(57)【要約】      （修正有）【課題】直接、対象物から試験片等を切り出すことなく、対象物に照射光を照射し、反射光を分析することで精度の高い分析結果を得ることができる測定装置等を提供すること。【解決手段】対象物１００を変形させることなく、対象物に照射した照射光の反射光を分光し、分光情報を生成する分光部２０と、分光情報に基づき計量化学的手法で解析し、当該対象物の状態情報を生成する状態情報生成処理部と、状態情報を表示する表示部と、を有し、計量化学的手法で処理する前処理として、分光情報にフィルタ処理を施すフィルタ処理部と、前処理として標準化処理を施す標準化処理部と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を変形させることなく、前記対象物に照射した照射光の反射光を分光し、分光情報を生成する分光部と、
前記分光情報に基づき計量化学的手法で解析し、当該対象物の状態情報を生成する状態情報生成処理部と、
前記状態情報を表示する表示部と、を有し、
前記計量化学的手法で処理する前に、その前処理として、前記分光情報にフィルタ処理を施すフィルタ処理部と、前記前処理として標準化処理を施す標準化処理部と、を有することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記計量化学的手法が、数学的手法や統計的手法を適用し，化学データから得られる化学情報量の最大化を目的とするケモメトリクス（Ｃｈｅｍｏｍｅｔｒｉｃｓ：化学計量学）であり、
前記フィルタ処理がハイパスフィルタによる処理であることを特徴とする請求項２に記載の測定装置。
【請求項３】
前記ケモメトリクスが、ＰＬＳ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｌｅｓｔ  Ｓｑｕａｒｅ）回帰分析法（部分最小二乗法）であることを特徴とする請求項２に記載の測定装置。
【請求項４】
対象物を変形させることなく、前記対象物に照射した照射光の反射光を分光し、分光情報を生成し、
この分光情報に基づき計量化学的手法で解析し、当該対象物の状態情報を生成し、
前記生成された前記対象物の状態情報を表示する測定装置の制御方法であって、
前記計量化学的手法で処理する前に、その前処理として、前記分光情報にフィルタ処理及び標準化処理を施すことと特徴とする測定装置の制御方法。
【請求項５】
対象物を変形させることなく、前記対象物に照射した照射光の反射光を受光する測定装置に、
前記対象物に照射した照射光の反射光に基づき、分光情報を生成する工程と、
前記分光情報にフィルタ処理及び標準化処理を施す工程と、
前記フィルタ処理及び前記標準化処理が施された前記分光情報を計量化学的手法で解析し、当該対象物の状態情報を生成する工程と、
前記生成された前記対象物の状態情報を表示部に表示する工程を、実行させるための測定装置の制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンクリート等の対象物の状態を測定するための測定装置、測定装置の制御方法及び測定装置の制御プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から対象物である例えば、コンクリート等の劣化状態を測定するための装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
このような測定装置は、対象物から直接、試験片を切り出して、その塩分濃度等を検出し、コンクリートの劣化状態を診断するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８―１４７７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来は、対象物であるコンクリート等から直接、試験片を切り出すため、コンクリートに損傷を与え、繰り返し測定することは困難であるという問題があった。
一方、試験片を切り出さずに、対象物に近赤外線等を照射し、その反射光を受光することで分析をする方法も考えられる。
しかし、受光した反射光を分析する際、ノイズ等の影響を受け、誤差等が発生し、結果的に測定結果の精度が低下するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、直接、対象物から試験片等を切り出すことなく、対象物に照射光を照射し、反射光を分析することで精度の高い分析結果を得ることができる測定装置、測定装置の制御方法及び測定装置の制御プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的は、本発明によれば、対象物を変形させることなく、前記対象物に照射した照射光の反射光を分光し、分光情報を生成する分光部と、前記分光情報に基づき計量化学的手法で解析し、当該対象物の状態情報を生成する状態情報生成処理部と、前記状態情報を表示する表示部と、を有し、前記計量化学的手法で処理する前に、その前処理として、前記分光情報にフィルタ処理を施すフィルタ処理部と、前記前処理として標準化処理を施す標準化処理部と、を有することを特徴とする測定装置により達成される。
【０００７】
前記構成によれば、コンクリート等の対象物を変形させることなく、照射光を照射し、その反射光に基づき生成した分光情報（例えば、分光データ等）を、フィルタ処理（例えば、ハイパスフィルタで処理）し、さらに、標準化処理した後、計量化学的手法（例えば、ケモメトリクス、ＰＬＳ回帰分析等）で解析することで、誤差が少ない，精度が高い分析を行うことができる。
このため、かかる解析で生成されたコンクリート等の対象物の劣化情報等の状態情報を精度良く生成（演算等）し、表示部に表示することができる。
このように、本構成では、直接、対象物から試験片等を切り出すことなく、対象物に照射光を照射し、反射光を分析することで精度の高い分析結果を得ることができる。
【０００８】
好ましくは、前記計量化学的手法が、数学的手法や統計的手法を適用し，化学データから得られる化学情報量の最大化を目的とするケモメトリクス（Ｃｈｅｍｏｍｅｔｒｉｃｓ：化学計量学）であり、前記フィルタ処理がハイパスフィルタによる処理であることを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、前記ケモメトリクスが、ＰＬＳ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｌｅｓｔ  Ｓｑｕａｒｅ）回帰分析法（部分最小二乗法）であることを特徴とする。
【００１０】
前記目的は、本発明によれば、対象物を変形させることなく、前記対象物に照射した照射光の反射光を分光し、分光情報を生成し、この分光情報に基づき計量化学的手法で解析し、当該対象物の状態情報を生成し、前記生成された前記対象物の状態情報を表示する測定装置の制御方法であって、前記計量化学的手法で処理する前に、その前処理として、前記分光情報にフィルタ処理及び標準化処理を施すことと特徴とする測定装置の制御方法により達成される。
【００１１】
前記目的は、本発明によれば、対象物を変形させることなく、前記対象物に照射した照射光の反射光を受光する測定装置に、前記対象物に照射した照射光の反射光に基づき、分光情報を生成する工程と、前記分光情報にフィルタ処理及び標準化処理を施す工程と、前記フィルタ処理及び前記標準化処理が施された前記分光情報を計量化学的手法で解析し、当該対象物の状態情報を生成する工程と、前記生成された前記対象物の状態情報を表示部に表示する工程を、実行させるための測定装置の制御プログラムにより達成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、直接、対象物から試験片等を切り出すことなく、対象物に照射光を照射し、反射光を分析することで精度の高い分析結果を得ることができる測定装置、測定装置の制御方法及び測定装置の制御プログラムを提供することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明にかかる測定装置が対象物である例えば、ポルトランドセメント等のコンクリートの状態情報である例えば、劣化情報を測定している状態を示す概略図である。
【図２】図１の測定装置が有する分光計の主な構成を示す概略説明図である。
【図３】図１の測定装置の主な構成を示す概略ブロック図である。
【図４】第１の各種情報記憶部の主な構成を示す概略ブロック図である。
【図５】第２の各種情報記憶部の主な構成を示す概略ブロック図である。
【図６】第３の各種情報記憶部の主な構成を示す概略ブロック図である。
【図７】本実施の形態にかかる測定装置の主な動作例を示す概略フローチャートである。
【図８】分光反射率曲線の一例を示す図である。
【図９】「分光反射率曲線」データに「ＨＰＦ処理」及び「標準化処理」を施した後のデータである「標準偏差処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線」情報を示す概略図である。
【図１０】「ＰＬＳ回帰係数」情報の一例を示す概略図である。
【図１１】「回帰係数乗算後の反射率スペクトル」情報の一例を示す概略図である。
【図１２】多項式の数である潜在変数とＲＭＳＥＰとの関係を示す概略図である。
【図１３】多項式の数である潜在変数と寄与率との関係を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の好適な実施の形態を添付図面等を参照しながら、詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００１５】
図１は、本発明にかかる測定装置１が対象物である例えば、ポルトランドセメント等のコンクリートの状態情報である例えば、劣化情報を測定している状態を示す概略図である。
図１の測定装置１は、建造物等で使用されているポルトランドセメント等のコンクリートが塩分や中性化の深度で劣化することから、この劣化情報を精度良く測定し、表示することができる装置となっている。
また、測定装置１は、後述するように、建造物等のポルトランドセメントの劣化情報を、建造物から試験片を取り出すことなく、測定可能な構成となっている。
【００１６】
図２は、図１の測定装置１が有する分光計１０の主な構成を示す概略説明図である。
図２に示すように、分光計１０は、近赤外線を含む照射光を照射するハロゲンランプ１１と、リレーレンズ１２、ミラー１３及び対物レンズ１４を有している。
このため、ハロゲンランプ１１から照射された近赤外線を含む照射光は、図２に示すようにリレーレンズ１２，ミラー１３及び対物レンズ１４を介して、ポルトランドセメント１００に照射される。
したがって、これらハロゲンランプ１１、リレーレンズ１２，ミラー１３及び対物レンズ１４が投光光軸１６上に配置される。
【００１７】
また、図２に示すように、分光計１０は、結像レンズ１７、受光ファイバ１９、集光器１８、分光部である例えば、分光板２０及び受光部である例えば、受光素子２１を有している。
したがって、図２のポルトランドセメント１００で反射した反射光は対物レンズ１４、ミラー１３、結像レンズ１７、受光ファイバ１９、集光器１８へと導かれる。
この集光器１８で反射光は平行光束とされ、分光板２０に入射される。分光板２０で反射された分光は、受光素子２１によって受光される。
したがって、これら結像レンズ１７、受光ファイバ１９、集光器１８等は受光光軸２２上に配置される。
【００１８】
このように受光素子２１で受光された分光に基づいて、図１の測定装置１は、後述のように解析等され、図２のポルトランドセメント１００の劣化情報を生成、表示する。
【００１９】
また、図１の測定装置１は、コンピュータを有し、コンピュータは、図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等を有し、これらは、バス等を介して接続されている。
【００２０】
図３は、図１の測定装置１の主な構成を示す概略ブロック図である。
図３に示すように、測定装置１は、「測定装置制御部３１」を有し、測定装置制御部３１は、図２に示す分光計１０、各種情報を表示する表示部である例えば、ディスプレイ３２及び各種情報を入力する入力装置３３を制御する。
【００２１】
また、測定装置制御部３１は、図３に示す「第１の各種情報記憶部４０」、「第２の各種情報記憶部５０」及び「第３の各種情報記憶部６０」も制御する。
図４乃至図６は、それぞれ「第１の各種情報記憶部４０」、「第２の各種情報記憶部５０」及び「第３の各種情報記憶部６０」の主な構成を示す概略ブロック図である。これらの各記憶部４０等の内容については後述する。
【００２２】
図７は、本実施の形態にかかる測定装置１の主な動作例を示す概略フローチャートである。
本実施の形態では、図１に示す建造物のポルトランドセメント１００の塩分や中性化の深度を測定し、その劣化情報を、測定装置１で測定する例で以下、説明する。
【００２３】
先ず、図７のステップ（以下「ＳＴ」とする。）１で、図２の分光計１０が近赤外線を含む照射光を測定対象物であるポルトランドセメント１００に照射し、反射光を分光器１８で分光し、分光情報である例えば、「分光データ」を生成し、図４の「分光データ記憶部４１」に記憶する。
【００２４】
次いで、ＳＴ２へ進む、ＳＴ２では、図４の「測定分光曲線生成処理部（プログラム）４２」が動作し、「分光データ記憶部４１」の分光データに基づき、波長毎の受光強度から「測定分光曲線」を生成し、図４の「測定分光曲線記憶部４３」に記憶する。
この測定分光曲線は、例えば、縦軸を「受光強度」、横軸を波長（ｎｍ）として示された曲線となる。
【００２５】
次いで、ＳＴ３へ進む。ＳＴ３では、図４の「分光反射率曲線生成処理部（プログラム）４４」が動作し、先ず、図４の「基準分光曲線情報記憶部４５」の「基準分光曲線」情報を参照する。
【００２６】
この基準分光曲線情報は、特定の測定距離に対応した基準分光曲線の変化の情報であり、本実施の形態の測定装置１は、対象物であるポルトランドセメント１００と近接した距離で、近赤外線を含む照射光を照射する構成となっているため、測定距離は極めて短く設定されている。
【００２７】
そして、同プログラム４４は、図４の「測定分光曲線記憶部４３」の測定分光曲線の情報を「基準分光曲線情報記憶部４５」の基準分光曲線情報に基づいて補正等し、「分光反射率曲線」を生成し，図５の「分光反射率曲線情報記憶部５１」に記憶させる。
【００２８】
図８は、分光反射率曲線の一例を示す図である。
図８に示すように、分光データである例えば、分光スペクトルにはノイズが含まれており、ベースラインの揺らぎに対応しないデータとなっている。
このため、この状態のデータに基づいて、後述するＰＬＳ回帰分析を行っても、対象物であるポルトランドセメント１００の劣化に関し、精度の高い情報を得ることは困難となる。
そこで、本実施の形態では、分光反射率曲線のデータに、以下の前処理を実施する。
【００２９】
具体的には、ＳＴ４の処理を行う。ＳＴ４では、図５のフィルタ処理部である例えば、「ハイパスフィルタ処理部（プログラム）５２」が動作し、フィルタ処理である例えば、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）係数情報が記憶されている図５の「ＨＰＦ係数記憶部５３」のＨＰＦ係数を取得する。
このハイパスフィルタ（ＨＰＦ）係数により、所定の高周波成分を除去できるため、データに含まれているノイズ等を除去することができる。
【００３０】
そして、同処理部（プログラム）５２は、図５の「分光反射率曲線情報記憶部５１」の分光反射率曲線情報をハイパスフィルタ処理（例えば、高周波成分を除去）し、ハイパスフィルタ処理済み分光反射率曲線情報として、図５の「ＨＰＦ処理済み分光反射率曲線情報記憶部５４」に記憶させる。
なお、フィルタは、ハイパスフィルタに限らず、他のフィルタであっても良い。
【００３１】
次いで、ＳＴ５へ進む。ＳＴ５では、ハイパスフィルタで高周波成分を除去した「分光反射率曲線」データに更に、標準化処理を行う。
具体的には、図５の標準化処理部である例えば、「標準化処理部（プログラム）５５」が動作し、図５の「ＨＰＦ処理済み分光反射率曲線情報記憶部５１」の「ハイパスフィルタ処理済み分光反射率曲線情報」を取得する。
そして、この「ハイパスフィルタ処理済み分光反射率曲線情報」に標準化処理、例えば、反射率を平均０、標準偏差１に標準化し、処理した「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線情報」を生成し、図５の「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線情報記憶部５６」に記憶させる。
【００３２】
図９は、「分光反射率曲線」データに「ＨＰＦ処理」及び「標準化処理」を施した後のデータである「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線」情報を示す概略図である。
図９に示すように、「分光反射率曲線」データに「ＨＰＦ処理」及び「標準化処理」を施すことにより、「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線」では、ノイズが除去されていると共に、ベースラインの揺らぎも上手く除去されていることが分かる。
【００３３】
次いで、この「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線」データを用いて、対象物であるポルトランドセメント１００が塩分や中性化で劣化しているか否かの分析を行う。
具体的には、計量化学的手法であり、多変量解析が体系化された「ケモメトリクス（Ｃｈｅｍｏｍｅｔｒｉｃｓ：化学計量学）」解析の１つである「ＰＬＳ回帰分析法（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｌｅａｓｔ  Ｓｑｕａｒｅｓ）（部分最小二乗法）」で分析が実行される。
【００３４】
ＰＬＳ回帰は、データをそのまま使わずに、スコア（潜在変数、成分とも呼ばれる、例えば、多項式の数等）を計算し、そのスコアへの回帰（連続尺度の従属変数（目的変数）と独立変数（説明変数）の間にモデルを当てはめること）を行う。
スコアを計算する際の重みは、スコアと従属変数の共分散が最も高くなるようにし、かつ、スコアが互いに無相関になるように逐次求めていく、そして得られたスコアの一部に対して最小二乗法で係数を推定していく手法である。
【００３５】
このように分析することで、対象物であるポルトランドセメント１００の劣化のデータがより明確となり、劣化の診断を容易にすることができる。
【００３６】
具体的には、以下の処理を行う。ＳＴ６では、図６の状態情報生成処理部である例えば、「劣化診断処理部（プログラム）６１」が動作し、図５の「劣化診断用ＰＬＳ回帰式記憶部５７」に記憶されている「劣化診断用ＰＬＳ回帰式」を用いて、図５の「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線情報記憶部５６」の「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線情報」を処理する。
【００３７】
例えば、ＰＬＳ回帰係数で「標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線情報」を乗算し、重み付けされた波長毎の「回帰係数乗算後の反射率スペクトル」を求める。
そして、「回帰係数乗算後の反射率スペクトル」を「回帰係数乗算後反射率スペクトル記憶部６２」に記憶させる。
すなわち、重み付けされた波長毎の「回帰係数乗算後の反射率スペクトル」情報が記憶される。
【００３８】
図１０は、「ＰＬＳ回帰係数」情報の一例を示す概略図であり、図１１は、「回帰係数乗算後の反射率スペクトル」情報の一例を示す概略図である。
図１１に示すように、特定の波長の反射率のスペクトル等が強調される。
【００３９】
次いで、ＳＴ７へ進む。ＳＴ７では、図６の「劣化指数判断処理部（プログラム）６４」が動作し、「回帰係数乗算後反射率スペクトル記憶部６２」の「回帰係数乗算後の反射率スペクトル」情報を取得する。
【００４０】
この「劣化指数判断処理部（プログラム）６４」では「回帰係数乗算後の反射率スペクトル」情報をすべて足し合わせる。この足し合わせた値が大きくなるほど、劣化が進んでいることになる。
【００４１】
そして、同処理部（プログラム）６４は、足し合わされた値に対応する、当該「劣化指数情報」を算出し、図６の「当該劣化指数情報記憶部６５」に記憶する。
【００４２】
次いで、ＳＴ８へ進む。ＳＴ８では、図６の「当該劣化指数情報記憶部６５」の劣化指数情報、例えば、「１」を測定装置１のディスプレイ３２に表示する。
このディスプレイ３２を視認した測定装置１の使用は、ディスプレイ３２に表示されている数値「１」を認識し、当該対象物であるポルトランドセメント１００の劣化の深度が深刻であること等を容易に把握することができる。
なお、この指数情報は、「劣化が深刻」等の文言であっても構わない。
【００４３】
このように、本実施の形態では、直接、対象物であるポルトランドセメント１００から試験片等を切り出すことなく、ポルトランドセメント１００に照射光を照射し、反射光を分析することで精度の高い分析結果を得ることができる。
【００４４】
以上のように、本実施の形態では、「分光反射率曲線」データに前処理として「ＨＰＦ処理」及び「標準化処理」を施した後のデータである「標準偏差処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線」情報に基づいてＰＬＳ回帰分析を行うことで精度の高い劣化情報を得ることができる。
【００４５】
以下、かかる前処理を施さない「生データ」場合、「ＨＰＦ処理」のみを施した場合、「標準化処理」のみを施した場合、そして「１階微分」のみを施した場合との比較で、本実施の形態の優位性を説明する。
【００４６】
先ず、試験片を準備する。すなわち、投入塩分量が異なる複数のコンクリート（例えば、ポルトランドセメント）の試験片を準備する。
例えば、投入塩分量が０ｋｇ、４ｋｇ、８ｋｇ、１２ｋｇ、１６ｋｇ、２０ｋｇの試験片である。
【００４７】
次いで、各試験片に分光計の照射光を照射し、反射照射光を受光し、上述のように「分光データ」を生成し、波長毎の受光強度から「測定分光曲線」を生成する。
そして「測定分光曲線」から「分光反射率曲線」を生成する。
【００４８】
すなわち、０ｋｇ〜２０ｋｇの試験片毎に複数の「分光反射率曲線」データが生成される。
これら「０ｋｇ〜２０ｋｇの試験片毎に生成した複数の「分光反射率曲線」データ」に、種類の異なる複数の前処理を施す。
【００４９】
前処理の具体的な種類は、「ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）処理」のみ、「標準化処理」のみ、「ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）及び標準化処理」、「１階微分処理」のみ及び「処理せず」である。
【００５０】
次いで、各種前処理を施した前処理済みデータ（処理せずも含む）に対して、ＰＬＳ回帰分析を行い、各種試験片の塩分量の真値（０ｋｇ〜２０ｋｇ）との比較を行うため、ＲＭＳＥＰ（Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ  Ｅｒｒｏｒ  ｏｆ  Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ）（予測の平均平方根誤差）を求めた。
【００５１】
図１２は、多項式の数である潜在変数とＲＭＳＥＰとの関係を示す概略図である。
ＲＭＳＥＰの値が低い程、真値（０ｋｇ〜２０ｋｇ）との誤差は小さいため、図１２に示すように、前処理として「ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）及び標準化処理」を施した方法が、最も真値との誤差が小さい処理方法であることが分かる。
【００５２】
また、上述の各種前処理を施した前処理済みデータに対して、ＰＬＳ回帰分析を行い、各種試験片の塩分量の真値（０ｋｇ〜２０ｋｇ）との比較を行うため、「寄与率（％）」を求めた。
【００５３】
図１３は、多項式の数である潜在変数と寄与率との関係を示す概略図である。
「寄与率（％）」が高い程、真値との誤差は小さいため、図１３に示すように、前処理として「ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）及び標準化処理」が最も真値との誤差が小さい処理方法であることが分かる。
【００５４】
なお、本発明は上述の実施の形態に限らない。
【符号の説明】
【００５５】
１・・・測定装置、１０・・・分光計、１１・・・ハロゲンランプ、１２・・・リレーレンズ、１３・・・ミラー、１４・・・対物レンズ、１６・・・投光光軸、１７・・・結像レンズ、１８・・・集光器、１９・・・受光ファイバ、２０・・・分光板、２１・・・受光素子、２２・・・受光光軸、３１・・・測定装置制御部、３２・・・ディスプレイ、３３・・・入力装置、４０・・・第１の各種情報記憶部、４１・・・分光データ記憶部、４２・・・測定分光曲線生成処理部（プログラム）、４３・・・測定分光曲線記憶部、４４・・・分光反射率曲線生成処理部（プログラム）、４５・・・基準分光曲線情報記憶部、５０・・・第２の各種情報記憶部、５１・・・分光反射率曲線情報記憶部、５２・・・「ハイパスフィルタ処理部（プログラム）、５３・・・ＨＰＦ係数記憶部、５４・・・ＨＰＦ処理済み分光反射率曲線情報記憶部、５５・・・標準化処理部（プログラム）、５６・・・標準化処理済みＨＰＦ処理分光反射率曲線情報記憶部、５７・・・劣化診断用ＰＬＳ回帰式記憶部、６０・・・第３の各種情報記憶部、６１・・・劣化診断処理部（プログラム）、６２・・・回帰係数乗算後反射率スペクトル記憶部、６４・・・劣化指数判断処理部（プログラム）、６５・・・当該劣化指数情報記憶部、１００・・ポルトランドセメント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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