(57)【要約】【課題】モールドの位置決めを精度よく行う上で有利な技術を提供する。【解決手段】パターンが形成されたモールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で当該インプリント材を硬化させることにより前記基板の目標領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント装置は、前記基板の面に沿った面方向における前記モールドと前記基板との位置合わせを行った後に、前記モールドおよび前記基板の少なくとも一方を前記モールドと前記インプリント材とを接触させるように駆動する制御部を含み、前記制御部は、前記接触させるように駆動する際に前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記面方向にシフトする量を示すシフト量に基づいて、前記面方向における位置合わせにおいて、前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記シフト量だけずれるように前記モールドと前記基板との相対位置を変更する。【選択図】図１
2018061061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたモールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で当該インプリント材を硬化させることにより前記基板の目標領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント装置であって、
前記基板の面に沿った面方向における前記モールドと前記基板との位置合わせを行った後に、前記モールドおよび前記基板の少なくとも一方を前記モールドと前記インプリント材とを接触させるように駆動する制御部を含み、
前記制御部は、前記接触させるように駆動する際に前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記面方向にシフトする量を示すシフト量に基づいて、前記面方向における位置合わせにおいて、前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記シフト量だけずれるように前記モールドと前記基板との相対位置を変更する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記接触させるように駆動する前後で前記モールドの位置が前記接触させるように駆動する動作に起因して変化する量を、前記シフト量として取得する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記面方向における、前記モールドのパターンと前記目標領域との相対位置を計測する計測部を更に含み、
前記面方向における位置合わせは、前記計測部の計測結果に基づいて行われる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記基板に転写された前記モールドのパターンが前記計測部における計測誤差に起因して前記目標領域に対してシフトする量を、第２シフト量として取得し、
前記面方向における位置合わせにおいて、前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記シフト量と前記第２シフト量との総量だけずれるように前記モールドと前記基板との相対位置を変更する、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基板に転写された前記モールドのパターンが前記計測部における計測誤差に起因して前記目標領域に対してシフトする量を、第２シフト量として取得し、
前記接触させるように駆動した後における前記計測部の計測結果に基づいて、前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記第２シフト量だけずれるように前記モールドと前記基板との相対位置を変更する、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記面方向における位置合わせにおいて前記計測部により計測された前記モールドのパターンと前記目標領域との相対位置と、前記基板上に転写された前記モールドのパターンと前記目標領域との相対位置との差を前記第２シフト量として取得する、ことを特徴とする請求項４又は５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板は、複数のショット領域を含み、
前記制御部は、前記シフト量を前記ショット領域ごとに取得する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記基板は、複数のショット領域を含み、
前記制御部は、前記第２シフト量を前記ショット領域ごとに取得する、ことを特徴とする請求項５又は６に記載のインプリント装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてモールドのパターンを前記基板に形成するステップと、
前記ステップでパターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１０】
パターンが形成されたモールドと基板との前記基板の面に沿った面方向における位置合わせを行った後に、前記モールドおよび前記基板の少なくとも一方を前記モールドと基板上のインプリント材とを接触させるように駆動し、前記モールドと前記インプリント材とを接触させた状態で当該インプリント材を硬化させることにより前記基板の目標領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント方法であって、
前記接触させるように駆動する際、前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記面方向にシフトする量を示すシフト量を取得する取得工程と、
前記面方向における位置合わせにおいて、前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記シフト量だけずれるように前記モールドと前記基板との相対位置を変更する変更工程と、を含む、ことを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モールドに形成されたパターンを基板に転写するインプリント技術が、半導体デバイスの製造に用いられるリソグラフィ技術の１つとして注目されている。このような技術を用いたインプリント装置では、パターンが形成されたモールドと基板上に供給されたインプリント材とを接触させ、その状態でインプリント材を硬化させる。そして、硬化したインプリント材からモールドを剥離することにより、基板にモールドのパターンを転写することができる。
【０００３】
インプリント装置では、モールドのパターンを基板に精度良く転写することが求められているため、基板の面に沿った面方向におけるモールドと基板との位置合わせを高精度に行うことが重要である。そこで、特許文献１には、モールドと基板上のインプリント材とが接触している状態で、面方向におけるモールドと基板との位置合わせを行う方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１６５３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
モールドと基板上のインプリント材とが接触している状態で、面方向におけるモールドと基板との位置合わせを行う場合では、モールドと基板との相対位置を変更しづらいため、当該位置合わせに相応の時間がかかってしまいうる。そのため、インプリント装置では、モールドと基板上のインプリント材とが接触していない状態で面方向におけるモールドと基板との位置合わせを行ってから、モールドと基板上のインプリント材とを接触させることが求められている。しかしながら、モールドと基板上のインプリント材とが接触していない状態で面方向における位置合わせを行うと、基板上に転写されたモールドのパターンが、基板上に転写されるべき目標位置からずれてしまうことがある。
【０００６】
そこで、本発明は、モールドの位置決めを精度よく行う上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、パターンが形成されたモールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で当該インプリント材を硬化させることにより前記基板の目標領域に前記モールドのパターンを転写するインプリント装置であって、前記基板の面に沿った面方向における前記モールドと前記基板との位置合わせを行った後に、前記モールドおよび前記基板の少なくとも一方を前記モールドと前記インプリント材とを接触させるように駆動する制御部を含み、前記制御部は、前記接触させるように駆動する際に前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記面方向にシフトする量を示すシフト量に基づいて、前記面方向における位置合わせにおいて、前記モールドのパターンが前記目標領域に対して前記シフト量だけずれるように前記モールドと前記基板との相対位置を変更する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、モールドの位置決めを精度よく行う上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示す図である。
【図２】補正部の構成を示す図である。
【図３】基板上のマークとモールド上のマークとを検出する計測部のスコープを示す図である。
【図４】第１実施形態のインプリント装置におけるインプリント処理を説明するための図である。
【図５】基板の周辺部に配置されたショット領域を示す図である。
【図６】補正マップを示す図である。
【図７】第１実施形態のインプリント処理における動作シーケンスを示すフローチャートである。
【図８】第２実施形態のインプリント処理における動作シーケンスを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について、図１を参照しながら説明する。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、パターンが形成されたモールド１１１を基板上のインプリント材（樹脂）に接触させた状態でインプリント材を硬化させる。そして、インプリント装置１００は、モールド１１１と基板１０１との間隔を広げ、硬化したインプリント材からモールド１１１を剥離することによって基板上にパターンを転写することができる。インプリント材を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と、光を用いる光硬化法とがある。第１実施形態のインプリント装置１００は、光硬化法を採用している。光硬化法とは、インプリント材として未硬化の紫外線硬化樹脂（以下、樹脂）を基板上に供給し、基板１０１とモールド１１１とを樹脂を介して接触させた状態で樹脂に紫外線を照射することにより当該樹脂を硬化させる方法である。紫外線の照射により樹脂が硬化した後、樹脂からモールド１１１を剥離することによって基板上にパターンを形成することができる。
【００１２】
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００を示す図である。インプリント装置１００は、基板１０１を保持する基板ステージ１０６と、モールド１１１を保持するモールド保持部１１３と、計測部１１４と、照射部１４２と、樹脂供給部１２１とを含む。また、インプリント装置１００は、ＣＰＵやメモリを含み、インプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）制御部１５０を含む。
【００１３】
基板１０１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが用いられる。基板１０１の上面（被処理面）には、後述する樹脂供給部１２１によって樹脂（紫外線硬化樹脂）が供給される。また、モールド１１１は、通常、石英など紫外線を通過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域１１１ａには、基板１０１に転写する凹凸のパターンが形成されている。
【００１４】
基板ステージ１０６は、例えば、微動ステージ１０２と粗動ステージ１０４とを含みうる。微動ステージ１０２は、例えば真空吸着力や静電力などによって基板１０１を保持し、微動アクチュエータ１０３によりＸ、Ｙ、Ｚ、ωＸ、ωＹおよびωＺ方向に移動可能に構成されている。また、粗動ステージ１０４は、微動ステージ１０２を微動アクチュエータ１０３を介して保持し、粗動アクチュエータ１０５によりＸ、ＹおよびωＺ方向に移動可能に構成されている。粗動ステージ１０４は、床面上に載置されたステージ定盤１０７によって粗動アクチュエータ１０５を介して支持されている。ここで、基板ステージ１０６は、構成を簡略化しつつ剛性を確保するために、微動ステージ１０２と粗動ステージ１０４とを統合した構成とし、移動方向をＸ、ＹおよびωＺのみとしてもよい。
【００１５】
モールド保持部１１３は、例えば真空吸着力や静電力などによりモールドを保持するモールドチャック１１３ａと、モールドチャック１１３ａをＺ、ωＸおよびωＹ方向に駆動するモールド駆動部１１３ｂとを含む。モールドチャック１１３ａおよびモールド駆動部１１３ｂは、それぞれの中心部（内側）に開口領域（不図示）を有しており、照射部１４２から射出された光がモールド１１１を介して基板１０１に照射されるように構成されている。また、モールド駆動部１１３ｂは、例えば、リニアモータやエアシリンダなどのアクチュエータを含み、モールド１１１と基板上の樹脂とを接触させたり剥離させたりするようにモールドチャック１１３ａ（モールド１１１）をＺ方向に駆動する。モールド駆動部１１３ｂは、モールド１１１と基板上の樹脂とを接触させたり剥離させたりする際に、モールドチャック１１３ａを高精度に駆動する必要があるため、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系によって構成されてもよい。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００では、基板１０１とモールド１１１との間の距離を変える動作はモールド駆動部１１３ｂで行われているが、基板ステージ１０６によって行われてもよいし、双方で相対的に行われてもよい。
【００１６】
モールド上の領域１１１ａには、製造誤差や熱変形などにより、例えば、倍率成分や台形成分などの成分を含む変形が生じている場合がある。そのため、モールド保持部１１３は、モールド１１１の側面における複数の箇所に力を加えてモールド１１１の変形を補正する補正部１１２を備えている。図２は、モールド１１１の変形を補正する補正部１１２の構成を示す図であり、モールド１１１を下（−Ｚ方向）から見たときの図である。補正部１１２は、複数のアクチュエータを含み、図２に示す例では、モールド１１１の各辺に４個ずつのアクチュエータが備えられている。そして、各アクチュエータがモールド１１１の側面から個別に力を加えることにより、モールド上の領域１１１ａの変形を補正することができる。補正部１１２のアクチュエータとしては、例えば、リニアモータやエアシリンダ、ピエゾアクチュエータなどが用いられる。
【００１７】
照射部１４２は、基板上の樹脂を硬化させるために、基板上の樹脂にモールド１１１を介して光（紫外線）を照射する。照射部１４２は、例えば、基板上の樹脂を硬化させる光（紫外線）を射出する光源１４１と、光源１４１から射出された光の光路を折り曲げるミラー１４３とを含む。また、照射部１４２は、光源１４１から射出された光をインプリント処理において適切な光に調整する複数の光学素子（不図示）とを含みうる。樹脂供給部１２１は、基板上に樹脂（未硬化樹脂）を供給（塗布）する。上述したように、第１実施形態では、紫外線の照射によって硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂が用いられているが、樹脂供給部１２１から基板上に供給される樹脂の種類は、半導体デバイスの製造工程における各種条件によって適宜選択されうる。また、樹脂供給部１２１の吐出ノズルから吐出される樹脂の量は、基板上の樹脂に転写されたパターンの厚さや密度などを考慮して適宜決定されうる。また、光源１４１から射出される光の波長は、樹脂の種類に応じて適宜決定されうる。
【００１８】
計測部１１４は、基板上に形成されたショット領域とパターンが形成されたモールド上の領域１１１ａとの相対位置を計測する。例えば、ショット領域とモールド上の領域１１１ａとには複数のアライメントマーク（以下、マーク）がそれぞれ設けられている。そして、計測部１１４は、複数のスコープを含み、各スコープがショット領域のマークとモールド上の領域１１１ａのマークとを検出する。これにより、計測部１１４は、各スコープにおいて検出されたショット領域のマークとモールド上の領域１１１ａのマークとの検出結果に基づいて、ショット領域とモールド上の領域１１１ａとの相対位置を計測することができる。
【００１９】
ここで、インプリント処理の際における、モールド１１１と基板１０１との位置合わせについて説明する。一般に、インプリント装置１００におけるモールド１１１と基板１０１との位置合わせとしては、グローバルアライメント方式とダイバイダイアライメント方式とがある。グローバルアライメント方式とは、代表的な幾つかのショット領域（サンプルショット領域）に形成されたマークの検出結果を処理して決定した全てのショット領域の位置に基づいてアライメントを行うアライメント方式である。これに対し、ダイバイダイアライメント方式とは、基板上のショット領域ごとに、ショット領域に形成されたマークとモールドに形成されたマークとを光学的に検出して、基板１０１とモールド１１１との相対位置のずれを補正するアライメント方式である。第１実施形態では、ダイバイダイアライメント方式によるモールド１１１と基板１０１との位置合わせ方法について説明する。
【００２０】
図３は、基板上のマーク３２１とモールド上のマーク３１１とを検出する計測部１１４のスコープ１１４ａを示す図である。図３に示すように、モールド１１１は、パターンとマーク３１１とが形成された領域１１１ａを含む。スコープ１１４ａは、例えば、光を射出する光源３３０と、プリズム３３１と、撮像素子３３２と、複数の光学素子とを含みうる。光源３３０から射出される光は、基板上に供給された樹脂を硬化する光（紫外線）の波長とは異なる波長を有する。また、スコープ１１４ａが傾いているのは、基板上に供給された樹脂を硬化させる光（紫外線）がモールド１１１の上方から照射されるため、その光（紫外線）の光路を確保するためである。スコープ１１４ａは、光源３３０から射出された光を、ハーフプリズムや偏光ビームスプリッタなどで構成されたプリズム３３１で反射させて、モールド上のマーク３１１と基板上のマーク３２１とに照射する。モールド１１１で反射された光と基板１０１で反射された光は、プリズム３３１を透過して撮像素子３３２に入射する。これにより、モールド上のマーク３１１の像と基板上のマーク３２１の像とを撮像素子３３２に結像することができる。例えば、モールド上のマーク３１１と基板上のマーク３２１とが、互いにピッチの異なる格子パターンで構成される場合には、撮像素子３３２にモアレ像を結像することができる。撮像素子３３２に結像されたモアレ像は、モールド上のマーク３１１と基板上のマーク３２１との相対位置の差を拡大して投影しているため、モールド上のマーク３１１と基板上のマーク３２１との相対位置を精度よく検出することができる。また、モールド上のマーク３１１と基板上のマーク３２１として、例えば、Ｂｏｘ  ｉｎ  Ｂｏｘのマークを用いてもよい。
【００２１】
このように構成された第１実施形態のインプリント装置１００におけるインプリント処理について、図４を参照しながら説明する。まず、制御部１５０は、モールド１１１のパターンを転写すべき基板上の目標領域（例えば、インプリント処理が行われるショット領域）が樹脂供給部１２１の下に配置されるように基板ステージ１０６を制御して、基板１０１を移動させる。目標領域が樹脂供給部１２１の下に配置されると、制御部１５０は、目標領域に樹脂１２２（未硬化樹脂）を供給するように樹脂供給部１２１を制御する。そして、制御部１５０は、目標領域に樹脂１２２が供給された後、パターンが形成されたモールド上の領域１１１ａの下に目標領域が配置されるように基板ステージ１０６を制御して、基板１０１を移動させる。このとき、モールド１１１と基板１０１との位置関係は、図４（ａ）に示す位置関係となる。
【００２２】
制御部１５０は、モールド上の領域１１１ａの下に目標領域が配置されると、計測部１１４によりモールド上のマークと目標領域とのマークとをそれぞれ検出させて、モールド上の領域１１１ａと目標領域との相対位置を計測する。そして、制御部１５０は、計測部１１４による計測結果に基づいて、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態で基板ステージ１０６やモールド保持部１１３を駆動し、モールド上の領域１１１ａと目標領域との位置合わせを行う。そして、制御部１５０は、モールド上の領域１１１ａと目標領域との位置合わせを行った後、モールド１１１が−Ｚ方向に移動するようにモールド保持部１１３を制御し、モールド１１１のパターンと基板上の樹脂１２２とを接触させる。このとき、モールド１１１と基板１０１との位置関係は、図４（ｂ）に示す位置関係となる。
【００２３】
制御部１５０は、モールド１１１のパターンと基板上の樹脂１２２とを接触させた状態で所定の時間を経過させる。これにより、基板上の樹脂１２２を、モールド１１１のパターンの隅々まで充填することができる。制御部１５０は、モールド１１１と基板上の樹脂１２２とが接触してから所定の時間が経過した後、基板上の樹脂１２２にモールド１１１を介して光（紫外線）を照射するように照射部１４２を制御する。そして、制御部１５０は、モールド１１１が＋Ｚ方向に移動するようにモールド保持部１１３を制御し、モールド１１１を基板上の樹脂１２２から剥離する。このとき、モールド１１１と基板１０１との位置関係は、図４（ｃ）に示す位置関係となる。これにより、モールド１１１のパターンを基板上の樹脂１２２に転写することができる。
【００２４】
このように、第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態でモールド１１１と基板１０１との位置合わせ（モールド１１１の位置決め）が行われる。しかしながら、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態でモールド１１１の位置決めを行うと、モールド１１１のパターンが、当該パターンを転写すべき基板上の目標領域（ショット領域）からずれて転写されてしまうことがある。そこで、第１実施形態のインプリント装置１００は、基板１０１に転写されたモールド１１１のパターンが基板上の目標領域に対してＸＹ方向（基板１０１の面に沿った面方向）にシフトする量を示すシフト量（補正値）を事前に取得する。モールド１１１と樹脂１２２とが接触していない状態で、モールド１１１と基板１０１との位置合わせを行った後に、モールド１１１を基板１０１に近づけて樹脂１２２に接触させる間に発生するシフト量を計測する。そして、インプリント装置１００は、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、計測部により計測されたモールド１１１のパターンを目標領域に対してシフト量だけずらしてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行う。これにより、モールド１１１のパターンが基板上の目標領域に対してずれて転写されることを抑制し、基板上の目標領域にモールド１１１のパターンを精度よく転写することができる。
【００２５】
モールド１１１のパターンが目標領域からずれて転写されてしまう原因としては、例えば、モールド１１１と基板上の樹脂と接触させる過程におけるモールドのシフトと、計測部１１４における計測誤差とが想定される。前者においては、例えば、図５に示すように、基板１０１の周辺部に配置されたショット領域６０１（モールドのパターンの一部を転写できるショット領域）にモールドのパターンを転写する際に顕著になる。例えば、ショット領域６０１にモールド１１１のパターンを転写する際には、ショット領域６０１の四隅に配置された複数のマーク６１１〜６１４のうち、マーク６１４は用いずに、マーク６１１〜６１３のみを用いて位置合わせが行われる。そして、このようなショット領域６０１においては、転写性能を向上させるため、モールド１１１を基板１０１に対してわずかに傾けた状態で基板上の樹脂に接触させることがある。このようにモールド１１１を基板１０１に対して傾けた状態では、モールド１１１と基板上の樹脂とを接触させる過程によってモールド１１１のパターンが目標領域（基板の周辺部のショット領域）に対してシフトしてしまいうる。そのため、第１実施形態のインプリント装置１００は、モールドを基板上の樹脂に接触させる過程においてモールドがシフトする量を示す第１シフト量を補正するための第１補正値を取得する。
【００２６】
後者においては、例えば、図３に示すように、計測部１１４のスコープ１１４ａは傾けて配置されるため、モールド上のマークと基板上のマークとの相対位置を検出する際に計測誤差（計測騙され）が生じてしまいうる。このように計測部１１４の計測誤差が生じている場合では、モールド１１１のパターンと基板上の目標領域とを計測部１１４を用いて精度よく位置合わせしたとしても、モールドのパターンが目標領域に対してずれて転写されてしまう。そのため、第１実施形態のインプリント装置１００は、計測部１１４の計測誤差に起因して生じる、基板１０１に転写されたモールド１１１のパターンが目標領域に対してシフトする量を示す第２シフト量を補正するための第２補正値を取得する。
【００２７】
第１実施形態のインプリント装置１００は、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、第１補正値と第２補正値とを用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行う。即ち、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において計測部１１４により計測されたモールド１１１のパターンが、目標領域に対して第１シフト量と第２シフト量との総量だけずれるようにモールド１１１と基板１０１との位置合わせが行われる。ここで、第１補正値および第２補正値は、基板上におけるショット領域ごとにそれぞれ取得されうる。以下では、複数のショット領域における第１補正値のマップを第１補正マップ、および複数のショット領域における第２補正値のマップを第２補正マップとする。第１実施形態のインプリント装置１００は、制御部１５０により第１補正マップと第２補正マップを選択し、取得した第１補正マップと第２補正マップから第１補正値と第２補正値とを、目標ショット領域の位置に応じてそれぞれ抽出する。そして、インプリント装置１００は、抽出した第１補正値と第２補正値とを用いて目標領域のインプリント処理を行う。これにより、目標領域にモールド１１１のパターンを精度よく転写することができる。また、第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、第１補正値と第２補正値との双方を用いてモールドと基板との位置合わせを行っているが、それに限られるものではない。例えば、第１補正値のみを用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行ってもよいし、第２補正値のみを用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行ってもよい。
【００２８】
ここで、第１補正マップと第２補正マップとの生成方法について説明する。まず、第１補正マップの生成方法について説明する。インプリント装置１００は、モールド１１１の垂直方向（Ｚ方向）への駆動の前後におけるモールド１１１の面方向（ＸＹ方向）における位置の変化を算出する。即ち、インプリント装置１００（制御部１５０）は、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態と接触している状態との双方において、モールド１１１のパターンとショット領域との相対位置を計測部１１４により計測させる。そして、インプリント装置１００は、モールド１１１と樹脂とが接触していない状態で計測部１１４により計測された相対位置と、モールド１１１と樹脂とが接触している状態で計測部１１４により計測された相対位置との差を算出する。このように算出された相対位置の差が当該ショット領域の第１シフト量となり、この第１シフト量が第１補正値として設定される。そして、第１補正値を設定する工程を複数のショット領域において繰り返すことにより、第１補正マップが生成される。第１補正マップは、基板１０１のロットごとに生成されうる。
【００２９】
次に、第２補正マップの生成方法について説明する。インプリント装置１００（制御部１５０）は、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触している状態においてモールド１１１のパターンとショット領域との相対位置を計測部１１４により計測させ、モールド１１１のパターンを基板１０１に転写する。そして、インプリント装置１００は、モールド１１１と樹脂とが接触している状態で計測部１１４により計測された相対位置と、基板１０１に転写されたモールド１１１のパターンとショット領域との相対位置との差を算出する。基板１０１に転写されたパターンとショット領域との相対位置は、インプリント装置１００に備えられた計測部１１４とは異なる検出部を用いて計測することができる。検出部としては、例えば、モールド１１１を通過せずに基板上のマークを検出することができるスコープ（オフアクシススコープ）が用いられうる。また、基板１０１に形成されたパターンとショット領域との相対位置は、インプリント装置１００の外部の重ね合わせ検査装置を用いて計測されてもよい。このように算出された相対位置の差が当該ショット領域の第２シフト量となり、この第２シフト量が第２補正値として設定される。そして、第２補正値を設定する工程を複数のショット領域において繰り返すことにより、第２補正マップが生成される。第２補正マップは、例えばダミー基板を用いて、上述した方法により生成されうるが、回路パターンやレジストの特性などからシミュレーションすることによって生成されてもよい。また、第２補正マップは、第１補正マップと同様に、基板１０１のロットごとに生成されうる。
【００３０】
ここで、補正マップ（第１補正マップや第２補正マップ）の一例を図６に示す。図６に示す補正マップは、基板上における複数のショット領域の各々における位置に応じて番号（Ｓｈｏｔ  Ｎｏ）が割り振られており、各ショット領域に対する補正量（第１補正量や第２補正量）が含まれるように生成されている。補正量は、例えば以下に示す成分ごとの補正量を含みうる。
・ＸＹ方向のシフト成分の補正量（Ｓｈｉｆｔ＿Ｘ，Ｓｈｉｆｔ＿Ｙ）
・ＸＹ方向の回転成分の補正量（Ｒｏｔ＿Ｘ，Ｒｏｔ＿Ｙ）
・ＸＹ方向の倍率成分の補正量（Ｍａｇ＿Ｘ，Ｍａｇ＿Ｙ）
・ＸＹ方向の台形成分の補正量（Ｔｒａｐ＿Ｘ，Ｔｒａｐ＿Ｙ）
また、第１実施形態のインプリント装置１００では、第１補正マップおよび第２補正マップは、制御部１５０によって生成されているが、それに限られるものではなく、例えば、インプリント装置１００の外部のコンピュータなどによって生成されてもよい。
【００３１】
以下に、第１実施形態のインプリント装置１００において、モールド１１１のパターンを基板上のショット領域（目標領域）に転写するインプリント処理について、図７を参照しながら説明する。図７は、モールド１１１のパターンを基板上の目標領域に転写するインプリント処理における動作シーケンスを示すフローチャートである。
【００３２】
Ｓ７０１では、制御部１５０は、基板１０１のロットごとに生成された複数の第１補正マップおよび複数の第２補正マップの中から、インプリント処理を行う基板１０１のロットに応じた第１補正マップおよび第２補正マップを選択する。Ｓ７０２では、制御部１５０は、この後の工程においてモールド１１１と基板１０１との相対位置を計測することを容易にするため、基板１０１の位置とモールド１１１の位置とを装置座標を基準としてそれぞれ個別に計測する。具体的には、制御部１５０は、計測部１１４を用いて基板上における複数のマークを検出して、基板上における各ショット領域の位置を計測するとともに、モールド上における複数のマークを検出してモールド１１１の位置を計測する。このように、各ショット領域の位置とモールド１１１の位置とを装置座標を基準としてそれぞれ個別に計測することにより、モールド１１１と基板１０１との相対位置の計測を高精度に行うことができる。
【００３３】
Ｓ７０３では、制御部１５０は、ショット領域が樹脂供給部１２１の下に配置されるように基板ステージ１０６を制御して、基板１０１を移動させる。Ｓ７０４では、制御部１５０は、ショット領域に樹脂（未硬化樹脂）を供給するように樹脂供給部１２１を制御する。Ｓ７０５では、制御部１５０は、樹脂が供給されたショット領域がモールド１１１のパターンの下に配置されるように基板ステージ１０６を制御して、基板１０１を移動させる。
【００３４】
Ｓ７０６では、制御部１５０は、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、モールド１１１のパターンとショット領域との相対位置を計測部１１４に計測させる。これにより、モールド１１１のパターンとショット領域との相対位置を、例えば、ＸＹ方向のシフト成分、回転成分、倍率成分および台形成分について取得することができる。Ｓ７０７では、制御部１５０は、Ｓ７０１において取得した第１補正マップおよび第２補正マップの中から、インプリント処理を行うショット領域に応じた第１補正量および第２補正量をそれぞれ抽出する。そして、制御部１５０は、計測部１１４により計測されたモールド１１１のパターンがショット領域に対して第１シフト量と第２シフト量の総量だけずれるように、第１補正量と第２補正量とを用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行う。モールド１１１と基板１０１との位置合わせは、例えば、基板ステージ１０６を駆動させて基板１０１を移動および回転させたり、モールド保持部１１３を駆動させてモールド１１１を移動および回転させたりすることによって行われる。このとき、補正部１１２によってモールド１１１の側面に力を加えて、モールド上の領域１１１ａを変形させてもよい。これにより、モールド１１１のパターンを基板１０１に転写した際において、基板１０１に転写されたモールド１１１のパターンとショット領域との相対位置を許容範囲に収めることができる。
【００３５】
Ｓ７０８では、制御部１５０は、面方向（ＸＹ方向）と直交する垂直方向（Ｚ方向）にモールド１１１を駆動して基板上の樹脂とが接触するようにモールド保持部１１３を制御する。Ｓ７０９では、制御部１５０は、モールド１１１を接触させた樹脂に対して紫外線を照射するように照射部１４２を制御し、当該樹脂を硬化させる。Ｓ７１０では、制御部１５０は、モールド１１１を基板上の樹脂から剥離する（離型する）ようにモールド保持部１１３を制御する。Ｓ７１１では、制御部１５０は、引き続きモールド１１１のパターンを転写するショット領域（次のショット領域）が基板上にあるか否かの判定を行う。次のショット領域がある場合はＳ７０３に進み、次のショット領域がない場合は、１枚の基板におけるインプリント処理を終了する。
【００３６】
上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、モールド１１１と基板１０１との位置合わせが行われる。このとき、インプリント装置１００は、計測部１１４により計測されたモールド１１１のパターンが目標領域（ショット領域）に対して第１シフト量と第２シフト量の総量だけずれるように、第１補正値と第２補正とを用いてモールド１１１の位置決めを行う。これにより、インプリント装置１００は、モールド１１１のパターンを目標領域に高精度に転写することができる。また、インプリント装置１００は、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態においてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行うことができるため、スループットの向上も図れる。
【００３７】
ここで、第１実施形態では、基板上に形成されたショット領域にモールド１１１のパターンを転写する場合について説明したが、これに限られるものではない。例えば、ショット領域が形成されていない基板にモールドのパターンを転写する場合にも本発明を適用することができる。この場合、目標領域は、基板上に形成されたショット領域ではなく、例えば、装置座標を基準として管理されうる。また、第１実施形態では、ダイバイダイアライメント方式を採用してモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行う場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、グローバルアライメント方式を採用してモールドと基板との位置合わせを行う場合にも本発明を適用することができる
【００３８】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態のインプリント装置について説明する。第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、第１補正値と第２補正値とを用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせが行われた。一方で、第２実施形態のインプリント装置では、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、第１補正値のみを用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせが行われる。そして、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触している状態において、第２補正値を用いてモールド１１１と基板との位置合わせが行われる。ここで、第２実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置と装置構成が同じであるため、ここでは装置構成についての説明を省略する。
【００３９】
以下に、第２実施形態のインプリント装置において、モールド１１１のパターンを基板上のショット領域（目標領域）に転写するインプリント処理について、図８を参照しながら説明する。図８は、モールド１１１のパターンを基板上のショット領域に転写するインプリント処理における動作シーケンスを示すフローチャートである。
【００４０】
図８におけるＳ８０１〜Ｓ８０６は、図６におけるＳ７０１〜Ｓ７０６と同じであるため、ここでは説明を省略する。Ｓ８０７では、制御部１５０は、Ｓ８０１において取得した第１補正マップの中から、インプリント処理を行うショット領域に応じた第１補正値を抽出する。そして、制御部１５０は、計測部１１４により計測されたモールド１１１のパターンがショット領域に対して第１シフト量だけずれるように、第１補正値を用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行う。Ｓ８０８では、制御部１５０は、面方向（ＸＹ方向）と直交する垂直方向（Ｚ方向）にモールド１１１を駆動してモールド１１１と基板上の樹脂とが接触するようにモールド保持部１１３を制御する。Ｓ８０９では、制御部１５０は、Ｓ８０１において取得した第２補正マップの中から、インプリント処理を行うショット領域に応じた第２補正値を抽出する。そして、制御部１５０は、計測部１１４により計測されたモールド１１１のパターンがショット領域に対して第２シフト量だけずれるように、第２補正値を用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせを行う。これにより、モールド１１１のパターンを基板１０１に転写した際において、基板１０１に転写されたモールド１１１のパターンとショット領域との相対位置を許容範囲に収めることができる。Ｓ８１０では、制御部１５０は、モールド１１１を接触させた樹脂に対して紫外線を照射するように照射部１４２を制御し、当該樹脂を硬化させる。Ｓ８１１では、制御部１５０は、モールド１１１と基板１０１との距離を長くしてモールド１１１を基板上の樹脂から剥離する（離型する）ようにモールド保持部１１３を制御する。Ｓ８１２では、制御部１５０は、引き続きモールド１１１のパターンを転写するショット領域（次のショット領域）が基板上にあるか否かの判定を行う。次のショット領域がある場合にはＳ８０３に進み、次のショット領域がない場合には、１枚の基板におけるインプリント処理を終了する。
【００４１】
上述したように、第２実施形態のインプリント装置では、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触していない状態において、第１補正値を用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせが行われる。そして、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触している状態において、第２補正値を用いてモールド１１１と基板１０１との位置合わせが行われる。これにより、第２実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置１００と同様に、モールド１１１のパターンを目標領域に高精度に転写することができる。また、第２実施形態のインプリント装置は、モールド１１１と基板上の樹脂とが接触している状態においては第２シフト量を補正するだけでよい。そのため、モールド１１１と樹脂とが接触している状態おいてモールド１１１と基板１０１との相対位置を変更する量を低減することができ、スループットの向上が図れる。
【００４２】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１００：インプリント装置、１０１：基板、１０６：基板ステージ、１１１：モールド、１１３：モールド保持部、１１４：計測部、１２１：樹脂供給部、１４２：照射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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