(57)【要約】実質的に均一な荒さを有する第一面を含むキャリヤストリップ（１２）；相対する第一と第二の面を有し、そして０．１ミクロン〜１５ミクロンの厚さを有する、その全厚さが銅含有アルカリ性電解質から析出された、電着銅箔層（１４）；および、キャリヤストリップ（１２）の第一面と銅箔層（１４）の第二面の間に配置されそして両者に接触している、キャリヤストリップ（１４）からの銅箔層（１２）の引離しを容易にする剥離層（１６）を含む複合材料（１０）。
2005502496.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に均一な荒さを有する第一面を含むキャリヤストリップ（１２）；
相対する第一と第二の面を有し、そして０．１ミクロン〜１５ミクロンの厚さを有する、その全厚さが銅含有アルカリ性電解質から析出された、電着銅箔層（１４）；および
前記キャリヤストリップ（１２）の第一面と前記銅箔層（１４）の第二面の間に配置されそして両者に接触している、前記キャリヤストリップ（１２）からの前記銅箔層（１４）の引離しを容易にする剥離層（１６）
を特徴とする複合材料（１０）。
【請求項２】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面を平滑ローリングした結果であることを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項３】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面をマイクロエッチングした結果であることを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項４】
前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面の前記マイクロエッチングが過硫酸アンモニウムの適用を含むことを特徴とする請求項３の複合材料（１０）。
【請求項５】
前記の実質的に均一な荒さが硫酸混合物の適用を含むことを特徴とする請求項３の複合材料（１０）。
【請求項６】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面を銅でフラッシングした結果であることを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項７】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面をニッケルでフラッシングした結果であることを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項８】
前記キャリヤストリップ（１２）が無酸素銅から構成されていることを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項９】
前記キャリヤストリップ（１２）が銅−ニッケル−ケイ素系合金から構成されていることを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項１０】
前記キャリヤストリップが少なくとも２０６．９Ｍａ（３０ｋｓｉ）の引張強さを有することを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項１１】
前記キャリヤストリップ（１２）が少なくとも６８９．５ＭＰａ（１００ｋｓｉ）の引張強さを有することを特徴とする請求項１の複合材料（１０）。
【請求項１２】
実質的に均一な荒さを有する第一面を含むキャリヤストリップ（１２）；
相対する第一と第二の面を有し、そして０．１ミクロン〜１５ミクロンの厚さを有する、その全厚さが銅含有アルカリ性電解質から析出された、電着銅箔層（１４）；
相対する第一と第二の面を有し、前記第一面が前記銅箔層（１４）の第二面に接触している、光エネルギーを吸収するのに有効な暗黒層（１３）；および
前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面と前記暗黒層（１３）の前記第二面の間に配置されそして両者に接触している、前記暗黒層（１３）からの前記キャリヤストリップ（１２）の引離しを容易にするのに有効であり且つ前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面の表面特徴を前記暗黒層（１３）の前記第二面に伝達するのに有効である、剥離層（１６）
を特徴とする複合材料（１０）。
【請求項１３】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面を平滑ローリングした結果であることを特徴とする請求項１２の複合材料（１０）。
【請求項１４】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面をマイクロエッチングした結果であることを特徴とする請求項１２の複合材料（１０）。
【請求項１５】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面をサンドブラストした結果であることを特徴とする請求項１２の複合材料（１０）。
【請求項１６】
前記の実質的に均一な荒さが前記キャリヤストリップ（１２）の前記第一面をこぶメッキした結果であることを特徴とする請求項１２の複合材料（１０）。
【請求項１７】
前記暗黒層（１３）が０．０５〜０．５ミクロンの厚さを有することを特徴とする請求項１２の複合材料（１０）。
【請求項１８】
前記暗黒層（１３）が約０．２ミクロンの厚さを有することを特徴とする請求項１７の複合材料（１０）。
【請求項１９】
前記暗黒層（１３）が銅、ニッケル、錫、マンガン、鉄、および銅−ニッケル合金からなる群から選ばれた素材から構成されていることを特徴とする請求項１２の複合材料（１０）。
【請求項２０】
電気伝導性支持体層（１２）を提供し；
前記電気伝導性支持体層（１２）を、第一金属イオンと水酸化物イオンを含有する第一電解質水溶液の中で陽極処理し；
前記陽極処理工程の後で、第二金属イオンと水酸化物イオンを含有する第二電解質水溶液の中で前記電気伝導性支持体層（１２）の上に剥離層（１６）を陰極析出させ；そして
前記剥離層の上に銅箔層（１４）を、銅含有アルカリ性電解質の中に約１．０〜１５ミクロンの前記銅箔層（１４）の厚さを達成するのに十分な時間浸漬することによって、電着する諸工程を特徴とする、複合材料（１０）を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は剥離層を介在させた複合材料に関する。より詳しくは、銅箔層が搬送および集成向けのキャリヤ層に剥離可能に結合されている。キャリヤ層と銅箔層の間に配置された剥離層は引離しを容易にする。銅箔層はプリント配線板の製造において誘電体基板に積層されてもよい。銅箔層の、剥離層とは反対側の表面には、低い高さのプロフィールの結合向上層（ｌｏｗ  ｈｅｉｇｈｔ  ｐｒｏｆｉｌｅ  ｂｏｎｄ  ｅｎｈａｎｃｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）が形成されている。
【背景技術】
【０００２】
電子機器が進化するにつれて、より薄くかつより小さなプリント配線が必要とされる。このサイズ縮小は回路トレース密度（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｔｒａｃｅ  ｄｅｎｓｉｔｙ）を増加させるために更に細かい線間隔に対する要求にむすびつく。
【０００３】
大抵のプリント配線板は銅箔層に積層されたエポキシやポリアミドのような誘電体基板を有する。銅箔は所望の配線パターン状にエッチングされる。より細かい線分解能に対する要求が増すにつれ、より薄い銅箔が必要とされる。その理由は、銅箔がエッチングされるときには、エッチングは垂直方向にも水平方向にもほぼ同じ速度で起こるからである。垂直エッチングは隣接回路トレース間に電気絶縁のためのスペースを生じさせる必要があるが、トレースの側面における水平方向エッチングは回路トレースの団結性を損なわせる。水平方向エッチングは最低限の線間スペーシングを銅箔の厚さの約２倍に制限する。より厚い銅箔のかかえる別の問題は箔をエッチングするのにより長い時間を必要とし製造コストを増大させ且つ溶解銅の廃棄または再生利用による環境問題を増大させることである。更に別の問題はＮｉ／Ａｕ張出し（ｏｖｅｒｈａｎｇ）の存在によって起こる。Ｎｉ／Ａｕ張出しはＮｉ／Ａｕ被膜がエッチングレジストとして適用されそしてハンダ付け適性を保持するために完成品の上にとどまるときに存在する。Ｎｉ／Ａｕで被覆されている厚い銅箔がエッチングされたときには、エッチングアンダーカットは深刻であることがあり結果としてＮｉ／Ａｕ張出しの破壊を生じそして多分完成品の短絡の原因になる。
【０００４】
プリント配線板の製造に現在利用されている一つの銅箔は１．５３ｇ／ｄｍ2（半オンス）箔と称されるものである。この箔の９．２９ｄｍ2（１平方フィート）は約１４．１８ｇ（０．５オンス）の重さであり、そして約１８ミクロンの公称厚さを有する。９ミクロン厚さの箔のような、より薄い銅箔は市場で入手可能であるが、しわ及び損傷を防ぐように９ミクロン箔を取扱うのには特別の注意を必要とする。
【０００５】
９ミクロン以下の箔の取扱いを容易にするのはキャリヤストリップ（ｃａｒｒｉｅｒ  ｓｔｒｉｐ）の使用である。製造および積層（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）のために箔にはキャリヤストリップが剥離可能に結合されている。箔が誘電体に積層され支持されたら、キャリヤストリップが除去される。一つの普通のキャリヤストリップはアルミニウムであり、それは水酸化ナトリウムの中への浸漬によるような化学的エッチングによって、銅箔の損傷なしに、除去されてもよい。このエッチングは時間のかかるものであり、そして廃棄物は環境問題を発生させるかも知れない。
【０００６】
代わりに、代表的には銅から形成されたキャリヤ層が剥離層によって被覆されている。剥離層の上に銅箔層は代表的には電着（ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。剥離層と銅箔層の間の密着力は銅箔層がキャリヤ層から早期に引離されないように十分に高い、しかし、積層後にキャリヤ層を引離すときに銅箔層を引き裂かないように又はそうでなくても損傷しないように十分に低い。
【０００７】
イエイツ（Ｙａｔｅｓ）他の米国特許第３，９９８，６０１号は硫化物、クロム酸塩および酸化物から形成された剥離層を開示している。代替の剥離層はクロム金属であることが開示されている。コニセク（Ｋｏｎｉｃｅｋ）の米国特許第４，５０３，１１２号はクロム金属剥離層が予測できない密着力を有すること及び好ましい剥離層にはニッケル、ニッケル／錫合金、ニッケル／鉄合金、鉛および錫／鉛合金が包含されることを開示している。カジワラ（Ｋａｊｉｗａｒａ）他の米国特許第５，１１４，５４３号は電着された銅／ニッケル合金によって被覆されている浸漬付着クロメート層を有する複合剥離層を開示している。
【０００８】
リン（Ｌｉｎ）の米国特許第５，０６６，３６６号は銅合金箔キャリヤを、クロム酸と燐酸を含有する水溶液によって処理することによって、キャリヤの上に剥離層を形成することを開示している。一般的には容認される方法でも、銅合金キャリヤの上に直接に燐酸クロム剥離層が形成されたときには許容できない高い密着力の領域が生じるかも知れない。
【０００９】
銅箔層が搬送および加工中に例えば誘電体基板への積層中に確実にキャリヤ層に密着したままであるように十分な密着力をキャリヤ層と銅箔層の間に一様に付与する改良された剥離層が依然必要とされている。しかしながら、剥離層への密着力は積層後に銅箔層を損傷することなくキャリヤ層が除去されるように十分に低い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的はキャリヤ層に剥離可能に付着されている薄いメタリック箔を提供することである。本発明の第二の目的はメタリック箔／キャリヤ層の複合体を製造する方法を提供することである。本発明の更なる目的はプリント配線板および可撓性回路を製造するために誘電体基板に積層するのに有効な薄い銅箔を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の特徴は、金属箔（ｍｅｔａｌ  ｆｏｉｌ）はキャリヤ層に剥離可能に付着されており、そして金属箔が早期に剥離されないことを確保するのに少なくとも０．３６ｋｇ／ｍ（０．０２ポンド／インチ）の力が層の引離しに必要とされる、ということである。本発明の更なる特徴はキャリヤ層から箔層を引離すのには最大でも３５．７２ｋｇ／ｍ（２ポンド／インチ）のそして代表的には１７．８０ｋｇ／ｍ（１ポンド／インチ）未満の力が必要とされそれによって銅箔を損なわずにキャリヤ層の除去を容易にするということである。
【００１２】
本発明の更なる特徴は剥離層の付着に利用される化学溶液がメタリッククロムのような剥離層を付着させるのに従来利用されている濃厚な電解質よりも環境危険の小さいと思われる希釈水溶液であるということである。
【００１３】
数ある中でも、本発明の利点は金属層が１５ミクロン以下の厚さを有する薄い銅箔であってもよいということである。かかる薄い箔は微細な特徴を有するプリント配線板および可撓性回路の製造を容易にする。更なる利点はキャリヤ層が金属箔層から機械的に引離し可能であって、除去にエッチングを必要としないということである。
【００１４】
更なる利点は本発明の箔が従来通りに形成された箔よりも小さな表面荒さを有することである。結果として、エッチング中のアンダーカットが低減される。その上、低いプロフィールの処理された表面は高インピーダンス／高周波数の適用に更に適している。銅箔の、剥離層とは反対側の表面の平滑性は回路製造における改善されたイメージングおよび細線能力を可能にする。
【００１５】
本発明によれば、複合材料が提供される。複合材料は支持体層と金属箔層を有する。支持体層と金属箔層の間に両者に接触して剥離層が配置されている。この剥離層は本質的に金属と非金属の混合物からなる。
【００１６】
本発明の一態様においては、複合材料は次いで誘電体基板に直接積層される。
【００１７】
また、複合材料の製造方法が提供され、その方法は、（１）電気伝導性支持体層を提供し；（２）電気伝導性支持体層を、第一金属イオンと水酸化物イオンを含有する第一電解質水溶液の中で陽極処理し；（３）次いで、第二金属イオンと水酸化物イオンを含有する第二電解質水溶液の中で電気伝導性支持体層の上に剥離層を陰極析出させ；そして（４）剥離層の上に金属箔を電着させる、諸工程を含む。
【００１８】
この製造方法の一態様は金属箔層を誘電体基板に積層させ次いで剥離層のところで積層体から電気伝導性支持体層を引離す追加工程を包含する。今や誘電体層に結合されている金属箔層は次いで、複数の電気絶縁された回路トレースに形成されてもよい。
【００１９】
上記の目的、特徴、および利点は以下の明細および図面から更に明らかになるであろう。
【００２０】
図１は本発明による複合材料１０を断面図で図解している。複合材料１０は支持体層１２と金属箔層１４を含んでいる。支持体層１２は金属層１４を支持することができるいずれの素材から形成されてもよい。好ましくは、支持体層１２は本質的に電気伝導性の金属から形成され、そして少なくとも１８ミクロンの厚さを有する（１ミクロン＝１×１０-6メートル）。支持体層に適する素材はステンレス鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、銅および銅合金を包含する。
【００２１】
支持体層がステンレス鋼である場合には、以下に記述する通りの剥離層は場合によって存在しなくてもよい。
【００２２】
支持体層にとって好ましいのは、黄銅、４０重量％以下の亜鉛を含有する銅と亜鉛の混合物、ばかりでなく、ＣＤＡ（カッパー・デベロップメント・アソシエーション（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）、ニューヨーク、ＮＹ州）によって銅合金Ｃ１１０（公称組成：重量で９９．９５％の銅（最低限）と０．０４％の酸素）、銅合金Ｃ７１５（公称組成：重量で３０％のニッケルと７０％の銅）、銅合金Ｃ５１０（公称組成：重量で９４．５％の銅と５％の錫と０．２％の燐）および銅合金Ｃ１０２（最低限９９．９重量％の銅含有率を有する無酸素の高含量銅）と呼ばれているもののような銅合金である。
【００２３】
最も好ましくは、支持体層１２は電解的に形成されたのではなく鍛造された素材である。鍛造された素材は材料の取扱いを容易にしかつ付着された箔の引き剥がし適性（ｐｅｅｌａｂｉｌｉｔｙ）を向上させる高い強度と高い剛性（ｓｔｉｆｆｎｅｓｓ）を有する傾向がある。支持体層は、箔層の付着または引離しに干渉するかもしれない欠陥、たとえば、ローリング中に負った欠陥、を覆い隠すために銅またはニッケルフラッシュで被覆されてもよい。
【００２４】
支持体層１２は単一素材であってもよいし、またはローリング、めっき及びスパッタリングを含めていずれの既知方法によって適用された第二層を有する複合素材であってもよい。銅とニッケルの組合せまたは銅とアルミニウムの組合せは複合支持体層として有効であると考えられる。
【００２５】
好ましくは、支持体層１２の厚さは１８ミクロン〜１４０ミクロンであり、そしてより好ましくは、３５ミクロン〜７０ミクロンである。
【００２６】
金属箔層１４はいずれの電着された金属または金属合金であってもよく、そして好ましくは銅である。金属箔層は代表的には１５ミクロン未満の厚さを有し、そしてより好ましくは１０ミクロン未満である。本発明によれば、最も好ましくは、金属箔層はアルカリ性の銅含有電解質から電着され続いて酸性の銅含有電解質から電着され、そして約１〜約６ミクロンの、そして公称で約５ミクロンの、厚さを有する。本発明の別の面によれば、金属箔層はアルカリ性の銅含有電解質からだけ電着され、そして約０．１ミクロン〜６ミクロンの、そして公称で約５ミクロンの、厚さを有する。以下に記述されているように、金属箔層１４は単一電解質から又は複数電解質の組合せから付着されてもよい。
【００２７】
支持体層１２と金属箔層１４の間に両者と接触して剥離層１６が配置されている。剥離層１６は本質的に金属と非金属の混合物からなり、大部分が非金属であると考えられる。剥離層の金属成分は原子％で５％〜４０％を成すと考えられる。
【００２８】
適する金属は溶解と違って適切な電解質の中で可逆的に電気化学的に酸化可能であるものである。適する素材の列挙はニッケル、クロム、チタン、銅、マンガン、鉄、コバルト、タングステン、モリブデン、およびタンタルを包含する。
【００２９】
好ましい金属はニッケル、クロム、およびそれらの混合物である。好ましい非金属は金属の酸化物、水酸化物、燐酸塩およびクロム酸塩である。好ましい組合せはクロムと酸化クロムの、ニッケルと酸化ニッケルの、クロムと燐酸クロムの、ニッケルとクロム酸ニッケルの、およびニッケルと燐酸ニッケルの混合物である。剥離層は実に薄く、０．０１２ミクロン（１２０オングストローム）の厚さのオーダーにあり、そして代表的には、約０．００１ミクロン〜約０．０５ミクロンの厚さである。
【００３０】
最も好ましい剥離層は本質的にクロムと、クロムの酸化物およびクロムの水酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一つの非金属とからなる。この最も好ましい剥離層ではキャリヤストリップから金属箔を引離すのに必要な力は３８０℃以下の温度に１時間曝された後でさえ一様に７．１ｋｇ／ｍ（０．４ポンド／インチ）未満であることが確立された。代表的には、金属箔は支持体層からの引離しに先立って熱および圧力を使用して誘電体基板に積層されるので、温度の関数としての剥離力は重要な考慮事項である。
【００３１】
代わりに、剥離層１６は図６に断面図で図解されている通り複合体である。剥離層１６の第一部分３０は上記の通りメタリック層であり、そして好ましくは、ニッケル、クロム、またはそれらの混合物であるように選択される。この第一部分３０は支持体層１２に直接接触しており、そして代表的には電気めっきによって付着される。浸漬めっき又は蒸着のようなその他の付着方法が利用されてもよい。
【００３２】
剥離層１６の第二部分３２は上記の通りの金属と非金属の混合物である。第二部分３２は金属箔層１４に直接接触している。
【００３３】
図１にもどって、金属箔層１４の、剥離層１６とは反対側の面１８には、結合強さ向上剤２０が付着されていてもよい。適する結合強さ向上剤は約０．５〜２．７ミクロンの高さおよび約１〜５の高さ対直径アスペクト比を有する電着された銅デンドライト（ｄｅｎｄｒｉｔｅ）または銅−ニッケルデンドライトを包含する。かかるデンドライトは陰極としての複合材料１０と共に銅または鉛電極を利用して銅イオン含有水溶液から電着されてもよい。陽極と陰極の間にはＤＣ電流のパルスが、ポーラン（Ｐｏｌａｎ）他の米国特許第４，５１５，６７１号に更に十分に記載されているように、適用される。
【００３４】
その他の結合強さ向上剤はリン（Ｌｉｎ）他の米国特許第５，２３０，９３２号に開示されている通りの電着されたクロムと亜鉛の混合物、リン（Ｌｉｎ）他の米国特許第５，０７１，５２０号に開示されている通りのシラン系被膜、酸化銅、表面の機械的研磨、交流エッチング、およびマイクロエッチング、を包含する。
【００３５】
米国特許第４，５１５，６７１号のパルスＤＣ電流をもって達成される通りの、非常に低い表面プロフィールを与える結合強さ向上プロセスが好ましい。好ましくは、平均表面荒さ（ａｖｅｒａｇｅ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）（Ｒa）は０．４０ミクロン以下である。平均表面荒さは測定する長さの範囲内での中心線からの荒さプロフィールの絶対距離の全部の算術平均値として定義される。荒さプロフィールはダイヤモンド針をもつ粗面計（ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ）を利用して測定される（接触法）。
【００３６】
代表的な低いプロフィールの表面向上は３ミクロンより大きいこぶ高さ（ｎｏｄｕｌｅ  ｈｅｉｇｈｔ）と０．４ミクロンを超す公称Ｒa値を有する。本発明の非常に低いプロフィールの表面向上は０．５ミクロン〜２．７ミクロンのこぶ高さをもった表面向上を有する。好ましくは、最大こぶ高さが１．８ミクロン〜２．５ミクロンである。Ｒa値は０．４ミクロン未満であり、そして好ましくは、Ｒaは０．２０〜０．３５ミクロンである。
【００３７】
より低い表面プロフィールの望ましさは比較的厚い１２ミクロンのオーダーの箔に適用された典型的な表面プロフィールとは対照的である。典型的に、より高い表面プロフィールは銅箔が誘電体配線板に積層されたら最後、ピール強度を最大化するのに利用される。
【００３８】
図７は本発明の非常に低い表面プロフィールの結合強さ向上を例証する５０００倍率の顕微鏡写真である。図８は誘電体基板２２の中に食い込んだ結合強さ向上２０を示す４５０倍率における断面観察である。
【００３９】
図９は従来技術から知られているような低い表面プロフィールの結合強さ向上剤を例証する５０００倍率の顕微鏡写真である。図１０は誘電体基板２２の中に食い込んだ結合強さ向上剤２０を示す４５０倍率における断面観察である。
【００４０】
図１１および１２に示されているように、金属箔層をエッチングすることによって回路トレース２６が形成されたときには、誘電体基板２２の露出面は結合表面向上剤の組織（ｔｅｘｔｕｒｅ）を反映したトポグラフィーを有する。図１１は本発明の非常に低い表面プロフィールの結合向上剤をもった銅箔をエッチングすることから生じた表面組織の顕微鏡写真である。倍率は４５０倍である。
【００４１】
図１２は関連技術から知られているような典型的な低い表面プロフィールの結合向上剤をもつ銅箔をエッチングによって除去した結果生じた誘電体基板２２の表面を例証する４５０倍率の顕微鏡写真である。典型的な低い表面プロフィールの結合向上剤の欠点はやはり４５０倍率である図１３を参照すると更に明らかである。図１３は典型的な低い表面プロフィールの結合強さ向上剤では、メタリックデンドライトが誘電体基板２２の中に深く食い込んで、そしてエッチングが隣接回路トレース２６同士の間の銅の全てを有効に除去するわけではなくて短絡３４を導くということを例証している。
【００４２】
また、非常に低いプロフィールの結合表面向上を反映している、より平滑な、エッチング露出された誘電体表面（図１１）は、典型的な低いプロフィールの結合表面向上を反映している、より肌理の粗い、エッチング露出された誘電体表面（図１２）に比べて、遥かに汚染物質を捕捉していないようでありそして遥かに清浄容易である。従って、それはより高い表面絶縁抵抗（ｓｕｒｆａｃｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）（ＳＩＲ）能力を達成することが可能であるはずである。回路トレースが互いに接近してえぐられている、たとえば、２５〜１００ミクロンのスペースによって分離された２５〜１２５ミクロン回路トレースである、高密度接続回路の設計においては高いＳＩＲが重要である。
【００４３】
プリント配線板の製造用には、複合材料１０は図２に図解されているように誘電体基板２２に結合されて回路前駆体３６を形成する。金属箔層１４はプリント配線板製造用の硬質誘電体に熱と圧力の付加を介して積層されてもよい。代表的な積層パラメーターは約１８０℃の温度で５０分間である。場合によっては、高分子接着剤が結合の形成を助けてもよい。誘電体基板の代表的な硬質素材はガラス繊維強化エポキシ、たとえば、ＦＲ４、を包含する。誘電体基板は誘電性素材で被覆されて電気伝導性素材、たとえば、金属コアのプリント配線板用基板または陽極酸化アルミニウム、であってもよい。
【００４４】
代わりに、図３に図解されているように、誘電体基板２２は可撓性重合体皮膜たとえばポリイミドまたはポリアミドである。この場合には、高分子結合剤２４たとえばアクリルまたはエポキシ重合体の使用が好ましい。先の態様におけると同じように、金属箔層１４が誘電体基板２２に結合されて回路前駆体３６を形成する。可撓性重合体を金属箔層に積層するのではなく、可撓性重合体を液体またはゲルとして金属箔層の上にキャストしそして硬化して可撓性皮膜にしてもよい。
【００４５】
複合材料１０が誘電体基板２２に結合された後で、キャリヤ層１２と剥離層１６が機械的手段によって除去される。代表的には、除去はキャリヤ層／剥離層に力を一方向にそして反対の力を誘電体基板／金属箔層に９０°方向に適用することによっている。これら力はそれぞれ手動で又は機械的に適用されてもよい。剥離力と称される引離しに要する力は少なくとも０．３６ｋｇ／ｍ（０．０２ポンド／インチ）、そして好ましくは、少なくとも０．８９ｋｇ／ｍ（０．０５ポンド／インチ）、である。金属箔層１４が早期にたとえば搬送中に又は誘電体基板への結合中に支持体層１２から引離されるのを防止するためには、この最低限の剥離力が必要である。除去中に金属箔層が誘電体基板２２に密着したままであり、そして裂けたり又は複合材料１０と共に一部しかとどまらなかったりすることがないように、剥離力は３５．７２ｋｇ／ｍ（２ポンド／インチ）未満、そして好ましくは１７．８６ｋｇ／ｍ（１ポンド／インチ）未満、でもあるべきである。好ましくは、剥離力は０．３６ｋｇ／ｍ（０．０２ポンド／インチ）〜３５．７２ｋｇ／ｍ（２．０ポンド／インチ）であり、そしてより好ましくは約０．８９ｋｇ／ｍ（０．０５ポンド／インチ）〜１７．８６ｋｇ／ｍ（１．０ポンド／インチ）である。
【００４６】
図４は誘電体基板２２に結合された金属箔層１４をもつ回路前駆体３６の斜視図である。図４は誘電体基板２２に結合された単一の金属箔層を示しているが、多層プリント配線板を形成するように金属箔層の上面２５に追加の金属箔層が結合されてもよい。
【００４７】
図５を参照すると、金属箔層１４は回路トレース２６およびダイパッド（ｄｉｅ  ｐａｄ）２８のような複数の導電性特徴を有するプリント配線パネル４４を形成するように化学的にエッチングされてもよい。導電性特徴同士の間の電気絶縁は誘電体基板２２によって与えられる。電気伝導性特徴はフォトリソグラフィーのような既知のいずれの方法によって形成されてもよい。
【００４８】
下記方法は上記の複合材料を製造するのに有効である。各方法の変形を利用してもよいし、そして所期結果を生じるように様々な方法の異なる面を雑ぜ合わせてもよいということが認識される。全ての方法は一般に、十分な脱脂または清浄を第一工程として、そして適切な工程の間に脱イオン水によるようなすすぎを必要とする。
【００４９】
第一の態様によれば、銅または銅合金から形成されたキャリヤストリップは金属箔層を支持するのに有効な厚さを有する。キャリヤストリップの例示の公称厚さは約３５〜７０ミクロンである。キャリヤストリップは表１に特定されているパラメーターを有するアルカリ性二クロム酸ナトリウム希釈水溶液の中に浸漬される。ここに開示された全ての溶液は別に特定されていない限りは水性である。単一の値が与えられている場合には、その値は公称である。
【００５０】
【表１】
2005502496.tif 000003
【００５１】
キャリヤストリップは電解質を含有する電解槽の中に浸漬され、そして電解槽と陽極としてのキャリヤストリップとの間に電圧が印加される。この陽極処理はキャリヤストリップの表面上に均一な微細荒さを生成し、そして後の均一な金属箔層銅付着を誘発させる。陽極処理が終了したら、キャリヤストリップは同じ電解質の中に維持され、そして電解槽の極性が反転される。キャリヤストリップは陰極になってキャリヤストリップの上にクロムと酸化クロムの混合物であると考えられる薄い１０〜５００オングストロームのオーダーの層を付着させる。この混合物は積層またはその他の加工処理の後でのキャリヤストリップの引離しを容易にする剥離層を形成している。
【００５２】
剥離層は最大限約５００オングストロームの厚さに形成される。剥離層の厚さがこの最大限を超すと、最低限の剥離力の要件が矛盾なく達成できない。剥離層の厚さは銅箔の微視的表面荒さより小さくてもよいので、より均一な表面仕上げを達成するのに前駆体陽極処理が使用される。
【００５３】
水洗後、剥離層の上には、表２に特定されたパラメーターを利用して、０．１〜０．５ミクロンの公称厚さの銅を有する銅のシード（ｓｅｅｄ）層が析出される。
【００５４】
【表２】
2005502496.tif 000004
【００５５】
シード層は後続の銅箔層の高速付着のための成核剤を形成している。シード層は好ましくは銅から形成されるが、それは穏やかな酸性からアルカリ性までの溶液の中で析出されることができ銅と同じ化学溶液の中でエッチング可能であるいずれの電気伝導性金属であってもよい。かかるその他のシード層用金属は銅合金、錫、鉄、亜鉛、ニッケル、コバルトなどを包含する。シード層は金属箔層厚さの本体を析出させるのに利用される電解質の中での化学的攻撃から剥離層を防護する。代表的には、製造速度を最大にするためには、表３に特定されているような酸性銅電解質が利用される。
【００５６】
代わりに、表２に開示されているような銅含有アルカリ性電解質の中への浸漬時間を、約１．０〜１５ミクロンの厚さを有する銅層を析出させるように、１００秒〜２０分のオーダーに増大させる。本発明のこの態様においては、後続の、銅含有酸性電解質の中で銅厚さを積上げる工程は省略される。
【００５７】
【表３】
2005502496.tif 000005
【００５８】
密着性を向上させるためには、金属箔層の外面を粗化するのにデンドリティック（ｄｅｎｄｒｉｔｉｃ）処理が使用されてもよい。適するデンドリティック処理は表４に特定されているパラメーターを利用する。代わりに、表面荒さを増大させずに密着性を増大させるためにクロムと亜鉛の混合物のような変色防止（ａｎｔｉ−ｔａｒｎｉｓｈ）層が付着されてもよい。
【００５９】
【表４】
2005502496.tif 000006
【００６０】
第二の態様においては、上記の通りのキャリヤストリップは表１の溶液の中に電流を利用せずに２〜６０秒間浸漬される。次いで、公称５ミクロン銅箔層とデンドリティック処理が上記のように適用される。
【００６１】
本発明の第三の態様においては、上記のとおりの銅キャリヤストリップは表５に記載されたパラメーターを利用して薄い０．０５ミクロン〜２ミクロンのオーダーのニッケルの層を電解被覆される。
【００６２】
【表５】
2005502496.tif 000007
【００６３】
次いで、表６に開示されているパラメーターを有するクロム酸／燐酸希釈溶液の中に浸漬することによって燐酸クロム剥離層がニッケルの薄層の上に適用される。
【００６４】
【表６】
2005502496.tif 000008
【００６５】
次いで、上記のように、公称５ミクロンの銅箔金属層が付着され、その後でデンドリティック処理が行われる。
【００６６】
本発明の第四の態様においては、銅合金キャリヤストリップの上に薄い０．０５ミクロン〜２ミクロンのオーダーのニッケルの層が上記のように付着される。剥離層は表７に開示されたとおりの水酸化ナトリウム含有水溶液から付着される。
【００６７】
【表７】
2005502496.tif 000009
【００６８】
ニッケル被覆キャリヤストリップは最初に陽極にされ次いで陰極にされて還元された酸化ニッケルを形成する。次いで、上記のように、約５ミクロンの銅が金属箔層として適用され、その後にデンドリティック処理が適用される。
【００６９】
態様１〜４の各々においては、酸性浴の中で５ミクロンまでの銅めっきを析出させるのに先立って、銅の約０．１〜約０．５ミクロンの厚さを有するシード層を析出させるのにアルカリ性銅めっき浴が好ましく使用された。代替の第一態様においては、後続の、酸性浴からの銅の析出は省略される。最初にアルカリ性銅浴を使用すると、酸性銅浴の中で起こり得るような酸化クロム、酸化ニッケルまたは燐酸ニッケル剥離層への化学的攻撃が避けられるので、剥離界面の信頼性／一体性が改善される。態様５および６はアルカリ性銅浴を必要としないで同様の信頼性および一体性を有する複合材料を形成する方法を説明する。
【００７０】
第五の態様においては、表５の硫酸ニッケル電解質のような適切なニッケルめっき浴を利用して平滑なニッケル析出物が銅合金キャリヤストリップの上に形成される。ニッケルめっきされたキャリヤストリップは次いで、表７に引用されたパラメーターを利用して水酸化ナトリウム含有電解質水溶液の中に浸漬される。キャリヤストリップは最初に陽極にされ、次いで陰極にされる。それから、硫酸銅浴（表３）を使用して銅金属箔層が析出され、その後で、デンドリティック処理（表４）がほどこされる。
【００７１】
第六の態様においては、上記のように、０．０５ミクロン〜２ミクロンのオーダーの厚さを有するニッケルの薄層をキャリヤストリップに適用し（表５）、その後で、水酸化ナトリウム含有水溶液の中での浸漬を表７におけるようにキャリヤストリップをまず陽極に次いで陰極にすることで行う。それから、ニッケルは表８に示されている低電流密度およびパラメーターで酸性硫酸銅浴の中で陰極処理される。
【００７２】
【表８】
2005502496.tif 000010
【００７３】
次いで、表３におけるような銅析出を利用して厚さを公称５ミクロンまで増大させる。表４におけるようなデンドリティック処理でプロセスを完了する。
【００７４】
上記方法のいずれか一つから形成された複合材料は次いで、上記のようにプリント配線板またはフレックス回路どちらを製造するのに使用されてもよい。本発明の利点は下記実施例から更に明らかになるであろう。
【００７５】
本発明の代替態様においては、キャリヤストリップの露出表面に対して、より平滑な、より均一な表面をもたらす表面調製法を使用することによって、箔の中のピンホールの存在が低減されてもよい。かかる調製法の例はキャリヤストリップ表面の平滑ローリング（ｓｍｏｏｔｈ  ｒｏｌｌｉｎｇ）、マイクロエッチング、および銅またはニッケル溶液によるフラッシングばかりでなく、キャリヤストリップ用に無酸素銅を使用することを包含する。
【００７６】
銅キャリヤストリップの中の酸素の存在は酸化銅粒子の存在に原因するキャリヤストリップの露出表面内のピット形成を引き起こすことがある。剥離層および箔がこれらピットの上に付着されるときには、それらはピットの構造に順応する。結果として、キャリヤストリップが箔から除去されるときに、箔の、ピットの中に付着した部分がしばしば箔からちぎりとられる。この破壊は箔の表面上にピンホールを、又はそうでなければ比較的均一な箔の表面に望ましくない欠陥を、生じさせることがある。
【００７７】
従って、本発明の一態様はキャリヤストリップに無酸素銅を使用することを組み込む。無酸素銅の使用は酸化銅粒子の存在を減少させる又は大部分排除する、従って、付随するピットを減少させ、そしてキャリヤストリップからの引離しの前および後の両方でより均一な箔表面を提供する。
【００７８】
より均一なキャリヤストリップ表面を提供するのに本発明に用いられる追加の方法はその上に剥離層が付着されるところのキャリヤストリップの表面を平滑ローリングすること、マイクロエッチングすること、及び銅またはニッケルフラッシュに露出させることを包含する。キャリヤストリップの表面を望ましい均一性にまで平滑にすることができるマイクロエッチングの例は限定されるものではないが、３ｖ％硫酸混合物を有する過硫酸アンモニウム溶液１１９．８ｋｇ／ｍ3（１ポンド／ガロン）を１１５°Ｆで約５０秒間適用することを包含する。上に言及したとおり、キャリヤストリップはキャリヤストリップの表面の均一荒さに悪影響を与えるかもしれない欠陥たとえばローリング中に生じた欠陥を覆い隠すために銅またはニッケルフラッシュで被覆されてもよい。
【００７９】
本発明の別の態様においては、剥離層と箔の間に暗黒な反射防止層を介在させてもよい。暗黒な反射防止性被膜はキャリヤストリップからの引離し後に箔に結合したままであり、そして銅箔の、レーザーの使用によって仕上げられる能力を向上させる。
【００８０】
一般に、メタッリク箔に穴をあけるのに又はそうでなければメタリック箔の一部分を除去するのに使用される２つのタイプのレーザーが存在する。第一のタイプはＩＲ域の光を発生するＣＯ2レーザーを包含する。第二のタイプのレーザーはＵＶ域の光を発生するＹＡＫレーザーを包含する。ＹＡＫレーザーは直接に銅箔に穴をあけることができるが、かかるレーザーはそれを比較的遅い速度で行う傾向がある。対照的に、ＣＯ2レーザーは時間の単位当りのエネルギーをより大量に箔に伝達することができ、従って、相対的により速い速度で箔に穴をあけることができる。しかしながら、ＣＯ2レーザーは一般に、直接に銅箔に穴をあけることができない。銅箔に穴をあけるためには、ＣＯ2レーザーはむしろ、箔の表面がそれを暗黒かつ非反射性にするような仕方で処理されることを必要とする。ここで使用されるとき、「非反射性」は表面と相互作用する光に含まれるエネルギーを反射するよりむしろ実質的に吸収する表面によって示される性質を称している。
【００８１】
従って、図１５を参照すると、本発明の一態様においては、剥離層１６と金属箔層１４の間には、暗黒素材からなる暗黒層１３が介在している。キャリヤ層１２と剥離層１６が除去された後には、暗黒層１３は金属箔層１４に結合されたまま残ってＣＯ2レーザーによる穴あけを容易にする。暗黒層１３は好ましくは、約０．０５〜０．５ミクロンのニッケル−銅組合せ、コバルト、錫、マンガン、鉄、またはニッケル層から形成されている。最も好ましくは、暗黒層は厚さが約０．２ミクロンである。暗黒層１３を非反射性にするためには、キャリヤストリップ１２の、暗黒層１３に向かい合う側の表面が均一に粗化される。キャリヤストリップ１２の表面組織は暗黒層の、箔を付着される側とは反対側の面上に刻印されるので、暗黒層は均一粗面のキャリヤストリップ１２の表面のそれに似た表面組織を帯びる。
【００８２】
キャリヤ層１２を適切に均一に粗面化できる幾つかの方法が存在する。これら方法は限定されるものではないが、キャリヤストリップの表面をカッパーボンド（ＣｏｐｐｅｒＢｏｎｄ）（登録商標）（コネチカット州ノーウォーク（Ｎｏｒｗａｌｋ）のオリン社（Ｏｌｉｎ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）の登録商標）のようなピンクまたはブラック銅ボンディングによってこぶめっき（ｎｏｄｕｌｅ  ｐｌａｔｉｎｇ）すること、キャリヤストリップの表面をサンドブラストすること、キャリヤストリップの表面をマイクロエッチングすること、およびキャリヤストリップを粗いローリング（ｒｏｕｇｈ  ｒｏｌｌｉｎｇ）することを包含する。
【００８３】
得られた非反射性の暗黒層は暗黒層およびその下の箔層に穴をあけるためのレーザー好ましくはＣＯ2レーザーの使用を容易にする。このようにして穴をあけることに加えて、レーザーは集積回路を形成するために要求されるもののような所期回路スキームを箔の中にエッチングするように操作されてもよい。
【実施例１】
【００８４】
６．１ｇ／ｄｍ2（２オンス）の鍛造銅箔をキャリヤストリップとして使用した。このストリップを、アルカリ性の市販クリーナーの中で２１５．２Ａ／ｍ2（２０ＡＳＦ）の電流密度を４０秒間使用して、電解洗浄（ｅｌｅｃｔｒｏｃｌｅａｎｉｎｇ）した。この箔を水洗してから、２０〜３５ｇ／ＬのＮａＯＨ＋０．５〜５ｇ／Ｌのクロムイオン（二クロム酸ナトリウム溶液として）の中で１０．７６〜５３．８Ａ／ｍ2（１〜５ＡＳＦ）の陽極電流を次いで１０．７６〜２１５．２Ａ／ｍ2（１〜２０ＡＳＦ）の陰極電流を５〜２０秒間使用して剥離層処理を行った。陽極処理は箔の表面に均一な微細荒さを生じさせそして均一な銅付着を誘発させるとみえた。陰極処理はクロムと酸化クロムの透明層を析出させるとみえた。この透明層は積層後のキャリヤストリップの剥離を引き受けると考えられる。
【００８５】
アルカリ性銅めっき液の中で０．１〜０．５ミクロンの銅のシード層を電気した。それから、６０〜７０ｇ／Ｌの銅イオン（硫酸銅として）と６０〜７５ｇ／Ｌの硫酸を４３０．４〜１，０７６Ａ／ｍ2（４０〜１００ＡＳＦ）で５．４〜２．１分間使用して５ミクロンの銅析出物を電気めっきし、その後、デンドリティック銅または銅／ニッケル処理を行った。ＦＲ−４エポキシ基板に積層した後、２オンスのキャリヤは１．７９〜１７．８６ｋｇ／ｍ（０．１〜１．０ポンド／インチ）の測定された結合強さをもって容易に引き剥がされた。
【実施例２】
【００８６】
６．１ｇ／ｄｍ2（２オンス）の鍛造銅箔をキャリヤストリップとして使用した。このストリップを、アルカリ性の市販クリーナーの中で２１５．２Ａ／ｍ2（２０ＡＳＦ）電流密度を４０秒間使用して、電解洗浄した。この箔を水洗してから、２０〜３５ｇ／ＬのＮａＯＨ＋０．５〜５ｇ／Ｌのクロムイオン（二クロム酸ナトリウムとして）の溶液の中での電気めっきによって剥離層処理を適用した。この処理はクロムと酸化クロムの透明層を形成するとみえた。
【００８７】
アルカリ性銅めっき液の中で０．１〜０．５ミクロンの銅のシード層を電気めっきした。それから、６０〜７０ｇ／Ｌの銅イオン（硫酸銅として）と６０〜７５ｇ／Ｌの硫酸を４３０．４〜１，０７６Ａ／ｍ2（４０〜１００ＡＳＦ）で５．４〜２．１分間使用して５ミクロンの銅析出物を電気めっきし、その後、デンドリティック銅または銅／ニッケル処理を行った。ＦＲ−４エポキシ基板に積層した後、２オンスのキャリヤは１．７９〜１７．８６ｋｇ／ｍ（０．１〜１．０ポンド／インチ）の測定された結合強さをもって容易に引き剥がされた。
【実施例３】
【００８８】
銅キャリヤストリップを洗浄した後、まず、スルファミン酸ニッケル浴の中で３２２．８Ａ／ｍ2（３０ＡＳＦ）で２０秒間でニッケル０．１５ミクロンのニッケル層を電気めっきした。それから、この箔を、０．２〜１０．０ｇ／Ｌのクロム酸と０．５〜４０ｇ／Ｌの燐酸を含有する溶液の中に周囲温度で１０〜４０秒間浸漬した。実施例１に記載されている通りに、アルカリ性銅シード層と酸性銅めっきを行った。積層後には、３．５７〜３５．７２ｋｇ／ｍ（０．２〜２．０ポンド／インチ）の剥離力をもつ引き剥がし可能層が得られた。
【実施例４】
【００８９】
実施例３におけるように、まず、ニッケル層を電気めっきした。次いで、ニッケル表面を２０〜５０ｇ／ＬのＮａＯＨ溶液の中で５．３８〜１０７．６Ａ／ｍ2（０．５〜１０ＡＳＦ）で５〜３０秒間陽極処理して酸化ニッケル剥離層を生成した。次いで、この酸化ニッケル層を２０〜５０ｇ／ＬのＮａＯＨ溶液の中で５．３８〜５３８Ａ／ｍ2（０．５〜５０ＡＳＦ）で５〜３０秒間陰極還元した。この陰極処理は還元された酸化物を生成しそして操作ウィンドウ（ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  ｗｉｎｄｏｗ）を広げるとみえた。陰極処理なしでは、陽極電流が低すぎると、引き剥がし可能でない箔が生成されるであろう。陽極電流が高すぎると、めっき５ミクロン箔は積層前でさえしばしば離層するか又は膨れ（ｂｌｉｓｔｅｒ）を形成し、そして製品を役に立たなくさせる。
【００９０】
ニッケルと酸化ニッケルの処理後に、アルカリ性銅シード層と５ミクロン酸性銅を析出させる。６．２５〜１７．８６ｋｇ／ｍ（０．３５〜１．０ポンド／インチ）の剥離力が得られた。
【実施例５】
【００９１】
キャリヤストリップ上への平滑なニッケル析出物の形成は３２２．８〜５３８Ａ／ｍ2（３０〜５０ＡＳＦ）の電流密度を２０〜３０秒の時間使用するスルファミン酸ニッケル浴からの析出によって非常に容易に遂行されることが明らかにされた。
【００９２】
次いで、３０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウムの溶液の中でのニッケル板の処理は２１５．２〜４３０．４Ａ／ｍ2（２０〜４０ＡＳＦ）で２０〜４０秒間の陽極処理とその後の同じ溶液の中での陽極電流密度の２５％〜５０％で半分の時間での陰極処理とによって行われた。シード層は使用されず、ニッケル被覆支持体層は酸−硫酸銅浴の中で、低電流密度で、０．３２〜２１．５２Ａ／ｍ2（０．０３〜２ＡＳＦ）で６０秒間、陰極処理され、その後で、酸性硫酸銅浴からの銅めっきが６９９．４Ａ／ｍ2（６５ＡＳＦ）で３．５分間行われて所期の５ミクロンの厚さを達成した。箔は積層後にそれらの引き剥がし適性を維持していた。
【００９３】
比較すると、上記の低電流処理は欠陥のない引き剥がし可能な箔を生じたが、同じ条件を使用してしかし低電流処理を使用せずに製造された箔は欠陥だらけでしかも積層後に引き剥がし可能でなかった、ということが実証された。
【実施例６】
【００９４】
銅支持体層から銅箔層を引離すのに必要な剥離力に対する剥離層の影響は図１４にグラフで示されている。先行技術から知られている通りのクロム金属剥離層も、ここに開示された通りのクロム＋酸化クロムの剥離層も、どちらもが室温では８．９ｋｇ／ｍ（０．５ポンド／インチ）未満の比較的低い剥離力を与えるのに有効であった。２００℃以下の温度に加熱されそしてその温度に１時間維持されたときでも、剥離力はほぼ等しい。しかしながら、２００℃を超す温度では、クロム剥離層の剥離力は急速に増加する（基準線３８）が、クロム＋酸化クロム剥離層の剥離力は増加しない（基準線４０）。
【００９５】
この実施例は本発明の剥離層を利用する積層についての有効な広い加工ウィンドウを例証している。
【実施例７】
【００９６】
図８と１０は５ミクロン箔を利用すると１２ミクロン箔に比べてより垂直な側壁４２が得られることを例証している。短絡回路の存在を避けるためには、エッチングは誘電体２２の表面からの銅の実質的除去を確実にするのに有効な時間なされなければならない。箔の、誘電体キャリヤ２２とは反対側の表面は誘電体キャリヤに隣接した表面よりも長い時間にわたってエッチング液に曝されるので、前記反対側表面では回路トレース幅の減少が起こる。１２ミクロン箔ではより長いエッチング時間のせいで、このオーバーエッチングはさらに顕著である。
【００９７】
表９からは、３８ミクロン厚さの乾燥皮膜フォトレジストをフォトパタニング（ｐｈｏｔｏｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）し次いでアルカリ溶液中で５２℃の温度でエッチングすることによって形成されたときの表示された通りの公称幅を有する伝導性回路トレースが実証される。５ミクロン箔は１２ミクロン箔のエッチング時間の約半分で済んだ。表９から、導体幅は１２ミクロン箔よりも５ミクロン箔の方が呼称導体幅のそれに近いことがわかる。
【００９８】
【表９】
2005502496.tif 000011
【００９９】
【表１０】
2005502496.tif 000012
【実施例８】
【０１００】
【表１１】
2005502496.tif 000013
【０１０１】
キャリヤストリップを形成するのに３．０５ｇ／ｄｍ2（１オンス）のＣ１１０箔と３．０５ｇ／ｄｍ2（１オンス）のＣ７０２５箔を利用した。ＮａＯＨの中での洗浄に先立って箔サンプルを、表面酸化物を除去するために１０％硫酸の中に浸漬した。ばらつきがないようにするために、溶液はどれも攪拌されなかった。試験の目的は異なる引張強さの箔の、コントロール可能な剥離力を与えることにおける能力を比較することであったので、２つの箔は引張強さが異なっていただけであり、試験が行われたパラメーターは一定不変に保たれた。Ｃ７０２５の引張強さは積層後に約６８９．５ＭＰａ（１００ｋｓｉ）であり、そしてＣ１１０の引張強さは積層後に約２０６．９ＭＰａ（３０ｋｓｉ）であった。
【０１０２】
表１１が示すように、どちらの箔の剥離力も陽極／陰極電流パラメーターに依存する。陽極／陰極電流のブレークオフポイント（ｂｒｅａｋ  ｏｆｆ  ｐｏｉｎｔ）はＣ７０２５箔については８．６Ａ／ｍ2（０．８ＡＳＦ）であり、そしてＣ１１０箔については１１．８Ａ／ｍ2（１．１ＡＳＦ）である。ここで使用されるとき、「ブレークオフポイント」は剥離を可能にさせる最低限の陽極／陰極電流処理値を称している。
【０１０３】
本発明によれば、ここに記述されている目的、手段および利点を完全に満足させる、剥離可能金属箔層を含む複合材料およびかかる複合材料の製造方法が提供される。本発明はその態様に関連して記述されているが、上記説明に照らして当業者には多数の代替、変更および変形が明らかになるであろうことは明白である。従って、かかる代替、変更および変形の全てを特許請求の範囲の精神および広い範囲の中に入るものとして包囲することを意図している。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明による複合材料の断面図である。
【図２】プリント配線板の前駆体として硬質誘電体に積層された本発明の複合材料の断面図である。
【図３】可撓性回路の前駆体として可撓性誘電体に積層された本発明の複合材料の断面図である。
【図４】キャリヤ層を除去した後のプリント配線板の斜視図である。
【図５】図４の構造体から形成された電気回路図の平面図である。
【図６】代替の剥離層を有する本発明の複合材料の断面図である。
【図７】本発明による非常に低い表面プロフィールの結合強さ向上剤を示す倍率５０００倍の顕微鏡写真である。
【図８】誘電体基板の中に食い込んだ図７の非常に低い表面プロフィールの結合強さ向上剤の断面図である。
【図９】従来知られているような代表的な低い表面プロフィールの結合強さ向上剤を示す倍率５０００倍の顕微鏡写真である。
【図１０】誘電体基板の中に食い込んだ図９の低い表面プロフィールの結合強さ向上剤の断面図である。
【図１１】本発明による非常に低い表面プロフィールの結合強さ向上剤の除去による誘電体層の表面トポグラフィーを示す倍率４５０倍の顕微鏡写真である。
【図１２】従来知られているような低い表面プロフィールの結合強さ向上剤の除去による誘電体層の表面トポグラフィーを示す倍率４５０倍の顕微鏡写真である。
【図１３】不完全な銅除去を示している低い表面プロフィールの結合強さ向上剤の除去から生じた誘電体層の表面トポグラフィーを示す倍率４５０倍の顕微鏡写真である。
【図１４】積層温度の関数として剥離層剥離力を示すグラフである。
【図１５】さらに暗黒層を含む本発明の複合材料の断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０  複合材料
１２  支持体層（キャリヤ層、キャリヤストリップ）
１３  暗黒層
１４  金属箔層
１６  剥離層
１８  金属箔層１４の片面
２０  結合強さ向上剤
２２  誘電体基板
２４  高分子結合剤
２５  金属箔層１４の上面
２６  回路トレース
２８  ダイパッド
３０  剥離層１６の第一部分
３２  剥離層１６の第二部分
３４  短絡回路
３６  回路前駆体
４２  金属箔１４のエッチング後の側壁
４４  プリント配線パネル
【図１４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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