(57)【要約】  本発明は、少なくとも一つの官能基を有する官能性化高級ダイヤモンドイドに関する。これらの誘導体は、高級ダイヤモンドイド核及び六つまでの独立に選択された官能基を有する。官能性化高級ダイヤモンドイド化合物は、式、Ｄ−Ｌ−（Ｄ)n（式中、Ｄは高級ダイヤモンドイド核であり、Ｌは結合基であり、ｎは１以上である）を持つこともできる。官能性化高級ダイヤモンドイド化合物は、更に、式、Ｒ38−Ｄ−Ｄ−Ｒ39（式中、Ｄは高級ダイヤモンドイド核であり、Ｒ38及びＲ39は置換基である）を持つこともできる。
2005511730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの官能基を有し、次の式Ｉ：
【化１】
2005511730.tif 000024
〔式中、Ｄは、高級ダイヤモンドイド核であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、夫々独立に、水素及び共有結合した付加官能基からなる群から選択され；
但し少なくとも一つの官能基が存在するものとし、その基は、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ２、−ＮＨＣＯＣＨ３、−ＮＨＣＨＯ、−ＣＯ２Ｈ、−ＣＯ２Ｒ、−ＣＯＣｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ２ＯＨ、＝Ｏ、−ＮＯ２、−ＣＨ＝ＣＨ２、−Ｃ＝ＣＨ、−Ｃ６Ｈ５、ではなく、Ｒは、アルキルであって、アルケニル、アルキニル、−Ｃ２Ｈ３Ｏ、−ＳＨ、−Ｃ６Ｈ４ＮＨ２、−Ｃ６Ｈ４ＣＯ２Ｈ、−Ｃ６Ｈ４ＯＨ、エポキシド、エトキシド、シアノ、シルキシル、シアネートではなく、−（Ｘ)ｎ−（Ｙ)ｎ−Ｚ｛ここで、−Ｘは、−Ｏ−、−ＮＲ７、−ＯＣ（Ｏ）−、ＮＲ８Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、又は−Ｃ（Ｏ）ＮＲ９−であり、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ９は、独立に、水素、又はアルキルであり、Ｙは、アルキレン、アルカリーレン、ヘテロアリーレン、又はアルキヘテロアリーレンであり、Ｚは、アルケニル、アルキニル、−ＯＨ、−Ｃ２Ｈ３Ｏ、−ＳＨ、−ＮＨ２、−ＣＯ２Ｈ、−Ｃ６Ｈ５、−Ｃ６Ｈ４ＮＨ２、−Ｃ６Ｈ４ＣＯ２Ｈ、又は−Ｃ６Ｈ４ＯＨであり、ｎは、１又は０であり、ｍは、１又は０である。｝によって表される物質でもない。〕
を有する官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項２】
一つの官能基を有する、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項３】
少なくとも二つの官能基を有する、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項４】
二つの官能基が同じである、請求項３に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項５】
二つの官能基が異なる、請求項３に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項６】
官能基の一つが、置換又は置換されていない、ハロ、チオ、オキシド、ヒドロキシル、ニトロ、、ハロゲン化スルホニル、スルホネート、ホスフィン、付加アルキル、アルケニル、アルキニル、及びアリールからなる群から選択されている、請求項５に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項７】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、ハロアルキル、ハロアルケニル、ハロアルキニル、ヒドロキシルアルキル、ヘテロアリール、及びアルキルチオからなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項８】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、アルコキシ、アミノアルキル、アミノアルコキシ、ヘテロシクロアルコキシ、シクロアルキルオキシ、アリールオキシ、及びヘテロアリールオキシからなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項９】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、−Ｃ（Ｏ）Ｚ（式中、Ｚは、水素、アルキル、ハロ、ハロアルキル、ハロチオ、アミノ、一置換アミノ、二置換アミノ、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリールである）；−ＣＯ２Ｚ（式中、Ｚは、前に定義した通りである）；−Ｒ７ＣＯＺ（式中、Ｒ７は、アルキル、アミノアルキル、又はハロアルキルであり、Ｚは、前に定義した通りである）；−Ｒ７ＣＯＯＺ（式中、Ｒ７及びＺは、前に定義した通りである）；からなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１０】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、
−ＮＨ２；−ＮＨＮＨ２；
−ＮＨＲ′、−ＮＲ′Ｒ″、及び−Ｎ＋Ｒ′Ｒ″Ｒ"′（式中、Ｒ′、Ｒ″、及びＲ"′は、独立に、アルキル、アミノ、チオ、チオアルキル、ヘテロアルキル、アリール、又はヘテロアリールである）；
−Ｒ８ＮＨＣＯＲ９（式中、Ｒ８は、−ＣＨ２、−ＯＣＨ２、−ＮＨＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ２、及び−ＯＣＨ２ＣＨ２からなる群から選択されており、Ｒ９は、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、及びヘテロアラルキルからなる群から選択されでいる）；及び
−Ｒ１０ＣＯＮＨＲ１１（式中、Ｒ１０は、−ＣＨ２、−ＯＣＨ２、−ＮＨＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ２、及び−ＯＣＨ２ＣＨ２からなる群から選択され、Ｒ１１は、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、及びヘテロアラルキルからなる群から選択されている）；
からなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１１】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、
【化２】
2005511730.tif 000025
〔式中、
ｎは、２又は３であり；
Ｘは、酸素、硫黄、カルボキシ、又はＣＯＯＺ′（式中、Ｚ′は、水素又はアルキルである）；
Ｙは、酸素、又は硫黄であり、
Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、及びＲ１５は、独立に、水素、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、又はヘテロアリールからなる群から選択されている。〕
からなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１２】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、
＝Ｎ−Ｚ″（式中、Ｚ″は水素、ＮＨ２、−ＯＨ、アルキル、
【化３】
2005511730.tif 000026
である）；
からなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、シアノ、シアノアルキル、シアノアリール、及びシアノアルキルアミノからなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１４】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、−ＮＨＲ′、−ＮＲ′Ｒ″、−Ｎ＋Ｒ′Ｒ″Ｒ"′、−ＮＨＱ″、アリール、ヘテロアリール、アルキル、アルケニル、及びアルキニル（式中、
Ｒ′、Ｒ″、及びＲ"′は、独立に、水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、アルケニル、及びアルキニルからなる群から選択されているか、又はＲ′及びＲ″は窒素原子と一緒になって７員環までの複素環式基を形成しており、
Ｑ″は、チオ、チオアルキル、アミノ、一置換アミノ、二置換アミノ、又は三置換アミノである。）からなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１５】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、夫々独立に、
−ＣＯＯＲ１６（式中、Ｒ１６は、アルキル、アリール、又はアラルキルである）；
−ＣＯＲ１７（式中、Ｒ１７は、アルキル、アリール、又はヘテロアルキルである）；
−ＮＨＮＨ２；
−Ｒ１８ＮＨＣＯＲ１９〔式中、Ｒ１８は、存在しないか、又はアルキレン、アリーレン、アルカリーレン、及びアリーアルキレンからなる群から選択され、Ｒ１９は、水素、アルキル、−Ｎ２、アリール、アミノ、及び−ＮＨＲ２０｛ここで、Ｒ２０は、水素、−ＳＯ２−アリール、−ＳＯ２−アルキル、−ＳＯ２−アラルキル、−ＣＯＮＨＲ２１（ここで、Ｒ２１は、水素、アルキル、及びアラルキルからなる群から選択されている）、及び−ＣＳＮＨＲ２１（ここで、Ｒ２１は、上で定義した通りである）からなる群から選択されている｝；及び−ＣＯＯＲ２２（ここで、Ｒ２２は、アルキル、又はアリールである）；及び−ＮＲ２３−（ＣＨ２）ｎ−ＮＲ２４Ｒ２５（ここで、Ｒ２３、Ｒ２４、及びＲ２５は、独立に、水素、アルキル、及びアリールから選択され、ｎは１〜２０である）からなる群から選択されている〕；
からなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１６】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の少なくとも一つが、独立に、水素、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−；−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ；−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ；−Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ；−Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ；−Ｎ＝Ｓ＝Ｏ；−Ｒ−Ｎ＝Ｓ＝Ｏ（式中、Ｒはアルキルである）；−ＰＨ２；−ＰＯＸ２（式中、Ｘはハロである）；−ＰＯ（ＯＨ)２；−ＳＯ２Ｈ；−ＳＯＸ（式中、Ｘはハロである）；−ＳＯ２Ｒ（式中、Ｒはアルキルである）；−ＳＯ２ＯＲ；−ＯＳＯ３Ｈ（式中、Ｒはアルキルである）；−ＳＯＮＲ２６Ｒ２７（式中、Ｒ２６及びＲ２７は、独立に、水素又はアルキルである）；及び−Ｎ３；−ＯＣ（Ｏ）Ｃｌ；及び−ＯＣ（Ｏ）ＳＣｌからなる群から選択されている、請求項１に記載の官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１７】
式II：
Ｄ−Ｌ−（Ｄ)ｎ
II
〔式中、
ｎは、１以上、例えば１〜１０、特に１〜４であり；
Ｄは、高級ダイヤモンドイド核であり；
Ｌは、次の群、
−Ｎ＝Ｃ−Ｎ−、
【化４】
2005511730.tif 000027
（式中、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３は、独立に、水素及びアルキルからなる群から選択されており、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、及びＲ３７は、独立に、存在しないか、又は、水素及びアルキルからなる群から選択されており、但しＲ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、及びＲ３７の少なくとも一つは存在するものとし、ｎ及びｍは、独立に、２〜２０である。）
からなる群から選択された結合基である。〕
を有する官能性化高級ダイヤモンドイド。
【請求項１８】
式III：
Ｒ３８−Ｄ−Ｄ−Ｒ３９
III
〔式中、
Ｄは、高級ダイヤモンドイド核であり、
Ｒ３８及びＲ３９は、前記高級ダイヤモンドイド核の置換基であり、独立に、水素、ハロ、シアノ、アリールアルコキシ、アミノアルキル、及び−ＣＯＯＲ４０（ここで、Ｒ４０は、水素又はアルキルである）からなる群から選択されている。〕
を有する官能性化高級ダイヤモンドイド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、官能性化高級ダイヤモンドイド(functionalized higher diamondoid)に関する。これらは、一つ以上の官能基が共有結合した高級ダイヤモンドイド核を有する化合物である。官能性化高級ダイヤモンドイドは、化学的中間体、ナノテクノロジーのためのナノ装置を作るための材料、潤滑剤及び被覆、生物学的に反応性の材料の成分等としての用途を有する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドイドは、ダイヤモンド結晶格子の小さな断片である堅い構造を有する籠型炭化水素分子である。アダマンタンは、ダイヤモンドイド系列の最も小さなものであり、ダイヤモンド結晶格子の単一の籠型構造からなる。ジアマンタン(diamantane)は、互いに面融合した二つのアダマンタン構成単位(subunit)を含み、トリアマンタン(triamantane)は三つ、テトラマンタン(tetramantane)は四つの構成単位を含む等々である。アダマンタン、ジアマンタン、及びトリアマンタンには唯一つの異性体形が存在するが、テトラマンタンには四つの異なった異性体がある（即ち、四つのアダマンタン構成単位を有する四つの異なった形）。異性体テトラマンタンの二つは鏡像異性体である。可能な異性体の数は、ダイヤモンドイド系列の序列数が大きくなるに従って急速に増大する。
【０００３】
ダイヤモンドイドは、ダイヤモンドと同じ内部「結晶格子」構造を有する事実により、それらの分子式を有する全ての可能な炭化水素の中で、種々の性質の中で、ずば抜けて熱力学的に最も安定な構造を有する。ダイヤモンドは、極めて大きな抗張力、極めて低い化学的反応性、三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）より大きな電気抵抗、優れた熱伝導度、及び華麗な光学的性質を示すことはよく確認されていることである。
【０００４】
市販されているアダマンタンは、広範に研究されている。それらの研究は、アダマンタン含有物質の熱力学的安定性、官能性化、及び性質のような数多くの分野に向けられてきた。例えば、次の特許は、アダマンタン誘導体及びアダマンタン系重合体を記載している。米国特許第３，４５７，３１８号明細書は、アルケニルアダマンタンから重合体を製造することを教示している。米国特許第３，８３２，３３２号明細書は、アルキルアダマンタンジアミンから形成したポリアミド重合体を記述している。米国特許第５，０１７，７３４号明細書は、エチニルアダマンタン誘導体から熱安定性樹脂を形成することを論じている。米国特許第６，２３５，８５１号明細書は、種々のアダマンタン誘導体の合成及び重合を報告している。
【０００５】
テトラアマンタン、ペンタアマンタン等々を含む高級ダイヤモンドイドは、比較的僅かな注意しか払われてこなかった。実際、２００１年１月１９日に出願された米国特許出願Ｓｅｒｉａｌ  Ｎｏ．６０／２６２，８４２及び２００２年１月１７日に出願されたＳｅｒｉａｌ  Ｎｏ．１０／０５２，６３６（全て参考のためここに入れてある）で具体化されている発明者ダール(Dahl)及びカールソン(Carlson)による研究の以前では、これらの化合物は殆ど仮定的なものであって、唯一つのそのような化合物しか合成されておらず、他の試験的に同定された（しかし、分離はされていなかった）ものは僅かしかない。
【０００６】
上に記載した特許出願で論じられている物質は、それ自身高級ダイヤモンドイドであり、一つ以上のアルキル置換基を有する高級ダイヤモンドイドであり、全て化合物として同定されており、種々の石油供給原料から分離されていた。
【０００７】
大体２００２年７月１８日頃に刊行された米国特許出願Ｓｅｒｉａｌ  Ｎｏ．１０／０４６，４８６には、高級ダイヤモンドイドの重合可能な誘導体が開示されている。これらの物質は一つ〜六つの重合可能な部分を有する高級ダイヤモンドイドである。この特許出願も、これらの重合可能な物質に対する或る前駆物質を開示しており、特に、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ２、−ＮＨＣＯＣＨ３、−ＮＨＣＨＯ、−ＣＯ２Ｈ、−ＣＯ２Ｒ、−ＣＯＣｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ２ＯＨ、＝Ｏ、−ＮＯ２、−ＣＨ＝ＣＨ２、−Ｃ＝ＣＨ、及び−Ｃ６Ｈ５（式中、Ｒはアルキルである）から選択された一つ〜六つの部分を有する高級ダイヤモンドイドを開示している。この出願によって開示された他の物質は、アルケニル、アルキニル、−Ｃ２Ｈ３Ｏ、−ＳＨ、−Ｃ６Ｈ４ＮＨ２、−Ｃ６Ｈ４ＣＯ２Ｈ、−Ｃ６Ｈ４ＯＨ、エポキシド、エトキシト(ethoxite)、シアノ、シルキシル、及びシアネートから選択された１〜６個の部分を有する高級ダイヤモンドイドのみならず、−（Ｘ)ｎ−（Ｙ)ｎ−Ｚ〔式中、−Ｘは−Ｏ−、−ＮＲ７、−ＯＣ（Ｏ）−、ＮＲ８Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、又は−Ｃ（Ｏ）ＮＲ９−であり、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ９は、独立に、水素又はアルキルであり；Ｙはアルキレン、アルカリーレン、ヘテロアリーレン、又はアルキルヘテロアリーレンであり；Ｚは、アルケニル、アルキニル、−ＯＨ、−Ｃ２Ｈ３Ｏ、−ＳＨ、−ＮＨ２、−ＣＯ２Ｈ、−Ｃ６Ｈ５、−Ｃ６Ｈ４ＮＨ２、−Ｃ６Ｈ４ＣＯ２Ｈ、又は−Ｃ６Ｈ４ＯＨであり；ｎは１又は０であり、ｍは１又は０である〕により表される材料である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ここに定義する少なくとも一つの官能基を有する官能性化高級ダイヤモンドイドに関する。これらの誘導体は、次の式Ｉを有するのが好ましい：
【０００９】
【化１】
2005511730.tif 000003
【００１０】
式中、Ｄは、高級ダイヤモンドイド核であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、夫々独立に、水素及び共有結合した官能基の組からなる群から選択され、但し少なくとも一つの官能基が存在するものとする。一層好ましくは、この官能性化高級ダイヤモンドイドは、一つ又は二つの官能基を有する。
【００１１】
適当な官能基には、ハロゲン化スルホニル、スルホネート、ハロアルキル、アルコキシル、ハロアルケニル、ハロアルキニル、アルキルチオ、アルコキシ、アミノアルコキシ、ヘテロシクロアルコキシ、及びシクロアルキルオキシが含まれる。
【００１２】
第二級官能性化高級ダイヤモンドイド中に存在することができる他の官能基は、式、−Ｃ（Ｏ）Ｚ（式中、Ｚは、水素、アルキル、ハロ、ハロアルキル、ハロチオ、アミノ、一置換アミノ、二置換アミノ、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、複素環である）；式、−ＣＯ２Ｚ（式中、Ｚは、前に定義した通りである）；式、−Ｒ７ＣＯＺ、及び−Ｒ７ＣＯ２Ｚ（式中、Ｒ７は、アルキレン、アミノアルキレン、又はハロアルキレンであり、Ｚは、前に定義した通りである）；式、−ＮＨ２；−ＮＨＲ′、−ＮＲ′Ｒ″、及び−Ｎ＋Ｒ′Ｒ″Ｒ"′（式中、Ｒ′、Ｒ″、及びＲ"′は、独立に、アルキル、アミノ、チオ、チオアルキル、ヘテロアルキル、アリール、又はヘテロアリールである）；式、−Ｒ８ＮＨＣＯＲ９（式中、Ｒ８は、−ＣＨ２、−ＯＣＨ２、−ＮＨＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ２、−ＯＣＨ２ＣＨ２であり、Ｒ９は、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、又はヘテロアラルキルである）；式、−Ｒ１０ＣＯＮＨＲ１１（式中、Ｒ１０は、−ＣＨ２、−ＯＣＨ２、−ＮＨＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ２、及び−ＯＣＨ２ＣＨ２から選択され、Ｒ１１は、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、及びヘテロアラルキルから選択される）によって表される。
【００１３】
更に別の態様として、官能性化高級ダイヤモンドイドの官能基の一つ以上は、次の式を有するものでもよい：
【００１４】
【化２】
2005511730.tif 000004
【００１５】
式中、ｎは、２又は３であり、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、又は−Ｃ（Ｏ）−であり、Ｙは、＝Ｏ、又は＝Ｓであり、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、及びＲ１５は、独立に、水素、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、又はヘテロアリールであり；＝Ｎ−Ｚ″（式中、Ｚ″は水素、アミノ、ヒドロキシル、アルキル、
【００１６】
【化３】
2005511730.tif 000005
【００１７】
シアノ、シアノアルキル、シアノアリール、又はシアノアルキルアミノである。
【００１８】
更に別の態様として、官能性化高級ダイヤモンドイドの官能基の一つ以上は、−ＮＨＲ′、−ＮＲ′Ｒ″、−Ｎ＋Ｒ′Ｒ″Ｒ"′、又は−ＮＨＱ″〔式中、Ｒ′、Ｒ″、及びＲ"′は、独立に、水素、アリール、７員環までのヘテロアリール、アルキル、アルケニル、又はアルキニル（ここで前記アルキル、アルケニル、及びアルキニル残基は、分岐しているか、分岐していないか、環化されているか、場合によりハロゲン、アリール、又は７員環までのヘテロアリールで置換されていてもよい）であるか、又はＲ′及びＲ″は窒素原子と一緒になって７員環までの複素環基を形成している〕である。Ｑ″は、チオ、チオアルキル、アミノ、一置換アミノ、二置換アミノ、又は三置換アミノで、ハロゲン、水酸基、硫酸基、硝酸基、燐酸基、又は他の陰イオンのような適当な対イオンを有する。
【００１９】
更に別の態様として、官能性化高級ダイヤモンドイドの官能基は：−ＣＯＯＲ１６（式中、Ｒ１６は、アルキル、アリール、又はアラルキルである）；−ＣＯＲ１７（式中、Ｒ１７は、アルキル、アリール、又はヘテロアルキルである）；−ＮＨＮＨＯ；−Ｒ１８ＮＨＣＯＲ１９〔ここで、Ｒ１８は、存在しないか、又はアルキル、アリール、又はアラルキルから選択され、Ｒ１９は、水素、アルキル、−Ｎ２、アリール、アミノ、又は−ＮＨＲ２０（ここで、Ｒ２０は、水素、−ＳＯ２−アリール、−ＳＯ２−アルキル、又は−ＳＯ２−アラルキルである）である〕；−ＣＯＮＨＲ２１（ここで、Ｒ２１は、水素、アルキル、及びアラルキルである）；−ＣＳＮＨＲ２１（式中、Ｒ２１は、上で定義した通りである）；及び−ＮＲ２２−（ＣＨ２）ｎ−ＮＲ２３Ｒ２４（式中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４は、独立に、水素、アルキル、及びアリールから選択され、ｎは１〜２０である）；である。
【００２０】
更に別の態様として、官能性化高級ダイヤモンドイドの官能基は、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ；−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ；−Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ；−Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ；−Ｎ＝Ｓ＝Ｏ；又は−Ｒ−Ｎ＝Ｓ＝Ｏ（式中、Ｒはアルキルである）；−ＰＨ２；−ＰＯＸ２（式中、Ｘはハロである）；−ＰＯ（ＯＨ)２；−ＯＳＯ３Ｈ；−ＳＯ２Ｈ；−ＳＯＸ（式中、Ｘはハロである）；−ＳＯ２Ｒ（式中、Ｒはアルキルである）；−ＳＯ２ＯＲ（式中、Ｒはアルキルである）；−ＳＯＮＲ２６Ｒ２７（式中、Ｒ２６及びＲ２７は、独立に、水素又はアルキルである）；−Ｎ３；−ＯＣ（Ｏ）Ｃｌ；又は−ＯＣ（Ｏ）ＳＣｌでもよい。
【００２１】
更に別の態様として、官能基は、二つ以上の高級ダイヤモンドイドに対する共有結合を形成していてもよく、これにより二つ以上のダイヤモンドイドの間の結合基として働く。これは、式II：
Ｄ−Ｌ−（Ｄ)ｎ
II
（式中、Ｄは高級ダイヤモンドイド核であり、Ｌは結合基であり、ｎは１以上、例えば、１〜１０、特に１〜４である。）
の官能性化高級ダイヤモンドイドを与える。
【００２２】
この態様では、結合基Ｌは、−Ｎ＝Ｃ−Ｎ−；
【００２３】
【化４】
2005511730.tif 000006
【００２４】
（式中、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３は、独立に、水素又はアルキルであり、ｎ及びｍは、独立に、２〜２０である。）；
【００２５】
【化５】
2005511730.tif 000007
【００２６】
（式中、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、及びＲ３３は、水素又はアルキルであり；Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、及びＲ３７は、独立に、存在しないか、又は水素、又はアルキルであり、但しＲ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、及びＲ３７の少なくとも一つは存在し、ｎ及びｍは、独立に、２〜２０である。）
等にすることができる。対イオンは、どのような許容可能な一価陰イオンでもよく、例えば、ハロゲン、水酸化物、硫酸基、硝酸基、燐酸基等でもよい。
【００２７】
更に別の態様として、本発明は、式III：
Ｒ３８−Ｄ−Ｄ−Ｒ３９
III
（式中、各Ｄは、高級ダイヤモンドイド核であり、Ｒ３８及びＲ３９は、前記高級ダイヤモンドイド核の置換基であり、独立に、水素又は官能基である。）
の官能性化高級ダイヤモンドイドに関する。この物質は、１又は２個の官能基を有するのが好ましい。好ましいＲ３８及びＲ３９は、ハロ；シアノ；アリール；アリールアルコキシ；アミノアルキル；又は−ＣＯＯＲ４０（式中、Ｒ４０は、水素又はアルキルである）である。
【００２８】
勿論、本発明の官能性化高級ダイヤモンドイドは、背景技術に記載したように、我々の前の特許出願に既に記載されている官能基の一つ以上を含んでいてもよく、例えば、ハロ、ヒドロキシル、カルボニル、及びカルボキシを、ここに記載した新しい官能基の少なくとも一つと組合せて含有していてもよい。
【００２９】
更に別の態様として、本発明は、式Ｉ、II、及びIIIの高級ダイヤモンドイド誘導体の塩、個々の異性体、及び異性体混合物を与える。
【００３０】
本発明の官能性化高級ダイヤモンドイドは、例えば、ナノテクノロジー、薬、薬担体、医薬組成物、生物学的活性化合物を合成するための前駆物質、遠ＵＶリトグラフのためのホトレジスト材料及び／又はホトレジスト組成物、合成潤滑剤、耐熱性材料、及び耐溶媒性樹脂等々を含めた数多くの多様な領域で有用である。例えば、本発明の高級ダイヤモンドイド誘導体は、それに結合した医薬活性基の生物適合性を改良することができる望ましい親油性を有する。例えば、本発明の高級ダイヤモンドイド誘導体は、蛋白質断片に匹敵する大きさをもち、それはそれらの効能を改良することができる。更に、例えば、高級ダイヤモンドイドの置換異性体は、堅い構造を形成し、それらがキラル生物学的分子との特定の形の相互作用を与えるように選択することができる。これらのキラル生物学的分子には、例えば、酵素、受容体(receptor)等が含まれる。本発明の高級ダイヤモンドイド誘導体は、種々の有用な物質を形成するための更に官能性化された高級ダイヤモンドイド誘導体を合成するための化学的中間体としても有用である。例えば、本発明の高級ダイヤモンドイドの置換位置の多様性は種々の形態をとることになり、種々の用途を見出すことができる。そのような物質には、複合体マトリックス樹脂、構造接着剤、及び航空宇宙構造用途に有用な表面ファイル(file)が含まれる。更に、優れた光学的、電気的又は電子的、及び機械的性質を有する被覆層又は成形物が、光学繊維、ホトレジスト組成物、伝導材料、ペイント組成物、及び印刷インクで使用するために製造される。更に、高級ダイヤモンドイド誘導体含有材料は、例えば、半導体のような装置、耐火性槽のための被覆、又は他の高温用途を含めた、そのような安定性を必要とする環境中でそれらを用いるのに適したものにする大きな熱安定性を有する。
【００３１】
これらの多様な用途は、誘導体化生成物の使用に関する本発明の特徴となっている。例えば、官能性化基が医薬的に活性である場合、これは、医薬及び処置方法で用いることができる医薬活性官能性化高級ダイヤモンドイドをもたらすことができる。同様に、官能性化高級ダイヤモンドイドが、生物学的分子又は基と反応する大きさ及び形態を有する場合、官能性化基を、生物学的有用性を達成するのに医薬的に許容可能なものにしさえすれば良い。
【００３２】
従って、更に別の態様として、本発明は、式Ｉ、II、及びIIIの医薬的に活性な官能性化高級ダイヤモンドイドを医薬的に有効な量含有する医薬組成物を与える。
【００３３】
別の態様として、本発明は、病気、特にリウマチ様関節炎、骨関節炎、乾癬、アレルギー性皮膚炎、喘息、気道の反応亢進、敗血症性ショック、糸球体腎炎、過敏腸管疾病、クーロン病、潰瘍性大腸炎、アテローム性動脈硬化疾、悪性細胞の増殖及び転移、心筋虚血、筋芽細胞白血病、糖尿病、アルツハイマー病、骨粗鬆症、火傷、発作、静脈瘤、髄膜炎、特発性パーキンソン病、脳炎後パーキンソン症候群、及び一酸化炭素中毒により起こされる神経組織の障害から生ずる症候性パーキンソン症候群の治療のみならず、脳動脈硬化症に伴われるパーキンソン症候群の治療、特に年長患者の、心臓、循環系、及び血管の病気、特に心不全、低血圧、高血圧、薬物性錐体外路反応、細菌感染、及びウィルス感染の治療を、式Ｉ、II、及びIIIの医薬活性官能性化高級ダイヤモンドイド、又はその医薬的に許容可能な塩を治療に有効な量投与することを含めて行う方法を与える。好ましくは、本発明は、ウィルス感染、特にＨＩＶを、式Ｉ、II、及びIIIの官能性化高級ダイヤモンドイド、又はその医薬的に許容可能な塩を治療に有効な量投与することを含めて、治療する方法を与える。
【００３４】
本発明の官能性化高級ダイヤモンドイドは、更に官能性化された高級ダイヤモンドイドを合成するための中間体としても有用である。
【００３５】
本発明の詳細な説明
この詳細な説明は、次の小節で与える：
定義
高級ダイヤモンドイド及びそれらの回収
高級ダイヤモンドイドの誘導体化
例としての態様
用途
【００３６】
定義
ここで用いられる次の用語は、次のような意味を有する。
用語「ダイヤモンドイド」とは、置換及び非置換アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、テトラマンタン、ペンタマンタン、ヘキサマンタン、ヘプタマンタン、オクタマンタン、ノナマンタン、デカマンタン、ウンデカマンタン、等を含め、更にこれら成分の種々の分子量の形態のものも含め、それらの形態の異性体を含めたアダマンタン系の置換及び非置換籠型化合物を指す。置換ダイヤモンドイドは、好ましくは１〜１０、一層好ましくは１〜４個のアルキル置換基を有する。「ダイヤモンドイド」には、「低級(lower)ダイヤモンドイド」及び「高級(higher)ダイヤモンドイド」が含まれる。
【００３７】
用語「低級ダイヤモンドイド」又は「アダマンタン、ジアマンタン、及びトリアマンタン」は、アダマンタン、ジアマンタン、又はトリアマンタンのどのような且つ／又は全ての非置換及び置換誘導体でも指す。非置換低級ダイヤモンドイドは異性体を示さず、容易に合成され、それらを「高級ダイヤモンドイド」から区別することができる。
【００３８】
用語「高級ダイヤモンドイド」とは、どのような且つ／又は全ての置換及び非置換テトラマンタン；どのような且つ／又は全ての置換及び非置換ペンタマンタン；どのような且つ／又は全ての置換及び非置換ヘキサマンタン；どのような且つ／又は全ての置換及び非置換ヘプタマンタン；どのような且つ／又は全ての置換及び非置換オクタマンタン；どのような且つ／又は全ての置換及び非置換ノナマンタン；どのような且つ／又は全ての置換及び非置換デカマンタン；どのような且つ／又は全ての置換及び非置換ウンデカマンタン；その外、上述のものの混合物のみならず、異性体及び立体異性体でも指す。
【００３９】
用語「官能性化高級ダイヤモンドイド」とは、高級ダイヤモンドイドの水素の少なくとも一つが共有結合した官能基部分により置換されている高級ダイヤモンドイドを指す。官能性化高級ダイヤモンドイド誘導体中に存在する高級ダイヤモンドイドの部分は、「高級ダイヤモンドイド核」として言及する。
【００４０】
「アルキル」とは、典型的には１〜２０個の炭素原子、一層好ましくは１〜６個の炭素原子（低級アルキル）を有する直鎖及び分岐鎖飽和脂肪族基のみならず、典型的には３〜２０個の炭素原子、好ましくは３〜６個の炭素原子（同様に低級アルキル）を有する環式飽和脂肪族基を指す。用語「アルキル」及び「低級アルキル」は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のような基によって例示される。「付加アルキル」は、高級ダイヤモンドイド核に合成結合されているアルキルのことである。
【００４１】
用語「置換アルキル」とは、１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基を有する、上で定義したようなアルキル基を指す。これらの定義で用いられる用語「置換基」には、アルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、シクロアルキル、置換シクロアルキル、シクロアルケニル、置換シクロアルケニル、アシル、アシルアミノ、アシルオキシ、アミノ、置換アミノ、アミノアシル、アミノアシルオキシ、オキシアミノアシル、アジド、シアノ、ハロゲン、ヒドロキシル、ケト、チオケト、カルボキシル、カルボキシルアルキル、チオアリールオキシ、チオヘテロアリールオキシ、チオヘテロシクロオキシ、チオール、チオアルコキシ、置換チオアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアリールオキシ、複素環、ヘテロシクロオキシ、ヒドロキシアミノ、アルコキシアミノ、ニトロ、−ＳＯ−アルキル、−ＳＯ−置換アルキル、−ＳＯ−アリール、−ＳＯ−ヘテロアリール、−ＳＯ２−アルキル、−ＳＯ２−置換アルキル、−ＳＯ２−アリール、及び−ＳＯ２−ヘテロアリールからなる群から選択された物質が含まれる。同様に、「置換された」物質とは、それが、上記置換基の一つ以上により、一つ以上の水素が置換されている場合を言う。
【００４２】
用語「アルキレン」とは、好ましくは１〜２０個の炭素原子、一層好ましくは１〜１０個の炭素原子、更に一層好ましくは１〜６個の炭素原子を有する二価（分岐又は非分岐）飽和炭化水素鎖を指す。この用語は、メチレン（−ＣＨ２−）、エチレン（−ＣＨ２ＣＨ２−）、プロピレン異性体（例えば、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−及び−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−）等のような基によって例示される。
【００４３】
用語「置換アルキレン」とは、上で定義したように、１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基を有するアルキレン基を指す。
【００４４】
用語「アルカリール」とは、−アルキレン−アリール、及び−置換アルキレン−アリールの基を指し、この場合アルキレン、置換アルキレン及びアリールは、ここに定義されている。そのようなアルカリール基は、ベンジル、フェネチル等により例示される。
【００４５】
用語「アルコキシ」とは、アルキル−Ｏ−、アルケニル−Ｏ−、シクロアルキル−Ｏ−、シクロアルケニル−Ｏ−、及びアルキニル−Ｏ−の基を指し、この場合アルキル、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、及びアルキニルは、ここで定義されている通りである。好ましいアルコキシ基は、アルキル−Ｏ−であり、例としてメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、１，２−ジメチルブトキシ等が含まれる。
【００４６】
用語「置換アルコキシ」とは、置換されたアルキル−Ｏ−の基を指す。
【００４７】
用語「アルキルアルコキシ」とは、−アルキレン−Ｏ−アルキル、アルキレン−Ｏ−置換アルキル、置換アルキレン−Ｏ−アルキル、及び置換アルキレン−Ｏ−置換アルキルの基を指し、この場合アルキル、置換アルキル、アルキレン、及び置換アルキレンは、ここで定義されている通りである。好ましいアルキルアルコキシ基は、アルキレン−Ｏ−アルキルであり、例として、メチレンメトキシ（−ＣＨ２ＯＣＨ３）、エチレンメトキシ（−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）、ｎ−プロピレン−イソプロポキシ（−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ（ＣＨ３)２）、メチレン−ｔ−ブトキシ（−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３)３）等が含まれる。
【００４８】
用語「アルキルチオアルコキシ」とは、−アルキレン−Ｓ−アルキル、アルキレン−Ｓ−置換アルキル、置換アルキレン−Ｓ−アルキル、及び置換アルキレン−Ｓ−置換アルキルの基を指し、この場合アルキル、置換アルキル、アルキレン、及び置換アルキレンは、ここで定義してある通りである。好ましいアルキルチオアルコキシ基は、アルキレン−Ｓ−アルキルであり、例として、メチレンチオメトキシ（−ＣＨ２ＳＣＨ３）、エチレンチオメトキシ（−ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ３）、ｎ−プロピレン−イソ−チオプロポキシ（−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ（ＣＨ３)２）、メチレン−ｔ−チオブトキシ（−ＣＨ２ＳＣ（ＣＨ３)３）等が含まれる。
【００４９】
用語「アルケニル」とは、好ましくは２〜２０個の炭素原子、一層好ましくは２〜１０個の炭素原子、更に一層好ましくは２〜６個の炭素原子を有し、少なくとも１、好ましくは１〜６個のビニル不飽和部位を有する一価不飽和炭化水素基を指す。好ましいアルケニル基には、エテニル（−ＣＨ＝ＣＨ２）、ｎ−プロペニル（−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）、イソプロペニル（−Ｃ（ＣＨ３)＝ＣＨ２）等が含まれる。
【００５０】
用語「置換アルケニル」とは、１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基を有する、上で定義したようなアルケニル基を指す。
【００５１】
用語「アルケニレン」とは、好ましくは２〜４０個の炭素原子、一層好ましくは２〜１０個の炭素原子、更に一層好ましくは２〜６個の炭素原子を有し、少なくとも１つ、好ましくは１〜６個のビニル不飽和部位を有する二価の分岐又は非分岐不飽和炭化水素基を指す。この用語は、エテニレン（−ＣＨ＝ＣＨ−）、プロペニレン異性体（例えば、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、及び−Ｃ（ＣＨ３)＝ＣＨ−）等のような基により例示される。
【００５２】
用語「置換アルケニレン」とは、１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基を有する、上で定義したようなアルケニレン基を指す。
【００５３】
用語「アルキニル」とは、好ましくは２〜２０個の炭素原子、一層好ましくは２〜２０個の炭素原子、更に一層好ましくは２〜６個の炭素原子を有し、少なくとも１つ、好ましくは１〜６個のアセチレン（三重結合）不飽和部位を有する一価不飽和炭化水素を指す。好ましいアルキニル基には、エチニル（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル（−ＣＨ２Ｃ≡ＣＨ）等が含まれる。
【００５４】
用語「置換アルキニル」とは、１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基を有する、上で定義したようなアルキニル基を指す。
【００５５】
用語「アルキニレン」とは、好ましくは２〜２０個の炭素原子、一層好ましくは２〜１０個の炭素原子、更に一層好ましくは２〜６個の炭素原子を有し、少なくとも１つ、好ましくは１〜６個のアセチレン（三重結合）不飽和部位を有する二価不飽和炭化水素を指す。好ましいアルキニレン基には、エチニレン（−Ｃ≡Ｃ−）、プロパルギレン（−ＣＨ２Ｃ≡Ｃ−）等が含まれる。
【００５６】
用語「置換アルキニレン」とは、１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基を有する、上で定義したようなアルキニレン基を指す。
【００５７】
用語「アシル」とは、ＨＣ（Ｏ）−、アルキル−Ｃ（Ｏ）−、置換アルキル−Ｃ（Ｏ）−、シクロアルキル−Ｃ（Ｏ）−、置換シクロアルキル−Ｃ（Ｏ）−、シクロアルケニル−Ｃ（Ｏ）−、置換シクロアルケニル−Ｃ（Ｏ）−、アリール−Ｃ（Ｏ）−、ヘテロアリール−Ｃ（Ｏ）−、及び複素環−Ｃ（Ｏ）−の基を指し、この場合、アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、シクロアルケニル、置換シクロアルケニル、アリール、ヘテロアリール、及び複素環は、ここで定義した通りである。
【００５８】
用語「アシルアミノ」又は「アミノカルボニル」とは、基、−Ｃ（Ｏ）ＮＲＲを指し、式中、各Ｒは、独立に、水素、アルキル、又は置換アルキルであり、又は両方のＲ基が一緒になって複素環基（例えば、モルホリノ）を形成し、この場合アルキル、置換アルキル、アリール、ヘテロアリール、及び複素環はここで定義した通りである。
【００５９】
用語「アミノアシル」とは、基−ＮＲＣ（Ｏ）Ｒを指し、式中、各Ｒは、独立に、水素、アルキル、又は置換アルキルである。
【００６０】
用語「アミノアシルオキシ」又は「アルコキシカルボニルアミノ」とは、基、−ＮＲＣ（Ｏ）ＯＲ（式中、各Ｒは、独立に、水素、アルキル、置換アルキルである）を指す。
【００６１】
用語「アシルオキシ」とは、基、アルキル−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、及び置換アルキル−Ｃ（Ｏ）Ｏ−を指す。
【００６２】
用語「アリール」とは、一つの環（例えば、フェニル）、又は複数の縮合（融合）環（例えば、ナフチル又はアントリル）を有する６〜２０個の炭素原子を有する不飽和芳香族カルボ環式基を指す。好ましいアリールには、フェニル、ナフチル等が含まれる。
【００６３】
アリール置換基についての定義により別に制約されない限り、そのようなアリール基は、場合により１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基で置換されていてもよい。
【００６４】
用語「アリールオキシ」とは、基、アリール−Ｏ−を指し、この場合アリール基は上で定義したように、場合により同じく上で定義したような置換アリール基を含んでいる。
【００６５】
用語「アリーレン」とは、上で定義したようなアリール（置換アリールを含む）から誘導された二価の基を指し、その例は、１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン、１，２−ナフチレン等である。
【００６６】
用語「アミノ」とは、基、−ＮＨ２を指す。
【００６７】
用語「置換アミノ」とは、基、−ＮＲＲ（式中、少なくとも一つのＲは、独立に、アルキル、及び置換アルキルからなる群から選択され、他のＲはいずれも水素である）を指す。
【００６８】
用語「カルボキシアルキル」又は「アルコキシカルボニル」とは、「−Ｃ（Ｏ）Ｏ−アルキル」、及び「−Ｃ（Ｏ）Ｏ−置換アルキル」の基を指す。
【００６９】
用語「ヘテロアリール」とは、１〜１５個の炭素原子を有し、少なくとも一つの環（一つより多くの環が存在する場合）内に酸素、窒素、及び硫黄から選択された１〜４個のヘテロ原子を有する芳香族基を指す。
【００７０】
ヘテロアリール置換基についての定義により別に制約されない限り、そのようなヘテロアリール基は、場合により１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基で置換されていてもよい。
【００７１】
用語「ヘテロアリールオキシ」とは、基、ヘテロアリール−Ｏ−を指す。
【００７２】
用語「ヘテロアリーレン」とは、上で定義したようなヘテロアリール（置換ヘテロアリールを含む）から誘導された二価の基を指し、その例は、２，６−ピリジレン、２，４−ピリジレン、１，２−キノリニレン、１，８−キノリニレン、１，４−ベンゾフラニレン、２，５−ピリジニレン、２，５−インドレニル等の基である。
【００７３】
用語「複素環」又は「複素環式」とは、一つの環又は複数の縮合環を有し、１〜２０個の炭素原子、及び前記環内に、窒素、硫黄、燐、及び／又は酸素から選択された１〜１０個のヘテロ原子、好ましくは１〜４個のヘテロ原子を有する一価飽和又は不飽和基を指す。
【００７４】
複素環式置換基についての定義により別に制約されない限り、そのような複素環式基は、場合により１〜５個の置換基、好ましくは１〜３個の置換基で置換されていてもよい。
【００７５】
用語「ヘテロシクロオキシ」とは、基、複素環−Ｏ−を指す。
【００７６】
用語「チオヘテロシクロオキシ」とは、基、複素環−Ｓ−を指す。
【００７７】
用語「チオール」とは、基、−ＳＨを指す。
【００７８】
「ヘテロアルキル」とは、上で定義したようなアルキル又はシクロアルキルで、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ)ｎ（式中、ｎは０〜２の整数である）から選択されたヘテロ原子を含有する置換基を有するものを意味する。代表的な置換基には、−ＮＲａＲｂ、−ＯＲａ、−ＳＲａ、又は−Ｓ（Ｏ)ｎＲｃ（式中、ｎは０〜２の整数である）が含まれる。Ｒａは、水素、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、場合により置換されたフェニル、場合により置換されたフェニルアルキル、場合により置換されたヘテロアリール、又は−ＣＯＲ（式中、Ｒはアルキルである）である。Ｒｂは、水素、アルキル、−Ｓ（Ｏ)２Ｒ（式中、Ｒはアルキル又はヒドロキシルアルキルである）、−ＳＯ２、−ＮＲＲ′（式中、Ｒ及びＲ′は、独立に、水素又はアルキルである）、−ＣＯＮＲ′Ｒ″（式中、Ｒ′及びＲ″は、独立に、水素又はアルキルから選択される）である。Ｒｃは、水素、アルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、場合により置換されたフェニル、場合により置換されたヘテロアリール、アミノ、一置換アミノ、又は二置換アミノである。代表的な例には、２−メトキシエチル、２−ヒドロキシエチル、２−アミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、ベンジルオキシメチル、チオフェン−２−イルチオメチル等が含まれるが、それらに限定されるものではない。
【００７９】
「ハロアルキル」とは、一つ以上のハロゲン原子、好ましくは１〜３個のハロゲン原子、好ましくはフッ素又は塩素で置換されたアルキルを意味し、異なったハロゲンで置換されたものも含まれる。それら基の例には、−ＣＨ２Ｃｌ、−ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＣｌ３等が含まれる。
【００８０】
「ヒドロキシ」又は「ヒドロキシル」とは、−ＯＨの基を意味する。
【００８１】
「ヒドロキシアルキル」とは、少なくとも１つ、好ましくは１〜６個のヒドロキシ基（単数又は複数）で置換されたアルキルを意味し、但し同じ炭素原子に二つのヒドロキシ基が存在することはないものとする。代表的な例には、２−ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル等が含まれるが、それらに限定されるものではない。
【００８２】
「アルコキシアルキル」とは、上で定義したような、少なくとも一つのアルコキシ基で置換されたアルキル；又は、３〜４０個の炭素原子、好ましくは３〜１０個の炭素原子、一層好ましくは３〜６個の炭素原子を有し、少なくとも一つの、上で定義したようなアルコキシ基で置換された分岐鎖一価炭化水素基を意味する。これらの基には、例えば、−アルキレン−Ｏ−アルキル、及びアルキレン−Ｏ−置換アルキルが含まれる。代表的な例には、メトキシメチル（−ＣＨ２ＯＣＨ３）、２−メトキシエチル（−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）、２−メトキシプロピル（−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＣＨ３)−ＣＨ３）等が含まれる。
【００８３】
「アルキルチオ」又は「シクロアルキルチオ」とは、基、−ＳＲ（式中、Ｒは、夫々上で定義したようなアルキル又はシクロアルキルである）を意味し、例えば、メチルチオ、ブチルチオ、シクロプロピルチオ等を意味する。
【００８４】
「チオアルキル」とは、１〜３個のチオール基（単数又は複数）で置換されたアルキル基を指し、但し同じ炭素原子に二つのチオール基が存在することはないものとし、この場合、アルキル及びチオールはここで定義した通りであり、例えば、−ＣＨ２ＣＨ２ＳＨ、−ＣＨ２ＳＨ等である。
【００８５】
用語「ヘテロシクロチオ」とは、基、ヘテロシクロ−Ｓ−を指す。
【００８６】
「一置換アミノ」とは、基、−ＮＨＲ〔式中、Ｒは、アルキル、アシル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、及び複素環である〕を意味し、例えば、メチルアミノ（−ＮＨＣＨ３）、エチルアミノ（−ＮＨＣＨ２ＣＨ３）等を意味する。
【００８７】
「二置換アミノ」とは、基、−ＮＲＲ′〔式中、Ｒ及びＲ′は、独立に、アルキル、アシル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、及び複素環である〕を意味し、例えば、ジメチルアミノ（−Ｎ（ＣＨ３)２）、メチルエチルアミノ（−Ｎ（ＣＨ３)ＣＨ２ＣＨ３）等を意味する。
【００８８】
「三置換アミノ」とは、基、−Ｎ＋ＲＲ′Ｒ″〔式中、Ｒ、Ｒ′、及びＲ″は、独立に、アルキル、アシル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、及び複素環である〕を意味し、例えば、トリメチルアミノ（−Ｎ＋(ＣＨ３)３）、ジメチルエチルアミノ（−Ｎ＋(ＣＨ３)２ＣＨ２ＣＨ３）等を意味する。
【００８９】
「チオケト」とは、Ｓ＝Ｏを指す。
【００９０】
「シアノ」とは、基、−ＣＮを指す。
【００９１】
「シアノアリール」とは、少なくとも１つ、好ましくは１〜３個のシアノ置換基（単数又は複数）を有するアリール基を指し、例えば、−Ｃ６Ｈ４ＣＮ等である。
【００９２】
「シアノアルキル」とは、少なくとも１つ、好ましくは１〜３個のシアノ置換基（単数又は複数）を有するアルキル基を指し、例えば、−ＣＨ２ＣＮ等である。
【００９３】
「シアノアルキルアミノ」とは、−ＮＲＲ′（式中、Ｒは、独立に、水素、アルキル、及び置換アルキルであり、Ｒ′はシアノアルキルである）を指し、例えば、−ＮＨ（ＣＨ２ＣＮ）、−ＮＣＨ３（ＣＨ２ＣＮ）等である。
【００９４】
「ニトロ」とは、基、−ＮＯ２を指す。
【００９５】
「カルボニル」とは、基、−Ｃ（Ｏ）−を意味する。
【００９６】
「アミノアルキル」とは、少なくとも一つの−ＮＲＲ′（式中、Ｒ及びＲ′は、独立に、水素、アルキル、又はアシルから選択される）で置換されたアルキルを意味する。代表的な例には、２−アミノエチル、２−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノプロピル、２−Ｎ−アセチルアミノエチル等が含まれる。
【００９７】
「プロドラッグ(Pro-drug)」とは、そのようなプロドラッグを哺乳動物の生体に投与すると、生体内で活性親医薬を放出する化合物を意味する。
【００９８】
「医薬的に許容可能な賦形剤」とは、一般に安全で非毒性であり、生物学的にも或は他の点でも望ましくなくはない医薬組成物を製造するのに有用な賦形剤を意味する。
【００９９】
化合物の「医薬的に許容可能な塩」とは、医薬的に許容することができ、親化合物の希望の薬理学的活性を有する塩を意味する。そのような塩には、（１）塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、塩酸等のような無機酸を用いて形成された；又は酢酸等のような有機酸を用いて形成された、酸付加塩が含まれる。
【０１００】
「薬理学的に許容可能な官能基」とは、医薬組成物のために用いられるか、又はそのような化合物を製造するために用いられる化合物の官能基を意味する。これらの官能基は、一般に安全で非毒性である。
【０１０１】
「治療に有効な量」とは、哺乳動物に病気を処置するため投与した時、そのような処置を病気に対して効果的にするのに充分な化合物量を意味する。「治療に有効な量」は、化合物、病気及びその激しさ、処置する哺乳動物の年齢、体重等によって変化する。
【０１０２】
高級ダイヤモンドイド及びそれらの回収
図１に示したように、高級ダイヤモンドイドは、ダイヤモンド結晶格子で重ねることができる炭素原子骨格を有する架橋環型シクロアルカンである。それらは、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３'７］デカン）、即ち、Ｃ１０Ｈ１６の四量体、五量体、六量体、七量体、八量体、九量体、十量体であり、それらの中で種々のアダマンタン単位が面融合している。高級ダイヤモンドイドは、多くのアルキル置換基を含むことができる。これらの化合物は極めて堅い構造を有し、それらの式を有するどのような化合物の中でも最も大きな安定性を有する。テトラマンタンには四つの構造；イソテトラマンタン［１（２）３］、逆テトラマンタン［１２１］、及びスキュー(skew)テトラマンタン［１２３］の二つの鏡像異性体；が存在する。ペンタマンタンには１０種類存在し、九つは分子式Ｃ２６Ｈ３２（分子量３４４）を有し、これらの九つの中には、［１２（１）３］、［１２３４］、［１２１３］で表される三対の鏡像異性体と、［１２（３）４］、［１（２，３）４］、［１２１２］によって表される非鏡像異性体ペンタマンタンが存在する。分子式Ｃ２５Ｈ３０（分子量３３０）によって表される一層歪んだペンタマンタン［１２３１］も存在する。ヘキサマンタン及びそれより高級の物質は、数多くの異なった構造を持って存在している。
【０１０３】
図２は、四つのテトラマンタンについて代表的な炭素番号付け方式を示しており、その中で第四級、第三級、及び第二級炭素が重点的に示されている。他の高級ダイヤモンドイドについての炭素番号付け方式は同様である。
【０１０４】
高級ダイヤモンドイド系は、複数の異性体を含み（立体異性体を含む）、置換又は誘導されたダイヤモンドイドは、一つ以上のキラル中心を有するのが典型的である。テトラマンタンより高級なダイヤモンドイドは、一つより多くの分子量を有する形で存在する。もし望むならば、そのような化合物は、純粋な異性体又は立体異性体として（例えば、個々の鏡像異性体、又はジアステレオマーとして、又は立体異性体に富む混合物として）分離することができる。純粋な立体異性体（又はそれに富む混合物）は、例えば、結晶化、場合により活性溶媒、又は当分野でよく知られた立体選択性薬剤を用いて製造することができる。別法として、そのような化合物のラセミ混合物は、例えば、キラル・カラムクロマトグラフィー、キラル溶解剤等を用いて分離することができる。
【０１０５】
高級ダイヤモンドイドは、容易に入手できる供給原料から、次のような一般的方法及び手順を用いて回収することができる。典型的又は好ましい工程条件（即ち、反応温度、時間、溶媒、圧力等）が与えられていれば、別に述べられていない限り、他の工程条件を用いることもできることは認められるであろう。最適反応条件は供給原料と共に変化するであろうが、そのような条件は、当業者によりありふれた最適化手順により決定することができる。
【０１０６】
供給原料は、回収可能な量の高級ダイヤモンドイド成分を含んでいるように選択する。好ましい供給原料には、例えば、高濃度のダイヤモンドイドを含有する天然ガス凝縮物及び製油所流が含まれる。後者に関して、そのような製油所流には、クラッキング工程、蒸留、コークス化等から回収できる炭化水素質流が含まれる。特に好ましい供給原料には、メキシコ湾にあるノルフレット・フォーメーション(Norphlet Formation)、及びカナダのルダック・フォーメーション(LeDuc Formation)から回収された凝縮物供給原料が含まれる。
【０１０７】
高級ダイヤモンドイドの一般的分離方法を図３に示す。
【０１０８】
一つの態様として、汚染物の除去には、供給原料を蒸留して、非ダイヤモンドイド成分及び低級ダイヤモンドイド成分を除去し、或る場合には回収するように選択した最低沸点の高級ダイヤモンドイド成分よりも低い沸点を有する不要な他の高級ダイヤモンドイドを除去することが含まれる。
【０１０９】
そのような蒸留は、供給原料を精留し、選択した高級ダイヤモンドイド又は選択した高級ダイヤモンドイドのグループの初期濃縮物を与えるため、問題の温度範囲で幾つかの留分を与えるように操作することができる。選択した一種類以上のダイヤモンドイド、又は問題の特定のダイヤモンドイド成分に富む留分を保有し、更に精製を必要とすることがある。次の表は、塔頂流を種々の高級ダイヤモンドイドに富むようにするために用いることができる代表的精留点を例示している。実際には、一層広い温度範囲の留分を形成し、それらが後の分離工程で一緒に分離することができる或るグループの高級ダイヤモンドイドを屡々含有するようにすることが有利である。
【０１１０】
精留点
最も好ましい              好ましい
低級留分    高級留分    低級留分    高級留分
高級ダイヤモンドイド    温度(℃)    温度(℃)    温度(℃)    温度(℃)
テトラマンタン           349         382         330         400
ペンタマンタン           385         427         360         450
シクロヘキサマンタン     393         466         365         500
ヘキサマンタン           393         466         365         500
ヘプタマンタン           432         504         395         540
オクタマンタン           454         527         420         560
ノナマンタン             463         549         425         590
デカマンタン             472         571         435         610
ウンデカマンタン         499         588         455         625
有用
低級留分    高級留分
高級ダイヤモンドイド    温度(℃)    温度(℃)
テトラマンタン           300         430
ペンタマンタン           330         490
シクロヘキサマンタン     330         550
ヘキサマンタン           330         550
ヘプタマンタン           350         600
オクタマンタン           375         610
ノナマンタン             380         650
デカマンタン             390         660
ウンデカマンタン         400         675
【０１１１】
従って、置換高級ダイヤモンドイドは、置換基の追加により、それらの好ましい留分点温度が高い温度の方へ移行することは分かるであろう。問題のダイヤモンドイドの一層高い純度の留分のためには付加的温度での精製が考えられるであろう。
【０１１２】
低級ダイヤモンドイド、もしあったとして選択されない高級ダイヤモンドイド、及び／又は炭化水素質非ダイヤモンドイド成分を除去するための他の方法には、単に例として、大きさ分離法、常圧又は減圧での蒸発、結晶化、クロマトグラフィー、坑口分離器、減圧等が含まれる。除去方法は、高級ダイヤモンドイドの大きさが一層大きいことを、低級ダイヤモンドイドをそれから分離するのに利用することができる。例えば、膜を用いた大きさ分離法は、膜障壁の孔径を低級ダイヤモンドイド成分と比較して高級ダイヤモンドイド成分の大きさを有する化合物を区別できるように選択すれば、供給原料を膜中に保持し、膜障壁を低級ダイヤモンドイドが選択的に通過するようにできるであろう。ゼオライト等のような分子篩の気孔孔径を、大きさ分離を行うのに用いることができる。
【０１１３】
好ましい態様として、除去方法は９：１以下、一層好ましくは２：１以下の低級ダイヤモンドイド成分対高級ダイヤモンドイド成分の比を有する処理済み供給原料を与え、更に一層好ましくは、その比は１：１以下である。供給原料から低級ダイヤモンドイド成分（一種又は多種）を除去した後、除去前の供給原料中に見出される量と比較して、更に一層好ましくは、高級ダイヤモンドイド成分の少なくとも約１０％、一層好ましくは少なくとも５０％、更に一層好ましくは少なくとも９０％が供給原料中に保持される。
【０１１４】
ヘキサマンタン以上のダイヤモンドイド成分の回収が望ましく、供給原料が非ダイヤモンドイド汚染物を含有する場合、一般に供給原料を熱分解にもかけて、炭化水素質非ダイヤモンドイド成分の少なくとも一部分を供給原料から除去する。熱分解はその熱分解処理された供給原料中の高級ダイヤモンドイドの量を効果的に濃縮する。
【０１１５】
熱分解は、真空条件で、又は不活性雰囲気中で、少なくとも約３９０℃、好ましくは約４００〜約５５０℃、一層好ましくは約４００〜約４５０℃、特に４１０〜４３０℃の温度で、供給原料の非ダイヤモンドイド成分の少なくとも一部分の熱分解を行うことができる時間、供給原料を加熱することにより行う。参考としてここに入れる、２００２年７月１８日に出願されたＵＳＳＮ６０／３９６，９９１に記載されているように、熱分解は、水素化分解及び／又は水素化処理触媒を入れて、添加水素の存在下で行うこともできる。用いる特定の条件は、選択された高級ダイヤモンドイド成分の回収可能な量が供給原料中に保有されるように選択する。そのような条件の選択は、充分当業者の技術内に入る。
【０１１６】
熱分解は、熱分解前の供給原料中の非ダイヤモンドイド成分の全重量に基づき、熱分解処理された供給原料から少なくとも約１０％（一層好ましくは少なくとも約５０％、更に一層好ましくは少なくとも約９０％）の非ダイヤモンドイド成分を熱分解するのに充分な時間、充分な高い温度で継続するのが好ましい。
【０１１７】
クロマトグラフィー、結晶化、熱的拡散法、領域精製、漸進的再結晶化、粒径分離等のような一つ以上の精製法を用いて回収供給原料を更に純粋にすることも好ましい。特に好ましい方法として、回収された供給原料を、先ず硝酸銀含浸シリカゲルを用いて重力式カラムクロマトグラフィーにかけ、次に異なった選択性を持つ二つの異なったカラムを用いたＨＰＬＣにより選択されたダイヤモンドイドを分離し、そして結晶化して高度に濃縮された目的高級ダイヤモンドイドの結晶を与えるようにする。
【０１１８】
図４Ａは、ガスクロマトグラフィー装置中の種々の高級ダイヤモンドイドについての相対的保持時間の表であり、図４Ｂは、高級ダイヤモンドイドについてのＨＰＬＣ溶離時間の表である。
【０１１９】
高級ダイヤモンドイドの誘導
高級ダイヤモンドイド骨格には三つの異なった炭素が存在する：第四級（４°又はＣ−４）、第三級（３°又はＣ−３）、及び第二級（２°又はＣ−２）炭素。これらの異なった炭素の中で第四級炭素はどのような種類の反応でも行うことができない。化学反応は、高級ダイヤモンドイド骨格中のそれらの第三級（３°又はＣ−３）及び第二級（２°又はＣ−２）炭素でしか行うことができない。第三級又は第二級炭素の幾つかは同等のものとして言及されるべきである。このことは、これらの同等の第三級又は第二級炭素で置換された誘導体は同じであることを意味する。
【０１２０】
図５は、高級ダイヤモンドイドの誘導体化についての工程図を示し、図６は、高級ダイヤモンドイドの幾つかの代表的一次誘導体及び対応する反応を示している。図６で示したように、一般に、高級ダイヤモンドイドを誘導体化するための三つの主な反応が次の機構により分類されている：求核（ＳＮ１−型）及び求電子（ＳＥ２−型）置換反応、及び遊離ラジカル反応（そのような反応及びそれらのアダマンタンとの使用についての詳細は、例えば「アダマンタンの化学」(Chemistry of Adamantanes)と題する本の一節にあるＲ．Ｃ．ビンガム(Bingham)及びＰ．ｖ．Ｒ．シュラヤー(Schleryer)による「アダマンタン及び関連多環炭化水素の最近の発展」(Recent developments in the adamantane and related polycyclic hydrocarbons)(Springer-Verlag、ベルリンハイデルベルグ、ニューヨーク、１９７１年）及びRussian Chemical Review, 68(12), 1001-1020 (1999)で刊行されたＩ．Ｋ．モイシーブ(Moiseev)、Ｎ．Ｖ．マカローバ(Makarova)、Ｍ．Ｎ．ゼムツォーバ(Zemtsova)による「求電子媒体中でのアダマンタンの反応」(Reactions of adamantanes in electrophilic media)；「籠型炭化水素」(Cage hydrocarbons)〔ジョージＡ．オラー(George A. Olah)編修、John Wiley & Son, Inc.、ニューヨーク、１９９０年〕に示されている。
【０１２１】
ＳＮ１反応は、高級ダイヤモンドイドカルボカチオンの発生を含み（高級ダイヤモンドイドカルボカチオンを発生させる幾つかの異なった方法が存在し、例えば、図７に示したように、カルボカチオンは親高級ダイヤモンドイド、ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド、又はハロゲン化高級ダイヤモンドイドから発生する）、それらは次に種々の求核物質と反応する。幾つかの代表的例が図８に示されている。そのような求核物質には、例えば、次のものが含まれる：水（ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドを与える）；ハロゲン化物イオン（ハロゲン化高級ダイヤモンドイドを与える）；アンモニア（アミン化高級ダイヤモンドイドを与える）；アジド（アジジル化高級ダイヤモンドイドを与える）；ニトリル（リッター反応、加水分解後にアミン化高級ダイヤモンドイドを与える）；一酸化炭素（コッホ・ハーフ反応、加水分解後にカルボキシル化高級ダイヤモンドイドを与える）；オレフィン（脱プロトン化後、アルケニル化高級ダイヤモンドイドを与える）；及び芳香族薬剤（脱プロトン化後、アリール化高級ダイヤモンドイドを与える）。その反応は、開放鎖アルキル系、例えばｔ−ブチル、ｔ−クミル、及びシクロアルキル系のものと同様に行われる。高級ダイヤモンドイドの第三級（橋頭）炭素は、ＳＮ１反応条件下では、第二級炭素よりもかなり一層反応性なので、第三級炭素での置換が有利に行われる。
【０１２２】
ＳＥ２−型反応（即ち、５配位カルボカチオン中間体によるＣ−Ｈ結合の求電子置換）には、例えば、次の反応が含まれる：重水素化超強酸（例えば、ＤＦ−ＳｂＦ５又はＤＳＯ３Ｆ−ＳｂＦ５）との処理による水素・重水素交換；超強酸（例えば、ＣＦ３ＳＯ３Ｈ）の存在下での、ニトロニウム塩、例えば、ＮＯ２＋ＢＦ４−又はＮＯ２＋ＰＦ６−を用いた処理によるニトロ化；例えば、Ｃｌ２＋ＡｇＳｂＦ６との反応によるハロゲン化；フリーデル・クラフツ条件下での橋頭炭素のアルキル化（即ち、ＳＥ２−型σアルキル化）；コッホ反応条件下でのカルボキシル化；及びＳＥ２−型σヒドロキシル化条件下（例えば、夫々Ｈ３Ｏ２＋又はＨＯ３＋を含む超強酸触媒を用いた過酸化水素又はオゾン）での酸素化。幾つかの代表的ＳＥ２型反応が図９に示されている。
【０１２３】
それらのＳＮ１及びＳＥ２反応の中で、ＳＮ１−型反応が、高級ダイヤモンドイドの誘導体化に最も頻繁に用いられている。しかし、そのような反応は、主に第三級炭素の所で置換された誘導体を生ずる。高級ダイヤモンドイドの第二級炭素の所での置換は、カルボニウムイオン法では容易ではない。なぜなら、第二級炭素は、イオン法での橋頭位置（第三級炭素）よりもかなり反応性が低いからである。しかし、第二級炭素での反応は、遊離ラジカル反応の低い選択性、及び高級ダイヤモンドイド中の２°（第二級）対３°（第三級、橋頭）水素の大きな比を利用して達成される。例えば、遊離ラジカル反応は、イオン法によって得られると思われる数よりも、与えられた高級ダイヤモンドイドの一層大きな数の可能な異性体を製造する方法を与える。しかし、得られる複雑な生成物混合物及び／又は異性体は、一般に分離しにくい。置換高級ダイヤモンドイドの対称性が減少していることにより、これらの物質の遊離ラジカル置換は、非常に複雑な生成物混合物を与えることになる。従って、殆どの場合、高級ダイヤモンドイドの実際的に有用な遊離ラジカル置換は、生成物混合物の一層簡単な分離を可能にする特別な環境下での光塩素化及び／又は光酸化を用いることができる。例えば、光塩素化は、第二級炭素の所での塩素化高級ダイヤモンドイドの合成及び第二級炭素の所での更に一層の誘導体化のために特に有用である。なぜなら、第二級炭素の所での塩素化高級ダイヤモンドイドは、第三級炭素の所で誘導体化されたものと同様な反応性を持つからである。
【０１２４】
光酸化は、第二級炭素の所でのヒドロキシル化誘導体を合成するのに別の強力な遊離ラジカル反応であり、それら炭素は更に酸化されてケト誘導体になり、それを還元してアルコールにし、第二級炭素の所でヒドロキシル化された独特の高級ダイヤモンドイド誘導体を与えることができる。
【０１２５】
ケト高級ダイヤモンドイドを分離するこの重要な利点を考慮して、ケト誘導体（高級ダイヤモンドイドオン）から出発して、ケト基の還元、例えば、ＬｉＡｌＨ４により還元して、対応する第二級炭素でのヒドロキシル化誘導体を与え、更にこれらのヒドロキシル化誘導体から出発して第二級炭素の所で更に誘導体化を行うなどして、第二級炭素の所での種々の高級ダイヤモンドイド誘導体が製造される。高級ダイヤモンドイドオンは、例えば過剰のフェノール又はアニリンとの酸触媒（ＨＣｌ触媒）縮合反応を塩化水素の存在下で受けて、第二級炭素の所で置換された２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）高級ダイヤモンドイド、又は２，２−ビス（４−アミノフェニル）高級ダイヤモンドイドを形成することもできる。最新のＨＰＬＣ技術を用いるなどして、分離技術の発展により、高級ダイヤモンドイドの誘導体を合成するのに一層遊離ラジカル反応を用いることができるであろうことを予測することができる。
【０１２６】
高級ダイヤモンドイドの誘導体化のためのこれら三つの種類の主要な反応を用いて、数多くの高級ダイヤモンドイド誘導体が製造される。代表的芯反応及び誘導体を、高級ダイヤモンドイド核を活性化する非常に重要な手段、又は更に誘導体化するための非常に重要な前駆物質として、次のように与える。
【０１２７】
図１０は、臭素化高級ダイヤモンドイド誘導体を製造するための幾つかの代表的経路を示している。一及び多−臭素化高級ダイヤモンドイドは、高級ダイヤモンドイドの誘導体化学で最も多様性の中間体の幾つかである。これらの中間体は、例えば、コッホ・ハーフ、リッター、及びフリーデル・クラフツアルキル化／アリール化反応で用いられる。臭素化高級ダイヤモンドイドは、二つの異なった一般的経路により製造される。一つは、ルイス酸（例えば、ＢＢｒ３−ＡｌＢｒ３）触媒を入れて、又は入れずに、元素状臭素による高級ダイヤモンドイドの直接臭素化を含んでいる。他方は、臭化水素酸と、ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドとの置換反応を含んでいる。
【０１２８】
高級ダイヤモンドイドの直接臭素化は極めて選択性であり、橋頭（第三級）炭素の所での置換をもたらす。触媒及び条件の適当な選択により、全て橋頭位置で、分子中に１、２、３、４、又はそれ以上の臭素を順次導入することができる。触媒がないと、モノブロモ誘導体が主な生成物であり、少量の一層高度の臭素化生成物が形成される。しかし、適当な触媒を用いることにより、その臭素化でジ−、トリ−、テトラ−、ペンタ−、及びそれ以上の臭素化高級ダイヤモンドイド誘導体が主要生成物として分離される（例えば、臭化硼素と臭化アルミニウムとの触媒混合物を、異なったモル比で臭素反応混合物中へ添加する）。密閉管中での高い温度では、テトラブロモ以上の高いブロモ化誘導体が合成されるのが典型的である。
【０１２９】
例えば、第二級炭素の所で置換されたブロモ誘導体を製造するためには、対応する第二級炭素の所でヒドロキシル化された高級ダイヤモンドイドを、臭化水素酸で穏やかな条件下で処理する。第二級炭素の所でヒドロキシル化された高級ダイヤモンドイドは、上で述べたように、対応するケト誘導体を還元することにより製造する。
【０１３０】
高級ダイヤモンドイドの臭素化反応は、通常反応混合物を氷又は氷水に注ぎ、適当な量のクロロホルム又はエチルエーテル又は四塩化炭素をその氷混合物へ添加することにより行われる。真空蒸留し、固体二硫化ナトリウム又は硫化水素ナトリウムを添加することにより、過剰の臭素を除去する。有機層を分離し、水性層を、クロロホルム又はエチルエーテル又は四塩化炭素で更に２・３回抽出する。次に有機層を一緒にし、炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で洗浄し、最後に乾燥する。
【０１３１】
臭素化誘導体を分離するため、真空中で溶媒を除去する。典型的には、反応混合物を、標準溶離条件を用いてアルミナ又はシリカゲルによるカラムクロマトグラフィーにかけることによりその反応混合物を精製する（例えば、軽質石油エーテル、ｎ−ヘキサン、又はシクロヘキサン、又はそれらのエチルエーテルとの混合物を用いて溶離する）。通常のカラムクロマトグラフィーが困難であるか、且つ／又は反応が極めて少量の材料について行われる場合、分取ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）又は高性能液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による分離を用いる。
【０１３２】
臭素化反応と同様に、高級ダイヤモンドイドを塩素化又は光塩素化して種々のモノ−、ジ−、トリ−、又はそれ以上の高度に塩素化された高級ダイヤモンドイド誘導体を与える。図１１は、塩素化高級ダイヤモンドイド誘導体、特に光塩素化により第二級炭素の所で塩素化された誘導体を合成するための幾つかの代表的経路を示している。
【０１３３】
図１２は、ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドを合成するための幾つかの代表的経路を示している。Ｎ−ヒドロキシフタルイミド及び二成分共触媒による酢酸中での処理により高級ダイヤモンドイドに直接ヒドロキシル化を行うこともできる。ヒドロキシル化は、高級ダイヤモンドイド核を活性化して更に誘導体化するのに非常に重要な方法であり、例えば、酸性条件下で高級ダイヤモンドイドカルボカチオンを発生させると、それはＳＮ１反応を受けて種々の高級ダイヤモンドイド誘導体を与える。更に、水素化誘導体は、非常に重要な求核剤であり、それにより種々の高級ダイヤモンドイド誘導体が製造される。例えば、ヒドロキシル化誘導体を、活性化酸誘導体との反応などにより、標準条件下でエステル化する。エーテルを製造するためのアルキル化は、適当なアルキルハロゲン化物による求核置換により、ヒドロキシル化誘導体で行われる。
【０１３４】
上で述べたように供給原料から直接分離された親高級ダイヤモンドイド又は置換高級ダイヤモンドイドの外に、上述の３種類の芯誘導体（ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド及びハロゲン化、特に臭素化及び塩素化高級ダイヤモンドイド）は、高級ダイヤモンドイドの一層の誘導体化のために最も頻繁に用いられており、例えば、第三級炭素の所でヒドロキシル化及びハロゲン化された誘導体は、高級ダイヤモンドイドカルボカチオンを発生させるための非常に重要な前駆物質であり、それらカチオンはＳＮ１反応を受けて臭素化物又は塩素化物又はアルコールの第三級としての性質により種々の高級ダイヤモンドイド誘導体を与え、後の反応で骨格の再配列を起こすことはない。それらの例を下に与える。
【０１３５】
図１３は、ヒドロキシル化又は臭素化高級ダイヤモンドイドから出発して、コッホ・ハーフ反応のような、カルボキシル化高級ダイヤモンドイドを合成するための幾つかの代表的経路を示している。殆どの場合、ヒドロキシル化前駆物質を用いることが、臭素化高級ダイヤモンドイドを用いるよりも一層よい収率を与えることに言及すべきである。例えば、カルボキシル化誘導体が、ヒドロキシル化誘導体を蟻酸との反応から、加水分解後に得られる。カルボキシル化誘導体は、活性化（例えば、酸塩化物へ転化）し、次に適当なアルコールに露出することより更にエステル化される。これらのエステルを還元すると、対応するヒドロキシメチル高級ダイヤモンドイド（高級ダイヤモンドイド置換メチルアルコール、Ｄ−ＣＨ２ＯＨ）を与える。カルボキシル化誘導体の活性化及び適当なアミンとの反応により、アミドの形成も行われる。高級ダイヤモンドイドカルボキサミドの還元剤（例えば、水素化リチウムアルミニウム）による還元は、対応するアミノメチル高級ダイヤモンドイド（高級ダイヤモンドイド置換メチルアミン、Ｄ−ＣＨ２ＮＨ２）を与える。
【０１３６】
図１４は、ヒドロキシル化又は臭素化高級ダイヤモンドイドから出発して、リッター反応のようなアシルアミン化高級ダイヤモンドイドを合成するための幾つかの代表的経路を示している。コッホ・ハーフ反応と同様に、殆どの場合臭素化高級ダイヤモンドイドを用いるよりも、ヒドロキシル化前駆物質を用いることにより一層よい収率が得られる。アシルアミン化高級ダイヤモンドイドは、アルカリ性加水分解後にアミノ誘導体へ転化される。アミノ高級ダイヤモンドイドは、殆どの場合精製することなく、アミン化誘導体溶液中へ塩化水素ガスを導入することによりアミノ高級ダイヤモンドイド塩酸塩へ更に転化される。アミノ高級ダイヤモンドイドは、医薬を合成する時の非常に重要な前駆物質の幾つかである。それらは、ニトロ化化合物の還元によっても製造される。図１５は、ニトロ高級ダイヤモンドイド誘導体を合成するための幾つかの代表的経路を示している。高級ダイヤモンドイドは、高い温度及び圧力で、氷酢酸の存在下で濃硝酸によりニトロ化される。ニトロ化高級ダイヤモンドイドは還元すると、対応するアミノ誘導体を与える。或る場合には、それらアミノ高級ダイヤモンドイドは、もし必要ならば、今度は酸化して対応するニトロ誘導体にする。アミノ誘導体は、臭素化誘導体をホルムアミドの存在下で加熱し、次に得られたアミドを加水分解することにより、その臭素化誘導体からも合成される。
【０１３７】
ヒドロキシル化化合物と同様に、アミノ高級ダイヤモンドイドをアシル化又はアルキル化する。例えば、アミノ高級ダイヤモンドイドと活性化酸誘導体との反応は、対応するアミドを生ずる。アルキル化は、典型的には、アミンと適当なカルボニル含有化合物とを還元剤（例えば、水素化リチウムアルミニウム）の存在下で反応させることにより行われる。アミノ高級ダイヤモンドイドは、適当に置換されたエチルＮ−アリールスルホニルカルバメートのようなカルバメートとの縮合反応を熱トルエン中で受け、例えば、Ｎ−アリールスルホニル−Ｎ′−高級ダイヤモンドイドイル尿素を与える。
【０１３８】
図１６は、フリーデル・クラフツ反応のような、アルキル化、アルケニル化、アルキニル化、及びアリール化高級ダイヤモンドイドの合成のための幾つかの代表的経路を与えている。エテニル化高級ダイヤモンドイド誘導体は、ＡｌＢｒ３の存在下で臭素化高級ダイヤモンドイドをエチレンと反応させ、次に水酸化カリウム（又は同様なもの）による脱臭化水素を行うことにより合成する。エテニル化化合物は、標準的反応条件（例えば、３−クロロ過安息香酸）で、対応するエポキシドへ転化する。エテニル化高級ダイヤモンドイドの酸化開裂（例えば、オゾノリシス）は関連するアルデヒドを与える。エテニル化高級ダイヤモンドイド誘導体は、臭素化高級ダイヤモンドイドをＡｌＢｒ３の存在下で臭化ビニルで処理することにより得られる。得られた生成物をＫＯＨ又はカリウムｔ−ブトキシドを用いて脱臭化水素することにより希望の化合物を与える。
【０１３９】
高級ダイヤモンドイドを官能性化するのに用いることができる方法について一層多くの反応が例示されている。例えば、高級ダイヤモンドイドのフッ素化は、高級ダイヤモンドイドをポリ（フッ化水素）及びピリジン（３０％のピリジン、７０％のＨＦ）の混合物と、テトラフルオロ硼酸ニトロニウムの存在下で反応させることにより行う。四フッ化硫黄は、高級ダイヤモンドイドと一塩化硫黄の存在下で反応してモノ−、ジ−、トリ−、及び一層高度にフッ素化された高級ダイヤモンドイドの混合物を与える。クロロ、ブロモ、又はヒドロキシル高級ダイヤモンドイドの置換沃素化によりヨード高級ダイヤモンドイドが得られる。
【０１４０】
臭素化誘導体と塩酸とのジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中での反応は、それら化合物を対応するヒドロキシル化誘導体へ転化する。臭素化又は沃素化高級ダイヤモンドイドは、例えば、チオ酢酸と反応させ、高級ダイヤモンドイドチオ酢酸塩を形成し、次に塩基性条件下で酢酸基を除去することによりチオール化高級ダイヤモンドイドへ転化される。臭化物高級ダイヤモンドイド、例えばＤ−Ｂｒは、過剰（１０倍）のヒドロキシアルキルアミン、例えば、ＨＯ−ＣＨ２ＣＨ２−ＮＨ２と共に塩基、例えば、トリエチルアミンの存在下で還流加熱することにより、高級ダイヤモンドイドイルオキシアルキルアミン、例えば、Ｄ−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２−ＮＨ２が得られる。無水酢酸及びピリジンによるアミンのアセチル化で、種々のＮ−アセチル誘導体が得られる。臭素化高級ダイヤモンドイド、例えばＤ−Ｂｒとナトリウムアジドとの双極性非プロトン性溶媒、例えば、ＤＭＦ中での直接置換反応により、アジド高級ダイヤモンドイド、例えば、Ｄ−Ｎ３を与える。
【０１４１】
高級ダイヤモンドイドカルボン酸ヒドラジドは、塩化チオニルにより高級ダイヤモンドイドカルボン酸をクロロ無水物へ転化し、イソニコチン又はニコチン酸ヒドラジドとの縮合により製造される（図１７）。
【０１４２】
高級ダイヤモンドイドオン又は「高級ダイヤモンドイド酸化物」は、過酢酸の存在下で高級ダイヤモンドイドを光酸化し、次にクロム酸・硫酸混合物で処理することにより合成される。高級ダイヤモンドイドオンは、例えば、ＬｉＡｌＨ４により還元されて、第二級炭素の所でヒドロキシル化された高級ダイヤモンドイドオールになる。高級ダイヤモンドイドオンは、塩化水素の存在下で、例えば過剰のフェノール又はアニリンとの酸触媒（ＨＣｌ触媒）縮合反応を受け、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）高級ダイヤモンドイド、又は２，２−ビス（４−アミノフェニル）高級ダイヤモンドイドを形成する。
【０１４３】
高級ダイヤモンドイドオン（例えば、Ｄ＝Ｏ）を、ＲＣＮ（Ｒ＝水素、アルキル、アリール、等）で処理し、ＬｉＡｌＨ４で還元して対応するＣ−２−アミノメチル−Ｃ−２−Ｄ−ＯＨを与え、それをトルエン中ＣＯＣｌ２又はＣＳＣｌ２と共に加熱して、式IV（ここでＺ＝Ｏ又はＳ）で示される次の誘導体を与える：
【０１４４】
【化６】
2005511730.tif 000008
【０１４５】
高級ダイヤモンドイドオンは、適当な溶媒中で適当な第一級アミンと反応して対応したイミンを与える。触媒としてＰｄ／Ｃを用い、約５０℃でエタノール中でイミンを水素化することにより、対応する第二級アミンを与える。一般的手順に従ってその第二級アミンをメチル化することにより〔例えば、Ｈ．Ｗ．ゲラック(Geluk)及びＶ．Ｇ．カイゼル(Keiser)、Organic Synthesis, 53:8 (1973)参照〕、対応する第三級アミンを与える。例えば、そのアミンのエタノール溶液中に約３５℃でＣＨ３Ｉ（過剰）をゆっくり滴下することにより第三級アミンの四級化を行い、対応する第四級アミンを形成する。
【０１４６】
高級ダイヤモンドイドのＣ−２誘導体、Ｃ−２ＤＲ′（Ｒ′＝アルキル、アルコキシ、ハロ、ＯＨ、Ｐｈ、ＣＯＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯＨ、ＮＨＣＯＣＨ３、ＣＦ３ＣＯＯＨ）は、酸触媒を存在させて０〜８０℃の溶液として高級ダイヤモンドイド−Ｃ−２−スピロ−Ｃ−３−ジアジリンを求核置換することにより製造される。
【０１４７】
Ｎ−スルフィニル高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＳＯ)ｎ、ｎ＝１、２、３、４、…］は、ベンゼン中ＳＯＣｌ２と共に高級ダイヤモンドイドＨＣｌを半時間〜数時間還流させることにより、モノ−、ジホ、トリ−、又はそれより高度のＮ−スルフィニル高級ダイヤモンドイド誘導体を与えることにより製造する。
【０１４８】
Ｄ−Ｂｒ及び／又はＤ−ＣｌをＨＣＯＮＨ２で（重量比１：２以下）１９５℃より低い温度で処理し、次に２０％未満のＨＣｌで１１０℃より低い温度でホルミルアミノ高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＨＣＨＯを加水分解することにより、アミノ高級ダイヤモンドイド塩酸塩、Ｄ−ＮＨ２ＨＣｌを与える。
【０１４９】
高級ダイヤモンドイドジカルボキサミドは、高級ダイヤモンドイドジカルボニル塩化物又は高級ダイヤモンドイドジアセチル塩化物と、アミノアルキルアミンとの反応により製造される。例えば、Ｄ−（ＣＯＣｌ)２［ＳＯＣｌ２及び対応するジカルボン酸Ｄ−（ＣＯＯＨ)２から］をＣ５Ｈ５Ｎ−Ｃ６Ｈ６中で（ＣＨ３)２ＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２で処理することにより、Ｎ，Ｎ′−ビス（ジメチルアミノプロピル）高級ダイヤモンドイドジカルボキサミドを与える。
【０１５０】
アミノエトキシアセチルアミノ高級ダイヤモンドイドは、クロロアセチルアミノ高級ダイヤモンドイド及びＨＯＣＨ２ＣＨ２ＮＲ′Ｒ″から製造される。即ち、例えば、ベンゼン中、アミノ高級ダイヤモンドイド、Ｄ−ＮＨ２、及びＣｌＣＨ２ＣＯＣｌを、キシレン中の（ＣＨ３)２ＮＣＨ２ＣＨ２ＯＮａへ添加し、約１０時間還流させてアミノエトキシアセチルアミノ高級ダイヤモンドイド（Ｒ′＝Ｒ″＝ＣＨ３）を与える。
【０１５１】
Ｃ−３Ｄ−ＯＨとＨＣＮとのリッター反応はＤ−ＮＨ２を与える；高級ダイヤモンドイドとＨＣＮとからＤ−ＮＨＣＨＯが製造され；高級ダイヤモンドイドとニトリルとの反応は、Ｄ−ＮＨＣＨＯ及びＤ−ＮＨ２を与え；ニトリル及び不飽和ＯＨ基及びＳＨ基を含有する化合物からアザ高級ダイヤモンドイドが製造される等々である。
【０１５２】
ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド、例えば、Ｄ−ＯＨは、ＣＯＣｌ２又はＣＳＣｌ２と反応して高級ダイヤモンドイドイルオキシカルボニル誘導体、例えば、Ｄ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｃｌ又はＤ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）Ｃｌを与え、前者は生化学的合成で重要なブロッキンググループである。
【０１５３】
図１８は、Ｄ−ＮＨ２及びＤ−ＣＯＮＨ２から出発した代表的反応及び対応する誘導体を示しており、ここでＤは、高級ダイヤモンドイド核である。
【０１５４】
図１９は、Ｄ−ＰＯＣｌ２から出発した代表的反応及び対応する誘導体を示しており、ここでＤは、高級ダイヤモンドイド核である。
【０１５５】
図２０は、Ｄ−ＳＨ又はＤ−ＳＯＣｌから出発した代表的反応及び対応する誘導体を示しており、ここでＤは、高級ダイヤモンドイド核である。
【０１５６】
例としての態様
上に記載したように、本発明は、少なくとも一つの官能基を有する官能性化高級ダイヤモンドイドに関する。これらの誘導体は、上記式Ｉの構造を有するのが好ましい。
【０１５７】
次の表（１）は、薬剤合成のための中間体、又は製薬用のための薬剤を合成するために提案されている高級ダイヤモンドイド誘導体の代表的リストを与えている。
【０１５８】
【表１】
2005511730.tif 000009
【０１５９】
【表２】
2005511730.tif 000010
【０１６０】
【表３】
2005511730.tif 000011
【０１６１】
【表４】
2005511730.tif 000012
【０１６２】
用途
上に記載したように、本発明の官能性化高級ダイヤモンドイドは、ウィルス感染症、特にＨＩＶの処置のみならず、化学的中間体及び製造材料として有用であることが期待されている。
【０１６３】
ウィルス性病気の処置は、細胞へのウィルスの吸着又は浸透を阻止し、ウィルス成分の合成を起こす細胞内過程の阻止、又は感染した細胞から新しく合成されたウィルスの放出の阻止により研究されてきた。これらの工程の一つ以上の阻止は、ウィルスの作用の化学又はその様式に基づいている。
【０１６４】
ウィルスは或る共通の特性を持っている：それらは保護蛋白質殻（キャプシッド）により取り巻かれた核酸ゲノムからなり、その蛋白質殻はエンベロープに包まれており、それが更に膜を含んでいる。ウィルスは、そのウィルスが細胞を犯した後、生きた細胞内でのみ増殖し、ウィルスゲノムが細胞内に導入される。動物のウィルスは、それらの核酸の種類が異なっており、それらは二本鎖ＤＮＡ、一本鎖ＤＮＡ、一本鎖陽性ＤＮＡ、一本鎖陰性ＤＮＡ、及び二本鎖ＲＮＡになることがある。
【０１６５】
二本鎖ＤＮＡウィルスには：Ｂ型肝炎を起こすウィルスのようなヘパドナ(Hepadna)ウィルス（デイン粒子）；天然痘（smallpox, variola)、ブタ痘、うさぎ粘液腫、及びオルフを引き起こすウィルスのようなポックスウィルス科；単純ヘルペス(ＨＳＶ−１及びＨＳＶ−２）、サイトロメガリー、ウィルス性リンパ増殖性疾患、バーキット・リンパ腫、中国の鼻喉頭癌腫、感染性単核細胞症（エプスタイン・バー）及び水痘（水痘帯状疱疹）を引き起こすウィルスのようなヘルペスウィルス科；及び急性呼吸器路疾患を起こすアデノウィルスのようなアデノウィルス科；が含まれる。
【０１６６】
一本鎖ＤＮＡウィルスには、人間のイボを引き起こす無外皮ウィルス（乳頭腫ウィルス）であるパポウィルス科、及び進行性多病巣性白質脳症を引き起こすＪＣウィルスが含まれる。
【０１６７】
陽性鎖ＲＮＡウィルスには、人間のＴ細胞白血病（ＨＴＬＶ−１及びＨＴＬＶ−II）及び後天性免疫不全疾患（エイズ）(ＨＩＶ−１及びＨＩＶ−２)を引き起こすウィルスのようなレトロウィルス科(Retroviridae)が含まれる。ＨＩＶウィルスは、レンズウィルスの多くの特性を持っている。
【０１６８】
陽性鎖ＲＮＡウィルスには、ポリオ、コクサッキー・ウィルス感染症及びＡ型肝炎を起こすエンテロウィルスのようなピコルナウィルス科が含まれる。
【０１６９】
陰性鎖ＲＮＡウィルスには、Ａ、Ｂ及びＣ型インフルエンザを起こすウィルスのようなオルソミクソウィルス科；流行性耳下腺炎、はしか、パラインフルエンザ、呼吸器合胞体疾患（肺ウィルス）を起こすウィルスのようなパラミクソウィルス科；及び狂犬病を起こすウィルスのようなラブドウィルス科が含まれる。
【０１７０】
二本鎖ＲＮＡウィルスには、或る胃腸炎を起こすウィルス（ロタウィルス）のようなレオウィルス科が含まれる。
【０１７１】
化学的医薬によりウィルス性疾患を処置することは、ホスト細胞からウィルス成分の合成又は放出をもたらす細胞内代謝過程の阻止（後発）；及びホスト細胞へのウィルスの吸収又は浸透、又はホスト細胞のゲノムへのウィルスゲノムの統合の阻止（初期）；を標的にしてきた。
【０１７２】
本発明の高級ダイヤモンドイド誘導体の活性度は、ウィルス感染を阻止する高級ダイヤモンドイド誘導体の能力を測定することにより検定することができる。これに関して、細胞毒性検定を用いることができる。効果的な抗ウィルス医薬は、細胞に対し非毒性でなければならない。抗ウィルス検定は、最初に試験候補物質が検定で用いられる細胞に対し細胞毒性をもたないことを確認しなければならない。高級ダイヤモンドイドのウィルス感染を阻止する能力を測定するため、抗ＨＩＶ検定及びウィルス中和検定を用いてもよい。抗ＨＩＶ検定及びウィルス中和検定は、当業者によく知られている。
【０１７３】
式Ｉ、II、及びIIIの高級ダイヤモンドイド誘導体は、ここに記載したような状態、不調、又は病気を処置又は良くするため、治療的に有効な投与量で患者に投与することができる。治療的に有効な投与量とは、そのような状態、不調、又は病気の症状の改善をもたらすのに充分な高級ダイヤモンドイド誘導体の量を指す。
【０１７４】
そのような化合物の毒性及び治療効能は、例えば、ＬＤ５０（個体数の５０％に対し致命的な投与量）及びＥＤ５０（個体数の５０％に治療的に効果的な投与量）を決定するために、細胞培養又は実験動物に対する標準的製薬手順により決定することができる。毒性効果と治療効果との間の投与量の比は、治療指数であり、比ＬＤ５０／ＥＤ５０によって表すことができる。大きな治療指数を示す化合物が好ましい。毒性副作用を示す化合物を用いてもよいが、感染していない細胞に対する潜在的損傷を最小にし、それにより副作用を減少させるために、影響を受けた組織の部位へそのような化合物を送る放出装置を設計するには注意を払うべきである。
【０１７５】
細胞培養分析及び動物研究から得られたデーターを、人に使用する投与量範囲を決めるのに用いることができる。そのような化合物の投与量は、殆ど又は全く毒性をもたないＥＤ５０を含む循環濃度の範囲内に入るようにするのが好ましい。投与量は、この範囲内で、用いる投与方式及び用いる投与経路によって変化するであろう。本発明の方法で用いられるどの化合物についても、治療的に効果のある投与量は、細胞培養分析から最初見積もることができる。動物モデルで、細胞培養で決定されるＩＣ５０（即ち、症状の最大の半分を阻止することができる試験化合物の濃度）を含む循環血漿濃度範囲を達成する投与量を決めることができる。そのような情報は、人間で有効な投与量を一層正確に決定するのに用いることができる。血漿内のレベルは、例えば高性能液体クロマトグラフィーにより測定することができる。
【０１７６】
ここで定義する化合物の治療的に有効な量（即ち、効果的投与量）は、体重１ｋｇ当たり約０．００１〜１００ｍｇ、好ましくは体重について約０．０１〜３０ｍｇ／ｋｇ、一層好ましくは体重について約０．１〜２０ｍｇ／ｋｇ、更に一層好ましくは、体重について約１〜１０ｍｇ／ｋｇの範囲にある。
【０１７７】
当業者は、病気又は状態のひどさ、不調、疾患、前の処置、一般的健康、及び／又は対象者の年齢、存在する他の病気（それらに限定されるものではない）を含めた対象者を効果的に処置するのに必要な投与量に或る因子が影響を与えることがあることを認めるであろう。更に、治療的に効果的な量の化合物で対象者を処置することには、１回の処置が含まれるが、好ましくは一連の処置が含まれる。好ましい例として体重について約０．１〜２０ｍｇ／ｋｇの範囲の化合物で対象者を処置し、１週間当たり１回として約１〜１０週間、好ましくは２〜８週間、一層好ましくは約３〜７週間、更に一層好ましくは約４、５、又は６週間処置する。処置に用いられる化合物の効果的投与量は、特定の処置期間に亙り、増大しても減少してもよいことは認められるであろう。投与量の変化が起きてもよく、はここに記載したような症状分析結果から明らかになる。
【０１７８】
本発明に従って用いられる製薬組成物は、一種類以上の生理学的に許容可能な担体又は賦形剤を用いて慣用的やり方で配合することができる。
【０１７９】
例えば、化合物及びそれらの生理学的に許容可能な塩及び溶解剤を、吸入又は吹き込み（口又は鼻から）、又は経口、口内、非経口的直腸又は局所投与により投与するために配合することができる。
【０１８０】
経口投与のためには、製薬組成物は、例えば結合剤（例えば、予めゼラチン化したトウモロコシ澱粉、ポリビニルピロリドン、又はヒドロキシプロピルメチルセルロース）；充填剤（例えば、ラクトース、微結晶質セルロース、又は燐酸水素カルシウム）；潤滑剤（例えば、ステアリン酸マグネシウム、タルク、又はシリカ）；崩壊剤（例えば、ジャガイモ澱粉、又はナトリウム澱粉グリコレート）；又は湿潤剤（例えば、ラウリル硫酸ナトリウム）のような製薬的に許容可能な賦形剤を用いて慣用的手段により製造される錠剤又はカプセルの形をしていてもよい。錠剤は当分野でよく知られた方法により被覆してもよい。経口投与のための液体製剤は、例えば、溶液、シロップ、又は懸濁物の形態をしていてもよく、或はそれらは使用する前の水又は他の適当なビヒクルを用いた構成のため乾燥生成物として与えられてもよい。そのような液体製剤は、懸濁剤（例えば、ソルビトールシロップ、セルロース誘導体、又は水素化食用脂肪）；乳化剤（例えば、レシチン、又はアカシア）；非水性ビヒクル（例えば、アーモンド油、油状エステル、エチルアルコール、又は分留植物油）；及び保存剤（例えば、メチル又はプロピル−ｐ−ヒドロキシ安息香酸、又はソルビン酸）のような製薬的に許容可能な添加剤を用いて慣用的手段により製造することができる。製剤は、緩衝塩、香料、着色剤、甘味料を、適当な場合には含有していてもよい。
【０１８１】
経口投与のための製剤は、活性化合物の制御された放出ができるように適当に配合することもできる。
【０１８２】
口内投与のためには、組成物は慣用的やり方で配合された錠剤又は菱形錠剤の形をしていてもよい。
【０１８３】
吸入により投与のためには、本発明に従い用いられる化合物は、適当な推進剤、例えば、ジクロロジフルオロメタン、トリクロロフルオロメタン、ジクロロテトラフルオロエタン、二酸化炭素、又は他の適当なガスを用いて、加圧パック又は噴霧器からのエアロゾルスプレーで与えられる形で供与されるのが便利である。加圧エアロゾルの場合には、投与量単位は、計量された量を送るようにバルブを与えることにより決定することもできる。吸入器又は吹き込み器で用いるための例えばゼラチンのカプセル及びカートリッジを、化合物と、ラクトース又は澱粉のような適当な粉末基礎材料との粉末混合物を入れて配合することができる。
【０１８４】
化合物は、例えば丸薬注入、又は連続的注入により、注入による口内投与ができるように配合してもよい。注入のための配合は、例えば、添加保存剤と一緒にアンプル又は複数投与容器中に入れた単位投与量形態で与えられてもよい。それらの組成物は、油又は水性ビヒクルに入れた懸濁物、溶液、又はエマルジョンのような形態になっていてもよく、懸濁剤、安定化剤、及び／又は分散剤のような配合剤を含有していてもよい。別法として、使用前に、活性成分は、適当なビヒクル、例えば消毒ピロゲンを含まない水を用いて構成するための粉末状になっていてもよい。化合物は、ココアバター又は他のグリセリドのような慣用的座薬基礎剤を含有する座薬又は保持浣腸のような直腸組成物として配合してもよい。
【０１８５】
或る態様では、本発明の薬剤組成物を処置の必要な領域へ局部的に投与することが望ましいことがある。これは、例えば、限定のためではないが、外科手術、局部的適用中、例えば手術後の傷口包帯と関連させた局部的点滴により、或は注射によるか、カテーテルによるか、座薬によるか、又は移植により達成することができ、その移植片はシアラスティック(sialastic)膜のような膜又は繊維を含めた多孔質、非多孔質、又はゼラチン状物質からなる。一つの態様として、悪性腫瘍又は新生物又は前記新生物組織の部位（又は前の部位）での直接注入により投与することができる。
【０１８６】
局部的適用の場合、化合物は、効果的な投与量が導入させるように希望の活性度に基づくキャリヤーと一緒にすることができる。前に記載した配合の外に、化合物はデポー製剤として配合することもできる。そのような長く作用する配合物は、移植（例えば、皮化又は筋肉内に）よるか、又は筋肉内注射により投与することができる。このように、例えば、化合物は、適当な重合体又は疎水性材料（例えば、許容可能な油の中のエマルジョンとして）、又はイオン交換樹脂を用いて配合するか、例えば、少しずつ溶解する塩のような少しずつ溶解する誘導体として配合することができる。
【０１８７】
もし望むならば、それら組成物は、活性成分を含有する一つ以上の単位投与量形態を含めたパック又はディスペンサー装置で与えることができるようにしてもよい。例えば、パックは、発泡パックのような金属又はプラスチック箔からなっていてもよい。パック又はディスペンサー装置は、投与のための説明書が伴われていてもよい。
【０１８８】
（例）
序言
例１で用いる工程は、図３に模式的に示されている。
【０１８９】
例１は、全ての供給原料に適用することができる高級ダイヤモンドイド成分を分離する最も一般的な経路を記述している。この方法は、最終分離工程としてＨＰＬＣ（工程７、図３）を用いている。
【０１９０】
例２は、混合テトラマンタン・アルキルテトラマンタン供給物の臭素化を記載しており、種々のモノ−及びポリ−臭素化テトラマンタン誘導体及び中間体の製造を示している。
【０１９１】
例３は、ヒドロキシル化テトラマンタン及びアルキルテトラマンタンの製造を記述している。
【０１９２】
例４は、アセトアミン化テトラマンタン及びアルキルテトラマンタンの製造を記述している。
【０１９３】
例５は、アミン化テトラマンタン及びアルキルテトラマンタンの製造を記述している。
【０１９４】
例６は、高級ダイヤモンドイドの官能性化度の制御を記述している。
【０１９５】
例７〜９４は、種々の官能性化高級ダイヤモンドイドを製造するのに用いることができる方法を記述している。
【０１９６】
例９５は、幾つかの代表的薬剤形成及び試験検定を記述している。
【０１９７】
例１
この例は、７つの工程を有する（図３の工程図参照）。
工程１．  供給原料の選択
工程２．  ＧＣＭＣ検定の開発
工程３．  供給原料大気圧蒸留
工程４．  大気圧蒸留残油の真空精留
工程５．  分離した留分の熱分解
工程６．  芳香族及び極性非ダイヤモンドイド成分の除去
工程７．  高級ダイヤモンドイドの多段式カラムＨＰＬＣ分離
ａ）  第一カラムは、特定の高級ダイヤモンドイドに富む留分を与える第一選択性を持つ。
ｂ）  第二カラムは、分離した高級ダイヤモンドイドを与える異なった選択性を持つ。
【０１９８】
この例は、幾つかのヘキサマンタンを分離することに関連して記述する。
工程１−供給原料の選択
適当な出発材料を得た。これらの材料には、ガス凝縮物、供給原料Ａ、及びガス凝縮物含有石油成分、供給原料Ｂが含まれていた。
【０１９９】
工程２−ＧＣ／ＭＳ検定開発
供給原料Ａを、ガスクロマトグラフィー／質量分析を用いて分析し、目的の高級ダイヤモンドイドの存在を確認し、これらの物質のためのガスクロマトグラフィー保持時間を与えた。この情報を用いて、続く分離手順により個々の高級ダイヤモンドイドを追跡した。図４Ａは、ヘキサアマンタンについての典型的なＧＣ／ＭＳ検定情報を列挙した表である〔ＧＣ保持時間、質量分光分子イオン（Ｍ＋）及び基礎ピーク〕。この表（図４Ａ）は、他の高級ダイヤモンドイドについての同様なＧＣ／ＭＳ検定情報のみならず、これら材料のＨＰＬＣ保持データーも含んでいる。相対的ＧＣ保持時間はぼ一定であるが、照合されていないＧＣ保持は、時間と共に変化した。ＧＣ／ＭＳ検定値は、特にＧＣ保持時間の変動が検出された場合には、日常的に更新することを推奨する。
【０２００】
工程３−供給原料大気圧蒸留
供給原料Ｂの試料を沸点に基づき多数の留分に蒸留し、低い沸点の成分（非ダイヤモンドイド及び低級ダイヤモンドイド）を分離し、種々の留分中の特定の高級ダイヤモンドイドを更に濃縮し、それらに富むものにした。供給原料Ｂの二つの別々の試料の大気圧蒸留留分の収率を下の表２に示し、疑似蒸留収率と対照させてある。
【０２０１】
【表５】
2005511730.tif 000013
【０２０２】
工程４−真空蒸留による大気圧蒸留残油の精留
工程３から得られた供給原料Ｂ大気圧残油（最初の供給原料の２〜４重量％からなる）を、高級ダイヤモンドイドを含有する留分へ蒸留した。この高温蒸留工程への供給物は、大気圧６５０°Ｆ＋塔底油であった。完全供給原料Ｂ蒸留結果を、表３Ａ及び３Ｂに与える。表４Ａ及び４Ｂは、供給原料Ｂ６５０°Ｆ＋蒸留塔底油についての蒸留結果を例示している。
【０２０３】
【表６】
2005511730.tif 000014
【０２０４】
【表７】
2005511730.tif 000015
【０２０５】
【表８】
2005511730.tif 000016
【０２０６】
【表９】
2005511730.tif 000017
【０２０７】
【表１０】
2005511730.tif 000018
【０２０８】
【表１１】
2005511730.tif 000019
【０２０９】
表５は、同定された不純物の幾らかを含む供給原料Ｂ大気圧蒸留（６５０°Ｆ）残油の部分的元素組成を例示している。表５は、供給原料Ｂ大気圧蒸留残油中の窒素、硫黄、ニッケル、及びバナジウムの重量％を示している。
【０２１０】
工程５−分離された留分の熱分解
高温反応器を用いて、工程４（図３）で得られた種々の蒸留留分中の非ダイヤモンドイド成分の一部分を熱分解により分解し、それにより残油中のダイヤモンドイド含有量を増大した。熱分解工程は、４５０℃で１９．５時間行なった。もし望むならば、触媒及び水素を添加して、これらの反応を一層低い温度で行うことができる。
【０２１１】
工程６−芳香族及び極性非ダイヤモンドイド成分の除去
工程５で生成した熱分解物を、シリカゲル重力式シリカゲルクロマトグラフィーカラム（シクロヘキサン溶離溶媒使用）に通し、極性化合物及びアスファルテンを除去した。硝酸銀含浸シリカゲル（１０重量％のＡｇＮＯ３）を用いて、遊離芳香族及び極性成分を除去することにより一層清浄なダイヤモンドイド含有フラクションを与えた。
【０２１２】
工程７−高級ダイヤモンドイドの多カラムＨＰＬＣ分離
高純度高級ダイヤモンドイドを分離するための優れた方法は、異なった選択性を持つ二つ以上のＨＰＬＣカラムを順次用いる方法である。
第一ＨＰＬＣ装置は、５．００ｍｌ／分の移動相としてアセトンを用い、直列に操作した二つのワットマン(Whatman)Ｍ２０  １０／５０  ＯＤＳカラムからなっていた。一連のＨＰＬＣフラクションを取った。
この一緒にしたＯＤＳ  ＨＰＬＣフラクションを、上で述べたＯＤＳカラムよりも種々のヘキサマンタンを分離するのに異なった選択度を有するハイパーカーブ(Hypercarb)静止相ＨＰＬＣカラムを用いて更に精製を行なった。
【０２１３】
例２
高級ダイヤモンドイド含有供給原料の臭素化
高級ダイヤモンドイドの混合物を含有する供給原料の臭素化を行なった。供給原料は、例１に記載した供給原料Ｂから誘導した。供給原料Ｂの試料を、例１、工程３に記載したような大気圧蒸留にかけた。蒸留が完了した時、カラムを濯ぐことにより残留留分を得た。残留留分を、移動相としてアセトンを用いたワットマンＭ４０  １０／５０  ＯＤＳ分取規模のＨＰＬＣカラムで分画した。
【０２１４】
幾らかのアルキルテトラアマンタン及び炭化水素不純物を含有する全てのテトラアマンタンを含むフラクションが得られた。このフラクションの組成を図２１に示す。テトラアマンタンは、質量スペクトル及び保持時間により同定した。
【０２１５】
このフラクション（約２０ｍｇ）を、１０ｍｌ丸底フラスコ中で過剰の無水臭素（濃Ｈ２ＳＯ４で乾燥した）と混合した。撹拌しながら、混合物を油浴中で約４．５時間窒素中で加熱し、それにより温度を室温から約１００℃まで徐々に上昇させた。次に蒸発により過剰の臭素を除去し、得られた褐色生成物を、ＧＣ／ＭＳ分析により特徴を求め、次のように図２２〜２４に示す。
【０２１６】
図２２は、形成された一臭素化、二臭素化、及び三臭素化テトラマンタン生成物（分子イオン３７１、４４７、及び５２７により夫々特徴付けた）を含む例３の臭素化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示している。
【０２１７】
図２３は、１２．０３８分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一臭素化テトラマンタンの質量スペクトルである。このスペクトル中の基礎ピークは、ｍ／ｚ３７１分子イオンである。
【０２１８】
他の質量スペクトルは：１１．９９２分及び１１．６４４分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一臭素化メチルテトラマンタンで、このスペクトル中の基礎ピークは、ｍ／ｚ３８５分子イオンであり；１２．１９２分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一臭素化ジメチルテトラマンタン；１５．７５３分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する二臭素化テトラマンタン、基礎ピークはｍ／ｚ４４７分子イオン；１５．８７９分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する二臭素化メチルテトラマンタン、基礎ピークはｍ／ｚ４６１分子イオン；及び１３．９７０及び１４．３１８分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する二臭素化ジメチルテトラマンタン、基礎ピークはｍ／ｚ４７５分子イオン；を表している。
【０２１９】
表２４は、１７．２７９分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する三臭素化テトラマンタンの質量スペクトルである。このスペクトル中の基礎ピークは、ｍ／ｚ５２７分子イオンである。
【０２２０】
他の質量スペクトルは、１５．２５０及び１６．０５０分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する三臭素化メチルテトラマンタンを示している。
【０２２１】
例３
臭素化テトラマンタンのヒドロキシル化
例２の臭素化テトラマンタンを、約１ｍｌの０．６７Ｎ塩酸及び５ｍｌのＤＭＦと混合した。得られた混合物を還流温度で約１時間撹拌した。次にその混合物を中和し、溶媒を蒸発させた。得られた混合生成物は、ＧＣ／ＭＳ分析により特徴付けた。
【０２２２】
図２５は、例３のヒドロキシル化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示している。
【０２２３】
図２６は、１５．３２９分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一ヒドロキシル化テトラマンタンの質量スペクトルである。
【０２２４】
他の質量スペクトルは、１５．２８１分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一ヒドロキシル化メチルテトラマンタン、及び１５．９２５分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一ヒドロキシル化ジメチルテトラマンタンを示している。
【０２２５】
例４
ヒドロキシル化化合物からのアセトアミン化テトラマンタン
上で製造したヒドロキシル化マンタンを、約３ｍｌのアセトニトリル中に溶解した。混合物を撹拌しながら約１ｍｌの濃硫酸をゆっくり溶液に添加し、それにより混合物が反応により加熱された。混合物を約１２時間撹拌した後、更に約１２時間放置し、橙赤色溶液を約１０ｍｌの氷水中に注ぎ、それによりアセトアミン化高級ダイヤモンドイドを濾過により高純度で分離した。濾液をＣＨ２Ｃｌ２で抽出することにより、更に少量の反応生成物を得ることができた。次にそれら生成物をＧＣ／ＭＳ分析により特徴付けた。
【０２２６】
図２７は、アセトアミン化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示している。
【０２２７】
図２８は、１８．０９８分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一アセトアミン化テトラマンタンの質量スペクトルである。
【０２２８】
他の一アセトアミン化メチルテトラマンタンは、この例の反応生成物中に存在していた。
【０２２９】
これらは、１７．９０５分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一アセトアミン化メチルテトラマンタン、及び２１．４６８分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する二アセトアミン化テトラマンタンを含んでいた。
【０２３０】
例５
アセトアミン化化合物からのアミン化テトラマンタン
上で製造したアセトアミン化テトラマンタンを、粉末水酸化ナトリウム（過剰）を２ｍｌのジエチレングリコール中に入れた溶液と共に、約２００℃へ約５時間加熱した。それを冷却した後、赤色混合物を１０ｍｌの水中に注ぎ、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。抽出物をＮａ２ＣＯ３で乾燥した。濾過後、溶媒を蒸発し、残油をＧＣ／ＭＳ分析により特徴付けた。
【０２３１】
図２９は、この例のアミン化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示している。
【０２３２】
図３０は、１９．１０７分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一アミン化テトラマンタンの質量スペクトルであり、一アミン化メチルテトラマンタンは１８．８１６分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有することが見られたのに対し、一アセトアミン化ジメチルテトラマンタンは１９．９１８分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有することが分かった。
【０２３３】
例６
高級ダイヤモンドイドの官能性化度の調節
高級ダイヤモンドイドは、二種類の活性炭素（第二級及び第三級炭素）を有し、それらに対し官能性化が可能であり、更に第二級又は第三級炭素のような活性炭素の中で、それらが全て同等なわけではない。このことは、理論的に言って、モノ−、ジ−、又はそれより高い官能性化化合物について多くの可能な官能性化誘導体が存在することを意味している。更に、高級ダイヤモンドイドの官能性化度は変化させることができる。しかし、反応条件又は反応機構（上記参照）を制御することにより、主たる生成物として、例えば、モノ−、ジ−、又はトリ−官能性化誘導体を製造するために官能性化度を調節することは可能である。このことは、図８に示したような臭素化反応により充分実証されている。もし反応を触媒を用いずに室温で行うならば、一臭素化生成物が、臭素化生成物混合物の中で主要なものになる。もし微量のＢＢｒ３−ＡｌＢｒ３を用いると、二臭素化誘導体が主要な生成物になり、反応温度、反応時間、及び触媒の量を増大すると、三、及び四臭素化誘導体が主要な生成物になる。例えば、高級ダイヤモンドイド（３７モル）を、加圧容器中で無水臭素（０．３７モル）と共に１５０℃まで約２２時間加熱する。通常の操作及び精製により、主要な生成物として純粋な二臭素化誘導体を与えることができる。別の例として、１．０モルの無水臭素と０．０２５モル（２．５ｍｌ）の臭素化硼素との撹拌した混合物に、数ｍｇの臭素化アルミニウムを添加する。撹拌器、還流凝縮器、及びガス導入口を有する四口フラスコに反応物を添加する間、反応混合物を窒素ブランケット中に維持する。グーチ坩堝管により四番目の口に取付けた小さなフラスコから、高級ダイヤモンドイド（０．１モル）を少しずつ添加した。約１．５時間還流した後、臭化水素の発生がもはや明白ではなくなった。過剰の臭素が分解し、生成物の分離を上で述べたように達成した。溶媒を除去した後、残留物をメタノール及びｎ−ヘキサンにより室温で再結晶化し、主生成物として純粋な二臭素化化合物を与えた。
【０２３４】
官能性化度を調節するため、反応パラメーター又は機構を制御することの外に、官能性化を繰り返すことにより、官能性化度を調節する別の方法が存在する。例えば、一官能性化誘導体を分離した時、それを出発材料として用い、モノ−からジ−へ、ジ−からトリ−へ、トリ−からテトラ−へ等々のように更に官能性化を行う。或る場合には、或は殆どの場合、反応はしだいに困難になり、反応時間又は温度を増大するような、反応パラメーターを調節する必要が起きるものと考えられる。
【０２３５】
別の態様として、特定の官能性化度を有する一次官能性化誘導体を用いて、同じ官能性化度を有する他の誘導体を製造するのが非常に便利である。例えば、ヒドロキシル化誘導体は、対応する臭素化化合物から容易に製造することができる。（下の例１４及び１５参照）。
【０２３６】
高級ダイヤモンドイドの官能性化度を調節する上記三つの方法は、丁度代表的な例である。反応の性質及び高級ダイヤモンドイドのような出発材料に基づき、官能性化度を調節する他の方法が存在するであろうが、それらは当業者に知られている。
【０２３７】
例７
Ｄ−ＢｒからＤ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｂｒ
撹拌器、ガス導入管、及びバブルカウンター(bubble counter)を有するガス排出管を具えた１５０ｍｌ三口フラスコ中の、１５ｍｌのｎ−ヘキサン中に適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（０．０４６モル）を入れた溶液を、冷却用浴中で−２０〜−２５℃へ冷却した。撹拌しながら４．０ｇの新しく粉砕した高純度臭化アルミニウム粉末を導入し、バブルカウンターによってガスの導入を制御することができるようなやり方でエチレンを導入した。反応が開始されて色が僅かに暗化し、約１時間後に完了した。反応溶液を傾瀉して触媒からエーテルと水との混合物中へ移した。エーテル相を分離し、水性相をエーテルでもう一度抽出した。一緒にしたエーテル抽出物を水及び希釈炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した。それらを塩化カルシウムにより乾燥し、溶媒を蒸留除去した。メタノールによる再結晶化により、純粋な高級ダイヤモンドイドイルエチルブロミドＤ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｂｒを与えた。
【０２３８】
高級ダイヤモンドイド置換アルケニルブロミド［Ｄ−（アルケニル−Ｂｒ)ｎ］を合成するためのアルキル化及び脱臭素化水素反応
例７Ａ
Ｄ−ＢｒからＤ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｂｒ
工程１：撹拌器及び乾燥用管を有する１５０ｍｌ二口フラスコ中の、０．０６９モルの適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒと、２０ｍｌの臭化ビニルとの混合物を冷却用浴中で−６５℃に冷却した。撹拌しながら、４．５ｇの臭化アルミニウム粉末を少しずつ添加し、混合物を同じ温度で更に約３時間撹拌した。次に反応混合物を３０ｍｌの水と３０ｍｌのエチルエーテルとの混合物中へ注入した。激しく撹拌した後、エーテル層を分離し、水性層をエーテルでもう一度抽出した。一緒にしたエーテル抽出物を、水及び希釈炭酸ナトリウム溶液で洗浄した。それを塩化カルシウムで乾燥し、溶媒を蒸留除去した後、残留物を真空中で蒸留した。
【０２３９】
工程２：０．７ｇの微粉砕水酸化カリウム及び上記化合物（０．０１２モル）を１０ｍｌのジエチレングリコール中に入れた溶液を油浴中で２２０℃へ６時間加熱した。冷却後、混合物を３０ｍｌの水で希釈し、エチルエーテルで抽出した。エーテル抽出物を水で２回洗浄し、塩化カルシウムにより乾燥した。エーテルを蒸留除去した後に残った残留物を真空中で昇華し、もし必要ならばその化合物をメタノールにより再結晶化することができる。
【０２４０】
高級ダイヤモンドイド置換アルキニルブロミド［Ｄ−（アルキニル−Ｂｒ)ｎ］を合成するためのアルキル化及び脱臭素化素反応
例８
Ｄ−ＢｒからＤ−Ｃ≡Ｃ−Ｂｒ
工程１：撹拌器及び乾燥用管を有する１５０ｍｌの二口フラスコ中にある、０．０６９モルの適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒと、ＣＨ２＝ＣＢｒ２（過剰）との混合物を冷却用浴中で−６５℃に冷却した。撹拌しながら、４．５ｇの臭化アルミニウム粉末を少しずつ添加し、混合物を同じ温度で更に約３時間撹拌した。次に反応混合物を３０ｍｌの水と３０ｍｌのエチルエーテルとの混合物中へ注入した。激しく撹拌した後、エーテル層を分離し、水性層をエーテルでもう一度抽出した。一緒にしたエーテル抽出物を、水及び希釈炭酸ナトリウム溶液で洗浄した。それを塩化カルシウムで乾燥し、溶媒を蒸留除去した後、残留物を真空中で蒸留した。
【０２４１】
工程２：１５ｇの粉砕水酸化カリウムを３０ｍｌのジエチレングリコール中に入れたものを、油浴中で０．０４６モルの上記生成物と共に約９時間還流するまで加熱した。形成した化合物を、次に凝縮器中で昇華し、時々反応混合物へ戻さなければならなかった。反応時間が終わった後、反応混合物を、もはや固体粒子が消費されなくなるまで蒸留した。蒸留物をエチルエーテルで抽出し、エーテル相を水で洗浄し、塩化カルシウムにより乾燥した。エーテルを蒸留除去した後、短時間で残留物は固化した。それは真空中で昇華し、もし必要ならばメタノールにより再結晶化する。
【０２４２】
高級ダイヤモンドイド置換アリールブロミド［Ｄ−（アリール−Ｂｒ)ｎ］を合成するためのアリール化反応
例９
Ｄ−ＢｒからＤ−Ｃ６Ｈ４−Ｂｒ
１．１ｇの昇華した塩化鉄（III）及び高純度Ｃ６Ｈ５Ｂｒ（過剰）を、撹拌器、還流凝縮器、及び滴下漏斗を具えた１５０ｍｌの三口フラスコ中へ入れた。水蒸気浴中で撹拌及び加熱しながら、適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（０．０１８モル）を上記フラスコへ約３０分間に亙りゆっくり添加した。反応混合物を、臭化水素の生成が低下するまで更に約３時間加熱した。混合物を一晩放置し、氷と塩酸との混合物に注いだ。有機相を分離して取り出し、水溶液をベンゼンで２回抽出した。一緒にしたベンゼン抽出物を水で数回洗浄し、塩化カルシウムで乾燥した。残留物は冷却により固化し、真空中で溶媒を完全に除去した。ＣＯ２／トリクロロエチレンで冷却しながら、少量のメタノールにより再結晶化し、更に真空中で昇華することにより純粋な生成物を与えた。
【０２４３】
高級ダイヤモンドイドイルクロリド［Ｄ−（Ｃｌ)ｎ］及び高級ダイヤモンドイド置換アルキル、アルケニル、アルキニル、又はアリールクロリド［Ｄ−（アルキル−Ｃｌ)ｎ、Ｄ−（アルケニル−Ｃｌ)ｎ、Ｄ−（アルキニル−Ｃｌ)ｎ、又はＤ−（アリール−Ｃｌ)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成
高級ダイヤモンドイド置換アルキル、アルケニル、アルキニル、又はアリールブロミドと同様に、高級ダイヤモンドイド置換アルキル、アルケニル、アルキニル、又はアリールクロリド［Ｄ−（アルキル−Ｃｌ)ｎ、Ｄ−（アルケニル−Ｃｌ)ｎ、Ｄ−（アルキニル−Ｃｌ)ｎ、又はＤ−（アリール−Ｃｌ)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）をそれに応じて製造することができる。
【０２４４】
高級ダイヤモンドイドの塩素化反応による
例１０
高級ダイヤモンドイドの一塩素化
温度計、撹拌器、及び水中に沈めた気泡発生器に通じたガス排出管を具えた０．１リットルの三口丸底フラスコ中で、４０ｍｌの無水シクロヘキサン中に０．０７４モルの高級ダイヤモンドイド及び１０ｍｌ（８．５ｇ、０．０９２モル）の塩化ｔ−ブチルを入れた溶液を調製した。触媒、塩化アルミニウム（合計０．４６ｇ、０．００６モル）を、約８時間に亙り規則的な間隔で０．０５ｇずつのバッチとして添加した。反応の進行は、イソブタンガスの放散速度により追跡するのが便利である。反応が完了した時、１０ｍｌの１．０Ｎ塩酸溶液を激しく撹拌しながら添加し、次に５０ｍｌのエチルエーテルを添加した。有機相を分離し、１０ｍｌを冷たい水及び１０ｍｌの５％炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水塩化カルシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を除去した後、粗製生成物が得られた。この物質のＧＣ分析は、主に一塩素化高級ダイヤモンドイドと、少量の未反応高級ダイヤモンドイドからなる組成物を表していた。もし必要ならば、この物質の試料をエタノールにより−５０℃で再結晶化することにより、純粋な一塩素化高級ダイヤモンドイドを与えることができる。
【０２４５】
高級ダイヤモンドイドの光塩素化反応による
例１１
高級ダイヤモンドイドの光一塩素化
高級ダイヤモンドイドの光塩素化を、１５０ワット紫外線（ＵＶ）ランプにより照射する中で、１００ｍｌの溶媒中に０．０７４モルの高級ダイヤモンドイドを入れた溶液中に０．０３７モルの塩素を計量して入れることにより、室温（２５〜３０℃）で行なった。用いる溶媒は、四塩化炭素、ベンゼン、又は二硫化炭素にすることができる。短い誘導期間（約２分）の後、反応が開始され、それは塩素の色の褐色及び塩化水素の発生により証明された。反応混合物を５％炭酸ナトリウム水溶液及び水により洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥した溶液の濃縮により得られた生成物は、ＧＣにより、幾つかの一塩素化高級ダイヤモンドイド異性体からなることが示された。これらの異性体の分離はＨＰＬＣ又は通常のアルミナ又はシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー、又は単にメタノールによる再結晶化及び真空中での昇華、又は異性化分離を達成するそれらの組合せにより達成される。
【０２４６】
ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド（高級ダイヤモンドイド、Ｄ−（ＯＨ)ｎ）及び高級ダイヤモンドイド置換アルコール（例えば、Ｄ−（アルキル−ＯＨ)ｎ）（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成
高級ダイヤモンドイドの直接酸化又はヒドロキシル化反応による
例１２
高級ダイヤモンドイドの一ヒドロキシル化
１８．７ｇの塩化メチレン中に１１．０ミリモルの高級ダイヤモンドイドを入れた溶液を、酢酸エチル中に１．０３ｇ（１３．５ミリモル）の過酢酸を入れた溶液４．２２ｇと混合した。激しく撹拌しながら、その溶液を、その溶液の中心部に充分浸漬して配置した１００ワットＵＶ光で照射した。開始からガスの発生が明らかであった。約２１時間の照射期間中、温度を４０〜４５℃に維持した。この時間が終わった時、約９５％の過酸が消費された。溶液を乾燥近くまで濃縮し、トルエン１００ｍｌずつで連続的に２回処理し、乾燥するまで再び蒸発させた。デシケーター中での最終的乾燥により、白色の固体を与えた。上記物質の一部分を最低限の量のベンゼン・軽質石油エーテル中に溶解した。この溶液を、次に新しい１：１ベンゼン／軽質石油エーテルで溶離する通常のやり方でアルミナによるクロマトグラフィーにかけ、次にメタノールとエチルエーテルとの混合物により溶離し、未反応高級ダイヤモンドイド及びヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド異性体を夫々収集した。それら異性体の一層の分離は、ＨＰＬＣ法を用いて達成することができる。
【０２４７】
別法として、２５ｍｌの酢酸に、１０ミリモルの高級ダイヤモンドイド、０．８ミリモルのＮ−ヒドロキシフタルイミド（ＮＨＰＩ）及び０．６ミリモルのアセチルアセトナトコバルト（II）を添加した。得られた混合物を酸素雰囲気中で７５℃の温度で約３時間撹拌した。反応はＧＣにより監視し、完了した時、一ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドの分離を行なった。
【０２４８】
例１３
高級ダイヤモンドイドのポリヒドロキシル化
低温凝縮器（−２０℃）、良く密封された空気駆動機械的撹拌器、固体滴下漏斗、及び熱電対を具えた、冷却用浴中に沈められた四口フラスコ中へ、０．０３７モルの高級ダイヤモンドイド、１５０ｍｌの塩化メチレン、２００ｍｌの２度蒸留した水、１９２ｇの炭酸水素ナトリウム、及び３００ｍｌのｔ−ブタノールを入れた。混合物を撹拌し、０℃へ冷却し、２００ｇの１，１，１−トリフルオロ−２−プロパノン（ＴＦＰ）を添加した。混合物を撹拌し、−８℃へ冷却した、２００ｇのオキソオン(oxone)を固体滴下漏斗により３時間に亙って添加した。反応混合物を０℃で一晩（１６時間）撹拌した。ＴＦＰは蒸留する（ポットを４０℃に加熱し、ドライアイス／アセトン中に沈めた受容器中でＴＦＰを凝集する）ことにより回収した。残りの混合物は吸引濾過し、透明な溶液が得られた。その溶液をロータバップして(rotavapped)乾固し、ポリヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドの混合物を与え、それをクロマトグラフィー及び／又は再結晶化により精製した。
【０２４９】
臭素化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（Ｂｒ)ｎ］又は高級ダイヤモンドイド置換ブロミド［例えば、Ｄ−（アルキル−Ｂｒ)ｎ］の置換による
例１４
一臭素化化合物からの一ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド
適当な一臭素化高級ダイヤモンドイド（０．０６６モル）を、撹拌器及び還流凝縮器を具えた丸底フラスコ中で約１時間還流するまで加熱し、撹拌しながら３５ｍｌの水、３．５ｍｌのテトラヒドロフラン、２．０ｇの炭酸カリウム、及び１．３ｇの硝酸銀を添加した。冷却した後、結晶化した反応生成物を分離して取り出し、テトラヒドロフランで抽出した。抽出物を水で希釈し、沈澱物を吸引して取り出し、乾燥し、真空中で昇華することにより精製した。
【０２５０】
別法として、適当なモノブロモ高級ダイヤモンドイド（０．１モル）を、４０ｍｌの０．６７Ｎ塩酸及び４５０ｍｌのＤＭＦと混合した。得られた混合物を還流温度で約１時間撹拌した。固体生成物を濾過し、ｎ−ヘキサンにより再結晶化し、一ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドを生成させた。
【０２５１】
例１５
二臭素化化合物からの二ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド
適当な二臭素化高級ダイヤモンドイド（０．０６６モル）を、撹拌器及び還流凝縮器を具えた丸底フラスコ中で約１時間還流するまで加熱し、撹拌しながら７０ｍｌの水、１０ｍｌのテトラヒドロフラン、４．０ｇの炭酸カリウム、及び２．６ｇの硝酸銀を添加した。冷却した後、反応生成物を分離して取り出し、テトラヒドロフランで抽出した。抽出物を水で希釈し、沈澱物を吸引して取り出し、乾燥し、真空中で昇華することにより精製した。
【０２５２】
別法として、ジブロモ高級ダイヤモンドイド（０．１２モル）と７０％の硝酸（２００ｍｌ）との混合物を、臭素発生が止まるまで７０〜７５℃で加熱した。反応混合物を水（２５０ｍｌ）中に注ぎ、沈澱物を濾過した。濾液を、１０％の水酸化ナトリウム水溶液でアルカリ性にし、混合物を濾過した。一緒にした沈澱物を、水（３×２００ｍｌ）及びアセトン（２×１５０ｍｌ）で洗浄し、乾燥して希望の化合物を与えた。
【０２５３】
例１６
Ｄ−ＣＨ２ＣＨ２ＢｒからＤ−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＨ
適当なＤ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｂｒ（０．０６６モル）を、撹拌器及び還流凝縮器を具えた丸底フラスコ中で約１時間還流するまで加熱し、撹拌しながら３５ｍｌの水、３．５ｍｌのテトラヒドロフラン、２．０ｇの炭酸カリウム、及び１．３ｇの硝酸銀を添加した。冷却した後、反応生成物を分離して取り出し、クロロホルムで抽出した。溶媒を蒸発させ、カラムクロマトグラフィーにより精製した後、生成物を与えた。
【０２５４】
Ｃ−２ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド（第二級炭素の所で置換されている）を合成するためのケト高級ダイヤモンドイド（高級ダイヤモンドイドオン）の還元による
例１７
Ｄ＝ＯからＣ−２  Ｄ−ＯＨ
適当な高級ダイヤモンドイドオンＤ＝Ｏを、低い温度でエチルエーテル中で水素化リチウムアルミニウム（少し過剰）により還元した。反応が完了した後、反応混合物を飽和Ｎａ２ＳＯ４水溶液を添加して処理することにより過剰の水素化物を低温で分解した。沈澱した塩から傾瀉して、無水エーテル溶液を与え、それを蒸発することにより第二級炭素の所で置換した粗製Ｃ−２  一ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド、即ち、Ｃ−２  Ｄ−ＯＨを与えた。更にシクロヘキサンによる再結晶化により純粋な試料を与えた。
【０２５５】
ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド及び高級ダイヤモンドイド置換アルコールのエステル化
例１８
二ヒドロキシル化化合物からの二エステル化高級ダイヤモンドイド
２ｍｌのジオキサンに、５０℃の温度で二ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド（１．０ミリモル）及びトリエチルアミン（２．２ミリモル）を添加した。得られた混合物を、ジオキサン（２ｍｌ）中にアクリル酸塩化物（２．２ミリモル）を入れた溶液へ滴下した。混合物を５０℃で約１時間保持した。生成物をＧＣにより分析した。分析により希望のジアクリレートの形成が確認された時、標準的方法を用いて化合物を分離した。
【０２５６】
例１９
Ｄ−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＨからＤ−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＣＯＣＨ３
２ｍｌのジオキサンに、５０℃の温度でＤ−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＨ（１．０ミリモル）及びトリエチルアミン（２．２ミリモル）を添加した。得られた混合物を、ジオキサン（２ｍｌ）中にＣＨ３ＣＯＣｌ（１．１ミリモル）を入れた溶液へ滴下した。混合物を５０℃で約１時間保持した。生成物をＧＣにより分析した。分析により希望の化合物の形成が確認された時、標準的方法を用いて生成物を分離した。
【０２５７】
ケト高級ダイヤモンドイド（高級ダイヤモンドイドオン、［Ｄ（＝Ｏ)ｎ］）の合成及びその反応
例２０
高級ダイヤモンドイドの高級ダイヤモンドイドオンへの酸化
１８．７ｇの塩化メチレン中に１１．０ミリモルの適当な高級ダイヤモンドイドを入れた溶液を、酢酸エチル中に１．０３ｇ（１３．５ミリモル）の過酢酸を入れた溶液４．２２ｇと混合した。激しく撹拌しながら、その溶液を、その溶液の中心部に充分浸漬して配置した１００ワットＵＶ光で照射した。開始からガスの発生が明らかであった。約２１時間の照射期間中、温度を４０〜４５℃に維持した。この時間が終わった時、約９５％の過酸が消費された。溶液を乾燥近くまで濃縮し、トルエン１００ｍｌずつで連続的に２回処理し、乾燥するまで再び蒸発させた。デシケーター中での最終的乾燥により、固体を与えた。
【０２５８】
粗製ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド混合物を、次にアセトン中に部分的に溶解した。酸素化成分が溶液中へ入ったが、全ての未反応高級ダイヤモンドイドは入らなかった。クロム酸・硫酸溶液を、過剰が存在するようになるまで滴下し、反応混合物を一晩撹拌した。アセトン溶液を、沈澱した硫酸第二クロム及び未反応高級ダイヤモンドイドから傾瀉し、硫酸ナトリウムで乾燥した。クロム塩を水中に溶解し、濾過することにより未反応高級ダイヤモンドイドを回収した。アセトン溶液を蒸発し、固体を与えた。この粗製固体を標準的手順を用いてアルミナによるクロマトグラフィーにかけ、１：１（ｖ／ｖ）ベンゼン／軽質石油エーテルで先ず溶離し、次にエチルエーテル、又はエチルエーテルとメタノールとの（９５：５ｖ／ｖ）混合物により溶離し、未反応高級ダイヤモンドイド及び高級ダイヤモンドイドオンを夫々収集した。シクロヘキサンによる再結晶化により更に精製することにより、純粋な高級ダイヤモンドイドオンを与えた。
【０２５９】
例２１
ケト化合物から２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）高級ダイヤモンドイド
フラスコに、高級ダイヤモンドイドオン（０．０２６モル）、フェノール（１６．４ｇ、０．１７モル）、及びブタンチオール（０．１５ｍｌ）の混合物を入れた。熱を加え、反応混合物が約５８℃で液体になった時、無水塩化水素を、溶液に飽和するまで導入した。約６０℃で数時間撹拌を続け、その期間中に反応混合物から白色の固体が分離し始めた。得られた固体を濾過して取り出し、ジクロロメタンで洗浄し、乾燥してビスフェノール高級ダイヤモンドイド生成物を与えた。トルエンにより再結晶化した後、昇華によりそれを精製した。
【０２６０】
例２２
ケト化合物から２，２−ビス（４−アミノフェニル）高級ダイヤモンドイド
撹拌器を具えた１００ｍｌのオートクレーブ中で、３５％ＨＣｌ水溶液１５ｍｌ中に高級ダイヤモンドイドオン（０．０４１モル）を入れた溶液に、過剰のアニリン（１５．７ｇ、０．１７モル）を添加し、混合物を約１２０℃で約２０時間撹拌した。冷却後溶液をＮａＯＨ水溶液でｐＨ１０まで塩基性にし、油状層を分離し、蒸留して未反応過剰アニリンを除去した。残留粗製生成物をベンゼンにより再結晶化し、高級ダイヤモンドイド誘導ビスフェニルアミンを与えた。
【０２６１】
例２３
ビスフェノール高級ダイヤモンドイドから２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］高級ダイヤモンドイド
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）高級ダイヤモンドイド（０．０１モル）、ｐ−フルオロニトロベンゼン（３．１ｇ、０．０２２モル）、炭酸カリウム（３．３１ｇ、０．０２４モル）、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ、１０ｍｌ）の混合物を、約８時間還流した。次にその混合物を冷却し、エタノール／水混合物（１：１、体積）中へ注入した。粗製生成物をＤＭＦにより結晶化し、２，２−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニル］高級ダイヤモンドイドの黄色針状結晶を与えた。
【０２６２】
ヒドラジン一水和物（２０ｍｌ）を、上記生成物（０．００２モル）、エタノール（６０ｍｌ）、及び触媒として有効な量の活性炭上１０％パラジウム（Ｐｄ／Ｃ、０．０５ｇ）の混合物へ、沸騰温度で滴下した。反応混合物を約２４時間還流し、生成物の２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］高級ダイヤモンドイドがこの期間中に沈澱した。次にその混合物を充分なエタノールへ添加して生成物を溶解し、濾過してＰｄ／Ｃを除去した。冷却後、濾過により沈澱した結晶を分離し、１，２−ジクロロベンゼンにより再結晶化した。
【０２６３】
ニトロ高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＯ２)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成
高級ダイヤモンドイドの直接ニトロ化反応による
例２４
高級ダイヤモンドイドの一ニトロ化
窒素で５００ｐｓｉｇａの全圧力まで加圧した撹拌ステンレス１００ｍｌのオートクレーブに、０．０５モルの高級ダイヤモンドイド及び５０ｍｌの氷酢酸の混合物を入れた。次に混合物を１４０℃へ加熱した後、９．０ｇ（０．１モル）の濃硝酸を反応領域中へ供給ポンプにより１〜２ｍｌ／分の速度で導入した。酸の供給が完了した時、反応温度を１４０℃に１５分間維持し、然る後、反応混合物を室温へ冷却し、過剰の水で希釈して生成物を沈澱させた。濾過した固体を、１０ｍｌのメタノール、１５ｍｌの水、及び１．７ｇの水酸化カリウムの混合物で１８時間室温でスラリーにした。水で希釈した後、軽質石油エーテルによりアルカリ不溶性物質を抽出した。石油エーテル抽出物を、水により洗浄し、無水硫酸マグネシウムにより乾燥した。この溶液の濃縮により白色固体を与えた。アルカリ不溶性物質を抽出したアルカリ水溶液を０〜３℃へ冷却し、酢酸・尿素混合水溶液を滴下することにより中和し、更に幾らかの生成物を再生させた。ＧＣ分析は、アルカリ不溶性試料が、少量のジニトロ生成物を含む主にモノニトロ高級ダイヤモンドイドであることを示していた。メタノールによる再結晶化及び繰り返し昇華を行うことにより、モノニトロ高級ダイヤモンドイドを生じた。
【０２６４】
アミノ高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＨ２)ｎ］の酸化による
例２５
モノアミノ化合物からモノニトロ高級ダイヤモンドイド
０．０１モルの適当な一アミン化高級ダイヤモンドイドを５０ｍｌの水中に入れた懸濁物を６０℃へ加熱した。この懸濁物に、３．５ｇの過マンガン酸カリウムを５０ｍｌの水中に入れた溶液を徐々に滴下した（約１時間）。この添加が終わった後、混合物を約２時間還流するまで加熱し、それにより凝縮器中で昇華した留分を再び戻して洗浄した。結晶を真空中で昇華することにより２回精製した。
【０２６５】
高級ダイヤモンドイドイルカルボン酸（高級ダイヤモンドイドイル酢酸）［Ｄ−（ＣＯ２Ｈ)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成
高級ダイヤモンドイドの直接カルボキシル化反応による
例２６
高級ダイヤモンドイドの一カルボキシル化
２９．６ｇ（０．４モル）ｔ−ブタノールと、５５ｇ（１．２モル）の９９％蟻酸との混合物を、４７０ｇの９６％硫酸と、１００ｍｌのシクロヘキサンに溶解した０．１モルの高級ダイヤモンドイドとの混合物に、室温で激しく撹拌しながら約３時間に亙り滴下した。氷で分解した後、酸を分離し、メタノール／水による再結晶化により精製し、一カルボキシル化高級ダイヤモンドイドを与えた。
【０２６６】
臭素化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（Ｂｒ)ｎ］による
例２７
Ｄ−ＢｒからＤ−ＣＯＯＨ
＋１０℃まで冷却した３６０ｍｌの濃硫酸を、撹拌器、還流凝縮器、及び２本の滴下漏斗の付いたアンシュッツ・トップ(Anschutz top)を具えた１リットル三口フラスコ中へ入れた。氷浴を除いた後、２５ｍｌの極めて純粋な無水ｎ−ヘキサン中に溶解した適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（０．０５６モル）及び２５．３ｍｌの無水蟻酸を、約１時間に亙りフラスコ中へ添加した。生成した一酸化炭素を除くため煙フードが必要であった。滴下が完了した後、混合物を室温で更に約２時間激しく撹拌した。次に反応混合物を氷上に注ぎ、それにより酸を析出させた。その酸をエーテル中に溶解し、希釈水酸化ナトリウム水溶液で抽出することにより精製した。酸性化中に析出した酸を、希釈メタノールにより再結晶化した。
【０２６７】
例２８
Ｄ−ＢｒからＤ−ＣＨＣｌＣＯＯＨ
適当な一臭化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（０．０１２モル）と、９．０ｇのトリクロロエチレンＣＨＣｌ＝ＣＣｌ２との混合物を、約４時間に亙り２４ｍｌの９０％硫酸中へ１０３〜１０６℃で激しく撹拌しながら滴下した。添加が完了した後、混合物を更に約２時間特定の温度で撹拌し、次に冷却し、粉砕氷を用いて加水分解した。析出した生成物を、希釈水酸化ナトリウム溶液中に溶解し、エチルエーテルで抽出することにより、中性留分から分離することができた。希釈塩酸溶液で酸性化すると、アルカリ性溶液からカルボン酸が沈澱した。シクロヘキサンによる再結晶化により、更に精製を達成することができた。
【０２６８】
ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＯＨ)ｎ］による
例２９
Ｄ−ＯＨからＤ−ＣＯＯＨ
一ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドＤ−ＯＨを用いた場合、上の例３１に記載したのと同じやり方で行なった。但しｎ−ヘキサンの量は１５０ｍｌへ増大しなければならなかった。なぜなら、ｎ−ヘキサンに対する一ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドの溶解度が一層低いためである。
【０２６９】
例３０
Ｄ−（ＯＨ)２からＤ−（ＣＯＯＨ)２
濃硫酸（９６％、１．３リットル）中に二ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドＤ−（ＯＨ)２（０．０９１モル）を入れた撹拌した溶液に、０℃で蟻酸（９８％、２８０ｍｌ）を滴下した。混合物を０℃で２時間、室温で４時間撹拌し、次に氷／水上に注いだ。得られた生成物を水及びアセトンで洗浄し、乾燥して二カルボキシル化高級ダイヤモンドイドを与えた。
【０２７０】
アシルアミン化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＨＣＯＲ)ｎ］（Ｒ＝Ｈ、又はアルキル、ｎ＝１、２、３、４、…）の合成
臭素化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（Ｂｒ)ｎ］による
例３１
Ｄ−ＢｒからＤ−ＮＨＣＯＣＨ３
適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（０．０９３モル）を、１５０ｍｌのアセトニトリル中へ溶解した。その溶液へ３０ｍｌの濃硫酸を撹拌しながらゆっくり添加し、それにより混合物は加熱された。それを約１２時間放置した後、溶液を５００ｍｌの氷水中へ注入し、それによりモノアセトアミノ高級ダイヤモンドイドを分離した。
【０２７１】
ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＯＨ)ｎ］による
例３２
Ｄ−ＯＨからＤ−ＮＨＣＯＣＨ３
適当な一ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイドＤ−ＯＨ（０．０４６モル）を、１２０ｍｌの極めて純粋な氷酢酸中に溶解し、１３ｍｌのアセトニトリル及び４ｍｌの濃硫酸で処理した。反応混合物を室温で約２０時間密閉放置し、次に２倍の体積の水をそれに添加した。数時間後、沈澱した反応生成物を濾過して取り出し、乾燥後、それをシクロヘキサンにより再結晶化した。
【０２７２】
カルボキシル化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＣＯ２Ｈ)ｎ］による
例３３
Ｄ−ＣＯ２ＨからＤ−ＮＨＣＯＣＨ３
２０ｍｌの１００％硫酸に、室温で４．１ｇ（０．１モル）のアセトニトリル及び適当な一カルボキシル化高級ダイヤモンドイドＤ−ＣＯＯＨ（０．０１８モル）を、激しく撹拌しながら１２分以内で添加した。約１．５時間の後反応（post reaction)の後、氷を添加した。次に結晶質沈澱物を分離して取り出した。懸濁物を水酸化ナトリウム溶液で塩基性にし、ガラスフリット上で吸引した。シクロヘキサンによる再結晶化により、一アセトアミン化高級ダイヤモンドイド生成物を与えた。
【０２７３】
例３４
Ｄ−ＣＯＯＨからＤ−ＮＨＣＨＯ
１００ｍｌの１００％硫酸に、８．１６ｇ（０．１７モル）のシアン化ナトリウム及び適当な一カルボキシル化高級ダイヤモンドイドＤ−ＣＯＯＨ（０．０２８モル）を、激しく撹拌しながら７分以内で添加した。1/2時間後、２５０ｇの破砕氷上に反応混合物を注ぐことにより分解を行い、次にそれを充分な量の水酸化ナトリウム溶液を添加することにより塩基性にし、ベンゼン／エーテルで５回抽出した。一緒にした抽出物から溶媒を真空除去し、残留物をベンゼン／ヘキサンにより再結晶化し、一ホルミルアミン化高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＨＣＨＯを与えた。
【０２７４】
高級ダイヤモンドイドイルカルボン酸エステル［Ｄ−（ＣＯ２Ｒ)ｎ］（Ｒ＝アルキル、ｎ＝１、２、３、４、…）のエステル化反応による合成
例３５
Ｄ−ＣＯＣｌによるＤ−ＣＯＯＨからのＤ−ＣＯ２ＣＨ２ＣＨ３
撹拌器及び還流凝縮器を具えた５０ｍｌのフラスコ中で、０．０１７モルの適当な一カルボキシル化高級ダイヤモンドイドＤ−ＣＯＯＨを、４．２ｇのＰＣｌ５と混合した。反応混合物の液化により反応は３０〜６０秒後に開始した。水蒸気浴上で撹拌しながら、混合物を更に約１時間加熱した。形成されたＰＯＣｌ３を真空蒸留して除去した。残留物として後に残った酸塩化物を氷水で冷却し、６．０ｍｌの無水エタノールを滴下した。混合物を水蒸気浴上で更に約１時間加熱し、次にそれを冷却した後、５０ｍｌの水中に注入した。エチルエーテルでエステルを取り出し、次に炭酸カリウム水溶液及び水で洗浄した。乾燥後、塩化カルシウム上で真空中で分別を行なった。
【０２７５】
ヒドロキシメチル化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＣＨ２−ＯＨ)ｎ］の高級ダイヤモンドイドイルカルボン酸エステル［Ｄ−（ＣＯ２Ｒ)ｎ］（Ｒ＝アルキル、ｎ＝１、２、３、４、…）の還元による合成
例３６
Ｄ−ＣＯ２ＣＨ２ＣＨ３からのＤ−ＣＨ２−ＯＨ
１０ｍｌの無水エーテル中に溶解した０．０１４モルの適当な高級ダイヤモンドイド一カルボン酸−エチルエステルＤ−ＣＯ２ＣＨ２ＣＨ３を、１６ｍｌの無水エーテル中に０．８ｇのリチウムアラナートを入れた懸濁物へ、室温で撹拌しながらゆっくり滴下した。混合物を更に約１時間撹拌し、次に水を注意しながら添加した。エーテル溶液を分離して取り出し、水性相をエーテルで更に２回抽出した。一緒にした抽出物を塩化カルシウムで乾燥した後、エーテルを蒸留除去し、残留物をメタノール／水により再結晶化した。
【０２７６】
アミン化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＨ２)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成
アシルアミン化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＨＣＯＲ)ｎ］（Ｒ＝アルキル、例えばＣＨ３）のアルカリ性加水分解による
例３７
Ｄ−ＮＨＣＯＣＨ３からＤ−ＮＨ２
適当な一アセトアミン化高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＨＣＯＣＨ３（０．０１５モル）を、６０ｍｌのジエチレングリコール中に６ｇの水酸化ナトリウム粉末を入れた溶液と共に約５時間還流するまで加熱した。それを冷却した後、混合物を１５０ｍｌの水中に注入し、エチルエーテルで抽出した。エーテル抽出物を水酸化カリウムで乾燥した。エーテルを蒸留除去し、残留物を昇華して生成物の一アミン化高級ダイヤモンドイドを与えた。塩酸塩を分析のため調製した。即ち、乾燥塩化水素を、そのアミンのエーテル溶液中へ導入し、それにより塩を結晶質化合物として分離した。それを無水エタノール中に溶解し、無水エーテルで沈澱させることによりそれを精製することができる。
【０２７７】
例３８
Ｄ−ＣｌからＤ−ＮＨ２
上に記載したアセトニトリル・硫酸法により、適当な一塩素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｃｌを、一アセトアミン化高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＨＣＯＣＨ３へ転化した。粗製アミドを、予め精製することなく鹸化し、一アミン化高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＨ２を与えた。このアミンの精製は、上に記載した通りである。
【０２７８】
例３９
Ｄ−ＣＯＯＨからＤ−ＮＨ２
工程１：撹拌器及び還流凝縮器を具えた５０ｍｌのフラスコ中で、０．０１７モルの適当な一カルボキシル化高級ダイヤモンドイドＤ−ＣＯＯＨを、４．２ｇのＰＣｌ５と混合した。反応混合物の液化により反応は３０〜６０秒後に開始した。水蒸気浴上で撹拌しながら、混合物を更に約１時間加熱した。形成されたＰＯＣｌ３を真空蒸留して除去し、酸塩化物Ｄ−ＣＯＣｌを与えた。
【０２７９】
工程２：１２ｍｌの無水テトラヒドロフラン中に上記高級ダイヤモンドイドイル一カルボン酸クロリドＤ−ＣＯＣｌ（０．０２７モル）を入れた溶液を、氷水で冷却しながら、６０ｍｌの濃アンモニア水溶液へ撹拌しながらゆっくり滴下した。高級ダイヤモンドイドイル一カルボン酸アミドを、沈澱物として分離した。それを吸引し、水で洗浄し、それを乾燥した後、シクロヘキサンにより再結晶化した。
【０２８０】
工程３：０．０１８モルの上記アミドを、２５ｍｌの無水メタノール中に溶解した。この溶液を、２５ｍｌの無水メタノール中に１．０ｇのナトリウムを入れた溶液へ添加し、それを、撹拌器、還流凝縮器、滴下漏斗を具えた１５０ｍｌの三口フラスコ中へ入れた。次に１．０ｍｌの臭素を、氷で冷却しながら滴下し、次にその混合物をゆっくり約５５℃（水浴温度）へゆっくり加熱した。それを冷却した後、水を添加し、沈澱物を濾過により分離した。エタノールからの再結晶化により、更に精製を達成することができた。
【０２８１】
工程４：上記生成物を最終的に鹸化し、上に記載したのと同じやり方で処理し、目的化合物を与えた。
【０２８２】
ホルミルアミン化高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＨＣＨＯ)ｎ］の酸加水分解による
例４０
Ｄ−ＮＨＣＨＯによるＤ−ＢｒからのＤ−ＮＨ２
工程１：モノブロモ高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（０．０２８モル）を、４０ｍｌのホルムアミドと混合した。得られた混合物を約１２時間還流した。冷却後、反応混合物を水中へ注入し、ジクロロメタンで抽出した。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、真空中で蒸発乾固し、モノＮ−ホルミル高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＨＣＨＯを与えた。
【０２８３】
工程２：上記モノＮ−ホルミル高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＨＣＨＯ（０．０２３モル）を、１００ｍｌの１５％塩酸と混合した。得られた混合物を約２４時間沸騰するまで加熱した。冷却後、沈澱物を濾過し、イソプロパノールにより再結晶化し、生成物のＤ−ＮＨ２を与えた。
【０２８４】
ニトロ高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（ＮＯ２)ｎ］の還元による
例４１
Ｄ−ＮＯ２からＤ−ＮＨ２
ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ（３：２ｖ／ｖ）の混合溶媒４００ｍｌ中に入れた０．４１２ミリモルのモノニトロ高級ダイヤモンドイドＤ−ＮＯ２及び１１．５ｇの硫化ナトリウム九水和物の混合物を、７５℃で約１２時間激しく撹拌した。室温へ冷却後、混合物を４０℃より低い温度で減圧下で濃縮し、体積を約１５ｍｌまで減少させた。沈澱物を吸引濾過し、次に水及び１．０ＮのＨＣｌ水溶液で充分洗浄した。粗製生成物をクロロホルム又はエチルエーテル中に溶解し、水（４×８０ｍｌ）で洗浄し、有機相中の水酸化ナトリウムを全て中和し、その物質が水酸化ナトリウム及び塩化ナトリウムを含まないようにした。溶媒を除去した後、粗製生成物を得た。生成物の分離及び精製を、溶離剤としてクロロホルム／ヘキサンを用いて中性Ａｌ２Ｏ３によるカラムクロマトグラフィーで行なった。もし必要ならば、カラムクロマトグラフィーによる精製を数回行うことができた。
【０２８５】
アルキル化及び脱臭化水素反応によるアルキル化高級ダイヤモンドイドの合成  例４２
Ｄ−ＢｒからＤ−ＣＨ＝ＣＨ２
工程１：撹拌器、ガス導入管、及びバブルカウンターを有するガス排出管を具えた１５０ｍｌの三口フラスコ中で、１５ｍｌのｎ−ヘキサン中に適当な一臭素化高級ダイヤモンドイド（Ｄ−Ｂｒ）（０．０４６モル）を入れた溶液を、冷却用浴中で−２０〜−２５℃へ冷却した。撹拌しながら４．０ｇの新しく粉砕した高純度臭化アルミニウム粉末を導入し、バブルカウンターによってガスの導入を制御することができるようなやり方でエチレンを導入した。反応が開始されて色が僅かに暗化し、約１時間後に完了した。反応溶液を触媒から傾瀉してエーテルと水との混合物中へ入れた。エーテル相を分離して取り出し、水性相をエーテルでもう一度抽出した。一緒にしたエーテル抽出物を水及び希釈炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した。それらを塩化カルシウムにより乾燥した後、溶媒を蒸留除去した。残留物を真空蒸留により分離した。油状液体を蒸留し、収集し、それは受容器中で固化した。メタノールによる再結晶化により、高級ダイヤモンドイドイルエチルブロミドＤ−ＣＨ２ＣＨ２Ｂｒを与えた。
【０２８６】
工程２：０．７ｇの微粉砕水酸化カリウム及び上記高級ダイヤモンドイドイルエチルブロミドＤ−ＣＨ２ＣＨ２Ｂｒ（０．０１２モル）を１０ｍｌのジエチレングリコール中に入れた溶液を、油浴中で２２０℃へ６時間加熱した。冷却後、混合物を３０ｍｌの水で希釈し、エチルエーテルで抽出した。エーテル抽出物を水で２回洗浄し、塩化カルシウムにより乾燥した。エーテルを蒸留除去した後に残った残留物を真空中で昇華し、もし必要ならばその化合物をメタノールにより再結晶化することができる。
【０２８７】
アルキル化及び脱臭化水素反応によるアルキル化高級ダイヤモンドイドの合成
例４３
Ｄ−ＢｒからＤ−Ｃ≡ＣＨ
工程１：撹拌器及び乾燥用管を有する１５０ｍｌの二口フラスコ中で、０．０６９モルの適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒと、２０ｍｌの臭化ビニルとの混合物を、冷却用浴中で−６５℃に冷却した。撹拌しながら、４．５ｇの臭化アルミニウム粉末を少しずつ添加し、混合物を同じ温度で更に約３時間撹拌した。次に反応混合物を３０ｍｌの水と３０ｍｌのエチルエーテルとの混合物中へ注入した。激しく撹拌した後、エーテル層を分離し、水性層をエーテルでもう一度抽出した。一緒にしたエーテル抽出物を、水及び希釈炭酸ナトリウム溶液で洗浄した。それを塩化カルシウムで乾燥し、溶媒を蒸留除去した後、残留物を真空中で蒸留した。
【０２８８】
工程２：１５ｇの粉砕水酸化カリウムを３０ｍｌのジエチレングリコール中に入れたものを、油浴中で０．０４６モルの上記生成物と共に約９時間還流するまで加熱した。一エチニル化高級ダイヤモンドイドが形成され、凝縮器中で凝縮することがあるので、時々反応混合物へ戻さなければならなかった。反応時間が終わった後、反応混合物を、もはや固体粒子が消費されなくなるまで蒸留した。蒸留物をエチルエーテルで抽出し、エーテル相を水で洗浄し、塩化カルシウムにより乾燥した。エーテルを蒸留除去すると、残留物は固化した。それは真空中で昇華し、もし必要ならばメタノールにより再結晶化する。
【０２８９】
例４４
Ｄ−ＢｒからＤ−Ｃ≡ＣＨ及びＤ−（Ｃ≡ＣＨ)２
ＣＨ２Ｃｌ２（２５ｍｌ）中にモノブロモ高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（１４．２ミリモル）及び臭化ビニル（５ｍｌ）を入れた溶液を、ドライアイス・アセトン浴（−３０℃）で冷却した。臭化アルミニウム（４．９ミリモル）を、内部温度を−２４℃より低く保ちながら、３０分に亙り少しずつ添加し、混合物を−３０℃で４５分間撹拌し、ＣＨ２Ｃｌ２で希釈し、破砕した氷及び濃塩酸（２０ｍｌ）の上にゆっくり注いだ。有機相を分離し、水性層をＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。一緒にした有機相を塩水で洗浄し、乾燥し、濾過した。溶媒を減圧下で蒸発し、粘稠な油を得た。
【０２９０】
上記油をＤＭＳＯ（５０ｍｌ）中に溶解し、カリウムｔ−ブトキシド（３６ミリモル）を１時間に亙り添加した。混合物を室温で３日間撹拌し、次に５０〜５５℃で３．５時間加熱した。ＣＨ２Ｃｌ２を用いた標準的分離方法で、油を与えた。蒸留により半固体残留物が得られた。その残留物をシリカゲル（ヘキサン及び９５：５ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２）によるクロマトグラフィーにかけ、モノ−（Ｄ−Ｃ≡ＣＨ）及び二エチニル化高級ダイヤモンドイドＤ−（Ｃ≡ＣＨ)２を与えた。
【０２９１】
高級ダイヤモンドイドイルエーテル［Ｄ−（ＯＲ)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…；Ｒは、アルキル、アリール等である）の合成
例４５
Ｄ−ＢｒからＤ−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５
０．０３モルのナトリウムベンジレートを含むベンジルアルコールＣ６Ｈ５−ＣＨ２−ＯＨ（０．２８モル）の溶液に、０．０１モルのＤ−Ｂｒを添加し、得られた混合物を約４時間加熱し、その間に多量の沈澱物ＮａＢｒが形成された。冷却後、反応混合物を水中へ注入し、水性相をエチルエーテルで抽出し、次に硫酸ナトリウムで乾燥し、次に蒸発した。ベンジルアルコールの殆どを蒸留により除去し、約４ｍｌの油が残り、それをアルミナによるクロマトグラフィーにかけた。石油エーテルによる溶離により生成物を与えた。
【０２９２】
高級ダイヤモンドイドイル酢酸及びそれらの誘導体の連続的反応
上で示したように、高級ダイヤモンドイドイルカルボン酸、例えば、Ｄ−ＣＯＯＨを、異なった方法で都合よく製造することができる。対応する酸塩化物Ｄ−ＣＯＣｌは、その酸と、石油エーテルで希釈した塩化チオニルとの混合物を室温で約５０時間撹拌することにより得られる。酸塩化物Ｄ−ＣＯＣｌを過剰の量のエーテル性ジアゾメタンで処理することにより、高級ダイヤモンドイドイルアセチルジアゾメタンＤ−ＣＯＣＨＮ２を与えた。酸塩化物Ｄ−ＣＯＣｌと、アンモニア及びアニリンのようなアミンとの反応により対応するアミドを与え、それらの場合、Ｄ−ＣＯＮＨ２及びＤ−ＣＯＮＨＣ６Ｈ５が夫々良好な収率で得られた。
【０２９３】
Ｄ−ＣＯＮＨ２と臭素及びアルカリとのホフマン反応は、イソシアネート中間体Ｄ−ＮＣＯを経て、Ｄ−ＮＨＣＯＮＨＣ（Ｏ）−Ｄを与える。
【０２９４】
酸塩化物Ｄ−ＣＯＣｌとヒドラジン一水和物は、対応するビスヒドラジド（Ｄ−ＣＯＮＨ)２を与えるのに対し、メチル高級ダイヤモンドイドイルアセテートＤ−ＣＯＯＣＨ３とヒドラジン一水和物は、モノヒドラジドＤ−ＣＯＮＨＮＨ２を与える。Ｄ−ＣＯＯＣＨ３の水素化リチウムアルミニウムによる還元は、Ｄ−ＣＨ２−ＯＨを与える。これらの反応は図２０に要約されている。
【０２９５】
例４６
Ｄ−ＣＯＣｌからＤ−ＣＯＮＨ２
氷水で冷却しながら、４．０ｍｌの無水ＴＨＦ中に５．５ミリモルのＤ−ＣＯＯＨを入れて調製したＤ−ＣＯＣｌの撹拌した溶液中へ、濃アンモニア水溶液（１１．０ｍｌ）を、３０分間に亙り一滴ずつ撹拌しながら添加した。撹拌を約６時間継続し、次に沈澱物を濾過し、水で洗浄し、乾燥して表題の化合物を与えた。
【０２９６】
例４７
Ｄ−ＣＯＮＨ２のホフマン反応
１．０ｇの臭素、１．０ｇの水酸化ナトリウム、及び１０ｍｌの水から新しく調製した、氷で冷却した臭素・アルカリ反応物へ、０．５ｇのＤ−ＣＯＮＨ２を添加し、撹拌した。次に温度を３．５時間に亙り約８０℃へ上昇し、約１０分間そこに維持し、冷却後、分離した固体を濾過し、水で洗浄した。クロロホルム・石油エーテルによる再結晶化により、純粋な生成物Ｄ−ＮＨＣＯＮＨＣ（Ｏ）−Ｄを与えた。
【０２９７】
例４８
Ｄ−ＣＯＣｌからＤ−ＣＯＮＨ−Ｃ６Ｈ５
２．８ミリモルのＤ−ＣＯＯＨから調製したＤ−ＣＯＣｌ、０．５ｇのアニリン、及び２０ｍｌの無水ベンゼンの混合物を、約１５分間還流し、冷却した。冷却した反応混合物を５％の塩酸で洗浄し、次に水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を除去した後、残留物をメタノールにより再結晶化し、生成物のＤ−ＣＯＮＨ−Ｃ６Ｈ５を与えた。
【０２９８】
例４９
Ｄ−ＣＯＣｌから（Ｄ−ＣＯＮＨ)２
１．０ｍｌのＴＨＦ中に１．６ｇの８０％ヒドラジン一水和物を入れた溶液を氷で冷却し、撹拌し、その撹拌を室温で約７時間継続した。次に混合物を冷蔵庫中で一晩放置した。次に固体を濾過し、メタノールにより再結晶化し、生成物の（Ｄ−ＣＯＮＨ)２を与えた。
【０２９９】
例５０
Ｄ−ＣＯＣｌからＤ−ＣＯＮ３、Ｄ−ＮＣＯ、及びＤ−ＮＨＣＯＮＨ−Ｃ６Ｈ５
２．８ミリモルのＤ−ＣＯＯＨから調製したＤ−ＣＯＣｌを、２ｍｌのアセトン中に入れた溶液中へ、２．０ｇのアジ化ナトリウムを５ｍｌの水に入れた溶液を撹拌しながら入れた。撹拌を室温で約２時間継続した。次に反応混合物を１５ｍｌの水で希釈し、エチルエーテル（２×３０ｍｌ）で抽出した。一緒にしたエーテル抽出物を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発して化合物を与えた。その化合物は赤外線分析により、その手順中、既に再配列が起きていたことを示していた。その再配列を完了するため、粗製アジドＤ−ＣＯＮ３を無水ベンゼン中で約１時間加熱した。
【０３００】
粗製アジドＤ−ＣＯＮ３を、ｎ−ヘキサン中で０．３０ｍｌのアニリンで室温で約１３時間処理した。次に沈澱物を濾過し、粗製Ｄ−ＮＨＣＯＮＨ−Ｃ６Ｈ５を与えた。
【０３０１】
例５１
Ｄ−ＣＯＣｌからＤ−ＣＯＣＨＮ２を経由したＤ−ＣＨ２ＣＯＮＨ−Ｃ６Ｈ５
２．８ミリモルのＤ−ＣＯＯＨから調製したＤ−ＣＯＣｌを、１０ｍｌのエーテル中に入れた溶液を、１００ｍｌのエーテル中にジアゾメタンを入れた溶液に、氷水で冷却しながら添加し、然る後、反応混合物を室温で約２日間放置した。溶媒を真空中でストリップして除去し、残留混合物Ｄ−ＣＯＣＨＮ２は、赤外吸収に基づきジアゾケトン構造を持つことを特徴付けた。Ｄ−ＣＯＣＨＮ２及び０．７ｇのアニリンを１００ｍｌの無水ベンゼン中に溶解し、その混合物を室温で窒素流中で、１００Ｗ高圧水銀ランプにより石英冷却器を通して照射した。約９時間照射した後、溶液を、１０％塩酸、５％水酸化ナトリウム、及び次に水で連続的に洗浄した。溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを真空中で蒸留除去した。残留物を１０ｍｌのｎ−ヘキサンを用いてすり潰し、一層純粋な化合物を与えた。分離した化合物を５０ｍｌのエタノール中に溶解し、溶液を活性炭で処理した。溶媒を真空蒸留で除去し、残留物をメタノールにより再結晶化し、純粋な生成物Ｄ−ＣＨ２ＣＯＮＨ−Ｃ６Ｈ５を与えた。
【０３０２】
例５２
Ｄ−ＣＯＯＨからＤ−ＣＯＯＣＨ３を経由したＤ−ＣＨ２−ＯＨ
ジアゾメタンのエーテル溶液に、２．８ミリモルのＤ−ＣＯＯＨを２０ｍｌのエーテル中に入れた溶液を徐々に添加した。溶液を室温で一晩放置し、次にそのエーテルを真空除去し、Ｄ−ＣＯＯＣＨ３を与え、それを次に５０ｍｌの無水エーテルに溶解し、次に１．１ｇの水素化リチウムアルミニウムをその溶液へ添加した。次に反応混合物を室温で一晩撹拌し、５０ｍｌの水で希釈した。水溶液を濃塩酸で酸性化し、エーテルで抽出した。エーテル抽出物を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。エーテルを除去し、、生成物のＤ−ＣＨ２−ＯＨを与えた。
【０３０３】
二高級ダイヤモンドイド［例えば、Ｄ−Ｄ］及びそれらの幾つかの誘導体［例えば、Ｒ−Ｄ−Ｄ−Ｒ］（Ｒ＝Ｈ、Ｂｒ、ＣＮ、ＣＯＯＨ、ＣＯＣｌ、ＣＯＯＣＨ３、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ４ＯＨ、Ｃ６Ｈ５、ＣＨ２ＮＨ２、ＣＨ２ＮＨ２ＨＣｌ、ＯＨ、等）の合成
例５３
Ｄ−ＢｒからＤ−Ｄ
適当な一臭素化高級ダイヤモンドイドＤ−Ｂｒ（５０ミリモル）を、３０ｍｌのキシレンに溶解し、温度計、窒素導入口、撹拌器、及び還流凝縮器を取付けた三口フラスコ中で窒素をゆっくり流しながら還流するまで加熱した。合計１．１５ｇの金属ナトリウムをその撹拌した反応混合物に約４時間に亙り添加した。全てのナトリウムを添加した後、混合物を更に約１時間還流し、次に熱い状態で濾過した。室温に冷却すると、濾液から生成物Ｄ−Ｄが結晶化した。
【０３０４】
例５４ 
Ｄ−ＤからＢｒ−Ｄ−Ｄ−Ｂｒ
還流凝縮器を取付けた丸底フラスコにＤ−Ｄ（１４ミリモル）を入れた。次に２０ｍｌの臭素を撹拌しながら添加すると、臭化水素が形成された。約１５分後、臭化水素酸の発生が止まった。次に反応混合物を還流するまで（ホット温度約６１℃）約２時間加熱した。冷却した反応生成物を７５ｍｌのＣＣｌ４で希釈し、分離漏斗へ移し、氷水と共に振盪し、亜硫酸水素ナトリウムを、過剰の臭素が分解するまで添加した。有機層を分離し、水層を５０ｍｌのＣＣｌ４で２回抽出した。一緒にした有機溶液を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を低い真空度でストリップした。ポット中の反応生成物をメタノールで沈澱させ、濾過して取り出し、ジオキサンにより再結晶化し、Ｂｒ−Ｄ−Ｄ−Ｂｒ生成物を与えた。
【０３０５】
例５５
Ｂｒ−Ｄ−Ｄ−ＢｒからＮＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＮ
蒸留ヘッド、温度計、及び撹拌器を取付けた丸底フラスコに入れたシアン化第一銅１５ｇに、７５ｍｌのピリジンを添加した。直ちに形成されたピリジン・シアン化銅錯体に、Ｂｒ−Ｄ−Ｄ−Ｂｒ（４６ミリモル）を添加し、反応混合物を約２３０℃へゆっくり加熱し、それにより殆どのピリジンを蒸留した。反応生成物を上記温度で更に１０分間維持し、室温へ冷却した後、粗製生成物を収集し、それをベンゼンによる再結晶加熱したにより精製し、純粋な生成物ＮＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＮを与えた。
【０３０６】
例５６
ＮＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＮからＨＯＯＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＯＯＨ
６．５ミリモルのＮＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＮに、１５ｍｌの濃硫酸、１５ｍｌの氷酢酸、及び１５ｍｌの水からなる混合物を添加した。次に混合物を撹拌しながら還流するまで（ポット温度約１２５℃）約１．５時間加熱した。反応生成物を濾過して取り出し、注意しながら水及びメタノールで洗浄し、次に乾燥した。ジメチルアセトアミドによる再結晶化により、純粋な生成物ＨＯＯＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＯＯＨを与えた。
【０３０７】
例５７
Ｂｒ−Ｄ−Ｄ−ＢｒからＣＨ３ＯＣ６Ｈ４−Ｄ−Ｄ−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３
Ｂｒ−Ｄ−Ｄ−Ｂｒ（１１．５ミリモル）に、２５ｍｌのアニソールを添加し、混合物を還流するまで（ポット温度約１５５℃）約５時間加熱した。約１５分間還流した後、臭化水素が発生した。臭化水素の発生は、約１時間後に止まった。反応生成物を熱いまま濾過し、室温へ冷却し、粗製生成物を収集し、次にそれをキシレンにより再結晶化し、純粋な生成物ＣＨ３ＯＣ６Ｈ４−Ｄ−Ｄ−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３を与えた。
【０３０８】
例５８
ＮＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＮからＨＣｌＨ２ＮＣＨ２−Ｄ−Ｄ−ＣＨ２ＮＨ２ＨＣｌ及びＨ２ＮＣＨ２−Ｄ−Ｄ−ＣＨ２ＮＨ２
温度計、窒素導入口、添加漏斗、及び還流凝縮器を取付けた三口フラスコ中へ粉末水素化リチウムアルミニウム（０．６ｇ）を、１５ｍｌの無水ＴＨＦと一緒に入れた。ＮＣ−Ｄ−Ｄ−ＣＮ（７．８ミリモル）を２０ｍｌの無水ＴＨＦ中に入れた溶液を、約２０分間に亙り添加した。室温へ冷却した後、反応生成物を、希釈塩酸を含む氷上へ注いだ。希釈塩酸により再結晶化し、二塩酸塩生成物、ＨＣｌＨ２ＮＣＨ２−Ｄ−Ｄ−ＣＨ２ＮＨ２ＨＣｌを与えた。アンモニアとの反応によりその二塩酸塩から遊離ジアミンＨ２ＮＣＨ２−Ｄ−Ｄ−ＣＨ２ＮＨ２が得られた。
【０３０９】
アジド高級ダイヤモンドイド［Ｄ−（Ｎ３)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成
臭素化高級ダイヤモンドイドの、ＮａＮ３による直接置換により、アジド高級ダイヤモンドイドを形成する結果になり、それは高級ダイヤモンドイドイルニトレンの非常に良好な前駆物質である。アジド誘導体、例えば、Ｄ−Ｎ３をエーテル中で水素化リチウムアルミニウムにより還元すると、対応するアミン、例えば、Ｄ−ＮＨ２を与える。
【０３１０】
例５９
Ｄ−ＢｒからＤ−Ｎ３
無水ジメチルスルホキシド（ＤＭＦ、２０ｍｌ）中に入れたＤ−Ｂｒ（２ミリモル）と、アジ化ナトリウム（１．３ｇ）との混合物を、約２日間１００℃に撹拌しながら加熱した。混合物を氷水上へ注ぎ、沈澱物を与え、それをメタノール水溶液により再結晶化して精製し、純粋な生成物を与えた。
【０３１１】
Ｎ−Ｒ−スルホニル−Ｎ′−高級ダイヤモンドイドイル尿素（例えば、Ｒ−ＳＯ２ＮＨＣＯＮＨ−Ｄ、Ｒ＝アルキル、アリール、アルカリール等）の合成。
【０３１２】
【化７】
2005511730.tif 000020
【０３１３】
例６０
アリール−ＳＯ２−Ｃｌからアリール−ＳＯ２ＮＨ２
大過剰の水酸化アンモニウム水溶液にアリール−ＳＯ２−Ｃｌ（塩化アリールスルホニル）を添加することにより、アリール−ＳＯ２ＮＨ２（アリールスルホンアミド）を製造した。固体塩化スルホニルを、それらの重量に等しいジオキサンの体積中に溶解するのが一層よい。
【０３１４】
例６１
アリール−ＳＯ２ＮＨ２からアリール−ＳＯ２ＮＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ３
６００ｍｌのアセトン中に入れた０．５モルのスルホンアミドアリール−ＳＯ２ＮＨ２及び１．３モルの無水炭酸カリウムの混合物に、０．６６モルのクロロ炭酸エチルＣｌ−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３を、撹拌しながら約３時間に亙り添加した。次に混合物を撹拌し、約１８時間還流し、次に冷却し、濾過した。固体残留物を約１５００ｍｌの水中に溶解した。不溶性物質は全て濾過により除去した。溶液を濃塩酸で酸性にした。生成物が容易には結晶化しない場合、酸性上澄み液を傾瀉し、そのカルバメートを水と共に撹拌することにより結晶化を促進した。粗製生成物アリール−ＳＯ２ＮＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ３（Ｎ−アリールスルホニルカルバミン酸エチル）を、適当なアミン、例えば、Ｄ−ＮＨ２と反応させるのに用いた。
【０３１５】
例６２
アリール−ＳＯ２ＮＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ３及びＤ−ＮＨ２からアリール−ＳＯ２ＮＨＣＯ−ＮＨＤ
２ミリモルのＤ−ＮＨ２及び２．２ミリモルのアリール−ＳＯ２ＮＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ３（Ｎ−アリールスルホニルカルバミン酸エチル）を約１０ｍｌの無水トルエン中に入れた溶液を約５時間還流するまで加熱した。反応混合物を室温へ冷却させ、生成物を濾過により収集し、次にクロロホルムに溶解した（クロロホルムはアルミナとの振盪によりエタノールを微量でも含むべきではない）。クロロホルム溶液を冷たい５％塩酸溶液で洗浄し、次に中性になるまで水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにより乾燥した。次にクロロホルム溶液を減圧下で約1/2の体積になるまで濃縮し、約５０℃へ暖めた。石油エーテルを添加した。混合物を一晩冷却した後、アリール−ＳＯ２ＮＨＣＯ−ＮＨＤ（Ｎ−アリールスルホニル−Ｎ′−高級ダイヤモンドイドイル尿素）を濾過により収集した。
【０３１６】
高級ダイヤモンドイドイルクロロホルメート［Ｄ−（ＯＣＯＣｌ)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成及び続く反応及び誘導体［例えば、Ｄ−ＯＣＯＮＨ２、Ｄ−ＯＣＯ−ＮＨＮＨ２等］
ヒドロキシル化高級ダイヤモンドイド、例えば、Ｄ−ＯＨ及び過剰のホスゲン（ＣＯＣｌ２）から、適当な溶媒、例えばベンゼン中で、有機塩基、例えばピリジンの存在下で高級ダイヤモンドイドイルクロロホルメート、例えば、Ｄ−ＯＣＯＣｌを製造した。そのクロロホルメートは、異なった求核物質、例えば、アンモニア、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アミン、アミノ酸、アルコール、チオール等と反応して、対応する高級ダイヤモンドイドイルオキシカルボニル誘導体、例えば、Ｄ−ＯＣＯＮＨ２、Ｄ−ＯＣＯＮＨＮＨ２等を与えることができる。その高級ダイヤモンドイドイルオキシカルボニルアミノ酸は、今度は酸触媒ソルボリシスにより、例えば、トリフルオロ酢酸を用いて容易に開裂され、遊離アミノ酸を生ずる。これらの場合、高級ダイヤモンドイドイルオキシカルボニル基。
【０３１７】
例６３
Ｄ−ＯＨからＤ−ＯＣＯＣｌ
無水ベンゼン（１００ｍｌ）中に液体ホスゲン（ＣＯＣｌ２、３０ｇ）を入れた溶液に、Ｄ−ＯＨ（５３ミリモル）及びピリジン（７ｇ）をベンゼン（２００ｍｌ）中に入れた溶液を、反応温度を約４℃に維持しながら、１時間に亙り撹拌しながら滴下した。
【０３１８】
反応混合物を濾過し、濾液を氷水中へ注ぎ、分離漏斗中で振盪した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、室温で減圧下でその最初の体積の約1/5まで濃縮した。
【０３１９】
濃縮物の試料を室温で蒸発乾固させ、固体を得た。無水石油により再結晶化し、生成物の結晶を与えた。
【０３２０】
例６４
Ｄ−ＯＣＯＣｌ及びＨ２ＮＮＨ２からＤ−ＯＣＯＮＨＮＨ２
無水ベンゼン（１５０ｍｌ）中にＤ−ＯＣＯＣｌ（９．３ミリモル）を入れた溶液を、ｔ−ブチルアルコール（２０ｍｌ）中へ無水ヒドラジン（２．５ｇ）を入れた撹拌した溶液へゆっくり添加した。約２時間撹拌した後、溶媒を真空除去した。残留物をエーテル（１５０ｍｌ）と水（１０ｍｌ）との混合物に溶解した。エーテル層を３５ｍｌずつの水、５ｍｌの１％炭酸ナトリウム溶液、及び５ｍｌの水で洗浄し、乾燥した。無水ヘキサン（１０ｍｌ）を添加し、溶液を約１０ｍｌへ濃縮した。溶液を約−１０℃に冷却し、生成物Ｄ−ＯＣＯＮＨＮＨ２を与えた。
【０３２１】
例６５
Ｄ−ＯＣＯＣｌからＤ−ＯＣＯＮＨ２
無水ベンゼン（２５ｍｌ）中にＤ−ＯＣＯＣｌ（０．５ミリモル）を入れた溶液に、ガス状アンモニアを飽和させた（約１時間）。フラスコに蓋をし、周囲温度に約２４時間維持した。反応混合物を濾過し、濾液を氷水と一緒に振盪し、真空蒸発させて生成物を生成させた。無水エタノールにより再結晶化し、精製した。
【０３２２】
例６６
Ｄ−ＯＣＯＣｌ及びアミノ酸から高級ダイヤモンドイドイルオキシカルボニルアミノ酸
適当なアミノ酸（５ミリモル）を水（約２０ｍｌ）中に懸濁した。混合物を撹拌し、氷浴中で冷却した。水酸化ナトリウム（１Ｎ、５ｍｌ）を添加し、それによりアミノ酸が通常のように溶解した。この混合物に０．８ｇの炭酸ナトリウム（７．５ミリモル）を添加した。Ｄ−ＯＣＯＣｌの溶液から、約３０℃の浴温度でフラッシュ蒸発器により溶媒を真空除去した。油状又は半固体である残留物に、無水石油エーテルを添加し、真空除去した。これをもう１回繰り返し、クロロホルメートの製造中に残っていた可能性のある微量のホスゲンを除去した。残留物を無水ジオキサン（５ｍｌ）に溶解し、連続的に撹拌及び冷却しながらアミノ酸の溶液へ約１時間に亙り添加した。幾らかの固体が沈澱することがあるので、クロロホルメートの最初及び最後の添加後、エーテルを添加した（５ｍｌ）。氷中で約２時間撹拌した後、溶液をエーテル又は酢酸エチルにより３回抽出し、撹拌及び冷却しながら８５％の燐酸又は１０％の硫酸で約２のｐＨへ酸性化した。沈澱した生成物を有機層へ抽出し、水性相を新しい有機溶媒の更に二つの部分により抽出した。一緒にした抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を真空除去した。適当な溶媒、例えば、エーテル・石油エーテル、酢酸エチル、酢酸エチル・石油エーテルにより残留物を再結晶化した。
【０３２３】
アミン化高級ダイヤモンドイド［例えば、Ｄ−（ＮＨ２)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）から出発したヒドラジノ高級ダイヤモンドイド［例えば、Ｄ−（ＮＨ−ＮＨ２)ｎ］の合成
Ｄ−（ＮＨ２)ｎ及びＤ−（ＣＯＮＨ２)ｎ（ｎ＝１、２、３、４、…）は、種々の高級ダイヤモンドイド誘導体を合成するための非常に重要な前駆物質である。Ｄ−ＮＨ２及びＤ−ＣＯＮＨ２から出発した高級ダイヤモンドイドのそのような誘導体化のための幾つかの代表的経路が図１８に示されている。
【０３２４】
例６７
Ｄ−ＮＨ２からＤ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＮ
４０．５ミリモルのモノアミノ高級ダイヤモンドイド塩酸塩（Ｄ−ＮＨ２ＨＣｌ）を、８０ｍｌの水中に溶解し、次に３．２ｇのＣＨ２Ｏ水溶液（３７〜４０％）を、撹拌しながら室温で添加した。室温で撹拌しながら、上記混合物に、２．６ｇのシアン化カリウム（ＫＣＮ）を２０ｍｌの水中に入れた溶液を滴下した。固体沈澱物が形成され、混合物を一晩撹拌した。反応混合物をクロロホルムで抽出し、溶媒を蒸発させる通常の操作により、粗製生成物、Ｄ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＮ（Ｎ−高級ダイヤモンドイドイルアミノアセトニトリル）を与え、精製することなく、直接次の反応に用いた。エチルエーテル／軽質石油エーテルの僅かな混合物により再結晶化し、純粋な試料を与え、分析した。
【０３２５】
例６８
Ｄ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＮからＤ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＯＯＨ
約４０ミリモルの上記粗製生成物、Ｄ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＮを、５０ｍｌの水、５０ｍｌの氷酢酸、５０ｍｌの濃塩酸と混合し、次に混合物を還流するまで加熱した。反応溶液（Ａ部）及び還流凝縮器中で形成された結晶質昇華物（Ｂ部）が得られた。
【０３２６】
Ａ部：反応を約６時間継続した後、乾燥残留物が得られるまで、全ての溶媒を真空除去し、それを直接次の反応に用いた。乾燥残留物を水に溶解し、ｐＨを４に調節することにより、生成物のＤ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＯＯＨが容易に分離された。
【０３２７】
Ｂ部：昇華物をクロロホルム中に溶解し、乾燥し、溶媒を蒸発し、イソプロパノールによる再結晶化及び昇華後、主な副生成物として純粋なＤ−Ｃｌを与えた。
【０３２８】
例６９
Ｄ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＯＯＨからＤ−Ｎ（ＮＯ）−ＣＨ２−ＣＯＯＨ
上記粗製生成物、Ｄ−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＯＯＨを、１００ｍｌの２Ｎ塩酸中に溶解し、２０ｍｌの水中に５ｇの硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ２）を入れた溶液を、室温で撹拌しながら、１滴ずつゆっくり添加した。固体が沈澱し、溶液を一晩放置した後濾過し、水で充分洗浄し、乾燥してＤ−Ｎ（ＮＯ）−ＣＨ２−ＣＯＯＨの生成物を与えた。
【０３２９】
例７０
Ｄ−Ｎ（ＮＯ）−ＣＨ２−ＣＯＯＨから
【０３３０】
【化８】
2005511730.tif 000021
【０３３１】
１１．５ミリモルのＤ−Ｎ（ＮＯ）−ＣＨ２−ＣＯＯＨを、２５ｍｌの（ＣＦ３ＣＯ)２Ｏで処理した。処理した後、溶液を僅かに暖めた。室温で約１時間放置した後、溶媒を真空除去した。次に残留物をクロロホルムで抽出し、１０％炭酸水素ナトリウム水溶液で充分洗浄した。クロロホルム溶媒を蒸発させ、粗製生成物を与えた。メタノールによる再結晶化により生成物を与えた。
【０３３２】
例７１
【０３３３】
【化９】
2005511730.tif 000022
【０３３４】
からＤ−ＮＨ−ＮＨ２
１５０ｍｌのアルコールと１００ｍｌの濃塩酸との混合物中に約３９ミリモルの上記生成物を入れた懸濁物を、油浴で還流するまで１５分間加熱した。溶液を更に約４５分間還流させ、次に蒸発させて濃縮した。残留物を約１３０ｍｌのイソプロパノールにより再結晶化し、Ｄ−ＮＨ−ＮＨ２ＨＣｌ（モノヒドラジノ高級ダイヤモンドイド塩酸塩）を与えた。
【０３３５】
ＨＣｌを含まない生成物Ｄ−ＮＨ−ＮＨ２を生成させるため、塩酸塩生成物を水中に溶解し、次に少量の飽和炭酸カリウム溶液を添加した。沈澱物を吸引濾過した。エーテルによる再結晶化により、Ｄ−ＮＨ−ＮＨ２の純粋な生成物を与えた。
【０３３６】
高級ダイヤモンドイドイルホスホン酸二塩化物［例えば、Ｄ−（ＰＯＣｌ２)ｎ］（ｎ＝１、２、３、４、…）の合成及び続く反応及びその誘導体
図１９は、高級ダイヤモンドイドイルホスホン酸二塩化物（例えば、Ｄ−ＰＯＣｌ２）の合成及びその後の反応及び対応する誘導体、例えば、Ｄ−ＰＨ２、Ｄ−ＰＯ（ＯＨ)２、等々のための幾つかの代表的経路を表している。
【０３３７】
例７２
Ｄ−ＢｒからＤ−ＰＯＣｌ２
０．１モルのＤ−Ｂｒ、４０ｇ（０．１５モル）のＡｌＢｒ３、及び２００ｍｌのＰＣｌ３を、撹拌しながら還流させながら約５時間加熱した。冷却し、濾過した後、残留物を１００ｍｌのベンゼンで洗浄し、３００ｍｌのＣＣｌ４中に懸濁し、氷で冷却しながら水で注意深く分解した。有機相を分離し、水で洗浄し、ＣａＣｌ２で乾燥し、真空中で濃縮した。残留物を蒸留し、アセトンにより再結晶化することにより生成物Ｄ−ＰＯＣｌ２の分離及び精製を行うことができた。
【０３３８】
例７３
Ｄ−ＰＯＣｌ２からＤ−ＰＯ（ＯＨ)２
方法Ａ：２０ミリモルのＤ−ＰＯＣｌ２を、１００ｍｌの水と一緒に、還流させながら約６時間加熱した。冷却後、水溶液を濾過し、残留物を氷酢酸により再結晶化し、生成物のＤ−ＰＯ（ＯＨ)２を与えた。
【０３３９】
方法Ｂ：０．１モルのＤ−ＰＯＣｌ２を１００ｍｌのエタノール中に入れ、２００ｍｌの濃塩酸で処理し、還流させながら約５時間加熱した。冷却及び濾過後、残留物を氷酢酸により数回再結晶化し、Ｄ−ＰＯ（ＯＨ)２の純粋な生成物を与えた。
【０３４０】
例７４
ＬｉＡｌＨ４による還元反応を経由したＤ−ＰＯＣｌ２からＤ−ＰＨ２
窒素中、１５０ｍｌの無水エーテル中に０．１モルのＤ−ＰＯＣｌ２を入れた溶液を、４００ｍｌの無水エーテル中に７ｇのＬｉＡｌＨ４を入れた懸濁物に、約２時間に亙り滴下した。添加後、混合物を更に１時間還流させながら撹拌した。過剰のＬｉＡｌＨ４を、約２００ｍｌの希釈塩酸を添加することにより分解した。有機相を分離し、水で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、窒素中で濃縮した。残留物を真空中、窒素下で精留し、生成物のＤ−ＰＨ２を与えた。
【０３４１】
例７５
Ｈ２Ｏ２による酸化反応を経由したＤ−ＰＨ２からＤ−Ｐ（ＯＨ)２
約５０ミリモルのＤ−ＰＨ２を、５０ｍｌの３０％過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と一緒に、反応が開始するまで約５０℃に注意して加熱した。次に反応混合物を水で１ 1/2へ希釈し、短時間沸騰させ、熱いうちに濾過した。冷却した後、生成物のＤ−Ｐ（ＯＨ)２を幾らか分離することができた。残留物をＣＨＣｌ３で抽出し、次に氷酢酸により再結晶化して更に幾らかの量の生成物を与えた。
【０３４２】
例７６
Ｄ−Ｐ（ＯＨ)２からＤ−ＰＣｌ２
０．０５モルのＤ−Ｐ（ＯＨ)２を、７５ｍｌのＰＣｌ３へ１０分以内で添加した。添加後、反応混合物を更に５分間撹拌した。生成した燐酸を分離除去し、残留物を真空中で濃縮し、蒸留して生成物のＤ−ＰＣｌ２を与えた。数回昇華させることにより精製を行い、純粋な試料を与え、分析することができた。
【０３４３】
例７７
Ｄ−ＰＣｌ２からＤ−Ｐ（ＯＨ)２
０．０１モルのＤ−ＰＣｌ２を、５０ｍｌの水中に入れ、室温で約１０時間撹拌した。次に混合物を濾過し、残留物をアセトニトリルにより数回再結晶化し、生成物のＤ−Ｐ（ＯＨ)２を与えた。
【０３４４】
高級ダイヤモンドイドに直接置換した硫黄含有誘導体
Ｄ−ＳＯＣｌ（高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸塩化物）のような硫黄含有誘導体を、低温でＡｌＣｌ３の存在下で、高級ダイヤモンドイドをＳＯＣｌ２で直接置換することにより製造した。これらの高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸塩化物により、高級ダイヤモンドイドに直接置換した種々の硫黄含有誘導体を製造した。図２０は、Ｄ−ＳＯＣｌ、Ｄ−ＳＨ、Ｄ−ＳＯ２Ｈ、及びＤ−ＳＯ２Ｃｌにより高級ダイヤモンドイドを誘導体化する幾つかの代表的経路を与えている。
【０３４５】
例７８
ＤからＤ−ＳＯＣｌ
４０ｇ（０．３モル）のＡｌＣｌ３及び２００ｍｌのＳＯＣｌ２を、０．３モルの高級ダイヤモンドイドと約２時間に亙り約−１５℃で反応させた。混合物をこの温度で更に１時間撹拌した。次に透明溶液を室温まで暖め、過剰のＳＯＣｌ２を真空除去した。残留物を３００ｍｌのＣＣｌ４中に取り込み、注意しながら水で分解した。有機相を分離し、水で洗浄し、ＣａＣｌ２で乾燥し、真空中で濃縮した。残留物を蒸留し、生成物のＤ−ＳＯＣｌを与えた。
【０３４６】
例７９
Ｄ−ＳＯＣｌから高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸エステル［例えば、Ｄ−ＳＯ２ＣＨ３］
０．１モルのＤ−ＳＯＣｌを、２００ｍｌの無水メタノールと一緒に約６時間還流させながら加熱した。次に溶媒を真空除去し、残留物を蒸留して生成物を与えた。真空中で昇華させることにより、更に精製を行うことができた。
【０３４７】
例８０
ＬｉＡｌＨ４を用いた還元反応によるＤ−ＳＯ２ＣＨ３からのＤ−ＳＨ
０．１モルのＬｉＡｌＨ４を１００ｍｌの無水エーテル中に懸濁させ、約１時間還流させながら加熱した。次に０．０２モルのＤ−ＳＯ２ＣＨ３を１００ｍｌの無水エーテル中に入れた溶液を、約２時間に亙り滴下した。還流させながら更に約１７時間撹拌した後、過剰のＬｉＡｌＨ４を飽和Ｎａ２ＳＯ４溶液で分解し、１００ｍｌの濃塩酸塩を添加した後、エーテル相を分離した。水性相をエーテルで更に２回洗浄した。抽出物を一緒にし、ＣａＣｌ２で乾燥し、真空中で濃縮した。残留物を昇華して、Ｄ−ＳＨを与えた。
【０３４８】
例８１
Ｄ−ＳＯＣｌからＤ−ＳＯ２Ｈ（高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸）
６５０ｍｌの５％水酸化ナトリウム溶液に、約０．２５モルのＤ−ＳＯＣｌ（粗製生成物）を室温で添加した。約５時間撹拌した後、温度を約５０℃に上昇させ、次に濾過した。塩素化生成物が残留物として残った。濾液を、氷で冷却しながら濃塩酸で酸性化し、水で数回抽出した。一緒にした抽出物を水で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮して乾燥生成物にした。アセトニトリルによる再結晶化により、生成物のＤ−ＳＯ２Ｈを与えた。
【０３４９】
例８２
Ｈ２Ｏ２を用いた酸化反応によるＤ−ＳＯ２Ｈ（高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸）からＤ−ＳＯ３Ｈ（高級ダイヤモンドイドイルスルホン酸）
５ミリモルのＤ−ＳＯ２Ｈを、１ｍｌの３０％過酸化水素を添加しながら、２５ｍｌの水中に懸濁した。次に混合物を水浴上で撹拌しながら加熱し、更に３ｍｌの３０％過酸化水素を３０分以内で滴下した。溶液を僅かな時間沸騰させ、濾過し、真空中で約３０℃で濃縮乾固させ、高級ダイヤモンドイドイルスルホン酸一水和物Ｄ−ＳＯ３Ｈ・Ｈ２Ｏを与えた。
【０３５０】
例８３
Ｄ−ＳＨからＤ−ＳＣ２Ｈ５
１００ｍｌのエタノール中に溶解した０．１モルのＤ−ＳＨを、８ｇ（０．２モル）のＮａＯＨを２００ｍｌの水中に入れた溶液へ、撹拌しながら添加し、１５．４ｇ（０．１モル）の硫酸ジエチルで約１時間５０℃で処理した。更に１時間還流させながら撹拌した後、反応混合物を冷却し、エーテルで数回抽出した。一緒にした抽出物を真空濃縮し、残留物をＣａＣｌ２上で蒸留し、生成物のＤ−ＳＣ２Ｈ５を与えた。
【０３５１】
例８４
Ｈ２Ｏ２を用いた酸化反応によるＤ−ＳＣ２Ｈ５からＤ−ＳＯ２Ｃ２Ｈ５
１００ｍｌの氷酢酸中に０．０５モルのＤ−ＳＣ２Ｈ５を、１７．５ｇ（０．１５モル）の３０％過酸化水素と共に還流するまで加熱した。還流させながら約１時間撹拌した後、反応混合物を氷上に注ぎ、濾過した。エタノール／水による再結晶化により、生成物のＤ−ＳＯ２Ｃ２Ｈ５を与えた。
【０３５２】
例８５
Ｄ−ＳＯ２Ｃ２Ｈ５からＤ−ＳＯ２Ｈ
０．０２モルのＤ−ＳＯ２Ｃ２Ｈ５及び１２ｇのＫＯＨを、３〜５滴の水と一緒に２５０℃へ加熱した。次にその温度を約４５分間で２７５℃へ上昇させ、それにより強いガスの発生が行われた。冷却後、混合物を少量の水中に溶解し、氷で冷却しながら濃塩酸で酸性にし、エーテルで数回抽出した。エーテル抽出物からの蒸留残留物は、アセトニトリルによる再結晶化の後、生成物のＤ−ＳＯ２Ｈを与えた。
【０３５３】
例８６
Ｄ−ＳＯ２ＨからＤ−ＳＯＣｌ
０．０５モルのＤ−ＳＯ２Ｈを、新たに蒸留した１００ｍｌのＳＯＣｌ２と共に、室温で一晩放置した。過剰のＳＯＣｌ２を真空除去し、残留物を蒸留し、それにより受容器中で生成物のＤ−ＳＯＣｌが固化した。
【０３５４】
例８７
Ｄ−ＳＯＣｌから高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸エステル［Ｄ−ＳＯ２Ｃ２Ｈ５］
２００〜３００ｍｌの無水アルコール及び７．９ｇ（０．１モル）のピリジンと一緒にした０．１モルのＤ−ＳＯＣｌを８〜１２時間還流加熱した。次に過剰のアルコールを真空除去し、残留物をエーテルと混合した。エーテル溶液を希釈塩酸及び水で２回洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮した。残留物を真空中で蒸留し、対応するエステルを与えた。
【０３５５】
例８８
Ｄ−ＳＯＣｌから高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸アミド［例えば、Ｄ−ＳＯＮＨ２又はＤ−ＳＯＮ（ＣＨ３)２］
４５ミリモルのＤ−ＳＯＣｌを、３００ｍｌの２５％アンモニア水又は１５０ｍｌの４０％ジメチルアミン水溶液と共に、撹拌しながら約２時間還流加熱した。次に反応混合物を真空中で濃縮乾固し、残留物をエーテルで抽出した。エーテル抽出物からの蒸留残留物を、シクロヘキサンにより再結晶化し、対応するアミドを与えた。
【０３５６】
例８９
Ｄ−ＳＯ２ＨからＤ−ＳＯ２Ｃｌ（高級ダイヤモンドイドイルスルホン酸塩化物）
２００ｍｌの水中に０．０５モルのＤ−ＳＯ２Ｈと２ｇ（０．０５モル）のＮａＯＨを入れた透明溶液中に、強い塩素ガス流を４５分以内で約５℃の温度上昇で導入した。濾過後、残留物をエーテルで抽出した。エーテル溶液を、塩素を含まなくなるまでＮａＨＳＯ３溶液で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、室温で真空中で濃縮乾固した。エタノールにより再結晶化により生成物のＤ−ＳＯ２Ｃｌを与えた。
【０３５７】
例９０
ＬｉＡｌＨ４を用いた還元反応によるＤ−ＳＯ２ＣｌからＤ−ＳＨ
１００ｍｌの無水エーテル中に０．０１モルのＤ−ＳＯ２Ｃｌを入れたものを、３ｇのＬｉＡｌＨ４を１００ｍｌの無水エーテル中に入れた懸濁物に、１時間以内で滴下した。添加後、反応混合物を還流させながら約３時間撹拌し、過剰のＬｉＡｌＨ４を希釈塩酸で分解した。有機相を分離し、ＭｇＳＯ４により乾燥し、濃縮した。残留物を数回昇華し、Ｄ−ＳＨを与えた。
【０３５８】
例９１
Ｄ−ＳＯ２ＣｌからＤ−ＳＯ２Ｈ
１０ミリモルのＤ−ＳＯ２Ｃｌ及び１００ｍｌの１０％水酸化ナトリウム溶液を、１ｇのピリジンを添加しながら約４時間水浴で加熱した。冷却し、濾過した後、濾液を濃塩酸で酸性にし、エーテルで一晩パーフォレートした(perforated)。エーテル抽出物をＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮してＤ−ＳＯ２Ｈを生成させた。
【０３５９】
例９２
Ｄ−ＳＯ２ＣｌからＤ−Ｃｌ
３０ｍｌの無水メタノール及び３ｇのピリジンと一緒に、２０ミリモルのＤ−ＳＯ２Ｃｌを、撹拌しながら５０℃で約４時間加熱した。次に、反応混合物を氷上に注ぎ、エーテルで抽出した。エーテル溶液を希釈塩酸で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮した。残留物を昇華してＤ−Ｃｌを与えた。
【０３６０】
例９３
Ｄ−ＳＯ２ＣｌからＤ−ＯＨ
１０ミリモルのＤ−ＳＯ２Ｃｌ及び１００ｍｌの２５％アンモニア水溶液を、水浴上で撹拌しながら約３時間加熱した。溶液を真空中で濃縮乾固し、残留物を昇華してＤ−ＯＨを与えた。
【０３６１】
例９４
ＫＭｎＯ４を用いた酸化反応による対応するスルフィン酸エステル及びアミド［例えば、Ｄ−ＳＯ２Ｃ２Ｈ５及びＤ−ＳＯＮ（ＣＨ３)２］から高級ダイヤモンドイドイルスルホン酸エステル及びアミド［例えば、Ｄ−ＳＯ２ＯＣ２Ｈ５及びＤ−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３)２］
０．０２モルの対応する高級ダイヤモンドイドイルスルフィン酸エステル又はアミドを、アセトン中にＫＭｎＯ４を入れた飽和溶液と一緒に１５０〜４００ｍｌのアセトン中で還流処理した。還流させながら３０分撹拌した後、反応混合物をＭｎＯ２から濾過し、残留物をアセトンで数回抽出した。次に一緒にした濾液を真空濃縮し、対応する高級ダイヤモンドイドイルスルホン酸エステル又はアミドを与えた。
【０３６２】
例９５
配合
次のものは、式Ｉの化合物を含有する代表的医薬配合物である。
【０３６３】
錠剤配合物
次の成分をよく混合し、一線入錠剤にプレスした。
一錠剤当たりの量
成分                                                      mg  
本発明の化合物                                           400
コーンスターチ(corn starch)                               50
クロスカルメロース  ナトリウム(croscarmellose sodium)     25
ラクトース                                               120
ステアリン酸マグネシウム                                   5  
【０３６４】
カプセル配合
次の成分をよく混合し、堅い殻のゼラチンカプセル中に入れた。
１カプセル当たりの量
成分                                      mg  
本発明の化合物                           200
ラクトース、噴霧乾燥                     148
ステアリン酸マグネシウム                   2  
【０３６５】
懸濁物配合
次の成分を混合し、経口投与のための懸濁物を形成した。
成分                                                      量    
本発明の化合物                                           1.0g
フマル酸                                                 0.5g
塩化ナトリウム                                           2.0g
メチルパラベン                                           0.15g
プロピルパラベン                                         0.05g
グラニュー糖                                            25.5g
ソルビトール（７０％溶液）                              12.85g
ビーガム(Veegum)Ｋ〔バンデルビルト社(Vanderbilt Co.)〕   1.0g
香料                                                     0.035ml
着色剤                                                   0.5mg
蒸留水                                               100mlにする量
【０３６６】
注射可能配合
次の成分を混合し、注射可能な配合物を形成した。
成分                                              量            
本発明の化合物                                   0.4mg
酢酸ナトリウム緩衝溶液                        0.4M  2.0ml
ＨＣｌ（１Ｎ）又はＮａＯＨ（１Ｎ）      適当なｐＨになるまでの量
水（蒸留、殺菌）                            20mlにする量        
【０３６７】
試験では、大人のＴ−細胞白血病を持つ患者からの細胞と一緒に培養された分離臍帯血リンパ球から誘導されたＭＴ−２細胞系、人のＴ−細胞白血病系を使用することができる。ＭＴ−２細胞系は、ＮＩＡＩＤ、国立衛生研究所のエイズ研究及び関連薬剤プログラム(AIDS Research and Reference Reagent Programme of the NIAID, NIH)（カタログ番号２３７、メリーランド州ベセスダの国立衛生研究所）から得ることができる。ＭＴ−２細胞系は、ＨＩＶ−１感染のための標的として用いて成功を収め、完全な細胞変性効果（ＣＰＥ）のために僅か４〜５日ありさえすればよかった。〔モンテフィオリ(Montefiori)その他、J. Clin. Microbiol, 26, 231-235 (1988)；パウエルズ(Pauwels)その他、J. Virol. Meth., 20, 309-321 (1988)；ハラダ(Harada)その他、Science, 229, 563-6 (1985)〕
【０３６８】
ＭＴ−２細胞系は、１０％のうし胎仔血清及び抗生物質を含有するＲＰＭＩ  １６４０中で増殖し、維持することができる。
【０３６９】
また、試験では、ＭＮ／Ｈ９（ＨＩＶ−１．ｓｕｂ．ＭＮ）（カタログ番号３１７）ウィルス及びＶＰ６を用いることができる。ＭＮ／Ｈ９は、エイズ保管所から得ることができる。ＨＩＶ−１のＡＺＴ抵抗性菌株（ＡＺＴＲ）（カタログ番号６２９）も、エイズ患者から分離され、ダグラス・リッチマン(Douglas Richman)により増殖されたものであるが、用いることができる。ＨＩＶ−１のＡＺＴ抵抗性菌株は、エイズ保管所から得ることもできる〔ラーダー(Larder)その他、Science, 243, 1731-1734 (1989)〕。ＶＰ６は、完全褐色エイズ及びカポジー肉腫に罹り、正常な植物性赤血球凝集素（ＰＨＡ）刺激ＰＢＭＣを有する患者からのＰＢＭＣを培養することにより得た一次ＨＩＶアイソレート(isolate)である。
【０３７０】
ウィルス感染細胞は、１０％のうし胎仔血清及び１０％インターロイキン−２を補充したＲＰＭＩ  １６４０培地で増殖することができる。細胞を含まない上澄み流体を、培養が最大感染力価を示した時に収集し、ウィルスストックとして用いることができる。ＡＺＴＲ及びＶＰ６ストックは、ＭＴ−２細胞で増殖することができる。ＭＮは、Ｈ９細胞で増殖することができる。細胞を含まないウィルスストックは、標準物（ＨＩＶリサーチ・プロトコル）によるものとして調製することができる。ウィルスストックは、組織培養に接種し、リード(Reed)及びミュンヒ(Muench)、Amer. J. Hyg., 27, 493-7 (1938)による培養の５０％で観察可能な効果を決定することにより組織培養感染投与量（５０％）ＴＣＩＤ５０により滴定することができる。
【０３７１】
細胞毒性検定
効果的な抗ウィルス医薬は、細胞に対し非毒性でなければならない。抗ウィルス検定は、最初試験候補物質が検定で用いられる細胞に対し細胞毒性を持たないことを確認しなければならない。ウィルスは複製するために細胞機構を用いなければならないので、細胞毒性化合物は定義によりウィルスを抑制する。用いたマイクロリットル細胞毒性検定は、テトラゾリウム塩ＭＴＴ（３［４，５−ジメチルチアゾール−２−イル］−２，５−ジフェニルテトラゾリウムブロミド）を減少し、青色生成物を形成する生きた細胞の能力に基づいている〔ターダー(Tada)Ｈその他、J. Immuno. Meth., 93, 157-165 (1986)；カルミカエル(Carmichael)その他、Cancer Research, 47, 936 (1987)〕。正確には、ＭＴ−２細胞が対数増殖期にある時、２×１０４個の細胞を、試験すべき希釈化合物の別々の１００μｌ部分と共に各ウエル(well)中に分布させる。試験化合物はエチルアルコール（ＥｔＯＨ）に可溶性である。エタノール及び培地を、エタノール対照として幾つかのウエルで細胞を接種する。細胞対照も含ませる（細胞及び培地だけが入ったウエル）。それらプレートを、５％ＣＯ２及び湿った条件下で３７℃で５日間培養する。各ウエルについてＭＴＴ検定により細胞生存率を決定する。試験化合物を含まない細胞のＯＤ５７０（５７０ｎｍでの光学密度）を死滅０％として取り、試験化合物を試験化合物と一緒にした細胞のＯＤ５７０と比較する。次に異なった化合物について毒性プロファイルを算定する。ＭＴＴ色素減少検定では、毒性はウエル中の黄色として示され、青色は化合物が非毒性であることを示しているものとする。
【０３７２】
試験化合物の毒性は、５００ｇ／ｍｌまでの濃度で試験された。
【０３７３】
抗ＨＩＶ検定
異なった試験化合物のストック溶液を、９６ウエル平底マイクロリットルプレート中の三つの複製ウエルに各希釈物の１００μｌを入れた時、ＲＰＭＩ培地中で２．５、５、１０、及び２０μｇ／ｍｌの最終濃度を与えるように大体希釈した。ＭＴ−２細胞に、Ｔｉ−２５フラスコ中でＨＩＶ−１／ＭＮの１００ＴＣＩＤ５０、ＡＺＴ抵抗性アイソレート、又はＶＰ６アイソレートを接種し、３７℃で２時間培養した。次に細胞を洗浄して残留遊離ウィルスを全て除去し、２×１０４個の細胞をウエルの各々に分布した。細胞対照だけは感染していない細胞を分布した。ウィルス対照ウエルは、感染させた細胞と培地だけが入っていた。それらプレートを５日間３７℃で培養した。ＨＩＶ−１誘発合胞体を４８時間後に観測した。画像を描くこともできる。５日後、最大ＣＰＥがウィルス対照ウエルで観察された時、ＭＴＴ検定を行い、次の式を適用することにより各試験化合物について防護％を計算した：
【０３７４】
【数１】
2005511730.tif 000023
【０３７５】
式中、（ＯＤτ）ＨＩＶは、試験化合物の与えられた濃度で処理したＨＩＶ感染細胞で測定された光学密度である；（ＯＤｃ）ＨＩＶは、対照未処理ＨＩＶ感染細胞について測定された光学密度である。（ＯＤｃ）模擬(mock)は、対照未処理模擬感染細胞について測定された光学密度である。全てのＯＤ値は、５７０ｎｍで決定された。前処理実験について、細胞を試験化合物と一緒に３７℃で１時間培養した後、ウィルスで感染させた。ウィルスを吸着させた後、これらの細胞を洗浄し、ウエルに試験化合物含有培地を補充した。検定の残りの部分を、上で述べたように継続した。画像を５日後にとることができた。これらの試験から防護％をプロットした。
【０３７６】
ウィルス中和検定
５０μｌの細胞を含まないウィルス（１００ＴＣＩＤ５０）を、５０μｌの異なった濃度の試験化合物と混合した。ウィルス・化合物混合物を３７℃で１時間培養し、次に６×１０４ＭＴ−２細胞／ウエルを含む９６ウエル平底マイクロ滴定プレートのウエルに入れた。それらのプレートを５％ＣＯ２湿潤雰囲気中で３７℃で５日間培養した。ＭＴＴ減少検定を５日後に行なった。中和パターンを検定した。
【０３７７】
本発明を、種々の特定の材料、手順、及び実施例に関連してここに記述し、例示してきたが、本発明は、材料の特定の材料組合せ及びその目的のために選択した手順に限定されるものではないことは分かるであろう。そのような詳細な点の多くの変更したものが、示唆されることは、当業者によって認められる通りである。
【図面の簡単な説明】
【０３７８】
【図１】図１は、ダイヤモンドイドの籠型構造及びそれらのダイヤモンドに対する関係を例示する図である。特にダイヤモンド結晶格子の構成単位に対するダイヤモンドイド構造の関係が例示されている。
【図２】図２は、四つのテトラアマンタンの番号付けを示し、代表的第二級、第三級、及び第四級炭素原子を示している。
【図３】図３は、高級ダイヤモンドイド含有留分及び官能性化することができる個々の高級ダイヤモンドイド成分の分離で用いられる種々の工程を表す工程図である。それら工程は、或る場合には異なった順序で用いられてもよく、実施例で論ずるように、省略することも可能であることに注意されたい。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明で用いられる種々の高級ダイヤモンドイドのＧＣ／ＭＳ及びＨＰＬＣ特性を編集した図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明で用いられる種々の高級ダイヤモンドイドのＧＣ／ＭＳ及びＨＰＬＣ特性を編集した図である。
【図５】図５は、高級ダイヤモンドイドの官能性化法の工程図である。
【図６】図６は、一次官能性化高級ダイヤモンドイド及びそれらから製造することができる幾つかの代表的二次官能性化物質を形成するための機構により分類された三つの主な反応を示す図である。
【図７】図７は、高級ダイヤモンドイドカルボカチオンが発生される代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図８】図８は、高級ダイヤモンドイドを、高級ダイヤモンドイドカルボカチオンを経て官能性化する代表的経路（ＳＮ１反応）を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図９】図９は、高級ダイヤモンドイドを、求電子置換反応を経て官能性化する代表的経路（ＳＥ２反応）を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１０】図１０は、臭素化高級ダイヤモンドイドを製造する代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１１】図１１は、塩素化高級ダイヤモンドイドを製造する代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１２】図１２は、ヒドロキシル化及びケト高級ダイヤモンドイドを製造する代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１３】図１３は、カルボキシル化、エステル化、及びカルボキサミド高級ダイヤモンドイドを、後の反応及びその誘導体と共に製造する代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１４】図１４は、アセトアミン化及びアミン化高級ダイヤモンドイド及びアミン塩化水素塩を製造する代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１５】図１５は、ニトロ高級ダイヤモンドイドを製造し、それらをアミン化高級ダイヤモンドイドへ転化する代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１６】図１６は、アルキル化、アルケニル化、アルキニル化、及びアリール化高級ダイヤモンドイドを製造しする代表的経路を示す図であり、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１７】図１７は、Ｄ−ＣＯＯＨから出発する代表的反応及び形成される対応する誘導体を示し、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１８】図１８は、Ｄ−ＮＨ２及びＤ−ＣＯＮＨ２から出発する代表的反応及び対応する誘導体を示し、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図１９】図１９は、Ｄ−ＰＯＣｌ２から出発する代表的反応及び対応する誘導体を示し、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図２０】図２０は、Ｄ−ＳＨ又はＤ−ＳＯＣｌから出発する代表的反応及び対応する誘導体を示し、Ｄは高級ダイヤモンドイド核である。
【図２１】図２１は、臭素化前に、例５で用いられる供給原料のＧＣ／ＭＳ全イオンクロマトグラムを例示する図である。
【図２２】図２２は、形成された一臭素化、二臭素化、及び三臭素化テトラアマンタン生成物（分子イオン３７１、４４７、及び５２７によって夫々特徴付けられている）を含めた、例５の臭素化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示す図である。
【図２３】図２３は、１２．０３８分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一臭素化テトラアマンタンの質量スペクトルである。このスペクトル中の基礎ピークは、ｍ／ｚ３７１分子イオンである。
【図２４】図２４は、１７．２７９分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する三臭素化テトラアマンタンの質量スペクトルである。このスペクトル中の基礎ピークは、ｍ／ｚ５２７分子イオンである。
【図２５】図２５は、例６のヒドロキシル化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示す図である。
【図２６】図２６は、１５．３２９分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一ヒドロキシル化テトラアマンタンの質量スペクトルである。
【図２７】図２７は、例７のアセトアミン化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示す図である。
【図２８】図２８は、１８．０９８分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一アセトアミン化テトラアマンタンの質量スペクトルである。
【図２９】図２９は、例８のアミン化生成物の全イオンクロマトグラム（ＴＩＣ）を示す図である。
【図３０】図３０は、１９．１０７分のＧＣ／ＭＳ保持時間を有する一アミン化テトラアマンタンの質量スペクトルである。
【図１】
2005511730.tif 000028
【図２】
2005511730.tif 000029
【図３】
2005511730.tif 000030
【図４Ａ−１】
2005511730.tif 000031
【図４Ａ−２】
2005511730.tif 000032
【図４Ｂ−１】
2005511730.tif 000033
【図４Ｂ−２】
2005511730.tif 000034
【図５】
2005511730.tif 000035
【図６】
2005511730.tif 000036
【図７】
2005511730.tif 000037
【図８】
2005511730.tif 000038
【図９】
2005511730.tif 000039
【図１０】
2005511730.tif 000040
【図１１】
2005511730.tif 000041
【図１２】
2005511730.tif 000042
【図１３】
2005511730.tif 000043
【図１４】
2005511730.tif 000044
【図１５】
2005511730.tif 000045
【図１６】
2005511730.tif 000046
【図１７】
2005511730.tif 000047
【図１８】
2005511730.tif 000048
【図１９】
2005511730.tif 000049
【図２０】
2005511730.tif 000050
【図２１】
2005511730.tif 000051
【図２２】
2005511730.tif 000052
【図２３】
2005511730.tif 000053
【図２４】
2005511730.tif 000054
【図２５】
2005511730.tif 000055
【図２６】
2005511730.tif 000056
【図２７】
2005511730.tif 000057
【図２８】
2005511730.tif 000058
【図２９】
2005511730.tif 000059
【図３０】
2005511730.tif 000060
【国際調査報告】
2005511730.tif 000061
2005511730.tif 000062