(57)【要約】本発明は、リソグラフィー・アプリケーションのために、広範囲にわたる凹凸形状の形状密度を有する基板表面を平坦化するのに利用できうる接触平坦化法に関する。これらのプロセスは、リソグラフィー・アプリケーションのために、熱硬化性、光硬化性、および熱可塑性材料を使用して、凹凸形状の基板表面の上に全体的に平坦化された表面を提供する。全体的な平坦性と均一な膜厚とを有した付加的な膜は、平坦化された表面の上に得ることができる。これら本発明に係る方法は、特定のアプリケーションで要求される一連の適当なコーティングにおいて、最下部のＡＲコート、フォトレジスト、ハードマスク、ならびに、他の有機および無機ポリマーを含む、単層、二層、または、多層処理とともに利用できる。さらに詳しくは、本発明は、フォトリソグラフィープロセスの範囲が大幅に向上されたデュアルダマシンプロセスやバイレイヤプロセスにおいて使用する、全体的に平坦な表面を作製する。さらに、本発明は、インプリントリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー、ホットエンボスリソグラフィー、およびスタンピングパターントランスファーの技術を用いて、パターンを転写するための全体的に平坦な表面を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  表面を有し、前記表面に複数の凹凸形状の加工部を含む基板を提供する工程と、
（ｂ）  前記表面上に平坦化層を形成する工程と、
（ｃ）  前記平坦化層と部材の平坦面とを、十分な時間、圧力、および温度で接触させて、前記平坦面の平坦性を前記平坦化層に転写する工程と、
（ｄ）  前記平坦化層上に一つ以上の中間層を選択的に形成する工程と、
（ｅ）  超小型電子の前駆体を作製するためのイメージング層を、前記中間層がある場合は前記中間層上に、前記中間層が無い場合は前記平坦化層上に形成する工程と、
（ｆ）  前記イメージング層上にパターンを形成する工程と、
（ｇ）  前記中間層がある場合は前記中間層と前記平坦化層とに前記パターンを転写する前記パターンの転写工程とを含み、
前記パターンの転写工程後に、前記基板の表面が、元々の凹凸の少なくとも一部を保時することを特徴とする超小型電子の前駆体を形成する方法。
【請求項２】
前記平坦化層は、ポリマー、モノマー、オリゴマー、または、それらの混合物からなる群から選択される化合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、前記平坦下層は、酸、酸発生剤、塩基、塩基発生剤、界面活性剤、光触媒、熱触媒、およびそれらの混合物からなる群から選択される成分を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記化合物は、エポキシ、アクリレート、ビニルエーテル、ポリエステル、ポリイミド、有機および無機モノマー、オリゴマーならびにポリマーと、ビニル含有の有機および無機モノマー、オリゴマーならびにポリマーと、それらの混合物とから成る群から選択される請求項２に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記接触工程の間または後に、前記平坦化層を実質的にキュアリングまたはハードニングする工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記キュアリングまたはハードニングする工程は、前記構成物を実質的にキュアリングするために、十分な時間、前記平坦化層をＵＶ光にさらす、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記キュアリングまたはハードニングする工程は、前記構成物を十分にハードニングするために、十分な時間および温度で、前記平坦化層を加熱する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記キュアリングまたはハードニング工程は前記平坦化層を約そのＴｇ以下に冷却する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記加熱は、放射熱源を用いて前記平坦化層を加熱する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記加熱は、赤外線加熱を使用して前記平坦化層を加熱する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｃ）が、大気圧下で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｃ）が、減圧下で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｃ）が、高圧で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｃ）が、人工的な雰囲気下で実行される請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記接触工程が、約１〜１，０００ｐｓｉの押圧力で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記接触工程が、室温前後から約３５０℃の温度で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記接触工程が、約１秒から約１２０分の時間行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
１つ以上の中間層を含み、また、各々の中間層は全く金属を含まない請求行１に記載の方法。
【請求項１９】
前記イメージング層はフォトレジスト層を含み、
前記パターンの形成工程は、ＵＶ光で前記フォトレジスト層の一部を選択的に露光することを含み、
前記パターンの転写工程は、前記フォトレジスト層、前記中間層があれば当該中間層、および前記平坦化層を現像することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記イメージング層はインプリント層を含み、
前記パターンの形成工程は、前記パターンの反転パターンを含む押圧面を有するネガと前記インプリント層とを接触させることを含み、
前記パターンの転写工程は、前記中間層があれば当該中間層と、前記平坦化層とを通して前記パターンをエッチングすることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記イメージング層は、スタンプされたパターンを含み、
前記パターンの転写工程は、前記中間層があれば当該中間層と、前記平坦化層とを通して、前記パターンをエッチングすることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
さらに、前記超小型電子の前駆体に対して少なくとも工程（ａ）〜（ｇ）のいくつかを繰り返す工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
マスク層、バリア層、および反射防止層からなる群から選択される、少なくとも１つの中間層を含む請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
工程（ｃ）により、膜厚の変化が約１０，０００μｍの距離にわたって約１０％未満の平坦化層を得る請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
工程（ｃ）により、各々の基板の凹凸形状の加工部を全て覆う、約２５０Å未満の凹凸形状を有する平坦化層を得る請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
工程（ｃ）により、少なくとも二つの異なる形状密度領域が存在する、約１０，０００μｍの基板表面の長さにわたって、約６００Å未満の凹凸形状を有する平坦化層を得る請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
表面とおよび該表面上に複数の凹凸形状の加工部を有する基板と、
前記表面上にある全体的に平坦なキュアリングまたはハードニングされた平坦化層と、
前記平坦化層上に選択的に設けられる１つ以上の中間層と、および
前記中間層がある場合には当該中間層上、または、前記中間層が無い場合には前記平坦化層上にあるイメージング層とを含む組合体。
【請求項２８】
前記基板が、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、ＳＯＩウェハ、ガラス基板、石英基板、有機ポリマー基板、複合材料基板、誘電体基板、金属基板、合金基板、シリコンカーバイド基板、シリコンナイトライド基板、サファイア基板、セラミック基板、および、耐熱性材料で形成された基板からなる群より選択される請求項２７に記載の組合体。
【請求項２９】
前記平坦化層が、ポリマー、モノマー、オリゴマー、およびそれらの混合物からなる群から選択される複合物を含む構成物から形成される請求項２７に記載の組合体。
【請求項３０】
前記構成物が、さらに酸、酸発生剤、塩基、塩基発生剤、界面活性剤、光触媒、熱触媒、およびそれらの混合物からなる群から選択される成分を含む請求項２９に記載の組合体。
【請求項３１】
前記複合物が、エポキシ、アクリレート、ビニルエーテル、ポリエステル、ポリイミド、有機および無機モノマー、オリゴマー、ポリマーと、ビニル含有有機および無機モノマー、オリゴマー、ポリマーと、それらの混合物とからなる群から前記複合物が選択されるものからなる群から選択される請求項２９に記載の組合体。
【請求項３２】
少なくとも１つの中間層を有する、マスク層、バリア層、および反射防止層からなる群から選択される請求項２７に記載の組合体。
【請求項３３】
前記平坦化層が約０．１〜１０μｍの膜厚を有する請求項２７に記載の組合体。
【請求項３４】
前記組合体は、マイクロエレクトロメカニカルシステム構造であり、前記平坦化層は約１〜１，０００μｍの膜厚を有する請求項２７に記載の組合体。
【請求項３５】
マスク層、バリア層、反射防止層からなる群から選択される、少なくとも１つの中間層を有する請求項２７に記載の組合体。
【請求項３６】
前記イメージング層が、フォトレジスト層、インプリント層、およびスタンピングされた層からなる群から選択される請求項２７に記載の組合体。
【請求項３７】
前記平坦化層が、約１０，０００μｍの距離にわたって約１０％未満の膜厚変化率を有する請求項２７に記載の組合体。
【請求項３８】
前記平坦化層が、各々の基板の凹凸形状の加工部を全て覆う、約２５０Å未満の凹凸形状を有する請求項２７に記載の組合体。
【請求項３９】
前記平坦化層が、少なくとも二つの異なる形状密度領域が存在する、約１０，０００μｍの基盤表面の長さにわたって、約６００Å未満の凹凸形状を有する請求項２７に記載の組合体。
【請求項４０】
（ａ）  表面を有し、前記表面上に複数の凹凸形状を含む基板を提供する工程と、
（ｂ）  前記表面に平坦化層を形成する工程と、
（ｃ）  前記平坦化層と部材の平坦面とを、十分な時間、圧力、および温度で接触させて、前記平坦面の平坦性を前記平坦化層に転写する工程と、
（ｄ）  １つ以上の実質的に金属を含まない中間層を前記平坦化層上に選択的に形成する工程と、
（ｅ）  前記中間層がある場合には当該中間層の上に、前記中間層が無い場合には前記平坦化層の上に超小型電子の前駆体を作製するためのイメージング層が設けられる工程と、
を含むことを特徴とする超小型電子の前駆体の製造方法。
【請求項４１】
（ａ）  表面を有し、前記表面上に複数の凹凸形状を含む基板を提供する工程と、
（ｂ）  前記表面に平坦化層を形成する工程と、
（ｃ）  前記平坦化層と部材の平坦面とを、十分な時間、圧力、および温度で接触させて、前記平坦面の平坦性を前記平坦化層に転写する工程と、
（ｄ）  １つ以上の中間層を前記平坦化層上に選択的に形成する工程と、
（ｅ）  前記中間層がある場合には当該中間層の上に、前記中間層が無い場合には前記平坦化層の上に、超小型電子の前駆体を作製するためのイメージング層が設けられる工程と、
を含むことを特徴とする超小型電子の前駆体の製造方法。
【請求項４２】
表面と前記表面上に複数の凹凸形状とを有する超小型電子の基板と、
前記表面上に設けられ、全体的に平坦で、キュアリングまたはハードニングされた平坦化層と、
平坦化層上に選択的に設けられる、実質的に金属を含まない１つ以上の中間層と前記中間層と、
前記中間層がある場合には前記中間層の上に、前記中間層が無い場合には前記平坦化層の上に設けられたイメージング層とを含むことを特徴とする組合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の背景
連邦政府の委託研究／開発プログラム
本発明は、米国標準技術局（ＮＩＳＴ）によって認定された先進技術プログラム♯７０ＮＡＮＢ１Ｈ３０１９の下で米国政府の援助を受けてなされたものである。本発明に関して、米国政府は一定の権利を有する。
【０００２】
関連した出願
本願は、２００２年２月２７日付で出願され、この参照によって本開示に含まれる、第６０／３６０，３７４号の多層リソグラフィープロセスに関する新規な平坦化方法と題された先の出願の優先権の利益を主張する。
【０００３】
発明の分野
本発明は、概して、マイクロエレクトロニック、フォトニクス、オプトエレクトロニック、オプティカル、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）、バイオチップ、およびセンサーデバイスの製造、ならびにリソグラフィープロセスを必要とする他のプロセスのための、熱可塑性、熱硬化性、および、光硬化性の平坦化材料を利用した、新規な接触平坦化方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
従来技術の説明
市場は、マイクロエレクトロニックデバイスに対して、デバイス内により小さな微細構造を構築するための必要性を推進する、小さな物理的特性をもつことを要求する。さらに、そのようなデバイスは、さらなるエネルギー効率の良さや非常にすぐれた機能性を期待される、一方で、生産効率の向上も期待される。上記の目的を達成するために、集積回路（ＩＣ）上にあるデバイスの加工寸法をますます小さくする必要がある。従って、ライン、トレンチ、ビア、およびホール等の、より小さな微細構造を有し、相互に接続された多くの層が、デバイス基板上で、パターン形成されるべきである。現在、フォトリソグラフィーが、これらの微細構造をデバイス基板上に構築するために使用されている。このプロセスは、一般的に、単層のフォトレジスト層を用いて達成される。新興のリソグラフィー技術、例えば、インプリントリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー、ホットエンボスリソグラフィー、および、スタンピングパターントランスファー等が提案されている。これらの技術は、基板表面にパターンを転写するために、フォトリソグラフィックパターンニングの代わりに、パターン形成されたモールド（型）を使う。
【０００５】
フォトリソグラフィープロセスでは、より小さい微細構造を構築するために、より短い波長の露光光（例えば、２４８ｎｍ〜１９３ｎｍ〜１５７ｎｍ〜超紫外線（ＥＵＶ）、およびそれ以下）が使用されてきた。その結果、焦点深度（ＤＯＦ）がより狭くなり、それによってフォトリソグラフィックプロセスの露光範囲がより小さくなる。従って、基板表面の凹凸（トポグラフィー）と、基板表面に施され、パターン形成される被覆膜の膜厚および膜厚均一性とは、所望の加工寸法を有した微細構造の製造において重要な要因になる。露光光の波長が短くなるにつれて、基板表面の凹凸の許容範囲も狭くなる。さらに、基板表面が完全に平坦であると仮定すると、パターン形成される膜を十分に薄くして、フォトリソグラフィープロセスのＤＯＦの範囲内とする必要がある。相互に接続される層が、より多く構築されるにしたがい、基板表面の凹凸が非常に険しくなるので、リソグラフィープロセスのＤＯＦが許容する制限を超える。従って、微少な加工寸法を、基板表面上にパターン形成することができない。
【０００６】
表面の凹凸に起因するもう一つの課題は、表面を覆うように被覆された膜が、下層にある厚さが均一でない凹凸にあわせて起伏をなす傾向があることである。つまり、下層の表面の凹凸が、わずかに険しさを欠いた状態で、ある程度再現される。凹領域に被覆された膜は、他の領域よりも厚くなる傾向がある。表面の凹凸に沿った膜厚の不均一性は、フォトグラフィックプロセスにおいて、露光不足および過多の領域、および、焦点があっていない（つまり、ＤＯＦ範囲の範囲外の）領域を引き起こす問題を生じる。その結果、フォトリソグラフィックプロセスにおいて、必要な微細構造のクリティカルディメンション（ＣＤ）の制御を達成できない。これらの要因は、微細構造が所望の加工寸法を達成することを妨げる。
【０００７】
ＤＯＦが狭くなるにしたがい、単層フォトレジストによるフォトリソグラフィープロセスは、基板表面の凹凸、ならびに、フォトレジストの膜厚および膜厚均一性のために、パターンニングの要求を満たす可能性を非常に制限してきた。従って、多層コーティングプロセスが、提案され、研究されてきた。平坦化材料からなる厚い層が、最初に基板表面に被覆され、その上にさらに被覆層を施すことができる、より平坦な表面を提供する。最上層は、フォトリソグラフィーによりパターン形成される。そして、最上層のパターン形成された構造は、例えばアンアイソトロピックプラズマエッチング等の適切なプロセスによって、基板上に施されている全ての層を通り、基板へ向かって下層へ転写される。上記の技術は、トップサーフェスイメージングプロセスと呼ばれている。このトップサーフェスイメージングプロセスは、感光性のある最上層が施されて、パターン形成される前に、基板上に二層、三層、または、さらにそれ以上の被覆膜の層を施すことを含むことができる。
【０００８】
図１（ａ）〜（ｃ）は、従来技術によるプロセスを示す。図１（ａ）に示すように、相互に連絡された、より多くの層がデバイス基板１０の表面上に構成されるに従って、それらの層から生み出される凹凸１２は、許容できなくなる。このような状況下において、上記のような凹凸のある表面の上に所望の構造をパターン形成するために、単層フォトレジストプロセスはもはや適してない。従って、二層プロセスが、リソグラフィープロセスウィンドウを改善し続けてきた。この二層プロセスは、表面に平坦化材料１４のスピンコーティングを行って、例えばビアやトレンチ１６のような凹領域を埋めることを含み、その後にサーマルリフロープロセスが続く。この平坦化材料は、反射防止膜、フォトレジスト、または、類似の材料であればよい。しかしながら、スピンコーティングされた層は、下層の表面凹凸（図１（ｂ）参照）に沿って起伏をなす傾向がある。図１（ｂ）に示すように、サーマルグラビティーリフロープロセスは、被覆される材料を凹領域（ビアやトレンチ１６）へ流入させて、表面の凹凸をある程度低減させる。もし必要であれば、リフロープロセスの間またはその後で、この被覆される材料を熱的に結合することができる。これにより、その上に更なる層が施される、より平坦な面が提供される。図１（ｃ）に示すように、最上層１８、典型的にはフォトレジスト、が平坦化層の最上部に施される。このフォトレジスト層は、フォトリソグラフィープロセスにおいてパターン形成される。従って、膜厚、膜厚均一性、および、表面の凹凸は、この最上部のイメージング層の性能に影響を及ぼす重要な要因である。イメージが最上層１８にパターン形成されると、基板表面はプラズマエッチプロセスが施される。イメージは、フォトレジスト層の、保護されていない、むき出しの領域をエッチすることによって、最下層まで、そして必要であれば基板まで転写される。最下層の平坦化材料１４の厚みは、それが凹凸状の基板表面を覆っているので不均一であり、しかも、最上層１８の膜厚よりも厚いであろうから、各層におけるプラズマエッチレートは重要である。好ましくは、最上層１８は、最下層よりも十分に低いプラズマエッチレートを有する。その時、最上層１８は、パターンを転写するプロセス、つまり、プラズマエッチプロセスにおいて、エッチマスクとして機能することができる。従って、最下層および最上層のプラズマエッチの選択性は、最上層から最下層へ、そしてその下の基板へと、パターン形成されたイメージを転写するために重要である。
【０００９】
エッチ選択性の要求を緩和し、最下層とフォトレジスト層との間の相互作用を防ぐために、最下層とフォトレジスト層との間に非常に薄いハードマスク層を施すことが提案されてきた。このハードマスク層は、必要とするプラズマエッチ特性を有し、最下層とフォトレジスト層とを分離するのに役立つだろう。この新しいプロセスは、三層プロセスと呼ばれてきた。ハードマスク層は、平坦化層の表面の平坦性を向上しない。なぜなら、ハードマスクは非常に薄く、平坦化表面に一致するからである。従って、フォトリソグラフィープロセスの露光範囲は改善されないので、平坦化された最下層は、依然として、三層プロセスにおいて必要とされる。ハードマスク層にパターンを転写するには、特殊なプラズマエッチプロセスが必要であり、さらに、最下部にある平坦化層にパターンを転写するために、さらなるプラズマエッチプロセスが用いられる。二層および三層プロセスの両方に関して、さらなる被覆層が施される平坦な表面を提供するために、平坦化された最下層が必要とされる。
【００１０】
デュアルダマシン（ＤＤ）プロセスは、先進的なＩＣ製造プロセスで幅広く使用される技術であり、一つの金属積層工程で二つの金属層の積層を可能にする。誘電体層は一回、または、二回（または、それ以上の回数、ＤＤプロセスの手法に依存する）エッチされ、誘電体層にあるパターンの二つの層が構成される。ＤＤプロセスの適用にあたって、もし、二層以上の誘電体層が含まれるならば、誘電体層は、エッチングストップバリア層として機能する薄いハードマスク層によって分離されてもよい。ＤＤパターンが形成されると、その後、金属配線材料がそのパターンの内部に堆積される。あるＤＤプロセスの手法では、誘電体材料（またはフォトレジスト）の層が基板２０の表面上にスピンコートされる（図２（ａ）〜（ｃ））。フォトリソグラフィーは、図２（ａ）に示すように、層内に異なる形状密度の領域をもつ所望のアスペクト比を有する微細構造（ビア／トレンチ２２）を作るために用いられる。基板２０は、分離された構造を有する領域２４、ならびに、密集して配置された形状を有する領域２６を有している。従って、形状密度は、ダイの中や、基板表面にわたって変化する。図２（ｂ）に示すように、形状密度が最終的な膜厚の決定に関して重要な役割を果たすので、最初の平坦化層２８がこのパターン形成された表面に被覆されるとき、凹凸形状が可能な限り深くなる。最上部の構造の膜厚は、分離された構造を含む領域２４の上方の膜厚よりも、密集して配置された形状の上方の領域２６での方が非常に薄い。その結果、局所的な平坦化は、同じ形状密度を持つ領域内では達成されている。しかしながら、形状密度が大きい領域の上方の膜厚の薄さから、凹領域が生じる。最悪の場合、膜が十分に厚く塗られていないと、密集していない形状密度の領域が、第一平坦化材料層２８で完全に満たされるのに対して、密集した形状密度の領域における高いアスペクト比を有する構造（例えば、ビアやトレンチ）は、一部が満たされるだけであろう。従って、ダイの内部や基板の表面にわたる、全体的な平坦性はない。
【００１１】
その後、第二の層３０が、全体的な平坦性を欠いた平坦化層２８の上に被覆される。この第二の層は、感光性のあるフォトレジスト層（二層プロセス用）、または、薄いハードマスク材料（三層プロセス用）にすることができる。図２（ｃ）に示すように、領域２６の上方により厚い膜層を持つ第二の層３０は、下層２８の凹凸に沿って起伏をなす傾向がある。最上層の膜厚の不均一性を最小化し、全体的な平坦性を向上させる一つの手法は、よりよい局所的かつ全体的な表面平坦性を供給し、その上にさらなる層を施すことができる下側の平坦化層に、適正な厚み（数ミクロン以上）を提供することである。厚い平坦化層により、プラズマエッチ時間が延び、高いプラズマエッチの選択性が要求される。平坦化層の、プラズマエッチレートは、最上部のイメージング層のレートよりも非常に高い必要がある。これらの特性が、プロセスに関する処理能力および材料適合性の懸念を生じさせる。もう一つの手法は、比較的低い形状密度を有する領域内にダミー構造を作って、ダイの内部や基板表面にわたって変動が少ない形状密度を提供し、形状密度の影響を緩和することである。その結果、平坦化層表面上に、よりよい全体的な平坦性が達成される。しかし、ダミー構造を使用するので、設計および回路の配置がより複雑になる。また、この手法は、ダイサイズの増加が必要となることもあるため、好ましくない。
【００１２】
フォトリソグラフィープロセスの代替として、いくつかの新規なリソグラフィー技術、例えばインプリントリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー、ホットエンボスリソグラフィー、スタンピングパターントランスファー等が、微細構造の製造に関して提案され、研究されてきた。インプリントリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー、および、ホットエンボスリソグラフィーは、鋳型を利用して、その上に、薄く、流動性がある鋳型材料がコーティングされる基板表面上にパターンを印刷する。これらのプロセスは、室温以上で実行できる。鋳型の表面が鋳型材料に触れると、鋳型材料は、インプリントまたはエンボスプロセスの条件下で強制的に溶融され、パター形成された鋳型の表面に一致する。成型された材料は、その後、光を用いた手段、または、熱を用いた手段のどちらか一方によって固化される。上記の鋳型は、成型され固化された材料から分離される。鋳型のパターンの、反転パターンが、成型された材料に転写される。もし必要があれば、そのパターン形成された表面が、適切なパラメータおよびシーケンスで、プラズマエッチされ、下の層にパターンが転写される。これらのリソグラフィー技術は、パターンを担持するフォトマスク（または、レチクル）を通過し、フォトレジスト層にパターンを転写するための露光に依存しない。従って、ＤＯＦは問題にならない。しかし、被覆され、流動性を有する、鋳型材料は、基板表面にわたってほぼ完璧に全体的に平坦性のある、非常に均一な膜厚を有している必要がある。その理由は、鋳型が硬く、転写される構造が非常に小さいからである。鋳型の表面は、パターン形成される表面と完全に並行に保たれる必要がある。鋳型材料層における、あらゆる凹凸および膜厚不均一性は、基板表面に転写される最終のパターンに突発的な影響を与える可能性が高い。凹凸形状のある表面は不完全なパターンの転写の原因になる。鋳型材料の膜厚の不均一性はプラズマエッチの複雑さの原因になる。つまり、膜厚が厚い領域ではアンダーエッチされ、膜厚が薄い領域ではオーバーエッチされる。従って、パターンを転写するプロセスでは、その上に、流動性を有する鋳型材料の均一な膜厚および全体的に平坦な表面を得ることができる、全体的に平坦な基板表面が必要とされる。微細構造がデバイスの表面にスタンピング（刻印）されるときと同様に、全体的に平坦な表面がスタンピングプロセスでは必要とされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
発明の概要
本発明は、概して、新規な接触平坦化方法、および、スタンピングパターンプロセスと同様にフォトリソグラフィー、インプリントリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー、およびホットエンボスリソグラフィーのために、全体的に平坦な表面を提供する本方法によって形成される前駆体に関し、これにより従来技術の問題点を抑制または防止する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
詳しくは、前駆体は、その表面に凹凸を有する超小型電子基盤に、最初に平坦化膜を施す（例えば、スピンコーティング、スプレーコーティング、キャスティング、パドリング、ファウンテインコーティング（ｆｏｕｎｔａｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）等によって）ことによって形成される。ほとんどのアプリケーションに対して、この層（後述するように、硬化および接触平坦化の後）は、典型的に、膜厚が約０．１〜１０μｍであり、好ましくは約０．１〜３μｍで、より好ましくは約０．１〜１μｍで、さらにより好ましくは約０．１〜０．５μｍの範囲である。ＭＥＭＳのアプリケーションに対しては,平坦化層の厚さは、典型的には、約１〜１０００μｍの範囲で、より好ましくは約１〜５００μｍの範囲である。
【００１５】
典型的な超小型電子基盤の例は、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、シリコン・オン・インシュレイター（ＳＯＩ）ウェハ、ガラス基板、石英基板、有機高分子基板、複合材料基板、誘電体基板、金属基板、合金基板、シリコンカーバイド基板、窒化シリコン基板、サファイア基板、セラミックス基板、および、耐火性の材料によって形成された基板を含む。
【００１６】
平坦化層は、反射防止材料またはフォトレジスト材料とすることができる。または、平坦化層は、光硬化性または熱硬化性を有する、ポリマー、モノマー、オリゴマー、およびそれらの混合物、さらに熱可塑性材料からなる群の中から選ばれた成分を含む材料から形成することができる。材料中のモノマー、ポリマー、および／またはオリゴマーの総重量は、平坦化材料の総重量が１００重量％であることを基準として、少なくとも約１重量％で、好ましくは約５〜１００重量％で、より好ましくは約１０〜８０重量％とするべきである。好適なモノマー、オリゴマー、およびポリマーの例は、以下のモノマー、オリゴマー、またはポリマーを含む：ノボラックエポキシのようなエポキシ、ノボラックエポキシアクリレートのようなアクリレート、ノボラックエポキシビニルエーテルのようなビニルエーテル、ポリエステル、ポリイミド、有機および無機モノマー／オリゴマー／ポリマー、およびビニル含有の有機および無機モノマー／オリゴマー／ポリマー、および前出したものの混合物。
【００１７】
さらに好ましい材料は、材料の総重量が１００重量％であることを基準として、好ましくは約０〜９９重量％、好ましくは約０〜９５重量％、より好ましくは約５〜８５重量％の量の溶媒をさらに含む。好適な溶媒は、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルラクテート、および前出のものの混合物を含む。キュアリングプロセスまたはハードニングプロセスにおいて、上記のモノマー、オリゴマー、およびポリマーと反応する、反応性溶媒も使用できる。そのような溶媒の例は、グリシジルエーテル、ビニルエーテル、アリルエーテル、アクリレート、およびプロピレンカーボネート含む。
【００１８】
さらに、材料は、酸、酸発生剤（例えば、熱酸発生剤、光酸発生剤）、光触媒、熱触媒、および界面活性剤からなる群から選択される成分を含むのが好ましい。酸または酸発生剤が含まれるとき、材料の総重量が１００重量％であることを基準として、含有量が約０．１〜１０重量％であるのが好ましく、また、約０．５〜５重量％であるのが好ましい。好適な酸または酸発生剤の例は、トリアリルスルホニウム  ヘキサフルオロホスフェート、トリアリルスルホニウム  ヘキサフルオロアーセネート、ジアリルヨードニウム  ヘキサフルオロホスフェート、ジアリルヨードニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、ジアリルヨードニウム  ヘキサフルオロアーセネート、トリアリル  スルホオキソニウム  ヘキサフルオロホスフェート、アリルオキシ  スルホオキソニウム  ヘキサフルオロホスフェート、クォータナリー  アンモニウム  トリフラート、ポリメリック  スルホニック  アシッド  エーテル、ジノニルナフタレン  スルホネート  エーテル、およびトルエンスルホニック  アシッドからなる群から選ばれたものを含む。酸または酸発生剤は、塩基または塩基発生剤で代替することもできる。
【００１９】
光触媒または熱触媒を含むとき、材料の総重量が１００重量％であることを基準として、それらは別々に約０．１〜１０重量％の量を含むのが好ましく、また、約０．５〜５重量％であるのが好ましい。好適な光触媒または熱触媒の例は、アリルケトン、ヒドロキシ  ケトン、オーガニック  パーオキシド、オーガニック  ヒドロパーオキシド、アゾ化合物、トリフリック酸のアミン塩からなる群から選択されるものを含む。
【００２０】
平坦化材料に含まれる成分に関わらずに、押圧する間、平坦化材料が約１０〜５０，０００ｃＰの粘性を有するべきであり、約１０〜５，０００ｃＰの粘性を有するのが好ましい。従って、平坦化材料は、大きさが約０．０５μｍ以上、好ましくは約０．１〜５０，０００μｍの範囲の隙間を埋めることができる。
【００２１】
平坦化材料を塗布した後、もし必要であれば、約５０〜２５０℃で約５〜６００秒の間加熱して残留溶媒を除去してもよい。もしくは、平坦化材料が被覆されたものを、約５〜６００秒の間、真空にさらすことによって、残留溶媒を除去してもよい。その後、平坦化材料を、十分な時間および圧力をもって平坦部材に接触させることにより、部材の平坦な表面を平坦化層に転写し、被覆された材料を凹領域に流入させることができる。平坦部材は、石英、シリコン、ガラス、金属、合金、セラミックス、ポリマー等から形成できる。接触または押圧ステップは、普通は、約１〜１，０００ｐｓｉ、好ましくは約５〜２５０ｐｓｉ、さらに、より好ましくは約１０〜１００ｐｓｉの圧力を、約１秒から約１２０分間、好ましくは約３秒から約１０分間、より好ましくは約１０秒から５分間加えることを含む。
【００２２】
このプロセスは、大気圧前後よりも低く排気されたチャンバ内で行うことができるが、大気圧の条件、高圧力、および人工的な雰囲気は、同様に適する。オプティカルフラットまたは何らかの同等な手段を使用してこの圧力を与えることができ、そして、選択された加圧手段は、特定のプロセス（例えば、もしＵＶ硬化プロセスを使用するならば、ＵＶ透過性オプティカルフラットが必要である。）に適合するように選択されなければならないことは理解されるであろう。押圧プロセスは大気雰囲気、不活性雰囲気（窒素、アルゴン等の気体を含む）、または特定の雰囲気（有機溶媒の蒸気、シリコン含有蒸気、水蒸気、酸素等の物質を含む）で行うことができる。
【００２３】
接触ステップは、通常、室温前後から約３５０℃の温度で実行される。光硬化性の平坦化材料に関しては、押圧時の温度を、室温前後から約２５０℃の範囲、好ましくは室温前後から約１００℃の範囲、さらに好ましくは室温前後から約５０℃の範囲に制御すべきである。熱硬化性の平坦化材料に関しては、押圧時の温度を、室温前後から約３５０℃までの範囲、好ましくは約５０〜２５０℃、さらに好ましくは約５０〜２００℃に制御すべきである。
【００２４】
熱可塑性の平坦化材料に関しては、押圧時の温度が、室温前後から材料の融点より約５０℃高い温度範囲、好ましくは材料のガラス転移温度（Ｔｇ）より約２０℃低い温度から材料の融点より約２０℃高い温度の範囲、さらに好ましくは、材料のＴｇ前後から材料の融点より約１０℃高い温度の範囲であるべきである。接触ステップの後に、基板を、そのＴｇ前後よりも低く、好ましくはＴｇより約２０℃低く、または、約５０℃より低く（低いほうのどちらか一方）冷却し、熱可塑性樹脂を硬化する。
【００２５】
オプティカルフラットと基板とが、接触状態ある間（および／または接触した後）、平坦化材料は通常の手段でハードニングまたはキュアリングされる。例えば、その構成物が光硬化性であれば、ＵＶ光（特定の構成物に関して適切な波長で）に当てられ層が硬化される。同様に、構成物が熱硬化性であれば、加熱（例えば、ホットプレートを介して、オーブンを介して、赤外線加熱を介して、放射熱等）し、続いて、Ｔｇよりも低く、好ましくは約５０℃以下または少なくともそのＴｇよりも約２０℃低く（二つのうち温度が低い方）冷却することとによって、構成物を硬化させることができる。構成物が熱可塑性であれば、上述するように冷却することで硬化または凝固する。
【００２６】
使用される材料に関わらず、平坦化材料が硬化すると基板は平坦部材から分離される。このようにして、平坦部材の表面の平面性が基板表面に転写され、その後全体的な平坦性が提供される。その後、均一な膜厚および全体的な平坦性を有する第二の被覆層（イメージング層等）が、平坦化された表面の上に被覆される。好適なイメージング層は、フォトレジスト層、インプリント層、スタンプされたパターンを含む。さらに、イメージング層を被覆する前に、一つ以上の選択的な中間層（例えば、マスク層、バリア層、反射防止層）を被覆することができる。一つの実施形態において、中間層は実質的に金属を含まない（例えば、０．００５重量％以下、好ましくは約０重量％の金属を含む）。
【００２７】
その後、パターンが、公知のプロセスによってイメージング層に形成され、下の層に転写される。例えば、イメージング層がフォトレジストの場合、イメージング層は、選択的にＵＶ光によって露光され、一般的なフォトレジスト現像液によって現像され、パターンが形成される。この現像のステップは、下の基盤に至るまでの平坦化層はもちろん、全ての中間層を選択的に取り除く（パターンに従って）一方で、元々の基板の凹凸形状の少なくとも一部がそのまま残されることを認識されるであろう。イメージング層がインプリント層である場合は、所望のパターンを有したネガが、インプリント層に押圧され、そこに所望のパターンが形成される。その後、パターンが、インプリント層、全ての中間層、および、平坦化層を通してエッチされ、パターンが転写される。同様に、パターンがスタンプされたパターンの場合は、スタンプされたパターンがエッチされ、パターンが平坦化層を通して転写される。上記のステップを繰り返して、先行する層の上に第二の層を積層することができる、または、先行する層に公知のプロセスを施すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
好適実施例の詳細な説明
図３（ａ）において、基板３２が図示されている。基板３２は、その上に構造または加工部３４を備える表面を含む。これらの構造または加工部３４は、前駆体の最終的な利用目的に依存して変化する凹凸形状および加工寸法を有している。ここで使用した、“凹凸形状”は、構造の高さまたは深さを表すのに対して、“加工寸法”は、構造の幅および長さを表す。幅と長さとが異なる場合は、より小さい数を加工寸法とみなすことが一般的である。
【００２９】
平坦化材料３６は、一般的なプロセスを用いて、基板３２に被覆される（図３（ｂ）参照）。オプティカルフラットの表面のような平坦な表面（図示しない）が、前述したプロセスの条件下で、材料３６に接触され、その結果、キュアリング／ハードニングして、材料３６から平坦な表面を分離した後に、材料３６の上に全体的に平坦な表面３８ができる。従って、全体的に平坦な表面３８は、いつでも後続の層、例えば一定の方法で塗布できるフォトレジスト層４０の塗布（図３（ｄ））が可能である。
【００３０】
図４（ａ）において、基板４２が図示されている。基板４２は、その中に形成される構造または加工部を有する表面を含む。基板４２は、分離構造をもつ領域４６に加えて、密集して配置された加工部を持つ領域４８を有する。これは、上述したような従来技術の方法では問題が生じるであろう。
【００３１】
平坦化材料５０は、一般的なプロセスを用いて基板４２に被覆される（図４（ｂ）参照）。オプティカルフラットの表面のような平坦な表面（図示しない）が、前述したプロセスの条件下で平坦化材料５０に接触され、その結果、キュアリング／ハードニングして、平坦化材料５０から平坦な表面を分離した後に、平坦化材料５０の上に全体的に平坦な表面５２ができる。従って、図４（ｄ）に示すように、全体的に平坦な表面５２は、いつでも後続の層、例えば一定の方法で塗布できるフォトレジスト層４０、の塗布が可能になっている。
【００３２】
ここで、使用したように、全体的に平坦な表面は、その膜厚“Ｔ”が、約1０，０００μｍの距離にわたって、約１０％未満、好ましくは約５％未満で変化する層を表すことを意図する。本発明の方法により、上記のような全体的な平坦性を得る（膜厚が変化したとも言える）。さらに、キュアリングまたはハードニングされ、本発明によって形成された平坦化層は、約２５０Å未満、好ましくは１５０Å未満の各々の凹凸形状の加工部または構造の全てを覆う凹凸形状を有する。最終的に、本発明によりキュアリングまたはハードニングされた平坦化層は、約１０，０００μｍの距離（基板表面の長さ）にわたって約６００Å未満、好ましくは約５００Å未満、さらに好ましくは約４００Å未満の凹凸形状を有し、少なくとも二つの異なる形状密度の領域がこの距離にわたって存在する。
【実施例】
【００３３】
以下の例は、本発明に従う好適な方法を説明する。しかしながら、理解されるように、これらの例は、実例として提供されるものであり、何ら本発明の全範囲に対する制限としてとられるべきではない。
【００３４】
実施例１
ビアウェハ上の光硬化性平坦化材料
２０ｇのエポキシ（Ｄ．Ｅ．Ｒ．３５４ＬＶ，ダウ  ケミカル  カンパニー）と、８０ｇのＰＧＭＥ（アルドリッチ）と、１．２ｇのＳａｒｃａｔ  ＫＩ−８５（サートマーから入手可能な光酸発生剤）とを、イエローライトを使用したラボで混合して光硬化性材料を用意する。材料を、０．２μｍのフィルタによってフィルタし、洗浄済みの茶色の瓶に保存した。
【００３５】
基板として、ビアを含むシリコンウェハを使用した。シリコンウェハを、最初に、約１μｍの厚さのシリコン  ジオキサイド膜で被覆した。様々な形状密度の領域を有し、かつ、直径０．２〜1μｍのビアを有するパターンをシリコン  ジオキサイド膜内に形成した。ビアの深さは、約１μｍであった。
【００３６】
約０．４μmの厚さの光硬化性平坦化材料の膜を、様々なパターンの形状密度領域を有するビアウェハの上にスピンコーティングした。ウェハを、押圧装置のチャンバに移動し、基板台上に配置した。平坦化材料の最上面を、光学的に透明なオプティカルフラットの対象表面に向けて配置した。押圧装置のチャンバの蓋を密封し、チャンバを２０Ｔｏｒｒ未満に減圧した。チャンバの圧力を、約３０秒間、２０Ｔｏｒｒ未満に維持して残留溶媒を除去した。基板台を上昇させて、基板表面をオプティカルフラットの表面と約６８ｐｓｉの力で３０秒間接触させた。基板表面が、６８ｐｓｉの押圧力でオプティカルフラットの表面と接触している間、パルス状の紫外（ＵＶ）光をオプティカルフラットの表面を通して照射し、平坦化材料をキュア（固化）した。ＵＶ光のパルスサイクルを、１秒間オン、５秒間オフとし、総露光時間を３秒とした。露光後に、押圧装置のチャンバを２０Ｔｏｒｒ未満（全ての押圧プロセスが実行されたチャンバの圧力）から大気雰囲気に開放した。基板台を降下させてチャンバの蓋を開けた。基板を、オプティカルフラットの表面から分離して、特性解析のためにチャンバから取り出した。
【００３７】
押圧のステップを除いて同一のプロセス条件を用いて、同じ材料で、別のビアウェハを被覆した。この別のウェハも、作製して特性を調べ、基準のウェハとして使用した。
【００３８】
平坦化されたビアウェハの表面を、テンコール  アルファステップ  プロフィルメータ（Ｔｅｎｃｏｒ  Ａｌｐｈａｓｔｅｐ  ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ）を用いて特性解析した。平坦化された構造を覆う、隣接する形状密度領域にわたる２００Å未満の凹凸形状を得た。異なる形状密度領域内にある構造の最上部の平坦化膜の厚さを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）マイクロスコープを用いて測定した。二つの形状密度の領域を測定した。約０．５μｍのピッチで、約０．３μｍの直径のビアを含む領域の構造の最上部の膜厚と、約１．７５μｍのピッチで、約０．３μｍの直径のビアを含む領域の膜厚とを測定した。二つの領域で測定した、高い構造の最上部での膜厚は（ビアの最上部ではない）、それぞれ約０．３８μｍと約０．３９μｍであった。押圧されたウェハのそれと同じ形状密度を有する領域の上にある、基準のウェハの膜厚を測定した。基準のウェハの膜厚は、それぞれ約０．２５μｍと約０．４４μｍであった。
【００３９】
実施例２
トレンチウェハ上の光硬化性平坦化材料
２０ｇのエポキシ（Ｄ．Ｅ．Ｒ．３５４ＬＶ，ダウ  ケミカル  カンパニー）と、８０ｇのＰＧＭＥ（アルドリッチ）と、１．２ｇのＳａｒｃａｔ  ＫＩ−８５（サートマーから入手可能な光酸発生剤）とを、イエローライトを使用したラボで混合して光硬化性材料を用意する。材料を、０．２μｍのフィルタによってフィルタし、洗浄済みの茶色の瓶に保存した。
【００４０】
基板として、約１μｍの深さのトレンチ構造を有するシリコンウェハを使用した。このウェハの形状密度は、４％から９６％の範囲で変動した。
【００４１】
厚さ０．５μｍ未満の光硬化性平坦化材料の膜を、異なる形状密度の領域を含むシリコントレンチウェハ上に、スピンコーティングした。上記のウェハを、押圧装置のチャンバに移動し、基板台上に設置した。被覆された基板表面を、光学的に透明なオプティカルフラットの対象表面に向けて設置した。押圧装置のチャンバの蓋を密封し、チャンバを２０Ｔｏｒｒ未満に減圧した。チャンバの圧力を約３０秒間、２０Ｔｏｒｒ未満に維持して残留溶媒を除去した。基板台を上昇させて、基板表面をオプティカルフラットの表面と約６８ｐｓｉの力で３０秒間接触させた。基板表面が、６８ｐｓｉの押圧力でオプティカルフラットの表面と接触している間、ＵＶ光をオプティカルフラットの表面を通して１０秒間照射し、平坦化材料をキュア（固化）した。露光後、基板台を降下させた。押圧装置のチャンバを２０Ｔｏｒｒ未満（全ての押圧プロセスが実行されたチャンバの圧力）から大気雰囲気に開放した。チャンバの蓋を開けて、ウェハをオプティカルフラットの表面から分離し、特性解析のためにチャンバから取り出した。
【００４２】
押圧のステップを除いて同一のプロセス条件を用いて、同じ材料を使用して別のトレンチウェハを被覆した。基準として、このウェハを作製した。
【００４３】
平坦化されたトレンチウェハの表面を、テンコール  アルファステップ  プロフィルメータ（Ｔｅｎｃｏｒ  Ａｌｐｈａｓｔｅｐ  ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ）を用いて特性解析した。構造にわたって約２５０Åの表面凹凸形状が測定され、隣接する形状密度の領域に渡って約５０Åを超える凹凸形状の変化は測定されなかった。基準のウェハは、凹凸形状の構造にわたって測定された約７０００Åの表面凹凸形状を示した。平坦化されたウェハの異なる形状密度の領域内の、平坦化膜の厚さを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定した。形状密度が最大で約４０％異なる形状密度領域上の膜厚を測定した。トレンチの上ではない、二つの形状密度の領域内で、構造の最上部での膜厚は約０．４５μｍであって、約０．０１２μｍ（１２０Å）の厚みの差があった。
【００４４】
実施例３
ビアウェハ上の熱硬化性平坦化材料
２０ｇのエポキシ（Ｄ．Ｅ．Ｒ．３５４ＬＶ，ダウ  ケミカル  カンパニー）と、８０ｇのＰＧＭＥ（アルドリッチ）と、１．０ｇのＮＡＣＵＲＥ  Ｓｕｐｅｒ  ＸＣ−Ａ２３０  Ｃａｔａｌｙｓｔ（熱酸発生剤、キング  インダストリーから入手可能）とを、イエローライトを使用したラボで混合して熱硬化性平坦化材料を用意する。材料を、０．２μｍのフィルタによってフィルタし、洗浄済みの茶色の瓶に保存した。
【００４５】
基板としてビアを含むシリコンウェハを使用し。最初に、そのシリコンウェハを、約１μｍの厚さのシリコン  ジオキサイド膜で被覆した。直径０．２〜１μｍのビアを含み、様々な形状密度領域を有するパターンを、シリコン  ジオキサイド膜内に形成した。ビアの深さは、約１μｍであった。
【００４６】
約０．２μｍの厚さの熱硬化性平坦化材料の膜を、異なる形状密度領域を有するシリコンビアウェハの上にスピンコーティングした。ウェハを押圧装置のチャンバに移動し、基板台上に設置した。平坦化材料で被覆された基板表面を、光学的に透明なオプティカルフラットの対象表面に向けて設置した。チャンバの蓋を密封し、チャンバを約２０Ｔｏｒｒ未満に減圧した。チャンバの圧力を、約６０秒間、２０Ｔｏｒｒ未満に維持して、残留溶媒を除去した。基板台を上昇させて、基板表面をオプティカルフラットの表面と約６８ｐｓｉの力で６０秒間接触させた。基板表面が、６８ｐｓｉの押圧力でオプティカルフラットの表面と接触している間、パルス状のＵＶ光／赤外加熱光をオプティカルフラットの表面を通して照射し、２１０秒間、少なくとも約１３０℃のキュアリング温度で平坦化材料をキュア（固化）した。キュアリングプロセスの後に、押圧装置のチャンバを２０Ｔｏｒｒ未満（全ての押圧プロセスが実行されたチャンバの圧力）から大気雰囲気に開放した。基板台を降下させて、チャンバの蓋を開けた。基板をオプティカルフラットの表面から分離し、特性解析のためにチャンバから取り出した。
【００４７】
平坦化されたビアウェハの表面を、テンコール  アルファステップ  プロフィルメータ（Ｔｅｎｃｏｒ  Ａｌｐｈａｓｔｅｐ  ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ）を用いて特性解析した。隣接する形状密度領域にわたり、平坦化された構造を覆う、１００Å未満および約３００Å未満の表面凹凸形状を測定した。異なる形状密度領域内の構造の上にある平坦化膜の厚さを、ＳＥＭを用いて測定した。二つの異なる形状密度領域を測定した。約０．５μｍのピッチで、約０．３μｍの直径のビアを有する領域内の構造の最上部の膜厚を測定した。約１．７５μｍのピッチで、約０．３μｍの直径のビアを有する領域内の構造の最上部の膜厚も測定した。測定された膜厚は、それぞれ約０．１９μｍと約０．２１μｍであった。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、従来技術の平坦化プロセスのステップを示す。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、基板が、形状密度の二つの異なる領域を有する場所の、他の従来技術による平坦化のステップを示す。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の方法による、接触平坦化プロセスのステップを示す。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、基板が、形状密度の二つの異なる領域を有する場合の、本発明の方法による、接触平坦化プロセスのステップを示す。
【図１】
2005532576.tif 000002
【図２】
2005532576.tif 000003
【図３（ａ）】
2005532576.tif 000004
【図３（ｂ）】
2005532576.tif 000005
【図３（ｃ）】
2005532576.tif 000006
【図３（ｄ）】
2005532576.tif 000007
【図４（ａ）】
2005532576.tif 000008
【図４（ｂ）】
2005532576.tif 000009
【図４（ｃ）】
2005532576.tif 000010
【図４（ｄ）】
2005532576.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月18日(2004.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３５】
マスク層、バリア層、反射防止層からなる群から選択される、少なくとも１つの中間層を有する請求項３４に記載の組合体。
【国際調査報告】
2005532576.tif 000012