(57)【要約】微分干渉コントラスト顕微鏡１２を使用する基板サンプル２４の表面品質を決定するための方法が、記載される。顕微鏡は、アイピース１９、アイピース焦点調整部、顕微鏡焦点調整部、光源１４、絞りまたはレチクル２０の少なくとも１つ、カメラ視野、プリズム２２、および、アイピースを含む。方法は、カメラ１８の焦点を使用してアイピースの焦点を較正する工程、および、顕微鏡の微分ビーム間の位相の差の調整を介して顕微鏡に対するピーク応答比を決定する工程を含む。基板サンプルは、顕微鏡下に設置され、光源で照明され、顕微鏡の焦点に合焦される。基板サンプル上の表面構造のレベルを決定するために、微分ビーム間の位相が調整され、基板サンプルの少なくとも１つの画像が、取り込まれ、処理される。
2005527820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイピース（１９）と、アイピース焦点調整部と、顕微鏡焦点調整部と、光源（１４）と、絞りまたはレチクル（２０）の少なくとも１つと、カメラ視野と、プリズム（２２）と、参照サンプルと、微分干渉光学機器と、を有する微分干渉コントラスト顕微鏡（１２）を使用する基板サンプル（２４）の表面品質を決定するための方法であって、
カメラ（１８）の焦点とともに前記アイピースの焦点を較正する工程（１５２）と、
前記顕微鏡の微分ビーム間の位相の調整を介して前記顕微鏡に対するピーク応答比を決定する工程（１５４）と、
前記顕微鏡下に前記基板サンプルを設置する工程（１５６）と、
前記光源を使用して前記基板サンプルを照明する工程（１５８）と、
前記顕微鏡の焦点で前記基板サンプル上に合焦させる工程（１６０）と、
前記ピーク応答比を達成するために前記微分ビーム間の位相を調整する工程（１６２）と、
前記基板サンプルの少なくとも１つの画像を取り込む工程（１６４）と、
前記基板サンプル上の表面構造のレベルを決定するために前記基板サンプルの前記画像を処理する工程（１６６）と、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記アイピース（１９）および前記カメラ（１８）の前記焦点を較正する前記工程（１５２）は、
参照サンプルのエッジが前記カメラの視野内に位置するように、顕微鏡（１２）内に前記参照サンプルを設置する工程と、
前記カメラ視野および前記顕微鏡焦点を使用して、前記参照サンプルの表面のエッジ上に合焦させる工程と、
前記アイピースの視界に切り換える工程と、
前記顕微鏡の絞りのエッジとレチクル（２０）の少なくとも１つに合焦するように、前記アイピースの焦点を調整する工程と、
を含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記アイピース（１９）および前記カメラ（１８）の前記焦点を較正する前記工程（１５２）は、
前記参照サンプルのエッジが前記カメラの前記視野内に位置されるように、前記顕微鏡（１２）内に前記参照サンプルを設置する工程と、
前記カメラ視野および前記顕微鏡焦点を使用して前記参照サンプルの前記表面の前記エッジ上に合焦させる工程と、
前記顕微鏡のカメラ視野微小焦点設定を記録する工程と、
前記アイピースの視野に切り換える工程と、
前記顕微鏡の前記絞りの前記エッジと前記レチクルの少なくとも１つに合焦するように、前記顕微鏡の微小焦点を調整する工程と、
前記顕微鏡の前記アイピース視野の微小焦点設定を記録する工程と、
前記カメラ視野の微小焦点設定と前記アイピース視野の微小焦点設定の間の差として肉眼／カメラの焦点のずれを算出する工程と、
前記基板サンプル（２４）のエッジ上のいくつかの異なる位置に対して、前記調整、前記記録、および、前記算出の工程を反復する工程と、
前記記録された結果を平均化する工程と、
前記肉眼および前記カメラ焦点の前記ずれを記録する工程と、
を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記微分ビーム間の前記位相を調整する工程（１６２）は、
前記プリズム（２２）と前記参照サンプルの傾きの少なくとも１つを複数の位置に調整する工程と、
前記複数の位置の各々における画像を観察する工程と、
どの位置が最善の構造コントラストを提供するかを決定する工程と、
その場所における露光時間および画素値中央傾向を記録する工程と、
前記露光時間に対する前記画素値の中央傾向の比であるピーク応答比を決定する工程と、
を含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記異なるビーム間の前記位相を調整する工程は、前記露光時間に対する前記画素値の中央傾向の比が前記ピーク応答比に近似的に等しくなるように、前記プリズム（２２）と前期基板サンプル（２４）の傾きの少なくとも１つをある位置に調整する工程を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記微分ビーム間の位相を較正する工程は、
前記プリズム（２２）と前記参照サンプルの傾きの少なくとも１つを複数の位置に調整する工程と、
前記プリズムおよび前記参照サンプルの前記傾きの前記複数の位置の各々に対して前記参照サンプルの画像を取り込む工程と、
各画像に対する強度に対応する画素値の中央傾向を決定する工程と、
取り込まれた画像に対して画像強度最小値および画像強度最大値を決定する工程と、
前記参照画像の強度の範囲の中間点に対応する中央傾向を決定する工程と、
前記露光時間に対する算出された中間点中央傾向の比であるピーク応答比を決定する工程と、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記微分ビーム間の前記位相を較正する工程は、
前記プリズム（２２）と前記参照基板サンプルの傾きの少なくとも１つを複数の位置に調整する工程と、
前記プリズムおよび前記参照サンプルの前記傾きの前記複数の位置の各々に対する前記基板サンプル（２４）の画像を取り込む工程と、
各参照サンプル画像の近似的に一定の前記画素値または強度の前記中央傾向を維持するために前記露光時間を調整する工程と、
前記参照サンプルの画像の各々に対する画素値分布の分散計量を算出する工程と、
最大分散値における前記露光時間に対する前記画素中央傾向値の比であるピーク応答比を決定する工程と、
を含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記基板サンプル（２４）の少なくとも１つの画像を取り込む工程は、
前記基板サンプルを第１の向きに位置決めする工程と、
前記第１の向きにおける前記基板サンプルの少なくとも１つの画像を取り込む工程と、
前記第１の向きから前記第１の向きとは異なる第２の向きに前記基板サンプルを回転させる工程と、
前記第２の向きにおける前記基板サンプルの少なくとも１つの画像を取り込む工程と、  を含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記基板サンプル（２４）の前記画像を処理する工程は、
前記基板サンプル上の単一の位置の前記画像を平均化する工程と、
前記サンプル上に存在する擬似構造に対して補償する工程と、
点ごとに、前記基板サンプルの少なくとも１つの画像の画素値を参照強度アレーにより除することにより、空間的および時間的な入力強度変化について補償する工程と、
前記画像のパワー・スペクトル密度を算出する工程と、
表面品質に関連する前記パワー・スペクトルの周波数帯域におけるパワーを決定する工程と、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記パワー・スペクトル密度を算出する工程は、
二次元パワー・スペクトル密度を算出する工程と、
スリーク構造対ランダム粗さを決定するために軸から離れた相関を観察する工程と、
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、前記パワー・スペクトル密度を算出する工程は、
一次元パワー・スペクトル密度を算出する工程と、
基板サンプル（２４）品質を評価するために選択された空間周波数帯域内の密度を解析する工程と、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記基板サンプル上の表面構造のレベルを決定するために前記基板サンプル（２４）の画像を処理する工程は、
前記基板サンプルの表面の曲率の推定値を算出する工程と、
前記基板サンプルの前記表面の前記曲率の前記推定値を使用して曲率に対して前記基板サンプルの画像を補償する工程と、
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記基板サンプル（２４）の前記表面の前記曲率の前記推定値を算出する工程は、
【数１】
2005527820.tif 000006
に従って前記基板サンプルの前記表面の前記曲率の前記推定値を算出する工程を含み、
ここで、
ｄは、球状表面の曲率の直径であり、
ｒは、前記基板サンプルの中央からの距離であり、
θは、オペレータの見る視界を基準としたｒと前記基板サンプルの前方との角度であり、
Ｇは、前記較正から得られるノマルスキー（Ｎｏｍａｒｓｋｉ）結晶定数であり、
βは、前記較正から得られるノマルスキー結晶背景位相であり、
（ｘ，ｙ）は、前記基板サンプルの剪断方向を基準とした前記基板サンプルについての空間座標であり、
（ｘ’，ｙ’）は、オペレータの見る視界を基準とした前記基板サンプルについての空間座標であり、
φは、前記剪断方向と前記ｘ’の角度であり、かつ、
∇ｘＲ（ｘ，ｙ）は、前記基板サンプルに対する複数の粗さの傾きを含む、方法。
【請求項１４】
基板サンプル（２４）の表面品質を決定するための基板サンプル検査システム（１０）であって、
アイピース（１９）、アイピース焦点調整部、顕微鏡焦点調整部、レチクル（２０）、プリズム（２２）、対物レンズ（２６）、カメラ視野、アイピース視野、および、前記基板サンプルを保持するための固定具（２８）を含む微分干渉コントラスト顕微鏡（１２）であって、微分ビーム間の位相を調整するために配置構成される顕微鏡（１２）と、
光源（１４）と、
カメラ（１８）と、
前記カメラおよび前記顕微鏡からデータを収集するためのコンピュータ（３０）と、
を含み、
前記顕微鏡は、前記アイピース視野と前記カメラ視野の間で切り換えることができ、前記固定具は、前記基板サンプルの画像の画素値のヒストグラムに対する中央傾向を達成するために前記基板サンプルの傾きの調整を可能にするように配置構成され、前記コンピュータは、表面品質を決定して前記基板サンプルの近似的な表面を再構築するために、前記基板サンプルの表面傾きの少なくとも１つの画像および前記表面傾きの画像を処理するように配置構成される、システム（１０）。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステム（１０）であって、前記光源（１４）は、前記基板サンプル（２４）から前記レチクル（２０）と前記絞りの少なくとも１つまでの光路長が、前記基板サンプルからユーザの肉眼またはカメラ（１８）までの光路長と実質的に同じになるように、光学的光路内に設置された前記レチクルと前記絞りの少なくとも１つを含む、システム（１０）。
【請求項１６】
微分ビーム間の位相を較正するために、請求項１４に記載のシステム（１０）は、
前記プリズム（２２）と参照サンプルの傾きの少なくとも１つを複数の位置に調整するように、
前記複数の他の位置における構造コントラストより良好な構造コントラストを提供する位置を決定するために、前記複数の位置の各々における画像を観察するように、
前記決定された位置における露光時間および画素値中央傾向を記録するように、かつ、
前記露光時間に対する前記画素値の中央傾向の比であるピーク応答比を決定するように、
配置構成されたシステム（１０）。
【請求項１７】
前記微分ビーム間の位相を較正するために、請求項１４に記載のシステム（１０）は、
前記プリズム（２２）と前記参照サンプルの傾きの少なくとも１つを複数の位置に調整するように、
前記プリズムおよび前記参照サンプルの前記傾きの前記複数の位置の各々に対して、前記参照サンプルの画像を取り込むように、
各画像に対する強度に対応する画素値の中央傾向を決定するように、
前記取り込まれた画像についての画像強度最小値および画像強度最大値を決定するように、
前記参照画像の強度の範囲の中間点に対応する中央傾向を決定するように、かつ、
前記露光時間に対する算出された中間点中央傾向の比であるピーク応答比を決定するように、
配置構成されるシステム（１０）。
【請求項１８】
前記微分ビーム間の前記位相を較正するために、請求項１４に記載のシステム（１０）は、
前記プリズム（２２）と前記参照基板サンプル（２４）の傾きの少なくとも１つを複数の位置に調整するように、
前記プリズムおよび前記参照サンプルの前記傾きの前記複数の位置の各々に対する前記基板サンプルの画像を取り込むように、
各参照サンプル画像の近似的に一定の前記画素値または強度の前記中央傾向を維持するために前記露光時間を調整するように、
前記参照サンプル画像の各々に対する画素値分布の分散計量を算出するように、かつ、
最大分散値における前記露光時間に対する前記画素中央傾向値の比であるピーク応答比を決定するように、
配置構成されるシステム（１０）。
【請求項１９】
請求項１４に記載のシステム（１０）であって、前記基板サンプル（２４）の画像を処理するために、前記コンピュータ（３０）は、
前記基板サンプル上の単一の位置の画像を平均化するように、
前記サンプル上に存在する擬似構造に対して補償するように、
点ごとに、前記基板サンプルの少なくとも１つの画像の画素値を参照強度アレーにより除することにより、空間的および時間的な入力強度変化について補償するように、
前記画像のパワー・スペクトル密度を算出するように、かつ、
表面品質に関連する前記パワー・スペクトルの周波数帯域におけるパワーを決定するようにプログラムされる、システム（１０）。
【請求項２０】
請求項１４に記載のシステム（１０）であって、前記基板サンプル（２４）上の表面構造のレベルを決定するために前記基板サンプルの画像を処理するために、前記コンピュータ（３０）は、
前記基板サンプルの表面の曲率の推定値を算出するように、また、
前記基板サンプルの前記表面の前記曲率の前記推定値を使用して前記曲率に対して前記基板サンプルの画像を補正するようにプログラムされる、システム（１０）。
【請求項２１】
請求項２０に記載のシステム（１０）であって、前記基板サンプル（２４）の前記表面の前記曲率の前記推定値を算出するために、前記コンピュータ（３０）は、
【数２】
2005527820.tif 000007
に従って前記基板サンプルの前記表面の前記曲率の前記推定値を算出するようにプログラムされ、
ここで、
ｄは、球状表面の曲率の直径であり、
ｒは、前記基板サンプルの中央からの距離であり、
θは、オペレータの見る視界を基準としたｒと前記基板サンプルの前方との角度であり、
Ｇは、前記較正から得られるノマルスキー結晶定数であり、
βは、前記較正から得られるノマルスキー結晶背景位相であり、
（ｘ，ｙ）は、前記基板サンプルの剪断方向を基準とした前記基板サンプルについての空間座標であり、
（ｘ’，ｙ’）は、オペレータの見る視界を基準とした前記基板サンプルについての空間座標であり、
φは、前記剪断方向と前記ｘ’の角度であり、かつ、
∇ｘＲ（ｘ，ｙ）は、前記基板サンプルに対する複数の粗さの傾きを含む、システム（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、部品検査の方法およびシステムに関し、より詳細には、高度に研磨された基板表面の評価に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連発明の相互参照）
本出願は、２００２年５月２４日出願の仮出願第６０／３８３、４６９号の優先権を主張する。
【０００３】
（発明の背景）
リング・レーザ・ジャイロスコープなど多くの光学デバイスは、ミラーの製造に利用される基板など高度に研磨された構成部分を含む。このようなデバイスの動作は、ミラーの品質に大きく依存する。例えば、基板表面の超研磨品質、すなわち、引っかき傷および基板表面における他の不整合がないことは、反射性材料でコーティングされた研磨済み基板から散乱される光の量を決定する１つの要因である。現在、主観的検査技術は、研磨済み基板の検査に対して利用され、超研磨された基板表面の品質の測定および超研磨された表面を生産するための工程の維持のためには不適切であることが見出されている。１つの知られている検査工程において、検査の解像度は、オペレータの訓練の量、オペレータの忍耐力、オペレータの視力、ならびに、検査システムの光学的配置構成により制限される。そのため、一貫した検査品質は、達成が困難である。
【０００４】
他の検査工程において、研磨済み基板表面は、反射性化合物でコーティングされ、結果として得られるミラー製品は、基板の超研磨品質を評価するために使用される。しかし、コーティング済みミラー製品を使用することによって超研磨工程を評価することは、基板研磨工程へのフィードバックを遅滞させ、かつ、研磨工程に対して外部にある要因からの影響も受ける。さらに、基板が、検査に先立って反射性化合物でコーティングされるため、表面に傷の入った基板が、コーティングされる可能性があり、このことは、よりコストのかかった品目（すなわち、コーティングされた基板）を廃棄または再加工しなければならないことがあるため、製造コストを上昇させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
より良好な基板検査工程があれば、高度に研磨された基板表面の傷は、反射性化合物が傷の入った研磨済み基板表面に塗布される前に検出され、かつ、可能に修正することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様において、微分干渉コントラスト顕微鏡を使用して基板サンプルの表面品質を決定するための方法が、提供される。顕微鏡は、アイピースと、アイピース焦点調整部と、顕微鏡焦点調整部と、光源と、絞りまたはレチクルの少なくとも１つと、カメラ視野と、プリズムと、固定具における参照サンプルと、微分干渉光学機器とを含む。方法は、カメラの焦点を使用してアイピースの焦点を較正する工程、および、顕微鏡の微分ビーム間の位相の調整を介して顕微鏡に対してピーク応答比（表面構造データの雑音に対する信号を最大化する露光時間に対する画素ヒストグラム中央傾向位置の比）を決定する工程を含む。方法は、顕微鏡下に基板サンプルを設置する工程、基板サンプルを光源で照明する工程、基板サンプル上に顕微鏡焦点を合焦させる工程、および、ピーク応答比を達成するために微分ビーム間の位相を調整する工程をさらに含む。基板サンプル上の表面構造のレベルを決定するために、基板サンプルの少なくとも１つの画像が、取り込まれ、処理される。
【０００７】
他の態様において、基板サンプルの表面品質を決定するための基板検査システムが、提供される。システムは、アイピースと、アイピース焦点調整部と、顕微鏡焦点調整部と、レチクルと、プリズムと、対物レンズと、カメラ視野と、アイピース視野と、基板サンプルを保持するための固定具と、を含む微分干渉コントラスト顕微鏡を含む。システムは、光源、カメラ、および、カメラおよび顕微鏡からデータを収集するためのコンピュータをさらに含む。顕微鏡は、アイピース視野とカメラ視野の間で切り換えることができ、固定具は、指定のピーク応答比を達成するために、基板サンプルの傾きの調整を可能にする。コンピュータは、表面品質を決定して基板サンプルの適切な表面を再構築するために、基板サンプルの表面傾きの少なくとも１つの画像を取り込み、表面傾きの画像を処理するように配置構成される。
【０００８】
さらに他の態様において、基板サンプルの表面品質を決定するために、コンピュータ・プログラム製品が、使用される。コンピュータ・プログラム製品は、基板サンプルの表面傾きの少なくとも１つの画像を取り込むための符号、および、基板サンプルの適切な表面を再構築するために表面傾きの画像を処理するための符号を含む。
【０００９】
さらに他の態様において、基板サンプルに顕微鏡を合焦させるための方法であって、顕微鏡はカメラ視野とアイピース視野の双方を有する方法が、提供される。方法は、顕微鏡のカメラ視野において基板サンプルの表面のエッジを中心に置く工程、カメラ視野を使用して基板サンプルの表面のエッジ上に合焦させる工程、アイピース視界に切り換える工程、顕微鏡の絞りの角に合焦するようにアイピースの焦点を調整する工程、および、識別可能な構造を有する基板サンプルの領域に移動することによりアイピース焦点とカメラ焦点の少なくとも１つを試験する工程を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、本発明が特に有利であると見出されている特定の応用例の状況において本明細書で説明されているが、当業者には、本発明の精神および範囲から逸脱せずに、例示的な実施形態に数多くの改変または修正を加えることができることは、明らかであろう。また、本発明の長所が他の応用例および環境に適用可能であることは、さらに明らかであろう。結果的に、本明細書に説明される例示的実施形態は、説明するために述べられているにすぎず、いかなる態様においても本発明の実施を制限することは、意図されていない。システムおよび方法は、本明細書に説明される特定の実施形態に限定されない。各システムおよび方法の構成部分は、互いに独立かつ別個に実施することができる。各システムおよび方法は、他の構成部分および方法と組み合わせて使用することもできる。
【００１１】
本明細書で説明されている方法およびシステムは、高度に研磨されたミラー基板が反射性化合物でコーティングされる前に、ユーザがそれらの基板表面を特性決定し、したがって、超研磨工程の最適化に対する機会を生み出すことを可能にする。
【００１２】
図１は、研磨工程の後に基板の表面品質を定量的に測定する基板のための検査システム１０のブロック図である。基板は、検査工程を介して受け入れ可能であることが見出されれば、最終的に反射性化合物でコーティングされる。システム１０は、基板サンプル２４の表面上の傾きを測定するように配置構成される微分干渉コントラスト顕微鏡１２を含む。基板サンプル２４上で検出される傾きは、基板サンプル２４の表面上の研磨品質を特性決定するために使用される。顕微鏡１２は、低雑音かつ高解像度の電荷結合デバイス（ＣＣＤ）カメラ１８に対してサンプル２４の照明を提供するために光源１４およびコリメータ１６を利用し、このカメラ１８は（図示しない）、複数の高感度画素に下位分割された光検出器を含む。別法として、基板サンプル２４の画像は（図示しない）、合焦機構を有するアイピース１９に投影することができる。例示的実施形態において、光源１４は、レーザ光源であり、光源１４からのコリメートされた光は、レチクル２０を通過する。１つの実施形態において、レチクル２０は、顕微鏡１２を介し、レチクル２０を介し、かつ、物体への光源１４の光路が、ユーザの目から、拡大される物体への、および、ＣＣＤカメラ１８から、拡大される物体への光路と同じ長さとなるように、位置する。高ビット深さ解像度を持つ基板サンプルを見ることが望まれるため、１つの実施形態において、ＣＣＤカメラ１８は、画素のビット深さ解像度当たり１４ビットを有する。１つの実施形態において、ＣＣＤカメラ１８は、顕微鏡１２の微分剪断軸がカメラの画像軸に沿うように位置合わせされる。
【００１３】
顕微鏡１２は、コリメータ１６および偏光器１７を介した光源１４からの線形に偏光された入射光を、顕微鏡１２の対物レンズ２６または拡大部分を通過する直交偏光の２つの光ビームに分割するためのノマルスキー（Ｎｏｍａｒｓｋｉ）プリズム２２を利用する。光源１４からの光は、ノマルスキープリズム２２に進入する前に、ビーム・スプリッタ２３で反射する。固定具２８を利用して所定の位置に保持される基板サンプル２４を２つの光ビームが照明すると、光ビームの中央は、プリズム２２の剪断方向に沿った小さな距離だけ互いに分離される。基板サンプル２４におけるビームの分離は、基板サンプル２４の表面がプリズム２２の光軸に垂直でない時はいつでも、２つの光ビーム間に位相差をもたらす。基板サンプル２４の表面から反射およびプリズム２２を介して再透過すると、２つの直交偏光は、単一のビームに再結合される。２つの反射ビームの断面に存在する位相の差は、ひとたびビームが再結合されれば、偏光の変化をもたらす。結合されたビームに分析器２９を通過させることにより、２つのビーム間の偏光の変化は、強度の変化に変換される。強度の変化は、基板サンプル２４の表面に沿った傾きの変化を表し、これは基板サンプル２４の表面に対する研磨品質を決定するための１つの特性決定方法となる。
【００１４】
光源１４を参照すると、入射光の帯域幅が狭くなればなるほど、強度変調が大きくなり、このことは、微分干渉処理において典型的である。より良好なコリメートも、強度変調を増大させる。照明のために白色光を使用することは、強度変調を、したがって、顕微鏡１２の解像度を制限する。なぜなら、白色光は、コリメート中に大幅に減衰されるからである。システム１０の代替実施形態において、光源１４は、白色光源および帯域透過型フィルタである。フィルタリングされていない白色光とは対照的に、コリメータ１６内の１０ｎｍ広帯域透過型フィルタは、強度変調を向上させるために利用できる。使用において、コリメータ１６内の７０ｎｍ広帯域透過型フィルタは、ＣＣＤカメラ１８ならびにオペレータに許容できるレベルの光を供給する一方、許容できる強度変調および信号対雑音比を提供する。
【００１５】
上述したように、システム１０の１つの実施形態は、光源１４のためにレーザ発光源を利用する。レーザ発光源は、信号対雑音比を数桁高める能力を有する。なぜなら、レーザ光は、狭い帯域幅を有し、コリメートされているからである。レーザ発光源が使用されると、斑点状の干渉パターンを最小に抑えるために、光路において（コリメータ１６に加えて、図示しない）回転拡散器が、利用される。
【００１６】
（図示しない）プロセッサを含むコンピュータ３０は、孔、引っかき傷などに対して基板２４の表面を分析する際にユーザが高レベルの解像度を達成することを可能にするために、較正手順および分析技術を使用してプログラムされる。コンピュータと称するが、コンピュータ３０は、これらの較正手順および分析技術を実施できる、プロセッサまたはコントローラに基くいかなる、および、全ての装置を含むと理解される。一部がコンピュータ３０を利用して実行される手順および技術は、以下に説明する視野の補償、焦点較正、プリズム較正、顕微鏡の動作、および、画像処理を含むが、これらに限定されない。視野の補償、較正手順、および、分析技術を採用することにより、システム１０は、基板２４の表面の研磨品質の定量的測定を提供することができる。加えて、光学系の解像度は、基板に対する研磨工程を改善できるようにフィードバックを供給する。さらに、システム１０は、迅速なフィードバックを供給するため、かつ、反射性材料が塗布された後で基板を再加工することを防止するために、反射性材料が塗布される前に基板を評価する。
【００１７】
図２は、基板サンプル２４に関するノマルスキープリズム２２および対物レンズ２６の動作の詳細な図である。２つの光ビーム４２および４４はプリズム２２の剪断方向に沿って互いに分離される。基板サンプル２４におけるビーム４２および４４の分離は、基板サンプル２４の表面がプリズム２２の光軸４６に垂直でない所ならどこでも、光ビーム間に位相差をもたらす。基板サンプル２４の表面から反射およびプリズム２２を介して再透過すると、２つの直交偏光は単一のビームに再結合される。２つの反射光の断面に存在していた位相の差は、ひとたびビームが再結合されれば、偏光の変化をもたらす。図２は、Ｈａｒｔｍａｎ他による「Ｑａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ  ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｎｏｍａｒｓｋｉ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ．２：Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ  ｍｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ，ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ，ａｎｄ  ｐｌａｎａｒ  ｓａｍｐｌｅ  ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ、１９８０年９月１日、Ｖｏｌ  １９、Ｎｏ  １７からの図である。
【００１８】
（視野の補償）
視野の補償に関して、光源１４からの入射光強度は、顕微鏡１２の視野にわたって変化する。視野の補償は、微分干渉コントラストシステムを使用して、以下に説明する方法を利用して達成される。変化を補償するために、１つの実施形態において、最高の品質および清浄さの研磨済み基板サンプル上のいくつかの異なる位置からの画像が、収集される。このようなサンプルは、本明細書において「参照サンプル」と呼ばれることがある。参照サンプルの画像の各々に対する画素強度値が平均化されると、参照サンプル上の表面欠陥によりもたらされる強度変化は、ほぼゼロに平均化する。したがって、結果として得られる平均化された画像におけるいずれの残りの変化も、入射光の強度変化の目安であると考えられる。結果として得られる画像（ＲＥＦ）は、入射光強度変化に関して他の基板サンプルの画像を正規化するために利用される。したがって、参照画像は、視野にわたる入射光強度変化に対する補償を与え、基板表面の品質の測定における顕微鏡１２の利用のための部分的補償工程として機能する。本明細書において使用される如く、補償とは、少なくとも１つのパラメータの値を測定する工程、および、基板品質の定量的な測定に対してそのパラメータに基く調整を、そのような調整が必要であれば、その時に行なう工程を指す。
【００１９】
（焦点の較正）
基板サンプル２４の表面に合焦させることは、困難な時がある。なぜなら、基板の多くの拡大画像、特に超研磨されたガラスは、明らかな構造を示さない。したがって、１つの実施形態において、（図３に示す）絞り５４は、出力画像の距離と同じ距離において顕微鏡１２の入射光路に位置し、そのため、合焦のための機構を提供する。入射ビームがサンプル２４で反射された後、絞り５４のエッジが、アイピース１９において合焦すると、サンプル２４も、アイピース１９において合焦する。典型的に、合焦は、ほとんどの画像に対する長い集積時間のために、カメラ視野を使用するより、むしろアイピース１９を介して、より迅速に達成することができる。カメラ１８の利用可能な視野を最大化するために、絞り５４は、アイピース１９のより大きな視野を介してのみ見ることができる大きさになっている。上記の方法は「絞り合焦法」と呼ばれる。
【００２０】
時折、カメラの光路とアイピースの光路は、同じにならない。この場合、アイピース絞り焦点とカメラ焦点の差を補償しなければならない。すなわち、アイピース絞り焦点とカメラ焦点の差を決定し、必要であれば、カメラ視野に対する最善の合焦を決定するために使用しなければならない。１つの実施形態において、かつ、図３に示すように、エッジ５２が、（図１に示す）カメラ１８の視野内の中央に置かれるように、基板サンプル５０または基板サンプル５０の厚さと同様の厚さを持つ他の部分が、顕微鏡１２に挿入される。顕微鏡１２のアイピース焦点は、絞り５２の少なくとも１つの角５６が合焦されて見えるまで調整され、続いて、（図１に示す）顕微鏡１２は、カメラ視野に切り換えられる。カメラ１８の視野にエッジ５２が合焦されるように、（図１に示す）顕微鏡１２の焦点微調整ノブが調整される。続いて、顕微鏡１２の焦点微調整の設定が、記録される。１つの実施形態において、絞り５４は、基板５０のエッジ５２に沿って移動され、この場合、合焦工程は、何回か反復され、平均化される。平均化された結果は、アイ／カメラ・オフセットとして記録される。上述の方法は「アイ／カメラ焦点オフセット法」と呼ばれることもある。
【００２１】
他の実施形態において、十字線のうちの一本、絞り、または、スクリーンが、画像の距離において入射路に設置される。この物品（すなわち、十字線）が出力画像において合焦すると、顕微鏡１２下の基板サンプル２４も、合焦する。エッジ検出に基く知られている画像処理技術は、合焦状況を自動的に決定するために使用される。
【００２２】
コンピュータ３０内の曲線適合ルチーンまたは低帯域透過型フィルタリング・ルチーンを使用して、基板サンプル２４の表面に沿ったいかなる曲率も、見積もることができ、かつ、基板サンプル２４の表面の画像から除去することができる。画像から曲率が除去された後、残りの強度変化は、不要な表面構造を典型的に表す。
【００２３】
顕微鏡１２下の球状表面は、典型的に、良好に定義された数学的関数に従う。もし上述の技術を使用して入力強度変化が視野にわたって適切に補償されていれば、球状表面の曲率は、結果として得られる画像を以下の関数に当てはめることにより見積もることができる。
【００２４】
【数１】
2005527820.tif 000003
【００２５】
ここで、
ｄは、球状表面の曲率の直径であり、
ｒは、基板サンプルの中央からの距離であり、
θは、オペレータの見る視界を基準としたｒと基板サンプルの前方との角度であり、
Ｇは、較正から得られるノマルスキー結晶定数であり、
βは、較正から得られるノマルスキー結晶背景位相であり、
（ｘ，ｙ）は、基板サンプルの剪断方向を基準とした基板サンプルに対する空間座標であり、
（ｘ’，ｙ’）は、オペレータの見る視界を基準とした基板サンプルに対する空間座標であり、
φは、剪断方向とｘ’の角度であり、かつ、
∇ｘＲ（ｘ，ｙ）は、基板サンプルに対する複数の粗さの傾きを含む。
【００２６】
曲率の推定値を有すると、基板サンプル２４に対して平坦度または曲率の所望の半径を検査するための方法が、もたらされる。加えて、基板サンプル２４の画像は、上述の曲率の推定を使用して、表面曲率による空間的変化について補正される。結果として得られる補正された画像は、基板サンプル２４の表面粗さの傾きを表す。
【００２７】
（プリズム較正）
サンプル上の位置（ｘ’，ｙ’）に関連し、ＣＣＤカメラ１８上の位置（ｘ，ｙ）における画素で記録される強度Ｉは、以下により与えられる。
【００２８】
【数２】
2005527820.tif 000004
【００２９】
ここで、
Ｉｍｉｎは、背景強度であり、
Ｉｍｏｄは、変調強度であり、
Ｇは、与えられたプリズムに対する較正定数であり、
ａは、微細表面構造の傾きであり、
ｂは、プリズムの位置に関連する位相であり、かつ、
ｃは、サンプルの平均傾きに関連する位相である。
（Ｈａｒｔｍａｎ他の「Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ  ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｎｏｍａｒｓｋｉ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ．２：Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ  ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ，ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ，ａｎｄ  ｐｌａｎａｒ  ｓａｍｐｌｅ  ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ、１９８０年９月１日、Ｖｏｌ．１９、Ｎｏ  １７における等式の表面形状測定における延長）
典型的に、Ｉｍｉｎは、無視できるか、または、低帯域透過型フィルタリングを使用して除去される。表面傾きに対する近似の線形応答は、（ｂ＋ｃ）＝π／２となるような位置におけるプリズム２２を使用して得られ、上記の等式は、以下により近似できる。
【００３０】
【数３】
2005527820.tif 000005
【００３１】
１つの方法において、上記の等式における近似線形応答は、カメラの露光時間を固定すること、および、記録された画素値の分布の中央の傾向が測定された各基板サンプル画像に対して近似的に一定となるようにプリズム位相位置ｂを調整することにより得られる。しかし、この技術は、光源強度における変化をプリズム位相位置と混同させ、超研磨された基板に対する測定システムの変化を適切に低減しない。
【００３２】
他の実施形態において、（ｂ＋ｃ）としての強度変調は、０からπまで変化し、最高の品質および清浄さの研磨済み基板サンプルを照明しつつ画像強度最小値および画像強度最大値の双方を達成するためにプリズム２２を使用してｂを調整することにより、基板表面品質測定に先立ち、測定される。画素強度値の分布は、プリズム２２に対する最小強度および最大強度の設定を決定および測定するために、使用される。これらの最小強度および最大強度の測定値、および、強度の最小値および最大値において取り込まれた画像は、プリズム２２の位置を設定するために、および、以下に説明する画像処理技術において利用される。プリズム２２の較正のために、プリズムの位置は、上記に説明したように、最小強度と最大強度の中間の画素強度値の分布の中央となる位置に近似的に設定される。プリズム２２がこのように位置されると、（ｂ＋ｃ）＝π／２および微細表面構造の傾きは、強度に線形的に比例し、かつ、信号対雑音比は、線形検出デバイス、例えばＣＣＤカメラ１８に対して増大される。見積もられた位相（ｂ＋ｃ）＝π／２においての露光時間に対する画素ヒストグラム中央傾向位置の比は、較正方法に対するピーク応答比を決定する。プリズム２２を較正するためのこの技術は、誤差の影響を受けやすい。なぜなら、変換された如くのプリズムの誤った位置合わせにより、最大強度の位置が必ずしも（ｂ＋ｃ）＝πにはないためである。その結果、この技術は、超研磨された最高品質の基板に対して測定システムの変化を十分に低減しない。
【００３３】
代替実施形態において、（ｂ＋ｃ）としての強度変調は、０からπまで変化され、最高の品質および清浄さの研磨済み基板サンプルを照明しつつ画像強度最小値および画像強度最大値の双方を達成するために機械式ステージを使用してｃを調整することにより、基板表面品質測定に先立ち、測定される。前段落の方法に従うと、機械式ステージは、較正され、基板測定のために（ｂ＋ｃ）＝π／２を設定するために使用される。この方法において、位相（ｂ＋ｃ）＝π／２におけるピーク応答比は、機械式ステージを調整することにより見出される。機械式の方法は、プリズムの誤った位置合わせ誤差から影響を受けず、かつ、較正および測定の工程全体を通じて光学機器の位置を保全する追加の長所を提供する。
【００３４】
基板サンプル２４が顕微鏡下に設置されると、基板サンプル２４は、プリズム較正において使用される参照画像と同じ背景傾きを、滅多に有さない。既に説明したプリズム較正は、（ｂ＋ｃ）＝π／２に関した強度について近似的に中央に置かれる画素強度値の分布とともに各画像が記録されるように、各基板サンプル２４に対するプリズム２２の位置の調整を含む。各サンプルに対してプリズム２２を調整することは、表面の傾きの変化（すなわち、傾き粗さ）に対する線形強度応答を確実にし、かつ、傾きの変化の信号対雑音比を増大させる。しかし、高解像度の基板試験において、プリズム２２を動かすことは、所望されない。なぜなら、プリズム２２の移動は、視野補償における誤差を生み出すからである。代替実施形態において、プリズム２２の位置は、固定され、ステージは、試験下の基板を傾けるために使用される。これにより、強度値の分布が（ｂ＋ｃ）＝π／２に関する強度の周辺に近似的に中心を置くまで、ｃを変化させる。
【００３５】
他の実施形態において、清浄な低品質基板の画像は、プリズム（または、機械式ステージ）のいくつかの設定において記録される。各画面に対して、カメラの露光時間は、画素値の分布に対する指定された中央傾向を達成するために調整される。各画像の視野は、各画素値を局所画素の平均強度で除することにより正規化される。続いて、正規化された各画像における画素値の標準偏差が、算出される。続いて、露光時間は、標準偏差が最大化された値に調整される。この方法を使用すると、ピーク応答比は、標準偏差を最大化する露光時間に対する画素ヒストグラム中央傾向位置の比となる。その後のサンプル測定について、露光に対する画素中央傾向値の比は、ピーク応答比とほぼ等しくなるべきである。これは、機械式ステージまたはプリズムの位置のいずれかを調整することにより達成される。異なる中央傾向および露光時間は、サンプル測定中に使用できるが、露光時間に対する中央傾向の値の比が較正中に標準偏差を最大化した比に近似的に等しいことを条件とする。このように行なわれたプリズムまたはステージの調整は、表面傾きの変化に対する応答を最大化し、測定システムの変化を最小化する。
【００３６】
図４を参照すると、上述の較正の方法の１つの可能な実施形態が、フローチャート１００に示される。フローチャート１００に示される方法は、本明細書では「粗い標準的較正手順」と呼ばれる。先ず、顕微鏡１２が、粗く研磨された（低品質の）基板とともに準備される１０２。準備１０２は、上述したように視野補償および焦点補償技術、ならびに、異なる干渉顕微鏡検査法に関する標準的な位置合わせ手順を指す。続いて、プリズム２２および機械式ステージは、基板の暗画像を得るために調整される１０４。画素範囲の約７５％において、画素ヒストグラムのモードを使用して、画像が取り込まれる１０６。各画素の強度が、局所平均画素強度により除される１０８。画像画素強度値の標準偏差が、算出される１１０。（図１に示す）プリズム２２またはステージ２８の５つから１０の異なる設定において、方法が、反復される。表面構造データの信号対雑音比を最大化する、露光時間に対する画素ヒストグラム中央傾向位置の比は、ピーク応答比として記述される。
【００３７】
画素強度の標準偏差が、プロットされ１１４、（図１に示す）カメラ１８の露光時間が、標準偏差を最大化する設定に設定される１１６。続いて、画素強度値のヒストグラムのモードが画素範囲の７５％となるようにプリズムまたはステージを調整することにより、基板が測定される１１８。ヒストグラムのモードの最高レベルは、ＣＣＤ画素が飽和しない限り、較正および測定に対して使用されるべきである。
【００３８】
（動作）
上述の方法は、多くの基板サンプル２４の研磨品質を決定する際の使用のために、顕微鏡１２を補償および較正するために、利用される。（図３に示す）各基板サンプル２４の研磨品質を決定するために、ユーザは、先ず、顕微鏡１２下に基板サンプル２４を設置する。続いて、ユーザは、上述の絞り焦点法またはアイ／カメラ焦点オフセット法のいずれかを使用して、基板サンプル２４上に合焦させる。
【００３９】
ユーザは、画素値のヒストグラムの指定されたモードを達成するために、プリズムの調整またはステージの傾斜を介して、試験中の画像の強度を調整することができる。指定されたヒストグラム値は、露光時間の設定および較正中に測定されたピーク応答比により決定される。続いて、ユーザは、基板サンプル２４の画像、または、画像の平均化が使用されるのであれば基板サンプル２４上の同じ位置のいくつかの画像を取り込む。
【００４０】
基板サンプル２４上の表面構造が、高度に方向性を持つ場合、表面を完全に特性決定するために、基板サンプル２４の追加の画像は、顕微鏡の光軸に沿って基板を９０度回転した後に、獲得されるべきである。
【００４１】
図４に関して上述した顕微鏡１２の較正の後、基板サンプル２４の表面品質を決定するための上記に詳細に説明した方法が可能となり、この方法は、図５に示すごとく、基板サンプルの表面品質を決定するためのフローチャート１５０である。フローチャート１５０を特に参照すると、参照サンプルを利用してアイピース１９およびカメラ１８の焦点が、較正され１５２、微分ビーム間の位相も、較正される１５４。基板サンプル２４は、顕微鏡下に設置され１５６、光源１４を使用して照明される１５８。顕微鏡の焦点が、基板サンプル２４上に合焦され１６０、微分ビーム間の位相が、調整され１６２、基板サンプル２４の少なくとも１つの画像が、取り込まれる１６４。基板サンプル２４の画像は、以下にさらに説明される如く基板サンプル２４上の表面構造のレベルを決定するために、処理される１６６。
【００４２】
（画像処理）
取り込まれた画像を処理する際に、基板サンプル２４上の同じ位置のいくつかの画像が獲得されていた場合、画像は別個に、または、画像の平均が分析される。分析される結果的な画像は、Ｉで示す。
【００４３】
画像Ｉ内では、所定の設定限度の外にあるかどうかを決定するために、各画素値をチェックすることができる。もし外であれば、画素値は、限度に設定され、基板の表面上の微粒子の擬似効果が、低減され、かつ、限度のさらなる設定が、コンピュータ３０上の表示コントラストを改善する。１つの実施形態において、画素値に対する限度は、平均値から＋／−３標準偏差であり、この限度の外の画素値は、元の画素値に応じて平均値から＋または−３標準偏差のいずれかに設定される。平均値を３標準偏差未満下回る画素値は、平均値を３標準偏差下回る値に等しい値に設定される。平均値を３標準偏差を超えて上回る画素値は、平均値を３標準偏差上回る値に等しい値に設定される。
【００４４】
１つの実施形態において、取り込まれた画像は、視野にわたって強度変調深さの変化に対して補償される。基板の画像は、画素ごとに基板画像Ｉを参照画像（ＲＥＦ）で除することにより視野にわたって補償される。視野の補償は、画像にわたる微細傾斜構造に対する一定の応答を持つ画像を創出し、表示された画像において微細構造のコントラストを強める。ＲＥＦは、いくつかの方法により決定することができる。
【００４５】
１つの実施形態において、ＲＥＦは、上述した参照標準を使用することにより決定される。最高品質の基板上の異なる位置のいくつかの画像は、（ｂ＋ｃ）＝π／２であるプリズムまたはステージの設定において記録される。これらの画像（ＲＥＦ）の平均値は、視野にわたる入力強度の変化を示す。ＲＥＦにおける不要な表面構造は、最高品質基板上のいくつかの異なる位置の画像の平均値を取ることにより最小に抑えられる。
【００４６】
代替実施形態において、ＲＥＦは、各基板測定画像を複製すること、および、特定の画素距離を持つ最も近くの近隣画素の平均値により各画素を置き換える平均化フィルタを（複製に対して）適用することにより生成される。
【００４７】
画素値が正規化された後、二次元パワー・スペクトル密度が、算出され、コンピュータ３０上に表示される。ユーザは、基板サンプルにおけるスリーク（ｓｌｅｅｋ）／引っかき傷の構造対ランダム粗さを決定するために、二次元画像における軸を離れた相関を観察する。加えて、一次元パワー・スペクトル密度対空間周波数が、算出され、コンピュータ３０上に表示される。一次元パワー・スペクトル密度は、特定の空間周波数帯域におけるパワーを決定するために積分される。パワーの算出における空間周波数帯域のいくつかが、基板の表面品質に関係する一方、他の帯域は、カメラの雑音、および、視野にわたる入力強度変化からの残存雑音に関係する。正確な空間周波数は、応用例に依存する。１つの実施形態において、より低品質の基板を示すこの空間周波数範囲におけるより高い値、および、より高品質の基板を示すより低い値を使用して基板品質を評価するために、１μｍ−１から０．１μｍ−１の範囲における空間周波数帯域が、使用される。本明細書において使用される如く、用語「スリーク」は、実質的に互いに平行な複数の隆起した溝を持つ基板表面に言及する。本明細書において使用される如く、用語「スリーク」および「スリーク構造」は、基板表面上に時々観察される実質的に互いに平行な複数の隆起した溝に言及する。
【００４８】
他の実施形態において、一次元パワー・スペクトル密度は、角度に対して算出される。パワーの軸を離れた大きさの値における相対的な差は、表面構造の方向性または非方向性を示す。
【００４９】
傾きおよび表面画像のｘ軸とｙ軸の相関は、引っかき傷およびスリークの量を記述する。加えて、基板サンプルの粗さを特性決定するために、傾き画像の高速フーリエ変換（ＦＦＴ）および表面形状測定画像が、使用される。ｘ軸とｙ軸の高い相関（すなわち、方向性のある粗さ）でのＦＦＴは、スリーク状の基板表面を提示する一方、ｘとｙの間の低い相関でのＦＦＴは、均一に粗い表面を示す。二次元ＦＦＴは、周波数の関数としての傾きおよび表面パワー・スペクトル密度を与えるために積分される。さらに、これらのスペクトル密度は、基板表面の特性決定を簡略化するために、問題の指定された帯域幅にわたり積分される。
【００５０】
他の実施形態において、近似的な三次元（３Ｄ）表面形状測定は、プリズム２２の剪断軸に沿って積分することにより決定される。表面形状測定は、基板表面構造を窪み、孔、引っかき傷、または、汚染の１つとして分類する際に、役立つ。球状部分の表面形状測定では、顕微鏡１２からの画像が積分された後では、放物面であるように見える。続いて、放物形状は、傾きの画像からの推定より正確に曲率を見積もるために使用される。
【００５１】
顕微鏡１２からの画像を正確に積分するために、アルゴリズムが使用される。剪断軸に沿った直接積分が使用できるか、または、高速フーリエ変換（ＦＦＴ）技術に基く近似法が使用できる。
【００５２】
したがって、上述の方法およびシステムは、基板の表面の研磨の品質測定値を提示するデータを、それらのサンプル表面が反射性材料でコーティングされる前にユーザに提供する。このような工程は、適切に研磨された表面を有さない基板サンプルがコーティングされること、および、続いて、廃棄されることを防止するために利用される。なぜなら、鏡面化された表面の光散乱特性が、不適切であるからである。加えて、適切に研磨された表面を有さない基板サンプル２４は、再加工することができ、これは、反射性材料が塗布された後では非効率であり、かつ、コストがかかる。
【００５３】
本発明は、様々な特定の実施形態に関して説明された一方、当業者は、特許請求の範囲の精神および範囲内での修正を使用して本発明が実施できることを認識されよう。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】基板表面品質を決定するための検査システムのブロック図である。
【図２】基板サンプルに関する顕微鏡のプリズムおよび対物レンズの動作を示す光ビームの図である。
【図３】エッジ上に課された絞りを備えるエッジを備える基板のサンプルの図である。
【図４】プリズム較正方法を示すフローチャートである。
【図５】基板表面品質評価方法を示すフローチャートである。
【図１】
2005527820.tif 000008
【図２】
2005527820.tif 000009
【図３】
2005527820.tif 000010
【図４】
2005527820.tif 000011
【図５】
2005527820.tif 000012
【国際調査報告】
2005527820.tif 000013
2005527820.tif 000014
2005527820.tif 000015