(57)【要約】シリコンウェーハ（４）のドーピング、拡散、あるいは酸化の方法であって、前記ウェーハが、炉（１）のチャンバ（２）に挿入され、該炉のチャンバに、ドーピング、拡散、あるいは酸化の作業を実行するための少なくとも一つのガスが挿入されるものであり、炉（１）のチャンバ（２）へのガスの挿入および通過と同時に、炉のチャンバを一定の値の負圧に連続した仕方で抑えることからなることを特徴とする。シリコンウェーハ（４）のドーピング、拡散、あるいは酸化の装置は、チャンバ（２）を備えた炉（１）を含み、該チャンバに当該ウェーハは挿入され、前記炉は、上述の作業を実行するためにチャンバ（２）への少なくとも一つのガスの少なくとも一つの挿入管（５ａ，５ｂ，５ｃ）、および、少なくとも一つのガスの抽出管（６）を含み、該ガスの抽出管には、一定かつ制御された負圧をチャンバ（２）に創出するのに適した吸気装置（７）がつながれている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハ（４）のドーピングあるいは拡散あるいは酸化の方法であって、前記ウェーハが、炉（１）のチャンバ（２）に挿入され、該炉のチャンバに、ドーピングあるいは拡散あるいは酸化の作業を実行するための、少なくとも一つのガスが挿入されるものであり、炉（１）のチャンバ（２）へのガスの挿入および通過と同時に、炉のチャンバを一定の値の負圧に連続した仕方で抑えることからなることを特徴とする方法。
【請求項２】
炉のチャンバにおける負圧の値が、１００ミリバールと８００ミリバールの間に含まれることを特徴とする、請求項１に記載のドーピングあるいは拡散あるいは酸化の方法。
【請求項３】
シリコンウェーハ（４）のドーピング、拡散、あるいは酸化の装置であって、ゲート（２ｂ）によって密閉して閉止されるチャンバ（２）を備えた炉（１）を含み、該チャンバに前記ウェーハが挿入され、前記炉は、上述の作業を実行するために、チャンバ（２）に少なくとも一つのガスの少なくとも一つの挿入管（５ａ，５ｂ，５ｃ）を含み、さらに、少なくとも一つのガスの抽出管（６）、および、一定かつ制御された負圧をチャンバ（２）に創出するのに適した、前記ガスの抽出管（６）につながった吸気装置（７）を含むことを特徴とする装置。
【請求項４】
吸気手段が、とりわけ逆流吸気ポンプ（１１）を含むことを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
ポンプ（１１）が、膜付きのタイプであることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
ポンプ（１１）が、少なくとも、ガスと接触するこれらの機構については、当該ガスの腐食に抗するのに適した材料で製作されることを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の装置。
【請求項７】
この材料が、テトラフルオロエチレンから成ることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
吸気手段（７）が、炉のチャンバにおける負圧の制御および調節用装置を含み、これらの制御および調節用装置が、配管を通して、一方ではポンプの吸気管と、他方では炉の抽出管（６）とつながっていることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項９】
制御および調節用装置が、とりわけ過給器（１２）あるいはバラストを含み、それが配管によって、一方ではポンプ（１１）の吸気管に、また他方では炉のチャンバのガスの抽出管（６）につながっており、前記過給器（１２）が、別の面では、圧力下にあるガスの源につながっており、該源は、制御弁（１３）を介して制御され、該弁は、炉（１）のチャンバ（２）における負圧の測定用および制御用回路によって操作され、開いたり閉じたりするものであることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項１０】
負圧の測定用および制御用回路が、圧力センサ（１４）を含み、該センサが、チャンバ（２）の外の、過給器と炉の抽出管との間に広がる接続管に配置され、前記圧力センサ（１４）が、負圧の値に比例した強度信号を発生させるのに適しており、前記信号が、この信号の値をレジスター容量と比較するコンパレータ（１５）の入力に印加され、前記コンパレータが、負圧の値とレジスター容量の間の差に応じて制御弁（１３）の止め弁の開き度を調整するため、あるいは制御弁（１３）の止め弁の閉止を命令するために、電力回路によって制御弁に接続されており、このことが、ポンプ（１１）の多かれ少なかれ目立った過給によって、あるいは過給しないことによって、炉のチャンバ（２）における負圧の値を絶えず調整することを可能にすることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
シリコンウェーハ（４）が、炉のチャンバ（２）において、炉のチャンバにおけるガスの流れの方向を横断する仕方で配置されることを特徴とする、請求項３から請求項１０のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１２】
ウェーハ（４）が、炉のチャンバ（２）に挿入される取外し可能な台（１０）の上に設置され、前記台および前記ウェーハが、チャンバにおける位置決めの後、末端の内壁（２ａ）およびゲート（２ｂ）から引き離されて配置され、このことにより末端の内壁（２ａ）とウェーハの台の配置場所との間に位置する上流の領域（８）、およびゲート（２ｂ）と前記配置場所との間に位置する下流の領域（９）が設けられ、前記チャンバにおけるガスの流れが、一方ともう一方の領域の間で確立され、またシリコンウェーハの台の配置場所に相当するチャンバの領域が、前記チャンバの最も熱い領域であることを特徴とする、請求項３から請求項１１のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１３】
炉のチャンバへの一つまたは複数のガスの一つまたは複数の挿入管（５ａ，５ｂ，５ｃ）が、炉のチャンバの末端の内壁（２）あるいはゲート（２ｂ）を貫通して通り、そして上流の領域あるいは下流の領域（９）のどちらかに出ること、またガスの抽出管（６）が、炉の末端の内壁（２ａ）あるいはゲート（２ｂ）を貫通して通り、チャンバ（２）のもう一方の、前または後ろの領域に出ることを特徴とする、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
チャンバ（２）へのガスの一つまたは複数の挿入管（５ａ，５ｂ，５ｃ）およびガスの抽出管（６）が、チャンバの末端の内壁（２ａ）を貫通して通ること、またガスの挿入管（５ａ，５ｂ，５ｃ）が、チャンバの上流の領域（８）に出ること、そして、ガスの抽出管（６）が、前記チャンバ（２）の下流の領域（９）に出ることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
チャンバ（２）への反応ガスの挿入管（５ａ，５ｂ，５ｃ）が、ドーパントガスの早まった分解を避けるために、ウェーハの台が占める場所に最も近い、チャンバの最も熱い領域に出ることを特徴とする、請求項１３または請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
炉（１）のチャンバ（２）が、管状の形状であり、ゲート（２ｂ）が、前記管状のチャンバの両端のうちの一方に、また末端の内壁（２ａ）がもう一方の端に配置され、閉止位置にあるゲート（２ｂ）および末端の内壁（２ａ）が、管状のチャンバの対称な縦軸に垂直であることを特徴とする、請求項３から請求項１５のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１７】
管状のチャンバ（２）が、円形の冠の形状の垂直な切断面を呈することを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
電気抵抗から成る炉の加熱手段（３）が、分けて配置されるかあるいは管状のチャンバ（２）の周りに巻かれることを特徴とする、請求項１６または請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
ゲート（２ｂ）が、光を通さない石英で作られ、また気密性のパッキンを有することを特徴とする、請求項３から請求項１８のいずれか一つに記載の装置。
【請求項２０】
炉の内壁が、石英で作られることを特徴とする、請求項３から請求項１９のいずれか一つに記載の装置。
【請求項２１】
炉のチャンバの末端の部分が、光を通さない石英で製作されることを特徴とする、請求項３から請求項２０のいずれか一つに記載の装置。
【請求項２２】
ゲートが、台の上のレールの上に滑らせて差し込まれる枠と連動すること、また、前記ゲートが、その枠に固定していない仕方で取付けられる、すなわち、自由さと共に、交わりかつ直交する二つの軸の周りに制限された動きで、該軸がチャンバについたゲートのパッキン平面に対して、かつ、このパッキン平面に垂直な軸にそって平行であることを特徴とする、請求項３から請求項２１のいずれか一つに記載の装置。
【請求項２３】
管状のチャンバが、炭化珪素製の内側の保護被覆を受けることを特徴とする、請求項３から請求項２２のいずれか一つに記載の装置。
【請求項２４】
ゲートの正面の管状のチャンバが、断熱構造の対象となることを特徴とする、請求項３から請求項２３のいずれか一つに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製作プロセスにおける、シリコンウェーハのＮおよびＰタイプのドーピング、拡散、および酸化に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクスのための集積回路の製造プロセスにおいて、半導体の製造技術は、主にシリコン材料の原子の本質的な変更に基づいている。シリコンの単位格子の中への、Ｎタイプと呼ばれる電子が余分にある構成要素およびＰタイプと呼ばれる電子が不足した構成要素の挿入は、ＮタイプあるいはＰタイプのドーピングの用語によって定義される。
【０００３】
シリコンを半導体にするためには、シリコンにドーパントと呼ばれる構成要素を付け加える必要がある。既知のドーパントの構成要素は、例えば、リン、ヒ素、アンチモン、あるいは、ホウ素、ガリウム、アルミニウムである。
【０００４】
例えば、最も利用されるリンあるいはホウ素のドーピングの方法において、シリコンウェーハは、炉に挿入され、そして一般的に８００℃と１２００℃の間に含まれる温度に上げられる。この温度は、シリコンウェーハの表面のリンあるいはホウ素の表層の濃縮を可能にするために必要である。
【０００５】
固体、液体、あるいは気体のドーパントの源は、ドーパントの源と接触する搬送ガスから、炉のチャンバにおいて気化される。搬送ガスは、シリコンウェーハの表面上へのドーパントガスの堆積を速めることを役割としている。このタイプの堆積は、大気圧炉の中で実行される。ウェーハ間での分布を完遂するために、搬送ガスは、多量の流量の媒体ガスとともに送られなければならず、このことは、ガスの著しい消費量を生み出す。
【０００６】
使用される水平炉あるいは垂直炉は、一般的に、管状のチャンバを有しており、該チャンバにおいて、シリコンウェーハは、石英製あるいは炭化珪素製の台の上に配置される。管状のチャンバの両端のうちの一方は、ウェーハの挿入を可能にするためのゲートを備えている。他方の端は、取外しのできない末端の内壁によってふさがれている。ドーパントガス、反応ガス、および媒体ガスは、一般的に、管状のチャンバの末端の内壁に作られる孔を通して注入される。
【０００７】
処理の優れた一様性を獲得するために、炉内のウェーハの数を、一般的に５０枚を超えないように制限すること、および各ウェーハの間に比較的大きい間隔を残すことが必要である。
【０００８】
媒体ガスの使用はまた、炉内および自然環境における酸の多量な凝縮の問題も提示している。ドーパントから出る酸のこの堆積は、ウェーハの処理の再現性にばかりではなく、また、炉のさまざまな外部構成要素にも影響を及ぼすことになり、このことは、炉、またとりわけ炉のチャンバを構成する石英製のチューブの掃除のための頻繁な分解を必要とすることとなる。
【０００９】
他方では、石英製のディフューザが、結果として生じるものを改善するために必要であり、これは石英製の部分の開発および管理の費用を増大する。掃除後の機能の回復は、生産力のロスを招く予備試験を必要とする。ウェーハ、積荷、および積荷ごとの一様性の欠如、ドーピングのメモリ効果、超過した酸素に因るシリコンの結晶の単位格子内のドーパントの余計な不純物、少数の担体の寿命の変更、ウェーハの直径の制限のような他の現象も、いずれもより費用がかかる設備の選択を強いる要因である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、ドーピング、拡散、および酸化の新しい方法を提案することによって、上に言及された問題を解決することを目的とする。
【００１１】
本発明による方法は、本質的に、炉のチャンバへのガスの挿入と同時に、炉のチャンバをある負圧に抑えることからなることを特徴としている。この効果は、チャンバのガスの速度を増すことを可能にし、また、多量の媒体ガスの使用はもはや必要にならない。反応ガスのみが、シリコンのドーピングのためのチャンバに存在する。
【００１２】
本発明の別の特徴によると、負圧の値は１００ミリバールと８００ミリバールの間に含まれる。この値の幅は、負圧の創出のための比較的単純な手段と両立する。
【００１３】
本発明はまた、酸素の注入技術にも関するものであり、該技術は、ドーパントのクラッキング、すなわちその分子の分解の速度を制限するために、酸素の量を正確に定量することを可能にする。
【００１４】
本発明はまた、ウェーハのドーピング、拡散、あるいは酸化の作業の実現を可能にする装置にも関する。装置は、ゲートによって密閉して閉止されるチャンバを備えた炉を含み、該チャンバにウェーハは挿入され、前記炉は、上掲の作業のうちの一つを実行するために、チャンバに少なくとも一つのガスの少なくとも一つの挿入管を含んでいる。
【００１５】
そのように定義される装置は、本質として、さらに少なくとも一つのガスの抽出管、および、一定かつ制御された負圧をチャンバに創出するのに適した、ガスの抽出管につながった吸気手段を含むことを特徴とする。
【００１６】
このように、窒素の種の大量の媒体ガスの使用は、創出される負圧の理由でもはや必要ではない。さらに、周囲の酸の凝縮は非常に減少し、酸は、その大部分が吸気手段によって吸込まれる。どうしても残る凝縮それ自体に関しては、瓦およびその他のような附属の装置によって回収されることになる。
【００１７】
本発明はまた、シリコンウェーハのドーピング、拡散、あるいは酸化用の装置も目的としており、該装置は、ゲートによって密閉して閉止されるチャンバを備えた炉を含み、該チャンバに前記ウェーハは挿入され、前記炉は、上述の作業を実行するために、チャンバへの少なくとも一つのガスの少なくとも一つの挿入管を含んでいる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の他の利点および特徴は、非制限例として与えられる、また次のような附属の図面によって説明される、好ましい実施態様の説明を読むことによって明らかになるであろう：
−図１は、本発明によるシリコンウェーハのドーピング、拡散、あるいは酸化用の装置を概略的に表している、
−図２は、本発明によるドーピング、拡散、あるいは酸化用の装置を縦断面図で表している。
【００１９】
示されているように、本発明によるシリコンウェーハのドーピング、拡散、あるいは酸化用の装置は、加熱手段３と結びついた気密性のチャンバ２を備えた炉１を含んでおり、また該チャンバに、上述の操作のうちの一つを受けるべきシリコンウェーハが挿入される。炉１は、上述の作業を実行するために、チャンバ２への少なくとも一つのガスの少なくとも一つの挿入管５ａ、５ｂ、５ｃを含んでおり、また、少なくとも一つのガスの抽出管６および前記ガスの抽出管６につながった吸気手段７を含んでおり、該吸気手段は、一定かつ制御された負圧をチャンバに創出するのに適しており、この吸気装置は、炉１から離れて、温暖な領域に位置している。
【００２０】
チャンバ２は、例えば管状の形状であり、その両端に設置されている固定した末端の内壁２ａおよびゲート２ｂによって密閉して閉止され、閉止位置にあるゲートおよび末端の内壁は、管状のチャンバの対称な縦軸に垂直である。
【００２１】
加熱手段３は、例えば電気抵抗から成るが、分けて配置されるかあるいは管状のチャンバの周りに巻かれており、また、管状のチャンバから引き離して、あるいはまたそれと接触して配置される。
【００２２】
好ましくは、管状のチャンバ２は、円形の冠の形状の垂直な切断面を呈している。この配置は、チャンバの内側の体積が負圧を受けるとき、大気圧に対して優れた力学的抵抗力をチャンバの内壁に付与する。
【００２３】
ゲート２ｂは、適応した台上のレールの上に滑らせて差し込まれる枠と連動する。ゲートの開閉の動きは、管状のチャンバの縦軸に沿って実行される。ゲートには、チャンバの外の方に広がるスリーブが結びついており、該スリーブには、ウェーハの荷積み用シャベルの柄が取付けられている。このシャベルは、ウェーハの台を受ける。好ましくは、このスリーブには、シャベルの傾斜の調節手段が結びついており、また前記スリーブは、シャベルの縦軸に垂直な、水平軸の周りを回転して移動できるように取付けられている。調節手段への作用によって、シャベルは、空であるとき、多かれ少なかれ上の方に傾いており、したがって、シャベルは、荷を積んでいるとき、ほぼ水平面にしたがってほぼ位置決めできるようになる。この調節は、シャベルの上の荷と一緒に行われることができ、この積荷の重さは、処理するべき積荷の重さに相当している。
【００２４】
推奨されるには、炉のチャンバのゲート２ｂは、光を通さないあるいは不透明にされた石英で作られ、また、フッ素エラストマーを主成分にした材料で製作される、適合化した気密性のパッキンを有する。このような材料は、とりわけ「ＶＩＴＯＮ」の商品名で知られている。このような材料は、とりわけＳＴＥ  ＤＵＰＯＮＴ  ＤＥ  ＮＥＭＯＵＲＳによって製造される。
【００２５】
光を通さない石英は、赤外線に対して有効な障壁となり、したがって気密性のパッキンを傷めることが避けられる。気密性のパッキンの保護をさらに強化するために、管状のチャンバ２の末端の部分（ゲート２ｂを受けることを目的とした部分）は、光を通さない石英で製作される。実施では、この光を通さない部分は、当業者に既知のあらゆる手段によって、チャンバの透明な部分に組み立てられる。好ましい実施態様では、この組立ては、溶着によって実現される。やはりパッキンの熱からの保護を強化する目的において、断熱構造が、チャンバのゲートの正面に配置される。
【００２６】
ゲートは、その気密性のパッキンによって、管状のチャンバの光を通さない末端部分が有する環状の縁に押し当てられ、この環状の縁もまた光を通さない。この縁の環状の面は、ゲートのパッキンの正面でパッキンの平面を構成し、またパッキンを圧力で受ける。このパッキンは、好ましくは、ゲート２ｂのくぼんだ環状の溝に取付けられる。ゲートとパッキンの平面との間の平行性の欠陥を和らげるために、前記ゲートは、その枠に固定していない仕方で取付けられる、すなわち、自由さと共に、交わりかつ直交する二つの軸の周りに制限された動きで、該軸はパッキン平面に対して、および、このパッキン平面に垂直な軸にそって平行である。好ましくは、ゲートとその枠との間に、一つあるいは複数の弾性機構が配置され、またスリーブは軸に沿って変形可能な部分を含む。
【００２７】
熱に抵抗するために、炉の内壁すなわち、チャンバ２の管状の内壁および末端の内壁２ａは石英からなる。管状のチャンバは、管状の炭化珪素製の内側の被覆を備えることができるものである。この被覆は、管状のチャンバ２の内側の方への半径方向の変形を、とりわけこの管状のチャンバが高い温度を受けるときに妨げる。
【００２８】
炉１のチャンバ２におけるガスの行程は、上流の領域８から、上流の領域から離れて位置する下流の領域９へと確立され、シリコンウェーハ４は、ガスの行程上のこれら二つの領域の間に配置される。これらのウェーハ４は、炉のチャンバ２において、炉のチャンバにおけるガスの流れの方向を横断する仕方で配置される。このように、比較的大きな負荷の軽減が創出され、そのおかげでガスがウェーハの処理されるべき表面を掃除できるようになる。
【００２９】
ウェーハ４は、炉のチャンバ２に挿入される取外し可能な台１０の上に設置される。この台は、熱にもガスの腐食力にも抵抗するのに適した材料で製作される。したがって、この台は、炭化珪素あるいはまた石英で作ることができるであろう。台およびウェーハは、チャンバにおける位置決めの後、末端の内壁２ａおよびゲート２ｂから引き離されて配置され、このことにより上流の領域８が設けられるが、該上流の領域は、末端の内壁２ａと、ウェーハの台の配置場所との間に位置し、また下流の領域９は、ゲート２ｂと前記配置場所との間に位置し、前記チャンバ２内におけるガスの流れは、一方ともう一方の領域の間で確立され、またシリコンウェーハの台の配置場所に相当するチャンバの領域は、前記チャンバ２の最も熱い領域である。
【００３０】
炉のチャンバ２への一つまたは複数のガスの一つまたは複数の挿入管５ａ、５ｂ、５ｃは、炉の末端の内壁２ａあるいはゲート２ｂを貫通して通り、そして上流の領域８あるいは下流の領域９のどちらかに出て、またガスの抽出管６は、炉の末端の内壁２ａあるいはゲート２ｂを貫通して通り、チャンバ２のもう一方の領域、上流の領域８または下流の領域９に出る。好ましい実施態様によると、チャンバ２へのガスの一つまたは複数の挿入管５ａ、５ｂ、５ｃおよびガスの抽出管６は、チャンバの末端の内壁２ａを貫通して通り、またガスの挿入管５ａ、５ｂ、５ｃが、チャンバの上流の領域８に出るのに対し、一方ガスの抽出管９は、前記チャンバ２の下流の領域９に出る。
【００３１】
チャンバ２へのガスの挿入管のうちの一つ５ｃは、酸素の種の反応ガスを受ける。有利には、この管５ｃは、ドーパントガスの早まった分解を避けるために、ウェーハの台が占める場所に最も近い、チャンバの最も熱い領域に出る。
【００３２】
先に述べられたように、本発明による装置は、チャンバ２内のガスの吸気装置７を備えており、該吸気装置は、一定かつ完全に制御された値の負圧を連続してチャンバに創り出すのに適している。この負圧は、チャンバでのガスの速度を増すこと、そして媒体ガスの使用を避けることを目的としている。
【００３３】
好ましい実施態様によると、吸気手段７は、とりわけ、有利には膜付きのタイプである逆流吸気ポンプ１１を含む。このポンプ１１は、少なくともガスと接触する機構については、当該ガスの腐食に抗するのに適した材料で製作されるものとする。テトラフルオロエチレンから成る材料を使用できるものである。そのような材料は、「ＴＥＦＬＯＮ」（登録商標）の商品名で知られている。
【００３４】
やはり好ましい実施態様によると、吸気装置７は、炉のチャンバにおける負圧の制御および調節用装置を含み、これらの制御および調節用装置は、配管を通して、一方ではポンプの吸気管と、他方では炉の抽出管とつながっている。
【００３５】
制御および調節用装置は、とりわけ過給器あるいはバラストを含み、それは円筒形の箱から成り、配管によって、一方ではポンプの吸気管に、また他方では炉の抽出管６につながっており、前記過給器１２は、別の面では、圧力下にある過給ガスの源につながっており、該源は、制御弁１３を介して制御され、該弁は、炉１のチャンバ２における動的な負圧の測定用および制御用回路によって操作され、開いたり閉じたりするものである。
【００３６】
負圧の測定用および制御用回路は、圧力センサ１４を含み、該センサは、チャンバの外の、過給器と炉の抽出管との間に広がる接続管に、あるいはまた過給器に配置される。この圧力センサ１４は、負圧の値に比例した強度信号を発生させるのに適しており、この信号は、この信号の値をレジスター容量と比較するコンパレータ１５の入力に印加される。このコンパレータは、電力回路によって制御弁１３に接続されて、負圧の値とレジスター容量の間の差に応じて、制御弁１３の止め弁の開き度、したがって過給ガスの流量を調整し、あるいは制御弁の止め弁の閉止を命令するためのものであり、このことは、ポンプの多かれ少なかれ目立った過給によってあるいは過給しないことによって、炉のチャンバ２における負圧の値を絶えず調整することを可能にする。
【００３７】
別の仕方では、ポンプの吸気容量が一定なので、過給ガスの流量の増加は炉のチャンバの抽出ガスの流量の減少を伴い、またその逆にもなる。
【００３８】
過給器１２は、常温の過給ガスおよび炉のチャンバの熱い抽出ガスを受ける。この過給器におけるガスの混合は凝縮を導き、該凝縮はこの装置によって回収される。したがって、これらの凝縮は、ポンプ１１の機能をいかなる仕方でも妨害しない。過給器は、とりわけこれらさまざまな凝縮を抽出するために分解可能となるものである。
【００３９】
炉のチャンバにおける負圧の測定および負圧の制御が、炉の外の比較的冷えた温暖な領域において実行されることが理解される。
【００４０】
ポンプによって戻されたガスは、ついで、適応したあらゆる手段によって中和される。
【００４１】
本発明の利点は次の通りである：
−大気テクノロジーと相いれること、
−各ウェーハごと、各ローディング（台の上のウェーハの全体）ごとの処理の一様性、およびローディングごとの一様性、
−再現性、
−停止後の再生産性、
−メモリ効果の除去、
−ドーパントの過量の除去、
−ウェーハの直径にいかなる制限もないこと、
−メンテナンスの著しい削減、
−費用の削減、
−周囲の衛生、
−大幅に減少される掃除の頻度。
【００４２】
本発明の知見が、水平なタイプの炉にも垂直のタイプの炉にも適用されることは言うまでもないことである。
【００４３】
本発明が、技術的に等価な分野のあらゆる修正例や変形例を、もっとも本特許の範囲から出ることなく受け入れることが可能であることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明によるシリコンウェーハのドーピング、拡散、あるいは酸化用の装置の概略図。
【図２】本発明によるドーピング、拡散、あるいは酸化用の装置の概略縦断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１  炉
２  チャンバ
２ａ  末端の内壁
２ｂ  ゲート
３  炉の加熱手段
４  シリコンウェーハ
５  ガスの挿入管
６  ガスの抽出管
７  吸気手段
８  上流の領域
９  下流の領域
１０  取り外し可能な台
１１  ポンプ
１２  過給器
１３  制御弁
１４  圧力センサ
１５  コンパレータ
【図１】
2005526370.tif 000003
【図２】
2005526370.tif 000004
【国際調査報告】
2005526370.tif 000005
2005526370.tif 000006
2005526370.tif 000007
2005526370.tif 000008