(57)【要約】１１ｎｍから１５ｎｍ付近の放射を放出するＥＵＶフォトン源に用いる検出器は、少なくとも１つの多層膜ミラー、フィルタ及び検出器素子を含み、その多層膜ミラーは検出器素子を含む光路に沿ってビームを反射し、フィルタはビームの帯域幅を小さくする。検出器素子はＳｉのｐｎダイオードから成り、そのＳｉのｐｎダイオードは、ドープされた不活性領域及び零表面再結合またはＰｔＳｉ−ｎＳｉバリアを有し、検出器の長時間安定性を向上させる。
2005500679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１１ｎｍから１５ｎｍ付近の放射を放出するＥＵＶフォトン源と共に用いられる検出器であって、
検出器素子を含む光路に沿って発生したＥＵＶ放射を反射させる少なくとも１つの多層膜ミラーと、
ビームの帯域幅を小さくするフィルタと、
検出器素子とを具えた検出器。
【請求項２】
請求項１に記載の検出器において、前記フィルタをスタンドアロンのホイルとする検出器。
【請求項３】
請求項１に記載の検出器において、前記フィルタを前記検出器素子の面に直接設けた検出器。
【請求項４】
請求項１に記載の検出器において、前記検出器素子はフォトダイオードを含む検出器。
【請求項５】
請求項１に記載の検出器において、前記検出器素子はＣＣＤカメラを含む検出器。
【請求項６】
請求項１に記載の検出器において、前記検出器素子を、当該検出器の他の部品に脱着可能な検出器素子モジュールに設けた検出器。
【請求項７】
請求項６に記載の検出器において、前記他の部品は部品モジュール内に多層膜ミラーを有する前記部品モジュールを含む検出器。
【請求項８】
請求項７に記載の検出器において、前記部品モジュールは部品モジュール内に前記フィルタも含む検出器。
【請求項９】
請求項７に記載の検出器において、前記検出器は、少なくとも２つの多層膜ミラーを含み、前記部品モジュール内に配置されている検出器。
【請求項１０】
請求項１に記載の検出器において、前記少なくとも１つの多層膜ミラーは少なくとも２つの多層膜ミラーを含む検出器。
【請求項１１】
請求項１に記載の検出器において、前記検出器素子はＰｔＳｉ−ｎＳｉバリアを具え、当該検出器素子の長時間安定性を向上させる検出器。
【請求項１２】
１１ｎｍから１５ｎｍ付近の放射を放出するＥＵＶフォトン源に用いる検出器であって、検出器素子の長時間安定性を向上させるＰｔＳｉ−ｎＳｉバリアを有する前記検出器素子を具えた検出器。
【請求項１３】
発生した放射を出力アパーチャに集束させるミラーを含み、前記アパーチャにおける放射出力のパワーを増加させるＥＵＶ露光源と、
検出器素子の長時間安定性を向上させるＰｔＳｉ−ｎＳｉバリアを有する検出器素子を具えたＥＵＶ露光源システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＥＵＶ露光源システムにおいて、前記検出器は、さらに、前記検出器素子を含む光路に沿って光を反射させる少なくとも１つの多層膜ミラーを具えたＥＵＶ露光源システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＥＵＶ露光源システムにおいて、前記検出器は、さらに、フィルタを具え、前記検出器素子に入射した放射の帯域幅を小さくするＥＵＶ露光源システム。
【請求項１６】
請求項１に記載の検出器において、前記検出器素子は、不活性添加領域を有すると共に表面再結合が零となるＳｉのｐｎダイオード（Ｓｉの不活性領域ダイオード）を具え、前記検出器素子の長時間安定性を向上させる検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の背景
１．発明の技術分野
本発明は、エネルギー監視デバイスに関し、特に、１１ｎｍから１５ｎｍ付近の放射を放出する極紫外放射源のエネルギーの監視に関する。
【背景技術】
【０００２】
２．関連技術の説明
半導体製造業者は、現在、２４８ｎｍ付近で動作するＫｒＦ−エキシマレーザシステムに基づく遠紫外（ＤＵＶ）リソグラフィ装置を使用し、次世代の装置として１９３ｎｍ付近で動作するＡｒＦ−エキシマレーザシステムが待望されている。１５７ｎｍ付近で動作するフッ素（Ｆ２）レーザは、真空ＵＶ（ＶＵＶ）リソグラフィック処理システムに使用するために開発されている。１１ｎｍから１５ｎｍの光子ビームを放出する極紫外（ＥＵＶ）リソグラフィのＥＵＶ源または軟Ｘ線源も現在開発されている。
【０００３】
ＥＵＶ源は有利な出力放射ビームを有し、そのビームは、９０ｅＶ付近の範囲で光子エネルギーを有する１１ｎｍから１５ｎｍの波長の光子を含む。フォトリソグラフィを用いて形成可能な最も小さく分解できる形状サイズを表す臨界寸法（ＣＤ）が波長に比例するため、この短波長のビームは、フォトリソグラフィの用途に有利である。これにより、より小型で高速なマイクロプロセッサ及び大容量ＤＲＡＭを一層小型のパッケージに封入することができる。
【０００４】
ＥＵＶリソグラフィビームを形成する有望な技術は、一組のプラズマピンチ電極を使用し、方位角方向に対称な自己イオン化したプラズマ電子殻をドライブして中心軸に向けて崩壊させる。電源回路は、電極に対して高エネルギー短期間パルスを供給し、数キロボルトの電圧及び百ｋＡまたはそれ以上の電流が１マイクロ秒よりも短いパルス期間に供給される。Ｚ−ピンチ電極回路は、プラズマ電子殻を軸方向に流れる電流を発生し、高速崩壊の要因であるプラズマの荷電粒子に対して径方向の力を与える方位角方向の磁界を発生する。
【０００５】
エキシマリソグラフィレーザ及びフッ素リソグラフィレーザは、上述したように、レーザ活性ガスの準安定状態に対して反転分布を作り出すガス放電、及び誘電放射を促進するための共振子を用いてレーザビームを放射する。どのような放射メカニズムがプラズマピンチＥＵＶ源において軸上の高エネルギー光子放射の原因であるかは、まだ完全には明らかにされていない。プラズマの荷電粒子の殻崩壊により、半径方向の速度により高運動エネルギーが発生する。電子殻の高速崩壊により、中心軸上の新たに生成される殻の全ての部分とこの新たに生成される殻の径方向の反対向きの部分との間で衝突が起こる。
【０００６】
粒子の高運動エネルギーは、Ｘ線を放出する高温高密度プラズマに急速に変換される。特に方位角方向に光学的な密度の高くなっているプラズマにより、方位角方向に集中した高再結合速度が提案されており（マルコンマクゴー、極紫外リソグラフィのラジオ周波数の自己イオン化したキセノンのＺ−ピンチ源、応用光学、Ｖｏｌ．３７、Ｎｏ．９（１９９８年３月２０日）、ここに参考として示す。）、反転分布による自発放射及び顕著な方位角方向の誘導放射、並びに崩壊するプラズマの荷電粒子の軸方向の急速減速することによる制動放射は、高エネルギー光子放出の他のメカニズムである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
過去において、すなわち本出願に導く調査以前には、長期間の１５７ｎｍレーザパルス放射露光の下でのＥＵＶ−光検出器の動作について、ほとんど知られていなかった。さらに、今まで１１ｎｍ〜１５ｎｍ付近の波長を有する極紫外ビームのパルスエネルギーを検出するための信頼性のあるエネルギーモニターは利用されていなかった。
【０００８】
１９３ｎｍ及び２４８ｎｍのエキシマレーザ光を検出するために、インターナショナルラジエーションディテクタ社（ＩＲＤ）のＵＶＧ１００（オキシナイトライドカバーを用いたＳｉフォトダイオード）または浜松ホトニクスのＳ５２２６若しくはＳ１２２６のようなＵＶ−光検出器は、一般にエネルギー監視検出器として使用されていた。しかしながら、これらの検出器は、ＥＵＶ光子放射を照射した場合大幅に劣化するおそれがある。
【０００９】
そこで、極紫外放射源のパルスエネルギー及び／または他のパラメータを監視するための信頼性のある光検出器を用いることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の概要
上述したように、ＥＵＶの照射の下で長寿命の特別な構造のＳｉベースのフォトダイオードが、ＥＵＶ放射用の検出器として使用するために提供され、好ましくは他の光学素子と組み合せられる。これらの検出器は、好ましくは、不純物がドープされた不活性領域及び零表面再結合を有するＳｉｐｎダイオード（Ｓｉの不活性領域のダイオード）とすることができる。他の好適な検出器は、ＰｔＳｉバリア（ＰｔＳｉフォトダイオード）を有するＳｉｐｎダイオードである。そのＰｔＳｉフォトダイオードもショットキータイプとすることができる。Ｓｉの不活性領域のダイオード及びＰｔＳｉフォトダイオード検出器の両者は、通常のフォトダイオードを含む検出器に比べて、ＥＵＶ露光の下で有利な長期間安定性を示す。
【００１１】
０．５ｎｍから１００００ｎｍまでの露光波長用の光子検出器（ｐｈｏｔｏｎ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）として、Ｓｉの不活性領域のダイオード及びＰｔＳｉフォトダイオードを使用することができる。例えば、それらは、１５７ｎｍの波長付近で分子フッ素レーザ光の検出器として使用するために説明されている（米国特許出願ｎｏ．０９／７７１，０３１を参照、その出願は本出願人に譲り受けられ、ここに参考として示す。）。この波長を用いた長期間テストは、他の調査された検出器（例えば、Ｓｉ  ｎ−ｐ，Ｓｉ  ｎ−ｐまたはＧａＡｓＰショットキーフォトダイオード）に比べて、多くのより優れた安定性を示す。本発明によれば、Ｓｉの不活性領域のダイオードまたはＰｔＳｉフォトダイオードが、ＥＵＶリソグラフィ及び他の用途で、１１ｎｍから１５ｎｍ付近、例えば１３．４ｎｍ、１３．０ｎｍまたは１１．５ｎｍ付近の波長のＥＵＶ放射用の検出器として使用するために提供される。
【００１２】
多層膜ミラーと独立のフィルターとを組み合せた場合、検出光のスペクトラルレンジは、好適実施例によると、ＥＵＶ波長領域の注目する小領域に有効に減少する。変形例として、フィルターはダイオード自体の表面上の一方に直接堆積することができる。これにより、フィルターの安定性が高まり、検出器ユニットの処理の複雑さを減少させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
参考文献の提示
次に、参考文献のサイトリストを示す。それらの参考文献の各々は、上述した参考文献及び以下に示す参考文献に加えて、背景技術として説明されているもの及び上述した発明の概要を含み、これによって、以下に示す詳細な説明の好適実施例に参考文献として組み込まれる。好適実施例の要素または特徴について別の実施例を開示するから、その他の詳細については以下に説明しない。これらの参考文献のうちの単一の文献、または２つ若しくはそれ以上の組み合せを引用して、以下の詳細な説明で説明する好適実施例を変形することができる。さらに、特許、特許出願及び特許でない参考文献の説明が書き示されており、次の参考文献に関して正に説明したように、同一の効果と共に好適実施例の詳細な説明に、参考文献として組み込まれている。
【００１４】
Ｋ．Ｓｏｌｔ等，１２０ｎｍから２５０ｎｍのスペクトラルレンジの安定したスペクトラル応答速度を用いたＰｔＳｉ−ｎ−Ｓｉショットキー−バリア光検出器，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ６９，３６６２（１９９６年）；
Ｐ．Ｓ．Ｓｈａｗ等，シンクロトロン放射光を用いた紫外放射線測定及び低温放射線測定，Ａｐｐｌ．Ｏｐｔｉｃｓ３８，１８（１９９９年）；
Ｐ．Ｓ．Ｓｈａｗ等，ＮＩＳＴのシンクロトロン紫外線設備における新紫外放射測定ビームライン，Ｍｅｔｒｏｌｏｇｉａ３５，３０１（１９９８年）；
Ｐ．Ｋｕｓｃｈｎｅｒｕｓ等，１２０ｎｍから６００ｎｍのスペクトラルレンジにおける伝達検出器の規格としてのフォトダイオードの特徴，Ｍｅｔｒｏｌｏｇｌａ３５，３５５（１９９８年）；
ＩＲＤデータシート，ＳＸＵＶシリーズのフォトダイオード，１９９９年９月（www.ird-inc.com）；
Ｒ．Ｋｏｒｄｅ等，１００％内部量子効率シリコンフォトダイオードにおける１つのギガラド（Ｇｉｇａｒａｄ）皮膜保護窒化酸化物，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ４０，１６５５（１９９３年）；
Ｌ．Ｒ．Ｃａｎｆｉｅｌｄ等，１６０ｎｍから２５４ｎｍの光子の絶対シリコンフォトダイオード，Ｍｅｔｒｏｌｏｇｉａ３５，３２９（１９９８年）；
Ｒ．Ｋｏｒｄｅ等，紫外線の白金珪化物フロントウィンドウを用いた安定シリコンフォトダイオード，ＶＵＶ−ＸＩＩ会議での発表；
Ｍａｌｃｏｌｍ  ＭｃＧｅｏｃｈ，極紫外リソグラフィのラジオ周波数の自己イオン化したキセノンのＺ−ピンチ源，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ，Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．９（１９９８年３月２０日）；
ＳＰＩＥ３９９７の議事録，１６２（２０００年）；
ＳＥＭＡＴＥＣＨ−ワークショップの議事録，２０００年１０月，サンフランシスコ；
米国特許ｎｏ．６，２１９，３６８  ６，０５１，８４１  ５，７６３，９３０  ６，０３１，２４１  ５，９６３，６１６  ５，５０４，７９５  ６，０７５，８３８  ６，１５４，４７０；
ドイツ特許文献ｎｏ．１９７  ５３  ６９６；及び
米国特許出願ｎｏ．６０／２８１，４４６，０９／５１２，４１７，０９／５９８，５５２，０９／７１２，８７７，０９／５９４，８９２，０９／１３１，５８０，０９／３１７，６９５，０９／７３８，８４９，０９／７１８，８０９，０９／７７１，０１３，０９／６９３，４９０及び０９／５８８，５６１、各米国出願は、本出願人に譲り受けられている。
【００１５】
好適実施例の詳細な説明
好適実施例は、極紫外（ＥＵＶ）放射を検出するデバイスを含む。極紫外リソグラフィ（ＥＵＶＬ）デバイスについて以下に検討するように、検出される光は、好ましくは、いくつかの多層膜ミラーを含む光学系を透過することができるスペクトラルレンジに制限さる。
【００１６】
本発明により、提供されるデバイスを用いて、パルス波または連続波の極紫外（ＥＵＶ）源のインバンドパワーを計測することができる。インバンドとは、１１ｎｍと１５ｎｍとの間の波長においていくつかの多層膜ミラーによって反射されるように、約２％のバンド幅の波長領域を表わす。
【００１７】
図１にデバイスの実施例の概略を示す。図１は、単一の多層膜ミラーを含む提案する機構の概略である。ＥＵＶ源からの光は、多層膜ミラーによって検出器に向けて反射する。その多層膜ミラーは、注目する波長及び放射の入射角に適合して設計される。
【００１８】
検出器自体は、赤外光、可視光、紫外光及びＥＵＶ光、並びに硬Ｘ線に感応することができる。赤外光、可視光及び紫外光は、１つのまたはそれ以上の不透明なフィルタ、例えば、ベリリウム、ニオブ、シルコニウム、イットリウム及び／または特にシリコンによって好適にフィルタされる。これらのフィルタは、独立の箔またはフォトダイオードの表面に直接堆積した層とすることができる。そのフィルタまたはそれらのフィルタは、長波長側のアウトバンド光を数分の１に減少させる。検出器に入射するＸ線束は、多層膜ミラー自体によって数分の１に減少する。フィルタ及び多層膜ミラーの組み合せにより、減衰することなく検出器に入射する放射のスペクトラル領域は、ＥＵＶ波長範囲内にあり、多層膜ミラーの反射特性に依存する。フィルタの厚さを変えることによって及び幾何学的なアブソーバ（例えばメッシュフィルタまたはアパーチャ）を設けることによって、検出器における放射強度を変えることができる。
【００１９】
セットアップにあたり、独立の透過フィルタを組み込んだ検出器としてＣＣＤカメラを用いることができる。例えば、背面照射型ＣＣＤカメラを、ＥＵＶ光に感応する検出器として用いることができる。
【００２０】
図２に、１組の２つの多層膜ミラーを用いた同様の機構を示す。図２は、１組の２つの多層膜ミラーを用いる提案する機構、及び検出器ユニットの交換可能なモジューラ機構を示す。フィルタ及び減衰器をビームラインに選択的に設けることができる。同様に、２つよりも多いミラーを含む配置構成を用いることができる。２つの多層膜ミラーの反射特性を単一ミラーの反射特性と比較して図３に示す。図３は、単一の多層膜ミラー及び１組の２つの多層膜ミラーにおける計算された反射特性を比較して示している。アウトバンド放射反射は、単一ミラーの反射に比べて大幅に減少され得る。また、反射曲線の幅はより狭く、ＥＵＶＬデバイスに使用するために計画された光学系全体の反射特性に好適である。両方の効果により、ＥＵＶＬの用途を考慮して関心のある波長領域についてより正確なＥＵＶ信号を得ることができる。
【００２１】
動作原理を図４に示す。図４は、プラズマから発生するレーザを実例にしたデバイスの動作原理を証明する。上側の曲線は、レーザ放射により照射されたフォトダイオードによって発生した信号を示し、下側の信号は、図１に示した検出装置によって発生した信号である。２つの信号の長さは、使用されたフォトダイオードの上昇時間が異なるため、異なっている。
【００２２】
実験用のセットアップでは、ＥＵＶ源はプラズマからレーザビームを発生させる装置とした。２つの信号は、フォトダイオードにより検出されたレーザパルス（上側の信号）、及び図１に示したデバイスで検出されたＥＵＶ信号を示す。
【００２３】
提案したデバイスの他の有利な特徴は、湾曲面を有する集束性多層膜ミラーを用いることである。これにより、検出器上の光子束を増加させ、モニター機構の感度を向上させることができる。
【００２４】
ここで好適実施例によれば、ＥＵＶ源が結合されたビームパラメータモニタリングユニットが提供され、そのＥＵＶ源は、１１ｎｍから１５ｎｍ付近の波長を有する出力ビームを発生する。図５から８に線図的に示すそのモニタリングユニットは、ビームスプリッタ、検出器及びビーム路筐体を含む。ビームスプリッタは、出力ビームを第１の成分及び第２の成分に分離するために配置され、第１の成分を用いてワークピースを処理する。本実施例による検出器は、白金シリサイド窓を含み、またはそうでなくてもＳｉの不活性領域のダイオード（Ｓｉ  ｄｅａｄ  ｒｅａｇｉｏｎ  ｄｉｏｄｅ）、ＰｔＳｉ及び特にＰｔＳｉ−ｎＳｉを備え、ビームスプリッタ後の出力ビームの第２の成分の少なくとも１つの光学パラメータを測定する。白金シリサイドの存在により、ＥＵＶ放射の照射により誘導される検出器の不安定さが減少する。ビーム路筐体は、ビームスプリッタを含むと共に内部素子を有し、レーザリゾネータからビームスプリッタを介して検出器に到る出力ビームの第２の成分の光路は、ＥＵＶ吸収物質がほとんどないものとなり、その結果第２の成分は光吸収物質によって減衰がほとんど生ずることなく検出器に到達する。
【００２５】
図５は、図６から８に関連して以下に説明するように、ビーム路筐体１に結合した検出器ハウジング２内で使用する検出器３の実施例を示す。図５に示した特有な検出器３は、インターナショナルラディエーションディテクターズ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ）社により製造され、さらなる情報をｗｗｗ．ｉｒｄ−ｉｎｃ．ｃｏｍで見つけることができる。そのウェブサイトに掲載された情報をここに参考として示す。ここにおいて、図５に示した検出器がＶＵＶ放射の受光に使用するために特に構成され、図５に示した検出器をＥＵＶ放射波長の使用に従って変更できることが理解される。
【００２６】
図示された検出器３は白金シリサイド（ＰｔＳｉ）窓３８を含み、ＥＵＶ放射の入射によって誘導される検出器３の不安定さを減少させる。検出器の設計に際し、１つ以上のＰｔＳｉ層を含むことができる。白金シリサイド層を他の場所に配置することができ、例えば、デバイスの一つまたはそれ以上の材料層の下側に配置することができる。検出器３は、ＰｔＳｉ窓３８の下側及びｐ型のエピタキシャル領域の上側に欠陥のないｎ型領域４０を含むことができ、ｐ型のエピタキシャル領域はｐ型基板４４上に位置し、基板４４にはクロム金ベース層４６を形成する。図示された検出器３は、４つのアルミニウムコンタクト４８及び４つの絶縁性フィールド酸化物領域５０を有することができる。一組のｐ＋領域及び一組のｎ＋領域もエピタキシャル層４２にイオン注入により形成する。
【００２７】
ここで、ＰｔＳｉの存在が検出器３に不安定さを誘導するＥＵＶ放射の入射量を減少させることが理解される。ＰｔＳｉを他の材料と組み合せて用いることにより、混成層を形成することができる。ＰｔＳｉは、ＰｔＳｉだけの層とすることができ、または内部に添加される分散物質とすることができ、または他の材料型層にＰｔＳｉ自体をドーピングすることができる。いくつかのＰｔＳｉ層を含むことができ、ＰｔＳｉ層はその間に他の材料層を有することができる。ここで、ＰｔＳｉは、極紫外放射源から好適に放出される１１ｎｍから１５ｎｍ付近のＥＵＶ放射を入射させる容器内で保護される検出器に用いることができ、図６から図８の検出器３の詳細な構成として実施例が図５に示されているが、当業者によって理解されることができるように、図６から８の検出器３は、検出器３内において種々の形態及び配置のＰｔＳｉを好適に含むことが理解される。
【００２８】
本発明は、１１ｎｍから１５ｎｍ付近の放射を放出する極紫外放射源の出力ビームパラメータをモニタリングする検出器を提供する。好ましいことに、大量の照射の後でさえもスペクトラル感度がほとんどないまたは全く悪化してない。好適実施例は、不活性ガスが除去された照射条件または真空照射条件下において強い１１ｎｍから１５ｎｍの放射が照射される下で非常に安定したＥＵＶ光検出器を含む。
【００２９】
好適実施例は、安定したフォトダイオード検出器を含む真空可能なまたは排気可能な密封されたモニタハウジングを含む。放射減衰器、アパーチャ、ＥＵＶ光散乱板、電気的通過手段、パージガスインレット、及び／または露出した検出器のハウジングを介してガスを流す手段またはハウジングを真空にする手段も含むことができる。図６にビーム分離筐体の概略を示す。その筐体は、エネルギー検出器ハウジング２内に設けたエネルギー検出器３、及び真空シールにより検出器ハウジング２に好適に連結したビーム路筐体内に設けたビーム分離光学素子４ａ，４ｂを含む。
【００３０】
図６は、ビーム分離光学素子４ａ，４ｂを含むビーム路筐体１を詳細に示している。筐体１は内部に設けた素子を有することができ、入力ビーム７ａの光路、及び筐体１を介してＥＵＶ源（図６に図示せず）から検出器３を含む検出器ハウジング２への光路であってビーム７ａから分離されたビーム部分７ｃの光路は、ＥＵＶ吸収物質をほとんど含まないので、ビーム部分７ｃは、ＥＵＶ吸収物質の存在によってほとんど減衰することなく検出器に入射することができる。
【００３１】
入射ビーム７ａは、好適にはＥＵＶ源（図６に図示せず）から入射する。筐体１をＥＵＶ源の出力に直接連結されるか、または、少なくともその出力から筐体の窓９へのビーム路は、ビーム７ａの光路に連続して存在する不活性ガスの流れまたは実質的な真空を有するようにＥＵＶ吸収物質をほとんど含んでいない。
【００３２】
ビーム７ｂは、ビームスプリッタ４ａを透過し、筐体１から出射するように示す。アプリケーションプロセスに到るビーム路の他の筐体をその当該筐体に直接接続することができ、または、少なくともビーム路中に、入射ビームに関連して上述したようにＥＵＶ吸収物質が存在しないようにして連結することができる。アプリケーションプロセスに送られるビームからビーム７ａを予め分離させることができ、または逆にこれら２つのビームに関してアプリケーションプロセスで使用されるビームを、ＥＵＶ源からの出力とすることができる。
【００３３】
ビーム７ａは、ビームスプリッタ４ａに入射するように示されている。この実施例では、ビームスプリッタ４ａは、好ましくは、当業者に知られている材料でできているようなコーティングしてないＥＵＶ透過性プレートとする。そして、ビーム７ｃは、ＥＵＶミラー４ｂで反射し、光学素子５を介して筐体２内に入射し、検出器３に入射する。
【００３４】
全体として、エネルギーモニターユニットは、ここでより詳細に説明するように、ビーム分離光学素子４ａ，４ｂを含むビーム分離ボックス、及び好適なＥＵＶ光検出器３を含むＥＵＶハウジング２を含む。好適には、ＥＵＶ検出器ハウジング３は、適切な密封部材、好適にはＤＮ４０フランジ（図６に図示しないが、図７のフランジ１６を参照のこと）によってビーム路筐体１に直接連結される。ハウジング１及び２の両方は、好適には気密性であり、例えば１１〜１５ｎｍ付近のＥＵＶ放射を顕著に吸収しないＡｒまたは他の不活性ガスのような希ガスである浄化用のガスにより浄化されまたは真空にする。この好適な配置構成により、ＥＵＶ源から出射し、ＥＵＶ源（図６に図示されていない）に直接連結した浄化されまたは真空のビームラインを経て図６の左側からビーム筐体１に入射したＥＵＶ放射の吸収が防止される。
【００３５】
好適実施例では、筐体１を含むビーム分離ボックスは適切な光学部品を含み、メインビーム７ａからビーム部分７ｃ（約１％から１５％）を分離し、ビーム部分７ｃを検出器ハウジング２に入射させる。または、これらの光学素子は、前述した参考として記載した特許出願’５５２及び／または’９５２において説明したようなものとすることができる。これらの手段は、図６の位置８にまたはその近くに配置されたアパーチャを含むことができる。上述したように、好適実施例において、ビーム分離ボックスの筐体１内のビーム分離光学部品４ａ，４ｂは、メインビーム７ａの光路に配置された全くコーティングしてないビームスプリッタ４ａ、及び追加のビームステアリングミラーとしてＥＵＶ放射に対して高反射性のミラー４ｂを含むことができる。この構成は、製造が安価であり、高パワーのメインビーム７ａの照射によるコーティング損失に関連した問題を回避する。しかしながら、ビームスプリッタ４ａは１つのまたはそれよりも多いコーティングを含むことができる。
【００３６】
他の実施例では、ビームスプリッタは使用されない。その代わりに、第１のビームはＥＵＶ源から放出し、第２のビームは第１のビームとは別個にＥＵＶ源から放出する。第１のビームはＥＵＶ源のチャンバのある端で放出され、第２のビームはＥＵＶ源のチャンバの他の端で放出されるように、第２のビームをＥＵＶ源の他の位置から放出することができる。他の例では、ＥＵＶ源の出力位置は、２つのビーム成分を分離するように構成することができる。従って、ビームスプリッタ４ａを含むこと、すなわち単一の放射ビームを２つの成分に分離する部分的な反射面を有する他の光学素子であって、一方の成分を用いてワークピースを処理し、他の成分をＥＵＶ検出器３に入射させる他の光学素子を含むことは、上述した説明から理解されるように、単に好ましいものにすぎず必要ではない。ミラー４ｂのような追加の光学部品も単に好ましいものにすぎない。好適には、検出器３で計測された要素は、エネルギー、波長、バンド幅、空間のまたは時間のビームプロフィ−ル、発散性、空間のまたは時間のコヒーレンス性等のような少なくとも１つのパラメータを有するので、ワークピースを処理するために使用される他のビーム成分の同一のパラメータについて既知の関係を有するパラメータを測定することが望ましい。
【００３７】
図７に、図６の検出器ハウジング２の概略図をより詳細に示す。検出器ハウジング２は、ガス浄化インレット１２及び信号ケーブルコネクタ１４を含む。そのコネクタ１４は、図示したように好適にはＢＮＣコネクタであり、当業者によって理解されるように、プロセッサや視認機器（図示せず）のようなモニタリング装置と検出器３との間で電気信号を転送する別の信号ケーブルコネクタとすることができる。信号ケーブルコネクタ１４は、気密性シールによりハウジング２に好適に密着する。加えて、検出器ハウジング２は、１つのまたはそれ以上のアパーチャとスリットとを好適に含み、ＥＵＶ減衰器１８、１つのまたはそれ以上の散乱板２０及びＥＵＶ検出器自体３を挿入する。検出器ハウジング２は、ＤＮ４０フランジのようなフランジ１６も好適に有し、図６の筐体１に気密に結合する。さらに、検出器ハウジング２は、導電シールド（図示せず）によって好適に覆われ、その導電シールドは、当業者によって理解されるように、細かいワイヤメッシュまたは電気的な若しくは電磁的なシールドとすることができ、ＥＭＶノイズが検出器ハウジング２に侵入することを回避する。好適には、検出器ハウジング２は全ての接続部において気密性であり、ガスインレット１２を含む多数の浄化ガススプリッタを含み、高い真空条件を確保し、または検出器ハウジング２の全ての領域に一様に連続して流れる浄化ガスのスループットを保証する。
【００３８】
検出器ハウジング２は、有効に迅速に排出することができ、不活性ガスを用いて汚染物すなわちガス状のＥＵＶ光吸収性物質が蓄積することなく浄化することができる。そのガスのＥＵＶ光吸収性物質により、検出器３に受光される少量のＥＵＶ放射７Ｃの検出（一般に、メイン部分のビーム７ａにおける放射濃度の約１％から０．００１％）によって、ビームパラメータをモニタリングするときにエラーが生じ得る。
【００３９】
図７でわかるように、検出器３は、検出器ハウジング２の前側部分２１に入射するビーム部分７ｃを受光し、その検出器ハウジング２において、フランジ１６が図７の筐体１にシール可能に接続される。そのビームは、検出器３に入射する前に、減衰器１８及び散乱板２０並びに好適には一つまたはそれよりも多いアパーチャ（図示せず）を通過する。信号ケーブルコネクタ１４は、検出器ハウジング２の後部分２２ａに設けられる。
【００４０】
図８に、気密性検出器の後側部分２２ｂの変形例を詳細に示す。気密性検出器の後側部分２２ｂは、図８の検出器ハウジング２と同じ機能を実現し、後側部分２２ｂに配置された検出器３を示している。そして、ビーム７ｃは、前側部分２１（図示しないが、図８を参照）と後側部分２２ｂとの間の光開口部を介して検出器３に入射する。信号ケーブルコネクタプラグ２４は、検出器ハウジングの後側部分２２ｂに対して、３つのハウジング部分３０，３２，３４の間に２つのＯリングシール２６，２８を有し、気密になる。
【００４１】
図９は、典型的な実施例によるＥＵＶ発生源を断面図として示す。図１〜８及び１０〜１３を参照して上述した特徴及び以下に示す特徴は、広範囲に様々なＥＵＶ源に実装できることにあり、本願に示した参考文献を再考することによって、多くの代替のＥＵＶ源を理解することができ、当業者によっても理解することができる。図９に示した典型的なＥＵＶ源の多くの部品は、ここに参考として記載する米国特許ｎｏ．５，５０４，７９５号の説明から理解できる。ＥＵＶ源は、ピンチ領域１２を有するピンチチャンバ１０を含み、そのピンチ領域１２は中心軸１４を規定し、その中心軸１４の終端はＥＵＶ光子送出窓１８である。誘電体リニア２４は、好適にはピンチ領域１２を包囲する。
【００４２】
ガス供給インレット２０及びアウトレット２２は、活性ガス及び希釈ガスをピンチ領域１２に制御可能に供給する。アウトレット２２は、真空ポンプ２３に接続される。他のガス供給系は、エキシマレーザ技術を利用及び／または変形することができる（米国特許ｎｏ．４，９７７，５７３、６，２１２，２１４、及び米国特許出願ｎｏ．０９／４４７，８８２、０９／４５３，６７０を参照のこと。これらの各々は本出願人に譲り受けられている。また、米国特許ｎｏ．５，９７８，４０６及び５，３７７，２１５を参照のこと。これら全てをここに参考として示す。）。ガスは循環することができ、静電フィルタ及び／または低温浄化フィルタをガスループに挿入することができる（米国特許ｎｏ．４，５３４，０３４、５，１３６，６０５及び５，４３０，７５２を参照のこと。これらの各々をここに参考として示す。）。熱交換機もガスループに設けることができる（’６７０出願、上述の特許及び米国特許ｎｏ．５，７６３，９３０を参照のこと。ここに参考として示す。）。
【００４３】
ガス混合物は、キセノン、クリプトン、アルゴン、ネオン、酸素またはリチウムのようなＸ線放射ガスを含む。このガス混合物は、へリウム、水素、重水素及び可能な場合には窒素のような小さい原子番号の希釈ガスも好適に含む。好適にはキセノン（１１ｎｍから１５ｎｍ）、リチウム（１３．４ｎｍ）及び／または酸素（１３．０ｎｍ）、及び好適にはヘリウムのような緩衝ガスが使用される。
【００４４】
自己イオン化電極２６は、自己イオン化ユニット２７に接続され、ピンチ領域１２でガスを自己イオン化する。多くの形式の自己イオン化ユニットが可能であり、例えばｅビーム、円錐形のピンチ放電及びＲＦ自己イオン化を利用することができ（’７９５特許、上述の特許、米国特許出願ｎｏ．０９／６９３，４９０を参照のこと。その出願は本出願人に譲り受けられている。Ｃ．Ｓｔａｌｌｉｎｇｓ等，内破するアルゴンプラズマ実験，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３５（７），１９７９年１０月１日を参照のこと。ここに参考として示す。）。既知のレーザ自己イオン化システムを変形して、ＥＵＶ源として自己イオン化を行うことができる（米国特許ｎｏ．５，２４７，５３５、５，３４７，５３２及び米国特許出願ｎｏ．０９／２４７，８８７、０９／６９２，２６５、０９／５３２，２７６、６０／２２８，２８６を参照のこと。これらの各々は本出願人に譲り受けられており、ここに参考として示す。）。自己イオン化ユニット２７及び電極２６は、メイン電極３０及び３２にメインパルスを供給する前に、図示のように中心軸１４のまわりで対称な殻中のピンチプラズマを自己イオン化する。
【００４５】
好適なメイン電極３０，３２は、図９に示されている。アノード３０及びカソード３２は、ピンチ領域１２の反対の端に設けられていることが示されている。多くの他のアノード−カソード構成が可能である（米国特許ｎｏ．３，９６１，１９７、５，７６３，９３０、４，５０４，９６４及び４，６３５，２８２を参照のこと。これらの各々をここに参考として示す。）。電極３０，３２に接続された電圧源３７，スイッチ３８及びコンデンサ３９を含む電源回路３６は、ピンチ領域において順次に方位磁界を形成する高電界を発生する電気パルスを発生し、その磁界により自己イオン化したプラズマは中心軸１４に向けて急速に崩壊させ、中心軸１４に沿ってＥＵＶビーム出力を発生する。多くの電源回路が可能である（ここに参考として示す米国特許ｎｏ．５，１４２，１６６を参照のこと）。アノード３０及びカソード３２は絶縁体４０によって分離される。
【００４６】
同様に、前駆パルスを発生させることができる。前駆パルスは、まさにメインパルスの前であって、プラズマが自己イオン化ユニット２７及び電極２６によってほぼ自己イオン化された後に発生する。前駆パルスは、メイン電極３０，３２によって発生する相対的に低いエネルギー放電である。前駆パルスは、既に自己イオン化されたプラズマに一層均質な状態を形成し、メインパルスの高電圧高速上昇に起因するアークの発生による電極のバーンアウトを防止する。前駆パルス回路は、以下に参考として記載するＧｉｏｒｄａｎａ等に説明されており、好適実施例のＥＵＶ源に適合させるため変形することができる。
【００４７】
好適実施例の上記構成要素について他の多くの構成をとることができる。この理由として、ここでは以下に参考を示す。Ｗｅｉｎｂｅｒｇ等，強烈な軟Ｘ線源における小規模Ｚピンチデバイス，物理学調査における原子核の装置及び方法Ａ２４２（１９８６年）５３５−５３８、Ｈａｒｔｍａｎｎ等，短波長レーザの同質円筒形プラズマ源，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５８（２３），１９９１年６月１０日、Ｓｈｉｌｏｈ等，ガスジェットのＺピンチ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４０（８），１９７８年２月２０日、Ｃｈｏｉ等，ガスパフＺピンチからの硬及び軟Ｘ線放射の経時的発展，２１６２Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．５７（８），１９８６年８月、ＭｃＧｅｏｃｈ，Ａｐｐｌ．Ｏｐｔｉｃｓ、上記を参照のこと、Ｐｅａｒｌｍａｎ等，パルスプラズマ源を使用するＸ線リソグラフィ，１１９０Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１９（４），１９８１年１１月１２月、Ｍａｔｔｈｅｗｓ等，Ｘ線リソグラフィのプラズマ源，１３６ＳＰＩＥ  ＶＯＬ．３３３  サブミクロンリソグラフィ（１９８２年）、Ｍａｔｈｅｒ，高密度重水素プラズマフォーカスの形成，流体物理学，８（３），１９６５年２月、Ｇｉｏｒｄａｎｏ等，ＸｅＣｌレーザのスパイカーサスティナにおける前駆パルス放電の磁気パルスコンプレッサ，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６５（８），１９９４年８月、Ｂａｉｌｅｙ等，Ｘ線リソグラフィ及び顕微鏡源におけるガスパフＺピンチの評価、米国特許ｎｏ．３，１５０，４８３、３，２３２，０４６、３，２７９，１７６、３，９６９，６２８、４，１４３，２７５、４，２０３，３９３、４，３６４，３４２、４，３６９，７５８、４，５０７，５８８、４，５３６，８８４、４，５３８，２９１、４，５６１，４０６、４，６１８，９７１、４，６３３，４９２、４，７５２，９４６、４，７７４，９１４、４，８３７，７９４、５，０２３，８９７、５，１７５，７５５、５，２４１，２４４、５，４４２，９１０、５，４９９，２８２、５，５０２，３５６、５，５７７，０９２、５，６３７，９６２、及び、出典は前述のプラズマ源を参照のこと。
【００４８】
ピンチ領域１２とＥＵＶ送出窓１８との間には、いくつかの有利な特徴がある。第１に、ピンチ領域１２から近接して置かれたクリップアパーチャ３００である。クリップアパーチャ３００は、図示したように形成することができ、すなわち、米国特許ｎｏ．５，１６１，２３８に説明されているような角度でオフセットとすることができる。その特許は、本出願人に譲り受けられており、ここに参考として示す。クリップアパーチャ３００は、高熱安定性を示す材料から構成する。そのクリップアパーチャは、好適には高熱伝導性及び低熱膨張係数を有する。クリップアパーチャは、好適にはＡｌ２Ｏ３、サファイアまたはアルミナのようなセラミック材料から成る。
【００４９】
クリップアパーチャは、ピンチ領域の近くに配置されるが、熱効果によりその性能が低下するので、あまりピンチ領域１２に近すぎないように配置される。クリップアパーチャ３００は、弾性波及び当該弾性波と共に流出する微粒子を、ピンチチャンバ１０の光路に沿ってビームに追従するのを阻止する。そのアパーチャは、さらに弾性波を反射し及び／または吸収するように構成され、弾性波が反射してピンチ領域１２に戻らないようする。クリップアパーチャ３００のサイズは、ビームのダイバージェンスに適合するように選択される。
【００５０】
１セットのバッフル４００を、クリップアパーチャの後ろに設ける。ここに参考として示す米国特許ｎｏ．５，０２７，３６６に説明されているバッフルに類似して、バッフル４００を構成することができる。バッフル４００は、弾性波と共に流出するガス及び汚染物の流れのようなピンチ領域から出射する弾性波の効果を弱めるように作用し、及び反射してピンチ領域に戻らないようにする作用する。バッフル４００は、その障害を好適に吸収する。
【００５１】
イオン化ユニット５００は、バッフル４００の後ろに配置するように図示されている。バッフル４００の前にまたは２セットのバッフル４００の間にイオン化ユニット５００を配置することができる。イオン化ユニットは、ＵＶ放射を好適に放出する。このように、イオン化ユニット５００は、好適にはコロナワイヤまたはコロナ電極のようなコロナタイプである。いくつかのコロナの設計が米国特許ｎｏ．４，７１８，０７２、５，３３７，３３０、５，７１９，８９６、米国特許出願ｎｏ．０９／２４７，８８７及び０９／６９２，２６５に説明されている。それぞれの出願は、本出願人に譲り受けられており、全てをここに参考として示す。
【００５２】
イオン化ユニット５００からのＵＶ光は、ビームと共に沿って移動する傾向にあるダスト粒子をイオン化する。静電粒子フィルタ６００ａ，６００ｂを設けて帯電ダスト粒子を集め、クリーナビーム路を形成する。これらのより少ない汚染物は窓１８及びその他チャンバのどこかに堆積する。また、イオン化装置／集塵機の配置により、微粒子によるＥＵＶビームに対する反射やＥＵＶビームに対する他の外乱を減少させる。
【００５３】
改良したＥＵＶフォトン源を示す図９を参照してＥＵＶ源を説明した。特に、そのＥＵＶ源は、より以上にフォトリソグラフィの用途に適合する出力特性を有する。クリップアパーチャ及びバッフルの組により、ピンチ領域１２から放射される弾性波の影響を少なくする。クリップアパーチャもビームの発散性に適合する。メインパルスの前に発生する前駆パルスは、プラズマシェルを均質化する役割を有し、アークがピンチの対称性及び結果としてのＥＵＶビームを劣化させる可能性、及びアークによる高温部分が電極３０，３２を劣化させる可能性を小さくする。イオン化装置５００及び集塵機６００ａ，６００ｂは、ビーム路から微粒子を除去して、ビームに対する好ましくない効果及び微粒子が堆積する恐れのあるチャンバ１０の窓１８のような部品に対する好ましくない効果を防止する。
【００５４】
図１０から１３は、追加の実施例、及び／または上述の好適実施例に兼ね備えることができる他の特徴の概略を示す。図１０から１３の実施例は、一般に多層膜のミラーの使用に関連し、ガス放電をベースにしたフォトン源（例えばＺピンチ（図１０））、ＨＣＴピンチ（図１１）、キャピラリー放電（図１２）及びプラズマフォーカス（ｐｌａｓｍａｆｏｋｕｓ）またはプラズマフォーカス（ｐｌａｓｍａ  ｆｏｃｕｓ（図１３））について有用な角度を大きくする。一般に、ミラーは平らにすることができ、または結像特性を有する湾曲形状を有することができる。そのミラーは、ガス放電ＥＵＶフォトン源に好適に設けることができる。
【００５５】
長所として、これらの他の実施例によるミラーを用いて、極紫外線及び軟Ｘ線のスペクトラル域のガス放電をベースとするフォトン源の出力パワーを増大させることができる。他の長所は、他の条件を変更することなく、この増加したパワーの効果を得ることができる。
【００５６】
ガス放電をベースにしたフォトン源の有用な角度は、多くの場合放電系自体の電極によって制限される。さらに、アパーチャを増やすことは多くの場合困難である。
【００５７】
ガス放電をベースにしたフォトン源の出力パワーを上昇させる他の方法として、電気入力パワーを増加させることができる。同じ放電条件の下で、電気的入力パワーを増大することにより、温度が一層高くなることに相関して、電極系のパワーが一層高くなる。多層膜ミラーを含む好適実施例は、入力パワーのような他のパラメータを変更することなく、フォトン源の出力パワーを増加させることができる。
【００５８】
ガス放電をベースにしたフォトン源は熱密集プラズマを発生し、そのプラズマは４１πｓｒの立体角で放射を放出する。電極系の開立体角以外の方向に放出される放射は、その電極系の開立体角がアパーチャ及びプラズマまでの距離によって規定されるため、フォトン源内で吸収され、利用することができない。前述したミラーは放射の一部を反射し、放射をアクセス可能なアパーチャを介してガイドする。そのミラーは、好適には放射の波長（好適には１１ｎｍから１５ｎｍ）及び入射角に適合した多層ミラーとする。この角度は、ミラーの面における横方向に変更することができ、多層膜を傾斜させて用いることができる。
【００５９】
ガス放電機構を図１０から１３に線図的に示す。発生したプラズマは一般に小円柱形を有する（例えば、０．５３ｍｍ付近の１ｍｍよりも小さい）。放出された放射の対象軸方向の光学厚さは一般的に大きい。反射した放射は、プラズマの不透明性によりプラズマ自体を通過しない。ミラーの形状は、フォトン源の放出特性に適合される。ミラーの結像特性は、反射した放射の大部分がプラズマ円柱から電極系のオープンアパーチャに向けてガイドされるようにする。
【００６０】
平坦なミラーはフォトン源の出力パワーを改善し、いくつかの構成に使用することができる。出力パワーをさらに改善するために、適合した焦点距離の楕円ミラーは出射アパーチャに放射を集束し、双曲線ミラーはほぼ平行の放射を発生する。このミラー形状を変形する自由度は、すなわちフォトン源の出射性能を特定の用途の光学系に適合させる自由度は有益に利用することができる。
【００６１】
フォトン源、例えば図１０から１３に示したフォトン源の出力パワーにおける改善について、電極系の形状を考慮して以下の表１に示す。放出された放射の立体角（ステラジアンすなわちｓｒ）は、最近の刊行物から理解される。表１において、ＩＯはプラズマにより４πｓｒの立体角で等方的に放出される強度である。その出力は、これらの２つの値から計算される。ミラーの概算許容角度は上限値であり、電極系によって制限される。ミラーの反射率は、垂直入射放射の文献に示された最良値に近い７０％に設定される。出力の増加は、ミラーの立体角とその反射率との乗算によって計算される。表１の“改善”値は、各フォトン源における増加した出力と初期出力との比率である。出力パワーの最も大きな増加は、それぞれ図１０及び１１に示したＺピンチ及びＨＣＴピンチ形状にあると考えられる。表１に示したように、キャピラリー放電デバイス及びプラズマフォーカスデバイスの有用な角度は、それぞれ図１２及び１３に示したように最初は非常に大きく、これらの好適実施例による改善見込みは、出力パワーの関係でＺピンチ及びＨＣＴピンチ構成に比べて小さい。
【表１】
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【００６２】
好適なミラーは、図１０から１３に示したデバイスのプラズマからの熱及び／またはイオン衝撃の作用を受ける。これらの作用により、ミラーの寿命が短くなるおそれがある。これらのミラーとして、例えばＭｏ２Ｃ−ＳｉまたはＭｏ−Ｓｉ−Ｍｏ２Ｃの組み合せによる耐熱性の多層膜系を有効に用いることができる。一般に、シリコン／ベリリウム及び／またはモリブデン／シリコンの多層膜からミラーを形成することができる。
【００６３】
本発明の範囲及び精神から逸脱しない限り、まさに開示した好適実施例が多くの適合例及び変形例に適用することを当業者は理解するだろう。従って、本発明の範囲及び精神の範囲内において、特に上述した実施例以外にも本発明を適用できることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】図１は、ＥＵＶ源を使用するエネルギーモニターの第１の実施例を説明する概略図である。
【図２】図２は、ＥＵＶ源を使用するエネルギーモニターの第２の実施例を説明する概略図である。
【図３】図３は、好適実施例によるエネルギー検出器システムの多層膜ミラーにおける波長に対する反射力のプロットを含むグラフである。
【図４】図４は、好適実施例によるエネルギー検出器における時間に対するレーザパルス及びＥＵＶ信号のプロットを示すグラフである。
【図５】図５は、好適実施例によるエネルギー検出器を説明する概略図である。（図１１ｃ，１１３１０）
【図６】図６は、好適実施例により使用可能なエネルギーモニター及びビーム分離光学素子を含むビーム分離筐体を説明する概略図である。（図１，１１３１０）
【図７】図７は、ＥＵＶ−検出器と、いくつかの網目で示した減衰器及び散乱板のための挿入部品と、パージガスフローの差し込み部品と、好適実施例により使用可能な信号ケーブルコネクタプラグとを含むエネルギーモニターハウジングを説明する概略図である。（図２，１１３１０）
【図８】図８は、交換可能な検出器と好適実施例により使用可能な信号ケーブルコネクタとの間の気密性部分を含む検出器のハウジングの一部を説明する概略図である。（図３，１１３１０）
【図９】図９は、第１の実施例によるＥＵＶまたは軟Ｘ線発生源を説明する概略図である。
【図１０】図１０は、第２の実施例によるＥＵＶまたは軟Ｘ線発生源を説明する概略図である。
【図１１】図１１は、第３の実施例によるＥＵＶまたは軟Ｘ線発生源を説明する概略図である。
【図１２】図１２は、第４の実施例によるＥＵＶまたは軟Ｘ線発生源を説明する概略図である。
【図１３】図１３は、第５の実施例によるＥＵＶまたは軟Ｘ線発生源を説明する概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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