(57)【要約】本明細書に提供されているのは、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法であり、この方法は、シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと；堆積チャンバ内の圧力を基板上への材料の膜の堆積に必要となるレベルへ低減するステップ；とを含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力はシャフトへ接続されてシャフトの中空コアとの間で界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力は基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。また、提供されているのは、サセプタ、および本発明のサセプタへ付着された基板上へ膜を堆積する方法である。
2005526373.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法であって：
シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を前記基板上への前記材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップと；
を含み、
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力が、前記シャフトへ接続されて前記シャフトの前記中空コアと界面を成す前記支持プレートの下面に作用し、前記堆積チャンバ内の前記圧力が、前記基板を支持するように適合された前記支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する方法。
【請求項２】
前記シャフトの前記中空コア内の圧力を低減するステップは：
前記シャフトの前記中空コアを大気圧から封止する工程と；
前記シャフトの前記中空コアへ負圧源を適用し、よって前記中空コア内の圧力を低減する工程と；
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記中空コアは、シャフト真空コネクターハウジングによって封止され、前記シャフト真空コネクターハウジングは、前記負圧源と接続するように適合される、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、前記負圧源へ接続されるように適合された接続具を備え、前記負圧は前記接続具を介して前記中空コアへ与えられる、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記上面は、前記上面を貫通し、前記上面へ真空を与えることによって前記基板を前記上面へ付着するように適合された複数の開口を更に備え、前記複数の開口は、前記シャフトの前記中空コアを通過する真空ラインに流体接続される、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記複数の開口へ接続された前記真空ラインは、その内部に生成されて、前記シャフトの前記中空コア内に生成される前記負圧に依存せずに制御される負圧を持つ、
請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記チャンバ圧力は約０．５トル乃至約６トルである請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は約２００トル未満に低減される、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は約０．５トル乃至約２００トルへ低減される、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は前記チャンバ圧力とほぼ等しい値になされる、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法であって：
堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；
シャフトの中空コアを、シャフト真空コネクターハウジングにより、大気圧から封止するステップであって、前記シャフト真空コネクターハウジングは負圧源へ接続するように適合された接続具を備える、前記ステップと；
前記接続具を介して前記シャフトの前記中空コアへ前記負圧源を適用するステップと；
前記接続具を介して前記シャフトの前記中空コア内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；
を含み、
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力が、前記シャフトへ接続されて前記シャフトの前記中空コアと界面を成す前記支持プレートの下面に作用し、前記堆積チャンバ内の前記圧力が、前記基板を支持するように適合された前記支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する方法。
【請求項１２】
前記上面は、前記上面を貫通し、前記上面へ真空を与えることによって前記基板を前記上面へ付着するように適合された複数の開口を更に備え、前記複数の開口は、前記シャフトの前記中空コアを通過する真空ラインに流体接続される、
請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の開口へ接続された前記真空ラインは、その内部に生成されて、前記シャフトの前記中空コア内に生成される負圧に依存せずに制御される、負圧を持つ、
請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記サセプタ・シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は、前記チャンバ圧力とほぼ等しい値になされる、
請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタであって：
中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、前記支持プレートは基板を支持するように適合された上面と、前記シャフトへ接続されて前記中空コアと界面を成す下面とを有し、前記中空コアは大気圧から封止される、前記支持プレート；および、
前記中空コア内側に負圧を与え、そして前記基板支持プレートの前記下面と界面を成す入口部；
を備えるサセプタ。
【請求項１６】
前記中空コアを大気圧から封止するシャフト真空コネクターハウジングを更に備える、
請求項１５記載のサセプタ。
【請求項１７】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、上に配置された前記入口部を有する、
請求項１６記載のサセプタ。
【請求項１８】
前記基板支持プレートは、前記上面を貫通し、前記上面へ真空を与えることによって前記基板を前記上面へ付着するように適合された複数の開口を更に備え、前記複数の開口は、前記シャフトの前記中空コアを通過する真空ラインに流体接続される、
請求項１５記載のサセプタ。
【請求項１９】
前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧は、前記シャフトの前記中空コア内側に発生されて前記支持プレートの前記下面と界面を成す前記負圧に依存せずに制御される、
請求項１８記載のサセプタ。
【請求項２０】
前記複数の開口へ接続された前記真空ラインは真空源へ接続され、前記真空源は、前記負圧を前記シャフトの前記中空コア内側に発生させて前記支持プレートの前記下面と界面を成す前記入口部へ接続された真空源に依存しない、
請求項１８記載のサセプタ。
【請求項２１】
基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタであって：
中空コアを有するシャフト上に搭載された支持プレートであって、基板を支持するように適合された上面と、前記シャフトへ接続されて前記中空コアと界面を成す下面とを有する前記支持プレートと；
前記中空コアを大気圧から封止しするシャフト真空コネクターハウジングと；
前記シャフト真空コネクターハウジング上に配置された入口部であって、前記中空コア内側に負圧を与え、前記基板支持プレートの前記下面と界面を成す前記入口部と；
を備えるサセプタ。
【請求項２２】
前記基板支持プレートは、前記上面を貫通し、前記上面へ真空を与えることによって前記基板を前記上面へ付着するように適合された複数の開口を更に備え、前記複数の開口は、前記シャフトの前記中空コアを通過する真空ラインに流体接続される、
請求項２１記載のサセプタ。
【請求項２３】
前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧は、前記シャフトの前記中空コア内側に発生されて前記支持プレートの前記下面と界面を成す前記負圧に依存せずに制御される、
請求項２２記載のサセプタ。
【請求項２４】
前記複数の開口へ接続された前記真空ラインは真空源へ接続され、前記真空源は、前記負圧を前記シャフトの前記中空コア内側に発生させて前記支持プレートの前記下面と界面を成す前記入口部へ接続された真空源に依存しない、
請求項２３記載のサセプタ。
【請求項２５】
基板上へ材料の膜を堆積する方法であって：
堆積チャンバ内の、請求項１５のサセプタの支持プレートの上面へ前記基板を付着するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；
前記サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記サセプタの前記支持プレートの下面へ与えられる、前記ステップと；
少なくとも１種の前駆体ガスを前記堆積チャンバ内へ流入させるステップと；
前記基板上へ膜を堆積するステップであって、前記膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、前記ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２６】
前記堆積チャンバ内側の前記温度を少なくとも３００℃にするステップを更に含む、
請求項２５記載の方法
【請求項２７】
前記温度は約４００℃乃至約４５０℃になされる、
請求項２６記載の方法
【請求項２８】
前記堆積チャンバ内の前記圧力は約０．５トル乃至約６トルである、
請求項２５記載の方法。
【請求項２９】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は約２００トル未満へ低減される、
請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記堆積チャンバ内の前記圧力に等しい値になされる、
請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
前記堆積圧力、および前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を監視するステップと；
前記シャフトの前記中空コア内側記圧力が前記堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を調節するステップと；
を更に含む、
請求項２５記載の方法。
【請求項３２】
前記膜が上に堆積されることになる前記基板の表面の平面性を監視するステップ；および、
前記基板の前記表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力を調節することによって前記サセプタおよび前記基板を平面性の許容限度内に回復させるステップ；を更に含む、
請求項２５記載の方法。
【請求項３３】
基板上に膜を堆積する方法であって：
堆積チャンバ内の、請求項１５のサセプタの支持プレートの上面へ前記基板を付着するステップと；
前記堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；
前記サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記サセプタの前記支持プレートの下面へ与えられる、前記ステップと；
少なくとも１種の前駆体ガスを前記堆積チャンバ内へ流入させるステップと；
前記基板上へ膜を堆積するステップであって、前記膜は少なくともその一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、前記ステップと；
前記堆積圧力、および前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を監視するステップと；
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力が前記基板上への前記材料の膜の堆積中に前記堆積チャンバ内の前記圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を調節するステップと；
を含む方法。
【請求項３４】
前記温度は約４００℃乃至約４５０℃になされる、
請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
前記シャフトの前記中空コア内の圧力は、前記堆積チャンバ内の前記圧力に等しい値になされる、
請求項３３記載の方法。
【請求項３６】
基板上に膜を堆積する方法であって：
堆積チャンバ内の、請求項１５の前記サセプタの支持プレートの上面へ前記基板を付着するステップ；
前記堆積チャンバ内側の前記温度を少なくとも３００℃にするステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；
前記サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記サセプタの前記支持プレートの下面へ与えられる、前記ステップと；
少なくとも１種の前駆体ガスを前記堆積チャンバ内へ流入させるステップと；
前記基板上へ膜を堆積するステップであって、前記膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、前記ステップと；
前記膜が上に堆積されることになる前記基板の表面の平面性を監視するステップと；
前記基板の前記表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力を調節することによって前記基板上への前記材料の膜の堆積中に前記サセプタおよび前記基板を平面性の許容限度内に回復させるステップと；
を含む方法。
【請求項３７】
前記温度は約４００℃乃至約４５０℃になされる、
請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は、前記堆積チャンバ内の前記圧力に等しい値になされる、
請求項３３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の内容】
【０００１】
発明の背景
【発明の分野】
【０００２】
本発明は、一般的には半導体の製造および堆積チャンバの分野に関する。より詳細には、本発明は堆積プロセス中にサセプタの平面性を改良する方法に関する。
【関連技術の説明】
【０００３】
例えば半導体ウェーハやガラスプレート等の基板上への、絶縁体、導体、誘電体等の層としての薄膜の製造は様々な堆積プロセスによってなされる。これら堆積プロセスの中でも、化学的気相堆積（ＣＶＤ）および物理的堆積（ＰＶＤまたはスパッタリング）プロセスは一般的であり、両プロセス共に、より特化した堆積手段を含んでいる。このようなプロセスを基板へ適用するには、得られた堆積薄膜が、その目的とする使途のために、とりわけ、最高品質の形状追従性、基板全体にわたる堆積レートの均一性、厚さ均一性、および膜の平滑性等を持つような手法を用いて、堆積チャンバ内へ基板を配置する必要がある。
【０００４】
これらの堆積手法を用いて基板を処理するために、基板を受け入れるように構成されたサセプタを有する真空チャンバを設けてもよい。サセプタは、製造ステップ、例えばＣＶＤ、のための処理チャンバの内部に基板を保持する機械的部品である。例えば、ＣＶＤ装置は堆積チャンバ内に位置決めされたサセプタを含む。サセプタの支持プレートがガラスパネルや半導体ウェーハ等の基板を支持し、少なくとも１種の前駆体ガスの熱分解によって、材料の膜が基板上へ堆積される。
【０００５】
堆積プロセス中、圧力を下げて堆積チャンバ内の総圧力を減らす。これは、通常は管状構造のサセプタ・シャフトが大気圧にあるので、結果としてサセプタの下面へ押上力をもたらす。この圧力差がサセプタ面を変形させる、つまり「弓状に湾曲させる」可能性がある。基板サイズの増大とともに、サセプターサイズも付随して増大するので、かかる変形は拡大する。これは、サセプタ面に保持された基板上に薄膜の不規則な堆積を引き起す。
【０００６】
加えて、サセプタの製造に普段用いられる材料は窒化アルミニウム等のアルミニウムベースの材料である。これらの材料で製造されたサセプタはプロセスガスおよび汚染に抗するが、約３００℃以上の温度で著しく剛性を失う傾向にある。そのため、基板支持面は、殊に支持面の下側から力を及ぼす圧力差と相まって、平面を保ちそうにない。
【０００７】
図１に、処理チャンバ２００により提供された、温度が約３００℃の減圧環境でのアルミニウムベース基板２３５の変形を示す。チャンバ２００の内部環境圧力が真空排気２２０によって大気圧未満に引下げられたとき、そして温度が約３００℃以上に達すると、アルミニウムベース支持プレート２１０の剛性の低下により、支持プレート２１０はその上側および下側に不均等な圧力の作用を受け、それによって変形する。
【０００８】
サセプタ・シャフトは、中空であって約７６０トルの大気圧に曝されているので、支持プレート２１０の中央部分の下面も大気圧に曝される。これは、サセプタ・プレート２１０の上面つまり支持面２１６が減圧環境に曝されているために、上面の中央部分に弓状湾曲２１２を引き起こすかもしれない。同時に、サセプタ・プレート２１６の周辺縁部は、サセプタ材料の剛性の低下に起因して垂れ下がること２１４があり、弓状湾曲がある場合はこの垂れ下がりが悪化する。その結果、全体的に非平面のサセプタ面２１６が得られる。
【０００９】
堆積プロセスにおいて、基板上へ堆積させる処理材料は、投入口から堆積チャンバを横切って基板の表面へ何らかの形態で移動しなくてはならない。この距離は、それがＣＶＤ用途におけるガス分配プレートから基板までの投入距離であれ、ＰＶＤ用途におけるスパッタ用ターゲットから基板までの距離であれ、基板上への膜の堆積レートに影響を及ぼす。上で説明したような変形したサセプタ・プレート上に基板が支持されている場合、基板面の周辺部は、基板面の中央部よりも、処理材料の投入口から長い距離にある。従って、基板面の中央部での堆積レートは、基板面の周辺部より大きい。その結果得られた不均一な堆積膜は不良である、つまり意図した通り機能できない可能性がある。
【００１０】
普通は、高い温度で広範な堆積プロセスが実施される。より多種類の層が約３００℃超の温度で堆積される。約３００℃より高い温度で、そして減圧雰囲気中で平らな基板支持面を維持するアルミニウムベースのサセプタ装置の提供は好都合であろう。
【００１１】
従って、従来技術は、堆積プロセス中のサセプタの平面性を改良する有効手段を欠くという点で不具合である。具体的には、従来技術は、サセプタ面の平面性を改良するように、サセプタ・シャフトに作用して真空排気を行う有効な手段を欠くという点で不具合である。本発明は、当該技術でこれら積年のニーズおよび要望を充たす。
【発明の概要】
【００１２】
本発明の１つの実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと；堆積チャンバ内の圧力を、基板上への材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップと；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が、基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
【００１３】
本発明の別の実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；シャフトの中空コアを、シャフト真空コネクターハウジングにより、大気圧から封止するステップであって、シャフト真空コネクターハウジングは負圧源へ接続するように適合された接続具を備える、上記ステップと；接続具を介してシャフトの中空コアへ負圧源を適用するステップと；接続具を介してシャフトの中空コア内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が、基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
【００１４】
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、支持プレートは、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有し、中空コアは大気圧から封止される、上記支持プレートと；中空コア内側に負圧を与え、そして基板支持プレートの下面と界面を成す入口部と；を備える。
【００１５】
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、支持プレートは、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有する、上記支持プレートと；中空コアを大気圧から封止するシャフト真空コネクターハウジングと；シャフト真空コネクターハウジング上に配置された入口部であって、中空コア内側に負圧を与え、基板支持プレートの下面と界面を成す上記入口部と；を備える。
【００１６】
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積する方法が提供され、この方法は：堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；を含む。
【００１７】
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は：堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップと：堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜は少なくともその一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；堆積圧力とシャフトの中空コア内側の圧力とを監視するステップと；シャフトの中空コア内側の圧力が、基板上への材料の膜の堆積中に堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、シャフトの中空コア内側の圧力を調節するステップと；を含む。
【００１８】
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は：堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップと；堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、その少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；膜が堆積されることになる基板の表面の平面性を監視するステップと；基板の表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、シャフトの中空コア内側の圧力を調節することによって、基板上への材料の膜の堆積中に、サセプタおよび基板を平面性の許容限度内に回復させるステップと；を含む。
【００１９】
本発明の他のおよび更なる態様、特徴、および利点は、開示目的で記載する本発明の実施形態の以下の説明から明らかとなろう。
【発明の詳細な説明】
【００２０】
本発明の１つの実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップ；および、堆積チャンバ内の圧力を、基板上への材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップ；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が、基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
【００２１】
この実施形態の１つの態様では、シャフトの中空コア内の圧力は、シャフトの中空コアを大気圧から封止し、そしてシャフトの中空コアへ負圧源を適用することにより低減され、よって中空コア内の圧力を低減する。代表的な実施例は、例えば、負圧が接続具を介して与えられるように、かかる接続具により負圧源と接続するように適合されシャフト真空コネクターハウジングである。
【００２２】
この実施形態の別の態様では、支持プレートの上面が、複数の開口を含んでもよく、開口は上面を貫通し基板へ真空を貫通することによって基板を上面へ付着するように適合される。開口は、シャフトの中空コアを貫通する真空ラインに流体接続され、シャフトの中空コア内に生成される圧力に依存せずに負圧を生成する。
【００２３】
この実施形態において、堆積温度は、少なくとも３００℃であり、代表的な実施例は約４００℃乃至約４５０℃である。堆積チャンバ圧力は約０．５トル乃至約６トルである。シャフト内の圧力は約２００トル未満のレベルとし、代表的な実施例は約０．５トル乃至約２００トルである。更に、シャフト圧力は、堆積チャンバ内の圧力のレベルと等しいレベルとしてもよい。
【００２４】
本発明の別の実施形態では、基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップ；シャフトの中空コアを、シャフト真空コネクターハウジングにより、大気圧から封止するステップであって、シャフト真空コネクターハウジングは負圧源へ接続するように適合された接続具を備える、上記ステップと；接続具を介してシャフトの中空コアへ負圧源を適用するステップと；接続具を介してシャフトの中空コア内の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップと；を含み、ここでシャフトの中空コア内の圧力が、シャフトへ接続されてシャフトの中空コアと界面を成す支持プレートの下面に作用し、堆積チャンバ内の圧力が基板を支持するように適合された支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する。
【００２５】
この実施形態の１つの態様では、支持プレートの上面は、複数の開口と、それらへ流体接続された真空ラインとを含んでもよい。シャフト圧力は、先に開示した堆積チャンバ内の圧力のそれと等しくてもよい。
【００２６】
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、支持プレートは、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有し、中空コアは大気圧から封止される、前記支持プレート；および、中空コア内側に負圧を与え、そして基板支持プレートの下面と界面を成す入口部；を備える。
【００２７】
この実施形態の１つの態様において、サセプタは、上記シャフト真空コネクターハウジングを有する。更に、サセプタは、先に記載したように、支持プレート上面の複数の開口と、それらへ流体接続された真空ラインとを含んでもよい。
【００２８】
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタが提供され、このサセプタは：中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、基板を支持するように適合された上面と、シャフトへ接続されて中空コアと界面を成す下面とを有する前記支持プレートと；シャフト真空コネクターハウジングであって、中空コアを大気圧から封止する前記シャフト真空コネクターハウジングと；シャフト真空コネクターハウジング上に配置された入口部であって、中空コア内側に負圧を与え、基板支持プレートの下面と界面を成す前記入口部と；を備える。サセプタは、先に記載したように、支持プレート上面の複数の開口と、それらへ流体接続された真空ラインとを含んでもよい。
【００２９】
本発明の更に別の実施形態では、基板上へ材料の膜を堆積する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；を含む。温度および圧力は、先に記載した通りであってもよい。
【００３０】
この実施形態の１つの態様では、堆積圧力とシャフトの中空コア内側の圧力とが監視され、シャフトの中空コア内側の圧力は、それが堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に調節される。
【００３１】
この実施形態の別の態様では、上に膜が堆積されることになる基板の表面の平面性が監視され、基板の表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、シャフトの中空コア内側の圧力が調節されることによって、サセプタおよび基板を平面性の許容限度内に回復させる。
【００３２】
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップ；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップ：堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜は少なくともその一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；堆積圧力とシャフトの中空コア内側の圧力とを監視するステップと；シャフトの中空コア内側の圧力が、基板上への材料の膜の堆積中に堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、シャフトの中空コア内側の圧力を調節するステップと；を含む。堆積チャンバ内の温度は約４００℃乃至約４５０℃であってもよい。シャフト内の圧力は堆積チャンバ内の圧力と等しくてもよい。
【００３３】
本発明の更に別の実施形態では、基板上に膜を堆積する方法が提供され、この方法は、堆積チャンバ内の本明細書に開示するサセプタの支持プレートの上面へ基板を付着するステップと；堆積チャンバ内側の温度を少なくとも３００℃にするステップと；堆積チャンバ内の圧力を約０．５トル乃至約６トルへ低減するステップと；サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を約０．５トル乃至約２００トルへ低減するステップであって、シャフトの中空コア内の圧力はサセプタの支持プレートの下面へ与えられる、上記ステップと；少なくとも１種の前駆体ガスを堆積チャンバ内へ流入させるステップと；基板上へ膜を堆積するステップであって、膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、上記ステップと；膜が堆積されることになる基板の表面の平面性を監視するステップと；基板の表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、シャフトの中空コア内側の圧力を調節することによって、基板上への材料の膜の堆積中に、サセプタおよび基板を平面性の許容限度内に回復させるステップと；を含む。堆積チャンバ内の温度は約４００℃乃至約４５０℃であってもよい。シャフト内の圧力は堆積チャンバ内の圧力と等しくてもよい。
【００３４】
本明細書で提供されるのは、サセプタ・シャフトと連動する真空源を設けてサセプタ・シャフト内の圧力を大気圧未満に低減させることにより、サセプタ・シャフトへ取付けられたサセプタ面の平面性を改良する方法である。チャンバ圧力が大気圧未満へ低減されるに従い、チャンバ圧力とサセプタ・シャフト内圧力との差は増大する。サセプタ・シャフト内の圧力がサセプタ面に及ぼす力は、チャンバ圧力とシャフト内圧力との差に比例する。圧力差が増大するのに伴って、サセプタ面は変形し弓状に湾曲する。
【００３５】
堆積プロセスで約３００℃未満の温度において、アルミニウムまたはアルミニウム含有サセプタに及ぼす圧力差の影響は、一般的にサセプタ面の中心部に限られる。しかし、それより高い温度、つまり約３００℃を超える温度では、サセプタの剛性は低くなるので、圧力差がサセプタ面の中心部に作用してそれを上方へ撓ませるだけでなく、サセプタ面の隅部および縁部をも垂れ下がるようにする。
【００３６】
真空ラインはシャフトの内側空間へ負圧を与え、それによってサセプタ・プレートの下面と界面を成す圧力を大気圧未満にする。シャフトにかかる真空圧は、チャンバ内の真空圧の始動と同時にまたはそれに続いて始動できる。堆積チャンバおよびサセプタ・シャフト両方を真空排気することによって、サセプタ両側の圧力差は減少し、それにより、表面を変形させることになる、サセプタ上の合力をなくす。従って、約３００℃を超える温度であっても、サセプタ上面を本質的に平坦つまり平面に維持さることができる。本来であれば非平面のサセプタ面に起因する基板上に堆積された膜の変形は最小限となる。平らなサセプタ面を使用して堆積された膜は、より良好な均一特性、例えば膜厚および堆積レートを有する。
【００３７】
限定はされないが、例えば急速熱処理または蒸着プロセスなどの用途のために設計されたチャンバ内で本明細書に記載するようなサセプタへ固定した基板へ薄膜を堆積してもよい。かかる蒸着プロセスは、化学的気相堆積（ＣＶＤ），プラズマ強化化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、もしくは、物理的気相堆積またはスパッタリング（ＰＶＤ）でよい。堆積膜は、限定はされないがアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素つまり熱酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、または、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）でよく、シラン（ＳｉＨ４）、ＴＥＯＳ、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＰＨ３、ＣＯ２、および類似物の前駆体を使用してもよい。
【００３８】
堆積プロセス中、プロセス温度は約１５０℃乃至約４５０℃であり、通常は少なくとも３００℃であるが、多くのプロセスで必要とする温度は約４００℃乃至約４５０℃である。最適な堆積のために、基板温度が、約２０℃という基板支持面の温度以内であるのがよい。チャンバ圧力は、空運転時に約１００トル乃至約２００トル、続いて、堆積の開始に先立ち約．５乃至約６トルへ真空排気して下げる。それと同時に、サセプタ・シャフトは、静的処理圧力がシャフト内で確立されていない限り、真空排気が続けられる。
【００３９】
以下の実施例は、本発明の種々の実施形態を例証するためのものであり、いかなる様式でも本発明を限定することを意味しない。
【実施例１】
【００４０】
真空排気を伴うサセプタ装置
図２Ａに示す、処理チャンバ１３３内に配置した、真空排気機構を含むサセプタ装置は、サセプタ・シャフト１３７および基板支持プレート２０を含むサセプタ１３５、モータ１４、シャフト真空コネクターハウジング１６、ならびにコントローラ１７０を備える。支持プレート２０は、上部プレート４０、ベースプレート２０および両プレート間のバイアス区域４４を含み、上部分およびベース部分は、溶接または他の同等な手法で接合されてもよい。支持プレート２０は、上部プレート４０とベースプレート２０との間に配置した１つ以上の加熱素子２４を含んでもよい。
【００４１】
支持プレート２０は、溶接、ろう付けまたは他の従来の手段によってシャフト１３７へ取付けられる。シャフト１３７は中空コアを含み、支持プレート２０のベースプレート４２と結合するように構成される。サセプタ１３５は、モータ１４へ動作可能に接続されたシャフト１３７によって垂直方向および／または回転可能に動かされる。シャフト真空ハウジング１６は、モータ１４の下方に固定され、真空ポンプ（不図示）などの真空源の真空ライン４９をシャフト１３７へ動作可能に接続する手段を提供する。真空ライン４９を、堆積チャンバ用の真空排気ポンプとは別体の真空ポンプへ接続しても、個別に制御できるように真空排気ポンプへ接続してもよい。真空排気ポンプへ接続するとき、真空ライン４９、１６０へ接続された別体の絞り弁１６２、１６４を使用して、チャンバ内およびサセプタ・シャフト内へ与えられる真空量を独立して調節してもよい。シャフト真空コネクターハウジング１６を、アルミニウムもしくはアルミニウム合金、または当該技術で普通に精通する者にとって明白ないずれか他の材料もしくは合金で構成してもよい。
【００４２】
任意に、真空チャックを用いて、支持プレート２０の上面２２へ基板を固定してもよい。この場合に、真空ライン８は真空ポンプなどの真空源へ接続されるが、この真空ポンプは堆積チャンバ自体のための真空排気ポンプとは別体である。真空ライン８は、支持プレート２０の上面２２にある複数の均等に離間した真空ポート（不図示）から、シャフト１３７を通って真空源に至る。真空源を起動すると、サセプタ１３５上に搭載された基板を、支持プレート２０の上面２２上へ均一に引下げることにより、基板をそこへチャックする。真空チャックを用いて支持プレートの上面２２上へ基板をチャックする場合、シャフトに至る真空源は、真空チャックに至る真空ライン８のために使用される同一真空源であってもよく、従って絞り弁は両方を制御する。真空ライン４９は外部真空ポンプ１５８へ接続され、真空ポンプ１５８も真空ライン１６０を経由してチャンバ１３３へ流体接続される。圧力センサ１６６、１６８が、シャフト圧力およびチャンバ圧力を監視し、入力ライン１７２、１７４を介してコントローラ１７０へフィードバックを提供する。
【００４３】
コントローラ１７０は、シャフト１３７内の静圧を維持するようにプログラム可能であり、さもなければ、代替として、チャンバ１３３内の圧力が変化するに従いチャンバ１３３内の圧力との間の予め定めた関係を保持するようにプログラムを作成してシャフト１３７内の圧力を動的調節してもよい。例えば、チャンバ１３３内へまたはそこから外へ基板を移送する間に、チャンバ圧力を約１００〜２００トルに維持してもよい。チャンバ内の空運転圧力は、およそ同じ圧力、つまり約１００〜２００トルであってよい。しかし、処理中は、チャンバ内の圧力を、それより低い圧力、例えば５〜１０トルまで真空排気する。センサ１６６、１６８がコントローラ１７０に信号を送ってシャフト圧力がチャンバ圧力に比例して真空排気されるように絞り弁１６２を開く。すなわち、チャンバ圧力がもはや空運転圧力ではない場合、それに応じてシャフト圧力は、サセプタ支持プレート２０の両側で圧力平衡を維持するように、より低い値へ変更される。シャフト圧力は約５〜１０トル間まで真空排気されてもよいが、これより高い圧力でも差し支えない。こうした高い温度で、サセプタ材料は、ある程度の剛性を保有しているであろうから、変形することなくなにがしかの圧力差に耐えることができる。
【００４４】
加えて、コントローラ１７０はシャフト圧力をチャンバ圧力の所定レベル以内へ維持できる。例えば、シャフト圧力をチャンバ圧力の３倍に維持してもよいが、例えば２００トルなどの一定レベルを超えない。または、その代わりに、シャフト圧力を、例えば２００トルというチャンバ圧力を超える特定圧力に維持できよう。これらの値に制限されないが、シャフト圧力を処理中のチャンバ圧力と等しい値と同じ位低くまで、または中間の任意の値まで低減してもよいが、シャフト圧力は約２００トル以上であることが考えられる。
【００４５】
サセプタ・シャフトの圧力を監視する代替方法
シャフト圧力をあるレベルに維持してサセプタ面２２の平面性を確保するために使用できる代替のシャフト圧力監視方法が考えられる。例えば、圧力計１８０または他の圧力インジケータがセンサ１６６から入力を受取る（図２Ｂ）。かかるシステムは、オペレータによる視覚的監視を可能にし、オペレータは、シャフト圧力を所望の静圧に維持するよう絞り弁１６２を設定する。代替として、圧力計１８０は絞り弁１６２へ接続され、それによりオペレータは圧力計１８０を所望の設定値へ設定でき、それによって絞り弁１６２を制御する。上で説明したサセプタ装置の場合のように、シャフトは、堆積チャンバ用の真空源１５８にも、またはそれとは別の真空源にも流体接続できる。
【００４６】
圧力センサ１６６、１６８による監視の有無にかかわらず、サセプタ・シャフト１３７を動的に制御して、サセプタ面を実質的に平面に維持することが考えられる。光エミッタ１８２および光レシーバ１８４を堆積チャンバ１３３内に既知の距離で置く。エミッタ１８２からの光は、基板面またはサセプタ面２２に当たって反射し、光レシーバ１８４へ戻ることにより、エミッタ／レシーバと表面との間の距離を測定する。コントローラ１７０への入力は、この距離のリアルタイム監視を提供する。すなわち、コントローラ１７０は、サセプタ面／基板面を実質的に平面に維持するように絞り弁１６２を変えることができる（図２Ｃ）。
【００４７】
監視対象面のリアルタイム距離が減少する場合、これは、サセプタ面が弓状湾曲を始めていることを指し示し、コントローラ１７０は絞り弁１６２を開いてシャフト圧力を低減することにより補償する。同様に、距離が増大する場合、シャフト圧力を増加させて、サセプタ／基板の各表面の皿状化を阻止する。任意に、圧力センサ設備１６６、１６８を用いて、コントローラ１７０への能動入力を伴うか否かにかかわらず、堆積チャンバおよびシャフト内の圧力弁を監視できる。従って、圧力センサは能動入力装置であっても、実際のシャフト圧力およびチャンバ圧力を単に監視しその読みを提供する受動素子であってもよい（図２Ｃ）。
【００４８】
そのような光監視の変形は、チャンバの一側上にエミッタ１８６を設け、このエミッタは、サセプタ面／基板面を横切ってチャンバの向い側にあるレシーバ１８８へ光ビームを放射する。ビームは、障害物としてのサセプタ面／基板面の上方に特定の距離、例えば約０．２ｍｍに設定される。サセプタ面、ひいては基板面が弓状に湾曲する、つまり変形すると、光ビームの経路が遮断され、レシーバ１８８からコントローラ１７０への信号が遮断される。コントローラ１７０は、レシーバ１８８が再びエミッタ１８６からの入力信号を受光するのに充分な平面にサセプタ面／基板面がなるまで、シャフト圧力を低減するよう絞りを調節する。圧力センサ１６６、１６８を、上で説明したように任意に能動的または受動的に使用できる（図２Ｃ）。
【００４９】
更に、１つ以上の歪みゲージ１９０を、サセプタ・プレート２０の変形を監視する手段としてサセプタ・プレート２０の下側に搭載できることが考えられる。コントローラ１７０は歪みゲージ１９０を監視してサセプタ・プレートの弓状湾曲化や皿状化を検出する。変形が容認し得るプリセット限界を超えることになると、コントローラ１７０は、サセプタ・シャフト１３７内の圧力を上げるか下げるかに応じて絞り弁１６２を調節する。この場合もやはり、圧力センサ１６６、１６８を、上で説明したように任意に能動的または受動的に使用できる（図２Ｃ）。
【実施例２】
【００５０】
表面の平面度に対する真空排気の効果
図３は、大気圧下の、サセプタ・シャフト用サセプタ支持プレートの表面の平坦度つまり平面性の変化（図３Ａ）を、真空排気されたサセプタ・シャフトのそれと比較する。初期装着時、サセプタは非常に平坦であり、平面からの偏りはゼロである。サセプタが加熱および冷却されるにつれて、サセプタはその平面性を失い始める。最終的には、サセプタが熱サイクルを受けるとともに、サセプタは変形し、図３Ａの均一性プロファイルで示すように、そして図１に概略図示するように逆Ｖ字形を持つ。これがサセプタ交換を余儀なくさせる。
【００５１】
シャフトを排気した場合、サセプタの平面性は、図３Ｂに示すように長期にわたりはるかに変わらないままである。すなわち熱サイクルが、支持プレート面の均一性に及ぼす影響は著しく低減する。サセプタの機能的寿命は延長され、必要な交換は少なくなる。このことは、停止時間が少なくなるので、より良好なコスト効率の高いプロセスを提供するとともに、スループットを向上させる。
【実施例３】
【００５２】
堆積レートの均一性に対する真空排気の効果
サセプタ・シャフトを真空排気する場合、堆積レートの均一性はサセプタ面全体にわたって向上する。図４は、基板全体にわたる堆積レートに対するサセプタ・シャフト排気による効果を、両方の基板を横切って左上から右下へ、および左下から右上へ測定して比較する。両基板上へ、材料の膜を温度４５０／４６０℃、圧力３２０mトル、間隔９２０ミルで堆積した。
【００５３】
図４Ａにおいて、サセプタ面の変形により、基板表面全体にわたり堆積レートを著しく変動させる。弓状湾曲が発生する基板中心部での堆積は、より高くなっている。プロセスガスまたはスパッタ材料は、基板上に堆積するのにチャンバを横切って遠くまで移動して堆積する必要はないので、同じ時に一層多くの膜がこれら弓状湾曲領域で基板上に堆積され、よって、これらの領域での堆積レートを増大させ、基板全体にわたりレートを変動させる。
【００５４】
サセプタ・シャフトが排気されるとき、サセプタ面、ひいては基板面は実質的に平面である。プロセスガスまたはスパッタ材料が堆積チャンバを横切り移動しなくてはならない距離は、基板面全体にわたり比較的等しいので、同量の材料が同一時間中に基板面に到達することが確保される。従って、堆積レートは基板にわたって、一層均一になる（図４Ｂ）。
【００５５】
当該技術に精通する者にとっては容易にわかるように、本発明は目的を達成し、記載した結果および利点だけでなく、本発明に内在する固有の利点を得るように良好に適合している。本発明を具現化する際に様々な改変および変形を、本発明の精神または範囲から逸脱することなく行なえることは当該技術に精通する者にとっては明らかであろう。そこでの変更および他の使用がこの技術に精通した者に想起されるであろうが、いずれも特許請求の範囲によって定義される本発明の精神の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
先に列挙した本発明の特徴、利点および目的、そして明確になるであろうその他実現される内容が詳細に理解できるように、上で簡潔に要約した本発明を、付帯の図面に図示された本発明の特定の実施形態を参照することにより詳細に説明する。これらの図面は明細書の一部を成す。しかしながら、付帯の図面は本発明の実施形態を図示するが、それにより本発明の範囲を限定すると見なしてはならない。
【図１】処理チャンバの概略であり、温度が約３００℃の減圧条件下のサセプタの変形を示す。
【図２】堆積チャンバ内に配置されたサセプタおよびサセプタ・シャフトの種々の断面概略を示す。
【図２Ａ】負圧がサセプタ・シャフト内に与えられる方法、ならびに堆積チャンバ圧力およびシャフト内圧力を監視および制御するためのフィードバック制御システムを示す。
【図２Ｂ】シャフト内の圧力に対する別体の監視装置と制御装置の代替編成を示す。
【図２Ｃ】堆積チャンバ圧力およびシャフト内圧力を監視および制御するためのフィードバック制御システムを示す。加えて、サセプタ支持プレート面／基板面の物理的変形を監視する種々の方法のための任意のセンサを示す。
【図３】シャフトへ取付けたサセプタ支持プレートの表面全体にわたる平面度の変化を、真空排気無し（図３Ａ）および真空排気有り（図３Ｂ）で比較する。両試験とも、４３００ＬＴＰ  ６２０ｘ７５０サセプタを使用して実施した。
【図４】シャフトへ取付けたサセプタ支持プレートの表面全体にわたる堆積レートを、真空排気無し（図４Ａ）および真空排気有り（図４Ｂ）で比較する。温度：４５０／４６０℃、圧力：３２０mトル、間隔：９２０ミル。
【符号の説明】
【００５７】
８…真空ライン、１４…モータ、１６…真空ハウジング、２０…ベースプレート、２２…上面、２４…加熱素子、４０…上部プレート、４２…ベースプレート、４４…バイアス区域、４９…真空ライン、１３３…処理チャンバ、１３５…サセプタ、１３７…サセプタ・シャフト、１５８…外部真空ポンプ、１６０…真空ライン、１６２…絞り弁、１６４…絞り弁、１６６…センサ、１６８…圧力センサ設備、１７０…コントローラ、１７２、１７４…入力ライン、１８０…圧力計、１８２…光エミッタ、１８４…光レシーバ、１８６…エミッタ、１８８…レシーバ、１９０…ゲージ、２００…チャンバ、２１０…支持プレート、２１２…弓状湾曲、２１４…垂れ下がり、２１６…サセプタ・プレート、２２０…真空排気、２３５…アルミニウムベース基板。
【図１】
2005526373.tif 000003
【図２Ａ】
2005526373.tif 000004
【図２Ｂ】
2005526373.tif 000005
【図２Ｃ】
2005526373.tif 000006
【図３Ａ】
2005526373.tif 000007
【図３Ｂ】
2005526373.tif 000008
【図４Ａ】
2005526373.tif 000009
【図４Ｂ】
2005526373.tif 000010
【国際調査報告】
2005526373.tif 000011
2005526373.tif 000012