(57)【要約】      （修正有）【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、押しドメインの発生を抑制し、ディスクリネーションを軽減する。【解決手段】走査線１０と映像信号線２０に囲まれた領域に画素電極１１０が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、画素電極１１０の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極１０８が形成され、第１の画素の画素電極１１０は長辺が走査線１０の延在方向と直角方向から時計回りに第１の角度傾斜しており、第２の画素の画素電極１１０は長辺が走査線１０の延在方向と直角方向から反時計回りに第１の角度傾斜しており、液晶はネガ型液晶であり、画素電極１１０の長辺端部には、走査線１０の延在方向と平行な辺を有する突起３０が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図１
2018055119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、前記第１の方向に配列した映像信号線とに囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成され、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、
第１の画素の第１画素電極は、第１長辺、第２長辺、第１短辺及び第２短辺を有し、
前記第１画素電極の開口部は一つであり、該開口部は前記第１長辺、前記第２長辺、前記第１短辺及び前記第２短辺とで囲まれており、
前記第１長辺及び前記第２長辺が前記第２の方向から時計回りに傾斜しており、
第２の画素の第２画素電極は、第３長辺、第４長辺、第３短辺及び第４短辺を有し、
前記第２画素電極の開口部は一つであり、該開口部は前記第３長辺、前記第４長辺、前記第３短辺及び前記第４短辺とで囲まれており、
前記第３長辺及び前記第４長辺が前記第２の方向から反時計回りに傾斜しており、
平面視において、前記第２短辺と前記第３短辺は、前記走査線を介して隣り合っており、
前記第１短辺は、前記第１の方向に延在した第１突起を有し、
前記第２短辺は、前記第１の方向に延在した第２突起を有し、
前記第１画素電極と前記ＴＦＴはスルーホールを介して電気的に接続されており、
平面視において、前記スルーホールは前記第２短辺と重畳し、
前記第２短辺の前記第２突起の形成位置の幅は、前記第１短辺の前記第１突起の形成位置の幅よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１長辺が延びる方向と、前記第１突起が延びる方向とが成す角は鋭角であり、
前記第２長辺が延びる方向と、前記第２突起が延びる方向とが成す角は鋭角であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１突起は、前記第１の方向の一方側に延在し、
前記第２突起は、前記第１の方向の他方側に延在する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１突起は先端が前記映像信号線と平面で見てオーバーラップしていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１長辺と前記第２長辺の延在方向は、前記映像信号線に平行である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、前記第１の方向に配列した映像信号線とに囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、
第１の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から時計回りに傾斜しており、
第２の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から反時計回りに傾斜しており、
前記画素電極はスルーホールを介してＴＦＴのソース電極と接続しており、
前記画素電極はスリットを有しており、
前記画素電極の前記スルーホールから遠い側の前記スリットの端部には切り欠きが形成され、
前記画素電極の長辺端部には、前記第１の方向に突起が形成され、
前記突起は前記第１の方向と平行な辺を有する、ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記切り欠きは、前記画素電極の長辺側を切り欠いたものであることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記切り欠きは、前記画素電極の短辺側を切り欠いたものであることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記切り欠きは、前記画素電極の長辺側と短辺側を切り欠いたものであることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に視野角特性が優れ、かつ、リバースドメインの発生を抑制したＩＰＳ方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。
【０００４】
ＩＰＳ方式は優れた視野角特性を有しているが、画面を視る方向によって、視野角特性が異なる、いわゆる方位角特性が均一でない場合が存在する。このような、問題を対策するために、特許文献１には、１画素中に液晶分子の回転方向が異なる２つのドメインを形成し、これによって、視野角の方位角依存性を緩和する構成が記載されている。これをデュアルドメイン方式と呼ぶこともある。
【０００５】
また、液晶表示パネルの表面を指等でおした場合、その部分において、対向基板とＴＦＴ基板の間隔が変化し、液晶が移動することによるドメインが発生する。このドメインは直ぐに消滅しない場合は問題となる。特許文献２にはこのような押しドメインの発生を抑制した構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−５６３３６号公報
【特許文献２】特開２０００−５６３２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、コモン電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式が透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。
【０００８】
このような液晶表示装置においても、視野角の方位角依存性が問題になる。方位角依存性を対策する方法として、例えば、画素電極に映像信号を印加した場合に、液晶分子の回転方向が異なる第１の画素と第２の画素を形成し、第１と第２の画素の組み合わせによって、視野角依存性を緩和する方式がある。これを擬似デュアルドメイン方式と呼んでいる。
【０００９】
このような液晶表示パネルにおいても、表面を指等で押した場合、その部分において、対向基板とＴＦＴ基板の間隔が変化し、液晶が移動することによるドメインが発生する。このようなドメインが発生すると、同じ画素内において、液晶分子の回転方向が異なる領域が形成され、これらの領域の境界は、バックライトの光を透過しない、いわゆる、ディスクリネーションが発生する。
【００１０】
押しドメインの発生によるディスクリネーションは不安定であり、制御が難しい。このようなディスクリネーションが直ぐに消滅すれば大きな問題にはならないが、持続すると問題となる。ディスクリネーションが発生すると、画素の透過率が低下するので、画面輝度が低下する。また、ディスクリネーションの部分においては、バックライトからの光が散乱されるので、画像のコントラストが低下する。
【００１１】
本発明の課題は、いわゆる擬似デュアルドメイン方式において、押しドレインの発生によるディスクリネーションを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は以上のような問題点を対策するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１３】
（１）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、第１の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から時計回りに第１の角度傾斜しており、第２の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から反時計回りに第１の角度傾斜しており、前記液晶はネガ型液晶であり前記画素電極の長辺端部には、前記第１の方向に突起が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１４】
（２）前記液晶はネガ型液晶であり、前記第１の方向の突起は前記第１の方向と平行な辺を有していることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（３）前記突起は先端が前記映像信号線と平面で見てオーバーラップしていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１６】
（４）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、第１の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から時計回りに第１の角度傾斜しており、第２の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から反時計回りに第１の角度傾斜しており、前記画素電極はスルーホールを介してＴＦＴのソース電極と接続しており、前記画素電極はスリットを有しており、記画素電極の前記スルーホールから遠い側の前記スリットの端部には切り欠きが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
（５）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、第１の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から時計回りに第１の角度傾斜しており、第２の画素の画素電極は長辺が前記第２の方向から反時計回りに第１の角度傾斜しており、前記画素電極はスルーホールを介してＴＦＴのソース電極と接続しており、前記画素電極はスリットを有しており、前記画素電極の前記スルーホールから遠い側の前記スリットの端部には切り欠きが形成され、前記画素電極の長辺端部には、前記第１の方向に突起が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、液晶表示パネルの対向基板を指で押す等によるタッチ方式の入力をした場合に、押しドメインの発生を抑制するので不安定なディスクリネーションの発生を抑制することが出来る。したがって、タッチ方式の入力においても、安定した画面を形成することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の平面図である。
【図２】図１に示す画素の断面図である。
【図３】液晶分子の配向方向を示す画素の平面図である。
【図４】押圧を解除したあとの、液晶分子の配向方向を示す画素の平面図である。
【図５】画素における配向膜の配光軸、電界の方向、液晶分子の安定配向方向、液晶分子の準安定方向を示す図である。
【図６】突起付近の画素電極の詳細を示す平面図である。
【図７】突起が映像信号線の上まで延在している場合の実施例１の画素の平面図である。
【図８】実施例２の画素の構成を示す平面図である。
【図９】実施例２他の形態の画素の構成を示す平面図である。
【図１０】実施例２さらに他の形態の画素の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明による画素構成の平面図であり、図２は、画素部分の断面図である。まず、図２の断面構造から説明する。図２において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート電極１０１の上方でゲート絶縁膜１０２の上に半導体層１０３が形成されている。
【００２２】
半導体層１０３はａ−Ｓｉで形成されている。半導体層１０３には、ｎ＋ａ−Ｓｉも形成されており、ドレイン電極１０４とソース電極１０５とに電気的に接続している。半導体層１０３、ドレイン電極１０４、ソース電極１０５を覆って無機パッシベーション膜１０６が形成され、その上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１０７が形成されている。有機パッシベーション膜１０７は１乃至３μｍと厚く形成される。
【００２３】
有機パッシベーション膜１０７の上には、平面状にＩＴＯによってコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８を覆って層間絶縁膜１０９が形成され、その上にスリット１１０１を有する画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０はスルーホール１３０を介してソース電極１０５と接続している。尚、ソース電極１０５とドレイン電極１０４については、その呼称が逆転してもよい。画素電極１１０を覆って液晶を初期配向させる配向膜１１１が形成されている。画素電極１１０に映像信号が印加されると、コモン電極１０８との間に図に示すような電気力線が発生し、電気力線の横成分によって液晶分子３０１が回転し、バックライトからの光を制御する。
【００２４】
ＴＦＴ基板１００と液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置している。対向基板２００の内側で、画素電極１１０に対応する部分にはカラーフィルタ２０１が形成され、カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にブラックマトリクス２０２が形成されている。カラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成され、オーバーコート膜２０３の上に配向膜１１３が形成されている。対向基板２００側にはコモン電極が形成されていないので、外部からのノイズをシールドするために対向基板２００の外側に外部導電膜２１０がＩＴＯによって形成されている。
【００２５】
図２はいわゆるボトムゲートタイプのＴＦＴの場合であるが、半導体層１０３の上にゲート電極１０２が形成されたトップゲート型の場合もある。また、半導体層１０３はａ−Ｓｉに限らず、ｐｏｌｙ−Ｓｉによって形成される場合もある。また、カラーフィルタをＴＦＴ基板側に形成する構成であってもよい。
【００２６】
液晶には、ネガ型液晶とポジ型液晶が存在する。ネガ型液晶は液晶分子の短軸側に極性基を有しており、ポジ型液晶は液晶分子の長軸側に極性基を有している。ネガ型液晶は液晶分子の短軸側に極性基を配置するために、ポジ型液晶に比べて分子構造的に、誘電率異方性Δεが小さく、ポジ型液晶の場合に比べて電圧印加による液晶分子の回転が生じにくい。一方、ネガ型液晶は、液晶分子が基板の垂直方向に対して立ち上がりにくいので、押しドメインの発生等に対しては、ポジ型液晶の場合に比べてより耐性を有している。以下の説明では、ネガ型液晶の場合を用いて説明するが、本発明は、ポジ型液晶の場合にも適用することが出来る。
【００２７】
図１は、本発明の画素構造を示す平面図である。図１において、走査線１０が横方向に延在し、所定のピッチで縦方向に配列している。映像信号線２０が縦方向に延在し、所定のピッチで横方向に配列している。画素内にはＴＦＴと画素電極１１０、コモン電極１０８が存在している。
【００２８】
図１において、ゲート電極を兼ねた走査線１０上にゲート絶縁膜を介して半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３の上には映像信号線から分岐したドレイン電極１０４と、ドレイン電極１０４と対向してソース電極１０５が形成されている。ドレイン電極１０４とソース電極１０５の間がＴＦＴチャンネル部となっている。ソース電極１０５はスルーホール１３０を介して画素電極１１０と導通し、画素電極１１０に映像信号を供給する。
【００２９】
画素電極１１０の下には、図２で説明したように、平面状にコモン電極１０８が形成されている。画素電極１１０に信号電圧が印加されると、図２に示したように、電気力線が液晶層３００を通り、画素電極１１０のスリット１１０１および画素電極１１０の外側を介してコモン電極１０８に到達する。電気力線の横成分によって液晶が回転し、液晶層の透過率を制御する。
【００３０】
図１において、液晶分子を初期配向させるための配向膜の配向軸５０は、走査線１０の延在方向と一致している。この場合、液晶分子の長軸の初期の配向方向は配向膜の配向軸と一致している。このような構成において、画素電極１１０に電圧が印加されると、液晶分子に対する電界Ｅの方向は、図１に示すように、配向膜の配向軸とは所定の角度傾くことになる。
【００３１】
ネガ型液晶は、電界が印加されると液晶分子の長軸が電界の向きと直角方向に回転する。したがって、図１のような構成とすることによって、画素内での大部分の液晶は、同じ方向に回転することになり、異なったドメインの発生によるディスクリネーションの発生を抑制することが出来る。ただし、後で説明するように、画素電極の一部には、液晶分子が逆方向に回転する領域が発生するが、通常はこの領域は小さく、これによって発生するディスクリネーションの領域も小さい。
【００３２】
図１に示す画素電極１１０の長軸は、配向膜の配向軸５０と直角方向、すなわち、ｙ軸方向に対して、所定の角度θ、例えば、５乃至１５度傾いている。これは、以上で説明したとおり、画素電極１１０に電圧が印加された場合、画素内において大部分の液晶分子を同じ方向に回転させるためである。しかし、画素内において、液晶分子の回転方向が同じであるということは、画面を視る方向によって、視野角特性が異なる、いわゆる視野角特性の方位角依存性が生ずる。
【００３３】
これを対策するために、図１に示す画素の上下に配置される画素における画素電極は、図１の画素とは配向軸と直角方向、すなわち、ｙ軸方向に対して、図１の画素とは逆方向に傾いている。したがって、画素電極に電圧が印加された場合に液晶分子の回転は図１の画素の場合と逆方向になる。このように、画素電極が傾く方向が互いに逆である画素を図１のｙ軸方向に対して互い違いに配置することによって、視野角特性の方位角依存性を緩和することが出来る。また、スペースファクターを向上させるために、図１における映像信号線２０は、ｙ方向にジグザグの形状となっている。本明細書では、このような場合も映像信号線２０はｙ方向に延在しているという語句を使用する。
【００３４】
図１の画素電極１１０は概略平行四辺形であり、内側にスリット１１０１を有している。また、画素電極１１０は端部において外側への突起３０を有している。この突起３０が実施例１における特徴となっている。突起３０の役割は後で説明する。
【００３５】
図３は以上で説明した構成を示す画素配置の平面模式図である。図３において、図３（ａ）が上側の画素であり、図３（ｂ）が下側の画素である。図３の、上側の画素における画素電極１１０と下側の画素の画素電極１１０はｙ軸方向に対して逆方向に傾いている。上側の画素も下側の画素もスルーホール１３０を介してＴＦＴのソース電極と接続している。なお、図３および図４においては、スルーホールは長方形となっている。
【００３６】
図３において、画素電極１１０には信号電圧が印加されている。しがって、液晶分子３０１は、初期はｘ方向であったものが、画素電極１１０付近の電界によって回転している。液晶分子３０１に対する電界の向きが上側の画素と下側の画素とでｘ軸をはさんで逆方向なので、液晶分子３０１の回転方向も上側の画素と下側の画素とで向きがｘ軸を挟んで逆となっている。
【００３７】
図３の下側の画素において、画素電極１１０の内部に形成されたスリット１１０１のコーナー部で液晶分子３０１が他の部分とは逆方向に回転している。これをリバースドメインと呼んでいる。通常は、このリバースドメインの領域は小さい。ここで、下側の画素に対応する部分の対向基板を押した場合、この部分において、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔が小さくなり、矢印で示すように、液晶分子が上側の画素に移動する。上側の画素に移動した液晶分子３０１は、上側の液晶分子３０１の影響を受けて、上側の画素の液晶分子と同じ方向に配列される。
【００３８】
ここで、下側の画素に対する押圧が解除されると、上側の画素に流れ込んだ液晶分子３０１が下側の画素に還流してくる。還流してきた状態の液晶分子３０１の配向の様子を示すものが図４である。図４（ａ）が上側の画素であり、図４（ｂ）が下側の画素である。図４において、上側の画素における液晶分子の状態は変化無いが、液晶分子３０１が還流してきた下側の画素における液晶分子３０１の配向状態は、押圧が加わる前とは、大きく異なっている。
【００３９】
図４の上側画素から下側画素に向かう点線の矢印は、液晶分子が上側画素から下側画素に還流している状態を表している。ところで、液晶分子が、電界によって回転した場合、安定方向は、電界と同じ方向に液晶分子の極性基が回転する状態と、電界と逆方向に液晶分子の極性基が回転する場合とがある。電界と同じ方向に回転した状態を安定方向と呼び、電界と逆方向に回転した場合を準安定状態と呼ぶ。
【００４０】
上側の画素から還流して来た液晶分子３０１は、下側画素において再配向するが、このときの液晶分子３０１は、下側画素に流れ込むときは、上側の画素の影響を受けた配向方向となっている。この状態の液晶分子の配向方向は、下側画素において、安定状態よりも準安定状態のほうに角度が近い。そうすると、上側画素から還流してきた液晶分子３０１は、下側画素において、液晶分子３０１の向きが、当初の安定状態とは異なった配向を有することになる。この状態によって形成されたドメインをリバースドメインと呼んでいる。
【００４１】
したがって、液晶分子３０１が上側画素から還流してきた後の下側画素におけるリバースドメインの領域は、当初の下側画素におけるリバースドメインの領域よりも格段に大きくなっている。したがって、発生するディスクリネーションの領域も大きくなっている。これが押しドメインの問題である。
【００４２】
図５は、以上で説明した内容を配向膜の配向軸５０、電界の方向Ｅ、電界による液晶分子の配向方向の関係等によって説明する図である。図５（ａ）は、図３あるいは図４の上側画素における配向膜の配向軸５０、つまり、初期配向方向、電界の向きＥ、電界による液晶分子の配向方向ＴＳ１の関係を示したものである。図５（ａ）において、配向膜の配向軸５０の方向はｘ軸の方向であり、電界の方向Ｅは、ｘ軸からバイアス角θだけ傾いている。液晶分子３０１はネガ型液晶なので、液晶分子３０１は液晶分子の長軸が電界Ｅと直角方向に回転するので、ＴＳ１の方向に配向することになる。この場合の回転角度をツイスト角φで示している。
【００４３】
図５（ｂ）は、図３または図４の下側画素の配向膜の配向軸５０、電界の方向Ｅ、電界による液晶分子の配向方向ＴＳ２に加え、準安定方向による液晶分子の配向方向ＴＳ３、液晶分子が上側画素から還流して来た直後の液晶分子の配向方向ＴＳ１等を示す図である。図５において、配向膜の配向軸の方向５０はｘ方向であることは図５（ａ）と同じである。しかし、図５（ｂ）における電界の向きＥは、図５（ａ）における電界の向きＥとは、ｘ軸方向を挟んで逆側である。
【００４４】
したがって、図５（ｂ）に押圧を加える前の液晶分子３０１の回転の方向は、図５（ａ）の場合と比較して、ｘ軸方向を挟んで逆向きとなっている。すなわち、図５（ｂ）における液晶分子３０１の向きは、図３の下側画素における液晶分子の配向している方向となっている。図３（ａ）と図３（ｂ）を比較すればわかるように、液晶分子３０１の配向の向きは、上側画素と下側画素とは、ｘ軸方向を挟んで対称方向となっている。
【００４５】
すなわち、ポジ液晶の場合は、配向膜の配向方向５０と電界の方向Ｅの角度であるバイアス角θが小さいほうに液晶分子３９１は回転する。一方、ネガ液晶の場合は、液晶分子の長軸と直角方向が電界の方向に並ぼうとするので、バイアス角が大きい方に液晶分子３９１は回転する。しかし、液晶分子３０１は、図５（ｂ）における準安定方向ＴＳ３においてもエネルギーが小さくなる。したがって、何らかのきっかけがあれば、液晶分子３０１は、準安定方向ＴＳ３の方向に配向することも出来る。ここで、電界の方向Ｅと液晶分子の安定方向ＴＳ２のなす角φＦと電界方向Ｅと液晶分子の準安定方向ＴＳ３のなす角φＲとは、図５（ｂ）に示すように、向きは異なるが絶対値は同じである。
【００４６】
図３に示すように、下側画素から流れ込んだ液晶分子３０１は、上側画素の液晶分子３０１の影響を受けて、上側画素の液晶分子３０１と同じ方向の配向となる。その後、液晶分子３０１が上側画素から下側画素に還流してくると、液晶分子３０１は当初は、上側画素における配向状態を維持している。この状態が図５（ｂ）におけるＴＳ１である。
【００４７】
その後、下側画素に流れ込んだ液晶分子３０１は、配向方向ＴＳ１から再配向する。このとき、還流した液晶分子３０１の配向方向ＴＳ１と準安定方向であるＴＳ３とのなす角度φＲ１は、還流した液晶分子３０１の配向方向ＴＳ１と安定方向であるＴＳ２とのなす角度φＦ１よりも小さい。したがって、還流した液晶分子３０１は準安定方向ＴＳ３に配向することになる。これに対してもともと下側画素に存在し、上側画素に流れ込まなかった液晶分子は、元の配向方向ＴＳ２のままである。
【００４８】
したがって、下側画素には、押圧を解除して、液晶分子が下側画素に還流したことによって、液晶分子３０１の配向方向が異なる２つの領域が存在することになり、広い範囲にわたってディスクリネーションが発生する。従来はこれが大きな問題となっていた。なお、図４（ｂ）において、わかりやすくするために、液晶分子３０１は全て準安定方向（リバース配向）に配向しているように描いているが、実際はある領域の液晶分子３０１は、押圧前の配向方向を維持しているので、ドメインが２つ存在することになる。
【００４９】
なお、液晶分子３０１の配向方向は、周囲の液晶分子３０１に対して伝播する。したがって、いずれかの液晶分子３０１が特定の方向に配向すると、それが伝播して、広い範囲に同じ配向を有する液晶分子３０１が分布することになり、ドメインとなる。
【００５０】
以上のように、図４における上側画素から還流した液晶分子３０１の配向の向きを上側画素の液晶分子３０１の配向の向きではなく、例えば、配向膜の配向軸方向５０であるｘ方向に強制的に配向させることが出来れば、液晶分子３０１は安定方向にツイストすることになり、リバースドメインの領域が広く生ずる現象は回避できる。
【００５１】
図１における突起３０は液晶分子３０１を突起３０において、配向膜の配光軸方向５０に固定し、この部分の液晶分子３０１の影響によって、上側の画素から還流してきた液晶分子３０１の配向の向きを強制的に配向膜の配向軸の方向５０に向けるものである。なお、図１の画素電極１１０は上側の端部のみでなく、下側の端部にも突起３０が形成されているが、液晶は図１の下側画素から還流する場合もあるので、画素電極１１０の下側突起はこのような液晶分子に対して作用させるものである。
【００５２】
図６は、図１における突起３０の作用を示す詳細平面図である。図６において、画素電極１１０は下側のコモン電極１０８との間に電界Ｅが発生するが、この電界Ｅは平面で見ると、ｙ方向となっている。液晶分子３０１の初期配向は配向膜の配向方向５０であるｘ方向となっている。液晶分子３０１はネガ型液晶なので、液晶分子３０１は、電界が印加されても回転しない。すなわち、液晶分子３０１の長軸方向はｘ軸方向に強く固定されている。
【００５３】
そうすると、上側画素から還流して来た液晶分子３０１は、突起３０における液晶分子３０１の影響によって、ｘ軸方向に配向するようになる。したがって、液晶分子３０１は、安定方向に配向するようになり、準安定方向に配向してリバースドメインを形成することを避けることが出来る。図１の下側の突起３０の作用についても同様である。なお、この作用を持たせるためには、突起３０は、ｘ軸方向と平行方向の辺を有することが必要である。
【００５４】
このように、画素電極１１０の突起３０の長さｄは長いほうが作用を大きくすることが出来る。図７は、突起３０の長さを長くして、映像信号線２０の上まで延在させた例である。このような構成としても、画素電極１１０と映像信号線２０との間には、コモン電極１０８が存在しているので、映像信号線２０からの不要信号が画素電極１１０に影響を与えることは無い。図７のその他の構成は図１と同じである。
【００５５】
このように、本実施例によれば、画素電極１１０に突起を形成することにより、還流してきた液晶分子３０１が逆方向に配向してリバースドメインを形成し、ディスクリネーションを発生させる現象を抑制することが出来る。
【実施例２】
【００５６】
図４（ｂ）における上側画素から還流して液晶分子３０１が逆配向する他の原因は、もともと、下側画素に存在していたリバースドメインにおける液晶分子３０１の配向の影響を還流してきた液晶分子３０１が受けることである。すなわち、液晶分子３０１は周囲の液晶分子３０１に対して配向方向の影響を与えるからである。
【００５７】
この意味から、本実施例では、画素に存在しているリバースドメインの領域をできるだけ小さくする、可能であれば、無くすことである。図８は、画素電極１１０のスリット１１０１の左上端部にリバースドメインが形成されていた場合に、この部分の画素電極１１０に切り欠きを形成し、リバースドメインが形成出来ないようにした構成である。この場合は、スルーホール１３０から遠いほうの画素電極１１０の長辺端部をスリット端部において切り欠きを形成したものである。
【００５８】
図９は本実施例の他の形態であり、この場合も、画素電極１１０のスリット１１０１の左端部にリバースドメインが形成されていた場合である。図９においても、この部分の画素電極１１０端部に切り欠きを形成するが、この場合は、スルーホール１３０から遠いほうの画素電極１０の短辺端部にスリット端部において切り欠きを形成したものである。
【００５９】
図１０は本実施例の他の形態であり、この場合も、画素電極１１０のスリット１１０１の左上端部にリバースドメインが形成されていた場合である。図１０においても、この部分の画素電極端部に切り欠きを形成するが、この場合は、スルーホール１３０から遠いほうの画素電極１１０の短辺端部と長辺端部に、スリット端部において切り欠きを形成したものである。
【００６０】
図８乃至、図１０では、画素電極１１０のスリット１１０１の左上端部にリバースドメインが形成されていた場合の対策であるが、画素電極１１０のスリット１１０１の右上端部にリバースドメインが形成されていた場合もこれに準じた切り欠きを形成すればよい。要するに、スリット１１０１を有する画素電極１１０において、ＴＦＴのソース電極との接続のためのスルーホール１３０から遠いほうの、スリット１１０１端部において、リバースドメインの発生を防止するために、画素電極１１０に切り欠きを形成すればよい。
【００６１】
なお、実施例２と実施例１を組み合わせることによって、より効果的に押しドメインの発生を防止することが出来る。
【符号の説明】
【００６２】
１０…走査線、  ２０…映像信号線、  ３０…画素電極突起、  ４０…画素電極切り欠き、  ５０…配向膜の配光軸、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート電極、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…ドレイン電極、  １０５…ソース電極、  １０６…無機パッシベーション膜、  １０７…有機パッシベーション膜、  １０８…コモン電極、  １０９…層間絶縁膜、  １１０…画素電極、  １１１…配向膜、  １３０…スルーホール、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ２１０…外部導電膜、  １１０１…画素電極スリット、  Ｅ…電界方向、  θ…配向膜の配向軸と電界方向のなす角、  φ…液晶分子のツイスト角、  φＦ…電界方向と液晶分子の安定配向方向のなす角度、  φＲ…電界方向と液晶分子の準安定配向方向のなす角度、  φＦ１…還流してきた液晶分子の配向方向と安定配向方向とのなす角度、  φＲ１…還流してきた液晶分子の配向方向と準安定配向方向とのなす角度、  ＴＳ１…第１の画素の液晶分子の配向方向、  ＴＳ２…第２の画素の液晶分子の配向方向、  ＴＳ３…第２の画素における準安定方向の液晶分子の配向方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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