(57)【要約】【課題】複数の基板に対し均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板の下面に向けて液体を吐出する下面ノズルと、下面ノズルに液体を供給する共通配管とを含む。基板処理装置では、複数枚の基板Ｗの各々に対し共通の共通エッチング処理Ｓ２が順に施される。各共通エッチング処理Ｓ２は、下面ノズルからエッチング液を吐出させるエッチング工程と、エッチング工程の後に、下面ノズルから高温液を吐出する置換工程とを含む。複数枚の基板に対する複数の共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前に、共通配管の管壁を、熱平衡温度まで昇温させる配管昇温工程Ｓ１が実行される。各共通エッチング処理Ｓ２では、置換工程の後で次回の各エッチング工程の前に共通配管の管壁が降温されない。【選択図】図６
2018093147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持ユニットに保持された基板に液体を供給するためのノズルと、前記ノズルに連結された共通配管とを含む基板処理装置において実行され、複数枚の基板の各々に対し共通の共通エッチング処理を順に施す基板処理方法であって、
前記共通エッチング処理は、
第１の液温のエッチング液を前記共通配管に供給して、前記ノズルからエッチング液を吐出させることにより、前記基板保持ユニットに保持されている基板をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記第１の液温より高い液温を有する高温液を前記共通配管に供給して、前記ノズルから高温液を吐出させる高温液吐出工程とを有し、
前記基板処理方法は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前に、前記共通配管の管壁を、前記第１の液温よりも高い所定の第２の液温まで昇温させる配管昇温工程をさらに含み、
各共通エッチング処理は、各高温液吐出工程の後で次回の各エッチング工程の前に前記共通配管の管壁を降温させる工程を行わない、基板処理方法。
【請求項２】
前記基板処理装置は、基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピとを記憶するためのレシピ記憶部をさらに含み、
前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、
前記共通エッチング処理が前記第１のレシピに基づいて実行され、かつ前記配管昇温工程が前記第２のレシピに基づいて実行される、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記共通エッチング処理は、一つのロットを構成する複数枚の基板の各々に対して実行される工程である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、
前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記次のロットに対し前記配管昇温工程を行わない、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を降温させる配管降温工程をさらに含み、
前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、
前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記一つのロットに対し前記配管降温工程を行わない、請求項３または４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第２の液温は、前記共通配管の管壁の温度であって、前記基板処理装置において前記共通エッチング処理が連続して行われた場合に収束する熱平衡温度である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記配管昇温工程は、前記共通配管を加熱させるべく、前記第２の液温と同温度または当該第２の液温よりも高温を有する加熱液を前記共通配管に流通させる加熱液流通工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記配管昇温工程は、前記共通配管の管壁を前記第２の液温よりも高温に昇温させるべく、当該共通配管を加熱する加熱工程熱液を前記共通配管に流通させる熱液を前記共通配管に流通させると、前記加熱工程の後に前記共通配管を冷却して、前記共通配管の温度を前記第２の液温に調整する温度調整工程とを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を降温させる配管降温工程をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板処理装置は、基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピと前記プロセスレシピの後に実行されるポストレシピとを記憶するためのレシピ記憶部を含み、
前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、前記配管降温工程に対応する第３のレシピが前記ポストレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、
前記共通エッチング処理が前記第１のレシピに基づいて実行され、前記配管昇温工程が前記第２のレシピに基づいて実行され、かつ前記配管降温工程が前記第３のレシピに基づいて実行される、請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記配管降温工程は、前記共通配管を冷却させるべく、前記第２の液温よりも低温を有する冷却液を前記共通配管に流通させる冷却液流通工程を含む、請求項９または１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記配管降温工程は、前記共通配管を冷却させるべく、当該共通配管を外部から冷却する外部冷却工程を含む、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持された基板に液体を供給するためのノズルと、
前記ノズルに連結された共通配管と、
前記共通配管に、所定の第１の液温のエッチング液を供給するためのエッチング液供給ユニットと、
前記共通配管に、前記第１の液温より高い液温を有する高温液を供給するための高温液供給ユニットと、
前記共通配管を加熱するための配管加熱ユニットと、
前記エッチング液供給ユニット、前記加熱液供給ユニットおよび前記配管加熱ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置は、予め定める枚数を一単位とする複数枚の基板の各々に対し共通の処理を順に施す共通エッチング処理であって、第１の液温のエッチング液を前記共通配管に供給して、前記ノズルからエッチング液を吐出させることにより、前記基板保持ユニットに保持されている基板をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記第１の液温より高い液温を有する高温液を前記共通配管に供給して、前記ノズルから高温液を吐出させる高温液吐出工程とを有する共通エッチング処理を実行し、
前記制御装置は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前に、前記共通配管の管壁を、前記第１の液温よりも高い所定の第２の液温まで昇温させる配管昇温工程をさらに実行し、
前記制御装置は、前記共通エッチング処理において、各高温液吐出工程の後で次回の各エッチング工程の前に前記共通配管の管壁を降温させる工程を行わない、基板処理装置。
【請求項１４】
基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピとを記憶するためのレシピ記憶部をさらに含み、
前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、
前記制御装置は、前記第１のレシピに基づいて前記共通エッチング処理を実行し、かつ前記第２のレシピに基づいて前記配管昇温工程を実行する、請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記制御装置は、一つのロットを構成する複数枚の基板の各々に対して前記共通エッチング処理を実行する、請求項１３または１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、
前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記制御装置は、前記次のロットに対し前記配管昇温工程を行わない、請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、
前記制御装置は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を降温させる配管降温工程をさらに実行し、
前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記制御装置は、前記一つのロットに対し前記配管降温工程を行わない、請求項１５または１６に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記第２の液温は、前記共通配管の管壁の温度であって、前記基板処理装置において前記共通エッチング処理が連続して行われた場合に収束する熱平衡温度である、請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記制御装置は、前記共通配管を加熱させるべく、前記第２の液温と同温度または当該第２の液温よりも高温を有する加熱液を前記共通配管に流通させる加熱液流通工程を、前記配管昇温工程として実行する、請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記制御装置は、前記配管昇温工程は、前記共通配管の管壁を前記第２の液温よりも高温に昇温させるべく、当該共通配管を加熱する加熱工程熱液を前記共通配管に流通させると、前記加熱工程の後に前記共通配管を冷却して、前記共通配管の温度を前記第２の液温に調整する温度調整工程と実行する、請求項１３〜１９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記共通配管を冷却するための配管冷却ユニットをさらに含み、
前記制御装置は、前記配管冷却ユニットをさらに制御し、
前記制御装置は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を降温させる配管降温工程を実行する、請求項１３〜２０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２２】
基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピと前記プロセスレシピの後に実行されるポストレシピとを記憶するためのレシピ記憶部をさらに含み、
前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、前記配管降温工程に対応する第３のレシピが前記ポストレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、
前記制御装置は、前記第１のレシピに基づいて前記共通エッチング処理を実行し、前記第２のレシピに基づいて前記配管昇温工程実行し、かつ前記第３のレシピに基づいて前記配管降温工程を実行する、請求項２１に記載の基板処理装置。
【請求項２３】
前記配管冷却ユニットは、前記第２の液温よりも低温を有する冷却液を前記共通配管に供給する冷却液供給ユニットを含み、
前記制御装置は、前記共通配管を冷却させるべく当該共通配管に前記冷却液を流通させる冷却液流通工程を、前記配管降温工程として実行する、請求項２１または２２に記載の基板処理装置。
【請求項２４】
前記配管冷却ユニットは、前記共通配管を外部から供給する外部冷却ユニットを含み、
前記制御装置は、前記外部冷却ユニットによって前記共通配管を冷却する外部冷却工程を、前記配管降温工程として実行する、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、基板を一枚ずつエッチング処理する枚葉式の基板処理装置が記載されている。この基板処理装置に係るエッチング処理では、スピンチャックによって水平姿勢で回転させられている基板の上下面にエッチング液が供給される（エッチング工程）。エッチング工程の終了後にはリンス液が基板の上下面に供給され、それによって、基板の上下面に付着しているエッチング液が洗い流される。リンス液による処理後の基板の上面には、イソプロピルアルコール（isopropyl alcohol：ＩＰＡ）等の有機溶剤が供給される（有機溶剤供給工程）。有機供給工程により、基板の上面のリンス液が有機溶剤に置換される。その後、基板が高速回転されるスピンドライ工程が行われ、基板に付着しているリンス液が振り切られて除去（乾燥）される。
【０００３】
下記特許文献１に係る基板処理装置は、基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出する下面ノズルと、下面ノズルに接続された処理液配管と、処理液配管に、常温のエッチング液を供給するエッチング液ユニットと、処理液配管に、高温に加熱された加熱液を供給する加熱液ユニットとを含む。処理液配管は、常温のエッチング液と加熱液とを下面ノズルに選択的に供給する。
【０００４】
このような基板処理装置では、有機溶剤供給工程において、加熱液からの熱が処理液配管の管壁に蓄積される。そのため、複数の基板に対しエッチング処理を連続して実行する場合には、エッチング処理を重ねるに従って処理液配管の管壁が昇温するおそれがあり、その結果、下面ノズルから吐出されるエッチング液の液温が上昇するおそれがある。特許文献１では、このような熱影響を排除すべく、各エッチング工程の終わるごとに、処理液配管に冷却液を供給して処理液配管の管壁を冷却させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１８５６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の手法では、処理液配管に蓄えられた熱を完全に除去することは難しい。したがって、複数枚の基板に対しエッチング処理が続けて施されると、エッチング処理を重ねるに従って処理液配管の管壁が昇温し、その結果、下面ノズルから吐出されるエッチング液の液温が上昇するおそれがある。
図１９は、エッチング処理枚数と、下面ノズルからのエッチング液の吐出温度との関係を説明するためのグラフである。複数枚の基板に対して続けてエッチング処理が施される場合、当初は、処理液配管に与えられるエッチング液の温度ＴＡのまま下面ノズルからエッチング液が吐出されるが、エッチング処理を重ねるに従って（エッチング処理の処理枚数が増えるに従って）、エッチング液の吐出温度が上昇する。基板へのエッチングレートはエッチング液の吐出温度に比例するから、エッチング処理を重ねるに従ってエッチングレートが上昇するおそれがある。
【０００７】
また、これは、特許文献１のような裏面に温水を供給する手法に限られず、基板にリンス液として温水を用いる場合にも共通の課題である。
すなわち、複数枚の基板に対しエッチング処理を施す場合に、このような熱影響に起因する基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止することが求められている。
そこで、本発明の目的は、基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板保持ユニットに保持された基板に液体を供給するためのノズルと、前記ノズルに連結された共通配管とを含む基板処理装置において実行され、複数枚の基板の各々に対し共通の共通エッチング処理を順に施す基板処理方法であって、各共通エッチング処理は、所定の第１の液温のエッチング液を前記共通配管に供給して、前記ノズルからエッチング液を吐出させることにより、前記基板保持ユニットに保持されている基板をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記第１の液温より高い液温を有する高温液を前記共通配管に供給して、前記ノズルから高温液を吐出させる高温液吐出工程とを有し、前記基板処理方法は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前に、前記共通配管の管壁を、前記第１の液温よりも高い所定の第２の液温まで昇温させる配管昇温工程をさらに含み、各共通エッチング処理は、各高温液吐出工程の後で次回の各エッチング工程の前に前記共通配管の管壁を降温させる工程を行わない、基板処理方法を提供する。
【０００９】
この方法によれば、複数の共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前に共通配管の管壁が、ノズルに供給されるエッチング液の液温よりも高い第２の液温まで昇温させられる。また、各高温液吐出工程の後で次回の各エッチング工程の前において、共通配管の管壁を降温させることはしない。
最初の共通エッチング処理の前に共通配管の管壁が第２の液温まで昇温させられるので、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から、第１の液温より高い第２の液温のエッチング液を用いて、基板をエッチングできる。そして、共通エッチング処理に係る高温液吐出工程における共通配管の熱の蓄積により、それ以降の共通エッチング処理に係るエッチング工程で用いられるエッチング液の液温を第１の液温よりも高く保つことができる。これにより、各エッチング工程において複数の基板に対し、略同一または近似のエッチングレート安定したエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記基板処理装置は、基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピとを記憶するためのレシピ記憶部をさらに含み、前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、前記共通エッチング処理が前記第１のレシピに基づいて実行され、かつ前記配管昇温工程が前記第２のレシピに基づいて実行される、請求項１に記載の基板処理方法である。
【００１１】
この方法によれば、レシピ記憶部に記憶されている第１のレシピに基づいて共通エッチング処理が実行され、かつレシピ記憶部に記憶されている第２のレシピに基づいて配管昇温工程が実行される。そのため、複数の共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前における配管昇温工程の実行を、比較的容易に実現できる。
請求項３に記載の発明は、前記共通エッチング処理は、一つのロットを構成する複数枚の基板の各々に対して実行される工程である、請求項１または２に記載の基板処理方法である。
【００１２】
この方法によれば、一つのロットを構成する複数枚の基板の各々に対し、略同一または近似のエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、一つのロットを構成する複数枚の基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
請求項４に記載の発明は、前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記次のロットに対し前記配管昇温工程を行わない、請求項３に記載の基板処理方法である。
【００１３】
この方法によれば、一つのロットを構成する複数枚の基板に対してのみならず、次のロットを構成する複数枚の基板に対しても共通エッチング処理が実行される場合には、次のロットに対する配管昇温工程の実行がキャンセルされる。そのため、次のロットの、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から、エッチング液の液温を第１の液温よりも高く保つことが可能である。これにより、次のロットを構成する複数枚の基板に対して、略同一または近似のエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、次のロットを構成する複数枚の基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を降温させる配管降温工程をさらに含み、前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記一つのロットに対し前記配管降温工程を行わない、請求項３または４に記載の基板処理方法である。
【００１５】
この方法によれば、一つのロットを構成する複数枚の基板に対してのみならず、次のロットを構成する複数枚の基板に対しても共通エッチング処理が実行される場合には、一つのロットに対する配管降温工程の実行がキャンセルされる。そのため、次のロットの、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から、エッチング液の液温を第１の液温よりも高く保つことが可能である。これにより、次のロットを構成する複数枚の基板に対して、略同一または近似のエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、次のロットを構成する複数枚の基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、前記第２の液温は、前記共通配管の管壁の温度であって、前記基板処理装置において前記共通エッチング処理が連続して行われた場合に収束する熱平衡温度である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から熱平衡温度のエッチング液を用いて、基板をエッチングできる。そして、共通エッチング処理に係る高温液吐出工程における共通配管の熱の蓄積により、それ以降の共通エッチング処理に係るエッチング工程で用いられるエッチング液の液温を熱平衡温度に保つことができる。すなわち、各共通エッチング処理に係るエッチング工程で用いられるエッチング液の液温を一定に保つことができる。これにより、各エッチング工程において複数の基板に対し同一のエッチングレートでエッチング処理を施すことができる。ゆえに、基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記配管昇温工程は、前記共通配管を加熱させるべく、前記第２の液温と同温度または当該第２の液温よりも高温を有する加熱液を前記共通配管に流通させる加熱液流通工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、共通配管に加熱液を流通させることにより、共通配管の管壁を良好に昇温させることができる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、前記配管昇温工程は、前記共通配管の管壁を前記第２の液温よりも高温に昇温させるべく、当該共通配管を加熱する加熱工程熱液を前記共通配管に流通させると、前記加熱工程の後に前記共通配管を冷却して、前記共通配管の温度を前記第２の液温に調整する温度調整工程とを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
【００１９】
この方法によれば、共通配管を第２の液温よりも高温に一旦昇温させた後に共通配管を冷却して、前記共通配管の温度を前記第２の液温に近づける。このように段階的に温度調整することにより、共通配管の温度を第２の液温に良好に調整できる。
請求項９に記載の発明は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を（第１の温度に）降温させる配管降温工程をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
【００２０】
この方法によれば、複数の共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に配管降温工程が実行される。最後の共通エッチング処理の後に共通配管の管壁が（第１の温度に）降温されるので、共通エッチング処理および配管昇温工程において共通配管に蓄積された熱をリセットすることができる。これにより、複数の共通エッチング処理に係る配管昇温工程の熱影響を回避しながら、当該基板処理装置で実行される次の処理を良好に実行させることできる。
【００２１】
請求項１０に記載の発明は、前記基板処理装置は、基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピと前記プロセスレシピの後に実行されるポストレシピとを記憶するためのレシピ記憶部を含み、前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、前記配管降温工程に対応する第３のレシピが前記ポストレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、前記共通エッチング処理が前記第１のレシピに基づいて実行され、前記配管昇温工程が前記第２のレシピに基づいて実行され、かつ前記配管降温工程が前記第３のレシピに基づいて実行される、請求項９に記載の基板処理方法である。
【００２２】
この方法によれば、レシピ記憶部に記憶されている第１のレシピに基づいて共通エッチング処理が実行され、レシピ記憶部に記憶されている第２のレシピに基づいて配管昇温工程が実行され、かつレシピ記憶部に記憶されている第３のレシピに基づいて配管降温工程が実行される。そのため、複数の共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後における配管降温工程の実行を、比較的容易に実現できる。
【００２３】
請求項１１に記載の発明は、前記配管降温工程は、前記共通配管を冷却させるべく、前記第２の液温よりも低温を有する冷却液を前記共通配管に流通させる冷却液流通工程を含む、請求項９または１０に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、共通配管に冷却液を流通させることにより、共通配管の管壁を良好に降温させることができる。
【００２４】
請求項１２に記載の発明は、前記配管降温工程は、前記共通配管を冷却させるべく、当該共通配管を外部から冷却する外部冷却工程を含む、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、共通配管を外部から冷却させることにより、共通配管の管壁を良好に降温させることができる。
【００２５】
前記の目的を達成するための請求項１３に記載の発明は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持された基板に液体を供給するためのノズルと、前記ノズルに連結された共通配管と、前記共通配管に、所定の第１の液温のエッチング液を供給するためのエッチング液供給ユニットと、前記共通配管に、前記第１の液温より高い液温を有する高温液を供給するための高温液供給ユニットと、前記共通配管を加熱するための配管加熱ユニットと、前記エッチング液供給ユニット、前記加熱液供給ユニットおよび前記配管加熱ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置は、予め定める枚数を一単位とする複数枚の基板の各々に対し共通の処理を順に施す共通エッチング処理であって、第１の液温のエッチング液を前記共通配管に供給して、前記ノズルからエッチング液を吐出させることにより、前記基板保持ユニットに保持されている基板をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記第１の液温より高い液温を有する高温液を前記共通配管に供給して、前記ノズルから高温液を吐出させる高温液吐出工程とを有する共通エッチング処理を実行し、前記制御装置は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前に、前記共通配管の管壁を、前記第１の液温よりも高い所定の第２の液温まで昇温させる配管昇温工程をさらに実行し、前記制御装置は、前記共通エッチング処理において、各高温液吐出工程の後で次回の各エッチング工程の前に前記共通配管の管壁を降温させる工程を行わない、基板処理装置を提供する。
【００２６】
この構成によれば、複数の共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前に共通配管の管壁が、ノズルに供給されるエッチング液の液温よりも高い第２の液温まで昇温させられる。また、各高温液吐出工程の後で次回の各エッチング工程の前において、共通配管の管壁を降温させることはしない。
最初の共通エッチング処理の前に共通配管の管壁が第２の液温まで昇温させられるので、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から、第１の液温より高い第２の液温のエッチング液を用いて、基板をエッチングできる。そして、共通エッチング処理に係る高温液吐出工程における共通配管の熱の蓄積により、それ以降の共通エッチング処理に係るエッチング工程で用いられるエッチング液の液温を第１の液温よりも高く保つことができる。これにより、各エッチング工程において複数の基板に対し、略同一または近似のエッチングレート安定したエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００２７】
請求項１４に記載の発明は、基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピとを記憶するためのレシピ記憶部をさらに含み、前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、前記制御装置は、前記第１のレシピに基づいて前記共通エッチング処理を実行し、かつ前記第２のレシピに基づいて前記配管昇温工程を実行する、請求項１３に記載の基板処理装置である。
【００２８】
この構成によれば、レシピ記憶部に記憶されている第１のレシピに基づいて共通エッチング処理が実行され、かつレシピ記憶部に記憶されている第２のレシピに基づいて配管昇温工程が実行される。そのため、複数の共通エッチング処理のうち最初の共通エッチング処理の前における配管昇温工程の実行を、比較的容易に実現できる。
請求項１５に記載の発明は、前記制御装置は、一つのロットを構成する複数枚の基板の各々に対して前記共通エッチング処理を実行する、請求項１３または１４に記載の基板処理装置である。
【００２９】
この構成によれば、一つのロットを構成する複数枚の基板の各々に対し、略同一または近似のエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、一つのロットを構成する複数枚の基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
請求項１６に記載の発明は、前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記制御装置は、前記次のロットに対し前記配管昇温工程を行わない、請求項１５に記載の基板処理装置である。
【００３０】
この構成によれば、一つのロットを構成する複数枚の基板に対してのみならず、次のロットを構成する複数枚の基板に対しても共通エッチング処理が実行される場合には、次のロットに対する配管昇温工程の実行がキャンセルされる。そのため、次のロットの、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から、エッチング液の液温を第１の液温よりも高く保つことが可能である。これにより、次のロットを構成する複数枚の基板に対して、略同一または近似のエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、次のロットを構成する複数枚の基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００３１】
請求項１７に記載の発明は、前記基板処理装置において前記一つのロットを構成する複数枚の基板に引き続いて次のロットを構成する複数枚の基板が処理されるようになっていて、前記制御装置は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を降温させる配管降温工程をさらに実行し、前記一つのロットを構成する複数枚の基板に対し前記共通エッチング処理が実行され、かつ前記次のロットを構成する複数枚の基板に対しても前記共通エッチング処理が実行される場合には、前記制御装置は、前記一つのロットに対し前記配管降温工程を行わない、請求項１５または１６に記載の基板処理装置である。
【００３２】
この構成によれば、一つのロットを構成する複数枚の基板に対してのみならず、次のロットを構成する複数枚の基板に対しても共通エッチング処理が実行される場合には、一つのロットに対する配管降温工程の実行がキャンセルされる。そのため、次のロットの、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から、エッチング液の液温を第１の液温よりも高く保つことが可能である。これにより、次のロットを構成する複数枚の基板に対して、略同一または近似のエッチングレートでエッチング処理を施すことが可能である。ゆえに、次のロットを構成する複数枚の基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００３３】
請求項１８に記載の発明は、前記第２の液温は、前記共通配管の管壁の温度であって、前記基板処理装置において前記共通エッチング処理が連続して行われた場合に収束する熱平衡温度である、請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、最初の共通エッチング処理に係るエッチング工程から熱平衡温度のエッチング液を用いて、基板をエッチングできる。そして、共通エッチング処理に係る高温液吐出工程における共通配管の熱の蓄積により、それ以降の共通エッチング処理に係るエッチング工程で用いられるエッチング液の液温を熱平衡温度に保つことができる。すなわち、各共通エッチング処理に係るエッチング工程で用いられるエッチング液の液温を一定に保つことができる。これにより、各エッチング工程において複数の基板に対し同一のエッチングレートでエッチング処理を施すことができる。ゆえに、基板間のエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００３４】
請求項１９に記載の発明は、前記制御装置は、前記共通配管を加熱させるべく当該共通配管に前記第２の液温よりも高温を有する加熱液を流通させる加熱液流通工程を、前記配管昇温工程として実行する、請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、共通配管に加熱液を流通させることにより、共通配管の管壁を良好に昇温させることができる。
【００３５】
請求項２０に記載の発明は、前記制御装置は、前記配管昇温工程は、前記共通配管の管壁を前記第２の液温よりも高温に昇温させるべく、当該共通配管を加熱する加熱工程熱液を前記共通配管に流通させると、前記加熱工程の後に前記共通配管を冷却して、前記共通配管の温度を前記第２の液温に調整する温度調整工程と実行する、請求項１３〜１９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００３６】
この構成によれば、共通配管を第２の液温よりも高温に一旦昇温させた後に共通配管を冷却して、前記共通配管の温度を前記第２の液温に近づける。このように段階的に温度調整することにより、共通配管の温度を第２の液温に良好に調整できる。
請求項２１に記載の発明は、前記共通配管を冷却するための配管冷却ユニットをさらに含み、前記制御装置は、前記配管冷却ユニットをさらに制御し、前記制御装置は、前記複数枚の基板に対する複数の前記共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に、前記共通配管を冷却して当該共通配管の管壁を（第１の温度に）降温させる配管降温工程を実行する、請求項１３〜２０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００３７】
この構成によれば、複数の共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後に配管降温工程が実行される。最後の共通エッチング処理の後に共通配管の管壁が（第１の温度に）降温されるので、共通エッチング処理および配管昇温工程において共通配管に蓄積された熱をリセットすることができる。これにより、複数の共通エッチング処理に係る配管昇温工程の熱影響を回避しながら、当該基板処理装置で実行される次の処理を良好に実行させることできる。
【００３８】
請求項２２に記載の発明は、基板に対して施される処理の内容を規定したプロセスレシピと前記プロセスレシピに先立って実行されるプレレシピと前記プロセスレシピの後に実行されるポストレシピとを記憶するためのレシピ記憶部をさらに含み、前記共通エッチング処理に対応する第１のレシピが前記プロセスレシピとして、前記配管昇温工程に対応する第２のレシピが前記プレレシピとして、前記配管降温工程に対応する第３のレシピが前記ポストレシピとして、それぞれ前記レシピ記憶部に記憶されており、前記制御装置は、前記第１のレシピに基づいて前記共通エッチング処理を実行し、前記第２のレシピに基づいて前記配管昇温工程実行し、かつ前記第３のレシピに基づいて前記配管降温工程を実行する、請求項２１に記載の基板処理装置である。
【００３９】
この構成によれば、レシピ記憶部に記憶されている第１のレシピに基づいて共通エッチング処理が実行され、レシピ記憶部に記憶されている第２のレシピに基づいて配管昇温工程が実行され、かつレシピ記憶部に記憶されている第３のレシピに基づいて配管降温工程が実行される。そのため、複数の共通エッチング処理のうち最後の共通エッチング処理の後における配管降温工程の実行を、比較的容易に実現できる。
【００４０】
請求項２３に記載の発明は、前記配管冷却ユニットは、前記第２の液温よりも低温を有する冷却液を前記共通配管に供給する冷却液供給ユニットを含み、前記制御装置は、前記共通配管を冷却させるべく当該共通配管に前記冷却液を流通させる冷却液流通工程を、前記配管降温工程として実行する、請求項２１または２２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、通配管に冷却液を流通させることにより、共通配管の管壁を良好に降温させることができる。
【００４１】
請求項２４に記載の発明は、前記配管冷却ユニットは、前記共通配管を外部から供給する外部冷却ユニットを含み、前記制御装置は、前記外部冷却ユニットによって前記共通配管を冷却する外部冷却工程を、前記配管降温工程として実行する、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、共通配管を外部から冷却させることにより、共通配管の管壁を良好に降温させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
【図２】図２は、前記基板処理装置に含まれる処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。
【図３】図３は、前記処理ユニットに含まれる外部冷却ユニットを説明するための模式的な縦断面図である。
【図４】図４は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図５】図５は、制御装置において作成されるプロセスレシピ、プレレシピ、ポストレシピおよびフローレシピの構成を説明するための図である。
【図６】図６は、前記処理ユニットにおいて実行される処理の内容を説明するための流れ図である。
【図７】図７は、前記プロセスレシピに基づいて実行される共通エッチングを説明するための流れ図である。
【図８】図８は、図７に示すエッチング工程を説明するための図である。
【図９】図９は、図７に示す有機溶剤工程を説明するための図である。
【図１０】図１０は、前記プレレシピに基づいて実行される配管昇温工程を説明するための流れ図である。
【図１１】図１１は、図１０に示す加熱工程を説明するための図である。
【図１２】図１２は、図１０に示す第１の温度調整工程を説明するための図である。
【図１３】図１３は、図１０に示す第２の温度調整工程を説明するための図である。
【図１４】図１４は、図１０に示す第１の乾燥工程を説明するための図である。
【図１５】図１５は、前記ポストレシピに基づいて実行される配管降温工程を説明するための流れ図である。
【図１６】図１６は、図１５に示す第２の冷却液流通工程を説明するための図である。
【図１７】図１７は、図１５に示す第２の乾燥工程を説明するための図である。
【図１８】図１８は、前記処理ユニットにおいて実行される処理の内容を説明するための流れ図である。
【図１９】図１９は、エッチング処理枚数と、下面ノズルからのエッチング液の吐出温度との関係を説明するためのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、一つのロットを構成する複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器（たとえばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod））Ｃが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、基板収容器Ｃと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
【００４４】
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
処理ユニット２は、箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面にエッチング液を供給するためのエッチング液ユニット６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に水を供給するための水供給ユニット７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に、有機溶剤の一例の液体のＩＰＡ（isopropyl alcohol）を供給するための有機溶剤供給ユニット８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（基板Ｗの裏面）の中央部に向けて液体（処理液や加熱液、冷却液）を吐出する下面ノズル９と、下面ノズル９に処理液を供給する下面供給ユニット１０と、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ１１とを含む。
【００４５】
チャンバ４は、スピンチャック５やノズルを収容する箱状の隔壁１２と、隔壁１２の上部から隔壁１２内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１３と、隔壁１２の下部からチャンバ４内の気体を排出する排気ダクト１４とを含む。ＦＦＵ１３は、隔壁１２の上方に配置されており、隔壁１２の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１３は、隔壁１２の天井からチャンバ４内に下向きに清浄空気を送る。排気ダクト１４は、カップ１１の底部に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバ４内の気体を導出する。したがって、チャンバ４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ１３および排気ダクト１４によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバ４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
【００４６】
スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ１５と、このスピンモータ１５の駆動軸と一体化されたスピン軸１６と、スピン軸１６の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１７とを含む。
スピンベース１７の上面には、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１８が配置されている。複数個の挟持部材１８は、スピンベース１７の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
【００４７】
また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
エッチング液ユニット６はエッチング液ノズル１９を含む。エッチング液ノズル１９は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の回転中心付近に向けて固定的に配置されている。エッチング液ノズル１９には、エッチング液供給源から常温（第１の液温。たとえば約２４℃）のエッチング液が供給される第１のエッチング液配管２０が接続されている。第１のエッチング液配管２０には、エッチング液ノズル１９からのエッチング液の供給／供給停止を切り換えるための第１のエッチング液バルブ２１が介装されている。エッチング液ノズル１９に供給されるエッチング液としては、第１のエッチング液配管２０に供給されるエッチング液として希フッ酸（ＤＨＦ）やバッファードフッ酸（ＢＨＦ）が用いられる。その他、エッチング液として、濃フッ酸（ｃｏｎｃＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液）、フッ化アンモニウム等を用いてもよい。エッチング液ユニット６は、エッチング液ノズル１９を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するエッチング液の着液位置を基板Ｗの面内で走査させるエッチング液ノズル移動装置を備えていてもよい。
【００４８】
水供給ユニット７は水ノズル２４を含む。水ノズル２４は、たとえば連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の回転中心付近に向けて固定的に配置されている。水ノズル２４には、水供給源からの常温（たとえば約２４℃）の水が供給される水配管２５が接続されている。水配管２５には、水ノズル２４からの水の供給／供給停止を切り換えるための第１の水バルブ２６が介装されている。水ノズル２４に供給される水として、ＤＩＷ（脱イオン水）を挙げることができるが、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、脱気水などであってもよい。水供給ユニット７は、水ノズル２４を移動させることにより、基板Ｗの上面に対する水の着液位置を基板Ｗの面内で走査させる水ノズル移動装置を備えていてもよい。
【００４９】
有機溶剤供給ユニット８は有機溶剤ノズル２９を含む。有機溶剤ノズル２９は、たとえば連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の回転中心付近に向けて固定的に配置されている。有機溶剤ノズル２９には、有機溶剤供給源（ＩＰＡ供給源）からの液体の有機溶剤（ＩＰＡ）が供給される有機溶剤配管３０が接続されている。有機溶剤配管３０には、有機溶剤ノズル２９からのＩＰＡの供給／供給停止を切り換えるための有機溶剤バルブ３１が介装されている。有機溶剤供給ユニット８は、有機溶剤ノズル２９を移動させることにより、基板Ｗの上面に対する有機溶剤の着液位置を基板Ｗの面内で走査させる有機溶剤ノズル移動装置を備えていてもよい。
【００５０】
図２に示すように、下面ノズル９は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの下面の中央部に対向する吐出口９ａを有している。吐出口９ａは、鉛直上方に向けて液を吐出する。吐出された液は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の中央部に対してほぼ垂直に入射する。
下面供給ユニット１０は、スピン軸１６内で上下に延びる第１の共通配管３２と、第１の共通配管３２に一端が接続された第２の共通配管３３と、第２の共通配管３３の他端端に接続された第３の共通配管３４とを含む。
【００５１】
スピン軸１６は中空軸となっていて、このスピン軸１６の内部に、第１の共通配管３２が上下に延びるように挿通されている。第１の共通配管３２は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面中央部に近接する位置まで延びていて、その先端に下面ノズル９が設けられている。第１の共通配管３２は、たとえばＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）を用いて形成されている。第２の共通配管３３は、第１の共通配管３２の基端（図２の下端）と第３の共通配管３４とを接続している。第２の共通配管３３には、第２の共通配管３３を開閉するための共通バルブ４０が介装されている。第３の共通配管３４は、たとえば樹脂製（たとえばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製）の筒体（たとえば円筒）の管壁を有している。
【００５２】
下面供給ユニット１０は、第３の共通配管３４に一端側（図２の左側）が接続された排液配管３５と、第３の共通配管３４に一端側（図２の左側）が接続された第２のエッチング液配管（エッチング液供給ユニット）３６と、第３の共通配管３４に一端側（図２の左側）が接続された第２の水配管（配管冷却ユニット）３７と、第３の共通配管３４に一端側（図２の左側）が接続された加熱液配管（加熱液供給ユニット、高温液供給ユニット）３８と、第３の共通配管３４に一端側（図２の左側）が接続された吸引配管３９とを含む。
【００５３】
排液配管３５には、排液配管３５を開閉するための排液バルブ４１が介装されている。排液配管３５の他端側は、機外の排液設備に接続されている。第３の共通配管３４は処理ユニット２外の処理液ボックスに収容されている。処理液ボックスは、処理ユニット２に１対１対応で設けられている。
第２のエッチング液配管３６には、第２のエッチング液配管３６を開閉するための第２のエッチング液バルブ（エッチング液供給ユニット）４２が介装されている。第２のエッチング液配管３６の他端側には、エッチング液供給源から常温（第１の液温。たとえば約２４℃）のエッチング液が供給されるようになっている。第２のエッチング液配管３６に供給されるエッチング液は、第１のエッチング液配管２０に供給されるエッチング液と同種のエッチング液である。
【００５４】
第２の水配管３７には、第２の水配管３７を開閉するための第２の水バルブ（配管冷却ユニット）４３が介装されている。第２の水配管３７の他端側には、水供給源から常温（たとえば約２４℃）の水が供給されるようになっている。第２の水配管３７に供給される水として、ＤＩＷ（脱イオン水）を挙げることができるが、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、脱気水などであってもよい。
【００５５】
加熱液配管３８には、加熱液配管３８を開閉するための加熱液バルブ（配管加熱ユニット、高温液供給ユニット）４４が介装されている。加熱液配管３８の他端側には、加熱液供給源から加熱液が供給されるようになっている。加熱液は、高温（たとえば、ＩＰＡの沸点（約８２．４℃）に近い温度（約７０〜８０℃）に加熱された液体である。加熱液の種類として、ＤＩＷ（脱イオン水）を挙げることができるが、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡまたは希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、脱気水などであってもよい。
【００５６】
吸引配管３９には、吸引配管３９を開閉するための吸引バルブ４５が介装されている。吸引配管３９の他端側（先端）には、吸引装置４６が接続されている。吸引装置４６は、たとえはエジェクタ式の吸引装置である。吸引装置４６として、エジェクタ式に代えてサイフォン式やダイヤフラム式を採用してもよい。
下面供給ユニット１０の他のバルブが閉じられた状態で、第２のエッチング液バルブ４２および共通バルブ４０が開かれると、第２のエッチング液配管３６からエッチング液が第２の共通配管３３に供給され、吐出口９ａから上方に向けてエッチング液が吐出される。
【００５７】
また、下面供給ユニット１０の他のバルブが閉じられた状態で、第２の水バルブ４３および共通バルブ４０が開かれると、第２の水配管３７から常温の水が第２の共通配管３３に供給され、吐出口９ａから上方に向けて常温の水が吐出される。
また、下面供給ユニット１０の他のバルブが閉じられた状態で、加熱液バルブ４４および共通バルブ４０が開かれると、加熱液配管３８から加熱液が第２の共通配管３３に供給され、吐出口９ａから上方に向けて加熱液が吐出される。
【００５８】
また、下面供給ユニット１０の他のバルブが閉じられた状態で、第２の水バルブ４３および排液バルブ４１が開かれると、第２の水配管３７から常温の水が、第３の共通配管３４の内部を流通して排液配管３５に供給される。これにより、第３の共通配管３４の管壁を冷却することができる。
吸引装置４６は、たとえば常時作動状態とされている。吸引装置４６の作動状態において、吸引バルブ４５が開かれると、吸引装置４６の働きが有効化されて吸引配管３９の内部が排気される。これにより、吸引配管３９の内部が減圧され、吸引配管３９の内部に連通する、第１および第２の共通配管３２，３３の内部に存在する処理液（エッチング液、水または加熱液）が、吸引配管３９へと引き込まれる。
【００５９】
カップ１１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ１１は、スピンベース１７を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ１１の上端部１１ａは、スピンベース１７よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された処理液（エッチング液、水または加熱液）は、カップ１１によって受け止められる。そして、カップ１１に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
【００６０】
処理ユニット２は、第１の共通配管３２を外部から冷却する外部冷却ユニット４７（図３参照）をさらに含む。
図３は、外部冷却ユニット４７を説明するための模式的な縦断面図である。
外部冷却ユニット４７は、第１の共通配管３２の途中部を包囲する環状部材４８と、環状部材４８によって先端部（図３の上端部）が包囲された冷却液配管４９とを含む。すなわち、第１の共通配管３２および冷却液配管４９の先端部は、環状部材４８内に挿通されている。環状部材４８の上端部は閉塞されており、第１の共通配管３２は、環状部材４８の上端部を貫通して下面ノズル９に接続されている。冷却液配管４９の先端（図３の上端）は開放されている。
【００６１】
冷却液配管４９には、冷却液配管４９を開閉するための冷却液バルブ５０が介装されている。冷却液配管４９の他端側には、冷却液供給源から冷却液が供給されるようになっている。冷却液は、常温または常温よりも低い液温を有する液体である。冷却液の種類として、ＤＩＷ（脱イオン水）を挙げることができるが、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡまたは希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、脱気水などであってもよい。
【００６２】
冷却液バルブ５０が開かれると、冷却液配管４９の先端から冷却液が吐出され、そのため、環状部材４８の内部に冷却液が満たされる。これにより、第１の共通配管３２の外壁の全周に冷却液が接液し、その結果、第１の共通配管３２の管壁が外部から冷却される。
図４は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。図５は、制御装置３において作成されるプロセスレシピ５６、プレレシピ５７、ポストレシピ５８およびフローレシピ５９の構成を説明するための図である。
【００６３】
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット５１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット５２、および入出力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット５２には、演算ユニット５１が実行するプログラム５３が記憶されている。
記憶ユニット５２は、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピを記憶するレシピ記憶部５４を含む。レシピ記憶部５４は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。レシピ記憶部５４には、操作部５５の操作により作成されるプロセスレシピ５６、プレレシピ５７、ポストレシピ５８およびフローレシピ５９が記憶される。プロセスレシピ５６は、基板Ｗに対する処理の内容（手順および条件を含む。以下同じ。）を定めたものである。プレレシピ５７は、予備動作レシピの一例であり、予め定める前処理の内容を定めたものである。ポストレシピ５８は、予備動作レシピの一例であり、予め定める後処理の内容を定めたものである。フローレシピ５９は、図５に示すように、プロセスレシピに従った制御（プロセスレシピ制御）、プリレシピに従った制御（プリレシピ制御）およびポストレシピに従った制御（ポストレシピ制御）の実行順序および実行回数を定めたものである。たとえば、レシピ記憶部５４に記憶されるプロセスレシピ５６としてプロセスレシピＰＲＯＣＥＳＳ１（第１のレシピ）の１つを例示し、レシピ記憶部５４に記憶されるプレレシピ５７としてプレレシピＰＲＥ１（第２のレシピ）およびプレレシピＰＲＥ２の２つを例示し、レシピ記憶部５４に記憶されるポストレシピ５８としてポストレシピＰＯＳＴ１（第３のレシピ）およびポストレシピＰＯＳＴ２の２つを例示しているが、これは一例であり、これに限られないのは言うまでもない。
【００６４】
基板処理装置１には、一つのロットを構成する所定枚数（たとえば、２５枚）の基板Ｗが基板収容器Ｃ（図１参照）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置１では、基板収容器Ｃごとに、図５に示す１つのフローレシピ５９が設定される。フローレシピ５９は、図５に示すように、処理の内容を定めたプロセスレシピ５６と、一連の処理の開始前に行われる前処理の内容を定めたプレレシピ５７と、一連の処理の終了後に行われる後処理の内容を定めたポストレシピ５８とを含む。
【００６５】
基板収容器Ｃ（図１参照）が、基板処理装置１のロードポートＬＰ（図１参照）に載置されると、基板収容器Ｃに含まれるロットの情報を示す基板情報が、ホストコンピュータから制御装置３に送られる。ホストコンピュータは、半導体製造工場に設置された複数の基板処理装置を統括するコンピュータである。制御装置３は、ホストコンピュータから送られた基板情報に基づいて、そのロットに対するフローレシピ５９がレシピ記憶部５４から読み出される。そして、フローレシピ５９に従って、プリレシピ制御、プロセスレシピ制御およびポストレシピ制御が順に行われる。まず、各処理ユニット２（図１参照）においてプレレシピ５７に従った制御が実行されることにより前処理が行われる。その後、プロセスレシピ５６に従った制御が繰り返し実行されることにより、１つの基板収容器Ｃに収容された基板Ｗは、次々と連続して処理ユニット２に搬入され、処理ユニット２で基板処理を受ける。そして、プロセスレシピ５６に従った制御が基板収容器Ｃに収容された基板の枚数に等しい所定回数だけ実行され、一連の所定回数の処理が終了すると、各処理ユニット２においてポストレシピ５８に従った制御が実行されることにより、後処理が実行される。
【００６６】
さらに、制御装置３は、スピンモータ１５および吸引装置４６の動作を制御する。また、制御装置３は、第１のエッチング液バルブ２１、第１の水バルブ２６、有機溶剤バルブ３１、共通バルブ４０、排液バルブ４１、第２のエッチング液バルブ４２、第２の水バルブ４３、加熱液バルブ４４、吸引バルブ４５、冷却液バルブ５０等を開閉する。
図６は、各処理ユニット２において実行される処理の内容を説明するための流れ図である。
【００６７】
１つのロット（複数枚の基板Ｗ）に対し１または複数の処理ユニット２において処理が施される。この実施形態では、１つのロット（複数枚の基板Ｗ）の基板Ｗを処理するに当り、処理ユニット２においてＮ（Ｎは２以上の整数）枚の基板Ｗが処理される。プロセスレシピ５６（図４参照）がプロセスレシピＰＲＯＣＥＳＳ１である場合には、複数の基板に対し、互いに共通の条件でエッチング（ステップＳ２）を施す共通エッチング処理（Ｓ２）が施される。プレレシピ５７（図４参照）がプレレシピＰＲＥ１である場合には、前処理として、共通配管３２〜３４を加熱して共通配管３２〜３４の管壁を昇温させる配管昇温工程（ステップＳ１）が実行される。ポストレシピ５８（図４参照）がポストレシピＰＯＳＴ１である場合には、後処理として、共通配管３２〜３４を冷却して共通配管３２〜３４の管壁を降温させる配管降温工程（ステップＳ３）が実行される。
【００６８】
したがって、各処理ユニット２（図１参照）において配管昇温工程（Ｓ１）が行われる。その後、１つの基板収容器Ｃに収容された基板Ｗは、次々と連続して処理ユニット２に搬入され、処理ユニット２で共通エッチング処理（Ｓ２）を受ける。そして、Ｎ回の共通エッチング処理（Ｓ２）が終了すると、各処理ユニット２において配管降温工程（Ｓ３）が実行される。
【００６９】
図７は、プロセスレシピＰＲＯＣＥＳＳ１に基づいて実行される共通エッチング処理（Ｓ２）を説明するための流れ図である。図８は、エッチング工程（Ｅ３）を説明するための図である。図９は、置換工程（Ｅ５）を説明するための図である。このエッチングについて、図１、図２、図４、図６および図７を参照しながら説明する。図８については適宜参照する。
【００７０】
処理ユニット２によってエッチングが実行されるときには、未処理の基板Ｗが、チャンバ４の内部に搬入される（図７のステップＥ１）。
具体的には、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面（エッチング対象面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、スピンチャック５に基板Ｗが保持される。
【００７１】
スピンチャック５に基板Ｗが保持された後、制御装置３はスピンモータ１５を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図７のステップＥ２）。基板Ｗの回転速度は、液処理速度（約３００ｒｐｍ〜約１０００ｒｐｍの所定の速度）まで上昇させられる。
基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、次いで、制御装置３は、エッチング工程（図７のステップＥ３）の実行を開始する。具体的には、制御装置３は、第１のエッチング液バルブ２１を開き、かつ下面供給ユニット１０の他のバルブを閉じながら、第２のエッチング液バルブ４２および共通バルブ４０を開く。これにより、図８に示すように、エッチング液ノズル１９から基板Ｗの上面中央部に向けてエッチング液が吐出され、かつ下面ノズル９の吐出口９ａから基板Ｗの下面中央部に向けてエッチング液が吐出される。基板Ｗの上面中央部に供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。また、基板Ｗの下面中央部に供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの下面を伝って基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの上下面の全域にエッチングが施される。
【００７２】
エッチング液の吐出開始から、予め定める期間が経過すると、制御装置３は、第１のエッチング液バルブ２１、第２のエッチング液バルブ４２および共通バルブ４０を閉じて、エッチング液ノズル１９および下面ノズル９からのエッチング液の吐出を停止する。
次いで、制御装置３はリンス工程（図７のステップＥ４）の実行を開始する。具体的には、制御装置３は、第１の水バルブ２６を開き、かつ下面供給ユニット１０の他のバルブを閉じながら、第２の水バルブ４３および共通バルブ４０を開く。これにより、水ノズル２４から基板Ｗの上面中央部に向けて水が吐出され、かつ下面ノズル９の吐出口９ａから基板Ｗの下面中央部に向けて水が吐出される。
【００７３】
基板Ｗの上面中央部に供給された水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの上面に付着しているエッチング液が洗い流される。また、基板Ｗの下面中央部に供給された水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの下面を伝って基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの下面に付着しているエッチング液が洗い流される。したがって、基板Ｗの上下面の全域にリンス処理が施される。
【００７４】
水の吐出開始から、予め定める期間が経過すると、制御装置３は、第１の水バルブ２６、第２の水バルブ４３および共通バルブ４０を閉じて、水ノズル２４および下面ノズル９からの水の吐出を停止する。
次いで、制御装置３は、置換工程（図５のステップＥ５。高温液吐出工程）の実行を開始する。置換工程（Ｅ５）は、基板Ｗ上の水を、水よりも表面張力の低い有機溶剤に置換する工程である。具体的には、制御装置３は、図９に示すように、有機溶剤バルブ３１を開き、有機溶剤ノズル２９から基板Ｗの上面中央部に向けて有機溶剤が供給される。また、基板Ｗに供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの上面（パターン形成面）の全域において、水が有機溶剤に置換される。また、基板Ｗの回転速度がパドル速度に減速されている状態で置換工程（Ｅ５）が行われてもよい。パドル速度は、基板Ｗの上面の有機溶剤の液膜に作用する遠心力が有溶剤と基板Ｗの上面との間で作用する表面張力よりも小さいか、あるいは前記の遠心力と前記の表面張力とがほぼ拮抗する場合における基板Ｗの回転速度である。
【００７５】
さらに、置換工程（Ｅ５）では、基板Ｗの上面への有機溶剤の供給に並行して、基板Ｗの下面に加熱液（高温液。ＩＰＡの沸点（約８２．４℃）に近い温度（約７０〜８０℃）に加熱された液体）が供給される。具体的には、制御装置３は、図９に示すように、下面供給ユニット１０の他のバルブを閉じながら、加熱液バルブ４４および共通バルブ４０を開く。これにより、下面ノズル９の吐出口９ａから加熱液が上向きに吐出され、基板Ｗの下面中央部に加熱液が供給される。吐出口９ａからの加熱液の吐出と並行して基板Ｗを前記の液処理速度で回転させることにより、基板Ｗの下面の全域に加熱液を供給できる。これにより、加熱液の供給により基板Ｗが温められ、これにより、基板Ｗと有機溶剤との界面が昇温される結果、有機溶剤の置換効率を向上させることができる。
【００７６】
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（図７のステップＥ６）が行われる。具体的には、制御装置３はスピンモータ１５を制御して、エッチング工程（Ｅ３）からリンス工程（Ｅ５）における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。
【００７７】
基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（図７のステップＥ７）。
その後、チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図７のステップＥ８）。具体的には、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４内から退避させる。これにより、エッチング後の基板Ｗがチャンバ４から搬出される。
【００７８】
なお、共通エッチング処理（Ｓ２）においては、基板Ｗの搬出後に、共通配管３２〜３４の管壁を降温させる工程は行われない。
図１０は、プレレシピＰＲＥ１に基づいて実行される配管昇温工程（Ｓ１）を説明するための流れ図である。図１１は、加熱工程（Ｐ１）を説明するための図である。図１２は、第１の温度調整工程（Ｐ２）を説明するための図である。図１３は、第２の温度調整工程（Ｐ３）を説明するための図である。図１４は、第１の乾燥工程（Ｐ４）を説明するための図である。配管昇温工程（Ｓ１）について、図１、図２、図４および図１０を参照しながら説明する。図１１〜図１４については適宜参照する。
【００７９】
配管昇温工程（Ｓ１）は、共通のロットの基板Ｗに対する共通エッチング処理（Ｓ２）のうち最初の共通エッチング処理の前に、共通配管３２〜３４の管壁を熱平衡温度（第２の液温）ＴＢ（たとえば約２８℃。図１９参照）まで昇温させる工程である。熱平衡温度ＴＢは、共通配管３２〜３４の管壁の温度であって、処理ユニット２において共通エッチング処理（Ｓ２）が連続して行われた場合に収束する（熱平衡状態になる）熱平衡温度である。熱平衡温度ＴＢは実験により求められる。そして、配管昇温工程（Ｓ１）における次に述べる加熱液の供給流量や加熱液の供給期間は、熱平衡温度ＴＢに基づいて設定されている。
【００８０】
この実施形態では、配管昇温工程（Ｓ１）は、各チャンバ４に基板Ｗを搬入する前に行われる。
具体的には、制御装置３は、図１１に示すように、下面供給ユニット１０の他のバルブを閉じながら、加熱液バルブ４４および共通バルブ４０を開く。これにより、約７０〜８０℃の液温を有する加熱液が、第３の共通配管３４、第２の共通配管３３および第１の共通配管３２に与えられ、共通配管３２〜３４が加熱される（Ｐ１：加熱工程）。この加熱液は、第３の共通配管３４、第２の共通配管３３および第１の共通配管３２を流通して下面ノズル９に与えられ、吐出口９ａから上方に向けて吐出される。
【００８１】
通常、第１〜第３の共通配管３２〜３４の温度は常温（たとえば約２４℃）である。加熱液の流通により、第１〜第３の共通配管３２〜３４の管壁が昇温する。下面ノズル９への加熱液の供給流量を約０．４（リットル／分）とする場合には、約４０秒間に亘って加熱液を流通させる（加熱液流通工程）。これにより、第１〜第３の共通配管３２〜３４の管壁を、熱平衡温度ＴＢよりも高い所定の昇温温度（約７３℃）まで昇温させることができる。
【００８２】
加熱液の供給開始から予め定める期間（約４０秒間）が経過すると、制御装置３は、加熱液バルブ４４および共通バルブ４０を閉じて、第１〜第３の共通配管３２〜３４への加熱液の流通を停止させる。
次いで、制御装置３は、第１の温度調整工程（ステップＰ２）の実行を開始する。具体的には、制御装置３は、図１２に示すように冷却液バルブ５０を開く。冷却液バルブ５０が開かれると、環状部材４８の内部に冷却液が供給されることにより、第１の共通配管３２の外壁の全周に冷却液が接液し、その結果、第１の共通配管３２の管壁が外部から冷却される（外部冷却工程）。
【００８３】
また、第１の温度調整工程（Ｐ２）では、第１の共通配管３２の冷却に並行して、第１〜第３の共通配管３２〜３４の内部に存在する加熱液が吸引される。具体的には、制御装置３は、図１２に示すように、共通バルブ４０を閉じかつ吸引バルブ４５を開いて吸引装置４６の働きを有効化する。これにより、第３の共通配管３４の内部、ならびに当該第３の共通配管３４の内部と連通する第１および第２の共通配管３２，３３の内部がそれぞれ排気され、第１〜第３の共通配管３２〜３４の内部に存在する加熱液が、吸引装置４６による吸引力により吸引配管３９へと引き込まれる。加熱液の吸引は、加熱液の先端面が吸引バルブ４５よりも下流側（図１２の右側）に後退するまで続行される。
【００８４】
加熱液の先端面が吸引バルブ４５よりも下流側（図１２の右側）に後退すると、制御装置３は共通バルブ４０および吸引バルブ４５を閉じて、吸引装置４６の働きを無効化する。これにより、第１の温度調整工程（Ｐ２）が終了する。このとき、第１の共通配管３２の外部冷却（外部冷却工程）は続行されている。
第１の温度調整工程（Ｐ２）の終了に引き続き、制御装置３は、第２の温度調整工程（ステップＰ３）の実行を開始する。具体的には、制御装置３は、図１３に示すように、下面供給ユニット１０の他のバルブを閉じながら、第２の水バルブ４３および排液バルブ４１を開く。これにより、第２の水配管３７から常温の水が、第３の共通配管３４の内部を流通して排液配管３５に供給される。これにより、第３の共通配管３４の管壁を冷却することができる（第１の冷却液流通工程）。
【００８５】
第３の共通配管３４への常温の水の供給開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は第２の水バルブ４３および排液バルブ４１を閉じて、第３の共通配管３４の内部への常温の水の供給を停止する。これにより、第３の共通配管３４の冷却（第１の冷却液流通工程）が終了する。このとき、第１の共通配管３２の外部冷却（外部冷却工程）は続行されている。
【００８６】
第２の温度調整工程（Ｐ３）の終了に引き続き、制御装置３は、第１の乾燥工程（Ｐ４）の実行を開始する。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１５を制御してスピンベース１７を回転開始させ、図１４に示すように、スピンベース１７の回転を、エッチング工程（Ｅ３）からリンス工程（Ｅ４）における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで上昇させ、その乾燥回転速度でスピンベース１７を回転させる。これにより、大きな遠心力がスピンベース１７上の加熱液に加わり、スピンベース１７の上面に付着している加熱液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、スピンベース１７から加熱液が除去され、スピンベース１７が乾燥する。
【００８７】
基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。また、制御装置３は冷却液バルブ５０を閉じて、環状部材４８の内部への冷却液の供給を停止する。これにより、第１の共通配管３２の外部冷却（外部冷却工程）が終了する。
一連の配管昇温工程（Ｓ１）が終了する。その後、基板収容器Ｃ（図１参照）に収容された基板Ｗは次々と連続して処理ユニット２に搬入され、処理ユニット２で共通エッチング処理（Ｓ２）を受ける。最初の共通エッチング処理（Ｓ２）の前に共通配管３２〜３４の管壁が熱平衡温度ＴＢまで昇温させられるので、最初の共通エッチング処理（Ｓ２）に係るエッチング工程（Ｅ３）から熱平衡温度ＴＢのエッチング液を用いて、基板Ｗをエッチングできる。
【００８８】
その後、ポストレシピＰＯＳＴ１（図４参照）に基づいて配管降温工程（Ｓ３）が実行される。
図１５は、ポストレシピＰＯＳＴ１に基づいて実行される配管降温工程（Ｓ３）を説明するための流れ図である。図１６は、第２の冷却液流通工程（Ｑ１）を説明するための図である。図１７は、第２の乾燥工程（Ｑ２）を説明するための図である。配管降温工程（Ｓ３）について、図１、図２、図４、図６および図１５を参照しながら説明する。図１６および図１７については適宜参照する。
【００８９】
配管降温工程（Ｓ３）は、各チャンバ４から基板Ｗを搬出した後に行われる。配管降温工程（Ｓ３）では、制御装置３は、まず第２の冷却液流通工程（Ｑ１）を実行する。
具体的には、制御装置３は、図１６に示すように、下面供給ユニット１０の他のバルブを閉じながら、第２の水バルブ４３および共通バルブ４０を開く。これにより、第３の共通配管３４、第２の共通配管３３および第１の共通配管３２に常温の水が与えられる。この常温の水は、第３の共通配管３４、第２の共通配管３３および第１の共通配管３２を流通して下面ノズル９に与えられ、吐出口９ａから上方に向けて吐出される。
【００９０】
第１〜第３の共通配管３２〜３４の管壁の温度が、常温（たとえば約２４℃）よりも高い場合には、常温の水の流通により、第１〜第３の共通配管３２〜３４の管壁が降温する。下面ノズル９への常温の水供給流量は約０．４（リットル／分）であり、水供給の期間はたとえば約１７０秒間である。これにより、第１〜第３の共通配管３２〜３４の管壁を常温まで降温させることができる。
【００９１】
水の供給開始から予め定める期間（約１７０秒間）が経過すると、制御装置３は、第２の水バルブ４３および共通バルブ４０を閉じて、第１〜第３の共通配管３２〜３４への水の流通を停止させる。
第２の冷却液流通工程（Ｑ１）は、３つの第１〜第３の共通配管３２〜３４の全てに常温の水を行き渡らせる工程であり、そのため、第１〜第３の共通配管３２〜３４の全てを効果的に降温させることができる。
【００９２】
次いで、制御装置３は、第２の乾燥工程（Ｑ２）の実行を開始する。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１５を制御してスピンベース１７を回転開始させ、図１７に示すように、スピンベース１７の回転を、エッチング工程（Ｅ３）から置換工程（Ｅ５）における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで上昇させ、その乾燥回転速度でスピンベース１７を回転させる。これにより、大きな遠心力がスピンベース１７上の水に加わり、スピンベース１７の上面に付着している水が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、スピンベース１７から水が除去され、スピンベース１７が乾燥する。
【００９３】
基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。以上により、配管降温工程（Ｓ３）が終了する。
配管降温工程（Ｓ３）により、共通エッチング処理（Ｓ２）および配管昇温工程（Ｓ１）において共通配管３２〜３４に蓄積された熱をリセットすることができる。そのため、１ロットの基板Ｗに対する共通エッチング処理の後に他の処理（たとえばプロセスレシピＰＲＯＣＥＳＳ２によって規定される処理）が実行される場合に、複数の共通エッチング処理（Ｓ２）の熱影響を回避しながら当該他の処理を実行することができる。
【００９４】
図１８は、処理ユニット２において実行される処理の内容を説明するための流れ図である。
基板処理装置１において現在のロットＲ１を構成する複数枚の基板Ｗに引き続いて次のロットＲ２を構成する複数枚の基板Ｗが搬入され、この複数枚の基板Ｗに対し互いに共通のエッチング処理される場合を考える。
【００９５】
この場合、基板処理装置１に既に搬入されているロットＲ１を構成する複数枚の基板Ｗに対してのみならず、次のロットＲ２を構成する複数枚の基板Ｗに対しても共通エッチング処理（Ｓ２）が実行される場合には、図１８に示すように、現在のロットＲ１に対する配管降温工程（Ｓ３）の実行がキャンセルされ、かつ次のロットＲ２に対する配管昇温工程（Ｓ１）の実行がキャンセルされる。
【００９６】
そのため、次のロットＲ２の、最初の共通エッチング処理（Ｓ２）に係るエッチング工程（Ｅ３）から、エッチング液の液温を熱平衡温度ＴＢに保つことができる。すなわち、これにより、次のロットＲ２の複数の基板Ｗに対し、同一のエッチングレートでエッチング処理を施すことができる。
一方、次のロットＲ２を構成する複数枚の基板Ｗに対して、共通エッチング処理（Ｓ２）とは異なるエッチング処理（他の処理）が実行される場合には、現在のロットＲ１に対する配管降温工程（Ｓ３）の実行はキャンセルされない。
【００９７】
以上によりこの実施形態によれば、各処理ユニット２で実行される複数の共通エッチング処理（Ｓ２）のうち最初の共通エッチング処理（Ｓ２）の前に共通配管３２〜３４の管壁が熱平衡温度ＴＢまで昇温させられる。また、各置換工程（Ｅ５）の後で次回の各エッチング工程（Ｅ３）の前において、共通配管３２〜３４の管壁を降温させることはしない。
【００９８】
最初の共通エッチング処理（Ｓ２）の前に共通配管３２〜３４の管壁が熱平衡温度ＴＢまで昇温させられるので、最初の共通エッチング処理（Ｓ２）に係るエッチング工程（Ｅ３）から熱平衡温度ＴＢのエッチング液を用いて、基板Ｗをエッチングできる。そして、共通エッチング処理（Ｓ２）に係る置換工程（Ｅ５）における共通配管３２〜３４の熱の蓄積により、それ以降の共通エッチング処理（Ｓ２）に係るエッチング工程（Ｅ３）で用いられるエッチング液の液温を熱平衡温度ＴＢに保つことができる。すなわち、各共通エッチング処理（Ｓ２）に係るエッチング工程（Ｅ３）で用いられるエッチング液の液温を一定に保つことができる。これにより、各エッチング工程（Ｅ３）において複数の基板Ｗに対し同一のエッチングレートでエッチング処理を施すことができる。ゆえに、基板Ｗ間におけるエッチング処理のばらつきを抑制または防止できる。
【００９９】
また、各共通エッチング処理（Ｓ２）の前に共通配管３２〜３４の管壁を昇温させ、かつ各共通エッチング処理（Ｓ２）の後に共通配管３２〜３４の管壁を降温させるという従来の手法では、共通配管３２〜３４の管壁の昇温および降温に時間を要し、その結果、スループットが低下するおそれがある。
これに対しこの実施形態では、複数の共通エッチング処理（Ｓ２）のうち最初の共通エッチング処理（Ｓ２）の前に１回だけ共通配管３２〜３４の管壁を昇温させれば足りるので、スループットを改善できる。
【０１００】
また、複数の共通エッチング処理（Ｓ２）のうち最後の共通エッチング処理（Ｓ２）の後に配管降温工程（Ｓ３）が実行される。最後の共通エッチング処理（Ｓ２）の後に共通配管３２〜３４の管壁が（第１の温度に）降温されるので、共通エッチング処理（Ｓ２）において共通配管３２〜３４に蓄積された熱をリセットすることができる。これにより、複数の共通エッチング処理（Ｓ２）に係る配管昇温工程の熱影響を回避しながら複数の共通エッチング処理（Ｓ２）の次の処理を実行することが可能であり、これにより、当該次の処理を良好に実行させることできる。
【０１０１】
また、前述の実施形態では、置換工程（Ｅ５）において用いられる高温液を加熱液として共通配管３２〜３４に供給することにより加熱液流通工程を実現させているので、この高温液とは異なる加熱液を、加熱液流通工程で用いる場合に比較して、加熱液の配管構成等を省略化することもできる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
【０１０２】
たとえば前述の実施形態では、配管昇温工程（Ｓ１）における温度調整工程（Ｐ２，Ｐ３）において、共通配管３２〜３４の管壁を、外部冷却工程や第１の冷却液流通工程を用いて冷却する手法を採用したが、第２の冷却液流通工程を用いて冷却するようにしてもよい。
また、配管昇温工程（Ｓ１）では、温度調整工程（Ｐ２，Ｐ３）において、所定の昇温温度まで昇温した共通配管３２〜３４の管壁を２段階で熱平衡温度ＴＢまで降温させる手法について説明したが、１段のみで、すなわち１つの温度調整工程のみで、所定の昇温温度まで昇温した共通配管３２〜３４の管壁を２段階で熱平衡温度ＴＢまで降温させるようにしてもよい。
【０１０３】
また、前述の実施形態では、置換工程（Ｅ５）において用いられる高温液とは別の加熱液であって、当該加熱液よりも低温でかつ常温（第１の液温）よりも高温を有する加熱液を共通配管３２〜３４に流通させることにより、共通配管３２〜３４の管壁を２段階で熱平衡温度ＴＢまで降温させるようにしてもよい。
また、配管昇温工程（Ｓ１）において、温度調整工程（Ｐ２，Ｐ３）を設けなくてもよい。すなわち加熱工程（Ｐ１）により共通配管３２〜３４の管壁の温度を熱平衡温度ＴＢに直接合わせ込んでもよい。この場合、置換工程（Ｅ５）において用いられる高温液とは別の加熱液であって、当該加熱液よりも低温でかつ常温（第１の液温）よりも高温を有する加熱液を共通配管３２〜３４に流通させることにより、共通配管３２〜３４の管壁を２段階で熱平衡温度ＴＢまで降温させるようにしてもよい。
【０１０４】
また、配管昇温工程（Ｓ１）において、加熱液を共通配管３２〜３４に流通させることなく、外部の熱源により共通配管３２〜３４の管壁を昇温させるようにしてもよい。
また、配管昇温工程（Ｓ１）の結果、共通エッチング処理（Ｓ２）の開始前における共通配管３２〜３４の管壁の液温が熱平衡温度ＴＢと同一でなくても、熱平衡温度ＴＢに近似していればよい。
【０１０５】
また、第２のエッチング液配管３６から共通配管３２〜３４に供給されるエッチング液の液温（第１の液温）が常温でなくてよい。この場合において、熱平衡温度は前述の熱平衡温度ＴＢよりも高く設定される。
また、配管降温工程（Ｓ３）において、共通配管３２〜３４の管壁を、第２の冷却液流通工程を用いて冷却する手法について説明したが、配管降温工程（Ｓ３）として、第２の冷却液流通工程に併せて、外部冷却工程および／または第１の冷却液流通工程を実行してもよいし、第２の冷却液流通工程に代えて、外部冷却工程および／または第１の冷却液流通工程を実行してもよい。
【０１０６】
また、配管降温工程（Ｓ３）を廃止してもよい。この場合、共通エッチング処理（Ｓ２）の終了後に所定時間放置しておくことにより、共通配管３２〜３４の管壁を降温させることも可能である。
また、前述の第１および第２の冷却液流通工程において、冷却液の温度が常温である場合を例に挙げて説明したが、冷却液が、常温よりも低い液温を有していてもよい。
【０１０７】
また、ノズルが、基板Ｗの下面に液体を供給する下面ノズル９であるとして説明したが、基板Ｗの上面に液体を供給する上面ノズルに連結される供給配管に本発明を適用してもよい。
また、本発明に係る高温液吐出工程は、置換工程（Ｓ５。基板Ｗの下面に高温の温調液を供給する工程）に限られず、ノズルから基板に高温の液体を吐出する構成に広く適用できる。たとえば、常温より高い液温を有するリンス液を基板Ｗに供給する裏面リンス処理を、本発明に係る高温液吐出工程としてもよい。
【０１０８】
基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１        ：基板処理装置
２        ：処理ユニット
３        ：制御装置
５        ：スピンチャック（基板保持ユニット）
９        ：下面ノズル
１０      ：下面供給ユニット
１９      ：エッチング液ノズル
２０      ：第１のエッチング液配管
２１      ：第１のエッチング液バルブ
２４      ：水ノズル
２５      ：水配管
２６      ：第１の水バルブ
２９      ：有機溶剤ノズル
３０      ：有機溶剤配管
３１      ：有機溶剤バルブ
３２      ：第１の共通配管
３３      ：第２の共通配管
３４      ：第３の共通配管
３６      ：第２のエッチング液配管（エッチング液供給ユニット）
３７      ：第２の水配管（配管冷却ユニット）
３８      ：加熱液配管（加熱液供給ユニット、高温液供給ユニット）
４２      ：第２のエッチング液バルブ（エッチング液供給ユニット）
４３      ：第２の水バルブ（配管冷却ユニット）
４４      ：加熱液バルブ（配管加熱ユニット、高温液供給ユニット）
４７      ：外部冷却ユニット
５４      ：レシピ記憶部
５６      ：プロセスレシピ
５７      ：プレレシピ
５８      ：ポストレシピ
ＰＯＳＴ１：ポストレシピ（第１のレシピ）
ＰＲＥ１  ：プレレシピ（第２のレシピ）
ＰＲＯＣＥＳＳ１  ：プロセスレシピ（第３のレシピ）
ＴＡ      ：熱平衡温度
Ｗ        ：基板
【図１】
2018093147.tif 000003
【図２】
2018093147.tif 000004
【図３】
2018093147.tif 000005
【図４】
2018093147.tif 000006
【図５】
2018093147.tif 000007
【図６】
2018093147.tif 000008
【図７】
2018093147.tif 000009
【図８】
2018093147.tif 000010
【図９】
2018093147.tif 000011
【図１０】
2018093147.tif 000012
【図１１】
2018093147.tif 000013
【図１２】
2018093147.tif 000014
【図１３】
2018093147.tif 000015
【図１４】
2018093147.tif 000016
【図１５】
2018093147.tif 000017
【図１６】
2018093147.tif 000018
【図１７】
2018093147.tif 000019
【図１８】
2018093147.tif 000020
【図１９】
2018093147.tif 000021