(57)【要約】本発明は、バンドの第１のセットとバンドの第２のセットとを有し、これらが第１のセットのバンドと第２のセットのバンドとの交差ポイントを伴って２次元のメッシュ部を形成するように配されたエレクトロルミネセント装置に関するものである。各ケースにおいて上記バンドが連続する層よりなり、少なくとも１つのバンドのセットがバンドの第１のセットとバンドの第２のセットとの間に電圧が印加されると光を発する発光物質を含む。上記バンドの構造が個々のバンドの間のコンタクト領域を増大させ、光がより効率的に生成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンドの第１のセットとバンドの第２のセットとを有し、これらが前記第１のセットのバンドと前記第２のセットのバンドとの交差ポイントを伴って２次元のメッシュ部を形成するように配され、各ケースにおいて前記バンドが連続する層よりなり、少なくとも１つのバンドのセットが前記バンドの第１のセットと前記バンドの第２のセットとの間に電圧が印加されると光を発する発光物質を含むエレクトロルミネセント装置。
【請求項２】
各ケースにおいて前記バンドが有機層を含み、前記交差ポイントにおいて前記バンドの第１のセットの前記有機層が前記バンドの第２のセットの前記有機層と接触していることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項３】
前記有機層が、有機ポリマ、有機共重合体、有機オリゴマ、少なくとも１つの有機配位子を有する金属錯体、複素環式化合物及びアミンよりなる群から選択された材料であることを特徴とする請求項２記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項４】
前記バンドの第１のセットのバンドが、基板、前記基板に隣接する第１の電極及び前記第１の電極に隣接する第１の有機層を有することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項５】
第２の有機層が前記第１の有機層に隣接することを特徴とする請求項４記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項６】
前記第１の有機層及び前記第２の有機層が電子伝導材料又は発光物質を含むことを特徴とする請求項４又は５記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項７】
前記バンドの第２のセットのバンドが、基板、前記基板に隣接する第２の電極及び前記第２の電極に隣接する第３の有機層を有することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項８】
第４の有機層が前記第３の有機層に隣接することを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項９】
前記第３の有機層及び前記第４の有機層が正孔伝導材料又は発光物質を含むことを特徴とする請求項７又は８記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項１０】
前記基板と前記第２の電極との間に追加の層が位置することを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項１１】
前記追加の層が顔料又はＳｉＯ２を含むことを特徴とする請求項１０記載のエレクトロルミネセント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンドの第１のセットとバンドの第２のセットとを有し、これらが第１のセットのバンドと第２のセットのバンドとの交差ポイントを伴って２次元のメッシュ部を形成するように配され、少なくとも１つのバンドのセットがバンドの第１のセットとバンドの第２のセットとの間に電圧が印加されると光を発する発光物質を含むエレクトロルミネセント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセント装置は、電界が与えられると光を発する構造体である。対応する電圧、典型的には数ボルトがエレクトロルミネセント装置の２つの対向する電極に印加されると、正及び負の電荷担体が注入されてエレクトロルミネセント層に移動し、エレクトロルミネセント層においてこれら電荷担体が再結合して、その際光を生成する。そのような装置の既知の例は、ＧａＰ又は他のＩＩＩ−Ｖ族半導体をベースとする発光ダイオードである。
【０００３】
これらのエレクトロルミネセント装置は、非常に効率的であるが、大きな表示システムにおいて容易及び経済的に用いられることができない。
【０００４】
この問題の解決策は、有機発光ダイオード、所謂ＯＬＥＤによってもたらされる。有機発光ダイオードは、複数の機能層により構成されている。ＯＬＥＤの典型的な構造は「Philips Journal of Research, 1998, 51, 467」に記載されている。典型的な構造は、透明電極（アノード）としてのＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）の層と、導電性ポリマ層と、エレクトロルミネセント層、すなわち発光材料（特に発光ポリマ）の層と、金属、好ましくは低仕事関数の金属よりなる電極（カソード）とを有している。そのような構造は、通常、基板、一般的にはガラスの上に与えられる。生成された光は、基板を介して見る人に達する。エレクトロルミネセント層に発光ポリマを伴うＯＬＥＤは、高分子ＬＥＤ（polyLED）又はＰＬＥＤとも呼ばれている。
【０００５】
そのようなエレクトロルミネセント装置は、大きなスクリーンのサイズだけではなく、小さな奥行きを伴う場合にも製造され得る。適切な基板、例えばポリマフィルムが用いられると、フレキシブルなエレクトロルミネセント装置を得ることさえも可能である。
【０００６】
高分子ＬＥＤをベースとするフレキシブルなエレクトロルミネセント装置は、例えば米国特許第５，９６２，９６７号公報により開示されている。このエレクトロルミネセント装置は、２つの異なる点対称の繊維により構成された編まれた（woven）構造を有している。これらの繊維のそれぞれは電気伝導素子を含んでおり、２つの繊維の少なくとも１つは発光ポリマのコーティングを有している。２つの上記電気伝導素子に電界が与えられると、発光ポリマは２つの繊維の交差ポイントにおいて光を発する。
【０００７】
２つの層の界面又は接点はＯＬＥＤの効率のために極めて重要である。接触が良好であるほど、エレクトロルミネセント装置は効率的である。特に、１つの電気伝導素子のみにより構成された繊維及び発光ポリマのコーティングを有する繊維よりなるエレクトロルミネセント装置は、２つの非常に異なる材料が互いに接しているのであまり効率的ではない。
【０００８】
上述したようなエレクトロルミネセント装置の他の欠点は、発光が２つの繊維の間の密接なコンタクトを伴う領域においてのみ誘発されることである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的は、改善されたエレクトロルミネセント装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、バンドの第１のセットとバンドの第２のセットとを有し、これらが上記第１のセットのバンドと上記第２のセットのバンドとの交差ポイントを伴って２次元のメッシュ部を形成するように配され、各ケースにおいて上記バンドが連続する層よりなり、少なくとも１つのバンドのセットが上記バンドの第１のセットと上記バンドの第２のセットとの間に電圧が印加されると光を発する発光物質を含むエレクトロルミネセント装置により達成される。
【００１１】
既知の点対称の繊維とは異なり、上記バンドは鏡面対称の層構造を有している。結果として得られるバンドの実質的に矩形の断面が２つの異なるバンドの間のコンタクト領域を増大させる。
【００１２】
請求項２に記載されている有利な形態は、２つのバンドの間の密接なコンタクトをもたらす。これは、同じタイプの２つの材料、すなわち２つの有機材料が互いに接触していることにより実現される。その結果、電荷の移動がより効率的であり、より多くの電荷担体がエレクトロルミネセント層に到達する。これはより多量の光を生成するだけではなく、発光領域を増大させもする。
【００１３】
請求項３に記載されている有利に選択された有機材料は、効果的な発光物質、正孔伝導材料、電子伝導材料又は好ましい基板材料のいずれかである。
【００１４】
請求項４ないし６に記載されているバンドの第１のセット及び請求項７ないし９に記載されているバンドの第２のセットの有利な形態は、メッシュ部におけるそれらの増大したコンタクト領域及び密接なコンタクトがエレクトロルミネセンスに基づく効果的な光の生成を可能にするバンドをもたらす。
【００１５】
請求項１０及び１１に記載されているバンドの第２のセットの有利な形態は、カラーフィルタ及び／又は拡散バリア層を有する点でエレクトロルミネセント装置の発光特性を更に改善する。
【００１６】
本発明は、各図に示されている実施例を参照して更に説明されるが、本発明はそれに限定されるものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１によると、本発明によるエレクトロルミネセント装置は、バンドよりなる２次元のメッシュ部を有している。上記バンドは、カソードバンドとも呼ばれるバンドの第１のセット１と、アノードバンドとも呼ばれるバンドの第２のセット２とを有している。図１から明らかであるように、上記バンドは、各カソードバンド１が特定のアノードバンド２と専ら一回交差し、各アノードバンド２が特定のカソードバンド１と専ら一回交差して２次元のメッシュ部又は交差ポイントのアレイが得られるように配されている。このメッシュ部では、２つのバンドの各交差ポイントにおいて光が生成される。
【００１８】
代替として、メッシュ部は、例えば各アノードバンド２が３つのカソードバンド１に及ぶメッシュ部がもたらされるように他の編まれたパターンを有していてもよい。
【００１９】
図２は、カソードバンド１の一実施の形態を通る断面を示している。カソードバンド１はフレキシブルな基板３を有しており、この基板３はポリアミドのような有機ポリマを含んでいることが好ましい。基板３には、例えばアルミニウム、銅、銀、金、合金又はｎ型にドープされたシリコンのような金属の電気伝導層の形態の第１の電極４が隣接している。この第１の電極４は２つ又はそれ以上の層を有していると有利である。この例では、第１の電極層４は、基板３に隣接し、アルミニウム、銅、銀又は金よりなる第１の層と、例えばセシウム、カルシウム又はバリウムのようなアルカリ土類金属よりなる第２の層とを含んでいることが特に好ましい。代替として、上記第２の層は、アルカリ金属、好ましくはセシウムがドープされたビフェニルの層を含んでいてもよい。
【００２０】
他の可能な実施の形態では、第１の電極４が４つの導電層を含んでいる。基板３に隣接する第１の層はアルミニウムを含有する。第２の層はＡｌ：ＳｉＯ２＝３：１（モル比）のアルミニウム及びＳｉＯ２を含有する。上記第２の層に隣接する第３の層はアルミニウムを含有する。第４の層はアルカリ土類金属を含有する。この第１の電極４の構造によって、破壊的な干渉による周囲光の反射が低減され、エレクトロルミネセント装置の画像のコントラストが改善される。
【００２１】
他の可能な代替案では、第１の電極４が複数の層を有し、そのうちの１つが高い屈折率を持つ材料、好ましくはＺｎＳにより構成される。そのような第１の電極４は、基板３に隣接し、高い屈折率を持つ材料よりなる第１の層を有する。この第１の層には金属、特に銀よりなる第２の層が隣接し、第２の層にはアルカリ土類金属又はアルカリ金属がドープされたビフェニルを含有する第３の層が隣接する。この構造は、第１の電極４を透明にする。すなわち、この構造は、第１の電極４をエレクトロルミネセント装置において生成される光に対して透過可能にする。
【００２２】
上記第１の電極４には、発光物質を含む第１の有機層５が隣接している。この実施の形態では、第１の有機層５はエレクトロルミネセント装置のエレクトロルミネセント層である。
【００２３】
上記発光物質は、例えば、ポリ（ｐ−フェニルビニレン）（ＰＰＶ）又はジアルコキシにより置換されたＰＰＶのような置換ＰＰＶ等の発光有機ポリマを含んでいる。代替として、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、置換された及び／又はドープされたこれらのポリマの誘導体も発光物質として用いられ得る。他の好ましい発光ポリマは、例えば、ポリ[２−（６−シアノ−６−メチルヘプチルオキシ）−１，４−フェニレン]（ＣＮ−ＰＰＰ）、ポリ[９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル]、ポリ[９，９−ジ−（２−エチルヘキシル）−フルオレニル−２，７−ジイル]又はポリ[９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル]である。
【００２４】
代替として、例えば、ポリ[（９，９´−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−（１，４−ビニルフェニレン）]共重合体、ポリ[（９，９´−ジヘキシルフルオレン）−（Ｎ，Ｎ−ジ（フェニル）−Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゾール）]共重合体、ポリ[（９，９´−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−（１，４−ベンゾ−[２，１´，３]チアジアゾール）]共重合体、ポリ[（９，９´−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−（２，５−ｐ−キシロール）]共重合体、ポリ[（９，９´−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−（３，５−ピリジン）]共重合体、ポリ[（９，９´−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−（９，９´−{５−ペンテニル}−フルオレニル−２，７−ジイル）]共重合体又はポリ[（９，９´−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−（６，６´−{２，２´−ビピリジン}）] 共重合体のような発光共重合体も第１の有機層５の発光物質として用いられ得る。
【００２５】
第１の有機層５に存在し得る他の好ましい発光物質は、例えば、４，４´−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１´ビフェニル、９，１０−ジ[（９−エチル−３−カルバゾイル）−ビニレニル]−アントラセン、４，４´−ビス（ジフェニルビニレニル）−ビフェニル又は１，４−ビス（９−エチル−カルバゾビニレン−２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ベンゾールのような発光オリゴマである。
【００２６】
代替として、有機層５は、例えば、アルミニウムオキシネート（Ａｌｑ３）、ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラト）−アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジネート−Ｎ，Ｃ２´）ピコリネート（ＦＩｒｐｉｃ）、例えばトリス−（ベンゾイルアセトネート）モノ（１，１０−フェントロリン）−ユーロピウム又はトリス−（ベンゾイルアセトネート）モノ（５−アミノ−１，１０−フェナントロリン）−ユーロピウムのようなユーロピウム（ＩＩＩ）錯体、リチウムテトラ（８−ヒドロキシキノリネート）−ボレート又はリチウムテトラ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）−ボレートのようなホウ酸塩（borate）及びビス（８−ヒドロキシキノリネート）−亜鉛又はビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）−亜鉛のような亜鉛錯体等の少なくとも１つの有機配位子を有する金属錯体を発光物質として含んでいてもよい。有機層５は、異なる色の光を発する複数、好ましくは３つの金属錯体を含有することも可能である。この実施の形態では、有機層５は、例えば、赤色発光金属錯体としてトリス−（ベンゾイルアセトネート）モノ（５−アミノ−１，１０−フェナントロリン）−ユーロピウム、緑色発光金属錯体としてＡｌｑ３、青色発光金属錯体としてビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）−亜鉛を含有し、白色光を発する。
【００２７】
図３は、カソードバンド１の他の実施の形態を示している。この実施の形態では、第１の電極４の上に２つの有機層５，６が与えられている。この実施の形態では、第１の有機層５は電子伝導層として機能し、例えば導電性ポリマ、導電性オリゴマ、金属錯体又は複素環式化合物のような電子伝導材料を含んでいる。上記材料は、置換基及び／又はドーピング物質を有し得る。好ましい材料は、オキサジアゾール、オキサゾール、イソキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、１，２，３トリアゾール、１，３，５トリアジン、キノキサリン、オリゴピロール、ポリピロール、フェニレンビニレンオリゴマ、フェニレンビニレンポリマ、ビニルカルバゾールオリゴマ、ビニルカルバゾールポリマ、フルオレン−オリゴマ、フルオリンポリマ、フェニルアセチレンオリゴマ、フェニルアセチレンポリマ、フェニレンオリゴマ、フェニレンポリマ、オリゴチオフェン、ポリチオフェン、ポリアセチレン又はオリゴアセチレンを有し得る。好ましい電子伝導材料は、例えば２−ビフェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）である。これらの電子伝導特性によれば、これらの材料は第１の有機層５を通って上記カソードに向かう正孔の移動を防止もする。
【００２８】
この実施の形態では、第２の有機層６がエレクトロルミネセント層として機能し、発光物質を含んでいる。
【００２９】
図４は、アノードバンド２の一実施の形態を通る断面を示している。アノードバンド２はフレキシブルな基板３を有しており、この基板３はポリアミドのような有機ポリマを含んでいることが好ましい。基板３には、好ましくはＩＴＯの透明な電気伝導層の形態の第２の電極７が隣接している。この第２の電極７には第３の有機層８が隣接している。第３の有機層８は、正孔伝導層として機能し、例えば導電性ポリマ、導電性オリゴマ又はアミンを含んでいる。上記材料は、置換基及び／又はドーピング物質を有し得る。好ましい材料は、三級アミン、三級芳香族アミン、ポリマ含有アリルアミン、オリゴチオフェン、ポリチオフェン、オリゴピロール、ポリピロール、オリゴフェニレンビニレン、フェニレンビニレンポリマ、ビニルカルバゾールオリゴマ、ビニルカルバゾールポリマ、フルオリンオリゴマ、フルオリンポリマ、フェニレンアセチレンオリゴマ、フェニレンアセチレンポリマ、オリゴフェニレン、ポリフェニレン、アセチレンオリゴマ、ポリアセチレン、フタロシアニン又はポルフィリンを有し得る。ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＤＯＴ）、Ｎ，Ｎ´−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ´−ビス（フェニル）ベンジジン（ＴＰＤ）、４，４´−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）又はＮ，Ｎ´−ジ−[（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル]−（１，１´−ビフェニル）−４，４´−ジアミン（α−ＮＰＤ）が正孔伝導材料として好ましく用いられる。正孔伝導特性によれば、第３の有機層８は第３の有機層８を通って上記アノードに向かう電子の移動を防止する。代替の実施の形態では、第２の電極７が正孔伝導材料を含み得る。導電率を高めるために、第２の電極７は正孔伝導材料に加えて金属フィラメントを含んでいてもよい。
【００３０】
図５は、本発明による他のアノードバンド２を通る断面を示している。この実施の形態では、基板３と第２の電極７との間に追加の層９が位置している。この追加の層９は、例えば顔料（pigment）を含んでおり、カラーフィルタとして機能する。代替として、ＳｉＯ２の追加の層９が基板３と第２の電極７との間に位置してもよい。このＳｉＯ２の追加の層９は、拡散バリア層として機能する。
【００３１】
原則的には、カソードバンド１ではなくアノードバンド２が発光物質を含むことが可能である。この実施の形態では、カソードバンドは図２に従う構造を有し、第１の有機層５が電子伝導材料を含有する。アノードバンド２は図６に従う構造を有し得る。この実施の形態では、アノードバンド２は基板３、第２の電極７、第３の有機層８及び第３の有機層８に隣接する第４の有機層１０を有する。この実施の形態では、第３の有機層８が正孔伝導材料を含み、第４の有機層１０が発光物質を含む。代替として、基板３と第２の電極７との間に追加の層９も位置し得る。第３の有機層８が発光物質を含み、第４の有機層１０が電子伝導材料を含むことも可能である。代替として、上記第４の有機層の上に他の有機層が与えられ得る。
【００３２】
エレクトロルミネセント装置を製造するために、まずカソードバンド１及びアノードバンド２が作製される。カソードバンド１を作製するために、まず、大きな基板３の上に第１の電極４並びに第１及び任意の第２の有機層５，６用の該当する材料が対応する順に堆積される。その後、得られた層の構造体が好ましくは２００〜５００μｍの幅の細長い形にカットされ、カソードバンド１が得られる。
【００３３】
アノードバンド２は、大きな基板３の上に第２の電極７並びに第３の有機層８、任意の追加の層９及び第４の有機層１０用の該当する材料を対応する順に堆積することにより同様にして作製される。その後、得られた層の構造体が好ましくは２００〜５００μｍの幅の細長い形にカットされ、アノードバンド２が得られる。
【００３４】
カソードバンド１及びアノードバンド２の幅は、完成したエレクトロルミネセント装置の所望のライン及びカラムの数に依存する。カソードバンド１の幅は、アノードバンド２の幅と等しくてもよいが、アノードバンド２の幅よりも大きくても小さくてもよい。各バンドの断面は任意であるが、その層構造のために矩形、丸まった縁部を有する矩形又は台形であることが好ましい。
【００３５】
カソードバンド１又はアノードバンド２のいずれか一方を横糸として用い、他方を縦糸として用いて、カソードバンド１及びアノードバンド２からエレクトロルミネセント装置が編まれる。またその際、カソードバンド１又はアノードバンド２の上記他方が横糸として用いられ、上記一方が縦糸として用いられてもよい。
【００３６】
得られる２次元のメッシュ部を安定化するために、２次元のメッシュ部は２つのガラスのプレートの間に置かれる。これらガラスのプレートは、カソードバンド１とアノードバンド２との密接なコンタクトを生成するために約８０℃の温度で押圧される。その後、ガラスのプレートは、接着剤を用いて密封される。接着剤は、例えば熱硬化性であるか、又は紫外光による照射によって固められる。
【００３７】
代替として、上記２次元のメッシュ部は、２つのフィルム、例えばポリカーボネートのフィルムの間にラミネートされてもよい。
【００３８】
更に、２次元のメッシュ部とガラス又はポリカーボネートのフィルムとの積層体に入射周囲光を吸収し、コントラストを高める円偏光子が導入されてもよい。
【００３９】
原則的には、基板３が例えばアルミニウムの金属フォイルであり、基板としてだけではなく電極としても機能することも可能である。
【００４０】
実現可能な手段を示す本発明の実施例が、以下に例として説明される。
【００４１】
（実施例１）
基板３としてのポリアミドのフィルム上に第１の電極４として２００ｎｍの厚さのアルミニウムの層及び５ｎｍの厚さのバリウムの層を堆積することによりカソードバンド１が作製された。第１の電極４の上に８０ｎｍの厚さのＰＰＶの第１の有機層５が堆積された。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが３００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００４２】
基板３としてのポリアミドのフィルム上に追加の層９として１００ｎｍの厚さのＳｉＯ２層を堆積することによりアノードバンド２も作製された。追加の層９の上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯの第２の電極７が堆積された。２００ｎｍの厚さのＰＤＯＴの第３の有機層８が第２の電極７に塗布された。コーティングされたポリアミドのフィルムが４００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００４３】
カソードバンド１を縦糸として用い、アノードバンド２を横糸として用いて、カソードバンド１及びアノードバンド２から図１に従う２次元のメッシュ部が作製された。得られたメッシュ部は、２つの逆回転ローラ（contra-rotating roller）の間に置かれ、１００Ｎを超える圧力で加圧された。その後、２次元のメッシュ部は２つのポリカーボネートのフィルム間にラミネートされ、電気的接続を与えられ、２つのバンドの各交差ポイントにおいてオレンジ色の光を発するフレキシブルなエレクトロルミネセント装置が得られた。
【００４４】
（実施例２）
基板３としてのポリアミドのフィルム上に第１の電極４として２００ｎｍの厚さのアルミニウムの層及び５ｎｍの厚さのバリウムの層を堆積することによりカソードバンド１が作製された。第１の電極４の上に１５０ｎｍの厚さのポリチオフェンの第１の有機層５が堆積された。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが２００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００４５】
基板３としてのポリアミドのフィルム上に追加の層９として１００ｎｍの厚さのＳｉＯ２層を堆積することによりアノードバンド２も作製された。追加の層９の上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯの第２の電極７が堆積された。第２の電極７の上に２００ｎｍの厚さのＰＤＯＴの第３の有機層８が堆積された。第３の有機層８の上に８０ｎｍの厚さのＰＰＶの第４の有機層１０が堆積された。
【００４６】
カソードバンド１を横糸として用い、アノードバンド２を縦糸として用いて、カソードバンド１及びアノードバンド２から図１に従う２次元のメッシュ部が作製された。得られた２次元のメッシュ部は、電気的接続を与えられ、１ｍｍの厚さの２枚のガラスのプレート間に置かれ、８０℃の温度で押圧され、接着剤を用いて密封された。接着剤は、紫外光による照射によって固められた。２つのバンドの各交差ポイントにおいてオレンジ色の光を発するエレクトロルミネセント装置が得られた。
【００４７】
（実施例３）
基板３としてのポリアミドのフィルム上に３つの層を有する第１の電極４を堆積することによりカソードバンド１が作製された。第１の層は、基板に隣接し、２０ｎｍの厚さのＺｎＳの層を含み、第２の層は２０ｎｍの厚さのＡｇの層を含み、第３の層は１０ｎｍの厚さのセシウムがドープされたビフェニルの層を含むように構成した。Ａｌｑ３の第１の有機層５が第１の電極４に塗布された。この第１の有機層５は電子伝導層として機能するのものであり、その厚さは８０ｎｍであった。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが２００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００４８】
基板３としてのポリアミドのフィルム上に３５ｎｍの厚さのα−ＮＰＤの層を有する第２の電極７を堆積することによりアノードバンド２も作製された。第２の電極７の上に青色発光物質である４，４´−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を含有する８０ｎｍの厚さの第３の有機層８が塗布された。第３の有機層８に電子伝導及び正孔ブロック層として５０ｎｍの厚さの２−ビフェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，４−オキサジアゾールの層が塗布された。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが２５０μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００４９】
カソードバンド１を横糸として用い、アノードバンド２を縦糸として用いて、カソードバンド１及びアノードバンド２から図１に従う２次元のメッシュ部が作製された。得られた２次元のメッシュ部は、電気的接続を与えられ、１ｍｍの厚さの２枚のガラスのプレート間に置かれ、８０℃の温度で押圧され、熱硬化性の接着剤を用いて密封された。２つのバンドの各交差ポイントにおいて青色光を発するエレクトロルミネセント装置が得られた。
【００５０】
（実施例４）
それぞれ赤、緑又は青色の光を発する発光物質を含む３つの異なるカソードバンド１が作製された。
【００５１】
赤色発光カソードバンド１Ｒはポリアミドの基板３を有し、この基板３の上に、１００ｎｍの厚さのアルミニウムの層及び１０ｎｍの厚さのセシウムがドープされたビフェニルの層よりなる第１の電極４が塗布された。第１の電極４に隣接して、トリス−（ベンゾイルアセトネート）−モノ（５−アミノ−１，１０−フェナントロリン）−ユーロピウムを含有する８０ｎｍの厚さの第１の有機層５が設けられた。赤色発光カソードバンド１Ｒの幅は３００μｍであった。
【００５２】
緑色発光カソードバンド１Ｇはポリアミドの基板３を有し、この基板３の上に、１００ｎｍの厚さのアルミニウムの層及び１０ｎｍの厚さのセシウムがドープされたビフェニルの層よりなる第１の電極４が塗布された。第１の電極４に隣接して、Ａｌｑ３を含有する７５ｎｍの厚さの第１の有機層５が設けられた。緑色発光カソードバンド１Ｇの幅は１００μｍであった。
【００５３】
青色発光カソードバンド１Ｂはポリアミドの基板３を有し、この基板３の上に、１００ｎｍの厚さのアルミニウムの層及び１０ｎｍの厚さのセシウムがドープされたビフェニルの層よりなる第１の電極４が塗布された。第１の電極４に隣接して、リチウムテトラ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）ボレートを含有する９０ｎｍの厚さの第１の有機層５が設けられた。青色発光カソードバンド１Ｂの幅は２００μｍであった。
【００５４】
基板３としてのポリアミドのフィルム上に３５ｎｍの厚さのα−ＮＰＤの層よりなる第２の電極７を堆積することによりアノードバンド２も作製された。第２の電極７の上に、正孔伝導層として８０ｎｍの厚さの２−ビフェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）の第３の有機層８が塗布された。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが６００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００５５】
３つのカソードバンド１を交互に、すなわち１Ｒ，１Ｇ，１Ｂ，１Ｒ，１Ｇ，１Ｂ，・・・の順に縦糸として用い、アノードバンド２を横糸として用いて、３つの異なるカソードバンド１及びアノードバンド２から図１に従う２次元のメッシュ部が作製された。得られた２次元のメッシュ部は、電気的接続を与えられ、１ｍｍの厚さの２枚のガラスのプレート間に置かれ、８０℃の温度で押圧され、熱硬化性の接着剤を用いて密封された。フルカラーのエレクトロルミネセント装置が得られた。
【００５６】
（実施例５）
カソードバンド１Ｒ，１Ｇ，１Ｂの各有機層５において発光金属錯体ではなく発光ポリマが用いられたことが異なる、実施例４と同様のフルカラーのエレクトロルミネセント装置が作製された。赤色発光カソードバンド１Ｒは、８０ｎｍの厚さのポリ[{９−エチル−３，６−ビス（２−シアノビニレン）カルバゾリレン}アルト−{２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン}]共重合体の層を有していた。緑色発光カソードバンド１Ｇは、７５ｎｍの厚さのポリ[{９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン}−オルト−{２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン}]共重合体の層を有していた。青色発光カソードバンド１Ｂは、９０ｎｍの厚さのポリ[９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル]の層を有していた。
【００５７】
（実施例６）
基板３としてのポリアミドのフィルム上に、第１の電極４として２００ｎｍの厚さのアルミニウムの層及び５ｎｍの厚さのセシウムがドープされたビフェニルの層を堆積することによりカソードバンド１が作製された。第１の電極４に、９０ｎｍの厚さのトリス−（ベンゾイルアセトネート）−モノ（５−アミノ−１，１０−フェナントロリン）−ユーロピウムとＡｌｑ３とリチウムテトラ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）−ボレートとが３：１：２の比の第１の有機層５が塗布された。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが５００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００５８】
それぞれ赤、青又は緑色の顔料を有する３つの異なるアノードバンド２が作製された。
【００５９】
赤色の顔料を含有するアノードバンド２Ｒは基板３としてポリアミドを有し、この基板３の上に２０ｎｍの厚さのC.I. pigment red 177の追加の層９が設けられた。追加の層９の上に１３０ｎｍの厚さのＩＴＯの層を有する第２の電極７が塗布された。第２の電極７の上に７０ｎｍの厚さのＴＰＤの第３の有機層８が設けられた。
【００６０】
緑色の顔料を含有するアノードバンド２Ｇは、追加の層９がC.I. pigment green 36を含有することが異なる、同様の構造を有していた。
【００６１】
青色の顔料を含有するアノードバンド２Ｂは、追加の層９がC.I. pigment blue 209を含有することが異なる、同様の構造を有していた。
【００６２】
追加の層９は、各アノードバンド２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいてカラーフィルタとして機能した。
【００６３】
赤色カラーフィルタを有するアノードバンド２Ｒの幅は２５０μｍであり、緑色カラーフィルタを有するアノードバンド２Ｇの幅は１００μｍであり、青色カラーフィルタを有するアノードバンド２Ｂの幅は１５０μｍであった。
【００６４】
３つのアノードバンド２が交互に、すなわち２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ，２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ，・・・の順に縦糸として用いられ、カソードバンド１が横糸として用いられて、カソードバンド１及び３つの異なるアノードバンド２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから図１に従う２次元のメッシュ部が作製された。得られた２次元のメッシュ部は、電気的接続を与えられ、１ｍｍの厚さの２枚のガラスのプレート間に置かれ、８０℃の温度で押圧され、熱硬化性の接着剤を用いて密封された。フルカラーのエレクトロルミネセント装置が得られた。
【００６５】
（実施例７）
２００μｍの厚さのアルミニウムフォイルの上に５ｎｍの厚さのバリウムの層を堆積することによりカソードバンド１が作製された。この実施例では、アルミニウムのフォイルが基板３及び第１の電極４の第１の層として機能した。バリウムの層の上に３０ｎｍの厚さのＡｌｑ３の第１の有機層５が堆積され、第１の有機層５の上にＢＡｌｑの第２の有機層６が堆積された、その後、コーティングされたアルミニウムのフィルムが２００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００６６】
基板３としてのポリアミドのフィルム上に追加の層９として１００ｎｍの厚さのＳｉＯ２層を堆積することによりアノードバンド２も作製された。追加の層９の上に１５０ｎｍの厚さのＩＴＯの第２の電極７が堆積された。第２の電極７の上に２００ｎｍの厚さのＰＤＯＴの第３の有機層８が堆積された。第３の有機層８の上に３０ｎｍの厚さのα−ＮＰＤの第４の有機層１０が堆積された。第４の有機層１０に５％のＩｒ（ｐｐｙ）３がドープされたＣＢＰの第５の層が塗布された。
【００６７】
カソードバンド１を横糸として用い、アノードバンド２を縦糸として用いて、カソードバンド１及びアノードバンド２から図１に従う２次元のメッシュ部が作製された。得られた２次元のメッシュ部は、電気的接続を与えられ、１ｍｍの厚さの２枚のガラスのプレート間に置かれ、８０℃の温度で押圧され、熱硬化性の接着剤を用いて密封された。２つのバンドの各交差ポイントにおいて青色の光を発するエレクトロルミネセント装置が得られた。
【００６８】
（実施例８）
基板３としてのポリアミドのフィルム上に３つの層を有する第１の電極４を堆積することによりカソードバンド１が作製された。基板３に隣接する第１の層は２０ｎｍの厚さのＺｎＳの層を含み、第２の層は２０ｎｍの厚さのＡｇの層を含み、第３の層は１０ｎｍの厚さのセシウムがドープされたビフェニルの層を含むように構成した。第１の電極４にＡｌｑ３の第１の有機層５が塗布された。第１の有機層５は電子伝導層として機能し、その厚さは８０ｎｍであった。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが２００μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００６９】
基板３としてのポリアミドのフィルム上に３５ｎｍの厚さのα−ＮＰＤの層を有する第２の電極７を堆積することによりアノードバンド２も作製された。第２の電極７の上に、８０ｎｍの厚さの８％のＦＩｒｐｉｃがドープされた４，４´−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）の第３の有機層８が堆積された。第３の有機層８の上に３０ｎｍの厚さのＰＢＤの第４の有機層１０が堆積された。その後、コーティングされたポリアミドのフィルムが２５０μｍの幅の細長い形にカットされた。
【００７０】
カソードバンド１を横糸として用い、アノードバンド２を縦糸として用いて、カソードバンド１及びアノードバンド２から図１に従う２次元のメッシュ部が作製された。２次元のメッシュ部は、電気的接続を与えられ、１ｍｍの厚さの２枚のガラスのプレート間に置かれ、８０℃の温度で押圧され、接着剤を用いて密封された。接着剤は、紫外光による照射によって固められた。２つのバンドの各交差ポイントにおいて青色の光を発するエレクトロルミネセント装置が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明によるエレクトロルミネセント装置の平面図を示している。
【図２】本発明によるカソードバンドを通る断面を示している。
【図３】本発明による他のカソードバンドを通る断面を示している。
【図４】本発明によるアノードバンドを通る断面を示している。
【図５】本発明による他のアノードバンドを通る断面を示している。
【図６】本発明による更に他のアノードバンドを通る断面を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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