(57)【要約】【課題】画素電極の間で漏洩される光を遮断し、均一な反射率を得ることができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の提供【解決手段】  ゲート配線は横方向に伸びているゲート線及びゲート線に連結されているゲート電極を含む。データ配線は縦方向に形成されてゲート線と絶縁されて交差するデータ線、データ線と連結されているソース電極、ゲート電極に対してソース電極と対向するドレーン電極を含む。また、各々の画素にはドレーン電極を通じてデータ配線と電気的に連結されている画素電極が形成されている。ここで、単位画素はデータ線を中心に両側に配置されており、ゲート線は各々の画素に二重に配置されており、データ線はこれらの両側に位置した二つの画素の画素電極と互いに異なる薄膜トランジスタを通じて各々連結されており、二重のゲート線はデータ線両側画素の画素電極と薄膜トランジスタを通じて電気的に連結されている。これにより互いに隣接する画素電極の周縁部分はデータ線、ダミー信号線及び維持配線と重なって画素の間で漏洩される光を遮断する。
2005527857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横方向に各々伸びて走査信号を伝達し、一つの画素行ごとに二重に配置されているゲート線と、二重の前記ゲート線と各々連結されている第１及び第２薄膜トランジスタのゲート電極と、を含むゲート配線と、
前記ゲート線と絶縁されて縦方向に伸びており、互いに隣接する二つの前記画素列ごとに各々配置されているデータ線と、前記データ線に各々連結されている前記第１及び第２薄膜トランジスタのソース電極と、前記ソース電極と分離されて前記ゲート電極を中心に各々前記ソース電極と対向する前記第１及び第２薄膜トランジスタのドレーン電極と、を含むデータ配線と、
前記ゲート線と絶縁されて前記データ線と交互に配置され、前記画素列ごとに一つずつ形成されているダミー信号線と、
前記二重のゲート線及び前記データ線と前記第１及び第２薄膜トランジスタを通じて連結されており、周縁部分は前記データ線及び前記ダミー信号線と重なっている画素電極と、
を含む、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記画素電極と重なって維持容量を形成する維持配線をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記維持配線は、
横方向に伸びている維持電極線と、
前記ドレーン電極と重なっている維持電極と、
を更に含む、請求項２に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記維持電極は、縦方向に伸びて前記画素の間に配置されており、前記画素電極の周縁部分と重畳していることを特徴とする、請求項３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記画素電極と前記ドレーン電極との間に形成されており、前記画素電極と前記ドレーン電極とを連結するための接触孔を有する保護膜をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
横方向に各々伸びて画素の上部及び下部に位置し、走査信号を伝達する二重のゲート線と、二重の前記ゲート線と各々連結されている第１及び第２薄膜トランジスタのゲート電極と、を含むゲート配線と、
前記ゲート線と絶縁されて縦方向に伸びて前記画素を定義し、互いに隣接する二つの前記画素ごとに一つずつ形成されているデータ線と、前記データ線に各々連結されている前記第１及び第２薄膜トランジスタのソース電極と、前記ソース電極と分離されて前記ゲート電極を中心に各々前記ソース電極と対向する前記第１及び第２薄膜トランジスタのドレーン電極と、を含むデータ配線と、
前記第１及び第２薄膜トランジスタを通じて前記二重のゲート線及び前記データ線と各々連結されており、前記画素に各々配置されている画素電極と、
を含む、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項７】
前記データ配線は二つの前記画素の中央に配置されている、請求項６に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項８】
前記画素電極と重なって維持容量を形成する維持配線をさらに含む、請求項７に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項９】
前記維持配線は、
横方向に伸びている維持電極線と、
縦方向に形成されて前記画素電極の周縁辺部分と重なっている維持電極と、
を更に含む、請求項８に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
前記データ線は二重で形成されており、二重の前記データ線は連結部を通じて互いに連結されている、請求項７に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１１】
横方向に伸びており、前記画素電極と重なっている維持電極線をさらに含む、請求項１０に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１２】
前記ドレーン電極及び前記画素電極と連結されており、前記維持電極線と重なっている維持キャパシタ導電体パターンをさらに含む、請求項１１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１３】
横方向に各々伸びて画素の上部及び下部に位置し、走査信号を伝達する二重のゲート線と、二重の前記ゲート線と各々連結されている第１及び第２薄膜トランジスタのゲート電極と、を含むゲート配線と、
前記ゲート線と絶縁されて縦方向に伸びて前記画素を定義し、互いに隣接する二つの前記画素ごとに各々形成されているデータ線と、前記データ線に各々連結されている前記第１及び第２薄膜トランジスタのソース電極と、前記ソース電極と分離されて前記ゲート電極を中心に各々前記ソース電極と対向する前記第１及び第２薄膜トランジスタのドレーン電極と、を含むデータ配線と、
前記二重のゲート線及び前記データ線と前記第１及び第２薄膜トランジスタを通じて各々連結され、前記二つの画素に配置されている画素電極を含み、
前記第１薄膜トランジスタの前記ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極と前記第２薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレーン電極は互いに隣接する前記二つの画素を上下または左右に二等分する線に対して回転対称である、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１４】
前記第１及び第２薄膜トランジスタの前記ドレーン電極と前記画素電極との間に形成されており、表面に凹凸パターンを有する保護膜をさらに含み、
前記保護膜は感光性有機絶縁膜からなることを特徴とする、請求項１３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１５】
前記画素電極はアルミニウムまたはアルミニウム合金または銀または銀合金のうちのいずれか一つからなることを特徴とする、請求項１３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１６】
前記画素電極、
ITOまたはIZOのうちのいずれか一つからなる下部の透明導電膜と、
銀または銀合金またはアルミニウムまたはアルミニウム合金のうちのいずれか一つからなる上部の不透明導電膜からなり、
前記透明導電膜は前記不透明導電膜面積の２０％乃至３０％を露出させる開口部を通じて露出されていることを特徴とする、請求項１３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
【請求項１７】
第１及び第２ゲート線と、前記第１及び第２ゲート線各々に連結されている第１及び第２ゲート電極と、を含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上に第１及び第２データ線と、前記第１データ線及び前記第２データ線と連結している第１ソース電極及び第２ソース電極と、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極と各々分離されている第１ドレーン電極及び第２ドレーン電極と、前記第１及び第２データ線を連結するデータ連結部と、を含むデータ配線を形成する段階と、
凹凸形状の表面を有し、前記第１ドレーン電極及び前記第２ドレーン電極を各々露出させる第１接触孔及び第２接触孔を有する保護膜を形成する段階と、
前記第１接触孔及び前記第２接触孔を通じて前記第１ドレーン電極及び前記第２ドレーン電極と各々連結される第１画素電極及び第２画素電極を形成する段階と、を含み、
前記ゲート配線、前記データ配線、前記半導体層、前記保護膜及び前記画素電極のうちの少なくとも一つをパターニングするために使用したマスクは、互いに隣接する画素を上下または左右に二等分する線に対して１８０度回転させて互いに隣接する画素を形成するために使用することを特徴とする、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記マスクは、不透明部分と透明部分とからなり、
前記透明部分の線幅は、第１線幅の第１部分と、前記第１線幅より狭い第２線幅を有する第２部分と、前記第１線幅と前記第２線幅との間の値を有する第３線幅の第３部分とを含み、
前記第１部分は前記第１及び第２接触孔に対応し、前記第２部分は前記データ配線に対応し、前記第３部分は前記第１及び第２部分を除いた残りの部分に対応することを特徴とする、請求項１７に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、電極が形成されている二枚の基板と、その間に挿入されている液晶層からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光量を調節する表示装置である。
【０００３】
液晶表示装置の中でも現在主に用いられているのは両基板に電極が各々形成されており、電極に印加される電圧をスイッチングする薄膜トランジスタを有している液晶表示装置である。ここで、薄膜トランジスタは行列形態で配列されている複数の画素に各々形成されるのが一般的であり、各々の画素には薄膜トランジスタの制御によって画像信号が伝えられる画素電極が各々形成されている。また、薄膜トランジスタ基板にはゲート駆動集積回路の出力端子と各々連結されて画素を制御するために走査信号を供給するゲート線と、データ駆動集積回路の出力端子と各々連結されて画像信号を供給し、ゲート線と交差して行列の画素を定義するデータ線がマトリックス形態で形成されている。このようなゲート線及びデータ線は薄膜トランジスタを通じて画素電極へ連結されている。
【０００４】
この時、液晶表示装置がVGA（video graphics array）級である場合には、ゲート線数は４８０であるのに比べてデータ線数は１９２０であり、ゲート線数の４倍である。また、WVGA（wide video graphics array）級である場合には、ゲート線数は４８０であるのに比べてデータ線数は２４００であり、ゲート線数の５倍である。これは液晶表示装置を構成することにおいてゲート駆動集積回路より４〜５倍のデータ駆動集積回路が使用されるということを意味する。
【０００５】
しかし、このような液晶表示装置を製作することにおいて、市場で競争力を備えるためには製造費用を最少化することが要求されるが、ゲート駆動集積回路よりデータ駆動集積回路の値段が高いために、データ駆動集積回路の数を最少化することが必要である。
【０００６】
一方、表示装置の視認性を向上させるためには、特に光源を有する透過型と半透過型では互いに隣接する画素の間で漏洩される光を遮断することが重要な課題である。
【０００７】
また、表示装置の視認性を向上させるためには、反射膜による反射率が画素ごとに均一にすることが好ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が目的とする技術的課題は、最少の製造費用を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の課題は、画素電極の間で漏洩される光を遮断する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の技術的課題は、液晶表示装置で均一な反射率を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような問題点を解決するために、一つのデータ線はこれと隣接する両側二つの画素の画素電極と電気的に連結されて画像信号を伝達し、各々の画素は互いに異なるゲート線と連結されている。そして、列方向にはデータ線とダミー信号線が交互に形成されており、行方向には維持線が形成されており、これらは各々の画素に配置されている画素電極の周縁部分と重なって漏洩される光を遮断する機能を有する。
【００１２】
また、反射膜を含む液晶表示装置の製造工程における保護膜の表面に凹凸パターンを均一に形成するための凹凸パターン用マスクによってデータ配線に対応する部分には他の部分より透明部分の線幅を小さくして光透過量を小さくする。
【００１３】
さらに詳しくは、本発明による薄膜トランジスタ基板には、横方向に各々伸びて走査信号を伝達し、一つの画素行ごとに二重に配置されているゲート線と、二重のゲート線と各々連結されている第１及び第２薄膜トランジスタのゲート電極と、を含むゲート配線が形成されている。また、ゲート線と絶縁されて縦方向に伸びていて互いに隣接する二つの画素列ごとに配置されているデータ線と、データ線に各々連結されている第１及び第２薄膜トランジスタのソース電極と、ソース電極と分離されてゲート電極を中心に各々ソース電極と対向する第１及び第２薄膜トランジスタのドレーン電極と、を含むデータ配線が形成されている。また、ゲート線と絶縁されて交差し、画素列ごとに一つずつ配置されているダミー信号線が形成されており、ゲート線及びデータ線と第１及び第２薄膜トランジスタを通じて連結されており、周縁部分はデータ線及びダミー信号線と重なっている画素電極が形成されている。
【００１４】
この時、画素電極と重なって維持容量を形成する維持配線をさらに含むことができ、維持配線は横方向に伸びている維持電極線と、ドレーン電極と重なっている維持電極とを含むことができる。
【００１５】
また、本発明による他の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板には、横方向に各々伸びて、画素の上部及び下部に位置し、走査信号を伝達する二重のゲート線と、二重の前記ゲート線と各々連結されている第１及び第２薄膜トランジスタのゲート電極を含むゲート配線が形成されている。ゲート線と絶縁されて縦方向に伸びて前記画素を定義して互いに隣接する二つの前記画素ごとに一つずつ形成されているデータ線と、データ線に各々連結されている第１及び第２薄膜トランジスタのソース電極と、ソース電極と分離されてゲート電極を中心に各々ソース電極と対向する第１及び第２薄膜トランジスタのドレーン電極と、を含むデータ配線が形成されている。そして、第１及び第２薄膜トランジスタを通じて前記二重のゲート線及び前記データ線と各々連結されて、前記画素に各々配置されている画素電極が形成されている。
【００１６】
この時、前記データ配線は二つの前記画素の中央に配置されているのが好ましい。
【００１７】
画素電極と重なって維持容量を形成する維持配線をさらに含み、このような維持配線は横方向に伸びている維持電極線と、縦方向に形成されて画素電極の周縁辺部分と重なっている維持電極と、を含むのが好ましい。
【００１８】
この時、データ線は二重で形成することができ、二重のデータ線は連結部を通じて互いに連結されているのが好ましい。
【００１９】
ここで、横方向に伸びて画素電極と重なっている維持電極線をさらに含み、ドレーン電極及び画素電極と連結されており、維持電極線と重なっている維持キャパシタ導電体パターンをさらに含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、データ線と、ダミー信号線と、維持配線とを画素の間に配置して画素電極の周縁部分と重なるように設計することにより、画素の間で漏洩される光を遮断することができる。また、ゲート線及びデータ線を含む配線の数を減らしてゲート及びデータ駆動集積回路の数、特に高い費用のデータ駆動集積回路の数を減らすことにより、液晶表示装置の製造費用を最少化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００２２】
図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にかけて類似な部分については同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。これに対し、ある部分が他の部分の“すぐ上”あるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００２３】
以下で本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板について図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
まず、図１及び図２を参照して本発明の第１実施例による透過型液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した配置図である。図２は図１においてII-II´線に沿って切断して示した断面図である。
【００２６】
図１及び図２を参照すると、本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板には、アルミニウムまたはアルミニウム合金、モリブデンまたはモリブデン-タングステン合金、クロム、タンタル、銅または銅合金などの金属または導電体からなるゲート配線が形成されている。ゲート配線は各々の画素列に対して二重で形成されており、横方向に伸びているゲート線１２１１、１２１２と、各々のゲート線１２１１、１２１２の端に連結されていて、外部からのゲート信号の印加を受けてゲート線１２１１、１２１２に伝達するゲートパッド１２５１、１２５２と、ゲート線１２１１、１２１２に各々連結されており交互に配置されている薄膜トランジスタのゲート電極１２３１、１２３２と、を含む。
【００２７】
そして、基板１１０の上部には、ゲート線１２１１、１２１２と平行して画素列の間に配置されていて、上板（図示せず）の共通電極（図示せず）に入力される共通電極電圧などの電圧の印加を受ける維持電極線１３１と、維持電極線１３１に連結されて各々の画素に配置されていて維持電極線１３１より広い幅を有する維持電極１３３と、を含む維持配線が形成されている。維持配線１３１、１３３は、後述する画素電極１９０１、１９０２と電気的及び物理的に連結されたドレーン電極１７５１、１７５２と重なって画素の電荷保存能力を向上させる維持キャパシタを構成する。そして、維持電極線１３１は、列方向に伸びて画素の間に配置され、画素電極１９０１、１９０２の周縁部分と重なって列方向の画素の間で漏洩される光を遮断する機能を有する。
【００２８】
ゲート配線１２１１、１２１２、１２３１、１２３２、１２５１、１２５２及び維持配線１３１、１３３はアルミニウム系列の物質で、単一膜で形成するのが好ましいが、二重層以上に形成することもできる。二重層以上に形成する場合には、一つの層は抵抗の小さい物質で形成し、他の層は他の物質との接触特性が良い導電物質、即ち、ITOまたはIZOまたは、クロム、モリブデン、モリブデン合金、クロムなどの導電物質からなる基板によって作るのが好ましい。
【００２９】
基板１１０上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０がゲート配線１２１１、１２１２、１２３１、１２３２、１２５１、１２５２及び維持配線１３１、１３３を覆っている。
【００３０】
ゲート電極１２３１、１２３２のゲート絶縁膜１４０上部には、非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層１５１、１５２が各々形成されており、各々の半導体層１５１、１５２の上部にはシリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られ、ゲート電極１２３１、１２３２を中心に二つの部分に分離された抵抗接触層１６３２、１６５２が各々形成されている。
【００３１】
抵抗接触層１６３２、１６５２またはゲート絶縁膜１４０上には、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデンモリブデン-タングステン合金、クロム、タンタルなどの金属または導電体からなるデータ配線が形成されている。データ配線は、縦方向に形成されてゲート線１２１１、１２１２と交差して単位画素を定義し、互いに隣接する画素列の間に位置して二つの画素列ごとに割り当てられているデータ線１７１を含む。さらにデータ配線は、データ線１７１に連結されていてデータ線１７１の両側に配置されている各々のゲート電極１２３１、１２３２の上部まで各々伸びているソース電極１７３１、１７３２と、データ線１７１の一端に連結されていて外部から画像信号の印加を受けるデータパッド１７９と、各々のソース電極１７３１、１７３２と分離されていてゲート電極１７５１、１７５２に対してソース電極１７３１、１７３２の反対側に各々形成されているドレーン電極１７５１、１７５２とを含む。この時、ドレーン電極１７５１、１７５２は維持配線１３１、１３３と重なって維持キャパシタを形成する。
【００３２】
また、データ配線は、データ線１７１と平行に縦方向に伸びており、画素列の間に配置されているダミー信号線１７２を含む。この時、データ線１７１とダミー信号線１７２は、互いに隣接する画素行に交互に配置されていて、その後に形成される画素電極１９０１、１９０２の周縁部分と重なって画素列の間から漏洩される光を遮断する機能を有する。この時、ダミー信号線１７２は、データ線１７１とゲート線１２１１、１２１２の修正線として使用できる。即ち、データ線１７１もしくはゲート線１２１１，１２１２が断線する場合、ダミー信号線１７２はデータ線１７１、ゲート線１２１１，１２１２の切断部分の代わりにバイパスとして使用できる。また、ダミー信号線１７２は、維持配線１３１、１３３の代わりに維持電極線１３１、１３３と同じ役割を担う。
【００３３】
この時、データ配線１７１、１７３１、１７３２、１７５１、１７５２、１７９及びダミー信号線１７２は、アルミニウム及びアルミニウム合金の単一膜で形成することができ、二重層以上形成することもできる。二重層以上に形成する場合には、一つの層は抵抗の小さい物質で形成し、他の層は他の物質との接触特性が良い物質で作るのが好ましい。その例としては、Cr/Al（またはAl合金）またはAl/Moなどがある。Cr/Alの場合は、Cr膜はアルミニウムまたはアルミニウム合金がケイ素層１５１、１５２、１６３２、１６５２に拡散することを防止する機能を有する同時に、データ配線１７１、１７３１、１７３２、１７５１、１７５２、１７９と画素電極１９０１、１９０２との間の接触特性を確保するための接触部の機能を有する。
【００３４】
データ配線１７１、１７３１、１７３２、１７５１、１７５２、１７９及びこれらに覆われない半導体層１５１、１５２の上部には、窒化ケイ素または平坦化特性と低い誘電率を有するアクリル系の感光性有機物質からなる保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０にはドレーン電極１７５１、１７５２及びデータパッド１７９を各々露出する接触孔１８５１、１８５２、１８９が各々形成されており、ゲート絶縁膜１４０と共にゲートパッド１２５１、１２５２を露出する接触孔１８２１、１８２２が形成されている。
【００３５】
図面では、保護膜１８０は、ゲートパッド１２５１、１２５２及びデータパッド１７９が形成されているパッド部では残留すると示されているが、パッド部付近における有機物質は除去するのが好ましい。それは有機物質がパッド部に残留する場合にはパッド部の接着力を低下させるためである。一方、保護膜１８０の表面は画素電極１９０１、１９０２が屈曲面を生じさせるために凹凸パターンを有する。
【００３６】
保護膜１８０上には、画素配線１９０１，１９０２，９２１，９２２，９７が形成されている。この画素配線は、接触孔１８５１、１８５２を通じて各々ドレーン電極１７５１、１７５２と連結されている画素電極１９０１、１９０２と、接触孔１８２１、１８２２、１８９を通じて各々ゲートパッド１２５１、１２５２及びデータパッド１７９と連結されている補助ゲートパッド９２１、９２２及び補助データパッド９７とを含む。この時、画素電極１９０１、１９０２は透明な導電物質であるITOまたはIZOからなる透明導電膜１９１１、１９１２と、アルミニウムまたはアルミニウム合金または銀または銀合金から形成されており、透明導電膜１９１１、１９２１を露出して透過領域（T）を形成する反射導電膜１９２１、１９２２とを含む。透過型タイプの液晶表示装置である場合には、反射導電膜１９２１，１９２２なしに透明導電膜１９１１、１９１２のみを含むこともできる。
【００３７】
ここで、パッド部で有機物質が残留する場合において有機絶縁膜と窒化シリコン膜とを比較すると、有機絶縁膜は接着力、耐化学性、硬度、機械的強度、応力などに非常に弱い。したがって、パッド部に有機絶縁が存在する場合、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板にCOG（chip on glass）方式を通じて駆動集積回路を直接実装したり、フィルムに駆動集積回路をTCP（tape-carrier-package）方式またはCOF(chip-on-film)方式でフィルムを付着する時、パッド部の接着力が弱くて接着不良が発生しやすい。また、接着不良を改善するために再作業が必要な場合、化学的な方法と機械的な方法によりパッド上部から駆動集積回路またはフィルムを除去した場合、有機絶縁膜と補助パッド９２１、９２２、９７がはがれて、パッド部の表面が損傷するおそれがある。したがって、パッド部で有機絶縁膜を完全に除去することによって、パッドと駆動集積回路またはフィルムとの間の接着力を向上させることができ、再作業を非常に容易に実施することができる。
【００３８】
図３は本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の等価回路図である。
【００３９】
図１及び図３を参照すると、本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板において、単位画素はデータ配線１７１を中心に両側に配置されている。そして、ゲート配線１２１１、１２１２は二重に配置されており、各々のデータ線１７１はこれらの両側に位置した二つの画素の画素電極１９０１、１９０２と互いに異なる薄膜トランジスタTFT１、TFT２を通じて各々連結されており、二重のゲート線１２１１、１２１２は各々に連結されたゲート電極１２３１、１２３２を含む各々の薄膜トランジスタTFT１、TFT２を通じてデータ線１７１を中心に両側に配置されている画素電極１９０１、１９０２と電気的に連結されている。
【００４０】
このような本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板で画素の配列がm×nのマトリックス配列を有する場合、一つのデータ線１７１は両側に配置されている二つの画素にデ映像信号を伝達するので、データ線１７１の数はn/２に減少し、ゲート線１２１１、１２１２の数は２倍に増加する。ここで、ゲート線１２１１、１２１２及びデータ線１７１の総数はゲート及びデータ駆動集積回路の出力端子数と等しい。例えば、WVGA級の液晶表示装置のゲート線及びデータ線数が各々４８０及び２４００であれば、全配線数は２８８０である。しかし、本発明のような構造では、ゲート線１２１１、１２１２の数は２倍に増加して９６０であり、データ線１７１の数は半分に減少して１２００であるので、全配線の数は２１６０になる。したがって、本発明による構造ではゲート線及びデータ線の全配線数を従来の技術と比較して２５％程度に減少させることができる。その結果、駆動集積回路の数を減少させることができ、特に、高価なデータ駆動集積回路の数を減少させることができ、液晶表示装置の製造費用を最少化することができる。
【００４１】
一方、データ線１７１及びダミー信号線１７２と維持配線１３１、１３３は互いに隣接する画素の画素電極１９０１、１９０２の周縁部分と重なっていて画素電極の間で漏洩される光を遮断する。
【００４２】
上述した反射の例では、維持配線は、画素領域の間から漏洩される光を遮断したが、透過型では維持配線の形状を変更して画素領域の間から漏洩される光を遮断することもできる。
【００４３】
以上より、図４及び図５を参照して本発明の第２実施例による透過型液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。
【００４４】
図４は本発明の第２実施例による透過型液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を具体的に示した配置図である。図５は本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の等価回路図である。
【００４５】
図４及び図５を参照すると、本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、低抵抗を有するアルミニウム系列金属、モリブデンまたはモリブデン-タングステン合金、クロム、タンタルなどの金属または導電体を含むゲート配線とデータ配線が形成されている。ゲート配線は、横方向に伸びているゲート線２２と、ゲート線２２に連結されている薄膜トランジスタTFT１、TFT２のゲート電極２６とを含む。さらに、ゲート配線は、ゲート線２２の一端に連結されていてゲート駆動集積回路からゲート信号の印加を受けてゲート線２２に伝達するゲートパッドを含む。データ配線は、縦方向に形成されてゲート線２２と絶縁して交差する横方向のデータ線６２と、データ線６２と連結されている薄膜トランジスタTFT１、TFT２のソース電極６５と、ソース電極６５と分離されていてゲート電極２６に対してソース電極６５の反対側に位置するドレーン電極６６とを含む。さらに、データ配線は、データ線６２の一端に連結されていてデータ駆動集積回路から画像信号の印加を受けてデータ線６２に伝達するデータパッドを含む。
【００４６】
また、各々の画素Pには、薄膜トランジスタTFT１、TFT２のドレーン電極６６を通じてデータ配線６２、６５、６６と電気的に連結されており、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質または優れた反射率を有する物質からなる画素電極８２が形成されている。
【００４７】
この時、薄膜トランジスタTFT１、TFT２はチャンネルが形成され、ゲート電極２６、ソース電極６５及びドレーン電極６６と重なる半導体層４０を含む。画素電極８２はゲート線２２と重なるように形成することができる。維持配線２８、２９は、図示するように、画素電極８２と重なって維持キャパシタを形成し、維持容量を追加する。維持配線は、横方向に伸びている維持電極線２８と、維持電極線２８に連結している維持電極２９を含む。維持電極２９は、各々の画素領域に対して縦方向に形成され、画素電極８２の周縁辺部分と重なっている。
【００４８】
このような、本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板では、単位画素はデータ配線６２、６５、６６を中心に両側に配置されており、ゲート線２２、２６は、画素電極８２の上部及び下部に二重に配置されている。この時、各々のデータ線６２はこれらの両側に位置した二つの画素の画素電極８２と薄膜トランジスタTFT１、TFT２を通じて各々連結されており、画素の上部及び下部のゲート線２２、２６は、各々に連結されたゲート電極を含む各々の薄膜トランジスタTFT１、TFT２を通じて、データ線６２を中心に両側に配置されている画素の画素電極８２と電気的に連結されている。
【００４９】
このような本発明の第２実施例による透過型液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板では、駆動集積回路の全数を減少させることができ、特に、高価なデータ駆動集積回路の数を顕著に減少させることができる。従って、液晶表示装置の製造費用を最少化することができる。
【００５０】
一方、データ線６２を二つの画素電極を各々一つずつ形成するので、画素領域の開口率を向上させることができる。そして、画素電極８２の間に維持電極２９が形成されており、画素電極８２の間で発生するカップリング効果を減少させることができる。さらに、維持電極２９を変形して画素電極の周縁部分に配置することによって、画素領域の間で漏洩される光を遮断することができる。
【００５１】
このような本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法では、まず、低抵抗を有するアルミニウムまたはアルミニウム合金の導電物質を含む導電膜を基板の上部に積層し、感光膜を利用した写直エッチング工程でパターニングしてゲート配線２２、２６及び維持配線２８、２９を形成する。この時、ゲート配線２２、２６及び維持配線２８、２９はアルミニウムまたはアルミニウム合金の導電物質からなる単一膜で形成することができ、もしくはこのような単一膜を含む多層膜で形成することができる。
【００５２】
次に、基板１０上に窒化ケイ素などの絶縁物質を積層してゲート配線２２、２６及び維持配線２８、２９を覆うゲート絶縁膜を形成する。
【００５３】
次に、基板１０の上部に非晶質シリコンなどの半導体層とシリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた抵抗接触層を順次に積層してパターニングする。
【００５４】
次いで、低抵抗を有するアルミニウムまたはアルミニウム合金の導電物質を基板１０の上部に積層し、感光膜を利用した写真エッチング工程でパターニングしてデータ配線６２、６５、６６を形成する。この時、データ配線６２、６５、６６はアルミニウムまたはアルミニウム合金の物質からなる単一膜で形成することができ、もしくはこのような単一膜を含む多層膜で形成することができる。次に、データ配線６２、６５、６６またはこれを形成するための感光膜パターンを用いて、露出された抵抗性接触層をエッチングしてソース電極６５とドレーン電極６６下部の抵抗性接触層を分離し、これらの間で半導体層４０を露出させる。
【００５５】
ここで、半導体層４０とデータ配線６２、６５、６６は部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンを利用した１回の写真エッチング工程で共に形成することもできる。
【００５６】
次に、低誘電率を有し平坦化特性に優れた有機物質または窒化ケイ素を積層して半導体層４０を覆う保護膜を形成する。次に、感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で保護膜をエッチングして、ドレーン電極６６を露出する接触孔を形成する。この時、ゲート絶縁膜も共にパターニングしてデータパッド及びゲートパッドを外部の回路等と連結されるようにこれらを露出する接触孔も共に形成する。
【００５７】
最後に、ITOまたはIZOなどの導電物質を積層し、マスクを利用したパターニングを実施して、ドレーン電極６６と連結される画素電極８２を形成する。この時、ゲートパッド２４及びデータパッド６８と各々連結される補助ゲートパッド及び補助データパッドを各々形成することができる。
次に、図６及び図７を参照して本発明の第３実施例による反射型液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。
【００５８】
図６は本発明の第３実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を示した配置図であり、図７は図６でVI-VI´線に沿って切断して示した断面図である。
【００５９】
図６及び図７を参照すると、絶縁基板１０上にアルミニウムまたはアルミニウム合金、モリブデンまたはモリブデン-タングステン合金、クロム、タンタルなどの金属または導電体からなるゲート配線と維持容量線２８が形成されている。ゲート配線は、横方向に伸びているゲート線２２１、２２２と、ゲート線２２１、２２２の一部である第１及び第２薄膜トランジスタTFT１、TFT２の第１及び第２ゲート電極２６１、２６２とを含む。さらにゲート配線は、ゲート線２２１、２２２の端に各々連結されて外部から走査信号の印加を受けてゲート線２２１、２２２に伝達するゲートパッド（図示せず）を含む。
【００６０】
ゲート配線２２１、２２２、２６１、２６２及び維持線２８は単一層で形成することができるが、二重層や三重層で形成することもできる。二重層以上に形成する場合には、一つの層は抵抗の小さい物質で、他の層は他の物質との接触特性の良い物質で作るのが好ましく、その例としてCr/Al（またはAl合金）、Al（またはAl合金）/Moの二重層がある。
【００６１】
ゲート配線２２１、２２２、２６１、２６２及び維持線２８上には窒化ケイ素などからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００６２】
第１及び第２ゲート電極２６２、２６１上部のゲート絶縁膜３０上には非晶質シリコンなどの半導体からなる第１及び第２半導体層４１、４２が各々形成されている。第１半導体層４１及び第２半導体層４２の上には、リンPのようなn型不純物がドーピングされている非晶質シリコンなどの半導体からなる抵抗性接触層が第１ゲート電極２６１を中心に両側に分離されて形成されており、第２半導体層４２上にも抵抗性接触層５５２、５６２が第２ゲート電極２６２を中心に両側に分離されて形成されている。
【００６３】
抵抗性接触層５５２、５６２またはゲート絶縁膜３０上には、アルミニウムまたはアルミニウム合金、モリブデンまたはモリブデン-タングステン合金、クロム、タンタルなどの金属または導電体からなるデータ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３が形成されている。データ配線は、縦方向に伸びているデータ線６２と、データ線６２の各々の一部である第１及び第２ソース電極６５１、６５２と、第１ゲート電極２６１を中心に第１ソース電極６５１と対向する第１ドレーン電極６６１と、第２ゲート電極２６２を中心に第２ソース電極６５２と対向する第２ドレーン電極６６２と、二重のデータ線６２を連結するデータ連結部６３と、データ線６２に連結されて外部から画像信号の印加を受けてデータ線６２に伝達するデータパッド（図示せず）と、を含む。
【００６４】
ここで、第１ゲート電極２６１、第１半導体層４１、第１ソース電極６５１及び第１ドレーン電極６６１は第１薄膜トランジスタTFT１を構成し、第２ゲート電極２６２、第２半導体層４２、第２ソース電極６５２及び第２ドレーン電極６６２は第２薄膜トランジスタTFT２を構成する。
【００６５】
データ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３もゲート配線２２１、２２２、２６１、２６２と同様に単一層で形成することができるが、二重層や三重層で形成することもできる。二重層以上に形成する場合には、一つの層は抵抗の小さい物質で形成し、他の層は他の物質との接触特性の良い物質で形成するのが好ましい。
【００６６】
データ配線６１、６５１、６５２、６６１、６６２、６３及びゲート絶縁膜３０上には、感光性のある有機絶縁膜からなる保護膜７０が凹凸形状を有して形成されており、保護膜７０にはドレーン電極６５１、６５２を各々露出する接触孔７２１、７２２が形成されている。
【００６７】
保護膜７０上にはアルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金のように反射率の良い金属からなる第１及び第２画素電極８２１、８２２が形成されているが、画素電極８２１、８２２が保護膜７０の表面形状に沿って凹凸形状を有して形成されるため、反射率が高まる。
【００６８】
第１及び第２画素電極８２１、８２２は各々の接触孔７２１、７２２を通じて第１及び第２ドレーン電極６５１、６５２と連結されて画像信号の伝達を受ける。ここで、第１及び第２画素電極８２１，８２２は、データ連結部６３を通じてデータ線６２が連結されているので第１及び第２画素電極８２１、８２２は同じ画像信号の伝達を受ける。
【００６９】
一方、第１ゲート電極２６１、第１ソース電極６５１及び第１ドレーン電極６６１と、第２ゲート電極２６２、第２ソース電極６５２及び第２ドレーン電極６６２は互いに隣接する画素を上下に二等分する線に対して回転対称をなしている。
【００７０】
このような本発明の第３実施例では、ゲート線２２１、２２２を画素電極８２１，８２２の上部及び下部に配置し、反射物質からなる画素電極８２１、８２２の周縁部分をゲート線２２１、２２２及びデータ線６２と十分に重ねることによって、画素電極８２１，８２２の間で漏洩される光を遮断することができる。また、画素領域の構造を点対称で設計することによって画素領域の反射度を均一に得ることができる。これについては製造工程を通じて具体的に説明する。
【００７１】
以下、図８a乃至図１２bを参照して本発明の第３実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法について説明する。
【００７２】
まず、図８a及び図８bのように、絶縁基板１０上にゲート配線用の導電体または金属をスパッタリングなどの方法で１，０００Å乃至３，０００Åの厚さで蒸着し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングしてゲート線２２１、２２２、ゲート電極２６１、２６２を含むゲート配線と維持線２８とを形成する。
【００７３】
次に、図９a及び図９bのように、窒化シリコン膜３０、非晶質シリコン層及びn型不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を化学気相蒸着法（CVD:chemical vapor deposition）などを利用して各々１，５００Å乃至５，０００Å、５００Å乃至１，５００Å及び３００Å乃至６００Åの厚さで順次に蒸着し、三層を、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして、ゲート絶縁膜３０と、半導体層４１、４２と抵抗性接触層５１、５２とを形成する。
【００７４】
次に、図１０a及び図１０bのように、データ配線用導電体または金属をスパッタリングなどの方法によって１，５００Å乃至３，０００Åの厚さで蒸着し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして、データ線６２と、ソース電極６５１、６５２と、ドレーン電極６６１、６６２と、データ連結部６３とを含むデータ配線を形成する。次に、ソース電極６５１、６５２とドレーン電極６６１、６６２で覆われない抵抗性接触層５１、５２を除去してゲート電極２６１、２６２を中心に二つの部分５５１、５５２、５６１、５６２に分離し、半導体層４１、４２を露出させる。
【００７５】
次に、図１１乃至図１２bのように、感光性の有機絶縁膜を使用して数μmの厚さで保護膜７０を塗布した後、マスク１００を利用した写真エッチング工程でパターニングしてドレーン電極６６１、６６２を各々露出する接触孔を形成し、保護膜７０の表面に凹凸パターンを形成する。
【００７６】
この時、使用するマスク１００は、クロムなどからなる不透明部分１１０と透明部分１１１からなるが、接触孔７２１、７２２を形成する部分は透明部分１１１に対応するようにし、保護膜７０表面の凹凸を形成するために不透明部分１１０と透明部分１１１を交互に対応するようにする。この時、保護膜７０下部にデータ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３が形成されている部分では、マスク１００を通じて光を照射する時、データ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３から反射される光によって保護膜７０に照射される露光量が多くなる。これにより、現像した時、データ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３に対応する保護膜７０の厚さが薄くなり保護膜７０の凹凸模様が不均一となる。したがって、保護膜７０下部にデータ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３が形成されている部分の透明部分１１１は、線幅を小さくしてデータ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３が形成されていない部分に比べて露光量を減らすのが好ましい。
【００７７】
また、第１画素電極８２１が形成された左側領域と第２画素電極８２２が形成された右側領域において、データ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３の形状を１８０゜回転させると、左右の形状が同一である。従って、右側領域で使用するマスクは左側領域で使用したマスクを１８０゜回転させて配置すればよい。
【００７８】
次に、前記図６及び図７のように、保護膜７０上にアルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金のような反射率の高い金属をスパッタリングなどの方法によって４００Å乃至５００Åの厚さで蒸着し、マスクを利用した写直エッチング工程でパターニングし、第１及び第２画素電極８２１、８２２を形成する。
【００７９】
このように、保護膜７０の表面を均一な凹凸形状で形成して、その上に形成される画素電極８２１、８２２の反射率を高めることができる。
【００８０】
本発明の第３実施例では、保護膜の均一な凹凸形状を得るために、左側領域のマスクを１８０゜回転させて右側領域に配置したが、データ配線の形状によって他の方法でマスクを配置することもできる。これについては図１３乃至図１１９bを参照して本発明の第４実施例で説明する。
【００８１】
図１３及び図１４のように、絶縁基板１０上にアルミニウムまたはアルミニウム合金、モリブデンまたはモリブデン-タングステン合金、クロム、タンタルなどの金属または導電体からなる第１及び第２ゲート線２２１、２２２と、第１及び第２ゲート電極２６１、２６２を含むゲート配線と維持線２８と、を形成する。ここで、ゲート配線は本発明の第１実施例と同一な形態を有する。
【００８２】
ゲート配線２２１、２２２、２６１、２６２及び維持線２８上には、窒化ケイ素などからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００８３】
第１及び第２ゲート電極２６１、２６２上部のゲート絶縁膜３０上には、第１及び第２半導体層４１、４２が形成されており、第１半導体層４１上には抵抗性接触層が第１ゲート電極２６１を中心に両側に分離されて形成されており、第２半導体層４２上にも抵抗性接触層５５２、５６２が第２ゲート電極２６２を中心に両側に分離されて形成されている。
【００８４】
抵抗性接触層５５２、５６２またはゲート絶縁膜３０上にはアルミニウムまたはアルミニウム合金、モリブデンまたはモリブデン-タングステン合金、クロム、タンタルなどの金属または導電体からなる二重のデータ線６２と、データ線６２に連結されている第１及び第２ソース電極６５１、６５２と、第１ゲート電極２６１を中心に第１ソース電極６５１と対向する第１ドレーン電極６６１と、第２ゲート電極２６２を中心に第２ソース電極６５２と対向する第２ドレーン電極６６２と、二重のデータ線６２を連結しているデータ連結部６３と、を含むデータ配線が形成されている。また、データ配線は第１ソース電極６５１及び第１ドレーン電極６６１と同一な形状を有し、後述する第２画素電極８２２の領域に反転されて位置する第２ダミー配線６７２と、第２ソース電極６５２及び第２ドレーン電極６６２と同一な形状を有し、後述する第１画素電極８２１の領域に反転されて位置する第１ダミー配線６７１と、を含む。
【００８５】
ここで、第１ゲート電極２６１、第１半導体層４１、第１ソース電極６５１及び第１ドレーン電極６６１は第１薄膜トランジスタTFT１を構成し、第２ゲート電極２６２、第２半導体層４２、第２ソース電極６５２及び第２ドレーン電極６６２は第２薄膜トランジスタTFT２を構成する。
【００８６】
データ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３、６７１、６７２及びゲート絶縁膜３０上には感光性のある有機絶縁膜からなる保護膜７０が凹凸形状で形成されており、保護膜７０にはドレーン電極６６１、６６２を各々露出する接触孔７２１、７２２が形成されている。
【００８７】
保護膜７０上にはアルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金のような反射率の良い金属からなる第１及び第２画素電極８２１、８２２が形成されているが、画素電極８２１、８２２が保護膜７０の表面形状に沿って凹凸形状を有して形成されるため、反射率が高まる。
【００８８】
第１及び第２画素電極８２１、８２２は各々の接触孔７２１、７２２を通じて第１及び第２ドレーン電極６６１、６６２と連結され、画像信号の伝達を受ける。
【００８９】
一方、第１ゲート電極２６１、第１ソース電極６５１、第１ドレーン電極６６１及び第１ダミー配線６７１と、各々の第２ゲート電極２６２、第２ソース電極６５２、第２ドレーン電極６６２及び第２ダミー配線６７２とは、互いに隣接する画素を左右に二等分する線に対して回転対称である。
【００９０】
このような本発明の第４実施例の効果は、第３実施例で得られる効果と同一である。
【００９１】
以下、本発明の第４実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法について、図１５a乃至図１９b及び前記図１３及び図１４を参照して説明する。
【００９２】
まず、図１５a及び図１５bのように、絶縁基板１０上にゲート配線用の導電体または金属をスパッタリングなどの方法で蒸着し、マスクを利用した写真エッチング工程においてパターニングしてゲート線２２１、２２２と、ゲート電極２２１、２２２と、を含むゲート配線と維持線２８とを形成する。
【００９３】
次に、図１６a及び図１６bのように、窒化シリコン膜３０、非晶質シリコン層及びn型不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を化学気相蒸着法などを利用して順次に蒸着し、三層をマスクを利用した写真エッチング工程でパターニングしてゲート絶縁膜３０、半導体層４１、４２及び抵抗性接触層５１、５２を形成する。
【００９４】
次に、図１７a及び図１７bのように、データ配線用の導電体または金属をスパッタリングなどの方法で蒸着し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングしてデータ線６２と、ソース電極６５１、６５２と、ドレーン電極６６１、６６２と、データ連結部６２と、を含むデータ配線を形成する。次に、ソース電極６５１、６５２とドレーン電極６６１、６６２で覆われない抵抗性接触層５１、５２を除去してゲート電極２６１、２６２を中心に二つの部分５５１、５６１、５５２、５６２に分離し、半導体層４１、４２を露出させる。
【００９５】
また、図１８乃至図１９bのように、感光性の有機絶縁膜を使用して保護膜７０を形成した後、マスク１００を利用した写真エッチング工程でパターニングしてドレーン電極６６１、６６２を各々露出する接触孔を形成すると同時に、保護膜７０の表面に凹凸を形成する。
【００９６】
この時、使用するマスク１００は、クロムなどからなる不透明部分１１０と透明部分１１１で構成されるが、接触孔７２１、７２２を形成する部分は透明部分１１１に対応させ、保護膜７０表面の凹凸を形成するために不透明部分１１０と透明部分１１１を交互に対応させる。この時、保護膜７０下部にデータ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３、６７１、６７２が形成されている部分では、マスク１００を通じて光を照射する時、データ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３、６７１、６７２から反射される光により保護膜７０に照射される露光量が多くなる。これにより、現像した時、保護膜７０の厚さが薄くなり保護膜７０の凹凸形状が不均一となる。したがって、本発明の第３実施例のように、保護膜７０下部にデータ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３、６７１、６７２が形成されている部分の透明部分１１１は、線幅を小さくしてデータ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３、６７１、６７２が形成されていない部分に比べて露光量を減らすのが好ましい。
【００９７】
また、第１画素電極８２１が形成された左側画素領域と、第２画素電極８２２が形成された右側画素領域において、データ配線６２、６５１、６５２、６６１、６６２、６３、６７１、６７２の形状を反転させると、左右の形状が同一でとなる。従って、右側画素領域で使用するマスクは左側画素領域で使用したマスクを反転させて配置すればよい。
【００９８】
次に、前記図１３及び図１４のように、保護膜７０上にアルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金のような反射率の高い金属をスパッタリングなどの方法で蒸着し、マスクを利用した写直エッチング工程でパターニングして第１及び第２画素電極８２１、８２２を形成する。
【００９９】
本発明の第３及び第４実施例では、第１及び第２画素電極８２１、８２２が形成されている左右領域の反射率を同一にするために保護膜７０を形成する際に、一方の領域で使用したマスクを１８０゜回転させたり反転させて他の一側領域に使用したが、これは左右領域に形成されているデータ配線の模様によって変わることもある。
【０１００】
一方、本発明の第３及び第４実施例では、画素電極８２１、８２２を反射率に優れた金属で形成し、バックライトを使用せずに自然光を利用して画像を表示する反射型液晶表示装置について説明したが、自然光が十分な場合には自然光を利用し、自然光が十分でない場合にはバックライトを使用して画像を表示することができる半透過型液晶表示装置にも適用することができる。この場合、画素電極８２１、８２２の反射と透過が同時に起こるように形成しなければならない。このために保護膜７０を形成した後、その上にITOまたはIZOのような透明導電物質で画素電極８２１、８２２をパターニングして形成し、透明画素電極８２１、８２２上に反射率に優れた金属を透明な部分が２０％乃至３０％露出されるようにパターニングして形成する。
【０１０１】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造配置図
【図２】図１でII-II´線に沿って切断して示した断面図
【図３】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の等価回路図
【図４】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造配置図
【図５】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の等価回路図
【図６】本発明の第３実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造配置図
【図７】図６でVII-VII´線に沿って切断して示した断面図
【図８ａ】本発明の第３実施例の製造過程における最初段階での薄膜トランジスタ基板の構造配置図
【図８ｂ】図８aでVIIIb-VIIIb´線に沿って切断して示した断面図
【図９ａ】図８aの次の段階での配置図
【図９ｂ】図９aでIXb-IXb´線に沿って切断して示した断面図
【図１０ａ】図９aの次の段階での配置図
【図１０ｂ】図１０aでXb-Xb´線に沿って切断して示した断面図
【図１１】図１０aの次の段階での配置図
【図１２ａ】図１１の次の段階での配置図
【図１２ｂ】図１２aでXIIb-XIIb´線に沿って切断して示した断面図
【図１３】本発明の第４実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造配置図
【図１４】図１３でXIV-XIV´線に沿って切断して示した断面図
【図１５ａ】本発明の第４実施例の製造過程における最初段階での薄膜トランジスタ基板配置図
【図１５ｂ】図１５aでXVb-XVb´線に沿って切断して示した断面図
【図１６ａ】図１５aの次の段階での配置図
【図１６ｂ】図１６aでXVIb-XVIb´線に沿って切断して示した断面図
【図１７ａ】図１６aの次の段階での配置図
【図１７ｂ】図１７aでXVIIb-XVIIb´線に沿って切断して示した断面図
【図１８】図１７ａの次の段階での配置図
【図１９ａ】図１８の次の段階での配置図
【図１９ｂ】図１９aでXIXb-XIXb´線に沿って切断して示した断面図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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