(57)【要約】本発明によるテスト構造体は、エロージョンの評価のための第１の構造（１０１０）と、欠陥サイズ分布を抽出するための第２の構造（１０００）と、を組み合わせている。その第１の構造（１０１０）は、金属の高さとともに変化する抵抗値を求めるのに使用可能なループ構造である。その第２の構造は、ネスト構造（１０００）である。そのループ構造（１０１０）のループ・ラインは、そのネスト構造（１０００）の両側で接続されている。
2005533363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エロージョン評価のための第１の構造と、欠陥サイズ分布および欠陥密度分布の抽出のための第２の構造と、を有するテスト構造体。
【請求項２】
前記第２の構造がネスト構造である、請求項１に記載のテスト構造体。
【請求項３】
前記第１の構造は金属の高さとともに変化する抵抗値を求めるのに使用可能なループ構造である、請求項２に記載のテスト構造体。
【請求項４】
前記ループ構造のループ・ラインが前記ネスト構造の両側で接続された、請求項３に記載のテスト構造体。
【請求項５】
前記ループ・ラインが、前記ネスト構造の他方の側に比べて前記ネスト構造の一方の側において共により近く配置されている、請求項４に記載のテスト構造体。
【請求項６】
前記ループ・ラインが、前記ネスト構造の他方の側とは異なる形態で前記ネスト構造の一方の側において配置されている、請求項４に記載のテスト構造体。
【請求項７】
前記ループ構造は４点ケルヴィン・タイプの測定を行うのに適している、請求項３に記載のテスト構造体。
【請求項８】
前記ループ構造が複数のスネーク状セグメントを含み、各セグメントがそれぞれのタップを有する、請求項３に記載のテスト構造体。
【請求項９】
前記ループ構造は、さらに、スネーク状セグメントと前記ループ構造の周りの大域的近傍との間の相互作用を評価するための第１の複数のパターンを含むものである、請求項８に記載のテスト構造体。
【請求項１０】
前記ループ構造は、さらに、前記スネーク状セグメントと前記ループ構造の周りの局所的近傍との間の相互作用を評価するための第１の複数のパターンを含むものである、請求項９に記載のテスト構造体。
【請求項１１】
前記ループ構造を用いて複数のケルヴィン・ストリップ・ラインにおけるパターン変動の相互作用距離が抽出され、前記相互作用距離は、前記ケルヴィン・ストリップ・ラインが第１の一定の高さを有する第１の領域と前記ケルヴィン・ストリップ・ラインが前記第１の一定の高さとは異なる第２の一定の高さを有する第２の領域との間の距離である、請求項３に記載のテスト構造体。
【請求項１２】
前記ループ構造は、前記第１の領域の前記第１の一定の高さから前記第２の領域の前記第２の一定の高さまで相互作用距離においてパターン高さが徐々に変化するような前記相互作用距離を有する遷移領域を有するものである、請求項１１に記載のテスト構造体。
【請求項１３】
前記第２の構造は、基板の単一層の１つの面上に複数対のラインを具え、各１対のラインはそれらの間に共用パッドを有するものである、請求項１に記載のテスト構造体。
【請求項１４】
前記ネスト構造のラインはネスト状ヘビ状ラインであり、前記ネスト状ヘビ状ラインの中のいずれのものも前記ネスト状ヘビ状ラインの中の他のいずれのラインと交差しないものである、請求項１３に記載のテスト構造体。
【請求項１５】
各１対の前記ネスト状ヘビ状ラインが互いに隣接していない、請求項１３に記載のテスト構造体。
【請求項１６】
各１対のラインはそれぞれの第１のラインとそれぞれの第２のラインを含み、
前記ネスト構造における各第１のラインは第１のシーケンス内のそれぞれの位置を有し、
前記ネスト構造における各第２のラインは前記第１のシーケンスとは異なる第２のシーケンス内のそれぞれの位置を有し、
各１対のライン内において、前記第２のシーケンス内の前記第２のラインの位置は前記第１のシーケンス内の対応する第１のラインの位置とは異なるものである、
請求項１３に記載のテスト構造体。
【請求項１７】
半導体プロセスを分析する方法であって、
第１の構造と第２の構造を有するテスト構造を形成するステップと、
前記第１の構造の測定に基づいてエロージョンを評価するステップと、
前記第２の構造の測定に基づいて欠陥サイズ分布および欠陥密度分布を抽出するステップと、
を含む方法。
【請求項１８】
さらに、大域的エロージョン効果、局所的ディッシング効果、およびディッシングとエロージョンの間の相互作用を検査するための実験の設計を用いることを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記実験の設計は、酸化物エロージョンの測定を可能にするために前記第１の構造の周りの大域的領域のパターン密度を変化させることを含むものである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記大域的領域の前記パターン密度は、前記第１の構造のライン・サイズを変化させずに変化するものである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の構造のライン・サイズは変化して前記大域的領域のライン・サイズに実質的に等しく保たれて、ディッシングとエロージョンの間の相互作用の評価が可能になるものである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記実験の設計は、金属ディッシングの測定を可能にするために前記第１の構造のライン幅を変化させることを含むものである、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路製品の歩留まり（yield）および性能に対する統計的変動の発生源（ソース）および影響（効果）を判定するために、集積回路製造プロセス（方法）に関するプロセスおよび設計に関連する統計的変動（ばらつき）を測定しおよび評価する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅（Ｃｕ）ダマシン（damascene、波形文様）半導体製造プロセス（処理、方法）においてディッシング（dishing、中低そり）およびエロージョン（erosion、腐食、浸食）効果は周知である（図１、２Ａおよび２Ｂ参照）。図１は、化学機械的（機械化学）研磨（ＣＭＰ、chemical mechanical polishing）の前における銅１２および酸化物１１の層を有する構造１１０を示している。図２ＡはＣｕディッシング状態１２０の構造を示している。この構造において、酸化物層１２１およびＣｕ層１２２は、酸化物層１２１の上面（頂部）の元の高さ１２５より低く、酸化物層１２１が量１２３だけ減少し、Ｃｕ層１２２がさらに量１２４だけ減少していて、Ｃｕ層１２２の上面は酸化物層１２１の上面より低くなっている。図２Ｂは“Ｃｕアップ（高い）”状態の構成１３０を示している。この構成において、酸化物層１３１およびＣｕ層１３２は、酸化物層１３１の上面の元の高さ１３５より低く、酸化物層１３１が量１３３だけ減少しＣｕ層１３２より量１３４だけ減少していて、Ｃｕ層１３２の上面は酸化物層１３１の上面より高くなっている。
【０００３】
プロセスの開発（進行）中にそれらの効果を最適化することは難しくなり得る。その理由は、それらの効果がプロセス処方（recipe）設定に対して明らかにかつ逆に相互作用し得るからである。従って、速いプロセスの開発および最適化のためにディッシングおよびエロージョン効果を分離する能力を持つことが望ましい。
【０００４】
典型的には物理的測定法を用いて、Ｃｕプロセス開発中のディッシングおよびエロージョンの効果が確認される。それらの測定法は時間がかかるので、プロセスの開発期間中にそのプロセスの安定性を確認するのに充分な統計データを収集するのが困難である。電気的テスト構造によって、遙かに大きい統計サンプルを供給することができる。しかし、以前開発された電気的テスト構造は基本的にテスト構造全体にわたってライン（配線）およびスペース（間隔）が固定された“グレーティング（格子状）構造（gratings）”なので、そのような電気測定法においてディッシングおよびエロージョンの効果を分離することは困難になり得る。
【０００５】
ここで、次の４つの文献の全体をその内容をここに全て記載したものとして参照により組み込む。文献：Tugbawa et al., “A Mathematical Model of Pattern Dependencies in Cu CMP Processes” （Ｃｕ  ＣＭＰプロセスにおけるパターン依存性の数学的モデル）, CMP Symposium, Electrochemical Society Meeting, Honolulu, HA, Oct. 1999；Stine, B. et al. “A Closed-Form Analytic Model for ILD Thickness Variation in CMP Processes” （ＣＭＰプロセスにおけるＩＬＤ厚さ変動の閉形解析モデル）, 1997 Chemical Mechanical Polish for ULSI Multilevel Interconnection Conference (CMP-MIC), p. 266, Santa Clara, February, 1997；Tae Park et al. “Electrical Characterization of Copper Chemical Mechanical Polishing” （銅化学機械的研磨の電気的特徴付け）, CMPMIC'99, pp. 184-191, Feb. 1999；およびTae Park et al., “OVERVIEW OF METHODS FOR CHARACTERIZATION OF PATTERN DEPENDENCIES IN COPPER CMP” （銅ＣＭＰにおけるパターン依存性の特徴付けの方法の概要）, Proc. CMP-MIC, pp. 196-205, Santa Clara, CA, March 2000。
【非特許文献１】Tugbawa et al., “A Mathematical Model of Pattern Dependencies in Cu CMP Processes”, CMP Symposium, Electrochemical Society Meeting, Honolulu, HA, Oct. 1999
【非特許文献２】Stine, B. et al. “A Closed-Form Analytic Model for ILD Thickness Variation in CMP Processes”, 1997 Chemical Mechanical Polish for ULSI Multilevel Interconnection Conference (CMP-MIC), p. 266, Santa Clara, February, 1997
【非特許文献３】Tae Park et al. “Electrical Characterization of Copper Chemical Mechanical Polishing”, CMPMIC'99, pp. 184-191, Feb. 1999
【非特許文献４】Tae Park et al., “OVERVIEW OF METHODS FOR CHARACTERIZATION OF PATTERN DEPENDENCIES IN COPPER CMP”, Proc. CMP-MIC, pp. 196-205, Santa Clara, CA, March 2000
【０００６】
プロセス開発の期間中のＣｕディッシングおよびエロージョンが充分理解できたとしても、その情報を用いて、特定の製品設計上のＣｕディッシングおよびエロージョンから結果として生じる歩留まりおよび性能の変動（ばらつき）を分析することは困難であり得る。
【発明の開示】
【０００７】
発明の概要
本発明のテスト構造は、エロージョン評価のための第１の構造と、欠陥サイズ分布および欠陥密度分布を抽出するための第２の構造とを有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
特定の製品設計におけるＣｕディッシングおよびエロージョンから結果として得られる歩留まりおよび性能の変動を分析または解析する１つの方法は、Ｃｕプロセスの開発（development、進展、進行）中に観察されるＣｕディッシング効果およびエロージョン効果のモデルを構築することである。このモデルを所与の製品レイアウトに適用して、製品レイアウトにおける任意の特定のワイヤのディッシングおよびエロージョンを予測することができる。正確なモデルの適用には、パターン特徴（feature、機能）の“相互作用距離”の知識が必要である。ここで説明する典型例の実施形態は、ディッシング効果とエロージョン効果を分離する電気的テスト構造を提供し、一方、プロセスの開発および最適化のための統計的に有意な（重要な）測定サンプルを提供する。また、その典型例の実施形態は、パターン特徴の“相互作用距離”を提供する。
【０００９】
その典型例は、次の３つの構成要素（コンポーネント）を含むが、それらに限定されるものではない。
【００１０】
“マルチタップ・ケルヴィン”（ＭＴ−ケルヴィン、複数タップ−ケルヴィン）テスト構造。ＭＴ−ケルヴィン・テスト構造を用いて、ケルヴィン・ストリップ・ラインの幅およびそのラインの“局所的な（ローカルな）”および“大域的な（グローバルな）”近傍（付近、近隣）の引き出されたパターンの変化に対するケルヴィン・ストリップ・ラインの抵抗応答をテストする。その固有の特徴の中でも、それによって、複数のケルヴィン・セグメントを、固有のライン幅および局所的な近傍と共に、所与の密度を有する１つの“大域的な近傍”内に埋め込むことができる。テスト中のデバイス（ＤＵＴ、device under test）セグメントは、抵抗を増大させおよび抵抗変動の分解能（resolution）を増大させるために“スネーク状”（snaked、ヘビ状、巻状）にすることができる。これらの特徴をそのテスト構造において組み合わせて、適当な実験の設計を用いてＣｕディッシング効果およびエロージョン効果を分離することができる。
【００１１】
Ｃｕ化学機械的研磨（ＣＭＰ）ディッシング効果およびエロージョン効果の正確な分析およびモデル化を可能にする上述のテスト構造用の実験の設計（Ｄｅｓｉｇｎ−ｏｆ−Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ、ＤＯＥ）。ＤＯＥとテスト構造の組み合わせによって、一意的に、個々のディッシング効果とエロージョン効果の分離が可能になり、それらを組み合わせた効果のクロス確認（ｃｒｏｓｓ−ｖａｌｉｄａｔｉｏｎ、１つのサンプルに対して成功した方法を他のサンプルに適用して確認すること）が可能になる。
【００１２】
“ループ・ネスト（ＬｏｏｐＮｅｓｔ）”テスト構造。ループ・ネスト（入れ子式）を用いて、ケルヴィン・ストリップ・ライン上のパターン変動の“相互作用距離”を抽出する。それは、電気的テスト可能なネスト・テスト構造をダミー・パターンとして用いて、ケルヴィン・ストリップ・ラインの周りに密な（dense）領域を形成（確立）するという点で、独特のものである。以前のテスト・パターンでは、その目的のためにテストできないダミー・ポリゴン（多角形）が用いられる。
【００１３】
以下、それら構成要素の各々をより詳しく説明する。
【００１４】
マルチタップ・ケルヴィン・テスト構造
図３には、マルチタップ・ケルヴィン（ＭＴ−ケルヴィン）テスト構造が示されている。その構造はＤＵＴ３０３を含んでおり、ＤＵＴ３０３において、複数のスネーク状セグメントが複数のタップ３１０によって接続されている。タップ３１０によって、３つのスネーク状セグメントの中のいずれのセグメントに、存在し得る任意の短絡または開放回路が位置するかを判定できる。各タップ３１０は、電気的テスト測定用のパッド３０８を有する。パターン３０４は、シールド・ラインとして設けられる。パターン３０６は、グローバルな近傍のパターンである。図３の典型例のＭＴ−ケルヴィン構造において、長さＬ１は約３μｍ乃至約６μｍの範囲であり、長さＬ２は約１００μｍ乃至約６００μｍの範囲である。そのテスト構造の１つの目的は、ディッシング効果とエロージョン効果の分離を可能にすることである。
【００１５】
ＭＴ−ケルヴィン構造３０３は、ＤＵＴのための個々に制御可能なライン幅およびライン間隔（スペース）、局所的（ローカル）近傍３０４および大域的（グローバル）近傍３０６を有する単一層テスト構造である。
【００１６】
・ＤＵＴライン幅の変動（変化、ばらつき）を用いてディッシング効果を刺激またはシミュレーションする（stimulate）。ＤＵＴライン幅が非常に小さい場合は、抵抗応答においてリソグラフィまたはバリア金属効果が支配的となり得る。
・局所的近傍の変動を用いてＤＵＴ３０３に対するリソグラフィのおよび短い距離範囲のＣＭＰの効果を制御する。
・大域的近傍の変動を用いてＤＵＴに対する長い距離範囲のＣＭＰ効果を制御する。
【００１７】
ディッシングについて、大域的近傍パターン３０６を無く（排除）してアイソ（iso：孤立、等しい、同じ）領域を形成することができる。ＤＵＴ３０３のライン幅を変化させてディッシングを測定することができる。
【００１８】
エロージョンについて、ＤＵＴ３０３のライン・サイズ（Ｌ／Ｓ）を、大域的密度への影響を回避するのに充分小さく、しかしリソグラフィ効果を回避するのに充分大きく設定する。パターン３０６の大域的Ｌ／Ｓを変化させて酸化物エロージョンを刺激またはシミュレーションする（stimulate）ことができる。
【００１９】
ディッシング・プラス・エロージョン（ディッシングとエロージョンの双方）について、ＤＵＴ３０３のＬ／Ｓを、パターン３０６の大域的Ｌ／Ｓに等しくなるよう設定（固定）する。これによって、ＤＵＴ測定におけるディッシング効果とエロージョン効果が組み合わされる（結合される、合成される）。
【００２０】
制御可能なライン幅およびライン間隔に加えて、ＭＴ−ケルヴィン・テスト構造によって、ＤＵＴラインにおいて複数の“スネーク状セグメント”が可能になる。“スネーク状ＤＵＴ”を用いて、レイアウト近傍または処理（プロセス）の効果によるＤＵＴラインの抵抗の小さい変化の分解能（resolution）の増大のためにＤＵＴラインの抵抗を増大させる。典型例のＤＵＴ３０３は３つのスネーク状セグメントを有するが、任意の数のスネーク状セグメントを含ませてもよい。さらに、各スネーク状セグメント内の巻き数は変化させてもよい。
【００２１】
典型例のテスト構造は、ＤＵＴにおけるＣｕ／酸化物エロージョン効果からＣｕディッシング効果を分離させるためにＤＯＥで用いるように設計した。
【００２２】
ＭＴ−ケルヴィンの１つの特徴は、ＤＵＴ３０３および局所的近傍３０４の周りの酸化物の厚さが大域的近傍３０６の酸化物の厚さと一致（整合、マッチ）することである。このようにして、大域的近傍パターン３０６の変動を用いて、エロージョン効果を刺激またはシミュレーションし、ＤＵＴ３０３の基本的Ｃｕ厚さ変動を操縦する（drive）ことができ、一方、ＤＵＴライン幅を用いてディッシング効果を刺激またはシミュレーションしＤＵＴの別のＣｕ厚さ変動を操縦することができる。
【００２３】
ＭＴ−ケルヴィン・テスト構造３００を、Ｃｕ配線（ワイヤリング）を用いて複数の半導体製造プロセスにおいて作製した。図４Ａ〜４Ｃには、ＭＴ−ケルヴィンの局所的振る舞い対（vs.）大域的振る舞いを確認する代表的Ｃｕプロセスから得られたプロフィルメトリ（profilometry、表面あらさ測定）結果が示されている。図４Ａ〜４Ｃは３つの曲線を示し、各曲線は大域的近傍ライン用のそれぞれ異なるライン幅および／またはライン間隔を有する。これら３つの曲線は、図４Ａの狭ライン／広間隔、図４Ｂの中間（medium）ライン／中間間隔、および図４Ｃの狭ライン／狭間隔を含んでいる。ＤＵＴ領域３０３における酸化物高さは、大域的密度の幅の変動を横切る（across）大域的近傍領域３０６の酸化物の高さを正確に追跡する（辿る）。
【００２４】
Ｃｕ  ＣＭＰモデル化ＤＯＥ
実験の設計（ＤＯＥ、Design-of-Experiment）を、ＭＴ−ケルヴィン・テスト構造３００で用いて、Ｃｕ／酸化物エロージョン効果からＣｕディッシング効果を分離させることができる。このＤＯＥはテーブル（表）１〜３に示されている。別々の３つの実験を用いて次の項目をチェック（検査）する。
【００２５】
・大域的エロージョン効果
・局所的ディッシング効果
・ディッシングとエロージョンの間の相互作用の項（terms）
【００２６】
テーブル１において、ＤＵＴ３０３は、０．５μｍ／０．５μｍの固定されたライン・サイズ（Ｌ／Ｓ）を有する。ＤＯＥは大域領域３０６のＬ／Ｓにおけるものである。典型例のＤＵＴは、大域領域３０６内のＬ／Ｓ変動によって導入される酸化物エロージョンを測定する。
【００２７】
【表１】
2005533363.tif 000003
【００２８】
テーブル２において、ＤＵＴは、幅が変化する孤立ラインである。典型例のＤＵＴ３０３では、ディッシング 対 ライン幅を測定する。
【００２９】
【表２】
2005533363.tif 000004
【００３０】
テーブル３において、その構造は、ＤＵＴ  Ｌ／Ｓが大域的近傍３０６に等しいＬ／Ｓである完全な格子である。これらのデータを用いてディッシング／エロージョン実験から抽出されたＣＭＰモデルを検証または実証する。
【００３１】
【表３】
2005533363.tif 000005
【００３２】
図５Ａおよび５Ｂには、上述の実験用の典型例の網線（reticle）平面図が示されている。その典型例の網線平面図は、約２２ｍｍの長さＬ３を有するが、他の網線のサイズを用いてもよい。平面図は、大域的効果（例えば、長い距離範囲のバルクＣｕ研磨効果）を最小化するように設計される。図５Ｂにおいて、用語“局所的ＮＢＨ（LocalNBH）”は局所的近傍を意味し、用語“大域的ＮＢＨ（GlobalNBH）”は、大域的近傍を意味する。
【００３３】
エロージョン実験
エロージョン実験において、固定されたＤＵＴ３０３と局所的近傍３０４を用いて、大域的近傍３０６におけるパターン変動によるエロージョン効果をモニタする。
【００３４】
１つの例では、固定されたＤＵＴ３０３と局所的近傍３０４は、全ての実験的変動に対して固定されたライン幅およびライン間隔を有する。これらの寸法形状を固定することによって、ＤＵＴ３０３におけるディッシングおよびＤＵＴトレンチ（trench）における任意のリソグラフ・プリント変動が一定に維持される。それによって、エロージョン応答がディッシング応答から分離して観察できる。
【００３５】
ＤＵＴ３０３のライン幅およびライン間隔と局所的近傍３０４は、過大なリソグラフ変動を回避するように充分大きく選択すべきであるが、任意のかなりの（有意な）Ｃｕディッシングが生じるように大きくすべきではない。経験によれば、０．５μｍのライン幅およびライン間隔は、そのために充分な値である。
【００３６】
大域的近傍３０６のライン幅およびライン間隔を変化させて、ＣＭＰ研磨の期間中のエロージョン効果をシミュレーション（simulate、模擬実験）する。領域のパターン密度と酸化物ライン幅の双方によって、エロージョン効果をシミュレーションすることができる。これは、T. Tugbawa, T. Park, D. Boning, L. Camilletti, M. Brongo, and P. Lefevre, “Modeling of Pattern Dependencies in Multi-Step Copper Chemical Mechanical Polishing Processes” （複数ステップの銅化学機械的研磨プロセスにおけるパターン依存性のモデル化）, Chemical Mechanical Polish for ULSI Multilevel Interconnection Conference (CMP-MIC 2001), pp. 65-68, Santa Clara, March 2001に記載されている。ここで、この文献を参照により組み込む。従って、大域的近傍３０６のライン幅およびライン間隔におけるＤＯＥを用いて、典型的製品において発生し得るそのような密度およびライン幅の変動の範囲を計る（span、スパンする）。最小のライン幅およびライン間隔は、各技術の関数（機能）であるが、その値より大きいライン幅およびライン間隔を複数の技術世代にわたって（across technology generations）一定に維持してもよい。
【非特許文献５】T. Tugbawa, T. Park, D. Boning, L. Camilletti, M. Brongo, and P. Lefevre, “Modeling of Pattern Dependencies in Multi-Step Copper Chemical Mechanical Polishing Processes”, Chemical Mechanical Polish for ULSI Multilevel Interconnection Conference (CMP-MIC 2001), pp. 65-68, Santa Clara, March 2001
【００３７】
図６には、エロージョン実験からの典型的な抵抗応答が示されている。図６において、密度を上げるための抵抗 対 ライン幅の勾配（傾斜）の増大は、ＫOX（ＫOX＝ブランケット・ウェハ研磨レート（率、速度））が酸化物間隔幅に依存し得ることを示している。
【００３８】
ディッシング実験
ディッシング実験において、空の（存在しない）大域的近傍３０６（０％密度）、空の（存在しない）局所的近傍３０４、およびＤＵＴ３０３における変化するライン幅を用いて、ＤＵＴにおけるディッシング効果をモニタする。代替構成として、任意の一定の大域的近傍を用いることもできる。しかし、空の近傍（近傍部分が存在しないこと）によって、この実験においてエロージョン効果を混同することはできるだけほとんどないことが保証され、従って、この実験にとって好ましい。
【００３９】
ＤＵＴ３０３におけるライン幅変動によって、ＤＵＴにおける相異なる量のディッシングが生じる。大域的近傍３０６が一定の密度に維持されるので、エロージョン変動およびそのＤＵＴ３０３に与える効果（影響）が最小化される（即ち、ＤＵＴ自体のパターン密度からの僅かな効果のみに減少する）。それによって、ディッシング応答はエロージョン応答から分離して観測できる。
【００４０】
図７には、ＭＴ−ケルヴィン・ディッシング・エロージョン実験からの典型的な抵抗応答が示されている。図７において、小さい臨界的（重要な）寸法幅（critical dimension width）はバリア、リソグラフおよびエッチング効果７０１と相関され（correlated）、大きな臨界的（重要な）寸法幅はディッシングと相関される。
【００４１】
ディッシング＋エロージョン相互作用実験
この実験において、ＤＵＴ３０３、局所的近傍３０４および大域的近傍３０６は、全て同じライン幅およびライン間隔で描かれる。これによって、ＤＵＴ３０３におけるディッシングとエロージョンの効果に混同が生じ、エロージョンおよびディッシング実験を用いて構築された任意のＣｕ  ＣＭＰ厚さモデルのクロス確認（cross-validation）が可能になる。
【００４２】
また、これらの構造は、Ｃｕプロセスを最適化するためのプロセス工学によって従来用いられてきた典型的な“格子”（grating）構造に非常に類似しているように見える。従って、それらは、従来の測定に対してＭＴ−ケルヴィン応答の基準または尺度の目的でも用いられる。
【００４３】
ループネスト・テスト構造
前述のように、エロージョンは金属密度に依存する。異なる２つの金属密度の間に境界が存在と仮定すると、その境界の両側では金属と酸化物の高さが、高さ変化分（ＨＣ、height change）だけ変化する（異なる）。境界から充分離れた或る点において、その高さは変化することを止める（それ以上変化しない）。高さが一定である領域間の距離は相互作用距離（ＩＤ、interaction distance）として定義される。図８から分かるように、それは金属および酸化物の高さが変化する距離である。図８のＩＤセグメントの左側において、その高さは相対的により小さい一定の値である。図８のＩＤセグメントの右側において、その高さは相対的により大きい一定の値である。その相互作用距離ＩＤはモデル・エロージョンに対する主要な入力値である。従って、相互作用距離ＩＤの決定を可能にするテスト構造を実現することが重要である。
【００４４】
相互作用距離ＩＤは典型的には複数１００μｍの範囲にあり、その範囲は、完全な相互作用距離評価のための広大なチップ面積（領域）を必要とする。そのために、相異なる金属密度をシミュレーションすることだけを目的とする広大なダミー充填（フィル、fill）領域の内部に、複数のループを配置することができる。複数のループの抵抗の測定の差から、金属ラインのエロージョンに対して結論（終了）する。ダミー充填（フィル）領域内部に多数のループを配置すると、さらに相互作用距離ＩＤが得られる。しかし、テスト・チップ領域は非常にコストが高く、テスト・チップ領域を最小化する継続的努力を行う中で、ダミー充填用に大きい領域を割り当てることは、効率的なプロセス開発およびプロセス特徴付け（characterization）においては商業的に成り立たないかもしれない。
【００４５】
典型例の実施形態の１つの特徴（側面）は、エロージョン評価と、同様に大きいチップ面積（領域）を必要とする欠陥（defect）サイズ分布および欠陥密度分布の抽出と、を組み合わせるテスト構造を用いることである。ネスト構造は、Hess, C., Stashower, D., Stine, B. E., Verma, G., Weiland, L. H., Miyamoto, K., Inoue, K. Fast Extraction of Killer Defect Density and Size Distribution Using a Single Layer Short Flow NEST Structure（単一層短絡フロー・ネスト構造を用いたキラー欠陥密度およびサイズ分布の抽出）Proc. International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), pp. 57-62, Monterey (USA), 2000、２００１年３月１２日付け米国仮特許出願第６０／２７５，１９０、および２００２年３月１２日付け国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ０２／０７４０９号に記載されている。ここで、これらの文献全体を参照により組み込む。以下、先に基本ＰＤネスト構造を説明し、その後でループ構造を説明する。
【非特許文献６】Hess, C., Stashower, D., Stine, B. E., Verma, G., Weiland, L. H., Miyamoto, K., Inoue, K. Fast Extraction of Killer Defect Density and Size Distribution Using a Single Layer Short Flow NEST Structure Proc. International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), pp. 57-62, Monterey (USA), 2000
【００４６】
ＰＤネスト構造の設計
ネスト構造をさらに改良するために、図１０Ａに示されたようなパッドの或る共用形態を取り入れることができる。図１０Ａは、見やすくするために、ネスト構造のネスト状ラインを直線で表した概念図である。各ライン３０１ａ〜３０１ｈおよび３０２ａ〜３０２ｈはそれぞれのヘビ状（serpentine、サーペンタイン、曲がりくねった）ラインを表していると理解される。図１０Ａに示されているように、２本のラインは、（図１の正規のネスト構造における４つのパッドの代わりに）３つのパッドに接続されればよく、それら（２本のライン）の間で中央のパッドが共用される。例えば、ライン３０１ａは上部（頂部）のパッド３１１ａおよび中央のパッド３１２ａに接続され、ライン３０２ａは下部（底部）のパッド３１３ａおよびその同じ中央のパッド３１２ａに接続されている。上側のライン３０１ａ〜３０１ｈおよび下側のライン３０２ａ〜３０２ｈを含む各１対のラインに対して、それに対応する上部の１つのパッド３１１ａ〜３１１ｈ、中央の１つのパッド３１２ａ〜３１２ｈおよび下部の１つのパッド３１３ａ〜３１３ｈが存在する。従って、２×Ｎのパッド・フレームにおける所与数Ｍ個のパッドに対して、普通のネスト構造におけるちょうどＮ本のラインの代わりに、２＊整数（Ｍ／３）本のラインがＰＤネスト構造に実装できる。例えば、図１０Ａに示されているように、ＰＤネストに１６本のラインが実装できる。別の例として（図示せず）、普通のネスト構造におけるちょうど１５本のラインの代わりに、２×１５のパッド・フレームにおいて２０本のラインをＰＤネスト構造に実装してもよい。換言すれば、同じ数のラインを接続するのに２５％少ないパッドで済み、その結果、パッド・フレーム・ステッピング時間がより短いのでテスト時間がより短くなり、また所与のチップ面積をかなりより良好に（効率良く）使用できる。
【００４７】
欠陥によって生じた開放ラインが存在する場合は、それが、上部のパッドと中央のパッドの間または下部のパッドと中央のパッドの間のいずれに存在するかが明確に検出できる。しかし、図１０Ａの構成については、ライン３０１ａ〜３０１ｈの中の１本以上のラインにおける１つの欠陥が上側に短絡回路を生じさせている場合に、その欠陥が下側で測定することができる。それらの欠陥を分離するためにも、第１の側（例えば、左側）と第２の側（例えば、右側）におけるライン間の近隣（近傍）関係が、次の文献に記載されている順列手順（Permutation Procedure）を用いて変更される。その順列手順は、文献Hess, C., Weiland, L. H., “Harp Test Structure to Electrically Determine Size Distributions of Killer Defects” （キラー欠陥のサイズ分布を電気的に求めるためのハープ・テスト構造）, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, pp.194-203, Vol.11, No.2, 1988に記載されており、この文献をここに参照により組み込み、関連部分を以下で説明する。２組のラインだけ（図１０Ａにおける上側および下側、または他の構成では左側および右側）が存在するので、順列手順によって２Ｄ（２次元）マトリックスの２つの行（row）だけが計算される。
【非特許文献７】Hess, C., Weiland, L. H., “Harp Test Structure to Electrically Determine Size Distributions of Killer Defects”, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, pp.194-203, Vol.11, No.2, 1988
【００４８】
平行なライン（各ラインは絶縁分離された（孤立）パッドに接続されている）が、テスト構造の内部に実装されて、欠陥サイズ分布が電気的に決定される。１つの欠陥が生じて電気的に測定可能なフォルト（fault、障害、故障）を生じさせた場合は、２本以上のテスト構造ラインが短絡される。共に短絡されるテスト構造ラインの数が多いほど、その欠陥はより大きい。しかし、２本より多いヘビ状ラインが接続された場合は、ちょうど１つの大きい欠陥だけが存在するのかまたは幾つかの小さい欠陥が多重フォルトを生じさせたのかを判定することは困難である。複数の短絡回路が複数のテスト構造ラインを接続させるのは、それらのラインがそのテスト・チップ領域（面積）の内部のどこかに近隣関係で位置する場合でありまたはそのような場合だけである。従って、実装された相異なる近隣関係のテスト構造ラインの数が多いほど、より多くの短絡回路が区別（識別）可能である。
【００４９】
順列手順によって、パッドの数が増大することなく、相異なる近隣関係のテスト構造ラインの数が増大する。設計外の短絡欠陥は、電気的に区別（識別）可能なパッドに接続されたテスト構造ラインの間で検出可能である。そのために、各テスト構造ラインに個々のパッドを割り当てる必要はないが、各１対の平行なテスト構造ラインが一意的な（固有の）パッドの組に接続される。これを理由として、隣接ライン間の可能な全ての近隣関係が一度（以下）でテスト・チップの内部に配置される。
【００５０】
ａ［２，ｊ］を、下側（第２）の組のラインの中のｊ番目のラインのインデックスとする。第１のシーケンス（一連）のライン番号が単純に正の整数（１、２、３、・・・）の組であり、使用されるインデックス値の数ｍは偶数整数であり（（ｍ／２）∈Ｎ）、ｊは第２のシーケンス内のインデックスの位置であると仮定すると、第２のシーケンスが次のように与えられる。
【００５１】
【数１】
2005533363.tif 000006
【００５２】
従って、図１０Ｂに示されているように、上述の式より第２のシーケンスは２−４−１−６−３−８−５−７である。従って、上側シーケンスのラインが１−２−３−４−５−６−７−８である場合は、下側シーケンスのラインは２−４−１−６−３−８−５−７である。下側の行または列（row）において、第１番目のラインはインデックス“２”を有し、それはその第１番目の下部ラインが、上側の組のラインの中の第２番目のラインとの間で１つのパッドを共用している（かつそのラインに電気的に接続されている）ことを示している。下側の行において、第２番目のラインはインデックス“４”を有し、それはその第２番目の下部ラインが、上側の組のラインの中の第４番目のラインとの間で１つのパッドを共用していることを示している。下側の行において、第３番目のラインはインデックス“１”を有し、それはその第３番目の下部ラインが、上側の組のラインの中の第１番目のラインとの間で１つのパッドを共用していることを示している。同様に、下側の行において、第４番目〜第８番目のラインはインデックス“４”、“３”、“８”、“５”および“７”をそれぞれ有し、それはそれらのラインが、上側の組のラインの中のそれぞれ第６番目、第３番目、第８番目、第５番目および第７番目のラインとの間で、それぞれのパッドを共用していることを示している。
【００５３】
当業者であれば、任意の偶数整数ｍ（下側ラインの数）に対して、上述の式を適用することによって第２のシーケンスのラインをすぐに求めることができる。このシーケンスを用いて、インデックスａ［２，ｊ］を有する各下部ラインは、インデックスａ［２，ｊ−１］および／またはａ［２，ｊ＋１］を有する１本または２本の近隣ラインを有する。対応する上部ラインａ［１，ｊ］は、ラインａ［２，ｊ］との間で１つのパッドを共用し、インデックスａ［１，ｊ−１］および／またはａ［１，ｊ＋１］を有する１本または２本の近隣ラインを有する。ｊの各値に対して、次の不等式が成立する。
【００５４】
ａ［２，ｊ−１］≠ａ［１，ｊ−１］
ａ［２，ｊ−１］≠ａ［１，ｊ＋１］
ａ［２，ｊ＋１］≠ａ［１，ｊ−１］
ａ［２，ｊ＋１］≠ａ［１，ｊ＋１］
【００５５】
換言すれば、インデックスｊを有する各１対の上部および下部ライン（または第１と第２のライン、または右および左のライン）に対して、隣接する近隣ラインはばらばらで（disjoint）ある。近隣ライン・インデックスの間の各関係は最大で１回だけ出現する。それによって、ラインｊとその近隣ライン中の１つとの間の短絡回路が上部ラインａ［１，ｊ］または下部ラインａ［２，ｊ］に影響を与えるかどうかを一意的に識別することができる。
【００５６】
図１０Ｂは２＊８ラインの例を示している。図１０Ａに示されているように、上側パッド４１１ａ〜４１１ｈ、中央パッド４１２ａ〜４１２ｈおよび下側パッド４１３ａ〜４１３ｈは、上側ライン４０１ａ〜４０１ｈおよび下側ライン４０２ａ〜４０２ｈを有する。図１０Ｂの例では、接続ライン４０３ａ〜４０３ｄおよび４０４ａ〜４０４ｄを有するルーティング（ルート割当）チャネル４２０が付加されている。各ライン４０１ａ〜４０１ｈおよび４０２ａ〜４０２ｈの他に、“順列インデックス”が示されている。この例では、下側ライン４０２ａ〜４０２ｈが再配置されていて、各ラインが下部ラインのシーケンスにおける順番の位置とは異なるその次（隣）の順列インデックスを有するようになっている。（即ち、第１のライン４０２ａは順列インデックス“１”を持たず、第２のライン４０２ｂは順列インデックス“２”を持たず、・・・となっている。）また、順列インデックスの配置は、最近接のより大きいまたはより小さい順列インデックスを有する１ラインに隣接する下側ライン４０２ａ〜４０２ｈが存在しないように構成されている。例えば、上部ライン４０１ｃ（順列インデックス“３”）は上部ライン４０１ｂ（順列インデックス“２”）および上部ライン４０１ｄ（順列インデックス“４”）に隣接するが、下部ライン４０２ｅ（順列インデックス“３”）は下部ライン４０２ｄ（順列インデックス“６”）および下部ライン４０２ｆ（順列インデックス“８”）に隣接する。相異なる近隣関係によって、上側ライン４０１ａ〜４０１ｈおよび下側ライン４０２ａ〜４０２ｈを結果として短絡させる複数の欠陥を容易に分離できる。
【００５７】
インデックスの順序を変更するために、ルーティング・チャネル４２０を図１０Ｂに示されているように設けることができる。図１０Ｂに示されたルーティング・チャネル４２０は、単一マスク上では得られない複数の交差部４０３ａ〜４０３ｄと４０４ａ〜４０４ｄを含んでいる。発明者たちは、２つのグループ、即ち図１０Ｂに示された全て実線のルーティング・ライン４０３ａ〜４０３ｄの組と破線の全てのルーティング・ライン４０４ａ〜４０４ｄの組と、に分けた場合には、交差なしでその完全なルーティングを実装することができると判断した。
【００５８】
図１１は、基板５９９を含むテスト・ビヒクル（vehicle、媒介手段、伝達手段）５００の図を示しており、基板５９９は、その基板の単一層の単一表面上に、少なくとも１つの層と、複数対のネスト状のヘビ状ライン５０１〜５２４とを有し、各１対のネスト状のヘビ状ラインは、それらの間に共用のパッド１Ｍ〜８Ｍを有する。
【００５９】
図１１は、図１０Ｂにおけるラインの組の典型例のルーティングを示しており、そこにはそのネスト状のヘビ状ラインが描かれている。図１１において、下側の組のラインは“１”から“８”まで順に番号が付されている。上側の組のラインはシーケンス２−４−１−６−３−８−５−７と番号が付されている。従って、図１１において、上側の組のラインは第２の組であり、下側の組のラインは第１の組である。これは、上側の組が第１の組であり下側の組が第２の組である図１０Ｂとは反対の関係である。
【００６０】
テスト・ビヒクル５００は基板５９９を含んでおり、基板５９９は、ライン５９５より上の第１（上部）の側５９１とライン５９５より下の第２（下部）の側５９２とを有する少なくとも１つの層を有する。第１の行のパッド５０１〜５１２は基板５９９の第１の側５９１にある。第２の行のパッド５１３〜５２４は基板５９９の第２の側５９２にある。複数対のネスト状のヘビ状ライン（５５１および５６２、５５２および５６４、５５３および５６１、５５４および５６６、５５５および５６３、５５６および５６８、５５７および５６５、５５８および５６７）はその基板上にある。複数対のパッドには、符号１Ｌおよび１Ｒ、２Ｌおよび２Ｒ、・・・、８Ｌおよび８Ｒが付されている。符号ＬおよびＲは“左”および“右”を表すが、その符号は任意であり、そのパターンのまたはテスト・ビヒクル５００の特定の方向でなくてもよい。代替構成として、ＬおよびＲが異なる２つの側に対応する限り、Ｌが“右”、“下部”または“上部”に対応してもよく、Ｒが“左”、“上部”または“下部”に対応してもよい。
【００６１】
各１対のネスト状のヘビ状ラインは、それらの間に共用のパッド１Ｍ〜８Ｍ（それぞれ番号５１３、５１２、５０４、５２２、５１６、５１０、５０６および５１９）を有する。各１対（例えば、５５１および５６２）のネスト状のヘビ状ライン５０１〜５２４は、第１のライン（例えば、５５１）および第２のライン（例えば、５６２）を含み、その第１のライン（例えば、５５１）は、基板５９９の第１の側５９１の第１の行のパッド５０１〜５１２を越えて延びており、その第２のライン（例えば、５６２）は、基板５９９の第２の側５９２の第２の行のパッド５１３〜５２４を越えて延びている。
【００６２】
図１１はそのような１つのルーティングの例である。図１１において、図１０Ｂの３つの組のパッド（上側、中央および下側）は２行のパッドの形態に適合するように再配置されている。一方のルーティングの組は、２×Ｎのパッド・フレームの１つの半部分に配置され（例えば、図１１における２×Ｎの描かれた上側の１行のパッド５０１〜５１２）、一方、他方のルーティングの組は、２×Ｎのパッド・フレームの他の半部分に配置されている（例えば、図１１における２×Ｎの水平方向に描かれた下側の１行のパッド５１３〜５２４）。上側の１行のパッド５０１〜５１２は１Ｒ〜８Ｒが付された“右”のパッドと、２Ｍ、３Ｍ、６Ｍおよび７Ｍが付された“中央”のパッドとを含んでいる。下側の１行のパッド５１３〜５２４は１Ｌ〜８Ｌが付された“左”のパッドと、１Ｍ、４Ｍ、５Ｍおよび８Ｍが付された“中央”のパッドとを含んでいる。上側（上部）、下側（下部）、左および右という表示は図面における配置を表しているに過ぎない。上側および下側の位置を左および右に置き換え、またはその逆の形に置き換えた形態の構成もすぐに実現できる。
【００６３】
図１１において、順列インデックス１Ｒ〜８Ｒ、１Ｍ〜８Ｍおよび１Ｌ〜８Ｌは、どのパッドが互いに接続されているかを示している。それぞれのインデックス中に同じ番号を有するパッドは、互いに接続されている。１つのパッドの直接的（直ぐ）反対側には、そのパッドが接続されているパッドは存在しない。例えば、パッド５１２（順列インデックス２Ｍ）はパッド５０１（順列インデックス２Ｒ）とパッド５１４（順列インデックス２Ｌ）に接続されている。
【００６４】
そのルーティング方式（スキーム）を用いると、図１１に見られるような例えば２＊８のラインに関するＰＤネスト構造の典型例の実施形態が得られる。こうして、共に（互いに）短絡されたラインのインデックスは、欠陥がＰＤネスト構造の上側または下側部分のいずれに見いだされるかを示す。例えば、順列インデックス２および４を有するパッドに接続されているラインだけが共に（互いに）短絡された場合は、その短絡回路は、その構成の上半部上の、パッド５０１と５０２にそれぞれ接続されているライン５５１と５５２の間に存在するはずである。しかし、順列インデックス２、３および４を有するパッドに接続されているラインだけが共に（互いに）短絡されている場合は、その短絡回路は、その構成の下半部上の、ライン５６２、５６３および５６４の間に位置するはずである。
【００６５】
図１１の好ましい実施形態はネスト状のヘビ状ラインを含んでいるが、当業者であれば、ここに記載した技術を用いて他のテスト構造を実装することができる。例えば、短絡を測定できる櫛型構造またはその他の任意のテスト構造、またはそれらの組み合わせ（例えば、櫛型とネスト型の組み合わせ）を、ネスト状のヘビ状ラインの代わりに、実装してもよい。
【００６６】
また、特徴付けビヒクル５９９の単一層の１つの表面上にライン５５１〜５５８、５６１〜５６８およびパッド５０１〜５２４を配置したからといって、そのテスト・ビヒクルが他の層を持てなくなるというものではない。従って、図１１に示された構成（または、パッドとネスト状のヘビ状ラインからなる別の構成）は、付加的な層を有する特徴付けビヒクルの１つの表面上に含ませることができる。
【００６７】
ネスト構造を設計するための次の３つの主要な設計ガイドラインがある。
【００６８】
ネスト構造内の複数の（多重）欠陥を分離するという問題をなくす（防止する）ために、１つのネスト構造当たりの面積（領域）は、２つのネスト構造内において欠陥の数の期待値が平均して１以下になるように制限されるべきである。
【００６９】
ネスト構造を測定可能に維持するために、１ライン当たりの抵抗値はテスト装置によって与えられる限度内のものであるべきである。
【００７０】
最後に、テスト時間は、１枚のウェハ当たり所与の限度内であるべきであり、その制限は１つのダイ（die）内に実装し得る最大数のパッド・フレームおよびネスト構造を与える。
【００７１】
現在の期待される欠陥密度の低さでは、テスト時間が、通常、パラメトリック・テスタを用いたアナログＤＣ（直流）測定に対する主な制限である。ディジタル・テストに関して、文献Hess, C., Weiland, L. H., "A Digital Tester Based Measurement Methodology for Process Control in Multilevel Metallization Systems"（複数レベル金属化システムにおけるプロセス制御のためのディジタル・テスタに基づく測定）, Proc. 1995 SPIE's Microelectronic Manufacturing, Vol.2637, pp.125-136, 1995に記載されているように、通常、ライン抵抗はネスト構造設計に対する主な制限である。
【非特許文献８】Hess, C., Weiland, L. H., "A Digital Tester Based Measurement Methodology for Process Control in Multilevel Metallization Systems", Proc. 1995 SPIE's Microelectronic Manufacturing, Vol.2637, pp.125-136, 1995
【００７２】
ループ・ネスト構造
図１０および１１を参照して説明したネスト構造は、欠陥検出には非常に効率的方法である。この構造は、金属高さと共に変化する抵抗値を求めるためのループ構造を含むように拡張してもよい。図９は、ヘビ状ネスト・ラインの巻（turn、曲がり）に含まれるループ１０１０を有するネスト構造１０００を示している。このテスト構造は、以下“ループ・ネスト”テスト構造と呼ぶ。相互作用距離ＩＤを求めるために、ループ・ネスト構造１０００内の相異なる位置に多数のループ１０１０が実装される。リストは、そのネストにおける特定の巻の位置に対応するアレイにインデックスを含ませる。０はネスト構造１０００の底部における特定の基準点である。ループ１０１０はネスト１０００の内部または外部のいずれかに配置される。ループをどこに配置したかを知るために、全てのループには番号が付されている。“０”は、ネスト・テスト構造１０００の上端部または下端部のいずれかとして定義されている。負の番号は、ループがそのネストの外部に配置され周囲の領域に延びることを意味する。正の番号は、特定のケルヴィン・ループ１０１０までの（巻の）距離を表す。ループ１０１０の数は、テストのためにループを接続するのに用いられるパッド・フレームのサイズに応じて決まる。“ルーティング・チャンネル幅”は、ループ・ネストの外側端部から、ループが接続されるパッド・フレームまでの距離として定義される。“ケルヴィン長さ”（ＫＬ）は、電圧タップからループのＵターン位置までの距離として定義される。
【００７３】
ループ・ネストのヘビ状ラインおよびループ１０１０の効率的接続を管理するために、典型例のヘビ状ネスト・ラインを、図１１に示し上述したようにＰＤネスト配置（ＰＤネストはPermuteD NEST（順列Ｄネスト）の短縮表現である）に従って接続する。図１１には概略的ラインが示されており、パッド・フレームは集合的に要素１１１０として示されている。図１１のパッド・フレーム１１１０の上側に概略的に示されているネスト・ラインは集合的に１１１１として示され、パッド・フレーム１１１０の下側に示されているラインは集合的に１１１２として示されている。ネスト状スネーク部１０００（図９に示されている）は、図１１に要素１０００として概略的に示された領域に組み込まれる。実際のレイアウトにおいて、スネーク状部１０００は、そのネストの長さの大部分（例えば、約９８％）を占めて、１００のオーダのスネーク状の巻を、図１１における１０００を付した領域に含ませてもよい。ループ・ライン１０２０はそれらの巻の中のどこに配置してもよい。
【００７４】
図１２は、ループ・ライン１０１０がどのようにヘビ状ネスト・ライン１１１１および１１１２のいずれの側にも接続できるかを示している。そうすることによって、ループ１０１０を含めても、正規のＰＤネスト構造と比べて大きい領域の不利益（penalty、ペナルティ）を受けることはない。図１２において、パッド・フレーム１２２０および１２３０を、ループ・ネスト構成５００の左側および右側それぞれに加えて、４点（端子）ケルヴィン・タイプ（型）の測定用にループを接続する。図１２に示されたループの配置を用いて、或る金属密度領域の内部の相互作用距離を探査することができる。従って、欠陥密度および欠陥サイズ分布は、同じチップ面積（領域）を用いてエロージョンおよび相互作用距離の評価と共に求めることができる。
【００７５】
次に図１３を参照する。ネスト構造内の相互作用を探査するのとは別に、異なる２つの密度領域の間の境界付近の領域も探査できる。図１３の例は、異なる２つの金属密度領域の間の境界に近い相互作用距離を探査するためにループ・ネスト構造内のループの可能な配置を示している。一般的に、そのループのために任意の種類の配置を実装できる。
【００７６】
代替構成として、図１４に示されているように、相異なる配置を組み合わせることができる。図１４は、興味の対象である相異なる領域を探査するように、相異なるループ配置のタイルを実装できる方法の例である。
【００７７】
エロージョンおよびその相互作用距離を調査するために、実験の設計（ＤＯＥ、Design of Experiment）の設定に関して次のガイドラインを適用すべきである。
【００７８】
１．少なくとも２つのネスト密度の実装
・最大密度（最小間隔（スペース）、最大ライン幅）
・公称（正規）密度（公称ライン、間隔（スペース））
【００７９】
２．最大密度ループ・ネストにおいて見られる相互作用距離の確認と、マスクにスペース（空き空間）がある場合におけるその他の密度の追加
【００８０】
３．上部および下部における２００μｍの空き空間を有する各ループ・ネストの分離。
【００８１】
或る典型例の実験結果を得るために、Ｃｕラインの大域的近傍密度に対するＣｕラインの依存性を調査するために、相異なる密度（５％、２５％、５０％、７５％および９０％）を有するテスト・ビヒクル構造を設計することができる。各密度に対して大域的ラインの内部の相異なる位置に配置されたケルヴィン・ループが存在する。エロージョン相互作用距離は、図１５の例として示された大域的近傍における各密度 対 ループ位置にプロットされたシート抵抗を分析することによって求められる。
【００８２】
ここで説明するテスト構造用の典型例の使用はＣｕ  ＣＭＰディッシング効果およびエロージョン効果の分析のためのものであるが、この分野の専門家であれば、銅とは別にその他の金属から形成された構造の分析のためにそのテスト構造を適用できる。
【００８３】
本発明を典型例の実施形態について説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。むしろ、請求の範囲は、本発明の範囲および均等手段の範囲から逸脱することなくこの分野の専門家によって行われるその他の変形および実施形態を含むように広く解釈すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】図１は、化学機械的研磨（ＣＭＰ）の前における銅層および酸化物層を有する構造を示している。
【図２】図２Ａおよび2Ｂは、図１の構造を研磨した後におけるＣｕディッシングおよびエロージョン効果を示す断面図である。
【図３】図３は、マルチタップ・スネーク状ケルヴィン・テスト構造の平面図である。
【図４】図４Ａ〜４Ｃは、それぞれ、狭ライン／広間隔、中ライン／中間隔、および狭ライン／狭間隔に関する酸化物の高さ対走査長さの関係を表すグラフである。
【図５】図５Ａは、本発明によるテスト構造の平面図を示している。図５Ｂは、領域に対する各テスト条件を含む、図５Ａの４つの象限の中の１つの詳細を示している。
【図６】図６は、エロージョン実験から得られた結果を示すグラフである。
【図７】図７は、ディッシング実験から得られた実験結果である。
【図８】図８は、相互作用距離の定義を示している。
【図９】図９は、ループが挿入された単層ネスト構造の原理的設計図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、中央の複数のパッドを共用する複数のラインの典型例の配置を示している。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、典型例の順列手順（Permutation Procedure）によって経路配置された底部ラインを示している。
【図１１】図１１は、ＰＤネスト構造を示している。
【図１２】図１２は、４点ケルヴィン・タイプ測定法用のループを接続するループ・ネストの左右にパッド・フレームを追加したものを示している。図示されたループの配置は、或る金属密度領域の内部の相互作用距離を探査するためのものである。
【図１３】図１３は、異なる２つの金属密度領域の間の境界の近くの相互作用距離を探査するためのループ・ネスト構造内のループの可能な配置を示している。
【図１４】図１４は、相異なるループ配置スタイルが、興味ある相異なる領域を探査するように実装できることを示している。
【図１５】図１５は、ループ・ネスト構造から得られた実験結果を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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