(57)【要約】【課題】発熱を伴う電子部品が実装された立ち基板が収容された筐体内の雰囲気温度の上昇を抑制することができる電子機器およびその製造方法を提供する。【解決手段】電子機器１００は、メイン基板１と、立ち基板２と、電子部品３と、熱伝導部材４と、筐体５とを備えている。メイン基板１は、表面１ａを有する。立ち基板２は、表面１ａから立ち上がるようにメイン基板１に接続されている。電子部品３は、発熱を伴い、立ち基板２に実装されている。熱伝導部材４は、立ち基板２および電子部品３の少なくともいずれかに接続されている。筐体５は、メイン基板１、立ち基板２、電子部品３および熱伝導部材４を収容する。立ち基板２および電子部品３の少なくともいずれかは、熱伝導部材４を介して筐体５に接触している。熱伝導部材４の熱伝導率は、立ち基板２の熱伝導率よりも大きい。【選択図】図１
2018093030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有するメイン基板と、
前記表面から立ち上がるように前記メイン基板に接続された立ち基板と、
前記立ち基板に実装された、発熱を伴う電子部品と、
前記立ち基板および前記電子部品の少なくともいずれかに接続された熱伝導部材と、
前記メイン基板、前記立ち基板、前記電子部品および前記熱伝導部材を収容する筐体とを備え、
前記立ち基板および前記電子部品の少なくともいずれかは、前記熱伝導部材を介して前記筐体に接触しており、
前記熱伝導部材の熱伝導率は、前記立ち基板の熱伝導率よりも大きい、電子機器。
【請求項２】
前記立ち基板は、前記メイン基板の前記表面の端部に位置している、請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記電子部品は、電力用半導体装置およびトランスの少なくともいずれかである、請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記メイン基板は、裏面と、前記裏面に設けられた第１補助メス電極、第２補助メス電極、および、前記第１補助メス電極と前記第２補助メス電極との間に配置された少なくとも１つのメインメス電極とをそれぞれ含み、
前記立ち基板は、前記第１補助メス電極にはんだにより接続された第１補助オス電極と、前記第２補助メス電極にはんだにより接続された第２補助オス電極と、前記第１補助オス電極と前記第１補助オス電極との間に配置され少なくとも１つの前記メインメス電極にそれぞれはんだにより接続された少なくとも１つのメインオス電極とを含み、
前記第１補助オス電極および前記第２補助オス電極の各々の表面積は、前記メインオス電極の各々の表面積よりも大きい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
表面と、裏面と、前記表面から前記裏面まで貫通し点線状に配置された複数の孔と、前記裏面において前記複数の孔が前記点線状に配置された方向と交差する方向に前記複数の孔の各々の一方側に配置されたメス電極とを有するメイン基板を準備する工程と、
下端部に配置された支持部と、前記支持部の一方面に設けられたオス電極とを有する立ち基板を準備する工程と、
前記複数の孔の各々の前記一方側に前記一方面が位置するように前記メイン基板の点線状に配置された前記複数の孔の一部に前記立ち基板の前記支持部を挿入する工程と、
前記複数の孔の一部に前記立ち基板の前記支持部が挿入された状態で前記メイン基板の前記裏面を噴流はんだに浸漬させて前記メス電極に前記オス電極をはんだ付けする工程と、
前記メス電極に前記オス電極がはんだ付けされた前記メイン基板を前記点線状に配置された前記複数の孔に沿って割る工程とを備えた、電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器および電子機器の製造方法に関し、特に、メイン基板に接続された立ち基板を備えた電子機器およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
メイン基板に接続された立ち基板を備えた電子機器は、たとえば特許第４３１４８０９号公報（特許文献１）に記載されている。この電子機器においては、母基板（メイン基板）に設けられたスリットに補助基板（立ち基板）が挿入され、メイン基板の端子パッドに立ち基板の端子パッドがはんだ付けされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４３１４８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の公報に記載されたメイン基板および立ち基板が筐体内に収容され、立ち基板に発熱を伴う電子部品が実装された場合、電子部品が発生した熱によって筐体内の雰囲気温度が高くなるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発熱を伴う電子部品が実装された立ち基板が収容された筐体内の雰囲気温度の上昇を抑制することができる電子機器およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子機器は、メイン基板と、立ち基板と、電子部品と、熱伝導部材と、筐体とを備えている。メイン基板は、表面を有する。立ち基板は、表面から立ち上がるようにメイン基板に接続されている。電子部品は、発熱を伴い、立ち基板に実装されている。熱伝導部材は、立ち基板に接続されている。筐体は、メイン基板、立ち基板、電子部品および熱伝導部材を収容する。立ち基板は、熱伝導部材を介して筐体に接触している。熱伝導部材の熱伝導率は、立ち基板の熱伝導率よりも大きい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電子機器によれば、立ち基板および電子部品の少なくともいずれかは熱伝導部材を介して筐体に接触しており、熱伝導部材の熱伝導率は立ち基板の熱伝導率よりも大きい。このため、電子部品が発生した熱を熱伝導部材を通して筐体に伝えて筐体外に放散させることができる。これにより、電子部品が発した熱による筐体内の雰囲気温度の上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１における電子機器の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるメイン基板に立ち基板が実装された構成を概略的に斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１におけるメイン基板に立ち基板が実装された構成を概略的に断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１におけるメイン基板の構成を概略的に示す底面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における立ち基板に電子部品が実装された構成を概略的に示す正面図である。
【図６】本発明の実施の形態２における電子機器の構成を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２における立ち基板の正面側から見たメイン基板に立ち基板が実装された構成を概略的に斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態２における立ち基板の背面側から見たメイン基板に立ち基板が実装された構成を概略的に斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態２におけるメイン基板に立ち基板が実装された構成を概略的に断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２におけるメイン基板の構成を概略的に示す底面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における立ち基板に電子部品が実装された構成を概略的に示す側面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２における電子機器の製造方法の一工程を示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施の形態２における電子機器の製造方法の図１２に示す工程の次工程を示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における電子機器の製造方法の図１３に示す工程の次工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２における電子機器の製造方法の図１４に示す工程の次工程を示す斜視図である。
【図１６】本発明の実施の形態３における電子機器の構成を概略的に示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態３におけるメイン基板に立ち基板が実装された構成を概略的に斜視図である。
【図１８】本発明の実施の形態３におけるメイン基板の構成を概略的に示す底面図である。
【図１９】本発明の実施の形態３における立ち基板に電子部品が実装された構成を概略的に示す側面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３における電子機器の製造方法の一工程を示す斜視図である。
【図２１】本発明の実施の形態４における電子機器の構成を概略的に示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態４の変形例における電子機器の構成を概略的に示す断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態５における立ち基板の背面側から見たメイン基板に立ち基板が実装された構成を概略的に斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
実施の形態１．
図１〜図５を参照して、本発明の実施の形態１における電子機器１００の構成について説明する。図１は本実施の形態の電子機器１００の断面図である。図１に示されるように、本実施の形態の電子機器１００は、メイン基板１と、立ち基板２と、電子部品３と、熱伝導部材４と、筐体５とを備えている。
【００１０】
図２はメイン基板１に立ち基板２が実装された状態を示す斜視図である。図３はメイン基板１に立ち基板２が実装された状態を示す断面図である。図１〜図３に示されるように、メイン基板１は、表面１ａおよび裏面１ｂを有する。立ち基板２は、メイン基板１の表面１ａから立ち上がるようにメイン基板１に接続されている。立ち基板２は、正面２ａおよび背面２ｂを有する。
【００１１】
電子部品３は、立ち基板２に実装されている。電子部品３は、立ち基板２の正面２ａにはんだ付けにより実装されている。電子部品３は、発熱を伴うものである。電子部品３は、例えば、電力用半導体装置およびトランスの少なくともいずれかである。具体的には、例えば、電子部品３は、パワー（電力）用のトランジスタおよびダイオード、トランス等の発熱量の大きい電子部品である。
【００１２】
図１に示されるように、熱伝導部材４は、立ち基板２に接続されている。熱伝導部材４は、立ち基板２の背面２ｂに接触している。熱伝導部材４は、立ち基板２の片面の少なくともいずれかに接触していればよい。熱伝導部材４の熱伝導率は、立ち基板２の熱伝導率よりも大きい。つまり、熱伝導部材４は立ち基板２よりも熱を伝えやすい性質を有している。
【００１３】
熱伝導部材４は、一般的な絶縁性を備えている。熱伝導部材４は、例えば、放熱シートである。具体的には、放熱シートの素材は、シリコーン樹脂に、電気絶縁性を確保するためにセラミックフィラーを配合したものである。
【００１４】
筐体５は、メイン基板１、立ち基板２、電子部品３および熱伝導部材４を収容する。筐体５は、上壁部５ａと、下壁部５ｂと、側壁部５ｃと、内部空間５ｄと、筐体放熱部５ｅとを有している。内部空間５ｄは、上壁部５ａと、下壁部５ｂと、側壁部５ｃによって取り囲まれている。内部空間５ｄにメイン基板１、立ち基板２、電子部品３および熱伝導部材４が配置されている。筐体５は、内部空間５ｄを密閉するように構成されていることが好ましい。筐体放熱部５ｅは立ち基板２を固定するためのものである。筐体放熱部５ｅは上壁部５ａに接続されている。筐体放熱部５ｅは上壁部５ａから内部空間５ｄに突き出している。筐体５は、一般的な金属材料から構成されている。具体的には、筐体５は、例えば、アルミニウムから構成されている。
【００１５】
立ち基板２は、熱伝導部材４を介して筐体５に接触している。本実施の形態においては、立ち基板２は熱伝導部材４を介して筐体放熱部５ｅに接触している。熱伝導部材４は立ち基板２と筐体放熱部５ｅとで挟み込まれている。熱伝導部材４は立ち基板２と筐体放熱部５ｅとに亘って設けられている。なお、熱伝導部材４は、立ち基板２および筐体放熱部５ｅの各々と接着剤を介して接着されていてもよい。この接着剤の熱伝導率は、立ち基板２の熱伝導率よりも大きい。さらに、この接着剤の熱伝導率は、熱伝導部材４の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。
【００１６】
続いて、メイン基板１に立ち基板２が実装された構成をさらに詳しく説明する。
図４はメイン基板１の裏面１ｂを示す底面図である。図２および図４に示されるように、メイン基板１には、表面１ａから裏面１ｂまで貫通するようにメイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３が設けられている。メイン支持部スリット１１は、第１補助支持部スリット１２と第２補助支持部スリット１３との間に配置されている。なお、本実施の形態においては、メイン支持部スリット１１のみが設けられており、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３は設けられていなくてもよい。
【００１７】
メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３は直線状に並んで配置されている。メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々は、後述するメイン支持部２２、第１補助支持部２３および第２補助支持部２４の各々にそれぞれ対応する箇所に設けられている。
【００１８】
メイン基板１の裏面１ｂに複数のメインメス電極１１ａ、２つの第１補助メス電極１２ａおよび２つの第２補助メス電極１３ａがそれぞれ設けられている。複数のメインメス電極１１ａは第１補助メス電極１２ａと第２補助メス電極１３ａとの間に配置されている。メイン支持部スリット１１の開口に繋がるように複数のメインメス電極１１ａが設けられている。複数のメインメス電極１１ａはメイン支持部スリット１１の長手方向に等間隔に並んで配置されている。複数のメインメス電極１１ａはメイン支持部スリット１１の短手方向にメイン支持部スリット１１を挟んで配置されている。つまり複数のメインメス電極１１ａはメイン支持部スリット１１の一方側と他方側の両側に配置されている。
【００１９】
第１補助支持部スリット１２の開口に繋がるように２つの第１補助メス電極１２ａが設けられている。２つの第１補助メス電極１２ａは第１補助支持部スリット１２の短手方向に第１補助支持部スリット１２を挟んで配置されている。つまり２つの第１補助メス電極１２ａは第１補助支持部スリット１２の一方側と他方側の両側に配置されている。
【００２０】
第２補助支持部スリット１３の開口に繋がるように２つの第２補助メス電極１３ａが設けられている。２つの第２補助メス電極１３ａは第２補助支持部スリット１３の短手方向に第２補助支持部スリット１３を挟んで配置されている。つまり２つの第２補助メス電極１３ａは第２補助支持部スリット１３の一方側と他方側の両側に配置されている。
【００２１】
メイン基板１は、一般的なプリント配線板材料から構成されている。具体的には、メイン基板１は、例えば、基材の芯に難燃性エポキシ樹脂を含浸させたガラス不織布を用い、強度の補強を目的として表面にガラス布およびエポキシ樹脂のプリプレグを用いた積層板であるＣＥＭ−３（Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｅｐｏｘｙ  ｍａｔｅｒｉａｌ−３）から構成されている。
【００２２】
図５は立ち基板２の正面を示す図である。図２および図５に示されるように、立ち基板２は、本体部２１と、メイン支持部２２と、第１補助支持部２３と、第２補助支持部２４とを有している。本体部２１に電子部品３が取り付けられている。メイン支持部２２は第１補助支持部２３と第２補助支持部２４との間に配置されている。メイン支持部２２、第１補助支持部２３および第２補助支持部２４はそれぞれ立ち基板２の下部において本体部２１から下向きに突き出すように設けられている。メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々に、メイン支持部２２、第１補助支持部２３および第２補助支持部２４の各々がそれぞれ挿入されている。
【００２３】
メイン支持部２２の正面２ａに複数のメインオス電極２２ａが設けられている。複数のメインオス電極２２ａにより立ち基板２を多ピン化することが可能となる。また、図示されていないがメイン支持部２２の背面２ｂにも複数のメインオス電極２２ａが設けられている。つまり、メイン支持部２２の正面２ａおよび背面２ｂの両面に複数のメインオス電極２２ａが設けられている。複数のメインオス電極２２ａはメイン支持部２２の長手方向に等間隔に並んで配置されている。
【００２４】
第１補助支持部２３の正面２ａに第１補助オス電極２３ａが設けられている。また図示されていないが第１補助支持部２３の背面２ｂにも第１補助オス電極２３ａが設けられている。つまり、第１補助支持部２３の正面２ａおよび背面２ｂの両面にそれぞれ第１補助オス電極２３ａが設けられている。
【００２５】
第２補助支持部２４の正面２ａに第２補助オス電極２４ａが設けられている。また図示されていないが第２補助支持部２４の背面２ｂにも第２補助オス電極２４ａが設けられている。つまり、第２補助支持部２４の正面２ａおよび背面２ｂの両面にそれぞれ第２補助オス電極２４ａが設けられている。
【００２６】
立ち基板２は、一般的なプリント配線板材料から構成されている。具体的には、立ち基板２は、例えば、基材の芯に難燃性エポキシ樹脂を含浸させたガラス不織布を用い、強度の補強を目的として表面にガラス布およびエポキシ樹脂のプリプレグを用いた積層板であるＣＥＭ−３から構成されている。
【００２７】
図２、図４および図５に示されるように、複数のメインオス電極２２ａの各々は複数のメインメス電極１１ａの各々にそれぞれ対応する位置に配置されている。第１補助オス電極２３ａは第１補助メス電極１２ａに対応する位置に配置されている。第２補助オス電極２４ａは第２補助メス電極１３ａに対応する位置に配置されている。
【００２８】
図３に示されるように、メイン支持部スリット１１にメイン支持部２２が垂直に挿入された状態で、メイン基板１および立ち基板２の各々の電極部が互いにはんだ付けされている。例えば、メイン基板１に立ち基板２が組み付けられた状態でコンベアで搬送されたメイン基板１および立ち基板２の各々の電極部が、溶融はんだ噴流に浸漬させてはんだ付けするフローはんだ付け工法により、互いにはんだ付けされていてもよい。メイン基板１および立ち基板２の各々の電極部が互いにはんだ付けされていることにより、メイン基板１に立ち基板２が固定されている。
【００２９】
具体的には、複数のメインメス電極１１ａの各々は複数のメインオス電極２２ａの各々にそれぞれはんだ６により接続されている。また、第１補助メス電極１２ａは第１補助オス電極２３ａにはんだ６により接続されており、第２補助メス電極１３ａは第２補助オス電極２４ａにはんだ６により接続されている。このようにして、メイン基板１に立ち基板２が実装されている。
【００３０】
次に、本実施の形態の作用効果について比較例と対比して説明する。
比較例の電子機器１００は、本実施の形態の電子機器１００の熱伝導部材４を備えていない点で本実施の形態の電子機器１００と異なっている。したがって、比較例の電子機器１００においては、立ち基板２は、熱伝導部材４を介して筐体５に接触していない。
【００３１】
比較例の電子機器１００において、立ち基板２に発熱の大きな電子部品３が実装された場合、電子機器１００の稼働中に電子部品３から発生した熱は、筐体５内から逃げることができないため、筐体５内の雰囲気温度は高くなる。
【００３２】
一般的に筐体５内の雰囲気温度が高くなるに従って、立ち基板２と電子部品３とのはんだ接合部および電子部品３等の寿命は短くなり、電子機器１００の動作は不安定となる。以下、これらの理由について説明する。環境温度に変化が生じた場合、電子部品３の熱膨張係数と立ち基板２の熱膨張係数との差から生じる熱応力がはんだ接合部に繰返し加わることにより、はんだ接合部は最終的に疲労破壊に至る。このとき、筐体５内の雰囲気温度が高くなると、電子部品３の熱膨張係数と立ち基板２の熱膨張係数との差から生じる熱応力も大きくなるため、疲労破壊に至るまでの時間が短くなる。また、一般的に１０℃の周囲温度の上昇により電解コンデンサなどの寿命は１／２になる。さらに、電子部品３は周囲温度によってその特性が変化するが、周囲温度が高くなるとその特性が悪くなるため電子機器１００の動作は不安定となる。
【００３３】
上記の理由から、比較例の電子機器１００においては、筐体５内の雰囲気温度が高くなるため、はんだ接合部の信頼性の低下、電子部品３の短寿命化、電子機器１００の動作の安定性の低下という問題がある。
【００３４】
一方、本実施の形態における電子機器１００によれば、図１に示されるように、発熱を伴う電子部品３が実装された立ち基板２が熱伝導部材４を介して筐体５、具体的には筐体放熱部５ｅに接触している。そして熱伝導部材４の熱伝導率は立ち基板２の熱伝導率よりも大きい。このため、電子部品３が発生した熱を立ち基板２および熱伝導部材４を通して筐体５に伝えて筐体５外に放散させることができる。これにより、電子部品３が発した熱による筐体５内の雰囲気温度の上昇を抑制することができる。
【００３５】
これにより、立ち基板２と電子部品３とのはんだ接合部および電子部品３の長寿命化を図ることができる。したがって、信頼性の高い電子機器１００を提供することができる。更に電子部品３の温度特性に左右されにくく、安定した動作が可能な電子機器１００を提供することができる。
【００３６】
また、本実施の形態における電子機器１００によれば、電力用半導体装置およびトランスの少なくともいずれかといった発熱量の大きい電子部品３が実装された場合に、筐体５内の雰囲気温度の上昇を効果的に抑制することができる。
【００３７】
次に、本実施の形態の各種変形例について説明する。本実施の形態の各種変形例は、特に説明しない限り、上記の本実施の形態と同様の構成を備えている。
【００３８】
上記の本実施の形態においては、メイン基板１および立ち基板２の材料として、ＣＥＭ−３が例示されているが、メイン基板１および立ち基板２には他の材料が用いられてもよい。例えば、ガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませたＦＲ−４（Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ  Ｔｙｐｅ  ４）基材、絶縁体の紙にフェノール樹脂を浸透させて形成した紙フェノール基板、配線導体とセラミックス基材とを同時焼成して作るセラミック基板等が用いられてもよい。また、立ち基板２の材料がＣＥＭ−３であり、メイン基板１の材料がＦＲ−４であるなど、異なる材料からなる基板が組み合わされてもよい。
【００３９】
また、上記の本実施の形態においては、筐体５の材料としてアルミニウムが例示されているが、他の材料が用いられてもよい。例えば、鉄、銅、ステンレスが用いられてもよい。更には、金属にこだわらず、フィラーを混入して、熱伝導性を高めた樹脂等が用いられてもよい。具体的には、熱伝導性を向上するため、セラミック等の粒子からなるフィラーを加えた樹脂が用いられてもよい。
【００４０】
また、上記の本実施の形態においては、熱伝導部材４として、シリコーン樹脂に電気絶縁性を確保するためにセラミックフィラーを配合した放熱シートが例示されているが、他の材料が用いられてもよい。例えば、アクリル、ポリオフィレンなどの樹脂に強度および熱伝導性を高めるためにセラミックフィラーを配合した放熱シートが用いられてもよい。
【００４１】
また、筐体放熱部５ｅは、筐体５に接触していればよい。筐体放熱部５ｅと筐体５との組みつけを容易にするため、筐体放熱部５ｅは、筐体５と別パーツとなっており、立ち基板２との接触を確認してから、筐体５にねじ止め、溶接などで固定されてもよい。
【００４２】
これらの本実施の形態の各種変形例においても上記の本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
実施の形態２．
以下、特に説明しない限り、実施の形態２では、実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
【００４４】
図６〜図９を参照して、本発明の実施の形態２における電子機器１００の構成について説明する。図６は本実施の形態の電子機器１００の断面図である。図７はメイン基板１に立ち基板２が実装された状態を立ち基板２の正面２ａ側から示す斜視図である。図８はメイン基板１に立ち基板２が実装された状態を立ち基板２の背面２ｂ側から示す斜視図である。図９はメイン基板１に立ち基板２が実装された状態を示す断面図である。
【００４５】
図６〜図９に示されるように、本実施の形態においては、立ち基板２は、メイン基板１の表面１ａの端部に位置している。つまり、立ち基板２はメイン基板１の端面１ｃ、または、メイン基板１の端面１ｃからはんだ６を介した位置に配置されている。
【００４６】
複数のメインオス電極２２ａは、メイン支持部２２の正面２ａには設けられているが、メイン支持部２２の背面２ｂには設けられていない。複数のメインメス電極１１ａはメイン基板１の端面１ｃに沿って並んで配置されている。メイン基板１の複数のメインメス電極１１ａと立ち基板２の複数のメインオス電極２２ａとは立ち基板２の正面２ａ側ではんだ６により接合されている。つまり、メイン基板１と立ち基板２とは、はんだ６によって立ち基板２の片面だけ固定された状態となっている。そして、メイン基板１と立ち基板２とは各電極がはんだ付けされることにより電気的に接続されている。
【００４７】
本実施の形態においては、メイン基板１に立ち基板２が実装された状態では、後述するようにメイン基板１が分割されることにより、メイン基板１には、実施の形態１のメイン支持部スリット１１は設けられていない。また、立ち基板２は、メイン支持部２２を有しているが、実施の形態１の第１補助支持部２３および第２補助支持部２４を有していない。そのため、メイン基板１には、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々は設けられていない。
【００４８】
本実施の形態においては、筐体５は実施の形態１の筐体放熱部５ｅを有していない。立ち基板２は、筐体５の側壁部５ｃに熱伝導部材４を介して組みつけられている。
【００４９】
次に、図１０〜図１５を参照して、本実施の形態の電子機器１００の製造方法について説明する。
【００５０】
まず、図１０に示されるように、メイン基板１が準備される。メイン基板１は、メイン支持部スリット１１と、メイン支持部スリット１１を挟むように配置された複数の分割用スリット１４とを有している。複数の分割用スリット１４の各々はメイン基板１の表面１ａから裏面１ｂまで貫通している。メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４は複数の孔からなっている。これらの複数の孔（メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４）はいずれもメイン基板１の表面１ａから裏面１ｂまで貫通しており、点線状に配置されている。つまり、メイン基板１には、スリットを内包しメイン基板１を分割できるミシン目が設けられている。複数のメインメス電極（メス電極）１１ａはメイン基板１の裏面１ｂにおいて複数の孔が点線状に配置された方向と交差する方向に複数の孔（メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４）の各々の一方側に配置されている。
【００５１】
また、図１１に示されるように、下端部に配置されたメイン支持部（支持部）２２と、メイン支持部（支持部）２２の正面（一方面）２ａに設けられた複数のメインオス電極（オス電極）２２ａとを有する立ち基板２が準備される。
【００５２】
そして、図１２および図１３に示されるように、複数の孔（メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４）の各々の一方側にメイン支持部（支持部）２２の正面（一方面）２ａが位置するようにメイン基板１の点線状に配置された複数の孔（メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４）の一部に立ち基板２のメイン支持部（支持部）２２が挿入される。
【００５３】
次に、図１４に示されるように、複数の孔（メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４）の一部に立ち基板２のメイン支持部（支持部）２２が挿入された状態でメイン基板１の裏面１ｂを噴流はんだに浸漬させて複数のメインメス電極（メス電極）１１ａに複数のメインオス電極（オス電極）２２ａがはんだ付けされる。
【００５４】
本実施の形態においては、フローはんだ付け工法が採用されている。具体的には、例えば、はんだ槽２００に貯留された溶融はんだ６をフローはんだ付けノズル２０１から噴流させてメイン基板１の裏面１ｂを噴流はんだに浸漬させる。モータ２０２の駆動力がモータ軸２０３を経由してプロペラ２０４に伝達されてプロペラ２０４が回転することにより、溶融はんだ６はフローはんだ付けノズル２０１から上方へ噴流する。フローはんだ付けノズル２０１の上方にメイン基板１の裏面１ｂを配置することにより、メイン基板１の裏面１ｂを噴流はんだに浸漬させて複数のメインメス電極（メス電極）１１ａに複数のメインオス電極（オス電極）２２ａがはんだ付けされる。
【００５５】
続いて、図１５に示されるように、複数のメインメス電極（メス電極）１１ａに複数のメインオス電極（オス電極）２２ａがはんだ付けされたメイン基板１が点線状に配置された複数の孔（メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４）に沿って割られる。これにより、複数の孔（メイン支持部スリット１１および分割用スリット１４）の一方側の内面によってメイン基板１の端面１ｃが形成される。これによって、立ち基板２をメイン基板１の端面１ｃ、または、メイン基板１からはんだ６を介した位置に配置することが可能となる。
【００５６】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても上記の実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態によればさらに以下の効果を得ることができる。
【００５７】
一般的にフロー実装時において、立ち基板２がメイン基板１の搬送方向の端面に配置される場合、立ち基板２が基板搬送爪に干渉しないようにするため、立ち基板２とメイン基板１の端面との間に一定の距離をおかなくてはならない。
【００５８】
一方、本実施の形態における電子機器によれば、立ち基板２は、メイン基板１の表面１ａの端部に位置しているため、筐体設計の自由度が向上した電子機器１００を提供することができる。また、これに伴って、立ち基板２に対してメイン基板１と反対側のスペースを排除することができるため、筐体５または電子機器１００の高密度化および小型化に寄与することができる。
【００５９】
一方、本実施の形態における電子機器１００の製造方法によれば、フロー実装後、複数の孔でメイン基板１を分割することで、立ち基板２の位置をメイン基板１の端面１ｃ、または、端面１ｃからはんだ６を介した位置に配置することができる。このため、筐体設計の自由度が向上した電子機器１００を提供することができる。また、これに伴って、立ち基板２に対してメイン基板１と反対側のスペースを排除することができるため、筐体５または電子機器１００の高密度化および小型化に寄与することができる。
【００６０】
実施の形態３．
以下、特に説明しない限り、実施の形態３では、実施の形態１および実施の形態２と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
【００６１】
図１６および図１７を参照して、本発明の実施の形態３における電子機器１００の構成について説明する。図１６は本実施の形態の電子機器１００の断面図である。図１７はメイン基板１に立ち基板２が実装された状態を立ち基板２の正面２ａ側から示す斜視図である。
【００６２】
図１６および図１７に示されるように、本実施の形態においては、立ち基板２は、メイン基板１の表面１ａの端部に位置している。つまり、立ち基板２はメイン基板１の端面１ｃ、または、メイン基板１の端面１ｃからはんだ６を介した位置に配置されている。
【００６３】
複数のメインオス電極２２ａは、メイン支持部２２の正面２ａには設けられているが、メイン支持部２２の背面２ｂには設けられていない。複数のメインメス電極１１ａはメイン基板１の端面１ｃに配置されている。メイン基板１の複数のメインメス電極１１ａと立ち基板２の複数のメインオス電極２２ａとは立ち基板２の正面２ａ側ではんだ６により接合されている。
【００６４】
第１補助オス電極２３ａは、第１補助支持部２３の正面２ａには設けられているが、第１補助支持部２３の背面２ｂには設けられていない。第１補助メス電極１２ａはメイン基板１の端面１ｃに配置されている。メイン基板１の第１補助メス電極１２ａと立ち基板２の第１補助オス電極２３ａとは立ち基板２の正面２ａ側ではんだ６により接合されている。
【００６５】
第２補助オス電極２４ａは、第２補助支持部２４の正面２ａには設けられているが、第２補助支持部２４の背面２ｂには設けられていない。第２補助メス電極１３ａはメイン基板１の端面１ｃに配置されている。メイン基板１の第２補助メス電極１３ａと立ち基板２の第２補助オス電極２４ａとは立ち基板２の正面２ａ側ではんだ６により接合されている。
【００６６】
このようにして、メイン基板１と立ち基板２とは、はんだ６によって立ち基板２の片面だけ固定された状態となっている。そして、メイン基板１と立ち基板２とは各電極がはんだ付けされることにより電気的に接続されている。
【００６７】
メイン基板１においては、第１補助メス電極１２ａおよび第２補助メス電極１３ａの各々の表面積は、複数のメインメス電極１１ａの各々の表面積よりも大きい。立ち基板２においては、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａの各々の表面積は、複数のメインオス電極２２ａの各々の表面積よりも大きい。
【００６８】
本実施の形態においては、メイン基板１に立ち基板２が実装された状態では、後述するようにメイン基板１が分割されることにより、メイン基板１には、実施の形態１のメイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々は設けられていない。
【００６９】
本実施の形態においては、筐体５は実施の形態１の筐体放熱部５ｅを有していない。立ち基板２は、筐体５の側壁部５ｃに熱伝導部材４を介して組みつけられている。
【００７０】
次に、図１８〜図２０を参照して、本実施の形態の電子機器１００の製造方法について説明する。
【００７１】
図１８に示されるように、メイン基板１は、メイン支持部スリット１１と、第１補助支持部スリット１２と、第２補助支持部スリット１３と、複数の分割用スリット１４とを有している。複数の分割用スリット１４は、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３を挟むように配置されている。メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２、第２補助支持部スリット１３および複数の分割用スリット１４は、点線状に配置された複数の孔を構成している。
【００７２】
第１補助支持部スリット１２および第１補助支持部２３の各々の横方向（各スリットが並ぶ方向）の寸法はそれぞれ第２補助支持部スリット１３および第２補助支持部２４の各々の横方向の寸法よりも大きい。
【００７３】
図１８および図１９に示されるように、メイン支持部スリット１１の開口寸法はメイン支持部２２の外形寸法よりも大きい。第１補助支持部スリット１２の開口寸法は第１補助支持部２３の外形寸法よりも大きい。第２補助支持部スリット１３の開口寸法は第２補助支持部２４の外形寸法よりも大きい。
【００７４】
メインメス電極１１ａ、第１補助メス電極１２ａおよび第２補助メス電極１３ａの各々は、メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々の一方側のみに配置されている。
【００７５】
図２０に示されるように、メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々にメイン支持部２２、第１補助支持部２３および第２補助支持部２４の各々がそれぞれ挿入される。
【００７６】
その後、メイン基板１の裏面１ｂを噴流はんだに浸漬させることにより、複数のメインメス電極１１ａ、第１補助メス電極１２ａおよび第２補助メス電極１３ａの各々に、複数のメインオス電極２２ａ、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａの各々がそれぞれはんだ付けされる。
【００７７】
続いて、メイン基板１は、点線状に配置されたメイン支持部スリット１１と、第１補助支持部スリット１２と、第２補助支持部スリット１３と、複数の分割用スリット１４に沿って分割される。これによって、立ち基板２は、メイン基板１の端面１ｃ、または、メイン基板１からはんだ６を介した位置に配置される。
【００７８】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても上記の実施の形態１および実施の形態２と同様の効果を得ることができる。本実施の形態によればさらに以下の効果を得ることができる。
【００７９】
本実施の形態の電子機器１００によれば、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａの各々の表面積は、複数のメインオス電極２２ａの各々の表面積よりも大きい。このため、メイン基板１の線膨張係数と立ち基板２の線膨張係数との違いによる複数のメインオス電極２２ａの各々の膨張および収縮量を低減させることができる。つまり、メイン基板１の線膨張係数と立ち基板２の線膨張係数との違いによる膨張および収縮量は、立ち基板２の横方向における電極の長さを長くするほど大きくなる。このとき、最も大きなひずみは、最も端にある電極である、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａに発生する。そのため、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａ端の各々の表面積を大きくすることにより、ひずみに耐え、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａの間にあるメインオス電極２２ａの膨張および収縮を抑制することができる。これによって、メインオス電極２２ａの膨張および収縮量を低減することができる。
【００８０】
さらに、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａの各々の表面積が大きいため、はんだ接合部のはんだ量を増加させることにより接合強度を増すことができる。これにより、メイン基板１のメインメス電極１１ａと立ち基板２のメインオス電極２２ａとを接合するはんだに生じる熱応力を緩和させて信頼性を向上させることができる。
【００８１】
また、本実施の形態の電子機器１００においては、メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々の開口寸法はそれぞれメイン支持部２２、第１補助支持部２３および第２補助支持部２４の各々の外形寸法よりも大きい。このため、メイン基板１に立ち基板２を組み付ける時の挿入性を良くすることができる。
【００８２】
さらに、メイン支持部スリット１１、第１補助支持部スリット１２および第２補助支持部スリット１３の各々の開口寸法はそれぞれメイン支持部２２、第１補助支持部２３および第２補助支持部２４の各々の外形寸法よりも大きくし、第１補助オス電極２３ａおよび第２補助オス電極２４ａの各々の表面積を大きくすることで、セルフアライメント効果を増加することができる。このセルフアライメント効果とは、電極上の溶融はんだの表面張力によって電極上に搭載された電子部品の位置ずれが戻される作用である。電極が大きいほど表面張力が大きくなるため、セルフアライメント効果は大きくなる。このため、メイン基板１のメインメス電極１１ａと立ち基板２のメインオス電極２２ａとの位置ずれによるはんだ付け不具合を抑制することができる。したがって、はんだ付けの信頼性を向上した、電子機器１００を提供することができる。
【００８３】
また、本実施の形態の電子機器１００においては、第１補助支持部スリット１２および第１補助支持部２３の各々の横方向の寸法はそれぞれ第２補助支持部スリット１３および第２補助支持部２４の各々の横方向の寸法よりも大きい。このため、立ち基板２がメイン基板１に挿入される際に、第１補助支持部２３と第２補助支持部２４とが第２補助支持部スリット１３および第１補助支持部スリット１２に対して逆向きに挿入される誤組立を抑制することができる。したがって、品質を向上した電子機器装置を提供することができる。
【００８４】
実施の形態４．
以下、特に説明しない限り、実施の形態４では、実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
【００８５】
図２１を参照して、本発明の実施の形態４における電子機器１００の構成について説明する。図２１は本実施の形態の電子機器１００の断面図である。図２１に示されるように、本実施の形態においては、電子部品３は、熱伝導部材４を介して筐体５に接触している。本実施の形態においては、電子部品３は熱伝導部材４を介して筐体放熱部５ｅに接触している。熱伝導部材４は電子部品３と筐体放熱部５ｅとで挟み込まれている。熱伝導部材４は電子部品３と筐体放熱部５ｅとに亘って設けられている。なお、熱伝導部材４は、電子部品３および筐体放熱部５ｅの各々と接着剤を介して接着されていてもよい。この接着剤の熱伝導率は、電子部品３のモールド樹脂の熱伝導率よりも大きい。
【００８６】
本実施の形態における電子機器１００によれば、図２１に示されるように、発熱を伴う電子部品３が熱伝導部材４を介して筐体５、具体的には筐体放熱部５ｅに接触している。そして熱伝導部材４の熱伝導率は立ち基板２の熱伝導率よりも大きい。このため、電子部品３が発生した熱を熱伝導部材４を通して筐体５に伝えて筐体５外に放散させることができる。これにより、電子部品３が発した熱による筐体５内の雰囲気温度の上昇を抑制することができる。
【００８７】
次に、本実施の形態の変形例について説明する。本実施の形態の変形例は、特に説明しない限り、上記の本実施の形態と同様の構成を備えている。
【００８８】
図２２を参照して、本発明の実施の形態４の変形例における電子機器１００の構成について説明する。図２２は本実施の形態の変形例４における電子機器１００の断面図である。図２２に示されるように、本実施の形態においては、立ち基板２および電子部品３は、熱伝導部材４を介して筐体５に接触している。本実施の形態においては、立ち基板２および電子部品３は熱伝導部材４を介して筐体放熱部５ｅに接触している。熱伝導部材４は立ち基板２および電子部品３と筐体放熱部５ｅとで挟み込まれている。熱伝導部材４は立ち基板２および電子部品３の各々と筐体放熱部５ｅとに亘って設けられている。なお、熱伝導部材４は、立ち基板２、電子部品３および筐体放熱部５ｅの各々と接着剤を介して接着されていてもよい。
【００８９】
本実施の形態の変形例における電子機器１００によれば、図２２に示されるように、立ち基板２および電子部品３の各々が熱伝導部材４を介して筐体５、具体的には筐体放熱部５ｅに接触している。そして熱伝導部材４の熱伝導率は立ち基板２の熱伝導率よりも大きい。このため、電子部品３が発生した熱を立ち基板２および熱伝導部材４を通して筐体５に伝えて筐体５外に放散させることができる。これにより、電子部品３が発した熱による筐体５内の雰囲気温度の上昇を抑制することができる。
【００９０】
上記の本発明の実施の形態１および実施の形態４に示されるように、熱伝導部材４は、立ち基板２および電子部品３の少なくともいずれかに接続されていればよい。そして、立ち基板２および電子部品３の少なくともいずれかは、熱伝導部材４を介して筐体５に接触していればよい。
【００９１】
実施の形態５．
以下、特に説明しない限り、実施の形態５では、実施の形態２と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
【００９２】
図２３を参照して、本実施の形態５における電子機器１００の構成について説明する。図２３はメイン基板１に立ち基板２が実装された状態を立ち基板２の背面２ｂ側から示す斜視図である。図２３に示されるように、本実施の形態においては、メイン基板１の端面１ｃが立ち基板２の背面２ｂよりも図中右側に突出している。つまり、メイン基板１の端面１ｃが立ち基板２の背面２ｂよりも立ち基板２の正面２ａと反対側に突出している。
【００９３】
本実施の形態においても上記の実施の形態１および実施の形態２と同様の効果を得ることができる。本実施の形態によればさらに以下の効果を得ることができる。本実施の形態の電子機器１００によれば、メイン基板１の端面１ｃが立ち基板２の背面２ｂよりも正面２ａと反対側に突出している。このため、メイン基板１の端面１ｃが筐体５などにぶつかっても立ち基板２の背面２ｂが筐体５などにぶつかることを抑制することができる。これにより、立ち基板２の背面２ｂが筐体５などにぶつかることによるメイン基板１と立ち基板２とのはんだ接合部へのダメージを抑制することができる。
【００９４】
なお、上記の本発明の実施の形態１〜５は適宜組み合わせることができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９５】
１  メイン基板、１ａ  表面、１ｂ  裏面、１ｃ  端面、２  立ち基板、２ａ  正面、２ｂ  背面、３  電子部品、４  熱伝導部材、５  筐体、５ａ  上壁部、５ｂ  下壁部、５ｃ  側壁部、５ｄ  内部空間、５ｅ  筐体放熱部、６  はんだ、１１  メイン支持部スリット、１１ａ  メインメス電極、１２  第１補助支持部スリット、１２ａ  第１補助メス電極、１３  第２補助支持部スリット、１３ａ  第２補助メス電極、１４  分割用スリット、２１  本体部、２２  メイン支持部、２２ａ  メインオス電極、２３  第１補助支持部、２３ａ  第１補助オス電極、２４  第２補助支持部、２４ａ  第２補助オス電極、１００  電子機器。 
【図１】
2018093030.tif 000003
【図２】
2018093030.tif 000004
【図３】
2018093030.tif 000005
【図４】
2018093030.tif 000006
【図５】
2018093030.tif 000007
【図６】
2018093030.tif 000008
【図７】
2018093030.tif 000009
【図８】
2018093030.tif 000010
【図９】
2018093030.tif 000011
【図１０】
2018093030.tif 000012
【図１１】
2018093030.tif 000013
【図１２】
2018093030.tif 000014
【図１３】
2018093030.tif 000015
【図１４】
2018093030.tif 000016
【図１５】
2018093030.tif 000017
【図１６】
2018093030.tif 000018
【図１７】
2018093030.tif 000019
【図１８】
2018093030.tif 000020
【図１９】
2018093030.tif 000021
【図２０】
2018093030.tif 000022
【図２１】
2018093030.tif 000023
【図２２】
2018093030.tif 000024
【図２３】
2018093030.tif 000025