(57)【要約】【課題】樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、金属粒子が配線から分離して樹脂突起に付着することによる配線間の絶縁性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板の主面上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、樹脂突起を形成する工程（ａ）と、樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｂ）と、複数の配線を覆うフォトレジストを形成する工程（ｃ）と、フォトレジストをマスクとして用いて樹脂突起の一部をエッチングする工程（ｄ）と、半導体基板の主面をスクラバー洗浄する工程（ｅ）とを含む。【選択図】図１１
2018073968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、樹脂突起を形成する工程（ａ）と、
前記樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｂ）と、
前記複数の配線を覆うフォトレジストを形成する工程（ｃ）と、
前記フォトレジストをマスクとして用いて前記樹脂突起の一部をエッチングする工程（ｄ）と、
前記半導体基板の主面をスクラバー洗浄する工程（ｅ）と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
工程（ｃ）が、少なくとも前記複数の配線上にフォトレジストを形成することを含む、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
工程（ｃ）が、前記樹脂突起上において前記複数の配線が配置された領域よりも広い領域上にフォトレジストを形成することを含む、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
工程（ｄ）が、前記複数の配線の下方に位置する前記樹脂突起がサイドエッチングされない程度に前記樹脂突起の一部をエッチングすることを含む、請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板が、パッシベーション膜に周囲が囲まれた複数のパッドを有し、工程（ｃ）が、前記複数のパッドの周囲から前記樹脂突起にかけてフォトレジストを形成することを含む、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の主面上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、樹脂突起を形成する工程（ａ）と、
前記樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｂ）と、
前記複数の配線が配置された領域間の前記樹脂突起の縁部を覆うフォトレジストを形成する工程（ｃ）と、
前記複数の配線及び前記フォトレジストをマスクとして用いて前記樹脂突起の一部をエッチングする工程（ｄ）と、
前記半導体基板の主面をスクラバー洗浄する工程（ｅ）と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項７】
工程（ｅ）の後に、前記フォトレジストを除去する工程（ｆ）をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
工程（ｂ）が、シード層及び金の導電層を含む複数の配線を形成することを含む、請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に配置された樹脂突起と、
前記樹脂突起上に延在する複数の配線と、
を備え、前記樹脂突起の一部で構成されて前記配線を支持する支持部が、前記半導体基板側において前記配線の幅以上の第１の幅を有し、前記配線側において前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置をベース基板にフリップチップ実装するために、半導体装置の接続端子として、従来の金バンプや半田バンプに替えてレジンコアバンプ（樹脂コアバンプ）を設けることが行われている。樹脂コアバンプの形成においては、一般的に、コアとなる樹脂突起上に複数の配線を形成した後に、それらの配線をマスクとして用いて、それらの配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部がエッチングによって除去される。
【０００３】
関連する技術として、特許文献１には、樹脂突起上に導電層が形成された樹脂コアバンプを外部端子とする半導体装置が開示されている。この半導体装置の製造方法は、電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に樹脂層を形成する工程と、樹脂層をキュアすることにより樹脂突起４０を形成する工程と、電極パッド１６に電気的に接続され、且つ、樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程とを含む。ここで、導電層５０を形成した後に、導電層５０をマスクとして樹脂突起４０をエッチングによって部分的に除去しても良い。それにより、例えば、接着剤を用いて半導体装置をベース基板に実装する際に、接着剤の排出性の向上を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９１０４号公報（要約書、段落００３５、図１０〜図１２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の半導体装置の製造工程において、樹脂突起の一部をエッチングによって除去する際に、配線（導電層）もエッチングされる。エッチングされて配線から分離した金属粒子は、樹脂突起の表面に再デポジションされて付着物（デポ物ともいう）となる。そこで、樹脂突起をエッチングした後に、スクラバー洗浄により、エッチングで生じたデポ物を除去することが行われている。
【０００６】
しかしながら、樹脂突起の縁部付近に付着した金属粒子はスクラバー洗浄では除去され難いので、複数の配線間に付着した金属粒子が残留して、配線間の絶縁性が低下するおそれがある。また、複数の配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部を除去すると、半導体装置の実装時において接着剤の排出性が向上するが、樹脂コアバンプの強度が不足する場合がある。
【０００７】
本発明の幾つかの態様は、樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、金属粒子が配線から分離して樹脂突起に付着することによる配線間の絶縁性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することに関連している。また、本発明の幾つかの態様は、実装時における接着剤の排出性を確保しながら、樹脂コアバンプの強度を向上させた半導体装置を提供することに関連している。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の主面上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、樹脂突起を形成する工程（ａ）と、樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｂ）と、複数の配線を覆うフォトレジストを形成する工程（ｃ）と、フォトレジストをマスクとして用いて樹脂突起の一部をエッチングする工程（ｄ）と、半導体基板の主面をスクラバー洗浄する工程（ｅ）とを備える。
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、樹脂コアバンプの複数の配線を覆うフォトレジストをマスクとして用いて、樹脂突起の一部がエッチングされる。従って、樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、配線がエッチングされないようにして、金属粒子が配線から分離して樹脂突起に付着することによる配線間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００１０】
ここで、工程（ｃ）が、少なくとも複数の配線上にフォトレジストを形成することを含むようにしても良い。それにより、エッチングによって樹脂突起に形成される溝の幅をなるべく大きくして、半導体装置の実装時において接着剤の排出性を向上させることができる。
【００１１】
あるいは、工程（ｃ）が、樹脂突起上において複数の配線が配置された領域よりも広い領域上にフォトレジストを形成することを含むようにしても良い。それにより、エッチングされずに残った樹脂突起で構成されて配線を支持する支持部の最大幅を配線の幅よりも大きくして、樹脂コアバンプの強度を向上させることができる。
【００１２】
その場合に、工程（ｄ）が、複数の配線の下方に位置する樹脂突起がサイドエッチングされない程度に樹脂突起の一部をエッチングすることを含むようにしても良い。それにより、支持部の最小幅を配線の幅よりも大きくして、樹脂コアバンプの強度をさらに向上させることができる。
【００１３】
あるいは、半導体基板が、パッシベーション膜に周囲が囲まれた複数のパッドを有し、工程（ｃ）が、複数のパッドの周囲から樹脂突起にかけてフォトレジストを形成することを含むようにしても良い。それにより、複数の配線が配置された領域をフォトレジストが完全に覆って、配線がエッチングされるのを防止することができる。
【００１４】
本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の主面上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、樹脂突起を形成する工程（ａ）と、樹脂突起上に延在する複数の配線を形成する工程（ｂ）と、複数の配線が配置された領域間の樹脂突起の縁部を覆うフォトレジストを形成する工程（ｃ）と、複数の配線及びフォトレジストをマスクとして用いて樹脂突起の一部をエッチングする工程（ｄ）と、半導体基板の主面をスクラバー洗浄する工程（ｅ）とを備える。
【００１５】
本発明の第２の態様によれば、スクラバー洗浄によってはデポ物が除去され難い樹脂突起の縁部を覆うフォトレジストをマスクの一部として用いて、樹脂突起の一部がエッチングされる。従って、樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、配線がエッチングされても、金属粒子が配線から分離して樹脂突起に付着することによる配線間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００１６】
以上において、半導体装置の製造方法が、工程（ｅ）の後に、フォトレジストを除去する工程（ｆ）をさらに備えるようにしても良い。それにより、エッチングによってフォトレジストに付着したデポ物をリフトオフすることができる。
【００１７】
また、工程（ｂ）が、シード層及び金の導電層を含む複数の配線を形成することを含むようにしても良い。その場合には、樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、金の粒子が導電層から分離して樹脂突起に付着することによる配線間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００１８】
本発明の第３の態様に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の主面上に配置された樹脂突起と、樹脂突起上に延在する複数の配線とを備え、樹脂突起の一部で構成されて配線を支持する支持部が、半導体基板側において配線の幅以上の第１の幅を有し、配線側において第１の幅よりも大きい第２の幅を有する。
【００１９】
本発明の第３の態様によれば、支持部が配線の両側から庇状に突出した形状を有して配線を安定的に支持する一方、半導体基板側における接着剤の排出性が確保される。従って、実装時における接着剤の排出性を確保しながら、樹脂コアバンプの強度を向上させた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図。
【図２】図１に示す半導体装置の実装工程を示す断面図。
【図３】図１に示すIII−IIIにおける半導体装置の一部を拡大して示す断面図。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図５】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図６】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図７】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図８】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図９】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１０】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１３】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図。
【図１４】図１３に示すXIV−XIVにおける半導体装置の一部を拡大して示す断面図。
【図１５】図１４に示す半導体装置のエッチング後の一部を拡大して示す断面図。
【図１６】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜半導体装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図２は、図１に示す半導体装置の実装工程を示す断面図である。図２には、図１に示すII−IIにおける半導体装置の断面が示されている。図１及び図２に示すように、半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０の主面（図１に示す面）上に配置された樹脂突起１１と、樹脂突起１１上に延在する複数の配線１２とを含んでいる。
【００２２】
半導体基板１０は、例えば、半導体チップであっても良い。半導体基板１０は、パッシベーション膜１０ｂに周囲が囲まれた複数のパッド（電極）１０ａを有している。また、半導体基板１０には、トランジスター又はダイオード等の能動素子、抵抗又はキャパシター等の受動素子、又は、能動素子又は受動素子に電気的に接続された配線を含む回路１０ｃが形成されている。
【００２３】
例えば、トランジスターは、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、ゲート電極の両側のシリコン基板内に形成された不純物領域であるソース及びドレインとを有している。また、複数の配線を含む配線層が、シリコン基板上に層間絶縁膜を介して配置されており、層間絶縁膜及び配線層は、必要に応じて多層構造を有しても良い。
【００２４】
回路１０ｃの配線の一部は、パッド１０ａを構成している。図１には、図中の縦方向に２列に配列された１８個のパッド１０ａが示されているが、列の数及びパッド１０ａの数は任意である。回路１０ｃの配線は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等を含んでいる。
【００２５】
また、回路１０ｃを保護するために、配線層上には、パッド１０ａに対応する位置に開口が設けられたパッシベーション膜１０ｂが配置されている。パッシベーション膜１０ｂは、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はニ酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁膜で構成される。
【００２６】
半導体基板１０上に配置された樹脂突起１１は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）、又は、フェノール系樹脂等の樹脂で構成される。
【００２７】
半導体基板１０及び樹脂突起１１上に配置された複数の配線１２は、複数のパッド１０ａにそれぞれ接続され、パッド１０ａを介して回路１０ｃに電気的に接続されている。配線１２は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のシード層と、シード層上に配置された金（Ａｕ）等の導電層とを含んでいる。
【００２８】
図２に示すように、半導体装置１をベース基板２にフリップチップ実装することにより、電子モジュールが構成される。ベース基板２は、主面（図中の上面）に配置された複数の接続パッド２１を含んでいる。ベース基板２の主面上に接着剤３が配置されて、複数の配線１２がそれぞれの接続パッド２１に電気的に接続されるように半導体装置１がベース基板２に実装される。接着剤３としては、例えば、エポキシ系又はアクリル系の熱可塑性の樹脂等が用いられる。熱可塑性の樹脂は、加熱によって軟化して成形できるようになり、冷却すれば固化する特性を有する。
【００２９】
例えば、ベース基板２の主面において２列の接続パッド２１の内側の領域に接着剤３が配置される。次に、ベース基板２上に半導体装置１が載置され、加熱によって接着剤３を軟化させながら半導体装置１がベース基板２に押圧される。軟化した接着剤３は、半導体装置１がベース基板２に押圧された際に、半導体装置１の２列の樹脂突起１１の外側の領域まで広がることが望ましい。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３が固化して、半導体装置１がベース基板２に固定される。
【００３０】
あるいは、図２に示す半導体装置１及びベース基板２の位置を逆にして、半導体基板１０の主面において２列の樹脂突起１１の内側の領域に接着剤３が配置されても良い。次に、半導体装置１上にベース基板２が載置され、加熱によって接着剤３を軟化させながらベース基板２が半導体装置１に押圧される。軟化した接着剤３は、ベース基板２が半導体装置１に押圧された際に、半導体装置１の２列の樹脂突起１１の外側の領域まで広がることが望ましい。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３が固化して、半導体装置１がベース基板２に固定される。
【００３１】
図３は、図１に示すIII−IIIにおける半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。図３に示すように、複数の配線１２が配置された領域間の樹脂突起１１の少なくとも一部が除去されて複数の溝１１ａが形成され、両側が溝１１ａで囲まれた樹脂突起１１の一部が、配線１２を支持する支持部１１ｂを構成している。
【００３２】
このように、樹脂突起１１に複数の溝１１ａを形成することにより、実装時における接着剤の排出性及び樹脂コアバンプの圧縮特性が調整される。例えば、パッシベーション膜１０ｂ上に配置された樹脂突起１１の高さＨは、１３μｍ〜２８μｍの範囲内であり、樹脂突起１１に形成された溝１１ａの深さＤは、５μｍ〜１０μｍの範囲内である。
【００３３】
本実施形態においては、樹脂突起１１の一部で構成されて配線１２を支持する支持部１１ｂが、半導体基板１０側において配線１２の幅Ｗ０以上の第１の幅Ｗ１を有しており、配線１２側において第１の幅Ｗ１よりも大きい第２の幅Ｗ２を有している。それにより、支持部１１ｂが配線１２の両側から庇状に突出した形状を有して配線１２を安定的に支持する一方、半導体基板１０側における接着剤の排出性が確保される。従って、実装時における接着剤の排出性を確保しながら、樹脂コアバンプの強度を向上させた半導体装置１を提供することができる。
【００３４】
＜半導体装置の製造方法１＞
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図４〜図１２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図４〜図１２には、図１に示すII−IIにおける半導体装置の一部の断面が示されている。
【００３５】
第１の工程において、図４に示すように、パッシベーション膜１０ｂに周囲が囲まれた複数のパッド１０ａを有する半導体基板１０が用意される。半導体基板１０の詳細については、図１及び図２を参照しながら説明した通りである。
【００３６】
次に、第２の工程において、半導体基板１０の主面上に樹脂材料を配置してベークキュアすることにより、樹脂突起１１が形成される。例えば、半導体基板１０の主面上に液状の感光性樹脂材料（例えば、感光性ポリイミド）を塗布し、フォトリソグラフィー技術によって露光及び現像を行うことにより、図５に示すように、半導体基板１０の主面上に樹脂材料１１ｃが配置される。その後、半導体基板１０を熱処理して、樹脂材料１１ｃをベークキュアすることにより、図６に示すように、樹脂コアバンプのコアとなる樹脂突起１１が形成される。
【００３７】
次に、第３の工程において、複数のパッド１０ａにそれぞれ電気的に接続されると共に樹脂突起１１上に延在する複数の配線１２が形成される。例えば、図７に示すように、スパッター法によって、半導体基板１０の主面の全面にチタンタングステン（ＴｉＷ）等のシード層１２ａが形成され、さらに、シード層１２ａ上に金（Ａｕ）等の導電層１２ｂが形成される。
【００３８】
その後、図８に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所望の配線パターンを有するフォトレジストＰＨ１が導電層１２ｂ上に形成される。このフォトレジストＰＨ１をマスクとして用いて、配線領域以外の導電層１２ｂが、エッチングによって除去される。
【００３９】
また、エッチングによってダメージを受けたフォトレジストＰＨ１が剥離され、配線領域の導電層１２ｂをマスクとして用いて、配線領域以外のシード層１２ａがエッチングによって除去される。その結果、図９に示すように、パターニングされたシード層１２ａ及び導電層１２ｂを含み、半導体装置の接続端子を構成する複数の配線１２が形成される。
【００４０】
次に、第４の工程において、図１０に示すように、複数の配線１２を覆うフォトレジストＰＨ２が形成される。次に、第５の工程において、フォトレジストＰＨ２をマスクとして用いて、樹脂突起１１の一部がエッチングされる。それにより、図１１に示すように、樹脂突起１１に溝１１ａが形成される。
【００４１】
第５の工程におけるエッチングとしては、例えば、ドライエッチングの一種である反応性イオンエッチング（ＲＩＥ： Reactive Ion Etching）が用いられる。反応性イオンエッチングによれば、通常のドライエッチングと異なり、異方性エッチングも可能となる。
【００４２】
第４の工程において形成されるフォトレジストＰＨ２の膜厚は、樹脂突起１１を構成する樹脂材料とのエッチングレートの比を加味して決定される。例えば、フォトレジストＰＨ２と樹脂材料とのエッチングレートの比が３：１である場合に、樹脂材料を５μｍエッチングするためには、フォトレジストＰＨ２の膜厚は１５μｍ以上必要である。
【００４３】
次に、第６の工程において、半導体基板１０の主面がスクラバー洗浄される。例えば、半導体装置を洗浄装置内に配置し、洗浄液として水等の溶媒を噴霧して洗浄を行うことにより、エッチングによって半導体基板１０の主面に付着したデポ物が除去される。次に、第７の工程において、フォトレジストＰＨ２が除去される。それにより、エッチングによってフォトレジストＰＨ２に付着したデポ物をリフトオフすることができる。その結果、図１２に示すような半導体装置が得られる。
【００４４】
第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、樹脂コアバンプの複数の配線１２を覆うフォトレジストＰＨ２をマスクとして用いて、樹脂突起１１の一部がエッチングされる。従って、樹脂コアバンプにおいて複数の配線１２が配置された領域間の樹脂突起１１の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、配線１２がエッチングされないようにして、金属粒子が配線１２から分離して樹脂突起１１に付着することによる配線１２間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００４５】
例えば、シード層１２ａ及び金の導電層１２ｂを含む複数の配線１２が形成される場合には、樹脂コアバンプにおいて複数の配線１２が配置された領域間の樹脂突起１１の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、金の粒子が導電層１２ｂから分離して樹脂突起１１に付着することによる配線１２間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００４６】
また、第４の工程において、少なくとも複数の配線１２上にフォトレジストＰＨ２が形成されても良い。それにより、エッチングによって樹脂突起１１に形成される溝１１ａ（図３）の幅をなるべく大きくして、半導体装置の実装時において接着剤の排出性を向上させることができる。例えば、複数の配線１２とフォトレジストＰＨ２との間のアライメント誤差を考慮して、フォトレジストＰＨ２の縁部が複数の配線１２の縁部よりも平均で５μｍ程度外側に位置するようにフォトレジストＰＨ２が形成されても良い。
【００４７】
あるいは、第４の工程において、樹脂突起１１上において複数の配線１２が配置された領域よりも広い領域上にフォトレジストＰＨ２が形成されても良い。それにより、エッチングされずに残った樹脂突起１１で構成されて配線１２を支持する支持部１１ｂ（図３）の最大幅を配線１２の幅よりも大きくして、樹脂コアバンプの強度を向上させることができる。
【００４８】
その場合に、第５の工程において、複数の配線１２の下方に位置する樹脂突起１１がサイドエッチングされない程度に樹脂突起１１の一部をエッチングするようにしても良い。それにより、支持部１１ｂ（図３）の最小幅を配線１２の幅よりも大きくして、樹脂コアバンプの強度をさらに向上させることができる。
【００４９】
あるいは、第４の工程において、複数のパッド１０ａの周囲から樹脂突起１１にかけてフォトレジストＰＨ２が形成されても良い。それにより、複数の配線１２が配置された領域をフォトレジストＰＨ２が完全に覆って、配線１２がエッチングされるのを防止することができる。
【００５０】
＜半導体装置の製造方法２＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。第２の実施形態において、第１の工程〜第３の工程は第１の実施形態におけるのと同様であるので、それらの説明を省略する。
【００５１】
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図であり、図１４は、図１３に示すXIV−XIVにおける半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。第４の工程において、図１３及び図１４に示すように、複数の配線１２が形成された領域間の樹脂突起１１の縁部を覆うフォトレジストＰＨ３が形成される。
【００５２】
次に、第５の工程において、複数の配線１２及びフォトレジストＰＨ３をマスクとして用いて、樹脂突起１１の一部がエッチングされる。それにより、図１５に示すように、樹脂突起１１に溝１１ａが形成される。第５の工程におけるエッチングとしては、例えば、反応性イオンエッチングが用いられる。
【００５３】
樹脂突起１１の一部をエッチングによって除去する際に配線１２もエッチングされるが、複数の配線１２が形成された領域間の樹脂突起１１の縁部がフォトレジストＰＨ３によって覆われているので、複数の配線１２が形成された領域間の樹脂突起１１の縁部に金属粒子が再デポジションされることはない。
【００５４】
次に、第６の工程において、半導体基板１０の主面がスクラバー洗浄される。それにより、エッチングによって半導体基板１０の主面に付着した金属粒子を含むデポ物が除去される。さらに、第７の工程において、フォトレジストＰＨ３が除去される。それにより、エッチングによってフォトレジストＰＨ３に付着した金属粒子を含むデポ物をリフトオフすることができる。
【００５５】
第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、スクラバー洗浄によってはデポ物が除去され難い樹脂突起１１の縁部を覆うフォトレジストＰＨ３をマスクの一部として用いて、樹脂突起１１の一部がエッチングされる。従って、樹脂コアバンプにおいて複数の配線１２が配置された領域間の樹脂突起１１の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、配線１２がエッチングされても、金属粒子が配線１２から分離して樹脂突起１１に付着することによる配線１２間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００５６】
例えば、シード層１２ａ及び金の導電層１２ｂを含む複数の配線１２が形成される場合には、樹脂コアバンプにおいて複数の配線１２が配置された領域間の樹脂突起１１の少なくとも一部をエッチングによって除去する際に、金の粒子が導電層１２ｂから分離して樹脂突起１１に付着することによる配線１２間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００５７】
＜半導体装置の製造方法３＞
図１６は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。第３の実施形態においては、第４の工程において形成されるフォトレジストＰＨ３の形状が、第２の実施形態におけるのと異なっている。
【００５８】
即ち、図１３においては、複数の配線１２上にフォトレジストＰＨ３が形成されていないが、図１６においては、複数の配線１２上にもフォトレジストＰＨ３が形成されている。それにより、フォトレジストＰＨ３の形状が連続的となって、樹脂突起１１の縁部を隙間なく覆うことができる。その他の点に関しては、第３の実施形態は、第２の実施形態と同様でも良い。
【００５９】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。例えば、以上説明した実施形態の内から選択された複数の実施形態を組み合わせて実施することも可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１…半導体装置、２…ベース基板、３…接着剤、１０…半導体基板、１０ａ…パッド、１０ｂ…パッシベーション膜、１０ｃ…回路、１１…樹脂突起、１１ａ…溝、１１ｂ…支持部、１１ｃ…樹脂材料、１２…配線、１２ａ…シード層、１２ｂ…導電層、２１…接続パッド、ＰＨ１〜ＰＨ３…フォトレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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