(57)【要約】【課題】  層間誘電材料および事前塗布されるダイ取り付け用接着性材料に関する。【解決手段】    （ａ）第１の表面と第２の表面を有し、第１の表面がその上に所定のパターン状に配置された電気接点を有しているチップ・ダイ、および  （ｂ）前記チップ・ダイの第２の表面上またはその一部に配置されたＢステージ状態のダイ取り付け用接着性材料であって、Ｂステージ化する前に、    （ｉ）マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上を熱可塑性エラストマーと共に液状で含有するダイ取り付け用接着性材料を有する製品。
2005532678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の表面と第２の表面を有し、第１の表面がその上に所定のパターン状に配置された電気接点を有しているチップ・ダイ、および
（ｂ）前記チップ・ダイの第２の表面上またはその一部に配置されたＢステージ状態のダイ取り付け用接着性材料であって、Ｂステージ化する前に、
（ｉ）マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上を熱可塑性エラストマーと共に液状で含有するダイ取り付け用接着性材料
を有する製品。
【請求項２】
（ａ）第１の表面と第２の表面を有し、第１の表面がその上に所定のパターン状に配置された電気接点を有しているチップ・ダイ、および
（ｂ）前記チップ・ダイの第２の表面上またはその一部に配置されたダイ取り付け用接着性材料であって、
（ｉ）マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上を、必要により任意成分として熱可塑性エラストマーと共に含有するダイ取り付け用接着性材料
を有する製品。
【請求項３】
（ａ）第１の表面と第２の表面を有し、第１の表面がその上に所定のパターン状に配置された電気接点を有しているチップ・ダイ、および
（ｂ）前記チップ・ダイの第２の表面上またはその一部に配置されたダイ取り付け用接着性材料であって、
（ｉ）ベンズオキサジン含有化合物の１種または２種以上を、必要により任意成分として熱可塑性エラストマーと共に含有するダイ取り付け用接着性材料
を有する製品。
【請求項４】
前記ダイ取り付け用接着性材料が、さらに、
（ｉｉ）  エポキシ樹脂またはエピスルフィド樹脂成分；
（ｉｉｉ）任意成分として、オキサゾリン成分、シアネート・エステル成分、フェノール成分、チオフェノール成分、ポリイミド／シロキサン成分、マレイミド含有成分、ナジイミド含有成分、またイタコンイミド含有成分；および
（ｉｖ）任意成分として、硬化剤
を含有する請求項３記載の製品。
【請求項５】
前記成分（ｉｉ）がエポキシであり、成分（ｉｉｉ）が存在するがフェノール成分のみでないことを特徴とする請求項３記載の製品。
【請求項６】
製品のチップ・ダイの第１の表面上の電気接点が、それが付けられることになっているキャリヤー基板との電気的接続を提供する請求項１記載の製品。
【請求項７】
前記電気接点がハンダバンプを含む請求項１記載の製品。
【請求項８】
製品のチップ・ダイの第１の表面上の電気接点が、それが付けられることになっているキャリヤー基板との電気的接続を提供する請求項２記載の製品。
【請求項９】
前記電気接点がハンダバンプを含む請求項２記載の製品。
【請求項１０】
製品のチップ・ダイの第１の表面上の電気接点が、それが付けられることになっているキャリヤー基板との電気的接続を提供する請求項３記載の製品。
【請求項１１】
前記電気接点がハンダバンプを含む請求項３記載の製品。
【請求項１２】
前記電気接点が実質的に鉛を含有しないハンダバンプを含む請求項３記載の製品。
【請求項１３】
前記電気接点が約２００℃を超える融点を有するハンダバンプを含む請求項３記載の製品。
【請求項１４】
前記マレイミド−、ナジイミド−またはイタコンイミド−含有化合物が、次の構造を有する請求項１または２記載の製品。
【化１】
2005532678.tif 000024
（式中、ｍ＝１〜１５、ｐ＝０〜１５、各Ｒ２は、独立して水素または低級アルキル基から選ばれ、Ｊは有機基または有機シロキサン基、またはそれらの２つ以上の組合わせを含む一価または多価の部分構造である。）
【請求項１５】
前記Ｊが、マレイミド、ナジイミドおよび／またはイタコンイミド化合物を液状にするのに十分な長さと分岐とを有している分岐鎖アルキル、アルキレン、アルキレンオキシド、アルキレンカルボキシルまたはアルキレンアミド類であり、ｍが１、２または３である請求項１４記載の製品。
【請求項１６】
前記熱可塑性エラストマーが、Ａを非エラストマーの重合体ブロック、Ｂをエラストマーの重合体ブロックとしたとき、少なくとも一般式（Ａ−Ｂ）または（Ａ−Ｂ−Ａ）のユニットを有しているブロック共重合体を含む請求項１または２記載の製品。
【請求項１７】
前記ベンズオキサジン成分が、
【化２】
2005532678.tif 000025
〔Ｌは、アルキレンまたはシロキサンの架橋部分構造等のオプションのスペーサー、水素、直接結合、Ｏ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ、Ｏ＝Ｓ＝Ｏ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＲ９Ｒ１０（ここでＲ９、Ｒ１０はアルキル、ハロゲン置換アルキル基、アリールまたはアルカリールである）；
Ａｒは置換されていてもよいアリーレン；
Ｑは、次の構造を有するオキサジン環またはそのアミン塩：
【化３】
2005532678.tif 000026
であって、オキサジン環の５および６位で縮合してＡｒに結合しており、ここでＳｐは、存在しなくてもよいが、存在するときはＣ１〜Ｃ６アルキレンスペーサーであり、
ｎは、１または２であり、
ｍは、存在しなくてもよいが、存在するときは１〜４であり、
ｘおよびｙは互いに独立して０〜４であり、そして
Ｒ１１、Ｒ１２あるいはＲ１３の少なくとも１つは、重合可能な部分構造である。〕
を含む請求項３記載の製品。
【請求項１８】
前記ベンズオキサジン成分が、
【化４】
2005532678.tif 000027
〔式中、
ｏは，１〜４、Ｘは直接結合（ｏが２のとき）、アルキル（ｏが１であるとき）、アルキレン（ｏが２〜４であるとき）、カルボニル（ｏが２であるとき）、チオール（ｏが１であるとき）、チオエーテル（ｏが２であるとき）、スルホキシド（ｏが２であるとき）およびスルホン（ｏが２であるとき）であり、そして、
Ｒ１４はアルキルまたはアリールである。〕
を含む請求項３記載の製品。
【請求項１９】
前記ベンズオキサジン成分が、下記式の化合物：
【化５】
2005532678.tif 000028
〔式中、
Ｘは、直接結合、ＣＨ２、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ、Ｏ＝Ｓ＝ＯおよびＳからなる群より選ばれ、
Ｒ１４およびＲ１５は、同一でも異なっていてもよく、メチル、エチル、プロピルまたはブチルおよびアリールから選ばれる。〕
を含む請求項３記載の製品。
【請求項２０】
前記ベンズオキサジン成分が、下記式の化合物：
【化６】
2005532678.tif 000029
【化７】
2005532678.tif 000030
を含む請求項３記載の製品。
【請求項２１】
前記ベンズオキサジン成分が、下記式：
【化８】
2005532678.tif 000031
【化９】
2005532678.tif 000032
を含む請求項３記載の製品。
【請求項２２】
事前に塗布されたダイ取り付け用接着性材料が、前記構造Ｉ、ＩＩおよびＩＩＩにおいて次の条件、即ち：
ｍ＝１〜６、
ｐ＝０、
Ｒ２が、水素または低級アルキルから独立して選ばれ、そして
Ｊが、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン、置換されたヒドロカルビレン、ヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、ポリシロキサン、ポリシロキサン−ポリウレタンブロック共重合体またはこれらの２種以上組合わせからなる群
｛但しこれらは、共有結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、−Ｓ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、−ＮＲ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−（ここで各Ｒは、独立して水素、アルキル基または置換されたアルキル基を表す）、およびそれらの任意の２以上の組合わせからなる群より選ばれる１種または２種以上の結合基を含んでいてもよい。｝
から選ばれる一価または多価基である
という条件を満たすマレイミド含有化合物、イタコンイミド含有化合物またはナジイミド含有化合物を含有する請求項１４記載の製品。
【請求項２３】
マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物が、それぞれ一価の基に結合したマレイミド官能基、イタコンイミド官能基またはナジイミド官能基を含むか、またはそれぞれ多価基で分離された複数のマレイミド官能基、複数のイタコンイミド官能基または複数のナジイミド官能基を含み、その際、一価の基または多価基は、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物をそれぞれ液状にするのに十分な長さと分岐とを有している請求項１または２記載の製品。
【請求項２４】
請求項１、２または３の製品をキャリヤー基板に接着的に取り付ける方法であって、
ａ．請求項１、２または３の製品を用意する工程；
ｂ．キャリヤー基板を用意する工程；
ｃ．アセンブリを形成するために、請求項１、２または３の製品とキャリヤー基板が事前塗布されたダイ取り付け用接着性材料によって分離されるように請求項１、２または３の製品をキャリヤー基板に合わせる工程；および
ｄ．事前塗布されたダイ取り付け用接着性材料を、事前塗布されたダイ取り付け用接着性材料を硬化させるのに十分な温度条件へ曝す工程
を有する方法。
【請求項２５】
前記キャリヤー基板がチップ・ダイである請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記キャリヤー基板が事前塗布されたダイ取り付けチップ・ダイである請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記キャリヤー基板が回路基板である請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
シリコン基板；
半導体層；
その少なくとも２つの間にマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上を含有する層間誘電体が存在する、少なくとも２つの導電層、
を備えた半導体チップ。
【請求項２９】
シリコン基板；
半導体層；
その少なくとも２つの間にベンズオキサジン含有化合物の１種または２種以上を含有する層間誘電体が存在する、少なくとも２つの導電層、
を備えた半導体チップ。
【請求項３０】
対向する２つの面を有し、その一つはキャリヤー基板との接合のためであって、残りの一つは電気接続を形成するための電気接続部を有し、そこで接合面には、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上またはベンズオキサジン含有化合物の１種または２種以上を含有する事前塗布された量のダイ取り付け用接着性材料が配置されている半導体チップを用意する工程；
半導体チップとの接合のための表面部分、および半導体チップとの電気接続を形成するための別の表面部分を有するキャリヤー基板を用意する工程；
半導体アセンブリを形成するために、事前塗布されたダイ取り付け用接着性材料を塗布した半導体チップの接合表面と、キャリヤー基板の接合表面を合わせ、この半導体アセンブリを事前塗布したダイ取り付け用接着性材料を硬化させるのに十分な条件に曝し、そこで半導体チップをキャリアー基板に接合する工程；および
前記半導体チップと前記キャリヤー基板との電気的接続を形成する工程
を有する半導体装置のアセンブリ方法。
【請求項３１】
（ａ）所定のパターン状に配置された電気接点を有する表面、および前記表面の一部に層として配置されたＢステージ状態のダイ取り付け用接着性材料であって、Ｂステージ化する前に、
（ｉ）マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上を熱可塑性エラストマーと共に液状で含有するダイ取り付け用接着性材料
を備えたキャリヤー基板を含む製品。
【請求項３２】
（ａ）所定のパターン状に配置された電気接点を有する表面、および前記表面の一部に層として配置された事前塗布されたダイ取り付け用接着性材料であって、
（ｉ）マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上を、必要により任意成分として熱可塑性エラストマーと共に含有するダイ取り付け用接着性材料
を備えたキャリヤー基板を含む製品。
【請求項３３】
（ａ）所定のパターン状に配置された電気接点を有する表面、および前記表面の一部に層として配置された事前塗布されたダイ取り付け用接着性材料であって、
（ｉ）ベンズオキサジン含有化合物の１種または２種以上を、必要により任意成分として熱可塑性エラストマーと共に含有するダイ取り付け用接着性材料
を備えたキャリヤー基板を含む製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間誘電材料および事前塗布されるダイ取り付け用接着性材料に関し、特に事前塗布されるダイ接着剤接着剤（例えばウエハーおよび他の基板等に塗布されるダイ取り付け用接着性材料）、ｌｏｗ−Ｋ誘電性の半導体チップを形成するための基板上に層間誘電材料を塗布する方法、ウエハーおよび他の基板上に事前塗布されるダイ接着剤接着剤を塗布する方法、および超小型回路の接続のためにそれにより形成されたアセンブリーに関する。
【背景技術】
【０００２】
ビスマレイミド類は、熱硬化性樹脂の種類の中でも顕著な地位を占めており、そして、多くのビスマレイミド類が商業的に入手可能である。ビスマレイミド類は、成形品の生産のために、および接着剤、耐熱性組成物材料および高温コーティングの用途に使用されている。最近、ヘンケルロックタイトコーポレイションは、半導体チップの回路ボードへの取り付けのために、特定のビスマレイミド類に部分的に基づく多数の製品を商業化し、超小型電子技術のパッケージング産業界から好評を受けている。これらの製品は、米国特許番号５，７８９，７５７（Ｈｕｓｓｏｎ）、６，０３４，１９４（Ｄｅｒｓｈｅｍ）、６，０３４，１９５（Ｄｅｒｓｈｅｍ）および６，１８７，８８６（Ｈｕｓｓｏｎ）の１つ以上に記述されている。
【０００３】
ｌｏｗ−ｋ誘電材料（または層間誘電体、「ＩＬＤ」）は、サブ−０．１８ミクロン製造プロセスでの銅配線を可能にして、将来の発展した集積回路製造において重要な役割を果たす。ＩＬＤは、集積回路製造の中で、銅配線を周りから絶縁するために使用され、配線相互間のより少ない混信を保証する。混信は、回路中で不良動作を引き起こすので、集積回路生産では共通の問題である。集積回路はますます微細化を目指し続けているために、混信は、より顕著になっている。また、ＩＬＤは、さらにコンパクトな集積回路の効率を最大限にする設計傾向の重要な態様である。
【０００４】
工業界において多くの者が、ＩＬＤを、酸化シリコン絶縁体の有力な後継としてさえ見なしている。しかしながら、ＩＬＤをクラック欠陥に導く内部パッケージストレスの低減について、現在までほとんど進展が報告されていない。
【０００５】
したがって、混信を最小限にするためにＩＬＤに優れた誘電特性を付与することが、望ましい。加えて、そのようなＩＬＤで組み立てられた電子パッケージ、およびそのような電子パッケージを製造する方法に、増強された物理的性質を提供することが望ましい。
【０００６】
ウエハーに塗布されたり、基板に塗布されたりする形態のような、事前塗布（予め塗布）形式で、ダイ取り付け用接着性材料材料を供給することも望ましいことであると考えられる。そのような形態では、ダイ取り付け用接着性材料を含め、接着剤反応性接着剤を流動形態でディスペンスする場合に存在する問題である、保存、ディスペンス、ハンドリング、および処理などの問題の多くを除去するができると考えられる。
【０００７】
さらに、鉛フリーのハンダが電気的な相互接続を確立するために使用されるハンダリフローサイクルで、半導体素子が曝される高い温度条件のようなより極端な環境では、上述のマレイミドよりさらに強い材料を、事前塗布されるダイ取り付け用接着性材料に使用することが望ましいと考えられる。
【０００８】
接着剤が事前塗布されたもの自体は、新しい商品ではない。例えば、ヘンケルロックタイトは事前塗布されたネジ固定接着剤を実質的に営業しており、それは、（メタ）アクリレート化学を含み、ナットとボルトのアセンブリに関連して使用され、光硬化機構か、熱硬化機構か、またはその組み合わせおよび任意に２次的な嫌気性硬化機構で硬化される。国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ００／０７４９４；および米国特許２，９２８，４４６、４，３２５，９８５、４，６３２，９４４および５，３００，６０８も参照のこと。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら現在まで、半導体チップまたは半導体ウエハーなどの上にダイ取り付け用接着性材料が事前塗布されて、流動性のダイ取り付け用接着性材料に付随する中間工程の必要がなくただちに実施できるような製品が市場に付されたことはなかった。特に、接着剤材料の反応性成分の全部または一部がビスマレイミドに基づくものや、より極限の環境用としての、接着剤材料の反応性成分の全部または一部がベンズオキサジンに基づくものは無かった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、キャリヤー基板との電気的に接続のために提供される製品、特に半導体チップ（あるいはチップ・ダイ）に関する。半導体チップは、第１の表面を有し、キャリヤー基板と電気的接続を提供するために、第１の表面はその上に所定のパターン状に配置された電気接点を有し、また第２の表面を有し、第２の表面はその上または表面の一部に、好ましくフィルムとしてダイ取り付け用接着性材料が配置されている。
【００１１】
あるいは、半導体チップはウエハーの形態であってもよい；すなわち、バルクの形態で、それから個々の半導体チップが、ウエハーからさいの目に切りだされるものでもよい。
【００１２】
本発明のこの態様の１形態において、ダイ取り付け用接着性材料は好ましくは、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物を液体状または固体状で含み、液状のときはそれと共に、また固体の形態のときは任意成分としてそれぞれ熱可塑性エラストマーを含む。ダイ取り付け用接着性材料は、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物とともに共硬化できる材料、例えば（メタ）アクリレート官能化された材料、ビニール官能化された材料、ビニルエーテル官能化された材料などを付加的に含有してもよい。
【００１３】
マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物が、事前塗布ダイ取り付け用接着性材料の中で、液状で使用されるときは、例えば電磁線に曝して、Ｂ−ステージ化して最終硬化に先立って非流動化されていてもよい。
【００１４】
言及されるように、ダイ取り付け用接着性材料は、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物を液体の状態または固体の状態で含有することができる。
【００１５】
液体の形式で販売されるヘンケルロックタイトのビスマレイミド・ダイ取り付け用接着性材料のように、本発明の事前塗布されたダイ取り付け接着性材料は、速硬化性、低吸水性および低誘電率を含む非常に望ましい物理的性質の組合わせを示す。また、一般に上述の接着性材料のタイプで事前塗布された本発明の製品は、さらに、同様の応用のために設計された別の流動性の接着性材料で作業するときに必要とされる通常の処理ステップなしで使用できるという追加の長所を有する。
【００１６】
本発明の別の態様において、ダイ取り付け用接着性材料は望ましくはベンズオキサジン含有化合物を含有する。
【００１７】
本発明は、その表面に事前塗布された接着剤物質を有する半導体チップを使用して、特にマイクロ電子デバイスをとくに組み立てる際に、エンドユーザーが、ディスペンス、ハンドリング、および保存の問題を避けることができる有利性を提供する。
【００１８】
さらに本発明は、ダイ取り付け用接着性材料を備えた半導体チップを用意する工程、半導体チップをキャリヤー基板と合わせて組み合わせアセンブリを形成する工程、この組み合わせアセンブリをダイ取り付け用接着性材料を硬化させるのに十分な条件に曝し、そこで半導体チップをキャリヤー基板に接合する工程を有する半導体装置の組み立て方法を提供する。あるいはまたは追加して、ダイ取り付け材料が、他のチップダイまたは回路基板等のキャリヤー基板上に配置されたメタル化接点、または結合、パッドの上に事前塗布されてもよい。
【００１９】
本発明によるマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有事前塗布されたダイ取り付け接着性材料の硬化条件は、約１５０℃から２００℃までの範囲の温度に約０．２５分から約２分までの範囲の期間に曝すことを含むことができる。
【００２０】
加えて、本発明の異なる態様は、マレイミド−、イタコンイミド−もしくはナジイミド−含有化合物か、またはベンズオキサジン含有化合物のどちらかに基づく層間誘電材料、およびそれにより製造された半導体チップを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図を参照すると（そのなかで符号文字はいくつかの図を通して部材を表している）、図１および２で示すように、事前塗布されたダイ取り付け接着性材料は回路アセンブリー５０に関連して示され、記述されている。概して言えば、回路アセンブリー５０は、事前塗布されたダイ取り付け回路チップ６０の形態の半導体チップ、および回路ボード基板７０のようなキャリヤー基板を含んでいる。
【００２２】
事前塗布されたダイ取り付け回路チップ６０は、熱スラグまたはヒートシンク、または熱スプレッダーのような、回路ボード基板以外のキャリヤー基板に接合されることもできる。熱スラグ、ヒートシンクまたは熱スプレッダーは、少なくとも一部は、ＡｌＳｉＣ、陽極酸化処理アルミニウム等の放熱のために使用される材料から構成されることができる。
【００２３】
回路チップ６０はチップ・ダイ６２を含んでいる。半導体チップ、またはチップ・ダイ６２はシリコン、ゲルマニウム等の公知の任意の材料から形成される。チップ・ダイ６２は、例えばポリイミド−、ポリ−ベンゾシクロブタン−、または窒化ケイ素−ベース材料等の、環境上の侵食を保護（パッシベーション）することができる材料でコーティングされてもよい。パッシベーションコーティングは図１、２中では示されていない。
【００２４】
基板７０も、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ３およびＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２等のセラミック基板；ポリイミド等の耐熱性樹脂の基板またはテープ；ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板；アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（「ＡＢＳ」）基板；フェノール樹脂基板等の公知の任意の材料で形成されることができる。基板７０は、基板表面７４上に、複数の電気的コンタクトパッド７６を含む回路類を含んでいる。
【００２５】
チップ・ダイ６２は、相対する第１および第２表面を備え、第１表面としてチップ面６４と、第２の表面として接合面６８を有する。例えばメタル化されたコンタクトパッド６６のような複数個の電気的なコンタクトパッドを含む回路類は、チップ表面６４状に設けられ、所定のパターン状に配置されている。これらの電気的コンタクトパッドは、基板７０のコンタクトパッド７６に接続可能である。チップ・ダイ６２上の回路と基板７０上の回路間の電気的な相互接続および連結は、チップ・ダイ６２上のコンタクトパッド６６と基板７０上のコンタクトパッド７６の間で、例えばワイヤー８０で確立された接続により提供される。電気的な接続は、ダイ取り付け材料を硬化する前、またはより好ましくは硬化した後に、ワイヤー８０をコンタクトパッド７６にボンディングすることで確立される。この図では、本発明を説明する目的で、チップ・ダイ６２上に接続されている２つのワイヤー８０と、基板７０上の対応する２つのコンタクトパッド７６を示したが、ワイヤボンドの数およびコンタクトパッド７６の数は、特に所望の用途および回路チップの特別の配置に合わせて変更することができ、そしてここで描かれた特定の配置は、本発明を制限するものと見なされるべきでないことが理解される。
【００２６】
本発明において、チップダイ６２は、チップダイ６２の基板７０とのアセンブリに先立ち、金属化された電気接点をチップ表面６４上のコンタクトパッド６６の形態で有しており、そして、反対側の取り付け表面６８上に事前塗布されたダイ取り付け接着性材料９０を有している。
【００２７】
電気的な導体はバンプであってもよく、また、業界においてトレンドになりつつあるように、ハンダとしては実質上鉛フリーのものとすることができる。適切な硬化条件に曝した後、事前塗布されたダイ取り付け接着性材料９０は、チップ・ダイ６２が基板７０へ高い接着強度でした接着した回路アセンブリー５０を提供する。通常、そのような接着は、チップ・ダイ６２の基板７０への取り付けおよび接着のために、ダイ接着性材料９０の硬化を促進するのに十分な高い温度条件に曝すことを通して、固体状態の完全硬化材料を形成することによって生じる。
【００２８】
本発明は、さらに、図２で示されるように、アセンブルされた形態の回路アセンブリー５０を提供する。そこでは、チップ・ダイ６２は基板７０と合わせられ、ダイ取り付け材料９０が、チップ６２を基板７０へ取り付けて接着するのに適切な条件に曝される。
その後、さらに、例えば半田付けまたはそうでなければボンディングワイヤー８０によって、コンタクトパッド６６とコンタクトパッド７６の間で確立された電気的な接続をとおして、チップ・ダイ６２は基板７０と電気的に接続される。
【００２９】
このように本発明は、一形態において、回路チップの形態の製品を提供し、その回路チップは、電気的な接続が意図されるキャリヤー基板との電気接続を提供できる第１の面と、第１の面と相対し、その少なくとも一部に配置された事前塗布されたダイ取り付け接着性材料を有する第２の表面とを有する。チップ・ダイの表面上にダイ取り付け接着性材料を直接提供することにより、必要量のディスペンス、温度、保存、ハンドリング、貯蔵寿命の問題などの製造上の問題を取り除くことができる。すなわち、事前塗布されたダイ取り付け接着性材料のエンド・ユーザーは、もはやそのような材料を使用するにあたって、精巧なディスペンス設備および低温貯蔵コンテナーを使用する必要がない。本発明によれば、もはやエンド・ユーザーは代わりに、その表面の少なくとも一部に、ダイ取り付け接着性材料が事前塗布された半導体チップまたは半導体ウエハーのいずれかを使用し、以前に比べて容易にかつ優れたスループットで半導体素子を組み立てることができる。
【００３０】
エンド・ユーザーは、さらに、ダイ取り付け接着性材料が事前塗布された半導体チップによって、より厳しいパッケージ設計基準を実行することができる。すなわち、既知の接着剤に比べて、事前塗布されたダイ取り付け接着性材料では、流れ出しやブリードが減少しているので、ダイの端とボンディングの間のより厳しい公差を実現することができる。さらに、半導体チップは、現在では、積み重ねられる（積層型とされる）ことが多い［例えば、米国特許第  ５，１４０，４０４  （Ｆｏｇａｌ），  ５，１７７，６３２  （Ｆｏｇａｌ），  ５，３２３，０６０  （Ｆｏｇａｌ）  および６，４６５，８９３  （Ｋｈａｎｄｒｏｓ）を参照のこと］。これにより、半導体素子の全面のサイズが縮小されたり、または少なくとも長さと幅の方向では実質上同一のままで積層型半導体チップの性能と能力を劇的に向上させたりすることができる（図８、１０を参照のこと）。
【００３１】
さらに、従来のダイ取り付け接着性材料では、薄いダイをボンディングしている間に、にじみ出し（ｋｅｒｆ  ｃｒｅｅｐ）およびコンタクトボンドパッド汚染を回避することをより厳格にコントロールする必要があるが、事前塗布されたダイ接着剤接着剤が使用される場合、そのような注意は必要ではない。
【００３２】
事前塗布された接着剤材料は、ダイパッド上のはんだマスクコーティングを代替するために使用することもできる。即ち、事前塗布された接着剤は、回路ボード、保護体のようなキャリヤー基板として、および接着剤としての両方として機能する。積み上げたダイの厚さは、半田マスクの厚さより薄いので、このアプローチによりさらに薄い半導体素子パッケージの製造が可能になる。
【００３３】
ダイ取り付け材料は、チップ・ダイと基板の間の十分な接着を達成することができ、統合されたアセンブリーの使用中に適切な特性をその間提供できるだけの厚さまたは量で、（ａ）回路チップの反対の表面の少なくとも一部６８上か（図１）、（ｂ）電気的なコンタクトパッド７６間のキャリヤー基板の少なくとも一部７４Ａの上に（図９）事前塗布される。
【００３４】
事前塗布されたダイ接着剤材料は、本発明の一態様では、１実施形態として米国特許番号５，７８９，７５７（Ｈｕｓｓｏｎ）、６，０３４，１９４（Ｄｅｒｓｈｅｍ）、６，０３４，１９５（Ｄｅｒｓｈｅｍ）および６，１８７，８８６（Ｈｕｓｓｏｎ）（それらの開示は、参照によりここに組込まれる）に記述されクレームされているような液状の形態のマレイミド含有化合物を含む熱硬化性樹脂組成物が挙げられる。別の実施形態では、事前塗布されたダイ接着剤材料はイタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物を含んでいる。
【００３５】
前述の通り、事前塗布されたダイ取り付け接着性材料は、例えば（メタ）アクリレート官能化された材料、ビニール官能化された材料、ビニルエーテル官能化された材料等の、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物と共硬化できる材料、および／または、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物と混合されたときにフィルム形成を補助するための熱可塑性エラストマーを付加的に含有してもよい。
【００３６】
ここで、事前塗布されたダイ取り付け半導体チップ（積層ダイや事前塗布されたダイ取り付けキャリヤー基板ではなく）についての記述の中で、半導体チップまたはウエハーの第２の表面上に付与される前には、ダイ取り付け接着性材料は流動できる形態であるべきである。従って、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物が液状で使用されるときには、生じるダイ取り付け接着性材料も流動できるべきである。マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物が固体状で使用されるときには、半導体チップまたはウエハー、またはダイ取り付け接着性材料を暖めるのが望ましい。あるいは、反応性でも不活性でもよいが、希釈剤と混合してその分散液の溶液を調製し、そのような溶液または分散液を半導体チップまたはウエハーの第２の表面に付与することが望ましい。
【００３７】
事前塗布されるダイ取り付け接着性材料は、さらにマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物のための少なくとも１種の硬化開始剤を含むことができる。
【００３８】
マレイミド類、イタコンイミド類またはナジイミド類としては、それぞれ次のＩ、ＩＩおよびＩＩＩの構造を有する化合物を挙げることができる。
【００３９】
【化１】
2005532678.tif 000003
【００４０】
ここで、ｍ＝１〜１５、ｐ＝０〜１５、各Ｒ２は、独立して水素または低級アルキル基から選ばれ、Ｊは有機基または有機シロキサン基、またはそれらの２つ以上の組合わせを含む一価または多価の部分構造である。
【００４１】
より具体的なマレイミド類、イタコンイミド類またはナジイミド類としては、それぞれ構造Ｉ、ＩＩまたはＩＩＩにおいて、ｍ＝１〜６、ｐ＝０、Ｒ２が、水素または低級アルキルから独立して選ばれ、そしてＪが、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン、置換されたヒドロカルビレン、ヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、ポリシロキサン、ポリシロキサン−ポリウレタンブロック共重合体またはこれらの２種以上組合わせからなる群
｛但しこれらは、共有結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、−Ｓ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、−ＮＲ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−（ここで各Ｒは、独立して水素、アルキル基または置換されたアルキル基を表す）、およびそれらの任意の２以上の組合わせからなる群より選ばれる１種または２種以上の結合基を含んでいてもよい。｝
から選ばれる一価または多価基であるものを挙げることができる。
【００４２】
上述の１種または２種以上の一価または多価のグループが、上述の１種または２種以上の結合基を含んで、Ｊ−付属マレイミド、ナジイミドあるいはイタコンイミドグループを形成する場合、当業者よって容易に認識されるように、種々様々の結合基が形成される。例えば、オキシアルキル、チオアルキル、アミノアルキル、カルボキシアルキル、オキシアルケニル、チオアルケニル、アミノアルケニル、カルボキシアルケニル、オキシアルキニル、チオアルキニル、アミノアルキニル、カルボキシアルキニル、オキシシクロアルキル、チオシクロアルキル、アミノシクロアルキル、カルボキシシクロアルキル、オキシシクロアルケニル、チオシクロアルケニル、アミノシクロアルケニル、カルボキシシクロアルケニル、ヘテロサイクリック、オキシヘテロサイクリック、チオヘテロサイクリック、アミノヘテロサイクリック、カルボキシヘテロサイクリック、オキシアリール、チオアリール、アミノアリール、カルボキシアリール、ヘテロアリール、オキシヘテロアリール、チオヘテロアリール、アミノヘテロアリール、カルボキシヘテロアリール、オキシアルキルアリール、チオアルキルアリール、アミノアルキルアリール、カルボキシアルキルアリール、オキシアリールアルキル、チオアリールアルキル、アミノアリールアルキル、カルボキシアリールアルキル、オキシアリールアルケニル、チオアリールアルケニル、アミノアリールアルケニル、カルボキシアリールアルケニル、オキシアルケニルアリール、チオアルケニルアリール、アミノアルケニルアリール、カルボキシアルケニルアリール、オキシアリールアルキニル、チオアリールアルキニル、アミノアリールアルキニル、カルボキシアリールアルキニル、オキシアルキニルアリール、チオアルキニルアリール、アミノアルキニルアリールまたはカルボキシアルキニルアリール、オキシアルキレン、チオアルキレン、アミノアルキレン、カルボキシアルキレン、オキシアルケニレン、チオアルケニレン、アミノアルケニレン、カルボキシアルケニレン、オキシアルキニレン、チオアルキニレン、アミノアルキニレン、カルボキシアルキニレン、オキシシクロアルキレン、チオシクロアルキレン、アミノシクロアルキレン、カルボキシシクロアルキレン、オキシシクロアルケニレン、チオシクロアルケニレン、アミノシクロアルケニレン、カルボキシシクロアルケニレン、オキシアリーレン、チオアリーレン、アミノアリーレン、カルボキシアリーレン、オキシアルキルアリーレン、チオアルキルアリーレン、アミノアルキルアリーレン、カルボキシアルキルアリーレン、オキシアリールアルキレン、チオアリールアルキレン、アミノアリールアルキレン、カルボキシアリールアルキレン、オキシアリールアルケニレン、チオアリールアルケニレン、アミノアリールアルケニレン、カルボキシアリールアルケニレン、オキシアルケニルアリーレン、チオアルケニルアリーレン、アミノアルケニルアリーレン、カルボキシアルケニルアリーレン、オキシアリールアルキニレン、チオアリールアルキニレン、アミノアリールアルキニレン、カルボキシアリールアルキニレン、オキシアルキニルアリーレン、チオアルキニルアリーレン、アミノアルキニルアリーレン、カルボキシアルキニルアリーレン、ヘテロアリーレン、オキシへテロアリーレン、チオへテロアリーレン、アミノへテロアリーレン、カルボキシへテロアリーレン、へテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、オキシへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、チオへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、アミノへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、カルボキシへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、ジスルフィド、スルホンアミド等である。
【００４３】
異なる実施形態において、本発明の実施において使用が意図されるマレイミド類、ナジイミド類およびイタコンイミド類は、それぞれ式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩの構造において、ｍ＝１〜６、ｐ＝０〜６であって、Ｊが、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、または（ｉ）である。
【００４４】
（ａ）  アルキル基上の置換基または主鎖の一部として、置換されていてもよいアリール部分構造を有していてもよい、アルキル鎖の炭素数が約２０までの飽和の直鎖アルキルまたは分岐鎖アルキル。
【００４５】
（ｂ）  −（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−構造（但し、各Ｒ３は独立して、水素、アルキルまたは置換されたアルキルを表し、各Ｒ４は独立して、水素、低級アルキルまたはアリール、ｄ＝１〜１０、ｅ＝１〜１０、およびｆ＝１〜５０を表す）で示されるシロキサン。
【００４６】
（ｃ）  ［（ＣＲ２）ｒ−Ｏ−］ｆ−（ＣＲ２）Ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１〜１０、ｓ＝１〜１０を表し、ｆは上に定義されたとおりである）を有するポリアルキレンオキシド。
【００４７】
（ｄ）
【００４８】
【化２】
2005532678.tif 000004
【００４９】
｛各Ａｒは、炭素数が３から１０までの１置換、２置換、または３置換の芳香族またはヘテロ芳香族環であり、Ｚは、
（ｉ）アルキレン鎖の上の置換基として、あるいはアルキレン鎖の主鎖の一部として飽和の環部分構造を含んでいてもよい直鎖アルキレンまたは分岐アルキレン、もしくは
（ｉｉ）    −［（ＣＲ２）ｒ−Ｏ−］ｑ−（ＣＲ２）ｓ−
（但し、各Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換アルキルであり、ｒおよびｓはそれぞれ上に定義したとおりであり、ｑは１から５０の範囲である。）で表される構造を有するポリアルキレンオキシド
を示す。｝
で示される構造を有する芳香族基。
【００５０】
（ｅ）
【００５１】
【化３】
2005532678.tif 000005
【００５２】
（但し、各Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換アルキルであり、ｔは２から１０の範囲であり、ｕは２から１０の範囲であり、Ａｒは上に定義したとおりである）
で表される構造を有する２または３置換芳香族部分構造。
【００５３】
（ｆ）
【００５４】
【化４】
2005532678.tif 000006
【００５５】
｛但し、各Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
ｔ＝２〜１０、
ｋ＝１、２または３、
ｇ＝１から約５０、
各Ａｒは独立して上に定義した通りであり、
Ｅは、−Ｏ−または−ＮＲ５−  （ここでＲ５は水素または低級アルキル）であり、
Ｗは、
（ｉ）直鎖または分岐鎖のアルキル、アルキレン、オキシアルキレン、アルケニル、アルケニレン、オキシアルケニレン、エステル、またはポリエステル；
（ｉｉ）−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−  （但し、各Ｒ３は独立して水素、アルキルまたは置換アルキルを表し、各Ｒ４は独立して水素、低級アルキルまたはアリールを表し、ｄ＝１〜１０、ｅ＝１〜１０、およびｆ＝１〜５０を表す）で示される構造を有するシロキサン；または
（ｉｉｉ）−［（ＣＲ２）ｒ−Ｏ−］ｆ−（ＣＲ２）ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１〜１０、ｓ＝１〜１０を表し、ｆは上に定義されたとおりである）を有するポリアルキレンオキシド
を表し、Ｗは任意にヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキルまたはシクロアルケニルから選ばれた置換基を有していてもよい。｝
で示される構造を有する芳香族基。
【００５６】
（ｇ）  Ｒ７−Ｕ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ６−Ｒ８−ＮＲ６−Ｃ（Ｏ）−（Ｏ−Ｒ８−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ６−Ｒ８−ＮＲ６−Ｃ（Ｏ））ｖ−Ｕ−Ｒ８−
｛但し、各Ｒ６は独立して水素または低級アルキルであり、各Ｒ７は独立して、１〜１８の炭素原子を有するアルキル、アリールまたはアリールアルキルであり、各Ｒ８は鎖に１００個までの原子を有するアルキルまたはアルキルオキシ鎖であって任意にＡｒで置換されていてもよく、Ｕは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−、または−Ｐ（Ｌ）１，２−  （但し、Ｒは上に定義したとおりであり、Ｌは独立して＝Ｏ、＝Ｓ、−ＯＲまたは−Ｒである。）、ｖ＝０〜５０である。｝
で表される構造を有するウレタングループ。
【００５７】
（ｈ）  多環アルケニル。
【００５８】
（ｉ）  これらの任意の２種以上の混合物。
【００５９】
液状である場合、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物は、それぞれ一価の基「Ｊ」に結合した官能基を含むか、またはそれぞれ多価基「Ｊ」で分離された複数の官能基を含むときは、一価の基または多価基は、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物をそれぞれ液状にするのに十分な長さと分岐とを有している。
【００６０】
より具体的には、構造Ｉ、ＩＩおよびＩＩＩのマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物は、各Ｒは独立して水素または低級アルキルであり、−Ｊ−は、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物をそれぞれ液状にするのに十分な長さと分岐とを有する分岐のアルキル、アルキレン、アルキレンオキシド、アルキレンカルボキシルまたはアルキレンアミド構造を有し、ｍは１、２または３である。
【００６１】
マレイミド含有化合物は、米国特許５，７８９，７５７（Ｈｕｓｓｏｎ）、６，０３４，１９４（Ｄｅｒｓｈｅｍ）、６，０３４，１９５（Ｄｅｒｓｈｅｍ）および６，１８７，８８６（Ｈｕｓｓｏｎ）（これらは参照することによりその開示をここに組み入れる）に記載され、クレームされているもの、および６，０６３，８２８（Ｍａ）、６，２６５，５３０（Ｈｅｒｒ）、６，２８１，３１４（Ｔｏｎｇ）および６，３１６，５６６（Ｍａ）（これらは参照することによりその開示をここに組み入れる）の中から選ぶことができる。
【００６２】
ここで、「アルキル」は、炭素原子数１から２０まで、好ましくは炭素原子数２〜２０の炭化水素基をいう。「置換されたアルキル」は、ヒドロキシ、アルコキシル、メルカプト、シクロアルキル、置換されたシクロアルキル、複素環基、置換された複素環基で、アリール、置換されたアリール、ヘテロアリール、置換されたヘテロアリール、ヘテロアリール、置換されたヘテロアリール、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アミノ、アミド、Ｃ（Ｏ）Ｈ、アシル、ヘテロアリール、カルボキシル、カーバメート、スルホニル、スルホンアミド、スルフリル等から選ばれる置換基の１つまたは２つ以上を有するアルキル基を意味する。
【００６３】
「シクロアルキル」は、炭素原子３からの約８の範囲の環−含有基を指す。また、「置換されたシクロアルキル」は上述の置換基を１つまたは２以上有するシクロアルキルを意味する。
【００６４】
「アルケニル」は、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する直鎖または分岐鎖のヒドロカルビル基を意味し、２から約１２までの範囲の炭素原子を有し、「置換されたアルケニル」は上述の置換基を１つまたは２以上有するアルケニルを意味する。
【００６５】
「シクロアルケニル」は、炭素原子３からの約８の範囲の環であり、また、「置換されたシクロアルケニル」は上述の置換基を１つまたは２以上有するシクロアルケニルを意味する。
【００６６】
「アルキレン」は、炭素原子数１から２０まで、好ましくは２〜１０の２価のヒドロカルビルグループを意味し、「置換されたアルキレン」は、前述の置換基を１つまたは２以上有するアルキレン基を意味する。
【００６７】
「オキシアルキレン」は、アルキレン部分構造のメチレンユニットの１または２以上が、酸素原子で置き換えられたアルキレン部分構造を意味する。
【００６８】
「アリール」は、炭素数６から約１４までの芳香族基であり、「置換されたアリール」は、上述の置換基を１つまたは２以上有するアリールを意味する。
【００６９】
「アルケニレン」は、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する２価の直鎖または分岐鎖のヒドロカルビルグループを意味し、２から約１２までの範囲の炭素原子を有し、「置換されたアルケニレン」は上述の置換基を１つまたは２以上有するアルケニレンを意味する。
【００７０】
「オキサアルケニレン」は、アルケニレン部分構造のメチレンユニットの１または２以上が、酸素原子で置き換えられたアルケニレン部分構造を意味する。
【００７１】
本発明の実施で使用するために意図される事前塗布されるダイ取り付け接着性材料または層間誘電材料で使用される特に望ましいマレイミド化合物は、例えば、次の構造を有するマレイミドを挙げることができる。
【００７２】
【化５】
2005532678.tif 000007
【００７３】
構造Ｉの好ましいマレイミド樹脂としては、ステアリルマレイミド、オレイルマレイミドおよびベヘニルマレイミド、１，２０−ビスマレイミド−１０，１１−ジオクチル−エイコサン等およびそれらの組み合わせを挙げることができる。
【００７４】
発明の別の態様では、事前塗布されるダイ取り付け接着性材料はベンズオキサジン含有化合物を含むことができる。
【００７５】
事前塗布されるダイ取り付け接着性材料がベンズオキサジン含有化合物を含む場合、事前塗布されるダイ取り付け接着性材料は、（ｉｉ）エポキシ樹脂またはエピスルフィド樹脂成分；（ｉｉｉ）オキサゾリン成分、シアネートエステル成分、フェノール成分、チオフェノール成分、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体成分、ポリイミド成分およびポリイミド／シロキサン成分の１種または２種以上；（ｉｖ）任意成分として硬化剤
を含むことができる。事前塗布されるダイ取り付け接着性材料の中に、これらの付加的成分がベンズオキサジンと共に採用されるときには、エポキシ樹脂が存在し、フェノール成分のみではない成分（ｉｉｉ）が存在するがことが好ましい。
【００７６】
ベンズオキサジンは次のものを含む多数の材料から選ばれる。
【００７７】
【化６】
2005532678.tif 000008
【００７８】
ここでＬは、アルキレンまたはシロキサンの架橋部分構造等のオプションのスペーサー、水素、直接結合、Ｏ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ、Ｏ＝Ｓ＝Ｏ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＲ９Ｒ１０（Ｒ９、Ｒ１０はアルキル、ハロゲン置換アルキル基、アリールまたはアルカリール）；
Ａｒは置換されていてもよいアリーレン；
Ｑは、次の構造を有するオキサジン環またはそのアミン塩
【００７９】
【化７】
2005532678.tif 000009
【００８０】
であって、オキサジン環の５および６位で縮合してＡｒに結合しており、ここでＳｐは、存在しなくてもよいが、存在するときはＣ１〜Ｃ６アルキレンスペーサーであり、
ｎは、１または２であり、
ｍは、存在しなくてもよいが、存在するときは１〜４であり、
ｘおよびｙは互いに独立して０〜４であり、そして
Ｒ１１、Ｒ１２あるいはＲ１３の少なくとも１つは、重合可能な部分構造である。例えば、あるベンズオキサジンはＬ−（Ａｒ（Ｑｎ））ｍで表される。
【００８１】
ベンズオキサジンはまたは次の構造のものであってもよい。
【００８２】
【化８】
2005532678.tif 000010
【００８３】
ここで、
Ａｒは置換されていてもよいアリーレン、
Ｑは、次の構造を有するオキサジン環またはそのアミン塩：
【００８４】
【化９】
2005532678.tif 000011
【００８５】
であって、オキサジン環の５および６位で縮合してＡｒに結合しており、ここでＳｐは、存在しなくてもよいが、存在するときはＣ１〜Ｃ６アルキレンスペーサーであり、
ｎは、１または２であり、
ｘおよびｙは互いに独立して０〜４であり、そして
Ｒ１１、Ｒ１２あるいはＲ１３の少なくとも１つは、重合可能な部分構造である。
【００８６】
さらに、ベンズオキサジンはまたは次の構造のものであってもよい。
【００８７】
【化１０】
2005532678.tif 000012
【００８８】
ここで、ｏは，１〜４、Ｘは直接結合（ｏが２のとき）、アルキル（ｏが１であるとき）、アルキレン（ｏが２〜４であるとき）、カルボニル（ｏが２であるとき）、チオール（ｏが１であるとき）、チオエーテル（ｏが２であるとき）、スルホキシド（ｏが２であるとき）およびスルホン（ｏが２であるとき）であり、そしてＲ１４はメチル、エチル、プロピルおよびブチル等のアルキル、またはアリールである。
【００８９】
さらに特定の実施形態において、ベンズオキサジン成分は、次の構造のものである。
【００９０】
【化１１】
2005532678.tif 000013
【００９１】
ここで、Ｘは、直接結合、ＣＨ２、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ、Ｏ＝Ｓ＝ＯおよびＳからなる群より選ばれ、Ｒ１４およびＲ１５は、同一でも異なっていてもよく、メチル、エチル、プロピルまたはブチルおよびアリールから選ばれる。
【００９２】
さらに特定の実施形態において、ベンズオキサジン成分は、次の構造のものである。
【００９３】
【化１２】
2005532678.tif 000014
【００９４】
ここで、Ｒ１４およびＲ１５は、同一でも異なっていてもよく、メチル、エチル、プロピル、ブチルおよびアリールから選ばれる。
【００９５】
ベンズオキサジン成分は、次の構造の１種または２種以上含むことができる。
【００９６】
【化１３】
2005532678.tif 000015
【００９７】
【化１４】
2005532678.tif 000016
【００９８】
ここで、Ｒ１４、Ｒ１５およびＲ１６は、同一でも異なっていてもよく、メチル、エチル、プロピル，ブチルおよびアリールから選ばれる。
【００９９】
例えば、特定の多官能ベンズオキサジン類として、次のものを挙げることができる。
【０１００】
【化１５】
2005532678.tif 000017
【０１０１】
【化１６】
2005532678.tif 000018
【０１０２】
このように、ベンズオキサジン成分は、多官能ベンズオキサジン類、単官能ベンズオキサジン類およびそれらの組み合わせを挙げることができる。
【０１０３】
単官能ベンズオキサジンには次のものが含まれる。
【０１０４】
【化１７】
2005532678.tif 000019
【０１０５】
ここで、Ｒ１４は、メチル、エチル、プロピル、ブチルおよびアリールから選ばれ、例えばメチルである。
【０１０６】
希釈剤が加えられる場合、希釈剤が反応性希釈剤であることが望ましく、それは、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物またはベンズオキサジン−含有化合物と組み合わせて、熱可塑性樹脂組成物を構成する。そのような反応性希釈剤としては、単官能および多官能のアルコール類のアクリレートおよびメタクリレート、ここでより非常に詳しく記載されるようなビニール化合物、スチレン性モノマー（即ち、モノ、２または３官能のヒドロキシ化合物とビニールベンジルクロライドの反応に由来するエーテル類）等を挙げることができる。
【０１０７】
ビニールまたはポリビニール化合物に対応する特に好ましい反応性希釈剤は、次の一般式で表される。
【０１０８】
【化１８】
2005532678.tif 000020
【０１０９】
ここで、ｑは１、２または３であり、
それぞれのＲは独立して、水素または低級アルキルから選ばれ、
それぞれのＱは独立して、エーテル、ケトン、エステルまたはリバースエステル（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｅｓｔｅｒ）から選ばれ、そして
Ｙは一価の部分構造あるいは多価の結合（リンク）部分構造である。
【０１１０】
多価の結合基であるＹは、典型的には上記のＪから選ばれる。
【０１１１】
上記の一般式に含まれるビニールまたはポリビニール化合物としては、ステアリルビニルエーテル、ベヘニルビニルエーテル、エイコシルビニルエーテル、イソエイコシルビニルエーテル、イソテトラコシルビニルエーテル、ポリ（テトラヒドロフラン）ジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、トリス−２，４，６−（１−ビニルオキシブタン−４−オキシ）−１，３，５−トリアジン、ビス−１，３−（１−ビニルオキシブタン−４）オキシカルボニル−ベンゼン（あるいはビス（４−ビニルオキシブタチル）イソフタレートとも呼ばれ、ニュージャージーのＭｏｒｒｉｓｔｏｗｎのハネウェルインターナショナル社から、「ＶＥＣＴＯＭＥＲ」４０１０の商標で入手可能である）、適切なパラジウム触媒の存在下で低級ビニールエーテル類と高分子量ジアルコール類のトランスビニレーションによって合成されたジビニールエーテル類、水素化されていてもよい２置換ポリブタジエン類、水素化されていてもよい２置換ポリイソプレン、水素化されていてもよい２置換のポリ［（１−エチル）−１，２−エタン］等を挙げることができる。好ましいジビニール樹脂としては、ステアリルビニルエーテル、ベヘニルビニルエーテル、エイコシルビニルエーテル、イソエイコシルビニルエーテル、ポリ（テトラヒドロフラン）ジビニルエーテル、適切なパラジウム触媒の存在下で低級ビニールエーテル類と高分子量ジアルコール類のトランスビニレーションによって合成されたジビニールエーテル類等を挙げることができる。
【０１１２】
さらに、構造ＸＸＩＶに対応し、そこで−Ｑ−がエステルで、Ｙが約１２から約５００の炭素原子を有する高分子量分岐鎖アルキレン種であるジビニール化合物類は、ビスマレイミド樹脂がない状態でさえ有用な熱硬化性樹脂組成物である。適切な量の少なくとも１つのフリーラジカル開始剤および少なくとも１つのカップリング剤と組み合わせた時、これらのジビニルエーテル樹脂は単独で、速硬化速度および低吸水性の特性を含む優れた物理的性質を示す熱硬化性樹脂組成物を構成することができる。
【０１１３】
もちろん、ダイ取り付け材料は、構造ＸＸＩＶのビニール化合物とマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物またはベンズオキサジン含有化合物との組み合わせを含んでいてもよく、それによって速硬化速度および低吸水性を含む物理的性質の非常に望ましい組合わせの利益がもたらされる。
【０１１４】
望ましくは、事前塗布されたダイ取り付け接着性材料は、特にマレイミド類、イタコンイミド類またはナジイミド類が液状の形態である場合には、共硬化可能な熱可塑性エラストマーを含む。ここで「共硬化可能な」とは、熱可塑性エラストマーがマレイミド、イタコンイミドおよびナジイミドのようなマクロモノマーと共に共重合して、三次元のポリマーネットワークを形成する能力を意味する。
【０１１５】
本発明の実施で使用が意図される熱可塑性エラストマー類は、典型的にはブロックポリマーである。ブロック共重合体は、一般式（Ａ−Ｂ）または（Ａ−Ｂ−Ａ）のユニットを少なくとも１つ有している。ただし、Ａは非エラストマーの重合体ブロックであり、Ｂはエラストマーの重合体ブロックである。本発明の実施で使用が意図される好ましいブロック共重合体は、低誘電率を有しているものである。さらに、熱可塑性エラストマーは、エチレン性の不飽和のペンダントおよび／または端末単位を含有し、したがって、ダイ接着剤材料中の他の成分とともに硬化させることができる。
【０１１６】
非エラストマーの重合体ブロック（Ａ）は、少なくとも１つのエチレン性不飽和単位を含む、１以上の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素の重合生成物である。本発明の実施で使用が意図され芳香族炭化水素は、置換されていてもよいスチレン、置換されていてもよいスチルベン等である。本発明の実施で任意の使用が意図される置換基は、例えば、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルケノキシ等である。好ましい実施形態において、芳香族炭化水素は置換されていてもよいスチレンである。
【０１１７】
エラストマーの重合体ブロック（Ｂ）は典型的には、置換されていてもよいオレフィンモノマー類および／または共役ジエンモノマー類の重合または共重合生成物であ。本発明の実施で使用が意図されたオレフィン・モノマーは、典型的には２から約２０までの炭素原子を含んでいる。好ましくは、オレフィン・モノマーは２から約１２までの炭素原子を含んでいる。特に好ましい実施形態では、オレフィン・モノマーは、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、アクリロニトリル、（メタ）アクリレート等を挙げることができる。最も好ましくは、オレフィン・モノマーはアクリロニトリルである。
【０１１８】
本発明で使用が意図される共役ジエンモノマー類は、典型的には４から約２０までの炭素原子を含む。好ましくは、共役ジエンモノマーは４から約１２までの炭素原子を含んでいる。特に好ましい実施形態では、共役ジエンモノマーは例えば、ブタジエン、イソプレン、ジメチルブタジエン等である。最も好ましくは、共役ジエンモノマーはブタジエンである。
【０１１９】
本発明の実施に使用が意図される熱可塑性エラストマーは、例えばポリスチレン−ポリブタジエン−ポリスチレンブロック共重合体、ポリスチレン−ポリイソプレン−ポリスチレンブロック共重合体、ポリスチレン−ポリジメチルブタジエン−ポリスチレン・ブロック共重合体、ポリブタジエン−ポリアクリロニトリルブロック共重合体等が挙げられる。好ましくは、ブロック共重合体は、ポリスチレン−ポリブタジエン−ポリスチレンブロック共重合体あるいはポリブタジエン−ポリアクリロニトリルブロック共重合体である。
【０１２０】
熱可塑性エラストマーが使用されるときは、ダイ取り付け用接着性材料は、典型的には、約１０ｗｔ％〜約９５のｗｔ％の範囲の熱可塑性エラストマー、約５ｗｔ％から約９０ｗｔ％までの範囲のマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物またはベンズオキサジン含有化合物、そして約０．２ｗｔ％から約２．０ｗｔ％までの範囲の硬化開始剤を含む。ここで、ｗｔ％は、組成物の重量の合計に基づく。好ましくは、マレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物またはベンズオキサジン含有化合物は、約１０ｗｔ％から約８０ｗｔ％で存在する。
【０１２１】
硬化開始剤を含有させてもよく、そして含有させるときは、望ましくはフリーラジカル開始剤であり、約７０℃から約１８０℃の範囲の温度に曝すかまたは電磁スペクトル中の照射により開始される。ここに、用語「フリーラジカル開始剤」は、十分なエネルギー（例えば光、熱あるいはその他同種のもの）に曝されることで、荷電していないが各々少なくとも１つの不対電子を所有する２つの部分に分解するどのような化学種をも意味する。
【０１２２】
熱フリーラジカル硬化開始剤は、例えば、過酸化物（例えばパーオキシエステル類、パーオキシカーボネート類、ヒドロパーオキサイド類、アルキルパーオキサイド類、アリールパーオキサイド類等）、アゾ化合物等が挙げられる。本発明の実施で使用が意図される過酸化物は、ジクミルパーオキサイド、過酸化ジベンゾイル、２−ブタノンパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）−２、５−ジメチルヘキサン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド等が挙げられる。好ましいアゾ化合物として使用が意図されるものは、２，２’−アゾビス（２−メチルプロパンニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルブタンニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）等である。
【０１２３】
照射フリーラジカル硬化開始剤（または、光開始剤）としては、例えば、Ｖａｎｔｉｃｏ，  Ｉｎｃ．（Ｂｒｅｗｓｔｅｒ，  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ）から「ＩＲＧＡＣＵＲＥ」および「ＤＡＲＯＣＵＲ」の商標で入手可能な、例えば「ＩＲＧＡＣＵＲＥ」１８４（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン）、９０７（２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン）、３６９［２−ベンジル−２−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン］、５００（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンとベンゾフェノンの組合わせ）、６５１（２，２−ジメトキシ  −２−フェニルアセトフェノン）、１７００［ビス（２、６−ジメトキシベンゾイル−２，４，４−トリメチルペンチル）ホスフィンオキシドと２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１オンの組合わせ］、および「ＤＡＲＯＣＵＲ」１１７３（２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−１−プロパン）、４２６５（２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニル−ホスフィンオキシドと２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オンの組合わせ）が挙げられ；ダウケミカルから「ＣＹＲＡＣＵＲＥ」の商標で商業上入手可能な光開始剤，  例えば「ＣＹＲＡＣＵＲＥ」ＵＶＩ−６９７４（混合トリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート塩類）およびＵＶＩ−６９９０（混合トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート塩類）；および可視光（青）光開始剤ｄｌ−カンファーキノンおよび「ＩＲＧＡＣＵＲＥ」７８４ＤＣをあげることができる。
【０１２４】
追加の光開始剤は、Ｓａｒｔｏｍｅｒ社（Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ、Ｅｘｔｏｎ）から「ＥＳＡＣＵＲＥ」および「ＳＡＲＣＡＴ」の商標名で入手可能なものから選ぶことができる。例えば、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＫＢ１（ベンジルジメチルケタール）、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＥＢ３（ベンゾインとブチルエーテルの混合物）、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＴＺＴ（トリメチルベンゾフェノン混合物）、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＫＩＰ１００Ｆ  （ヒドロキシケトン）、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＫＩＰ１５０（ポリマー性ヒドロキシケトン）、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＫＴ３７（「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＴＺＴとＫＩＰ１５０の混合物）、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＫＴ０４６（トリフェニルホスフィンオキシド、「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＫＩＰ１５０およびＴＺＴの混合物）、「ＥＳＡＣＵＲＥ」Ｘ３３  （２−および４−イソプロピルチオキサントン、エチル４−（ジメチルアミノ）ベンゾエートおよび「ＥＳＡＣＵＲＥ」ＴＺＴの混合物）、「ＳＡＲＣＡＴ」ＣＤ１０１０［トリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（５０％プロピレンカーボネート）］、「ＳＡＲＣＡＴ」ＤＣ１０１１［トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート（５０％ｎ−プロピレンカーボネート）］、「ＳＡＲＣＡＴ」ＤＣ１０１２  （ジアリールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート）、および「ＳＡＲＣＡＴ」Ｋ１８５［トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート（５０％プロピレンカーボネート）］を挙げることができる。
【０１２５】
光開始剤としては、非求核の対イオンを有するトリアリールスルホニウムおよびジアリールヨードニウム塩類、およびアリールジアゾニウム塩を挙げることができる。それらの具体例としては、４−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、ベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムクロライド、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、４，４−ジオクチルオキシジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルトリルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルジトリルスルホニウムヘキサフルオロアルセネートおよびジフェニル−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを挙げることができる。
【０１２６】
もちろん、そのような光開始剤の組み合わせも当業者が適当とする場合には使用することができる。
【０１２７】
ここで用語「カップリング剤」は、鉱物および／または有機の表面に結合することができる官能基の１つのセットを含んでおり、それはさらに、ダイ取り付け接着性材料の中の反応性材料に結合することができる反応性官能基の別のセットを含んでいる化学種を意味する。カップリング剤は、このようにそれが塗布される基板へのダイ接着剤材料の結合を容易ならしめる。
【０１２８】
本発明の実施で使用するために意図されるカップリング剤は、ケイ酸エステル類、金属アクリレート塩類（例えば、アルミニウムメタクリレート）、チタネート類（例えば、チタニウムメタクリルオキシエチルアセトアセテートトリイソプロポキシド）、共重合可能な基およびキレート配位子（例えば、ホスフィン、メルカプタン、アセトアセテート等）を含んでいる化合物を挙げることができる。一般に、約０．１ｗｔ％から約１０ｗｔ％（有機相の重量の合計に基づいて）の範囲で、少なくとも１つのカップリング剤が使用され、望ましくは約０．５ｗｔ％から約２ｗｔ％の範囲で使用される。
【０１２９】
特定の望ましいカップリング剤は、共重合可能な官能基（例えばビニール部分構造、アクリレート部分構造、メタクリレート部分構造、スチレン部分構造、シクロペンタジエン部分構造など）とケイ酸エステル官能基とを有している。カップリング剤のケイ酸塩エステル部分は、基板の鉱物の表面で存在する金属水酸化物類と縮合することができ、一方、共重合可能な官能基は、本発明の接着剤組成物の他の反応性成分と共重合することができる。そのようなカップリング剤の例としては、ポリ（メトキシビニールシロキサン）のようなオリゴマー性のシリケートカップリング剤が挙げられる。
【０１３０】
事前塗布されるダイ取り付け接着性材料は、さらに、事前塗布されるダイ取り付け用接着性材料の全重量基準で約２０から９０ｗｔ％までの範囲で充填剤を含むことができる。本発明の実施のために、必要により使用が意図される充填材は、必要により伝導性（電気的および／または熱的に）であることができる。本発明の実施において使用が意図される電気的に伝導性の充填材は、例えば、銀、ニッケル、金、コバルト、銅、アルミニウム、黒鉛、銀コート黒鉛、ニッケルコート黒鉛、そのような金属の合金など、およびそれらの混合物を挙げることができる。充填材は、粉体およびフレーク状のどちらの形式でも、本発明の接着剤組成物の中で使用されることができる。フレークの形態の場合、約２ミクロンより薄い厚さと、約２０から約２５ミクロンの平面のサイズを有している。ここで好ましく使用されるフレークは、約０．１５〜５．０ｍ２／ｇの表面積および約０．４から約５．５ｇ／ｃｃ以内のタップ密度を有している。発明の実施で使用される粉体は、約０．５〜３０ミクロン、例えば２０ミクロンの直径を有していることが好ましい。
【０１３１】
存在する場合には、充填材は、典型的には事前塗布されるダイ取り付け接着性材料の約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％までの範囲で含有される。但し、重量％は組成物の全重量に基づく。
【０１３２】
本発明の実施で必要により使用が意図される熱伝導性の充填材は、例えば、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化ケイ素、ダイヤモンド、黒鉛、酸化ベリリウム、マグネシア、シリカ、アルミナ等が挙げられる。
【０１３３】
電気および／または熱伝導性の充填材は、触媒的に活性な金属イオンが、キレート化剤、還元剤、非イオン潤滑剤またはそのような剤の混合物による処理によって実質的に存在しないようになっているべきである。そのような処理は米国特許番号５，４４７，９８８に記述される。それは参照によってその全体がここに組み入れられる。
【０１３４】
必要により、電気的にも熱的にも伝導性でない充填材が使用されてもよい。そのような充填材は、接着剤配合に、例えば減少した熱膨張、減少した比誘電率、改善されたタフネス、増加した疎水性などの性質を望ましく与えることができる場合がある。そのような充填材の例としては、フッ素化炭化水素重合体（例えばテフロン（商標））、熱可塑性の重合体、熱可塑性エラストマー、雲母、融解石英、ガラスパウダー、スペーサー材などが挙げられる。
【０１３５】
事前塗布されるダイ取り付け用接着性材料は、さらに、消泡剤、レベリング剤、着色剤、および顔料等のその他の添加剤を含んでもよい。
【０１３６】
事前塗布されたダイ取り付け回路チップを成形するために、ダイ取り付け接着性材料はステンシル印刷、スクリーン印刷またはスプレー塗装によって、半導体チップ（例えば図１−３を参照）に塗布することができる。それぞれ図４〜６を参照のこと。さらに、事前塗布されたダイ取り付け回路チップを成形するために、ダイ取り付け接着性材料は、ステンシル印刷、スクリーン印刷あるいはスプレー塗装によって、半導体チップ（図９を参照）以外に基板に適用されてもよい。そして、ダイ取り付け接着性材料は、ウエハーダイシングテープもしくはフィルム、ウエハー支持テープもしくはフィルムのような中間基板に塗布することもできる。それは、テープまたはフィルム上で事前塗布されるダイ取り付け用接着性材料を輸送するために使用され、半導体チップまたはその他の基板上に転写される。
【０１３７】
ダイス前ウエハー（ｐｒｅ−ｄｉｃｅｄ  ｗａｆｅｒ）上へ、ステンシル印刷あるいはスクリーン印刷する場合には、ウエハーは、ダイ取り付け接着性材料で一様にコーティングすることができる。ウエハーのダイシング中に、ダイシングソーで、事前塗布されたダイ取り付け接着性材料層およびウエハーを完全に切断する。
【０１３８】
また、ダイス前ウエハー（ｐｒｅ−ｄｉｃｅｄ  ｗａｆｅｒ）上へ、ステンシル印刷またはスクリーン印刷する場合には、開口が個々のダイまたは半導体チップを部分的に、完全にではなく、コーティングするようにステンシルまたはスクリーンが形成される。特に、ステンシルかスクリーンの糸目はダイ取り付け接着性材料を所定位置に配置するために使用される。すなわち、ダイ取り付け接着性材料がダイシングラインに入ることは好ましくなく、それによりダイ配置中にダイ分割が容易になる。糸目の幅、反対から言えば開口度は、ダイ配置の後に、目標のウェットボンドラインが達成され、またダイ取り付け接着性材料が、ダイの下に所望の高さのフィレットを形成するように設計される。
【０１３９】
ラミネート基板上へ、ステンシル印刷またはスクリーン印刷する場合には、ステンシルまたはスクリーンが、ダイパッドを部分的にコーティングするように設計された開度で作られる。特に、スクリーンまたはステンシルの糸目は、ダイ配置の後のダイ取り付け接着性材料が所定位置に配置されるために使用される。糸目の幅、反対から言えば開口度は、ダイ配置の後に、目標のウェットボンドラインが達成され、またダイ取り付け接着性材料が、ダイの下の所望の高さのフィレットとして、しかもダイ取り付け用接着性材料によって電気的伝導性の結線が濡らされることが最小かまたは全くないように、形成されるように設計される。
【０１４０】
ラミネート基板上への応用の場合には、「０ギャップ・ボンドライン」がダイ取り付け接着性材料で達成されるかもしれない。例えば、積層品は、ダイパッド上に半田マスク層なしで最初に製造される。したがって、ダイパッド・エリアは、非ダイパッドエリアより、半田マスク層の厚さと等しい深さだけ、高さが低く、それは典型的に約１ミルである。その後、くぼんだダイパッドは、ステンシル印刷またはスクリーン印刷を使用して、ダイ取り付け接着性材料で充填される。
【０１４１】
好ましくは、塗布される粘着性の材料の表面が半田マスク層と同じ高さになるまで、ダイ取り付け接着性材料の量が塗布される。くぼんだダイパッドは、ダイ取り付け接着性材料で完全には充填されない；むしろ、ダイ配置の後に、ダイ取り付け接着性材料はダイの下に流れ、前に露出していたダイパッド底を覆うように、ダイ取り付け接着性材料の量が使用される。この方法によれば、半導体パッケージメーカーは、ボンドライン接着剤を変更せずに、より薄いパッケージを達成することができる。
【０１４２】
ダイ取り付け接着性材料が半導体チップ以外の基板上の事前塗布される場合、基板としては、積層品（ｌａｍｉｎａｔｅ）（前述した）、セラミックス、リードフレーム、ヒートスラグ、ヒートスプレッダー（前述した）あるいは中間基板（同様に前述した）を使用することができる。
【０１４３】
図９を参照すると、ダイ取り付け接着性材料９０Ａは、キャリヤー基板７０上に事前塗布され、事前塗布されたダイ接着剤キャリヤー基板６０Ａが形成される。半導体チップ６２のボンディング表面６８Ａは、事前塗布されたダイ接着剤キャリヤー基板６０Ａと合わせられ、そして電気的接続が、例えば、半導体チップ６２上の電気的コンタクトパッド６６から、キャリヤー基板７０上の電気的コンタクトパッド７６に、ボンディングワイヤー８０で接続するようにして確立され、回路アセンブリー５０が成形される。
【０１４４】
スプレー塗装の場合には、薄い半導体ウエハーが、ダイ取り付け接着性材料をコートする基板として望ましい基板である。これらの薄い半導体ウエハーは、約２−３ミルの厚さを有している。一旦適切に保持されれば、即ち、フレキシブル基板に接合したり、封入したり、モールドされれば、機械的に丈夫であるが、保持されない状態では、これらのウエハーから得られた薄いダイはもろく容易に壊れる。従って、ダイ取り付け用接着性材料を薄いウエハーに塗布する方法としては、その間、最小の力がかかる方法が有利である。
【０１４５】
上記の方法のうちのどれかを使用してダイ取り付け接着性材料がウエハー上に塗布された後、ダイ取り付け用接着性材料は、もし溶剤が存在するときは溶剤を除去するために乾燥され、または接着剤材料を固体化するために冷却される。
【０１４６】
典型的な乾燥時間は、１００℃の温度で約３０分であるが、ダイ取り付け接着性材料の硬化可能な成分が硬化する温度より低いどのような温度を選んでもよい。時間の長さは、ダイ取り付け接着性材料の表面が所定温度でタックフリー（べとつきなし）になるのに必要な時間に依存して変更することができる。
【０１４７】
ダイ取り付け接着性材料の表面がタックフリーになった後は（乾燥によりまたは冷却によりまたはＢ−ステージ化のいずれでもよい）、ダイボンディングを行うことができる。
【０１４８】
事前塗布されたダイ取り付け接着性材料を硬化させるのにふさわしい条件としては、特にマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物を含む場合は、事前塗布されたダイ取り付け用接着性材料を、少なくとも１７５℃で、しかし３００℃未満の温度に、約０．５から約２分以内の間曝すことを含む。典型的なダイボンディング硬化は、７．６ｍｍｘ７．６ｍｍのダイの場合には、５００のｃＮの塗布量で、１００℃の温度で約１０秒の時間である。この迅速で短期間の加熱は、様々な方法（例えば、日本酸素製のインラインスナップ硬化ステージ、ダイボンダー上に搭載された熱ステージ、ＥＦＯＳ  Ｎｏｖａｃｕｒｅ  ＩＲ  ｕｎｉｔ製のＩＲビーム等）で遂行することができる。ベンズオキサジン化合物を含有する事前塗布されたダイ取り付け接着性材料については、接着剤材料を硬化するのに同じ温度条件を使用してもよいが、通常は、より長い時間、例えば、約１時間が望ましい。
【０１４９】
積層ダイアセンブリー（例えば米国特許番号５，１４０，４０４、５，２８６，６７９、５，３２３，０６０および６，４６５，８９３に記載され、その開示は参照によって明示的にここに組込まれる）の場合には、特に共硬化可能な熱可塑性成分が存在する場合には、それが回りにである基板入の改善された湿潤を考慮に入れるために、ダイ取り付け接着性材料を溶融させて、配される基板の濡れを改良するために、ダイ配置の前にダイを加熱することが好ましい。ダイはダイ・コレットによるパルス的な熱により加熱することができる。それは、例えばＥＳＣによって製造されるフィルムダイボンダーにおいて、利用可能な構成である。薄いダイの場合には、研削加工中に残留機械的ストレスの蓄積により典型的には曲がっているが、ダイをある温度以上に加熱することは、ダイのアニールと反りを低減する効果がある。
【０１５０】
図８および１０は、それぞれ積層ダイアセンブリー１１０、１１０Ａにおいて、積み重ねられる２つのダイの断面図を示したものである。これらの２つの配置の差は、図８では、ダイ取り付け接着性材料９０が積層ダイアセンブリー１１０において上部半導体チップ１１２の下部表面６８上に事前塗布され、一方、図１０では、ダイ取り付け接着性材料９０Ａは、積層ダイアセンブリー１１０Ａにおいて、下側半導体チップ１１４の上部表面６４Ａの上に事前塗布されているということである。図８を参照すると、積層ダイアセンブリー１１０は、事前塗布されたダイ取り付け回路チップ１１２（チップ・ダイ６２とその上に配された事前塗布されたダイ接着剤を接着剤９０を有する）の形態の半導体チップと、他方のチップダイ６２Ａを備えており、それに対して事前塗布されたダイ取り付け回路チップ１１２が、チップダイ６２Ａの受け表面６４Ａの上に取り付けられる。事前塗布されたダイ取り付け回路チップ１１２は、ボンドパッド６６およびボンディングワイヤー８０を有している。それは、チップ・ダイ６２Ａ上のボンディングパッド６６Ａを通して、チップダイ６２Ａと電気的に接続される。ボンディングワイヤー８０Ａは、ボンディングパッド６６Ａから、別のチップ・ダイ（示されない）または回路ボードに、電気的な接続を取るために伸びている。
【０１５１】
ここに議論されるようなチップ・ダイ６２は個々のチップ・ダイとして提供されるかもしれないし、あるいはチップスケールパッケージとして提供されるかもしれないことに留意されるべきである。従って、図３の中で示されるさらなる実施形態では、回路アセンブリー１５０はチップスケールパッケージ１６０を含めて提供される。チップスケールパッケージは、回路と回路ボード基板との電気的な接続で使用されることが公知である。この実施形態において、回路アセンブリー１５０が、チップ・ダイ６２がチップスケールパッケージ１６０と取り替えられる以外は、図２で示された実施形態の中で示される構造に類似する構造を含んでいる。例えば、回路アセンブリー１５０は、コンタクトパッド７６をその上に含む回路ボード基板７０を含んでいる。基板７０はチップスケールパッケージ１６０に付けられる。それは、公知のように、個別のキャリヤー基板あるいは中間層に付けられたチップ・ダイを含んでいてもよい。そのような実施形態において、コンタクトパッド６６および／またはワイヤ８０は、前の記載で回路チップ６０に関して述べられたのと同様に、分離したキャリヤー基板上に、あるいは中間層上に備えられてもよい。さらに、チップスケールパッケージ１６０はダイ取り付け材料９０によって、前の記載と同様にして基板７０に付けられる。
【０１５２】
本発明は、さらに、本発明の製品を、例えばチップダイや回路ボードのようなキャリヤー基板に接着的に取り付ける方法を提供する。この方法は、
ａ．本発明の製品を用意する工程；
ｂ．キャリヤー基板を用意する工程；
ｃ．アセンブリを形成するために、本発明の製品とキャリヤー基板が事前塗布されたダイ接着剤によって分離されるように本発明の製品をキャリヤー基板に隣接させる工程；および
ｄ．事前塗布されたダイ接着剤を、事前塗布されたダイ接着剤を接着剤硬化させるのに十分な温度条件へ曝す工程
を有する。
【０１５３】
本発明の異なる態様では、マレイミド類、イタコンイミド類およびナジイミド類は、シリコンダイの製造に使用されるＩＬＤとして好ましい物性を有する。しばしば、それらが液状であるとき、マレイミド類、イタコンイミド類およびナジイミド類は、それらをスピンコートすることができるだけ十分に低い粘度を有している。さらに、もしより薄いＩＬＤのスピンコーティングのためには、必要であれば加熱するか、または上で議論したような反応性希釈剤を組み合わせることにより、それらの粘度をさらに減少することができる。同様に、固体状でも、そのようなマレイミド類、イタコンイミド類およびナジイミド類はスピンコートができるように、暖められ、または希釈剤と組み合わされる。これらのマレイミド類、イタコンイミド類およびナジイミド類は、高い熱分解温度および高いホモ重合開始点を有しており、加熱による薄めが可能になる。マレイミド類、イタコンイミド類およびナジイミド類は、紫外線のような電磁線スペクトル中での照射に曝されて硬化可能であるので、ある解像度のホトリソグラフィーが達成できる。マレイミド類、イタコンイミド類およびナジイミド類の硬化物は、鋭い熱分解点を有しており、それによりクリーンでシャープなレーザアブレーション（レーザ切断）が可能である。
【０１５４】
図７は、半導体チップ１００の断面図を示し、ＩＬＤ  １０８の層は、第１および第２の導電層１０６、１０６Ａの間に示される。より詳細には、半導体チップ１００は、シリコン基板１０２から形成され、半導体層１０４の上に酸化シリコン層が形成されるように酸化雰囲気中の高い温度条件にすでにさらされている。半導体層１０４は、電子のソース１０３と電子のドレイン１０３Ａと、電圧を規制することにより電子の流れを制御するゲート１０７を有する。半導体層の上に配置された層１０５は、この図の中でボロホスホシリケートグラス（ＢＰＳＧ）で作られている。それは化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって堆積することができる。半導体層１０４は、不規則な表面で作られるので、このボロホスホシリケートグラス表面は、その不規則性を平坦化している。次に示される層は、第１の導電層１０６であり、ここでは銅から構成される。この導体層１０６は、拡散バリヤーコーティング層をその上に有していてもよい（図示されていない。）。第１の導電層１０６の上に、ＩＬＤ層が存在し、その上に第２の導電層１０６Ａが存在する。図７では、最後に、パッシベーション層１０１が示される。パッシベーション層１０１は多くの場合スピンコートで形成される。第２の導電層１０６Ａと第１の導電層１０６の間に電子が流れるように、ＩＬＤ１０８を貫通して形成されたビア１０９Ａ（コンタクトホール）が設けられる。そして、第１の導電層１０６と半導体層の間に、同じ目的のために別のビア１０９が存在する。
【０１５５】
このように、大まかに言ってこの態様において本発明は、シリコン基板、半導体層、少なくとも２つの導電層、その２つの間にありマレイミド−、イタコンイミド−またはナジイミド−含有化合物の１種または２種以上またはベンズオキサジン含有化合物の１種または２種以上を含有する層間誘電体を含む半導体チップを提供する。
【実施例】
【０１５６】
本発明はここで、次に示す限定されない例を参照して、詳細に説明される。
第１の実施例において、熱可塑性のエラストマーの成分としてスチレン‐ブタジエンゴムブロック共重合体ＫＲＡＴＯＮ  Ｄ−１１０２、およびマレイミド類としてオクタデシルマレイミドおよびＸ−ＢＭＩ（１０，１１−ジオクチルエイコサンの１，２０−ビスマレイミド誘導体）を使用して、半導体チップへの事前塗布用のダイ取り付け接着性材料を調製した。事前塗布用のダイ取り付け用接着性材料を、表１に示す成分から調製した。
【０１５７】
【表１】
2005532678.tif 000021
【０１５８】
オクタデシルマレイミドをキシレンに溶解し、ＫＲＡＴＯＮ  Ｄ−１１０２を加え、残りの成分を加える前に溶解させた。
【０１５９】
ガラス基板上にキャストしてフィルムとし、一晩乾燥した。その後、シリコンダイをフィルム上に置き、フィルムコートされた基板を、１〜３秒間８０℃の温度で加熱した。このアセンブリーを、３０分間８０℃の温度で最終硬化させた。
【０１６０】
フィルムダイ取り付け組成物について、校正されたＤａｇｅ  ２４００ダイシェアテスターで室温ダイシェア（ダイ剪断）およびホットダイシェアをテストした。結果を、ヘンケルロックタイト株式会社（ＬａＪｏｌｌａ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から商業上入手可能なダイ取り付け製品であって上で使用されたものと同じ組み合わせのビスマレイミド類を含有するＱＭＩ５３６と比較して、表２に示した。さらに表２に、硬化組成物を８５℃／８５％湿度にて２４時間晒したあとのダイシェア値を示した。
【０１６１】
【表２】
2005532678.tif 000022
【０１６２】
上に示された結果は、事前塗布型でなくまた非流動形態でない類似の流動状のダイ接着剤組成物と比較すると、組成１が優れたダイシア強度を示すことを実証している。
【０１６３】
第２の実施例として、ダイ接着剤材料用としてベンズオキサジン含有化合物を使用して２つの試料を調製した。組成２、３のそれぞれの成分を下の表３に部で示した。
【０１６４】
【表３】
2005532678.tif 000023
【０１６５】
組成２および３は次のようにして調製された。ベンズオキサジンをエポキシ樹脂（組成３用）と一緒に室温でアセトンに溶解した。これに室温で撹拌しながら、樹脂、ＲＩＣＯＮ  １３０およびシランカップリング剤を添加した。最後に、テフロン（商標）充填材を添加し、滑らかなクリーム状のペーストになるまで完全に混合した。
【０１６６】
組成１のように、組成２および３をガラススライド状にキャストした。組成２および３でコーティングされたガラススライドを、約１０〜６０分間９５℃から１２５℃の範囲の温度に曝し、その後、室温まで放置して冷却した。一旦室温にて、半導体チップをそれぞれの組成がコートされたガラススライド状に配置し、チップと基板を一緒に９５から１２５℃に加温してチップを基板に貼り合わせた。それから、１７５℃にて１時間、組成を硬化させた。
【０１６７】
硬化した後、組成２および３についてシェア強度の評価を行った。このように、組成２によって付けられたグラス上の３００ミルのダイは、室温にて６２．８ｋｇｆ、２４５℃の温度にて３．３ｋｇｆ、そして組成３によって付けられらものは、室温で５６．４ｋｇｆ、２４５℃の温度にて２．７ｋｇｆを示した。
【０１６８】
また、組成２および３の開始温度、硬化ピーク温度および硬化エネルギーを決めるために走査型示差熱計にかけた。組成２は、１９０℃の開始温度を有し、組成３は１９５℃の開始温度を有することが観察された。組成２は、２１４℃に硬化ピークがあり、一方組成３は、２２２℃に硬化ピークがあることが実証された。組成２は、さらに１７１．７５Ｊ／ｇの硬化エネルギーを有し、組成３は、９１．７Ｊ／ｇの硬化エネルギーを有することが示された。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】図１は、基板のアセンブリーに先立って事前塗布されたダイ取り付けの、本発明の１形態の半導体チップの模式的図である。
【図２】図２は、基板に組み立てられた図１の半導体チップを含む回路アセンブリーの模式的図である。
【図３】図３は、チップスケールパッケージに組み立てられた、半導体チップを含む本発明の異なる実施形態の回路アセンブリーの模式的図である。
【図４】図４はウエハーバックサイド適用の概要を示す図である。
【図５】図５はウエハーバックサイド適用の概要を示す図である。
【図６】図６は基板に適用した概要を示す図である。
【図７】図７は、層間誘電材料を備えた半導体チップの概要を示す図である。
【図８】図８は、上部の半導体チップがダイ取り付け接着性材料を事前塗布されている積層ダイに適用した概要を示す図である。
【図９】図９は、半導体チップとのアセンブリーに先立ち、事前塗布された本発明の１形態のダイ取り付けキャリヤー基板の概要を示す図である。
【図１０】図１０は、下部半導体チップがダイ取り付け接着性材料を事前塗布されている積層ダイに適用した概要を示す図である。
【図１】
2005532678.tif 000033
【図２】
2005532678.tif 000034
【図３】
2005532678.tif 000035
【図４】
2005532678.tif 000036
【図５】
2005532678.tif 000037
【図６】
2005532678.tif 000038
【図７】
2005532678.tif 000039
【図８】
2005532678.tif 000040
【図９】
2005532678.tif 000041
【図１０】
2005532678.tif 000042
【国際調査報告】
2005532678.tif 000043