(57)【要約】      （修正有）【課題】マスクのパターンと基板上のショット領域とを重ね合わせるのに有利な露光装置を提供する。【解決手段】走査露光を行う露光装置であって、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を介してショット領域に設けられたマークを検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて、前記走査露光における前記基板を保持するステージの駆動及び前記投影光学系に含まれる光学素子の駆動を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記検出結果から得られる前記マスクのパターンと前記ショット領域との相対ずれを補正するために前記ステージの第１駆動量及び前記光学素子の第２駆動量を求め、前記走査露光で前記ステージ及び前記光学素子のそれぞれを前記第１駆動量及び前記第２駆動量で駆動したとすると前記露光領域が円弧状であることに起因して前記ショット領域内に生じる補正残差を低減するように、前記走査露光における前記光学素子の駆動を制御する。【選択図】図４
2018151577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクと基板とを走査方向に走査しながら円弧状の露光領域で前記基板を露光して前記マスクのパターンを前記基板上のショット領域に転写する走査露光を行う露光装置であって、
前記マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系を介して前記ショット領域に設けられたマークを検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記走査露光における前記基板を保持するステージの駆動及び前記投影光学系に含まれる光学素子の駆動を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記検出結果から得られる前記マスクのパターンと前記ショット領域との相対ずれを補正するために前記走査露光で必要となる前記ステージの第１駆動量及び前記光学素子の第２駆動量を求め、前記走査露光で前記ステージ及び前記光学素子のそれぞれを前記第１駆動量及び前記第２駆動量で駆動したとすると前記露光領域が円弧状であることに起因して前記ショット領域内に生じる補正残差を低減するように、前記走査露光における前記光学素子の駆動を制御することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記相対ずれのシフト成分及び回転成分を補正するために前記走査露光で前記ステージを前記第１駆動量で駆動したとすると前記露光領域が円弧状であることに起因して前記ショット領域内に発生する第１補正残差を求め、
前記相対ずれの倍率成分を補正するために前記走査露光で前記光学素子を前記第２駆動量で駆動したとすると前記露光領域が円弧状であることに起因して前記ショット領域内に発生する第２補正残差を求め、
前記第１補正残差及び前記第２補正残差を低減するために必要となる前記光学素子の第３駆動量を求め、
前記第１駆動量に基づいて前記ステージを駆動し、前記第２駆動量及び前記第３駆動量に基づいて前記光学素子を駆動しながら前記ショット領域を走査露光することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記走査露光の間の前記走査方向における前記ステージの位置ごとに、前記第３駆動量を求めることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
マスクと基板とを走査方向に走査しながら円弧状の露光領域で前記基板を露光して前記マスクのパターンを前記基板上のショット領域に転写する走査露光を行う露光方法であって、
前記マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系を介して前記ショット領域に設けられたマークを検出する第１工程と、
前記第１工程での検出結果に基づいて、前記走査露光における前記基板を保持するステージの駆動及び前記投影光学系に含まれる光学素子の駆動を制御する第２工程と、を有し、
前記第２工程では、前記検出結果から得られる前記マスクのパターンと前記ショット領域との相対ずれを補正するために前記走査露光で必要となる前記ステージの第１駆動量及び前記光学素子の第２駆動量を求め、前記走査露光で前記ステージ及び前記光学素子のそれぞれを前記第１駆動量及び前記第２駆動量で駆動したとすると前記露光領域が円弧状であることに起因して前記ショット領域内に生じる補正残差を低減するように、前記走査露光における前記光学素子の駆動を制御することを特徴とする露光方法。
【請求項５】
請求項４に記載の露光方法の各工程を露光装置に実行させるためのプログラム。
【請求項６】
マスクと基板とを走査方向に走査しながら円弧状の露光領域で前記基板を露光して前記マスクのパターンを前記基板上のショット領域に転写する走査露光における前記基板を保持するステージの駆動量及び前記マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系に含まれる光学素子の駆動量を決定する決定方法であって、
前記投影光学系を介して前記ショット領域に設けられたマークを検出することで得られる前記マスクのパターンと前記ショット領域との相対ずれを補正するために前記走査露光で必要となる前記ステージの第１駆動量及び前記光学素子の第２駆動量を求め、
前記走査露光で前記ステージ及び前記光学素子のそれぞれを前記第１駆動量及び前記第２駆動量で駆動したとすると前記露光領域が円弧状であることに起因して前記ショット領域内に生じる補正残差を低減するために前記走査露光で必要となる前記光学素子の第３駆動量を求め、
前記走査露光における前記ステージの駆動量を前記第１駆動量に基づいて決定し、前記走査露光における前記光学素子の駆動量を前記第２駆動量及び前記第３駆動量に基づいて決定することを特徴とする決定方法。
【請求項７】
請求項６に記載の決定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項８】
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、プログラム、決定方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル（液晶パネルや有機ＥＬパネルなど）や半導体デバイスの製造には、マスクのパターンを、レジストが塗布された基板（ガラスプレートやウエハなど）に転写する露光装置が用いられている。このような露光装置では、マスクのパターン（パターン領域）と基板上のショット領域（基板上に形成されているパターン）とを高精度に重ね合わせる必要がある。
【０００３】
パターンが転写された基板は、熱処理などを経ることで変形するため、基板に転写されたパターンには、ショット領域内で一様でないシフト成分や倍率成分が発生していることが多い。そこで、矩形状の露光光を基板上で走査しながらマスクのパターンを基板上のショット領域に転写している間（即ち、走査露光中）において、投影光学系の投影倍率を変更することが可能な露光装置が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１に開示された露光装置では、投影光学系に含まれる光学素子を駆動して投影倍率を変更することで、基板上のショット領域に対してマスクのパターンを高精度に転写することを可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１８３２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板上で走査する露光光の領域（良像域）が円弧状である場合、従来技術のように走査露光中に投影倍率を変更すると、倍率の変化が円弧状に発生する。従って、投影倍率を変更することで基板に転写されたパターンに発生している倍率成分を補正すると、かかる補正によってショット領域内で他成分（補正残差）が発生してしまうため、十分な重ね合わせ精度を得ることができない。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、マスクのパターンと基板上のショット領域とを重ね合わせるのに有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクと基板とを走査方向に走査しながら円弧状の露光領域で前記基板を露光して前記マスクのパターンを前記基板上のショット領域に転写する走査露光を行う露光装置であって、前記マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系を介して前記ショット領域に設けられたマークを検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて、前記走査露光における前記基板を保持するステージの駆動及び前記投影光学系に含まれる光学素子の駆動を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記検出結果から得られる前記マスクのパターンと前記ショット領域との相対ずれを補正するために前記走査露光で必要となる前記ステージの第１駆動量及び前記光学素子の第２駆動量を求め、前記走査露光で前記ステージ及び前記光学素子のそれぞれを前記第１駆動量及び前記第２駆動量で駆動したとすると前記露光領域が円弧状であることに起因して前記ショット領域内に生じる補正残差を低減するように、前記走査露光における前記光学素子の駆動を制御することを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、マスクのパターンと基板上のショット領域とを重ね合わせるのに有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す露光装置における露光処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】図２に示すＳ１０２（マスクステージ及び基板ステージの制御）を説明するための図である。
【図４】図２に示すＳ１０５を詳細に説明するためのフローチャートである。
【図５】図１に示す露光装置における露光処理の結果を示す図である。
【図６】基板上のショット領域内で発生する倍率成分を説明するための図である。
【図７】基板上のショット領域内で発生する倍率成分、シフト成分及び回転成分を示す図である。
【図８】基板上のショット領域内で発生する他成分を示す図である。
【図９】基板上のショット領域内で発生する他成分を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式を採用し、マスク（原版）と基板とを走査方向に走査しながら円弧状の露光領域で基板を露光してマスクのパターンを基板上のショット領域に転写する走査露光を行う。
【００１３】
露光装置１００は、図１に示すように、照明光学系１と、アライメント検出部２と、マスクステージ３と、投影光学系４と、オフアクシス検出部９１及び９２と、基板ステージ５と、制御部８とを有する。制御部８は、例えば、ＣＰＵやメモリを含み、露光装置１００の各部を制御して基板Ｓを露光する露光処理を行う。
【００１４】
照明光学系１は、光源（不図示）から射出された光を用いて、円弧状の露光領域（露光スリット）をマスク上に形成する。マスクステージ３は、マスクＭを保持する可動ステージであり、基板ステージ５は、基板Ｓを保持する可動ステージである。マスクＭと基板Ｓとは、投影光学系４を介して、光学的にほぼ共役な位置（投影光学系４の物体面及び像面）に配置される。
【００１５】
投影光学系４は、複数の光学素子を含み、マスクＭのパターンを基板Ｓに投影する。投影光学系４は、例えば、複数のミラーによって構成されたミラープロジェクション方式の投影光学系であり、所定の投影倍率（例えば、１倍や１／２倍）を有する。
【００１６】
マスクステージ３と基板ステージ５とは、投影光学系４の光軸方向（Ｚ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に、互いに同期しながら、投影光学系４の投影倍率に応じた速度比で走査（駆動）される。これにより、マスクＭのパターンが基板上のショット領域に転写される。このような走査露光を、基板ステージ５をステップ移動させながら、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して順次行うことによって、１つの基板Ｓに対する露光処理を完了する。
【００１７】
このように、基板上の各ショット領域にマスクＭのパターンを転写する際には、マスクＭのパターン領域（パターンが形成された領域）３１とショット領域との位置合わせ（アライメント）が行われる。露光装置１００は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１及び９２とを併用して、各ショット領域に設けられた複数のマーク（アライメントマーク）の検出を行う。
【００１８】
露光装置１００に搬入される基板Ｓは、一般的に、熱処理などを経ることで変形しているため、ショット領域内で一様でないシフト成分や倍率成分などが発生していることが多い。これらを補正するために、各ショット領域の走査露光の間に、投影光学系４に含まれる光学素子の駆動（即ち、投影光学系４の投影倍率の変更）や基板ステージ５の駆動が行われている。
【００１９】
ここで、基板及びマスクをＸＹ平面上に配置するものし、走査方向をＹ方向、ＸＹ平面上での回転方向をθ方向として、基板上のショット領域に発生している倍率成分、シフト成分及び回転成分の補正について具体的に説明する。例えば、図６（ｂ）に示すように、ショット領域上の６つの位置７４乃至７９で位置合わせを行い、図７（ａ）に示すようなＸ方向の倍率成分を、投影光学系４に含まれる光学素子を駆動することで補正する場合を考える。この場合、露光領域が円弧状であるため、領域７１及び領域７３の各位置における倍率補正量と、領域７２の各位置における倍率補正量とは、同一のＹ位置で比較すると異なる。例えば、図６（ａ）に示すように、領域７１及び領域７３の各位置における倍率補正量は、実線８１で表され、領域７２の各位置における倍率補正量は、破線８２で表される。そのため、ショット領域内には、図８（ａ）に示すような他成分（補正残差）が発生する。
【００２０】
また、図７（ｂ）に示すようなシフト成分、図７（ｃ）に示すようなＹ方向の倍率成分及び図７（ｄ）に示すようなθ方向の回転成分のそれぞれを、基板ステージ５をＸ方向、Ｙ方向及びθ方向のそれぞれに駆動することで補正する場合を考える。この場合も同様に、露光領域が円弧状であるため、領域７１及び領域７３の各位置における各成分の補正量と、領域７２の各位置における各成分の補正量とは、同一のＹ位置で比較すると異なる（図６（ａ）参照）。そのため、ショット領域内には、図８（ｂ）、図８（ｃ）及び図８（ｄ）のそれぞれに示すような他成分（補正残差）が発生する。
【００２１】
上述したように、露光領域が円弧状である場合、基板上のショット領域内の各補正位置では、図９（ａ）に示すように、円弧状に像が補正される（即ち、円弧座標系において像が補正される）。但し、実際には、基板上のショット領域内の各補正位置では、図９（ｂ）に示すように、直交座標系において像を補正したい。従って、かかる座標系の違いによって、図８（ａ）乃至図８（ｄ）に示すような他成分（補正残差）が発生してしまう。
【００２２】
このように、基板上のショット領域における倍率成分、シフト成分及び回転成分を補正することで他成分が発生すると、マスクＭのパターンと基板上のショット領域との重ね合わせ精度が低下してしまう。そこで、本実施形態では、基板上のショット領域における倍率成分、シフト成分及び回転成分を補正しながらも、マスクＭのパターンと基板上のショット領域との重ね合わせ精度の低下を抑えることができる露光処理を提供する。
【００２３】
図２を参照して、露光装置１００における露光処理を説明する。かかる露光処理は、上述したように、制御部８が露光装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。
【００２４】
Ｓ１０１において、制御部８は、基板搬送部（不図示）を制御して、基板Ｓを基板ステージ５に保持させる。
【００２５】
Ｓ１０２において、制御部８は、基板上のショット領域に設けられたマークを検出するために、マスクステージ３及び基板ステージ５を制御する。図３（ａ）、図３（ｂ）及び図３（ｃ）を参照して、マスクステージ３及び基板ステージ５の具体的な制御を説明する。図３（ａ）は、アライメント検出部２の視野２ａ及び２ｂ、オフアクシス検出部９１の視野９１ａ及び９１ｂ、及び、オフアクシス検出部９２の視野９２ａ及び９２ｂを示す図である。図３（ｂ）は、マスクＭに設けられたマーク３１１、３１２、３１３、３１４、３１５及び３１６を示す図である。図３（ｃ）は、ショット領域５１に設けられた第１マーク５１２及び５１５と第２マーク５１１、５１３、５１４及び５１６とを示す図である。露光対象をショット領域５１とすると、第１マーク５１２及び５１５がアライメント検出部２で検出できるように、第２マーク５１３、５１６、５１１及び５１４がオフアクシス検出部９１及び９２で検出できるように、基板ステージ５を制御する。この際、ショット領域５１の第１マーク５１２及び５１５に対応するマスクＭのマーク３１２及び３１５がアライメント検出部２で検出できるように、マスクステージ３を制御する。
【００２６】
Ｓ１０３において、制御部８は、アライメント検出部２、及び、オフアクシス検出部９１及び９２のそれぞれにマークを検出させる。具体的には、アライメント検出部２に第１マーク５１２及び５１５とマーク３１２及び３１５とを検出させ、オフアクシス検出部９１及び９２に第２マーク５１３、５１６、５１１及び５１４を検出させる。そして、制御部８は、マスクＭに対する第１マーク５１２及び５１２の位置と、アライメント検出部２に対する第２マーク５１３、５１６、５１１及び５１４の位置とを求める。
【００２７】
Ｓ１０４において、制御部８は、基板上の全てのショット領域に対してマークの検出を行ったかどうかを判定する。基板上の全てのショット領域に対してマークの検出を行っていない場合には、次のショット領域に対してマークの検出を行うために、Ｓ１０２に移行する。また、基板上の全てのショット領域に対してマークの検出を行っている場合には、Ｓ１０５に移行する。
【００２８】
Ｓ１０５において、制御部８は、Ｓ１０３で得られた検出結果に基づいて、走査露光における基板ステージ５の駆動量及び投影光学系４に含まれる光学素子の駆動量を求める（決定する）。制御部８は、アライメント検出部２やオフアクシス検出部９１及び９２の検出結果に基づいて、マスクＭのパターンと基板上のショット領域との相対ずれ（シフト成分、回転成分及び倍率成分）を求める。次いで、制御部８は、相対ずれを補正するために走査露光で必要となる基板ステージ５の第１駆動量及び光学素子の第２駆動量を求める。そして、制御部８は、走査露光で基板ステージ５及び光学素子のそれぞれを第１駆動量及び第２駆動量で駆動したとすると露光領域が円弧状であることに起因してショット領域内に生じる補正残差を低減するように、走査露光における光学素子の駆動を制御する。
【００２９】
図４を参照して、Ｓ１０５の詳細について説明する。Ｓ２０１において、制御部８は、Ｓ１０３でのアライメント検出部２によるマークの検出結果、及び、オフアクシス検出部９１及び９２によるマークの検出結果に基づいて、図７（ａ）乃至（ｄ）に示す各成分を、以下の式（１）乃至（４）によって求める。ここで、図３（ｃ）に示す各計測点（第１マーク５１２及び５１５、及び、第２マーク５１１、５１３、５１４及び５１６）における計測値を、（ｘ５ｉｊ，ｙ５ｉｊ）（ｉ＝１，２，３，４，  ｊ＝１，２，３，４，５，６）とする。この場合、シフト成分を以下の式（１）によって求め、Ｘ方向の倍率成分を以下の式（２）によって求め、Ｙ方向の倍率成分を以下の式（３）によって求め、θ方向の回転成分を以下の式（４）によって求める。以下では、これらをショット領域の補正成分と称することもある。
【００３０】
【数１】
2018151577.tif 000003
【００３１】
Ｓ２０２において、制御部８は、Ｓ２０１で求めた各成分、具体的には、シフト成分及びθ方向の回転成分に基づいて、走査露光の間に駆動すべき基板ステージ５の駆動量（第１駆動量）を求める。ここで、基板ステージ５をＹ方向に走査する際の位置をＹｓとし、基板ステージ５の駆動量を（Ｘｃｏｍｐ，Ｙｃｏｍｐ，θｃｏｍｐ）とする。基板ステージ５の駆動量は、基板ステージ５の位置がＹｓ≧Ｙ５ｉ２である場合については、以下の式（５）で求められ、基板ステージ５の位置がＹｓ＜Ｙ５ｉ２である場合については、以下の式（６）で求められる。
【００３２】
【数２】
2018151577.tif 000004
【００３３】
Ｓ２０３において、制御部８は、Ｓ２０１で求めた各成分、具体的には、Ｘ方向の倍率成分及びＹ方向の倍率成分に基づいて、走査露光の間に駆動すべき投影光学系４に含まれる光学素子の駆動量（第１駆動量）を求める。ここで、光学素子による補正量をＯｃｏｍｐとする。光学素子による補正量は、基板ステージ５の位置がＹｓ≧Ｙ５ｉ２である場合については、以下の式（７）で求められ、基板ステージ５の位置がＹｓ＜Ｙ５ｉ２である場合については、以下の式（８）で求められる。求めた補正量に対して光学素子の駆動量を算出する。
【００３４】
【数３】
2018151577.tif 000005
【００３５】
Ｓ２０４において、制御部８は、Ｓ２０２で求めた駆動量で基板ステージ５を駆動した場合に、ショット領域内に発生する他成分（第１補正残差）を求める。露光領域が円弧状である場合、ショット領域上の計測点（マーク）のＸ位置での基板ステージ５の駆動量と、かかる計測点と同一のＹ位置における基板ステージ５の駆動量とが異なる。これは、Ｘ方向の位置に応じて基板ステージ５の位置が異なるからである。ショット領域上の計測点を基準として、かかる計測点と同一のＹ位置における基板ステージ５の駆動量の差は、基板ステージ５の位置がＹｓ≧Ｙ５ｉ２である場合については、以下の式（９）で求められる。また、基板ステージ５の位置がＹｓ＜Ｙ５ｉ２である場合については、基板ステージ５の駆動量の差は、以下の式（１０）で求められる。式（９）及び式（１０）で求めた駆動の差に対して光学素子の駆動量Ｘｄｉｆｆ１、Ｘｄｉｆｆ２、Ｙｄｉｆｆ１、Ｙｄｉｆｆ２、θｄｉｆｆ１及びθｄｉｆｆ２を算出する。ここで、Ｒは、円弧状の露光領域の円弧の半径であり、Ｘｂａｓｅは、計測点（マーク）のショット領域の中心からの距離である。
【００３６】
【数４】
2018151577.tif 000006
【００３７】
Ｓ２０５において、制御部８は、Ｓ２０３で求めた駆動量で光学素子を駆動した場合に、ショット領域内に発生する他成分（第２補正残差）を求める。ショット領域上の計測点を基準として、かかる計測点と同一のＹ位置における光学素子による補正量の差は、基板ステージ５の位置がＹｓ≧Ｙ５ｉ２である場合については、以下の式（１１）で求められる。また、基板ステージ５の位置がＹｓ＜Ｙ５ｉ２である場合については、光学素子による補正量の差は、以下の式（１２）で求められる。式（１０）及び式（１１）で求めた補正量の差に対して光学素子の駆動量Ｏｄｉｆｆ１及びＯｄｉｆｆ２を算出する。
【００３８】
【数５】
2018151577.tif 000007
【００３９】
Ｓ２０６において、制御部８は、Ｓ２０４及びＳ２０５で求めた他成分に基づいて、基板ステージ５及び光学素子を駆動することでショット領域内に発生する他成分を低減（補正）するために走査露光で必要となる光学素子の駆動量（第３駆動量）を求める。ここで、光学素子の駆動量をＯｔｈｅｒとする。光学素子の駆動量は、基板ステージ５の位置がＹｓ≧Ｙ５ｉ２＋Ｙａｒｃである場合については、以下の式（１３）で求められ、基板ステージ５の位置がＹｓ＜Ｙ５ｉ２である場合については、以下の式（１４）で求められる。また、基板ステージ５の位置がＹ５ｉ２≦Ｙｓ＜Ｙ５ｉ２＋Ｙａｒｃである場合については、光学素子の駆動量は、以下の式（１５）で求められる。なお、光学素子の駆動量をＯｔｈｅｒ１からＯｔｈｅｒ２に変更する区間やＯｔｈｅｒ２からＯｔｈｅｒ１に変更する区間は、任意に決定することができる。このように、走査露光の間の走査方向における基板ステージ５の位置ごとに、光学素子の駆動量を求める。
【００４０】
【数６】
2018151577.tif 000008
【００４１】
図２に戻って、Ｓ１０６において、制御部８は、露光装置１００の各部を制御して基板Ｓを露光する露光処理を行う。具体的には、Ｓ２０２で求めた駆動量に基づいて基板ステージ５を駆動し、Ｓ２０３で求めた駆動量及びＳ２０６で求めた駆動量に基づいて光学素子を駆動しながら、マスクステージ３と基板ステージ５とを同期させて基板上のショット領域を走査露光する。
【００４２】
Ｓ１０７において、制御部８は、基板上の全てのショット領域に対して露光処理を行ったかどうかを判定する。基板上の全てのショット領域に対して露光処理を行っていない場合には、次のショット領域に対して走査露光を行うために、Ｓ１０５に移行する。また、基板上の全てのショット領域に対して露光処理を行っている場合には、露光処理を終了する。
【００４３】
このように、基板上のショット領域を走査露光する際に、露光領域が円弧状であることに起因してショット領域内に生じる他成分を低減（補正）することで、図５（ａ）乃至図５（ｄ）に示ように、ショット領域内で重ね合わせ精度を向上させることができる。
【００４４】
本実施形態では、まず、基板上のショット領域における倍率成分、シフト成分及び回転成分を補正するための基板ステージ５の駆動量及び光学素子の駆動量を求めている（Ｓ２０２、Ｓ２０３）。そして、露光領域が円弧状である場合に、求めた駆動量で基板ステージ５及び光学素子を駆動したときに発生する他成分を補正するための光学素子の駆動量を求めている（Ｓ２０４〜Ｓ２０６）。但し、これらの処理（Ｓ２０２〜Ｓ２０６）を制御部８の内部処理として１回の演算で行うことが可能であるならば、ショット領域の補正成分（Ｓ２０１）から走査露光で駆動すべき最終的な光学素子の駆動量（Ｓ２０３＋Ｓ２０６）を求めてもよい。
【００４５】
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１００を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された基板を現像する工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４６】
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【００４７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１００：露光装置    ２：アライメント検出部    ３：マスクステージ    ４：投影光学系    ５：基板ステージ    ８：制御部    Ｍ：マスク    Ｓ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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