(57)【要約】磁気記録媒体は、下側磁性層と、下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、上側及び下側磁性層は反強磁性結合されている。下側磁性層は、安定化層と、該安定化層と非磁性スペーサ層の間に設けられた下側エンハンスメント層を有し、安定化層及び下側エンハンスメント層は強磁性交換結合されている。安定化層及び下側エンハンスメント層は、安定化層のＰｔ含有量の方が下側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側磁性層と、
該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、
該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、
該下側磁性層は、安定化層と、該安定化層と該非磁性スペーサ層の間に設けられた下側エンハンスメント層を有し、
該安定化層及び該下側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、
該安定化層及び該下側エンハンスメント層は、該安定化層のＰｔ含有量の方が該下側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる、磁気記録媒体。
【請求項２】
該下側エンハンスメント層は、該安定化層よりもＣｏ含有量が多い、請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
該安定化層は、該下側エンハンスメント層よりも磁気異方性が高い、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
その上に該下側磁性層が設けられる非磁性下地層を更に備えた、請求項１〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
該下側エンハンスメント層は、０≦Ｐｔ≦８ａｔ％のＣｏＣｒ合金からなり、該安定化層はＰｔ＞８ａｔ％のＣｏＣｒＰｔ合金からなる、請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
該上側磁性層は、
該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側エンハンスメント層と、
該上側エンハンスメント層の上に設けられた記録層とからなり、
該記録層と該上側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、
該記録層及び該上側エンハンスメント層は、該記録層のＰｔ含有量の方が該上側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
該上側エンハンスメント層は、該記録層よりＣｏ含有量が多い、請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
該記録層の磁気異方性は、該上側エンハンスメント層よりも高い、請求項６又は７記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
該上側エンハンスメント層は、０≦Ｐｔ≦８ａｔ％のＣｏＣｒ合金からなる、請求項６〜８のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
下側磁性層と、
該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、
該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、
該上側磁性層は、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側エンハンスメント層と、該上側エンハンスメント層の上に設けられた記録層を有し、
該記録層及び該上側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、
該記録層及び該上側エンハンスメント層は、該記録層のＰｔ含有量の方が該上側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる、磁気記録媒体。
【請求項１１】
該上側エンハンスメント層のＣｏ含有量は、該記録層よりも多い、請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
該記録層の磁気異方性は、該上側エンハンスメント層よりも高い、請求項１０又は１１記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
その上に該下側磁性層が設けられる非磁性下地層を更に備えた、請求項１０〜１２のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
該上側エンハンスメント層は、０≦Ｐｔ≦８ａｔ％のＣｏＣｒ合金からなる、請求項１０〜１３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
少なくとも１つの磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対する情報記録及び情報再生を行うヘッドとを備え、
該磁気記録媒体は、
下側磁性層と、
該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、
該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、
該下側磁性層は、安定化層と、該安定化層と該非磁性スペーサ層の間に設けられた下側エンハンスメント層を有し、
該安定化層及び該下側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、
該安定化層及び該下側エンハンスメント層は、該安定化層のＰｔ含有量の方が該下側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる、磁気記憶装置。
【請求項１６】
少なくとも１つの磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対する情報記録及び情報再生を行うヘッドとを備え、
該磁気記録媒体は、
下側磁性層と、
該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、
該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、
該上側磁性層は、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側エンハンスメント層と、該上側エンハンスメント層の上に設けられた記録層を有し、
該記録層及び該上側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、
該記録層及び該上側エンハンスメント層は、該記録層のＰｔ含有量の方が該上側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる、磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及び磁気記憶装置に係り、特に非磁性スペーサ層を介して反強磁性結合されている磁性層を有する磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を用いる磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
面内磁気記録媒体の記憶容量は、媒体のノイズの低減、高感度スピンバルブヘッドや高磁化書き込みヘッドの開発により急激に増大している。１００Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２を超える記録密度も論証されており、そのような高記録密度が商用ハードディスクドライブに適用されようとしている。コンピュータの性能向上に伴い記録密度を更に向上する要望は、増加する傾向にあり、記録媒体やその他の部品の設計に更なる挑戦が必要とされている。
【０００３】
媒体ノイズを低減するには、シャープな磁気遷移を磁性層に書き込む必要がある。これは、一般的には媒体の保磁力を増加させ、磁性層の膜厚を減少させ、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布を減少させ、磁性層の粒子を磁気的に分離することで実現される。しかし、粒子サイズ又は媒体の膜厚を減少させると、記録媒体の熱安定性に悪影響を及ぼす。磁性層の熱安定性は、通常は係数ＫｕＶ／ｋＴがどれ程大きいかで示される。ここで、Ｋｕは磁気異方性定数を示し、Ｖは体積を示し、Ｔは絶対温度を示し、ｋはボルツマン定数と呼ばれる物理的定数を示す。
【０００４】
熱的に安定した小さな粒子を得るためには、磁気異方性定数Ｋｕを増加させる必要がある。異方性磁界Ｈｋは、Ｈｋ＝２Ｋｕ／Ｍｓで表され、ここでＭｓは飽和磁化を示す。高データ転送レートの高記録密度媒体に対する情報の書き込みが通常行われるのはナノ秒領域であるが、異方性磁界Ｈｋが大きいということは、このナノ秒領域における保磁力Ｈｃが高いということである。書き込み周波数における保磁力Ｈｃが高いと、そのような媒体に情報を書き込むには大きな書き込み電流が必要となるので、書き込みヘッドが厳しく制限されてしまう。書き込みヘッドにより生成される書き込み磁界は、高飽和磁化を有する書き込みヘッドの開発が困難であるため、厳しく制限されてしまう。既に書き込まれているデータの上に新たなデータを書き込める能力を示すオーバーライト特性は、より高い磁気異方性磁界Ｈｋを有する記録媒体の方が劣る。より高い磁気異方性Ｋｕを有する記録媒体では、異方性磁界Ｈｋが増加するので、オーバーライト特性が制限されてしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の如く、低媒体ノイズを実現して高記録密度を実現するには、磁性層の粒子サイズを減少させて磁性層の膜厚を減少させる必要がある。しかし、磁性層の粒子サイズ及び膜厚を減少させると、記録媒体の熱安定性が低下してしまう。オーバーライト特性が影響されないように熱安定性を向上するために、Abarra et al., Applied Physics Letters, Vol.77,Page 2581,October 2000では、合成フェリ磁性媒体（ＳＦＭ）が提案され論証されている。
【０００６】
合成フェリ磁性媒体（ＳＦＭ）は、Ｒｕ等の非磁性スペーサ層で分離された少なくとも一対の磁性層を有する。特に上側磁性層の磁化は、初期安定化層として機能する下側磁性層の磁化により一部打ち消される。読み出しヘッドは有効磁化のみを感知し、２つの磁性層の合計体積は熱安定性に寄与する。このようなＳＦＭのコンセプトを採用することで、記録媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）及び熱安定性は大幅に向上する。しかし、記録密度を更に高くするためには、熱安定性を更に向上することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の問題を解決して上記の要望を満足する新規、且つ、有用な磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することを概括的目的とする。
【０００８】
本発明のより具体的な目的は、向上されたＳＮＲ、向上されたオーバーライト特性及び向上された熱安定性を有する磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することにある。
【０００９】
更に本発明の目的は、下側磁性層と、該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、該下側磁性層は、安定化層と、該安定化層と該非磁性スペーサ層の間に設けられた下側エンハンスメント層を有し、該安定化層及び該下側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、該安定化層及び該下側エンハンスメント層は、該安定化層のＰｔ含有量の方が該下側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる磁気記録媒体を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、下側磁性層と、該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、該上側磁性層は、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側エンハンスメント層と、該上側エンハンスメント層の上に設けられた記録層を有し、該記録層及び該上側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、該記録層及び該上側エンハンスメント層は、該記録層のＰｔ含有量の方が該上側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる磁気記録媒体を提供することにある。
【００１１】
更に本発明の目的は、少なくとも１つの磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対する情報記録及び情報再生を行うヘッドとを備え、該磁気記録媒体は、下側磁性層と、該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、該下側磁性層は、安定化層と、該安定化層と該非磁性スペーサ層の間に設けられた下側エンハンスメント層を有し、該安定化層及び該下側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、該安定化層及び該下側エンハンスメント層は、該安定化層のＰｔ含有量の方が該下側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる磁気記憶装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、少なくとも１つの磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対する情報記録及び情報再生を行うヘッドとを備え、該磁気記録媒体は、下側磁性層と、該下側磁性層の上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側磁性層とを備え、該上側及び下側磁性層は反強磁性結合されており、該上側磁性層は、該非磁性スペーサ層の上に設けられた上側エンハンスメント層と、該上側エンハンスメント層の上に設けられた記録層を有し、該記録層及び該上側エンハンスメント層は強磁性交換結合されており、該記録層及び該上側エンハンスメント層は、該記録層のＰｔ含有量の方が該上側エンハンスメント層より多いようなＣｏＣｒ合金からなる磁気記憶装置を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的及び特長は、以下に図面と共に述べる説明より明らかとなろう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明になる磁気記録媒体によれば、向上されたＳＮＲ、向上されたオーバーライト特性及び向上された熱安定性を実現することができる。
【００１５】
本発明になる磁気記憶装置によれば、向上されたＳＮＲ、向上されたオーバーライト特性及び向上された熱安定性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】合成フェリ磁性媒体の要部を示す断面図である。
【図２】下側磁性層のＰｔ含有量の、図１に示す合成フェリ磁性媒体の保磁力への影響を示す図である。
【図３】下側磁性層の保磁力を、図１に示す合成フェリ磁性媒体に対して増加するＰｔ含有量の関数として示す図である。
【図４】下側及び上側磁性層間の反強磁性交換結合定数を、図１に示す合成フェリ磁性媒体に対して増加する下側磁性層のＰｔ含有量の関数で示す図である。
【図５】下側磁性層が受ける交換磁界Ｈｅｘを、図１に示す合成フェリ磁性媒体に対する下側磁性層のＰｔ含有量ｘの関数で示す図である。
【図６】本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部を示す断面図である。
【図７】本発明になる磁気記録媒体の第２実施例の要部を示す断面図である。
【図８】本発明になる磁気記録媒体の第３実施例の要部を示す断面図である。
【図９】合成フェリ磁性媒体及び磁気記録媒体の第１実施例について測定された各種パラメータを示す図である。
【図１０】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。
【図１１】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
【実施例】
【００１８】
図１は、合成フェリ磁性媒体（ＳＦＭ）の要部を示す断面図である。磁気記録媒体は、図１に示すように積層された基板１、Ｃｒ又はＣｒ合金の下地層２、下側磁性層３−１、非磁性スペーサ層４、上側磁性層３−２及びＣ又はＤＬＣのオーバーコート層５からなる。
【００１９】
図２は、下側磁性層３−１のＰｔ含有量の、図１に示す合成フェリ磁性媒体の保磁力への影響を示す図である。図２中、縦軸は合成フェリ磁性媒体の保磁力（Ｏｅ）を示し、横軸は下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘ（ａｔ％）を示す。図２は、ＣｏＣｒＰｔｘＢからなる下側磁性層３−１の保磁力を、Ｐｔ含有量ｘを０ａｔ％から１３ａｔ％まで変化させた場合について示す。基板１にはガラス、下地層２にはＣｒＭｏ、非磁性スペーサ層４にはＲｕ、上側磁性層３−２にはＰｔ含有量が１１ａｔ％のＣｏＣｒＰｔＢＣｕが用いられた。図２からもわかるように、Ｐｔ含有量ｘが多くなるにつれて保磁力が増加する。
【００２０】
Ｐｔ含有量の増加に伴いＣｏＣｒＰｔ合金の磁気異方性が増加することは知られている。Acharya et al., Applied Physics Letters, Vol.80, page 85, Jan. 2002では、下側磁性層の磁気異方性が高いと熱安定性が向上して保磁力が増加することが論証されている。従って、図２においてＰｔ含有量の増加に伴い保磁力が増加するのは、下側磁性層３−１の磁気異方性の増加によるものであると考えられる。
【００２１】
図３は、下側磁性層３−１の保磁力を、増加するＰｔ含有量ｘの関数として示す図である。図３中、縦軸は下側磁性層３−１の保磁力（Ｏｅ）を示し、横軸は下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘ（ａｔ％）を示す。図３からもわかるように、下側磁性層３−１の保磁力は、磁気異方性の増加により、Ｐｔ含有量ｘの増加と共に増加する。
【００２２】
図４は、下側磁性層３−１及び上側磁性層３−２の間の反強磁性交換結合定数Ｊを、下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘの関数で示す図である。図４中、縦軸は下側磁性層３−１及び上側磁性層３−２の間の反強磁性交換結合定数Ｊ（ｅｒｇ／ｃｍ２）を示し、横軸は下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘ（ａｔ％）を示す。図４からもわかるように、反強磁性結合定数Ｊは、Ｐｔ含有量ｘの増加と共に減少する。
【００２３】
図５は、下側磁性層３−１が受ける交換磁界Ｈｅｘを、下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘの関数で示す図である。図５中、縦軸は下側磁性層３−１が受ける交換磁界Ｈｅｘを示し、横軸は下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘ（ａｔ％）を示す。交換磁界Ｈｅｘの値は、反強磁性結合定数Ｊに依存するので、下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘの増加と共に減少する。
【００２４】
Inomata et al., IEEE Magnetics, Vol.37, page 1449, 2001においては、交換磁界Ｈｅｘと下側磁性層の保磁力との関係が合成フェリ磁性媒体の性能を最適化するのに重要であることが論証されている。Inomata et al.では、交換磁界Ｈｅｘの値を下側磁性層の保磁力の値よりかなり大きくするべきことが示されている。
【００２５】
図２〜図５からは、下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘが多くなると、合成フェリ磁性媒体の保磁力及び熱安定性が高くなることがわかる。しかし、下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘが多くなり反強磁性結合定数Ｊが減少すると、これに応じて交換磁界Ｈｅｘが減少してしまう。従って、保磁力及び熱安定性を高くするために下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘを増加させることと、反強磁性結合定数Ｊ及び交換磁界Ｈｅｘが減少しないように下側磁性層３−１のＰｔ含有量ｘの増加を抑えることとでは、トレードオフの関係にある。
【００２６】
本発明になる磁気記録媒体は、上記トレードオフの関係を解消し、優れた特性の磁気記録媒体を実現できるように設計されている。
【００２７】
次に、本発明になる磁気記録媒体及び磁気記憶装置の実施例を、図６以降を参照しながら説明する。
【００２８】
図６は、本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部を示す断面図である。図６中、図１と基本的には同じ部分には同一符号を付す。磁気記録媒体は、ガラス等からなる基板１、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる下地層２、下側磁性層３１、非磁性スペーサ層４、上側磁性層３２及びＣ又はＤＬＣオーバーコート層５が図６に示すように積層された構造を有する。オーバーコート層５の上には、例えば有機物潤滑層がコーティングされている。本実施例では、下側磁性層３１が、安定化層３１１及び安定化層３１１上に設けられたエンハンスメント層３１２からなる２層構造を有する。
【００２９】
安定化層３１１は、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ及びそれらの合金等を含む、ＣｏＣｒＰｔ合金から形成しても良い。下側エンハンスメント層３１２は、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ及びそれらの合金等を含む、ＣｏＣｒＰｔ合金から形成しても良い。安定化層３１１のＰｔ含有量は、下側エンハンスメント層３１２のＰｔ含有量より多い。従って、下側エンハンスメント層３１２は、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＢ，ＣｏＣｒＢＣｕ，ＣｏＣｒＴａ及びその合金等を含む、Ｐｔ含有量が０ａｔ％である材料で形成されていても良い。
【００３０】
例えば、下側エンハンスメント層３１２は、０≦Ｐｔ≦８ａｔ％のＣｏＣｒ合金で形成され、安定化層３１１は、Ｐｔ＞８ａｔ％のＣｏＣｒＰｔ合金で形成されている。又、下側エンハンスメント層３１２のＣｏ含有量は、望ましくは安定化層３１１のＣｏ含有量よりも多い。更に、安定化層３１１の磁気異方性は、望ましくは下側エンハンスメント層３１２の磁気異方性より高い。
【００３１】
基板１は、ＮｉＰ層がコーティングされているものであっても良い。
【００３２】
下地層２は、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＴｉ，ＣｒＶ，ＣｒＷ及びその合金からなる群から選択された非磁性材料から形成され、約１ｎｍから２５ｎｍの範囲の膜厚を有しても良い。又、下地層２は、ＮｉＡｌ，ＲｕＡｌ及びその合金からなる群から選択された非磁性材料から形成され、約５ｎｍから８０ｎｍの範囲の膜厚を有しても良い。更に、下地層２は、Ｂ２構造を有する合金から形成されていても良い。
【００３３】
非磁性スペーサ層４は、Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ及びその合金からなる群から選択された材料から形成されていても良い。
【００３４】
上側磁性層３２は、単層構造を有し、Ｃｏ又はＣｏ合金から形成されていても良い。
【００３５】
勿論、磁気記録媒体は、上記に加えて更に他の層を有する構成であっても良く、例えば、基板１と下地層２の間に設けたシード層及び／又は下地層４と下側磁性層３１の間に設けた中間層を有する構成であっても良い。中間層は、膜厚が１ｎｍから５ｎｍの範囲でＣｏＣｒ合金等の非磁性材料で形成されていても良い。
【００３６】
第１実施例によれば、下側磁性層３１及び上側磁性層３２は反強磁性結合されており、下側磁性層３１の安定化層３１１及び下側エンハンスメント層３１２は強磁性交換結合されている。このため、上側磁性層３２及び下側磁性層３１の磁化方向は互いに反平行である。
【００３７】
図７は、本発明になる磁気記録媒体の第２実施例の要部を示す断面図である。図７中、図６と同一部分には同一符号を付す。図７に示す磁気記録媒体は、下側磁性層３１及び上側磁性層３２を有し、上側磁性層３２は、上側エンハンスメント層３２３と上側エンハンスメント層３２３上に設けられた記録層３２３からなる２層構造を有する。
【００３８】
上側エンハンスメント層３２３は、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ及びその合金等を含む、ＣｏＣｒＰｔ合金から形成しても良い。記録層３２２は、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ及びその合金等を含む、ＣｏＣｒＰｔ合金から形成しても良い。記録層３２２のＰｔ含有量は、上側エンハンスメント層３２３のＰｔ含有量より多い。従って、上側エンハンスメント層３２３は、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＢ，ＣｏＣｒＢＣｕ，ＣｏＣｒＴａ及びその合金等を含む、Ｐｔ含有量が０ａｔ％である材料で形成されていても良い。
【００３９】
例えば、上側エンハンスメント層３２３は、０≦Ｐｔ≦８ａｔ％のＣｏＣｒ合金で形成されている。又、上側エンハンスメント層３２３のＣｏ含有量は、望ましくは記録層３２２のＣｏ含有量よりも多い。更に、記録層３２２の磁気異方性は、望ましくは上側エンハンスメント層３２３の磁気異方性より高い。
【００４０】
下側磁性層３１は、単層構造を有し、Ｃｏ又はＣｏ合金から形成されていても良い。
【００４１】
第２実施例によれば、下側磁性層３１及び上側磁性層３２は反強磁性結合されており、上側磁性層３１の上側エンハンスメント層３２３及び記録層３２２は強磁性交換結合されている。このため、上側磁性層３２及び下側磁性層３１の磁化方向は互いに反平行である。
【００４２】
図８は、本発明になる磁気記録媒体の第３実施例の要部を示す断面図である。図８中、図６及び図７と同一部分には同一符号を付す。図８に示す磁気記録媒体では、下側磁性層３１及び上側磁性層３２の両方が上記の如き２層構造を有する。
【００４３】
例えば、上側エンハンスメント層３２３及び下側エンハンスメント層３１２は、０≦Ｐｔ≦８ａｔ％のＣｏＣｒ合金で形成されている。
【００４４】
第３実施例によれば、下側磁性層３１及び上側磁性層３２は反強磁性結合されており、下側磁性層３１の安定化層３１１及び下側エンハンスメント層３１２は強磁性交換結合されており、上側磁性層３２の上側エンハンスメント層３２３及び記録層３２２は強磁性交換結合されている。このため、上側磁性層３２及び下側磁性層３１の磁化方向は互いに反平行である。
【００４５】
図９は、合成フェリ磁性媒体及び磁気記録媒体の第１実施例について測定された各種パラメータを示す図である。各種パラメータには、交換磁界Ｈｅｘ（Ｏｅ）、保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、３３０ｋｆｃｉでの信号対媒体ノイズＳ／Ｎｍ、３３０ｋｆｃｉでの孤立信号対媒体ノイズＳｉｓｏ／Ｎｍ（ｄＢ）及びオーバーライト特性（ｄＢ）が含まれる。
【００４６】
図９において、Ｍ１は、最も低いＰｔ含有量０ａｔ％を有し膜厚が３ｎｍのＣｏＣｒＢ合金からなる下側磁性層３−１を備えた図１に示す合成フェリ磁性媒体を示す。Ｍ２は、より高いＰｔ含有量１０ａｔ％を有し膜厚が３ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる下側磁性層３−１を備えた図１に示す合成フェリ磁性媒体を示す。合成フェリ磁性媒体Ｍ１，Ｍ２はいずれも基板１がガラス、下地層２がＣｒＭｏ、非磁性スペーサ層４がＲｕ、上側磁性層３−２がＰｔ含有量１１ａｔ％のＣｏＣｒＰｔＢＣｕで形成されている。
【００４７】
図９において、Ｍ３は、図６に示す磁気記録媒体の第１実施例を示す。安定化層３１１は、Ｐｔ含有量が１０ａｔ％で膜厚が３ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢで形成され、下側エンハンスメント層３１２は膜厚が１ｎｍのＣｏＣｒＢ合金で形成されている。磁気記録媒体Ｍ３は、基板１がガラス、下地層２がＣｒＭｏ、非磁性スペーサ層４がＲｕ、上側磁性層３２がＰｔ含有量１１ａｔ％のＣｏＣｒＰｔＢＣｕで形成されている。磁気記録媒体Ｍ３は、合成フェリ磁性媒体Ｍ２より高い交換磁界Ｈｅｘを示し、合成フェリ磁性媒体Ｍ１より高い保磁力を示すことが確認された。又、磁気記録媒体Ｍ３では、３３０ｋｆｃｉでの信号対媒体ノイズＳ／Ｎｍ、３３０ｋｆｃｉでの孤立信号対媒体ノイズＳｉｓｏ／Ｎｍ、オーバーライト特性等の記録特性が、合成フェリ磁性媒体Ｍ２に比べて向上していることが確認された。従って、磁気記録媒体Ｍ３、即ち、本発明になる磁気記録媒体は、合成フェリ磁性媒体Ｍ１，Ｍ２の両方のメリットを示すと同時に、合成フェリ磁性媒体Ｍ１，Ｍ２の夫々のデメリットを解消可能であることが確認された。
【００４８】
次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図１０及び図１１と共に説明する。図１０は、磁気記憶装置の本実施例の要部を示す断面図であり、図１１は、磁気記憶装置の本実施例の要部を示す平面図である。
【００４９】
図１０及び図１１に示すように、磁気記憶装置はハウジング１１３内に設けられたモータ１１４、ハブ１１６、複数の磁気記録媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサスペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータ装置１２０からなる。磁気記録媒体１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられている。記録再生ヘッド１１７は、ＭＲ又はＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドから構成されている。各記録再生ヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介して取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエータ装置１２０により移動される。このような磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、本明細書ではその詳細な説明は省略する。
【００５０】
磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、図６〜図９と共に説明したいずれの実施例の構造を有するものであっても良い。磁気記録媒体１１６の数は３つに限定されるものではなく、２つであっても、４以上であっても良い。
【００５１】
磁気記憶装置の基本構成は、図１０及び図１１に示すものに限定されない。又、本発明で用いられる磁気記録媒体は磁気ディスクに限定されるものではない。更に、本発明で用いる磁気記録媒体は磁気ディスクに限定されず、磁気テープや磁気カード等の他の磁気記録媒体を用いても良い。又、磁気記録媒体は、磁気記憶装置のハウジング１１３内に固定されている必要はなく、磁気記録媒体はハウジング１１３に対してロードされアンロードされる可搬型の媒体であっても良い。
【００５２】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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