(57)【要約】      （修正有）【課題】電気的短絡による電極及びセパレータのダメージを起こさないリチウム付電極及びその製造方法の提供。【解決手段】アクティブ層１２０の厚さを判定する工程と、特定の厚さを有するリチウム（Ｌｉ）箔を選択する工程と、アクティブ層に対するＬｉ層の重量比又は体積比に基づき、１つ以上のＬｉストリップ１３０の幅を判定する工程と、導電性基板１１０上に前記アクティブ層を積層することと、導電性基板の露出面を露出する、アクティブ層に１つ以上の溝部１５０を形成する工程と、１つ以上の溝部に前記１つ以上のＬｉストリップを圧入する工程とを備え、１つ以上の溝部の幅は、Ｌｉストリップの幅よりも僅かに大きい電極１００の製造方法である。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極の製造方法であって、
アクティブ層の厚さを判定することと、
特定の厚さを有するリチウム（Ｌｉ）箔を選択する工程と、
アクティブ層に対するＬｉ層の重量比又は体積比に基づき、１つ以上のＬｉストリップの幅を判定することと、
導電性基板上に前記アクティブ層を積層する工程と、
前記導電性基板の露出面を露出する、前記アクティブ層に１つ以上の溝部を形成する工程と、
前記１つ以上の溝部に前記１つ以上のＬｉストリップを圧入する工程とを備え、
前記１つ以上の溝部の幅は、前記Ｌｉストリップの前記幅よりも僅かに大きい方法。
【請求項２】
前記アクティブ層における前記１つ以上の溝部は、前記アクティブ層の一端を含む、前記電極上の種々の位置に配される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｌｉ箔の前記特定の厚さは、少なくとも前記アクティブ層の前記厚さ以上である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アクティブ層の積層に先立って、前記導電性基板上に導電性バインダ層を積層する工程をさらに備え、
前記１つ以上の溝部を形成する工程は、前記導電性基板の前記露出面を露出する、前記アクティブ層及び前記導電性バインダ層に１つ以上の溝部を形成することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
リチウム（Ｌｉ）付電極であって、
導電性基板と、
前記導電性基板上に配されたアクティブ層と、
前記導電性基板の露出面を露出する、前記アクティブ層に形成された１つ以上の溝部と、
前記１つ以上の溝部に配された１つ以上のＬｉストリップとを備え、
前記１つ以上の溝部の幅は、Ｌｉストリップの幅より僅かに大きい電極。
【請求項６】
前記アクティブ層における前記１つ以上の溝部は、前記アクティブ層の一端を含む、前記電極上の種々の位置に配される請求項５に記載の電極。
【請求項７】
前記１つ以上のＬｉストリップの厚さは、少なくとも前記アクティブ層の前記厚さ以上である請求項５に記載の電極。
【請求項８】
前記アクティブ層の積層に先立って前記導電性基板上に積層された導電性バインダ層さらに備え、
前記１つ以上の溝部は、前記導電性の前記露出面を露出する、前記アクティブ層及び前記導電性バインダ層に形成される請求項５に記載の電極。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１６年７月６日付で出願された米国仮特許出願第６２／３５９，０３１号の利益を主張するものであり、その開示は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明の概念と一致する装置及び方法は、エネルギー貯蔵装置に関連し、特に、エネルギー貯蔵装置の電極に関連する。
【背景技術】
【０００３】
リチウム（Ｌｉ）ドープ負電極は、例えば、リチウムイオン（Ｌｉイオン）バッテリ及びＬｉイオンキャパシタ等のエネルギー貯蔵装置に幅広く使用されている。
【０００４】
リチウム外付及び事前ドープの方法では、電極パックは、少なくとも１つの正電極と、少なくとも１つのセパレータと、電流コレクタに積層された少なくとも１つのＬｉ膜と、少なくとも１つの負電極とから構築される。負電極は、電流コレクタタブを介してＬｉ膜電極に接続される。電極パックは、Ｌｉイオンを含む電解質中に浸漬される。事前ドーププロセスを通じて、Ｌｉ膜は、電極を介してＬｉイオンに変換され、Ｌｉイオンは、移動して、負電極中にドープされる。
【０００５】
Ｌｉドープ負電極の作製には、負電極へのＬｉ付着量を精密に制御する必要がある。Ｌｉの付着量が少なければ、結果として、負電極の不完全ドーピングを生じて最適の水準には及ばない電極性能を引き起こす。一方、負電極にＬｉを過剰に付着すれば、事前ドーププロセス後に負電極上に金属Ｌｉ残渣を生じ、電極を含むエネルギー貯蔵装置に対する安全問題を生じ得る。
【０００６】
Ｌｉ外付及び事前ドープ方法において、Ｌｉ金属薄膜は、通常、電極パッケージの最上層及び最下層のみに設けられる。Ｌｉ事前ドーププロセス中、Ｌｉイオンは、積層された負電極中に非均一にドープされてもよく、Ｌｉ金属膜は、事前ドーププロセスの完了後、電極パッケージ上に残余してもよい。電極積層内の負電極に均一にリチウムをドープするには、通常、２０日を超える期間を要する。
【０００７】
Ｌｉ外付及び事前ドープ方法に要する長期の生産時間を向上するため、異なる発明者により、直接接触法が提案されている。直接接触法において、Ｌｉ粉体又はＬｉ膜は、電極表層に直接圧着された。直接接触法では、Ｌｉ事前ドープ時間を短縮した。しかしながら、電極パックを電解質に浸漬することによって誘発される、Ｌｉ金属と負電極アクティブ層材料（すなわち、電極の表面）の間の即時的な電気的短絡は、深刻な反応を生じた。これらの深刻な反応は、結果として、電極及びセパレータにダメージを生じた。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
種々の実施形態により、Ｌｉ付電極と、Ｌｉ内付電極を製造する方法とを提供する。
種々の実施形態によると、電極の製造方法を提供する。いくつかの実施形態において、この方法は、電極アクティブ層の厚さを判定することと、電極アクティブ層の厚さと等しいか、又は僅かに大きい特定の厚さを有するリチウム（Ｌｉ）片又は箔を選択することと、アクティブ層に対するＬｉ層の重量比又は体積比の要件に基づき、Ｌｉ片のサイズ又はＬｉストリップの幅を判定することと、導電性バインダ中間層を含んでもよく、含まなくてもよい導電性基板上に前記アクティブ層を付与又は積層することとを備え、電極表面は、溝部及び穴部のうちの少なくとも一方又は双方を含み、露出導電性基板が露出されて、アクティブ層材料又は導電性バインダ中間層がここに含まれず、穴部サイズは、Ｌｉ片のサイズより僅かに大きいか、又は溝部幅は、Ｌｉストリップの幅より僅かに大きく、電極の穴部又は溝部にＬｉ片又はストリップを圧入することを備えてもよい。溝部は、アクティブ層の端部を含む、電極上の任意の箇所に配置されてもよい。
【０００９】
種々の実施形態によると、電極を提供する。いくつかの実施形態において、この電極は、導電性バインダ中間層を含んでもよく、含まなくてもよい導電性基板と、導電性基板に接着されたアクティブ層とを備え、電極面は、溝部及び穴部のうちの少なくとも一方又は双方を含み、露出導電性基板が露出されて、アクティブ層材料又は導電性バインダ中間層がここに含まれず、アクティブ層の穴部又は溝部に配されたリチウム（Ｌｉ）片又はストリップを備えてもよい。溝部は、アクティブ層の端部を含む、電極上の任意の箇所に配置されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】種々の例としての実施形態に係る電極の構造の概観を示す図。
【図１Ｂ】種々の例としての実施形態に係る電極の層の概観を示す図。
【図２Ａ】種々の例としての実施形態に係る電極１００の２つの側の一方のアクティブ層における１つの溝部に配された１つのＬｉストリップを示す図。
【図２Ｂ】種々の例としての実施形態に係る電極の２つの側の一方のアクティブ層における複数の穴部に配された複数のリチウム片を示す図。
【図３】種々の例としての実施形態に係る電極を製造する方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
特定の実施形態について説明するが、これらの実施形態は、単なる例示であり、保護の範囲を限定することを意図するものでない。本明細書に記載の装置、方法、及びシステムは、他の種々の形態で実施されてもよい。さらに、保護の範囲から逸脱することなく、本明細書に記載の例としての方法及びシステムの形態における種々の省略、置換、及び変更がなされてもよい。
【００１２】
種々の実施形態は、Ｌｉ付電極を作製するための新たな非直接的接触法を提供する。この新たな非直接的接触法により、従来のＬｉ外付及び事前ドープ方法において所要する長い生産時間を短縮してもよく、直接接触法における事前ドーププロセス中に生じる電極及びセパレータのダメージを防いでもよい。
【００１３】
種々の実施形態では、エネルギー貯蔵装置の電極電位を制御した電極を提供する。種々の実施形態において、電極は、リチウム付着量が制御されるように構成されてもよい。電極は、エネルギー貯蔵装置、例えば、リチウムイオンバッテリ、リチウムイオンキャパシタ等に組み込まれてもよいが、これに限定されるものでない。図１Ａは、種々の例としての実施形態に係る電極１００の構造の概観を示す図である。図１Ａを参照すると、電極１００は、導電性バインダ中間層１４０、溝部１５０を有するアクティブ層１２０、アクティブ層１２０の溝部１５０に配されたリチウムストリップ１３０を含んでもよく、又は含まなくてもよい基板１１０を含んでもよい。種々の例としての実施形態において、基板１１０は、導電性バインダ中間層１４０を含まなくてもよい。
【００１４】
基板１１０は、電極１００の最深層であってもよく、例えば、銅又はその他の導電性材料で形成された導電性基板であってもよいが、これに限定されるものでない。導電性バインダ中間層１４０は、導電性基板１１０に付与されてもよく、又は付与されなくてもよい。アクティブ層１２０は、基板１１０に接着されてもよく、又は導電性バインダ中間層１４０が設けられる場合、導電性バインダ中間層１４０に接着されてもよい。アクティブ層１２０の厚さｔは、エネルギー貯蔵装置のエネルギー密度及びパワー密度の仕様に基づいて判定されてもよい。Ｌｉストリップ１３０は、箔、ワイヤ、又は溶融粉体等、Ｌｉシート又はその他のＬｉ製品から形成されてもよいが、これに限定されるものでない。
【００１５】
図１Ｂは、種々の例としての実施形態に係る電極１００の層の概観を示す図である。図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、Ｌｉストリップ１３０は、アクティブ層１２０の上面１２２及びアクティブ層１２０の底面１２４で形成された、溝部１５０内の基板１１０の面上に直接接着されてもよい。図１Ａ及び図１Ｂに示される通り、同様の溝部１５０が、基板１１０の両側に配されたアクティブ層１２０に形成されてもよい。
【００１６】
Ｌｉストリップ１３０は、溝部１５０内の基板１１０を１００％被覆しなくてもよい。Ｌｉストリップ１３０は、アクティブ層１２０の上面１２２及びアクティブ層１２０の底面１２４上の溝部１５０内に制約されなくてもよい。Ｌｉストリップ１３０は、アクティブ層１２０と等しいか、又はこれより厚くてもよい。溝部１５０及びＬｉストリップ１３０は、アクティブ層１２０の一端又は両端を含む、電極１００の基板１１０に沿った任意の箇所に配置されてもよい。種々の層の長さ、幅、及び厚さの参照方向が図１Ｂに示されている。
【００１７】
図１Ｂに示された溝部１５０は、矩形の溝部として示されているが、当業者は、本発明の概念の範囲から逸脱することなく、溝部が、Ｌｉストップ１３０を基板１１０の表面に直接接着可能な他の形状を有してもよいことを認識するであろう。代替又は追加として、１つ以上の個別の穴部がアクティブ層に形成され、Ｌｉ片が基板１１０の表面に直接接着されるように、個別のＬｉ片を収容してもよい。同様の穴部が、基板１１０の両側に配されたアクティブ層１２０に形成されてもよい。
【００１８】
図２Ａは、種々の例としての実施形態に係る電極１００の２つの側方の一方において、アクティブ層１２０の１つの溝部１５０に配された１つのＬｉストリップ１３０を示す図である。図２Ｂは、種々の例としての実施形態に係る電極１００の２つの側方の一方において、アクティブ層１２０における複数の穴部１５５に配された複数のリチウム片１３５を示す図である。当業者は、図２Ａ及び図２Ｂに示されるＬｉストリップ１３０及び片１３５が、アクティブ層１２０における溝部１５０及び穴部１５５とともに、単なる例であり、本発明の概念から逸脱することなく、他の形状のＬｉストリップ、片、溝部、及び穴部が使用されてもよいことを認識するであろう。種々の実施形態において、Ｌｉ金属の形状は、例えば、個別のＬｉドット、四角形、又は円形、Ｌｉストリップ、Ｌｉワイヤ等であってもよいが、これに限定されるものでない。Ｌｉ金属パターンを形成するＬｉ片又はストリップの形状又は数は、例えば、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の製造及び配置等を含むが、これに限定されない、生産上の考慮によって均衡化された、アクティブ層１２０の最も遠い領域までＬｉストリップ１３０又は片１３５からＬｉを拡散する時間を最小化することによって判定される。
【００１９】
電極１００の製造時、アクティブ層１２０の厚さｔ、アクティブ層１２０のＬｉ金属に対する重量比又は体積比等の電極パラメータは、電極１００のエネルギー密度及びパワー密度の要件に基づいて特定されてもよい。特定の厚さを備えた市販のＬｉ箔を選択することにより、電極１００におけるアクティブ層１２０の密度とＬｉ金属の密度とを把握することで、Ｌｉ片１３５のサイズと、引いてはアクティブ層１２０における穴部１５５のパターン及びサイズ、又はＬｉストリップ１３０の幅と、引いてはアクティブ層１２０における溝部１５０の幅を計算することができる。
【００２０】
表１は、Ｌｉストリップ１３０についての幅計算の一例を一覧表示したものである。幅計算は、各アクティブ層１２０に１つのＬｉストリップ１３０と１つの溝部１５０とがあることと、Ｌｉストリップ１３０の長さがアクティブ層１２０の長さと等しいこととを想定している。種々の層の長さ、幅、及び厚さの参照方向を図１Ｂに示す。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
表１において、アクティブ層１２０の厚さｔ及びアクティブ層１２０のＬｉストリップ１３０（又はリチウム片１３５）に対する重量比は、特定の設計パラメータであってもよく、特定の厚さを有する市販のＬｉ箔が選択されてもよく、アクティブ材料及びＬｉの密度は、その材料に基づいて既知であり、アクティブ層１２０の重量及びＬｉの重量は、その密度に基づいて計算されてもよく、従って、Ｌｉストリップ１３０の幅が計算されてもよい。アクティブ層１２０に溝部１５０を有する電極１００は、溝部１５０の幅がＬｉストリップ１３０の幅より僅かに大きくなるように製造されてもよい。
【００２３】
溝部１５０の幅は、材料コストを低減し、且つ、電極効率を向上するように最小化されるべきであるが、Ｌｉ金属が電極アクティブ層材料に直接接触するのを防ぐのに十分な大きさであるべきである。例えば、溝部１５０の幅は、Ｌｉストリップ１３０の幅より約０．５ｍｍ大きく、Ｌｉストリップ１３０とアクティブ層１２０の間に小さな間隙を作るようにしてもよい。同様に、穴部のサイズは、Ｌｉ片１３５のサイズより約０．５ｍｍ大きく、Ｌｉ片とアクティブ層１２０の間に小さな間隙を作るようにしてもよい。この間隙の制御は、Ｌｉプレスプロセス中のＬｉ金属の伸長（すなわち、Ｌｉ採取幅）対溝部幅又は穴部サイズの計算によって達成されてもよい。
【００２４】
アクティブ層のＬｉストリップに対する重量比（ＷＲ）と、アクティブ層１２０及びＬｉストリップ１３０の密度及び重量と、Ｌｉストリップ１３０及びアクティブ層１２０の双方の厚さとに基づき、Ｌｉストリップ１３０の幅Ｇが式（１）によって計算されてもよい。
【００２５】
【数１】
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【００２６】
そして、上述の例において、Ｌｉストリップ１３０及びアクティブ層１２０が、ともに、１００ミクロン（μｍ）の厚さを有すると仮定すると、溝部幅が１６．５９ｍｍより僅かに大きい、アクティブ層１２０の溝部１５０を備えた電極１００が製造されてもよい。溝部１５０の幅は、材料コストを低減し、且つ、電極１００の効率を向上するように最小化されるべきであるが、Ｌｉ金属の電極アクティブ層材料への直接接触を防ぐ十分な大きさであるべきである。
【００２７】
本発明の概念の実施形態は、種々の市販の自立式Ｌｉ箔又はワイヤを使用して電極を製造する方法を提供するものである。種々の例としての実施形態において、Ｌｉ箔の厚さを特定し、Ｌｉ箔片又はストリップ１３０をアクティブ層１２０の溝部１５０内の導電性基板１１０に適用することにより、特定のエネルギー密度及びパワー密度の要件を有する電極１００が製造されてもよい。
【００２８】
再び表１を参照すると、市販の厚さ（例えば１５０μｍ）を備えたＬｉ箔を選択することにより、Ｌｉストリップ１３０の幅は、式（２）に示される通り、必要に応じて再計算されてもよい。
【００２９】
【数２】
2018073803.tif 000005
【００３０】
そして、厚さ１５０μｍの市販のＬｉ箔を使用することにより、導電性基板１１０の上部のアクティブ層１２０における溝部１５０に１１．７１ｍｍの幅のＬｉストリップ１３０が配された特定のエネルギー密度及びパワー密度の要件を満たす電極１００が製造されてもよい。
【００３１】
当業者は、本発明の概念の範囲から逸脱することなく、電極アクティブ層１２０における複数のＬｉストリップ１３０又は複数の溝部１５０、又は、例えば、個別のＬｉドット、四角形、又は円形、Ｌｉワイヤ等を含むが、これに限定されない、その他のＬｉ製品の形状が使用されてもよいことを認識するであろう。当業者は、また、異なる形状のＬｉ製品についても同様の計算が実施されてよいことを理解するであろう。
【００３２】
電極アクティブ層１２０におけるＬｉストリップ１３０又は溝部１５０の数を増やすこと、又はその他の形状のＬｉ形態を使用することにより、Ｌｉドーププロセス中のＬｉストリップ１３０又は片１３５からＬｉを拡散する時間を短縮してもよいが、製造の困難を増やすことがある。従って、Ｌｉ層パターンを形成するＬｉストリップ１３０又は片１３５の形状及び数は、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５からアクティブ層１２０の最も遠い領域までＬｉを拡散する時間を最小化することによって判定されるべきであるが、例えば、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の製造及び配置を含むが、これに限定されない生産上の考慮の簡易化によって均衡が図られるべきである。
【００３３】
種々の実施形態において、Ｌｉ箔の厚さは、アクティブ層１２０の厚さの倍（すなわち、２倍）以下であってもよい。Ｌｉ箔の厚さがアクティブ層１２０の厚さの倍を上回ると、結果として、Ｌｉストリップ１３０と導電性基板１１０の間の接触領域が小さくなるため、Ｌｉ事前ドーププロセスが長引いてしまうことがあり、且つ／又は、Ｌｉ層パターンを形成するＬｉ箔がアクティブ層１２０の面から突出してセパレータ層に穿孔し、電極間の短絡を生じることがある。Ｌｉ箔の厚さがアクティブ層１２０の厚さ未満であると、結果として、Ｌｉ層と導電性基板１１０の間の接触を緩めることがあり、或いは、溝部１５０の幅又は穴部１５５のサイズが大きくなり過ぎて、負電極からなる電極パックの効率を下げることがある。
【００３４】
図２Ａ及び図２Ｂは、各々、種々の例としての実施形態に係るアクティブ層の溝部又は穴部内に配置されたＬｉストリップ及び片を示す図である。図２Ａは、電極（例えば、電極１００）のアクティブ層（例えば、アクティブ層１２０）の一方の面（例えば、上面１２２又は底面１２４）を示している。図１Ａ〜図２Ｂを参照すると、電極１００は、基板（例えば、基板１１０）又は導電性バインダ層（例えば、中間層１４０）に配された溝部１５０を含むアクティブ層１２０を含んでもよい。Ｌｉストリップ１３０又は片１３５は、基板１１０上で、且つ、アクティブ層１２０の溝部１５０内に配されてもよい。Ｌｉストリップ１３０の幅又は片１３５のサイズは、溝部１５０の幅より小さくてもよい。Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の厚さは、アクティブ層１２０の厚さと等しいか、又はこれを上回ってもよいが、アクティブ層１２０の厚さの倍（すなわち、２倍）以下であるべきである。Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の厚さは、アクティブ層１２０の厚さより薄くなくてもよい。
【００３５】
図３は、種々の例としての実施形態に係るＬｉ電極の製造方法３００のフローチャートである。図３を参照すると、ブロック３０５において、電極アクティブ層１２０の厚さが、エネルギー貯蔵装置のエネルギー密度及びパワー密度の仕様に基づいて判定されてもよい。電極アクティブ層１２０は、例えば、アクティブ材料（例えば、グラファイト、ハードカーボン、ソフトカーボン、活性炭、リチウム塩、酸化Ｌｉ、シリコン等）、導電性カーボン、及びバインダを含むが、これに限定されない組み合わせで形成された膜層であってもよい。
【００３６】
ブロック３１０において、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の厚さが選択されてもよい。例えば、Ｌｉの厚さは、例えば、市販の有無、ダメージを伴うことなくＬｉを取り扱う能力等に基づいて選択されてもよいが、これに限定されるものでない。Ｌｉの厚さは、少なくとも、アクティブ層１２０の厚さ以上であってもよい。ブロック３１５において、アクティブ層１２０のＬｉ層に対する重量比が判定されてもよい。事前ドープ後の電極電位は、最大量のＬｉストリップ１３０又は片１３５を使用してＬｉ効果を最大化することにより、可能な限りＬｉ金属の電位に近づけるようにしてもよい。しかしながら、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の量は、事前ドーププロセスの完了時のＬｉ金属残渣を最少化するように最適化されてもよい。例えば、アクティブ層１２０のＬｉ層に対する重量比は、５：１〜１５：１の範囲内であってもよい。
【００３７】
ブロック３２０において、アクティブ層１２０における１つ又は複数の溝部１５０又は穴部１５５のパターンが判定されてもよい。１つ又は複数の溝部１５０又は穴部１５５のパターンの選択は、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の配置均一性及び分散と、例えば、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の製造及び配置を含むが、これに限定されない生産条件の簡易化との双方で考慮されるであろう。１つ又は複数の溝部１５０の幅又は穴部１５５のサイズも判定されてよい。例えば、アクティブ層１２０における溝部１５０の幅は、式（１）及び（２）によって計算されてもよいＬｉストリップ１３０の幅によって判定されてもよい。溝部１５０の幅は、Ｌｉストリップ１３０の幅より大きいべきである。同様に、穴部１５５のサイズは、Ｌｉ片１３５のサイズより大きくされるべきである。
【００３８】
溝部１５０の幅及び穴部１５５のサイズは、材料コストを低減し、且つ、電極１００の効率を向上するように最小化されるべきであるが、Ｌｉ金属の電極アクティブ層材料に対する直接接触を防ぐのに十分な大きさであるべきである。例えば、溝部１５０の幅は、Ｌｉストリップ１３０の幅より約０．５ｍｍ大きく、Ｌｉストリップ１３０とアクティブ層１２０の間に小さな間隙を作るようにしてもよい。同様に、穴部のサイズは、Ｌｉ片１３５のサイズより約０．５ｍｍ大きく、Ｌｉ片とアクティブ層１２０の間に小さな間隙を作るようにしてもよい。間隙の制御は、Ｌｉプレスプロセス中のＬｉ金属伸長（すなわち、Ｌｉ最終幅）対溝部の幅又は穴部のサイズの計算によって達成されてもよい。
【００３９】
ブロック３２５において、アクティブ層１２０に溝部１５０又は穴部１５５を備えた電極１００が製造されてもよい。電極１００は、導電性基板１１０を含んでもよく、導電性バインダ中間層１４０を含んでも含まなくてもよく、溝部１５０又は穴部１５５を備えたアクティブ層１２０を含んでもよい。
【００４０】
ブロック３３０において、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５は、各々、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５とアクティブ層１２０の間の拡散時間が最小化されるように、導電性基板１１０の上部のアクティブ層１２０の１つ又は複数の溝部１５０又は穴部１５５に配置されてもよい。さらに、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５（例えば、Ｌｉドット、Ｌｉ四角形、Ｌｉストリップ等）と、Ｌｉ層（すなわち、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５とアクティブ層１２０とを最小化する。さらに、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５）からアクティブ層１２０までのＬｉ拡散距離を最短化する、アクティブ層１２０内の１つ又は複数の溝部１５０又は穴部１５５とは、少なくとも部分的に、例えば、Ｌｉストリップ１３０又は片１３５の製造及び配置を含むが、これに限定されない生産上の考慮に基づいて判定されてもよい。溝部１５０又は穴部１５５は、アクティブ層１２０の一端又は両端を含む、電極１００の任意の箇所に配置されてもよい。
【００４１】
本開示は、或る例としての実施形態及び適用を提供するものであるが、本明細書に記載の特徴及び効果をすべて提供するものでない実施形態を含む、当業者にとって明らかな他の実施形態も本開示の範囲内である。従って、本開示の範囲は、添付のクレームを参照することによってのみ規定されることが意図されている。
【図１Ａ】
2018073803.tif 000006
【図１Ｂ】
2018073803.tif 000007
【図２Ａ】
2018073803.tif 000008
【図２Ｂ】
2018073803.tif 000009
【図３】
2018073803.tif 000010
【外国語明細書】
2018073803000001.pdf