(57)【要約】【課題】支持ガラスを用いて多面取り用有機ＥＬ素子複合体を製造する際において、有機ＥＬ素子への悪影響のリスクが少なく、生産効率の低下や剥離不良の発生を防止することが可能な有機ＥＬ素子複合体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ素子複合体の製造方法は、複数の有機ＥＬ素子形成領域を有する多面取り用有機ＥＬ素子複合体を製造する方法であり、搭載ステップ、保護ステップおよびエッチングステップを含む。搭載ステップは、支持ガラス１２上に形成された有機ＥＬ素子複合体１０を支持ガラス１２が露出するように耐酸性を有するサポート基板５２に載置するステップである。保護ステップは、支持ガラス１２における複数の有機ＥＬ素子形成領域の外周側からサポート基板５２までを耐エッチング性シール剤５４で被覆することで固定する。エッチングステップは、支持ガラス１２をエッチング処理によって除去する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機ＥＬ素子形成領域を有する多面取り用有機ＥＬ素子複合体を製造する方法であって、
有機樹脂膜層、パッシベーション層、および有機ＥＬ素子層を少なくとも含む積層構造体であって支持ガラス上に形成された積層構造体を前記支持ガラスが露出するように耐エッチング性を有するサポート基板に載置する搭載ステップと、
前記支持ガラスにおける前記複数の有機ＥＬ素子形成領域の外周側から前記サポート基板までを耐エッチング剤で被覆することで固定する保護ステップと、
前記支持ガラスをエッチング処理によって除去するエッチングステップと、
を少なくとも含む多面取り用有機ＥＬ素子複合体の製造方法。
【請求項２】
前記パッシベーション層は、電気絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、および、無機酸化窒化物からなる群より選択される１種または２種以上を用いて形成されており、
前記エッチングステップにおけるエッチング液が、支持ガラスおよび前記パッシベーション層等の無機物は溶解するが、有機樹脂膜は溶解しないエッチング液であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子複合体の製造方法。
【請求項３】
前記積層構造体は、前記パッシベーション層が前記有機樹脂膜層からはみ出して前記支持ガラスに接触するように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子複合体の製造方法。
【請求項４】
前記サポート基板が凹状を呈しており、前記支持ガラスと前記サポート基板の壁面が前記耐エッチング剤によって固定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子複合体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の有機ＥＬ素子形成領域を有する多面取り用有機ＥＬ素子複合体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディススプレイを使用した表示装置は様々な用途において使用されている。特に、近年ではデザイン性の観点からフレキシブルディスプレイが注目されている。フレキシブルディスプレイを製造する際は、湾曲化に対応しやすい有機ＥＬディスプレイが採用されることが多い。
【０００３】
従来の有機ＥＬディスプレイは、キャップガラス等のガラス基板を利用して有機ＥＬ素子を封止していた。ガラス基板によって有機ＥＬ素子の気密性および水密性を保ち、酸素や水分による素子の劣化を防止していた。しかし、更なる薄型化や上記のような湾曲化の要請により、近年では樹脂基板を利用した有機ＥＬディスプレイが開発されている。樹脂基板は、ガラス基板と比較して可撓性が高く、湾曲しても破損しにくく、無機膜と有機膜の積層構造により表示素子を封止することにより、ガラス基板と同等程度のガスバリア性を達成することが可能であるとされていた。
【０００４】
しかし、湾曲可能な程度まで薄く形成された樹脂基板は、製造工程における取り扱いが非常に困難であり、その結果、歩留まりが悪化する原因になることがあった。そこで、従来では、ポリイミド等の有機樹脂膜を支持ガラス上に形成し、製造工程時の取り扱いを容易にしていた。支持ガラスによって基板全体の剛性を確保した状態で有機樹脂膜に機能膜等の表示素子を形成し、封止処理を行った後に、支持ガラスから有機樹脂膜を剥離していた（例えば、特許文献１参照。）。支持ガラスから有機樹脂膜を剥離する作業は、あらかじめ支持ガラスと有機樹脂膜の間に形成しておいた剥離層をレーザ装置によって除去することで行われていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−００４１１２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の方法では支持ガラスを剥離する際のレーザの照射により、有機ＥＬ素子に悪影響を与えるおそれがあった。また、エキシマレーザ等の高価の製造装置を導入する必要があり、生産コストが増大する傾向があった。
【０００７】
特に、近年では多数の有機ＥＬ素子領域を有する多面取り用有機ＥＬ素子複合体から効果的に支持ガラスを剥離する必要が生じることがあるが、多面取り用有機ＥＬ素子複合体の面積が大きくなればなるほどレーザの照射面積が増加してしまう。このため、レーザ剥離の生産効率が低下したり、剥離不良が起きたりするといった問題が発生し易かった。
【０００８】
本発明の目的は、支持ガラスを用いて多面取り用有機ＥＬ素子複合体を製造する際において、有機ＥＬ素子への悪影響のリスクが少なく、生産効率の低下や剥離不良の発生を防止することが可能な有機ＥＬ素子複合体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る有機ＥＬ素子複合体の製造方法は、複数の有機ＥＬ素子形成領域を有する多面取り用有機ＥＬ素子複合体を製造する方法である。この有機ＥＬ素子複合体の製造方法は、搭載ステップ、保護ステップおよびエッチングステップを少なくとも含んでいる。
【００１０】
搭載ステップは、有機樹脂膜層、パッシベーション層、および有機ＥＬ素子層を少なくとも含む積層構造体であって支持ガラス上に形成された積層構造体を支持ガラスが露出するように耐エッチング性を有するサポート基板に載置する工程である。
【００１１】
保護ステップは、支持ガラスにおける複数の有機ＥＬ素子形成領域の外周側からサポート基板までを耐エッチング剤で被覆することで、積層構造体とサポート基板を固定する工程である。耐エッチング剤としては、エッチング液への耐性を有するシーリング剤やホットメルト剤を使用することができる。保護ステップでは、エッチング処理時に積層構造体が汚損しないように耐エッチング剤とサポート基板を用いて積層構造体を封止する。
【００１２】
エッチングステップは、支持ガラスをエッチング処理によって除去する工程である。エッチング処理は、ウェットエッチングを利用することが好ましい。エッチング液の一例としては、フッ酸のような支持ガラス等の無機物の溶解が可能である一方で、有機樹脂膜等の有機物を溶解しないエッチング液が挙げられる。
【００１３】
本発明では、有機ＥＬ素子形成領域よりも外周側の支持ガラスが耐エッチング剤によって保護されているため、エッチングステップ後も積層構造体の外周側に支持ガラスが残っている。このため、積層構造体はエッチングステップ後も剛性の低下が抑制されるので、後工程における取り扱いが容易になる。
【００１４】
さらに、このような有機ＥＬ素子複合体の製造方法においては、有機ＥＬ素子形成領域の外側が支持ガラスで被覆されているため、有機樹脂膜の外側にはみ出した層がエッチング液によって曝されるおそれもない。例えば、パッシベーション層は、成膜工程の都合上、有機樹脂膜の外側にはみ出すことがある。パッシベーション層は、窒化シリコン等の無機材料によって構成されることが多いため、パッシベーション層が露出すると、エッチング液がパッシベーション層を溶解し、有機ＥＬ素子形成領域に到達してしまう（後述する図４（Ａ）および図４（Ｂ）に係る比較例を参照。）。
【００１５】
本発明では、積層構造体の各層の端面を厳密に同一平面上に配置させなくとも、有機ＥＬ素子複合体から好適に支持ガラスを除去することが可能になる。特に、有機ＥＬ素子形成領域を適切に保護したうえでエッチング処理を行っているため、支持ガラスを除去する際に、有機ＥＬ素子が劣化するおそれがない。また、エッチング処理は、支持ガラスの全面を均一に溶かすため、支持ガラスのサイズが大型化しても生産効率が落ちることがない。
【００１６】
上述の有機ＥＬ素子複合体の製造方法において、パッシベーション層は、電気絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、および、無機酸化窒化物からなる群より選択される１種または２種以上を用いて形成される一方で、エッチングステップにおけるエッチング液が、支持ガラスおよびパッシベーション層等の無機物は溶解するが、有機樹脂膜は溶解しないエッチング液であることが好ましい。このようなエッチング液を採用することにより、支持ガラスが全て溶解し、有機樹脂膜が露出してエッチング液に接触する場合においても、有機樹脂膜が汚損することもない。エッチング液としては、フッ酸や必要に応じて塩酸や硫酸等の無機酸を含むものを使用することが好ましい。
【００１７】
また、サポート基板は、凹状を呈するものを使用することが好ましい。このような形状のサポート基板を使用する際は、積層構造体を凹部内に載置し、支持ガラスと凹部の壁面を耐エッチング剤で被覆することが好ましい。耐エッチング剤とサポート基板の壁面によって積層構造体を効果的に保護することが可能になる。また、凹部の壁面の高さを載置された支持ガラスと同程度の高さに設定することにより、耐エッチング剤の塗布が容易になる。
【００１８】
積層構造体が、パッシベーション層が有機樹脂膜層からはみ出して支持ガラスに接触するように構成される場合には、本発明に係る有機ＥＬ素子複合体の製造方法の作用効果が特に顕著になる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、支持ガラスを用いて多面取り用有機ＥＬ素子複合体を製造する際において、有機ＥＬ素子への悪影響のリスクを少なくし、かつ、生産効率の低下や剥離不良の発生を防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子複合体の概略構成を示す図である。
【図２】有機ＥＬ素子複合体の保護プロセスを説明する図である。
【図３】有機ＥＬ素子複合体を支持ガラスから剥離するプロセスを説明する図である。
【図４】有機ＥＬ素子複合体を支持ガラスから剥離するプロセスの比較例を示す図である。
【図５】有機ＥＬ素子複合体に対するエッチング処理の一例を示す図である。
【図６】有機ＥＬ素子複合体を支持ガラスから剥離する別のプロセスを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態である多面取り用の有機ＥＬ素子複合体１０の概略を示している。この図に示すように、有機ＥＬ素子複合体１０は、支持ガラス１２の主面上に形成されており、ポリイミド層１４、パッシベーション層１６、有機ＥＬ素子層１８、および封止層２０を備えている。
【００２２】
支持ガラス１２は、３００〜７００μmの厚みを有するガラス基板である。支持ガラス１２としては、無アルカリガラスやソーダガラスを使用することができるが、特に限定されない。
【００２３】
ポリイミド層１４は、支持ガラス１２の主面上に、５〜５０μm程度の厚みになるように構成される。ポリイミド層１４は、ジメチルアセトアミドやメチルピロリドン等の溶媒で溶解されたポリイミド前駆体が、支持ガラス１２上にスリットコータやロールコータ等の塗布装置によって塗布されて、その後、所定温度まで昇温された乾燥炉内に投入されることによって形成される。支持ガラス１２上にポリイミド層１４を塗布する前に密着力を増加させるためのプライマ層やエッチング処理時に有機ＥＬ素子への影響を防止するためのバリア層を形成しても良い。本実施形態では、有機樹脂膜としてポリイミドを使用しているが、有機ＥＬ素子層の成膜プロセスの処理温度に耐えられる樹脂膜であれば、特に制限はない。
【００２４】
パッシベーション層１６は、蒸着等の手法によって、ポリイミド層１４上に形成される。パッシベーション層１６は、電気絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、および、無機酸化窒化物からなる群より選択される１種または２種以上を用いて形成される。半導体のパッシベーション膜として窒化シリコン膜等を用いることは一般的であるが、この実施形態のように有機ＥＬ素子複合体１０に適用するためには、有機ＥＬ素子にダメージを与えない低温で成膜できる特性を有することが好ましい。
【００２５】
有機ＥＬ素子層１８には、透明電極層および発光層等が順次積層されている。透明電極層としては、公知の低温ポリシリコン膜を形成することが好ましい。発光層は、正孔輸送層、有機ＥＬ素子、電子輸送層等の機能層が含まれる。本実施形態では、低温ポリシリコン膜をスパッタリング等の公知の方法でポリイミド層１４上に形成している。透明電極層の上部には、発光層が形成されている。発光層は、有機材料を蒸着方式やインクジェット方式等の公知の手段を用いて形成することが可能である。なお、発光層は、有機材料による発光層だけではなく、正孔輸送層や電子輸送層も含まれており、本実施形態では透明電極層上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層が順次積層されている。
【００２６】
封止層２０は、少なくとも有機ＥＬ素子層１８を被覆し、有機ＥＬ素子等が外気の水分や酸素に曝されて劣化することを防止するように構成される。封止層２０は、ガスバリア性を有する樹脂膜であり、有機ＥＬ素子層１８の気密性および水密性を保つように構成される。封止層２０は無機膜および有機膜を交互に積層することによって、より効果的に有機ＥＬ素子層１８を保護することが可能である。通常、封止層２０は、組成の異なる樹脂膜が積層されることによって形成される。
【００２７】
本実施形態では、５層の封止層によって薄膜封止を行っているが、封止層２０の構成は適宜変更することが可能である。封止層２０における無機膜としては、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化炭素、窒化炭素、酸化アルミニウム等を使用することができる。有機膜としては、ポリエステル、メタクリル、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、シクロオレフィルンコポリマー、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等を使用することができる。なお、これらの封止層は、表示装置の視認性を確保するために全光透過率が９０％以上であることが好ましい。
【００２８】
続いて、上述の有機ＥＬ素子複合体１０を支持ガラス１２から剥離する方法について説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、支持ガラス１２上に形成された、ポリイミド層１４、パッシベーション層１６、有機ＥＬ素子層１８、および封止層２０からなる積層構造体を覆うように保護フィルム５０を貼り付ける。保護フィルム５０で被覆することによって、エッチング処理時や後工程において有機ＥＬ素子複合体１０への異物の付着を防止する。保護フィルム５０は、エッチング処理後またはその他の最良のタイミングで剥離するため、密着力の弱いフィルムを使用することが好ましい。保護フィルム５０の密着力としては、０．０５Ｎ/２５ｍｍ以下が好ましい。保護フィルム５０の密着性が強すぎると、エッチング後に保護フィルム５０を剥離する際に有機ＥＬ素子層１８が同時に剥がれてしまうおそれがある。万が一、剥離時に有機ＥＬ素子層１８に負荷がかかる場合は、封止層２０と保護フィルム５０の間に剥離シート（不図示）を配置しても良い。剥離シートとしては、密着力がないフィルム状のシートを使用することができる。剥離シートを配置する場合は、有機ＥＬ素子複合体１０の中央部のみに配置し、周縁部は封止層２０と保護フィルム５０が密着するようにする。また、保護フィルム以外にも有機ＥＬ素子複合体１０を保護するための、レジスト材等の保護材を塗布しても良い。
【００２９】
続いて、図２（Ｂ）に示すように、支持ガラス１２が露出するように有機ＥＬ素子複合体１０をサポート基板５２に載置する。サポート基板５２としては、耐エッチング性を有する樹脂で構成されるか、耐エッチング性を備えたコーティング剤で表面が被覆された樹脂基板を使用する。本実施形態ではエッチング処理でフッ酸を含むエッチング液を使用するため、ポリ塩化ビニル樹脂で形成されたサポート基板５２を使用している。また、これ以外にもテフロン（登録商標）で被覆された樹脂基板を使用することもできる。サポート基板５２は、中心部が凹状を呈する基板であり、凹部内に有機ＥＬ素子複合体１０が載置される。
【００３０】
さらに、支持ガラス１２の外周部からサポート基板５２の壁面までを耐エッチング性シール剤５４で被覆する（図２（Ｃ）参照。）。支持ガラス１２を被覆する際は、有機ＥＬ素子層１８が形成されている領域よりも外側が保護されるように構成される。支持ガラス１２からサポート基板５２まで耐エッチング性シール剤５４が連続するように保護することにより、有機ＥＬ素子複合体１０をサポート基板５２に固定することができる。また、サポート基板５２の壁面の高さを支持ガラス１２と同程度の高さに設定することにより、耐エッチング性シール剤５４の塗布が容易になる。支持ガラス１２のすべての外周部に耐エッチング性シール剤５４を塗布することにより、有機ＥＬ素子複合体１０の側面も封止されるので、有機ＥＬ素子複合体１０の周縁部をエッチング液から好適に保護することができる。
【００３１】
耐エッチング性シール剤５４は、少なくともエッチング液への耐性を有しており、支持ガラス１２やサポート基板５２への高い密着性を備えているものを使用することが好ましい。耐エッチング性シール剤５４の一例としては、旭化学合成株式会社のアサヒタックＳＧシリーズが挙げられる。また、これには限定されず、耐エッチング性を有するホットメルトやレジスト材を使用することも可能である。
【００３２】
その後、図３（Ａ）に示すように、エッチング処理によって支持ガラス１２を有機ＥＬ素子複合体１０から除去する。エッチング処理としては、エッチング液を用いたウェットエッチングを行うことが好ましい。エッチング液は、少なくともフッ酸を含んでおり、必要に応じて、塩酸等の無機酸や界面活性剤を添加しても良い。エッチング処理は、支持ガラス１２を徐々に溶解していき、最終的に有機ＥＬ素子形成領域のポリイミド層１４が露出するまで行われる。ポリイミド層１４は、エッチング液への耐性を有しているため、支持ガラス１２が除去されてポリイミド層１４が露出したとしても、ポリイミド層１４がエッチング液によって汚損するおそれはない。
【００３３】
支持ガラス１２に対するエッチング処理が終了した後は、図３（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子複合体１０をサポート基板５２から取り出す。サポート基板５２から取り出す際は、耐エッチング性シール剤５４を支持ガラス１２から剥離する。耐エッチング性シール剤５４は、物理的な力を加えることによって剥離することが可能である。
【００３４】
エッチング処理において、有機ＥＬ素子複合体１０の周縁部は耐エッチング性シール剤５４で保護されているため、エッチング処理後も支持ガラス１２が有機ＥＬ素子形成領域の外側に残っている。なお、支持ガラス１２のエッチングは、等方的に進行するため、支持ガラス１２が耐エッチング性シール剤５４の縁より延出することがある。このため、有機ＥＬ素子形成領域上の支持ガラス１２がすべて溶解するまでエッチング処理が行われる。
【００３５】
有機ＥＬ素子複合体１０は、支持ガラス１２を残したまま、後工程において処理することが可能である。有機ＥＬ素子複合体１０は、数十μｍ程度の厚みになることもあり、支持ガラス１２が完全に除去されると、屈曲しやすくなる。有機ＥＬ素子複合体１０は、支持ガラス１２の剥離後も後工程において処理されるため、板厚が薄すぎると、取り扱いが難しくなる。本発明に係る実施形態では、エッチング処理後も、有機ＥＬ素子複合体１０の周縁部が支持ガラス１２によって補強されているため、剛性の低下を抑制することが可能になる。
【００３６】
支持ガラス１２は、後工程における必要なタイミングで除去することが可能である。支持ガラス１２を除去する際は、図３（Ｃ）に示すように、支持ガラス１２が残っている領域を有機ＥＬ素子複合体１０と共に切断する。この周縁領域は、最終製品としては使用されない領域であるため、支持ガラス１２と共に除去しても問題ない。切断処理は、レーザやスクライブ装置を用いて行うことができる。上述の有機ＥＬ素子複合体１０の製造方法を用いることにより、有機ＥＬ素子層１８の汚損を防止しつつ、大判の多面取り用の有機ＥＬ素子複合体１０を効率良く製造することが可能になる。
【００３７】
また、本発明の実施形態では、周縁部の支持ガラス１２によってパッシベーション層１６が被覆されているため、ポリイミド層１４からパッシベーション層１６がはみ出すように構成された積層構造体においてもパッシベーション層１６や有機ＥＬ素子層１８が汚損することなくエッチング処理を行うことが可能になる。
【００３８】
ここから、有機ＥＬ素子層１８の汚損防止について、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す比較例を用いて説明する。この比較例では、耐エッチング性を有する保護フィルム５０１によって積層構造体を保護した後にエッチング処理を行っている。しかし、積層構造体を構成する各層の端面は必ずしも同一平面上に位置するわけではなく、成膜工程上の都合により一部の層が他の層よりも外側にはみ出すことがある。例えば、図４（Ａ）に示す例では、パッシベーション層１６がポリイミド層１４の外側まではみ出している。ポリイミド層１４は、支持ガラス１２を溶解するためのエッチング液によって溶解することはないが、無機窒化物等で構成されるパッシベーション層１６は、支持ガラス１２を溶解するためのエッチング液によって溶解されてしまう。このため、図４（Ｂ）に示すように、パッシベーション層１６を介してエッチング液が有機ＥＬ素子層１８に到達してしまい、有機ＥＬ素子層１８が汚損してしまうことがあった。
【００３９】
これに対して、本発明の実施形態では、複数の有機ＥＬ素子形成領域の外側（正確には、もっとも外側に配置された有機ＥＬ素子領域のさらに外側）が支持ガラス１２と耐エッチング性シール剤５４によって被覆されているため、一部の層の溶解が原因でエッチング液が有機ＥＬ素子層１８における有機ＥＬ素子に到達することを防止できる。
【００４０】
続いて、有機ＥＬ素子複合体１０に対してエッチング処理を行う手法の一例を説明する。ここでは、スプレイ式のエッチング処理を行う例を説明するが、エッチング処理は後述する手法に限定されるものではなく、適宜最適なエッチング手法を選択することが可能である。図５（Ａ）は、枚葉式のスプレイエッチング装置７０の概略構成を示している。エッチング装置７０は、少なくとも搬送ローラ３２およびスプレーユニット３４を有している。搬送ローラ３２は、エッチング装置７０の長さ方向に沿って配置されており、有機ＥＬ素子複合体１０を搬送するように構成される。有機ＥＬ素子複合体１０をエッチング装置７０に投入する際は、図５（Ｂ）に示すように、サポート基板５２を搬送ローラ３２に載置する。
【００４１】
スプレーユニット３４は、少なくとも搬送ローラ３２の上方向に配置されており、支持ガラス１２に向かってエッチング液を噴射するように構成される。スプレーユニット３４は、支持ガラス１２に対して均一にエッチング液を噴射するように複数の噴射ノズルを有している。エッチング液としては、支持ガラス１２は溶解するが、ポリイミド層１４は溶解しないものが好ましい。本実施形態では、少なくともフッ酸を含むエッチング液を使用しているが、フッ酸以外にも必要に応じて塩酸等の無機酸や界面活性剤が添加されていても良い。
【００４２】
なお、エッチング装置の搬入部と搬出部に近い位置に配置されている洗浄チャンバでは、搬送ローラ３２の上下に配置されているスプレーユニット３４からは洗浄液が噴射され、有機ＥＬ素子複合体１０を洗浄するように構成されることが好ましい。本実施形態の洗浄液は、市水を使用しているが、これには限定されない。
【００４３】
エッチング装置７０に投入された有機ＥＬ素子複合体１０は、搬送ローラ３２によって水平方向に搬送されながら、スプレーユニット３４から噴射されるエッチング液によってエッチングされる。サポート基板５２を使用することで、エッチング処理で有機ＥＬ素子複合体１０が薄型化されて屈曲しやすい状態になったとしても、安定して搬送することが可能になる。さらに、有機ＥＬ素子複合体１０が、搬送ローラ３２と接触することなく、エッチング処理を行うことができる。ポリイミド層１４や封止層２０等の有機ＥＬ素子複合体１０の構成要素が搬送ローラ３２に接触すると、接触痕がついてしまうことがあり、光学特性に影響を及ぼすおそれがある。サポート基板５２を使用することで、有機ＥＬ素子複合体１０をエッチング装置７０と接触させることなくエッチング処理を行うことができる。
【００４４】
支持ガラス１２は徐々に薄型化されて、図３（Ａ）に示すようにポリイミド層１４が露出するまでエッチングされる。エッチング処理の際は、有機ＥＬ素子形成領域上の支持ガラス１２がすべてエッチングされるタイミングと有機ＥＬ素子複合体１０がエッチング装置７０から搬出されるタイミングが同程度になるように、エッチング液のフッ酸濃度、噴射圧力や搬送速度を適宜調整することが好ましい。
【００４５】
ポリイミド層１４は、フッ酸に対する耐性と高いガスバリア性を有しているため、ポリイミド層１４が露出した状態でエッチング処理がしばらく継続されたとしても、ポリイミド層１４が汚損することはなく、有機ＥＬ素子層１８も保護される。しかし、それでも表示素子が劣化するおそれがある場合は、支持ガラス１２とポリイミド層１４の間にバリア層を形成することを検討しても良い。バリア層とポリイミド層１４の積層構造により、より確実に有機ＥＬ素子層１８を保護することができる。バリア層は、ポリイミド前駆体の塗布前に支持ガラス１２の主面上に形成することができる。
【００４６】
保護フィルム５０はエッチング処理が行われた後、またはその他の最良なタイミングにおいて剥離すると良い。保護フィルム５０は、物理的な力を加えることによって剥離することが可能である。また、レジスト材を使用する場合は、剥離液に浸漬して剥離することができる。剥離液は、有機ＥＬ素子層１８に物理的なダメージを与えるおそれは少ないが、剥離液が表示素子に影響を及ぼさないように短時間で処理すべきである。
【００４７】
上述したように、有機ＥＬ素子複合体１０は、多面取りを行うために複数の有機ＥＬ素子領域を有している。このため、エッチング処理後には、有機ＥＬ素子複合体１０を複数の有機ＥＬパネルに分断する処理を行う。分断処理は、スクライブ装置やレーザ装置等を使用することが可能である。また、この分断処理も支持ガラス１２が周縁部に残っている状態で行っても問題はない。
【００４８】
また、上述の実施形態では、凹状を呈するサポート基板５２を使用したが、サポート基板の形状は適宜変更することができる。例えば、図６（Ａ）に示すような平面形状のサポート基板５２を使用しても良い。サポート基板５２は、有機ＥＬ素子複合体１０よりも一回り大きく、サポート基板５２の主面上に支持ガラス１２が露出するように有機ＥＬ素子複合体１０が載置される。有機ＥＬ素子複合体１０にサポート基板５２に固定する際は、耐エッチング性シール剤５４を有機ＥＬ素子形成領域の外側の支持ガラス１２からサポート基板５２まで塗布する。耐エッチング性シール剤５４を有機ＥＬ素子複合体１０の外周部に塗布することにより、支持ガラス１２および積層構造体の側面部の保護も行うことができる。なお、耐エッチング性シール剤５４の塗布には、シリンジ等の公知の塗布装置を利用することが可能である。エッチング処理も、上述のようなエッチング装置７０を使用することにより、図６（Ｂ）に示すように支持ガラス１２を除去することが可能である。エッチング処理後は、製造プロセスにおける最適なタイミングで、支持ガラス１２を含む周縁部を切断すれば良い。
【００４９】
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５０】
１０‐有機ＥＬ素子複合体
１２‐支持ガラス
１４‐ポリイミド層
１６‐パッシベーション層
１８‐有機ＥＬ素子層
２０‐封止層
５０‐保護フィルム
５２‐サポート基板
５４‐耐エッチング性シール剤
【図１】
2018073773.tif 000003
【図２】
2018073773.tif 000004
【図３】
2018073773.tif 000005
【図４】
2018073773.tif 000006
【図５】
2018073773.tif 000007
【図６】
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