(57)【要約】高周波ブリッジ回路、ランプ動作を制御するマイクロプロセッサ及び誤り状態の場合に動作を中断する停止回路を設けた電子的な安定器において、停止回路は、ブリッジ回路の動作とマイクロプロセッサの動作の両方を中断する。これによって、誤り状態に起因する安定器の不安定な動作を防止する。
2005502292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプに給電する回路配置であって、
−  電源に接続すべき入力端子と、
−  前記入力端子に結合するとともに、少なくとも１個のスイッチング素子を設けて、前期電源から供給された電源電圧から周波数ｆのランプ電流を発生するパワー回路と、
−  前記スイッチング素子の制御電極に結合され、前記スイッチング素子を周波数ｆで交互に導通状態及び非導通状態にする駆動信号を発生する駆動回路と、
−  マイクロプロセッサを具え、前記パワー回路及び前記駆動回路に結合され、ランプ量を制御する制御回路と、
−  前記パワー回路及び前記駆動回路に結合され、前記スイッチング素子の駆動を遮断する保護回路とを設けた回路配置において、前記保護回路を、前記制御回路にも結合して、前記マイクロプロセッサを通じて前記制御回路の動作を中断し、前記保護回路が、前記制御回路の動作が中断されるまで前記スイッチング素子の駆動を遮断することを特徴とする回路配置。
【請求項２】
前記ランプ量を、ランプ電流及びランプパワーからなる群から選択したことを特徴とする請求項１記載の回路配置。
【請求項３】
前記保護回路が、中断を発生することによって前記マイクロプロセッサの動作を中断することを特徴とする請求項１又は２記載の回路配置。
【請求項４】
前記保護回路が、状態ビットの値を変更することによって前記マイクロプロセッサの動作を中断することを特徴とする請求項１又は２記載の回路配置。
【請求項５】
前記保護回路が、前記駆動回路と前記スイッチング素子の制御回路との間の接続部を遮断することによって前記スイッチング素子の駆動を遮断することを特徴とする請求項１記載の回路配置。
【請求項６】
前記駆動回路及び前記制御回路が、ストップ−ピンに装着された集積回路の一部を形成し、前記保護回路の出力部を、前記ストップ−ピンを通じて前記マイクロプロセッサ及び前記駆動回路に結合したことを特徴とする請求項１記載の回路配置。
【請求項７】
請求項６に記載された回路配置に使用される集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ランプに給電する回路配置であって、
−  電源に接続すべき入力端子と、
−  前記入力端子に結合するとともに、少なくとも１個のスイッチング素子を設けて、前期電源から供給された電源電圧から周波数ｆのランプ電流を発生するパワー回路と、
−  前記スイッチング素子の制御電極に結合され、前記スイッチング素子を周波数ｆで交互に導通状態及び非導通状態にする駆動信号を発生する駆動回路と、
−  マイクロプロセッサを具え、前記パワー回路及び前記駆動回路に結合され、ランプ量を制御する制御回路と、
−  前記パワー回路及び前記駆動回路に結合され、前記スイッチング素子の駆動を遮断する保護回路とを設けた回路配置に関する。
【背景技術】
【０００２】
そのような回路配置は既知である。制御されるランプ量を、例えばランプのワット数又はランプ電流とすることができる。そのようなランプ量は、駆動信号の周波数及び／又はデューティサイクルを設定することによって度々制御される。保護回路は、高電圧及び／又は電流に起因する回路配置及び／又はランプの損傷を除外することを意図するものである。そのような高電圧及び電流は、例えば、ランプが回路配置に接続されていない場合又は接続されたランプに欠陥がある場合に生じるおそれがある。保護回路は、そのような高電圧及び電流が生じた場合に回路配置を非導通状態にすることによってそのような損傷を除外する。その結果、パワー回路は、これら高電圧及び電流の発生をほぼ瞬時的に停止する。その結果、回路配置が有効に保護される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、既知の回路配置には、パワー回路が動作を停止した後に制御回路のマイクロプロセッサが所定の時間だけ動作を継続するという不都合がある。例えば、パワー回路の動作が短時間だけ保護回路によって中断されるおそれがある。その理由は、そのような短期間で更なる中断が必要ない程度まで電流及び電圧が減少するからである。しかしながら、パワー回路の動作が中断される期間中、制御回路によって制御されるランプ量の実際の値が劇的に変化し、その結果、制御回路も、駆動信号のデューティサイクル及び／又は周波数を変更する。このために、例えば、保護回路がスイッチング素子の駆動を遮断するのを中止した直後にランプに供給される電力が非常に高くなるおそれがある。この結果、ランプの不安定な動作によって点滅などが生じる。点滅は、保護回路によるパワー回路の短い中断の結果としてランプが消灯して再び点灯することによっても生じるおそれがある。原理的に、スイッチング素子の駆動を直接遮断するかわりに保護回路がマイクロプロセッサに停止を命令し、その後、そのマイクロプロセッサが、ランプ量の制御を停止し、駆動回路を不作動状態にする場合には、この課題を回避することができる。しかしながら、マイクロプロセッサの停止、したがって、駆動回路を不作動状態にすることが非常に多く行なわれるので、パワー回路の動作が中断されるまでにパワー回路の高電流及び電圧によって既に損傷が生じる。
【０００４】
本発明の目的は、パワー回路の高電流及び高電圧に対する保護回路による保護が有効に行なわれるとともにこの保護回路の動作によってランプの不安定な動作が生じない回路配置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このために、冒頭で説明したタイプの回路配置は、前記保護回路を、前記制御回路にも結合して、前記マイクロプロセッサを通じて前記制御回路の動作を中断し、前記保護回路が、前記制御回路の動作が中断されるまで前記スイッチング素子の駆動を遮断することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明による回路配置において、高電流及び高電圧がパワー回路に生じる場合、パワー回路の動作は、駆動回路を通じて非常に急速に中断されるので、高電圧及び高電流によって回路配置及び／又はランプに損傷が生じるおそれがない。さらに、制御回路の動作がマイクロプロセッサを通じて中断され、マイクロプロセッサのソフトウェアによって制御ループが不作動になる。パワー回路の動作は、制御回路の動作が中断されるまで中断されたままである。これを、種々の方法によって達成することができ、例えば、保護回路がタイマを始動し、タイマによって決定された時間間隔が経過するまでスイッチング素子の駆動を中断したままにすることによって達成することができる。例えば、保護回路によってメモリ成分を第１の値から第２の値に変更するとともに、制御ループの動作の中断後にマイクロプロセッサによってこの変化を反転することもできる。後者の方法において、スイッチング素子の駆動は、第２の値がメモリに存在する間中断される。保護回路が、制御回路の動作の中断及びパワー回路の動作の中断を同時に開始するので、ランプの不安定な動作が除外される。冒頭で説明したような回路配置において、マイクロプロセッサは、しばしば、ランプ量制御の際の安定したランプ動作中に役割の一部を果たすだけでなく、安定したランプ動作の前に、ランプ電極を予め加熱した後に点弧電圧を発生するころもできる。マイクロプロセッサのこれら互いに相違する機能は、互いに相違するソフトウェアによって実行される。そのような場合、制御ループを形成する機能を有するソフトウェアによって不作動状態になり、例えば、新たなランプがパワー回路に接続されたことを検出した場合、マイクロプロセッサは、互いに相違するソフトウェアによって、動作中の互いに相違する段階の連続的な実行を確実に行なうことができる。
【０００７】
前記ランプ量を、ランプ電流及びランプパワーからなる群から選択した本発明による回路配置の例を用いて満足な結果が得られる。
【０００８】
好適には、前記保護回路が、中断を発生することによって前記マイクロプロセッサの動作を中断する。前記保護回路が、状態ビットの値を変更することによって前記マイクロプロセッサの動作を中断することもできる。
【０００９】
前記保護回路が、前記駆動回路と前記スイッチング素子の制御回路との間の接続部を遮断することによって前記スイッチング素子の駆動を比較的簡単に遮断することができる。
【００１０】
好適には、前記駆動回路及び前記制御回路が、ストップ−ピンに装着された集積回路の一部を形成し、前記保護回路の出力部を、前記ストップ−ピンを通じて前記マイクロプロセッサ及び前記駆動回路に結合する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１において、Ｋ１，Ｋ２は、電源に接続すべき入力端子である。入力端子Ｋ１，Ｋ２は、低周波交流電圧からほぼ一定の直流電圧を発生する回路部ＤＣの各端部に接続される。そのような低周波交流電圧は、例えば幹線（幹線電力源）から取得される。幹線及び回路部ＤＣは、ほぼ一定の直流電圧である電源電圧を取得する電源を一体的に形成する。入力端子Ｋ１，Ｋ２は、２個のスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２の直列配置によって互いに接続される。スイッチング素子Ｓ１の制御電極は、ＡＮＤゲートＡ１の出力部に接続される。ＡＮＤゲートＡ１の第１入力部は、回路部ＳＣの第１出力部に接続される。回路部ＳＣを、スイッチング素子Ｓ１及びスイッチング素子Ｓ２を周波数ｆで交互に導通状態及び非導通状態にする駆動信号を発生する駆動回路とする。回路部ＳＣの第２出力部は、ＡＮＤゲートＡ２の第１入力部に接続される。ＡＮＤゲートＡ２の出力部は、スイッチング素子Ｓ２の制御電極に接続される。スイッチング素子Ｓ２は、コイルＬ、ランプ端子ＬＫ１、ランプＬＡ、ランプ端子ＬＫ２、キャパシタＣ３及びセンサ抵抗ＳＥの直列配置によって分流される。スイッチング素子Ｓ１，Ｓ３、コイルＬ、ランプ端子ＬＫ１，ＬＫ２、キャパシタＣ１，Ｃ３及びセンサ抵抗ＳＥは、周波数ｆを有するランプ電流を電源電圧から発生する電源回路を一体的に形成する。センサ抵抗ＳＥの第１端部は、回路部Ｉの第１入力部及び回路部IIの第１入力部に接続される。センサ抵抗ＳＥの第２端部は、回路部Ｉの第２入力部及び回路部IIの第２入力部に接続される。回路部Ｉを、本例ではランプ電流によって形成されるランプ量を制御する制御回路とする。このために、回路部Ｉは、図１に示さないマイクロプロセッサを具える。回路部Ｉの出力部は、回路部ＳＣの入力部に接続される。回路部IIを、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２の駆動を中断するとともにマイクロプロセッサを通じて制御回路の動作を中断する保護回路とする。このために、回路部IIの出力部は、回路部Ｉの第３入力部に接続されるとともに、回路部IIIを通じてＡＮＤゲートＡ１の第２入力部及びＡＮＤゲートＡ２の第２入力部に接続される。回路部IIIをメモリとする。回路部IIIの第１入力部は回路部IIの出力部に接続される。回路部IIIの第２入力部は、回路部Ｉの他の出力部に接続される。回路部IIIの出力部は、ＡＮＤゲートＡ１の第２入力部及びＡＮＤゲートＡ２の第２入力部に接続される。駆動回路ＳＣ，ＡＮＤゲートＡ１，Ａ２、回路部Ｉ及び回路部IIIはＩＣに集積される。このＩＣは、回路部IIの出力部と回路部Ｉの第３入力部との間に位置するストップピンＳＰに装着される。
【００１２】
次に、図１に示す例の動作を説明する。
回路部ＤＣが幹線電圧に接続されている場合、ほぼ一定の直流電圧が入力端子Ｋ１，Ｋ２間に存在する。回路部IIIの出力部の電圧はハイである。回路部ＳＣによって、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２は周波数ｆで交互に導通状態及び非導通状態になる。その結果、周波数ｆのほぼ方形波電圧が、スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２との接合点に存在する。このようなほぼ方形波電圧の結果、周波数ｆの交流電流が、コイルＬ、ランプＬａ、キャパシタＣ１，Ｃ３及びセンサＳＥによって形成された負荷分岐に流れる。センサ抵抗ＳＥの両端間の電圧は、この電流の振幅の目安となり、したがって、ランプ電流の振幅の目安となる。回路部Ｉは、センサ抵抗ＳＥの両端間の電圧の振幅に依存して駆動信号の周波数及び／又はデューティサイクルを設定することによってランプ電流を制御する。通常の安定なランプ動作中、センサ抵抗ＳＥの両端間の電圧の振幅は、予め設定された基準値より小さく、回路部IIの出力部の電圧はハイである。欠陥が原因でランプＬＡが一時的にほとんど又は全く電流を流さない場合、負荷分岐の他の構成要素の電流の振幅が十分増大する。このような増大によって、センサ抵抗ＳＥの両端間の電圧の振幅が増大する。振幅が、予め設定された基準値より高い場合、回路部IIの出力したがってストップ−ピンＳＰの電圧がローになる。その結果、回路部IIIによって形成されたメモリの成分が変化し、回路部IIIの出力部の電圧もローとなる。また、二つのＡＮＤゲートの出力がローとなり、その結果、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２がいずれも非導通状態となる。その結果、電力回路は、回路配置に損傷を与えるおそれがある高電流の発生をほぼ瞬時的に停止する。さらに、回路部Ｉは、ランプ電流の制御を停止する。その結果、「点滅」のような不安定な状態を除外する。回路部Ｉに収容されたマイクロプロセッサは、制御手順終了後に回路部IIIの第２入力部の電圧を変更し、その結果、回路部IIIによって形成されたメモリの成分が変化し、回路部IIIの出力部の電圧が再びハイになる。その瞬時から、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２の駆動はもはや中断されない。例えば、新たなランプが電力回路に接続された場合、ランプの電極の予加熱及び点弧電圧の発生をマイクロプロセッサによって連続的に行なうことができ、その後、ランプへの安定した電力の供給を行なうこともできる。このような安定した電力の供給中、ランプ電流は、ほぼ一定値となるようにマイクロプロセッサによって調整される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ランプＬＡに接続された本発明による回路配置の一例を示す。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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