(57)【要約】基板の加熱を制御する、半導体基板の処理装置および方法であって、半導体基板のデバイス側を基準温度まで加熱し、かつ半導体基板のデバイス側を基準温度より高い熱活性化温度まで活性化時間の間加熱することによって、半導体基板内に注入された不純物によって形成された接合の深さを制御する。このことが、不純物の活性化に十分なエネルギーを供給して、不純物が格子構造の一部になり、その一方で、基板全体におよぶ不純物拡散を最小化し、基板内の温度勾配を減じて基板内のストレスを最小化する。
2005502185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板をその中に支持する処理チャンバを画成するハウジングと、
第１のエネルギーを前記半導体基板の非デバイス側に与え、前記半導体基板のデバイス側にパルスエネルギーを与える手段と、を備え、
前記第１のエネルギーの強さを前記パルスエネルギーの強さより小さくし、前記パルスエネルギーの時間を前記第１のエネルギーの時間より短くして、前記半導体基板内に注入された不純物によって形成された接合の深さの制御と、前記基板を介しての前記不純物の拡散の制御をする半導体処理装置。
【請求項２】
前記パルスエネルギーの時間が約１マイクロセカンド乃至２秒の範囲である請求項１記載の半導体処理装置。
【請求項３】
前記パルスエネルギーの時間が約１００ミリセカンド乃至４００ミリセカンドの範囲である請求項３記載の半導体処理装置。
【請求項４】
前記エネルギーを与える手段は、第１のエネルギー源と第２のエネルギー源とを備え、前記第１のエネルギー源は前記半導体基板の非デバイス側に第１のエネルギーを与え、前記第２のエネルギー源は前記基板のデバイス側に前記パルスエネルギーを与える請求項１記載の半導体処理装置。
【請求項５】
前記第１のエネルギー源が約０．２ミクロン乃至３．０ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じる請求項４記載の半導体処理装置。
【請求項６】
前記第１のエネルギー源が少なくとも１つのハロゲンランプを備える請求項５記載の半導体処理装置。
【請求項７】
前記第１のエネルギーが複数のタングステンハロゲンランプを備える請求項６記載の半導体処理装置。
【請求項８】
前記ランプは各々縦方向の広がりを持っており、
前記ランプの第１のグループの縦方向の広がりは、前記半導体基板の非デバイス側と略平行であり、前記半導体基板の非デバイス側から第１の間隔をあけて配置され、前記半導体基板の周囲の領域の上方に配置されて前記半導体基板の周囲の領域を加熱し、
前記加熱ランプの第１のグループは第１の加熱ゾーンを画成し、
前記ランプの第２のグループは前記半導体基板の非デバイス側から第２の間隔をあけて配置され、前記基板を横切って延在するように配置されて前記半導体基板の中央領域を加熱し、
前記第２のグループは第２の加熱ゾーンを画成し、
前記第１の間隔が前記第２の間隔より短く前記基板の非デバイス側に与える温度プロファイルに変化をつくる、請求項７記載の半導体処理装置。
【請求項９】
前記第２のエネルギー源が約０．２ミクロン乃至３．０ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じる請求項４記載の半導体処理装置。
【請求項１０】
前記第２のエネルギー源がタングステンハロゲンランプとキセノンランプから選ばれた少なくとも１つのランプを備える請求項９記載の半導体処理装置。
【請求項１１】
前記第２のエネルギー源が少なくとも１つのタングステンハロゲンランプを備える請求項９記載の半導体処理装置。
【請求項１２】
前記第２のエネルギー源が複数のタングステンハロゲンランプを備える請求項１１記載の半導体処理装置。
【請求項１３】
前記第２のエネルギー源から約０．７ミクロンより大きい波長をもつエネルギーを吸収するフィルタをさらに備える請求項１１記載の半導体処理装置。
【請求項１４】
前記フィルタは、前記第２のエネルギー源から約０．９ミクロンより大きい波長をもつエネルギーを吸収する請求項１１記載の半導体処理装置。
【請求項１５】
前記フィルタは、流体冷却フィルタを備える請求項１３記載の半導体処理装置。
【請求項１６】
前記ランプは各々縦方向の広がりを持っており、
前記ランプの第１のグループの縦方向の広がりは、前記半導体基板のデバイス側と略平行であり、
前記加熱ランプの第１のグループは第１の加熱ゾーンを画成し、
前記ランプの第２のグループは、前記基板のデバイス側と略平行であり、
前記第２のグループは第２の加熱ゾーンを画成し、
前記第１のグループと前記第２のグループは独立して制御されて前記ランプに選択的にエネルギーを与える、請求項１０記載の半導体処理装置。
【請求項１７】
半導体基板をその中に支持する処理チャンバを画成するハウジングと、
前記半導体基板の非デバイス側にエネルギーを向ける第１のエネルギー源と、
前記半導体基板のデバイス側にパルスエネルギーを向ける第２のエネルギー源と、を備え
前記第１のエネルギー源から向けられたエネルギーの強さを前記第２のエネルギー源より小さくし、前記与えられたパルスエネルギーの時間を約１マイクロセカンド乃至３秒の範囲にして、前記半導体基板内に注入された不純物によって形成された接合の深さの制御と前記基板を介しての前記不純物の拡散の制御をする、半導体処理装置。
【請求項１８】
処理中に前記基板を回転する手段を更に備える請求項１７記載の半導体処理装置。
【請求項１９】
前記回転する手段は、約５ｒｐｍ乃至３００ｒｐｍの範囲で前記基板を回転する手段である請求項１８記載の半導体処理装置。
【請求項２０】
前記パルスエネルギーの時間は、約１マイクロセカンド乃至２秒の範囲である請求項１９記載の半導体処理装置。
【請求項２１】
前記パルスエネルギーの時間は、約１００ミリセカンド乃至４００ミリセカンドの範囲である請求項２０記載の半導体処理装置。
【請求項２２】
前記第１のエネルギー源が約０．２ミクロン乃至３．０ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じる請求項２０記載の半導体処理装置。
【請求項２３】
前記第２のエネルギー源が約０．２ミクロン乃至０．９０ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じる請求項２２記載の半導体処理装置。
【請求項２４】
前記第１のエネルギー源が少なくとも１つのタングステンハロゲンランプを備える請求項２３記載の半導体処理装置。
【請求項２５】
前記第１のエネルギー源が複数のタングステンハロゲンランプを備える請求項２４記載の半導体処理装置。
【請求項２６】
前記ランプは各々縦方向の広がりを持っており、
前記ランプの第１のグループの縦方向の広がりは、前記半導体基板の非デバイス側と略平行であり、前記半導体基板の非デバイス側から第１の間隔をあけて配置され、前記半導体基板の周囲の領域の上方に配置されて前記半導体基板の周囲の領域を加熱し、
前記加熱ランプの第１のグループは第１の加熱ゾーンを画成し、
前記ランプの第２のグループは前記半導体基板の非デバイス側から第２の間隔をあけて配置され、前記基板を横切って延在するように配置されて前記半導体基板の中央領域を加熱し、
前記第２のグループは第２の加熱ゾーンを画成し、
前記第１の間隔が前記第２の間隔より短く前記基板の非デバイス側に与える温度プロファイルに変化をつくる、請求項２５記載の半導体処理装置。
【請求項２７】
前記第２のエネルギー源が約０．２ミクロン乃至３．０ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じる請求項２６記載の半導体処理装置。
【請求項２８】
前記第２のエネルギー源がタングステンハロゲンランプとキセノンランプから選ばれた少なくとも１つのランプを備える請求項２７記載の半導体処理装置。
【請求項２９】
前記第２のエネルギー源が少なくとも１つのタングステンハロゲンランプを備える請求項２６記載の半導体処理装置。
【請求項３０】
前記第２のエネルギー源が複数のタングステンハロゲンランプを備える請求項２９記載の半導体処理装置。
【請求項３１】
前記第２のエネルギー源から約０．７ミクロンより大きい波長をもつエネルギーを吸収するフィルタをさらに備える請求項２９記載の半導体処理装置。
【請求項３２】
前記フィルタは、前記第２のエネルギー源から約０．９ミクロンより大きい波長をもつエネルギーを吸収する請求項３１記載の半導体処理装置。
【請求項３３】
前記フィルタは、流体冷却フィルタを備える請求項３１記載の半導体処理装置。
【請求項３４】
半導体装置をその中に回転可能に支持する処理チャンバを画成するハウジングと、
前記基板のデバイス側を少なくとも９００℃の熱活性化温度まで加熱する手段と、
前記半導体基板内に注入された不純物によって形成された接合の深さの制御を行い、それによって前記基板を介して前記不純物の拡散の制限をする手段と、
基板の熱弾性のストレスを制限する手段と、を備える半導体処理装置。
【請求項３５】
処理中に前記基板を回転する手段を更に備える請求項３４記載の半導体処理装置。
【請求項３６】
前記制御手段が、前記加熱手段をパルス化することを含む請求項３４記載の半導体製造装置。
【請求項３７】
前記熱弾性のストレスの制限手段は、前記熱活性化温度より低い基準温度に前記基板の非デバイス側を加熱することを含む請求項３６記載の半導体製造装置。
【請求項３８】
半導体基板の非デバイス側を基準温度まで加熱すべく前記半導体基板の非デバイス側にエネルギーを与えることと、
前記半導体基板のデバイス側にパルスエネルギーを与えることを備え、
前記デバイス側に与えられたエネルギーの強さを前記半導体基板の非デバイス側に与えられたエネルギーの強さより大きくして、前記半導体基板内に注入された不純物によって形成された接合の深さの制御を行うと共に、前記基板を介しての前記不純物の拡散の制限をする、半導体基板の加熱方法。
【請求項３９】
前記エネルギーを与える時に前記基板を回転することを更に備える請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
前記回転は、約５ｒｐｍ乃至３００ｒｐｍの範囲で前記基板を回転することを含む請求項３８記載の方法。
【請求項４１】
前記パルスエネルギーを与えることは、前記パルスエネルギーを約１マイクロセカンド乃至２秒の範囲の時間にわたり与えることを含む請求項３８記載の方法。
【請求項４２】
前記パルスエネルギーを与えることは、前記パルスエネルギーを約１００ミリセカンド乃至４００ミリセカンドの範囲の時間にわたり与えることを含む請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
前記与えることは、第１のエネルギー源と第２のエネルギー源とを備えることを含み、前記第１のエネルギー源は、約０．２ミクロン乃至３．０ミクロンの波長でピークエネルギーを生じ、前記第１のエネルギー源は前記エネルギーを半導体基板の非デバイス側に与え、前記第２のエネルギー源は、約０．２ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じ、前記第２のエネルギー源は前記パルスエネルギーを前記半導体基板のデバイス側に与える、請求項３８記載の方法。
【請求項４４】
前記パルスエネルギーを与えることは、約０．２ミクロン乃至２．３ミクロンの範囲の波長で通常のピークエネルギーを出すエネルギー源を備えることと、前記ピークエネルギーを約０．２ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲の波長にシフトさせることとを含む請求項４３記載の方法。
【請求項４５】
前記シフトさせることは、バイアス電圧を前記エネルギー源に与えることを含み、前記バイアス電圧は、前記エネルギー源の通常作動電圧を超える、請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
前記半導体基板の非デバイス側にエネルギーを与えることは、半導体基板の非デバイス側へ約４００℃乃至９００℃の範囲の温度までエネルギーを与えることを含む請求項３８記載の方法。
【請求項４７】
前記半導体基板の非デバイス側にエネルギーを与えることは、半導体基板の非デバイス側へ約５００℃乃至６００℃の範囲の温度までエネルギーを与えることを含む請求項４６記載の方法。
【請求項４８】
前記パルスエネルギーを与えることは、半導体基板のデバイス側を約９００℃より高い温度まで加熱することを含む請求項３８記載の方法。
【請求項４９】
前記加熱することは、１０００℃より高い温度まで加熱することを含む請求項４８記載の方法。
【請求項５０】
前記加熱することは、約１１００℃の温度までデバイス側を加熱することを含む請求項４９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、超急速熱処理チャンバおよび使用方法という名称で、２００１年２月１２日に出願された出願番号６０／２６８、３４０の米国予備出願からの優先権を主張するものである。なお、その米国予備出願は、ここに組み込まれる。
【０００２】
（技術分野および発明の背景）
本発明は、半導体ウエハ等の半導体基板上に薄膜を形成する熱処理のための半導体処理装置および方法であって、基板の温度を厳密に制御して基板内の不純物の拡散を最小限にし既知のものに比べより速いデバイスを形成する接合を達成する半導体処理装置および方法に関する。
【０００３】
電子デバイスの製造においては、砒素や燐やホウ素等の不純物を含むガスを、ポリシリコンウエハ等の半導体基板上に導入し、基板内に不純物を注入する。不純物を活性化させて基板の格子構造の一部にし、従って電子デバイスを造る接合を形成するように、半導体基板を典型的には比較的高い温度まで加熱する。
【０００４】
ポリシリコンウエハ等の半導体基板の格子構造に対して反応ガス不純物を活性化させ、そして基板の中に接合を形成させるために必要とされる熱は、基板を介しての不純物拡散にも寄与する。拡散が増大すると、デバイスの電気的性能が著しく悪化する。
【０００５】
１つの解決方法は、基板のデバイス側に温度を局在化して、拡散を制御する方法である。しかしながら、これらの高い処理温度において、加熱を局在化することは基板中に極端に大きい垂直温度勾配を生じさせる。この垂直温度勾配は基板中に熱モーメントを生じさせ、それが、基板内に有害に電流リークをもたらす欠陥を生じさせる。
【０００６】
その結果、基板内の垂直熱ストレスを許容できるレベルに維持する一方、より薄い接合を達成し、従って、より速いデバイスを造るような方法で、基板に熱を供給することができる、半導体基板を高温処理する処理反応器と方法が必要とされている。
【０００７】
（発明の概要）
それゆえに、本発明は基板の加熱を制御して、それによって、半導体基板内に注入された不純物によって形成される接合の深さを制御する、半導体基板の処理装置および方法を提供する。
【０００８】
本発明の一形態においては、不純物が注入された半導体基板を、その非デバイス側を基準温度まで加熱し、そのデバイス側を活性化期間の間、基準温度より高い活性化温度まで加熱して、不純物が活性化するのに十分なエネルギーを供給し、不純物を基板の格子構造の一部とする。その一方では、基板全体にわたる不純物の拡散を最小化し、基板内の温度勾配を減じて基板内のストレスを最小化する。
【０００９】
一態様においては、基板のデバイス側に活性化熱をパルス的に与え、デバイス側を活性化温度まで加熱する。例えば、基板のデバイス側を、約０．３ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲、または約０．３ミクロン乃至０．７ミクロンの範囲の波長をもつ放射等の高いエネルギー源をパルス的に与えてもよい。例えば、基板のデバイス側を、冷水キセノンランプ等のキセノンランプや冷水タングステンハロゲンランプ等のタングステンハロゲンランプ等の光源を使って加熱してもよい。また、パルスの時間は数マイクロセカンド乃至１、２秒までに変えてもよいが、より典型的には数百ミリセカンドの範囲である。
【００１０】
他の態様においては、高エネルギーパルスのエネルギーは基板のバンドギャップより大きい。例えば、シリコンウエハに対しては、高エネルギーパルスの波長は約１．２電子ボルト（ｅＶ）より大きい。
【００１１】
他の態様においては、基板のデバイス側のためのヒータは、０．９ミクロンより大きい、または約０．７ミクロンより大きい波長をもつエネルギーを取り除いてデバイス側のヒータのエネルギーを基板のバンドギャップより大きくするフィルタを備えている。
【００１２】
他の態様においては、基板を加熱の間、回転させる。例えば、基板は１分当たり約５０回転乃至１分当たり約３００回転の範囲の回転速度で回転させてよく、典型的には１分当たり約１８０回転である。
【００１３】
本発明の他の形態によれば、不純物が注入された半導体基板の温度は基準温度までバイアスされる。基板のデバイス側の上面は、活性化の間、基準温度より高い活性化温度まで加熱され、それによって、不純物を活性化するのに十分なエネルギーを供給して不純物を基板の格子構造の一部とする。その一方では、基板を介しての不純物拡散を最小化し、基板内の温度勾配を減じて基板内のストレスを最小化する。
【００１４】
一態様においては、デバイス側の上面を、約１ミクロン乃至２ミクロンの範囲の深さに加熱する。他の態様においては、基板の非デバイス側を、約０．９ミクロン乃至２．３ミクロンの範囲の波長のピークエネルギーを生じる１または複数のランプによって加熱する。例えば、適当なランプはタングステンハロゲンランプである。デバイス側の上面を、約０．３ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲、または約０．３ミクロン乃至０．７ミクロンの範囲の波長をもつ１または複数のランプによって加熱する。例えば、基板のデバイス側の上面は、１または複数の、冷水キセノンランプ等のキセノンランプで加熱してもよい。
【００１５】
他の態様においては、デバイス側の上面のためのヒータは、０．９ミクロンより大きい波長または０．７ミクロンより大きい波長をもつエネルギーを取り除くフィルタを備えている。
【００１６】
本発明の更に他の形態によれば、不純物を注入している半導体基板の加熱方法は、基板の非デバイスを約０．９ミクロン乃至２．３ミクロンの範囲の波長をもつ非デバイス側ヒータを使って基準温度まで加熱することと、基板のデバイス側を約０．３ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲の波長をもつデバイス側ヒータを使って基準温度より高い熱活性化温度まで加熱し、それによって不純物を十分活性化して基板の格子構造の一部にすることとを含む。
【００１７】
一態様においては、デバイス側ヒータは基板のデバイス側をパルス加熱で加熱する。例えば、パルスの時間は数百ミリセカンド乃至１または２秒までの範囲でよい。
【００１８】
他の態様においては、デバイス側ヒータは、９００℃を超える温度まで基板のデバイスを加熱する。更なる態様においては、デバイス側ヒータは、１０００℃を超える温度まで基板のデバイスを、例えば、約数百ミリセカンド乃至１または２秒の間、加熱する。また更なる態様においては、デバイス側ヒータは、約１１００℃の温度まで基板のデバイスを、約数百ミリセカンド乃至１または２秒の間、加熱する。
【００１９】
更なる態様においては、非デバイス側ヒータは、約４００℃乃至９００℃の範囲、または約５００℃乃至６００℃の範囲の温度まで基板の非デバイス側を加熱する。また、少なくとも非デバイス側は、例えば、約±１℃の径方向温度均一性で、均一に加熱される。
【００２０】
本発明の更に他の形態によれば、反応器は、処理チャンバと、基板のデバイス側を加熱する第１のヒータと、基板の非デバイス側を加熱する第２のヒータとを備える。第１のヒータは約０．３ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲の波長のエネルギーを生じ、第２のヒータは約０．９ミクロン乃至２．３ミクロンの範囲の波長のエネルギーを生じる。
【００２１】
一態様においては、反応器は、半導体基板を回転可能に支持し、さらに、基板を加熱中に回転することによって基板が均一に加熱される。例えば、基板は約５ｒｐｍ乃至６０ｒｐｍの範囲または２００ｒｐｍ乃至３００ｒｐｍに至るまでの範囲で基板を回転する回転プラットフォーム上に支持されてもよい。
【００２２】
他の態様においては、第１のヒータは基板のデバイス側をパルス加熱で加熱する。例えば、第１のヒータは約数百ミリセカンド乃至１または２秒の範囲のパルスで加熱する。基板は約５ｒｐｍ乃至６０ｒｐｍの範囲で基板を回転する回転プラットフォーム上に支持され、第１のヒータはデバイス側を多数のパルスで加熱する。
【００２３】
本発明の更に他の形態によれば、半導体処理チャンバは、半導体基板をその中で支持する処理チャンバを画成するハウジングと、第１のエネルギーを半導体基板の非デバイス側に与え半導体基板のデバイス側にパルスエネルギーを与える手段とを備え、半導体基板内に注入された不純物によって形成された接合の深さの制御と基板を介しての不純物拡散の制御のために、第１のエネルギーの強さはパルスエネルギーの強さより小さく、パルスエネルギーの時間は第１のエネルギーの時間より短い。
【００２４】
一態様においては、パルスエネルギーの時間は、約１マイクロセカンド乃至２秒の範囲である。より好ましくは、パルスエネルギーの時間は、約１００ミリセカンド乃至４００ミリセカンドの範囲である。
【００２５】
他の態様においては、与える手段は、第１のエネルギー源と第２のエネルギー源を含む。第１のエネルギー源は第１のエネルギーを半導体基板の非デバイス側に与える。第２のエネルギー源はパルスエネルギーを基板のデバイス側に与える。例えば、第１のエネルギー源は約０．２ミクロン乃至３．０ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じてもよい。また、第１のエネルギー源は１または複数のタングステンハロゲンランプを備えてもよい。
【００２６】
他の態様によれば、第２のエネルギー源は約０．２ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲の波長でピークエネルギーを生じる。例えば、第２のエネルギー源は１または複数のタングステンハロゲンランプ、または、１または複数のキセノンランプを備えてもよい。更なる態様においては、装置は、約０．７ミクロンより大きい、または約０．９ミクロンより大きい波長をもつ第２のエネルギー源からのエネルギーを吸収するフィルタを含む。
【００２７】
上記から理解され得るように、本発明は、半導体基板を介しての反応ガス分子の拡散を制限しながら基板上に非常に薄いデバイスの成長ができる方法で、半導体の加熱を制御する改良された半導体処理装置を提供する。さらに、この加熱の均衡が基板の熱ストレスを最小化する。
【００２８】
これらのおよび他の目的、特徴および利点は、次の図面と説明を検討することで、より明らかになるであろう。
【００２９】
（好ましい実施の形態の説明）
図１を参照すれば、符号１０は、本発明の半導体処理装置を一般的に指している。以下により詳細に説明するように、半導体処理装置１０は、基板内の垂直熱ストレスを許容できるレベルに維持する一方、より薄い接合を達成し、従って、より速いデバイスを造るような方法で、装置１０のチャンバ２０内に支持される、シリコンウエハ等の半導体基板Ｓに熱を供給する。さらに、装置１０は、基板のデバイス側を、わずか約１乃至５マイクロメーターの範囲、より好ましくは、約１乃至３マイクロメーターの範囲、最も好ましくは約１乃至２マイクロメーターの範囲、の深さまで加熱し、また、この深さを、少なくとも９００℃、より好ましくは、少なくとも１０００℃、最も好ましくは１１００℃の温度まで、できる限り急速に短い時間、例えば数百ミリセカンド、またはより短い時間、加熱する。その一方、基板内の垂直熱ストレスを許容できるレベルに維持しておく。
【００３０】
図２および図３を参照すれば、半導体処理装置１０は、処理する基板Ｓをその中に支持するハウジング１２を備えている。ハウジング１２は、ベース１４と、カバー１６と、側壁１８とを備えている。ベース１４、カバー１６および側壁１８はそれらの間に処理チャンバ２０を画成する。チャンバ壁とカバーは、典型的にはおよそ摂氏４５〜７５℃に、当業界で知られている従来型の冷水流再循環システムによって水冷される。ハウジング１２内に配置されるヒータハウジング２２は、第１の加熱装置２４を、収容かつ包囲する。第１の加熱装置２４は、ハウジング１２のベース１４上に支持される。適切な加熱装置の詳細は、米国特許第５，９５１，８９６号、第５，８１４，３６５号および第６，３１０，３２３号を参照のこと。なお、これらの米国特許は、全てここに組み込まれる。ヒータハウジング２２は、プラットフォーム２６を備えている。基板Ｓは処理中にプラットフォーム２６上に支持される。好ましくは、ヒータハウジング２２は、回転可能にハウジング１２内に支持され回転可能なベース２８上に搭載されている。ベース２８はハウジング１２のベース１４上に支持される。ヒータハウジング２２とベース２８は、好ましくは、真空シールを介してハウジング２２とベース２８に回転を伝達できる、従来型の磁気的に連結された駆動機構、または他の適切な駆動デバイス、を使って回転される。具体的な処理に応じて、ベース２８の１分当たりの回転数は、変えられて、例えば、約５乃至３００ｒｐｍ、またはより大きい範囲で、予めセットされていてもよい。適切なプラットフォームの更なる詳細は、米国特許第６，０９０，２１２号、第６，００７，６３５号、そしてさらに１９９９年１０月１８日に出願された米国出願番号０９／４１９，５５５の、「ＰＬＡＴＦＯＲＭ ＦＯＲ ＳＵＰＰＯＲＴＩＮＧ Ａ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＳＵＰＰＯＲＴＩＮＧ Ａ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＤＵＲＩＮＧ ＲＡＰＩＤ ＨＩＧＨ ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ」（Ａｔｔｔｏｒｎｅｙ Ｄｏｃｋｅｔ ＭＩＣ０４ Ｐ−１０５）を参照のこと。なお、これらは、全てここに組み込まれる。
【００３１】
米国特許第５，８１４，３６５号に記述されている反応器と同様に、カバー１６はその中に搭載された複数の光ファイバ温度測定プローブ３０を備えている。それらは処理中に基板の温度を測定するために使われる。さらに、カバー１６は、米国特許第５，８１４，３６５号に記述されている非接触の放射率測定システムと同様の、非接触の放射率測定システム３２をさらに備えており、処理中、放射率の測定および基板Ｓの温度の計算をする。
【００３２】
以下により詳細に説明するように、半導体処理装置１０は、ヒータアセンブリ２４で基板Ｓの非デバイス側を加熱し、さらに、基板Ｓのデバイス側を熱活性化時間の間、非デバイス側より高い温度まで加熱する。それにより、チャンバ２０内に注入された不純物を活性化するのに十分なエネルギーが供給されて不純物が半導体基板の格子構造の一部になる。さらに、以下により詳細に説明するように、ヒータアセンブリ２４は、基板Ｓの非デバイス側を活性化温度より低い基準温度まで加熱し、基板内の温度勾配を減じ基板内のストレスを最小化する。また、基板Ｓのデバイス側に供給された熱は、パルスエネルギーとして、ある時間供給される。この時間は、１または２マイクロセカンド乃至１から２秒まで変えてもよいが、より典型的には、約数百ミリセカンドである。好ましくは、高エネルギーパルスは、基板のバンドギャップより大きい。例えば、シリコン基板にとって、高エネルギーパルスの波長は、好ましくは約０．３ミクロン乃至約０．９ミクロンの範囲である。
【００３３】
図３を参照すれば、カバー１６内に高エネルギー源３４が支持される。図示された実施例において、エネルギー源３４は１または複数のキセノンランプを備えている。キセノンランプは基板Ｓの上に位置し、熱を基板Ｓのデバイス側に向ける。キセノンランプは典型的には約０．３ミクロン乃至約０．９ミクロンの範囲の波長にわたる高エネルギーを供給し、ピークエネルギーは約０．３ミクロン乃至０．７ミクロンの範囲にわたる。好ましくは、エネルギー源３４は基板Ｓのデバイス側を９００℃より高い温度まで、より好ましくは１０００℃より高い温度まで、そして最も好ましくは１１００℃までの温度まで、加熱する。さらに、エネルギー源３４は、エネルギーを基板Ｓに、約１または２マイクロセカンド乃至１または２秒までの時間にわたって供給して、パルス加熱を基板Ｓに与える。より好ましい形態においては、エネルギーは基板Ｓに数百ミリセカンドの時間にわたり供給される。このようにして、エネルギー源３４は基板Ｓのデバイス側を活性化温度まで加熱する。これにより、不純物が活性化して、不純物が注入され基板の格子の一部になるが、エネルギーを与える期間が短いため、不純物の基板内への拡散は制限される。
【００３４】
対照的に、ヒータアセンブリ２４は、基板Ｓの非デバイス側を、およそ４００℃乃至約９００℃の範囲の温度まで、より好ましくは約５００℃乃至約６００℃の範囲の温度まで、加熱する。また、好ましくは、非デバイス側は、例えば、±１℃の径方向温度均一性で均一に加熱される。エネルギー源３４は、熱を基板Ｓのデバイス側へ、シリコン等の半導体基板の材料によって完全に吸収される周波数の範囲にわたり供給するが、ヒータアセンブリ２４は、熱をより広い周波数の範囲、例えば約０．９ミクロン乃至約３．０ミクロンまで、しかしより典型的には０．９ミクロン乃至２．３ミクロンの範囲にわたり、供給してもよい。より好ましい形態においては、ヒータアセンブリ２４は複数のＴ３タングステンハロゲンランプを備える。複数のＴ３タングステンハロゲンランプは、米国特許第５，９５１，８９６号に記載されているように、複数のゾーンに配置されている。それらのゾーンは、基板全体にわたって実質的に均一な温度を達成するように配置され、さらに、制御される。
【００３５】
上述したように、ヒータハウジング２２は、ハウジング１２内に回転可能に支持され、従って、基板Ｓを処理チャンバ２０内に回転可能に支持し、それによって基板Ｓは均一に加熱される。ヒータアセンブリ２２は、好ましくは５ｒｐｍ乃至６０ｒｐｍの範囲で基板Ｓを回転する。しかしながら、以下により詳細に説明するいくつかの応用においては、ヒータアセンブリ２２は約２００ｒｐｍ乃至３００ｒｐｍの範囲で基板Ｓを回転してもよい。また上述したように、加熱デバイス３４は、好ましくは基板Ｓのデバイス側をパルス加熱する。例えば、加熱デバイス３４は基板Ｓのデバイス側を、１または２マイクロセカンド乃至１または２秒の範囲、より典型的には数百ミリセカンドの範囲のパルスで加熱する。基板Ｓは、基板Ｓを約５ｒｐｍ乃至６０ｒｐｍの範囲で回転する回転プラットフォーム上に支持され、加熱デバイス３４は好ましくは多数のパルスでそのデバイス側を加熱する。
【００３６】
半導体基板は、自動移載ロボット等の従来型のウェーハ移載装置（図示せず）によって、（排気される）チャンバ２０内にチャンババルブ２１を介して位置せしめられ、プラットフォーム２６上に位置せしめられる。その後、まずその放射率が、放射率測定装置３２によって測定され、それからその温度が、約４００℃乃至９００℃の範囲、より典型的には約５００℃乃至６００℃の範囲の予めセットされた値に設定される。この温度は、基板Ｓのデバイス側（図２に表示された上面）がエネルギー源３４によって生ずる高エネルギーで照射される時に誘導され得る熱ストレスを、最適化および最小化するように選ばれる。安定した条件下では、基板Ｓは、典型的な±１℃の径方向温度均一性で、約５乃至６０ｒｐｍの範囲で回転され、具体的なプロセスに応じて典型的には１０ｒｐｍあたりで回転される。
【００３７】
他の応用においては、ヒータハウジング２２の回転数は、数秒の時間にわたり２００乃至３００ｒｐｍの範囲まで等のより速い速度に増加されるが、典型的には１８０ｒｐｍの速度である。上述したように、基板Ｓはこの高エネルギーの短いパルスで照射される。このパルスの時間は、処理されている具体的なデバイスの幾何学的配列に注入された不純物に応じて選ばれる。パルスの時間は、典型的には数マイクロセカンド乃至１から２秒までにわたる。しかしながら、典型的には数百ミリセカンドが使用され得る。エネルギー源３４は、典型的には約０．３ミクロン乃至０．９ミクロンの範囲の波長のエネルギーを供給し、基板は、実際上透過することなく実質的にはエネルギー全てを吸収する。エネルギー源３４からの吸収されたエネルギーは、基板のデバイス側の１乃至２ミクロン等の上層を活発にし、注入された不純物を活性化して、その不純物を基板材料の格子構造の一部にする。パルスの時間が経過すると、吸収されたエネルギーは緩和し、垂直方向に温度が減衰して、およそ５００℃乃至６００℃の安定した状態のバルクのシリコン温度場となる。従ってシリコン基板のバルクは、１乃至２ミクロンの上層の中に誘導される高エネルギーを、速く失わせるヒートシンクとして働く。その結果、シリコン内への不純物拡散が制御される。
【００３８】
ホウ素や砒素や燐等の反応性ガスは、カバー１６を介してチャンバ内にガスを供給するガス注入システムによって、チャンバ２０内に注入される。このガス注入システムは、米国特許第５，８１４，３６５号、または、同時係属中の２０００年３月２２日に出願された米国特許出願番号０９／５３２，５８８（Ａｔｔｔｏｒｎｅｙ Ｄｏｃｋｅｔ Ｎｏ．ＭＩＣ０４ Ｐ−１０８）および２０００年１月２０日に出願された米国特許出願番号０９／４８８，３０９（Ａｔｔｔｏｒｎｅｙ Ｄｏｃｋｅｔ Ｎｏ．ＭＩＣ０４ Ｐ−１０６）に開示されており、これらは、全てここに組み込まれる。これの代わりに、チャンバ２０内へのガスの注入は、チャンバの一方の側部にあるポートを介して行われ、未反応ガスまたは排気ガスは、チャンバのもう片方の側部に基板を横切って位置する排気ポートを介して排出されてもよい。このような注入／排気の例は、米国特許第４，８３４，０２２号を参照のこと。なお、この米国特許は、その全体がここに組み込まれる。
【００３９】
オプションとして、好ましくは、エネルギー源３４は、冷水キセノンランプを備え、それによってランプのケーシング等からの黒体輻射を最小化する。また、処理装置１０は、水晶フィルタ等のフィルタを組み込んでいてもよい。そのフィルタは、エネルギー源３４から放出される、望ましくない範囲を超えた、典型的には０．９０ミクロンより大きい、そして場合によっては０．７ミクロンより上の範囲の波長の除去に使われる。水晶は、１ミクロン未満の波長のエネルギーを透過し、１ミクロンより大きい波長のエネルギーを吸収するので、水晶フィルタは、特にこの適用に適している。黒体輻射体として働くことができ、さらに基板を加熱する水晶フィルタからの熱から防ぐために、オプションとして、水晶フィルタは水冷されてもよい。
【００４０】
上述から理解され得るように、基板内の径方向のストレスを減じ基板内の垂直熱ストレスの最小化を可能にするウエハの均一なバルク温度の慎重な最適化と、上部照射エネルギー源電力と、そのエネルギー源電力の時間とが、台頭しつつある薄い接合のデバイス幾何学的形状のアニール処理に対する、最大限の制御を提供する。照射パルスに先だって高い回転速度を使うと、パルスの径方向分布の均一性を高い度合いで達成することも可能である。
【００４１】
半導体の形状が急速に縮少されるにつれて、活性化した注入された不純物の深さ、すなわち、接合の深さも急速に小さくなっている。接合の深さが非常に薄くなるにつれて、熱アニール処理がより困難になる。なぜなら、シリコン内への不純物の熱拡散は、これまで、活性化プロセスを伴ってきているからである。本発明は、シリコン格子内へ注入された不純物の活性化をし、さらにその一方では、不純物がシリコン基板内に拡散する深さを制限するものであることは理解されよう。さらに、本発明は、注入された不純物の電気的活性化の良さを決定する、シリコン格子の完全化と注入されたドープト層内に残る欠陥とに直接関わる、効果的なアニール処理を提供する。その結果、本発明は、注入された不純物をアニールして、半導体基板を介しての不純物拡散を最大限制御しながら高速な活性化を達成する新しい半導体処理装置を提供する。
【００４２】
図４を参照すれば、符号１１０は、一般的には本発明の半導体処理装置の他の実施例を示している。処理装置１１０は、ハウジング１１２を備えている。ハウジング１１２は、ベース１１４と、カバー１１６と、側壁１１８とを備えている。ベース１１４、カバー１１６および側壁１１８はそれらの間に処理チャンバ１２０を画成する。ハウジング１１２内に、ヒータハウジング１２２が配置される。以下により詳細に説明するように、ヒータハウジング１２２内に支持される第１のヒータアセンブリ１２４は、ヒータアセンブリ２４と同様に、基板Ｓの非デバイス側を加熱する。ハウジング１２２は、ベース１２６を備えている。ベース１２６は、ハウジング１１２のベース１１４上に回転可能に支持され、好ましくは、当業界で知られている真空シールを介してハウジング１２２を回転する磁気的に連結された駆動機構によって、駆動される。ヒータハウジング１２２は、処理中に基板Ｓを支持するプラットフォーム１３０をも備えている。従って、ハウジング１２２が駆動機構によって駆動されると、プラットフォーム１３０と基板Ｓは、処理チャンバ１２０内で回転される。前の実施例で記述したように、基板Ｓの回転数は、応用に応じて変えられてもよいが、典型的には約５乃至６０ｒｐｍの範囲、場合によっては２００乃至３００ｒｐｍまでの範囲である。
【００４３】
ヒータアセンブリ１２４は、複数の加熱ランプ１３２を備えており、複数の加熱ランプ１３２は、基板Ｓ全体にわたって均一に加熱するように複数のゾーンに配置されている。オプションとして、ランプ１３２は、水冷サポート１３４によって支持されてもよい。それにより、温度を最大の閾値レベルより下に維持しながら、ヒータアセンブリ１２４が（基板Ｓの処理を高めるため）その出力を最適化でき、それによって、減圧された環境内でより効果的にヒータアセンブリ１２４が動作できる。また、ヒータアセンブリ１２４は、基板Ｓの非デバイス側を、およそ４００℃から約９００℃の範囲の基準温度まで加熱し、より好ましくは、約５００℃から約６００℃の範囲の温度まで加熱する。さらに、好ましくは、非デバイス側は、例えば約±１℃の径方向温度均一性で、均一に加熱される。ランプ１３２は、好ましくは、例えば約０．９ミクロン乃至３．０ミクロンの範囲、より典型的には、０．９ミクロンから２．３ミクロンの範囲にわたる周波数でピークエネルギーを生ずる。好ましい形態においては、ヒータアセンブリ１２４は複数のＴ３タングステンハロゲンランプを備える。複数のＴ３タングステンハロゲンランプは、米国特許第５，９５１，８９６号に記載されているように、複数のゾーンに配置されている。それらのゾーンは、基板全体にわたる実質的に均一な温度を達成するように配置され、さらに、制御される。適切なヒータアセンブリの更なる詳細は、米国特許第６，３１０，３２３号を参照のこと。なお、この米国特許は、その全体がここに組み込まれる。
【００４４】
上記実施例と同様に、カバー１１６は、１または複数の温度測定プローブ１３１（図５）と、基板Ｓのデバイス側Ｓ’を加熱するエネルギー源１３６とを支持する。エネルギー源３４と同様に、エネルギー源１３６は、好ましくは基板Ｓのデバイス側を９００℃より高い熱活性化温度まで、より好ましくは１０００℃より高い温度まで、そして最も好ましくは１１００℃までの温度まで、加熱する。図５を参照すれば、エネルギー源１３６は、基板Ｓ全体にわたり均一に加熱するよう複数のゾーンに配置されている、複数の加熱ランプ１３８を、備えている。図６に最もよく見られるように、ランプ１３８は、ランプの第１のグループは、第１の軸１４０に沿って、または平行に、延在して配置されて第１の段を形成し、そしてランプの第２のグループは、第２の軸１４２に沿って、または平行に、延在して配置されて第２の段を形成するように配置されている。以下により詳細に説明するように、ランプ１３８は更に、基板Ｓへ供給されるエネルギーを随意的に制御できるよう、ランプの各段内において、複数のゾーン内に配置される。
【００４５】
ランプ１３８は、ベース１４６を備えるサポートフレーム１４４によって、カバー１１６内に搭載される。ベース１４６に、複数の横断サポート部材１４８が搭載されている。複数の横断サポート部材１４８に、複数のランプサポート１５０は固定されている。複数のランプサポート１５０は、それぞれのランプ１３８のそれぞれの電極１５２を支持する。図６Ａを参照すれば、ランプサポート１５０はそれぞれベース１５４を備えている。ベース１５４は、好ましくはニッケル被膜された胴等の伝導性をもつ材料から造られた本体を備えている。伝導性をもつ材料は、ヒータサポートそれぞれのための接触を形成する。ベース１５４は、オプションとして、ランプ１３８の各電極を受けるソケットを形成する、複数の窪み（図示せず）を備えてもよい。各ランプサポート１５０はさらに、留め具１６２によってベース１５４に固定されている非導性のブラケット１６０を備えている。留め具１６２は、電気の接触を良くするため、電極１５２にベース１５４との接触を促す。以下により詳細に説明するように、ベース１５４は、ワイヤ１６４等の電線管に連結して、電流を各ランプに供給する。各ランプサポート１５０は１または複数のランプを支えてもよいことは理解され得る。また、サポート１５０は、米国特許第６，３１０，３２３号に記述されているように、冷水サポートを備えてもよい。
【００４６】
図５および図６に最もよく見られるように、カバー１１６は、好ましくは反射器１６６を備えている。反射器１６６は、ランプ１３８からのエネルギーを基板Ｓへ向けられるよう、ランプ１３８の後ろに位置している。反射器１６６は、金やニッケルやクロム等の高い反射の材料で造られている。オプションとして、反射器１６６は、高い反射の材料で磨き上げられめっきされたカバー１１６の、基板Ｓと接する側に、形成されてもよい。適切なランプは、米国特許第５，９５１，８９６号に記述されているランプを含んでもよく、反射器をランプ構造に取り込む。こうして、潜在的に反応器の必要性を除いている。しかしながら、ランプの配列を重複することがカバー１１６へ反射され戻されるエネルギーをうむので、反応器１６６が効率性を高めていることが理解される。
【００４７】
ランプ１３８は、好ましくは、エネルギーを、約０．２ミクロン乃至数ミクロンの範囲、最も好ましくは約０．２ミクロン乃至３ミクロンの範囲の波長にわたるスペクトルで放つ。しかしながら、１ミクロンより上の波長をもつエネルギーは、ほぼ加熱波長であり、本応用に望ましくないので、ヒータアセンブリ１３６は、好ましくは、約１ミクロンより上の波長のエネルギーを濾過して除くフィルタ１７０を備えている。フィルタ１７０に適切な材料は、例えば、水晶プレートを含む。水晶プレートは、１ミクロンより低い波長のエネルギーを透過し、１ミクロンより上の波長をもつエネルギーを吸収する。水晶の適切なプレートの厚さは、約１ｍｍ乃至５ｍｍであり、より好ましくは、約３ｍｍである。オプションとして、好ましくは、フィルタ１７０は冷やされ、それにより、フィルタ１７０から基板Ｓへの黒体輻射を最小化する。例えば、フィルタ１７０は２つの平行な水晶プレートを備えてもよい。水晶プレートは、上述したように、基板Ｓの加熱に望ましい周波数で光りを通し、そして２つの水晶プレートは離れており、その間に空洞を画成する。その空洞を、水晶プレートを冷却する冷却液が通過する。
【００４８】
ランプ１３８は、好ましくは、タングステンハロゲンランプを備え、２またはそれ以上の段で配置される。ランプの１つのグループは、それらの段のうち１つの段の中の１つの軸に沿って配置され、ランプの他のグループは、他の軸にそって配置される。この他の軸は、一般的には第１の軸に直交し、第２の段の中にある。また、ランプはグループであり、すなわち、各段内に多数のゾーンの配置で置かれている。これは、米国特許出願第５，９５１，８９６号または５，０５９，７７０号に記述されているヒータアセンブリと同様であり、これらの米国特許は、それらの全体がここに組み込まれる。上述したように、ランプ１３８は、エネルギーを、約０．２ミクロン乃至数ミクロンの範囲にわたるスペクトルで放ち、ほとんどのエネルギーは、０．２ミクロンと２．３ミクロンの間で放たれる。ランプ１３８は、典型的には２０８ボルトＡＣで作動される。２０８ＶＡＣの通常の電圧がランプに与えられたとき、ランプ１３８から連続してランプパワーがフルに出力される。この電圧で、ランプ１３８は、数千時間まで作動され得る。以下に記述するように、ランプ１３８は、デジタルタイマー１８２によって制御されている固体のリレーを介して電力を供給する。この場合、時間は、例えば数マイクロセカンド乃至数秒の範囲でセットされ、より典型的には１００ミリセカンド乃至４００ミリセカンドの範囲であり、より典型的には約３００ミリセカンドである。この時間がセットされた後、タイマーのスイッチが入れられると全電力（２０８ＶＡＣ）がランプ１３８に供給される。以下に記述するように、タイマーは、典型的には、そして好ましくは、適切な制御ソフトウェアを備えたコンピュータによって制御され、そして、例えば３００ミリセカンドのパルス時間の後、スイッチが切られる。本応用においては、４８０ＶＡＣの電圧が、好ましくはランプ１３８に与えられて、ランプ１３８を、非常に短い制御された時間の間、短いパルスの高エネルギーランプ出力にする。ランプ１３８は、これらの条件下で、数ミリセカンド乃至３０００ミリセカンドにわたる時間、作動され得ることがわかってきた。ランプ１３８へのこの突然のラッシュ、すなわちこのような高電圧すなわちバイアスによる電流をかけることによって、出力されたエネルギーの範囲を、たいてい１ミクロンより下であり、例えば、約０．２ミクロン乃至０，９ミクロンの間である、より短い波長へと著しく変えることもわかってきた。従って、標準のタングステンハロゲンランプをこのように新規の方法で使用することにより、キセノン光の効果を持つエネルギースペクトル（ｘｅｎｏｎ ｌｉｇｈｔ ｅｆｆｅｃｔ ｅｎｅｒｇｙ ｓｐｅｃｔｔｒｕｍ）を、より短い波長で、より高い電力の出力で、かつより低いコストで造ることができ、さらに、ランプ１３８が、上述したように、多数のゾーンに配置されると、複数の異なるタイマーが、選択されたランプのグループを異なる時間の間トリガーするために使われ得る。この時間の多様性は、非常に短い平均パルス内で、基板の注入物の活性化を達成するために用いられる。
【００４９】
オプションとして、そして好ましくは、加熱ランプ１３８が基板Ｓに近寄ったり離れたりして基板Ｓへ供給されるエネルギーを変化させるように、ヒータアセンブリ１３６は、移動可能にカバー１１６内に支持されている。例えば、横断サポート１４８等のフレーム１４４は、１または複数の（当業界で知られている）リニア駆動体１７４に搭載される。駆動体１７４は、チャンバ１２０内でヒータアセンブリを昇降させる。駆動体１７４は、基板Ｓを昇降させプラットフォーム１３０から離す、磁気的に駆動されるリニア駆動体と同様である（例えば、米国出願第５，８１４，３６５号に記述されている）。
【００５０】
駆動体１７４はランプ１３８とともに、中央プロセッサ１８０によって制御される。中央プロセッサ１８０は、ヒータアセンブリ１３６の位置および／またはランプ１３８の活性化を調節して、制御されたパルス状の高エネルギーの出力をうむ。また、中央プロセッサ１８０は、どのランプまたはどのランプのグループを作動させるかを制御してもよい。例えば、図６を参照すれば、ランプ１３８ａ等のランプのグループは、トリガー回路を介して中央プロセッサに連結しているランプ１３８ａのヒータサポートのそれぞれのコンタクトを備える、１つのゾーンとしてグループとされてもよい。トリガー回路１８０は、好ましくは、接触タイマー１８２と固体のリレー１８４とを備え、それぞれのランプ（１３８ａ）から基板Ｓへ供給されるエネルギーパルスの時間を制御する。各ゾーンは、異なるタイマーを備えた異なるトリガー回路を有してよく、このような時間の多様性により、基板Ｓへ供給されるエネルギーが調節され、エネルギーの非常に短いパルス内でウエハ注入不純物活性化が達成される、ということが理解される。
【００５１】
上述の実施例と同様に、１種または複数種の反応ガスがチャンバ１２０内の１つまたは複数のポートへ注入される。ポートは、カバー１１６内に位置されてもよく、またはハウジング１１２の側に位置されてもよい。適切な注入システムガス注入および排気システムの例は、米国特許第５，８１４，３６５号、第４，８３４，０２２、同時係属中の２０００年３月２２日に出願された米国特許出願番号０９／５３２，５８８（Ａｔｔｔｏｒｎｅｙ Ｄｏｃｋｅｔ Ｎｏ．ＭＩＣ０４ Ｐ−１０８）および２０００年１月２０日に出願された米国特許出願番号０９／４８８，３０９（Ａｔｔｔｏｒｎｅｙ Ｄｏｃｋｅｔ Ｎｏ．ＭＩＣ０４ Ｐ−１０６）を参照のこと。
【００５２】
上述から理解され得るように、本発明は、半導体基板を介しての反応ガス分子の拡散を制限しながら、反応分子を基板の格子中に制御して注入して基板上に非常に薄いデバイスの成長を行うことができる、半導体基板にエネルギーを与えるデバイス側ヒータと非デバイス側ヒータとを備えた、改良された半導体処理装置を提供する。また、基板の両側の加熱のバランスをとることによって、基板内の熱ストレスが最小化される。
【００５３】
本発明のいくつかの形態が示され記載されているが、当業者にとっては、今や他の形態も明らかである。従って、図面に示され、上記において説明した実施の形態は単に例示的な目的のためであり、次に続く請求の範囲で定義される本発明の範囲を限定する意図でないことは理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明の半導体処理装置の斜視図である。
【図２】
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】
図３は、図２と同様な図であり、図２の装置のカバー内に設けられた高強度エネルギー源を示している。
【図４】
図４は、図２および図３と同様な断面図であり、本発明の半導体処理装置の他の実施の形態を示している。
【図５】
図５は、図４の装置の上カバーの拡大図である。
【図６】
図６は、図５の装置の上カバーの底面図である。
【図６Ａ】
図６Ａは図６のランプサポートのうちの一つの拡大図である。
【図６Ａ】
2005502185.tif 000003
【国際公開パンフレット】
2005502185.tif 000004
2005502185.tif 000005
2005502185.tif 000006
2005502185.tif 000007
2005502185.tif 000008
2005502185.tif 000009
2005502185.tif 000010
2005502185.tif 000011
2005502185.tif 000012
2005502185.tif 000013
2005502185.tif 000014
2005502185.tif 000015
2005502185.tif 000016
2005502185.tif 000017
2005502185.tif 000018
2005502185.tif 000019
2005502185.tif 000020
2005502185.tif 000021
2005502185.tif 000022
2005502185.tif 000023
2005502185.tif 000024
2005502185.tif 000025
2005502185.tif 000026
2005502185.tif 000027
2005502185.tif 000028
2005502185.tif 000029
2005502185.tif 000030
2005502185.tif 000031
2005502185.tif 000032
【国際調査報告】
2005502185.tif 000033
2005502185.tif 000034
2005502185.tif 000035