(57)【要約】      （修正有）【課題】張力の影響による基板の幅方向の変形を抑制し、処理の精度を向上させる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置Ｕ３は、可撓性を有する長尺の基板Ｐを、回転ドラム２２の外周面の一部に巻き付けて長尺方向に移動させつつ、パターンを形成する。前記基板が前記回転ドラム２２の外周面に接触し始める進入領域と外れる離脱領域との間において、前記パターンを形成する処理部ＥＸと、前記基板Ｐ上の前記長尺方向と直交する短尺方向に離れた少なくとも２ヶ所の領域の各々に前記長尺方向に沿って形成された複数のマークの各位置を、第１検出領域で検出する第１のパターン検出部と、前記基板Ｐの移動の速度を、前記処理部ＥＸによる前記パターンの形成に適した第１の速度と、前記複数のマークの各位置を検出する為に一時的に設定される前記第１の速度よりも低い第２の速度とに切り替える回転速度を調整する制御装置１４と、を備える。【選択図】図２
2018055122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する長尺の基板を、中心軸の回りに回転する回転ドラムの外周面の一部に巻き付けて長尺方向に移動させつつ、前記回転ドラムで支持された前記基板上にパターンを形成する基板処理装置であって、
前記基板が前記回転ドラムの外周面に接触し始める進入領域と前記外周面から外れる離脱領域との間の周方向の特定位置において、前記パターンを前記基板上に形成する処理部と、
前記基板上の前記長尺方向と直交する短尺方向に離れた少なくとも２ヶ所の領域の各々に前記長尺方向に沿って形成された複数のマークの各位置を、前記外周面の周方向に沿った前記進入領域と前記特定位置との間に設定される第１検出領域で検出する第１のパターン検出部と、
前記基板が前記進入領域から前記特定位置に向かう順方向の移動の速度を、前記処理部による前記パターンの形成に適した第１の速度と、前記第１のパターン検出部によって前記複数のマークの各位置を検出する為に一時的に設定される前記第１の速度よりも低い第２の速度とに切り替えるように、前記回転ドラムの回転速度を調整する制御装置と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、前記基板の速度を前記第２の速度に設定されるときは、前記処理部による前記パターンの形成の動作を停止させた状態で、前記第１のパターン検出部による前記複数のマークの各位置の検出の動作を行う、
基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、前記第２の速度のもとで前記第１のパターン検出部による前記複数のマークの各位置の検出が終わった後、前記基板が前記特定位置から前記進入領域に向かう逆方向に移動するように前記回転ドラムの回転を制御する、
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板支持部材によって所定の張力（テンション）を伴って支持される可撓性（フレキシブル）の基板に処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、円筒状又は円柱状のマスクを回転させつつ、基板（半導体ウェハ）上の数ショット分の長さに渡って基板を連続移動させて、円筒状マスクの外周に形成された数ショット分のパターンを基板上に走査露光する露光装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、近年、高分子の樹脂性フィルムやプラスチックによるフレキシブルな薄い基板上に、液晶方式、有機ＥＬ方式等の表示パネルやカラーフィルターを製造する為に、ロール状に巻かれたフレキシブルな長尺フィルムを引き出して、そこに円筒マスクのパターンを連続して露光するロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）方式も提案されている（例えば、特許文献２）。
【０００４】
上記特許文献１、２のような円筒状マスクを用いる露光装置に限らず、一般的な平板状マスクを用いる露光装置、或いはマスクレス方式の直描露光装置であっても、露光対象である基板が樹脂、プラスチック、或いは金属箔等の薄い基板である場合は、その物性上の特質から基板の伸縮が問題となる。従って、表示パネル等の電子デバイス用のパターンや、カラーフィルター用のパターンを、フレキシブルな薄い基板上に露光する場合、露光すべきパターン（マスクパターンの投影像や描画像等）と、基板との相対的な位置関係を精密に調整することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−０７６６５０号公報
【特許文献２】特開２０１１−２２１５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献２のように、可撓性の基板を基板支持部材の支持面（曲面）に沿って支持した状態で長尺方向に送りながら処理を施す基板処理装置（露光装置）では、基板支持部材の支持面に支持された基板に緩みがある場合、即ち所定の張力（テンション）を与えない場合には、基板にしわが発生する可能性がある。
このため基板処理装置では、基板の搬送時に基板に一定の張力（テンション）がかかるように制御される。しかしながら、基板に張力（テンション）がかかる場合、基板支持部材の支持面（曲面）上の処理位置の前後で、張力（テンション）の影響による基板の幅方向または長尺方向の変形（伸縮）が発生する可能性がある。そこで、可撓性の薄い基板を処理する基板処理装置では、基板の幅方向または長尺方向の変形、即ち２次元的な変形を考慮しつつ、処理の精度（パターンの転写精度、重ね合わせ精度等）を向上させることが要望されている。
【０００７】
本発明の態様は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、張力の影響による基板の幅方向または長尺方向の変形による処理精度の低下を抑制し、高精度な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に従えば、可撓性を有する長尺の基板を、中心軸の回りに回転する回転ドラムの外周面の一部に巻き付けて長尺方向に移動させつつ、前記回転ドラムで支持された前記基板上にパターンを形成する基板処理装置であって、前記基板が前記回転ドラムの外周面に接触し始める進入領域と前記外周面から外れる離脱領域との間の周方向の特定位置において、前記パターンを前記基板上に形成する処理部と、前記基板上の前記長尺方向と直交する短尺方向に離れた少なくとも２ヶ所の領域の各々に前記長尺方向に沿って形成された複数のマークの各位置を、前記外周面の周方向に沿った前記進入領域と前記特定位置との間に設定される第１検出領域で検出する第１のパターン検出部と、前記基板が前記進入領域から前記特定位置に向かう順方向の移動の速度を、前記処理部による前記パターンの形成に適した第１の速度と、前記第１のパターン検出部によって前記複数のマークの各位置を検出する為に一時的に設定される前記第１の速度よりも低い第２の速度とに切り替えるように、前記回転ドラムの回転速度を調整する制御装置と、を備える基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の態様によれば、処理中に付与される張力の影響によるフレキシブル基板の変形による処理精度の低下、特に、基板上の処理（露光）領域の位置決め精度の低下を抑制し、高い位置決め精度を確保した基板処理装置を得ることができる。そのため、微細なパターンであってもフレキシブルな基板上に忠実に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１実施形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る処理装置（露光装置）の全体構成を示す模式図である。
【図３】図３は、図２における照明領域及び投影領域の配置を示す模式図である。
【図４】図４は、図２の処理装置（露光装置）に適用される投影光学系の構成を示す模式図である。
【図５】図５は、図２の処理装置（露光装置）に適用される回転ドラムの斜視図である。
【図６】図６は、図２の処理装置（露光装置）に適用される検出プローブと読み取り装置との関係を説明するための斜視図である。
【図７】図７は、第１実施形態に係るスケール円盤ＳＤを回転中心線ＡＸ２方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。
【図８】図８は、第１実施形態に係る基板の変形を説明する説明図である。
【図９】図９は、アライメントマークの一例を説明する説明図である図９は、アライメントマークの一例を説明する説明図である。
【図１０】図１０は、基板の変形によるアライメントマークの変化の一例を模式的に説明する説明図である。
【図１１】図１１は、投影像とアライメントマークとの位置ずれを模式的に説明する説明図である。
【図１２】図１２は、第１実施形態に係る処理装置（露光装置）の処理を補正する手順の一例を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、第２実施形態に係る処理装置（露光装置）のアライメントマークの検出手順の一例を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、アライメントマークの検出位置の一例を示す説明図である。
【図１５】図１５は、アライメントマークの検出位置の他の例を示す説明図である。
【図１６】図１６は、第３実施形態に係る処理装置（露光装置）に適用される回転ドラムの斜視図である。
【図１７】図１７は、第３実施形態に係るスケール円盤ＳＤを回転中心線ＡＸ２方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。
【図１８】図１８は、基板の変形によるアライメントマークの変化の一例を模式的に説明する説明図である。
【図１９】図１９は、第３実施形態に係る処理装置（露光装置）の処理を補正する手順の一例を示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、第４実施形態に係る処理装置（露光装置）の全体構成を示す模式図である。
【図２１】図２１は、第５実施形態に係る処理装置（露光装置）の全体構成を示す模式図である。
【図２２】図２２は、第６実施形態に係る処理装置（露光装置）の全体構成を示す模式図である。
【図２３】図２３は、円筒状のドラム部材に張力を与えて基板を巻き付けた場合の基板上の各点の変形量を求める為のモデル例を示す斜視図である。
【図２４】図２４は、図２３のモデル例による基板の長尺方向（ＭＤ方向）の伸縮に伴う各点の変位量を、摩擦係数０．４５としてシミュレーションした結果のグラフである。
【図２５】図２５は、図２３のモデル例による基板の長尺方向（ＭＤ方向）の伸縮に伴う各点の変位量を、摩擦係数２００でシミュレーションした結果のグラフである。
【図２６】図２６は、図２３のモデル例による基板の短尺方向（ＴＤ方向）の伸縮に伴う各点の変位量を、摩擦係数０．４５でシミュレーションした結果のグラフである。
【図２７】図２７は、図２３のモデル例による基板の短尺方向（ＴＤ方向）の伸縮に伴う各点の変位量を、摩擦係数２００でシミュレーションした結果のグラフである。
【図２８】図２８は、第１実施形態に係る処理装置（露光装置）を用いたデバイス製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。例えば、以下の実施形態では、電子デバイスとして、アクティブ・マトリックス形式の液晶或いはＯＬＥＤ（有機ＥＬ）によるフレキシブル・ディスプレイパネルを製造する場合として説明するがこれに限定されない。電子デバイスとしては、配線基板（フレキシブル・プリント基板）、光電素子のセルを多数配列したフレキシブルな太陽電池パネル等を製造することもできる。
【００１２】
（第１実施形態）
第１実施形態による基板処理装置は、フレキシブルな基板上に表示パネル用のパターン（多数の画素部、画素電極、ＴＦＴ、バスライン等の各パターンを含む）を露光処理する露光装置である。また、露光装置は、露光後の基板に各種処理を施してデバイスを製造するデバイス製造システム（製造ライン）に組み込まれて使われる。そこで、先ず、デバイス製造システムについて説明する。
【００１３】
＜デバイス製造システム＞
図１は、第１実施形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。図１に示すデバイス製造システム１は、デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイを製造するライン（フレキシブル・ディスプレイ製造ライン）である。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば有機ＥＬディスプレイ等がある。このデバイス製造システム１は、可撓性の基板Ｐをロール状に巻回した供給用ロールＦＲ１から、該基板Ｐを送り出し、送り出された基板Ｐに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Ｐを可撓性のデバイスとして回収用ロールＦＲ２に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）方式となっている。第１実施形態のデバイス製造システム１では、フィルム状のシートである基板Ｐが供給用ロールＦＲ１から送り出され、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、順次、ｎ台の処理装置Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５、…Ｕｎを経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示している。先ず、デバイス製造システム１の処理対象となる基板Ｐについて説明する。
【００１４】
基板Ｐの素材としては、例えば、プラスチック、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔（フォイル）等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち１または２以上を含んでいる。
【００１５】
基板Ｐは、例えば、基板Ｐに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。熱膨張係数は、例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって、プロセス温度等に応じた閾値よりも小さく設定されていてもよい。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等でもよい。また、基板Ｐは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔等を貼り合わせた積層体であってもよい。
【００１６】
このように構成された基板Ｐは、ロール状に巻回されることで供給用ロールＦＲ１となり、この供給用ロールＦＲ１が、デバイス製造システム１に装着される。供給用ロールＦＲ１が装着されたデバイス製造システム１は、１個のデバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐに対して繰り返し実行する。このため、処理後の基板Ｐは、複数のデバイスが連なった状態となる。つまり、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐは、多面取り用の基板となっている。なお、基板Ｐは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングのための微細な隔壁構造（凹凸構造）をインプリント法により形成したものでも良い。
【００１７】
処理後の基板Ｐは、ロール状に巻回されることで回収用ロールＦＲ２として回収される。回収用ロールＦＲ２は、図示しないダイシング装置に装着される。回収用ロールＦＲ２が装着されたダイシング装置は、処理後の基板Ｐを、デバイスごとに分割（ダイシング）することで、複数個のデバイスにする。基板Ｐの寸法は、例えば、幅方向（短尺となる方向）の寸法が１０ｃｍ〜２ｍ程度であり、長さ方向（長尺となる方向）の寸法が１０ｍ以上である。なお、基板Ｐの寸法は、上記した寸法に限定されない。
【００１８】
次に、図１を参照し、デバイス製造システム１について説明する。図１では、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向が直交する直交座標系となっている。Ｘ方向は、水平面内において供給用ロールＦＲ１及び回収用ロールＦＲ２を結ぶ方向であり、図１における左右方向である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、図１における前後方向である。Ｙ方向は、供給用ロールＦＲ１及び回収用ロールＦＲ２の軸方向となっている。Ｚ方向は、鉛直方向であり、図１における上下方向である。
【００１９】
デバイス製造システム１は、基板Ｐを供給する基板供給装置２と、基板供給装置２によって供給された基板Ｐに対して各種処理を施す処理装置Ｕ１〜Ｕｎと、処理装置Ｕ１〜Ｕｎによって処理が施された基板Ｐを回収する基板回収装置４と、デバイス製造システム１の各装置を制御する上位制御装置５とを備える。
【００２０】
基板供給装置２には、供給用ロールＦＲ１が回転可能に装着される。基板供給装置２は、装着された供給用ロールＦＲ１から基板Ｐを送り出す駆動ローラＤＲ１と、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）における位置を調整するエッジポジションコントローラＥＰＣ１とを有する。駆動ローラＤＲ１は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを供給用ロールＦＲ１から回収用ロールＦＲ２へ向かう搬送方向に送り出すことで、基板Ｐを処理装置Ｕ１〜Ｕｎに供給する。このとき、エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）における位置が、目標位置に対して±十数μｍ程度の範囲から±数十μｍ程度の範囲に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。
【００２１】
基板回収装置４には、回収用ロールＦＲ２が回転可能に装着される。基板回収装置４は、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２側に引き寄せる駆動ローラＤＲ２と、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）における位置を調整するエッジポジションコントローラＥＰＣ２とを有する。基板回収装置４は、駆動ローラＤＲ２により基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを搬送方向に引き寄せると共に、回収用ロールＦＲ２を回転させることで、基板Ｐを巻き上げる。このとき、エッジポジションコントローラＥＰＣ２は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に構成され、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）が幅方向においてばらつかないように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。
【００２２】
処理装置Ｕ１は、基板供給装置２から供給された基板Ｐの表面に感光性機能液を塗布する塗布装置である。感光性機能液としては、例えば、フォトレジスト、感光性シランカップリング材、ＵＶ硬化樹脂液等が用いられる。処理装置Ｕ１は、基板Ｐの搬送方向の上流側から順に、塗布機構Ｇｐ１と乾燥機構Ｇｐ２とが設けられている。塗布機構Ｇｐ１は、基板Ｐが巻き付けられる圧胴ローラＲ１と、圧胴ローラＲ１に対向する塗布ローラＲ２とを有する。塗布機構Ｇｐ１は、供給された基板Ｐを圧胴ローラＲ１に巻き付けた状態で、圧胴ローラＲ１及び塗布ローラＲ２により基板Ｐを挟持する。そして、塗布機構Ｇｐ１は、圧胴ローラＲ１及び塗布ローラＲ２を回転させることで、基板Ｐを搬送方向に移動させながら、塗布ローラＲ２により感光性機能液を塗布する。乾燥機構Ｇｐ２は、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付け、感光性機能液に含まれる溶質（溶剤または水）を除去し、感光性機能液が塗布された基板Ｐを乾燥させることで、基板Ｐ上に感光性機能層を形成する。
【００２３】
処理装置Ｕ２は、基板Ｐの表面に形成された感光性機能層を安定にすべく、処理装置Ｕ１から搬送された基板Ｐを所定温度（例えば、数１０〜１２０℃程度）まで加熱する加熱装置である。処理装置Ｕ２は、基板Ｐの搬送方向の上流側から順に、加熱チャンバＨＡ１と冷却チャンバＨＡ２とが設けられている。加熱チャンバＨＡ１は、その内部に複数のローラ及び複数のエア・ターンバーが設けられており、複数のローラ及び複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの搬送経路を構成している。複数のローラは、基板Ｐの裏面に転接して設けられ、複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの表面側に非接触状態で設けられる。複数のローラ及び複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。加熱チャンバＨＡ１内を通る基板Ｐは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら所定温度まで加熱される。冷却チャンバＨＡ２は、加熱チャンバＨＡ１で加熱された基板Ｐの温度が、後工程（処理装置Ｕ３）の環境温度と揃うようにすべく、基板Ｐを環境温度まで冷却する。冷却チャンバＨＡ２は、その内部に複数のローラが設けられ、複数のローラは、加熱チャンバＨＡ１と同様に、基板Ｐの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。冷却チャンバＨＡ２内を通る基板Ｐは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら冷却される。冷却チャンバＨＡ２の搬送方向における下流側には、駆動ローラＤＲ３が設けられ、駆動ローラＤＲ３は、冷却チャンバＨＡ２を通過した基板Ｐを挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置Ｕ３へ向けて供給する。
【００２４】
処理装置（基板処理装置）Ｕ３は、処理装置Ｕ２から供給された、表面に感光性機能層が形成された基板（感光基板）Ｐに対して、ディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンを投影露光する露光装置である。詳細は後述するが、処理装置Ｕ３は、透過型または反射型の円筒マスク（マスク）ＤＭの外周面のパターン面に照明光束を照明し、円筒マスク（マスク）ＤＭ上の照明領域内に現れるパターンからの透過光または反射光を、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに投影露光する。処理装置Ｕ３は、処理装置Ｕ２から供給された基板Ｐを搬送方向の下流側に送る駆動ローラＤＲ４と、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）における位置を調整するエッジポジションコントローラＥＰＣと、基板Ｐを通常時の搬送方向と逆方向に移動させたとき（逆搬送時）に基板Ｐにたるみを与えた状態で一定量滞留させる、バックバッファー部ＢＤＬを備えている。
【００２５】
バックバッファー部ＢＤＬは、基板Ｐにたるみを与えた状態で、基板Ｐを搬送方向の上流側または下流側へ送る２組のニップ型の駆動ローラＢＤＲ１、ＢＤＲ２を有している。駆動ローラＤＲ４は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを搬送方向の下流側に送り出す。その後、基板Ｐは、回転ドラムＤＲ５の外周面の一部に円筒面状に支持されて、投影光学系ＰＬの投影領域（露光位置）を通るように搬送される。エッジポジションコントローラＥＰＣは、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に構成され、露光位置における基板Ｐの幅方向が目標位置となるように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。
【００２６】
また、処理装置Ｕ３は、露光後の基板Ｐにたるみを与えた状態で、基板Ｐを搬送方向の下流側へ送る２組のニップ型の駆動ローラＤＲ６、ＤＲ７を有するバッファー部ＤＬを備えている。２組の駆動ローラＤＲ６、ＤＲ７は、基板Ｐの搬送方向に所定の間隔を空けて配置されている。駆動ローラＤＲ６は、搬送される基板Ｐの上流側を挟持して回転し、駆動ローラＤＲ７は、搬送される基板Ｐの下流側を挟持して回転することで、基板Ｐを処理装置Ｕ４へ向けて供給する。このとき、基板Ｐがバッファー部ＤＬに一定の長さ分貯留されるため、駆動ローラＤＲ６よりも搬送方向の下流側において生ずる搬送速度の変動吸収や、基板Ｐの逆搬送が可能となる。また、処理装置Ｕ３内には、マスクＤＭのマスクパターンの一部分の像と基板Ｐとを相対的に位置合せ（アライメント）するために、基板Ｐに予め形成されたアライメントマーク等を検出するアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２が設けられている。
【００２７】
処理装置Ｕ４は、処理装置Ｕ３から搬送された露光後の基板Ｐに対して、湿式による現像処理、無電解メッキ処理等を行なう湿式処理装置である。処理装置Ｕ４は、その内部に、鉛直方向（Ｚ方向）に階層化された３つの処理槽ＢＴ１、ＢＴ２、ＢＴ３と、基板Ｐを搬送する複数のローラと、を有する。複数のローラは、３つの処理槽ＢＴ１、ＢＴ２、ＢＴ３の内部を、基板Ｐが順に通過する搬送経路となるように配置される。処理槽ＢＴ３の搬送方向における下流側には、駆動ローラＤＲ８が設けられ、駆動ローラＤＲ８は、処理槽ＢＴ３を通過した基板Ｐを挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置Ｕ５へ向けて供給する。
【００２８】
図示は省略するが、処理装置Ｕ５は、処理装置Ｕ４から搬送された基板Ｐを乾燥させる乾燥装置である。処理装置Ｕ５は、処理装置Ｕ４において湿式処理された基板Ｐに付着する液体を除去すると共に、基板Ｐの水分含有量を所定の値に調整する。処理装置Ｕ５により乾燥された基板Ｐは、幾つかの処理装置を経て、処理装置Ｕｎに搬送される。そして、処理装置Ｕｎで処理された後、基板Ｐは、基板回収装置４の回収用ロールＦＲ２に巻き上げられる。
【００２９】
上位制御装置５は、基板供給装置２、基板回収装置４及び複数の処理装置Ｕ１〜Ｕｎを統括制御する。上位制御装置５は、基板供給装置２及び基板回収装置４を制御して、基板Ｐを基板供給装置２から基板回収装置４へ向けて搬送させる。また、上位制御装置５は、基板Ｐの搬送に同期させながら、複数の処理装置Ｕ１〜Ｕｎを制御して、基板Ｐに対する各種処理を実行させる。
【００３０】
＜露光装置（基板処理装置）＞
次に、第１実施形態の処理装置Ｕ３としての露光装置（基板処理装置）の構成について、図２から図４を参照して説明する。図２は、第１実施形態の露光装置（基板処理装置）の全体構成を示す図である。図３は、図２に示す露光装置の照明領域及び投影領域の配置を示す図である。図４は、図２に示す露光装置の照明光学系及び投影光学系の構成を示す図である。
【００３１】
図２に示すように、処理装置Ｕ３は、露光装置（処理機構）ＥＸと、搬送装置９とを含む。露光装置ＥＸは、搬送装置９により基板Ｐ（シート、フィルム等）を供給されている。露光装置ＥＸは、いわゆる走査露光装置であり、円筒マスクＤＭの回転と可撓性の基板Ｐの送り、すなわち図１中に示した回転ドラムＤＲ５の回転とを同期駆動させつつ、円筒マスクＤＭに形成されているパターンの像を、投影倍率が等倍（×１）のマルチレンズ方式の投影光学系ＰＬ（ＰＬ１〜ＰＬ６）を介して基板Ｐに投影する。なお、図２に示す露光装置ＥＸは、ＸＹＺ直交座標系のＹ軸を、円筒マスクＤＭを構成する第１ドラム部材２１の回転中心線ＡＸ１と平行に設定している。同様に、露光装置ＥＸは、ＸＹＺ直交座標系のＹ軸を、回転ドラムＤＲ５（以下、第２ドラム部材２２とも呼ぶ）の回転中心線ＡＸ２と平行に設定している。
【００３２】
図２に示すように、露光装置ＥＸは、マスク保持装置１２、照明機構ＩＵ、投影光学系ＰＬ及び制御装置１４を備える。露光装置ＥＸは、マスク保持装置１２に保持された円筒マスクＤＭを回転移動させるとともに、搬送装置９によって基板Ｐを搬送する。照明機構ＩＵは、円筒マスクＤＭのパターン面（外周面）の一部（照明領域ＩＲ）を、照明光束ＥＬ１によって均一な明るさで円筒マスクＤＭの内側から照明する。投影光学系ＰＬは、円筒マスクＤＭ上の照明領域ＩＲにおけるパターンの像を、搬送装置９と回転ドラムＤＲ５によって搬送されている基板Ｐの一部（投影領域ＰＡ）に投影する。これにより、円筒マスクＤＭの外周面に沿って配置された所定のパターン（マスクパターン）の像が基板Ｐ上に走査露光される。制御装置１４は、露光装置ＥＸの各部や搬送装置９を連携制御し、各部や搬送装置９に所定の動作を実行させる。
【００３３】
なお、制御装置１４は、上述したデバイス製造システムの複数の処理装置Ｕ１〜Ｕｎを統括して制御する上位制御装置５の一部又は全部であってもよい。また、制御装置１４は、上位制御装置５に制御され、上位制御装置５とは別の装置であってもよい。制御装置１４は、例えば、コンピュータシステムを含む。コンピュータシステムは、例えば、ＣＰＵ及び各種メモリーやＯＳ、周辺機器等のハードウェアを含む。処理装置Ｕ３の各部の動作の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体の記憶部に記憶されており、このプログラムをコンピュータシステムが読み出して実行することによって、各種処理が行われる。コンピュータシステムは、インターネット或いはイントラネットシステムに接続可能な場合、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含む。また、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置を含む。コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムを送信する場合の通信線のように、短時間の間、動的にプログラムを保持するもの、その場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリーのように、一定時間プログラムを保持しているものも含む。また、プログラムは、処理装置Ｕ３の機能の一部を実現するためのものでもよく、処理装置Ｕ３の機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるものでもよい。上位制御装置５は、制御装置１４と同様に、コンピュータシステムを利用して実現することができる。
【００３４】
図２に示すように、マスク保持装置１２は、円筒マスクＤＭを保持する第１ドラム部材２１、第１ドラム部材２１を支持するガイドローラ２３、制御装置１４の制御指令により第１駆動部２６が第１ドラム部材２１を駆動する駆動ローラ２４及び第１ドラム部材２１の位置を検出する第１検出器２５を備える。
【００３５】
第１ドラム部材２１は、所定の軸となる回転中心線ＡＸ１（以下、第１中心軸ＡＸ１とも呼ぶ）から一定半径で湾曲した曲面を有する円筒部材であって、所定の軸の周りを回転する。第１ドラム部材２１は、円筒マスクＤＭ上の照明領域ＩＲが配置される第１面Ｐ１を形成する。本実施形態において、第１面Ｐ１は、線分（母線）をこの線分に平行な軸（第１中心軸ＡＸ１）周りに回転した面（以下、円筒面という）を含む。円筒面は、例えば、円筒の外周面、円柱の外周面等である。第１ドラム部材２１は、例えばガラスや石英等で構成され、一定の肉厚を有する円筒状であり、その外周面（円筒面）が第１面Ｐ１を形成する。すなわち、本実施形態において、円筒マスクＤＭ上の照明領域ＩＲは、回転中心線ＡＸ１から一定の半径ｒ１を持つ円筒面状に湾曲している。このように、第１ドラム部材２１は、所定の軸である回転中心線ＡＸ１から一定半径で湾曲した曲面を有している。そして、第１ドラム部材２１は、駆動ローラ２４に駆動されて、所定の軸である回転中心線ＡＸ１の周りを回転することができる。
【００３６】
円筒マスクＤＭは、例えば平坦性の良い短冊状の極薄ガラス板（例えば厚さ１００μｍ〜５００μｍ）の一方の面にクロム等の遮光層でパターンを形成した透過型の平面状シートマスクとして作成される。マスク保持装置１２は、円筒マスクＤＭを第１ドラム部材２１の外周面の曲面に倣って湾曲させ、この曲面に巻き付けた（貼り付けた）状態で使用される。円筒マスクＤＭは、パターンが形成されていないパターン非形成領域を有し、パターン非形成領域において第１ドラム部材２１に取付けられている。円筒マスクＤＭは、第１ドラム部材２１に対してリリース可能である。
【００３７】
なお、円筒マスクＤＭを極薄ガラス板で構成し、その円筒マスクＤＭを透明円筒母材による第１ドラム部材２１に巻き付ける代わりに、透明円筒母材による第１ドラム部材２１の外周面に直接クロム等の遮光層によるマスクパターンを描画形成して一体化してもよい。この場合も、第１ドラム部材２１が円筒マスクＤＭのパターンの支持部材として機能する。
【００３８】
第１検出器２５は、第１ドラム部材２１の回転位置を光学的に検出するもので、例えばロータリーエンコーダ等で構成される。第１検出器２５は、検出した第１ドラム部材２１の回転位置を示す情報、例えば、後述するエンコーダヘッドからの２相信号等を制御装置１４に出力する。電動モーター等のアクチュエータを含む第１駆動部２６は、制御装置１４から入力される制御信号に従って、駆動ローラ２４を回転させるためのトルク及び回転速度を調整する。制御装置１４は、第１検出器２５による検出結果に基づいて第１駆動部２６を制御することによって、第１ドラム部材２１の回転位置を制御する。そして、制御装置１４は、第１ドラム部材２１に保持されている円筒マスクＤＭの回転位置と回転速度の一方又は双方を制御する。
【００３９】
第２ドラム部材２２は、所定の軸となる回転中心線ＡＸ２（以下、第２中心軸ＡＸ２とも呼ぶ）から一定半径で湾曲した曲面（第１曲面）を有する円筒部材であって、所定の軸の周りを回転する回転ドラムである。第２ドラム部材２２は、投影光学系ＰＬからの結像光束が投射される基板Ｐ上の投影領域ＰＡを含む一部分を円弧状（円筒状）に支持する第２面（支持面）Ｐ２を形成する。また、第２ドラム部材２２は、電動モーター等のアクチュエータを含む第２駆動部３６から供給されるトルクによって回転する駆動ローラＤＲ５である。
【００４０】
このように、第２ドラム部材２２は、駆動ローラＤＲ５であるとともに、露光（処理）対象の基板Ｐを支持する基板支持部材（基板ステージ）を兼ねている。すなわち、第２ドラム部材２２は、露光装置ＥＸの一部であってもよい。そして、第２ドラム部材２２は、第２ドラム部材２２の回転中心線ＡＸ２（第２中心軸ＡＸ２）の周りに回転可能であり、基板Ｐは、第２ドラム部材２２上の外周面（円筒面）に倣って円筒面状に湾曲し、湾曲した部分の一部に投影領域ＰＡが配置される。
【００４１】
本実施形態では、投影領域ＰＡに達する結像光束ＥＬ２のうち、投影領域ＰＡの各中心点を通る主光線は、図２に示すように、第２ドラム部材２２の第２中心軸ＡＸ２からみて、中心面Ｐ３を挟んで周方向で角度θの位置にそれぞれ配置され第１特定位置ＰＸ１、第２特定位置ＰＸ２に到達する。そして、回転中心線ＡＸ２からみて、第１特定位置ＰＸ１と、第２特定位置ＰＸ２との間にある、特定位置ＰＸは、第２ドラム部材２２の曲面にある基板Ｐの平均的に露光された領域の中心となっている。
【００４２】
搬送装置９は、駆動ローラＤＲ４、第２ドラム部材２２（駆動ローラＤＲ５）、駆動ローラＤＲ６を備えている。搬送装置９は、基板Ｐが、第１特定位置ＰＸ１、特定位置ＰＸ及び第２特定位置ＰＸ２を通過するように基板Ｐを搬送する搬送方向に、基板Ｐを移動させる。第２駆動部３６は、制御装置１４から出力される制御信号に従って、第２ドラム部材２２を回転させるトルクを調整する。
【００４３】
本実施形態において、搬送経路の上流から駆動ローラＤＲ４へ搬送されてきた基板Ｐは、駆動ローラＤＲ４を経由して第１ガイド部材３３に案内され、第２ドラム部材２２へ搬送される。基板Ｐは、第２ドラム部材２２の表面に支持され、第２ガイド部材３３へ搬送される。第２ガイド部材３３を経由した基板Ｐは、搬送経路の下流へ搬送される。なお、第２ドラム部材２２（駆動ローラＤＲ５）の回転中心線ＡＸ２と、駆動ローラＤＲ４、ＤＲ６の各回転中心線とは、何れもＹ軸と平行になるように設定される。
【００４４】
第２ドラム部材２２の周囲には、基板Ｐが搬送される搬送方向を規制し、かつ基板Ｐを案内する第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３２が配置されている。第２ドラム部材２２は、基板Ｐの一部分が巻き付けられて、基板Ｐが第２面Ｐ２の曲面に接し始める搬送方向の進入位置ＩＡから基板Ｐが第２面Ｐ２の曲面から離れ始める搬送方向の離脱位置ＯＡまでの基板Ｐを支持する。第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３２は、例えば、基板Ｐの搬送方向に移動することによって、搬送経路において基板Ｐに働くテンション等を調整する。また、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３は、例えば、基板Ｐの搬送方向に移動することによって、第２ドラム部材２２の外周に巻き付く、上述した進入位置ＩＡ及び離脱位置ＯＡ等を調整することができる。なお、搬送装置９、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＡに沿って基板Ｐを搬送可能であればよく、搬送装置９、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３の構成は適宜変更可能である。
【００４５】
第２検出器３５は、例えばロータリーエンコーダ等で構成され、第２ドラム部材２２の回転位置を光学的に検出する。第２検出器３５は、検出した第２ドラム部材２２の回転位置を示す情報（例えば、後述するエンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５からの２相信号等）を制御装置１４に出力する。制御装置１４は、第２検出器３５による検出結果に基づいて第２駆動部３６を制御することによって、第２ドラム部材２２の回転位置を制御し、第１ドラム部材２１（円筒マスクＤＭ）と第２ドラム部材２２とを同期移動（同期回転）させる。なお、第２検出器３５の詳細な構成については後述する。
【００４６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、所謂、マルチレンズ方式の投影光学系ＰＬを搭載することを想定した露光装置である。投影光学系ＰＬは、円筒マスクＤＭのパターンにおける一部の像を投影する複数の投影モジュールを備える。例えば、図２では、中心面Ｐ３の左側に３つの投影モジュール（投影光学系）ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５がＹ方向に一定間隔で配置され、中心面Ｐ３の右側にも３つの投影モジュール（投影光学系）ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６がＹ方向に一定間隔で配置される。
【００４７】
このようなマルチレンズ方式の露光装置ＥＸでは、複数の投影モジュールＰＬ１〜ＰＬ６によって露光された領域（投影領域ＰＡ１〜ＰＡ６）のＹ方向の端部を走査によって互いに重ね合わせることによって、所望のパターンの全体像を投影する。このような露光装置ＥＸは、円筒マスクＤＭ上のパターンのＹ方向サイズが大きくなり、必然的にＹ方向の幅が大きな基板Ｐを扱う必要性が生じた場合でも、投影モジュールＰＬと、投影モジュールＰＬに対応する照明機構ＩＵ側のモジュールとをＹ方向に増設するだけで良いので、容易にパネルサイズ（基板Ｐの幅）の大型化に対応できると言った利点がある。
【００４８】
なお、露光装置ＥＸは、マルチレンズ方式でなくてもよい。例えば、基板Ｐの幅方向の寸法がある程度小さい場合等に、露光装置ＥＸは、１つの投影モジュールによってパターンの全幅の像を基板Ｐに投影してもよい。また、複数の投影モジュールＰＬ１〜ＰＬ６は、それぞれ、１個のデバイスに対応するパターンを投影してもよい。すなわち、露光装置ＥＸは、複数個のデバイス用のパターンを、複数の投影モジュールによって並行して投影してもよい。
【００４９】
本実施形態の照明機構ＩＵは、光源装置１３及び照明光学系を備える。照明光学系は、複数の投影モジュールＰＬ１〜ＰＬ６の各々に対応してＹ軸方向に並んだ複数（例えば６つ）の照明モジュールＩＬを備える。光源装置１３は、例えば水銀ランプ等のランプ光源、又はレーザーダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の固体光源を含む。光源装置が射出する照明光は、例えばランプ光源から射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等である。光源装置から射出された照明光は、照度分布が均一化されて、例えば光ファイバー等の導光部材を介して、複数の照明モジュールＩＬに振り分けられる。
【００５０】
複数の照明モジュールＩＬのそれぞれは、レンズ等の複数の光学部材を含む。本実施形態において、光源装置から出射して複数の照明モジュールＩＬのいずれかを通る光を照明光束ＥＬ１と称する。複数の照明モジュールＩＬのそれぞれは、例えばインテグレータ光学系、ロッドレンズ、フライアイレンズ等を含み、均一な照度分布の照明光束ＥＬ１によって照明領域ＩＲを照明する。本実施形態において、複数の照明モジュールＩＬは、円筒マスクＤＭの内側に配置されている。複数の照明モジュールＩＬのそれぞれは、円筒マスクＤＭの内側から円筒マスクＤＭの外周面に形成されたマスクパターンの各照明領域ＩＲを照明する。
【００５１】
図３は、本実施形態における照明領域ＩＲ及び投影領域ＰＡの配置を示す図である。なお、図３には、第１ドラム部材２１に配置された円筒マスクＤＭ上の照明領域ＩＲを−Ｚ側から見た平面図（図３中の左側の図）と、第２ドラム部材２２に配置された基板Ｐ上の投影領域ＰＡを＋Ｚ側から見た平面図（図３中の右側の図）とが図示されている。図３中の符号Ｘｓは、第１ドラム部材２１又は第２ドラム部材２２の回転方向（移動方向）を示す。
【００５２】
複数の照明モジュールＩＬは、それぞれ、円筒マスクＤＭ上の第１から第６照明領域ＩＲ１〜ＩＲ６を照明する。例えば、第１照明モジュールＩＬは、第１照明領域ＩＲ１を照明し、第２照明モジュールＩＬは第２照明領域ＩＲ２を照明する。
【００５３】
第１照明領域ＩＲ１は、Ｙ方向に細長い台形状の領域として説明するが、投影光学系（投影モジュール）ＰＬのように、中間像面を形成する構成の投影光学系の場合は、その中間像の位置に台形開口を有する視野絞り板を配置できるため、その台形開口を包含する長方形の領域としても良い。第３照明領域ＩＲ３及び第５照明領域ＩＲ５は、それぞれ、第１照明領域ＩＲ１と同様の形状の領域であり、Ｙ軸方向に一定間隔を空けて配置されている。また、第２照明領域ＩＲ２は、中心面Ｐ３に関して第１照明領域ＩＲ１と対称的な台形状（又は長方形）の領域である。第４照明領域ＩＲ４及び第６照明領域ＩＲ６は、それぞれ、第２照明領域ＩＲ２と同様の形状の領域であり、Ｙ軸方向に一定間隔を空けて配置されている。
【００５４】
図３に示すように、第１から第６照明領域ＩＲ１〜ＩＲ６のそれぞれは、第１面Ｐ１の周方向に沿って見た場合に、隣り合う台形状の照明領域の斜辺部の三角部が重なるように（オーバーラップするように）配置されている。そのため、例えば、第１ドラム部材２１の回転によって第１照明領域ＩＲ１を通過する円筒マスクＤＭ上の第１領域Ａ１は、第１ドラム部材２１の回転によって第２照明領域ＩＲ２を通過する円筒マスクＤＭ上の第２領域Ａ２と一部重複する。
【００５５】
本実施形態において、円筒マスクＤＭは、パターンが形成されているパターン形成領域Ａ３と、パターンが形成されていないパターン非形成領域Ａ４とを含む。そのパターン非形成領域Ａ４は、パターン形成領域Ａ３を枠状に囲むように配置されており、照明光束ＥＬ１を遮光する特性を有する。円筒マスクＤＭのパターン形成領域Ａ３は、第１ドラム部材２１の回転に伴って移動方向Ｘｓに移動し、パターン形成領域Ａ３のうちのＹ軸方向の各部分領域は、第１から第６照明領域ＩＲ１〜ＩＲ６のいずれかを通過する。換言すると、第１から第６照明領域ＩＲ１〜ＩＲ６は、パターン形成領域Ａ３のＹ軸方向の全幅をカバーするように、配置されている。
【００５６】
図２に示すように、Ｙ軸方向に並ぶ複数の投影モジュールＰＬ１〜ＰＬ６のそれぞれは、第１から第６照明モジュールＩＬのそれぞれと１対１で対応しており、対応する照明モジュールによって照明される照明領域ＩＲ内に現れる円筒マスクＤＭの部分的なパターンの像を、基板Ｐ上の各投影領域ＰＡに投影する。
【００５７】
例えば、第１投影モジュールＰＬ１は、第１照明モジュールＩＬに対応し、第１照明モジュールＩＬによって照明される第１照明領域ＩＲ１（図３参照）における円筒マスクＤＭのパターンの像を、基板Ｐ上の第１投影領域ＰＡ１に投影する。第３投影モジュールＰＬ３、第５投影モジュールＰＬ５は、それぞれ、第３、第５照明モジュールＩＬと対応している。第３投影モジュールＰＬ３及び第５投影モジュールＰＬ５は、Ｙ軸方向から見ると、第１投影モジュールＰＬ１と重なる位置に配置されている。
【００５８】
また、第２投影モジュールＰＬ２は、第２照明モジュールＩＬに対応し、第２照明モジュールＩＬによって照明される第２照明領域ＩＲ２（図３参照）における円筒マスクＤＭのパターンの像を、基板Ｐ上の第２投影領域ＰＡ２に投影する。第２投影モジュールＰＬ２は、Ｙ軸方向から見ると、第１投影モジュールＰＬ１に対して中心面Ｐ３を挟んで対称的な位置に配置されている。
【００５９】
第４投影モジュールＰＬ４、第６投影モジュールＰＬ６は、それぞれ、第４、第６照明モジュールＩＬと対応して配置され、第４投影モジュールＰＬ４及び第６投影モジュールＰＬ６は、Ｙ軸方向から見て、第２投影モジュールＰＬ２と重なる位置に配置されている。
【００６０】
なお、本実施形態において、照明機構ＩＵの各照明モジュールＩＬから円筒マスクＤＭ上の各照明領域ＩＲ１〜ＩＲ６に達する光を照明光束ＥＬ１とする。また、各照明領域ＩＲ１〜ＩＲ６中に現れる円筒マスクＤＭの部分パターンに応じた強度分布変調を受けて各投影モジュールＰＬ１〜ＰＬ６に入射して各投影領域ＰＡ１〜ＰＡ６に達する光を、結像光束ＥＬ２とする。そして、各投影領域ＰＡ１〜ＰＡ６に達する結像光束ＥＬ２のうち、投影領域ＰＡ１〜ＰＡ６の各中心点を通る主光線は、図２に示すように、第２ドラム部材２２の第２中心軸ＡＸ２からみて、中心面Ｐ３を挟んで周方向で角度θの位置（特定位置）にそれぞれ配置される。
【００６１】
図３に示すように、第１照明領域ＩＲ１におけるパターンの像は第１投影領域ＰＡ１に投影され、第３照明領域ＩＲ３におけるパターンの像は、第３投影領域ＰＡ３に投影され、第５照明領域ＩＲ５におけるパターンの像は、第５投影領域ＰＡ５に投影される。本実施形態において、第１投影領域ＰＡ１、第３投影領域ＰＡ３及び第５投影領域ＰＡ５は、Ｙ軸方向に一列に並ぶように配置される。
【００６２】
また、第２照明領域ＩＲ２におけるパターンの像は、第２投影領域ＰＡ２に投影される。本実施形態において、第２投影領域ＰＡ２は、Ｙ軸方向から見て、中心面Ｐ３に関して第１投影領域ＰＡ１と対称的に配置される。また、第４照明領域ＩＲ４におけるパターンの像は、第４投影領域ＰＡ４に投影され、第６照明領域ＩＲ６におけるパターンの像は、第６投影領域ＰＡ６に投影される。本実施形態において、第２投影領域ＰＡ２、第４投影領域ＰＡ４及び第６投影領域ＰＡ６は、Ｙ軸方向に一列に並ぶように配置される。
【００６３】
第１から第６投影領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれは、第２面Ｐ２の周方向に沿って見た場合に、第２中心軸ＡＸ２に平行な方向において隣り合う投影領域（奇数番目と偶数番目)同士の端部（台形の三角部分）が重なるように配置されている。そのため、例えば、第２ドラム部材２２の回転によって第１投影領域ＰＡ１を通過する基板Ｐ上の第３領域Ａ５は、第２ドラム部材２２の回転によって第２投影領域ＰＡ２を通過する基板Ｐ上の第４領域Ａ６と一部重複する。第１投影領域ＰＡ１と第２投影領域ＰＡ２は、第３領域Ａ５と第４領域Ａ６が重複する領域での露光量が、重複しない領域の露光量と実質的に同じになるように、それぞれの形状等が設定されている。そして、第１〜第６投影領域ＰＡ１〜ＰＡ６は、基板Ｐ上に露光される露光領域Ａ７のＹ方向の全幅をカバーするように、配置されている。
【００６４】
次に、本実施形態の投影光学系ＰＬの詳細構成について図４を参照して説明する。なお、本実施形態において、第２投影モジュールＰＬ２〜第５投影モジュールＰＬ５のそれぞれは、第１投影モジュールＰＬ１と同様の構成である。このため、投影光学系ＰＬを代表して、第１投影モジュールＰＬ１の構成について説明し、第２投影モジュールＰＬ２〜第５投影モジュールＰＬ５のそれぞれの説明は省略する。
【００６５】
図４に示す第１投影モジュールＰＬ１は、第１照明領域ＩＲ１に配置された円筒マスクＤＭのパターンの像を中間像面Ｐ７に結像する第１光学系４１と、第１光学系４１が形成した中間像の少なくとも一部を基板Ｐの第１投影領域ＰＡ１に再結像する第２光学系４２と、中間像が形成される中間像面Ｐ７に配置された第１視野絞り４３とを備える。
【００６６】
また、第１投影モジュールＰＬ１は、フォーカス補正光学部材４４、像シフト補正光学部材４５、ローテーション補正機構４６及び倍率補正用光学部材４７を備えている。フォーカス補正光学部材４４は、基板Ｐ上に形成されるマスクのパターン像（以下、投影像という）のフォーカス状態を微調整するフォーカス調整装置である。また、像シフト補正光学部材４５は、投影像を像面内で微少に横シフトさせるシフト調整装置である。倍率補正用光学部材４７は、投影像の倍率を微少補正する倍率調整装置である。ローテーション補正機構４６は、投影像を像面内で微少回転させるシフト調整装置である。
【００６７】
円筒マスクＤＭのパターンからの結像光束ＥＬ２は、第１照明領域ＩＲ１から法線方向（Ｄ１）に出射し、フォーカス補正光学部材４４を通って像シフト補正光学部材４５に入射する。像シフト補正光学部材４５を透過した結像光束ＥＬ２は、第１光学系４１の要素である第１偏向部材５０の第１反射面（平面鏡）ｐ４で反射され、第１レンズ群５１を通って第１凹面鏡５２（反射面ｐ６）で反射され、再び第１レンズ群５１を通って第１偏向部材５０の第２反射面（平面鏡）ｐ５で反射されて、第１視野絞り４３に入射する。第１視野絞り４３を通った結像光束ＥＬ２は、第２光学系４２の要素である第２偏向部材５７の第３反射面（平面鏡）ｐ８で反射され、第２レンズ群５８を通って第２凹面鏡５９で反射され、再び第２レンズ群５８を通って第２偏向部材５７の第４反射面（平面鏡）ｐ９で反射されて、倍率補正用光学部材４７に入射する。倍率補正用光学部材４７から出射した結像光束ＥＬ２は、基板Ｐ上の第１投影領域ＰＡ１に入射し、第１照明領域ＩＲ１内に現れるパターンの像が第１投影領域ＰＡ１に等倍（×１）で投影される。
【００６８】
図２に示す円筒マスクＤＭの半径を半径ｒ１とし、第２ドラム部材２２に巻き付いた基板Ｐの円筒状の表面の半径を半径ｒ２として、半径ｒ１と半径ｒ２とを等しくした場合、各投影モジュールＰＬ１〜ＰＬ６のマスク側における結像光束ＥＬ２の主光線は、円筒マスクＤＭの中心軸線ＡＸ１を通るように傾けられるが、その傾き角は、基板Ｐ側における結像光束ＥＬ２の主光線の傾き角θ（中心面Ｐ３に対して±θ）と同じになる。
【００６９】
第２偏向部材５７の第３反射面ｐ８が第２光軸ＡＸ４となす角度θ３は、第１偏向部材５０の第２反射面ｐ５が第１光軸ＡＸ３となす角度θ２と実質的に同じである。また、第２偏向部材５７の第４反射面ｐ９が第２光軸ＡＸ４となす角度θ４は、第１偏向部材５０の第１反射面ｐ４が第１光軸ＡＸ３となす角度θ１と実質的に同じである。上述した傾き角θを与えるため、図４に示した第１偏向部材５０の第１反射面ｐ４の第１光軸ＡＸ３に対する角度θ１を４５°よりもΔθ１だけ小さくし、第２偏向部材５７の第４反射面ｐ９の第２光軸ＡＸ４に対する角度θ４を４５°よりもΔθ４だけ小さくする。Δθ１とΔθ４は、図２中に示した角度θに対して、Δθ１＝Δθ４＝θ／２の関係に設定される。
【００７０】
図５は、図２の処理装置（露光装置）に適用される回転ドラムの斜視図である。図６は、図２の処理装置（露光装置）に適用される検出プローブと読み取り装置との関係を説明するための斜視図である。図７は、第１実施形態に係るスケール円盤ＳＤを回転中心線ＡＸ２方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。なお、図５においては、便宜上、第２から第４投影領域ＰＡ２〜ＰＡ４のみを図示し、第１、第５、第６投影領域ＰＡ１、ＰＡ５、ＰＡ６の図示を省略している。
【００７１】
図２に示す第２検出器３５は、第２ドラム部材２２の回転位置を光学的に検出するものであって、高真円度のスケール円盤（スケール部材）ＳＤと、読み取り装置であるエンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５を含む。
【００７２】
スケール円盤ＳＤは、第２ドラム部材２２の回転軸ＳＴと直交する第２ドラム部材２２の端部に固定されている。このため、スケール円盤ＳＤは、回転中心線ＡＸ２回りに回転軸ＳＴと共に一体的に回転する。スケール円盤ＳＤの外周面には、スケール部ＧＰとして例えば目盛（格子）が刻設されている。スケール部ＧＰは、第２ドラム部材２２が回転する周方向に沿って環状に配列され、かつ第２ドラム部材２２とともに回転軸ＳＴ（第２中心軸ＡＸ２）の周囲を回転する。エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５は、回転軸ＳＴ（第２中心軸ＡＸ２）からみてスケール部ＧＰの周囲に配置されている。エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５は、スケール部ＧＰと対向配置され、スケール部ＧＰを非接触で読み取ることができる。また、エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５は、第２ドラム部材２２の周方向の異なる位置に配置されている。
【００７３】
エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５は、スケール部ＧＰの接線方向（ＸＺ面内）の変位の変動に対して計測感度（検出感度）を有する読み取り装置である。図５に示すように、エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５の設置方位（回転中心線ＡＸ２を中心としたＸＺ面内での角度方向）を設置方位線Ｌｅ１、Ｌｅ２、Ｌｅ３、Ｌｅ４、Ｌｅ５で表す場合、図７に示すように、設置方位線Ｌｅ１、Ｌｅ２が、中心面Ｐ３に対して角度±θ°になるように、エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２が配置される。なお、本実施形態では、例えば角度θは１５°である。
【００７４】
図４に示す投影モジュールＰＬ１〜ＰＬ６は、基板Ｐを被処理物体とし、基板Ｐに光を照射する照射処理を施す露光装置ＥＸの処理部である。露光装置ＥＸは、基板Ｐに対して２つの結像光束ＥＬ２の主光線が基板Ｐに入射する。投影モジュールＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５が第１処理部となり、投影モジュールＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６が第２処理部となり、基板Ｐに対して２つの結像光束ＥＬ２の主光線が基板Ｐに入射するそれぞれの位置が基板Ｐに光を照射する照射処理を施す特定位置となる。特定位置は、第２ドラム部材２２の第２中心軸ＡＸ２からみて、第２ドラム部材２２上の曲面の基板Ｐにおける、中心面Ｐ３を挟んで周方向で角度±θの位置である。エンコーダヘッドＥＮ１の設置方位線Ｌｅ１は、奇数番目の投影モジュールＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５の各投影領域（投影視野）ＰＡ１、ＰＡ３、ＰＡ５の中心点を通る主光線の中心面Ｐ３に対する傾き角θと一致し、ヘッドＥＮ２の設置方位線Ｌｅ２は、偶数番目の投影モジュールＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６の各投影領域（投影視野）ＰＡ２、ＰＡ４、ＰＡ６の中心点を通る主光線の中心面Ｐ３に対する傾き角θと一致している。このため、エンコーダヘッドＥＮ１は、第１特定位置ＰＸ１と第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ方向に位置するスケール部ＧＰを読み取る読み取り装置となる。そして、エンコーダヘッドＥＮ２は、第２特定位置ＰＸ２と第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ方向に位置するスケール部ＧＰを読み取る読み取り装置となる。
【００７５】
エンコーダヘッドＥＮ４は、基板Ｐの搬送方向の後方側、つまり露光位置（投影領域）の手前に配置されており、基板Ｐの搬送方向の後方側に向かってエンコーダヘッドＥＮ１の設置方位線Ｌｅ１を回転中心線ＡＸ２の軸回りに回転した設置方位線Ｌｅ４上に設定される。また、エンコーダヘッドＥＮ５は、基板Ｐの搬送方向の後方側に向かってエンコーダヘッドＥＮ１の設置方位線Ｌｅ１を回転中心線ＡＸ２の軸回りに回転した設置方位線Ｌｅ５上に設定される。
【００７６】
また、エンコーダヘッドＥＮ３は、エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２に対して、回転中心線ＡＸ２を挟んだ反対側に配置され、その設置方位線Ｌｅ３は中心面Ｐ３上に設定されている。
【００７７】
スケール部材であるスケール円盤ＳＤは、低熱膨張の金属、ガラス、セラミックス等を母材とし、計測分解能を高めるために、なるべく大きな直径（例えば直径２０ｃｍ以上）になるように作られる。図５では、第２ドラム部材２２の直径に対してスケール円盤ＳＤの直径は小さく図示されているが、第２ドラム部材２２の外周面のうち、基板Ｐが巻き付けられる外周面の直径と、スケール円盤ＳＤのスケール部ＧＰの直径とを揃える（ほぼ一致させる）ことで、所謂、計測アッベ誤差をさらに小さくすることができる。
【００７８】
スケール部ＧＰの周方向に刻設される目盛（格子）の最小ピッチは、スケール円盤ＳＤを加工する目盛刻線装置等の性能によって制限されている。このため、スケール円盤ＳＤの直径を大きくすれば、それに応じて最小ピッチに対応した角度計測分解能も高めることが出来る。
【００７９】
スケール部ＧＰを読み取るエンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２が配置される設置方位線Ｌｅ１、Ｌｅ２の方向を、回転中心線ＡＸ２からみたときに、基板Ｐに対して結像光束ＥＬ２の主光線が基板Ｐに入射する方向と同一にすることにより、例えば、回転軸ＳＴを支持する軸受（ベアリング）の僅かなガタ（２μｍ〜３μｍ程度）によって第２ドラム部材２２がＸ方向にシフトした場合でも、このシフトによって投影領域ＰＡ１〜ＰＡ６内で発生し得る基板Ｐの搬送方向（Ｘｓ）に関する位置誤差を、エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２によって高精度に計測することが可能となる。
【００８０】
図６に示すように、第２ドラム部材２２の曲面に支持される基板Ｐの一部分に、図２に示す投影光学系ＰＬにより投影されたマスクパターンの一部分の像と基板Ｐとを相対的に位置合せ（アライメント）するために、基板Ｐに予め形成されたアライメントマーク等を検出するアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２が設けられている。アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２は、基板Ｐ上に離散又は連続して形成された特定パターンを検出するための検出プローブと、この検出プローブによる検出領域が、上述した特定位置よりも基板Ｐの搬送方向の後方側に設定されるように、第２ドラム部材２２の周囲に配置されるパターン検出装置である。
【００８１】
図６に示すように、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２は、Ｙ軸方向（基板Ｐの幅方向）に一列に並んだ複数（例えば４つ）の検出プローブを有している。アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２は、第２ドラム部材２２のＹ軸方向の両側端の検出プローブで、基板Ｐの両端付近に形成されたアライメントマークを常時観察または検出することができる。そして、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２は、第２ドラム部材２２のＹ軸方向（基板Ｐの幅方向）の両側端以外の検出プローブで、例えば、基板Ｐ上に長尺方向に沿って複数形成される表示パネルのパターン形成領域の間の余白部等に形成されるアライメントマークを観察または検出することができる。
【００８２】
図６及び図７に示すように、ＸＺ面内かつ回転中心線ＡＸ２からみたときに、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１による基板Ｐの観察方向ＡＭ１（第２中心軸ＡＸ２に向かう）の検出中心と同一方向となるように、スケール部ＧＰの径方向に設定される設置方位線Ｌｅ４上に、エンコーダヘッドＥＮ４が配置されている。また、ＸＺ面内かつ回転中心線ＡＸ２からみたときに、アライメント顕微鏡ＡＭＧ２による基板Ｐの観察方向ＡＭ２（回転中心線ＡＸ２に向かう）の検出中心と同一方向となるように、スケール部ＧＰの径方向に設定される設置方位線Ｌｅ５上に、エンコーダヘッドＥＮ５が配置されている。このように、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２の検出プローブが第２中心軸ＡＸ２からみて第２ドラム部材２２の周囲に配置され、エンコーダヘッドＥＮ４、ＥＮ５が配置された位置と第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ方向（設置方位線Ｌｅ４、Ｌｅ５）が、第２中心軸ＡＸ２とアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２の検出領域とを結ぶ方向と一致するよう配置されている。なお、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２及びエンコーダヘッドＥＮ４、ＥＮ５が配置される回転中心線ＡＸ２周り方向の位置は、基板Ｐが第２ドラム部材２２に接触し始める進入位置ＩＡと、第２ドラム部材２２から基板Ｐが外れる離脱位置ＯＡとの間に設定される。そして、図２に示す特定位置ＰＸは、図７に示す第２中心軸ＡＸ２からみた中心面Ｐ３の延長線上にあり、特定位置ＰＸを第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が配置されている位置に第２中心軸ＡＸ２の軸回りに回転した角度βとほぼ同じ角度だけ、第２中心軸ＡＸ２からみて特定位置ＰＸよりも離脱位置ＯＡ側に回転した第２ドラム部材２２の周囲の位置に、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が配置される。
【００８３】
進入位置ＩＡ及び離脱位置ＯＡは、搬送装置９が基板Ｐを搬送する搬送速度により変動する。例えば、搬送速度を増加する場合、基板Ｐが第２ドラム部材２２の外周に巻き付く距離が長くなり、進入位置ＩＡと第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ線と離脱位置ＯＡと第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ線とのなす角は大きくなる。搬送速度を低減する場合、基板Ｐが第２ドラム部材２２の外周に巻き付く距離が短くなり、進入位置ＩＡと第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ線と離脱位置ＯＡと第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ線とのなす角は小さくなる。
【００８４】
上述したアライメント顕微鏡ＡＭＧ２の観察方向ＡＭ２は、基板Ｐの搬送方向の前方側、つまり露光位置（投影領域）の後方に配置されており、基板ＰのＹ方向の端部付近に形成されたアライメントマーク（数十μｍ〜数百μｍ角内の領域に形成）を、基板Ｐが所定速度で送られている状態で、撮像素子等により高速に画像検出するものであり、顕微鏡視野（撮像範囲）でマークの像を高速にサンプリングする。そのサンプリングが行なわれた瞬間に、エンコーダヘッドＥＮ５によって逐次計測されるスケール円盤ＳＤの回転角度位置を記憶することにより、基板Ｐ上のアライメントマークのマーク位置と第２ドラム部材２２の回転角度位置との対応関係が求められる。
【００８５】
一方、上述したアライメント顕微鏡ＡＭＧ１の観察方向ＡＭ１は、基板Ｐの搬送方向の後方側、つまり露光位置（投影領域）の前方に配置されており、基板ＰのＹ方向の端部付近に形成されたアライメントマーク（数十μｍ〜数百μｍ角内の領域に形成）の像を、アライメント顕微鏡ＡＭＧ２と同様に、撮像素子等により高速にサンプリングし、そのサンプリングの瞬間に、エンコーダヘッドＥＮ４によって逐次計測されるスケール円盤ＳＤの回転角度位置を記憶することにより、基板Ｐ上のアライメントマークのマーク位置と第２ドラム部材２２の回転角度位置との対応関係が求められる。
【００８６】
アライメント顕微鏡ＡＭＧ１で検出したマークを、アライメント顕微鏡ＡＭＧ２で検出したときに、エンコーダヘッドＥＮ４によって計測されて記憶された角度位置とエンコーダヘッドＥＮ５によって計測されて記憶された角度位置との差分を、予め精密に較正されている２つのアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２の設置方位線Ｌｅ４、Ｌｅ５の開き角度と比較する。そして、前記開き角度が誤差を持っている場合は、進入位置ＩＡと離脱位置ＯＡとの間で、基板Ｐが第２ドラム部材２２上で僅かに滑っている可能性、または搬送方向（周方向）または第２中心軸ＡＸ２と平行な方向（Ｙ軸方向）に伸縮している可能性がある。
【００８７】
一般に、パターニング時の位置誤差は、基板Ｐ上に形成されるデバイスパターンの微細度や重ね合せ精度に応じて決まるが、例えば、下地のパターン層に対して１０μｍ幅の線条パターンを正確に重ね合せ露光するためには、その数分の一以下の誤差、即ち、基板Ｐ上の寸法に換算して、±２μｍ程度の位置誤差しか許されないことになる。
【００８８】
このような高精度な計測を実現するためには、各アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２によるマーク画像の計測方向（ＸＺ面内における第２ドラム部材２２の外周接線方向）と、各エンコーダヘッドＥＮ４、ＥＮ５の計測方向（ＸＺ面内でのスケール部ＧＰの外周接線方向）とを、許容角度誤差内で揃えておく必要がある。
【００８９】
以上のように、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２による基板Ｐ上のアライメントマークの計測方向（第２ドラム部材２２の円周面の接線方向）と一致するように、エンコーダヘッドＥＮ４、ＥＮ５を配置している。このため、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２による基板Ｐ（マーク）の位置検出時（画像サンプリング時）に、第２ドラム部材２２（スケール円盤ＳＤ）が、ＸＺ面内において設置方位線Ｌｅ４やＬｅ５と直交した周方向（接線方向）にシフトした場合でも、第２ドラム部材２２のシフトを加味した高精度な位置計測が可能となる。
【００９０】
第２中心軸ＡＸ２からみてスケール円盤ＳＤのスケール部ＧＰの周囲の５ヶ所に、エンコーダヘッドＥＮ１〜ＥＮ５が配置されているので、このうちの適当な２つ又は３つのエンコーダヘッドによる計測値の出力を組み合わせて演算処理することにより、スケール円盤ＳＤのスケール部ＧＰの真円度（形状歪み）、偏心誤差等を求めることも可能となる。
【００９１】
図８は、第１実施形態に係る基板の変形を説明する説明図である。露光装置ＥＸでは、第２ドラム部材２２に接触した基板Ｐに緩みがある場合、基板Ｐにしわが発生する可能性がある。このため露光装置ＥＸでは、基板Ｐの搬送時に基板に張力（テンション）がかかるようにしている。図８に示すように、基板Ｐに張力（テンション）がかかる場合、第２ドラム部材２２の曲面に進入する前に、基板ＰのＹ方向の端部が弓状に湾曲し、張力（テンション）の影響による基板Ｐの幅方向の変形Ｐｗが発生する可能性がある。図９は、アライメントマークの一例を説明図である。図８に示すアライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、第２ドラム部材２２のＹ方向の両側端の検出プローブで、搬送方向αに沿って図９に示す基板Ｐの両端付近に形成されたアライメントマークｍａを常時観察または検出することができる。図９に示すように、基板Ｐは幅方向が同一の長尺のシートであることが多い。
【００９２】
図８に示すように、基板Ｐに張力（テンション）がかかる場合、第２ドラム部材２２の曲面に進入する進入位置（接触し始める位置）ＩＡからアライメント顕微鏡ＡＭＧ１の顕微鏡視野（撮像範囲）までの所定距離ＱＬが、例えば、数ｃｍ程度であれば、基板Ｐの本来の幅ＰＰに近づくことができる。このように、進入位置ＩＡでは、基板Ｐに付与される張力（テンション）と第２ドラム部材２２の外周面の摩擦係数等により基板Ｐに変形が生じている可能性があるが、進入位置ＩＡから所定距離ＱＬ離れた位置であれば、基板Ｐと第２ドラム部材２２とが密着し、基板Ｐにかかる張力（テンション）が均等にかかり、基板Ｐの変形が安定した状態に収まることになる。
【００９３】
図１０は、基板の変形によるアライメントマークの変化の一例を模式的に説明する説明図である。図１１は、投影像とアライメントマークとの位置ずれを模式的に説明する説明図である。図１２は、第１実施形態に係る処理装置（露光装置）の処理を補正する手順の一例を示すフローチャートである。図１０に示すように、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、第１検出プローブとして、検出方向ＡＭ１にある顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１の範囲内でアライメントマークｍａを検出する。同様に、アライメント顕微鏡ＡＭＧ２は、第２検出プローブとして、検出方向ＡＭ２にある顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ２の範囲内でアライメントマークｍａを検出する。このようにアライメント顕微鏡ＡＭＧ１及びアライメント顕微鏡ＡＭＧ２は、図１０に示す基板Ｐ上の特定パターンであるアライメントマークｍａを検出する（ステップＳ１１）。アライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、アライメントマークｍａの撮像を制御装置１４に出力し、制御装置１４及びアライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、第１パターン検出装置として、アライメントマークｍａを撮像データとして制御装置１４の記憶部に記憶する。アライメント顕微鏡ＡＭＧ２は、アライメントマークｍａの撮像を制御装置１４に出力し、制御装置１４及びアライメント顕微鏡ＡＭＧ２は、第２パターン検出装置として、アライメントマークｍａを撮像データとして制御装置１４の記憶部に記憶する。
【００９４】
次に、エンコーダヘッドＥＮ４の位置情報に紐付けて記憶部に記憶した、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、エンコーダヘッドＥＮ５の位置情報から顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ２で検出したアライメントマークｍａとして検出し、撮像データ同士を比較する。例えば、制御装置１４は、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１のアライメントマークｍａの撮像データから、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）のアライメントマークｍａの間隔ＷＹ１を演算する。そして、演算装置１４は、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、エンコーダヘッドＥＮ５の位置情報から顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ２で検出し、撮像データから、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）のアライメントマークｍａの間隔ＷＹ２を演算する。間隔ＷＹ２と間隔ＷＹ１との差が記憶部に予め記憶した許容値以内であり、基板Ｐの変形によるアライメントマークｍａの撮像データに変化がない場合（ステップＳ１２、Ｎｏ）、制御装置１４は、ステップＳ１１の処理を実行する。間隔ＷＹ２と間隔ＷＹ１との差が記憶部に予め記憶した許容値を超えており、基板Ｐの変形によるアライメントマークｍａの撮像データに変化がある場合（ステップＳ１２、Ｙｅｓ）、制御装置１４は、ステップＳ１３に処理を進める。
【００９５】
あるいは、エンコーダヘッドＥＮ４の位置情報に紐付けて記憶部に記憶した、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、エンコーダヘッドＥＮ５の位置情報から顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ２で検出したアライメントマークｍａとして検出し、撮像データ同士を比較する。ここで、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、露光された投影像ｍａｓを検出できる。その為に、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、例えば位相差顕微鏡または偏光顕微鏡とされる。位相差顕微鏡または偏光顕微鏡は、例えばレジスト材料が光を受けて材料の屈折率を変化させる場合、屈折率の変化をコントラストの差として検出し、現像前に露光状態を潜像として検出できる。この場合、図１１に示す、アライメントマークｍａｍと同じ形状の投影像を露光した場合、潜像形状の投影像ｍａｓもアライメントマークｍａｍと相似の形状となる。この潜像形状の投影像ｍａｓとアライメントマークｍａとの撮像データに変化がない場合（ステップＳ１２、Ｎｏ）、制御装置１４は、ステップＳ１１の処理を実行する。図１１に示す、投影像ｍａｓとアライメントマークｍａとの撮像データに変化Δｍｓがある場合（ステップＳ１２、Ｙｅｓ）、制御装置１４は、ステップＳ１３に処理を進めるようにしてもよい。
【００９６】
次に、露光装置ＥＸは、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３の位置を調整し、第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた第２中心軸ＡＸ２と平行な軸方向の基板Ｐの変形量と、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた前記軸方向の基板Ｐの変形量と、が一致するように進入位置ＩＡ及び離脱位置ＯＡを第２ドラム部材２２の周囲に設定し、基板Ｐを案内する。露光装置ＥＸは、図１に示すＥＰＣ、搬送装置９の搬送する搬送方向を調整してもよい。
【００９７】
図２に示す特定位置ＰＸを第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が配置されている位置に第２中心軸ＡＸ２の軸回りに回転した角度とほぼ同じ角度だけ、第２中心軸ＡＸ２からみて特定位置ＰＸよりも離脱位置ＯＡ側に回転した前記基板支持部材の周囲の位置に、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が配置されているので、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた第２中心軸ＡＸ２と平行な軸方向の基板Ｐの変形量と、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた前記軸方向の基板Ｐの変形量とが一致すれば、第２ドラム部材２２に巻き付いている基板Ｐは安定しているものと推定できる。このため、露光装置ＥＸは、第１特定位置ＰＸ１、特定位置ＰＸまたは第２特定位置ＰＸ２において、露光光を照射する処理を精密に行うことができる。
【００９８】
露光装置ＥＸは、演算装置１４が顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、エンコーダヘッドＥＮ５の位置情報から顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ２で検出し、撮像データから、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量を演算できる。上述した像シフト調整装置は、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量に応じて、投影像の位置をシフトする、投影像の補正を行う（ステップＳ１３）。または、露光装置ＥＸは、上述した倍率調整装置が、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量に応じて、投影像の倍率を補正する、投影像の補正を行ってもよい。あるいは、露光装置ＥＸは、上述した倍率調整装置及び像シフト調整装置が、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量に応じて、投影像のシフト及び倍率を補正する、投影像の補正を行ってもよい。
【００９９】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る処理装置の第２実施形態について、図１３、図１４及び図１５を参照して説明する。図１３は、第２実施形態に係る処理装置（露光装置）のアライメントマークの検出手順の一例を示すフローチャートである。図１４は、アライメントマークの検出位置の一例を示す説明図である。図１５は、アライメントマークの検出位置の他の例を示す説明図である。この図において、第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。露光装置ＥＸは、露光を精度よく実行するために、上述した基板Ｐ上のアライメントマークｍａをできるだけ多く検出し、多くの検出データを用いて投影像の補正を行うことが望ましい。しかしながら、演算装置１４には、多くの検出データを用いて演算する演算負荷がかかることになる。上述したように、例えば、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１で検出した基板Ｐのアライメントマークｍａが、搬送されて、図２に示す第１特定位置ＰＸ１に達するまでに、制御装置１４は、投影像のシフト及び倍率の少なくとも１つを補正する、投影像の補正のための補正データを演算し終わり、像シフト調整装置及び倍率調整装置の少なくとも１つを制御する必要がある。このため、搬送装置９は、基板Ｐを搬送できる搬送速度を増加させると、制御装置１４は、投影像のシフト及び倍率の少なくとも１つを補正するための補正データを演算し終わらない可能性がある。そこで、搬送装置９による基板Ｐの搬送速度を低下させる（同時に円筒マスクＤＭの回転速度も低下させる）場合、露光装置ＥＸのスループットまたはデバイス製造システム１のスループットが低下する可能性がある。
【０１００】
図１３に示すように、制御装置１４は、上述した処理部の基板Ｐに光を照射する照射処理を停止した状態とする（ステップＳ２１）。次に、搬送装置９は、処理部が処理を停止した状態で基板Ｐを移動させ、バッファー部ＤＬへ搬送する（ステップＳ２２）。搬送装置９は、搬送速度を低速とし、第１パターン検出装置または第２パターン検出装置に多くのアライメントマークｍａを検出可能にさせる時間を与える。次に、上述した少なくとも第１パターン検出装置が特定パターンであるアライメントマークｍａを検出する。または、処理部にアライメントマークｍａのみへの露光を行わせ第２パターン検出装置がアライメントマークｍａへの露光のずれを検出してもよい。そして、制御装置１４は、特定パターンであるアライメントマークｍａを撮像データとして制御装置１４の記憶部に記憶する（ステップＳ２３）。このとき、制御装置１４は、後述する一部のアライメントマークｍａを取り込む場合に、取り込まなかったアライメントマークｍａを補完する補正データを演算し、記憶部に保存しておく。
【０１０１】
次に、搬送装置９は、バッファー部ＤＬからバックバッファー部ＢＤＬへ、処理部が処理を停止した状態で基板Ｐを移動させ、基板Ｐを逆移動させる（ステップＳ２４）。搬送装置９は、上述したステップＳ２２開始の位置である初期位置に基板が戻らない場合（ステップＳ２５、Ｎｏ）、初期位置へ基板を逆移動させる処理（ステップＳ２４）を継続する。搬送装置９は、基板Ｐが初期位置に戻った場合（ステップＳ２５、Ｙｅｓ）、基板Ｐを処理装置Ｕ４へ向けて供給するように基板Ｐを移動する（ステップＳ２６）。
【０１０２】
上述した第１パターン検出装置及び第２パターン検出装置は、搬送装置９が移動させた基板Ｐのアライメントマークｍａの一部を検出する（ステップＳ２７）。制御装置１４は、上述した処理部の基板Ｐに光を照射する照射処理を開始する（ステップＳ２８）。例えば、図１４に示すように、検出したアライメントマークｍａをｍａ１、検出していないアライメントマークｍａをｍａ２とする場合、検出したアライメントマークｍａ１は、検出していないアライメントマークｍａ２を挟み、１つ飛ばしでアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２が検出している。
【０１０３】
検出していないアライメントマークｍａ２は、所定個数であればよく、例えば図１５に示すように、搬送方向αに４つ並んでもよい。これにより、第１パターン検出装置及び第２パターン検出装置は、アライメントマークｍａの一部のみを取り込むのでデータ処理の負荷を間引くことができ、制御装置１４の演算負荷を抑制することができる。制御装置１４は、上述した補正データを用いて、処理部に処理をさせる。このため、搬送装置９が搬送速度を増加しても、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１で検出した基板Ｐのアライメントマークｍａが、搬送されて、図２に示す第１特定位置ＰＸ１に達するまでに、制御装置１４は、投影像のシフト及び倍率の少なくとも１つを補正する、投影像の補正のための補正データを演算し終わることができる。制御装置１４が上述した投影像の補正の演算をする時間を短縮し、処理することができる。その結果、基板搬送装置９は、基板Ｐの搬送速度を増加させ、露光装置ＥＸは、スループットを向上させることができる。
【０１０４】
または、第１パターン検出装置及び第２パターン検出装置は、搬送装置９が移動させた基板Ｐのアライメントマークｍａの全部を検出する。制御装置１４が、アライメントマークｍａを認識する画像処理をする場合、演算負荷がかかる。そこで、例えば、制御装置１４が、図１４に示すように、制御装置１４が処理したアライメントマークｍａの検出データをｍａ１、制御装置１４が画像処理していないアライメントマークｍａをｍａ２とする場合、制御装置１４が画像処理したアライメントマークｍａ１は、制御装置１４が画像処理していないアライメントマークｍａ２を挟み、１つ飛ばしでアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２が検出している。制御装置１４が画像処理していないアライメントマークｍａ２は、所定個数であればよく、例えば図１５に示すように、搬送方向αに４つ並んでもよい。これにより、第１パターン検出装置及び第２パターン検出装置は、アライメントマークｍａを検出するが、画像処理して取り込むデータ処理を間引く。その結果、露光装置ＥＸは、制御装置１４の負荷を抑制することができる。このため、搬送装置９が搬送速度を増加しても、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１で検出した基板Ｐのアライメントマークｍａが、搬送されて、図２に示す第１特定位置ＰＸ１に達するまでに、制御装置１４は、投影像のシフト及び倍率の少なくとも１つを補正する、投影像の補正のための補正データを演算し終わることができる。制御装置１４が上述した投影像の補正の演算をする時間を短縮し、処理することができる。その結果、搬送装置９は、基板Ｐの搬送速度を増加させ、露光装置ＥＸは、スループットを向上させることができる。
【０１０５】
なお、図１３中のステップＳ２５、Ｓ２６では、基板Ｐを所定の搬送速度まで加速させる必要があり、その為の助走距離も含めて初期位置とする必要がある。また、基板Ｐの順方向（＋α方向）への搬送中にアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、又はＡＭＧ２によって検出すべきアライメントマークｍａを、例えば図１４のように１つおきのアライメントマークｍａ１とし、ステップＳ２４で基板Ｐが逆方向（−α方向）に搬送される間は、未検出であったアライメントマークｍａ２を順次検出するようにしても良い。その場合、基板Ｐの順方向（＋α方向）搬送中に、少なくとも１つのアライメントマークｍａ２を先に検出すること、或いは、基板Ｐの逆方向（−α方向）搬送中に、少なくとも１つのアライメントマークｍａ１をダブって検出することによって、基板Ｐの搬送を順方向から逆方向へ切り替えた際に生じうる基板Ｐと第２ドラム部材２２との間のすべり誤差等の影響を補正することができる。
【０１０６】
（第３実施形態）
次に、本発明に係る処理装置の第３実施形態について、図１６から図１９を参照して説明する。図１６は、第３実施形態に係る処理装置（露光装置）に適用される回転ドラムの斜視図である。図１７は、第３実施形態に係るスケール円盤ＳＤを回転中心線ＡＸ２方向にみた、読み取り装置の位置を説明するための説明図である。図１８は、基板の変形によるアライメントマークの変化の一例を模式的に説明する説明図である。図１９は、第３実施形態に係る処理装置（露光装置）の処理を補正する手順の一例を示すフローチャートである。この図において、第１実施形態及び第２実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１０７】
第１実施形と同様に、本実施形態でも露光装置ＥＸは、第２ドラム部材２２の曲面に支持される基板Ｐの一部分に、図２に示す投影光学系ＰＬにより投影されたマスクパターンの一部分の像と基板Ｐとを相対的に位置合せ（アライメント）するために、基板Ｐに予め形成されたアライメントマークｍａを検出するアライメント顕微鏡ＡＭＧ１、ＡＭＧ２が設けられている。第３実施形態の露光装置ＥＸは、後述するアライメント顕微鏡ＡＭＧ３、ＡＭＧ４をさらに備えている。
【０１０８】
第１実施形と同様に、制御装置１４は、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３の位置を調整し、第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた第２中心軸ＡＸ２と平行な軸方向の基板Ｐの変形量と、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた前記軸方向の基板Ｐの変形量とが一致するように進入位置ＩＡ及び離脱位置ＯＡを第２ドラム部材２２の周囲に設定し、基板Ｐを案内する。
【０１０９】
図１６に示すように、アライメント顕微鏡ＡＭＧ３は、第２ドラム部材２２の曲面に支持される基板Ｐの一部分に、図２に示す投影光学系ＰＬにより投影されたマスクパターンの一部分の像と基板Ｐとを相対的に位置合せ（アライメント）するために、基板Ｐに予め形成されたアライメントマークｍａを検出するアライメント顕微鏡ＡＭＧ１と同様のアライメント顕微鏡である。アライメント顕微鏡ＡＭＧ３は、Ｙ軸方向（基板Ｐの幅方向）に一列に並んだ複数（例えば４つ）の検出プローブを有している。アライメント顕微鏡ＡＭＧ３は、第２ドラム部材２２のＹ軸方向の両側端の検出プローブで、基板Ｐの両端付近に形成されたアライメントマークｍａを常時観察または検出することができる。
【０１１０】
エンコーダヘッドＥＮ６は、基板Ｐの搬送方向の後方側、つまり露光位置（投影領域）の手前に配置されており、基板Ｐの搬送方向の後方側に向かってエンコーダヘッドＥＮ４の設置方位線Ｌｅ４を回転中心線ＡＸ２の軸回りに回転した設置方位線Ｌｅ６上に設定される。また、ＸＺ面内かつ回転中心線ＡＸ２からみたときに、アライメント顕微鏡ＡＭＧ３による基板Ｐの観察方向ＡＭ３（回転中心線ＡＸ２に向かう）の検出中心と同一方向となるように、スケール部ＧＰの径方向に設定される設置方位線Ｌｅ６上に、エンコーダヘッドＥＮ６が配置されている。
【０１１１】
図１７に示すように、アライメント顕微鏡ＡＭＧ３の検出プローブが第２中心軸ＡＸ２からみて第２ドラム部材２２の周囲に配置され、エンコーダヘッドＥＮ６が配置された位置と第２中心軸ＡＸ２とを結ぶ方向（設置方位線Ｌｅ６）が、第２中心軸ＡＸ２とアライメント顕微鏡ＡＭＧ３の検出領域とを結ぶ方向と一致するよう配置されている。このため、ＸＺ面内かつ回転中心線ＡＸ２からみたときに、アライメント顕微鏡ＡＭ３は、図２に示す進入位置ＩＡとアライメント顕微鏡ＡＭＧ１との間、かつ第２ドラム部材２２の周囲に配置されている。
【０１１２】
図２に示す第１特定位置ＰＸ１は、図１７に示す第２中心軸ＡＸ２からみた設置方位線Ｌｅ１（結像光束ＥＬ２の主光線の方位線）の延長線上にあり、第１特定位置ＰＸ１を第３検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ３が配置されている位置に第２中心軸ＡＸ２の軸回りに回転した角度γ１とほぼ同じ角度だけ、第２中心軸ＡＸ２からみて第１特定位置ＰＸ１よりも離脱位置ＯＡ側に回転した第２ドラム部材２２の周囲の位置に、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が配置される。制御装置１４は、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３の位置を調整し、第３検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ３が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた第２中心軸ＡＸ２と平行な軸方向の基板Ｐの変形量と、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた前記軸方向の基板Ｐの変形量とが一致するように進入位置ＩＡ及び離脱位置ＯＡを第２ドラム部材２２の周囲に設定し、基板Ｐを案内してもよい。
【０１１３】
図１６に示すエンコーダヘッドＥＮ７は、基板Ｐの搬送方向の前方側、つまり露光位置（投影領域）の後方に配置されており、基板Ｐの搬送方向の前方側に向かってエンコーダヘッドＥＮ５の設置方位線Ｌｅ５を回転中心線ＡＸ２の軸回りに回転した設置方位線Ｌｅ７上に設定される。また、露光装置ＥＸは、上述したアライメント顕微鏡ＡＭＧ３と同じ構成のアライメント顕微鏡ＡＭＧ４（不図示）を備えている。図１７に示すように、ＸＺ面内かつ回転中心線ＡＸ２からみたときに、アライメント顕微鏡ＡＭＧ４による基板Ｐの観察方向ＡＭ４（回転中心線ＡＸ２に向かう）の検出中心と同一方向となるように、スケール部ＧＰの径方向に設定される設置方位線Ｌｅ７上に、エンコーダヘッドＥＮ７が配置されている。
【０１１４】
図２に示す第２特定位置ＰＸ２は、図１７に示す第２中心軸ＡＸ２からみた設置方位線Ｌｅ２（結像光束ＥＬ２の主光線の方位線）の延長線上にあり、第２特定位置ＰＸ２を第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が配置されている位置に第２中心軸ＡＸ２の軸回りに回転した角度γ２とほぼ同じ角度だけ、第２中心軸ＡＸ２からみて第２特定位置ＰＸ２よりも離脱位置ＯＡ側に回転した第２ドラム部材２２の周囲の位置に、第４検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ４が配置される。制御装置１４は、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３の位置を調整し、第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた第２中心軸ＡＸ２と平行な軸方向の基板Ｐの変形量と、第４検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ４が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた前記軸方向の基板Ｐの変形量とが一致するように進入位置ＩＡ及び離脱位置ＯＡを第２ドラム部材２２の周囲に設定し、基板Ｐを案内してもよい。
【０１１５】
例えば、アライメント顕微鏡ＡＭＧ３は、アライメントマークｍａの撮像を制御装置１４に出力し、制御装置１４及びアライメント顕微鏡ＡＭＧ３は、第３パターン検出装置として、アライメントマークｍａを撮像データとして制御装置１４の記憶部に記憶する。アライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、アライメントマークｍａの撮像を制御装置１４に出力し、制御装置１４及びアライメント顕微鏡ＡＭＧ１は、第１パターン検出装置として、アライメントマークｍａを撮像データとして制御装置１４の記憶部に記憶する。このため、図１７に示す、第２ドラム部材２２の曲面に進入する進入位置ＩＡからアライメント顕微鏡ＡＭＧ１の顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１までの距離を所定距離ＱＬ１とし、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１からアライメント顕微鏡ＡＭＧ３の顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ３までの距離を所定距離ＱＬ２とした場合、進入位置ＩＡからアライメント顕微鏡ＡＭＧ１の顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１までの所定距離ＱＬ＝ＱＬ１＋ＱＬ２となる。そして、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１及びアライメント顕微鏡ＡＭＧ３は、図１７に示す基板Ｐ上の特定パターンであるアライメントマークｍａを検出する（図１９のステップＳ３１）。
【０１１６】
次に、記憶部に記憶した、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ３のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１で検出したアライメントマークｍａと比較し撮像データ同士を比較する。例えば、制御装置１４は、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ３のアライメントマークｍａの撮像データから、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）のアライメントマークｍａの間隔ＷＹ３を演算する。なお、記憶部に記憶した、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ４のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ２で検出したアライメントマークｍａと比較し撮像データ同士を比較する。例えば、制御装置１４は、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ４のアライメントマークｍａの撮像データから、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）のアライメントマークｍａの間隔ＷＹ４を演算してもよい。そして、演算装置１４は、顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ３のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、エンコーダヘッドＥＮ４の位置情報から顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１で検出し、撮像データから、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）のアライメントマークｍａの間隔ＷＹ１を演算する。間隔ＷＹ３と間隔ＷＹ１との差Δｍが記憶部に予め記憶した許容値以内であり、基板Ｐの変形によるアライメントマークｍａの撮像データに変化がない場合（図１９のステップＳ３２が、Ｎｏ）、制御装置１４は、図１９のステップＳ３１の処理を繰り返し実行する。間隔ＷＹ３と間隔ＷＹ１との差Δｍが記憶部に予め記憶した許容値を超えており、基板Ｐの変形によるアライメントマークｍａの撮像データに変化がある場合（図１９のステップＳ３２が、Ｙｅｓ）、制御装置１４は、図１９のステップＳ３３に処理を進める。
【０１１７】
次に、露光装置ＥＸは、第１ガイド部材３２及び第２ガイド部材３３の位置を調整し、第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた第２中心軸ＡＸ２と平行な軸方向の基板Ｐの変形量と、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた前記軸方向の基板Ｐの変形量と、が一致するように進入位置ＩＡ及び離脱位置ＯＡを第２ドラム部材２２の周囲に設定し、基板Ｐを案内する。例えば、制御装置１４は、基板Ｐの幅方向における目標幅ＰＰとなるように、搬送装置９を制御し、基板Ｐの搬送方向の速度を遅くする。
【０１１８】
なお、基板Ｐの幅方向の寸法を微小に変える為には、基板Ｐが第２ドラム部材２２の外周面に進入（密着）する手前で、基板Ｐに幅方向の張力が付与されるようなローラ、例えば、回転軸方向について中央部の径が大きく（或いは小さく）、両端部側の径が小さい（或いは大きい）ローラ等を、例えば、図２中の回転ローラＤＲ４として設けると良い。
その他、基板Ｐの幅方向の両端部の各々を、モータ駆動するニップローラで挟み込み、そのニップローラによる基板Ｐの送り方向を、本来の送り方向（基板長尺方向）に対して斜めにすることによって、基板Ｐの幅方向の両端部に共に外側に引っ張る力を与えて、基板Ｐを拡幅する構成としても良い。
【０１１９】
図２に示す特定位置ＰＸを第１検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ１が配置されている位置に第２中心軸ＡＸ２の軸回りに回転した角度とほぼ同じ角度だけ、第２中心軸ＡＸ２からみて特定位置ＰＸよりも離脱位置ＯＡ側に回転した前記基板支持部材の周囲の位置に、第２検出プローブであるアライメント顕微鏡ＡＭＧ２が配置されているので、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた第２中心軸ＡＸ２と平行な軸方向の基板Ｐの変形量と、アライメント顕微鏡ＡＭＧ１が検出したアライメントマークｍａ（特定パターン）により求めた前記軸方向の基板Ｐの変形量とが一致すれば、第２ドラム部材２２に巻き付いている基板Ｐは安定しているものと推定できる。このため、露光装置ＥＸは、第１特定位置ＰＸ１、特定位置ＰＸまたは第２特定位置ＰＸ２において、露光光を照射する処理を精密に行うことができる。
【０１２０】
露光装置ＥＸは、演算装置１４が顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ１のアライメントマークｍａの撮像データと同じアライメントマークｍａを、エンコーダヘッドＥＮ５の位置情報から顕微鏡視野（撮像範囲）ｍａｍ２で検出し、撮像データから、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量を演算できる。上述した像シフト調整装置は、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量に応じて、投影像の位置をシフトする、投影像の補正を行う（ステップＳ１３）。または、露光装置ＥＸは、上述した倍率調整装置が、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量に応じて、投影像の倍率を補正する、投影像の補正を行ってもよい。あるいは、露光装置ＥＸは、上述した倍率調整装置及び像シフト調整装置が、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）の変形量に応じて、投影像のシフト及び倍率を補正する、投影像の補正を行ってもよい。
【０１２１】
（第４実施形態）
次に、本発明に係る処理装置の第４実施形態について、図２０を参照して説明する。図２０は、第４実施形態に係る処理装置（露光装置）の全体構成を示す模式図である。この図において、第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。露光装置ＥＸ２は、光源から円筒マスクＤＭに照明される照明光束ＥＬ１を出射する。
【０１２２】
光源装置１３の光源から出射された照明光束ＥＬ１を照明モジュールＩＬに導き、照明光学系が複数設けられている場合、光源からの照明光束ＥＬ１を複数に分離し、複数の照明光束ＥＬ１を複数の照明モジュールＩＬに導く。
【０１２３】
ここで、光源装置１３から出射された照明光束ＥＬ１は、偏光ビームスプリッタＳＰ１、ＳＰ２に入射する。偏光ビームスプリッタＳＰ１、ＳＰ２では、照明光束ＥＬ１の分離によるエネルギーロスを抑制すべく、入射された照明光束ＥＬ１が全て反射するような光束にすることが好ましい。ここで、偏光ビームスプリッタＳＰ１、ＳＰ２は、Ｓ偏光の直線偏光となる光束を反射し、Ｐ偏光の直線偏光となる光束を透過する。このため、光源装置１３は、偏光ビームスプリッタＳＰ１、ＳＰ２に入射する照明光束ＥＬ１が直線偏光（Ｓ偏光）の光束となる照明光束ＥＬ１を第１ドラム部材２１に出射する。これにより、光源装置１３は、波長及び位相が揃った照明光束ＥＬ１を出射する。
【０１２４】
偏光ビームスプリッタＳＰ１、ＳＰ２は、光源からの照明光束ＥＬ１を反射する一方で、円筒マスクＤＭで反射された結像光束（投影光束）ＥＬ２を透過している。換言すれば、照明モジュールＩＬからの照明光束ＥＬ１は、偏光ビームスプリッタＳＰ１、ＳＰ２に反射光束として入射し、円筒マスクＤＭからの結像光束ＥＬ２は、偏光ビームスプリッタＳＰ１、ＳＰ２に透過光束として入射する。
【０１２５】
このように処理部である照明モジュールＩＬは、被処理物体である円筒マスクＤＭ上の所定のパターン（マスクパターン）に照明光束ＥＬ１を反射させる処理を行う。これにより、投影光学系ＰＬは、円筒マスクＤＭ上の照明領域ＩＲにおけるパターンの像を、搬送装置９によって搬送されている基板Ｐの一部（投影領域ＰＡ）に投影することができる。露光装置ＥＸ２は、円筒マスクＤＭで反射された投影光束により、第１特定位置ＰＸ１、第２特定位置ＰＸ２における基板Ｐに露光光を照射する処理をすることができる。
【０１２６】
（第５実施形態）
次に、本発明に係る処理装置の第５実施形態について、図２１を参照して説明する。図２１は、第５実施形態に係る処理装置（露光装置）の全体構成を示す模式図である。この図において、第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。露光装置ＥＸ３は、ポリゴン走査ユニットＰＯ１、ＰＯ２を備え、ポリゴン走査ユニットＰＯが、例えば紫外線のレーザ光原から射出されたビームをＡＯＭ等の変調器でパターンデータに応じて強度変調させたビームのスポット光を基板Ｐに向けて出射しつつ、そのスポット光を回転中心軸ＡＸ２と平行なＹ方向に一次元走査するスポット走査型描画装置であっても良い。
【０１２７】
このように、図２１の露光装置ＥＸ３は、円筒マスクＤＭがなくても第１特定位置ＰＸ１、第２特定位置ＰＸ２における基板Ｐに露光光（スポット光）を照射する処理をすることができる。
【０１２８】
（第６実施形態）
次に、本発明に係る処理装置の第６実施形態について、図２２を参照して説明する。図２２は、第６実施形態に係る処理装置（露光装置）の全体構成を示す模式図である。この図において、第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１２９】
露光装置ＥＸ４は、所謂プロキシミティ露光を基板Ｐに施す処理装置である。露光装置ＥＸ４は、円筒マスクＤＭと、第２ドラム部材２２との隙間を微小に設定して、照明機構ＩＵが直接基板Ｐに照明光束ＥＬを照射し、非接触露光する。本実施形態において、第２ドラム部材２２は、電動モーター等のアクチュエータを含む第２駆動部３６から供給されるトルクによって回転する。第２駆動部３６の回転方向と逆回りとなるように、例えば磁気歯車で連結された駆動ローラＭＧＧが第１ドラム部材２１を駆動する。第２駆動部３６は、第２ドラム部材２２を回転するとともに、駆動ローラＭＧＧと第１ドラム部材２１とを連れ回し、第１ドラム部材２１（円筒マスクＤＭ）と第２ドラム部材２２とを同期移動（同期回転）させる。
【０１３０】
また、露光装置ＥＸ４は、円筒マスクＤＭまたは基板Ｐに照射される照明光束ＩＬの主光線が基板Ｐに入射する特定位置で、スケール部の位置ＰＸ６を検出するエンコーダヘッドＥＮ８を備えている。ここで、第２ドラム部材２２の外周面のうち基板Ｐが巻き付けられる外周面の直径と、スケール円盤のスケール部の直径とを揃えているので、位置ＰＸ８は、第２中心軸ＡＸ２からみて上述した特定位置と一致する。そして、エンコーダヘッドＥＮ４は、基板Ｐの搬送方向の後方側に向かってエンコーダヘッドＥＮ５の設置方位線Ｌｅ５を回転中心線ＡＸ２の軸回りに、ほぼ９０°回転した設置方位線Ｌｅ４上に設定される。
【０１３１】
本実施形態の露光装置ＥＸ４は、エンコーダヘッドＥＮ５を第１読み取り装置とし、エンコーダヘッドＥＮ４を第２読み取り装置とし、スケール部の読み取り出力から求めた、第２ドラム部材２２の軸の位置と特定位置とを結び、かつ軸に直交する方向の変位の成分を、第１読み取り装置の読み取り出力で補正した処理を施すことができる。
【０１３２】
以上説明した第１から第６実施形態は、処理装置として露光装置を例示している。処理装置としては、露光装置に限られず、処理部がインクジェットのインク滴下装置により被処理物体である基板Ｐにパターンを印刷する装置であってもよい。または処理部は、検査装置であってもよい。
【０１３３】
（評価例）
ここで、基板Ｐが円筒状の第２ドラム部材２２の外周面に一定角度で巻き付いている場合、基板Ｐが第２ドラム部材２２と密着した部分での変形の程度を、図２３に示したモデル例を用いてシミュレーションしてみる。図２３において、第２ドラム部材２２の回転中心軸ＡＸ２はＹ軸と平行とし、基板Ｐは第２ドラム部材２２の外周面の上半分のほぼ１８０°に渡って巻き付けられているものとする。
【０１３４】
シミュレーションでは、基板Ｐの一端側を固定端、他端側を荷重端とし、荷重端に−Ｚ方向の荷重（テンション）を一様に付与したときに、回転中心軸ＡＸ２の回りに回転可能な第２ドラム部材２２の外周面上で、２２．５度毎に設定した多数の点がどのように変位するかを求める。ここで、回転中心軸ＡＸ２と直交し、且つＸＺ面と平行な面内に、５本の線分ψ０、ψ−１、ψ−２、ψ＋１、ψ＋２を設定する。線分ψ０はＺ軸と平行であり、線分ψ−１は線分ψ０に対して回転中心軸ＡＸ２の回りに−２２．５°回転させたものであり、線分ψ＋１は線分ψ０に対して回転中心軸ＡＸ２の回りに＋２２．５°回転させたものである。さらに、線分ψ−２は線分ψ０に対して回転中心軸ＡＸ２の回りに−４５°回転させたものであり、線分ψ＋２は線分ψ０に対して回転中心軸ＡＸ２の回りに＋４５°回転させたものである。
【０１３５】
また、基板Ｐ上の多数の対象点は、基板Ｐの幅方向（短尺方向であってＹ軸方向）の一端側の周方向の領域ＱＡ上、他端側の周方向の領域ＱＢ上、及び中央の周方向の領域ＱＣ上の各々に対して、５本の線分ψ０、ψ−１、ψ−２、ψ＋１、ψ＋２の各々に対応した計１５ヶ所に設定される。例えば、中央の周方向の領域ＱＣ上で、線分ψ０の方向に位置する対象点は、ＱＣ（ψ０）で表わされ、一端側の周方向の領域ＱＡ上で、線分ψ＋１の方向に位置する対象点は、ＱＡ（ψ＋１）で表わされる。
また、基板Ｐの長尺方向をＭＤ方向、短尺方向をＴＤ方向とし、ＴＤ方向の正負はＹ軸の正負の方向と合わせる。
【０１３６】
この図２３のモデル例で、基板Ｐを厚さ１００μｍで３０ｃｍ幅のＰＥＴとし、固定端はＴＤ方向に一様にクランプした状態で、他端の荷重端にはＭＤ方向に一様な張力（テンション）を掛けるものとする。その張力の大きさに応じて基板ＰはＭＤ方向に伸びる。基板ＰのＭＤ方向の伸縮に関しては、第２ドラム部材２２が回転自在に支持されている為、第２ドラム部材２２の外周面と基板Ｐの裏面との摩擦係数の大きさに余り影響されずに自由に伸縮する。
【０１３７】
図２４は、摩擦係数μを０．４５とした場合に、基板Ｐの領域ＱＡ上の５つの対象点ＱＡ（ψ−２）、ＱＡ（ψ−１）、ＱＡ（ψ０）、ＱＡ（ψ＋１）、ＱＡ（ψ＋２）、領域ＱＢ上の５つの対象点ＱＢ（ψ−２）、ＱＢ（ψ−１）、ＱＢ（ψ０）、ＱＢ（ψ＋１）、ＱＢ（ψ＋２）、及び、領域ＱＣ上の５つの対象点ＱＣ（ψ−２）、ＱＣ（ψ−１）、ＱＣ（ψ０）、ＱＣ（ψ＋１）、ＱＣ（ψ＋２）の各々が、張力（Ｎ）の変化に対してＭＤ方向にどの程度変位するかをシミュレーションで求めたグラフである。
【０１３８】
また、図２５は、摩擦係数μを２００とした場合に、基板Ｐの領域ＱＡ上の５つの対象点ＱＡ（ψ−２）〜ＱＡ（ψ＋２）、領域ＱＢ上の５つの対象点ＱＢ（ψ−２）〜ＱＢ（ψ＋２）、及び、領域ＱＣ上の５つの対象点ＱＣ（ψ−２）〜ＱＣ（ψ＋２）の各々が、張力（Ｎ）の変化〔横軸〕に対してＭＤ方向にどの程度変位するか〔縦軸〕をシミュレーションで求めたグラフである。
【０１３９】
摩擦係数の大小に殆ど影響されず、各対象点は、グラフ中で斜線部で示した線形範囲内の値となった。斜線部の範囲で、最も大きい傾きを示した線形変化は、３つの領域ＱＡ、ＱＢ、ＱＣの何れにおいても、線分ψ＋２（＋４５°）の方向に位置する対象点ＱＡ（ψ＋２）、ＱＢ（ψ＋２）、ＱＣ（ψ＋２）であった。また、斜線部の範囲で、最も小さい傾きを示した線形変化は、３つの領域ＱＡ、ＱＢ、ＱＣの何れにおいても、線分ψ−２（−４５°）の方向に位置する対象点ＱＡ（ψ−２）、ＱＢ（ψ−２）、ＱＣ（ψ−２）であった。
【０１４０】
これに対して、基板ＰのＴＤ方向の伸縮は、第２ドラム部材２２の外周面と基板Ｐの裏面との摩擦係数の大きさに影響されて変化する。図２６は、摩擦係数μを０．４５とした場合に、領域ＱＡ上の５つの対象点ＱＡ（ψ−２）〜ＱＡ（ψ＋２）、領域ＱＢ上の５つの対象点ＱＢ（ψ−２）〜ＱＢ（ψ＋２）、及び、領域ＱＣ上の５つの対象点ＱＣ（ψ−２）〜ＱＣ（ψ＋２）の各々が、張力（Ｎ）の変化に対してＴＤ方向にどの程度変位するかをシミュレーションで求めたグラフである。
【０１４１】
また、図２７は、摩擦係数μを２００とした場合に、基板Ｐの領域ＱＡ上の５つの対象点ＱＡ（ψ−２）〜ＱＡ（ψ＋２）、領域ＱＢ上の５つの対象点ＱＢ（ψ−２）〜ＱＢ（ψ＋２）、及び、領域ＱＣ上の５つの対象点ＱＣ（ψ−２）〜ＱＣ（ψ＋２）の各々が、張力（Ｎ）の変化〔横軸〕に対してＴＤ方向にどの程度変位するか〔縦軸〕をシミュレーションで求めたグラフである。
【０１４２】
図２６、２７のグラフから判るように、基板ＰのＴＤ方向の両側の領域ＱＡ、ＱＢは、張力の増大に伴って基板Ｐの中央の領域ＱＣに向けて変位する。即ち、基板ＰのＴＤ方向の幅が縮まる方向に変形する。その変形量は、第２ドラム部材２２の外周面と基板Ｐの裏面とのＴＤ方向の摩擦係数の大小に応じて変わる。摩擦係数を０．４５とした場合、基板Ｐは第２ドラム部材２２の外周面上でＴＤ方向に僅かにすべることができ、ＴＤ方向の収縮は比較的大きくなる。それに対して、摩擦係数を２００とした場合、基板Ｐは第２ドラム部材２２の外周面上でＴＤ方向に殆どすべることができず、ＴＤ方向の収縮は比較的小さくなる。
【０１４３】
以上のことから、基板Ｐの裏面と第２ドラム部材２２の外周面との間の摩擦の大小と、ＭＤ方向の張力（テンション）の大小とによって、基板Ｐの第２ドラム部材２２の外周面と密着している部分の概略的な変形の傾向や変形量を事前に予測することも可能となる。もちろん、基板Ｐの材質やプロセスを受けたか否か等によって、基板Ｐの剛性や摩擦係数が変わるため、それらも加味することで、より実用的な変形予測が可能となる。
【０１４４】
従って、第１検出プローブが検出した特定パターンにより求めた回転中心軸ＡＸ２と平行な方向の基板Ｐの変形量と、第２検出プローブが検出した特定パターンにより求めた回転中心軸ＡＸと平行な方向の基板Ｐの変形量とが一致するように、進入位置及び離脱位置を設定した位置に基板Ｐを案内するガイド部材が設けられる場合、そのガイド部材は、基板ＰのＭＤ方向の張力（テンション）を調整するような搬送機構（ニップ方式の駆動ローラの回転制御やテンション調整用の回転ローラ等を含む）としても良い。
【０１４５】
＜デバイス製造方法＞
次に、図２８を参照して、デバイス製造方法について説明する。図２８は、第１実施形態に係る処理装置（露光装置）を用いたデバイス製造方法を示すフローチャートである。
【０１４６】
図２８に示すデバイス製造方法では、まず、例えば有機ＥＬ等の自発光素子による表示パネルの機能・性能設計を行い、必要な回路パターンや配線パターンをＣＡＤ等で設計する（ステップＳ２０１）。次いで、ＣＡＤ等で設計された各種レイヤー毎のパターンに基づいて、必要なレイヤー分の円筒マスクＤＭを製作する（ステップＳ２０２）。また、表示パネルの基材となる可撓性の基板Ｐ（樹脂フィルム、金属箔膜、プラスチック等）が巻かれた供給用ロールＦＲ１を準備しておく、基板Ｐの製造を行う（ステップＳ２０３）。なお、このステップＳ２０３にて用意しておくロール状の基板Ｐは、必要に応じてその表面を改質したもの、下地層（例えばインプリント方式による微小凹凸）を事前形成したもの、光感応性の機能膜や透明膜（絶縁材料）を予めラミネートしたもの、でも良い。
【０１４７】
次いで、基板Ｐ上に表示パネルデバイスを構成する電極や配線、絶縁膜、ＴＦＴ（薄膜半導体）等によって構成されるバックプレーン層を形成すると共に、そのバックプレーンに積層されるように、有機ＥＬ等の自発光素子による発光層（表示画素部）が形成される（ステップＳ２０４）。このステップＳ２０４には、先の各実施形態で説明した露光装置ＥＸ、ＥＸ２、ＥＸ３、ＥＸ４を用いて、フォトレジスト層を露光する従来のフォトリソグラフィ工程も含まれるが、フォトレジストの代わりに感光性シランカップリング材を塗布した基板Ｐをパターン露光して表面に親撥水性によるパターンを形成する露光工程、光感応性の触媒層をパターン露光し、無電解メッキ法によってニッケル、銅、金等の金属膜のパターン（配線、電極等）を形成する湿式工程、或いは、銀ナノ粒子を含有した導電性インク等によってパターンを描画する印刷工程、等による処理も含まれる。
【０１４８】
次いで、ロール方式で長尺の基板Ｐ上に連続的に製造される表示パネルデバイス毎に、基板Ｐをダイシングしたり、各表示パネルデバイスの表面に、保護フィルム（対環境バリア層）やカラーフィルターシート等を貼り合せたりして、デバイスを組み立てる（ステップＳ２０５）。次いで、表示パネルデバイスが正常に機能するか、所望の性能や特性を満たしているかの検査工程が行なわれる（ステップＳ２０６）。以上のようにして、表示パネル（フレキシブル・ディスプレイ）を製造することができる。
【符号の説明】
【０１４９】
１  デバイス製造システム
２  基板供給装置
４  基板回収装置
５  上位制御装置
９  搬送装置
１２  マスク保持装置
１３  光源装置
１４  制御装置
２２  第２ドラム部材
ＤＲ１〜ＤＲ８  駆動ローラ
３２  第１ガイド部材
３３  第２ガイド部材
３５  第２検出器
４４  フォーカス補正光学部材
４５  像シフト補正光学部材
４６  ローテーション補正機構
４７  倍率補正用光学部材
ＡＭＧ１、ＡＭＧ２、ＡＭＧ３  アライメント顕微鏡
ＤＭ  円筒マスク
ＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４、ＥＮ５  エンコーダヘッド
ＥＸ、ＥＸ２、ＥＸ３、ＥＸ４  露光装置（基板処理装置）
ＰＯ１、ＰＯ２  ポリゴン走査ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年12月13日(2017.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する長尺の基板を、中心線の回りに回転する回転ドラムの外周面の一部に巻き付けて長尺方向に移動させつつ、前記回転ドラムで支持された前記基板上にパターンを形成する基板処理装置であって、
前記基板が前記回転ドラムの外周面に接触し始める進入位置と前記外周面から外れる離脱位置との間の周方向の特定位置において、前記パターンを前記基板上に形成する処理装置と、
前記基板上の前記長尺方向と直交する短尺方向に離れた少なくとも２ヶ所の領域の各々に前記長尺方向に沿って形成された複数のマークの各位置を、前記外周面の周方向に沿った前記進入位置と前記特定位置との間に設定される第１検出領域で検出する第１のパターン検出装置と、
前記基板が前記進入位置から前記特定位置に向かう順方向の移動の速度を、前記処理装置による前記パターンの形成に適した第１の速度と、前記第１のパターン検出装置によって前記複数のマークの各位置を検出する為に一時的に設定される前記第１の速度よりも低い第２の速度とに切り替えるように、前記回転ドラムの回転速度を調整する制御装置と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、前記基板の速度が前記第２の速度に設定されるときは、前記処理装置による前記パターンの形成の動作を停止させた状態で、前記第１のパターン検出装置による前記複数のマークの各位置の検出の動作を行う、
基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、前記第２の速度のもとで前記第１のパターン検出装置による前記複数のマークの各位置の検出が終わった後、前記基板が前記特定位置から前記進入位置に向かう逆方向に移動するように前記回転ドラムの回転を制御する、
基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記基板の前記順方向への移動に関して前記進入位置の上流側の前記基板に長尺方向のテンションを付与する為の第１ガイド部材と、
前記基板の前記順方向への移動に関して前記離脱位置の下流側の前記基板に長尺方向のテンションを付与する為の第２ガイド部材と、を更に備える、
基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記中心線の回りに前記回転ドラムと共に回転するように設けられ、前記周方向に沿って目盛が刻設されたスケール部と、
前記中心線からみたとき、前記スケール部の周囲であって前記１検出領域の方位と同じ方位に配置されて前記スケール部の目盛を読み取る第１のエンコーダヘッドと、
前記中心線からみたとき、前記スケール部の周囲であって前記特定位置の方位と同じ方位に配置されて前記スケール部の目盛を読み取る第２のエンコーダヘッドと、
を更に備える基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、
前記第１のパターン検出装置が前記１検出領域で前記基板上の前記マークを検出したときに前記第１のエンコーダヘッドによって計測される前記スケール部の前記目盛の位置を記憶することによって、前記基板上のマークの位置と前記回転ドラムの回転角度位置との対応関係を求める、
基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記処理装置は、
前記回転ドラムの周囲に配置され、前記特定位置で前記回転ドラムの外周面で支持された前記基板上にパターンを形成する第１の処理部と、
前記回転ドラムの周囲に配置され、前記回転ドラムの外周面の周方向に関して前記特定位置と前記離脱位置との間に設定される第２の特定位置で前記回転ドラムの外周面で支持された前記基板上にパターンを形成する第２の処理部と、を含む、
基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記第１の処理部と前記第２の処理部は、前記特定位置と前記第２の特定位置の各々において、前記基板にパターンを形成する為の露光光を照射する露光装置である、
基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記露光装置は、前記特定位置と前記第２の特定位置の各々で、前記露光光によって前記基板に形成されるパターンの位置を、前記長尺方向又は前記短尺方向にシフトするシフト調整装置を備える、
基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記露光装置は、前記特定位置と前記第２の特定位置の各々で、前記露光光によって前記基板に形成されるパターンの倍率を調整する倍率調整装置を備える、
基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の態様に従えば、可撓性を有する長尺の基板を、中心線の回りに回転する回転ドラムの外周面の一部に巻き付けて長尺方向に移動させつつ、前記回転ドラムで支持された前記基板上にパターンを形成する基板処理装置であって、前記基板が前記回転ドラムの外周面に接触し始める進入位置と前記外周面から外れる離脱位置との間の周方向の特定位置において、前記パターンを前記基板上に形成する処理装置と、前記基板上の前記長尺方向と直交する短尺方向に離れた少なくとも２ヶ所の領域の各々に前記長尺方向に沿って形成された複数のマークの各位置を、前記外周面の周方向に沿った前記進入位置と前記特定位置との間に設定される第１検出領域で検出する第１のパターン検出装置と、前記基板が前記進入位置から前記特定位置に向かう順方向の移動の速度を、前記処理装置による前記パターンの形成に適した第１の速度と、前記第１のパターン検出装置によって前記複数のマークの各位置を検出する為に一時的に設定される前記第１の速度よりも低い第２の速度とに切り替えるように、前記回転ドラムの回転速度を調整する制御装置と、を備える基板処理装置が提供される。