(57)【要約】アクティブマトリクスディスプレイ装置（１６）用のアクティブプレート（２）であって、アクティブプレート（２）は、基板（４）と、画素領域（６）と、隣接する駆動回路領域（８）とを含んでいる。両領域は、金属を使用して結晶化処理を促進する処理によって形成される多結晶シリコン材料（ＭＩＣ多結晶シリコン）を含んでいるが、駆動回路領域（８）のＭＩＣ多結晶シリコンにのみエネルギービーム（１０）を使用した照射処理が施される。マトリクスディスプレイ装置の画素領域においてスイッチング要素としての使用を可能にする充分に低いオフ状態でのリーク電流を有するＭＩＣ多結晶シリコンで、ＴＦＴが製造される。駆動回路領域（８）のみに照射が行われて所望の移動度を有する多結晶シリコンが提供されるので、照射処理に要する時間は大幅に短縮される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクスディスプレイ装置用のアクティブプレートであって、
基板と、画素領域および隣接する駆動回路領域とを備えており、前記画素領域および前記駆動回路領域はともにＭＩＣ多結晶シリコンを含んでおり、前記駆動回路領域におけるＭＩＣ多結晶シリコンのみにエネルギービームを用いたアニーリング処理が施されたアクティブプレート。
【請求項２】
前記駆動回路領域が、それぞれＭＩＣ多結晶シリコンを含むデジタル回路領域とアナログ回路領域とを備えており、前記デジタル回路領域におけるＭＩＣ多結晶シリコンのみにエネルギービームを使用したアニーリング処理が施されたことを特徴とする請求項１に記載のアクティブプレート。
【請求項３】
前記駆動回路領域のほぼ全てのＭＩＣ多結晶シリコンが、前記画素領域の片側に位置していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアクティブプレート。
【請求項４】
前記ＭＩＣ多結晶シリコンは、１．３ｘ１０１８〜７．５ｘ１０１８原子／ｃｍ３の範囲の濃度でニッケルを含んでいることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のアクティブプレート。
【請求項５】
ＭＩＣ多結晶シリコンが、約２．５ｘ１０１８原子／ｃｍ３の濃度でニッケルを含んでいることを特徴とする請求項４に記載のアクティブプレート。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のアクティブプレートを含んでいるアクティブマトリクスディスプレイ装置。
【請求項７】
マトリクスディスプレイ装置用のアクティブプレートを製造する方法であって、前記アクティブプレートは画素領域と、隣接する駆動回路領域とを有しており、
（ａ）基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積するステップと、
（ｂ）前記画素および駆動回路領域に、アモルファスシリコンの結晶化を加速させる金属要素を添加するステップと、
（ｃ）前記基板を加熱して、前記アモルファスシリコン膜のアモルファスシリコンを結晶化させて、ＭＩＣ多結晶シリコンを形成するステップと、
（ｄ）前記駆動回路領域のＭＩＣ多結晶シリコンにエネルギービームを照射するステップとを具備する方法。
【請求項８】
前記駆動回路領域が、それぞれＭＩＣ多結晶シリコンを含むデジタル回路領域とアナログ回路領域とを具備し、ステップ（ｄ）では、完成後の前記アクティブプレートの前記デジタル回路領域において使用されるＭＩＣ多結晶シリコンのみにエネルギービームが照射されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ｂ）において、前記金属要素はニッケルであり、１．３ｘ１０１８〜７．５ｘ１０１８原子／ｃｍ３の範囲の濃度で前記アモルファスシリコン膜に添加されることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ｂ）において、前記金属要素はニッケルであり、約２．５ｘ１０１８原子／ｃｍ３の濃度で前記アモルファスシリコン膜に添加されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
添付図面を参照して実質的にここに記載されるアクティブマトリクスディスプレイ装置用のアクティブプレート。
【請求項１２】
添付図面を参照して実質的にここに記載されるアクティブマトリクスディスプレイ装置。
【請求項１３】
添付図面を参照して実質的にここに記載されるアクティブマトリクスディスプレイ装置用のアクティブプレートを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多結晶シリコン薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクスディスプレイ装置と、その製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に対してキャリヤ移動度の高い多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）は、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤｓ）およびアクティブマトリクスポリマーＬＥＤディスプレイ（ＡＭＰＬＥＤｓ）などの広域電子機器に用いられるものとして興味深い材料である。従来、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴｓ）などで使用される多結晶シリコン膜は、固相結晶化（ＳＰＣ）で製造されてきた。これは、絶縁基板上へのアモルファスシリコン膜の堆積と、長時間の間、高温（通常、最高２４時間、６００℃を超える温度）にこのアモルファスシリコン膜をさらすことによるアモルファスシリコン膜の結晶化とを必要とする。
【０００３】
別の方法としては、ＵＳ−Ａ−５１４７８２６に、例えばアモルファスシリコン膜上にニッケルの薄膜を堆積する工程と、その膜にアニーリングを施す工程とを含むアモルファスシリコン膜を低温で結晶化させる方法が開示されている。金属は６００℃未満の温度で結晶成長に触媒作用を及ぼし、また別の方法よりも速く結晶を成長させる。例えば、ＵＳ−Ａ−５１４７８２６の方法を使用した一般的アニーリングは、約５５０℃で１０時間である。これは、少なくとも２つの理由から先行する方法よりも改善されていることを意味する。まず、通常ガラス圧縮硬化を受け、６００℃以上の温度でひずみが生じるホウケイ酸塩などの低コストの非アルカリガラス基板の使用を可能とし、また第二に、アニーリング期間が短くなり、製造処理量が増加するので、関連する製造コストが減少し得る。ＵＳ−Ａ−５１４７８２６の内容を、ここに参考として組み込む。
【０００４】
例えば、ＵＳ−Ａ−５１４７８２６に記載されているように、金属要素を使用して結晶化処理を促進させる処理によって形成される多結晶シリコン材料を、以後金属誘導結晶化多結晶シリコン（metal induced crystallization poly-Si）またはＭＩＣ多結晶シリコンと呼ぶ。
【０００５】
公知のアクティブマトリクスディスプレイ装置において、表示画像は、装置の基板の「画素領域」上にわたって行および列に配分された画素のアレイによって生成される。単一または複数のＴＦＴが各画素に設けられて、それぞれの画素を制御する。ＴＦＴを含む集積駆動回路は、画素領域周辺の同一基板上の「駆動回路領域」に設けられる。表示される画像を定義する信号は駆動回路に送られ、次に駆動回路が画素に信号を送って、画像を生成する。ＵＳ−Ａ−５７５６３６４に記載されているように、駆動回路領域のＴＦＴが高い移動度を有していることが好ましく、また画素領域においては、ＴＦＴが充分に小さなオフ電流を有しており、またディスプレイにわたるＴＦＴのオフ電流の変化が最小化されていることが更に重要である。ＵＳ−Ａ−５７５６３６４の内容をここに参考として組み込む。
【０００６】
ＵＳ−Ａ−５７５６３６４は、ＭＩＣ多結晶シリコンの結晶度（crystallinity）がこのＭＩＣ多結晶シリコンにレーザー光を照明することによって改善することが開示されている。このように形成されたＴＦＴは１００ｃｍ２／Ｖｓを超える比較的高い移動度を有しているので、アクティブマトリクスディスプレイの駆動回路に好適であると述べている。しかし、このようなＴＦＴはトランジスタ毎に大きく変化する大きなオフ電流を有しているので、ディスプレイの画素領域での使用には適さないと言われている。ＵＳ−Ａ−５７５６３６４は、駆動回路領域のみにＭＩＣ多結晶シリコンを形成し、次に駆動回路領域と画素領域とにそれぞれ異なるレーザー照射エネルギー密度で照射することによって、画素領域に多結晶シリコンを形成することを提案している。駆動回路領域のＴＦＴは上述した適切な性質を有しており、また画素領域に形成されたＴＦＴは２０ｃｍ２／Ｖｓよりも低い比較的小さな移動度を有しているが、オフ電流の変化は小さい。駆動回路領域へのＭＩＣ多結晶シリコンの形成を制限するために、結晶化処理を向上させるために用いられる金属要素を含む溶液を添加するのに先立って、二酸化シリコンマスクを画素領域上にわたって形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、装置の駆動回路領域と画素領域とにおいて異なる電気的性質を有する多結晶シリコンを含む改良されたアクティブマトリクスディスプレイ装置と、このような装置を製造する方法とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、アクティブマトリクスディスプレイ装置用のアクティブプレートであって、基板と、画素領域と、隣接する駆動回路領域とを具備し、前記両方の領域ともＭＩＣ多結晶シリコンを含んでおり、前記駆動回路領域におけるＭＩＣ多結晶シリコンのみにエネルギービームを使用したアニーリング処理が施されているアクティブプレートを提供する。
【０００９】
本発明は更に、マトリクスディスプレイ装置用のアクティブプレートを製造する方法であって、前記アクティブプレートが画素領域と、隣接する駆動回路領域とを有しており、
（ａ）基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積するステップと、
（ｂ）前記画素および駆動回路領域に、アモルファスシリコンの結晶化を加速させるための金属要素を加えるステップと、
（ｃ）前記基板を加熱して、前記膜のアモルファスシリコンを結晶化させて、ＭＩＣ多結晶シリコンを形成するステップと、
（ｄ）前記駆動回路領域のＭＩＣ多結晶シリコンにエネルギービームを照射するステップとを具備する方法を提供する。
【００１０】
ＭＩＣ技術を使用して製造されたＴＦＴは、その「オフ」状態おける比較的高いリーク電流の問題を有していたため、ＡＭＬＣＤの画素領域などの用途で使用するには不適切であった。出願人は、マトリクスディスプレイ装置の画素領域における切替要素として使用することができるほど充分にオフ状態でのリーク電流が低いＭＩＣ多結晶シリコンでＴＦＴを製造できると判断した。
【００１１】
出願人は、プロセスパラメータの或る組み合わせにより、驚くほど優れた動作特性を有する装置が得られると分かった。２４時間以上の長いアニーリング時間と１０１８〜５ｘ１０１９原子／ｃｍ３の多結晶シリコン材料における平均ニッケル濃度とを組み合わせることが、特に有益であると思われる。好適には、アニーリング時間は３６時間以上である。また、多結晶材料における平均ニッケル濃度は、好適には２．５ｘ１０１８〜２．５ｘ１０１９原子／ｃｍ３の範囲である。
【００１２】
また、２４時間以上のアニーリング時間と１０１８〜５ｘ１０１９原子／ｃｍ３の多結晶シリコン材料における平均ニッケル濃度とを組み合わせることと、イオン注入によってアモルファスシリコンにニッケルを注入することとは、実質的に改善された結果につながると考えられる。３６時間以上の長いアニーリング時間および／または２．５ｘ１０１８〜２．５ｘ１０１９原子／ｃｍ３の範囲の多結晶材料におけるニッケル濃度は、この方法においても有利に採用することができる。
【００１３】
これまで、ＭＩＣ処理によって形成された多結晶シリコンＴＦＴにおける容認されないほど高いリーク電流は、例えばニッケルなどの触媒イオンの存在によって生じると言われている。しかし、本出願人は、リークの重大な原因が、ＭＩＣ処理の後に残っている結晶化されていないアモルファスシリコンの領域であることを発見した。アニーリング時間を長くすると、これらのアモルファスシリコン領域の大きさを縮小し、さらには、これらを除去するために２通りの仕方で結晶化が生じる。結晶化の最初の段階では、ＭＩＣが優勢である。アモルファスシリコン膜は、ＮｉＳｉ２シリサイド相のマイグレーションによって針状の粒子に結晶化される。しかし、ＮｉＳｉ２の析出は、他の粒界、他のシリコン針、あるいはアモルファスシリコン面の上部および底部に接触したときに、停止してしまう。従って、この段階は終了し、針状の粒子構造体の間に少量のアモルファスシリコンが残る。アニーリングを続行すると、針状の粒子の厚さはＳＰＣによって増加するので、アモルファスシリコンの残留容積は小さくなる。
【００１４】
前記のように、アニーリング時間の延長と他の所定のパラメータとを組み合わせることによって、改良された特徴を有する多結晶シリコン材料が得られることが分かった。長いアニーリング時間の使用は、ＡＭＬＣＤ製造の傾向が（例えば、携帯情報端末および携帯電話などにおける）基板上の多結晶シリコンにおいて特別に回路の集積化レベルの高い小型ディスプレイ基板の製造へと向かっていることによって補償されるが、これはこのような装置の高スループットに対する要望がそれほど大きくならないと思われるからである。また、小さなディスプレイのバッチ処理は、間隔をおいたアニーリング処理を通して開始され、実用的でないほど大きくかつ高価な炉を使用することなく基板への必要な供給を行うことができる。
【００１５】
また出願人は、１．３ｘ１０１８〜７．５ｘ１０１８原子／ｃｍ３の濃度範囲において金属原子を使用することによって、これまで考えられてきた必要時間よりもかなり短い所要時間のアニーリング処理で、アクティブマトリクスディスプレイ装置の画素領域で使用可能なリーク特性を有する多結晶半導体ＴＦＴを形成することが可能となることを見出した。このようなＴＦＴおよびその製造方法は、同時係属出願の英国特許出願第０２１５５６６．１号（我々の参照番号はＰＨＧＢ０２０１０９）に記載されており、その内容をここに参考として組み込む。約５５０℃の温度で２０時間というアニーリング時間により所望の特性が得られるが、上述した金属濃度により６００℃以下の温度でアニーリング時間を１０時間、さらには８時間、あるいはそれ以下に短縮させることができることも分かった。これは、製造プロセスにおける充分な生産性および能率の向上につながる。
【００１６】
好適には、多結晶半導体金属における金属原子の平均濃度は、１．９ｘ１０１８原子／ｃｍ３〜５ｘ１０１８原子／ｃｍ３の範囲にある。更に好適には、金属原子の平均濃度は約２．５ｘ１０１８原子／ｃｍ３である。
【００１７】
また、ＭＩＣアニーリング処理の間に基板に電界を印加すること（電界エンハンストＭＩＣまたはＦＥＭＩＣとしばしば呼ぶ）は、処理を加速することができ、その処理時間を短くすることができることも分かった。ＦＥＭＩＣの例は、Jin Jang等による、Nature、第３９５巻、４８１〜４８３頁の「アモルファスシリコンの電界演算ハンスト結晶化（Electric-field-enhanced crystallization of amorphous  silicon）」に説明されており、ここにその内容を参考として組み込む。
【００１８】
ＭＩＣ処理においてニッケルの代わりに、あるいはニッケルと共に他の金属を使用できることが理解されるであろう。例えば、Ｎｉ、  Ｃｒ、  Ｃｏ、  Ｐｄ、  Ｐｔ、  Ｃｕ、  Ａｇ、  Ａｕ、  Ｉｎ、  Ｓｎ、  Ｐｂ、  ＡｓおよびＳｂからなるグループから選択した単一または複数の要素を使用することができる。更に好適には、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｄのグループからの単一または複数の要素が使用される。
【００１９】
添加量、均一性、またイオン深さを正確に制御することができるので、イオン注入が、ＭＩＣ処理においてアモルファスシリコンに金属を混合するのに使用されることが好ましい。しかし、この目的のために他の方法を使用してもよい。例えば、一般的にスピンコーティング法によって、溶液中でアモルファスシリコンに金属原子を添加することができる。他の方法としては、ニッケル層のゾルゲルコーティングまたはスパッタリング、およびアモルファスシリコンＣＶＤ処理中のニッケル前駆体を使用することがある。
【００２０】
ＭＩＣ多結晶シリコンは本発明における画素領域および駆動回路領域の両方に形成されるので、ＵＳ−Ａ−５７５６３６４の方法の場合のように、ＭＩＣ処理で使用される金属要素の導入を制限する二酸化シリコンマスクのスパッタリングおよびパターニングの必要性がなくなる。これにより、製造処理は簡素化され、コスト的な効果も改善する。
【００２１】
また、駆動回路領域のＭＩＣ多結晶シリコンのみにエネルギービームを使用したアニーリング処理が施されるので、この工程にかかる時間を大きく減少させることができる。
【００２２】
通常、エネルギービームはレーザーで生成されるが、例えば赤外線などの他の種類の放射も使用できることを理解されたい。
【００２３】
ＵＳ−Ａ−５７５６３６４に記載されているように、レーザーアニーリング処理においてパルス発振レーザーを使用してもよい。短い時間でパルスを使用することは、結晶化処理の間のディスプレイ基板の加熱を最小限に抑えることに役立つ。本発明者は、パルス発振レーザーを使用すると、レーザーで生成されるエネルギーパルスの強度が大きく変化し、ＭＩＣ多結晶シリコンの質の著しい不均一性を導く場合があることを見出した。上述したように、表示画像の劣化を防ぐために、ディスプレイ装置の画素領域におけるＴＦＴの性質の変化を最小限に抑えることは特に重要である。本発明は、画素領域など、パルスレーザーの使用の結果として生じる変化に影響されやすい装置の領域において、レーザーアニーリング処理を行うことなくＭＩＣ多結晶シリコンを形成することができるというさらなる効果をもたらす。これは、画素におけるＴＦＴが各ＰＬＥＤに供給される電流量を制御することにおいてアナログ的役割を有しているＡＭＰＬＥＤの場合に有益である。
【００２４】
装置の駆動回路領域は、デジタル回路およびアナログ回路の両方を含んでいてもよい。例えば、デジタル処理回路およびアナログ／デジタル変換器の両方が設けられていてもよい。好適には、駆動回路領域のデジタル回路内の多結晶シリコン材料のみに、レーザーアニーリング処理を施していた。これは、アナログ回路が、レーザーアニーリング処理の間のパルスからパルスへの変化によって生じるＴＦＴの構成要素の性質の変化から影響をより受けやすいからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施例を、例示的として、添付の概略図を参照しつつ説明する。図面は概略であり、尺度どおりに描かれてはいない。
【００２６】
図１のアクティブプレート２は、代表的にはガラスで形成され、アクティブマトリクスディスプレイで使用される基板４を備えている。その上面には、矩形の画素領域６と、画素領域を形成する駆動画素用の回路から成る隣接周辺駆動回路領域８とが決定されている。基板に接続され、駆動および画素領域を相互接続するリード線は、図面の明瞭化のために省略されている。画素領域の両側に沿って延びる細長い周辺駆動回路領域の幅ｗは、代表的には、５ｍｍオーダーでよい。画素領域にわたる対角線の長さｄは、携帯装置で使用される小型ディスプレイの場合の約６０ｍｍから、デスクトップまたはＬＣ−ＴＶディスプレイの場合の約４３０ｍｍ以上まで変化させることができる。従って、駆動回路領域８は、画素および駆動回路領域の組合せ領域の小さな部分であることが分かる。駆動回路領域または駆動回路領域の一部分（a proportion of it）にのみ本発明によるレーザーアニーリング処理を施せば足りるので、この工程にかかる時間はかなり短縮される。
【００２７】
図１に示す駆動回路領域８は、領域８ａおよび８ｂを備え、完成したディスプレイ装置においてアナログ回路およびデジタル回路がそれぞれこれらの領域に設けられる。好適な実施例において、上述したように、デジタル回路領域８ｂの材料のみにレーザーアニーリング処理が施される。
【００２８】
次に、図１に示す構成における基板上に多結晶シリコン材料を形成する方法を説明する。まず、例えば、プラズマ加速化化学蒸着法（ＰＥＶＣＤ）を使用して、二酸化シリコン層を基板上に約２００ｎｍの深さに堆積する。次に、アモルファスシリコン膜をＰＥＣＶＤによって約４０ｎｍの厚さに堆積する。
【００２９】
次に、約１ｘ１０１３原子／ｃｍ２の面積濃度のニッケルを、代表的に２０ｋｅＶの注入エネルギーでアモルファスシリコン層に注入する。３０ｋｅＶまでのエネルギーがこの厚さの層で問題なく使用され、所望のリーク特徴を有するＴＦＴが作成される。この不純物量の結果、４０ｎｍの厚さのアモルファスシリコン層内のニッケル原子の平均濃度は、約２．５ｘ１０１８原子／ｃｍ３であることが分かる。
【００３０】
半導体材料は、Ｎ２雰囲気において、５５０℃で約８時間アニーリングを行うことにより、結晶化されることが好ましい。
【００３１】
次に、駆動回路領域８におけるＭＩＣ多結晶シリコン膜に、例えば矩形ビームを発するＫｒＦエキシマレーザーを用いて照射が行われる。
【００３２】
図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った側断面を示している。これは、レーザービーム１０を使用したデジタル回路領域８ｂの照射を示しているが、画素領域６およびアナログ回路領域８ａにはビームが照射されない。
【００３３】
基板面でのレーザービーム１０の長さは、少なくともＬ型駆動回路領域の縁（limbs）の長手方向の長さと同じ長さであることが好ましい。駆動回路領域のみがレーザーを使用してアニーリングされるので、Ｌ型駆動回路領域の縁（limbs）の１つにわたってビームをスキャンし、次に、領域の残り部分にわたってビームをスキャンする前に、基板またはレーザービームを９０度回転させて照射を行なってもよい。代替的に、駆動回路領域の１つの縁を照射した後、ビーム幅を縮小し、それによって、強度が高く狭いビームを、同一方向に継続してより素早く残りの領域部分にわたって通過させてもよい。
【００３４】
レーザーアニーリング処理に要する時間は、さらに小さな領域に駆動回路を配置することにより、さらに短縮させてもよいことを理解されたい。その場合、一定幅であって１方向への単一スキャン動作のみで足りる場合もある。例えば、図３に示すように、駆動回路領域８は、画素領域６の一方の側のみに沿って設けてもよい。ロウおよびカラム電極の両方のセットは、カラム電極に平行な画素領域６を横切って、駆動回路８から延びる追加の電極セットを設けることにより、このようにディスプレイの片側から駆動させることができ、追加の各電極はそれぞれのロウ電極に接続される。
【００３５】
結果として得られるＭＩＣ多結晶シリコン材料は、駆動回路領域および画素領域８、６においてＴＦＴの半導体本体を決定するようにパターニングされる。次に、フォトリソグラフィ、インプランテーション、堆積およびエッチング処理工程が公知の方法で実行され、各多結晶シリコンＴＦＴ構造体を形成することができる。
【００３６】
ＴＦＴの製造後にプラズマ水素化処理を行って、その性能を高めることは好ましい。本発明者は、これは特に、これに記載した、ほとんどまたは全くアモルファス材料を有しない多結晶シリコン材料膜を生成する方法によって製造された材料にとって有益であると考えている。代表的には、これは約３５０℃で約１時間実行される。
【００３７】
図４の側面図に示すように、ＡＭＬＣＤ１６は、完成したアクティブプレート２とパッシブプレート１２との間に液晶材料１４を挟むことによって、公知の方法で形成することができる。
【００３８】
本発明の実施形態がシリコン材料を参照してここに記載されたが、化合物半導体膜（例えば、ゲルマニウムを含むシリコン膜）を本発明に従って使用してもよいことは明らかである。
【００３９】
上述の実施形態では、本発明はＡＭＬＣＤにおいて実施されている。同一の基板上にスイッチングマトリクスおよび集積回路を含むＡＭＰＬＥＤなどの他のアクティブディスプレイ装置に本発明を効果的に採用してもよいことを理解されたい。
【００４０】
本開示を読むことにより、他のバリエーションおよび変形例は当業者にとって明らかであろう。このようなバリエーションおよび変形例は、従来技術で既に公知の均等物および他の特徴であって、尚且つ、上述した特徴の代わりあるいは前記特徴に加えて使用可能な均等物および他の特徴を含んでいてもよい。
【００４１】
本出願において特定の特徴の組合せに対して請求項が作成されているが、本発明の開示の範囲も、新規特徴またはここに明示的あるいは暗示的に開示された特徴の新規組合せ、またはその総括、いずれかの請求項に現在請求されているように同一発明に関連するか否か、また本発明のように同一の技術的問題の一部または全てを緩和するか否かも含んでいることが理解されるべきである。
【００４２】
これにより出願人は、本出願の遂行またはこれから得られる別の出願の遂行の間にこのような特徴および／またはこのような特徴の組合せに対して新規請求項が規定され得ることに言及する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施形態に従ったアクティブマトリクスディスプレイ装置のアクティブプレートの平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面側面図。
【図３】本発明の第２の実施形態に従ったアクティブマトリクスディスプレイ装置のアクティブプレートの平面図。
【図４】本発明を実施するアクティブプレートを含むアクティブマトリクス装置の側面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2005526396.tif 000009
2005526396.tif 000010
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