(57)【要約】【課題】電極にすじ状のパターンが存在する場合でも高精度に電極の接合状態を検査できる技術の提供。【解決手段】接合状態検査装置は、異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得部と、前記電極に形成されているすじ状のパターンを取得するパターン取得部と、前記パターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、前記パターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理を前記撮像画像に対して行う画像処理部と、前記画像処理が行われた前記撮像画像における圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査部と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得部と、
前記電極に形成されているすじ状のパターンを取得するパターン取得部と、
前記パターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、前記パターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理を前記撮像画像に対して行う画像処理部と、
前記画像処理が行われた前記撮像画像における圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査部と、
を備える接合状態検査装置。
【請求項２】
前記画像処理は、前記パターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を強調する処理である、
請求項１に記載の接合状態検査装置。
【請求項３】
前記画像処理は、前記パターンの方向に直交する方向の濃淡変化を抑制する処理である、
請求項１に記載の接合状態検査装置。
【請求項４】
前記パターン取得部は、
前記電極に前記パターンが形成されているか否かを判定し、
前記画像処理部は、
前記電極に前記パターンが形成されていないと判定された場合に、前記画像処理を行わない、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の接合状態検査装置。
【請求項５】
異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得工程と、
前記電極に形成されているすじ状のパターンを取得するパターン取得工程と、
前記パターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、前記パターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理を前記撮像画像に対して行う画像処理部と、
前記画像処理が行われた前記撮像画像における圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査工程と、
を含む接合状態検査方法。
【請求項６】
異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得機能と、
前記電極に形成されているすじ状のパターンを取得するパターン取得機能と、
前記パターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、前記パターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理を前記撮像画像に対して行う画像処理機能と、
前記画像処理が行われた前記撮像画像における圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査機能と、
をコンピュータに実現させる接合状態検査プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電粒子が分散した異方性導電フィルムによって圧着される電極の接合状態を検査する接合状態検査装置、接合状態検査方法および接合状態検査プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
透明基板の電極に形成された圧痕を検出するにあたり、クリーニング装置によって透明基板をクリーニングする技術が開示されている（特許文献１、参照）。クリーニング装置が透明基板をクリーニングする方法としては、気体を吹きかけてごみを排除する方法や、逆にごみを吸引する方法、ブラシによりごみを払いのける方法などが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２０４０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ポリシリコン電極においては、すじ状のパターンが電極表面に形成され、このすじ状のパターンがノイズとなって圧痕を高精度に検出できないという問題があった。ポリシリコン電極においては、パルスレーザービームを電極に照射することにより、電極を多結晶化する手法である溶融結晶化法（レーザーアニール法）が採用されている場合がある。溶融結晶化法によって多結晶化された電極においては、結晶粒界が方向性を持つすじ状のパターンとなって表れ、このすじ状のパターンが原因で圧痕を誤検出するという問題があった。当然、このすじ状のパターンは、特許文献１のクリーニング装置で除去することはできない。
【０００５】
本発明は、前記の問題を解決せんとするもので、電極にすじ状のパターンが存在する場合でも高精度に電極の接合状態を検査できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するため、本発明の接合状態検査装置は、異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得部と、電極に形成されているすじ状のパターンを取得するパターン取得部と、すじ状のパターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、すじ状のパターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理を撮像画像に対して行う画像処理部と、画像処理が行われた撮像画像における圧痕の検出結果に基づいて電極の接合状態を検査する検査部と、を備える。
【０００７】
前記の構成において、電極に形成されているすじ状のパターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、パターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理が行われる。すなわち、すじ状のパターンに起因する濃淡変化はパターンの方向（すじの方向）に直交する方向に表れることに注目し、当該すじ状のパターンに起因しない濃淡変化を相対的に強調する画像処理が行われる。その結果、すじ状のパターンの画像と比較して、圧痕の画像を強調することができ、当該圧痕を高精度に検出できる。従って、圧痕の検出結果に基づいて電極の接合状態を高精度に検査できる。
【０００８】
また、画像処理は、すじ状のパターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を強調する処理であってもよい。すなわち、すじ状のパターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、画像処理前の状態よりも強調することにより、当該すじ状のパターンに起因しない濃淡成分を相対的に強調することができる。濃淡変化を方向別に強調する画像処理は、指向性を有するフィルタによるフィルタ処理であってもよい。また、濃淡変化を方向別に強調する画像処理は、濃淡変化を強調する方向に関して周波数変換し、その周波数成分を強調した後に、再び濃淡変化に逆変換することであってもよい。
【０００９】
反対に、画像処理は、すじ状のパターンの方向に直交する方向の濃淡変化を抑制する処理であってもよい。すなわち、すじ状のパターンの方向に直交する方向の濃淡変化を、画像処理前の状態よりも抑制することにより、当該すじ状のパターンに起因しない濃淡成分を相対的に強調することができる。濃淡変化を方向別に抑制する画像処理は、指向性を有するフィルタによるフィルタ処理であってもよい。また、濃淡変化を方向別に抑制する画像処理は、濃淡変化を抑制する方向に関して周波数変換し、その周波数成分を抑制した後に、再び濃淡変化に逆変換することであってもよい。
【００１０】
また、パターン取得部は、電極にすじ状パターンが形成されているか否かを判定し、画像処理部は、電極にすじ状パターンが形成されていないと判定された場合に、画像処理を行わないようにしてもよい。これにより、不必要な画像処理を行うことを防止できるとともに、当該画像処理による撮像画像の劣化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】接合状態検査装置のブロック図である。
【図２】図２Ａは撮像部の斜視図、図２Ｂは基板の断面模式図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｄは撮像画像の模式図である。
【図４】図４Ａ，図４Ｂは画像処理の説明図である。
【図５】接合状態検査処理のフローチャートである。
【図６】第２実施形態の接合状態検査処理のフローチャートである。
【図７】図７Ａ，図７Ｂは第２実施形態における画像処理の説明図である。
【図８】第３実施形態の接合状態検査処理のフローチャートである。
【図９】図９Ａ〜図９Ｃは空間周波数のグラフである。
【図１０】第４実施形態の接合状態検査処理のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）接合状態検査装置の構成：
（２）接合状態検査処理：
（３）第２実施形態：
（４）第３実施形態：
（５）第４実施形態：
（６）他の実施形態：
【００１３】
（１）接合状態検査装置の構成：
図１は、本実施形態にかかる接合状態検査装置１０の概略構成を示すブロック図である。同図において、接合状態検査装置１０は、制御部２０と記録媒体３０と表示装置４０と入力装置５０と撮像部６０とを備えている。
【００１４】
撮像部６０は、照明６１と微分干渉顕微鏡６２とＸ−Ｙステージ６３とＣＣＤセンサ６４とを備えている。図２Ａは、撮像部６０の斜視図である。Ｘ−Ｙステージ６３は、基板Ｂが載置されるステージであり、制御部２０の制御の下で基板Ｂを当該基板Ｂの面方向に移動させる。Ｘ軸とＹ軸は、Ｘ−Ｙステージ６３が移動する方向の軸であり、基板Ｂと平行な平面上において互いに直交する座標軸である。
【００１５】
基板Ｂは、液晶ディスプレイのガラス基板に半導体部品を接合した基板である。半導体部品は、例えば液晶ディスプレイの液晶素子を駆動するための駆動信号を生成する液晶ドライバ回路等である。
【００１６】
照明６１はリングライトである。微分干渉顕微鏡６２は、視野Ｖ内の近傍の位置にて反射した偏光同士を干渉させる光学系を有している。微分干渉顕微鏡６２は、近傍の位置にて反射した偏光同士を干渉させることにより、当該偏光の位相差に応じて明度が変化する画像である微分干渉像をＣＣＤセンサ６４に結像する。視野Ｖ内の近傍の位置にて反射した偏光の位相差は、当該偏光の光路長の差に対応するため、微分干渉像は偏光が反射した位置の高さの差を鮮明に示す画像となる。つまり、微分干渉像は、基板Ｂ上に存在する光の反射体の段差や傾きを鮮明に示す画像となる。ＣＣＤセンサ６４は、微分干渉顕微鏡６２が結像した微分干渉像（視野Ｖ内）を撮像するイメージセンサである。
【００１７】
図１に示す制御部２０は、図示しないＣＰＵやＲＯＭやＲＡＭで構成されるコンピュータであり、記録媒体３０に記録された各種情報を用いて接合状態の検査に必要な処理を実行する。図１に示すように、制御部２０は、接合状態検査プログラム２１を実行する。
【００１８】
記録媒体３０は、撮像画像３０ａと電極テンプレート画像３０ｂと判定エリア情報３０ｃとを記録する。撮像画像３０ａは、ＣＣＤセンサ６４が撮像した画像であり、微分干渉像である。電極テンプレート画像３０ｂは、接合状態を検査する対象の電極のテンプレート画像である。テンプレート画像は、撮像画像３０ａにてパターンマッチングを行うことにより、撮像画像３０ａ内から電極の像を検出するために使用する画像である。テンプレート画像は、実際に電極を微分干渉顕微鏡６２にて撮像することにより得られた微分干渉像であってもよいし、電極の設計情報に基づいて描画された画像であってもよい。判定エリア情報３０ｃは、検査の対象とする基板Ｂ上の領域である判定エリアを規定した情報である。制御部２０は、判定エリアが視野Ｖ内となるようにＸ−Ｙステージ６３を制御する。
【００１９】
図２Ｂは、基板Ｂの構成を説明する断面模式図である。基板Ｂは、液晶ディスプレイのガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとを備える。ガラス基板Ｂ１は複数の電極Ｐを備える。電極Ｐをグレーで示している。電極Ｐは、低温ポリシリコンを成膜した後にエキシマレーザーによる溶融結晶化法（レーザーアニール法）により多結晶化したものである（http://www.jaist.ac.jp/ms/labs/handoutai/horita-lab/L-MBE/gaiyou.html）。溶融結晶化法を行うことにより、例えば５５０ｎｍ周期のすじ状のパターンが形成されることとなる。
【００２０】
ガラス基板Ｂ１は電子部品ＵよりもＺ軸方向の上方に位置し、ガラス基板Ｂ１の電極Ｐが下方に向いている。電子部品Ｕはガラス基板Ｂ１よりもＺ軸方向の下方に位置し、電子部品Ｕの電極Ｉが上方に向いている。Ｚ軸方向において、ガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとの間に異方性導電フィルムＦが挟み込まれている。異方性導電フィルムＦにおいては、熱硬化バインダー中に導電粒子Ｅがほぼ均等に分散している。
【００２１】
加熱しながらガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとの間にＺ軸方向の圧力を加えると、導電粒子Ｅを介して電極Ｐと電極Ｉとが電気的に接続した状態で異方性導電フィルムＦが硬化する。
【００２２】
図２Ｂでは、電極Ｐと電極Ｉとが異方性導電フィルムＦによって圧着された状態を示している。導電粒子Ｅは、電極Ｐよりも硬く、ガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとを圧着する際に電極Ｐに導電粒子Ｅの圧痕が形成される。例えば、導電粒子Ｅの直径が５μｍ程度であり、直径が２〜４μｍ程度の圧痕が形成される。
【００２３】
表示装置４０は、制御部２０の制御の下で各種画像を表示するディスプレイである。入力装置５０は、ユーザの操作を受け付ける装置であり、マウスやキーボードやタッチパネル等であってもよい。
【００２４】
次に、接合状態検査プログラム２１のソフトウェア構成について説明する。接合状態検査プログラム２１は、撮像画像取得モジュール２１ａとパターン取得モジュール２１ｂと画像処理モジュール２１ｃと検査モジュール２１ｄとを含む。撮像画像取得モジュール２１ａとパターン取得モジュール２１ｂと画像処理モジュール２１ｃと検査モジュール２１ｄとを実行する制御部２０は、本発明の撮像画像取得部とパターン取得部と画像処理部と検査部とを構成する。
【００２５】
撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、異方性導電フィルムＦによって圧着された電極Ｐを撮像した撮像画像３０ａを取得する。図３Ａ〜図３Ｄは、撮像画像３０ａの模式図である。電極Ｐを濃淡変化があるグレーの矩形で示し、電極Ｐが存在しない領域を黒で示している。また、圧痕を円形のグラデーションで示している。撮像画像３０ａは、各画素が明度の階調値を示す画像データである。明度が大きいことは濃度が小さいことを意味し、明度が小さいことは濃度が大きいことを意味する。
【００２６】
ガラス基板Ｂ１はほぼ透明であるため、照明光は電極Ｐに到達する。なお、電極Ｐは、照明６１の光を反射する反射体となる。電極Ｐが存在しない領域では、電子部品Ｕにて照明光が透過するか吸光される。
【００２７】
撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて電極テンプレート画像３０ｂとのパターンマッチングを行う。電極テンプレート画像３０ｂは、電極Ｐについて予め用意されている。パターンマッチングの具体的手法として、公知の手法を採用すればよい。パターンマッチングを行うことにより、制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて電極Ｐが存在する領域を検出できる。
【００２８】
パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、電極Ｐに形成されているすじ状のパターンを取得する。具体的に、パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、電極Ｐが存在する領域にＹ方向とＸ方向のエッジ強調フィルタによるフィルタ処理を行うことにより、それぞれの方向に関してエッジを強調する。図４Ａの左端にＹ方向のエッジ強調フィルタＦEYを示し、図４Ｂの左端にＸ方向のエッジ強調フィルタＦEXを示している。エッジ強調フィルタＦEY，ＦEXは、Ｓｏｂｅｌフィルタである。制御部２０は、撮像画像３０ａにおける３×３画素の階調値とエッジ強調フィルタＦEY，ＦEXとの畳み込み演算を行うことより、当該３×３画素の中央の画素のフィルタ処理後の階調値を算出する。フィルタ処理後の階調値は、近傍画素間の明度の差を示し、Ｘ方向またはＹ方向における単位長さあたりの明度の変化量が大きい画素ほど絶対値が大きくなる。
【００２９】
制御部２０は、電極Ｐが存在する領域内のすべての画素についてフィルタ処理後の階調値を算出する。そして、制御部２０は、電極Ｐが存在する領域内の画素のフィルタ処理後の階調値に基づいてエッジ量を算出する。エッジ量は、単位面積あたりの濃淡変化（階調値のばらつき）が大きいほど大きくなる指標値であればよく、例えば階調値の絶対値や二乗値の合計値であってもよいし、階調値の絶対値や二乗値の平均値であってもよい。
【００３０】
図３Ａのように、電極ＰにＸ方向のすじ状のパターンが存在する場合、図４Ａの左端に示すＹ方向のエッジ強調フィルタＦEYを適用した場合のエッジ量が大きくなる。図３Ｂのように、電極ＰにＹ方向のすじ状のパターンが存在する場合、図４Ｂの左端に示すＸ方向のエッジ強調フィルタＦEXを適用した場合のエッジ量が大きくなる。なお、エッジ強調フィルタＦEY，ＦEXは、Ｓｏｂｅｌフィルタでなくてもよく、Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタ等のエッジ強調フィルタであってもよい。
【００３１】
パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、電極Ｐにすじ状パターンが形成されているか否かを判定する。具体的に、パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、エッジ強調フィルタＦEY，ＦEXを用いて算出したエッジ量が閾値以上である場合に、電極Ｐにすじ状パターンが形成されていると判定する。Ｙ方向のエッジ強調フィルタＦEYを用いて算出したエッジ量が閾値以上である場合、制御部２０は、Ｘ方向のすじ状のパターンが形成されていると判定する。Ｘ方向のエッジ強調フィルタＦEXを用いて算出したエッジ量が閾値以上である場合、制御部２０は、Ｙ方向のすじ状のパターンが形成されていると判定する。
【００３２】
画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、すじ状のパターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、すじ状のパターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理を撮像画像３０ａに対して行う。画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｘ方向のすじ状のパターンの方向が形成されている場合と、Ｙ方向のすじ状のパターンの方向が形成されている場合のそれぞれにおいて後述する画像処理を行う。
【００３３】
ここで、図３Ａのように、Ｘ方向のすじ状のパターンの方向が形成されていれば、すじ状のパターンの方向に直交しない方向にはＸ方向が含まれ、すじ状のパターンの方向に直交する方向はＹ方向となる。一方、図３Ｂのように、Ｙ方向のすじ状のパターンの方向が形成されていれば、すじ状のパターンの方向に直交しない方向にはＹ方向が含まれ、すじ状のパターンの方向に直交する方向はＸ方向となる。
【００３４】
本実施形態において、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０が行う画像処理は、すじ状のパターンの方向に直交する方向の濃淡変化を抑制する処理である。図４Ａのように、Ｙ方向のエッジ強調フィルタＦEYを用いて算出したエッジ量が閾値以上である場合、すなわち図３ＡのようにＸ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、制御部２０は、Ｙ方向の濃淡変化を抑制する平滑化フィルタＦNY（図４Ａの中央）を用いたフィルタ処理を行う。さらに、制御部２０は、Ｙ方向とＸ方向の双方において濃淡変化を抑制する平滑化フィルタＦNXY（図４Ａの右端）を用いたフィルタ処理を行う。図３Ｃは、図３Ａの撮像画像３０ａに対して平滑化フィルタＦNY，ＦNXYによるフィルタ処理を行った撮像画像３０ａを示す。図３Ａと比較して図３Ｃの方がＹ方向における濃淡変化、すなわちＸ方向のすじ状のパターンが抑制されている。
【００３５】
一方、図４Ｂのように、Ｘ方向のエッジ強調フィルタＦEXを用いて算出したエッジ量が閾値以上である場合、すなわち図３ＢのようにＹ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、制御部２０は、Ｘ方向の濃淡変化を抑制する平滑化フィルタＦNX（図４Ｂの中央）を用いたフィルタ処理を行う。さらに、制御部２０は、Ｙ方向とＸ方向の双方において濃淡変化を抑制する無指向の平滑化フィルタＦNXY（図４Ｂの右端）を用いたフィルタ処理を行う。図３Ｄは、図３Ｂの撮像画像３０ａに対して平滑化フィルタＦNX，ＦNXYによるフィルタ処理を行った撮像画像３０ａを示す。図３Ｂと比較して図３Ｄの方がＸ方向における濃淡変化、すなわちＹ方向のすじ状のパターンが抑制されている。
【００３６】
なお、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、電極Ｐにすじ状パターンが形成されていないと判定された場合に、画像処理を行わない。すなわち、電極Ｐにすじ状パターンが形成されていない場合に、平滑化フィルタＦNY,ＦNXによるフィルタ処理を行うことなく撮像画像３０ａにて圧痕を検出する処理へと進む。
【００３７】
検査モジュール２１ｄの機能により制御部２０は、画像処理が行われた撮像画像３０ａにおける圧痕の検出結果に基づいて電極の接合状態を検査する。まず、検査モジュール２１ｄの機能により制御部２０は、撮像画像３０ａのうち電極Ｐが存在する領域内にて圧痕を検出する。圧痕は、上側に凸形状であり、任意の方向（例えばＸ方向）において上り勾配と下り勾配とが連続する形状である。そのため、微分干渉像において圧痕が存在する部分は、周辺よりも明るくなる明部と、周辺よりも暗くなる暗部とが隣接した画像となる。制御部２０は、明部と暗部の形状が予め設定された圧痕形状に合致する場合に、当該明部と暗部とが存在する部分を圧痕として検出してもよい。圧痕形状は、圧痕を実際に微分干渉顕微鏡６２で撮像した画像に基づいて設定されてもよいし、導電粒子Ｅの半径等に基づいて設定されてもよい。次に、検査モジュール２１ｄの機能により制御部２０は、電極Ｐにおいて検出された圧痕の個数が閾値以上である場合に、電極Ｐの接合状態が正常であると判定する。
【００３８】
以上説明した本実施形態の構成において、電極Ｐに形成されているすじ状のパターンの方向に直交しない方向の濃淡変化を、パターンの方向に直交する方向の濃淡変化に対して相対的に大きくする画像処理が行われる。すなわち、すじ状のパターンに起因する濃淡変化はパターンの方向（すじの方向）に直交する方向に表れることに注目し、当該すじ状のパターンに起因しない濃淡成分を相対的に強調する画像処理が行われる。その結果、すじ状のパターンの画像と比較して、圧痕の画像を強調することができ、当該圧痕を高精度に検出できる。画像処理前の図３Ａ，図３Ｂと比較して画像処理後の図３Ｃ，図３Ｄの方がすじ状のパターンの濃淡変化が抑制され、相対的に圧痕の画像が強調されている。従って、圧痕の検出結果に基づいて電極Ｐの接合状態を高精度に検査できる。
【００３９】
また、電極Ｐにすじ状パターンが形成されていないと判定された場合に、制御部２０は、画像処理を行わないこととしている。これにより、不必要な画像処理を行うことを防止できるとともに、当該画像処理による撮像画像の劣化を防止できる。
【００４０】
（２）接合状態検査処理：
図５は、接合状態検査処理のフローチャートである。まず、検査モジュール２１ｄの機能により制御部２０は、判定エリアを撮像できる位置にＸ−Ｙステージ６３を移動させる（ステップＳ１００）。すなわち、制御部２０は、判定エリア情報３０ｃに規定された判定エリアが視野Ｖ内に入るようにＸ−Ｙステージ６３を移動させる。次に、撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、微分干渉顕微鏡６２とＣＣＤセンサ６４とによって撮像画像３０ａを撮像する（ステップＳ１１０）。次に、撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、微分干渉顕微鏡６２から撮像画像３０ａを取得する（ステップＳ１２０）。
【００４１】
次に、撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、電極Ｐを検出する（ステップＳ１３０）。具体的に、撮像画像３０ａにおいて、予め用意された電極テンプレート画像３０ｂとのパターンマッチングを行うことにより電極Ｐを検出する。
【００４２】
次に、パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、エッジ強調フィルタＦEY，ＦEXによりＸ，Ｙ方向のエッジ量を算出する（ステップＳ１４０）。次に、エッジ量が閾値以上となるエッジ強調フィルタＦEY，ＦEXの方向がどの方向であるかを判定する（ステップＳ１５０）。具体的に、パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、図４Ａの左端に示すＹ方向のエッジ強調フィルタＦEYを用いてフィルタ処理を行った電極Ｐの画像のエッジ量と、図４Ｂの左端に示すＸ方向のエッジ強調フィルタＦEXを用いてフィルタ処理を行った電極Ｐの画像のエッジ量とを算出する。そして、制御部２０は、算出した２個のエッジ量のそれぞれについて閾値以上であるか否かを判定する。
【００４３】
図４Ａに示すように、エッジ量が閾値以上となるエッジ強調フィルタＦEY，ＦEXの方向がＹ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｙ方向の濃淡変化を抑制する平滑化フィルタＦNYを設定する（ステップＳ１６０）。すなわち、Ｘ方向のすじ状のパターンが電極Ｐに形成されている場合に、図４Ａの中央に示すように、制御部２０は、すじ状のパターンの方向に直交するＹ方向の濃淡変化を抑制する平滑化フィルタＦNYを設定する。
【００４４】
一方、図４Ｂに示すように、エッジ量が閾値以上となるエッジ強調フィルタＦEY，ＦEXの方向がＸ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｘ方向の濃淡変化を抑制する平滑化フィルタＦNXを設定する（ステップＳ１６５）。すなわち、Ｙ方向のすじ状のパターンが電極Ｐに形成されている場合に、制御部２０は、図４Ｂの中央に示すように、すじ状のパターンの方向に直交するＸ方向の濃淡変化を抑制する平滑化フィルタＦNXを設定する。
【００４５】
以上のようにして、平滑化フィルタＦNYまたは平滑化フィルタＦNXを設定すると、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、フィルタ処理を実行する（ステップＳ１７０）。すなわち、制御部２０は、予め設定した平滑化フィルタＦNYまたは平滑化フィルタＦNXを用いてフィルタ処理を実行するとともに、図４Ａ，図４Ｂの右端に示す無指向の平滑化フィルタＦNXYによるフィルタ処理を実行する。フィルタ処理の回数は１回に限らず、制御部２０は、平滑化フィルタＦNY，ＦNX，ＦNXYを用いたフィルタ処理を複数実行してもよい。なお、平滑化フィルタＦNXYは、いわゆるガウシアンフィルタであるが、ガウシアンフィルタの代わりに各行列要素の値が同一の平均化フィルタを用いてもよい。
【００４６】
次に、検査モジュール２１ｄの機能により制御部２０は、圧痕を検出する（ステップＳ１８０）。すなわち、制御部２０は、撮像画像３０ａのうち電極Ｐが存在する領域内において、予め設定された圧痕形状に合致する形状の画像を圧痕として検出する。
【００４７】
なお、ステップＳ１５０において、エッジ量が閾値以上となるエッジ強調フィルタＦEY，ＦEXの方向がないと判定した場合、検査モジュール２１ｄの機能により制御部２０は、平滑化フィルタＦNY，ＦNX，ＦNXYを用いたフィルタ処理を行うことなく、電極Ｐが存在する領域内において圧痕を検出する。
【００４８】
以上のようにして、電極Ｐにおいて圧痕を検出すると、検査モジュール２１ｄの機能により制御部２０は、圧痕の検出結果に基づいて良否判定を行う（ステップＳ１９０）。すなわち、制御部２０は、電極Ｐにおける圧痕の検出結果に基づいて、電極Ｐの接合状態が正常であるか否かを検査する。例えば、電極Ｐにおいて検出された圧痕の個数が閾値以上である場合や、圧痕の分布が均等である場合に、当該電極Ｐの接合状態が正常であると判定してもよい。なお、単一の撮像画像３０ａにて複数の電極Ｐが検出される場合、当該複数の電極ＰのそれぞれについてステップＳ１４０〜Ｓ１９０を実行すればよい。
【００４９】
（３）第２実施形態：
図６は、第２実施形態の接合状態検査処理のフローチャートである。図５に示す第１実施形態の接合状態検査処理との相違点は、ステップＳ１６０，Ｓ１６５の代わりにステップＳ１６０Ａ，Ｓ１６５Ａ（太線枠）を実行する点である。
【００５０】
ステップＳ１５０においてエッジ量が閾値以上となるエッジ強調フィルタＦEY，ＦEXの方向がＹ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｘ方向の濃淡変化を強調するエッジ強調フィルタＦEXを設定する（ステップＳ１６０Ａ）。すなわち、図７Ａに示すように、制御部２０は、すじ状のパターンの方向としてのＸ方向における濃淡変化を強調するエッジ強調フィルタＦEX（図７Ａの中央）を設定する。
【００５１】
一方、ステップＳ１５０においてエッジ量が閾値以上となるエッジ強調フィルタＦEY，ＦEXの方向がＸ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｙ方向の濃淡変化を強調するエッジ強調フィルタＦEYを設定する（ステップＳ１６５Ａ）。すなわち、図７Ｂに示すように、制御部２０は、すじ状のパターンの方向としてのＹ方向における濃淡変化を強調するエッジ強調フィルタＦEY（図７Ｂの中央）を設定する。本実施形態において、制御部２０は、Ｘ方向のエッジ強調フィルタＦEXまたはＹ方向のエッジ強調フィルタＦEYを適用した撮像画像３０ａに対して、さらに無指向の鮮鋭化フィルタＦSXYを適用するように設定する。
【００５２】
（４）第３実施形態：
図８は、第３実施形態の接合状態検査処理のフローチャートである。図５に示す第１実施形態の接合状態検査処理との相違点は、ステップＳ１４０〜Ｓ１７０の代わりにステップＳ１４０Ｂ〜Ｓ１７０Ｂ（太線枠）を実行する点である。
【００５３】
パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、Ｘ方向とＹ方向のそれぞれに関して濃淡変化を周波数変換する（ステップＳ１４０Ｂ）。すなわち、制御部２０は、電極Ｐが存在する領域において、Ｘ方向に関してフーリエ変換を行うことにより、Ｘ方向の空間周波数のスペクトルを取得する。同様に、制御部２０は、電極Ｐが存在する領域において、Ｙ方向に関してフーリエ変換を行うことにより、Ｙ方向の空間周波数のスペクトルを取得する。
【００５４】
図９ＡはＸ方向における空間周波数のスペクトルを示し、図９ＢはＹ方向における空間周波数のスペクトルを示している。図９Ａ，図９Ｂの横軸は空間周波数を示し、縦軸は各空間周波数における濃淡変化の振幅を示す。同図に示すように、直径が２〜４μｍ程度の圧痕による低周波成分と、５５０ｎｍ周期の高周波成分とが存在している。図３Ａに示すようにＸ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、図９Ａ，図９Ｂに示すようにＹ方向のスペクトルにおいて高周波成分が表れ、Ｘ方向のスペクトルにおいて高周波成分が表れないこととなる。反対に、図３Ｂに示すように、Ｙ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、Ｘ方向のスペクトルにおいて高周波成分が表れ、Ｙ方向のスペクトルにおいて高周波成分が表れないこととなる。従って、空間周波数のスペクトルにおいて予め決められた境界空間周波数（例えば１／１μｍ）以上の高周波成分の量が閾値以上である場合に、すじ状のパターンが形成されていると判定できる。なお、すじ状のパターンが形成されていれば濃淡変化の量が全体的に大きくなるため、制御部２０は、全周波数成分の量が閾値以上であるか否かを判定してもよい。
【００５５】
パターン取得モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、高周波成分の量が閾値以上となる方向がどの方向であるかを判定する（ステップＳ１５０Ｂ）。高周波成分の量が閾値以上となる方向がＹ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｙ方向において濃淡変化の振幅を抑制する（ステップＳ１６０Ｂ）。すなわち、図３Ａに示すようにＸ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、制御部２０は、Ｙ方向の濃淡変化を抑制する画像処理を実行する。図９Ｃは、Ｙ方向において濃淡変化の振幅が抑制された空間周波数のスペクトルを示している。図９Ｃにおいて、破線から実線となるように、Ｙ方向において濃淡変化の振幅が抑制されている。
【００５６】
一方、高周波成分の量が閾値以上となる方向がＸ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｘ方向において濃淡変化の振幅を抑制する（ステップＳ１６５Ｂ）。すなわち、図３Ｂに示すようにＹ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、制御部２０は、Ｘ方向の濃淡変化を抑制する画像処理を実行する。
【００５７】
以上のようにして、すじ状のパターンの直交方向において濃淡変化の振幅を抑制すると、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、空間周波数のスペクトルをもとの濃淡変化に逆変換する（ステップＳ１７０Ｂ）。すなわち、制御部２０は、空間周波数のスペクトルを、画素ごとに明度の階調を示す撮像画像３０ａへと逆フーリエ変換する。なお、逆フーリエ変換が可能となるように、制御部２０は、ステップＳ１４０Ｂにおいて各波形成分の振幅と位相を保持しておく。
【００５８】
以上の処理を行うことにより、第１実施形態と同様に、図３Ａに示すようなＸ方向のすじ状のパターンを図３Ｃのように抑制でき、図３Ｂに示すようなＹ方向のすじ状のパターンも図３Ｄのように抑制できる。
【００５９】
なお、ステップＳ１６０Ｂ，Ｓ１６５Ｂにおいて濃淡変化の振幅を抑制するにあたり、制御部２０は、境界空間周波数以上の濃淡変化の振幅のみを抑制してもよい。これにより、より高精度に圧痕を検出できる。
【００６０】
（５）第４実施形態：
図１０は、第４実施形態の接合状態検査処理のフローチャートである。図８に示す第３実施形態の接合状態検査処理との相違点は、ステップＳ１６０Ｂ，Ｓ１６５Ｂの代わりにステップＳ１６０Ｃ，Ｓ１６５Ｃ（太線枠）を実行する点である。
【００６１】
ステップＳ１５０Ｂにおいて、高周波成分の量が閾値以上となる方向がＹ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｘ方向において濃淡変化の振幅を強調する（ステップＳ１６０Ｃ）。すなわち、Ｘ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、制御部２０は、Ｘ方向の濃淡変化を強調する画像処理を実行する。図９Ｄは、Ｘ方向において濃淡変化の振幅が強調されたスペクトルを示す。図９Ｄにおいて、破線から実線となるように、濃淡変化の振幅が強調されている。
【００６２】
一方、ステップＳ１５０Ｂにおいて、高周波成分の量が閾値以上となる方向がＸ方向であると判定した場合、画像処理モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、Ｙ方向において濃淡変化の振幅を強調する（ステップＳ１６５Ｃ）。すなわち、Ｙ方向のすじ状のパターンが形成されている場合、制御部２０は、Ｙ方向の濃淡変化を強調する画像処理を実行する。以上の処理を行うことにより、第２実施形態と同様に、圧痕を表す濃淡変化を相対的に強調することができ、高精度に圧痕を検出できる。
【００６３】
なお、ステップＳ１６０Ｃ，Ｓ１６５Ｃにおいて濃淡変化の振幅が抑制するにあたり、制御部２０は、境界空間周波数未満の濃淡変化の振幅のみを強調してもよい。これにより、より高精度に圧痕を検出できる。
【００６４】
（６）他の実施形態：
前記の実施形態においては、撮像画像３０ａに基づいてすじ状のパターンの方向を取得したが、必ずしも撮像画像３０ａに基づいてすじ状のパターンの方向を取得なくてもよい。例えば、電極Ｐごとにすじ状のパターンの方向を示すデータを記録媒体３０に記録しておき、制御部２０は、当該データに基づいてすじ状のパターンの方向を取得してもよい。この場合、第１実施形態と第２実施形態においてＸ方向とＹ方向のそれぞれについてエッジ量を算出する処理を省略することができる。
【００６５】
また、すじ状のパターンの存在有無を調査する方向は必ずしもＸ方向とＹ方向に限られない。例えば、制御部２０は、Ｘ方向に対して任意の角度だけ傾いた方向におけるエッジ量や高周波成分の量が閾値以上であるか否かを判定してもよい。具体的に、制御部２０は、撮像画像３０ａを任意の角度に回転させることにより、Ｘ方向に対して任意の角度だけ傾いた方向におけるエッジ量や高周波成分の量を算出できる。
【００６６】
また、すじ状のパターンの空間周期が既知である場合、制御部２０は、当該空間周期に応じて各種フィルタの大きさを設定してもよい。また、制御部２０は、各種フィルタの大きさを３×３等に固定し、すじ状のパターンの空間周期に応じて撮像画像３０ａの解像度を変換してもよい。例えば、図４Ａ，図４Ｂ，図７Ａ，図７Ｂのフィルタを使用する場合、制御部２０は、撮像画像３０ａの１画素の幅に対応する長さがすじ状のパターンの空間周期の半分の整数倍とならないように撮像画像３０ａの解像度を変換してもよい。
【００６７】
また、第１〜第４実施形態の手法を互いに組み合わせてもよい。例えば、制御部２０は、すじ状のパターンの方向に直交する方向の濃淡変化の抑制と、すじ状のパターンの方向に直交しない方向の濃淡変化の強調とを双方とも行ってもよい。さらに、制御部２０は、空間周波数のスペクトルにおける濃淡変化の振幅の抑制または強調と、図４Ａ，図４Ｂ，図７Ａ，図７Ｂのフィルタ処理とを組み合わせて行ってもよい。さらに、第３，第４実施形態の手法ですじ状のパターンの方向を特定し、第１，第２実施形態の手法で画像処理を行ってもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１０…接合状態検査装置、２０…制御部、２１…接合状態検査プログラム、２１ａ…撮像画像取得モジュール、２１ｂ…パターン取得モジュール、２１ｃ…画像処理モジュール、２１ｄ…検査モジュール、３０…記録媒体、３０ａ…撮像画像、３０ｂ…電極テンプレート画像、３０ｃ…判定エリア情報、４０…表示装置、５０…入力装置、６０…撮像部、６１…照明、６２…微分干渉顕微鏡、６３…Ｘ−Ｙステージ、６４…ＣＣＤセンサ、Ｂ…基板、Ｂ１…ガラス基板、Ｅ…導電粒子、Ｆ…異方性導電フィルム、ＦEX，ＦEY…エッジ強調フィルタ、ＦNX，ＦNY，ＦNXY…平滑化フィルタ、ＦSXY…鮮鋭化フィルタ、Ｉ…電極、Ｐ…電極、Ｕ…電子部品、Ｖ…視野
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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