(57)【要約】本発明の放射線検出器は、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と、１０〜１００００ｐｐｂのＰｂ濃度と、１０〜１００００ｐｐｂの濃度の（ｉ）Ｃｌ及び（ｉｉ）周期表のＩＩＩ族元素の群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含む化合物又は合金から作製される。これにより、十分な電気補償、高抵抗率、適用される電気バイアスの下での十分な空乏、及び優れた電荷輸送示す。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と、
１０〜１００００ｐｐｂの濃度のＰｂと、
１０〜１００００ｐｐｂの濃度の（ｉ）Ｃｌ及び（ｉｉ）周期表のＩＩＩ族元素の群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む化合物から作製されることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記化合物は、１０〜１００００ｐｐｂの濃度のＶ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｎ及びＧｅの群から選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の放射線検出器。
【請求項３】
（ａ）Ｃｄ，Ｚｎ及びＴｅからなる混合物を与え、
（ｂ）前記混合物を液体状態になるまで加熱し、
（ｃ）前記混合物が固化されるときに、当該混合物のエネルギーバンドギャップの上位に浅いレベルのドナー（電子）を与える第一のドーパントを添加し、
（ｄ）前記混合物が固化されるときに、当該混合物のエネルギーバンドギャップの中位に深いレベルのドナー及び／又はアクセプターを与える第二のドーパントを添加し、そして、
（ｅ）前記第一及び第二のドーパントを含む前記混合物を固化して放射線検出器を作製する化合物を形成することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項４】
前記第一のドーパントは、周期表のＩＩＩ族及び／又はＶＩＩ族から選ばれる少なくとも一つの元素であることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項５】
前記第一のドーパントは、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ及びＣｌの群から選ばれる少なくとも一つの元素であることを特徴とする請求項４記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項６】
前記化合物中の第一のドーパントの濃度は１０〜１００００ｐｐｂであることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
前記第二のドーパントはＰｂであることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項８】
前記化合物中の第二のドーパントの濃度は１０〜１００００ｐｐｂであることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項９】
前記混合物が固化されるときに、当該混合物のバンドギャップの中位に深いレベルのドナー及び／又はアクセプターを与える第三のドーパントをさらに添加することを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１０】
前記化合物中の第三のドーパントの濃度は１０〜１００００ｐｐｂであることを特徴とする請求項９記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１１】
前記第三のドーパントは、Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｎ及びＧｅの群から選ばれる少なくとも一つの元素であることを特徴とする請求項９記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器及びその製造方法に関する。すなわち、本発明は、１ｋｅＶ〜５ＭｅＶの光子エネルギー範囲中の放射線を検出するための、十分に活性なボリュームを有する半絶縁性のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶を成長させるための全く新しい手法である。
【背景技術】
【０００２】
基本的な物理的性質は、あらゆる放射線検出器に適用される物質の選択を管理する。まず第一に、その物質は、高い電気抵抗を示さなければならない。第二に、その物質は、外部の放射線によって生じる電荷担体の優れた輸送を示さなければならない。最後に、その物質は、前記結晶（つまり、十分な空乏）の全量によって適用される電場を考慮しなければならない。このような性質は、高純度を示すわけではないが、真性の又は非ドープのテルル化カドミウム、テルル化亜鉛又はテルル化カドミウム亜鉛（つまり、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１））が任意の知られた方法によって成長する。
【０００３】
高純度の真性ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、一般的に、固有欠陥又は自然欠陥、特に、豊富な成長を条件付けるテルル（Ｔｅ）中のカドミウム（Ｃｄ）空孔、又は豊富な成長を条件付けるＣｄ中のＣｄ間隙の大きな密度の形成に基づいて、低い電気抵抗率を有する。さらに、バンドギャップの中位で、深いレベルと供に原因不明の固有欠陥が、高濃度中に形成される。この固有欠陥は、その欠陥が高濃度中に存在しているとき、その装置の十分な空乏を許さない電気特性を有する。
【０００４】
高い抵抗率のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、一般的に、縦型又は横型のブリッジマン法によるＩＩＩ族元素（例えば、Ｉｎ，Ａｌ及びＧａ）と供に、あるいは移動加熱法によるＶＩＩ族元素（例えばＣｌ）と供にドーピングによって得られる。しかしながら、このような方法によれば、ドーパントの大きな濃度は、一般的に、検出器の分極のように、減少したキャリア輸送及び副次的効果を引き起こすこととなる。この後者の現象は、導入されるドーパント又はその他の欠陥に起因する担体捕捉による、内部電場の崩壊に基づく実効容積（つまり、効率）の減少を意味する。上述のドーピングスキームによれば、不完全な電気補償によって達成される抵抗率を、技術的に制御することもまた困難である。結果として、一般的に１×１０6〜１×１０9Ω・ｃｍの範囲で電気抵抗率の変化量が見られる。
【０００５】
バンドギャップの中位にエネルギーレベルをおくドーパントによる電気補償は、半絶縁性の物質を得るために、ＩＩＩ−Ｖ族の化合物がよく使用される。しかしながら、このようなドーピングスキームの何れもは、これらの物質に形成される不動態化された固有欠陥の問題が解決できない。包含される例としては、これらに限定されないが、例えば、リン化インジウム（ＩｎＰ）にドーピングされる鉄（Ｆｅ）、及びヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）にドーピングされるクロム（Ｃｒ）が挙げられる。前記固有欠陥は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）中の自然欠陥ＥＬ２であると認められる。高濃度中のバンドギャップの中位で、深いレベルと供に単一のドーピング物質の添加は、外部放射線によって起こる電荷担体の強い捕捉を導入し、装置の不十分な空乏を原因とする固有の深いレベルを不動態化させない。結果として、そのように形成された半絶縁性のＩＩＩ−Ｖ族化合物（例えば、ＧａＡｓ）から作られた放射線検出器は、低い抵抗率及び限られた活性の空乏領域によって妨げられ、固有欠陥の不動態化を可能にしない。
【０００６】
未知の不純物の結合及び自然欠陥の形成は、高い抵抗率を有する固有のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）を提供させる。しかしながら、そのような物質は、一般的に強いキャリヤ捕捉を示し、その結果、放射線検出器の性能が危険にさらされる。そのとき、不純物、自然欠陥及びそれらの関連性は、成長によって異なるＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）インゴットの性質を抑制する方法を受け入れ、そして、特定のインゴット中に強い空間的変動を示す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたものであり、優れたキャリア輸送特性及び適用される電場に反応して十分な空乏を有する化合物または合金から作られる放射線検出器を提供することを目的とする。また、さらにそのような化合物または合金を成形する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、本発明は、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と、１０〜１００００ｐｐｂの濃度のＰｂと、１０〜１００００ｐｐｂの濃度の（ｉ）Ｃｌ及び（ｉｉ）周期表のＩＩＩ族元素の群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む化合物から作製されることを特徴とする放射線検出器を提供する。
【０００９】
前記化合物は、１０〜１００００ｐｐｂの濃度のＶ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｎ及びＧｅの群から選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよい。
【００１０】
また、本発明は、（ａ）Ｃｄ，Ｚｎ及びＴｅからなる混合物を与え、（ｂ）前記混合物を液体状態になるまで加熱し、（ｃ）前記混合物が固化されるときに、該混合物のエネルギーバンドギャップの上位に浅いレベルのドナー（電子）を与える第一のドーパントを添加し、（ｄ）前記混合物が固化されるときに、当該混合物のエネルギーバンドギャップの中位に深いレベルのドナー及び／又はアクセプターを与える第二のドーパントを添加し、そして、（ｅ）前記第一及び第二のドーパントを含む前記混合物を固化して放射線検出器を作製する化合物を形成することを特徴とする放射線検出器の製造方法を提供する。
【００１１】
前記第一ドーパントは、周期表のＩＩＩ族及び／又はＶＩＩ族から選ばれる少なくとも一つの元素であることが好ましい。すなわち、第一のドーパントは、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ及びＣｌの群から選ばれる少なくとも一つの元素を使用することができる。また、前記化合物中の第一のドーパントの濃度は１０〜１００００ｐｐｂであることが好ましい。
【００１２】
前記第二のドーパントはＰｂであることが好ましく、前記化合物中の第二のドーパントの濃度は１０〜１００００ｐｐｂであることが好ましい。
【００１３】
また、本発明によれば、前記混合物が固化されるときに、当該混合物のバンドギャップの中位に深いレベルのドナー及び／又はアクセプターを与える第三のドーパントをさらに添加してもよい。前記化合物中の第三のドーパントの濃度は１０〜１００００ｐｐｂであることが好ましい。前記第三のドーパントは、Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｎ及びＧｅの群から選ばれる少なくとも一つの元素を使用することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る放射線検出器は、十分な電気補償、高抵抗率、適用される電気バイアスの下での十分な空乏、及び優れた電荷輸送示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明によれば、特定の元素の特定の結合が、多数の適切な制御方法でＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）に導入される。この制御方法は、（半絶縁性）の高い抵抗率、及び適用されたバイアスの下での十分な空乏による優れたキャリア輸送特性と供に、有用な外因性の又はドープされたＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）を確実に製造するための成長法によるものである。その方法によれば（「コドーピング」又は「トリドーピング」と称される）、少なくとも二つ、場合によっては三つの異なる添加物又はドーパントが、慎重に選択され、そして、結晶成長の過程中で、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶に混合される。
【００１６】
コドーピングスキームによれば、周期表のＩＩＩ族（すなわち、ホウ素（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ），タリウム（Ｔｌ））、又は周期表のＶＩＩ族（すなわち、塩素（Ｃｌ））のうち少なくとも一つの元素から生成される１０〜１００００ｐｐｂの濃度範囲の第一のドーパントは、１０〜１００００ｐｐｂの濃度範囲の第二のドーパント（すなわち、鉛（Ｐｂ））に導入される。その材料特性の付加的な制御を得るために、トリドーピングスキームは、フェルミ準位を固定又は設定するために、１０〜１００００ｐｐｂの濃度範囲の第三のドーパントと供に上述の第一の及び第二のドーパントを利用するために使用される。第三のドーパントは、バナジウム（Ｖ），チタニウム（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），スズ（Ｓｎ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）の群から選ばれる少なくとも一つの元素から生成される。第一のドーパントは、周期表のＩＩＩ族又はＶＩＩ族のうち一つの元素から形成され、そして第三のドーパントは、バナジウム（Ｖ），チタニウム（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），スズ（Ｓｎ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）の群から選ばれる一つの元素から形成されることが好ましい。しかしながら、これは、本発明を限定するものとして、解釈されるわけではない。
【００１７】
結局、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶は、Ｘ−Ｙ，又はＸ−Ｙ−Ｚによってドープされることを意味する。但し、Ｘは、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ又はＣｌ元素のいずれかに相当し、ＹはＰｂ元素（つまり、Ｂ−Ｐｂ，Ａｌ−Ｐｂ，Ｇａ−Ｐｂ，Ｉｎ−Ｐｂ，Ｔｌ−Ｐｂ，Ｃｌ−Ｐｂなどによって処理されるコドーピング）である。鉛（Ｐｂ）は、錯体として選ばれ、そして、作製されたＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）検出装置の十分な空乏を与えないために、固有の深いレベルを不動態化する。そのとき、固有の深いレベルを不動態化し、そして、高い抵抗率の化合物又は合金を得るためにバンドギャップの中位でフェルミ準位を固定又は設定する深いレベルに導入するために、これらの元素は、十分な量が加えられる。選択された結晶成長法、及び適切な成長条件により、ドーピング元素の鉛（Ｐｂ）は、いつも十分な電気補償を獲得するために要求される、多数の深いレベルを生成するわけではない。この場合、Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｎ又はＧｅ元素のいずれかから選択される第三の元素Ｚの添加は、バンドギャップの中位でフェルミレベルを固定し、そして十分な電気補償の特性及び高い抵抗率を示す物質を得るための深いレベルを提供するために要求される。
【００１８】
上述のドーピング方法は、電気補償の原則に基づいて行われる。固有の又は非ドープのＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、制御されていない残留する不純物の量、そして、カドミウムの空孔、転位及び結晶成長中にその物質に取り入れられる固有の深いレベルの欠陥などの自然の欠陥によってドーピングされるために、抵抗率が異なる。このような結晶の欠陥のいくつかは、室温でイオン化され、そして、放射線検出器に必要な特性を有さない、低い抵抗率又は高い抵抗率のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）をもたらす自由電荷担体（例えば電子又は正孔など）の十分な供給が行われる。結晶成長中の十分な濃度で固有の又は自然の欠陥による深いレベルの形成は、高い抵抗率の結晶を生成することになる。しかしながら、このような結晶は、外部のバイアスによって十分な空乏が形成されない。従来、このような問題は解決されず、この固有の深いレベルを効果的に不動態化するための方法について開示された方法もなく、そして、外部のバイアスの条件の下で、十分な空乏を有する結晶を得る。このような非ドープの結晶中の自由電荷担体の濃度は、一般に、ドナー及びアクセプター欠陥の濃度差に比例している。ある欠陥は、また、それらの輸送、効率及び放射線検出器装置での物質の使用を制限する外部放射線によって生じた電荷担体を強く捕捉する。
【００１９】
固有のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）によれば、カドミウム空孔の濃度（つまり、空格子サイト、転位及び深いレベルでの（あるいは、Ｔｅアンチサイト錯体と関係がある）固有欠陥など）は、適宜異なり、そして適用される成長法及び温度プログラムによって強固に決まる。成長及び成長後の処理状態で、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）の特性を制御する主要な自然欠陥の濃度のそのような著しい変化は、放射線検出器にとって使用に適さない物質を提供する。固有のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）の一般的な電気抵抗は、この物質で達成可能な最大の抵抗率（≧１×１０10Ω・ｃｍ）から５桁異なる。ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）の達成可能な最大の抵抗率は、その電子構造（すなわち、バンドギャップ）によって決まる。つまり、その物質の組成（すなわち、カドミウムとスズの比）の機能である。自由正孔及び電子を生成する欠陥及び不純物は、それぞれアクセプター及びドナーと呼ばれる。
【００２０】
異符号の電荷担体を生成する選択された元素の導入を検討することによって、電気補償の現象が達成される。結果として、自由電荷担体の濃度は、アクセプター及びドナーの欠陥の濃度の違いに比例される。ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）によれば、ＩＩＩ族不純物（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ）及び／又はＶＩＩ族不純物Ｃｌのいずれか一つ又はそれらの組み合わせは、カドミウムの欠陥のようにアクセプターの効果を補い、そして、このような欠陥と複合体を形成するドナーとしての機能を果たす。正味の担体濃度は、ＩＩＩ族不純物及び／又はＶＩＩ族不純物Ｃｌの濃度、及びカドミウム空孔の複合体の濃度の差と等しい。この方法によれば、正味の担体濃度は、一般的に２〜６桁減少される。しかしながら、アクセプター及びドナーの欠陥の正確な濃度を、正確にそして確実に制御し、物質の完全な補償（つまり、≧１×１０10Ω・ｃｍの高い抵抗率）を得ることは困難である。正味の担体濃度が１×１０7ｃｍ-3以下に減少される完全な電気補償は、単一元素のドーピングスキームを使用する、浅いドナー及びアクセプターの間の直接の補償を使用する今日の結晶成長の機能よりもはるかに優れている。さらに、ＩＩＩ族又はＶＩＩ族の元素のうち一つを使用する、周知の及び公けなドーピング方法は、固有の深いレベルの電気的活動を変化させない。単一元素のドーピングを生成する物質であるＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、検出器の結晶の厚みが１ｍｍを超えるなら、高いバイアル電圧の適用によって完全に消滅されない。一般的に、１×１０6〜１×１０9Ω・ｃｍ範囲の抵抗率は、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）中の、ＩＩＩ族又はＶＩＩ族の不純物ドーピングによって得られる。しかしながら、この工程は、深いレベルの固有欠陥の存在に関連される、十分な放射線検出器の性能を引き起こさない。放射線検出器の商業的成功は、このような結晶から作られない高性能の（例えば、１ｍｍより厚い）検出器のように制限されない。本発明に基づいて、慎重に選択されたドーピング物質の導入によって、このようなドーピング物質は、固有欠陥の不利な影響が削減され又は取り除かれると、固有の深いレベルで錯体を作る。
【００２１】
本発明に基づいて、第二のドーパント、及び成長条件によって必要な第三のドーパントは、十分な電気補償、高抵抗又は、十分な空乏及び優れた電荷輸送を示す半絶縁性物質を得るためのＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）の成長過程中に、ＩＩＩ族及び／又はＶＩＩ族の不純物から生成される第一のドーパントに加えて導入される。ＩＩＩ族及び／又はＶＩＩ族の物質から生成される第一のドーパントと組み合わせて、第二のドーパント（すなわち、鉛（Ｐｂ））の導入によって、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）物質の電気抵抗の制御だけでなく、検出器の空乏特性も制御され、十分に補償された物質が得られる。第二のドーパントであるＰｂは、固有の深いレベルで不動態化し、十分に補償される高抵抗のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）を得るためのバンドギャップの中位に深いレベルの十分な量を導入する。
【００２２】
一定の成長条件の下で、十分な電気補償は、Ｘ−Ｙ、コドーピングスキームとともに得られるものではない。この場合、Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｎ又はＧｅの群から選ばれる一つ又はそれ以上の元素から形成される第三のドーパントは、十分な空乏を制限する固有の深いレベルに不動態化した後に、抵抗率を制御するために導入される。Ｐｂを添加して固有の深いレベルを不動態化した後に、バンドギャップ（これらは、深いレベルのドーパント又は深いドナー及びアクセプターと呼ばれる）の中位付近にレベルを有する第三のドーパントが添加される。この方法によって、１×１０10Ω・ｃｍを超える電気抵抗とともに半絶縁性のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、確実にそして再生可能な方法で得られる。この方法によれば、第三の深いレベルのドーパントは、アクセプター（すなわち、カドミウム空孔、一組のカドミウム空孔−ＩＩＩ族不純物、カドミウム又は亜鉛部位で配置されたＩ族不純物、テルル部位で配置されたＶ族不純物）及びドナー（すなわち、カドミウム又は亜鉛部位上のＩＩＩ族不純物）の濃度の相違によって与えられる残りの電荷担体を補償する。結果として、理論的な最大値で抵抗率とともに十分に補償されたＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）が、確実に得られる。
【００２３】
電気的に補償されるアクセプター（すなわち、カドミウム空孔及び／又は深いレベル）に加えて、ＩＩＩ族不純物は、また、Ａセンターと称され、且つ一般に知られている不純物空孔ペアーを形成するためにカドミウム空孔と結合する。この方法によれば、カドミウム空孔欠陥のエネルギーレベルは、Ａセンターの低いエネルギーレベルへ移動される。新たな欠陥の低いエネルギー（すなわち、Ａセンター）は、電荷担体の滞留時間または、欠陥による空孔を減らし、そして、外部放射線によって発生する担体の輸送特性を高める。結果として、ドープから作られる放射線検出器、すなわちＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶の性能は著しく向上される。
【００２４】
同時に使用する二つのドーパント（すなわち、コドーピング又は同時に三つのドーパント、言い換えれば、トリドーパント）のユニークな特徴は、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶中で十分な補償及び優れた電荷輸送を得るために、特定のドーパント、即ちドーパント物質の低い濃度の使用を可能にする。トリドーピングでは、第一のドーパントは、ドナーを提供し、ＡセンターをつくるＩＩＩ族及び／又はＶＩＩ族から選ばれる１又はそれ以上の物質であり、第二のドーパントは、装置の十分な空乏を可能にする固有の深いレベルを不動態化し、そして、第三のドーパントは、十分な電気補償を補償し、即ち、抵抗率を制御する深いレベルである。これは、補償されるドーピング物質の高い濃度の使用によって、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）のキャリア輸送特性で一般に使用される単一のドーピングスキームの弊害を除去する。単一のドーパントスキーム中でのドーパントの高い濃度は、固有の深いレベルの影響をかくし、検出器の不完全な空乏を引き起こす固有の深いレベルを不動態化せず、そして、空間電荷が、検出器の作用及び一般に分極と呼ばれる放射線検出器中の内部電場の崩壊中に増加する。
【００２５】
上記コドープ又はトリドープされた半絶縁性のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶は、制限なく、高圧のブリッジマン法によって溶け、Ｃｄの分圧制御とともに又はそれを伴わない横型のブリッジマン法、Ｃｄの分圧制御とともに又はそれを伴わない縦型のブリッジマン法、気相輸送、Ｃｄの分圧制御とともに又はそれを伴わない縦型又は横型の温度傾斜（Gradient Freeze)法、Ｃｄの分圧制御とともに又はそれを伴わない縦型又は横型の電気的変化度から成長してできる。
【００２６】
図１を参照して、上記コドーピング又はトリドーピングスキームを含むＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶は、一旦、インゴットを形成すると、それから結晶がスライス状に又はウエハ２として切り離される。それから、ウエハ２は、ピクセル配列に形成される。各画素又はピクセル４は、ｘ線やγ線のような入射光、あるいはα又はβ粒子のような入射粒子を各ピクセル４配列の独立した電気信号に変化させることが可能である。ウエハ２は入射光又は入射粒子に反応して電気信号を出力する結晶からなり、しかし、複数の個々のピクセル４を含まない。ウエハ２のリマインダーから分離される単一のピクセル４を含むウエハ２の一例が図１に示される。しかしながら、平面結晶が、好ましいそして製造可能な大きさ及び形状に形成されることから、本発明を限定的に解釈するものではない。
【００２７】
本発明は、好ましい実施形態に関して記載している。明らかな変形及び変更は、上述の詳細な説明を解釈し、理解する上でその他のものをも発生する。そのような修正や変更のすべてを含むと解釈される本発明は、添付された請求項又はそれらと同等のものの範囲内に関する限りに於いて含むものと解釈される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】ピクシレイト合金を形成する複数の画素又はピクセルを含む結晶ウエハーの斜視図を示す。
【符号の説明】
【００２９】
２…ウエハ
４…結晶
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【国際調査報告】
2005529343.tif 000004
2005529343.tif 000005