(57)【要約】本発明は、電気的に励起した多結晶ＺｎＯレーザと、それを製造するための方法に関する。適当な多結晶支持体（４２）上に、粒子が電気絶縁壁に囲まれたＺｎＯ層（４４）を形成することを特徴とする。本発明はレーザ生成に適用できる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶ＺｎＯから形成した半導体レーザであって、
−支持体（４０）上に、結晶格子定数がＺｎＯのものに適応した多結晶薄膜から形成された下層（４２）と、なお、この下層は、薄膜平面に直角な結晶軸を持つ粒子のモザイク状態から構成され、
−前記下層（４２）上に、前記薄膜平面（４４）に直角な結晶軸を持つ、ＺｎＯの粒子（３０）から構成した薄膜（４４）と、なお、各粒子（３０）は電気絶縁性物質の境界（３２）によって囲まれ、
−前記薄膜平面（４４）に直角に電流が流れるように適応した電気的励起方法（４６、４８、５０）とからなることを特徴とする、半導体レーザ。
【請求項２】
前記下層（４２）がＺｎＯ、ＧａＮ、ＡｌＮあるいはＭｇＯから形成される、請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記電気絶縁性物質（３２）がＭｇＯ、ＣａＯ、ＢｉＯ、ＢａＯあるいはＴｉＯ２ から形成される、請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１に記載の、多結晶ＺｎＯに基づく半導体レーザを製造するための方法であって、
−結晶格子定数がＺｎＯのそれに適応した物質から構成される下層（４２）を、支持体（４０）上へ析出すること、なお、この下層は、薄膜平面に直角な結晶軸を持つ粒子のモザイク状態から形成され、
−前記下層（４２）上に、ＺｎＯ（３０）から組成上隔離させた電気絶縁性物質と共にＺｎＯの薄膜（４４）を成長させことからなり、この薄膜（４４）の成長が、次に、前記絶縁物質の境界（３２）によって囲まれたＺｎＯの粒子を生成することを特徴とする方法。
【請求項５】
前記下層（４２）がＺｎＯ、ＧａＮ、ＡｌＮあるいはＭｇＯから形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記電気絶縁性物質（３２）がＭｇＯ、ＣａＯ、ＢｉＯ、ＢａＯあるいはＴｉＯ２ である、請求項４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、電気的に励起した多結晶ＺｎＯレーザ及び加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＺｎＯの多結晶薄膜に基づく半導体レーザ、そしてそれらを光学的に励起する技術は既知である。１９９８年１２月２１日に出版されたジャーナル『応用物理学レター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）』Ｖｏｌ．７３、Ｎｏ．２５、３６５６から３６５８ページの、Ｈ．カオ（Ｈ． ＣＡＯ）氏ら の論文「半導体多結晶薄膜内での散乱によって形成した共振器の紫外線レーザ放出（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌａｓｉｎｇ ｉｎ ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ ｆｏｒｍｅｄ ｂｙ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｉｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｆｉｌｍ）」は、活性物質内の高度な光学的拡散から共振空洞が自己形成されるこのようなレーザを説明している。この媒体は、非晶質溶解シリコン上に亜鉛酸化物の多結晶薄膜を成長させることによって得られる。活性物質は、ロックドモードＹＡＧ−Ｎｄレーザの３倍の周波数を用いて得た３５５ｎｍのレーザ光線で光学的に励起する。レーザ光線は波長役３８０ｎｍの紫外光である。
【０００３】
他には、１９９８年６月２２日に出版されたジャーナル『応用物理学レター』Ｖｏｌ．７２、Ｎｏ．２５、３２７０から３２７２ページの、Ｚ．Ｋ．タン（Ｚ．Ｋ． Ｔａｎｇ）氏らの論文「自己結合ＺｎＯ微結晶薄膜からの室温紫外線レーザ放出」は、ＭＢＥ（「分子線エピタキシー」）によって得た六角形ＺｎＯ微結晶からなるレーザを説明している。これらの微結晶は、サファイヤ支持体上にマトリックスの形態で自己結合される。この場合、また、周波数を３倍にしたＹＡＧ−Ｎｄレーザを用いて光学的に励起を行う。
【０００４】
これらの構造の光学的励起は複雑であり、それらを用いることは難しい。本発明は、この不便さを取り除くことを目的とする。
【０００５】
【発明の要約】
このため、本発明は、また、多結晶ＺｎＯ薄膜を用いるが、（光学的ではなく）電気的励起が可能なレーザを提案する。このレーザは非常に平易なものである。
【０００６】
より正確には、本発明の目的は、次の要素からなる多結晶ＺｎＯ半導体レーザを提供することである。
−支持体上に、結晶構造がＺｎＯの構造に適応した薄い多結晶薄膜からなる下層。この下層は、薄膜平面に対して直角な一つの結晶軸を持つ粒子のモザイク状態から形成される。
−下層上に、薄膜平面に直角な一つの結晶軸を持つＺｎＯ粒子から構成された薄膜。各粒子は、電気絶縁性物質で境界が囲まれている。
−薄膜平面に対して直角に電流が流される電気的励起のための方法。
【０００７】
本発明の目的は、また、前記定義に一貫した多結晶ＺｎＯ半導体レーザを製造するための方法を提供することである。この方法は次の要素からなる。
−格子定数がＺｎＯに適応した多結晶薄膜下層の支持体上への析出。この下層は、薄膜平面に対して直角な一つの結晶軸を持つ粒子のモザイク状態で構成される。
−下層上に、ＺｎＯから組成的に隔離された電気絶縁性の物質共に、ＺｎＯの薄膜を成長させること。薄膜の成長は、次に、前記絶縁物質の境界で囲まれたＺｎＯの粒子を生成する。
【０００８】
下層は、例えば、ＺｎＯ（ウルツ鉱）、ＧａＮ（ウルツ鉱）、ＡｌＮ（ウルツ鉱）あるいはＭｇＯ（岩塩）であることが好ましい。
【０００９】
また、電気絶縁性物質は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢｉＯ、ＢａＯあるいはＴｉＯ２ であることが好ましい。
【００１０】
共振空洞の獲得を可能にする方法は、従来の半導体レーザ、ＺｎＯ薄膜両側上の鏡、薄膜表面での回析格子、あるいは他の同等な方法に用いられるものでよい。
【００１１】
【具体的な加工方法の説明】
図１及び２に、真空析出の標準的な方法によって得た従来の多結晶ＺｎＯ薄膜の構造を示す。図１に示すように、六角形状が顕著である粒子１０は、電導性境界１２によって分離されている。図２は、薄膜２２の粒子が支持体２０から伸びる無秩序な状態を示す。
【００１２】
本発明によれば、次のようにこれを処理する。
・支持体４０上に、ＺｎＯ格子に適応した格子定数を持つ多結晶下層４２を析出する。この下層はモザイク構造を持ち、粒子の結晶ｃ軸は、薄膜平面に対して直角に、非常に強く方向づけられる。これらの粒子は、（「ａ−ｂ平面」と呼ぶ）薄膜平面内では無秩序である。
・この下層上に、ＺｎＯと、ＺｎＯのウルツ鉱構造内に組み込まれない要素とからなる層４４を、組成上の隔離が起こるように成長させる。薄膜４４の粒子は、薄膜平面に直角な結晶軸の一つ（ｃ）に関して規則的な状態で成長し、他の二つの軸（ａ−ｂ）は薄膜平面内でランダムに方向づけられる。顕著に六角形である粒子３０（図３）は、電気絶縁性境界３２によって囲まれる。
【００１３】
多結晶下層４２の厚さは、約１ｎｍから約１００ｎｍの範囲である。
【００１４】
層４４の厚さは、約１ｎｍから約１ｍｍの範囲である。
【００１５】
支持体は、例えば、非晶質ガラス、非晶質クォーツあるいは非晶質シリコンでもよい。
【００１６】
薄膜析出は、ＲＦマグネトロン・スパッタリングあるいはレーザ剔除を用いて形成してもよい。
【００１７】
図５から明らかなように、獲得した構造は、一方が電流発生器５０に、他方がアースに接続された二つの電極４６及び４８で完成させることができる。活性薄膜４４の両側に位置する二つの鏡５２及び５４は、共振器を形成する。誘導放出は、矢印５６で示すが、約２４５０Åから３５００Åの範囲の紫外線で起こる。
【００１８】
粒子の規則的な性質と、互いからの電気絶縁性は、電流の方向を決め、拡散を避けるという効果がある。これが、電気的励起を有効にするのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】
従来の技術による電導性境界が囲む粒子を持つ、薄い多結晶ＺｎＯ薄膜の上面図である。
【図２】
従来の技術による支持体及び薄膜の横断面図である。
【図３】
本発明による電気絶縁性境界が囲む粒子の上面図である。
【図４】
本発明による、下層及びＺｎＯ薄膜が重なった構造を示す横断面図である。
【図５】
本発明によるレーザの概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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