(57)【要約】【課題】１μｍ帯域の光吸収量を減らしつつ、工業的に高収率で、且つ損失を０．３５ｄＢ以下まで低減したビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜を提供すること。【解決手段】下記化学式（１）で表されるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜。Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４である、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）【選択図】図７
2018095486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式（１）で表されるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜。
Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）
（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４である、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）
【請求項２】
請求項１に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜がファラデー回転子に用いられる、光アイソレータ。
【請求項３】
液相エピタキシャル成長法により、非磁性ガーネット単結晶基板に、下記式（１）で表されるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜を育成する、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。
Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）
（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４である、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）
【請求項４】
前記非磁性ガーネット単結晶基板は、下記式（２）で表される、請求項３に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。
Ｇｄ３Ｓｃｘ２Ｇａ５−ｘ２Ｏ１２      ・・・（２）
（化学式（２）中、ｘ２は２．０６５≦ｘ２≦２．１１７である。）
【請求項５】
前記非磁性ガーネット単結晶基板は、格子定数が１．２５８００ｎｍ以上、１．２５８５０ｎｍ以下である、請求項３または請求項４に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。
【請求項６】
前記非磁性ガーネット単結晶基板は、格子定数が１．２５８３０ｎｍである、請求項３から請求項５のいずれか一項に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜とその製造方法、及び光アイソレータに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信に利用されている半導体レーザーや、レーザー加工等に利用されている固体レーザー等は、レーザー共振器外部の光学面や加工面で反射された光がレーザー素子に戻ってくるとレーザー発振が不安定になる。発振が不安定になると、光通信の場合には信号ノイズとなり、加工用レーザーの場合はレーザー素子が破壊されてしまうことがある。このため、このような反射戻り光がレーザー素子に戻らないように遮断するため光アイソレータが使用される。
【０００３】
近年、従来のＹＡＧレーザーの代替として注目されているファイバレーザーに関しては、光アイソレータに用いられるファラデー回転子として、従来、テルビウム・ガリウム・ガーネット結晶（以下、ＴＧＧと称する）やテルビウム・アルミニウム・ガーネット結晶（以下、ＴＡＧと称する）が用いられてきた。
【０００４】
しかし、ＴＧＧやＴＡＧは単位長さ当たりのファラデー回転係数が小さく、光アイソレータとして機能させるために４５度の偏光回転角を得るには光路長を長くする必要があるため、大きな結晶を用いなければならなかった。また、高い光アイソレーションを得るには、結晶に一様で大きな磁場をかける必要があるため、強力で大きな磁石を用いていた。このため、光アイソレータの寸法は大きなものとなっていた。また、光路長が長いためにレーザーのビーム形状が結晶内で歪むことがあり、歪みを補正するための光学系が必要となる場合もあった。更に、ＴＧＧは高価でもあるため、小型で安価なファラデー回転子が望まれていた。
【０００５】
一方、光通信分野で専ら用いられているビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（以下、ＲＩＧと称する）をこのタイプの光アイソレータに使用することで、大きさを大幅に小型化することが可能である。しかしながら、ＲＩＧは使用する光の波長が、加工用レーザーに用いられる１.１μｍ付近まで短くなると、ＲＩＧに含まれる鉄イオンによる光吸収が大きくなり、この光吸収による温度上昇により性能劣化を起こすことが知られている。
【０００６】
そこで、本研究者らは特許文献１に示すように、光通信用途のＲＩＧ育成用として適用している非磁性ガーネット〔（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２〕、格子定数１．２４９７ｎｍより、さらに大きな格子定数１．２５６４ｎｍをもつ非磁性ガーネット〔Ｇｄ３（ＳｃＧａ）５Ｏ１２〕（以下、ＧＳＧＧと称する）を適用し、ＲＩＧを育成することにより、ＲＩＧに含まれる鉄イオンの光吸収を短波長側にシフトさせ、１μｍ帯域の光吸収量を減らしつつ、工業的に高収率で、挿入損失を０．３６ｄＢ〜０．５６ｄＢまで低減したＲＩＧを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１１６６７２号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Takashi Katsura, Toshimori Sekine, Kenzo Kitayama, Tadashi Sugihara, Noboru Kimizuka, Thermodynamic properties of Fe-lathanoid-O compounds at high temperatures, Journal of Solid State Chemistry, 15 January 1978, volume 23, issues 1-2, pages 43-57.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、近年では、さらなる短波長域での利用や、１０Ｗ級以上の高出力な加工用レーザー装置の光アイソレータにＲＩＧを採用することが考えられている。このため、市場においては挿入損失０．３５ｄＢ以下の非常に低損失なＲＩＧを必要としており、低損失のＲＩＧを工業的に高収率で提供できる手法が望まれている。
【００１０】
ところで、ＲＩＧにおいてさらに光吸収を低減させられる方法はいくつか考えられるが、その一つとして、前記したようにＲＩＧの格子定数をより大きくする方法がある。ＲＩＧの格子定数はその製造方法より、ＲＩＧを製造する時に用いる単結晶基板の格子定数とほぼ同一となる。このため、ＲＩＧの格子定数をより大きくするには、それに用いる単結晶基板がより大きな格子定数の単結晶基板を用いる必要がある。
【００１１】
特許文献１では、格子定数１．２５６４ｎｍをもつＧＳＧＧ単結晶基板を適用し育成している。このため、ＧＳＧＧ単結晶の１．２５６４ｎｍより大きな格子定数をもつ非磁性ガーネットを用いてＲＩＧの育成に適用させられれば、さらに光吸収を低減させられる。ＧＳＧＧの１．２５６４ｎｍより、さらに大きな格子定数をもつ単結晶基板には、格子定数が１．２６４ｎｍの非磁性ガーネットＳｍ３（ＳｃＧａ）５Ｏ１２（以下、ＳＳＧＧと称する）単結晶基板がある。ところが、ＳＳＧＧを用いてＲＩＧを作製した場合、その格子定数の大きさから、ＲＩＧ結晶におけるＢｉ含有量が多くなってしまう。ＲＩＧ結晶におけるＢｉ含有量が多くなると、格子定数が１．２６４ｎｍであるＳＳＧＧ単結晶基板との格子定数のずれが大きくなることで、結晶が割れやすくなるため、高い収率でＲＩＧを作製できなった。従って、Ｂｉ添加量を適度に抑える為には、イオン半径の大きな希土類を選択する必要がある。具体的にはＬａが候補となるが、Ｌａを多く含む融液ではペロブスカイト相が安定であり、ガーネット相を析出させることは困難であることが、非特許文献１で報告されている。一方、Ｂｉ添加量が少なければ光アイソレータとして要求されている４５°のファラデー回転角を得るために必要なＲＩＧの膜厚が増えてしまい、結局のところ、ＲＩＧにおける光吸収量の低減は達成されない。また、ＲＩＧにおいてさらに光吸収を低減させられる方法としては、格子定数がＧＳＧＧ単結晶の１．２５６４ｎｍより大きくＳＳＧＧ単結晶の１．２６４ｎｍより小さい単結晶基板を使用するのが好ましいと考えられるが、現状、それに該当するような単結晶基板は市場で販売されていないため、入手が困難であった。
【００１２】
そこで、本発明は、上記状況を鑑みなされたものであり、１μｍ帯域の光吸収量を減らしつつ、工業的に高収率で、且つ損失を０．３５ｄＢ以下まで低減したＲＩＧ及びその製造方法、並びに上記ＲＩＧを用いた光アイソレータを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決するため本発明者等が鋭意研究を重ねたところ、ＲＩＧの格子定数と、それを構成する希土類の種類及びその添加量と、を制御することで、１μｍ帯域の波長の光に対し、０．３５ｄＢ以下の低損失のＲＩＧを高い収率で育成出来ることを見出すに至った。本発明はこのような技術的発見に基づき完成されている。
【００１４】
すなわち、本発明の第１の態様によれば、下記化学式（１）で表されるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜。
Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）
（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４である、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）
【００１５】
また、本発明の第２の態様によれば、第１の態様において、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜がファラデー回転子に用いられる、光アイソレータが提供される。
【００１６】
また、本発明の第３の態様によれば、液相エピタキシャル成長法により、非磁性ガーネット単結晶基板に、下記式（１）で表されるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜を育成する、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法が提供される。
Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）
（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４である、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）
【００１７】
また、本発明の第４の態様によれば、第３の態様において、非磁性ガーネット単結晶基板は、下記式（２）で表される、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法が提供される。
Ｇｄ３Ｓｃｘ２Ｇａ５−ｘ２Ｏ１２      ・・・（２）
（化学式（２）中、ｘ２は２．０６５≦ｘ２≦２．１１７である。）
【００１８】
また、本発明の第５の態様によれば、第３または第４の態様において、非磁性ガーネット単結晶基板は、格子定数が１．２５８００ｎｍ以上、１．２５８５０ｎｍ以下である、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法が提供される。
【００１９】
また、本発明の第６の態様によれば、第３から第５のいずれかの態様において、非磁性ガーネット単結晶基板は、格子定数が１．２５８３０ｎｍである、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）は、特許文献１等に記載された従来のＲＩＧと比較して、挿入損失で０．３５ｄＢ以下で、かつ、高い収率で製造することができる。そして、挿入損失で０．３５ｄＢ以下である本発明のＲＩＧを適用することにより、ＲＩＧにおける発熱量そのものの低減が図れるため、本発明のＲＩＧを加工用レーザーの光アイソレータに適用した場合、より高パワーのレーザー光に対し温度上昇を大幅に抑制できることから、特性の劣化を抑制する効果を有する。また、本発明に係るＲＩＧの製造方法は、良質なＲＩＧを高い収率で製造することができる。また、本発明に係る光アイソレータは、上記したＲＩＧを備えるので、より高パワーのレーザー光に対し温度上昇を大幅に抑制でき、特性の劣化を抑制する効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶のＳｃの化学式量と格子定数の関係を示すグラフである。
【図２】実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶のＳｃの化学式量と格子定数の関係を示すグラフである。
【図３】実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図４】実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の一例を示す概念図である。
【図５】実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法に用いられる製造装置の概略構成を示す図である。
【図６】実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図７】ＲＩＧにおけるＮｄ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図である。
【図８】ＲＩＧにおけるＢｉ化学式量と挿入損失との関係を示すグラフである。
【図９】実施形態に係るＲＩＧの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。また、図面においては実施形態を説明するため、一部分を大きくまたは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。また、以下の各図において、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系においては、鉛直方向をＺ方向とし、水平方向をＸ方向、Ｙ方向とする。また、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向のそれぞれについて、適宜、矢印の先の側を＋側（例、＋Ｘ側）と称し、その反対側を−側（例、−Ｘ側）と称する。
【００２３】
まず、上記したように、ＲＩＧにおいてさらに光吸収を低減させられる方法としては、ＲＩＧの格子定数を従来より大きくする方法がある。この場合は、それに用いる単結晶基板も大きな格子定数である必要がある。しかしながら、格子定数がＧＳＧＧ単結晶の１．２５６４ｎｍより大きくＳＳＧＧ単結晶の１．２６４ｎｍより小さい単結晶基板を使用するのが好ましいと考えられるが、現状、それに該当するような単結晶基板は市場で販売されていないため、入手が困難である。
【００２４】
（１）ＧＳＧＧの格子定数とＳｃ含有量の調査
そこで、上記基板の課題を解決するため、本発明者等は、まず、以下のような技術的分析を行った。まず、ＧＳＧＧ単結晶（化学式：Ｇｄ３ＳｃｘＧａ５−ｘＯ１２、０＜ｘ＜５）の組成と格子定数との関係を調査した。チョクラルスキー（ＣＺ）法により、種々の組成のＧＳＧＧ単結晶を製造し、製造したＧＳＧＧ単結晶の格子定数を評価した。続いて、ＧＳＧＧ単結晶中のＳｃ含有量を調査し、格子定数に及ぼす影響を検討した。なお、Ｇｄ、Ｓｃ、Ｇａの元素以外に、第４の元素を添加することも考えらえる。例えば、Ｌｕ（ルテチウム）、Ｎｄ（ネオジウム）、Ｅｕ（ユーロピウム）等である。しかしながら、これら元素を添加することで、これら物質の偏析が異なるため構成元素が多くなるほど格子定数の制御が困難となり、安定した格子定数の単結晶及び単結晶基板を得ることはできない。例えば、Ｅｕを添加した場合、Ｅｕは２価（２+）の原子価を持つ為、空孔ができやすく結晶性が悪化する。加えて、Ｇｄとイオン半径が近い為、格子定数を大きくする効果は小さい。Ｇｄ、Ｓｃ、Ｇａは３価（３＋）であり安定しやすい。そこで、容易に製造することができ、安定した格子定数を有する単結晶及び単結晶基板を開発することを目的として、上記Ｇｄ、Ｓｃ、Ｇａの３元素で検討した。
【００２５】
表１と図１は、製造したＧＳＧＧ単結晶をＧＳＧＧ基板に加工した後、Ｘ線回折装置（Xpert PRO PANalytical社製）を使い格子定数を測定し、次いで、格子定数を測定した基板をＥＰＭＡ定量分析によりＳｃの化学式量を求め、それら結果をまとめたものである。
【００２６】
格子定数とＳｃ化学式量の調査
【表１】
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なお、表１に示したサンプル１〜６は、後に説明する参考例１２〜参考例１７である。
【００２７】
表１と図１に示すように、本発明者は、ＧＳＧＧ単結晶を構成する元素の比率を、従来と変えることで、格子定数を１．２５６４ｎｍより大きくすることを見出した。また、この結果から、ＧＳＧＧ単結晶において、Ｓｃ化学式量が増加することで格子定数が大きくなることが判る。詳しくは、少なくとも、Ｓｃ化学式量が２．００〜２．１５において、格子定数はＳｃ化学式量に依存して１．２５７３〜１．２５８７７まで変化することが判った。以上の結果から、本発明者は、ＧＳＧＧ単結晶を構成する元素の比率を制御することで、格子定数を１．２５６４ｎｍより大きくし、且つ容易に制御できることを見出した。本実施形態のＧＳＧＧ単結晶及びＧＳＧＧ単結晶基板は、これらの技術的発見に基づき完成されている。これにより、格子定数が１．２５６４ｎｍより大きく、１．２６４ｎｍより小さいＲＩＧの製造に用いることができるＧＳＧＧ単結晶基板を確保することができる。
【００２８】
（２）ＧＳＧＧ単結晶
本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶について説明する。本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶Ｃは、下記化学式（２）で表される。
Ｇｄ３Ｓｃｘ２Ｇａ５−ｘ２Ｏ１２      ・・・（２）
（化学式（２）中、ｘ２は２．００≦ｘ２≦２．１５である。）
ここで、「ＧＳＧＧ単結晶は、化学式（２）で表される」とは、ＧＳＧＧ単結晶Ｃが、実質的に化学式（２）の組成を有することを意味する。すなわち、ＧＳＧＧ単結晶Ｃは、Ｇｄ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｏ以外の元素を、不可避不純物、ドーパント等として、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において微量に含有してもよい。なお、化学式（２）におけるＳｃの化学式量（化学式（２）中のｘ２の値）は、ＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）を用いて測定した化学式量である。
【００２９】
ＧＳＧＧ単結晶Ｃの格子定数は、図１に示したように、化学式（２）中のｘ２と正の相関の関係を有するので、上記ｘ２を制御することにより、容易に制御することができる。上記ｘ２は、原料の組成により制御することができる。図２は、Ｓｃの化学式量と格子定数の関係を示すグラフである。ＧＳＧＧ単結晶Ｃは、上記ｘ２を制御することにより、格子定数を所定の範囲に容易に制御することができる。ＧＳＧＧ単結晶Ｃは、例えば、格子定数を「ａ」（ｎｍ）とすると、上記ｘ２と結晶の格子定数ａとの関係が、下記数式（１）を満たすのが好ましい。
０．０１０３１４ｘ２＋１．２３６４４６≦ａ≦０．０１０３１４ｘ２＋１．２３６８４６・・・（１）
ｘ２及び格子定数ａが、上記数式（１）の関係である場合、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを良質にすることができる。なお、図２に示す各点のデータは、後に説明する参考例１〜参考例１７のデータである。なお、本明細書において、「格子定数」はＸ線回折装置による測定値である。
【００３０】
ＧＳＧＧ単結晶Ｃは、上記ｘ２が２．００≦ｘ２≦２．１５である場合、格子定数を１．２５７３７ｎｍ以上１．２５８７７ｎｍ以下の範囲に、容易に制御することができる。ＧＳＧＧ単結晶Ｃの格子定数が、この範囲の場合、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを良質にすることができ、この範囲を含む範囲の格子定数のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）の製造に好適に用いることができる。
【００３１】
さらに、ＧＳＧＧ単結晶Ｃは、上記ｘ２を２．０６５≦ｘ２≦２．１１７とする場合、その格子定数を１．２５８００ｎｍ以上１．２５８５０以下の範囲に、容易に制御することができる。ＧＳＧＧ単結晶Ｃの格子定数がこの範囲の場合、後に説明する本実施形態のＲＩＧの製造に好適に用いることができ、中でも、格子定数が１．２５８３０ｎｍである場合、より好適に本実施形態のＲＩＧの製造に好適に用いることができる。本実施形態のＲＩＧについては、後に説明する。
【００３２】
なお、ＧＳＧＧ単結晶Ｃの大きさ及び形状は、それぞれ、限定されず、任意である。ＧＳＧＧ単結晶Ｃの大きさ及び形状の例については、次に説明するＧＳＧＧ単結晶Ｃの製造方法において説明する。
【００３３】
以上のように、本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶Ｃは、１．２５６４ｎｍより大きい格子定数を有するので、１．２５６４ｎｍよりも大きい格子定数のＲＩＧの製造に好適に用いることができる。また、本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶Ｃは、構成する金属元素が３種類であるため単純な組成であり、さらに、化学式中の１つの変数（ｘ２）を制御することにより格子定数を制御することができるので、所望の格子定数の単結晶を容易に製造することができる。
【００３４】
（３）ＧＳＧＧ単結晶の製造方法
次に、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法を説明する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法の一例を示すフローチャートである。図４は、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の一例を示す概念図である。図５は、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法に用いられる製造装置の概略構成を示す図である。なお、以下に説明するＧＳＧＧ単結晶の製造方法は、一例であって、ＧＳＧＧ単結晶の製造方法を限定するものではない。また、図３のフローチャートを説明する際、適宜、図１、図２、図４及び図５を参照する。
【００３５】
実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法は、図３（Ａ）のステップＳ１において、チョクラルスキー法（回転引き上げ法）により、Ｇｄ、Ｓｃ及びＧａを含む原料を融解させた原料融液９（図５参照）に、種結晶ＳＣを接触させて回転させながら引き上げることにより、下記化学式（２）で表されるＧＳＧＧ単結晶Ｃを製造する。
Ｇｄ３Ｓｃｘ２Ｇａ５−ｘ２Ｏ１２      ・・・（２）
（式（２）中、ｘ２は２．００≦ｘ２≦２．１５である。
【００３６】
ＧＳＧＧ単結晶Ｃは、ステップＳ１において、図４に示すように、肩部ＳＨ及び直胴部ＳＢを備える単結晶として育成される。ステップＳ１は、チョクラルスキー法を実施可能な公知の装置により実施される。
【００３７】
まず、チョクラルスキー法を実施可能な装置の一例を、図５を参照して説明する。なお、以下に説明する装置は、一例であって、本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法に用いる装置を限定するものではない。この製造装置は、公知のチョクラルスキー法によりＧＳＧＧ単結晶Ｃを製造する育成炉１を備えている。育成炉１の構造を簡単に説明すると、育成炉１は、筒状のチャンバー２と、このチャンバー２の内側に設置された高周波コイル１０と、この高周波コイル１０の内側に配置された断熱材３とイリジウム製のルツボ８等を有している。尚、上記育成炉１の寸法は、製造するＧＳＧＧ単結晶Ｃの大きさに依存するが、一例として直径０．６ｍ、高さ１ｍ程度である。
【００３８】
また、上記育成炉１には開口部（図示せず）が２箇所設けられており、これ等開口部を介して不活性ガス、好適にはアルゴンガスが給排され、結晶育成時のチャンバー２内は不活性ガスで満たされる。尚、育成炉１内には、上記ルツボ８底部の下側に温度を計測する温度計（熱電対、図示せず）が設置されている。この温度計の計測結果は、制御部ＣＯＮＴに出力される。
【００３９】
また、上記高周波コイル１０は銅管で構成され、制御部ＣＯＮＴを通じ投入電力が制御されてルツボ８が高周波加熱されると共に温度調節がなされる。また、上記高周波コイル１０の内側（引き上げ軸４側）には、複数の断熱材３が配置されており、複数の断熱材３により囲まれた雰囲気によりホットゾーン５が形成されている。
【００４０】
上記ホットゾーン５の温度勾配は、断熱材３の形状と構成（材質）によって広範囲に変化させることができ、育成する単結晶の種類に合わせ断熱材３の形状と構成を設計して適正なホットゾーン５の温度勾配を形成する。更に、高周波コイル１０のルツボ８に対する相対位置を調整することによりホットゾーン５の温度勾配を微調整することができる。尚、上記断熱材３は、高融点の耐火物により構成されている。
【００４１】
また、上記ルツボ８はカップ状に形成され、その底部が断熱材３上に配置されかつ断熱材３により保持されている。また、ルツボ８の上方側には、種結晶ＳＣと成長したＧＳＧＧ単結晶Ｃを保持しかつ回転させながら引き上げるための引き上げ軸４が設置されている。引き上げ軸４は、駆動部（図示せず）により、鉛直方向に移動することができ、且つ、軸線を中心に回転させることができる。この駆動部は制御部ＣＯＮＴに接続され、引き上げ軸４の回転数及び引き上げ速度は、それぞれ、制御される。
【００４２】
そして、ルツボ８内に原料を充填し、育成炉１のチャンバー２内に上記ルツボ８を配置しかつ高周波コイル１０により加熱して原料を融解させ、その後、原料融液９に種結晶ＳＣを接触させて徐々に温度を降下させ、同時に引き上げ軸４を回転させながら徐々に引き上げることにより種結晶ＳＣの下部側において原料融液９を順次結晶化させる。そして、従来の育成条件に従い高周波コイル１０への投入電力、引き上げ軸４の回転数及び引き上げ速度を調整し、所望とする直径、全長のＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成することが可能となる。
【００４３】
図３の説明に戻り、図３（Ａ）のステップＳ１について詳細に説明する。図３（Ａ）のステップＳ１は、例えば、図３（Ｂ）に示すステップＳ２〜ステップＳ８により行う。なお、以下の説明は、一例であって、ステップＳ１を限定するものではない。
【００４４】
まず、図３（Ｂ）のステップＳ２において、Ｇｄ、Ｓｃ及びＧａを含む原料を調整する。例えば、ＧＳＧＧ単結晶の原料には、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）粉末、酸化スカンジウム（Ｓｃ2Ｏ3）粉末および酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）粉末等が適用される。これ等各原料の配合比は、育成するＧＳＧＧ単結晶Ｃの組成によって、適宜決定される。各原料の配合比は、育成するＧＳＧＧ単結晶Ｃの組成が、上記した化学式（２）になるように設定される。各原料の配合比は、各元素の結晶への取り込み率、育成条件等に基づいて決定されるものであり、本分野の公知の方法、あるいは予備実験により設定可能である。なお、上記の原料は、一例であって、他の原料を用いてもよい。
【００４５】
また、ステップＳ２の原料の調整は、育成するＧＳＧＧ単結晶Ｃの格子定数を所定の範囲する場合、ステップＳ３において、原料中のＧｄの原子数に対するＳｃの原子数及びＧａの原子数を調整して、格子定数を所定の範囲に制御する。上記したようにＧＳＧＧ単結晶Ｃは、上記ｘ２及び格子定数が正の相関の関係を有するので、原料中のＧｄの原子数に対するＳｃの原子数及びＧａの原子数を調整して、格子定数を所定の範囲に制御することができる。原料中のＧｄの原子数に対するＳｃの原子数及びＧａの原子数は、例えば、上記した数式（１）に基づいて、目的とする格子定数ａに対応するＳｃの化学式量を示すｘ２を求め、育成するＧＳＧＧ単結晶ＣのＳｃの化学式量が求めたｘ２になるように、原料中のＧｄの原子数に対するＳｃの原子数及びＧａの原子数を調整する。本実施形態では、化学式（２）中のｘ２が２．００≦ｘ２≦２．１５の範囲において、製造するＧＳＧＧ単結晶Ｃの格子定数を、１．２５７３７ｎｍ以上１．２５８７７ｎｍ以下の所定の範囲とすることができる。
【００４６】
続いて、図３（Ｂ）のステップＳ４において、ステップＳ２で調整した原料をルツボ８に充填する。
【００４７】
続いて、図３（Ｂ）のステップＳ５において、原料を融解させる。例えば、図５に示すように、原料を充填したルツボ８をチャンバー２内に配置し、高周波コイル１０により加熱することにより、原料を融解させる。原料を融解させる際の温度は、原料の融解温度、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成する温度等の条件に応じて、適宜設定される。
【００４８】
続いて、図３（Ｂ）のステップＳ６において、肩部ＳＨ（図４参照）を育成する。例えば、肩部ＳＨの育成は、図５に示すように、原料融液９に種結晶ＳＣを接触させて徐々に引き上げ軸４を徐々に引き上げることで、同時に温度が降下することにより種結晶ＳＣの下部側において原料融液９を順次結晶化させることにより行う。なお、育成するＧＳＧＧ単結晶Ｃの育成方向における結晶方位は、特に限定されないが、結晶方位が（１１１）であるＧＳＧＧ単結晶基板Ｓ（図４参照）が広く用いられているため、（１１１）であることが好ましい。肩部ＳＨの育成においては、育成条件に従い、高周波コイル１０への投入電力を調整することによる温度調整（例、ホットゾーン５の温度勾配の調整）、引き上げ軸４の引き上げ速度および回転速度の調整等を行うことにより、所望とする直径の肩部ＳＨを育成することができる。上記の温度調整、引き上げ軸４の引き上げ速度および回転速度は、それぞれ、本分野の公知の方法、あるいは予備実験により設定可能である。肩部ＳＨの大きさは、限定されないが、例えば、長さ（図４の種結晶ＳＣの下端から界面反転位置までの長さ）が６０ｍｍ程度、その直径が６０ｍｍ程度に設定される。
【００４９】
続いて、肩部ＳＨの結晶直径が所望の大きさとなったら、図３（Ｂ）のステップＳ７において、界面反転操作を行う。界面反転操作により、ファセット成長に伴う歪の発生を抑制するため、界面形状を凸から平坦にする。具体的には、結晶の引き上げを停止し結晶の回転を増速させることで界面を平坦化させる。
【００５０】
続いて、界面反転終了後に、図３（Ｂ）のステップＳ８において、種結晶ＳＣ（図４参照）の引き上げを再開して直胴部ＳＢ（図４参照）を育成する。直胴部ＳＢの育成においては、育成条件に従い、高周波コイル１０への投入電力を調整することによる温度調整（例、ホットゾーン５の温度勾配の調整）、引き上げ軸４の引き上げ速度および回転速度の調整等を行うことにより、所望とする直径の直胴部ＳＢを育成することができる。上記の温度調整、引き上げ軸４の引き上げ速度および回転速度は、それぞれ、本分野の公知の方法、あるいは予備実験により設定可能である。直胴部ＳＢの育成の最終段階は、例えば、直胴部ＳＢの下端部ＳＢａが円錐形状になるように育成する（図４参照）。これは、原料融液９から直胴部ＳＢを切り離して冷却することにより発生する転位の発生を抑制するためである。直胴部ＳＢの大きさは、限定されないが、例えば、長さが７０ｍｍ〜１５０ｍｍ程度、その直径が６０ｍｍ程度に設定される。以上の工程により、所望とする直径及び長さのＧＳＧＧ単結晶Ｃが製造される。本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法は、良質なＧＳＧＧ単結晶Ｃを効率よく製造することができる。
【００５１】
そして、育成されたＧＳＧＧ単結晶Ｃは育成炉１から取出し、熱歪を除去するアニール処理を行なってから、規格に合わせた厚さのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓに加工される。
【００５２】
（４）ＧＳＧＧ単結晶基板
次に、本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板について説明する。本実施形態に係るＧＳＧＧ基板Ｓは、上記したＧＳＧＧ単結晶Ｃを用いてなる基板である。例えば、ＧＳＧＧ基板Ｓは、図４に示すように、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを分割（スライス）して、表面処理（表面加工）が施されたものである。処理ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの厚さは、限定されず、任意である。例えば、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの厚さは、６００μｍ程度である。ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓに施す表面処理は、限定されず、任意である。例えば、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓは、その表面が、化学的エッチングあるいは物理的エッチングなどのエッチング処理、及び／又は、鏡面処理（鏡面加工）等の処理が施されたものでもよい。なお、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓは、上記したＧＳＧＧ単結晶Ｃと同様あるいはほぼ同様の組成であり、また、上記したＧＳＧＧ単結晶Ｃと同様の格子定数を有する。したがって、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓは、例えば、格子定数が１．２５７３７ｎｍ以上、１．２５８７７ｎｍ以下であり、この範囲を少なくとも含む格子定数を有するＲＩＧの製造に好適に用いることができる。
【００５３】
（５）ＧＳＧＧ単結晶基板の製造方法
次に、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板の製造方法を説明する。図６は、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、以下に説明するＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの製造方法は、一例であって、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの製造方法を限定するものではない。
【００５４】
本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの製造方法は、まず、図６のステップＳ９において、上記した実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶の製造方法により製造したＧＳＧＧ単結晶ＣからＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを製造する方法である。ステップＳ９は、例えば、ステップＳ１０〜ステップＳ１２により実施される。
【００５５】
まず、ステップＳ１０において、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを所定の厚さで分割（スライス）する。例えば、ステップＳ１０において、ＧＳＧＧ単結晶Ｃの有効部ＥＰを所定の厚さで分割する。ステップＳ１０において用いる有効部ＥＰは、例えば、内周刃を有する切断装置などにより、直胴部ＳＢから切り離され、円筒研削盤により外形が整えられたものである。また、有効部ＥＰは、結晶方位が（１１１）に面出しされたものが好ましい。ＧＳＧＧ単結晶Ｃの有効部ＥＰの分割は、例えば、ワイヤーソー等の切断装置により行われる。この厚みは、特に限定されないが、例えば、６００μｍ程度である。
【００５６】
続いて、図６のステップＳ１１において、分割したＧＳＧＧ単結晶基板Ｓをエッチング加工する。エッチング加工は、例えば、基板端面のカケや表面のキズなどを防止するため、基板表面及び側面の全面をエッチング加工する。エッチング加工は、例えば、酸などによる化学的エッチング、あるいはシリカなどによる物理的エッチングにより行われる。なお、ステップＳ１１を行うか否かは任意である。
【００５７】
続いて、図６のステップＳ１２において、鏡面加工を行う。鏡面加工は、例えば、コロイダルシリカなどを用いた機械的研磨によるポリッシュ加工を施し、基板表面を鏡面状態する。以上の工程で、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓは完成する。本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの製造方法は、良質なＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを効率よく製造することができる。なお、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの鏡面加工の方法は、上記方法に限定されず、任意である。例えば、鏡面加工は、化学物理的研磨により行ってもよい。
【００５８】
（６）ＲＩＧ
本実施形態のＲＩＧ（図示せず）について説明する。本実施形態のＲＩＧは、下記化学式（１）で表される。
Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）
（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４であり、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）
図７に、本実施形態のＲＩＧにおけるＮｄ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図を示す。
【００５９】
（７）希土類の選択
上記ＲＩＧを構成する希土類元素の種類については、ＮｄとＧｄであることを必要とする。
【００６０】
液相エピタキシャル成長法により基板上に結晶を育成する場合、基板と結晶膜の格子定数を整合させなければならない。上記のような格子定数を１．２５７３７〜１．２５８７７ｎｍ、よりとしたＧＳＧＧ単結晶基板Ｓでは、格子定数が従来よりも大きいので、この大きな格子定数から選択できる希土類元素は複数ある。
【００６１】
しかし、ＲＩＧにイオン半径の大きなＢｉを入れないとＲＩＧのファラデー回転性能が低下し、ファラデー回転角が４５°となるのに必要なＲＩＧの厚みが増加して光吸収による挿入損失が大きくなってしまう。従って、イオン半径の大きな元素（例えばＬａ等）を選択することは、ＲＩＧにＢｉを含有させることが難しくなるため好ましくない。
【００６２】
ＲＩＧは、一般的に、下記化学式（３）で表される。
Ｒ３−ｘ３−ｙ３Ｇｄｘ３Ｂｉｙ３Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（３）
（化学式（３）中、Ｒは、Ｇｄ以外の希土類元素である。）
ここで、Ｂｉ量が増加すると、Ｂｉ量の増加と共にＲＩＧの熱膨張係数が大きくなることから、基板との格子定数差が大きくなり、成長中にＲＩＧが割れたり、ＲＩＧに転位が発生する等、生産性の低下並びに性能劣化が起こるという問題がある。そして、過去の経験からＢｉ量（ｙ３）が１．３を超えた場合、良質なＲＩＧを育成することが困難であることが判っており、Ｂｉ量が１．３を超えるようなＲＩＧが得られるイオン半径の小さな希土類元素（例えばＴｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等）を用いることも好ましくない。
【００６３】
一方、イオン半径の大きな希土類の中でも、Ｃｅ、Ｐｒのように、経験則上、偏析係数の小さなものは非磁性基板との格子不整合が起こり易く、良質なＲＩＧを量産性に富みながら育成することが困難となるため好ましくなかった。
【００６４】
このような理由とこれまでの研究実績から、ＲＩＧにおいて、構成する希土類元素の種類は上述したようにＮｄとＧｄが選択された。そこで、ＲＩＧを構成する希土類元素として、ＮｄとＧｄを選択したところ、良好な挿入損失と高い収率を得ることが確認できた。
【００６５】
（８）挿入損失と良品率評価
ところで、ＲＩＧが適用されたファラデー回転子の温度上昇は、鉄イオンによる１μｍ付近の光吸収が原因であり、その吸収係数は温度上昇に伴い増加するため、更なる温度上昇をもたらすことになる。このため、ＲＩＧを１０Ｗ級の加工用レーザーに適用する場合、挿入損失は０．３５ｄＢ以下であることが必要とされている。
【００６６】
実施例の表３は、上記化学式（１）で示される種々の組成のＲＩＧを液相エピタキシャル成長法により育成し、ＥＰＭＡ定量分析により各々の化学式量を求め、次いで、成長させた各ＲＩＧをダイシングソーで１１ｍｍ角に切断し、更に波長１．０６μｍの光に対しファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射して挿入損失を測定し、それ等の結果をまとめたものである。
【００６７】
図８は、ＲＩＧにおけるＢｉ化学式量と挿入損失との関係を示すグラフである。表３及び図７から判るように、ＲＩＧの挿入損失は、Ｂｉ化学式量が大きくなるに従い、小さくなる傾向にある。ＲＩＧを１０Ｗ級の加工用レーザーに適用する場合、挿入損失は０．３５ｄＢ未満であることが必要とされていることより、ＲＩＧは、少なくとも、Ｂｉ化学式量が１．０以上が良好であることが確認される。
【００６８】
また、ＲＩＧの作製時の良品率は、経験則上良品率が９０％以上を高収率と判断する。表３から判るように、Ｂｉ化学式量が大きくなるにつれて、良品率が低下する傾向にある。Ｂｉ量が増加すると、Ｂｉ量の増加と共にＲＩＧの熱膨張係数が大きくなることから、基板との格子定数差が大きくなり、成長中にＲＩＧが割れたり、ＲＩＧに転位が発生する等が起こり良品率を低下させていると考えられる。表３の結果から、ＲＩＧは、Ｂｉ化学式量が１．１５以下が良好であることが確認される。なお、Ｇｄ化学式量（ｘ１）は、化学式（１）より３−ｘ１−ｙ１＞０であればよい。但し、表３に示すように、Ｇｄ化学式量（ｘ１）は、Ｂｉの化学式量（ｙ１）により限定される。Ｇｄ化学式量（ｘ１）は、Ｂｉの化学式量（ｙ１）が大きくなるに従い、大きくなる傾向にある。Ｇｄ化学式量（ｘ１）は、好ましくは、０．６５以上０．８４以下である。Ｇｄ化学式量（ｘ１）が、少なくともこの範囲である場合、表３に示すように、Ｂｉの化学式量（ｙ１）を上記した良好な範囲である１．００≦ｙ１≦１．１５の範囲に設定することができるので、良質な上記ＲＩＧを製造することができる。
【００６９】
また、表３に示す結果から、本実施形態のＲＩＧは、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数が１．２５８００ｎｍ以上１．２５８５０ｎｍ以下の範囲である場合、良好に製造でき、格子定数が１．２５８３０ｎｍである場合、より良好に製造できることが確認される。また、格子定数が１．２５８００ｎｍ未満では、挿入損失が０．３５ｄＢを超えてしまう。１．２５８５０ｎｍを超える場合、Ｂｉ化学量を大きくしなければならなく、良品率を低下させてしまう。また、この時のＳｃ化学式量を示す上記化学式（２）中のｘ２は、２．０６５≦ｘ２≦２．１１７である。ところで、上記したように、従来は、格子定数がＧＳＧＧの１．２５６４ｎｍより大きく、ＳＳＧＧの１．２６４ｎｍより小さい単結晶基板は、市場で販売されていないため、上記ＲＩＧを製造することは困難であったが、本実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板Ｓは、従来より大きい格子係数を有するため、このようなＲＩＧの製造に好適に適用できることを示している。
【００７０】
以上の結果から、上記化学式（１）において、Ｇｄの化学式量を示すｘ１は、０．６５≦ｘ１≦０．８４の範囲、そして、Ｂｉの化学式量を示すｙ１は、１．００≦ｙ１≦１．１５の範囲が望ましいことが確認される。
【００７１】
以上のような本実施形態のＲＩＧは、ファラデー回転子として適用した場合に挿入損失で０．３５ｄＢ以下の特性を有する。これにより、本実施形態のＲＩＧは、ファラデー回転子として好適に用いることができる。また、本実施形態のＲＩＧは、本実施形態のＲＩＧをファラデー回転子として用いる光アイソレータとして、好適に用いることができる。例えば、本実施形態のＲＩＧを加工用レーザーなどに用いる光アイソレータに適用した場合、より高パワーのレーザー光に対しても、温度上昇を大幅に抑制できることから、特性の劣化を抑制することができる。
【００７２】
（９）ＲＩＧの製造方法
次に、実施形態に係るＲＩＧの製造方法について説明する。図９は、実施形態に係るＲＩＧの製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、以下に説明するＲＩＧの製造方法は、一例であって、ＲＩＧの製造方法を限定するものではない。
【００７３】
実施形態に係るＲＩＧの製造方法は、図９（Ａ）のステップＳ２０において、液層エピタキシャル成長により、下記化学式（１）で表されるＲＩＧを製造する。
Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）
（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４であり、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）
【００７４】
図９（Ａ）のステップＳ２０は、例えば、図９（Ｂ）に示すステップＳ２１〜ステップＳ２４により行う。なお、以下の説明は、一例であって、ステップＳ２０を限定するものではない。
【００７５】
まず、図９（Ｂ）のステップＳ２１において、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｂｉ及びＦｅを含む原料を調整する。例えば、ＲＩＧの原料には、酸化ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）粉末、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）粉末、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）粉末、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）粉末、一酸化鉛（ＰｂＯ）粉末、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）粉末、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）粉末等が適用される。これら各原料の配合比は、育成するＲＩＧの組成によって、適宜決定される。各原料の配合比は、育成するＲＩＧの組成の組成が、上記した化学式（１）になるように設定される。なお、各原料の配合比は、育成するＲＩＧの組成の組成、各元素のＲＩＧへの取り込み率、使用する基板の格子定数、育成温度等の条件に基づいて決定されるものであり、本分野の公知の方法、あるいは予備実験により設定可能である。なお、上記の原料は、一例であって、他の原料を用いてもよい。
【００７６】
次に、図９（Ｂ）のステップＳ２２において、原料を融解する。ステップＳ２２では、例えば、ステップＳ２１で調整した原料粉末を白金ルツボに充填し、液層エピタキシャル成長による結晶が育成可能な公知の装置により加熱し、白金ルツボの原料粉末を融解させる。融解した原料融液は、撹拌により均一にされる。
【００７７】
次に、図９（Ｂ）のステップＳ２３において、原料融液を過飽和状態にする。ステップＳ２３では、原料融液の温度を徐々に若干降下させることにより、原料融液を過飽和状態にする。この温度が、ＲＩＧの育成温度として設定される。ＲＩＧの育成温度は、育成するＲＩＧの組成、格子定数、原料の組成等の条件に基づいて決定され、これらが互いに影響する。例えば、一般的には、育成するＲＩＧのＢｉ化学式量（ｙ１）は、同一組成の原料融液によりＲＩＧを育成した場合、育成温度が高いほど、少なくすることができる。また、格子定数は、一般的に、同一組成の原料融液によりＲＩＧを育成した場合、育成温度が高いほど高くなる傾向にある。ＲＩＧの育成温度は、予備実験により設定可能である。ＲＩＧの育成温度は、例えば、７７０℃〜７９０℃程度に設定される。
【００７８】
次に、図９（Ｂ）のステップＳ２４において、基板を原料融液に浸漬してＲＩＧを育成する。ステップＳ２４により、基板上にＲＩＧが育成される。図９（Ｂ）のステップＳ２４で用いる基板は、例えば、上記した実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板Ｓが用いられる。ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓは、図６のステップＳ９（ステップＳ１０〜ステップＳ１２）において、予め、製造したものを用いることができる。すなわち、本実施形態に係るＲＩＧの製造方法は、上記したＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの製造方法を含んでもよい。また、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓは、上記したように格子定数が１．２５８００ｎｍ以上、１．２５８５０ｎｍ以下であるのが好ましく、１．２５８３０ｎｍであるのがより好ましい。また、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数が１．２５８００ｎｍ未満の場合、挿入損失が０．３５ｄＢを超えてしまう。また、ＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数が、１．２５８５０ｎｍを超える場合、Ｂｉ化学式量を大きくしなければならなく、育成するＲＩＧの良品率を低下させてしまう。基板の原料融液への浸漬は、例えば、片面のみを原料融液に浸漬させる。基板は、原料融液に浸漬させた後、所定の回転数で回転させる。基板の回転速度は、特に限定されないが、例えば、４０〜１００ｒｐｍ程度に設定される。また、育成するＲＩＧの厚さは、特に限定されないが、例えば、６００μｍ程度に設定される。
【００７９】
次に、図９（Ｂ）のステップＳ２５において、基板上に育成したＲＩＧから、基板を除去する。ステップＳ２５では、例えば、研削研磨することにより、基板上に育成したＲＩＧから、基板を除去する。以上の工程により、本実施形態に係るＲＩＧが完成する。本実施形態に係るＲＩＧの製造方法は、上記した本実施形態に係るＲＩＧを高い収率で製造することができる。
【００８０】
（１０）光アイソレータ
実施形態に係る光アイソレータは、本実施形態に係るＲＩＧがファラデー回転子として用いられる。例えば、光アイソレータは、ファラデー素子である本実施形態に係るＲＩＧ及びＲＩＧに磁界を印加する磁石体を有するファラデー回転子と、偏光子と、検光子と、で構成され、一方向に光を通し、戻り光を遮断する。本実施形態に係るＲＩＧは、上記したように挿入損失で０．３５ｄＢを下回り、ＲＩＧにおける発熱量そのものの低減が図れるため、本実施形態に係るＲＩＧがファラデー回転子として用いられる光アイソレータとして、好適に用いることができる。
【実施例】
【００８１】
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。
【００８２】
以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明する。参考例１〜１７は、ＧＳＧＧ単結晶基板の製造についての参考例である。参考例１〜１７は、各々、組成設計段階で、上記化学式（２）のＳｃ化学式量ｘ２が２．００≦ｘ２≦２．１５を満たす組成としている。尚、格子定数はＸ線回折装置を使用して測定した値で、Ｓｃ化学式量はＥＰＭＡ定量分析から求めた化学式量である。
【００８３】
［参考例１］
直径１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍのイリジウム製坩堝に、予め混合したＧｄ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３の粉末を所定量仕込み、図４に示す育成炉１を用いて、高周波コイル１０により加熱溶融し、原料融液９を得てから、ＧＳＧＧ単結晶Ｃの育成を、通常の育成条件下で試み、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを得た。得たＧＳＧＧ単結晶Ｃを内周刃でウエハー状に切り出し、コロイダルシリカ等の研磨液を用いて鏡面に仕上げたＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８００ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０６８at.fuと良好であった。
【００８４】
［参考例２］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８５０ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．１１７at.fuと良好であった。
【００８５】
［参考例３］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８２５ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０９３at.fuと良好であった。
【００８６】
［参考例４］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８３０ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０９８at.fuと良好であった。
【００８７】
［参考例５］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８００ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０６６at.fuと良好であった。
【００８８】
［参考例６］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８５０ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．１１５at.fuと良好であった。
【００８９】
［参考例７］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８３５ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．１００at.fuと良好であった。
【００９０】
［参考例８］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５７９７ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０６４at.fuであった。
【００９１】
［参考例９］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５７９５ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０６１at.fuであった。
【００９２】
［参考例１０］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８５３ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．１１８at.fuであった。
【００９３】
［参考例１１］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８５５ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．１１９at.fuであった。
【００９４】
［参考例１２］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５７３７ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．００at.fuであった。
【００９５】
［参考例１３］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５７４１ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０３at.fuであった。
【００９６】
［参考例１４］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５７９７ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０６at.fuであった。
【００９７】
［参考例１５］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８１４ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．０９at.fuであった。
【００９８】
［参考例１６］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８６３ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．１２at.fuであった。
【００９９】
［参考例１７］
異なる原料を使用した以外は参考例１と同様に、ＧＳＧＧ単結晶Ｃを育成し、基板状に加工を施しＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを得た。そのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓの格子定数をＸ線回折装置で測定したところ１．２５８７７ｎｍと良好であった。次に、Ｓｃの含有量をＥＰＭＡ定量分析で測定し化学式量を求めたところ、２．１５at.fuであった。
【０１００】
これら結果を表２にまとめて示す。
【表２】
2018095486.tif 000004
【０１０１】
次に、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを用いて製造した実施形態に係るＲＩＧの実施例について具体的に説明する。実施例１〜１０は、実施形態に係るＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを用いて、下記化学式（１）で表されるＲＩＧを製造した例である。
Ｎｄ３−ｘ１−ｙ１Ｇｄｘ１Ｂｉｙ１Ｆｅ５Ｏ１２      ・・・（１）
（化学式（１）中、ｘ１は０．６５≦ｘ１≦０．８４であり、ｙ１は１．００≦ｙ１≦１．１５である。）なお、実施例１〜６と比較例１〜４では、全てのＧＳＧＧ単結晶基板Ｓについて、直径が１インチ、格子定数１．２５８３０ｎｍの参考例４のＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを用いた。また、実施例７は参考例１のＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを、実施例８は参考例２のＧＳＧＧ単結晶基板Ｓを使用した。
【０１０２】
尚、Ｂｉ量とＧｄ量はＥＰＭＡ定量分析から求めた化学式量の値である。また、不良率、良品率は、各々ＲＩＧから１１ｍｍ角を切断し、更にその１１ｍｍ角から１ｍｍ角を１００枚切断、次いでその１ｍｍ角から、その形状あるいは面内のピット数量によって、不良品、良品を選別して得られた結果である。尚、不良品についてはＲＩＧ中に発生したクラック起因による角欠け変形のあるもの、あるいは角欠けは無いものの金属顕微鏡、赤外顕微鏡の観察による１ｍｍ角面内のピット数量が５個以上のものとし、同様に良品は角欠けもなく、面内のピット数量も５個以下のものとして選別し、その結果を元とした各々の発生率も合わせて示した。表３では、実施例と比較例に係わるＲＩＧの不良率、良品率と挿入損失とを比較している。
【０１０３】
なお、合格基準は、光吸収量を表す挿入損失は≦０．３５とし、その時の良品率は９０％以上とした。
【０１０４】
［実施例１］
まず、原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．２０ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．３７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．２７ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．９７ｇ、ＰｂＯを２０１．５２ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量し、白金坩堝中において１０００℃で溶解し、融液が均一な組成になるように十分に撹拌混合した。
【０１０５】
次に、ＲＩＧをエピタキシャル成長させるため、融液の温度を７８０℃の育成温度まで降下させた。その後、上記ＧＳＧＧ基板を片面のみが融液に浸漬するように設置し、ＧＳＧＧ基板を回転させながらＲＩＧをエピタキシャル成長させた。得られたＲＩＧをＥＰＭＡ定量分析するとＢｉ量は１．１５、Ｇｄ量は０．７８であった。
【０１０６】
このような条件で育成したＲＩＧから１１ｍｍ角、更には１ｍｍ角を切断し、観察したところ、不良品は１０個、良品は９０個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３１ｄＢと極めて良好な結果であった。
【０１０７】
［実施例２］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．２６ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．３１ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．２７ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．９７ｇ、ＰｂＯを２０１．５２ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８１℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１３、Ｇｄ量は０．７５であった。
【０１０８】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は８個、良品は９２個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３２ｄＢと極めて良好な結果であった。
【０１０９】
［実施例３］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．４８ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．４０ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．１１ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．８８ｇ、ＰｂＯを２０１．４５ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８６℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．０８、Ｇｄ量は０．７３であった。
【０１１０】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は５個、良品は９５個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３４ｄＢと良好な結果であった。
【０１１１】
［実施例４］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．４０ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．３３ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．１９ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．９３ｇ、ＰｂＯを２０１．４９ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８４℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．０５、Ｇｄ量は０．７３であった。
【０１１２】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は４個、良品は９６個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３４ｄＢと良好な結果であった。
【０１１３】
［実施例５］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．３６ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．３７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．１９ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．９３ｇ、ＰｂＯを２０１．４９ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８４℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．００、Ｇｄ量は０．６９であった。
【０１１４】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は２個、良品は９８個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３５ｄＢと良好な結果であった。
【０１１５】
［実施例６］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．５１ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．５７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．０２ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．８３ｇ、ＰｂＯを２０１．４１ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８７℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１０、Ｇｄ量は０．７４であった。
【０１１６】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は４個、良品は９６個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３３ｄＢと良好な結果であった。
【０１１７】
［実施例７］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．２９ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．３４ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．２４ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．９５ｇ、ＰｂＯを２０１．５１ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８６℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１５、Ｇｄ量は０．８４であった。
【０１１８】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は１０個、良品は９０個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３１ｄＢと極めて良好な結果であった。
【０１１９】
［実施例８］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．３６ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．３７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．１９ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．９３ｇ、ＰｂＯを２０１．４９ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．００、Ｇｄ量は０．６５であった。
【０１２０】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は４個、良品は９６個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３４ｄＢと良好な結果であった。
【０１２１】
［比較例１］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．３０ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．６０ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．１１ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．８７ｇ、ＰｂＯを２０１．４４ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８４℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１６、Ｇｄ量は０．７８であった。
【０１２２】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は１２個、良品は８８個と不良であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３２ｄＢと極めて良好な結果であった。しかし、不良品は１２個、良品は８８個と良品率は９０％以下であった。
【０１２３】
［比較例２］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．３６ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．３７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．１９ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．９３ｇ、ＰｂＯを２０１．４８ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．９９、Ｇｄ量は０．７１であった。
【０１２４】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は１個、良品は９９個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３６ｄＢと不良であった。
【０１２５】
［比較例３］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．３１ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．４４ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．２８ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．６１ｇ、ＰｂＯを２０１．２４ｇ、Ｂ２Ｏ３を１０．１２ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１７、Ｇｄ量は０．７８であった。
【０１２６】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は１３個、良品は８７個と不良であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３１ｄＢと極めて良好であったが、不良品は１３個、良品は８７個と良品率は９０％以下であった。
【０１２７】
［比較例４］
原料として、Ｎｄ２Ｏ３を２．２７ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を２．４５ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２９．１１ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５５．２１ｇ、ＰｂＯを２０１．７１ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．２５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．９８、Ｇｄ量は０．７１であった。
【０１２８】
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は１個、良品は９９個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３７ｄＢと不良であった。
【０１２９】
これ等結果を表３にまとめて示す。
【表３】
2018095486.tif 000005
【０１３０】
以上のように、本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）は、特許文献１等に記載された従来のＲＩＧと比較して、挿入損失で０．３５ｄＢ以下であり、かつ、高い収率で製造することができる。そして、挿入損失で０．３５ｄＢ以下である本発明のＲＩＧを適用することにより、ＲＩＧにおける発熱量そのものの低減が図れるため、本発明のＲＩＧを加工用レーザーの光アイソレータに適用した場合、より高パワーのレーザー光に対し温度上昇を大幅に抑制できることから、特性の劣化を抑制する効果を有する。また、本発明に係るＲＩＧの製造方法は、良質なＲＩＧを高い収率で製造することができる。また、本発明に係る光アイソレータは、上記したＲＩＧを備えるので、より高パワーのレーザー光に対し温度上昇を大幅に抑制でき、特性の劣化を抑制する効果を有する。
【０１３１】
なお、本発明の技術範囲は、上述の実施形態などで説明した態様に限定されるものではない。上述の実施形態などで説明した要件の１つ以上は、省略されることがある。また、上述の実施形態などで説明した要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態などで引用した全ての文献の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明に係るＲＩＧは挿入損失で０．３５ｄＢ以下である。そして、本発明に係るＲＩＧは、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用される産業上の利用可能性を有している。
【符号の説明】
【０１３３】
１・・・育成炉
２・・・チャンバー
３・・・断熱材
４・・・軸
５・・・ホットゾーン
８・・・ルツボ
９・・・原料融液
１０・・・高周波コイル
ＣＯＮＴ・・・制御部
Ｃ・・・ＧＳＧＧ単結晶
Ｓ・・・ＧＳＧＧ単結晶基板
ＳＣ・・・種結晶
ＳＨ・・・肩部
ＳＢ・・・直胴部
ＳＢａ・・・下端部
ＥＰ・・・有効部
【図１】
2018095486.tif 000006
【図２】
2018095486.tif 000007
【図３】
2018095486.tif 000008
【図４】
2018095486.tif 000009
【図５】
2018095486.tif 000010
【図６】
2018095486.tif 000011
【図７】
2018095486.tif 000012
【図８】
2018095486.tif 000013
【図９】
2018095486.tif 000014