(57)【要約】【課題】ミリ波やサブミリ波を伝送するための誘電体導波線路であって、線路径が小さい場合であっても、加工及び接続が容易であり、高周波信号の伝送損失及び反射損失が小さい接続構造を形成し得る誘電体導波線路を提供する。【解決手段】誘電体導波線路本体と、前記誘電体導波線路本体よりも誘電率が低い誘電体導波線路端部とを有しており、前記誘電体導波線路本体と前記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されていることを特徴とする誘電体導波線路。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体導波線路本体と、前記誘電体導波線路本体よりも誘電率が低い誘電体導波線路端部とを有しており、前記誘電体導波線路本体と前記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されている
ことを特徴とする誘電体導波線路。
【請求項２】
誘電体導波線路本体と、前記誘電体導波線路本体よりも密度が低い誘電体導波線路端部とを有しており、前記誘電体導波線路本体と前記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されている
ことを特徴とする誘電体導波線路。
【請求項３】
樹脂線の末端を長手方向に延伸して得られたものである請求項１又は２記載の誘電体導波線路。
【請求項４】
前記誘電体導波線路本体の誘電率が２．０５以上２．３０以下であり、
前記誘電体導波線路端部の誘電率が２．２０以下である請求項１、２又は３記載の誘電体導波線路。
【請求項５】
前記誘電体導波線路本体は、硬度が９５以上である請求項１、２、３又は４記載の誘電体導波線路。
【請求項６】
前記誘電体導波線路本体は、２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が１．２０×１０−４以下である請求項１、２、３、４又は５記載の誘電体導波線路。
【請求項７】
前記誘電体導波線路本体の密度が１．９０ｇ／ｃｍ３以上２．４０ｇ／ｃｍ３以下であり、
前記誘電体導波線路端部の密度が前記誘電体導波線路本体の密度に対して９０％以下である請求項１、２、３、４、５又は６記載の誘電体導波線路。
【請求項８】
ポリテトラフルオロエチレンにより形成されている請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の誘電体導波線路。
【請求項９】
中空金属管と請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の誘電体導波線路とを備えており、
前記中空金属管に前記誘電体導波線路端部が挿入されることによって、前記中空金属管と前記誘電体導波線路とが接続されていることを特徴とする接続構造。
【請求項１０】
前記中空金属管の空洞に気体が充満しており、前記気体の誘電率が、前記誘電体導波線路端部の誘電率よりも低い請求項９記載の接続構造。
【請求項１１】
ポリテトラフルオロエチレンからなる樹脂線を得る工程（２）、
前記樹脂線の端部を加熱する工程（４）、及び、
加熱した前記端部を長手方向に延伸して誘電体導波線路を得る工程（５）、
を含む
ことを特徴とする誘電体導波線路の製造方法。
【請求項１２】
工程（４）において、加熱温度は１００℃以上４５０℃以下である
請求項１１記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体導波線路、接続構造、及び、誘電体導波線路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波、ミリ波等の高周波信号を伝送するために、誘電体導波線路、導波管、同軸ケーブル等が使用されている。その中でもミリ波などの高周波周領域の電磁波の伝送路として誘電体導波線路や導波管が使用される。誘電体導波線路は一般的に内層部と外層部からなり、それぞれの誘電率差を利用し、側面反射により電磁波を伝送する。また、外層部は、空気であっても良い。しかし、誘電率の安定化や、取扱い性の面から外層部は、発泡樹脂などの柔らかい低ｔａｎδ、低誘電率構造が一般的である。伝送路を実用化するに当たり、異種の伝送路を接続することが多く、誘電体導波線路から導波管や同軸ケーブルを接続したり、異なる形状の同軸ケーブルを接続したりする。このような異種伝送路の接続に当たり、接続部での反射損失を低減化させるため、両者のインピーダンスやモードの整合をとる必要がある。この整合をとるために、特殊な変換器を使用したり、特殊な構造を採用したりすることによって、インピーダンスやモードを変換整合させている。インピーダンスが急激に変化すると、高周波信号が反射して、伝送効率が損なわれる。
【０００３】
特許文献１には、ファブリ・ペロー共振器の反射鏡に設けられた１つまたは２つの孔に、１本または２本の誘電体導波管を挿入した構造を有する誘電体導波路付き共振器において、反射鏡に設けられた孔から共振部に突き出すように挿入した誘電体導波路の先端を、円錐状などの先細り構造になるように成形しておくことが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、円形同軸線路と矩形同軸線路とを接続するための同軸導波管変換器が記載されており、該同軸導波管変換器が内導体と外導体とが一体化されているリッジ導波管を備えており、内導体を長さ方向にステップ状又はテーパ状に変化させることが記載されている。
【０００５】
特許文献３には、導体平板間に、誘電体線路を設けた非放射性誘電体線路であって、前記誘電体線路に、少なくとも、所定の誘電率の材質からなる誘電体線路（線路１）と、前記線路１の材質より誘電率の低い材質からなる誘電体線路（線路２）とを有することを特徴とする非放射性誘電体線路が記載されている。
【０００６】
非特許文献１には、断面形状が円形のポリエチレン線路の両端に円錐ホーンを設け、ＨＥ１１モードの伝送損失を測定したことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２３０７２号公報
【特許文献２】特開２０１２−２２２４３８号公報
【特許文献３】特開２００３−２０９４１２号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】進藤秀一、大友功、「１００ＧＨｚ帯同軸形誘電体線路」、電子通信学会技術研究報告、１９７５年、第７５巻、第１８９号、ｐ．７５−８０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１及び２に記載の特殊な形状を採用する方法では、誘電体導波線路等の線路径が小さい場合、特殊な形状に加工することが容易ではないため、ミリ波やサブミリ波を伝送させる方法として採用が困難である。また、伝送効率の更なる向上も求められる。また、特許文献１に記載のように、先細り構造を有する誘電体導波管を挿入して変換部に固定させる方法では、誘電体導波管部分を曲げることで応力が加わり、先細り構造の先端の位置が変動するため、変換部において高周波信号の反射特性が変化を引き起こし、性能が安定しない。
【００１０】
また、特許文献３に記載の方法では、誘電率の高い材質の誘電体線路（線路１）を使用する場合に、直接、誘電率の高い材質の誘電体線路（線路１）に電磁波を入出力させるのではなく、誘電率の低い材質の誘電体線路（線路２）を介在させて電磁波を入出力させることにより、線路１に対する、電磁波の反射を抑制することができ、電磁波の入出力も容易になるとされている。しかし、材質の異なる２種類の誘電体線路を接合させる必要がある上、反射の小さい接合面を形成することも容易でない。
【００１１】
また、非特許文献１の方法では、ホーン型の治具を誘電体導波線路に取り付ける必要がある。
【００１２】
そこで、本発明は、線路径が小さい場合であっても、加工及び接続が容易であり、高周波信号の伝送損失及び反射損失が小さい接続構造を形成し得る誘電体導波線路を提供することを目的とする。
本発明はまた、誘電体導波線路と導波管とを接続するための接続構造であって、線路径が小さい場合であっても、加工及び接続が容易であり、高周波信号の伝送損失及び反射損失が小さい接続構造を提供することを目的とする。
本発明はまた、誘電体導波線路本体よりも誘電率又は密度が低い誘電体導波線路端部を有する誘電体導波線路を容易に製造でき、線路径が小さい場合であっても、加工及び接続が容易であり、高周波信号の伝送損失及び反射損失が小さい接続構造を形成し得る誘電体導波線路を製造できる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明が提供する第１の誘電体導波線路は、誘電体導波線路本体と、上記誘電体導波線路本体よりも誘電率が低い誘電体導波線路端部とを有しており、上記誘電体導波線路本体と上記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明が提供する第２の誘電体導波線路は、誘電体導波線路本体と、上記誘電体導波線路本体よりも密度が低い誘電体導波線路端部とを有しており、上記誘電体導波線路本体と上記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第１及び第２の誘電体導波線路において、上記誘電体導波線路は、樹脂線の末端を長手方向に延伸して得られたものであることが好ましい。
【００１６】
本発明の第１及び第２の誘電体導波線路において、上記誘電体導波線路本体の誘電率が２．０５以上２．３０以下であり、上記誘電体導波線路端部の誘電率が２．２０以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明の第１及び第２の誘電体導波線路において、上記誘電体導波線路本体は、硬度が９５以上であることが好ましい。
【００１８】
本発明の第１及び第２の誘電体導波線路において、上記誘電体導波線路本体は、２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が１．２０×１０−４以下であることが好ましい。
【００１９】
本発明の第１及び第２の誘電体導波線路において、上記誘電体導波線路本体の密度が１．９０ｇ／ｃｍ３以上２．４０ｇ／ｃｍ３以下であり、上記誘電体導波線路端部の密度が上記誘電体導波線路本体の密度に対して９０％以下であることが好ましい。
【００２０】
本発明の第１及び第２の誘電体導波線路は、ポリテトラフルオロエチレンにより形成されていることが好ましい。
【００２１】
本発明はまた、中空金属管と上述の誘電体導波線路とを備えており、上記中空金属管に上記誘電体導波線路端部が挿入されることによって、上記中空金属管と上記誘電体導波線路とが接続されていることを特徴とする接続構造でもある。
【００２２】
本発明の接続構造において、上記中空金属管の空洞に気体が充満しており、上記気体の誘電率が、上記誘電体導波線路端部の誘電率よりも低いことが好ましい。
【００２３】
本発明はまた、ポリテトラフルオロエチレンからなる樹脂線を得る工程（２）、上記樹脂線の端部を加熱する工程（４）、及び、加熱した上記端部を長手方向に延伸して誘電体導波線路を得る工程（５）を含むことを特徴とする誘電体導波線路の製造方法でもある。
【００２４】
工程（４）において、加熱温度は１００℃以上４５０℃以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の第１の誘電体導波線路は、中空金属管と接続して使用することができる。また、誘電体導波線路は、中空金属管に挿入することにより両者を接続できるので、中空金属管と誘電体導波線路との接続が容易である。また、誘電体導波線路が、誘電体導波線路本体と、該誘電体導波線路本体よりも誘電率が低い誘電体導波線路端部とを有しているので、誘電体導波線路と中空金属管とのインピーダンスの急激な変化を抑制することができ、伝送損失及び反射損失が小さい接続構造を実現することが可能となる。また、上記誘電体導波線路本体と上記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されているので、接合面を形成するための加工が不要であり、伝送効率にも優れる。誘電体導波線路を曲げてもその応力により接合面でのインピーダンスの変動を生じないため、誘電体導波線路を曲げても安定した特性を示すことができる。
【００２６】
本発明の第２の誘電体導波線路は、中空金属管と接続して使用することができる。また、誘電体導波線路は、中空金属管に挿入することにより両者を接続できるので、中空金属管と誘電体導波線路との接続が容易である。また、誘電体導波線路が、誘電体導波線路本体と、該誘電体導波線路本体よりも密度が低い誘電体導波線路端部とを有しているので、誘電体導波線路と中空金属管とのインピーダンスの急激な変化を抑制することができ、伝送損失及び反射損失が小さい接続構造を実現することが可能となる。また、上記誘電体導波線路本体と上記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されているので、接合面を形成するための加工が不要であり、伝送効率にも優れる。誘電体導波線路を曲げてもその応力により接合面でのインピーダンスの変動を生じないため、誘電体導波線路を曲げても安定した特性を示すことができる。
【００２７】
本発明の接続構造では、中空金属管に誘電体導波線路を挿入することにより両者を接続できるので、中空金属管と誘電体導波線路との接続が容易である。また、誘電体導波線路が、誘電体導波線路本体と、該誘電体導波線路本体よりも誘電率又は密度が低い誘電体導波線路端部とを有しているので、誘電体導波線路と中空金属管とのインピーダンスの急激な変化を抑制することができ、小さい伝送損失及び反射損失を実現することが可能となる。また、上記誘電体導波線路本体と上記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されているので、接合面を形成するための加工が不要であり、伝送効率にも優れる。
【００２８】
本発明の製造方法は、上記構成により、誘電体導波線路本体よりも誘電率又は密度が低い誘電体導波線路端部を有する誘電体導波線路を容易に製造でき、線路径が小さい場合であっても、加工及び接続が容易であり、高周波信号の伝送損失及び反射損失が小さい接続構造を形成し得る誘電体導波線路を容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の誘電体導波線路の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の誘電体導波線路の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の接続構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の接続構造の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の接続構造の一例を示す断面図である。
【図６】実施例で作製した誘電体導波線路を示す断面図である。
【図７】誘電体導波線路本体の屈曲安定性を評価するための試験方法において、誘電体導波線路を屈曲させる方法を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は、本発明の第１及び第２の誘電体導波線路の一例を示す断面図である。図１の誘電体導波線路１は、誘電体導波線路本体３と誘電体導波線路端部２とから構成されており、誘電体導波線路端部２の誘電率又は密度は誘電体導波線路本体３よりも低い。誘電体導波線路本体３と誘電体導波線路端部２とは、誘電率又は密度が異なるが、両者は異なる材料を接合して形成されておらず、従って誘電体導波線路１に接合面は存在しない。
【００３１】
誘電体導波線路本体３とは、誘電体導波線路を任意で１０ｍｍ間隔で切断し、切断した誘電体導波線路の密度が最大となる部分、又は最大密度からの密度変化が５％以内である部分であることが好ましい。
誘電体導波線路端部２の長さをＬ（ｍｍ）、誘電体導波線路本体３の直径をＤ（ｍｍ）とした場合、Ｌ及びＤは、次の条件を満たすことが好ましい。
・Ｄが０．５ｍｍ未満のとき、Ｌ／Ｄ＝２０
・Ｄが０．５ｍｍ以上、１ｍｍ未満の範囲にあるとき、Ｌ／Ｄ＝１０
・Ｄが１ｍｍ以上、１０ｍｍ未満の範囲にあるとき、Ｌ／Ｄ＝５かつＬの最大値をＬ＝１０ｍｍとする。
・Ｄが１０ｍｍ以上のとき、Ｌ＝１０ｍｍとする。
【００３２】
本発明の誘電体導波線路は、誘電体導波線路本体３の誘電率が１．８０以上２．３０以下であり、誘電体導波線路端部２の誘電率が２．２０以下であることが好ましい。本発明の誘電体導波線路は、誘電体導波線路本体３の誘電率が２．０５以上２．３０以下であり、誘電体導波線路端部２の誘電率が２．２０以下であることがより好ましい。
【００３３】
誘電体導波線路本体３の誘電率は、１．８０以上２．３０以下であることが好ましい。上記誘電率は、１．９０以上であることがより好ましく、２．０５以上であることがさらに好ましい。
【００３４】
誘電体導波線路端部２の誘電率は、高い伝送効率が得られることから、２．２０以下であることが好ましく、２．１０以下であることがより好ましく、さらには２．００以下であることが好ましい。
【００３５】
誘電体導波線路端部２は、先端に向かって誘電率が徐々に又は段階的に低くなっていくことも、誘電率の急激な変化を抑制することができることから好ましい。誘電体導波線路端部２の誘電率が先端に向かって低くなっている場合は、誘電体導波線路端部２の先端部の誘電率が上記範囲であることが好ましい。誘電体導波線路端部２の誘電率の低下率は、先端に向かって１ｍｍ当り０．００５％以上であることが好ましく、０．０１％以上がより好ましく、２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
【００３６】
誘電体導波線路端部２の密度が誘電体導波線路本体３の密度よりも低いことも好ましい。このような密度の差を設けることにより、誘電率の急激な変化を容易に抑制することができ、反射損失を抑制でき、高い伝送効率が得られる。
本発明の誘電体導波線路は、誘電体導波線路本体３の密度が１．９０ｇ／ｃｍ３以上２．４０ｇ／ｃｍ３以下であり、誘電体導波線路端部２の密度が誘電体導波線路本体３の密度に対して９０％以下であることが好ましい。
誘電体導波線路本体３の密度は、１．９０ｇ／ｃｍ３以上２．４０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。上記密度は、１．９５ｇ／ｃｍ３以上がより好ましい。誘電体導波線路本体３の密度は、２．２５ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましい。
一般的に、樹脂線において、密度が小さいほど誘電率が小さくなることが知られている。上記密度は、ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７に準拠した液中秤量法にて測定する値である。
【００３７】
誘電体導波線路端部２の密度は、高い伝送効率が得られることから、できるだけ低いことが好ましく、誘電体導波線路本体３の密度に対して９０％以下が好ましく、７０％以下がより好ましく、さらには４０％以下が好ましい。誘電体導波線路端部２の強度の観点から、誘電体導波線路本体３の密度に対して１０％以上が好ましく、３０％以上がより好ましい。
【００３８】
誘電体導波線路端部２は、誘電率の急激な変化を抑制するため、先端に向かって密度が徐々に又は段階的に低くなっていくことが好ましい。誘電体導波線路端部２の密度が先端に向かって低くなっている場合は、誘電体導波線路端部２の先端部の密度が上記範囲であることが好ましい。誘電体導波線路端部２の密度の低下率は、先端に向かって１ｍｍ当り０．０５％以上が好ましく、０．１％以上がより好ましく、さらには０．５％以上が好ましい。また、誘電体導波線路端部２の密度の低下率は、誘電体導波線路端部２の強度の観点から、先端に向かって１ｍｍ当り３０％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、さらには１０％以下が好ましい。
【００３９】
誘電体導波線路本体３は、硬度が９５以上であることが好ましい。上記硬度は、９７以上であることがより好ましく、９８以上であることが特に好ましい。上限は、特に限定されないが、９９．９であってよい。上記誘電体導波線路本体３の上記硬度が上記範囲内であると、高い誘電率を有すると同時に、低い誘電正接を有する誘電体導波線路を容易に実現することができる。また、上記誘電体導波線路は破損しにくく、閉塞や折れを生じにくい。
上記硬度は、ＪＩＳ  Ｋ６２５３−３に規定されていたスプリング式硬さにより測定する。
上記硬度は誘電体導波線路の強度、及び、屈曲安定性への寄与が大きく、より硬度が高い方が、強度が高く、かつ屈曲時の誘電率変動、誘電正接の増加が抑制できる。
【００４０】
誘電体導波線路本体３は、２．４５ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が１．２０×１０−４以下であることが好ましい。上記誘電正接（ｔａｎδ）は、１．００×１０−４以下であることがより好ましく、０．９５×１０−４以下であることが更に好ましい。上記誘電正接（ｔａｎδ）の下限は、特に限定されないが、０．１０×１０−４であってよく、０．８０×１０−４であってよい。
上記誘電正接は、株式会社関東電子応用開発製空洞共振器を使用して、２．４５ＧＨｚで測定する。誘電正接が低いほど、伝送効率に優れた誘電体導波線路となる。
【００４１】
誘電体導波線路は、方形でも円形でもよいが、方形よりも円形の誘電体導波線路の作製が容易であることから、円形とすることがより好ましい。
【００４２】
図２も、本発明の第１及び第２の誘電体導波線路の一例を示す断面図である。図２の誘電体導波線路１は、誘電体導波線路本体３と誘電体導波線路端部２とから構成されており、誘電体導波線路端部２の断面積が誘電体導波線路本体３の断面積よりも小さい態様を示している。誘電体導波線路端部２の断面積が誘電体導波線路本体３の断面積よりも小さいことにより、誘電率の急激な変化を一層抑制することができる。誘電体導波線路端部２の形状は、円錐状、円錐台状、角錐状又は角錐台状であってよいが、作製が容易であるのは円錐状である。
【００４３】
誘電体導波線路本体３の断面積は、０．００８ｍｍ２（φ０．１ｍｍ：１．８ＴＨｚ）以上１８０００ｍｍ２（φ１５０ｍｍ：６００ＭＨｚ）以下であることが好ましい。さらに好ましくは０．２８ｍｍ２（φ０．６ｍｍ：３００ＧＨｚ）以上６４ｍｍ２（φ９ｍｍ：２０ＧＨｚ）以下である。
【００４４】
誘電体導波線路端部２の断面積は、高い伝送効率が得られることから、誘電体導波線路本体３の断面積に対して１％以上が好ましく、５％以上がより好ましく、さらには１０％以上が好ましい。また、９０％以下が好ましく、８０％以下がより好ましく、さらには７０％以下の範囲であることが好ましい。
【００４５】
誘電体導波線路端部２は、先端に向かって断面積が徐々に又は段階的に小さくなっていくことも、誘電率の急激な変化を抑制することができることから好ましい。誘電体導波線路端部２の断面積の低下率は、先端に向かって１ｍｍ当り０．１％以上が好ましく、０．５％以上がさらに好ましく、さらには１％以上が好ましい。また、誘電体導波線路端部２の断面積の低下率は、先端に向かって１ｍｍ当り３０％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、さらには１０％以下が好ましい。
【００４６】
誘電体導波線路１は、ポリテトラフロオロエチレン（ＰＴＦＥ）により形成することが好ましい。ＰＴＦＥは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のみからなるホモＰＴＦＥであってもよいし、ＴＦＥと変性モノマーとからなる変性ＰＴＦＥであってもよい。上記変性モノマーとしては、ＴＦＥとの共重合可能なものであれば特に限定されず、例えば、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）等のパーフルオロオレフィン；クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）等のクロロフルオロオレフィン；トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）等の水素含有オレフィン；パーフルオロアルキルエチレン；エチレン等が挙げられる。また用いる変性モノマーは１種であってもよいし、複数種であってもよい。
上記変性ＰＴＦＥにおいて、変性モノマー単位の量は、全単量単位の３質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、さらには、１質量％以下であることが好ましい。また、成形性や透明性の向上の点から、０．００１質量％以上であることが好ましい。上記変性モノマー単位とは、変性ＰＴＦＥの分子構造の一部であって変性モノマーに由来する部分を意味し、全単量単位とは、変性ＰＴＦＥの分子構造における全ての単量体に由来する部分を意味する。
【００４７】
上記ポリテトラフルオロエチレンは、標準比重（ＳＳＧ）が２．１３０以上２．２５０以下であってよく、２．１５０以上が好ましく、２．２３０以下が好ましく、非溶融加工性を有するものであってよく、フィブリル化性を有するものであってよい。上記標準比重は、ＡＳＴＭ  Ｄ−４８９５  １０．５に準拠して成形されたサンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２に準拠した水置換法により測定する値である。
【００４８】
中空金属管と本発明の第１又は第２の誘電体導波線路とを備えており、上記中空金属管に上記誘電体導波線路端部が挿入されることによって、上記中空金属管と上記誘電体導波線路とが接続されていることを特徴とする接続構造も本発明の１つでもある。図３は、本発明の接続構造の一例を示す断面図である。図３の接続構造は、中空金属管１１と誘電体導波線路１２とを備えており、上記中空金属管１１に誘電体導波線路端部１２ｃが挿入され、誘電体導波線路端部１２ｃが中空金属管内に配置されて、上記中空金属管１１と上記誘電体導波線路１２とが接続されている。誘電体導波線路１２は、誘電体導波線路本体１２ｂと誘電体導波線路端部１２ｃとから構成されており、誘電体導波線路端部１２ｃの誘電率又は密度は誘電体導波線路本体１２ｂよりも低い。誘電体導波線路本体１２ｂと誘電体導波線路端部１２ｃとは、誘電率又は密度が異なるが、両者は異なる材料を接合して形成されておらず、従って誘電体導波線路１２に接合面は存在しない。誘電体導波線路１２は、上述の誘電体導波線路１と同じである。
【００４９】
更に、図３では、中空金属管１１の周方向断面の中空形状と、誘電体導波線路１２の周方向断面の形状とが同一であり、大きさもほぼ同一であることから、中空金属管１１の内壁に誘電体導波線路１２が密接しており、中空金属管１１に誘電体導波線路１２が固定されている。このように、中空金属管１１の周方向断面の中空形状と誘電体導波線路１２の周方向断面の形状とを同一とすれば、中空金属管の中心と誘電体導波線路の中心とを一致させることが容易である上、使用中に中心がずれることもないので、より一層反射損失を抑制することができる。
【００５０】
誘電体導波線路１２は、中空金属管１１の中空を完全に埋めるようには挿入されておらず、このため、図３の接続構造では、空洞１３が形成される。空洞１３には気体が充満しており、この気体は空気であってよい。
【００５１】
誘電体導波線路端部１２ｃの誘電率は、誘電体導波線路本体１２ｂの誘電率よりも低いが、更に、空洞１３内の気体（中空金属管１１内の気体）の誘電率が誘電体導波線路端部１２ｃの誘電率よりも低いことが好ましい。すなわち、誘電体導波線路端部１２ｃの誘電率を、誘電体導波線路本体１２ｂよりも低く、かつ、気体の誘電率よりも高くすることにより、誘電率の急激な変化を抑制することができ、反射損失を抑制でき、高い伝送効率が得られる。
【００５２】
誘電体導波線路端部１２ｃの密度が誘電体導波線路本体１２ｂの密度よりも低いことも好ましい。
一般的に、樹脂線において、密度が小さいほど誘電率が小さくなることが知られており、本発明においては、誘電体導波線路端部１２ｃの密度を誘電体導波線路本体１２ｂの密度よりも低くすることにより、誘電体導波線路端部１２ｃの誘電率を低下させ、空洞１３の気体との界面での反射損失を低減化させている。上記密度は、ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７に準拠した液中秤量法にて測定する値である。
【００５３】
中空金属管及び誘電体導波線路は、方形でも円形でもよいが、上記の理由で形状を同一とすることが好ましい。また、方形よりも円形の誘電体導波線路の作製が容易であることから、いずれも円形とすることがより好ましい。
【００５４】
中空金属管１１に誘電体導波線路１２を挿着するには、誘電体導波線路１２のうち、中空金属管１１に挿入された挿入部分１２ａがある程度の長さを有することが好ましいが、長すぎると、その長さに見合った効果が得られないばかりか、大型化してしまう。従って、挿入部分１２ａの長さは、１ｍｍ以上２００ｍｍ以下とすることが好ましい。また、誘電体導波線路端部１２ｃの長さを１ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることが、誘電率の急激な変化を抑制しやすいことや、小型化の観点から好ましい。
【００５５】
図４も、本発明の接続構造の一例を示す断面図である。図４は、中空金属管１１と誘電体導波線路１２とを備えており、上記中空金属管１１に誘電体導波線路端部１２ｃが挿入されることによって、上記中空金属管１１と上記誘電体導波線路１２とが接続されており、誘電体導波線路１２が、誘電体導波線路本体１２ｂと誘電体導波線路端部１２ｃとから構成されており、誘電体導波線路端部１２ｃの断面積が誘電体導波線路本体１２ｂの断面積よりも小さい態様を示している。誘電体導波線路端部１２ｃの断面積が誘電体導波線路本体１２ｂの断面積よりも小さいことにより、誘電率の急激な変化を一層抑制することができ、反射損失を一層抑制でき、より一層に高い伝送効率が得られる。また、断面積を変化させない場合に比べて、誘電体導波線路端部１２ｃを短くすることができ、小型化が可能になる。誘電体導波線路端部１２ｃの形状は、円錐状、円錐台状、角錐状又は角錐台状であってよいが、作製が容易であるのは円錐状である。
【００５６】
誘電体導波線路本体１２ｂの断面積は、０．００８ｍｍ２（φ０．１ｍｍ：１．８ＴＨｚ）以上１８０００ｍｍ２（φ１５０ｍｍ：６００ＭＨｚ）以下であることが好ましい。さらに好ましくは０．２８ｍｍ２（φ０．６ｍｍ：３００ＧＨｚ）以上６４ｍｍ２（φ９ｍｍ：２０ＧＨｚ）以下である。
本発明の接続構造は、このように、線路径が小さい誘電体導波路と径の小さい中空金属管とを接続することも可能である。
【００５７】
中空金属管への固定が容易であることから、誘電体導波線路本体１２ｂは、長さが１ｍｍ以上１９９ｍｍ以下であることが好ましい。また、誘電体導波線路端部１２ｃの長さを、１ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすると、小型化できるとともに、誘電率の急激な変化を抑制しやすいことから好ましい。
【００５８】
中空金属管１１は、中空部分を有する金属管であればよく、変換器であっても、中空導波管であってもよい。中空金属管として変換器を使用する場合の態様は後述する。
【００５９】
図５は、図３及び４において、円形の中空金属管が変換器の一部を構成している場合の態様を示している。図５において、中空金属管１１は、変換器３１の一部を構成しており、円形の誘電体導波線路１２が挿入されている。誘電体導波線路１２は、外層部を備える誘電体導波線路３２の内層部を形成しており、誘電体導波線路１２の周囲には、誘電体導波線路１２よりも誘電率の低い外層部３４が設けられている。誘電体導波線路１２を中空金属管１１に挿入して、中空金属管１１内に誘電体導波線路１２の挿入部分１２ａを設置するとともに、挿入部分１２ａと外層部３４との間に中空金属管１１を挿入することにより、外層部を備える誘電体導波線路３２と変換器３１とがしっかりと接続されている。変換器３１は、フランジ部３３を備えており、フランジ部を介して中空導波管（図示せず）等と接続することが可能である。外層部３４の内径は、０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってよく、０．６ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。外層部３４の外径は、０．５ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってよく、１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下が好ましい。
【００６０】
次に、誘電率が低い上記誘電体導波線路端部を有する上記誘電体導波線路、又は、密度が低い上記誘電体導波線路端部を有する上記誘電体導波線路をポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）により形成する方法について説明する。上記誘電体導波線路は、樹脂線の末端を長手方向に延伸して得ることができる。
【００６１】
上記樹脂線は、公知の成形方法でＰＴＦＥを成形して得ることができる。具体的には、ＰＴＦＥの粉末を押出助剤と混合した後、予備成形機で予備成形体に成形し、上記予備成形体をペースト押出成形して、ＰＴＦＥ線を得ることができる。
また、上記ペースト押出成形は予備成形しなくても実施可能である。具体的には、ＰＴＦＥの粉体を押出助剤と混合した後、ペースト押出機のシリンダーに直接投入し、ペースト押出成形することによりＰＴＦＥ線を得ることができる。
得られた樹脂線の末端を長手方向に延伸することによって、端部の誘電率が他の部分よりも低い誘電体導波線路、又は、端部の密度が他の部分よりも低い誘電体導波線路を得ることができる。この際、延伸させたい部分のみを加熱すると、所望の誘電体導波線路端部を作製することが容易である。延伸の倍率は１．２倍以上５倍以下であってよい。
【００６２】
樹脂線の末端を長手方向に延伸して得る方法により、前記誘電体導波線路端部の断面積が前記誘電体導波線路本体の断面積よりも小さいことを特徴とする上述の誘電体導波線路を製造することもできる。
延伸は、樹脂線の末端をプライヤー等の工具により挟持して、長手方向に引っ張ることにより実施できる。挟持した部分が延伸されていない場合は、この部分を切断することによって、先端に向かって誘電率又は密度が徐々に又は段階的に低くなっており、先端に向かって断面積が徐々に又は段階的に小さくなっている円錐台状の誘電体導波線路端部を容易に形成することができる。
【００６３】
本発明はまた、ポリテトラフルオロエチレンからなる樹脂線を得る工程（２）、該樹脂線の端部を加熱する工程（４）、及び、加熱した該端部を長手方向に延伸して誘電体導波線路を得る工程（５）を含むことを特徴とする誘電体導波線路の製造方法でもある。
【００６４】
以下、各工程について説明する。
【００６５】
本発明の製造方法は、工程（２）の前に、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の粉末を押出助剤と混合しＰＴＦＥからなる予備成形体を成形する工程（１）を含むことが好ましい。
ＰＴＦＥの粉末は、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のみからなるホモＰＴＦＥ、ＴＦＥと変性モノマーとからなる変性ＰＴＦＥ、またはこれらの混合物から製造される。上記変性モノマーとしては、ＴＦＥとの共重合可能なものであれば特に限定されず、例えば、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）等のパーフルオロオレフィン；クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）等のクロロフルオロオレフィン；トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）等の水素含有オレフィン；パーフルオロアルキルエチレン；エチレン等が挙げられる。また用いる変性モノマーは１種であってもよいし、複数種であってもよい。
上記変性ＰＴＦＥにおいて、変性モノマー単位の量は、全単量単位の３質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、さらには、１質量％以下であることが好ましい。また、成形性や透明性の向上の点から、０．００１質量％以上であることが好ましい。
【００６６】
上記ＰＴＦＥは、標準比重（ＳＳＧ）が２．１３０以上２．２５０以下であってよく、２．１５０以上が好ましく、２．２３０以下が好ましく、非溶融加工性を有するものであってよく、フィブリル化性を有するものであってよい。上記標準比重は、ＡＳＴＭ  Ｄ−４８９５  １０．５に準拠して成形されたサンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２に準拠した水置換法により測定する値である。
【００６７】
上記ＰＴＦＥの粉末と押出助剤と混合して１２時間程度室温にて熟成させた後得られる押出助剤混合粉体を予備成形機に入れ、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、より好ましくは１ＭＰａ以上５ＭＰａ以下で１分間以上１２０分間以下で予備成形することによりＰＴＦＥからなる予備成形体を得ることができる。
上記押出助剤としては、炭化水素油等が挙げられる。
上記押出助剤の量は、ＰＴＦＥの粉末１００質量部に対して１０質量部以上４０質量部以下が好ましく、１５質量部以上３０質量部以下がより好ましい。
【００６８】
工程（２）
この工程は、ＰＴＦＥからなる樹脂線を得る工程である。
工程（１）においてＰＴＦＥからなる予備成形体を成形する場合、工程（２）において当該予備成形体をペースト押出機にて押出して樹脂線を得ることができる。
また、工程（２）の前にＰＴＦＥからなる予備成形体を成形しない場合、ＰＴＦＥの粉体を押出助剤と混合した後、ペースト押出機のシリンダーに直接投入し、ペースト押出成形して樹脂線を得ることができる。
樹脂線が押出助剤を含む場合、樹脂線を８０℃以上２５０℃以下にて、０．１時間以上６時間以下加熱して押出助剤を蒸散させることが好ましい。
上記樹脂線は、方形でも円形でもよいが、方形よりも円形の樹脂線の作製が容易であることから、円形とすることが好ましい。上記樹脂線の直径は、０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってよく、好ましくは、０．６ｍｍ以上９ｍｍ以下である。
【００６９】
本発明の製造方法は、工程（２）で得られた樹脂線を加熱する工程（３）を含んでいてもよい。
具体的な加熱条件は、上記樹脂線の形状及び大きさにより適宜変更する。例えば、上記樹脂線を３２６〜３４５℃で１０秒〜２時間加熱することが好ましい。加熱温度は、３３０℃以上であることがより好ましく、３８０℃以下であることがより好ましい。加熱時間は、１時間以上３時間以下であることがより好ましい。
【００７０】
上記温度で所定時間加熱することにより、上記樹脂線が含んでいた空気が外部に放出されるため、高い誘電率を有する誘電体導波線路を得ることができると推測される。また、樹脂線を完全に焼成しないので、低い誘電正接を有する誘電体導波線路を得ることができると推測される。また、上記温度で所定時間加熱することにより、樹脂線の硬度が向上し、強度が増す利点がある。
【００７１】
上記の加熱は、ソルトバス、サンドバス、熱風循環式電気炉等を使用して行うことができるが、加熱条件の制御が容易である点で、ソルトバスを使用して行うことが好ましい。また、加熱時間が上記範囲内で短くなる点でも有利である。上記ソルトバスを使用した加熱は、例えば特開２００２−１５７９３０号公報に記載の被覆ケーブルの製造装置を使用して行うことができる。
【００７２】
工程（４）
この工程は、工程（２）で得られた樹脂線の端部を加熱する工程である。また、この工程は、工程（３）で得られた樹脂線の端部を加熱する工程であってもよい。
工程（４）において、樹脂線の端部を加熱することにより、所望の誘電体導波線路端部を作製することが容易になる。
工程（４）においては、特に限定されるものではないが、例えば上記樹脂線の先端から０．８ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の部分を加熱することが好ましく、２０ｍｍ以下の部分を加熱することがより好ましい。
工程（４）における加熱温度は、１００℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましく、２５０℃以上が更に好ましい。工程（４）における加熱温度は４５０℃以下が好ましく、４００℃以下がより好ましく、３８０℃以下が更に好ましい。
【００７３】
工程（５）
この工程は、工程（４）で得られた加熱した端部を長手方向に延伸して誘電体導波線路を得る工程である。
延伸は、工程（４）で得られた加熱した端部をプライヤー等の工具により挟持して、長手方向に引っ張ることにより実施できる。挟持した部分が延伸されていない場合は、この部分を切断することによって、先端に向かって誘電率又は密度が徐々に又は段階的に低くなっており、先端に向かって断面積が徐々に又は段階的に小さくなっている円錐台状の誘電体導波線路端部を容易に形成することができる。
延伸倍率は、１．２倍以上が好ましく、１．５倍以上がより好ましい。延伸倍率は、１０倍以下が好ましく、５倍以下がより好ましい。
延伸速度は、１％／秒以上が好ましく、１０％／秒以上がより好ましく、２０％／秒以上が更に好ましい。延伸速度は、１０００％／秒以下が好ましく、８００％／秒以下がより好ましく、５００％／秒以下が更に好ましい。
【００７４】
本発明の製造方法は、工程（５）で得られた誘電体導波線路を外層部に挿入する工程（６）を含んでもよい。
上記外層部は、上記誘電体導波線路と同様のＰＴＦＥにより形成されるものであってもよい。
また、上記外層部は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレンなどの炭化水素系樹脂により形成されるものであってもよく、上記樹脂の発泡体により形成されるものでもよい。
上記外層部がＰＴＦＥにより形成される場合、例えば、以下の方法で製造できる。
ＰＴＦＥの粉体に押出助剤を混合して、１時間以上２４時間以下、常温で熟成した後、得られる押出助剤混合粉体を、予備成形機に入れて、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下で３０分程度加圧し、円柱状のＰＴＦＥからなる予備成形体を得ることができる。上記ＰＴＦＥからなる予備成形体を、ペースト押出機にて押出成形を行い、中空円筒状の成形体を得る。この成形体が押出助剤を含む場合、この成形体を８０℃以上２５０℃以下にて、０．１時間以上６時間以下加熱して押出助剤を蒸散させることが好ましい。この成形体を２５０℃以上３２０℃以下、より好ましくは２８０℃以上３００℃以下で１．２倍以上５倍以下、より好ましくは１．５倍以上３倍以下に延伸することで中空円筒状の外層部を得ることができる。
外層部の内径は、０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってよく、０．６ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。外層部の外径は、０．５ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってよく、１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下が好ましい。
【００７５】
本発明の接続構造は、中空金属管と工程（５）で得られた誘電体導波線路とを接続して接続構造を得る工程を含む方法により好適に製造できる。また、本発明の接続構造は、中空金属管と工程（６）で得られた外層部に挿入した誘電体導波線路とを接続して接続構造を得る工程を含む方法により好適に製造できる。
この工程においては、例えば、中空金属管に工程（５）で得られた誘電体導波線路又は工程（６）で得られた外層部に挿入した誘電体導波線路を挿入することによって、接続構造を得ることができる。
中空金属管は、方形でも円形でもよいが、中空金属管の中心と誘電体導波線路の中心とを一致させることが容易である上、使用中に中心がずれることもないので、より一層反射損失を抑制できることから、誘電体導波線路の周方向断面の形状と同一とすることが好ましい。また、方形よりも円形の誘電体導波線路の作製が容易であることから、中空金属管は、円形とすることが好ましい。
中空金属管の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、銅、黄銅（真鍮）、アルミ、ステンレス、銀、鉄などが挙げられる。上記金属は単独、または複数種類を組み合わせて用いてもよい。
中空金属管は、中空部分を有する金属管であればよく、変換器であっても、中空導波管であってもよい。
【００７６】
なお、誘電体導波線路をポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂等により形成した場合であっても、樹脂線の末端を長手方向に延伸することにより、誘電体導波線路端部の断面積が誘電体導波線路本体の断面積よりも小さい誘電体導波線路を容易に形成することができる。
【実施例】
【００７７】
つぎに本発明を実施例をあげて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【００７８】
実験例
ＰＴＦＥファインパウダー（ＳＳＧ：２．１７５）１００質量部に押出助剤としてエクソンモービル社製ＩｓｏｐａｒＧを２０．５質量部混合して、１２時間常温で熟成させて押出助剤混合粉体を得た後、この押出助剤混合粉体を予備成形機に投入し、３ＭＰａで３０分加圧することで円柱状の予備成形体を得た。
この予備成形体をペースト押出機を用いてペースト押出し、２００℃にて１時間加熱して押出助剤を蒸散させて、直径３．５１ｍｍの樹脂線を得た。
この樹脂線を、全長が６６０ｍｍとなるように切断した。
外層部：
ＰＴＦＥファインパウダーに押出助剤としてエクソンモービル社製ＩｓｏｐａｒＧを混合して、１２時間常温で熟成させて押出助剤混合粉体を得た後、この押出助剤混合粉体を予備成形機に投入し、３ＭＰａで３０分間加圧することで円柱状の予備成形体を得た。
この予備成形体をペースト押出機を用いてペースト押出し、２００℃にて１時間加熱して押出助剤を蒸散させて、外径１０ｍｍ、内径３．６ｍｍの成形体を成形した。この成形体を３００℃で２倍に延伸することで外径９．５ｍｍ、内径３．６ｍｍの外層部を得た。
上記外層部に樹脂線を挿入することで、外層部を備える誘電体導波線路を得た。
【００７９】
実施例１
上記実験例で得られた樹脂線を、３３０℃にて７０分熱処理した。次いで樹脂線の先端から２０ｍｍ以下の部分（端部）を２６０℃で加熱し、先端から５ｍｍ以下の部分を挟持して端部を長手方向に延伸倍率２倍、延伸速度２００％／ｓｅｃで延伸することで端部を４０ｍｍに延伸した。延伸後、延伸時に挟持した先端から１０ｍｍ以下の部分を切断し、誘電体導波線路を得た。
この誘電体導波線路を上記実験例で得られた外層部に挿入し、外層部を備える誘電体導波線路を得た。
【００８０】
実施例２
上記実験例で得られた樹脂線を熱処理することなく、先端から２０ｍｍ以下の部分（端部）を２３０℃に加熱し、先端から５ｍｍ以下の部分を挟持して端部を長手方向に延伸倍率２倍、延伸速度２００％／ｓｅｃで延伸することで端部を４０ｍｍに延伸した。延伸後、延伸時に挟持した先端から１０ｍｍ以下の部分を切断し、誘電体導波線路を得た。
この誘電体導波線路を上記実験例で得られた外層部に挿入し、外層部を備える誘電体導波線路を得た。
【００８１】
比較例１
上記実験例で得られた樹脂線を、３３０℃で７０分熱処理し、誘電体導波線路を得た。
この誘電体導波線路を上記実験例で得られた外層部に挿入し、外層部を備える誘電体導波線路を得た。
【００８２】
得られた誘電体導波線路の物性を表１に示す。
【００８３】
【表１】
2018061249.tif 000003
【００８４】
表１に記載の物性の測定方法は次のとおりである。また、表１に記載のＡ〜Ｄを図６に示す。図６中、「１０」とは、Ａ〜Ｄのそれぞれの長さが１０ｍｍであることを示す。
【００８５】
直径及び断面積
得られた誘電体導波線路を先端より１０ｍｍ間隔で切断し、切断した部分の中心部をノギスにて直径を測定し、断面積を計算した。
【００８６】
密度
密度は、ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７に準拠した液中秤量法にて測定した。
【００８７】
誘電率
誘電体導波線路の構造上、誘電率を直接測定することが困難なため、実施例１〜２及び比較例１で得られた誘電体導波線路の誘電率は、以下の方法にて算出した。樹脂線の直径を２ｍｍとしたこと以外は、実験例と同様の方法で、直径２ｍｍの樹脂線を作製し、押出助剤を蒸散させた後、３３０℃で７０分熱処理した樹脂線を１倍、１．５倍に延伸し、密度２．２３ｇ／ｃｍ３と１．８０ｇ／ｃｍ３のサンプルを作製した。さらに、樹脂線の直径を２ｍｍとしたこと以外は、実験例と同様の方法で、直径２ｍｍの樹脂線を作製し、押出助剤を蒸散させた後に熱処理せずに、長手方向に１倍、１．５倍及び２倍に延伸し、密度１．６０ｇ／ｃｍ３、１．３８ｇ／ｃｍ３、０．７１ｇ／ｃｍ３のサンプルを作製した。得られたサンプルについて、下記誘電率測定を実施し、表２に示すように、密度と誘電率の相関を確認した。密度０．００ｇ／ｃｍ３における誘電率は、空気の誘電率である。密度はＪＩＳ  Ｚ  ８８０７に準拠した液中秤量法で測定した。誘電率は、株式会社関東電子応用開発製空洞共振器（摂動法、２．４５ＧＨｚ）とＨＰ社製ネットワークアナライザーＨＰ８５１０Ｃを使用して測定した。上記から、誘電率と密度の関係を求めた結果、密度（Ｘ）と誘電率（Ｙ）には以下の相関があり、以下の式を用いて、誘電体導波線路の密度から誘電率を計算した。
Ｙ＝０．５３３Ｘ＋１．０１
【００８８】
【表２】
2018061249.tif 000004
【００８９】
表３に記載の物性の測定方法は次のとおりである。
【００９０】
硬度
ＪＩＳ  Ｋ６２５３−３に規定されたスプリング式硬さ計（ＪＩＳ−Ａ形）により硬度を測定した。
【００９１】
誘電正接（ｔａｎδ）
株式会社関東電子応用開発製空洞共振器（２．４５ＧＨｚ）により測定した。
【００９２】
屈曲安定性
誘電体導波線路本体を６０ｍｍの長さに切断し、サンプルを作製した。まず、得られたサンプルの密度を測定し、密度の値から誘電率（Ａ）を算出した。次に、図７に示すように、得られたサンプル４を直径１０ｍｍの丸棒５ａ及び５ｂの間に設置する（図７（ａ））。サンプル４を丸棒５ａに巻き付けて、２７０°折り曲げた後（図７（ｂ））、サンプル４を直線状に戻す（図７（ｃ））。次に、サンプル４を丸棒５ｂに巻き付けて、２７０°折り曲げた後（図７（ｄ））、サンプル４を直線状に戻す（図７（ｅ））。この操作を１回として、１０回繰り返す。上記の操作の後、サンプル４の密度を測定し、誘電率（Ｂ）を算出した。屈曲安定性として、屈曲前後の誘電体導波線路本体の誘電率の変化率（Ｂ／Ａ）を算出した。密度（Ｘ）から誘電率（Ｙ）への換算は、以下の式を用いた。
Ｙ＝０．５３３Ｘ＋１．０１
【００９３】
誘電体導波線路と外層部との誘電率差
誘電体導波線路の誘電率、及び、外層部の誘電率は、誘電体導波線路及び外層部の密度を測定し、以下の式によって換算した。
密度（Ｘ）と誘電率（Ｙ）には、以下の相関がある。
Ｙ＝０．５３３Ｘ＋１．０１
さらに誘電体導波線路と外層部との誘電率差は、誘電体導波線路の誘電率から外層部の誘電率を差し引いた値とした。
［誘電体導波線路と外層部との誘電率差］＝［誘電体導波線路の誘電率］−［外層部の誘電率］
【００９４】
誘電体導波線路端部での反射損失
図５に示すとおり、外層部に挿入した誘電体導波線路の両端を２つの変換器３１の中空金属管１１にそれぞれ挿入し、両変換器３１のフランジ部３３に、円形導波管−方形導波管変換器１及び２（いずれも図示せず）それぞれの円形導波管側を接続し、当該円形導波管−方形導波管変換器１及び２それぞれの方形導波管側に方形導波管１及び２を接続した。この方形導波管１及び２それぞれを、ネットワークアナライザーの第１端子部（図示せず）と、第２端子部（図示せず）に接続し、Ｓ１１を測定し、６０ＧＨｚ−６５ＧＨｚ間の反射の最大値を反射損失とした。０点調整は、誘電体導波線路を挟まずに円形導波管−方形導波管変換器１及び２それぞれの円形導波管側同士を接続し、当該円形導波管−方形導波管変換器１及び２それぞれの方形導波管側に方形導波管１及び２を接続し、当該方形導波管１及び２それぞれを、ネットワークアナライザーの第１端子部と、第２端子部に接続して行った。
【００９５】
【表３】
2018061249.tif 000005
【００９６】
実施例３、４及び比較例２
実施例１〜２及び比較例１で得られた外層部に挿入した誘電体導波線路を、図５に示すとおり、変換器の中空金属管に挿入して、外層部に挿入した誘電体導波線路と変換器の中空金属管とを接続し、伝送損失及び反射損失を測定した。その結果を表４に示す。
【００９７】
【表４】
2018061249.tif 000006
【００９８】
表４に記載の物性の測定方法は次のとおりである。
【００９９】
伝送損失及び反射損失
図５に示すとおり、外層部に挿入した誘電体導波線路の両端を２つの変換器３１の中空金属管１１にそれぞれ挿入し、両変換器３１のフランジ部３３に、円形導波管−方形導波管変換器１及び２それぞれの円形導波管側を接続し、当該円形導波管−方形導波管変換器１及び２それぞれの方形導波管側に方形導波管１及び２を接続した。この方形導波管１及び２それぞれを、ネットワークアナライザーの第１端子部と、第２端子部に接続し、伝送損失はＳ２１を測定し、反射損失はＳ１１を測定した。０点調整は、誘電体導波線路を挟まずに円形導波管−方形導波管変換器１及び２それぞれの円形導波管側同士を接続し、当該円形導波管−方形導波管変換器１及び２それぞれの方形導波管側に方形導波管１及び２を接続し、当該方形導波管１及び２それぞれを、ネットワークアナライザーの第１端子部と、第２端子部に接続して行った。
【符号の説明】
【０１００】
１  誘電体導波線路
２  誘電体導波線路端部
３  誘電体導波線路本体
１１  中空金属管
１２  誘電体導波線路
１２ａ  誘電体導波線路の挿入部分
１２ｂ  誘電体導波線路本体
１２ｃ  誘電体導波線路端部
１３  中空金属管内の空洞
３１  変換器
３２  外層部を備える誘電体導波線路
３３  フランジ部
３４  外層部
４  誘電体導波線路本体
５ａ、５ｂ  丸棒
【図１】
2018061249.tif 000007
【図２】
2018061249.tif 000008
【図３】
2018061249.tif 000009
【図４】
2018061249.tif 000010
【図５】
2018061249.tif 000011
【図６】
2018061249.tif 000012
【図７】
2018061249.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体導波線路本体と、前記誘電体導波線路本体よりも誘電率が低い誘電体導波線路端部とを有しており、前記誘電体導波線路本体と前記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されており、
前記誘電体導波線路本体の誘電率が１．９５以上２．３０以下であり、
前記誘電体導波線路端部の誘電率が２．２０以下である
ことを特徴とする誘電体導波線路。
【請求項２】
誘電体導波線路本体と、前記誘電体導波線路本体よりも密度が低い誘電体導波線路端部とを有しており、前記誘電体導波線路本体と前記誘電体導波線路端部とは同一の材料で継ぎ目なく一体に形成されており、
前記誘電体導波線路本体の誘電率が１．９５以上２．３０以下であり、
前記誘電体導波線路端部の誘電率が２．２０以下である
ことを特徴とする誘電体導波線路。
【請求項３】
樹脂線の末端を長手方向に延伸して得られたものである請求項１又は２記載の誘電体導波線路。
【請求項４】
前記誘電体導波線路本体の誘電率が２．０５以上２．３０以下である請求項１、２又は３記載の誘電体導波線路。
【請求項５】
前記誘電体導波線路本体は、硬度が９５以上である請求項１、２、３又は４記載の誘電体導波線路。
【請求項６】
前記誘電体導波線路本体は、２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が１．２０×１０−４以下である請求項１、２、３、４又は５記載の誘電体導波線路。
【請求項７】
前記誘電体導波線路本体の密度が１．９０ｇ／ｃｍ３以上２．４０ｇ／ｃｍ３以下であり、
前記誘電体導波線路端部の密度が前記誘電体導波線路本体の密度に対して９０％以下である請求項１、２、３、４、５又は６記載の誘電体導波線路。
【請求項８】
ポリテトラフルオロエチレンにより形成されている請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の誘電体導波線路。
【請求項９】
中空金属管と請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の誘電体導波線路とを備えており、
前記中空金属管に前記誘電体導波線路端部が挿入されることによって、前記中空金属管と前記誘電体導波線路とが接続されていることを特徴とする接続構造。
【請求項１０】
前記中空金属管の空洞に気体が充満しており、前記気体の誘電率が、前記誘電体導波線路端部の誘電率よりも低い請求項９記載の接続構造。
【請求項１１】
ポリテトラフルオロエチレンからなる樹脂線を得る工程（２）、
工程（２）で得られた樹脂線を３２６〜３４５℃で１０秒〜２時間加熱する工程（３）、
前記樹脂線の端部を加熱する工程（４）、及び、
加熱した前記端部を長手方向に延伸して誘電体導波線路を得る工程（５）、
を含む
ことを特徴とする誘電体導波線路の製造方法。
【請求項１２】
工程（４）において、加熱温度は１００℃以上４５０℃以下である
請求項１１記載の製造方法。
【請求項１３】
ポリテトラフルオロエチレンからなる樹脂線を得る工程（２）、
前記樹脂線の端部を加熱する工程（４）、及び、
加熱した前記端部を長手方向に延伸して誘電体導波線路を得る工程（５）、
を含む
ことを特徴とする請求項１又は２記載の誘電体導波線路の製造方法。