(57)【要約】本発明は、共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を備えたフィルタ装置に関する。前記共振器ユニットは、第１電極（3）及び第２電極（5）並びに前記第１電極（3）と第２電極（5）との間のテクスチャリングされた圧電層を有する。
2005500778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を備えたフィルタ装置であって、前記共振器ユニットが、第１電極及び第２電極並びに前記第１電極と第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を有する、フィルタ装置。
【請求項２】
前記圧電層が単結晶層であることを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
一方の電極の材料がテクスチャリングされることを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項４】
前記反射素子が、交互に高い及び低い音響インピーダンスを持つ複数の層を有することを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項５】
高い音響インピーダンスを持つ層が、Ta2O5、Si3N4、TiO2、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、Al2O3、SiC、V2O5、Nb2O5、ZrO2、La2O3、WOx  (0＜x≦3)、MoOx  (0＜x≦3)、ZrC、WC、MoC、ThO2、CeO2、Nd2O3、Pr2O3、Sm2O3、Gd2O3、ReOx  (0＜x≦3.5)、RuO2、IrO2、Y2O3、Sc2O3、LiGeO2、Bi12GeO20、GeO2、MgO、イットリウム・アルミニウム・ガーネット、イットリウム・鉄・ガーネット、LiGaO2、HfO2、AlN及びCを有するグループから選択される材料を有することを特徴とする、請求項４に記載のフィルタ装置。
【請求項６】
低い音響インピーダンスを持つ層が、SiO2、エーロゲル、及びGaAsを有するグループから選択された材料を有することを特徴とする、請求項４に記載のフィルタ装置。
【請求項７】
前記反射素子が、それぞれ少なくとも２つの材料の混合物である複数の層を有し、各層内の前記混合物の組成が、前記層の厚さに対して連続的に及び周期的に変化することを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項８】
共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を持つフィルタ装置を備えた携帯無線装置であって、前記共振器ユニットが、第１電極及び第２電極並びに前記第１電極と第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を有する、携帯無線装置。
【請求項９】
共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を持つフィルタ装置を備えた送信器であって、前記共振器ユニットが、第１電極及び第２電極並びに前記第１電極と第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を有する、送信器。
【請求項１０】
共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を持つフィルタ装置を備えた受信器であって、前記共振器ユニットが、第１電極及び第２電極並びに前記第１電極と第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を有する、受信器。
【請求項１１】
共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を持つフィルタ装置を備えた無線データ伝送システムであって、前記共振器ユニットが、第１電極及び第２電極並びに前記第１電極と第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を有する、無線データ伝送システム。
【請求項１２】
共振器ユニットと反射素子とを有するバルク音響波共振器であって、前記共振器ユニットが、第１電極及び第２電極並びに前記第１電極と第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を有する、バルク音響波共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を備えたフィルタ装置に関し、前記共振器ユニットは、第１及び第２電極並びに前記第１電極と前記第２電極との間の圧電層を有する。更に、本発明は、フィルタ装置及びバルク音響波共振器を備えた無線データ伝送システム、送信器、受信器、及び携帯無線装置にも関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯無線機の分野における非常に速い発展及びコードレス電話の絶えず続く小型化は、個々の構成要素に関して、より厳しい条件を引き出す。他のシステムからのおそらく干渉する信号の数の増加から受信器を守るためには、高周波部分における高度な選択性が必要である。これは、例えば、制限された周波数帯のみ通ることを可能にし、この範囲の上及び下の全ての周波数を抑制するバンドパスフィルタにより達成される。
【０００３】
このようなフィルタは、例えば、バルク音響波共振器から成るバルク音響波（ＢＡＷ）フィルタであり得る。バルク音響波共振器は、原理的に３つの構成要素から成る。第１構成要素は、前記音響波を生成し、圧電層を有する。前記圧電層の上及び下に付着された２つの電極は、第２構成要素に相当する。第３構成要素、即ち反射素子は、前記圧電層により生成される振動から基板を音響的に絶縁するタスクを持つ。
【０００４】
このようなバルク音響波共振器は、国際出願WO 98/16957から既知である。前記圧電層は、例えば、ZnO又はAlNのようなセラミック材料から成る。
【０００５】
バルク音響波共振器から成るバルク音響波フィルタに対する最大帯域幅を達成するためには、特に高い電気機械結合係数kを持つ圧電性材料が必要とされる。これは、電気機械結合係数kが、バルク音響波共振器の共振周波数と反共振周波数との間の間隔を決定するからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の目的は、圧電層が高い電気機械結合係数kを示す向上されたバルク音響波共振器を持つフィルタ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を備えたフィルタ装置であって、前記共振器ユニットは、第１及び第２電極並びに前記第１電極と第２電極との間のテクスチャリングされた（textured）圧電層を有するフィルタ装置により達成される。
【０００８】
前記圧電層のテクスチャリングは、多結晶圧電層と比較して電気機械結合係数kにおける著しい増加を達成する。前記増加された電気機械結合係数kのため、前記バルク音響波共振器の共振周波数と反共振周波数との間の間隔は、拡大され、よって前記フィルタ装置の帯域幅は広げられる。
【０００９】
前記圧電層が単結晶層であることは好ましい。
【００１０】
単結晶層は、前記圧電層の絶対的に理想的なテクスチャリングを提供する。
【００１１】
また、一方の電極の材料がテクスチャリングされていることも好ましい。
【００１２】
テクスチャリングされた電極における圧電層の作成は、前記圧電層の材料のテクスチャリングされた付着を可能にする。
【００１３】
前記反射素子が、交互に高い及び低い音響インピーダンスを持つ複数の層を有することは有利である。
【００１４】
このような反射素子は、作成するのが単純且つ安い。
【００１５】
高い音響インピーダンスを持つ層が、Ta2O5、Si3N4、TiO2、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、Al2O3、SiC、V2O5、Nb2O5、ZrO2、La2O3、WOx  (0＜x≦3)、MoOx  (0＜x≦3)、ZrC、WC、MoC、ThO2、CeO2、Nd2O3、Pr2O3、Sm2O3、Gd2O3、ReOx  (0＜x≦3.5)、RuO2、IrO2、Y2O3、Sc2O3、LiGeO2、Bi12GeO20、GeO2、MgO、イットリウム・アルミニウム・ガーネット、イットリウム・鉄・ガーネット、LiGaO2、HfO2、AlN及びCを有するグループから選択される材料を有することは、特に有利である。
【００１６】
また、低い音響インピーダンス持つ層が、SiO2、エーロゲル、GaAsを有するグループから選択された材料を有することも、特に有利である。
【００１７】
前記有利な材料が前記反射素子において使用される場合、インピーダンスにおける可能な最大の差を持つ材料の組み合わせが、作成され得る。加えて、前記材料は、λ/4の余分な厚さの層を使用する必要がない穏やかな音速を示す。
【００１８】
前記反射素子が、それぞれ少なくとも２つの材料の混合物である複数の層を有し、各層内の前記混合物の組成が、層の厚さに対して連続的に及び周期的に変化することも、好ましいかもしれない。
【００１９】
このような反射素子の場合に、各層における層の性質は、矩形波関数に従ってではなく、むしろ連続的に、例えば正弦波状に変化する。この態様において、前記フィルタ装置の通過帯域において高い反射を示し、よって前記フィルタ装置から前記フィルタ装置が位置する基板を効果的に分断する反射素子が作成され得る。前記フィルタ装置の前記通過帯域の外側において、前記反射素子は、高い音響波伝達を示し得る。この態様において、前記通過帯域の外側において、前記フィルタ装置は、前記基板と音響的に結合され、前記通過帯域の外側のより高い調波周波数を効果的に抑制する。
【００２０】
本発明は、加えて、共振器ユニットと反射素子とを有する少なくとも１つのバルク音響波共振器を持つフィルタ装置を備えた送信器、受信器、携帯無線装置及び無線データ伝送システムに関し、前記共振器ユニットは、第１及び第２電極並びに前記第１電極と前記第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を持つ。本発明は、また、バルク音響波共振器に関し、前記バルク音響波共振器は、共振器ユニット及び反射素子を有し、前記共振器ユニットは、第１及び第２電極並びに前記第１電極と前記第２電極との間のテクスチャリングされた圧電層を持つ。
【００２１】
本発明は、１つの図と１０の実施例を参照して以後詳細に記述されるであろうが、しかしながら、本発明はこれらに制限されない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１によると、バルク音響波フィルタ装置は、例えば、セラミック材料、ガラスの平坦化層を持つセラミック材料、ガラスセラミック材料、ガラス材料、例えばシリコン、GaAs、InP、SiC若しくはGaNのような半導体材料、又はサファイアから成る基板1を有する。もし半導体材料が基板1として使用されるならば、例えば、SiO2即ちガラスの保護層が付着されることもできる。反射素子2は、基板1上に配置される。反射素子2は、好ましくは、交互に高い及び低い音響インピーダンスを持つ複数の層7、8、9を有する。層7、8、9の厚さは、それぞれの場合に共振波長λの４分の１になる。反射素子2の層の総数は、好ましくは３と１２との間である。
【００２３】
高い音響インピーダンスを持つ層に対して、好ましくは、Ta2O5、Si3N4、TiO2、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、Al2O3、SiC、V2O5、Nb2O5、ZrO2、La2O3、WOx  (0＜x≦3)、MoOx  (0＜x≦3)、ZrC、WC、MoC、ThO2、CeO2、Nd2O3、Pr2O3、Sm2O3、Gd2O3、ReOx  (0＜x≦3.5)、RuO2、IrO2、Y2O3、Sc2O3、LiGeO2、Bi12GeO20、GeO2、MgO、イットリウム・アルミニウム・ガーネット、イットリウム・鉄・ガーネット、LiGaO2、HfO2、AlN及びCを有するグループから選択される材料が使用される。低い音響インピーダンスを持つ層に対して、材料は、好ましくは、SiO2、エーロゲル及びGaAsを有するグループから選択される。反射素子2が、Ta2O5及びSiO2又はSi3N4及びSiO2の交互の層を有することは好ましい。
【００２４】
代わりに、反射素子2は、低い音響インピーダンスを示す音響反射材料を用いる単一層のみから成ってもよい。この音響反射材料は、エーロゲル、キセロゲル、発泡ガラス、泡状接着剤、泡又は低密度プラスチック材料であり得る。
【００２５】
反射素子2が、それぞれ少なくとも２つの材料の混合物である複数の層7、8、9を有することも可能であり、各層7、8、9内の、好ましくはアモルファスである前記混合物の組成は、この場合、前記層の厚さに対して連続的に及び周期的に変化する。この場合、反射素子2の各層7、8、9が、SiO2及びTa2O5又はSiO2及びSi3N4の混合物を有することは好ましい。この実施例において、前記混合物の前記組成は、層7、8、9における前記層の厚さに対して周期的に、例えば正弦波状に変化する。
【００２６】
共振器ユニットは、反射素子2に付着され、前記共振器ユニットは、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する。電極3及び5は、好ましくは、低い吸音性を持つ適切な導通材料から成る。
【００２７】
圧電層4のための材料として、例えば、La、Mn、Fe、Sb、Sr、Niのドーパント又はこれらのドーパントの組み合わせを含む及び含まないAlN、ZnO、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Sc1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Zn1/3Nb2/3)1-x-y(Mn1/2Nb1/2)xTiyO3  (0≦x≦1  0≦y≦1)、Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3、Sr3TaGa3Si2O14、K(Sr1-xBax)2Nb5O15  (0≦x≦1)、Na(Sr1-xBax)2Nb5O15  (0≦x≦1)、BaTiO3、(K1-xNax)2NbO3 (0≦x≦1)、KTaO3、(Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3、(Bi,Na)TiO3、Bi7Ti4NbO21、(K1-xNax)NbO3-(Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3  (0≦x≦1)、a(BixNa1-x)TiO3-b(KNbO3-c)1/2(Bi2O3-Sc2O3)  (0≦x≦1,  a+b+c=1)、(BaaSrbCac)TixZr1-xO3  (0≦x≦1,  a+b+c=1)、(BaaSrbLac)Bi4Ti4O15  (a+b+c=1)、Bi4Ti3O12、LiNbO3、La3Ga5.5Nb0.5O14、La3Ga5SiO14、La3Ga5.5Ta0.5O14、及びPbZrxTi1-xO3  (0≦x≦1)を使用することが可能である。
【００２８】
高い電気機械結合係数kを達成するためには、圧電層4における材料は、テクスチャリングと共に付着される。テクスチャリングされた圧電層4において、前記圧電性材料の結晶は、外部サンプルの幾何学的形状に関して好ましい結晶子の配向を示し、互いにランダムな結晶学的配向を示すようには配列されない。圧電層4における前記材料が柱状成長を適用されることは好ましい。
【００２９】
テクスチャリングされた圧電層4は、例えばゾル・ゲル法、スパッタリング、ＣＶＤ（化学蒸着）法又は転写法（printing processes）のような薄膜法により達成されることができる。圧電層4は、また、前記圧電性材料の既に焼結され、機械加工された層の結合又は付着により第１電極3に付着され得る。
【００３０】
更に他の選択肢は、いわゆる“テンプレート粒成長（Templated Grain Growth）”（ＴＧＧ）法である。この方法において、多結晶層は、単結晶テンプレートに付着される。前記多結晶層は、高温に熱することによりテクスチャリングされた／単結晶層に転換される。
【００３１】
圧電層4のテクスチャは、例えばレーザアニーリングのような更に他の処理により単結晶にまで改良させることができる。
【００３２】
圧電層4の前記材料の成長、結晶化及び配向を改良するために、例えば0≦x≦1であるPbZrxTi1-xO3又はPbTiO3の核生成層は、第１電極3に付着され得る。
【００３３】
圧電層4をテクスチャリングされた第１電極3上に沈着させることにより、圧電層4のテクスチャに影響を与えることが可能である。
【００３４】
AlN又はZnOが、圧電層4における前記圧電性材料として使用される場合、テクスチャリングされた電極3及び5に適した材料は、好ましくは、原子の面心立方又は六方最密構造を示し、表面が原子の六角形構造と共に（１１１）配向を示す金属を含む。面心立方充填及び（１１１）配向を持つテクスチャリングされた電極3及び5に対する可能な材料の例は、Pt、Al、Al:Si、Al:Cu、Ti、Ni、Cu、Rh、Pd、Ag、Ir、Au、Ce及びYbである。六方最密充填及び（１１１）配向を持つテクスチャリングされた電極3及び5に対する可能な材料の例は、Ti、Co、Zn、Y、Zr、Tc、Ru、Hf、Re、Os、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びLuである。代わりに、様々な金属から成る層システムも適切な材料である。よって、テクスチャリングされた電極3及び5は、例えばTi/Pt、Ti/Al、Ti/Al:Si及びTi/Al:Cuを有してもよい。面心立方充填及び（１１１）配向を示す金属の合金の使用も可能である。面心立方充填及び（１１１）配向を示す金属と一緒に、例えば、体心立方充填を示し、表面が、自発的に又は外部原子の吸着により六角対称に変形する金属又は非金属から成る合金も使用され得る。１つのこのような可能な合金は、Pt0.68Ni0.32である。
【００３５】
（０００１）ピークのロッキングカーブのＦＷＨＭ（半値全幅）により決定されるテクスチャリングされた圧電層4のｃ軸配向は、AlN又はZnOに対して好ましくは３°より小さくなる。
【００３６】
La、Mn、Fe、Sb、Sr、Niのドーパント又はこれらのドーパントの組み合わせを含む及び含まないPb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Sc1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Zn1/3Nb2/3)1-x-y(Mn1/2Nb1/2)xTiyO3  (0≦x≦1,  0≦y≦1)、Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3、Sr3TaGa3Si2O14、K(Sr1-xBax)2Nb5O1   (0≦x≦1)、Na(Sr1-xBax)2Nb5O15  (0≦x≦1)、BaTiO3、(K1-xNax)2NbO3  (0≦x≦1)、KTaO3、(Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3、(Bi,Na)TiO3、Bi7Ti4NbO21、(K1-xNax)NbO3-(Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3  (0≦x≦1)、a(BixNa1-x)TiO3-b(KNbO3-c)1/2(Bi2O3-Sc2O3)  (0≦x≦1,  a+b+c=1)、(BaaSrbCac)TixZr1-xO3  (0≦x≦1,  a+b+c=1)、(BaaSrbLac)Bi4Ti4O1 (a+b+c=1)、Bi4Ti3O12、LiNbO3、La3Ga5.5Nb0.5O14、La3Ga5SiO14、La3Ga5.5Ta0.5O14、及びPbZrxTi1-xO3  (0≦x≦1)を使用する場合、圧電層4のテクスチャが、テクスチャリングされた第１電極3上への圧電層4の沈着により影響を与えられることも可能である。代わりに、これらの圧電性材料を用いて、反射素子2と第１電極3との間に付着されるテクスチャリングされた障壁層によって圧電層4のテクスチャに影響を与えることも可能である。
【００３７】
よって、例えば、熱的に前処理されていない（１１１）配向を持つPtの第１電極3を使用することにより（１１１）配向を持つ圧電層4を成長させることが可能である。熱的に前処理されている（１１１）配向を持つPtの第１電極3を使用することにより、（１００）配向および（１１１）配向を持つ、又は（１００）配向のみを持つ圧電層4を成長させることが可能である。
【００３８】
（１００）配向を持つMgOの障壁層を使用することにより、第１電極3として第１（１００）配向Ptを成長させることが可能である。この態様において、上に列挙された圧電性材料は、テクスチャリングされた第１電極3上のテクスチャリングされた層として成長され得る。
【００３９】
有機若しくは無機材料又はこれらの材料の組み合わせの保護層は、該フィルタ装置全体にわたり付着されてもよい。前記有機材料は、例えばポリベンゾシクロブテン又はポリイミドを有してもよく、前記無機材料は、例えば、Si3N4、SiO2又はSixOyNz  (0≦x≦1,0≦y≦1,  0≦z≦1)を有してもよい。代わりに、SiO2の薄層が、該フィルタ装置の１つ以上のバルク音響波共振器に、前記バルク音響波共振器の特有のディチューニングのために付着され得る。SiO2の前記薄層が、バルク音響波共振器の第２電極5のみに付着されることは、好ましいかもしれない。SiO2の前記薄層の層の厚さは、好ましくは１０ないし１００ｎｍになる。
【００４０】
本発明によるフィルタ装置は、例えば、無線データ伝送システム、携帯無線装置、送信器又は受信器における信号フィルタリングのために使用されることができる。
【００４１】
実施の可能な例を表す本発明の実施例は、以下に説明される。
【実施例１】
【００４２】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、SiO2の保護層を持つシリコンの基板1を有する。SiO2とSi3N4との交互の７つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。（１００）配向及び（１１１）配向を持つPbZr0.35Ti0.65O3の層は、圧電層4として各第１電極3に付着される。TiW/Alの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例２】
【００４３】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、ガラスの基板1を有する。SiO2及びTa2O5の交互の７つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。（１００）配向及び（１１１）配向を持つPbZr0.35Ti0.65O3の層は、各第１電極3に付着される。Ptの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例３】
【００４４】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、SiO2の保護層を持つシリコンの基板1を有する。SiO2及びTa2O5の交互の７つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。PbZr0.35Ti0.65O3の薄い核生成層は、各第１電極3に付着される。（００１）配向を持つKbNO3の層は、各核生成層において圧電層4として成長される。TiW/Alの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例４】
【００４５】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、ガラスの基板1を有する。多孔質SiO2の層を有する反射素子2は、基板1に付着される。反射素子2上において、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。（００１）配向及び（１１１）配向を持つPb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3の層は、各第1電極3において圧電層4として成長される。Ptの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例５】
【００４６】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、SiO2の保護層を持つシリコンの基板1を有する。SiO2及びTa2O5の交互の７つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、（１００）配向を持つMgOの障壁層が付着される。前記障壁層上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１００）配向に成長される。（００１）配向を持つPb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3の層は、圧電層4として各第1電極3に付着される。Ptの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例６】
【００４７】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、ガラスの基板1を有する。７つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。層7、8、9の各々は、材料としてSiO2とTa2O5とを有し、各層7、8、9内で前記材料の組成は、周期を構成する層の厚さdによって、純粋なSiO2から純粋なTa2O5まで及び純粋なSiO2に戻るように正弦波状に変化する。各層7、8及び9の層の厚さdは、４６６ｎｍになる。反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。PbZr0.35Ti0.65O3の薄い核生成層は、各第１電極に付着される。（００１）配向を持つPb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3の層は、各核生成層において圧電層4として成長される。Ptの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例７】
【００４８】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、SiO2の保護層を持つシリコンの基板1を有する。SiO2及びTa2O5の交互の７つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。（０００１）配向を持つAlNのテクスチャリングされた層は、圧電層4として各第１電極3に付着される。Alの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例８】
【００４９】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、SiO2の保護層を持つシリコンの基板1を有する。SiO2及びSi3N4の交互の７つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。（０００１）配向を持つAlNのテクスチャリングされた層は、圧電層4として各第１電極3に付着される。Alの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例９】
【００５０】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、SiO2の保護層を持つシリコンの基板1を有する。SiO2及びTa2O5の交互の９つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、（１１１）配向を持つTi/Al:Cuを有する。（０００１）配向を持つAlNのテクスチャリングされた層が、圧電層4として各第１電極3に付着される。Alの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【実施例１０】
【００５１】
バルク音響波共振器のフィルタ装置は、SiO2の保護層を持つシリコンの基板1を有する。SiO2及びTa2O5の交互の９つの層を有する反射素子2は、基板1に付着される。基板1上の第１層7は、SiO2を有する。SiO2を有する反射素子2の最上層9の上に、それぞれ第１電極3と、圧電層4と、第２電極5とを有する個々のバルク音響波共振器が配置される。第１電極3は、Ti/Ptを有し、第１電極3のPtを含む層は、（１１１）配向に成長される。（０００１）配向を持つZnOのテクスチャリングされた層は、圧電層4として各第１電極3に付着される。Alの第２電極5は、各圧電層4上に配置される。SiO2の薄層は、各バルク音響波共振器の第２電極5上に配置される。前記個々のバルク音響波共振器は、フィルタ装置が携帯無線装置の高周波部分における信号フィルタリングのために達成されるような態様において基板1に電気的に接続される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】バルク音響波共振器のフィルタ装置の構成の断面の表現である。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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