(57)【要約】【課題】より低い消費電力でディスク記憶装置が有するヘッドのリトラクト動作を行なうことができる制御装置を提供することである。【解決手段】ディスク記憶装置７１０の制御装置７５０は、電力供給が遮断されると、モータ１１６を制御してディスク１１２上からランプ機構１２０へヘッド１１４を退避する制御部７６４と、ランプ機構１２０へ退避するヘッド１１４の移動距離に関する情報を取得する取得部７７８と、取得部７７８によって取得された情報に基づいてヘッドの移動距離を算出する算出部７６８とを備える。制御部７６４は、算出部７６８によって算出された移動距離に基づいて、ヘッド１１４がランプ機構１２０における傾斜面を通過した後の第１の位置に到達したと判断すると、モータ１１６の動作を第１退避動作から第２退避動作へと切り替える。【選択図】図９
2018055756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク記憶装置を制御するための制御装置であって、
前記ディスク記憶装置は、
データを記憶するためのディスクと、
前記ディスクに記憶されるデータの読み出し、または前記ディスクへのデータの書き込みを行なうためのヘッドと、
前記ヘッドを前記ディスクの半径方向に移動するためのモータと、
傾斜面を含み、前記ヘッドが前記傾斜面を通過することにより前記ヘッドと前記ディスクとの接触を防ぐためのランプ機構とを備え、
前記制御装置は、
電力供給が遮断されると、前記モータを制御して前記ディスク上から前記ランプ機構へ前記ヘッドを退避する制御部と、
前記ランプ機構へ退避する前記ヘッドの移動距離に関する情報を取得する取得部と、
前記取得部によって取得された情報に基づいて前記ヘッドの移動距離を算出する算出部とを備え、
前記制御部は、前記算出部によって算出された前記移動距離に基づいて、前記ヘッドが前記ランプ機構における前記傾斜面を通過した後の第１の位置に到達したと判断すると、前記モータの動作を第１退避動作から第２退避動作へと切り替えるように構成される、制御装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１退避動作において、前記ヘッドを予め定められた速度で退避させるように前記モータに電力を供給する、請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第２退避動作において、前記モータに予め定められた期間、予め定められた電圧を印加する、請求項１に記載の制御装置。
【請求項４】
前記ヘッドの移動距離に関する情報は、前記モータのコイルに生じる逆起電力に関する値を含む、請求項１に記載の制御装置。
【請求項５】
前記ヘッドの移動距離に関する情報は、前記モータの回転角度を含む、請求項１に記載の制御装置。
【請求項６】
前記算出部は、前記逆起電力に関する値を積分して前記移動距離を算出する、請求項４に記載の制御装置。
【請求項７】
前記算出部は、前記ヘッドが第２の位置に到達した後の前記ヘッドの移動距離を算出する、請求項１に記載の制御装置。
【請求項８】
前記ディスク記憶装置は、前記ヘッドの移動を停止するための停止機構をさらに備え、
前記第２の位置は、前記停止機構により前記ヘッドの移動を停止されたときの前記ヘッドの位置を含む、請求項７に記載の制御装置。
【請求項９】
前記第２の位置は、前記ヘッドが前記ランプ機構に到達する位置を含む、請求項７に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記ヘッドの移動距離に関する情報は、前記モータのコイルに生じる逆起電力に関する値を含み、
前記制御部は、前記逆起電力に関する値に基づいて、前記ヘッドが前記ランプ機構に到達したと判断し、
前記算出部は、前記制御部が前記ヘッドが前記ランプ機構に到達したと判断した後の前記ヘッドの移動距離を算出する、請求項９に記載の制御装置。
【請求項１１】
前記制御部は、
前記第１退避動作において、前記ヘッドが予め定められた速度で退避するように前記モータに電力を供給し、
前記モータに供給する電力に関連する値に基づいて、前記ヘッドが前記ランプ機構に到達したと判断し、
前記算出部は、前記制御部が前記ヘッドが前記ランプ機構に到達したと判断した後の前記ヘッドの移動距離を算出する、請求項９に記載の制御装置。
【請求項１２】
データを記憶するための磁気ディスクと、
前記磁気ディスクを回転するための第１モータと、
前記磁気ディスクに記憶されるデータの読み出し、または前記磁気ディスクへのデータの書き込みを行なうための磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気ディスクの半径方向に移動するための第２モータと、
傾斜面を含み、前記磁気ヘッドが前記傾斜面を通過することにより前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクとの接触を防ぐためのランプ機構と、
前記第２モータを制御するための制御装置とを備え、
前記制御装置は、
電力供給が遮断されると、前記第２モータを制御して前記磁気ディスク上から前記ランプ機構へ前記磁気ヘッドを退避するための制御部と、
前記ランプ機構へ退避する前記磁気ヘッドの移動に関する情報を取得する取得部と、
前記取得部が取得した情報に基づいて前記磁気ヘッドの移動距離を算出する算出部とを含み、
前記制御部は、前記算出部が算出した前記移動距離に基づいて、前記磁気ヘッドが前記ランプ機構における前記傾斜面を通過した後の第１の位置に到達したと判断すると、前記第２モータの動作を第１退避動作から第２退避動作へと切り替えるように構成される、磁気ディスク制御システム。
【請求項１３】
ディスク記憶装置を制御するための制御方法であって、
前記ディスク記憶装置は、
データを記憶するためのディスクと、
前記ディスクに記憶されるデータの読み出し、または前記ディスクへのデータの書き込みを行なうためのヘッドと、
前記ヘッドを前記ディスクの半径方向に移動するためのモータと、
傾斜面を含み、前記ヘッドが前記傾斜面を通過することにより前記ヘッドと前記ディスクとの接触を防ぐためのランプ機構とを含み、
前記ディスク記憶装置への電力供給が遮断されると、前記モータを制御して前記ディスク上から前記ランプ機構へ前記ヘッドを退避するステップと、
前記ランプ機構へ退避する前記ヘッドの移動距離に関する情報を取得するステップと、
前記取得するステップによって取得された情報に基づいて前記ヘッドの移動距離を算出するステップとを備え、
前記退避するステップは、
前記算出された移動距離に基づいて、前記ヘッドが前記ランプ機構における第１の位置に到達したか否かを判断するステップと、
前記ヘッドが前記ランプ機構における前記傾斜面を通過した後の第１の位置に到達したと判断されると、前記モータの動作を第１退避動作から第２退避動作へと切り替えるステップとを含む、制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は、制御装置に関し、より特定的には、ディスク記憶装置の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、電源遮断時に磁気ディスク上から磁気ヘッドを退避させるリトラクト動作を行なうことが知られている。このリトラクト動作を制御する技術に関し、たとえば、特開２００２−２９８５３０号公報（特許文献１）は、ヘッドが予め定められたリトラクト切り替え位置４０３に到達すると、リトラクト用コンデンサに蓄積された電荷を利用してヘッドをランプ１６に移動させる構成を開示している。
【０００３】
また、特開２００４−１７８７９０号公報（特許文献２）は、電源切断時に、ヘッド１６をランプ２０と逆方向の所定位置であるインナーストッパに到達させた後に、定電圧駆動でランプにアンロードする構成を開示している。
【０００４】
特開２０１１−２４８９６５号公報（特許文献３）は、ボイスコイルモータＶＣＭに駆動電圧を印加する動作と、ＶＣＭで生じた逆起電圧（ＢＥＭＦ）を検出する動作を交互に行ない、しきい値電圧ＶｒｅｆとＢＥＭＦとの大小関係に応じてＶＣＭに印加する駆動電圧の値を設定する構成を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２９８５３０号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９０号公報
【特許文献３】特開２０１１−２４８９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年の磁気ディスク装置の中には、電源遮断時の動作として、リトラクト動作による書込み済みのデータの保護と同時に、書込み予定のデータの保護を実施するものがある。
【０００７】
磁気ディスクに書込み予定のデータを、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリに退避させるためには、書き込み予定のデータ量に応じた時間が必要となる。この時間は、数秒単位におよぶこともある。
【０００８】
この時間を確保するためには、限られた残り電荷およびスピンドルモータの回転エネルギーを、なるべく多く書き込み予定のデータの保護に使用する必要がある。
【０００９】
そのため、書き込み予定のデータを安定して保護するためには、リトラクト動作の省エネルギー化が必要となる。
【００１０】
この点、特許文献１および２は、リトラクト動作の再現性を高めるための技術を開示しているものの、リトラクト動作の省エネルギー化については何ら言及されていない。
【００１１】
特許文献３は、リトラクト動作の低消費電力化について言及はされているものの、より安定した書き込み予定のデータ保護のためには、リトラクト動作のより一層の低消費電力化が求められている。
【００１２】
本開示は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、ある局面における目的は、より低い消費電力でヘッドのリトラクト動作を行なうことができる制御装置を提供することである。他の局面における目的は、低い消費電力で磁気ヘッドのリトラクト動作を行なうことができる磁気ディスク制御システムを提供することである。さらに他の局面における目的は、より低い消費電力でヘッドのリトラクト動作を制御する制御方法を提供することである。
【００１３】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
ある実施形態に従うディスク記憶装置の制御装置は、ディスク記憶装置への電力供給が遮断されると、モータを制御してディスク上からランプ機構へヘッドを退避する制御部と、ランプ機構へ退避するヘッドの移動距離に関する情報を取得する取得部と、取得部によって取得された情報に基づいてヘッドの移動距離を算出する算出部とを備える。制御部は、算出部によって算出された移動距離に基づいて、ヘッドがランプ機構における傾斜面を通過した後の第１の位置に到達したと判断すると、モータの動作を第１退避動作から第２退避動作へと切り替える。
【発明の効果】
【００１５】
ある実施形態に従うディスク記憶装置の制御装置は、従来よりもリトラクト動作に要する消費電力を低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】関連技術に従う制御システムの構成を説明する図である。
【図２】リトラクト動作について説明する図である。
【図３】逆起電力の測定について説明する図である。
【図４】関連技術に従うリトラクト動作時のＶＣＭに印加する電圧について説明する図である。
【図５】関連技術に従う制御システムにおけるリトラクト動作を説明するフローチャートである。
【図６】実施形態に従うリトラクト動作の制御概要について説明する図である。
【図７】実施形態１に従う制御システムの構成例を説明する図である。
【図８】実施形態１に従う第１退避動作から第２退避動作への切り替えについて説明する図である。
【図９】実施形態１に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。
【図１０】実施形態２に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。
【図１１】実施形態３に従うリトラクト動作の制御概要について説明する図である。
【図１２】実施形態３に従うＶＣＭ逆起電力と磁気ヘッドの位置との関係について説明する図である。
【図１３】実施形態３に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。
【図１４】実施形態４に従うＶＣＭ駆動電圧と磁気ヘッドの位置との関係について説明する図である。
【図１５】実施形態４に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。
【図１６】変形例に従う制御システムの構成例について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。なお、複数の実施の形態が説明される場合において、各実施の形態に開示される技術的特徴は、適宜、組み合わせられ得る。
【００１８】
［Ａ．関連技術］
（ａ１．構成）
図１は、関連技術に従う制御システム１００の構成を説明する図である。図１を参照して、制御システム１００は、主な構成要素としてハードディスクドライブ１１０と、ＳｏＣ（System  on  Chip）１３０と、モータドライバＩＣ（Integrated  Circuit）１５０とを備える。
【００１９】
ハードディスクドライブ１１０は、磁気ディスク１１２と、スピンドルモータ１１３と、磁気ヘッド１１４と、ＶＣＭ（Voice  Coil  Motor）１１６と、アーム１１８と、ランプ機構１２０とを含む。磁気ディスク１１２は、データを記憶可能に構成される。磁気ヘッド１１４は、磁気ディスク１１２に記憶されたデータの読み出し、または磁気ディスク１１２へのデータの書き込みを行なうためのデバイスである。
【００２０】
ＳｏＣ１３０は、読み書きＩＣ１３５と、キャッシュメモリ１４０と、フラッシュメモリ１４５とにそれぞれ電気的に接続される。
【００２１】
モータドライバＩＣ１５０は、インターフェイス（Ｉ／Ｆ）１５２と、リトラクト制御回路１６０と、ＤＡＣ（Digital  to  Analog  Converter）１６６と、ＶＣＭドライバ１６８と、サンプルホールド回路１７４と、アンプ１７６と、ＡＤＣ（Analog  to  Digital  Converter）１７８とを含む。モータドライバＩＣ１５０は、スピンドルドライバ１８２Ｕ，１８２Ｖ，１８２Ｗと、コンデンサ１８６と、レギュレータ１８８−１，・・・１８８−Ｎ（Ｎは自然数）と、スイッチ１９４とをさらに含む。ある局面において、スイッチ１９４は、ＦＥＴ（Field  effect  transistor）素子によって構成され得る。また、モータドライバＩＣ１５０は、ＶＣＭ１１６と接続されるＶＣＭ端子１７０，１７２と、スピンドルモータ１１３と接続されるスピンドル端子１８０Ｕ，１８０Ｖ，１８０Ｗと、コンデンサ１８６と接続される保護電源端子１８４と、外部電源１９０と接続される電源端子１９２とを含む。以下、スピンドル端子１８０Ｕ，１８０Ｖ，１８０Ｗを総称して「スピンドル端子１８０」とも言う。同様に、スピンドルドライバ１８２Ｕ，１８２Ｖ，１８２Ｗを総称して「スピンドルドライバ１８２」とも言う。
【００２２】
インターフェイス１５２は、レジスタ１５４を有する。リトラクト制御回路１６０は、スピンドル制御回路１６２と、ＶＣＭ制御回路１６４とを有する。
【００２３】
（ａ２．通常動作）
関連技術に従う制御システム１００の通常時の動作について説明する。スイッチ１９４がＯＮ状態のときに、外部電源１９０からモータドライバＩＣ１５０に電力が供給される。モータドライバＩＣ１５０内のスピンドル制御回路１６２およびＶＣＭ制御回路１６４は、外部電源１９０から供給される電力を利用して、ハードディスクドライブ１１０のスピンドルモータ１１３およびＶＣＭ１１６をそれぞれ制御する。コンデンサ１８６は、スイッチ１９４がＯＮ状態のときに、外部電源１９０から供給される電荷を蓄える。
【００２４】
一例として、磁気ディスク１１２へのデータの書き込み制御について説明する。ＳｏＣ１３０は、データの書き込み指示の入力を受け付けると、インターフェイス１５２を介してスピンドル制御回路１６２に制御信号を出力する。
【００２５】
スピンドル制御回路１６２は、入力された制御信号に応じて、スピンドルドライバ１８２で同期整流した電力を、スピンドル端子１８０を介してスピンドルモータ１１３に供給する。これに応じて、スピンドルモータ１１３が制御信号に応じた速度で回転する。
【００２６】
また、ＳｏＣ１３０は書き込み指示の入力に応じて、読み書きＩＣ１３５を介して、磁気ディスク１１２に埋め込まれるサーボ情報を取得する。ＳｏＣ１３０は、サーボ情報に基づいて、磁気ヘッドの位置をデータ書き込み位置に移動させるための制御信号を、ＶＣＭ制御回路１６４に出力する。
【００２７】
ＶＣＭ制御回路１６４は、入力された制御信号に応じた指示をＤＡＣ１６６を介してＶＣＭドライバ１６８に出力する。ＶＣＭドライバ１６８は、入力された指示に応じた電力を、ＶＣＭ端子１７０，１７２を介してＶＣＭ１１６に供給する。これにより、磁気ヘッド１１４は、アーム１１８を介したＶＣＭ１１６の作用により磁気ディスク１１２の半径方向に移動して、データ書き込み位置に到達する。磁気ヘッド１１４は、磁気ディスク１１２の回転により生じる空気流によって、磁気ディスク１１２からごくわずかに浮上した状態で移動する。磁気ヘッド１１４が所望の位置に到達すると、ＳｏＣ１３０は、読み書き回路１３５によって磁気ディスク１１２にデータを書き込む。
【００２８】
（ａ３．リトラクト動作）
次に、関連技術に従う制御システム１００のリトラクト動作について説明する。外部電源１９０からモータドライバＩＣ１５０への電力供給が遮断（以下、「電源遮断」とも称する）されると、磁気ディスク１１２の回転数が徐々に低下する。これにより、磁気ディスク１１２上の空気流が弱くなり、磁気ヘッド１１４の浮力が低下する。その結果、磁気ディスク１１２と磁気ヘッド１１４とが接触し、磁気ディスク１１２の当該接触した部分に記録されたデータが破壊される。
【００２９】
そのため、磁気ディスク１１２に記録されたデータを保護するためには、磁気ディスク１１２の回転数が低下する前に、磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０に退避させる必要がある。磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０に退避させる一連の動作をリトラクト動作という。
【００３０】
電源遮断が発生すると、外部電源１９０から供給される電力の低下に応じてスイッチ１９４がＯＦＦ状態となる。ある局面において、スイッチ１９４はＦＥＴ素子であって、スイッチ１９４のゲートが外部電源１９０の出力に接続される。
【００３１】
モータドライバＩＣ１５０は、電源遮断に応答して、すなわち、スイッチ１９４がＯＦＦ状態に切り替わったことに応答して、コンデンサ１８６に蓄えられた電荷を保護電源端子１８４を介して各デイバスに供給する。また、モータドライバＩＣ１５０は、電源遮断に応答して、スピンドルモータ１１３のコイルに生じた逆起電力をスピンドルドライバ１８２によって整流してから、各デバイスに供給する。モータドライバＩＣ１５０は、電力を供給するデバイスの入力電圧範囲に適合するように、レギュレータ１８８−１，・・・１８８−Ｎを介して適切な電圧に安定化してから電力を供給する。電力を供給されるデバイスは、ＶＣＭ制御回路１６４などのモータドライバＩＣ１５０内のデイバスの他に、ＳｏＣ１３０などのモータドライバＩＣ１５０外のデバイスを含み得る。
【００３２】
ＶＣＭ制御回路１６４は、電源遮断が発生すると、スピンドルモータ１１３の逆起電力を利用して、ＶＣＭ１１６を駆動させ、磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０に退避させる。
【００３３】
ＳｏＣ１３０は、電源遮断が発生すると、コンデンサ１８６に蓄えられた電荷、およびスピンドルモータ１１３の逆起電力を利用して、書き込み予定のデータをフラッシュメモリ１４５に記憶する。これにより、書き込み予定のデータは保護される。
【００３４】
図２は、リトラクト動作について説明する図である。図２を参照して、ランプ機構１２０は、スピンドルモータ１１３側に位置するランプフロント２１０と、傾斜面２１５と、退避面２２０と、ランプエンド２３０とを有する。ランプエンド２３０は、磁気ディスク１１２の回転面と略直交する面である。ランプエンド２３０は、傾斜面２１５よりも磁気ディスク１１２との距離が遠い位置に配置される。
【００３５】
磁気ヘッド１１４のリトラクト（退避）動作は、磁気ヘッド１１４をランプエンド２３０またはランプエンド２３０近傍まで移動させる第１退避動作と、磁気ヘッド１１４をランプエンド２３０に押し付ける第２退避動作とを含む。
【００３６】
ＶＣＭ制御回路１６４は、電源遮断（スイッチ１９４がＯＦＦ状態に切り替わったこと）に応じて、第１退避動作を開始する。ＶＣＭ制御回路１６４は、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断すると、ＶＣＭ１１６の動作を第１退避動作から第２退避動作へと切り替える。
【００３７】
ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ１１６のコイルに生じる逆起電力の大きさに基づいて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。ＶＣＭ１１６に生じる逆起電力の大きさは、磁気ヘッド１１４の移動速度に比例する。この性質を利用して、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ１１６に生じる逆起電力の大きさがほぼ０（たとえば、５０ｍＶ未満）になると、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断する。
【００３８】
図３は、逆起電力の測定について説明する図である。ＶＣＭ制御回路１６４は、第１退避動作において、Ｄｒｉｖｅ期間とＨｉｚ期間とｄｅｔ期間とを繰り返す。Ｄｒｉｖｅ期間において、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ１１６に電圧を印加する。以下、Ｄｒｉｖｅ期間にＶＣＭ制御回路１６４がＶＣＭ１１６に印加する電圧の設定値を「ＶＣＭ駆動電圧」と定義する。Ｈｉｚ期間において、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ１１６への電圧印可を停止して、ＶＣＭ端子１７２に印加される電圧が安定するのを待機する。ｄｅｔ期間において、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ端子１７０と１７２との間に生じる電位差、すなわち、ＶＣＭ１１６に生じる逆起電力（以下、「ＶＣＭ逆起電力」とも称する）を測定する。
【００３９】
第１退避動作において、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ逆起電力の大きさが一定になるように、ＶＣＭ駆動電圧の大きさを制御する。換言すれば、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ１１６の移動速度が一定になるように、ＶＣＭ駆動電圧の大きさを制御する。たとえば、ＶＣＭ制御回路１６４は、ｄｅｔ期間に測定するＶＣＭ逆起電力の大きさが予め定められた値よりも小さい場合、直後のＤｒｉｖｅ期間においてＶＣＭ１１６に印加するＶＣＭ駆動電圧を、先のＤｒｉｖｅ期間に印加したＶＣＭ駆動電圧よりも大きくする。
【００４０】
図４は、関連技術に従うリトラクト動作時のＶＣＭ１１６に印加するＶＣＭ駆動電圧について説明する図である。なお、図４において、説明を分かりやすくするために、ある期間においてＶＣＭ駆動電圧が一定であるように示されているが、実際には、図３のようにＤｒｉｖｅ期間、Ｈｉｚ期間、ｄｅｔ期間を繰り返す。
【００４１】
図４を参照して、第１退避動作（図４の磁気ヘッド退避に相当）において、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ逆起電力が予め定められた値となるようにＶＣＭ駆動電圧の大きさを制御する。図４の例において、磁気ヘッド１１４は、電源遮断時に、ランプ機構１２０の方向と反対方向（スピンドルモータ１１３の方向）に向かって移動する。そのため、第１退避動作の初期（時刻Ｔ４１〜Ｔ４２）において、ＶＣＭ制御回路１６４は、磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０の方向に移動させるために、ＶＣＭ１１６に高いＶＣＭ駆動電圧を印加する。
【００４２】
第１退避動作の後期（時刻Ｔ４３〜Ｔ４４）において、ＶＣＭ制御回路１６４は、磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０の傾斜面２１５においても一定速度を保持するために、高いＶＣＭ駆動電圧を印加する。
【００４３】
ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ逆起電力がほぼ０になると、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断して、ＶＣＭ１１６の動作を第１退避動作から第２退避動作へと切り替える。
【００４４】
しかしながら、ＶＣＭ制御回路１６４は、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達していないにも関わらず、ＶＣＭ１１６の動作を第１退避動作から第２退避動作に切り替える可能性がある。
【００４５】
その理由は、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ逆起電力がほぼ０になる点をランプエンド２３０であると判断するためである。より具体的には、磁気ヘッド１１４の移動速度は、傾斜面２１５を通過するときに一時的に低下する。これにより、ＶＣＭ逆起電力も一時的に低下する。そのため、ＶＣＭ制御回路１６４は、実際には磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５にいるにもかかわらず、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと誤認識する可能性がある。
【００４６】
関連技術に従うＶＣＭ制御回路１６４は、第２退避動作（図４の磁気ヘッド押付に相当）において、仮に上記の誤認識を行なった場合でも適切に磁気ヘッド１１４を退避できるように、高いＶＣＭ駆動電圧を、長時間印加する。より具体的には、ＶＣＭ制御回路１６４は、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５を通過しきるための高いＶＣＭ駆動電圧を、磁気ヘッド１１４とランプエンド２３０との衝突により磁気ヘッド１１４が退避面２２０から傾斜面２１５へ飛び出すことを防止するために長時間印加する。そのため、関連技術に従うＶＣＭ制御回路１６４が第２退避動作に要する消費電力は、第１退避動作に要する消費電力の２倍以上におよび得る。以下、第２退避動作においてＶＣＭ制御回路１６４が印加するＶＣＭ駆動電圧を電圧Ｖｒｅｔ１とし、電圧Ｖｒｅｔ１を印加する時間を時間Ｔｒｅｔ１とする。
【００４７】
図５は、関連技術に従う制御システム１００におけるリトラクト動作を説明するフローチャートである。図５に示される一連の処理は、ＶＣＭ制御回路１６４において実行される。
【００４８】
ステップＳ５０５において、ＶＣＭ制御回路１６４は、電源遮断が発生したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路１６４は、電源遮断が発生したと判断すると（ステップＳ５０５においてＹＥＳ）、処理をステップＳ５１０に進める。
【００４９】
ステップＳ５１０において、ＶＣＭ制御回路１６４は、電源遮断が発生してから設定時間が経過したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路１６４は、設定時間が経過していないと判断すると（ステップＳ５１０においてＮＯ）、処理をステップＳ５１５に進める。そうでない場合（ステップＳ５１０においてＹＥＳ）、ＶＣＭ制御回路１６４は処理をステップＳ５２５に進める。
【００５０】
ステップＳ５１５において、ＶＣＭ制御回路１６４は、磁気ヘッド１１４を一定速度でランプエンド２３０まで移動させる第１退避動作を開始する。
【００５１】
ステップＳ５２０において、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ逆起電力Ｖｒがしきい値電圧Ｖｔｈ０（たとえば、５０ｍＶ）未満であるか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ逆起電力Ｖｒがしきい値電圧Ｖｔｈ０未満であると判断した場合（ステップＳ５２０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ５２５に進める。そうでない場合（ステップＳ５２０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路１６４は、処理をステップＳ５１０に戻す。
【００５２】
ステップＳ５２５において、ＶＣＭ制御回路１６４は、磁気ヘッド１１４をランプエンド２３０に押し付ける第２退避動作を実施する。より具体的には、ＶＣＭ制御回路１６４は、ＶＣＭ１１６に電圧Ｖｒｅｔ１を、時間Ｔｒｅｔ１にわたって印加する。ＶＣＭ制御回路１６４は、第２退避動作を完了すると、一連のリトラクト動作を終了する。
【００５３】
このように、関連技術に従うモータドライバＩＣ１５０は、第２退避動作において多くの消費電力を要する。また、本願発明者は、第２退避動作において消費される消費電力が、リトラクト動作に伴い消費される電力の大部分を占めることを見出した。そのため、ＳｏＣ１３０は、書き込み予定のデータ量によっては、当該データの保護に用いる消費電力を十分に確保できない場合があった。以下、これらの問題を解決するために、ある実施形態に従う制御システムについて説明する。
【００５４】
［Ｂ．技術思想］
図６は、ある実施形態に従うリトラクト動作の制御概要について説明する図である。図６を参照して、ある実施形態に従う制御システムは、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを、ＶＣＭ逆起電力の大きさではなく、磁気ヘッド１１４の移動距離に基づいて判断する。
【００５５】
そのため、ある実施形態に従う制御システムは、磁気ヘッド１１４の移動速度が傾斜面２１５によって一時的に低下するときに、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと誤認識しない。すなわち、ある実施形態に従う制御システムは、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かの判断を、関連技術に従う制御システムよりも、高い確度で行なうことができる。
【００５６】
上記によれば、ある実施形態に従う制御システムは、磁気ヘッド１１４が確実に傾斜面２１５を通過したと判断して、第１退避動作から第２退避動作への切替を実行できる。そのため、ある実施形態に従う制御システムが第２退避動作においてＶＣＭ１１６に印加する電圧Ｖｒｅｔ２は、関連技術に従う制御システムが印加する電圧Ｖｒｅｔ１以下に設定できる。
【００５７】
さらに、ある実施形態に従う制御システムは、磁気ヘッド１１４が確実にランプエンド２３０近傍に到達したと判断して、第１退避動作から第２退避動作への切替を実行できる。そのため、ある実施形態に従う制御システムが第２退避動作においてＶＣＭ１１６に電圧Ｖｒｅｔ２を印加する時間Ｔｒｅｔ２は、関連技術に従う制御システムが電圧Ｖｒｅｔ１を印加する時間Ｔｒｅｔ１以下に設定できる。
【００５８】
これにより、ある実施形態に従う制御システムは、リトラクト動作に要する消費電力を、関連技術に従う制御システムに比して低減することができる。その結果、ある実施形態に従う制御システムは、書き込み予定のデータの保護に割り当てる電力を多くできる。すなわち、ある実施形態に従う制御システムは、より安定して書き込み予定のデータを保護することができる。以下、この制御システムについての構成および制御について説明する。
【００５９】
［Ｃ．実施形態１］
（ｃ１．構成）
図７は、実施形態１に従う制御システム７００の構成例を説明する図である。なお、図１と同一符号を付している部分については同じであるため、その部分についての説明は繰り返さない。
【００６０】
図７を参照して、制御システム７００は、ハードディスクドライブ７１０と、ＳｏＣ１３０と、モータドライバＩＣ７５０とを備える。
【００６１】
ハードディスクドライブ７１０は、インナーストッパ７２２を備える点で、ハードディスクドライブ１１０と異なる。インナーストッパ７２２は、磁気ヘッド１１４が磁気ディスク１１２の記憶領域の最も内側から、さらに内側方向に移動しないように、磁気ヘッド１１４の移動を制限（停止）する。
【００６２】
モータドライバＩＣ７５０は、リトラクト制御回路７６０を備える。リトラクト制御回路７６０は、積分回路７６６と、移動距離算出回路７６８とを含む。ＡＤＣ７７８は、アンプ１７６から入力されたアナログデータをデジタルデータに変換して、変換結果を積分回路７６６とＶＣＭ制御回路７６４とに出力する。これらの点において、モータドライバＩＣ７５０は、関連技術に従うモータドライバＩＣ１５０と異なる。
【００６３】
積分回路７６６は、ＡＤＣ７７８から入力されるＶＣＭ逆起電力を積分して、その計算結果を移動距離算出回路７６８に出力する。上記で説明したように、ＶＣＭ逆起電力は、磁気ヘッド１１４の移動速度に比例する。移動距離算出回路７６８は、積分回路７６６から入力される計算結果に、所定の係数を乗することで、磁気ヘッド１１４の移動距離を算出する。移動距離算出回路７６８は、計算した磁気ヘッド１１４の移動距離をＶＣＭ制御回路７６４に出力する。所定の係数は、設計値である。
【００６４】
ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離算出回路７６８から入力される磁気ヘッド１１４の移動距離に基づいて、第１退避動作から第２退避動作へと切り替えるタイミングを判断する。
【００６５】
（ｃ２．リトラクト動作）
図８は、実施形態１に従う第１退避動作から第２退避動作への切り替えについて説明する図である。図８を参照して、ＶＣＭ制御回路７６４は、電源遮断が発生すると、磁気ヘッド１１４をインナーストッパ７２２によって移動を制限される位置（以下、「停止位置」とも称する）まで移動する。一例として、ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４が磁気ディスクの記憶領域の最も外側に位置する場合であっても停止位置まで到達できるように、ＶＣＭ駆動電圧、および当該電圧を印加する期間を設定する。
【００６６】
ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４が停止位置に到達した後に、磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０に向けて移動する第１退避動作を開始する。ＶＣＭ制御回路７６４は、第１退避動作における磁気ヘッド１１４の移動速度が、予め定められた速度になるように制御する。積分回路７６６は、第１退避動作の開始とともに、ＶＣＭ逆起電力の積分を開始する。これにともない、移動距離算出回路７６８は、磁気ヘッド１１４の移動距離の算出を開始する。このように、モータドライバＩＣ１５０は、予め定められた位置からの移動距離を算出することにより、安定した制御を実現する。
【００６７】
停止位置からランプエンド２３０までの距離を「第１距離」とする。第１距離は、設計値である。ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離算出回路７６８から入力される磁気ヘッド１１４の移動距離が、ほぼ第１距離に等しくなったら（たとえば、第１距離の９９％以上）、第１退避動作から第２退避動作へ切り替える。
【００６８】
図９は、実施形態１に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。図９に示される処理は、リトラクト制御回路７６０により実行される。図５と同一符号を付している部分については同じであるため、その部分についての説明は繰り返し説明しない。なお、これらの前提は、以下に説明するフローチャートにおいても同様とする。
【００６９】
ステップＳ９１０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、電源遮断の発生に応じて、磁気ヘッド１１４を停止位置まで移動させる。
【００７０】
ステップＳ９２０において、積分回路７６６は、磁気ヘッド１１４の速度情報としてのＶＣＭ逆起電力Ｖｒを積分し、移動距離算出回路７６８は、磁気ヘッド１１４の移動距離Ｘ１を算出する。移動距離Ｘ１は、停止位置から磁気ヘッド１１４までの距離に相当する。
【００７１】
ステップＳ９３０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離Ｘ１がしきい値距離Ｘｔｈ１（たとえば、第１距離の９９％）以上であるか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離Ｘ１がしきい値距離Ｘｔｈ１以上であると判断した場合（ステップＳ９３０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ９４０に進める。そうでない場合（ステップＳ９３０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は処理をステップＳ５１０に戻す。
【００７２】
ステップＳ９４０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ１１６に電圧Ｖｒｅｔ２を、時間Ｔｒｅｔ２にわたって印加する第２退避動作を実行する。上記説明した通り、電圧Ｖｒｅｔ２は電圧Ｖｒｅｔ１以下に設定され、時間Ｔｒｅｔ２は、時間Ｔｒｅｔ１以下に設定される。
【００７３】
上記によれば、ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４の停止位置からの移動距離に基づいて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０近傍に到達したと確実に判断できる。そのため、モータドライバＩＣ７５０は、関連技術に従うモータドライバＩＣ１５０よりも第２退避動作に要する消費電力を低減できる。その結果、制御システム７００に従うＳｏＣ１３０は、制御システム１００に従うＳｏＣ１３０よりも安定して書き込み予定のデータを保護することができる。また、モータドライバＩＣ１５０は、ＶＣＭ逆起電力に基づいて磁気ヘッド１１４の移動距離を算出する。そのため、ハードディスクドライブ１１０内に磁気ヘッド１１４の移動距離を算出するための新たなセンサなどを設ける必要がない。
【００７４】
なお、ステップＳ５２５において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ１１６に電圧Ｖｒｅｔ１を、時間Ｔｒｅｔ１にわたって印加する第２退避動作を実行するが、当該ステップの制御はこれに限られない。たとえば、ＶＣＭ制御回路７６４は、設定時間が経過したと判断した時点における移動距離Ｘ１に基づいて、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５を通過していると判断した場合、ＶＣＭ１１６に電圧Ｖｒｅｔ３を、時間Ｔｒｅｔ３にわたって印加する第２退避動作を実行してもよい。電圧Ｖｒｅｔ３，時間Ｔｒｅｔ３はそれぞれ、Ｖｒｅｔ２≦Ｖｒｅｔ３≦Ｖｒｅｔ１、Ｔｒｅｔ２≦Ｔｒｅｔ３≦Ｔｒｅｔ１の関係を満たす。当該構成によれば、設定時間を経過したと判断された場合における第２退避動作に要する消費電力を低減できる。
【００７５】
また、上記ではハードディスクドライブ１１０（磁気ディスク記憶装置）におけるリトラクト動作の制御例について説明しているが、他の装置におけるリトラクト動作にも適用し得る。他の装置は、データを記憶するディスクと、当該ディスクからデータの読み出し、または書き込みを行なうヘッドと、ヘッドとディスクとの接触を防ぐためのランプ機構を備える。
【００７６】
［Ｄ．実施形態２］
実施形態１は、移動距離のみに基づいて磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０（の近傍）に到達したか否かを判断する構成であった。実施形態２は、磁気ヘッド１１４の移動距離による判断に加え、さらに、ＶＣＭ逆起電力による判断を行なう。なお、実施形態２に従う制御システムの基本構成は、実施形態１に従う制御システムの基本構成と略同じであるので、相違する点についてのみ説明する。
【００７７】
図１０は、実施形態２に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。図９と同一符号を付している部分については同じであるため、その部分についての説明は繰り返し説明しない。
【００７８】
ステップＳ１０１０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力Ｖｒがしきい値電圧Ｖｔｈ０（たとえば、５０ｍＶ）未満であるか否かを判断する。しきい値電圧Ｖｔｈ０は、ＶＣＭ制御回路７６４または他のデバイスに保持される。ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力Ｖｒがしきい値電圧Ｖｔｈ０未満であると判断した場合（ステップＳ１０１０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ１０２０に進める。そうでない場合（ステップＳ１０１０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ５１０に戻す。
【００７９】
ステップＳ１０２０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４の移動距離Ｘ１がしきい値距離Ｘｔｈ１以上であるか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離Ｘ１がしきい値距離Ｘｔｈ１以上であると判断した場合（ステップＳ１０２０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ９４０に進める。そうでない場合（ステップＳ９３０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ５２５に進める。
【００８０】
上記によれば、実施形態２に従うモータドライバＩＣは、磁気ヘッド１１４の移動距離Ｘ１、およびＶＣＭ逆起電力に基づいて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。したがって、実施形態２に従うモータドライバＩＣは、実施形態１に従うモータドライバＩＣよりも、上記判断の信頼性を向上できる。
【００８１】
なお、他の局面において、移動距離Ｘ１がしきい値距離Ｘｔｈ１未満であると判断された場合（ステップＳ１０２０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は処理をステップＳ５１０に戻す構成であってもよい。
【００８２】
［Ｅ．実施形態３］
図１１は、実施形態３に従うリトラクト動作の制御概要について説明する図である。実施形態１および２は、電源遮断に応じて磁気ヘッド１１４を停止位置まで戻す構成である。すなわち、これらの実施形態は、磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０に退避させるために、磁気ヘッド１１４をランプ機構１２０の方向と反対方向に移動する。
【００８３】
この動作は、予め定められた位置（停止位置）からの磁気ヘッド１１４の移動距離を用いて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを判断することにより当該判断の信頼性を向上させるために行われる。
【００８４】
実施形態３では、この予め定められた位置をランプフロント２１０に設定する。実施形態３に従うＶＣＭ制御回路７６４は、ランプフロント２１０からの磁気ヘッド１１４の移動距離を算出し、当該移動距離がほぼ第２距離（ランプフロント２１０からランプエンド２３０までの距離）に等しくなったら、第１退避動作から第２退避動作へと切り替える。
【００８５】
上記によれば、リトラクト動作において磁気ヘッド１１４は、ランプ機構１２０の方向と反対方向に移動しない。そのため、実施形態３に従う制御システムは、リトラクト動作に要する消費電力をさらに低減できる。以下、これらの制御をより詳しく説明する。実施形態３に従う制御システムの基本構成は、実施形態１に従う制御システムの基本構成と略同じであるため、相違する点についてのみ説明する。
【００８６】
図１２は、実施形態３に従うＶＣＭ逆起電力と磁気ヘッド１１４の位置との関係について説明する図である。図１２を参照して、時刻Ｔ１において磁気ヘッド１１４はランプフロント２１０に到達するまで、ＶＣＭ逆起電力の大きさ（すなわち磁気ヘッド１１４の移動速度）は、略一定に保たれる。
【００８７】
磁気ヘッド１１４の移動速度は、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５を通過するときに一時的に下がる。これにより、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５を通過し始めた時刻Ｔ２において、ＶＣＭ逆起電力がしきい値電圧Ｖｔｈ１を下回る。実施形態３に従うＶＣＭ制御回路７６４は、この時刻Ｔ２において磁気ヘッド１１４がランプ機構１２０（ランプフロント２１０）に到達したと判断する。
【００８８】
磁気ヘッド１１４は、傾斜面２１５および退避面２２０を通過して、ランプエンド２３０に衝突する。磁気ヘッド１１４の移動速度は、磁気ヘッド１１４とランプエンド２３０との衝突直後の時刻Ｔ３において、負の値となる（ランプエンド２３０から遠ざかる方向に移動する）。ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力がしきい値電圧Ｖｔｈ０（たとえば、５０ｍＶ）を下回る時刻Ｔ３において、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断する。
【００８９】
このように、実施形態３に従うＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力の大きさに基づいて、磁気ヘッド１１４がランプフロント２１０およびランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、これらの判断結果をリトラクト動作の制御に用いる。
【００９０】
図１３は、実施形態３に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。なお、図１０と同一符号を付している部分については同じであるため、その部分についての説明は繰り返し説明しない。
【００９１】
ステップＳ１３０５において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ランプフロント判定フラグ（ｆｌａｇ１）が「１」であるかの判定を行なう。なお、ｆｌａｇ１の初期値は「０」に設定されているものとする。
【００９２】
ＶＣＭ制御回路７６４は、ｆｌａｇ１が「１」であると判断した場合（ステップＳ１３０５においてＹＥＳ）、処理をステップＳ１３２０に進める。そうでない場合（ステップＳ１３０５においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ１３１０に進める。
【００９３】
ステップＳ１３１０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力Ｖｒがしきい値電圧Ｖｔｈ１を下回るか否かを判断する。すなわち、ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプ機構１２０に到達したか否かを判断する。
【００９４】
ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプ機構１２０に到達したと判断すると（ステップＳ１３１０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ１３１５に進める。そうでない場合（ステップＳ１３１０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ１３３０に進める。
【００９５】
ステップＳ１３１５において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ｆｌａｇ１を「１」にセットする。これにより、ＶＣＭ制御回路７６４は、ステップＳ１３０５においてｆｌａｇ１が「１」であると判定し、処理をステップＳ１３２０に進める。
【００９６】
ステップＳ１３２０において、積分回路７６６は、磁気ヘッド１１４の速度情報としてのＶＣＭ逆起電力Ｖｒを積分し、移動距離算出回路７６８は、磁気ヘッド１１４の移動距離Ｘ２を算出する。移動距離Ｘ２は、ランプフロント２１０から磁気ヘッド１１４までの距離に相当する。
【００９７】
ステップＳ１３３０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力Ｖｒがしきい値電圧Ｖｔｈ０（たとえば、５０ｍＶ）未満であるか否かを判断する。すなわち、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力の大きさに基づいて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断した場合（ステップＳ１３３０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ１３４０に進める。そうでない場合（ステップＳ１３３０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ５１０に戻す。なお、しきい値電圧Ｖｔｈ０およびＶｔｈ１は、ＶＣＭ制御回路７６４または他のデバイスに保持される。
【００９８】
ステップＳ１３４０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離Ｘ２（図１２において時刻Ｔ２〜時刻Ｔ３までの間に磁気ヘッド１１４が移動した距離に相当）が、しきい値距離Ｘｔｈ２以上であるか否かを判断する。ある局面において、しきい値距離Ｘｔｈ２は、第２距離（ランプフロント２１０からランプエンド２３０までの距離）に設定される。すなわち、ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離Ｘ２に基づいて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断した場合（ステップＳ１３４０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ９４０に進める。そうでない場合（ステップＳ１３４０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ５２５に進める。
【００９９】
上記によれば、実施形態３に従うモータドライバＩＣは、リトラクト動作において、磁気ヘッド１１４を停止位置まで移動させない。そのため、実施形態１，２に従うモータドライバＩＣよりも、リトラクト動作に要する消費電力をより削減できる。
【０１００】
なお、他の局面において、実施形態３に従うモータドライバＩＣは、図１３におけるステップＳ５０５とステップＳ５１０との間に、磁気ヘッド１１４を磁気ディスク１１２の中心方向に予め定められた距離移動させる制御を行なってもよい。ある局面において、予め定められた距離は、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５を通過するために必要な退避速度に加速するために必要な距離であり得る。換言すれば、予め定められた距離は、磁気ヘッド１１４がランプフロント２１０に到達した時点において、目標とする退避速度に到達するために必要な距離とする。これにより、モータドライバＩＣは、図１３のステップＳ１３１０におけるランプフロント判定を、より確実に行なうことができる。
【０１０１】
［Ｆ．実施形態４］
実施形態３は、ＶＣＭ逆起電力の大きさに基づいて、磁気ヘッド１１４がランプフロント２１０に到達したか否かを判断する。実施形態４では、この判断を、ＶＣＭ駆動電圧の大きさに基づいて行なう。
【０１０２】
図１４は、実施形態４に従うＶＣＭ駆動電圧と磁気ヘッド１１４の位置との関係について説明する図である。図１４を参照して、時刻Ｔ１１において磁気ヘッド１１４はランプフロント２１０に到達するまで、ＶＣＭ駆動電圧の大きさは、略一定に保たれる。
【０１０３】
ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５を通過するときに、磁気ヘッド１１４の移動速度を一定に保つように制御する。そのため、ＶＣＭ駆動電圧は、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５を通過するときに一時的に上がる。
【０１０４】
これにより、磁気ヘッド１１４が傾斜面２１５通過し始めた時刻Ｔ１２において、ＶＣＭ駆動電圧がしきい値電圧Ｖｄｔｈ１を上回る。実施形態４に従うＶＣＭ制御回路７６４は、この時刻Ｔ１２において磁気ヘッド１１４がランプ機構１２０（ランプフロント２１０）に到達したと判断する。
【０１０５】
磁気ヘッド１１４の移動速度は、磁気ヘッド１１４とランプエンド２３０との衝突によりほぼ０となる。ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４の移動速度を一定に保つために、ＶＣＭ駆動電圧を大きく上げる。これにより、磁気ヘッド１１４とランプエンド２３０との衝突直後の時刻Ｔ１３において、ＶＣＭ駆動電圧はしきい値電圧Ｖｄｔｈ０を上回る。実施形態４に従うＶＣＭ制御回路７６４は、この時刻Ｔ１３において、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断する。
【０１０６】
このように、実施形態４に従うＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ駆動電圧の大きさに基づいて、磁気ヘッド１１４がランプフロント２１０およびランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、これらの判断結果をリトラクト動作の制御に用いる。
【０１０７】
図１５は、実施形態４に従うリトラクト動作の制御を説明するフローチャートである。なお、図１３と同一符号を付している部分については同じであるため、その部分についての説明は繰り返し説明しない。
【０１０８】
ステップＳ１５１０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ駆動電圧Ｖｄがしきい値電圧Ｖｄｔｈ１を下回るか否かを判断する。すなわち、ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプ機構１２０に到達したか否かを判断する。
【０１０９】
ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプ機構１２０に到達したと判断すると（ステップＳ１５１０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ１３１５に進め、ｆｌａｇ１を「１」にセットする。そうでない場合（ステップＳ１５１０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ１５２０に進める。
【０１１０】
ステップＳ１５２０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ駆動電圧Ｖｄがしきい値電圧Ｖｄｔｈ０（たとえば、５０ｍＶ）未満であるか否かを判断する。すなわち、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ駆動電圧の大きさに基づいて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断した場合（ステップＳ１５２０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ１３４０に進める。そうでない場合（ステップＳ１５２０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ５１０に戻す。
【０１１１】
ステップＳ１３４０において、ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離Ｘ２（図１４において時刻Ｔ１２〜時刻Ｔ１３までの間に磁気ヘッド１１４が移動した距離に相当）が、しきい値距離（たとえば、第２距離の９５％）以上であるか否かを判断する。すなわち、ＶＣＭ制御回路７６４は、移動距離Ｘ２に基づいて、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したか否かを判断する。ＶＣＭ制御回路７６４は、磁気ヘッド１１４がランプエンド２３０に到達したと判断した場合（ステップＳ１３４０においてＹＥＳ）、処理をステップＳ９４０に進める。そうでない場合（ステップＳ１３４０においてＮＯ）、ＶＣＭ制御回路７６４は、処理をステップＳ５２５に進める。
【０１１２】
上記によれば、実施形態４に従うモータドライバＩＣは、リトラクト動作において、磁気ヘッド１１４を停止位置まで移動させない。そのため、実施形態１，２に従うモータドライバＩＣよりも、リトラクト動作に要する消費電力を削減できる。
【０１１３】
なお、モータドライバＩＣは、ＶＣＭ駆動電圧の大きさにかえて、ＶＣＭ１１６に流す電流値、またはＶＣＭ１１６に供給する電力に基づいて、磁気ヘッド１１４がランプフロント２１０に到達したか否かを判断する構成であってもよい。
【０１１４】
［Ｇ．変形例］
（ｇ１．構成）
図１６は、変形例に従う制御システム１６００の構成例について説明する図である。上記実施形態１〜４に従う制御システム７００は、モータドライバＩＣ７５０において磁気ヘッド１１４のＶＣＭ逆起電力を積分し、磁気ヘッド１１４の移動距離を算出する構成であった。制御システム１６００は、ＳｏＣ１６３０において、これらの処理を行なう。
【０１１５】
ＳｏＣ１６３０は、積分部１６３２と移動距離算出部１６３４とを備える点において、ＳｏＣ１３０と異なる。ＳｏＣ１６３０は、記憶装置（図示しない）に格納される制御プログラムを実行することによって、積分部１６３２および移動距離算出部１６３４として機能する。
【０１１６】
積分部１６３２は、ＡＤＣ１６７８からインターフェイス１５２を介して入力されるＶＣＭ逆起電力を積分する。移動距離算出部１６３４は、積分部１６３２から入力される計算結果に、所定の係数を乗することで、磁気ヘッド１１４の移動距離を算出する。移動距離算出部１６３４は、算出した磁気ヘッド１１４の移動距離をインターフェイス１５２を介してＶＣＭ制御回路７６４に出力する。
【０１１７】
このように、磁気ヘッド１１４の移動距離の算出処理は、ＳｏＣ１６３０で行なってもよい。さらに他の局面において、ＳｏＣ１６３０は、磁気ヘッド１１４の移動距離の算出処理に加え、磁気ヘッド１１４の移動距離が予め定められた距離に到達したか否かの判断（たとえば、ステップＳ９３０，ステップＳ１３４０）を行なう構成であってもよい。
【０１１８】
（ｇ２．変化に基づいて判断）
実施形態２〜４において、磁気ヘッド１１４がランプフロント２１０またはランプエンド２３０に到達したか否かを判断するにあたり、ＶＣＭ逆起電力またはＶＣＭ駆動電圧としきい値との関係を用いていた。
【０１１９】
他の局面において、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力またはＶＣＭ駆動電圧の変化の大きさ（微分値）または変化率と、しきい値との関係に基づいて、上記の判断を行なう構成であってもよい。
【０１２０】
この構成において、実施形態２，３に従うＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ逆起電力の変化、すなわち、磁気ヘッド１１４の移動速度の変化に基づいて、上記判断を行なう。しかしながら、速度制御のサイクル（Ｄｒｉｖｅ期間とＨｉｚ期間とｄｅｔ期間とを繰り返すサイクル）が短い場合、磁気ヘッド１１４の移動速度の変化は小さくなるため、上記の判断が難しくなる場合がある。
【０１２１】
一方、実施形態４に従うＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ駆動電力の変化に基づいて上記判断を行なう。速度制御のサイクルが短い場合であっても、ＶＣＭ駆動電力の変化は、ＶＣＭ逆起電力の変化よりも大きいため、検出しやすい。そのため、変化に基づく判断を行なう場合、ＶＣＭ制御回路７６４は、ＶＣＭ駆動電力の変化に基づく制御を行なうことが好ましい。
【０１２２】
（ｇ３．速度情報）
上記の実施形態１〜４において、制御システムは、磁気ヘッド１１４の移動距離を算出するにあたって、ＶＣＭ逆起電力を積分する構成であった。他の局面において、制御システムは、ｄｅｔ期間においてＶＣＭ１１６のコイルに流れる電流を積分することによって、磁気ヘッド１１４の移動距離を算出する構成であってもよい。その理由は、ＶＣＭ１１６に流れる電流値も、ＶＣＭ逆起電力に比例する値、すなわち、磁気ヘッド１１４の移動速度に比例する値であるためである。
【０１２３】
（ｇ４．移動距離の算出）
上記の例において、制御システムは、磁気ヘッド１１４の移動距離を算出するにあたって、磁気ヘッド１１４の速度情報（ＶＣＭ逆起電力またはＶＣＭ１１６に流れる電流値）を用いる構成であった。他の局面において、制御システムは、ＶＣＭ１１６の回転角度の変化量を用いる構成であってもよい。
【０１２４】
他の局面に従う制御システムは、ＶＣＭ１１６の回転角度を測定可能に構成される。一例として、制御システムは、ＶＣＭ１１６に配置されるホール素子およびホール電圧検出回路の組み合わせ、光学式ロータリーエンコーダなどによって、ＶＣＭ１１６の回転角度を測定可能に構成される。
【０１２５】
制御システムは、磁気ヘッド１１４が予め定められた位置（たとえば、停止位置，ランプフロント２１０の位置）に到達してからの、ＶＣＭ１１６の回転角度の変化量に基づいて、磁気ヘッド１１４の移動距離を算出する。
【０１２６】
上記に示される制御は、少なくとも１つのプロセッサのような半導体集積回路、少なくとも１つの特定用途向け集積回路ＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）、少なくとも１つのＤＳＰ（Digital Signal Processor）、少なくとも１つのＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）、および／またはその他の演算機能を有する回路を含む回路によって実装され得る。
【０１２７】
これらの回路は、有形の読取可能な少なくとも１つの媒体から、１以上の命令を読み出すことにより各種制御を実現し得る。
【０１２８】
このような媒体は、磁気媒体（たとえば、ハードディスク）、光学媒体（たとえば、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＤＶＤ）、揮発性メモリ、不揮発性メモリの任意のタイプのメモリなどの形態をとるが、これらの形態に限定されるものではない。
【０１２９】
揮発性メモリはＤＲＡＭ（Dynamic  Random  Access  Memory）およびＳＲＡＭ（Static  Random  Access  Memory）を含み得る。不揮発性メモリは、ＲＯＭ、ＮＶＲＡＭを含み得る。半導体メモリは、少なくとも１つのプロセッサとともに半導体回路の１部分であり得る。
【０１３０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１３１】
１００，７００，１６００  制御システム、１１０，７１０  ハードディスクドライブ、１１２  磁気ディスク、１１３  スピンドルモータ、１１４  磁気ヘッド、１１８  アーム、１２０  ランプ機構、１４０  キャッシュメモリ、１４５  フラッシュメモリ、１５２  インターフェイス、１５４  レジスタ、１６０，７６０  リトラクト制御回路、１６２  スピンドル制御回路、１６４，７６４  ＶＣＭ制御回路、１６８  ＶＣＭドライバ、１７４  サンプルホールド回路、１７６  アンプ、１８０，１８０Ｕ，１８０Ｖ，１８０Ｗ  スピンドル端子、１８２，１８２Ｕ，１８２Ｖ，１８２Ｗ  スピンドルドライバ、１８４  保護電源端子、１８６  コンデンサ、１８８  レギュレータ、１９０  外部電源、１９２  電源端子、１９４  スイッチ、２１０  ランプフロント、２１５  傾斜面、２２０  退避面、２３０  ランプエンド、７６６  積分回路、７６８  移動距離算出回路、１６３２  積分部、１６３４  移動距離算出部、１５０，７５０  モータドライバＩＣ、１３５  読み書きＩＣ、Ｖｄ  ＶＣＭ駆動電圧、Ｖｄｔｈ０，Ｖｄｔｈ１，Ｖｔｈ０，Ｖｔｈ１  しきい値電圧、Ｖｒ  逆起電力、Ｘ１，Ｘ２  移動距離、Ｘｔｈ１，Ｘｔｈ２  しきい値距離。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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