(57)【要約】【課題】透明性を損なわず、防塵性能を向上させた防塵レンズ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ガラスレンズの表面に、少なくとも、導電性膜が形成されており、前記導電性膜は、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、前記酸化チタンを５０％以上含む混合層で形成されており、前記導電性膜の膜厚は、１ｎｍ以上であり、前記導電性膜の面内方向の結晶粒径は、２００ｎｍ以上である、ことを特徴とする防塵レンズ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスレンズの表面に、少なくとも、導電性膜が形成されており、
前記導電性膜は、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、前記酸化チタンを５０％以上含む混合層で形成されており、
前記導電性膜の膜厚は、１ｎｍ以上であり、
前記導電性膜の面内方向の結晶粒径は、２００ｎｍ以上である、
ことを特徴とする防塵レンズ。
【請求項２】
前記ガラスレンズの表面に、前記導電性膜の単層膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の防塵レンズ。
【請求項３】
前記ガラスレンズの表面に、前記導電性膜を含む反射防止膜が形成されており、
前記反射防止膜の最外層は、前記ガラスレンズよりも屈折率の低い低屈折率膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の防塵レンズ。
【請求項４】
前記ガラスレンズの表面に形成された膜の表面抵抗は、１０１３（Ω／□）以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の防塵レンズ。
【請求項５】
ガラスレンズの表面に、少なくとも、導電性膜を形成する工程、を含み、
前記導電性膜を形成する工程では、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、前記酸化チタンを５０％以上含む混合層を、１ｎｍ以上の膜厚で、面内方向の結晶粒径が２００ｎｍ以上となるように形成する、
ことを特徴とする防塵レンズの製造方法。
【請求項６】
前記導電性膜を蒸着法で成膜する際の基板加熱温度を、２５０℃以上とすることを特徴とする請求項５に記載の防塵レンズの製造方法。
【請求項７】
前記導電性膜を成膜する際の酸素ガスを、５．０×１０−３Ｐａ以上のガス圧にて導入することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の防塵レンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、防塵レンズ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、光学ガラスは、抵抗率が高いため帯電しやすい。このため、光学ガラスを用いたレンズの表面には、塵埃が付着しやすいという問題がある。帯電した塵埃は、レンズ表面に付着すると取れにくく、レンズを用いた光学系により形成される像に、悪影響を及ぼす。
【０００３】
下記の特許文献には、基板の表面に、不足当量酸化チタン膜を形成してなる、帯電防止性能を有する光学部材が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２４３６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示すように、酸化チタンを、酸素欠損させると、酸化チタン膜は、メタルに近づく。このため、膜の透過率が低下し透明性が損なわれる問題があった。
【０００６】
本発明は、以上の問題意識に基づいてなされたものであり、透明性を損なわず、防塵性能を向上させた防塵レンズ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の防塵レンズは、ガラスレンズの表面に、少なくとも、導電性膜が形成されており、前記導電性膜は、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、前記酸化チタンを５０％以上含む混合層で形成されており、前記導電性膜の膜厚は、１ｎｍ以上であり、前記導電性膜の面内方向の結晶粒径は、２００ｎｍ以上である、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明では、前記ガラスレンズの表面に、前記導電性膜の単層膜が形成されていてもよい。
【０００９】
本発明では、前記ガラスレンズの表面に、前記導電性膜を含む反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜の最外層は、前記ガラスレンズよりも屈折率の低い低屈折率膜で形成されていることが好ましい。
【００１０】
本発明では、前記ガラスレンズの表面に形成された膜の表面抵抗は、１０１３（Ω／□）以下であることが好ましい。
【００１１】
本発明の塵埃レンズの製造方法は、ガラスレンズの表面に、少なくとも、導電性膜を形成する工程、を含み、前記導電性膜を形成する工程では、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、前記酸化チタンを５０％以上含む混合層を、１ｎｍ以上の膜厚で、面内方向の結晶粒径が２００ｎｍ以上となるように形成する、ことを特徴とする。
【００１２】
本発明では、前記導電性膜を蒸着法で成膜する際の基板加熱温度を、２５０℃以上とすることが好ましい。
【００１３】
本発明では、前記導電性膜を成膜する際の酸素ガスを、５．０×１０−３Ｐａ以上のガス圧にて導入することが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、透明性を損なわず、防塵性能を向上させた防塵レンズ及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態の防塵レンズの模式図である。
【図２】第１実施形態の防塵レンズの部分拡大模式図である。
【図３】第２実施形態の防塵レンズの部分拡大模式図である。
【図４】実施例１のＳＥＭ写真である。
【図５】図４の部分模式図である。
【図６】比較例１のＳＥＭ写真である。
【図７】図６の部分模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」という。）について詳細に説明する。
【００１７】
従来において、基板表面に成膜される酸化チタン膜を酸素欠損させることで、帯電防止性能を向上させる技術が知られている。しかしながら、酸素欠損は、膜をメタルに近づけることになり、透明性が損なわれ、光学膜として適切に使用することができない。
【００１８】
そこで、このような技術背景の下、本発明者らは、透明性（透過性能）を損なうことなく導電性に優れた膜を開発するに至った。すなわち、本実施形態における防塵ガラスは、以下の特徴的部分を備えている。
（１）ガラスレンズの表面に、少なくとも、導電性膜が形成されている。
（２）導電性膜は、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、前記酸化チタンを５０％以上含む混合層で形成されている。
（３）導電性膜の膜厚は、１ｎｍ以上である。
（４）導電性膜の面内方向の結晶粒径は、２００ｎｍ以上である。
【００１９】
図１は、本実施形態の防塵レンズの模式図である。図１に示す防塵レンズ１は、基板としてのガラスレンズ２と、ガラスレンズ２の光入射側の表面に形成された導電性膜３と、を有して構成される。
【００２０】
ガラスレンズ２は、特に限定されるものでないが、例えば、監視カメラや車載カメラ用、及び、プロジェクター用のガラスレンズである。また、導電性膜３が成膜されるガラスレンズ２の表面は、例えば、非球面である。図１のガラスレンズ２は、例えば、負のパワーを有するメニスカスレンズであるが、正のパワーを有するメニスカスレンズであってもよいし、両凸レンズあるいは両凹レンズ等でもよい。ただし、ガラスレンズ２の表面は、非球面以外であってもよい。
【００２１】
以下、ガラスレンズ２の表面に形成される導電性膜３及び、反射防止膜４について詳述する。
【００２２】
＜第１実施形態＞
図２に示す第１実施形態では、ガラスレンズ２の表面に、導電性膜３の単層膜が形成されている。このように、図２では、導電性膜３が、ガラスレンズ２の表面に直接形成され、ガラスレンズ２と導電性膜３のみで構成されている。ただし、導電性膜３とガラスレンズ２と間に、密着性や導電性膜３の結晶性を向上させるための下地層（図示せず）が介在する形態も、第１実施形態に含まれる。
【００２３】
上記（２）に記載したように、導電性膜３は、ＴｉＯ２（二酸化チタン）及びＴｉ３Ｏ５（五酸化三チタン）の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、酸化チタンを５０％以上含む混合層で形成されている。
【００２４】
酸化チタンは、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の化学式で示され、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５は、本実施形態では、化学量論組成として酸素欠損していない酸化チタンと定義される。導電性膜３は、少なくとも、ＴｉＯ２を含むことが好ましい。Ｔｉ３Ｏ５は、ＴｉＯ２を成膜する際の出発材料として用いることができ、Ｔｉ３Ｏ５全てが、ＴｉＯ２に入れ替わった状態で成膜されてもよいし（相転移）、膜中にＴｉ３Ｏ５の一部が残されていてもよい。酸化チタンの組成分析は、既存の方法を用いることができ、例えば、分光光度計により測定することが可能である。なお、導電性膜３を構成する酸化チタンは、ＴｉＯ２単相、及び、ＴｉＯ２とＴｉ３Ｏ５との混相のほか、Ｔｉ３Ｏ５の単相で構成されていてもよい。
【００２５】
また、導電性膜３は、酸化チタンが５０％以上１００％未満含される混合層であっても、酸化チタンが１００％の単層であってもよい。混合層としては、酸化チタン以外の金属酸化物を混ぜたり、或いは、酸化チタン以外に、半導体物質、導電性物質、及び絶縁性物質の少なくともいずれかを混合させることができる。なお、導電性膜３に含まれる酸化チタン以外の材質は、酸化チタンとの混合層において、透明性を保ちつつ、導電性を向上させることが可能な材質であることが必要である。酸化チタン以外の材質としては、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２といった、一般的に蒸着材料として使われる物質が使用可能である。
【００２６】
導電性膜３が混合層で形成される場合、酸化チタンは８０％以上含まれていることが好ましい。
【００２７】
なお、本実施形態において、含有量である「％」は、「質量％」である。
【００２８】
上記（３）に記載したように、導電性膜３の膜厚は、１ｎｍ以上である。本実施形態において、導電性膜３の膜厚の上限値を限定するものでない。ただし、膜厚の上限値は５００ｎｍ程度以下であることが好ましい。膜厚は、例えば、縦断面ＴＥＭ写真（膜厚方向に切断し、その切断面を観察したＴＥＭ写真）を用いて測定することができる。なお本実施形態では、導電性膜３の膜厚が上記の範囲となるように制御するが、測定条件等により測定誤差やずれが生じた場合でも、例えば、透明性を保ちつつ、所望の導電性（表面抵抗）を満たすことで、本実施形態の構成を含むものと推測することが可能である。
【００２９】
導電性膜３の膜厚は、結晶粒径の観点から、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましく、３０ｎｍ以上であることが更に好ましい。また、導電性膜３の膜厚は、透明性の観点から、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましい。
【００３０】
上記（４）に記載したように、導電性膜３の面内方向の結晶粒径は、２００ｎｍ以上である。本実施形態において、導電性膜３の結晶粒径の上限値を限定するものでない。ただし、結晶粒径の上限値は、１０００ｎｍ程度以下であることが好ましい。結晶粒径は、膜表面、或いは、横断面（膜厚方向に対する垂直方向の面）のＳＥＭ写真を用いて測定することができる。すなわち、導電性膜３の結晶粒径は、面内方向（膜厚方向に対して直交する方向の面）の結晶粒径として定義される。なお、本実施形態では、導電性膜３の結晶粒径が上記の範囲となるように制御するが、測定条件等により測定誤差やずれが生じた場合でも、例えば、透明性を保ちつつ、所望の導電性（表面抵抗）を満たすことで、本実施形態の構成を含むものと推測することが可能である。
【００３１】
導電性膜３の結晶粒径は、導電性（表面抵抗）の観点から、３００ｎｍ以上であることが好ましく、４００ｎｍ以上であることがより好ましい。また、導電性膜３の結晶粒径は、導電性膜３の表面平坦性や機械強度の観点から、９００ｎｍ以下であることが好ましく、８００ｎｍ以下であることがより好ましく、７００ｎｍ以下であることが更に好ましく、６００ｎｍ以下が最も好ましい。
【００３２】
導電性膜３の表面抵抗は、１０１３（Ω／□）以下であることが好ましい。表面抵抗は、５×１０１２（Ω／□）以下であることがより好ましく、５×１０１１（Ω／□）以下であることが更に好ましく、１０１１（Ω／□）以下であることが最も好ましい。
【００３３】
＜第２実施形態＞
図３に示す第２実施形態では、ガラスレンズ２の表面に、導電性膜３を含む反射防止膜４が形成されている。反射防止膜４を構成する各膜は、いずれも透明性に優れた材料である。
【００３４】
反射防止膜４は、例えば、低屈折率膜と高屈折率膜（低屈折率膜よりも屈折率が高い）とを交互に積層した構成とすることができる。このとき、図３に示すように、反射防止膜４の最外層は、ガラスレンズ２よりも屈折率の低い低屈折率膜５で形成される。導電性膜３は、一般的に、ガラスレンズ２の屈折率より高くなるため、導電性膜３は、反射防止膜４の最外層以外に位置する高屈折率膜であることが好ましい。
【００３５】
図３に示す第２実施形態では、反射防止膜４は、ガラスレンズ２側から、低屈折率膜５、高屈折率膜としての導電性膜３及び、最外層としての低屈折率膜５の順に積層されている。図３では、反射防止膜４を３層構造としたが、層数は、一例に過ぎない。よって、反射防止膜４は、導電性膜３と低屈折率膜５の２層構造としてもよいし、４層以上で構成されてもよい。このとき、高屈折率膜の少なくとも一層に、本実施形態の導電性膜３を用いればよいが、全ての高屈折率膜が、本実施形態の導電性膜３であることが好ましい。すなわち、例えば、反射防止膜４は、低屈折率膜５／導電性膜３／低屈折率膜５／導電性膜３／・・・低屈折率膜５の積層構造で形成される。
【００３６】
なお、反射防止膜４の層数の上限を限定するものでないが、例えば、１５層程度以下、好ましくは、１０層程度以下である。反射防止膜４の積層数や、材質は、反射率を抑制する波長領域に基づいて種々選択できる。
【００３７】
本実施形態では、反射防止膜４を構成する低屈折率膜５の材質を限定するものでないが、例えば、低屈折率膜５は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びＭｇＦ２から選択される単層膜又は２種以上を含む混合膜で形成される。
【００３８】
反射防止膜４の膜厚を限定するものでないが、反射防止膜４の膜厚（トータル厚）は、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。
【００３９】
第２実施形態における１層あるいは２層以上の導電性膜３は、夫々、上記に挙げた（２）〜（４）の特徴を全て備えている。なお、上記のように、第２実施形態における反射防止膜４の膜厚は、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度であることが好ましいので、この範囲に収まるように、各導電性膜３の膜厚は調節される。導電性膜３の積層数が多くなるほど、導電性膜３の各膜厚の上限値は、より低い値にて調節される。例えば、第２実施形態では、導電性膜３の層数が４層程度以下であるとき、各導電性膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００４０】
第２実施形態における反射防止膜４の表面抵抗は、１０１３（Ω／□）以下であることが好ましい。表面抵抗は、５×１０１２（Ω／□）以下であることがより好ましく、５×１０１１（Ω／□）以下であることが更に好ましく、１０１１（Ω／□）以下であることが最も好ましい。
【００４１】
上記したように、第１実施形態及び第２実施形態では、導電性膜３の材質、膜厚及び結晶粒径を夫々規定する。
【００４２】
結晶粒径と抵抗率との関係について考察する。結晶粒径が大きくなると、単位体積当たりに占める結晶粒界の数は少なくなる。結晶粒界は、電子移動を阻害する要因になるため、結晶粒界が少なくなることで、電子移動が起こりやすくなる。また、電子は、結晶粒界に沿って流れる。結晶粒径が大きくなると、単位体積当たりに占める結晶粒界の数は少なくなり、その結果、単位体積当たりに占める結晶粒界のトータル長さは短くなる。このため、結晶粒径が大きいほど電子の流れる距離を短くできる。以上により、結晶粒径が大きくなると、抵抗率は低下するものと考えられる。よって、結晶粒径を大きくすることで、導電性を高めることができる。
【００４３】
また、本実施形態では、導電性膜３に使用される酸化チタンは、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５であり、酸素欠損が生じていない。このため、膜の透明性が損なわれない。また、導電性膜３の膜厚は、適度に薄く形成されており、結晶粒径の成長促進とともに、透明性を適切に、保つことができる。
【００４４】
以上により、第１実施形態及び第２実施形態における防塵レンズ１は、透明性を損なわず、優れた導電性を得ることができ、防塵性能を効果的に向上させることができる。また、第２実施形態では、防塵性能とともに、優れた反射防止効果を得ることができる。
【００４５】
＜防塵レンズの製造方法＞
図２に示す第１実施形態の防塵レンズの製造方法について説明する。図２に示す防塵レンズ１では、ガラスレンズ２の表面に、導電性膜３を成膜する。このとき、導電性膜３を、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、前記酸化チタンを５０％以上含む混合層にて、１ｎｍ以上の膜厚で成膜する。また、この際、導電性膜３の面内方向の結晶粒径が２００ｎｍ以上となるように形成する。
【００４６】
成膜方法を限定するものではないが、例えば、導電性膜３を、イオンビームアシスト蒸着(Ｉｏｎ−ｂｅａｍ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＩＡＤ)法、或いは、電子ビーム（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ：ＥＢ）法により成膜することができる。イオンビームアシスト蒸着法では、真空蒸着中に、イオン銃で、ガスイオンを基板であるガラスレンズの表面に照射する。また、電子ビーム法では、高真空雰囲気の中で、蒸発材料をるつぼに入れ、電子ビームをるつぼに照射し、るつぼ中の蒸発材料を加熱蒸発させる。
【００４７】
例えば、本実施形態では、蒸着材料としてＴｉ３Ｏ５を用い、成膜チャンバ内にて減圧下で、Ｔｉ３Ｏ５を加熱蒸発させる。蒸発したＴｉ３Ｏ５は、基板としてのガラスレンズ２の表面に向かう。このとき、Ｏ2と結合し、Ｔｉ３Ｏ５は、ＴｉＯ２となってガラスレンズ２の表面に堆積する。したがって、蒸着法を用いて導電性膜３を成膜する場合、導電性膜３は、ＴｉＯ２単相か、或いは、ＴｉＯ２とＴｉ３Ｏ５との混相となりやすい。
【００４８】
また、本実施形態では、導電性膜３を蒸着法で成膜する際、成膜チャンバ内での基板加熱温度を、２５０℃以上とすることが好ましい。また、基板加熱温度の上限値を限定するものでないが、例えば、４００℃以下に調節することができる。
【００４９】
また、導電性膜を成膜する際の酸素ガスを、５．０×１０−３Ｐａ以上のガス圧にて導入することが好ましい。また、酸素ガスのガス圧を、１．０×１０−２Ｐａ〜３．０×１０−２Ｐａ程度にて調節することがより好ましい。
【００５０】
このように、基板加熱温度及び酸素ガスのガス圧を調節することで、導電性膜３の面内方向の結晶粒径が２００ｎｍ以上となるように適切に、制御することができる。
【００５１】
図３に示す第２実施形態の防塵レンズの製造方法では、ガラスレンズ２の表面に、反射防止膜４を成膜する。このとき、成膜チャンバ内での基板加熱温度を上記のように２５０℃以上の減圧下で保持したまま、低屈折率膜５及び導電性膜３を順に蒸着法にて成膜する。このとき、反射防止膜４の最外層が低屈折率膜５となるように積層順や積層数を調節する。
【００５２】
低屈折率膜５及び導電性膜３を蒸着法で成膜する場合、イオンビームアシスト蒸着法を用いることが、各膜間の密着性を高めることができ好ましいが、低屈折率膜５としてＭｇＦ２を用いる場合、イオンビームアシスト蒸着法を使用できない。したがって、例えば、最外層としてＭｇＦ２を用い、それ以外の低屈折率膜５にはＳｉＯ２等の酸化膜を用いる場合は、最外層を除く低屈折率膜５及び導電性膜３を、イオンビームアシスト蒸着法で成膜する。そして、最外層のＭｇＦ２を電子ビーム法で成膜する。このように、成膜する材質等に応じて、反射防止膜４を２種以上の成膜方法で成膜することができる。
【００５３】
本実施形態における防塵レンズ１の製造方法では、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の少なくとも一方からなる酸化チタンの単層、或いは、酸化チタンを５０％以上含む混合層であり、１ｎｍ以上の膜厚を有し、２００ｎｍ以上の面内方向の結晶粒径を有する導電性膜３を、簡単且つ適切に成膜することができる。このように、従来と異なり、酸化チタンを酸素欠損させずに成膜するため、導電性膜３の透明性を保つことができる。また、導電性膜３を成膜した際、酸化チタンの結晶粒径を２００ｎｍ以上に大きくできるため、抵抗率を減少させることができる。この結果、導電性膜３の導電性を高めることができ、帯電しにくい膜とすることができる。よって、本実施形態の導電性膜３をガラスレンズ２の表面に有することで、塵埃が付着しにくい防塵ガラスを製造することができる。
【００５４】
また、第２実施形態では、導電性膜を用いた反射防止膜を成膜することができる。すなわち、反射防止機能を兼ね備えた防塵レンズを製造することが可能である。
なお、上記した防塵レンズの製造方法では、導電性膜３を、蒸着法にて成膜したが、スパッタ法で成膜することもできる。
【実施例】
【００５５】
以下、本実施形態を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。実験では、以下に示す実施例１から実施例６及び比較例１を製造した。
【００５６】
［実施例１］
実施例１では、以下の表１に示す材料を用い、表１に示す基板加熱温度にて、反射防止膜を成膜し、表１に示す膜厚及び屈折率を有する防塵レンズを得た。なお、ガラスレンズの屈折率ｎｄ（ｄ線（５８８ｎｍ）での屈折率）は、１．８５１３５であった。ガラスレンズの屈折率ｎｄは、実施例２から実施例６及び比較例１においても同様である。ここで、各層の屈折率は、膜の反射率から換算して求めた（大気中の膜の屈折率に該当）。具体的には、大気中に取り出した基板を、オリンパス（株）製の顕微鏡型分光測定機（ＵＳＰＭ―ＲＵ３）にて反射率を測定し、屈折率に換算して求めた。なお、屈折率は、波長５５０ｎｍにおけるものである。また、膜厚は、例えば、断面ＴＥＭ写真を用いて測定することができる。上記の屈折率、及び膜厚の測定は、実施例２から実施例６及び比較例１においても同様である。
【００５７】
【表１】
2018194569.tif 000003
【００５８】
実施例１では、基板加熱温度を３５０℃とし、ＳｉＯ２と導電性膜とを、イオンアシストビーム蒸着法にて、交互に６層まで積層した。導電性膜は、Ｔｉ３Ｏ５を出発原料として蒸着され、このとき、Ｔｉ３Ｏ５の全部又は一部が、ＴｉＯ２に入れ替わって成膜されやすい。導電性膜の膜構造は、分光光度計により測定することができる。本実施例では、導電性膜は、ＴｉＯ２単相、Ｔｉ３Ｏ５単相、或いは、ＴｉＯ２及びＴｉ３Ｏ５の混相のいずれかの膜構造であればよい。
【００５９】
また、導電性膜の成膜の際の、酸素ガスのガス圧を、２．０×１０−２Ｐａ程度とした。このガス圧は、実施例２から実施例６及び、比較例１において同様である。
【００６０】
また、実施例１では、反射防止膜の最外層として、電子ビーム法にて、ＭｇＦ２を成膜した。
【００６１】
［実施例２］
実施例２では、以下の表２に示す材料を用い、表２に示す基板加熱温度にて、反射防止膜を成膜し、表２に示す膜厚及び屈折率を有する防塵レンズを得た。
【００６２】
【表２】
2018194569.tif 000004
【００６３】
実施例２では、基板加熱温度を２５０℃とし、ＳｉＯ２と導電性膜とを、イオンアシストビーム蒸着法にて、交互に８層まで積層した。また、実施例２では、反射防止膜の最外層として、ＭｇＦ２を、電子ビーム法にて、成膜した。
【００６４】
［実施例３］
実施例３では、以下の表３に示す材料を用い、表３に示す基板加熱温度にて、導電性膜を成膜し、表３に示す膜厚及び屈折率を有する防塵レンズを得た。
【００６５】
【表３】
2018194569.tif 000005
【００６６】
実施例３では、基板加熱温度を３５０℃とし、ガラスレンズの表面に、導電性膜を一層のみ成膜した。
【００６７】
［実施例４］
実施例４では、以下の表４に示す材料を用い、表４に示す基板加熱温度にて、反射防止膜を成膜し、表４に示す膜厚及び屈折率を有する防塵レンズを得た。
【００６８】
【表４】
2018194569.tif 000006
【００６９】
実施例４では、基板加熱温度を３５０℃とし、ＭｇＦ２と導電性膜とを、電子ビーム法にて、交互に７層まで積層した。
【００７０】
［実施例５］
実施例５では、以下の表５に示す材料を用い、表５に示す基板加熱温度にて、反射防止膜を成膜し、表５に示す膜厚及び屈折率を有する防塵レンズを得た。
【００７１】
【表５】
2018194569.tif 000007
【００７２】
実施例５では、基板加熱温度を３５０℃とし、Ａｌ２Ｏ３と導電性膜とを、イオンアシストビーム蒸着法にて、交互に６層まで積層した。また、実施例５では、反射防止膜の最外層として、ＭｇＦ２を、電子ビーム法にて、成膜した。
【００７３】
［実施例６］
実施例６では、以下の表６に示す材料を用いて、反射防止膜を成膜し、表６に示す膜厚及び屈折率を有する防塵レンズを得た。
【００７４】
【表６】
2018194569.tif 000008
【００７５】
実施例６では、基板加熱温度を２５℃（無加熱）とし、スパッタ法にて、ＳｉＯ２と導電性膜とを、交互に６層まで積層した。
【００７６】
［比較例１］
比較例１では、以下の表７に示す材料を用い、表７に示す基板加熱温度にて、反射防止膜を成膜し、表７に示す膜厚及び屈折率を有する防塵レンズを得た。
【００７７】
【表７】
2018194569.tif 000009
【００７８】
比較例１では、基板加熱温度を２００℃とし、ＳｉＯ２と導電性膜とを、電子ビーム法にて、交互に７層まで積層した。
【００７９】
［表面抵抗の測定］
各実施例及び比較例の各膜の表面抵抗を、三菱化学製ハイレスタ−ＵＸを用いて測定した。
【００８０】
［表面抵抗の測定結果］
実施例１の表面抵抗は、３．８４×１０１０（Ω／□）、実施例２の表面抵抗は、２．００×１０１０（Ω／□）、実施例３の表面抵抗は、１．８０×１０１０（Ω／□）、実施例４の表面抵抗は、４．００×１０１０（Ω／□）、実施例５の表面抵抗は、５．００×１０１１（Ω／□）、実施例６の表面抵抗は、３．５０×１０１２（Ω／□）、比較例１の表面抵抗は、５．００×１０１４（Ω／□）であった。
【００８１】
この実験結果から、各実施例は、比較例に比べて、表面抵抗を小さくできることがわかった。
【００８２】
実験結果に基づいて、本実施例の表面抵抗は、１０１３（Ω／□）以下が好ましい範囲であると規定した。なお、表面抵抗は、５×１０１２（Ω／□）以下がより好ましく、５×１０１１（Ω／□）以下が更に好ましく、１０１１（Ω／□）以下が最も好ましい範囲と規定した。
【００８３】
また、実施例３のように、レンズ表面に、導電性膜を単層膜で形成することで、効果的に、表面抵抗を小さくすることができるとわかった。
【００８４】
また、導電性膜と低屈折率膜とを交互に積層した反射防止膜を、レンズ表面に成膜した形態において、積層数、材質、及び成膜方法を変えても、低い表面抵抗を得ることができるとわかった。
【００８５】
［実施例１と比較例１との結晶粒径の測定］
図４は、実施例１の膜表面のＳＥＭ写真であり、図５は、図４の一部分を模式的に示した模式図である。図６は、比較例１の膜表面のＳＥＭ写真であり、図７は、図６の一部分を模式的に示した模式図である。
【００８６】
図４、図６に示すように、ＳＥＭ写真に現れる、複数の結晶の長径と短径とを測定した。長径は、各結晶の最も長い径の長さであり、短径は、長径に対して交差する方向であって、長径よりも短い側の径である。
【００８７】
表８は、実施例１の結晶粒径の測定結果を示し、表９は、比較例１の結晶粒径の測定結果を示す。
【００８８】
【表８】
2018194569.tif 000010
【００８９】
【表９】
2018194569.tif 000011
【００９０】
表８及び表９に示すように、結晶粒径（平均値）は、実施例１のほうが比較例１よりも大きくなった。一例ではあるが、実施例１では、比較例１に比べて、１０倍以上の大きい結晶粒径が得られた。
【００９１】
結晶粒径の大きさは、一つには、蒸着の際の基板加熱温度により制御できると考えられる。実施例１では、比較例１よりも基板加熱温度が高い。本実施例では、実験結果に基づいて、導電性膜を蒸着法で成膜する際の基板加熱温度を、２５０℃以上に制御することが好ましいとした。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明の防塵レンズは、透明性を損なうことなく、高い導電性（低い表面抵抗）を得ることができる。したがって、本発明の防塵レンズは、透明性を保持しつつ、優れた防塵性能を得ることができる。
【００９３】
また、本発明の防塵レンズは、防塵性能とともに、優れた反射防止効果を得ることもできる。
【００９４】
したがって、本発明の防塵レンズは、レンズ表面への塵埃の付着を抑制することができ、監視カメラや車載カメラ用、及びプロジェクター用のガラスレンズに好ましく適用することができる。
【符号の説明】
【００９５】
１  防塵レンズ
２  ガラスレンズ
３  導電性膜
４  反射防止膜
５  低屈折率膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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