(57)【要約】  本発明は、基板と記録層とを備える光学記録媒体に関し、ここで、前記記録層は、式（I)の錯体を含み、式中、Ｑ2-は、式（II）の配位子又はそれらの互変異性体であり、そしてＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はそれぞれ他と独立して、Ｈ、ハロゲン、シアノ、ＣＯＯＲ9、ＣＯＮＨＲ9、ＣＯＮＲ9Ｒ10、Ｒ9、ＯＲ9、ＳＲ9、ＮＨＲ9又はＮＲ9Ｒ10であり、ここで、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ他と独立して、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ4〜Ｃ9ヘテロアリール又は直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニル、Ｃ2〜Ｃ24アルキニル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルケニル、Ｃ7〜Ｃ24アラルケニル又はＣ7〜Ｃ24アラルキルであり、これらの各々は置換されていなくても置換されていてもよく、また、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ4、Ｒ5及びＲ6、並びにＲ7及びＲ8は互いに独立して、直接結合によって、又はＯブリッジ若しくはＳブリッジを介して結合することが可能であり、Ｍm+は、ｄ殻を占める最外殻に５又は６個の電子を有する遷移金属カチオンであり、Ｌ1は、サブ構造Ｎ−Ｃ、Ｐ−Ｃ又はＡｓ−Ｃを有する配位子であり、Ｌ2はＬ1と独立して、少なくとも１個のヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含むさらなる配位子であり、Ｌ3-は、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ1−Ｏ-、Ｌ1−Ｓ-、Ｌ1−ＣＯ2-、Ｌ1−ＳＯ3-、又はＬ1−ＰＯ3-であり、Ｌ4-はＬ3-と独立して、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ3−Ｏ-、Ｌ3−Ｓ-、Ｌ3−ＣＯ2-、Ｌ3−ＳＯ3-、又はＬ3−ＰＯ3-であり、ｐ及びｑはそれぞれ他と独立して、０又は１の数であり（式（III））、それぞれ対イオンであり、ｍは、Ｍm+の陽電荷に等しい１、２、３、又は４の数であり、ｎは、−２、−１、＋１又は＋２の数であり、その結果、商（式（IV））は負ではない。
2005511344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と記録層とを備える光学記録媒体であって、
前記記録層は、下式の錯体を含み、
【化１】
2005511344.tif 000046
式中、
Ｑ2-は、式
【化２】
2005511344.tif 000047
の配位子又はそれらの互変異性体であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はそれぞれ他と独立して、Ｈ、ハロゲン、シアノ、ＣＯＯＲ9、ＣＯＮＨＲ9、ＣＯＮＲ9Ｒ10、Ｒ9、ＯＲ9、ＳＲ9、ＮＨＲ9又はＮＲ9Ｒ10であり、ここで、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ他と独立して、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ4〜Ｃ9ヘテロアリール又は直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニル、Ｃ2〜Ｃ24アルキニル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルケニル、Ｃ7〜Ｃ24アラルケニル又はＣ7〜Ｃ24アラルキルであり、これらの各々は置換されていなくても置換されていてもよく、また、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ4、Ｒ5及びＲ6、並びにＲ7及びＲ8は互いに独立して、直接結合によって、又はＯブリッジ若しくはＳブリッジを介して結合することが可能であり、
Ｍm+は、ｄ殻を占める最外殻に５又は６個の電子を有する遷移金属カチオンであり、
Ｌ1は、サブ構造Ｎ−Ｃ、Ｐ−Ｃ又はＡｓ−Ｃを有する配位子であり、
Ｌ2はＬ1と独立して、少なくとも１個のヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含むさらなる配位子であり、
Ｌ3-は、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ1−Ｏ-、Ｌ1−Ｓ-、Ｌ1−ＣＯ2-、Ｌ1−ＳＯ3-、又はＬ1−ＰＯ3-であり、
Ｌ4-はＬ3-と独立して、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ3−Ｏ-、Ｌ3−Ｓ-、Ｌ3−ＣＯ2-、Ｌ3−ＳＯ3-、又はＬ3−ＰＯ3-であり、
ｐ及びｑはそれぞれ他と独立して、０又は１の数であり、
【化３】
2005511344.tif 000048
はそれぞれ対イオンであり、ｍは、Ｍm+の陽電荷に等しい１、２、３、又は４の数であり、ｎは、−２、−１、＋１又は＋２の数であり、その結果、商
【化４】
2005511344.tif 000049
は負ではない、光学記録媒体。
【請求項２】
Ｌ1が、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インドール、イソインドール、インドリジン、インダゾール、プリン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、１，８−ナフチリジン、フタラジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、カルバゾール、β−カルボリン、アクリジン、フェナントリジン、ペリミジン、１，７−フェナントロリン、フェナジン、フェナルサジン、フェノチアジン、フェノキサジン、オキサゾール、イソオキサゾール、ホスホインドール、チアゾール、イソチアゾール、フラザン、ピロリジン、ピペリジン、２−ピロリン、３−ピロリン、イミダゾリジン、２−イミダゾリン、４−イミダゾリン、ピラゾリジン、２−ピラゾリジン、３−ピラゾリン、ピペリジン、ピペラジン、インドリン、イソインドリン、キヌクリジン、モルホリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ホスフィノリン及びホスホインドリンからなる群から選択され、それらの各々が、置換されていなくても、Ｒ9によって置換されていてもよく、ここで、Ｒ9は、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ4〜Ｃ9ヘテロアリール又は直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニル、Ｃ2〜Ｃ24アルキニル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルケニル、Ｃ7〜Ｃ24アラルケニル又はＣ7〜Ｃ24アラルキルであり、それらの各々は、置換されていないか、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ8アルキルチオ、シアノ、ＣＯＯＲ11によって、又はＰ（Ｏ）ＯＲ11Ｒ12によって置換され、ここで、Ｒ11及びＲ12はそれぞれ互いに独立して、直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ7〜Ｃ24アラルキル、Ｃ6〜Ｃ10アリール又はＣ4〜Ｃ9ヘテロアリールである、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
Ｌ1が、ニトリル、イソニトリル、フルミネート、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、アゾメチン、オキシム、ヒドラゾン、セミカルバゾン、イミン、アミジン及びアミドオキシムを含む群から選択される、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項４】
請求項１に記載の式
【化５】
2005511344.tif 000050
の記録媒体であって、
Ｌ3-及びＬ4-が、
【化６】
2005511344.tif 000051
が一級、二級、三級、又は四級アンモニウムである、記録媒体。
【請求項５】
Ｍm+がＦｅ2+又はＣｏ3+である、請求項１、２、３又は４に記載の記録媒体。
【請求項６】
Ｌ1が式Ｒ15−Ｎ+≡Ｃ-のイソニトリルであり、式中、Ｒ15は、置換されていないか又は置換されており、直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ7〜Ｃ24アラルキル、Ｃ6〜Ｃ10アリール又はＣ4〜Ｃ9ヘテロアリールである、請求項５に記載の記録媒体。
【請求項７】
反射層及びカバリング層に加えて、順に配置された上記基板反射層、記録層及びカバリング層を含む、請求項１、２、３、４、５、又は６に記載の記録媒体。
【請求項８】
請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の記録媒体が使用される、情報を光学的に記録、格納及び再生する方法。
【請求項９】
記録及び再生が、３５０〜５００ｎｍ又は６００〜７００ｎｍの波長範囲で行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
記録及び再生が、６００〜７００ｎｍの波長範囲で行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
記録及び再生が、３５０〜５００ｎｍの波長範囲で行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
記録が６００〜７００ｎｍの波長範囲で行われ、再生が３５０〜５００ｎｍの波長範囲で行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
２−メトキシエタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、イソブタノール、ｎ−ブタノール、アミルアルコール、３−メチル−１−ブタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール、ジブチルエーテル、２，６−ジメチル−４−ヘプタノン、５−メチル−２−ヘキサノン、トルエン、キシレン、２，６−ジメチル−４−ヘプタノン及びそれらの混合物から選択される有機溶媒に溶解される、請求項１に記載の式
【化７】
2005511344.tif 000052
の錯体を含む基板組成物。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板組成物が、１つ以上の凹部を有する基板にスピンコーティングすることによって塗布される、光学記録媒体を製造する方法。
【請求項１５】
情報を光学的に格納するための請求項１に記載の式
【化８】
2005511344.tif 000053
の錯体の使用。
【請求項１６】
式
【化９】
2005511344.tif 000054
の錯体であって、
式中、Ｑ2-は、式
【化１０】
2005511344.tif 000055
又はそれらの互変異性体であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はそれぞれ他と独立して、Ｈ、ハロゲン、シアノ、ＣＯＯＲ9、ＣＯＮＨＲ9、ＣＯＮＲ9Ｒ10、Ｒ9、ＯＲ9、ＳＲ9、ＮＨＲ9又はＮＲ9Ｒ10であり、ここで、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ他と独立して、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ4〜Ｃ9ヘテロアリール又は直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニル、Ｃ2〜Ｃ24アルキニル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルケニル、Ｃ7〜Ｃ24アラルケニル又はＣ7〜Ｃ24アラルキルであり、これらの各々は置換されていなくても置換されていてもよく、また、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ4、Ｒ5及びＲ6、並びにＲ7及びＲ8は互いに独立して、直接結合によって、又はＯブリッジ若しくはＳブリッジを介して結合することが可能であり、
Ｍm+は、ｄ殻を占める最外殻に５又は６個の電子を有する遷移金属カチオンであり、
Ｌ1は、サブ構造Ｎ−Ｃ、Ｐ−Ｃ又はＡｓ−Ｃを有する配位子であり、
Ｌ2はＬ1と独立して、少なくとも１個のヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含むさらなる配位子であり、
Ｌ3-は、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ1−Ｏ-、Ｌ1−Ｓ-、Ｌ1−ＣＯ2-、Ｌ1−ＳＯ3-、又はＬ1−ＰＯ3-であり、
Ｌ4-はＬ3-と独立して、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ3−Ｏ-、Ｌ3−Ｓ-、Ｌ3−ＣＯ2-、Ｌ3−ＳＯ3-、又はＬ3−ＰＯ3-であり、
ｐ及びｑはそれぞれ他と独立して、０又は１の数であり、
【化１１】
2005511344.tif 000056
はそれぞれ対イオンであり、ｍは、Ｍm+の陽電荷に等しい１、２、３、又は４の数であり、ｎは、−２、−１、＋１又は＋２の数であり、その結果、商
【化１２】
2005511344.tif 000057
は負ではなく、ただし、以下
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は全てフェニルであり、ＭはＦｅ（ＩＩ）、Ｒｕ（ＩＩ）又はＯｓ（ＩＩ）であり、Ｌ1及びＬ2はともにピリジンであるか、又は
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は全てフェニル又はｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニルであり、ＭはＦｅ（ＩＩ）であり、Ｌ1及びＬ2はピラジン、ｔｅｒｔ−ブチルイソシアニド、シクロヘキシルイソシアニド、フェニルイソシアニド又は２，３，５，６−テトラメチルジイソシアノベンゼンである、
を除く、錯体。
【請求項１７】
３５０〜６２０ｎｍの範囲で最大吸収（λmax）を示し、他の発色団に対する式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物の重量比が１：９９〜９９：１、好ましくは、１：９５〜９５：１、特に３０：７０〜７０：３０、さらに特定的には４０：６０〜６０：４０である、請求項１に記載の式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物および別の発色団を固体形態で含む基板組成物。
【請求項１８】
他の発色団が基本構造
【化１３】
2005511344.tif 000058
を有する、請求項１７に記載の基板組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、ライトワンス（write-once）記録メディアでの情報の光学記憶である。情報マーク（information mark）は、書き込み部及び非書き込み部で、着色剤の異なる光学性能によって差別化されている。この技術は、通常、「ＷＯＲＭ」（例えば、「ＣＤ−Ｒ」又は「ＤＶＤ−Ｒ」）と称される；これらの用語は、本明細書中でも同様の意味で使用されている。
【０００２】
７７０〜８３０ｎｍの波長で書き込み可能なコンパクトディスクは、「光学データ記憶装置  １９８９」、Technical Digest Series、第１巻、４５（１９８９）から公知であり、それらの多くの改良型が市販されている。しかし、６００〜７００ｎｍの範囲で放射する、より最近のコンパクトな高性能赤色ダイオードレーザを使用することによって、原理上は、データ格納密度において５〜８倍の改良を達成することが可能である。ここで、トラックピッチ（情報トラックの２回転間の距離）及びビットサイズは、従来のＣＤと比較して、ほぼ半分の値まで減少可能である。
【０００３】
しかし、ＣＤ−ＲからＤＶＤ−Ｒへ、及びさらに青色レーザに適合する光学メディアへの非常に望ましい進化により、使用される記録層に対して顕著に高い要求、例えば、高い屈折率、異なる長さのパルス持続時間でのスクリプト均一性とともに、日光における高い光安定性、同時に、高エネルギーレーザー照射に対する高い感受性が付与される。既知の記録層は、完全に満足な程度までの性質を有さない。
【０００４】
オクタフェニルポリフィラジン、及びフタロシアニンと類似の化学的性質を有するものは、冷有機溶媒中で適切な溶解性を有するという点を除き、A.H.Cook及びR.P.Linstead（J.Chem.Soc.、１９３７、９２９〜９３３）に開示されている。
【０００５】
米国特許第５９９８０９３号は、光学記録メディアにおけるポリフィラジンの使用を提案する。しかし、周囲の基の少なくとも１つが、ハロゲン、シアノ又は置換されたアルコキシもしくは置換されていないアルコキシであることが必要である。それに加えて、優れた記録性能及び再生性能は、低い分解温度という理由で、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ又はＶ（＝Ｏ）を用いた場合にのみ与えられる。示される構造のいくつかは、溝を掘られたポリカーボネートディスク上で、以下
【０００６】
【化１４】
2005511344.tif 000003
【０００７】
を含むメチルシクロヘキサン、２−メトキシ−エタノール、エチルメチルケトン及びテトラヒドロフランの溶液からコーティングされている。しかし、量は与えられておらず、６３５ｎｍのレーザを用いて書き込まれている。
【０００８】
ＷＯ０１／４７７１９の比較例Ａ−１〜Ａ−３は、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−テトラアザ−パラジウム（ＩＩ）ポルフィリン及び光学記録メディアにおけるそれらの使用を開示している。Ｐｄ（ＩＩ）は、ｄ殻を占める最外殻に８個の電子を有する遷移金属カチオン（ｄ8）である。
【０００９】
ＪＰ−Ａ−２００１／２８７４６０は、光学記録メディアにおいて、アキシャル位に配位したＮ含有芳香族複素環を有するジアザ−ポルフィリンの使用を開示している。満足な純度の化合物を調製可能な合成例は与えられていない。ピットは、Ｃ／Ｎ比４０ｄｂ以上で書き込み可能であり、読み出し可能である。しかし、光学記録のために実際に使用される性質（例えば、ジッター又はＰＩｓｕｍ８）は、いまだ完全に満足なレベルではない。
【００１０】
ＥＰ−１１８９２１８及びＪＰ−Ａ−２００２／１９２８３４は、本発明の優先日の後に公開された初期の特許出願である。
【００１１】
しかし、固体形態における既知の化合物の性質は、所望の性質、例えば、冷溶解性、結晶化傾向、及び吸収帯の高さ及び勾配を有していないことが特に示されている。
【００１２】
本発明の目的は、記録層が、優れた他の性能と組み合わせて高い記録性能を有する光学記録媒体を提供することである。記録媒体は、３００〜７００ｎｍ（好ましくは、３５０〜５００ｎｍ又は６００〜７００ｎｍ、特に３５０〜４５０ｎｍ又は６３０〜６９０ｎｍ）の範囲の同一波長で、エラーはできる限り少なく、高速で書き込み可能かつ読み出し可能であるべきである。
【００１３】
非常に驚くべきことに、記録層として特定のポリフィラジンを使用することによって、既知の記録メディアよりも驚くべき良好な性質を有する光学記録媒体を提供することが可能であった。
【００１４】
それ故に、本発明は、基板と記録層とを備える光学記録媒体に関し、ここで、記録層は、下式の錯体を含み、
【００１５】
【化１５】
2005511344.tif 000004
【００１６】
Ｑ2-は、式
【００１７】
【化１６】
2005511344.tif 000005
【００１８】
の配位子又はそれらの互変異性体であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はそれぞれ他と独立して、Ｈ、ハロゲン、シアノ、ＣＯＯＲ9、ＣＯＮＨＲ9、ＣＯＮＲ9Ｒ10、Ｒ9、ＯＲ9、ＳＲ9、ＮＨＲ9又はＮＲ9Ｒ10であり、ここで、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ他と独立して、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ4〜Ｃ9ヘテロアリール又は直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニル、Ｃ2〜Ｃ24アルキニル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルケニル、Ｃ7〜Ｃ24アラルケニル又はＣ7〜Ｃ24アラルキルであり、これらの各々は置換されていなくても置換されていてもよく、また、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ4、Ｒ5及びＲ6、並びにＲ7及びＲ8は互いに独立して、直接結合によって、又はＯブリッジ若しくはＳブリッジを介して結合することが可能であり、
Ｍm+は、ｄ殻を占める最外殻に５又は６個の電子を有する遷移金属カチオンであり、
Ｌ1は、サブ構造Ｎ−Ｃ、Ｐ−Ｃ又はＡｓ−Ｃを有する配位子であり、
Ｌ2はＬ1と独立して、少なくとも１個のヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含むさらなる配位子であり、
Ｌ3-は、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ1−Ｏ-、Ｌ1−Ｓ-、Ｌ1−ＣＯ2-、Ｌ1−ＳＯ3-、又はＬ1−ＰＯ3-であり、
Ｌ4-はＬ3-と独立して、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ3−Ｏ-、Ｌ3−Ｓ-、Ｌ3−ＣＯ2-、Ｌ3−ＳＯ3-、又はＬ3−ＰＯ3-であり、
ｐ及びｑはそれぞれ他と独立して、０又は１の数であり、
【００１９】
【化１７】
2005511344.tif 000006
【００２０】
はそれぞれ対イオンであり、ｍは、Ｍm+の陽電荷に等しい１、２、３、又は４の数であり、ｎは、−２、−１、＋１又は＋２の数であり、その結果、商
【００２１】
【化１８】
2005511344.tif 000007
【００２２】
は負ではない。
【００２３】
Ｒ9及びＲ10の置換基は、任意の所望の置換基であってよく、例えば、ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ8アルキルチオ、シアノ、ＣＯＯＲ11又はＰ（Ｏ）ＯＲ11Ｒ12であってよく、ここで、Ｒ11及びＲ12はそれぞれ互いに独立して、直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ7〜Ｃ24アラルキル、Ｃ6〜Ｃ10アリール又はＣ4〜Ｃ9ヘテロアリールである。これらの置換基はまた、それ自身が置換されていてもよく、例えば、ハロゲン、ヒドロキシ、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシカルボニル、Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ又はジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノで置換されていてもよい。本明細書中で他に開示される全ての置換基もまた、Ｒ9又はＲ10として考慮される。
【００２４】
式（Ｉａ）、（Ｉｂ）及び（Ｉｃ）の錯体は、配位金属錯体である。
【００２５】
ｄ殻を占める最外殻に５又は６個の電子を有する遷移金属カチオンは、しばしば、テキスト中では「ｄ5」又は「ｄ6」カチオンとも称され、例えば、Ｍｎ+、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ3+、Ｃｏ4+、Ｒｕ2+、Ｒｕ3+、Ｏｓ2+、Ｏｓ3+及びＲｈ4+である。好ましくは、ｄ殻を占める最外殻に６個の電子を有する遷移金属カチオン（「ｄ6」）、特に、Ｆｅ2+又はＣｏ3+、さらに好ましくはＦｅ2+が与えられる。
【００２６】
アルキル、アルケニル又はアルキニルは、直鎖又は分枝であってもよい。アルケニルは、一不飽和（mono-unsaturated）又は多不飽和（poly-unsaturated）のアルキルであり、ここで、２つ以上の二重結合が分割されているか又は共役していてもよい。アルキニルは、１つ以上二重に不飽和であるアルキル又はアルケニルであり、ここで、三重結合は、分割されているか又は他の三重結合若しくは二重結合と共役していてもよい。シクロアルキル又はシクロアルケニルはそれぞれ、一環式若しくは多環式のアルキル又はアルケニルである。
【００２７】
それ故に、Ｃ1〜Ｃ24アルキルは、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イロプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、２−メチル−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、ｎ−ヘキシル、ヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘンエイコシル（heneicosyl）、ドコシル、又はテトラコシルであってもよい。
【００２８】
それ故に、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキルは、例えば、シクロプロピル、シクロプロピル−メチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキシル−メチル、トリメチルシクロヘキシル、ツジル、ノルボルニル、ボルニル、ノルカリル、カリル、メンチル、ノルピニル（norpinyl）、ピニル（pinyl）、１−アダマンチル、２−アダマンチル、５α−ゴニル（gonyl）、５ε−プレグニル（pregnyl）、（＋）１，３，３−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプチル（フェンキル）、又は、適用可能な場合、それらの光学鏡像体であってもよい。
【００２９】
Ｃ2〜Ｃ24アルケニルは、例えば、ビニル、アリル、２−プロペン−２−イル、２−ブテン−１−イル、３−ブテン−１−イル、１，３−ブタジエン−２−イル、２−ペンテン−１−イル、３−ペンテン−２−イル、２−メチル−１−ブテン−３−イル、２−メチル−３−ブテン−２−イル、３−メチル−２−ブテン−１−イル、１，４−ペンタジエン−３−イル、又は、ヘキセニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ドデセニル、テトラデセニル、ヘキサデセニル、オクタデセニル、エイコセニル、ヘンエイコセニル（heneicosenyl）、ドコセニル、テトラコセニル、ヘキサジエニル、オクタジエニル、ノナジエニル、デカジエニル、ドデカジエニル、テトラデカジエニル、ヘキサデカジエニル、オクタデカジエニル又はエイコサジエニルの任意の所望の異性体である。
【００３０】
Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニルは、例えば、２−シクロブテン−１−イル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、３−シクロヘキセン−１−イル、２，４−シクロヘキサジエン−１−イル、１−ｐ−メンテン−８−イル、４（１０）−ツゼン（thujen）−１０−イル、２−ノルボルネン−１−イル、２，５−ノルボルナジエン−１−イル、７，７−ジメチル−２，４−ノルカラジエン−３−イル又はカンフェニルである。
【００３１】
Ｃ1〜Ｃ24アルコキシは、Ｏ−Ｃ1〜Ｃ24アルキルであり、Ｃ1〜Ｃ24アルキルチオは、Ｓ−Ｃ1〜Ｃ24アルキルである。
【００３２】
Ｃ2〜Ｃ24アルキニルは、例えば、１−プロピン−３−イル、１−ブチン−４−イル、１−ペンチン−５−イル、２−メチル−３−ブチン−２−イル、１，４−ペンタジイン−３−イル、１，３−ペンタジイン−５−イル、１−ヘキシン−６−イル、ｃｉｓ−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、ｔｒａｎｓ−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、１，３−ヘキサジイン−５−イル、１−オクチン−８−イル、１−ノニン−９−イル、１−デシン−１０−イル又は１−テトラコシン−２４−イルである。
【００３３】
Ｃ7〜Ｃ24アラルキルは、例えば、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、９−フルオレニル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−オクチル、ω−フェニル−ドデシル又は３−メチル−５−（１′，１′，３′，３′−テトラメチル−ブチル）−ベンジルである。Ｃ7〜Ｃ24アラルキルはまた、例えば、２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチル−ベンジル又は１−（３，５−ジベンジル−フェニル）−３−メチル−２−プロピルであってもよい。Ｃ7〜Ｃ24アラルキルが置換されている場合、アラルキル基のアルキル部分又はアリール部分のいずれかが置換可能であり、アリール部分が置換されていることが好ましい。
【００３４】
Ｃ6〜Ｃ24アリールは、例えば、フェニル、ナフチル、ビフェニルイル、２−フルオレニル、フェナントリル、アントラセニル又はテルフェニルイルである。
【００３５】
さらに、アリール及びアラルキルはまた、金属に結合する芳香族であってもよく、例えば、それ自体が既知の繊維金属のメタロセン形態において、さらに特定的には、
【００３６】
【化１９】
2005511344.tif 000008
【００３７】
〔式中、Ｒ13は、ＣＨ2ＯＨ、ＣＨ2ＯＲ11、ＣＯＯＨ、ＣＯＯＲ11、又はＣＯＯ-〕である。
【００３８】
Ｃ4〜Ｃ12ヘテロアリールは、４ｎ＋２共役π電子を有する不飽和基又は芳香族基であり、例えば、２−チエニル、２−フリル、１−ピラゾリル、２−ピリジル、２−チアゾリル、２−オキサゾリル、２−イミダゾリル、イソチアゾリル、トリアゾリル、又はチオフェン、フラン、ピリジン、チアゾール、オキサゾール、イミダゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン及びベンゼン環からなる任意の他の環、及び置換されていないか、又は１〜６個のエチル、メチル、エチレン及び／もしくはメチレン置換基によって置換された芳香族基である。
【００３９】
Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキル又はＣ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルケニルは、不飽和の環系基、又は部分的に不飽和の環系基であり、例えば、テトラゾリル、ピロリジル、ピペリジル、ピペラジニル、イミダゾリニル、ピラゾリジニル、ピラゾリニル、モルホリニル、キヌクリジニル、又は一水素化又は多水素化される別のＣ4〜Ｃ12ヘテロアリールである。
【００４０】
ハロゲンは、塩素、臭素、フッ素又はヨウ素であり、好ましくは、塩素又は臭素である。
【００４１】
Ｒ1〜Ｒ7は、好ましくは、フェニル又はナフチル、特にフェニルである。Ｒ8はまた、好ましくは、フェニル又はナフチル、特にフェニルである。Ｒ1〜Ｒ8は、好ましくは、置換されていないか、又はハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、Ｚ1、ＯＺ1、ＳＺ1、ＮＨＺ1、ＮＺ1Ｚ2、ＣＨＯ、ＣＨＯＺ1ＯＺ2、ＣＨＮＺ1、ＣＯ2Ｈ、ＣＯ2Ｚ1、ＣＯＮＨＺ1、ＣＯＮＺ1Ｚ2、ＳＯ2Ｚ1、ＳＯ2ＮＨＺ1、ＳＯ2ＮＺ1Ｚ2、ＳＯ3Ｚ1、Ｐ（Ｏ）ＯＺ1ＯＺ2、Ｏ−Ｐ（Ｏ）ＯＺ1ＯＺ2、Ｃ1〜Ｃ6アルキレン−ＯＨ又はＣ1〜Ｃ8アルキレン−ＯＺ1によって１〜３回置換されており、ここで、Ｚ1及びＺ2はそれぞれ他と独立して、中断していないか、又は１〜３個の酸素及び／又はケイ素原子によって中断されているＣ1〜Ｃ24アルキルであり、Ｚ1及びＺ2は、置換されていないか、又は部分的にフッ素化されているか、又はペルフルオロ化されているか、又は１つもしくは２つのヒドロキシ置換基又はメタロセン基によって置換されている。Ｚ1及びＺ2は、特に、
【００４２】
【化２０】
2005511344.tif 000009
【００４３】
である。ここで、Ｄは、
【００４４】
【化２１】
2005511344.tif 000010
【００４５】
である。
Ｒ13は、ＣＨ2ＯＨ、ＣＨ2ＯＲ11、ＣＯＯＨ、ＣＯＯＲ11又はＣＯＯ-であり、Ｒ14は、Ｃ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル又はＣ2〜Ｃ24アルキニルであり、それらの各々は、中断していないか、又は１〜３個の酸素及び／又はケイ素原子で中断されているか、又はＣ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニル、Ｃ7〜Ｃ24アラルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｃ4〜Ｃ12ヘテロアリール又はＣ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキルである。
【００４６】
メタロセニル基は、好ましくは、金属としてＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕを含むか、又は特にＦｅを含む。
【００４７】
Ｃ6〜Ｃ24アリールとしてのＲ14の例は、下式のメタロセニル基である。
【００４８】
【化２２】
2005511344.tif 000011
【００４９】
金属Ｍm+の周りの配位子Ｑ2-、Ｌ1、Ｌ3-、適用可能な場合、Ｌ2及びＬ4-の幾何学的配置は、互いに無関係である。というのは、均一な結晶格子の形成は望ましくないからである。光学記録メディアのコーティングのために、（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の錯体は、好ましくは、むしろアモルファス形態で得られ、これらの構造は、観察不可能である。溶媒を迅速に蒸発すると、全ての可能な位置異性体が固体中で互いに凍結することが予想され、Ｌ1、Ｌ3-、及び適用可能な場合、Ｌ2及びＬ4-が、Ｑ2-に対してアンチ又はシンのいずれかに位置することが可能である。
【００５０】
Ｌ2及びＬ4-は任意の配位子であり、例えば、ＷＯ−９６／２４６２９に開示されているものである。これらはしばしば、配位結合していない配位部位で、配位子Ｑ2-及びＬ1又はＬ3-が追加されたヘテロ原子含有溶媒である。これらの数は、遷移金属、遷移金属の酸化数、及びＬ1又はＬ3-の特徴的な性質に依存する。しかし、好ましくは、適用可能な場合、Ｌ2はＬ1と独立して、さらなる配位子Ｌ1であり、Ｌ4-はＬ3-と独立して、さらなる配位子Ｌ3-である。特に、ｐ及びｑは１であり、Ｌ1はＬ2と同一であり、Ｌ3-はＬ4-と同一である。
【００５１】
サブ構造Ｎ−Ｃ又はＰ−Ｃを含むＬ1は、一重に不飽和であるか、又は、好ましくは、二重に不飽和であるか、又は一部分飽和であるか、又は、好ましくは不飽和環であってもよい。
【００５２】
複素環配位子Ｌ1の例は、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インドール、イソインドール、インドリジン、インダゾール、プリン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、１，８−ナフチリジン、フタラジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、カルバゾール、β−カルボリン、アクリジン、フェナントリジン、ペリミジン、１，７−フェナントロリン、フェナジン、フェナルサジン、フェノチアジン、フェノキサジン、オキサゾール、イソキサゾール、ホスホインドール、チアゾール、イソチアゾール、フラザン、ピロリジン、ピペリジン、２−ピロリン、３−ピロリン、イミダゾリジン、２−イミダゾリン、４−イミダゾリン、ピラゾリジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、ピペリジン、ピペラジン、インドリン、イソインドリン、キヌクリジン、モルホリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ホスフィノリン及びホスホインドリンであり、それらの各々が、置換されていないか、又はＲ9によって置換されていてもよい。
【００５３】
しかし、好ましい配位子Ｌ1は、ニトリル、イソニトリル、フルミネート、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、アゾメチン（azomethine）、オキシム、ヒドラゾン、セミカルバゾン、イミン、アミジン及びアミドオキシムである。これらの官能基に結合するのは、好ましくは、直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ7〜Ｃ24アラルキル、Ｃ6〜Ｃ10アリール又はＣ4〜Ｃ9ヘテロアリールであり、それらの各々が、置換されていないか、又は置換されていてもよい。
【００５４】
好ましい配位子アニオンＬ3-及びＬ4-は、ＣＮ-、ＳＣＮ-及びＮＣＳ-であり、特に式（Ｉｃ）において、対イオン
【００５５】
【化２３】
2005511344.tif 000012
【００５６】
として一級、二級、三級又は四級アンモニウムを有する。
【００５７】
Ｌ1は、非常に特定的には、式Ｒ15−Ｎ+≡Ｃ-のイソニトリルであり、式中、Ｒ15は、置換されていないか又は置換されており、直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ7〜Ｃ24アラルキル、Ｃ6〜Ｃ10アリール又はＣ4〜Ｃ9ヘテロアリールである。それらの置換基は、適用可能な場合、例えば、Ｒ11又はＲ12の場合と同一である。
【００５８】
ｎが−２又は−１である対イオンはアニオンであり；ｎが＋１又は＋２である対イオンはカチオンである。上つきのｎは、対イオンの電荷であり、符号は、数の前又は後のいずれに書かれていても同じものであるとみなされる。数ｎが比である場合、明確にするために、正の符号は省くことが慣例である。
【００５９】
【化２４】
2005511344.tif 000013
【００６０】
は、有利には、電荷を調整するための定量的な必要性において、無機、有機、又は有機金属対イオンを示し、例えば、鉱酸のアニオン又は有機酸の共役塩基、例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、過塩素酸塩、過ヨウ素酸塩、硝酸塩、１／２炭酸塩、炭酸水素塩、Ｃ1〜Ｃ4アルキル硫酸塩、１／２硫酸塩、硫酸水素塩、モノアルカリ金属硫酸塩、メタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、１／２モノアルカリ金属リン酸塩、ジアルカリ金属リン酸塩、１／２リン酸水素塩、リン酸二水素塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、１／２Ｃ1〜Ｃ4アルカンホスホネート、Ｃ1〜Ｃ4アルカン−Ｃ1〜Ｃｌ2アルキル−ホスホネート、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルホスフィネート、テトラフェニルボレート、テトラフルオロボレート、アセテート、トリフルオロアセテート、ヘプタフルオロブチレート、１／２オキサレート、ベンゼンスルホネート、トシレート、ｐ−クロロベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロベンゼン−スルホネート、アルコーレート、フェノレート（例えば、それらのフェノレート）、カルボキシレート（また、例えば、ベンゾエート）、スルホネート又はホスホネート、又はＨ+、Ｌｉ+、Ｋ+、Ｎａ+、Ｍｇ+2、Ｃａ+2、Ｓｒ+2、Ａｌ+3のようなカチオン、あるいは一級、二級、三級又は四級アンモニウム、例えば、
【００６１】
【化２５】
2005511344.tif 000014
【００６２】
であり、式中、Ｒ1′〜Ｒ4′は、Ｒ1〜Ｒ4と独立して、さらに基Ｒ1〜Ｒ4であってもよく、好ましくは、Ｈ又はＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ7〜Ｃ24アラルキル又はＣ6〜Ｃ10アリールであり、置換されていないか、又はヒドロキシによって置換されていてもよく、中断していないか、又は酸素によって１回以上中断されていてもよい。
【００６３】
フェノレート又はカルボキシレートは、例えば、
【００６４】
【化２６】
2005511344.tif 000015
【００６５】
のようなＣ1〜Ｃ12アルキル化フェノール、特に、ｔｅｒｔ−Ｃ4〜Ｃ8アルキル化フェノール及び安息香酸のアニオンである。
【００６６】
当業者は、有名な他の対イオンもまた使用可能であることを容易に理解する。
【００６７】
【化２７】
2005511344.tif 000016
【００６８】
が０と等しくない場合、電荷ｎを有するカチオン又はアニオンＸの数が、例えば、１／２・ＳＯ42-（ｎ＝−２）又は１／２・Ｍｇ2+（ｎ＝＋２）を示すことが理解される。複数の電荷を有する対イオンは、１個の電荷を有する複数のカチオンもしくはアニオン、又は１個の複数の電荷を有するカチオンもしくはアニオンを中和することが可能である。ある場合には、例えば、ダイマーも形成可能である。
【００６９】
【化２８】
2005511344.tif 000017
【００７０】
が有機金属アニオンである場合、好ましくは、式［（Ｌ5）Ｅ1（Ｌ6）］n-（ＩＩＩ）又は［（Ｌ7）Ｅ2（Ｌ8）］-（ＩＶ）の金属錯体であり、式中、Ｅ1及びＥ2は遷移金属であり、Ｅ1は、好ましくは、Ｃｒ3+又はＣｏ3+であり、Ｅ2は、好ましくは、Ｎｉ2+、Ｃｏ2+、又はＣｕ2+であり、ｎは１〜６の数であり、Ｌ5及びＬ6はそれぞれ他と独立して、
【００７１】
【化２９】
2005511344.tif 000018
2005511344.tif 000019
【００７２】
の配位子であり、
Ｌ7及びＬ8はそれぞれ他と独立して、式
【００７３】
【化３０】
2005511344.tif 000020
【００７４】
の配位子であり、
Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20及びＲ21はそれぞれ他と独立して、水素、ハロゲン、シアノ、Ｒ24、ＮＯ2、ＮＲ24Ｒ25、ＮＨＣＯ−Ｒ24、ＮＨＣＯＯＲ24、ＳＯ2−Ｒ24、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2ＮＨＲ24、ＳＯ2ＮＲ24Ｒ25、ＳＯ3-又はＳＯ3Ｈであり、好ましくは、水素、塩素、ＳＯ2ＮＨ2又はＳＯ2ＮＨＲ24であり、Ｒ22及びＲ23はそれぞれ他と独立して、ＣＮ、ＣＯＮＨ2、ＣＯＮＨＲ24、ＣＯＮＲ24Ｒ25、ＣＯＯＲ24又はＣＯＲ24であり、ここで、Ｒ24及びＲ25はそれぞれ他と独立して、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ−Ｃ2〜Ｃ12アルキル、Ｃ7〜Ｃ12アラルキル又はＣ6〜Ｃ12アリールであり、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ4アルキルであり、それぞれは、置換されていないか、又はヒドロキシ、ハロゲン、スルファト、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ6アルキルチオ、Ｃ1〜Ｃ6アルキルアミノ又はジ−Ｃ1〜Ｃ6アルキルアミノによって置換されており、あるいはＲ24及びＲ25はともに、Ｃ4〜Ｃ10ヘテロシクロアルキルであり；Ｒ16及びＲ17、Ｒ18及びＲ19、及び／又はＲ20及びＲ21は、５又は６員環を形成する様式で互いに対になって結合することも可能である。
限定としての説明ではないが、米国特許第５２１９７０７号、ＪＰ−Ａ−０６／１９９０４５及びＪＰ−Ａ−０７／２６２６０４中に開示される個々の化合物に対する例示を用いて、参照がなされる。有機金属アニオンとしての
【００７５】
【化３１】
2005511344.tif 000021
【００７６】
は、好ましくは、
【００７７】
【化３２】
2005511344.tif 000022
2005511344.tif 000023
2005511344.tif 000024
【００７８】
である。
【００７９】
しかし、例えば、配位子Ｌ5及びＬ6としてのフェノール性アゾ化合物又はフェニルカルボン酸性アゾ化合物を含む任意の他の既知の遷移金属錯体アニオンを使用することも可能である。
【００８０】
本発明にしたがって使用される配位子Ｑ2+、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3-、Ｌ4-、Ｌ5、Ｌ6、Ｌ7及びＬ8のほとんどは、既知である；例えば、いくつかのＱ2+は、Transition Met.Chem.１４、３４１〜３４６（１９８９）、Russian Journal of Coordination Chemistry ２３／９、６２３〜６２８（１９９７）又はRussian Journal of General Chemistry ６９／２、３０８〜３１３（１９９９）から既知である；いくつかは新規であるが、これらの化合物は、それ自体が公知の方法を用いて公知の化合物から調製することも可能である。
【００８１】
本発明に係る式（Ｉａ）、（Ｉｂ）及び（Ｉｃ）の錯体は、驚くべきことに、光学記録メディア中で使用される場合、固体フィルムの形態を有する。凝集傾向は、このような化合物では驚くほど低く、２種類の狭くて強い吸収帯は、３２０〜４２０ｎｍ及び５４０〜６４０ｎｍで最大値を有し、長波長側で特に急な勾配の吸収帯を有する。吸収帯の相対的に長い波長のフランクで、屈折率は高く、好ましくは、３８０〜４５０ｎｍの範囲で１．８〜２．５のピーク値、６００〜７００ｎｍの範囲で２．０〜３．０のピーク値を達成し、その結果、所望のスペクトル範囲において、高い反射率及び高い感度及び良好な再生特徴を有する媒体が達成可能である。書き込み波長及び読み出し波長の範囲において、層の反射率は、書き込まれていない状態では高い。
【００８２】
優れた層の性質に基づいて、高い感度、高い再現性及び幾何学的に非常に正確に規定されたマーク、高いレベルのコントラストを与える実質的に変化する屈折率及び反射率を有する、迅速な光学的記録を得ることが可能である。マーク長及びインターバル距離（「ジッタ」）の違いは非常に小さく、狭いトラック空間（「ピッチ」）を有する比較的薄い記録溝を用いて得られる高い記録密度が可能である。それに加えて、記録されたデータは、驚くべき低いエラー率で再現可能であり、その結果、エラー修正には、少量の記録スペースしか必要としない。
【００８３】
非極性溶媒を含む溶媒への溶解性に基づいて、溶液は、例えば、記録中に、問題となる析出なしに高い濃度でさえ使用可能である。その結果、スピンコーティング中の問題はほとんど解消されている。
【００８４】
基板は、基板に塗布される層のための支持体として機能する。基板は、有利には、半透明性（Ｔ≧１０％）であるか、又は好ましくは、透明（Ｔ≧９０％）である。支持体は、０．０１〜１０ｍｍの厚みを有してもよく、好ましくは、０．１〜５ｍｍの厚みを有する。
【００８５】
記録層は、好ましくは、透明基板と反射層との間に配置される。記録層の厚みは、１０〜１０００ｎｍ、好ましくは、３０〜３００ｎｍ、特に約８０ｎｍ、例えば、６０〜１２０ｎｍである。記録層の吸収度は、典型的には、吸収最大値で０．１〜１．０である。この層の厚みは、読み出し波長で、書き込まれていない状態及び書き込まれた状態でのそれぞれの屈折率に依存して、書き込まれていない状態では干渉が強められた状態であるが、書き込まれた状態では、逆に干渉が弱められた状態であるように、公知の様式で非常に特定的に選択される。
【００８６】
反射層は、厚みは１０〜１５０ｎｍであってもよく、好ましくは、高い屈折率（Ｒ≧５０％、特にＲ≧６０％）を有するとともに、低い透明度（Ｔ≦１０％）を有する。さらなる実施形態において、例えば、複数の記録層を備えるメディアの場合には、反射層は、同様に半透明であってもよく、すなわち、比較的高い透明度（例えば、Ｔ≧５０％）及び低い反射率（例えば、Ｒ≦４５％）を有してもよい。
【００８７】
最上位層、例えば、層構造に依存して反射層又は記録層は、有利には、０．１〜１０００μｍ、好ましくは、０．１〜５０μｍ、特に０．５〜１５μｍの厚みを有する保護層とともに追加的に提供される。このような保護層は、所望な場合には、保護層に適用される第２の基板層のための接着促進剤として供され、保護層は、好ましくは、０．１〜５ｍｍの厚みであり、支持基板と同一材料からなる。
【００８８】
完全な記録媒体の反射率は、好ましくは、少なくとも１５％であり、特に少なくとも４０％である。
【００８９】
本発明に係る記録層の主な特徴は、レーザダイオードの波長範囲において、非常に高い初期反射率であり、特に高い感受性；高い屈折率；固体状態での狭い吸収帯；異なるパルス持続時間でのスクリプト幅の良好な均一性；良好な光安定性；及び極性溶媒中の良好な溶解度を有した状態で改変されてもよい。
【００９０】
式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の染料の使用は、有利には、均一な、アモルファスの、及び高い屈折率を有する低スキャッタの記録層を生じる。吸収エッジは、驚くべきことに、固体相においてさえ特に急である。さらなる利点は、日光中、及び低い出力密度のレーザ照射の下での高い光安定性とともに、高い出力密度のレーザ照射下での高い感受性、均一なスクリプト幅、高いコントラストを有することであり、また、良好な熱安定性及び記憶安定性を有することである。
【００９１】
新規化合物は同様に、本発明の主題としてみなされる。
【００９２】
それ故に、本発明はまた、式
【００９３】
【化３３】
2005511344.tif 000025
【００９４】
の錯体に関し、
式中、
Ｑ2-は、式
【００９５】
【化３４】
2005511344.tif 000026
【００９６】
の配位子又はそれらの互変異性体であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はそれぞれ他と独立して、Ｈ、ハロゲン、シアノ、ＣＯＯＲ9、ＣＯＮＨＲ9、ＣＯＮＲ9Ｒ10、Ｒ9、ＯＲ9、ＳＲ9、ＮＨＲ9又はＮＲ9Ｒ10であり、ここで、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ他と独立して、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ4〜Ｃ9ヘテロアリール又は直鎖若しくは分枝のＣ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ3〜Ｃ24シクロアルケニル、Ｃ2〜Ｃ24アルキニル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルキル、Ｃ1〜Ｃ12ヘテロシクロアルケニル、Ｃ7〜Ｃ24アラルケニル又はＣ7〜Ｃ24アラルキルであり、これらの各々は置換されていなくても置換されていてもよく、また、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ4、Ｒ5及びＲ6、並びにＲ7及びＲ8は互いに独立して、直接結合によって、又はＯブリッジ若しくはＳブリッジを介して結合することも可能であり、
Ｍm+は、ｄ殻を占める最外殻に５又は６個の電子を有する遷移金属カチオンであり、
Ｌ1は、サブ構造Ｎ−Ｃ、Ｐ−Ｃ又はＡｓ−Ｃを有する配位子であり、
Ｌ2はＬ1と独立して、少なくとも１個のヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含むさらなる配位子であり、
Ｌ3-は、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ1−Ｏ-、Ｌ1−Ｓ-、Ｌ1−ＣＯ2-、Ｌ1−ＳＯ3-、又はＬ1−ＰＯ3-であり、
Ｌ4-はＬ3-と独立して、ＣＮ-、ＳＣＮ-、ＮＣＳ-、ＯＣＮ-、ＮＣＯ-、Ｎ3-、Ｌ3−Ｏ-、Ｌ3−Ｓ-、Ｌ3−ＣＯ2-、Ｌ3−ＳＯ3-、又はＬ3−ＰＯ3-であり、
ｐ及びｑはそれぞれ他と独立して、０又は１の数であり、
【００９７】
【化３５】
2005511344.tif 000027
【００９８】
はそれぞれ対イオンであり、ｍは、Ｍm+の陽電荷に等しい１、２、３、又は４の数であり、ｎは、−２、−１、＋１又は＋２の数であり、その結果、商
【００９９】
【化３６】
2005511344.tif 000028
【０１００】
は負ではなく、ただし、以下
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は全てフェニルであり、ＭはＦｅ（ＩＩ）、Ｒｕ（ＩＩ）又はＯｓ（ＩＩ）であり、Ｌ1及びＬ2はともにピリジンであるか、又は
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は全てフェニル又はｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニルであり、ＭはＦｅ（ＩＩ）であり、Ｌ1及びＬ2はピラジン、ｔｅｒｔ−ブチルイソシアニド、シクロヘキシルイソシアニド、フェニルイソシアニド又は２，３，５，６−テトラメチルジイソシアノベンゼンである、
を除く。
【０１０１】
比較的大きい記録速度で、得られた結果は、驚くべきことに、従来の既知の記録メディアよりも良好である。マークは、周囲の媒体に対して相対的にさらに正確に規定され、熱的に誘発される変形は起こらない。エラー率（ＰＩｓｕｍ８、以前はＢＬＥＲ）及びマーク長における統計的変分はまた、通常の記録速度及び比較的大きい記録速度の両方で低く、その結果、エラーの無い記録及び再生が広い速度範囲にわたって達成可能である。大きい記録速度でさえ実質的に不良品は存在せず、記録メディアの読み出しは、エラーの修正によって遅くならない。６００〜７００ｎｍ、好ましくは、６３０〜６９０ｎｍ、特に６５０〜６７０ｎｍ、特に６５８±５ｎｍの範囲全体で、利点が得られる。
【０１０２】
好適な基板は、例えば、ガラス、鉱物、セラミック及び熱硬化性プラスチック又は熱可塑性プラスチックである。好ましい支持体は、ガラス及びホモポリマープラスチック又はコポリマープラスチックである。好適なプラスチックは、例えば、熱可塑性ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート及びポリメタクリレート、ポリウレタン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリビニリデンフルオリド、ポリイミド、熱硬化性ポリエステル及びエポキシ樹脂である。基板は、純粋な形態であってもよく、又は従来の添加剤、例えば、記録層の光安定剤として、例えばＪＰ０４／１６７２３９に提示されるようなＵＶ吸収剤又は染料を含んでもよい。後者の場合において、有利には、染料は、少なくとも１０ｎｍ、好ましくは、少なくとも２０ｍｍ、記録層の染料に対して吸収最大値が浅色側にシフトした吸収を有するように、支持基板に添加されてもよい。
【０１０３】
基板は、有利には、６００〜７００ｎｍの範囲の少なくとも一部分にわたって透明であり（好ましくは、上述のように）、その結果、書き込み波長又は読み出し波長の入射光の少なくとも９０％を透過可能である。基板は、好ましくは、コーティング側で、らせん型の溝を有し、このらせん型の溝の深さは５０〜５００ｎｍ、溝の幅は０．２〜０．８μｍであり、２回転のトラック空間は、０．４〜１．６μｍであり、特に、溝の深さ１００〜２００ｎｍ、溝の幅０．３μｍ及び２回転の間隔０．６〜０．８μｍを有する。それ故に、本発明に係る記録メディアは、従来のマーク幅０．４μｍ及びトラック空間０．７４μｍを有するＤＶＤメディアの光学記録のために特に有利であり、適切である。既知のメディアと比較して記録速度が増加していることにより、同期式記録、又は特定の効果のために、優れた画質を有するビデオシーケンスの記録の促進でさえ可能にする。
【０１０４】
記録層はまた、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の単一化合物を含むかわりに、例えば、本発明に係る２，３，４又は５ポリフィラジン染料を有するこのような化合物の混合物を含んでもよい。混合物、例えば、異性体又は同族体の混合物ならびに異なる構造の混合物を使用することによって、溶解度は、しばしば増加可能であり、そして／又はアモルファス含量が改良される。所望な場合、イオン対化合物の混合物は、異なるアニオン、異なるカチオン、又は異なるアニオン及び異なるカチオンの両方を有してもよい。
【０１０５】
安定性のさらなる増加に関して、所望な場合、従来の量で既知の安定剤、例えば、光安定剤としてＪＰ０４／０２５４９３に記載されるニッケルジチオレートを添加することも可能である。
【０１０６】
記録層は、有利には、屈折率に実質的な影響を有するのに十分な量で、例えば、少なくとも３０重量％、好ましくは、少なくとも６０重量％、特に、少なくとも８０重量％で、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）又はこのような化合物の混合物を含む。記録層は、特に価値あることには、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）又はこのような複数の化合物の混合物を主成分として含んでもよく、又は式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の１つ以上の化合物からもっぱら又は実質的になってもよい。
【０１０７】
さらなる慣習的な構成要素が可能であり、例えば、他の発色団（例えば、３００〜１０００ｎｍで吸収最大値を有するもの）、ＵＶ吸収剤及び／又は他の安定剤、遊離ラジカル捕捉剤（例えば、1Ｏ2）又は消光剤、融点低下剤、分解促進剤、あるいは光学記録メディアにおいてすでに記載されている任意の他の添加剤、例えば、フィルム形成剤が可能である。
【０１０８】
記録層がさらなる発色団を含む場合、このような発色団は、原理的には、記録中にレーザ照射によって分解又は変性可能な任意の染料であってもよいか、又はレーザ照射に対して不活性であってもよい。さらなる発色団がレーザ照射によって分解又は変性される場合、発色団の分解又は変性は、レーザ照射の吸収によって直接的に起こり得るか、又は、本発明に係る式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、又は（Ｉｃ）の化合物の分解、例えば熱分解によって間接的に誘発されてもよい。
【０１０９】
通常は、さらなる発色団又は着色安定剤は、記録層の光学性能に影響を与える場合がある。それ故に、記録層の光学性能が可能な限り大きいか、又は可能な形態とは異なり、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物の光学性能、又はさらなる発色団の量は小さく保たれる、さらなる発色団又は着色安定剤を使用することが好ましい。
【０１１０】
式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物の光学性能とできる限り異なる光学性能を有するさらなる発色団が使用される場合、好ましくは、最も長い波長の吸収フランクの範囲での場合であるべきである。好ましくは、さらなる発色団及び式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物の逆転温度の波長は、最大４０ｎｍ、特に、最大２０ｎｍ離れている。この場合には、さらなる発色団及び式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物は、レーザ照射に対して同様の挙動を示すべきであり、その結果、さらなる発色団として既知の記録剤を使用することが可能であり、それらの作用は、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物によって相乗的に高められる。
【０１１１】
式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物とは可能な限り異なる光学性能を有するさらなる発色団又は着色安定剤が使用される場合、有利には、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の染料に対して相対的に、浅色側又は深色側にシフトする吸収最大値を有する。この場合には、吸収最大値は、好ましくは、少なくとも５０ｎｍ、特に少なくとも１００ｎｍ離れている。それらの例は、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の染料に対して浅色のＵＶ吸収剤であるか、又は式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の染料に対して深色の、例えば、ＮＩＲ又はＩＲ範囲において、吸収最大値を有する着色安定剤である。他の染料はまた、色コード化された識別、色マスキング（「ダイヤモンド染料」）又は記録層の美的外観を高める目的で添加されてもよい。
【０１１２】
式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物の光学性能を改変するために別の発色団が添加される場合、添加される別の発色団の量は、達成される光学性能に依存する。当業者は、所望の結果を得るまでに、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物に対する追加の染料の比率を変動させることはほとんど困難ではないことがわかる。他の発色団に対する化合物又は式（Ｉａ）、（Ｉｂ）もしくは（Ｉｃ）の重量比は、一般的には、１：９９〜９９：１、好ましくは、１：９５〜９５：１、特に、３０：７０〜７０：３０、より特定的には、４０：６０〜６０：４０、例えば、５０：５０である。
【０１１３】
式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物に加えて記録層中で使用可能なさらなる発色団は、有利には、固体形態において、３５０〜６２０ｎｍの範囲で最大吸収（λmax）を有する。例は、シアニン及びシアニン金属錯体（米国特許第５９５８６５０号）、スチリル化合物（米国特許第６１０３３３１号）、オキソノール染料（ＥＰ−Ａ−０８３３３１４）、アゾ染料及びアゾ金属錯体（ＪＰ−Ａ−１１／０２８８６５）、フタロシアニン（ＥＰ−Ａ−０２３２４２７、ＥＰ−Ａ−０３３７２０９、ＥＰ−Ａ−０３７３６４３、ＥＰ−Ａ−０４６３５５０、ＥＰ−Ａ−０４９２５０８、ＥＰ−Ａ−０５０９４２３、ＥＰ−Ａ−０５１１５９０、ＥＰ−Ａ−０５１３３７０、ＥＰ−Ａ−０５１４７９９、ＥＰ−Ａ−０５１８２１３、ＥＰ−Ａ−０５１９４１９、ＥＰ−Ａ−０５１９４２３、ＥＰ−Ａ−０５７５８１６、ＥＰ−Ａ−０６００４２７、ＥＰ−Ａ−０６７６７５１、ＥＰ−Ａ−０７１２９０４、ＷＯ−９８／１４５２０、ＷＯ−００／０９５２２、ＰＣＴ／ＥＰ−０２／０３９４５）、ポルフィリン、ジピロメタン染料及びそれらの金属キレート化合物（ＥＰ−Ａ−０８２２５４４、ＥＰ−Ａ−０９０３７３３）、キサンテン染料及びそれらの金属錯体塩（米国特許第５８５１６２１号）又は二次酸（quadratic acid）化合物（ＥＰ−Ａ−０５６８８７７）、また、オキサジン、ジオキサジン、ジアザスチリル、ホルマザン、アントラキノン、又はフェノチアジン又は他のポリフィラジン（ＥＰ−Ａ−０８２２５４６、米国特許第５９９８０９３、ＪＰ−Ａ−２００１／２７７７２３）である；このリストは、全ての例を包括するものではなく、当業者は、このリストが、さらなる既知の染料、例えば、ＷＯ０１／７５８７３中に開示されるようなものを含むものであると解釈する。
【０１１４】
驚くべきことに、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物と他の発色団との固体形態における混合物は、３５０〜６２０ｎｍの範囲で最大吸収（λmax）を有し、純粋成分の場合と比較して、紫外線（ＵＶ）及び可視光（ＶＩＳ）に関しては改良された光安定性を示すことがわかった。式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物を添加することによって、他の発色団は、驚くべきことに、効果的に安定化される。
【０１１５】
それ故に、本発明はまた、３５０〜６２０ｎｍの範囲の最大吸収（λmax）を示す、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物及び別の発色団を固体形態で含む固体基板組成物に関する。ここで、他の発色団に対する式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物の重量比は、１：９９〜９９：１、好ましくは、１：９５〜９５：１、特に、３０：７０〜７０：３０、さらに特定的には、４０：６０〜６０：４０である。式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の複数の化合物及び／又は複数の他の発色剤が存在することも可能である。この場合には、重量比の計算は、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の全ての化合物の全重量及び全ての他の発色団の全重量に基づくべきである。他の発色団は、λmaxで少なくとも５０００のモル吸光係数εを有するが、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）には対応していない基質である。固体基板は、少なくとも２５°Ｃ以上の融点を有するか、又は、融解することなく熱分解する。
【０１１６】
基板組成物において、成分は、好ましくは、例えば、固体溶液又は塊の形態で互いに単離不可能に結合し、ここで、好ましくは、問題となる成分のアモルファス領域成分は、少なくとも１つの共通の界面を有する。例えば、他の成分のマトリックス中に１つの成分を含んでもよく、この場合には、この成分の１つ又は両方は、互いに独立して、結晶、好ましくは部分的に結晶、又は特にアモルファスである。これらの領域又は封入物は、例えば、混晶中の個々の分子であってもよく、又は同一成分のいくつかの分子を含んでいてもよく、例えば、１０-26〜１０-8ｍ3、好ましくは、１０-24〜１０-19ｍ3の体積を有してもよい。
【０１１７】
特に顕著には、他の発色団が基本構造
【０１１８】
【化３７】
2005511344.tif 000029
【０１１９】
〔ここで、置換されていないか、又は一座又は二座の基によって置換されていてもよい〕
を有する場合に、相互作用の結果が得られる。もちろん、二座の基は、追加の環を生じさせる。特に好ましいのは、米国特許第５８５１６２１号中に開示される基本構造（ＶＩＩＩ）を有する発色団である。
【０１２０】
発色団又は着色安定剤が他の目的で使用される場合、それらの量は、好ましくは、少なくあるべきであり、６００〜７００ｎｍの範囲での記録層の全吸収度に対するそれらの寄与は、最大２０％、好ましくは、最大１０％である。このような場合には、追加の染料又は安定剤の量は、有利には、記録層に基づいて、最大５０重量％、好ましくは、最大１０％である。
【０１２１】
さらなる特定の実施形態において、追加の発色団のかわりに、着色安定剤が、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物に添加される。
【０１２２】
安定剤、遊離ラジカル捕捉剤又は消光剤は、例えば、Ｎ−又はＳ−含有エノレート、フェノレート、ビスフェノレート、チオレート又はビスチオレートの金属錯体、アゾ、アゾメチン（azomethine）又はホルマザン染料の金属錯体、例えば、Ｉｒｇａｌａｎ  Ｂｏｒｄｅａｕｘ  ＥＬ（登録商標）、Ｃｉｂａｆａｓｔ  Ｎ（登録商標）又は同様の化合物、嵩高いフェノール及びそれらの誘導体（また、場合により、対イオン
【０１２３】
【化３８】
2005511344.tif 000030
【０１２４】
のようなもの）、例えば、Ｃｉｂａｆａｓｔ  ＡＯ（登録商標）、ｏ−ヒドロキシ−フェニル−トリアゾール又は−トリアジン又は他のＵＶ吸収剤、例えば、Ｃｉｂａｆａｓｔ  Ｗ（登録商標）又はＣｉｂａｆａｓｔ  Ｐ（登録商標）又は嵩高いアミン（ＴＥＭＰＯ又はＨＡＬＳは、また、ニトロオキシド又はＮＯＲ−ＨＡＬＳとして、また、場合により、対イオン
【０１２５】
【化３９】
2005511344.tif 000031
【０１２６】
のようなもの）、及び、カチオンジイモニウムとして、ＰａｒａｑｕａｔＴＭ又はＯｒｔｈｏｑｕａｔＴＭ塩、例えばＫａｙａｓｏｒｂ  ＩＲＣ  ０２２（登録商標）又はＫａｙａｓｏｒｂ  ＩＲＧ  ０４０（登録商標）である。Ｉｒｇａｌａｎ（登録商標）及びＣｉｂａｆａｓｔ（登録商標）ブランドは、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｚｉａｌｉｔａｔｅｎｃｈｅｍｉｅ  ＡＧから得られ、Ｋａｙａｓｏｒｂ（登録商標）ブランドは、Ｎｉｐｐｏｎ  Ｋａｙａｋｕ社から得られる。
【０１２７】
このような構造の多くは既知であり、これらのいくつかはまた、光学記録メディアに組み込まれて、例えば、米国特許第５２１９７０７号、ＪＰ−Ａ−０６／１９９０４５、ＪＰ−Ａ−０７／７６１６９又はＪＰ−Ａ−０７／２６２６０４から既知である。これらの構造は、任意の所望なカチオンを超えて開示される金属錯体アニオン塩、例えば、上述のカチオンであってもよい。
【０１２８】
また、好適なのは、中性金属錯体、例えば、式（Ｌ7）Ｅ2（Ｌ9）（Ｖ）、（Ｌ10）Ｅ2（Ｌ11）（ＶＩ）又はＥ2（Ｌ12）（ＶＩＩ）のものであり、ここで、Ｌ9は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル−ＯＨ、Ｃ6〜Ｃ12アリール−ＯＨ、Ｃ7〜Ｃ12アラルキル−ＯＨ、Ｃ1〜Ｃ12アルキル−ＳＨ、Ｃ6〜Ｃ12アリール−ＳＨ、Ｃ7〜Ｃ12アラルキル−ＳＨ、Ｃ1〜Ｃ12アルキル−ＮＨ2、Ｃ6〜Ｃ12アリール−ＮＨ2、Ｃ7〜Ｃ12アラルキル−ＮＨ2、ジ−Ｃ1〜Ｃ12アルキル−ＮＨ、ジ−Ｃ6〜Ｃ12アリール−ＮＨ、ジ−Ｃ7〜Ｃ12アラルキル−ＮＨ、トリ−Ｃ1〜Ｃ12アルキル−Ｎ、トリ−Ｃ6〜Ｃ12アリール−Ｎ又はトリ−Ｃ7〜Ｃ12アラルキル−Ｎであり、
Ｌ10及びＬ11は、
【０１２９】
【化４０】
2005511344.tif 000032
【０１３０】
であり、Ｌ12は、
【０１３１】
【化４１】
2005511344.tif 000033
【０１３２】
であり、Ｅ2及びＲ16〜Ｒ21は、上述の通りである。
【０１３３】
述べられてもよい式（ＶＩＩ）の追加の特定の例は、例えば、式
【０１３４】
【化４２】
2005511344.tif 000034
【０１３５】
の化合物によって示される、銅錯体である。
【０１３６】
述べられてもよい式（Ｖ）の追加の特定の例は、ニッケルビスフェノレート、例えば、式
【０１３７】
【化４３】
2005511344.tif 000035
【０１３８】
の化合物である。
【０１３９】
当業者は、光学情報メディア中の添加剤の、どの濃度がどの目的に特に十分に適するかを、他の光学情報メディアから知るか、又は、容易に同定する。添加剤の好適な濃度は、例えば、式（Ｉａ）（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の記録媒体に基づいて、０．００１〜１０００重量％、好ましくは、１〜５０重量％である。
【０１４０】
本発明に係る記録媒体は、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物を含むことに加えて、追加的に塩、例えば、塩化アンモニウム、ペンタデシルアンモニウムクロライド、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム、メチルスルホン酸ナトリウム、又はメチル硫酸ナトリウムを含み、これらのイオンは、例えば、使用される成分から生じる。追加の塩は、存在する場合、好ましくは、記録層の全重量に基づいて、２０重量％までの量で存在してもよい。
【０１４１】
反射層に好適な反射材料としては、特に、記録及び再生のために使用されるレーザ照射を良好に反射する金属、例えば、周期律表のＩＩＩ、ＩＶ及びＶ族及び周期律表のサブグループの金属が挙げられる。Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ、ならびにそれらのアロイが特に適している。特に好ましいのは、高い反射率及び製造容易性から、アルミニウム、銀、銅、金又はそれらのアロイの反射層である。
【０１４２】
カバリング層のために好適な材料としては、主にプラスチックが挙げられ、それらの材料は、支持体に対して薄層中に適用されるか、又は直接的にかもしくは接着層の助けをかりて最上位層に適用される。良好な表面性能を有する、機械的かつ熱的に安定なプラスチックを選択することが有利であり、さらに改変、例えば書き込まれてもよい。プラスチックは、熱硬化性プラスチック又は熱可塑性プラスチックであってもよい。好ましいのは、照射により硬化された（例えば、ＵＶ照射を用いた）保護層であり、製造するのが特に単純で経済的なものである。広範囲の照射硬化可能な材料が知られている。照射硬化可能なモノマー及びオリゴマーの例は、ジオール、トリオール及びテトラオールのアクリレート及びメタクリレート、芳香族テトラカルボン酸とアミノ基の少なくとも２つのオルト位にＣ1〜Ｃ4アルキル基を有する芳香族ジアミンとのポリイミド、及びジアルキルマレイニミジル基、例えば、ジメチルマレイニミジル基を有するオリゴマーが挙げられる。接着促進剤を用いて適用されるカバリング層に関して、基板層のために使用されるような同一材料、特にポリカーボネートを使用することが好ましい。使用される接着促進剤は、好ましくは、同様に照射硬化可能なモノマー及びオリゴマーである。接着促進剤を用いて適用されるカバリング層の代わりに、記録層及び反射層を含む第２の基板を用いてもよく、その結果、記録媒体は、両側で再生可能である。好ましくは、対称的な構造であり、２つの部分が、接着促進剤によって直接的にか、又は中間層によって、反射側でともに結合される。
【０１４３】
このような構造において、カバリング層の光学性能又はカバリング材料の光学性能は、それらを硬化するものとして特別な役割を本質的には有しておらず、適用可能な場合、例えば、硬化はＵＶ照射によって達成される。カバリング層の基本的な機能は、全体として、記録媒体の機械的強度を確保することであり、必要な場合、薄い反射層の機械的強度を確保することである。記録媒体が十分強固である場合、例えば、厚い反射層が存在する場合、カバリング層とともに分散することでさえ可能である。全体として、カバリング層の厚みは記録媒体の厚みに依存し、好ましくは、最大約２ｍｍの厚みであるべきである。カバリング層は、好ましくは、１０μｍ〜１ｍｍ厚である。
【０１４４】
本発明に係る記録メディアはまた、追加の層、例えば、中間層を有していてもよい。また、複数の（例えば２つの）記録層を有する記録メディアを構築することも可能である。このような材料の構造及び使用は、当業者にとって既知である。好ましいのは、存在する場合、記録層と反射層との間、及び／又は記録層と基板との間に配置される中間層であり、例えば、ＥＰ−Ａ−０３５３３９３に開示されるようなＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｎＳ又はシリコーン樹脂のような、絶縁材料からなる。
【０１４５】
本発明に係る記録メディアは、それ自体で既知のプロセスによって製造可能であり、使用される材料及びそれらの機能に依存して、種々のコーティング方法を使用することが可能である。
【０１４６】
好適なコーティング方法は、例えば、浸漬、流し込み、ブラシコーティング、ブレード塗布（blade-application）及びスピンコーティング、ならびに蒸着方法が、高い減圧下で行われる。例えば、流し込み方法が使用される場合、有機溶媒中の溶液が一般的に使用される。溶媒が使用される場合、使用される支持体がこれらの溶媒に感受性でないことに注意を払うべきである。好適なコーティング方法及び溶媒は、例えば、ＥＰ−Ａ−０４０１７９１に記載される。
【０１４７】
記録層は、好ましくは、染料溶液を用いたスピンコーティングによって塗布される。十分満足な性能を有する溶媒は、特に、アルコールであり、例えば、２−メトキシエタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、イソブタノール、ｎ−ブタノール、アミルアルコール又は３−メチル−１−ブタノール、あるいは、好ましくは、フッ素化アルコール、例えば、２，２，２−トリフルオロエタノール又は２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール、及びそれらの混合物である。他の溶媒又は溶媒混合物、例えば、ＥＰ−Ａ−０５１１５９８及びＥＰ−Ａ−０８３３３１６に記載される溶媒混合物もまた使用可能であることが理解される。エーテル（ジブチルエーテル）、ケトン（２，６−ジメチル−４−ヘプタノン、５−メチル−２−ヘキサノン）又は飽和若しくは不飽和の炭化水素（トルエン、キシレン）はまた、例えば、混合物（例えば、ジブチルエーテル／２，６−ジメチル−４−ヘプタノン）又は混合成分の形態で、また使用可能である。さらに好適な溶媒が、例えば、ＥＰ−Ａ−０４８３３８７中に開示されている。
【０１４８】
スピンコーティングの当業者は、高性能と同時に、選択した固体成分を含有するコスト的に有効な記録層を得る溶媒又は溶媒混合物を発見する目的で、一般的には、よく知っている全ての溶媒、及びそれらの２成分混合物及び３成分混合物を試す。加工技術の既知の方法はまた、その結果、行われる実験の数を最少に保つように、このような最適化手順で使用される。スピンコーティングの場合には、得られる層は、好ましくは、可能な限りアモルファスであるべきである。
【０１４９】
それ故に、本発明はまた、光学記録媒体を製造する方法に関し、ここで、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物の有機溶媒溶液は、１つ以上の凹部（depression）を有する基板、例えば、１ｎｍ〜１μｍの深さのらせん形の溝を有するディスクに適用される。適用は、好ましくは、スピンコーティングによって行われる。
【０１５０】
金属反射層の適用は、好ましくは、スパッタリング、真空蒸着、又は化学蒸着（ＣＶＤ）によって効率よく行われる。スパッタリング技術は、支持体に対する接着レベルが高いという理由で、金属反射層の適用に関して、特に好ましい。このような技術は、既知であり、専門家の文献中に記載されている（例えば、J.L Vossen及びW.Kern、「Thin Film Processes」、Academic Press、１９７８）。
【０１５１】
本発明に係る記録媒体の構造は、読み出し法によって主に規制されている；既知の機能原理としては、透過率、又は好ましくは、反射率の変化の測定が挙げられるが、また、例えば、透過率又は反射率の代わりに蛍光を測定することも知られている。
【０１５２】
記録材料が反射率を変化させるために構造化される場合、例えば、以下の構造が使用可能である：透明支持体／記録層（場合により多層化されている）／反射層、及び、好都合な場合、保護層（透明であることは必要とされない）；又は、支持体（透明であることは必要とされない）／反射層／記録層、及び好都合な場合、透明保護層。第１の場合には、光は、支持体側から入射し、後者の場合には、照射は、記録層側、又は適用可能な場合、保護層側から入射する。両方の場合には、光検出器は、光源と同じ側に配置される。本発明によって使用される記録材料のうち、上述の第１の構造が一般的に好ましい。
【０１５３】
記録材料が、光透過率を変化させるために構造化される場合、例えば、以下の異なる構造が考慮される：透明支持体／記録層（場合により多層化されている）、及び好都合な場合、透明保護層。記録及び読み出しのための光は、支持体側又は記録層側、又は適用可能な場合、保護層側のいずれかから入射可能であり、光検出器は、この場合には通常、反対側に配置される。
【０１５４】
好適なレーザは、６００〜７００ｎｍの波長を有するもの、例えば、６０２、６１２、６３３、６３５、６４７、６５０、６７０又は６８０ｎｍの波長を有する市販のレーザ、特に半導体レーザ、例えば、約６３５、６５０又は６５８ｎｍの波長を特に有するＧａＡｓＡｌ、ＩｎＧａＡｌＰ又はＧａＡｓレーザダイオードである。
【０１５５】
記録は、例えば、マーク長にしたがってレーザを調整することによって、及び記録層上に照射を集中させることによって、既知の様式で一点一点効率よく行なう。使用のために好適であってもよい他の方法が従来から開発されていることは、専門家の文献から既知である。
【０１５６】
本発明に係る方法により、非常に高い信頼性及び安定性を有する情報の記録装置を可能にし、非常に良好な機械的安定性及び熱的安定性、及び高い光安定性及びマークの鋭い結合領域によって差別化される。特別の利点としては、高いコントラスト、低いジッタ、及び驚くべき高いシグナル／ノイズ比が挙げられ、その結果、優れた読み出しが達成される。高い記憶容量は、ビデオの分野において特に価値が高い。
【０１５７】
情報の読み出しは、レーザ照射を用いた吸収又は反射における変化をあわせることによって、例えば、「CD-Player und R-DAT Recorder」（Claus Biaesch-Wiepke、Vogel Buchverlag、Wurzburg  １９９２）中に記載されるような、本質的に既知の方法によって行われる。
【０１５８】
本発明に係る情報含有媒体は、特に、ＷＯＲＭ型の光学情報材料である。この媒体は、例えば、再生可能なＤＶＤ（digital versatile disk）として、コンピュータのための記憶材料として、又は識別又はセキュリティカードとして、又は回折光学要素、例えば、ホログラムの製造のために使用可能である。
【０１５９】
従って、本発明はまた、情報の光学記録、記憶及び再生のための方法に関し、ここで、本発明に係る記録媒体が使用される。記録及び再生は、例えば、６００〜７００ｎｍの波長範囲で行う。
【０１６０】
さらに、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の錯体はまた、有利には、さらに低い波長で使用可能であり、その結果、記録及び複製が同一波長で行われる場合、データ密度のさらなる増加が可能である。このような場合には、例えば、３５０〜５００ｎｍ、好ましくは、３７０〜４５０ｎｍの単一のレーザ源を有する単一光学系を使用することが好ましい。特に好ましいのは、３７０〜３９０ｎｍのＵＶ範囲、特に、約３８０ｎｍ、又は特に、３９０〜４３０ｎｍの可視範囲、特に約４０５±５ｎｍである。多くの数の開口部を有する光学系を有する、コンパクトな、青色又は紫色レーザダイオード（例えば、Ｎｉｃｈｉａ  ＧａＮ  ４０５ｎｍ）の範囲において、マークは、非常に小さく作られ、トラックは非常に狭く作られるため、記録層あたり約２０〜２５Ｇｂまでが、１２０ｍｍディスクで達成可能である。３８０ｎｍで、レーザ源がプロトタイプとしてすでに存在している、インジウムをドープしたＵＶ−ＶＣＳＥＬ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）を使用可能である。［Jung Hanら、MRS Internet J.Nitride Semicond.Res.、５Ｓ１、Ｗ６．２（２０００）を参照のこと］。
【０１６１】
それに加えて、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の錯体の光学性能によって、６００〜７００ｎｍで書き込まれ、３５０〜５００ｎｍで読み出される光学記録メディアのための単一レーザ、又は逆の単一レーザを使用することが可能である（データ密度は、さらに大きな波長のデータ密度に対応する）。この驚くべき非常に有利な多くの価値は、光学記録装置及びそれらの小型化装置の構築においてなされる節約を可能にする。
【０１６２】
１つの実施形態において、記録媒体は、既知の記録メディアの構造に基づき、例えば、上述のものと類似に構築され、基板を通して書き込み及び読み出しが行われるものである。
【０１６３】
このような場合において、基板は、有利には、３５０〜５００ｎｍの少なくとも一部の範囲を超えて透明であり、その結果、例えば、書き込み波長又は読み出し波長の入射光の少なくとも８０％を透過可能である。基板は、有利には、１０μｍ〜１ｍｍ厚、好ましくは、２０〜６００μｍ厚、特に、２０〜６００μｍ厚であり、好ましくは、らせん型のガイド溝（トラック）をコーティング側に備え、溝の深さは、１０〜２００ｎｍ、好ましくは、８０〜１５０ｎｍであり、溝の幅は、１００〜４００ｎｍ、好ましくは、１５０〜２５０ｎｍであり、２回転間の空間は、２００〜６００ｎｍ、好ましくは、３５０〜４５０ｎｍである。異なる断面形の溝は既知であり、例えば、長方形、台形、又はＶ字型である。既知のＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒメディアと類似して、ガイド溝はさらに、短い周期の側面のたわみ又は準周期的な側面のたわみ（揺れ）に絶え、その結果、読み出しヘッド（ピックアップ）の速度及び絶対位置を同期可能である。たわみの代わりに、又はたわみに加えて同一機能を、隣接する溝（プレピット（pre-pit））間のマーキングによって行うことも可能である。
【０１６４】
記録層は、好ましくは、表面（「ランド（land）」）上で０〜３０ｎｍ厚、特に、１〜２０ｎｍ厚、さらに特定的には、２〜１０ｎｍ厚であり、溝の幾何学に依存して、溝中で、有利には、２０〜１５０ｎｍ厚、好ましくは、５０〜１２０ｎｍ厚、特定的には、６０〜１００ｎｍ厚である。
【０１６５】
反射層は、例えば、５〜２００ｎｍ厚、好ましくは、１０〜１００ｎｍ厚、特定的には、４０〜６０ｎｍ厚であるが、さらに大きな厚みの反射層、例えば、１ｍｍ厚又はそれ以上でさえも、可能である。
【０１６６】
本発明に係る記録メディアはまた、追加の層、例えば、中間層又は障壁層を備えていてもよい。また、複数の（例えば、２〜１０の）記録層を備える記録メディアを構築することも可能である。このような物質の構造及び使用は、当業者に既知である。好ましくは、存在する場合、追加の層は、記録層及び反射層の間、及び／又は記録層及び基板の間に位置する干渉層であり、誘電材料、例えば、  ＥＰ−Ａ−０３５３３９３に記載されるようなＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｎＳ又はシリコーン樹脂からなる。
【０１６７】
本発明に係る記録メディアは、本質的に既知のプロセスによって製造可能であり、使用される材料及びそれらの機能に依存して、種々のコーティング方法を使用することが可能である。
【０１６８】
本発明に係る情報含有媒体は、特に、ＷＯＲＭ型の光学情報材料である。例えば、コンピュータ中でＣＤ−Ｒ（compact disk-recordable）又はＤＶＤ−Ｒ（digital video disk-recordable）と同様に使用可能であり、また、識別及びセキュリティカードのための記憶装置材料、又は回折光学要素、例えば、ホログラムの製造のための材料である。
【０１６９】
しかし、ＣＤ−Ｒ又はＤＶＤ−Ｒと比較して、この構造のための出発材料は、非常に薄い基板であり、その結果、製造プロセスはかなり厄介である。高い記録密度及び対応する小さなマーク（「ピット」）を備える記録メディアを製造するために、この点は正確に注力する必要があることがわかっている。
【０１７０】
それ故に、好ましくは、以下の層配列を備える逆層構造が与えられる；基板、反射層、記録層及びカバリング層。それ故に、記録層は、反射層とカバリング層との間に配置される。それ故に、記録及び再生は、基板を通してではなくカバリング層を通して行われる。カバリング層及び基板のそれぞれの役割に従って、特に、幾何学及び光学性能は、上述の構造と比較して逆になる。類似の概念は、青色ＧａＮレーザダイオードを組み合わせたデジタルビデオ記録に関するProceedings SPIE-lnt.Soc.Opt.Eng.、１９９９．３８６４中に何度も記載されている。
【０１７１】
逆層構造は、記録基板に対してさらに高い要求を必要とし、本発明によって使用される化合物は、驚くほど十分にこの要求を満たす。従って、記録層に対していかなる顕著な変化をもたらすこともなく、本化合物は、固体記録層の上に適用されることが可能である。薄いカバリング層の真下の記録基板は、摩擦、光酸化、指紋、水分及び他の環境的な影響から十分に保護される。
【０１７２】
固体記録層に、例えば、０．００１〜１０μｍ、好ましくは、０．００５〜１μｍ、特に、０．０１〜０．１μｍの厚みで、金属製の架橋された有機金属基板又は誘電性無機基板の追加の、薄い、別個の層を適用することが特に好ましい。これらの高い反射率によって、金属製の別個の層は、有利には最大０．０３μｍ厚であるべきである。
【０１７３】
架橋された有機金属層又は誘電性無機層はそれ自体既知であり、例えば、１〜２の電気陰性度を有する金属、例えば、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、特にケイ素の酸化状態ＩＩ〜Ｖにおける酸化物、酸化物水和物、又はハロゲン化物（特にフッ化物）、例えば、ＣａＦ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｏＯ、ＣｏＴｉＯ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2ＴｉＯ5又はＳｉＯ2からなる。これらは、例えば、カソードスパッタリング、蒸着又は化学蒸着のような既知の方法に従って、又は類似の方法に従って適用可能であるか、又は既知の湿潤化学法による特定の層に関しては、例えば、ＷＯ９３／０８２３７及びその中に記載されているさらなる引用文献に記載されている。蒸着、カソードスパッタリング又は化学蒸着の一般的な方法は、当業者にとってはよく知られている。減圧中でこのようなプロセスを行うことが有利であり、コーティング操作中の圧力は、１０-1〜１０-8Ｐａである。酸化ケイ素を除く金属酸化物は、好ましくは、１．３・１０-2〜１．３・１０-3Ｐａの圧力で蒸着される。
【０１７４】
当業者に既知の他のコーティング方法もまた使用可能であることが理解される。例えば、コーティングは、ＥＰ−Ａ−０５０４９２６、ＪＰ−Ａ−０７／２０７１８６、ＪＰ−Ａ−０８／１７５８２３、ＪＰ−Ａ−０９／２３９３１１及びＪＰ−Ａ−１０／２０４２９６から公知のゾル／ゲル技術によって製造可能であるか、又は、酸化ケイ素コーティングはまた、熱分解によるＳｉＨ4から行われる。
【０１７５】
酸化ケイ素は、特に有利には、酸素の存在下、金属ケイ素の蒸着によってコーティングされる。蒸着に関して、ケイ素（必ずしも純粋なものである必要はない）は、コーティングされる基板周辺を減圧状態にして、ガス状（分子状）酸素（必ずしも純粋なものである必要はない）の存在下、電磁誘導（induction）銃又は電子銃を用いて、高温、例えば５００〜２０００℃に加熱される。酸素の相対分子濃度に依存して、かなりの程度又は非常に少ない程度で黄色〜暗灰色に着色した亜酸化ケイ素が形成されるか、又は、好ましくは、無色の二酸化ケイ素が形成される。
【０１７６】
金属アロイに基づく再度書き込み可能な光学記録メディア（ＣＤ−ＲＷ）中の絶縁層と同一又は類似の層、例えば、ＳｉＯ2及びＺｎＳの混合物を含むものを適用することが特に可能である。結果として、開発が促進され、コーティングプロセスのためのさらなる費用をを節約可能である。
【０１７７】
さらなるコーティングの前に、接着促進剤、例えば、J.Amer.Chem.Soc、１０４、２０３１〜４（１９８２）及びChemistry of Materials  ９／２、３９９〜４０２（１９９７）から公知であるＮ−（３−（トリメトキシシリル）−プロピル）ピロール、チタン塩又はジルコニウム塩、例えば、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4又はＺｒ（ａｃａｃ）4、及び／又は酸若しくは塩基、例えば、アンモニア又は一級、二級又は三級アミンを用いて記録層を処理することが有利であることがわかる。好ましいのは、式
【０１７８】
【化４４】
2005511344.tif 000036
【０１７９】
〔式中、Ｒ26は、水素又はＲ29であり、Ｒ27及びＲ28は、それぞれ他のＲ29と独立しており、Ｒ29は、［−１，２−Ｃ2〜Ｃ3アルキレン−Ｔ−］ｎ−Ｈであり、ここで、Ｔは、Ｏ又はＮＨであり、ｎは、１〜３の数である〕
のアミンと、式
【０１８０】
【化４５】
2005511344.tif 000037
【０１８１】
〔式中、Ｒ30〜Ｒ32は、Ｃ1〜Ｃ4アルキルである〕
の有機金属化合物とを同時に使用することである。この場合において、好ましくは、有機金属化合物に対するアミンのモル比は、１０：１〜１０００：１であり、温度は−２０〜１５０℃、特に２０〜８０℃であり、処理時間は、１／４時間〜１００時間であり；さらに特定的には、有機金属化合物に対するアミンのモル比は、５０：１〜２５０：１、温度は５０〜８０℃であり、処理時間は１〜１０時間である。
【０１８２】
所望な場合、例えば、同一厚みのコーティングはまた、支持材料と金属製反射層との間、又は金属製反射層と光学記録層との間に適用可能である。この点は、特定の場合において有利である場合があり、例えば、銀反射が、記録層中の硫黄含有添加剤と組み合わせて使用される場合に、有利である。
【０１８３】
無機層又は架橋された有機金属層の代わりに、又はそれらと組み合わせて、例えば、重合、特に光重合、又は積層によって適用されるポリマーの層を使用することもまた可能である。
【０１８４】
上に開示される厚み及び光学性能を有するカバリング層が、無機層又は架橋された有機金属層の上に重合又は積層によって適用されることは特に有利である。
【０１８５】
それ故に、本発明はまた、以下の配置を含む光学記録媒体に関する。
ａ）反射金属の支持材料、又は好ましくは、反射金属層を有するポリマーの支持材料；
ｂ）光学記録層；
ｃ）金属製の、架橋された有機金属又は誘電性無機基板の別個の層；及び
ｄ）カバリング層。
【０１８６】
以下の実施例は、本発明を非常に詳細に記載する（特別に異なる特定がなければ、ＵＶ／ＶＩＳスペクトルはジクロロメタン溶液中で測定されている）：
【０１８７】
実施例１：Transition Met.Chem.、１４、３４１〜３４６（１９８９）に従って得た生成物「（ピリジン）2Ｆｅ（ＯＰＴＡＰ）」１．０重量％を、２−メトキシエタノール及び２，６−ジメチル−４−ヘプタノンの８５：１５混合物９９．０重量％に溶解し、溶液を、孔径０．２μｍのテフロン（登録商標）フィルターを通してろ過し、０．６ｍｍ厚の表面に８００ｒｅｖ／分で、溝を備えるポリカーボネートディスク（直径１２０ｍｍ、溝の深さ１７０ｎｍ、溝の幅３５０ｎｍ、トラック空間０．７４μｍ）に適用した。過剰の溶液を、回転速度を上げることによって吹き飛ばした。溶媒の蒸発時に、染料は、均一なアモルファス固体相の形態で維持されている。循環空気中で、７０℃で（１０分）乾燥させた後、固体層は、６２３ｎｍで０．３７の吸収度を示した。固体の透過スペクトルは、図１に示される。
【０１８８】
銀の７０ｎｍ薄層を、減圧コーティング装置（ＴｗｉｓｔｅｒＴＭ、Ｂａｌｚｅｒｓ  Ｕｎａｘｉｓ）中、原子化によって、上記により得られた記録層に適用した。次いで、ＵＶ硬化可能な光ポリマー（６５０−０２０ＴＭ、ＤＳＭ）の６μｍ厚の保護層を、スピンコーティングを用いて、その上に適用した。記録支持体は、６５８ｎｍで４８％の反射率を示した。従来の試験装置（ＤＶＤＴ−ＲＴＭ、Ｅｘｐｅｒｔ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）を用いて、速度３．５ｍ／秒及びレーザ出力９．５ｍＷで、波長６５８ｎｍのレーザダイオードを用いて、マークを活性層に書き込んだ。同一試験装置で決定された動的パラメータは、非常に良好であった：ＤＴＣジッタ＝９．５％；Ｒ１４Ｈ＝４７％；Ｉ１４／１４Ｈ＝０．５５。
【０１８９】
実施例２：マグネチックスターラー、還流コンデンサ、サーモメータ、窒素注入口及びバブラーを備えた丸底フラスコに、ジフェニルフマロニトリル２３ｇ及び１−ブロモナフタレン４６ｍｌを入れ、２６０〜２７０℃に加熱した。ニートな液体Ｆｅ（ＣＯ）5９．８ｇを、滴下漏斗から３時間かけて、この溶液に滴下した。反応物は激しく発熱し、緑がかった黒色固体が生成し、一晩かけて赤みがかった褐色に変化した。次いで、反応媒体を約２５℃まで冷却し、ｎ−ヘキサン１００ｍｌをこのシロップ状の赤みがかった黒色溶液に添加した。得られた懸濁液を、約１時間攪拌し、次いでろ過した。得られた赤みがかった黒色固体を、シクロヘキシルイソシアニド１０．９ｇを含むクロロホルムを用いて４８時間ソックスレー抽出した。得られたトルコ玉色の溶液を蒸発させて、紫がかった固体として１４ｇを得、この生成物は、ＴＬＣ（シリカプレート／トルエン移動相）で１個のスポットを示した。ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝６１５ｎｍ（ε＝９６０００ｌ・ｍｏｌ-1・ｃｍ-1）。
【０１９０】
実施例３：実施例２を繰り返したが、シクロヘキシルイソシアニドを当量のピリジンに置き換えた。ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝６１７ｎｍ（ε＝９８０００ｌ・ｍｏｌ-1・ｃｍ-1）。
【０１９１】
実施例４：実施例２を繰り返したが、シクロヘキシルイソシアニドを当量のメチルイソシアニドに置き換えた。ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝６１４ｎｍ（ε＝７６０００ｌ・ｍｏｌ-1・ｃｍ-1）。
【０１９２】
実施例５：下式の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０１９３】
【化４６】
2005511344.tif 000038
【０１９４】
ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝６１１ｎｍ（ε＝１１００００ｌ・ｍｏｌ-1・ｃｍ-1）．
【０１９５】
この生成物ＭＺ４２  ０．５重量％をジクロロメタンに溶解し、溶液を孔径０．２μｍのテフロン（登録商標）フィルターを通してろ過し、１．２ｍｍ厚の、直径１２０ｍｍの平滑なガラスディスク表面に、１０００ｒ．ｐ．ｍ．でスピンコーティングによって適用した。光学コントラスト（吸収最大値λmax、６５８ｎｍでの屈折率ｎ658、６５８ｎｍでの吸収係数ｋ658）を、反射率計（ＥＴＡ−ＲＴＴＭ、ＥＴＡ−Ｏｐｔｉｋ、Ｇｅｒｍａｎｙ）で決定した：λmax＝６１７ｎｍ；ｎ658＝１．９２；ｋ658＝０．０９２。
【０１９６】
実施例６：下式（４つの異性体のうち１つが示されており、各ピロール環上のフェニル基およびトリル基は置き換え可能である）の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０１９７】
【化４７】
2005511344.tif 000039
【０１９８】
ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝６１２ｎｍ（ε＝１１５０００ｌ・ｍｏｌ-1・ｃｍ-1）。
【０１９９】
この生成物１重量％をジクロロメタンに溶解し、溶液を孔径０．２μｍのテフロン（登録商標）フィルターを通してろ過し、１．２ｍｍ厚の、直径１２０ｍｍの平滑なガラスディスク表面に、１０００ｒ．ｐ．ｍ．でスピンコーティングによって適用した。光学コントラスト（吸収最大値λmax、６５８ｎｍでの屈折率ｎ658、６５８ｎｍでの吸収係数ｋ658）を、反射率計（ＥＴＡ−ＲＴＴＭ、ＥＴＡ−Ｏｐｔｉｋ、Ｇｅｒｍａｎｙ）で決定した：λmax＝６２１ｎｍ；ｎ658＝１．９８；ｋ658＝０．１２４。
【０２００】
４００〜８００ｎｍの波長での固体の複合屈折率は、図２に示される。
【０２０１】
実施例７：下式の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０２０２】
【化４８】
2005511344.tif 000040
【０２０３】
ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝６１２ｎｍ。
【０２０４】
実施例８：下式の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０２０５】
【化４９】
2005511344.tif 000041
【０２０６】
ＵＶ／Ｖ１Ｓ：λmax＝５８５ｎｍ（ε＝５００００ｌ・ｍｏｌ-1・ｃｍ-1）。
【０２０７】
実施例９：下式の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０２０８】
【化５０】
2005511344.tif 000042
【０２０９】
ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝５８５ｎｍ。
【０２１０】
実施例１０：下式の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０２１１】
【化５１】
2005511344.tif 000043
【０２１２】
ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝５８６ｎｍ。
【０２１３】
実施例１１：下式の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０２１４】
【化５２】
2005511344.tif 000044
【０２１５】
ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝５８３ｎｍ（ε＝４８０００ｌ・ｍｏｌ-1・ｃｍ-1）。
【０２１６】
実施例１２：下式の化合物を、実施例２の手順と非常に類似した手順で調製した。
【０２１７】
【化５３】
2005511344.tif 000045
【０２１８】
ＵＶ／ＶＩＳ：λmax＝５８３ｎｍ。
【０２１９】
実施例１３〜２３：光学記録メディアを、実施例１の方法に従って調製したが、（ピリジン）2Ｆｅ（ＯＰＴＡＰ）を、実施例２〜１２の生成物に置き換えた。ピットは、優れた性能で書き込み及び読み出しが可能であった。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】図１は、固体の透過スペクトルである。
【図２】図２は、４００〜８００nmの波長での固体の複合屈折率である。
【図１】
2005511344.tif 000059
【図２】
2005511344.tif 000060
【国際調査報告】
2005511344.tif 000061
2005511344.tif 000062