(57)【要約】一般式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｙを持つシリコーン樹脂であって、式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つアルキル基であり；ｘは０．０５〜０．７の値を持ち；ｙは０．３〜０．９５の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である。該樹脂は、半導体装置上で、有孔性セラミック材料および有孔性薄膜を形成するのに使用される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つ分岐アルキル基であり、該アルキル鎖上にぶら下がった位置に電子吸引性基を含有し；ｘは０．０５〜０．７の値を持ち；ｙは０．３〜０．９５の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である）を持つシリコーン樹脂。
【請求項２】
Ｒ１が、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシヘキサデシル、４−ヘプチル−４−エトキシデシル、および３，７−ジエチル−３−ヒドロキシドデシル、ならびにこれらの混合基から選ばれる、請求項１に記載のシリコーン樹脂。
【請求項３】
ｘが０．１〜０．３の値を持ち；ｙが０．７〜０．９の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である、請求項１に記載のシリコーン樹脂。
【請求項４】
シリコーン樹脂を生産するための方法であって、
（Ｉ）（Ａ）式Ｒ１ＳｉＸ３を持つシランおよび（Ｂ）式ＨＳｉＸ３を持つシランを（式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つ分岐アルキル基であり、、該アルキル鎖上にぶら下がった位置に電子吸引性基を含有し、各Ｘは加水分解可能な基または水酸基から選択される）、（Ｃ）溶媒、（Ｄ）水および（Ｅ）加水分解触媒の存在下に組み合わせ；
（ＩＩ）式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つアルキル基であり；ｘは０．０５〜０．７の値を持ち；ｙは０．３〜０．９５の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である）を持つシリコーン樹脂を形成するに充分な温度および時間にて、この組み合わされた（Ｉ）を反応させること
を含む方法。
【請求項５】
Ｒ１が、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシヘキサデシル、４−ヘプチル−４−エトキシデシル、および３，７−ジエチル−３−ヒドロキシドデシル、ならびにこれらの混合基から選ばれる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
Ｘがアルコキシ基である、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
Ａが（Ａ）および（Ｂ）の量に基づいて１４〜２０モル％の範囲の量で使用され；（Ｂ）が（Ａ）および（Ｂ）の量に基づいて８０〜８６モル％の範囲の量で使用され；（Ｃ）が（Ａ）および（Ｂ）の合計の重量に基づいて７０〜９０重量％の範囲の量で使用され；（Ｄ）が（Ａ）および（Ｂ）中の１モルのＸにつき０．８〜１．５モルの（Ｃ）の範囲の量で使用され；および（Ｅ）が１モルの（Ａ）および（Ｂ）につき０．１〜０．３モルの範囲の量で使用される、請求項４〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
（Ｃ）が、少なくとも１つの飽和脂肪族溶媒、環状脂肪族溶媒、芳香族溶媒、環状エーテル溶媒、ケトン溶媒、ハロゲン置換アルカン溶媒、ハロゲン化芳香族溶媒、エステル溶媒、シリコーン溶媒、およびこれらの混合物から選ばれる、請求項４〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
有孔性セラミックを生産するための方法であって、
（Ｉ）式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つ分岐アルキル基であり、該アルキル鎖上にぶら下がった位置に電子吸引性基を含有し；ｘは０．０５〜０．７の値を持ち；ｙは０．３〜０．９５の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である）を持つシリコーン樹脂を、該シリコーン樹脂を硬化させるに充分な温度にて加熱し；
（ＩＩ）該硬化樹脂からＲ１基を除去するに充分な温度にて、該硬化樹脂を更に加熱して、これにより有孔性セラミックを形成すること
を含む方法。
【請求項１０】
基板上に有孔性コーティングを生産するための方法であって：
（Ｉ）式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つ分岐アルキル基であり、該アルキル鎖上にぶら下がった位置に電子吸引性基を含有し；ｘは０．０５〜０．７の値を持ち；ｙは０．３〜０．９５の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である）を持つシリコーン樹脂で該基板をコーティングし；
（ＩＩ）このコーティングされた基板を、該シリコーン樹脂を硬化させるに充分な温度にて不活性雰囲気中で加熱し；
（ＩＩＩ）該硬化樹脂コーティングを、該硬化樹脂コーティングからＲ１基を除去するに充分な温度にて不活性雰囲気中で更に加熱し、これにより該基板上に有孔性コーティングを形成すること
を含む方法。
【請求項１１】
Ｒ１が、オクチル、クロロオクチル、トリメチルシロキシヘキサデシル、オクタデシル、ドコシル、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシヘキサデシル、４−ヘプチル−４−エトキシデシル、および３，７−ジエチル−３−ヒドロキシドデシル、ならびにこれらの混合基から選ばれる、請求項９または１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置は、個々の回路要素を電気的に結合して集積回路（ＩＣ）を形成するのに供される１つ以上の配列のパターン化された相互接続のレベル（level）をしばしば持つ。この相互接続のレベル（level）は、絶縁または誘電コーティングにより典型的に分離される。該コーティングは、化学蒸着またはスピン−オン技術により形成されてもよい。例えば、米国特許第４，７５６，９７７号は、電子装置上にコーティングを形成するための、水素シルセスキオキサン樹脂の使用を開示している。
【０００２】
回路要素の大きさおよびこのような要素間のスペースが減少し続けるに連れ、より低い誘電率を持つ絶縁材料に対しての必要性がある。特に、３を下回る誘電率を提供し得る材料が望ましい。３を下回る誘電率を持つコーティングを生産するための１つの手段は、シリコンを主体とし、硬化された場合に膜中に孔を作るスピン−オン材料を使用することである。
【背景技術】
【０００３】
シリコン含有スピン−オン材料は、Bank らに対しての米国特許第５，０１０，１５９号、Mikoshiba らに対しての米国特許第６，０２２，８１４号、ならびに Hacker らに対しての米国特許第６，１４３，８５５号および第６，１７７，１９９号において記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
今、式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中Ｒ１は、８〜２４炭素原子を持つアルキル基である）を持つ樹脂が、電子装置、特に半導体装置上にコーティングを作るために使用され得ることが見出されている。これらの樹脂は、１．５〜２．３の誘電率を持つ膜を生産するのに使用され得る。
【０００５】
本発明は、一般式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中Ｒ１は、８〜２４炭素原子を持つアルキル基である）を持つシリコーン樹脂に関する。該樹脂を半導体装置上へ適用し、該樹脂を硬化させ前記有孔性コーティングを生産するに充分な温度へ該樹脂を加熱することにより、半導体装置上に有孔性薄膜を形成するのに使用され得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この一般式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つアルキル基であり；ｘは０．０５〜０．７の値を持ち；ｙは０．３〜０．９５の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である）を持つシリコーン樹脂。好ましくは、ｘは０．１〜０．３の値を持ち、ｙは０．７〜０．９の値を持つ。
【０００７】
該シリコーン樹脂は、本質的に充分に縮合されてもよく、あるいは幾つか残ったＳｉＯＨまたはＳｉＯＲ２官能基を持っていてもよい。「本質的に充分に縮合され」により、該シリコーンは、（該シリコーン樹脂に基づいて）１モル％以下のＳｉＯＨまたはＳｉＯＲ２単位を含有することが意味され、ここでＲ２は、１〜６炭素原子を持つ直鎖アルキル基である。任意に、残ったＳｉＯＨまたはＳｉＯＲ２官能基の合計は、１５モル％まで可能である。該シリコン樹脂は、より良い寿命を得るために、０．５モル％未満のＳｉＯＨまたはＳｉＯＲ２単位を含有することが好ましい。Ｒ２は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルまたはヘキシルにより更に例示されてもよいが、これらに限定されるものではない。
【０００８】
該シリコン樹脂は、１，５００〜４００，０００の範囲中、好ましくは２０，０００〜２００，０００の範囲中の重量平均分子量を持つ。
【０００９】
該シリコーン樹脂中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つアルキル基である。該アルキル基は、直鎖状または分岐状であり得る。該アルキル基は、置換または未置換のアルキル基であってもよい。該置換アルキル基上の置換基は、電子吸引基、ハロゲン、アシル基、トリアルキルシロキシ基およびこれらの混合基もしくは複合基により例示されてもよいが、これらに限定されるものではない。
【００１０】
適切な電子吸引基は、式−ＯＲ３を持つアルコキシ基を包含し、式中Ｒ３は、１〜４炭素原子を持つアルキル基；水酸基（−ＯＨ）；および式−ＯＣ(Ｏ)Ｒ４を持つカルボキシ基であり、式中Ｒ４は、１〜６炭素原子を持つアルキル基である。好ましくは、該電子吸引基は、メトキシまたはエトキシ基、あるいは水酸基である。
【００１１】
好ましいＲ１基は、分岐アルキル基であって、該アルキル鎖上にぶら下がった位置に電子吸引基を含有する、８〜２４炭素原子を持ち；より好ましいのは、該アルキル鎖上にぶら下がった位置に水酸基またはアルコキシ基を含有する、８〜２４炭素原子を持つ分岐アルキル基である。
【００１２】
Ｒ１の特定の例は、オクチル、クロロオクチル、トリメチルシロキシヘキサデシル、オクタデシル、ドコシル、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシヘキサデシル、４−ヘプチル−４−エトキシデシル、および３，７−ジエチル−３−ヒドロキシドデシル、ならびにこれらの混合基を包含するが、これらに限定されるものではない。
【００１３】
式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中、Ｒ１、ｘおよびｙは、前に定義した通りである）を持つシリコーン樹脂は、（Ａ）式Ｒ１ＳｉＸ３を持つシランおよび（Ｂ）式ＨＳｉＸ３を持つシランを組み合わせることにより生産され、式中各Ｘは、（Ｃ）溶媒、（Ｄ）水および（Ｅ）加水分解触媒の存在下に；加水分解可能な基または水酸基から選択される。好ましくは、該シラン（Ａ）および（Ｂ）が該溶媒（Ｃ）と組み合わされ、該水（Ｄ）および加水分解触媒（Ｅ）が該混合物へと加えられる。
【００１４】
シラン（Ａ）および（Ｂ）中、Ｘは、加水分解可能な基または水酸基であり得る。「加水分解可能な基」により、反応条件下、水の存在下にシリコン原子から加水分解することが出来る基（つまりＸ基は−ＯＨ基で置き換えられる）、加水分解時にどの基が該シリコーン樹脂の溶解性または末端使用に不利な影響を与えないのかが意味される。加水分解可能な基は、クロライドのようなハライド基；ならびにメトキシおよびエトキシのようなアルコキシ基により例示され得る。このましくはＸはアルコキシ基であり、より好ましくはＸはエトキシ基である。
【００１５】
シラン（Ａ）は、（Ａ）および（Ｂ）の量に基づいて５〜７０モル％、あるいは１０〜３０モル％、あるいは１４〜２０モル％の量で、典型的に使用される。シラン（Ａ）は、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシヘキサデシルトリエトキシシラン；３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシヘキサデシルトリエトキシシラン；３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシヘキサデシルトリクロロシラン；３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシヘキサデシルトリクロロシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシランおよびこれらの混合物により例示されてもよいが、これらに限定されるものではない。
【００１６】
シラン（Ｂ）は、（Ａ）および（Ｂ）の量に基づいて３０〜９５モル％、あるいは７０〜９０モル％、あるいは８０〜８６モル％の量で、典型的に使用される。シラン（Ｂ）は、トリクロロシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシランおよびこれらの混合物により例示されてもよい。
【００１７】
溶媒（Ｃ）は、反応中において反応に加わることがある官能基を含有しない全ての適切な有機溶媒またはシリコーン溶媒であり、シラン（Ａ）および（Ｂ）に対して充分な溶媒である。該溶媒は、溶媒ならびにシラン（Ａ）および（Ｂ）の合計の重量に基づいて４０〜９８重量％、あるいは７０〜９０重量％の量で、一般的に使用される。該有機溶媒は、ｎ−ペンタン、ヘキサン、ｎ−ヘプタンおよびイソオクタンのような飽和脂肪族；シクロペンタンおよびシクロヘキサンのような環状脂肪族；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンのような芳香族；テトラヒドロフラン、およびジオキサンのような環状エーテル；メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）およびシクロヘキサノンのようなケトン；トリクロロエタンのようなハロゲン置換アルカン；ブロモベンゼンおよびクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族；イソ酪酸イソブチルおよびプロピオン酸プロピルのようなエステルにより例示されてもよいが、これらに限定されるものではない。有用なシリコーン溶媒は、オクタメチルシクロテトラシロキサンおよびデカメチルシクロペンタシロキサンのような環状シロキサンにより例示されてもよいが、これらに限定されるものではない。単一溶媒が使用されてもよく、または溶媒の混合物が使用されてもよい。好ましくは該溶媒は、メチルイソブチルケトンおよびイソ酪酸イソブチルの混合物である。
【００１８】
成分（Ｄ）は、水である。この水は、結果的に非効率的な速度の反応に陥る大過剰であることなく、シラン（Ａ）および（Ｂ）中のＸの本質的に完全な加水分解を奏功するに充分な量で加えられることが好ましい。典型的には、この水は、シラン（Ａ）および（Ｂ）中の１モルのＸにつき０．５〜２モル、あるいは０．８〜１．５モルの水の量で存在する。
【００１９】
成分（Ｅ）は、加水分解触媒であり、水の存在下にシラン（Ａ）および（Ｂ）上のＸの加水分解を触媒する当業界において知られているそれらの加水分解触媒のいずれでもあり得る。知られている加水分解触媒は、水酸化アンモニウム、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムのような無機塩基；トリメチルアミンのような有機塩基；塩酸、硫酸および硝酸のような無機酸；ならびにトリフルオロ酢酸のような有機酸を包含する。加水分解触媒（Ｅ）は、Ｘの加水分解を触媒するに充分な量で存在し、最適量は、該加水分解反応の温度と同様、該触媒の化学組成に依存するであろう。一般的に、加水分解触媒の量は、１モルのシラン（Ａ）および（Ｂ）につき、約０．００００１〜０．５モル、あるいは０．１〜０．３モル部の範囲内であり得る。
【００２０】
該シリコーン樹脂を作製するための方法において、シラン（Ａ）および（Ｂ）を溶媒（Ｃ）と組み合わせることが好ましい。この後に水（Ｄ）および加水分解触媒（Ｅ）が、別々に、または混合物として、この第１の混合物に加えられる。該反応は、それが重篤なゲル化を引き起こさない、または該シリコーン樹脂の硬化を引き起こさない限り、如何なる温度にても行われ得る。典型的には該反応は、示唆される周囲の温度と共に、１５℃〜１００℃の範囲の温度にて行われる。
【００２１】
該シリコーン樹脂を形成する時間は、温度、特定の量のシラン（Ａ）および（Ｂ）、ならびに触媒の量のような数多くの因子に依存している。典型的には該反応時間は、数分〜数時間である。当業者は、該反応を完結させるのに必要な時間を容易に決定出来るであろう。
【００２２】
該反応の完結後、該触媒は、任意に除去されてもよい。該触媒を除去する方法は、当業界においてよく知られており、中和、stripping または水洗、あるいはこれらの組み合わせを包含するであろう。該触媒は、特にその除去が溶液中でこれ故に示唆される場合、該シリコーン樹脂の寿命にマイナスの影響を与えることがある。
【００２３】
該シリコーン樹脂を作製する方法において該反応が完結した後、揮発分が、減圧下に該シリコーン樹脂溶液から除去されてもよい。このような揮発分は、アルコール副生成物、過剰の水、触媒および溶媒を包含する。揮発分を除去するための方法は、当業界において知られており、例えば蒸留を包含する。
【００２４】
該シリコーン樹脂の分子量を増加させ、および／または該シリコーン樹脂の保存安定性を改善するために、該反応は、４０℃〜該溶媒の還流温度にて加熱しながら、延長された期間の時間行われてもよい（「形成（bodying）段階」）。該形成段階は、該反応段階に引き続いて、または該反応段階の一部として行われてもよい。好ましくは、該形成段階は、３０分〜６時間、より好ましくは１〜３時間の範囲の期間の時間行われる。
【００２５】
該シリコーン樹脂を生産する反応およびこの任意の形成段階の後に、数多くの任意の段階が、所望の形態の該シリコーン樹脂を得るために行われてもよい。例えば、該シリコーン樹脂は、該溶媒を除去することにより、固体形態で回収されてもよい。溶媒除去の方法は限られたものではなく、数多くの方法が当業界においてよく知られている（例えば、加熱および／または真空下での蒸留）。一旦該シリコーン樹脂が固体形態で回収されると、該樹脂は、特定の使用のために、同じかまたはもう１つ別の溶媒中に任意に再溶解され得る。あるいは、該反応で使用された溶媒以外の異なる溶媒が最終生産物について所望される場合は、溶媒交換が、例えば第２の溶媒を加え、蒸留によって第１の溶媒を除去することによりなされてもよい。加えて、溶媒中の該樹脂濃度は、該溶媒のうちの幾つかを除去するか、または追加の量の溶媒を加えることにより調整され得る。
【００２６】
本明細書中で生産されるシリコーン樹脂は、基板、特に電子基板上で、有孔性セラミック材料、セラミック膜または有孔性コーティングを形成することにおいて、特に有用である。「電子基板」により、半導体の構成部品の製造においての使用に意図された、シリコンを主体とした装置および砒化ガリウムを主体とした装置を包含することが意味される。特に、該シリコーン樹脂は、集積回路において有孔性コーティングを形成することにおいて有用である。該シリコーン樹脂は、１．５〜２．２の範囲の誘電率を持つ薄いコーティングを生産し、これにより該シリコーン樹脂を層間誘電膜の形成において特に有用にするために使用され得る。
該シリコン樹脂は、
（Ｉ）式(Ｒ１ＳｉＯ３／２)ｘ(ＨＳｉＯ３／２)ｙ（式中、Ｒ１は８〜２４炭素原子を持つアルキル基であり；ｘは０．０５〜０．７の値を持ち；ｙは０．３〜０．９５の値を持ち、ｘ＋ｙ＝１である）を持つシリコーン樹脂で基板をコーティングし；
（ＩＩ）このコーティングされた基板を、該シリコーン樹脂を硬化させて硬化樹脂コーティングを生産するに充分な温度にて加熱し；および
（ＩＩＩ）該硬化樹脂コーティングを、該硬化樹脂コーティングからＲ１基を除去するに充分な温度にて更に加熱し、これにより該基板上に有孔性コーティングを形成する
ことにより、該基板上で有孔性コーティングを調製するために使用されてもよい。
【００２７】
該シリコーン樹脂は、溶液分散物として該基板へ典型的に適用される。使用されてもよい溶媒は、該シリコン樹脂を溶解または分散させて本質的に均一な液体混合物を形成するであろう如何なる物質または物質の混合物をも包含する。該溶媒は、典型的には、該反応中で使用されて前記のシリコーン樹脂を生産する溶媒または溶媒の混合物である。好ましい溶媒は、シクロヘキサノン、イソ酪酸イソブチルおよびメシチレンを包含する。
【００２８】
溶媒の量は特に限定されないが、典型的には、シリコーン樹脂および溶媒の重量に基づいて４０〜９８重量％、好ましくは７０〜９０％の量で存在する。
【００２９】
該基板への該シリコーン樹脂の適用のための特別な方法は、スピン−コーティング、ディップ−コーティング、スプレー−コーティング、フロー−コーティング、スクリーン−印刷およびその他を包含するが、これらに限定されるものではない。適用のための好ましい方法は、スピン−コーティングである。
【００３０】
溶媒が使用される場合、該溶媒は、適用後にこのコーティングされた基板から除去される。乾燥、真空の適用および／または熱の適用（つまり、コーティングされたウエーハをホットプレート上を通す）のような、除去のための如何なる適切な手段も使用されてもよい。スピン−コーティングが使用される場合、スピンさせることが該溶媒の殆どを取り除くので、追加の乾燥方法は最小化される。
【００３１】
該基板への適用後に、このコーティングされた基板は、該シリコーン樹脂を硬化させる温度にて加熱される（「硬化段階」）。硬化されたシリコーン樹脂は、該基板へのその適用に使用されてもよい溶媒に本質的に不溶性である。典型的には、このコーティングされた基板は２０℃〜３５０℃の範囲の温度に加熱され、該シリコーン樹脂を硬化させる。
【００３２】
該基板上のこの硬化されたシリコーン樹脂は、Ｒ１基を該硬化樹脂コーティングから除去するに充分な温度にその後更に加熱され、これにより該基板上に有孔性コーティングを形成する（「除去段階」）。典型的には、この硬化された樹脂は、３５０℃〜樹脂の骨格が分解する温度までの範囲の温度に加熱される。典型的には、この硬化された樹脂は、３５０℃〜６００℃、あるいは４００℃〜５５０℃、あるいは４２５℃〜４７５℃の範囲の温度に加熱される。本質的に、Ｒ１基の全ては、この段階の間に切断される。しかしながら、Ｒ１基から結果的に得られるメチルまたはエチルのような残留小アルキル基は、該コーティング中に残ってもよい。除去されるＲ１基の重量百分率は、有孔性と同様、該膜の誘電率に影響を及ぼすであろう。９０重量％のようにＲ１基の殆どをこの硬化樹脂から除去するに充分な期間の時間加熱することが示唆される。除去されるＲ１の量は、例えばＦＴＩＲにより決定され得る。
【００３３】
該硬化段階および除去段階は、別々に、または単一段階で行われてもよく、ここでこのコーティングされた基板が除去のための温度に加熱されるに連れ、該硬化が起こる。
【００３４】
該硬化段階および除去段階は、不活性環境下に行われることが好ましい。本明細書中で有用な不活性雰囲気は、窒素およびアルゴンを包含するが、これらに限定されるものではない。「不活性」により、該環境が、５０ｐｐｍ未満、好ましくは１０ｐｐｍ未満の酸素を含有することが意味される。該硬化および除去段階が行われる圧力は、厳密なものではない。該硬化および除去段階は、典型的には大気圧にて行われるが、大気圧を下回るかまたは上回る圧力を作用させてもよい。
【００３５】
加熱の如何なる方法も、該硬化および除去段階の間に使用されてもよい。例えば該基板は、石英チューブ窯、対流オーブン中に置かれるか、またはホットプレート上に乗せられてもよい。
【００３６】
この方法により、基板上に有孔性コーティングを生産することが出来る。該有孔性コーティングは、好ましくは０．３〜２．５μｍ、より好ましくは０．５〜１．２μｍの厚さを持つ。該有孔性コーティングは、１．５〜２．３の範囲の誘電率を持つ。該膜中の孔の量は、該原料樹脂中のＲ１基の量およびそれらが除去される程度に依存している。典型的には、該有孔性コーティングは、２０〜６０％の有孔率を持つであろう。
【００３７】
有孔性セラミックまたはセラミック膜は、該シリコーン樹脂を硬化させるに充分な温度にてシリコーン樹脂を加熱し、該硬化樹脂コーティングからＲ１基を除去するに充分な温度にて該硬化シリコーン樹脂を更に加熱し、これにより有孔性セラミックまたは有孔性セラミック膜を形成することにより、生産されてもよい。該方法の条件は、基板を該シリコーン樹脂でコーティングしない場合、該基板上に有孔性コーティングを生産するための本明細書中の前記の条件に類似している。しかしながら、Ｒ１基を除去する段階において、該温度は８００℃のように遙かにより高くすることが出来、酸化的雰囲気は残留アルキル基を最小にするために使用され得る。
【００３８】
当業者が本発明をより容易に理解するように、以下の非限定例が提供される。
【実施例】
【００３９】
［実施例１．］
試料１−１〜１−４が、結果的に得られる樹脂の濃度を９％とするに充分な：
（Ａ）トリエトキシシラン
（Ｂ）有機トリアルコキシシラン、Ｒ１Ｓｉ(ＯＲ２)３、および
（Ｃ）メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）およびイソ酪酸イソブチルの混合物（６：４の重量比）
を、表１に記載の量で組み合わせることにより調製された。
【００４０】
この混合物に対し、表１に記載された量の（Ｄ）水および（Ｅ）塩化水素の混合物が加えられた。結果的に得られた反応生成物は、その固形分が２２〜２０％となるまで、６０℃にて減圧下に揮発分を除かれた。イソ酪酸イソブチルが、該固形分を２０％とするように加えられた。この溶液は、その後１時間加熱還流され、生成した水が続いて除去された。この結果得られた樹脂溶液は、誘電率測定に適したシリコンウエーハ上へスピン−コートされ、１時間４７０℃にて窒素気流中で硬化された。該誘電率が測定され、表１において示された。
【００４１】
【表１】
2005502775.tif 000002
【００４２】
［比較例２．］
比較試料Ｃ２−１〜Ｃ２−３が、結果的に得られる樹脂の濃度を９％とするに充分な：
（Ａ）トリエトキシシラン
（Ｂ）有機トリアルコキシシラン、Ｒ５Ｓｉ(ＯＲ２)３、および
（Ｃ）メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）およびイソ酪酸イソブチルの混合物（６：４の重量比）
を、表２に記載の量で組み合わせることにより調製された。
【００４３】
この混合物に対し、表２に記載された量の（Ｄ）水および（Ｅ）塩化水素の混合物が加えられた。結果的に得られた反応生成物は、その固形分が２２〜２０％となるまで、６０℃にて減圧下に揮発分を除かれた。イソ酪酸イソブチルが、該固形分を２０％とするように加えられた。この結果得られた樹脂溶液は、誘電率測定に適したシリコンウエーハ上へスピン−コートされ、１時間４７０℃にて窒素気流中で硬化された。該誘電率が測定され、表１において示される。
【００４４】
【表２】
2005502775.tif 000003
【００４５】
［実施例３］
実施例１からの試料が、シリコンウエーハ上へスピン−コートされた。該ウエーハの半分が、誘電率測定に適しており、他方の半分が、ＦＴＩＲ測定に適していた。このスピン速度は、７５００〜９１００オングストロームの範囲の as-spun 厚さを達成するために、１２００〜１８００ＲＰＭの範囲で選択された。このコーティングされたウエーハは、１時間、異なる温度にて窒素雰囲気下に石英チューブ窯中で加熱された。２４時間後、全ての硬化膜がクラッキングに関して検査され、誘電率、屈折率およびＦＴＩＲスペクトルが、クラックのない膜に関して測定された。表３は、このクラックを有する膜およびクラックのない膜の誘電率を示す。表４は、全てのクラックのない膜および as-spun 膜に関しての屈折率を示す。表５は、該膜が１時間硬化された後失われたＲ１基の百分率を示す。これらの値は、硬化前後の１単位の厚さについてのＦＴＩＲのＣ−Ｈピーク強度から計算された。
【００４６】
３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシルまたは３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシ−ヘキサデシルのような分岐有機基を有する有機水素化シロキサン樹脂が、オクタデシルまたはドデシルのような直鎖状有機基を有するものよりも、より低い硬化温度にて超低誘電率（２．０以下）を有するクラックのない膜を形成することを、表３中のデータは論証している。
【００４７】
表４に示されるように、より低温にて硬化された（試料１−２については３９５℃、試料１−３および１−４については３９５および４１０℃）全てのクラックのない膜は、該 as-spun 膜に対してほぼ同一の屈折率を持ち、これらの硬化膜が全く孔を持たないことを指し示した；より高温にて硬化されたクラックのない全ての膜は、該 as-spun 膜より有意により低い屈折率を持ち、これらの硬化膜中の有意な有孔性を指し示した。３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシルまたは３，７，１１，１５−テトラメチル−３−メトキシ−ヘキサデシルのような分岐有機基を有する有機水素化シロキサン樹脂が、オクタデシルまたはドデシルのような直鎖状有機基を有するものよりも、より低い硬化温度にてクラックのない有孔性薄膜を形成することを、表４中のデータは指し示した。
【００４８】
表５に示されるように、３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシルのような分岐有機基を有する有機水素化シロキサン樹脂は、オクタデシルまたはドデシルのような直鎖状有機基を有するものと比較して、相対的に低い温度（４１０℃）にてそのＲ１基の大部分を失い始めた。
【００４９】
【表３】
2005502775.tif 000004
【００５０】
【表４】
2005502775.tif 000005
【００５１】
【表５】
2005502775.tif 000006
【００５２】
［実施例４］
３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル基を有する有機水素化シロキサン樹脂は、Ａ／Ｂの比が８４：１６であったこと以外は、試料１−１に関して実施例１において記載された方法により形成された。この樹脂溶液の試料は、加熱されて有孔性となり、有孔率および孔の大きさが決定された。もう１つ別の試料がシリコンウエーハ上でコーティングされ、この基板上のコーティングの物理的な特徴が決定された。
【００５３】
該樹脂溶液の試料が坩堝中に置かれ、溶媒を除去するためにまず１５０℃にて、その後１時間窒素中４２５℃にて加熱された。この結果得られた固体は、Micrometrics ASAP 2000 Accelerated Surface Area and Porosimetry System（Micrometrics Instrument Corporation, Norcross, GA）を使用して、７７Ｋにおける窒素吸着に関して試験された。ＢＥＴ表面積は、８７５ｍ２／ｇであると決定された。該吸着データのＨ−Ｋ分析（Horvath, J. Chem. Eng. Jpn., 1983, Vol. 16, p. 476）は、該固体が０．４０２ｃｃ／ｇのミクロ孔体積、孔の大きさの狭い分布、および０．９４ｎｍの中央値の孔の大きさを持つことを指し示した。
【００５４】
該樹脂溶液のもう１つ別の試料は、シリコンウエーハをスピンコートするのに使用された。このコーティングされたシリコンウエーハは、１時間、４２５℃にて窒素雰囲気中で加熱された。この結果得られた膜は、０．４４ミクロンの厚さを持ち、０．７％の厚さの変動、１．２２５の屈折率、および１．９５の誘電率を有していた。
【００５５】
約８〜２４炭素原子を含む炭化水素基、または約８〜２４炭素原子を持つ炭化水素鎖を含む置換炭化水素基であるＲ１を持つ有機水素化シロキサン樹脂が、加熱時に１ナノメーターより小さい中央値の孔の大きさを有するナノ有孔性固体を形成することを、実施例４は論証している。
【００５６】
［実施例５］
試料５−１〜５−７が、結果的に得られる樹脂の濃度を９％とするに充分な：
（Ａ）トリエトキシシラン
（Ｂ）３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシルトリエトキシシラン、および
（Ｃ）メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）およびイソ酪酸イソブチルの混合物（６：４の重量比）
を、表１に記載の量（１重量部のＡについての重量部）で組み合わせることにより調製された。
【００５７】
この混合物に対し、表１に記載された量（１重量部のＡについての重量部）の（Ｄ）水および（Ｅ）塩化水素の混合物が加えられた。結果的に得られた反応生成物は、その固形分が２２〜２０％となるまで、６０℃にて減圧下に揮発分を除かれた。イソ酪酸イソブチルが、該固形分を２０％とするように加えられた。この溶液はその後１時間加熱還流され、生成した水が、ディーン・スタークトラップを用いて続いて除去された。
【００５８】
各樹脂溶液の試料が、１．０ミクロンのグラスファイバーのシリンジフィルターおよび０．２ミクロンのテフロン（登録商標）のシリンジフィルターを通して濾過され、シリコンウエーハ上へスピンコートされ、窒素中１時間４２５℃にて硬化された。この硬化膜の厚さが６００〜８００ｎｍの範囲中であるように、このスピンの速度が選択された。該膜の誘電率および弾性率が測定され、これらの値は表６に示される。弾性率は、１０％の浸透深度の百分率と共に、ナノ陥没により測定された。３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル水素化シロキサン樹脂から作られたこの薄膜の誘電率および弾性率が、２４〜１０％の範囲中の３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル基のモル百分率を変動させることにより、それぞれ１．７〜２．１および２．６〜７．０の範囲中で変動され得ることを、実施例５中のデータは指し示している。
【００５９】
【表６】
2005502775.tif 000007
【００６０】
試料６−１および６−２が、試料５−４と同じくして調製され、試料６−３および６−４が、試料５−７と同じくして調製された。試料６−１および６−３に対して、２％のＮａＯＨ濃度を有するＮａＯＨ／エタノール溶液が、該溶液中のＮａの量が１ｐｐｍとなるように加えられた。各樹脂溶液の試料が、０．２ミクロンのテフロン（登録商標）のシリンジフィルターを通して濾過され、シリコンウエーハ上へスピンコートされ、窒素中１時間４２５℃にて硬化された。この硬化膜の厚さが６００〜８００ｎｍの範囲中であるように、このスピンの速度が選択された。該膜の誘電率および弾性率が測定され、これらの値は表７に示される。弾性率は、１０％の浸透深度の百分率と共に、ナノ陥没により測定された。３，７，１１，１５−テトラメチル−３−ヒドロキシ−ヘキサデシル水素化シロキサン樹脂から作られたこの薄膜の弾性率が、塩基性触媒を加えることにより増加され得ることを、実施例５中のデータは指し示している。１．０μｍのグラスファイバーフィルターを通しての該樹脂溶液の濾過も、該樹脂溶液中へＮａＯＨを持ち込み、該膜弾性率も増加させることが見出された（実施例５参照）。
【００６１】
【表７】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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