(57)【要約】分析物分子、とりわけたんぱく質の存在の検出用検出器アッセンブリは、表面増強ラマン散乱(SERS)および表面プラズモン共鳴(SPR)双方の同調的に使用する。SERSにおいて使用する励起レーザーは、導電性表面近くの分析物分子を結合させたレポーター染料からの散乱を与える。同時に、第２のレーザーは、上記導電性表面に対し臨界角で与える。第２レーザーは、分析物の領域内に場を発生させ、この場により、ラマン散乱効果を増強させる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の分析領域内で分析物受入れ用の導電性表面を有する分析物担体；
使用中に、前記分析領域に向かう放射線を与えてラマン散乱を起させるように配置した第１のレーザー放射源；
ラマン散乱によって前記分析領域から散乱している前記第１のレーザー放射源からの放射線を検出して分子の存在を検出するように配置した第１のセンサー；
使用中に、前記分析領域中に場を発生させるような前記導電性表面に対する角度で前記導電性表面への放射線を与えるように配置した第２のレーザー放射源；
を含み、前記第１および第２のレーザー放射源を、前記第２レーザー源によって発生した場が前記第１レーザー源の放射線の増強されたラマン散乱効果を起させるように配置することを特徴とする分析物中の分子の存在の検出用検出器アッセンブリ。
【請求項２】
前記導電性表面が金属フィルムを含む、請求項１記載の検出器アッセンブリ。
【請求項３】
前記金属フィルムが、アルミニウム、銅、銀または金のフィルムである、請求項１記載の検出器アッセンブリ。
【請求項４】
前記導電性表面が10〜100 nm程度の厚さを有する、請求項１，２または３のいずれか１項記載の検出器アッセンブリ。
【請求項５】
前記導電性表面が、その上に付着させた、レポーター染料と分析すべき分析物分子に対し選択的に結合する結合性分子を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載の検出器アッセンブリ。
【請求項６】
前記レポーター染料を、前記レポーター染料が、使用中に、分析すべき分子との結合時に前記分析領域中に存在し、さもなければ、該領域の外側に存在するように配置する、請求項５記載の検出器アッセンブリ。
【請求項７】
前記分析物担体が微小流体チップを含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の検出器アッセンブリ。
【請求項８】
前記微小流体チップが少なくとも１つのチャンネルを含み、該チャンネルの一部分がその上に導電性表面を有する、請求項７記載の検出器アッセンブリ。
【請求項９】
前記微小流体チップが複数のチャンネルを含み、各チャンネルがその上に導電性表面を有する少なくとも一部分を有し、各導電性表面がその上に付着させた異なるレポーター染料を有する、請求項７記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１０】
前記担体がマイクロタイタープレートを含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１１】
前記マイクロタイタープレートが１個以上のウェルを有し、その1個のウェルまたは各ウェルがその底部に導電性表面を有する、請求項１０記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１２】
前記担体がプリズム配列を含み、前記導電性表面を該プリズムの１面上に配置する、請求項１〜６のいずれか１項記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１３】
前記第２レーザー放射源を前記導電性表面に対し平面偏光放射線を与えるように配置する、請求項１〜１２のいずれか１項記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１４】
前記第２レーザー放射源を前記導電性表面に対し臨界角または臨界角近くで放射線を与えるように配置する、請求項１３記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１５】
前記導電性表面が表面プラズモン波長の表面プラズモンを有し、前記第２レーザー放射源を表面プラズモン波のエネルギーと実質的に合致するエネルギーの放射線を与えるように配置する、請求項１〜１４のいずれか１項記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１６】
前記導電性表面および第２放射源の波長を、前記場がラマン散乱のバンドギャップと合致するように選択する、請求項１５記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１７】
前記第２レーザー源を表面プラズモン共鳴検出用に配置し、前記検出器アッセンブリが、前記第１レーザー光源からその表面で屈折した放射線を検出するように配置した第２のセンサーをさらに含む、請求項１４記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１８】
前記第２センサーが、前記屈折放射線の強度の変化を検出して前記分子の存在を検出するように配置した単一センサーを含む、請求項１７記載の検出器アッセンブリ。
【請求項１９】
前記センサーが、屈折放射線の角度の変化を検出して前記分子の存在を検出するように配置したセンサーのアレーを含む、請求項１７記載の検出器アッセンブリ。
【請求項２０】
第１源からのレーザー放射線を使用してラマン散乱により分析物の存在を検出し、第２レーザー放射源からのレーザー放射線を使用して場を発生させてラマン散乱を増強する検出器アッセンブリにおいて使用する分析物担体であって、
‐前記分析物を支持し且つ前記第１又は第２放射源からのレーザー放射線に合致するように選択した光学特性を有する基体；および、
‐前記分析物を受入れるための前記基体の一部分上の導電性表面；
を含むことを特徴とする前記分析物担体。
【請求項２１】
前記導電性表面がコロイド状金属フィルムを含む、請求項２０記載の分析物担体。
【請求項２２】
前記金属フィルムが、アルミニウム、銅、銀または金のフィルムである、請求項２１記載の分析物担体。
【請求項２３】
前記導電性表面が10〜100 nm程度の厚さを有する、請求項２０，２１または２２記載の分析物担体。
【請求項２４】
前記導電性表面が、その上に付着させた、分析すべき分析物分子に対し選択的に結合する結合性分子を有するレポーター染料を有する、請求項２０〜２３のいずれか１項記載の分析物担体。
【請求項２５】
前記レポーター染料を、使用中に、前記レポーター染料が分析すべき分子との結合時に前記分析領域中に存在するように配置する、請求項２４記載の分析物担体。
【請求項２６】
前記分析物担体が微小流体チップを含む、請求項２０〜２５のいずれか１項記載の分析物担体。
【請求項２７】
前記微小流体チップが少なくとも１つのチャンネルを含み、該チャンネルの一部分がその上に導電性表面を有する、請求項２６記載の分析物担体。
【請求項２８】
前記微小流体チップが複数のチャンネルを含み、各チャンネルがその上に導電性表面を有する部分を有し、各導電性表面がその上に付着させた異なるレポーター染料を有する、請求項２６記載の分析物担体。
【請求項２９】
前記担体がマイクロタイタープレートを含む、請求項２０〜２５のいずれか１項記載の分析物担体。
【請求項３０】
前記マイクロタイタープレートが１個以上のウェルを有し、その１個のウェルまたは各ウェルがその底部に導電性表面を有する、請求項２９記載の分析物担体。
【請求項３１】
前記担体がプリズム配列を含み、前記導電性表面を該プリズムの１面上に配置する、請求項２０〜２５のいずれか１項記載の分析物担体。
【請求項３２】
表面の分析領域内で分析物受入れ用の導電性表面を有する分析物担体上で分析物中の分子の存在の検出用検出器であって、
使用中に、前記分析領域に向かう放射線を与えてラマン散乱を起させるように配置した第１のレーザー放射源；
ラマン散乱によって前記分析領域から散乱している前記第１のレーザー放射源からの放射線を検出して前記分子の存在を検出するように配置した第１のセンサー；
使用中に、前記分析領域中に場を発生させるような前記導電性表面に対する角度で前記導電性表面への放射線を与えるように配置した第２のレーザー放射源；
を含み、前記第１および第２のレーザー放射源を、前記第２レーザー源によって発生した場が前記第１レーザー源の放射線の増強されたラマン散乱効果を起させるように配置させることを特徴とする前記検出器。
【請求項３３】
‐導電性表面の分析領域上に分析物を付与し；
‐前記分析領域を第１のレーザー放射線で照射してラマン散乱を起させ；
‐前記分析領域からラマン散乱によって散乱させた放射線を検出して分子の存在を検出し；
‐前記導電性表面を、前記分析領域中に場を発生させるような前記導電性表面に対する角度の第２レーザー放射線で同時に照射し；そして、
‐前記分析領域中に発生させた場によりラマン散乱効果を増強することを特徴とする分析物中の分子の存在の検出方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は、分子検出器、分子検出器において使用する担体、とりわけ、ラマン散乱を増強させた表面を使用する担体と検出器との分子検出器アッセンブリに関する。
発明の背景
分析物分子の作用または存在を検出するための多くの方法が存在することは、知られている。１つのそのような方法は、ラマン散乱(RS)効果を使用する。分子上への入射光は散乱させると、エネルギー移動の結果として、周波数、ひいては波長の変化が散乱光中に生ずる。この非弾性散乱に至る過程は、ラマン効果と称される。周波数の変化は、分析物分子に対し特異的である。しかしながら、RS効果は極めて弱く、従って、好ましくはコロイド類を使用する方法を使用してこの効果を増強することが知られている。銀、金、銅または他のそのような材料のような金属表面の数オングストローム内に置かれた分析物分子は、種々のメカニズムによるその金属表面からのエネルギー移動に直面する。このことは、表面増強ラマン散乱(SERS)として知られており、通常の分光分析検出器を使用して測定し得る。
本発明者等は、ラマン散乱効果が、表面増強ラマン散乱(SERS)を使用しても、通常の散乱と比較して少量のラマン散乱放射線(事実上、貧弱なシグナル対ノイズ比)しか生じないという問題を認識している。
【０００２】
発明の要約
本発明は、特許請求の範囲に定義しており、その記載を参照されたい。本発明の１つの実施態様は、表面増強ラマン散乱(SERS)を使用し、その表面近くの領域内の分析物の存在を、この領域に入射する第１のレーザー源を使用して検出するが、表面に入射する第２のレーザーを使用してSERS効果を増強させて場を発生させる。第２レーザーにより上記領域内に発生させた場は、ラマン散乱効果を増強するのに使用する。
上記表面に入射する第２のレーザーは、好ましくは、表面プラズモン共鳴検出(SPR)において追加的に使用して、SERSおよびSPR双方の検出技法を同時に使用できるようにする。即ち、SPRレーザーは、SPR機能を提供すると共にSERS効果も増強する。
以下、本発明の各実施態様を、単なる例として、また添付図面を参照して説明する。
【０００３】
発明の実施態様の説明
説明する各実施態様は、表面プラズモン共鳴(SPR)と同調させた表面増強ラマン散乱(SERS)技法を使用する。本発明者等は、これらの組合せ技法により、SPRにおいて使用するレーザーの入射放射線を使用してSERS効果を増強させ得るものと理解している。本発明の各実施態様は、２つの主要構成成分、即ち、分析すべき分子を支持する分析物領域を提供する分析物担体と、該担体上の分析物領域にレーザー放射線を与え且つ上記分析物領域から受入れる放射線を検出するセンサーを有する検出器とを含む。一体となって、上記分析物担体と検出器は、検出器アッセンブリを構成する。
上記検出器自体は、後述するような種々の形のレーザー源およびセンサーを含み得る。上記検出器に適する分析物担体の実施態様は、種々の形を取り得る。好ましい実施態様は微小流体チップであるが、他の実施態様としては、これも後述するような適切に修正したマイクロタイタープレートまたはプリズム配列がある。即ち、該分析物担体は、いわゆる“実験室チップ(lab on chip)”である。各実施態様を説明する前に、SERSおよびSPR効果を先ず背景として説明する。
光を分子から散乱させるとき、光子の殆どは弾性散乱する。散乱光子の大多数は、入射光子と同じエネルギー(従って、同じ周波数と波長)を有する。しかしながら、光の一部(107個の光子中の約1個)は、図１に示すように、入射光子の周波数と異なる、通常は低い周波数で散乱する。散乱光子は、分子に対してエネルギーを喪失するとき、入射光子よりも長い波長を有する(ストークス散乱と称する)。逆に、散乱光子は、エネルギーを獲得するときは、短い波長を有する(反ストークス散乱と称する)。
【０００４】
この非弾性散乱に至る過程は、C.V. Raman卿以後、ラマン効果と称されており、彼はこのラマン効果を1928年に発見した。ラマン効果は、分子の振動、回転または電子エネルギーの変化を伴い、光子から分子へ移動したエネルギーは、通常、熱として消散する。また、熱エネルギーは、散乱光子に移動させ、それによってその波長を短くすることも可能である。古典的な観点においては、この相互作用は、分子の電場の摂動とみなし得、正に分子の特定の化学構造のみならず分子の正確な配座および環境にも依存する。入射光子とラマン散乱光子間のエネルギー差は、散乱分子の振動状態のエネルギーに等しく、量子化されたエネルギー値の散乱光子を生ずる。上記エネルギー(波長)差に対する散乱光の強度のプロットをラマンスペクトル(RS)と称する。上記異なるエネルギー状態の説明は、図１に示している。
図２は、何故金属表面の数十ナノメートル以内の化合物またはイオンからのラマン散乱が溶液におけるよりも103〜106倍大きくあり得るかを示す。この表面増強ラマン散乱(SERS)は、銀上において最強であるが、金および銅上においても容易に観察し得る。最近の研究によれば、各種の遷移元素も有用なSERS増強を与えることが明らかにされている。SERS効果は、分子と上記金属中の電子によって生じた金属表面近くの電磁場との間のエネルギー移動によって本質的に生ずる。SERSを使用してのラマン散乱増強に至る正確なメカニズムをここで説明する必要はなく、分析物分子画像と金属中の電子との組合せのような各種モデルは当業者にとって既知である。事実、金属層６中の電子は、分子に対しエネルギーを供給し、それによってラマン効果を増強している。
特定の分子の存在は、SERSを使用し、散乱ビーム４として示す散乱放射線の波長を検出することによって検出する。この散乱は方向性はなく、従って、センサー(図示せず)は、散乱放射線を捕捉する任意の適切な位置に置いて散乱放射線の波長ひいてはエネルギー変化を測定し得る。このエネルギー変化は分子状態のバンドギャップに関連し、従って、特定の分子の存在を測定し得る。典型的には、分析すべき分子１０を、分析用のレポーター分子８に結合させる。
【０００５】
分子の存在を測定する異なる方法は、表面プラズモン共鳴(SPR)として知られており、図３に示している。励起レーザービーム１２の電気ベクトルは、金属層１６の表面中に双極子を誘起させる。正分極電荷からの復元力は、この励起の共鳴周波数において振動電磁場を生ずる。レイリーリミットにおいては、この共鳴を、主として金属層１６表面での遊離電子の密度(‘プラズモン’)によって測定し、いわゆる‘プラズマ波長’並びに金属およびその環境の誘電定数を決定する。
層１６の表面上またはその直近で吸収された分析物中の分子は、上記表面に対し法線の振動モードが最も強力に増強されている異常に大きい電磁場に直面する。これが表面プラズモン共鳴(SPR)効果であり、金属層１６中のプラズモンと表面近くの分子８との間の空間貫通エネルギー移動を可能にする。その後、散乱光子は、通常の分光分析検出器(図示せず)を使用して測定し得る。
SPRの強度は、入射光の波長が、そのエネルギーが金属のプラズマ波長のエネルギーと合致するようでなければならないことから、入射光の波長および金属表面の形態のような多くの要因に依存する。SPRは、コロイド状金属粒子または金属薄層を使用して実施し得る。5μmの銀粒子においては、プラズマ波長は約382 nmであるが、より大きな楕円形銀粒子においては、プラズマ波長は600 nmほどに高くあり得る。プラズマ波長は銅および金粒子においては650 nmの赤色に対するものであり、この他種の２つの金属は、350〜1000 nmの波長においてSERSを示す。表面プラズモン共鳴励起に対する最良の形態は、小(< 100 nm)粒子または金属薄層(約50 nm)上の原子的に粗の表面である。
図３に示すように、SPRにおいては、平面偏光光の励起レーザービーム１２を、このビームが金属表面１６上に臨界角近くで衝突するように配置する。この臨界角は、金属の屈折率によって決定される。SPR効果は、エバネッセント波１７、金属表面からおよそ400 nmに及ぶ電磁場を発生させる。この場と分析物分子間のエネルギー移動は、層１６の有効屈折率の変化をもたらして、臨界角の変化ひいては屈折光１４の強度の変化を起し、この変化を通常の分光分析装置を使用して検出し得る。
RSおよびSPRは、双方とも、分子相互作用を追跡しまたは極めて低濃度の分子を定量するのに一般的に使用されている強力な方法である。
【０００６】
本発明の各実施態様の操作原理を図４に示す。各実施態様の重要な特徴は、分子の存在を検出するためのSERS効果を追加の入射レーザー源によって増強することであり、この追加のレーザー源はSPR検出においても好ましく使用される。２つの検出器システムを個々に操作して、同じ分析物サンプルの個々のまたは同時の測定を提供する。各効果は、相乗的に、選択的に挙動して、表面プラズモンと分析物分子間の相互作用を増強する。
図２および３において既に説明した参照数字は、図４においても同じ番号付けをしている。第１レーザー源のSERS励起レーザービーム２は、レセプター分子１０、典型的には導電性の金属表面１６でレポーター分子８に結合させている抗体上に入射する。分析物分子は、典型的にたんぱく質分子である。分析物分子が上記レセプター分子に結合するとき、上記レポーター分子は、上記表面に移動して近接し、それによってSERS散乱の増強を示す。既知の形において、上述したように、SERS散乱が起り、散乱放射線４をセンサーによって検出する。同時に、第２レーザー源のSPRレーザービーム１２が金属表面１６に入射する。この第２レーザービームは表面プラズモンとカップリングし、次いで電磁場を発生させ、この電磁場が分析すべき分子の振動エネルギー状態とカップリングする。
分子系と上記プラズモン場間のエネルギー移動の効率は、分子の振動エネルギー状態と表面プラズモンの量子エネルギー状態間の合致に依存する。前者は分子構造および環境によって決定され、後者は励起レーザーの波長並びに金属粒子層の組成と形状によって決定される。従って、SPRビーム１２の励起波長を変化させるか(例えば、波長可変レーザーによって)、或いは金属層１６の組成および厚さを変えた場合、SPR効果を選択的に最適化して特定の分析物分子からのSERSシグナルを最高にすることができる。このことの利点は、SERSシグナルの強度を与えられた分子に対し実質的に増大させ得ること(より高感度の検出を可能にすること)、並びに領域２０内のSPR電磁場を調整して複雑な生物学的混合物の特定の成分からのシグナルを選択的に増強させ得ることである。上記の組合せ検出器は人工的SPR場を使用して分析物分子からの蛍光を増強させるので、本発明者等は、この方法を表面プラズモン支援ラマン分光分析法(SPARS)と命名した。実際上、第２レーザーは、エネルギーを第１レーザーによって発生した励起中にポンピングするために使用している。
【０００７】
本発明の好ましい実施態様は、上述の新規な技術をいわゆる実験室チップ装置において応用することである。この装置においては、分析すべき分子を含有する溶液を付加した分析物担体(使い捨て可能な)を調製する。その後、この担体を２つのレーザー(１つがSERS励起用で、１つがSPR励起用)および１つのセンサー装置を含む検出器中に挿入してラマン散乱放射線および必要に応じてのSPR放射線を検出する。
以下、分析物担体の各実施態様を説明すると共に、担体と検出器アッセンブリ全体を説明する。
分析物担体の好ましい実施態様は、図５に示しており、微小流体チップの形である。選定した波長の放射線に対し透過性である適切なプラスチック、ガラスまたは他の適切な材料からなる基体１１上に、チャンネル２２を有するチャンネル層１３を形成させる。溶液中の分析物を矢印により示した方向で上記チャンネルに導入する。上記チャンネルの領域１７には、導電性または半導電性層１６が形成されている。この層は、好ましくは、銅、アルミニウム、銀またはとりわけ金の層である。上述したように、金層は80 nm程度の粒度のコロイド状であり得、この金属コロイド内の粒度は、既に説明したように、適切なプラズモン波長を与えるように選定する。
上記チップの基本的な使用は、たんぱく質の検出においてである。この使用においては、レポーター染料を、抗体または同様なレセプターが結合する結合用分子さらにまたターゲットたんぱく質の一部を擬態し得るペプチドまたは同様なフラグメントを有する金表面１６上に付与する。レポーター染料は、上記抗体またはレセプター分子上のレセプター部位に結合させることによって、当初は上記表面から離れて保持させる。ターゲットたんぱく質の結合時に、上記レポーターは、移動して、上記金属表面からの上記エバネッセント場の影響を有する領域２０内に入る。レポーター染料は、分析すべきたんぱく質に応じて選定する。SPRレーザーによって増強されるようなSERS散乱を提供するのがレポーター分子である。
【０００８】
分析物担体チップを挿入した検出器は、金層１６の表面領域１７の分析物およびレポーター分子にビーム２を与えるSERSレーザー２８を含む。SERSレーザー２８は、上記レポーター分子のバンドギャップと合致するように選定した波長の放射線を与え、分子間で変動する。従って、融通性のある検出器を提供するためには、上記SERSレーザーは、好ましくは波長可変性である。SERS散乱４は方向性ではないので、散乱放射線用のセンサー２６は、任意の位置にあり得る。しかしながら、このセンサーは、好ましくは、センサーに達するレーザーからの直接の放射線を回避するために、上記SERSレーザーに対向する側ではない。
SPR効果用の平面偏光ビーム１２を与えるレーザー２７は、表面１６および反射ビーム１４を受入れるように位置させたセンサーアレー２４に対し臨界角で与える。SPRレーザー２７は、上記表面プラズモン共鳴と合致する波長を有するように選定し、SPRレーザー自体は、レポーター染料分子のバンドギャップとカップリングするように調整する。即ち、SPRレーザー２７も波長可変性であることが好ましい。センサーアレー２４は、各々が反射ビームに対し僅かに異なる角度にある複数のセンサーを含む。従って、レポーター分子は、表面１６からのエバネッセント波と相互作用するとき、屈折光の角度の変化として検出し得るSPR屈折放射線を変化させる。また、SPRレーザーが波長可変性であるとき、SPR効果は、レーザーの波長調整を走査し、分析物分子がレセプター分子に結合するときの所定の検出器位置において屈折が生ずる波長の変化を記録することによっても測定し得る。
１つのチャンネルのみを有するものを示しているが、上記チップは、好ましくは、複数のチャンネルを有し、各々のチャンネルが金属層上に異なるレポーター染料および/またはレセプター分子を含有し得る。
【０００９】
第２の具現化分析物担体は、図６に示しており、修正されたマイクロタイタープレートを含む。マイクロタイタープレートは、当業者にとって既知であり、典型的にはプラスチック製の基体中に１連のウェルを含む。分析物の各サンプルを分析用の各マイクロタイタープレートウェルに導入する。本発明の実施態様によれば、各ウェルの底部または側面は、導電性表面１６を含むように修正され、その表面上にレポーター染料を配置する。その後、溶液中の分析物を各ウェル中に導入し、上記プレートを図５について上述したようにして検出器に挿入する。上記導電性表面は、好ましくは、前述したような典型的には厚さ50〜80 nmの金である。該検出器装置は、各ウェルを順次照射し得るが、好ましくは、上記プレート中の複数のウェルの各々から同時の照射と検出を可能にする検出器のアレーを有する。
チップの第３の実施態様は、図７に示している。この装置においては、プリズムを、反射表面１５と各センサーを外的連結用に取付けた表面１９とを有する基体１１から有効に発生させる。金層は、側面または上記プリズム上に付与する。金層、各レーザーおよび各センサーの配置は、上記第１の実施態様に関して説明したとおりである。
上記の“実験室チップ”装置のいずれにおいても、金属層１６の正確な組成を調整する更なる可能性が存在する。種々のドパント原子による金属表面１６の変性は、上記プラズマ波長の更なる調節手段を提供し、おそらく、電子的に制御可能なSPR場を生じ得るであろう。
RSおよびSPR構成成分は、分析物分子の‘上’に配置したRSレーザーおよび検出器、並びに分析物分子の‘下’に配置したSPRレーザーおよび検出器によって物理的に分離し得る。または、双方のレーザーにより、同じ側面からの検出器表面を照射してもよい。実験室チップ応用におけるこのことの利点は、それによってモジュール性が与えられることである：各検出器は、３つの組合せ全て(RSのみ、SPRのみ、およびSPARS)において、同じ基本構成成分を使用することによって構築し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ラマン散乱のエネルギーレベルを示す。
【図２】表面増強ラマン散乱の原理を使用する検出器を示す概略図である。
【図３】表面プラズモン共鳴の原理を使用する検出器の概略図である。
【図４】本発明に従う表面増強ラマン散乱と表面プラズモン共鳴の組合せを使用する検出器配列を示す概略図である。
【図５】本発明の第１の好ましい実施態様に従う検出器アッセンブリを一緒になって形成する分析物担体と検出器を示す。
【図６】本発明の第２の実施態様に従う分析物担体である。
【図７】本発明の第３の実施態様に従う分析物担体である。
【符号の説明】
【００１１】
４    散乱ビーム
６    金属層
８    レポーター分子
１０    分析物分子
１１    基体
１２    励起レーザービーム
１３    チャンネル層
１４    屈折光
１５    反射表面
１６    金属層
１７    消失性波
１９    表面
２０    領域
２２    チャンネル
２４    センサーアレー
２６    センサー
２７    SPRレーザー
２８    SERSレーザー
【図１】
2005532563.tif 000003
【図２】
2005532563.tif 000004
【図３】
2005532563.tif 000005
【図４】
2005532563.tif 000006
【図５】
2005532563.tif 000007
【図６】
2005532563.tif 000008
【図７】
2005532563.tif 000009
【国際調査報告】
2005532563.tif 000010
2005532563.tif 000011
2005532563.tif 000012
2005532563.tif 000013
2005532563.tif 000014