(57)【要約】基板の一方の側から他方の側に伸び、密閉するようにシールされた貫通穴（１８）を有する基板（１６）と、その製造方法。貫通穴を、例えば、フリットレスインク等の導電物質で充填してもよい。この導電物質によって作られた導電パスは、基板の一方の側を他方の側からシールする際の手助けとなる。基板の一方の側は検知要素（１２）を有し、基板の他方の側は検知電子装置（１４）を有してもよい。
2005502403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知要素のための第１の側と、電子装置のための第２の側とを有する基板と、
前記基板の第１の側から前記基板の第２の側にかけて電気接触を形成するための貫通穴と、
を有し、
前記貫通穴は、前記基板の第１の側から前記基板の第２の側にかけて密閉するようにシールされている検知装置。
【請求項２】
前記貫通穴は導電物質によって充填されている、請求項１に記載の検知装置。
【請求項３】
前記導電物質はフリットレスインクである、請求項２に記載の検知装置。
【請求項４】
前記フリットレスインクは金のペーストである、請求項３に記載の検知装置。
【請求項５】
前記フリットレスインクはプラチナのペーストである、請求項３に記載の検知装置。
【請求項６】
前記基板はセラミックである、請求項１に記載の検知装置。
【請求項７】
前記基板は実質的に９２％〜９６％アルミナである、請求項１に記載の検知装置。
【請求項８】
前記第２の側は蓋によって覆われている、請求項１に記載の検知装置。
【請求項９】
前記蓋は金でできている、請求項８に記載の検知装置。
【請求項１０】
前記貫通穴を覆うキャップを更に有する、請求項１に記載の検知装置。
【請求項１１】
前記キャップはアルミナ製である、請求項１０に記載の検知装置。
【請求項１２】
前記アルミナのキャップは、イオンビームアシスト堆積処理を用いて堆積された、請求項１１に記載の検知装置。
【請求項１３】
前記貫通穴は複数の貫通穴を含む、請求項１に記載の検知装置。
【請求項１４】
前記基板はアニールされている、請求項１に記載の検知装置。
【請求項１５】
密閉するようにシールされた基板を形成する方法であって、
基板物質を調達し、
前記基板の第１の側から前記基板の第２の側にかけて貫通穴を形成し、
前記基板の第１の側と前記基板の第２の側との間に密閉シールが形成されるように前記貫通穴を導電物質で充填する、方法。
【請求項１６】
前記貫通穴の形成は、レーザ穴開け処理によって貫通穴をあけることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記貫通穴の形成は、前記基板をアニールすることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記貫通穴の形成は、
前記基板の表面にスクリーンを置き、
導電物質が前記貫通穴の中に入り込むように、前記導電物質を前記スクリーンを介して押し込み、
前記導電物質を前記貫通穴に押し込んだ側とは反対の前記基板の側において、前記導電物質が前記貫通穴の壁を被膜するように減圧する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記貫通穴の充填は、前記貫通穴の中に形成されるメニスカスを充填することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記メニスカスの充填は、
前記基板を真空に入れ、
導電物質を前記メニスカスに押し当て、
前記基板を大気に曝す
ことを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記メニスカスの充填は、前記基板を焼成することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記貫通穴の上に柱を堆積することを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記柱の堆積は、前記基板にマスクを固定し、
前記マスクの上に金属を堆積し、
前記金属の堆積後、前記マスクを除去し、
前記基板をセラミックで被膜する
ことを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記基板を前記セラミックで被膜した後、前記金属を溶解することを更に含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記セラミック被膜は前記柱より背が低い、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記貫通穴をキャップで覆うことを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
前記貫通穴を覆うことを、イオンビームアシスト堆積処理を用いて行う、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記スクリーンの代わりにステンシルを用いる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】
検知要素のための第１の領域と、電子装置のための第２の領域とを有する基板と、
前記基板の第１の領域から前記基板の第２の領域にかけて電気接続を行うための貫通穴と、
を有し、
前記貫通穴は、前記基板の第１の領域から前記基板の第２の領域にかけて密閉するようにシールされた検知装置。
【請求項３０】
前記貫通穴は導電物質で充填される、請求項２９に記載の検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ技術に関し、特に、生理学的パラメータを含む多様なパラメータを検知するために使用する密閉シールされた基板の製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
バイオセンサと超小型電子技術とを組み合わせることによって、多く人々の生活の質を向上させる携帯用診断医療装置が使えるようになった。病気や障害に苦しむ人々の多くは、以前は、病院や診察室に何度も通って診察のための検査を受けざるをえなかったが、現在は、研究用の装置にも劣らない正確さで、自宅のゆったりとした環境の中で自分で検査することができるようになった。しかし、生体検査の分野で解決すべき問題は、まだ残っている。例えば、糖尿病患者の多くは、現在、自宅の心地よい環境の中で診断用医療装置を使ってはいるが、そのような装置の圧倒的多数は、糖尿病患者が自ら採血して、自らのインスリンを注入する必要がある。採血するためには通常、指に針を刺さなければならない。若い頃に糖尿病と診断された人にとっては、自分で指に針を刺す回数は人生を通して楽に数万回に及ぶ。更に、インスリンを注入する回数も何万回にも及ぶかもしれない。いずれの場合も、採血やインスリン注入を何千回も繰り返すことは侵襲性であり、非常に不便であり、痛みを伴う場合が多く、感情的に滅入るものである。
【０００３】
幾つかの内科的な状態（medical conditions）は、自動化されて体内に埋むことができる検知を行うことができる。例えば、心臓に問題を抱える人々の多くはペースメーカや除細動器を体内に埋め込んでいる。これらはセンサを使って患者の血液の酸素容量をモニタしている。こうしたセンサによって、例えば、患者の心臓が早い速度で効率的に動いているか、除細動に入ったかを検出できることが理想である。この検出を効果的に行うには、正確なセンサを用いなければならない。しかし、体内に埋め込まれた酸素センサは、これまでは、頻繁かつ周期的にチェックし、再較正する必要があった。実際、ペースメーカ業界における「神聖なる究極の理想」の１つは、正確で、ドリフトがなく、較正を要しない酸素センサである。しかし、現在の所、このようなセンサはない。病気や障害を抱え、決定的な治療法がない人々を診断するための必要要件を満たす理想的な方法は、体内に埋め込まれ、かなりの期間、センサをリセットしたり再較正したりする必要がないセンサシステムである。このようなセンサシステムを実現するためには、特定の用途にかかわらず、長期にわたって正確であり続け、ドリフトが少なく、再較正を要しないセンサを用いなければならない。
【０００４】
このようなシステムは通常、必要な特徴を維持するために、センサ電子装置から非常に近い場所にセンサを配置しなければならない。しかし、センサ電子装置を埋込可能なセンサシステムのセンサの近くに配置することは、これまでは、これらが動作する環境による制約をうけてきた。例えば、糖尿病患者用の埋込可能センサは、血液内のグルコース量を検出する必要があるので、血液と直接、接触するように体内に埋め込まなければばならない。したがって、このセンサの近くにセンサ電子装置を配置するためには、センサ電子装置自身も血液内に配置しなければならない。しかし、これは、センサ電子装置にとっては明らかに好ましくない。なぜなら、センサ電子装置はセンサと電気接触していなければならないが、センサ電子装置を血液その他の体液に曝すと、センサ電子装置が短絡し、システム全体が破壊される可能性があるからである。したがって、理想的な埋込可能センサシステムとは、センサ電子装置の近くにセンサを配置することができるが、体液に対して露出されるであろうセンサと、そのような状態になると短絡するかもしれないので体液に触れてはいけないセンサ電子装置との間が密閉されたものである。更に、この密閉性は、センサシステムの寿命を通して維持されなければならない。本発明は、このようなシステムを提供する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態は、センサ基板および、センサ基板を製造する方法およびシステムに関する。本発明の実施形態によると、検知装置は、検知要素のための第１の側と、電子装置のための第２の側とを有してもよい。この検知装置は、当該基板の第１の側から当該基板の第２の側への電気接続を行うための単数または複数の貫通穴（vias）を有してもよい。更に、この貫通穴は、当該基板の第１の側から当該基板の第２の側にかけて密閉するようにシールされてもよい。
【０００６】
本発明の別の実施形態によれば、検知装置は、検知要素のための第１の領域と、電子装置のための第２の領域とを有してもよい。当該検知装置は、当該基板の第１の領域から当該基板の第２の領域にかけて電気接続する１個以上の貫通穴を有してもよい。当該貫通穴は、当該基板の第１の領域から当該基板の第２の領域にかけて密閉するようにシールされていてもよく、導電物質によって充填されもよい。当該検知装置の貫通穴も導電物質によって充填されてもよい。この導電物質は、金またはプラチナのペースト等といったフリット化されたインク（fritted ink）またはフリットレスインク（fritless ink）でもよい。この貫通穴は、イオンビームアシスト堆積処理によって堆積されたアルミナ製のカバーで覆われていてもよい。この基板は、実質的に９２％〜９６％アルミナ等のセラミックでもよい。所望であれば、この基板をアニールしてもよい。この基板の一方の側を蓋で覆ってもよい。この蓋は金等の金属製でもよい。
【０００７】
本発明の実施形態によると、密閉するようにシールされた基板を製造する方法は、基板物質を調達し、当該基板の第１の側から当該基板の第２の側にかけて１個以上の貫通穴を作り、当該基板の第１の側と当該基板の第２の側との間に密閉シールが形成されるようにこの貫通穴を導電物質で充填することを含んでもよい。この貫通穴は、レーザ穴開け処理によって当該基板を貫通するように作ってもよい。レーザ穴開け処理の後に当該基板をアニールしてもよい。当該基板の表面にスクリーンまたはステンシルを置き、この導電物質を貫通穴の中に押し込み、基板の、導電物質を貫通穴内に押し込んだ側と反対の側から減圧して導電物質が貫通穴の壁を覆うようにすることを含んでもよい。さらに、メニスカスも充填してもよい。基板を真空に入れ、導電物質をメニスカスに押しつけ、基板を大気に曝すことによって、メニスカスを充填してもよい。メニスカスの充填後に基板をアニールしてもよい。更に、貫通穴の上に柱を堆積してもよい。貫通穴の上に柱を堆積する処理は、基板にマスクを固定し、そのマスクの上に金属を堆積し、その後にマスクを除去し、基板をセラミックで被膜することを含んでもよい。この金属は、基板をセラミックで被膜した後に溶解してもよい。セラミック被膜は柱よりも短くてもよい。貫通穴をキャップで覆ってもよい。貫通穴を、イオンビームアシスト堆積処理によってキャップで覆ってもよい。本発明の上記およびそれ以外の目的、特徴、利点は、以下の本発明の実施形態の詳細な説明を、添付の図面および請求項を読みながら検討することで、明白になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下の好適な実施形態の説明では、この説明の一部をなす添付の図面を参照する。これらの図面は、本発明を実施する具体的な実施形態を示すためのものである。しかし、本発明の好適な実施形態の範囲を逸脱することなく、これ以外の実施形態を用いたり、構造を変更することができることが分かる。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る、一般化された基板構造体を示す。センサ１０は、生体検知要素、生理学的パラメータ検知要素、またはその他の検知要素が固定されてもよい基板１６の検知要素側１２と、検知要素によって作られた信号を処理するための電子装置が固定されてもよい基板１６の電子装置側１４とを有する。検知要素側１２には多様な検知要素の任意の検知要素を装着してもよい。例えば、この検知要素は、グルコースオキシダーゼ酵素を触媒として使用するグルコースセンサでもよいし、酸素センサでもよいし、複数の検知要素を有してもよい。電子装置側１４には多様な電子回路を装着してもよい。本発明の１実施形態では、基板１６の電子装置側１４に、データ調達回路を含む特定の適用のために設計された集積回路 （ＡＳＩＣ）を装着してもよい。つまり、基板１６の検知要素側１２から受信したアナログ信号を、基板１６の電子装置側１４のＡＳＩＣによってデジタル化してもよい。デジタル化およびその他の電子装置をアナログ信号の信号源の近くに配置して、デジタル化されるために信号が通常、通過するケーブルを長くしないことで、ノイズレベル、オフセットおよび信号ロスを減少する。この結果、装置の精度や信頼性が増す。更に、基板１６の電子装置側１４の電子装置によって一旦デジタル化した信号を他の装置に送って、アナログ形式ではなく、分離した形式で動作させたり、他の処理を行ったりしてもよく、この結果、洩れ、ドリフト、その他の特性が改善される。
【００１０】
基板１６の検知要素側１２側から基板１６の電子装置側１４にかけて貫通穴１８が伸びている。図２Ａに示すように、貫通穴１８は基板１６の本体を貫通する通路であって、このために、基板１６の検知要素１２側の検知要素と共に作用する電極列または電気接触部と、基板１６の電子装置側１４の電子装置との間で電気接触することができる。貫通穴１８は様々な仕様で配列されてもよい。本発明の１実施形態に係る１つの検知要素に対する貫通穴の配置を図２Ｂに示す。図２Ｂに示すこの貫通穴の配置は、検知要素において触媒として用いられる酵素に働きかける電極に対応したものでもよい。第１の貫通穴１８ａおよび第２の貫通穴１８ｂは第１の作用電極および第１のカウンタ電極に相当する。第３の貫通穴１８ｃおよび第４の貫通穴１８ｄは第２の作用電極および第２のカウンタ電極に相当する。第５の貫通穴１８ｅは参照電極に相当する。電極は、以下で説明する処理によって貫通穴１８と整列する。
【００１１】
基板１６の反対側にある検知要素に隣接して電子装置を設けるという、一般化された基板構成と、その結果、アナログ信号ではなく、分離した信号をセンサから出力できるようになったという性能とによって、安定した装置が得られる。つまり、本発明の実施形態を用いて、センサ電子装置の出力ドリフトを１年以上にわたって５％未満にすることができる。このように低いドリフト仕様なので、交換または較正の間隔頻度を大幅に減らすことができ、本発明の実施形態を、より長い期間にわたって人体に埋め込むことができる。
【００１２】
図１に示す一般化された基板構成体は、以下に説明する本発明の実施形態に係る処理によって好ましい効果を享受し、基板１６の検知要素側１２側と基板１６の電子装置側１４側との間で密閉されている。本発明の実施形態によると、３年間にわたって１気圧でヘリウム洩れ速度１ｘ１０−８ｃｃ／秒に相当する密閉度が得られるかもしれない。更に、本発明の実施形態によると、センサ１０を人体の静脈または動脈に埋め込んでもよい。更に、基板１６の検知要素側１２側を、例えば血液等といった体液に露出してもよい。こういった仕様で用いる場合、体液が基板１６の電子装置側１４の電子装置に染みこんでしまうと、この体液によって電子装置が破壊され、装置が無用のものとなってしまう。
【００１３】
しかし、基板１６の電子装置側１４は、以下で説明する本発明の実施形態に係る処理によって基板１６の検知要素側１２から密閉されるようにシールされてもよいので、電子装置を、体液や、検知要素の近くの、電子装置を損傷するかもしれないその他の電子要素に対して露出することなく、基板１６の電子装置側１４に直接、配置してもよい。基板１６は多様な物質から作られてもよい。本発明の１実施形態によると、基板１６をセラミックから作ってもよい。例えば、基板１６を、押圧されたテープ状セラミックスラリーを用いて作ってもよい。このようなスラリーは商用的に広く入手できる。また、本発明の１実施形態では、９２％〜９６％アルミナ（Ａ１２０３）の基板を用いる。基板物質を、可撓性を有する、または堅いシートの形状で購入してもよい。基板１６は様々な形状でもよく、図１に示す構造体以外にも多様な仕様に構成してもよい。例えば、本発明の１実施形態によると、基板１６の３つ以上の側面に１個以上の検知要素または電子装置を配置してもよい。また、基板１６は、検知装置および電子装置が多数の表面の任意の表面上に設けられ、多数の貫通穴が幾何学形状に形成されて多様な表面同士が電気接続する多面装置でもよい。本発明の別の実施形態では、１個以上の検知要素および電子装置を基板１６の同じ側に配置してもよい。基板１６上の検知要素および電子装置の位置にかかわらずに１個以上の検知要素および電子装置同士が電気接触するように、貫通穴１８をそれに応じて配置してもよい。
【００１４】
図３は、本発明の実施形態に係るセンサ基板を製造する、一般化された処理を示す。ステップ２０において基板物質を調達する。ステップ２２において、中空の通路が基板の一方の側から他方の側に伸びるように貫通穴を形成する。ステップ２４において、貫通穴に導電物質を充填して、基板の一方の側と他方の側との間が電気的に連続するようにする。更に、基板の一方の側と他方の側との間が密閉シールされるように貫通穴を充填する。ステップ２６において、基板の各々の側に導電層を堆積して貫通穴と電気接触させる。ステップ２８において、基板の一方の側に電子装置を設け、他方の側に検知要素を設ける。この時、電子装置および検知要素の両方が導電層と所望通りに接触するようにする。
【００１５】
図４は、本発明の実施形態に係るセンサ基板の製造処理を更に詳細に示す。図４の処理は基板が１枚の場合について言及するが、この処理は、１枚の基板物質から作られた複数枚の基板にも適用できることがわかる。センサ基板は、様々な製造技術を用いて製造してもよい。例えば、薄膜製造技術または厚膜製造技術のいずれを用いてもよい。図４に示す一般化された処理は例示のためであって、いかなる意味でも本発明の実施形態を制限するものではない。ステップ３０において基板物質を調達する。上述の通り、本発明の一般的な実施形態では９２％〜９６％アルミナ基板（Ａ１２０３）を用いてもよい。アルミナは超小型電子技術の業界において広く使用され、多くの供給源から入手できる。例えば、９６％アルミナ基板はＣＯＯＲＳ，ＩＮＣから購入できる。９９．６％アルミナは、その純粋性のために、電極ベースのセンサの適用において一般的であるが、装置の抵抗性を増加させるので、本発明の実施形態では９２％〜９６％アルミナを用いて本発明の実施形態のアニールおよびテスト処理性能を改善してもよい。９６％アルミナより大きな（アルミナ含有量量が多い）基板では、レーザ穴開け処理によって貫通穴をあける際にできた割れ目が、９２％〜９６％アルミナの場合ほど上手くアニールされないだろう。９２％未満のアルミナの基板は通常、表面の球状性（roundness）や粒状性が増しており、その上に押しつけ（print）やシールを行うことが難しい。さらに、９２％未満のアルミナの基板をテストすることは難しいかもしれない。この基板の表面が、洩れ検出に用いるヘリウムを吸収し、腐食の影響を受けやすくなるかもしれないからだ。更に、９２％未満のアルミナの基板は通常、９２％〜９６％アルミナより暗く（darker）、本発明の実施形態で行うフォトリソグラフィ処理に影響するかもしれない。
【００１６】
ステップ３２において、中空の通路が基板の一方の側から他方の側に形成されるように基板の表面に貫通穴を形成する。貫通穴はレーザで穴開けしてもよいし、業界では一般的であるその他の方法で穴開け、または形成してもよい。ステップ３４において、基板をアニールする。貫通穴を形成する処理によって基板本体の表面または内部に割れ目が生じた場合、この割れ目を直すために、基板をアニールする必要があるかもしれない。本発明の１実施形態では、基板を約１２００℃で約１６時間アニールする。貫通穴を形成する処理を行っても基板本体の表面または内部に割れ目が生じず、アニールしなくても基板の一方の側から他方の側に対する密閉性が得られる場合は、アニールのステップを省いてもよい。
【００１７】
ステップ３６において貫通穴を充填する。この時、基板の一方の側から他方の側にかけて十分な密度で密閉できるように詰め込める任意の導電物質で貫通穴を充填してもよい。この充填物は導電性でなければならない。基板の一方の側から他方の側に形成された導電パスよって、例えば基板の一方の側のセンサ電子装置と他方の側の電子回路といった、基板のそれぞれの側に設けられた構成物同士が電気接触できるようにするためである。本発明の１実施形態によると、貫通穴を導電充填物で充填してもよい。例えば、貫通穴を金またはプラチナのペーストといったフリット化したインクまたはフリットレスインクで充填してもよい。この適用では通常、フリット化したインクよりもフリットレスインクが望ましい。フリット化したインクは通常、充填物や粒子が多すぎて、高密度で充填された貫通穴を作ることが容易でないからである。基板の一方の側から他方の側にかけて必要な密閉性を得るために、貫通穴の充填は、貫通穴の充填用物質の内部に湿り気を溜める空間や隙間が生じないようにしなければならない。本発明の１実施形態では、ＣＯＯＲＳ，ＩＮＣ．等の様々な製造業者から常に入手できる９６％アルミナ基板を金ペーストと一緒に充填してもよい。また、特注品である９２％アルミナ基板といった種類の基板を使う場合は、貫通穴に既にプラチナペースト等の充填物が充填されている状態の基板を購入してもよい。
【００１８】
本発明の実施形態に係る充填物によって貫通穴を充填する処理を図５に示す。ステップ４２において、貫通穴のパターンを有するスクリーンを基板の表面上に置いてもよい。ステンシルを使ってもよい。ステップ４４において、フリットレスインク等の充填物をスクリーンを介して貫通穴の中に「スキージをかける（ｓｑｕｅｅｇｅｅ）」ように押し込んでもよい。ステップ４６において、基板の、充填物を貫通穴に押し込んだ側とは反対の側から減圧して、充填物が貫通穴の壁を被膜するようにする。真空を利用して貫通穴を充填すれば、表面と密着させて、高密度な充填処理を行うことが容易になる。ステップ４６において貫通穴の壁を充填物で被膜した後、ステップ４８において基板を焼成して充填物を硬化させる。つまり充填物は固体になる。ステップ５０において、貫通穴が完全に塞がれているかを調べる。貫通穴が完全に塞がれていれば、本発明の実施形態に係る貫通穴の充填処理は完了する。しかし、貫通穴が完全に塞がれていなければ、ステップ４２〜４８を必要なだけ繰り返し、貫通穴を充填物によって完全に塞ぐ。
【００１９】
図５の処理によって充填された貫通穴１８を図６Ａに示す。貫通穴１８を有する基板１６は充填物６０によって充填されている。充填物６０を上手く充填すると、貫通穴１８の中空域を貫通するように伸びて貫通穴１８を埋める充填物６０の層ができ、基板１６の一方の側から他方の側へ続く通路が消滅する。充填物６０で貫通穴１８を充填した後には、貫通穴１８の何れの側にもメニスカス６２ができる。図４に戻る。貫通穴１８を充填する際に通常、形成されるメニスカス６２をステップ３８において充填してもよい。メニスカス６２を充填する際に、貫通穴１８を塞ぐために用いた充填物と同じ充填物６０を用いてもよい。
【００２０】
図７は、本発明の１実施形態に係るメニスカス６２の充填処理を示す。ステップ７０において、基板１６を真空に入れる。ステップ７２において、充填物６０をメニスカス６２の上面に押しつける。この押しつけ処理は、貫通穴１８を充填するための、図５で詳述した処理と同じでもよいし、その他の適切な処理でもよい。ステップ７４において、基板１６を大気に曝す。基板１６を大気に曝すことで充填物６０に大気圧がかかり、充填物６０をメニスカス６２内に押し下げ、メニスカス６２や貫通穴１８にあるかもしれない隙間をなくす。ステップ７６において、基板１６を焼成してメニスカス６２内の充填物６０を硬化させる。基板を焼成することで、有機物、溶剤、またはその他の不純物も燃える。本発明の１実施形態によると、例えば金またはプラチナのペーストといったフリットレスインクを充填物６０として用いる場合、基板１６をまず３００〜４００℃に加熱して有機物や溶剤やその他の不純物を燃やし、その後に９００〜１０００℃に加熱してもよい。９００〜１０００℃では、充填物６０は焼結するかもしれない。加熱時間は通常、加熱周期毎に数時間である。
【００２１】
充填物６０を加熱して焼結（焼成）させた後、基板１６を冷却して充填物６０を硬化させてもよい。この冷却処理は、基板１６がひび割れないように十分に遅い速度で行わなくてはならない。ひび割れすると、装置の密閉性が損なわれるだろう。ステップ７０〜７６を必要なだけ繰り返して、メニスカス６２や、基板上に広がる充填物６０の層の充填する。貫通穴１８やメニスカス６２が充填された状態の基板１６を図６Ｂに示す。再び図４を参照する。ステップ４０において、貫通穴１８やメニスカス６２を充填する際に基板１６の表面に広がった過剰な充填物６０を除去し、充填物６０と基板表面とが平らになるようにする。充填物６０の除去は、基板１６の密閉性を損なわない限り、業界において一般的な道具や技術を用いて行ってもよい。過剰な充填物６０を除去し、貫通穴１８を密閉シールした基板１６を図８に示す。つまり、図４のステップ４０の後では、一方の側から他方の側にかけて密閉するようにシールされた基板１６が本発明の実施形態に係る処理によってできている。ここで、密閉性を有する基板１６を製造する処理は、図４の処理に限定されないという点を理解しなければならない。本発明の実施形態の趣旨および範囲を逸脱せずに上記以外のステップや処理を用いたり、幾つかのステップを省いたりしてもよい。例えば、貫通穴１８やメニスカス６２を充填する充填物６０の種類によっては、アニールステップと加熱ステップとを同時に行うことができる。また、本発明の実施形態の本質を保ちながら上記の処理をこれ以外に変更することもできる。また、密閉シールされた貫通穴１８を有する基板１６を様々な適用に用いてもよい。本発明の実施形態によると、基板１６を、一方の側に検知装置を設け、別の側に電子装置を設けるように製造してもよい。上述と同様、基板１６を、例えば薄膜堆積処理や厚膜堆積処理を含む様々な技術を用いて製造してもよい。
【００２２】
次に、薄膜堆積技術を使った本発明の実施形態に係る処理を詳述する。これは例示のためであって、いかなる意味でも制限するためではない。まず、基板１６の一方の側に電子装置を固定してもよい。この電子装置は様々な形状でもよく、例えば、ＡＳＩＣ、マイクロコントローラ、またはマイクロプロセッサ等の集積回路（ＩＣ）でもよい。あるいは、電子装置は別々の構成物でもよい。更に、基板１６の別の側に検知要素を固定してもよい。
【００２３】
図９は、本発明の実施形態に係る、基板１６の一方の側にＩＣを設け、別の側に検知装置を設ける方法を示す。ステップ８０において、基板１６のＩＣ用の側に、標準的な抵抗フォトリソグラフィや業界において一般的であるその他の技術を用いて金属被膜パターンを設けてもよい。この金属被膜層が導体になって、基板１６の検知要素側の貫通穴１８の一部から基板１６のＩＣ側の接続パッドまで連続性（continuity）が得られる。実際、この層は２枚、３枚、またはそれ以上の枚数の層でもよい。例えば、この金属被膜層はチタン−プラチナ層でもよいし、チタン−プラチナ−チタン層でもよい。このパタンはＩＣのピンに相当してもよいし、所望のアプリケーションに応じてその他のパタンに相当してもよい。ステップ８２では、アルミニウムの柱を貫通穴の上に設けてもよい。セラミックまたはその他の物質でできたマスクにレーザ穴開け、打ち抜き、またはその他の処理を行って、基板上の貫通穴パタンに相当する開口部を作ってもよい。本発明の１実施形態によると、この開口部は２０〜２５ミクロンの深さでもよい。次に、このマスクを基板上の、ステップ８０で作った金属被膜パタンの上に固定してもよい。次に、この開口部を通してアルミニウムを堆積して２０〜２５ミクロンの高さの柱を作る。柱ができたら、貫通穴の上に２０〜２５ミクロンのアルミニウム柱を残してマスクを取り除く。本発明の実施形態に係る、貫通穴１８の上にアルミニウム柱１００が形成された基板１６を図１０Ａに示す。ステップ８２の後、ステップ８４において基板全体をアルミナで被膜してもよい。本発明の１実施形態によると、基板全体を真空室に入れて、アルミナ被膜剤によってブランケット被膜してもよい。このアルミナによるブランケット被膜は様々な処理によって行っても良い。例えば、化学蒸着法（ＣＶＤ）、エピタキシャル蒸着法、スパッタリンング、または蒸発処理によって基板をアルミナ被膜剤でブランケット被膜してもよい。あるいは、イオンビームアシスト堆積（ＩＢＡＤ）を用いてもよい。ＩＢＡＤは２つの異なる動作の組合せである。つまり、物理的な蒸気蒸着と、低エネルギーイオンで基板表面に衝撃を与えることとの組合せである。低エネルギーイオンによって基板表面に衝撃を与えることでアルミナ被膜の粘着を改善し、より高密度の被膜を行うことができる。ＩＢＡＤ処理によって基板をアルミナ被膜すると、ピンホールが無いアルミナ層ができ、装置全体の密閉性が高まる。つまり、ＩＢＡＤ処理によって基板をアルミナで被膜することで、蒸気、湿り気、流体、装置の密閉性を損なうかもしれないその他の要素が浸透することを防止する。
【００２４】
本発明の１実施形態によると、アルミナ被膜は１２ミクロンの深さでもよい。この結果、ステップ８４を行った後、基板には、１２ミクロンのアルミナシートから上に８〜１３ミクロン突き出したアルミニウム柱が形成されている。本発明の実施形態に係る構造体を図１０Ｂに示す。ステップ８６において、アルミナ被膜やアルミニウム柱を含む基板全体を、例えば塩化鉄（ＦｅＣｌ３）や、アルミニウム柱を溶解するには十分に強いがアルミナ被膜を損傷しない程度に弱いその他の溶液等の溶解液に入れる。したがって、アルミニウム柱が溶けた後、基板は１２ミクロンの高さのアルミナ被膜で被膜されている。これには窪みがあって、これによって貫通穴にアクセスできる。この構造体を図１０Ｃに示す。ステップ８８において、ＩＣを支持する金属被膜層と、基板の電子装置側に固定される、その他の任意の構成物とを形成してもよい。任意の適切な金属を任意の適切な処理によって適用してもよい。例えば、金を用いた金属被膜処理を薄膜処理によって行ってもよい。このパターンは様々な形状でもよい。例えば、本発明の１実施形態によると、このパターンは「環」または「競走場（racetrack）」に似ているかもしれない。更に、先に溶けたアルミニウムの柱によってできた窪みに金を充填してもよい。通常、この層に密閉性は必要ない。本発明の実施形態に係る処理をこの時点まで進めるまでに、基板は既に密閉シールされているからである。したがって、この金属被膜層は６０００〜１００００オングストロームでもよい。
【００２５】
この金属被膜層を形成した後、ＩＣや、例えばコンデンサ等といったその他の任意の構成物をパッドにワイヤまたはその他の方法で接続してもよい。更に、ステップ８８に次いで、電子装置用の蓋等といったその他の任意の構成物を基板の電子装置側に固定してもよい。ステップ９０において、基板１６の、検知要素用に準備された側に金属被膜パターンを形成してもよい。この時、多様な技術を用いて金属被膜パターンを形成してもよい。例えば、金属被膜パターンを基板１６にエッチングすることによって金属被膜パターンを基板１６に形成してもよい。あるいは、一般的に使われるフォトレジスト技術を用いて基板１６に金属被膜パターンを形成してもよい。本発明の１実施形態によると、一般的に使われるフォトレジスト技術を用いる場合には、最初にフォトレジストを基板に形成する。このフォトレジストは、光と反応すると可溶性になるポジ型レジストでも、光と反応すると非溶性になるネガ型レジストでもよい。ポジ型レジストを用いる場合、フォトレジストの上にマスクを置き、その後、マスクとフォトレジストとを露光してもよい。このように、マスク上の開口部を光が通過することで、フォトレジストの、マスクされていない部分を可溶性にする。続いてマスクを洗い流すと、基板の、マスクをせずに露光された部分のフォトレジストが硬化して被膜となる。本発明の１実施形態に係る、電極パターンに対応するフォトレジストを図１１に示す。
【００２６】
電極は、電気メッキのための導電パスになるタイバーを有する。作用電極およびカウンタ電極に金属被膜する。次に、硬化したフォトレジストを様々な技術を用いて金属被膜してもよい。例えば、スパッタリング等の任意の薄膜堆積技術を用いてもよい。つまり、本発明の１実施形態によると、基板を真空内に入れ、最初に例えばチタニウム等の第１の金属によってスパッタリングし、次に例えばプラチナ等の第２の金属によってスパッタリングする。これに応じて、導電性を保つために貫通穴とアルミナキャップとの間に導電層を配置してもよい。次に、フォトレジストを洗い流してもよい。例えば、フォトレジストをアセトン超音波バスに入れてもよい。これにより、マスクされていたために露光されても硬化しなかった部分のフォトレジストが溶解し、硬化しなかったフォトレジスト部分に堆積された金属が洗い流される。ステップ９２では、貫通穴の位置の上にキャップを置いてもよい。つまり、作動電極では酸素が減少して水酸基イオンが生じるので局地的にアルカリ性の環境になり、装置が動作すると水酸基イオンが電極と貫通穴との接続面を攻撃する。この接続面は最初は密閉されているが、水酸基イオンが長時間貫通穴と反応することで密閉が崩れる。したがって、貫通穴の寿命を延ばすために、貫通穴の上にキャップをして、水酸基イオンの電気化学処理によって生じる電流が貫通穴に侵入しないようにして貫通穴の寿命を延ばし、貫通穴の信頼性を改善する。つまり、キャップを用いて、貫通穴や、レーザ穴開けされた開口部のアニール面の腐食を防止することで、電気化学検出を行う際の副産物によって貫通穴の密閉性が損なわれないようにしてもよい。
【００２７】
キャップを貫通穴の上に置く際に様々な技術を用いてもよい。例えば、ＩＢＡＤ処理によってアルミナのキャップを貫通穴の上に堆積してもよいし、アルミニウム柱を形成する際に用いた技術と同様に、処理中にシャドーマスクを用いてもよい。ポジ型シャドーマスクを用いてキャップを形成してもよい。このマスクは、基板が完成した場合に、開口部を通して堆積したアルミナが残る基板部分に使ってもよい。キャップの位置を調整する、つまり電極に沿ってその長さを調整して、窓に対する活性電極の構成を変える。センサの感度は、キャップの位置、つまり窓に対して得られた活性電極の位置よって異なる。あるいは、キャップを貫通穴の上ではなくて電極の上に置くことで、電極での酸素の減少を抑制してもよい。
【００２８】
本発明の実施形態によれば、貫通穴または電極の上に置かれたキャップは約１８ミクロンの厚さでもよい。一旦、基板１６の電子装置側および検知要素側のそれぞれを電子装置および検知要素を設けるように製造してから、電子装置および検知要素を基板に固定してもよい。ＩＣを基板１６の電子装置側に固定する処理を図１２に示す。ステップ１１０では、ＩＣを基板の中央にある四角いパッドにエポキシ樹脂で接着してもよい。ステップ１１１では、ＩＣのリードを、以前に基板の電子装置側に形成した金バッドにワイヤ接続してもよい。本発明の実施形態の中には、コンデンサをＩＣと関連して用いてもよい実施形態もある。コンデンサはバッテリのかわりに電力源として機能し、パルス間でＤＣ電圧を維持するために十分な大きさのものでもよい。コンデンサを用いる場合、ステップ１１２では、コンデンサ上に半田ペーストを載せ、コンデンサを基板上の位置に設けても良い。ステップ１１３では、以前に基板の電子装置側に堆積した金の環の全体に沿って半田ペーストを置いてもよい。ステップ１１４では、金  の環の上に堆積した半田ペーストを含む基板全体を温度によってリフローさせてもよい。次にステップ１１５では、基板全体を清掃し、半田ペーストの残余分等の残留物質を除去してもよい。本発明の１実施形態によると、電子装置の上に蓋を装着してもよい。ステップ１１６では、取付具によって蓋を基板の上に装着し、この基板を焼成して水気をとってもよい。例えば、１５０℃で１２時間、１トル（水銀柱ミリメートル）未満で基板を焼成して水気を５０００ｐｐｍ未満にしてもよい。ステップ１１７では、蓋を基板に半田付けしてもよい。蓋は、通常は約３ミル厚である堅い金のシートから作っても良い。バスタブのような形状の蓋を有してもよい。ステップ１１６の焼成処理の後、蓋と基板を、非常に低い酸素および湿度のヘリウム雰囲気の中に入れてもよい（次に洩れテストに関連して説明する理由のために、例えば１大気圧等のヘリウムが蓋内に残ってもよい）。つまり、金の半田付けできる性質、および低酸素雰囲気であるために酸化がないことにより、フラックスを含まない半田を用いて、蓋を基板の電子装置側に半田付けしてもよい。この結果、基板に蓋を半田づけした後も基板上にフラックスの残余が残らない。基板上に残留物がないことは望ましい。残留物があるとＩＣパッド間に結露や水蒸気の生成を促し、洩れ通路ができてしまう。ＩＣ上では通常、ＩＣパッド間には通常、僅か０．００２〜０．００３の空間しかない。また、洩れ電流は、検知要素として使用する電子化学セルによって作られた電流と区別するために、５０ピコａｍｐｓ未満にしておかねばならない。
【００２９】
蓋を作る処理を図１３に示す。蓋が破れたり、穴ができることを防止するため、ブランク素材を適切に切断してアニールするように、物質の筋目（grain）を見分けてもよい（identified）。このようにして、物質の適切な可鍛性（malleability、順応性、展性）が得られる。粒子は、圧延処理による機械的な圧力を受けるかもしれない。これに応じて、ステップ１２０において、筋目を見分ける。本発明の１実施形態によると、物質の、より長い寸法を見分ける。ステップ１２２では、物質から正方形または長方形のブランクを切り取る。ステップ１２４において、これをアニールしてもよい。ステップ１２６において、ブランクを所望の形に成形してもよい。この物質が金である場合、金は非常に早く硬化するので、ステップ１２６における処理速度を制御する。また、上述のようにバスタブ型の蓋であれば、蓋に小さなフランジをつけて密閉性を良くしても良い。このフランジは４〜５ミル厚であるか、基板の電子装置側の電子装置の領域の厚さより大きな寸法である（例えば、基板上の金のトラックは４ミル幅でもよい）。厚く幅広の蓋の壁をフランジの代わりに用いてもよい。また、蓋には小さな孔（draft）があるので、コンデンサをその端部の近くに置くことができる。
【００３０】
基板に対して洩れテストを行う。肉眼で見える程度の洩れテストと細かな洩れテストを行ってもよい。洩れテストは多様な方法で行ってもよい。例えば、本発明の実施形態に係る肉眼で見える程度の洩れテストを行う処理を図１４に示す。ステップ１３０において、基板をチャンバに入れる。本発明の１実施形態によると、このチャンバは基板用のリセスと、例えばフレオン等の洩れテスト流体用のリザーバとを有してもよい。ステップ１３２において、洩れテスト流体をリザーバに入れる。ステップ１３４において、このチャンバをヘリウムで加圧すると、洩れテスト流体がリセスに流れ込む。例えば、このチャンバを１５０ｐｓｉ（１０気圧）に加圧して、このレベルで１２時間保つ。ステップ１３６において、圧力を開放して流体の泡を観察する。泡が無ければ基板に肉眼で見える程度の洩れがないことになる。肉眼で見える程度の洩れテストに合格したら、細かな洩れテストを行ってもよい。例えば、本発明の実施形態に係る細かな洩れテストの処理は、基板を真空チャンバに入れ、質量分析器によってヘリウムの洩れを観察する。以前に基板の電子装置側に装着した蓋にはヘリウムが存在する。したがって、ヘリウムが観察されれば、基板に細かな洩れがあることを示す。
【００３１】
肉眼で見える程度の洩れテストと細かな洩れテストの両方に合格したら、その基板に最終的な電気メッキおよび被膜処理を施す。本発明の実施形態に係る、基板を電気メッキおよび被膜する処理を図１５に示す。図１５に示す本発明の実施形態に係る処理を、それから個々の基板が複数個作られる基板物質の板について説明する。ステップ１４０において、この板を電気メッキ用の留め具に装着する。ステップ１４２において、電極を金属で電気メッキする。例えば、貴金属プローブを用いて電極の上にヘキサクロル白金酸の第１の溶液を堆積してもよい。つまり、プラチナを電極の上に堆積してもよい。これは通常、プラチナ黒化と呼ばれる。本発明の１実施形態によると、５個の電極の内の４個、つまり第１および第２の作動電極と第１および第２のカウンタ電極をプラチナによって黒化してもよい。プラチナによって電極を黒化した後、ステップ１４４において、この板を濯ぐ。この板を濯ぐために、多様な流体を用いてもよい。本発明の実施形態によれば、ステップ１４６において、銀メッキ溶液を使って参照電極を銀メッキしてもよい。ステップ１４８において、この板を再び濯いてもよい。ステップ１５０において、この板を、例えば希釈した塩酸溶液に浸して電気化学基準（electrochemical reference）を作る。本発明の１実施形態によると、塩酸は基準電極およびカウンタ電極と反応して、基準電極とカウンタ電極との間に電位差を生じる。これを参照電圧として使用してもよい。ステップ１５２において、電気メッキされた板の表面を被膜してもよい。この板の表面を被膜する際に、多様な技術を用いてもよい。例えば、板の表面をヒドロキシエテルメタコラート（hydroxyethel methacholate）（ＨＥＭＡ）、またはポリヒドロキシエテルメタコラート（polyhydroxyethel methacholate）（ＰＨＥＭＡ）等のポリマを使ってスピン被膜してもよい。この被膜によって、電極に流れ込む酸素の量を規定する電解質層の基礎を形成してもよい。これはバルブのように機能し、電極に流れ込む酸素の量が実質的に均一に保たれるように鈍感に（ｉｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅ）にフローしてもよい。ステップ１５４では、ネガ型フォトレジスト等のフォトマスクと紫外線への露光とによって被膜を硬化してもよい。
【００３２】
ステップ１５６では、無菌（sterile）の重炭酸塩の緩衝剤をポリマに調剤してもよい。この緩衝剤は等浸透圧性であって、水によって伝達することを抑制し、浸透性の交換を行うようでもよい。この緩衝剤は、ポリマに電解質の特性を与えるために、自身に塩化ナトリウムを含んでもよい。本発明の実施形態によると、板の側面に流れ出さないように緩衝剤の小滴をポリマの上にのせてもよい。小滴と小滴との間を更に小滴で満たし、この小滴がポリマに浸透するようにしてもよい。ステップ１５８では、板をレーザトリムして、電極をつなぐ全てのトレースを除去してもよい。したがって、ステップ１５８の後、電極は分離されている。ステップ１６０では、スピンコーティング等の多様な技術の任意の技術と、シラン等の粘着助触媒とを使って板を再び被膜してもよい。ステップ１６２では、ステップ１６０において形成した被膜をアニールして硬化させてもよい。ステップ１６４では、スピンコーティング等の多様な技術とシリコンゴム等の絶縁物質とを使って板を再び被膜してもよく、ステップ１６６において、再びアニールしてもよい。ステップ１６４および１６６を行うことによって、血液中の流体成分等といった流体成分が基板上の任意の回路に浸透することを防止する。更に、ステップ１６４および１６６を行うことによって、電流は基板の境界線内に留まる。ステップ１６６を終えると、板が完成している。完成した板を切り離して個々のモジュールにする。例えば、完成した板を、ワックスを塗ったガラス板の上に置き、ダイシングソーで切り分けて個々のモジュールにする。ステップ１６６では、ポンプその他の電子装置等といったその他の装置へ伸びるリードを各モジュールに溶接してもよい。更に、成形された（molded）シリコンから作ってもよい端部キャップやビーズを各モジュールの端部に配置してもよい。最終的に組み立てられたセンサ基板を図１６に示す。本発明の１実施形態によると、２ｘ２インチ（５．０８ｃｍ）の寸法の板から９４個のモジュールができる。
【００３３】
本発明の別の実施形態に係る、一般化された基板の製造方法を図１７に示す。ステップ１７０では、基板に貫通穴を形成し、この基板をアニールしてもよい。この貫通穴は、レーザ穴開け処理によって形成してもよい。基板は９２％〜９６％アルミナ基板でもよい。ステップ１７２において、貫通穴を充填し、基板を加熱してもよい。貫通穴を、例えば金やプラチナ等といった多様な導電物質で充填してもよい。更に、貫通穴を真空スクリーン押しつけ処理によって充填してもよい。ステップ１７２を繰り返して貫通穴を充填してもよい。貫通穴を充填した後に密閉性をチェックしてもよい。ステップ１７４では、基板の電子装置側をスクリーン押しつけ処理し、その上で導体を加熱してもよい。本発明の１実施形態によると、この導体をプラチナと厚フィルム処理とを使って加熱してもよい。ステップ１７６において、基板の電子装置側の上でフォトレジストをパターン化してもよい。次に、ステップ１７８において、基板の電子装置側に金属被膜層を形成してもよい。例えば、ＤＣスパッタリング処理を用いてチタニウムやプラチナを基板の電子装置側に堆積してもよい。次に、フォトレジストを基板から除去してもよい。
【００３４】
ステップ１８０では、基板の電子装置側にアルミニウム柱を堆積してもよい。本発明の実施形態によると、アルミニウム柱は３０ミクロンの柱でもよく、シャドーマスクおよび真空蒸着技術を用いて堆積してもよい。ステップ１８２では、アルミナを基板の電子装置側に堆積してもよい。堆積したアルミナは、基板の当該側の全体に１８ミクロンの層となってもよく、イオンビームアシスト真空蒸着処理を用いて堆積してもよい。ステップ１８４では、ステップ１８０において堆積した柱を塩化鉄を使って除去してもよい。ステップ１８６において、フォトレジストを１８ミクロンのアルミナ層の上でパターン化してもよい。ステップ１８８において、別の金属被膜層をアルミナ面の上に配置してもよい。本発明の実施形態によると、ＤＣスパッタリング処理を用いてチタニウム、プラチナ、および金をアルミナ面の上に堆積してもよい。次に、フォトレジストを基板から除去してもよい。ステップ１９０において、フォトレジストを基板の検知要素側の上でパターン化してもよい。基板の検知要素側は基板の電子装置側と同じ側であっても、なくてもよい。ステップ１９２において、基板の検知要素側に金属被膜層を形成してもよい。本発明の１実施形態によると、基板の検知要素側に、ＤＣスパッタリング処理を用いてチタニウムおよびプラチナを堆積してもよい。次に、基板からフォトレジストを除去してもよい。ステップ１９４において、貫通穴の上にキャップを堆積してもよい。本発明の１実施形態によると、イオンビームアシスト真空蒸着技術を用いて基板の検知要素側と計画される側の貫通穴の上に、シャドーマスクを使って１８ミクロンのアルミナキャップを堆積してもよい。ステップ１９６において、基板の電子装置側また検知要素側にある所望でない金属を除去してもよい。本発明の１実施形態によると、所望でない金属の除去は、シャドーマスクおよびイオンミルエッチング処理を用いて行ってもよい。
【００３５】
上述のように、本発明の実施形態によると、基板の電極側にＩＢＡＤキャップを形成する処理は、ポジ型シャドーマスクを用いて行ってもよい。ポジ型シャドーマスクは、完成した基板の上の、開口部を通して堆積されたアルミナが残る場所に用いてもよい。ＩＢＡＤアルミナ被膜されない領域を開口部や穴によって規定するような適用では、ネガ型シャドーマスクを用いてもよい。本発明の実施形態によると、スクリーン押しつけ処理による貫通穴の充填および導体の適用と共にＩＢＡＤアルミナによるポジおよびネガの画像形成処理、およびフォトレジストをベースにした薄膜金属被膜を行うことで、例えば、血液の流れ等といった厳しい環境において長期にわたって継続的に検知や超小型電子技術パッケージングを支援（support）する物質特性と共に、基板が有する導体や絶縁体の幾何学配置を作る。
【００３６】
本発明の特定の実施形態を図示して説明してきたが、当業者においては、本発明は、図示し説明した特定の実施形態に制限されず、本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく変更および修正できることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】発明の１実施形態に係る、一般化された基板構成体の斜視図である。
【図２Ａ】本発明の１実施形態に係る、基板を貫通して伸びる貫通穴の断面図である。
【図２Ｂ】本発明の１実施形態に係る、基板上の貫通穴の配置を示す上面図である。
【図３】本発明の１実施形態に係る、センサ基板を製造する一般化された処理を示すフロー図である。
【図４】本発明の１実施形態に係る、センサ基板を製造する処理をより詳しく示すフロー図である。
【図５】本発明の１実施形態に係る、貫通穴を充填物で充填する処理を示すフロー図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に係る、充填された貫通穴の断面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態に係る、充填された貫通穴および充填されたメニスカスの断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る、メニスカスを充填する処理を示すフロー図である。
【図８】本発明の実施形態に係る、貫通穴およびメニスカスからはみ出した過剰な充填物を除去し、密閉するように充填された貫通穴の断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る、基板の一方の側にＩＣを設け、他方の側に検知要素を設けるように準備する処理を示すフロー図である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態に係る、貫通穴の上にアルミニウム柱を有する基板の斜視図である。
【図１０Ｂ】本発明の実施形態に係る、アルミナ被膜で被膜された貫通穴の上にアルミニウム柱を有する基板の斜視図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る、電極パタンに対応するフォトレジストの斜視図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る、基板の電子装置の側にＩＣを固定する処理を示すフロー図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る、蓋を形成する処理を示すフロー図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る、肉眼で見える程度の洩れテストを行う処理を示すフロー図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る、基板を電気メッキして被膜する処理を示すフロー図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る、最終的に組み立てられたセンサ基板の斜視図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る、センサ基板を製造する、一般化された処理を示すフロー図である。
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際公開パンフレット】
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2005502403.tif 000054
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005502403.tif 000055
2005502403.tif 000056
【国際調査報告】
2005502403.tif 000057