(57)【要約】【課題】漏れ電流が増加する特性不良を低減することができる固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。【解決手段】１個のコンデンサ素子又は積層された複数個のコンデンサ素子に一対の外部電極を電気的に接続した後、外装樹脂により封止することにより、封止体を得る封止工程と、上記封止体を、拘束具によって拘束しながら脱ガス処理を行う脱ガス工程とを備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個のコンデンサ素子又は積層された複数個のコンデンサ素子に一対の外部電極を電気的に接続した後、外装樹脂により封止することにより、封止体を得る封止工程と、前記封止体を、拘束具によって拘束しながら脱ガス処理を行う脱ガス工程とを備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記拘束具には、前記封止体から発生したガスを排出する排ガス流路が形成されている請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記拘束具は、前記封止体が露出する露出部を有している請求項１又は２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記拘束具は、前記封止体の対向する２面を少なくとも挟持する型である請求項１〜３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記拘束具は、前記コンデンサ素子の積層方向における前記封止体の上下面を少なくとも挟持する型である請求項４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記脱ガス処理前後の、前記封止体の上下面を挟持している前記拘束具の表面間の長さの変化率が、前記コンデンサ素子の積層方向における前記封止体の長さの変化率よりも小さい請求項５に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記拘束具を構成する材料の熱膨張係数は、前記コンデンサ素子の積層方向における前記封止体の熱膨張係数よりも小さい請求項１〜６のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記封止体と接触する前記拘束具の面が金属で構成されている請求項１〜７のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記金属は、鉄、ニッケル、及びステンレスからなる群から選択される少なくとも１種である請求項８に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記封止体と接触する前記拘束具の面が樹脂で構成されている請求項１〜７のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂である請求項１０に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１２】
前記封止体と接触する前記拘束具の面がセラミックで構成されている請求項１〜７のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１３】
前記セラミックは、アルミナ、チタニア、ジルコニア及びムライトからなる群から選択される少なくとも１種である請求項１２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１４】
前記脱ガス工程では、前記拘束具及び前記封止体を、２３０℃以上、３００℃以下で加熱する請求項１〜１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項１５】
前記脱ガス工程を減圧条件下で行う請求項１〜１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体電解コンデンサは、例えば、特許文献１に示すように、エッチングにより表面を粗面化したアルミニウムからなる電極体を化成処理して表面に誘電体酸化皮膜層を形成した後、ポリイミド製の粘着テープを表裏面側から貼り付けることにより陽極部と陰極部とに分離し、この陰極部に導電性高分子からなる固体電解質層を形成した後、カーボン層及び銀ペースト層の陰極層を形成する等の方法により作製されるコンデンサ素子を備えている。得られたコンデンサ素子は、リードフレーム等の外部電極と接続された後、外装樹脂により封止されることにより固体電解コンデンサとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１３５４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
固体電解コンデンサは、通常、顧客によってはんだ付け等の方法で電子機器に実装されるが、はんだ付け等の際に固体電解コンデンサが高温に晒されるため、不具合が発生することがある。そのため、固体電解コンデンサを実装するときの条件と同様の条件（以下、リフロー条件ともいう）であらかじめ処理してから顧客に提供することにより、顧客での実装時の不具合の発生を防止する方法が採用されている。
【０００５】
しかしながら、リフロー条件で固体電解コンデンサをあらかじめ処理する際に、コンデンサ素子を構成する固体電解質層や陰極層に含まれる材料の一部がガス化し、外装樹脂の内部を膨張させることがあった。このような場合、外装樹脂が内部から外部に向かって押し広げられるために、固体電解質層や陰極層が剥離したり、固体電解質層や陰極層に欠陥が発生したりすることによって、弁作用金属基体と陰極層が接触し、漏れ電流が増加する特性不良が発生することがあった。
【０００６】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、漏れ電流が増加する特性不良を低減することができる固体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、１個のコンデンサ素子又は積層された複数個のコンデンサ素子に一対の外部電極を電気的に接続した後、外装樹脂により封止することにより、封止体を得る封止工程と、上記封止体を、拘束具によって拘束しながら脱ガス処理を行う脱ガス工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記拘束具には、上記封止体から発生したガスを排出する排ガス流路が形成されていることが好ましい。
【０００９】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記拘束具は、上記封止体が露出する露出部を有していることが好ましい。
【００１０】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記拘束具は、上記封止体の対向する２面を少なくとも挟持する型であることが好ましい。
【００１１】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記拘束具は、上記コンデンサ素子の積層方向における上記封止体の上下面を少なくとも挟持する型であることが好ましい。
【００１２】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記脱ガス処理前後の、上記封止体の上下面を挟持している上記拘束具の表面間の長さの変化率が、上記コンデンサ素子の積層方向における上記封止体の長さの変化率よりも小さいことが好ましい。
【００１３】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記拘束具を構成する材料の熱膨張係数は、上記コンデンサ素子の積層方向における上記封止体の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。
【００１４】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記封止体と接触する上記拘束具の面が金属で構成されていることが好ましい。
【００１５】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記金属は、鉄、ニッケル及びステンレスからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００１６】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記封止体と接触する上記拘束具の面が樹脂で構成されていることが好ましい。
【００１７】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記樹脂は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂であることが好ましい。
【００１８】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記封止体と接触する上記拘束具の面がセラミックで構成されていることが好ましい。
【００１９】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記セラミックは、アルミナ、チタニア、ジルコニア及びムライトからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００２０】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法において、上記脱ガス工程では、上記拘束具及び上記封止体を、２３０℃以上、３００℃以下で加熱することが好ましい。
【００２１】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、上記脱ガス工程を減圧条件下で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、漏れ電流が増加する特性不良を低減することができる固体電解コンデンサの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法に用いることのできるコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法により得られる封止体の一例を模式的に示す斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法において用いることのできる拘束具の一例を模式的に示す斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程の一例を模式的に示す斜視図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程の別の一例を模式的に示す斜視図である。
【図６】図６は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程のさらに別の一例を模式的に示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程のさらに別の一例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００２５】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、１個のコンデンサ素子又は積層された複数個のコンデンサ素子に一対の外部電極を電気的に接続した後、外装樹脂により封止することにより、封止体を得る封止工程と、上記封止体を、拘束具によって拘束しながら脱ガス処理を行う脱ガス工程とを備える。
【００２６】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、封止体を拘束具によって拘束しながら脱ガス処理を行うため、封止体内部で発生するガスによって封止体が膨張することを抑制できる。封止体の膨張が抑制されるため、導電体層の剥離も抑制される。
【００２７】
封止工程では、まず、コンデンサ素子を準備する。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法においては、例えば図１に示すようなコンデンサ素子を用いることができる。
コンデンサ素子１０は、弁作用金属基体１１と、誘電体層１４と、固体電解質層１５と、導電体層１６とを備えている。弁作用金属基体１１は、金属芯部１２を中心に有し、エッチング層等の多孔質層１３を表面に有している。誘電体層１４は、多孔質層１３の表面に形成されている。弁作用金属基体１１上に、絶縁部として、所定幅の絶縁層１７が周設されており、絶縁層１７によって陽極部２１と陰極部２２とが分離されている。固体電解質層１５は陰極部２２の誘電体層１４上に設けられており、導電体層１６は、固体電解質層１５上に設けられている。なお、誘電体層１４は、少なくとも陰極部２２に形成されていればよい。
【００２８】
弁作用金属基体は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなる。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
【００２９】
弁作用金属基体の形状は特に限定されないが、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。また、弁作用金属基体の表面に形成される多孔質層は、エッチング処理を施すことによって表面が粗面化されたエッチング層であることが好ましい。
【００３０】
コンデンサ素子を構成する誘電体層は、上記弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。例えば、多孔質層（エッチング層）を有するアルミニウム箔が弁作用金属基体として用いられる場合、ホウ酸、リン酸、アジピン酸、又は、それらのナトリウム塩、アンモニウム塩等を含む水溶液中で陽極酸化することにより、多孔質層の表面に酸化皮膜を形成することができる。
【００３１】
コンデンサ素子には、陽極部と陰極部とを確実に分離するため、絶縁層が弁作用金属基体に周設されていることが好ましい。絶縁層の材料としては、例えば、ポリフェニルスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等の絶縁性樹脂が挙げられる。
【００３２】
コンデンサ素子においては、陰極層として、誘電体層の表面に固体電解質層が設けられていることが好ましい。固体電解質層の表面には、導電体層が設けられていることがより好ましい。
【００３３】
固体電解質層を構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。
【００３４】
導電体層は、下地であるカーボン層と、その上の銀層からなることが好ましいが、カーボン層のみでもよく、銀層のみでもよい。
【００３５】
次に、１個のコンデンサ素子、又は、積層された複数個のコンデンサ素子に一対の外部電極を電気的に接続する。
【００３６】
１個の又は複数個のコンデンサ素子に一対の外部電極を電気的に接続する方法は特に限定されない。
複数個のコンデンサ素子を用いる場合、例えば以下の方法が挙げられる。
まず、コンデンサ素子の陽極部を互いに対向させて積層する。この時、陽極部を互いに接合するとともに、陽極部に外部電極としての陽極端子を接合する。接合方法としては、溶接や圧着等が挙げられる。また、絶縁層、導電体層に対応する部分同士もそれぞれ接するように積層し、導電体層に外部電極としての陰極端子を接合する。これにより、陰極部は互いに電気的に接続されることになる。
【００３７】
１個の又は複数個のコンデンサ素子に一対の外部電極を電気的に接続した後、外装樹脂によって封止する。
この時、コンデンサ素子の全体と、一対の外部電極の一部とを覆うように外装樹脂で封止する。
外装樹脂で封止する方法としては、例えば、エポキシ樹脂を用いて、トランスファーモールドにより封止する方法が挙げられる。
【００３８】
封止工程で得られる封止体について、図２（ａ）及び図２（ｂ）を用いて説明する。
図２（ａ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法により得られる封止体の一例を模式的に示す斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、封止体１は、コンデンサ素子１０ａ、１０ｂ及び１０ｃが積層され、コンデンサ素子１０ａ、１０ｂ及び１０ｃの導電体層１６は、例えば、銀ペースト等の導電性ペースト（図示せず）によって一体的に接合されている。同様に、コンデンサ素子１０ｄ、１０ｅ及び１０ｆが積層され、コンデンサ素子１０ｄ、１０ｅ及び１０ｆの導電体層１６は、例えば銀ペースト等の導電性ペースト（図示せず）によって一体的に接合されている。
なお、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示される封止体は、一般的な固体電解コンデンサに相当するものであるが、脱ガス工程を経ていないものであるから、本明細書においては、封止体（脱ガス処理前の固体電解コンデンサ）として区別する。
【００３９】
陽極端子３２は、金属材料からなり、陽極部２１側のリードフレームとして形成されている。コンデンサ素子１０の陽極部２１同士、及び、コンデンサ素子１０の陽極部２１と陽極端子３２とは、例えば、抵抗溶接等の溶接や圧着等によって一体的に接合されている。なお、図２（ｂ）に示すように、コンデンサ素子１０の陽極部２１の表面にも誘電体層１４が形成されている場合、溶接時の発熱によって、コンデンサ素子１０の陽極部２１同士、及び、コンデンサ素子１０の陽極部２１と陽極端子３２とを一体的に接合することができる。図２（ｂ）では、このことを模式的に示すため、誘電体層１４の該当箇所を破線で示している。
【００４０】
陰極端子３３は、金属材料からなり、陰極部２２側のリードフレームとして形成されている。コンデンサ素子１０ｃ又は１０ｄの導電体層１６と陰極端子３３とは、例えば、銀ペースト等の導電性ペースト（図示せず）によって一体的に接合されている。
【００４１】
そして、積層されたコンデンサ素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ及び１０ｆの全体、陽極端子３２の一部、及び、陰極端子３３の一部が、外装樹脂３１により封止されている。
【００４２】
なお、外部電極の形態はリードフレームに限定されず、任意の形態の外部電極を採用することができる。
【００４３】
脱ガス工程では、拘束具により封止体を拘束しながら脱ガス処理を行う。
なお、本発明において「拘束する」とは、封止体の対向する２面を挟持することをいう。
【００４４】
脱ガス処理は、コンデンサ素子を構成する固体電解質層及び導電体層に含まれている水分や溶媒を揮発させることができれば、その条件は特に限定されない。
脱ガス処理の条件としては、例えば、２３０℃以上、３００℃以下で加熱する方法が挙げられる。加熱時間は、５秒以上、１００秒以下であることが好ましい。
ただし、封止体への熱衝撃を抑えるため、１５０℃以上の温度域では昇温速度を５℃／秒以下とすることが好ましい。また、封止体及び拘束具の温度分布のバラツキを抑制するために、脱ガス処理の温度よりも低い温度で予備加熱を行ってもよい。
【００４５】
また、減圧条件下に封止体を暴露することによっても脱ガス処理を行うことができる。減圧条件下で脱ガス処理を行うことにより、脱ガスに必要な温度を低く設定することができ、コンデンサ素子に加わる熱応力を抑制することができる。
減圧条件としては、０．００１ａｔｍ以上、０．１ａｔｍ以下であることが好ましい。減圧条件下の場合、温度は０℃以上、１００℃以下であることが好ましい。
【００４６】
続いて、拘束具について説明する。
拘束具の形状は、封止体を拘束しながら脱ガス処理を行うことができれば、特に限定されないが、拘束具には、封止体から発生したガスを排出する排ガス流路が形成されていることが好ましい。排ガス流路としては、例えば、拘束具のうち、封止体を拘束する面を拘束方向（封止体の対向する２面が配置されている方向）に貫通する貫通孔が挙げられる。
拘束具に排ガス流路が形成されていると、封止体から発生したガスを拘束具の外部に排出しやすくなるため、封止体の膨張を抑制することができる。
【００４７】
拘束具は、封止体が露出する露出部を有していることが好ましい。
拘束具が、封止体が露出する露出部を有していると、封止体から発生したガスを確実に排出することができる。
【００４８】
拘束具は封止体を拘束できるものであればよく、例えば、封止体の対向する２面を挟持する２つの表面が単一の部材で構成された型であることが好ましい。
上記型は、封止体の対向する２面を少なくとも挟持する型であることが好ましく、コンデンサ素子の積層方向における封止体の上下面を少なくとも挟持する型であることがより好ましい。
拘束具は、封止体の１面の全部と接触していてもよく、一部だけに接触していてもよい。
拘束具として型を用いると、封止体を拘束する際に、拘束具の組み立て、分離工程が不要となるため、製造効率が低下しにくい。
【００４９】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法に用いることのできる拘束具の一例について、図３（ａ）及び図３（ｂ）を用いて説明する。
図３（ａ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法において用いることのできる拘束具の一例を模式的に示す斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、拘束具５０は貫通孔５１を有する型であり、貫通孔５１の内部に封止体を収容できるように構成されている。
【００５０】
続いて、拘束具により封止体を拘束する方法について、図４（ａ）及び図４（ｂ）を用いて説明する。
図４（ａ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程の一例を模式的に示す斜視図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図である。
図４（ａ）では、図３（ａ）に示した拘束具５０の貫通孔５１の内部に図２（ａ）に示した封止体１が収容されている。図４（ｂ）に示すように、拘束具５０は、コンデンサ素子１０の積層方向（図４（ｂ）中、両矢印Ｌ２で示される方向）における封止体１の上下面を少なくとも挟持している。
【００５１】
なお、封止体１の上下面を挟持する拘束具５０の表面間の長さ（図４（ｂ）中、両矢印Ｌ１で示される長さ）の脱ガス処理前後の変化率は、コンデンサ素子１０の積層方向における封止体１の長さＬ２の脱ガス処理前後の変化率よりも小さいことが好ましい。
拘束具の上下面を挟持する拘束具の表面間の長さの脱ガス処理前後の変化率が、コンデンサ素子の積層方向における封止体の長さの脱ガス処理前後の変化率よりも小さいと、拘束具によって封止体のコンデンサ素子の積層方向を確実に拘束することができる。
上記変化率は、脱ガス処理前の長さＬｉと脱ガス処理後の長さＬｆとを用いて（Ｌｆ−Ｌｉ）／（Ｌｉ）で示される。なお、封止体の上記変化率は、拘束具によって拘束されていない場合のものである。
【００５２】
拘束具を構成する材料は、脱ガス処理において機械的特性の劣化が起こりにくい材料であることが好ましい。さらに拘束具を構成する材料の熱膨張係数は、コンデンサ素子の積層方向における封止体の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。
拘束具を構成する材料の熱膨張係数がコンデンサ素子の積層方向における封止体の熱膨張係数よりも小さいと、加熱によって脱ガス処理をする際に、拘束具により封止体を確実に拘束することができる。
なお、拘束具が複数の材料から構成されている場合、コンデンサ素子の積層方向における各材料の占める長さの割合と各材料の熱膨張係数と掛けたものの合計を、拘束具の熱膨張係数とする。
拘束具及び封止体の熱膨張係数は、光干渉計により測定することができる。
【００５３】
拘束具を構成する材料は特に限定されないが、脱ガス工程において加熱又は減圧条件下に晒されるため、耐熱性及び／又は耐減圧性を備えていることが好ましく、例えば、鉄、ニッケル、チタン、銅、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、コバルト及びステンレス等の金属、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂及びポリイミド樹脂等の樹脂、並びに、アルミナ、チタニア、ジルコニア、マグネシア、ムライト、サイアロン及び窒化ケイ素等のセラミックを用いることができる。
【００５４】
拘束具のうち、封止体と接触する面は金属、樹脂又はセラミックで形成されていることが好ましい。
拘束具のうち、封止体と接触する面を構成する金属としては、鉄、ニッケル、チタン、銅、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、コバルト及びステンレスからなる群から選択される少なくとも１種等が挙げられ、鉄、ニッケル及びステンレスからなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
拘束具のうち、封止体と接触する面を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられ、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂が好ましい。これらの樹脂は、必要に応じて、炭素繊維やガラス繊維等の無機繊維と混合して用いてもよい。
拘束具のうち、封止体と接触する面を構成するセラミックとしては、アルミナ、チタニア、ジルコニア、マグネシア、ムライト、サイアロン及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられ、これらの中ではアルミナ、チタニア、ジルコニア及びムライトからなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
【００５５】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法を構成する脱ガス工程の別の一例について、図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて説明する。
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程の別の一例を模式的に示す斜視図である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、拘束具６０は下板６１、上板６２、ネジ６３、及びナット６５で構成され、下板６１と上板６２との間に封止体１を配置し、上板６２に形成されたネジ穴６４を通してネジ６３をナット６５で締め付けることにより、封止体１を挟持している。図５（ｂ）に示すように、下板６１と上板６２は、封止体１を構成する固体電解コンデンサの積層方向（図５（ａ）及び図５（ｂ）中、両矢印Ｌで示される方向）の上下面を挟持しており、封止体１のうち下板６１又は上板６２と接触していない面は外部に露出している。
なお、拘束具６０は、封止体１を拘束する下板６１と上板６２とが単一の部材で構成されていないから、型ではない。
【００５６】
拘束具は、２つ以上の封止体を同時に拘束することができるものであってもよい。
図６は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程のさらに別の一例を模式的に示す斜視図である。図６に示すように、拘束具７０には、封止体１をそれぞれ同時に収容することができる貫通孔７１が３つ形成された型であり、それぞれの貫通孔７１に収容された封止体１はコンデンサ素子の積層方向（図６中、両矢印Ｌで示される方向）の上下面が拘束具７０により挟持されている。
【００５７】
また拘束具は、封止体の対向する２面を直接挟持している必要はなく、対向する２面のうちの１面、又は、２面が拘束具によって間接的に挟持されていてもよい。
図７は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法における脱ガス工程のさらに別の一例を模式的に示す斜視図である。図７に示すように、拘束具８０内には貫通孔８１が形成された型であり、貫通孔８１内に封止体１ａ、１ｂ及び１ｃが収容されている。封止体１ａ及び封止体１ｃはコンデンサ素子の積層方向（図７中、両矢印Ｌで示される方向）における片側の面だけが拘束具８０と接触しており、封止体１ａと封止体１ｃの間に配置されている封止体１ｂは拘束具８０と接触していない。しかし、封止体１ａ及び封止体１ｃは拘束具８０と封止体１ｂにより固体電解コンデンサの積層方向Ｌにおける上下面が挟持されており、封止体１ｂは封止体１ａと封止体１ｃによりコンデンサ素子の積層方向Ｌにおける上下面が挟持されているから、封止体１ａ、封止体１ｂ及び封止体１ｃはいずれも、拘束具８０により、固体電解コンデンサの積層方向Ｌにおける上下面が挟持されているといえる。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明の固体電解コンデンサの製造方法をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
（コンデンサ素子の作製）
まず、弁作用金属基体として、表面にエッチング層を有するアルミニウム化成箔を準備した。アルミニウム化成箔を覆うように、酸化皮膜からなる誘電体層を形成した。具体的には、アルミニウム化成箔の表面をアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬して電圧を印加することで、アルミニウム化成箔のエッチング層の表面に誘電体層を形成した。
【００６０】
次に、陽極部と陰極部の短絡を防止するために、アルミニウム化成箔の長軸方向の一端から所定の間隔を隔てた位置において、アルミニウム化成箔を一周するように帯状の絶縁層を形成した。
【００６１】
その後、絶縁層で分割されたアルミニウム化成箔のうち、面積の大きい部分（陰極部）に導電性ポリマー液を含浸させて固体電解質層を形成した。導電性ポリマー液としては、導電性高分子（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の分散液を用いた。
さらに、カーボンペーストを塗布及び乾燥させた後に、銀ペーストを塗布及び乾燥させることにより、カーボン層及び銀層を形成した。以上により、コンデンサ素子を作製した。
【００６２】
（封止工程）
上記のコンデンサ素子を６個積層し、弁作用金属基体の陽極部側の端部と外部接続端子（陽極端子）とを抵抗溶接で接合し、銀層と別の外部接続端子（陰極端子）とを導電性接着剤で接合した、その後、外装樹脂により封止することで、封止体（脱ガス処理前の固体電解コンデンサ）を得た。得られた封止体のサイズは、長さ７．３ｍｍ、幅４．３ｍｍ、厚さ１．９ｍｍであった。
【００６３】
（脱ガス工程）
外寸が長さ７．５ｍｍ、幅８ｍｍ、厚さ６ｍｍの直方体のステンレスブロックの側面（幅８ｍｍ×厚さ６ｍｍの面）に、対向する面まで貫通する幅４．４ｍｍ、厚さ２．０ｍｍの貫通孔が形成された、拘束具となる型を準備した。
【００６４】
上記拘束具中に封止体を収容し、室温から１５０℃まで３０秒、１５０℃から２００℃まで１２０秒、２００℃から２６０℃まで３０秒かけて昇温し、２６０℃で１０秒間保持した後、自然冷却を行うことで、脱ガス処理を行い、実施例１に係る固体電解コンデンサを得た。
【００６５】
（比較例１）
封止体を拘束具中に収容せずに脱ガス処理を行ったほかは、実施例１と同様の手順で、比較例１に係る固体電解コンデンサを得た。
【００６６】
（ＬＣ不良率の測定）
実施例１に係る固体電解コンデンサ及び比較例１に係る固体電解コンデンサをそれぞれ２００個ずつ作製し、漏れ電流（ＬＣ）の値を測定した。漏れ電流の値が０．１ＣＶ以上のものを、ＬＣ不良とした。
ＬＣ不良の数を数えたところ、実施例１に係る固体電解コンデンサのＬＣ不良数は１個、比較例１に係る固体電解コンデンサのＬＣ不良数は１１個であった。
【００６７】
以上の結果から、本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、漏れ電流が増加する特性不良の発生を抑制することができることがわかった。
【符号の説明】
【００６８】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ    封止体（脱ガス処理前の固体電解コンデンサ）
１０                    コンデンサ素子
１１                    弁作用金属基体
１２                    金属芯部
１３                    多孔質層（エッチング層）
１４                    誘電体層
１５                    固体電解質層
１６                    導電体層
１７                    絶縁層
２１                    陽極部
２２                    陰極部
３１                    外装樹脂
３２                    陽極端子
３３                    陰極端子
５０、６０、７０、８０  拘束具
５１、７１、８１        貫通孔
６１                    下板
６２                    上板
６３                    ネジ
６４                    ネジ穴
６５                    ナット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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