(57)【要約】【課題】回路の占有面積を削減しつつ、センサ素子の磁場印加検査が可能な磁気センサ回路を提供する。【解決手段】磁気センサ回路は、垂直磁場に応じた電圧を出力する第１磁気センサ素子、又は水平磁場に応じた電圧を出力する第２磁気センサ素子と、前記電圧に応じて信号を出力する磁場信号処理回路と、外部の素子と接続可能な第１端子、第２端子、及び第３端子の少なくとも３つの端子と、前記第１端子と、前記第２端子との間を接続する第１配線と、前記第１端子と、前記第３端子との間を接続する第２配線と、を備え、前記第１磁気センサ素子が、前記第１配線、又は前記第２配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置される、又は前記第２磁気センサ素子が、前記第１配線、又は前記第２配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。【選択図】図１
2018151304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁場に応じた電圧を出力する第１磁気センサ素子、又は水平磁場に応じた電圧を出力する第２磁気センサ素子と、
前記電圧に応じて信号を出力する磁場信号処理回路と、
外部の素子と接続可能な第１端子、第２端子、及び第３端子の少なくとも３つの端子と、
前記第１端子と、前記第２端子との間を接続する第１配線と、
前記第１端子と、前記第３端子との間を接続する第２配線と、
を備え、
前記第１磁気センサ素子が、前記第１配線、又は前記第２配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置される、又は前記第２磁気センサ素子が、前記第１配線、又は前記第２配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置される
磁気センサ回路。
【請求項２】
前記第１配線とは、
前記第２磁気センサ素子の検出対象の電流が流れる配線であって、
前記第２配線とは、
前記第１磁気センサ素子の検出対象の電流が流れる配線であって、
前記第１磁気センサ素子は、
前記第２配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置され、
前記第２磁気センサ素子は、
前記第１配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置される、
請求項１に記載の磁気センサ回路。
【請求項３】
前記第１配線は、
前記第１端子から前記第２端子の方向と、前記第２端子から前記第１端子の方向の双方向に電流を流すことが可能であって、
前記第２配線は、
前記第１端子から前記第３端子の方向と、前記第３端子から前記第１端子の方向の双方向に電流を流すことが可能である、
請求項１又は請求項２に記載の磁気センサ回路。
【請求項４】
前記第１磁気センサ素子と、前記第２磁気センサ素子とのうち、前記第２磁気センサ素子
を備え、
前記第２磁気センサ素子は、
前記第１配線下、又は前記第２配線下に配置される、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の磁気センサ回路。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気センサ回路において、
前記第１配線、又は前記第２配線に前記磁気センサ回路が通常動作する際に当該磁気センサ回路内を流れる電流よりも大きい電流を流すことにより、前記第１磁気センサ素子、又は前記第２磁気センサ素子の磁場印加検査をする
検査方法。
【請求項６】
請求項５に記載の検査方法を含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
磁場に応じた電圧を出力する磁気センサ素子と、
前記電圧に応じて信号を出力する磁場信号処理回路と、
外部の素子と接続可能な第１端子、及び第２端子の少なくとも２つの端子と、
前記第１端子と、前記第２端子との間を接続し、通常時に流れる電流よりも大きい電流を流すことが可能な配線と、
を備え、
前記配線から生じる磁場を検出可能な位置に前記磁気センサ素子が配置される
磁気センサ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサ回路、検査方法、及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種回転機構の回転数や回転方向を検出することを目的として、交番垂直磁場と交番水平磁場とを検出する２軸磁気回路が知られている。従来の垂直磁場のみを検出する磁気センサと比べて磁気機構設計の自由度が高い利点がある一方で、量産テスト工程において、垂直磁場と、水平磁場とを印加し、検査することが求められる。
量産性向上を目的として、パッケージ実装前にセンサの良否の選別を行うには、ウェハテストにおける磁場印加検査の実施が望ましい。しかしながら、磁場印加検査では、ウェハに対して水平磁場を印加する水平磁場印加機構と、垂直磁場を印加する垂直磁場印加機構との２つを用いることが求められ、かつ磁場を印加する位置を高精度に調整することが求められる。
ここで、回路に専用の構造を設けて外部からテスト電流を供給することにより水平磁場を発生させ、水平磁場センサ素子の磁場印加検査を行う技術が知られている（例えば非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＥＳＳＣＩＲＣ  ２０１３，“Ａ  Ｄｕａｌ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｈａｌｌ  ｌａｔｃｈ  ｗｉｔｈ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ”
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の技術では、水平磁場センサ素子の磁場印加検査専用の構造を用いることにより、回路の占有面積が増加する場合があった。
本発明は、上記問題に鑑みて為されたものであり、回路の占有面積を削減しつつ、センサ素子の磁場印加検査が可能な磁気センサ回路を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、垂直磁場に応じた電圧を出力する第１磁気センサ素子、又は水平磁場に応じた電圧を出力する第２磁気センサ素子と、前記電圧に応じて信号を出力する磁場信号処理回路と、外部の素子と接続可能な第１端子、第２端子、及び第３端子の少なくとも３つの端子と、前記第１端子と、前記第２端子との間を接続する第１配線と、前記第１端子と、前記第３端子との間を接続する第２配線と、を備え、前記第１磁気センサ素子が、前記第１配線、又は前記第２配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置される、又は前記第２磁気センサ素子が、前記第１配線、又は前記第２配線から生じる磁場を検出可能な位置に配置される磁気センサ回路である。
【０００６】
本発明の一態様は、上述に記載の磁気センサ回路において、前記第１配線、又は前記第２配線に前記磁気センサ回路が通常動作する際に当該磁気センサ回路内を流れる電流よりも大きい電流を流すことにより、前記第１磁気センサ素子、又は前記第２磁気センサ素子の磁場印加検査をする検査方法である。
【０００７】
本発明の一態様は、上述に記載の検査方法を含む半導体装置の製造方法である。
【０００８】
本発明の一態様は、磁場に応じた電圧を出力する磁気センサ素子と、前記電圧に応じて信号を出力する磁場信号処理回路と、外部の素子と接続可能な第１端子、及び第２端子の少なくとも２つの端子と、前記第１端子と、前記第２端子との間を接続し、通常時に流れる電流よりも大きい電流を流すことが可能な配線と、を備え、前記配線から生じる磁場を検出可能な位置に前記磁気センサ素子が配置される磁気センサ回路である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、回路の占有面積を削減しつつ、センサ素子の磁場印加検査が可能な磁気センサ回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る磁気センサ回路の配置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る磁気センサ回路の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る磁気センサ回路の動作の一例を示すタイミングチャートである。
【図４】磁気センサ回路の水平磁場変換特性の一例を示すグラフである。
【図５】変形例に係る磁気センサ回路の配置の一例を示す図である。
【図６】磁気センサ回路の垂直磁場変換特性の一例を示すグラフである。
【図７】第２実施形態に係る磁気センサ回路の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１実施形態］
以下、図を参照して本発明の第１実施形態について説明する。
【００１２】
＜磁気センサ回路の配置＞
図１は、第１実施形態に係る磁気センサ回路１の配置の一例を示す図である。
図１に示す通り、磁気センサ回路１は、垂直磁場センサ２と、水平磁場センサ３と、第１ドライブ回路４と、第２外部端子５と、第１外部端子６と、第１配線７と、第２ドライブ回路８と、第３外部端子９と、第２配線１０と、垂直信号処理回路１０１（不図示）と、水平信号処理回路１０２（不図示）とを備える。
【００１３】
垂直磁場センサ２は、磁気センサ回路１に生じる垂直方向の磁場を検出する。また、垂直磁場センサ２は、検出した磁場の方向、及び大きさに応じた電圧を出力する。水平磁場センサ３は、磁気センサ回路１に生じる水平方向の磁場を検出する。また、水平磁場センサ３は、検出した磁場の方向、及び大きさに応じた電圧を出力する。
以降の説明において、磁場の方向を説明する場合には、ＸＹＺ直交座標系を用いることがある。このＸＹＺ直交座標系のうち、Ｙ軸は、垂直磁場センサ２、及び水平磁場センサ３が配置される面の縦方向、すなわち水平方向を示し、Ｘ軸は、垂直磁場センサ２、及び水平磁場センサ３が配置される面の横方向を示し、Ｚ軸は、垂直磁場センサ２、及び水平磁場センサ３が配置される面の高さ方向、すなわち垂直方向を示す。
【００１４】
第２外部端子５と、第１外部端子６とは、第１ドライブ回路４を介して第１配線７によって接続される。また、第３外部端子９と、第１外部端子６とは、第２ドライブ回路８を介して第２配線１０によって接続される。第１ドライブ回路４、及び第２ドライブ回路８とは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。第２外部端子５と、第１外部端子６とは、垂直信号処理回路１０１によって第１ドライブ回路４のゲート端子に電圧が印加される場合、当該第１ドライブ回路４がＯＮ状態に制御され、電流を流すことができる。また、第３外部端子９と、第１外部端子６とは、水平信号処理回路１０２によって第２ドライブ回路８のゲート端子に電圧が印加される場合、当該第２ドライブ回路８がＯＮ状態に制御され、電流を流すことができる。ここで、第１ドライブ回路４、及び第２ドライブ回路８がＯＮ状態に制御されることに応じて流れる電流は、ドライブ電流である。
【００１５】
ここで、垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が垂直磁場を検出し、出力する信号に応じて、第１ドライブ回路４の状態を制御する。具体的には、垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が検出する垂直磁場が、Ｚ軸の正の方向の磁場であって、かつ所定の強度以上の磁場である場合、第１ドライブ回路４をＯＮ状態に制御する。また、垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が検出する垂直磁場が、Ｚ軸の負の方向の磁場であって、かつ所定の強度以上の磁場である場合、第１ドライブ回路４をＯＦＦ状態に制御する。
水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が水平磁場を検出し、出力する信号に応じて、第２ドライブ回路８の状態を制御する。具体的には、水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が検出する水平磁場が、Ｙ軸の正の方向の磁場であって、所定の強度以上の磁場である場合、第２ドライブ回路８をＯＮ状態に制御する。また、水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が検出する水平磁場が、Ｙ軸の負の方向の磁場であって、所定の強度以上の磁場である場合、第２ドライブ回路８をＯＦＦ状態に制御する。
【００１６】
本実施形態の一例において、磁気センサ回路１には、垂直磁場を印加する垂直磁場印加機構によって、垂直磁場が印加される。垂直磁場センサ２は、垂直磁場印加機構によって印加された垂直磁場を検出する。
また、水平磁場センサ３は、第１配線７から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。水平磁場センサ３は、第１配線７から生じる磁場によって磁場印加検査が行われる。第１配線７から生じる磁場を検出可能な位置とは、例えば、第１配線７下である。図１に示す通り、本実施形態の一例において、水平磁場センサ３は、第１配線７下に配置される。これにより、水平磁場センサ３は、第１配線７に流れるドライブ電流に応じた磁場であって、水平方向（Ｙ軸方向）の磁場を検出する。ここで、水平磁場センサ３が第１配線７から生じる磁場によって磁場印加検査が行われる際、当該第１配線７に流れる電流は、磁気センサ回路１が通常動作する際に第１配線７を流れる電流よりも大きい電流である。
なお、水平磁場センサ３は、第１配線７下に配置される構成に代えて、第１配線７上に配置される構成であってもよい。
【００１７】
＜磁気センサ回路の構成＞
以下、図２を参照して磁気センサ回路１の具体的な構成について説明する。
図２は、第１実施形態に係る磁気センサ回路１の一例を示す図である。
本実施形態の一例において、第２外部端子５と、第１外部端子６との間には、外部装置が接続される。外部装置は、第２外部端子５と、第１外部端子６との間を流れるドライブ電流の大きさ、及び方向が変更可能な装置である。
【００１８】
上述したように、磁気センサ回路１には、垂直磁場印加機構によって垂直磁場が印加されることに伴い、垂直磁場センサ２は、垂直磁場を検出する。垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が垂直磁場を検出することに伴い、第１ドライブ回路４をＯＮ状態に制御する。これにより、第２外部端子５と、第１外部端子６との間には、ドライブ電流が流れる。
【００１９】
水平磁場センサ３は、第１配線７を流れるドライブ電流に応じた水平磁場を検出する。水平磁場センサ３は、例えば、第１外部端子６から第２外部端子５の方向にドライブ電流が流れる場合、Ｙ軸の正の方向の磁場を検出する。水平磁場センサ３は、例えば、第２外部端子５から第１外部端子６にドライブ電流が流れる場合、Ｙ軸の負の方向の磁場を検出する。
水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が磁場を検出することに伴い、第２ドライブ回路８をＯＮ状態、又はＯＦＦ状態に制御する。
【００２０】
また、本実施形態の一例において、第３外部端子９には、第１外部端子６の電位より十分に高い電圧が印加される。第３外部端子９は、例えば、プルアップ抵抗を介して電圧が印加される。第３外部端子９は、第２ドライブ回路８がＯＦＦ状態である場合、高い電位（以下、ハイレベル）を保持し、第２ドライブ回路８がＯＮ状態である場合、第１外部端子６の電位（以下、ローレベル）に変化する。
本実施形態の磁気センサ回路１は、第３外部端子９の電位を確認することにより、水平磁場センサ３の磁場印加検査を行う。
【００２１】
＜磁気センサ回路の動作＞
以下、図３を参照して磁気センサ回路１の動作の詳細について説明する。
図３は、第１実施形態に係る磁気センサ回路１の動作の一例を示すタイミングチャートである。ここで、図示する波形Ｗ１は、垂直磁場印加機構によって磁気センサ回路１に印加される垂直磁場の時間変化を示す波形である。波形Ｗ２は、第２外部端子５と、第１外部端子６との間（第１配線７）に流れるドライブ電流の方向、及び大きさの時間変化を示す波形である。このドライブ電流は、外部装置によって第２外部端子５と、第１外部端子６との間に流される。第１外部端子６から第２外部端子５に流れるドライブ電流を、正の傾きの波形Ｗ２−１によって示し、第２外部端子５から第１外部端子６に流れるドライブ電流を、負の傾きの波形Ｗ２−２によって示す。波形Ｗ３は、第１配線７に流れるドライブ電流に応じた磁場、すなわち、水平磁場センサ３が検出する水平磁場を示す波形である。具体的には、Ｙ軸の正の方向の水平磁場を、正の傾きの波形Ｗ３−１によって示し、Ｙ軸の負の方向の水平磁場を、負の傾きの波形Ｗ３−２によって示す。波形Ｗ４は、第３外部端子９の電位の変化を示す波形である。
【００２２】
図３に示す通り、磁気センサ回路１には、垂直磁場印加機構によって、Ｚ軸の正の方向の垂直磁場が時刻ｔ１に印加される。また、時刻ｔ１において、垂直磁場センサ２が印加された垂直磁場を検出することに伴い、垂直信号処理回路１０１が第１ドライブ回路４をＯＮ状態に制御する。
【００２３】
次に、外部装置は、時刻ｔ１から時刻ｔ３までの間、第１外部端子６から第２外部端子５の方向にドライブ電流を流し、かつ徐々にドライブ電流の大きさを大きくする（図示する波形Ｗ２−１）。これに伴い、水平磁場センサ３は、Ｙ軸の正の方向の水平磁場であって、時刻ｔ１から時刻ｔ３まで徐々に強度が強くなる水平磁場を検出する(波形Ｗ３−１：時刻ｔ１〜時刻ｔ３)。
【００２４】
次に、水平信号処理回路１０２は、時刻ｔ２において、水平磁場センサ３が検出する水平磁場が所定の強度（図示する閾値ＢＯＰｙ）より強くなる（波形Ｗ３−１：時刻ｔ２）。このため、水平信号処理回路１０２は、第２ドライブ回路８をＯＮ状態に制御する。これに伴い、第３外部端子９の電位は、時刻ｔ２において、ローレベルに変化する（波形Ｗ４：時刻ｔ２）。
【００２５】
次に、外部装置は、時刻ｔ３以降、第２外部端子５から第１外部端子６の方向にドライブ電流を流す。また、外部装置は、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間、徐々にドライブ電流の大きさを小さくする（図示する波形Ｗ２−１）。これに伴い、水平磁場センサ３は、Ｙ軸の負の方向の水平磁場であって、時刻ｔ３から時刻ｔ４まで徐々に強度が弱くなる水平磁場を検出する（波形Ｗ３−１：時刻ｔ３〜時刻ｔ４）。
次に、外部装置は、時刻ｔ４以降、徐々にドライブ電流の大きさを大きくする(波形Ｗ２−２：時刻ｔ４以降)。これに伴い、水平磁場センサ３は、Ｙ軸の負の方向の水平磁場であって、時刻ｔ４以降、徐々に強度が強くなる水平磁場を検出する（波形Ｗ３−２：時刻ｔ４以降）。
【００２６】
次に、水平信号処理回路１０２は、時刻ｔ５において、水平磁場センサ３が検出する水平磁場が所定の強度（図示する閾値ＢＲＰｙ）より強くなる（波形Ｗ３−２：時刻ｔ５）。このため、水平信号処理回路１０２は、第２ドライブ回路８をＯＦＦ状態に制御する。これに伴い、第３外部端子９の電位は、時刻ｔ５において、ハイレベルに変化する（波形Ｗ４：時刻ｔ５）。
【００２７】
＜磁気センサ回路の磁気変換特性について＞
図４は、磁気センサ回路１の水平磁場変換特性の一例を示すグラフである。
水平磁場センサ３が検出する水平磁場がＹ軸の正の方向の水平磁場であって、かつ閾値ＢＯＰｙの強度に達した場合、第３外部端子９の電位（図示するＶ（９））は、ハイレベルの状態からローレベルの状態に変化する。また、水平磁場センサ３が検出する水平磁場が、Ｙ軸の負の方向の水平磁場であって、かつ閾値ＢＲＰｙの強度に達した場合、第３外部端子９の電位は、ハイレベルの状態に変化する。
磁気センサ回路１は、上述したように磁気を検出し、第３外部端子９の電位に変換する動作を行う。磁気センサ回路１は、例えば、上述した構成によってリング状多極磁石等の回転する磁性体の交番検知を行う。
【００２８】
＜第１実施形態のまとめ＞
以上説明したように、本実施形態の磁気センサ回路１は、水平磁場センサ３と、第２外部端子５と、第１外部端子６と、第１配線７と、第２ドライブ回路８と、第３外部端子９と、第２配線１０と、水平信号処理回路１０２とを備える。水平磁場センサ３は、水平磁場に応じた電圧を出力する。水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が出力する電圧に応じて信号を出力する。第１配線７は、第１外部端子６と、第２外部端子５との間を接続し、第２配線１０は、第１外部端子６と、第３外部端子９との間を接続する。水平磁場センサ３は、第１配線７から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。
【００２９】
本実施形態の磁気センサ回路１によれば、第１配線７を流れるドライブ電流に応じて、水平磁場センサ３が水平磁場を検出し、水平磁場センサ３の磁場印加検査を行うことができる。これにより、本実施形態の磁気センサ回路１は、２軸のうち、一方の磁場印加機構（この一例では、垂直磁場印加機構）のみを用いて、２軸の磁場印加検査を行うことができる。
【００３０】
また、本実施形態の磁気センサ回路１において、第１配線７とは、水平磁場センサ３の検出対象の電流が流れる配線であって、水平磁場センサ３は、第１配線７から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。これにより、本実施形態の磁気センサ回路１は、動作確認用の配線を用いる場合と比較して回路の占有面積を削減しつつ、水平磁場センサ３の磁場印加検査を行うことができる。
【００３１】
また、本実施形態の磁気センサ回路１において、磁気センサ回路１が通常動作する際に磁気センサ回路１内を流れる電流よりも大きい電流を第１配線７に流すことにより、水平磁場センサ３の磁場印加検査を行う。換言すると、水平磁場センサ３の検出対象の水平磁場は、第１配線７に流れる電流によって生じる磁場より強い磁場である。したがって、本実施形態の磁気センサ回路１よれば、水平磁場センサ３は、磁気センサ回路１の通常動作時において第１配線７に流れる電流の影響を受けずに、水平磁場の検出を行うことができる。
【００３２】
また、本実施形態の磁気センサ回路１において、水平磁場センサ３は、第１配線７下に配置される。ここで、第１配線７に電流が流れることにより、第１配線７を中心とした円状であって、第１配線７の配線方向（この一例では、Ｘ方向）と直交する面（この一例では、ＹＺ平面）上に磁場が発生する。水平磁場センサ３は、当該磁場を水平方向に捉えるためには、第１配線７を中心とした円の法線方向と直交する位置に配置されることが好ましい。ここで、ＸＹ平面上の位置であって、第１配線７を中心とした円の法線方向と直交する位置とは、第１配線７下、または第１配線７上である。したがって、水平磁場センサ３は、第１配線７下、または第１配線７上に配置されることによって、第１配線７から生じる磁場を水平磁場として効率的に検出することができる。
【００３３】
また、本実施形態の磁気センサ回路１において、第１配線７は、第１外部端子６から第２外部端子５の方向と、第２外部端子５から第１外部端子６の方向の双方向に電流を流すことが可能である。これにより、本実施形形態の磁気センサ回路１は、水平磁場センサ３が検出する水平磁場の２つの方向（Ｙ軸の正の方向、及び負の方向）を検出することができる。
【００３４】
［変形例］
上述では、磁気センサ回路１に垂直磁場印加機構によって垂直磁場が印加され、磁気センサ回路１の内部構成によって水平磁場センサ３の磁場印加検査を行う場合について説明した。
変形例では、磁気センサ回路１に水平磁場印加機構によって水平磁場が印加され、磁気センサ回路１の内部構成によって垂直磁場センサ２の磁場印加検査を行う場合について説明する。
なお、上述した実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３５】
＜水平磁場印加機構によって水平磁場が印加される場合について＞
図５は、変形例に係る磁気センサ回路１の配置の一例を示す図である。
変形例において、磁気センサ回路１には、水平磁場を印加する水平磁場印加機構によって、水平磁場が印加される。水平磁場センサ３は、水平磁場印加機構によって印加された水平磁場を検出する。
また、垂直磁場センサ２は、第２配線１０から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。垂直磁場センサ２は、第２配線１０から生じる磁場によって磁場印加検査が行われる。第２配線１０から生じる磁場を検出可能な位置とは、例えば、第２配線１０の近傍である。図５に示す通り、本実施形態の一例において、垂直磁場センサ２は、第２配線１０の近傍に配置される。ここで、垂直磁場センサ２が第２配線１０から生じる磁場によって磁場印加検査が行われる際、当該第２配線１０に流れる電流は、磁気センサ回路１が通常動作する際に第２配線１０を流れる電流よりも大きい電流である。
【００３６】
＜磁気センサ回路の構成＞
変形例の一例において、第３外部端子９と、第１外部端子６との間には、外部装置が接続される。外部装置は、第３外部端子９、及び第１外部端子６との間を流れるドライブ電流の大きさ、及び方向を変更可能である。
【００３７】
上述したように、磁気センサ回路１には、水平磁場印加機構によって水平磁場が印加されることに伴い、水平磁場センサ３は、水平磁場を検出する。水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が水平磁場を検出することに伴い、第２ドライブ回路８をＯＮ状態に制御する。これにより、第３外部端子９と、第１外部端子６との間には、ドライブ電流が流れる。
【００３８】
垂直磁場センサ２は、第２配線１０を流れるドライブ電流に応じた垂直磁場を検出する。垂直磁場センサ２は、例えば、第１外部端子６から第３外部端子９の方向にドライブ電流が流れる場合、Ｚ軸の正の方向の磁場を検出する。垂直磁場センサ２は、例えば、第３外部端子９から第１外部端子６にドライブ電流が流れる場合、Ｚ軸の負の方向の磁場を検出する。
垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が磁場を検出することに伴い、第１ドライブ回路４をＯＮ状態、又はＯＦＦ状態に制御する。
【００３９】
また、本実施形態の一例において、第２外部端子５には、第１外部端子６の電位より十分に高い電圧が印加される。第２外部端子５は、例えば、プルアップ抵抗を介して電圧が印加される。また、第２外部端子５は、第１ドライブ回路４がＯＦＦ状態である場合、高い電位（以下、ハイレベル）を保持し、第１ドライブ回路４がＯＮ状態である場合、第１外部端子６の電位（以下、ローレベル）に変化する。
本実施形態の磁気センサ回路１は、第２外部端子５の電位を確認することにより、水平磁場センサ３の磁場印加検査を行う。
【００４０】
＜磁気センサ回路の磁気変換特性について＞
図６は、磁気センサ回路１の垂直磁場変換特性の一例を示すグラフである。
垂直磁場センサ２が検出する垂直磁場がＺ軸の正の方向の垂直磁場であって、かつ閾値ＢＯＰｚの強度に達した場合、第２外部端子５の電位（図示するＶ（５））は、ハイレベルの状態からローレベルの状態に変化する。また、垂直磁場センサ２が検出する垂直磁場が、Ｚ軸の負の方向の垂直磁場であって、かつ閾値ＢＲＰｚの強度に達した場合、第２外部端子５の電位は、ハイレベルの状態に変化する。
磁気センサ回路１は、上述したように磁気を検出し、第２外部端子５の電位に変換する動作を行う。磁気センサ回路１は、例えば、上述した構成によってリング状多極磁石等の回転する磁性体の交番検知を行うことができる。
磁気センサ回路１の動作については、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４１】
＜変形例のまとめ＞
以上説明したように、変形例の磁気センサ回路１は、垂直磁場センサ２と、第２外部端子５と、第１外部端子６と、第１配線７と、第３外部端子９と、第２配線１０と、第１ドライブ回路４と、垂直信号処理回路１０１とを備える。垂直磁場センサ２は、垂直磁場に応じた電圧を出力する。垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が出力する電圧に応じて信号を出力する。第１配線７は、第１外部端子６と、第２外部端子５との間を接続し、第２配線１０は、第１外部端子６と、第３外部端子９との間を接続する。垂直磁場センサ２は、第２配線１０から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。
【００４２】
変形例の磁気センサ回路１によれば、第２配線１０を流れるドライブ電流に応じて、垂直磁場センサ２が垂直磁場を検出し、垂直磁場センサ２の磁場印加検査を行うことができる。これにより、変形例の磁気センサ回路１は、２軸のうち、一方の磁場印加機構（この一例では、水平磁場印加機構）のみを用いて、２軸の磁場印加検査を行うことができる。
【００４３】
また、変形例の磁気センサ回路１において、第２配線１０とは、垂直磁場センサ２の検出対象の電流が流れる配線であって、垂直磁場センサ２は、第２配線１０から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。これにより、変形例の磁気センサ回路１は、動作確認用の配線を用いる場合と比較して、回路の占有面積を削減しつつ、垂直磁場センサ２の磁場印加検査を行うことができる。
【００４４】
また、変形例の磁気センサ回路１において、磁気センサ回路１が通常動作する際に磁気センサ回路１内を流れる電流よりも大きい電流を第２配線１０に流すことにより、垂直磁場センサ２の磁場印加検査を行う。換言すると、垂直磁場センサ２の検出対象の垂直磁場は、第２配線１０に流れる電流によって生じる磁場より強い磁場である。したがって、変形例の磁気センサ回路１によれば、垂直磁場センサ２は、磁気センサ回路１の通常動作時において第２配線１０に流れる電流の影響を受けずに、垂直磁場の検出を行うことができる。
【００４５】
また、本実施形態の磁気センサ回路１において、第２配線１０は、第１外部端子６から第３外部端子９の方向と、第３外部端子９から第１外部端子６の方向の双方向に電流を流すことが可能である。これにより、本実施形形態の磁気センサ回路１は、垂直磁場センサ２が検出する垂直磁場印の２つの方向（Ｚ軸の正の方向、及び負の方向）を検出することができる。
【００４６】
なお、上述では、垂直磁場印加機構によって垂直磁場が印加され、磁気センサ回路１の内部構成によって水平磁場センサ３の磁場印加検査を行う、又は水平磁場印加機構によって水平磁場が印加され、磁気センサ回路１の内部構成によって垂直磁場センサ２の磁場印加検査を行う場合について説明したが、これに限られない。
磁気センサ回路１は、例えば、内部構成によって垂直磁場センサ２の磁場印加検査が可能であって、かつ内部構成によって水平磁場センサ３の磁場印加検査が可能な構成であってもよい。
この場合、上述した構成によって、垂直磁場センサ２は、第２配線１０から生じる垂直磁場を検出し、水平磁場センサ３は、第１配線７から生じる水平磁場を検出する。
【００４７】
本実施形態の磁気センサ回路１は、垂直磁場センサ２と、水平磁場センサ３と、第２外部端子５と、第１外部端子６と、第１配線７と、第１ドライブ回路４と、第１配線７と、第２ドライブ回路８と、第３外部端子９と、第２配線１０と、垂直信号処理回路１０１と、水平信号処理回路１０２とを備える。垂直磁場センサ２は、垂直磁場に応じた電圧を出力する。垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が出力する電圧に応じて信号を出力する。第１配線７は、第１外部端子６と、第２外部端子５との間を接続し、第２配線１０は、第１外部端子６と、第３外部端子９との間を接続する。垂直磁場センサ２は、第２配線１０から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。水平磁場センサ３は、水平磁場に応じた電圧を出力する。水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が出力する電圧に応じて信号を出力する。第１配線７は、第１外部端子６と、第２外部端子５との間を接続し、第２配線１０は、第１外部端子６と、第３外部端子９との間を接続する。水平磁場センサ３は、第１配線７から生じる磁場を検出可能な位置に配置される。
【００４８】
本実施形態の磁気センサ回路１によれば、第２配線１０を流れるドライブ電流に応じて、垂直磁場センサ２が垂直磁場を検出し、垂直磁場センサ２の磁場印加検査を行うことができる。また、本実施形態の磁気センサ回路１によれば、第１配線７を流れるドライブ電流に応じて、水平磁場センサ３が水平磁場を検出し、水平磁場センサ３の磁場印加検査を行うことができる。
これにより、本実施形態の磁気センサ回路１は、磁場印加機構を用いずに、２軸の磁場印加検査を行うことができる。したがって、本実施形態の磁気センサ回路１によればセンサ素子の磁場印加検査を簡便に行うことができる。
【００４９】
［第２実施形態］
以下、図を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
第１実施形態、及び変形例では、磁場センサの検出対象の磁場を生じさせる配線と、信号処理回路がドライブ回路をＯＮ状態に制御することに伴って、ドライブ電流を流す配線とが異なる場合について説明した。
第２実施形態では、磁場センサの検出対象の磁場を生じさせる配線と、信号処理回路がドライブ回路をＯＮ状態に制御することに伴って、ドライブ電流を流す配線とが合致する場合について説明する。
なお、上述した実施形態、及び変形例と同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
図７は、第２実施形態に係る磁気センサ回路１１の一例を示す図である。
本実施形態において、水平磁場センサ３は、第１配線７下に配置され、当該第１配線７から生じる水平磁場を検出する。垂直磁場センサ２は、第２配線１０の近傍に配置され、当該第２配線１０から生じる垂直磁場を検出する。
また、本実施形態において、垂直信号処理回路１０１は、垂直磁場センサ２が第２配線１０から生じる垂直磁場を検出し、出力する信号に応じて、第２ドライブ回路８の状態を制御する。水平信号処理回路１０２は、水平磁場センサ３が水平磁場を検出し、出力する信号に応じて、第１ドライブ回路４の状態を制御する。
【００５１】
垂直信号処理回路１０１、及び水平信号処理回路１０２は、例えば、磁気センサ回路１１に電源電圧が印加されてから所定の時間が経過するまでの間、初期状態として動作し、第１ドライブ回路４、及び第２ドライブ回路８をＯＮ状態に制御する。この間に第２外部端子５と第１外部端子６との間（第２配線１０）や第３外部端子９と第１外部端子６との間（第１配線７）にドライブ電流を流すことにより、垂直磁場センサ２の磁場印加検査、及び水平磁場センサ３の磁場印加検査を行うことができる。
【００５２】
＜第２実施形態のまとめ＞
以上説明したように、本実施形態の磁気センサ回路１１によれば、第１配線７を流れるドライブ電流に応じて、水平磁場センサ３が水平磁場を検出し、水平磁場センサ３の磁場印加検査を行うことができる。また、本実施形態の磁気センサ回路１１によれば、第２配線１０を流れるドライブ電流に応じて、垂直磁場センサ２が垂直磁場を検出し、垂直磁場センサ２の磁場印加検査を行うことができる。
これにより、本実施形態の磁気センサ回路１１は、磁場印加機構を用いずに、２軸の磁場印加検査を行うことができる。したがって、本実施形態の磁気センサ回路１１によれば、センサ素子の磁場印加検査を簡便に行うことができる。
【００５３】
なお、水平磁場センサ３は、第１配線７下に配置される構成に代えて、第２配線１０に配置される構成であってもよい。また、垂直磁場センサ２は、第２配線１０の近傍に配置される構成に代えて、第１配線７の近傍に配置される構成であってもよい。
【００５４】
なお、上述した実施形態、及び変形例では、磁気センサ回路（この一例では、磁気センサ回路１、及び磁気センサ回路１１）が垂直磁場センサ２、及び水平磁場センサ３を備える場合について説明したが、これに限られない。
磁気センサ回路は、例えば、垂直磁場センサ２と、水平磁場センサ３とのうち、いずれか１つを備える構成であってもよい。
例えば、第２実施形態に記載の構成のように、磁気センサ回路が、磁場センサの検出対象の磁場を生じさせる配線と、信号処理回路がドライブ回路をＯＮ状態に制御することに伴って、ドライブ電流を流す配線とが合致する構成である場合がある。この場合、磁気センサ回路は、垂直磁場センサ２と、第１外部端子６と、第２ドライブ回路８と、第３外部端子９と、第２配線１０と、垂直信号処理回路１０１とを備える構成であってもよい。また、磁気センサ回路は、水平磁場センサ３と、第１ドライブ回路４と、第２外部端子５と、第１外部端子６と、第１配線７と、水平信号処理回路１０２とを備える構成であってもよい。
【００５５】
これにより、磁気センサ回路は、磁場印加機構を用いずに、１軸の磁場印加検査を行うことができる。したがって、本実施形態の磁気センサ回路によれば、センサ素子の磁場印加検査を簡便に行うことができる。
【００５６】
以上、本発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。上述した各実施形態に記載の構成を組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１、１１…磁気センサ回路
２…垂直磁場センサ
３…水平磁場センサ
４…第１ドライブ回路
５…第２外部端子
６…第１外部端子
７…第１配線
８…第２ドライブ回路
９…第３外部端子
１０…第２配線
１０１…垂直信号処理回路
１０２…水平信号処理回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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