(57)【要約】  本発明は、ＰＶＤ／ＣＶＤコーティング室を備えた装置中で、基板に１種または複数種のコーティング体を施与する方法に関する。１種の固体物質を物理的に、少なくとも部分的に気相に変換し、気相中で基板に施与する。少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、液体または気体の形で、気相に加えて、この少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、基板の表面と反応させる。本発明は、さらに、前記の方法により生じたコーティング体に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＶＤ／ＣＶＤコーティング室を備えた装置中で、基板に１種または複数種のコーティング体を施与する方法であって、１種の固体物質を物理的に、少なくとも部分的に気相に変換し、気相中で基板に施与する方法において、少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、液体または気体の形で、気相に加え、その際、少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属が、少なくとも部分的に、基板の表面と反応することを特徴とする方法。
【請求項２】
固体物質から気相への変換を、加熱、陰極アーク蒸発、マグネトロンスパッタリング、電子−、イオン−および／またはレーザービーム衝撃（レーザーアブレーション）およびこれらの組合せにより生じさせることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
固体物質から気相への変換を、スパッタガスを使用する陰極アーク蒸発により生じさせるが、その際、コーティング室中で、固体物質を、陰極に配置し、基板を、陽極に配置して、陰極と陽極との間でプラズマを生じさせることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも２個の陰極を、コーティング室に配置することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
１個または複数個の陰極に、交流周波数を供給することを特徴とする、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも２個の陰極を、回転式陰極、磁界を伴わない二重陰極、マグネトロン陰極、マグネトロン二重陰極、磁界を伴うか伴わない二重ホロー陰極およびこれらの組合せとして形成することを特徴とする、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
プラズマを、二重イオン源中で生じさせることを特徴とする、請求項３から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
マグネトロンを使用して、プラズマを生じさせ、その際、マグネトロンを、コーティングされる基板表面とは反対側に配置することを特徴とする、請求項３から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
高いプラズマ密度を、マグネトロンにより、コーティングされる基板表面のすぐ上に生じさせることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、スパッタガスに含ませることを特徴とする、請求項３から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
化合物を、単成分または多成分酸化物、特に、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化タングステン、酸化タンタルからなるか、あるいは、混合金属酸化物／金属窒化物、特に、酸化ケイ素−窒化ケイ素、酸化チタン−窒化チタンからなるか、金属窒化物、特に、窒化ケイ素、窒化チタンからなる薄いコーティング体を生じさせるための化合物の群から選択することを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
化合物を、気体または可溶性の金属または金属酸化物化合物からなる群から選択することを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
化合物を、可溶性または気体の金属有機化合物、好ましくは、オルガノシロキサンから選択することを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法により生じたことを特徴とする、コーティング体。
【請求項１５】
疎水表面を有することを特徴とする、請求項１４に記載のコーティング体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＶＤコーティング室を備えた装置中で、基板に１種または複数種のコーティング体を施与する方法に関する。１種の固体物質を物理的に、少なくとも部分的に気相に変換し、気相中で基板に施与する。さらに、本発明は、本発明の方法により生じたコーティング体に関する。
【背景技術】
【０００２】
先行技術では、様々なコーティングプロセスが知られている（例えば非特許文献１を参照）。
【０００３】
金属または金属酸化物のコーティング体を、いわゆるＰＶＤ法（ＰＶＤ：物理蒸着）により基板に施与することができる。ＰＶＤ法は、コーティング物質を純粋に物理的な方法により気相に変換して、次いで、基板の上に堆積させる、基板上に薄いコーティング体を生じさせるための真空コーティングプロセスを含むと理解される。
【０００４】
この方法を進展させる際に、コーティング物質を、それが気体状態に変換されるまで、高真空中で加熱する。加熱は、電気抵抗加熱により、高エネルギー電子衝撃により、または、レーザービーム衝撃により行うことができる。次いで、蒸発したコーティング物質を、基板の上に堆積させる。
【０００５】
陰極アーク蒸発とも称されるスパッタプロセスも、ＰＶＤ法に位置付けられる。この場合、プラズマは、真空室中の２つの電極間の直流電圧または高周波電圧により、一定のガス圧力、例えば、１Ｐａで点火（ignited）される。プラズマ中で生じる正ガスイオン、例えば、アルゴンイオンは、加速されて、陰極の上に配置された、ターゲットとも称される固体物質に衝突する。アルゴンイオンの衝突により固体物質から放出された原子は、プラズマを通して拡散し、陽極に配置されている基板の上に堆積する。
【０００６】
既知の方法では、コーティング速度が往々にして低すぎることが、欠点である。特に、大量に製造される窓ガラスなどの幅広い基板をコーティングする場合には、経済的な理由から、１単位時間当りにコーティングされるガラス表面の単位容量を高めることが望ましい。
【０００７】
加えて、いわゆるＣＶＤ法（ＣＶＤ：化学蒸着）が、基板をコーティングするために往々にして使用される。この方法では、反応成分を含有するガスを、反応器中の基板に供給する。基板表面にエネルギーを供給すると、反応生成物を生成しつつ、反応成分は反応する。例えば、金属酸化物または金属窒化物のコーティング体を、ＣＶＤ法を使用して施与することができる。
【非特許文献１】Kienel,Roell,"Vacuum coating 2",VDI Publishers,1995,ISBN3-18-401312-X,Chap.5 and Chap.10
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、効率的かつ均一に基板をコーティングすることができる、基板をコーティングする方法を提供すること、さらに、これに対応するコーティング体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基礎となる目的は、請求項１に記載の方法により達成される。好ましい改善は、従属請求項に示されている。さらに、目的は、請求項１４に記載の、本発明による方法に従い生じさせたコーティング体により達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明による方法は、部分的に変更を加えた（modified）ＰＶＤコーティング室中で実施することができる。基板、例えば、フロートガラスを、コーティング室に置き、適切な負圧を掛ける。負圧は、例えば、０．１から１０Ｐａまで、好ましくは、１から５Ｐａの範囲である。
【００１１】
固体物質（および／またはターゲット）を、適切な方法により蒸発させる。気相への固体物質の蒸発および／または変換は、好ましくは、加熱、例えば、誘導加熱、陰極アーク蒸発、マグネトロンスパッタリング、電子−、イオン−および／またはレーザービーム衝撃（レーザーアブレーション）およびこれらの組合せにより生じさせることができる。
【００１２】
好ましい実施形態では、プラズマが陰極および陽極の間で生じる陰極アーク蒸発および／またはスパッタリングプロセスにより、固体物質を気相へと変換させる。
【００１３】
少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、気体の形で、ＰＶＤ／ＣＶＤコーティング室の少なくとも１つの入口を介して加えることができる。しかし、前記の化合物および／または金属は、液体の形で、例えば、エアロゾルとして、担体ガスを用いて、コーティング室に加えることもできる。好ましくは、前記の化合物および／または金属を、気体の形で加える。
【００１４】
入口はこの場合、コーティング室の形状大きさに応じて、少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、基板表面全体に均一に広げられるように、コーティング室の上または中に配置されている。これによって、均一なコーティング体を形成しつつ、基板表面全体への迅速な移動が生じる。
【００１５】
本発明の非常に好ましい実施形態では、少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属は、スパッタガスに含有される。不活性ガス、例えば、希ガス、好ましくは、アルゴンを、例えば、スパッタガスとして使用する。好ましくは、気体の形の少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、例えば、混合室中で、スパッタガスとブレンドする。こうして生じた気体混合物を、次いで、慣用の方法でＰＶＤコーティング室に供給することができる。
【００１６】
本発明による方法は、したがって、ＰＶＤ法およびＣＶＤ法の組合せを示している。
【００１７】
図１は例として、本発明によるこのような方法のためのコーティング室１を示している。基板２を、コーティング室１内でコーティングするが、この際、基板２を、ローラー３、３’の上で、矢印で示されている方向へと搬送する。コーティング室１は、地電位５の上に位置する周囲壁４により、空間的に限定されている。
【００１８】
記載の実施形態では、２つのターゲット７および７’が、その上に配置されている陰極６が、コーティング室１に備えられている。陰極６に、例えば、交流電圧を与えることができ、このために、これは、電気供給リード８により、発電機に接続されている。ターゲット７、さらに、ターゲット７’から、コーティング物質をスパッタすることにより、基板２の表面１５に、物質を施与する。次いで、スパッタされた物質が、基板２の表面１５の上で蒸発する。
【００１９】
ターゲット７およびターゲット７’から物質をスパッタするために、プラズマを、コーティング室１中で点火させる。プラズマを点火させるために、ガス供給開口部９を介して、コーティング室１に導入されるスパッタガスが、コーティング室１中に存在する。
【００２０】
ガス供給開口部９を介して、１種の付加的な化合物または１種の付加的な金属を、混合室１０に供給することにより、スパッタガスに加えて、１種の付加的な化合物または１種の付加的な金属を、コーティング室１に導入することもできる。スパッタガス、さらに、付加的な化合物および／または付加的な金属が、混合室１０にそれを介して供給される第１の供給管１１、さらに、第２の供給管１２が、混合室１０に接続している。次いで、コーティングガスである、スパッタガスと付加的な化合物との混合物または気化金属を一緒に、ガス供給開口部９を介して、コーティング室１に導入する。
【００２１】
コーティング速度を高めるために、マグネトロン１３が、陰極６とは反対側の、基板２の面上に配置されている。マグネトロン１３は、磁界１４を発生させ、これは、基板２の表面１５のすぐ上で作用する。磁界１４は、基板２の表面１５におけるプラズマ密度を高める。この場合、基板２上の高いプラズマ密度により、コーティング速度の改善がもたらされ、基板２の表面１５上に均一なコーティング体が施与されることが判明している。
【００２２】
混合室１０を介してスパッタガスと混合される付加的な化合物は、それ自体、既にフィルム形成性ガスである。このような気体状の付加的な化合物の代わりに、混合室１０中でスパッタガスと混合され、同様に、ガス供給開口部９を介してコーティング室１に導入されるエアロゾルを、混合室１０に供給することもできる。
【００２３】
付加的な化合物および／または付加的な金属を、コーティング室１の外側、混合室１０内でスパッタガスと混合する記載の実施形態の代わりに、混合物を、コーティング室１の内部でブレンドすることもできる。それと同時に、混合室１０を、完全に省略することもできる。個々の成分を、別々のガス供給開口部を介して、コーティング室１に直接導入し、次いで、コーティング室１中で直接混合する。
【００２４】
同様に、２つのターゲット７および７’が、その上で、平板ターゲットとして配置されている陰極６の図は、例であるにすぎない。ＰＶＤプロセスを実施するために、他の系のホロー陰極（hollow cathode）を使用することも考えられる。
【００２５】
まったく意外にも、本発明による方法により、特に、極めて均一なコーティング体を、幅広い基板に、例えば、窓ガラスに、慣用の方法に比較して短い時間で施与することができることが判明している。
【００２６】
本発明の方法の場合には、コーティング室中、一定のガス圧で、直流電圧または高周波電圧により、陰極と陽極との間でプラズマを点火させる。好ましい改善の１つでは、いくつかの陰極を、例えば、二重陰極として形成されていてよい２個の陰極を使用する。ガス圧は、０．１から１０Ｐａ、好ましくは、１から５Ｐａの範囲であってよい。約６００Ｖの電圧、さらに、１から５００ｋＨｚの範囲の周波数を、高周波電圧では使用することが好ましい。
【００２７】
プラズマ支持されるコーティングは、パルス運転により行うこともできる。例えば、本発明による方法では、プラズマを、プラズマパルスＰＶＤ法においてと同様にパルスさせることができる。
【００２８】
通常、コーティングガスの連続的なフロー下でのプラズマパルスＰＶＤ法では、プラズマに電圧を印加する電気供給管をパルスして、薄いコーティング体を、各パルスで基板の上に生じさせる。
【００２９】
パルス休止期が、各電圧パルスに続くので、特に有利には、温度安定ではない基板にも、高電圧を、パルスの間に印加することができる。例えば、プラズマパルスＰＶＤ法により、例えば、温度に感受性の強いポリマー材料、例えば、ポリメチルメタクリレートからなる基板にコーティング体を施与することができる。
【００３０】
好ましい実施形態の１つでは、プラズマを、二重イオン源中で生じさせる。
【００３１】
イオンは、充填ガスのイオン、または、コーティング物質のイオンであってよい。この場合、圧力は、０．１から１０Ｐａ、好ましくは、１から５Ｐａの範囲であってよい。二重イオン源の高エネルギーイオンは、好ましくは、約１００ｅＶから数ＫｅＶまでのエネルギーを有する。
【００３２】
さらに非常に好ましい実施形態では、プラズマは、逆マグネトロンにより生じる。本発明の意味での逆マグネトロンとは、陰極アーク蒸発法で一般的なように、ターゲット物質の後ろ側の陰極面ではなく、コーティングされる表面とは逆の基板面に配置されているマグネトロンにより、磁界が発生するということである。このように基板の後ろ側に配置されたマグネトロンの結果として、磁界は、コーティングされる表面側の基板面に生じる。したがって、高いプラズマ密度が、基板のすぐ上に生じ、これが、より速いコーティング速度をもたらす。
【００３３】
この方法では、コーティング体は専ら、充填ガスのタイプに依存している。不活性ガス、例えば、アルゴンが、コーティング室に供給されると、基板のプラズマエッチングが生じる。分解可能なガスまたはガス−エアロゾル混合物、例えば、金属有機化合物が供給されると、コーティング体が、基板の上に堆積される。この場合の圧力は、０．１から１０Ｐａ、好ましくは、１から５Ｐａの範囲であってよい。
【００３４】
他の好ましい実施形態では、陰極アーク蒸発法を、ＣＶＤ法と組合せる。１個の陰極を好ましくは使用するか、および／または複数の陰極を、好ましくは、スパッタ陰極として、例えば、数メートル、例えば、１から４メートルの長さを有する二重陰極または複数二重陰極として使用する。前記の寸法を有するスパッタ陰極を使用することにより、特に、幅広い基板、例えば、窓ガラスのコーティング幅全体に亙って均一なプラズマを生じさせることができる。この均一なプラズマ中で、基板は、高速でコーティングされる。
【００３５】
本発明の好ましい改善の１つでは、陰極に、交流周波数、例えば、１から５００ｋＨｚ、好ましくは、１０から１００ｋＨｚを供給して、荷電粒子の除去を保証する。例えば、双極で運転される中間周波数プロセスは、荷電粒子を除去するために、実質的にコーティングのない陰極を、したがって、時間的に安定したコーティングプロセスを保証する。
【００３６】
双極で運転される中間周波数方法とは、本発明の意味では、二重陰極配置と理解され、受器（recipient）中に位置する２個の陰極が、高周波数電圧を供給される。いずれの場合にも、半波長でのイオンは、ターゲットのスパッタリングが、その上で生じる対応する陰極に対して加速される。この方法により、特には、非電導性物質からなるコーティング体を生じさせることができる。この場合、好ましくは、約６００Ｖの電圧、さらに、１から５００ｋＨｚの範囲の周波数を、高周波電圧のために使用する。
【００３７】
本発明の好ましい実施形態の１つでは、慣用の、磁界を伴わない二重陰極、マグネトロン二重陰極、二重ホロー陰極、二重イオン源、さらに、これらの組合せを陰極として使用する。
【００３８】
陰極として、二重ホロー陰極の使用が極めて好ましい。それというのも、露出ターゲット面への永続的な供給の結果として、高絶縁コーティング体が堆積しうるためである。
【００３９】
本発明による方法では、極めて有利には、１種または複数種の薄いコーティング体を、特に、幅広い基板に施与することができる。施与されたコーティング体は、非常に均一であることが判明している。
【００４０】
本発明の意味での均一なコーティング体とは、大きな面積、例えば、４メートル幅以上、および、全コーティングサイクルで約１０００メートル長さをコーティングする際に、均一なコーティング厚、したがって、色一致が、基板の幅全体に亙って達成されることである。この場合のコーティング厚の変動は、１％未満である。
【００４１】
施与される薄いコーティング体は、金属、金属酸化物および／または金属窒化物、半導体、半導体酸化物および／または半導体窒化物からなるコーティング体であってよい。
【００４２】
例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタンおよび／または窒化チタンからなる規定のコーティング系、さらに、他のコーティング体を、基板に施与することができる。
【００４３】
元素分類系の次の主族および副族を、金属および／または金属化合物からなる気体および／または液体化合物および／またはコロイド分散溶液として使用するのが好ましい：副族ＩＶｂ、特に、チタン、ジルコニウムおよびハフニウム；Ｖｂ、特に、バナジウム、ニオブおよびタンタル；ＶＩｂ、特に、クロム、モリブデンおよびタングステン；ＶＩＩＩｂ、特に、鉄、コバルト、ニッケル、パラジウムおよび白金；Ｉｂ、特に、銅、銀および金；ＩＩｂ、特に、亜鉛およびカドミウム、さらに、主族ＩＩＩ、特に、アルミニウム、ガリウムおよびインジウム；ＩＶ、特に、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、スズおよび鉛；Ｖ、特に、ヒ素、アンチモンおよびビスマス、さらに、ＶＩ、特に、セレンおよびテルル。
【００４４】
気体または可溶性の金属および／または金属有機化合物が、例えば：ＴｉＣｌ4、ＧｅＨ4、Ｔｉ［ＯＣ3Ｈ7］4、Ａｌ［ＯＣ2Ｈ5］3、Ａｌ［ＯＣ3Ｈ7］3、Ａｌ［Ｃ5Ｈ7Ｏ2］3、Ｇａ［Ｃ5Ｈ7Ｏ2］3、Ｉｎ［Ｃ5Ｈ7Ｏ2］3、Ｚｎ［ＣＨ3］2、Ｚｎ［Ｃ3Ｈ5Ｏ2］2、Ｓｎ［ＣＨ3］4、Ｔａ［ＯＣ4Ｈ9］5、Ｚｒ［ＯＣ4Ｈ9］4、Ｈｆ［ＯＣ4Ｈ9］4またはこれらの混合物が特に好ましい。
【００４５】
酸化ケイ素または窒化ケイ素からなるコーティング体を施与するためには、特に、コロイド分散溶液および／または可溶性オルガノシラン、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ［ＯＣ2Ｈ5］4（ＴＥＯＳ）、Ｓｉ［ＯＣＨ3］4（ＴＭＯＳ）、［Ｓｉ（ＣＨ3）3］2（ＨＭＤＳ）、［Ｓｉ（ＣＨ3）3］2Ｏ（ＨＭＤＳＯ）、Ｓｉ［ＣＨ3］4（ＴＭＳ）、［ＳｉＯ（ＣＨ3）2］4、［ＳｉＨ（ＣＨ3）2］2Ｏまたはこれらの混合物が適している。
【００４６】
前記のコロイド分散溶液を、ＣＶＤ法に適した溶剤、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、エーテル、アミド、エステルまたはアミンに溶かす。
【００４７】
金属化合物または金属の液体化合物および／またはコロイド分散溶液を、ＰＶＤ／ＣＶＤコーティング室に加える前に、これらを、例えば、液体用の噴霧装置または蒸発器／気化器に供給することができる。このガス化装置中で、様々な化合物を、担体ガスを供給しつつ一定の比で相互に混合し、次いで、化合物および／または化合物混合物を気体の形に変換することができる。こうして生じたガスを、次いで、ＰＶＤ／ＣＶＤコーティング室に加えることができる。
【００４８】
本発明の方法により、１種または相互に重なって配置された複数種のコーティング体を、基板に、正確に規定された厚さ、構造、反射率および／または組成で施与することができる。
【００４９】
例えば、次のように規定されるコーティング体を、本発明の方法を使用して製造することができる（ｎ：反射率）：
ａ．）  酸化チタン／ＴｉＮ：  ２．１≦ｎ≦２．７
ｂ．）  ＳｉＯx／ＳｉxＮy：  １．３≦ｎ≦１．９
ｃ．）  酸化スズ／窒化スズ；  １．８≦ｎ≦２．１
ｄ．）  酸化亜鉛／窒化亜鉛：  １．８≦ｎ≦２．２。
【００５０】
本発明による方法で製造することができる前記ａ．）からｄ．）に記載のコーティング例では、疎水性コーティング体を各ケースで、低い反射率の範囲内で製造することができる。
【００５１】
疎水性表面は、優れた防汚特性を有し、したがって、非常に容易に清浄にすることができ、および／または自己清浄性である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明による方法のためのコーティング室１の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１      コーティング室
２      基板
３、３’ローラー
４      周囲壁
５      地電位
６      陰極
７、７’ターゲット
８      電気供給リード
９      ガス供給開口部
１０      混合室
１１      第１の供給管
１２      第２の供給管
１３      マグネトロン
１４      磁界
１５      基板の表面
【図１】
2005511893.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月23日(2004.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＶＤ／ＣＶＤコーティング室を備えた装置中で、基板に１種または複数種のコーティング体を施与する方法であって、スパッタガスを使用する陰極アーク蒸発により、１種の固体物質を物理的に、少なくとも部分的に気相に変換し、かつ、気相中で基板に施与するが、その際、少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、液体または気体の形で、気相に加え、この少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、少なくとも部分的に、基板の表面と反応させ、かつ、コーティング室中で、この固体物質を、陰極に配置し、基板を、陽極に配置し、プラズマを、陰極と陽極との間で生じさせる方法において、プラズマを、マグネトロンを使用して生じさせ、その際、マグネトロンを、コーティングされる基板表面とは反対側に配置して、高いプラズマ密度を、マグネトロンにより、コーティングされる基板表面のすぐ上に生じさせることを特徴とする方法。
【請求項２】
固体物質から気相への変換を、加熱、マグネトロンスパッタリング、電子−、イオン−および／またはレーザービーム衝撃（レーザーアブレーション）と陰極アーク蒸発との組合せにより生じさせることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも２個の陰極を、コーティング室に配置することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
１個または複数個の陰極に、交流周波数を供給することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも２個の陰極を、回転式陰極、磁界を伴わない二重陰極、マグネトロン陰極、マグネトロン二重陰極、磁界を伴うか伴わない二重ホロー陰極およびこれらの組合せとして形成することを特徴とする、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１種の付加的な化合物および／または少なくとも１種の付加的な金属を、スパッタガスに含ませることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
化合物を、単成分または多成分酸化物、特に、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化タングステン、酸化タンタルからなるか、あるいは、混合金属酸化物／金属窒化物、特に、酸化ケイ素−窒化ケイ素、酸化チタン−窒化チタンからなるか、金属窒化物、特に、窒化ケイ素、窒化チタンからなる薄いコーティング体を生じさせるための化合物の群から選択することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
化合物を、気体または可溶性の金属または金属酸化物化合物からなる群から選択することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
化合物を、可溶性または気体の金属有機化合物、好ましくは、オルガノシロキサンから選択することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法により生じたことを特徴とする、コーティング体。
【請求項１１】
疎水表面を有することを特徴とする、請求項１０に記載のコーティング体。
【国際調査報告】
2005511893.tif 000004
2005511893.tif 000005
2005511893.tif 000006
2005511893.tif 000007
2005511893.tif 000008
2005511893.tif 000009