(57)【要約】本発明のウエハ上のボンディングパッドを超清浄に保つ方法及びウエハは、ダイの上に超清浄なボンディングパッドを有する切断されたウエハを教示しており、ワイヤボンドの強度を増しそしてパッケージされた半導体ダイのより大きい留まりと改善された信頼性をもたらすものである。ダイシングの準備が出来た清浄なウエハが、除去可能で絶縁性のある水溶性の非イオン性膜で覆われ、清浄な切断を向上させ更に蓄積を減少させる。該保護膜は熱によって硬化され、そしてダイシングソーに使用される冷却水によって剥離されることを防ぐ。しかしながら、ダイシングの後、前記保護膜は高圧の温かい純水を使用してウエハ洗浄装置で剥離できる。前記保護膜の剥離の後、前記電極パッドは、ダイシング前とほとんど同じくらいに清浄である。前記膜は切断されたウエハの使用の準備が出来るまで保護層として使うことが出来る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングテープにマウントされた、切断される清浄なウエハを準備する工程と、
切断される前記ウエハの表面に中性に硬化した水溶性膜を付着する工程と、
前記水溶性の膜及び前記ウエハを貫いて前記ダイシングテープの中まで部分的に切断する工程と
前記水溶性膜を除去することなく、前記ウエハを切断中、清浄な冷水で該ウエハを冷却する工程と、
前記ウエハを高圧の清浄な脱イオン温水を用いて、個々の切断されたダイの表面及び前記ウエハの切断されたカーフから前記中性の硬化した水溶性膜を除去するためにウエハ洗浄装置で洗浄する工程、及び
前記ダイシングテープにマウントされた前記ウエハから個々のダイを取外す前に前記ウエハを乾燥させる工程とを含む、単体化又はダイシング工程中にシリコンウエハ塵埃及び汚染からウエハボンディングパッドを保護する方法。
【請求項２】
前記清浄な冷水は、もし中性の硬化した水溶性膜によって保護されていなければ、通常は前記ダイの露出したボンディングパッドと反応する非脱イオン水を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記中性の硬化した水溶性膜を付着する工程は、前記ウエハの上面に粘性のある液体を均一に付着させる工程と前記膜を硬化及び乾燥させる工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記膜を硬化及び乾燥させる工程は、該膜を紫外線（Ｕ.Ｖ.）又は赤外線（Ｉ.Ｒ.）で感光させる工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ウエハの表面に膜を付着する工程は、粘性のゲル、ペースト又は液体を付着する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ダイに切断されるべき清浄なウエハを第１のダイシングテープ上にマウントする工程と、
中性で硬化性のある水溶性の第１の膜を切断される前記ウエハの上面に付着させる工程と、
冷水中で溶けるのを避けるために前記水溶性の膜を硬化させる工程と、
前記水溶性の膜を貫いて前記ウエハの中まで部分的に切断する工程と、
前記ウエハの塵埃及び前記水溶性の膜を除去するために、前記切断されたウエハをウエハ洗浄装置で洗浄する工程と、
前記洗浄され切断されたウエハを乾燥する工程と、
中性で硬化性のある水溶性の第２の膜を前記ウエハの上面及び前記ウエハのカーフの中に付着させる工程と、
前記中性で硬化性のある水溶性の第２の膜を硬化させ、乾燥する工程と、
前記第２の膜の上部にバックグラインディングテープを付着する工程と、
前記部分的に切断されたウエハの底部から前記ダイシングテープを取り除く工程と、
前記ウエハを極めて清浄な端部を有する個々のダイに分離するために前記ウエハの前記底部の一部分を除去する工程と、
ウエハ塵埃を除去するために、前記切断されたウエハをウエハ洗浄装置中で洗浄する工程と、
前記洗浄され、切断されたウエハを乾燥する工程と、
前記洗浄され切断されたドライウエハを第２のダイシングテープにマウントする工程と、
バリや欠けの無い端部を持つ個々のダイを提供するために、前記ウエハから前記バックグラインディングテープ及び前記中性で硬化性のある水溶性の一つ又は複数の膜を除去する工程を含むことを特徴とする、切断作業によってウエハから分離する際に、ウエハボンディングパッドをシリコンウエハ塵埃及び汚染から保護する方法。
【請求項７】
前記ウエハの底部の一部分を除去する工程は、エッチング又はバックグラインディング工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ウエハの底部の一部分を除去した後に前記洗浄され、切断されたウエハを洗浄する工程は、前記水溶性の一つ又は複数の膜を除去しないように、清浄な冷水で洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ウエハから、前記中性で硬化性のある水溶性の一つ又は複数の膜を除去する工程は、全ての溶解性の膜及びそこに付着した汚染物を除去するために、前記ウエハを高圧の純水を用いてウエハ洗浄装置で洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記水溶性の膜を貫いて前記ウエハの中まで部分的に切断する工程は、
ダイシングソーの刃及び切断されるウエハへ清浄な中性の冷却水の細流をかける工程を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記清浄な中性の冷却水は清浄な濾過された水道水を含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリヤ、リードフレーム、基板（substrate）又は印刷回路板（ＰＣ板）の内部あるいは上面への最終組立工程の前に行う半導体装置の切断や単体化（singulation）に関するものである。
【０００２】
更に詳しく云えば、本発明は切断または単体化工程中にボンディングパッドやバンプを超清浄に保つための方法および手段に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
従来、薄いダイシングソーブレードを装着したダイシングソーが、ダイシングテープやNITTO(R)テープにマウントされたウエハ上の個々のダイの間にストリート（直線状境界線）やカーフ（切溝）を作るために用いられてきた。NITTO(R)は、ダイシングテープの最大の供給者として知られている。
【０００４】
切断作業は非常に細かいシリコンの粉塵を生じ、この粉塵はダイに付着し、ダイの上のボンディングパッドや電極を覆う。最新式のダイシングソーであっても、切断作業中に冷却水及び洗浄水を使用するので、ウエハ切断後に窪んだボンディングパッドに溜まったシリコン粉塵を除去するために、ウエハ洗浄装置でウエハを洗浄する必要がある。
【０００５】
ウエハの上面及び／又は切断中のカーフでソーブレードに冷却水が噴射される。ウエハの切断や洗浄には純水（D.I. water.）が使用されるが、摩擦によって静電放電（ESD）が生じる。この放電は、最先端の半導体に損傷を与えるに十分な大きさであるのみならず、シリコン粉塵に濡れ不足を生じせしめ、ボンディングパッドにドライスポット汚染を引き起こす。
【０００６】
シリコン粉塵が完全に除去されない限り、ワイヤボンディング及び接着の信頼性問題が生ずる。
【０００７】
シリコン粉塵の微粒子はウエハのブレード上に蓄積されることが知られている。これらの微粒子はブレードローディングを引き起こしてブレードの寿命を縮め、更に動いているブレードが切断を終了する箇所でウエハ底部にチッピングを生じさせる。
【０００８】
半導体製造工場で入手できる純水は、センチメートル当り16ないし18メグオーム程度の導電度を持つものである。もし公知のCO2技術と手順によって社内で処理されると、センチメートル当り最高１メグオームまでの超純水を生成することができ、これによりESDを減少させることができる。この特別な超純水はコストが掛かる。最新式のダイシングソーでは時間当たり５０ガロン使用する。ウエハ洗浄装置は時間当たり3ないし１０ガロンの純水を使用する。ボンディングパッドのダストスポットを減らすために、洗浄サイクル及び冷却水を変えても良い。粉塵を９５％を超えて除去したボンディングパッドを達成し且つ純水の使用をより少なくするためには、洗浄及び冷却水に界面活性湿潤性及び洗浄性のある溶液を加えても良い。
【０００９】
ダイシングソーやウエハ洗浄装置に用いられる高価な超清浄な超純水の必要性を全てではないにせよ大部分とはいえないが殆ど高価格である、の必要性を無くし、また、同時にワイヤボンドの強度を増強するためにボンディングパッドに粉塵の無い面積の割合を増加させるための方法及び手段を提供することが強く望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の主たる目的は、ほとんど粉塵の無い表面とボンディングパッドを有する半導体ウエハを提供することにある。
【００１１】
本発明の主たる目的は、ウエハやダイのボンディングパッドにシリコン粉塵が蓄積するのを防ぐための新規な方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の主たる目的は、全て又は殆ど全ての場合に超純水の必要性を無くし更にCO2処理純水の使用の必要性を無くすことにある。
【００１３】
本発明の主たる目的は、ウエハの底部表面におけるダイチッピングをほとんど除去する方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の主たる目的は、切断作業時のウエハのための、水溶性で除去可能な非イオン性保護膜を提供することにある。
【００１５】
本発明の主たる目的は、切断作業時に導電性ボンディングパッド及びウエハを覆う
静電放電保護膜を提供することにある。
【００１６】
本発明の主たる目的は、シリコンウエハのための、除去可能で水溶性の非イオン性膜を提供することにある。  
本発明の一般的な目的は、切断作業時における純水の必要性を実質的に除去した方法を提供することにある。
【００１７】
本発明の一般的な目的は、ウエハ洗浄作業時における高純度の純水の必要性をより少なくし、更に、超純水の必要性をほとんど無くした方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明のこれら及び他の目的によれば、切断の準備ができた清浄なウエハは、除去可能で水溶性の非イオン性膜で覆われる。この膜は、ゲル、ペースト、又は粘稠液の噴射などを紫外線、赤外線あるいは対流の如き熱によって硬化させたものから作られる。この硬化された膜は、ダイシングに用いられる冷水では溶けにくいが、ダイシングの後ウエハ洗浄装置の中で温水及び高圧水を用いることによって除去することができる。この保護膜は、切断されたダイのボンディングパッド凹部へのウエハ粉塵の堆積をほとんど排除する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１にはダイシングテープにマウントされる前で且つ個別のダイ１１に切断される前の従来技術による清浄なシリコンウエハ１０の等角投影図が示されている。
【００２０】
初期の段階では、ウエハを個別のダイにダイシングする際には、ダイヤモンドのダイシングブレードを滑らかにし且つ冷却するために純水が使用されていた。該ダイシングブレードは、研削砥石又はカットオフホイールと同じように、熱が蓄積されないように冷却しなければならない。過剰の熱は薄いダイシングブレードやシリコンウエハを破壊する。純水はそのブレードを冷却し、ウエハを清浄に保つのに役立つ。ダイシング作業によって生ずるサブミクロンサイズのシリコン粉塵が微粒子を作る。この微粒子は、非常に湿りにくくウエハ表面、特にキャリアパッケージと内部接続を取るために金又はアルミニュームの細線が接着されるボンディングパッド領域の上に堆積する傾向がある。ごく最近では、ダイは処理中に損傷を受けないように、ウエハ上の回路を保護し絶縁するための薄い保護層で覆われている。
【００２１】
しかしながら、金、銅あるいはアルミニュームのボンディングパッドは保護層を有していない。該ボンディングパッドは裸の露出した金属であり且つ該保護層の表面より低い位置にある。各ボンディングパッドはダイの上の浅い井戸のようなものである。大部分のシリコン粉塵は、ダイシング中及び洗浄作業後にウエハ表面から洗い流される。
【００２２】
しかしながら、ボンディングパッドは、ダイシング中にダイシング冷却水がウエハを流れるのでシリコン粉塵を蓄積する。低くなったボンディングパッドの表面が、冷却水がウエハを流れる時に粉塵を吸着する。より小さなダイを持つより大きなウエハほど、ボンディングパッドを汚染するシリコン粉塵をより多く生ずる。最近、ダイシング作業に、純水の表面張力を減少し且つシリコン粉塵をウエハ表面から除去し易くするために、界面活性剤を使用するようになってきた。
【００２３】
界面活性剤はブレードを冷却しウエハを清浄にするのに多少は成功しているが、ボンディングパッドを洗浄に保つためには十分成功したとはいえない。
【００２４】
該ボンディングパッド上に過剰なシリコン粉塵があると、金、銅あるいはアルミニュームワイヤボンドの結合強度を弱める。汚染されたボンディングパッドは、その装置が結合され、パッツケージされ、そして、ある電子システムに組み込まれた後にその回路に故障を発生させる。清浄なボンディングパッドは半導体の歩留まりを増加し、信頼性を向上させる。
【００２５】
図２は、複数の窪んだボンディングパッド１２を持つ従来技術による単一のダイ１１の拡大平面図を示すものである。このようなダイは、一側面上に100以上のボンディングパッドを持つこともあり、従って、ここに示されているダイ１１は説明のために一例を示したに過ぎない。好ましい実施例によれば、該ダイ１１はリードフレーム（図示せず）に接合され、そして、電極又はパッド１２はワイヤに接合されている。該ワイヤは、前記パッド１２をフィンガーあるいはリードアウトパッド（図示せず）に接続している。
【００２６】
図３は、図２におけるボンディングパッド１２を説明する拡大縦断面図である。
【００２７】
該ボンディングパッド１２は金、アルミニウムあるいは銅のような導電材料の層１３を有し、該層１３は前記ダイ１１の内部や上部で回路（図示されていない。）に接続されている。窪んだボンディングパッド１２は、ウエハ洗浄装置では簡単に除去できないサブミクロンシリコン粉塵のトラップとして作用する。ダイ１１は、該ダイの内部や上部の回路にとって絶縁性及び保護性のあるパッシベーション層１４で覆われることが好ましい。もし、十分な量の静電荷が電極１２に印加されると、ダイ１１上部の回路は破壊されることがある。ウエハ１０の切断及び洗浄作業中に静電放電（ESD）を避けることが重要である。
【００２８】
図４を参照すると、ダイシングテープ１５上にマウントされた従来技術に係わるウエハ１０の複数のダイ１１を示す拡大断面図である。従来技術におけるストリートやカーフ１６が、1インチの１０００分の一（０．０２５４ｍｍ）程度のダイシングテープの中まで延びて、完全に他の部分から一つのダイ１１を分離している。該ダイは、通常1インチの千分の１（ミル）の６ないし２０（０．１５２４〜０．５０８ｍｍ）の厚さで、サイズは一側面が１８ミル（０．４５７２ｍｍ）から約４５０ミル（１１．４３ｍｍ）までと差がある。
【００２９】
図４に示されるように切断され、洗浄されたダイ１１のウエハ１０は、ボンディングのための良品ダイを選択するダイボンダで使用することができ、あるいは、テープキャリヤに良品ダイを搭載するために使用することができる。または、機械（図示せず）への搬出及び搬入に使用されるトレーに搭載するために使用することが出来る。
【００３０】
製造及びアセンブリ作業次第ではあるが、図４に示す切断され、テストされたウエハは、通常は直ちにシステムに組み込まれることは無いので、使用されるまで保護されていなければならない。
【００３１】
図５には、図１及び図４のウエハ１０と同じような、ダイシングされたり切断される前の可撓性ダイシングテープあるいはNITTO(R).テープ１５にマウントされた清浄なウエハ１０の拡大断面図が示されている。該ウエハ１０には保護層又は膜１７が設けられている。該保護膜はフォトレジストスピンナーの中でスプレーあるいは塗布され、それからＵ.V.又はI.Rあるいは対流によって硬化される。
【００３２】
好ましい実施例では該保護膜は、平方インチ当り最高約１４００ポンド迄の高圧下で温水に対して水溶性であるが、ダイシングソーに使用される冷却水の存在下では溶けない。
【００３３】
該非イオン性の膜は、水溶性でU.V.硬化型の保護皮膜から成っている。前記膜１７は絶縁性であり、前記導電性の電極又はパッド１２を覆ってシリコン粉塵及びESDから遮蔽している。
【００３４】
図６を参照すると、図５のウエハが完全に切断され、且つダイシングテープ１５の内部まで切り込まれた後のウエハが示されている。該ダイシングテープ１５には分離されたダイ１１が貼着されて残っている。図６に示すウエハがウエハ洗浄装置で洗浄されると、前記膜１７と全てのシリコン粉塵が、前記ウエハ１０、カーフ１６及びパッド１２から除去される。この清浄なウエハは、キャリアー等での更なる処理あるいはワイヤボンディングの前のダイボンディング等に対する準備が出来たことになる。
【００３５】
図７を参照すると、図５に示されているタイプのウエハ１０が、カーフあるいはストリートが前記ダイシングテープ１５の中までは至らない程度に切削加工あるいは切断された後の拡大断面図が示されている。前記カーフ１８の深さは、該カーフ１８の底部に亀裂や割れが生じないように選択される。次の工程に進む前にこのウエハは、全ての粉塵と汚染物を除去するためにウエハ洗浄装置で洗浄されが、この工程で保護層１７を部分的にあるいは全てを除去する必要はない。
【００３６】
図８を参照すると、図７に示されているウエハが洗浄された後、もし第１の膜１７が存在していればこの上に、あるいは前記ウエハのダイ11の上に、第２の除去可能で水溶性の膜１９が被着された状態のウエハの拡大断面立面図を示すものである。NITTO  DENKＯ（Ｒ）CORPから入手できるバックグラインディングテープ２１が第2の膜１９の上面に貼着される。これにより、外側にNITTO(R)テープ１５及び２１を有する硬い又は堅牢なサンドイッチができる。
【００３７】
図９を参照すると、テープ１５が除去されダイ１１（ウエハ１０）の底部が研磨されあるいはエッチングされた後の図８に示されているウエハの拡大断面図を示すものである。バックグラインディング及びプラズマエッチマシン(図示せず)は市販されている。ダイ１１の底面端部２２には、回路や小さなダイの精密なサイズに影響を及ぼし得る欠けや割れはない。
【００３８】
もしダイ１１が、バンプ付のフリップチップやボールグリッドアレイ（BGA）のようにフェースダウンにマウントされるなら、ダイを積み重ねるために完全無欠な底部表面であることが望まれる。図９のウエハは、全てのグラインディング及び/又はエッチング塵埃を除去するために洗浄されるが、膜１９及び/又は膜１７は除去せずに残しダイ１１を適正な間隔に維持している。
【００３９】
図１０を参照すると、分離されたダイのアレイの底面に第2のダイシングテープ２３が貼着された後の図９におけるダイ11のサンドイッチを示すものである。
【００４０】
図１１を参照すると、バックグラインディングテープ２１を除去した後の図１０におけるダイ11のサンドイッチを示すものである。該バックグライディングテープ２１が除去されることにより、水溶性の膜１９及び／又は１７は、保護電極１２を傷つけないようにウエハ洗浄装置の中で純水又は超純水を用いて除去することが出来る。
【００４１】
いくつかのダイは高純度の水道水で清浄及び洗浄されることも考えられるが、これはウエハによっても異なり、現在の処理工程を変更する価値は無い。と言うのは、ダイシングソーで大量の純水の使用が既に節約されているからである。図１１は使用の準備ができたダイシングテープ２３上のダイのアレイを示すものである。
【００４２】
図１２について説明すると、７つのブロックと工程２９−３１の具体的な例を示すブロックダイアグラムである。これらの工程は図５及び6図に示される保護されたウエハを製造するために使用される。いくつかの工程は異なる順序で実施してもよい。この工程は特定の例を示しており、ウエハ処理技術分野の当業者によって変更しうるものである。
【００４３】
工程２４から３０は、自明であるので、更なる説明は必要ないと思われる。しかしながら、工程２８は前記ウエハを切断する際に冷却水を必要とする。超純水は要求されないことが理解できるであろう。更に、市販の純水は要求されない。従って、清浄な濾過された冷却水を供給することに充分熟練している者にとっては、一時間一切断当たり５０ガロンの純水を節約できる。とにかくこの方法により、高純度シリコンの塵埃のないボンディングパッド１２を形成出来るようになった。これは今まで出来なかったことである。
【００４４】
もし製造業者が、清浄な濾過された水道水を供給することに充分熟練していれば切断時の冷却水として使うことは出来るが、洗浄装置の最後の洗浄水は、超純水であることが必要である。
【００４５】
図１３を参照すると、１５のブロックと他の具体例を示したブロックダイアグラムである。該具体例のブロック３２から４６の工程は、順序を変えても良い。この方法は、前記ダイ１１に完璧な底端部２２を実現するために、バックグライディングテープ２１を使用する際に二つの保護膜１７及び１９並びに二つのダイシングテープ１５及び２３が用いられる点において前述の方法と異なる。
【００４６】
図１３のブロック３６に示す方法によれば、図１２のブロック２８と同様に、超純水又は純水の節約が出来る。しかし、ブロック３７では、もし、最終の洗浄工程４５まで保護フイルム１７が電極又はパッド１２から除去されなければ、純水を使う必要が無い。
【００４７】
ブロック３２から３５で述べた工程は自明であるので、明細書中で更なる説明は要しないと思われる。
【００４８】
要約すると、パッド１２（又は電極）が形成された清浄な上面を有する従来技術のウエハ１０が、ダイシングの前に保護被膜１７によって覆われ、切断されたダイが使用される準備が出来るまで、パッド１２を清浄に保っている。このように、膜又は保護被膜１７は、使用の準備が出来るまでウエハ１０の上に残され、搬送及びハンドリング中の保護被膜としての役目をする。
【００４９】
ウエハやダイの多くの製造業者は、完全なウエハをアセンブリー請負業者に供給し、そこでダイをキャリア、キャリアテープ、ワッフルトレイ又は他の形態のキャリアに載置したり、あるいはダイシングテープから直接ダイを選び取る。このように本発明はボンドパッドの清浄度を増加せしめるだけでなく、処理中の純水のコストを低減せしめる。更にウエハ及びダイに対して使用の準備ができるまで付加的な保護の役目を果たす。
【００５０】
好ましい方法やその使用に関する変形例について説明してきたが、超清浄ダイパッド及びチップフリーの保護されたダイを提供するために、当業者であれば特許請求の範囲の本発明から逸脱することなく工程の順序を変更することが出来る。テストの前後、保護被膜がある場合及び無い場合もボンディングパッド１２上のシリコン塵埃残留物は殆ど１００％残存していない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、ダイシングテープにマウントされる前で且つ個別のダイに切断される前の、従来技術に係わる清浄なシリコンウエハの等角投影図を示すものである。
【図２】図２は、ウエハから切断あるいは角切りされた後の従来技術による単一のダイの拡大平面図で、複数のボンディングパッドを示すものである。
【図３】図３は、図２のボンディングパッドを線３−３に沿って切った拡大断面図を示すものである。
【図４】図４は、ウエハの全厚みを経てダイシングテープの中まで切り込まれ、ダイは粘着性のあるダイシングテープ上にマウントされている、従来技術に係わるウエハの複数のダイを示す拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明に係るウエハに切断作業が行われる前に形成された除去可能な保護被膜を示す図４に類似した拡大断面図である。
【図６】図６は、図５のウエハが切断された後で、しかし、前記保護被膜は除去される前の該ウエハの拡大断面図を示すものである。
【図７】図７は、図５に示されるタイプの他のウエハの拡大断面図を示すものであるが、底面の割れや欠けを避けるために切断はウエハを貫通していない。
【図８】図８は、図７に示されているウエハが、洗浄によって切断の残渣が除去された後で且つ該ウエハの上面に第２の除去可能な水溶性の膜とバックグラインディングテープが加えられた後の拡大断面図を示すものである。
【図９】図９は、図８に示されているウエハの、ダイシングテープ及び該ウエハの底部の一部分が除去された後の拡大断面図を示すものである。
【図１０】図１０は、図９に示されているウエハが洗浄され、乾燥されそして該ウエハの底部に第２のダイシングテープが貼られた後の拡大断面図を示すものである。
【図１１】図１１は、図１０に示されているウエハのバックグライディングテープ及び第２の保護膜を除去した後の拡大断面図を示すものである。
【図１２】図１２は、図６に示される保護されたウエハを製造するために使用される具体的な工程の一例を示すブロックダイアグラムである。ここではウエハは、図４に示されるウエハを作るために洗浄され、乾燥される。
【図１３】図１３は、図５及び図７から図１１に示されるウエハを用いて図４に示されるウエハを作るために使用される具体的な工程の一例を示すブロックダイアグラムである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2005533376.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2005533376.tif 000015
【国際調査報告】
2005533376.tif 000016
2005533376.tif 000017
2005533376.tif 000018