(57)【要約】【課題】  信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置及びセンサ装置を提供する。【解決手段】  表示装置は、第１基板、第２基板、表示機能層、及び接続材Ｃを備える。第１基板は、第１絶縁基板１０と、第１導電層Ｌ１と、を有する。第２基板は、第１貫通孔ＶＡを含んだ第２絶縁基板２０と、第１貫通孔ＶＡの内周面２０Ｉに形成された第１突起部２１と、第２導電層と、を有する。接続材Ｃは、第１突起部２１を含む第１貫通孔ＶＡの表面を覆い、第１導電層Ｌ１と第２導電層とを電気的に接続している。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１貫通孔と、を含んだ第２絶縁基板と、前記第１貫通孔の内周面に形成された第１突起部と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置した表示機能層と、
前記第１突起部を含む前記第１貫通孔の表面を覆い前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備える、
表示装置。
【請求項２】
前記第１貫通孔の中心軸を通り前記第１主面に垂直である仮想の第１垂直面上において、前記第１貫通孔の幅は、前記第２主面から前記第１主面に向かって徐々に小さくなる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１貫通孔の中心軸を通り前記第１主面に垂直である仮想の第１垂直面上において、前記第１突起部より前記第１主面側の前記第１貫通孔の幅は、前記第１突起部より前記第２主面側の前記第１貫通孔の幅より小さい、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１突起部は、前記第１貫通孔の中心軸に最も近接した先端を有し、前記第１貫通孔にくびれを形成し、
前記第２絶縁基板の厚み方向でみて、前記先端は、前記第２絶縁基板の半分より前記第２主面側に位置している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記先端は、上記厚み方向でみて、前記第２主面から前記第２絶縁基板の４分の１のところに位置している、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２絶縁基板及び前記第１突起部は、同一材料を利用し、一体に形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２基板は、第２突起部をさらに有し、
前記第１突起部は、前記第２主面側に上面を有し、
前記第２突起部は、前記第１突起部の前記上面に設けられ、前記第２主面側に突出している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２絶縁基板、前記第１突起部及び前記第２突起部は一体に形成されている、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１突起部は、環状の形状を有している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１突起部は、
前記第１貫通孔の中心軸を通り前記第１主面に垂直である仮想の第１垂直面上に位置し、
前記中心軸を通り前記第１主面に垂直であり前記第１垂直面と異なる仮想の第２垂直面上に位置していない、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１突起部は、前記第１貫通孔の中心軸に最も近接した先端と、前記第１主面側の第１端と、前記第２主面側の第２端と、を有し、前記第１貫通孔にくびれを形成し、
第１基準線と第１直線との間の第１角度は、前記第１基準線と第２直線との間の第２角度より小さく、
第２基準線と第３直線との間の第３角度は、第３基準線と第４直線との間の第４角度より大きく、
前記第１基準線は、前記第１端を通り前記第１主面に平行な直線であり、
前記第１直線は、前記第１端と前記先端とを結ぶ線であり、
前記第２直線は、前記第１端と前記第１貫通孔の前記第１主面側に位置した第１開口端とを結ぶ線であり、
前記第２基準線は、前記先端を通り前記中心軸に平行な直線であり、
前記第３直線は、前記先端と前記第２端とを結ぶ直線であり、
前記第３基準線は、前記第２端を通り前記中心軸に平行な直線であり、
前記第４直線は、前記第２端と前記第１貫通孔の前記第２主面側に位置した第２開口端とを結ぶ線である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１突起部の材料は、前記第２絶縁基板の材料と異なる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１突起部の材料の融点は、前記第２絶縁基板の材料の融点より低い、
請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２導電層は、表示領域に位置した本体部と、前記表示領域の外側の非表示領域に位置し前記本体部につながった端子部と、を含む検出電極を有し、
前記接続材は、前記端子部に電気的に接続されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１導電層と電気的に接続され前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路を備える、
請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１基板は、前記本体部と交差するセンサ駆動電極を有する、
請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
制御部をさらに備え、
前記第１基板は、前記第１絶縁基板と前記第２基板との間に位置した画素電極及びセンサ駆動電極をさらに有し、
前記第２導電層は、検出電極を有し、
前記制御部は、
画像を表示する表示期間に、前記画素電極に画像信号を与え、前記センサ駆動電極にコモン信号を与え、
センシングを行うセンシング期間に、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を与え、前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
第１絶縁基板と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１貫通孔と、を含んだ第２絶縁基板と、前記第１貫通孔の内周面に形成された第１突起部と、前記第２主面に設けられた検出電極と、を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置した透明絶縁層と、
前記第１突起部を含む前記第１貫通孔の表面を覆い前記第１導電層と前記検出電極とを電気的に接続する接続材と、
前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路と、を備える、
センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置及びセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態は、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置及びセンサ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態に係る表示装置は、
第１絶縁基板と、第１導電層と、を有する第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１貫通孔と、を含んだ第２絶縁基板と、前記第１貫通孔の内周面に形成された第１突起部と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置した表示機能層と、前記第１突起部を含む前記第１貫通孔の表面を覆い前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備える。
【０００６】
また、一実施形態に係るセンサ装置は、
第１絶縁基板と、第１導電層と、を有する第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１貫通孔と、を含んだ第２絶縁基板と、前記第１貫通孔の内周面に形成された第１突起部と、前記第２主面に設けられた検出電極と、を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置した透明絶縁層と、前記第１突起部を含む前記第１貫通孔の表面を覆い前記第１導電層と前記検出電極とを電気的に接続する接続材と、前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。
【図３】図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って示す表示装置の断面図である。
【図４】図４は、図３に示した第１貫通孔及び第２主面を示す平面図である。
【図５】図５は、図４の線Ｖ−Ｖに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図６】図６は、図５に示した表示パネルの一部を示す拡大断面図である。
【図７】図７は、上記表示パネルの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１貫通孔が形成された第２絶縁基板の一部を示す断面図である。
【図８】図８は、上記第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルの第２絶縁基板に１回目のレーザ光を照射し、第２絶縁基板に穴をあけた状態を示す図である。
【図９】図９は、図８に続く、上記第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルに２回目のレーザ光を照射し、接続用孔を形成した状態を示す図である。
【図１０】図１０は、第２の実施形態に係る表示装置の第１貫通孔及び第２主面を示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０の線ＸＩ−ＸＩに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図１２】図１２は、上記第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルの第２絶縁基板に１回目のレーザ光を照射し、第２絶縁基板に穴をあけた状態を示す図である。
【図１３】図１３は、図１２に続く、上記第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルに２回目のレーザ光を照射し、接続用孔を形成した状態を示す図である。
【図１４】図１４は、第３の実施形態に係る表示装置の第１貫通孔及び第２主面を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４の線ＸＶ−ＸＶに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図１６】図１６は、上記第３の実施形態の変形例に係る表示装置の第１貫通孔及び第２主面を示す平面図である。
【図１７】図１７は、図１６の線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図１８】図１８は、第４の実施形態に係る表示装置の第１貫通孔及び第２主面を示す平面図である。
【図１９】図１９は、図１８の線ＸＩＸ−ＸＩＸに沿った上記表示パネルを示す断面図である。
【図２０】図２０は、第５の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。
【図２１】図２１は、上記第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルにレーザ光を照射している状態を示す図である。
【図２２】図２２は、上記第１乃至第４の実施の形態に係る表示パネルの他の構成例を示す断面図である。
【図２３】図２３は、上記第１乃至第４の実施の形態に係る表示装置の他の構成例を示す平面図である。
【図２４】図２４は、第６の実施形態に係るセンサ装置の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
各実施形態において、表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態で開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。
【００１０】
以下に示す各実施形態は、第１絶縁基板と第２絶縁基板とが間隔を空けて配置され、第２絶縁基板が貫通孔を有し、第１絶縁基板に位置する第１導電層と第２絶縁基板に位置する第２導電層とが上記貫通孔を通じて電気的に接続されている基板間導通構造を備えた種々の表示装置、センサ装置などに適用できる。
【００１１】
（第１の実施形態）  
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。
【００１２】
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップ１、配線基板３、後述するバックライトユニットＢＬなどを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、表示機能層としての液晶層ＬＣと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚにおいて第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール材ＳＥは、図１において右上がりの斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。液晶層ＬＣは、シール材ＳＥの内側において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の空間に位置している。  
以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視と称する。
【００１３】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥに囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲む額縁状の領域であり、表示領域ＤＡと隣接している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
【００１４】
ＩＣチップ１は、表示パネルＰＮＬ、センサＳＳなどの制御部として機能している。ＩＣチップ１は、配線基板３に実装されている。なお、図１に示す例に限らず、ＩＣチップ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ディスプレイドライバＤＤは、例えば、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含んでいてもよい。また、図１に示す例では、ＩＣチップ１は、タッチパネルコントローラ等として機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。
【００１５】
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の表示パネルであってもよいし、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の表示パネルであってもよい。或いは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の表示パネルであってもよい。
【００１６】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触或いは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触或いは接近を検出できる。センサＳＳは、複数のセンサ駆動電極Ｔｘと複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４…）を備えている。
【００１７】
検出電極Ｒｘは、表示領域を横切る本体部ＲＳと、複数の本体部を接続する接続部ＣＮと、を備えている。また、各検出電極Ｒｘは、接続部ＣＮに連結される端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）を備えている。  
本体部ＲＳは、メッシュ状に形成された微細な金属細線の集合体によって帯状を呈している。また、隣り合う本体部ＲＳの間には、本体部ＲＳとほぼ同じ並びで金属細線を並べたダミー領域が存在する。上記ダミー領域の金属細線は、いずれの配線にも接続されず、電気的にフローティング状態となる。  
また、端子部ＲＴの少なくとも一部は、平面視でシール材ＳＥに重なって位置している。端子部ＲＴは、非表示領域ＮＤＡの上記一端側又は上記他端側に位置している。
【００１８】
第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）及び配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を備えている。パッドＰ及び配線Ｗは、非表示領域ＮＤＡの一端側や他端側に位置し、平面視でシール材ＳＥと重なっている。パッドＰは、平面視で端子部ＲＴに重なって位置している。配線Ｗは、パッドＰに接続され、第２方向Ｙ及び第１方向Ｘに延出し、配線基板３を介してＩＣチップ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。  接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）は、端子部ＲＴとパッドＰとが対向する位置に形成されている。接続用孔については後述する。
【００１９】
センサ駆動電極Ｔｘは、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。例えば、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００２０】
センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。本実施形態において、複数のセンサ駆動電極Ｔｘは、後述する共通電極ＣＥによって形成される。センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能と、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能と、を有している。
【００２１】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示期間に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン信号を供給する。なお、表示期間に、信号線駆動回路ＳＤは、後述する画素電極ＰＥに画像信号を与える。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング期間（タッチ期間）に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給にともなって、センシングに必要なセンサ信号、つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の容量の変化に基づいた信号を出力する。図１に示す検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取る。
【００２２】
なお、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Ｒｘ自体の容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。
【００２３】
図２は、表示領域ＤＡにおいて表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに切断した断面図である。図２に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な縦電界や、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。
【００２４】
図２に示す如く、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０を備え、その上面（第３主面）に、第１絶縁膜１１、信号線Ｓ、第２絶縁膜１２、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１等がこの順に積層形成されている。金属層Ｍは、一例では、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンの順に積層して形成されている。なお、図２において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等を省略して図示している。
【００２５】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０を備え、その下面（第１主面）に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等がこの順で積層形成されている。  
第１偏光板ＰＬ１は、第１絶縁基板１０とバックライトＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２は、第２絶縁基板２０に設けられた検出電極Ｒｘの上方に位置している。
【００２６】
次に、前述の接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）について説明する。図３は、図１中の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。  
図３に示すように、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁膜ＯＩと、接続材Ｃと、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、カバー材ＣＧと、を備えている。第１偏光板ＰＬ１は、接着層ＡＤ１によって第１基板ＳＵＢ１に貼着されている。第２偏光板ＰＬ２は、接着層ＡＤ２によって第２基板ＳＵＢ２に貼着されている。
【００２７】
第１基板ＳＵＢ１は、前述の第１絶縁基板１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１導電層Ｌ１は、前述のパッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）や配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を含み、第２基板ＳＵＢ２に対向する第３主面１０Ａ側に位置している。第１絶縁基板１０とパッドＰとの間や、第１絶縁基板１０と第２絶縁膜１２との間には、図２に示す第１絶縁膜１１や、他の絶縁膜や他の導電層が配置されていてもよい。
【００２８】
第２基板ＳＵＢ２は、前述の第２絶縁基板２０と、第２導電層Ｌ２と、を備えている。第２絶縁基板２０の第１主面２０Ａは、第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離れて位置している。第２導電層Ｌ２は、前述の検出電極Ｒｘすなわち端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）、接続部ＣＮ、本体部ＲＳを含んでいる。第２導電層Ｌ２は、第２主面２０Ｂ側に位置し、保護膜ＰＦに覆われている。換言すると、第１絶縁基板１０、第１導電層Ｌ１、第２絶縁基板２０、第２導電層Ｌ２及び保護膜ＰＦは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。
【００２９】
第１導電層Ｌ１と第２絶縁基板２０との間には、有機絶縁膜ＯＩが位置している。有機絶縁膜ＯＩに替えて、無機絶縁膜や他の導電層が位置していてもよいし、空気層が位置していてもよい。なお、第２絶縁基板２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上に各種絶縁膜や各種導電層が配置されてもよい。
【００３０】
例えば、有機絶縁膜ＯＩは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合わせるシール材ＳＥ、第１基板ＳＵＢ１の第２絶縁膜１２、第２基板ＳＵＢ２の遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを含む。シール材ＳＥは、第２絶縁膜１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との隙間に設けられ、シール材ＳＥで囲まれている。
【００３１】
なお、第２絶縁膜１２とシール材ＳＥとの間には、図２に示した金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間には、図２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
【００３２】
第１及び第２絶縁基板１０，２０は、例えば絶縁性を有する無アルカリガラスや透明な樹脂によって形成されている。保護膜ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を含む合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明な導電材料等によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。本実施形態において、第１導電層Ｌ１は、チタン、アルミニウム、及びチタンの順に積層して形成され、第２導電層Ｌ２は、モリブデン、アルミニウム、モリブデン、及び透明な導電材料の順に積層して形成されている。
【００３３】
第２基板ＳＵＢ２には、非表示領域ＮＤＡにおいて第２絶縁基板２０を貫通する第１貫通孔ＶＡが形成されている。第１貫通孔ＶＡは、第１主面２０Ａと、第２主面２０Ｂとの間を貫通している。なお、図３に示す例では、第１貫通孔ＶＡと重なる位置に第２導電層Ｌ２は存在していない。
【００３４】
表示装置ＤＳＰは、第１貫通孔ＶＡに加え、各有機絶縁膜ＯＩを貫通する第２貫通孔ＶＢ、第１導電層Ｌ１を貫通する第３貫通孔ＶＣ、及び第１絶縁基板１０に形成された凹部ＣＣを有している。第１貫通孔ＶＡ、第２貫通孔ＶＢ、第３貫通孔ＶＣ、及び凹部ＣＣは、互いに連通しており、前述の接続用孔Ｖを構成する。  
第２貫通孔ＶＢは、第２絶縁膜１２を貫通する貫通孔、シール材ＳＥを貫通する貫通孔、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する貫通孔などを含んでいる。第１導電層Ｌ１は、第２貫通孔ＶＢにおいて有機絶縁膜ＯＩで覆われていない上面ＬＴ１と、第３貫通孔ＶＣにおける内面ＬＳ１と、を有している。第２貫通孔ＶＢ、第３貫通孔ＶＣ、及び凹部ＣＣは、第１貫通孔ＶＡの直下に位置している。このような接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２の上方からのレーザ光の照射により、形成することができる。
【００３５】
接続用孔Ｖには、接続材Ｃが配置されている。接続材Ｃと、接続用孔Ｖが形成された各層、すなわち第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及び有機絶縁膜ＯＩとは、本実施形態に係る基板間導通構造を構成する。接続材Ｃは、例えば銀などの金属材料を含み、金属材料の粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものを含むものであることが望ましい。
【００３６】
接続材Ｃは、接続用孔Ｖを通じて異なる基板にそれぞれ設けられた第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続している。接続材Ｃは、接続用孔Ｖの内部及び外部に位置している。接続材Ｃは、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉ、第２貫通孔ＶＢにおける有機絶縁膜ＯＩの内周面、内面ＬＳ１などを覆っている。また、接続材Ｃは、第２主面２０Ｂの上方に位置している。  
図３に示す例では、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との関係に注目すると、接続材Ｃは、パッドＰの上面ＬＴ１及び内面ＬＳ１に接触している。接続材Ｃと第２導電層Ｌ２との関係に注目すると、接続材Ｃは、後述の第１凸条部Ｒ１の内周面Ｒ１１、上面Ｒ１２、及び外周面Ｒ１３と、第３凸条部Ｒ３の内周面Ｒ３１と、にそれぞれ接触している。
【００３７】
図３に示す例では、接続材Ｃは、内周面２０Ｉ、第２貫通孔ＶＢの内周面、及び内面ＬＳ１にそれぞれ接触しているが、それらの中心付近には接続材Ｃが充填されていない。より具体的には、接続材は、これらの内周面を皮膜状に覆っているのみで、層厚は薄い。  
貫通孔の中空部分を埋めるべく、貫通孔は充填材ＦＩで満たされている。充填材ＦＩは、例えば保護膜ＰＦと同様の材料によって形成されている。なお、貫通孔を接続材Ｃで埋めてしまう構成も採用可能である。
【００３８】
接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して前述の配線基板３と電気的に接続される。そのため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりする制御回路は、配線基板３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能になる。したがって、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、第２基板ＳＵＢ２用の配線基板を別途に設ける必要がなくなる。
【００３９】
カバー材ＣＧは、平型であり、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにわたって形成され、表示パネルＰＮＬの全面を覆っている。カバー材ＣＧの表示パネルＰＮＬと対向する側の面には、遮光層ＳＨが形成されている。遮光層ＳＨは、非表示領域ＮＤＡに設けられている。遮光層ＳＨは、接続用孔Ｖ、接続材Ｃなどを覆っている。  
カバー材ＣＧは、接着層ＡＬにより第２偏光板ＰＬ２に接合されている。例えば、接着層ＡＬは、光学用透明樹脂（ＯＣＲ：Optically Clear Resin）で形成されている。接着層ＡＬは、全域にわたって略均一な厚みを有している。
【００４０】
図４に示すように、第１貫通孔ＶＡは、表示領域ＤＡの外縁ＥＯのうち側縁ＥＳと対向している。第１貫通孔ＶＡは、第１開口端ＯＰ１と、第２開口端ＯＰ２と、先端２１Ａと、を有している。第１開口端ＯＰ１は、第１主面２０Ａ側に位置している。第２開口端ＯＰ２は、第２主面２０Ｂ側に位置している。図４に示す例では、第１貫通孔ＶＡは中心軸ＣＥＮを有し、第１開口端ＯＰ１及び第２開口端ＯＰ２は、平面視でそれぞれ真円形であり、同心円である。本実施形態において、第２開口端ＯＰ２の直径は１００乃至１５０μｍである。
【００４１】
第１突起部２１は、先端２１Ａを有している。第１突起部２１は、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉの一部を構成し、中心軸ＣＥＮに向かって突出している。本実施形態では、第１突起部２１は、環状の形状を有し、中心軸ＣＥＮの周りで連続的に形成されている。但し、本実施形態と異なり、第１突起部２１は、中心軸ＣＥＮの周りで断続的に形成されていてもよい。また、本実施形態では、平面視で、先端２１Ａは、第１開口端ＯＰ１と第２開口端ＯＰ２との間に位置している。但し、本実施形態と異なり、先端２１Ａは、第１開口端ＯＰ１より中心軸ＣＥＮ側に位置していてもよい。
【００４２】
図５は、図４の線Ｖ−Ｖに沿った上記表示パネルを示す断面図である。なお、図５は、第１貫通孔ＶＡの中心軸ＣＥＮを通り第１主面２０Ａに垂直である仮想の第１垂直面Ｐａ上の断面である。本実施形態において、第１垂直面Ｐａは、上記側縁ＥＳに平行である。換言すると、第１垂直面Ｐａは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚ（第１主面２０Ａの法線に平行な方向）で規定されるＹ−Ｚ平面に平行である。
【００４３】
図５に示すように、第１突起部２１は、中心軸ＣＥＮに最も近接した先端２１Ａを有している。第１突起部２１は、第１貫通孔ＶＡにくびれを形成している。本実施形態において、第２絶縁基板２０及び第１突起部２１は、同一材料を利用し、一体に形成されている。接続材Ｃは、第１貫通孔ＶＡなどを通り、第１突起部２１を含む第１貫通孔ＶＡの表面などを覆っている。  
第１垂直面Ｐａ上において、第１貫通孔ＶＡの幅ＷＩは、第２主面２０Ｂから第１主面２０Ａに向かって徐々に小さくなっている。例えば、第１垂直面Ｐａ上において、第１突起部２１より第１主面２０Ａ側の第１貫通孔ＶＡの幅ＷＩ１は、第１突起部２１より第２主面２０Ｂ側の第１貫通孔ＶＡの幅ＷＩ２より小さい。
【００４４】
第２絶縁基板２０は、中心軸ＣＥＮに沿った方向に厚みＴ１を有している。第２絶縁基板２０の厚み方向でみて、先端２１Ａは、第２絶縁基板２０の半分より第２主面２０Ｂ側に位置している。例えば、先端２１Ａは、上記厚み方向でみて、第２主面２０Ｂから第２絶縁基板２０の１／４程度のところに位置している。
【００４５】
本実施形態において、第２絶縁基板２０の厚みＴ１は、１００乃至１５０μｍであり、第２主面２０Ｂから先端２１Ａまでの中心軸ＣＥＮに沿った距離ＤＩ２は、１０乃至３０μｍであり、第２開口端ＯＰ２から先端２１Ａまでの第２方向Ｙの距離ＤＩ３は、５乃至２０μｍである。一例では、上記厚みＴ１が１２５μｍである場合、上記距離ＤＩ２は３０μｍである。
【００４６】
第２方向Ｙにおいて、第２貫通孔ＶＢの幅は、第１開口端ＯＰ１の幅（径）より大きく、第３貫通孔ＶＣの幅よりも大きい。なお、平面視において、第２貫通孔ＶＢのサイズは、第１開口端ＯＰ１のサイズより大きく、第３貫通孔ＶＣのサイズよりも大きい。第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１のうち接続材Ｃと接触している領域は、平面視にて環状に形成されている。
【００４７】
図６に示すように、第１突起部２１は、先端２１Ａの他、第１主面２０Ａ側の第１端２１Ｂと、第２主面２０Ｂ側の第２端２１Ｃと、を有している。第１垂直面Ｐａ上において、第１角度θ１は第２角度θ２より小さく、第３角度θ３は第４角度θ４より大きい。
【００４８】
上記第１角度θ１は、第１基準線ＬＩａと第１直線ＬＩ１との間の角度である。ここで、上記第１基準線ＬＩａは、第１端２１Ｂを通り第１主面２０Ａに平行な直線である。上記第１直線ＬＩ１は、第１端２１Ｂと先端２１Ａとを結ぶ線である。  
上記第２角度θ２は、第１基準線ＬＩａと第２直線ＬＩ２との間の角度である。ここで、上記第２直線ＬＩ２は、第１端２１Ｂと第１開口端ＯＰ１とを結ぶ線である。
【００４９】
上記第３角度θ３は、第２基準線ＬＩｂと第３直線ＬＩ３との間の角度である。ここで、上記第２基準線ＬＩｂは、先端２１Ａを通り中心軸ＣＥＮに平行な直線である。上記第３直線ＬＩ３は、先端２１Ａと第２端２１Ｃとを結ぶ直線である。  
上記第４角度θ４は、第３基準線ＬＩｃと第４直線ＬＩ４との間の角度である。ここで、上記第３基準線ＬＩｃは、第２端２１Ｃを通り中心軸ＣＥＮに平行な直線である。上記第４直線ＬＩ４は、第２端２１Ｃと第２開口端ＯＰ２とを結ぶ線である。  
第１乃至第４角度θ１乃至θ４の各々は、９０°未満である。
【００５０】
図６に示す例では、第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉのうち、第２直線ＬＩ２に対応する部分、第３直線ＬＩ３に対応する部分、及び第４直線ＬＩ４に対応する部分は順テーパを呈し、第１直線ＬＩ１に対応する部分は逆テーパを呈している。
【００５１】
ここで、本願発明者等は、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬを作成し、第１突起部２１について調査した。図７は、上記表示パネルＰＮＬの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１貫通孔ＶＡが形成された第２絶縁基板２０の一部を示す断面図である。図中、第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉには破線を記載している。  
図７に基づいて第１突起部２１を調査した結果、第１突起部２１が第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉに形成され、第１貫通孔ＶＡにくびれを形成している結果が得られた。
【００５２】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖを形成する方法について説明する。  
図８に示すように、接続用孔Ｖを形成する際、まず、第２絶縁基板２０に、第２主面２０Ｂの上方からレーザ光ＬＡ１を照射する。レーザ光ＬＡ１のエネルギ強度は、低く設定されている。これにより、１回目のレーザ光の照射により、第２絶縁基板２０に、浅い穴ＶＡａを形成することができる。
【００５３】
図９に示すように、続いて、穴ＶＡａの上方から第２絶縁基板２０に向かってレーザ光ＬＡ２を照射する。レーザ光ＬＡ２のエネルギ強度は、上記レーザ光ＬＡ１のエネルギ強度より高く設定されている。これにより、２回目のレーザ光の照射により、第２絶縁基板２０、有機絶縁膜ＯＩ、第１導電層Ｌ１を貫通し、第１絶縁基板１０を凹ませる接続用孔Ｖを形成することができる。  
レーザ光ＬＡ２を照射した際、第２絶縁基板２０の残渣は、高温の状態で飛散し、第１貫通孔ＶＡの内周面２０Ｉに融着し、第１貫通孔ＶＡの内周面２０Ｉに堆積し、第１突起部２１を形成することができる。
【００５４】
また、レーザ光ＬＡ２の照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギが与えられると、第１導電層Ｌ１に利用する金属や第２絶縁基板２０に利用するガラスより、有機絶縁膜ＯＩに利用する有機絶縁材料の方が、昇華し易い。このため、上述したように、第２貫通孔ＶＢは、拡張して形成されている。  
なお、レーザとしては、例えば炭酸ガスレーザなどが適用可能であるが、第２絶縁基板２０及び有機絶縁膜ＯＩに孔を形成できるものであればよく、エキシマレーザ装置なども適用可能である。
【００５５】
上記のように構成された第１の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、接続用孔Ｖに設けられた接続材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。  
第１突起部２１は、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉの一部を構成し、中心軸ＣＥＮに向かって突出し、第１貫通孔ＶＡにくびれを形成している。第１突起部２１によって、内周面２０Ｉに相対的に緩やかな傾斜が形成される。これによって、接続材Ｃの膜面を内周面に形成する際に、接続材Ｃが重力方向（図７等に示す第３方向Ｚの矢印の向きとは反対の方向）に流れ落ちてしまうことを抑制することができる。すなわち、第１突起部２１が内周面２０Ｉの一部を構成している場合、第１突起部２１無しに内周面２０Ｉが構成されている場合と比較して、第２開口端ＯＰ２の近傍において、内周面２０Ｉへの接続材Ｃの良好なつきまわり性を得ることができる。これにより、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続材Ｃで良好に導通させることができる。  
上記のことから、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置ＤＳＰを得ることができる。
【００５６】
（第２の実施形態）  
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、第１突起部２１は棚部であり、第２基板ＳＵＢ２は第２突起部２２をさらに有している点で、上記第１の実施形態と相違している。
【００５７】
図１０に示すように、第１突起部２１は、第１貫通孔ＶＡの第２主面２０Ｂ側の開口に面した上面２１Ｄを有している。図１０に示す例では、上面２１Ｄは、環状の形状を有し、中心軸ＣＥＮの周りで連続的に形成されている。第２突起部２２は、上面２１Ｄに重なっている。図１０に示す例では、第２突起部２２は、環状の形状を有し、上面２１Ｄに全周にわたって連続的に形成されている。  
図１０において、上面２１Ｄは右下がりの斜線で示す部分に相当し、第２突起部２２は右上がりの斜線で示す部分に相当している。
【００５８】
図１１に示すように、第１突起部２１は、内周面２０Ｉに段差を形成している。上面２１Ｄは、例えば第１主面２０Ａと平行である。第２突起部２２は、第１突起部２１の上面２１Ｄに設けられ、第２主面２０Ｂ側に突出している。第２突起部２２は、上面２１Ｄに固定されている。第２絶縁基板２０、第１突起部２１及び第２突起部２２は、同一材料を利用し、一体に形成されている。接続材Ｃは、上面２１Ｄ、第２突起部２２などを覆っている。  
第２主面２０Ｂから上面２１Ｄまでの中心軸ＣＥＮに沿った距離ＤＩ１は、厚みＴ１の半分より短い。
なお、上面２１Ｄが第１主面と平行でない構成、具体的には上面２１Ｄが内周面から中心軸に向けて下り傾斜状を呈する構成も採用可能である。この場合、かかる傾斜の角度を図６中のθ３で仮定すると、当該角度θ３は内周面の傾斜角度（図６中のθ４）よりも大きくなる。
【００５９】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖを形成する方法について説明する。本実施形態において、レーザとして炭酸ガスレーザを使用している。  
図１２に示すように、接続用孔Ｖを形成する際、まず、第２絶縁基板２０に、第２主面２０Ｂの上方からトップハット型のレーザ光ＬＡ１を照射する。レーザ光ＬＡ１のエネルギ強度は、低く設定されている。これにより、１回目のレーザ光の照射により、第２絶縁基板２０に、浅い穴ＶＡａを形成することができる。これにより、第２絶縁基板２０に上面２１Ｄが形成される。
【００６０】
図１３に示すように、続いて、穴ＶＡａの上方から第２絶縁基板２０に向かってガウシアン型のレーザ光ＬＡ２を照射する。レーザ光ＬＡ２のエネルギ強度は、上記レーザ光ＬＡ１のエネルギ強度より高く設定されている。平面視において、レーザ光ＬＡ２の照射範囲は、レーザ光ＬＡ１の照射範囲より狭い。これにより、２回目のレーザ光の照射により、接続用孔Ｖを形成することができる。
【００６１】
これにより、内周面２０Ｉの一部を構成する第１突起部２１を形成することができる。換言すると、内周面２０Ｉに段差を形成することができる。  
レーザ光ＬＡ２を照射した際、第２絶縁基板２０の残渣は、高温の状態で飛散し、第１突起部２１の上面２１Ｄに融着し、上面２１Ｄに堆積し、第２突起部２２を形成することができる。
【００６２】
上記のように構成された第２の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第１突起部２１は、内周面２０Ｉの一部を構成している。第１突起部２１の上面２１Ｄ及び第２突起部２２は、接続材Ｃの膜面を内周面に形成する際に、接続材中の金属材料が重力方向に流れ落ちてしまうことを抑制することができる。第２の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
（第３の実施形態）  
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、第２突起部２２が第１突起部２１の上面２１Ｄの内周縁部に重なっている点で、上記第２の実施形態と相違している。  
図１４に示すように、平面視にて、上面２１Ｄは、第２突起部２２の外側で露出し、第２突起部２２の内側で露出していない。  
図１５に示すように、第１突起部２１は、内周面２０Ｉに段差を形成している。本実施形態においても、距離ＤＩ１は、厚みＴ１の半分より短い。
【００６４】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖを形成する方法について説明する。  
接続用孔Ｖを形成する際、まず、第２絶縁基板２０に、第２主面２０Ｂの上方からトップハット型のレーザ光を照射する。トップハット型のレーザ光のエネルギ強度は、低く設定されている。トップハット型のレーザ光の照射領域は環状である。これにより、１回目のレーザ光の照射により、第２絶縁基板２０に、環状の浅い穴を形成することができる。これにより、第２絶縁基板２０に上面２１Ｄが形成される。
【００６５】
続いて、第２主面２０Ｂの上方から第２絶縁基板２０に向かってガウシアン型のレーザ光を照射する。ガウシアン型のレーザ光のエネルギ強度は、トップハット型のレーザ光ＬＡ１のエネルギ強度より高く設定されている。ガウシアン型のレーザ光の照射領域は、上記環状の穴の内側である。これにより、２回目のレーザ光の照射により、接続用孔Ｖを形成することができる。
【００６６】
これにより、内周面２０Ｉの一部を構成する第１突起部２１を形成することができる。換言すると、内周面２０Ｉに段差を形成することができる。  
トップハット型のレーザ光の照射及びガウシアン型のレーザ光の照射を行っても、第２絶縁基板２０が昇華せずに残った部分が第２突起部２２を形成している。なお、ガウシアン型のレーザ光を照射した際、第２絶縁基板２０の残渣も、第２突起部２２を形成し得る。
【００６７】
上記のように構成された第３の実施形態においても、上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６８】
（第３の実施形態の変形例）  
次に、第３の実施形態の変形例について説明する。本変形例の表示装置ＤＳＰでは、上面２１Ｄ及び第２突起部２２が、中心軸ＣＥＮの周りで断続的に形成されている点で、上記第３の実施形態と相違している。  
図１６に示すように、平面視にて、第１貫通孔ＶＡは、単一の孔ＶＡｂと、孔ＶＡｂに繋がった複数の穴ＶＡａとを有している。複数の穴ＶＡａは、孔ＶＡｂの外側に位置し、中心軸ＣＥＮの周りで断続的に設けられている。上面２１Ｄは、穴ＶＡａの内部に位置している。なお、上面２１Ｄは、穴ＶＡａの底に相当している。第２突起部２２は、穴ＶＡａと孔ＶＡｂとがつながる領域に位置している。
【００６９】
本変形例において、第１垂直面Ｐａは、上面２１Ｄ、第２突起部２２などを通っている。本変形例の表示パネルＰＮＬの第１垂直面Ｐａ上の断面構造は、図１５に示された上記第３の実施形態の断面構造と同様である。
【００７０】
図１７は第１貫通孔ＶＡの中心軸ＣＥＮを通り第１主面２０Ａに垂直である仮想の第２垂直面Ｐｂ上の断面である。図１７に示すように、本変形例において、第１突起部２１（上面２１Ｄ）及び第２突起部２２は、第２垂直面Ｐｂ上に位置していない。なお、第１突起部２１（上面２１Ｄ）及び第２突起部２２は、第１垂直面Ｐａ上に位置している。  
上記のように構成された第３の実施形態の変形例においても、上記第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
（第４の実施形態）  
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、内周面２０Ｉに２以上の段差が形成されている点、及び第２基板ＳＵＢ２が第２突起部２２を有していない点で、上記第２の実施形態と相違している。  
図１８に示すように、第１貫通孔ＶＡは、第１部分ＶＡ１、第２部分ＶＡ２、第３部分ＶＡ３、及び第４部分ＶＡ４を備えている。第１部分ＶＡ１、第２部分ＶＡ２、第３部分ＶＡ３、及び第４部分ＶＡ４は、同心円である。平面視における第１貫通孔ＶＡにおいて、第１部分ＶＡ１のサイズが最も大きく、第４部分ＶＡ４のサイズが最も小さい。
【００７２】
図１９に示すように、第１貫通孔ＶＡにおいて、第１部分ＶＡ１は最も第２主面２０Ｂ側に位置し、第４部分ＶＡ４は最も第１主面２０Ａ側に位置し、第２部分ＶＡ２は第１部分ＶＡ１と第４部分ＶＡ４との間に位置し、第３部分ＶＡ３は第２部分ＶＡ２と第４部分ＶＡ４との間に位置している。  
第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉの一部は、中心軸ＣＥＮに沿って並んだ３個の第１突起部で構成されている。各第１突起部は、上面２１Ｄを有している。本実施形態において、内周面２０Ｉに３個の段差が中心軸ＣＥＮに沿って形成されている。但し、本実施形態と異なり、内周面２０Ｉに２個又は４個以上の段差が形成されていてもよい。
【００７３】
上記のように構成された第４の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、内周面２０Ｉに複数の段差が形成されている。上記段差（上面２１Ｄ）は、接続材Ｃの膜面を内周面に形成する際に、接続材中の金属材料が重力方向に流れ落ちてしまうことをより確実に抑制することができる。
【００７４】
（第５の実施形態）  
次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、第１突起部２１が第２絶縁基板２０を形成する材料と異なる材料で形成されている点で、上記第１の実施形態と相違している。図２０は、接続用孔Ｖ、第１突起部２１などの断面形状を示し、充填材ＦＩの図示を省略している。
【００７５】
図２０に示すように、第１突起部２１の材料は、第２絶縁基板２０の材料と異なっている。第１突起部２１の材料の融点は、第２絶縁基板２０の材料の融点より低い。例えば、第１突起部２１は、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate）などの樹脂で形成され、第２絶縁基板２０はガラスで形成されている。  
第２絶縁基板２０の厚み方向でみて、第１突起部２１の先端２１Ａは、第２絶縁基板２０の半分より第２主面２０Ｂ側に位置している。このため、距離ＤＩ２は、厚みＴ１の１／２未満である。
なお、第１突起部２１は、環状の形状を有し中心軸ＣＥＮの周りで連続的に形成されている。但し、第１突起部２１は、中心軸ＣＥＮの周りで断続的に形成されていてもよい。また、第１突起部とは、Ｘ−Ｙ平面で見た際に貫通孔の壁面から中心軸に向けて最も突出している部分を言う。
【００７６】
保護膜ＰＦは、第５貫通孔ＶＥを有している。第５貫通孔ＶＥは、第１貫通孔ＶＡと第３方向Ｚに対向している。第５貫通孔ＶＥは、第１貫通孔ＶＡより拡張して形成されている。保護膜ＰＦは、第５貫通孔ＶＥにおける内面ＳＡを有している。内面ＳＡは、第２開口端ＯＰ２に隙間を空けて位置している。第５貫通孔ＶＥは、接続用孔Ｖを形成している。接続材Ｃは、内面ＳＡで囲まれた領域に位置している。接続材Ｃは、例えば、内面ＳＡに接し、端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）のうち内面ＳＡで囲まれた部分に接している。
【００７７】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖを形成する工程から接続材Ｃを形成する工程までを説明する。  
図２１に示すように、第１絶縁基板１０、第１導電層Ｌ１、有機絶縁膜ＯＩ、第２絶縁基板２０、第２導電層Ｌ２、及び保護膜ＰＦがこの順に積層して表示パネルＰＮＬを構成している。保護シートＰＲは、保護膜ＰＦを覆い、製造途中の表示パネルＰＮＬを保護している。保護シートＰＲの材料は、第２絶縁基板２０の材料と異なっている。保護シートＰＲの材料の融点は、第２絶縁基板２０の材料の融点より低い。例えば、保護シートＰＲは、ＰＥＴなどの樹脂で形成されている。レーザ光ＬＡを照射する前の表示パネルＰＮＬに接続用孔Ｖは形成されておらず、保護シートＰＲにも孔は形成されていない。上記のように、まず、保護シートＰＲで保護された表示パネルＰＮＬを用意する。
【００７８】
続いて、保護シートＰＲの上方から、保護シートＰＲ及び表示パネルＰＮＬに向けてレーザ光ＬＡを照射する。これにより、保護シートＰＲに孔が形成され、表示パネルＰＮＬに、保護シートＰＲの孔に繋がった接続用孔Ｖが形成される。なお、端子部ＲＴ及び保護膜ＰＦは、レーザ光ＬＡの照射により部分的に昇華し、端子部ＲＴ及び保護膜ＰＦにパターニングが施される。  
また、保護シートＰＲの材料の融点は、第２絶縁基板２０の材料の融点より低い。このため、レーザ光ＬＡを照射した際、第２絶縁基板２０より保護シートＰＲの方が早く溶ける。また、保護シートＰＲの溶け残り及び溶けた成分の一部が内周面２０Ｉに融着、堆積し、中心軸ＣＥＮ側に突出した第１突起部２１を形成する。
【００７９】
かかる工程では、第１突起部２１を、保護シートＰＲが溶けた成分（樹脂）で形成することができる。第１突起部２１を、第２絶縁基板２０が溶けた成分（ガラス）で形成する場合と比較して、第２絶縁基板２０の割れ等、第２絶縁基板２０の破損を抑制することができる。理由として一例を挙げると、第２絶縁基板２０が溶けた成分の熱エネルギより、保護シートＰＲが溶けた成分の熱エネルギの方が低いためである。言い換えると、内周面２０Ｉに樹脂成分が融着する場合における内周面２０Ｉと樹脂成分との温度差は、内周面２０Ｉにガラス成分が融着する場合における内周面２０Ｉとガラス成分との温度差より低いためである。
その後、接続用孔Ｖが形成された表示パネルＰＮＬから保護シートＰＲを剥離する。次いで、接続用孔Ｖの内部に金属材料を塗布し、接続材Ｃを形成する。
【００８０】
上記のように構成された第５の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第１突起部２１の材料を第２絶縁基板２０の材料と異ならせることができる。本実施形態では、製造時に一時的し使用する間接材料としての保護シートＰＲを利用して第１突起部２１を形成することができる。本実施形態においても、上記他の実施形態と同様の効果を奏する。
【００８１】
次に、上記第１乃至第５の実施形態の全てに適用可能である技術について説明する。  
例えば、図２２に示すように、接続材Ｃが、第１基板ＳＵＢ１側の電極として、第１導電層Ｌ１だけではなく、第３導電層Ｌ３にも接していてもよい。第１基板ＳＵＢ１は、第３導電層Ｌ３をさらに有している。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２とシール材ＳＥとの間に形成されている。例えば、第３導電層Ｌ３は、上述した金属層Ｍとともに、同一材料を利用し、同時に形成される。第３導電層Ｌ３は、第１導電層Ｌ１に電気的に接続されている。図２２に示す例では、第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールを通り、第１導電層Ｌ１にコンタクトしている。
【００８２】
接続用孔Ｖは、第３導電層Ｌ３を貫通した第４貫通孔ＶＤをさらに有している。平面視において、第２貫通孔ＶＢの面積は、第４貫通孔ＶＤの面積より大きい。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２及びシール材ＳＥで覆われていない環状の部分ＲＩを有している。接続材Ｃは、第３導電層Ｌ３の上記部分ＲＩに接触している。例えば、接続材Ｃは、上記部分ＲＩのうち、内周面ＲＩＩ、上面ＲＩＴ、及び下面ＲＩＢに接している。  
上記のように、図２２に示す例では、接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１だけではなく、第３導電層Ｌ３にも接触している。接続材Ｃが第３導電層Ｌ３に接触する面積の分、接触面積を拡大することができる。
【００８３】
図２３に示すように、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３…は、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいてもよい。本体部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延出している。また、端子部ＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３…は、表示領域ＤＡと配線基板３との間に位置し、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。接続用孔Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３…は、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。
【００８４】
（第６の実施形態）  
次に、第６の実施形態について説明する。本実施形態では、センサ装置について説明する。図２４は、第６の実施形態に係るセンサ装置ＳＥＮの構成例を示す断面図である。
図２４に示すように、センサ装置ＳＥＮは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、透明絶縁層ＴＩ、接続材Ｃ、配線基板３、ＩＣチップ１などを備えている。
【００８５】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０と、第１導電層Ｌ１と、センサ駆動電極Ｔｘと、を有している。  
第２基板ＳＵＢ２は、第１貫通孔ＶＡを含んだ第２絶縁基板２０と、第１突起部２１と、第２主面２０Ｂに設けられた検出電極Ｒｘ（第２導電層Ｌ２）と、を有している。第１突起部２１は、第１貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉの一部を構成し、中心軸ＣＥＮに向かって突出している。透明絶縁層ＴＩは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。例えば、透明絶縁層ＴＩは、透明な有機絶縁材料で形成され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。
【００８６】
この例では、接続用孔Ｖは、有機絶縁膜ＯＩではなく透明絶縁層ＴＩを貫通している点を除き、上記第１の実施形態と同様に形成されている。なお、第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉも、上記第１の実施形態と同様に形成されている。  
接続材Ｃは、接続用孔Ｖ（第１貫通孔ＶＡ）を通り、第１突起部２１の表面を覆い、第１導電層Ｌ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。
【００８７】
上記のように構成された第６の実施形態に係るセンサ装置ＳＥＮにおいても、第２絶縁基板２０の内周面２０Ｉなどは上述した第１の実施形態と同様に形成されている。第６の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施形態を組合せることも可能である。
【符号の説明】
【００８９】
ＤＳＰ…表示装置、ＳＥＮ…センサ装置、
ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１絶縁基板、Ｌ１…第１導電層、ＳＵＢ２…第２基板、
２０…第２絶縁基板、２０Ａ…第１主面、２０Ｂ…第２主面、Ｌ２…第２導電層、
２１…第１突起部、２１Ａ…先端、２１Ｂ…第１端、２１Ｃ…第２端、２１Ｄ…上面、
２２…第２突起部、２０Ｉ…内周面、ＯＰ１…第１開口端、ＯＰ２…第２開口端、
ＯＩ…有機絶縁膜、ＬＣ…液晶層、Ｖ…接続用孔、ＶＡ…第１貫通孔、Ｃ…接続材、
ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＣＥＮ…中心軸、ＷＩ，ＷＩ１，ＷＩ２…幅、
Ｔ１…厚み、ＤＩ１…距離、θ１，θ２，θ３，θ４…角度、Ｐａ…第１垂直面、
Ｐｂ…第２垂直面、ＬＩａ…第１基準線、ＬＩｂ…第２基準線、
ＬＩｃ…第３基準線、ＬＩ１…第１直線、ＬＩ２…第２直線、ＬＩ３…第３直線、
ＬＩ４…第４直線、
Ｔｘ…センサ駆動電極、Ｒｘ…検出電極、ＲＳ…本体部、ＲＴ…端子部、
ＰＥ…画素電極、ＲＣ…検出回路、１…ＩＣチップ、ＴＩ…透明絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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