(57)【要約】薄膜磁性構造体、磁気装置およびそれらの製造方法であって、六方晶系のテンプレート上に成長した（１１０）テクスチャードの対称性が破られた体心立方または体心立方誘導体結晶構造体が、対称性を破る機構の存在で設けられ、連続して設けられた一連のフィルム層から配向された単軸磁気特性を強化し、新たに配向された磁性層および微小構造体と、改良された磁気装置および磁気性能を生じる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
対称性が破られた構造を形成する少なくとも１つのｂｃｃ−ｄ磁性層と、
前記基板と対称性が破られたｂｃｃ−ｄ材料構造体とのあいだに配置された（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートを提供する少なくとも１つの層とを有する磁性材料構造体。
【請求項２】
基板と、
一軸対称性が破られた構造を形成する少なくとも１つのｂｃｃ−ｄ磁性層と、
前記基板と前記対称性が破られたｂｃｃ−ｄ材料構造体とのあいだに配置された（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートを提供する少なくとも１つの層とを有する磁性材料構造体。
【請求項３】
前記基板は単結晶である請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項４】
前記基板の表面は、アモルファスまたは多結晶である請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項５】
前記アモルファス表面は、ＮｉＰ、ＣｒxＴａ1-x、ＣｒxＮｂ1-x、ＦｅxＴａ1-x、またはＦｅxＮｂ1-xの合金から形成され、このとき５５＜ｘ＜７５である請求項４記載の磁性材料構造体。
【請求項６】
前記アモルファス表面は、酸化され、ＣｒxＴａ1-x、ＣｒxＮｂ1-x、ＦｅxＴａ1-x、またはＦｅxＮｂ1-xから形成され、このとき５５＜ｘ＜７５である請求項４記載の磁性材料構造体。
【請求項７】
前記六方晶原子テンプレートを形成する層は、ｆｃｃ−ｄまたはｈｃｐ結晶材料から形成される、請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項８】
前記六方晶原子テンプレートを形成する層は磁性である請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項９】
少なくとも１つの第２の磁性層をさらに有し、
前記第２の磁性層は六方晶原子表面を形成する請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１０】
少なくとも１つの第２のｂｃｃ−ｄ層をさらに有する請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１１】
少なくとも１つの第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層をさらに有する請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１２】
少なくとも１つの第２のｂｃｃ−ｄ層をさらに有し、
前記第２の層の結晶配向は前記第１のｂｃｃ−ｄ層によってエピタキシャル的に決定される請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１３】
少なくとも１つの第２のｂｃｃ−ｄ層と、
少なくとも１つの第２の六方晶（１１１）テンプレートと、をさらに有し、
前記六方晶テンプレートは前記第１のｆｃｃ−ｄ層と前記第２のｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置される請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１４】
少なくとも１つの第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
前記第１のｂｃｃ−ｄ層と前記第２のｂｃｃ−ｄ層とのあいだにある少なくとも１つの酸化物層とをさらに有する請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１５】
少なくとも１つの第２のおよび第３の非磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
少なくとも１つの第４の磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
前記第２の非磁性ｂｃｃ−ｄ層と前記第３の非磁性ｂｃｃ−ｄ層とのあいだにある少なくとも１つの酸化物層とをさらに有し、
前記第２の非磁性ｂｃｃ−ｄ層および前記第３の非磁性ｂｃｃ−ｄ層は、前記第１の磁性ｂｃｃ−ｄ層と前記第４の磁性ｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置される請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１６】
少なくとも１つの第２のおよび第３の非磁性六方晶テンプレート層と、
少なくとも１つの第４の磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
前記第２の非磁性層と前記第３の非磁性層とのあいだにある少なくとも１つの酸化物層とを有し、
前記第２のおよび前記第３の非磁性層は、前記第１の磁性ｂｃｃ−ｄ層と前記第４の磁性ｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置される請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１７】
前記対称性が破られたｂｃｃ−ｄは、ＦｅあるいはＦｅＣｏ、または、ＦｅあるいはＦｅＣｏの合金よりなる請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１８】
前記対称性が破られたｂｃｃ−ｄは、ＦｅあるいはＦｅＣｏの合金および一つ以上の元素Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、Ｃｕ、Ｎｂ、およびＡｌよりなる請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項１９】
前記対称性が破られたｂｃｃ−ｄは、ＦｅあるいはＦｅＣｏおよびＡｌ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｓｉ、Ｔａ、ＴｉおよびＮｂの一つ以上の元素からの合金よりなる請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項２０】
前記六方晶原子テンプレートを形成する層材料は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ｆｃｃ−Ｃｏ、ＮｉＦｅ、Ａｌ、ｈｃｐ−Ｃｏ、またはＴｉ、あるいはそれらの合金よりなる請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項２１】
前記六方晶原子テンプレートを形成する層材料は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、ｆｃｃ−Ｃｏ、ｆｃｃ−ＣｏＣｒ、Ｉｒ、Ｎｉ、ＮｉＦｅ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、ｈｃｐ−Ｃｏ、Ｇｄ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｔｂ、または、Ｔｉ、あるいはそれらの合金よりなる請求項１記載の磁性材料構造体。
【請求項２２】
少なくとも１つの第２のｂｃｃ−ｄ層をさらに有し、
前記第１のｂｃｃ−ｄ層および前記第２のｂｃｃ−ｄ層は、異符号の異方性エネルギー密度定数を有し磁性である請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項２３】
少なくとも１つの第２のｂｃｃ−ｄ層と、
少なくとも１つの第３のｂｃｃ−ｄ層と、をさらに有し、
前記第１のｂｃｃ−ｄ層および前記第３のｂｃｃ−ｄ層は、磁性であり、前記第２のｂｃｃ−ｄ層の材料は反強磁性である請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項２４】
少なくとも１つの第２の磁気対称性が破られたｂｃｃ−ｄ層と、
少なくとも１つの第２の六方晶（１１１）テンプレートと、をさらに有し、
前記第２の六方晶テンプレートは、前記第１のｂｃｃ−ｄ層と前記第２のｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置される請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項２５】
少なくとも１つのＣｏ合金の磁性ｈｃｐ層をさらに有し、
前記Ｃｏ合金は（１０１１）結晶テクスチャーを有する請求項２記載の磁性材料構造体。
【請求項２６】
（１１１）テクスチャード単結晶基板と、
一軸対称性が破られた構造を形成する少なくとも１つのｂｃｃ−ｄ磁性層と、を有し、
前記ｂｃｃ−ｄ磁性層は、前記（１１１）テクスチャード基板上に設けられる磁性材料構造体。
【請求項２７】
少なくとも１つの（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートと、
前記（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレート上に設けられ、対称性が破られた構造を形成する少なくとも１つの（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｄ磁性層と、を有する磁性材料構造体。
【請求項２８】
前記装置が請求項１、２、２６または２７記載の磁性材料構造体をそこに組込んだ磁気装置。
【請求項２９】
前記装置が磁気データ記憶システムである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３０】
前記装置がデータ記憶磁気記録トランスデューサである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３１】
前記装置がデータ記憶磁気再生トランスデューサである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３２】
前記装置がデータ記憶磁気記録媒体である請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３３】
前記装置が配向した軟質磁性層を組込んだデータ記憶磁気記録媒体である請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３４】
前記装置が配向した硬質磁性層を組込んだデータ記憶磁気記録媒体である請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３５】
前記装置がデータ記憶磁気ランダムアクセスメモリである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３６】
前記装置が物品監視タグである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３７】
前記装置が磁気弾性物品監視タグである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３８】
前記装置が磁気弾性の多調波を生成する物品監視タグである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項３９】
前記装置が非線形応答の多調波を生成する物品監視タグである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４０】
前記装置が電子回路誘導性構成要素である請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４１】
前記装置が信号ミクシング電子回路構成要素である請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４２】
前記装置が磁気フラックスゲートセンサである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４３】
前記装置が異方性磁気抵抗センサである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４４】
前記装置がスピンバルブ磁気抵抗センサである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４５】
前記装置が磁気トンネル接合型磁気抵抗センサである請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４６】
前記装置が電子回路誘導性トランスフォーマ構成要素である請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４７】
前記装置が電子スピントンネルデジタル論理回路構成要素である請求項２４記載の磁気装置。
【請求項４８】
基板と、
少なくとも１つの硬質磁気記録層と、
少なくとも１つの（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートと、
前記六方晶原子テンプレートと前記硬質磁気記録層とのあいだに設けられ、一軸対称性が破られた構造を形成する少なくとも１つのｂｃｃ−ｄ磁性層よりなる軟質磁気キーパー層とを有する磁気記録媒体装置。
【請求項４９】
基板と、
少なくとも１つの（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートと、
少なくとも１つの対称性が破られた（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｄ層と、
少なくとも１つの配向した硬質磁気記録層と、を有する磁気記録媒体装置であって、
前記ｂｃｃ−ｄ層は、前記硬質磁性層と前記六方晶原子テンプレートとのあいだに設けられ、前記六方晶原子テンプレートは前記ｂｃｃ−ｄ層と前記基板とのあいだに設けられる磁気記録媒体層装置。
【請求項５０】
ディスク記録部の内径よりも直径が小さいロッド形状のスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットを囲う遮蔽部および永久磁石構造と、
前記スパッタリングターゲットと前記遮蔽部とのあいだにあるガス通路と、
前記スパッタリングターゲットの一端の近傍にあるガス出口と、を有するディスク媒体の層構造を設ける装置であって、
前記ロッド状のターゲットの端面の近傍からハードディスク媒体基板まで略半径方向に１５度〜７５度の入射角で真空設置された材料を対称的に運ぶ装置。
【請求項５１】
前記ディスク媒体の層構造は、配向した軟質磁気キーパー層である請求項５０記載の装置。
【請求項５２】
前記ディスク媒体の層構造は配向された媒体下部層である請求項５０記載の機器。
【請求項５３】
（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートを設ける段階と、
少なくとも１つのｂｃｃ−ｄ層を設ける段階と、
少なくとも１つの対称性を破るメカニズムを用いて前記（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレート上にｂｃｃ−ｄ結晶材料を堆積する段階と、
ｂｃｃ−ｄ（１１０）結晶テクスチャード膜を形成する段階と、
５つ以上の優位バリアントは含まないが少なくとも１つの優位（１１０）配向バリアントを含む対称性が破られた結晶構造を形成する段階とを有する対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項５４】
少なくとも１つの前記優位（１１０）配向バリアントは、前記テンプレートの前記面において前記（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートの＜１１０＞方向に対して約＋５．２６度または−５．２６度で前記テクスチャーの面において＜１１１＞結晶方向を有する請求項５３記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項５５】
前記対称性を破るメカニズムは、前記ｂｃｃ−ｄ材料を前記（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレート上に１５度と７５度のあいだの入射角で堆積することである請求項５３記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項５６】
前記入射角は、（１１１）テクスチャードテンプレートの＜１１０＞方向に略沿って方向付けられる請求項５５記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項５７】
前記対称性を破るメカニズムは、前記ｂｃｃ−ｄ材料を前記（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレート上に印加された磁場において堆積することである請求項５３記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項５８】
前記印加された磁場は、（１１１）テクスチャードテンプレートの＜１１２＞方向に略沿って方向付けられる請求項５７記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項５９】
前記印加された磁場は、（１１１）テクスチャードテンプレートの＜１１１＞方向に略沿って方向付けられる請求項５７記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項６０】
前記印加された磁場の大きさは、１０Ｏｅ以上である請求項５７記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項６１】
少なくとも１つの第２の薄膜ｂｃｃ−ｄ材料を設ける段階と、
５つ以上の優位バリアントは含まないが少なくとも１つの優位（１１）配向バリアントを含む少なくとも１つの第２の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ結晶構造を形成する段階と、をさらに有する請求項５３記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項６２】
前記第１のｂｃｃ−ｄ材料および前記第２のｂｃｃ−ｄ材料は、異符号の異方性エネルギー密度定数を有する請求項６１記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項６３】
前記第１のｂｃｃ−ｄ材料および前記第２のｂｃｃ−ｄ材料は同符号の異方性エネルギー密度定数を有する請求項６１記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項６４】
前記第１のｂｃｃ−ｄ層と前記第２のｂｃｃ−ｄ層とのあいだに少なくとも１つの酸化物層を形成し、電気的絶縁障壁を形成する段階をさらに有する請求項６１記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【請求項６５】
前記第１のｂｃｃ−ｄ層と前記第２のｂｃｃ−ｄ層とのあいだに少なくとも１つの第２の（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートを形成する段階をさらに有する請求項６１記載の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性材料構造と、磁性材料構造の形成方法と、磁性材料構造から形成される装置とに関わる。
【背景技術】
【０００２】
家庭、事務所、運搬システム、事業所、および工場がより自動化され電子的に接続されるにつれ、さらに、コンピュータ、通信装置、無線通信装置、電子ゲーム機、娯楽システム、携帯情報端末、運搬用車両、製造用道具、店用道具、および、家庭用電気製品のような電子装置および電気製品がより高度になるにつれ、高性能および低コストの電子回路、センサ、トランスデューサ、データ記憶システムおよび磁気薄膜材料を使用する他の磁気装置に対する需要がより高まり、今後も高まることが予想される。これらの装置が市場競争に残るためには、各製品の型はより高性能で、目立たず、通常、前の製品よりも安価でなくてはならない。したがって、これら装置に材料および構造を技術的に改善する需要がより高まる。
【０００３】
これらすべての適用法に関して、磁気特性が構成中によりよく制御され得れば磁性材料の性能は改善される。固有の磁気特性としてしばしば考えられている２つの既知の特性は、飽和磁化Ｍｓと、結晶磁気異方性エネルギー密度定数（通常、下付のＫ文字で表される）である。磁気異方性エネルギーは、磁化が好ましい方向、または、いくつかの方向の向きまたは配向を有することを意味する。つまり、系のエネルギーは、磁化ベクトルがある方向に方向付けられる場合に最小となる。これらの方向は、磁化イージー（容易）軸と呼ばれ、反対に、磁化ハード（困難）軸はエネルギーが最大となる磁気の向きである。しかしながら、一般的に材料が完璧に形成されていない点で磁気異方性が実際には固有特性でないことに注意する。それにも関わらず、装置への適用における良い性能は、多くの場合、単一の好ましい磁気の向きか異方性の向きかに依存するため、製造過程において所望の一軸異方性を実現することが大切である。本発明の目的は、磁性薄膜の結晶磁気異方性を制御する新しいメカニズムを提供することである。これにより、ほぼすべての磁気装置の性能は改善されると考えられる。
【０００４】
一般的に、異方性エネルギーは、所与の物理軸に対する磁化ベクトルの向きの関数である。ここで、「一軸」異方性は、磁化角θが物理軸から１８０度回転されると異方性エネルギー密度関数が１つの最大値と１つの最小値だけを含む場合に存在すると定義付けられる。同様にして、「理想的一軸」異方性エネルギーは、エネルギー式がｓｉｎ2θまたはｃｏｓ2θ依存性だけを有する場合に存在すると定義付けられる。材料と、所望の配向または異方性を実現するように処理する装置は、異方性の向きを実現するメカニズムがこれまでよく理解されていなかったためか、一般的に困難であり、不可能でさえある。さらには、磁気異方性の向きの均一な制御は、多数の異なる所望の材料特性が同時に得られなくてはならない場合に製造過程において実現し、維持することがしばしば困難となる。
【０００５】
［配向軟質磁気膜の背景］
たとえば、センサ、トランスデューサ、トランスフォーマ、インダクタ、信号ミキサ、フラックスコンセントレータ、記録媒体キーパー、データ記録および再生トランスデューサのような磁気装置では、駆動磁場に対する磁気応答が高い感度と同時に低保磁力（Ｈｃ）を有することが一般的である。簡単に言うならば、材料は非ヒステレチック（non-hysteretic）挙動を本質的に有する。このような挙動に対して、装置は、印加された磁場が一軸性磁性材料の磁化困難軸に沿って方向付けられるように構成される。これにより、多軸性材料の磁壁移動に多くの場合関連付けられる保磁力およびヒステリック効果が最小化される。たとえば、二軸異方性を有する材料は、２つの磁化容易軸と２つの磁化困難軸とを有し、ヒステリシスおよび損失を示す。これら適用の多くでは、線形のまたは略線形の応答も有利であるが、信号ミキサのような他の適用では、制御された非線形の応答が望ましい。線形の磁気応答を得るためには、磁化困難軸の方向に磁場を印加することと、異方性エネルギー密度関数が一軸であるだけでなく、単一のｓｉｎ2（θ）または負のｃｏｓ2（θ）依存性を有することが必要であり、このとき、θは磁化ベクトル方向と物理的に決定される磁化容易軸とのあいだで測定される角である。数学的恒等式ｓｉｎ2（θ）＝１−ｃｏｓ2（θ）と、エネルギー関数における原点が任意に決められることにより、ｓｉｎ2（θ）または−ｃｏｓ2（θ）を用いることで同等の物理的挙動が得られる。図１の［１］は、正弦異方性エネルギー密度の二乗対ゼロ度に位置する磁化容易軸に対する磁化ベクトルの角を示す図である。図２は、磁化困難軸の方向ｘに沿って印加された磁場Ｈｘ＝Ｈａの関数として磁化ＭｘおよびＭｙの成分の応答を示す図である。磁化が飽和される位置、または印加された磁場と完全に一直線になる位置［２］においてだけ直線は屈折する。このような特定の一軸異方性に関して、異方性磁場として知られているｘ方向に沿って印加された磁場の値Ｈｋが生ずる。これら応答曲線は、ヒステリシスを示さないが、しばしばヒステリシスループと呼ばれる。ｓｉｎ2（θ）エネルギー関数の形状により磁化困難軸の方向における応答Ｍｘは線形となり、完全に可逆的である。Ｍｙは、ｘ方向に印加された磁場に対するｙ方向の応答である。図示される曲線形状は、印加された磁場の大きさがＨｋ未満である場合には二次曲線であり、Ｍｙはより大きい大きさの磁場に対してはゼロとなる。二次性の挙動は、Ｍｓ2＝Ｍｘ2＋Ｍｙ2であるため直線Ｍｘには必要であり、このときＭｓは、合計の一定飽和磁化ベクトルの大きさである。異方性エネルギーが一軸であるが理想的なｓｉｎ2（θ）関数の形によって決定されない場合、磁気応答は線形でない。しかしながら、一軸性のエネルギー曲線と非線形のＭｘ対Ｈｘ挙動の両方を示す実際的な材料例はこれまで知られていない。
【０００６】
ｓｉｎ2（θ）エネルギー密度関数の形を示す材料は、有名な理想一軸性単磁区磁化理論（uniaxial single domain magnetization theory）よりストーナー・ウォールファース（Stoner-Wohlfarth）挙動としばしば呼ばれる。しかしながら、薄膜は局部的にｓｉｎ2（θ）関数の形を示すこともあるが、一般的に多磁区である。試料において磁化困難軸方向がすべての点で同じであり、印加された駆動磁場が磁化困難軸に対して確実に平行でない限り、磁壁移動を一般的に観察することができる。この移動により、保磁力メカニズムおよびヒステレチックエネルギー損を結果として生ずる。図２によって表される試料の無損失な挙動は、磁壁移動を介する応答ではなく印加された磁場に応答して回転する磁化によるものである。多軸異方性材料は、磁壁移動を介して常にスイッチングされるため、損失を経験することはない。
【０００７】
一軸性軟質薄膜に関して、最初に磁化容易軸の方向に磁場を印加し、次に、１８０度の磁壁を取り除くよう同方向に一定のバイアス磁場を保持することで、磁化困難軸が駆動されるとすべての材料が単磁区になるよう見せることができることが周知である。したがって、磁化容易軸方向におけるこのバイアス磁場Ｈｂ＝Ｈｙにより、磁化困難軸の方向におけるすべての有限磁場Ｈｘの適用は磁化ベクトルをエネルギー最大値［３］まで完全に駆動することはできず、応答は常に可逆的であり、したがって、無損失である。これは多異方性軸の材料には当てはまらない。一軸性材料に関して、回転式応答は、多くのセンサ装置にとって重要であり、小さい磁場を印加することによって、または、効果的なバイアス磁場を供給できるよう配向された硬質磁性材料に磁気センサ材料を交換結合することによって、磁化容易軸の方向にバイアス磁場を印加するための様々な形態の磁気抵抗センサにおいて一般的である。
【０００８】
防犯装置のようないくつかのセンサ適用、および、特定の電子的ミクシング回路装置に関して、特定の非線形応答と同時に軟質で、低損失な、磁気特性が望ましい。これらの適用法において、駆動磁場は従来から、また、一般的に、磁化容易軸の方向に、または、最も低い磁気異方性エネルギーの方向に方向付けられる。通常、同方向において磁壁移動は著しい。磁壁移動は一般的に、非常に非線形の応答または強いヒステレチック挙動までも生じさせる。
【０００９】
ある防犯装置、アーチクル監視装置、アーチクル識別装置またはインベントリー装置は、非線形挙動または材料が飽和になるまで駆動される際に生成される調波信号を検出することに依存する。多数のこのようなタイプの監視システムおよびタグの一例は、米国特許第３，７４７，０８６号明細書に開示されている。このタイプのタグ応答は、米国特許第５，５３８，８０３号明細書記載の対象物を識別するために多数のビット数の情報を与えるとして開示されている。他のタグ装置は、磁気弾性効果および機械的共鳴に基づき、このとき磁化と材料の機械的歪みとのあいだにカップリングが存在する。このタイプのタグの例は、米国特許第４，５１０，４８９号明細書に開示されている。これらの装置では、磁化の回転が優位となり、磁気ヒステレチック損失が最小化されるよう磁化を磁化困難軸の方向に駆動させることが望ましい。このモードを用いることにより、また、装置をその機械的な共鳴周波数で駆動するために磁場を用いることにより、著しい量のエネルギーが装置に蓄えられる。したがって、駆動磁場が除去された後でも、機械的振動は続き、機械的応力が磁化ベクトル方向を機械的振動と同期的に回転式に振動させるため磁気弾性特性は磁場を伝えるプロセスを逆にさせる。この時依存性磁気双極子は、タグの存在を確認するために検出され得る明確な共鳴周波数において磁場を放つ。一軸異方性は、低損失を達成するためにこのような装置では必要である。機械的歪みと磁気モーメント配向とのあいだの磁気弾性カップリングにより、機械的な共鳴周波数の基本波は振動磁気双極場として放たれる。しかしながら、一軸異方性が非理想的で、非線形応答を結果として生ずる場合、調波は駆動信号がある際に検出可能となる。これは有利であるが、このような装置を形成する利用可能な材料はこれまで知られていない。
【００１０】
同様にして、アナログミクシング回路装置では、非線形応答が望ましい。２つの別個の正弦信号が非線形の回路装置の成分に同時に供給されると、乗算処理が２つの信号のビーティングを生じさせる。これにより、最初の信号の和周波数および差周波数において更なる調波が生ずる。したがって、変調された搬送周波数信号に含まれる情報は、ビート周波数に偏位され得る。典型的には、これは、情報を有する帯域幅をより高い搬送周波数帯域幅（変調）に偏位させるか、情報を有する帯域幅信号を復調のためにゼロ周波数に近い、または、ゼロ周波数により近い帯域幅に戻すために行われる。周波数偏位の技法は、電気通信および信号処理、さらに多数の他の信号処理適用において一般的である。非線形回路応答、回路の構成部品、および、これら信号ミクシング処理を実施するために用いられる回路の実行は多数の電気工学回路の教科書に記載されている。例としてピー  エイチ  ヤング（P.H.Young）による「通信技術の電子工学（Electronic of Communications Techinique）」およびエス  エム  スジィ（S.M.Sze）による「半導体装置の物理学（Physics of Semiconductor Devices）」の２冊が挙げられる。信号をミクシングするために用いられる非線形の装置は効率的で、低損失で、かつ低ノイズであることが理想的である。通常、非線形のシリコン活性装置が使用される。これまでのように磁気装置が同適用に用いられたとき、磁壁移動が信号に対する損失を生じさせ、ノイズを引き起こしていた。磁壁移動よりも低損失の磁化回転によって動作する非線形応答を有する磁性材料が非常に望ましい。
【００１１】
高い感度を提供するために低異方性値を必要とする略全てのトランスデューサおよびセンサ適用に関して、立方晶材料の使用が一般的である。しかしながら、所望の低損失、低ノイズ、および磁気特性を得るためにほとんどの場合必要不可欠な異方性エネルギー密度の単一軸を得ることは、立方材料のその三つ折の結晶対称性により、困難である。薄膜または厚膜の材料が広く用いられている。たとえば、データ記憶再生トランスデューサまたは磁場トランスデューサのような多くの装置は、面心立方結晶ｆｃｃの薄膜結晶材料を一般的に用いる。この材料が（００１）結晶のテクスチャー（texture）または集合組織で調製される場合、異方性エネルギーは、膜面における角の関数が二軸であるため、膜面において多数の磁区容易軸および磁化困難軸を有し、非線形のかつヒステレチック磁気応答を生じさせ、結果としてノイジー信号を生じさせる。したがって、（１１１）結晶テクスチャーが望ましく、このとき（１１１）結晶テクスチャーは（１１１）テクスチャー面に磁化が限定される場合に数学的に示され、膜面に対する（１１１）結晶方向における投影の結晶の三つ折対称性により、立方材料は正味一次異方性エネルギー密度を有さない。適度な飽和磁化薄膜の場合でも、磁化は平面な膜の形状と関連付けられる減磁力によって膜面に本質的に限られる。
【００１２】
（１１１）テクスチャー面を有する立方体材料において単一の一軸異方性を実現するためには、材料は通常熱処理を受け、または、印加された磁場のある状態で、直接的に堆積される。結果として生ずる単一の磁区容易軸は、印加された磁場の方向と並び、磁化困難軸は同印加された磁場に対して垂直である。さらに、Ｍｘ対Ｈｘ応答関数は、線形応答である。この誘発された磁気異方性の原因に対するメカニズムがよく理解されていない一方で、材料の各粒に対する（１１１）面における方向の対称性を破るように原子対の規則メカニズムが生ずるとしてしばしば議論されている。つまり、各粒の中の局部的スケールにおいて、一対の原子は、堆積中またはアニーリング処理中に印加された磁場に沿って整列され、磁場エネルギーを減少させる。興味深いことに、異なる向きの磁場におけるアニーリングは誘発される異方性の方向をしばしば変え、配向誘発メカニズムが可逆的であることを示す。この局部的な規則により、ＮｉＦｅ合金、パーマロイのようなｆｃｃ材料が小さい誘発一軸異方性を有することが可能となると考えられる。磁気薄膜の体心立法結晶ｂｃｃ、または、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＡｌおよび同様の構成のｂｃｃ派生材料は、要求される（１１１）テクスチャーがｂｃｃ対称性結晶の堆積中に形成されないため、このような適用方においてはほとんど使用されない。
【００１３】
金属薄膜の成長中、あるテクスチャー配向が現れる傾向にあることは理解されるであろう。これは、表面エネルギーおよび表面結合の最小化によって駆動され、基板およびプロセス状況によって幾らか制御され得る表面移動性アイテムによって変更される。一つの簡単な経験に基づくルールは、膜表面エネルギーは、原子の表面構造が最も密に詰められているとき最小化されるということである。ｆｃｃ結晶に関して、表面上の結晶は（１１１）面において最も密につめられているため、前記テクスチャーが生じる可能性がもっとも高い。（００１）テクスチャーの生ずる可能性はさほど高くはないが、高い表面エネルギー（１１０）テクスチャーが生じる可能性がないところで生じ得る。他方で、ｂｃｃ結晶に関して、最も密詰まっている原子表面は（１１０）テクスチャーであり同テクスチャーが一般的に現れ、（００１）テクスチャーが次に低エネルギーテクスチャーであるため時々生じ、高いエネルギー表面の（１１１）テクスチャーはほとんど生じない。したがって、ｆｃｃ結晶に関しては（１１１）テクスチャーを自然であると定義し、ｂｃｃ結晶に関しては（１１０）テクスチャーを自然に生ずると定義する。堆積された材料をウェットまたは湿潤させる傾向のある非晶質金属のような低表面エネルギー基板が選択される場合、ｆｃｃ（１１１）テクスチャーおよびｂｃｃ（１１０）テクスチャーは自然に生じる。他方で、堆積された材料が酸素原子と結合し原子表面の移動性を制限する傾向のある酸化表面のような、基板がウェット処理されない場合、堆積された膜における制限された向きが一般的に見られ、または、よくても混合テクスチャーの組が見られる。ｆｃｃ結晶は弱い（１１１）および（００１）テクスチャーだけを形成する傾向があり、ｂｃｃ結晶は弱い（１１０）および（００１）テクスチャーを形成する傾向がある。（１１０）または（００１）テクスチャーを有する磁気立方結晶薄膜の粒に関して、粒の膜面において多数の磁化容易軸および磁化困難軸がある。さらに、各粒が他の粒に関してランダムな面内配向を有するため、これら多結晶磁性材料は多数のランダムな異方性軸の集まりを結果として生ずる。これら材料は、非線形応答と、損失およびノイズに関連付けられる高い保磁力との両方をもたらす。したがって、ｂｃｃまたは多くの場合（１１０）あるいは（００１）テクスチャーと成長するｂｃｃ派生材料は、装置にはほとんど使用されない。このため、高い飽和磁化値のｂｃｃ材料は磁壁移動を望まない装置設計者にはほとんど利用されない。
【００１４】
立方材料における一軸異方性の原因の理解の度合いが乏しいことを見るためにパーマロイの熱誘導異方性についてソーシン  チカズミ（Soshin Chikazumi）による非常に権威ある教科書「Physics of Ferromagnetism, 2nd Edition」２９９〜３０９ページを参考するだけで十分である。チカズミ（Chikazumi）教授は、「「方向性規則」についての現象またはＮｉ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｆｅ、あるいはＮｉ−Ｆｅのような異なる原子の対の異方性配列」の説明を一つの理論が試みたということを詳細に主題および注釈において文献で記している。論理は、Ｎｉ−Ｆｅ対のあいだの原子間隔が他の可能な対よりも狭いため、原子対から格子歪みが生ずるということである。結果として生ずる格子歪みと関連付けられる磁気弾性エネルギーから生ずるとして結晶一軸性磁気異方性が提案される。チカズミ（Chikazumi）教授は、さらに、第２の理論の概要を説明し、同理論では、「規則は規則的相の明確な体積の展開によって生じると推定し、第２の相の形状異方性の結果として誘導異方性を説明する」とした。球形以外の幾何学的な粒の形状は相当な形状異方性エネルギーを生成し得る。しかしながら、前記理論を支持する物理的証拠は提供されていないことを指摘すべきであろう。
【００１５】
形状異方性は、観念的に安心できる説明であり、この現象は磁気粒子的データ記憶テープおよびバー形状の永久磁石において使用されるように細長い磁粉において観察することができる。ここでは、磁区容易軸は長い方の寸法と整列される。しかしながら、チカズミ（Chikazumi）教授は、ニール（Neel）によって提案された双極子−双極子相互作用による比較的複雑な対の規則モデルが磁場誘導異方性を定性的に説明するために用いられ得ることを示す一方で、定量的な決め事はなく、「定量的な決め事が得られない理由は様々な量の概算および完全なる熱平衡を達成することに失敗したことにあるかもしれない」と述べた。それにも関わらず、チカズミ（Chikazumi）教授は、材料のテクスチャーに関して、「磁気アニーリングは＜１１１＞アニーリングに最も効果的であり、次に＜１１０＞に効果的であり、＜１００＞にはさほど効果的でない」と述べた。この文においてチカズミ（Chikazumi）教授は、印加された磁場の平行な配向およびアニーリング処理中の結晶方向について述べている。
【００１６】
ここ最近では、エヌ  エックス  サン（N.X.Sun）およびエス  エックス  ワン（S.X.Wang）によって２０００年９月出版された“Soft High Saturation Magnetization (Fe0.7Co0.3)1-x Nx Thin Films For Inductive Write Heads” IEEE Transactions On Magnetics, Vol. 36, No. 5 において、印加された磁場における堆積中にｂｃｃのような材料の配向を実現することを記載している。同出版物は、窒素含有が必要であり、膜にひずみを生じさせ、小さい粒の構造を形成し、（１１０）ｘ線回折のピークの角がシフトされ、広げられると示した。同出版物は、さらに、「著しい量の」第２の結晶磁気相Ｆｅ4Ｎが膜に現れることを示した。チカズミ（Chikazumi）は、この異方性挙動は第２の相と関連付けられるひずみ、形状、また、対の規則によるものかもしれないと示唆した。このときの向きは酸化Ｓｉ（１００）テクスチャー基板において得られ、出願人の標準に従うとＦｅＣｏＮ（１１０）テクスチャーが弱いということに注意する。さらには、ＦｅＣｏＮ膜を２枚のパーマロイ膜のあいだに挟むことにより、磁化困難軸の保磁力が減少され得ると示されたが、ＦｅＣｏＮ膜の向きがパーマロイ上に堆積することによって改善されたことは示されず、または、証拠も提示されていない。実際には、パーマロイ膜を調製した場合と調製してない場合とにおける膜に対する磁化困難軸のヒステリシスループの比較により、磁化を飽和するために必要な同様の異方性磁場を示す。これは、パーマロイ層が構造中の向きを改善しなかったことを示している。
【００１７】
［硬性磁気膜を用いる配向の背景］
軟質磁性体を通常必要とする磁場感知装置およびエネルギー転換装置とは異なり、磁気記憶媒体および永久磁石のような装置は、高い保磁力Ｈｃを実現するためにより高い一軸異方性エネルギーと、高い残留磁気値を実現するために好ましい向きとを要求する。モータおよびアクチュエータにおいては、装置が行える仕事量に直接的に影響し、記録媒体においては、出力信号レベルおよび信号パルス幅あるいはフラックス遷移幅、ひいては記録密度に直接的に影響する。これら硬質磁石適用においてさえも、全体的な性能を高めるために軟質磁性体を含めることが望ましい。たとえば、垂直方向の薄膜の記録媒体は、水平薄膜媒体を将来的に取って代わるとして長い間考えられてきた。しかしながら、記録システムが正常に機能するためには、軟質磁性キーパー層、または、下部層が記録ヘッドから垂直方向の硬質磁性記録層の反対側に置かれることが望ましい。この軟質層は、記録ヘッドの磁場のためのフラックスリターンパス、または、フラックスコンセントレータを提供し、さらには、ヘッドが取り除かれた後に減磁エネルギーに対して記録されたビットを安定化するためにフラックスクロージャパスを提供する。前者は、記録ヘッドがより高い保磁力の媒体で機能することを可能にし、後者は垂直方向の記録に関連付けられる自己減磁エネルギーの一部分を除去することによって記録されたパターンに対して改善された安定感を提供する。水平方向の記録媒体では、軟質磁性材料は硬質記録層の自己減磁エネルギーを減らすことによって記録されたパターンの安定感も改善する。しかしながら、制御された異方性配向の良好な方法が利用可能でなかったため、垂直方向または水平方向のいずれの媒体への満足のいくキーパー層となる軟質磁性体下部層はこれまでにみつけられていない。均一制御された異方性配向を有さない軟質磁性体下部層は、磁壁移動バルクハイゼン現象により磁壁によって生ずる媒体ノイズを結果として生ずる。磁気ヘッドが媒体データ上を通ると、散在する媒体ビットのフリンジ磁場を効果的にショートアウトさせ、軟質磁性体下部層における磁気模様を新しい位置へと緩和させる。このプロセスで相当な磁壁が関係する場合、磁壁は局部的なピンニング欠陥から一般的に離れ磁気構造を急激に変化させる。このバルクハイゼン現象は、データ再生ヘッドにノイズ信号を出現させる。垂直方向または水平方向いずれか一方のハードディスク記録に関して、記録されたビットまたはフラックスパターンがビット長よりも記録されたトラック上で幅広な位置において、軟質層に対する所望の異方性構造は磁化困難軸を記録されたトラックに方向付け、磁化容易軸をトラック方向におくことである。したがって、従来のハードディスクシステムでは、軟質膜の磁化容易軸は半径方向に方向付けられなくてはならず、磁化困難軸は円周方向に方向付けられなくてはならない。同構造の軟質磁性材料の磁化容易軸が硬質記録層のフラックス遷移によって生成される場に対して９０度であるため、軟質磁性材料の磁化ベクトルはスピン回転によって回転し、ノイズを生成する磁壁移動は回避される。半径方向の向きを有する一軸性軟質磁性体下部層を具備することにより、長年の技術的問題は解決される。データ記憶装置の面密度が前方向にされるため、磁気粒の大きさは磁気記録状態が熱的安定性限界値に近い程度まで減少される。したがって、水平方向の記録安定性および遷移の長さでさえも、ビット遷移減磁効果を減少させるよう軟質磁性体下部層の使用から恩恵を受ける。ここでも、磁壁移動がノイズを生成するため、軟質下部層の理想的な向きは、磁化容易軸が磁壁ノイズの潜在的可能性を最小化するために半径方向にされるべきである。同様にして、磁化ベクトルがスピン回転によって回転され、磁壁移動が最小化されるキーパー層を設けることで、異方性配向制御により磁気テープおよびｘ−ｙアドレス指定可能なデータ記憶システムを得ることができる。配向された軟質磁性体に関わる本発明は、著しく改善された将来的な磁気媒体を提供する。
【００１８】
［硬質磁気膜配向の背景］
現代のハードディスクの水平方向媒体は、基板面においてランダムに配向された一軸性粒より本質的になる多結晶薄膜から形成される。ランダムに配向された粒からの信号を平均化することによる再生は、結果としてディスク半径の周りに等方性応答を生ずる。この配向のランダムさは、非等方性応答のディスク回転中の変調について二度回ることが回避される。薄膜層を堆積する前にディスク表面に機械的に溝を形成することにより、円周方向におけるいくらかの少量の配向がしばしば観察される。しかしながら、トラック方向における硬質残留磁気の配向比ＯＲ対半径方向の残留磁気が１．２であることはほとんどなく、より多くの場合、典型的には１．１未満であり、基板がより円滑になり、媒体膜がより薄くなるにつれ小さくなり、より高い面記録密度が可能となる。同様にして、二方向における保磁力の比は、しばしば配向比ＯＲと呼ばれ、その最大値は残留磁気比の最大値に似ている。第３の硬質磁性材料の配向の原因について何年ものあいだ争われてきた。硬質磁性材料の向きは六方晶最密構造ｈｃｐのコバルト合金のｃ軸が、好ましくは溝が形成された方向におかれることによって生じたという考えがある一方、媒体への堆積前で機械的に溝が形成された後にディスクが熱的にサイクリングされた場合に減少もしくはなくなることも示された。後者の現象により、配向の原因は、溝と関連付けられる基板応力が堆積中に使用されるまたは生成される熱から緩和されることに伴って、基板と膜層とのあいだの熱応力が発生することによるという意見もある。米国特許第５，９８９，６７４号明細書においてマリネロ（Marinero）らは、媒体配向の原因を明らかにするとしたいくつかの特許および公報の概要を説明し、機械的に溝が形成された基板へのｈｃｐコバルト合金の堆積中の配向の原因を、応力、形状、および結晶配向さえも引き合いにだして、記載している。他は、ディスク表面に対して傾斜角で媒体材料を堆積することで小さい配向比を実現することを記載した。米国特許第４，７７６，９３８号を参照する。このアプローチ法は、幾らか効果を示したが、溝が形成された基板に対する著しく改善されたＯＲは得られず、記載した堆積方法は材料の堆積に関して著しく非効率的である。さらに、同配向効果の結晶学的原因は一度も明確に述べられたことも証明されたこともなく、粒子形状効果によるものであると考えることは不可能である。数年前に特許化されたにもかかわらず、製造において現在使用されている技術的方法ではない。
【００１９】
しかしながら、配向が何を原因として生じたとしても、より高い分解能、より短いフラックス遷移長、およびより良い熱的安定性を実現するために磁気記録においては有利であることは証明された。この配向は大部分で将来的なハードディスクデータ記憶システムに恩恵を与えると考えるのは疑う余地がない。同様に、粒子的テープでは、個々の針状磁粉はその長手軸においてウェットコーティングプロセス中に一般的に物理的に配向され、したがって、その磁化容易軸をトラック方向に方向付ける。これにより、信号レベルはより高くなり、遷移長はより短くなり、記録密度が高くなる。最適性能に関して、軟質キーパー層のバルクハイゼンノイズ現象を回避するよう磁壁移動の代わりに磁気モーメント回転の恩恵を受けるために、硬質磁気媒体層の磁化容易軸配向は、水平方向媒体あるいは垂直方向媒体のいずれであっても、印加されたヘッド磁場方向に方向付けられるべきである一方、関連する軟質キーパー層の磁化容易軸配向は水平方向媒体については印加されたヘッド磁場方向に対して垂直方向な記録トラック上でなければならないという興味深い観察がなされた。
【００２０】
［エピタキシャル薄膜成長の背景］
最も頻繁に用いられるコンセプトは、薄膜が原子結合エネルギーを最小化するよう薄膜表面上に配列される原子と展開することが好ましいことである。これは、表面上の原子が結晶構造と一貫して最も密集した配列にされるとき最も安定した結晶表面が展開するということを示している。つまり、ｆｃｃ格子およびｆｃｃ派生物に関して、原子が結晶面上で最も密につめられているため（１１１）テクスチャーは薄膜で発展する。次に一般的に生ずるテクスチャーは（００１）であり、（１１０）テクスチャーは稀にしか見られない。他方で、ｂｃｃおよびｂｃｃ派生物に関して、原子が結晶面上で最も密に詰められているため、（１１０）テクスチャーが優先的に発展する。次に一般的に生ずるテクスチャーは（００１）であり、（１１１）テクスチャーは観察されることはない。米国特許第５，６９３，４２６号明細書に記載するように、稀ではあるが、いくつかの材料に関して、正しい状況下で堆積された場合にＢ２のｂｃｃ派生物、結晶構造が（１１２）テクスチャーを形成する場合があることが分かった。しかしながら、Ｂ２結晶でさえも非酸化表面に（１１０）テクスチャーを容易に形成し、最初に堆積される原子は膜成長中高い表面移動性を有する。同様に、稠密六方晶（ｈｃｐ）結晶に関して、（０００２）テクスチャーが最も密に詰まっており、最も一般的に発展する。
【００２１】
同様にして、第２の結晶材料が下部層に直接的に堆積されたときに効果を示すエピタキシャル関係を説明するいくつかの出版物がある。米国特許第６，２４８，４１６号にいくつか記載されている。第１の材料と第２の材料との原子格子間隔がいくつかの第２の層のテクスチャーに十分に適合すると仮定して、第１の層のテクスチャーに対する次の関係が得られる。しかしながら、原子格子適合が十分でない場合、エピタキシャル成長は生じない。たとえば、本願に参考として組み込まれる米国特許第６，２４８，４１６号明細書において、ランベス（Lambeth）らは、クリーンな非酸化された単結晶Ｓｉ基板上の擬エピタキシャル単結晶薄膜として成長した非強磁性のＣｒテクスチャーについて記載した。
【００２２】
これら基板上に発展したテクスチャーは、非常に強く、高次のオーダおよび単一の配向を示す。同特許および他の出版物では、２つの異なるｆｃｃ材料が同じテクスチャーで互いの上にエピタキシャル的に成長し得ることが示される。同様にして、２つの異なるｂｃｃ材料も同じテクスチャーで互いの上にエピタキシャル的に成長し得る。しかしながら、１つの結晶材料クラスが異なる結晶材料クラスの上に堆積されるときに注意する。第１の層上でのエピタキシャル成長によって結晶テクスチャーが第２の層に生じるだけでなく、テクスチャーおよび第２の層の面内配向は第１の層のテクスチャーおよび配向によって決定される。たとえば、米国特許第６，２４８，４１６号では、きれいなＳｉ（００１）単結晶はｆｃｃＡｇ（００１）テクスチャーを生じ、ｂｃｃＣｒがその上に展開されると（００１）テクスチャーが形成される。著者等は、ｈｃｐＣｏ（１１２０）テクスチャーがＣｒ（００１）テクスチャー上で成長し、単結晶ウェーハの結晶方向によって可能なｃ−軸の向きが２つの可能な方向として、予め決定されることを示す。同様にして、Ｓｉ（１１０）テクスチャード単結晶が基板として使用される場合、非常に珍しいｂｃｃＣｒ（１１２）テクスチャーが発展することを示す。Ｃｏ（１０１０）テクスチャーは、このＣｒ表面によって生じ、面内の単一Ｃｏのｃ−軸はＣｒ＜１１０＞方向に対して平行である。米国特許第６，２４８，４１６号記載の別のエピタキシャルテクスチャー関係を述べる。最初の単結晶Ｓｉ基板が（１１１）である場合、エピタキシャルｆｃｃＡｇは（１１１）テクスチャードであり、Ｓｉ結晶と同方向に面内で配向される。その上にＣｕまたはＮｉのような別のｆｃｃが堆積された場合、エピタキシャルとなり、（１１１）テクスチャーおよび配向を有する。これらテクスチャーそれぞれは、その下にある層が強く配向されているため強く配向されており、１つの層のエピタキシャル層の成長を次の層で続けることができる。さらには、この構造が、Ｔｉ層を用いて、（０００２）テクスチャー膜に垂直な硬質磁気を展開するためにどのように用いられるかを示す。Ｃｒが（１１１）ｆｃｃ層またはＣｏ（０００２）テクスチャード層上にどのようにして成長するかは示していない。別の出版物、エイチ  ゴン（H.Gong）ら（エイチ  ゴン（H.Gong）、ダブリュ  ヤン（W.Yang）、エム  ラオ（M.Rao）、ディー  イー  ローリン（D.E.Laughlin）およびディー  ランベス（D.N.Lambeth））による“Epitaxial growth of quad-crystal Co-alloy magnetic recording media”IEEE Transactions onNagnetics,35(5),1999,pp.2676-2663）ならびにジー  ザンガリ（G.Zangari）ら（ジー  ザンガリ(G.Zangari）、ビー  リュ（B.Lu）、ディー  イー  ローリン（D.E.Laughlin）およびディー  エヌ  ランベス（D.N.Lambeth））による“Structure and Magnetic Properties of Sm-Co Thin Films on Cr/Ag/Si Templates”Journal of Applied Physics, Vol.85(8),1999年4月15日, pp.5759-5761）では、（１１１）単結晶Ｓｉ基板およびその後のエピタキシャル（１１１）テクスチャードｆｃｃ層上にｂｃｃＣｒが堆積されるとき強いＣｒ（１１０）テクスチャーが生ずることを示した。しかしながら、（１１０）ｂｃｃ結晶面の原子配置は、長方形であり、（１１１）結晶面のｆｃｃ原子配置は六方晶対称形である。ゴン��Gong）らは、ザンガリ（Zngari）らと同様に、原子が六方晶形に配列された表面にｂｃｃＣｒ（１１０）面を配向するには３つの可能な方法（バリアント）があると述べた。これら結晶面および結晶方向は、図３に示す。これら３つの配向は（１１０）テクスチャードＣｒの＜００１＞方向が＜１１０＞と確実に平行、または、（１１１）テクスチャードｆｃｃの六方晶形の原子格子面の方向である＜１１２＞に対して垂直方向な場合に対応する。ｆｃｃ下部層とのこれら３つのＣｒ（１１０）配向のバリアントの関係を以下の表記法を用いて示した。
【数１】
2005502199.tif 000002
前記出版物および米国特許第６，２４８，４１６号明細書は成長し得る硬質ｈｃｐおよび軟質ｆｃｃ磁気構造に焦点を当て、Ｃｒのような非磁性ｂｃｃ材料以外と協働することは示されない。これら３つのＣｒバリアントそれぞれに関して、４つの可能なｈｃｐＣｏ（１０１１）の４結晶（quad‐crystal）バリアントが得られる。このＣｏ層は、各Ｃｒバリアント上に成長されるとき４つの可能な磁化容易軸方向を有する粒を含む。その結果、Ｃｏの４結晶構造は、１２の可能な磁化容易軸方向のうちの１つをそれぞれ有する粒よりなる。３つの可能なＣｒバリアントそれぞれに対して４つの可能なＣｏ配向がある。
【００２３】
図３は、ｆｃｃ（１１１）エピタキシャルテンプレート［５］に対する３つのｂｃｃＣｒ（１１０）配向のバリアント［４］の位置を示す。例＜００１＞ｂｃｃ方向および例＜１１２＞ｆｃｃ方向は他の関連する結晶学的方向とともに示される。したがって、一般の出版物によると、（１１１）ｆｃｃテクスチャード基板上に成長し得る可能なＣｒバリアントは３つあると述べている。（１１１）テクスチャードｆｃｃであり格子定数がエピタキシャル成長を生じさせるのに十分に適合していることを前提として同じ結果がすべての大きさの単結晶に当てはめられる。したがって、強性の（１１１）テクスチャーを有する非単結晶基板上に成長される多結晶ｆｃｃ膜が多数の単結晶粒を含むため、個々の粒それぞれに対して同じ結果が得られる。しかしながら、粒が十分に小さい場合、３つの可能なｂｃｃ（１１０）テクスチャード配向バリアントのうち１つまたは２つだけが所与の粒で成長することが可能であり、さらに、堆積処理状況に依存して、すべての３つのバリアントが単一のｆｃｃ（１１１）テクスチャード粒で共存することも可能である。さらには、各バリアントにおける成長可能性が等しいため、十分に大きい試料は各バリアントを等しい体積だけ有し、磁性材料は対称的な配向磁気特性を有するようになる。これは、エピタキシャル成長が単結晶基板上で生じた場合、または、最終膜が多結晶であり非単結晶基板上で成長されていた場合に見られる。
【００２４】
ここで、これらの効果を異方性エネルギー密度の点から説明する。
【００２５】
［（１１０）テクスチャード薄膜の磁気異方性エネルギー］
（１１１）テクスチャーｆｃｃ基板上に成長された（１１０）テクスチャード磁気ｂｃｃ材料の磁気特性を理解するために、磁化が立方材料の単結晶薄膜面に限定されるときの立方結晶磁気異方性エネルギー式を考える。図３を参照して、成長された（１１０）テクスチャード膜の１つのバリアントの面内の単位セル原子表面［６］を考える。図４は、磁化が（１１０）結晶面に限定されるところにプロットされる結晶磁気エネルギーをＫ1＞０およびＫ2＝０に関して前記１つのバリアントの角の関数として示す。結晶磁気エネルギー密度は、Ｅ110（θ）として表され（ソーシン  チカズミ（Soshin Chikazumi）による“Physics of Ferromagnetism, 2nd Edition”，ｐ．２５９−２５６を参照）、このとき
【数２】
2005502199.tif 000003
またはθの調波について成長された場合、
【数３】
2005502199.tif 000004
となり、θは膜面において＜１００＞ｂｃｃ方向から測定される磁化ベクトル方向であり、Ｋ1およびＫ2はそれぞれ一次結晶磁気異方性エネルギー密度定数および二次結晶磁気異方性エネルギー密度定数である。より高い次数のエネルギー項は通常はより小さいため、ここでは無視される。
【００２６】
純粋なＦｅに関して、Ｋ1はしばしば約＋４．７×１０5ｅｒｇ／ｃｃとされているが、化学剤を添加することで調製され得る。他方で、不規則ｂｃｃ形態のＣｏ50Ｆｅ50は約−１．５×１０5ｅｒｇ／ｃｃであると考えられ、規則ｂｃｃ派生物Ｂ２形態のＣｏ50Ｆｅ50は約ゼロである。ここで、規則合金および不規則合金のＫ1値が、Ｃｏ原子百分率が３５％以下であるときと略同じである。Ｋ1値はＣｏ35Ｆｅ65に関して＋１×１０5ｅｒｇ／ｃｃであり、Ｃｏ含有量が２５％未満となるようなＦｅ値に近づけられる。同合金は、その高いＭｓ値および組成物の関数としての異方性特性により特に興味深いものとなる。異方性定数に関してはアール  シー  オハンドリー（R. C. O'Handley）による“Modern Magnetic Materials Principles and Applications”,ｐ．１９０−１９２を参照し、飽和磁化値に関しては同ｐ．１４５を参照する。Ｋ2のようなより高い次数の異方性定数はさほど知られていないが、通常大きさ的に小さく、エネルギー式においてそれほど重く重み付けされていない。Ｋ1の役割が消えつつあるときだけＫ2項が前記計算において重要な役割を担う。以下に説明するバリアントの組の説明では２θ調波が優位な役割を担う一方で４θ調波が相殺されることに注意する。さらに二次異方性エネルギー項の６θ調波は２θ調波および４θ調波よりも著しく少なく重み付けされている。したがって、多くの場合、この６θ調波の影響は無視することができる。磁気分野の当業者は、より高い次数の異方性エネルギー密度の役割が本発明において小さいことを理解し、説明の簡略化のため以下の説明においては省略される。
【００２７】
関数（Ｋ1＞０）に対する最小のエネルギー最小値が面内＜１００＞方向であり、面内＜１１１＞方向において２つの等しい最大値［７］が存在する。したがって、局部的な最小値［８］は２つの＜１１１＞方向のあいだに位置し、＜１１０＞方向に方向付けられる。したがって、このテクスチャーは一軸挙動を生じさせず、磁壁移動を受け、結果として試料が飽和に近くなるよう駆動されるとき印加された磁場のすべての方向に対して非常に非線形のスイッチングを生ずる。磁気構造が単一の磁壁配向な場合、応答が可能性として可逆的で低損失になる位置において、エネルギー曲線上で相当大きい領域にわたる単調な挙動が見られる。理論的には、磁化が最初に＜００１＞方向にすべて向けられ、印加された磁場によって面内の＜１１１＞磁化困難軸の一つの方向に回転される場合、磁化が磁化困難軸に近づくまでプロセスは可逆的となり、したがって、無損失となる。しかしながら、磁化が面内＜１１１＞方向をわたるとき面内＜１１０＞方向において局部的なエネルギー最小値の方に突然ジャンプする。このジャンプは可逆的でなく、したがって、損失のあるまたはローシープロセスとなる。９０度の磁壁がほとんど常に存在するため、または、面内＜００１＞方向と＜１１０＞方向に方向付けられる磁化とのあいだに形成されるため、磁壁移動はすべての可能な回転メカニズムを支配する。粒境界線または膜構造における欠陥は、局部的な磁壁移動ジャンプを生じさせ、このときも損失メカニズムを結果として生ずることである。
【００２８】
図４におけるエネルギープロットの０から１８０度までの領域において、Ｋ1＞０の場合、図３のバリアント［６］の１つの＜１００＞方向と、２つの＜１１１＞方向と、１つの＜１１０＞方向にそれぞれ対応する１つの最小値［９］と、２つの最大値［７］と、局部的な最小値［８］が見られる。これら極値はＫ1＜０の場合に反対となる。この曲線が一軸性磁性材料に対する我々の定義を満たさないことは明らかである。
【００２９】
発明の要旨
本発明は、配向された薄膜磁性材料と、配向された薄膜磁性材料を有する磁気センサ、トランスデューサ、電子回路構成要素、記録ヘッド、記録媒体、およびデータ記憶システム等の装置に係わり、より特定的には、結晶学的に配向された薄膜材料と、鉄、ニッケルおよびコバルト、並びに、これらの合金のような材料を利用する配向された磁性層構造に関わる。特に、本発明は、体心立方結晶（ｂｃｃ）または体心立方体派生結晶薄膜構造の（１１０）テクスチャーを用いて一軸性の結晶磁気配向を実現するための構造に関わる。一般的に、ｂｃｃまたはｂｃｃ派生材料は、面心立方結晶よりも高い飽和磁化を有し、ｂｃｃおよびｂｃｃ派生材料の配向を制御する本発明により、新しい装置を構成することが可能となり、同装置は良い配向、高磁化、高い透磁率および低損失を有する。これらの装置は、磁場を検出または決定し、データを記憶し、かつ引き出し、さらに、エネルギーを変換するか電子信号処理を実施するために用いられる。上述の装置で使用されるときの改善された磁気特性または材料の磁気特性の配向により、よりよい技術的性能が得られるか、または、小型で高速または安価なシステムの構成が可能となる。従来の磁性材料構造を利用する多くの既存の磁気装置において、従来の磁性材料構造を本願記載の新しい構造と置き換えることによって性能を著しく改善することができる。
【００３０】
本発明は、図面を参照することでよりよく理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の材料構造は、磁場センサ、トランスデューサ、電子回路構成部品、磁気固体メモリ、防犯装置、記録ヘッド、記録媒体およびデータ記憶システムを含む磁気的に硬質なおよび軟質な磁気装置の両方に含まれ得、上述した薄膜に配向された磁性材料、より特定的には、結晶学的に配向された薄膜材料および鉄、ニッケル、コバルト、およびこれらの合金のような材料を利用する配向磁気層構造を含む。これらの構造は装置の実施態様が特別な磁気配向、特定の線形応答あるいは非線形応答、または、低損失応答を必要とする場合に特に有用である。
【００３２】
高度に配向された（１１１）六方晶原子テンプレート上の（１１０）結晶のテクスチャードｂｃｃまたはｂｃｃ派生薄膜のエピタキシャル成長状況を注意深く制御することにより、出願人は、特別な配向関係を有する新しい６つの結晶バリアントの組を発明した。これら６つの配向関係の、特別に交換カップリングされたサブセットの選択および成長により、対称性が破られた一軸性磁気薄膜が得られる。（１１１）テクスチャードｆｃｃ、（１１１）テクスチャードｆｃｃ派生物、または、（０００２）テクスチャードｈｃｐ結晶は、（１１１）テクスチャード六方晶原子テンプレートの例である。それぞれの場合において、テンプレートの原子は最密である。高度に配向された（１１１）六方晶テンプレートが利用可能な場合、ｂｃｃまたはｂｃｃ派生物（１１０）テクスチャー構造がエピタキシャル的に成長され得る。高度に配向されていることと、特別なプロセス技法を用いることの２つを組み合わせることによって６つの新しいバリアントが構成され得る。多くの状況下でｂｃｃおよびｂｃｃ派生材料が単一クラスの挙動を発生するため、「ｂｃｃ−ｄ」の表記でｂｃｃまたはｂｃｃ派生のいずれかの結晶構造を表すとする。同様に、「ｆｃｃ−ｄ」の表記でｆｃｃおよびｆｃｃ派生のいずれかの結晶構造を表すとする。原子の最密な六方晶模様が（１１１）面において形成されるため、たとえば、ＮａＣｌプロトタイプ構造を有する材料を考えることができる。これらｆｃｃ−ｄの原子の（１１１）面およびｈｃｐ結晶の（０００２）面は常に最密であるため、最密でない多くのｆｃｃブラベ格子の（１１１）原子結晶面とは異なる。たとえば、Ｓｉ、ダイアモンド構造の基板は、ｆｃｃブラベ格子Ｆ３ｄｍスペース群の一つである。同様に、Ｃ１５（Strukturbericht表示）も最密な（１１１）面を有さないＦ３ｄｍ群の一つである。図３より、（１０）に類似する３つの六方晶テンプレート＜１１０＞方向があることが分かる。エピタキシャル成長状況を注意深く制御することによって、高度に（１１０）テクスチャードなｂｃｃ−ｄ結晶が六方晶テンプレート＜１１０＞方向に対して平行なその１つの＜１１１＞方向で成長され得ることが分かる。この配向は、ゴン（Gong）およびザンガリ（Zangari）のプロセスによって得られた配向とは異なる。本発明のプロセスでは、ｂｃｃ−ｄの＜１１０＞方向は、六方晶テンプレート＜１１２＞方向に対してもはや平行でなくなる。
【００３３】
新しい６つの結晶（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｄバリアント系を説明する前に、３つの結晶（１１０）テクスチャードバリアント系を詳細に検討する。一つのバリアントに対するエネルギー式としてＥ110（θ）が前述され、図４の文脈で説明された。同じ（１１１）テクスチャードｆｃｃ結晶表面上にこの（１１０）テクスチャードｂｃｃの２つの優位なバリアントが存在する場合、また、それらが互いと接触されることによりあるいはそれぞれと接触している別の磁性材料を介して磁気的にカップリングされる場合、各バリアントの磁化ベクトルは一緒に移動または回転する傾向がある。同様に、ゴン（Gong）およびザンガリ（Zangari）それぞれの文献に記載した通り、図３の［４］で例示しＣｒについて支持されるように、３つのバリアントすべてが存在して３つのバリアントが磁気的にカップリングされる場合、それぞれの磁化は他の磁化とともに移動する傾向がある。当然のことながら、Ｃｒは磁気モーメントを有さないため、ゴン（Gong）の文献にもザンガリ（Zangari）の文献にも記載されていない。等量の２つの結晶バリアントに対する異方性エネルギー密度式は、磁化回転とともに各バリアントの和として表すことができる。
【数４】
2005502199.tif 000005
【００３４】
ここで、θは、元の１つのバリアント［６］の＜１００＞方向に対する磁化ベクトルの角である。下部層の面内ｆｃｃ＜１１２＞方向は６０度間隔であるため、２つの他のｂｃｃ（１１０）テクスチャーのバリアントの磁化容易軸は最初のバリアントに対して６０度間隔で位置される。簡単な三角法により、これら３つのバリアントのエネルギーの和が（７／３２）Ｋ１の定数を有し、θに依存しないことが分かる。したがって、正味の異方性方向はない。しかしながら、実際の材料では、磁壁が形成され得るため、各バリアントの局部的な異方性は、材料欠陥とともに、著しい保磁力と損失の多い挙動を結果として生ずる。
【００３５】
すべてのエネルギー計算における基準点が任意に選ばれるため、予想される物理的挙動を変えることなく常にエネルギー関数に定数を加えることができる。さらに、上述の３つのバリアントの場合の加算されたエネルギーが定数であるため、２つのカップリングされたバリアントだけがある場合、エネルギー関数は単に１つのバリアントの負に比例することが明らかである。これを数学的に表すと、
【数５】
2005502199.tif 000006
となる。したがって、２つのバリアントだけを有する材料に関して、
【数６】
2005502199.tif 000007
となる。
【００３６】
したがって、材料の適当な単位体積によってエネルギー密度を正規化した後、２つのカップリングされたバリアントのエネルギー曲線は、同じ材料の合計単位体積を有する１つのバリアントの逆エネルギー曲線の１／２である。曲線の形状およびエネルギー最小値および最大値は位置を置き換えられるため、磁化困難軸方向および磁化容易軸方向も置き換えられる。すべての局部化された磁化容易軸またはエネルギー最小値、たとえば、［８］は、局部化された磁化困難軸またエネルギー最大値となる。ここで、エネルギー式における定数は任意であり、物理的応答に影響を与えないため、すべての分析においてゼロと考えることができることに注意する。したがって、これらバリアントの磁気的にカップリングされた対の応答は、Ｋ1値の符号が変わりエネルギー極値における差の振幅が１／２だけ減少した１つのバリアント材料として現われる。したがって、（１１０）テクスチャード立方磁性材料の材料が１つのバリアント、２つのカップリングされたバリアントまたは３つのカップリングされたバリアントのいずれから構成されても結晶磁気異方性エネルギー密度関数からは一軸挙動は得られないが、二軸挙動の形態が得られる。したがって、ゴン（Gong）らおよびザンガリ（Zangari）らによって非磁性ｂｃｃＣｒに関して提言されているように、６０度間隔でｂｃｃ磁性材料の３つの可能なバリアントがある場合、かつ、（１１０）テクスチャード立方磁気膜が多結晶あるいは単結晶上にエピタキシャル成長されたものかに関わらず、一軸挙動を有することはできない。したがって、Ｍ対Ｈ応答関数は、保磁力および損失のある挙動を有する。さらに、３つのバリアントそれぞれの体積が任意に選択されたとしても、一軸挙動を得ることはできない。３つのバリアントの体積が等しくないとき、本願では「対称性が破られた」と表現する。
【００３７】
３つのバリアントすべてが存在するが、１つまたは１つ以上が他よりも大きい体積を有する場合、そのより大きい体積を有するバリアントのエネルギー特性が優位となることは明らかであろう。これを明瞭にするために、図３の場合を考える。同図では、６つがわずか１／２の体積を有し、他の２つの等しい体積のバリアントはそれぞれ１／４だけの体積を有する。このとき、６つの体積の１／２が他の２つそれぞれの体積に等しくなる。総体積の三分の四からのエネルギー項は同等に分けられ、その和は定数となる。したがって、バリアント６の残りの１／２より図４の形状のエネルギー曲線が得られる。本願では、より大きい体積を有するバリアントを「優位」と表現する。
【００３８】
米国特許第６，２５８，４１６号またはゴン（Gong）らあるいはザンガリ（Zangari）らの文献のどこにも任意の磁気ｂｃｃまたはｂｃｃ派生の薄膜の使用が記載されていないことに注意する。さらに、磁気層として研究され提供された磁気ｂｃｃまたはｂｃｃ派生材料も記載されていない。仮に磁気ｂｃｃまたはｂｃｃ派生材料が研究され、（１１１）ｆｃｃ層上に配置されるときにｂｃｃ（１１０）Ｃｒに関して見られた同じ３つのバリアント結晶配向関係を有することが示されたとしても、その磁気特性は損失が多く、著しい保磁力を有していたであろう。さらに、各バリアントの体積が等しくない状況の試料を得たことを一度も示唆していない。したがって、対称性が破られたバリアント系あるいは優位なバリアント系について一度も記載されていない。
【００３９】
同様に、ＦｅＣｏＮ薄膜に関する記述でサン（Sun）およびワン（Wang）は、どの（１１０）テクスチャードバリアントについても証明していないことに注意する。さらに、観察された異方性について説明せず、パーマロイがＣｏＦｅＮの下に配置されるか否かに関わらず異方性磁場が同じようであったため、どの規則バリアント構造にも依存しないことが示された。この結果は、歪んだ格子および顕著なＦｅ4Ｎ第２の相を示し、チカズミ（Chikazumi）によって述べられたように歪みまたは形状効果と関連付けられる可能な異方性メカニズムを示した。
【００４０】
結晶学的双晶化はｂｃｃ−ｄの（１１２）面において形成され得ることが周知である。（１１２）面は、＜１１０＞および＜１１１＞方向の両方を含む。したがって、一対のｂｃｃ−ｄ双晶（twin）は、薄膜表の面法線および六方晶テンプレート＜１１０＞方向の１つを含む面の方向に境界面を形成し得る。この配置では、六方晶テンプレート＜１１０＞方向は、ｂｃｃ−ｄ＜１１１＞方向の１つと一致する。したがって、六方晶テンプレート＜１１０＞方向に対して垂直な＜１１１＞方向に成長されたｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャーの膜に関して、２つの可能なバリアントがある。３つの可能な六方晶テンプレート＜１１０＞方向があるため、３つの可能な組の双晶がある。したがって、成長され得る６つの可能なｂｃｃ−ｄバリアントが存在する。しかしながら、これらバリアントは、存在するために双晶化構造である必要はない。明瞭にするために、６つの可能なバリアントのうち２つだけを図５に示す。他の４つのバリアントは、前記２つのバリアントの位置を６０度および１２０度だけ回転させることで構成され得る。同図は、バリアントの配向を示す例示的なものであり、１つのバリアントが相当量の原子距離にわたることは理解されるであろう。
【００４１】
ｂｃｃ−ｄ＜１１１＞方向とｂｃｃ−ｄ＜１００＞方向とのあいだで形成される角は、ａｒｃｔａｎ（√２）＝５４．７３６度で表される。同様にして、＜１１＞方向と＜１１０＞方向とのあいだの角は、ａｒｃｔａｎ（１／√２）＝３５．２６４度である。これら２つの角の和は、当然のことながら９０度であり、＜１００＞方向と＜１１０＞方向とのあいだの角を形成する。この５４．７３６度の値が、六方晶テンプレートの＜１１０＞方向の６０度間隔から５．２６４度だけ違う点が重要である。反対に、ゴン（Gong）およびザンガリ（Zangari）によって観察されたバリアントでは、提案された６つのｂｃｃ−ｄバリアントの＜１００＞方向はどの六方晶テンプレート＜１１０＞方向とも平行でない。どの＜１１１＞ｂｃｃ方向も六方晶テンプレート＜１１０＞方向に対しても平行でないとするゴン（Gong）およびザンガリ（Zangari）の対称配置に対して、我々の新しいバリアントでは、ｂｃｃ−ｄ＜１１１＞方向の１つが六方晶テンプレート＜１１０＞方向の１つに対して平行であり、ｂｃｃ−ｄ＜１００＞方向は＜１１０＞六方晶テンプレートに対して平行でない。したがって、六方晶テンプレート＜１１０＞方向においてθ＝０である座標系に関して、ｂｃｃ−ｄバリアント結晶＜１００＞方向および磁化容易軸（Ｋ1＞０）はβｉ＝０±δ度、６０±δ度および１２０±δ度にあり、このときδ＝６０−ａｒｃｔａｎ（√２）＝５．２６４度である。図５では、２つのｂｃｃ−ｄバリアントそれぞれの２つの＜１１１＞方向の配向に注意する。２つの＜１１１＞方向の配向は、６０度および１２０度の六方晶テンプレート＜１１０＞方向と一致するが、０度軸近くでは、＜１１０＞軸から＋２δおよび−２δだけ異なる。交換カップリングされた場合、このバリアント対は以下に説明するようにエネルギー関数Ｅ2-alc2（θ）と表される。
【００４２】
６つの同等に生ずる磁気的にカップリングされたバリアント体積を含む（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｄ結晶構造に関して、異方性エネルギー密度関数は、
【数７】
2005502199.tif 000008
として表され、このとき＋と−の符号は同式において各角に対する２つの関数を表す。前述した通り、この対称的にバランスのとれた配置の６つのバリアントの総異方性エネルギーまたは６つのＥ110エネルギー項が角依存性を有さないことが数学的に示され、そのため異方性エネルギー密度関数は定数Ｋ1（７／３２）となる。しかしながら、特に興味深いことは、奇数のあるいは偶数の特定のバリアントがカップリングされる場合である。６つのバリアントのうちどの１つ以上のバリアントも六方晶テンプレート上に成長する可能性があることを考慮することが重要であり、双晶対として、または、バランスのとれた等量の材料として表されることは要求されない。しかしながら、明瞭にするために、次のいくつかの段落での説明において、カップリングされた群のバリアントそれぞれの材料の量は等しくなるよう均衡化されると考える。つまり、たとえば、３つのバリアントだけがカップリングされている場合、３つのバリアントそれぞれの体積が等しいと仮定する。
【００４３】
６つのバリアントのうち１つのバリアントしかない場合、エネルギー密度関数は、特定のバリアントオフセット角βｉだけシフトされたエネルギー密度Ｅ110（θ）に単に減少される。同様にして、６つのバリアントのうち５つのバリアントが存在する場合、前の論理と同様に、また、重要でないエネルギー定数オフセットまたは原点を無視して、結果として生ずる正規化されたエネルギー密度関数が欠如しているバリアントのエネルギー関数のピークからピークまでの値の−１／５である。図４に示すように、Ｅ110（θ）関数が２つの最大値、１つの最小値、および局部的な最小値（Ｋ1＞０に関して、または、Ｋ1＜０に関して２つの最小値、１つの最大値および局部的最大値）を有するため、これら２つの可能な組のカップリングされたバリアントから一軸性磁性材料挙動を表さないエネルギー関数が得られる。他の３つの可能な組の数のカップリングされたバリアント、即ち、１組み合わせ当たり２つ、３つ、および４つのバリアントがある。しかしながら、選択できるバリアントが６つあるためこの組み合わせをそれぞれ形成する方法は１つ以上ある。ここで、引き続き、組中のバリアントそれぞれが均衡化され、または、等量の材料を有するとして考える。
【００４４】
上述の通り、βｉ＝＋０±δ度、＋６０±δ度および＋１２０±δ度の６つの角のうちの１つに方向付けられる単結晶＜１００＞方向（およびＫ1＞０のとき磁化容易軸）を面中にそれぞれ有する６つの可能なｂｃｃ−ｄバリアントがある。これら６つの可能なバリアントをそれぞれａ１（６０＋δ）、ａ２（６０−δ）、ｂ１（０＋δ）、ｂ２（０−δ）、ｃ１（１２０＋δ）、およびｃ２（１２０−δ）とし、このとき対応する括弧内の角は六方晶テンプレートの＜１１０＞方向［１０］に対する所与のバリアントに対するｂｃｃ−ｄ＜１００＞方向の角位置を表す。たとえば、ａ１およびａ２バリアントは、六方晶テンプレートの＜１１０＞方向の６０度の位置、または同位置からそれぞれ＋δおよび−δだけずれた位置におかれる。
【００４５】
特別な場合：δ＝７．５度のときである。
バリアントの様々な他の組み合わせに対するエネルギー密度曲線を説明する前に、１５の可能な対のうちの３つの特定の組の２つずつカップリングされたバリアントについて考える。しかしながら、バリアントの偏差角δが６０−ａｒｃｔａｎ（√２）＝５．２６４度に等しくないが７．５度に等しい特別な場合をここで考える。関心のある３つの特定の組のエネルギー密度関数は、
【数８】
2005502199.tif 000009
として表される。
【００４６】
下付きされたエネルギー関数表記、たとえば、Ｅ2-b1a2″（θ）は、対としてカップリングされた２つのバリアントｂ１およびａ２をあらわす。「″」の記号は、このδ＝７．５度の特別な場合を示すために用いられる。これら３つの場合それぞれにおいて、カップリングされたバリアントは互いから正確に４５度ずつ移相されていることが分かる。特定のδ＝７．５度の角に対して三角法を用いることによって、４５度位相角ずつ離れているこれらの対それぞれに対して、θに依存するのはｃｏｓ2（θ）であることが簡単に分かる。特に、
【数９】
2005502199.tif 000010
として表される。
【００４７】
たとえば、Ｅ2-a1c2″（θ）は、ゼロ度でストーナー・ウォールファースの磁化困難軸を有し、９０度で磁化容易軸を有するカップリングされた対のバリアントを表し、個々のバリアントはそれぞれの磁化容易軸（Ｋ1＞０に関して＜１００＞方向）を＋６７．５度および１１２．５度に角度を付けている。つまり、これら対にされたバリアントそれぞれは、磁化容易軸（Ｋ1＞０）の角が２つの個々のバリアントの磁化容易軸の位置の磁化容易軸方向間の中間に位置する一軸性ストーナー・ウォールファースと同じ関数形態のエネルギー関数を生ずる。このストーナー・ウォールファース挙動は、２つのバリアントのカップリングおよび互いに対するその特定の６０−２δ＝４５度配向によってだけ生ずる。さらに、異方性エネルギー密度関数定数Ｋ1＜０の場合、バリアントのカップリングされた対の結果として生ずる磁化容易軸および磁化困難軸の方向が反転することは明らかであろう。
【００４８】
これら対にされたバリアントそれぞれにより、一軸エネルギー関数が結果として得られるだけでなく、先に図２で説明したように、損失ゼロの磁化困難軸によって駆動されるＭｘ対Ｈｘ応答関数および非線形の二次Ｍｙ対Ｈｙ応答関数も得られる。（適当な概算によると、δ＝６０−ａｒｃｔａｎ（√２）＝５．２６４度の場合にもなる。）これら３つのカップリングされた対それぞれ（δ＝７．５）は、（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｄ磁性材料から理想的な一軸性応答を形成する理想的な方法を表している。前述したとおり、６つの可能なバリアントすべてのエネルギー関数の和が定数Ｋ1（７／３２）に等しいため、これら３つの対にされたバリアントそれぞれにおいて、残りの４つのバリアントのエネルギー関数の和は対にされたバリアントの和の−１／４に等しくなる。したがって、和がストーナー・ウォールファースタイプのエネルギー関数となる３つの特定の組の４つずつカップリングされたバリアントがあるが、負の符号のため、その磁化困難軸および磁化容易軸は対応するカップリングされた対に対して９０度だけ回転され、ピークからピークまでのエネルギー振幅の振れは、カップリングされた対の場合の１／２である。そのため、これら３組の４つずつカップリングされたバリアントは、正味磁化困難軸の方向に駆動されるとき結果としてストーナー・ウォールファースの線形かつ無損失なＭ対Ｈ応答関数を生ずる。表記の観点から、エネルギー関数Ｅ2-a1b2c1c2″（θ）および対応するＥ4-a1b2c1c2″（θ）によって表されるカップリングされたバリアントは補数であることに注意する。要するに、
【数１０】
2005502199.tif 000011
である。
【００４９】
他に１２の可能な組み合わせの２つずつカップリングされたバリアントがあり、どれも一軸性エネルギー関数を得ないことに注意する。いくつかは、局部的エネルギー最小値の深さの点で他よりも劣る。同様にして、対応する１２の他の可能な補完的な４つずつカップリングされたバリアントも、結晶学的バリアントの非一軸性カップリングされた対として書くことができるため、一軸性挙動を示さない。この分析により、３つのカップリングされたバリアントの組に対して２０の可能性を考慮するだけとなる。前述と同じ理論に基づき、２０のうちの１０は他の１０の補数（負）である。２０のうちの１４は２倍の最小値または最大値あるいは局部的な極値のいずれかを有する。他の６つは一軸異方性エネルギー関数の定義を満たすが、それぞれ１つの最小値と１つの最大値の一方の側において両値間の略中間に位置するエネルギー曲線のウェイビー部分［１１］を含む。このウェイビー部分と磁化困難軸とのあいだの角で駆動されるときの応答曲線は、略無損失となるが、応答曲線の大部分にわたって非線形となる。磁化困難軸［１２］の近傍の曲線の円滑部分に制約された角の方向に駆動される場合、応答は、無損失となり、駆動の該部分にわたってだけより線形となる。これら６つのエネルギー曲線Ｅ2-a1b2″（θ）の一つをプロットした図を図６に示す。
【００５０】
要約するに、前述の６つの単数のバリアントとすべて６つがない場合を含まないと、同等に重み付けされたバリアントの可能な組み合わせは５６ある。したがって、バリアントの位相角が７．５度に設定されているとき、正確なストーナー・ウォールファースのようなエネルギー曲線および対応するＭ対Ｈ応答関数を得ることができる６つの可能なバランスのとれたバリアント組み合わせがあり、さらに、一軸性であるがウェイビーなエネルギー密度関数を得ることができる６つの可能なバランスのとれたバリアント組み合わせがある。他はすべて非一軸性挙動となる。
【００５１】
ここで、完璧を期すためにより高い次数の異方性エネルギー項を簡単に考える。二次異方性エネルギー密度定数Ｋ2がゼロでないとき、カップリングされた対のバリアントに関してエネルギー式の一例は、
【数１１】
2005502199.tif 000012
によって示される。
【００５２】
前記関数を検討した結果、６θ調波は、Ｋ2の大きさがＫ1の大きさに匹敵するかそれ以上大きいとき一軸性挙動に関して最も重要となることが分かった。しかしながら、多くの材料ではこれは当てはまらず、多くの場合、Ｋ2は重要でないため知られていない。たとえば、鉄では、｜Ｋ1／Ｋ2｜＞５としばしばなるが、いくつかの文献では測定可能でないとされている。それにも関わらず、必要であれば、Ｋ2を含む類似の分析が実行されてもよい。
【００５３】
特別な場合：δ＝５．２６４度
ここで、バリアントの位相角δが６０−ａｒｃｔａｎ（√２）＝５．２６４度で表される場合に戻って考える。５．２６４度の位相角は、７．５度の値と大きい差はないが、５．２６４度の移相を用いるバリアントの同じ組み合わせに対する結果として得られるエネルギー曲線は上述の７．５度の特別な場合に類似する。一軸性エネルギー密度曲線は、前述の同じ３組の対のバリアントに関して得られるが、より小さいδが用いられ、
【数１２】
2005502199.tif 000013
が得られる。
【００５４】
これらエネルギー関数またはバリアント対それぞれは、単に六方晶原子テンプレート上で６０度だけ移相された場合であれば同じであり、
【数１３】
2005502199.tif 000014
となる。
【００５５】
同様にして、３組の対応する補完的な４つずつカップリングされたバリアントがあり、類似しているが反転され振幅差が減少したエネルギー曲線が得られる。さらに、これらエネルギー関数または４つずつカップリングされたバリアントそれぞれは単に六方晶原子テンプレート上で６０度だけ移相された場合であれば同じである。
【００５６】
関数の形状の例としてＫ1＝１、Ｋ2＝０を用い、図７では、異方性エネルギー密度関数が
【数１４】
2005502199.tif 000015
に関してプロットされている。
【００５７】
さらに、図８は、４つずつのバリアント組み合わせに対応する、補完的なカップリングされたバリアントの組に対する異方性エネルギー密度関数をプロットした図であり、
【数１５】
2005502199.tif 000016
と表される。
【００５８】
上述した通り、追加定数を無視して、図８に示す異方性エネルギー密度関数は、図７に示す異方性エネルギー関数の振幅の差の−１／２だけ有する。これら２つの関数は、ストーナー・ウォールファースモデルのｓｉｎ2（θ）またはｃｏｓ2（θ）依存性に非常に似ているが、最大値と最小値の辺りの曲率が異なることが分かるであろう。挙動に関して一軸性であるが、磁化困難軸おｎ応答関数は幾らか非線形であり、ローシープロセスがない。極値における曲線形状は反転し、したがって、ストーナー・ウォールファースモデルからの磁化容易軸および磁化困難軸偏差もＫ1＜０のとき置き換えられる。
【００５９】
Ｅ2-a1c2（θ）に対応するＭｘ［１３］対ＨｘおよびＭｙ［１４］対Ｈｘ応答曲線は図９にプロットされる。Ｍｘ対Ｈｘ曲線（実線）は、δが正確に７．５度に等しくないことより生じた非線形性を示す。しかしながら、無損失な応答であることを示す。Ｍｙ応答曲線は、ストーナー・ウォールファース応答の二次の挙動に類似する。完璧を期すために、図１０には、δ＝７．５度の場合を示す図６に類似している、δ＝５．２６４度の場合のＥ2-ab1b2（θ）カップリングされたバリアントエネルギー曲線を示す。曲線は、最大値の右側で略平坦である。しかしながら、一軸性材料であることを示す。これらの比較より、δ＝５．２６４度の場合、１２の可能な一軸性のカップリングされたバリアント組があることがわかる。
【００６０】
膜の一部分はカップリングされたバリアント対、たとえば、Ｅ2-a1c2（θ）から構成され、膜の他の部分が９０度回転された４つずつカップリングされたバリアント、たとえば、Ｅ4-b1a2c1b2（θ）から構成される場合、両方とも共通の磁化容易軸および磁化困難軸を有する。膜のその２つの部分は、２つの別々のカップリングされたバリアントが個別に関数を設定できるよう強くカップリングされてはならない。このとき、２つの非線形応答関数は平均化され、略線形の正味応答関数が得られる。しかしながら、物理的試料の応答が幾らかウェイビーな部分を含む可能性がある。４つずつカップリングされたバリアントを回転させるためには、２部分の材料が互いに対して９０度回転され、２つの材料部分の磁化困難軸が一致するようにすることが重要である。当然のことながら、六方晶テンプレートが６０度毎の回転を繰り返すため、テンプレートは実際には９０度のシフトに等しくなるためには３０度回転されるだけでよいことが分かる。これは、対称性を破るメカニズムが両方のバリアントの組に関して共通であるからである。当然のことながら、他のバリアントの組は、バランスがとられていなくとも、０度と３０度の方向のあいだのテンプレートの配向に対して生じ、略線形の挙動を得ることができる。単一の試料で１つ以上の群の異なる組のカップリングされたバリアントを用いるこの概念は、多結晶のランダムに配向された（１１１）六方晶原子テンプレート上でエピタキシャル的に成長された多結晶の（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｄ膜に関してさえも略線形の磁気応答関数を可能にするため、非常に影響力のある概念である。これは、単結晶基板が最適で最も簡単に理解できる性能を得ることを可能にするとしても、単結晶を有することが略線形で低損失な磁気応答関数を実現するための要件ではなくなる。要件は、試料全体に対して略共通の磁化困難軸を生成するよう、カップリングされたバリアントの各群が適当に回転される多結晶粒テンプレートに選択され配置されることだけである。単結晶でない基板が高度な（１１１）テクスチャード多結晶の六方晶原子テンプレートの堆積に用いられるとき、膜は、ランダムな面内配向を有する個々の粒よりなる。多結晶試料全体にわたって同じ磁化容易軸および磁化困難軸を得るための技法は、ランダムに配向された六方晶テンプレートそれぞれに対して適当な（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｂカップリングされた一軸性バリアントの組を生ずることである。これを実現するための方法は、使用される各六方晶テンプレート配向に対して適当なカップリングされたバリアントを優先的に選択する効果的に駆動される成長プロセスを提供することである。以下に説明する実験的結果では結晶学的配向の成長に対して方向を選択するために、磁気バリアント膜堆積中またはｂｃｃ−ｄ材料の角の付けられた真空蒸気蒸着中に所望の磁化容易軸方向に印加された磁場を両方用いた。印加された磁場における堆積により優れた一軸性挙動が得られた。しかしながら多数のバリアント組の一意のサブセットが両方の場合において得られた。これらの方法により、磁気膜に対する制御された一軸性挙動が結果として得られた。効果的に好ましい結晶学的成長方向を提供する他���方法は、印加された磁場における化学メッキ法、特定の方向において基板に沿って流れる浴溶液からの化学メッキ法、ミスカット単結晶基板上への堆積、および、歪んだまたは変形した六方晶テンプレートへの堆積を含み得る。
【００６１】
好ましい結晶テクスチャーを生じ得る最低のエネルギー原子配置の形成を選好すると同じように、膜面において結晶方向の配向を生じさせる、対称性を破るメカニズムにおいて同様のメカニズムが存在すると考えられる。特に、表面には、結果として生ずるテクスチャーは通常、最密な原子配置である。したがって、ｂｃｃ−ｄ材料の角を付けられた堆積に関して、＜１１１＞方向は堆積する材料の方向と整列する傾向があると予想する。さらに、ｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャーの面において２つの＜１１１＞方向および多数の＜１１０＞六方晶テンプレート方向があるため、堆積方向に対して平行な＜１１０＞テンプレート方向と＜１１１＞方向の１つが正確に整列するか、または、＋６０度または−６０度で＜１１０＞方向の１つと整列するか否かについて幾らかの許容範囲があることが分かった。後者は、通常一軸性材料の場合である。さらに、膜形成のエネルギーは、表面結合エネルギーに対して均衡化されなくてはならず、さもなければ、対称性を壊すことができない。同様にして、プロセス状況が最適でない限り、バリアントの対称性が破られただけでなく、バリアントの組が６つの新しいバリアントではなくGongおよびZangariによって説明された３つのバリアントとなることが分かった。これら競争のエネルギーを調節することによって所望の膜構造が得られ得る。調節パラメータは、堆積速度、基板温度、膜酸化に対する真空の質、および、六方晶テンプレートの原子間隔ならびに材料の組成物を含む。対称性が破られた構造を実現するためにバリアント間で磁気的カップリングを実現する必要はない。しかしながら、一軸性挙動を実現するためには、適当な組のバリアントが交換カップリングされなくてはならない。交換カップリングは、交換の長さがバリアントの粒の大きさに匹敵するかそれよりも小さいような大きさおよび間隔を有する場合、個々の接触するバリアント間で直接的に行われてもよい。しかしながら、より好ましいのは、磁気六方晶テンプレート材料を磁気ｂｃｃ−ｄ膜に直接的に接触させ、六角形の相を介して交換カップリングを補助することである。さらに、六方晶磁気交換カップリング層は、磁気ｂｃｃ−ｄ層の下または上のいずれか一方に配置されてもよいが、膜の下に配置して六方晶原子テンプレートとしても使用できるようにすることが最も好ましい。六方晶テンプレートの多数の交互する層およびｂｃｃ−ｄ磁気層を構築することも実行可能である。
【００６２】
すべてのバリアントの組が一軸性エネルギー関数をもたらさないことを示すために、３つのバリアントの組、Ｅ3-b1b2c1が図１１にプロットされている。一軸性でなく二軸性挙動であることは明らかである。
【００６３】
無損失な磁化応答関数を実現するためにバリアントの組をカップリングする可能な方法が多数あることが明らかである。単結晶基板上でのエピタキシャル成長に関して、結果として生ずる磁化困難軸および磁化容易軸は基板方向と関連している。しかしながら、多結晶の場合、エピタキシャル的に成長された膜は、個々の六方晶テンプレートの粒の結晶配向に対応する多数のバリアントの組を含む。適当な組のカップリングされたバリアントは、プロセス状況および対称性を壊すメカニズムを用いて特定の配向された多結晶六方晶テンプレートに対して選択される。これらカップリングされたバリアントの組は、試料中、体積に関して同等に重み付けされる必要がない。さらに、ランダムな面内配向された多結晶六方晶テンプレート膜と単結晶基板の両方の使用に関して、選択されたカップリングされた組のバリアントが十分に強く磁気的にカップリングされ、組の各バリアントの磁化ベクトルが一緒に回転するという概念が重要である。カップリングは、磁気交換カップリングを通じて行われる可能性が高い。それにより、低保磁力したがって低損失の磁気特性を有する一軸性のおよび略一軸性のｂｃｃ−ｄ材料の結晶学的特長を「一軸対称性が破られた」と表現する。結晶学的に「対称性が破られた」材料は、個々のバリアントの組が等量の６つの（１１０）テクスチャードｂｃｃ−ｄバリアントすべてを含まないとき存在すると定義される。「対称性が破られた」結晶構造を得る活性的なプロセスを説明するために「対称性を破るメカニズム」という表現を用いる。これらの概念上の複雑性および多様性のため、カップリングされた組のバリアントが材料の体積において同等に重み付け（均衡化）されている場合だけを詳細に説明した。必ずしもこの状況でなくてもよく、他の興味深いエネルギー関数および応答曲線が得られてもよい。１つの些細だが重要なケースは、６つのカップリングされたバリアントから構成される膜を考えることで想像することができる。前述の通り、各バリアントの体積が等しい場合、エネルギー密度関数は定数でありθ依存性はない。しかしながら、６つのバリアントのうち２つが他の４つのバリアントとは異なる体積を有する場合、一軸性挙動が生じ得る。異なる体積の材料を有する２つのバリアントが３つのストーナー・ウォールファースのバリアント対（Ｅ2″（θ）またはＥ2（θ））のうちの１つとして選択される単純な場合を考える。この対に対する材料の量が他の４つのバリアントよりもわずかに大きい場合、対称性は壊され、一軸性挙動が結果として生ずる。しかしながら、最小値と最大値とのあいだのエネルギー密度の差は、材料の体積における相対差だけ減少される。たとえば、６つのカップリングされたバリアントのうち、ストーナー・ウォールファースのようにカップリングされた対の各バリアントは全体積の３０％を占め、他の４つのバリアントそれぞれが全体積の１０％を占めると仮定する。このとき、すべての材料がストーナー・ウォールファースのような対だけの場合に得られるときよりも４０％に等しい最小値と最大値とのエネルギー差が生ずる。それにより、磁気応答関数は、全磁気体積に対して最小値と最大値とのエネルギー差が小さくなるにつれて印加され���磁場により敏感になる。これは、磁気応答関数の傾斜、または、比透磁率を調節する方法を表している。
【００６４】
多くの磁気装置において、多数の薄膜層を有することが有利である。多くの場合、薄膜層は磁気的にまたは電子的に相互作用する必要があるため、具体的に、異方性配向関係がそれぞれのあいだで存在しなくてはならない。たとえば、ノイズ信号を最小化するために、センサ材料における磁壁の形成または移動に対して装置を安定化させるよう、磁気抵抗センサの磁化容易軸の方向に制御力を供給することが非常に有用である。これは、小さい静磁場を供給するか軟質膜に対して交換カップリングされるよう長方形の装置の端に硬質な磁性材料を配置することでしばしば実現される。同様にして、これらの装置では、磁化を部分的に回転される状態にバイアスする必要がある。これにより、磁化は磁化困難軸の方向に正にも負にもスイングし、信号クリッピングまたは極端な非線形性が回避される。この異方性磁気抵抗装置では、信号抵抗は電流方向に対する磁化の配向角とともに変化する。それにより、硬さまたは異方性が制御された第２の層は、第１の層と接触してまたは第１の層の近傍に配置されるとき、前記したような安定化あるいは配向効果を提供することができる。同様にして、スピンバルブまたは磁気トンネル接合型磁気抵抗センサにおいて、２枚の積層された磁気層間の境界面上の電子スピン移動は２枚の磁気層の相対的な配向を介して行われる。アール  シー  オハンドリー（R. C. O'Handley）のテキスト“Modern Magnetic Materials and Principles and Applications”では、これら磁気抵抗効果ならび他の磁気的用法の構造およびメカニズムについて述べている。この技術は、磁場センサ、磁気データ記憶再生ヘッドに非常によく展開されており、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）について急速に展開されている。２枚の磁気層の磁化が並べられているとき、電気抵抗は、境界面上のスピン移動が可能となるか高まると最小化される。たとえば、外部磁場の感知は、一層を回転に対してピンニングし、他方の層を自由に回転させるか２枚の膜が逆行性のところで構造をデザインし、両方とも、印加された磁場が増すにつれて共通の方向に回転することが可能となる。２層は並べられていないとき、利用可能な導電性スピン状態は共通でなく導電性は最小化される。これらのタイプの装置では、様々な配向の幾何学的形状が上述の文献で記載されているが、これらすべてに関して信号は、積層された磁気層間の磁場に引き起こされる磁化配向変化に常に依存する。いくつかの装置の幾何学的形状では、２枚以上の多数の磁気層があり、磁気抵抗効果は多数の膜の境界面のあいだの導電性を用いて決定される。それにより、信号を決定する印加された磁場または磁性状態は、一対の層のあいだの磁場に引き起こされる角差によって決定される。異方性がよりよく制御される層を含むことがこれらのタイプの装置を改良することに重要となることは明らかである。発明され本願に記載する、一軸対称性が破られた磁気層技術は、これら装置それぞれに対してとても価値がある。第３の硬質磁器層構造、および、硬質磁器層から形成される反強磁性のまたは合成反強磁性層が、１つ以上のセンサ磁気層にピンニングするためにまたは交換カップリングするために用いられ得る。この層の異方性を制御することも装置設計において重要で��る。異なる異方性定数を有するよう２層の組成物を選択することで、一層は回転することが本質的に困難となり、低い異方性定数を有する層は磁気的に軟質でより自由に回転する。本願において、後に、硬質ディスク磁気媒体を配向するために一軸対称性が破られた技術を用いる別の方法について述べる。この同じアプローチ法は、硬質のまたは反強磁性層構造を形成または配向するために使用されてもよい。
【００６５】
スピン移動プロセスおよび上述のような磁気層の配向に基づいて新しい集積回路技術が出現してきた。同技術はしばしばスピントロニックスと呼ばれる。最も簡単な概念は、導電性が電流制御接合領域に注入される磁気スピンの関数である磁気スピントランジスタである。電量制御の概念は、バイポーラまたは電界効果トランジスタにおいて生成されるキャリヤ制御または磁場制御に類似する。しかしながら、スピントロニックスに関して、装置の接合領域における磁気モーメントの配向は、電子キャリヤのスピン依存注入を決定する。したがって、これらの層の配向および磁性状態の制御は重要である。トランジスタ並びに電子ロジックおよび状態装置が構成され得ると想像される。さらに、正しい設計により電気的電力が除去された後でも磁性状態は残るため、これらの装置はメモリ機能性を有すると想像できる。これら将来的な電子装置のデザインおよび機能性は予想できないが、１つだけ確実なことがある。異方性エネルギー密度および異方性配向が重要ということである。一軸対称性を破るメカニズムは、角および磁性状態を制御する方法論を提供する。
【００６６】
改善された異方性制御から恩恵を受ける他の磁気回路構成部品は、誘導特性を含む。電流を運ぶ導体の近傍にある磁性材料の小さい従来のインダクタを含むと考えられる。磁性材料の導磁性によりエネルギーをさらに蓄えることが可能となり、したがって、フィルタにおけるように信号波形を操作するために、または、電力を代替電圧あるいは電流レベルに移動または変換するために用いられ得る。薄膜構造は、高周波数が大きい磁性材料の使用を通常除外する超小型回路スケールで特に有用となる。導体および磁性材料の層の蛇行路を用いて磁気装置が形成されるインダクタおよびトランスフォーマの両方が考えられる。設計は、十分に高い外因性透磁率、したがって、効率を実現するために相当な程度の磁束路クロージャを含む必要がある。線形信号移動に関して、略線形の磁気応答が望ましく、電力移動に関しては特に重要でない。他方で、無線通信で一般的に使用されるようなアナログ信号ミキサは、磁化容易軸の方向のバイアス磁場があることで磁化困難軸駆動磁場に対する磁化容易軸応答を用いて一軸性材料から得られる非線形応答を必要とする。しかしながら、それぞれの装置において重要なことは磁気損失が最小であることである。さもなければ、装置は、ノイズを信号に入れ、エネルギーが各サイクルで分散されるとともに過熱される傾向を有し、制限された周波数応答を有する。一軸対称性を破るメカニズムは、磁気異方性および配向を制御する方法論を提供し、これら所望の装置属性を可能にすることが明らかである。
【００６７】
非線形応答関数を使用し、無損失プロセスおよび高周波数動作から非常に恩恵を受ける別の磁場センサはフラックスゲートとして公知である。フラックスゲートは、アースの磁場を感知するために一般的に用いられ、ドリル処理の方向をモニタリングするために削井処理において広く使用されている。ドリルを抜くコストが著しいような石油産業のような深井戸ドリルに特に重要である。任意の材料に当たることを回避するよう情報を提供するために丈夫な磁場センサを有することが非常に大切である。これらの装置の物理的なデザインはいくつかある。しかしながら、どれも１つの磁軸を駆動し、直交軸の方向にある外部磁場によって引き起こされる磁化の変化の時間測度を誘導的に測定するといった単純な概念のもとで動作される。非線形応答は外部磁場および駆動周波数の両方に比例する信号を得、駆動磁場周波数に対する第２の調波である。応答が駆動周波数に比例するため、小さい印加された磁場に関して信号の振幅は高周波数駆動によって相当増加され得る。しかしながら、材料が損失を有する場合、駆動周波数は制限され、損失が磁壁移動と関連するバルクハイゼン現象による場合、測定感度もノイズ制限される。磁性材料が、一軸対称性が破られた構造によって得られるように無損失な一軸性応答を有する場合、装置は、より高い周波数にまで動作され、外部磁場に対してより良い感度を有する。
【００６８】
磁気装置の別の家族は、アーチクル監視およびアーチクル識別に使用され得る、一般的にタグと呼ばれる装置である。いくつかのこれら装置は非線形応答の原理に基づいて動作し、他の装置は後の放射のためにエネルギー蓄積を用いる線形応答の原理に基づいて動作する。異方性エネルギー密度および方向の制御はそれぞれにおいて重要である。非線形応答の装置は、駆動磁場の大量の調波を生成する磁壁移動を介して急激に磁性状態を切り替えることを典型的には可能にし、調波は電磁感知アンテナを用いて捕捉されることで検知される。最も簡単な現れでは、非線形応答のタグは、単に、一軸異方性方向を有する非常に軟質な磁性材料の細片である。これは、一軸対称性が破られた材料構造を利用することで簡単に形成される。
【００６９】
線形のタグは、磁化配向をタグ中の音響振動の機械的共鳴にカップリングする原理に基づいて動作される。これは、材料の磁気ひずみに対する補完的な特性である磁気弾性特性を通じて行われる。これらの材料は大きい磁気ひずみ係数を有することが望ましい。磁化困難軸の方向にある駆動磁場によって磁化容易軸から離れるように磁化が回転されるとき、材料は係数の符号に依存して細長くなるか収縮する。このような形状変化は、タグの方向に移動する音波に対応する。音波が材料の終端に到達すると、反対方向に反射する傾向がある。したがって、タグの端のあいだの音響移動時間に対応する周期で発振する磁場でタグが駆動される場合、共鳴が生ずる。同様にして、駆動磁場が固定である場合、タグの長さは合うように調節され得る。基板がないバルク材料装置では、音響特性は磁性材料の音響特性によって決定される。しかしながら、磁性材料が別の材料でラミネートされるか、基板に堆積される場合、音響伝搬特性は磁性材料およびラミネートまたは基板の組み合わされた特性によって決定される。しかしながら、組み合わされた組の材料の音響共鳴状態は、磁場駆動周波数とまだ適合しなくてはならない。タグ検出は、駆動磁場が中断された後に起こる。音響共鳴により、タグは、機械的共鳴周波数で細長くかつ収縮し続ける。音響振動への磁気ひずみカップリングにより、磁化ベクトルは機械的周波数で発振し、検出アンテナによって検出され得る非常に特定の機械的共鳴周波数で磁場を生成する。磁気抵抗磁場センサに関して、磁気弾性タグは、ＤＣバイアス磁場が磁化を磁化容易軸から傾けるために用いられる場合に最適に動作する。このようにして、磁化ベクトルはバイアス点について発振し、周波数が二倍になることを回避し効率および感度を改善する。Ｓｉ基板上に堆積される薄膜に関して、Ｓｉの高い機械的Ｑは、さらに機械的共鳴プロセスを改善する。異なる長さの基板が使用される場合、多数の共鳴周波数が利用され得る。マイクロ電子機械構造、または、ＭＥＭＳ技術は、多数の固有のタグが望ましいときにこのような装置に組み込まれることに理想的には適している。様々な長さの共鳴ビームは、単一の装置について単一の基板上にミクロ機械加工される。磁気弾性特性は、すべてのビームについて堆積される。電子回路技術と同様に、多数の前記装置は並行してＳｉウェーハ上で処理され得る。同装置が発振磁場によって駆動されるとき、駆動磁場周波数に対応する長さのビームだけが振動しエネルギーを蓄える。駆動周波数を掃引し、各ビームの放射された磁場応答についてアンテナを介して順次に電子的に聴くことにより、または、インパルス磁場を印加し様々な応答周波数を観察することにより、一意の信号署名が得られ得る。装置が構成された後でプログラミングされ得る総称的ＭＥＭＳ構造を可能にするために様々な音響ＭＥＭＳ構造が得られる。たとえば、所与の装置の特定の長さの所定のビームの機械的制動により、一意の信号署名が得られ得る。したがって、単一のＭＥＭＳ処理されたＳｉ基板から、無数の固有なタグ装置が構成され得る。それにより、一意の信号署名を有する一意のタグ装置で各製品をラベル付けすることが考えられであろう。動作に関してこれらすべての装置で重要なことは、一軸磁気異方性エネルギーの制御および配向である。一軸対称性が破られた磁性材料構造は、本適用には理想的である。
【００７０】
さらに、前述した通り、ハードディスク媒体では、硬質媒体層の近傍に軟質キーパー層をおくことが潜在的に重要である。一軸性材料を使用し、記録トラックに対して、および、ハードメモリ層の好ましい方向に対して層の配向を制御することにより、改善された媒体ノイズＳＮＲ、ＰＷ５０、熱安定性、および上書き特性を介して面密度を改善することができる。ｂｃｃ−ｄバリアントを下部層として決定する配向の使用は、硬質磁性層の配向をいくらか制御する。
【００７１】
単結晶基板上の様々な膜積層体のエピタキシャル成長を検討することで、これまで発明または利用されず、新しく発明された、カップリングされたバリアント構造と組み合わされたときに固有の特徴を示す、いくつかの固有のエピタキシャル関係があることが分かった。
【００７２】
３つのＳｉ結晶基板テクスチャー配向（１００）、（１１０）および（１１１）は、最初にエピタキシャルＡｇをこれらのクリーンな表面上に堆積することで検討された。いくつかのエピタキシャル関係は、米国特許第６，２４８，４１６号、Ｈｅｎｇによる文献、Ｚａｎｇａｒｉによる文献、および、たとえば、Ａｇ（ｆｃｃ）上でのＣｕ（ｆｃｃ）、Ａｇ（ｆｃｃ）あるいはＣｕ（ｆｃｃ）上でのパーマロイ（ｆｃｃ）、Ｃｕ（ｆｃｃ）あるいはパーマロイ（ｆｃｃ）上でのＣｏ（ｆｃｃ）Ａｇ（ｆｃｃ）上でのＣｒ（ｂｃｃ）、Ａｇ（ｆｃｃ）上でのＴｉ（ｈｃｏ）、またはＣｒ（ｂｃｃ）あるいはＴｉ（ｈｃｏ）上でのＣｏ（ｈｃｐ）の成長が広く研究された同様の出版物から既に知られている。しかしながら、ｂｃｃ−ｄ磁性材料を堆積することはどこにも記載されておらず、対称性が破られたどの構造についても開示されていない。我々は、対称性を破る方法を適用し堆積処理状況を制御することによって対称性が破られた構造を観察した。たとえば、印加された磁場における堆積、および、高度に配向された六方晶テンプレートに角を付けて堆積する両方を用いて、高度にテクスチャーされ対称性が破られた鉄、鉄化合物、および鉄合金を得た。
【００７３】
さらに、前記文献に記載するように、１つのｂｃｃ−ｄを別のｂｃｃ−ｄ上に、さらにまた別のｂｃｃ−ｄ上にエピタキシャル成長させる一方で強いテクスチャーと３つのＳｉ結晶テクスチャー＜１００＞、＜１１１＞および＜１１０＞それぞれの上にあるｂｃｃ−ｄ間の配向関係とを維持することができる。他の関係もある。エピタキシャルｆｃｃＡｇ、Ａｕ、またはＡｌは、Ｓｉ基板表面と常に同じテクスチャーを形成する。このｆｃｃ−ｄ基板上で、いくつかのエピタキシャル関係が後続する層について得られる。これらの層には、さらに他のエピタキシャル関係がつくれられる。ｂｃｃ−ｄが別のｂｃｃ−ｄの上で成長されると同じテクスチャーが得られる。ｆｃｃ−ｄがｆｃｃ−ｄの上で成長されると同じテクスチャーが得られる。ｂｃｃ−ｄ材料がエピタキシャル的に所与のテクスチャーのｆｃｃ−ｄ材料上で成長されるとき、「／」の記号で表され、以下のテクスチャー関係が得られる。
ｂｃｃ−ｄ  テクスチャー／ｆｃｃ−ｄ  テクスチャー
（１００）／（１００）
（１１０）／（１１１）
（１１２）／（１１０）
ｆｃｃ−ｄ材料がｂｃｃ−ｄ上でエピタキシャル的に成長されるとき以下のテクスチャー関係が得られる。
ｆｃｃ−ｄ  テクスチャー／ｂｃｃ−ｄ  テクスチャー
（１００）／（１００）
（１１１）／（１１０）
（１１０）／（１１２）
Ｃｏ合金のようなｈｃｐ材料がｂｃｃ−ｄ上でエピタキシャル的に成長されるとき、以下の関係が得られる。
ｈｃｐ  テクスチャー／ｂｃｃ−ｄ  テクスチャー
（１１２０）／（１００）
（１０１１）／（１１０）
（１０１０）／（１１２）
Ｔｉがｆｃｃ上でエピタキシャル的に成長されるとき、結果として生ずるＴｉはｈｃｐであり以下のテクスチャー関係が得られる。
ｈｃｐ  Ｔｉ  テクスチャー／ｆｃｃ  テクスチャー
（０００２）／（１１１）
しかしながら、Ｃｏ合金のバルク状態図は、低温でｈｃｐ状態と極値ではないが幾らか高い温度でｆｃｃ状態の両方を示すため、ｈｃｐまたはｆｃｃＣｏのいずれか一方を成長させることが可能となる。ｆｃｃ下部層上で成長されるとき、エピタキシャルＣｏが最も一般的にｆｃｃ状態および下部層のテクスチャーを形成することがわかった。したがって、ｆｃｃ−ｄテンプレート上に堆積された他のｆｃｃ−ｄ材料と同じような挙動を示した。しかしながら、ｂｃｃ−ｄ上で形成される場合、ｈｃｐ状態が形成され、上述のテクスチャー関係が結果として生じた。Ｃｏが別のｈｃｐ上にエピタキシャル的に成長されるとき、ｈｃｐとなり、下部層ｈｃｐと同じテクスチャーおよび配向を有する。
【００７４】
６つのｂｃｃ−ｄバリアント構造の場合以外の全て場合において、面内配向関係は、米国特許第６，２４８，４１６号、およびHengならびにZanagariによる文献に記載されたとおりである。しかしながら、我々は新しい装置の構成を可能にする酸化物を伴ういくつかの新しい関係が発明した。３つのｆｃｃ金属、Ｃｒ、Ｆｅ、およびＡｌについて、およびこれらの選択された合金について、金属の表面が酸化物として形成され、同じ金属が表面の酸化物の上で堆積されると第２の金属層が時々エピタキシャル的に成長し、第１の金属層が酸化されていないに近いようなテクスチャーおよび面内配向が考えられる。これは、全ての３つのＳｉ基板テクスチャーについていえることである。しかしながら、Ｓｉ（１１１）は、酸化に対して最も安定しており、次にＳｉ（１００）、そして最も安定しないのはＳｉ（１１０）である。したがって、エピタキシャル膜を成長するとき、現在の技術によると、Ｓｉ（１１１）上に発展する膜は通常高い質のため、後続する層の結果として得られるテクスチャーも高い質である。それにより、分析することが最も簡単である。高度なテクスチャーおよび大きい角の粒境界線が欠如していることにより、前記金属が酸素に曝されると、薄酸化層で均一に不動態化され、酸化に消費されることが止められる。大気条件に適度に曝されても酸化物は１〜３ナノメートルと薄くなり得るが、直接的なエピタキシャル酸化物の堆積によってあるいは後の堆積中に酸素に曝されるあいだ、熱および湿気を加えることでより厚くされ得る。極端に薄く測定することが困難である一方で、これら各酸化物は一般的にプロトタイプα−Ａｌ2Ｏ3で示される菱面体コランダム結晶相を形成し得る。大変興味深いことに、α−Ｃｒ2Ｏ3およびα−Ｆｅ2Ｏ3により連続的な固溶体が形成される。第１の金属がＣｒ合金であり、酸化され、第２の金属がＦｅであるとき、ある制限された程度まで形成される第２の金属は第１の金属と同じテクスチャーおよび配向を有することが分かる。Ｆｅが第１の金属であり、Ｃｒが第２の金属であるときにも同じことがいえる。しかしながら、Ｆｅがその表面において酸化されるとき、多くの磁気特性が劣化される。さらに、Ｃｒ、Ｆｅ、またはＡｌに添加され、同じ結晶構造に酸化され得る多くの添加元素がある。たとえば、α−Ｖ2Ｏ3相およびα−Ｔｉ2Ｏ3相の両方が存在する。α−Ｖ2Ｏ3はα−Ｆｅ2Ｏ3と固溶体を形成する。限定された量のＡｌがＦｅに添加され、酸化されるとα−Ａｌ2Ｏ3結晶構造がまだ得られる。同様にして、ＦｅＴｉＯ3、ＭｎＴｉＯ3、ＣｏＴｉＯ3、ＮｉＴｉＯ3がα−Ｆｅ2Ｏ3に添加され得ることが公知である。少量でＣｒ、Ｆｅ、またはＡｌに添加され、酸化されるとまだα−Ａｌ2Ｏ3構造を生ずる、多数の他の金属がある。しかしながら、ここで、我々の試料では、酸化物は非常に薄く、正確な結晶構造を決定することが困難であったことを思い出す。１つ以上の酸化構造が第１の金属層のテクスチャーおよび配向を第２の金属層につたえることが可能である。ＦｅおよびＣｒの両方とも立方スピネル型構造Ａ1Ｂ2Ｏ4を形成し、スピネルを形成するためにこれらに添加され得る多くの遷移金属、および金属の組み合わせがある。さらに、形成される酸化物が１つ以上の結���構造を有する可能性がある。ＣｒＯ2は、その略半分が充たされた伝導バンドが基本的に単一の磁気スピン配向で半分充たされているため興味深い可能性であり、スピンバルブまたはトンネル構造において相当量の電位を保持する。しかしながら、コランダム型構造はその安定性により酸化物の最適な候補であり、Ｆｅ、Ｃｒ、およびＡｌ金属表面上に形成されると一般的に知られている。アモルファス酸化物も形成される一方で、強いテクスチャーが一方の金属から他方の金属へアモルファス酸化物を介して伝えられると考えることは難しい。
【００７５】
さらに、＜１１０＞ｂｃｃ−ｄテクスチャーに関して、上述の６つのバリアントのテクスチャーは、１つのｂｃｃ−ｄが別の金属ｂｃｃ−ｄ上に直接的に配置される場合、または、酸化された表面上に配置される場合に、バリアント結晶配向を伝搬する。それにより、第１の対称性が破られた一軸性ｂｃｃ−ｄ層を成長し、第２の対称性が破られたｂｃｃ−ｄ層をエピタキシャル的に成長し、酸化し、別のｂｃｃ−ｄ層を第１のｂｃｃ−ｄと同じテクスチャーで酸化物の上に成長させることが可能である。興味深い磁気配置は、このような層対層のテクスチャー関係から構成され得る。互いの上にエピタキシャル的に成長される２つのバリアントの組は同符号の異方性エネルギー定数を有し、その磁化容易軸は整列されている。しかしながら、一方の層が正の異方性エネルギー密度定数を有し他方が負の異方性エネルギー密度定数を有する場合に興味深いことが生ずる。これにより２層は磁化容易軸を互いに対して９０度のところで有する。つまり、一方の配向は対称性を破るメカニズムによって引き起こされ、異符号の定数のｂｃｃ−ｄを用いることで、第２のｂｃｃ−ｄ膜の対称性を壊すために通常必要となるプロセスを用いることなく、第２の層の磁化容易軸は第１のｂｃｃ−ｄ層に対して９０度回転される。さらに、２枚の磁性層のあいだに配置され得る非磁性ｂｃｃ−ｄ層の厚さは、層間の磁気交換カップリングを調節するために使用され得る。これは、非磁性層が厚くなるにつれて強いから弱いに調節され得る。非磁性層の厚さと２枚の磁性層それぞれの厚さ飽和磁化生産物とを調節することにより、２枚の磁性層の磁化ベクトル間の角と２枚の磁性層の面内配向との両方を調節することができる。それにより、２枚の磁性ｂｃｃ−ｄ層間の交換カップリングの強さを、カップリング材料を選択することで、または、カップリング層の厚さを制御することで制御し得るため、カップリングされた膜構造の正味磁化容易軸配向を選択することができる。これらの特徴は、２枚の磁性層間の角、並びに、角における変化に対する剛度が、更なる硬質のまたは反強磁性層を用いることなく変化することを可能にするため、様々な磁気装置の設計において有用である。このタイプの挙動は、スピンバルブまたはスペンド依存トンネル装置のような装置構造において用いられる。
【００７６】
ｂｃｃ−ｄの６つのバリアントの上で成長されると強い（１１１）ｆｃｃ−ｄテクスチャーが成長されることも分かった。さらに、面内配向は、下にある六方晶（ｈｅｘ）テンプレートと同じ方向であると予想される。したがって、層構造、たとえば、
bcc-d(110)/fcc-d(111)/bcc-d(110)/hex(111)/Ag(111)/Si(111)
が実現的であり、ｂｃｃ−ｄのいずれか一方または両方は、対称性を破るメカニズムを用いて対称性が破れられる。（ここで、「／」の左側の膜は「／」の右側の膜の後に堆積される。「／」の傾斜角より、どの層が上か思い出すことが容易になる）。当然のことながら、このアプローチ法は、基板が多結晶のとき粒配向平均化プロセスを介しても適用される。さらに、両方の層が一軸性であるとき、２枚の磁性ｂｃｃ−ｄ層の磁化容易軸は、各層に関して異なる角で対称性を破るメカニズムを用いることで互いに対して調節され得る。別の例では、多数の層よりなるエピタキシャル一軸性層構造が、
bcc-d/Cr/O/Cr/bcc-d/hex(111)/基板
として形成される。ここでも、「／」の記号は層変化を示し、「０」層は前の膜表面を酸素または空気に曝したことを示している。ｂｃｃ−ｄ層は磁気（１１０）テクスチャードであり、対称性が破られている。このクロム例は、磁性ｂｃｃ−ｄ層上にエピタキシャル的に成長され磁性層に接触しない酸化物層を可能にする非磁性ｂｃｃ−ｄ材料を表わす。同構造により、２枚の磁性層は酸化物層を介して互いから電気的に絶縁されるが、対称性が破られた構造を利用することで一軸性挙動はまだ得られる。同構造で示されていないが示唆されることは、バリアント交換カップリング材料または層である。たとえば、磁気ｈｅｘ（１１１）層である。実際に、ｈｅｘ（１１１）層構造が１枚以上の層より構成されることが珍しいことではない。同様にして、ｆｃｃ−ｄ磁気バリアントカップリング層、たとえば、ＮｉＦｅは最終的なｂｃｃ−ｄ層の上に配置され得る。
【００７７】
薄膜酸化物層について、スピン依存性の電気トンネル伝導装置が大型の効果磁場センサとして構成される。これらの装置は、スピンバルブ装置のように、２枚の磁性層の相対的な配向に敏感な電子移動に依存する。しかしながら、トンネル装置では、電流は膜面に対して垂直方向に方向付けられ、トンネルは酸化物を通って行われなくてはらない。従来、これらは、Ａｌ酸化物絶縁体を用いてｆｃｃＣｏまたはパーマロイ磁性層から通常構成されてきた。Ａｌ酸化物を絶縁体として使用することが広く公開されている。しかしながら、酸化物の堆積は制御することが難しく、堆積された非常に薄い多結晶Ａｌ酸化物層の酸化は伝導性ピンホールを通常生じさせる。時として、Ａｌは金属として堆積され、後で酸化されるが、したにある金属テクスチャーの制限された質により、多結晶酸化物のテクスチャーの均一性がまだ問題としてある。酸化物層の厚さは、トンネルエネルギー障壁が適当な値になるよう、約１〜２ナノメートルだけであるべきである。Ａｌが第１のＣｒ層を置換するようあるいは第１のＣｒ層に加えて配置される上述の酸化物構造を形成するために使用される高度に配向された膜は、スピン依存性トンネル装置に役立つことは明らかである。これは、単結晶Ｓｉ基板上に構成されるとき特にいえることである。対称性が破られた構造の一軸性特性は、相当簡単な装置または構成プロセスを展開することを可能にする。
【００７８】
多数のエピタキシャルの組の層の別の例は、酸化物絶縁体ＯがｆｃｃＡｇまたはＣｕのような導体を２枚の磁性層から分離することを可能にする。
bcc-d/Cr/O/Cr/Ag/Cr/O/Cr/bcc-d/hex(111)/基板
簡略化のため、テクスチャーおよび配向関係は図示されてないが、上述のとおりに存在すると考えられる。Ａｇ導体が電流を運ぶとき、２枚の磁性ｂｃｃ−ｄ層は導体（たとえば、Ａｇ）の周りのクローズパスで生成される磁束を案内する。この構造では、各または両方の磁性層は、等しいあるいは異なる異方性方向と一軸でもよい。比透磁率を一方よりも大きくし、リソグラフィック的に定義された電流路を構成すると、小型の電子薄膜インダクタが表され、更なる導体および磁性層を用いることで多数のターン電子トランスフォーマが構成され得る。インダクタンスは比透磁率に比例する。１０を超える比透磁率は相当実現可能であり、いくつかの構造では一軸対称性が破られたｂｃｃ−ｄ膜構造において数百を超えることが分かった。さらに、薄い金属磁気膜に関して、最大の動作周波数は、強磁性共鳴周波数によって、または、構造が厚い場合はうず電流によって決定される。我々のモデルによると、ＦｅまたはＦｅ合金を用いると数ギガヘルツの動作周波数を予想することが適当であることが示される。一軸性材料に関して、共鳴周波数は飽和磁化Ｍｓと異方性磁場Ｈｋのクロス乗積の累乗根に比例する。線形の一軸性材料に関してＨk＝２Ｋu／Ｍsである。したがって、強磁性共鳴周波数は、異方性エネルギー密度に比例し、透磁率はその逆に関連する。動作周波数がうず電流によって制限される可能性のあるより厚い膜に関して、二次材料たとえば、Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、またはＡｌからＦｅまたはＦｅＣｏへの数パーセントの化学剤の添加により抵抗性を相当増すことができる。たとえば、Ｆｅの重量で３％のＳｉは、伝導性を５倍減少させる。うず電流の透過深度、または、スキン深度は逆透過率−伝導率−周波数積の平方根に比例する。我々は、提案された幾何学的形状について、うず電流が動作周波数に制限をつける前に磁性層の厚さが１ミクロンに近づかなくてはならないと考える。したがって、対称性が破られた材料構造を用いて形成されるインダクタ、トランスフォーマ、およびセンサはギガヘルツ範囲で機能すべきである。
【００７９】
しかし、様々な対称性が破られたカップリングされたバリアントの組と、エピタキシャル成長が多結晶材料の個々の粒それぞれで起こっていると考えるべきこととにより、テクスチャー関係と装置概念は、Ｓｉのような単結晶基板の多結晶膜構造および単結晶構造の両方に適用できる。同様にして、一般的に入手可能なＧｅおよびＧａＡｓのような他の単結晶基板を用いて非常に強いテクスチャー配向を有する一軸対称性が破られた薄膜構造を生成することができ、このときテクスチャーはｈｅｘ（１１１）テンプレートを示すよう選択されエピタキシャル成長薄膜が得られることを前提とする。
【００８０】
さらに別の、対称性が破られた構造から恩恵を受ける装置の例は、磁気記録媒体の発展である。このとき、硬質磁性層は、通常、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ等のようなｈｃｐ  Ｃｏ合金よりなる。これら全てにおいて、高異方性エネルギー密度定数を可能にするために所望の結晶構造はｈｃｐである。従来、ｈｃｐ  Ｃｏは、結晶テクスチャーを制御するためにＣｒまたはＣｒ合金の下部層上に成長され、ディスク基板は、記録方向に対して垂直配向比と比較したとき好ましい配向が１よりも大きくなるよう記録方向に機械的にテクスチャー（スクラッチ）される。ハードディスク記録媒体が記録方向に優先的に方向付けられることで、より高い保磁力およびより良い熱安定性が得られる。Ｃｒ（１１０）テクスチャード下部層上では、ｈｃｐ  Ｃｏ合金は（１０１１）結晶テクスチャーを発展することは良く知られている。テクスチャーは、（１１０）テクスチャーを有する単結晶Ｃｒ粒上で４つの可能なｃ−軸配向があるためＣｏ合金４結晶と称される。これは、磁化容易軸であるｈｃｐｃ−軸が膜面に向かってまたは膜面から約２８度だけ傾けられるため、理想的なｈｃｐテクスチャーではない。それにも関わらず、このテクスチャーは、媒体に広く用いられ、記録磁場方向に方向付けられる場合、相当有利である。薄膜の減磁場により、磁化ベクトルは、膜の面の方に向かうｃ−軸の方向におかれる。これにより、単Ｃｒ（１１０）テクスチャード結晶上のｃ−軸の面内投影の可能な数を２つに減少させる。その２つは、ｂｃｃ−ｄ＜１００＞方向に対して＋ａｒｃｔａｎ（１／√２）＝３５．２６度および−ａｒｃｔａｎ（１／√２）＝３５．２６度である。ｂｃｃ−ｄカップリングされたバリアント対をエピタキシャルＣｏ合金成長のためのテンプレート下部層として考えると、対称性が破られた膜は、Ｃｏ合金成長するのに好ましい方向のテンプレートを提供する。テクスチャーされ配向された下部層を選択するこの技術により、ハードディスク配向媒体を実現するための通路を提供する。カップリングされたバリアント対Ｅ2-a1c2（θ）を考える。この対称性が壊れたカップリングされたバリアント対は、（１１１）六方晶テンプレートの＜１１０＞方向に対して平行な＜１１１＞結晶格子方向をθ＝６０および１２０の方向に有する。図５より、２つのｂｃｃ−ｄセルの＜１００＞方向を簡単に見ることができる。Ｃｏ合金４結晶が成長されるとき、ｃ−軸の投影は、ｂｃｃ−ｄ＜１００＞方向に対して約＋４０．３または−４０．３度である。
【００８１】
表１は、６つの可能なｂｃｃ−ｄバリアント全ての上に成長されるときの可能な４結晶構造のＣｏ合金の面内の磁化容易軸方向全てを示している。理想的なｈｃｐ  ｃ／ａ＝２√（２／３）＝１．６３の結晶単位セルが角計算に仮定される。表１における計算を理解する例として、第１のバリアントａ１を考える。＜１００＞方向は、図５において６５．２６度とされている。したがって、２つの面内Ｃｏｃ−軸投影は、約１０５．６度および２５．０度であり、表１の第１の行の＋および−項目に対応する。図５の対称性が破られたＥ2-a1c2結合されたバリアントの２つのバリアントだけを考えると、表１から選択されるＣｏ合金結晶磁気異方性方向を予想することができる。これら２つのｂｃｃ−ｄバリアントは、カップリングされているか否かに関わらず、２つの４結晶を得ることに関連する８つの可能なＣｏ合金バリアントを生ずる。２つのａ１およびｃ２のｂｃｃ−ｄバリアントそれぞれに対して４つが存在する。しかしながら、面外減磁力が磁化ベクトルを薄膜面の方に駆動させるため、膜面における４つのｃ−軸投影ａ1に関して１０５．６および２５度となり、ｃ2に関して１５５度および７４．４度となる。前者の２つが０度方向に近いよりも後者の２つが９０度方向に近いため、９０度方向における正味保磁力は０度位置の方向における正味保磁力よりも高くなる。軟質磁気膜と異なり、よいＳＮＲのためには、４つの可能なｈｃｐコバルト配向がデカップリングされている個別の粒であることが望ましい。このため、非磁性の対称性が破られたｂｃｃ−ｄは、Ｃｏ合金が成長するためのテンプレートを提供することが最適である。しかしながら、磁性ｂｃｃ−ｄ対称性が破られたテンプレートは、最初に成長され、その上に非磁性バリアントテンプレートがエピタキシャル的に成長されてもよい。前述したとおり、全ての媒体構造において必要ではないが、配向された硬質磁性層の下に軟質磁気キーパー層を有することが望ましい場合もある。キーパーに対する理想的な磁化容易軸方向は、記録トラックに対して垂直であり、記録ビットからの漂遊磁界がキーパー層の磁化をその磁化困難の方向に駆動させる。しかしながら、Ｅ2-a1c2例の磁化容易軸も９０度位置にある。しかしながら、前述のとおり、Ｋ1＜０の材料を選択することで０度位置に簡単に再配向され得る。円形ディスクの製造制約により、好ましい対称性が破られた方法は、ｂｃｃ−ｄ材料を円形のディスク表面に半径方向に、基板の法線に対して角をつけて堆積することである。対称性が破られた構造は、（１１１）六方晶テンプレートが非常にテクスチャーされ、基板の法線に対する堆積角が法線から１５≦Ω≦７５度内に制限されると、多結晶膜に関しても得られる。図１２に入射角が示され、到来するｂｃｃ−ｄ材料は−ｒの方向に移動し、これが基板面（ｘ−ｙ）に対する法線（ｚ）に対して角Ωを成している。堆積する材料がグレージング角７５度で到来するとき、堆積の効率性は低下するが対称性が破られた方法は非常に効果的である。堆積角が略法線に近い１５度であるとき、堆積の効率性は優れているが対象性が破られることがなくなる傾向がある。磁場の印加も非常に効果的な対称性が破られた方法の一つであるが、Ｋ1＞０のｂｃ��−ｄ層およびＥ2-a1c2を実現するためのトラック方向に方向付けられる磁場が必要となる。ディスクの両側に対して材料を同時に堆積する標準的な製造過程により、半径方向に方向付けられたまたは円周方向に方向付けられた磁場は、現代のハードディスク媒体製造過程に含まれるにはあまり伝導性がない。
【表１】
2005502199.tif 000017
【００８２】
さらに、最初に典型的なハードディスク基板表面上に金属湿潤層を堆積することで強い（１１１）テクスチャーが得られることが分かった。湿潤層による増加した原子の表面移動性は、最密構造テクスチャーがｆｃｃ  Ａｇ、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、にＦｅさらにはｈｃｐ  Ｃｏ合金のような六方晶テンプレート材料から形成されることを可能にする。２５at%＞ｘ＞５０at%であるとき、Ｃｏ1-xＣｒxの非磁性Ｃｏ合金は、ｂｃｃ−ｄの交換カップリングが望ましくない場合に好ましい。堆積されたアモルファス金属層が優れた湿潤層を提供することが分かった。
【００８３】
特に、ウェットまたは湿潤層が望まれる全ての適用法において、ＮｉＰまたはバルク材料均衡条件下でＣ１５またはＣ１４結晶構造を形成する材料は、真空堆積されるとき卓越したアモルファス湿潤層を形成する。Ｃ１５およびＣ１４構造の例は、Ｃｒ1-xＴａxおよびＣｒ1-xＮｂx、または、Ｆｅ1-xＴａx、およびＦｅ1-xＮｂxであり、このとき５５＜ｘ＜７５原子百分率である。ここで、Ｃｒ−Ｔａ合金において、均衡状態図は、Ｃ１４の結晶構造からＣ１５の結晶構造までの高温から低温への相転移を示すことに注目する。これら複雑な均衡結晶構造を対にすることで不均衡な薄膜堆積処理においてアモルファス膜が形成する傾向が高まる。各六方晶原子テンプレート材料ｆｃｃ−ｄまたはｈｃｐにおいて、これらアモルファス層を用いることで強い（１１１）または（０００２）テクスチャーがそれぞれ得られた。これら２つのＣ１５材料の場合、それらが酸素に曝されても適度に強いテクスチャーがまだ成長されることが分かった。したがって、六方晶テンプレート層および後続する層の粒の大きさは、処理制御されるようにしてより小さくされ得る。
【００８４】
ディスクフォーマットで使用されてはならない磁気媒体に円筒形の幾何学的形状は必要ないが現代のハードディスク媒体には必要である。ディスク基板構造の周りでの好ましい磁気配向で均一な対称的配置を実現するためには、新しい真空スパッタリング陰極が発明された。図１３は、ディスク基板に堆積するためのｂｃｃ−ｄ材料よりなるロッド形状のスパッタリングターゲット［１５］の断面図である。低Ａｒガス圧力でスパッタリングプラズマを容易化するために遮蔽部［１６］および磁石［１７］がターゲットの周りに配置される。ディスク基板［１８］はスパッタリングターゲットと軸上で保持されるが、スパッタリングされた材料［２７］が半径方向にかつ入射角をなしてディスク表面に到着する距離だけ離間されている。Ａｒガスは、ターゲットと水冷遮蔽部とのあいだの通路［２６］を介して真空室に導入される。これにより、スパッタリングガス［２５］はスパッタリングターゲットの近傍に集中し、ディスク基板の近傍で最小化される。スパッタリングガスは、ターゲットからの熱を水冷遮蔽部に移す冷却メカニズムも提供する。ターゲットからディスク基板までの距離に匹敵するあるいはそれよりも長い、スパッタリングされた材料の散布の平均自由路を可能にするために低ガス圧力が望ましい。これにより、ガス衝突を回避することでスパッタリングされた材料の方向におけるランダム化が防止される。スパッタリングは、所定のいくらか円錐状の形状にターゲットを摩耗し、１５〜７５度の所望の範囲の入射角でターゲットからディスクまでの堆積路を形成する。しかしながら、４５度に中心がおかれたより狭い角分布が好ましいことが分かった。ターゲットのロッド径は、所望のディスク記録基板の内径よりも小さく、ターゲットを離れる材料は本質的にディスク表面上の全ての位置でディスクへの半径方向の路に沿う。ターゲット表面の外形と組み合わせて、ディスクからターゲットまでの距離は堆積角を設定するために調節される。スパッタリング陰極磁石の磁場によって生成される不均一性を回避するために、磁石の構造は堆積処理中にターゲットのロッドの回りで回転されてもよい。ここでは必要でないが、ターゲットが幾らか円錐状の点に円滑に摩耗され、どの１つのディスクの堆積中にも、ディスク表面からの法線の路に沿ってディスクの中心の方向にターゲットを磁石に対して前進させ、中心におくことが想像できるであろう。これにより、ディスクの半径方向における様々な位置での堆積角および堆積速度の調節が可能となる。同様にして、磁石に対するターゲットの全体的な位置が前進することにより、摩耗されたターゲットを絶えず置き換えることが可能となる。これにより、消費されたターゲットを置き換えるために真空が開けられる前に多数のディスクへの堆積が可能となる。ターゲットの回りでスパッタリング磁石をスピンさせることで興味深い利点が得られる。磁石からの磁場は、ディスクの円周に方向付けられるディスク表面に小さいが無視できない磁場を提供するよう配置され得る。この方向性により、角をつけて堆積すること、磁性材料のｂｃｃ−ｄ配向を促進させるために磁場での堆積のエネルギーメカニズムに加えて第２の対称性を破るメカニズムが提供される。Ｋ1＞０の磁性ｂｃｃ−ｄ材料について、両方の対称性を破るメカニズムからの促進された磁化容易軸は一致する。
【００８５】
対称性が破られた構造を用いる、配向された硬質Ｃｏ合金を得るための方法および構造が発明された。これらは、軟質磁性層を利用する多くの磁気装置において、交換カップリングを介して軟質磁性層をピンニングするために使用され得ることは明らかである。
【００８６】
本発明の説明において既に記載した情報をさらに確認するために、物理的に構成された材料の選択された組およびこれら材料の分析を以下により詳細に説明する。
【００８７】
多数の薄膜サンプル構造が製造され分析されてきた。４つのタイプの基板、即ち、Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（１１０）、Ｓｉ（１００）およびガラス、が最初に利用された。基板は、アセトン、トルエン、およびイソプロピルアルコールのような溶媒で集中的に洗浄し、次に、洗剤および湯で洗浄することで注意深く掃除される。次に、蒸留水、イソプロピルアルコール、蒸留水で広範囲にわたってすすがれ、乾燥される。これにより全ての有機残留物、水、および、最も異質の金属を基板から除去する。Ｓｉ基板は、約３０秒間４９％のフッ化水素酸でエッチングされ乾燥される。基板は、キャリヤに取り付けられ、負荷ロックシステムを介して真空システムの中に迅速に導入される。ＳｉのＨＦエッチングは、Ｓｉ表面に残留する水素結合を残し、一時的に酸化を防止することが周知である。真空堆積系は、低温でかつターボ分子的にポンピングされる。１×１０-7トルまたはそれよりも良好な真空ベース圧力が一般的に得られる。真空マニピュレータを用いて、基板キャリヤは３つの加熱されたキャリヤ位置の１つに取り付けられ、薄膜堆積を待つ。
【００８８】
基板キャリヤの取り付けは、垂直面における約７インチの半径のプラネタリー運動を容易化した。基板キャリヤを取り付けることできる可能な位置は３つあり、２つはプラネタリー円にあり、１つはプラネタリー軸の中心にある。４つのマグネトロンスパッタリングターゲット位置により、最大で４つの異なる材料が堆積の様々な角で堆積されることが可能となり、それぞれ１回の堆積シーケンスにおいて必要であれば何度も堆積され得る。３つのターゲットは、基板キャリヤ一のプラネタリー位置と整列された約７インチの半径の円の縁に沿って配置される。このようにして、直角の堆積のために３つのターゲットおよび２つの同軸上の基板ホルダが互いに面すように整列され得、または、基板が角配置のためにプラネタリー円の全ての任意の位置に回転され得る。たとえば、１つのターゲットは、想像上の時計の面上で３時ＡＭと同等の位置におかれ、プラネタリー面に対する法線の方向に調節可能な距離だけ離間された基板キャリヤは対向する想像上の時計面上の任意の位置に回転され得る。基板キャリヤは、約７インチ以上の振れでターゲットからまたはターゲットの方向に移動され得、このとき最小のスペーシングの２インチ未満である。４番目のターゲットは、プラネタリー運動軸の中心で、他のターゲットのある面におかれる。同様にして、３番目の基板キャリヤ位置は、基板キャリヤ面におけるプラネタリー中心に位置する。キャリヤは、１分以内の時間で機械的マニピュレータを用いてプラネタリー位置から中心に、また戻るよう移動され得る。
【００８９】
１インチおよび２インチの直径のターゲットは、ターゲットと基板とのあいだの距離と比較すると小さい。図１３について説明したと同じように、ターゲット表面に導入されるアルゴンガスによりプラズマが可能となる一方で残りの室における平均的な自由路の長さを長くし、堆積材料の散布が制限される。ＮまたはＨのような二次ガスも同じ路または別の路を通じて導入され得、堆積された層との相互作用が可能となる。各基板キャリヤ位置は、個別的に加熱され、モニタリングされ、温度は、室温から約３５０℃に変化され得る。多数の基板テクスチャーに同時に実験が実施されないとき以外、選択された特定の単結晶基板テクスチャーに対する処理を最適化するために室温が選択される。基板は、堆積前および堆積中に加熱され、各層が堆積されると制限された温度まで温度が変化され得る。スパッタリング陰極は５００ワット利用可能までＤＣ給電される。ｂｃｃ−ｄが中心陰極からプラネタリー円にある基板に堆積されるときの物理的寸法は、基板の法線から測定して、堆積の角を７５〜３３度までの範囲と成ることを可能にした。より小さい角に関して、基板は、基板キャリヤに対して４５度の角で取り付けられ、ターゲット対キャリヤの角が調節される。さらに、いくつかの状況下では、より小さい角での堆積は、プラネタリー円にあるターゲットおよび基板位置を用いて実現できるが、基板はターゲットに対して回転されている。当然のことながら、ターゲットと基板とのあいだの距離も調節することができるが、堆積速度で潜在的な差を生ずる。
【００９０】
多数の堆積状況が検討される一方で、２０〜１００ｎｍの厚さの層を用いるとより簡単な光学的、磁気的、およびミクロ構造的分析を容易にすることが分かった。したがって、多くのｂｃｃ−ｄ膜は、２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで調製される。Ｓｉ基板上のほとんどのＡｇ層は、４０ｎｍ厚さであり、時として、磁性層の腐食を防止するために第２のＡｇまたはＣｒ層あるいは両方の層が最終のキャッピング層として堆積される。六方晶テンプレートの厚さは変化し、薄くて１ｎｍでもよく、厚くて４０ｎｍでもよい。典型的には、磁気交換カップリングの六方晶テンプレートは、バルク材料特性がｂｃｃ−ｄ材料特性と比較して著しくならないよう、最小限の厚さ、即ち１〜５ｎｍで維持される。これは、磁気データのより簡単な解釈を容易にした。
【００９１】
一般的に検討される材料は、ｆｃｃであるＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＮｉＦｅ、Ａｌ、Ｃｏ、およびＣｏＣｒＴａと、ｂｃｃ−ｄであるＣｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、ＮｉＡｌ、およびＦｅＣｏと、ｈｃｐであるＴｉおよびＣｏＣｒＴａとを含む。
【００９２】
ＦｅまたはＦｅＣｏと混ぜて使用されてもよい他のｂｃｃ−ｄ材料は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕ、および、Ｂを含む。使用され得る他のｆｃｃ−ｄ材料は、ＣｏＣｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、およびＩｒを含み、使用され得る他のｈｃｐ材料はＲｅ、Ｒｕ、Ｇｄ、Ｔｉ、およびＴｂを含む。選択される材料は、その化学的、磁気的、または、格子適合特性について選択される。エピタキシャル成長を実現するために原子格子定数における相当な自由度が時として望ましい。
【００９３】
以下の表記は、調製される膜層のシーケンスを指定するために使用される。
bcc/hcp/bcc-d/bcc-d<55,<xyz>/hex/fcc/Sub(tex)
ここでも、前記表記は、「／」の左側にある膜は「／」の右側にある膜の後に堆積される。「／」の傾斜角から、どちらの層が上にあるかを思い出すことは簡単である。「ｔｅｘ」記号は、使用される単結晶基板テクスチャーを表す。＜５５は、ｂｃｃ−ｄが堆積される角を示し、数は膜の法線からの角を特定する。一般的に、＜記号は、使用されているとき、対称性を破るメカニズムが使用されていることを示す。同様にして、磁場Ｈａが対称性を破るために使用される場合、磁場は六方晶結晶方向＜ｘｙｚ＞に沿って印加される。同様にして、堆積の角が対称性を破るために使用される場合、堆積材料の面内方向は＜ｘｙｚ＞結晶方向に従うように表示される。
【００９４】
したがって、上述の例で説明した通り、ｆｃｃが最初に基板上に直角に堆積され、次に六方晶テンプレートが直角に堆積、そしてｂｃｃ−ｄが面に対する法線に対して５５度の角でｈｅｘテンプレート＜ｘｙｚ＞方向に対して平行に堆積される。続いて、第２のｂｃｃ−ｄが堆積され、ｈｃｐが堆積され、最後にｂｃｃが堆積される。表面が曝露によって酸化されるか酸化物が堆積される場合、その層は「０」と表記される。
【００９５】
米国特許第６，２４８，４１６号明細書およびGongならびにZanagariによる文献は、前述のテクスチャーおよびエピタキシャル関係がＳｉで成長されることを示した。本発明は、米国特許第６，２４８，４１６号明細書およびGong並びにZangariによって示された３つのバリアントではなく、６つのｂｃｃ−ｄバリアントと、バリアントの交換カップリングと、等しいバリアントの体積の重み付けを有さないようカップリングされたバリアントの組の対称性を破ることとに関わる。つまり、対称性を破るためには、GongおよびZangariの文献に記載するような３つのバリアントまたは本願記載の６つのバリアントはバランスがとられていない。
【００９６】
第１の金属の表面は空気に曝されると酸化物を形成したが、ｂｃｃ−ｄテクスチャーのエピタキシャル成長を最初に検討した。本発明のこの面を確実にする重要なことは、本願では物理的証拠は提示していないが、膜の下にある結晶性が非常に均一な配向されたテクスチャーを示すことであり、これは、下にある膜の密度を非常に高くすると考える。膜が非常に高いテクスチャーを有するとき、いくつかのテクスチャーに関して粒境界線は低い角または粒間で小さい隙間しかない。これにより、膜表面は、粒境界線に酸化される代わりに不動態化されることが確実となり、膜は膨張によって膜から離される。ひどく酸化する傾向のあるＦｅのような多結晶材料にとって非常に重要である。
【００９７】
まず、従来の多結晶膜構造のθ−２０Ｘ線回折走査を観察することで得られるテクスチャーの度合いに対する考え方を提供する。
Hcp-CoCr12Ta2/Cr/ガラス
【００９８】
これは、従来の、簡単な構造であり時としてハードディスク媒体に対してスパッタリングされる。Ｘ線走査の検査の際、２つのピークが存在することが分かった。Ｃｒ（１１０）は、約１５０カウントのピーク高さを有す、結果として生ずるＣｏ合金４結晶（１０１１）のピーク高さは２５カウントであり、一結晶（１０１０）のピーク高さは４０カウントであった。ベースラインは、比較的ノイジーであり、他の識別可能なピークはない。以下に説明するθ−２０Ｘ線回折走査例全てに対して同じ走査時間およびＸ線陽極電流ならび電圧を用いる。
【００９９】
４つの試料が同時に形成され、それぞれ異なる基板、即ち、ガラス、Ｓｉ（１００）、Ｓｉ（１１０）、Ｓｉ（１１１）を有し、Ｓｉは前述の通り洗浄されＨＦ処理される。次に、真空システムに入れられ、第１のＡｇ堆積が行われる前に迅速に約１６５℃まで加熱される。層の組成物は、
Hcp-CoCr12Ta2(58nm)/Fe(37nm)<45/O/Fe(37nm)<45/Ag(40nm)/sub
である。
【０１００】
括弧内の値はナノメートル単位の公称の膜厚である。プロセス中酸素に曝す段階がある。これは、最初の２つの膜堆積の後、試料が真空システムから少しのあいだ取り除かれることを必要とする。以下の表では、項目は（Ｘ線カウント）／（Ｘ線テクスチャー）として記載されている。
【表２】
2005502199.tif 000018
【０１０１】
単結晶基板または二次回折のピーク以外では、観察された回折のピークはなく、各層の強い単一テクスチャー配向を示している。テクスチャーは予想通りの前述の挙動を示した。この結果は、ｂｃｃ−ｄＦｅが六方晶テンプレート上または他の単結晶テクスチャーそれぞれに堆積されるときＣｒと同じテクスチャーで成長され得る。第２の層Ｆｅは、第１の層と同じピークを有するため、全ての更なるピークの欠如はピークの強さとともにテクスチャーは、第２の層のＦｅが酸化表面上で成長されたとしても第１の層のテクスチャーと同じであることの良いインジケータである。しかしながら、ピークは、第１の膜のピークと同一線形上にあるため、第２の層のピークが実際にあるかといった問題が生ずる。ｈｃｐ  Ｃｏ合金のピークとその強さは、ガラスと比べると、Ｆｅ−Ｏ上でのＦｅの第２の層のエピタキシャル成長が非常によく、Ｃｏ合金の膜の成長に優れたテンプレートを提供することが分かった。これは、第２のＦｅ層のテクスチャーがＦｅよりなる第１の層のテクスチャーと同一であることを確認する。酸化物上でのエピタキシャル成長は、基板としてガラスを用いることを含む全てのテクスチャーに対して確認される。後者は、ガラス上でのＡｇ（１１１）の優れたテクスチャーによるところが多い。別の実験では、アモルファスＣｒ35Ｔａの湿潤層がＡｇの前にガラス上に堆積されるとき、Ａｇ（１１１）テクスチャーの強さは、ガラス上に直接的に堆積される場合の値よりも数倍改善される。略同じ原子格子間隔を有するＣｒまたはＦｅと、Ａｇとのあいだの格子適合は、特によくはないことを述べておく。別の六方晶テンプレート材料（ｆｃｃ−ｄまたはｈｃｐ）がｂｃｃ−ｄよりもよくＡｇ上でエピタキシャル的に成長され得るため、これを検討した。Ｃｕ、Ｎｉ、ＮｉＦｅの六方晶テンプレート、および、Ｃｕ上の組み合わせ層ｆｃｃ−Ｃｏは、Ａｇテンプレートの上に配置されるとき、より強いＦｅまたはＣｒテクスチャーを発生することがわかった。
【０１０２】
２つの異なる材料のあいだに位置する酸化物をさらに検討するために、以下の膜構造が構成された。
【表３】
2005502199.tif 000019
【０１０３】
この表より、酸化物上でのＳｉ（１００）エピタキシーは良好であるが、Ｓｉ（１１１）が使用されるとき酸化物を介するエピタキシーはあまり多くは見られない。Ｆｅ−Ｏ上でのＣｒエピタキシーは、Ｓｉ（１１０）に非常によいことが分かったが、Ｃｏテクスチャーは特に素晴らしくはない。この試料を調製するために用いられる時間および温度は、実験誤差内で、上述したＦｅ−Ｏ−Ｆｅ試料（９９Ｃ１５−１９−２）に対して用いられたものと同じである。
【０１０４】
ＣｒおよびＦｅの役割は交換され、実験は繰り返された。
【表４】
2005502199.tif 000020
【０１０５】
ここで、ＡｇおよびＦｅ（１００）上で高度にテクスチャーされたＣｒは、Ｃｒ−Ｏ上で非常によく成長することが見られた。しかしながら、ピークが広かったため、多くのＦｅ（１１２）が成長されたか分からず、さらに、ＣｒおよびＦｅのピークは、非常に近寄っていたため観察することが困難であった。Ｆｅ（１１０）の幾らか高められたエピタキシャル成長が見られたが、Ｃｒ（１１０）が多く見られたため見分けることが困難であった。それにも関わらず、Ｃｏ（１０１１）のピークが存在する唯一のピークである。Ｓｉ（１１０）の場合、Ｃｏ（１０１０）テクスチャーが現れたということは、幾らかのＦｅが（１１２）テクスチャーであったという有力な証拠である。
【０１０６】
全体的に、特定の堆積温度、堆積速度、および、一般的に特定の処理条件に関して、Ｆｅ／Ｏ／Ｆｅが全ての３つのＳｉテクスチャーに関してエピタキシャル的に成長したことが分かる。Ｃｒ／Ｏ／Ｃｒに関しても同様の結果が得られた。Ｃｒ／Ｏ／Ｆｅ／Ａｇ／Ｓｉに関して、Ｃｒ（１００）テクスチャーが非常によく成長し、Ｃｒ（１１２）テクスチャーが少し成長した。Ｃｒ（１１０）テクスチャーは、あまりよく成長しなかった。したがって、ｂｃｃ−ｄは、その酸化物上で非常によくエピタキシャル成長する。さらに、ｂｃｃ−ｄ（１００）テクスチャーは、他の部材上でも非常によく成長するようである。（１１０）および（１１１）テクスチャーは成長するが、それほど成長はしない。我々は、Ｓｉ上へのＡｇの堆積における処理温度を変化させ、理想的な温度がＳｉの配向にしたがって相当変化することが分かった。処理の許容範囲はさらに劇的である。Ｓｉ（１１１）基板は、酸化される前により高温で処理され得、これにより後の堆積が幾らか改善された。Ｓｉ（１００）テクスチャード基板は、次に幅広い処理温度範囲を有し、Ｓｉ（１１０）基板が最も狭く最も低い許容範囲の処理温度範囲を有する。これは、Ｓｉ（１１０）の表面が、ｆｃｃブラベ格子またはｆｃｃ−ｄ格子に関して最も不安定であるため当然の結果である。各基板テクスチャーは独自の最適温度および温度範囲を有し、特定の温度は、基板を真空システムに配置する直前の時間間隔中の堆積速度および湿気に依存する。ＨＦエッチングされたＳｉ表面の質が、Ｓｉが真空システムに入る前の環境に大きく依存する。したがって、全ての条件を同時に最適化することは困難であるが、それが実現されたとき、他のＳｉテクスチャー上の酸化物を通じたエピタキシャル成長が著しく改善されるという結果が得られた。幸いなことに、（１１１）表面が六方晶テンプレート材料について最も安定しているため、温度および堆積速度のより広い許容範囲が可能となった。したがって、各材料の組み合わせに関して酸化物が成長される温度の最適化が可能となる。
【０１０７】
６つのバリアント構造について次に説明する。実際に、Ｅ2-a1c2バリアントの組が示される。以下の膜構造は、入射角を有して堆積されることで形成される。２つの試料が同時に調製されるが、それぞれわずかに異なる堆積角、異なる厚さを有し、何よりも、テンプレートの格子面方向に対して異なる角で調製される。これは、異なるｈｅｘテンプレート角で同じキャリヤ上に２つの基板を取り付けることで実現される。堆積方向は、それぞれ、試料０９０９−６では＜１１０＞テンプレート方向、試料０９０９−５では＜１１２＞テンプレート方向である。それぞれの構造は、
サンプル名：0909-6
Ag(200nm)/Cr(40nm)/Fe(37nm)<45<110>/Cu(10nm)/Ag(40nm)/Si(111)
サンプル名：0909-5
Ag(200nm)/Cr(40nm)/Fe(60nm)<55<112>/Cu(10nm)/Ag(40nm)/Si(111)
として定義される。
【０１０８】
ここで、Ｃｕ六方晶テンプレートは、非磁性であるため一軸性のＭ−Ｈ曲線に必要な交換カップリングを提供できないことに注意する。それにも関わらず、以下では、必要なバリアント対が得られたことが示される。Ｃｕがｆｃｃ−Ｃｏ、Ｎｉ、あるいはＮｉＦｅで置換された場合、または、ＮｉあるいはＮｉＦｅがＦｅ上に堆積された場合、カップリングされた対が交換カップリングされる。本例では、最終的な厚いＡｇおよびＣｒ層は、試料が形成された後にＦｅが腐食する可能性を避けるために適用される。これらの層、特にＣｒが腐食を防止するのに非常に効果的であることが分かる。試料は、Ｆｅの明らかな腐食を示すことなく１年間保管される。Ｆｅの磁性特性が酸化に対して非常に敏感であるのに変化しなかったため、このように結論付けられる。Ａｇ保護層は幾らか変色した。
【０１０９】
Ｘ線の極点図分析が実施された。このテストにより、Ｘ線回折角を特定の反射面に対して設定しながら試料を回転させることが可能となる。Ｆｅは、（１１０）テクスチャーされ、（１００）面は、膜の表面に対して４５度に傾けられる。試料は、４５度に傾けられ、θ−２０は、（１００）結晶面から反射されるよう設定される。次に試料は、３６０度にわたって回転され、信号がモニタリングされる。図３によると、GongおよびZangariによって支持されるように、可能なバリアントが３つだけ存在する場合、１回の１８０度の回転当たり３つのピークが観察されるべきであり、６０度の等しい間隔で離間されるべきである。これは、２回目の１８０度回転中にも繰り返される。しかしながら、本発明で提唱するように６つのバリアントがある場合、図５に示すように、１回の１８０度の回転当たり６つのピークが観察され、完全な３６０度の回転中には１２のピークが観察される。バリアントが材料の体積によって同等に重み付けされ基板が完璧にカットされる場合、組中の全てのバリアンドが見られる。我々は前記両方のタイプの組を観察した。したがって、必ずしも全ての試料が６つのバリアントの組に関係付けられるエネルギー式によって表されることはない。GongおよびZangariによる３つのバリアントの組は、結晶面を回転させて回折ピークを分けるエネルギーメカニズムを実現することが重要なため最も一般的に観察される。図１４は、試料０９０９−６に関する極点図分析を示す図である。データを注意深く分析した結果、ａ１およびｃ２バリアントのピーク高さがどの他のバリアントの回折ピークよりも２倍以上高いことが分かった。しかしながら、関連する量の測定は、ピーク曲線の下の面積に対して行われ、これは非常に時間がかかり、困難な測定方法であるが、前記２つのバリアント中の相当大部分の材料を示す。理論的には、走査することによってθ−２０角がＦｅ（１００）の結晶面に対して特別に設定されているため、Ｆｅ（１００）回折ピークだけを示すはずである。しかしながら、近傍にＡｇ（２２０）回折線が見られ、ピークが非常に強いため６つのピークのテールも示される。同様にして、非常に強いＳｉ（４００）ピークもわずかに見られる。６つのｂｃｃ−ｄバリアントの対のあいだの角は、前述したように、２δ＝２（５．２６）度であると実験的に決定される。しかしながら、図１４の極点図におけるピーク間の角は、（１１０）および（１００）面から移動するのに必要な座標フレーム回転のため、より小さい。図中、ピークのどの対の広がりも−２（３．７４）＝７．５度でなくてはならない。実際に、これが観察された。同データは、６つのバリアントの概念と対称性を破るメカニズムの両方の有力な説明または証拠である。堆積方向の投影が六方晶テンプレートに沿った＜１１２＞方向である試料０９０９−５に関して、結果は明確に示されない。ここでも、６つのうち２つの優位なバリアントがあるように示されたがＥ2-a1b2によって表される。参照として、これらバリアントａ１およびｂ２に対する極点図のピークは、他の４つのバリアントとともに図１４に示され、Ｅ2-a1b2に対する対応する二結晶エネルギー曲線が図１１に示される。磁気的にカップリングされた場合でも、同��リアント対からは一軸性挙動をまったく得られないことは明らかである。したがって、＜１１２＞テンプレート方向における入射角を有する堆積により完全に異なる結果が得られる。要約するに、（１１１）テクスチャー度の単結晶基板に堆積されるとき、対称性を破るメカニズムとして上述の堆積の角を用いた場合、１組のバリアントは一軸性挙動を生ずるが他の組は生じない。対称性を破る方法を用いて一軸性挙動を実現するためには、テンプレートと堆積方向の正しい配向が必要となる。しかしながら、両方の配向においてバリアントの対称性は破られる。
【０１１０】
非磁性材料の六方晶テンプレートが使用されるときでも交換カップリングされたバリアントを有し、一軸対称性の破られた挙動を得ることが可能であることが分かった。前記したとおり試料の構造は、異なる堆積速度および温度で処理されるとき、異なる粒の大きさを生じ、両者のあいだの磁気交換が可能であった。さらに、角をつけて堆積することにより、粒形の異方性を有する粒の形態学を生ずる。しかしながら、＜１１２＞および＜１１０＞六方晶テンプレート方向の両方向において堆積された膜を研究することにより、対称性を破るプロセスおよび結晶配向によって生ずる一軸性挙動は、粒の形状効果に関連する異方性とともにまだ存在することが分かった。正しく強くテクスチャーされ適合された原子格子間隔を用いて、良好なエピタキシャル成長を誘発する六方晶テンプレートは、粒子の形状効果の最小化を著しく補助する。
【０１１１】
同様の組の実験が磁気六方晶テンプレートと印加された磁場とを用いて実行される。つまり、対称性を破るメカニズムとして、入射角を有する堆積の代わりに磁場が用いられる。Ｎｉを六方晶テンプレートに使用し、永久磁石を基板の近傍で基板キャリヤ上に配置することにより、１００エルステッド（Ｏｅ）範囲中の印加された磁場が生成される。試料の構造は、
Ag(200nm)/Cr(40nm)/Fe(50nm)<45/Ni(5nm)/Ag(40nm)/Si(111)
となる。
【０１１２】
磁場が六方晶テンプレート＜１１２＞方向に略沿って印加される場合、結果として生ずるバリアントの組は、Ｅ2-a1c2であり、磁場が＜１１１＞方向に略沿って印加される場合、一軸性挙動を有する補完的な４元素のバリアントの組の１つが選択される。しかしながら、Ｘ線極点測定技法を用いて４つのバリアントのどの組が優位かを正確に観察することは困難である。したがって、入射角を有する堆積とは異なり、対称性が磁場メカニズムを用いて破られる場合、一軸性挙動は磁場が六方晶テンプレートの結晶方向＜１１０＞または＜１１２＞のいずれか一方に沿って方向付けられるときに得られる。４つのバリアントの組を出現させる、対称性を破る磁場が＜１１０＞方向にあるときの磁化困難軸の透磁率が２つのバリアントの組におけるときよりも高くなるべきであるが、そうであると考えるのは困難である。保磁力は、より高くなり、一軸性磁気応答関数はそれほど理想的でない。これら磁気効果は、処理の許容範囲がより厳しい場合に４つのバリアントの組を調製することはより困難であることは示す。印加された磁場の大きさは、いくつかの調製された試料によって異なり、試料の−１．５〜２ｍｍと非常に小さい大きさのセグメントがそれぞれ個別の磁気特性に関して研究される。それにより、これらのセグメントは、様々な印加された磁場の大きさおよび方向によって調製される個々の試料を表す。これらの測定値より、磁場を用いた対称性を破るメカニズムが最小で１０ Ｏｅといった、磁場に対する観察可能な対称性を破る程度を生ずる。出願人が、アースの磁場または何等かの他の漂遊磁界が結果に影響を与えるかもしれないと関心を持ったことをここで述べるとする。漂遊磁界は、基板キャリヤの近傍において約１ Ｏｅまたは１ Ｏｅ未満と測定され、これは、測定されたアースの磁場強度に匹敵する。それにも関わらず、実験は実行され、このときサンプル基板は印加された界磁石を含むサンプルキャリヤ上に取り付けられる。堆積プロセス中、基板キャリヤ、したがって、印加された界磁石および試料は一緒に回転される。これにより、一定の印加された磁場が提供される一方で、回転が全ての印加された漂遊磁界に対して平均化メカニズムを提供する。同様にして、同様の実験が、どの印加された磁場も用いない代わりに、対象性を破る技法として入射角を有する堆積を用いて行われた。両方の対称性を破るメカニズムにおいて、回転処理無しで調製された試料と磁気結果は変わらない。したがって、出願人は、漂遊磁界が実験結果においてどの重要な役割も担っていないと確信した。
【０１１３】
４つのバリアントでの一軸性は、より良い真空システムがあり、かつ、ＨＦエッチング技法からのＨ結合を介してＳｉを不動態化しなくてもよい場合により簡単に実現されると予想する。二酸化珪素が約８５０℃で昇華し、きれいなＳｉ表面にすることは周知である。処理は超高真空システムで実施される場合、よりきれいな基板が最初のＡｇ堆積に利用できる。これにより、より高い質の膜および膜構造と、処理全体のより良い制御が得られると予想される。
【０１１４】
磁気応答曲線の測定は、上述の試料について行われる。永久磁石からの磁場が試料にわたって完全に均一でないため、対称性を破るメカニズムは六方晶テンプレートの＜１１２＞方向と完全に整列されない。それにも関わらず、測定された試料にわたる磁場方向は１０度以上の変動を有さず、試料の大部分にわたってより良く整列されていた。磁気応答曲線を介して対称性を破るメカニズムを示すために十分に整列される。図１５は、
サンプル名：LS1425_2cx
Ag(200nm)/Cr(40nm)/Fe(50nm)＜H<112>/Ni(5nm)/Ag(40nm)/Si(111)
の構造を用いて、２つのバリアントの、交換カップリングされ、一軸対称性が破られた試料のうちの１つのＭｘおよびＭｙ対Ｈｘ応答を示す図である。
【０１１５】
Ｎｉだけの保磁力が測定され、本試料の磁化困難軸ループに対して観察された１０ Ｏｅに匹敵することが分かった。したがって、膜のバリアントを交換カップリングすることは低保磁力を実現するのに十分でないことが分かる。交換カップリングする層は、磁気的に軟質でなくてはならない。周知の軟質なＮｉＦｅ合金であるパーマロイがＮｉと置換され、このとき保磁力は１．０ Ｏｅ未満に低下した。しかしながら、興味深いことに、Ｎｉテンプレートを用いた場合でも、高い駆動磁場が試料を飽和させるまで駆動するために使用されなければ試料が無損失な挙動を示す。図１５における別の測定では、試料は、最初にほとんどの磁壁を除去するために磁化容易軸方向に駆動され、次に、試料を飽和させるのに必要な磁場の約８０％まで磁化困難軸の方向に駆動される。このマイナーループ応答は、測定器具の略分解限界値である１ Ｏｅ未満の保磁力を示す。図１５は、試料が飽和まで駆動されるとき非線形の一軸性の応答関数と図２の理想図に類似する一軸性の結果を明らかに示す。これは、狭い磁化困難軸ループＭｘ対Ｈｘの［１９］と、幾らか二次式のＭｙ磁化容易軸の［２０］応答の両方に当てはまる。磁化困難軸ループＭｘは潜在的な略線形の挙動を示し、Ｍｙ応答は非線形応答を示す。
【０１１６】
入射角を有する堆積によって形成される、他の類似の組成物よりなり層構造化された試料は、マイナー磁化困難軸ループについて測定可能な保磁力または損失を示さない。これらに関して、８０から１０００以上の範囲の透磁率が観察される。
【０１１７】
ハードディスク媒体の試料は、製造用ハードディスク媒体真空システムを用いるが、類似しているが前述の入射角を有する堆積の技法よりも理想的でない技法で調製される。ソースのｂｃｃ−ｄ材料は、ディスクの表面にわたって異なる角でディスク全体にわたってラジアル模様で伝えられる。これは、中央に穴のある円形のマスクでディスクの大部分をマスキングして、標準的なスパッタリングターゲットから堆積することで達成される。それにより、スパッタリングされた材料は、入射角で本質的に半径方向に穴から出される。
いくつかの試料は、
LSSDK-0505-1
Cr(40nm)/Fe(40nm)<〜45/Cu(20nm)/Cr35Ta(20nm)／ガラス−セラミック
および
LSSDK-0505-2
CoCrPt(20nm)/Cr(40nm)<〜45/Cu(20nm)/Cr35Ta(20nm)／ガラス−セラミック
で形成される層構成で調製される。
【０１１８】
第１の試料（Ｆｅ）の磁気特性は、異方性挙動を示し、ＯＲは１よりも大きく、試料０５０５−２を実行するための信頼を提供する。Ｆｅは、軟質Ｆｅの特性とのより硬質なＣｏＣｒＰｔ合金の磁気結果を不明瞭にしないようＣｒに変えられる。調製された試料において、１．０５〜１．１５の範囲のＯＲは、円周方向の保磁力を半径方向の保磁力で分割したときに得られる。これは所望であり、全体的に保磁力は２５００ Ｏｅの範囲にある。多結晶の六方晶テンプレート層とアモルファスおよびセラミックの混合基板が回折ピークの非常に大きい干渉の組を有するため、どのＸ線データも得られない。
【０１１９】
当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく本発明の材料構造、装置、方法、および機器の特定の面に対していくつかの変更および変化を加えることができることを理解するであろう。このような変更および変化は、明細書中および添付の特許請求の範囲によって網羅されることとする。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】一軸性ストーナー・ウォールファースモデルに関して、磁気異方性エネルギー密度をプロットした図である。
【図２】一軸性ストーナー・ウォールファースモデルに関して磁化困難軸Ｈｘの方向に印加された磁場に対する磁化困難軸応答関数Ｍｘと、一軸性ストーナー・ウォールファースモデルに関して磁化困難軸Ｈｘの方向に印加された磁場に対する磁化容易軸応答関数Ｍｙとを示す図である。
【図３】ｆｃｃ結晶の（１１１）結晶面の原子配置と比較した場合のｂｃｃ結晶の（１１０）結晶面の従来の３つの配向バリアント配置を示す図である。
【図４】一次異方性エネルギー密度定数Ｋ1が正であるときの立方晶の（１１０）テクスチャー面に関する、面における磁気異方性エネルギー密度対磁化方向をプロットした図である。
【図５】六方晶格子テンプレート結晶の（１１１）結晶面の原子配置と比較した、ｂｃｃ−ｄ結晶の（１１０）結晶面の６つの可能な配向バリアントのうちの２つを示す図である。
【図６】Ｋ1＞０、δ＝７．５度のときの、６つの可能なｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャードバリアントのうち特別な場合である３つの（ｂ１、ｂ２およびｃ１）のカップリングされた（１１０）バリアントに対する磁気異方性エネルギー密度対面内磁化方向をプロットし、１回の１８０度回転当たり１つのエネルギー最小値と１つのエネルギー最大値があることを示す図である。
【図７】Ｋ1＞０、δ＝５．２６度のときの、６つの可能なｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャードバリアントのうち特別な場合である２つの（ａ１およびｃ２）のカップリングされた（１１０）バリアントに対する磁気異方性エネルギー密度対面内磁化方向をプロットし、１回の１８０度回転当たり１つのエネルギー最小値と１つのエネルギー最大値があることを示す図である。
【図８】Ｋ1＞０、δ＝５．２６度のときの、６つの可能なｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャードバリアントのうち特別な場合である４つの（ａ２、ｂ１、ｂ２およびｃ１）のカップリングされた（１１０）バリアントに対する磁気異方性エネルギー密度対面内磁化方向をプロットし、１回の１８０度回転当たり１つのエネルギー最小値と１つのエネルギー最大値があることを示す図である。
【図９】Ｋ1＞０、δ＝５．２６度のときの、カップリングされたバリアント対（ａ１およびｃ２）に関して磁化困難軸Ｈｘの方向に印加された磁場に対する磁化困難軸応答関数Ｍｘおよび磁化容易軸応答関数Ｍｙを示す図である。
【図１０】Ｋ1＞０、δ＝５．２６４度のときの、６つの可能なｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャードバリアントのうち特別な場合である３つの（ｂ１、ｂ２およびｃ１）のカップリングされた（１１０）バリアントに対する磁気異方性エネルギー密度対面内磁化方向をプロットし、１回の１８０度回転当たり１つのエネルギー最小値と１つのエネルギー最大値があることを示す図である。
【図１１】Ｋ１＞０、δ＝５．２６４度のときの、６つの可能なｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャードバリアントのうち特別な場合である２つの（ａ１およびｂ２）のカップリングされた（１１０）バリアントに対する磁気異方性エネルギー密度対面内磁化方向をプロットし、１回の１８０度回転当たり１つのエネルギー最小値と１つのエネルギー最大値があることを示す図である。
【図１２】入射角を有する堆積の際の原子移動の角を定める座標系を示し、基板面はｘ−ｙであり、堆積材料はｒの方向におかれ、堆積角ωはｚ軸とｒベクトルとのあいだの角であることを示す図である。
【図１３】入射角を有する堆積に関する、ディスク表面に対する新しいスパッタリング陰極の幾何学的形状を概略的に示す図である。
【図１４】試料が入射角を有する堆積で生成される場合に、対称性が破られた構造を生成するようバリアントａ１およびｃ２が他の４つのバリアントよりも優位であるとして、δ＝５．２６４を有する６つのｂｃｃ−ｄ（１１０）テクスチャードバリアントを示し、さらに、３つのＡｇ（２２０）ピークを示す図である。
【図１５】対象性を破るメカニズムが＜１１２＞方向に印加される磁場であるとして、磁化容易軸を六方晶テンプレートの＜１１２＞方向にして調製されるＦｅ（Ｋ1＞０）の試料に関して、磁化困難軸Ｈｘの方向に印加された磁場に対する一軸性磁化困難軸応答Ｍｘ関数と磁化容易軸応答関数Ｍｙのデータを示す図である。
【図１】
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【図９】
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【図１３】
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【図１５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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