(57)【要約】本発明は、ゲッター合金からなる被膜ならびにそれを生成する機構および方法に関する。本発明の被膜は、高真空容器（４）の内壁（３）のための非蒸発型ゲッター合金（２）からなる。本発明のゲッター合金被膜（１）は、希ガス混入により妨害されず、希ガス無含有ゲッター合金プラズマ（６）からの合金堆積生成物を含む。本機構は基本的に、金属プラズマ発生器（７）からなり、金属プラズマ発生器（７）は、点火電極（９）およびゲッター合金（２）からなる陰極線（１０）を保持する絶縁体部材（８）を備える。これら３つの構成部品は、ケージ形陽極部材（１３）により包囲されており、ケージ形陽極部材（１３）は、絶縁部材（８）とともに、被覆される高真空容器（５）内に突出しており、電圧供給デバイス（１６）により陰極電位（１２）、高電圧点火パルス（１９）、および陽極電位（１４）を供給され、陽極部材（１３）は高真空容器（４）とともに接地電位に保持される。イオンビーム加速システムのビーム誘導管内に超高真空を形成するための、本機構による当該ビーム誘導管の高真空容器（５）の被膜が好ましい。
2005519197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超高真空容器（４）の内壁（３）のための非蒸発型（non-vaporising）ゲッター合金（２）からなる被膜であって、前記ゲッター合金（２）は、1500℃を超える融点および3000℃を超える蒸発温度を有する少なくとも１つのゲッター金属を含んでおり、
前記ゲッター合金被膜（１）は、希ガスの混入により妨害（encumbered）されず、希ガス無含有ゲッター合金プラズマ（６）からの合金堆積生成物を含むことを特徴とする被膜。
【請求項２】
前記ゲッター合金（２）が、チタン、ジルコニウム、および／またはバナジウムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の被膜。
【請求項３】
前記ゲッター合金（２）が、チタン、ジルコニウム、および／またはハフニウムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の被膜。
【請求項４】
前記ゲッター合金（２）が、バナジウム、ジルコニウム、および／またはハフニウムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の被膜。
【請求項５】
前記ゲッター合金（２）が、120℃〜500℃の活性化温度を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の被膜。
【請求項６】
前記ゲッター合金（２）が、200℃未満かつ120℃を超える活性化温度を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の被膜。
【請求項７】
前記ゲッター合金（２）が、250℃を超えて500℃までの活性化温度を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の被膜。
【請求項８】
被覆される高真空容器（５）の内壁（３）に、先行請求項のいずれか１項に記載のゲッター合金被膜（１）を生成する機構（arrangement）であって、
金属プラズマ発生器（７）からなり、該金属プラズマ発生器（７）は、以下の成分：
−点火電極（９）および陰極線（１０）を有する、ゲッター合金（２）からなる絶縁体部材（８）であって、前記点火電極（９）および前記陰極線（１０）は、点火パルス発生器（１１）および陰極電位（１２）それぞれに接続可能であり、かつ互いに空間的に離間して前記絶縁体部材（８）上に配置される、絶縁体部材（８）と、
−ケージ形陽極部材（１３）であって、前記絶縁体部材（８）から離間して（ｄ）該絶縁体部材を包囲しており、かつ陽極電位（１４）に接続可能であり、前記絶縁体部材（８）およびその周りの前記陽極部材（１３）は、被覆中は、前記被覆される高真空容器（５）の内部（１５）に突出している、ケージ形陽極部材（１３）と、
−陰極電位切り替えデバイス（１７）を有する電圧供給装置（１６）であって、真空ポート（１８）により前記陰極線（１０）に前記陰極電位（１２）を印加し、真空高電圧ポート（２０）により前記点火電極（９）に高電圧点火パルス（１９）を印加し、かつ前記被覆される高真空容器（５）および前記陽極部材（１３）に前記陽極電位（１４）を接続する、電圧供給装置（１６）と
を備えることを特徴とする機構。
【請求項９】
金属プラズマスプレーヘッド（２１）を備え、該金属プラズマスプレーヘッド（２１）が、前記陰極線（１０）および前記点火電極（９）を有する前記絶縁体部材（８）を備え、かつ前記被覆される高真空容器（５）の前記内部（１５）において高真空下で移動可能に配置されることを特徴とする、請求項８に記載の機構。
【請求項１０】
前記被覆される高真空容器（５）の前記内部（１５）での前記金属プラズマスプレーヘッド（２１）の直線変位を可能にする高真空スライドスルー（slide-through）ポート（２２）を備えることを特徴とする、請求項９に記載の機構。
【請求項１１】
金属プラズマスプレーロッド（２３）を備え、該金属プラズマスプレーロッド（２３）が、点火電極（９）を有する絶縁体部材（８）としての絶縁体ロッド（２４）と、その包絡面（envelope surface：外面）（２５）に、巻き付き（wound-on）陰極線（１０）と、さらにその周りの前記陽極部材（１３）とを備え、かつ前記被覆される高真空容器（５）の前記内部（１５）に配置されることを特徴とする、請求項８に記載の機構。
【請求項１２】
前記絶縁体ロッド（２４）が、該絶縁体ロッド（２４）の端面（２７）に向かって軸方向に増大する半径を有する、軸方向の円錐形（２６）を有することを特徴とする、請求項１１に記載の機構。
【請求項１３】
前記絶縁体ロッド（２４）が、1°〜15°の円錐角（α）を有することを特徴とする、請求項１２に記載の機構。
【請求項１４】
前記金属プラズマスプレーロッド（２３）および／または前記金属プラズマスプレーヘッド（２１）のための回転ポート（２８）を備えることを特徴とする、請求項９から１３のいずれか１項に記載の機構。
【請求項１５】
支持フランジ（２９）を備え、該支持フランジ（２９）は、前記金属プラズマスプレーロッド（２３）および／または前記金属プラズマスプレーヘッド（２１）を保持し、かつ前記被覆される高真空容器（５）に高真空気密にフランジ取り付けされるように配置されることを特徴とする、請求項９から１４のいずれか１項に記載の機構。
【請求項１６】
前記ケージ形陽極部材（１３）が、針金格子（３０）により形成されることを特徴とする、請求項８から１５のいずれか１項に記載の機構。
【請求項１７】
前記ケージ形陽極部材（１３）が、多孔板により形成されることを特徴とする、請求項８から１５のいずれか１項に記載の機構。
【請求項１８】
前記陽極部材（１３）が、1500℃を超える融点および3000℃を超える蒸発温度を有する高融点合金を含むことを特徴とする、請求項８から１７のいずれか１項に記載の機構。
【請求項１９】
前記陽極部材（１３）が、前記陰極線よりも高い蒸発温度を有するゲッター合金（２）を含むことを特徴とする、請求項８から１８のいずれか１項に記載の機構。
【請求項２０】
前記点火電極（９）が、前記高真空容器（５）内に突出した前記絶縁体部材（８）の前記端面（２７）に配置されることを特徴とする、請求項８から１９のいずれか１項に記載の機構。
【請求項２１】
前記絶縁体部材（８）が、円筒状のセラミック管（３１）からなり、該円筒状のセラミック管（３１）が、その軸領域（３２）に、前記絶縁体部材（８）の前記端面（２７）で点火電極（９）としての中心金属板（３４）につながる供給線（３３）を備えることを特徴とする、請求項８から２０のいずれか１項に記載の機構。
【請求項２２】
前記絶縁体部材（８）が、セラミックリング（３５）を備え、該セラミックリング（３５）が、前記陰極線（１０）の束（３７）を備えるリング開口（３６）を有し、かつ点火電極（９）としての金属リング（３８）を保持し、該金属リング（３８）は、点火供給ライン（３９）により前記電圧供給装置（１６）と作動的に接続されていることを特徴とする、請求項８から２０のいずれか１項に記載の機構。
【請求項２３】
前記点火電極（９）が、1500℃を超える融点および3000℃を超える蒸発温度を有する高融点合金を含むことを特徴とする、請求項８から２２のいずれか１項に記載の機構。
【請求項２４】
前記点火電極（９）が、前記陰極線（１０）よりも高い蒸発温度を有するゲッター合金（２）を含むことを特徴とする、請求項８から２３のいずれか１項に記載の機構。
【請求項２５】
前記被覆される高真空容器（５）が、イオンビーム加速システムのビーム誘導管（４１）であることを特徴とする、請求項８から２４のいずれか１項に記載の機構。
【請求項２６】
被覆される高真空容器の内壁（３）に、非蒸発型ゲッター合金（２）からなる被膜（１）を生成する方法であって、前記ゲッター合金（２）は、1500℃を超える融点および3000℃を超える蒸発温度を有する少なくとも１つのゲッター金属を含み、該方法は、
−ゲッター合金（２）からなる陰極線（１０）と陽極部材（１３）との間で、高電圧点火パルス（１９）により光アーク（light arc）（４２）に点火するステップと、
−前記陰極線（１０）と該陰極線（１０）を空間的に包囲するケージ形陽極部材（１３）との間で金属プラズマ光アーク（４３）を維持しつつ、前記陰極線（１０）をゲッター合金プラズマに連続変換するステップと、
−高真空下で、前記被覆される高真空容器（５）の前記内壁（３）をプラズマ被覆するステップと、
−被覆後に、被覆された超高真空容器（４）を気密封止するステップと
を含む方法。
【請求項２７】
前記光アーク（４２）に点火するために、-18kV〜-30kVの範囲の高電圧点火パルス（１９）が、点火パルス供給源（３３、３９）により絶縁体部材（８）の点火電極（９）に印加されることを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記陰極線（１０）と前記陽極部材（１３）および前記被覆される高真空容器（５）の前記内壁（３）との間のゲッター金属光アーク（４２）の維持のために、前記陽極部材（１３）および前記被覆される高真空容器（５）の前記内壁（３）は接地電位（１４）に保持され、前記陰極線（１０）は-100V〜-300Vの陰極電位（１２）に保持されることを特徴とする、請求項２６または請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
陰極線束（３７）および点火電極（９）を有する絶縁体部材（８）とその周りの前記陽極部材（１３）とを含む、金属プラズマ発生器（７）としての金属プラズマスプレーヘッド（２１）が、ゲッター合金プラズマ（６）の点火後に、前記被覆される高真空容器（５）の前記内部（１５）で、直線状高真空層ポート（linear high-vacuum layer port）（２２）によって直線状に移動し、前記陰極線束（３７）の前記ゲッター合金（２）が前記被覆される高真空容器（５）の前記内壁（３）にプラズマ形成によって堆積することを特徴とする、請求項２６から２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
プラズマ発生器（７）としての金属プラズマスプレーロッド（２３）の、絶縁体ロッド（２４）に巻き付けられた前記陰極線（１０）のゲッター合金は、前記金属プラズマスプレーロッド（２４）の端面（２７）から開始して、陰極巻線で金属プラズマ形成を連続的に生じさせて、前記被覆される高真空容器（５）の前記内壁（３）に被膜（１）として堆積することを特徴とする、請求項２６から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記金属プラズマ発生器（７）が、前記ゲッター合金（２）の堆積中に高真空回転ポート（２８）により回転することを特徴とする、請求項２６から３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記金属プラズマスプレーロッド（２４）が用いられる場合、前記ゲッター合金（２）の前記被膜（１）の厚さは前記陰極線（１０）の厚さにより制御されることを特徴とする、請求項２６から３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
前記金属プラズマスプレーヘッド（２１）が用いられる場合、前記ゲッター合金（２）の前記被膜（１）の厚さは、前記被覆される高真空容器（５）の軸方向の前記金属プラズマスプレーヘッド（２１）の移動速度により制御されることを特徴とする、請求項２６から３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３４】
イオンビーム加速システムのイオンビーム誘導管（４１）が、該イオンビーム誘導管（４１）内の超高真空を可能にするために前記ゲッター合金（２）で被覆されることを特徴とする、請求項２６から３３のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、独立請求項の前文による、ゲッター合金からなる被膜ならびにそれを生成する装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ゲッター金属は、収着または直接化学反応によって高真空チャンバからの破壊性（disruptive）ガスまたは有害ガスの残存物（last traces）と結合するために用いられる物質を含むものであり、２つの群に分けることができる。第１の群は、蒸発型（vaporisable）ゲッター金属により形成され、この金属は、管状フラスコの最初の昇温中に管中で蒸発し、プロセス中に、収着または直接化学反応によって高真空チャンバからの破壊性ガスまたは有害ガスの残存物と結合する。これらは、低温で蒸発するゲッター金属、すなわち、678℃の蒸発温度を有するセシウム、882℃の蒸発温度を有するナトリウム、1090℃の蒸発温度を有するマグネシウム、1484℃の蒸発温度を有するカルシウム、および1640℃の蒸発温度を有するバリウムを含む。他の群のゲッター金属は、作用を生じるために蒸発する必要がなく、3000℃を超える温度でのみ蒸発するが、場合によっては120℃以上の活性化温度でさえもゲッタリング作用を示す金属からなる。この群の非蒸発型（non-vaporisable）ゲッター金属は、3287℃の蒸発温度を有するチタン、4377℃の蒸発温度を有するジルコニウム、および4602℃の蒸発温度を有するハフニウムといった金属を含む。
【０００３】
このような非蒸発型ゲッター金属からなる被膜はゲッターポンプに用いられ、ゲッターポンプでは、非蒸発型ゲッター金属が真空内で加熱されて、特定のゲッター合金に典型的な活性化温度で、表面に最初に結合する化学反応性ガスがゲッター金属の固体中に拡散する。ゲッター金属を例えば室温に冷却した後、酸素分子または水分子等の反応性の残留ガス成分は、再びその反応性表面に結合することができる。
【０００４】
しかしながら、ゲッター合金の作用は、ゲッターポンプ表面の生成中にゲッター合金を妨害する希ガスが混入することにより損なわれる場合がある。アルゴンまたはクリプトン等の希ガスによるこの妨害により、ゲッターポンプ表面の吸収力（take-up capacity）、すなわち収着能力が低下する可能性がある。これは、ゲッターポンプ金属の表面および内部におけるある割合の活性化位置が希ガスの混入により遮蔽される、すなわち妨害されるからである。さらに、「ガスの再放出」の危険性、すなわち、混入した希ガス分子がゲッター材料から再び拡散して、UHVが低下する危険性がある。
【０００５】
ゲッターポンプの生成には、実質的な技術的問題もある。非蒸発型ゲッター合金の融点は高いため、蒸発型ゲッター合金の場合に行われるようにゲッター合金をゲッターポンプの表面上に焼結または蒸着させることができない。したがって、残留ガス圧が約2Paであるアルゴンまたはクリプトン等の希ガスを有する微小真空領域を設けて、その残留ガスをガス放電させる技法が確立されている。このプロセスでは、負の電位に保持された犠牲陰極が、スパッタリングプロセスにおいて正に帯電したガスイオンにより微粒化される（atomised）。このスパッタリングプロセスでは、犠牲陰極が微粒化されたゲッター金属を含んでいるだけではなく、ある割合のアルゴンまたはクリプトンなどのスパッタリングガスがゲッターポンプ被膜に組み込まれる。さらに、このプロセスは、スパッタリングプロセス中の高融点ゲッター金属の微粒化率が低いため、ゲッターポンプ層を形成するのに極めて長い時間がかかるというさらなる欠点を有する。したがって、許容期間内に薄いゲッター層または層厚しか塗布することができず、これにより所定期間にわたるゲッターポンプ作用が制限される。これは、最小限の厚さしか有さないことにより被膜の体積の吸収力が極めて制限されるからである。
【発明の開示】
【０００６】
本発明の課題は、従来技術の欠点を克服すること、および超高真空容器の内壁のための非蒸発型ゲッター合金からなる被膜を提供することであり、この被膜は、一方では残留ガスの吸収力が高く、さらにその体積が反応性残留ガスで満たされる前に多数回のポンピングサイクルを可能にする。
【０００７】
この課題は、独立請求項の主題により解決される。本発明のさらに有利な実施形態の特徴は、従属請求項に示される。
【０００８】
本発明によると、超高真空容器の内壁のための非蒸発型ゲッター合金からなる被膜が提案され、ゲッター合金は、1500℃を超える融点および3000℃を超える蒸発温度を有する少なくとも１つのゲッター金属を含む。本発明のゲッター合金被膜は、希ガス混入により妨害されず、希ガス無含有のゲッター合金プラズマからの合金堆積生成物を含む。この被膜は、希ガススパッタリング生成物ではなく、希ガス無含有ゲッター合金プラズマから生じた合金堆積生成物であるという利点を有する。このようなゲッター合金層は、実質的により短い処理時間で実質的により厚い厚さに生成することができるため、反応性残留ガスの高い吸収力は、本発明によるゲッター金属被膜の実質的な利点である。さらに、吸収力を低下させる希ガス金属が混入されないため、反応性ガスの吸収力はさらに増加する。
【０００９】
本発明の好ましい実施形態では、ゲッター合金は、チタン、ジルコニウム、および／またはバナジウムを含むが、バナジウムは非蒸発型ゲッター金属に直接属してはおらず、ゲッタリング作用を有するチタンおよびジルコニウム構成成分のための結合用金属として本明細書では用いられる。
【００１０】
本発明のさらに好ましい実施形態では、ゲッター合金は、チタン、ジルコニウム、および／またはハフニウムを含む。この組成物は、チタンにより繋ぎ合わせられるゲッター合金となり、３つの成分全てがゲッタリング作用およびそれに対応して高い活性化温度を有する。さらなるゲッター合金は、バナジウム、ジルコニウム、およびハフニウムを含むことを特徴とする。この場合も同様に、バナジウムはゲッタリング作用を直接与える金属ではなく、ゲッタリング作用および互いの均質混合の際にジルコニウムおよびハフニウム構成成分を刺激することに役立つ。
【００１１】
本発明のさらに好ましい実施形態では、ゲッター合金は、120〜500℃の活性化温度を有する。120〜500℃のこの範囲の活性化温度は、関連するゲッター合金の割合を変化させることにより得ることができる。この範囲のうち好ましいサブセットは、200℃未満かつ120℃を超える活性化温度を有するゲッター合金を含む。このような活性化温度は、通常の高真空動作のベークアウト温度に対応するため、超高真空を生成するためのゲッター被膜およびベークアウト動作を組み合わせることができる。
【００１２】
本発明のさらなる有利な開発では、ゲッター合金は250〜500℃の活性化温度を有する。この場合、チタン、ジルコニウム、およびハフニウムの組み合わせがゲッター合金として特に適しているが、これは特に、最高融点および最高蒸発温度を有するゲッター金属であるハフニウムが被膜に含まれるからである。標準的なベークアウト温度よりも実質的に高いこの範囲は、100〜150℃という比較的低い温度で、複数のステップで別々にベークアウトを行うことができ、次いで、高真空容器の残留大気が完全に乾燥してからのみ、ベークアウト温度よりも実質的に高い温度である250〜500℃でゲッター材料の表面の再活性化が行われるという利点を有する。この再活性化サイクルが、冷却後にこの種の高い活性化温度を再現することにより複数回繰り返される場合、超高真空を高真空容器において複数回再形成することができる。
【００１３】
被覆される高真空容器の内壁へのゲッター合金被膜の生成を行うために、本発明により以下の機構が提供される。この機構は基本的に、金属プラズマ発生器からなり、金属プラズマ発生器は以下の構成部品を備える：
−点火電極および陰極線を有する、ゲッター合金からなる絶縁体部材であって、点火電極および陰極線は、点火パルス発生器および陰極電位それぞれに接続可能であり、点火電極および陰極線は、互いに空間的に離間して絶縁体部材上に配置される、絶縁体部材と；
−ケージ形陽極部材であって、絶縁体部材から空間的に離間して絶縁体部材を包囲しており、かつ陽極電位に接続可能であり、絶縁体部材およびその周りの陽極部材は、被覆中は、被覆される高真空容器の内部に突出している、ケージ形陽極部材と；
−陰極電位デバイスを有する電圧供給装置であって、真空ポートにより陰極線に陰極電位を印加し、真空高電圧ポートにより点火電極に高電圧点火パルスを印加し、かつ被覆される高真空容器および陽極部材に陽極電位を接続する、電圧供給装置。
【００１４】
この比較的簡単な機構によって、点火後に陰極線をプラズマに変換することができ、特に高真空容器がケージ形陽極部材と同じ陽極電位に保持されている場合、プラズマは陽極ケージに向かって広がり、陰極ケージの開口を通して高真空容器の内壁に金属プラズマを噴霧する。10kVを超える点火パルスを印加すると、点火電極は金属プラズマを生成し、金属プラズマは絶縁体部材にわたって広がり、陰極−陽極ギャップに点火し、それにより陰極材料が連続的に金属プラズマに変換されて高真空容器の内壁に噴霧される。
【００１５】
高真空容器の内壁に噴霧されるゲッター金属被膜の厚さは、ゲッター合金としてゲッター金属プラズマに変換される陰極線の厚さに応じて変わる。この効果は、光アークとしても既知であり、スパッタリングプロセスで１時間に可能であるよりも実質的に多くの金属プラズマを１秒間に放出する。この点で、極めて厚いゲッター合金層を生成することができ、この層はそれに対応して高い反応性ガス吸収力を有する。
【００１６】
原理上、金属プラズマ発生器を有する機構は、２つのバージョンで構成することができる。第１のバージョンでは、金属プラズマ発生器は金属プラズマスプレーヘッドの形態であり、第２の基本的な場合では、プラズマ発生器は金属プラズマスプレーロッドの形態である。したがって、第１の場合では、機構はまず、金属プラズマスプレーヘッドを有し、これは陰極線および点火電極を伴った絶縁体部材とその周りの陽極部材とを備え、被覆される高真空容器の内部において高真空下で移動するように配置される。
【００１７】
この種の金属プラズマスプレーヘッドは、真空容器の個々の部分において異なる速度で移動することができ、その結果、ゲッター金属被膜の厚さを可変に、例えば軸方向に可変に形成することができるという利点を有する。本発明の好ましい実施形態では、そのための機構は、高真空スライドスルーポートを有し、これは被覆される高真空容器の内部での金属プラズマスプレーヘッドの直線変位を可能にする。この機構は、任意の所望の長さの高真空管状部品にフランジ取り付けすることができ、高真空スライドスルーポートを被覆される高真空管の長さに応じて構成することができるという利点を有する。
【００１８】
本発明のさらに好ましい実施形態では、機構は、金属プラズマスプレーロッドを有し、これは、点火電極を有する絶縁体部材としての絶縁体ロッドと、その包絡面に、巻き付き陰極線と、さらにその周りの陽極部材とを備え、被覆される高真空容器の内部に配置される。この種の金属プラズマスプレーロッドは、高真空スプレーロッドを保持し、被覆される高真空管または被覆される高真空容器にフランジ取り付けされるフランジが必要なだけであるという利点を有する。この金属プラズマスプレーロッドの場合、いかなる高真空スライドスルーポートも省くことができる。
【００１９】
原理上、金属プラズマスプレーロッドの絶縁体部材は、その中心に点火供給ラインを有し、これは絶縁体ロッドの端面まで延びて点火電極で終端する。点火電極は、ディスクの形態またはリング板の形態であってもよく、まず、ゲッター金属プラズマに点火するための点火パルスが、供給ラインによって点火電極に印加され、端面において点火電極と陰極線との間で点火プラズマが生じ、このプラズマは陽極に向かって伝播し、一方で巻き付き陰極ビームが陰極電位に接続されており、高真空容器壁とともに陽極部材が接地電位に接続されている場合は陽極で持続する。
【００２０】
陰極線は、絶縁体部材上に、平行な複数の巻線を有してもよい。次に、対応する数の金属プラズマスレッドが、陽極を超えて高真空容器の内壁まで延びる。例えば、絶縁体ロッドの円周に４つの陰極線が分配されている構成の場合、旋回する４つのゲッター金属プラズマギャップが形成され、これは、陰極電位が印加されている限り、または陰極線が依然として存在している限り持続する。プロセスにおいて、端面から開始し絶縁体ロッドの端部まで続く陰極線は、ケージ形陽極に向かって、さらにケージ形陽極から高真空容器の内壁に、金属プラズマビームを送ることが確実でなければならない。
【００２１】
金属プラズマスプレーロッドの場合、金属プラズマが端面領域で発生して絶縁体ロッドの端部まで続くことを確実にするために、絶縁体ロッドは、本発明の好ましい実施形態では、絶縁体ロッドの端面に向かって軸方向に半径が増大する軸方向の円錐形を有する。したがって、陽極ケージの形態の陽極部材と陰極線との間の最小間隔は端面で確保され、ゲッター合金からなる光アークは、絶縁体ロッドの周りを旋回しながら、陰極線の真空ポートの方向に広がり、高真空容器の内壁を均一に被覆することになる。円錐形絶縁体ロッドの円錐角は、1°〜15°であることができる。ゲッター合金プラズマが端面から生成して金属プラズマスプレーロッドに従って広がるのを確実にするには、このように浅い角度で十分である。
【００２２】
陰極線を空間的に離間して包囲するケージ形陽極は、ケージ構造により、それに対応した構造の内壁被膜を高真空容器の内壁にもたらす可能性がある。この種の構造の被膜を回避するために、機構は、金属プラズマスプレーロッドおよび／または金属プラズマスプレーヘッドのための回転ポートを備え、それにより、金属プラズマスプレーロッドまたはプラズマスプレーヘッドが陽極とともに連続回転して、高真空容器の内壁のゲッター金属被膜を均一な厚さにすることができる。
【００２３】
金属プラズマスプレーロッドおよび金属プラズマスプレーヘッド両方の位置を安定化するために、これらそれぞれを、被覆される高真空容器に真空気密にフランジ取り付けすることができる支持フランジによって保持してもよい。この種の支持フランジは、高真空容器が支持フランジにより真空気密にシールされることができるほど十分に大きい開口を有するならば、装置を任意の所望の高真空容器に比較的簡単にフランジ取り付けすることができるという利点を有する。
【００２４】
ケージ形陽極部材は針金格子により形成してもよい。この種の好ましい実施形態では、一方では陽極ケージの高度の安定性を得るために、他方では金属プラズマ流があるにもかかわらず電位の均一な分布を確保するために、針金格子ロッドはそれらの交点を互いに溶接されることが好ましい。本発明のさらに好ましい実施形態では、ケージ形陽極部材は多孔板により形成される。多孔板は、陽極部材として金網よりもさらに高い安定性を有する。陽極部材の材料は、1500℃を超える融点および3000℃を超える蒸発温度を有する高融点合金からなり、これは、高温の金属プラズマが陽極部材からのいかなる材料もゲッター金属被膜に組み込まないことを確実にすることが意図される。
【００２５】
本発明のさらに好ましい実施形態では、陽極部材は、陰極線のゲッター合金よりも高い蒸発温度を有するゲッター合金からなる。これは、陽極部材材料によりゲッター金属被膜が汚染されている場合、被膜のゲッター金属作用を補助し、かつ従来技術におけるように希ガスイオンによりゲッター金属被膜の活性を妨げることのないゲッター合金のみが同様に組み込まれるという利点を有する。この例では、ゲッター金属の最高融点および最高蒸発温度を有するハフニウムを特に適した材料として用いることができる。
【００２６】
本発明のさらに好ましい実施形態では、点火電極は、高電圧容器内に突出した絶縁体部材の端面に配置される。点火電極がこの位置にあることは、金属プラズマが絶縁体部材の端面領域で生成することを確実にし、点火電極を比較的簡単な手段で始動させることができるという利点を有する。このために、絶縁体部材は円筒状のセラミック管からなり、これはその軸領域に、絶縁体部材の端面で点火電極としての中心金属板につながる供給線を有し、これにより、ゲッター金属プラズマスプレーロッドの端面の中心に点火電極を比較的簡単に組み立て、かつ固定することができる。
【００２７】
ゲッター金属プラズマスプレーヘッドの場合、本発明の好ましい実施形態では、絶縁体部材はセラミックリングの形態である。セラミックリングのリング開口は、陰極線の束を保持し、金属リングの形態の点火電極がセラミックリングに取り付けられる。この場合は絶縁体部材としてのセラミックリングに配置される点火電極としての金属リングは、電圧供給装置と作動的に接続された対応する点火供給ラインを有する。
【００２８】
点火のために、点火パルスが点火供給ラインによって金属リングに送られ、それにより、セラミックリングのリング開口において陰極電位に保持されている陰極線の束から、金属プラズマが半径方向に広がり、空間的に包囲しているケージ形陽極まで及び、陽極を介して、陽極電位に保持されている真空容器の内壁が被覆される。点火電極が、１つまたは複数の点火パルスの持続時間の間のみ数十ｋＶという高電圧に曝される場合であっても、そのことさえもが点火電極材料によるゲッター合金の汚染に寄与する可能性がある。この理由から、本発明の有利な発展では、1500℃を超える融点および3000℃を超える蒸発温度を有する高融点合金が点火電極のために提供される。
【００２９】
特に安定性があり高純度ゲッター金属被膜を得ることを意図した点火電極のために、陰極線のゲッター合金よりも高い蒸発温度を有するゲッター合金が用いられる。この場合、点火電極のゲッター金属による汚染は、ゲッター金属被膜の品質を低下させるというよりむしろ改善させることができる。
【００３０】
この種のゲッター金属被膜の特定の用途は、イオンビーム加速システムのビーム誘導管である、被覆される高真空容器にある。
【００３１】
被覆される高真空容器の内壁に非蒸発型ゲッター合金からなる被膜を生成する方法は、以下の方法ステップを含む。
【００３２】
まず、ゲッター合金からなる陰極線と陽極部材との間で、高電圧点火パルスによりプラズマ光アークに点火する。次に、陰極線と陰極線を空間的に包囲するケージ形陽極部材との間で金属プラズマ光アークを維持しつつ、陰極線をゲッター合金プラズマに連続変換して、高真空容器の内壁をプラズマ被覆する。最後に、被覆後に、被覆された超高真空容器を、超高真空システムに超高真空容器を設置するまで気密封止する。
【００３３】
陰極線とケージ形陽極との間の光アークの点火のために、-18kV〜-30kVの範囲の高電圧点火パルスが点火パルス供給源により絶縁体部材の点火電極に印加される。この点火パルスは、最初の金属プラズマを生成させるのに十分であり、この最初の金属プラズマは、続いて陰極線とケージ形陽極との間に広がる。
【００３４】
本方法の好ましい実施例では、陰極線とケージ形陽極部材および高真空容器の内壁との間のゲッター金属光アークの維持のために、陽極部材および高真空容器の内壁は接地電位に保持され、陰極線は-100V〜-300Vの陰極電位に保持される。点火パルスよりも低いこの電圧は、陰極線全てが使い果たされるまでゲッター合金プラズマを維持するのに十分である。
【００３５】
本方法のさらに好ましい実施例では、陰極線束および点火電極を有する絶縁体部材とその周りの陽極部材とを含む、金属プラズマ発生器としての金属プラズマスプレーヘッドは、ゲッター合金プラズマの点火後に、被覆される高電圧容器の内部で、直線状高電圧スライドスルーポートによって直線状に移動し、陰極線束のゲッター合金が被覆される高電圧容器の内壁にプラズマ形成によって堆積する。被覆される高真空容器内のスプレーヘッドの機械的移動の結果として、被覆される高真空容器の長さは、金属プラズマスプレーヘッドの供給のための直線状ポートの可能な長さによってのみ制限される。これは、容器の長さがスライドスルーポートの長さを越えない限り、上記金属プラズマスプレーヘッドを常に高真空容器の種々の長さで用いることができるという利点を有する。
【００３６】
高真空容器の長さに合った金属プラズマスプレーロッドが用いられる場合、この種のスライドスルーポートを省くことが可能である。本方法のこの実施形態では、プラズマ発生器としての金属プラズマスプレーロッドの、絶縁体ロッドに巻き付けられた陰極線のゲッター合金は、金属プラズマスプレーロッドの端面から開始して、陰極巻線で金属プラズマ形成を連続的に生じさせて、被覆される高真空容器の内壁にゲッター金属被膜として堆積する。この種の方法は、点火パルスによる点火の直後に、陰極線が使い果たされるまで、または陰極電位がオフに切り替えられるまで、金属プラズマが維持されることができるという利点を有する。
【００３７】
本発明のさらなる実施例では、金属プラズマ発生器は、ゲッター合金の堆積中に高真空回転ポートにより回転する。金属プラズマ発生器の同時回転を含むこの方法では、金属プラズマ発生器が金属プラズマスプレーヘッドの形態または金属プラズマスプレーロッドの形態である場合、比較的均一な厚さのゲッター合金層が高真空容器の内壁に堆積されることが確実になる。
【００３８】
本方法のさらに好ましい実施例では、金属プラズマスプレーロッドが用いられる場合、ゲッター合金の被膜の厚さは陰極線の厚さにより制御される。陰極線が厚いほど、容器の内壁に堆積させることができる量も多くなり、高真空容器のゲッター金属被膜の厚さを簡単ではあるが効果的に事前に計算することができる。
【００３９】
金属プラズマスプレーロッドに基づいた金属プラズマ発生器の場合、陰極線の厚さが重要であるが、金属プラズマスプレーヘッドが用いられる場合、被膜の厚さは、金属プラズマスプレーヘッドが高真空容器内を長手方向に移動する速度により左右される。遅い速度、すなわち低速では被膜は厚くなり、高速では被膜の厚さはそれに従って薄くなる。金属プラズマスプレーヘッドの環状絶縁体部材の中心にある陰極線の束は、その目的で、ゲッター材料を十分に補充するために継続的に前進する。
【００４０】
本方法の好ましい用途は、イオンビーム誘導管のゲッター合金被膜の生成に関する。この種のイオンビーム誘導管はイオンビーム加速システムで用いられ、イオンビーム誘導管の内壁（本方法により改善される）に大面積ゲッターポンプが形成される。結果として、イオンビーム加速システムの保守、清掃、および排気の費用を削減することができる。
【００４１】
本発明のさらなる利点および特徴を、添付図面を参照して実施形態によりさらに詳細に以下で説明する。
【００４２】
図１は、本発明の第１の実施形態のゲッター合金被膜１を生成する機構の概略図を示す。まず、図１ａは図１ｂのＡ−Ａ部分の平面の断面図を示す。図１ａの断面図は円形断面を有する高真空容器５を示し、これは、ゲッター合金被膜１での内壁３の被覆の結果として改善されて、超高真空容器４が形成される。このために、図１ｂに示すように、絶縁体部材８が円形断面を有する円筒状の高真空容器５内に突出しており、この絶縁体部材はロッドの形態であり、その円周上に、平行に延びる陰極線１０の巻線を有する同一方向に走っている４つのコイルを有する。陰極巻線は、ゲッター合金を含む包絡面２５に配置される。
【００４３】
この実施形態では、ゲッター合金２は、３つの成分、すなわちチタン、ジルコニウム、およびバナジウムからなり、チタンおよびジルコニウムは高活性のゲッター金属である。容積比および合金成分の性質を変更することにより、活性化温度を120℃〜500℃で調整することができる。120℃〜200℃の低い活性化温度は、ゲッター合金被膜の表面の再活性化も高真空容器５のベークアウト手順と同時に実行される場合に、特に有利である。
【００４４】
高真空を得るためのベークアウトをゲッター金属被膜１の再活性化と別に行う（separate）ために、ベークアウト温度よりも実質的に高い活性化温度が望まれる場合、完了した加熱（heated-out）プロセスとは独立してゲッター合金被膜１の複数の再活性化を行うために、極めて高い温度で溶融および蒸発するさらなる金属、すなわちハフニウムが用いられ、これは2227℃の融点および4602℃の蒸発温度を有する。このために、1660℃±10℃の融点および3287℃の蒸発温度を有する低融点のチタンをハフニウムで置き換える。他方、特にバナジウムのゲッター作用はハフニウムのゲッター作用よりも大きくないため、高融点のバナジウムをハフニウムで置き換えてもよい。したがって、第３の成分としてハフニウムを含むゲッター金属被膜を用いて、改善された超高真空を得ることができるが、これは、超高真空を得るために被膜１の再活性化を200℃〜500℃の高温で複数回実行できるからである。
【００４５】
ゲッター合金被膜１を高真空容器５の内壁３に設けるために、絶縁体ロッド８に巻き付けられたゲッター合金２からなる陰極線１０が金属プラズマスプレーロッド２３の端面２７において点火され、図１ａに見ることができるように、多重コイルの場合、４つの金属プラズマトラック６が高真空で形成され、これらトラック６は、図１ａに見ることができるように、陰極線コイルが使い果たされるにつれて矢印Ｕの方向に時計回りに回転し、プロセスにおいて、純粋なゲッター合金プラズマ６からの希ガス無含有ゲッター金属被膜１で高真空容器５の内壁３を被覆する。このために、絶縁体部材８の陰極線１０は、ケージ形陽極部材１３によって間隔ｄだけ空間的に離間して包囲される。
【００４６】
ケージ形陽極部材１３は、針金格子３０または多孔板４０から構成されてもよく、陽極部材１３および高真空容器５の壁は接地電位に保持され、他方、陰極線１０は-100〜-300Vの電圧に維持される。電圧は、高真空ポート１８により陰極線１０に供給される。しかしながら、陽極部材１３と陰極線１０との間の電圧差がこのように低い場合、金属プラズマに点火することができない。このために、図１ｂに見ることができるように、その包絡面２５に陰極線１０を保持している絶縁体部材８は中心高電圧供給線３３を有し、これは絶縁体ロッド２４の端面２７において、点火電極９としての円形金属板３４に接続される。
【００４７】
10kVを超える、本発明のこの実施形態では少なくとも18kVという高電圧を印加すると、プラズマはまず絶縁体部材８の端面２７において点火電極９と陰極線１０との間で形成され、陰極−陽極ギャップの点火を確実にする。一方、ゲッター金属被膜１にいかなる異種金属も組み込まず、ゲッター金属のみを含むために、点火電極９を、高融点を有し高温で蒸発するゲッター金属から作成してもよい。高融点を有し高温で蒸発するゲッター金属線またはゲッター金属板から生成することができるケージ形陽極部材１３にも、このことが当てはまる。
【００４８】
金属プラズマスプレーロッド２３の端面２７での陰極線１０の点火後、金属プラズマ光アーク４３が回転しながら陰極線１０が使い果たされ、回転している４つの光線からなる金属プラズマ光アーク４２は、高真空ポート１８に向かって矢印Ｆの方向に移動し、それに従って管状高真空容器４の全長にわたって内壁３を被覆する。プロセスにおいて、陰極の利用可能なゲッター金属線は、金属プラズマを用いて施されるゲッター合金被膜１の厚さを左右する。ゲッター金属のストックは、陰極線１０の線径によって可変に調整することができる。陰極材料を使い果たす手順は、この被覆手順と同様の光アークプロセスで比較的迅速に行われ、それにより、短時間で高真空容器５全体の内壁３が予め決定可能な厚さのゲッター合金２で被覆される。
【００４９】
図１ｂは、上述したように管状形態である高真空容器４の中心に金属プラズマスプレーロッド２３を有する、部分的に破断した高真空容器５を基本的な概略形態で示す。金属プラズマスプレーロッド２３は基本的に、円筒状の絶縁体部材８を備え、絶縁体部材８は、すでに上述したように、その円筒状の包絡面２５に陰極線１０の複数のコイルを有し、陰極線１０の複数のコイルは、高電圧供給源３３によって絶縁体部材８の端面２７から開始して点火されてよく、それにより、高真空容器５の内壁３全体を被覆する金属プラズマアークが、端面２７から発生して形成される。プロセスにおいて生成されるゲッター合金被膜１は図１ｂに点破線４４で示されており、絶縁体部材８から間隔ｄだけ空間的に離間して配置される陽極部材１３は破線４５で示されている。この破線４５は、同時に、陽極部材１３が多孔板４０または針金格子３０からなっていてもよいことを示すよう意図される。
【００５０】
２点破線４６は、電圧供給装置１６の領域を概略的に示しており、これは一方では、点火パルス１９を点火電極９に、より詳細には真空高電圧ポート２０を通る供給ライン３３、３９によって供給することができる。このために、点火パルス発生器１１が作動される。さらに、電圧供給装置１６は陰極電流源を有し、これは接地電位に保持された陽極部材と陰極線１０との間に、スイッチ１７によって-100〜-300Vの電圧で接続される。最後に、電圧供給装置１６は、本発明のこの実施形態では高真空容器５とともに接地電位に保持される陽極電位１４の供給ラインを備える。
【００５１】
この実施形態では基本的に金属プラズマスプレーロッド２３からなり、高真空容器５内に突出している金属プラズマ発生器７は、高真空容器５の対応する高真空フランジに一致する支持フランジ２９によって保持される。
【００５２】
図２は、本発明の第２の実施形態のゲッター金属被膜１を生成する機構の概略図を示し、図２ａは、図２ｂの線Ｂ−Ｂに沿った部分の平面の断面図を示し、図２ｂは、金属プラズマスプレーロッド２３を有する部分的に破断した高真空容器５を基本的な概略形態で示す。前の図と同じ機能を有する構成部品は同じ参照符号で示されており、独立して説明しない。
【００５３】
図１による実施形態と図２による実施形態との基本的な相違点は、図２ｂの金属プラズマスプレーロッド２３が円錐形を有し、端面２７に向かって半径が増大しており、円錐角が1°〜15°であることである。金属プラズマスプレーロッド２３がこのように円錐形であることにより、一方では、中心金属板３４の形態の点火電極９も位置付けられている端面２７において金属プラズマが発生し、陽極部材１３と陰極線１０との間の空間的な間隔ｄが高真空ポート１８に向かって増大し、それにより、陰極線１０が端面２７から高真空ポート１８および２０まで所定の方法で使用されていき、その間に陰極線１０の遮断が生じる可能性はない。その結果、円錐形により、陰極線材料への金属プラズマへの連続的な変換が保証されることが確実になる。本発明の第１の実施形態とのさらなる相違点は、この場合４つではなく８つの陰極線コイルが円錐テーパ状の絶縁体部材８上に平行に配置され、プラズマ雲がより均一に形成されることに寄与することである。
【００５４】
図３は、本発明の第３の実施形態のゲッター金属被膜１を生成する機構の概略図を示し、図３ａは、図３ｂの線Ｃ−Ｅに沿った部分の平面の断面図を示し、図３ｂは、金属プラズマスプレーヘッド２１を有する部分的に破断した高真空容器５を基本的な概略形態で示す。前の図と同じ機能を有する構成部品は同じ参照符号で示されており、独立して説明しない。
【００５５】
最初の２つの実施形態との基本的な相違点は、ゲッター合金プラズマ６が金属プラズマスプレーロッド２３を用いてではなく金属プラズマスプレーヘッド２１を用いて生成されることである。この金属プラズマスプレーヘッド２１は、点火電極として金属リング３８または環状被膜が配置される環状絶縁体部材８を有する。リングの形態の絶縁体部材８の中心、すなわちリング開口３６において、金属プラズマスプレーヘッド２１は陰極線１０の束３７を有する。点火パルス１９を環状点火電極９に印加すると、この束３７は空間的に包囲する陽極部材１３に向かって広がるプラズマを形成し、ケージ形陽極部材１３を介して、ゲッター合金被膜１で高真空容器５の内壁３を被覆する。
【００５６】
陰極線束１０は、リング開口３６に継続的に補充することができるため、所望のように延びることができるゲッター合金２の供給源が利用可能である。さらに、この機構は、スプレーヘッド２１を矢印ＤおよびＥの方向に直線変位させるのに用いることができるスライドスルーポート２２を備える。このために、高真空気密ベロー４７が、高真空容器５の端面２７において対応する支持フランジ２９により真空気密にフランジ取り付けされる。支持フランジ２９は、金属プラズマスプレーヘッド２１が高真空容器５の軸方向に直線変位することができ、それに従ってゲッター合金被膜１による内壁３の均一な被膜１を得ることができるように、スライドスルーポート２２を有する。
【００５７】
被膜１の厚さは、リング開口３６における陰極線材料のストックには依存せず、スプレーヘッド２１が高真空容器５内を移動する移動速度にのみ依存する。したがって、この機構によって、任意の所望の厚さのゲッター金属被覆１が可能である。図１〜図３に示すように、本発明の第１の実施形態と第２および第３の実施形態との両方が、支持フランジ２９に回転ポートを有しており、それにより、高真空容器５の内壁３におけるゲッター合金２の層厚を均一にするために、金属プラズマスプレーロッド２３および金属プラズマスプレーヘッド２１を回転させることができる。プラズマ発生器７の全体が回転するため、層厚の差を生じさせる可能性があるケージ形陽極部材の像が高真空容器５の内壁３に投影されることはない。
【００５８】
個々の用途において、ケージ形陽極部材の投影像の形態での層厚のばらつきは、ゲッター合金被膜１の反応性表面を増加させるために望ましい。しかしながら、その場合、最も薄いゲッター金属被膜１を有する領域は、ゲッター金属被膜１の寿命すなわち耐用寿命に大きく影響する。
【００５９】
ゲッター合金被膜を生成する本発明による機構の３つの実施形態全てにより、上記のゲッター金属被膜を生成する方法を、ゲッター合金被膜への希ガスの混入なしにうまく実行することができる。希ガススパッタリングを用いて行う従来の方法と比較して、高融点金属を希ガスイオンにより微粒化する必要がないため、本方法にかかる時間は実質的に短縮される。また、このようなゲッター合金被膜１を生成する機構のこれらの実施形態（図１〜図３に示す）を用いた本発明による方法により、許容処理時間内に層厚を任意の所望の厚さにすることができる。
【００６０】
原理上、本方法および本機構により、高真空容器５の内壁３全体が利用可能である大面積ゲッター金属ポンプが提供される。これは、サイクロトロン、または線形加速器、あるいは高エネルギーイオンの輸送チャネルにおいてイオンビームを誘導するための超高真空容器４にとって特に重要である。ゲッター合金被膜１を交換する必要がある場合、使用済みのゲッター合金被膜を電解研磨プロセスでのリバースポーリング（reverse poling）により除去することができ、そのために必要な機構は図１〜図３に示す機構と同様である。容器５の内壁３の電解研磨の後、新たな超高真空支持ゲッター合金被膜１をほとんど費用をかけずに再び施すことができ、適当な金属プラズマ発生器７は、被覆される高真空容器５にフランジ取り付けされる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１の実施形態のゲッター合金被膜を生成する機構の概略図である。図１ａは、図１ｂのＡ−Ａ部分の平面の断面図である。図１ｂは、金属プラズマスプレーロッドを有する部分的に破断した高真空容器を、基本的な概略形態で示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態のゲッター合金被覆を生成する機構の概略図である。図２ａは、図２ｂの線Ｂ−Ｂに沿った部分の平面の断面図である。図２ｂは、金属プラズマスプレーロッドを有する部分的に破断した高真空容器を、基本的な概略形態で示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態のゲッター合金被膜を生成する機構の概略図である。図３ａは図３ｂの線Ｃ−Ｃに沿った部分の平面の断面図である。図３ｂは、金属プラズマスプレーヘッドを有する部分的に破断した高真空容器を、基本的な概略形態で示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  被膜
２  ゲッター合金
３  内壁
４  超高真空容器
５  被覆される高真空容器
６  ゲッター合金プラズマ
７  金属プラズマ発生器
８  絶縁体部材
９  点火電極
１０  陰極線
１１  点火パルス発生器
１２  陰極電位
１３  陽極部材
１４  陽極電位
１５  内部
１６  電圧供給装置
１７  陰極電位切り替えデバイス
１８  高真空ポート
１９  高電圧点火パルス
２０  真空高電圧ポート
２１  金属プラズマスプレーヘッド
２２  スライドスルーポート
２３  金属プラズマスプレーロッド
２４  絶縁体ロッド
２５  絶縁体ロッドの包絡面
２６  絶縁体ロッドの円錐
２７  端面
２８  高真空回転ポート
２９  支持フランジ
３０  針金格子
３１  円筒状のセラミック管
３２  軸領域
３３  供給線
３４  中心金属板（点火電極）
３５  セラミックリング
３６  リング開口
３７  陰極線束
３８  金属リング
３９  スプレーヘッドの点火ライン
４０  多孔板
４１  イオンビーム誘導管
４２  光アーク
４３  金属プラズマ光アーク
４４  破線
４５  点破線
４６  ２点破線
４７  ベロー
Ａ−Ａ  対応図面の部分の線
Ｂ−Ｂ  図１ｂ、図２ｂ、および図３ｂ
Ｃ−Ｃ
Ｄ、Ｅ  直線移動方向
ｄ  陽極部材と絶縁体部材との空間的間隔
α  円錐角
【図１】
2005519197.tif 000003
【図２】
2005519197.tif 000004
【図３】
2005519197.tif 000005
【国際調査報告】
2005519197.tif 000006
2005519197.tif 000007
2005519197.tif 000008
2005519197.tif 000009
2005519197.tif 000010
2005519197.tif 000011