(57)【要約】研磨パッドは、研磨面(24)及び裏面をもつ研磨層(22)を有する。研磨面には複数の溝(28b)が形成され、研磨層の裏面にはくぼみ(52)が形成される。裏面のくぼみに対応する研磨面の領域は、溝が無いか、又は浅い溝(28a)を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面及び裏面を有する研磨層と、
上記研磨層の前面に形成された第１の複数の溝と、
上記研磨層の裏面に形成されたくぼみと、
を備え、上記裏面のくぼみに対応する上記研磨面の領域は、溝が無いか、又は上記第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有するかのいずれかである研磨パッド。
【請求項２】
上記裏面のくぼみに対応する上記研磨面の上記領域は溝が無い、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
上記くぼみに対応する上記研磨面の上記領域は実質的に平らである、請求項２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
上記裏面のくぼみに対応する上記研磨面の上記領域は、上記第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有する、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項５】
上記第２の複数の溝は上記くぼみの内面を越えて延びる、請求項４に記載の研磨パッド。
【請求項６】
上記裏面のくぼみに対応する上記研磨面の上記領域は不透明である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項７】
上記裏面のくぼみに対応する上記研磨面の上記領域は透明である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項８】
上記研磨層は一体的構造である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項９】
上記研磨層の第１部分に溝が形成され、該第１部分とは物理的に個別の上記研磨層の第２部分に凹所が形成され、該第２部分は上記第１部分に固定される、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１０】
上記第１部分は不透明であり、上記第２部分は透明である、請求項９に記載の研磨パッド。
【請求項１１】
上記第１部分及び第２部分は実質的に同じ材料組成をもつ、請求項９に記載の研磨パッド。
【請求項１２】
上記第２部分は、その最上面が上記研磨面と実質的に平らである、請求項１１に記載の研磨パッド。
【請求項１３】
上記第１部分は、内部にアパーチャーが形成され、該アパーチャーに上記第２部分が固定されている、請求項９に記載の研磨パッド。
【請求項１４】
上記第２部分は、第１断面寸法をもつ最上部区分と、それとは異なる第２断面寸法をもつ底部区分とを有する、請求項１３に記載の研磨パッド。
【請求項１５】
上記第１断面寸法は上記第２断面寸法より小さい、請求項１４に記載の研磨パッド。
【請求項１６】
上記研磨層の裏面に配置されたバッキング層を更に備えた、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１７】
上記バッキング層は上記研磨層より柔軟である、請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項１８】
上記バッキング層はそれを貫通する第１アパーチャーを有し、該第１アパーチャーは上記研磨層の裏面のくぼみと整列される、請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項１９】
上記バッキング層は薄い非圧縮性の層である、請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項２０】
上記研磨層の第１部分に溝が形成され、該第１部分とは物理的に個別の上記研磨層の第２部分に凹所が形成される、請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項２１】
上記研磨層には第２のアパーチャーが形成され、該第２のアパーチャーに上記第２部分が固定される、請求項２０に記載の研磨パッド。
【請求項２２】
上記第１のアパーチャーは第１断面寸法を有し、上記第２のアパーチャーは第１断面寸法とは異なる第２断面寸法を有する、請求項２１に記載の研磨パッド。
【請求項２３】
上記第１断面寸法は上記第２断面寸法より小さい、請求項２２に記載の研磨パッド。
【請求項２４】
上記第１断面寸法は上記第２断面寸法より小さい、請求項２２に記載の研磨パッド。
【請求項２５】
基板を保持するためのキャリアと、
プラテンに支持された研磨パッドであって、研磨のための前面及び裏面を有する研磨層と、該研磨層の前面に形成された第１の複数の溝と、上記研磨層の裏面に形成されたくぼみを備え、上記裏面のくぼみに対応する上記研磨面の領域は、溝が無いか、又は上記第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有するかのいずれかである研磨パッドと、
コイル及びコアの少なくとも一方が上記研磨層の裏面の上記凹所へと少なくとも部分的に延びて、上記キャリアに保持された基板の金属層を監視するための渦電流監視システムと、
を備えた研磨システム。
【請求項２６】
上記研磨面の上記領域は溝が無い、請求項２５に記載の研磨システム。
【請求項２７】
上記研磨面の上記領域は上記第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有する、請求項２５に記載の研磨システム。
【請求項２８】
研磨パッドを製造する方法において、
研磨パッドの研磨層に第１の複数の溝を形成するステップと、
上記研磨層の裏面にくぼみを形成するステップと、
上記裏面のくぼみに対応する研磨面の領域であって、溝が無いか、又は上記第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有するかのいずれかである領域を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項２９】
上記領域を形成する上記ステップは、溝の無い領域を形成することを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
上記領域を形成する上記ステップは、上記第２の複数の溝をもつ領域を形成することを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
上記研磨層をバッキング層に固定するステップを更に備えた、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
上記凹所を形成する上記ステップは凹所を加工することを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
上記凹所を形成する上記ステップは凹所を成形することを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３４】
上記裏面にくぼみを形成する上記ステップは、上記くぼみを有する上記研磨パッドの物理的に個別の第１部分を、上記第１の複数の溝を有する上記研磨パッドの第２部分のアパーチャーに固定することを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３５】
基板を研磨パッドの研磨層の前面に接触させるステップであって、上記研磨層は、その研磨層の前面に形成された第１の複数の溝と、その研磨層の裏面に形成されたくぼみを有し、且つ該裏面のくぼみに対応する研磨面の領域は、溝が無いか、又は上記第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有するものであるステップと、
上記研磨層の上記前面に研磨液を供給するステップと、
上記基板と上記前面との間に相対的運動を生じさせるステップと、
を備えた研磨方法。
【請求項３６】
上記研磨面の上記領域は溝が無い、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
上記研磨面の上記領域は上記第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有する、請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
コイル及びコアの少なくとも一方が上記研磨層の裏面の凹所へと少なくとも部分的に延びている渦電流監視システムで上記基板の金属層を監視するステップを更に備えた、請求項３５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
本発明は、化学的機械的研磨の間に使用される研磨パッドと、研磨プロセスを監視するための方法及び装置とに関する。
【０００２】
集積回路は、通常、シリコンウエハに導電層、半導体層又は絶縁層を順次に堆積することにより、基板上に形成される。１つの製造ステップは、非平坦面上にフィラー層を堆積し、次いで、その非平坦面が露出されるまでフィラー層を平坦化することを含む。例えば、導電性フィラー層を、パターン化された絶縁層上に堆積して、絶縁層のトレンチ又はホールを埋めることができる。次いで、絶縁層の持ち上がったパターンが露出されるまでフィラー層を研磨する。平坦化の後に、絶縁層の持ち上がったパターン間に残っている導電層の部分が、ビアス、プラグ及びラインを形成し、基板上の薄膜回路間に導電性経路を与える。更に、ホトリソグラフィー用に基板面を平坦化するためにも、平坦化が必要とされる。
【０００３】
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）は、１つの受け入れられる平坦化方法である。この平坦化方法は、通常、基板をキャリア又は研磨ヘッドに取り付けることを必要とする。基板の露出面が回転研磨円板パッド又はベルトパッドにのせられる。研磨パッドは、「標準」パッド又は固定研磨剤パッドのいずれかである。標準パッドは、耐久性のある粗面を有し、一方、固定研磨剤パッドは、含有媒体に保持された研磨剤粒子を有する。キャリアヘッドは、基板に制御可能な荷重を与えて、それを研磨パッドに押し付ける。少なくとも１つの化学反応材を含むと共に、標準パッドが使用される場合には研磨剤粒子を含む研磨スラリーが、研磨パッドの表面に供給される。
【０００４】
ＣＭＰにおける１つの問題は、研磨プロセスが完了したかどうか、即ち基板層が希望の平坦さ又は厚みに平坦化されたかどうか、又は希望量の材料が除去されたときを決定することである。導電層又は膜の研磨が過剰であると（除去し過ぎると）、回路抵抗の増加を招く。一方、導電層の研磨が過少であると（除去が少な過ぎると）、電気的な短絡を招く。基板層の初期厚み、スラリーの組成、研磨パッドの状態、研磨パッドと基板との間の相対的速度、及び基板に対する荷重が変化すると、材料の除去率を変化させる。これらの変化は、研磨の終了点に到達するに必要な時間を変化させる。それ故、単に研磨時間の関数として研磨の終了点を決定することはできない。
【０００５】
研磨の終了点を決定する１つの方法は、例えば、光学又は電気的センサにより基板の研磨をその場で監視することである。１つの監視技術は、磁界で金属層に渦電流を誘起させ、金属層が除去されるにつれて磁束の変化を検出することである。簡単に述べると、渦電流により発生される磁束は、励起磁束線と方向が逆である。この磁束は、渦電流に比例し、渦電流は、金属層の抵抗に比例し、次いで、この抵抗は、層の厚みに比例する。従って、金属層の厚みが変化すると、渦電流により発生される磁束を変化させる。この磁束の変化は、一次コイルの電流に変化を誘起し、これを、インピーダンスの変化として測定することができる。その結果、コイルのインピーダンスの変化が、金属層厚みの変化を反映する。
【概要】
【０００６】
１つの態様において、本発明は、研磨パッドに向けられる。この研磨パッドは、研磨用の前面及び裏面をもつ研磨層を有している。研磨層の前面には第１の複数の溝が形成されると共に、研磨層の裏面にはくぼみが形成される。裏面のくぼみに対応する研磨面の領域は、溝が無いか、又は第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有する。
【０００７】
本発明の実施形態は、次の特徴の１つ以上を含むことができる。くぼみに対応する研磨面の領域は、実質的に平坦でよく、例えば、溝がなくてもよい。或いは、くぼみに対応する研磨面の領域は、第２の複数の溝を有してもよい。更に、この領域は、不透明でも透明でもよい。研磨層は、一体的構造でよい。第１部分とは物理的に個別の研磨層の第２部分には凹所が形成されてもよく、この第２部分は、第１部分に固定されてもよい。第１及び第２部分は、実質的に同じ材料組成を有してもよく、又、第２部分は、その上面が研磨面と実質的に平らでよい。第１部分にはアパーチャーが形成されてもよく、このアパーチャーに第２部分が固定されてもよい。この第２部分は、第１の断面寸法を有する上部区分と、それとは異なる第２の断面寸法を有する下部区分とを有してもよい。例えば、第１の断面寸法は、第２の断面寸法より小さくてもよい。第２の複数の溝は、くぼみの内面を越えて延びてもよい。
【０００８】
パッドは、研磨層の裏面に配置されたバッキング層を有してもよい。このバッキング層は、研磨層より柔軟でよい。又、バッキング層は、これを貫通するアパーチャーを有してもよく、このアパーチャーは、研磨層の裏面のくぼみと整列されてもよい。バッキング層は、薄い非圧縮層でよい。第１の複数の溝は、研磨層の第１部分に形成されてもよく、又、凹所は、第１部分とは物理的に個別の研磨層の第２部分に形成されてもよい。研磨層には第２のアパーチャーが形成されてもよく、この第２のアパーチャーに第２部分が固定されてもよい。第１のアパーチャーは、第１の断面寸法を有してもよく、又、第２のアパーチャーは、それとは異なる（例えば、それより大きいか又は小さい）断面寸法を有してもよい。
【０００９】
別の態様において、本発明は、研磨システムに向けられる。この研磨システムは、基板を保持するためのキャリアと、プラテンに支持された研磨パッドと、渦電流監視システムとを有する。研磨パッドは、研磨用の前面及び裏面をもつ研磨層と、この研磨層の前面に形成された第１の複数の溝と、研磨層の裏面に形成されたくぼみを備えている。裏面のくぼみに対応する研磨面の領域は、溝が無いか、又は第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有する。渦電流監視システムは、コイル及びコアの少なくとも一方が研磨層の裏面のくぼみへと少なくとも部分的に延び、キャリアに保持された基板の金属層を監視する。
【００１０】
別の態様において、本発明は、研磨パッドを製造する方法に向けられる。この方法は、研磨パッドの研磨層に第１の複数の溝を形成するステップと、研磨層の裏面にくぼみを形成するステップと、くぼみに対応する研磨面に、溝が無いか又は第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有する領域を形成するステップとを備えている。
【００１１】
本発明の実施形態は、次の特徴の１つ以上を含むことができる。研磨層は、バッキング層に固定されてもよい。凹所の形成は、凹所を加工するか又は凹所を成形することを含んでもよい。裏面にくぼみを形成することは、くぼみを有する研磨パッドの物理的に個別の第１部分を、溝を有する研磨パッドの第２部分のアパーチャーに固定することを含んでもよい。
【００１２】
別の態様において、本発明は、研磨方法に向けられる。この方法において、基板は、研磨パッドの研磨層の前面に接触され、研磨層は、研磨層の前面の第１部分に形成された第１の複数の溝と、研磨層の裏面に形成されたくぼみを有する。裏面のくぼみに対応する研磨面の領域は、溝が無いか、又は第１の複数の溝より浅い第２の複数の溝を有する。研磨層の前面には研磨液が供給され、基板と前面との間に相対的運動が形成される。
【００１３】
本発明の実施形態は、次の特徴の１つ以上を含むことができる。基板の金属層は、コイル及びコアの少なくとも一方が研磨面の裏面の凹所へと少なくとも部分的に延びる渦電流監視システムで監視することができる。
【００１４】
別の態様において、本発明は、前面及び裏面を有する研磨層をもつ研磨パッドに向けられる。前面は、複数の溝をもつ第１部分と、実質的に平らな第２部分とを有し、裏面は、前面の第２部分と整列された凹所を有する。
【００１５】
本発明の１つ以上の実施形態を、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明の他の特徴、目的及び効果は、以下の説明、添付図面及び特許請求の範囲から明らかとなろう。
【００１６】
種々の図面における同じ参照番号は、同じ要素を示す。
【詳細な説明】
【００１７】
図１を参照すれば、ＣＭＰ装置の研磨ステーション１０において１つ以上の基板１４を研磨することができる。適当な研磨装置の説明は、米国特許第５，７３８，５７４号に見られる。
【００１８】
研磨装置１０は、回転可能なプラテン１６を備え、その上に研磨パッド１８が配置される。研磨パッド１８は、実質的に均一な組成をもつ柔軟なバッキング層２０及び堅固な耐久性外側層２２の二層研磨パッドである。耐久性の外側層２２は、研磨面２４を与える。研磨面２４の少なくとも一部分は、スラリーを保持するための溝２８を有することができる。又、研磨ステーションは、基板を効果的に研磨するように研磨パッドの状態を維持するためのパッドコンディショナー装置も含むことができる。
【００１９】
研磨ステップ中に、液体及びｐＨ調整剤を含むスラリー３０を、スラリー供給ポート又は結合スラリー／洗浄アーム３２によって研磨パッド１８の表面に供給することができる。又、スラリー３０は、研磨剤粒子を含むこともできる。
【００２０】
基板１０は、キャリアヘッド３４により研磨パッド１８に対して保持される。このキャリアヘッド３４は、カルーセルのような支持構造体から懸架され、キャリア駆動シャフト３６によりキャリアヘッド回転モーターに接続されて、キャリアヘッドを軸３８の周りで回転することができる。
【００２１】
プラテン１６には凹所４０が形成され、この凹所４０には、その場の監視モジュール４２が嵌合される。その場の監視モジュール４２は、プラテンと共に回転するように凹所２６にコア４４が配置されたその場の渦電流監視システムを含むことができる。駆動及び感知コイル４６がコア４４に巻き付けられ、コントローラ５０に接続される。動作中に、発振器が駆動コイルを付勢し、コア４４の本体を通して延びる振動磁界４８を発生させる。磁界４８の少なくとも一部分は、研磨パッド１８を通して基板１２に向って延びる。基板１２に金属層が存在する場合には、振動磁界４８が渦電流を発生する。この渦電流は、誘起された磁界に対して逆方向に磁束を発生し、この磁束は、駆動電流とは逆の方向に一次即ち感知コイルに逆方向電流を誘起する。これにより得られる電流の変化を、コイルのインピーダンスの変化として測定することができる。金属層の厚みが変化するにつれて、金属層の抵抗が変化する。それ故、渦電流及び渦電流により誘起される磁束の強度も変化し、一次コイルのインピーダンスに変化を生じさせる。例えば、コイル電流の振幅、又は駆動コイル電流の位相に対するコイル電流の位相を測定することで、これらの変化を監視することにより、渦電流センサモニタは、金属層の厚みの変化を検出することができる。
【００２２】
渦電流監視システムのための駆動システム及び感知システムは、ヨーロピアンパブリケーション第ＥＰ１２９４５３４号及びＰＣＴパブリケーション第ＷＯ０２／０８７８２５号に適当なシステムの説明を見ることができるので、ここでは詳細に説明しない。
【００２３】
渦電流監視システムの種々の電気的コンポーネントは、コントローラ５０内のプリント回路板に配置することができる。コントローラは、汎用マイクロプロセッサ又は特定用途向け集積回路のような回路を含んでいて、渦電流感知システムからの信号をデジタルデータに変換することができる。
【００２４】
既に述べたように、監視システム４２は、凹所２６に配置されたコア４４を備えている。
【００２５】
図２及び図３を参照すれば、研磨パッド１８のカバー層２２は、そのカバー層の下面に形成された１つ以上の凹所即ちくぼみ５２を含む。これらくぼみは、研磨パッドのカバー層に１つ以上の薄い区分５４を形成する。コア４４及び／又はコイル４６は、研磨パッドを部分的に貫通するようにくぼみ５２へ延びることができる。コア又はコイルを基板に接近させて配置することにより、渦電流監視システムの空間解像度を改善することができる。これらの凹所５２は、カバー層２２の厚みの少なくとも５０％、例えば、７５−８０％にわたって延びることができる。例えば、厚み１００ミルのカバー層２２を有する研磨パッドでは、凹所５２は、厚みが約２０ミルの薄い区分５４を残して、深さＤ１が約８０ミルとすることができる。
【００２６】
上述したように、カバー層２２には、複数の溝２８も形成できる。これら溝は、同心円、直線、螺旋等のほぼ全てのパターンでよい。しかしながら、これら溝は、カバー層２２の薄い区分５４の上には延びない。従って、研磨パッドの研磨面２４は、溝をもつ部分と、もたない部分とを備え、溝をもたない部分の１つにくぼみが配置される。溝２８は、少なくとも１０ミルの深さであり、例えば、約２０ミルの深さである。溝２８は、カバー層２２の厚みの約２０−２５％にわたって延びることができる。例えば、８０ミル厚みのカバー層２２を有する研磨パッドでは、溝２８は、深さＤ２が約２０ミルである。これら溝は、凹所の内面５８により画成される平面まで又はそれを越えて延びるに充分な深さである。
【００２７】
更に、バッキング層２０は、もし存在する場合、コア４４及び／又はコイル４６をくぼみ５２へ接近させるために配置された１つ以上のアパーチャー５６を含む。従って、コア４４及び／又はコイル４６は、バッキング層２０も貫通して延び得る。図２に示すように、全てのくぼみ５２を横切って単一のアパーチャー５２を延ばすことができる。しかしながら、図４に示すように、別の実施形態においては、１つのアパーチャー５６が各凹所５２と整列される。しかしながら、ある研磨作業の場合には、単層の研磨パッドしか使用されず、バッキング層は存在しない。
【００２８】
図１及び図４を参照すれば、研磨パッド１８がプラテンに固定されるときには、薄い区分５４が、プラテンの凹所２６の上、及びプラテン１６の上面の平面を越えて突出するコア及び／又はコイルの一部分の上に嵌合される。コア４２を基板に接近して配置することにより、磁界があまり広がらないようにされ、空間解像度を改善することができる。研磨パッドが光学的終了点監視システムと共に使用されないと仮定すれば、凹所の上の部分を含む全研磨層を不透明にすることができる。
【００２９】
１つの実施形態（図３に示す）において、カバー層２２は、例えば、成形プロセスにより、カバー層の上面及び下面に各々溝及び凹所を予め形成するようにして、製造することができる。従って、溝付き部分と薄い区分とを含むカバー層２２は、単一の一体的本体とすることができる。カバー層２２は、成形プロセス、例えば、射出成形又は圧縮成形により、パッド材料が溝凹所を形成するくぼみを伴い型内で固化又は硬化するように製造することができる。或いは又、カバー層２２は、従来技術により、例えば、パッド材料の薄いシートをブロックから切り取ることにより、製造することもできる。次いで、カバー層の上面及び下面を各々加工又はミリングすることにより溝及び凹所を形成することができる。カバー層２２が製造されると、カバー層２２の凹所５２をバッキング層２０のアパーチャー５６に整列させて、カバー層を、例えば、接着剤でバッキング層２０に固定することができる。
【００３０】
或いは又、図５に示すように、研磨パッドを２つの部分で製造することができる。例えば、パッドの主本体６０は、溝２８をもつように製造することができる（成形又は加工により）。凹所５２を下面にもつ溝なしのインサート６２を個別に製造することができる。主部分６０及びインサート６２は、同じ材料で形成することができる。カバー層２２の主部分６０にはアパーチャー６４がカットされ、このアパーチャー６４には、例えば、接着剤によりインサート６４が固定され、インサート６４をバッキング層２０の上面に接合させる。インサート６２の厚みＤ４をカバー層２２の厚みＤ３と等しくして、インサート６２の上面を研磨面２４と平らにすることもできるし、或いはインサート６２の厚みＤ４をカバー層２２の厚みＤ３より若干小さくして、インサート６２の上面を研磨面２４に対して若干へこませることもできる。
【００３１】
図６に示す別の実施形態では、バッキング層２０が、マイラーのような非圧縮性の耐亀裂材料である（この実施形態は、単層研磨パッドとして機能し得ると考えられる）。マイラーシートは、カバー層２２の裏面に付着することができ、次いで、インサート６２をカバー層２２のアパーチャー６４に配置し、マイラーシート２０の上面に接着固定することができる。次いで、マイラーシートの一部分を除去して、凹所５２を露出させる。
【００３２】
図７Ａに示す別の実施形態では、インサート６２がカバー層２２の下側に固定される。この実施形態では、インサート６２は、カバー層２２のアパーチャー７２に嵌合する細い上部７０と、バッキング層２０のアパーチャー７６に嵌合する広い下部７４とを備えている。広い部分７４の上面７８は、バッキング層２０を越えて突出するカバー層２２の部分の下面７９に接着固定することができる。上部７０がカバー層２２と同じ厚みを有し、インサートの上面を研磨面２４と平らにすることができる一方、下部７４をバッキング層２０より薄くして、プラテンとインサートとの間にギャップを設けることができる。
【００３３】
図７Ｂを参照すれば、２部分インサートを単層研磨パッドに固定することもできる。この実施形態では、異なる断面寸法の上部区分８２及び下部区分８４をもつ２部分アパーチャー８０がカバー層２２に形成される。カバー層及びインサートが同じ剛性を有すると仮定すれば、下部７４は、アパーチャーの下部区分８４と同じ厚みを有することができる。
【００３４】
図８を参照すれば、別の実施形態において、凹所５２に対応する研磨面２４の部分、即ち薄い区分５４は、非常に浅い溝２８ａをもつことができ、一方、残りの研磨面は、深い溝２８ｂをもつことができる。深い溝２８ｂは、少なくとも１０ミルの深さ、例えば、約２０ミルの深さにすることができる。これに対して、浅い溝２８ａは、薄い区分５４の厚みより小さい深さ（例えば、その厚みの２５％未満）でなければならない。例えば、薄い区分５２が２０ミルの厚みを有する場合には、浅い溝２８ａは、約５ミルの深さをもつことができる。
【００３５】
渦電流監視システムは、種々の研磨システムに使用することができる。研磨パッド又はキャリアヘッド或いはその両方を移動して、研磨面と基板との間に相対的運動を与えることができる。研磨パッドは、プラテンに固定された円形（又は他の形状の）パッドでもよいし、供給ローラーと巻き取りローラーとの間に延びるテープでもよいし、又は連続的なベルトでもよい。研磨パッドは、プラテンに貼付することもできるし、研磨作業と研磨作業との間にプラテン上を増分的に前進することもできるし、又は研磨中にプラテン上を連続的に駆動することもできる。又、パッドは、研磨中にプラテンに固定することもできるし、又は研磨中にプラテンと研磨パッドとの間に流体ベアリングを設けることもできる。研磨パッドは、標準的な（例えば、フィラーを含んだり含まなかったりするポリウレタンの）粗面パッドでもよいし、柔軟なパッドでもよいし、又は固定研磨剤パッドでもよい。
【００３６】
更に、垂直配置の用語を使用したが、研磨面及び基板は、上下反対にも保持できるし、垂直の向きでも保持できるし、又は他の何らかの向きでも保持できることを理解されたい。
【００３７】
渦電流監視システムは、個別の駆動及び感知コイルを含むこともできるし、又は単一の結合された駆動及び感知コイルを含むこともできる。単一コイルシステムでは、発振器及び感知キャパシタの両方（並びに他のセンサ回路）が同じコイルに接続される。
【００３８】
本発明の多数の実施形態について説明した。しかしながら、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに種々の変更がなされ得ることを理解されたい。従って、特許請求の範囲内に包含される他の実施形態もあり得る。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】渦電流監視システムを含む化学的機械的研磨ステーションの部分断面概略側面図である。
【図２】図１の研磨パッドを示す概略上面図である。
【図３】図２の３−３線に沿って研磨パッドを示す概略断面側面図である。
【図４】カバー層の下面に多数のくぼみを有する研磨パッドを示す概略断面側面図である。
【図５】溝の無いインサートが、溝付きの研磨パッドに固定される研磨パッドを示す概略断面側面図である。
【図６】バッキング層が薄いシートである研磨パッドの別の実施形態を示す概略断面側面図である。
【図７Ａ】カバー層の下面にインサートが固定される研磨パッドの別の実施形態を示す概略断面側面図である。
【図７Ｂ】カバー層の下面にインサートが固定される研磨パッドの別の実施形態を示す概略断面側面図である。
【図８】凹所の上に浅い溝をもつ研磨パッドを示す概略断面側面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０…研磨ステーション、１２…基板、１６…プラテン、１８…研磨パッド、２０…バッキング層、２２…カバー層、２４…研磨面、２８…溝、２８ａ…浅い溝、２８ｂ…深い溝、３０…スラリー、３４…キャリアヘッド、３６…キャリア駆動シャフト、４０…凹所、４２…監視モジュール、４４…コア、４６…コイル、４８…磁界、５０…コントローラ、５２…凹所（くぼみ）、５４…薄い区分、５６…アパーチャー、５８…内面、６０…主本体、６２…インサート、７０…細い上部、７４…広い下部、７２、７６…アパーチャー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【国際調査報告】
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