(57)【要約】発電装置、この装置は、導電性表面領域を備えた第１の基板と、その第１の基板と対になった第２の基板を持つ。好ましくは、この第２の基板はエレクトレット材料領域を備えており、このエレクトレット材料領域は、十分に均一な電界を帯びていることを特徴としている。この導電性基板とエレクトレット基板とは、直接対面する両基板が共通の領域面積（Ａ）を持つような形で、十分に平行に位置合わせされている。空間分離距離を特徴付ける距離（ｄ）は、この導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間に形成されている。この導電性基板とエレクトレット基板との間の相対電位（Ｖ）は、距離（ｄ）に関連している。この導電性基板とエレクトレット基板との間には、それぞれに付随した誘電率（ε０）を持つ材料、液体、気体あるいはこれらの組み合わせが存在する。この相対電位は、この導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間の空間分離距離（ｄ）の変化、重なり合った面積（Ａ）の変化、あるいは誘電率（ε０）の変化に応じて変化する。
2005529574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２０平方センチメートル未満の導電性領域に対しエレクトレット材料表面を移動させることと、
この導電性領域とエレクトレットとの間の相対電位の変化が、少なくともこの導電性領域に対する前記エレクトレット材料表面の移動に基づいて起こることとを含んだ発電方法。
【請求項２】
前記導電性領域が、１０平方センチメートル未満であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記エレクトレット材料が、その表面直上で５％以下、または１％以下のピーク・トゥ・ピーク電界均一性を備えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記エレクトレット材料と前記導電性材料とが、相対湿度５０％以下の環境に保たれていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記エレクトレット材料が、湿気のない状態で保たれていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
変化する前記電位から交流電流が出力されることを含んだ請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記電位差が、前記導電性領域と前記エレクトレット領域との間で少なくとも１ボルトであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記導電性領域に対する前記エレクトレット領域の移動を促すために機械的な力をかけることを含んだ請求項１記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１マイクロワットの使用可能な電力を発電することを含んだ請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記移動が、並進運動、回転運動および振動運動から選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
エレクトレット材料表面と、
このエレクトレット材料表面に対向する導電性表面領域と、
前記エレクトレット表面とこの導電性表面領域との間に、移動可能な形で組み合わされた誘電体材料であって、この誘電体材料の空間的位置を変化させることによって、前記導電性表面領域と前記エレクトレット表面との間の相対電位に変化を生じさせるための誘電体材料とを備えた発電装置。
【請求項１２】
前記誘電体材料が流体であることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記誘電体材料である流体が水であることを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記誘電体材料が固体であることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１５】
前記導電性表面領域が、誘電体またはエレクトレット材料表面を含むことを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１６】
前記エレクトレット材料表面と前記導電性表面領域とが、所定の距離だけ分離されていることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１７】
前記エレクトレット材料表面と前記導電性表面とが、十分に平行な状態で構成されていることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１８】
前記エレクトレット表面と前記導電性表面とは、このエレクトレット表面とこの導電性表面との間に結合された電界を含み、この電界はエレクトレット表面と導電性表面との法線方向を持つことを特徴とする請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記エレクトレット材料表面は、複数のエレクトレット表面領域の１つであり、それぞれの表面領域が不活性領域によって分離されていることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項２０】
前記誘電材料が導電性液体であることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項２１】
導電性表面領域を備えた第１の基板と、
この第１の基板と対になった第２の基板であり、かつ十分に均一な電界であることを特徴としたエレクトレット材料領域を備えた第２の基板と、
前記導電性表面領域と前記エレクトレット材料領域との間の空間分離距離を特徴付ける距離（ｄ）と
前記導電性領域と前記エレクトレット領域との間の相対電位であり、かつ前記距離（ｄ）と関連した相対電位とを備えた発電装置であって、
前記導電性領域と前記エレクトレット材料領域との間の空間分離距離の変化により前記相対電位が変化することを特徴とした発電装置。
【請求項２２】
前記第２の基板は、
接続領域を持つ厚みのある基板材料と、
この厚みのある基板材料を覆うように形成された浮遊導電性領域であり、前記接続領域とは物理的な接触がない浮遊導電性領域と、
この浮遊導電性領域を覆うように形成された保護層であり、表面領域をもつ保護層であって、この表面領域は前記浮遊導電性領域とは物理的な接触がないことを特徴とした保護層とを備え、
前記厚みのある基板材料と前記浮遊導電性領域と前記保護層とで、少なくとも１×１０−４Ｃｏｕｌｏｍｂ／ｍ２の大きさの電荷密度と５％以下のピーク・トゥ・ピーク電荷均一性とを有するサンドイッチ構造が形成されることを特徴とする請求項２１記載の装置。
【請求項２３】
前記浮遊導電性領域は、少なくともマイクロマシン加工プロセスを用いてパターニングされることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項２４】
前記厚みのある基板材料は、４０ミクロン以下の厚みを持つテフロン（登録商標）材料であることと、前記浮遊導電性領域は５０００オングストロームの厚みがあるアルミニウム製軸受け材料を含むこととを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項２５】
前記厚みのある基板材料は、テフロン（登録商標）材料を含むことを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項２６】
前記浮遊導電性領域は、アルミニウム製軸受け材料またはアルミニウム合金製軸受け材料を含むことを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項２７】
前記保護層がテフロン（登録商標）であることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項２８】
前記浮遊導電性領域が、単層または多層であることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項２９】
前記保護層が、スパッタによって形成された酸化物、ポリマー、またはＳＯＧであることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３０】
前記保護層が、１×１０１３Ｏｈｍ・ｃｍよりも大きな体積抵抗率を持つことを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３１】
前記浮遊導電層が、少なくとも１×１０−１０（Ｏｈｍ・ｃｍ）−１の体積導電率を持つことを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３２】
前記導電層が、前記保護層の抵抗率値よりも小さな抵抗率値を持つことを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３３】
前記電荷密度が、複数の電子の注入により設けられることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３４】
前記複数の電子が、電子ビームにより供給されることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３５】
前記基板が、液体テフロン（登録商標）材料を回転させることにより設けられることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３６】
前記基板が、圧縮成型により設けられることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３７】
前記基板が、シリコンとガラスとプラスチックから選択されることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３８】
前記基板が、１つの空の領域、または気体あるいは低導電率の液体を含む複数の領域を含むことを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項３９】
前記基板を所定の位置に保持するために、前記基板が実装基板上に設けられることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項４０】
前記実装基板が、その上を覆う金属層であり、前記基板とつながっている金属層を備えることを特徴とする請求項３８記載の装置。
【請求項４１】
前記基板が、ダマシン・プロセスを用いて作られることを特徴とする請求項２２記載の装置。
【請求項４２】
浮遊導電性領域が、電荷の均一分布を促すために電荷と相互作用することを特徴とする請求項２２記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、２００２年６月７日にＢｏｌａｎｄおよびＴａｉ名義で出願した米国仮出願番号６０／３８７，１８１（ＣＩＴ番号３７０３−P）、２００２年６月１３日にＢｏｌａｎｄおよびＴａｉ名義で出願した特許出願番号６０／３８８，８７５（ＣＩＴ番号３７０６−Ｐ）、２００２年６月１３日にＢｏｌａｎｄ、ＴａｉおよびＳｕｚｕｋｉ名義で出願した米国仮出願番号６０／３８８，８７４（ＣＩＴ番号３７０５−Ｐ）、および２００２年１０月１０日にＢｏｌａｎｄ名義で出願した米国仮出願番号６０／４１７，６９８（ＣＩＴ番号３７８２−Ｐ）の優先権を主張する。これらは、本出願と共通の譲受人を持ち、ここに引用のために開示されたものである。
［連邦政府支援研究開発下での発明への権利に関する声明］
【０００２】
この研究は、ＤＡＲＰＡ研究助成金番号ＤＡＡＨ０１−０１−Ｒ００２および米国国立科学財団工学研究審議会プログラム助成金番号ＥＥＣ−９４０２７２６により一部助成を受けたものである。
【背景技術】
【０００３】
本発明は、一般に、発電技術に関する。具体的には、発電用に改良された電気特性を備えたエレクトレット素子を用いた発電装置と方法とに関する。単に一例としてだが、エレクトレット素子は、マイクロマシン・プロセスを含むパターニング・プロセスを用いて作製されてきた。しかし、例えば成型、鋳造、レーザ・アブレーション、直接印刷等の他のプロセスもまた使用可能であることは明らかである。また、エレクトレット発電装置と方法は、小さな寸法の装置に対し効率良く出力するための、種々の形状や寸法にすることが可能である。
【０００４】
電磁発電機は、電力を供給するために様々な用途に用いられてきた。極端な大電力発電機は、例えば、ダムによって制御される大河川からの水の移動を用いて電力をもたらす発電機のような形で存在する。単に一例としてだが、フーバー・ダム（Ｈｏｏｖｅｒ  Ｄａｍ）はアメリカ合衆国カリフォルニア州ロサンジェルスの電力を生産している。また、電磁発電機は、自動車、家電製品および個人的機器におけるいくつかの電子機能の動作用電力を供給するために、小型のものもある。また、別のタイプの発電機もある。
【０００５】
単に一例としてだが、ある種の電磁発電機は直流（ＤＣ）発電機である。多くの場合、直流発電機は、磁場中で回転すると、機械的運動エネルギーを電気エネルギーに変換する電機子と呼ばれる導体ベアリング回転部材を用いている。磁場中で回転すると、電圧や電流を含む電気エネルギーを発生する電機子に、機械的な力を与えると、そのような変換は起こる。そして、その電圧や電流は、外部回路を通せば外部素子に電力を供給するのに使うことができる。電磁発電機のより詳細な理論や動作は、他にも色々と情報源はあるが、The Bureau of Naval Personal, BAISC ELECTRICITY, Second Revised and Enlarged Edition, Dover Publications, Inc., New York (1969)に見ることができる。
【０００６】
電磁発電機は、ある種の用途にはとても高効率であるが、小さくなればなるほど限界がある。単に一例としてだが、電磁発電機は、１立方センチメートルよりも小さな形状因子をもつ用途に電力を供給するには非効率であった。従来の電機子の寸法が、約１インチかそこらの所定の大きさよりも小さくなれば、従来の電磁発電機は、例えば、携帯電話、携帯情報端末、ポケベル、およびペースメーカー等のような最新の電子装置を動かすには十分な電力を供給することはできない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
単に一例としてだが、現在使用されていて、知られている中で最も小さな商用電磁発電機は、アメリカ・セイコー社（Seiko Corporation of America）がキネィック・シリーズ（Kinetic Series）腕時計に用いるために開発したものである。この発電機からのピーク出力は、４０マイクロワットも出ず、腕時計の針を継続して動かすには十分ではない。その問題を重要視すると、セイコー社は、キネティック・シリーズ腕時計が時刻を正確に刻めるように、多くの省力技術と同様、腕時計中にバックアップ・システムを用いなければならない。十分な電力供給ができないために、腕時計の機能が犠牲になっている。これゆえ、最新の電子装置は、いまだに、電池等のような化学電源に頼っている。しかし、その化学電源は寿命が決まっており、充電が困難で、扱いにくいものである。
【０００８】
従って、非常に多くの応用製品や装置への使用に適した、拡張性のある電力問題解決手段を提供するために、エレクトレット発電機を提案するものである。エレクトレット発電機に必要な起電力は、純粋に電気であり、従来の電磁発電機に使われる電磁力は必要ではない。エレクトレット発電機の理論と実験が、O. D. Jefimenko, IEEE Trans. Ind. Appl. Vol. IA-14, pp. 537-540, 1978と、Y. Tada, IEEE Trans. Elect. Insul. EI-21, 1986, pp. 457-464にて報告されている。半径４５ｍｍのエレクトレット発電機が、Y. Tada, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31, part 1, No. 3, 1992, pp. 846-851により研究されている。この中では、報告されたエレクトレット発電機からの最大出力は、１．０２ｍＷであった。残念ながら、今までのエレクトレット発電機は、より小型化、より効率化がまだできていないし、商用使用は全くみられない。以上述べた限界およびその他の限界については、本明細書を通して詳細に説明してあり、具体的には下記に説明してある。
【０００９】
以上のことから、発電技術の改良が高く望まれていることがわかる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、発電技術を提供するものである。具体的には、本発明は、発電用に改良された電気特性を備えたエレクトレット素子を用いた発電装置と方法とを提供することを目的とする。単に一例としてだが、エレクトレット素子は、マイクロマシン・プロセスを含むパターニング・プロセスを用いて作製されてきた。しかし、例えば、成型、鋳造、レーザ・アブレーション、直接印刷等のほかのプロセスも使用可能であることは明らかである。また、エレクトレット発電装置と方法は、小さな寸法の装置に対し効率良く出力するため、種々の形状や寸法にすることが可能である。ここで、「エレクトレット」という用語は、半永久的に電荷を示す誘電体材料として定義される。「半永久的」という表現は、時間尺度での電荷の減衰特性が、このエレクトレットに対して行った研究時間よりもはるかに長いことを意味している。また、実施例によっては、本発明の請求範囲の精神から離れることなく、エレクトレットに対して他の定義も使うことが可能である。
【００１１】
本発明は、具体的な実施例において、エレクトレット材料を用いた発電方法を提供するものである。本発明には、エレクトレット材料表面が、導電性領域に対して移動することが含まれている。実施例によっては、エレクトレット材料、あるいは導電性領域を移動することもありうるし、またエレクトレット材料と導電性領域のどちらもを、空間的に相対的な形で移動することもありうる。導電性領域は２０平方センチメートルよりも小さな寸法である。ただし、用途によっては他の寸法も取ることが可能である。エレクトレットの電位に対する導電性領域の電位に変化を起こさせる方法は、導電性領域に対してエレクトレット材料表面を相対的に動かすことである。
【００１２】
他の具体例において、本発明は、エネルギー発生装置を提供するものである。好適には、この装置は、小さな形状因子を持つマイクロ発電機として構成されている。この装置には、エレクトレット材料表面と、そのエレクトレット材料表面に対して一定の距離をもって向かい合う導電性表面領域が含まれる。誘電体材料が、エレクトレット表面と導電性表面領域との間に、移動可能な形で組み合わされており、エレクトレット材料に対する誘電体材料の空間的位置に応じて、導電性領域表面での電位が変化する。実施例によっては、誘電体材料は液体、固体、気体、またはそれらの混合物でよく、エレクトレット材料表面と導電性表面領域との間の領域を出たり入ったりする。
【００１３】
また別の実施例においては、本発明は発電装置を提供するものである。この装置には二つの基板がある。第１の基板は導電性表面領域を備え、第２の基板は、第１の基板と対になっている。好適には、第２の基板は、十分に均一な電界であることを特徴としたエレクトレット材料を備えている。空間分離距離を特徴付ける距離（ｄ）は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間で形成される。これらの領域間の電位は、距離（ｄ）に関係している。その電位は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との空間距離の変化に基づいて変化する。
【００１４】
本発明を用いると、従来技術を越えて、数え切れないくらい多くの利点が得られる。本発明は、従来のプロセス技術を用いて実施できる。他の実施例では、多くの電力用途に利用可能なマイクロマシン加工を施したエレクトレット構造を用いて、本発明を提供する。所望の電圧や電流量を発生する能力を約束するわけではないが、マイクロマシン加工を用いれば、大量生産が可能なより小さな設計寸法が可能となる。実施例によっては、１つ以上の利点を得ることが可能である。以上述べた利点およびその他の利益については、本明細書を通して説明してあり、具体的には以下に説明する。
【００１５】
本発明についてのこれ以外の様々な目的、特徴および利点は、以下の詳細な説明と添付図とを参照して、十分よく理解することができるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、発電技術を提供するものである。具体的には、本発明は、発電用に改良された電気特性を備えたエレクトレット素子を用いた発電装置と方法とを提供することを目的とする。単に一例としてだが、エレクトレット素子は、マイクロマシン・プロセスを含むパターニング・プロセスを用いて作製されてきた。しかし、例えば、成型、鋳造、レーザ・アブレーション、直接印刷等の他のプロセスも使用可能であることは明らかである。また、エレクトレット発電装置と方法は、小さな寸法の装置に対し効率良く出力するための、種々の形状や寸法にすることが可能である。ここで、「エレクトレット」という用語は、半永久的に電荷を示す誘電体材料として定義される。「半永久的」という表現は、時間尺度での電荷の減衰特性が、このエレクトレットに対して行った研究時間よりもはるかに長いことを意味している。また、実施例によっては、本発明の請求範囲の精神から離れることなく、エレクトレットに対して他の定義も使うことが可能である。
【００１７】
図１は、本発明の実施例によるエレクトレット発電装置１００の概略図である。この図は単なる一例であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、多くの変形、代替、および修正した装置があることは、当業者には明らかであろう。この装置には、図に示すように、導電性表面領域１０８を備えた第１の基板１０７が含まれる。この第１の基板は、十分に硬ければどのような適した材料で構成してもよく、また、導電特性を持つ。この基板は、例えば、金属、プラスチック、半導体、あるいはこれらのいかなる組み合わせで構成してもよい。導電性領域を基板上に形成してもよいし、かつ／または、用途に応じて、基板固有の特性であっても良い。好適には、この基板は、アルミニウムで被覆された、酸化シリコン結晶であるが、他の材料で構成してもよい。この装置は、また、図に示すように第１の基板と対になった第２の基板１０５を備えている。
【００１８】
好適には、第２の基板はエレクトレット材料領域１０９を備えている。この領域は、十分に均一な電界であることを特徴としている。このエレクトレット材料領域は、マイクロマシン加工された構造であり、具体例では、より小さな形状因子の実現を可能としている。好適には、この装置にはエレクトレット素子が含まれている。また、その素子については、同時係属の米国特許出願番号 （代理人整理番号０２０８５９−００１７１０ＵＳ）により詳細に説明してある。これは、本出願と共通の譲受人を持ち、ここに引用のために開示されたものである。このエレクトレット素子は、接続領域を備えた厚みのある基板材料を備えている。電気的に浮遊した導電性領域が、この厚みのある基板材料を覆うように形成されている。この浮遊導電性領域は、接続領域とは物理的な接触はない。この浮遊導電性領域を覆うように保護層が形成されている。この保護層には表面領域があり、浮遊導電性領域を密封している。この厚みのある基板材料と浮遊導電性領域、及び保護層とで、サンドイッチ構造が形成されており、このサンドイッチ構造は、保護層の上で直接測定すれば、少なくとも１×１０−４Ｃｏｕｌｏｍｂｓ／ｍ２の大きさの皮相電荷密度と、５％以下のピーク・トゥ・ピーク電界不均一性を持つ。もちろん、多くの変形、代替、および修正した構造があることは、当業者には明らかであろう。
【００１９】
具体例では、エレクトレット材料領域と導電性表面領域とは、それらの空間分離距離が変化すれば、発電につながる電圧変化が起きるように構成されている。このエレクトレット材料領域と導電性表面領域とは、好適な実施例では、互いに十分に平行である。空間分離距離を特徴付ける距離（ｄ）１１１は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間で形成される。図にやはり示すように、１１５に対する相対電位（Ｖ）１１３は距離（ｄ）に関連している。この相対電位は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間の空間分離距離の移動に基づき変化する。実施例に応じて、第２の基板に対して第１の基板を動かす方法は様々にあり得る。第２の基板が、第１の基板に対して空間的に動く間、第１の基板は固定されていてもよい。逆に、第１の基板が、第２の基板に対して空間的に動く間、第２の基板は固定されていてもよい。また、それぞれの基板が、お互いの基板に対して動いても良い。その場合は、それぞれの基板は、移動可能であり、固定はされない。さらに、第２の基板に対する第１の基板の移動が可能なこれらの方法は、用途に応じて、いずれの組み合わせで使用してよい。
【００２０】
この装置は、第１の基板の具体的な動き、つまり第２の基板のエレクトレット材料領域に対する導電性領域の動きに応じて電圧を発生する。具体例では、これら２つの基板の相対的な動きは、参照番号１１７が示す方向線で描かれている並進運動であればよい。また、これら２つの基板の相対的な動きは、参照番号１１９が示す方向線で描かれている回転運動であってもよい。
また、これら２つの基板の相対的な動きは、参照番号１２１が示す方向線で描かれているスペースｄに沿った並進運動であってもよい。さらに、相対的な動きは、他方の基板に対して一方の基板をある方向に動かす上記の方法のいずれの組み合わせであってもよい。ここで、導電性領域上へのエレクトレット材料領域の電界の印加に応じた電圧変化を起こさせるには、この動きは、回転、並進、さらに場合によっては振動運動のいずれの組み合わせでもよい。電力発生方法に関するより詳細については、本明細書中に説明されており、具体的には以下に説明される。
【００２１】
図２は、本発明の実施例による別のエレクトレット発電装置２００の概略図である。この図は単なる一例であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、多くの変形、代替、および修正した装置があることは、当業者には明らかであろう。この装置には、図に示すように、導電性表面領域２０８を備えた第１の基板２０７が含まれている。この第１の基板は、十分に硬ければどのような適した材料で構成してもよく、また、導電特性を持つ。この基板は、例えば、金属、プラスチック、半導体、あるいはこれらのいかなる組み合わせで構成してもよい。導電性領域を基板上に形成しても良いし、かつ／または、用途に応じて、基板固有の特性であっても良い。好適には、この基板は、アルミニウムで被覆された、酸化シリコン結晶であるが、他の材料で構成してもよい。この装置は、また、図に示すように第１の基板と対になった第２の基板２０５を備えている。
【００２２】
好適には、第２の基板はエレクトレット材料領域２０９を備えている。この領域は、十分に均一な電界であることを特徴としている。このエレクトレット材料領域は、マイクロマシン加工された構造であり、具体例では、より小さな形状因子の実現を可能としている。好適には、この装置にはエレクトレット素子が含まれている。また、その素子については、同時係属の米国特許出願番号 （代理人整理番号０２０８５９−００１７１０ＵＳ）により詳細に説明してある。これは、本出願と共通の譲受人を持ち、ここに引用のために開示されたものである。このエレクトレット素子は、接続領域を備えた厚みのある基板材料を備えている。電気的に浮遊した導電性領域が、この厚みのある基板材料を覆うように形成されている。この浮遊導電性領域は、接続領域とは物理的な接触はない。この浮遊導電性領域を覆うように保護層が形成されている。この保護層には表面領域があり、浮遊導電性領域を密封している。この厚みのある基板材料と浮遊導電性領域、及び保護層とで、サンドイッチ構造が形成されており、このサンドイッチ構造は、保護層の上で直接測定すれば、少なくとも１×１０−４Ｃｏｕｌｏｍｂｓ／ｍ２の大きさの皮相電荷密度と、５％以下のピーク・トゥ・ピーク電界不均一性を持つ。もちろん、多くの変形、代替、および修正した装置があることは、当業者には明らかであろう。
【００２３】
具体例では、エレクトレット材料領域と導電性表面領域とは、それらの空間分離距離が変化すれば、発電につながる電圧変化が起きるように構成されている。このエレクトレット材料領域と導電性表面領域とは、好適な実施例では、互いに十分に平行である。空間分離距離を特徴付ける距離（ｄ）２１１は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間で形成される。図にやはり示すように、２１５に対する相対電位（Ｖ）２１３は距離（ｄ）に関連している。この相対電位は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間の空間分離距離の移動に応じて変化する。実施例に応じて、第２の基板に対して第１の基板の動かし方はいろいろとあり得る。第２の基板が、第１の基板に対して空間的に動く間、第１の基板は固定されていてもよい。逆に、第１の基板が、第２の基板に対して空間的に動く間、第２の基板は固定されていてもよい。また、それぞれの基板が、互いの基板に対して動いても良い。その場合は、それぞれの基板は、移動可能であり、固定はされない。さらに、上記の第２の基板に対する第１の基板の移動方法については、用途に応じて、いずれの組み合わせを使用してもよい。
【００２４】
この装置は、第１の基板の具体的な動き、つまり第２の基板のエレクトレット材料領域に対する導電性領域の動きに応じて電圧を発生する。具体例では、エレクトレット材料を含む第２の基板が固定されている。導電性領域を含む第１の基板は、固定構造２１６にバネ２１７を介して連結されている。このバネは、固定構造を第１の基板に接続している。好適には、このバネにより、第１の基板は復元力を与えることにより定位置に戻ることができる、あるいは、第１の基板は参照番号２１９で示した空間方向に振動することができる。第１の基板の動きは、動作や重力により第１の基板に加えられた加速力により生じることが可能である。この振動によって、装置２００を用い電力を発生させることができる。電力の生成方法に関するより詳細については、本明細書中に説明されており、具体的には以下に説明される。
【００２５】
図３は、本発明の実施例によるもう１つのエレクトレット発電装置３００の概略図である。この図は単なる一例であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、多くの変形、代替、および修正した装置があることは、当業者には明らかであろう。この装置には、図に示すように、第１の基板３０５のエレクトレット材料表面３０９と第２の基板３０７の導電性表面領域３０８とが含まれる。この導電性表面領域は、エレクトレット材料領域に対面している。誘電体材料３０８は、エレクトレット材料に対する誘電体材料の空間位置に応じて、導電性表面領域での電位に変化が生じるように、エレクトレット表面と導電性表面領域との間に、移動可能な形で組み合わされている。単なる一例であるが、蓄積する電荷（Q）は次のように表される：
Q=εoV (A/d)
ここで、Qは電荷、e0は誘電率、Vは電圧、Aは基板表面領域の面積、およびdは第１および第２の基板間の距離である。
誘電定数は誘電率を変化させ、そして電圧Vを変化させる。実施例に応じて、誘電体材料は液体、固体、あるいは気体でさえあってもよい。それは、エレクトレット材料表面と導電性表面領域との間の領域を出たり入ったりする。ここで、誘電率の値を変えるために、二つの基板間に液体を挿入しても良い。また、これらの基板間に、一枚の誘電体材料を挿入してもよい。好適には、誘電体材料が、参照番号３１１で示す方向に、その空間を出たり入ったりする。
【００２６】
図４は、本発明の実施例によるさらにもう１つのエレクトレット発電装置４００の概略図である。この図は単なる一例であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、多くの変形、代替、および修正した装置があることは、当業者には明らかであろう。この装置には、図に示すように、複数の導電性表面領域４１１を備えた第１の基板４０７が含まれており、それぞれの導電性表面領域は、非導電性領域４１５によって分離されている。この第１の基板は、十分に硬ければどのような適した材料で構成してもよく、また、導電特性を持つ。この基板は、例えば、金属、プラスチック、半導体、あるいはこれらのいかなる組み合わせで構成してもよい。導電性領域は基板上に形成されても良いし、かつ／または、用途に応じて、基板固有の特性であっても良い。好適には、この基板は、アルミニウムで被覆された、酸化シリコン結晶であるが、他の材料で構成してもよい。また、この導電性領域は、例えば、銅、鉄、アルミニウム、およびこれらの金属の合金等で構成される。この装置はまた、図に示すように、第１の基板と対になった第２の基板４０５を備えている。
【００２７】
好適には、第２の基板は複数のエレクトレット材料領域４０９を備え、それらは、十分に均一な電界であることを特徴としている。それぞれのエレクトレット材料領域は、電界のない非エレクトレット領域４１３によって分離されている。このエレクトレット材料領域はマイクロマシン加工された構造であり、具体例では、より小さな形状因子の実現を可能にしている。好適には、この装置には、エレクトレット素子が含まれており、その素子については、同時係属の米国特許出願番号 （代理人整理番号０２０８５９−００１７１０ＵＳ）により詳細に説明してある。これは、本出願と共通の譲受人を持ち、ここに引用のために開示されたものである。このエレクトレット素子は、接続領域を備えた厚みのある基板材料を備えている。電気的に浮遊した導電性領域は、この厚みのある基板材料を覆うように形成されている。この浮遊導電性領域は、接続領域とは物理的な接触はない。この浮遊導電性領域を覆うように保護層が形成されている。この保護層には表面領域があり、浮遊導電性領域を密封している。この厚みのある基板材料と浮遊導電性領域、及び保護層とで、サンドイッチ構造が形成されており、このサンドイッチ構造は、保護層の上で直接測定すれば、少なくとも１×１０−４Ｃｏｕｌｏｍｂｓ／ｍ２の大きさの皮相電荷密度と、５％以下のピーク・トゥ・ピーク電界不均一性を持つ。もちろん、多くの変形、代替、および修正した構造があることは、当業者には明らかであろう。
【００２８】
具体例では、エレクトレット材料領域と導電性表面領域とは、発電につながる電圧変化を起こすように構成されている。このエレクトレット材料領域と導電性表面領域とは、好適な実施例では、互いに十分に平行である。空間分離距離を特徴付ける距離（ｄ）は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間で形成される。図にやはり示すように、相対電位（Ｖ）は距離（ｄ）に関連している。この相対電位は、導電性表面領域とエレクトレット材料領域との間の側方運動（参照番号４２１で示されるような）に基づき変化する。実施例に応じて、第２の基板に対して第１の基板の動かし方は様々にあり得る。第２の基板が、第１の基板に対して空間的に動く間、第１の基板は固定されていてもよい。逆に、第１の基板が、第２の基板に対して空間的に動く間、第２の基板は固定されていてもよい。また、それぞれの基板が、お互いの基板に対して動いても良い。その場合は、それぞれの基板は、移動可能であり、固定はされない。さらに、上記の第２の基板に対する第１の基板の移動方法のいずれの組み合わせも、用途に応じて使用すればよい。
【００２９】
この装置は、第１の基板の具体的な動き、つまり第２の基板のエレクトレット材料領域に対する導電性領域の動きに応じて電圧を発生する。具体例では、エレクトレット材料を含む第２の基板が固定されている。導電性領域を含む第１の基板は、固定構造４１７にバネ４１９を介して連結されている。バネは、第１の基板の両側面に接続されており、また、固定構造に接続されている。好適には、このバネにより、第１の基板は定位置に戻ることができ、あるいは、第１の基板は側方運動を行い、定位置に戻ることができる。第１の基板の動きは、用途に応じて、動作や重力により第１の基板に加えられた加速力により生じることが可能である。この動きによって、装置４００を用いて電力を発生させることができる。電力の生成方法に関するより詳細については、本明細書中に説明されており、具体的には以下に説明される。
【００３０】
図５は、本発明の実施例によるエレクトレット発電方法の概略図である。この図は単なる一例であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、多くの変形、代替、および修正した方法があることは、当業者には明らかであろう。図に示すように、導電性領域とエレクトレット領域とを含む二つの基板を、参照記号Ａで示すように、所定の距離だけ離しておく。ここで、エレクトレット領域には正電荷が蓄積し、導電性領域には電子が蓄積している。これら二つの基板間の距離ｄを減少させるように、二つの位置を一緒に動かせば、参照記号Ｂで示すように、電子は、エレクトレット領域がある基板から流れ出ていき、導電性領域を含む基板に流れ込む。すぐにこれら二つの基板を互いに離せば、参照記号Ｃで示すように、より正に帯電していたエレクトレット領域に電子が流れ込む。実施例に応じて、他の変形、修正、および代替方法がある。
【００３１】
図６は、本発明の実施例によるエレクトレット発電装置の概略回路図である。この図は単なる一例であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、多くの変形、代替、および修正した回路があることは、当業者には明らかであろう。単なる一例であるが、エレクトレット固定子の前面に回転する回転子を備え、可変コンデンサを形成しながら、発電のための電荷回路を取り付けた発電装置を回路図に示す。実例としての発電装置に関するより詳細については、本明細書中に説明しており、具体的には以下に説明する。
【００３２】
以上の方法は、ある選択したステップの順序で示したが、多くの修正、代替および変形した方法が存在することは明らかであろう。エレクトレット材料の作成方法や発電機そのものの作り方を実行するまた別の方法は、本明細書中に説明しており、具体的には以下に説明する。
【００３３】
実験
本発明の原理と動作とを証明するために、実験を行った。この実験は、単なる一例であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、多くの変形、代替、および修正した実験があることは、当業者には明らかであろう。この実験には、マイクロマシン加工した回転型エレクトレット発電機とエレクトレット発電機の線型理論モデルとを用いた。このエレクトレット発電機は、上に述べたようなエレクトレット材料を用いて作製した。また、均一に帯電したエレクトレットの作製方法も準備した。
【００３４】
発明の背景に記載したように、エレクトレット発電機は、一般に電磁発電機とは異なっており、起電力は純粋に電気である。エレクトレット発電機の理論と実験については、O. D. Jefimenko, IEEE Trans. Ind. Appl., Vol. IA-14, pp. 537-540, 1978、およびY. Tada, IEEE trans. Elect. Insul. EI-21, 1986, pp. 457-464によって報告されている。半径４５ｍｍのエレクトレット発電機が、Y. Tada, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31, Part 1, No. 3, 1992, pp. 846-851によって研究されている。この中では、報告されたエレクトレット発電機からの最大出力は、１．０２ｍＷであった。我々は、この技術を、マイクロマシン加工およびこの技術に準拠したエレクトレット技術の使用も含めて、小型化し、１ｍＷ以上の発電出力を達成した。
【００３５】
エレクトレットとして、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）材料（ここで、テフロン（登録商標）という用語は、デュポン社（E. I. du Pont de NeMours and Company）の登録商標である。）は、−５×１０−４Ｃ／ｍ２の電荷密度を、何百年もの理論寿命を持って蓄えることができる(J.A. Malecki, Phys. Rev. B.. Vol. 59, no. 15, 1999, pp. 9954-9960)。我々は、ＭＥＭＳプロセスに準拠したスピン・オン・プロセスで形成できる誘電体であることから、テフロン（登録商標）ＡＦ１６０１−Ｓを用いた。我々は、この材料の多重スピン・プロセスができるように工程能力を拡大し、またフォトレジストを用いたパターニング能力も拡大した。また、電子は、バックライト・サイラトロン（back lighted thyratron： BLT）を用いてすばやく注入することができる。このバックライト・サイラトロンについては、次の文献に記されている。T.Y. Hsu, “A Novel Electron Beam Source Based on the Back-Lighted Thyratron”, Ph.D. dissertation, Univ. Southern California, 1992。バックライト・サイラトロンはまた次の文献では擬似スパーク装置（psuedospark device）とも呼ばれている。K. Frank, E. Dewald, C. Bickes, U. Ernst, M. Iberler, J. Meier, U. Prucker, A. Rainer, M. Schlaug, J. Schwab, J. Urban, W. Weisser, and D. H. H. Hoffmann, IEEE trans. on Plasma Science, Vol. 27, No. 4, 1999, pp. 1008-1020。本実験における我々の設計・作製プロセスの詳細を以下に説明する。
【００３６】
回転子は半径４ｍｍ、固定子は半径５ｍｍで作製した。設計寸法は、１ｃｍ２のチップ上に利用可能領域ができるように選んだ。この回転子の半径は４ｍｍなので、固定子の接地層への表面接続は銀ペーストで可能である。回転子と固定子とが重なる領域のみが電気を発生するので、あらゆる点から考えて、実効半径（ｒｅｆｆ）４ｍｍを用いた。
【００３７】
我々の実験では、文献に記された結果と比較するために、極数ｎ＝４を選んだ。Ｔａｄａの研究では、極の作製方法として手作業での切断を行ったために、極数は少ないままである。ＭＥＭＳリソグラフィは１０μｍ以下の線幅を作製することができ、これはフリンジング電界が無視できるという仮定をはるかに超えている。
【００３８】
この発電機用のテフロン（登録商標）材の厚さは９μｍとし、Ｔａｄａの実験構成とは対照的に、固定子上においた。この構成は、回転子を再搭載しなければならないという作業をすることなく、多くの異なった厚みを試すことができるように選んだ。この回転子は、回転軸の長軸に対し垂直平面に組み込まれなければならない。さもなければ、回転中に、回転子と固定子との面が平行からずれることになる。この構成は、図7により容易にわかる。エレクトレット材料の製造プロセスフローの詳細を以下に説明する。
【００３９】
図８は、回転子と誘電体付き固定子のプロセスフローの例である。エレクトレット発電機用の回転子と固定子は、つりあう極数でなければならない。回転子については、２０００Åのアルミニウムを石英ウエハ上に蒸着し、パターニングした。そして、このウエハをダイシングし、そのダイシングした小片を、円形回転子にできるだけ近似するために、さらに八角形状にダイシングした。固定子は、最初に２０００Åのアルミニウムを石英ウエハに蒸着し作製する。このアルミニウム層をパターニングし、次に、その上にテフロン（登録商標）ＡＦ１６０１−Ｓの厚い層をスピン・オンする。以前のプロセス実験において、テフロン（登録商標）溶液が、デュポン社から供給されたままの６％の固体と９４％のフロリナート（Fluorinert）ＦＣ−７５で構成されているのであれば、１．２μｍ厚のテフロン（登録商標）層がスピン・オンされることを確認していた。この薄膜は、最初は荒れた表面をしているが、３３０℃で１５分の長めのプリベークで表面はリフローできる。この温度でのベークには、全ての溶媒を除去するという付加的な効果もあり、テフロン（登録商標）多層膜をスピン・オンする場合には必要なステップである。
【００４０】
デュポン社はまた、固体を１８％含むテフロン（登録商標）ＡＦも供給しているが、この溶液は通常のスピン法には粘性が高すぎる。我々は、１８％の固体を含むテフロン（登録商標）にフロリナートＦＣ−４０を混ぜて、７．４％の固体を含む溶液を作った。この溶液を用いれば、毎分５００回転（５００ＲＰＭ）の条件で、９μｍのスピン・オン薄膜ができる。フロリナートＦＣ−４０は、フロリナートＦＣ−７５と似た電気特性であるが、ＦＣ−４０の動粘度はＦＣ−７５よりも２．７５倍大きい。さらに、１．２μｍ厚の薄膜は２５％以上の膜厚ばらつきがあったのに対し、９μｍ厚の薄膜は１％以下のばらつきであった。ＦＣ−４０の不都合な点は、主に、沸点が高い点であり、そのため、より厚いテフロン（登録商標）薄膜から全ての溶媒を除去するには、より高温とより長いベーク時間とが必要となる。
【００４１】
十分にベークしたスピン・オン・テフロン（登録商標）薄膜に、ＨＭＤＳ（ヘキサ・メチル・ジシラザン）蒸気を３分間あてて、そのテフロン（登録商標）上にフォトレジストをスピン・オンするのに十分なまで、テフロン（登録商標）が本来持っている疎水性を緩和した。その後のたび重なる試行によって、ＨＭＤＳを用いれば、十分にベークしたテフロン（登録商標）材料上にテフロン（登録商標）材料をスピン・オンすることも可能であることを証明した。テフロン（登録商標）層間の接着力は非常に良いように見え、また、抵抗加熱蒸着したアルミニウムと基板間の接着力よりもたびたび良かった。浮遊金属層の場合、テフロン（登録商標）材料上部に蒸着されたアルミニウムの接着力は、テフロン（登録商標）−アルミニウム界面のどの部分も溶媒にさらされなければ十分である。このため、浮遊金属層は、ウェット・ダイシングや他のウエット・エッチング工程を行う前に、必ず密封しなければならない。
【００４２】
電子ビーム注入は、誘電体に電子を注入する良く研究された方法である。誘電体全面にわたってラスター・スキャンをすることにより、ビーム描画が可能となる。しかし、この方法を用いた単調な仕事に対し、高価な機械を占拠しながら、十分な電子数を注入するにはかなりの時間がかかる。対照的に、ＢＬＴは、約１００ｎｓ以内に非常に大くの電子をドーズできるパルス電子源を備えている。ＢＬＴを用いた注入では、図９（ａ）に示すようにエレクトレット表面全面にわたってガウス型の電荷分布が生じる。そして、そのガウス型分布は、均一なエレクトレットを得るには望ましくない。この問題を多少でも解決するために、金属層を厚い誘電体層の上に堆積し、特許出願中の電気的に浮遊している形状にパターニングし、さらに薄い誘電体層で密封する。この浮遊金属層は基準電圧を与え、その結果として、図９（ｂ）に示すように、１％以下の表面の電界不均一性が得られる。さらに図９について説明すると、（ａ）はバックライト・サイラトロンを用いて注入したテフロン（登録商標）材料の電荷密度であり、（ｂ）は円形にパターニングした浮遊金属層を持つチップに注入した電荷である。円形の金属領域の外側の電荷は、ほぼガウス型の場合と等しくなっている。
【００４３】
電荷密度は、高分解能１０２４ＡＥＨプローブを備えたモンロー・エレクトロニクス社（Monroe Electronics）製のイソプローブ（isoprobe）・モデル２４４で測定した。有効表面電荷の正確な測定ができるように、このプローブをｘｙｚステージに取り付けた。このステージの分解能は、ｘ軸方向が２５．４μｍでｙ軸方向が１０μｍであるが、最小観察分解能はｘ方向、およびｙ方向共に２４４μｍであった。エレクトレット発電機は、ｚ方向には固定されているがｘ−ｙ平面では変化する電界に依存しており、従って、誘電体の膜厚のみによって決まるｘ−ｙ平面での有効表面電荷密度に依存する。また、イソプローブで測定した表面の電圧は、電荷を定量化するには十分である。
【００４４】
回転子と固定子とを作製した後は、回転できる装置にこれらを組み付ける必要がある。この目的のために、回転子に対して０．４６度の角度ずれがある試験台（図１０）を組み立てた。この角度ずれは、レーザ・ポインタの光を回転する回転子にあて、反射した円の半径とベースライン距離とを測ることによって測定した。
【００４５】
固定子を回転子に位置合わせするために、５軸のマイクロ・ポジショナを用いている。両者のすき間を最小化する際に、固定子を回転子の一点に接触するように位置決めしているが、角度ずれのために、回転子の反対側の端が固定子から少なくとも８０μｍ離れている。
【００４６】
この実験台を用いた発電実験には、すき間間隔の調整、異なった速度でのモータの駆動、および速度と電力出力との同時測定が含まれている。発電機の接地線は固定子の接地部であり、電力出力リード線は軸受けを通して回転子に電気接続してある試験台の外枠である。電力出力リード線は、簡単なオペアンプ（ナショナル・セミコンダクタ社（National semiconductor）製ＬＦ３５６）に、１０１２オームの入力インピーダンスを備えた電圧フォロワ構成で接続されている。この高インピーダンスにより、電力出力とアースとの間に異なる負荷抵抗を設置することで負荷整合が可能となる。電力出力は、次の二種類の異なった手段により測定する：  （ａ）波形を観察するために、アンプからの電圧出力をＨＰ５４５０３Ａ、５００ＭＨｚデジタイジング・オシロスコープに送る、または（ｂ）アンプからの出力電圧を、フルーク社（Fluke）製８７ III  Ｔｒｕｅ  ＲＭＳ携帯型マルチメータを用い実効値電圧で測定する。発電機からの電力出力は簡単にＶＲＭＳ２／ＲＬから得られる。
【００４７】
正確を期すために、速度の測定にはいくつかの方法を用いた。ストロボを使った回転速度計では、他の測定技術と比べいくらかの変動が見られたので、四周期の出力信号を測定することにより、四極発電機からの出力波形を直接用いた。このモータは六極電動機であり、速度測定の確認には、モータの端子間にオシロスコープの二次チャネルをつなぎ、モータの逆起電力の６周期が発電機の４周期と一致することを検証することによって行った。またフルークの携帯型マルチメータには、交流信号の周波数を測定するオプションがあり、それは、予想通り他の方法から得た周波数よりも４倍大きかった。オシロスコープは、速度測定の一次測定源である。パルス幅変調は、使用したモータが電流を３０Aまで引き上げるので、実行できるオプションではなかった。ここで、連続負荷調整系の理論値と、異なった負荷抵抗を用いた３種類の実験からの電力出力とを図１１に示す。
【００４８】
電極幅が電極間距離よりも大きいと仮定すれば、線型理論は、エレクトレット発電機が固定電荷・可変容量コンデンサのように振舞うと仮定することにより得られる。図８に、その導出に用いた形状を示す。
電荷保存が意味するところは、
Qimplanted = Q1(t) + Q2(t)
コンデンサの電荷は、重なり合ったコンデンサの面積に関係している。
【数１】
2005529574.tif 000003
等価回路を記述する方程式は、
【数２】
2005529574.tif 000004
ここでＫｔｅｆｌｏｎは１．９３として記載されているテフロン（登録商標）ＡＦ１６０１の誘電定数である。（４）式が成り立
つので、
【数３】
2005529574.tif 000005
フリンジング電界を無視する回転形状に対しては、
【数４】
2005529574.tif 000006
仮に
【数５】
2005529574.tif 000007
および
【数６】
2005529574.tif 000008
とすると
【数７】
2005529574.tif 000009
となる。
ｔ＝０で完全に位相がずれた平板コンデンサでは、Ｑ２（０）＝０
【数８】
2005529574.tif 000010
最大電力は（８）式のときに得られる。
【数９】
2005529574.tif 000011
これが負荷調整電力方程式を与える。
【数１０】
2005529574.tif 000012
【００４９】
電荷密度は、材料の絶縁耐圧によって制限を受ける。テフロン（登録商標）ＡＦ１６０１−Ｓの場合は、この値は２０Ｖ／μｍである。電力出力は、誘電定数が減少するに従って増加する。このことが、誘電定数１．９３のテフロン（登録商標）ＡＦを選んだ理由である。
【００５０】
すき間間隔（ｇ）は最小化されなければならないが、誘電体の厚さの１／４以下の距離であれば十分小さい。従って、すき間間隔はエレクトレットの厚みに直接関係している。このエレクトレットの厚さは、テフロン（登録商標）ＡＦに対するプロセス結果によって制限されるが、そうでない場合には、厚さの制限は空気中での破壊電圧に関係してくる。
【００５１】
発電実験を行った。その結果を図１１に示す。実験で得られた曲線は、負荷調整曲線（方程式（９））であり、すき間間隔は６０μｍを用いている。接触した端部での最小間隔は０であり、最も離れた端部での間隔が８０μｍであることを考えると、この結果は妥当なものである。理論値に用いた他のパラメータは、発電機の値と一致しており、ｎ＝４、ｒ＝４ｍｍ、σ＝−２．８×１０−４Ｃｏｕｌｏｍｂ／ｍ２、ＫＴｅｆｌｏｎ＝１．９３、ｄ＝９μｍである。実験グラフ中のノイズは、固定子が回転子と接触していることから生じるものである。これは、すき間間隔を正確に知るのに必要であった。この発電機は、表面の磨耗にもかかわらず、この条件下で十分に動作し続けている。
【００５２】
フリンジング電界を無視することが有効であるという仮定を証明するためには、発電機の有効面積の９０％以内での最小寸法が、すき間間隔の１０倍大きくなければならないということを指摘しておく。ｒ＝５ｍｍの発電機の有効面積の９０％は、ｒ＝１．５８ｍｍの外側であるので、最小寸法ｗ（図１２参照）は極数とコサイン則を用いて１．２ｍｍだとわかる。ｗがｇよりも１０倍大きくなければならないということと、適当なｇは好適には（１／４）ｄであると先に述べたこととを仮定すれば、９μｍの誘電体厚に対してｗはほんの２２．５μｍであればよいことがわかった。この条件は、実験で得られたもの以上であった。そして、この議論により、数百極の発電機では、良い性能を示すことが期待される。
【００５３】
均一な電荷密度、すき間の制御、および誘電体厚が、エレクトレット発電機の設計と作製には主要な課題である。我々は、マイクロマシン加工準拠の厚い誘電体に均一な電荷密度を持たせるための解決方法を設計した。また、実験での電力測定結果を適切にモデル化する線型理論を導出した。今後、すき間間隔、極数の増加、回転子の傾きの解消、および浮遊金属エレクトレットへ注入した電荷のｚ軸方向への分布に焦点を絞って研究する予定である。我々は、すでに試験台のないエレクトレット発電機に関して研究を開始している。この試験台のないエレクトレット発電機は、今まで以上にマイクロマシン加工の利点に頼ることによって、前述の課題を克服するものである。
【００５４】
以上の例は単なる説明であり、本発明の請求範囲を不当に制限するものではない。また、他の多くの変形、修正、および代替発電機があることは、当業者には明らかであろう。さらに、当然のことながら、ここで説明した例や実施形態は説明のためだけであり、しかも本出願内容から多くの修正や変更が可能であることは当業者には明らかであろうし、またそれら修正や変更は、本出願の精神や範囲および添付の請求範囲内に含まれるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例によるエレクトレット発電装置の概略図である。
【図２】本発明の実施例による別のエレクトレット発電装置の概略図である。
【図３】本発明の実施例によるもう１つのエレクトレット発電装置の概略図である。
【図４】本発明の実施例によるさらにもう１つのエレクトレット発電装置の概略図である。
【図５】本発明の実施例によるエレクトレット発電方法の概略図である。
【図６】本発明の実施例によるエレクトレット発電装置の概略回路図である。
【図７】本発明の実施例によるエレクトレット発電機の概略図である。
【図８】本発明の実施例によるエレクトレット素子製造の概略プロセスフロー図である。
【図９】本発明の実施例によるエレクトレット素子の電荷密度分布の概略図である。
【図１０】本発明の実施例によるエレクトレット装置の概略図である。
【図１１】本発明の実施例による速度に対する出力電力図である。
【図１２】本発明の実施例によるエレクトレット発電機中の素子の平面図である。
【図１】
2005529574.tif 000013
【図２】
2005529574.tif 000014
【図３】
2005529574.tif 000015
【図４】
2005529574.tif 000016
【図５】
2005529574.tif 000017
【図６】
2005529574.tif 000018
【図７】
2005529574.tif 000019
【図８】
2005529574.tif 000020
【図１１】
2005529574.tif 000021
【図９】
2005529574.tif 000022
【図１０】
2005529574.tif 000023
【図１２】
2005529574.tif 000024
【国際調査報告】
2005529574.tif 000025