(57)【要約】電子素子は、下部および上部を有する溝を備える基板を含む。溝の下部は、硬化したスピンオン化合物で充填され、一方、頂部は、化学気相成長法で堆積した化合物で充填される。化学気相成長法で堆積した化合物は、基板の表面と実質上同一面の表面を有することが好ましい。そのようなデバイスを製造する特に好ましい方法は、基板中に溝が形成され、第１の化合物が溝の中にスピンオン堆積で堆積されるステップを含む。第１の化合物は、基板の表面の下方のレベルまで、溝から部分的に除去され、さらなるステップで、第２の化合物が、第１の化合物の上部表面の上に、化学気相成長法によって堆積される。
2005502202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、該電子デバイスは、
下部および頂部を備える溝を有する基板を、
備え、
溝の下部が、硬化したスピンオン化合物で充填され、頂部が、化学気相成長法で堆積した化合物で充填される、電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、前記基板が、化学気相成長法で堆積した化合物の頂部表面と実質上同一面の表面を有する、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、前記溝が、熱酸化物被覆をさらに含む、デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のデバイスであって、前記溝が、５以上のアスペクト比（深さ／幅）を有する、デバイス。
【請求項５】
請求項３に記載のデバイスであって、前記溝が、８以上のアスペクト比（深さ／幅）を有する、デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のデバイスであって、前記スピンオン化合物が、ケイ素を含む、デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のデバイスであって、前記スピンオン化合物が、メチルシルセスキオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、メチルヒドリドシルセスキオキサン、シリケート、及び、ペルヒドロシラザンからなる群から選択される少なくとも１種の化合物から、形成される、デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のデバイスであって、前記化学気相成長法で堆積した化合物が、ケイ素を含む、デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載のデバイスであって、前記化学気相成長法で堆積した化合物が、シランまたはテトラエチルオルトシリケートから形成される、デバイス
【請求項１０】
請求項１に記載のデバイスであって、前記溝が、深さを有し、前記溝の下部が、深さの６０％まで延伸する、デバイス。
【請求項１１】
請求項１に記載のデバイスであって、前記溝が、深さを有し、前記溝の下部が、深さの８０％まで延伸する、デバイス。
【請求項１２】
浅溝分離構造を形成する方法であって、
表面を有する基板中に溝を形成し、第１の化合物を溝の中にスピンオン堆積を用いて堆積するステップと、
前記化合物の上部表面が前記基板の表面の下方にあるように、第１の化合物を前記溝から部分的に除去するステップと、
第２の化合物を前記基板の表面および前記第１の化合物の上部表面の上に化学気相成長法によって堆積するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前期基板の表面および前記第２の化合物の上部表面が実質上同一面であるように、前記分離構造を平坦化するステップを、
さらに含む方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、前記基板表面および前記溝が、熱酸化物被覆をさらに含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、前記溝が、５以上のアスペクト比（深さ／幅）を有する、方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法であって、
酸化物を形成するために、前記第１の化合物を硬化するステップを、
さらに含む方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の方法であって、部分的に除去する前記ステップが、スピン洗浄プロセス、湿式エッチングプロセス、及び、ドライエッチングプロセスからなる群から選択されるプロセスを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の方法であって、前記第１の化合物が、メチルシルセスキオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、メチルヒドリドシルセスキオキサン、シリケート、及び、ペルヒドロシラザンからなる群から選択される少なくとも１種の化合物から、形成される、方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載の方法であって、前記第２の化合物が、テトラエチルオルトシリケートまたはシランから形成される、方法。
【請求項２０】
スピンオン化合物を除去する方法であって、該方法は、
スピンオン化合物を基板の表面上にスピン堆積するステップと、
前記スピンオン化合物を溶媒混合物でスピン洗浄するステップと、
を含み、
溶媒混合物が、前記スピンオン化合物を溶解する第１の溶媒と、前記スピンオン化合物に不活性な第２の溶媒とを含む、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、
前記基板を第１の温度に加熱して溶媒混合物を除去し、さらに前記基板を第２の温度に加熱してスピンオン化合物を硬化するステップを、
さらに含む方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の方法であって、前記スピンオン化合物が、ケイ素を含み、前記第１の溶媒が、酢酸プロピルを含み、第２の溶媒が、乳酸エチルを含む、方法。
【請求項２３】
請求項２０に記載の方法であって、前記スピンオン化合物が、ケイ素を含み、前記第１の溶媒が、ケトン、エステル、エーテル、及び、炭化水素からなる群から選択され、第２の溶媒が、水、アルコール、アセトニトリル、アミン、及び、アミドからなる群から選択される、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、電子デバイスに関し、詳細には、マイクロエレクトロニクスデバイスに誘電体を堆積することに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の能動デバイスおよび受動デバイスの誘電体分離は、そのようなデバイスの比較的高い密度を達成するのに必要であり、通常、浅溝分離（ＳＴＩ、Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）構造を組み込むことによって達成される。ＳＴＩを形成する多くの方法が、当業で知られている。
【０００３】
ＳＴＩ構造を形成する一方法では、化学気相成長法（ＣＶＤ）が用いられ、誘電体材料が堆積される（例えば、Ｃｈｅｎ等の米国特許第６，１４６，９７１号（２０００年１１月１４日）を参照されたい）。典型的なプロセスは、基板上に熱酸化物を成長させ、続いて熱酸化物の上に窒化ケイ素を堆積することを含む。窒化ケイ素は、トレンチを形成するために、続いてパターン形成およびエッチングされる。熱酸化物層は、溝の中で成長し、二酸化ケイ素が、ＣＶＤによって堆積される。さらなるステップで、二酸化ケイ素は、逆マスクされ、活性表面から除去される。次いで化学機械研磨（ＣＭＰ）を使用して表面を平坦化し、さらなるステップで、窒化ケイ素および熱酸化物層が、基板の表面からエッチングされる。
【０００４】
ＣＶＤ堆積の多くの利点にもかかわらず（例えば、ＣＭＰプロセスはよく理解されており、例えば、ＵＬＳＩ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｃｈａｎｇ  ａｎｄ  Ｓｚｅ、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、ＮＹ、１９９６を参照されたい）、ＣＶＤ本来の制約は、そのプロセスの有用性を低くしている。例えば、窒化ケイ素および熱酸化物層を活性表面から除去するときに、異なるエッチングによる表面形態の不均質性を避けるため、ＣＶＤ酸化物および熱酸化物のエッチング速度は、一般に、比較的同様であることが必要であり、そのため、ＣＶＤ酸化物の選択肢が、制限される。さらに、また特に、溝が比較的高いアスペクト比（深さ／幅）を有する場合、ＣＶＤの間に、溝中のボイド（ｖｏｉｄ）の形成が、より頻繁に起きる。
【０００５】
少なくともいくつかの問題を回避するために、高密度プラズマ（ＨＤＰ）・ＣＶＤを用いることができる。他の利点の中でも、ＨＤＰ・ＣＶＤは、堆積とエッチングを結びつけ、それによって、ボイドの形成が大きく低減される。しかし、一般に、ＨＤＰ・ＣＶＤは、基板の処理量が少なくなる。さらに、ＨＤＰ・ＣＶＤの使用は、角部の損傷（ｃｌｉｐｐｉｎｇ）の危険性を高め、それによって、生産期間毎の全体歩留りが、さらに低くなる。
【０００６】
別法として、スピンオン材料を使用することによって、ＣＶＤプロセスを全て回避することが知られている（例えば、Ｌｏｕ等の米国特許第６，１７１，９２８号（２００１年１月９日）を参照されたい）。スピンオン材料は、ＣＶＤ材料と比較して、しばしば優れた平坦性特性を示す。さらに、スピンオン材料は、一般に、望ましい間隙充填能力を有している。したがって、ＳＴＩ構造を形成する代替の方法は、基板上への熱酸化物の成長（パッド酸化物とも呼ばれる）、および熱酸化物上への窒化ケイ素の堆積を含む。窒化ケイ素は、続いてパターン形成およびエッチングされて、溝が形成される。熱酸化物層は、溝の中に成長し（下地酸化物とも呼ばれる）、スピンオン化合物が、基板上にスピン塗布され、引き続いて硬化される。続くＣＭＰステップで、ウェーハは、平坦化され、窒化ケイ素／熱酸化物は、活性表面からエッチング除去される。
【０００７】
スピンオン材料を使用する比較的単純なプロセスにもかかわらず、特に硬化ステップ間の溝内部のスピンオン材料の収縮を含めて、いくつかの欠点が残る。溝の中の低密度の硬化したスピンオン材料は、熱酸化物よりもはるかに高い（約３〜１０倍）ウェットレート（ｗｅｔ  ｒａｔｅ）を有し、したがって、もはや硬化後のエッチングステップに、適合性がない（例えば、活性表面からの窒化ケイ素／熱酸化物のエッチング除去）。
【０００８】
このように、電子デバイスを製造する多くの方法が従来技術に知られているが、それらの全てまたは大部分には、１つまたはそれ以上の欠点がある。したがって、やはり電子デバイスの改善された方法および装置を提供する必要がある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（発明の概要）
本発明は、下部および頂部を有する溝を備える基板を含む電子デバイスの構成および製造を目的とする。溝の下部は、スピンオン化合物で充填され、頂部は、ＣＶＤ材料で充填される。ＣＶＤ材料は、基板の表面と実質上と同一面の表面を有することが好ましい。
【００１０】
本発明の主題の一態様において、溝は、熱酸化物被覆（下地）をさらに含み、特に企図されている溝は、５以上、より好ましくは８以上のアスペクト比（深さ／幅）を有する。好ましい溝の下部は、溝の高さの６０％まで、より好ましくは８０％まで延伸する。溝が浅溝分離構造（ＳＴＩ）の要素であることがさらに考えられている。
【００１１】
本発明の主題の他の態様において、スピンオン化合物は、ケイ素を含み、好ましくはメチルシルセスキオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、メチルヒドリドシルセスキオキサン、シリケート、またはペルヒドロシラザンから形成される。好ましい化学気相成長法（ＣＶＤ）化合物は、ケイ素を含み、特に好ましいＣＶＤ化合物は、シランまたはテトラエチルオルトシリケートから形成される。
【００１２】
本発明の主題のさらなる態様において、それらの装置を製造する特に好ましい方法は、溝が基板の中に形成されるステップと、第１の化合物がスピンオン堆積によって堆積されるステップとを含む。第１の化合物は、基板の表面以下のレベルまで、溝から部分的に除去され、さらに次のステップで、第２の化合物が、化学気相成長によって、第１の化合物の上部面に堆積される。
【００１３】
本発明の主題のさらに企図されている態様において、第１の化合物が、スピン洗浄プロセス、湿式エッチングプロセス、またはドライエッチングプロセスによって、部分的に除去される。企図されている第１の化合物は、メチルシルセスキオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、メチルヒドリドシルセスキオキサン、シリケート、およびペルヒドロシラザンを含み、企図されている第２の化合物は、テトラエチルオルトシリケートおよびシランを含む。
【００１４】
本発明の種々の目的、特徴、態様および利点は、付随する図面と共に、以下の本発明の好ましい実施形態の詳細な説明から、より明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
ＣＶＤ化合物またはスピンオン化合物のみで充填されたＳＴＩ構造が、多くの欠点（上記）を示すことは当技術分野で知られている。比較的通常の欠点は、従来技術の図１Ａに描かれており、そこでは、電子デバイス１００Ａが、表面１１１Ａおよび溝１２０Ａを備える基板１１０Ａを有する。溝１２０Ａは、熱酸化物被覆（下地）１５０Ａをさらに有し、溝は、硬化したスピンオン化合物で充填されている。硬化中の寸法的な拘束のため、硬化スピンオン誘電体材料の下部（表面に対して）１３０Ａは、硬化スピンオン誘電体材料の上部（表面に対して）１３０Ａ’よりも密度が低く、その結果、一般に、後続のステップにおけるエッチング挙動が、異なってくる。
【００１６】
発明者らは、スピンオン材料およびＣＶＤ材料の両方を用いて、誘電体材料を電子デバイスに堆積することができ、また、その堆積構造が周知の構造よりも多くの利点を示すことを見い出した。図１Ｂにおいて、電子デバイス１００Ｂは、表面１１１Ｂおよび溝１２０Ｂを備える基板１１０Ｂを含む。溝１２０Ｂはさらに、熱酸化物被覆（下地）１５０Ｂで被覆されている。溝１２１Ｂの下部は、硬化スピンオン化合物１３０Ｂで充填され、一方、溝１２２Ｂの頂部は、ＣＶＤ堆積化合物１４０Ｂで充填されている。ＣＶＤ堆積化合物１４０Ｂは、表面１４１Ｂを有し、基板１１１Ｂの表面と同一面である。
【００１７】
本発明の主題の特に好ましい態様において、電子デバイス１００Ｂは、集積回路であり、基板１１０Ｂは、実質上平坦な表面１１１Ｂを備えるシリコンウェーハである。溝１２０Ｂは、基板の中にエッチングされ、さらに熱酸化物被覆１５０Ｂで被覆される。溝１２１Ｂの下部は、溝の底から上方へ、溝高さの６０％の高さまで延伸し、基板１１０Ｂ上にスピン塗布された硬化ハイドロジェンシルセスキオキサン１３０Ｂで、充填される。溝１２２Ｂの上部（溝高さの残りの４０％に相当する）は、ＣＶＤ堆積シラン１４０Ｂから形成された二酸化ケイ素で、充填される。ＣＶＤ堆積二酸化ケイ素１４０Ｂは、表面１４１Ｂを有し、実質上シリコン基板１１１Ｂの表面と同一面（すなわち最大縦段差２０ｎｍを有する）である。
【００１８】
基板に関しては、シリコンウェーハおよび他のシリコン系半導体基板が、特に好ましいが、シリコンウェーハ以外の多くの基板を、使用でき、代替の基板には、非シリコン半導体材料（例えば、ゲルマニウム系またはガリウム系）および無機／有機誘電体材料（例えば、ポリシリケート、ポリ（アリーレンエーテル）など）が含まれることを理解されたい。
【００１９】
基板１１０Ｂの実質上平坦な表面１１１Ｂは、シリコンウェーハの表面であることが企図されている。本明細書に使用される用語「表面（ｓｕｒｆａｃｅ）」は、機能要素（例えば、伝導性配線またはビア）がその上に形成される基板の任意の領域を指す。さらに本明細書に使用される用語「実質上平坦な表面（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ  ｐｌａｎａｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）」は、表面が平坦化プロセス（例えば化学的機械的平坦化（ＣＭＰ））を受けて、不均一性が表面の最高点と最低点の間で約５ｎｍ〜２０ｎｍ以下であることを意味する。本発明の主題の代替の態様では、表面は、機能性および非機能性材料を含めて、代替の材料をさらに含むことができる。例えば、機能性材料は、誘電体材料、熱酸化物、金属を含むことができ、一方、非機能性材料は、エッチング停止層（例えば、窒化ケイ素）または他のマスキング材料を含むことができる。
【００２０】
また、適切な溝は、基板中にエッチングされ、一般に、約５０ｎｍ〜５００ｎｍの幅、約４００ｎｍ〜７００ｎｍの深さを有することが考えられる。しかし、約５００ｎｍ〜５０００ｎｍまたはそれ以上のより大きな幅も、考えられる。同様に、企図されている溝は、特定の深さに制限される必要はなく、適切な溝は、約２００ｎｍ〜２０００ｎｍまたはそれ以上の深さであることが考えられる。企図されている溝のアスペクト比（幅に対する深さ）は、特定の数値または範囲に制限されることはないが、好ましいアスペクト比は、５以上（例えば、５〜１０）、より好ましくは８以上、最も好ましくは１０以上（例えば、１０〜１５）であることが特に考えられる。同様に、企図されている溝のレイアウト（すなわち導路）は、大きく変化でき、企図されているレイアウトは、線状、円形状、曲線状、およびその妥当な組み合わせを含むことができることを理解されたい。適切な溝は、基板中にエッチングするのが一般に考えられるが、溝形成のやり方は、本発明の主題を制限するものではないことを理解されたい。従って、代替の方法で形成された溝も、考えられ、その方法は、アディティブ（すなわち、表面に壁を付加することによる溝形成）法およびサブトラクティブ（すなわち、表面から材料を除去することによる溝形成）法を含む。
【００２１】
適切であれば、企図されている溝は、溝の床および／または側壁の少なくとも一部に結合した追加の層または被覆を、さらに含むことができる。例えば、考えられる追加の層または被覆は、熱酸化物被覆、１種またはそれ以上の有機および／または無機誘電体、金属、ポリシリコンなどを含むことができる。当分野に周知の、基板中に溝を形成する多くの方法があり、周知の方法の全ては、本明細書に示す教示と共に使用することが適切であると考えられる。
【００２２】
スピンオン化合物に関しては、全ての周知のスピンオン誘電体は本発明に使用するのに適していると考えられ、誘電体を生成するのにさらに硬化ステップを必要とする、または必要としない無機および有機スピンオン化合物を含む。例えば、適切な有機スピンオン誘電体は、共役および非共役芳香族ポリマー（例えば、ポリイミド、ポリアリーレンなど）、および非芳香族ポリマー（例えば、エポキシ架橋、シアン酸エステル樹脂など）を含む。適切な無機スピンオン誘電体は、ケイ素を含む種々の化合物を含み、特に考えられる無機スピンオン化合物は、メチルシルセスキオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、メチルヒドリドシルセスキオキサン、シリケート、およびペルヒドロシラザンである。有用な有機ヒドリドシロキサンは、通例に譲渡された米国特許第６，１４３，８５５号および第６，０４３，３３０号に開示されており、本明細書に参照して組み込まれている。特に有用な１種の有機ヒドリドシロキサンは、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．から、ＨＯＳＰ（商標）スピンオン誘電体として、市場で入手可能である。特定の用途の特定のスピンオンおよび硬化の条件は、一般に、スピンオン化合物、溝深さ、必要な硬化程度に依存し、通常の技術者であれば、多くの実験を行うことなく容易に決定することができる。
【００２３】
溝の下部をスピンオン化合物で充填することは一般に考えられる。本明細書で使用される用語「下部（ｌｏｗｅｒ  ｐｏｒｔｉｏｎ）」は、溝の床（すなわち、基板の表面に関して溝の最下部）から基板の表面よりも下方にある任意の溝高さまで延伸する、溝の容積を指す。したがって、溝の下部は、溝の床から溝の深さの１０％まで（すなわち、溝の床と基板表面間の最大縦距離）、好ましくは溝の深さの４０％まで、より好ましくは６０％まで、さらにより好ましくは８０％まで、最も好ましくは８０％〜９５％まで延伸できることが考えられる。スピンオン化合物を使用して溝の中に誘電体を形成することは、溝が比較的高いアスペクト比（すなわち５より大きい）を有するときに、特に有用であることを理解されたい。なぜならば、アスペクト比の増大によって、典型的なＣＶＤプロセスの間に、ボイドがしばしば形成されるからである。
【００２４】
ＣＶＤ堆積化合物が、熱酸化物に類似したエッチング抵抗性（すなわち、熱酸化物のエッチング速度の１〜３倍、好ましくは１〜２倍、より好ましくは１〜１．５倍のエッチング速度）を有することが好ましく、よく理解されたＣＭＰ条件を有するとさらに考えられる。例えば、適切なＣＶＤ堆積化合物は、ケイ素を含み、特に好ましいＣＶＤ堆積化合物は、シランまたはテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）から形成される。しかし、代替の態様では、ケイ素含有化合物以外の周知のＣＶＤ化合物も、本発明で使用するのに適していると考えられる。ＣＶＤ化合物の堆積に関しては、特定の条件は、大きく変化することができ（すなわち、ＨＤＰ・ＣＶＤ、低圧（ＬＰ）・ＣＶＤ、大気圧（ＡＰ）・ＣＶＤ、プラズマ強化（ＰＥ）・ＣＶＤ）、使用される特定の材料に依存することを認識されたい。溝の上部は、ＣＶＤ堆積化合物で充填されることがさらに考えられている。本明細書で使用される用語である、溝の「上部（ｕｐｐｅｒ  ｐｏｒｔｉｏｎ）」は、基板の表面と溝の下部との間の溝の容積を指す。１層またはそれ以上の追加の層を、硬化スピンオン化合物とＣＶＤ化合物との間に配設することができ、考えられる追加の層が、機能性（例えば、誘電体、伝導性、半導体性）および非機能性（例えば、接着促進剤）の層を含むことをさらに認識されたい。本発明の主題には重要ではないが、ＣＶＤ化合物の上部表面は、基板表面と実質上同一面である（すなわち、５０ｎｍの最大縦段差）ことが特に好ましい。当分野で知られている多くの平坦化法があり、周知の方法の全てが、本発明に使用するのに適していると考えられる。特に好ましい方法は、ＣＭＰである。
【００２５】
したがって、本発明の主題による電子デバイスの形成方法は、表面を有する基板中に溝が形成され、第１の化合物がスピンオン堆積を用いて溝の中に堆積される１つのステップを含む。さらなるステップにおいて、溝中の化合物の上部表面が、基板の表面よりも低くなるように、第１の化合物が、部分的に溝から除去される。さらに他のステップにおいて、第２の化合物が、表面および第１の化合物の上部表面上にＣＶＤによって堆積される。基板、基板の表面、溝、スピンオン化合物（すなわち、第１の化合物）、ＣＶＤ堆積化合物（すなわち、第２の化合物）に関しては、上で論じた同じ考えが適用される。
【００２６】
スピンオン化合物を溝から部分的に除去する方法（例えば、湿式エッチングまたはドライエッチング）の全ては、適切であると考えられるが、スピン洗浄プロセス（以下）によって、部分除去を行うのが特に好ましい。企図されているスピン洗浄プロセスは、溶媒混合物を、部分的または完全に硬化したスピンオン膜（例えば、溝中のスピンオン化合物）上に、回転供給するステップを含む。溶媒混合物は、一般に、少なくとも１種の溶媒（すなわち、スピンオン膜を破壊および／または溶解する組成物、活性成分とも呼ばれる）と、少なくとも１種の非溶媒（すなわち、スピンオン膜に不活性であるか、またはスピンオン膜を溶媒より少なくとも１０倍遅い速度で破壊および／または溶解する組成物）とを含む。溶媒および非溶媒の混和性は、重要ではないが、溶媒混合物が、非溶媒と混和性のある溶媒を含むことが好ましい。特定の溶媒の選択は、一般に、スピンオン膜の組成物および必要な除去速度に依存するであろう。しかし、全ての周知の溶媒は、本発明で使用するのに適していると一般に考えられ、考えられる溶媒は、水性および非水性溶媒、酸および塩基を含み、その全ては、例えば極性、疎水性、混和性などを含む種々の基準によって、選択することができる。
【００２７】
したがって、スピンオン化合物を除去する方法は、スピンオン化合物を基板の表面上に堆積するステップを含む。さらなるステップで、スピンオン化合物は、溶媒混合物でスピン洗浄され、溶媒混合物は、第１のスピンオン化合物を溶解する第１の溶媒と、スピンオン化合物に不活性な第２の溶媒とを含む。特に考えられるスピンオン化合物は、ケイ素を含み、一方、第１の溶媒は、酢酸プロピルを含み、第２の溶媒は、乳酸エチルを含む。しかし、種々の代替溶媒も、考えられる。例えば、第１の溶媒は、ケトン（例えば、ＭＩＢＫ）、エステル（例えば、酢酸プロピル）、エーテル（例えば、ＰＧＭＥＡ）、炭化水素（例えば、ヘキサン）であることができ、第２の溶媒は、水、アルコール（例えば、エタノール、メタノール）、アセトニトリル、アミン、またはアミドであることができる。適切な基板を、第１の温度に加熱して、溶媒混合物を除去し、次いで、第２の温度に加熱して、スピンオン化合物を硬化することがさらに考えられている。
【００２８】
考えられているスピン洗浄プロセスにおいて、スピンオン膜の除去速度および平坦化の程度（ＤＯＰ、ｄｅｇｒｅｅ  ｏｆ  ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）は、例えば溶媒の選択および比、スピン条件、温度、分注プロファイルおよび容量などを含む、種々のパラメーターによって、有利に制御することができることを特に理解されたい。例えば、溶媒混合物中の非溶媒に対する溶媒の比を、高くすることによって、一般に、より高い除去速度が得られる。ＤＯＰは、一般に、狭いフィーチャー内部のマイクロローディングを用いて制御することができる。活性成分が、新鮮な溶媒で置き換わるよりも速く、除去した材料で飽和されるときに、マイクロローディングは、狭く密集したフィーチャー（溝）の内部に起きる。マイクロローディング効果は、溝またはフィーチャーの内部の流体力学によって起こり、新鮮な溶媒の供給が、制限される。非溶媒に対する溶媒の比が、低い（すなわち、活性成分の濃度が低い）と、活性成分が、より急速に飽和されるので、効果が、大きくなる。マイクロローディングは、平坦な領域に比べて、狭いフィーチャーおよび密集したパターン領域の、除去速度比を効果的に小さくする。マイクロローディングによるＤＯＰの改善は、静的用途の代わりに動的溶媒用途（すなわち、スピン洗浄）を使用することによって最善に用いられる。なぜならば、平坦な表面には、新鮮な溶媒が、常に供給され、他方、狭いフィーチャーの内部への溶媒供給は、妨げられ、したがって、減少するからである。最適スピン条件は、パターン設計およびフィーチャー密度に依存する。スピン洗浄プロセスは、ＳＴＩ構造の形成におけるスピンオン膜の部分除去以外の用途にも用いることができ、企図されているプロセスは、スピンオン膜または化合物を少なくとも部分的に除去する必要のある全てのプロセスを含むことも認識すべきである。例えば、考えられる代替のプロセスは、一般に部分的なエッチバック（例えば、ＩＭＤ用途において、金属配線を備えるパターン形成されたウェーハ上の誘電体材料の除去）を必要とするプロセスを含む。
【００２９】
また、スピン洗浄プロセスは、通常用いられているドライエッチングを用いるＳＯＧエッチバックプロセスのコスト効果のある修正であり得ることもさらに考えられている。ＳＯＧエッチバックプロセスは、しばしば比較的高価である。なぜならば、以下のようないくつかのプロセスステップが、一般に、必要とされるからである。１）金属配線の形成、２）ＰＥＣＶＤ装置：ＣＶＤを用いる下地酸化物の堆積（このステップは省略することができる）、３）スピンコータ：間隙を充填し局部的な平坦化を改善するスピン、ＳＯＧの焼成および硬化、４）プラズマエッチャ：金属配線の頂部にＳＯＧが少ないまたは残らないようにするＳＯＧのエッチバック（これは「ビアの汚染（ｐｏｉｓｏｎｅｄ  ｖｉａｓ）」を避ける）、５）ＰＥＣＶＤ装置：酸化物キャップの堆積、６）ＣＭＰ装置：酸化物キャップのＣＭＰ（このステップはＳＯＧプロセスの能力および製造プロセスの平坦化要求度によって省略することができる）。したがって、企図されているプロセスは、時間のかかるエッチングステップ（５）を省略することができ、また、一般により良好な局部の平坦化を生じさせ、さらにＣＭＰの必要性がなくなることを特に認識すべきである。したがって、企図されているプロセスは、スピンプロセス（４）を、４ａ）スピンコーティング、４ｂ）任意選択的な部分焼成、４ｃ）スピン洗浄を用いる部分除去および膜の平坦化、４ｄ）焼成プロセス、４ｅ）硬化プロセスに、修正することを理解されたい。スピン洗浄プロセスは、従来のスピンカップ（ｓｐｉｎ  ｃｕｐ）を用いて市場で入手可能なスピン工程（ｓｐｉｎ  ｔｒａｃｋｓ）に一体化することができ、したがって、新しいプロセス装置を必要としない。また、スピン洗浄プロセスは、上記のように平坦化を改善するので、後続のＣＭＰプロセス（６）を、省略することができる。
【００３０】
本発明の主題のさらに企図されている態様では、電子デバイスを形成する方法は、基板の表面とＣＶＤ堆積化合物の上部表面と間の同一面性を達成するために、平坦化ステップを追加して含むことができる。企図されている平坦化ステップは、一般に全ての知られている平坦化プロセスを含むが、平坦化は、ＣＭＰで行うことが特に好ましい。
（実施例）
（スピン洗浄プロセス）
この実施例に記載されている例示的スピン洗浄プロセスは、従来のエッチバック間隙充填（ｅｔｃｈ−ｂａｃｋ  ｇａｐ  ｆｉｌｌ）プロセスの代替として、用いることができる。
【００３１】
半導体デバイス構造を、標準的な製造技術を使用して、製造する。金属配線構造（２）を、半導体基板（１）の上に、構造１のように形成する。０．１８ミクロン以下のデバイス寸法の相互配線金属は、通常、少量のドーパントを有するアルミニウムである。しかし、金属の選択は、本発明の主題を制限するものではなく、銅を含む他の金属も使用できることが考えられる。しかし、サブトラクティブプロセスには、アルミニウムが好ましい。
【００３２】
【表１】
2005502202.tif 000003
【００３３】
第１レベルの金属線（２）の堆積の後に、任意選択的な酸化物下地（３）を、堆積する（構造２）。酸化物下地の厚さは、１〜２００ｎｍであり、５０ｎｍが、典型的な値である。酸化物下地は、ＰＥＣＶＤ  ＴＥＯＳを用いて堆積するのが好ましいが、ＰＥＣＶＤシランなどの他の酸化物も、使用することができる。プロセスステップの数を削減するために、酸化物下地を使用しないことが、好ましい。
【００３４】
【表２】
2005502202.tif 000004
【００３５】
次いでスピンオン材料（４、構造３を参照）を、配線間誘電体として堆積する。スピンオン誘電体の好ましい厚さは、スピンオン誘電体、金属の厚さ、および必要な平坦化の程度に依存する。例えば、ＨＯＳＰ（商標）（スピンオン誘電体は市場でＨｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手可能である）の場合、幅５００ｎｍの最小間隙で、高さ８００ｎｍのアルミニウム線に関して、スピンオン材料の厚さは、一般に、被覆膜上で、２００〜９００ｎｍであり、６００ｎｍが好ましい。
【００３６】
この例では、ＨＯＳＰ（商標）誘電体材料は、標準的なスピンプロセスを用いて堆積するが、特定のスピンプロセスは、スピン洗浄プロセスの用途に大きな影響は与えない。しかし、スピン洗浄を使用するために、標準の焼成手順（標準は１５０℃、２００℃、３５０℃で各１分である）は、スピン洗浄プロセスの前に用いる最高温度が３００℃以下になるように、修正される。なぜならば、３２０℃以上の温度で焼成すると、ＨＯＳＰ（商標）誘電体材料は、有機溶媒に溶解できないからである。無論、最高温度は、他の材料では異なる。次いで、ＨＯＳＰ膜を、単一の熱板に対して、１００℃〜２００℃の温度で１分間露出するが、好ましい温度は、１５０℃である。焼成プロセスによって、材料は、溶融し再流動することができるので、平坦性が向上する。
【００３７】
【表３】
2005502202.tif 000005
【００３８】
次いで、溶媒混合物を、スピン洗浄プロセスに分注して、金属線の頂部のスピンオン材料を除去し（構造４を参照されたい）、平坦性を改善する。スピン洗浄溶液は、スピンオン膜以外、基板上のいかなる材料も、除去しない。スピン洗浄プロセスは、通常のスピンコータで行うことができるが、スピンエッチャを使用することもできる。分注の間のスピン速度は、材料、溶媒、ウェーハサイズ、装置の幾何形状に依存し、２０ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍの範囲にすることができる。多くの用途で、１０００ｒｐｍが、洗浄プロセス中の推奨スピン速度であり、この例で用いている。溶媒の分注速度は、材料、溶媒、ウェーハサイズ、装置の幾何形状に依存し、０．１ｍＬ／秒〜５０ｍＬ／秒の範囲にすることができる。多くの用途で、２ｍＬ／秒が、洗浄プロセス中の推奨分注速度であり、この例で用いている。ＨＯＳＰの溶媒のリストには、ケトン（例えばＭＩＢＫ）、エステル（例えば酢酸プロピル（ＰＡＣＥ）、グリコールエーテルＰＭアセテート（ＰＧＭＥＡ））、炭化水素（例えばヘキサン）が含まれるが、制限されない。非溶媒には、水、アルコール（例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、乳酸エチル（ＥＬ））、アセトニトリル、アミン、アミドが含まれるが、制限されない。１種以上の溶媒と１種以上の非溶媒とのいくつかの組み合わせが可能であり、好ましい組み合わせは、材料、プロセス手順、および用途で必要な除去速度に、大きく依存する。この例では、２：１の乳酸エチルとＰＡＣＥの混合物を、スピン洗浄プロセス用の推奨溶媒混合物として使用し、スピン洗浄プロセスを十分な時間実施した。スピン洗浄プロセスの間に、スピンオン誘電体は、狭い間隙の内部からよりも、金属線の頂部から、より速く除去され（先に説明したマイクロローディング）、それによって、ドライエッチバックプロセスまたは静的湿式エッチングに比べて、平坦性が向上する。下地酸化物は、スピン洗浄プロセスの影響を受けず、これは、下地酸化物も攻撃する従来のドライエッチングプロセスに比べて、有益である。スピン洗浄プロセスの終わりに、ウェーハを分注なしで、３０００ｒｐｍの回転速度で３０秒間回転して、膜を乾燥する。次いで、膜を、熱板の上で、３５０℃の温度で１分間焼成する。次いで、膜は、酸素レベル２０ｐｐｍ未満の窒素雰囲気中で、４００℃の温度で１時間水平炉中で硬化する。スピン洗浄プロセスの終わりに、スピンオン材料（ＨＯＳＰ）は、金属線の頂部から除去され、一方、狭い間隙の間には、スピンオン材料が残る。
【００３９】
【表４】
2005502202.tif 000006
【００４０】
次いで、ＣＶＤ酸化物を、ビア（ｖｉａ）レベル用に堆積する（構造５を参照されたい）。ＣＶＤ酸化物の厚さは、デバイス構造に依存し、５００ｎｍ〜３０００ｎｍが、典型的である。一般に、ＰＥＣＶＤ  ＴＥＯＳが、このプロセスに使用される。
【００４１】
【表５】
2005502202.tif 000007
【００４２】
次いで、任意選択的に、構造を、化学機械研磨（ＣＭＰ、ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）プロセスにかける。ＣＭＰプロセスは、酸化物層の部分を除去し、平坦性を改善する（構造６）。
【００４３】
【表６】
2005502202.tif 000008
【００４４】
（スピンエッチングプロセス）
スピンエッチングプロセスは、上記のスピン洗浄プロセスにある程度類似しているが、エッチング剤として無機溶媒を使用する。この例で用いたスピンオン材料は、市場でＨｏｎｅｙｗｅｌｌから入手可能なＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）５１２Ｂである。処方および回転速度は、被覆膜上に５００ｎｍの厚さの膜を得るように選択する。Ａｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）  ５１２Ｂは、標準的なスピンプロセスおよび焼成プロセスを用いて堆積し、８０℃、１５０℃、２５０℃で各１分間の焼成が、用いられる。次いで、ウェーハを、酸素レベル２０ｐｐｍ未満の窒素雰囲気中で、４００℃の温度で１時間、水平炉中で硬化する（構造はこの時点で構造３に示したように見える）。
【００４５】
別法の硬化プロセスは、４００℃炉の硬化の代りに、酸素プラズマアッシング（１０％窒素）を用いる。このプロセスは、厚さ５００ｎｍまでのＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）  ５１２Ｂ被覆膜に使用できる。
【００４６】
次いで、ウェーハを、スピンエッチング装置で処理する。好ましいエッチング剤は、エッチングすべき材料に依存する。Ａｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）５１２Ｂスピンオン材料を用いるこの例では、１０：１から５００：１までのＢＯＥ（緩衝酸化物エッチング、ｂｕｆｆｅｒ  ｏｘｉｄｅ  ｅｔｃｈ）を使用することができ、５０：１が好ましい。エッチングプロセス中の好ましい回転速度は、１０００ｒｐｍに設定し、ＢＯＥ流量は、０．８ｌｐｍ（毎分リットル）に設定する。処理時間は、１５秒に設定する。被覆エッチング速度は、１４０Ａ／秒（毎秒オングストローム）であり、これは、下地材料として使用するＴＥＯＳ酸化物のエッチング速度の約４０倍である。スピンエッチングプロセスの終わりに、ウェーハを、ＤＩ（脱イオン）水を用いて１５秒間洗浄し、次いで、回転速度３０００ｒｐｍで３０秒間回転して、膜を乾燥する。スピン洗浄プロセスは、金属線の頂部の材料を優先的に除去し、全体の平坦性を向上させる。スピンエッチングプロセスを用いる例では、金属線の頂部の５１２Ｂ材料は、完全に除去される。スピンオン材料Ａｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）５１２Ｂに対するＢＯＥの高い選択性によって、ＴＥＯＳ下地へのエッチングは、５ｎｍ未満であり、したがって無視できる。後続のステップは、上記のステップと同一である。
【００４７】
（スピン洗浄プロセスおよび酸化物キャップを用いるＳＴＩプロセス）
図１Ｂは、本発明の好ましい態様によるＳＴＩ構造を概略的に示す断面図である。プロセスは、熱酸化を用いてシリコン基板（構造７の（１））上に、パッド酸化物層（ステップ１）（構造７の（２））を形成することから開始する（構造７）。パッド酸化物の厚さは、２〜３０ｎｍが典型的であり、１０ｎｍが好ましい厚さである。
【００４８】
【表７】
2005502202.tif 000009
【００４９】
次のプロセスステップ（ステップ２）は、パッド酸化物の頂部に、窒化ケイ素層（構造８の（３））を、堆積することである（構造８）。窒化物層の厚さは、５０〜２００ｎｍが典型的であり、１００ｎｍが好ましい。
【００５０】
【表８】
2005502202.tif 000010
【００５１】
次のステップ（ステップ３）は、半導体基板上に、フォトレジスト層を堆積することである。基板上にパターンを転写するために、フォトリソグラフィ（ステップ４）プロセスを実施する。次いで、異方性エッチング（ステップ５）を実施して、最初に、窒化ケイ素を開口し（構造９）、次いで、溝構造を形成する（構造１０の（４））。
【００５２】
【表９】
2005502202.tif 000011
【００５３】
【表１０】
2005502202.tif 000012
【００５４】
次いで、熱酸化（ステップ６）を用いて、溝の側壁および底に、酸化物を成長する。溝の側壁の厚さは、５〜１５ｎｍが典型的であり、１０ｎｍが好ましい厚さである（構造１１）。
【００５５】
【表１１】
2005502202.tif 000013
【００５６】
次いで、スピンオン材料を、溝の内部に堆積する（ステップ７）（構造１２の（６））。スピンオン誘電体の好ましい厚さは、スピンオン誘電体の種類、溝の幅および高さ、ならびにアスペクト比の分布に、依存する。１ミクロン未満の溝深さのＳＴＩ構造では、ＨＯＳＰ（商標）スピンオン誘電体（市場でＨｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手可能）は、適切な材料である。一般に、溝深さの６０％〜８０％の膜厚さで十分である。溝深さが６００ｎｍでは、被覆膜厚さは、４００ｎｍが好ましい。この例では、ＨＯＳＰ（商標）スピンオン誘電体は、標準的なスピンプロセスを用いて堆積するが、特定のスピンプロセスは、スピン洗浄プロセスの適用に大きな影響は与えない。しかし、ＨＯＳＰは３２０℃以上の温度で焼成すると有機溶媒に溶解できないので、スピン洗浄を使用するために、スピン洗浄プロセスの前に用いる最高温度が３００℃以下になるように、標準の焼成手順（標準は１５０℃、２００℃、３５０℃で各１分である）を修正する。無論、最高温度は、他の材料では異なる。次いで、ＨＯＳＰ膜を、単一の熱板で、１００℃〜２００℃の温度で１分間露出するが、好ましい温度は、１５０℃である。焼成プロセスによって、材料は溶融し再流動することができるので、平坦性が向上する。
【００５７】
【表１２】
2005502202.tif 000014
【００５８】
次いで、スピン洗浄プロセスを用いてＨＯＳＰ（商標）膜を、部分的に除去する（ステップ８）。溶媒混合物を、スピン洗浄プロセスに分注し、これは、窒素化物層の頂部から全てのＨＯＳＰポリマーを除去する（構造１３）（上記のスピン洗浄プロセスで説明した同じ手順を用いる）。スピン洗浄時間は、ＨＯＳＰ膜の頂部表面が最も狭い溝より下で基板表面の２０〜２００ｎｍとなるように、調節する。ＨＯＳＰ表面は、より広い溝では、より低い。
【００５９】
【表１３】
2005502202.tif 000015
【００６０】
次いで、膜を、熱板上で、３５０℃の温度で１分間焼成する（ステップ９）。次いで、膜を、酸素：窒素が２０％：８０％の雰囲気中、水平炉中で７００℃で１時間硬化する（ステップ１０）。硬化プロセス中に、ＨＯＳＰ膜の有機成分は、酸化して除去され、これはＦＴＩＲ分光計を用いて実証することができる。次いで、ＣＶＤ酸化物を、堆積する（ステップ１１）（構造１４の（５））。スピンオン・ポリマーを用いることによる向上した平坦性、およびスピン洗浄プロセスによる平坦化の恩恵で（標準的なＣＶＤだけのプロセスと比べて）、必要なＣＶＤ酸化物の厚さは、より薄くて済む。酸化物ＣＭＰプロセスの後に必要な平坦性を達成するのに、一般に、溝深さの２０〜９０％の酸化物の厚さで、十分である（ステップ１２）（構造１５）。
【００６１】
【表１４】
2005502202.tif 000016
【００６２】
【表１５】
2005502202.tif 000017
【００６３】
後続のステップにおいて、残りの酸化物および窒化物の層を、エッチングする（ステップ１３）（構造１６）。
【００６４】
【表１６】
2005502202.tif 000018
【００６５】
他の利点の中でも、企図されているプロセスを用いることによって、（１）比較的高価なＨＤＰ・ＣＶＤプロセスを省くことができ、（２）スピン洗浄プロセスの使用によって平坦性を大きく向上することができ、（３）酸化物の厚さを低減でき、それによってＰ、ＥＣＶＤのコストおよびＣＭＰに必要な時間を低減できることを認識すべきである。
【００６６】
（スピンエッチングプロセスおよび酸化物キャップを用いるＳＴＩプロセス）
この例のステップ１から６は、上記の例と同じである。ステップ７は、ＨＯＳＰ膜が全て標準的な焼成プロセス（１５０℃、２００℃、３５０℃で各１分）によって処理されることを除き、例３とほとんど同じである。次いで、ウェーハを硬化する（前の例のステップ１０）。硬化プロセスの後、スピンエッチングプロセスを用いる。スピンエッチングプロセスは、例２で説明した同じプロセスを用い、酸化物の堆積（ステップ１１）、ＣＭＰ（ステップ１２）、エッチング（ステップ１３）が続く。
【００６７】
したがって、浅溝分離構造を形成する方法は、表面を有する基板に、溝を形成し、第１の化合物を、スピンオン堆積を用いて溝の中に堆積する１つのステップを含むことが考えられる。他のステップにおいて、化合物の上部表面が、基板の表面の下方になるように、第１の化合物を、少なくとも部分的に溝から除去し、さらなるステップにおいて、第２の化合物を、基板表面上および第１の化合物の上部表面に、化学気相成長法で堆積する。企図されている方法の例示的なフロー図は、図２に示されている。
【００６８】
このように、電子デバイスおよびその形成の具体的な実施形態および用途を説明した。しかし、当業者であれば、本明細書の発明の概念から逸脱することなく、既に説明したもの以外に多くの修正が可能であることは明らかなはずである。したがって、本発明の主題は、付随する請求項の精神以外で制限されるものではない。さらに、明細書および請求項の解釈において、全ての用語は文脈に一致するように最も広い意味に解釈すべきである。特に、用語「備える」および「含む」は、要素、成分、またはステップを非制限的に指すものと解釈すべきであり、参照される要素、成分、またはステップが、存在し、または用いられ、または、明示的に参照されていない他の要素、成分、あるいはステップと組み合わせることができることを示唆するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１−Ａ】従来技術の電子デバイスの縦断面概略図である。
【図１−Ｂ】本発明の主題による電子デバイスの縦断面概略図である。
【図２】本発明の主題による電子デバイスを製造する例示的方法のフロー図である。
【図１−Ａ】
2005502202.tif 000019
【図１−Ｂ】
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【図２】
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【国際公開パンフレット】
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2005502202.tif 000023
2005502202.tif 000024
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2005502202.tif 000047
2005502202.tif 000048
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005502202.tif 000049
2005502202.tif 000050
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005502202.tif 000051
2005502202.tif 000052
【国際調査報告】
2005502202.tif 000053
2005502202.tif 000054
2005502202.tif 000055