(57)【要約】ＲＦおよびマイクロ波の放射を案内、または、制御する複数の要素は一体的で、この要素は複数の電着作業、および／または複数の材料の堆積層から形成される。この要素には、スイッチ、誘電子、アンテナ、送信ライン、フィルター、ハイブリッドカプラー、アンテナのアレー、および／または、他の能動又は受動要素が含まれる。この要素は、構成材料から犠牲材料を分離する際に有用な放射線の出入りをさせないチャンネルを有する。好ましい形成プロセスでは、電着成型加工技術（例えば、選択的堆積、バルク堆積、エッチング作業、および平坦化作業）、及び、後堆積プロセス（例えば、選択的エッチング作業、および／または、裏込め作業）が用いられる。
2005532015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．  導電性構造に設けられたＲＦ、又は、マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；
ｂ．  上記導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ポート；
ｃ．  上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が通過する上記導電性構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；
ｄ．上記入射ポートから上記出射ポートへ上記少なくとも一つの流路の長さにそって延設された中央導電体からなる、放射線を案内するか、又は、制御する同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素において、
上記導電性構造は、上記流路から外部領域へ延設された一つ、又は、それ以上の開口を有し、上記開口は、波長の１／１０或いは２００ミクロン未満の寸法を有し、上記開口は、上記ＲＦを通過させるようには意図されていない。
【請求項２】
犠牲材料を除去するために少なくともいくつかの開口が用いられる請求項１に記載の構成要素。
【請求項３】
上記開口の少なくともいくつかは、上記中央導電体と上記導電性構造との間の所望の相対的な位置を保持するのに助けとなる誘電体を収容するために用いられる請求項１に記載の構成要素。
【請求項４】
上記導電性構造及び上記中央導電体は一体である請求項１に記載の構成要素。
【請求項５】
上記中央導電体及び上記導電性構造の一部は、連続的に堆積された複数の層から形成された材料からなる請求項１に記載の構成要素。
【請求項６】
上記中央導電体及び上記導電性構造の一部は、複数の電着作業によって形成された材料からなる請求項１に記載の構成要素。
【請求項７】
上記流路に沿った上記放射線の伝播方向に直角である上記流路の横断面の寸法は約１ｍｍ未満である請求項１に記載の構成要素。
【請求項８】
上記流路に沿った上記放射線の伝播方向に直角である上記流路の横断面の寸法は約０．５ｍｍ未満である請求項１に記載の構成要素。
【請求項９】
上記流路に沿った上記放射線の伝播方向に直角である上記流路の横断面の寸法は約０．２ｍｍ未満である請求項１に記載の構成要素。
【請求項１０】
上記流路の少なくとも一部は長方形である請求項１に記載の構成要素。
【請求項１１】
上記中央導電体の少なくとも一部は長方形である請求項１に記載の構成要素。
【請求項１２】
上記流路は三次元の経路にそって延設された請求項１に記載の構成要素。
【請求項１３】
上記三次元の経路は三次元の螺旋からなる請求項１２に記載の構成要素。
【請求項１４】
上記構成要素はハイブリッドカプラーからなる請求項１に記載の構成要素。
【請求項１５】
上記構成要素は遅延ラインからなる請求項１に記載の構成要素。
【請求項１６】
上記構成要素はアンテナからなる請求項１に記載の構成要素。
【請求項１７】
上記アンテナは、アンテナのアレーからなる請求項１６に記載の構成要素。
【請求項１８】
上記アンテナは、バトラーマトリックスによって給電されるか、又は、上記バトラーマトリックスに給電する請求項１６に記載の構成要素。
【請求項１９】
上記アンテナのアレーは、パッチアンテナアレーからなる請求項１６に記載の構成要素。
【請求項２０】
上記アンテナのアレーは、バトラーマトリックスを伝播した信号によって給電され、上記バトラーマトリックスへの入力は電力増幅器によって制御される請求項１６に記載の構成要素。
【請求項２１】
少なくとも一つの同軸線は蛇行状に配置された請求項１に記載の構成要素。
【請求項２２】
上記少なくとも一つの蛇行状の形態は、少なくとも二つの異なる部分の間に配置された一つの共有導電性遮蔽構造からなる請求項２１のバトラーマトリックス。
【請求項２３】
上記二つの流路は隣接して、配置され、上記二つの流路は一つの導電性遮蔽構造によって分離されている。
【請求項２４】
下記の作業の一つ又はそれよりも多くの作業を用いて少なくとも部分的に形成された請求項１に記載の構成要素において、
ａ．  第一導電性材料を選択的に電着し、第二導電牲材料を電着する作業、この作業において、上記第一及び第二導電性材料の一つは犠牲材料であり、もう一方は構成材料である；
ｂ．  第一導電牲材料を電着し、少なくとも一つの空隙を形成するために上記第一構成材料を選択的にエッチングし、上記の少なくとも一つの空隙に充填するために上記第二導電性材料を電着する作業；
ｃ．  少なくとも一つの導電牲材料を電着し、少なくとも一つの流動性の誘電性材料を堆積し、次の電着される材料の層の形成のための準備として上記導電牲材料の種層を堆積する作業；又は、
ｄ．  上記第一導電牲材料を選択的に電着し、上記第二導電性材料を電着し、上記上記第一及び第二導電性材料の一つを選択的にエッチングし、その後、第三導電牲材料を電着する作業；この作業において、上記第一、第二、第三導電性材料の少なくとも一つは犠牲材料であり、上記残りの二つの導電牲材料は構成材料である。
【請求項２５】
下記の作業の一つ又はそれよりも多くの作業を用いて少なくとも部分的に形成された請求項１に記載の構成要素において、
ａ．  少なくとも一つの構成材料から少なくとも一つの犠牲材料を分離し；
ｂ．  （ａ）空隙を形成するために第二犠牲材料及び（ｂ）少なくとも一つの構成材料とから第一犠牲材料を分離し、上記空隙の少なくとも一部を誘電性材料で充填し、その後、上記構成材料及び上記誘電性材料とから上記第二犠牲材料を分離する；または、
ｃ．  上記構成材料内の上記空隙を、流動性の誘電性材料内に埋め込まれた磁性材料、又は、導電牲材料で充填し、その後、上記誘電性材料を固化する。
【請求項２６】
請求項１に記載の構成要素において、前記構成要素は、ローパスフィルター、ハイパスフィルター、バンドパスフィルター、反射系フィルター、吸収系フィルター、漏洩壁フィルター、遅延ライン、他の機能的構成要素を接続するためのインピーダンスマッチング構造、指向性カプラーまたはコンバイナー（例えば、方形ハイブリッド、ハイブリッドリング、ウィルキンソンコンバイナー、マジックＴ）の１またはそれ以上のを備える。
【請求項２７】
請求項１に記載の構成要素において、前記構成要素は、超小型の同軸要素、伝送線、ローパスフィルター、ハイパスフィルター、バンドパスフィルター、反射系フィルター、吸収系フィルター、漏洩壁フィルター、遅延ライン、他の機能的構成要素を接続するためのインピーダンスマッチング構造、指向性カプラー、パワーコンバイナー（例えばウィルキンソン）、パワースプリッター、ハイブリッドコンバイナー、マジックＴＥＥ、周波数多重変換装置、あるいは周波数多重分離装置、ピラミッド型（平滑な壁）のフィードホーンアンテナ、および／またはスカラー（波形の）フィードホーンアンテナの１またはそれ以上を備える。
【請求項２８】
超小型装置の製造方法であって、この製造方法は、
ａ．  付着された材料の複数の層を堆積するステップ；
このステップにおいて、上記材料の各層の堆積は、
ｉ．  少なくとも第一材料の堆積；
ｉｉ．  少なくとも一つの第二材料の堆積とからなり、
ｂ．  上記複数の層の堆積後、上記第一材料の少なくとも一部、又は、第二材料の少なくとも一部を除去するステップからなり、
上記堆積及び上記除去によって生じた構造によって、ＲＦ又はマイクロ波の制御、案内、送信、或いは、受信構成要素として機能する少なくとも一つの構造が生じ、上記超小型装置は、
ａ．  導電性構造に設けられたＲＦ、又は、マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；
ｂ．  上記導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ポート；
ｃ．  上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が通過する上記導電性構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；
ｄ．上記入射ポートから上記出射ポートへ上記少なくとも一つの流路の長さにそって延設された中央導電体からなり、
上記導電性構造は、上記流路から外部領域へ延設された一つ、又は、それ以上の開口を有し、上記開口は、波長の１／１０或いは２００ミクロン未満の寸法を有し、上記開口は、上記ＲＦを通過させるようには意図されていない。
【請求項２９】
四つの超小型の同軸要素を有する付着された材料の複数の層からなる四ポートハイブリッドカプラーであって、上記四つの同軸要素の一番目のものは、四つのポートの中の二つの間に延設され、２番目のものは、四つのポートの中の他の二つの間に延設され、残りの二つのものは、上記一番目の同軸要素と上記２番目の同軸要素との間に延設され、上記四つの同軸要素の中の少なくとも一つの長さの少なくとも一部は蛇行状に配置されている。
【請求項３０】
上記蛇行状の形態は、一つ又はそれ以上の同軸要素の隣接する中央導体の部分の間に配置された一つの共有遮蔽構造からなる請求項２９のバトラーマトリックス。
【請求項３１】
複数の光線を形成するためにＮ個のアンテナ要素からなる受動アレーに信号を供給するための回路の製造方法であって、この方法は、
（ａ）付着された材料の複数の層を堆積し、夫々が四つの超小型の同軸要素からなる（Ｎ／２）ｌｏｇ2Ｎの四ポートハイブリッドカプラーを、一対の上記同軸要素が各ポートに連結されるように、上記各同軸要素がハイブリッドカプラーの夫々の一対の上記ポート間に延設して形成するステップ；
（ｂ）移相変換要素を介して、少なくともいくつかのハイブリッドカプラーを他のハイブリッドカプラーに接続し、バトラーマトリックスを形成するステップからなる。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法であって、材料の各層の堆積は、
（ａ）少なくとも第一材料の選択的な堆積；
（ｂ）少なくとも第二材料の堆積；
（ｃ）上記堆積された材料の少なくとも一部の平坦化からなり、
複数層が堆積され、
上記複数層の堆積後、上記第一材料の少なくとも一部、又は、第二材料の少なくとも一部が除去される。
【請求項３３】
複数の光線を形成するためにＮ個のアンテナ要素からなる受動アレーに信号を供給するためのバトラーマトリックスであって、このバトラーマトリックスは、（Ｎ／２）ｌｏｇ2Ｎの四ポートハイブリッドカプラーからなり、四つのハイブリッドカプラーの夫々は、四つの超小型の同軸要素からなり、上記四つの同軸要素の一番目のものは、四つのポートの中の二つの間に延設され、２番目のものは、四つのポートの中の他の二つの間に延設され、残りの二つのものは、上記一番目の同軸要素と上記２番目の同軸要素との間に延設され、上記四つの同軸要素の中の少なくとも一つの長さの少なくとも一部は蛇行状に配置されている。
【請求項３４】
上記蛇行状の形態は、一つ又はそれ以上の同軸要素の隣接する中央導体の部分の間に配置された一つの共有遮蔽構造からなる請求項３４のバトラーマトリックス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施態様は、電気装置の分野およびその製造に関し、他の実施態様は、ＲＦおよびマイクロ波デバイスおよびその製造に関する。特に、本発明の実施態様は、電着成型加工として知られている多層電着技術を少なくとも部分的に用いて製造される小型受動ＲＦおよびマイクロ波デバイス（例えば、フィルター、送信ライン、遅延ライン等）に関する。
【背景技術】
【０００２】
互いに付着した複数の層から三次元構造体（部品、構成要素、装置など）を形成する技術は、アダム  エル．  コーエンによって発明され、電気化学的成型加工として知られている。上記技術の研究は、現在もカリフォルニア州のバーバンクのメンゲンコーポレーションにおいてＥＦＡＢTMの名のもとに商業的に続行されている。この技術は、２０００年の２月２２日に発行された特許文献１に記載されている。この電気化学的な堆積方法により、マスクの使用を含む独自のマスキング技術を用いて材料の選択的堆積を可能にする。上記マスキング技術においては、めっきが施される基体とは別個の支持構造上にパターン形成された適合材料を含むマスクが使用される。上記マスクを用いて電着を行いたい場合は、めっき液の存在のもとで上記マスクの適合部分と基体との接触により、選択された位置での堆積は行われない。便宜上、これらのマスクは適合接触マスクと呼ぶことができ、これらのマスキング技術は適合接触マスクめっきプロセスと呼ぶことができる。詳しくは、カリフォルニア州のバーバンクのメンゲンコーポレーションにおいてＥＦＡＢTMの名において、上記のマスクは、インスタントマスクとして知られるようになり、上記プロセスはインスタントマスキング又はインスタントマスクめっきとして知られるようになった。適合接触マスクを使った選択的堆積は材料の単層形成または多層構造の形成を行うのに用いる事が出来る。ここで、上記６３０特許（特許文献１）について参考のために説明する。特許文献１の出願に関して、適合接触マスクめっき（インスタントマスキング）および電気化学的成型加工に関して下記の論文が発行されている（非特許文献１〜９参照）。
【特許文献１】米国特許第６，０２７，６３０号明細書
【非特許文献１】エイ．  コーエン，ジー．  チャン，エフ．  チェン，エフ．  マンスフェルド，ユー．  フロディス，ピー．  ウィルによって書かれた「ＥＦＡＢ：マイクロスケイルな特徴を有する機能的で充分に質の密な金属部品のバッチ生産」,ソリッドフリーダム成型加工の第９巻，オースチンのユニバーシティ  オブ  テキサス，１６１頁，１９９８年８月
【非特許文献２】エイ．  コーエン，ジー．  チャン，エフ．  チェン，エフ．  マンスフェルド，ユー．  フロディス，ピー．  ウィルによって書かれた「ＥＦＡＢ：高いアスペクト比の真の三次元  ＭＥＭＳを有する高速，安価なデスクトップ微細切削加工」，第１２巻，ＩＥＥＥ，微細電気機械システムワークショップの２４４頁，１９９９年１月
【非特許文献３】エイ．  コーエンによって書かれた「電気化学成型加工による三次元微細切削加工」，微細切削加工装置，１９９９年３月
【非特許文献４】ジー．  チャン，エイ．  コーエン，ユー．  フロディス，エフ．  チェン，エフ．  マンスフェルド，ピー．  ウィルによって書かれた「ＥＦＡＢ：真の三次元微細構造を有する高速デスクトップ生産」，宇宙応用のための集積微細構造に関する国際会議，第２巻，エアロスペース（株），１９９９年４月
【非特許文献５】エフ．  チェン，ユー．  フロディス，ジー．  チャン，エイ．  コーエン，エフ．  マンスフェルド，ピー．  ウィルによって書かれた「ＥＦＡＢ：安価な自動式バッチプロセスを用いた，高いアスペクト比を有する随時三次元金属微細構造」，の第三巻，高いアスペクト比を有する微細構造技術（ＨＡＲＭＳＴ，１９９９年）に関する第三回国際ワークショップ，１９９９年６月
【非特許文献６】エイ．  コーエン，ユー．  フロディス，エフ．  チェン，ジー．  チャン，エフ．  マンスフェルド，ピー．  ウィルによって書かれた「ＥＦＡＢ：随時三次元微細構造を有する安価な自動式電気化学バッチ成型加工」，微細切削加工及び微細成型プロセス技術，ＳＰＩＥ，１９９９年微細切削加工及び微細成型に関するシンポジウム，１９９９年９月
【非特許文献７】エフ．  チェン，ジー．  チャン，ユー．  フロディス，エイ．  コーエン，エフ．  マンスフェルド，ピー．  ウィルによって書かれた「ＥＦＡＢ：安価な自動式バッチプロセスを用いた，高いアスペクト比を有する随時三次元金属微細構造」，ＭＥＭＳシンポジウム，ＡＳＭＥ  １９９９年国際機械エンジニアリング会議及び展示会，１９９９年１１月
【非特許文献８】エイ．  コーエンによって書かれた「電気化学的成型加工（ＥＦＡＢTM）」モハメド  ギャド−エル−ハックによって編集されたＭＥＭＳハンドブックの第１９章，ＣＲＣ  プレス，２００２年
【非特許文献９】「微細成型加工−高速プロトタイピングのキラー応用」，高速プロトタイピングレポート，ＣＡＤ／ＣＡＭ出版社，１９９９年６月
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これらの９つの非特許文献の開示内容を一体として以下に説明する。
【０００４】
電気化学的堆積方法は、上記特許および出版物において説明した種々の方法を用いて実施することができる。１つの形態では、形成されるべき構造の各層の形成工程において、３つの分離した工程を行う。
【０００５】
１．少なくとも１つの材料を電着によって基板の１またはそれ以上の好ましい領域に選択的に堆積する。
【０００６】
２．その後、少なくとも１つの追加材料を電気化学的堆積によって全面的な堆積を行う。これによりこの追加堆積は予め選択的に堆積された領域および予め選択的な堆積がなされていない基板の領域をカバーする。
【０００７】
３．最後に、１番目と２番目の工程を行っている間に堆積された材料の厚さを平坦化する。これにより、少なくとも１つの材料を含有する少なくとも１つの領域と少なくとも１つの追加材料を含有する少なくとも１つの領域とを有する好ましい厚さの第１層のスムーズな表面を形成する。
【０００８】
第１層を形成した後、１または複数の層を、その直前の層に隣接して形成することができ、上記直前の層のスムーズな表面に付着させることができる。これらの追加層は、第１から第３の工程を一度かまたは二度以上繰り返す事によって形成される。次の各層の形成によって、先に形成された層および最初の基板は、新しく且つ厚い基板として扱われる。
【０００９】
すべての層が形成されると、少なくともひとつの堆積された材料の少なくともひとつの部分はエッチング工程において除去され、形成すべき三次元構造体を露出させ、開放する。
【００１０】
第１の工程に含まれる選択的電着を行う好適な方法は、適合接触マスクめっきを用いて行なわれる。このタイプのめっきにおいては、１または複数の適合接触（ＣＣ）マスクが最初に形成される。この適合接触マスクは支持構造を有する。この支持構造には、パターン形成された適合誘導体が堆積されるか、または形成される。各マスク用の適合材料の形状は、めっきをされるものの各断面形状に合わせて決められる。めっきをされるものの各断面形状に対して少なくともひとつの適合接触マスクが必要である。
【００１１】
上記適合接触マスク用の支持体は、典型的には選択的に電着される金属で形成された板状の構造を有し、めっきされるものは溶融される。この典型的な方法においては、上記支持体は電着工程において陽極として作用する。他の方法では、支持体は、末端の陽極から堆積表面への電気めっき工程中に堆積材料が通る多孔性かまたは孔のあいた材料である。どちらの方法においても、複数の適合接触マスクは上記支持体を共有することが可能である。即ち、多数の層をめっきする為の適合誘導体のパターンが単一の支持体の異なった領域に配置することができる。単一の支持体が多くのめっきパターンを有する場合は、支持体全体を適合接触マスクと称し、個々のめっき用のマスクを「サブマスク」と称する。本出願においては、そのような区別は特別な点に関連した場合においてのみ行う。
【００１２】
第１の工程の選択的な堆積を準備する際に、適合接触マスクの適合部分は、堆積を行う基板（或いは、予め形成された層または層に予め堆積した部分）の選択された部分に位置合わせされ、押しつけられる。適合接触マスクの基板への押しつけは、適合接触マスクの適合部分において開口部がめっき液を含むように行う。基板と接触する適合接触マスクの適合材料は電着におけるバリヤとして作用し、電気めっき液で満たされた適合接触マスクの開口部は、適当なポテンシャルおよび／または電流が供給されたときに、材料を陽極（例えば、適合接触マスクの支持体）から基板（めっき工程中に陰極として作用する）の非接触部分へ移動させるための通路として作用する。
【００１３】
適合接触マスクの例および適合接触マスクめっきの例が図１（ａ）〜図１（ｃ）に示されている。図１（ａ）は、陽極１２上にパターン形成された、整合的つまり変形可能な（例えば高分子物質）絶縁体１０からなる適合接触マスク８の側面図である。陽極は２つの機能を備えている。図１（ａ）には、マスク８とは別体である基板６が示されている。
上記２つの機能のうち、１つはパターン形成された絶縁体１０用の支持材料としての機能であって、その完全な状態および直線状態を維持する。何故なら、パターンは位相幾何学的に複雑であるからである（例えば、絶縁体の分離した「島」を含む）。もう１つの機能は、図１（ｂ）に示されているように、電気めっき工程における陽極として働くことである。適合接触マスクめっきにおいては、堆積材料２２を、単に絶縁体を基板に押しつけ、その後、絶縁体の開口２６ａおよび２６ｂを通じて上記堆積材料２２を電着するだけで基板６に選択的に堆積する。材料を基板に堆積した後、図１（ｃ）に示されているように、適合接触マスクは壊さないように基板６と分離するのが好ましい。適合接触マスクめっきの工程は、「貫通マスク」めっき工程とは区別される。何故ならば、貫通マスクめっき工程では、マスキング材料の基板からの分離は破壊を伴うからである。貫通マスクめっきの場合のように適合接触マスクめっき工程においては層全体の上に材料を選択的に、または、同時に堆積させる。めっきされた領域は１または複数の孤立しためっき領域からなり、これらの領域は、形成中の単一の構造に属するか、または、同時に形成されつつある多くの構造に属するかである。適合接触マスクのめっきにおいては、個々のマスクは除去過程において意図的には壊されないので、マスクは多くのめっき工程において使用可能である。
【００１４】
適合接触マスクおよび適合接触マスクめっきの他の例が図１（ｄ）〜図１（ｆ）に示されている。図１（ｄ）には、パターン形成された適合材料１０’と支持構造２０からなるマスク８’とは別体の陽極１２’が示されている。図１（ｄ）には、また、マスク８’とは別体の基板６が示されている。図１（ｅ）に示されているマスク８’は基板６と接触している。図１（ｆ）には、電流を陽極１２’から基板６へ流して形成された堆積物２２’が示されている。図１（ｇ）には、マスクから分離後の基板６上の堆積物２２’が示されている。この例では、電解液は基板６と陽極１２’との間に位置している。一方あるいは両方の溶液および陽極１２’からの電流が、マスクの開口部を介して材料が堆積した基板へ流される。このタイプのマスクは「陽極なしのインスタントマスク（ＡＩＭ）」または「陽極なしの適合接触（ＡＣＣ）マスク」と呼ぶことにする。
【００１５】
貫通マスクめっきとは異なり、適合接触マスクめっきは、めっきを行う（形成される三次元構造体から分離した）基板の成型加工とは完全に分離して適合接触マスクが形成される。適合接触マスクは色々な方法で形成する事ができる。例えば、写真平板工程を使う事ができる。構造の成型加工中よりも成型加工前にマスクをすべて同時に作ることができる。この分離方法により、簡単で、低コストで、自動化された、独立した、内部がクリーンな「デスクトップ工場」をほとんど何処にでも設置して、例えば、写真平板工程をサービスビューロウにおいて必要なクリーンな室内工程を行う事ができる。
【００１６】
上記の電気化学成型加工の一例が図２（ａ）〜図２（ｆ）に示されている。これらの図には、犠牲材料である第１材料１２および構造原料である第２材料１４を堆積させる工程を示す。この例では、適合接触マスク８は、パターン形成された適合材料（例えば、高分子誘導体）１０および堆積材料２からなる支持体１２を含む。適合接触マスクの適合部分は、適合材料１０の開口部１６内に位置するめっき液１４で基板６に対して押しつけられる。電源１８から供給された電流は陽極としての二重支持体１２および陰極としての二重基板６を介してめっき液１４を通過する。図２（ａ）において、電流の通過によってめっき液内の材料２および陰極１２からの材料２が選択的に陰極へ移動し、陰極がめっきされる。第１堆積材料２を、適合接触マスク８を用いて基板６に電気めっきした後で、図２（ｂ）に示すように、適合接触マスクは除去される。図２（ｃ）は、先に堆積された第１堆積材料２および基板６の他の部分に全面的に堆積された（即ち、非選択的に堆積された）第２の堆積材料４を示す。全面的な堆積は、めっき液によって第２の材料からなる陽極（図示せず）から陰極／基板６へ電気めっきすることによって行われる。図２（ｄ）に示されているように、２つの材料からなる層全体（の厚さ）を平坦化して正確な厚さと平面度を得る。図２（ｄ）に示されているように、すべての層に対してこのプロセスを繰り返すことによって第２の材料４（構造原料）からなる多層構造２０は第１材料２（即ち、犠牲材料）で埋められる。埋められた構造物は、所望のデバイス、即ち図２（ｆ）に示すような構造物２０を得るためにエッチングされる。
【００１７】
図３（ａ）〜図３（ｃ）には、代表的な手動式の電気化学成型加工システム３２の色々な構成要素が示されている。このシステム３２は、いくつかのサブシステム３４、３６、３８、４０からなる。基板保持用サブシステム３４は図３（ａ）〜図３（ｃ）の各図の上部に示されており、複数の構成要素として、（１）キャリヤ４８、（２）層が堆積する金属基板６、（３）アクチュエータの駆動力によってキャリヤ４８に対して基板６を上下に移動させる事ができる直線スライド部を含んでいる。上記サブシステム３４は、層の厚さおよび／又は堆積厚さを設定または決定するのに使われる基板の鉛直方向の差異を計測する為のインジケータもまた備えている。上記サブシステム３４は更に上記キャリヤ４８のための脚部６８を有する。この脚部６８はサブシステム３６に正確に取り付けられる。
【００１８】
図３（ａ）の下部に示されたサブシステム３６は、複数の構成要素として、（１）支持体／陽極１２を共有する複数の適合接触マスク（即ちサブマスク）からなる適合接触マスク８、（２）精密Ｘステージ５４、（３）精密Ｙステージ５４、（４）サブシステム３４の脚部６８が取り付けられるフレーム７２、（５）電解液１６を入れるためのタンク５８を含んでいる。上記サブシステム３４と３６は更に、適合接触マスキングを駆動するための電源に接続される電気接続線を備えている。
【００１９】
全面的堆積用サブシステム３８が図３（ｂ）の下部に示されており、いくつかの構成要素として、（１）陽極６２、（２）電解液６６を入れる電解液タンク６４、（３）上記サブシステム３４の脚部６８が取り付けられるフレーム７４を備えている。上記サブシステム３８は更に、全面的堆積プロセスを行うための電源に陽極を接続するための電気接続線を備えている。
【００２０】
平坦化サブシステム４０が図３（ｃ）の下部に示されており、ラッピングプレート５２、関連機構、および、堆積物を平坦化するための制御システム（図示せず）を備えている。
【００２１】
電着を行うために用いるＣＣマスクの教示に加えて、’６３０特許は、電圧の極性を逆にして、上記ＣＣマスクを基板に載置する事もでき、それによって材料は上記基板から選択的に除去できる事も教示している。この事は、そのような除去プロセスが選択的に基板をエッチングしたり、刻んだり、研磨するために使う事ができることを示している。例えば、プラック。
【００２２】
電気めっきされた金属（即ち、電気化学成型加工技術を用いた）から微細構造を形成する方法が、発明の名称が「犠牲金属層を用いた多数レベルの深さのＸ線リソグラフィによる微細構造の形成」であるヘンリー  ガッケルの米国特許第５，１９０，６３７号明細書に示されている。この特許は、マスク照射を利用した金属の形成に関して示している。第１金属の第１層が露出しためっきベース上に電気めっきが施され、フォトレジストの空隙を満たす。その後、フォトレジストは除去され、第２金属が第１層とめっきベース上に電気めっきされる。露出した第２金属の表面を、第１金属を露出させる程度まで機械で切削し、第１金属と第２金属の両方を横切って延在する平坦で一様な表面を形成する。その後、第２層の形成は、フォトレジストを第１層に塗布し、そして、第１層を形成するのに用いた方法を繰り返すことによって始められる。その後、この方法は構造全体が形成され、第２金属がエッチングによって除去されるまで繰り返される。フォトレジストは、めっきベースまたは先の層上に鋳造によって形成され、フォトレジストの空隙はＸ線あるいは紫外線によってパターン形成されたマスクを介してフォトレジストを露光する事によって形成される。
【００２３】
電気化学成型加工は、小型のもの（例えば、中位、及び、小型のもの）、部品、構造、デバイス等の原型を商業的に多量に手ごろな値段と程よい時間で形成する能力を提供する。事実、電気化学成型加工は、従来は不可能であった多くの構造の形成を可能にするものである。電気化学成型加工は、多くの産業分野で新しいデザインや製品の範囲を広げる。電気化学成型加工は、この新しい能力を提供し、そして電気化学成型加工は、種々の分野において知られているデザインや構造と組み合わされ新しい構造を製造できる事は理解できるけれども、電気化学成型加工に対する或る使用によって、特別な使用の分野における技術の状態に鑑みて知られていない或いは自明のデザイン、構造、能力および／または特色が提供される。
【００２４】
電気的な構成要素やシステムの分野、特に、ＲＦやマイクロ波構成要素の分野、小さなサイズのデバイスのためのシステム、製造費を減少させるためや、信頼性を高めるためや、異なる周波数範囲への適用および／または色々な特色を高めるため等において必要性が存在する。
【００２５】
本発明の種々の態様のうち、一つの目的は、小さなサイズを有するＲＦ構成要素を提供する事である。
【００２６】
本発明の種々の態様のうち、一つの目的は、低コストで製造できるＲＦ構成要素を提供する事である。
【００２７】
本発明の種々の態様のうち、一つの目的は、信頼性の高いＲＦ構成要素を提供する事である。
【００２８】
本発明の種々の態様のうち、一つの目的は、より多くの周波数の帯域において適用され得る特色の有るデザインを有するＲＦ構成要素を提供する事である。
【００２９】
本発明の種々の態様のうち、一つの目的は、高い能力、例えば、より広い帯域幅を提供する特性を有するＲＦ構成要素を提供する事である。
【００３０】
本発明の他の目的や種々の態様の利点は、ここに述べた教示を点検すれば当業者にとっては自明の事である。本発明の色々な態様は、ここに明白に説明され、或いは、ここに述べた教示から確かめられ、上記の本発明の目的の夫々か、または、組み合わさったものから明らかであり、ここに述べた教示から確かめられる他の目的から明らかであろう。これらの目的すべてが、本発明の一つの態様によってではなくて、幾つかの態様から明らかにされるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
本発明の第一の態様として、放射線を案内するか、又は、制御する同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供され、上記同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素は、導電性構造に設けられたＲＦ、又は、マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；上記導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ホ゜ート；上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が通過する上記導電性構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；上記入射ポートから上記出射ポートへ上記少なくとも一つの流路の長さにそって延設された中央導電体からなり、上記導電性構造は、上記流路から外部領域へ延設された一つ、又は、それ以上の開口を有し、上記開口は、波長の１／１０或いは２００ミクロン未満の寸法を有し、上記開口は、上記ＲＦを通過させるようには意図されていない。
【００３２】
本発明の第二の態様として、超小型装置の製造方法が提供され、この製造方法においては、（１）付着された材料の複数の層を堆積するステップが行われる。このステップにおいて、上記材料の各層の堆積は、（ｉ）少なくとも第一材料の堆積、および、（ｉｉ）少なくとも第二材料の堆積とからなる。この製造方法は、更に、（２）上記複数の層の堆積後、上記第一材料の少なくとも一部、又は、第二材料の少なくとも一部を除去するステップからなり、上記堆積及び上記除去によって生じた構造によって、ＲＦ又はマイクロ波の制御、案内、送信、或いは、受信構成要素として機能する少なくとも一つの構造が生じる。上記超小型装置は、導電性構造に設けられたＲＦ、又は、マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；上記導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ポート；上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が通過する上記導電性構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；および上記入射ポートから上記出射ポートへ上記少なくとも一つの流路の長さにそって延設された中央導電体からなる。上記導電性構造は、上記流路から外部領域へ延設された一つ、又は、それ以上の開口を有し、上記開口は、波長の１／１０或いは２００ミクロン未満の寸法を有し、上記開口は、上記ＲＦを通過させるようには意図されていない。
【００３３】
本発明の第三の態様として、四つの超小型の同軸要素を有する付着された材料の複数の層からなる四ポートハイブリッドカプラーが提供され、上記四つの同軸要素の一番目のものは、四つのポートの中の二つの間に延設され、２番目のものは、四つのポートの中の他の二つの間に延設され、残りの二つのものは、上記一番目の同軸要素と上記２番目の同軸要素との間に延設され、上記四つの同軸要素の中の少なくとも一つの長さの少なくとも一部は蛇行状に配置されている。
【００３４】
本発明の第四の態様として、複数の光線を形成するためにＮ個のアンテナ要素からなる受動アレーに信号を供給するための回路の製造方法が提供される。この方法は、付着された材料の複数の層を堆積し、夫々が四つの超小型の同軸要素からなる（Ｎ／２）ｌｏｇ２Ｎの四ポートハイブリッドカプラーを、一対の上記同軸要素が各ポートに連結されるように、上記各同軸要素がハイブリッドカプラーの夫々の一対の上記ポート間に延設して形成するステップ、および、移相変換要素を介して、少なくともいくつかのハイブリッドカプラーを他のハイブリッドカプラーに接続し、バトラーマトリックスを形成するステップからなる。
【００３５】
本発明の第五の態様として、複数の光線を形成するためにＮ個のアンテナ要素からなる受動アレーに信号を供給するためのバトラーマトリックスが提供される。このバトラーマトリックスは、（Ｎ／２）ｌｏｇ2Ｎの四ポートハイブリッドカプラーからなり、四つのハイブリッドカプラーの夫々は、四つの超小型の同軸要素からなり、上記四つの同軸要素の一番目のものは、四つのポートの中の二つの間に延設され、２番目のものは、四つのポートの中の他の二つの間に延設され、残りの二つのものは、上記一番目の同軸要素と上記２番目の同軸要素との間に延設され、上記四つの同軸要素の中の少なくとも一つの長さの少なくとも一部は蛇行状に配置されている。
【００３６】
本発明の一つの態様として、超小型の同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供される。上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波要素は、外側導体の軸と実質的に同軸である内側導体を有し、上記内側導体と外側導体とは誘電性の間隙を挟んで隔てられており、上記外側導体の一つの内壁と上記外側導体の反対側の内壁との間における横断面寸法が２００μｍ未満である。本発明のこの態様の変形例として、上記外側導体の横断面形状は実質的に長方形である。
【００３７】
本発明の一つの態様として、所望の周波数帯域において放射線を優先的に通過させる同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供される。上記同軸ＲＦ、又は、上記マイクロ波要素は、導電性構造に設けられたＲＦ、又は、マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；上記導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ポート；上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が通過する上記導電性構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；上記入射ポートから上記出射ポートへ上記少なくとも一つの流路の長さにそって延設された中央導電体；  構成要素が通過する周波数に対する流路内で、上記流路の長さに沿って伝播波長の約１／２か、又は、その整数倍だけ互いに離れて連続する位置において、上記中央導電体と上記導電性構造との間に延設された一つの導電性スポークからなる。上記同軸ＲＦ、又は、上記マイクロ波要素は、下記の条件の中で、一つ又は二つ以上を満足する：（１）上記中央導体、上記導電性構造、上記導電性スポークは一体的である；（２）上記流路に沿った上記放射線の伝播方向に直角である上記流路の横断面の寸法は約１ｍｍ未満であり、より好ましくは、約０．５ｍｍ未満であり、最も好ましくは、約０．２５ｍｍ未満である；（３）上記流路の約５０％以上は気体の媒体で充填され、より好ましくは、上記流路の約７０％以上は上記気体の媒体で充填され、最も好ましくは、上記流路の約９０％以上は上記気体の媒体で充填される；（４）上記要素の導電部の少なくとも一部は電着プロセスによって形成される；（５）上記要素の導電部の少なくとも一部は  連続的に堆積された複数の層から形成される；（６）上記流路の少なくとも一部は長方形である；（７）上記中央導電体の少なくとも一部は長方形である；（８）上記流路は二次元の非直線状の経路にそって延設されている；（９）上記流路は三次元の経路にそって延設されている；（１０）上記流路は、少なくとも一つの湾曲した領域を含み、上記湾曲した領域の上記流路の一側壁は、上記湾曲した領域の上記流路の上記一側壁の反対側より小さな半径を有し、小さな半径を有する複数の表面振動を与えられる；（１１）上記導電性構造は、その表面における電界が、そこに生じた場合は、上記流路内の最大値の約２０％未満、好ましくは、１０％未満、より好ましくは、５％未満、最も好ましくは、ほぼ０である一つ又は二つ以上の位置においてチャンネルを有する；（１２）上記導電性構造は、上記導電性構造の上記表面における電界が、そこに生じた場合は、上記流路内の最大値の約２０％未満、好ましくは、１０％未満、より好ましくは、５％未満、最も好ましくは、ほぼ０である一つ又は二つ以上の位置において、異なる誘電性材料のパッチを有する；（１３）留め繋ぎにされたコーナーは、６０度及び１２０度で交わる上記流路のセグメントに対する少なくともいくつかの連結点において用いられる；および／または（１４）上記導電性スポークは、波長の１／２の整数倍の間隔を置いて配置されており、上記中央導体上の出っ張り、又��、上記導電性構造から延設された出っ張りが、上記導電性スポークから波長の１／２の整数倍の間隔を置かれた一つ又は二つ以上の位置に置いて上記流路へ延設されている。
【００３８】
本発明の一つの態様として、所望の周波数帯域において放射線を優先的に通過させる同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供され、上記同軸ＲＦ、又は、上記マイクロ波要素は、導電性構造に設けられたＲＦ、又は、マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；上記導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ポート；上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が通過する上記導電性構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；上記入射ポートから上記出射ポートへ上記少なくとも一つの流路の長さにそって延設された中央導電体；  上記流路の長さに沿って複数位置に、一つが電気誘導の特性を有し、もう一つが静電容量の特性を有し、夫々が上記流路の一側から延設された閉じたチャンネルへと延設された一対の導電性スタブからなる。構成要素が通過する周波数に対する上記流路内で、上記流路の長さに沿った連続する位置は、伝播波長の約１／４か、又は、その整数倍だけ互いに隔てられ、上記同軸ＲＦ、又は、上記マイクロ波要素において、下記の条件の中で、一つ又は二つ以上を満足する（１）上記中央導体、上記導電性構造、上記導電性スタブは一体的である；（２）上記流路に沿った上記放射線の伝播方向に直角である上記流路の横断面の寸法は約１ｍｍ未満であり、より好ましくは、約０．５ｍｍ未満であり、最も好ましくは、約０．２５ｍｍ未満である；（３）上記流路の約５０％以上は気体の媒体で充填され、より好ましくは、上記流路の約７０％以上は上記気体の媒体で充填され、最も好ましくは、上記流路の約９０％以上は上記気体の媒体で充填される；（４）上記要素の導電部の少なくとも一部は電着プロセスによって形成される；（５）上記要素の導電部の少なくとも一部は  連続的に堆積された複数の層から形成から形成される；（６）上記流路の少なくとも一部は長方形である；（７）上記中央導電体の少なくとも一部は長方形である；（８）上記流路は二次元の非直線状の経路にそって延設されている；（９）上記流路は三次元の経路にそって延設されている；（１０）上記流路は、少なくとも一つの湾曲した領域を含み、上記湾曲した領域の上記流路の一側壁は、上記湾曲した領域の上記流路の上記一側壁の反対側より小さな半径を有し、小さな半径を有する複数の表面振動を与えられる；（１１）上記導電性構造は、上記導電性構造の表面における電界が、そこに生じた場合は、上記流路内の最大値の約２０％未満、好ましくは、１０％未満、より好ましくは、５％未満、最も好ましくは、ほぼ０である一つ又は二つ以上の位置においてチャンネルを有する；（１２）上記導電性構造は、上記導電性構造の上記表面における電界が、そこに生じた場合は、上記流路内の最大値の約２０％未満、好ましくは、１０％未満、より好ましくは、５％未満、最も好ましくは、ほぼ０である一つ又は二つ以上の位置において、異なる誘電性材料のパッチを有する；（１３）留め繋ぎにされたコーナーは、６０度及び１２０度で交わる上記流路の区分に対する少なくともいくつかの連結点において用いられる��および／または（１４）上記導電性スタブは、波長の１／２の整数倍の間隔を置いて配置されており、上記中央導体上の出っ張り、又は、上記導電性構造から延設された出っ張りが、上記導電性スタブから波長の１／２の整数倍の間隔を置かれた一つ又は二つ以上の位置に置いて上記流路へ延設されている。
【００３９】
本発明の一つの態様として、放射線を案内するか、又は、制御する同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供される。この同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素は、導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；上記導電性構造に設けられた上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ポート；上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線が通過する上記導電性構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；上記入射ポートから上記出射ポートへ上記少なくとも一つの流路の長さにそって延設された中央導電体；  および上記流路の下方に設けられた上記中央導電体の分岐からなり、上記中央導電体は上記導電性構造に対して短絡する。上記同軸ＲＦ、又は、上記マイクロ波要素は、下記の条件の中で、少なくとも一つを満足する：（１）上記中央導電体の上記分岐、上記分岐を取り囲む導電性構造、上記中央導電体と上記導電性構造との間の短絡の位置は一体的である；（２）上記中央導電体の少なくとも一部、あるいは、上記導電性構造の少なくとも一部は、連続的に堆積された複数の層から形成された材料を有する；および／または（３）上記中央導電体の少なくとも一部、あるいは、上記導電性構造の少なくとも一部は、複数の電着作業によって形成された材料を有する。
【００４０】
本発明の一つの態様として、放射線を案内するか、又は、制御する同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供される。この同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素は、導電性金属構造における上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポート；上記導電性金属構造における上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの出射ポート；上記ＲＦエネルギー、又は、上記マイクロ波エネルギーが上記少なくとも一つの入射ポートから上記少なくとも一つの出射ポートへ伝播する時、上記ＲＦエネルギー、又は、上記マイクロ波エネルギーが通過する上記導電性金属構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路からなる。上記同軸ＲＦ、又は、上記マイクロ波要素は、下記の条件の中で、少なくとも一つを満足する：（１）上記導電性金属構造の少なくとも一部は、複数の電着作業によって形成された材料を有する；および／または（２）上記導電性金属構造の少なくとも一部は、連続的に堆積された複数の層から形成された金属を有する。
【００４１】
本発明の一つの態様として、放射線を案内するか、又は、制御する同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供される。この同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素は導電性金属構造における上記ＲＦエネルギー、又は、上記マイクロ波エネルギーの少なくとも一つの入射ポート；および上記ＲＦエネルギー、又は、上記マイクロ波エネルギーが上記少なくとも一つの入射ポートから伝播する時、上記ＲＦエネルギー、又は、上記マイクロ波エネルギーが通過する上記導電性金属構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路からなり、上記導電性金属構造の少なくとも一部は、複数の電着作業によって形成された材料および／または連続的に堆積された複数の層から形成された金属を有する。
【００４２】
本発明の一つの態様として、放射線を案内するか、又は、制御する同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素が提供される。この同軸ＲＦ、又は、マイクロ波要素は導電性金属構造における上記ＲＦ、又は、上記マイクロ波放射線の少なくとも一つの入射ポートおよび少なくとも一つの出射ポート；ＲＦエネルギー、又は、マイクロ波エネルギーが上記少なくとも一つの入射ポートへ伝播する時、上記ＲＦエネルギー、又は、上記マイクロ波エネルギーが通過する上記導電性金属構造によって側面に境界を定められた少なくとも一つの流路；および上記少なくとも一つの流路に沿った少なくとも一つの分岐チャンネルからなり、上記流路を取り囲む上記導電牲材料および上記流路からの分岐領域に近接した上記チャンネルは一体的である。
【００４３】
本発明の態様の変形例として、製造は下記の作業の一つ又はそれよりも多くの作業を用いて行われる。（１）第一導電性材料を選択的に電着し、第二導電牲材料を電着する作業、この作業において、上記第一及び第二導電性材料の一つは犠牲材料であり、もう一方は構成材料である；（２）第一導電牲材料を電着し、少なくとも一つの空隙を形成するために上記第一構成材料を選択的にエッチングし、上記の少なくとも一つの空隙に充填するために上記第二導電性材料を電着する作業；（３）少なくとも一つの導電牲材料を電着し、少なくとも一つの流動性の誘電性材料を堆積し、次の電着される材料の層の形成のための準備として上記導電牲材料の種層を堆積する作業；および／または（４）上記第一導電牲材料を選択的に電着し、上記第二導電性材料を電着し、上記上記第一及び第二導電性材料の一つを選択的にエッチングし、その後、第三導電牲材料を電着する作業；この作業において、上記第一、第二、第三導電性材料の少なくとも一つは犠牲材料であり、上記残りの二つの導電牲材料は構成材料である。
【００４４】
本発明の態様の他の変形例として、製造は下記の作業の一つ又はそれよりも多くの作業を用いて行われる。（１）少なくとも一つの構成材料から少なくとも一つの犠牲材料を分離し；（２）（ａ）空隙を形成するために第二犠牲材料及び（ｂ）少なくとも一つの構成材料とから第一犠牲材料を分離し、上記空隙の少なくとも一部を誘電性材料で充填し、その後、上記構成材料及び上記誘電性材料とから上記第二犠牲材料を分離する；  および／または（３）上記構成材料内の上記空隙を、流動性の誘電性材料内に埋め込まれた磁性材料、又は、導電牲材料で充填し、その後、上記誘電性材料を固化する。
【００４５】
本発明の態様の他の変形例として、構成要素には、超小型の同軸構成要素、送信ライン、ローパスフィルター、ハイパスフィルター、バンドパスフィルター、反射系フィルター、吸収系フィルター、漏洩壁フィルター、遅延ライン、他の機能的構成要素を接続するためのインピーダンスマッチング構造、指向性カプラー、パワーコンバイナー（例えば、ウィルキンソン）、パワースプリッター、ハイブリッドパワーコンバイナー、マジックＴＥＥ、周波数多重変換装置、周波数多重分離装置、ピラミッド型（即ち、平滑な壁）のフィードホーンアンテナ、スカラー（波形の）フィードホーンアンテナの中から一つまたはそれ以上が含まれる。
【００４６】
本発明のある態様として、電気装置が提供され、この電気装置は、連続的に堆積された材料の複数の層を有し、堆積から生じたパターンは、電気装置として使用できる少なくとも一つの構造を提供する。
【００４７】
本発明の一態様として、ＲＦ装置の製造方法が提供され、この製造方法は、付着された材料の複数の層を堆積するステップが行われる。このステップにおいて、上記材料の各層の堆積は、少なくとも第一材料の選択的堆積，少なくとも第二材料の堆積、上記堆積された材料の少なくとも一部の平坦化が行われる。この製造方法は、更に、上記複数層の堆積後、上記第一材料の少なくとも一部、又は、第二材料の少なくとも一部を除去する。この製造方法において、上記堆積及び上記除去によって生じた構造パターンは、電気装置として使用できる少なくとも一つの構造を提供する。
【００４８】
本発明の一態様として、超小型装置の製造方法が提供され、この製造方法は、（１）付着された材料の複数の層を堆積するステップが行われる。このステップにおいて、上記材料の各層の堆積は、少なくとも第一材料の堆積、および、少なくとも第二材料の堆積とからなる。この装置方法は、更に、（２）上記複数の層の堆積後、上記第一材料の少なくとも一部、又は、第二材料の少なくとも一部を除去するステップからなる。上記堆積及び上記除去によって生じた構造によって、（１）円環状の誘電子、（２）スイッチ、（３）螺旋状の誘電子、又は（４）アンテナとして機能する少なくとも一つの構造が提供される。
【００４９】
本発明の一態様として、超小型のデバイスの製造装置が提供され、この製造装置は、付着された材料の複数の層を堆積するための手段を有し、上記材料の各層の堆積は、少なくとも第一材料の選択的堆積を行うための手段、少なくとも第二材料の堆積を行う手段、上記複数層の堆積後、上記第一材料の少なくとも一部、又は、第二材料の少なくとも一部を除去するための手段を利用する事によって行われ、上記堆積を行うための手段及び上記除去を行うための手段の使用によって生じた構造によって、１）円環状の誘電子、（２）スイッチ、（３）螺旋状の誘電子、又は（４）アンテナとして機能する少なくとも一つの構造が提供される。
【００５０】
本発明の一態様として、マイクロ円環状の誘電子が提供され、このマイクロ円環状の誘電子は、円環状のパターンの少なくとも一部を形成するような形状を与えられた複数の導電性ループ要素を有し、上記円環状のパターンは、内径および外形を有するように組み合わせられ、上記複数のループの少なくとも一部は、上記内径よりも外形に近い大きな横断面寸法を有する。
【００５１】
本発明の一態様として、マイクロアンテナが提供され、アンテナは、少なくとも部分的に基板から分離される。
【００５２】
本発明の一態様として、ＲＦ装置の製造方法が提供される。この製造方法においては、付着された材料の複数の層を堆積するステップが行われる。このステップにおいて、上記材料の各層の堆積は、少なくとも第一材料の選択的堆積，少なくとも第二材料の堆積、上記堆積された材料の少なくとも一部の平坦化が行われる。この製造方法は、更に、上記複数層の堆積後、上記第一材料の少なくとも一部、又は、第二材料の少なくとも一部を除去する。この製造方法において、上記堆積及び上記除去によって生じた構造パターンは、ＲＦ装置として使用できる少なくとも一つの構造を提供する。
【００５３】
本発明の更なる態様は、ここに述べる教示を検討すれば当業者にとっては明らかであろう。他の態様として、本発明の上記の態様の組み合わせおよび／または一つ、或いは、二つ以上の実施態様の多くの特徴が含まれる。更なる態様として、本発明の上記一つ、或いは、二つ以上の方法を実施するのに用いられる装置が含まれる。本発明のこれらの態様として、上記態様の組み合わせ以外に、下記に説明する形状、構造、機能的関係、プロセスなども含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
図１（ａ）−１（ｇ）、２（ａ）−２（ｆ）、および３（ａ）−３（ｃ）は、公知の電気化学的成型加工の一つの形態の種々の特徴を示す。他の電気化学的成型加工技術は、上記の’６３０特許の明細書、種々の上記の公報、参考のためにここで説明する種々の特許や特許出願において説明されている。この明細書において説明された教示に基づいて、これらの公報、特許、特許出願において説明された技術、又は、他の公知の技術等を組み合わせて当業者が電気化学的成型加工技術を導き出す事ができる。本発明の教示は全て本発明の種々の態様を有する実施態様と組み合わせて好ましい実施態様を創り出す事が可能である。この明細書において明白に説明された実施態様を組み合わせて、更に他の実施態様を引き出せる。
【００５５】
図４（ａ）−４（ｉ）は多層成型加工過程の単一層の形成における種々の段階を示す。この多層成型加工過程において、第二金属は第一金属上および第一金属の開口部内に堆積する。この堆積物は上記層の一部を形成する。基体８２の側面図である図４（ａ）において、図４（ｂ）に示されるように、パターン化出来るフォトレジスト８４を基板８２に流し込む。図４（ｃ）において、フォトレジストの硬化、露出、現像により形成されるそのパターンが示されている。上記フォトレジスト８４のパターニングを行う事によって、フォトレジストの表面８６から基板８２の表面８８へと延びる開口部９２（ａ）−９２（ｃ）が形成される。図４（ｄ）に示されるように、金属９４（ニッケル等）が上記開口部９２（ａ）−９２（ｃ）内に電気メッキされる。図４（ｅ）に示されるように、上記フォトレジストが基板から除去され（化学的に除去され）、第一金属９４で覆われていない基板８２の領域が露出される。図４（ｆ）は、第二金属９６（例えば、銀等）が、基板（導伝性）８２の露出された部分全体上および第一金属９４（導電性）上にブランケット式の電気メッキが施された状態を示している。図４（ｇ）には、上記第一金属９４を露出させるまで上記第一金属９４および上記第二金属９６の厚さを平均化して（上記第二金属９６の高さを第一金属９４の厚さまで減少させて）生じた構造の第一層が示されている。図４（ｈ）には、図４（ｂ）―図４（ｇ）に示されている過程を数回繰り返して生じた結果が示されており、各層が二つの材料からなる多層構造が形成される。ほとんどの用途において、図４（ｉ）に示されるように、これらの（二つの）材料の一つは除去され、望み通りの三次元構造９８（構成部分または装置）が形成される。
【００５６】
ここで開示された種々の実施態様、変更態様、技術は、異なったタイプのパターニングマスクおよびマスキング技術と組み合わせて使用することが出来る。例えば、適合接触マスクおよびマスキング作業を用いる事ができる。近接マスクおよびマスキング作業（即ち、たとえマスクと基板の接触がなくてもマスクが基板に近接していれば、少なくとも部分的に選択的に基板を被うマスク用いる作業）を用いる事ができる。非適合マスクおよびマスキング作業（即ち、マスクおよびその接触表面が適合しないマスクに基づく作業）を用いる事ができる。互いに接着したマスクおよびマスキング作業（マスクおよび単にマスクに接触しているだけではなくて、選択的な堆積、又は、エッチングが行われる基板に接着したマスクを用いる作業）も用いる事ができる。
【００５７】
これら全ての技術は、本発明の種々の態様を有する種々の実施態様の技術と組み合わせて、より高められた実施態様を創り出す事ができる。この明細書において明白に説明された種々の実施態様を組み合わせて、更に他の実施態様を引き出せる。
【００５８】
例えば、ある実施態様では、プロセスを変更して、誘電性材料（例えば、重合体又はできる限り、セラミック材料）、誘電体に埋め込まれた導電体、もしくは、磁性材料（誘電性のバインダーに埋め込まれるか、又は、配置後に燒結された粉末状のフェライト）で完全に又は部分的に充填された導電性構造内に空洞を形成する事ができる。上記誘電材料（複数）は、支持構造として導電性要素を互いに分離状態で保持するために用いることができる、及び／又は、上記誘電材料は、ある装置のマイクロ波の送信特性または吸収特性を部分修正するために用いることができる。誘電体は、積層による形成中の構造内に組み入れることが出来る。もしくは、上記誘電体は、全ての層が形成されてから大量に裏込めによって、又は、選択的に上記構造中に充填することができる。
【００５９】
ある実施態様において製造された構造／装置は、好適なガスで気密的にシールすることが出来る。或いは、構造内の空隙を真空充填する事によって上記構造／装置をシールすることが出来る。他の実施態様では、プラスチックまたはガラスで遮蔽する事によって構造の臨界表面を湿気または損傷を与える環境条件から保護する事が出来る。
【００６０】
更なる例として、ある実施態様においては、二つ以上の導電性材料（例えば、ニッケルと金、または、銅と金）からなる構造を有する事が望ましい。それ故に、このような結果を達成するように変更されたプロセスが実施される。
【００６１】
本発明のある好適な実施態様では、超小型のＲＦ、即ち、マイクロ波送信ラインが提供される。このような送信ラインは、ＲＦ用の組み立て用のブロック及びマイクロ波要素として用いることが出来る。この送信ラインは、長方形の固体の金属からなる中央導体及び固体の金属からなる外側導体を備えた長方形の同軸構造を有することが好ましい。本発明においては、上記超小型の同軸の構成要素、或いは、上記送信ラインとは、外側導体の一つの内壁とこの外側導体の反対側の内壁との間における最少断面寸法が２００μｍである構成要素のことを意味する。同軸送信ラインは横方向基本電磁（ＴＥＭ）モードを支持するので、そのような超小型化に良く適合している。基本電磁理論からすれば、ＴＥＭモードは、ゼロカットオフ周波数を有する事が知られている。それゆえに、ＴＥＭモードは、構造の寸法が如何に小さくても、実用周波数において伝播し続ける。
【００６２】
上記超小型の同軸線の三つの利点は、サイズ、マイクロ波帯域幅、相の直線性である。一般的には、受動送信ライン構成要素の物理的長さは、作動周波数が１ＧＨｚにおいて、例えば、３０ｃｍである場合、１自由空間波長位であらねばならない。それ故に、従来の同軸送信ライン又は導波管の場合は、その構成要素はこの程度の直線寸法を有している。超小型の同軸線の場合は、同軸線を前後に蛇行状に巻くことによって、また、上記同軸線を多くの蛇行レベルに積層する事によっても構成要素をはるかに短くすることができる。
【００６３】
上記超小型の同軸線の二番目の利点は秀でた帯域幅の性能である。ある同軸送信ラインにおいて、これは、ＴＥモードである最上位モードのカットオン周波数によって最高に形成される。基本的電磁気学からは、このカットオン周波数は、外側導体の最大寸法に対して逆比例することが知られている。従来の同軸線において、このカットオンは、一般的には１０ＧＨｚと５０ＧＨｚとの間で起こる。この超小型の同軸線において、このカットオンは容易に１００ＧＨｚよりずっと上回って拡大され、最高周波数をｎｅａｒ−ｔｅｒｍアナログシステムにおいて取り扱うため、又、もっとも急激に変化するパルスをデジタルシステムにおいて取り扱うために、それに対して帯域幅が与えられる。
【００６４】
超小型の同軸線の三番目の利点は相の直線性の程度である。基本電磁気学からすれば、ＴＥＭモードは、零分散で伝播することができる送信ラインにおける唯一のモードである事が知られている。換言すれば、作動する帯域幅内の全ての周波数は同じ相速度を有しているので、ライン上の任意の二点間の関連相の依存関係は周波数と完全に直線的（一次関数）の関係にある。この性質の故に、急激に変化する非正弦波特徴が有り、例えば、急激に変化するデジタルエッジ或いは短いデジタルパルスが歪みなしに伝播する。超小型の同軸線（即ち、２００μｍ以下）のサイズでは、他の全ての公知の送信ライン媒体は、純ＴＥＭモードにおいて伝播しなくて、擬似ＴＥＭモードにおいて伝播する。良い例として、ＳｉデジタルＩＣにおいて共通に用いられているストリップラインやＧａＡやＩｎＰ  ＭＭＩＣ（マイクロ波一体回路）において共通に用いられているマイクロトリップ等が知られている。
【００６５】
寸法以外の好ましい超小型の同軸線の他の特色は、その横断面形状が長方形であると言うことである。中央導電体を円形に（例えば、丸いワイヤー）、また、外側導体として中空のチューブ（例えば、カテーテル）を加工することが比較的に容易であるので、従来の同軸線は、一般的に円形の中央導電体および外側導体からなる。基本電磁理論によれば、長方形の同軸線は、分析的な方法には欠けるが、円形の同軸線と同様の性能を提供する。幸いにも、最近では、構成要素、例えば、長方形の超小型の同軸線等を、いかなる形状やサイズにでもデザインするのに役立つ、数を示す用具（例えば、高周波数シミュレータやＨＦＳＳソフトウエア−）が簡単に手に入れることができる。
【００６６】
ある好ましい実施態様では、選択的パターニングを達成するために少なくとも部分的に電気化学成型加工技術、特に、接触マスクまたは粘着マスクを電気化学成型加工技術を用いて超小型のマイクロ波構成要素を製造する際に超小型の同軸線は使われる。このような方法による成型加工において、例えば、一つの共通のシールド（即ち、外側導体）を用いて隣接する送信ラインが形成される。半導体ＩＣにおいて実現することができないタイプの受動マイクロ波機能、或いは、性能においてかなりの不利を伴って実現することができるタイプの受動マイクロ波機能も知られている。今日の半導体ＩＣでは実現できない機能のふさわしい例は、循環である。即ち、ループの周りの隣接したポート間のマイクロ波のパワーの非相互伝送である。今日の半導体ＩＣの劣った機能の一例は、周波数の多重送信である。即ち、周波数に依存する、一つの入力ポートから多くの異なる出力ポートへのマイクロ波のルート割り当てである。超小型の同軸線は、特に、電気化学的成型加工プロセスの多様性と組み合わせた場合、このような機能性を提供できる構成要素を形成するのに使うことができる。
【００６７】
ある好ましい実施態様においては、超小型の同軸線は、活性半導体装置、特に、ＲＦおよび高速デジタルＩＣと一体化される。このような一体化は、ＩＣ産業において、チップ内の高周波アナログおよびデジタル信号の相互接続およびルート割り当てにおいて問題を投げかけている。このような一体化が有用であるふさわしい例としては、高速マイクロプロセッサーにおけるクロック分配である。シリコン上の従来の（ストリップライン）送信ラインに沿った非常に鋭いエッジを有する送信においては、送信ライン上の拡散および損失のために、常にエッジが歪むか又は拡がってしまう。超小型の同軸線においては、クロック信号は、シングルモードの同軸構造に直接、接続することができ、上記同軸構造においては、クロックパルスの基本的な要素およびフーリエ要素の全ては、同じ速度で長距離を伝播する。それ故に、クロックパルスの歪みおよびそれに関連したクロックスキューは軽減される。これらの送信ラインは、クロック信号ツリー等を形成するために用いることができる。
【００６８】
図５（ａ）乃至図５（ｃ）は、本発明の実施態様に係わるＲＦ／マイクロ波フィルター１０２を示す。図５（ａ）は、スポーク１０４ａ−１０４ｄからなる第一セット１０４を含む同軸フィルター要素の斜視図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のライン４（ｃ）−４（ｃ）から見たフィルター１０２を示す平面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）のライン４（ｃ）−４（ｃ）から見た同軸フィルターを示す平面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）のフィルターが、このフィルターを通過する周波数の帯域におけるほぼ中心周波数の波長（λｏ）の１／２だけ互いに離れた三セットのスポークを含むことを示している。この形状において、このフィルターは、二つのポール（隣接する一対のセットの各々は一つのポールを形成する）を有するブラッグタイプのフィルターと考えられる。ある例では、フィルターの寸法として、表１に示す寸法を採用する事ができる。
【００６９】
【表１】
2005532015.tif 000003
他の実施態様では、通過帯域におけるフィルターの挿入損失、ストップ帯域における減衰、及び遷移領域における特徴等を変えるために、これらの寸法は、変更することができる。更に他の実施態様では、フィルターおよび／またはフィルター構成要素を形成する材料を変更する事によって種々のパラメーターを部分的に修正する事もまた可能である。例えば、フィルター全体をニッケルまたは銅から形成する事ができる。或いは、フィルターを銀または金で部分的に又は全体的にめっきする事ができる。
【００７０】
図５（ｄ）は、変更実施態様の同軸フィルターの中心部分を示す平面図である。この実施態様では、このフィルターは、五セットのスポーク１６０ａ−１６０ｅ（図５（ｄ）において、１セットについて二つのスポークが示されている）を有し、これらのスポークは通過帯域（即ち、１６２、１６４、１６６、１６８、波長：λｏ／２）における中心周波数の波長の約１／２だけ互いに離れている。この図は、四つのポールを示す。
【００７１】
他の実施態様では、フィルターを形成するときに、ポールの数は変更できる（例えば、三つ、五つ、または、それ以上）。
【００７２】
図６（ａ）は、一セットにつき四つのスポークを有する複数個のスポークのセットを用いる長方形のフィルターの端部を示す。一例では、フィルターの寸法として、表２に示す寸法を採用する事ができる。
【００７３】
【表２】
2005532015.tif 000004
図５（ａ）乃至図５（ｃ）の正方形のフィルターの場合と同様に、上記の寸法は、長方形の同軸フィルターに対して変更できる。この長方形のフィルターの最も好ましい実施態様において、スポークからなる複数のセットは互いにλｏ／２の間隔で配置される。
【００７４】
図６（ｂ）および６（ｃ）は、図示したタイプの同軸フィルター（即ち、円形および楕円形状）に対する二つの他の形状の横断面図である。他の実施態様では、他の横断面形状とすることが出来る。更に、内側導体３０２、３０２’と外側導体３０４、３０４’とは、夫々、その横断面形状が互いに異なっていても良い。更に、他の実施態様では、スポークは、異なった断面形状（正方形、長方形、円形、楕円形等）とすることができる。
【００７５】
図７（ａ）−７（ｄ）は、同軸フィルターにおいて用いられる他の例のスポークの形状を示す。図７（ａ）−７（ｄ）に示す、二つのスポーク３１２および３１４が用いられた実施態様では、この二つのスポークは、長方形の外側導体３１６の長い方の辺に沿って延設されており、このスポークの形状は、対称的である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の二つのスポークと類似のスポーク３２２、３２４を示しているが、この二つのスポークは長方形の外側導体３２６の短い方の辺に沿って延設されている点が図７（ａ）の二つのスポークとは異なる。図７（ｃ）は、図７（ａ）および図７（ｂ）のスポークと同様に、二つのスポークが用いられた実施態様を示すが、一つのスポーク３３２は水平方向（長方形の外側導体３３６の長辺）に延設され、他のスポーク３３４は垂直方向（長方形の外側導体３３６の短辺）に延設されている。図７（ｄ）においては、一つだけのスポーク３４２が用いられており、各セットを構成している。
【００７６】
一例として、図７（ａ）の実施態様では、表２に示された寸法を採用することが出来るが、この形状においては、寸法２４２および２４４は存在しない。他の例として、図７（ａ）の実施態様では、表３に示された寸法を採用することが出来るが、この表では、参照番号にアポストロフィがつけられている。
【００７７】
【表３】
2005532015.tif 000005
ある変更実施態様では、異なるスポークの数（例えば、三個又は五個）と形状（複数個のスポークが導線の一つの辺から延設されており、又、全てのスポークが内側導体から外側導体へと半径方向において外側へ延設されていない）が採用されている。
【００７８】
図８（ａ）および８（ｂ）は、本発明の他の実施態様の非直線状の同軸フィルターの構成要素を示す斜視図である。図８（ａ）は、蛇行形状の同軸フィルターを示し、図８（ｂ）は、螺旋形状の同軸フィルターを示している。更に、他の変更実施態様では、同軸フィルターは、巻き線構造の平面の外に入り口および出口が形成された形状、或いは、概して巻き線構造を積層形状、或いは、三次元に伸ばした形状等のように他の形状を用いることができる。このように三次元の積層を行う事によって、従来得られるフィルターよりも小さいフィルターを得ることができる。
【００７９】
図９（ａ）−９（ｃ）は、同軸フィルターの構成要素の変更実施態様を示す。この実施態様では、スポークの組み合わせが用いられており、内側導体あるいは外側導体に沿って二つの突起が形成され、この突起は、ＲＦ又はマイクロ波信号をフィルターに通し易くする働きを有する。特に、図９（ａ）に示す実施態様では、スポーク３５２、３５４、３５６、３５８は外側導体３６２の端部に配置され、この外側導体３６２の中間部から端部には、突起３７２、３７４、３７６、３７８が、その内側表面に配置されており、その長さは、波長の１／４（λｏ／４）で、それらは約λｏ／２の間隔を置く事が好ましい。他の変更実施態様では、突起に対向して外側導体３６２において凹部の形成が考えられる。図９（ａ）に示す実施態様では、スポークは、上記の実施態様とは異なり、λｏ／２だけ離して配置されていないが、その代わり、λｏ／２の整数倍だけ離して配置されている。この実施態様では、整数倍は３である。
【００８０】
図９（ｂ）に示す実施態様では、スポーク間の距離は、全部がλｏ／２の整数倍ではなく、中間のλｏ／２の位置において、突起３８２、３８４、３８６、３８８（長さは、ほぼλｏ／２）が内側導体に形成されている。
【００８１】
図９（ｃ）に示す第三変更実施態様では、内側導体には、突起だけでなく、スポーク３９４、３９６中間部セットも形成されている。隣接するフィルター要素のセット間の間隔は最も好ましくはλｏ／２である。
【００８２】
更なる実施態様では、スポーク、突起、および／または刻み目は、夫々、異なる形状を有することが可能である。ある実施態様では、隣接するフィルター要素（スポーク、突起、および／または刻み目）間の間隔はλｏ／２の整数倍にする事は可能である。
【００８３】
図９（ａ）−９（ｄ）に示す実施態様においては、構造において設けられたスポークは、内側導体を充分に支持する役目を果たすので、誘電体もしくは他の支持媒体を設ける必要がない。それ故に、最も好ましい実施態様では、内側導体は、外側導体と、空気、気体の媒体または真空スペースを挟んで隔てられてもよい。他の実施態様では、固体または液体の誘電材料を内側導体と外側導体との間の間隙に部分的にまたは全体的に挿入してもよい。誘電材料は、導体の形成後か、又は、導体が形成されたもとの位置に挿入される。以下に実施プロセスの種々の例について説明する。
【００８４】
図９（ｄ）は、二つの蛇行形状のポール同軸フィルターの長さ方向における中心部分を示す平面図である。図９（ｄ）に示す実施態様では、スポークは設けられないが、フィルター効果を得るために内側導体３９２’に設けられた突起３９４、３９６、３９８が使われる。他の変更実施態様では、外側導体３６２’の内部に設けた突起も用いる事ができる。あるいは、外側導体または内側導体の内部に設けた突起の組み合わせも用いる事ができる。スポークが使われないので、外側導体に対して内側導体の位置は固定する事が出来ない。導電性材料の組み付け中に外側導体と内側導体との間に誘電体が形成される種々の実施態様について以下に説明する。積層中に使われる導電性支持体から、内側導体と外側導体との間に完全に又は部分的に形成される固体の誘電体までの遷移を可能とする種々の実施態様について説明する。
【００８５】
図１０（ａ）−１０（ｄ）は、放射線の伝播の方向における急激に変化する遷移を含む同軸線の要素の長さ方向における中央部分の平面図である。本発明の製造方法によれば、同軸構成要素および導波管構成要素には、デザインの幾何学的な複雑さ又は、留め継ぎにする位置に届く道具類の接近に対してほとんど気ずかいすることなく種々の程度の留め継ぎ湾曲部が挿入され得る。図１０（ａ）は、一つの同軸部分４０２から他の同軸部分４０４への遷移、更に、他の同軸部分への遷移を示している。この図では、変わり目４１２、４１４、４１６、４１８、４２２、４２４、４２６、４２８は、９０度の遷移として示され、これらの急激に変わる湾曲部に起因してかなりの反射が生じると予想される。図１０（ｂ）は、変わり目４１２’’’、４１４’’’における損失（例えば、反射）を減らし易くするため留め継ぎにされた面４３２、４３４を示している。図１０（ｃ）は、全ての変わり目４１２’、４１４’、４１６’、４１８’、４２２’、４２４’、４２６’、４２８’における留め継ぎにされた面を示す。これらの変わり目は、更なる損失を減らし易くするためのものである。更なる実施態様では、確実に放射線の大半の部分が９０度でない入射角で衝突するように面の長さを延長（例えば、面４１２、４１４の長さ）することが出来る。図１０（ｄ）では、多くの面が遷移領域４１２”、４１４”、４１６”、４１８”、４２２”、４２４”、４２６”、４２８”の各々に適用できる事を示している。本発明の製作方法の留め継ぎ効果は、同軸構成要素（例えば、伝送ライン、フィルター等）だけに適用されるだけでなく、導波管（例えば、内部寸法が８００μｍ以下、４００μｍ以下あるいは、それ以下の寸法の導波管、又は、伝播経路が複雑なので、サイズを小さくするか、又は、組み立ての困難さを少なくするために一体構造が望まれる大きな導波管）にも適用される。
【００８６】
図１１（ａ）および１１（ｂ）は、夫々、同軸送信ライン４３８および同軸フィルター構成要素４４０の中心部に沿った平面図であって、凹凸４３６が、同軸線の小さい半径側の内表面に形成されている。上記凹凸は平滑で且つ波状であっても良いし、又は、不連続な形状であっても良い。上記小さい呼称半径を有する表面が単純なカーブ４４２であると仮定した場合は、上記凹凸は、小さい呼称半径を有する側に沿って経路の長さを外側壁に沿った経路の長さのそれに近いように増加させるものである。
【００８７】
図１２（ａ）−１２（ｃ）は、本発明の一実施態様に係わる同軸の三本のポール状のスタブをベースとしたフィルターを示す。図１２（ａ）は、フィルターの長さ方向の中心部分の平面図（上から見た図）である。図１２（ｂ）は、長方形の構造を示す図１２（ａ）のフィルターの端面図である。図１２（ｃ）は、図１２（ａ）および図１２（ｂ）のフィルターの円形の変形例を示す平面図である。図１２（ａ）−１２（ｃ）に示すフィルターは、表４に示す寸法に設定できる。
【００８８】
【表４】
2005532015.tif 000006
各一対のスタブ５２２、５２４は、静電容量のリアクタンスおよび誘導性のリアクタンスを夫々提供し、組み合わさってフィルターのポールを提供する。各スタブは外側導体５５６のサイドチャンネル５５２、５５４の端部において夫々短絡させている。ポール間の間隔は、フィルターの通過帯域の中心周波数の波長の約１／４（λｏ／４）である事が好ましい。スタブの長さは、静電容量のリアクタンス（例えば、λｏ／４より長い）および誘導性のリアクタンス（λｏ／４より短い）を提供するように選ばれる。ある変更実施態様では、ポール間の間隔は、λｏ／４の整数倍に広げることができ、他のフィルタリング要素は構成要素（スポーク、突起等）に付加することができると思われる。
【００８９】
他の実施態様では、これらの寸法は、通過帯域におけるフィルターの挿入損失、ストップ帯域における減衰、遷移領域および通過帯域における特徴等を変えるために変更することができる。更に他の実施態様では、フィルターおよび／またはフィルター構成要素を形成する材料を変更する事によって種々のパラメーターを部分的に修正する事もまた可能である。例えば、フィルター全体をニッケルまたは銅から形成してもよいし、フィルターを銀または金で部分的に又は全体的にめっきしても良い。
【００９０】
ある変更実施態様では、一つの短絡したスタブ（分路インダクタンスを提供する）から各ポールおよびチャンネル（例えば、誘電体の中へ）の端部で短絡する一つのスタブ（分路キャパシタンスを提供する）を形成することができ、静電容量性スタブは、そのオープン形状のために短絡することができる。
【００９１】
図１３（ａ）は、Ｓ字形の二本のポール状のスタブをベースとした同軸帯域フィルターの長さ方向における中心部の平面図（上から見た図）である。入り口６０２および出口６０４は、外側導体６０８の通路６０６によって接続される。上記外側導体６０８からは、二対のチャンネル６１２、６１４が延設されている。通路６０６の中心の下側には、内側導体６１６が延設されている。上記内側導体６１６からは、スタブ６２２、６２４が延設され、上記チャンネル６１２、６１４の端部において外側導体６０８内で短絡している。
【００９２】
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のフィルターに比べて幾らか修正された形状を有するフィルター６３０の斜視図である。図１３（ｂ）のフィルターは、ＭＥＭＧｅｎ’ｓ  ＤＦＡＢＴＭ  電気化学的な成型加工を用いて作られた。フィルターは、接地リード線６３２および基板（例えば、回路基板、ＩＣ等）に、犠牲材料が除去されてから接続するための信号リード線６３４の両方を有する。このフィルターは、外側導体において複数の孔６４２（開口）を有し、この開口は、内側導体と外側導体との間からの犠牲材料の除去を容易にする。この例においては、この孔は、各々１５０ミクロンの長さを有し、５０ミクロンの高さを有し、遮蔽導線の壁を完全に貫通して８０ミクロンの長さだけ延設されている。
【００９３】
図１３（ｃ）は、構成材料から犠牲材料を除去した後に、部分的に形成された、互いに近寄ったフィルター（図１３（ｂ）に示されたようなもの）の斜視図である。この図において、同軸要素（遮蔽壁）の外側壁は目に見え６５２、また、それらの中に延設された開口６５４も又、目に見える。中心にある導体６５６も又、目に見える。
【００９４】
ここで論じるエッチング孔は、犠牲材料を効率的に且つ完全に除去し、上記構造の電気的性質を妨害しないように、好ましいサイズを有し、同軸構造、又は、導波管構造の領域に配置されているのが好ましい。この点において、上記孔は、当該波長よりもずっと高いカットオフ周波数（下限）を有する導波管として作用し、それ故に、上記構造のＲＦ特徴を著しい衝撃を与えないように、それらは当該波長又は波長（複数）よりもかなり小さい寸法を有するのが好ましい。この点において、上記構造は、当該波長より０．１、０．０１、或いは、０．００１倍小さいことが好ましい。波長が高くなるにつれて、このような制限値は、エッチング孔が小さすぎて、犠牲材料を効果的に除去できない結果となり、このような場合、減少係数はより小さくなければならない．
図１４（ａ）および１４（Ｂ）は、外側導体の長さ方向に沿って開口（例えば、チャンネル）を備えた、変更されたデザインを有する同軸フィルター要素の斜視図であり、この開口は放射線の出入り口として設けられたものではない。本発明の幾つかの製造実施態様において、この開口は、外側導体内の小さな空洞およびチャンネル内に堆積した犠牲材料から構成材料７０２を分離し易くするものである。犠牲材料７０４の化学的なエッチングを行う本発明の幾つかの実施態様において、上記開口は、エッチング剤が小さな空洞およびチャンネル内に入り易くするためのものである。犠牲材料を溶融し、流動させる事によって構成材料からの分離を行う他の実施態様においては、上記開口は必要ないが、もし上記開口が選択された位置（例えば、ブラインドチャンネル等の端部の近く）にある場合は、上記開口は、供給された圧力が犠牲材料を除去し易くする。図１４（ａ）は、上記犠牲材料内に埋め込まれ、上記犠牲材料が充填された構成材料から形成された構成要素７０６の斜視図である。図１４（ｂ）は、上記犠牲材料から分離された構成要素７０６の斜視図である。
【００９５】
図１５（ａ）−１５（ｄ）は、上記種々のフィルターのデザインに対する数学的なモデルによる、周波数に対する伝送のプロットを示している。図１５（ａ）は、図７（ａ）の形状と同様の形状を有し、ニッケルから形成された二ポールフィルター（三セットのスポーク）に対するモデル化された伝送プロットを示す。構成要素の寸法は表５に示されている。図１５（ａ）から分かるように、フィルターの帯域は、２８ＧＨｚを中心とし、通過帯域では、挿入損失は２０−２２ｄＢで、ストップ帯域では、挿入損失は６１−７７ｄＢである。
【００９６】
【表５】
2005532015.tif 000007
図１５（ｂ）は、図９（ｄ）に示された二ポールフィルター（内側導体に形成された三セットのスポーク）に対するモデル化された伝送プロットを示す。この図において、各突起の長さは、約λｏ／４で、上記突起の中心間の距離は約λｏ／４で、上記突起は、図７（ａ）の形状と同様の形状を有し、ニッケルから形成されている。外側導体の内径は約２４０μｍで、中央導体の直径の遷移は２０μｍと２２０μｍとの間で、突起の長さは約１５ｍｍであり、上記突起の中心間の間隔は、約３０ｍｍである。図１５（ｂ）から分かるように、帯域は、５ＧＨｚを中心とし、通過帯域での挿入損失は５−６ｄＢで、ストップ帯域での挿入損失は１３−１８ｄＢである。
【００９７】
図１５（ｃ）および１５（ｄ）は、図１２（ａ）−１２（ｃ）に示された構造および寸法に従った形状を有するモデル化された伝送プロットを示す。これらの図において、構成材料は、図１５（ｃ）のフィルターではニッケルで、図１５（ｄ）のフィルターでは金めっきされたニッケルである。図１５（ｃ）から分かるように、帯域は、通過帯域での挿入損失は７−８ｄＢ程度で、図１５（ｄ）は、挿入損失が１−２ｄＢであることを示している。
【００９８】
図１６は、積層ベースで堆積される一つの導電性材料および一つの誘電性材料から三次元構造を組み立てる電気化学的成型加工プロセスのフローチャートを示している。
【００９９】
図１６のプロセスでは、ブロック７０２で始まり、現在の層番号ｎは１に設定される。構造／装置の形成は、層１から始まり、最終層Ｎで終わる。
【０１００】
現在の層番号を設定した後、プロセスは判断ブロック７０４へ進み、上記基板の所望の領域において導電性材料の電着が行えるように基板の表面が完全に導電性であるか又は少なくとも充分に導電性であるかどうかについて質問がなされる。もし材料が、導電性であり、電力が供給される基板の表面の一部と連続している上記基板のある領域のみに堆積されるならば、上記基板の全表面が必ずしも導電性である必要はない。本発明において、基板と言う用語は、材料からなる層が堆積されるベースを指す。プロセスが進むにつれて、上記基板の形態は変えられ、上記基板上に層が連続的に堆積される。
【０１０１】
質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスはブロック７０８へ進む。質問に対する返答が“ｎｏ”の場合は、プロセスは、ブロック７０６へ進み、第一導電性材料の種層を上記基板に塗布する。上記種層の塗布は、多くの異なった方法で行われる。上記種層の塗布は、選択的な方法（例えば、最初に基板をマスクで被覆し、その後、種層を塗布し、その後、上記マスク、および、そこに堆積された材料とを除去する事によって行う）或いは、バルク式か、又は、ブランケット式堆積方法で行う。導電層は、例えば、物理的または化学的蒸着プロセスによって堆積される。また、代わるべき手段として、導電層は、固化できるか、または、上記基板に接着できる糊としてか、又は、他の流動性の材料の形態をとることができる。更なる代わるべき手段として、導電層は、上記基板に接着されるシートとして供給する事ができる。種層は、構造の層の大半を形成するのに用いられる電着による厚さに比べて非常に薄いものである。
【０１０２】
種層の塗布後、プロセスは、第二導電性材料の堆積を必要とするブロック７０８へ進む。最も好ましい堆積方法は、一つ又はそれ以上の開口が存在する基板と接触する誘電性のＣＣマスクを用いる選択的プロセスであって、上記開口を介して上記導電性材料は、上記基板に電着される。材料の選択的な堆積を行う他の形態も又、使う事ができる。種々の変更プロセスにおいて、第一および第二導電性材料は互いに異なっていてもよいし、或いは、同じ材料からなるものであってもよい。それらが同じ材料からなるものである場合は、形成された構造は、より等方性の電気的特徴を有する。一方、それらが互いに異なっている場合は、第二導電性材料を損傷する事なしに、第一導電性材料の露出した領域を分離するために選択的な除去作業を使うことができる。
【０１０３】
その後、プロセスは、堆積した導電性材料によって被覆されてない種層の部分を除去する事を必要とするブロック７１０へと進む。これは、誘電性材料を堆積する準備として行われる。ある実施態様では、種層が、直前の層に堆積した導電性材料上に積層された領域では、この種層を除去する必要がない。しかし、容易さからすれば、ある状況においては、バルク式除去プロセスが好ましい。上記種層は、種層の材料（もしそれが、第二導電性材料と異なる場合）に対して選択的に行われるエッチングプロセスによって除去する事ができる。このようなエッチング作業においては、種層は、非常に薄いので、適当なエッチング制御が使われる限り、上記第二導電性材料によって被覆される上記種層は、ほとんど、或いは、全く損傷される事はない。上記種層の材料が、上記第二導電性材料と同じである場合は、エッチングのパラメーター（例えば、時間、温度、および／またはエッチング液の濃度）を制御する事によって、堆積された上記第二導電性材料に対して大した損傷を与えることなしに非常に薄い上記種層を除去する事ができる。
【０１０４】
次に、プロセスは誘電性材料の堆積を必要とするブロック７１２へ進む。上記誘電性材料の堆積は、種々の方法で行われ、選択的方法またはブランケット式方法、または、バルク式方法を用いて行われる。本発明の実施態様のプロセスでは、導電性材料のはっきり識別できる領域および誘電性材料のはっきり識別できる領域を含む平坦化された複合層が形成され、また、余分な材料が平らにされるので、上記誘電性材料をブランケット式方法による誘電性材料の堆積によって損傷（潜在的廃棄物と関連している以外）を与えることはなく、実際、より広い範囲の堆積の可能性を提供する。上記誘電性材料の堆積は、スプレー、スパッタリング、塗布、噴射等を用いて行われる。
【０１０５】
次に、プロセスは、堆積材料の平坦化を行って所望の正味厚さを有する構造のｎ番目の層を形成することを必要とするブロック７１４へ進む。平坦化は、ラッピングおよび／またはＣＭＰを含む種々の方法で行われる。
【０１０６】
ブロック７１４での作業によって層の形成が完了すると、プロセスは判断ブロック７１６へ進む。この判断ブロックでは、ｎ番目の層（即ち、現在の層）が構造の最後の層（即ち、Ｎ番目の層）であるかどうかについての質問がなされる。もしそうの場合は、プロセスはブロック７２０へ進み、終了する。もしそうでないならば、プロセスはブロック７１８へ進む。
【０１０７】
ブロック７１８では、“ｎ”だけ増加される。その後、プロセスはブロック７０４へ折り返し、そこで、再び上記基板（即ち、形成されたばかりの層の付加を有する先の基板）が充分に導電性を有するかどうかについての質問が行われる。
【０１０８】
Ｎ番目の層の形成が完了するまでプロセスはブロック７０４−７１８をループし続ける。
【０１０９】
図１７（ａ）は、外側導電要素７２４、内側導電要素７２６、埋め込まれた誘電領域７２８、および外部誘電領域７３０を有する同軸構造の一端部を示す図である。図１６のプロセスを拡張したある実施態様では、領域７２８からのこのような除去は、確実に内側導電要素７２６に対して適切な支持が出来ると言う前提のもとに、領域７３０から誘電体の一部又はすべてと、領域７２８から誘電体の一部又はすべてを除去するためにポストプロセス（即ち、全ての層の堆積後に、行われるプロセス）を用いることができる。
【０１１０】
図１８（ａ）−１８（ｊ）は、図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。図１８（ａ）−１８（ｊ）は、積層によって組み付け中の構造の横断面を示す垂直平面図である。図１８（ａ）はプロセス（即ち、層が堆積される素材基板７３２）の開始材料を示している。図１８（ｂ）は、第一層に対して、選択的に堆積された第二導電性材料７３４−１’を示す。このプロセスを始める際に、種層の使用なしで堆積を可能にするために、供給された基板は充分に導電性があるものとする。図１８（ｃ）は、ブランケット式方法で堆積された誘電性材料７３６−１’（作業ブロック７１２）を示し、図１８（ｄ）は、作業／ブロック７１４での平坦化作業の結果として形成された第一層Ｌ１を示す。この完成された第一層は、所望の厚さ、導電性材料７３４−１および誘電性材料７３６−１のはっきり識別できる領域を有する。
【０１１１】
図１８（ｅ）は、第二層の形成と関連する最初の作業（ブロック７０６）を行った結果を示す。誘電性材料で形成されいる第一層の重要な部分として種層７３８−２’の塗布は第二層にとって必要であり、更に、センター導電領域は二つの外側導電領域から分離している。図１８（ｆ）は、第二層に対して選択的に堆積された第二導電性材料（作業ブロック７０８）７３４−２’を示し、更に、種層７３８−２’のある部分７３８−２”が上記第二導電性材料７３４−２’によって被覆されていない状態を示し、図１８（ｇ）は、第二層７３８−２に対して正味種層を生じる上記種層７３８−２’（作業７１０）の非被覆部分を除去した状態を示す。図１８（ｈ）は、第二層（作業ブロック７１２）に対する、ブランケット式で堆積された誘導材料７３６−２’を示している。図１８（ｉ）は、平坦化プロセス（作業ブロック７１４）によって形成された第二層Ｌ２を示しており、この第二層は導電性材料７３４−２および誘電層７３６−２のはっきり識別できる領域を含む。
【０１１２】
図１８（ｊ）は、層Ｌ１−Ｌ７からなる完成された構造を示す。層Ｌ３−Ｌ７を形成するための作業は、層Ｌ２の形成に用いた作業と同様である。図１８（ｊ）に示す構造／装置は実際に使う事は出来る。或いは、最終的に使用するための準備として追加の処理作業を行う事ができる。
【０１１３】
図１６に示す実施態様の種々の変更態様を実施することが可能である。一つの変更例として、堆積の順番を逆にすることができる。他のプロセスでは、選択的に材料を堆積する代わりに、夫々の材料をバルク式堆積法で堆積し、選択的なエッチング作業を用いて材料の“ネット”選択的な配置を行うことも考えられる。
【０１１４】
図１９は、電気化学的成型加工プロセスのフローチャートを示し、これは、図１６のプロセスよりも幾分複雑である。図１９のプロセスにおいては、積層をベースとして堆積される三つの導電性材料を用いて三次元の構造／装置が形成される。このプロセスにおいては、基板を除けば、全ての材料は導電体であるので、図１６のプロセスに比べて層の形成プロセスは簡単になる。しかしながら、各層に三つの材料が堆積され或いは堆積されない場合もあるが、このプロセスは、その複雑さだけでなく、優れた機能性および用途の多い構造を創り出す事ができる。
【０１１５】
プロセスは、ブロック８０２で始まり、現在の層番号ｎは１（ｎ＝１）に設定される。次に、プロセスは判断ブロック８０４へ進み、基板の表面が完全に導電性であるか又は少なくとも充分に導電性であるかどうかについて質問がなされる。質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスはブロック８０８へ進む。一方、質問に対する返答が“ｎｏ”の場合は、プロセスは、第一導電性材料の種層を上記基板に塗布するブロック８０６へ進む。次に、プロセスは判断ブロック８０８へ進む。
【０１１６】
ブロック８０８において、第一導電性材料がｎ番目の層（即ち、現在の層）に堆積するかどうかついて質問がなされる。質問に対する返答が“ｎｏ”の場合は、プロセスはブロック８１２へ進む。一方、質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは、第一材料の選択的堆積を必要とするブロック８１０へ進む。その後、プロセスは、判断ブロック８１２へ折り返す。
【０１１７】
ブロック８１６において、第三導電性材料をｎ番目の層（即ち、現在の層）に堆積するかどうかついて質問がなされる。質問に対する返答が“ｎｏ”の場合は、プロセスはブロック８１６へ進む。一方、質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは第二導電性材料の堆積を必要とするブロック８１４へ進む（この堆積は選択的、又は、バルク式）。その後、プロセスは判断ブロック８１６へ折り返す。
【０１１８】
ブロック８１８において、第三導電性材料をｎ番目の層（即ち、現在の層）に堆積するかどうかついて質問がなされる。質問に対する返答が“ｎｏ”の場合は、プロセスはブロック８２８へ進む。一方、質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは判断ブロック８１８へ進む。
【０１１９】
ブロック８１８において、第二導電性材料がｎ番目の層（即ち、現在の層）に堆積されたかどうかついて質問がなされる。質問に対する返答が“ｎｏ”の場合は、プロセスは、ブロック８２６へ進む。一方、返答が“ｙｅｓ”の場合、プロセスは、部分的に形成された層を所望のレベルにおいて平坦化を必要とするブロック８２２へ進む。これにより、上記層の暫時の厚さが、最終層の層に対する所望の層の厚さよりも僅かに厚くなる。次に、プロセスは、堆積された材料への選択的なエッチングが必要とされるブロック８２４へ進み、一つ又はそれ以上の空隙を形成し、その中に第三材料が堆積される。次に、プロセスは、判断ブロック８２６へ折り返す。
【０１２０】
ブロック８２６では、第三導電性材料の堆積が必要とされる。第三導電性材料の堆積は、選択的、又は、バルク式で行われる。次に、プロセスはブロック８２８へ折り返す。
【０１２１】
ブロック８２８では、堆積された材料の平坦化が必要とされ、所定の厚さを有する平坦化された最終層であるｎ番目の層を得る。
【０１２２】
ブロック８２８での作業でｎ番目の層の形成が完了すれば、プロセスは判断ブロック８３０へ進む。この判断ブロックでは、ｎ番目の層（即ち、現在の層）が構造の最後の層（即ち、Ｎ番目の層）であるかどうかについての質問がなされる。もしそうであるならば、プロセスはブロック８３４へ進み、終了する。もしそうでないならば、プロセスはブロック８３２へ折り返す。
【０１２３】
ブロック８３２では、“ｎ”だけ増加される。その後、プロセスはブロック８０８へ折り返し、そこで、再び第一導電性材料をｎ番目の層に堆積するかどうかについての質問が行われる。Ｎ番目の層の形成が完了するまでプロセスはブロック８０８−８３２をループし続ける。
【０１２４】
図２０（ａ）−２０（ｂ）は、導電要素および図１９に示すプロセスにしたがって部分的に形成する事ができる誘電性支持構造を含む構造を示す斜視図である。図２０（ａ）の同軸構造／装置は、外側導体８４２、内側導体８４４、この二つの導体を所望の相対位置に保持する誘電性支持構造８４６を有する。形成中は、内側導体および外側導体は、図１９（主材料）に示すプロセスに関連して説明した三つの導電性材料の中の一つから形成され、外側導体は入り口８４８および出口８５０のみならず処理ポート８５２をも有する。これらの処理ポート内に第二導電性材料は位置し、上記内側導体８４４と接触する。上記構造の全ての層が形成された後に、上記第二導電性材料は除去され、上記誘電性材料８４６が、形成された空隙または複数の空隙に充填される。その後、第三の導電性材料は除去され、くぼみが形成された図２０（ａ）に示す構造／装置が残される。図２０（ａ）の説明において、第一材料、第二材料、第三材料の参照番号は、図１９に示すプロセスの第一材料、第二材料、第三材料の参照番号に一対一で対応するが、必ずしも全部がそうであるとは限らない。
【０１２５】
図２０（ｂ）に示す構造は、図２０（ａ）のプロセスの構造と同様であるが、内側導体および外側導体は、態様が変更された誘電性構造８４６’によって所定位置で強固に保持されている点が異なる。
【０１２６】
図２１（ａ）−２１（ｔ）は、図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において説明した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【０１２７】
図２１（ａ）は、プロセス（即ち、層が堆積される素材基板８５２）の開始材料を示している。プロセスの進行する過程において、供給された基板は充分に導電性を有し、種層の塗布なしに堆積を（即ち、ブロック８０４において質問に対する応答が“ｙｅｓ”）可能にすると仮定し、且つ、ブロック８０８における質問に対する応答が“ｙｅｓ”であると仮定する。図２１（ｂ）は、第一層としての最初の堆積８５４−１’を形成するための第一導電性材料８５４の堆積に関連したブロック８１９での作業の結果を示している。次に、ブロック８１２における質問に対する応答が、第一層に対して“ｙｅｓ”であると仮定する。又、ブロック８１６における質問に対する応答が、第一層に対して“ｎｏ”であると仮定する。それ故に、図２１（ｃ）は、第一層の形成を終えるために、第二材料８５６（ブロック８１０）の堆積と、堆積された第一および第二導電性材料８５４−１、８５６−１（ブロック８２８）の平坦化とを組み合わせて示している。図２１（ｄ）および２１（ｅ）は、第一および第二導電性材料の夫々のはっきり識別できる領域８５４−２、８５６−２からなる第二層Ｌ２の形成のための第一層に対して行われた同じ処理および作業を示している。図２１（ｆ）および２１（ｇ）は、第一および第二導電性材料の夫々のはっきり識別できる領域８５４−３、８５６−３からなる第三層Ｌ３の形成のための第一層および第二層に対して行われた同じ処理および作業を示している。
【０１２８】
図２１（ｈ）−２１（ｋ）は、構造／装置の第四層Ｌ４の形成に関連した幾つかの作業の結果を示している。図２１（ｈ）は、第四層としての最初の堆積８５４−４’を行うための第一導電性材料８５４の堆積に関連したブロック８１０での作業の結果を示している。次に、ブロック８１２における質問に対する応答が、第四層に対して“ｙｅｓ”であると仮定する。又、ブロック８１６における質問に対する応答が、第四層に対して“ｙｅｓ”であると仮定する。それ故に、図２１（ｉ）は、平滑に、且つ、部分的に第四層を形成するために、第二材料８５６（ブロック８１０）の堆積と、堆積された第一および第二導電性材料８５４−４’、８５６−４’（ブロック８２２）の平坦化とを組み合わせて示している。図２１（ｊ）は、平坦化された堆積８５６−４’の一部をエッチングで除く作業の結果を示している。図２１（ｋ）は、第一導電性材料、第二導電性材料、第三導電性材料の夫々のはっきり識別できる領域８５４−４、８５６−４、８５８−４からなる第四層を形成するための作業８２６、８２８の結果を組み合わせて示している。
【０１２９】
図２１（ｌ）、２１（ｍ）、２１（ｎ）、２１（ｏ）、２１（ｐ）、２１（ｑ）は、第一および第二導電性材料のはっきり識別できる領域８５４−５、８５６−５；８５４−６、８５６−６；８５４−７、８５６−７の夫々からなる第五層から第七層（Ｌ５、Ｌ６、およびＬ７）の形成のための最初の三層の形成のために行われた同じ処理および作業を示している。
【０１３０】
図２１（ｒ）−２１（ｔ）は、図１９のプロセスフローを拡張したものである。図２１（ｒ）は、第二導電性材料（例えば、同軸送信ラインの内側導体）の分離した内部構造８６４と接触するために、第一導電性材料の外側壁８６２を通って延設され空隙８６６を形成するための第三導電性材料の選択的除去（例えば、エッチングまたは溶融）の結果を示している。図２１（ｓ）は、外側壁８６２および内部構造８６４の両方に接触する選択された誘電性材料８６０が充填された空隙８６６を備えた図２１（ｒ）に示す構造を示している。図２１（ｔ）は、図２１（ｓ）において示された構造から第一導電性材料を除去し、上記内部構造８６４が外側壁に対して一つまたはそれ以上の誘電性構造によって支持され、実質的に空気が充填された最終構造を示している。図２１（ｔ）は、また、上記構造内の孔を示している。
【０１３１】
図２２（ａ）−２２（ｃ）は、図２１（ｒ）−２１（ｔ）に示された材料と反対の位置にある材料に対して行われた最初の除去、バック充填、２回目の除去作業を示している。図２２（ａ）−２２（ｃ）において、第一導電性材料８５４が除去され、空隙を形成し、上記空隙は誘電体８６０’で充填され、その後、第三導電性材料が除去される。
【０１３２】
変更実施態様では、図２１（ｒ）−２１（ｔ）および図２２（ａ）−２２（ｃ）のプロセスは、最終の除去作業によって生じる空隙への充填を行う２回目の充填作業を含むように拡張することができる。この２回目の充填作業においては、最初に使った誘電体と同じものか、又は、異なるものを使っても良い。更なる変更例では、形成される構造／装置が二つ又はそれ以上の導電性材料からなるように、および／または二つ又はそれ以上の固体、液体、または、気体の誘電体からなるように三つ以上の材料を用いることができる。
【０１３３】
図２３（ａ）および２３（ｂ）は、二つの導電性材料および一つの誘電性材料を用いて三次元構造／構造を形成する電気化学的成型加工プロセスのフローチャートを示している。
【０１３４】
図２３（ａ）および２３（ｂ）のプロセスでは、ブロック９０２で始まり、三つのプロセス変数を設定する：（１）層の番号を１に設定する、ｎ＝１、（２）主種層を０に設定する、ＰＳＬＰ＝０、（３）第二種層を０に設定する、ＳＳＬＰ＝０。次に、プロセスは判断ブロック９０４へ進み、基板の表面が完全に導電性であるか又は少なくとも充分に導電性であるかどうかについて質問がなされる。もし“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは判断ブロック９０６へ進む。一方、もし“ｎｏ”の場合は、プロセスは、ブロック９０８へ進む。
【０１３５】
ブロック９０６および９０８において、第一導電性材料（ＦＣＭ）がｎ番目の層（即ち、第一層）に堆積するかどうかついて同じ質問がなされる。ブロック９０６での質問に対する返答が“ｎｏ”の場合は、プロセスは、ブロック８１２へ進む。一方、質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスはブロック９１４へ進み、“ｎｏ”の場合は、プロセスは、ブロック９１６へ進む。ブロック９０８での質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスはブロック９１０へ進み、“ｎｏ”の場合は、プロセスは、ブロック９１６へ進む。
【０１３６】
ブロック９１０では、導電性材料の主種層（ＰＳＬ）を基板に塗布することが必要とされる。上記種層の塗布は、種々の方法で行われるが、そのうち、いくつかは、上記した通りである。ブロック９１０からプロセスはブロック９１２へ進み、主種層を１に設定する（ＰＳＬＰ＝１）。これは、主種層が現在の層にすでに堆積されたことを示す。
【０１３７】
ブロック９１２から、および、ブロック９０６で“ｙｅｓ”の場合は、ブロック９０６から、プロセスはＦＣＭの選択的な堆積を必要とするブロック９１４へ進む。ある変更例では、優先的な堆積は、ＣＣマスクの使用である。ブロック９１４から、ブロック９０８で“ｎｏ”である場合、ブロック９０８から、ブロック９０６で“ｎｏ”である場合、ブロック９０６からプロセスは判断ブロック９１６へ進む。
【０１３８】
判断ブロック９１６において、第二導電性材料（ＳＣＭ）をｎ番目の層（即ち、この場合、第一層）に堆積するかどうかついて質問がなされる。ブロック９１６における質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは、ブロック９２４へ進む。“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９１８へ進む。
【０１３９】
ブロック９２４および９１８において、第一導電性材料（ＦＣＭ）がｎ番目の層に堆積されたかどうかついて同じ質問がなされる（即ち、ＰＳＬＰ＝１？）。ブロック９２４での質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは、ブロック９２６へ進む。返答が“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９３４へ進む。ブロック９１８での質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは、ブロック９２２へ進み、返答が“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９６６へ進む。
【０１４０】
判断ブロック９２６において、ＰＳＬの存在は、堆積されるＳＣＭと共存できるかどうかについて質問がなされる。ブロック９２６における質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは、ブロック９２８へ進む。“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９３２へ進む。
【０１４１】
ブロック９３２および９２２においては、ＦＣＭによって被覆されてないＰＳＬのある部分の除去が必要とされる。ブロック９２４における“ｎｏ”の場合のように、プロセスは、ブロック９３２からブロック９３４へ進み、そして、プロセスはブロック９２２からブロック９６６へ進む。判断ブロック９３４においては、上記基板の表面が完全に導電性であるか、又は、充分に導電性であるかどうかについて質問がなされる。この質問はすでになされたが、堆積される導電性材料の異なる材料のパターンの故に、または、先に供給された種層の除去の故に、応答は変わる。何故ならば、それは、堆積される第二導電性材料と共存できるからである。もしブロック９３４での質問に対する応答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスはブロック９２８へ進む。もし“ｎｏ”の場合は、プロセスは、ブロック９３６へ進む。
【０１４２】
ブロック９３６においては、後の作業で第二導電性材料の堆積を可能にする第二種層（ＳＳＬ）の塗布が必要とされる。その後、プロセスは、ブロック９３８へ進み、ＳＳＬＰは１に設定される。これにより、現在の層が上記第二種層を受け容れたことが示され、その情報は、後の作業において有用である。
【０１４３】
ブロック９２６または９３４において応答が“ｙｅｓ”の場合は、或いは、ブロック９３８を介してプロセスはブロック９２８へ進む。ブロック９２８において、第二種層の堆積が必要とされる。この堆積作業は選択的作業またはブランケット式作業である。
【０１４４】
プロセスは、ブロック９２８から判断ブロック９４２へ進み、誘電体がｎ番目の層（即ち、第一層）に堆積するかどうかついて質問がなされる。ブロック９４２での質問に対する返答が“ｙｅｓ”の場合は、プロセスは、ブロック９４４へ進み、“ｎｏ”の場合は、プロセスはブロック９６８へ進む。
【０１４５】
層の最終の厚さとは異なる所望の厚さを有する部分的に形成されたｎ番目の層を得るために堆積された材料の平坦化が必要である。平坦化を行った後、堆積された導電牲材料の一つ、または、両方の選択的エッチングを行う事が必要であるプロセスはブロック９４６へ進み、一つ、または、それ以上の空隙を形成し、その中へ誘電体を配置する。次に、プロセスはブロック９４８へ進む。ブロック９４８での質問に対する応答が“ｙｅｓ”の場合、プロセスはブロック９５２へ進み、“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９５６へ進む。
【０１４６】
ブロック９５２においては、ブロック９４６でのエッチングによって全ての露出したＳＳＬが除去されたかどうかについての質問がなされる。ブロック９５２での質問に対する応答が“ｙｅｓ”の場合、プロセスはブロック９５６へ進み、“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９５４へ進む。
【０１４７】
ブロック９５４では、ブロック９４６において形成された空隙において露出したＳＳＬの部分の除去が必要とされる。ブロック９５４での作業後、プロセスは判断ブロック９５６へ進む。
【０１４８】
判断ブロック９５６においては、上記ＰＳＬＰが１であるかどうかに関しての質問がなされる。判断ブロック９５６での質問に対する応答が“ｙｅｓ”の場合、プロセスは判断ブロック９６２へ進み、“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９６６へ進む。
【０１４９】
判断ブロック９６２においては、上記ＳＣＭのエッチングによって、全ての露出したＰＳＬが除去されたかどうかに関しての質問がなされる。ブロック９６２での質問に対する応答が“ｙｅｓ”の場合、プロセスは判断ブロック９６６へ進み、“ｎｏ”の場合、プロセスはブロック９６４へ進む。
【０１５０】
ブロック９６４では、ブロック９４６において形成された空隙において露出したＰＳＬの部分の除去が必要とされる。ブロック９６４での作業後、プロセスはブロック９６６へ進む。
【０１５１】
ブロック９６６では、誘電性材料の堆積が必要とされる。堆積プロセスは選択的か又はブランケット式のどちらでも良いが、種々のプロセスの使用が可能であり、その中のいくつかは、先に説明した。
【０１５２】
ブロック９６８においては、堆積された材料の平坦化が必要とされ、所望の厚さを有する最終の平滑なｎ番目の層を得る。
【０１５３】
ブロック９６８での作業によってｎ番目の層の形成が終了した後、プロセスは、判断ブロック９７０へ進み、ＰＳＬＰおよびＳＳＬＰが０に設定される。次に、プロセスは、判断ブロック９７２へ進む。この判断ブロックでは、ｎ番目の層（即ち、現在の層）が上記構造（Ｎ番目の層）の最後の層であるかどうかに関しての質問がなされる。もしそうである場合は、プロセスはブロック９７８へ進み、終了する。しかし、もしそうでないならば、プロセスはブロック９７４へ進む。
【０１５４】
ブロック９７４では、“ｎ”だけ増加される。その後、プロセスはブロック９０４へ折り返し、そこで、再び上記基板（即ち、すぐ先の層の形成によって変更された基板の表面）が充分に導電性を有するかどうかについての質問が行われる。次に、Ｎ番目の層の形成が完了するまでプロセスはブロック９０４−９７４をループし続ける。
【０１５５】
図１６及び１９のプロセスと同様に，図２３（ａ）および２３（ｂ）のプロセスに対する種々の変更例が存在する。これらの変更例において、材料の堆積の順序が全体として変えられるか、或いはある層の形成中に他のどんな作業がなされたか、又は、なされるかに基づいて各タイプの材料の堆積を行う順序を変えられる。導電性材料又は誘電性のタイプの材料を付加することができる。最終的な堆積の選択は、材料を空隙に堆積する事によって堆積の配置の実際の制御、又は、堆積後に材料をエッチングで除去する事によってなされる。追加の作業が、選択された材料を除去するため、又は、追加の材料を堆積するためのプロセスに加えられる。
【０１５６】
図２４は、材料９９４からなる外側導体１００２と内側導体１００４、および材料９９６からなる誘電性の支持構造１００６とを有する同軸構造の斜視図である。図２４の構造は、導電性材料の一つを除去するポスト層の形成作業を付加することによって図２３（ａ）および２３（ｂ）のプロセスに従って形成される。積層による上記構造の形成中に、上記外側導体および上記内側導体は、図２３（ａ）および２３（ｂ）のプロセスに関連して説明された二つの導電性材料のうち一つから形成される（即ち、主材料）。第二の導電性材料は犠牲材料として使われる。誘電性材料（即ち、第三の材料）もまた上記構造の一部として使われる。すべての層の形成後、第二の導電性材料は除去され、主導電性材料９９４および誘電性材料９９６からなる最終構造を形成する。
【０１５７】
図２５（ａ）−２５（ｚ）は、図２４で示された同軸構成要素の層を形成する際に用いられる図２３（ａ）と２３（ｂ）の種々の作業の結果の側面図である。図２５（ａ）−２５（ｘ）および２６（ａ）−２６（ｆ）において示された結果に関連した作業は表６に示されている。
【０１５８】
【表６】
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図２５（ｙ）は、層の区切りが除去された状態の構造の概観を示し、第二種層は第二材料と同一であるとする。図２５（ｚ）は、図２４に示された構造を形成する第一材料の除去作業のポストプロセス（例えば、選択的エッチング）の結果を示している。
【０１５９】
図２６（ａ）−２６（ｅ）は、図２５（ｈ）−２５（ｋ）のプロセスの変更例で、この変更例では、上記構造の第四層に対して第一導電性材料を堆積する前に、主種層の使用が必要である。
【０１６０】
図２７は、同軸送信ラインの斜視図である。上記送信ライン１００２は、内側導体１００４を取り囲む外側導電性シールド１００６を有する。図示された実施態様では、上記送信ライン１００２はスペーサー１０１０を介して基板１００８から隔てられる。図示された実施態様では、上記基板は、上記導電性のスペーサー１０１０（例えば、上記基板の下側を介して）を介して適当な地電位が上記シールド１００６に加えられる誘電体であり、信号が中央導体に加えられる（例えば、上記基板の下側から適当な接続によって）。ある変更例では、シールドは、基板の上の実質的にすべての位置において中央導体を実質的に完全に遮蔽するように、上記シールドが中央導体内の湾曲部の周りで湾曲している（装置の形成中に使われた犠牲材料の除去を可能にするシールド内に形成された一つまたはそれ以上の孔を除いて）。他の変更実施態様では、基板が導電性であって、中央導体から誘電性材料が分離されており、同軸要素の内部は、基板の内部に入り込んでいる。更に他の実施態様では、上記シールドは、導電性のメッシュ或いは基板の平面から延設された一つまたはそれ以上の導電線の形態を取る事ができる。更に他の実施態様では、上記送信ラインは一つの平面（例えば、上記基板の平面に平行な平面）において湾曲するか又は所望の三次元パターンを採用する事ができる。例えば、送信ラインは、導電線の螺旋状のループのパターンと同様の螺旋状のパターンの形態を取る事ができる。同様に、図１２（ｃ）および１３（ａ）に示されたものと同様のフィルター要素が、図示された比較的平坦な形状から、より三次元的な形状に変えることができる。例えば、フィルター（６１６、６０６）の主線は螺旋状であるが、分岐線６２２、６１４等は、螺旋の中心の下方の経路とするか、又は、それ自身を螺旋状の経路とする（例えば、主線の直径よりも小さな直径）。このような形状によって、その高さを増やす事を犠牲にするが、所望の効果的な長さを維持し、構造の平面サイズを減らすことができる。
【０１６１】
図２８は、ＲＦ接触スイッチの斜視図である。このＲＦスイッチは片持ち梁形状を有する。スイッチ１０２２は第二ビーム１０２４と接触する片持ち梁形状のビーム１０２６を有する。上記片持ち梁形状のビームは、その下方に配置された電極１０２８と上記片持ち梁形状のビームとの間に電圧が印加された時に、静電力のために下方へ歪む。図示された実施態様では、全てのスイッチ要素は、支脚１０３０ａ−１０３０（ｃ）によって上記基板の上方に懸架され、これにより、上記基板に対する寄生キャパシタンスの減少となる。このアプローチによって駆動電極と上記片持ち梁形状のビームとの間の距離を減少する事が可能になり、これにより、作動力が増加し、必要な駆動電圧が減少し、同時に上記基板からの距離が増加し、これにより、寄生キャパシタンスが減少する。電極のサイズおよび接触ギャップの独立性は、電極のサイズおよび接触ギャップが平坦な基板に置かれなければばならない場合は、不可能である。電気化学的成型加工の種々のレベルの実施態様の柔軟性によって、スイッチ要素をより所望の位置に置くことができる。ある実施態様では、上記片持ち梁形状のビームは約６００μｍの長さと８μｍの厚さを有することができる。円形の接触パッドは、ビームの下方に配置され、接触パッドは、例えば、約３２μｍ離され、接点は充分に分離される。下方のビームは、例えば、上記基板の約３２μｍ上方に懸架され、上方のビームは、例えば、上記基板の約８８μｍ上方に懸架されている。勿論、他の実施態様では、他の寸法関係が存在する。このようなスイッチの使用の一つの例では、上記制御電極１０２８と上記片持ち梁形状のビーム１０２６との間に電圧を印加し、スイッチを閉じ、ＡＣ信号（例えば、ＲＦ又はマイクロ波）が上記片持ち梁形状のビーム上か又は他のビーム上に存在し、スイッチが閉じられれば伝播することができる。ある変更デザインにおいては、一つ、または、両方のライン１０２６および１０２４はその接触位置で突起を有し、或いは、その代わりとして、接触位置は、接触寿命を延ばすために適当な材料からなっていてもよい。他の変更実施態様では、スイッチ全体は、上記ライン１０２６および１０２４の長さ方向に沿って伝播する信号に関連した放射損失を減少させる遮蔽導体内に配置する事ができる。更に他の実施態様では、スイッチは、誘電体（例えば、窒化物）の薄い層を上記ライン１０２６および１０２４の一つ又は両方の接触位置に配置する事によって静電容量のスイッチとして使う事ができ、これにより、スイッチを低い静電容量値と高い静電容量値との間で接点を移動させる事ができる。信号の伝送は、インピーダンスのマッチングが起こった時にこのようなスイッチに対して起こる。例えば、キャパシタンスが低い場合、より高い周波数の信号が伝播し、より低い周波数の信号は妨げられるか又は、かなり減衰する。更なる実施態様では、制御電極又はライン１０２６のこの制御電極に最も近い部分は、誘電体によって被覆され、上記制御電極と偏向線との間でショートが起こる可能性を減少させる。更に他のなる実施態様では、プルアップ電極は、偏向可能なライン１０２６のみのバネの力を用いてできる能力を超えて接点の分離を埋め合わせるために供��される。ある実施態様では、開から閉になった際、スイッチのキャパシタンス（静電容量のスイッチとする）の比率は、好ましくは、約５０以上、更に好ましくは、約１００以上である。更なる他の実施態様では、第二導体が、誘電体によって、着脱可能に台１０３０および上記ライン１０２６の下面に取りつけることができる。この第二導体は、信号を有する制御電気回路の共有導体１０２６と対比して、スイッチ制御回路の一部である。
【０１６２】
図２９はログ周期的アンテナの斜視図である。上記アンテナ１０３２は、スペーサー１０３８によって基板（図示せず）から支持されている共通の供給ライン１０３６に沿って多数の異なる双極子１０３４（ａ）−１０３４（ｊ）を有する。この高くした位置によって、そうでなければ、ロスの多い基板に接触するか、又は、近接するアンテナと関連した規制的容量性損失が減少できる。他の実施態様では、他のアンテナの形状、例えば、直線状のスロットアレー、直線状の双極子のアレー、螺旋状のアンテナ、渦巻き状のアンテナ、および／または角状のアンテナ等を使う事ができる。
【０１６３】
図３０（ａ）−３０（ｂ）は、互いに関して１８０度回転するドーナツ型の誘電子の一例を示す斜視図である。図３０（ｃ）は、電気化学的成型加工プロセスによって形成された図３０（ａ）−３０（ｂ）のドーナツ型の誘電子の斜視図である。図３０（ｃ）の上記ドーナツ型の誘電子は、図２（ａ）−２（ｂ）のプロセスにしたがって形成されたものである。ある実施態様では、誘電子は誘電性基板上に形成する事ができる。また他の実施態様では、誘電子は適当な誘電的に絶縁されたフィードスルーを備えた導電性基板上に形成する事ができる。ある実施態様では、ドーナツ型のコイルは１２個の巻き線を有し、差し渡し９００μｍであって、その底面が基板の４０μｍ上方に懸架することができる。上部ブリッジング要素１０５０（ａ）と下部ブリッジング要素１０５０（ｂ）に接続された複数の内側導体コラム１０４４および複数の外側導体コラム１０４６を有する。誘電子は、又、スペーサー１０５２（ａ）、１０５２（ｂ）によって支持された二つの回路接続要素１０４８（ａ）、１０４８（ｂ）を有する。ある実施態様では、誘電子全体は、上記スペーサー１０５２（ａ）、１０５２（ｂ）によって、基板から離れて支持される。このようなスペーシングによって、下方導電性ブリッジ１０５０（ｂ）と基板（図示せず）間の接触または両者の近接に起因する寄生キャパシタンスが減じられる。ある実施態様では、内側導体コラムおよび外側導体コラムは同じ位の寸法を有するが、図示された実施態様では、内側導体コラムの面積は外側導体コラムの面積よりも小さく設定されている（例えば、直径が小さい）。同様に、本実施態様では、上記ブリッジング要素１０５０（ａ）、１０５０（ｂ）の幅は、誘電子の中心から半径方向において外方へと増加している。このような形状によってオーム抵抗が減り、電気誘導の経路の周りを所望の電流の流れると思われる。このような形状によって誘電子からの磁束の漏れが減少し、それ故に、インダクタンスを高めること、及び、構成要素が他の回路要素に放射するノイズの減少に貢献すると思われる。更に、他の実施態様では、上記誘電子の外周を導電性壁によって遮蔽する事は利点がある。同様に、内周も又、導電性壁によって遮蔽することができる。更に、他の実施態様では、上面および底面もまた導電性の板またはメッシュによって遮蔽することができる。更に、他の実施態様では、上記スペーサー１０５２（ａ）、１０５２（ｂ）、更に、回路接続要素１０４８（ａ）、１０４８（ｂ）もまた、放射損失を最少にするのに役立つ導電性要素によって少なくとも部分的に遮蔽することができる。更に、他の実施態様では、誘電子は、図示された実質的に長方形と対比してもっと円形の形状とすることができる。
【０１６４】
図３１（ａ）および３１（ｂ）は、電気化学的成型加工プロセスにしたがって形成された螺旋状の誘電子のデザインおよび積層された螺旋状の誘電子を夫々示す。図示された誘電子１０６２は、八つのコイル１０６４（ａ）−１０６４（ｇ）、一つの接続ブリッジ１０６６、二つのスペーサー１０６８（ａ）、１０６８（ｂ）を有する。コイルの厚さは、夫々８μｍで、外形は約２００μｍで、互いに８μｍ隔てられ、最下部のコイルは基板より５６μｍだけ上方に配置される。図２７−３０（ｃ）に示された実施態様と同様にスペーサーは、誘電子と回路の残部との電気的な接続を確実に行うためだけでなく、誘電子コイルを基板（図示せず）から隔てるためにも用いられる。
【０１６５】
図３１（ｃ）は、図３１（ａ）および３１（ｂ）の誘電子の変形例を示している。図３１（ｃ）の誘電子１０７２は、２３層を用い、図示されたデザインの特徴を有して形成することができる。図示されているように、上記誘電子は１１個のコイルレベル１０７４（ａ）−１０７４（ｋ）を有し、巻き数が９．１２５である。各コイルレベルは、８ミクロンの厚さの層から形成され、他のコイルレベルと４ミクロンの厚さだけ隔てられている。内径は１８０ミクロンで、外径は３００ミクロンである。図示されているように、誘電子は、直径が６０ミクロンのコア−を有し、コア−１０７６と巻き線１０７４（ａ）−１０７４（ｋ）との間のスペースが６０ミクロンである。一様な磁界に基づいて簡単な計算をすれば、上記コア−を無視するとして、誘電子に対するインダクタンスは２０ｎＨである。しかしながら、実際の誘電子の直径はその長さよりも大きく、巻き線はしっかり固定されていないので、インダクタンスはこの理論的な値よりも低い。実際の値は、上記理論値（即ち、５−１０ｎＨ）の２５％−５０％の範囲にあると概算される。一方、インダクタンスは、上記コア−１０７６（例えば、１００又はそれ以上）の存在で大きく高められる。勿論、他の実施態様では、他の形状に設定する事は可能である。
【０１６６】
他の実施態様では、図３１（ａ）−３１（ｃ）の誘電子は、異なる形態を取ることができる。図３２（ａ）−３２（ｂ）には二つの実行可能なデザインが示されており、図３２（ｂ）のデザインは図３２（ａ）のデザインよりもより少ないオーム抵抗を示す。図３２（ａ）においては、Ｎ個のコイルを有するシングル誘電子１０８２および長いコネクターライン１０８４が示されており、図３２（ｂ）には、二つの半分のサイズの誘電子１０８６（ａ）、１０８６（ｂ）が示されている。上記誘電子１０８６（ａ）、１０８６（ｂ）において、夫々におけるコイルの数は、短いブリッジング要素１０８８を介して直列に接続された図３２（ａ）の誘電子のそれの約半分である。図示されているように、上記ブリッジング要素１０８８は上記コネクターライン１０８４より短いので、図３２（ｂ）の一対の誘電子は図３２（ａ）の誘電子よりもより少ない損失を有する。一方、二つの誘電子間の結合が弱まるにつれて、関連したネットインダクタンスの損失が多分生じる。両方の誘電子を介してループの形態で延設されたコアーを有することによって、インダクタンスを図３２（ａ）の背の高い誘電子のインダクタンスにまで戻すか、又は、越えさせることが可能である。
【０１６７】
図３３（ａ）および３３（ｂ）は、オーム損失を最少にし、誘電子のコイル間において高い連結レベルを維持する二つの誘電子の形状を示している。これらの図において、コイルの上向きの経路は実線で示され、その下向きの経路は点線で示されている。図３３（ａ）では、上向きに延びているコイルは、下向きに延びているコイルよりも大きなパラメーターを有する。図３３（ｂ）においては、コイルは実質的に同様のパラメーター寸法を有する。
【０１６８】
図３４は、１２個の組み合わせられたプレート（夫々、六個のプレートからなる二つのセット１０９４（ａ）および１０９４（ｂ））を有するコンデンサー１０９２の斜視図である。詳しくは、各プレートの厚さは８ミクロンで、プレート間の間隔は４ミクロンで、一辺が４３６μｍである。これらの詳細な寸法と理想的な平行プレートの計算に基づけば、キャパシタンスは約５ｐＦである。この値は、フリンジフィールド効果によって、幾分変わると予想される。上記した様に、コンデンサーは、ポストリリースされる誘電体の裏込めを容易にするために用いられるダム１０９６によって取り囲まれており、同じ基板のすぐ傍で製造される隣接する装置への誘電体のこぼれを最少にする。誘電体での裏込めによって、このようなコンデンサーによって提供されたキャパシタンスを非常に効果的に増加させる。同様に、プレート間を減少させる事および／またはプレートを追加する事によって、キャパシタンスをかなり増加させる事ができる。コンデンサーは、直交する二対のボンドパッド１０９８（ａ）、１０９８（ｂ）を有する。平行なボンドパッドは導電的に接続されているので、装置への電気的接続は、パッド１０９８（ａ）の一つおよびパッド１０９８（ｂ）の一つへの接続を介して行われる。図示されているように、ボンドパッドは、コンデンサーの最下部のプレートと一直線になっており、上部のプレートは、各グループから延びた領域に位置するコラムによって下部のプレートに接続されている。他の実施態様では、パッドは、例えば、各スタックの中間に位置するプレートに直接に接続することができる。電流は、そこから上方および下方へ流れて各スタックの他のプレートへと流れる。
【０１６９】
図３５（ａ）および３５（ｂ）は、夫々、可変コンデンサー１１０２の一例の斜視図および側面図である。コンデンサープレートは、図３４の形状と同様の形状を有し、六個のプレート１１０４（ａ）、１１０４（ｂ）からなる二組のセットに分割される。この実施態様では、一組のセット１１０４（ａ）は、バネ要素１１０６および上記プレート１１０４（ａ）を固定プレート１１０４（ｂ）に関して垂直方向に駆動できる二組の平行なプレートからなる静電アクチュエーター１１０８に取りつけられる。使用においては、ＤＣポテンシャルはバネ支持体１１１０とアクチュエーターパッド１１１２間に印加される。上記アクチュエーターパッド１１１２は、コラム１１１４に接続され、上記コラム１１１４は固定駆動プレート１１１６を保持する。このような駆動電圧が印加されると、可動駆動プレート１１１８は固定駆動プレートへと接近するように引っ張られ、上記固定駆動プレートは支持コラム１１２４を介して可動キャパシタープレート１１０４（ａ）へと接近し、これにより、装置のキャパシターを変化させる。上記コンデンサーは、バネ支持体１１１０と固定コンデンサープレート接触パッド１１２８の一つを介して回路に接続される。
【０１７０】
更なる実施態様では、電流を運ぶ導体、例えば、図２７−３１（ｃ）のスペーサー、同軸構成要素の中央導体、および他の構成要素と関連した抵抗損失は、上記要素の横断面寸法を増加させる事なしにその表面積を増加させる事によって減少させる事ができる。構成要素の横断面の寸法に比べて、信号の周波数が表皮深さを小さくする時に、これは特に有用である。例えば、上記電流を運ぶ導体の横断面寸法（電流の流れる方向に直角な平面）は、それを円形から正方形または複数の角度を有する他の形状へ変えることによって増加させる事ができる。図３６（ａ）および３６（ｂ）に、このような同軸要素の二つの例が示されている。この二つの同軸要素１１３２および１１４２は、中央導体１１３４、１１４４を有し、この中央導体１１３４、１１４４は正方形および円形からその表面積を増加させるために刻み目を備えた形状に変更される。
【０１７１】
図３７は、本発明の他の実施態様の側面図であって、集積回路１１５２が基板１１５４（例えば、シリコン）上に形成されており、接触パッド１１５６が、上記集積回路上に配置された保護層１１５８を介して露出している。上記接触パッドは、他の装置に接続されるためのものか、または、代わりに、集積回路の分離した部品を連結するための上面側の連結部材である。例えば、上記連結部材は、同軸線または導波管のような低分散送信ラインを介して高周波クロック信号を（例えば、１０ＧＨｚ）集積回路内で異なる位置へ分配するためのパッドである。二つの同軸送信ライン１１６２、１１７２は幾つかのパッドを互いに接続するように図示されている。同軸線の外側導体はスタンドまたは台１１６４、１１７４によって支持され、パッドへの接続は、ワイヤー１１６６、１１７６によってなされる。変更実施態様では、パッドへの接続は、ワイヤーだけでなく、同軸シールヂングの少なくとも一部を集積回路の表面と接触させるか、または、近接させる事によってなされる。ある実施態様では、同軸構造は、中心ワイヤーおよび接地接続によって支持されるが、他の実施態様では、台等が用いられる。ある実施態様では、同軸構造は、予備成型され、集積回路の所定の位置に置かれるか、または、ＥＦＡＢプロセスが集積回路の上面で直接に行われる。このような超小型の装置の集積回路への接続は、ＵＳ暫定特許出願Ｎｏ．６０／３７９、１３３に説明されており、それは、簡単に後記する。勿論、他の実施態様において、あるパッドは、ＩＣの構成要素間の接続のためのものであり、他のパッドは、他の構成要素間の接続のためのものである。ある実施態様では、一つのチップ、或いは、異なるチップの異なる部所に到着するクロック信号間の差異を制御するために同軸線は、特別に調整された長さを有する。
【０１７２】
図３８（ａ）および３８（ｂ）は、ＭＥＭＧｅｎによって製造された第一及び第二世代コンピューターで制御された電気化学的成型加工システム（即ち、ＥＦＡＢＴＨマイクロ成型加工システム）を示す。これらのシステムは、ここで説明したプロセスを実行する際およびここで説明した装置／構造を形成する際に用いられる。現在の形状において、これらのシステムは、選択的且つブランケット式堆積、平坦化ステーション、種々の清浄ステーションおよび表面活性ステーション、検査ステーション、めっき浴循環サブシステム、雰囲気制御システム（例えば、温度制御および空気浄化システム）、および種々のステーション（例えば、Ｚ、Ｘ、Ｙ方向の運動を提供する）に対して上記基板を移動させる搬送ステージ等を有する。他のシステムは、一つまたはそれ以上の選択的エッチングステーション、一つまたはそれ以上のブランケット式エッチングステーション、一つまたはそれ以上の種層形成ステーション（例えば、ＣＶＤ又はＰＶＤ堆積ステーション）、選択的雰囲気制御システム（例えば、気体を全体的に又はある作業領域内で供給する）、および一つまたはそれ以上の基板および／または選択されたステーションを一直線にするための回転ステージを有する。
【０１７３】
ある実施態様においては、一つの基板に多くの類似の構成要素を組み付ける事ができ、多くの構成要素が上記基板に一体的に用いられるか、又は、それらは、互いにさいの目に切られ、分離した複数の第二の基板に、異なる回路／構成ボード用の分離した構成要素として取り付けられる。他の実施態様においては、ここで説明した種々の実施態様における電気化学的プロセスを包括的な方法で使う事ができ、一つの基板上に種々のはっきり識別できる構成要素が同時に形成され、全てが互いに接続されると限らないが、多くの構成要素は最終位置に形成される。ある実施態様では、一つまたは多くの同一の、或いは、はっきり識別できる構成要素が、前以て取りつけられた構成要素を有する集積制御回路または他の基板に直接形成される。ある実施態様では、一体的に形成され配置された複数の構成要素からシステム全体を形成することが可能である。
【０１７４】
更なる実施態様では、複数の装置、または、複数の装置からなる複数のグループが、構成要素をパッケージングするために使う構造と同時に形成される。このようなパッケージング用構造は、アメリカ特許出願Ｎｏ．６０／３７９、１８２において説明されており、後で説明する特許出願のテーブルにおいて説明する。この出願においては、構造および気密的にシールするパッケージを形成するためのいくつかの技術の教示がある。上記構造は犠牲材料の除去を可能にする孔を備えて形成される。上記犠牲材料の除去後、上記孔は様々な方法で充填される。例えば、溶融可能な材料が上記孔に隣接するか、または、近接され、上記溶融可能な材料は、流され、上記孔をシールし、その後、再凝固する。他の実施態様では、上記孔とある間隔を置いて上記孔に近接させて、穴埋め用の材料で上記孔を埋める。上記犠牲材料の除去後、上記穴埋め用の材料を用いて上記孔と関連するギャップを埋め、それらをはんだ状の材料または粘着タイプの材料を介してシールする。更なる他の実施態様では、特に実質的に直線の堆積を行うプロセスで堆積がなされる場合や、堆積を止める役割を果たし、且つ、上記孔を埋めるために上記堆積が形成される開始点を形成する構成材料が上記孔の下に配置される場合に、上記孔を充填するために堆積を行う事ができる。
【０１７５】
この出願は、その教示の大半が、同軸送信ラインおよび同軸フィルターに集中しているが、これらの構造は他の構造の基本的な構築ブロックとして用いる事ができると言う事を理解して頂かなければならない。それ故に、種々の実施態様のＲＦおよびマイクロ波構成要素には、超小型の同軸構成要素、送信ライン、ローパスフィルター、ハイパスフィルター、バンドパスフィルター、反射系フィルター、吸収系フィルター、漏洩壁フィルター、遅延ライン、他の機能的構成要素を接続するためのインピーダンスマッチング構造、あるクラスのアンテナ、指向性カプラー、パワーコンバイナー（例えば、ウィルキンソン）、パワースプリッター、ハイブリッドパワーコンバイナー、マジックＴＥＥ、周波数多重変換装置、周波数多重分離装置の中から一つまたはそれ以上が含まれる。アンテナには、ピラミッド型のフィードホーン、スカラー（波形の）フィードホーン、パッチアンテナ等、このような要素（マイクロ波のパワーを超小型の送信ラインから自由空間へ効率的に伝達できる）の直線状、平坦な、適合したアレー等が含まれる。ＥＦＡＢによって製造された超小型の同軸ケーブルは、多くの機能性を有する新しい構成要素の製造を可能にした。パワーコンバイニング（または、分割）と周波数多重変換（または、多重分離）との組み合わせによって、容易に多くの入力および出力ポートを有する一つの超小型の同軸構造が形成される。
【０１７６】
本発明の実施態様に係わる同軸送信ラインの適用の一例として、四ポート送信ラインハイブリッドカプラーに適用した場合を示す。
【０１７７】
ハイブリッドは全てのマイクロ波構成要素の中で、最も古く有用なものである。その名前が意味するように、ハイブリッドとは、二つの機能を組み合わせて一つの構成要素にするものである。この二つの機能とはパワーの分割と相の変化である。ハイブリッドが導波管、同軸ケーブル、または広帯域送信ラインで構成された場合は、概して、ハイブリッドは接続点における電流の分割およびラインにおける基本空間モードの構成的、破壊的干渉の原理に基づいて作動する。
【０１７８】
図３９にクラシック四ポート送信ラインハイブリッド構造が示されている。これは、この構造から“二分岐線”カプラーと呼ばれる。何故なら、この構造は“貫通”ライン１２００、１２０２（ポート１からポート２、ポート３からポート４）および二つの垂直方向の“分岐”１２０４、１２０６を有し、この“分岐”１２０４、１２０６が上記“貫通”ライン１２００、１２０２を接続しているとして考えることができるからである。これらのラインおよび分岐は遮蔽導体１２０８によって取り囲まれた同軸要素の内側導体によって形成されている。所望の特有のインピーダンスを与えるために、これらの遮蔽導電要素のサイズは、上記内側導体のサイズに対して決められる。これらの遮蔽導電体は上記内側導体を個々にシールドする。或いは、より高度の圧縮を達成するために、一つの遮蔽要素の一部が用いられ、多くの内側導体の一部を夫々遮蔽する。更に詳しく説明すれば、ハイブリッドは、それが、入力ポート１から出力ポート２、更には、二つの連結されたポート３、４へと信号をいかに送るかという事に依存している。目標は、連結されたポート３への全てのパワーの流入を押さえる事である。最も有用なパワーの分割は、上記ポート２とこれに連結されたポート４との間で、３ｄＢ位、即ち、５０％である。図３９に示されているように、ポート２と４との間の相の差異は９０度である。この相の差異は、コヒーレント通信およびＩ（相）およびＱ（直角位相）チャンネルのフィードネットワークにおけるレーダー受信機においては共通である。
【０１７９】
シングルモードの波の干渉の原理によって、ラインの四つの中央部分の電気的な長さをλ／４に等しくする事によって三つ全ての出力ポートにおける相の条件が正確に満足させられる。次に、送信ラインの理論によって、垂直方向の（分岐）部分が特有のインピーダンスＺ０を有し、且つ、上記分岐の間の水平方向部分が特有のインピーダンスＺ０／（２）１／２を有する場合、−３ｄＢの振幅条件が満たされる。上記水平方向部分の端部は特有のインピーダンスＺ０を有するが、それは、ＲＦ産業規格では、大体５０Ωである。
【０１８０】
原理上は、簡単で使用上非常に有用であるが、電気的な長さにおいてλ／４が必要であるので“分岐線”カプラーは物理的に大きくなければならない。例えば、Ｓ帯域（２−４ＧＨｚ）の中心において−通信用の良く使われる帯域およびレーダー−自由空間波長は１０ｃｍまたは約４インチである。それゆえに、λ／４は１インチであり、ハイブリッドのサイズは、フィードラインおよびコネクターを数えなければ少なくとも１×１である。
【０１８１】
方形なハイブリッドがマイクロ波ネットワークのデザインの分野においては標準の構成要素であった。その物理的サイズの故に、切削が好ましい加工技術であり、切削工場は、今日までＣＮＣ制御に固持し、特に、製造作業において、必要とされる工作機械を人間が操作して来た。
【０１８２】
１９６０年代にハイブリッドはマイクロストリップライン技術を用いて製造され始めた。これは、マイクロ波集積回路（ＭＩＣ）技術の時代の幕開けであり、バッチ製作を可能にし、ハイブリッドは、供給され易くなった。しかし、マイクロストリップハイブリッドは、トレードオフであった。何故ならば、その性能が最上の導波管または同軸構成要素ほど良くなかった上に、更に、マイクロストリップラインは導波管、または、同軸ケーブルより本来ロスが多く、共通の基板上の異なるライン間の混信を生じさせるからである。混信を緩和するためには、異なるマイクロストリップラインは物理的に大きく分離されなければならない。それ故に、最終的なハイブリッドによって占められた“不動産”は、導波管、または、同軸のそれよりもデザイン以上である。
【０１８３】
電気化学的成型加工を用いれば、優れたハイブリッドカプラーの形成を可能にする優れた同軸構造を製造することができる。このような構造として、非常に小さな曲率半径を有する湾曲部がある。全波シミュレーションによれば、横断面において変化を有しないシングルモードの同軸線から形成された場合は、湾曲部は極端に低い挿入損失および反射減衰量を有する。図４０に湾曲部の一例およびその寸法が示されている。上記湾曲部の周りの電気的長さは、π＊ＲＣ＝π＊４８０μｍ＝１、５０８ｍｍで、壁の厚さは８０μｍであると推測される。エンドミルまたは切削工具のサイズは制限されているので、切削によって小さな曲率半径を有する湾曲部を形成するのは難しい。マイクロストリップラインの湾曲部は、基板のモードを開始させるする傾向の故に小さな曲率半径を有して形成できない。このようなモードは、マイクロストリップにおいて常に存在し、開始された時は、変更できない損失が生じ、および同じ基板を共有する隣接するマイクロストリップラインへの連結も変更できない。外側導体は張力がかかり、内側導体は圧縮されるので、金属に疲労が生じ、ひびが入るので、丸い同軸線の直線部分から小さな半径を有する湾曲部の形成もまた難しい。
【０１８４】
小さな半径を形成する能力が与えられれば、図４１に示されているように、低損失の湾曲部および長い送信ラインを蛇行状（即ち、蛇のような）の巻き線によって物理量において大きく減少させられる。この図は内側導体１２２２および外側導体１２２０を有する同軸線の一部の平面図である。各同軸線の一つの外側壁は隣接する平行部分間で共有されている。ＲＦ電流の表皮深さは非常に小さい（数ミクロン）ので、この共通壁は極度に薄くされ得る。実際に、ある構成要素では、ライン間の壁は、上記の特質を有する開口を備えている導電性のメッシュの厚さにまで減少できる。
【０１８５】
小型の低損失を有する湾曲部は、電気化学的（一体的に）に製造されたハイブリッドの他の主要な利点を得るのに役立つ。それは、小型化である。図４１は、従来の直線状のハイブリッド１２１０に比べて、上記ハイブリッド１２１２によって占められた全面積をかなり減少させるために、分岐線ハイブリッド１２１２の各λ／４がいかにして蛇行状の部分を有して形成され得るかを示している。全波シミュレーションによれば、分岐線が、面積において圧縮率９を生じる直線の長さでλ／１２（電気的長さはλ／４）に圧縮された状態で、優れた性能が得られる事が示される。
【０１８６】
上記分岐線カプラーの蛇行状の部分は、上記の技術に従って好適に形成される。成型加工中に犠牲材料の除去を容易にするために同軸要素の外側シールド部は、シールド構造内または外側導体内のスペースに化学エッチング液を容易にいれるようにするための開口を備える事ができる。
【０１８７】
上記開口のサイズおよび位置は、エッチングが効果的になされ、また、構成要素またはネットワークのＲＦ性能における損失または妨害を最少にするように好適に選択される。ＲＦ損失を最少にするために、上記開口は波長に対して小さなサイズを有することが好ましい。たとえば、サイズは、開口が、モード周波数（例えば、２倍、５倍、１０倍、５０倍、又は、それ以上）よりもかなり高いカットオフ周波数を有する導波管のように主要な同軸モードに現れるように選択される。上記開口は、構成要素（例えば、伝送ラインなど）の側面、または、その上端部または底面部に配置される。上記開口は、ある構成要素の長さ方向に沿って一様に配置されるか、または、グループで配置される。
【０１８８】
誘電性材料は、層の形成プロセスを行っている最中に合体させて、内側導体と外側導体との間のギャップに全部を充填するか、または、機械的な支持のために内側導体と外側導体との間の比較的小さな選択された領域を上記誘電性材料で占めさせる。誘電体が比較的に薄い場合は（？）、上記誘電性材料上に種層などを形成する必要なしに多層ＥＦＡＢプロセスの実行中にその使用を合体することができる。これは、次の堆積された材料が“きのこ状を呈し”誘電体上にブリッジを形成すると言う問題を避けることができる。あるいは、バルク式または選択的誘電性材料の合体は、層の形成が終了し、犠牲材料のエッチングが終了するか、または、部分的に終了した後に、バック充填によって達成される。
【０１８９】
ある実施態様では、構成要素は、シールする（気密的にか又は他の方法で）か、又は、環境的に維持するか、或いは、臨界領域において水分または問題のある材料の存在または堆積を減少するように操作する。
【０１９０】
図３９および図４２に示された分岐線カプラーは、水平面に置かれる。他の実施態様では、蛇行状の構造が垂直方向に積層されるか、又は、垂直方向または水平方向の要素の組み合わせからなる。更に、このような多くの構造はバッチ式で一つの基板上に形成し、その後、最終の組み付けの前に互いに分離する。三次元構造についてほかに何かを言うべきでしょうか？
図３９（ｂ）の分岐線カプラーまたはハイブリッドの適用の一つとしてバトラーマトリックスがある。このバトラーマトリックスは、アンテナのアレーに対する給電として用いることができる受動的なネットワークである。このアレーは、一元、又は、二元のＮ個のアンテナ要素のアレーから空間内において直交する放射線のパターン（即ち、光線）を生成する。ここで、Ｎは２の累乗を指す。“直交”とは、光線がスペースの大きな領域に集光されるように、僅かに重なると言うことを意味する。理想的な場合では、この領域は、上記アンテナのアレーの平面上に立体角の全２πステラジアンを有する。図４３（ａ）に、四要素の直線のアレーからの四つの直交光線の集光した状態が概念的に示されている。
【０１９１】
バトラーマトリックスは、実質的に入力送信ラインポートと直交光線との間の一対一のマップである。光線の向きは入力信号を所望の入力ポートへ送信する事によって制御される。この駆動の制御は、電力増幅器を各入力に配置させ、電力増幅器をそれによって所望のようにオンオフする事によって効果的に行える。バトラーアレーのアンテナ要素のための信号を生成するための上記タイプのハイブリッド分岐線カプラーを用いた回路の一例が図４３（ｂ）に示されている。この回路は、四つの９０度の３ｄＢハイブリッドカプラー１３００、二つの４５度移相変換器１３０２、および送信ライン相互接続器１３０４を有する。この移相変換器は、典型的には、所望の経路を変えるために選ばれた送信ラインから形成される。例えば、π／４の移相を行うためには、１／８λの長さが用いられ、−π／４の移相を行うためには、７／８λの長さが用いられる。図４３（ｂ）に示されたクロスオーバーは、単に、連結される事なしにクロスするラインの一例である。それゆえに、クロスオーバーラインは一つのラインが他のライン上に重なるような形状を有する。この重なりは、構造の追加の層を形成するか、または、クロスオーバーポイント上およびその近くで個々のラインの高さを減少させることによって達成される。上記クロスオーバーポイントでのラインを狭めることは、外側導体の内部幅および内側導体の外部幅のサイズを調節する事によって、変化しない特色を有するインピーダンスを維持して達成される。クロスオーバーポイントでの近くに外側導体１３３６および内側導体１３３８を夫々有する送信ライン１３３２、１３３４を狭めた状態が図４４に示されている。
【０１９２】
図４３（ｃ）は、四つの蛇行状のハイブリッドカプラー１３１２、二つの遅延ライン１３１４、二つのクロスオーバー１３２２、四つの入力１３１６、四つのアンテナ要素１３１８（例えば、パッチアンテナ）を用いた四バトラーマトリックスアンテナアレー１３１０の概略図である。
【０１９３】
図４５は、１２個のハイブリッド、１６個の移相変換器（そのうち、八つは変換を行う）とを用いた八入力、八バトラーマトリックスアンテナアレーの概略図である。この図面から分かるように、このアレーも又多くのクロスオーバーを有する。
【０１９４】
Ｎ個の直交光線を発生させるために必要とするハイブリッドの数が（Ｎ／２）ｌｏｇ2Ｎであるように、バトラーマトリックスの受動的構成要素の数は所望の光線の数と比例する。この比例のルールは、Ｎ−要素フーリエ変換を実行するのに必要とされる複素数の乗法の数の決定に類似している。ブルート力では、このような乗法では、Ｎ2個必要であるが、早いフーリエ変換（ＦＦＴ）では、これをＮｌｏｇ2Ｎに減らす。
この理由の故に、バトラーマトリックスは、時には、ＦＦＴの光線を形成するためのアナログとして参照される。ＦＦＴのようにそれは、特に、Ｎが大きい時及び／又はアレーが二次元である時は、光線を形成するためのアンテナを作るのに必要とされる構成要素の数を大きく減少させる。
【０１９５】
従来のバトラーマトリックスアンテナアレーは、その性能として、光線の質及び帯域幅に関して不利を招く。上記ハイブリッドの振幅及び分相が夫々、３ｄＢ及び９０度である時、光線の質は、特にサイドローブにおいて低下し始める。振幅及び二つのポート間の移相において非常に低速であるハイブリッドを製造するためにＥＦＡＢの固有正確さを用いることによって、この同軸ケーブルはこの問題を緩和する。
【０１９６】
帯域幅の欠点は、むしろ基本的である。その構造からすれば、上記バトラーマトリックスは、あるデザイン周波数において完全に有効に作用すべきであるが、その光線はより高い周波数またはより低い周波数で“傾く”し始める。“傾く”とは、光線がスペースへ向かって放射方向に進むことを意味する。限度はあるが、この欠点が、上記バトラーマトリックスが、マイクロ波システムにおいて必要条件を満たせなかった主な理由ではない。むしろ、それは上記のような正確さの問題である。
【０１９７】
ここで説明した超小型の同軸ケーブルハイブリッドを用いたバトラーマトリックスはいくつかの利点を有する。第一に、ハイブリッド、移相変換器、相互接続器、入力ポート、出力ポートは、上記した成型加工技術を用いることによって基板上に同時に形成する事ができ、また、バッチ式方法（一度に、多くのコピー）で組み立てることができる。更に、ハイブリッドの振幅および相の変換における非一様性は主ローブに関し、サイドローｂにおけるパワーをかなり増加させるので、ここで説明した成型加工プロセスの実施態様で得られた高い一様性によって、非一様性が大きく取り除かれる。その結果、ある実施態様では、振幅および相が夫々０．１ｄＢおよび１度であるハイブリッドが製造でき、光線の質の問題を大きく排除する事ができる。
【０１９８】
図４６は、パッチアンテナの放射要素がいかにしてＥＦＡＢによって同軸フィード要素と一体的に形成されるかについて示している。この同軸フィード要素１３４２（例えば、送信ライン）が基板１３４４の上に配置されている。ある変更実施態様では、同軸要素は上記基板から隔てられている。上記同軸フィード要素は、貫通孔１３５２を有する外側導電性シールド１３４８（例えば、断面形状が長方形又は正方形のシールド）間に配置された内側導体１３４６を有する。同軸内側導体の延長線１３５４が貫通孔から平坦なパッチアンテナ１３５６へと形成されている。上記貫通孔の垂直方向の長さは、例えば、１００−５００ミクロンである。上記孔のサイズは、上記孔と電磁気的に相互に作用し合っている中央導体によって引き起こされた寄生インピーダンスによって命令される。パッチの長さ及び幅は、３／８−１／２λであり、λは自由空間における波長である。パッチアンテナの下には接地平面が配置されている事が好ましい。この接地平面は完全に平坦である必要はなく、又、完全に固体である必要もないが、その代わり、導電性要素の小さなアレーの形態を取る。ハイブリッドカプラーを形成する同軸要素及び遅延ラインはこの接地平面の全て、又は、一部を形成する。
【０１９９】
ある実施態様では、誘電体（例えば、テフロン（登録商標）又はポリスチレン）の小さな領域は、パッチ（例えば、パッチのコーナー）の支持に助けとなるように用いられる。
【０２００】
図４６の上記同軸要素の右側が信号をアンテナへおよび／またはアンテナから運ぶ場合、左側の同軸線の短い長さが、駆動（または、受信）電子とパッチとのインピーダンスマッチに使われる。
【０２０１】
図４７は、四つの８×８のサイズのアンテナアレーのバッチが形成された基板を示している。形成後、上記基板は切られ、複数のアレーは互いに隔てられ、処理は終了する（パッケージング、ワイヤーの接着等）。上記基板１３７２は、集積回路を含むウェーハであって、それに対して、ＲＦシステムの形成を完成させるためにＲＦ構成要素を作るために電気化学的成型加工を用いられる。アンテナ１３７４は他のＲＦ構成要素（例えば、バトラーアレーを形成するために必要な構成要素）の上に形成される。
【０２０２】
ある実施態様によれば、遅延ラインは、その種々の部分を包み、隣接し、遮蔽導体を隣接するラインの複数箇所で共有する事によって、極度に小さい形態に作られる。ある実施態様においては、これらのラインは共通の平面に置かれ、他の実施態様においては、これらのラインを積層する事によって、これらのラインは三次元に配置される。更なる他の実施態様においては、これらの要素は螺旋状のパターン等の形状を取る。
【０２０３】
本発明の他の実施態様では、導波管および導波管構成要素が形成され、使用される。ある実施態様では、別個の構成要素を手を使うか、または、自動的に組み合わされる。また、他の実施態様では、信号の分配ネットワークなどのようなシステム全体の形成がなされる。
【０２０４】
本発明に関連した特許出願や特許の内容を，以下に説明する。各特許出願の要旨、又は，各特許の要旨は，読者が種々のの教示を見つけるのに助けとなるように下記に説明する。発明の内容の記載は特に指摘されたテーマに限定されることを意図しているのではなくて，これらの出願において見つけられた全ての内容を含むべき物である。これらの出願における教示は，多くの方法で本出願の教示と組みあわせることができる。例えば，構造を製造するための適切な方法が様々な教示の組みあわせによって引き出す事ができ，適切な構造を得ることができ，適切な装置を引き出す事ができる。
【０２０５】
本発明の実施態様の幾つかは、本発明の教示と参考としてここに引用した種々の教示との組み合わせに基づいている。或る実施態様では、ブランケット式付着プロセスおよび／または平均化プロセスは使われていない。或る実施態様では、単一の層、または、異なった層上に複数の異なった材料の付着が行われる。或る実施態様では、電着プロセスでないマスキングプロセスが用いられる。或る実施態様では、適合接触マスキングプロセスでなく、また、電着プロセスでない選択的付着プロセスが複数層に対して用いられる。或る実施態様では、Ｎｏ．６０／４２９，４８３に対応する上記引用したＵＳ暫定特許出願に説明されている非適合接触マスキング、又は、非接触マスキング技術が用いられる。
【０２０６】
或る実施態様では、構成材料としてニッケルが用いられる。他の実施態様では、犠牲材料から分離され得る金、銀等の材料、或いは、他の電着材料が、構成材料として用いられる。或る実施態様では、犠牲材料を有する、または、有しない材料として銅が用いられる。或る実施態様では、犠牲材料が除去される。他の実施態様では、犠牲材料が除去されない。或る実施態様では、化学的エッチング作業、電着作業、又は、溶融作業によって犠牲材料は除去される。或る実施態様では、陽極は適合接触マスクの支持体とは異なり、支持体は多孔性の構造を有するか、または、他の孔の開いた構造を有する。或る実施態様では、異なるパターンを有する多数の適合接触マスクを用い、異なった選択的なパターンを有する材料を異なる複数の層および／または単一層の異なる部分上に付着させる。或る実施態様では、適合接触マスクの適合部分と基板間の封止が適合材料の表面からその内部の縁へ移行するように、付着が進行するにつれて付着の深さは適合接触マスクを基板から引き抜く事によって増加する。
【０２０７】
この明細書における教示に鑑み、多くの実施態様、本発明のデザインおよび使用の変更例は、当業者にとっては自明の事である。それゆえ、本発明は、上記の図面を参考にして説明した実施態様やその変更例や使用に限定されるものではなくて、後に記載された特許請求の範囲に限定される。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１（ａ）】適合接触マスクめっきプロセスの工程を示す概略側面図である。
【図１（ｂ）】適合接触マスクめっきプロセスの工程を示す概略側面図である。
【図１（ｃ）】適合接触マスクめっきプロセスの工程を示す概略側面図である。
【図１（ｄ）】異なったタイプの適合接触マスクを用いた適合接触マスクめっきプロセスの工程を示す概略側面図である。
【図１（ｅ）】異なったタイプの適合接触マスクを用いた適合接触マスクめっきプロセスの工程を示す概略側面図である。
【図１（ｆ）】異なったタイプの適合接触マスクを用いた適合接触マスクめっきプロセスの工程を示す概略側面図である。
【図１（ｇ）】異なったタイプの適合接触マスクを用いた適合接触マスクめっきプロセスの工程を示す概略側面図である。
【図２（ａ）】犠牲材料が選択的に堆積され、構成材料はブランケット式で堆積される特別な構造の形成に適用された電気化学的成型加工プロセスの工程を示す概略側面図である。
【図２（ｂ）】犠牲材料が選択的に堆積され、構成材料はブランケット式で堆積される特別な構造の形成に適用された電気化学的成型加工プロセスの工程を示す概略側面図である。
【図２（ｃ）】犠牲材料が選択的に堆積され、構成材料はブランケット式で堆積される特別な構造の形成に適用された電気化学的成型加工プロセスの工程を示す概略側面図である。
【図２（ｄ）】犠牲材料が選択的に堆積され、構成材料はブランケット式で堆積される特別な構造の形成に適用された電気化学的成型加工プロセスの工程を示す概略側面図である。
【図２（ｅ）】犠牲材料が選択的に堆積され、構成材料はブランケット式で堆積される特別な構造の形成に適用された電気化学的成型加工プロセスの工程を示す概略側面図である。
【図２（ｆ）】犠牲材料が選択的に堆積され、構成材料はブランケット式で堆積される特別な構造の形成に適用された電気化学的成型加工プロセスの工程を示す概略側面図である。
【図３（ａ）】図２（ａ）〜図２（ｆ）において示された、手で行う電気化学的成型加工方法において用いられるサブアッセンブリの種々の例を示す概略側面図である。
【図３（ｂ）】図２（ａ）〜図２（ｆ）において示された、手で行う電気化学的成型加工方法において用いられるサブアッセンブリの種々の例を示す概略側面図である。
【図３（ｃ）】図２（ａ）〜図２（ｆ）において示された、手で行う電気化学的成型加工方法において用いられるサブアッセンブリの種々の例を示す概略側面図である。
【図４（ａ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｂ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｃ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｄ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｅ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｆ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｇ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｈ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図４（ｉ）】第一材料の堆積位置と第一材料自身との間の開口部に、第二材料がブランケット式で堆積される、接着マスクめっきを用いた構造の第一層の形成を示す。
【図５（ａ）】短絡スポークを有する同軸フィルターの斜視図である。
【図５（ｂ）】図５（ａ）のライン４（ｂ）−４（ｂ）に沿った同軸フィルターの平面図である。
【図５（ｃ）】図５（ａ）のライン４（ｃ）−４（ｃ）に沿った同軸フィルターの平面図である。
【図５（ｄ）】フィルターの長さに沿った五セットのフィルタリングスポーク（一セットにつき２個）を示す同軸フィルター要素の中心部分の平面図である。
【図６（ａ）】複数のセット（一セットにつき四つのスポーク）を用いた、長方形、円形、楕円形のフィルター要素の端部図である。
【図６（ｂ）】複数のセット（一セットにつき四つのスポーク）を用いた、長方形、円形、楕円形のフィルター要素の端部図である。
【図６（ｃ）】複数のセット（一セットにつき四つのスポーク）を用いた、長方形、円形、楕円形のフィルター要素の端部図である。
【図７（ａ）】フィルタリング構成要素において用いられる他の例のスポークの形状を示す。
【図７（ｂ）】フィルタリング構成要素において用いられる他の例のスポークの形状を示す。
【図７（ｃ）】フィルタリング構成要素において用いられる他の例のスポークの形状を示す。
【図７（ｄ）】フィルタリング構成要素において用いられる他の例のスポークの形状を示す。
【図８（ａ）】湾曲した同軸フィルターの構成要素の斜視図である。
【図８（ｂ）】湾曲した同軸フィルターの構成要素の斜視図である。
【図９（ａ）】信号のフィルタリングを助けるために内側導体あるいは外側導体に沿って突起を用いる同軸フィルターの構成要素の変更実施態様を示す。
【図９（ｂ）】信号のフィルタリングを助けるために内側導体あるいは外側導体に沿って突起を用いる同軸フィルターの構成要素の変更実施態様を示す。
【図９（ｃ）】信号のフィルタリングを助けるために内側導体あるいは外側導体に沿って突起を用いる同軸フィルターの構成要素の変更実施態様を示す。
【図９（ｄ）】蛇行形状の二ポール同軸フィルターの長さ方向における中心部分の平面図である。
【図１０（ａ）】留め繋ぎの程度が異なる馬蹄状の同軸送信ラインの長さ方向における中央部分の平面図である。
【図１０（ｂ）】留め繋ぎの程度が異なる馬蹄状の同軸送信ラインの長さ方向における中央部分の平面図である。
【図１０（ｃ）】留め繋ぎの程度が異なる馬蹄状の同軸送信ラインの長さ方向における中央部分の平面図である。
【図１０（ｄ）】留め繋ぎの程度が異なる馬蹄状の同軸送信ラインの長さ方向における中央部分の平面図である。
【図１１（ａ）】同軸送信ラインおよび同軸フィルター構成要素の中心部に沿った平面図であって、波状の振幅が同軸ケーブルの小さい半径側の内表面に形成されている。
【図１１（ｂ）】同軸送信ラインおよび同軸フィルター構成要素の中心部に沿った平面図であって、波状の振幅が同軸ケーブルの小さい半径側の内表面に形成されている。
【図１２（ａ）】各ポールを形成するための複数対のスタブを用いた直線状の三ポール同軸帯域フィルターの長さ方向に沿った中心部分の平面図（上から見た図）である。
【図１２（ｂ）】長方形の構造を示す図１２（ａ）のフィルターの端部図である。
【図１２（ｃ）】スタブ支持体を有する湾曲した三ポール同軸帯域フィルターの長さ方向に沿った中心部分の平面図（上から見た図）である。
【図１３（ａ）】スタブ支持体を有するＳ字形の三ポール同軸帯域フィルターの長さ方向に沿った中心部の平面図（上から見た図）である。
【図１３（ｂ）】図１３（ａ）のＭＥＭＧｅｎのＤＦＡＢＴＭ  電気化学的な成型加工技術を用いて作られた、フィルターを幾らか修正した形状を有し、犠牲材料が除去された後のフィルターの斜視図である。
【図１３（ｃ）】構成材料から犠牲材料を除去した後に部分的に形成された互いに近寄ったフィルター（図１３（ｂ）に示されたようなもの）の斜視図である。
【図１４（ａ）】犠牲材料に埋め込まれた同軸フィルター構成要素、および、犠牲材料から分離された同軸フィルター構成要素の斜視図で、同軸構成要素の外側導体が孔（意図されたマイクロ波の出入り口以外において）を有する。
【図１４（ｂ）】犠牲材料に埋め込まれた同軸フィルター構成要素、および、犠牲材料から分離された同軸フィルター構成要素の斜視図で、同軸構成要素の外側導体が孔（意図されたマイクロ波の出入り口以外において）を有する。
【図１５（ａ）】種々のフィルターのデザインに対する数学的なモデルによる、周波数に対する送信のプロットを示す。
【図１５（ｂ）】種々のフィルターのデザインに対する数学的なモデルによる、周波数に対する送信のプロットを示す。
【図１５（ｃ）】種々のフィルターのデザインに対する数学的なモデルによる、周波数に対する送信のプロットを示す。
【図１５（ｄ）】種々のフィルターのデザインに対する数学的なモデルによる、周波数に対する送信のプロットを示す。
【図１６】所望の装置／構造の製造において一つの導電性材料および一つの誘電性材料を用いる電気化学的成型加工プロセスの一例を示すフローチャートである。
【図１７（ａ）】図１６のプロセスを使って形成される同軸構造の端部図である。
【図１７（ｂ）】図１７（ａ）同軸構造の斜視図である。
【図１８（ａ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｂ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｃ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｄ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｅ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｆ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｇ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｈ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｉ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１８（ｊ）】図１６のプロセスのフローを使って形成された、図１７（ａ）および１７（ｂ）に示された構造と同様の構造を示す。
【図１９】三つの導電性材料の使用を含む電気化学的成型加工プロセスの一例のフローチャートを示す。
【図２０（ａ）】図１９に示すプロセスの拡張に従って形成する事ができる導電要素および誘電性支持構造とを含む構造の斜視図である。
【図２０（ｂ）】図１９に示すプロセスの拡張に従って形成する事ができる導電要素および誘電性支持構造とを含む構造の斜視図である。
【図２１（ａ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｂ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｃ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｄ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｅ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｆ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｇ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｈ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｉ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｊ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｋ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｌ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｍ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｎ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｏ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｐ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｑ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｒ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｓ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２１（ｔ）】図１９のプロセスフローを適用して形成した、図２０（ａ）において示した同軸構造と同様の構造を示し、この同軸構造においては、導電性材料の中の二つは、上記構造における層が形成された後で除去される犠牲材料であり、誘電性材料は除去された犠牲材料の中の一つと置き換えるために用いられる。
【図２２（ａ）】図２１（ｒ）−２１（ｔ）に示された除去プロセスおよび取り替えプロセスの拡張を示している。
【図２２（ｂ）】図２１（ｒ）−２１（ｔ）に示された除去プロセスおよび取り替えプロセスの拡張を示している。
【図２２（ｃ）】図２１（ｒ）−２１（ｔ）に示された除去プロセスおよび取り替えプロセスの拡張を示している。
【図２３（ａ）】二つの導電性材料および一つの誘電性材料の使用を含む電気化学的成型加工プロセスの一例のフローチャートを示す。
【図２３（ｂ）】二つの導電性材料および一つの誘電性材料の使用を含む電気化学的成型加工プロセスの一例のフローチャートを示す。
【図２４】図２３（ａ）および２３（ｂ）のプロセスの拡張を用いて形成される構造の斜視図である。
【図２５（ａ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｂ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｃ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｄ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｅ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｆ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｇ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｈ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｉ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｊ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｋ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｌ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｍ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｎ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｏ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｐ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｑ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｒ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｓ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｔ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｕ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｖ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｗ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｘ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｙ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２５（ｚ）】図２３（ａ）と２３（ｂ）に従って層の形成プロセスの一例を示す側面図であり、内側導体のみを支持する誘電性材料で同軸構造を形成する。
【図２６（ａ）】図２５（ｈ）−２５（ｋ）のプロセスの変更例で、この変更例では、上記構造の第四層に対して第一導電性材料を堆積する前に、種層の使用が必要である。
【図２６（ｂ）】図２５（ｈ）−２５（ｋ）のプロセスの変更例で、この変更例では、上記構造の第四層に対して第一導電性材料を堆積する前に、種層の使用が必要である。
【図２６（ｃ）】図２５（ｈ）−２５（ｋ）のプロセスの変更例で、この変更例では、上記構造の第四層に対して第一導電性材料を堆積する前に、種層の使用が必要である。
【図２６（ｄ）】図２５（ｈ）−２５（ｋ）のプロセスの変更例で、この変更例では、上記構造の第四層に対して第一導電性材料を堆積する前に、種層の使用が必要である。
【図２６（ｅ）】図２５（ｈ）−２５（ｋ）のプロセスの変更例で、この変更例では、上記構造の第四層に対して第一導電性材料を堆積する前に、種層の使用が必要である。
【図２７】同軸送信ラインの斜視図である。
【図２８】ＲＦ接触スイッチの斜視図である。
【図２９】ログ周期的アンテナの斜視図である。
【図３０（ａ）】互いに関して１８０度回転するドーナツ型の誘電子の一例を示す斜視図である。
【図３０（ｂ）】互いに関して１８０度回転するドーナツ型の誘電子の一例を示す斜視図である。
【図３０（ｃ）】電気化学的成型加工プロセスによって形成されたドーナツ型の誘電子の斜視図である。
【図３１（ａ）】電気化学的成型加工プロセスにしたがって形成された螺旋状の誘電子のデザインおよび積層された螺旋状の誘電子を夫々示す。
【図３１（ｂ）】電気化学的成型加工プロセスにしたがって形成された螺旋状の誘電子のデザインおよび積層された螺旋状の誘電子を夫々示す。
【図３１（ｃ）】図３１（ａ）および３１（ｂ）の誘電子の変形例を示している。
【図３２】図３２（ａ）および３２（ｂ）は、図３２（ｂ）のデザインは図３２（ａ）のデザインよりもより少ないオーム抵抗を示し、インダクタンスのトータルが変更可能な二つの実行可能なデザインを対比して示している。
【図３３（ａ）】オーム損失を最少にし、誘電子のコイル間において高い連結レベルを維持する二つの誘電子の形状の概略図である。
【図３３（ｂ）】オーム損失を最少にし、誘電子のコイル間において高い連結レベルを維持する二つの誘電子の形状の概略図である。
【図３４】コンデンサーの斜視図である。
【図３５（ａ）】可変コンデンサーの一例の斜視図および側面図である。
【図３５（ｂ）】可変コンデンサーの一例の斜視図および側面図である。
【図３６（ａ）】同軸構造の二つの例を示す端部図であり、中央導体は、横断面積に関して表面積を増加させる横断面形状を有している。
【図３６（ｂ）】同軸構造の二つの例を示す端部図であり、中央導体は、横断面積に関して表面積を増加させる横断面形状を有している。
【図３７】内部信号（例えば、クロック信号）と集積回路の他の部分との通信のための低分散送信ラインとを接続するために用いられる接触パッドを有する上記集積回路の側面図である。
【図３８（ａ）】ここで説明されたプロセスを実行する際に使う事ができる第一及び第二世代コンピューターで制御された電気化学的成型加工システム（即ち、ＥＦＡＢＴＨマイクロ成型加工システム）を示す。
【図３８（ｂ）】ここで説明されたプロセスを実行する際に使う事ができる第一及び第二世代コンピューターで制御された電気化学的成型加工システム（即ち、ＥＦＡＢＴＨマイクロ成型加工システム）を示す。
【図３９】従来の四ポートハイブリッドカプラーの平面図である。
【図４０】同軸ケーブルにおける湾曲部のおよびその寸法の平面図である。
【図４１】送信ラインの複数部分に沿ったシェアド外側導体を有する同軸ケーブルの一部の平面図である。
【図４２】従来の直線状のハイブリッドに比べて、分岐線ハイブリッドによって占められた全面積をかなり減少させるために、上記分岐線ハイブリッドの各λ／４部がいかにして蛇行状の部分を有して形成され得るかを示している。
【図４３（ａ）】四要素の直線のアレーからの四つの直交光線の集光した状態を示している。
【図４３（ｂ）】バトラーアレーを示し、そのアンテナ要素はハイブリッド分岐線カプラーおよび二つの位相器を用いた回路によって生成された信号を有する。
【図４３（ｃ）】四つの蛇行状のハイブリッドカプラー、二つの遅延ライン、二つのクロスオーバー、四つの入力、四つのアンテナ要素  （例えば、パッチアンテナ）を用いた四要素バトラーマトリックスアンテナアレーの概略図である。
【図４４】それぞれ外側導体および内側導体を有する狭められた複数の送信ラインのクロスオーバーポイントを示す。
【図４５】１２個のハイブリッド、１６個の移相変換器（そのうち、八つは変換を行う）、八つのアンテナとを用いた八入力、八アンテナバトラーマトリックスアレーの概略図である。
【図４６】パッチアンテナの放射要素がいかにして同軸フィード要素に取りつけられるかについて示している。
【図４７】四つの８×８のサイズのアンテナアレーのバッチが形成された基板を示している。
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【図１５（ａ）】
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【図１５（ｂ）】
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【図１５（ｃ）】
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【図１５（ｄ）】
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【図１６】
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【図１９】
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【図２３（ａ）】
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【図２３（ｂ）】
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【図２４】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３４】
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【図３７】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３（ａ）】
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【図４３（ｂ）】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【国際調査報告】
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