(57)【要約】【課題】バッフルプレートを備えるプラズマ発生装置【解決手段】本発明は、プラズマ発生チャンバ内に設けられ、プラズマ発生空間を限定し、プラズマ工程の際にプラズマの漏れを防止すると共に、排気ガス、副産物及び異物を容易に排出させるように形成される多数のスロットを有するバッフルプレートを備えるプラズ発生装置またはプラズマエッチング装置に関し、多数のスロットは、それぞれ、前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって曲線状に延長し、プラズマ工程の際に発生する排気ガス及び副産物等を更に効率的に迅速に排出することができ、これにより、プラズマ工程が更に容易になり、排気量が増加するため、更に多くの処理ガス類を使用することができる。
2005526395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生チャンバ内に設けられ、排気ガスや副産物等を排出させる多数のスロットが形成されるバッフルプレートを備えるプラズマ発生装置であって、
前記バッフルプレートの多数のスロットは、それぞれ前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって曲線状に延長することを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
前記多数のスロットは、それぞれ一定の幅を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
前記多数のスロットは、隣合う多数のスロットの一端間の間隔と他端間の間隔とが同一になるように形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
前記多数のスロットは、それぞれ断面からみて上部幅が下部幅より大きくなるように形成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項５】
前記スロットの上部幅は１．６〜１．８ｍｍ、前記下部幅は１．０ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ発生装置。
【請求項６】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、所定の角度で上向または下向に折曲されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項７】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分の折曲角度は、０〜４５度であることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ発生装置。
【請求項８】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、上方または下方に円弧状に折曲されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項９】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、上方または下方に所定の角度で２回以上折曲されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項１０】
前記プラズマ発生装置は、被処理対象物をエッチングする装置である請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
【請求項１１】
プラズマ発生チャンバ内に設けられ、排気ガスや副産物等を排出させる多数のスロットが形成されるバッフルプレートであって、
前記多数のスロットは、それぞれ前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって曲線状に延長することを特徴とするバッフルプレート。
【請求項１２】
前記多数のスロットは、それぞれ一定の幅を有することを特徴とする請求項１１に記載のバッフルプレート。
【請求項１３】
前記多数のスロットは、隣合う多数のスロットの一端間の間隔と他端間の間隔とが同一になるように形成されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のバッフルプレート。
【請求項１４】
前記多数のスロットは、それぞれ断面からみて上部幅が下部幅より大きくなるように形成することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のバッフルプレート。
【請求項１５】
前記スロットの上部幅は、１．６〜１．８ｍｍ、前記下部幅は１．０ｍｍであることを特徴とする請求項１４に記載のバッフルプレート。
【請求項１６】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、所定の角度で上向または下向に折曲されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のバッフルプレート。
【請求項１７】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分の折曲角度は、０〜４５度であることを特徴とする請求項１６に記載のバッフルプレート。
【請求項１８】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、上方または下方に円弧状に折曲されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のバッフルプレート。
【請求項１９】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、上方または下方に所定の角度で２回以上折曲されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のバッフルプレート。
【請求項２０】
プラズマ発生チャンバ内に設けられ、排気ガスや副産物などを排出させるための多数のスロットが形成されるバッフルプレートを備えるプラズマ発生装置であって、
前記バッフルプレートの多数のスロットは、それぞれ、前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって半径方向に対して斜めに直線状に延長することを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２１】
前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって半径方向に対して斜めに直線状に延長する前記多数のスロットは、それぞれ、少なくとも１回折曲することを特徴とする請求項２０に記載のプラズマ発生装置。
【請求項２２】
前記多数のスロットは、それぞれ、断面からみて、上部幅が下部幅より大きく、前記下部幅が中間幅より大きい砂時計状であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項２３】
前記スロットの上部幅は１．６〜１．８ｍｍ、前記下部幅は１．１〜１．５ｍｍ、前記中間幅は１．０ｍｍであることを特徴とする請求項２２に記載のプラズマ発生装置。
【請求項２４】
プラズマ発生チャンバ内に設けられ、排気ガスや副産物などを排出させるための多数のスロットが形成されるバッフルプレートを備えるプラズマ発生装置であって、
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は所定角度で上方または下方に折曲することを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２５】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は上方または下方に２回以上折曲することを特徴とする請求項２４に記載のプラズマ発生装置。
【請求項２６】
プラズマ発生チャンバ内に設けられ、排気ガスや副産物などを排出させるための多数のスロットが形成されるバッフルプレートを備えるプラズマ発生装置であって、
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は上方または下方に円弧状に折曲することを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２７】
前記多数のスロットは、それぞれ、断面からみて、上部幅が下部幅より大きく、前記下部幅が中間幅より大きい砂時計状であることを特徴とする請求項１１に記載のバッフルプレート。
【請求項２８】
前記スロットの上部幅は１．６〜１．８ｍｍ、前記下部幅は１．１〜１．５ｍｍ、前記中間幅は１．０ｍｍであることを特徴とする請求項２２に記載のバッフルプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマ発生装置に関し、更に詳しくは、プラズマ処理チャンバ内に位置する下部電極を囲んで処理チャンバの内側壁に結合され、プラズマの漏れを防止すると共に、排気ガス、副産物及び異物を容易に排出させる構造を有するバッフルプレートを備えるプラズマエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プラズマとは、高度に電離して（＋）イオンと（−）電子が同一の密度に存在し電子的中性となっている性質の状態を意味し、放電管などを挙げられる。
【０００３】
半導体またはＴＦＴ ＬＣＤ集積回路を製造するためには、シリコン基板上に形成された素子等を金属層によって配線する工程（metalization）が必要となり、素子等を金属層に電気的に当接するために金属層の下部の絶縁層にコンタクトホールを形成する過程が必須である。コンタクトホールを形成するためには、プラズマを利用して酸化膜のような絶縁層を乾式エッチングすることが一般である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１は、通常のプラズマエッチング装置１００を示す構成図で、所定の空間を有するチャンバ１０１内に、ウエハなどの被エッチング対象物がその上に置かれる下部電極１０２が設けられ、下部電極１０２の上には、下部電極１０２に対向するように上部電極１０３が設けられる。上部電極１０３には、多数の処理ガス流入口１０４が形成され、この流入口１０４を介して流れ込まれた処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯ、Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２及び/又はＨ２）が上部及び下部電極間に印加されるＲＦ電圧によってプラズマ化（すなわち、ラジカル、イオン、電子など）され、ウエハに対する処理を行なうことになる。このとき、プラズマ化される処理ガスには副産物などが発生し、このような副産物等や排気ガスを排出するための排出システム１０５が前記チャンバ１０１の下部に設けられる。排出システム１０５では、ＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）のような所定の排気ポンプを使用することができる。また、バッフルプレート１０が下部電極を囲んで処理チャンバの内側壁に結合されチャンバ１０１のプラズマ発生空間１１０（すなわち、上部電極１０３と下部電極１０２との間に形成される空間）を限定し、プラズマ発生空間１１０内に発生するプラズマの漏れを防止する。バッフルプレート１０には、プラズマの漏れを防止すると共に、各種の副産物や排気ガスを排出させるための大きさの多数の開口またはスロットが形成されている。このバッフルプレート１０は、ねじをねじ孔１５０（図２参照）を介して上部ベローズカバー１３０内にねじ込むことにより、上部ベローズカバー１３０に固着される。
【０００５】
図２は、従来のバッフルプレートを示す斜視図で、従来のバッフルプレート１２０は、ドーナッツ状のプレートで、その中央に円形の開口１２２を有し、この中央開口付近（内縁付近）から外縁を向かって半径方向に直線状に延長する多数の長手スロット１２１が円周方向に配列されている。従って、このバッフルプレート１２０のスロット１２１を介してプラズマ処理の際に発生する排気ガスや副産物（工程中に形成される異物、電子、イオン、ラジカルなど）がチャンバの下部に排出され、排出システムによって外部に排出される。図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示すＡ部分の要部斜視図及び平面図で、図２のスロット１２１が詳細に示されている。
【０００６】
しかし、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、バッフルプレート１２０内に、一定の幅ＴＳを有する多数のスロット１２１が半径方向に直線状に延長している。スロット１２１の幅ＴＳは、プラズマがスロット１２１を介して漏れることを防止するために、通常、略１ｍｍに設定する。従って、バッフルプレート１２０の内縁付近のスロット１２１の一端間の間隔Ｔ２と、プレートの外縁付近のスロット１２１の他端間の間隔Ｔ１は、相互異なっている。つまり、Ｔ１がＴ２よりも大きくなる。従って、排気ガスまたは副産物等を排出させないデッドスペース（dead area）が大きくなり、プラズマエッチング装置の作業効率が低下することにより、半導体または集積回路の生産原価が増加する問題点がある。しかし、このようなデッドスペースを低減するために、スロットの幅全体を大きくするか、または、バッフルプレートの内縁付近のスロットの幅は略１ｍｍに保持し、外縁に向かっていくほど幅を増加させる場合、プラズマの漏れが増大し、プラズマエッチングの効率が低下する問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、プラズマの漏れを防止しつつ、最大限多量の排気ガスや副産物などを迅速に排出させるように形成されるスロットを有するバッフルプレートを備えるプラズマ発生装置であって、特にプラズマエッチング装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の一実施の形態によると、プラズマ発生チャンバ内に設けられ、排気ガスや副産物等を排出させる多数のスロットが形成されるバッフルプレートを備えるプラズマ発生装置であって、前記バッフルプレートの多数のスロットは、それぞれ前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって曲線状に延長するプラズマ発生装置が提供される。
【０００９】
前記多数のスロットは、それぞれ一定の幅を有することが好ましい。また、前記多数のスロットは、隣合うスロットの一端間の間隔と他端間の間隔とが同一になるように形成することができる。
【００１０】
前記多数のスロットは、それぞれ断面からみて上部幅が下部幅より大きくなるように形成することが好ましく、前記スロットの上部幅は１．６〜１．８ｍｍ、下部幅は１．０ｍｍであることが好ましい。
【００１１】
また、上記多数のスロットは、それぞれ断面からみて砂時計状のものが好ましく、このとき、スロットの上部幅は１．６〜１．８ｍｍ、中間幅は１．０ｍｍ、下部幅は１．１〜１．５ｍｍであることが好ましい。
【００１２】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、所定の角度で上向または下向に折曲されることができ、前記バッフルプレートのスロットが形成される部分の折曲角度は、０〜４５度であることが好ましい。
【００１３】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、上方または下方に円弧状に折曲されることができる。
【００１４】
前記バッフルプレートのスロットが形成される部分は、上方または下方に所定の角度で２回以上折曲されることができる。
【００１５】
前記プラズマ発生装置は、被処理対象物をエッチングする装置であり得る。
【００１６】
本発明の他の実施の形態によると、プラズマ発生チャンバ内に設けられ、排気ガスや副産物などを排出させるための多数のスロットが形成されるバッフルプレートを備えるプラズマ発生装置であって、前記バッフルプレートの多数のスロットは、それぞれ、前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって半径方向に対して斜めに直線状に延長するプラズマ発生装置が提供される。
【００１７】
前記バッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって半径方向に対して斜めに直線状に延長する前記多数のスロットは、それぞれ、少なくとも１回折曲することが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の第１の実施の形態によるバッフルプレートを有するプラズマエッチング装置について説明する。
【００１９】
図１を参照して本発明によるプラズマ発生装置またはプラズマエッチング装置の基本的な構成を再び概略的に説明すると、所定の空間を有するチャンバ１０１内に上部電極１０３と下部電極１０２とが互いに対向するように設けられる。下部電極１０２の上には、ウエハなどの被処理（エッチング）対象物が置かれる。上部電極１０３には、多数の処理ガス流入口１０４が形成され、この流入口１０４を介して流れ込まれる処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯ、Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２及び/又はＨ２）が上部及び下部電極１０３、１０２間に印加される、例えば、ＲＦ電圧によってプラズマ化されて、ウエハに対する処理（例えば、エッチング）を行なうことになる。このとき、プラズマ化される処理ガスには工程中に形成される異物、電子、イオン、ラジカルなどのような副産物が発生し、このような副産物等と排気ガスを排出するための排出システム１０５がチャンバ１０１の下部に設けられる。排出システム１０５ではＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）のような所定の排気ポンプを使用することができる。
【００２０】
また、バッフルプレート１０がチャンバ１０１内に設けられ、このバッフルプレート１０は、例えば、ねじをねじ孔１５０（図４を参照）を介して上部ベローズカバー１３０内にねじ込むことにより、上部ベローズカバー１３０に固着され、バッフルプレート１０の内縁が下部電極１０２を囲んでその外縁が処理チャンバの内側壁に結合されチャンバ１０１のプラズマ発生空間１１０（すなわち、上部電極１０３と下部電極１０２との間に形成される空間）内に発生するプラズマの漏れを防止する。バッフルプレート１０には、プラズマの漏れを防止すると共に、各種の副産物や排気ガスを排出させる大きさの多数のスロットが形成されている。
【００２１】
図４は、本発明の好適な一実施の形態によるバッフルプレート１０を示す斜視図で、バッフルプレート１０は、例えば、内径が略２５０ｍｍ、外径が略３６６ｍｍであるドーナッツ状であり、その内縁部が下部電極を囲んで、その外縁部がチャンバ１０１の内側壁に密接するように、上部ベローズカバー１３０に固着され、プラズマ発生空間を限定する役割を果たす。本発明の実施の形態では、バッフルプレート１０がドーナッツ状のプレートに形成されているが、チャンバの形状によって、四角板などの多様な形状に形成することもできる。バッフルプレートには、プラズマ処理ガスの漏れを防止すると共に、排気ガスや各種の副産物等を最大限速い速度で多量を排出するための多数の長手スロット１１が形成されている。
【００２２】
このスロット１１は、それぞれ、一定の幅（略１ｍｍ）を有し、バッフルプレート１０の内縁付近から外縁に向かって曲線状に延長する。この場合、スロット１１は、内縁付近から外縁に向かって曲線状に延長するため、その全長が長くなり、スロットが半径方向に直線状に延長する従来のバッフルプレートと比較したとき、バッフルプレートのスロットが形成される部分の半径方向距離が従来のものと同一である場合（すなわち、バッフルプレートの内径及び外径が従来のバッフルプレートと同一である場合）、開放面積が広くなる。よって、このスロット１１を介してより多くの量の排気ガスや副産物が排出することができるようになる。
【００２３】
図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、図４におけるＢ部分の要部斜視図及び平面図で、バッフルプレート１０に形成されるスロット１１は、隣接する多数のスロットの一端間の間隔Ｔ３と他端間の間隔Ｔ４とが同一になるように形成される。これは、スロット１１の形状をバッフルプレートの内縁付近から外縁に向かって一定の曲線状に形成することにより可能になる。
【００２４】
例えば、内径が略２５０ｍｍ、外径が略３６６ｍｍであるドーナッツ状のバッフルプレートでは、従来の技術による半径方向に直線状に延長するスロットを有する場合、スロットの幅及び長さを、それぞれ、１ｍｍ及び４０ｍｍにし、スロットの数を３６０個のした場合、スロットによって形成される総開放面積は、略１４，４００ｍｍ２になる。
【００２５】
一方、同一の内径及び外径を有するバッフルプレートで、本発明による曲線状に延長する幅１ｍｍのスロットを形成する場合、曲線長さ略４５ｍｍのスロットを形成することができ、スロットの数が略３６０個である場合、スロットによって形成される総開放面積は、略１６，２００ｍｍ２になる。このように本発明によるバッフルプレートのスロットによる総開放面積は、従来の技術によるバッフルプレートのスロットによる総開放面積より略１２．５％増加することがわかる。
【００２６】
また、図７Ａに示すように、本発明の変形例として、上述のように同一の内径及び外径を有するバッフルプレートのスロットが形成される部分を下方に所定角度φ、例えば、２２°だけ折曲させると、スロットは、長さ略５３ｍｍに形成することができ、このとき、スロットの数を略３６０個にした場合、スロットによって形成される総開放面積は、略１９，０８０ｍｍ２になる。このように、スロットを曲線状に形成し、且つ、バッフルプレートのスロットが形成される部分を折曲させることにより、スロットの面積が更に大きくなり、よって、スロットによる総開放面積が更に大きくなる。
【００２７】
図６Ａ及び図６Ｂは、図５のＣ−Ｃ´線に沿う断面図である。図６Ａでは、バッフルプレート１０のスロット１１の上部幅Ｐ１が下部幅Ｐ２より大きく形成されている。プラズマ工程中に発生する、例えば、ポリマーが、スロット１１の壁に吸着される現象が発生し、スロット１１の孔が詰まる問題が発生することもあるが、スロット１１の上部幅Ｐ１を下部幅Ｐ２よりも大きく形成することにより、例えば、ポリマーの吸着によるスロットの詰まりを防止することができる。例えば、スロットの上部幅Ｐ１は１．６〜１．８ｍｍに、下部幅Ｐ２は１ｍｍに形成する方が好ましい。
【００２８】
また、図６Ｂに示されているように、スロット１１の断面は砂時計状にすることもできる。この場合、スロット１１の上部幅Ｐ１は１．６〜１．８ｍｍ、下部幅Ｐ２は１．１〜１．５ｍｍ、中間幅Ｐ３は１ｍｍであることが好ましく、バッフルプレート１０の全厚さＨが３ｍｍである場合、中間幅Ｐ２の位置Ｈ１は上面から１．８ｍｍほど下側に位置することが好ましい。最も好ましくは、スロット１１の上部幅Ｐ１は１．６ｍｍ、下部幅Ｐ２は１．２ｍｍ、中間幅Ｐ３は１ｍｍである。
【００２９】
図７Ａないし図７Ｄは、本発明の多様な変形例によるバッフルプレートの形状を示す断面図で、バッフルプレート２０、３０に形成される曲線状のスロットの長さが更に長くなるように、バッフルプレート２０、３０のスロットが形成される部分を多様な方式に変形させている。
【００３０】
まず、図７Ａ及び図７Ｂのように、バッフルプレート２０、３０の外径Ｄを一定に保持しつつ、スロットが形成されるバッフルプレート２０、３０の部分を上方（図７Ｂ）または下方（図７Ａ）に所定角度φで折曲することができる。このとき、折曲角度φは、プラズマ工程に差支えのないように設定し、０°〜４５°が好ましく、２２°が更に好ましい。
【００３１】
また、図７Ｃに示すように、バッフルプレート４０のスロットが形成される部分は、状況によって、下向に円弧状に折曲することができ、且つ、上向に円弧状に折曲することもできる（図示せず）。
【００３２】
また、図７Ｄに示すように、バッフルプレート５０のスロットが形成される部分は、下向に２回折曲する形状を有することができ、且つ、上向に２回折曲した形状を有することもできる（図示せず）。
【００３３】
更に、図示はしていないが、バッフルプレートは、３回以上折曲する形状に形成することもできる。
【００３４】
図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、本発明の第２の実施の形態によるバッフルプレート１０ａを示す部分拡大斜視図及び平面図で、バッフルプレート１０ａは、例えば、内径が略２５０ｍｍ、外径が略３６６ｍｍであるドーナツ状であり、その内縁部が下部電極を囲み、その外縁部がチャンバ１０１の内側壁に密接するように上部ベローズカバー１３０に結合され、プラズマ発生空間を限定する役割を果たす。本発明の実施の形態では、バッフルプレート１０ａがドーナツ状のプレートで形成されているが、チャンバの形状によって四角板などの多様な形状に形成することもできる。バッフルプレートには、プラズマ処理ガスの漏れを防止すると共に、排気ガスや各種の副産物等を最大限に速い速度で多く排出させるための多数の長手スロット１１ａが形成されている。
【００３５】
この実施の形態において、スロット１１ａは、それぞれ、一定の幅（略１ｍｍ）を有し、バッフルプレート１０ａの内縁付近から外縁に向かって半径方向に対して斜めに直線状に延長する。この場合、スロット１１ａは、バッフルプレート１０ａの内縁付近から外縁に向かって半径方向に対して斜めに直線状に延長するため、その全長が長くなり、スロットが半径方向に直線状に延長する従来のバッフルプレートに比較するとき、バッフルプレートのスロットが形成された部分の半径方向の距離が従来のものと同一であれば（すなわち、バッフルプレートの内径及び外径が従来のバッフルプレートと同一であれば）、開放面積が広くなる。従って、このスロット１１ａを介してより多くの量の排気ガスや副産物が排出できるようになる。
【００３６】
図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ、本発明の第２の実施の形態の変形例によるバッフルプレート１０ｂの部分拡大斜視図及び平面図で、バッフルプレート１０ｂの内縁付近から外縁に向かって半径方向に対して斜めに直線状に延長するスロット１１ｂが１回折曲しているので、スロット１１ｂが更に長くなり、よって、より多くの量の排気ガスや副産物がスロット１１ｂを介して排出できるようになる。この実施の形態では、スロット１１ｂが１回折曲しているが、必要に応じて２回以上折曲することもある。
【００３７】
このように、本発明のバッフルプレートによると、スロットの幅を、例えば、略１ｍｍに一定に保持しつつ、スロットの全長を長くしてスロットの開放面積を増加させるため、プラズマ処理の際のプラズマの漏れを防止すると共に、処理後、より多くの量の排気ガスや副産物などが迅速に排出できるようにすることで、半導体または集積回路の生産原価を低減することができる。
【００３８】
前記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３９】
以上述べたように、本発明によれば、バッフルプレートに形成されるスロットを曲線状に形成したり、スロットを半径方向に対して斜めに直線状に延長するように形成することにより、及び／又はバッフルプレートのスロットが形成される部分を同外径を保持しつつ、多様な方式に変更することにより、プラズマ工程の際に発生する排気ガスや副産物等を更に迅速及び効率的に排出することができ、これにより、プラズマ工程が更に容易になり、排気量が増加するため、更に多くの処理ガス類を使用することができる。従って、プラズマ処理を効率的に行なうことができ、工程費用を節減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は通常のプラズマエッチング装置を示す構成図である。
【図２】図２は従来技術によるバッフルプレートを示す斜視図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示すＡ部分の要部斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２に示すＡ部分の要部平面図である。
【図４】図４は本発明の第１の実施の形態によるバッフルプレートを示す斜視図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図４に示すＢ部分の要部斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図４に示すＢ部分の要部平面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、図５Ａ中に示すＣ−Ｃ´線に沿う断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図５Ａ中に示すＣ−Ｃ´線に沿う断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは本発明の多様な実施の形態によるバッフルプレートの形状を示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは本発明の多様な実施の形態によるバッフルプレートの形状を示す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは本発明の多様な実施の形態によるバッフルプレートの形状を示す断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは本発明の多様な実施の形態によるバッフルプレートの形状を示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは本発明の第２の実施の形態によるバッフルプレートの部分斜視図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは本発明の第２の実施の形態によるバッフルプレートの部分平面図である。
【図９Ａ】図９Ａは本発明の第２の実施の形態によるバッフルプレートの変形例を示す部分斜視図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは本発明の第２の実施の形態によるバッフルプレートの変形例を示す部分平面図である。
【図１】
2005526395.tif 000003
【図２】
2005526395.tif 000004
【図３Ａ】
2005526395.tif 000005
【図３Ｂ】
2005526395.tif 000006
【図４】
2005526395.tif 000007
【図５Ａ】
2005526395.tif 000008
【図５Ｂ】
2005526395.tif 000009
【図６Ａ】
2005526395.tif 000010
【図６Ｂ】
2005526395.tif 000011
【図７Ａ】
2005526395.tif 000012
【図７Ｂ】
2005526395.tif 000013
【図７Ｃ】
2005526395.tif 000014
【図７Ｄ】
2005526395.tif 000015
【図８Ａ】
2005526395.tif 000016
【図８Ｂ】
2005526395.tif 000017
【図９Ａ】
2005526395.tif 000018
【図９Ｂ】
2005526395.tif 000019
【国際調査報告】
2005526395.tif 000020
2005526395.tif 000021