(57)【要約】物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージと欠陥のないレファレンスイメージとが、各々の欠陥のシビアリティスコアを提供するために用いられ、それによって顧客に対して重要な情報を提供し、マスクの使用及び修復の完全性を正確に評価可能となる。欠陥シビアリティスコアは、欠陥に対する隣接フィーチャの限界寸法の変化に関連した複数のファクタに基づいて計算される。共通のプロセスウインドウが、欠陥プリンタビリティに関する目的情報を提供するべく用いられても良い。ラインエッジ荒さ及びコンタクトコーナーの丸みのようなマスククオリティに関するその他状況もまた、物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージを用いることで定量化されて良い。
2005500671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理マスク上の欠陥のためのプリンタビリティ解析を提供する方法であって、
物理マスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応するリファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージ上の前記欠陥に近接する第１のフィーチャーを識別する過程と、
前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の、前記第１のフィーチャーに対応する第２のフィーチャーを識別する過程と、
前記第１及び第２のフィーチャーを比較して、前記プリンタビリティ解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項２】
比較過程が、前記第１のフィーチャーの第１の限界寸法、及び前記第２のフィーチャーの第２の限界寸法を決定する過程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
比較過程が、前記第１及び第２のフィーチャーのための相対的な限界寸法偏差を計算する過程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記相対的な限界寸法偏差の計算を行う過程が、前記第１の限界寸法から前記第２の限界寸法を減じる過程と、得られた値を、前記第２の限界寸法で除する過程とを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
更に、前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の前記欠陥に近接する第１の複数のフィーチャーを識別する過程と、
前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の、前記第１の複数のフィーチャーに対応する第２の複数のフィーチャーを識別する過程と、
前記第１及び第２の複数のフィーチャーのために複数の相対的限界寸法偏差を計算する過程とを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
更に、前記複数の相対的限界寸法偏差の最大のものを決定し、それによって最大限界寸法偏差を提供する過程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
更に、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の第３の欠陥のないフィーチャーを識別する過程と、
前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の、前記第３のフィーチャーに対応する第４のフィーチャーを識別する過程と、
前記第３及び第４のフィーチャーを比較する過程とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第３及び第４のフィーチャーを比較する過程が、
前記第３のフィーチャーの第１の限界寸法、及び前記第４のフィーチャーの第２の限界寸法を決定する過程を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
比較過程が、前記第１及び第２のフィーチャーのための限界寸法偏差計算過程を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記限界寸法偏差を計算する過程が、前記第２の限界寸法より前記第１の限界寸法を減じる過程と、得られた値を前記第２の限界寸法によって除する過程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
更に、前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上のＮ個の欠陥のないフィーチャーのために前記限界寸法偏差を計算する過程であって、ここでＮが２以上の整数であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
各々の欠陥のないフィーチャーの前記限界寸法偏差が加えられ、結果として得られる値が整数Ｎによって除され、それによって平均限界寸法偏差を提供することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
物理マスク上の欠陥のためにプリンタビリティ解析を提供する方法であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応するリファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
前記物理マスク及びリファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージを比較して、前記プリンタビリティ解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項１４】
更に、前記比較過程に基づいた欠陥シビアリティスコアを決定する過程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記比較過程が、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の第１のフィーチャーに基づいて、第１のプロセスウインドウを生成する過程と、
前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の、前記第１のフィーチャーに対応する第２のフィーチャーに基づいて、第２のプロセスウインドウを生成する過程と、
前記第１及び第２のプロセスウインドウを基に、共通のプロセスウインドウを決定する過程とを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記共通のプロセスウインドウが、デフォーカスに対する露出偏差のプロットに基づいていることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記共通のプロセスウインドウが、フォーカス深さに対する露出許容度のプロットに基づいていることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
物理マスク上の欠陥のプリンタビリティ解析を提供する方法であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
前記欠陥によって影響を受ける前記シミュレートされたウエハイメージ上の、第１のフィーチャーを識別する過程と、
前記欠陥によって影響を受けない前記シミュレートされたウエハイメージ上の、第２のフィーチャーを識別する過程であって、前記欠陥がなければ前記第１及び第２のフィーチャーが概ね前記同一の限界寸法を有することを特徴とする過程と、
前記第１及び第２のフィーチャーを比較する過程とを含む方法。
【請求項１９】
比較過程が、
前記第１のフィーチャーのために第１のプロセスウインドウを提供する過程と、
前記第２のフィーチャーのために第２のプロセスウインドウを提供する過程と、
前記第１及び第２のプロセスウインドウに基づいて共通のプロセスウインドウを決定する過程とを含むこと特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記共通のプロセスウインドウが、デフォーカスに対する露出偏差のプロットを基にすること特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記共通のプロセスウインドウが、フォーカス深さに対する露出許容度のプロットを基にすること特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
物理マスクを製造するための方法であって、
集積回路を設計する過程と、
前記集積回路の一つの層のためにマスク設計データを生成する過程と、
前記マスク設計データに適合した物理マスクを製造する過程と、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージ、及びリファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージを基に、前記物理マスクを検査する過程であって、前記リファレンスマスクが欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする過程と、
前記物理マスクが検査を通るか否かを決定する過程とを含む方法。
【請求項２３】
検査過程が、
前記物理マスク及び前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージを比較する過程を含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
検査過程が、更に、比較過程に基づいて欠陥シビアリティスコアを決定する過程を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
検査過程が更に、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の第１のフィーチャーに基づく第１のプロセスウインドウを生成する過程と、
前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージ上の第２のフィーチャーに基づく第２のプロセスウインドウを生成する過程であって、前記第２のフィーチャーは前記第１のフィーチャーに対応することを特徴とする過程と、
前記第１及び第２のプロセスウインドウに基づく共通のプロセスウインドウを決定する過程とを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記共通のプロセスウインドウが、デフォーカスに対する露出偏差のプロットに基づいていることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記共通のプロセスウインドウがフォーカス深さに対する露出許容度のプロットに基づいていること特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
マスク上の欠陥のための欠陥シビアリティスコアを生成する方法であって、
前記欠陥の二次元解析、及び前記マスク上の前記欠陥に近接する第１のフィーチャーの二次元解析を提供する過程と、
前記マスクの第１のウエハイメージを提供する過程と、
前記ウエハイメージ上の、シミュレートされた前記第１のフィーチャーに対応する第２のフィーチャーの欠陥解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項２９】
更に、
前記マスクの欠陥のないリファレンスイメージ上に第３のフィーチャーを識別し、前記第３のフィーチャーが前記第１のフィーチャーを示す過程と、
前記リファレンスイメージの第２のウエハイメージを提供する過程であって、前記第２のイメージは第４のフィーチャーを含み、前記第４のフィーチャーがシミュレートされた前記第３のフィーチャーに対応する過程と、
前記第４のフィーチャーに欠陥解析を提供する過程とを含むこと特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２及び第４のフィーチャーの欠陥解析を提供する過程が、前記第２及び第４のフィーチャーの限界寸法を比較する過程を含むこと特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
欠陥解析を提供する過程が、更に、異なる露出における前記限界寸法の変化を決定する過程を含むこと特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
欠陥解析を提供する過程が、更に、各々の露出の最大限界寸法変化を決定する過程を含むこと特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
欠陥解析を提供する過程が、更に、各々の露出の相対的な最大限界寸法を計算する過程を含むこと特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
更に、前記第１及び第２のウエハイメージ間のキャリブレーションを提供する過程を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
物理マスク上の欠陥を解析するためのシステムであって、
前記物理マスクよりのマスクイメージとリファレンスマスクよりのリファレンスイメージとを生成するための検査ツールと、
前記マスクイメージよりのステッパーマスクイメージ、及び前記リファレンスイメージよりのステッパーリファレンスイメージをシミュレートするためのウエハイメージジェネレータと、
前記ステッパーマスクイメージ及び前記ステッパーリファレンスイメージを比較するための、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータとを含むシステム。
【請求項３６】
更に、前記物理マスクの限界領域に前記欠陥が配置されるかどうかを決定するための限界領域識別ジェネレータを含み、前記限界領域識別ジェネレータが前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータに対するアウトプットを提供する請求項３５に記載のシステム。
【請求項３７】
更に前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータよりのデータをレシーブするためのビットマップエディタを含み、前記欠陥に対して示唆された修復を行うことを特徴とする請求項３５に記載のシステム。
【請求項３８】
更に前記示唆された修復に応じるために、マスク修復ツールを含むことを特徴とする請求項３７に記載のシステム。
【請求項３９】
前記システムが前記欠陥を自動解析し、前記マスク修復ツールが前記示唆された修復に自動応答することを特徴とする請求項３８のシステム。
【請求項４０】
前記システムが、前記欠陥を自動的に解析し、また前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレーターが自動的に前記欠陥シビアリティスコアを提供することを特徴とする請求項３８のシステム。
【請求項４１】
物理マスク上の欠陥のための欠陥シビアリティスコアを生成するためのシステムであって、
前記欠陥に近接する前記物理マスク上のフィーチャーの第１イメージと、前記リファレンスイメージ上の前記フィーチャーの第２のイメージとを生成するための手段と、
前記第１のイメージの前記第１のウエハイメージと、前記第２のイメージの第２のウエハイメージとをシミュレートするための手段と、
前記第１及び第２のウエハイメージに基づく欠陥シビアリティスコアを生成するための手段とを含むシステム。
【請求項４２】
更に、
前記欠陥が限界領域内にあるかどうか識別するための手段を含み、ここで前記識別手段は前記欠陥シビアリティスコアを生成するための前記手段に対してデータを提供することを特徴とする請求項４１に記載のシステム。
【請求項４３】
前記シミュレーションのための手段で、複数のリソグラフィ条件に応じるための手段を含むことを特徴とする請求項４１に記載のシステム。
【請求項４４】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージ、及び前記リファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析に基づいて修正される、少なくとも１つの欠陥であって、前記リファレンスマスクが欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする欠陥と、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージと、前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージとに基づいて修正されない少なくとも１つの欠陥とを含む物理マスク。
【請求項４５】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージを解析することに基づいて修正される少なくとも１つのイレギュラリティと、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージを解析することに基づいて修正されない少なくとも１つのイレギュラリティとを含む物理マスク。
【請求項４６】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージと、リファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージとの比較に基づいて修正される少なくとも１つのフィーチャーであって、前記レファレンスマスクが欠陥のない物理マスクに対応していることを特徴とするフィーチャと、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージと、前記リファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージとを比較することに基づいて修正されない少なくとも１つのフィーチャーを含む物理マスク。
【請求項４７】
物理マスクを用いて製造された集積回路であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージと、リファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージとを比較することに基づいて修正された少なくとも１つのフィーチャーであって、前記リファレンスマスクが欠陥を有しない物理マスクに対応することを特徴とするフィーチャーと、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウエハイメージと前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージとを比較することに基づいて修正されない少なくとも１つのフィーチャーを含む集積回路。
【請求項４８】
物理マスクを用いて製造された集積回路であって、
前記物理マスクが、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応したリファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
前記物理マスク及び前記リファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージとを比較する過程を含む物理マスクを用いて製造された集積回路。
【請求項４９】
第１のマスク上の欠陥を解析するためのコンピュータソフトウェアであって、
前記第１のマスクのシミュレートされたウエハイメージを生成するための手段と、
欠陥のない第１のマスクに対応した第２のマスクのシミュレートされたウエハイメージを生成するための手段と、
欠陥のプリンタビリティを解析するために、前記第１及び第２のマスクの前記シミュレートされたウエハイメージを比較するための手段とを含むコンピュータソフトウェア。
【請求項５０】
前記比較手段が、前記欠陥のために欠陥シビアリティスコアを生成するための手段を含むことを特徴とする請求項４９に記載のコンピュータソフトウェア。
【請求項５１】
更に、前記プリンタビリティに基づく前記欠陥上の修復情報を提供するための手段を含むことを特徴とする請求項４９に記載のコンピュータソフトウェア。
【請求項５２】
更に、前記欠陥シビアリティスコアに基づく欠陥上の修復情報を提供するための手段を含むことを特徴とする請求項５０に記載のコンピュータソフトウェア。
【請求項５３】
欠陥を含む物理マスクを検査するための方法であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応したリファレンスマスクのシミュレートされたウエハイメージを生成する過程と、
前記物理及びリファレンスマスクの前記シミュレートされたウエハイメージを比較し、前記欠陥の情報を提供する過程とを含む方法。
【請求項５４】
比較過程が欠陥シビアリティスコアを生成する過程を含むこと特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
更に、マスク修復ツールに対して前記欠陥の前記情報を通信させる過程を含むこと特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
マスク修復ツールに対して前記欠陥シビアリティスコアを通信させる過程を更に含むこと特徴とする請求項５４に記載の方法。
【請求項５７】
前記リファレンスマスクが、次の、
前記物理マスクのレイアウトのシミュレートされたイメージ、
前記欠陥を含むパターンと概ね等しいパターンを有する物理マスクの欠陥のない領域、
及び、前記物理マスク製造時の前記物理マスクのシミュレートイメージの内の１つを含むことを特徴とする請求項５３の方法。
【請求項５８】
前記物理マスクの前記シミュレートされたイメージを生成する過程が、イメージキャプチャ間に生成されたイメージの歪みを補正することを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路マスクに対する欠陥のプリンタビリティ解析を提供する検査に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板内に集積回路（IC）を製造するには、まず、ICの物理的な図形がパターン・ツール上に転写される。次に、このパターンを半導体基板上に転写するために、そのパターン・ツールが露出される。マスクは、ICプロセスに用いられる従来式のパターン・ツールである。通常、マスクは、1回の露出で半導体基板全体（例えば、ウェーハ）に転写され得るパターンを含んでいる。別の従来式のパターン・ツールであるレチクルでは、段階を踏み、基板面全体を繰返して露出する必要がある。本明細書では、簡便のために、レチクル若しくはマスクのいずれかを差すものとして用語「マスク」を用いている。
【０００３】
従来式のマスクは、クロム被膜を備えた石英プレートから形成される。一般的に、マスクは、IC設計の各層毎に作成される。特に、物理的な層（ポリシリコン層若しくは金属層等）に描写されるICレイアウト・データの一部は、クロム層の中にエッチングされる。従って、各マスクは、それが対応する層に対して所望の回路レイアウトを描写するパターンを含んでいる。高密度ICでは、マスクは、更に、セリフ、ハンマヘッド、バイアス、及び補助バー等の光学的近接効果補正（OPC）の形状も含んでいる。これらのOPC形状は、プロセスのアーチファクト及び／又は近接効果に対する補正に用いられる補助的分解能形状である。
【０００４】
IC製造の分野における当業者は、高密度のIC設計において、オリジナルの設計レイアウトの正確な描写を提供するマスクを利用することの重要性を理解しているであろう。残念ながら、「完璧な」マスクは市販されていない。実際に、最適な製造条件の下であっても、制御されたプロセスの外に何らかのマスク欠陥が生じる可能性がある。
【０００５】
マスク上の欠陥は、検査ツール若しくは検査技術者によって許容範囲外だとみなされる設計データベースからの何らかの誤差（即ちイレギュラリティ）である。図１には、集積回路を検査するための従来的な方法のフローチャートが図示されている。ステップ１１０では、ICが設計される。ステップ１１２では、マスク設計データ（例えば、ICのレイアウト）のデータ・ファイルが生成される。このデータは、ステップ１１４でのマスク製造に用いられる。ここに至って、高解像度マイクロスコープ、及びマスクのキャプチャ・イメージを利用してマスクの面をスキャニングすることによって、ステップ１１６でこのマスクが検査される。マスク内のイレギュラリティは、それらの位置に近いリスト内で識別される。一実施例では、このマスクは格子パターンを有しており、リストはイレギュラリティが配置されている格子パターンにおけるスクエア（square）を示す。この検査及びイレギュラリティの識別は、KLA−Tencor社若しくはApplied Materials社等の企業によって提供される特別の装置／ソフトウェアを用いて実行される。
【０００６】
マスクが検査を通るかどうかを判定する（ステップ１１８）ために、当分野の検査技術者若しくは半自動式検査装置によって、ステップ１１６で特定されたイレギュラリティが再検査される。欠陥としてみなされるのは、製造者若しくはユーザによって設定された許容範囲外にあると判定されたイレギュラリティだけであることに留意されたい。イレギュラリティが発見され、且つそれが許容範囲外である場合、ステップ１２８で、マスクが修復可能であるか判定される。マスクが修復可能である場合には、ステップ１３０でマスクのクリーニング及び／又は修復がなされ、このプロセスはマスクを検査するステップ１１６に戻る。マスクが修復不可能である場合には、新規のマスクが製造される必要があり、検査プロセスはステップ１１４に戻る。ステップ１１８で判定された際に、マスクが検査を通る場合には、ステップ１２０で、実際のウェーハがマスクを用いて露光される。
【０００７】
マスクによって所望とするイメージがウェーハ上に製造されていることを保証するために、ステップ１２２でウェーハ自体が検査されるイレギュラリティが発見されて、検査ステップ１２４で許容範囲外であると判定された場合、ステップ１２８でマスクが修復可能であるか判定される。マスクが修復可能である場合、ステップ１３０でマスクはクリーニング及び／又は修復がされて、プロセスはマスクを検査するステップ１１６に戻る。マスクが修復不可能である場合、新規のマスクを製造する必要があり、検査プロセスは１１４に戻る。ウェーハ上にイレギュラリティが発見されても、許容範囲内である場合には、マスクはステップ１２４の検査を通り、この検査プロセスはステップ１２６で終了する。
【０００８】
残念ながら、上述のプロセスは、多数の重要な不利点を有している。例えば、自動化された検査装置は、主に大きさを用いて許容範囲を測定する。従って、マスク上のピンホールが所定の大きさを有する場合、自動検査装置は、マスク上でのその位置に関係なく、欠陥であると指定する可能性がある。対照的に、熟練した検査技術者は、自身の経験レベルに応じた付加的な、且つより主観的な方法を用いることが可能である。具体的には、経験を積んだ技術者ならば、ピンホールが所定の大きさよりも小さい場合であっても、重要な領域内に存在していて機能性及び性能に不利な影響を及ぼす可能があるため、欠陥とみなす必要があるということや、或いは、ピンホールが所定の大きさよりも大きい場合であっても、重要な領域内ではないので機能性及び性能に影響を及ぼさないということを判定することが可能である。しかしながら、この技術の集合は、かなりの費用をかけて長期に渡って作り上げられる必要がある。更に、全ての人的作業と同様に、この技術の集合は、作り上げられた後にも検査の質が変動してしまうことが避けられない。従って、イレギュラリティを判定するステップは、間違いが生じやすい。
【０００９】
上述のプロセスの別の不利点は、欠陥誤検出のトリガリングである。例えば、自動検出装置は、OPC若しくは不完全OPCの形状を欠陥として間違って報告してしまう可能性がある。前記で示したように、OPC形状は、近接効果補正で用いられる補助的分解能形状である。それゆえに、このOPC形状によって、欠陥が構成されることや、寄与することはほとんどない。
【００１０】
（マスク検査システム）
これらの不利点を処理するために、Numerical Technologies社によって設計されたマスク検査システムでは、ウェーハの実際の露出に頼らない、マスク品質の評価が提供される。このマスク検査システムは、1998年8月7日に提出された「Visual Inspection and Verification System」と題された米国特許出願第09/130,996号（本明細書では、NTIシステムと呼ぶ）に説明されており、ここでの言及を以って全文を本明細書の一部とする。
【００１１】
図２には、このNTIシステムに従った、マスクの欠陥検査プロセス２００が図示されている。プロセス２００は、検査ツール２０２及びウェーハ・イメージ・ジェネレータ２０９を利用している。一実施例では、検査ツール２０２は、物理マスク２０１の全体若しくは一部をスキャンするために、イメージ補足器２０３（通常は、高解像度イメージング装置）を含んでいる。欠陥検出プロセッサ２０４は、イメージ補足器２０３によって提供されたマスク・イメージを潜在的欠陥判定基準集団と比較して、マスクのいずれの領域が潜在的欠陥を含むかを判定する。潜在的欠陥が特定されると、欠陥検出プロセッサ２０４が欠陥領域イメージ・ジェネレータ２０５に信号を送信して、それにより、潜在的欠陥を含み、且つ包囲する領域の欠陥領域イメージが提供される。
【００１２】
一実施例では、次に、検査ツール２０２によって欠陥領域イメージ・データ２０６がウェーハ・イメージ・ジェネレータ２０９に提供される。別の実施例では、このデータがデジタル化装置２０７によってデジタル化されて、記憶装置２０８内に記憶されて、更に、後でウェーハ・イメージ・ジェネレータ２０９に提供される。潜在的欠陥として特定される領域と、潜在的欠陥として特定されない領域との両方の解析を行う更に別の実施例では、イメージ補足器２０３によって提供されるスキャン・イメージは、ウェーハ・イメージに直接的に提供されてもよいし、若しくはデジタル化装置２０７及び記憶装置２０８を通して間接的に提供されてもよい。
【００１３】
ウェーハ・イメージ・ジェネレータ２０９は、検査ツール２０２からリアルタイムの入力で直接的にデータを受信するか、若しくは記憶装置２０８からオフ・ラインのデータとして受信する入力装置２１０を含んでいる。イメージ・シミュレータ２１１は、入力装置２１０からの情報と、リソグラフィ条件２１２等の他の入力データとを受信する。リソグラフィ条件２１２には、照明の波長、開口数、コヒーレンス値、デフォーカス（ここで用いられている用語「デフォーカス」は、焦点面の位置決めを指している）、露出レベル、レンズ収差、基板条件、及び必要な微小線幅（critical dimension）等を含み得る（それらだけに限定されるわけではない）。これらの入力を用いて、イメージ・シミュレータ２１１は、ウェーハ上に露出される物理的なマスク２０１をシミュレートするウェーハ・イメージ２１３を生成するこが可能である。更に、イメージ・シミュレータ２１１は、シミュレート・プロセス・ウィンドウ２１４及びパフォーマンス出力２１５を生成することが可能である。一実施例では、ブロック２１６によって示されるように、イメージ・シミュレータ２１１は、フォトレジスト及び／又はエッチングのプロセスも考慮している。
【００１４】
プロセス２００によって、シミュレートされたウェーハ・イメージ２１３を介して顧客に価値のある情報が提供されているが、例えば、顧客は、その情報を更に再検討して行うべき適切な処置に関する決定を行う必要がある。
【発明の開示】
【発明の効果】
【００１５】
欠陥プリンタビリティを解析するためのシステム及び方法が提供される。この解析において、物理マスク及び対応する欠陥のないリファレンスイメージが検査される。ある実施例では、欠陥のないリファレンスイメージは、以下の、物理マスクのレイアウトのシミュレートされたイメージ、同一のパターンを有する物理マスクの欠陥のない領域、または製造中の物理マスクのシミュレートされたイメージのいずれか１つであり得る。
【００１６】
この検査は、リファレンスイメージに対する物理マスクのあらゆる欠陥、即ちイレギュラリティを識別する。欠陥が識別される場合、欠陥の欠陥領域イメージ、またリファレンスイメージよりの対応領域イメージは勿論のこと、物理マスクよりの欠陥を取り囲む領域の欠陥領域イメージがウェーハイメージジェネレータへと提供される。ウェーハイメージジェネレータはイメージデータのシミュレーション即ち物理マスク及びリファレンスマスクのシミュレーションを生成する。
【００１７】
ある実施例において、ウェーハイメージジェネレータは複数のリソグラフィ条件をレシーブする。これら条件は、リソグラフィ条件に特異的なデータや、物理マスクの顧客によって明らかにされ得るシステムパラメータを含む。そのようなデータは例えばシステムにおいて用いられるイルミネーションの波長（λ）、システムの開口数（δ）、イルミネーションタイプ（例えばオフアクシスまたは環状）デフォーカス、露出レベル、レンズの収差、基板条件、および設計の限界寸法（ＣＤ）を組んでも良い。ある実施例において、各々のパラメータは値に幅を有してもよく、それによって、ウェーハイメージジェネレータが異なったコンビネーションにおける可能なリソグラフィ条件の幅に基づいて複数のシミュレーションを生成し得るようになる。
【００１８】
高く非線形であるサブ波長生成フローは、次の規則で補正されてもよい。とりわけサブ波長テクノロジーにおけるウェーハイメージの正確さを改善するためには、ウェーハイメージジェネレータが１つもしくは複数の変換ファクターをレシーブし得る。変換ファクターは、例えば単独のライン、密集したライン群、及びコンタクトのようなマスク上のフィーチャに基づいて変化し得る。変換ファクターは、またステッパーパラメータ及びフォトレジストを含めた製造過程の一側面に基づいて変化してもよい。
【００１９】
ある実施例では、テストマスク上に生成されたテストパターンがウェーハイメージジェネレータを用いてシミュレートされる。このテストパターンは幅が変化する独立したライン、幅が変化する密集したライン群、及びサイズが変化するコンタクトを含んでもよい。限界寸法（ＣＤ）におけるいかなる変化をも含めた欠陥解析が、シミュレートされたウェーハイメージ上の各テストパターンのために記録され得る。留意していただきたいのは、ここで用いられるように、ＣＤは特定の位置測定、即ち計算されたサイズであり、それは一次元もしくは二次元であることである。この情報より、各々のフィーチャの変換ファクターが正確に計算され得る。更には、複数のシミュレーションが様々なプロセス（例えばリソグラフィ条件）を用いることで提供されてもよく、それら製造プロセスのための変換ファクターか得られる。マスク販売元の特性バイアスがリソグラフィ条件に含まれてもよく、この実施例によって生成された変換ファクターの正確性が向上する。
【００２０】
変換ファクターを提供するこの方法は、非常に高い費用的効果を有しているが、それはそれらウェーハの製造時間の短縮するのみならずプリントされたウェーハに関連するコストを削減するからである。更には、シミュレーション環境のおかげで、この方法は正確な製造前に、システムパタメータを最適化するという著しい柔軟性を提供する。
【００２１】
ある実施例によれば欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータは物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージと、ウェーハイメージジェネレータよりのリファレンスイメージとをレシーブする。ある実施例において、２つのシミュレートされたウェーハイメージが、前処理動作において整列される。アラインメントはマスクよりの座標を用いるか、もしくはマスクにおける欠陥のないパターンを用いることでなされ得る。それらのパターンもしくは座標が整列されるとき、それらマスク上に生成されたフィーチャ（それらマスクのウェーハイメージ上は勿論のこと）がまた整列される。
【００２２】
整列後、二次元解析が実行される。二次元解析において、物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の欠陥及びリファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の対応領域における欠陥が識別される。次に、物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の欠陥に近接するすべてのフィーチャ（近接フィーチャ）が識別される。ある実施例では、欠陥の所定の距離にあるすべてのフィーチャもが、近接フィーチャとして識別され得る。別の実施例では、欠陥のサイズ及び近接フィーチャよりの欠陥距離の双方が設計ルール表の測定値と比較される。設計ルール表は、各々の欠陥のサイズ（即ちサイズの幅）、欠陥よりの最大の距離を識別し得り、ここでフィーチャが欠陥よりの最大距離内に配置されている場合に、フィーチャが近接フィーチャであるとする。最終的には、すべての識別された近接フィーチャが、リファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージ上に配置される。
【００２３】
ここで、シミュレートされたウェーハイメージ上の欠陥解析が実行される。欠陥解析は、平均ＣＤ偏差（ＡＣＤ）、相対的ＣＤ偏差（ＲＣＤ）、及び最大ＣＤ偏差（ＭＣＤ）を決定する過程を含む。ＡＣＤを計算するためには、物理マスク上のシミュレートされたウェーハイメージにおける欠陥のないフィーチャのＣＤが、リファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の対応するフィーチャのＣＤより減じられる。次に、この差がリファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージにおける対応フィーチャのＣＤによって除される。この計算が、シミュレートされたウェーハリファレンスイメージよりのシミュレートされたウェーハ物理イメージのＣＤ偏差を生成する（即ち、後の計算に用いられるキャリブレーションファクター）。より高い正確性のためには、複数の欠陥のない領域が、欠陥のない領域のＡＣＤを提供するべく解析されてもよい。ある実施例では、ＡＣＤが各々の露出のために計算される。
【００２４】
相対的ＣＤ偏差（ＲＣＤ）を計算するために、リファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の識別された隣接フィーチャのＣＤが、物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の対応フィーチャのＣＤによって減じられる。注意していただきたいのは、フィーチャが例えばラインやスペースのような一次元であってもよく、例えばコンタクトホール、パイル、ポスト、セリフ、またはその他の空間ベース構造体のような二次元であってもよいことである。この差が、次に、リファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の対応フィーチャにおけるＣＤで除される。ある実施例では、ＲＣＤが各々の隣接フィーチャ及び露出のために計算されてもよい。次に、ＲＣＤにおける最大ＣＤ偏差（ＭＣＤ）が、各々の露出レベルのために決定され得る。
【００２５】
ある実施例によれば、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータは、また限界領域識別ジェネレータよりの情報をレシーブしてもよい。限界領域識別ジェネレータは、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータに、例えばゲートのような指定された限界領域である各々のマスクの領域を識別するための情報を提供し、そのことは、完成品のＩＣデバイスにおける適切な性能を確実とするために、高い精密さを要求する。この情報はＣＤ偏差の許容度と呼ばれる（ＴＣＤ）。限界領域における欠陥は限界領域ではない欠陥と比較してより低いＴＣＤを典型的には有するものである。
【００２６】
ある実施例では、欠陥シビアリティスコア（ＤＳＳ）が平均ＣＤ偏差（ＡＣＤ）、最大偏差（ＭＣＤ）、ＣＤ偏差の許容度（ＴＣＤ）及び用いられる露出の合計数を示す変数であるＮを用いることで計算され得る。この欠陥シビアリティスコアを計算するための１つの例示的な式は、
【００２７】
【数１】
2005500671.tif 000003
【００２８】
となる。
【００２９】
ある実施例では、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータは、インパクトレポートにおいて１から１０のスケールを有するＤＳＳをアウトプットする。このインパクトレポートが、欠陥プリンタビリティ解析におけるヒューマンエラーを減少させるべく用いられ得る。例えば、プリントされたフィーチャが（検査システムによってシミュレートされるように）重要な動作結果（performance issue）を有しうると所定のＤＳＳスコアが示し得るかもしれないが、物理マスクの補修は可能である。一方で、上述したものより高いＤＳＳスコアが動作結果以外をも示し得るだけでなく、物理マスクの再修復もが推奨される。そのようなわけで、各々の数に関連する意味（meaning）を有する数値結果を提供することによって、技術者は、効果的かつ誤りなく、次の動作、例えば物理マスクの修復または物理マスクの再修復へと進むことができる。
【００３０】
別のフィーチャでは欠陥プリンタビリティが様々なプロセスウィンドウを用いることで客観的に評価できる。実例となるプロセスウィンドウは、露出偏差に対するデフォーカスのプロットもしくは露出許容度に対するフォーカス深さのプロットによって提供される。それらプロットの曲線は、欠陥を有さない領域は勿論のこと欠陥を含む領域も示している。それら曲線内部に当てはまる最大の長方形は露出デフォーカスウィンドウと呼ばれ、ここでは共通プロセスウィンドウが複数の露出デフォーカスウィンドウの共通部分である。共通プロセスウィンドウ内のフォーカス及び露出の値は、許容範囲内で、ＣＤのようなレジストフィーチャを提供する。それに対してプロセスウィンドウの外側にあるフォーカス及び露出の値は、許容範囲外のレジストフィーチャを提供する。従って、フィーチャに関連するプロセスウィンドウを解析することは、欠陥の近接を基にフィーチャのプリンタビリティを決定する目的手段を提供する。ある実施例では、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータが、物理マスク及びリファレンスマスクにおいて提供されるフィーチャのための共通のプロセスウィンドウを決定してもよく、インプットレポート中にその情報を提供してもよい。
【００３１】
インパクトレポートは、物理マスク上でなされ得る修復を解析するのに好都合であり得る。とりわけ、インパクトレポート（またはその一部）を用いることで、ビットマップエディタが、１つもしくは複数の欠陥の効果を削減または著しく最小化させるために、物理マスクに対してなされる可能な補正を提示し得る。ビットマップエディタは、次にそれら補正を含むシミュレートされたマスク（リペアされたマスク）をアウトプットし得る。
【００３２】
次に、リペアされたマスクが検査ツールによって検査されてもよく、リペアされたマスクにおいて提供される可能な補正結果を示す新しいインパクトレポート、及び新しくシミュレートされたウェーハイメージを生成するために、ウェーハイメージジェネレータによって用いられてもよい。補正が可能であれば、ビットマップエディタが、物理マスクの修復のために、マスク修復ツールに対して、直接、補正情報を提供する。顧客が異なるパラメータの解析もしくは追加的な最適化を望むならば、上述したようなプロセスが、補正が許容可能な値域に存在すると判断するか、所望の結果は物理マスクを修復することでは達成し得ないと、ビットマップエディタが判断するまで繰り返されてもよい。
【００３３】
ある実施例では、ビットマップエディタが、最適化されたマスク書き込みストラテジーを示して良く、例えば、あるツールがある欠陥のために用いられることを識別してよい。加えて、ビットマップエディタが、顧客の時間的または費用的限界を示す入力をレシーブしてもよく、それによってビットマップエディタがそれら顧客のパラメータに基づいた修復プロセスを最適化することが可能となる。本発明の更に別の実施例では、ビットマップエディタがウェーハ修復ツールに対する情報提供に用いられてよく、とりわけビットマップエディタは、ウェーハの修復に対するマスクの修復の有効性を比較する。
【００３４】
欠陥プリンタビリティ解析は単独の欠陥に対して行われてもよく、複数の欠陥群に対して行われてもよい。ある実施例では検査ツール及びウェーハイメージジェネレータが、物理マスク上の全ての欠陥に関するアウトプットを自動的に提供する。従って、結果的に選べるインパクトレポートは全ての欠陥における欠陥シビアリティスコアを含む。
【００３５】
別の実施例では、所望の場合、インパクトレポートがある値を超える欠陥シビアリティスコアのみを含んでもよい。このように設定されたインパクトレポートは、次にビットマップエディタに提供され、続いてマスク修復ツールへと提供される。故に検査システムが、完全な自動化された欠陥の検出及び修正プロセスを包含してよく、よって解析され修復される（必要がある場合）マスクのための時間を著しく短縮する。
【００３６】
欠陥プリンタビリティ解析は、また、その他のフィーチャとは別のＯＰＣフィーチャ評価の必要を減少させもする。ＯＰＣフィーチャが欠陥のためにプリントする（シミュレートされたウェーハイメージによって決定されるように）場合、欠陥解析が、このエラーを、ＣＤ変化が決定されたと示してもよい。従って、ＯＰＣフィーチャに関連するあらゆる複雑な設計規則を減少させることで、検査システムが、ＯＰＣフィーチャに悪影響を与える欠陥の検出のための、迅速で、信頼性のある、また正確な方法を確実とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
イントロダクション
点検システム／プロセスに従って、全てのイレギュラリティ即ち潜在的な欠陥が、実際の欠陥として特徴付けられる。一つの実施例においては、シビアリティスコアが各々の欠陥に提供され、それによって顧客に対し重要な情報を提供し、マスクの使用もしくは修復の完全性を正確に算定する。欠陥シビアリティスコアは、欠陥に隣接するフィーチャの限界寸法変化に関連する複数のファクタに基づき計算される。別の実施例では、プロセスウインドウがマスク欠陥プリンタビリティに関する目的情報を提供するために用いられてもよい。ラインエッジの荒さ、及びコンタクトコーナー部の丸みのようなマスククオリティに関するその他の状況もまた、定量化され得る。
【００３８】
ＩＣのレイアウト：限界領域の確認
図３はＩＣの限界領域確認を促進させるフィーチャを示したものである。とりわけ、単純化されたプロセス３００は、マスク内で欠陥を確認する過程と、前記欠陥が限界領域内に配置されているかどうかを決定するべく、少なくとも１つの別のマスクを用いる過程とを含む。例えば、マスク３０１はＩＣ内の１つの層であるポリシリコン領域３１０を示している。２つの欠陥３０４及び３０５がポリシリコン領域３１０上に確認されている。注意していただきたいのは双方の欠陥のサイズが同一であることである。マスク３０２はＩＣ上の別の層でありひろがり領域３１１を示すものである。
【００３９】
プロセス３００は、マスク３０１及び３０２のような様々なマスク内のフィーチャに関連して、欠陥のサイズ及び位置を決定する過程を含む。例えば欠陥３０４及び３０５が、マスク３０１上のポリシリコン領域３１０に関連して単独で見られる場合、典型的には欠陥をサイズで決定するような従来の検査装置ではほとんど認識され得ない。それに対し、プロセス３００はサイズに加えてマスク３０２上に提供されたひろがり領域３１１に対する欠陥３０４及び３０５の位置を考慮に加えるものである。具体的には、プロセス３００はＩＣの限界領域を確認するべく複数のマスクよりの情報を用いる。コンポジット式ＩＣレイアウト３０３は、限界領域３０６としてポリシリコン領域３１０及びひろがり領域３１１の重なり部分を認識する。最終的なＩＣのキーとなるフィーチャとして、限界領域３０６即ちゲートには、最終的なＩＣ装置におけるトランジスタの適切なパフォーマンスを確実とするために、高い精密性が要求される。そのような訳で複数のマスク及び内部のフィーチャを解析することによって、欠陥３０５は、それ自体のサイズが微少であり、また非限界領域（例えば接続部）に存在することを理由にほとんど無視できると特徴付けられてよく、それに対して欠陥３０５が、それ自体は微少であるが、それがＩＣの限界領域（例えばゲート）に存在することから、無視できないと特徴付けられてもよい。
【００４０】
以下に詳細を記すように、限界領域における欠陥は非限界領域における欠陥と比較して典型的にはより高い欠陥シビアリティスコアを有し得る。
【００４１】
ＣＤバリエーション：欠陥及び隣接フィーチャの確認
図４ＡはあるＩＣ内の１つの層の様々なポリシリコンフィーチャを示す、単純化されたマスク４００を図示したものである。マスク４００は隣接するポリシリコンフィーチャ４０４及び４０５に影響を与え得る３つの欠陥、４０１、４０２、及び４０３を有している。この実施例では、欠陥４０１、４０２、及び４０３はサイズが同じであると仮定する。
【００４２】
一般的に、欠陥は混み合っていない領域より混み合った領域においてより大きなインパクトを有する。よって、ここで距離Ｘが距離Ｙよりも小さいと仮定すると、距離Ｘ離れたフィーチャ群によって定められた領域に配置された欠陥は、距離Ｙ離れたフィーチャ群によって定められた領域に配置された欠陥よりもより大きなプリンタビリティインパクト有する。しかしこの一般則には著しい限定条件伴う。
【００４３】
図４Ｂでは、各々の欠陥が、隣接するフィーチャに対する位置によって解析され得る。例えば欠陥４０１が、フィーチャ４０５より距離ｄ１（Ａ）だけ離れており、フィーチャ４０４より距離ｄ１（Ｂ）だけ離れていると仮定する。ここで距離ｄ１（Ａ）は距離ｄ１（Ｂ）と概ね等しい。更に欠陥４０３はフィーチャ４０５より距離ｄ３（Ａ）だけ離れており、フィーチャ４０４より距離ｄ３（Ｂ）だけ離れて配置されていると仮定する。ここで距離ｄ３（Ａ）は距離ｄ３（Ｂ）と概ね等しい。この実施例において、欠陥４０１は欠陥４０３と比較してより大きなプリンタビリティインパクトをマスク４００上に有し得る。故に、一般的規則が欠陥４０１及び４０３に適用される。
【００４４】
しかしマスク４００は、距離ｄ２（Ａ）（即ち距離０）だけ離れた欠陥４０２もまた有している。このケースでは、欠陥４０２はフィーチャ４０５上で欠陥４０１よりより大きなプリンタビリティインパクトを有し得る。更に、欠陥４０２は、フィーチャ４０４上で欠陥４０３と比較してより小さなプリンタビリティインパクトを有するであろうと考えられる。そのような訳で、フィーチャ距離に限ってであるが、一般則はプリンタビリティインパクトを正確に表示し得ない。
【００４５】
この問題に対する１つの可能な解決方法としては、各々の欠陥（即ち欠陥４０１、４０２、及び４０３）より隣接するフィーチャまでの距離（例えばｄ１、ｄ２、及びｄ３）を測定することがある。欠陥のサイズ測定と組み合わせたこれら距離が、プリンタビリティインパクトを提供するための複数の設計ルールに組み込まれてもよい。しかしながら、この解析には過大な計算が伴い、従って顧客に対して重要な情報を提供するために要求される時間が増加してしまう。更には、欠陥サイズ及び隣接フィーチャから欠陥までの距離が既知であるとしても、隣接するフィーチャ上の欠陥の正確なインパクトは、更なるマスク検査に因らなければ完全には予測出来ない。
【００４６】
欠陥プリンタビリティ解析
故に或る実施例によれば、変化の限界数が解析される。或る実施例において、この限界数の変化がマスクの限界寸法（ＣＤ）を含む。とりわけ欠陥の近接によって発生するフィーチャにおけるＣＤ変化が決定されてもよい。このようなＣＤ変化を解析するために、マスクイメージがシミュレートされるが、そのことは図５に記載されている。
【００４７】
図５は、欠陥プリンタビリティを解析するためのプロセス５００を図示するものである。プロセス５００において、物理マスク５０１Ａ及びリファレンスマスク５０１Ｂは検査ツール５０２によって解析される。或る実施例において、リファレンスマスク５０１は物理マスク５０１Ａと同一のレイアウトを有するが１つの欠陥も存在しない物理マスクであり得る。別の実施例では、リファレンスマスク５０１Ｂは物理マスク５０１Ａのレイアウトよりシミュレートされたイメージであっても良い。
【００４８】
或る実施例において、検査ツール５０２はイメージ捕捉器５０３を含み、前記捕捉器は物理マスク５０１Ａの全て若しくは一部と、対応するリファレンスマスク５０１Ｂの一部とをスキャンする。イメージ捕捉器５０３は高解像度光学顕微鏡や、走査形電子顕微鏡（ＳＥＭ）や、フォーカスイオンビームや、原子間顕微鏡や近傍領域光学顕微鏡のような高解像度イメージングデバイスを含み得る。イメージ捕捉器５０３はまたイメージングデバイスよりのイメージ情報をデジタル化するためのインタフェースデバイスを有する。或る実施例において、前記インタフェースデバイスはイメージを表すグレースケールのビットイメージを生成するＣＣＤカメラを含む。
【００４９】
欠陥検出プロセッサ５０４はイメージ捕捉器によって生成された物理マスク５０１Ａ及びリファレンスマスク５０１Ｂのイメージを比較し、物理マスク５０１Ａの複数の欠陥を識別する。或る実施例において、欠陥検出プロセッサ５０４は、マスク５０１をスキャンするための指示を出すプログラムを実行するコンピュータを含む。もし欠陥が識別された場合は、欠陥検出プロセッサ５０４がイメージジェネレータ５０５に対して信号を送り、欠陥のイメージ、及びリファレンスマスク５０１Ｂの対応領域は勿論のこと、物理マスク５０１Ａの欠陥周辺領域のイメージを提供する。イメージジェネレータ５０５はまた、双方のマスク５０１よりの欠陥のない領域のイメージも提供する。或る実施例において、イメージジェネレータ５０５が、欠陥領域及び欠陥のない領域の双方を含むイメージを提供してもよい。以下に詳細が述べられる欠陥プリンタビリティ解析を促進させるために、それら欠陥領域及び欠陥のない領域の座標が、生成された領域イメージデータと共に転送されてもよい。注意して頂きたいのは、もしリファレンスマスク５０１Ｂがシミュレートされたレイアウトのように提供され、また物理マスク５０１Ａの完全なイメージが生成された場合、リファレンスマスク５０１Ｂのシミュレートされたレイアウトファイルがライン５０６Ｂで示されるようにイメージジェネレータ５０５に直接提供され得ることである。
【００５０】
或る実施例において、検査ツール５０２は次に物理マスク５０１Ａ及びリファレンスマスク５０１Ｂよりの双方の領域イメージデータを、ライン５０６Ｄで示されているようなリアルタイムデータフィードにおいてウェーハイメージジェネレータ５０９へと提供する。別の実施例ではこのデータがデジタル化装置５０７によってデジタル化されストレージ装置５０８にストアされた後、ウェーハイメージジェネレータ５０９へと提供される。ストレージ装置５０８はウインドウズＢＭＰのようなフォーマットでよく、コンピュータハードディスクドライブ、ＣＤＲＯＭ、及びサーバーを含むどのようなタイプの適切なメディア上でもよいが、このデジタル情報をストアし得る。物理マスク５０１Ａをそのまま解析する更に別の実施例では、イメージ捕捉器５０３によって生成されたスキャンイメージがライン５０６Ａによって示されているようにイメージジェネレータ５０５へと提供されてもよく、またはライン５０６Ｃにおいて示されているようにデジタル化装置に対して提供されてもよい。
【００５１】
ウェーハイメージジェネレータ５０９はインプットデバイス５１０及びイメージシミュレータ５１１を有する。インプットデバイス５１０は、典型的には既知のように検査ツール５０２及び／またはストレージデバイス５０８よりのイメージデータのタイプを読み込むためのハードウェアを有し、MatrixTM、MeteorTM、PulsarTMによって生成されたイメージグラッバー（リアルタイムのデータフィードのため）をデジタル化する。一つの実施例では、イメージシミュレータ５１１は少なくとも６４ＭＢのメモリを有するパーソナルコンピュータ若しくはワークステーションのような適切なプラットホーム上で、２００ＭＨｚの動作周波数でウインドウズ／ＤＯＳを実行するコンピュータ実行プログラムを含む。イメージシミュレータ５１１はインプットデバイス５１０よりイメージデータをレシーブし、即ち物理マスク５０１Ａ及びリファレンスマスク５０１Ｂの代わりにイメージデータのシミュレーションを生成する。これらシミュレーションはここではウェーハイメージ（物理）（物理マスクの代わり）５１７Ａ及びウェーハイメージ（リファレンス）（リファレンスマスクの代わり）５１７Ｂとして参照されている。
【００５２】
或る実施例において、イメージシミュレータ５１１は更に複数のリソグラフィー条件５１２をレシーブする。これら条件は、リソグラフィー条件に固有のデータと、物理マスク５０１Ａが顧客によって露出されてもよいようなシステムパラメータとを含む。そのようなデータは例えばシステム内で用いられるイルミネーションの波長（λ）、システムの開口数（ＮＡ）、システムのコヒーレント値（δ）、（例えばオフ軸若しくは環状のような）イルミネーションタイプ、焦点、露出レベル、レンズの収差、基板の状況、及び設計における限界寸法（ＣＤ）を含んでいてよい。或る実施例において、各々のパラメータは値に幅を有しており、それによって、異なった組み合わせの可能なリソグラフィー条件のレンジに基づいて、イメージシミュレータ５１１が複数のシミュレーションを生成することが可能となる。例えば、このことはガウス分布のような異なるタイプの分布を有するモンテカルロシミュレーションによってなされ得る。そのような訳で、ウェーハイメージ（物理）５１７Ａ及びウェーハイメージ（リファレンス）５１７Ｂは、もし光学的リソグラフィー露出がリソグラフィー条件５１２と同様のコンディションで実行されたならば、物理マスク５０１Ａ及びリファレンスマスク５０１Ｂ（マスクはその一部）が生成するであろうシミュレートされたイメージを示し得る。
【００５３】
コンバージョンファクター
上の（若しくは近くの）波長デザインの代わりに、レイアウトに用いられるフィーチャの設計規則が、典型的には同一ファクターにより同時に測定（scale）してもよい。別規則と同様の速さの複数の規則が測定しないようなイベントにおいて、典型的には比較的短時間で実行されるような小変更が、データベースに対して行われてもよい。しかし、対照的に、サブ波長生成のフローにおける製造ステップは高く非線形である。とりわけ、どのようなマスクエラーも、ウェーハ上のプリントされたパターン内で増幅されてもよく、結果的に最終デバイス性能に逆の影響を与え得る。
【００５４】
故に、サブ波長テクノロジーでウェーハイメージ５１７の正確さを高めるべく、イメージシミュレータ５１１がまた、本発明の１つの実施例に従ってコンバージョンファクター５１３をレシーブしてもよい。或る実施例では、コンバージョンファクターは、マスクエラーエンハンスメントファクター（ＭＥＥＦ）と呼ばれる。
【００５５】
コンバージョンファクターは”既知”である場合、コンバージョンファクターによるマスクＣＤの乗算が行われる。現在、”既知”コンバージョンファクターは、典型的には理論推定値である。これら理論推定値は、しかしながら複数の理由において不正確であり得る。第一に、出願人が認識しているように、コンバージョンファクターはマスク上のフィーチャに基づいて変化し得る。例えば単独のラインのためのコンバージョンファクターは密集したライン群のコンバージョンファクターとは異なり得る。更には、コンタクトのコンバージョンファクターは、前記単独ライン若しくは密集ライン群のコンバージョンファクターとは異なり得る。第二に、マスク上のデザインの点に加えて、例えばステッパー及びフォトレジストを含む製造プロセスの全ての面が、マスク上の特定のフィーチャのコンバージョンファクターに影響を与え得る。故に、理論推定値は本来不正確なものであり、それは設計点、及びプロセスパラメータを説明することができないものである。
【００５６】
或いは、もし理論推定値が正確でない場合は、現実にウェーハが製造され、デバイスのＣＤがＳＥＭを用いてウェーハ上で測定されて、コンバージョンファクターが決定される。しかしこのプロセスは典型的には数十または数百のマスクフィーチャをプリントし測定することで、コンバージョンファクターを測定及び計算するような過程を含む。故に、このプロセスは非常に高額な費用的負担を伴い、故に一般的には実現性がない。
【００５７】
上述したような問題を解決するため、複数の費用的効果を有する解決方法が提供され得る。図６は、正確なコンバージョンファクターを生成するための一つの方法６００を図示するものである。方法６００では、ステップ６０１においてテストパターンがテストマスク上に生成される。テストパターンは様々な幅の単独のライン、様々な幅の密集ライン群、及び様々なサイズのコンタクトを含んでいる。ここで、単一のウェーハがステップ６０２においてプリントされる。ＣＤの変化を含む欠陥解析がステップ６０３においてウェーハ上の各テストパターンに対し記録され得る。これらの情報から、各々のフィーチャのためのコンバージョンファクターがステップ６０４において正確に計算され得る。複数の製造プロセスのためにコンバージョンファクターを得るために、限定数の追加ウェーハが様々なプロセスでプリントされてもよい。
【００５８】
ここでテストマスクよりプリントされたウェーハが販売元独自の情報を含んでもよいことに注目して頂きたい。そのことはコンバージョンファクターに影響を与え得る。具体的に言うと、プロセスのバリエーションが、或る販売元から別の販売元へと変化してもよい。典型的には変化する。このバリエーションはウェーハ上に複数のＣＤ変化として結果的に現れてよく、当分野では、一般的に”バイアス”と称される。上に述べたように、ウェーハまたは販売元によって、限定数のウェーハをプリントしてテストマスクを使用することにより、顧客は販売元で公表されたバイアスを確認可能であり、また販売元のバイアスを独自に決定することもできる。
【００５９】
上述したテストパターンを有するテストマスクは、販売元のバイアスは勿論のこと、正確なコンバージョンファクターをユーザに提供し、それによって顧客が許容出来ない（典型的には設計プロセス、マスク修正操作（以下に詳しく述べる）、または異なる販売元を選択することの何れかによる）ＣＤ変化を、潜在的に補正可能とする。
【００６０】
図７は正確なコンバージョンファクターを提供するための別の方法７００を図示するものである。方法７００では、テストパターンがステップ７０１においてテストマスク上に提供される。方法６００と同様に、このテストパターンは様々な幅の単独のライン、様々な幅の密集したライン群、及び様々なサイズのコンタクトを有してもよい。ここで、テストマスクのウェーハイメージはイメージシミュレータ（図５）を用いてステップ７０２でシミュレートされてもよい。ＣＤ（以下に詳細に説明される）における、いかなる変化をも含む欠陥解析がステップ７０３においてシミュレートされたウェーハイメージ上の各テストパターンについて記録され得る。この情報より、各フィーチャのためのコンバージョンファクターがステップ７０４で正確に計算され得る。これら製造プロセスのためのコンバージョンファクターを得るために、様々なプロセス（例えばリソグラフィー条件５１２）を用いて複数の追加的なマスクがシミュレートされ得ることに留意して頂きたい。更に、留意して頂きたいのは図６に参照されている販売元のバイアスがリソグラフィー条件５１２に含まれてもよく、それによって本実施例によって生成されたコンバージョンファクターの正確性が増すことである。
【００６１】
方法７００はウェーハの製造に掛かる時間は勿論のことプリントされたウェーハに関連するコストを削減するので大きな費用効果を有している。更には、シミュレーション環境の為に、方法７００が正確な製造前にシステムパラメータを最適化する著しい自由度も提供する。
【００６２】
イメージシミュレーション
イメージシミュレータ５１１は、集積回路パターンに適用されるように、ホプキンズモデルの単純化されたバージョンを用いることで光学リソグラフィのプロセスを概算する。この単純化バージョンにおいて、ホプキンズモデルはインプットデータに対して適用された複数のローパスフィルタとして見ることが出来る。それらローパスフィルタよりのアウトプットイメージが、シミュレートされたイメージ（即ちシミュレートされたウェーハ（物理）イメージ５１７Ａ及びシミュレートされたウェーハ（リファレンス）イメージ５１７Ｂ）を生成するべく加えられる。イメージシュミレータ５１１によって用いられるようなホプキンズモデルによる追加的情報は、米国特許番号０９／１３０，９９６に記されており、ここに言及したことをもって本願明細書の一部とする。
【００６３】
欠陥シビアリティ計算
欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５はイメージシュミレータ５１１よりのシミュレートされたウェーハイメージ５１７をレシーブする。ジェネレータ５１５は少なくとも６４メガバイトのメモリを有するパーソナルコンピュータ、もしくはワークステーションのような適切なプラットホーム上で、２００メガヘルツの動作周波数で稼動するＷｉｎｄｏｗｓ（登録商標）／ＤＯＳコンピュータ実行プログラムを含むものである。ある実施例においてイメージシミュレータ５１１及びジェネレータ５１５は同一のプラットホーム上で動作する。
【００６４】
図８Ａないし８Ｃはジェネレータ５１５に関連するコンピュータ実行プログラムの複数の特徴を図示するものである。図８Ａは、欠陥シビアリティスコアを生成する方法８００が、ステップ８１０における前処理段階、ステップ８２０における二次元解析段階、ステップ８３０における欠陥解析段階、及びステップ８４０における限界領域指示段階を含むことを示すものである。
【００６５】
前処理ステップ８１０において、シミュレートされたウェーハ（物理）イメージ５１７Ａ、及びシミュレートされたウェーハ（リファレンス）イメージ５１７が整列される。整列は、欠陥のないパターン（前記シミュレートされたイメージ５１７が欠陥のあるエリア及び欠陥のないエリアの双方を含むと仮定する）、もしくは欠陥を有する領域／欠陥を有さない領域のためのイメージジェネレータ５０５によって提供される座標を用いてなされる（その後、インプットデバイス５１０、イメージシミュレータ５１１、及び最終的な欠陥プリンタビリティ解析５１５へと送られる）。これらパターン／エリアが整列されるとき、シミュレートされたイメージ５１７上に提供されたフィーチャもまた整列されている。
【００６６】
整列ののち、二次元解析ステップ８２０が進められる。図８Ｂを精査していただくと、ここには二次元解析ステップ８２０が更に詳しく記載されており、シミュレートされたウェーハ（物理）イメージ５１７Ａ上の欠陥がステップ８２１で識別されている。次にシミュレートされたウェーハ（リファレンス）イメージ５１７の対応する領域がステップ８２２で識別される。留意していただきたいのは、イメージジェネレータ５０５によって提供された座標が確認ステップ８２１及び８２２のために用いられ得ることである。ステップ８２３において、シミュレートされたウェーハ（物理）イメージ５１７Ａ上の欠陥に隣接する如何なるフィーチャもが識別される（ここでは近接フィーチャと参照される）。最終的にステップ８２４においてシミュレートされたウェーハ（リファレンス）イメージ５１７Ｂ上の対応フィーチャが確認される。
【００６７】
用語“近接”は、欠陥の近接の結果としてＣＤにおいて変化が起こるようなあらゆるフィーチャに関連し得るものである。しかし、ある単純な実施例では、欠陥の所定距離内であるフィーチャが、近接フィーチャとして識別され得る。別の実施例では、欠陥のサイズ（ステップ８２１で決定され得る）及び近接フィーチャよりの欠陥の距離（ステップ８２３で決定され得る）の双方のサイズは設計ルール表における測定値と比較される。設計ルール表は、各々の欠陥サイズ（もしくはサイズの幅）のために欠陥よりの最大の距離を確認し得る。ここでフィーチャが欠陥よりの最大距離よりも短い位置に配置されている場合は、そのフィーチャは近接フィーチャとして特徴付けられることとなる。
【００６８】
二次元解析の後、欠陥解析ステップ８３０が進められる。欠陥解析において欠陥のない領域は、平均ＣＤ偏差（ＡＣＤｓ）（以下に詳細を述べる）を計算するために解析され、また欠陥を有する領域は相対的なＣＤ偏差（ＲＣＤｓ）（こちらもまた以下に詳細に説明する）を計算するべく解析される。留意していただきたいのはＡＣＤ及びＲＣＤの計算が如何なる順序で行われても良いことである。図８Ｃは欠陥解析ステップ８３０を詳細に説明するものである。とりわけ、ステップ８３１では、シミュレートされたウェーハイメージ５１７上の欠陥のない領域における１つもしくは複数のフィーチャ及びシミュレートされたウェーハイメージ５１７上の欠陥を有する領域における複数の近接フィーチャのためのＣＤが測定される。
【００６９】
ＡＣＤを決定するために、シミュレートされたウェーハイメージ（物理マスク）５１７Ａ上のある欠陥のないフィーチャのCDが、シミュレートされたウェーハイメージ（リファレンスマスク）５１７Ｂ上の対応する欠陥のないフィーチャのＣＤより最初に除かれる。この差が、シミュレートされたウェーハイメージ（リファレンス５１７Ｂ上の同一の欠陥のないフィーチャのＣＤによって除される。ＡＣＤの計算の正確性を改善するためには、複数のフィーチャが解析されることが望ましい。とりわけ、Ｎ個のＡＣＤが追加され得ると、次にＮで除されるが、ここでＮは１より大きいかまたは１に等しい整数である。例えば２つのフィーチャが解析される場合には、ＡＣＤは次の式、
【００７０】
【数２】
2005500671.tif 000004
【００７１】
として計算され、ここでＲはリファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを示し、Ｐは物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージを示す。留意していただきたいのは、ＡＣＤが異なった欠陥のないフィーチャまたは同一の欠陥のないフィーチャのために決定され得ることである。例えばある実施例において見本となるゲートが２ｎｍごとに切断されてもよく（ＦＥＴチャネルの平行スライス）、それはゲートの幅を横断するようなものである。留意していただきたいのはＣＤ概算が、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ、レーザーテック、またはその他のレチクル観察／計測学ツールのベンダーによって提供された標準マスク検査装置を用いて実行され得ることである。
【００７２】
ある実施例では、別の露出が各々のフィーチャのための複数のＡＣＤを提供するべく用いられてもよい。留意していただきたいのは、用いられる露出が、正確な製造プロセスにおいて用いられ得る露出レベルからはずれた値の範囲でも良く、それによって最悪のケースの結果に関する重要な情報をユーザに提供することである。更に留意していただきたいのは、典型的には、露光条件がシミュレートされ得るリソグラフィ条件５１２（図５）内に含まれることである。ゆえに図８Ｃに戻り参照してみると、各々の露光のためのＡＣＤはステップ８３２において計算され得る。
【００７３】
ステップ８３３において、相対的なＣＤ偏差（ＲＣＤ）が各露光内において各々の識別された近接フィーチャ（シミュレートされたイメージの欠陥エリア内において識別されるとする）のために、計算される。例えば、各々の露出のためにシミュレートされたウェーハイメージ９０１（Ｒ）の欠陥領域９０１（Ｒ）における識別された近接フィーチャ（例えば９０４（Ｒ））のＣＤは、シミュレートされたウェーハイメージ９０１（Ｐ）上の欠陥領域９０１（Ｐ）内における同一のフィーチャ（このケースでは９０４（Ｐ））のＣＤより減じられる。この差が、次にシミュレートされたウェーハイメージ９０１（Ｒ）上の識別された近接フィーチャのＣＤによって除される（即ち（ＣＤ（Ｐ）−ＣＤ（Ｒ）／ＣＤ（Ｒ））。最終的には、識別された近接フィーチャの最大のＲＣＤ（ＭＣＤ）が、ステップ８３４に於いて、各露出のために決定されてもよい。
【００７４】
図３を参照すると述べられているように、限界領域におけるフィーチャ例えばゲートは、最終的なＩＣ装置内でトランジスタの適切なパフォーマンスを保証するべく高い程度の精密さを要求する。そのようなわけで、そこに複数のマスク及びフィーチャを解析することによって、欠陥はそれが微少でありまた限界ではない領域（例えば接続）に存在する存在することを理由にして、実質意味がないと特徴付けられることが可能であり、それに対して欠陥がそれは小さいものであるがＩＣの限界領域（例えばゲート）内に存在することを理由に実質的に関係があると特徴付けられることも可能である。
【００７５】
図５を参照すると、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５はまた、限界領域識別ジェネレータ５１４よりの情報をレシーブする。限界領域識別ジェネレータ５１４はどのような標準型パターン認識ツール（ハードウェア及びソフトウェアの双方を含む）を含んでよく、例えば物理マスク５０１ＡのようなＩＣの製造に用いられる物理マスクを解析する。用いられる特定のためのツールには関係なく、限界領域識別ジェネレータ５１４は指定された限界領域である各々のマスクの領域を識別する情報を、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５に提供する。この情報を有することで、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５は、ステップ８４０（図８Ａ）内において、欠陥が限界領域に配置されているか否かを決定することが可能である。
【００７６】
限界領域における欠陥は、相対的なＣＤ変化のためにより低い許容誤差を有し得る。ある実施例において、ＣＤ変化（ＴＣＤ）のための許容誤差は検査表によって提供され得る。この検査表は、経験や様々なマスク特性をもとにマスクの質を制御するエンジニアによって決定された値を含む。例えば限界領域は約３％から５％の間のＴＣＤを有し得り、それに対し、ごくわずかフィーチャを有する非限界領域は約１０％から１５％の間のＴＣＤを有し得る。ある実施例では、限界領域ＩＤジェネレータ５１４が、この検査表を含んでいてもよい。
【００７７】
式１は、欠陥シビアリティスコアを決定するための計算式を示すものである。注意していただきたいのは、式１はここまでに詳細が挙げられた、ＡＣＤ、ＭＣＤ、及びＴＣＤの変数を有し、さらに特定の露光を示す変数ｉを有し、また測定される露出総数を示す変数Ｎをも有することである。
【００７８】
【数３】
2005500671.tif 000005
【００７９】
図９Ａは物理マスクの具体的な部分９００（Ｐ）を図示するものである。部分９００（Ｐ）は欠陥領域９０１（Ｐ）及び欠陥のない領域９０２（Ｐ）を有する。同様に、図９Ｂは部分９００（Ｐ）に対応するリファレンスマスクの部分９００（Ｒ）を図示するものである。部分９００（Ｒ）は欠陥領域９０１（Ｒ）及び欠陥のない領域９０２（Ｒ）を有する。
【００８０】
前処理ステップ８１０において、座標若しくは欠陥のないパターンを用いることにより、シミュレートされたウェーハイメージのそれら部分／領域の対応位置が整列され得る。特に、例えば欠陥のない領域９０２（Ｐ）及び９０２（Ｒ）のシミュレートされたウェーハイメージが整列され得る。同様に欠陥を有する領域９０１（Ｐ）及び９０１（Ｒ）のシミュレートされたウェーハイメージも整列され得る。一度、領域９０１及び９０２が整列されると、シミュレートされたウェーハイメージ上のフィーチャがまた同様に整列される。そのような訳で、欠陥を有する領域９０１（Ｐ）のフィーチャ９０４（Ｐ）及び９０５（Ｐ）が、前処理ステップ８１０において欠陥を有する領域９０１（Ｒ）のフィーチャ９０４（Ｒ）及び９０５（Ｒ）と共に整列される。
【００８１】
二次元解析ステップ８２０において、マスク部分９０１（Ｐ）のシミュレートされたウェーハイメージ上の欠陥が識別される。この実施例では、矢印が欠陥領域９０１（Ｐ）における欠陥９０３を指している。次に、フィーチャ９０４（Ｐ）及び９０５（Ｐ）が、欠陥９０３の影響を受け得る近接フィーチャとして識別される。最終的には、マスク部分９０１（Ｒ）のシミュレートされたウェーハイメージ上の、いかなる対応するフィーチャもが識別され得る。この実施例ではフィーチャ９０４（Ｒ）及び９０５（Ｒ）が識別されている。
【００８２】
ここで、欠陥解析ステップ８３０が実行される。図１０（Ａ（１）乃至Ａ（３）及びＢ（１）乃至Ｂ（３））、及び図１１（Ａ（１）乃至Ａ（３）及びＢ（１）乃至Ｂ（３））は、部分９００（Ｐ）及び９００（Ｒ）のシミュレートされたウェーハイメージに対する欠陥シビアリティスコア計算アプリケーションを示すものである。欠陥のないフィーチャの平均ＣＤ偏差を計算するために、典型的には複数のフィーチャが測定される。例えば図１０Ａ（１乃至３）は、３つの露出のために、物理マスク９００（Ｐ）の欠陥のない領域９０２（Ｐ）よりシミュレートされたウェーハイメージを示す。ライン１００１（Ｐ）乃至１００６（Ｐ）は３つの露出におけるシミュレートされたウェーハイメージの、２つの欠陥のないフィーチャに対して設けられたカットを示す。特に、ライン１００１（Ｐ）及び１００２（Ｐ）は、第一の露出における２つのフィーチャに対して設けられたカットを示し、ライン１００３（Ｐ）及び１００４（Ｐ）は第二の露出における同様のフィーチャに対して設けられた同様のカットを示し、ライン１００５（Ｐ）及び１００６（Ｐ）は第三の露出における同様のフィーチャに対し設けられた同様のカットを示すものである。
【００８３】
同様に、図１０Ｂ（１乃至３）は同様の３つの露出のため、リファレンスマスク９００（Ｒ）の欠陥のない領域９０２（Ｒ）よりシミュレートされたウェーハイメージを示す。ライン１００１（Ｒ）乃至１００６（Ｒ）は、３つの露出内における、シミュレートされたウェーハイメージの２つの欠陥のない領域に対して設けられたカットを示す。ここでは、それらカットが、カット１００１（Ｐ）乃至１００６（Ｐ）に対応している。そのような訳で、ライン１００１（Ｒ）及び１００６（Ｒ）は第一の露出における２つのフィーチャに対して設けられたカットを示しており、ライン１００３（Ｒ）及び１００４（Ｒ）は第二の露出における同様のフィーチャに対して設けられた同様のカットを示しており、ライン１００５（Ｒ）及び１００６（Ｒ）は第三の露出における同様のフィーチャに対して設けられた同様のカットを示すものである。
【００８４】
各々のカットライン１００１（Ｐ）乃至１００６（Ｐ）及び１００１（Ｒ）乃至１００６（Ｒ）は、関連するＣＤを提供する。故に、関連のために、ライン１００１（Ｐ）乃至１００６（Ｐ）及び１００１（Ｒ）乃至１００６（Ｒ）は、以下、ＣＤ１００１（Ｍ）乃至１００６（Ｍ）及び１００１（Ｒ）乃至１００６（Ｒ）と参照することとする。
【００８５】
図１０Ａ（１）及び１０Ｂ（１）において示される第一の露出のため、平均ＣＤ偏差は、以下の式
【００８６】
【数４】
2005500671.tif 000006
【００８７】
で示されてもよい。
【００８８】
或る実施例において、正確なＣＤ１００１（Ｒ）、１００１（Ｐ）、１００２（Ｒ）、及び１００２（Ｐ）の測定結果は各々２６６ｎｍ、２６６ｎｍ、３２２ｎｍ、及び２９４ｎｍである。これらの値をＡＣＤ（１）の式に当てはめてみると、約０．０４３ｎｍという値を得る。
【００８９】
図１０Ａ（２）及び図１０Ｂ（２）において示される第二の露出のために、平均ＣＤ偏差が同様に
【００９０】
【数５】
2005500671.tif 000007
【００９１】
で計算され得る。
【００９２】
或る実施例において、ＣＤ１００３（Ｒ）、１００３（Ｐ）、１００４（Ｒ）、及び１００４（Ｐ）の実際の測定結果は、各々２６６ｎｍ、２６６ｎｍ、２９４ｎｍ、及び２９４ｎｍである。これらの値をＡＣＤ（２）の式に挿入し計算すると、０．０ｎｍという結果が得られる。
【００９３】
最終的に、図１０Ａ（３）及び図１０Ｂ（３）において示された第三の露出のために、平均ＣＤ偏差もまた同様の式、
【００９４】
【数６】
2005500671.tif 000008
【００９５】
で計算されてもよい。
【００９６】
或る実施例において、ＣＤ１００５（Ｒ）、１００５（Ｐ）、１００６（Ｒ）、及び１００６（Ｐ）の実際の測定値は、各々２５２ｎｍ、２３８ｎｍ、２９４ｎｍ、及び２９４ｎｍである。これらの値をＡＣＤ（３）の式に挿入すると、約０．０２８ｎｍという答えが得られる。
【００９７】
欠陥解析において、相対的ＣＤ偏差（ＲＣＤ）がまた、各露出レベルの欠陥領域で近接フィーチャのために計算されてもよい。図１１Ａ（１乃至３）は３つの露出のための、欠陥領域９０１（Ｐ）におけるフィーチャ９０４（Ｐ）及び９０５（Ｐ）のシミュレートウェーハイメージを示すものである。ライン１１０１（Ｐ）乃至１１０６（Ｐ）は、３つの露出におけるシミュレートされたウェーハイメージのこれら２つのフィーチャに対して設けられたカットを示す。特に、ライン１１０１（Ｐ）及び１１０２（Ｐ）は第一の露出におけるフィーチャ９０４（Ｐ）及び９０５（Ｐ）に対して設けられたカットを示し、ライン１１０３（Ｐ）及び１１０４（Ｐ）は第二の露出におけるフィーチャ９０４（Ｐ）及び９０５（Ｐ）に対して設けられたカットを示し、またライン１１０５（Ｐ）及び１１０６（Ｐ）は第三の露出における同様のフィーチャ９０４（Ｐ）及び９０５（Ｐ）に対し設けられたカットを示すものである。
【００９８】
同様に、図１１Ｂ（１乃至３）は同様の３つの露出のために、フィーチャ９０４（Ｒ）及び９０５（Ｒ）のためのシミュレートウェーハイメージも示すものである。ライン１１０１（Ｒ）乃至１１０６（Ｒ）は、３つの露出におけるシミュレートウェーハイメージのこれら２つのフィーチャに対して設けられたカットを示す。特に、ライン１１０１（Ｒ）及び１１０２（Ｒ）は第一の露出におけるフィーチャ９０４（Ｒ）及び９０５（Ｒ）に対して設けられたカットを示し、ライン１１０３（Ｒ）及び１１０４（Ｒ）は第二の露出におけるフィーチャ９０４（Ｒ）及び９０５（Ｒ）に対して設けられたカットを示し、ライン１１０５（Ｒ）及び１１０６（Ｒ）は第三の露出におけるフィーチャ９０４（Ｒ）及び９０５（Ｒ）に対して設けられたカットを示す。
【００９９】
各々のライン１１０１（Ｐ）乃至１１０６（Ｐ）及び１１０１（Ｒ）乃至１１０６（Ｒ）は、関連ＣＤを提供する。故に、関連のために、ライン１１０１（Ｐ）乃至１１０６（Ｐ）及び１１０１（Ｒ）乃至１１０６（Ｒ）はこれ以降ＣＤ１１０１（Ｐ）乃至１１０６（Ｐ）及び１１０１（Ｒ）乃至１１０６（Ｒ）と参照される。
【０１００】
図１１Ａ（１）及び１１Ｂ（１）において示される第一の露出のために、相対的なＣＤ偏差（ＲＣＤ）が以下の式、
【０１０１】
【数７】
2005500671.tif 000009
【０１０２】
で、フィーチャ９０４のために計算されてもよい。
【０１０３】
或る実施例において、実際のＣＤ１１０１（Ｒ）及び１１０１（Ｐ）の測定値は、各々２６６ｎｍ及び３６４ｎｍである。これらの値をＲＣＤ（１（９０４））の式に導入すると、約０．３６８ｎｍという値が得られる。
【０１０４】
同様に、図１１Ａ（１）及び図１１Ｂ（１）において示される、第一の露出のために関連する最大のＣＤ（ＲＣＤ）変化が以下の式、
【０１０５】
【数８】
2005500671.tif 000010
【０１０６】
でフィーチャ９０５のために計算されてもよい。
【０１０７】
或る実施例において、ＣＤ１１０２（Ｒ）及び１１０２（Ｐ）の実際の測定値は、各々２５２ｎｍ及び３２２ｎｍである。それらの値をＲＣＤ（１（９０５））のための式に導入すると、約０．２７８ｎｍという値が得られる。
【０１０８】
ＲＣＤは、以下の、
【０１０９】
【数９】
2005500671.tif 000011
【０１１０】
で示されているように、同様に第二露出及び第三露出のフィーチャ９０４及び９０５のために計算されてもよい。
【０１１１】
或る実施例において、正確なＣＤ１１０３（Ｒ）、１１０３（Ｐ）、１１０４（Ｒ）、１１０４（Ｐ）、１１０５（Ｒ）、１１０５（Ｐ）、１１０６（Ｒ）、１１０６（Ｐ）の実際の値は、各々２３８ｎｍ、３５０ｎｍ、２５２ｎｍ、２９４ｎｍ、２２４ｎｍ、及び２８０ｎｍである。それらの値をＲＣＤ（２（９０４））、ＲＣＤ（２（９０５））、ＲＣＤ（３（９０４））、及びＲＣＤ（３（９０５））の式に導入すると、各々約０．４１７ｎｍ、０．１６７ｎｍ、０．３５３ｎｍ、及び０．２５０ｎｍという値が得られる。
【０１１２】
各々の露出のために最大のＣＤ偏差（ＭＣＤ）を決定する目的で、最も大きいＲＣＤ値が選択される。そのような訳で、第一の露出（ＭＣＤ（１））の最大ＣＤ偏差は０．３６８ｎｍ（０．３６８＞０．２７８）であり、ＭＣＤ（２）は０．４７１ｎｍ（０．４７１＞０．１６７）であり、ＭＣＤ（３）は０．３５３ｎｍ（０．３５３＞０．２５０）である。
【０１１３】
欠陥シビアリティスコア（ＤＳＳ）は式１を用いることで計算され得る。所与の実施例において、３つの露出が観測されることからＮ＝３である。
【０１１４】
式１にそれらの値を代入すると、次の式
【０１１５】
【数１０】
2005500671.tif 000012
【０１１６】
が得られる。
【０１１７】
そのような訳で、３つの露出を基に、
【０１１８】
【数１１】
2005500671.tif 000013
【０１１９】
となり３つの露出のためのＭＣＤ及びＡＣＤのため、上で計算された値を代入すると次の値、
【０１２０】
【数１２】
2005500671.tif 000014
【０１２１】
が得られる。
【０１２２】
故に、欠陥９０３（図９Ａ参照）は、約１１．７１のＤＳＳを有する。
【０１２３】
欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５（図５）は、インパクトレポート５１６において欠陥シビアリティスコア（ＤＳＳ）をアウトプットし得る（或る実施例では、スケールが１〜１０である）。このインパクトレポート５１６が、欠陥プリンタビリティ解析中のヒューマンエラーを減少させるべく用いられてもよい。例えば、ＤＳＳスコアが５であることが、プリントされたフィーチャが重要なパフォーマンス結果を有することを示す場合であっても、物理マスクのリペアは可能であることを示す。一方で、ＤＳＳスコアが７及び７より上であり常用なパフォーマンス結果を示さない場合は、物理マスクの製造が推奨される。例えば、或る実施例において、３よりも低いＤＳＳは欠陥に基づくＣＤ変化が特定のＣＤ許容誤差内であることを意味し、３〜６のＤＳＳは欠陥によるＣＤ変化が特定のＣＤ許容誤差よりも大きいが、ＣＤ変化はウェーハ上（例えば開口若しくはブリッジ上）における厳格な欠陥という結果にはならないことを意味し、６よりも大きなＤＳＳは欠陥に基づくＣＤ変化がウェーハ上で重大な欠陥という結果をもたらすことを意味している。そのような訳で、各々の数に関連する意味を有する数値結果を提供することによって、技術者は次の動作に効率的且つエラーを伴わず進むことが可能となる。ここでは例えば物理マスクのリペアや物理マスクの再製造などが挙げられる。
【０１２４】
プロセスウィンドウ
欠陥プリンタビリティは、また様々なプロセスウィンドウを用いることで評価されてもよい。プロセスウィンドウは、当業者に既知のあるプロットより導かれてもよい。一般的には、フィーチャのプロセスウィンドウはターゲットＣＤのあるレンジ内フィーチャ限界寸法（ＣＤ）を維持する間に、見逃され得るプロセス変化量である。
【０１２５】
ある既知のプロセス変化は、投影ツールのフォーカスセッティング、即ちステッパーである。フォーカスは、レジストのプロファイル（ＣＤ、側壁角度、及びレジスト厚さ）を著しく変化させ得り、そのようなわけで許容可能なリソグラフプロセスを提供する点において厳格である。
【０１２６】
フォーカス及び露出のインパクトを理由にして、それら変化は、典型的にはフォーカス露出マトリックスにおいて、同時間に変化する。プロセスウィンドウはそのようなマトリックスより導かれてもよい。プロセスウィンドウ内に落ち着くフォーカス及び露出値は、許容誤差範囲内のレジストフィーチャ、例えばＣＤを提供し、それに対し、プロセスウィンドウの外側に落ち着くフォーカス及び露出値は、許容誤差範囲外のレジストフィーチャを提供する。そのようなわけで以下に詳細を示すように、プロセスウィンドウは欠陥のシビアリティ及びプリンタビリティを決定するための目的手段を提供し得る。
【０１２７】
例えば、図１２−Ａは、フィーチャ１２０４及び欠陥１２０３を有するマスクを示すものである。上述したように、欠陥１２０３やフィーチャ１２０４の幅に影響を与え得る。特に、カットライン１２０１におけるフィーチャ１２０４はカットライン１２０２における幅よりも大きくてよい。
【０１２８】
図１２−Ｂは、デフォーカス（ナノメートル）に対するフィーチャサイズ（こちらもナノメートル）のプロットを示すものである。この図において、太字の水平線はターゲットＣＤが２００ｎｍであることを示しており、それに対してその他の水平線は、このターゲットＣＤの＋／−１０％のエラーを示すものである。曲線１２１１及び１２１２は、欠陥１２２３を含むマスクを露出（もしくは露出のシミュレーション）させることと、様々なデフォーカスレベル（この場合−５００ｎｍから５００ｎｍの間）におけるカットライン１２０１及び１２０２のプリントされたフィーチャのＣＤを解析することとによって生成される。曲線１２１１及び１２１２は、各々がカットライン１２０１及び１２０２におけるＣＤ解析を示すものである。
【０１２９】
論理的には、カーブ１２１２上の各フィーチャサイズはカーブ１２１１上のより大きなフィーチャサイズに対応している。例えば−３００ｎｍのデフォーカスにおいては、カットライン１２０２におけるフィーチャサイズはおよそ１５０ｎｍであり（曲線１２１２を参照）、それに対してカットライン１２０１のフィーチャサイズは約１７０ｎｍである（曲線１２１１を参照）。留意していただきたいのは、各々の曲線のための許容可能なデフォーカスウィンドウ即ち水平ラインＣＤが＋／−１０％の間であるとき、およそ−２０８ｎｍと＋２０８ｎｍの間であることである。
【０１３０】
図１２−Ｃはデフォーカス（ナノメートル）に対するプロットのパーセンテージ露出偏差を示すものである。この図において、曲線１２２１は様々なデフォーカスレベルにおけるカットライン１２０１のための露出偏差の上限及び下限を示すものであり、一方で曲線１２２２は変化するデフォーカスレベルにおけるカットライン１２０２のための露出偏差の上限及び下限を示すものである。これら２つの領域の重なりにおいてフィットする最大限に大きな長方形が、共通のプロセスウィンドウ１２２３を定める。この実施例において、共通のプロセスウィンドウ１２２３はデフォーカスが約−１５０ｎｍから１５０ｎｍの間で変化し得り、一方で露出の偏差は約−１０％から１０％の間で変化し得ることを示している（この間、ラインＣＤが許容誤差内に保たれている）。
【０１３１】
図１２−Ｄはフォーカスの深さ（ＤＯＦ）（ナノメートル）に対する露出の許容度（％）をプロットしており、ここで露出許容度とは露出量の変化のことであり、ＤＯＦとはフォーカス変化の量を指す。図において、曲線１２３１は様々なＤＯＦのカットライン１２０１のための露出許容量の上限及び下限を示しており、一方で曲線１２３２は様々なＤＯＦのカットライン１２０２のための露出許容度の上限及び下限を示している。注意していただきたいのは、曲線１２３１及び１２３２が同一の下限を共有していることある。共通の下限の下にフィットしている最も大きな長方形は共通のプロセスウィンドウ１２３３を示すものである。この実施例において、共通のプロセスウィンドウ１２３３は約０ｎｍから３００ｎｍの間でＤＯＦが変化し得ることを示しており、一方で露出許容度は約０％から１９％の間で変化し得る（ここでもラインＣＤは許容度内に維持されている）。
【０１３２】
プロセスウィンドウ１２３３によって提供された情報がプロセスウィンドウ１２２３によって導かれ得ることに留意していただきたい。特に、ＤＯＦの幅はデフォーカスのトータルレンジに等しく、露出許容度の幅は露出偏差のトータルレンジに等しい。
【０１３３】
図１３−Ａは、フィーチャ１３０４及び欠陥１３０３を有するマスクを示す。フィーチャ１３０４がフィーチャ１２０４と同じサイズであるにも関らず、欠陥１３０３は欠陥１２０３より著しく大きい。そのようなわけでカットライン１３０１におけるプリントされたフィーチャ１３０４の幅はカットライン１３０２におけるプリントされたフィーチャ１３０４の幅よりも広くてよい。更に、以下に詳細を述べるように欠陥１３０３は欠陥１２０３と比較してプロセスウィンドウを著しく減少させ得る。
【０１３４】
図１３−Ｂはデフォーカス（ナノメートル）に対するフィーチャサイズ（同様にナノメートル）をプロットするものである。ここでも太字の水平線はターゲットＣＤが２００ｎｍであることを示しており、一方、その他の水平線はこのターゲットＣＤの＋／−１０％のエラーを示すものである。曲線１３１１及び１３１２は欠陥１３２３を含むマスクを露出させる（または露出のシミュレーションを行う）ことで生成され、また様々なデフォーカスレベルにおけるカットライン１３０１及び１３０２でのプリントされたフィーチャのＣＤを解析することで生成される（このケースでは−５００ｎｍから５００ｎｍ）。曲線１３１１及び１３１２は各々カットライン１３０１及び１３０２におけるＣＤ解析を示すものである。
【０１３５】
先に述べたようには、カーブ１３１２に対応するカーブ１３１１上のポイントでは、より大きなフィーチャサイズが存在する。例えば−３００ｎｍのデフォーカスにおいて、カットライン１３０２のフィーチャサイズは約１５０ｎｍであり（曲線１３１２を参照）、一方でカットライン１３０１におけるフィーチャサイズは約１８５ｎｍ（曲線１３１１）である。留意していただきたいのは、双方の曲線即ち水平ラインＣＤ＋／−１０％の間の許容可能なデフォーカスウィンドウが、おおよそ−２０８ｎｍから−１００ｎｍの間であることは勿論のことおよそ１００ｎｍから２０８ｎｍの間でもあることである。
【０１３６】
図１３−Ｃは、デフォーカス（ナノメートル）に対する露出偏差のパーセンテージのプロットを示すものである。この図において、曲線１３２１は様々なデフォーカスレベルのカットライン１３０１に対応するＣＤのための露出偏差の上限及び下限を示すものであり、一方で曲線１３２２は様々なデフォーカスレベルのカットライン１３２０に対応するＣＤの露出偏差の上限及び下限を示すものである。それら２つの領域の重なりにフィットする最大限可能な長方形が、共通のプロセスウィンドウ１３２３を定める。この実施例において、共通のプロセスウィンドウ１３２３は、デフォーカスが約−１００ｎｍから１００ｎｍの間で変化し得ることを示しており、一方で露出偏差が約２％から１５％のあいだで変化し得ることを示している（この間ラインＣＤは許容誤差の範囲内に保たれている）。
【０１３７】
図１３−ＤはＤＯＦ（ナノメートル）に対する露出許容度（％）をプロットしている。この図において、曲線１３３１は様々なＤＯＦのカットライン１３０１に対応するＣＤの露出許容度の上限及び下限を示しており、一方で、カーブ１３３２は様々なＤＯＦのカットライン１３０２に対応するＣＤの露出許容度の上限及び下限を示すものである。留意していただきたいのは、曲線１３３２及び１３３１は概ね同一の上限及び下限を有していることである。共通の下限より下にフィットする可能な限り最大の長方形が共通のプロセスウィンドウ１３３３を定める。この実施例では、共通のプロセスウィンドウ１３３３が、ＤＯＦが約０ｎｍから２００ｎｍまでの間で変化し得ることを示しており、一方で露出許容度が約０％から１２％の間で変化し得ることを示している（ここで再びラインＣＤは許容誤差範囲内に保たれている）。
【０１３８】
留意していただきたいのは、プロセスウィンドウ１２２３／１２３３が概ねプロセスウィンドウ１３２３／１３３３よりも大きいことである。この実施例から分かるようにより大きな欠陥サイズはプロセスウィンドウを縮小させる。ゆえに、様々なプロセスウィンドウが欠陥プリンタビリティを決定するべく比較され得る。とりわけ、欠陥を有しないフィーチャのプロセスウィンドウが、そのようなフィーチャに近接する欠陥を有するフィーチャの１つ、もしくは複数のプロセスウィンドウと比較され得る。典型的な実施例では、顧客は欠陥のないフィーチャのプロセスウィンドウより許容可能な偏差の幅を設定してもよい。
【０１３９】
上述したようなプロセスはフィーチャの一部分を形成する欠陥に対して等しく適用可能である。例えば図１４−Ａはフィーチャ１４０４を有するマスクを示しており、また一体形成された欠陥１４０３を示している。欠陥１４０３はフィーチャ１４０４の幅に影響を与え得る。とりわけ、カットライン１４０１におけるフィーチャ１４０４の幅はカットライン１４０２における幅よりも大きくてよい。
【０１４０】
図１４−Ｂは、デフォーカス（ナノメートル）に対するフィーチャサイズ（ナノメートル）のプロットを示すものである。この図では、太線の水平線がターゲットとなるＣＤが２００ｎｍであることを示しており、一方でその他の水平線はこのターゲットＣＤの＋／−１０％エラーを示している。曲線１４１１及び１４１２は、欠陥１４０３を有するマスクを露出すること（または露出のシミュレートをすること）によって生成され、また様々なデフォーカスレベルにおけるカットライン１４０１及び１４０２のプリントされたフィーチャのＣＤを解析することによって生成される（このケースでは−５００ｎｍから５００ｎｍである）。曲線１４１１及び１４１２はライン１４０１及び１４０２のＣＤ解析を各々示している。この実施例において、３．９ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーが開発（development）のために見込まれる。
【０１４１】
論理的には、曲線１４１２上の各々のフィーチャサイズは、曲線１４１１上に、対応するより長いフィーチャサイズを有している。例えばデフォーカスが−３００ｎｍである場合、カットライン１４０２におけるフィーチャサイズ（曲線１４１２を参照）はおよそ１５０ｎｍであり、一方でカットライン１４０１におけるフィーチャサイズは約１６５ｎｍである（曲線１４１１を参照）。注意していただきたいのは、各々の曲線即ち水平ラインＣＤ＋／−１０％である許容可能なデフォーカスウィンドウは、およそ−２０８ｎｍと＋２０８ｎｍの間であることである。
【０１４２】
図１４−Ｃは、デフォーカス（ナノメートル）に対する露出偏差のパーセンテージをプロットしたものである。この図では、曲線１４２１は様々なデフォーカスレベルのカットライン１４０１のための露出偏差の上限及び下限を表しており、一方で曲線１４２２は様々はデフォーカスレベルのカットライン１４０２のための露出偏差の上限及び下限を示している。これら２つの領域の重なり部分にフィットする最大サイズの長方形が、共通のプロセスウィンドウ１４２３を定める。この実施例において、共通のプロセスウィンドウ１４２３はデフォーカスが約−１５０ｎｍから＋１５０ｎｍの間で変化し得ることを示しており、一方で露出偏差が約−５％から９％の間で変化し得ることを示している（この間ラインＣＤは許容誤差範囲内に保たれる）。
【０１４３】
図１４−ＤはＤＯＦ（ナノメートル）に対する露出許容度（％）をプロットするものである。この図において、曲線１４３１は変化するＤＯＦのカットライン１４０１のための露出許容度の上限及び下限を示すものであり、一方で曲線１４３２は変化するＤＯＦのカットライン１４０２のための露出許容度の上限及び下限を示すものである。留意していただきたいのは１４３１及び１４３２の曲線が同一の下限を共有していることである。共通の下限よりも下の部分にフィットする可能な限り最大の長方形は共通プロセスウィンドウ１４３３を定める。この実施例では共通のプロセスウィンドウ１４３３は、ＤＯＦが約０ｎｍから３００ｎｍの間に変化し得り、一方で露出許容度がおよそ０％から１４％の間で変化し得ることを示している（やはりここでもラインＣＤは許容範囲内に維持されている）。
【０１４４】
先に述べたように、プロセスウインドウ１４３３から提供された情報は、プロセスウインドウ１４２３によって導かれる。とりわけ、ＤＯＦレンジはデフォーカスのトータルレンジに等しく、露出許容度レンジは露出偏差のトータルレンジに等しい。
【０１４５】
図１５Ａは、フィーチャ１５０４及び欠陥１５０３を有するマスクを示すものである。フィーチャ１５０４がフィーチャ１４０４と同一サイズであるにも関わらず、欠陥１５０３は欠陥１４０３よりも著しく大きい。そのような訳で、カットライン１５０１におけるプリントされたフィーチャ１５０４の幅は、カットライン１４０１におけるプリントされたフィーチャ１４０４の幅より広くてよい。更には以下に詳細が述べられるように、欠陥１５０３は欠陥１４０３と比較してプロセスウインドウを著しく縮小させる。
【０１４６】
図１５Ｂはデフォーカス（ナノメーター）に対するフィーチャサイズ（ナノメーター）のプロットを示すものである。ここでも、太字の水平線はターゲットＣＤが２００ｎｍであることを示しており、一方でその他の水平線はターゲットＣＤの＋／−１０％エラーを示している。曲線１５１１及び１５１２は欠陥１５０３を含むマスクを露出させ（または露出のシミュレートをさせ）ることで生成され、また様々なデフォーカスレベルにおいてカットライン１５０１及び１５０２におけるプリントされたフィーチャのＣＤを解析することで生成される（このケースでは−５００ｎｍから５００ｎｍ）。曲線１５１１及び１５１２は各々カットライン１５０１及び１５０２におけるＣＤ解析を示すものである。
【０１４７】
先に述べたように、各々の曲線１５１２におけるフィーチャサイズは、曲線１５１１上に、対応するより大きなフィーチャサイズを有する。例えば−３００ｎｍのデフォーカスにおいて、カットライン１５０２におけるフィーチャサイズは凡そ１５０ｎｍであり（曲線１５１２を参照する）、一方でカットライン１５０１におけるフィーチャサイズは凡そ１９８ｎｍである（曲線１５１１を参照する）。各々の曲線に対して許容可能なデフォーカスウインドウ、即ち水平なラインＣＤ＋／−１０％の間のものは、もはや達成不可能であることに留意して頂きたい。
【０１４８】
図１５Ｃは、デフォーカス（ナノメーター）に対する露出偏差のパーセンテージをプロットするものである。この図において、曲線１５２１は様々なデフォーカスレベルのカットライン１５０１に対応するＣＤのための露出偏差の上限及び下限を示しており、一方で曲線１５２２は様々なデフォーカスレベルのためのカットライン１５０２に対応するＣＤのための露出偏差の上限及び下限を示している。この場合、曲線１５２１及び１５２２によって確定された２つの領域は重なり合わない。故に、共通のプロセスウインドウは存在しない。そのような訳で、欠陥１５０３は、効果的にフィーチャ１５０４が許容範囲内にプリントされることを妨げる。
【０１４９】
図１５ＤはＤＯＦ（ナノメーター）に対する露出の許容度（パーセント）をプロットするものである。この図において、曲線１５３１は様々なＤＯＦのカットライン１５０１に対応するＣＤのための露出許容度の上限及び下限を示しており、一方曲線１５３２は様々なＤＯＦのカットライン１５０２に対応するＣＤの露出許容度の上限及び下限を示している。留意して頂きたいのは、曲線１５３１及び１５３２がどのような下限も共有していないことである。故に、共通のプロセスウインドウは存在しない。よって図１５Ｄより導き出された情報を確認する。
【０１５０】
図１２乃至１５において、欠陥プリンタビリティを決定するためのプロセスウインドウの仕様がラインに適用されてきた。しかし、このプロセスウインドウの仕様は、また接点及びバイアスのプリンタビリティに対しても適用可能である。図１６Ａ乃至１６Ｄは各マスク上の欠陥のないコンタクト１６０１、デフォーカスに対するフィーチャサイズのプロット１６０２、デフォーカスに対する露出偏差のプロット１６０３（及び結果的に生じるプロセスウインドウ）、及びＤＯＦに対する露出許容度のプロット１６０４（及びその結果生じるプロセスウインドウ）を図示するものである。それに対して、図１７Ａ乃至図１７Ｄは各々マスク上のコンタクト１７０１、デフォーカスに対するフィーチャサイズのプロット１７０２、デフォーカスに対する露出偏差のプロット１７０３（結果的に生じるプロセスウインドウ）、及びＤＯＦに対する露出許容度のプロット１７０４（結果的に生じるプロセスウインドウ）を示している。留意して頂きたいのはコンタクト１７０１が著しいＣＤ変化を有しており、故に従来技術の解析条件下では中程度に欠陥のあるコンタクトだと考えられ得ることである。
【０１５１】
しかしながら、図１６Ｃ及び１６Ｄのプロセスウインドウと比較した、図１７Ｃ及び１７Ｄのプロセスウインドウ解析は、コンタクト１７０１がかなりのＣＤ変化を見せるにも関わらず、コンタクト１６０１のプロセスウインドウと比較的類似したプロセスウインドウを有することを明らかにしている。特に、図１７Ｄ及び１６Ｄを参照すると、コンタクト１７０１及び１６０１の双方は０から６００ｎｍの間の共通のフォーカス深さを有しており、また概ね等しい露出許容度、即ちコンタクト１７０１では０から５８％の間、またコンタクト１６０１では０から４０％の間を有する。しかし、コンタクト１７０１及び１６０１が同一のデフォーカス（即ち−３００ｎｍ〜３００ｎｍの間）を有するが、これらコンタクトは著しく異なる露出偏差のパーセンテージを有する。とりわけ、コンタクト１７０１は約２２％〜８０％の間の露出偏差を有するのに対して、一方でコンタクト１６０１は凡そ−３％〜３７％の間の露出偏差を有する。結果として、小さくはあるが、共通のプロセスウインドウが双方のコンタクト１７０１及び１６０１のために存在し得る。
【０１５２】
従って、フィーチャに関連するプロセスウインドウを解析することは、欠陥に基づくフィーチャのプリンタビリティを決定するための目的手段を提供し得る。例えば欠陥シビアリティは２つのプロセスウインドウ間の重なり量より導き得り（即ち共通のプロセスウインドウを用いる）、ここで１つのプロセスウインドウは欠陥カットラインより導き出され、別のプロセスウインドウはリファレンスカットラインより導き出されるものである。特に、この実施例によれば、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５はマスク５０１Ａ及び５０１Ｂにおいて提供されたフィーチャのための共通のプロセスウインドウを決定してもよくまたインパクトレポート５１６内においてこの情報を提供し得る。
【０１５３】
物理マスクの修復
図１８は物理マスク上で実行され得る修復を解析するのに用いられる或るプロセスを図示したものである。図１８に示されているように、インパクトレポート５１６（若しくはその一部）を用いることにより、ビットマップエディタ１８０１は物理マスク（例えば物理マスク５０１Ａ）に対してなされる可能な補正を表示し得り、１つ若しくは複数の欠陥の影響を減少させる、若しくは著しく最小化する。ビットマップエディタ１８０１は、次にそれら補正を含むシミュレートされたマスク１８０２をアウトプットし得る。そのような訳で、シミュレートされたマスク１８０２が物理マスクの可能修復バージョンとなる。留意して頂きたいのは、ビットマップエディタ１８０１がウェーハイメージジェネレータ５０９として同様のツールより独立してもよく、又は同様のツールを用いても良いことである。
【０１５４】
シミュレートされたマスク１８０２は、検査ツール５０２によって検査されてもよく、ウェーハイメージジェネレータ５０９によって使用されてマスク１８０２内に提供された実行可能な補正が成功したことを示す新しいインパクトレポート及び新しくシミュレートされたウェーハイメージ（図示せず）を生成する。もし補正が許容できるならば、ビットマップエディタ１８０１は補正情報を物理マスクの修復のためのマスク修復ツール１８０３に対して直接提供し得る。もし顧客が異なるパラメータの解析若しくは追加的な最適化を望むならば、補正が許容可能な範囲内に存在すると考えられるか、ビットマップエディタ１８０１が所望とする結果を物理マスクの修復では獲得し得ないかの何れかの時まで、上述したプロセスが繰り返されて良い。
【０１５５】
或る実施例において、ビットマップエディタ１８０１はまた最適化されたマスクライティングストラテジを示す。例えばレーザーツールが不明確な欠陥（例えばクロム欠陥の除去）のために用いられてよく、一方でフォーカスされたイオンビームツールが明確な欠陥（例えばクロムの被着）に用いられて良い。留意して頂きたいのは、レーザー及びフォーカスイオンビームツールは、各々が被着及び除去のために用いられ得るということである。一般的に、フォーカスされたイオンビームツールはレーザーツールよりもより精密である。しかし、フォーカスされたイオンビームツールは、典型的にはレーザーツールと比較して遅い。ビットマップエディタ１８０１は、顧客の時間的な限界または費用的な限界を示すインプット（図示せず）をレシーブしても良く、それによってビットマップエディタ１８０１が顧客のそれらのパラメータに基づく修復プロセスを最適化することを可能とする。
【０１５６】
本発明の更に別の実施例において、ビットマップエディタ１８０１はウェーハ修復ツール（図示せず）に対して情報を提供するべく用いられてもよい。特に、ビットマップエディタ１８０１はウェーハの修復に対するマスクの修復の有効性を比較するプログラムを含んでいてもよい。或る実施例において、プログラムは非光学（例えばＳＥＭ、フォーカスされたイオンビーム）イメージを更なる解析のために光学イメージへと変換してもよい。
【０１５７】
バッチ処理
重要なことは、欠陥プリンタビリティ解析が複数の欠陥上若しくは各々の欠陥上で行われ得るということである。或る実施例において検査ツール５０２及びウェーハイメージジェネレータ５０９は、物理マスク５０１Ａ上で発見された全ての欠陥に関するアウトプットを自動的に提供し得る。そのような訳で、インパクトレポート５１６が、全ての欠陥上の欠陥シビアリティスコアを含んでいてよい。
【０１５８】
或いは、所望の場合インパクトレポート５１６は或る値（例えばＤＳＳの値が５）を超えた欠陥シビアリティスコアのみを含んでもよい。このように調整されたインパクトレポートは次にビットマップエディタ１８０１に対して提供されてもよい（またそれに続いてマスク修復ツール１８０３に提供されてもよい）。故に、完全な自動化された欠陥検出及び補正プロセスが提供され得り、よってマスクが解析されまた（適切であれば）修復されるための時間を大幅に減少させることができる。
【０１５９】
ＯＰＣの考察
欠陥プリンタビリティ解析はまた、その他のフィーチャとは別個のＯＰＣフィーチャを評価する必要を減少させる。例えば、スキャッターバーに近接して配置された欠陥が、関連する単独のフィーチャのプリントに影響を与えないと過程する。しかし欠陥はスキャッタリングバーと光学的に干渉し得り、それによって少なくともスキャッタリングバーの一部をプリントするという結果になる。先に記述されているように、スキャッタリングバーのようなＯＰＣフィーチャは、副分解（sub-resolution）フィーチャであって、プリントを実行し得ない。
【０１６０】
或る実施例によれば、ＯＰＣフィーチャが（シミュレートされたウェーハイメージによって決定されるように）欠陥のためにプリントを行う場合、欠陥解析（ステップ８３０）が、ＣＤが変化するにつれてこのエラーが決定されたと言うことを示し得る（ステップ８３１）。従って、ＯＰＣフィーチャに関するあらゆる複雑な設計ルールを除外することで、この実施例はＯＰＣフィーチャに悪影響を与える欠陥を識別する、迅速かつ信頼性がありまた正確な方法を確実とする。
【０１６１】
マスククオリティの結果（issue）
ＣＤ変化に加えて、例えばラインエッジの荒さのようなその他のプリンタビリティファクターもまた、マスククオリティの計算に入れられる。しかしマスク上のフィーチャのラインエッジの荒さは、現在、意味のある（meaningful）方法では測定されていない。
【０１６２】
図１９Ａは単純化されシミュレートされたウェーハイメージ１９００を示し、そこにはライン１９０１及び１９０２が含まれている。興味深いのはラインエッジの荒さを有するラインはＣＤ変化を必ずしも示さない事である。例えば、ライン１９０２は概ね左右対称なラインエッジの荒さを有しており、ライン１９０２は著しいＣＤ変化は有し得ない。しかし各々のライン１９０１及び１９０２はラインエッジ荒さを表していると特徴付けられ得る。
【０１６３】
図１９Ｂを参照すると、シミュレートされたラインのエッジが別個に解析され、それによってラインエッジの長さが正確に測定される。とりわけ、例えばライン１９０２を用いると、ライン１９０２のセンターライン１９０３がリファレンスマスク５０１Ｂ（図５）を元に決定され得る。次に、複数の理論上のカットがライン１９０２に対してなされる（ライン１９０４として示されている）。各々のライン１９０４は２つの”リブ”を有しており、前記リブはラインの反対側のエッジに対してセンターラインより広がっている。例えば、リブ１９０４Rはセンターライン１９０３よりライン１９０２の右側エッジに向かって延在しており、それに対してライン１９０４Ｌはセンターライン１９０３よりライン１９０４の左エッジに向かって延在している。注意して頂きたいのは、リブ１９０４Ｒ及び１９０４Ｌが、加算（add）された場合に、ライン１９０２のＣＤに等しいことである。
【０１６４】
本発明の一つのフィーチャでは、センターライン１９０３の各サイド上のリブ長さは独立して測定され得る。この方法で、ラインエッジの荒さ（LER）がライン１９０２の各々のエッジに対して正確に決定され得る。或る実施例において、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５は、図８Ａ乃至８Ｃにおいて詳細に説明されている式を用い、しかしＣＤのためにリブ長さを代入するべくそれら式を変更することによって、ＬＥＲのＤＳＳを計算し得る。全てのラインが確実に複数のＬＥＲを有しているので、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５が、ＬＥＲのための閾値を示すルックアップ表を有してよい。仮に許容不可能なラインエッジの荒さが検出される場合、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５はインパクトレポート５１６内にリストされた”欠陥”のようにライン１９０２のＬＥＲを示してもよい。従って、ＬＥＲは図１８で上に参照されているようなものと等しい方法で修復され得る。
【０１６５】
都合の良いことに、センターライン及びリブを用いる方法が、マスク上の別のフィーチャに対しても適用され得る。例えば、マスク上の最も完全なコンタクトでさえ、回折を理由として、ウェーハ上の円形若しくは疑似円形としてプリントし得る。ウェーハ上にコンタクトをプリントするために、高出力の電子ビーム（ｅ−ビーム）リソグラフィを用いることによって、この回折が最小化される。しかしｅ−ビームリソグラフィは工業的に標準とされるレーザーラスタスキャンと比較すると著しく高価であり速度が遅い。都合の悪いことに、ラスタースキャンの使用によって、レイアウト上の全てではないが多くのコンタクトのコーナー部に、丸みが生じてしまう。そのようなコーナー部分の丸みは以下に詳細を述べるように効率良く検出され得る。
【０１６６】
図２０Ａはセンターライン２００１、リブ２００２ＴＲ（上部右側）、２００２ＢＲ（下部右側）、２００２ＴL（上部左側）、及び２００２ＢＬ（下部左側）を有するライン２００２、及びリブ２００３Ｒ（右）及び２００３Ｌ（左）を有するライン２００３を図示するものである。本発明の１つのフィーチャによれば、コンタクト２０００に対して設けられた論理的で水平なカットは不揃いに隔置され得り、それによってフィーチャの特定エレメントのため、より多いデータポイントを提供する。
【０１６７】
この実施例において、コンタクトのコーナー部分の丸みがとりわけ興味深い。それ故、カット間隔は、とりわけコンタクトコーナー部において解析を行うのに十分な数のデータポイントを確実とするべく変更される。従って、図２０Ａにおいて、ライン群２００２はライン群２００３と比較して狭い間隔で配置されている。コンタクト２０００のコーナー部の丸みはリブ２００３Ｌの長さと、上部左コーナー部の代わりに用いるリブ２００２ＴＬの長さ、及び下部左コーナー部の代わりに用いるリブ２００２ＢＬの長さとを比較することによって決定され得る。同様に、リブ２００３Ｒの長さは、上部右コーナー部の代わりにリブ２００２ＴＲの長さ、及び下部右コーナー部の代わりにリブ２００３ＢＲの長さと比較され得る。留意して頂きたいのは、コーナー部の丸みの影響を測定する複数の既知の方法が存在するということである（例えば領域の欠損、または通常の間隔ヒストグラミング等がある）。
【０１６８】
複数のケースにおいて、コンタクトに関連するパフォーマンスの結果には、左右対称のコンタクト形状が確実にウェーハ上に生成されたか否かが含まれる。都合の良いことに、ラインエッジの荒さに加えて、コンタクトの左右対称性もまた測定され得る。例えば、リブ２００２ＴＬ、２００３Ｌ、及び２００２ＢＬの長さがリブ２００２ＴＲ、２００３Ｒ、及び２００２ＢＲの長さと比較されてもよく、センターライン２００１よりのコンタクト２０００の水平方向の左右同一性を決定する。コンタクト２０００の垂直方向の左右同一性は、図２０Ｂにおいて示されているような垂直方向のカットを用い、同一プロセスのリブの比較に従うことによって決定されてもよい。コンタクト２０００の全体としての左右同一性（即ちスクエアネス）が、選択された結合された水平方向のリブ（例えばリブ２００２ＴＬの１つ及びリブ２００２ＴＲの１つの追加された長さ、即ちＣＤ）を、結合した垂直方向のリブと比較することによって決定されてもよい。
【０１６９】
或る実施例において、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５は、図８Ａ乃至８Ｃに関して詳述した式を用いることで、対称性のＤＳＳを計算し得る。しかしここでＣＤのリブ長さを代入するべく、それら式を変更しなければならない。全てのコンタクトが複数の非対称性を有してしまうことは避けられないので、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５は非対称性の閾値を示すルックアップテーブルを含んでよい。許容できない対称性の値が検出された場合、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータ５１５はインプットレポート５１６内にリストされた”欠陥”として、コンタクト／バイア（via）を示し得る。従って、対称性が図１８において上述されているのと同様の方法で修復され得る。
【０１７０】
留意して頂きたいのは、ハンマーヘッド（hammerhead）及びセリフ（serif）（コーナー部外側及び内側）のようなレイアウト上の複数の構造が提供され、ウェーハに対するマスク上のラインの正確な移動を促進させるということである。これら構造は、ラインより独立してプリントされる訳ではないが、ウェーハ上のそれらラインのＣＤ変化に影響を与え得る。従って、マスクのプリントによるそれら構造のいかなる変化もが、ウェーハ上のそれら構造に関連するラインのプリントに悪影響を与えてしまう。関連構造を有するラインのＣＤ変化若しくはコーナー部の丸みを調べることによって、それら構造のクオリティが、また効果的に解析されもし得る。
【０１７１】
その他の実施例
欠陥プリンタビリティ解析、欠陥シビアリティスコア、及びマスククオリティの評価が、様々な実施例において上述されてきた。それらの変形実施例は当業者にとって明らかである。例えば、上述の物理マスク及び対応する欠陥のないリファレンスイメージが検査される。上記した１つの実施例において、欠陥のないリファレンスイメージは物理マスクのレイアウトのシミュレートされたイメージである。別の実施例では、欠陥のないリファレンスイメージが同一のパターンを有する物理マスクの欠陥のない領域である。更に別の実施例では、欠陥のないリファレンスイメージは、製造過程におけるマスクのシミュレートされたイメージである。更に別の実施例では、欠陥のないリファレンスイメージは顕微鏡（レンズ）効果によって補正されるような物理マスクイメージである。
【０１７２】
標準的なマスク製造プロセスでは、図１に示されているように、上述のように欠陥プリンタビリティ／マスククオリティ解析がマスク検査ステップ１１６内に包含され得る。加えて、上述されたマスククオリティ解析はウェーハ修復プロセスに対して均等に適応可能である。例えば、ステップ１２４で決定されているようなウェーハの欠陥の検査の後、マスク修復ステップ１２８及び１３０に進むより、寧ろウェーハ修復のためのプロセスステップが追加される。更に別の実施例では欠陥シビアリティスコアに加えて、インパクトレポート５１６（図５）が、例えば断面の輪郭を示すライン、光強度のデータ、異なるデフォーカスにおける限界寸法、及び限界寸法における効果を含む位相伝達データ等のその他のパフォーマンスアウトプットを含んでいてもよい。
【０１７３】
（請求項１）    マスクにおけるフィーチャのエッジ荒さを決定するための方法であって、
マスクの表示に基づいてフィーチャのセンターラインを決定する過程と、
フィーチャの１つのエッジに対してセンターラインより延在する第１のリブの第１の長さを測定する過程と、
フィーチャの１つのエッジに対してセンターラインより延在する第２のリブの第２の長さを測定する過程と、
前記第１及び第２の長さを比較し前記エッジ荒さを決定する過程とを含む方法。
【０１７４】
（請求項２）    前記表示が、前記マスクのレイアウトを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【０１７５】
（請求項３）    前記表示が、集積回路の１つの層のレイアウトを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【０１７６】
（請求項４）    前記フィーチャがラインであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【０１７７】
（請求項５）    前記フィーチャがコンタクトであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【０１７８】
（請求項６）    マスクを修復する方法であって、
前記マスクのフィーチャのエッジ荒さを決定する過程を含み、ここで前記エッジ荒さが所定の値でない場合、前記マスクの修復にリソグラフィツールを用いることを特徴とする方法。
【０１７９】
（請求項７）    前記所定の値がユーザーによって選択されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【０１８０】
（請求項８）    前記エッジ荒さを決定する過程が、前記フィーチャの欠陥のない表示に基づいて前記フィーチャのセンターラインを決定する過程を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【０１８１】
（請求項９）    前記フィーチャが、ライン及びコンタクトの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【０１８２】
（請求項１０）    ウェーハを修復するための方法であって、
前記ウェーハ上のフィーチャのエッジ荒さを決定する過程を含み、前記エッジ荒さが所定の値ではない場合、リソグラフィツールを用いて前記ウェーハを修復することを特徴とする方法。
【０１８３】
（請求項１１）    前記所定の値がユーザーにより選択されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【０１８４】
（請求項１２）    前記エッジ荒さを決定する過程が、前記フィーチャの欠陥のない表示に基づいて前記フィーチャのセンターラインを決定する過程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【０１８５】
（請求項１３）    前記フィーチャが、ライン及びコンタクトの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【０１８６】
（請求項１４）    リソグラフィマスクにおけるコンタクトのコーナー部の丸みを決定する方法であって、
第１の方向に前記コンタクトのセンターラインを決定する過程と、
前記第１の方向に概ね垂直な第２の方向で前記コンタクトを通過する複数の理論上のカットを提供する過程であって、各々のカットが前記コンタクトのエッジに対して前記センターラインより延在するリブを提供することを特徴とする過程と、
コーナーの丸みを決定するために少なくとも２つのリブを比較する過程であって、１つのリブが前記コンタクトのコーナー部付近に配置されており、別のリブは前記コーナーの付近に配置されていないことを特徴とする過程とを含む方法。
【０１８７】
（請求項１５）    リソグラフィマスクにおけるコンタクトの前記対称性を決定する方法であって、
第１の方向に前記コンタクトの第１のセンターラインを決定する過程と、
前記第１の方向に概ね垂直な第２の方向で前記コンタクトを介して複数の理論上のカットを提供する過程であって、各々のカットが前記コンタクトの第１エッジより前記コンタクトの第２エッジへと延在する第１の限界寸法を提供することを特徴とする過程と、
前記第２の方向に前記コンタクトのセンターラインを決定する過程と、
前記第１の方向に概ね垂直な第１の方向に前記コンタクトを介して複数の理論上のカットを提供する過程であって、各々のカットが前記コンタクトの第３のエッジより前記コンタクトの第４のエッジへと延在する第２の限界寸法を提供することを特徴とする過程と、
前記コンタクトの前記対称性を決定するべく前記第１及び第２の限界寸法を比較する過程とを含む方法。
【０１８８】
（請求項１６）    マスクを修復するための方法であって、
前記ウェーハ上のコンタクトの全てのコーナー部の丸みを決定する過程を含み、前記エッジの荒さが所定の値ではない場合、リソグラフィツールを用いて前記ウェーハを修復することを特徴とする方法。
【０１８９】
（請求項１７）    前記所定の値がユーザーにより選択されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【０１９０】
（請求項１８）    前記エッジ荒さを決定する過程が、前記フィーチャの欠陥のない表示に基づいて前記フィーチャのセンターラインを決定する過程を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【０１９１】
（請求項１９）    集積回路であって、
機能を実行するための複数のフィーチャと、少なくとも１つの修復されたフィーチャとを有し、前記少なくとも１つの修復されたフィーチャがオートマチックの欠陥シビアリティスコアの結果起こることを特徴とする集積回路。
【０１９２】
（請求項２０）    前記少なくとも１つの修復されたフィーチャが、ラインを含むことを特徴とする請求項１９に記載の集積回路。
【０１９３】
（請求項２１）    前記少なくとも１つの修復されたフィーチャが、コンタクトを含むことを特徴とする請求項１９に記載の集積回路。
【０１９４】
（請求項２２）    前記少なくとも１つの修復されたフィーチャが、ＯＰＣフィーチャを含むことを特徴とする請求項１９に記載の集積回路。
【０１９５】
（請求項２３）    前記少なくとも１つの修復されたフィーチャが、ハンマーヘッド、セリフ、及びバイアスの何れか１つを含むことを特徴とする請求項１９に記載の集積回路。
【０１９６】
（請求項２４）    マスク検査システムであって、
マスク上のフィーチャのシミュレートされたウェーハイメージを提供するための手段と、
前記フィーチャの欠陥のない表示に基づいて、前記シミュレートされたウェーハイメージのためにセンターラインを決定するための手段と、
前記センターラインに基づいて前記シミュレートされたウェーハの外観を測定するための手段とを含むマスク検査システム。
【０１９７】
（請求項２５）    前記外観がラインエッジの荒さを含むことを特徴とする請求項２４に記載のシステム。
【０１９８】
（請求項２６）    更に、前記ラインエッジの荒さに基づいて前記マスクに対してなされる可能な修復を評価するための手段を含む請求項２５に記載のシステム。
【０１９９】
（請求項２７）    更に、可能な修復を評価するための前記手段よりの信号をレシーブするマスク修復ツールを含むこと特徴とする請求項２６に記載の方法。
【０２００】
（請求項２８）    前記外観がコーナー部の丸みを含むことを特徴とする請求項２５に記載のシステム。
【０２０１】
（請求項２９）    更に、前記コーナー部の丸みに基づいて前記マスクに対してなされる可能な修復を評価するための手段を含むことを特徴とする請求項２８に記載のシステム。
【０２０２】
（請求項３０）    更に、可能な修復を評価するための前記手段よりの信号をレシーブするマスク修復ツールを含むこと特徴とする請求項２９に記載の方法。
【０２０３】
（請求項３１）    マスク上のフィーチャを解析するための検査システムであって、
前記フィーチャのシミュレートされたウェーハイメージを生成するための手段と、
前記フィーチャの欠陥のない表示に基づいて前記フィーチャの前記シミュレートされたウェーハイメージのためにセンターラインを決定するための手段と、
前記フィーチャが所定の標準値をパスするか否かを決定するための手段とを含むシステム。
【０２０４】
（請求項３２）    前記所定の標準値が、前記シミュレートされたウェーハイメージのラインのエッジ荒さを含むことを特徴とする請求項３１に記載のシステム。
【０２０５】
（請求項３３）    更に前記ラインのエッジ荒さに基づいて前記マスクに対してなされる可能な修復を評価するための手段を含むことを特徴とする請求項３２に記載のシステム。
【０２０６】
（請求項３４）    更に可能な修復を評価するための前記手段よりの信号をレシーブするマスク修復ツールを含むこと特徴とする請求項３３に記載のシステム。
【０２０７】
（請求項３５）    前記所定の標準値が前記シミュレートされたウェーハイメージの対称性であることを特徴とする請求項３１に記載のシステム。
【０２０８】
（請求項３６）    前記対称性が前記シミュレートされたウェーハイメージのコーナー部の丸みを示すことを特徴とする請求項３５に記載のシステム。
【０２０９】
（請求項３７）    更に前記シミュレートされたウェーハイメージの前記コーナー部の丸みに基づいて前記マスクに対してなされる可能な修復を評価するための手段を含むことを特徴とする請求項３６に記載のシステム。
【０２１０】
（請求項３８）    更に可能な修復を評価するための前記手段よりの信号をレシーブするマスク修復ツールを含むことを特徴とする請求項３７に記載のシステム。
【０２１１】
（請求項３９）    マスク上のフィーチャのクオリティを計量化するための方法であって、
（ａ）前記フィーチャのセンターラインを決定する過程と、
（ｂ）前記センターラインより前記フィーチャの１つのエッジへと延在する第１のリブの第１長さを測定する過程と、
（ｃ）前記センターラインより前記フィーチャの前記１つのエッジへと延在する第２のリブの第２の長さを測定する過程と、
（ｄ）前記第１及び第２の長さを比較する過程と、
（ｅ）複数回に渡ってステップ（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を繰り返す過程と、
（ｆ）ステップ（ａ）乃至（ｅ）に基づいて前記フィーチャの前記クオリティのスコアを計算する過程とを含む方法。
【０２１２】
（請求項４０）    物理マスクであって、
フィーチャのシミュレートされたウェーハイメージのセンターラインの解析に基づいて修正される少なくとも１つのフィーチャであって、前記センターラインが前記フィーチャの欠陥のない表示によって決定されることを特徴とするフィーチャと、
前記センターラインの解析に基づいて変更されない少なくとも１つのフィーチャとを含む物理マスク。
【０２１３】
（請求項４１）    前記フィーチャの前記欠陥のない表示がリファレンスマスクを含み、前記リファレンスマスクは欠陥のない物理マスクに対応していることを特徴とする請求項４０に記載のマスク。
【０２１４】
（請求項４２）      マスクにおけるフィーチャのエッジ荒さを決定するためのコンピュータソフトウェアであって、
前記マスクの表示に基づいて前記フィーチャのセンターラインを決定するための手段と、
前記フィーチャの１つのエッジへと前記センターラインより延在する第１のリブの第１の長さを測定するための手段と、
前記フィーチャの１つのエッジへと前記センターラインより延在する第２のリブの第２の長さを測定するための手段と、
前記第１及び第２の長さを比較し前記エッジ荒さを決定するための手段とを含むコンピュータソフトウェア。
【０２１５】
（請求項４３）    リソグラフィマスクにおけるコンタクトのコーナー部の丸みを決定するためのコンピュータソフトウェアであって、
第１の方向に前記コンタクトのセンターラインを決定する手段と、
前記第１の方向に概ね垂直な第２の方向で前記コンタクトを通過する複数の理論上のカットを提供する手段であって、各々のカットが前記コンタクトのエッジに対して前記センターラインより延在するリブを提供することを特徴とする手段と、
コーナーの丸みを決定するために少なくとも２つのリブを比較する手段であって、１つのリブが前記コンタクトのコーナー部付近に配置されており、別のリブは前記コーナーの付近に配置されていないことを特徴とする手段とを含むソフトウェア。
【０２１６】
（請求項４４）    リソグラフィマスクにおけるコンタクトの前記対称性を決定するソフトウェアであって、
第１の方向に前記コンタクトの第１のセンターラインを決定する手段と、
前記第１の方向に概ね垂直な第２の方向で前記コンタクトを介して複数の理論上のカットを提供する手段であって、各々のカットが前記コンタクトの第１エッジより前記コンタクトの第２エッジへと延在する第１の限界寸法を提供することを特徴とする手段と、
前記第２の方向に前記コンタクトのセンターラインを決定する手段と、
前記第１の方向に概ね垂直な第１の方向に前記コンタクトを介して複数の理論上のカットを提供する手段であって、各々のカットが前記コンタクトの第３のエッジより前記コンタクトの第４のエッジへと延在する第２の限界寸法を提供することを特徴とする手段と、
前記コンタクトの前記対称性を決定するべく前記第１及び第２の限界寸法を比較する手段とを含むソフトウェア。
【０２１７】
故に、本発明は添付された請求項のみに限定される。
【図面の簡単な説明】
【０２１８】
【図１】従来方式のマスク検査プロセスを示すものである。
【図２】Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，  Ｉｎｃ．により開発された既知のマスク検査プロセス及びシステムを示すものである。
【図３】複数のマスクを用いる欠陥解析方法を示すものである。
【図４−Ａ】マスク上の様々なフィーチャに関するそれらの配置に基づく欠陥解析を示すものである。
【図４−Ｂ】マスク上の様々なフィーチャに関するそれらの配置に基づく欠陥解析を示すものである。
【図５】マスク検査プロセス及びシステムを示すものである。
【図６】正確な変換ファクターを生成するための一つの方法を示すものである。
【図７】正確な変換ファクターを生成するための別の方法を示すものである。
【図８−Ａ】欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータに関するコンピュータプログラムの様々な要点を示すものである。
【図８−Ｂ】欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータに関するコンピュータプログラムの様々な要点を示すものである。
【図８−Ｃ】欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータに関するコンピュータプログラムの様々な要点を示すものである。
【図９−Ａ】物理マスク及びリファレンスマスク各々の一部分を示すものである。
【図９−Ｂ】物理マスク及びリファレンスマスク各々の一部分を示すものである。
【図１０−Ａ】３つの露出のための図９−Ａにおける物理マスクの欠陥のない領域のシミュレートされたウェーハイメージを示すものである。
【図１０−Ｂ】３つの露出のための図９−Ｂにおけるリファレンスマスクの欠陥のない領域のシミュレートされたウェーハイメージを示すものである。
【図１１−Ａ】３つの露出のための図９−Ａにおける物理マスクの欠陥領域のシミュレートされたウェーハイメージを示すものである。
【図１１−Ｂ】３つの領域のための図９ーＢにおけるリファレンスマスクの欠陥領域のシミュレートされたウェーハイメージを示すものである。
【図１２−Ａ】フィーチャ及びフィーチャに近接する欠陥を含むマスクを示したものである。
【図１２−Ｂ】図１２−Ａのフィーチャのためのデフォーカスに対するフィーチャサイズのプロットを示したものである。
【図１２−Ｃ】デフォーカスに対する露出偏差のプロット、及び図１２−Ａのフィーチャのための共通のプロセスウィンドウプロットを示すものである。
【図１２−Ｄ】図１２−Ａのフィーチャのためのフォーカス深さに対する露出許容度のプロットを示すものである。
【図１３−Ａ】フィーチャ及びフィーチャに近接する欠陥を含むマスクであって、ここで示された欠陥は図１２−Ａの欠陥よりも大きいことを特徴とするものである。
【図１３−Ｂ】図１３−Ａのフィーチャのデフォーカスに対するフィーチャサイズのプロットを示すものである。
【図１３−Ｃ】図１３−Ａのフィーチャのためのデフォーカスに対する露出偏差のプロットを示すものである。
【図１３−Ｄ】図１３−Ａのフィーチャのためのフォーカス深さに対する露出許容度のプロットを示すものである。
【図１４−Ａ】一体形成された欠陥を有するフィーチャを含むマスクを示すものである。
【図１４−Ｂ】図１４−Ａのフィーチャのためのデフォーカスに対するフィーチャサイズのプロットを示すものである。
【図１４−Ｃ】図１４−Ａのフィーチャのためのデフォーカスに対する露出偏差のプロットを示すものである。
【図１４−Ｄ】図１４−Ａのフィーチャのためのフォーカス深さに対する露出許容度のプロットを示すものである。
【図１５−Ａ】一体形成された欠陥を有するフィーチャ含むマスクを示すものであり、ここで欠陥は図１４−Ａに示された欠陥よりも大きいことを特徴とするものである。
【図１５−Ｂ】図１５−Ａのフィーチャのためのデフォーカスに対するフィーチャサイズのプロットを示すものである。
【図１５−Ｃ】図１５−Ａのフィーチャのためのデフォーカスに対する露出偏差のプロットを示すものである。
【図１５−Ｄ】図１５−Ａのフィーチャのためのフォーカス深さに対する露出許容度のプロットを示すものである。
【図１６−Ａ】コンタクト（またはビアもしくはポスト）を含むマスクを示すものである。
【図１６−Ｂ】図１６−Ａのコンタクトのためのデフォーカスに対するフィーチャサイズのプロットを示すものである。
【図１６−Ｃ】図１６−Ａのコンタクトのためのデフォーカスに対する露出偏差のプロットを示すものである。
【図１６−Ｄ】図１６−Ａのコンタクトのためのフォーカス深さに対する露出許容度のプロットを示すものである。
【図１７−Ａ】著しい限界寸法（ＣＤ）変化を有するコンタクト（ビアまたはポスト）を含むマスクを示すものである。
【図１７−Ｂ】図１７−Ａのコンタクトのためのデフォーカスに対するプロットを示すものである。
【図１７−Ｃ】図１７−Ａのコンタクトのためのデフォーカスに対する露出偏差のプロットを示すものである。
【図１７−Ｄ】図１７−Ａのコンタクトのためのフォーカス深さに対する露出許容度のプロットを示すものである。
【図１８】マスク修復プロセス及びシステムを示すものである。
【図１９−Ａ】限界寸法の変化を示さないラインエッジ粗さを有するラインを示す単純化されたレイアウトを示すものである。
【図１９−Ｂ】ラインエッジ粗さが決定されている単純化されたレイアウトを示す図である。
【図２０−Ａ】コーナー部の丸み、及び／または左右対称性が測定されている単純化されたレイアウトを示すものである。
【図２０−Ｂ】コーナー部の丸み、及び／または左右対称性が測定されている単純化されたレイアウトを示すものである。
【図１】
2005500671.tif 000015
【図２】
2005500671.tif 000016
【図３】
2005500671.tif 000017
【図４−Ａ】
2005500671.tif 000018
【図４−Ｂ】
2005500671.tif 000019
【図５】
2005500671.tif 000020
【図６】
2005500671.tif 000021
【図７】
2005500671.tif 000022
【図８−Ａ】
2005500671.tif 000023
【図８−Ｂ】
2005500671.tif 000024
【図８−Ｃ】
2005500671.tif 000025
【図９−Ａ】
2005500671.tif 000026
【図９−Ｂ】
2005500671.tif 000027
【図１０−Ａ】
2005500671.tif 000028
【図１０−Ｂ】
2005500671.tif 000029
【図１１−Ａ】
2005500671.tif 000030
【図１１−Ｂ】
2005500671.tif 000031
【図１２−Ａ】
2005500671.tif 000032
【図１２−Ｂ】
2005500671.tif 000033
【図１２−Ｃ】
2005500671.tif 000034
【図１２−Ｄ】
2005500671.tif 000035
【図１３−Ａ】
2005500671.tif 000036
【図１３−Ｂ】
2005500671.tif 000037
【図１３−Ｃ】
2005500671.tif 000038
【図１３−Ｄ】
2005500671.tif 000039
【図１４−Ａ】
2005500671.tif 000040
【図１４−Ｂ】
2005500671.tif 000041
【図１４−Ｃ】
2005500671.tif 000042
【図１４−Ｄ】
2005500671.tif 000043
【図１５−Ａ】
2005500671.tif 000044
【図１５−Ｂ】
2005500671.tif 000045
【図１５−Ｃ】
2005500671.tif 000046
【図１５−Ｄ】
2005500671.tif 000047
【図１６−Ａ】
2005500671.tif 000048
【図１６−Ｂ】
2005500671.tif 000049
【図１６−Ｃ】
2005500671.tif 000050
【図１６−Ｄ】
2005500671.tif 000051
【図１７−Ａ】
2005500671.tif 000052
【図１７−Ｂ】
2005500671.tif 000053
【図１７−Ｃ】
2005500671.tif 000054
【図１７−Ｄ】
2005500671.tif 000055
【図１８】
2005500671.tif 000056
【図１９−Ａ】
2005500671.tif 000057
【図１９−Ｂ】
2005500671.tif 000058
【図２０−Ａ】
2005500671.tif 000059
【図２０−Ｂ】
2005500671.tif 000060
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005500671.tif 000156
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005500671.tif 000158
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【手続補正書】
【提出日】平成15年3月26日(2003.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理マスク上の欠陥のためのプリンタビリティ解析を提供する方法であって、
物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応するレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ上の前記欠陥に近接する第１のフィーチャを識別する過程と、
前記レファレンスマスクの前記シミュレートされたウェーハイメージ上の、前記第１のフィーチャに対応する第２のフィーチャを識別する過程と、
前記第１及び第２のフィーチャを含む限界寸法偏差を計算して、前記プリンタビリティ解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項２】
計算過程が、前記第１のフィーチャの第１の限界寸法、及び前記第２のフィーチャの第２の限界寸法を決定する過程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
計算過程が、前記第１及び第２のフィーチャのための相対的な限界寸法偏差を計算する過程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記相対的な限界寸法偏差の計算を行う過程が、
前記第１の限界寸法から前記第２の限界寸法を減じる過程と、
得られた値を、前記第２の限界寸法で除する過程とを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
更に、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウェーハイメージ上の前記欠陥に近接する第１の複数のフィーチャを識別する過程と、
前記レファレンスマスクの前記シミュレートされたウェーハイメージ上の、前記第１の複数のフィーチャに対応する第２の複数のフィーチャを識別する過程と、
前記第１及び第２の複数のフィーチャのために複数の相対的限界寸法偏差を計算する過程とを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
更に、前記複数の相対的限界寸法偏差の最大のものを決定し、それによって最大限界寸法偏差を提供する過程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
更に、
前記物理マスクの前記シミュレートされたウェーハイメージ上の第３の欠陥のないフィーチャを識別する過程と、
前記レファレンスマスクの前記シミュレートされたウェーハイメージ上の、前記第３のフィーチャに対応する第４のフィーチャを識別する過程と、
前記第３及び第４のフィーチャを含む限界寸法偏差を計算する過程とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第３及び第４のフィーチャを計算する過程が、
前記第３のフィーチャの第１の限界寸法、及び前記第４のフィーチャの第２の限界寸法を決定する過程を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
計算過程が、前記第１及び第２のフィーチャのための限界寸法偏差計算過程を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記限界寸法偏差を計算する過程が、前記第２の限界寸法より前記第１の限界寸法を減じる過程と、得られた値を前記第２の限界寸法によって除する過程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
更に、前記物理マスクの前記シミュレートされたウェーハイメージ上のＮ個の欠陥のないフィーチャのために前記限界寸法偏差を計算する過程であって、ここでＮは２以上の整数であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
各々の欠陥のないフィーチャの前記限界寸法偏差が加えられ、結果として得られる値が整数Ｎによって除され、それによって平均限界寸法偏差を提供することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
物理マスク上の欠陥のためにプリンタビリティ解析を提供する方法であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応するレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥のない領域のために平均限界寸法偏差を計算する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥領域のために最大限界寸法偏差を計算する過程と、
前記平均限界寸法偏差と前記最大限界寸法偏差とを用いて、前記プリンタビリティ解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項１４】
更に、前記用いる過程に基づいた欠陥シビアリティスコアを決定する過程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、限界寸法変化の許容範囲を決定する過程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
用いる過程が、
前記プリンタビリティ解析を提供するために限界寸法変化のための前記許容範囲を用いる過程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
用いる過程が、解析された露出数を決定する過程を含むこと特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
物理マスク上の欠陥のプリンタビリティ解析を提供する方法であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
前記欠陥によって影響を受ける前記シミュレートされたウェーハイメージ上の、第１のフィーチャを識別する過程と、
前記欠陥によって影響を受けない前記シミュレートされたウェーハイメージ上の、第２のフィーチャを識別する過程であって、前記欠陥がなければ前記第１及び第２のフィーチャが概ね前記同一の限界寸法を有することを特徴とする過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥のない領域のために平均限界寸法偏差を計算する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥領域のために最大限界寸法偏差を計算する過程と、
前記第１及び第２の限界寸法偏差を用いて、前記プリンタビリティ解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項１９】
更に、限界寸法変化のための許容範囲を決定する過程を含むこと特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
用いる過程が、前記プリンタビリティ解析を提供するために、限界寸法変化の前記許容範囲を用いる過程を含むこと特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
用いる過程が、解析された露出数を決定する過程を含むこと特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
物理マスクを製造するための方法であって、
集積回路を設計する過程と、
前記集積回路の一つの層のためにマスク設計データを生成する過程と、
前記マスク設計データに適合した物理マスクを製造する過程と、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ、及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを基に、前記物理マスクを検査する過程であって、前記レファレンスマスクが欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする過程と、
前記プリンタビリティ解析に基づいて、前記物理マスクが検査を通るか否かを決定する過程とを含み、
ここで、前記検査過程が、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥のない領域のために平均限界寸法偏差を計算する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥領域のために最大限界寸法偏差を計算する過程と、
前記平均限界寸法偏差と前記最大限界寸法偏差とを用いて、前記プリンタビリティ解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項２３】
検査過程が、プリンタビリティ解析を提供するために限界寸法変化の許容範囲を用いる過程を含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
検査過程が、更に、
前記平均限界寸法偏差、前記最大限界寸法偏差、及び限界寸法変化の許容範囲を用いる過程に基づいて、欠陥シビアリティスコアを決定する過程を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
用いる過程が、前記解析された露出数を決定する過程を含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記プリンタビリティ解析が、少なくとも一つの露出のための欠陥シビアリティスコアを含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記プリンタビリティ解析が、複数の露出のための欠陥シビアリティスコアを含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
マスク上の欠陥のための欠陥シビアリティスコアを生成する方法であって、
前記欠陥の二次元解析、及び前記マスク上の前記欠陥に近接する第１のフィーチャの二次元解析を提供する過程と、
前記マスクの第１のウェーハイメージを提供する過程と、
前記ウェーハイメージ上の、シミュレートされた前記第１のフィーチャに対応する第２のフィーチャの欠陥解析を提供する過程であって、前記課程が前記第１及び第２のフィーチャに基づいて様々な限界寸法偏差を計算する過程を含むことを特徴とする過程とを含む方法。
【請求項２９】
更に、
前記マスクの欠陥のないレファレンスイメージ上に第３のフィーチャを識別し、前記第３のフィーチャが前記第１のフィーチャを示す過程と、
前記レファレンスイメージの第２のウェーハイメージを提供する過程であって、前記第２のイメージは第４のフィーチャを含み、前記第４のフィーチャがシミュレートされた前記第３のフィーチャに対応する過程と、
前記第４のフィーチャに欠陥解析を提供する過程であって、前記過程が前記第１、第２、第３、及び第４のフィーチャに基づいて様々な限界寸法偏差を計算する過程を含むことを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２及び第４のフィーチャの欠陥解析を提供する過程が、前記第２及び第４のフィーチャの限界寸法を比較する過程を含むこと特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
欠陥解析を提供する過程が、更に、異なる露出における前記限界寸法の変化を決定する過程を含むこと特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
欠陥解析を提供する過程が、更に、各々の露出の最大限界寸法変化を決定する過程を含むこと特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
欠陥解析を提供する過程が、更に、各々の露出の相対的な最大限界寸法を計算する過程を含むこと特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
更に、前記第１及び第２のウェーハイメージ間のキャリブレーションを提供する過程を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
物理マスク上の欠陥を解析するためのシステムであって、
前記物理マスクよりのマスクイメージとレファレンスマスクよりのレファレンスイメージとを生成するための検査ツールと、
前記マスクイメージよりのステッパーマスクイメージ、及び前記レファレンスイメージよりのステッパーレファレンスイメージをシミュレートするためのウェーハイメージジェネレータと、
前記ステッパーマスクイメージ及び前記ステッパーレファレンスイメージを比較するための、欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータとを含み、
前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータが、前記ステッパマスクイメージ及び前記ステッパレファレンスイメージを用いて、前記物理マスク上の欠陥のない領域のための平均限界寸法偏差を決定し、
前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータが、前記ステッパマスクイメージ及び前記ステッパレファレンスイメージを用いて、前記物理マスク上の欠陥領域のための最大限界寸法偏差を決定し、
前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータが、前記平均限界寸法偏差及び前記最大限界寸法偏差を用いて前記欠陥のプリンタビリティ解析を提供することを特徴とするシステム。
【請求項３６】
更に、前記物理マスクの限界領域に前記欠陥が配置されるかどうかを決定するための限界領域識別ジェネレータを含み、前記限界領域識別ジェネレータが前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータに対するアウトプットを提供する請求項３５に記載のシステム。
【請求項３７】
更に、前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレータよりのデータをレシーブするためのビットマップエディタを含み、前記欠陥に対して示唆された修復を行うことを特徴とする請求項３５に記載のシステム。
【請求項３８】
更に、前記示唆された修復に応じるために、マスク修復ツールを含むことを特徴とする請求項３７に記載のシステム。
【請求項３９】
前記システムが、前記欠陥を自動解析し、前記マスク修復ツールが前記示唆された修復に自動応答することを特徴とする請求項３８のシステム。
【請求項４０】
前記システムが、前記欠陥を自動解析し、また前記欠陥プリンタビリティ解析ジェネレーターが前記欠陥シビアリティスコアを自動提供することを特徴とする請求項３８のシステム。
【請求項４１】
物理マスク上の欠陥のための欠陥シビアリティスコアを生成するためのシステムであって、
前記欠陥に近接する前記物理マスク上のフィーチャの第１イメージと、前記レファレンスイメージ上の前記フィーチャの第２のイメージとを生成するための手段と、
前記第１のイメージの前記第１のウェーハイメージと、前記第２のイメージの第２のウェーハイメージとをシミュレートするための手段と、
前記第１及び第２のウェーハイメージに基づく欠陥シビアリティスコアを生成するための手段とを含み、
前記生成手段が、前記第１及び第２のウェーハイメージを用いて前記物理マスク上の欠陥のない領域のために平均限界寸法偏差を決定し、
前記生成手段が、前記第１及び第２のウェーハイメージを用いて前記物理マスク上の欠陥領域のために最大限界寸法偏差を決定し、
前記生成手段が、前記平均限界寸法偏差及び前記最大限界寸法偏差を用い、前記欠陥シビアリティスコアを提供することを特徴とするシステム。
【請求項４２】
更に、前記欠陥が限界領域内にあるかどうか識別するための手段を含み、ここで前記識別手段は前記欠陥シビアリティスコアを生成するための前記手段に対してデータを提供することを特徴とする請求項４１に記載のシステム。
【請求項４３】
前記シミュレーションのための手段で、複数のリソグラフィ条件に応じるための手段を含むことを特徴とする請求項４１に記載のシステム。
【請求項４４】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ、及び前記レファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正される少なくとも１つの欠陥を含む物理マスクであって、
前記レファレンスマスクが欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする物理マスク。
【請求項４５】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正される少なくとも１つのイレギュラリティを含むマスクであって、
前記レファレンスマスクが欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする物理マスク。
【請求項４６】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージと、レファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージとの比較によって提供される第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正される少なくとも１つのフィーチャを含むマスクであって、
前記レファレンスマスクが欠陥のない物理マスクに対応していることを特徴とする物理マスク。
【請求項４７】
物理マスクを用いて製造された集積回路であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージと、レファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージとを比較することによって提供された第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正された少なくとも１つのフィーチャを含み、
前記レファレンスマスクが欠陥を有しない物理マスクに対応することを特徴とする集積回路。
【請求項４８】
物理マスクを用いて製造された集積回路であって、
前記物理マスクが、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応したレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥のない領域のために平均限界寸法偏差を計算する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥領域のために最大限界寸法偏差を計算する過程と、
前記平均限界寸法偏差及び前記最大限界寸法偏差を用いて、前記物理マスクを修復するか否かを決定する過程と、
前記物理マスクを用いて前記集積回路を製造する過程とを含む集積回路。
【請求項４９】
第１のマスク上の欠陥を解析するためのコンピュータソフトウェアであって、
前記第１のマスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成するための手段と、
欠陥のない第１のマスクに対応した第２のマスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成するための手段と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥のない領域のために平均限界寸法偏差を計算する手段と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥領域のために最大限界寸法偏差を計算する手段と、
前記平均限界寸法偏差及び前記最大限界寸法偏差を用いて、前記欠陥に関するプリンタビリティ解析を提供する手段とを含むソフトウェア。
【請求項５０】
前記用いる手段が、前記欠陥のために欠陥シビアリティスコアを生成するための手段を含むことを特徴とする請求項４９に記載のコンピュータソフトウェア。
【請求項５１】
更に、前記プリンタビリティに基づく前記欠陥上の修復情報を提供するための手段を含むことを特徴とする請求項４９に記載のコンピュータソフトウェア。
【請求項５２】
更に、前記欠陥シビアリティスコアに基づく欠陥上の修復情報を提供するための手段を含むことを特徴とする請求項５０に記載のコンピュータソフトウェア。
【請求項５３】
欠陥を含む物理マスクを検査するための方法であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
欠陥のない物理マスクに対応したレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを生成する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥のない領域のために平均限界寸法偏差を計算する過程と、
前記物理マスク及びレファレンスマスクの、前記シミュレートされたウェーハイメージを用いて、前記物理マスクの欠陥領域のために最大限界寸法偏差を計算する過程と、
前記平均限界寸法偏差及び前記最大限界寸法偏差を用いて、前記欠陥に関するプリンタビリティ解析を提供する過程とを含む方法。
【請求項５４】
比較過程が欠陥シビアリティスコアを生成する過程を含むこと特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
更に、マスク修復ツールに対して前記欠陥の前記情報を通信させる過程を含むこと特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
更に、マスク修復ツールに対して前記欠陥シビアリティスコアを通信させる過程を更に含むこと特徴とする請求項５４に記載の方法。
【請求項５７】
前記レファレンスマスクが、次の、
前記物理マスクのレイアウトのシミュレートされたイメージ、
前記欠陥を含むパターンと概ね等しいパターンを有する物理マスクの欠陥のない領域、
及び、前記物理マスク製造時の前記物理マスクのシミュレートイメージの内の１つを含むことを特徴とする請求項５３の方法。
【請求項５８】
前記物理マスクの前記シミュレートされたイメージを生成する過程が、イメージキャプチャ間に生成されたイメージの歪みを補正することを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５９】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも１つの欠陥を含み、
前記レファレンスマスクは欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする物理マスク。
【請求項６０】
更に、前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正された少なくとも一つの欠陥を含む請求項５９に記載のマスク。
【請求項６１】
更に、前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも一つの欠陥を含む請求項４４に記載のマスク。
【請求項６２】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも１つのイレギュラリティを含み、
前記レファレンスマスクは欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする物理マスク。
【請求項６３】
更に、前記物理マスク及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正された少なくとも一つのイレギュラリティを含む請求項６０に記載のマスク。
【請求項６４】
更に、前記物理マスク及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージの解析より提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも一つのイレギュラリティを含む請求項４５に記載のマスク。
【請求項６５】
物理マスクであって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを比較することで提供された第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも１つのフィーチャを含み、
前記レファレンスマスクは欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする物理マスク。
【請求項６６】
更に、前記物理マスク及び前記レファレンスマスクの前記シミュレートされたウェーハイメージを比較することによって提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正された少なくとも一つのフィーチャを含む請求項６５に記載のマスク。
【請求項６７】
更に、前記物理マスク及び前記レファレンスマスクの前記シミュレートされたウェーハイメージを比較することで提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも一つのフィーチャを含む請求項４６に記載のマスク。
【請求項６８】
物理マスクを用いて製造される集積回路であって、
前記物理マスクのシミュレートされたウェーハイメージ及びレファレンスマスクのシミュレートされたウェーハイメージを比較することで提供された第１の平均限界寸法偏差及び第１の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも１つのフィーチャを含み、
前記レファレンスマスクは欠陥のない物理マスクに対応することを特徴とする集積回路。
【請求項６９】
前記物理マスクが、更に、前記物理マスク及び前記レファレンスマスクの前記シミュレートされたウェーハイメージを比較することによって提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正された少なくとも一つのフィーチャを含むことを特徴とする請求項６８に記載の集積回路。
【請求項７０】
前記物理マスクが、更に、前記物理マスク及び前記レファレンスマスクの前記シミュレートされたウェーハイメージを比較することで提供された第２の平均限界寸法偏差及び第２の最大限界寸法偏差に基づいて修正されない少なくとも一つのフィーチャを含む請求項４７に記載の集積回路。
【国際調査報告】
2005500671.tif 000160
2005500671.tif 000161
2005500671.tif 000162
2005500671.tif 000163