及び図１６に示されている領域Ａに相当し、向かって右側の配線２０７が図１５及び図１６に示されている領域Ｂに相当する。配線２０７が電気的に接続されていない領域を設けることで、配線２０７と第２の電極層１６６のそれぞれに電圧を印加し、電位差を与えた際に、高抵抗になる、または劣化する箇所を減らすことができる。すなわち、高抵抗化または劣化処理時の熱発生を抑えることができるため、発光素子の劣化を防ぐことができる。
【００６８】
このような構成とすることで、領域を分けて、各領域が有する配線２０７と第２の電極層１６６との間の抵抗値を高くすることができるため、全領域に一度に電圧を印加して抵抗値を高くする場合と比較して、表示装置が破損する可能性を低減できる。さらに詳しく説明すると、有機層３００や発光層１７６が熱に弱く、一度の電圧印加に伴う熱発生により、これらの層が破壊されるリスクを低減できる。また、領域を分割したことで、一度の電圧印加で消費される電力は減らすことができる。さらに、選択回路により、第１の端子と、表示領域とが直接接続されていないため、予期せぬ過電流、過電圧が供給されたとしても、表示装置の破損、表示不良を防止することができる。
【００６９】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた表示装置１００の作製方法を、図１８、及び図１９乃至図２３を用いて述べる。図１９乃至図２３は、図１８に示した断面に対応する。第１実施形態及び第２実施形態で述べた内容と同一の内容の説明は割愛することがある。
【００７０】
図１８に示すように、まず基板１０４上に下地膜１０６を形成する。基板１０４は、トランジスタ１４０など、表示領域１０２に含まれる半導体素子や発光層１７６などを支持する機能を有する。したがって基板１０４には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、基板１０４はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックなどを含むことができる。
【００７１】
表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０４に可撓性を持たせればよい。さらに基板の下の支持基板を設ければよい。この支持基板は硬い無機物質、ガラスや石英、金属、セラミックで形成される。基板１０４は可撓性を有する絶縁膜であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。基板１０４は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。この場合は、表示装置１００の作製後に、基板１０４と支持基板との界面から剥離することで、可撓性を持った表示装置１００が得られる。
【００７２】
下地膜１０６は基板１０４（及び支持基板）からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１４０などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜であり、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜１０６は化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。下地膜１０６中の不純物濃度が小さい場合、下地膜１０６は設けない、あるいは基板１０４の一部だけを覆うように形成してもよい。
【００７３】
次に半導体膜１４２を形成する（図１９（Ａ））。半導体膜１４２は例えばケイ素などの１４族元素を含むことができる。あるいは半導体膜１４２は酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。酸化物半導体を用いる場合、半導体膜１４２はさらに１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜１４２の結晶性に限定はなく、半導体膜１４２は単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスのいずれの結晶場外と含んでもよい。
【００７４】
半導体膜１４２がケイ素を含む場合、半導体膜１４２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜１４２が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
【００７５】
次に半導体膜１４２を覆うようにゲート絶縁膜１４４を形成する（図１９（Ａ））。ゲート絶縁膜１４４は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。
【００７６】
引き続き、ゲート絶縁膜１４４上にゲート電極１４６をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図１９（Ｂ））。ゲート電極１４６はチタンやアルミニウム、銅、モバンクデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モバンクデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００７７】
次にゲート電極１４６上に層間膜１０８を形成する（図２０（Ａ））。層間膜１０８は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。積層構造を有する場合、例えば有機化合物を含む層を形成したのち、無機化合物を含む層を積層してもよい。
【００７８】
次に、層間膜１０８とゲート絶縁膜１４４に対してエッチングを行い、半導体膜１４２に達する開口を形成する。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。
【００７９】
次に開口を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース及びドレイン電極１４８を形成する。本実施形態では、ソース及びドレイン電極１４８の形成と同時に第１の端子配線２１０を形成する（図２０（Ｂ））。したがって、ソース及びドレイン電極１４８と第１の端子配線２１０は同一の層内に存在することができる。金属膜はゲート電極１４６と同様の構造を有することができ、ゲート電極１４６の形成と同様の手法を用いて形成することができる。
【００８０】
次に平坦化膜１１４を、ソース及びドレイン電極１４８や第１の端子配線２１０を覆うように形成する（図２１（Ａ））。平坦化膜１１４は、トランジスタ１４０や第１の端子配線２１０などに起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜１１４は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、上述した湿式成膜法などによって形成することができる。
【００８１】
引き続き、平坦化膜１１４上には無機絶縁膜１５０が形成される（図２１（Ａ））。上述したように、無機絶縁膜１５０はトランジスタ１４０に対する保護膜として機能するだけでなく、のちに形成される発光素子１６０の第１の電極１６２とともに容量（図示せず）を形成する。したがって、誘電率の比較的高い材料を用いることが好ましい。例えば窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などを用い、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して第１の電極１６２を形成することができる。
【００８２】
次に図２１（Ｂ）に示すように、ソース及びドレイン電極１４８と第１の端子配線２１０をエッチングストッパーとして用い、平坦化膜１１４に対してエッチングを行い、右端の第１の端子配線２１０近傍の平坦化膜１１４を取り除く。さらに、無機絶縁膜１５０を成膜し、ソース及びドレイン電極１４８と第１の端子配線２１０をエッチングストッパーとして用い、無機絶縁膜１５０に対してエッチングを行い、開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を形成する。その後これらの開口、あるいはコンタクトホールを覆うように第１の電極１６２、及び接続電極２３４、２３６を形成する（図２２（Ａ））。
【００８３】
ここで、接続電極２３６が形成された領域、すなわち開口１５４は、後に異方性導電膜等を介してＦＰＣなどのコネクタ２１４が接続される領域となるため、接続電極２３４が形成された領域、すなわちコンタクトホール２０８よりもはるかに面積が大きい。前者は、コネクタ２１４の端子ピッチ等により前後するが、例えば幅１０μｍから５０μｍ、長さ１ｍｍから２ｍｍ、等といったサイズであるのに対し、後者は、数μｍ×数μｍから数十μｍ×数十μｍ程度あれば十分である。開口１５４については、コネクタ２１４の実装工程上、微細化には制限があるが、コンタクトホール２０８は、ここで接続される導電層同士（ここでは、第１の端子配線２１０、接続配線２３４、及び第１の配線２０６）が十分に低いコンタクト抵抗で接続される程度であれば最小限で良い。
【００８４】
発光素子１６０からの発光を第２の電極層１６６から取り出す場合、第１の電極１６２は可視光を反射するように構成される。この場合、第１の電極は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む膜上に、透光性を有する導電性酸化物の膜を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。発光素子１６０からの発光を第１の電極１６２から取り出す場合には、ＩＴＯやＩＺＯを用いて第１の電極１６２を形成すればよい。
【００８５】
本実施形態では、第１の電極１６２、及び接続電極２３４、２３６が無機絶縁膜１５０上に形成される。これらの接続電極２３４、２３６は、第１の電極１６２と同一層内に存在することができる。したがって、例えば開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように上記金属の膜を形成し、その後可視光を透過する導電酸化物を含む膜を形成し、エッチングによる加工を行って第１の電極１６２、及び接続電極２３４、２３６を形成することができる。あるいは、導電酸化物の膜、上記金属の膜、導電酸化物の膜を開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように順次積層し、その後エッチング加工を行ってもよい。あるいは、導電性酸化物を開口１５４、コンタクトホール１５２、２０８を覆うように形成し、その後、コンタクトホール１５２を選択的に覆うように導電酸化物の膜と、上記金属の膜と、導電酸化物との膜の積層膜を形成してもよい。第１の電極１６２が、コンタクトホール１５２を覆い、ソース及びドレイン電極１４８と電気的に接続されることで、トランジスタ１４０を介して電流が発光素子１６０へ供給される。
【００８６】
次に、第１の電極１６２の端部を覆うように、隔壁１６８を形成する（図２２（Ｂ））。隔壁１６８により、第１の電極１６２などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する副画素の第１の電極１６２を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁１６８はエポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化膜１１４で使用可能な材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。
【００８７】
次に配線２０７を形成する。本実施形態では、配線２０７の形成と同時に第１の配線２０６を形成する（図２２（Ｂ））。したがって、配線２０７と第１の配線２０６は同一の層内に存在することができる。配線２０７及び第１の配線２０６は金属膜であることが好ましい。金属膜はゲート電極１４６と同様の構造を有することができ、ゲート電極１４６の形成と同様の手法を用いて形成することができる。
【００８８】
次に、平坦化膜１１４、及び無機絶縁膜１５０上に発光素子１６０が形成される。発光素子１６０は、第１の電極（画素電極）１６２、機能層１６４、第２の電極（対向電極）層１６６によって構成される。第２の電極層１６６は表示領域の全域に連続して広がっていてもよい。機能層１６４は第１の電極１６２、隔壁１６８及び配線２０７を覆うように形成され、その上に第２の電極層１６６が形成される（図２２（Ｂ））。第１の電極１６２と第２の電極層１６６からキャリアが機能層１６４へ注入され、キャリアの再結合が機能層１６４内で生じる。これにより、機能層１６４内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。したがって、第１の電極１６２と機能層１６４が接する領域が各副画素１３０、１３２、１３４における発光領域となる。なお、機能層１６４は有機層３００を含む。
【００８９】
機能層１６４の構成は適宜選択することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などを組み合わせて構成することができる。図１８では、機能層１６４が三つの層１７０、１７６、１７４を有する例が示されている。この場合、例えば層１７０はキャリア（ホール）注入およびまたは輸送層、層１７６は発光層、層１７４はキャリア（電子）注入およびまたは輸送層とすることができる。キャリア（ホール）注入およびまたは輸送層と、キャリア（電子）注入およびまたは輸送層とは表示領域の全域に連続して広がっていてもよい。また、キャリア（ホール）注入およびまたは輸送層は、ホールが注入しやすい、すなわち酸化されやすい（電子供与性の）化合物を用いることができる。換言すると最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）準位の浅い化合物を用いることができる。例えば、ベンジジン誘導体やトリアリールアミンなどの芳香族アミン、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体などを用いることができる。さらに、キャリア（電子）注入およびまたは輸送層は、還元されやすい（電子受容性の）化合物を用いることができる。換言すると、最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）準位の浅い化合物を用いることができる。例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムなどのベンゾキノリノールを基本骨格として有する配位子を含有する金属錯体、オキサジアゾールやチアゾールを有する配位子を含有する金属錯体などが挙げられる。なお、機能層１６４は、インクジェット法やスピンコート法などの湿式成膜法、あるいは蒸着などの乾式成膜法を適用して形成することができる。
【００９０】
また、機能層１６４は、第１のキャリア（ホール）注入およびまたは輸送層と、青色を発光する発光層１７６Ｂと、第１のキャリア（電子）注入およびまたは輸送層などとを含む第１のユニットと、第２のキャリア（ホール）注入およびまたは輸送層と、赤色及び緑色を発光する発光層と、第２のキャリア（電子）注入およびまたは輸送層などとを含む第２のユニットとを含んでいてもよい。そして、機能層１６４は第１のユニットと中間層と第２のユニットとが積層された、所謂、タンデム構造であってもよい。機能層が、タンデム構造を有することで、一つの表示素子にもかかわらず、各ユニットからそれぞれの色の発光を得る事ができるため、効率が高い表示素子を提供することができる。
【００９１】
また、発光層である層１７６は、図１８に示すように、副画素１３０、１３２、１３４で異なる材料を含むように構成することができる。具体的には、副画素１３０は赤色に対応する発光層１７６Ｒを含み、副画素１３２は緑色に対応する発光層１７６Ｇを含み、副画素１３４は青色に対応する発光層１７６Ｂを含むことができる。この場合、他の層１７０や１７４は副画素１３０、１３２、１３４で共有されるよう、副画素１３０、１３２、１３４、及び隔壁１６８上にわたって形成すればよい。層１７６で用いる材料を適宜選択することで、副画素１３０、１３２、１３４で異なる色の発光を得ることができる。あるいは、層１７４の構造を副画素１３０、１３２、１３４間で同一としてもよい。この場合、層１７４も副画素１３０、１３２、１３４で共有されるよう、副画素１３０、１３２、１３４、及び隔壁１６８上にわたって形成すればよい。このような構成では各副画素１３０、１３２、１３４の層１７６から同一の色の発光が得られるため、例えば層１７６を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色（例えば、赤色、緑色、青色）をそれぞれ副画素１３０、１３２、１３４から取り出してもよい。
【００９２】
発光素子１６０からの発光を第１の電極１６２から取り出す場合には、第２の電極層１６６として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金を用いればよい。逆に発光素子１６０からの発光を第２の電極層１６６から取り出す場合には、第２の電極層１６６として、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さ（例えば５〜２０ｎｍ程度の薄いもの）で形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。
【００９３】
次に封止膜１８０を形成する。図２３に示すように、まず第１の無機膜１８２を発光素子１６０や接続電極２３４、２３６を覆うように形成する。第１の無機膜１８２は、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料を含むことができ、下地膜１０６と同様の手法で形成することができる。
【００９４】
引き続き有機膜１８４を形成する（図２３）。有機膜１８４は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、図２３に示すように、隔壁１６８に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。有機膜１８４は、表示領域１０２内に選択的に形成することが好ましい。すなわち有機膜１８４は、接続電極２３４、２３６と重ならないように形成することが好ましい。有機膜１８４は、インクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の無機膜１８２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって有機膜１８４を形成してもよい。
【００９５】
その後、第２の無機膜１８６を形成する（図２３）。第２の無機膜１８６は、第１の無機膜１８２と同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。第２の無機膜１８６も、有機膜１８４上だけでなく、接続電極２３４、２３６を覆うように形成することができる。これにより、有機膜１８４を第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６で封止することができる。
【００９６】
引き続き、有機絶縁膜１９０を形成する（図１８）。有機絶縁膜１９０は、封止膜１８０の有機膜１８４と同様の材料を含むことができ、これと同様の方法で形成することができる。有機絶縁膜１９０は、図２３に示すように、表示領域１０２内に選択的に、第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６が互いに接する領域を覆い、かつ、接続電極２３４、２３６と重ならないように形成することが好ましい。引き続き有機絶縁膜１９０をマスクとして用い、有機絶縁膜１９０から露出した第１の無機膜１８２と第２の無機膜１８６をエッチングによって除去するこれにより、表示領域１０２の外に配置されるコンタクトホール２０８及び開口１５４において、それぞれ接続電極２３４、２３６が露出される。この時、無機絶縁膜１５０も一部エッチングされ、厚さが薄くなることがある。尚、有機絶縁膜１９０は有機材料で形成された粘着性の物質でもよい。
【００９７】
その後、カバーフィルム２６８を形成する。引き続きコネクタ２１４を開口１５４において異方性導電膜２５２などを用いて接続することで、図１８に示す表示装置１００を形成することができる。有機絶縁膜１９０はポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができ、印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。カバーフィルム２６８も有機絶縁膜１９０と同様高分子材料を含むことができ、上述した高分子材料に加え、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子材料を適用することも可能である。
【００９８】
図示していないが、表示装置１００に可撓性を付与する場合、例えばコネクタ２１４を形成した後、あるいは有機絶縁膜１９０を形成した後に、レーザなどの光を基板１０４側から照射して基板１０４上と支持基板間の接着力を低下させ、その後物理的な力を利用してこれらの界面で基板１０４を剥離すればよい。
【００９９】
なお、本実施形態は本発明に記載のほかの実施形態と自由に組み合わせてもよい。
【０１００】
本実施形態で述べたように、配線が隔壁の上に配置され、配線のさらに上に第２電極層が形成される。以上のように作製された表示装置は、横方向のリーク電流をなくすことができるため、表示する画像の色純度を低下させることなく、鮮明な表示を提供することができる。さらに、以上のような構成とすることで、低電力な表示装置を提供することができる。また、以上のような構成とすることで、高精細化と低消費電力化を両立することができる表示装置を提供することができる。
【０１０１】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０１０２】
本明細書においては、開示例として主に表示装置を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【０１０３】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１０４】
１００、２００・・・表示装置、１０２・・・表示領域、１０４・・・基板、１０６・・・下地膜、１０８・・・層間膜、１１４・・・平坦化膜、１２０・・・画素、１２２・・・第３の端子、１２４・・・ＩＣチップ、１２６・・・走査線駆動回路、１３０・・・第１の副画素、１３２・・・第２の副画素、１３４・・・第３の副画素、１４０・・・トランジスタ、１４２・・・半導体膜、１４２ａ・・・チャネル領域、１４２ｂ・・・ソース及びドレイン領域、１４４・・・ゲート絶縁膜、１４６・・・ゲート電極、１４８・・・ソース及びドレイン電極、１５０・・・無機絶縁膜、１５２・・・コンタクトホール、１５４・・・開口、１６０・・・発光素子、１６２・・・第１の電極、１６４・・・機能層、１６６・・・第２の電極層、１６８・・・隔壁、１７０・・・層、ホール輸送層、１７４・・・層、電子輸送層、１７６・・・層、発光層、１７６Ｒ・・・赤色に対応する発光層、１７６Ｇ・・・緑色に対応する発光層、１７６Ｂ・・・青色に対応する発光層、１８０・・・封止膜、１８２・・・第１の無機膜、１８４・・・有機膜、１８６・・・第２の無機膜、１８８・・・円、１９０・・・有機絶縁膜、２０６、２０６Ｂ・・・第１の配線、２０７・・・配線、２０８、２０８Ｂ・・・コンタクトホール、２１０、２１０Ｂ・・・第１の端子配線、２１２・・・第１の端子、２１４・・・コネクタ、２１６・・・第２の配線、２１８・・・コンタクトホール、２２０・・・第２の端子配線、２２２・・・第２の端子、２３４、２３６・・・接続電極、２６８・・・カバーフィルム、３００・・・有機層、３５０・・・高抵抗な領域、３６０・・・選択回路、４０９・・・映像信号線、４１０・・・走査信号線、４１４・・・端子領域、４２６・・・基準電位線、４２８・・・駆動電源線、４３０・・・画素回路、４３２・・選択トランジスタ、４３４・・・駆動トランジスタ、４３６・・・発光素子、４３８・・・保持容量
【図１】
2018194572.tif 000005
【図２】
2018194572.tif 000006
【図３】
2018194572.tif 000007
【図４】
2018194572.tif 000008
【図５】
2018194572.tif 000009
【図６】
2018194572.tif 000010
【図７】
2018194572.tif 000011
【図８】
2018194572.tif 000012
【図９】
2018194572.tif 000013
【図１０】
2018194572.tif 000014
【図１１】
2018194572.tif 000015
【図１２】
2018194572.tif 000016
【図１３】
2018194572.tif 000017
【図１４】
2018194572.tif 000018
【図１５】
2018194572.tif 000019
【図１６】
2018194572.tif 000020
【図１７】
2018194572.tif 000021
【図１８】
2018194572.tif 000022
【図１９】
2018194572.tif 000023
【図２０】
2018194572.tif 000024
【図２１】
2018194572.tif 000025
【図２２】
2018194572.tif 000026
【図２３】
2018194572.tif 000027