(57)【要約】【課題】ノズルを基板に対して相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから処理液をノズルに送液し、ノズルから処理液を基板に吐出させる基板処理装置のタクトタイムを短縮する。【解決手段】ポンプに処理液を補充する補充部と、メンテナンス部および吐出位置にノズルを相対的に移動させる移動部と、移動部によって吐出位置からメンテナンス部を経由して吐出位置にノズルを移動させる間にポンプから処理液をノズルに向けて送液することで次の基板に処理液を吐出するための準備動作を行う制御部と、を備え、制御部は、準備動作の前に、第１量の処理液をポンプに補充する第１補充動作と、準備動作の後に第２量の処理液をポンプに補充してポンプを充填状態に回復させる第２補充動作とを、補充部に実行させ、  第１量は、準備動作を開始するのに必要な処理液の量よりも多く且つ基板に吐出する処理液の量よりも少ない量である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メンテナンス部でメンテナンスを受けたノズルを吐出位置で基板に対して相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから前記処理液を前記ノズルに送液し、前記ノズルから前記処理液を前記基板に吐出させる基板処理装置であって、
前記ポンプに前記処理液を補充する補充部と、
前記メンテナンス部および前記吐出位置に前記ノズルを相対的に移動させる移動部と、
前記移動部によって前記吐出位置から前記メンテナンス部を経由して前記吐出位置に前記ノズルを移動させる間に前記ポンプから前記処理液を前記ノズルに向けて送液することで次の前記基板に前記処理液を吐出するための準備動作を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、前記準備動作の前に、第１量の前記処理液を前記ポンプに補充する第１補充動作と、前記準備動作の後に第２量の前記処理液を前記ポンプに補充して前記ポンプを充填状態に回復させる第２補充動作とを、前記補充部に実行させ、
前記第１量は、前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量よりも多く且つ前記基板に吐出する前記処理液の量よりも少ない量であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記準備動作は前記メンテナンス部において前記ノズルから前記処理液を予備的に吐出する予備吐出動作であり、
前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量は、前記予備吐出動作で消費される前記処理液の量である基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記準備動作は前記処理液の前記ノズルへの送液によって前記ノズルの吐出口の近傍に存在する気泡を前記吐出口から除去する気泡除去動作であり、
前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量は、前記気泡除去動作において送液される前記処理液の量である基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記準備動作は、前記処理液の前記ノズルへの送液によって前記ノズルの吐出口の近傍に存在する気泡を前記吐出口から除去する気泡除去動作と、前記気泡除去動作後に前記メンテナンス部において前記ノズルから前記処理液を予備的に吐出する予備吐出動作とを含み、
前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量は、前記気泡除去動作において送液される前記処理液の量である基板処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の基板処理装置であって、
前記気泡除去動作は、前記吐出位置から前記メンテナンス部への移動中または前記メンテナンス部で実行される基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第１補充動作中および前記第２補充動作中に前記移動部により前記ノズルを相対移動させる基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第１補充動作中に前記移動部により前記ノズルを前記吐出位置から前記メンテナンス部に相対移動させる基板処理装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第２補充動作中に前記移動部により前記ノズルを前記メンテナンス部から前記吐出位置に相対移動させる基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記ポンプから送液される前記処理液を前記ノズルに案内する配管と、
前記配管に介挿されて前記ポンプから前記ノズルへの前記処理液の送液と送液停止とを切り替える切替部と、をさらに備え、
前記制御部は、前記ノズルの位置に応じて前記切替部を制御して前記処理液の送液と送液停止とを切り替える基板処理装置。
【請求項１０】
吐出位置で基板に対してノズルを相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから前記処理液を前記ノズルに送液し、前記ノズルから前記処理液を前記基板に吐出させる基板処理方法であって、
前記吐出位置からメンテナンス部を経由して前記吐出位置に前記ノズルを移動させる間に前記ポンプから前記処理液を前記ノズルに向けて送液することで次の前記基板に前記処理液を吐出するための準備動作を行う準備工程と、
前記準備工程の前に、前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量よりも多く且つ前記基板に吐出する前記処理液の量よりも少ない、第１量の前記処理液を前記ポンプに補充する第１補充工程と、
前記準備工程の後に、第２量の前記処理液を前記ポンプに補充して前記ポンプを充填状態に回復させる第２補充工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理するための処理液をポンプからノズルに送液し、当該ノズルから基板に吐出する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、上記基板には、半導体基板、フォトマスク用基板、液晶表示用基板、有機ＥＬ表示用基板、プラズマ表示用基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品等の製造工程では、基板の表面に処理液を吐出し、当該処理液により基板を処理する基板処理装置が用いられている。例えば特許文献１に記載の基板処理装置は、基板の裏面に気体を吹き付けて基板を浮上させた状態で当該基板を搬送しながらポンプによって処理液をスリットノズルに送液してスリットノズルの吐出口から基板の表面に吐出して基板のほぼ全体に処理液を塗布する。また、特許文献２に記載の基板処理装置は、ステージ上で基板を吸着保持しながら、ポンプから送液されてくる処理液をスリットノズルの吐出口から基板の表面に向けて吐出した状態で基板に対して相対移動させて基板のほぼ全体に処理液を塗布する。このように、特許文献１および特許文献２に記載の装置は基板処理として塗布処理を実行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２２７８５０号公報
【特許文献２】特開２０１５−６６４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、これらの基板処理装置では、一の基板に対する塗布処理が完了すると、次の基板に対して塗布処理を開始するまでに種々の準備動作を実行する。例えば、ノズルの吐出口からの塗布液の漏れを防止するために、いわゆるサックバック処理を施すことがあるが、この場合、ノズルの吐出口の近傍に気泡が巻き込まれていることがある。そこで、ポンプから処理液を送液して気泡をノズルの吐出口から除去する気泡除去動作を上記準備動作のひとつとして行うことがある。
【０００５】
また、ノズル洗浄待機ユニットなどを有するメンテナンス部が設けられており、塗布処理が行われた後のスリットノズルの吐出口の洗浄が行われる。また、メンテナンス部では次のような予備吐出動作が実行される。すなわち、ローラの外周面にスリットノズルを近接させた状態で吐出口から一定の処理液を吐出させると、吐出口に処理液の液だまりが形成される。このように吐出口に液だまりが均一に形成されると、次の基板に対する塗布処理を高精度に行うことが可能となる。そこで、上記基板処理装置では、塗布処理の前に、ポンプに処理液を充填して充填状態に至らしめた後で、当該ポンプによって一定量の処理液をスリットノズルに圧送して吐出口を初期化する、いわゆる予備吐出動作が上記準備動作として行われることがある。
【０００６】
しかしながら、従来技術では、上記した準備動作と、ポンプの充填動作との関係について十分な検討がなされておらず、１枚の基板に対する塗布処理に要する時間、いわゆるタクトタイムを短縮する余地が残されていた。例えば、ポンプが充填状態となった後で予備吐出動作を行っていたため、タクトタイムが長くなり、これを短縮する技術の提供が望まれていた。
【０００７】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、メンテナンス部でメンテナンスを受けたノズルを吐出位置で基板に対して相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから処理液をノズルに送液し、ノズルから処理液を基板に吐出させる基板処理技術において、タクトタイムを短縮することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一の態様は、メンテナンス部でメンテナンスを受けたノズルを吐出位置で基板に対して相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから処理液をノズルに送液し、ノズルから処理液を基板に吐出させる基板処理装置であって、ポンプに処理液を補充する補充部と、メンテナンス部および吐出位置にノズルを相対的に移動させる移動部と、移動部によって吐出位置からメンテナンス部を経由して吐出位置にノズルを移動させる間にポンプから処理液をノズルに向けて送液することで次の基板に処理液を吐出するための準備動作を行う制御部と、を備え、制御部は、準備動作の前に、第１量の処理液をポンプに補充する第１補充動作と、準備動作の後に第２量の処理液をポンプに補充してポンプを充填状態に回復させる第２補充動作とを、補充部に実行させ、  第１量は、準備動作を開始するのに必要な処理液の量よりも多く且つ基板に吐出する処理液の量よりも少ない量であることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、吐出位置で基板に対してノズルを相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから処理液をノズルに送液し、ノズルから処理液を基板に吐出させる基板処理方法であって、記吐出位置からメンテナンス部を経由して吐出位置にノズルを移動させる間にポンプから処理液をノズルに向けて送液することで次の基板に処理液を吐出するための準備動作を行う準備工程と、準備工程の前に、準備動作を開始するのに必要な処理液の量よりも多く且つ基板に吐出する処理液の量よりも少ない、第１量の処理液をポンプに補充する第１補充工程と、準備工程の後に、第２量の処理液をポンプに補充してポンプを充填状態に回復させる第２補充工程と、を備えることを特徴としている。
【００１０】
このように構成された発明では、第１量の処理液をポンプに補充した段階で予備吐出を実行する。つまり、ポンプが充填状態に回復するのを待たずに、予備吐出が実行され、ポンプが充填状態になるのを待って予備吐出を行う従来技術よりも早く予備吐出が実行される。そして、予備吐出後に第２量の処理液がポンプに補充されてポンプは充填状態に戻り、次の基板への処理液の吐出準備が整う。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明によれば、予備吐出動作で消費される処理液の量よりも多く且つ基板に吐出する処理液の量よりも少ない、第１量の処理液をポンプに補充した後で予備吐出を行う、つまりポンプが充填状態となるのを待たずに予備吐出を行っている。その結果、タクトタイムを短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本発明にかかる基板処理装置の第１実施形態である塗布装置を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａから塗布機構を取り外した平面図である。
【図２】図１Ａに示す塗布装置を制御する制御機構を示すブロック図である。
【図３Ａ】浮上機構の平面図である。
【図３Ｂ】浮上機構と塗布機構との関係を模式的に示す側面図である。
【図４】図１Ａに示す塗布装置の側面図である。
【図５】図１Ａに示す塗布装置の動作（実施形態）と比較例とを示す図である。
【図６Ａ−６Ｆ】装置各部の動作を模式的に示す図である。
【図７】本発明にかかる基板処理装置の第２実施形態である塗布装置の動作を示す図である。
【図８】本発明にかかる基板処理装置の第３実施形態である塗布装置の動作を示す図である。
【図９】本発明にかかる基板処理装置の第４実施形態である塗布装置の動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１Ａは本発明にかかる基板処理装置の第１実施形態である塗布装置を示す図であり、鉛直上方から見た平面図である、また、図１Ｂは図１Ａから塗布機構を取り外した平面図である。また、図２は図１Ａに示す塗布装置を制御する制御機構を示すブロック図である。なお、図１Ａ、図１Ｂおよび後で説明する各図では、装置各部の配置関係を明確にするために、基板Ｗの搬送方向を「Ｘ方向」とし、図１Ａ、図１Ｂの左手側から右手側に向かう水平方向を「＋Ｘ方向」と称し、逆方向を「−Ｘ方向」と称する。また、Ｘ方向と直交する水平方向Ｙのうち、装置の正面側を「−Ｙ方向」と称するとともに、装置の背面側を「＋Ｙ方向」と称する。さらに、鉛直方向Ｚにおける上方向および下方向をそれぞれ「＋Ｚ方向」および「−Ｚ方向」と称する。
【００１４】
塗布装置１は、コロコンベア１００から搬送されてくる水平姿勢の矩形基板Ｗを受け入れ、当該基板Ｗの表面Ｗｆに塗布液を塗布するスリットコータである。この塗布装置１では、コロコンベア１００に隣接して移載機構２が設けられている。この移載機構２は、コロコンベア１００から基板Ｗを受け取って浮上機構３に移載する。
【００１５】
浮上機構３は３つの浮上ユニット３Ａ〜３Ｃを有している。これらの浮上ユニット３Ａ〜３Ｃは、図１Ｂに示すように、基板Ｗの搬送方向Ｘに配列されている。より詳しくは、最も上流側、つまり（−Ｘ）方向側に上流浮上ユニット３Ａが移載機構２に隣接して配置され、最も下流側、つまり（＋Ｘ）方向側に下流浮上ユニット３Ｃが配置されている。また、上流浮上ユニット３Ａと下流浮上ユニット３Ｃとの間に中央浮上ユニット３Ｂが配置されている。
【００１６】
図３Ａは浮上機構の平面図であり、図３Ｂは浮上機構と塗布機構との関係を模式的に示す側面図である。なお、これらの図面では、中央浮上ユニット３Ｂの全部と、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃの一部分とを模式的に示している。
【００１７】
上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃは、ともに多数の空気の噴出孔３１が１枚の板状のステージ面３２の全面にわたってマトリックス状に分散して形成されている。そして、各噴出孔３１に対して圧縮空気が与えられることで、各噴出孔３１からの圧縮空気の噴出による気体圧力によって基板Ｗを浮上させる。これによって、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃでは、基板Ｗは上記ステージ面３２から所定の浮上高さ、例えば１０〜５００マイクロメートルだけ浮上する。なお、各噴出孔３１に圧縮空気を供給するために、例えば特許文献１に記載の構成を用いることができる。
【００１８】
また、図３Ａおよび図３Ｂへの図示を省略しているが、下流浮上ユニット３Ｃは上記噴出孔３１以外に複数のリフトピンおよびリフトピン昇降機構を有している。複数のリフトピンは噴出孔３１の合間を縫って所定間隔をおいて、基板Ｗの裏面Ｗｂ全体に対向可能に設けられている。そして、リフトピンはステージ面３２の下方に設置されたリフトピン昇降機構によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降駆動される。つまり、下降時はリフトピンの先端が下流浮上ユニット３Ｃのステージ面３２よりも（−Ｚ）方向側に下降し、上昇時はリフトピンの先端が基板Ｗを移載ロボット（図示省略）に受け渡す位置まで上昇する。こうして上昇したリフトピンによって基板Ｗの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Ｗは下流浮上ユニット３Ｃのステージ面３２から上昇する。これによって、移載ロボットによる基板Ｗの塗布装置１からのアンローディングが可能となる。
【００１９】
一方、中央浮上ユニット３Ｂは、次のように構成されて、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃよりも高い浮上精度を有している。すなわち、中央浮上ユニット３Ｂは、矩形形状の板状のステージ面３３を有している。このステージ面３３には、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃに設けられた噴出孔３１よりも狭いピッチで複数の孔がマトリックス状に分散して設けられている。また、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃと異なり、中央浮上ユニット３Ｂでは、孔のうち半分は圧縮空気の噴出孔３４ａとして機能し、残りの半分は吸引孔３４ｂとして機能する。つまり、噴出孔３４ａから圧縮空気を基板Ｗの裏面Ｗｂに向けて噴出してステージ面３３と基板Ｗの裏面Ｗｂとの間の空間ＳＰ（図３Ｂ）に圧縮空気を送り込む。一方、吸引孔３４ｂを介して空間ＳＰから空気を吸引するように構成されている。このように上記空間ＳＰに対して空気の噴出と吸引とが行われることで、上記空間ＳＰでは各噴出孔３４ａから噴出された圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、当該噴出孔３４ａに隣接する吸引孔３４ｂから吸引されることになり、上記空間ＳＰに広がる空気層（圧力気体層）における圧力バランスは、より安定的となり、基板Ｗの浮上高さを高精度に、しかも安定して制御することができる。なお、各噴出孔３４ａへの圧縮空気の供給および吸引孔３４ｂからの空気の吸引を行うために、例えば特許文献１に記載の構成を用いることができる。
【００２０】
塗布装置１では、上流浮上ユニット３Ａにより浮上された状態の基板Ｗを搬送方向Ｘに間欠的に搬送するために、搬送機構４が設けられている。以下、図１Ａ、図１Ｂと図４を参照しつつ搬送機構４の構成について説明する。
【００２１】
図４は図１Ａに示す塗布装置の側面図である。搬送機構４は、浮上機構３により浮上状態で支持されている基板ＷのＹ方向の両側端部を吸引して保持しながら浮上機構３により基板Ｗを浮上させたまま搬送方向Ｘに搬送する機能を有している。搬送機構４は、図１Ｂに示すように、基板Ｗを吸着保持するチャック部４１を複数個備えている。ここでは、２つのチャック部材４１ａをＸ方向に配列して一体的にＸ方向に移動自在なチャック部４１を、（＋Ｙ）側および（−Ｙ）方向側にそれぞれ１個、合計２個設けているが、各チャック部材４１ａをチャック部４１として設けてもよい。本実施形態では、上記した２つのチャック部４１は、左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造となっており、左右それぞれで、基板Ｗを吸着保持する。また、搬送機構４は、搬送チャック走行ガイド４２と、搬送チャックリニアモータ４３と、搬送チャックリニアスケール４４と、チャック昇降シリンダ４５とを、備えている。チャック部４１はチャック昇降シリンダ４５の動作により昇降させることが可能となっている。このため、装置全体を制御する制御部９からの保持指令に応じてチャック昇降シリンダ４５が作動することで、チャック部４１が上昇して（＋Ｙ）側、（−Ｙ）側の基板Ｗの両端部の下面を支持して吸着保持する。また、搬送チャック走行ガイド４２は塗布装置１の基台１０上でＸ方向に延設されており、制御部９からの搬送指令に応じて搬送チャックリニアモータ４３が作動することで、チャック部４１を搬送チャック走行ガイド４２に沿って搬送方向Ｘに往復駆動させる。これによって、チャック部４１により保持された基板Ｗが搬送方向Ｘに搬送される。なお、本実施形態では、搬送方向Ｘにおける基板Ｗの位置を搬送チャックリニアスケール４４によって検出可能となっており、制御部９は搬送チャックリニアスケール４４の検出結果に基づいて搬送チャックリニアモータ４３を駆動制御する。
【００２２】
上記した搬送機構４により基板Ｗは表面Ｗｆを鉛直上方に向けた、いわゆるフェースアップ状態で搬送方向Ｘに搬送されるが、当該搬送中に塗布液を基板Ｗの表面Ｗｆに塗布するために、塗布機構５が設けられている。塗布機構５は、図１Ａおよび図２に示すように、基台１０に対して搬送方向Ｘに移動可能なノズルユニット５１と、搬送方向Ｘにおいて当該ノズルユニット５１の上流側（図１Ａの左手側）で基台１０に固定されたノズル洗浄待機ユニット５２と、塗布液をノズルユニット５１に供給する塗布液供給ユニット５８と、塗布液補充ユニット５９とを有している。
【００２３】
ノズルユニット５１は、図４に示すように、Ｙ方向に基板Ｗの表面Ｗｆに対向して延設されたスリットノズル５１１と、スリットノズル５１１を支持するノズル支持部材５１２と、Ｙ方向において搬送機構４よりも外側に設けられた左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造を有する昇降部５１３とを備えている。この実施形態では、一対の昇降部５１３でノズル支持部材５１２を介してスリットノズル５１１を鉛直方向Ｚに昇降させるように構成されている。より詳しくは、各昇降部５１３は、柱状部材５１４と、鉛直方向Ｚに平行に延びた状態で柱状部材５１４に取り付けられたボールネジ５１５と、ボールネジ５１５の上端部に連結された回転モータ５１６と、ボールネジ５１５に螺合されたブラケット５１７とを備えている。そして、制御部９からの回転指令に応じて回転モータ５１６が作動すると、ボールネジ５１５が回転し、その回転量に応じてブラケット５１７が鉛直方向Ｚに昇降する。このように構成された（＋Ｙ）方向側および（−Ｙ）方向側のブラケット５１７に対してノズル支持部材５１２の両端部がそれぞれ取り付けられ、ノズル支持部材５１２を介して昇降可能に支持されている。
【００２４】
また、各昇降部５１３は、図４に示すように、塗布機構５の移動機構５１８によって搬送方向Ｘに往復移動される。この移動機構５１８は、図４に示すように、昇降部５１３を下方から支持するベース部５１８ａと、走行ガイド５１８ｂと、リニアモータ５１８ｃとを備えている。走行ガイド５１８ｂは、図１Ａや図１Ｂに示すように、塗布装置１の基台１０上でＸ方向に延設されており、制御部９からの移動指令に応じてリニアモータ５１８ｃが作動することで昇降部５１３を走行ガイド５１８ｂに沿って搬送方向Ｘに往復移動させ、昇降部５１３とともにスリットノズル５１１をメンテナンス位置と吐出位置とに位置決め可能となっている。ここで、「メンテナンス位置」とはノズル洗浄待機ユニット５２で予備吐出を含むメンテナンス動作を行う位置を意味し、「吐出位置」とは基板Ｗに向けて塗布液を吐出する動作を行う位置、つまり中央浮上ユニット３Ｂの直上位置を意味している。
【００２５】
ノズル支持部材５１２の下端部にスリットノズル５１１が吐出口５１１ａを下方に向けた状態で取り付けられている。このため、制御部９による回転モータ５１６の制御によってスリットノズル５１１を昇降させて吐出口５１１ａを搬送機構４により搬送される基板Ｗの表面Ｗｆに近接させたり、逆に上方に離間させることが可能となっている。また、後述する浮上高さ検出センサ（図３Ｂ中の符号５３）の出力に基づいて制御部９が回転モータ５１６を制御しており、これによって基板Ｗの表面Ｗｆと吐出口５１１ａとの間隔を高精度に調整可能となっている。そして、吐出口５１１ａを基板Ｗの表面Ｗｆに近接させた状態で塗布液供給ユニット５８から塗布液がスリットノズル５１１に圧送されると、吐出口５１１ａから基板Ｗの表面Ｗｆに向けて吐出される。なお、スリットノズル５１１には、ノズル先端を保護するための保護部材（図３Ｂ中の符号６Ｂ１）、浮上高さ検出センサ（図３Ｂ中の符号５３）および振動センサ（図３Ｂ中の符号６Ｂ２）が取り付けられている。
【００２６】
この塗布液供給ユニット５８は、図４に示すように、塗布液をスリットノズル５１１に圧送するための圧送源として、チューブポンプやベローズポンプ等の、体積変化により塗布液を送液するポンプ５８１を用いている。このポンプ５８１の出力側には、配管５８２の一方端が接続されている。また、この配管５８２の他方端は２本に分岐しており、図４に示すように、そのうちの一方の配管５８３はスリットノズル５１１の（−Ｙ）方向側の端部に接続され、他方の配管５８４はスリットノズル５１１の（＋Ｙ）方向側の端部に接続されている。これらの配管５８３、５８４には、それぞれ開閉弁５８５、５８６が介挿されており、制御部９からの開閉指令に応じて開閉し、これによってスリットノズル５１１への塗布液の送液と送液停止を切替可能となっている。
【００２７】
また、スリットノズル５１１への塗布液の供給によってポンプ５８１に充填されている塗布液の割合、つまりポンプ充填率が減少する。そこで、塗布液補充ユニット５９が設けられている。この塗布液補充ユニット５９は、図３Ｂに示すように、塗布液を貯留する貯留タンク５９１と、当該貯留タンク５９１をポンプ５８１に接続する配管５９２と、配管５９２に介挿された開閉弁５９３とを備えている。この開閉弁５９３は制御部９から補充指令に応じて開成し、貯留タンク５９１内の塗布液をポンプ５８１に補充可能とする。逆に、制御部９から補充停止指令に応じて閉成し、貯留タンク５９１からポンプ５８１への塗布液の補充を規制する。なお、本実施形態では、上記した開閉弁５９３のみならず塗布液供給ユニット５８の開閉弁５８５、５８６の開閉も制御しながら塗布液の補充動作を行う。つまり、補充動作を行わない間、開閉弁５９３は閉成され、貯留タンク５９１からポンプ５８１への塗布液の流入を規制する。これに対し、開閉弁５８５、５８６を閉成する一方、開閉弁５９３を開成した状態でポンプ５８１が作動することで貯留タンク５９１内の塗布液がポンプ５８１に引き込まれて充填される。なお、本実施形態では、ノズル洗浄待機ユニット５２においてメンテナンスの一つである予備吐出動作を準備動作（次の基板に塗布液を良好に吐出するための動作）として行うことに関連し、後で詳述するように、準備動作前および準備動作後の２回に分けて塗布液をポンプ５８１に補充し、ポンプ充填率が１００％あるいはほぼ１００％の充填状態に回復させる。
【００２８】
ノズル洗浄待機ユニット５２は基板Ｗの表面Ｗｆへの塗布液の供給を行ったスリットノズル５１１の先端部からレジスト液を洗浄除去する装置であり、当該洗浄処理によってスリットノズル５１１の吐出口５１１ａは次の塗布処理に適した状態に整えられる。このノズル洗浄待機ユニット５２は、図３Ｂおよび図４に示すように、主にローラ５２１、洗浄ユニット５２２、ローラバット５２３などで構成されてノズル洗浄および予備吐出を行う洗浄待機部５２４を備えている。この洗浄待機部５２４では、塗布処理が行われた後のスリットノズル５１１の吐出口５１１ａの洗浄が行われる。また、ローラ５２１の外周面にスリットノズル５１１を近接させた状態で吐出口５１１ａから一定の塗布液を吐出させると、吐出口５１１ａに塗布液の液だまりが形成される（予備吐出動作）。このように吐出口５１１ａに液だまりが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。このように、スリットノズル５１１の吐出口５１１ａは初期化され、次の塗布処理に備える。なお、ローラ５２１の回転は制御部９からの回転指令に応じてローラ回転モータ（図示省略）の駆動により行われる。また、ローラ５２１に付着した塗布液は、ローラ５２１が回転する際にローラバット５２３内に貯留された洗浄液に下端が浸漬されることで、除去される。
【００２９】
上記したように、本実施形態では、スリットノズル５１１を基板Ｗの表面Ｗｆに近接させて塗布処理を行うため、表面Ｗｆに異物が存在すると、異物とスリットノズル５１１との衝突によってスリットノズル５１１が損傷することがある。また、上記衝突によってスリットノズル５１１の位置に誤差が生じると、その後における塗布処理を継続することができなくなる。そこで、本実施形態では、基板Ｗの表面Ｗｆに存在する異物を検出するために、２種類の異物検出機構６Ａ、６Ｂが設けられている。
【００３０】
異物検出機構６Ａは、搬送方向Ｘにおいて塗布機構に設けられたスリットノズル５１１の上流側で上記異物を非接触方式で検出するものであり、投光部６Ａ１および受光部６Ａ２を有している。投光部６Ａ１および受光部６Ａ２は、図１Ｂに示すように、Ｙ方向において中央浮上ユニット３Ｂを外側から挟み込むように配置されている。投光部６Ａ１および受光部６Ａ２はそれぞれ基台１０の上面から鉛直方向Ｚに立設された支持部材（図示省略）の上端部に取り付けられ、投光部６Ａ１および受光部６Ａ２の高さ位置が調整されている。より具体的には、図３Ｂに示すように投光部６Ａ１から照射されたレーザ光が基板Ｗの表面Ｗｆ上を通過して受光部６Ａ２に入射されるように、投光部６Ａ１および受光部６Ａ２が配設されている。そして、投光部６Ａ１は受光部６Ａ２に向けてレーザ光を照射する。一方、受光部６Ａ２は投光部６Ａ１から照射されたレーザ光を受光し、その受光量を計測して制御部９に出力する。そして、制御部９は当該受光量に基づいて異物検出を行う。
【００３１】
もう一方の異物検出機構６Ｂは接触方式で上記異物を検出するものであり、本実施形態では、塗布機構５のスリットノズル５１１に取り付けられている。異物検出機構６Ｂは、搬送方向Ｘにおける吐出口５１１ａの上流側でスリットノズル５１１に取り付けられた保護部材６Ｂ１と、スリットノズル５１１の振動を検出する振動センサ６Ｂ２とを有している。保護部材６Ｂ１は、スリットノズル５１１のノズル先端を保護するために水平方向Ｙに延設されたプレート部材であり、プレート面が基板Ｗの表面Ｗｆに対して直交するように配置されている。このため、ノズルユニット５１の直下位置を基板Ｗが搬送される際に、基板Ｗ上に異物が存在した場合、保護部材６Ｂ１は、スリットノズル５１１のノズル先端と異物との接触によるスリットノズル５１１の破損を抑制する。また、異物が存在した場合、保護部材６Ｂ１が異物と接触して当該保護部材６Ｂ１に振動が発生し、スリットノズル５１１に伝達される。この振動を振動センサ６Ｂ２が検出して制御部９に出力する。そして、制御部９は当該振動に基づいて異物検出を行う。なお、スリットノズル５１１には、上記異物検出機構６Ｂ以外に、保護部材６Ｂ１よりも先に基板Ｗの上方領域に進入する位置に、基板Ｗの浮上高さを非接触で検知するための浮上高さ検出センサ５３が設置されている。この浮上高さ検出センサ５３によって、浮上した基板Ｗと、中央浮上ユニット３Ｂのステージ面３３の上面との離間距離を測定することが可能であり、その検出値に伴って、制御部９を介して、スリットノズル５１１が下降する位置を調整することができる。なお、浮上高さ検出センサ５３としては、光学式センサや、超音波式センサなどを用いることができる。
【００３２】
このように、本実施形態では、２種類の異物検出機構６Ａ、６Ｂを設けることで異物検出を確実に行うことができる。しかも、異物検出時には制御部９は基板Ｗの搬送を強制的に停止してスリットノズル５１１の破損や基板Ｗのダメージなどを未然に防止する。
【００３３】
制御部９は上記したように塗布装置１の装置各部を制御する機能を有している。この制御部９には、予め定められた処理プログラムを実行して各部の動作を制御するＣＰＵ９１と、ＣＰＵ９１により実行される処理プログラムや処理中に生成されるデータ等を記憶保存するためのメモリ９２と、処理の進行状況や異物検出などを必要に応じてユーザーに報知するための表示部９３とが設けられている。そして、塗布装置１では、ＣＰＵ９１が処理プログラムにしたがって装置各部を以下のように制御することで塗布処理が実行される。
【００３４】
次に、塗布装置１により基板Ｗの表面Ｗｆに塗布液を塗布する動作について図３Ｂ、図５、図６Ａないし図６Ｆを参照しつつ説明する。ここでは、ｎ枚目の基板Ｗｎに対する塗布液の塗布終了（図５中のタイミングｔ１１）から次の（ｎ＋１）枚目の基板Ｗ（ｎ＋１）への塗布液の塗布開始（図５中のタイミングｔ１６）までの動作について説明する。また、本実施形態における各種動作の技術的意義を明確にするために、図１Ａに示す塗布装置１に対して従来技術（ポンプ５８１の充填状態への回復後に準備動作として予備吐出を実行する）を敢えて適用した例を比較例として図５（ａ）に図示している。
【００３５】
図５は図１Ａに示す塗布装置の動作（第１実施形態）と比較例とを示す図である。また、図６Ａないし６Ｆは装置各部の動作を模式的に示す図である。なお、図６Ａないし６Ｆにおいて、「ＣＬＯＳＥ」および「ＯＰＥＮ」は塗布液供給ユニット５８および塗布液補充ユニット５９に設けられた開閉弁５８５、５８６、５９３の開閉状況を示している。また、「吐出」および「補充」は、ポンプ５８１による塗布液の送液によって塗布液の吐出が行われている状況か、塗布液を補充している状況かを示している。さらに、括弧中のパーセントはポンプ充填率を示している。
【００３６】
ｎ枚目の基板Ｗｎに対する塗布処理では、基板ＷｎがＸ方向に浮上搬送される一方、スリットノズル５１１は中央浮上ユニット３Ｂの直上位置（吐出位置）に位置している。また、図６Ａに示すように、開閉弁５８５、５８６、５９３はそれぞれ開成、開成および閉成されており、ポンプ５８１により塗布液がスリットノズル５１１に圧送され、スリットノズル５１１から塗布液が基板Ｗｎの表面に向けて吐出される。これによって、基板Ｗｎの表面に塗布層ＣＬが形成される。そして、基板Ｗｎへの塗布液の塗布が終了した時点（タイミングｔ１１）では、ポンプ充填率は０％あるいは数％程度に低下している。
【００３７】
こうして、ｎ枚目の基板Ｗｎに対する塗布処理が終了すると、開閉弁５８５、５８６、５９３はそれぞれ閉成、閉成および開成に切り替わった後で、吐出位置からメンテナンス位置へのスリットノズル５１１の移動が開始される。ここで、開閉弁５８５、５８６、５９３を上記のように切り替えることで、スリットノズル５１１の移動中に吐出口５１１ａから塗布液が漏れるのを効果的に防止しながらポンプ５８１への塗布液の補充を行う。したがって、時間経過に伴ってポンプ充填率は徐々に上昇し、例えばタイミングｔ１２では図５および図６Ｂに示すようにポンプ充填率は３０％程度に上昇している。
【００３８】
このように予備吐出を行う前にスリットノズル５１１の移動と並行して塗布液の補充を行う点については、比較例も全く同じであるが、比較例ではポンプ５８１が充填状態に回復するタイミングｔ０３を待って予備吐出を開始するのに対し、本実施形態ではタイミングｔ０３よりも早いタイミングｔ１３で塗布液の補充を中断し、比較例よりも時間Δｔ（＝ｔ０３−ｔ１３）だけ早期に予備吐出を開始する。なお、予備吐出動作および予備吐出後のスリットノズル５１１の移動動作は比較例も実施形態も同一であり、比較例および実施形態における予備吐出開始から次の基板Ｗ（ｎ＋１）の塗布開始までの時間、つまり、
比較例：時間＝ｔ０６−ｔ０３
実施形態：時間＝ｔ１６−ｔ１３
は同一である。ただし、後で説明するように本実施形態では予備吐出後に塗布液の追加補充を行うのに対し、比較例では当該補充を一切行わない点で相違している。
【００３９】
図５（ｂ）の下段のグラフに戻って説明を続ける。本実施形態では、スリットノズル５１１がメンテナンス位置、つまり吐出口５１１ａがノズル洗浄待機ユニット５２のローラ５２１の外周面に近接した位置に到達した時点を塗布液の補充を中断するタイミングｔ１３としている。また、図５（ｂ）の上段のグラフに示すように、ノズル洗浄待機ユニット５２へのスリットノズル５１１の移動開始からタイミングｔ１３に達する間に、量Ｍ１の塗布液がポンプ５８１に補充され、スリットノズル５１１は充填状態に達していないものの、そのポンプ充填率は例えば８０％に達している（図６Ｃ参照）。
【００４０】
そして、タイミングｔ１３で、開閉弁５８５、５８６、５９３はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ５８１への塗布液の補充が中断される一方、一定時間（＝ｔ１４−ｔ１３）を掛けてポンプ５８１から一定量Ｍ３の塗布液がスリットノズル５１１に圧送される。これによって、図６Ｄに示すように、吐出口５１１ａから塗布液が吐出されて吐出口５１１ａに塗布液の液だまりＬＤが形成される（予備吐出動作）。ここでは、予備吐出によってポンプ充填率は８０％から７０％に低下する。
【００４１】
このようにローラ５２１を用いて予備吐出を行った後においては、一定時間（＝ｔ１５−ｔ１４）の間、吐出口５１１ａをローラ５２１に近接させた状態のままスリットノズル５１１を待機させた後で、スリットノズル５１１の吐出位置への移動を開始させる。
【００４２】
一方、開閉弁５８５、５８６、５９３は、予備吐出が完了したタイミングｔ１４で、それぞれ閉成、閉成および開成に切り替わり、ポンプ５８１への塗布液の補充が再開される。そして、上記待機期間（ｔ１４〜ｔ１５）およびスリットノズル５１１の吐出位置への移動期間（ｔ１５〜ｔ１６）を利用して量Ｍ２（＝１００−Ｍ１＋Ｍ３）の塗布液をポンプ５８１に補充して充填状態に回復させる（図６Ｅ参照）。この実施形態では、予備吐出後の塗布液の補充量Ｍ２は予備吐出前の塗布液の補充量Ｍ１よりも少ないため、図５（ｂ）に示すように予備吐出後の補充速度（グラフの傾き）を予備吐出前のそれよりも小さく設定している。このため、予備吐出後の補充段階で塗布液が陰圧になることによるキャビテーションの発生を効果的に防止することができる。
【００４３】
また、スリットノズル５１１を吐出位置に移動させている間（ｔ１５〜ｔ１６）、開閉弁５８５、５８６はともに閉成されているため、次の作用効果が得られる。本実施形態では、ポンプ５８１は図４に示すように吐出口５１１ａよりも高い位置に配置されているため、水頭差によって吐出口５１１ａからの塗布液の漏れが問題となるが、開閉弁５８５、５８６を閉成することで塗布液の漏れを効果的に防止することができる。
【００４４】
上記のようにポンプ５８１が充填状態に回復し、さらにスリットノズル５１１が吐出位置に位置決めされる（タイミングｔ１６）と、図６Ｆに示すように、開閉弁５８５、５８６、５９３はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ５８１から塗布液がスリットノズル５１１に圧送され、Ｘ方向に浮上搬送される（ｎ＋１）枚目の基板Ｗ（ｎ＋１）の表面Ｗｆに向けて塗布液が吐出され、塗布層ＣＬが形成される。
【００４５】
以上のように、第１実施形態では、図５に示すように、準備動作として予備吐出動作を開始するのに必要な量（予備吐出動作で使用される塗布液の量Ｍ２）以上の塗布液がポンプ５８１に貯留されると、ポンプ５８１が充填状態に回復する（タイミングｔ０３）よりも時間Δｔだけ早く予備吐出が準備動作として実行される。そのため、従来技術（ポンプ５８１が充填状態になるのを待って予備吐出を行う技術）よりも上記時間Δｔだけタクトタイムを短縮することができる。このことは、視点を変えると、次の作用効果が得られることを意味している。比較例において本実施形態と同程度のタクトタイムを獲得するためには、塗布液の補充速度を高める必要がある。しかしながら、補充速度の増大により塗布液が陰圧になり、塗布液中にキャビテーションが発生するというリスクが伴う。これに対し、本実施形態では、従来技術と同じ速度で塗布液を補充することができ、上記リストを回避しつつタクトタイムを短縮することができるという優れた作用効果を有している。
【００４６】
また、ポンプ５８１とスリットノズル５１１とを接続する配管５８３、５８４に開閉弁５８５、５８６を介挿し、スリットノズル５１１の移動中に開閉弁５８５、５８６を閉成しているため、当該移動中に吐出口５１１ａから塗布液が漏れるのを効果的に防止することができる。
【００４７】
さらに、従来技術では予備吐出後に塗布液の補充を行うことができないため、次の塗布液開始時点におけるポンプ充填率は１００％から予備吐出での消費量Ｍ３を減算した値となる。すなわち、消費量Ｍ３を考慮して少し能力の高いポンプを用いる必要があった。これに対し、本実施形態では上記考慮が不要となり、従来技術よりも小型のポンプ５８１を用いることができ、装置重量やコストの低減を図ることができる。
【００４８】
以上、本実施形態では、ノズル洗浄待機ユニット５２が本発明の「メンテナンス部」の一例に相当している。移動機構５１８が本発明の「移動部」の一例に相当している。塗布液補充ユニット５９が本発明の「補充部」の一例に相当している。塗布液の量Ｍ１、Ｍ２がそれぞれ本発明の「第１量」および「第２量」の一例に相当している。開閉弁５８５、５８６が本発明の「切替部」の一例に相当している。図５中のタイミングｔ１１からタイミングｔ１３までの間に実行される補充動作が本発明の「第１補充動作」および「第１補充工程」の一例に相当し、タイミングｔ１３からタイミングｔ１４までの間に実行される予備的な吐出動作が本発明の「予備吐出工程」および「準備工程」の一例に相当し、タイミングｔ１４からタイミングｔ１６までの間に実行される補充動作が本発明の「第２補充動作」および「第２補充工程」の一例に相当している。
【００４９】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第１実施形態では、ノズル洗浄待機ユニット５２のローラ５２１にスリットノズル５１１の吐出口５１１ａを近接させて予備吐出処理を準備動作として行う塗布装置１に対して本発明を適用しているが、タイミングｔ１４〜ｔ１５で洗浄ユニット５２２によるスクレイパ処理を伴う塗布装置１にも本発明をそのまま適用することができる。
【００５０】
また、上記第１実施形態では、第１補充動作（タイミングｔ１１〜ｔ１３）によりポンプ充填率を８０％まで回復させ、予備吐出動作（タイミングｔ１３〜ｔ１４）によりポンプ充填率を１０％減少させ、第２補充動作（タイミングｔ１４〜ｔ１６）によりポンプ充填率を充填状態（１００％）まで回復させているが、これらの数値は一例であって、塗布すべき塗布液の量や物性などに応じた数値に設定することができる。ただし、上記したように予備吐出を確実に行うためには第１補充動作において量Ｍ３以上の塗布液を補充する必要がある。
【００５１】
また、上記第１実施形態では、吐出位置からノズル洗浄待機ユニット５２に移動する際にスリットノズル５１１の吐出口５１１ａからの塗布液の漏れを防止するために、開閉弁５８５、５８６を閉成しているが、さらにｎ枚目の基板に対する塗布処理が完了したタイミングｔ１１でいわゆるサックバック動作を実行して塗布液の漏れをさらに高度に防止することができる。この場合、サックバック動作に伴い、スリットノズル５１１の吐出口５１１ａの近傍に気泡を巻き込むことがある。そこで、サックバック動作を併用する場合には、次に説明するように上記予備吐出動作以外に気泡除去動作を準備動作として実行するのが望ましい（第２実施形態）。
【００５２】
図７は本発明にかかる基板処理装置の第２実施形態である塗布装置の動作を示す図である。この第２実施形態では、ｎ枚目の基板に対する塗布処理が完了したタイミングｔ２１でいわゆるサックバック動作が実行されるため、同図に示すようにメンテナンス位置で気泡除去動作と予備吐出動作とをこの順序で準備動作として実行している。なお、塗布液の補充自体は準備動作と直接関係するものではないが、気泡除去動作から予備吐出動作に移行するための時間を利用して塗布液の補充、つまり中間補充を準備動作に含めている。
【００５３】
この第２実施形態では、スリットノズル５１１がメンテナンス位置、つまり吐出口５１１ａがノズル洗浄待機ユニット５２のローラ５２１の外周面に近接した位置に到達した時点を塗布液の補充を中断するタイミングｔ２２としている。また、ノズル洗浄待機ユニット５２へのスリットノズル５１１の移動開始からタイミングｔ２２に達する間に、塗布液がポンプ５８１に補充され、スリットノズル５１１は充填状態に達していないものの、タイミングｔ２２〜ｔ２３で気泡除去動作を実行するのに必要な量（当該気泡除去動作中にスリットノズル５１１に向けて送液される塗布液の量）以上の塗布液がポンプ５８１に貯留される。
【００５４】
そして、タイミングｔ２２で、開閉弁５８５、５８６、５９３はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ５８１への塗布液の補充が中断される一方、一定時間（＝ｔ２３−ｔ２２）を掛けてポンプ５８１から一定量の塗布液がスリットノズル５１１に送液され、吐出口５１１ａから塗布液が吐出されないものの、吐出口５１１ａに滲み出る程度に塗布液が存在することとなり、その送液動作によって吐出口５１１ａの近傍に存在していた気泡が吐出口５１１ａから除去される（気泡除去動作）。
【００５５】
一方、開閉弁５８５、５８６、５９３は、気泡除去動作が完了したタイミングｔ２３で、それぞれ閉成、閉成および開成に切り替わり、ポンプ５８１への塗布液の補充が再開される（中間補充）。そして、予備吐出が可能となるタイミングｔ２４で第１実施形態と同様にして予備吐出動作が実行される。こうして、準備動作（＝気泡除去動作＋予備吐出動作）が完了する（タイミングｔ２５）と、第１実施形態と同様に、待機期間およびスリットノズル５１１の吐出位置への移動期間を利用してポンプ５８１への塗布液の補充が再開され、ポンプ５８１を充填状態に回復させる。そして、ポンプ５８１が充填状態に回復し、さらにスリットノズル５１１が吐出位置に位置決めされる（タイミングｔ２６）と、開閉弁５８５、５８６、５９３はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ５８１から塗布液がスリットノズル５１１に圧送され、Ｘ方向に浮上搬送される（ｎ＋１）枚目の基板Ｗ（ｎ＋１）の表面Ｗｆに向けて塗布液が吐出され、塗布層ＣＬが形成される。
【００５６】
以上のように、第２実施形態では、予備吐出動作に加えて気泡除去動作を準備動作として行っているため、スリットノズル５１１の吐出口５１１ａから気泡を確実に取り除き、基板Ｗに対して塗布液を良好に塗布することができる。このように、第２実施形態では、タイミングｔ２２〜ｔ２５で実行される動作が本発明の「準備工程」の一例に相当している。
【００５７】
また、上記第２実施形態では、メンテナンス位置で気泡除去動作を実行しているが、例えば図８に示すようにスリットノズル５１１が吐出位置からノズル洗浄待機ユニット５２に移動している途中の期間（タイミングｔ３２〜ｔ３３）に気泡除去動作を実行してもよい。上記タイミングｔ３２では、第２実施形態に比べてポンプ充填率は低いものの、上記気泡除去動作を実行するのに必要な量以上の塗布液が既にポンプ５８１に貯留されている。なお、図８中の符号ｔ３１、ｔ３４〜ｔ３６はそれぞれ第２実施形態でのタイミングｔ２１、ｔ２４〜ｔ２６と同じタイミングを示している。
【００５８】
また、上記第２実施形態および第３実施形態では、準備動作として予備吐出動作と気泡除去動作が含まれているが、例えば図９に示すように気泡除去動作のみを準備動作として実行してもよい（第４実施形態）。なお、図９中の符号ｔ４１〜ｔ４３、ｔ４６はそれぞれ第２実施形態でのタイミングｔ２１〜ｔ２３、ｔ２６と同じタイミングを示している。
【００５９】
また、上記第１実施形態ないし第４実施形態では、基板Ｗを浮上させて搬送しながら処理液として塗布液を基板Ｗの表面に塗布する塗布装置１に対して本発明を適用しているが。本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、特許文献２に記載の装置を含め、ノズルから処理液を基板に吐出して処理する基板処理装置全般に本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、基板を処理するための処理液をポンプからノズルに送液し、当該ノズルから基板に吐出する基板処理装置および基板処理方法全般に適用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１…塗布装置（基板処理装置）
５…塗布機構
９…制御部
５２…ノズル洗浄待機ユニット（メンテナンス部）
５９…塗布液補充ユニット（補給部）
５１１…（スリット）ノズル
５１１ａ…吐出口
５１８…移動機構（移動部）
５８１…ポンプ
５８２〜５８４…配管
５８５，５８６…開閉弁（切替部）
Ｍ１…補充量（第１量）
Ｍ２…補充量（第２量）
Ｗ…基板
【図１Ａ】
2018043179.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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