(57)【要約】この発明は、基板上に絶縁層（１２，４０）を形成する工程と、絶縁層（１２，４０）上に導電層（１４，４２）を含む層構造を設ける工程と、導電層（１４，４２）を貫くトランジスタ領域開口（１２，４４）をエッチングにより設ける工程と、トランジスタ領域開口（２２，４４）内の内部壁上にＳｉＧｅベース層（２４，４６）を堆積する工程と、トランジスタ領域開口を充填するために絶縁体（３２，５２）を上面に形成する工程とを含み、充填工程の前にトランジスタ領域開口（２２，４４）の内部層として窒化物層（３０，５０）が形成される、非選択性成長ＳｉＧｅ（Ｃ）ヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
2005527979.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上に導電層を含む層構造を設ける工程と、前記導電層を貫くトランジスタ領域開口をエッチングにより設ける工程と、該トランジスタ領域開口内にＳｉＧｅベース層を堆積する工程と、前記トランジスタ領域開口を充填するために絶縁体を上面に形成する工程とを備え、前記充填工程の前に、前記トランジスタ領域開口の内部層として窒化物層が形成されることを特徴とする非選択性エピタキシャル成長を用いたＳｉＧｅ（Ｃ）ヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタを備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電層の後に形成される絶縁層を含む多層構造の一部として前記層構造を形成する工程を含み、前記窒化物層が前記ＳｉＧｅベース層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記上面に形成された前記絶縁体の上部部分を除去する工程と、前記トランジスタ開口領域内に形成された窒化物をマスクとして用いて前記ＳｉＧｅベース層をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＳｉＧｅベース層のエッチングされた上部横壁領域の代わりに複数絶縁領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＳｉＧｅベース層の前記上部横壁領域を再酸化させる工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳｉＧｅベース層の堆積の前に前記トランジスタ開口領域と並んで前記基板内に選択性コレクタ領域が埋め込まれることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記多層構造は前記導電層上に形成されたＴＥＯＳとアモルファスシリコンとの層を含むことを特徴とする請求項２乃至５いずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記ＳｉＧｅベース層は前記トランジスタ領域開口の内部壁上と前記導電層上方に形成され、そして、前記ＳｉＧｅベース層上にシリコン・エミッタ・キャップ層が形成され、前記窒化物層が前記シリコン・エミッタ・キャップ層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記トランジスタ領域開口を充填するために形成された前記絶縁体をマスクとして用いて前記窒化物層をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記トランジスタ領域開口を充填するために形成された前記酸化物と前記窒化物とをマスクとして用いて前記シリコン・エミッタ・キャップ層と前記ＳｉＧｅベース層とをエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記トランジスタ領域開口から離れた複数領域から前記シリコン・エミッタ・キャップ層と前記ＳｉＧｅベース層とを除去する工程を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電層上方に絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記トランジスタ領域開口を充填する前記絶縁物は酸化物を含むことを特徴とする請求項１乃至１２いずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記酸化物はＨＤＰ酸化物を備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記窒化物層をエッチングして前記トランジスタ開口領域内にＬスペーサを形成することを特徴とする請求項１乃至１４いずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記基板上の前記絶縁層は酸化物層を備えることを特徴とする請求項１乃至１５いずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記導電層はポリシリコンを備えることを特徴とする請求項１乃至１６いずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＳｉＧｅＣヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタのようなバイポ−ラトランジスタを含むＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタを備えた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
特に、この発明は、基板上に絶縁層を形成し、この絶縁層上に導電層を含む層構造を設け、この導電層を貫くトランジスタ領域開口をエッチングにより設け、このトランジスタ領域開口内にＳｉＧｅベース層を堆積する工程を含み、さらに、実質的にエッチングされる絶縁体でこのトランジスタ領域開口を満たす工程を含む非選択性エピタキシャル成長を用いたＳｉＧｅ（Ｃ）ヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタを備えた半導体装置の製造方法に関する。
【０００３】
このように、この発明は、熱酸化物、Ｂドープ・ポリシリコン、ＴＥＯＳ、そして、アモルファスシリコンから成る積層内の開口にイントリンシックＳｉＧｅベース層が成長し、Ｂドープ・ポリシリコンがイントリンシック・ベースコンタクトに用いられる、非選択性エピタキシャル成長を用いたＳｉＧｅ（Ｃ）ヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００４】
そのような方法は、ＵＳ−Ａ−６１６９００７により知られており、これは、自己整合で非選択性の薄いエピタキシャル成長ベースのＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造方法を開示しており、ＴＥＯＳ又はスピン・オン・グラス二酸化シリコン・エッチバックが用いられている。この文書に開示されている製造方法は、単一マスクで自己整合するようなトランジスタの製造方法を提供することを模索するもので、これは、素子領域がより小さく、寄生の問題が少ないトランジスタにつながるからである。現在、例えば、ＳｉＧｅ、そして、ＳｉＧｅＣを含むヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの集積化のための二つの異なる集積化方法が知られている。第一の方法は、二重ポリ（ｐｏｌｙ）構造を基にしたもので、イントリンシックなベース・コンタクトを形成するために、ベース・ポリシリコン下部の空洞内で選択性エピタキシャル成長を行うものである。第二の方法は、非選択性又はディファレンシャル・エピタキシャル成長を基にしたもので、構造体のフィールド酸化物領域にポリＳｉＧｅが成長し、活性領域にモノ（ｍｏｎｏ）ＳｉＧｅが成長する。この第二の方法では、イントリンシックなベース・コンタクトがポリシリコン成長によりフィールド酸化物上に形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の選択性エピタキシャル成長による第一の方法では問題となるローディング効果が生じる。懸念される化学物質濃度は活性領域密度に大きく依存しており、また、回路配置に応じて成長速度が変わることが分かっている。そのような問題は、通常、非選択性エピタキシャル成長においては生じず、これは、露出表面領域全体、即ち、トランジスタ領域内のフィールド酸化物上並びに露出したモノ・シリコン材料上で成長が行われるからである。
【０００６】
ＵＳ−Ａ−６１６９００７の主題は上記の小トランジスタ化と小寄生容量化という効果があるが、しかし、開示された製造技術に関わる問題がある。
【０００７】
特に、そのような既知の方法では、ＳｉＧｅベース層の酸化又は損傷を防止するために、この層の堆積の後の工程で、いくつもの犠牲層並びに保護スペーサが用いられる。
【０００８】
この発明は、非選択性成長ＳｉＧｅ（Ｃ）ヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、上記のような既知の方法よりも効果的な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明によれば、上記の非選択性成長ＳｉＧｅ（Ｃ）ヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタを備えた半導体装置の製造方法が提供され、トランジスタ領域開口の前記充填の前にトランジスタ領域開口の内部層として窒化物層が形成される。
【００１０】
この発明は、窒化物層が特定位置にあるため、絶縁物がエッチングされた後もトランジスタ領域開口内に窒化物が残留してＳｉＧｅベース層が酸化されるのを防ぐことができ、次の製造工程で損傷を受けることがないという効果がある。
【００１１】
請求項２，３並びに４の特徴は、いくつもの犠牲層又は保護窒化スペーサ層を設ける必要が無いという効果があり、これは、ＳｉＧｅベース層が簡単に効果的に分離されるからである。この点に関して請求項８の特徴は特に効果的である。
【００１２】
請求項５の特徴は、複数のダミー層が堆積され、そしてエッチングされるということが無く、ＳｉＧｅＣの再酸化によりそのような繰り返し工程が不要になるという効果がある。
【００１３】
請求項６の特徴により、容易に迅速に自己整合によりコレクタが選択的に埋め込まれ、これにより、エミッタ直下のコレクタ・ドーピングレベルが上がりＲＦ動作が向上するという効果がある。このような改良は、形成される装置のエクストリンシックな部分内のコレクタ・ドーピングレベルを上げることなく効果的に達成される。これは、さらに、エクストリンシックな寄生に関わる問題をも効果的に低減することに寄与する。
【００１４】
請求項９，１０並びに１１の特徴は製造に簡易性と高精度をもたらし、必要な堆積数を制限するというこの発明のさらなる効果的なアスペクトを示すものである。
【００１５】
請求項１２の特徴はベース層と導電層との分離を効果的に促進するものである。
【００１６】
請求項１３及び１５の特徴は形成される構造の開口が狭いが十分に充填されるという効果がある。請求項９の特徴は、Ｌスペーサを形成するための窒化物のエッチングが選択的に埋め込まれるコレクタの形成工程に関係して採用できるという効果がある。
【００１７】
従って、上記記載により、この発明は、すべてのコンタクト、エミッタ、ベース、そして、コレクタが単一マスクで完全に自己整合により形成される非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造方法を提供するものであることが理解される。特に、選択的に埋め込まれるコレクタもこの単一マスクで自己整合により設けられる。この構造のトランジスタ面積は特に効果的な方法により製造されて比較的小さくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、この発明を、添付図面を参照し、例のみを挙げて説明する。
【００１９】
図１は、埋め込みコレクタ・コンタクト１０ｂと、Ｎ型コレクタ・エピタキシャル層１０ａと、そして、表面と埋め込みｎ層コレクタ・コンタクト１０ｂとの間にコンタクトをとるｎプラグ・シンカー（ｓｉｎｋｅｒ）１０ｃとを有する標準ＢｉＣＭＯＳｐドープ基板１０を備えた初期構造を示す。さらに、フィールド絶縁領域が二カ所のシャロートレンチ絶縁領域２０として設けられている。基板１０上には熱酸化層１２が成長しており、その次に、ボロンがそこで注入されたポリシリコン堆積層１４とＴＥＯＳ層１６と、そして、アモルファスシリコン層１８との積層が設けられている。
【００２０】
ここで、図２は活性領域の詳細を拡大して示しており、熱酸化層１２上方に形成された積層全体を貫くウェルをエッチングして開口することによりトランジスタ領域２２が開口されている。この工程は、アモルファスシリコン層１８、ＴＥＯＳ層１６、そしてポリシリコン堆積層１４をエッチングするプラズマ・エッチング工程により達成される。熱酸化層１２はプラズマ・エッチングの効果的なストップ層として機能する。そこで、この後、熱酸化層１２は、例えば、選択性湿式エッチングにより除去されなければならない。
【００２１】
トランジスタ開口領域２２は完全にシャロートレンチ絶縁領域２０同士の境目に形成されているので、それはトランジスタの活性領域内に位置しているということがこの発明の重要な特徴である。しかし、初期配置許容範囲以上に活性領域とトランジスタ領域とが重なる必要は無い。
【００２２】
図２に活性領域を拡大して詳細に示した基板は、トランジスタの開口はフィールド酸化物内の開口により規定された活性領域よりほんの少しだけ小さいという重要なことを強調するために、また、明瞭にするために若干詳細を欠いて示されている。
【００２３】
薄い酸化物層１２を湿式エッチングする前に、好ましくは、選択性コレクタ注入が行われる。
【００２４】
図２に示したトランジスタ開口領域２２の形成に続いて、ディファレンシャル・エピタキシャル成長によりＳｉＧｅＣベース層２４が堆積される。上部アモルファスシリコン層１８がこの処理工程において種層として機能し、ベース層のこれらの横方向部分２６がポリＳｉＧｅＣベース層として形成される。ところが、トランジスタ開口上部領域では、図３に示されているように、ベース層はエピタキシャルＳｉＧｅＣ領域２８を形成する。これは、露出した単結晶シリコン２２部分を除いて、いずれの部位でもポリＳｉＧｅＣが多結晶として堆積され、そこでＳｉＧｅＣ層がエピタキシャル成長するからである。
【００２５】
この発明の重要な工程として、ベース層２４が窒化物層３０により覆われ、これは、適切と考えられるのであれば、図示した実施形態には示されていない薄いパッド酸化物層によりベース層２４から分離されてもよい。
【００２６】
図４に示されている窒化物層３０の形成に続いて、これが厚い化学気相成長（ＣＶＤ）酸化物層３２により覆われる。この層３２はトランジスタ開口領域２２を埋め尽くす必要があるので、十分なステップカバレージを得るために、好ましくは、高密度プラズマ成長（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＨＤＰ）酸化物を層３２に用いる。
【００２７】
ここで図５を参照すると、製造方法の次の工程は化学機械研磨により積層構造上方からＨＤＰ酸化物３２が、トランジスタ開口領域内のみに残るように除去される様子が見られる。ＨＤＰ酸化物３２がマスキング層として機能して、トランジスタ開口領域３２の外側の窒化物層３０がエッチングされて図５に示される構造となる。これに続いて、ＨＤＰ酸化物３２がトランジスタ開口領域から完全に除去され、そして、残存する窒化物層３０をマスキング層として、実際、アモルファスシリコン層１８であるベース層２４のポリＳｉＧｅＣ部分２６がエッチングされる。
【００２８】
そして図６に示される構造となり、この構造の上部層であるＴＥＯＳ層１６と、ベース層２４の横壁部分、即ち、トランジスタ開口領域内に確定された保護窒化物層３０の保護窒化物側領域の上部レベルの下部に形成されたポリＳｉＧｅＣベース２６の下部部分を備えている。
【００２９】
次に、窒化物３０が酸化工程においてマスクとして用いられ、ベース層２４のポリＳｉＧｅＣベース２６上方に熱酸化物３４が効果的に形成される。効果的なことには、複数のダミー層を堆積並びにエッチングするのではなく、この発明は上部ポリＳｉＧｅＣ領域を再度酸化させるものである。
【００３０】
このような上部ベース層２４を分離するよう機能する保護熱酸化物を設けることにより、従来技術では必要な余計な犠牲層と窒化物スペーサとを設ける必要が無くなる。そのような構造が図７に示されている。次に、ダミースペーサが用いられて図８に示されているようにＬスペーサが形成される。その場で砒素が注入されたポリシリコン層３６が堆積して、断面が図８に示されているように、エミッタ・コンタクトが形成される。
【００３１】
図９は、金属配線を除いたトランジスタの最終構造を示している。
【００３２】
エミッタのアニールの間に、例えば、その場で砒素が注入されたポリシリコン層３６から砒素が拡散して、図８、図９に示されているように、エミッタ３８が形成される。
【００３３】
これと同時に、図９に示されているエクストリンシックなベース・リンク３８ａを形成するために、その場でボロンが注入されたポリシリコン１４からボロンがポリＳｉＧｅＣベース２６とエピタキシャルＳｉＧｅＣ２８との間に形成された境界を横切るように拡散する。
【００３４】
ここで図１０乃至１４を参照すると、この発明の他の実施形態の製造工程が示されている。
【００３５】
最初に図１０を参照すると、両実施形態の開始点である基板構造が示されており、この基板構造は、図１に示されている前の実施形態の基板構造と似ているが、基板上にいかなる構造も形成される前の状態である。この基板構造では、再び、コレクタ・コンタクト１１０ｂ上方にｎ型ドープ・コレクタ・エピタキシャル１１０ａが成長し、そして、基板表面と埋め込みｎ層コレクタ・コンタクト１１０ｂ間のコンタクトをとるｎプラグ・シンカー１１０ｃが形成されている。また、図示されているように、シャロートレンチ絶縁領域１２０が形成されている。
【００３６】
ここで、図１１を参照すると、この別の実施形態の次の工程は、好ましくは、２０ｎｍ深さの熱酸化物として成長、形成される絶縁層４０の形成が含まれる。好ましくは、Ｂドープ・ポリシリコンの比較的厚い導電層４２が２００から３００ｎｍ程度の深さに堆積され、そして、トランジスタの活性領域上方のポリシリコン層４２内に開口４４がエッチングにより設けられる。例えば、ＳｉＧｅＣベース層のエピタキシャル成長の前に、必要であれば、開口４４内の薄い酸化物層４０が除去されてもよい。
【００３７】
この図においては、ＳｉＧｅＣベース層４６が、これを覆う、図１２に示されるように非選択性エピタキシャル成長するエミッタ・キャップ層と共に示されている。ＳｉＧｅＣベース層４６とシリコン・エミッタ・キャップ層４８はポリシリコン層４２を覆うのみならず、トランジスタ開口４４内に内部層を形成する。
【００３８】
窒化物５０と酸化物５２との積層が構造全体上方に堆積されるが、以前に最初の実施形態で示されたように、上部領域は化学機械研磨により除去されてもよい。
【００３９】
次に、残存する酸化物をマスキング層として用い、窒化物層５０がポリシリコン層４２上方の領域からエッチングされ、図１２に示す構造が得られる。
【００４０】
この段階では、また、エミッタ・キャップ層厚みと所望酸化物厚みにより必要に応じて、酸化物５２と窒化物５０とをマスキング層として、ＳｉＧｅＣベース層４６とシリコン・エミッタ・キャップ層４８とがエッチングされてもよい。シリコン・エミッタ・キャップのみを用いて所望酸化物厚みが得られる場合には、ＳｉＧｅＣベース層４６上方にエピタキシャル・エミッタ・キャップ層４８を残してもよい。しかし、シリコン・エミッタ・キャップ層４８が薄くなるようならば、それは、ポリシリコン層４２上のＳｉＧｅＣベース層４６領域に沿って除去されてもよい。
【００４１】
いずれの場合でも、ＨＤＰ酸化物が除去（ｄｉｐ  ａｗａｙ）され、そして、シリコン・エミッタ・キャップ層４８とＳｉＧｅＣベース層４６とが共にポリシリコン層４２上方から除去されたと仮定すると、図１３に示されるような構造が得られ、ここで、熱酸化物層５４がポリシリコン層４２上方で残存する窒化物層近傍まで成長している。この熱酸化物は好ましくはより低温で湿式酸化により成長され、ドーパント拡散を低減する一方で適切な成長速度が得られる。所謂熱酸化物ＳｉＯ２がシリコン表面を酸化することにより成長する。これは純酸素Ｏ２雰囲気（乾式酸化）又は水蒸気Ｈ２Ｏを（湿式酸化）により行うことができる。後者は、既に形成されたＳｉＯ２層を介してのＨ２Ｏ又はＨＯ−分子の拡散が非常に早く、これはサイズが小さいからである。従って、ある温度において、湿式酸化成長速度の方がほとんど常に乾式酸化成長速度より早い。両方の方法において、温度が高くなると成長速度が早くなる。ドーパントの拡散は温度により活性化されるプロセスで、温度が高くなるにつれ、ドーパント拡散は激しくなる。従って、適切な酸化物厚みと、そして、同時にドーパントを抑制するには、この場合、ボロンの拡散に対し湿式酸化が好ましい。
【００４２】
実際のエミッタ開口に応じて、そして、内部スペーサの条件に応じて、図１３に示されるＵ型窒化物キャップ５０が、内部Ｌスペーサ形成のために用いることができ、これは除去されるか、又は薄いスペーサ層により入れ替えられる。必要であれば、内部Ｌスペーサは標準の技術により形成することができる。
【００４３】
さらにこの構造形成において、前述の実施形態のように、図１４に示されるエミッタ領域５８を形成するためにｎドープ層５６を堆積し、高速熱酸化を行ってもよい。
【００４４】
図１４に示される構造において標準的な処理を継続することができ、これには、ベース・ポリシリコンのパターンニング、エミッタ・ベース・ポリシリコンとコレクタ・シンカー上部でのサリサイド形成、そして、後部インタコネクトを有する構造を得る工程が含まれる。
【００４５】
この発明の第二の実施形態は、特に、前述した従来技術と比較して要求される処理工程を減らすことができる。
【００４６】
トランジスタ、エクストリンシックなベース・コンタクト、ＳＩＣそしてエミッタ全体は、トランジスタ開口領域内に形成される層の損傷を効果的に低減することができるように単一マスクで自己整合的に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図２】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図３】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図４】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図５】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図６】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図７】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図８】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図９】この発明の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図１０】この発明の他の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図１１】この発明の他の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図１２】この発明の他の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図１３】この発明の他の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図１４】この発明の他の実施形態の非選択性成長ＳｉＧｅヘテロジャンクション・バイポ−ラトランジスタの製造における一工程を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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2005527979.tif 000018