(57)【要約】本発明は、分極発生器１５により分極される基板１６上に、高周波発生器７により給電される誘導結合アンテナ６で囲まれた誘電材料で製造された封止壁５内に入れられたプラズマ源４により発生されたプラズマを作用させることによって、反応室１内でエッチング工程が実行される方法およびシステムに関する。制御手段１３が、プラズマ励起出力を段階的に確立することに存する準備工程、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを反応室１に注入し、かつ公称出力に達するまで高周波発生器７によって供給される出力を段階的に確立することに存する工程を作るように、電磁弁１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび高周波発生器７を監視し、これによって誘電材料の封止壁５を破壊しやすい熱衝撃が回避されるので、３０００Ｗを超えるプラズマ励起出力の使用が可能となる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導結合プラズマ（２４）によって基板（１６）をエッチングする方法において、基板（１６）を反応室（１）内に設置し、適切なガスの雰囲気が反応室（１）内で適切な動作圧で確立され、基板（１６）にバイアスを印加し、プラズマ（２４）を発生するように誘電材料の漏れ防止壁（５）を通る高周波励起電磁波により反応室（１）内のガスを励起させる方法であって、プラズマ励起電磁波の出力を段階的に確立する前工程を含み、この工程の間に、基板に対して不活性であるガスを反応室（１）に注入し、適切な公称出力に達するまでプラズマ励起電磁波の出力を段階的に上昇させ、これにより誘電材料の漏れ防止壁（５）を段階的に加熱する不活性ガスプラズマ（２４）を形成し、この後に、不活性ガスを置換し、かつ活性ガスのプラズマ（２４）を用いてエッチングする活性工程を行うように、活性ガスを反応室（１）に注入することを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
プラズマ励起出力の段階的な上昇が、不活性ガスプラズマ（２４）によって誘電材料の漏れ防止壁（５）に加えられる熱衝撃を確実に壁破壊閾値より低い状態のままにするようにプログラムされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プラズマ励起出力を段階的に確立する前段階が、不活性の期間の後に反応室のオペレーションの開始時のみに行われ、その後、誘電材料の漏れ防止壁（５）の温度が、誘電材料の漏れ防止壁（５）に加えられる何らかの破壊的熱衝撃を回避するのに十分に狭い値の範囲のままである間に、活性エッチング工程（ＢＣ；ＣＤ）に切り替わることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
活性エッチング工程が、ＳＦ６などのフッ素含有ガスを用いたエッチング工程（ＢＣ）の連続およびＣｘＦｙなどのエッチングパッシベーションガスを用いたパッシベーション工程（ＣＤ）を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
誘導結合プラズマにより基板（１６）をエッチングする装置において、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法を実施し、かつ漏れ防止壁（２）によって囲繞された反応室（１）を備え、この反応室（１）は基板支持手段（３）を備えかつ誘電材料の漏れ防止壁（５）および高周波発生器（７）により給電される誘導結合アンテナ（６）を有する、誘導結合プラズマ源（４）と連絡しており、反応室（１）は、反応室（１）の内部で適切な真空を確立および維持するために、真空ライン（８）を介してポンプ手段（９）に接続されており、反応室（１）は入口ライン（１０）を介してプロセスガス源（１１）に接続されている装置であって、
プロセスガス源（１１）が、不活性ガス源（１１ａ）、少なくとも１つの活性ガス源（１１ｂ、１１ｃ）、および適したガスを反応室（１）に導入するために制御手段（１３）により制御される配分手段（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）を備え、
高周波発生器（７）が、制御手段（１３）の制御下でその高周波出力を調節する手段を備え、かつ、
制御手段（１３）が、出力を確立する先行シーケンスを有する制御プログラム（１３ａ）を含み、その間に、
ａ）制御手段（１３）が、配分手段（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）を制御して不活性ガスを反応室（１）に導入し、
ｂ）制御手段（１３）が、高周波発生器（７）の高周波出力制御手段に公称出力（ＰＮ）まで段階的に上昇する高周波エネルギーを発生させ、かつ
ｃ）その後、制御手段（１３）が、分配手段（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）を制御して反応室（１）内の不活性ガスを活性ガスと置換することを特徴とするエッチング装置。
【請求項６】
分配手段（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）が、対応するガス源出口（１１ａ、１１ｂ、１ｃ）とプラズマ源（４）への入口（１４）との間で各々並列接続された電磁弁を備えたことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
窒素（Ｎ２）またはアルゴンなどの不活性ガスの源（１１ａ）、ＳＦ６などのエッチングガスの源（１１ｂ）、およびＣ４Ｆ８などのパッシベーションガスの源（１１ｃ）を含む請求項５または６に記載の装置。
【請求項８】
プラズマ源（４）の誘電材料の漏れ防止壁（５）が、アルミナＡｌ２Ｏ３で製造されたことを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
プラズマ源（４）の誘電材料の漏れ防止壁（５）が管状であり、誘導結合アンテナ（６）が、この管状壁の周囲に配置された同軸巻線であることを特徴とする請求項５から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
反応室（１）の漏れ防止壁（２）が、プラズマ源（４）を構成する入口管と連絡するようにそれ自身が開放されている入口前部分（２ｂ）に接続された周縁部分（２ａ）を有し、かつこの入口前部分（２ｂ）が入口前部分（２ｂ）およびシーリングガスケット（２ｃ）を冷却するための冷却手段（２ｄ）と共にシーリングガスケット（２ｃ）を用いて誘電材料の漏れ防止壁（５）に接続されたことを特徴とする請求項５から９のいずれか一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、シリコン基板上に微細加工またはエッチング法を実施するのに用いられる反応室内において基板をエッチングする方法および装置に関する。
【０００２】
シリコン基板をプラズマ反応室内でエッチングする場合、その順序は次のようになる：
・基板を挿入し、反応室内に入れたサンプルキャリア上に設置した後、ＳＦ６のようなフッ素含有ガスなどのエッチングガスを所定の速度で導入する。
・ポンプユニットおよび圧力サーボ制御システムを用いて、適切な圧力が反応室内で確立され、圧力が維持される。
・圧力が安定したら、プラズマを発生させるために、励起電磁波によって反応室内のガスを励起させ、同時に、サンプルキャリア上の基板にバイアスをかけて、エッチングされる基板の表面に次に衝突するイオンを加速させる。
【０００３】
微細加工用途では、シリコンをできるだけ迅速にエッチングすることが望ましい。特に、エッチング速度を制御するのに利用可能なパラメータのうち、最も影響を及ぼすパラメータは次のものである：
・ＳＦ６などのハロゲン含有ガスイオンの分圧
・ガスを励起させる電磁波の出力
【０００４】
励起電磁波の出力は、フッ素原子を生成するように、ＳＦ６などのハロゲン含有ガス分子を電離かつ解離するように働く。シリコン基板の表面に到達すると、これらフッ素原子はシリコン基板の表面と反応して、以下の反応により気体分子を形成する：
Ｓｉ（ｓ）＋４Ｆ（ｇ）→ＳｉＦ４（ｇ）
【０００５】
したがって、エッチングとは、基板から反応によって気体ＳｉＦ４に変換されるシリコンの原子を取ることに存し、次にこのガスはポンプ手段によって反応室から取り除かれる。
【０００６】
シリコンがエッチングされる速度は原子状のフッ素の圧力に、故にＳＦ６などのハロゲン含有ガス分子の解離率に正比例する。
【背景技術】
【０００７】
種々のプラズマ源のうち、次の源が知られている：反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）源、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）源、および誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源である。高圧条件下で最も高い解離率を示す源はＩＣＰ源であり、これにより、反応室内のＳＦ６などのハロゲン含有ガスから、高解離率および原子の高い分圧の両方を有することが可能となる。
【０００８】
したがって、シリコンがエッチングされる速度を上げるためにＩＣＰ源を使用することは当然である。
【０００９】
ＩＣＰ型のプラズマ源はすべて以下の２つの主要素から構成される：
・漏れを防止するように反応室を閉じる誘電材料の漏れ防止壁
・誘電材料で製造された漏れ防止壁を囲繞するか、またはその上に存在する、銅などの導電性材料から製造されたアンテナ；このアンテナはその両端部の一方が機器の電気接地に接続され、その他端は自動インピーダンス整合回路（ｍａｔｃｈｅｒ）を介して高周波（ＲＦ）電源に接続されている。
【００１０】
誘電材料の漏れ防止壁は、一般に高分子タイプの材料で製造されるガスケットを介して、一般に金属で製造される反応室の壁の残りの部分に接続されている。そのような材料では、連続使用における最高動作温度は１５０℃を超えない。その結果、ガスケットに近接した反応室壁のゾーンが冷却される。
【００１１】
シリコンなどの基板をエッチングする工程の間、エッチングの品質は特定の値に調整されたエッチングパラメータのすべてに常に左右され、特にエッチングガスの圧力、プラズマを発生させるためにガスに送出された励起電磁波の出力にも左右される。エッチング順序は、約数ミリ秒（ｍｓ）の時間間隔にわたって順々に行われる。
【００１２】
したがって、プラズマ源においては、誘電材料の漏れ防止壁を通してプラズマとの公称ＲＦ出力の準瞬時的な（ｑｕａｓｉ−ｉｎｓｔａｎｔａｎｅｏｕｓ）誘導結合を発生する必要がある状況が存在する。
【００１３】
これまでは、励起電磁波の準瞬時的な誘導結合は、高温に耐える誘電材料の漏れ防止壁によって、最大約２０００ワット（Ｗ）の出力まで可能であった。アルミナＡｌＯ３を用いて奏功した。
【００１４】
それにもかかわらず、それ以外の材料ではプラズマ源が準瞬時的に破壊されるので、そのような材料は、最大で約３０００Ｗを超える出力で励起電磁波を用いて準瞬時的な誘導結合を達成させることができなかった。つまり、誘電材料の漏れ防止壁が破損し、これによりエッチング反応室の内部が大気圧に戻り、アセンブリが内側に破裂する可能性があるが故に装置が破壊される。
【００１５】
したがって、現在では、非常に高い出力をアルミナなどの誘電材料を通して準瞬時的に結合できる方法は存在しない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、アルミナなどの誘電材料を通して最大５０００ＷのＲＦ出力で結合できるようにすることによって、誘導結合プラズマを用いた基板をエッチングする先行技術の構造体および方法の欠点を回避することにある。
【００１７】
同時に、本発明は、パラメータがそれらの公称値において正確には維持されないエッチング工程を用いないようにしながら、エッチングのために優れた品質を保持しようとする。
【００１８】
本発明の元になる着想は、励起電磁波の出力を段階的に結合させることによって、プラズマ源を構成している誘電材料への熱衝撃を低減させることである。このため、傾斜の傾きを破壊的な熱衝撃が生じるのを回避するのに十分に穏やかにした状態の出力上昇の傾斜が使用される。
【００１９】
しかし、エッチングの品質および能力は、ＲＦ出力などの機械パラメータの値に左右されるので、基板がバイアスがかけられたサンプルキャリア上の適所にある状態で、エッチングプラズマをトリガし、次に出力を段階的に上昇させることを予想することは不可能である。つまり、これは、出力上昇段階を通して、プラズマ状態が著しく変わりやすく、良好なエッチング能力を得るのに有害になってしまう。
【００２０】
本発明によれば、出力は段階的に上昇されるが、窒素またはアルゴンなどの不活性ガスの存在下では、ガスとシリコンサンプルとの間で反応は生じない。
【００２１】
不活性ガスの唯一の機能は、出力の段階的な上昇の作用下において、誘電材料を段階的に加熱するプラズマを生成させ、これにより誘電材料を試薬ガスのプラズマを用いたエッチングの工程を通して使用される最大出力に相当するその動作温度に到達させることである。
【００２２】
不活性ガスのプラズマを用いて誘電材料の温度を上昇させるこの工程の後、不活性ガスの注入を停止し、エッチングを適切に行うために、直ちにＳＦ６などのハロゲン含有試薬ガスに切り替えることが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
これらおよび他の目的を達成するために、本発明は誘導結合プラズマにより基板をエッチングする方法を提供し、この方法では、基板が反応室内に置かれ、適切なガスの雰囲気が反応室内で適した動作圧に確立され、基板にバイアスが印加され、プラズマを発生させるために反応室内のガスが誘電材料の漏れ防止壁を通過する高周波励起電磁波により励起される。つまり、本発明によれば、本方法はプラズマ励起電磁波の出力を段階的に確立する前工程を含み、工程の間に、基板に対して不活性であるガスが反応室に注入されると共に、プラズマ励起電磁波の出力が、適切な公称出力に達するまで段階的に上昇され、これにより誘電材料の漏れ防止壁を段階的に加熱する不活性ガスプラズマが形成され、この後、不活性ガスを切り替え、かつ活性ガスのプラズマを用いてエッチングする活性工程を行うために、活性ガスが反応室に注入される。
【００２４】
好適には、不活性ガスプラズマにより誘電材料の漏れ防止壁に加えられる熱衝撃が壁を破壊する閾値より小さいままであるように、プラズマ励起出力を段階的に上昇させることがプログラムされる。
【００２５】
可能であれば、プラズマ励起出力を段階的に確立する前工程は、不活性の期間の後に反応室のオペレーションの開始時のみに行われ、その後、誘電材料の漏れ防止壁の温度が、誘電材料の漏れ防止壁に加えられる何らかの破壊的熱衝撃を回避するのに十分に狭い値の範囲のままである間に、活性エッチング工程に切り替わる。
【００２６】
活性エッチング工程は、ＳＦ６などのフッ素含有ガスを用いたエッチング工程の連続およびＣｘＦｙなどのエッチングパッシベーションガスを用いたパッシベーション工程を含んでよい。
【００２７】
本発明はまた、上記に定めた方法を実施する誘導結合プラズマを用いて基板をエッチングする装置を提供し、該装置は漏れ防止壁により囲繞された反応室を備え、該反応室は基板支持手段を備え、かつ誘電材料の漏れ防止壁および高周波発生器により給電される誘導結合アンテナを有する誘導結合プラズマ源と連絡しており、反応室は、反応室の内部で適切な真空を確立および維持するために、真空ラインを介してポンプ手段に接続されており、該反応室は入口ラインを介してプロセスガス源に接続されている：本発明によれば、
・プロセスガス源は、不活性ガス源、少なくとも１つの活性ガス源、および適したガスを反応室に導入するために制御手段により制御される配分手段を備え、
・高周波発生器は、制御手段の制御下においてその高周波出力を調節する手段を備え、かつ、
・制御手段は、出力を確立する先行シーケンスを有する制御プログラムを含み、その間に、
ａ）制御手段が、配分手段を制御して不活性ガスを反応室に導入し、
ｂ）制御手段が、高周波発生器の高周波出力制御手段に公称出力まで段階的に上昇する高周波エネルギーを発生させ、かつ
ｃ）その後、制御手段が、分配手段を制御して反応室内の不活性ガスを活性ガスと置換する。
【００２８】
本発明のその他の目的、特徴、および利点は、添付図面に関して記載された、以下の特定の実施形態の説明から明白となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
まず図１に示した装置を参照する。漏れ防止壁２によって囲繞された反応室１があるのがわかる。反応室１はエッチング用の基板１６を受け取り、かつ保持するのに適した基板支持手段３を含んでいる。反応室１は、インピーダンス整合回路７ａを介してＲＦ発生器７により給電される誘導結合アンテナ６に接続された誘電材料の漏れ防止壁５により構成された誘導結合プラズマ源４に連絡している。
【００３０】
反応室１は真空ライン８を介して、反応室１の内部で適切な真空を確立かつ保持するポンプ手段９に接続されている。反応室１は入口ライン１０を介してプロセスガス１１の源に接続されている。
【００３１】
図示の実施形態では、反応室の漏れ防止壁２は、プラズマ源４を構成する入口管と連絡するようにそれ自身が開放されている入口前部分２ｂに接続された周縁部分２ａを有している。
【００３２】
図示の実施形態では、このプラズマ源４は誘電材料製で管状の漏れ防止壁５により構成されており、誘導結合アンテナ６は、管状壁の周りで配設され、第１に装置接地６ａに接続され、第２にインピーダンス整合回路７ａの出口に接続された導電性材料の同軸巻線である。
【００３３】
誘導結合アンテナ６は、それ自身がアルミナＡｌ２Ｏ３により構成された、誘電材料の管状漏れ防止壁５の中央部分周囲に設けられている。
【００３４】
誘電材料の管状漏れ防止壁５を反応室１の、一般に金属で製造される入口前部分２ｂに接続するために、シーリングガスケット２ｃが設けられている。入口前部分２ｂおよびシーリングガスケット２ｃを冷却できるようにするために、冷却手段２ｄも設けられている。
【００３５】
基板支持手段３上に保持された基板１６は、バイアス発生器１５により従来の方法でバイアスが印加される。
【００３６】
プロセスガス源１１は不活性ガス源１１ａおよび少なくとも１つの活性ガスの源を含む。例えば、エッチング用のＳＦ６などのフッ素含有ガスを含んだ第１の活性ガス源１１ｂが提供され、Ｃ４Ｆ８などのパッシベーションガスを含んだ第２の活性ガス源１１ｃが提供される。
【００３７】
分配手段は反応室１への適したガスの導入を制御するように働く。この分配手段は、対応するガス源１１ａ、１１ｂ、または１１ｃの出口とプラズマ源４への入口１４との間で各々並列接続された電磁弁１２ａ、１２ｂ、および１２ｃを含む。
【００３８】
ＲＦ発生器７は制御手段１３の制御下でそのＲＦ出力を調節する手段を有する。同様に、分配手段１２ａ、１２ｂ、および１２ｃが制御手段１３により制御可能である。
【００３９】
制御手段１３は、例えば、入口／出口部材を備え、かつ制御プログラムに関連するマイクロコントローラが設けられ、電磁弁１２ａ〜１２ｃを有する分配手段およびＲＦ発生器７を制御するように構成されている。
【００４０】
制御手段１３は、以下の間に給電するように準備をする先行シーケンスを有する制御プログラム１３ａを備える：
ａ）制御手段１３が、窒素Ｎ２またはアルゴンなどの不活性ガスを反応室１に導入するように、分配手段に不活性ガス弁１２ａを開放させ、
ｂ）制御手段１３が、ＲＦ発生器７のＲＦ出力調節手段に、プラズマ源の誘電材料の漏れ防止壁５の温度を段階的に上昇させるためにプラズマ源４内でプラズマ２４を発生するように、公称出力ＰＮに達するまで段階的に上昇するＲＦエネルギーを発生させ、かつ
ｃ）漏れ防止壁５が十分に加熱された後で、制御手段１３が分配手段に不活性ガス弁を閉じさせ、かつ活性ガスを供給するための弁１２ｂまたは１２ｃを開放させる。実際、エッチングガス弁１２ｂおよびパッシベーションガス弁１２ｃは活性ガスを反応室１に導入するように順次開かれ、同時に制御手段１３は、エッチング工程およびパッシベーション工程に適したプラズマ２４を発生するようにＲＦ発生器７のＲＦ出力を調整する手段を制御する。
【００４１】
ここで本発明の一実施のエッチング方法における工程を示す図２を参照する。
【００４２】
反応室１内に基板１６（図１）を設置後、窒素Ｎ２またはアルゴンなどの不活性ガスの雰囲気が反応室内に確立される。すなわち、瞬間Ａでは、ダイアグラムｂ）はユニットインスタントＢを継続する第１の工程の間に窒素が存在することを示している。この工程の間、ポンプ手段９は反応室１内で適した圧力を確立かつ維持し、この圧力はプラズマ２４を適切に確立するように選択される。この工程の間、図２のダイアグラムｅ）からわかるように、基板１６にはバイアスが印加されていない。つまり、バイアス電圧Ｖが瞬間Ａ〜瞬間Ｂまでの工程を通して存在していない。図２のダイアグラムａ）に示すように、この同じ工程の間、例えば、公称出力ＰＮが瞬間Ｂで達成されるまで、瞬間Ａから瞬間Ｂの間に出力を線形上昇させることによって、プラズマ励起出力が段階的に確立される。
【００４３】
一例として瞬間Ｂからの窒素の存在の終わりを示すダイアグラムｂ）に示したように、瞬間Ｂにおいて、あるいは確実に漏れ防止壁５が十分に加熱されるように決定された付加的遅延の後、窒素またはアルゴンなどの不活性ガスの導入が遮断される。
【００４４】
同じ瞬間Ｂにおいて、あるいは上記付加的遅延の後、ＳＦ６などのハロゲン含有エッチングガスが反応室１に導入され、そのガスの存在が所望のエッチング工程に応じて、適切な持続時間の工程ＢＣの間維持される。この工程の間、基板にはダイアグラムｅ）に示すような電圧Ｖだけバイアスが印加され、このバイアス電圧は確立されているエッチングガスＳＦ６の存在に関して適した遅延と共に確立されるであろう。この後、瞬間Ｃにおいては、エッチングガスＳＦ６はＣ４Ｆ８などのパッシベーションガスに置換され、ダイアグラムｃ）はＳＦ６が存在しないことを示すと同時に、ダイアグラムｄ）はＣ４Ｆ８が出現したことを示すと共にこのガスが瞬間Ｄの間維持されることを示している。この工程ＣＤの間、パッシベーションガスによって高分子が基板の表面上に堆積される。ダイアグラムに示したように、エッチング工程およびパッシベーション工程はそれに続いて交互に行われ、プラズマ２４を引き付ける毎に基板にはバイアスが印可され、プラズマ励起出力は公称値ＰＮに近接し得る適した値に維持される。
【００４５】
したがって、プラズマ励起出力を段階的に確立する前工程は、ある時間の間、反応室が不活性になった後に、反応室１のオペレーションの開始時のみに行われ、次に、エッチング、例えば、エッチング工程およびパッシベーション工程を交互に行うエッチングの活性工程が行われ、この間に誘電材料の漏れ防止壁５の温度は、誘電材料の漏れ防止壁５を破壊する恐れのある何らかの熱衝撃を回避するのに十分な狭い値の範囲に保たれる。
【００４６】
プラズマ励起出力を段階的に確立する前工程の間、瞬間ＡとＢとの間では、ダイアグラムａ）に示したような出力上昇スロープは、誘電材料の漏れ防止壁５が不活性ガスのプラズマにより破壊される何らかのリスクを回避するのに十分浅くなるように選択される。
【００４７】
窒素Ｎ２またはアルゴンなどの不活性ガスを用いることによって、不活性ガスプラズマ２４がエッチングされる基板１６に作用しないことが保証され、これにより高品質のエッチングが得られる。好適にはこの工程の間に、基板１６がプラズマにより攻撃されるのを回避するように、基板１６にバイアスも印加されない。
【００４８】
本発明の手段を用いることによって、プラズマ源４および誘電材料のその漏れ防止壁５を破壊することなく３０００Ｗを超えるＲＦ出力を確立し、これにより、より高速でエッチングを行うことが可能となる。アルミナなどの誘電材料を通過する、最大５０００ＷのＲＦ出力で十分な試験を行った。
【００４９】
本発明は上記に明示的に記載した実施形態に限定されるものではないが、当業者の能力の範囲内にある、種々の変更および一般化を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態におけるエッチング装置の全体的構造を示す略図である。
【図２】図１の装置の主要部材のオペレーションを示すタイミングダイアグラムであり、ダイアグラムａ）はプラズマ励起出力の変動を示し、ダイアグラムｂ）は反応室への不活性ガスの供給を示し、ダイアグラムｃ）は反応室へのエッチングガスの供給を示し、ダイアグラムｄ）は反応室へのパッシベーションガスの供給を示し、ダイアグラムｅ）はエッチングのために基板に印加されるバイアスを示す。
【図１】
2005532694.tif 000003
【図２】
2005532694.tif 000004
【国際調査報告】
2005532694.tif 000005
2005532694.tif 000006
2005532694.tif 000007
2005532694.tif 000008