(57)【要約】【課題】優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーの製造方法、圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサーの製造方法は、ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、基板に、ダイアフラム形成領域を囲むガードリングと、ガードリング内に位置する犠牲層と、犠牲層を介して基板と対向し、蓋部貫通孔を有する蓋部と、を配置する工程と、蓋部貫通孔を介して犠牲層を除去する工程と、蓋部に蓋部と重なる第１貫通孔およびガードリングと重なる第２貫通孔を有する第１封止層を配置する工程と、第１、第２貫通孔を介して蓋部およびガードリングを除去する工程と、第１封止層上に、第１、第２貫通孔を封止する第２封止層を配置する工程と、ダイアフラム形成領域にダイアフラムを形成する工程と、を含んでいる。【選択図】図５
2018151309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲むガードリングと、前記ガードリングの内側の空間に位置する犠牲層と、前記犠牲層を介して前記基板と対向し、前記犠牲層に臨む蓋部貫通孔を有する蓋部と、を配置する工程と、
前記蓋部貫通孔を介して前記犠牲層を除去する工程と、
前記蓋部の前記基板と反対側に、前記基板の平面視で前記蓋部と重なるように配置されている第１貫通孔および前記基板の平面視で前記ガードリングと重なるよう配置されている第２貫通孔を有する第１封止層を配置する工程と、
前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を介して前記蓋部および前記ガードリングを除去する工程と、
前記第１封止層の前記基板と反対側に、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を封止する第２封止層を配置する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサーの製造方法。
【請求項２】
ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域と重なるように犠牲層を配置する工程と、
前記犠牲層を介して前記基板と対向し、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域と重なる第１領域および前記ダイアフラム形成領域の外側に位置する第２領域を有し、前記第１領域に前記犠牲層に臨む第１蓋部貫通孔を有する蓋部を配置する工程と、
前記第１蓋部貫通孔を介して前記犠牲層を除去する工程と、
前記蓋部の前記基板と反対側に、前記基板の平面視で前記第１領域と重なるように配置されている第１貫通孔および前記基板の平面視で前記第２領域と重なるように配置されている第２貫通孔を有する第１封止層を配置する工程と、
前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を介して前記蓋部を除去する工程と、
前記第１封止層の前記基板と反対側に、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を封止する第２封止層を配置する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサーの製造方法。
【請求項３】
前記第１封止層は、シリコンを含み、
前記第２封止層は、酸化シリコンを含んでいる請求項１または２に記載の圧力センサーの製造方法。
【請求項４】
前記第２封止層を配置する工程の後に、
前記第２封止層の前記基板と反対側に、第３封止層を配置する工程を含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧力センサーの製造方法。
【請求項５】
前記第３封止層は、シリコンを含んでいる請求項４に記載の圧力センサーの製造方法。
【請求項６】
前記第２封止層は、前記第１封止層および前記第３封止層によって外部から遮断されている請求項４または５に記載の圧力センサーの製造方法。
【請求項７】
受圧により撓み変形するダイアフラムを備える基板と、
前記基板の一方の面側に配置され、前記基板の平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、
前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、
前記封止層は、前記空間に連通する貫通孔を有する第１封止層と、前記第１封止層に対して前記ダイアフラムと反対側に位置し、前記貫通孔を封止する第２封止層と、を有し、
前記貫通孔は、前記基板の平面視で、前記ダイアフラムの内側に位置する第１貫通孔および前記ダイアフラムの外側に位置する第２貫通孔を有していることを特徴とする圧力センサー。
【請求項８】
請求項７に記載の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする圧力センサーモジュール。
【請求項９】
請求項７に記載の圧力センサーを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項７に記載の圧力センサーを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサーの製造方法、圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧力センサーとして、例えば、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを備える基板と、ダイアフラムに形成されたピエゾ抵抗素子と、ダイアフラム上に配置された圧力基準室と、を有し、ダイアフラムの撓みに基づいてピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化することを利用して、圧力を検出するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１７５８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の圧力センサーでは、圧力基準室の側壁部を構成するガードリング（配線部）、圧力基準室の天井部を構成する被覆層および被覆層の貫通孔を封止する封止層が、それぞれ、アルミニウム等の金属材料（他の部分の材料よりも熱膨張率の大きい材料）で構成されている。そのため、これらの膨張に起因して、環境温度によってダイアフラムの内部応力が変化してしまう。これにより、同じ圧力を受けても環境温度によって測定値が異なってしまい、圧力の検出精度が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーの製造方法、圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
【０００７】
本発明の圧力センサーの製造方法は、ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲むガードリングと、前記ガードリングの内側の空間に位置する犠牲層と、前記犠牲層を介して前記基板と対向し、前記犠牲層に臨む蓋部貫通孔を有する蓋部と、を配置する工程と、
前記蓋部貫通孔を介して前記犠牲層を除去する工程と、
前記蓋部の前記基板と反対側に、前記基板の平面視で前記蓋部と重なるように配置されている第１貫通孔および前記基板の平面視で前記ガードリングと重なるよう配置されている第２貫通孔を有する第１封止層を配置する工程と、
前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を介して前記蓋部および前記ガードリングを除去する工程と、
前記第１封止層の前記基板と反対側に、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を封止する第２封止層を配置する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする。
このように、蓋部およびガードリングを除去することで、ダイアフラムに加わる内部応力の環境温度による変化を低減することができる。そのため、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
【０００８】
本発明の圧力センサーの製造方法は、ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域と重なるように犠牲層を配置する工程と、
前記犠牲層を介して前記基板と対向し、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域と重なる第１領域および前記ダイアフラム形成領域の外側に位置する第２領域を有し、前記第１領域に前記犠牲層に臨む第１蓋部貫通孔を有する蓋部を配置する工程と、
前記第１蓋部貫通孔を介して前記犠牲層を除去する工程と、
前記蓋部の前記基板と反対側に、前記基板の平面視で前記第１領域と重なるように配置されている第１貫通孔および前記基板の平面視で前記第２領域と重なるように配置されている第２貫通孔を有する第１封止層を配置する工程と、
前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を介して前記蓋部を除去する工程と、
前記第１封止層の前記基板と反対側に、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を封止する第２封止層を配置する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする。
このように、蓋部を除去することで、ダイアフラムに加わる内部応力の環境温度による変化を低減することができる。そのため、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
【０００９】
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記第１封止層は、シリコンを含み、
前記第２封止層は、酸化シリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、第１封止層および第２封止層を半導体プロセスによって簡単に形成することができる。
【００１０】
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記第２封止層を配置する工程の後に、
前記第２封止層の前記基板と反対側に、第３封止層を配置する工程を含んでいることが好ましい。
これにより、仮に、第２封止層によって第１、第２貫通孔が封止されなかった場合でも、第３封止層によってより確実に第１、第２貫通孔を封止することができる。
【００１１】
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記第３封止層は、シリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、第３封止層を半導体プロセスによって簡単に形成することができる。
【００１２】
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記第２封止層は、前記第１封止層および前記第３封止層によって外部から遮断されていることが好ましい。
これにより、第２封止層を水分等から保護することができ、環境湿度に起因した封止層の内部応力の変化を抑制することができる。
【００１３】
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを備える基板と、
前記基板の一方の面側に配置され、前記基板の平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、
前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、
前記封止層は、前記空間に連通する貫通孔を有する第１封止層と、前記第１封止層に対して前記ダイアフラムと反対側に位置し、前記貫通孔を封止する第２封止層と、を有し、
前記貫通孔は、前記基板の平面視で、前記ダイアフラムの内側に位置する第１貫通孔および前記ダイアフラムの外側に位置する第２貫通孔を有していることを特徴とする。
これにより、ダイアフラムに加わる内部応力の環境温度による変化を抑制することができる。そのため、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーとなる。
【００１４】
本発明の圧力センサーモジュールは、本発明の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする。
これにより、圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い圧力センサーモジュールが得られる。
【００１５】
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１６】
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。
【図３】図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す回路図である。
【図４】図１に示す圧力センサーが有する封止層の拡大断面図である。
【図５】図１に示す圧力センサーの製造工程を示すフローチャートである。
【図６】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。
【図２０】図１９に示す圧力センサーの製造工程を示すフローチャートである。
【図２１】図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図２６】本発明の第４実施形態に係る圧力センサーモジュールを示す断面図である。
【図２７】図２６に示す圧力センサーモジュールが有する支持基板の平面図である。
【図２８】本発明の第５実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【図２９】本発明の第６実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【図３０】本発明の第７実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の圧力センサーの製造方法、圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーおよびその製造方法について説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。図３は、図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す回路図である。図４は、図１に示す圧力センサーが有する封止層の拡大断面図である。図５は、図１に示す圧力センサーの製造工程を示すフローチャートである。図６ないし図１６は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下の説明では、図１、図４、図６ないし図１６中の上側を「上」とも言い、下側を「下」とも言う。
【００２１】
図１に示すように、圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する基板２と、ダイアフラム２５の上面側に配置された圧力基準室Ｓ（空洞部）と、基板２と共に圧力基準室Ｓを形成する周囲構造体４と、ダイアフラム２５に配置されたセンサー部５と、を有している。
【００２２】
図１に示すように、基板２は、シリコンで構成された第１層２１と、第１層２１の上側に配置され、シリコンで構成された第３層２３と、第１層２１および第３層２３の間に配置され、酸化シリコンで構成された第２層２２と、を有するＳＯＩ基板で構成されている。すなわち、基板２は、シリコン（Ｓｉ）を含んでいる。これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することのできる基板２となる。
【００２３】
ただし、基板２としては、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。また、基板２は、シリコン以外の半導体材料、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素等で構成された基板（半導体基板）であってもよい。
【００２４】
また、図１に示すように、基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２５が設けられている。基板２には、下方に開放する有底の凹部２４が形成されており、凹部２４によって基板２が薄くなっている部分がダイアフラム２５となっている。また、ダイアフラム２５の下面が圧力を受ける受圧面２５１となっている。なお、本実施形態では、ダイアフラム２５の平面視形状は、略正方形であるが、ダイアフラム２５の平面視形状としては、特に限定されず、例えば、三角形、五角形等の多角形、円形、楕円形等であってもよい。また、角部を有する平面視形状の場合には、その角部が面取りされていてもよい。
【００２５】
ここで、本実施形態では、凹部２４は、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングで形成されている。具体的には、基板２の下面側から等方性エッチング、保護膜成膜および異方向性エッチングという工程を繰り返して、第１層２１を掘ることで凹部２４を形成する。この工程を繰り返し、エッチングが第２層２２まで達すると第２層２２がエッチングストッパーとなってエッチングが終了し、凹部２４が得られる。このような形成方法によれば、凹部２４の内壁側面が基板２の主面に対して略垂直となるため、凹部２４の開口面積を小さくすることができる。そのため、基板２の機械的強度の低下を抑制することができ、また、圧力センサー１の大型化を抑制することもできる。
【００２６】
ただし、凹部２４の形成方法としては、上記の方法に限定されず、例えば、ウェットエッチングによって形成してもよい。また、本実施形態では、ダイアフラム２５の下面側に第２層２２が残っているが、この第２層２２を除去してもよい。すなわち、ダイアフラム２５を第３層２３の単層で構成してもよい。これにより、ダイアフラム２５をより薄くすることができ、より撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。また、凹部２４が第１層２１の途中まで形成されていてもよい。
【００２７】
ダイアフラム２５の厚さとしては、特に限定されず、ダイアフラム２５の大きさ等によっても異なるが、例えば、ダイアフラム２５の幅が１００μｍ以上３００μｍ以下の場合には、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。このような厚さとすることで、機械的な強度を十分に保ちつつ、十分に薄く、受圧により撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。
【００２８】
このようなダイアフラム２５には、ダイアフラム２５に作用する圧力を検出するセンサー部５が設けられている。図２に示すように、センサー部５は、ダイアフラム２５に設けられた４つのピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を有している。そして、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、配線５５を介して互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路５０（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。ブリッジ回路５０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給（印加）する駆動回路が接続されている。そして、ブリッジ回路５０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の抵抗値変化に応じた検出信号（電圧）を出力する。そのため、この出力された検出信号に基づいてダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができる。
【００２９】
特に、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、ダイアフラム２５の外縁部に配置されている。受圧によりダイアフラム２５が撓み変形すると、ダイアフラム２５の中でも特にその外縁部に大きな応力が加わるため、ダイアフラム２５の外縁部にピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を配置することで、前述した検出信号を大きくすることができ、圧力検知の感度が向上する。なお、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の配置は、特に限定されず、例えば、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４がダイアフラム２５の外縁を跨いで配置されていてもよいし、ダイアフラム２５の中央部に配置されていてもよい。
【００３０】
ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、例えば、基板２の第３層２３にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、配線５５は、例えば、基板２の第３層２３に、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
【００３１】
なお、センサー部５の構成としては、ダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができれば、特に限定されない。例えば、ブリッジ回路５０を構成していない少なくとも１つのピエゾ抵抗素子がダイアフラム２５に配置されている構成であってもよい。また、センサー部としては、本実施形態のようなピエゾ抵抗型の他にも、静電容量の変化に基づいて圧力を検出する静電容量型を用いてもよい。
【００３２】
また、図１に示すように、基板２の上面には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成された第１絶縁膜３１と、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で構成された第２絶縁膜３２と、が成膜されている。第１絶縁膜３１によって、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができる。また、第２絶縁膜３２（シリコン窒化膜）によって、センサー部５を水分や埃から保護することができる。
【００３３】
なお、第１絶縁膜３１および第２絶縁膜３２の構成材料としては、上述した目的を発揮することができれば、特に限定されない。また、第１絶縁膜３１および第２絶縁膜３２に替えて、例えば、シリコン酸窒化膜（ＳｉＮＯ膜）で構成された絶縁膜を配置してもよい。シリコン酸窒化膜によれば、前述した第１絶縁膜３１と第２絶縁膜３２の両方の機能を発揮することができる。また、第１絶縁膜３１および第２絶縁膜３２は、それぞれ、ダイアフラム２５と重ならないように枠状になっていてもよい。また、第１絶縁膜３１および第２絶縁膜３２の少なくとも一方を省略してもよい。
【００３４】
さらに、第２絶縁膜３２上には、ポリシコン膜（ｐ−Ｓｉ膜）からなる第３絶縁膜３３が成膜されている。第３絶縁膜３３は、ダイアフラム２５と重ならないように、ダイアフラム２５の周囲を囲む枠状をなしている。なお、第３絶縁膜３３は、省略してもよい。
【００３５】
また、図１に示すように、ダイアフラム２５の上側には、圧力基準室Ｓが設けられている。この圧力基準室Ｓは、基板２と周囲構造体４とに囲まれることで形成されている。圧力基準室Ｓは、密閉された空間であり、圧力基準室Ｓ内の圧力が、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる。特に、圧力基準室Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、圧力基準室Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
【００３６】
周囲構造体４は、基板２との間に圧力基準室Ｓを形成している。図１に示すように、周囲構造体４は、基板２上に配置された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に配置された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置された表面保護膜４５と、表面保護膜４５上に配置された封止層４６と、表面保護膜４５上に配置された端子４７とを有している。
【００３７】
このような周囲構造体４では、主に、層間絶縁膜４１、４３によって、基板２の平面視でダイアフラム２５を囲む枠状の側壁部４０が構成されている。また、側壁部４０の内側には圧力基準室Ｓが形成されている。そして、封止層４６が圧力基準室Ｓを介してダイアフラム２５と対向して配置され、圧力基準室Ｓを封止している。
【００３８】
層間絶縁膜４１、４３は、それぞれ、枠状をなし、平面視でダイアフラム２５を囲むように配置されている。これら層間絶縁膜４１、４３としては、特に限定されないが、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。配線層４２は、センサー部５の配線５５と電気的に接続された配線部４２９を有している。また、配線層４４は、配線部４２９と電気的に接続された配線部４４９とを有している。これら配線層４２、４４としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。
【００３９】
表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ガス、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。表面保護膜４５は、層間絶縁膜４３および配線層４４上に配置されている。また、表面保護膜４５上には配線部４２９、４４９を介してセンサー部５と電気的に接続されている複数の端子４７が設けられている。表面保護膜４５としては、特に限定されず、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。
【００４０】
図１に示すように、封止層４６は、圧力基準室Ｓの天井に位置し、圧力基準室Ｓを封止している。封止層４６は、下面が圧力基準室Ｓに臨む第１封止層４６１と、第１封止層４６１の上面に積層された第２封止層４６２と、第２封止層４６２の上面に積層された第３封止層４６３と、を有している。封止層４６を積層構造とすることで、圧力基準室Ｓをより確実に気密封止することができる。なお、封止層４６の構成としては、特に限定されず、例えば、第１封止層４６１と第２封止層４６２との間や第２封止層４６２と第３封止層４６３との間に別の層が介在し、４層以上の積層構造となっていてもよい。また、第３封止層４６３を省略してもよい。
【００４１】
第１封止層４６１は、シリコン（Ｓｉ）を含んで構成されており、特に本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）で構成されている。また、第２封止層４６２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含んで構成されており、特に、本実施形態では酸化シリコン（ＳｉＯ２）で構成されている。また、第３封止層４６３は、シリコン（Ｓｉ）を含んで構成されており、特に本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）で構成されている。後述する製造方法でも説明するように、第１封止層４６１、第２封止層４６２および第３封止層４６３は、それぞれ、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の各種成膜法で形成することができる。
【００４２】
このように、各層４６１、４６２、４６３がそれぞれシリコン（Ｓｉ）を含んでいることで、封止層４６を半導体プロセスによって容易に形成することができる。さらには、同じ材料（シリコン）で構成された第１封止層４６１および第３封止層４６３で、これらとは異なる材料（酸化シリコン）で構成された第２封止層４６２を挟み込むことで、封止層４６の熱膨張率を厚さ方向で平均化することができ、封止層４６の熱膨張時の面外方向への撓みを抑制することができる。
【００４３】
特に、封止層４６の下方への撓みを抑制することにより、封止層４６とダイアフラム２５との接触を抑制することができる。封止層４６がダイアフラム２５に接触してしまうと、ダイアフラム２５の撓み変形が阻害され、圧力検出精度が低下するおそれがある。そのため、前述のように、封止層４６の熱膨張時の面外方向への撓みを抑制し、封止層４６とダイアフラム２５との接触を抑制することで、優れた圧力検出精度を有する圧力センサー１となる。また、前述したように、基板２がＳＯＩ基板で構成されているため、圧力基準室Ｓを介して対向する基板２および封止層４６の熱膨張率の差を小さくすることができる。そのため、熱膨張により発生する内部応力を小さく抑えることができる。さらには、ダイアフラム２５に加わる内部応力の環境温度による変化を抑制することができる。そのため、例えば、同じ圧力を受けていても検出される圧力が環境温度によって異なってしまうといった検出精度の低下を効果的に抑制することができる。
【００４４】
なお、第１封止層４６１、第２封止層４６２および第３封止層４６３の構成材料としては、特に限定されない。例えば、第１封止層４６１および第３封止層４６３は、それぞれ、シリコン（Ｓｉ）以外の材料（例えば、製造上、不可避的に混じってしまう材料）を含んでいてもよいし、シリコン以外の材料で構成されていてもよい。同様に、第２封止層４６２は、酸化シリコン以外の材料（例えば、製造上、不可避的に混じってしまう材料）を含んでいてもよいし、酸化シリコン以外の材料で構成されていてもよい。
【００４５】
また、図１に示すように、第１封止層４６１には複数の貫通孔４６４が形成されている。また、第１封止層４６１は、基板２の平面視で、ダイアフラム２５と重なっている第１領域４６１Ａと、第１領域４６１Ａの外側に位置し、ダイアフラム２５と重なっていない第２領域４６１Ｂと、を有している。また、複数の貫通孔４６４は、第１領域４６１Ａに配置された少なくとも１つの第１貫通孔４６５と、第２領域４６１Ｂに配置された少なくとも１つの第２貫通孔４６６と、を有している。なお、本実施形態では、第１貫通孔４６５は、マトリックス状（行列状）に複数配置されており、第２貫通孔４６６は、第１領域４６１Ａの外周に沿って複数配置されている。ただし、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６の数や配置は、特に限定されない。
【００４６】
後述する製造方法において詳しく説明するが、複数の貫通孔４６４は、製造途中まで存在しているガードリングＧＲおよび蓋部４４４を除去するためのリリースエッチング用の孔である。本実施形態のように、複数の貫通孔４６４が第１貫通孔４６５と第２貫通孔４６６とを含むことで、貫通孔４６４を第１封止層４６１の広範囲にわたって配置することができ、その分、よりスムーズにかつ確実にガードリングＧＲおよび蓋部４４４を除去することができる。
【００４７】
また、複数の貫通孔４６４を配置することで、第１封止層４６１が面方向に変形し易くなり、当該変形によって、例えば、圧力センサー１の内部応力を吸収、緩和することができる。そのため、圧力センサー１の内部応力が低減され、内部応力がダイアフラム２５に伝わり難くなる。したがって、圧力センサー１は、優れた圧力検出精度を発揮することができる。
【００４８】
このような第１封止層４６１上には第２封止層４６２が配置されており、この第２封止層４６２によって各貫通孔４６４が塞がれている。これにより、圧力基準室Ｓが封止される。
【００４９】
また、各貫通孔４６４の横断面形状は、略円形状である。ただし、各貫通孔４６４の横断面形状は、特に限定されず、例えば、三角形、四角形等の多角形、楕円形、異形等であってもよい。
【００５０】
また、図４に示すように、貫通孔４６４は、横断面積（径）が圧力基準室Ｓ側から第２封止層４６２側に向けて漸減したテーパー状をなしている。このように、貫通孔４６４をテーパー状にすることで、貫通孔４６４内の空間を十分に確保して貫通孔４６４をより変形し易いものとすることができると共に、貫通孔４６４の上側の開口を十分に小さくすることができる。そのため、第１封止層４６１を面方向に変形させ易くしつつ、貫通孔４６４の上端側の開口を第２封止層４６２によってより確実に塞ぐことができる。なお、貫通孔４６４の形状としては、特に限定されない。例えば、本実施形態では、貫通孔４６４は、軸方向の全域でテーパー状をなしているが、これに限定されず、軸方向の少なくとも一部が前述したようなテーパー状をなしていてもよい。また、貫通孔４６４は、テーパー状ではなくて横断面積が実質的に変化しないストレート状であってもよい。
【００５１】
図４に示すように、貫通孔４６４の下端側開口の径Ｒｍａｘ（幅）としては、特に限定されないが、例えば、５００Å以上２５００Å以下であることが好ましく、１０００Å以上２０００Å以下であることがより好ましい。これにより、より確実に、貫通孔４６４内の空間を十分に大きく確保して第１封止層４６１をより変形し易いものとすることができる。また、貫通孔４６４が過度に大きくなってしまうことを阻止することができ、例えば、第１封止層４６１の機械的強度が過度に低下してしまったり、第１封止層４６１の機械的強度を確保するために第１封止層４６１が過度に厚くなってしまったりするのを抑制することができる。
【００５２】
貫通孔４６４の上端側開口の径Ｒｍｉｎ（幅）としては、特に限定されないが、例えば、１００Å以上１０００Å以下であることが好ましく、２００Å以上８００Å以下であることがより好ましい。これにより、ガードリングＧＲおよび蓋部４４４を除去するためのエッチングを行うのに十分な大きさの径を有し、かつ、第２封止層４６２によってより確実に塞ぐことのできる径を有する貫通孔４６４となる。
【００５３】
また、貫通孔４６４は、横断面積（径）の変化率が圧力基準室Ｓ側から第２封止層４６２側に向けて漸減している。すなわち、貫通孔４６４は、上側に向けて内周面の傾斜がきつくなっている。特に、本実施形態では、上端部の内周面がほぼ垂直に立った状態となっている。そのため、貫通孔４６４は、漏斗状の内部空間を有しているとも言える。このような構成とすれば、貫通孔４６４の径を下側から上側に向けて徐々に小さくすることができるため、径Ｒｍｉｎを高精度に制御することができる。そのため、径Ｒｍｉｎを目標値に合わせ込み易くなる。すなわち、径Ｒｍｉｎが小さくなり過ぎてガードリングＧＲおよび蓋部４４４をエッチング除去することが困難となったり、径Ｒｍｉｎが大きくなり過ぎて第２封止層４６２で封止することが困難となってしまったりするのを抑制することができる。よって、より確実に、貫通孔４６４を介してガードリングＧＲおよび蓋部４４４を除去することができると共に、第２封止層４６２によって貫通孔４６４を塞ぐことができる。なお、貫通孔４６４の形状としては、特に限定されず、例えば、横断面積（径）の変化率が上側に向けて一定となっていてもよい。
【００５４】
また、図１および図４に示すように、第１封止層４６１は、各貫通孔４６４の下端側開口を囲む枠状（環状）をなし、圧力基準室Ｓ側に突出する枠状の突出部４６７を有している。そのため、仮に封止層４６がダイアフラム２５側に撓んで、封止層４６がダイアフラム２５と接触したとしても、突出部４６７が優先的に接触する。そのため、突出部４６７がない場合と比べて、封止層４６とダイアフラム２５との接触面積を小さくすることができ、封止層４６がダイアフラム２５に接触したまま貼り付いてしまう「スティッキング」の発生を効果的に抑制することができる。
【００５５】
また、図４に示すように、第１封止層４６１の厚さＴ１は、第２封止層４６２の厚さＴ２および第３封止層４６３の厚さＴ３よりも大きい。第１封止層４６１には複数の貫通孔４６４が配置されているため、他の層（第２封止層４６２および第３封止層４６３）よりも機械的強度が低下し易い。そのため、Ｔ１＞Ｔ２、Ｔ１＞Ｔ３の関係を満足することで、第１封止層４６１に十分な機械的強度を持たせることができる。
【００５６】
具体的には、第１封止層４６１の厚さＴ１は、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上７μｍ以下であることがより好ましい。これにより、第１封止層４６１に十分な機械的強度を持たせつつ、第１封止層４６１の過度な厚肉化を防止することができる。また、径Ｒｍａｘ、Ｒｍｉｎが前述したような大きさとなる貫通孔４６４をより容易に形成することができる。
【００５７】
以上のような第１封止層４６１上には第２封止層４６２が積層されている。第２封止層４６２は、主に、第１封止層４６１に設けられた複数の貫通孔４６４を封止するための層である。このような第２封止層４６２の厚さＴ２は、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以上２．５μｍ以下であることがより好ましい。これにより、第２封止層４６２の過度な厚肉化を防止しつつ、第２封止層４６２によって貫通孔４６４をより確実に封止することができる。
【００５８】
以上のような第２封止層４６２上には第３封止層４６３が積層されている。第３封止層４６３は、主に、材料が同じ第１封止層４６１との間に、異なる材料で構成された第２封止層４６２を挟み込むことで、封止層４６の熱膨張時の面外方向への撓みを抑制するための層である。これにより、特に、封止層４６の下方への撓みを抑制することができ、封止層４６とダイアフラム２５との接触を抑制することができる。
【００５９】
ここで、第２封止層４６２が外部に露出していると、第２封止層４６２が水分を吸着し、環境湿度によって封止層４６の内部応力が変化するおそれがある。このように、環境湿度によって封止層４６の内部応力が変化してしまうと、それに伴ってダイアフラム２５の内部応力も変化してしまう。そのため、同じ圧力を受けても環境湿度によって測定値が異なってしまい、圧力センサー１の圧力検出精度が低下するおそれがある。
【００６０】
そこで、本実施形態では、第３封止層４６３で第２封止層４６２を覆い、第２封止層４６２を圧力センサー１の外部に対して気密的に封止している。すなわち、第３封止層４６３によって第２封止層４６２を囲み、第２封止層４６２の圧力センサー１外部への露出を阻止している。これにより、第２封止層４６２を水分から保護することができ、環境湿度による封止層４６の内部応力の変化を抑制することができる。
【００６１】
なお、本実施形態では、第２封止層４６２の側面が第３封止層４６３によって覆われているが、これに限定されず、第１封止層４６１によって覆われていてもよいし、第１封止層４６１および第３封止層４６３の両方によって覆われていてもよい。また、例えば、湿度が一定である等、湿度の影響を受け難い環境で使用する場合等には、第１封止層４６１および第３封止層４６３によって第２封止層４６２を封止しなくてもよく、例えば、第２封止層４６２の側面が外部に露出していてもよい。
【００６２】
このような第３封止層４６３の厚さＴ３は、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましく、０．３μｍ以上１．０μｍ以下とすることがより好ましい。これにより、第１封止層４６１との厚さのバランスを取ることができ、封止層４６の熱膨張時の面外方向への撓みをより効果的に抑制することができる。また、第３封止層４６３へのピンホールの発生を抑制することができ、より効果的に、第２封止層４６２を水分から保護することができる。また、第３封止層４６３の過度な厚肉化を防止することができる。
【００６３】
以上、圧力センサー１について説明した。このような圧力センサー１は、前述したように、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を備える基板２と、基板２の上面（一方の面）側に配置され、基板２の平面視でダイアフラム２５を囲む側壁部４０と、側壁部４０に囲まれた圧力基準室Ｓ（空間）を介してダイアフラム２５に対向して配置され、圧力基準室Ｓを封止する封止層４６と、を有している。また、封止層４６は、圧力基準室Ｓに連通する貫通孔４６４を有する第１封止層４６１と、第１封止層４６１に対して上側（ダイアフラム２５と反対側）に位置し、貫通孔４６４を封止する第２封止層４６２と、を有している。また、貫通孔４６４は、基板２の平面視で、ダイアフラム２５の内側に位置する第１貫通孔４６５およびダイアフラム２５の外側に位置する第２貫通孔４６６を有している。
【００６４】
このように、第１封止層４６１に貫通孔４６４を配置することで、封止層４６が面方向に変形し易くなる。そのため、封止層４６によって圧力センサー１の内部応力が緩和され、内部応力がダイアフラム２５に伝わり難くなる。そのため、ダイアフラム２５に加わる内部応力の環境温度に起因した変化を小さく抑えることができ、圧力センサー１の圧力検出精度の低下を効果的に抑制することができる。これにより、圧力センサー１は、優れた圧力検出精度を発揮することができる。さらに、製造工程において、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して、アルミニウム等の金属材料で構成されているガードリングＧＲや蓋部４４４をより確実に除去することができる。これにより、圧力センサー１の内部応力をより小さくすることができる。また、ダイアフラム２５に加わる内部応力のガードリングＧＲや蓋部４４４の熱膨張の程度（すなわち環境温度）に起因した変化を小さく抑えることができ、圧力センサー１の圧力検出精度の低下を抑制することができる。
【００６５】
次に、圧力センサー１の製造方法について説明する。圧力センサー１の製造方法は、図５に示すように、基板２を準備する準備工程と、基板２にセンサー部５を配置するセンサー部配置工程と、基板２の上面に、ダイアフラム形成領域２５０を囲むガードリングＧＲと、ガードリングＧＲの内側の空間に位置する犠牲層Ｇと、犠牲層Ｇを介して基板２と対向する蓋部４４４と、を配置する犠牲層配置工程と、蓋部４４４が有する蓋部貫通孔４４５を介して犠牲層Ｇを除去する犠牲層除去工程と、蓋部４４４の上面に貫通孔４６４を有する第１封止層４６１を配置する第１封止層配置工程と、貫通孔４６４を介してガードリングＧＲおよび蓋部４４４を除去するガードリング／蓋部除去工程と、第１封止層４６１の上面に第２封止層４６２を配置する第２封止層配置工程と、第２封止層４６２の上面に第３封止層４６３を配置する第３封止層配置工程と、基板２にダイアフラム２５を形成するダイアフラム形成工程と、を含んでいる。
【００６６】
［準備工程］
まず、図６に示すように、第１層２１、第２層２２および第３層２３が積層したＳＯＩ基板からなる基板２を準備する。なお、この段階では、基板２のダイアフラム形成領域２５０にはダイアフラム２５が形成されていない。次に、例えば、第３層２３の表面を熱酸化することで、基板２の上面に酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜３１を成膜する。
【００６７】
［センサー部配置工程］
次に、図７に示すように、基板２の上面に、リン、ボロン等の不純物を注入することで、センサー部５を形成する。次に、第１絶縁膜３１の上面に第２絶縁膜３２および第３絶縁膜３３をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜する。
【００６８】
［犠牲層配置工程］
次に、図８に示すように、基板２上に、層間絶縁膜４１、配線層４２、層間絶縁膜４３および配線層４４、表面保護膜４５および端子４７をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて順に所定のパターンで形成する。これにより、基板２の平面視でダイアフラム２５と重なって配置され、層間絶縁膜４１、４３で構成された犠牲層Ｇと、犠牲層Ｇを囲むガードリングＧＲと、犠牲層Ｇを介して基板２と対向し、ガードリングＧＲの開口を覆う蓋部４４４と、が得られる。なお、ガードリングＧＲは、配線層４２から形成された枠状の配線部４２１と、配線層４４から形成された枠状の配線部４４１と、で構成されている。また、配線部４４１にはガードリング貫通孔４４２が形成されている。また、蓋部４４４は、配線部４４１と一体形成されており、犠牲層Ｇに臨む蓋部貫通孔４４５が形成されている。なお、本実施形態では、層間絶縁膜４１、４３を酸化シリコンで構成し、配線層４２、４４をアルミニウムで構成している。
【００６９】
ここで、ガードリングＧＲの構造について詳細に説明する。図９に示すように、配線部４２１は、層間絶縁膜４１を貫通して設けられ、第３絶縁膜３３と接続された凹状のコンタクト部４２１ａと、層間絶縁膜４１上に設けられ、コンタクト部４２１ａの周囲に配置されたフランジ部４２１ｂと、を有している。また、フランジ部４２１ｂは、コンタクト部４２１ａよりも犠牲層Ｇ側に位置する内側部４２１ｂ’と、反対側に位置する外側部４２１ｂ”と、を有している。一方、配線部４４１は、層間絶縁膜４３を貫通して設けられ、配線部４２１のコンタクト部４２１ａと接続された凹状のコンタクト部４４１ａと、層間絶縁膜４３上に設けられ、コンタクト部４４１ａの周囲に配置されたフランジ部４４１ｂと、を有している。また、フランジ部４４１ｂは、コンタクト部４４１ａよりも犠牲層Ｇ側に位置する内側部４４１ｂ’と、反対側に位置する外側部４４１ｂ”と、を有している。そして、コンタクト部４４１ａ、内側部４４１ｂ’および外側部４４１ｂ”のそれぞれにガードリング貫通孔４４２が形成されている。ただし、ガードリング貫通孔４４２は、コンタクト部４４１ａ、内側部４４１ｂ’および外側部４４１ｂ”の少なくとも１つに形成されていればよい。
【００７０】
［犠牲層除去工程］
次に、ガードリング貫通孔４４２をレジストＲによって封止した状態で、基板２をバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、図１０に示すように、蓋部貫通孔４４５を介して犠牲層Ｇがエッチング除去される。この際、ガードリングＧＲは、エッチングストッパーとして機能する。
【００７１】
［第１封止層配置工程］
次に、レジストＲを除去した後に、図１１に示すように、蓋部４４４、ガードリングＧＲおよび表面保護膜４５の上面に、複数の貫通孔４６４を有する第１封止層４６１を成膜する。第１封止層４６１の成膜方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の各種成膜方法（気相成長法）を用いることができる。ここで、複数の貫通孔４６４は、基板２の平面視で蓋部４４４と重なるように配置された第１貫通孔４６５と、ガードリングＧＲと重なるように配置された第２貫通孔４６６と、を有している。また、第１貫通孔４６５は、蓋部貫通孔４４５と連通しており、第２貫通孔４６６は、ガードリング貫通孔４４２と連通している。
【００７２】
本工程について詳しく説明すると、蓋部４４４およびガードリングＧＲ上に第１封止層４６１を成長させていくと、初めのうちは急峻に蓋部貫通孔４４５およびガードリング貫通孔４４２を塞いでいくが、第１封止層４６１が厚くなると共にその勢いが低下し、第１封止層４６１がある厚みを超えたあたりから蓋部貫通孔４４５およびガードリング貫通孔４４２がほとんど塞がらなくなる。そのため、第１封止層４６１に、テーパー状（漏斗状）の貫通孔４６４（第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６）が形成される。また、第１封止層４６１の一部が蓋部貫通孔４４５およびガードリング貫通孔４４２内に入り込むことで、枠状の突出部４６７が形成される。このようなことから、蓋部４４４およびガードリングＧＲは、第１封止層４６１に貫通孔４６４および突出部４６７を形成するための下地層としての機能を有しているとも言える。
【００７３】
［ガードリング／蓋部除去工程］
次に、基板２を例えばリン酸、酢酸および硝酸の混酸等のエッチング液に晒し、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して蓋部４４４およびガードリングＧＲを除去する。これにより、図１２に示すように、圧力基準室Ｓが形成される。特に、本実施形態では、第１貫通孔４６５から供給されるエッチング液によって、第１貫通孔４６５の直近（直下）に位置する蓋部４４４を効率的に除去することができ、第２貫通孔４６６から供給されるエッチング液によって、第２貫通孔４６６の直近（直下）に位置するガードリングＧＲを効率的に除去することができる。そのため、蓋部４４４およびガードリングＧＲをより確実に除去することができる。特に、本実施形態では、フランジ部４４１ｂの外側部４４１ｂ”が第１封止層４６１と側壁部４０とに挟まれているため、外側部４４１ｂ”にエッチング液が浸透し難く、外側部４４１ｂ”を除去し難い。しかしながら、外側部４４１ｂ”に第２貫通孔４６６が形成されているため、外側部４４１ｂ”をより確実に除去することができる。なお、本実施形態では、蓋部４４４およびガードリングＧＲの全部が除去されているが、蓋部４４４およびガードリングＧＲの一部が残存していてもよい。
【００７４】
［第２封止層配置工程］
次に、貫通孔４６４を介して圧力基準室Ｓを真空状態とした状態で、第１封止層４６１の上面に第２封止層４６２を成膜し、貫通孔４６４を封止する。第２封止層４６２の成膜方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の各種成膜方法（気相成長法）を用いることができる。次に、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、第２封止層４６２をパターニングし、図１３に示すように、第２封止層４６２の外縁を第１封止層４６１の外縁の内側に位置させる。なお、第２封止層４６２のパターニング方法として、バッファードフッ酸等のエッチング液を用いたウェットエッチングを利用することが好ましい。これにより、第２封止層４６２と第１封止層４６１とのエッチング選択比を大きく確保することができ、実質的に第２封止層４６２のみをパターニングすることができる。
【００７５】
［第３封止層配置工程］
次に、図１４に示すように、第１封止層４６１および第２封止層４６２の上面に第３封止層４６３を成膜する。これにより、第１封止層４６１および第３封止層４６３によって第２封止層４６２が封止される。第３封止層４６３の成膜方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の各種成膜方法（気相成長法）を用いることができる。
【００７６】
次に、図１５に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、第１封止層４６１および第３封止層４６３を同時にパターニングする。これにより、封止層４６が得られる。なお、第１封止層４６１および第３封止層４６３を互いに同じ材料で構成することで、これらを同時にパターニングすることができる。そのため、圧力センサー１の製造工程を削減することができ、圧力センサー１の製造がより容易となる。
【００７７】
［ダイアフラム形成工程］
次に、図１６に示すように、例えば、ドライエッチング（特に、シリコンディープエッチング）法を用いて第１層２１をエッチングし、ダイアフラム形成領域２５０に、下面に開放する凹部２４を形成してダイアフラム２５を得る。以上により、圧力センサー１が得られる。なお、ダイアフラム形成工程の順番は、特に限定されず、例えば、センサー部配置工程に先立って行ってもよいし、センサー部配置工程から第３封止層配置工程までの間に行ってもよい。
【００７８】
以上、圧力センサー１の製造方法について説明した。圧力センサー１の製造方法は、前述したように、ダイアフラム形成領域２５０を有する基板２を準備する工程と、基板２の上面（一方の面）側に、基板２の平面視でダイアフラム形成領域２５０を囲むガードリングＧＲと、ガードリングＧＲの内側の空間に位置する犠牲層Ｇと、犠牲層Ｇを介して基板２と対向し、犠牲層Ｇに臨む蓋部貫通孔４４５を有する蓋部４４４と、を配置する工程と、蓋部貫通孔４４５を介して犠牲層Ｇを除去する工程と、蓋部４４４の上側（基板２と反対側）に、基板２の平面視で蓋部４４４と重なるように配置されている第１貫通孔４６５および基板２の平面視でガードリングＧＲと重なるよう配置されている第２貫通孔４６６を有する第１封止層４６１を配置する工程と、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して蓋部４４４およびガードリングＧＲを除去する工程と、第１封止層４６１の上側（基板２と反対側）に、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を封止する第２封止層４６２を配置する工程と、ダイアフラム形成領域２５０に、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を形成する工程と、を含んでいる。
【００７９】
このような製造方法によれば、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して蓋部４４４およびガードリングＧＲをより確実に除去することができる。そのため、圧力センサー１の内部応力をより小さくすることができる。また、ダイアフラム２５に加わる内部応力のガードリングＧＲや蓋部４４４の熱膨張の程度（すなわち環境温度）に起因した変化を小さく抑えることができ、圧力センサー１の圧力検出精度の低下を抑制することができる。よって、高い圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー１が得られる。
【００８０】
また、前述したように、第１封止層４６１は、シリコン（Ｓｉ）を含み、第２封止層４６２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含んでいる。これにより、第１封止層４６１および第２封止層４６２を半導体プロセスによって簡単に形成することができる。また、基板２がＳＯＩ基板で構成されているため、圧力基準室Ｓを介して対向する基板２および封止層４６の熱膨張率の差を小さくすることができる。そのため、熱膨張により発生する内部応力を小さく抑えることができる。さらには、ダイアフラム２５に加わる内部応力の環境温度による変化を抑制することができる。そのため、例えば、同じ圧力を受けていても検出される圧力が環境温度によって異なってしまうといった検出精度の低下を効果的に抑制することができる。
【００８１】
また、前述したように、圧力センサー１の製造方法は、第２封止層４６２を配置する工程の後に、第２封止層４６２の上側（基板２と反対側）に、第３封止層４６３を配置する工程を含んでいる。これにより、仮に、第２封止層４６２によって貫通孔４６４が封止されなかった場合でも、第３封止層４６３によってより確実に貫通孔４６４を封止することができる。そのため、圧力基準室Ｓの気密性をより確実に確保することができる。
【００８２】
また、前述したように、第３封止層４６３は、シリコン（Ｓｉ）を含んでいる。これにより、第３封止層４６３を半導体プロセスによって簡単に形成することができる。特に、本実施形態のように、第１封止層４６１がシリコン（Ｓｉ）を含み、第２封止層４６２が酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含んでいる場合には、第１封止層４６１および第３封止層４６３で第２封止層４６２を挟み込むことで、熱膨張率を厚さ方向で平均化することができ、封止層４６の熱膨張時の面外方向への撓みを抑制することができる。
【００８３】
また、前述したように、第２封止層４６２は、第１封止層４６１および第３封止層４６３によって外部から遮断されている。これにより、第２封止層４６２を水分等から保護することができ、環境湿度に起因した封止層４６の内部応力の変化を抑制することができる。このような効果は、特に、第２封止層４６２が酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含んでいる場合に顕著である。
【００８４】
＜第２実施形態＞
図１７および図１８は、それぞれ、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【００８５】
本実施形態に係る圧力センサーの製造方法は、ガードリングの構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の圧力センサーの製造方法とほぼ同様である。
【００８６】
以下、第２実施形態の圧力センサーの製造方法について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図１７および図１８において、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００８７】
図１７は、前述した第１実施形態の図９に対応する断面図である。同図に示すように、本実施形態の圧力センサー１の製造方法では、前述した第１実施形態と比べて、犠牲層配置工程において形成されるガードリングＧＲ（配線部４４１）の構成が異なっている。具体的には、配線部４４１は、層間絶縁膜４３を貫通して設けられ、配線部４２１と接続された凹状の２つのコンタクト部４４１ａと、層間絶縁膜４３上に設けられ、コンタクト部４４１ａの周囲に配置されたフランジ部４４１ｂと、を有している。また、２つのコンタクト部４４１ａは、基板２の平面視で、圧力基準室Ｓを囲む枠状をなし、同心的に配置されている。
【００８８】
また、犠牲層Ｇ側に位置するコンタクト部４４１ａを「コンタクト部４４１ａ’」とし、外側に位置するコンタクト部４４１ａを「コンタクト部４４１ａ”」としたとき、コンタクト部４４１ａ’は、フランジ部４２１ｂの内側部４２１ｂ’と接続され、コンタクト部４４１ａ”は、フランジ部４２１ｂの外側部４２１ｂ”と接続されている。そして、各コンタクト部４４１ａ’、４４１ａ”およびフランジ部４４１ｂにガードリング貫通孔４４２が形成されている。特に、フランジ部４４１ｂでは、コンタクト部４４１ａ’よりも犠牲層Ｇ側に位置する内側部４４１ｂ’、コンタクト部４４１ａ”よりも犠牲層Ｇと反対側に位置する外側部４４１ｂ”およびコンタクト部４４１ａ’、４４１ａ”の間に位置する部分のそれぞれにガードリング貫通孔４４２が形成されている。ただし、ガードリング貫通孔４４２の配置は、特に限定されない。
【００８９】
例えば、前述した第１実施形態のように、コンタクト部４４１ａをコンタクト部４２１ａに接続しようとすると、層間絶縁膜４１、４３の厚み等によっては、コンタクト部４４１ａが半導体プロセス上、支障を来たす程度に深くなってしまう。そのため、コンタクト部４４１ａ上に成膜される封止層４６のステップカバレッジ（段差被覆性）が悪化し、例えば、周囲構造体４の機械的強度や圧力基準室Ｓの気密性が低下するおそれがある。これに対して、本実施形態では、コンタクト部４４１ａをフランジ部４２１ｂに接続しているため、第１実施形態と比較して、封止層４６のステップカバレッジが良好となり、周囲構造体４の機械的強度や圧力基準室Ｓの気密性の低下をより確実に抑制することができる。
【００９０】
なお、本実施形態の場合には、［ガードリング／蓋部除去工程］を終えた時点では、図１８に示すように、配線部４２１と配線部４４１とに囲まれていた層間絶縁膜４３が側壁部４０から分離し、圧力基準室Ｓ内に可動片Ｘとして残ってしまう。しかしながら、可動片Ｘは、枠状をなしており、圧力基準室Ｓ内において殆ど変位できない。そのため、可動片Ｘが圧力検出に悪影響を及ぼすことはほとんどない。
【００９１】
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９２】
＜第３実施形態＞
図１９は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図２０は、図１９に示す圧力センサーの製造工程を示すフローチャートである。図２１ないし図２５は、それぞれ、図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【００９３】
本実施形態に係る圧力センサーの製造方法は、ガードリングが省略されていること以外は、前述した第１実施形態の圧力センサーの製造方法とほぼ同様である。
【００９４】
以下、第３実施形態の圧力センサーの製造方法について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図１９ないし図２５において、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００９５】
本実施形態の圧力センサー１は、図１９に示す構成となっている。なお、層間絶縁層４３の厚さによっては、層間絶縁層４３を２層以上の積層構造としてもよいし、その場合には、層間に配線層を配置してもよい。
【００９６】
このような圧力センサー１の製造方法は、図２０に示すように、基板２を準備する準備工程と、基板２にセンサー部５を配置するセンサー部配置工程と、基板２の上面側に、基板２の平面視でダイアフラム形成領域２５０と重なるように犠牲層Ｇを配置する犠牲層配置工程と、犠牲層Ｇ上に、蓋部貫通孔４４５を有する蓋部４４４を配置する蓋部配置工程と、蓋部貫通孔４４５を介して犠牲層Ｇを除去する犠牲層除去工程と、蓋部４４４の上面に、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を有する第１封止層４６１を配置する第１封止層配置工程と、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して蓋部４４４を除去する蓋部除去工程と、第１封止層４６１の上面に第２封止層４６２を配置する第２封止層配置工程と、第２封止層４６２の上面に第３封止層４６３を配置する第３封止層配置工程と、基板２にダイアフラム２５を形成するダイアフラム形成工程と、を含んでいる。なお、準備工程、センサー部配置工程、第２封止層配置工程、第３封止層配置工程およびダイアフラム形成工程は、それぞれ、前述した第１実施形態と同様であるため、以下では、これら工程の説明を省略する。
【００９７】
［犠牲層配置工程］
次に、図２１に示すように、基板２上に、層間絶縁膜４１をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて順に所定のパターンで形成する。これにより、基板２の平面視でダイアフラム２５と重なって配置された犠牲層Ｇが、層間絶縁膜４１と一体的に形成される。
【００９８】
［蓋部配置工程］
次に、図２２に示すように、層間絶縁膜４１上に、配線層４２、層間絶縁膜４３、配線層４４、表面保護膜４５および端子４７をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて順に所定のパターンで形成する。本工程において、配線部４２１によって、犠牲層Ｇ上に、犠牲層Ｇを介して基板２と対向する蓋部４４４を形成する。また、蓋部４４４は、基板２の平面視でダイアフラム形成領域２５０と重なる第１領域４４４Ａおよびダイアフラム形成領域２５０の外側に位置する第２領域４４４Ｂを有している。さらに、蓋部４４４は、第１領域４４４Ａに形成された第１蓋部貫通孔４４５ａと、第２領域４４４Ｂに形成された第２蓋部貫通孔４４５ｂと、を有している。
【００９９】
［犠牲層除去工程］
次に、第２蓋部貫通孔４４５ｂをレジストＲによって封止した状態で、基板２をバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、図２３に示すように、第１蓋部貫通孔４４５ａを介して犠牲層Ｇがエッチング除去される。なお、前述した第１実施形態のように、エッチングストッパーとして機能するガードリングＧＲがないため、その分、エッチング時間の制御に注意が必要となる。
【０１００】
［第１封止層配置工程］
次に、レジストＲを除去した後に、図２４に示すように、蓋部４４４および表面保護膜４５の上面に複数の貫通孔４６４を有する第１封止層４６１を成膜する。第１封止層４６１の成膜方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の各種成膜方法（気相成長法）を用いることができる。なお、複数の貫通孔４６４は、基板２の平面視で、第１領域４４４Ａと重なり、第１蓋部貫通孔４４５ａと連通する第１貫通孔４６５と、第２領域４４４Ｂと重なり、第２蓋部貫通孔４４５ｂと連通する第２貫通孔４６６と、を含んでいる。
【０１０１】
［蓋部除去工程］
次に、基板２を例えばリン酸、酢酸および硝酸の混酸等のエッチング液に晒し、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して蓋部４４４を除去する。これにより、図２５に示すように、圧力基準室Ｓが形成される。特に、本実施形態では、第１貫通孔４６５から供給されるエッチング液によって、第１貫通孔４６５の直近（直下）に位置する第１領域４４４Ａを効率的に除去することができ、第２貫通孔４６６から供給されるエッチング液によって、第２貫通孔４６６の直近（直下）に位置する第２領域４４４Ｂを効率的に除去することができる。そのため、本工程において、より確実に蓋部４４４を除去することができる。特に、本実施形態では、第２領域４４４Ｂが第１封止層４６１と側壁部４０とに挟まれているため、第２領域４４４Ｂにエッチング液が浸透し難く、第２領域４４４Ｂを除去し難い。しかしながら、第２領域４４４Ｂに第２貫通孔４６６が形成されているため、第２領域４４４Ｂをより確実に除去することができる。なお、本実施形態では、蓋部４４４の全部が除去されているが、蓋部４４４の一部が残存していてもよい。
【０１０２】
以上、圧力センサー１の製造方法について説明した。圧力センサー１の製造方法は、前述したように、ダイアフラム形成領域２５０を有する基板２を準備する工程と、基板２の上面（一方の面）側に、基板２の平面視でダイアフラム形成領域２５０と重なるように犠牲層Ｇを配置する工程と、犠牲層Ｇを介して基板２と対向し、基板２の平面視でダイアフラム形成領域２５０と重なる第１領域４４４Ａおよびダイアフラム形成領域２５０の外側に位置する第２領域４４４Ｂを有し、第１領域４４４Ａに犠牲層Ｇに臨む第１蓋部貫通孔４４５ａを有する蓋部４４４を配置する工程と、第１蓋部貫通孔４４５ａを介して犠牲層Ｇを除去する工程と、蓋部４４４の上側（基板２と反対側）に、基板２の平面視で第１領域４４４Ａと重なるように配置されている第１貫通孔４６５および基板２の平面視で第２領域４４４Ｂと重なるように配置されている第２貫通孔４６６を有する第１封止層４６１を配置する工程と、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して蓋部４４４を除去する工程と、第１封止層４６１の上側（基板２と反対側）に、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を封止する第２封止層４６２を配置する工程と、ダイアフラム形成領域２５０に、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を形成する工程と、を含んでいる。
【０１０３】
このような製造方法によれば、第１貫通孔４６５および第２貫通孔４６６を介して蓋部４４４をより確実に除去することができる。そのため、圧力センサー１の内部応力をより小さくすることができる。また、ダイアフラム２５に加わる内部応力の蓋部４４４の熱膨張の程度（すなわち環境温度）に起因した変化を小さく抑えることができ、圧力センサー１の圧力検出精度の低下を抑制することができる。よって、高い圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー１が得られる。
【０１０４】
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１０５】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る圧力センサーモジュールについて説明する。
【０１０６】
図２６は、本発明の第４実施形態に係る圧力センサーモジュールを示す断面図である。図２７は、図２６に示す圧力センサーモジュールが有する支持基板の平面図である。
【０１０７】
以下、第４実施形態の圧力センサーモジュールについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１０８】
図２６に示すように、圧力センサーモジュール１００は、内部空間Ｓ１を有するパッケージ１１０と、内部空間Ｓ１内からパッケージ１１０の外側に引き出されて配置された支持基板１２０と、内部空間Ｓ１内で支持基板１２０に支持されている回路素子１３０および圧力センサー１と、内部空間Ｓ１に後述するような充填材を充填することにより形成されている充填部１４０と、を有している。このような圧力センサーモジュール１００によれば、パッケージ１１０および充填部１４０によって圧力センサー１を保護することができる。なお、圧力センサー１としては、例えば、前述した実施形態のものを用いることができる。
【０１０９】
パッケージ１１０は、ベース１１１およびハウジング１１２を有し、ベース１１１およびハウジング１１２が支持基板１２０を挟み込むようにして互いに接着層を介して接合されている。このようにして形成されているパッケージ１１０は、その上端部に形成された開口１１０ａと、開口１１０ａに連通する内部空間Ｓ１と、を有している。
【０１１０】
これらベース１１１およびハウジング１１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物セラミックスのような各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂のような各種樹脂材料等の絶縁性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、各種セラミックスを用いることが特に好ましい。
【０１１１】
以上、パッケージ１１０について説明したが、パッケージ１１０の構成としては、その機能を発揮することができれば特に限定されない。
【０１１２】
支持基板１２０は、ベース１１１およびハウジング１１２の間に挟まれており、内部空間Ｓ１内からパッケージ１１０の外側に引き出されて配置されている。また、支持基板１２０は、回路素子１３０および圧力センサー１を支持すると共に、回路素子１３０および圧力センサー１を電気的に接続している。このような支持基板１２０は、図２７に示すように、可撓性を有する基材１２１と、基材１２１に配置された複数の配線１２９と、を有している。
【０１１３】
基材１２１は、開口１２２ａを有する枠状の基部１２２と、基部１２２から延出する帯状の帯体１２３と、を有している。そして、基部１２２の外縁部においてベース１１１とハウジング１１２とに挟まれ、帯体１２３がパッケージ１１０の外側に延出している。このような基材１２１としては、例えば、一般的に用いられているフレキシブルプリント基板を用いることができる。なお、本実施形態では基材１２１が可撓性を有しているが、基材１２１の全部または一部は、硬質であってもよい。
【０１１４】
基材１２１の平面視で、回路素子１３０および圧力センサー１は、開口１２２ａの内側に位置し、並んで配置されている。また、回路素子１３０および圧力センサー１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷを介して基材１２１に吊られ、支持基板１２０から浮遊した状態で支持基板１２０に支持されている。また、回路素子１３０および圧力センサー１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷおよび配線１２９を介して電気的に接続されている。このように、回路素子１３０および圧力センサー１を支持基板１２０に対して浮遊した状態で支持することで、支持基板１２０から回路素子１３０および圧力センサー１に応力が伝わり難くなり、圧力センサー１の圧力検知精度が向上する。
【０１１５】
回路素子１３０は、ブリッジ回路５０に電圧を供給するための駆動回路、ブリッジ回路５０からの出力を温度補償するための温度補償回路、温度補償回路からの出力から受けた圧力を求める圧力検出回路、圧力検出回路からの出力を所定の出力形式（ＣＭＯＳ、ＬＶ−ＰＥＣＬ、ＬＶＤＳ等）に変換して出力する出力回路等を有している。
【０１１６】
充填部１４０は、回路素子１３０および圧力センサー１を覆うように内部空間Ｓ１に配置されている。このような充填部１４０により、回路素子１３０および圧力センサー１を保護（防塵および防水）すると共に、圧力センサー１に作用した外部応力（例えば、落下衝撃）が回路素子１３０および圧力センサー１に伝わり難くなる。
【０１１７】
また、充填部１４０は、液状またはゲル状の充填材で構成することができ、回路素子１３０および圧力センサー１の過剰な変位を抑制することができる点で、特にゲル状の充填材で構成するのが好ましい。このような充填部１４０によれば、回路素子１３０および圧力センサー１を水分から効果的に保護することができると共に、圧力を効率的に圧力センサー１へ伝達することができる。このような充填部１４０を構成する充填材としては、特に限定されず、例えば、シリコーンオイル、フッ素系オイル、シリコーンゲル等を用いることができる。
【０１１８】
以上、圧力センサーモジュール１００について説明した。このような圧力センサーモジュール１００は、圧力センサー１と、圧力センサー１を収納しているパッケージ１１０と、を有している。そのため、パッケージ１１０によって、圧力センサー１を保護することができる。また、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１１９】
なお、圧力センサーモジュール１００の構成としては、前述の構成に限定されず、例えば、充填部１４０は、省略してもよい。また、本実施形態では、圧力センサー１および回路素子１３０が、ボンディングワイヤーＢＷによって、支持基板１２０に吊られた状態で支持されているが、例えば、圧力センサー１および回路素子１３０が、直接、支持基板１２０上に配置されていてもよい。また、本実施形態では、圧力センサー１および回路素子１３０が横に並んで配置されているが、例えば、圧力センサー１および回路素子１３０が高さ方向に並んで配置されていてもよい。
【０１２０】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１２１】
図２８は、本発明の第５実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
図２８に示すように、電子機器としての高度計２００は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
【０１２２】
このような電子機器の一例である高度計２００は、圧力センサー１を有している。そのため、高度計２００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１２３】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１２４】
図２９は、本発明の第６実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【０１２５】
図２９に示すように、電子機器としてのナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【０１２６】
このナビゲーションシステム３００によれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【０１２７】
このような電子機器の一例としてのナビゲーションシステム３００は、圧力センサー１を有している。そのため、ナビゲーションシステム３００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１２８】
なお、本発明の電子機器は、前述の高度計およびナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、ドローン、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１２９】
＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態に係る移動体について説明する。
【０１３０】
図３０は、本発明の第７実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
図３０に示すように、移動体としての自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２（タイヤ）と、を有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。また、自動車４００は、車体４０１に搭載されている電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）４０３を有しており、この電子制御ユニット４０３に圧力センサー１が内蔵されている。電子制御ユニット４０３は、圧力センサー１が車体４０１の加速度や傾斜等を検出することにより、移動状態や姿勢等を把握し、車輪４０２等の制御を的確に行うことができる。これにより、自動車４００は、安全で安定した移動をすることができる。なお、圧力センサー１は、自動車４００に備えられているナビゲーションシステム等に搭載されていてもよい。
【０１３１】
このような移動体の一例としての自動車４００は、圧力センサー１を有している。そのため、自動車４００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１３２】
以上、本発明の圧力センサーの製造方法、圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１３３】
１…圧力センサー、２…基板、４…周囲構造体、５…センサー部、２１…第１層、２２…第２層、２３…第３層、２４…凹部、２５…ダイアフラム、２５０…ダイアフラム形成領域、２５１…受圧面、３１…第１絶縁膜、３２…第２絶縁膜、３３…第３絶縁膜、４０…側壁部、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２１…配線部、４２１ａ…コンタクト部、４２１ｂ…フランジ部、４２１ｂ’…内側部、４２１ｂ”…外側部、４２９…配線部、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４１…配線部、４４１ａ、４４１ａ’、４４１ａ”…コンタクト部、４４１ｂ…フランジ部、４４１ｂ’…内側部、４４１ｂ”…外側部、４４２…ガードリング貫通孔、４４４…蓋部、４４４Ａ…第１領域、４４４Ｂ…第２領域、４４５…蓋部貫通孔、４４５ａ…第１蓋部貫通孔、４４５ｂ…第２蓋部貫通孔、４４９…配線部、４５…表面保護膜、４６…封止層、４６１…第１封止層、４６１Ａ…第１領域、４６１Ｂ…第２領域、４６２…第２封止層、４６３…第３封止層、４６４…貫通孔、４６５…第１貫通孔、４６６…第２貫通孔、４６７…突出部、４７…端子、５０…ブリッジ回路、５１、５２、５３、５４…ピエゾ抵抗素子、５５…配線、１００…圧力センサーモジュール、１１０…パッケージ、１１０ａ…開口、１１１…ベース、１１２…ハウジング、１２０…支持基板、１２１…基材、１２２…基部、１２２ａ…開口、１２３…帯体、１２９…配線、１３０…回路素子、１４０…充填部、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、４０３…電子制御ユニット、ＡＶＤＣ…駆動電圧、ＢＷ…ボンディングワイヤー、Ｇ…犠牲層、ＧＲ…ガードリング、Ｒ…レジスト、Ｒｍａｘ…径、Ｒｍｉｎ…径、Ｓ…圧力基準室、Ｓ１…内部空間、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３…厚さ、Ｘ…可動片
【図１】
2018151309.tif 000003
【図２】
2018151309.tif 000004
【図３】
2018151309.tif 000005
【図４】
2018151309.tif 000006
【図５】
2018151309.tif 000007
【図６】
2018151309.tif 000008
【図７】
2018151309.tif 000009
【図８】
2018151309.tif 000010
【図９】
2018151309.tif 000011
【図１０】
2018151309.tif 000012
【図１１】
2018151309.tif 000013
【図１２】
2018151309.tif 000014
【図１３】
2018151309.tif 000015
【図１４】
2018151309.tif 000016
【図１５】
2018151309.tif 000017
【図１６】
2018151309.tif 000018
【図１７】
2018151309.tif 000019
【図１８】
2018151309.tif 000020
【図１９】
2018151309.tif 000021
【図２０】
2018151309.tif 000022
【図２１】
2018151309.tif 000023
【図２２】
2018151309.tif 000024
【図２３】
2018151309.tif 000025
【図２４】
2018151309.tif 000026
【図２５】
2018151309.tif 000027
【図２６】
2018151309.tif 000028
【図２７】
2018151309.tif 000029
【図２８】
2018151309.tif 000030
【図２９】
2018151309.tif 000031
【図３０】
2018151309.tif 000032