(57)【要約】光学デバイスは、イメージラインを生成するように構成されたアレイ(210)にタイリングされたアドレス指定可能なピクセルを含む。アドレス指定可能なピクセルは中央ピクセル(214)にグループ化され、及びアドレス指定可能なサブピクセル(218)は端部(215A,215B,216A,216B)でグループ化される。光学デバイスは、アドレス指定可能なサブピクセル及び／又はピクセルがアレイに沿って重なる状態で、互い違いに配置される行にタイリングされる。イメージ品質を最適化するために、アドレス指定可能なサブピクセルが選択的に動作され、及び／又はディスエーブルにされて、アーティファクトを取り除き、重なり領域によって生成されるイメージラインのピクセル密度を最大にする。本発明に従った光学デバイスのアレイを用いて、ディスプレイ用途および印刷用途のためにイメージラインを生成する。光学デバイスは、回折格子ライトバルブ及びＬＣＤデバイスのようなＭＥＭデバイスを含む任意のライトバルブとすることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光変調器であって、ピクセルのアレイを含み、そのアレイが中央グループ、第１の端部グループ、及び第２の端部グループを含んでおり、前記中央グループが複数のピクセルからなり、前記第１の端部グループ、及び前記第２の端部グループがサブピクセルをイメージングするように構成された部分的なピクセルからなる、光変調器。
【請求項２】
ピクセルの各々およびサブピクセルの各々に対応するドライバ回路をさらに含む、請求項１の光変調器。
【請求項３】
各サブピクセルが、リボン対からなり、各ピクセルがリボン対のセットからなる、請求項２の光変調器。
【請求項４】
前記リボン対から一つおきのリボンが、ピクセル及びサブピクセルをイメジーングするようにアドレス指定可能である、請求項３の光変調器
【請求項５】
リボンの前記アレイが、反射光を変調するための反射アルミニウム層を有する窒化ケイ素からなる、請求項３の光変調器。
【請求項６】
各ピクセルがＬＣＤピクセルからなり、各サブピクセルが前記ＬＣＤピクセルの所定の分数のサイズからなる、請求項２の光変調器。
【請求項７】
イメージラインでピクセルを生成するための光学ＭＥＭデバイスのアレイを含む装置であって、光学ＭＥＭデバイスの線形アレイが、
ａ．第１の行の光学ＭＥＭデバイスと、及び
ｂ．第２の行の光学ＭＥＭデバイスであって、前記第１の行の光学ＭＥＭデバイス及び前記第２の行の光学ＭＥＭデバイスが、各行の一部が第１の重なり領域を形成する状態で互い違いに配置され、前記第１及び第２の行の光学ＭＥＭデバイスが、前記第１の重なり領域に対応するイメージラインのピクセルを最適化するために前記第１の重なり領域でサブピクセルをイメージングするように構成されている、第２の行の光学ＭＥＭデバイスとを含む、装置。
【請求項８】
前記線形アレイが、前記第２の行の光学ＭＥＭデバイスに対して互い違いに配置されている第３の行の光学ＭＥＭデバイスをさらに含み、前記第２の行の一部が、第２の重なり領域において前記第３の行の一部と重なり、前記第２及び第３の行の光学ＭＥＭデバイスが、前記第２の重なり領域においてサブピクセルをイメージングするように構成されている、請求項７の装置。
【請求項９】
光学ＭＥＭデバイスのそれぞれが、リボン対のアレイからなる、請求項７の装置。
【請求項１０】
前記リボン対のアレイが、前記第１の重なり領域において、中央グループ、第１の端部グループ、及び第２の端部グループを含み、前記中央グループがアドレス指定可能なリボン対のセットからなり、前記第１の端部グループ及び前記第２の端部グループが、アドレス指定可能なリボン対の分数のセットからなる、請求項９の装置。
【請求項１１】
ピクセル及びサブピクセルをイメージングするために、選択されたリボンを駆動するためのドライバ回路をさらに含む、請求項７の装置。
【請求項１２】
イメージラインを表示するためのディスプレイ手段をさらに含む、請求項７の装置。
【請求項１３】
イメージラインを印刷するための印刷手段をさらに含む、請求項７の装置。
【請求項１４】
各ピクセルがＬＣＤピクセルからなり、各サブピクセルが所定の分数のサブピクセルからなる、請求項７の装置。
【請求項１５】
ａ．重なり領域を有するように、少なくとも２つの行に光学ＭＥＭデバイスのアレイをタイリングするステップであって、前記光学ＭＥＭデバイスが前記重なり領域においてピクセル及びサブピクセルをイメジーングするように構成されている、ステップと、
ｂ．前記光学ＭＥＭデバイスのアレイからイメージを生成するステップと、及び、
ｃ．イメージを改善するために、前記重なり領域の選択されたサブピクセルをディスエーブルにするステップとを含む、方法。
【請求項１６】
前記光学ＭＥＭデバイスが、前記少なくとも２つの行に垂直に伸長されたリボン対からなる、請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記イメージを生成するステップが、光源でもって前記リボンを照射し、リボン対のそれぞれの中で少なくとも１つのリボンを選択的に動かすことを含む、請求項１５の方法。
【請求項１８】
各イメージピクセルが、一括してアドレス指定される多数のリボンでもって生成され、各サブピクセルが前記多数のリボンの一部分でもって生成される、請求項１６の方法。
【請求項１９】
前記イメージを生成するステップが、ディスプレイ手段を活性化することを含む、請求項１５の方法。
【請求項２０】
前記イメージを生成するステップが、印刷手段を活性化することを含む、請求項１５の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学装置の分野に関する。より具体的には、本発明は、単一のアレイによって提供される解像度よりも高い解像度でもってイメージングするように構成された光学デバイスの複数のアレイをタイリングすることに関する。
【０００２】
発明の背景
印刷及びディスプレイの解像度は、イメージングシステムの設計において重要なパラメータになっている。産業界は、用紙印刷、写真印刷、及びディスプレイから広範囲にわたるイメージング用途にますます高い解像度を求めている。より高い解像度の他に、アーティファクト、歪み（distorsion：ディストーション）、及び／又は他の欠陥が最小限の状態のイメージを再生するという要求も存在する。
【０００３】
高い忠実度と高い解像度の印刷およびディスプレイのイメージングの要求に対する１つの解決策は、非常に多数のより小さいピクセルでもってイメージを生成できるイメージングシステムを使用することであった。幾つかの用途において、ピクセルは、ディスプレイユニット又は印刷媒体上にイメージラインを生成するために、直線またはほぼ直線の、ピクセルのアレイとして構成される。
【０００４】
光学ＭＥＭ（微小電子機械）デバイスは、イメジーング技術において有用である。イメジーング技術において使用され得る光学ＭＥＭデバイスの例は、Bloom他に発行された米国特許第５，３１１，３６０号、米国特許第５，８４１，５７９号、及び米国特許第５，８０８，７９７号に開示され、それらの特許文献の内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００５】
簡単に言うと、上記の参照された特許文献において説明された光学ＭＥＭデバイスは、支持層と反射上部層からなる可動リボンの１つまたは複数のセットを有する。支持層は好適には、窒化ケイ素の層であり、反射上部層は好適には、アルミニウムの層である。リボンは、リボンの両端で基板に結合され、それによりリボンの中央部分（活動的な部分）が上下に移動して入射光源を変調する。前述の光学ＭＥＭデバイスによるイメジーングは、コンパクトな回路パッケージ内で高いコントラスト、高い解像度のイメージを効率良く生成する能力を提供する。幾つかの用途において、イメージ内の各ピクセルは、３つ又はそれより多いリボン対のセットでもって形成される。
【０００６】
アーティファクト、歪み、及び／又は他の欠陥を最小限に抑えながら、高い解像度を有するイメージラインを生成できるイメージング用の光学ＭＥＭデバイスのアレイを作成する方法が必要とされている。
【０００７】
発明の概要
本発明の実施形態は、光学デバイス、光学デバイスのアレイ、及び関連した方法を対象とする。本発明の実施形態によれば、光学デバイスは好適には、光源を変調するためのリボン対を有するアドレス指定可能な光学ＭＥＭデバイスのアレイを含む。リボン対のアレイは、中央グループと端部グループにグループ化される。中央グループは、１セット当たり３つのリボン対のような、ピクセルをイメージングするために一括してアドレス指定されるリボン対のセットを有する。端部グループは、１セット当たり一対のリボンのような、サブピクセルをイメジーングするためにアドレス指定されるリボン対の分数のセットを有する。光学ＭＥＭデバイスは好適には、ドライバ回路に結合するためのリボン対の各セット及びリボン対の分数のセットに対応するボンディングパッドを含む。当業者には明らかなように、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のピクセルのアレイを含む、ＭＥＭデバイス以外の光学デバイスを使用することもできる。こうした場合、ＬＣＤのサブピクセルは、ＬＣＤピクセルに比べてサイズが小さい別個にアドレス指定可能なＬＣＤデバイスから形成される。本発明は、任意の従来のＬＣＤ技術を用いて形成されたＬＣＤを用いて実施され得る。
【０００８】
リボンは好適には、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及びそれらの化合物のようなシリコンベースの材料から形成された細長いリボンである。リボンは好適には、リボンの上面から光を反射するために、アルミニウムのような反射材料の層を有する。リボンは、近い将来の用途に適した任意の寸法を有することができるが、好適には約５０μｍ〜約５００μｍの範囲の長さを有し、約４．０μｍ〜約４０μｍの範囲の幅を有して、約３００ｎｍ〜約３０００ｎｍの範囲の少なくとも１つの波長を有する光を変調することができる。
【０００９】
本発明の実施形態による装置は、イメージラインでピクセルを生成するための光学ＭＥＭデバイスの１つ又は複数の線形アレイを含む。アレイは、上述したようにリボンの端部グループがイメージラインでピクセルを生成するための重なり領域を形成するように、第１の行に対して互い違いに配置された構成でタイリングされた第１の行の光学ＭＥＭデバイス及び第２の行の光学ＭＥＭデバイスからなる。さらなる実施形態によれば、装置は、第１の行および／または第２の行に対して互い違いに配置された第３の行の光学ＭＥＭデバイスを含む。一層さらなる実施形態において、装置は、イメージラインを表示するためのスクリーン又はモニタなどのディスプレイ手段、及び／又は適切な印刷媒体上へイメージラインを印刷するための印刷手段を含む。
【００１０】
本発明の方法によれば、ピクセル及び端部サブピクセルを生成するように構成された光学ＭＥＭデバイスが、上述したように端部が重なり領域を形成した状態で、アレイにタイリング（配列）される。テストイメージがアレイから生成され、選択された端部サブピクセル、又はサブピクセル及びピクセルが、イメージ品質を最適化するために、及び／又は意図された用途にイメージ品質を適合させるためにディスエーブル又は抑制される。好適には、選択されたサブピクセルがディスエーブルにされて、アーティファクト及び欠陥を取り除くと共に、重なり領域に対応するイメージラインのピクセル密度を最大にする。
【００１１】
実施形態の詳細な説明
本発明の好適な実施形態では、光学ＭＥＭデバイスを用いて１つ又は複数の波長の光を変調する。光学ＭＥＭデバイスは好適には、上記で参照された米国特許第５，３１１，３６０号、米国特許第５，８４１，５７９号、及び米国特許第５，８０８，７９７号に開示されたような、光を変調するためのリボン構造のアレイを含む。しかしながら、後述されるような態様でタイリングされ断片に分けられ得る、ＬＣＤベースの光変調器のような任意の数の様々な光学デバイス又は光変調器デバイスは、本発明の範囲内にあると考えられる。当業者には明らかなように、ＭＥＭデバイス以外のＬＣＤアレイを含む光学デバイスを使用することができる。本発明がＬＣＤ技術を用いて実施される場合、ＬＣＤピクセルは、ピクセルの大きさになっているＬＣＤデバイスから形成される。ピクセルのサイズは、ディスプレイのピクセルサイズ、又はピクセルを形成するように光学的に操作されるサイズとすることができる。ＬＣＤのサブピクセルは、ＬＣＤピクセルに対してサイズの小さい別個にアドレス指定可能なＬＣＤデバイスから形成される。ＬＣＤサブピクセルのサイズの低減は、特定の具現化態様に従ってタイリングするために必要な変動性の度合いに比例する。本発明は、任意の従来のＬＣＤ技術を用いて形成されたＬＣＤを使用して実施され得る。以下の説明は好適な光学ＭＥＭデバイスに関して行うが、この明細書を読んだ後に、他の光変調器を代わりに使用できることが明らかになるであろう。
【００１２】
光学ＭＥＭデバイスのアレイは、単一のチップ上に製作され得る。しかしながら、係る集積化プロセスにおいて多数のボンディングパッドを最小限にするという回路の要件により、コストがかかり、かつ複雑になる。代案として、光学ＭＥＭデバイスのアレイは、光学ＭＥＭデバイスを支持および固定するように構成されたウェハ又は基板上に、タイリング又は構成され得る。光学ＭＥＭデバイスは好適には、それから生成されるイメージラインのピクセル密度を最大にするために高密度の構成でタイリングされる。残念ながら、タイリングプロセスに対する限界があり、及び光学ＭＥＭデバイス自体の製作に関連した製造公差が存在し、それらの双方は、以下に説明されるようにアーティファクト及び欠陥のイメジーングにつながる可能性がある。
【００１３】
図１は、イメージラインを生成するために、端と端をつないだ構成でタイリングされた光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂの概略的な平面図である。各光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂ内の各ブロックは、概略的にピクセルを表す。しかしながら、各ブロックが、イメージライン上にピクセルをイメージングするように一括してアドレス指定される複数のリボン対を表すことができることは理解されたい。
【００１４】
まだ、図１を参照すると、端と端をつないだ構成１０で光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂを配置することに伴う１つの欠点は、支持構造体（図示せず）とボンディングパッド（図示せず）が光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂを取り囲む外側領域を占有するという理由で、ピクセル１１が光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂのそれぞれのエッジまで延在しないことである。従って、ピクセル（単数または複数）は、境界領域または重なり領域４０に対応するイメージライン上に生成されず、可視的な欠陥（一般に走査軸に沿って配向されたストライプ）を結果としてもたらす。
【００１５】
図２は、イメージラインを生成するために、互い違いに配置された構成２０でタイリングされ、重なり領域４０を形成する光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂの概略的な平面図を示す。光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂがオフセットした状態で配置、または互い違いに配置された構成で配置されるので、ピクセル１０は重なり領域４０において重なる。
【００１６】
図２に概略的に示された構成２０の場合、重なり領域４０は単一のピクセルの幅に対応する。一般に、この構成における各ピクセルは、イメージの忠実度を最大にしてアーティファクトと歪みを最小にするように、イメージライン上の唯一の場所をイメージングするように設計される。この条件を達成するために、ピクセル１１Ａ又は１１Ｂの一方は、イメージングされる２つ以上のピクセルをイメージライン上に有すること（イメージラインに歪みをもたらす可能性がある状態）を避けるために、ディスエーブル又は抑制され得る。残念ながら、タイリングプロセスは、数百マイクロメートル以上のオーダーの許容誤差を有する。ピクセルの幅は数マイクロメートルのオーダーであるから、図２に示されるようなシングルエンドのピクセルの理想的なアライメントは、一貫して達成されることは不可能である。
【００１７】
図３は、現在のタイリング方法を用いて、互い違いに配置された構成１３で光学ＭＥＭデバイス１００Ａ及び１００Ｂをタイリングすることからもたらされ得るピクセルのアライメントを概略的に示す。ピクセル１１Ｂ及び１２Ｂの双方は、ピクセル１１Ａの一部と重なる。これらの状況のもとでは、ピクセル１１Ｂは、イメージラインの同一の場所を複数のピクセルがイメージングすることを避けるためにディスエーブルにされ得る。しかしながら、ピクセル１２Ｂとピクセル１１Ａの双方は、イメージライン上の空白領域、高解像度のイメージング用途に許容できないイメージラインの歪みを避けるために、アクティブ状態を維持する。
【００１８】
図４は、本発明に従って、互い違いに配置された構成２１０でタイリングされた光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂの概略的な平面図である。簡略化の目的のために、２つの光学ＭＥＭデバイスだけが示される。しかしながら、任意の数の互い違いに配置された光学ＭＥＭデバイスからなるアレイは、本発明の範囲内にあると考えられる。光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂの各々は、複数のリボン対を含む。好適には、リボン対は線形アレイとして、又はイメージライン上にピクセルを生成するための実質的に線形のアレイとして構成される。光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂは好適には、等しい数のピクセル及び／又はリボンを有し、又は代案として異なる数のピクセル及び／又はリボンを有する。光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂのそれぞれにおける好適なピクセルの数は、意図される用途および所望の解像度により決定される。
【００１９】
まだ、図４を参照すると、光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂは、中央ピクセル２１４からなる中央グループ２１３、及び端部ピクセル２１５Ａ、２１５Ｂ、２１６Ａ及び２１６Ｂからなる端部グループ２１７を含む。光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂは、互い違いに配置された構成で配列され、そのため端部ピクセル２１５Ａ及び２１６Ｂはアレイ２１０の両端部にあり、端部ピクセル２１５Ｂ及び２１６Ａは、重なり領域２５０において少なくとも部分的に重なる。端部ピクセル２１５Ａ、２１５Ｂ、２１６Ａ及び２１６Ｂは、サブピクセル２１８に分割され、サブピクセルの各々は１つ又は複数のリボン対を含む。サブピクセル２１８は、以下に説明されるように、アレイ構成２１０の重なり領域２５０で生成されるイメージを最適化するように個別にアドレス指定されるように構成される。従って、光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂは、各中央ピクセル２１４と各サブピクセル２１８用のボンディングパッドを必要とし、この場合、個別に制御されるドライバ信号が各中央ピクセル２１４と各サブピクセル２１８に対応する選択されたリボンに印加され得る。
【００２０】
図４は、３つのサブピクセル２１８に分割される端部ピクセル２１５Ａ、２１５Ｂ、２１６Ａ及び２１６Ｂを示す。しかしながら、端部ピクセル２１５Ａ、２１５Ｂ、２１６Ａ及び２１６Ｂは、近い将来の用途および所望の解像度に応じて任意の数のサブピクセルに分割され得る。しかしながら、好適には、端部ピクセル２１５Ａ、２１５Ｂ、２１６Ａ及び２１６Ｂは、部分的なサブピクセルに分割され、この場合、選択された数のサブピクセルは１つの中央ピクセル２１４を表す。
【００２１】
図４に示されるように、光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂは、製造プロセス及び製造公差に依存する重なり領域２５０を有するアレイ構成２１０へタイリングされる。従って、重なり領域２５０は、アレイ毎に変化し、図８に示されるように伸長されたアレイ構成２５０における隣接した光学ＭＥＭデバイス間で変化する。以下に説明されるように、サブピクセル２１８及びピクセルは、イメージラインのアーティファクト及び欠陥を最小限にするように選択的に制御され、及び／又は抑制され得る。
【００２２】
図４は単一の重なり領域２５０を示すが、本発明は高密度にタイリングされた光学ＭＥＭデバイスからなる伸長された線形アレイから生成されるイメージ品質を最適化するために特に有用であり、この場合、光学ＭＥＭデバイスは互い違いに配置された行にタイリングされる。また、本発明の原理および用途は、光学ＭＥＭデバイスのより大きい２次元アレイに容易に拡張され得る。
【００２３】
本発明の実施形態により、光学ＭＥＭデバイスのアレイが高解像度のイメージラインを生成することが可能になり、特定用途の特定のイメージング要求に適合されることができる。光学ＭＥＭデバイスの高解像度の互い違いに配置されたアレイは、光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂの各々によってもたらされる解像度の合計に近い解像度でイメージラインを生成することができる。例えば、光学ＭＥＭデバイス２００Ａ及び２００Ｂの各々が１０００ピクセルをイメージングする場合、アレイ２１０は約２０００ピクセルをイメジーングすることができる。本発明の実施形態によれば、互い違いに配置された行にタイリングされた光学ＭＥＭデバイス間の重なり領域の変動は、選択されたサブピクセル及び／又はサブピクセルとピクセルを選択的にディスエーブルにして、重なり領域におけるアーティファクト及び欠陥を最小限にすることにより、補償され、調整され、又は修正される。さらに、ピクセルを選択的に動作させ、及び／又はサブピクセル２１８及び／又は中央ピクセル２１４を選択的に抑制することにより、以下に説明されるようにイメージ品質が最適化され得る。
【００２４】
光学ＭＥＭデバイスの互い違いに配置されたアレイの場合、選択的なピクセル及び／又はサブピクセルのアドレス指定は、図８に示されるような第１の行と第２の行にタイリングされた光学ＭＥＭデバイスの伸長されたアレイ２３０から生成されるピクセルの分布を補償するために使用され得る。例えば、ピクセル及び／又はサブピクセルの選択的なアドレス指定は、リボンに印加されるドライバ信号の選択的なタイミング調整でもって行われ得る。代案として、又はドライバ信号のタイミング調整に加えて、単一のイメージラインが光学アレイの２つ又はそれより多い行から生成されるという事実を補正するために光学部品類が使用され得る。例えば、第１の光学システムが第１の行からのイメージングピクセルのために設けられることができると同時に、第２の光学システムが第２の行からのイメジーングピクセルのために設けられることができ、この場合、各光学システムは、伸長された光学アレイ２３０の２つ又はそれより多い行から生成されているピクセルを補償するために、必要な光学的変化を行う。
【００２５】
図５は、イメージ品質を改善するために重なり領域の構成が修正された後の重なり領域２５０Ａを示す。ここで、重なり領域２５０Ａは、第１の端部ピクセル２１６Ｃと第２の端部ピクセル２１５Ｄを含む。サブピクセル２１８Ｃに対するドライバ信号は、サブピクセル２１８Ａ及び２１８Ｂがアクティブ状態を維持しながら、これらのサブピクセル２１８Ｃが重なり領域２５０Ａに形成されるイメージに寄与しないように、抑制される。サブピクセル２１８Ａ及びサブピクセル２１８Ｂの双方によって生成されるサブピクセルの一部分２４５Ａに起因して、重なり領域２５０Ａに依然として歪みが存在する。しかしながら、重なり領域２５０Ａの歪みは、図３に示された構成１３からもたらされる可能性がある歪みに比べて最小限にされる。
【００２６】
図６は、本発明の代替の実施形態に従って修正された重なり領域２５０Ｂの概略的な平面図を示す。この例において、重なり領域２５０Ｂは、デバイス２００Ｅからの２つの端部ピクセル２１６Ｄ、及びデバイス２００Ｆからの２つの端部ピクセル２１５Ｅを含む。サブピクセル２１８Ｅに対するドライバ信号は、サブピクセル２１８Ｆが重なり領域２５０Ｂによって形成されるイメージに寄与しないように抑制される。サブピクセル２１８Ｄ及びサブピクセル２１８Ｅの双方によって生成されるサブピクセルの一部分２４５Ｂに起因して、重なり領域２５０Ｂに歪みが存在する。しかしながら、重なり領域２４５Ｂの歪みは、図３に示された構成１３からもたらされる可能性がある歪みに比べて最小限にされる。
【００２７】
図７は、本発明のさらなる実施形態に従って修正された重なり領域２５０Ｃの概略的な平面図を示す。この例において、重なり領域２５０Ｃは、デバイス２００Ｇからの２つの端部ピクセル２１６Ｅ、及びデバイス２００Ｈからの２つの端部ピクセル２１５Ｆを含む。また、重なり領域２５０Ｃは、デバイス２００Ｇからの中央ピクセル２２２Ａの一部も含む。重なり領域２５０Ｃによって形成されたイメージを最適化するために、サブピクセル２１８Ｇの全てに対するドライバ信号は、サブピクセル２１８Ｇが重なり領域２５０Ｃによって形成されたイメージに寄与しないように、ディスエーブルにされる。やはり、サブピクセル２１８Ｈ及び中央ピクセル２２２Ａの双方によって生成されるイメージの一部分２４５Ｃに起因して、重なり領域２５０Ｃに何らかの歪みが存在する。しかしながら、重なり領域２４５Ｃの歪みは、図３に示された構成１３からもたらされる可能性がある歪みに比べて最小限にされる。
【００２８】
抑制するためにどのドライバ信号を選択するか、及び／又は抑制するためにどのピクセルとサブピクセルを選択するかは、アレイによって生成されるテストイメージの物理的な検査を含む任意の数の方法を用いて適切に行われ得る。他の方法は、コンピュータで高度化された方法を含み、それにより第１の行の光学ＭＥＭデバイス、第２の行の光学ＭＥＭデバイス、並びに第１及び第２の行からなる光学ＭＥＭデバイスのアレイによって生成されるイメージが、キャプチャされて欠陥の場所を特定するために分析される。光学ＭＥＭデバイスの互い違いに配置されたアレイに適用されるような任意の数のイメージ分析方法およびイメージ操作技術は、本発明の範囲内にあると考えられる。
【００２９】
図８は、本発明に従って、イメージラインを生成するために互い違いに配置された構成２３０でタイリングされた光学ＭＥＭデバイス２００Ｉ、２００Ｊ、２００Ｋ、２００Ｌ、及び２００Ｍからなるアレイの概略的な平面図を示す。光学ＭＥＭデバイス２００Ｉ、２００Ｊ、２００Ｋ、２００Ｌ、及び２００Ｍのそれぞれは、アレイ２３０の長さＬにほぼ垂直な方向に伸長されたリボン構造体の直線的な配列を含む。光学ＭＥＭデバイス２００Ｉ、２００Ｊ、２００Ｋ、２００Ｌ、及び２００Ｍは、重なり領域２６１、２６３、２６５、及び２６７を形成するように重なる。重なり領域２６１、２６３、２６５、及び２６７は、上述したように、サブピクセル及び／又は中央ピクセルに分割される端部ピクセルデバイスを含む。アレイの構成２３０は、近い将来の用途に適した任意の数の光学ＭＥＭデバイスを有するように拡張され得る。
【００３０】
本発明の実施形態によるイメージング装置は、約３００〜約３０００ｎｍの範囲の１つ又は複数の波長を有する光を生成するための光源、及び光学ＭＥＭデバイスのアレイから生成されたイメージラインに適した光学部品類を含む。また、イメージング装置は、光学ＭＥＭデバイスのアレイから生成されたイメージラインを表示するためのモニタ及びスクリーンのようなディスプレイユニットも含むことができる。さらなる実施形態において、イメージング装置は、光学ＭＥＭデバイスから生成されたイメージラインを適切な印刷媒体上へ印刷するためのプリンタを含む。本発明は、本発明の原理、構成、及び動作の理解を容易にするために、細部を組み込む特定の実施形態に関して説明されてきた。本発明の特定の実施形態および細部に対する本明細書の係る参照は、本明細書に添付された特許請求の範囲の範囲を制限することは意図されていない。当業者には明らかなように、本発明の思想および範囲から逸脱することなく、例示のために選択された実施形態に修正を行うことができる。特に、重なり領域の部分でない、光学ＭＥＭデバイスのアレイの両端部に配置されたサブピクセルを取り除くことは、本発明の範囲内にある。さらに、３つ以上の行で光学ＭＥＭデバイスのアレイをタイリングすることも考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】端と端をつないだ構成でタイリングされた光学ＭＥＭデバイスの概略的な平面図である。
【図２】互い違いに配置された構成でタイリングされ、重なり領域を形成する光学ＭＥＭデバイスの概略的な平面図である。
【図３】図２に示されるように、互い違いに配置された構成でタイリングされた光学ＭＥＭデバイスのアレイにおいて発生する可能性があるアーティファクトを示す図である。
【図４】本発明による、中央ピクセルと端部サブピクセルでもって互い違いに配置された構成でタイリングされた光学ＭＥＭデバイスの概略的な平面図である。
【図５】本発明に従って修正された重なり領域の概略的な平面図である。
【図６】本発明の代替の実施形態に従って修正された重なり領域の概略的な平面図である。
【図７】本発明のさらなる実施形態に従って修正された重なり領域の概略的な平面図である。
【図８】本発明に従ってタイリングされた光学ＭＥＭデバイスのアレイの概略的な平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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