(57)【要約】酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）構成要素を作製するための方法は、粒子形態の一定量の酸化アルミニウムを利用する。この酸化アルミニウムは、最初に、約１００ｐｐｍ未満のナトリウムおよび約６００ｐｐｍ未満のシリカを有する。この酸化アルミニウムは、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムを有する酸化アルミニウムセラミック片を含む媒体とともに粉砕されて、この酸化アルミニウムがデアグロメレーションされ、この酸化アルミニウムの粒径が低下する。この粉砕された酸化アルミニウムは、スラリー中に配置され、そして低ナトリウム等級の結合剤がスラリーに添加される。このスラリーは乾燥されて、約２００ｐｐｍ未満であるナトリウム含有量を有する酸化アルミニウム粉末が提供される。次いで、この粉末は、特定の形状に形成され得、そして熱処理されて、低ナトリウム含有量および低シリカ含有量を有する酸化アルミニウム構成要素が生産され得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化アルミニウム構成要素を作製するための方法であって、該方法は、以下：
一定量の酸化アルミニウムを粒子形態で提供する工程であって、ここで、該酸化アルミニウムは、約１００ｐｐｍ未満のナトリウムおよび約６００ｐｐｍ未満のシリカを有する、工程；
該酸化アルミニウムを、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムを有する酸化アルミニウムセラミック片を含む媒体とともに粉砕して該酸化アルミニウムをデアグロメレーションし、該酸化アルミニウムの粒径を低下させる工程；
該粉砕した酸化アルミニウムをスラリー中に配置する工程；
低ナトリウム等級の結合剤を該スラリーに添加する工程；
該スラリーを乾燥させて、約２００ｐｐｍ未満であるナトリウム含有量を有する酸化アルミニウム粉末を提供する工程；
該粉末を特定の形状に形成する工程；および
該形成された粉末を熱処理して、低ナトリウム含有量および低シリカ含有量を有する酸化アルミニウム構成要素を生産する工程
を包含する、方法。
【請求項２】
前記粉末が、約１５８０℃〜約１６７０℃の範囲の温度で、約２時間〜約１０時間にわたって熱処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化アルミニウム構成要素が、約５×１０−５未満である誘電損値を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記結合剤が、ポリエチレングリコールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スラリーが、噴霧乾燥される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化アルミニウムが、少なくとも約９９．８％の純度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記構成要素が、マイクロ波ウインドウ、携帯電話基地および半導体製造構成要素からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記粒子形態の酸化アルミニウムが、採掘されたボーキサイトから生産される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記粉砕された酸化アルミニウムが、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムを有する酸化アルミニウムセラミック片を含む媒体を有する湿式ミルプロセスを使用して、スラリー中に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化アルミニウムが、前記粉砕工程の後、約０．５ミクロン〜約４ミクロンの範囲の平均粒径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
セラミック部材であって、酸化アルミニウムを含むセラミック構成要素を含み、ここで、該酸化アルミニウムは、該セラミック部材の少なくとも約９９．８％を構成し、ここで、該酸化アルミニウムは、約１００ｐｐｍ未満のナトリウムおよび約６００ｐｐｍ未満のシリカを有する酸化アルミニウム粒子から形成され、そして該粒子は、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムを有する酸化アルミニウムセラミック片を含む媒体とともに粉砕された、セラミック部材。
【請求項１２】
前記セラミック部材が、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムを含む、請求項１１に記載のセラミック部材。
【請求項１３】
前記セラミック部材が、約１，５００ｐｐｍ未満のシリカを含む、請求項１１に記載のセラミック部材。
【請求項１４】
前記セラミック構成要素が、携帯電話基地局の形状に形作られる、請求項１１に記載のセラミック部材。
【請求項１５】
前記セラミック構成要素が、真空チャンバカバーの形状に形作られる、請求項１１に記載のセラミック部材。
【請求項１６】
前記セラミック構成要素が、半導体製造部分の形状に形作られる、請求項１１に記載のセラミック部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の背景）
本発明は、一般に、セラミックの分野に関し、特に高純度セラミックに関する。より詳細には、本発明は、高純度酸化アルミニウムセラミックおよびこのようなセラミックを作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックは、今日の技術の多くにおいて、非常に利用されている。例えば、セラミックは、半導体を製造する際に広く使われている。セラミックはまた、とりわけ、マイクロ波適用（例えば、送電適用および通信適用）で用いられている。これらの適用の多くは、セラミックが高レベルの純度を有することを必要とする。例えば、半導体適用では、そのプロセスで使用されるセラミック部品が過剰のナトリウムを有する場合、ナトリウムは、セラミックから浸出し得、そしてウェーハを汚染し得る。実際、１平方センチメートルにあたり約１０１３〜約１０１４の不純物原子（９９．５％の純度に対応する）を含むセラミックでさえ、多くの半導体適用のためには高すぎるかもしれない。別の例として、過剰なシリカは、セラミックを、半導体エッチングプロセスの間の分解をさせやすくし得る。電磁放射線がセラミック片を通して導かれる適用において、過剰の不純物は、セラミックの誘電挙動を変更し得る。このことにより、次いで、過剰な電力散逸および過度のセラミック加熱が生じ得る。さらなる例として、セラミックは、携帯電話（ｃｅｌｌ  ｐｈｏｎｅ）基地局の共振器支持体として、しばしば用いられる。セラミック中の不純物は、伝送信号を散逸させる望ましくない損失を生じ得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
不純物の量をかなり減らすための技術が存在するが、このようなプロセスは、極端にコストが高価であり得る。例えば、酸化アルミニウムは、アルミン酸ナトリウムを酸中に配置することによって生産されている。このプロセスは高価であり、プロセスフレンドリでなくかつ焼結が困難である粉末をもたらす。それゆえ、本発明は、高純度セラミックおよび経済的に妥当であるようなセラミックを製作する方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（発明の簡単な要旨）
本発明は、様々な高純度セラミック、ならびにこのような高純度セラミックを製作するための方法を提供する。例えば、１つの実施形態では、本発明は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）構成要素を作製するための方法を提供する。この方法は、粒子形態の一定量の酸化アルミニウムを利用する。この酸化アルミニウムは、最初に、約１００ｐｐｍ未満のナトリウムおよび約６００ｐｐｍ未満のシリカを有し得る。この酸化アルミニウムは、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムを有する酸化アルミニウムセラミック片を含む媒体とともに粉砕されて、この酸化アルミニウムがデアグロメレーションされ、この酸化アルミニウムの粒径が低下する。この粉砕された酸化アルミニウムは、スラリー中に配置され、そして低ナトリウム等級の結合剤がスラリーに添加される。このスラリーは乾燥されて、約２００ｐｐｍ未満であるナトリウム含有量および約１５００ｐｐｍ未満のシリカ含有量を有する酸化アルミニウム粉末が提供される。次いで、この粉末は、特定の形状に形成され得、そして熱処理されて、低ナトリウム含有量および低シリカ含有量を有する酸化アルミニウム構成要素が生産され得る。例えば、酸化アルミニウム構成要素は、約９９．８％以上の純度を有し得る。さらに、この構成要素が経済的に実行可能なコストで生産され得るので、このようなプロセスは比較的廉価である。
【０００５】
このような構成要素の別の利点は、それが比較的小さい（例えば、約５×１０−５未満の）誘電損値を有し得ることである。このような低い誘電損値は、電力散逸の量、および電磁放射線がセラミック構成要素を通過する適用の間に生成される熱を減らすことに有用である。
【０００６】
粒子形態で提供される酸化アルミニウムは、採掘されたボーキサイトから入手され得る。次いで、ボーキサイトは加工されて、酸化アルミニウムが他の構成要素から分離され得、次いで洗浄されて、できるだけ多くのナトリウムが除去され得る。
【０００７】
粉砕工程の後、酸化アルミニウムは、約０．５ミクロン〜約４ミクロンの範囲の平均粒径を有し得る。別の局面では、粉砕した酸化アルミニウムは、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムを有する酸化アルミニウムセラミック片を含む媒体を有する湿式ミルプロセスを使用して、スラリーに配置され得る。都合の良いことに、このスラリーは噴霧乾燥されて、粉末が形成され得る。さらなる局面では、結合剤は、ポリエチレングリコールを含み得るが、他の結合剤も同様に用いられ得る。一つの局面では、この粉末は、約１５８０℃〜約１６７０℃の範囲の温度で、約２時間〜約１０時間にわたって熱処理される。
【０００８】
別の実施形態では、本発明はまた、様々な高純度セラミック部材を提供する。このセラミック部材は、酸化アルミニウムから構成されるセラミック構成要素を各々含み得、この酸化アルミニウムは、セラミック部材の少なくとも約９９．８％を構成する。さらに、この酸化アルミニウムは、最初に、約１００ｐｐｍ未満のナトリウムおよび約６００ｐｐｍ未満のシリカを有する酸化アルミニウム粒子から形成された。次いで、これらの粒子は、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムおよび約１，５００ｐｐｍ未満のシリカを有する酸化アルミニウムセラミック片を含み得る媒体とともに粉砕された。
【０００９】
このセラミック部材は、約２００ｐｐｍ未満のナトリウムおよび約１，５００ｐｐｍ未満のシリカを含み得る。さらに、その純度に起因して、このセラミック部材は、種々の適用において用いられ得る。例えば、このセラミック構成要素は、携帯電話基地局の形状に、真空チャンバカバーの形状に、半導体製造部品形状などに、形作られ得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（発明の詳細な説明）
本発明は、例示的な高純度セラミックおよびこのようなセラミックを製作するための方法を提供する。一つの局面では、このセラミックは、約９９．８％以上の純度を有する酸化アルミニウムを含む。このようなレベルの純度は、このセラミックから作られる構成要素が、このような純度を要する多種多様な適用において使用されるのを許容する。例えば、このセラミックは、低ナトリウム含有量および低シリカ含有量を必要とする多種多様な半導体製造プロセスにおいて用いられ得る。この高純度セラミックは、ウェーハ上へと浸出し得る夾雑物の量を制限し、そしてまた、所定のエッチングプロセスの間、化学的に安定である。このようなセラミックはまた、低い誘電損値を有する。このことは、電磁エネルギー（例えば、マイクロ波）が、過剰な熱生成を伴わずにこのセラミックを通して送信されることを許容する。重要なことに、本発明のプロセスは、費用対効果が優れた様式で実行され得、その結果、得られるセラミック構成要素は、競争的に市販され得る。
【００１１】
ここで図１を参照すると、高純度セラミック（例えば、酸化アルミニウムセラミック）を生産するための１つの方法が記載される。工程１０に示すように、このプロセスは、その出発原料として、採掘されたボーキサイトを使用し得る。酸化アルミニウムをボーキサイトから抽出するために、このボーキサイトは、工程１２に示すように、水酸化ナトリウム溶液中に消化される。得られる赤い液体（ｒｅｄ  ｌｉｑｕｏｒ）はデカントされ、そして、Ａｌ（ＯＨ）３は、工程１４に示すように、沈澱される。次いで、工程１６に示すように、洗浄プロセスを用いて、できるだけ多くのナトリウムおよび他の不純物を除去し得る。次いで、工程１８に示すように、Ａｌ（ＯＨ）３は、約１２００℃でか焼されて、水が除去され、そして酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が生成され得る。この時点で、酸化アルミニウムは、約１００ｐｐｍ未満、より好ましくは約５０ｐｐｍ未満、なおより好ましくは約２５ｐｐｍ未満であるナトリウム含有量、ならびに約６００ｐｐｍ未満、好ましくは約５００ｐｐｍ未満、より好ましくは約４００ｐｐｍ未満であるシリカ含有量を有し得る。
【００１２】
次いで、酸化アルミニウムは乾式ミルプロセスに供されて、この粉末をデアグロメレーションして、粒径を低下させ得る。例えば、乾式ミルプロセスは、約０．５ミクロン〜約４ミクロンの範囲の平均サイズを有する粒子を生産し得る。乾式ミルプロセスは、工程２０に示すように、粒径を低下させるためにセラミック片を利用する。都合のよいことに、このセラミック片は、高純度酸化アルミニウムセラミックから形成され得る。このようにして、このセラミック片が粉砕プロセスの間に摩耗するにつれて、粉砕される粉末は、セラミック片から剥離する粒子によって汚染されない。都合の良いことに、このセラミック片はまた、図１に記載されるプロセスを使用して生産され得、そして約２００ｐｐｍ未満、より好ましくは約１００ｐｐｍ未満、より好ましくは約５０ｐｐｍ未満であるナトリウム含有量を有し得る。さらに、このセラミック片は、約１，５００ｐｐｍ未満、より好ましくは約１，０００ｐｐｍ未満、さらにより好ましくは約８００ｐｐｍ未満であるナトリウム含有量を有し得る。この乾式ミルプロセスは、当該分野で公知の通りの標準的機器を利用し得る。ボールミルは、所望のサイズを生じるために、約８時間から動作され得る。
【００１３】
一旦デアグロメレーションされると、この酸化アルミニウム粉末は、工程２２に示すように、水性スリップ中に配置される。この水性スリップは、最少量の不純物（例えば、ナトリウムおよびシリカ）を有するように選択される一つ以上の添加剤を含み得、その結果、得られる生バッチ混合物はまた、最少の不純物を有する。このような添加剤の例としては、消泡剤、分散剤、結合剤、柔軟剤などが挙げられ得る。さらに、一定量の炭酸マグネシウムが、結晶粒の成長を制御するために添加され得る。不純物の少ない分散剤の一例は、アンモニウムリグノスルフェート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｌｉｇｎｏｓｕｌｆａｔｅ）である。最小のナトリウム含有量を有しかつ結晶粒の成長を制御する適切な添加剤、ならびに用いられ得る分散剤の例は、「Ｃｅｒａｍｉｃｓ  ａｎｄ  Ｇｌａｓｓｅｓ」、第４巻、Ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、ＡＳＭ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ、１９９１（この開示は全て、本明細書中に参考として援用される）に記載されている。
【００１４】
結合剤はまた、工程２４に示すように、このスリップに添加される。この結合剤は、低ナトリウム結合剤（例えば、ポリエチレングリコール）であり得る。この結合剤は、充分な強度および望ましい弾性の特性を、本明細書の以下で記載される通りの熱加工の間、その後形成される素地に付与するために用いられる。用いられ得る他の低ナトリウム結合剤の例としては、ポリビニルアルコール、ならびに上記のＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋに見出されるものが挙げられ得る。低ナトリウム添加剤、分散剤、結合剤などは、得られる粉末が、その高レベルの純度を（最少のシリカおよびナトリウムで）維持することを許容する。
【００１５】
湿式ボールミルプロセスは、酸化アルミニウムを水性スリップ中に配置するために用いられる。この湿式ミルプロセスにおいて使用される媒体は、乾式ミルプロセスで使用されるのと同じ媒体（すなわち、高純度酸化アルミニウムセラミック片）であり得る。この湿式ボールミルは、酸化アルミニウム粉末を水性スリップ中に配置するために、約４時間動作され得る。
【００１６】
工程２６に示すように、乾式プロセスは、液体を除去して、生のバッチ混合物を生産するために用いられる。種々の乾式プロセスが用いられ得る。例えば、水性スリップは、噴霧乾燥、パン乾燥（ｐａｎ  ｄｒｙ）などがされ得る。噴霧乾燥される場合、この乾燥機は、あらゆる夾雑物を除去するために、好ましくは清掃される。得られる生バッチ混合物は、約９５ｗｔ％〜約９８ｗｔ％の酸化アルミニウム、約２ｗｔ％〜約５ｗｔ％の結合剤、および約０ｗｔ％〜約２ｗｔ％の他の添加剤を含む。より好ましくは、この粉末化生バッチ混合物は、約９６ｗｔ％〜約９７ｗｔ％の酸化アルミニウム、約３ｗｔ％〜約４ｗｔ％の結合剤、および約０ｗｔ％〜約１．５ｗｔ％の他の添加剤を含む。さらに、（湿式ミルプロセス後の）生バッチ混合物は、約２００ｐｐｍ未満、より好ましくは約１００ｐｐｍ未満、なおより好ましくは約２５ｐｐｍ未満であるナトリウム含有量を有する。この生バッチ混合物はまた、約１，５００ｐｐｍ未満、より好ましくは約１，０００ｐｐｍ未満、なおより好ましくは約８０ｐｐｍ未満であるシリカ含有量を有する。
【００１７】
それゆえ、得られる生バッチ混合物は、不純物を比較的含まない。さらに、従来の乾式ミルプロセスおよび湿式ミルプロセスを使用しながらも、この生バッチ混合物をボーキサイトから生産するためのプロセスは、高度の純度を維持しながらも比較的廉価である。
【００１８】
工程２８に示すように、この生バッチ混合物は、当該分野で公知の技術のいずれかを用いて素地へと形成され得る。例えば、用いられ得る形成プロセスは、キャスティング、押し出し、乾式プレス、静水圧圧縮成形（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  ｐｒｅｓｓｉｎｇ）などを含む。生バッチ混合物を乾式プレスするために、この混合物は、所望の形状を有するダイの空洞中に配置される。次いで、この混合物は、このダイ中でプレスまたは圧縮されて、圧縮混合物が生産される。次いで、この圧縮混合物は、素地の形態でこのダイから取り出される。この素地は、最終製品の形状をほぼ有し得、そして本明細書中に記載される構成要素のいずれかの形状を有し得る。
【００１９】
次いで、この素地は、当該分野で公知の技術のいずれかを用いて熱処理されて、酸化アルミニウム構成要素が生産される。例えば、この素地は、炉中で、か焼が生じるのを引き起こすのに適切な温度、適切な圧力、適切な加熱速度および冷却速度、ならびに大気組成において焼成され得る。単に例として、この素地は、約１５８０℃〜約１６７０℃の範囲（より好ましくは約１６５０℃）の温度にて、約２時間〜約１０時間（より好ましくは約４時間）にわたって、空気中で焼成され得る。
【００２０】
形成されたセラミック構成要素は、種々の仕上げ工程を使用して（例えば、研削、ラップ仕上、研磨などによって）、最終的な最終製品へと成形され得る。用いられ得る各種構成要素の例は、本明細書中以下に記載される。
【００２１】
得られるセラミック構成要素は、好ましくは、少なくとも約９９．８重量％の酸化アルミニウムを含む。さらに、このセラミック構成要素は、好ましくは約２００ｐｐｍ未満、より好ましくは約１００ｐｐｍ未満、より好ましくは約５０ｐｐｍ未満のナトリウム、および約１，５００ｐｐｍ未満、より好ましくは約１，０００ｐｐｍ未満、より好ましくは約８００ｐｐｍ未満のシリカ未満を有する。このセラミック構成要素はまた、１メガＨｚ〜約１００ギガＨｚ、より好ましくは約１ギガＨｚ〜約１０ギガＨｚの動作範囲にわたって、５×１０−５未満、より好ましくは約４×１０−５未満、最も好ましくは約３×１０−５未満の誘電損値（散逸率または誘電正接ともいわれる）を有し得る。
【００２２】
これらの特徴に起因して、本発明の酸化アルミニウムセラミックは、多種多様な適用で用いられ得る。例えば、酸化アルミニウムセラミック構成要素は、広範囲の半導体製造装置において用いられ得る。高純度の（特にナトリウム量の少ない）セラミックは、製造プロセスの間に、さもなければナトリウムが進出して加工される基板上にスパッタする適用においてこれらが用いられることを許容にする。低シリカ含有量はまた、半導体の加工において使用されるエッチングプロセスに対してこの構成要素を抵抗性にする。さらに、低誘電損または散逸率は、ＲＦ電流が、低下した電力散逸で、従って減少した加熱でセラミックを通って通過することを許容する。この粉末を調製するコストは、酸に入れられるアルミン酸ナトリウムから粉末を生産することよりも、最大約５倍安価であり得る。さらに、セラミックへのこの粉末の加工は、アルミン酸ナトリウムから得られる粉末を用いた場合よりも最大約５倍安価であり得る。
【００２３】
それゆえ、本発明の高純度セラミックは、このようなプロセスにおいて使用される、厳しい条件に起因して侵食される可能性があり得る製造装置の一部として用いられ得る。単なる例として、本発明のセラミックは、電子サイクロトロン共鳴源反応器、らせん源反応器（ｈｅｌｉｃａｌ  ｓｏｕｒｃｅ  ｒｅａｃｔｏｒ）、プラズマ反応器、他の型の反応器、処理チャンバを覆う誘電ドームまたは誘電ウインドウ、ウェーハ研磨プレート、パッドドレッサ、キャリアプレート、真空チャック、ノズル、エンドエフェクタ、チャンバウインドウおよびチューブ、ステージの構成要素、焦点リング、ウェーハを適所に保持するクランプリング、ウェーハより上に保持されるガス分配プレートなどを構築するために用いられ得る。
【００２４】
１つの特定の例として、図２は、酸化アルミニウムセラミックから構成され得る誘電ドーム３０を図示する。ドーム３０は、バランスのよいＲＦカップリングを提供するために、形状が半球状であり得る。さらに、ドーム３０は、真空に耐え得るたように、充分な構造的完全性を有する。当該分野で公知のように、誘導コイルは、ドーム３０のまわりに配置され得、一方、半導体ウェーハは、ドーム３０の下に保持され得る。
【００２５】
本発明の高純度セラミックはまた、エネルギーを伝送する共振器のための共振器支持体として用いられ得る。このセラミック支持体は、共振器にとっての最小の損失を提供し、その結果、その信号は、顕著には散逸しない。例えば、図３に示すように、本発明のセラミックを用いて、携帯電話基地局において使用される共振器３４（例えば、チタネート（ｔｉｔｉｎａｔｅ）誘電材料）を支持する支持体３２を形成し得る。当該分野で公知のように、共振器３４および支持体３２は、携帯電話塔の近くに代表的に配置される金属缶３６中に保持される。共振器３４は、特定のバンドの周波数だけを通過させるためのフィルタとして機能する。（支持体３２の使用に起因する）あらゆる損失を最小化することによって、共振器３４は、その適切な機能が許容され得る。支持体３２は、この機能を実行するために、サファイヤより大きい誘電損値を有し得る。例えば、誘電損値は、約５×１０−５未満、より好ましくは約４×１０−５未満、さらにより好ましくは約３×１０−５未満であり得る。
【００２６】
別の例として、本発明の酸化アルミニウムセラミックは、電磁放射線（例えば、マイクロ波エネルギー）の伝送を必要とする適用において用いられ得る。例えば、図４に示されるのは、ボード４４が一定量の接着剤とともに配置されているチューブ４２を含む、接合装置４０である。チューブ４２は、酸化アルミニウムセラミックウインドウ４６およびマイクロ波源４８を有する。マイクロ波エネルギーは、ウインドウ４６を通過してこの接着剤を硬化させ、そしてボード４４を一緒に結合する。低い誘電散逸率または誘電損値を有することによって、電力の損失が低減され、次いで硬化プロセスの間の加熱が低減される。
【００２７】
本発明は、ここで、明確さおよび理解のために詳述された。しかし、添付の特許請求の範囲内で特定の改変および変更が実施され得ることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明による酸化アルミニウム構成要素を生産するための１つの方法を図示するフローチャートである。
【図２】図２は、本発明による半導体製造装置真空カバーの該略図である。
【図３】図３は、本発明による携帯電話ベースの概略図である。
【図４】図４は、本発明によるマイクロ波ウインドウを利用する接着剤硬化系の概略図である。
【図１】
2005532246.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005532246.tif 000005
【図４】
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【国際調査報告】
2005532246.tif 000007