(57)【要約】【課題】検出精度の向上されたタッチセンサ付き表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、検出回路と、複数の検出電極を有するタッチ検出領域と、前記タッチ検出領域の周りの周辺領域、前記複数の検出電極から前記周辺領域を通って前記検出回路に接続される複数の配線と、前記複数の配線と並走し、前記検出回路に接続される少なくとも１つの補助配線と、を備える。【選択図】図５
2018151914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出回路と、
複数の検出電極を有するタッチ検出領域と、
前記タッチ検出領域の周りの周辺領域と、
前記複数の検出電極から前記周辺領域を通って前記検出回路に接続される複数の配線と、
前記複数の配線と並走し、前記検出回路に接続される少なくとも１つの補助配線と、
を具備する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記補助配線は、前記複数の配線の最外配線の外側に配置される、表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記補助配線は、前記複数の配線のおのおのの間に配置される、表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記タッチ検出領域内で検出された検出情報と、前記補助配線により検出された情報とにより、タッチ検出座標を求める、表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記周辺領域に、物体があるか否かを判断し、物体がある場合、その後の処理を変更する、表示装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記検出電極は、ストライプ状で画素の信号線と並走する、表示装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記検出電極は、ストライプ状で画素の走査線と並走する、表示装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記検出電極は、第１方向、第２方向にマトリックス状に複数の電極に区切られ、前記複数の電極のおのおのから前記検出回路へ前記周辺領域を通って複数の配線で接続される、表示装置。
【請求項９】
請求項１において、
前記検出電極は、前記周辺領域まで延びている、表示装置。
【請求項１０】
複数の表示素子を有する表示パネルと、
検出領域に外部近接物体を検出するための静電容量を有する複数の検出電極と、
前記表示パネルの少なくとも１辺に沿って配置され、各々複数の検出電極に接続された複数の配線と、
前記複数の配線と平行に配置された補助配線と、
前記複数の配線と前記補助配線とに電気的に接続され、前記複数の検出電極と前記補助配線の静電容量を検出するための制御回路と、
を有する表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記複数の検出電極と交差する方向に配置された複数の駆動電極と、
前記複数の駆動電極を駆動するための駆動回路と、を有する、表示装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記制御回路は前記複数の駆動電極の電圧の変化に対応して前記複数の検出電極と前記補助配線の静電容量値を検出し、検出した前記複数の検出電極の静電容量値を第１検出値とし、検出した前記補助配線の静電容量値を第２検出値とし、前記第１検出値から前記第２検出値を減算した値を第３検出値とし、前記第３検出値が所定の値より大きいとき前記外部近接物体が近接したと判定する、表示装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記制御回路は前記複数の駆動電極を順次駆動し、各々の駆動タイミングにて前記複数の検出電極の第３検出値を検出し、駆動した駆動電極と、検出された第３検出値が所定の値より大きい検出電極との交差部に前記外部近接物体が近接した座標と判定する、表示装置。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記制御回路は、前記複数の検出電極と前記補助配線の各々に駆動信号を供給し、前記複数の検出電極と前記補助配線の静電容量値を検出し、検出した前記複数の検出電極の静電容量値を第１検出値とし、検出した前記補助配線の静電容量値を第２検出値とし、前記第１検出値から前記第２検出値を減算した値を第３検出値とし、前記第３検出値が所定の値より大きいとき前記外部近接物体が近接したと判定する、表示装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記制御回路は前記複数の検出電極を順次駆動し検出された第３検出値が所定の値より大きい検出電極に前記外部近接物体が近接した座標と判定する、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は表示装置に関し、タッチセンサ付き表示装置に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示される入力装置は、互いに隣り合うとともに、互いに電気的に接続された複数の第１検出電極パターンと、互いに隣り合う前記第１検出電極パターン同士の間に設けられており、且つ前記第１検出電極パターンとは離間した第２検出電極パターンと複数の前記第１検出電極パターンおよび前記第２検出電極パターンとは離間しており、平面視して複数の前記第１検出電極パターンおよび前記第２検出電極パターンと交差した第３検出電極パターンとを含む。
【０００３】
上記入力装置は、さらに、前記第３検出電極パターンに電圧を印加する電圧供給部、該電圧供給部から前記第３検出電極パターンに印加された電圧に基づいて前記第１検出電極パターンから信号を受信する第１受信部と、前記電圧供給部から前記第３検出電極パターンに印加された電圧に基づいて前記第２検出電極パターンから信号を受信する第２受信部と、該第２受信部から受信した信号に基づいて前記第１受信部が受信した信号を補正する第１補正部、および該第１補正部が補正した信号が所定値に達した場合に入力操作が行われたと判定する第１判定部を有する制御部と、を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５-１１５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の入力装置は、入力装置におけるグランド電位に変動が生じても、入力領域の検出精度が低下してしまう可能性を低減することができるものである。
【０００６】
本発明者らの検討によれば、以下の課題がある事が分かった。
【０００７】
タッチセンサの入力領域（アクティブエリアＡＡ）に設けられる検出電極（Ｒｘ）を、入力領域の周りの額縁領域に設けた引き出し配線を介して、タッチ制御装置へ供給する構成において、前記額縁領域の前記引き出し配線の配線部に、物体がある場合、タッチセンサの入力領域に物体があるものとして誤認識してしまう虞がある。
【０００８】
また、タッチセンサの入力領域から前記引き出し配線の配線部にまたがる様な比較的大きな物体がある場合、入力領域内において前記検出電極（Ｒｘ）と交差するように設けられた駆動配線（Ｔｘ）からの電荷流入が前記額縁領域の前記引き出し配線に発生し、検出信号の強度を低下させてしまう虞がある。
【０００９】
本発明の目的は、検出精度の向上されたタッチセンサ付き表示装置を提供することにある。
【００１０】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１２】
すなわち、本発明の一態様に係る表示装置は、検出回路と、複数の検出電極を有するタッチ検出領域と、前記タッチ検出領域の周りの周辺領域と、前記複数の検出電極から周辺領域を通って検出回路に接続される複数の配線と、前記複数の配線と並走し、前記検出回路に接続される少なくとも１つの補助配線と、を備える。
【００１３】
本発明の他の一態様に係る表示装置は、複数の表示素子を有する表示パネルと、検出領域に外部近接物体を検出するための静電容量を有する複数の検出電極と、前記表示パネルの少なくとも１辺に沿って配置され、各々複数の検出電極に接続された複数の配線と、前記複数の配線と平行に配置された補助配線と、前記複数の配線と前記補助配線とに電気的に接続され、前記複数の検出電極と前記補助配線の静電容量を検出するための制御回路と、を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様に係る表示装置によれば、検出精度の向上されたタッチセンサ付き表示装置を提供することが出来る。
【００１５】
また、本発明の他の一態様に係る表示装置によれば、検出精度の向上されたタッチセンサを内蔵する表示パネルを有する表示装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける表示装置の概略の構成を示す図である。
【図２】実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰの構造を示す断面図である。
【図３Ａ】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰのミューチャル検出方式の代表的な基本構成を示す図である。
【図３Ｂ】実施の形態に係るセルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式の代表的な基本構成を示す図である。
【図４Ａ】実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰのミューチャル検出方式の駆動方法を説明するための図である。
【図４Ｂ】実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰのセルフ検出方式との駆動方法を説明するための図である。
【図５】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの構成例を概念的に示す平面図である。
【図６Ａ】補助配線を設けた場合の概念的な構成を説明するための図である。
【図６Ｂ】補助配線を設けた場合の概念的な構成を説明するための図である。
【図７】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図８】は、２本の補助配線(モニタ配線)を有するセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。
【図９】周辺領域Ｅ１に物体Ｏ２がある場合の処理アルゴリズムを説明するための図である。
【図１０】共通電極、検出電極、補助配線の模式的な配置図である。
【図１１】図１０におけるBaseline容量値を模式的に示す図である。
【図１２】図１０における共通電極を走査したときの容量値を模式的に示す図である。
【図１３】図１０における係数αを模式的に示す図である。
【図１４Ａ】各容量値を変化分（Delta）で表現した場合を概念的に説明するための図である。
【図１４Ｂ】各容量値を実容量で表現した場合を概念的に説明するための図である。
【図１５】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図１６Ａ】複数本の補助配線(モニタ配線)を有するセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。
【図１６Ｂ】周辺領域に物体Ｏ２がある場合の処理アルゴリズムを説明するための図である。
【図１７】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図１８】図１７のセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。
【図１９】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図２０】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図２１Ａ】図２０のＡ−Ａに沿う引き出し配線および補助配線の概念的な断面図である。
【図２１Ｂ】図２０のセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける補助配線の検出値を概念的に説明する図である。
【図２２】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図２３】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図２４】複数本の補助配線を有するセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。
【図２５】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。
【図２６】実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰの概略的なブロックを説明するための図である。
【図２７】実施の形態に係るタッチコントローラＴＣの概略的なブロックを説明するための図である。
【図２８】実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰのセンサの共通電極及び検出電極の概略の構成を示す平面図である。
【図２９】実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰのセンサの共通電極及び検出電極の概略の他の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１９】
図１は、実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける表示装置の概略の構成を示す図である。なお、実施の形態において、表示装置は液晶表示装置である。
【００２０】
センサ付き表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、表示パネルＰＮＬを背面側から照明するバックライトＢＬＴと、を備えている。そして表示パネルＰＮＬには、マトリクス状に配置された表示画素ＰＸを含む表示部が設けられている。
【００２１】
図１に示すように、表示部においては、複数の表示画素ＰＸが配列する行に沿って延びるゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２…）と、複数の表示画素ＰＸが配列する列に沿って延びるソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２…）と、ゲート線(走査線)Ｇとソース線(信号線)Ｓが交差する位置近傍に配置された画素スイッチＳＷとが備えられている。複数の表示画素ＰＸの各々は画素電極ＰＥと共通電極ＣＯＭＥを有し、対向する画素電極ＰＥと共通電極の間に液晶層を有する。複数の行方向（Ｙ）に延在された複数の共通電極ＣＯＭＥは列方向（Ｘ）に配置される。尚、複数の列方向（Ｘ）に延在された複数の共通電極ＣＯＭＥを行方向（Ｙ）に配置する構成としてもよい。
【００２２】
画素スイッチＳＷは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えている。画素スイッチＳＷのゲート電極は対応するゲート線Ｇと電気的に接続されている。画素スイッチＳＷのソース電極は対応するソース線Ｓと電気的に接続されている。画素スイッチＳＷのドレイン電極は対応する画素電極ＰＥと電気的に接続されている。
【００２３】
また、複数の表示画素ＰＸを駆動する駆動手段として、ゲートドライバＧＤ（左側ＧＤ−Ｌおよび右側ＧＤ−Ｒ）、ソースドライバＳＤ、共通電極駆動回路ＣＤとが設けられている。複数のゲート線Ｇは各々ゲートドライバＧＤの出力部と電気的に接続されている。複数のソース線Ｓは各々ソースドライバＳＤの出力部と電気的に接続されている。共通電極ＣＯＭＥは共通電極駆動回路ＣＤの出力部と電気的に接続されている。図１においては、ソースドライバＳＤと共通電極駆動回路ＣＤとが、駆動回路内に設けられるように描かれている。
【００２４】
ゲートドライバＧＤとソースドライバＳＤと共通電極駆動回路ＣＤとは、表示部の周囲の周辺領域（額縁領域）あるいは表示パネルＰＮＬに接続されたフレキシブル基板上に配置される。ゲートドライバＧＤは複数のゲート線Ｇにオン電圧を順次印加して、選択されたゲート線Ｇに電気的に接続された画素スイッチＳＷのゲート電極にオン電圧を供給する。ゲート電極にオン電圧が供給された画素スイッチＳＷの、ソース電極−ドレイン電極間が導通する。ソースドライバＳＤは、複数のソース線Ｓのそれぞれに対応する出力信号を供給する。ソース線Ｓに供給された信号は、ソース電極−ドレイン電極間が導通した画素スイッチＳＷを介して対応する画素電極ＰＥに供給される。
【００２５】
ゲートドライバＧＤとソースドライバＳＤと共通電極駆動回路ＣＤは、表示パネルＰＮＬの外部あるいは内部に配置された制御回路（control circuit）ＣＴＲにより動作を制御される。さらに、制御回路ＣＴＲは、バックライトＢＬＴの動作を制御する。
【００２６】
図２は、実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰの構造を示す断面図である。
【００２７】
センサ付き表示装置ＤＳＰは、インセル型のタッチセンサを有するものであり、表示パネルＰＮＬ、バックライトＢＬＴ、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２を備えている。図示した例では、表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであるが、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルなどの他のフラットパネルであっても良い。また、図示した表示パネルＰＮＬは、表示モードとして横電界モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。
【００２８】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、液晶層ＬＱを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは所定のセルギャップを形成した状態で貼り合わされている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップに保持されている。
【００２９】
第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２に対向する側に、ソース線Ｓ、共通電極ＣＯＭＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００３０】
ここで、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＯＭＥは、これら電極間に配置される液晶層の画素領域とともに表示画素を構成し、表示画素は表示パネルＰＮＬにマトリクス状に配置されている。
【００３１】
第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。なお、詳述しないが、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間には、ゲート線Ｇ、スイッチング素子のゲート電極や半導体層などが配置されている。ソース線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。また、スイッチング素子のソース電極やドレイン電極なども第１絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、ソース線Ｓは、共通電極ＣＯＭＥと平行して第２方向Ｙに延出している。
【００３２】
第２絶縁膜１２は、ソース線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＯＭＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。図示した例では、共通電極ＣＯＭＥは、複数のセグメントによって構成されている。共通電極ＣＯＭＥの各セグメントは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、間隔をおいて第１方向Ｘに並んでいる。このような共通電極ＣＯＭＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。なお、図示した例では、共通電極ＣＯＭＥの上に金属層ＭＬが形成され、共通電極ＣＯＭＥを低抵抗化しているが、金属層ＭＬは省略しても良い。
【００３３】
第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＯＭＥ、金属層ＭＬ、及び第２絶縁膜１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。各画素電極ＰＥは、隣接するソース線Ｓの間にそれぞれ位置し、共通電極ＣＯＭＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＯＭＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００３４】
一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３５】
ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に形成され、各画素を区画している。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ第２絶縁基板２０の内面に形成され、それらの一部がブラックマトリクスＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは例えば赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＧは例えば緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＢは例えば青色カラーフィルタである。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００３６】
検出電極ＤＥＴＥは、第２絶縁基板２０の外面に形成されている。この検出電極ＤＥＴＥは、共通電極ＣＯＭＥの各セグメントと交差する方向に延出しており、図示した例では、第１方向Ｘに延出している。このような検出電極ＤＥＴＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。
【００３７】
バックライトＢＬＴは、表示パネルＰＮＬの背面側に配置されている。バックライトＢＬＴとしては、種々の形態が適用可能であり、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能である。
【００３８】
第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトＢＬＴとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、検出電極ＤＥＴＥの上に配置されている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
【００３９】
次に、センサ付き表示装置ＤＳＰに用いられるタッチセンサについて説明する。上述のようにタッチパネルに対して利用者の指或いはペン等の外部近接物体が触れていること、或いは近接していることを検出する方式として、ミューチャル（Ｍｕｔｕａｌ）検出方式と、セルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式と、がある。
【００４０】
＜ミューチャル（Ｍｕｔｕａｌ）検出方式＞
図３Ａは、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰのミューチャル検出方式の代表的な基本構成を示す図である。センサとしては、共通電極ＣＯＭＥ（Ｔｘ）と検出電極ＤＥＴＥ（Ｒｘ）とが利用される。
【００４１】
共通電極ＣＯＭＥ（Ｔｘ）は、複数の共通電極Ｃｏｍｅ１，Ｃｏｍｅ２，Ｃｏｍｅ３・・・・を含む。複数の共通電極Ｃｏｍｅ１，Ｃｏｍｅ２，Ｃｏｍｅ３・・・・は、例えば、ストライプ状とされる。この複数の共通電極Ｃｏｍｅ１，Ｃｏｍｅ２，Ｃｏｍｅ３・・・・が走査（駆動）方向（Ｙ方向またはＸ方向）に配列されている。
【００４２】
一方、検出電極ＤＥＴＥ（Ｒｘ）は、複数の検出電極Ｄｅｔｅ１，Ｄｅｔｅ２，Ｄｅｔｅ３，・・・・（共通電極よりも細い）を含む。複数の検出電極Ｄｅｔｅ１，Ｄｅｔｅ２，Ｄｅｔｅ３，・・・・は、例えば、ストライプ状とされる。この複数の検出電極Ｄｅｔｅ１，Ｄｅｔｅ２，Ｄｅｔｅ３，・・・・は、共通電極（Ｔｘ）と直交あるいは交差する方向（Ｘ方向またはＹ方向）に配列されている。
【００４３】
共通電極ＣＯＭＥと検出電極ＤＥＴＥは、間隔を置いて配置される。このために、複数の共通電極Ｃｏｍｅ１，Ｃｏｍｅ２，Ｃｏｍｅ３・・・・と、複数の検出電極Ｄｅｔｅ１，Ｄｅｔｅ２，Ｄｅｔｅ３，・・・・との間には、基本的に静電容量としての容量Ｃｃ(Baseline容量)が存在する。
【００４４】
複数の共通電極（Ｃｏｍｅ）は映像表示期間（表示期間）には共通して所定の電圧が印加され、タッチ検出期間（検出期間）にはパルス状の駆動パルスが印加される。そのため、検出期間においては、共通電極（Ｃｏｍｅ）は駆動電極（Ｔｘ）ということもできる。
【００４５】
複数の共通電極Ｃｏｍｅ１，Ｃｏｍｅ２，Ｃｏｍｅ３・・・・、すなわち、タッチ検出時の駆動電極Ｔｘは所定の周期で駆動パルス（Ｓｉｇ）により走査される。今、ユーザの指が検出電極Ｄｅｔｅ２と駆動電極Ｔｘ２の交差部に近接して存在するものとする。この時、駆動電極Ｔｘ２に駆動パルス（Ｓｉｇ）が供給されると検出電極Ｒｘ（Ｄｅｔｅ１，Ｄｅｔｅ２，Ｄｅｔｅ３，・・・・）にはパルス状の波形が得られ、検出電極Ｄｅｔｅ２からは、他の検出電極から得られるパルスよりも振幅レベルの低いパルスが得られる。検出電極Ｒｘ（Ｄｅｔｅ１，Ｄｅｔｅ２，Ｄｅｔｅ３，・・・・）は駆動電極Ｔｘ（Ｃｏｍｅ１，Ｃｏｍｅ２，Ｃｏｍｅ３・・・・）からのフリンジ電界を監視しており、指のような導電物が近接すると、このフリンジ電界を遮蔽する効果がある。フリンジ電界が遮蔽されることで、検出電極Ｒｘの検出電位が低下する。
【００４６】
ミューチャル検出では、この検出電位の差を、ポジションＤＥＴＰの検出パルスとして取り扱うことができる。図示される容量Ｃｘは、ユーザの指が検出電極ＤＥＴＥに近い場合と、遠い場合とで異なる。このために検出パルスのレベルもユーザの指が検出電極ＤＥＴＥに近い場合と、遠い場合とで異なる。よって、タッチパネルの平面に対する指の近接度を検出パルスの振幅レベルで判断することができる。駆動パルスＳｉｇによる電極駆動タイミングと、検出パルスの出力タイミングにより、タッチパネルの平面上の指の２次元上の位置を検出することができる。
【００４７】
＜セルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式＞
図３Ｂは、実施の形態に係るセルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式の代表的な基本構成を示す図である。セルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式では、検出電極ＤＥＴＥ（Ｒｘ）及び共通電極ＣＯＭＥ（Ｔｘ）にパルス状の自己検出用駆動パルスを順次供給して、外部近接物体であるユーザの指の位置や座標を検出する。図３Ｂには、例示的に、検出電極Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）と共通電極Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２）を示しており、また、検出電極Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）と共通電極Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２）との交点部分に、ユーザの指Ｏ１が接近または接触している場合を示している。ユーザの指Ｏ１により、検出電極Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）の静電容量は、Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）の自己容量とユーザの指Ｏ１による容量Ｃｘ１とが加算された値に増加する。同様に、共通電極Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２）の静電容量は、共通電極Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２）の自己容量とユーザの指Ｏ１による容量Ｃｘ２とが加算された値に増加する。この状態において、例えば、最初に、検出電極Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）が抵抗Ｒ１を介して自己検出用駆動パルスＳｉｇ１により駆動され、検出電極Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）の増加された静電容量が自己検出用駆動パルスＳｉｇ１により充電される。検出回路ＤＥＴ１は、容量Ｃｘ１により増加した充電電圧の値に基づいて検出電極Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）にユーザの指Ｏ１が有ることを検出する。次に、共通電極Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２）が抵抗Ｒ２を介して自己検出用駆動パルスＳｉｇ２により駆動され、共通電極Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２）の増加された静電容量が自己検出用駆動パルスＳｉｇ２により充電される。検出回路ＤＥＴ２は、容量Ｃｘ２により増加した充電電圧の値に基づいて検出電極Ｄｅｔｅ２にユーザの指Ｏ１が有ることを検出する。これにより、検出電極Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２）と共通電極Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２）との交点にユーザの指Ｏ１が有ることが検出され、タッチパネルの平面上のユーザの指Ｏ１の位置や座標が検出される。
【００４８】
図３Ｂには図示されないが、図３Ａと同様に、センサとしては、共通電極ＣＯＭＥ（Ｔｘ）と検出電極ＤＥＴＥ（Ｒｘ）とが利用される。自己検出用駆動パルスＳｉｇ２により順次駆動（走査）される共通電極ＣＯＭＥは、図３Ａと同様に、複数のストライプ状の共通電極Ｃｏｍｅ１（Ｔｘ１），Ｃｏｍｅ２（ＴＸ２），Ｃｏｍｅ３（Ｔｘ３）・・・・を含む。この複数の共通電極Ｃｏｍｅ１（Ｔｘ１），Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２），Ｃｏｍｅ３（Ｔｘ３）・・・・がＹ方向またはＸ方向に配列されている。同様に、自己検出用駆動パルスＳｉｇ１により順次駆動（走査）される検出電極ＤＥＴＥは、複数のストライプ状の検出電極Ｄｅｔｅ１（Ｒｘ１），Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２），Ｄｅｔｅ３（Ｒｘ３），・・・・（実際には、図３Ａと同様に、ストライプ状の共通電極よりも細い）を含む。この複数の検出電極Ｄｅｔｅ１（Ｒｘ１），Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２），Ｄｅｔｅ３（Ｒｘ３），・・・・は、複数の共通電極Ｃｏｍｅ１（Ｔｘ１），Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２），Ｃｏｍｅ３（Ｔｘ３）・・・・と直交または交差する方向（Ｘ方向またはＹ方向）に配列されている。図３Ｂに示されるような構成を用いて、複数の検出電極Ｄｅｔｅ１（Ｒｘ１），Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２），Ｄｅｔｅ３（Ｒｘ３），・・・・と複数の共通電極Ｃｏｍｅ１（Ｔｘ１），Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２），Ｃｏｍｅ３（Ｔｘ３）・・・・の両方をセルフ検出方式で順次駆動(走査)することにより、複数の検出電極Ｄｅｔｅ１（Ｒｘ１），Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２），Ｄｅｔｅ３（Ｒｘ３），・・・・と複数の共通電極Ｃｏｍｅ１（Ｔｘ１），Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２），Ｃｏｍｅ３（Ｔｘ３）・・・・の交点における外部近接物体Ｏ１の位置を検出できる。なお、セルフ検出方式における検出期間において、複数の検出電極Ｄｅｔｅ１（Ｒｘ１），Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２），Ｄｅｔｅ３（Ｒｘ３），・・・・と複数の共通電極Ｃｏｍｅ１（Ｔｘ１），Ｃｏｍｅ２（Ｔｘ２），Ｃｏｍｅ３（Ｔｘ３）・・・・とは、検出電極と見做すことが出来る。
【００４９】
また、このようなセルフ検出方式はタッチセンサが低消費電力モード時において検出電極Ｄｅｔｅ１（Ｒｘ１），Ｄｅｔｅ２（Ｒｘ２），Ｄｅｔｅ３（Ｒｘ３），・・・・のみを自己検出用駆動パルスＳｉｇ１により駆動し、指等の外部近接物体の有無のみを検出し、ミューチュアル検出に切り替え外部近接物体の座標を検出するようにしてもよい。
【００５０】
尚、図３Ａ、図３Ｂには図示されないが、スイッチ等によりミューチャル（Ｍｕｔｕａｌ）検出方式と、セルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式とを切り替え可能な構成にしてもよい。また、図３Ｂに示すセルフ検出方式の構成は一例であり、これに限定されるものではない。
【００５１】
図４Ａ，図４Ｂは実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰのミューチャル検出方式とセルフ検出方式との駆動方法を説明するための図である。上述のように、映像表示に使用される共通電極ＣＯＭＥがタッチ位置検知用の電極としても共用されているため、映像表示動作とタッチ位置検知動作とを時分割（タイムシェアリング）で駆動する。
【００５２】
図４Ａに示すミューチャル検出方式では、映像を表示する期間とタッチ位置を検出する期間とをそれぞれ分割し、分割された映像表示期間と分割されたタッチ位置検出期間とを交互に繰り返して１フレーム表示期間を構成する。即ち、ＲＧＢの３色を選択する信号（ＳＥＬＲ／Ｇ／Ｂ）に対応して色毎の映像信号（ＳＩＧｎ）を出力する動作を分割された複数の表示行について実行した後、分割された複数の駆動電極Ｔｘに駆動パルスＳｉｇを入力するミューチャル検出動作を実行する。そして、この動作を分割された複数の表示行と複数の駆動電極Ｔｘについて順次繰り返して実行する。この例では、１フレーム表示期間に、２フレームのタッチ検出が行われる。１フレームのタッチ検出期間には、駆動電極Ｔｘ１，Ｔｘ２，Ｔｘ３・・・・が順次、駆動パルスＳｉｇにより走査され、タッチ位置の検出が行われる。
【００５３】
図４Ｂに示すセルフ検出方式では、１フレームの映像を表示した後、全検出電極ＤＥＴＥに自己検出用駆動パルス（Ｓｉｇ１）を入力してセルフ検出動作を実行する。即ち、ＲＧＢの３色を選択する信号（ＳＥＬＲ／Ｇ／Ｂ）に対応して色毎の映像信号（ＳＩＧｎ）を出力する動作を全表示行について実行した後、全検出電極ＤＥＴＥを対象として自己検出用駆動パルス（Ｓｉｇ１）を入力してセルフ検出動作を実行する。なお、全検出電極ＤＥＴＥ（Ｒｘ）を自己検出用駆動パルス（Ｓｉｇ１）で走査し、その後、全共通電極ＣＯＭＥ（Ｔｘ）を自己検出用駆動パルス（Ｓｉｇ２）で走査してセルフ検出動作を実行してもよい。セルフ検出方式で分割せずに一括してセンシング動作を行うのは、まとめてセンシングデータを取得することでセンシングの感度を高めることができるからである。尚、セルフ検出方式はミューチャル検出方式よりも高感度でセンシングすることができる方式である。また、図４Ｂの方式に限定されず図４Ａに示す検出期間にセルフセンシングしても良い（分割方式）。
【００５４】
次に、図面を用いて、実施の形態に係るセンサの構成の概略を説明する。なお、以下の説明において、複数の共通電極Ｃｏｍｅ１，Ｃｏｍｅ２，Ｃｏｍｅ３・・・・は、駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、・・・・の記号を付して示す。また、複数の検出電極Ｄｅｔｅ１，Ｄｅｔｅ２，Ｄｅｔｅ３，・・・・は、Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、・・・・の記号を付して示す。また、理解を容易とするためおよび図面を見やすくするため、駆動電極（Ｔｘ１、Ｔｘ２等）は点線で描かれ、検出電極（Ｒｘ１、Ｒｘ２等）は実線で描かれている。また、補助配線(モニタ配線)（Ｍ１、Ｍ２等）は太い実線で描かれ、引き出し線（Ｗ１１、Ｗ１２等）は細い実線で描かれている。
【００５５】
図５は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの構成例を概念的に示す平面図である。センサ付き表示装置ＤＳＰは、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡとその周りに設けられた周辺領域（額縁領域）とを含む表示パネルＰＮＬを有する。表示パネルＰＮＬは、図面において、第１辺（左辺）と、第１辺に対向する第２辺（右辺）と、第１辺および第２辺との間に設けられた第３辺（上辺）と、第３辺に対向する第４辺（下辺）と、有する。センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡの周りの周辺領域（額縁領域）には、左側の額縁領域Ｅ１と右側の額縁領域Ｅ２が例示される。
【００５６】
センサの活性領域ＡＡには、例示的に示されるように、Ｘ方向（第１方向）に並走して設けられた複数の駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、・・・、Ｔｘ８、および、Ｘ方向と交差するＹ方向（第２方向）に並走して設けられた複数の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、・・・・、Ｒｘ８が設けられる。
【００５７】
図５において、左側の額縁領域Ｅ１には、補助配線（モニタ配線）Ｍ１と、複数の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、・・・・、Ｒｘ８にそれぞれ結合された複数の引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３、Ｗ１４、・・・・、Ｗ１８が設けられる。補助配線（モニタ配線）Ｍ１と複数の引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３、Ｗ１４、・・・・、Ｗ１８とは、タッチ検出回路(タッチコントローラ、制御回路)ＴＣに接続される。補助配線（モニタ配線）Ｍ１は、検出電極Ｒｘ１に接続される引き出し配線Ｗ１１と表示パネルＰＮＬの左辺との間に設けられており、引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３、Ｗ１４、・・・・、Ｗ１８と並走するように配置される。また、補助配線（モニタ配線）Ｍ１は、複数の引き出し配線（複数の配線）Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３、Ｗ１４、・・・・、Ｗ１８の最外配線（引き出し配線Ｗ１１）の外側に、引き出し配線Ｗ１１と並走する様に、配置される。なお、同図では、検出電極と補助配線(モニタ配線)との並走している部分は、理解を容易とするために、直線として描かれているが、折れ曲がっていても良い。
【００５８】
駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、・・・、Ｔｘ８は、複数の引き出し配線Ｗ２及び共通電極駆動回路ＣＤ（図示されない）を介して表示制御装置ＤＩに接続されており、タッチセンサの検出期間において、表示制御装置ＤＩからの指示に従って共通電極駆動回路ＣＤから駆動パルスＳｉｇにより順次駆動されるようになっている。
【００５９】
次に、ミューチャル（Ｍｕｔｕａｌ）検出方式での動作を説明する。なお、スタイラスペンの様な物体Ｏ１が、例えば、駆動電極Ｔｘ３と駆動電極Ｒｘ３との交差部分に近接し、また、額縁領域Ｅ１の補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１−Ｗ１８上に指や手のひらなどの物体Ｏ２が存在するものとする。この場合、補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１−Ｗ１８には寄生容量（静電容量）が付加される。このため、物体Ｏ２が補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１−Ｗ１８上にある場合、物体Ｏ２がない場合と比較して、駆動電極Ｔｘ１の駆動に対応して検出電極Ｒｘｎ（図５においてはＲｘ１−８に対応）にて検出される電位の変動は小さくなる。すなわち、タッチ検出回路(タッチコントローラ、制御回路)ＴＣで検出される駆動電極Ｔｘ１と検出電極Ｒｘｎ（図５においてはＲｘ１−８に対応）との交差部分の静電容量の静電容量値は所定の値より小さいと判断され、誤検知が発生する現象が見受けられる。また、電気的に浮遊状態（フローティング）の物体Ｏ２が額縁領域Ｅ１の引き出し配線Ｗ１１−Ｗ１８およびセンサ部ＡＡ上にある場合、駆動電極Ｔｘ１と引き出し配線Ｗ１１−Ｗ１８とのカップリング容量により、駆動電極Ｔｘ１の電荷が引き出し配線Ｗ１１−Ｗ１８に流入し、センサ部ＡＡにあるスタイラスＯ１の信号が低下する現象が見受けられる。
【００６０】
これらを解決するため、補助配線（モニタ配線）Ｍ１が設けられる。
【００６１】
センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡに物体Ｏ１があるときの静電容量の静電容量値を、Cap(w/ Object)とし、物体Ｏ１がないときの基準の静電容量の静電容量値(baseline)をCap(w/o Object)とすると、物体Ｏ１の信号Delta (Object)は、以下として表現される。尚、w/oはwithoutを表し、w/はwithを表す。
【００６２】
Delta(Object)=Cap(w/o Object)-Cap(w/ Object) 
また、額縁領域Ｅ１に物体Ｏ２があり、駆動電極Ｔｘ１と額縁領域Ｅ１の引き出し配線Ｗ１１−Ｗ１８との間にカップリングノイズ１(noise１)がある場合、物体Ｏ１の信号（第１検出値）Delta(Object)は、以下とされる。
【００６３】
Delta(Object)=Cap(w/o Object)-Cap(w/ Object)+noise１
また、額縁領域Ｅ１に物体Ｏ２があり、駆動電極Ｔｘ１と額縁領域Ｅ１の補助配線Ｍ１との間にカップリングノイズ２(noise2)がある場合、額縁領域Ｅ１の補助配線（モニタ配線）Ｍ１の信号（第２検出値）Delta(monitor１)は、ノイズ２(noise2)と見做され、以下である。
【００６４】
Delta(monitor１)=noise2
したがって、ノイズ１およびノイズ２を考慮した場合、信号変化分（第３検出値）（Delta_new）を以下とすることで、ノイズ１およびノイズ２の影響を補正することが可能である。ただし、この補正方法は一例であり、これに限定されるものではない。
【００６５】
Delta_new=Delta(Object)-Delta(monitor１) 
また、物体Ｏ２の有無を補助配線Ｍ１で検出し、その後の検出アルゴリズムを変更することが出来る。
【００６６】
上記検出アルゴリズムはタッチ制御部あるいは駆動制御部を含む制御部、あるいは表示装置に接続された外部のホストによって制御されるように構成される。
【００６７】
これにより、物体Ｏ１のタッチ位置の座標は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内で検出された検出情報と、補助配線Ｍ１により検出された情報とにより、正確に求めることが出来る。
【００６８】
図６Ａはミューチュアル検出における、補助配線Ｍ１を設けた場合の概念的な構成を説明するための図である。図６Ｂは検出電極Ｒｘによるセルフ検出における、補助配線Ｍ１を設けた場合の概念的な構成を説明するための図である。
【００６９】
図６Ａには、駆動電極Ｔｘと、検出電極Ｒｘと、検出電極Ｒｘの上に置かれたスタイラスペンなどの物体Ｏ１とが描かれる。ここで、静電容量Ｃ０の静電容量値は、物体Ｏ１がないときの駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの基準の静電容量値（Baseline）であるCap(w/o Object)に対応し、静電容量Ｃ０の静電容量値と静電容量Ｃ３の静電容量値との合成容量値は物体Ｏ１があるときの静電容量値Cap(w/ Object)に対応する。物体Ｏ１があるとき、物体Ｏ１によりフリンジ電界の一部がさえぎられるため駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量の値は小さくなる。すなわち、静電容量Ｃ３が物体Ｏ１と検出電極Ｒｘとの間にあたかも付加されたように動作する。また、検出電極Ｒｘの引き出し配線Ｗ１１（ここでは、例示的に、Ｗ１１を示した）と補助配線Ｍ１とが設けられている。駆動電極Ｔｘと引き出し配線（Ｗ１１）との間のカップリング容量はＣ１０とし、駆動電極Ｔｘと補助配線Ｍ１とカップリング容量はＣ２０とした。ここで、容量Ｃ１０はノイズ１（noise1）の要因であり、容量Ｃ２０はノイズ２（noise2）の要因である。ここで、容量Ｃ１０はノイズ１（noise1）の要因であり、容量Ｃ２０はノイズ２（noise2）の要因である。
【００７０】
したがって、上述で説明された様に、補助配線Ｍ１を設けることにより、ノイズ１およびノイズ２が考慮された信号変化分（Delta_new）を精度よく求めることが出来る。
【００７１】
図６Ａは、ミューチュアル検出時に、駆動電極Ｔｘと、検出電極Ｒｘと、検出電極Ｒｘの上に置かれたスタイラスペンなどの物体Ｏ１が接触するとともに、補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１に、ユーザの指や手などの物体Ｏ２が接近ないし接触している場合の概念的な構成を説明するための図である。
【００７２】
静電容量Ｃ０は、物体Ｏ１とＯ２がないときの駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の基準の静電容量である。静電容量Ｃ１０は、物体Ｏ１とＯ２がないときの引き出し配線Ｗ１１と駆動電極Ｔｘとの間の静電容量である。検出電極Ｒｘの基準の静電容量の静電容量値（Baseline）は、容量Ｃ０の値と容量Ｃ１０の値との合計として検出される。静電容量Ｃ２０は、物体Ｏ２がないときの補助配線Ｍ１と駆動電極Ｔｘとの間の静電容量であり、その値は補助電極Ｍ１の基準の静電容量値（Baseline）とされる。
【００７３】
検出電極Ｒｘの上に物体Ｏ１が接触している場合、駆動配線Ｔｘからのフリンジ電界の少なくとも一部が遮られるため、あたかも静電容量Ｃ３が存在するように動作する。また、補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１に、ユーザの指や手などの物体Ｏ２が接近ないし接触している場合補助配線Ｍ１と物体Ｏ２との間に静電容量が存在し、引き出し配線Ｗ１１と物体Ｏ２との間に静電容量が存在する。また、この場合、補助配線Ｍ１と物体Ｏ２との間のフリンジ電界の少なくとも一部が遮られ、引き出し配線Ｗ１１と物体Ｏ２との間のフリンジ電界の少なくとも一部が遮られる。このため、補助配線Ｍ１と物体Ｏ２との間に静電容量Ｃ２１が存在し、引き出し配線Ｗ１１と物体Ｏ２との間に静電容量Ｃ１１が存在するように動作する。
【００７４】
物体Ｏ１および物体Ｏ２がないときの検出電極Ｒｘ及び補助配線Ｍ１の静電容量値(baseline)のそれぞれは、以下で表される。
【００７５】
検出電極ＲｘのBaseline容量値：  Baseline（Rx）＝Ｃ０＋Ｃ１０
補助配線Ｍ１のBaseline容量値：  Baseline（M1）＝Ｃ２０
物体Ｏ１および物体Ｏ２がある場合、タッチ検出期間において検出される検出電極Ｒｘの容量値（実測）Cap(nm)は、以下で表される。
【００７６】
Cap(nm)＝Ｃ０＋Ｃ１０＋Ｃ１１＋Ｃ３
物体Ｏ１および物体Ｏ２がある場合、タッチ検出期間において検出される補助配線Ｍ１の容量値（実測）Cap(M1)は、以下で表される。
【００７７】
Cap(M1)＝Ｃ２０+Ｃ２１
ここで、補助配線Ｍ１と引き出し配線Ｗ１１が比較的近い位置にあるため、容量Ｃ２１と容量Ｃ１１とはほぼ等しい値と考えられるので、容量Ｃ２１と容量Ｃ１１との関係は、以下で表される。
【００７８】
Ｃ２１≒Ｃ１１
または、精度よく計算する場合は、容量Ｃ２１と容量Ｃ１１との関係は、以下で表される。
【００７９】
αＣ２１＝Ｃ１１
ここで、係数αは、補助配線Ｍ１と引き出し配線Ｗ１１の位置関係に応じて、あらかじめ求められている定数である。
【００８０】
したがって、補助配線Ｍ１と物体Ｏ２との間の容量Ｃ２１は、Ｃ２１＝Cap（M1）−Baseline（M1）より求められるので、容量Ｃ３は、以下として求めることが出来る。
【００８１】
Ｃ３＝Cap(nm)−（Ｃ０＋Ｃ１０）−Ｃ１１
Ｃ３＝Cap(nm)−Baseline（Rx）−Ｃ１１
Ｃ３＝Cap(nm)−Baseline（Rx）−Ｃ２１  （Ｃ１１≒Ｃ２１）
以上の様に、補助配線Ｍ１を設けることにより、物体Ｏ２による引き出し配線（Ｗ１１）の容量変化の影響を、物体Ｏ２による補助配線Ｍ１の容量変化の影響から換算することが出来る。その結果、物体Ｏ２の影響を排除して、容量Ｃ３を検出できるので、物体Ｏ１の位置の検出精度を向上させることが出来る。ここで、物体Ｏ１による容量Ｃ３の値に応じて物体Ｏ１の近接または接触の有無が判定される。すなわち物体Ｏ１容量Ｃ３の値が所定の値より大きいときは物体Ｏ１が近接あるいは接触していると判断される。
【００８２】
図６Ｂは、検出電極Ｒｘと補助配線Ｍ１のセルフ検出を行い、駆動電極Ｔｘと、検出電極Ｒｘと、検出電極Ｒｘの上に置かれたスタイラスペンなどの物体Ｏ１が接触するとともに、補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１に、ユーザの指や手などの物体Ｏ２が接近ないし接触している場合の概念的な構成を説明するための図である。
【００８３】
検出電極Ｒｘと補助配線Ｍ１のセルフ検出では、特に限定するものではないが、例えば、図３Ｂに示す方法にて検出電極Ｒｘと補助配線Ｍ１に駆動パルスを印加し、その振幅レベル等を測定することによりセルフ検出を行う。このとき、駆動電極Ｔｘは所定の直流電圧（ＤＣ）が印加されるかフローティング状態とされる。
【００８４】
静電容量Ｃ０は、物体Ｏ１とＯ２がないときの検出電極Ｒｘと接地電位などの基準電位との静電容量である。駆動電極Ｔｘに所定の直流電圧（ＤＣ）が印加される場合は、静電容量Ｃ０は、検出電極Ｒｘと駆動電極Ｔｘとの間の静電容量を含む。静電容量Ｃ１０は、物体Ｏ１がないときの引き出し配線Ｗ１１と接地電位などの基準電位との間の静電容量である。検出電極Ｒｘの基準の静電容量の静電容量値（Baseline）は、容量Ｃ０の値と容量Ｃ１０の値との合計として検出される。静電容量Ｃ２０は、物体Ｏ２がないときの補助配線Ｍ１と接地電位などの基準電位との間の静電容量であり、その値は補助電極Ｍ１の基準の静電容量値（Baseline）とされる。
【００８５】
検出電極Ｒｘの上に物体Ｏ１が接触または近接している場合、物体Ｏ１と検出電極Ｒｘとの間に静電容量Ｃ３が存在する。また、補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１に、ユーザの指や手などの物体Ｏ２が接近ないし接触している場合補助配線Ｍ１と物体Ｏ２との間に静電容量Ｃ２１が存在し、引き出し配線Ｗ１１と物体Ｏ２との間に静電容量Ｃ１１が存在する。
【００８６】
物体Ｏ１および物体Ｏ２がないときの検出電極Ｒｘ及び補助配線Ｍ１の静電容量値(baseline)のそれぞれは、以下で表される。
【００８７】
検出電極ＲｘのBaseline容量値：  Baseline（Rx）＝Ｃ０＋Ｃ１０
補助配線Ｍ１のBaseline容量値：  Baseline（M1）＝Ｃ２０
物体Ｏ１および物体Ｏ２がある場合、タッチ検出期間において検出される検出電極Ｒｘの容量値（実測）Cap(nm)は、以下で表される。
【００８８】
Cap(nm)＝Ｃ０＋Ｃ１０＋Ｃ１１＋Ｃ３
物体Ｏ１および物体Ｏ２がある場合、タッチ検出期間において検出される補助配線Ｍ１の容量値（実測）Cap(M1)は、以下で表される。
【００８９】
Cap(M1)＝Ｃ２０+Ｃ２１
ここで、補助配線Ｍ１と引き出し配線Ｗ１１が比較的近い位置にあるため、容量Ｃ２１と容量Ｃ１１とはほぼ等しい値と考えられるので、容量Ｃ２１と容量Ｃ１１との関係は、以下で表される。
【００９０】
Ｃ２１≒Ｃ１１
または、精度よく計算する場合は、容量Ｃ２１と容量Ｃ１１との関係は、以下で表される。
【００９１】
αＣ２１＝Ｃ１１
ここで、係数αは、補助配線Ｍ１と引き出し配線Ｗ１１の位置関係に応じて、あらかじめ求められている定数である。
【００９２】
したがって、補助配線Ｍ１と物体Ｏ２との間の容量Ｃ２１は、Ｃ２１＝Cap（M1）−Baseline（M1）より求められるので、容量Ｃ３は、以下として求めることが出来る。
【００９３】
Ｃ３＝Cap(nm)−（Ｃ０＋Ｃ１０）−Ｃ１１
Ｃ３＝Cap(nm)−Baseline（Rx）−Ｃ１１
Ｃ３＝Cap(nm)−Baseline（Rx）−Ｃ２１  （Ｃ１１≒Ｃ２１）
以上の様に、セルフ検出方式においても、補助配線Ｍ１を設けることにより、物体Ｏ２による引き出し配線（Ｗ１１）の容量変化の影響を、物体Ｏ２による補助配線Ｍ１の容量変化の影響から換算することが出来る。その結果、物体Ｏ２の影響を排除して、容量Ｃ３を検出できるので、物体Ｏ１の位置の検出精度を向上させることが出来る。ここで、物体Ｏ１による容量Ｃ３の値に応じて物体Ｏ１の近接または接触の有無が判定される。すなわち物体Ｏ１容量Ｃ３の値が所定の値より大きいときは物体Ｏ１が近接あるいは接触していると判断される。
【００９４】
図７は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。図５と異なる部分は、複数の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、・・・・、Ｒｘ８のおのおの両端が、引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３，Ｗ１４、・・・、Ｗ１８に結合されてループ状とされており、補助配線(モニタ配線)として補助配線Ｍ１および補助配線Ｍ２の２本が設けられていることである。補助配線Ｍ２は、額縁領域Ｅ２において、第２辺(右辺)と最外配線Ｗ１１との間に、最外の引き出し配線Ｗ１１に並走して設けられている。また、補助配線Ｍ２は、額縁領域Ｅ３においても、第４辺(下辺)と最外配線Ｗ１１との間に、または、表示制御装置ＤＩと最外配線Ｗ１１との間に、最外の引き出し配線Ｗ１１に並走して設けられている。他の構成は、図５と同じであるので、詳しい説明は省略する。同図では、検出電極と補助配線(モニタ配線)との並走している部分は、理解を容易とするために、直線として描かれているが、折れ曲がっていても良い。
【００９５】
これにより、額縁領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３において、物体Ｏ２の有無を補助配線Ｍ１、Ｍ２により検出することが出来る。そのため、物体Ｏ１のタッチ位置の座標は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内で検出された検出情報と、補助配線Ｍ１、Ｍ２により検出された情報とにより、正確に求めることが出来る。
【００９６】
次に、図７の構成において、物体Ｏ１の信号算出アルゴリズム、および物体Ｏ２がある場合の処理アルゴリズムが図８および図９を用いて説明される。
【００９７】
図８は、２本の補助配線(モニタ配線)を有するセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。まず、前提を説明する。検出電極ＲｘがＮ本、駆動電極ＴｘがＭ本、補助配線（モニタ配線）が２本ある場合の信号算出アルゴリズムである。このアルゴリズムは、例えば、図７の様な、２本の補助配線（モニタ配線）Ｍ１，Ｍ２が設けられた場合に適用可能である。なお、以下の説明では、補助配線Ｍ１，Ｍ２がモニタ配線Ｍ１，Ｍ２として説明される。
【００９８】
ステップＳ１では、予めセンサの活性領域ＡＡ内のＮxＭおよび２本のモニタ配線(monitor1、monitor2)の基準の配線容量値（Baseline容量値）を取得する。このBaseline容量値とは、センサの活性領域ＡＡに物体Ｏ１がない状態での、ｎ番目の検出電極Ｒｘとｍ番目の駆動電極Ｔｘとの交差部分の基準の容量値、モニタ配線Ｍ１（monitor1）の基準の容量値、およびモニタ配線Ｍ１(monitor２）の基準の静電容量値である。ここで、ｎは１からＮまでの整数であり、ｍは１からＭまでの整数である。Baseline容量値は、センサの活性領域ＡＡに物体Ｏ１がない状態の時に、定期的に取得することが出来る。
【００９９】
ステップＳ２では、駆動電極ＴｘのＭ本を１本ずつ駆動パルスＳｉｇにより走査したときに得られる現フレームでの活性領域ＡＡ内のＮxＭの容量値Cap(n,m)、モニタ配線Ｍ１の容量値Cap(monitor1)およびモニタ配線Ｍ２の容量値Cap(monitor2)を測定し、取得する。
【０１００】
ステップＳ３では、ステップＳ１で得られたｎ，ｍ番目のノードのBaseline容量値Baseline(n,m)から、ステップＳ２で得られた現フレームにおけるｎ，ｍ番目のノードの容量値Cap(n,m)を減算することで、信号変化分（第１検出値）Delta(n,m)の算出をする。すなわち、以下の式により、信号Delta(n,m)の値が算出される。なお、(n,m)は、ｎ番目の検出電極Ｒｘとｍ番目の駆動電極Ｔｘとの交差部分を示している。
【０１０１】
Delta(n,m) = Baseline(n,m) - Cap(n,m)
ステップＳ４では、ステップＳ１で得られたモニタ配線Ｍ１，Ｍ２のBaseline容量値（Baseline(monitor1)、Baseline(monitor2)）から、ステップＳ２で得られた現フレームのモニタ配線Ｍ１およびＭ２の容量値（Cap(monitor1)、およびCap(monitor2)）を減算することで、モニタ配線Ｍ１，Ｍ２による信号変化分（第２検出値）Delta(monitor1)、およびDelta(monitor2)を算出する。すなわち、以下の式により、信号変化分Delta(monitor1)、およびDelta(monitor2)の値が算出される。
【０１０２】
Delta(monitor1)=Baseline(monitor1)-Cap(monitor1)
Delta(monitor2)=Baseline(monitor2)-Cap(monitor2)
ステップＳ５では、ステップＳ３で得られた信号Delta(n,m)において、ノードごとのDelta値（Delta(n,m)）から、ステップＳ４で得られたDelta(monitor1)およびDelta(monitor2)にn,m番目のノードに応じた係数αおよび係数βをかけた値を引いた値を、n,m番目のノードの信号変化分（Delta_new）とする計算が行われる。すなわち、以下の式により、信号変化分（第３検出値）Delta_newの値が求められる。
【０１０３】
Delta_new(n,m)=Delta(n,m)-α[n,m]xDelta(monitor1)-β[n,m]xDelta(monitor2)
ここで、係数αおよび係数βは、あらかじめ求められた係数である。また、係数αおよび係数βは、ゼロも許される。係数α及び係数βは、例えば、以下のような事項により、決まる係数である。
【０１０４】
１）引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３，Ｗ１４、・・・、Ｗ１８や補助配線Ｍ１，Ｍ２や検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、・・・・、Ｒｘ８の形状や長さ
２）各検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、・・・・、Ｒｘ８と補助配線Ｍ１，Ｍ２間の距離
３）引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３，Ｗ１４、・・・、Ｗ１８の幅
４）補助配線Ｍ１．Ｍ２の幅、駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、・・・、Ｔｘ８と引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２，Ｗ１３，Ｗ１４、・・・、Ｗ１８との距離
５）駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、・・・、Ｔｘ８と補助配線Ｍ１，Ｍ２の距離
６）液晶層の厚み
ステップＳ６では、ステップＳ５で求められたn,m番目のノードの信号変化分Delta_new (n,m) により、物体Ｏ１の検出判定、および物体Ｏ１の座標の計算を行い、ホスト装置側へそれを連絡する。例えば、n,m番目のノードの信号変化分Delta_new (n,m)の値が、所定値より大きい時、物体（外部近接物体）Ｏ１がセンサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内に近接したと判定させることが出来る。また、どのノード(n,m)の信号変化分Delta_new (n,m)が所定値より大きい時かを判定することにより、物体Ｏ１のタッチ位置の座標が判定できる。
【０１０５】
これにより、物体Ｏ１のタッチ位置の座標は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内で検出された検出情報と、補助配線Ｍ１、Ｍ２により検出された情報とにより、正確に求めることが出来る。
【０１０６】
上記図８に示したアルゴリズムは各ノード(n,m)について実行される。
【０１０７】
尚、図８においてＭ２のBaseline容量値の取得とモニタ配線Ｍ２の容量値の取得、Delta(monitor2)の算出とβ[n,m] x Delta(monitor2)とDelta_new (n,m)算出におけるβ[n,m] x Delta(monitor2)の項を省略すれば、図５の構成における各ノード（各Ｔｘと各Ｒｘの交差部）の値の算出のフローとなる。
【０１０８】
図９は、周辺領域(額縁領域)Ｅ１に物体Ｏ２がある場合の処理アルゴリズムを説明するための図である。
【０１０９】
ステップＳ１１では、補助配線（モニタ配線）Ｍ１、Ｍ２のBaseline容量値を取得する。
【０１１０】
ステップＳ１２では、モニタ配線Ｍ１，Ｍ２のBaseline容量値から現フレームのモニタ配線Ｍ１，Ｍ２の容量値を減算し、信号変化分Delta(monitor1)、およびDelta(monitor2)を算出する。すなわち、以下の式により、信号変化分Delta(monitor1)、およびDelta(monitor2)の値が算出される。
【０１１１】
Delta(monitor1)=Baseline(monitor1)-Cap(monitor1)
Delta(monitor2)=Baseline(monitor2)-Cap(monitor2)
ステップＳ１３では、信号変化分Delta(monitor1), Delta(monitor2)の値に応じてその後の処理を、ステップＳ１４またはステップＳ１５の何れか一方のステップへ遷移させる。
【０１１２】
ステップＳ１４へ遷移する場合、信号変化分Delta(monitor1)、 Delta(monitor2)の値から、額縁領域Ｅ１に指（Ｏ２）があると判断された場合、活性領域ＡＡ内の指またはスタイラスペンなどの物体Ｏ１の検出閾値を上げる、または、検出閾値を下げるなどの処理を行う。
【０１１３】
ステップＳ１５へ遷移する場合、信号変化分Delta(monitor1)、 Delta(monitor2)の値から、額縁領域Ｅ１に指（Ｏ２）があると判断された場合、指定した駆動配線Ｔｘ上において検出された物体Ｏ２を、たとえば、携帯電話機に設けられたアップリケーションプロセッサなどのホストプロセッサ（Ｈｏｓｔ）へ通知（レポート）しない処理を行う。
【０１１４】
以上の様な処理アルゴリズムを採用することにより、額縁領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３に物体Ｏ２がある場合の信号処理を、所望の処理とすることが出来る。
【０１１５】
図１０から図１４は、図８のステップを模式的に説明するための図である。ただし、理解を容易とするために、駆動電極Ｔｘが４本、検出電極Ｒｘが４本、補助配線（モニタ配線）が１本の場合で説明する。
【０１１６】
図１０は、駆動電極、検出電極、補助配線の模式的な配置図である。図１０には、Ｘ方向にストライプ状に配置された４本の駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、Ｔｘ４と、Ｙ方向にストライプ状に配置された４本の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、およびＹ方向に配置された補助配線（モニタ配線）Ｍ１が描かれている。駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、Ｔｘ４と検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４とのそれぞれの交差する点（ノード）には、それぞれ、（１．１）、（１．２）、．．．、（４．４）の様に、座標が設けられる。
【０１１７】
図１１は、図１０におけるBaseline容量値を模式的に示す図である。座標（１．１）、（１．２）、．．．、（４．４）における駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、Ｔｘ４と検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４のBaseline容量値（Baseline(n,m)）は、Ｂ１１，Ｂ１２，Ｂ１３,…Ｂ４４の様に記載される。また、補助配線（モニタ配線）Ｍ１のBaseline容量値（Baseline(monitor1)）は、ＢＭ１の様に記載される。
【０１１８】
図１２は、図１０における駆動電極を走査したときの容量値を模式的に示す図である。座標（１．１）、（１．２）、．．、（４．４）における測定された容量値（Cap(n,m)）はＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、．．、Ｃ４４の様に記載されており、補助配線（モニタ配線）Ｍ１における測定された容量値（Cap(monitor1)）はＣＭ１の様に記載されている。
【０１１９】
図１３は、図１０における係数αを模式的に示す図である。座標（１．１）、（１．２）、．．．、（４．４）に対して、α１１、α１２、α１３、．．、α４４のような係数として記載されている。なお、この係数αは、ゼロも許される値である。なお、補助配線（モニタ配線）Ｍ２が設けられる場合は、図８のステップＳ５で利用される係数βも、係数αの考え方と同様に、β１１、β１２、β１３、．．、β４４のような係数が設けられて、計算に利用される。
【０１２０】
図１４Ａは、各容量値を変化分（Delta）で表現した場合を概念的に説明するための図である。図１４Ａの（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）において、縦軸は容量値（Ｃ）の値であり、図１４Ａの（ａ）（ｂ）の横軸は補助配線Ｍ１，検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４であり、図１４Ａの（ｃ）（ｄ）の横軸は検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４である。
【０１２１】
図１４Ａの（ａ）は、補助配線Ｍ１のBaseline容量値(Baseline(M1)）および検出配線Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４のBaseline容量値（Baseline(n,m)）の模式的な図である。ミューチュアル検出においては補助配線Ｍ１のBaseline容量値(Baseline(M1)）は図６Ａに示すように補助配線Ｍ１と駆動電極Ｔｘとの間の容量値となり、検出配線Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４のBaseline容量値（Baseline(n,m)）は検出配線Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４と駆動電極Ｔｘとの間の容量値となる。
【０１２２】
図１４Ａの（ｂ）は、Baseline容量値(Baseline(M1)、Baseline(n,m)）から、検出期間において、補助配線Ｍ１の測定された容量値（Cap(M1)）および所定の駆動電極Ｔｘと座標（１．１）、（１．２）、．．、（４．４）における測定された容量値（Cap(n,m)）を引いた値（Delta(M1)=Baseline(M1)-Cap(M1)、Delta(n,m)=Baseline(n,m)-Cap(n,m)）の模式的な図である。駆動電極Ｔｘは、この場合、駆動電極Ｔｘ１，Ｔｘ２，Ｔｘ３，Ｔｘ４・・・・・・のうち任意の駆動電極であり、選択駆動電極に応じた波形となる。駆動電極Ｔｘ１，Ｔｘ２，Ｔｘ３，Ｔｘ４・・・・を駆動信号Ｓｉｇにより順次走査することにより、駆動されている駆動電極と検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４・・・・・との交点の容量値（Cap(n,m)）が計測される。
【０１２３】
図１４Ａの（ｃ）は、補助配線Ｍ１に関するDelta(M1)に、n,m番目のノードに応じた係数αを掛けた値（α[n,m]xDelta(M1)）の模式的な図である。
【０１２４】
図１４Ａの（ｄ）は、図１４Ａの（ｂ）の容量値（Delta(n,m)=Baseline(n,m)-Cap(n,m)）から図１４Ａの（ｃ）の容量値（α[n,m]xDelta(M1)）を引いた値（Delta_new(n,m)）、すなわち、物体Ｏ２の影響のない容量値の模式的な図である。
【０１２５】
図１４Ｂは、各容量値を実容量で表現した場合を概念的に説明するための図である。図１４Ｂの（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）において、縦軸は容量値（Ｃ）の値であり、図１４Ｂの（ａ）（ｂ）の横軸は補助配線Ｍ１，検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４であり、図１４Ｂの（ｃ）（ｄ）の横軸は検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４である。
【０１２６】
図１４Ｂの（ａ）は、補助配線Ｍ１のBaseline容量値(Baseline(M1)）および所定の駆動配線Ｔｘと検出配線Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４のBaseline容量値（Baseline(n,m)）の模式的な図である。
【０１２７】
図１４Ｂの（ｂ）は、検出期間において、補助配線Ｍ１の測定された容量値（Cap(M1)）および所定の駆動配線Ｔｘと座標（１．１）、（１．２）、．．、（４．４）における測定された容量値（Cap(n,m)）からBaseline容量値(Baseline(M1)、Baseline(n,m)）を引いた値（Cap(M1)- Baseline(M1)、Cap(n,m)- Baseline(n,m)）の模式的な図である。図において、一点鎖線は、Baseline容量値（Baseline(M1)、Baseline(n,m)）を示している。このように、物体Ｏ１，Ｏ２がある場合、フリンジ電界が物体Ｏ１，Ｏ２によりさえぎられるため、実測される容量値（Cap(M1)，Cap(n,m)）はBaseline容量値（Baseline(M1)、Baseline(n,m)）より少なくなる。
【０１２８】
図１４の（ｃ）は、補助配線（モニタ配線）Ｍ１における測定された容量値（Cap(M1)）から補助配線Ｍ１のBaseline容量値(Baseline(M1)）を引いた値（Cap(M1)- Baseline(M1)）に係数αをかけた値の容量値（α（Cap(M1)- Baseline(M1)））の模式的な図である。この図は、物体Ｏ２についての検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４・・・・に対する補助配線（モニタ配線）Ｍ１の影響分を示している。
【０１２９】
図１４Ｂの（ｄ）は、図１４Ｂの（ｂ）の容量値（Cap(M1)- Baseline(M1)、Cap(n,m)- Baseline(n,m)）から図１４Ｂの（ｃ）の容量値（α（Cap(M1)- Baseline(M1)））を引いた値、すなわち、物体Ｏ２の影響がない容量値の模式的な図である。
【０１３０】
例えば、図６Ａにおいて、物体Ｏ１が検出電極Ｒｘに接近ないし接触し、また、物体Ｏ２が補助配線Ｍ１および引き出し配線Ｗ１１に接近ないし接触した場合を例として説明する。検出電極ＲｘのBaseline容量値（Ｃ０＋Ｃ１０＋Ｃ３）は、物体Ｏ１および物体Ｏ２によるフリンジ電界の影響により、Ｃ０＋Ｃ１０’＋Ｃ３‘の容量値へ変化したとし、補助配線Ｍ１のBaseline容量値Ｃ２０は、物体Ｏ２によるフリンジ電界の影響により、Ｃ２０‘の容量値へ変化したとする。この場合、補助配線Ｍ１と引き出し配線Ｗ１１とはほぼ平行にほぼ同じ配線長とされている為、その寄生容量はほぼ同じと考えられる。そのため、Ｃ２０はＣ１０とほぼ同じ値（Ｃ２０≒Ｃ１０）であり、また、Ｃ２０’はＣ１０‘とほぼ同じ値（Ｃ２０’≒Ｃ１０‘）と考えられる。したがって、Ｃ２０’−Ｃ２０の変化分の容量値から換算したＣ１０‘−Ｃ１０の変化分の容量値は、（Ｃ１０‘−Ｃ１０）≒α（Ｃ２０’−Ｃ２０）＝α（Cap(Ｍ1)- Baseline(Ｍ1)）として算出可能である。これにより、物体Ｏ２の影響が排除された物体Ｏ１のみによる容量変化分は、（Ｃ０＋Ｃ１０’＋Ｃ３‘）−（Ｃ０＋Ｃ１０＋Ｃ３）−（Ｃ２０’−Ｃ２０）＝（Ｃ３’−Ｃ３）＋（Ｃ１０‘−Ｃ１０）−（Ｃ２０’−Ｃ２０）＝（Ｃ３’−Ｃ３）＋（Ｃ１０‘−Ｃ１０）―α（Cap(Ｍ1)- Baseline(Ｍ1)）＝（Ｃ３’−Ｃ３）として算出可能である。尚、図６Ａの説明においては駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘ、補助配線Ｍ１、引き出し配線Ｗ１１との間のフリンジ電界が指やスタイラスにより遮られるため、物体Ｏ１と検出電極Ｒｘとの間の容量Ｃ３、物体Ｏ２と補助配線Ｍ１、引き出し配線Ｗ１１との間の容量Ｃ２１，Ｃ１１が付加されたような動作を行う原理に基づいて説明したが、上記の考え方でも結果は同じである。
【０１３１】
このようにして、額縁部分Ｅ１の物体Ｏ２のノイズの影響を排除して、活性領域ＡＡ内の物体Ｏ１の信号変化分および座標を精度よく得ることが出来る。
【０１３２】
図１５は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。図７と異なる部分は、補助配線(モニタ配線)として補助配線Ｍ１および補助配線Ｍ２の２本と、さらに、補助配線(モニタ配線)Ｍ３が設けられている点である。すなわち、３本の補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３が設けられたものである。補助配線(モニタ配線)Ｍ３は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡの外側と補助配線Ｍ１および補助配線Ｍ２との間に設けられる。すなわち、引き出し配線Ｗ１１，Ｗ１２，．．．，Ｗ１８の大部分が補助配線Ｍ３と補助配線Ｍ１、Ｍ２の間に配置されるように構成されている。他の構成は、図７と同じであるので、詳しい説明は省略される。
【０１３３】
これにより、額縁領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３において、物体Ｏ２の有無を補助配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３により検出することが出来る。そのため、物体Ｏ１のタッチ位置の座標は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内で検出された検出情報と、補助配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３により検出された情報とにより、正確に求めることが出来る。
【０１３４】
図１６Ａは、複数本の補助配線(モニタ配線)を有するセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。なお、図１６Ａの信号算出アルゴリズムは、図１５の様な３本の補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を、さらに拡張し、Ｌ本の補助配線(モニタ配線)がある場合を考慮した信号算出アルゴリズムとされている。すなわち、検出電極ＲｘがＮ本、駆動電極ＴｘがＭ本、補助配線（モニタ配線）がＬ本ある場合の信号算出アルゴリズムである。
【０１３５】
ステップＳ２１では、予めセンサの活性領域ＡＡ内のＮxＭおよびＬ本のモニタ配線の基準の容量値（Baseline容量値）を取得する。このBaseline容量値とは、センサの活性領域ＡＡに物体Ｏ１がない状態での、ｎ番目の検出電極Ｒｘとｍ番目の駆動電極Ｔｘとの交差部分の容量値と、Ｌ本のモニタ配線の容量値である。ここで、ｎは１からＮまでの整数であり、ｍは１からＭまでの整数であり、l（エル）は１からＬまでの整数である。
【０１３６】
ステップＳ２２では、駆動電極ＴｘのＭ本を１本ずつ駆動パルスＳｉｇにより走査したときに得られる現フレームでの活性領域ＡＡ内のＮxＭの容量値Cap(n,m)、Ｌ本のモニタ配線の容量値Cap(monitor,l)を測定し、取得する。
【０１３７】
ステップＳ２３では、ステップＳ２１で得られたｎ，ｍ番目のノードのBaseline容量値Baseline(n,m)から、ステップＳ２２で得られた現フレームにおけるｎ，ｍ番目のノードの容量値Cap(n,m)を減算することで、信号（第１検出値）Delta(n,m)の算出をする。すなわち、以下の式により、信号Delta(n,m)の値が算出される。なお、(n,m)は、ｎ番目の検出電極Ｒｘとｍ番目の駆動電極Ｔｘとの交差部分を示している。
【０１３８】
Delta(n,m)=Baseline(n,m)-Cap(n,m)
ステップＳ２４では、ステップＳ２１で得られたＬ本のモニタ配線のBaseline容量値（Baseline(monitor,l)）から、ステップＳ２２で得られた現フレームのＬ本のモニタ配線の容量値Cap(monitor,l）を減算することで、Ｌ本のモニタ配線による信号変化分Delta(monitor,l)を算出する。すなわち、以下の式により、信号変化分（第２検出値）Delta(monitor,l)の値が求められる。
【０１３９】
Delta(monitor,l)=Baseline(monitor,l)-Cap(monitor,l)
ステップＳ２５では、ステップＳ２３で得られた信号Delta(n,m)において、ノードごとのDelta値（Delta(n,m)）から、ステップＳ２４で得られたDelta(monitor,l）にn,m番目のノードに応じた係数αをかけた値を引いた値を、n,m番目のノードの信号変化分（Delta_new）とする計算が行われる。すなわち、以下の式により、信号変化分（第３検出値）Delta_newの値が求められる。なお、係数αあらかじめ求められた係数である。なお、係数αは、ゼロも許される。
【０１４０】
Delta_new(n,m)=Delta(n,m)-Σ(α[n,m,l]xDelta(monitor,l))
ステップＳ２６では、ステップＳ２５で求められたn,m番目のノードの信号変化分Delta_new (n,m) により、物体Ｏ１の検出判定、および物体Ｏ１の座標の計算を行い、ホスト側へそれを連絡する。例えば、n,m番目のノードの信号変化分Delta_new (n,m)の値が、所定値より大きい時、物体（外部近接物体）Ｏ１がセンサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内に近接したと判定させることが出来る。また、どのノード(n,m)の信号変化分Delta_new (n,m)が所定値より大きい時かを判定することにより、物体Ｏ１のタッチ位置の座標が判定できる。
【０１４１】
上記の図１６Ａに示すアルゴリズムは各ノード（n,m）において実行される。
【０１４２】
これにより、額縁領域において、物体Ｏ２の有無を補助配線により検出することが出来る。そのため、物体Ｏ１のタッチ位置の座標は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内で検出された検出情報と、補助配線により検出された情報とにより、正確に求めることが出来る。
【０１４３】
図１６Ｂは、周辺領域（額縁領域）に物体Ｏ２がある場合の処理アルゴリズムを説明するための図である。なお、図１６Ｂの処理アルゴリズムは、図１５の様な３本の補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を、さらに拡張し、Ｌ本の補助配線(モニタ配線)がある場合を考慮した処理アルゴリズムとされている。すなわち、駆動電極ＴｘがＮ本、検出電極ＲｘがＭ本、補助配線（モニタ配線）がＬ本ある場合の処理アルゴリズムである。なお、l（エル）は１からＬまでの整数である。
【０１４４】
ステップＳ２７では、Ｌ本の補助配線（モニタ配線）のBaseline容量値を取得する。
【０１４５】
ステップＳ２８では、Ｌ本のモニタ配線のBaseline容量値から現フレームのＬ本のモニタ配線の容量値を減算し、信号変化分Delta(monitor,l)を算出する。すなわち、以下の式により、信号変化分Delta(monitor,l)の値が算出される。
【０１４６】
Delta(monitor,l)=Baseline(monitor,l)-Cap(monitor,l)
ステップＳ２９では、信号変化分Delta(monitor,l)の値に応じてその後の処理を、ステップＳ３０またはステップＳ３１の何れか一方のステップへ遷移させる。
【０１４７】
ステップＳ３０へ遷移する場合、信号変化分Delta(monitor,l)の値から、額縁領域（Ｅ１またはＥ２）に指（Ｏ２）があると判断された場合、活性領域ＡＡ内の指またはスタイラスペンなどの物体Ｏ１の検出閾値を上げる、または、検出閾値を下げるなどの処理を行う。
【０１４８】
ステップＳ３１へ遷移する場合、信号変化分Delta(monitor,l)の値から、額縁領域（Ｅ１またはＥ２）に指（Ｏ２）があると判断された場合、指定した駆動配線Ｔｘ上において検出された物体Ｏ２をホストプロセッサ（Ｈｏｓｔ）側にレポートしない処理を行う。
【０１４９】
以上の様な処理アルゴリズムを採用することにより、額縁領域（Ｅ１またはＥ２）に物体Ｏ２がある場合の信号処理を、所望の処理とすることが出来る。
【０１５０】
図１７は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。図７と異なる部分は、額縁領域Ｅ２には、引き出し配線Ｗ１１，Ｗ１３，Ｗ１５、Ｗ１７の様に、奇数番目の検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ３，Ｒｘ５，Ｒｘ７に接続される引き出し配線が設けられる。また、額縁領域Ｅ１には、引き出し配線Ｗ１２，Ｗ１４，Ｗ１６、Ｗ１８の様に、偶数番目の検出電極Ｒｘ２，Ｒｘ４，Ｒｘ６，Ｒｘ８に接続される引き出し配線が設けられる。他の構成は、図７と同じであるので、詳しい説明は省略される。
【０１５１】
これにより、額縁領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３において、物体Ｏ２の有無を補助配線Ｍ１、Ｍ２により検出することが出来る。そのため、物体Ｏ１のタッチ位置の座標は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内で検出された検出情報と、補助配線Ｍ１、Ｍ２により検出された情報とにより、正確に求めることが出来る。
【０１５２】
図１８は、図１７のセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。図１８のアルゴリズムのステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、Ｓ６は、図８のステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、Ｓ６は同じである。図８のステップＳ５が、図１８では、以下のようなステップＳ３５へ変更されている。すなわち、下記の計算において、偶数本目の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ２，Ｒｘ４，Ｒｘ６，Ｒｘ８）に対して係数βは、β=0とし、奇数本目の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ３，Ｒｘ５，Ｒｘ７）に対して係数αは、α=0とする。
【０１５３】
Delta(n,m)=Delta(n,m)-α[n,m]xDelta(monitor1)-β[n,m]xDelta(monitor2)
図１９は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。図５と異なる部分は、ストライプ状の駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２，Ｔｘ３、，．．、Ｔｘ８がＹ方向に延伸して配置され、額縁領域Ｅ１、Ｅ２に設けられた図示しない複数の配線により各々の駆動電極Ｔｘ１−８が駆動され、ストライプ状の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３、．．，、Ｒｘ８がＸ方向に延伸して配置されている点である。それに伴い、引き出し配線Ｗ１１，Ｗ１２、．．．、Ｗ１８もＸ方向に延伸して配置される。補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２、，．．、Ｍ９は、引き出し配線Ｗ１１，Ｗ１２、．．．、Ｗ１８を間に挟むよう様に、Ｘ方向に延伸して配置されている。この場合、各引き出し配線Ｗ１１，Ｗ１２、．．．、Ｗ１８による検出値を補正するための補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２、，．．、Ｍ９は各引き出し配線の両側の少なくともいずれか一方の補助配線を用いて補正を行う。なお、同図では、検出電極と補助配線(モニタ配線)との並走している部分は、理解を容易とするために、直線として描かれているが、折れ曲がっていても良い。
【０１５４】
この場合の信号算出アルゴリズムは、図１６Ａを利用できる。
【０１５５】
これにより、額縁領域Ｅ３において、物体Ｏ２の有無を複数の補助配線Ｍ１、Ｍ２、．．、Ｍ８により検出することが出来る。したがって、物体Ｏ１のタッチ位置の座標は、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ内で検出された検出情報と、複数の補助配線Ｍ１、Ｍ２により検出された情報とにより、正確に求めることが出来る。
【０１５６】
図２０は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。図５と異なる部分は、額縁領域Ｅ１において、ストライプ状の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３、．．，、Ｒｘ８の数と同数の補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２、Ｍ３、．．．、Ｍ８が検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３、．．，、Ｒｘ８に並走して設けられており、並走する検出電極と補助配線(モニタ配線)との長さがほぼ同一の長さとされている点である。なお、同図では、検出電極と補助配線(モニタ配線)との並走している部分は、理解を容易とするために、直線として描かれているが、折れ曲がっていても良い。
【０１５７】
図２０において、補助配線(モニタ配線)Ｍ１は、表示パネルＰＮＬの左辺と引き出し配線Ｗ１１との間に設けられる。すなわち、引き出し配線Ｗ１１の外側に補助配線(モニタ配線)Ｍ１が設けられている。同様に、引き出し配線Ｗ１２、Ｗ１３、．．．、Ｗ１８の外側に補助配線(モニタ配線)Ｍ２、Ｍ３、．．．、Ｍ８が設けられる。ただし、これに限定されるものではなく、表示パネルＰＮＬの左辺と補助配線(モニタ配線)Ｍ１との間に、引き出し配線Ｗ１１を設けてもよい。すなわち、引き出し配線Ｗ１１の内側（センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ側）に補助配線(モニタ配線)Ｍ１を設けてもよい。同様に、引き出し配線Ｗ１２、Ｗ１３、．．．、Ｗ１８の内側に補助配線(モニタ配線)Ｍ２、Ｍ３、．．．、Ｍ８を設けてもよい。また、図２０においては、ストライプ状の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３、．．，、Ｒｘ８の数と同数の補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２、．．、Ｍ８が設けられるが、検出電極の数と補助配線(モニタ配線)の数とを異ならせても良い。例えば、補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２、．．、Ｍ８から、Ｍ２，Ｍ４等の補助配線(モニタ配線)を削除しても、すなわち、所望の補助配線(モニタ配線)を間引いて構成しても良い。
【０１５８】
なお、図２０の構成の表示装置ＤＳＰの信号算出アルゴリズムは、図１６Ａの信号算出アルゴリズムを利用できる。この場合、ストライプ状の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３、．．，、Ｒｘ８の数と同数の補助配線(モニタ配線)Ｍ１，Ｍ２、，．．、Ｍ８が設けられるので、l（エル）は１からＮまでの整数である。
【０１５９】
図２１Ａは、図２０のＡ−Ａに沿う引き出し配線および補助配線(モニタ配線)の概念的な断面図である。補助配線(モニタ配線)Ｍ１の幅および長さをＷ１，Ｌ１とした場合、引き出し配線Ｗ１１の幅および長さはＷ１，Ｌ１とされる。すなわち、補助配線(モニタ配線)Ｍ１の寄生抵抗値及び寄生容量値と引き出し配線Ｗ１１の寄生抵抗値及び寄生容量値とをほぼ同一とするような配線レイアウト上の工夫がされる。同様に、補助配線(モニタ配線)Ｍ２の幅および長さをＷ２，Ｌ２とした場合、引き出し配線Ｗ１２の幅および長さはＷ２，Ｌ２とされる。ただし、Ｗ１＞Ｗ２、Ｌ１＞Ｌ２の関係にある。以下同様の思想により、補助配線(モニタ配線)Ｍ７の幅および長さをＷ７，Ｌ７とした場合、引き出し配線Ｗ１７の幅および長さはＷ７，Ｌ７とされ、補助配線(モニタ配線)Ｍ８の幅および長さをＷ８，Ｌ８とした場合、引き出し配線Ｗ１８の幅および長さはＷ８，Ｌ８とされる。なお、Ｗ１＞Ｗ２＞．．＞Ｗ７＞Ｗ８の関係があり、Ｌ１＞Ｌ２＞．．＞Ｌ７＞Ｌ８の関係がある。
【０１６０】
これにより、信号算出時において、配線の寄生抵抗及び寄生容量の影響を可能な限り無視し得るように、引き出し配線および補助配線(モニタ配線)が構成できる。
【０１６１】
図２１Ｂは、図２０のセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける補助配線の検出値を概念的に説明する図である。図２１Ｂにおいて、縦軸は信号変化分Deltaの容量値（Ｃ）の値であり、横軸（Ｒｘ）は検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３の順番を示している。図では、額縁領域Ｅ１に物体がある場合の駆動電極Ｔｘ１，検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３と補助配線Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の信号変化分Deltaの容量値の例が示される。なお、補助配線Ｍ１，Ｍ２およびＭ３のBaseline容量値は、ＢＭ１，ＢＭ２，ＢＭ３とする。Ｔｘ１とＲｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３、・・の検出値（実測値）による容量値は、Ｃ１１１，Ｃ１１２，Ｃ１１３，Ｃ１１４、・・とする。係数αは、補助配線の本数Ｌの時、配線係数α[n,m,l]であるので、次の様にされる。補助配線Ｍ１の係数αは、α１１１、α１２１、α１３１、・・とする。補助配線Ｍ２の係数αは、α１１２、α１２２、α１３２、・・とする。補助配線Ｍ３の係数αは、α１１３、α１２３、α１３３、・・とする。
【０１６２】
図中のａ線は、Ｔｘ１とＲｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３、・・とのBaseline容量値（Ｂ１１，Ｂ１２，Ｂ１３，Ｂ１４、・・）から、タッチ検出回路の検出値（実測値）による容量値（Ｃ１１１，Ｃ１１２，Ｃ１１３，Ｃ１１４、・・）を引いた信号変化分Deltaの容量値（Ｃ）を示している。
【０１６３】
図中のｂ線は、補助配線Ｍ１のBaseline容量値（ＢＭ１）から補助配線Ｍ１の検出値（ＣＭ１）を減算した値に、補助配線Ｍ１の係数α（α１１１、α１２１、α１３１、・・）を掛けた値（信号変化分Deltaの容量値（Ｃ））を示している。
【０１６４】
図中のｃ線は、補助配線Ｍ２のBaseline容量値（ＢＭ２）から補助配線Ｍ２の検出値（ＣＭ２）を減算した値に、補助配線Ｍ２の係数α（α１１２、α１２２、α１３２、・・）を掛けた値（信号変化分Deltaの容量値（Ｃ））を示している。
【０１６５】
図中のｄ線は、補助配線Ｍ３のBaseline容量値（ＢＭ３）から補助配線Ｍ３の検出値（ＣＭ３）を減算した値に、補助配線Ｍ３の係数α（α１１３、α１２３、α１３３、・・）を掛けた値（信号変化分Deltaの容量値（Ｃ））を示している。
【０１６６】
補助配線Ｍ１の係数αは、例えば、α１１１＝０．５、α１２１＝０．２、α１３１＝０．１の様な値とされる。また、補助配線Ｍ２の係数αは、例えば、α１１２＝０．４、α１２２＝０．１５、α１３２＝０．１の様な値とされる。補助配線Ｍ３の係数αは、例えば、α１１３＝０．３、α１２３＝０．１、α１３３＝０．０５の様な値とされる。ここで、補助配線の配置位置から遠いノード、例えば、駆動電極Ｔｘ８に関するノードでは、補助配線による影響はほぼ無いため、係数αの値はゼロにできる。
【０１６７】
図２２は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。図２２は、セルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式に利用可能であり、構成的には図７と類似するが、駆動配線Ｔｘ１、Ｔｘ２、．．．、Ｔｘ８が表示制御装置ＤＩにより走査されない点が異なっている。他の構成は、図７と同じであるので、詳しい説明は省略される。
【０１６８】
図２３は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。図２３は、セルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式に利用可能であり、センサ用の検出電極ＳＸ１１、ＳＸ１２、ＳＸ１３，ＳＸ２１，ＳＸ２２、ＳＸ２３、．．．、ＳＸ８１，ＳＸ８２、ＳＸ８３が、マトリクス状に、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡ上に配置された個別電極として形成するようにしてもよい。この場合には、検出電極ＳＸ１１、ＳＸ１２、ＳＸ１３，ＳＸ２１，ＳＸ２２、ＳＸ２３、．．．、ＳＸ８１，ＳＸ８２、ＳＸ８３の各個別電極からの検出信号を引き出し配線Ｗ１１、Ｗ１２、Ｗ１３，Ｗ２１，Ｗ２２、Ｗ２３、．．．、Ｗ８１，Ｗ８２、Ｗ８３によって引き出し、直ちにタッチ位置を割り出すことが出来る。補助配線(モニタ配線)Ｍ１は、引き出し配線Ｗ１１の外側、すなわち、表示パネルＰＮＬの左辺と引き出し配線Ｗ１１との間に設けられる。また、補助配線(モニタ配線)Ｍ２は、引き出し配線Ｗ１３の外側、すなわち、表示パネルＰＮＬの右辺と引き出し配線Ｗ１３との間に設けられる。
【０１６９】
これにより、額縁領域Ｅ３において、物体Ｏ２の有無を補助配線Ｍ１、Ｍ２により検出することが出来る。
【０１７０】
図２４は、複数本の補助配線(モニタ配線)を有するセンサ付き表示装置ＤＳＰにおける信号算出アルゴリズムを示す図である。図２４では、図２２および図２３のセンサ付き表示装置ＤＳＰに係るセルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式による信号算出アルゴリズムが説明される。なお、補助配線(モニタ配線)の本数は、２本（Ｍ１，Ｍ２）に限らず、Ｌ本の補助配線(モニタ配線)が設けられる場合へ拡張して説明する。また、図２４の信号算出アルゴリズムにおいて、検出電極の数は、図２２では検出電極Ｒｘの本数であり、図２３では検出電極ＳＸの個数である。
【０１７１】
ステップＳ４１では、予めセンサの活性領域ＡＡ内のＮ本の検出電極（ＲｘまたはＳＸに対応する）およびＬ本のモニタ配線の基準の配線容量値（Baseline容量値）を取得する。このBaseline容量値とは、センサの活性領域ＡＡに物体Ｏ１がない状態での、ｎ番目の検出電極（ＲｘまたはＳＸ）の容量値と、Ｌ本のモニタ配線の容量値である。ここで、ｎは１からＮまでの整数であり、l（エル）は１からＬまでの整数である。
【０１７２】
ステップＳ４２では、駆動電極Ｒｘ（ＳＸ）のＮ本を１本ずつ自己検出用駆動パルスＳｉｇ１により走査したときに得られる現フレームでのＮ本の検出電極（ＲｘまたはＳＸ）の容量値Cap(n)、Ｌ本のモニタ配線の容量値Cap(monitor,l)を測定し、取得する。
【０１７３】
ステップＳ４３では、ステップＳ４１で得られたｎ番目のノードのBaseline容量値Baseline(n)から、ステップＳ４２で得られた現フレームにおけるｎ番目のノードの容量値Cap(n)を減算することで、ｎ番目のノードの信号(第１検出値)Delta(n)を算出する。すなわち、以下の式により、信号Delta(n)の値が算出される。なお、(n)は、ｎ番目の検出電極Ｒｘ(またはＳＸ)の容量値である。
【０１７４】
Delta(n)=Baseline(n)-Cap(n)
ステップＳ４４では、ステップＳ４１で得られたＬ本のモニタ配線のBaseline容量値（Baseline(monitor,l)）から、ステップＳ４２で得られた現フレームのＬ本のモニタ配線の容量値Cap(monitor,l）を減算することで、Ｌ本のモニタ配線による信号変化分(第２検出値)Delta(monitor,l)を算出する。
【０１７５】
Delta(monitor,l)=Baseline(monitor,l)-Cap(monitor,l)
ステップＳ４５では、ステップＳ４３で得られた信号Delta(n)において、ノードごとのDelta値（Delta(n)）から、ステップＳ４４で得られたDelta(monitor,l）にnに応じた係数αをかけた値を引いた値を、n番目のノードの信号変化分（Delta_new）とする計算が行われる。すなわち、以下の式により、信号変化分(第３検出値)Delta_newの値が求められる。なお、係数αはあらかじめ求められた係数である。なお、係数αは、ゼロも許される。
【０１７６】
Delta_new(n)=Delta(n)-Σ(α[n,l]xDelta(monitor,l))
ステップＳ４６では、ステップＳ４５で求められたn番目のノードの信号変化分Delta_new (n) により、物体Ｏ１の検出判定、および物体Ｏ１の座標の計算を行い、ホストポロセッサ（Ｈｏｓｔ）側へそれを連絡する。
【０１７７】
図２２および図２３のセンサ付き表示装置ＤＳＰに係るセルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式において、額縁領域に物体Ｏ２がある場合の処理アルゴリズムは図１６Ｂの処理アルゴリズムあるいは図６Ｂにおける計算を利用することが出来る。
【０１７８】
図２５は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰにおけるセンサの他の構成例を概念的に示す平面図である。センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡには、ストライプ状の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４、．．．がＹ方向に延伸して配置され、ストライプ状の駆動配線Ｔｘ１，Ｔｘ２，Ｔｘ３、．．．がＸ方向に延伸して配置される。ただし、検出電極は額縁領域Ｅ１，Ｅ２まで延伸している構成とされる。すなわち、検出電極Ｒｘ１およびＲｘ３が額縁領域Ｅ１まで延伸して配置され、検出電極Ｒｘ２およびＲｘ４が額縁領域Ｅ２まで延伸して配置されている。検出電極Ｒｘ１およびＲｘ３の引き出し配線Ｗ１１，Ｗ１３は額縁領域Ｅ２に配置されて、タッチコントローラＴＣに結合される。また、検出電極Ｒｘ２およびＲｘ４の引き出し配線Ｗ１２，Ｗ１４は額縁領域Ｅ１に配置されて、タッチコントローラＴＣに結合される。補助配線（モニタ配線）Ｍ１は、この例では、表示パネルＰＮＬの左辺と引き出し配線Ｗ１２および検出電極Ｒｘ１およびＲｘ３の端部との間に配置され、最外の引き出し配線Ｗ１２と並走してＸ方向に設けられる。
【０１７９】
この様な構成においても、額縁領域Ｅ１に物体Ｏ２が接触している時の座標を、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２・・・・、補助回線Ｍ１のセルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式により、検出することが出来る。尚、図２５では額縁Ｅ１側に補助配線が設けられているが、額縁Ｅ２に補助配線が設けられる構成でもよく、額縁Ｅ１、Ｅ２の両方に補助配線Ｍ１、Ｍ２が設けられる構成にしてもよい。
【０１８０】
図２６は、実施の形態に係るセンサ付き表示装置ＤＳＰの概略的なブロックを説明するための図である。同図において、表示パネルＰＮＬ内の構成は、複雑さを避けるため簡易的に示されており、４本の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２、Ｒｘ３，Ｒｘ４）と、４本の駆動電極Ｔｘ（Ｔｘ１，Ｔｘ２、Ｔｘ３，Ｔｘ４）とが示される。
【０１８１】
センサ付き表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、タッチコントローラ（タッチ検出回路、制御回路）ＴＣ，表示制御装置ＤＩとを含む。
【０１８２】
表示パネルＰＮＬは、検出電極Ｒｘと、検出電極Ｒｘに交差する駆動電極Ｔｘと、駆動電極Ｔｘに接続され、駆動電極Ｔｘ（Ｔｘ１，Ｔｘ２、Ｔｘ３，Ｔｘ４）を順次駆動パルスＳｉｇにより駆動するためのＴｘ線走査回路ＴｘＳＣとを含む。
【０１８３】
タッチコントローラＴＣは、表示パネルＰＮＬ内の検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２、Ｒｘ３，Ｒｘ４のおのおのに引き出し線（図示せず）を介して接続され、検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２、Ｒｘ３，Ｒｘ４からの信号を受ける。タッチコントローラＴＣは、また、タッチ検出期間において、検出電極Ｒｘからの信号を受け、図８、図９、図１６Ａや図１６Ｂ、図１８、図２４などに示される信号算出アルゴリズムないし処理アルゴリズムを実施し、ホストプロセッサ(Ｈｏｓｔ)に対し検出座標などの情報を与える。タッチコントローラＴＣは、さらに、表示制御装置ＤＩに対してタッチ検出期間を通知するための駆動信号ＰＴを生成し出力する。
【０１８４】
表示制御装置ＤＩは、表示パネルＰＮＬ内の表示画素への表示データの書込み、および表示画素からの表示データの読み出し機能を備えるとともに、タッチ検出期間においてＴｘ線走査回路ＴｘＳＣへ駆動パルスＳｉｇを生成するための電圧ないし制御タイミングを与える。表示制御装置ＤＩは、また、タッチコントローラＴＣに対し、タッチ検出期間における駆動パルスＳｉｇの印加タイミング等を通知ための同期信号を生成して出力する。
【０１８５】
尚、図２６においてはホストとの通信はタッチコントローラＴＣで行う構成としているが、表示駆動装置ＤＣがホストとの通信を行い、表示駆動装置ＤＩがタッチコントローラＴＣを制御するような構成にしてもよい。
【０１８６】
図２７は、実施の形態に係るタッチコントローラＴＣの概略的なブロックを説明するための図である。タッチコントローラＴＣは、アナログデジタル変換部ＡＤＣＵと、デジタルシグナル処理部ＤｉＧＳＵと、を含む。
【０１８７】
アナログデジタル変換部ＡＤＣＵは、検出電極Ｒｘから受けたアナログ検出信号をデジタル信号へ変換するアナログデジタル変換回路を有する。アナログ検出信号が正極および負極を有する電流信号である場合、アナログ検出信号は電流信号として検出されるような回路構成とすることができる。この場合、アナログデジタル変換部ＡＤＣＵには、アナログ検出信号を電圧信号へ変換する電流電圧変換回路と、前記電流電圧変換回路からの負極信号の極性を正極へ反転する信号極性反転回路と、前記信号極性反転回路の出力信号を平均化する平均化回路と、前記平均化回路のアナログ電圧出力信号をデジタル信号へ変換するアナログデジタル変換回路とが設けられる。
【０１８８】
デジタルシグナル処理部ＤｉＧＳＵは、信号処理部ＳＰＢとメモリ部ＭＥＭとを含む。信号処理部ＳＰＢは、差分演算回路Ｄｉｆｆと、ノイズフィルタリング回路ＮＦと、座標演算回路ＣｏｏｒＣと含む。信号処理部ＳＰＢは、図１６Ａに示される信号算出アルゴリズムないし図１６Ｂに示される処理アルゴリズムを実施する。信号処理部ＳＰＢは、また、センサの活性領域(タッチ検出領域)ＡＡの周りの周辺領域（額縁領域）に物体Ｏ２があるか否かも判断する。
【０１８９】
メモリ部ＭＥＭは、Baseline容量値および係数α等の制御データテーブルやタッチ検出処理に必要な制御データないし制御プログラム等を記憶する。メモリ部ＭＥＭは、例えば、スタティックランダムアクセルメモリ（ＳＲＡＭ）等の揮発性メモリやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリを利用することが出来る。温度等の環境変化に対応するため、Baseline容量値を定期的に取得する構成では、Baseline容量値は揮発性メモリに格納するのが好ましい。係数αは表示パネルＰＮＬの構成により決まる値であるため、係数αは不揮発性メモリに格納するのが好ましい。Baseline容量値および係数αの両方を不揮発性メモリに記憶させても良いし、Baseline容量値および係数αの両方を揮発性メモリに記憶させても良い。
【０１９０】
信号処理部ＳＰＢはアナログデジタル変換部ＡＤＣＵからのデジタル信号を受けるとともに、メモリ部ＭＥＭをアクセスし、Baseline容量値および係数α等の制御データテーブルから所望のデータを読み出し、タッチ検出に必要な容量値の差分演算、およびノイズ除去演算、および座標計算を実施する。差分演算は差分演算回路Ｄｉｆｆにより実施され、ノイズ除去ためのノイズ除去演算はノイズフィルタリング回路ＮＦにより行われる。座標演算部ＣｏｏｒＣは、差分演算回路Ｄｉｆｆおよびノイズフィルタリング回路ＮＦのからタッチ検出演算結果を受け取り、活性領域ＡＡ内のタッチ位置の座標演算を実施し、ホストプロセッサ（Ｈｏｓｔ）へ通知する。
【０１９１】
図２８は、実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰのセンサの駆動電極及び検出電極の概略の構成を示す平面図である。なお、この構成は、図５、図７、図１５、図１７、図２０、図２２、図２５に係る構成である。
【０１９２】
図２８は、アレイ基板ＡＲ（ＳＵＢ１）側に設けられる駆動電極（Ｃｏｍｅ１、Ｃｏｍｅ２、Ｃｏｍｅ３・・・）と、対向基板ＣＴ（ＳＵＢ２）側とに設けられる検出電極Ｒｘとの関係を示している。共通電極は表示動作時には共通電極（Ｃｏｍｅ１、Ｃｏｍｅ２、Ｃｏｍｅ３・・・）として表示駆動に対応した電圧が供給され、タッチ検出期間にはタッチ駆動用の駆動電極Ｔｘとしてタッチ検出を行うための駆動パルスが印加される。
【０１９３】
ストライプ状の複数の駆動電極Ｔｘは、アレイ基板ＡＲにおいて、Ｘ方向に延伸するように、並走して配置される。画素のソース線(信号線)Ｓは、Ｘ方向に延伸するように並走して設けられ、画素のゲート線(走査線)ＧはＹ方向に延伸するように並走して設けられる。
【０１９４】
アレイ基板ＡＲの右辺と駆動電極Ｔｘとの間には、画素のゲート線(走査線)Ｇを走査するゲート走査回路ＧａｔｅＳＣ(ゲートドライバＧＤ：ＧＤ−Ｌ，ＧＤ−Ｒ)が配置される。複数の駆動電極Ｔｘを走査するＴｘ線走査回路ＴｘＳＣ（共通電極駆動回路ＣＤ）は、アレイ基板ＡＲ側のＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）２が接続される側（ソース線Ｓの延在方向）に設けられる。Ｔｘ線走査回路ＴｘＳＣは、ＦＰＣ１を介して検出電極Ｒｘの下方に設けられているタッチコントローラＴＣと接続される。Ｔｘ線走査回路ＴｘＳＣの下側には、表示制御装置ＤＩが配置される。
【０１９５】
一方、ストライプ状の複数の検出電極Ｒｘは、対向基板ＣＴにおいて、Ｙ方向に延伸するように、並走して配置される。すなわち、ストライプ状の複数の検出電極Ｒｘは、画素のゲート線(走査線)Ｇと並走して設けられる。また、複数の検出電極Ｒｘは、引き出し配線(図示せず)を介してタッチコントローラＴＣに接続される。ＦＰＣ１およびＦＰＣ２は、ホストプロセッサ等に結合される。図２８では、駆動電極Ｔｘがソース線Ｓと平行に設けられている。このため、駆動電極Ｔｘからの配線は、図のＦＰＣ２側（ソース線Ｓの延在方向）方向に引出すことが可能である。従って、アレイ基板ＡＲの左右の周辺部(額縁領域)を狭くすることができる。
【０１９６】
図２９は、実施の形態のセンサ付き表示装置ＤＳＰのセンサの駆動電極及び検出電極の概略の他の構成を示す平面図である。なお、この構成は、図１９に係る構成である。
【０１９７】
図２９は、図２８と同様に、アレイ基板ＡＲ（ＳＵＢ１）側に設けられる駆動電極Ｔｘと、対向基板ＣＴ（ＳＵＢ２）側とに設けられる検出電極Ｒｘとの関係を示している。ただし、図２８とは、ストライプ状の複数の駆動電極Ｔｘおよびストライプ状の複数の検出電極Ｒｘの配置方向が異なっている。
【０１９８】
ストライプ状の複数の駆動電極Ｔｘは、アレイ基板ＡＲにおいて、Ｙ方向に延伸するように、並走して配置される。画素のソース線(信号線)Ｓは、Ｘ方向に延伸するように並走して設けられ、画素のゲート線(走査線)ＧはＹ方向に延伸するように並走して設けられる。
【０１９９】
アレイ基板ＡＲの右辺と複数の駆動電極Ｔｘとの間には、画素のゲート線(走査線)Ｇを走査するゲート走査回路ＧａｔｅＳＣ(ゲートドライバＧＤ：ＧＤ−Ｌ，ＧＤ−Ｒ)および複数の駆動電極Ｔｘを走査するＴｘ線走査回路ＴｘＳＣ（共通電極駆動回路ＣＤ）が配置される。アレイ基板ＡＲ側のＦＰＣ２の上側には、表示制御装置ＤＩが配置される。
【０２００】
一方、ストライプ状の複数の検出電極Ｒｘは、対向基板ＣＴにおいて、Ｘ方向に延伸するように並走して配置される。すなわち、ストライプ状の複数の検出電極Ｒｘは、画素のソース線(信号線)Ｓと並走して設けられる。また、複数の検出電極Ｒｘは、引き出し配線(図示せず)を介してタッチコントローラＴＣに接続される。ＦＰＣ１およびＦＰＣ２は、ホストプロセッサ等に結合される。
【０２０１】
本発明の実施の形態として上述した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０２０２】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０２０３】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【０２０４】
上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【０２０５】
ＤＳＰ…センサ付き表示装置、  ＤＥＴＥ、Ｒｘ…検出電極、  ＣＯＭＥ、Ｔｘ…共通電極、ＳＵＢ１、  ＡＲ…アレイ基板、  ＳＵＢ２、ＣＴ…対向基板、  ＬＱ…液晶層、  ＰＮＬ…表示パネル、  Ｓ…ソース線(信号線)、  Ｇ…ゲート線(走査線)、  Ｍ１，Ｍ２、…、Ｍ８…補助配線(モニタ配線)、  Ｅ１，Ｅ２、Ｅ３…周辺領域(額縁領域)、  ＡＡ…センサの活性領域(タッチ検出領域)
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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