(57)【要約】      （修正有）【課題】第１テンプレートと第２テンプレートの相対位置を調整する方法を提供する。【解決手段】システム及び装置は、第１のテンプレート（マスター）３００の活性領域に隣接する領域の表面の第１の複数の位置ポイントを決定することであって、活性領域の表面と隣接する領域の表面とは、第１のテンプレートの連続面を形成していることと、第１の複数の位置ポイントに基づいて、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面を識別することと、第２のテンプレート（レプリカ）４００の活性領域の表面の第２の複数の位置ポイントを決定することであって、第２のテンプレートの活性領域は、第２のテンプレートの表面から突出していることと、第２の複数の位置ポイントに基づいて、第２のテンプレートの活性領域の表面の面を識別することと、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のインプリントリソグラフィテンプレートと第２のインプリントリソグラフィテンプレートとの相対位置を調整する方法であって、
前記方法は、第１のテンプレートの活性領域に隣接する領域の表面の第１の複数の位置ポイントを決定することを備え、前記隣接する領域の前記表面と前記活性領域の表面とは、前記第１のテンプレートの連続面を形成し、
前記方法は、前記第１の複数の位置ポイントに基づいて、前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の面を識別することを備え、
前記方法は、第２のテンプレートの活性領域の表面の第２の複数の位置ポイントを決定することを備え、前記第２のテンプレートの前記活性領域は、前記第２のテンプレートの表面から突出し、
前記方法は、
前記第２の複数の位置ポイントに基づいて、前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の面を識別することと、
前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と、前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面とに基づいて、前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの相対位置を調整することと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面とを比較することと、
前記比較に基づいて、前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面との間のレベリングエラーを評価することと、
を更に備え、
前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの前記相対位置を調整することは、前記レベリングエラーに基づいていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの前記相対位置は、前記レベリングエラーを補償するように調整されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの前記相対位置を調整することは、前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面との間の相対角度を調整することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のテンプレートの前記隣接する領域は、前記第１のテンプレートの前記活性領域を取り囲むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のテンプレートの前記活性領域は、１つ以上のパターニングフィーチャを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のテンプレートの前記活性領域は、実質的に、平面であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の複数の位置ポイント及び前記第２の複数の位置ポイントは、時間的に同時に決定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１のインプリントリソグラフィテンプレートと第２のインプリントリソグラフィテンプレートとの相対位置を調整するシステムであって、
前記システムは、第１のテンプレートを保持する第１のテンプレートホルダを備え、前記第１のテンプレートは、活性領域と、前記活性領域に隣接する領域とを含み、前記隣接する領域の表面と前記活性領域の表面とは、前記第１のテンプレートの連続面を形成し、
前記システムは、第２のテンプレートを保持する第２のテンプレートホルダを備え、前記第２のテンプレートは、活性領域を含み、前記第２のテンプレートの前記活性領域は、前記第２のテンプレートの表面から突出し、
前記システムは、
前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の第１の複数の位置ポイントを決定する第１の検出装置と、
前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の第２の複数の位置ポイントを決定する第２の検出装置と、
前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの相対位置を調整するアクチュエータシステムと、
ｉ）前記第１の複数の位置ポイントに基づいて、前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の面を識別し、ｉｉ）前記第２の複数の位置ポイントに基づいて、前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の面を識別し、ｉｉｉ）前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と、前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面とに基づいて、前記アクチュエータシステムが前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの前記相対位置を調整するように、前記アクチュエータシステムに信号を提供する処理装置と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記処理装置は、更に、
前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面とを比較し、
前記比較に基づいて、前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面との間のレベリングエラーを評価し、
前記アクチュエータシステムは、更に、前記レベリングエラーの少なくとも一部に基づいて、前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの前記相対位置を調整することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記アクチュエータシステムは、前記レベリングエラーを補償するために、前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの前記相対位置を調整することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記アクチュエータシステムは、更に、前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面との間の相対角度を調整することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１のテンプレートの前記隣接する領域は、前記第１のテンプレートの前記活性領域を取り囲むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１のテンプレートの前記活性領域は、１つ以上のパターニングフィーチャを含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第２のテンプレートの前記活性領域は、実質的に、平面であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１の検出装置は、前記第１の複数の位置ポイントを決定し、同時に、前記第２の検出装置は、前記第２の複数の位置ポイントを決定することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１７】
物品を製造するインプリントリソグラフィ方法であって、
前記インプリントリソグラフィ方法は、第１のテンプレートの活性領域に隣接する領域の表面の第１の複数の位置ポイントを決定することを備え、前記隣接する領域の前記表面と前記活性領域の表面とは、前記第１のテンプレートの連続面を形成し、
前記インプリントリソグラフィ方法は、前記第１の複数の位置ポイントに基づいて、前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の面を識別することを備え、
前記インプリントリソグラフィ方法は、第２のテンプレートの活性領域の表面の第２の複数の位置ポイントを決定することを備え、前記第２のテンプレートの前記活性領域は、前記第２のテンプレートの表面から突出し、
前記インプリントリソグラフィ方法は、
前記第２の複数の位置ポイントに基づいて、前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の面を識別することと、
前記第１のテンプレートの前記隣接する領域の前記表面の前記面と、前記第２のテンプレートの前記活性領域の前記表面の前記面とに基づいて、前記第１のテンプレートと前記第２のテンプレートとの相対位置を調整することと、
前記第２のテンプレートの上にインプリントレジストを配置することと、
前記インプリントレジストに前記第１のテンプレートを接触させることと、
前記第１のテンプレートと接触する高分子層を生産するために、前記インプリントレジストを重合させることと、
前記高分子層から前記第１のテンプレートを引き離すことと、
前記物品を生産するために、前記高分子層のパターンを前記第２のテンプレートに転写することと、
を備えることを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１８】
前記物品は、レプリカテンプレートであることを特徴とする請求項１７に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
テンプレートの位置を調整するシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノ製造は、１００ナノメール以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さな構造の製造を含む。ナノ製造が大きな影響を有する１つのアプリケーションは、集積回路のプロセスにある。半導体処理産業は、基板に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりを実現しようと努力を継続しており、そのために、ナノ製造がますます重要になっている。ナノ製造は、形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な低減を可能にしながら、より優れたプロセス制御を提供する。ナノ製造が用いられている開発のその他の分野は、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどを含む。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
この明細書に記載された主題の革新的な側面は、第１のインプリントリソグラフィテンプレートと第２のインプリントリソグラフィテンプレートとの相対位置を調整する動作を含む方法で具現化され、第１のテンプレートの活性領域に隣接する領域の表面の第１の複数の位置ポイントを決定することであって、隣接する領域の表面と活性領域の表面とは、第１のテンプレートの連続面を形成していることと、第１の複数の位置ポイントに基づいて、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面を識別することと、第２のテンプレートの活性領域の表面の第２の複数の位置ポイントを決定することであって、第２のテンプレートの活性領域は、第２のテンプレートの表面から突出していることと、第２の複数の位置ポイントに基づいて、第２のテンプレートの活性領域の表面の面を識別することと、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面と、第２のテンプレートの活性領域の表面の面とに基づいて、第１のテンプレートと第２のテンプレートとの相対位置を調整することと、を含む。
【０００４】
これらの側面のその他の実施形態は、対応するシステムを含み、方法の動作を実行するように構成されている。
【０００５】
これら及びその他の実施形態は、それぞれ、以下の特徴の１つ以上を任意に吹くんでもよい。例えば、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面と第２のテンプレートの活性領域の表面の面とを比較することと、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面と第２のテンプレートの活性領域の表面の面との間のレベリングエラーを評価することと、を含み、第１のテンプレートと第２のテンプレートとの相対位置を調整することは、レベリングエラーに基づいている。第１のテンプレートと第２のテンプレートとの相対位置は、レベリングエラーを補償するように調整される。第１のテンプレートと第２のテンプレートとの相対位置を調整することは、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面と第２のテンプレートの活性領域の表面の面との間の相対角度を調整することを含む。第１のテンプレートの隣接する領域は、第１のテンプレートの活性領域を取り囲む。第１のテンプレートの活性領域は、１つ以上のパターニングフィーチャを含む。第２のテンプレートの活性領域は、実質的に、平面である。第１の複数の位置ポイント及び第２の複数の位置ポイントは、時間的に同時に決定される。
【０００６】
この明細書に記載された主題の革新的な側面は、第１のインプリントリソグラフィテンプレートと第２のインプリントリソグラフィテンプレートとの相対位置を調整するシステムで具現化され、システムは、第１のテンプレートを保持する第１のテンプレートホルダを含み、第１のテンプレートは、活性領域と、活性領域に隣接する領域とを含み、隣接する領域の表面と活性領域の表面とは、第１のテンプレートの連続面を形成し、システムは、第２のテンプレートを保持する第２のテンプレートホルダを含み、第２のテンプレートは、活性領域を含み、第２のテンプレートの活性領域は、第２のテンプレートの表面から突出し、システムは、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の第１の複数の位置ポイントを決定する第１の検出装置と、第２のテンプレートの活性領域の表面の第２の複数の位置ポイントを決定する第２の検出装置と、第１のテンプレートと第２のテンプレートとの相対位置を調整するアクチュエータシステムと、ｉ）第１の複数の位置ポイントに基づいて、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面を識別し、ｉｉ）第２の複数の位置ポイントに基づいて、第２のテンプレートの活性領域の表面の面を識別し、ｉｉｉ）第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面と、第２のテンプレートの活性領域の表面の面とに基づいて、アクチュエータシステムが第１のテンプレートと第２のテンプレートとの相対位置を調整するように、アクチュエータシステムに信号を提供する処理装置と、を含む。
【０００７】
これらの側面のその他の実施形態は、システムによって実行される対応する方法を含む。
【０００８】
この明細書に記載された主題の特定の実施形態は、以下の利点の１つ以上を実現するように実施される。本開示の実施形態は、ｉ）レプリカテンプレートの像配置エラー、ｉｉ）レプリカテンプレート上に配置された材料の不均一な流体拡散、及び、ｉｉｉ）レプリカテンプレート上の所望のゾーンを越える流体押し出し、を防止するまでにいかないとしても最小化を提供する。
【０００９】
この明細書に記載された主題の１つ以上の実施形態の詳細は、添付図面及び以下の記載で説明される。主題のその他の潜在的な特徴、側面及び利点は、明細書、図面及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の実施形態におけるリソグラフィシステムの簡略化された側面図を示す。
【図２】図２は、その上に配置されたパターン層を有する図１に示す基板の簡略化された側面図を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、マスターテンプレートの上面図を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、マスターテンプレートの側面図を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、レプリカテンプレートの上面図を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、レプリカテンプレートの側面図を示す。
【図５】図５は、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとの相対位置を調整するシステムを示す。
【図６】図６は、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとの相対位置が調整された後のシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
この文献は、第１のインプリントリソグラフィテンプレートと第２のインプリントリソグラフィテンプレートとの相対位置を調整することを提供する方法及びシステムを記載する。具体的には、第１のテンプレートの活性領域に隣接する領域の表面の第１の複数の位置ポイントが決定される。隣接する領域の表面と活性領域の表面とは、第１のテンプレートの連続面を形成する。第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面は、識別され、第１の複数の位置ポイントに基づいている。第２のテンプレートの活性領域の表面の第２の複数の位置ポイントが決定される。第２のテンプレートの活性領域は、第２のテンプレートの表面から突出している。第２のテンプレートの活性領域の表面の面は、識別され、第２の複数の位置ポイントに基づいている。第１のテンプレートと第２のテンプレートとの相対位置は、第１のテンプレートの隣接する領域の表面の面と、第２のテンプレートの活性領域の表面の面とに基づいて、調整される。
【００１２】
図１は、基板１０２の上に凹凸パターンを形成するインプリントリソグラフィシステム１００を示す。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されてもよい。幾つかの例において、基板チャック１０４は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁チャック及び／又は同等なものを含む。例示的なチャックは、参照によりここに組み込まれる米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。基板１０２及び基板チャック１０４は、ステージ１０６によって更に支持されてもよい。ステージ１０６は、ｘ、ｙ及びｚ軸の１つ以上に関する運動、及び／又は、ｚ軸に関する回転運動を提供する。ステージ１０６、基板１０２及び基板チャック１０４は、ベース（不図示）の上に配置してもよい。
【００１３】
インプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２から離間されたインプリントリソグラフィテンプレート１０８を更に含む。幾つかの例において、テンプレート１０８は、テンプレート１０８から基板１０２に向かって延在するメサ１１０（モールド１１０）を含む。幾つかの例において、モールド１１０は、パターン面１１２を含む。テンプレート１０８及び／又はモールド１１０は、これらに限定されるものではないが、石英ガラス、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイア及び／又は同等なものを含む、そのような材料から形成されてもよい。図示の例では、パターン面１１２は、離間した凹部１２４及び／又は突出部１２６によって定義された複数のフィーチャを含む。しかしながら、幾つかの例において、フィーチャのその他の構成が可能である。パターン面１１２は、基板１０２に形成すべきパターンの基礎を形成する任意のオリジナルパターンを定義してもよい。
【００１４】
テンプレート１０８は、テンプレートチャック１２８に結合されてもよい。幾つかの例において、テンプレートチャック１２８は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁チャック及び／又は同等なものを含む。例示的なチャックは、参照によりここに組み込まれる米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。更に、テンプレートチャック１２８は、テンプレートチャック１２８及び／又はインプリントヘッド１３０がテンプレート１１８の移動を容易にするように、インプリントヘッド１３０に結合されてもよい。
【００１５】
インプリントリソグラフィシステム１００は、液体吐出（ｆｌｕｉｄ  ｄｉｓｐｅｎｓｅ）システム１３２を更に備えてもよい。液体吐出システム１３２は、基板１０２の上に重合性材料１３４を堆積させるために用いられる。重合性材料１３４は、ドロップディスペンス、スピンコーティング、ディップコーティング、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、物理気相蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、厚膜蒸着及び／又は同等なものなどの技術を用いて、基板１０２の上に配置される。幾つかの例において、重合性材料１３４は、所望の体積がモールド１１０と基板１０２との間に定義される前及び／又は後に、基板１０２の上に配置される。重合性材料１３４は、参照によりその全てがここに組み込まれる米国特許第７，１５７，０３６号及び米国特許出願公開第２００５／０１８７３３９号に記載されているようなモノマーを備えてもよい。幾つかの例において、重合性材料１３４は、複数の液滴１３６として、基板１０２の上に配置される。
【００１６】
図１及び図２を参照するに、インプリントリソグラフィシステム１００は、パス１４２に沿ってエネルギー１４０を導くエネルギー源１３８を更に備えてもよい。幾つかの例において、インプリントヘッド１３０及びステージ１０６は、パス１４２に重ね合わせて、テンプレート１０８及び基板１０２を位置決めする。インプリントリソグラフィシステム１１０は、ステージ１０６、インプリントヘッド１３０、液体吐出システム１３２及び／又はエネルギー源１３８と通信するプロセッサ１４４によって調整されてもよく、メモリ１４６に記憶されたコンピュータ読み取り可能なプログラムで動作してもよい。
【００１７】
幾つかの例において、インプリントヘッド１３０、ステージ１０６又は両方は、重合性材料１３４によって充填されるそれらの間に所望の体積を定義するために、モールド１１０と基板１０２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッド１３０は、モールド１１０が重合性材料１３４に接触するように、テンプレート１０８に力を加えてもよい。所望の体積が重合性材料１３４によって充填された後、エネルギー源１３８は、エネルギー１４０、例えば、広帯域の紫外線を生成して、重合性材料１３４を基板１０２の表面１４８の形状及びパターン面１２２に一致させて凝固及び／又はクロスリンクさせ、基板１０２の上のパターン層１５０を定義する。幾つかの例において、パターン層１５０は、残留層１５２と、突出部１５４及び凹部１５６として示す複数のフィーチャとを含み、突出部１５４は、厚さｔ１を有し、残留層１５２は、厚さｔ２を有する。
【００１８】
上述したシステム及びプロセスは、参照によりそれぞれがここに組み込まれる米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許出願公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許出願公開第２００４／０１８８３８１号及び米国特許出願公開第２００４／０２１１７５４号に参照されるインプリントリソグラフィプロセス及びシステムにおいて更に実施されてもよい。
【００１９】
幾つかの例において、上述した方法は、例えば、インプリントリソグラフィに用いるためのテンプレート複製に用いられてもよい。換言すれば、テンプレート１０８は、マスター（第１の）テンプレートを含み、基板１０２は、レプリカ（第２の）テンプレートを含む。例として、ここで記載されるように、第１のテンプレートは、「マスター」テンプレートと称され、第２のテンプレートは、インプリントリソグラフィプロセスにおいてマスターテンプレートから形成される「レプリカ」テンプレートと称される。但し、第１のテンプレート及び第２のテンプレートは、そのように限定されないことが理解される。
【００２０】
そのために、パターン層１５０を形成する前に、具体的には、テンプレート複製の前に、テンプレート１０８と基板１０２との間の所望のアライメントが得られる。具体的には、（重合性材料１３４）の不均一な流体拡散、像配置エラー及び液体押し出しを防止するまでにいかないとしても最小化するために、基板１０２とテンプレート１０８との間の相対的な傾き、及び／又は、基板１０２とテンプレート１０８との形状プロファイルが決定される。
【００２１】
図３Ａ及び図３Ｂは、第１のテンプレート３００を示す。ここに記載されるように、第１のテンプレート３００は、「マスター」テンプレートと称されるが、第１のテンプレートは、そのように限定されないことが理解される。具体的には、図３Ａは、マスターテンプレート３００の上面図を示し、図３Ｂは、マスターテンプレート３００の側面図を示す。マスターテンプレート３００は、活性領域３０２と、隣接する領域３０４とを含む。図示されるように、隣接する領域３０４は、活性領域３０２を完全に取り囲むが、隣接する領域３０４は、活性領域３０２を部分的に取り囲んでもよい。幾つかの例において、活性領域３０２は、２６ミリメートル×３３ミリメートルであり、隣接する領域３０４は、活性領域３０２の周囲に約５ミリメートル延在する。
【００２２】
活性領域３０２は、第１の表面３０６に関連付けられ、隣接する領域３０４は、第２の表面３０８に関連付けられる。第１の表面３０６と第２の表面３０８とは、マスターテンプレート３００の連続面３１０を形成する。換言すれば、幾つかの例において、マスターテンプレート３００及び連続面３１０は、如何なる突出するフィーチャが存在しない。
【００２３】
幾つかの例において、活性領域３０２は、パターニングフィーチャを含む。パターニングフィーチャは、表面３１８から延在する、それらの間の複数の突出部３１６を定義する複数の凹部３１４を含むことができる。しかしながら、（連続面３１０に対する）表面３１８の深さは、各凹部３１４に対して変化する。更に、パターニングフィーチャのフィーチャサイズ及び密度（例えば、高さ及び／又は幅）は、マスターテンプレート３００の特定のアプリケーションに基づいて変化する。幾つかの例において、マスターテンプレート３００は、マスターテンプレート３００の本体にわたって、実質的に、均一な厚さ、例えば、連続面３１０と反対の表面３２０との間の厚さを含む。
【００２４】
図４Ａ及び図４Ｂは、第２のテンプレート４００を示す。ここに記載されるように、第２のテンプレートは、「レプリカ」テンプレートと称されるが、第２のテンプレートは、そのように限定されないことが理解される。具体的には、図４Ａは、レプリカテンプレート４００の上面図を示し、図４Ｂは、レプリカテンプレート４００の側面図を示す。レプリカテンプレート４００は、活性領域４０２を含む。活性領域４０２は、第３の表面４０６に関連付けられる。幾つかの例において、活性領域４０２は、メサ４０８を含み、メサ４０８（及び活性領域４０２）は、レプリカテンプレート４００の第４の表面４１０から突出している。幾つかの例において、メサ４０８は、化学エッチングプロセス（例えば、ウェットエッチング）によって形成される。
【００２５】
幾つかの例において、活性領域４０２は、実質的に、平面である。換言すれば、活性領域４０２は、実質的に、如何なるパターニングフィーチャを欠いている。幾つかの例において、レプリカテンプレート４００は、中空の（コアアウトされた）テンプレートである。換言すれば、活性領域４０２に最も近いレプリカテンプレート４００の厚さは、実質的に、活性領域４０２の外側のレプリカテンプレート４００の厚さよりも薄い。幾つかの例において、活性領域４０２に最も近いレプリカテンプレート４００の厚さは、約１．１ミリメートルであり、活性領域４０２の外側のレプリカテンプレート４００の厚さは、約０．２５インチ（６．３５ミリメートル＋／−０．１ミリメートル）である。
【００２６】
図５は、マスターテンプレート３００とレプリカテンプレート４００との相対位置を調整するシステム５００を示す。システム５００は、第１の検出装置５０２と、第２の検出装置５０４と、処理装置５０６と、アクチュエータシステム５０８と、ステージ５１０とを含む。処理装置５０６は、第１の検出装置５０２、第２の検出装置５０４及びアクチュエータシステム５０８と通信する。
【００２７】
第１の検出装置５０２は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０４の複数の位置ポイントを決定する。幾つかの例において、第２の表面３０８の複数の位置ポイントを決定することは、複数の箇所で第１の検出装置５０２と第２の表面３０８との間の距離を計測する第１の検出装置５０２を含む。第２の表面３０８の複数の位置ポイントを決定するために、図示するように、ステージ５１０は、マスターテンプレート３００に対する第１の検出装置５０２の移動（例えば、ｘ及びｙ軸に沿って）を提供する。但し、幾つかの例において、移動は、マスターテンプレート３００及び／又は第１の検出装置５０２に提供されてもよい。そのために、第１の検出装置５０２とマスターテンプレート３００との間の相対的な移動を提供することによって、第１の検出装置５０２は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の複数の位置ポイントを決定する。
【００２８】
第２の検出装置５０４は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の複数の位置ポイントを決定する。幾つかの例において、第３の表面４０６の複数の位置ポイントを決定することは、複数の箇所で第２の検出装置５０４と第３の表面４０６との間の距離を計測する第２の検出装置５０４を含む。第３の表面４０６の複数の位置ポイントを決定するために、図示するように、ステージ５１０は、第２の検出装置５０４に対するレプリカテンプレート４００の移動（例えば、ｘ及びｙ軸に沿って）を提供する。但し、幾つかの例において、移動は、レプリカテンプレート４００及び／又は第２の検出装置５０４に提供されてもよい。そのために、第２の検出装置５０４とレプリカテンプレート４００との間の相対的な移動を提供することによって、第２の検出装置５０４は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の複数の位置ポイントを決定する。
【００２９】
幾つかの例において、第１の検出装置５０２は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の複数の位置ポイントを決定し、同時に、第２の検出装置５０４は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の複数の位置ポイントを決定する。換言すれば、第２の表面３０８に関連付けられた複数のポイントの少なくとも一部及び第３の表面４０６に関連付けられた複数のポイントの少なくとも一部の決定は、時間的に重複する。但し、幾つかの例において、第１の検出装置５０２は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の複数の位置ポイントを決定し、逐次的に、第２の検出装置５０４は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の複数の位置ポイントを決定する。換言すれば、例えば、第１検出装置５０２は、第２の検出装置５０４が第３の表面４０６の複数の位置ポイントを決定する前に、第２の表面３０８の複数の位置ポイントを決定する（及び逆も同様）。
【００３０】
処理装置５０６は、マスターテンプレート３００及びレプリカテンプレート４００のそれぞれの面を識別する。具体的には、処理装置５０６は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の第１の面５２０を識別する。幾つかの例において、処理装置５０６は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の複数の位置ポイントに基づいて、第１の面５２０を識別する。換言すれば、処理装置５０６は、幾つかの例において、決定した複数の位置ポイントに基づいて、第２の表面３０８をモデル化し、そのようなモデルに基づいて、第２の表面３０８の第１の面５２０を識別することができる。
【００３１】
幾つかの例において、処理装置５０６は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の形状プロファイルを決定する。換言すれば、第２の表面３０８は、例えば、実質的に平面のプロファイルに対して、マスターテンプレート３００を横切って変化する形状を有する。例えば、第２の表面３０８は、周波数、深さ及び間隔の変化を備える１つ以上のアンジュレーションを有することができる。第２の表面３０８の形状プロファイルの変化は、マスターテンプレート３００の形成におけるプロセス条件にマスターテンプレート３００を受けさせた結果である。
【００３２】
更に、処理装置５０６は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の第２の面５４０を識別する。幾つかの例において、処理装置５０６は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０３の第３の表面４０６の複数の位置ポイントに基づいて、第２の面６４０を識別する。換言すれば、処理装置５０６は、幾つかの例において、決定した複数の位置ポイントに基づいて、第３の表面４０６をモデル化し、そのようなモデルに基づいて、第３の表面４０６の第２の面５４０を識別することができる。幾つかの例において、相対角度αは、第１の面５２０と第２の面５４０との間に定義される。
【００３３】
幾つかの例において、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８と同様に、処理装置５０６は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の形状プロファイルを決定する。換言すれば、第３の表面４０６は、例えば、実質的に平面のプロファイルに対して、レプリカテンプレート４００を横切って変化する形状を有する。例えば、第３の表面４０６は、周波数、深さ及び間隔の変化を備える１つ以上のアンジュレーションを有することができる。第３の表面４０６の形状プロファイルの変化は、レプリカテンプレート４００の形成におけるプロセス条件にレプリカテンプレート４００を受けさせた結果である。
【００３４】
幾つかの実施形態において、アクチュエータシステム５０８は、処理装置５０６から受け取った信号に基づいて、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第１の面５２０及びレプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の第２の面５４０に基づいて、マスターテンプレート３００とレプリカテンプレート４００との相対位置を調整する。具体的には、図６は、マスターテンプレート３００とレプリカテンプレート４００との相対位置が調整された後のシステム５００を示す。幾つかの例において、処理装置５０６は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の第１の面５２０と、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の第２の面５４０とを比較する。第１の面５２０と第２の面５４０とを比較することは、第１の面５２０と第２の面５４０との間に定義された角度αの大きさを決定することを含む。処理装置５０６は、比較に基づいて、第１の面５２０と第２の面５４０との間のレベリングエラーを評価することができる。例えば、レベリングエラーは、第１の平面５２０と第２の平面５４０との間の所望の角度と、第１の面５２０と第２の平面５４０との間の計測された角度αとの間の差分を含むことができる。幾つかの例において、所望の角度は、マスターテンプレート３００によってレプリカテンプレート４００にパターンを形成するときの所望のプロセス条件に基づいている。具体的には、所望の角度は、レプリカテンプレート４００に形成されたパターンの像配置エラーに基づいている。換言すれば、処理装置５０６は、マスターテンプレート４００がレプリカテンプレート３００に所望のパターンを形成するように、像配置エラーを補償するために所望の角度を決定することができる。
【００３５】
幾つかの例において、レプリカテンプレート４００に形成されるパターンの像配置エラーは、レプリカテンプレート４００とマスターテンプレート３００との間の不均一な歪み、及び、レプリカテンプレート４００に対するマスターテンプレート３００の傾きに起因する。具体的には、幾つかの例において、レプリカテンプレート４００は、中空（コアアウト）であり、マスターテンプレート３００は、実質的に、均一な厚さであるため、レプリカテンプレート４００に対してマスターテンプレート３００の傾きが存在する場合、マスターテンプレート４００と接触する間、レプリカテンプレート４００の１つの領域に付加的な力（又はダウン圧力）が与えられる。これは、レプリカテンプレート４００に形成されたパターン、例えば、パターン層１５０が歪んだ状態で硬化されたときのパターン層１５０のレプリカテンプレート４００に横歪をもたらす。マスターテンプレート３００とレプリカテンプレート４００との分離の後、横歪は消散し、レプリカテンプレート４００における像配置エラー及び所望のパターンのシフトをもたらす。幾つかの例において、レプリカテンプレート３００がコアアウトされている場合、第３の表面４０６は、処理装置５０６による制御下において、第３の表面４０６及び活性領域４０２に隣接するチャンバに正又は負の圧力を与える圧力システムによって、実質的に、平面に維持される。
【００３６】
そのために、アクチュエータシステム５０８は、上述したように、レベリングエラーに基づいて、マスターテンプレート３００及び／又はレプリカテンプレート４００の相対位置を調整する。幾つかの例において、アクチュエータシステム５０８は、マスターテンプレート３００とレプリカテンプレート４００との相対位置を調整するために、マスターテンプレート３００、レプリカテンプレート４００又は両方に移動を提供する。移動は、ｘ、ｙ及び／又はｚ軸に沿った横移動を含むことができ、回転点に対するマスターテンプレート３００及び／又はレプリカテンプレート４００の傾き移動を更に含むことができる。移動は、マスターテンプレート３００の隣接する領域３０４の第２の表面３０８の形状プロファイルを調整すること、及び／又は、レプリカテンプレート４００の活性領域４０２の第３の表面４０６の形状プロファイルを調整することを更に含むことができる。
【００３７】
幾つかの例において、アクチュエータシステム５０８は、レベリングエラーを補償するために、マスターテンプレート３００とレプリカテンプレート４００との相対位置を調整する。換言すれば、アクチュエータシステム５０８は、レベリングエラーを補償するために、即ち、レベリングエラーを所望のレベルに低減するために、第１の面５２０と第２の面５４０との間の角度αを調整する。第１の面５２０と第２の面５４０との間の角度αを調整することは、上述したように、マスターテンプレート３００とレプリカテンプレート４００との相対位置を調整するために、マスターテンプレート３００、レプリカテンプレート４００又は両方に移動を提供することを含むことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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