(57)【要約】ノズル（１０）のアレイ（１４）を有するインクジェットプリントヘッドのノズルガード（８０）。ノズルガード（８０）は、ノズルアレイ（１４）に個々に対応する孔（８４）のアレイを有する。インク液滴は、孔（８４）を介して印刷される媒体に噴出される。ワイパブレード（１４３）が、ノズルガード（８２）の外面（１４２）に付着した塵および残留インク（１４４）を掃引し、外面（１４２）は、孔（８６）の各々と個々に関連するリセス（１４６）を有し、ワイパブレード（１４３）により保持される残留物（１４４）が、孔（８４）内にとどまらないようにする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷される基材に着色剤を噴出するノズルアレイを有するインクジェットプリントヘッドの孔付きノズルガードであって、
前記ノズルガードが、前記ノズルとのダメージを与える接触を阻止するように、前記ノズルの外部にわたって延在するとともに、前記ノズルから噴出された着色剤が、前記孔を介して、印刷される前記基材へと通過できるように、前記プリントヘッド上に配置されるように適合され、前記ノズルガードが、
使用中、前記媒体と面する外面を備え、
前記外面が、残留物を除去するために前記表面を定期的に掃引するワイパブレードと係合するように構成され、
前記外面が、前記ワイパブレードによって保持された残留物が前記孔内にとどまらないようにするために、前記孔の各々と個々に関連したリセスを有する、ノズルガード。
【請求項２】
前記外面が、前記リセスの各々にデフレクタリッジをさらに備え、前記デフレクタリッジは、前記ブレードが、前記リセスと関連する孔にわたって通過する前に、前記ワイパブレードと係合するように配置された、請求項１に記載のノズルガード。
【請求項３】
前記デフレクタリッジが、弧状であり、前記孔から前記リセスの縁部に向けて残留物を偏向するように、掃引方向に対して配置された、請求項２に記載のノズルガード。
【請求項４】
前記ノズルアレイ上での異粒子の蓄積を阻止するために、前記ノズルアレイにわたって、前記通路を介して流体を方向づけるための流体入口をさらに備える、請求項１に記載のノズルガード。
【請求項５】
一体形成された間隔を置いて設けられた支持要素の対をさらに備え、前記支持要素対の１つが、前記ノズルガードの各端部に配設された、請求項４に記載のノズルガード。
【請求項６】
前記流体入口開口が、前記支持要素の１つに配設された、請求項５に記載のノズルガード。
【請求項７】
前記流体入口開口が、前記ノズルアレイのボンドパッドから離れた前記支持要素に配設された、請求項６に記載のノズルガード。
【請求項８】
前記外面が、前記リセスと前記デフレクタリッジとを除いて平坦である、請求項２に記載のノズルガード。
【請求項９】
前記ガードが、シリコンから形成される、請求項１に記載のノズルガード。
【発明の詳細な説明】
【発明の分野】
【０００１】
本発明は、ディジタルプリンタに関し、特に、インクジェットプリンタに関する。
【発明の背景】
【０００２】
インクジェットプリンタは、よく知られ、広く使用されている印刷媒体製造の形態である。着色剤、通常、インクが、プリントヘッド上のマイクロプロセッサ制御されたノズルアレイに供給される。プリントヘッドが媒体上を通過すると、ノズルアレイから着色剤が噴出されて、媒体基材上の印刷を生成する。
【０００３】
プリンタの性能は、動作コスト、印刷品質、動作速度、使いやすさなどの要因に依存する。ノズルから噴出される個々のインク液滴の質量、頻度、および速度は、これらの性能パラメータに影響を及ぼすことになる。
【０００４】
最近では、サブミクロン厚みの機械構造を有する超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術を用いて、ノズルアレイが形成されている。これによって、ピコリットル（×１０−１２リットル）範囲の大きさのインク小滴を迅速に噴出できるプリントヘッドを製造できる。
【０００５】
これらのプリントヘッドの微視的構造により、比較的低コストで、高速および良好な印刷品質を得ることができるが、これらのサイズでは、ノズルが、極めて脆弱性のものになり、指、塵、または媒体基材とのごくわずかな接触で、ダメージを受けやすくなる。これによって、ある一定レベルの強靭性が必要である多くの応用に対して、これらのプリントヘッドは実用的でない。さらに、ダメージを受けたノズルが、それに供給される着色剤を噴出できなことがある。着色剤が、ノズルの外部に蓄積し、玉のようになると、周囲ノズルからの着色剤の噴出が影響を受けることがあり、および/または、ダメージを受けたノズルは、単純に印刷基材に着色剤を漏出することになる。両状況とも、印刷品質にとって好ましくない。
【０００６】
これを解消するために、孔付きガードが、ノズルにわたって備え付けられて、ダメーイを与える接触に対してそれらを遮蔽してよい。ノズルから噴出されたインクは、紙または印刷される他の基材へ向けて孔を通過する。しかしながら、ノズルを効果的に保護するために、孔を可能な限り小さくする必要があり、遺留物が流入しないように制限を最大限にしながら、インク液滴を通過させる状態のままにする。理想的には、各ノズルは、ガードにあるそれ自体の個々の孔を通ってインクを噴出する。
【０００７】
ガードにある孔が、概して非常に小さいため、容易に詰まる可能性がある。したがって、特に、比較的高レベルの塵および他の空気中を伝達する粒子がある環境において、ノズルガードの外部を清潔に保つことが望まれる場合が多い。これは、塵やインク残留物を除去するために、ガードの外面を定期的に掃引するワイパブレードを用いて達成されると利便性が良い。しかしながら、ワイバ上の残留物は、外部リム上、特に、ワイパの進行方向に向いたリムの部分上にとどまるようになることが多い。このような残留物の蓄積は、ワイパによって除去されない傾向にあり、孔をすぐに詰まらせてしまう。
【発明の概要】
【０００８】
したがって、本発明により、印刷される基材に着色剤を噴出するノズルアレイを有するインクジェットプリントヘッドの孔付きノズルガードであって、
ノズルガードが、ノズルとのダメージを与える接触を阻止するように、ノズルの外部にわたって延在するとともに、ノズルから噴出された着色剤が、孔を介して、印刷される前記基材へと通過できるように、プリントヘッド上に配置されるように適合され、ノズルガードが、
使用中、媒体と面する外面を備え、
外面が、残留物を除去するために表面を定期的に掃引するワイパブレードと係合するように構成され、
外面が、ワイパブレードが、孔にと直接隣接する外面と係合しないようにするために、孔の各々と個々に関連したリセスを有する、ノズルガードが提供される。
【０００９】
本願明細書において、「ノズル」という用語は、開口そのものではなく、開口を画定する要素として理解されるべきである。
【００１０】
外面は、リセスの各々にデフレクタリッジをさらに備え、デフレクタリッジは、ブレードが、リセスと関連する孔にわたって通過する前に、ワイパブレードと係合するように配置されることが好ましい。１つの好ましい形態において、デフレクタリッジは、弧状であり、孔からリセスの縁部に向けて残留物を偏向するように、掃引方向に対して配置される。
【００１１】
ノズルガードは、ノズルアレイ上での異粒子の蓄積を阻止するために、ノズルアレイにわたって、通路を介して流体を方向づけるための流体入口をさらに含んでよい。
【００１２】
ノズルガードは、一体形成された間隔を置いて設けられた支持要素の対をさらに含んでよく、支持要素対の１つは、ノズルガードの各端部に配設される。
【００１３】
この実施形態において、流体入口開口は、支持要素の１つに配設されてよい。
【００１４】
空気が開口を通って、ノズルアレイ上を通り、通路を貫通するように向けられると、ノズルアレイ上の異粒子の蓄積が阻止されることを理解されたい。
【００１５】
流体入口開口は、ノズルアレイのボンドパッドから離れた支持要素に配設されてよい。
【００１６】
ワイパブレードの効果を最適にするために、外面は、リセスとデフレクタリッジとを除いて平坦である。シリコンからガードを形成することによって、熱膨張率は、ノズルアレイと実質的に一致する。これにより、ガードにある孔アレイと、ノズルアレイを有するレジスタとの位置合ずれを防ぐことができる。また、シリコンを用いることにより、ＭＥＭＥＳ技術を用いて、シールドを正確に超微小機械加工することができるようになる。さらに、シリコンは、非常に強度があり、実質的に、変形不能である。
【００１７】
以下、添付の図面を参照しながら、例示的目的によってのみ、本発明の好ましい実施形態について記載する。
【図面に沿っての詳細な説明】
【００１８】
最初に、図１を参照すると、本発明によるノズルアセンブリが、参照番号１０によって概して示されている。インクジェットプリントヘッドが、シリコン基板１６上のアレイ１４（図５および図６）に配設された複数のノズルアセンブリ１０を有する。以下、アレイ１４についてより詳細に記載する。
【００１９】
アセンブリ１０は、誘電体層１８が堆積されたシリコン基板１６を備える。誘電体層１８上に、ＣＭＯＳ保護層２０が堆積される。
【００２０】
各ノズルアセンブリ１０は、ノズル開口２４を画定するノズル２２と、レバーアーム２６の形をした接続部材と、アクチュエータ２８とを備える。レバーアーム２６は、アクチュエータ２８をノズル２２に接続する。
【００２１】
図２から図４にさらに詳細に示すように、ノズル２２は、クラウン部分３０と、クラウン部分３０から垂下したスカート部分３２とを備える。スカート部分３２は、ノズルチャンバ３４の周壁の一部分を形成する。ノズル開口２４は、ノズルチャンバ３４と流通状態にある。ノズル開口２４は、ノズルチャンバ３４のインク体４０のメニスカス３８（図２）を「止めておく」隆起したリム３６によって囲まれていることに留意されたい。
【００２２】
ノズルチャンバ３４の床部４６に、インク入口孔４２（図６に最も明確に図示）が規定されている。孔４２は、基板１６を通るように画定されたインク入口チャネル４８と流通状態にある。
【００２３】
壁部分５０が、孔４２の境界を定め、床部分４６から上向きに延在する。上述したように、ノズル２２のスカート部分３２は、ノズルチャンバ３４の周壁の第１の部分を画定し、壁部分５０は、ノズルチャンバ３４の周壁の第２の部分を規定する。
【００２４】
以下にさらに詳細に記載するように、ノズル２２が変位するとき、壁５０は、インクの逃げを阻止する流体シールとして作用する自由端に内向きリップ５２を有する。インク４０の粘度と、リップ５２とスカート部分３２との間の小さな間隔寸法により、内向きリップ５２と表面張力は、ノズルチャンバ３４からのインクの逃げを阻止するための有効なシールとして機能する。
【００２５】
アクチュエータ２８は、熱曲げアクチュエータであり、基板１６から、または、特に、ＣＭＯＳ保護層２０から上向きに延在するアンカー５４に接続される。アンカー５４は、アクチュエータ２８と電気的接続を形成する伝導パッド５６上に設けられる。
【００２６】
アクチュエータ２８は、第２の受動ビーム６０の上方に配設された第１の能動ビーム５８を備える。好ましい実施形態において、ビーム５８および６０はともに、窒化チタン（ＴｉＮ）などの伝導性セラミック材料から構成されるか、またはそれを含む。
【００２７】
ビーム５８および６０の両方は、アンカー５４に固定された第１の端部と、アーム２６に接続された対向する端部とを有する。能動ビーム５８に電流が流れると、ビーム５８の熱膨張が生じる。受動ビーム６０には電流の流れがなく、同じ速度で膨張しないため、曲げモーメントが生じ、図３に示すように、アーム２６、ひいては、ノズル２２が、基板１６の方へ下向きに変位する。これにより、参照番号６２に示すように、ノズル開口部２４を通ってインクが噴出される。能動ビーム５８から熱源が除去されると、すなわち、電流の流れを停止すると、ノズル２２は、図４に示す休止位置に戻る。ノズル２２が休止位置に戻ると、図４の参照番号６６で示すようなインク液滴のネック部分が破裂することにより、インク液滴６４が形成される。その後、インク滴６４は、紙などの印刷媒体を進む。インク液滴６４を形成した結果、図４の参照番号６８で示すような「凹状」のメニスカスが形成される。このような「凹状」のメニスカス６８により、インク４０がノズルチャンバ３４内に流れて、新しいメニスカス３８（図２）が形成され、ノズルアセンブリ１０から次のインク滴を排出する準備が整う。
【００２８】
以下、図５および図６を参照して、ノズルアレイ１４についてさらに詳細に記載する。アレイ１４は、４色プリントヘッドのものである。したがって、アレイ１４は、それぞれが各色に対応したノズルアセンブリの４つのグループ７０を備える。各グループ７０は、２列７２および７４に配設されたノズルアセンブリ１０を有する。図６に、グループ７０の１つをさらに詳細に示す。
【００２９】
列７２および７４のノズルアセンブリ１０を近接して集積しやすいように、列７４のノズルアセンブリ１０は、列７２のノズルアセンブリ１０に対してずれされるか、互い違いにされる。また、列７２のノズルアセンブリ１０は、列７４のノズルアセンブリ１０のレバーアーム２６が、列７２のアセンブリ１０の隣接するノズル２２間を通ることができる程度に互いに離れた間隔を置いて設けられる。各ノズルアセンブリ１０は、列７２のノズル２２が、列７４の隣接するノズルアセンブリ１０のノズル２２とアクチュエータ２８との間に入るような実質的にダンベル状の形状であることに留意されたい。
【００３０】
さらに、列７２および７４のノズル２２を近接して集積しやすいように、各ノズル２２は、実質的に六角形の形状である。
【００３１】
使用中、ノズル２２が基板１６の方へ変位するとき、ノズルチャンバ３４に対してノズル開口２４がわずかな角度をなしているため、インクが垂直方向からわずかにずれて噴出されることは、当業者により理解されるであろう。列７２および７４のノズルアセンブリ１０のアクチュエータ２８が、列７２および７４の片側と同じ方向に延在することは、図５および図６に示す構成の利点である。したがって、列７２のノズル２２から噴出されたインクと、列７４のノズル２２から排出されたインクは、同じ角度だけ互いにずらされることにより、高い印刷品質が得られる。
【００３２】
また、図５に示すように、基板１６は、上側に配設されたボンドパッド７６を有し、これにより、パッド５６を介して、ノズルアセンブリ１０のアクチュエータ２８に電気的接続が与えられる。これらの電気的接続は、ＣＭＯＳ層（不図示）を介して形成される。
【００３３】
図７を参照すると、ノズルアレイおよびノズルガードが示されている。前述した図面を参照しながら、特別な記載がないかぎり、同様の参照番号は同様の部品をさす。
【００３４】
アレイ１４のシリコン基板１６上に、ノズルガード８０が設けられる。ノズルガード８０は、複数の孔８４が貫通して画定されたシールド８２を備える。孔８４が、アレイ１４のノズルアセンブリ１０のノズル開口２４と整合されることにより、ノズル開口２４の任意の１つからインクが噴出されると、インクは、関連する通路を通過した後、印刷媒体に当たる。
【００３５】
比較的高レベルの塵および他の空気中を伝達する粒子がある環境において、孔８４は、詰まった状態になりかねない。さらに、ノズルガード８０の外面は、ダメージを受けたノズルから漏れたインクを蓄積できる。図７ａに示すように、外面１４２から残留材料１４４を定期的に掃引するワイパブレード１４３を提供することは、利便性が良い。残念ながら、ワイパ１４３上の残留物１４４は、孔８４の外側リム上、特に、ワイパの進行方向１４５に面するリムの部分にとどまった状態になる場合が多い。このように蓄積した残留物１４４は、ワイパ１４３によって除去されない傾向があり、孔８４をすぐに詰まらせてしまう。
【００３６】
図７ｂに示すように、本発明により、孔８４の各々の周りの外面１４２に、リセスが設けられる。ワイパブレード１４３は、孔８４にわたって通過するため、収集された残留物１４４は、リムにとどまらない。さらなる防御措置として、リセス１４６の各々に、デフレクタリッジ１４７が設けられる。図７ｃに最良に示すように、デフレクタリッジ１４７は、孔８４にわたって通過する直前に、ワイパブレード１４３と係合する。デフレクタリッジ１４７は、ブレード１４３上の残留物１４４の一部を除去して、孔８４に落ちる残留物１４４の可能性をさらに低減させる。デフレクタリッジ１４７は、ワイパブレード１４３の方向１４５に傾斜された面を有する弧状のものであり、蓄積された残留物１４４を孔８４からリセス１４６の縁部の方へ向ける。
【００３７】
ガード８０は、紙、塵、またはユーザーの指とのダメージを受ける接触からノズルアレイ１４を保護するのに必要な強度と剛性を備えるようなシリコンである。シリコンからガードを形成することにより、熱膨張率は、ノズルアレイのものと実質的に一致する。この目的は、プリントヘッドが通常の動作温度まで加熱されるとき、シールド８２の孔８４とノズルアレイ１４との位置ずれを防止することである。また、ノズルアセンブリ１０の製造に関して、以下にさらに詳細に記載するＭＥＭＳ技術を用いた高精度の超微小機械加工には、シリコンが適している。
【００３８】
シールド８２は、枝状突出部または支柱８６により、ノズルアセンブリ１０に対して間隔を置いて設けられる。支柱８６の１つには、そこに規定された空気入口開口部８８がある。
【００３９】
使用中、アレイ１４が動作しているとき、入口開口部８８を介して空気が充填され、孔８４を通って進むインクとともに、孔８４に推し進められる。
【００４０】
インク液滴６４と異なる速度で孔８４を介して空気が充填されるため、インクは空気に引き込まれない。例えば、インク液滴６４は、約３ｍ／ｓの速度でノズル２２から噴出される。空気は、約１ｍ／ｓの速度で孔８４を介して充填される。
【００４１】
空気の目的は、孔８４に異粒子がない状態を維持することである。上述したように、塵粒子などのこれらの異粒子がノズルアセンブリ１０に落ちると、それらの動作に悪影響を及ぼす危険性がある。ノズルガード８０に空気入口開口８８を与えると、この問題が改善される。以下、図８から図１０を参照しながら、ノズルアセンブリ１０の製造プロセスについて記載する。
【００４２】
シリコン基板またはウェハ１６から始まり、基板またはウェハ１６の表面上に、誘電体層１８が堆積される。誘電体層１８は、約１．５ミクロンのＣＶＤ酸化物の形をしたものである。層１８上に、レジストがスピニングされ、層１８は、マスク１００に対して露光された後、現像される。
【００４３】
現像後、層１８は、シリコン層１６まで下方にプラズマエッチングされる。その後、レジストが剥離され、層１８がクリーニングされる。このステップにより、インク入口孔４２が規定される。
【００４４】
図８ｂにおいて、層１８上に、約０．８ミクロンのアルミニウム１０２が堆積される。レジストがスピニングされ、アルミニウム１０２は、マスク１０４に対して露光され、現像される。アルミニウム１０２は、酸化物層１８まで下方にプラズマエッチングされ、レジストが剥離されて、デバイスがクリーニングされる。このステップにより、ボンドパッドおよびインクジェットアクチュエータ２８への配線が与えられる。この配線は、ＮＭＯＳ駆動トランジスタと、ＣＭＯＳ層（図示せず）に形成された接続との電源プレーンに対するものである。
【００４５】
ＣＭＯＳ保護層２０として、約０．５ミクロンのＰＥＣＶＤ窒化物が堆積される。レジストがスピニングされ、層２０は、マスク１０６に対して露光された後、現像される。現像後、窒化物は、アルミニウム層１０２および入口孔４２の領域にあるシリコン層１６まで下方にプラズマエッチングされる。レジストが剥離されて、デバイスがクリーニングされる。
【００４６】
層２０に、犠牲材料の層１０８がスピニングされる。層１０８は、６ミクロンの感光性ポリイミドまたは約４μｍの高温レジストである。層１０８は、ソフトベークされて、マスク１１０に対して露光された後、現像される。層１０８がポリイミドから構成される場合、層１０８は、１時間４００℃でハードベークされるか、層１０８が高温レジストの場合、３００℃よりも高温でハードベークされる。図面において、マスク１１０の設計に際し、収縮により生じたポリイミド層１０８のパターンに依存したゆがみを考慮に入れることに留意されたい。
【００４７】
次のステップにおいて、図８ｅに示すように、第２の犠牲層１１２が適用される。層１１２は、スピニングされる２μｍの感光性ポリイミドか、または約１．３μｍの高温レジストのいずれかである。層１１２は、ソフトベークされ、マスク１１４に対して露光される。マスク１１４に対して露光された後、層１１２は現像される。層１１２がポリイミドである場合、層１１２は、約１時間４００℃でハードベークされる。層１１２がレジストである場合、約１時間３００℃より高温でハードベークされる。
【００４８】
その後、０．２ミクロンの多層金属層１１６が堆積される。この層１１６の一部は、アクチュエータ２８の受動ビーム６０をなす。
【００４９】
層１１６は、約３００℃で１，０００Åの窒化チタン（ＴｉＮ）をスパッタリングした後、５０Åの窒化タンタル（ＴａＮ）をスパッタリングすることにより形成される。さらに、１，０００ÅのＴｉＮがスパッタリングされた後、５０ÅのＴａＮと、さらに１，０００ÅのＴｉＮがスパッタリングされる。ＴｉＮの代わりに使用可能な他の材料は、ＴｉＢ２、ＭｏＳｉ２または（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎである。
【００５０】
その後、層１１６は、マスク１１８に対して露光され、現像されて、層１１２まで下方にプラズマエッチングされた後、硬化した層１０８または１１２を除去しないように注意しながら、層１１６に適用されたレジストがウェット剥離される。
【００５１】
４μｍの感光性ポリイミドまたは約２．６μｍの高温レジストをスピニングすることにより、第３の犠牲層１２０が適用される。層１２０は、ソフトベークされた後、マスク１２２に対して露光される。次に、露光された層は、現像された後、ハードベークされる。層１２０は、ポリイミドの場合、約１時間４００℃でハードベークされるか、層１２０がレジストから構成される場合、３００℃を超える温度でハードベークされる。
【００５２】
層１２０に、第２の多層金属層１２４が適用される。層１２４の組成物は、層１１６と同じものであり、同じ方法で適用される。層１１６および１２４の両方は、導電層であることを理解されたい。
【００５３】
層１２４は、マスク１２６に対して露光された後、現像される。層１２４はポリイミドまたはレジスト層１２０まで下方にプラズマエッチングされた後、硬化した層１０８、１１２、または１２０を除去しないように注意しながら、層１２４に適用されたレジストがウェット剥離される。層１２４の残りの部分が、アクチュエータ２８の能動ビーム５８を画定することに留意されたい。
【００５４】
４μｍの感光性ポリイミドまたは約２．６μｍの高温レジストをスピニングすることにより、第４の犠牲層１２８が適用される。層１２８は、ソフトベークされ、マスク１３０に対して露光された後、現像されて、図９ｋに示すようなアイランド部分を残す。層１２８の残りの部分は、ポリイミドの場合、約１時間４００℃でハードベークされるか、レジストの場合、３００℃よりも高温でハードベークされる。
【００５５】
図８ｌに示すように、高ヤング率の誘電体層１３２が堆積される。層１３２は、約１μｍの窒化シリコンまたは酸化アルミニウムにより構成される。層１３２は、犠牲層１０８、１１２、１２０、１２８のハードベーク温度より低い温度で堆積される。この誘電体層１３２に必要な主要な特徴は、高弾性率、化学的不活性さ、およびＴｉＮへの良好な接着性である。
【００５６】
２μｍの感光性ポリイミドまたは約１．３μｍの高温レジストをスピニングすることにより、第５の犠牲層１３４が適用される。層１３４は、ソフトベークされ、マスク１３６に対して露光されて、現像される。次に、層１３４の残りの部分は、ポリイミドの場合、１時間４００℃でハードベークされ、レジストの場合、３００℃を超える温度でハードベークされる。
【００５７】
誘電体層１３２は、犠牲層１３４を除去しないように注意しながら、犠牲層１２８まで下方にプラズマエッチングされる。
【００５８】
このステップにより、ノズル開口部２４、レバーアーム２６およびノズルアセンブリ１０のアンカー５４が画定される。
【００５９】
高ヤング率の誘電体層１３８が堆積される。この層１３８は、犠牲層１０８、１１２、１２０、および１２８のハードベーク温度より低い温度で、０．２μｍの窒化シリコンまたは窒化アルミニウムを堆積することにより形成される。
【００６０】
次に、図８ｐに示すように、層１３８は、０．３５ミクロンの深さまで異方性プラズマエッチングされる。このエッチングは、誘電体層１３２および犠牲層１３４の側壁以外の表面全体から誘電体層を取り除くためのものである。このステップにより、上述したように、インクのメニスカスを「止めておく」ノズル開口部２４付近のノズルリム３６が形成される。
【００６１】
紫外線（ＵＶ）剥離テープ１４０が適用される。シリコンウェハ基板１６の背面に、４μｍのレジストがスピニングされる。ウェハ１６は、ウェハ１６をエッチバックするようにマスク１４２に対して露光されて、インク入口チャネル４８を規定する。次に、レジストは、ウェハ１６から剥離される。
【００６２】
ウェハ１６の背面に、さらなるＵＶ剥離テープ（図示せず）が適用され、テープ１４０が取り除かれる。酸素プラズマで犠牲層１０８、１１２、１２０、１２８、および１３４が剥離されて、図８ｒおよび図９ｒに示すように、最終的なノズルアセンブリ１０を与える。参照しやすいように、これらの２つの図面に示されている参照番号は、ノズルアセンブリ１０の関連部品を示すために、図１のものと同じものである。図１１および図１２は、図８および図９を参照して上述したプロセスに従って製造されたノズルアセンブリ１０の動作を示し、同図は、図２から図４に対応する。
【００６３】
特定の実施形態に示されているように、広義に記載した本発明の趣旨または範囲から逸脱することなく、本発明に様々な変更および／または修正が加えられてよいことは、当業者により理解されるであろう。したがって、本発明は、例示的かつ非制限的にすべての点において考慮されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの略図的な立体図を示す。
【図２】図１のノズルアレンブリの動作の略図的な立体図の一つを示す。
【図３】図１のノズルアレンブリの動作の略図的な立体図の一つを示す。
【図４】図１のノズルアレンブリの動作の略図的な立体図の一つを示す。
【図５】ノズルアレイの立体図を示す。
【図６】図５のアレイの一部分の拡大図を示す。
【図７】ノズルガードを備えるインクジェットプリントヘッドの立体図を示す。
【図７ａ】ワイパブレードにより洗浄される図７のインクジェットプリントヘッドおよびノズルガードの部分的断面側面図を示す。
【図７ｂ】本発明によるノズルガードの部分的断面側面図を示す。
【図７ｃ】図７ｂのノズルガードの外面の平面図を示す。
【図８】図８ａ〜図８ｒはインクジェットプリントヘッドのノズルアレイの製造ステップの立体図を示す。
【図９】図９ａ〜図９ｒは製造ステップの断面側面図を示す。
【図１０】図１０ａ〜図１０ｋは製造プロセスにおける様々なステップにおいて使用されるマスクのレイアウトを示す。
【図１１】図１１ａ〜図１１ｃは図８および図９の方法により製造されたノズルアセンブリの動作の立体図を示す。
【図１２】図１２ａ〜図１２ｃは図８および図９の方法により製造されたノズルアセンブリの動作の断面側面図を示す。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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