(57)【要約】電気泳動堆積法を用いて基板上にセラミック粉末を堆積し、その堆積セラミック層を平衡押圧し、1000℃以下の温度で圧縮セラミック粉末を加熱して、固体酸化物型燃料電池の不浸透性焼結電解質セラミック層を形成する。好適な実施形態では、セラミック厚膜燃料電池アセンブリをフェライトステンレス鋼基板上に形成する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体酸化物型燃料電池の不浸透性焼結電解質セラミック層を形成する方法であって：
堆積セラミック粉末層を形成するために、電気泳動堆積法を用いて基板上にセラミック粉末を堆積する段階と；
圧縮セラミック粉末層を形成するために、前記堆積セラミック層を平衡押圧する段階と；
前記圧縮セラミック粉末を焼結して前記基板上に焼結セラミック層を形成するために、前記圧縮セラミック粉末層を加熱する段階と；を備えた方法。
【請求項２】
前記基板がステンレス鋼である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板がフェライトステンレス鋼である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板がヨーロッパ基準1.4509を有するフェライトステンレス鋼である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記加熱段階において、前記圧縮セラミック粉末層を1100℃より低い温度まで加熱する請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱段階において、前記圧縮セラミック粉末層を1000℃より低い温度まで加熱する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記加熱段階を不活性雰囲気又はコントロールされた酸素分圧雰囲気の下で行う請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記加熱段階をアルゴン雰囲気又はコントロールされた酸素分圧雰囲気の下で行う請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記平衡押圧段階において、100から500MPaの間の圧力を付与する請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記平衡押圧段階において、湿式平衡押圧を用いる請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記焼結セラミック層が前記固体酸化物型燃料電池内の電解質層である請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記焼結セラミック層がCGO電解質層である請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記焼結層がCe0.9Gd0.1O1.95層である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記焼結セラミック層及び前記基板が、実質的に等しい熱膨張係数を有する請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
セラミック粉末が金属粉末を実質的に含んでいない請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記セラミック粉末が有機バインダー又は可塑剤を実質的に含んでいない請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板が前記焼結セラミック層のためのサポートとなる穴あき金属フォイルであり、気体が前記金属フォイルを通って前記焼結セラミック層まで通り抜けることができる請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
多孔性介在セラミック電極層を用いる請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記多孔性介在セラミック電極層がセラミックアノード層である請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記多孔性介在セラミック電極層がNiO/CGO粉末から成る請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記セラミックアノード層を1000℃以下の還元雰囲気において焼結する請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
多孔性介在セラミック電極層が前記焼結セラミック層上に形成される請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記多孔性介在セラミック電極層がセラミックカソード層である請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記セラミックカソード層がGd1-xSrxCoO3/CGO粉末から成る請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記セラミック電極層が700〜800℃の間の温度で焼成される請求項２２から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１から２５のいずれか一項に記載の方法で作製された不浸透性焼結セラミック電解質層を含む固体酸化物型燃料電池。
【請求項２７】
添付図面を参照して明細書に記載したように焼結セラミック層を形成する方法。
【請求項２８】
添付図面を参照して明細書に記載したように固体酸化物型燃料電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不浸透性焼結セラミック電解質層を形成する方法の分野に関するものである。さらに詳細には、本発明は、固体酸化物型燃料電池用の焼結不浸透性セラミック電解質層を形成する方法の分野に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
国際公開第WO02/35628号パンフレットは、ステンレス鋼基板上に固体酸化物型燃料電池（SOFC）のアレイを形成するための従来の廉価なセラミック処理法を用いる利点について記載している。プラズマスプレー処理の使用を含む他の形成法（例えば、英国特許出願第1049428号公報）、真空スパッタリング／蒸着法（参考文献１）、及び、化学的気相堆積（CVD）法は非常に高価である。しかしながら、関連セラミックパウダーの堆積及び高温での焼結による関連マイクロ構造の成長を含む従来のセラミック処理法は、堆積したパウダーの収縮及び最大許容焼結温度の制約による制限のために簡単ではない。例えば、温度の制約はステンレス鋼基板の使用によって導入される；ステンレス鋼基板の特性の低下を避けるため、最大焼結温度は通常、1000℃近傍に制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
さらに、金属基板上に密な酸化物コーティングを得る際の問題が認識されている。焼結中の堆積パウダーの収縮は非常に大きなストレスを生じて、コーティングのクラッキングにつながるセラミックの破壊応力を越え得る。また、応力はしばしば金属基板の曲がり（ベンディング）を伴い得るが、これは多くの場合望まれていない。曲がりの程度は基板の硬度（スティフネス）に依存する。収縮を低減する一の方法は金属パウダーを導入することである。金属酸化物の形成に係る堆積の膨張はある程度は焼結収縮を補償することができる。例には、Al/Al2O3パウダー混合物を用いたAl2O3コーティング（参照文献３）の反応ボンディング、及び、Siパウダーのアルミナ−シリカ材料への付加を含むムライトコーティング（参考文献４）の形成を含む。しかしながら、特に、粒界（グレインバンダリー）におけるアルミナ、又は、セリア母材の電解質におけるシリカ含有相の存在は、イオン伝導及びSOFCスタックのパウダー密度を低下させる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様は、固体酸化物型燃料電池の焼結不浸透性セラミック電解質層を形成する方法であって：
電気泳動堆積法を用いて基板上にセラミックパウダーを堆積して堆積セラミックパウダー層を形成する段階と；
前記堆積セラミック層を平衡押圧（アイソスタティック・プレス）して圧縮セラミックパウダー層を形成する段階と；
前記圧縮セラミックパウダー層を加熱して前記圧縮セラミックパウダーを焼結して前記基板上に前記焼結不浸透性セラミック層を形成する段階と；を備える。
【０００５】
本発明では、平衡押圧した後の電気泳動堆積が、焼結したときに所望の特性を有するほど十分な密度の圧縮セラミックパウダー層を形成できることを認識している。これらの特性には例えば、焼結電解質膜がSOFCスタックに供給される空気及び燃料ガスに対して本質的に不透過性であるような高密度（例えば、＞96％理論密度）が含まれる。さらに、不透過焼結電解質膜は好適には、燃料電池によって高パワー密度が生成できることを保証するように、約0.5Ωｃｍ２よる低い面積固有抵抗（area specific resistivity:ASR）を有している。例えば、焼結セラミック層は、低減されたレベルの線形的収縮を受け、システム内で他のエレメントを損傷するのを回避するのに十分低い温度を用いて生成されてもよい。
【０００６】
上に焼結セラミック層が形成される基板は多様な形態を取り得、本発明は特に、基板がステンレス鋼、特にヨーロピアン表示（designation）1.4509のようなフェライトステンレス鋼である状況において時に有効である。このようなステンレス鋼は、固体酸化物型燃料電池内で使用するために他の特性に対して非常に望ましいが、それらがそれらの最上面に堆積されたセラミック層の焼結によって劣化されないならば温度の制約を受ける。
【０００７】
好適な実施形態では、圧縮セラミックパウダー層を1100℃より低い温度まで加熱され、1000℃より低い温度まで加熱るのがより好ましい。このような加熱は、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、又は、焼結炉内で適当な酸素分圧を課すように混合物気体（例えば、CO2/H2）内で行うのが望ましい。
【０００８】
好適な実施形態における平衡押圧段階では、100MPaから500MPaの間の圧力を付与する。平衡押圧は湿式（wet-bag）平衡押圧法を用いるのが好都合である。
【０００９】
生成された焼結セラミック層は、生成された固体酸化物燃料電池内の種々の異なる層のうちのいずれかであるが、焼結セラミック層は、CGO電解質層のような不透過性電解質層であるのが好ましく、Ce0.9Gd0.1O1.95層であるのがさらに好ましい。
【００１０】
本発明の好適な実施形態では、焼結セラミック層及び基板は、実質的に同じ熱膨張係数を有するように選択する。このようにして、固体酸化物型燃料電池の温度サイクル中の熱的誘起応力は低減される。
【００１１】
電気泳動堆積及び平衡押圧法によって、本発明の好適な実施形態が、セラミックパウダーが金属パウダーを実質的に含まず、かつ、有機バインダー又は可塑剤を実質的に含まないようにできる。
【００１２】
本発明の方法は、基板が処理されて焼結セラミック層を支持する有孔金属フォイルを形成し、気体が金属フォイルを通って焼結セラミック層へ抜けることが可能となる実施形態において特に適している。
【００１３】
焼結セラミック層が金属基板上に形成されるのが好ましいが、セラミック電極層のような多孔性中間（介在）層上に形成されてもよい。好適な実施形態によっては、セラミック電極はNiO/CGOから成るセラミックアノード層であり、1000℃以下の還元雰囲気で焼結される。
【００１４】
さらに好適な実施形態では、多孔性セラミック中間電極層は、Gd1-xSrxCoO3/CGOパウダーから成るセラミックカソード層であり700℃から800℃の温度で焼成されてもよい。
【００１５】
特に所望の特性を有する焼結不透過性セラミック層が、圧縮セラミックパウダー層が理論密度の55-60％の密度を有するように形成されるときに形成される。
【００１６】
本発明の他の態様は、上述の方法によって形成された焼結不透過性セラミック層を含む固体酸化物型燃料電池を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施形態を、例として示された添付図面を参照して記載する。
【００１８】
以下に、フェライトステンレス鋼フォイル（例えば、ヨーロッパ基準（European designation）1.4509）及び酸化セリウム母材のセラミック電解質（例えば、Ce0.9Gd0.1O1.95）を含む、ＰＣＴ国際公開WO02/35628号パンフレットにおいて特定したものと類似する材料及び構造を用いて前述した困難を解決する手順について述べる。これらの材料は、優れた熱膨張係数適合性（12.5×10-6K-1近傍）であってSOFCスタックが高速の温度サイクルに耐えられるので選択されたものだった。さらに、セラミック電解質Ce0.9Gd0.1O1.95（CGO）の使用によって、スタックが500℃近傍の温度で作動でき、バイポーラプレートマニフォルドを封止するための構成に係るさらなる利点と、スタックコンポーネントの劣化の低減とを与える。
【００１９】
このアプローチは、堆積されたコーティングの密度が線形収縮を約12〜15％に低減するのに十分高い（55〜60%：理論密度）ことを保証することを求めたものである。その後に湿式平衡押圧（100〜500MPa）が続く電気泳動堆積法（EPD）を用いることによって、約1000℃で、不活性雰囲気（例えば、アルゴン）、又は、制御された酸素分圧雰囲気で焼結することによって、フェライトステンレス鋼フォイル（100ミクロン厚）上に5×5cmサイズのCGO電解質の緻密な不浸透性膜（5〜20ミクロン厚）を得ることが可能である。EPD（参考文献５）を用いることに関わる利点は、ステンレス鋼上に良好に画定されたパターン／アレイにおいて初期にかなり緻密な堆積物40〜45％を得ることができることである。さらに、堆積物の形成には、不活性又は還元雰囲気において焼結するときに完全に除去することが面倒な有機バインダー及び／又は可塑剤の添加が必要ではない。EPD堆積物／コーティングを湿式平衡押圧内に置かれ、100〜500MPaの範囲の圧力にさらす。最後のコメントは、ステンレス鋼上のコンパクトなCGOコーティングの焼結に関わる。初期の特許（参考文献６）及び文献（参考文献７）は、1000℃以下の温度で焼結するとき、CGOの密な（＞96％の理論密度）のサンプル形成を保証するために（カチオン約2％の）CoO,NiO,Cu2O等をCGOに事前に添加することが必要であることを示唆している。しかしながら、我々は、その後に、市販のCGO粉末（ロディア・バッチ番号99004/98、d50（ミクロン）0.48、及び、表面面積（m2/g）23）の不活性ガス（アルゴン）又はコントロールされた酸素分圧雰囲気における平衡押圧及び焼結が続くフェライトステンレス鋼上のEPD堆積によって、金属酸化物の事前の添加なしでの密な不浸透性電解質を生成することができる。少量の鉄、クロム及びニッケルを、ステンレス鋼基板及び／又はNi(Cu)-CGOアノードから焼結工程中にCGO電解質へ移し入れることができることは認識されたい。しかしながら、焼結CGO膜における選択された遷移金属の存在は焼結工程の結果であり、選択された金属酸化物の事前の添加の結果ではない。例としては、光化学加工（photochemical machining：PCM）及びレーザー加工と組み合わせて、上述の作製（ファブリケーション）方法を用いて生成できるSOFC構成である。
【００２０】
図１に示した第１の例では、密な厚膜電解質の形成は最初の作製手順である。図１を参照して以下の段階を実施する。
【００２１】
ステップ１Ａ
EPDによって100ミクロン厚のステンレス鋼フォイルの最上面に厚膜CGO電解質を堆積した。堆積物及び基板を300MPaで平衡下で押圧し、1000℃でアルゴン中で焼結する。
【００２２】
ステップ１Ｂ
領域“a”における金属は、プラン“b”で示したグリッドデザインのような適当なパターンに光化学的に加工する（PCM）。多孔性グリッド構造は、電解質膜用のサポートを提供すると共に、電解質膜の裏側にアクセス可能となる。PCM工程中、露出した電解質膜はレジストによって保護される。電解質／金属界面は通常、焼結処理中にCr2O3リッチ薄層（〜1ミクロン厚）を形成して組み入れる。この層をレーザーアブレーション／ドリル穴あけ又はイオンビームミリングによって穴あけを行って、裏側電解質膜を露出する。
【００２３】
ステップ１Ｃ
最後のステップは、粉末スラリを用いて穴あけされた金属サポートにアノード粉末（例えば、NiO/CGO）をロードし（領域“a”）、例えば、スクリーン印刷を用いて電解質の最上面上にカソード粉末（例えば、Gd0.6Sr0.4CoO3-x/CGO）を堆積する（領域“c”）。次いでアセンブリ全体を、700〜800℃の温度範囲で同時焼成し、多孔性（ポーラス）電極のマイクロ構造及び密着性を成長させる。
【００２４】
図２で示した第２の実施形態では、裏面エッチング処理を行う前に、アノード及び密な厚膜電解質を作製する。このテクニックは以下のステップに従って進める：
【００２５】
ステップ２Ａ
リセス（10〜20ミクロン深さ）をPCMによってフェライトステンレス鋼フォイルに形成する。
【００２６】
ステップ２Ｂ
EPDによって、ノード粉末（例えば、NiO/CGO）をリセス内に堆積する。アノードを1000℃、還元雰囲気下で焼結してNiOを還元し、多孔性アノードマイクロ構造を成長させる。EPDを用いて、電解質粉末（CGO）を、アノードの最上面上と共に、金属フォイルの最上面上のオーバーラップ領域上に堆積する。平衡押圧後、密な厚膜電解質を、1000℃、不活性雰囲気（アルゴン）下で焼結することによって作製する。
【００２７】
ステップ２Ｃ
領域“a”における金属を、プラン“b”で示したグリッドデザインのような適当なパターンに光化学的に加工する（PCM）。多孔性グリッド構造は、アノード及び電解質膜のためのサポートを提供すると共に、アノード層の裏側にアクセス可能とする。PCM工程中に、露出した電解質膜をレジストによって保護する。アノード／金属界面には通常、焼結中にCr2O3リッチ薄層（〜1ミクロン厚）を形成して組み入れる。この層をレーザーアブレーション／ドリル穴あけ又はイオンビームミリングによって穴あけを行って、裏側電解質膜を露出する。
【００２８】
ステップ２Ｄ
SOFC構造の作製における最終ステップは、スクリーン印刷によって電解質膜の最上面にカソード粉末（例えば、Gd0.6Sr0.4CoO3 /CGO）を堆積し、その後、700〜800℃の温度で焼成することによって、多孔性（ポーラス）カソードのマイクロ構造を成長し、電解質への密着性を促進する。
【００２９】
第３の例では、金属フォイルの全工程を、そのフォイル上に密な電解質膜を形成する前に完遂される。この手法は以下のステップで進行する：
【００３０】
ステップ３Ａ
最上面（領域“c”）上に約10ミクロン深さのリセスを備えるために、金属フォイルをダブルエッチングする（PCM）。領域“a”における金属を、プラン“b”で示したグリッドデザインのような適当なパターンに光化学的に加工する（PCM）。この多孔性グリッド構造は、典型的には20〜50ミクロン厚である中央支柱を強化するのに役立つ。適しているならば、リセス“c”をパテーニングすることができる（例えば、グリッド構造“b”）。
【００３１】
ステップ３Ｂ
次に、レーザードリルによって、その中央支柱に穴をあける。十分でありかつ経済的である穴（10〜20ミクロン径）の典型的密度は、300〜600/cm2の範囲である。レーザードリル後、金属基板を不活性ガス雰囲気において1000℃でアニールして、熱影響ゾーンに関連した応力を除去する。
【００３２】
ステップ３Ｃ
アノード粉末（NiO/CGO）をEPDによってリセス内に堆積する。アノードを1000℃で還元雰囲気において焼結してNiOを還元し、多孔性アノードマイクロ構造を成長させる。EPDを用いて、電解質粉末（CGO）を、アノードの最上面上と共に、金属フォイルの最上面上のオーバーラップ領域上に堆積する。平衡押圧後、密な厚膜電解質を、1000℃近傍、不活性雰囲気（アルゴン）又は適当な酸素分圧下で焼結することによって作製する。
【００３３】
ステップ３Ｄ
SOFC構造作製における最終ステップは、スクリーン印刷によって電解質膜の最上面にカソード粉末（例えば、Gd0.6Sr0.4CoO3 /CGO）を堆積し、その後、700〜800℃の温度で焼成することによって、多孔性カソードのマイクロ構造を成長し、電解質への密着性を促進する。
【００３４】
SOFC構造の形成後、ステンレス鋼フォイルをレーザー溶接によってステンレス鋼バイポーラプレートに結合する。この構成は電気的接触を提供すると共に、ステンレス鋼バイポーラプレートに組み込まれたその下のガス流通システムを封止する。
【００３５】
参考文献
1. アイタ（C.R.Aita）及びクオック（H-K.Kwok）、ジャーナル・オブ・アメリカン・セラミックス・ソサイエティ（J.Am.Ceram.Soc.）、1990年、第73巻、p3209
2. パル（U.Pal）及びシンガル（S.C.Singhal）、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサイエティ（J.Electrochemical Soc.）、1990年、第137号、p2937
3. ホルツ（D.Holz），ウー（S.Wu），シェッポカート（S.Scheppokat）及びクラウセン（N.Claussen）、ジャーナル・オブ・アメリカン・セラミックス・ソサイエティ（J.Am.Ceram.Soc.）、1994年、第77巻、p2509
4. ホルツ（D.Holz），パーゲル（S.Pagel），ボーエン（C.Bowen），ウー（S.Wu），及びクラウセン（N.Claussen）、ジャーナル・オブ・ヨーロピアン・セラミック・ソサイエティ（J.European.Ceramic.Soc.）、1996年、第16巻、p255
5. バン・デル・ビースト（O.O.Van der Biest）及びバンデアペール（J.Vanderperre）,アンニュアル・レビュー・オブ・マテリアル・サイエンス，1999年、第29巻、p327
6. クラインローゲル（C.Kleinlogel）、ゲディッケマイアー（M.Goedickemeier）及びガウクラー（L.J.Gauckler）、ヨーロッパ特許EP1,000,913号（18.05.2000）
7. クラインローゲル（C.Kleinlogel）及びガウクラー（L.J.Gauckler）、SOFC VIプロシーディングス第99-19巻（エレクトロケミカル・ソサイエティ（Electrochemical Society）, ニュージャジー州（New Jersey）, 米国，1999年）、シンガル（S.C.Singhal）及びドキヤ（M.Dockiya）編著、p255
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施形態における固体酸化物型燃料電池の作製の概略説明図である。
【図２】第２の実施形態における固体酸化物型燃料電池の作製の概略説明図である。
【図３】第３の実施形態における固体酸化物型燃料電池の作製の概略説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
ａ  領域
ｂ  プラン
ｃ  領域
【図１】
2005527074.tif 000002
【図２】
2005527074.tif 000003
【図３】
2005527074.tif 000004
【国際調査報告】
2005527074.tif 000005
2005527074.tif 000006
2005527074.tif 000007
2005527074.tif 000008