(57)【要約】【課題】複数の増幅回路を備え、かつ精度の高い温度補償が可能な高周波モジュールを提供すること。【解決手段】高周波モジュール１０は、基板４００と、基板４００の第１領域４１０に配置された第１の増幅回路である低雑音増幅回路１００と、基板４００の第２領域４２０に配置された第２の増幅回路である電力増幅回路２００と、基板４００の第１領域４１０と第２領域４２０との間に配置され、電力増幅回路２００より発熱性が低い部品であるデュプレクサ３００と、を備え、低雑音増幅回路１００は、第１のダイオード１１５、１１６の温度特性に依存するバイアス電流ＩＢＩＡＳを生成するバイアス回路１１０と、第２のダイオード１４７の温度特性に依存する電圧ＶＲＥＦを前記バイアス回路の動作電圧として生成する電圧生成回路１２０と、バイアス電流ＩＢＩＡＳで定まる動作点において動作する増幅回路１６０と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１領域に配置された第１の増幅回路と、
前記基板の第２領域に配置された第２の増幅回路と、
前記基板の前記第１領域と前記第２領域との間に配置され、前記第２の増幅回路より発熱性が低い部品と、
を備え、
前記第１の増幅回路は、
第１のダイオードを含み当該第１のダイオードの温度特性に依存するバイアス電流を生成するバイアス回路と、
前記第１のダイオードと実質的に等しい温度特性を有する第２のダイオードを含み当該第２のダイオードの温度特性に依存する電圧を前記バイアス回路の動作電圧として生成する電圧生成回路と、
前記バイアス電流で定まる動作点において動作する増幅回路と、を有する
高周波モジュール。
【請求項２】
前記部品は、受動回路部品及び放熱用構造物の少なくとも一方である、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記第１の増幅回路は、受信信号を増幅する低雑音増幅回路であり、
前記第２の増幅回路は、送信信号を増幅する電力増幅回路である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１の増幅回路は、前記電圧生成回路、前記バイアス回路、及び前記増幅回路を集積した集積回路装置である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードは、前記第２の増幅回路から熱的な距離が実質的に等しい位置に配置されている、
請求項１から４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールへ高周波送信信号を送信し、前記高周波モジュールから高周波受信信号を受信するＲＦ信号処理回路と、
を備える通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波モジュール及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、無線端末装置などの各種の通信装置において、無線周波数の送信信号を増幅する電力増幅モジュールが用いられている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に開示される第１の電力増幅モジュールは、電源電圧に依存しない定電圧を生成する定電圧生成回路と、前記定電圧を動作電圧としてバイアス電流を生成するバイアス回路と、前記バイアス電流によって定まる動作点で送信信号を増幅する増幅回路と、を備える。
【０００４】
第１の電力増幅モジュールによれば、例えばバッテリ駆動時のように、電源電圧が変動し易いときでも、バイアス電流が電源電圧に依存しないので、電源電圧の変動による増幅回路のゲイン変動が抑制され、電力増幅モジュールの増幅特性の線形性が向上する。
【０００５】
特許文献１のバイアス回路は、第１のダイオードを含み、第１のダイオードの順方向電圧に応じたバイアス電流を生成している。そのため、バイアス電流は、電源電圧には依存しないものの、第１のダイオードの順方向電圧の温度特性による第１の温度依存性を有する。
【０００６】
そこで、特許文献１に開示される第２の電力増幅モジュールでは、定電圧生成回路に温度特性補償回路が追加される。温度特性補償回路は、第２のダイオードを含み、当該第２のダイオードの温度特性により、定電圧生成回路で生成される定電圧（つまり、バイアス回路の動作電圧）に対し、バイアス電流に第１の温度依存性と逆の温度依存性が生じる第２の温度依存性を与える。
【０００７】
第２の電力増幅モジュールによれば、温度変化によるバイアス電流の変動が低減されるので、温度変化による増幅回路のゲイン変動が抑制され、電力増幅モジュールの増幅特性の線形性が向上する。
【０００８】
以下では、温度変化による増幅回路のゲイン変動を抑制することを、温度補償と言う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１４−１７１１７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者らは、無線周波数の送信信号を増幅する電力増幅回路と無線周波数の受信信号を増幅する低雑音増幅回路とを備える高周波モジュールを検討している。例えば、当該高周波モジュールのように、複数の増幅回路を備えるモジュールでは、増幅回路ごとに、従来技術の構成を適用して温度補償を行うことは可能である。
【００１１】
しかしながら、複数の増幅回路を備えるモジュールにおいて、単に各々の増幅回路に従来技術を適用しただけでは、温度特性補償回路が、他の増幅回路で発生する熱の影響を受けてしまい、精度の高い温度補償を実現することが困難である。
【００１２】
そこで、本発明は、複数の増幅回路を備え、かつ精度の高い温度補償が可能な高周波モジュール、及び当該高周波モジュールを用いた通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、基板と、前記基板の第１領域に配置された第１の増幅回路と、前記基板の第２領域に配置された第２の増幅回路と、前記基板の前記第１領域と前記第２領域との間に配置され、前記第２の増幅回路より発熱性が低い部品と、を備え、前記第１の増幅回路は、第１のダイオードを含み当該第１のダイオードの温度特性に依存するバイアス電流を生成するバイアス回路と、前記第１のダイオードと実質的に等しい温度特性を有する第２のダイオードを含み当該第２のダイオードの温度特性に依存する電圧を前記バイアス回路の動作電圧として生成する電圧生成回路と、前記バイアス電流で定まる動作点において動作する増幅回路と、を有する。
【００１４】
この構成によれば、前記第１の増幅回路において、従来技術と同様の温度補償を行うことができる。しかも、第１領域と第２領域との間に、第２の増幅回路より発熱性が低い部品を配置するので、第１の増幅回路が第２の増幅回路から受ける熱の影響が軽減され、第１の増幅回路における温度補償の精度が向上する。
【００１５】
その結果、温度変化による第１の増幅回路のゲイン変動が抑制されるので、第１の増幅回路の増幅特性の線形性が向上し、第１の増幅回路の雑音指数が向上する。
【００１６】
なお、第１領域と第２領域との間に配置した部品は、第２の増幅回路が第１の増幅回路から受ける熱の影響も軽減するから、第２の増幅回路で温度補償を行えば、当該温度補償の精度も向上する。
【００１７】
その結果、温度変化による第２の増幅回路のゲイン変動が抑制されるので、第２の増幅回路の増幅特性の線形性が向上し、第２の増幅回路の雑音指数も向上する。
【００１８】
また、前記部品は、受動回路部品及び放熱用構造物の少なくとも一方であってもよい。
【００１９】
この構成によれば、前記部品は、例えば、デュプレクサ、整合回路、基板のグランドプレーンと接続された放熱ビアなどの受動部品、及びヒートシンクなどの放熱用構造物で構成される。そのため、基板のフロア面積を有効に利用しながら、第１の増幅回路と第２の増幅回路とが相互に及ぼし合う熱の影響を軽減できる。
【００２０】
また、前記第１の増幅回路は、受信信号を増幅する低雑音増幅回路であり、前記第２の増幅回路は、送信信号を増幅する電力増幅回路であってもよい。
【００２１】
低雑音増幅回路の温度補償は、低雑音増幅回路とは別途に設けた制御ＩＣから行うこともできるが、低雑音増幅回路と制御ＩＣとが離れていて、熱的な結合が十分でなければ、温度補償の精度を損なう要因になり得る。これに対し、前述の構成によれば、第１のダイオードと第２のダイオードとが、同じ第１領域内で熱的に結合するので、高い精度での温度補償が可能になる。
【００２２】
また、前記第１の増幅回路は、前記電圧生成回路、前記バイアス回路、及び前記増幅回路を集積した集積回路装置であってもよい。
【００２３】
この構成によれば、第１のダイオードと第２のダイオードとが、同じ集積回路装置内で熱的に結合するので、さらに高い精度での温度補償が可能になる。また、第１の増幅回路が低雑音増幅回路である場合、これまで集積回路装置として実現されていなかった温度補償機能付き低雑音増幅回路が、新たな集積回路装置として提供される。
【００２４】
また、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードは、前記第２の増幅回路から熱的な距離が実質的に等しい位置に配置されてもよい。
【００２５】
この構成によれば、第１のダイオードが第２の増幅回路から受ける熱の影響と第２のダイオードとが第２の増幅回路から受ける熱の影響とが同程度になる。これにより、第１のダイオードと第２のダイオードとの間の温度差が縮小されることで、温度補償の精度が向上する。
【００２６】
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、前記高周波モジュールへ高周波送信信号を送信し、前記高周波モジュールから高周波受信信号を受信するＲＦ信号処理回路と、を備える。
【００２７】
この構成によれば、前述した高周波モジュールの効果を有する通信装置が得られる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、複数の増幅回路を備え、かつ精度の高い温度補償が可能な高周波モジュール、及びそのような高周波モジュールを用いた通信装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施の形態１に係る高周波モジュールの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１に係る高周波モジュールを構成する部材の配置の一例を示す模式図である。
【図３】実施の形態１に係るバイアス回路及び増幅回路の一例を示す回路図である。
【図４】実施の形態１に係る電圧生成回路の一例を示す回路図である。
【図５】実施の形態１に係る温度特性補償回路の一例を示す回路図である。
【図６】実施の形態２に係る通信装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
【００３１】
（実施の形態１）
実施の形態１に係る高周波モジュールは、例えば、通信装置のフロントエンドに用いられる複合部品であり、無線周波数の受信信号を増幅する低雑音増幅回路と無線周波数の送信信号を増幅する電力増幅回路とを単一の基板に備えている。
【００３２】
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュールの機能的な構成の一例を示すブロック図である。図１に示されるように、高周波モジュール１０は、低雑音増幅回路１００、電力増幅回路２００、及びデュプレクサ３００を備える。
【００３３】
低雑音増幅回路１００は、温度補償機能付きの増幅回路であり、デュプレクサ３００から受信した受信信号を増幅し、Ｒｘ端子へ出力する。低雑音増幅回路１００は、バイアス回路１１０、電圧生成回路１２０、及び増幅回路１６０からなる。
【００３４】
バイアス回路１１０は、ダイオード１１５、１１６を含み、ダイオード１１５、１１６の温度特性に依存するバイアス電流ＩＢＩＡＳ１を生成する。ダイオード１１５、１１６は、第１のダイオードの一例である。
【００３５】
電圧生成回路１２０は、ダイオード１１５、１１６と実質的に等しい温度特性を有するダイオード１４７を含み、ダイオード１４７の温度特性に依存する電圧ＶＲＥＦ１をバイアス回路１１０の動作電圧として生成する。電圧ＶＲＥＦ１の温度依存性は、バイアス電流ＩＢＩＡＳ１に第１のダイオード１１５、１１６による温度依存性と逆の温度依存性が生じるように設けられる。ダイオード１４７は、第２のダイオードの一例である。
【００３６】
ここで、ダイオード１４７が、ダイオード１１５、１１６と実質的に等しい温度特性を有するとは、ダイオード１４７とダイオード１１５、１１６とが、素子の仕様上、同一の温度特性を有することを言う。同一の温度特性とは、単に、順方向電圧の温度係数が正又は負で一致することを含んでもよい。
【００３７】
増幅回路１６０は、バイアス電流ＩＢＩＡＳ１で定まる動作点において動作し、受信信号を増幅する。
【００３８】
バイアス回路１１０、電圧生成回路１２０、及び増幅回路１６０の具体的な回路例については後述する。
【００３９】
電力増幅回路２００は、温度補償機能付きの増幅回路であり、Ｔｘ端子で受信された送信信号を増幅し、デュプレクサ３００へ出力する。電力増幅回路２００は、バイアス回路２１０、電圧生成回路２２０、及び増幅回路２６０からなる。
【００４０】
バイアス回路２１０は、ダイオード２１５、２１６を含みダイオード２１５、２１６の温度特性に依存するバイアス電流ＩＢＩＡＳ２を生成する。
【００４１】
電圧生成回路２２０は、ダイオード２１５、２１６と実質的に等しい温度特性を有するダイオード１４７を含み、ダイオード２４７を含みダイオード２４７の温度特性に依存する電圧ＶＲＥＦ２をバイアス回路２１０の動作電圧として生成する。電圧ＶＲＥＦ２の温度依存性は、バイアス電流ＩＢＩＡＳ２にダイオード２１５、２１６による温度依存性と逆の温度依存性が生じるように設けられる。なお、温度特性が実質的に等しいことの定義は、前述と同様である。
【００４２】
増幅回路２６０は、バイアス電流ＩＢＩＡＳで定まる動作点において動作し、送信信号を増幅する。
【００４３】
デュプレクサ３００は、送信信号と受信信号とを混合／分離する。デュプレクサ３００は、例えば、フィルタ、ハイブリッド、サーキュレータなどの受動回路部品を組み合わせて構成される。デュプレクサ３００の発熱性は、電力増幅回路２００の発熱性より低い。
【００４４】
送信信号と受信信号とが混合されたアンテナ信号は、ＡＮＴ端子で送信／受信される。
【００４５】
低雑音増幅回路１００及び電力増幅回路２００は、ＶＢＡＴ端子とＧＮＤ端子との間に供給されるバッテリ電圧で動作する。
【００４６】
この構成において、低雑音増幅回路１００が第１の増幅回路の一例であり、電力増幅回路２００が第２の増幅回路の一例である。
【００４７】
次に、高周波モジュール１０を構成する部材の配置について説明する。
【００４８】
図２は、高周波モジュール１０を構成する部材の配置の一例を示す模式図である。図２では、高周波モジュール１０を構成する基板４００を平面視したときに見られる部材の配置の一例が示される。
【００４９】
基板４００には、低雑音増幅回路１００を内蔵したローノイズアンプＩＣ（集積回路）１００ａ、電力増幅回路２００を内蔵したパワーアンプＩＣ２００ａ、及びデュプレクサ３００が配置される。ローノイズアンプＩＣ１００ａ、パワーアンプＩＣ２００ａ、及びデュプレクサ３００は、基板４００に設けられたランド及び配線パターンを介して、相互に電気的に接続される。図４では、ランド及び配線パターンを、太円及び太線でそれぞれ示している。
【００５０】
ローノイズアンプＩＣ１００ａ及びパワーアンプＩＣ２００ａは、基板４００の第１領域４１０及び第２領域４２０にそれぞれ配置され、デュプレクサ３００は、基板４００の第１領域４１０と第２領域４２０との間に配置される。ここで、第１領域４１０と第２領域４２０との間とは、例えば、基板４００を平面視したときに、第１領域４１０と第２領域４２０とを最短距離で結ぶ直線４３０と重なる位置であってもよい。
【００５１】
低雑音増幅回路１００及び電力増幅回路２００は、ローノイズアンプＩＣ１００ａ及びパワーアンプＩＣ２００ａには限られず、それぞれ第１領域４１０及び第２領域４２０にディスクリート部品を用いて形成された回路であってもよい。
【００５２】
また、基板４００の第１領域４１０と第２領域４２０との間に配置される部品は、電力増幅回路２００より発熱性が低い部品であれば、デュプレクサ３００には限られない。図示はしていないが、他の一例として、整合回路を形成するインダクタやキャパシタ、グランドプレーンに接続された放熱ビアなとの受動回路部品、及びヒートシンクなどの放熱用構造物のうちの少なくとも１つであってもよい。基板４００の第１領域４１０と第２領域４２０との間には、電力増幅回路２００より発熱性が低い複数の部品が配置されてもよい。
【００５３】
ダイオード１１５、１１６及びダイオード１４７は、熱的な距離がパワーアンプＩＣ２００ａ（電力増幅回路２００）から実質的に等しい位置に配置されてもよい。熱的な距離が電力増幅回路２００から実質的に等しい位置は、例えば、電力増幅回路２００の発熱によって実質的に均等な温度上昇が生じる位置と定義される。なお、実質的に均等な温度上昇とは、温度上昇において、ダイオード１１５、１１６とダイオード１４７との温度差が、温度補償の要求精度に応じて決まるしきい値（一例として３℃程度）以下に抑えられることを言う。
【００５４】
次に、低雑音増幅回路１００の温度特性補償機能について説明する、本明細書では、低雑音増幅回路１００は、特許文献１に記載の温度特性補償機能と同一の温度特性補償機能を有するものとし、特許文献１に記載の回路例を、バイアス回路１１０、電圧生成回路１２０、及び増幅回路１６０の具体例として参照する。以下の説明において、図１、図２に示される電圧ＶＲＥＦ１は、２つの電圧ＶＲＥＦＢ１、ＶＲＥＦＣ１で構成される。
【００５５】
図３は、バイアス回路１１０及び増幅回路１６０の一例を示す回路図である。
【００５６】
図３に示されるように、バイアス回路１１０は、トランジスタ１１１、抵抗１１２〜１１４、及びダイオード１１５、１１６を含む。バイアス回路１１０は、電圧生成回路１２０から供給される電圧ＶＲＥＦＢ１、ＶＲＥＦＣ１で動作する。トランジスタ１１１は、ダイオード１１５、１１６の順方向電圧と電圧ＶＲＥＦＢ１、ＶＲＥＦＣ１とに依存したバイアス電流ＩＢＩＡＳ１を生成し、増幅回路１６０へ供給する。
【００５７】
増幅回路１６０は、トランジスタ１６１、抵抗１６２、及びインダクタ１６３を含む。トランジスタ１６１は、デュプレクサ３００から供給される受信信号Ｒｘ＿ｉｎを、バイアス電流ＩＢＩＡＳ１で定まる動作点において増幅し、増幅後の受信信号Ｒｘ＿ｏｕｔを出力する。
【００５８】
図４は、電圧生成回路１２０の一例を示す回路図である。
【００５９】
図４に示されるように、電圧生成回路１２０は、バンドギャップ回路１２１、オペアンプ１２２、１２３、及び抵抗１２４〜１２７、及び温度特性補償回路１２９を含む。
【００６０】
電圧生成回路１２０は、バッテリ電圧ＶＢＡＴで動作する。バンドギャップ回路１２１は、温度やバッテリ電圧ＶＢＡＴに依存しないバンドギャップ基準電圧ＶＢＧを生成する。温度特性補償回路１２９は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧから、温度依存性がある電圧ＶＴを生成する。
【００６１】
オペアンプ１２２及び抵抗１２４、１２５は、非反転増幅回路を構成しており、電圧ＶＴに抵抗１２４、１２５の抵抗値に応じた比率を乗じた電圧ＶＲＥＦＢを生成する。オペアンプ１２３及び抵抗１２６、１２７も同様に、非反転増幅回路を構成しており、電圧ＶＴに抵抗１２６、１２７の抵抗値に応じた比率を乗じた電圧ＶＲＥＦＣを生成する。電圧ＶＲＥＦＢ、ＶＲＥＦＣには、電圧ＶＴの温度依存性が反映される。
【００６２】
図５は、温度特性補償回路１２９の一例を示す回路図である。図５に示されるように、温度特性補償回路１２９は、定電流生成回路１３０、調整電流生成回路１４０、及び電流電圧変換回路１５０を含む。定電流生成回路１３０は、オペアンプ１３１、トランジスタ１３２、１３３、及び抵抗１３４を含む。調整電流生成回路１４０は、オペアンプ１４１、トランジスタ１４２〜１４５、抵抗１４６、及びダイオード１４７を含む。電流電圧変換回路１５０は、抵抗１５１を含む。
【００６３】
定電流生成回路１３０は、温度に依存しない定電流Ｉ１を生成する。調整電流生成回路１４０は、ダイオード１４７の温度特性に応じて温度依存性がある調整電流Ｉ２を生成する。そして、電流電圧変換回路１５０は、定電流生成回路１３０によって生成される定電流Ｉ１と、調整電流生成回路１４０によって生成される調整電流Ｉ２とに応じて変化する電流ＩＴを電圧ＶＴに変換する。電圧ＶＴには、調整電流Ｉ２を介して、ダイオード１４７の温度特性に応じた温度依存性が与えられる。
【００６４】
図３のバイアス回路１１０によれば、ダイオード１１５、１１６の順方向電圧が上昇する低温時には、トランジスタ１１１のベース電流が減少することによって、バイアス電流ＩＢＩＡＳ１は減少する。
【００６５】
これに対し、図５の温度特性補償回路によれば、ダイオード１４７の順方向電圧が上昇する低温時には、調整電流Ｉ２が減少し電流ＩＴが増加することによって、電圧ＶＴは上昇する。電圧ＶＴが上昇すると、電圧ＶＲＥＦＢ、ＶＲＥＦＣが上昇し、バイアス電流ＩＢＩＡＳ１は増加する。
【００６６】
つまり、バイアス電流ＩＢＩＡＳ１には、ダイオード１４７によって、ダイオード１１５、１１６による第１の温度依存性とは逆の第２の温度依存性が与えられる。従って、ダイオード１１５、１１６、１４７に同じ温度変化が生じる限り、バイアス電流ＩＢＩＡＳ１の第１の温度依存性と第２の温度依存性とが相殺され、低雑音増幅回路１００の温度補償が行われる。
【００６７】
なお、電力増幅回路２００のバイアス回路２１０、電圧生成回路２２０、及び増幅回路２６０は、低雑音増幅回路１００のバイアス回路１１０、電圧生成回路１２０、及び増幅回路１６０とそれぞれ同一である。すなわち、電力増幅回路２００も、低雑音増幅回路１００と同様の構成による温度特性補償機能を有している。電力増幅回路２００については、図３〜５による低雑音増幅回路１００の説明における符号を適宜読み替えることで説明されるため、詳細な説明を省略する。
【００６８】
以上のように構成される高周波モジュール１０によれば、低雑音増幅回路１００において、従来技術と同様の温度補償を行うことができる。しかも、第１領域４１０と第２領域４２０との間に、電力増幅回路２００より発熱性が低い部品であるデュプレクサ３００を配置するので、低雑音増幅回路１００が電力増幅回路２００から受ける熱の影響が軽減され、低雑音増幅回路１００における温度補償の精度が向上する。
【００６９】
その結果、温度変化による低雑音増幅回路１００のゲイン変動が抑制されるので、低雑音増幅回路１００の増幅特性の線形性が向上し、低雑音増幅回路１００の雑音指数が向上する。
【００７０】
なお、第１領域４１０と第２領域４２０との間に配置したデュプレクサ３００は、電力増幅回路２００が低雑音増幅回路１００から受ける熱の影響も軽減するから、電力増幅回路２００における温度補償の精度も向上する。
【００７１】
その結果、温度変化による電力増幅回路２００のゲイン変動が抑制されるので、電力増幅回路２００の増幅特性の線形性が向上し、電力増幅回路２００の雑音指数が向上する。
【００７２】
第１領域４１０と第２領域４２０との間に電力増幅回路２００より発熱性が低い部品を配置することにより、基板４００のフロア面積を有効に利用しながら、低雑音増幅回路１００と電力増幅回路２００とが相互に及ぼし合う熱の影響を軽減することができる。
【００７３】
低雑音増幅回路１００の温度補償は、低雑音増幅回路１００とは別途に設けた制御ＩＣから行うこともできるが、低雑音増幅回路１００と制御ＩＣとが離れていて、熱的な結合が十分でなければ、温度補償の精度を損なう要因になり得る。これに対し、高周波モジュール１０によれば、ダイオード１１５、１１６とダイオード１４７とが、同じ第１領域４１０内で熱的に結合するので、高い精度での温度補償が可能になる。
【００７４】
低雑音増幅回路１００をローノイズアンプＩＣ１００ａで構成した場合、ダイオード１１５、１１６とダイオード１４７とが、同じ集積回路装置内で熱的に結合するので、さらに高い精度での温度補償が可能になる。また、これまで集積回路装置として実現されていなかった温度補償機能付き低雑音増幅回路が、新たな集積回路装置として提供される。
【００７５】
また、ダイオード１１５、１１６及びダイオード１４７は、熱的な距離が電力増幅回路２００から実質的に等しい位置に配置されてもよい。これにより、ダイオード１１５、１１６、及びダイオード１４７の各々が電力増幅回路２００から受ける熱の影響が、軽減されつつ均等化されるので、温度補償の精度をさらに向上できる。
【００７６】
（実施の形態２）
実施の形態２では、実施の形態１に係る高周波モジュールを備える通信装置について説明する。
【００７７】
図６は、実施の形態２に係る通信装置１の機能的な構成の一例を示すブロック図である。図６に示されるように、通信装置１は、フロントエンド回路１０ａ、ＲＦ信号処理回路２０、及びベースバンド信号処理回路３０を備える。
【００７８】
フロントエンド回路１０ａは、ＲＦ信号処理回路２０で生成された送信ＲＦ信号を電力増幅器により増幅してアンテナ４０へ供給し、アンテナ４０で受信された受信ＲＦ信号を低雑音増幅器により増幅してＲＦ信号処理回路２０へ供給する。フロントエンド回路１０ａは、実施の形態１係る高周波モジュール１０で構成される。
【００７９】
ＲＦ信号処理回路２０は、ベースバンド信号処理回路３０で生成された送信信号を送信ＲＦ信号に変換し、フロントエンド回路１０ａへ供給する。当該変換は、信号の変調及びアップコンバートを含んでもよい。また、フロントエンド回路１０ａから受信した受信ＲＦ信号を受信信号に変換し、ベースバンド信号処理回路３０へ供給する。当該変換は、信号の復調及びダウンコンバートを含んでもよい。ＲＦ信号処理回路２０は、高周波集積回路（ＲＦＩＣ）チップで構成されてもよい。
【００８０】
ベースバンド信号処理回路３０は、応用装置／応用ソフトウェアで生成された送信データを送信信号に変換し、ＲＦ信号処理回路２０へ供給する。当該変換は、データの圧縮、多重化、誤り訂正符号の付加を含んでもよい。また、ＲＦ信号処理回路２０から受信した受信信号を受信データに変換し、応用装置／応用ソフトウェアへ供給する。当該変換は、データの伸長、多重分離、誤り訂正を含んでもよい。ベースバンド信号処理回路３０は、ベースバンド集積回路（ＢＢＩＣ）チップで構成されてもよい。
【００８１】
応用装置／応用ソフトウェアは、送信データ及び受信データを用いて、音声通話や画像表示などの応用動作を行う。
【００８２】
通信装置１によれば、フロントエンド回路１０ａに、実施の形態１に係る高周波モジュール１０を用いることにより、低雑音増幅回路及び電力増幅回路の何れにおいても精度の高い温度補償を行うことができる。
【００８３】
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置について説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つ又は複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、高周波モジュールとして、各種の通信装置に広く利用できる。
【符号の説明】
【００８５】
１    通信装置
１０    高周波モジュール
１０ａ  フロントエンド回路
２０    ＲＦ信号処理回路
３０    ベースバンド信号処理回路
４０    アンテナ
１００    低雑音増幅回路
１００ａ  ローノイズアンプＩＣ
１１０、２１０    バイアス回路
１１１、１３２、１３３、１４２〜１４５、１６１    トランジスタ
１１２〜１１４、１２４〜１２７、１３４、１４６、１５１、１６２    抵抗
１１５、１１６、１４７、２１５、２１６、２４７    ダイオード
１２０、２２０    電圧生成回路
１２１    バンドギャップ回路
１２２、１２３、１３１、１４１    オペアンプ
１２９    温度特性補償回路
１３０    定電流生成回路
１４０    調整電流生成回路
１５０    電流電圧変換回路
１６０、２６０    増幅回路
１６３    インダクタ
２００    電力増幅回路
２００ａ  パワーアンプＩＣ
３００    デュプレクサ
４００    基板
４１０    第１領域
４２０    第２領域
４３０    直線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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