(57)【要約】軟Ｘ線を用いた自己組織化単分子層のナノスケール高解像度パターニング方法を提供する。前記方法は、基板上に末端環に置換基を有する芳香族イミン分子層を形成する段階と、前記芳香族イミン分子層の前記置換基への結合を選択的に切断する段階と、前記芳香族イミン分子層を加水分解する段階とを含む。
2005502916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）置換された末端環を有する芳香族イミン単分子層を基板上に形成する段階と、
（ｂ）前記芳香族イミン単分子層から置換基を選択的に除去する段階と、
（ｃ）前記芳香族イミン単分子層を加水分解する段階と、
を含む、高解像度パターニング方法。
【請求項２】
（ａ）前記芳香族単分子層を前記基板上に形成する段階が、
前記基板上に自己組織化アミノシリル化またはアミノチオール化単分子層を形成する段階と、
前記自己組織化アミノシリル化またはアミノチオール化単分子層の表面を置換された末端環を有する芳香族アルデヒドで処理する段階と、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記置換された末端環を有する前記芳香族アルデヒドが、共役芳香族アルデヒドまたは非共役芳香族アルデヒドである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記置換された末端環を有する前記非共役芳香族アルデヒドが、下記式（１）で示される化合物である、
【化１】
2005502916.tif 000007
式中、ＸはＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記置換された末端環を有する前記共役芳香族アルデヒドが、下記式（２）、（３）または（４）で示される化合物である、
【化２】
2005502916.tif 000008
式中、ＸはＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記芳香族アルデヒドの置換基が、ニトロ基またはハロゲン基である、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記基板が、シリカまたは金から形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ｂ）前記芳香族イミン単分子層から置換基を選択的に除去する段階が、前記基板上に設置されたフォトマスクを介して、前記基板に軟Ｘ線を照射する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記軟Ｘ線が、エネルギーが４０ｅＶないし１５００ｅＶで、０．３ｎｍないし１０ｎｍの波長領域を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記フォトマスクが、ゾーンマスクである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
ベースプレートと、
前記ベースプレート上の表面層とを有し、前記表面層は一部に親水性アミン単分子層を含み、残りの部位に疎水性芳香族イミン単分子層を含み、これらが前記ナノスケールパターンを形成する、所定形状のナノスケールパターンを有する基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の前記基板上にジブロック共重合体をコーティングする段階と、
前記ジブロック共重合体でコーティングされた前記基板を熱処理（アニール）及びエッチングする段階と、
を含む、半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記ジブロック共重合体が、ポリ（スチレン−ブロック−メチルメタクリレート）である、請求項１２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の前記基板と、
前記親水性アミン分子層のアミン基に結合する生体分子と、
を含む、バイオチップ。
【請求項１５】
前記生体分子が、タンパク質、ＤＮＡまたはＲＮＡである、請求項１４に記載のバイオチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野
本発明は、高解像度パターニング方法及び高解像度パターンを利用したナノ素子の製造方法に係り、より詳細には、短時間でのマイクロまたはナノスケールの高解像度パターニング方法及び前記方法を利用して形成されるナノ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
背景技術
近年、半導体産業の発展および高集積化半導体素子に対する要求とともに、微細パターニングのためのナノまたはマイクロ加工技術が注目を集めている。
【０００３】
ナノテクノロジーが２１世紀において主要な技術のうちの１つになるであろうと多くの専門家が予測しているように、ナノパターンの加工技術は大容量半導体素子の微細回路プロセスにおいて最も重要なもののうちでも必要不可欠な技術である。さらに、ナノパターニング技術は、例えば、生命工学関連分野において及びバイオセンサーを目的として広範な用途を有しているため、必然的に重要性が増している。
【０００４】
これまでの表面パターニングは、深ＵＶ放射線および高分子ファトレジストを用いたフォトリソグラフィーによりなされ、これにより、ここ数十年で半導体産業は驚くほど発展してきた。
【０００５】
フォトリソグラフィーにおけるパターン解像度は、レイリー式、Ｒ＝ｋ１λ／ＮＡ、ここでＲは解像度を示し、λは波長を示し、ｋ１は定数であり、ＮＡはレンズシステムの開口数を示す、に従って決定される。使われる光の波長が短いほど、より高解像度でより微細なパターンが得られる。実際に高圧水銀灯を利用したＧ線（４３６ｎｍ）露光装置により、１９８０年代初めになされた５００ｎｍオーダーのパターン解像度は、近年では２４８−ｎｍＫｒＦエキシマレーザー露光技術の利用によって１８０ｎｍにまで著しく減じられ、これにより１Ｇｂメモリーの半導体の生産を実現化している（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌ.，Ｊａｎｕａｒｙ  ２０００）。しかしながら、有用な光の波長、装置および技術への要求、および用いられる高分子フォトレジストの解像度における限界によって、かような方法を用いてナノスケールでの高解像度パターン形成は困難である。
【０００６】
より高いパターンの解像度のため、例えば、既存のフォトリソグラフィーにおいて用いられる高分子に代わって、新しいフォトレジストとして自己組織化単分子層の利用、短波長の光の利用など、１９９０年以後多くの試みがなされている。さらに、ソフトリソグラフィー、またはＡＦＭチップやＳＴＭチップを用いた走査型プローブリソグラフィーなど、自己組織化単分子層の新たなパターニング技術が導入されている。
【０００７】
１９９０年代の初め、ハーバード大学のホワイトサイド（Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓ）教授は、光や高エネルギー粒子を使用せずに、分子の自己組織化によりゴム状スタンプまたはモールドを用いてインクを固体基板に書き込む表面パターンニング方法を、“ソフトリソグラフィー”と称し、多くの研究結果を発表した（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．、１９９３，６３，２００２）。その代表的な例として、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＡ）のゴム状スタンプの表面部分におけるアルカンチオールなどの界面活性分子をスタンプすることにより、スタンプした部分のみに自己組織化単分子層のパターンを形成するマクロコンタクトプリンティング（μＣＰ）法などが挙げられる。このマイクロコンタクトプリンティング法は、迅速かつ経済的な連続パターニングを可能にする。しかしながら、例えば、ゴム状スタンプの変形に起因する書込み解像度の低さ（＜１μｍ）や、集積回路（ＩＣ）プロセスとの不調和など、解決されなければならないいくつかの問題を有している。
【０００８】
近年、マーキン（Ｍｉｒｋｉｎ）らは、“ペン先”としてＡＦＭチップ、“紙”として固体基板（例えば、Ａｕ）、“インク”として固体基板への化学親和力を有する分子、を用いた“ディップ−ペン”ナノリソグラフィー法（ＤＰＮ）を開発した。キャピラリー輸送を介してＡＦＭチップから対象の固体基板へと分子を伝わせるのである（Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９９、２８３、６６１）。精巧に作られた鋭いチップの利用により、ディップペンナノリソグラフィーは約５ｎｍの高解像度のナノスケールパターンが得られる。しかしながら、この時間を費やす連続パターンの形成方法では、大量生産を通じた商業化するには限界がある。
【０００９】
そこで、本発明は、短時間で、所望の形状の高解像度パターンを形成する方法を提供する。
【００１０】
本発明は、高解像度パターンを有する基板を提供する。
【００１１】
本発明はまた、前記高解像度パターンを用いた高性能で小型化された半導体素子の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明はまた、前記高解像度パターンを用いた高密度バイオチップの製造方法を提供する。
【発明の開示】
【００１３】
本発明は、（ａ）置換された末端環を有する芳香族イミン単分子層を基板上に形成する段階と、（ｂ）前記芳香族イミン単分子層から置換基を選択的に除去する段階と、（ｃ）前記芳香族イミン単分子層を加水分解する段階と、を含む、高解像度パターニング方法を提供する。
【００１４】
本発明の前記方法の一実施形態において、（ａ）置換された前記芳香族イミン単分子層を基板上に形成する段階は、前記基板上にアミノシリル化またはアミノチオール化自己組織化単分子層を形成する段階と、前記アミノシリル化またはアミノチオール化単分子層の表面を置換された末端環を有する芳香族アルデヒドで処理する段階と、を含み得る。
【００１５】
置換された前記末端環を有する前記芳香族アルデヒドの置換基は、ニトロ基またはハロゲン基であってもよい。
【００１６】
置換された前記末端環を有する前記芳香族アルデヒドが、共役または非共役芳香族アルデヒドであってもよい。置換された前記末端環を有する前記非共役芳香族アルデヒドが、下記式（１）で示される化合物であってもよい：
【００１７】
【化１】
2005502916.tif 000003
【００１８】
式中、ＸはＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。置換された前記末端環を有する前記共役芳香族アルデヒドが、下記式（２）、（３）または（４）で示される化合物であってもよい：
【００１９】
【化２】
2005502916.tif 000004
【００２０】
前記式（２）、（３）、および（４）において、ＸはＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００２１】
本発明において用いられる、前記基板はシリカまたは金基板であってもよい。
【００２２】
本発明による高解像度パターニング方法における他の実施形態としては、（ｂ）前記芳香族イミン単分子層から置換基を選択的に除去する段階は、前記基板にフォトマスクを介して軟Ｘ線を照射する段階を含み得る。この時、前記軟Ｘ線は、エネルギーが４０〜１５００ｅＶの範囲において０．３〜１０ｎｍの波長を有してもよい。前記フォトマスクはゾーンプレート（Ｚｏｎｅ  Ｐｌａｔｅ）であってもよい。
【００２３】
本発明はまた、１００ｎｍ弱の面積において、交互に高さ、化学反応性、および湿潤性を有するナノスケールのパターンを有する基板を提供し、前記基板は、ベースプレートと、前記ベースプレート上の表面層とを有し、前記表面層が一部に親水性アミン単分子層を含み、残りの部位に疎水性芳香族イミン分子層を含み、これらがナノスケールパターン形成する。
【００２４】
本発明はまた、ナノスケールパターンを有する前記基板上にジブロック共重合体をコーティングする段階と、前記ジブロック共重合体でコーティングされた前記基板をアニーリングおよびエッチングする段階と、を含むナノスケールパターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。前記ジブロック共重合体はポリ（スチレン−ブロック−メチルメタクリレート）であってもよい。
【００２５】
本発明はまた、本発明の上記方法によりナノパターンが形成された前記基板上に予め結合させたアミン基上に、タンパク質、ＤＮＡまたはＲＮＡを固定化することにより製造されるバイオチップを提供する。
【００２６】
以下、本発明をより詳細に説明する。本発明によれば、基板上に先に形成されたアミノシリル化またはアミノチオール化単分子層のアミン基を様々な置換基を有する芳香族アルデヒド化合物と反応させることにより末端環に置換基を有する芳香族イミン単分子層を形成した後、前記置換基を軟Ｘ線（エネルギーが４０〜１５００ｅＶの範囲において０．１〜１０ｎｍの波長を有する）の照射により前記芳香族イミン分子層から選択的に除去し、これにより前記分子層における化学変化が起こり、これにより高解像度パターンが得られる。
【００２７】
選択的に除去される前記置換基を提供する前記芳香族アルデヒド化合物は、ニトロ基で置換されたまたはハロゲン原子で置換された下記式（１）で示されるベンズアルデヒド、または共役芳香族アルデヒドであってもよい。
【００２８】
【化３】
2005502916.tif 000005
【００２９】
式中、Ｘは、ＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００３０】
好ましくは、共役芳香族アルデヒドは、一端にニトロ基またはハロゲン原子を含む置換基を有し、他端に基板表面上のアミン基との縮合によりイミン結合を形成することができる部分を有する任意のアルデヒド化合物を含む。しかしながら、高密度で基板表面上のアミン基と結合し、高いパターン段差（ｈｅｉｇｈｔ  ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）を誘導することができる下記式（２）、（３）、および（４）を有する化合物が好ましい。
【００３１】
【化４】
2005502916.tif 000006
【００３２】
前記式（２）、（３）、および（４）において、ＸはＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００３３】
上記したように、シリカ基板もしくは金基板の表面上のアミノシリル化またはアミノチオール化単分子層におけるアミン基は、不活性ガス雰囲気下、エタノール溶液中で加熱することにより芳香族アルデヒド化合物と反応し、これにより前記基板上に芳香族イミン分子層が形成される。
【００３４】
前記芳香族イミン単分子層を純粋な脱イオン水中で加熱すると、イミン結合が加水分解して、基板上のアミノシラン分子またはアミノチオール分子層から芳香族アルデヒドが遊離する。結果として、前記基板表面に親水性アミン基が露出する。
【００３５】
しかしながら、前記芳香族イミン分子層に軟Ｘ線が照射されると、ニトロ基またはハロゲン基を有し得る前記芳香族イミン単分子層の末端環上の置換基が選択的に除去され、前記分子層表面のイミン結合が非加水分解性の化学種に変化し、これにより新たな分子層が得られる。この時、置換基が除去された前記基板表面部分は、疎水性の性質を示す。
【００３６】
上述したように、脱イオン水中での加水分解後、所望のデザインを有するフォトマスクを介して置換された芳香族イミン単分子層に軟Ｘ線を照射すると、加水分解をうけない分子層における照射領域は芳香族環を有する疎水性表面を有するようになり、イミン基が加水分解される分子層の非照射領域はアミン基を有する親水性表面を有するようになる。これにより、親水性および疎水性領域を交互に有する所望の高解像度パターンを、前記基板表面に形成させることができる。
【００３７】
以下に、本発明による基板上にナノスケールの高解像度パターンを形成する方法を、添付した図面を参照しながら説明する。
【００３８】
まず、アミノシリル化された基板を用いて芳香族イミン単分子層を形成する方法を説明する。芳香族イミン分子層を形成する基板を洗浄および乾燥させる。前記洗浄された基板を、窒素雰囲気下でシランカップリング剤を含む溶液（２０ｍＬ）に浸漬させ、６時間溶液中に放置させる。例えば、（３−アミノプロピル）ジエトキシメチルシランなど、酸性の副生成物を生成しないものであれば、如何なるアミノシラン化合物も制限なく用いることができる。アミノシラン化合物を溶解する溶媒の例としては、トルエンが挙げられる。本発明において、基板の種類としては、例えば、シリカ基板、金基板など、制限なく用いられる。金基板を用いると、末端にアミン基を有するアルカンチオール化合物で前記金基板を処理することが好ましい。
【００３９】
前記アミノシリル化が終了したら、前記基板は溶媒で洗浄させ、乾燥させる。
【００４０】
アミノシリル化された前記基板は、不活性ガス雰囲気下、ニトロ基またはハロゲン基で置換された芳香族アルデヒド化合物のエタノール溶液に浸漬され、加熱される。前記加熱温度は、２０〜１００℃の範囲内であればよく、加熱時間は１〜２０時間の範囲であればよい。反応終了後、前記基板を有機溶媒で洗浄させる。
【００４１】
上述した過程を経ることにより、図１に示される芳香族イミン分子層を有する基板が得られる。
【００４２】
本発明による芳香族イミン分子層を有する基板の他の実施形態を図２に示す。図２の基板は、シリカ基板およびアミノシラン化合物に代えて金基板およびアミノチオール化合物をそれぞれ用いることを除いては、図１において記載した先の実施形態と同様にして調製する。単分子層を形成するために本実施形態において用いられるアミノチオール化合物の例としては、３−アミノプロパンチオールが挙げられる。前記アミノチオール化合物を溶解させるための溶媒としては、エタノールを用いればよい。
【００４３】
図１および２に示される芳香族イミン分子層を有する基板を、減圧下で乾燥し、金属製の試料ホルダーに固定する。所望の加工寸法や形状などを有するフォトマスクを、１〜１０μｍ程度のギャップ間隔（separation  gap）を設けて基板上に設置する。フォトマスクと基板との間のギャップ間隔が１０μｍを超えると、光回折効果により２００ｎｍ以下の加工寸法を有するパターンの形成が困難である。フォトマスクと基板との間のギャップ間隔が１μｍ未満であると、基板表面が不必要に汚染されてフォトマスクが非常に破壊されやすい。
【００４４】
芳香族イミン分子層を有し、試料ホルダーに固定され、フォトマスクで覆われた前記基板を、超高真空チャンバー内に置く。この超高真空チャンバーを１０−８Ｔｏｒｒ以下に減圧し、軟Ｘ線を基板表面上に垂直に照射する。前記軟Ｘ線は、０．３ｎｍ（１５００ｅＶに相当する）から１０ｎｍ（４０ｅＶに相当する）の波長範囲を有していればよい。軟Ｘ線の照射時間は、基板の最外分子表面上のニトロ基またはハロゲン原子を除去および分離するのに十分な長さとなるように決定される。軟Ｘ線の照射時間は、基板表面に結合する芳香族イミン分子層の構造や前記分子層の置換基の種類によって変えればよい。軟Ｘ線の波長が０．３ｎｍより短いと、前記分子層が無差別に分解される。軟Ｘ線の波長が１０ｎｍより長いと、置換基を前記芳香族イミン分子層から選択的に除去することができず望ましくない。
【００４５】
軟Ｘ線が照射された芳香族イミン分子層を有する前記基板を超高真空チャンバーから取り出した後、前記基板を純粋な脱イオン水に浸漬し、２０〜８０℃の温度で、好ましくは１〜１０時間程度で加水分解させる。加水分解後、前記基板を有機溶媒で洗浄して減圧下で乾燥する。
【００４６】
上述した工程を経ることにより、図３に示すような、有機分子層のパターンを基板上に形成させることができる。
【００４７】
図３によれば、有機単分子層の軟Ｘ線が照射された領域において、ニトロ基またはハロゲン原子が選択的に除去されることで、イミン結合の化学変化により加水分解に対する耐性が得られ、これにより芳香族環を有する疎水性表面が得られる。有機分子層の非照射領域では、イミン結合が加水分解されて基板表面に親水性のアミン基が形成されるのである。結果として、前記有機分子層パターンの照射および非照射領域は、芳香族環の大きさに等しい段差を有し、これは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて目視することができる。
【００４８】
本発明によるナノスケールパターンを有する基板は、高集積化半導体回路の製造におけるベース基板として用いることができる。特に、基板上に疎水性および親水性領域を交互に有するナノスケールパターンがジブロック共重合体でコーティングされると、ジブロック共重合体が堆積した高さはそれぞれの疎水性領域および親水性領域の間で数百ナノメータ異なる。前記基板を適当なエッチング剤に浸漬させると、基板上の高いおよび低い領域が異なる程度でエッチングされ、これによりナノスケールパターンを基板上に転写する。
【００４９】
特に、ポリ（スチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート）等のジブロック共重合体を、本発明によりナノスケールパターンが形成された平面構造の基板上に、スピンコーティング法などを用いて塗布する。基板の親水性領域に、まずポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）が配置され、ここに、上部および最外層が低い表面自由エネルギーを有するＰＳとなるように、ポリスチレン（ＰＳ）、ＰＳ、ＰＭＭＡ、ＰＭＭＡおよびＰＳが連続的に積層され、非対称の水和性表面となる。一方、基板の疎水性領域には、まずＰＳが配置され、ここにＰＭＭＡ、ＰＭＭＡ、およびＰＳが連続的に積層され、対称的な水和性表面となる。
【００５０】
ジブロック共重合体の薄膜を有する基板を高温で熱処理すると、分子が再配置して、対称水和性および非対称水和性領域が、それぞれ量子化された厚さｎＬ０および（ｎ＋１／２）Ｌ０を有するようになり、ここでＬ０は平面層状構造における繰り返し単位すなわちＰＳ−ＰＭＭＡの厚さを表す。熱処理後の量子化された厚さよりも初めの厚さが薄い領域ではホールが生じ、熱処理後の量子化された厚さよりも初めの厚さが厚い領域ではドット（island）が形成される。これにより、パターンのハイトコントラスト（ｈｅｉｇｈｔ  ｃｏｎｔｒａｓｔ）が増大する。
【００５１】
熱処理が行われた基板をエッチングし、基板表面の有機分子層の一部を取除くと、ナノスケールパターンを有する半導体素子が得られる。使用できるエッチング方法の種類としては、例えば、エッチング剤としてＫＣＮおよびＫＯＨ溶液の混合液またはＨＦ溶液を用いるなど、半導体素子の製造において用いられる一般的なエッチング方法がある。
【００５２】
上述した本発明によるナノパターニングシステムにより製造される半導体素子は、現在、一般的に用いられている半導体製造プロセスを用いて達成できる最も高い解像度とされている１３０ｎｍ（もしくは９０ｎｍ）の加工寸法の限界を超えることができる。
【００５３】
本発明によるナノスケール高解像度パターンは、酵素または他の機能物質と結合し易いアミン基を含む親水性部を有するため、バイオセンサーや様々な物質関連分野に適用することができる。特に、パターンの親水性および疎水性はナノスケールで簡単に制御することができるので、このパターンの利点は高密度タンパク質チップに用いる時が最も大きい。
【００５４】
本発明の方法により形成されたナノスケール高解像度パターンにおいて、高反応性かつ親水性のアミン基の領域は、タンパク質、ＤＮＡ、またはＲＮＡなどの生体分子が選択的に結合できる反応部位となる。また、親水性領域と交互に繰り返される、高解像度パターンの疎水性領域は、混ざらずに拡散する異なる種類の生体分子のバリア層となる。従って、本発明により形成されたナノスケール高解像度パターンは、生体分子相互作用を通して表面上に様々な種類の生体分子配列を形成するために基板表面に適用することができる。ゆえに、本発明によるナノスケール高解像度パターンは、高集積、高処理能、かつ小型であるバイオチップの製造に大きく貢献すると考えられる。
【００５５】
一般的に、バイオチップは基板上に直接またはリンカー分子を介して生体分子を固定化することにより製造される。例えば、抗体分子を有するタンパク質チップは、固体基板表面に先に付けられたアミン基との化学反応を介して、前記固体基板上に抗体分子を固定化することにより製造される。
【００５６】
図面の簡単な説明
図１は、シリカ基板上に軟Ｘ線の照射により選択的な化学変化を生じ得る芳香族イミン単分子層を形成する本発明による方法を図示する。
【００５７】
図２は、金基板上に軟Ｘ線の照射により選択的な化学変化を生じ得る芳香族イミン単分子層を形成する本発明による方法を図示する。
【００５８】
図３は、フォトマスクを用いて芳香族イミン単分子層に、本発明により高解像度のパターニングする工程を図示する。
【００５９】
図４は、本発明の実施例１において基板表面に形成したパターンの拡大した原子間力顕微鏡写真である。
【００６０】
図５は、本発明の実施例２において基板表面に形成したパターンの拡大した原子間力顕微鏡写真である。
【００６１】
図６は、本発明の実施例４において５００ｅＶの軟Ｘ線の照射により形成されたパターンの原子間力顕微鏡写真である。
【００６２】
図７Ａは、本発明の実施例４において、８００ｅＶの軟Ｘ線の照射により形成されたパターンの２２μｍ×２２μｍスケールで拡大した原子間力顕微鏡写真であり、図７Ｂは、本発明の実施例４において、８００ｅＶの軟Ｘ線の照射により形成されたパターンの２μｍ×２μｍスケールで拡大した原子間力顕微鏡写真である。
【００６３】
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を、本発明の実施例が示される、添付した図面を参照しながらより具体的に説明する。しかしながら、本発明は、様々な他の形態で実施することができ、下記に記載する実施例に限定されるべきものではなく、むしろこれらの実施例は、この開示を介して完全にし、当業者が本発明の概念を完全に実施するために提供されるものである。
【００６４】
実施例１
まず、洗浄されたシリカ基板を約２０ｍｔｏｒｒの減圧下で乾燥させた。窒素雰囲気下で、丸底フロスコに（３−アミノプロピル）ジエトキシメチルシランのトルエン溶液（１０−３Ｍ）を入れた。この溶液に、乾燥させたシリカ基板を浸漬させ、室温で反応させてシリル化した。
【００６５】
シリル化させた後、基板をトルエンで洗浄し、１２０℃、３０分間、乾燥器中で乾燥させ室温に冷却した。この冷却させた基板を、トルエン、体積比１：１のトルエンとメタノールとの混合溶媒、およびメタノール中に、それぞれ３分間、超音波処理により洗浄し、減圧下で乾燥させた。
【００６６】
次に、縮合させるため、アミノシリル化されたシリカ基板を、エタノール２５ｍＬに４−ニトロベンズアルデヒド２０ｍｇを含む溶液に、窒素雰囲気下、６時間、浸漬させた。この時、反応温度は５０℃に保持した。
【００６７】
反応後の基板を、それぞれ１分間ずつ過剰のメタノールで洗浄、メタノール中で超音波洗浄後にエタノール中で洗浄し、減圧下で乾燥させた。
【００６８】
シリカ基板上に得られた４−ニトロベンズアルジミン（4-nitrobenzealdimine）分子層を１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切取り、アルミニウム製の試料ホルダーに固定し、前記分子層とフォトマスクとの間に５μｍのギャップ間隔を設けてフォトマスクで覆い、超高真空チャンバー内に入れた。この超高真空チャンバーを１０−８ｔｏｒｒ以下に減圧し、６．５時間、基板上へ垂直に５００ｅＶの軟Ｘ線を照射した。このフォトマスクは、１０００メッシュサイズの透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）用グリッド（Ｅｎｅｒｇｙ Ｂｅａｍ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ Ｉｎｃ.，Ｇ−１０００ＨＳ）を用いた。軟Ｘ線の照射は、韓国の浦項加速器研究所の４Ｂ１光電子顕微鏡（ＰＥＥＭ）のビームラインで行った。
【００６９】
超高真空器から取り出した後、加水分解のため、基板を、５０℃、６０分間、純粋な脱イオン水３ｍｌとエタノール１ｍｌの混合液中に浸漬させた。加水分解後の基板を、脱イオン水とエタノールの混合液、およびアセトン中でそれぞれ３分間、超音波洗浄させ、減圧下で乾燥させた。
【００７０】
基板上に得られたパターンを、原子間力顕微鏡を用いて分析した。その結果を、図４に示す。
【００７１】
実施例２
シリカ基板の代わりに金基板を使用し、アミノチオール化のため（３−アミノプロピル）ジエトキシメチルシランの代わりに３−アミノプロパンチオールを使用したことを除いては、実施例１と同じ方法によりパターンを有する基板を製造した。洗浄した金基板を、エタノール中に３−アミノプロパンチオールを含む溶液（１０ｍｌ）に浸漬させ、アミノチオール化のため窒素雰囲気下、３時間反応させた。アミノチオール化後、前記基板を有機溶媒で洗浄し、減圧下で乾燥させた。
【００７２】
実施例３
４−ニトロベンズアルデヒドの代わりに４−ニトロシンナムアルデヒドを使用したことを除いては、実施例１と同じ方法により芳香族イミン分子層を基板上に形成した。パターニングにおいて、芳香族イミン分子層中の末端環から８０％のニトロ基が除去されるまで、５００ｅＶの軟Ｘ線を基板上に４．５時間、照射した。加水分解は、実施例１と同様にした。
【００７３】
実施例４
シリコン窒化膜上に数百ナノメーターから数十ナノメーターの様々な走査線幅を有する同心円が刻まれた金からなるゾーンプレートを、フォトマスクとして使用したことを除いては、実施例１と同様の方法によりパターンを有する基板を製造した。本実施例において、外側のゾーン（outer-zone）において８０ｎｍの最小加工寸法を有するゾーンプレートをフォトマスクとして用いた。ゾーンプレートをフォトマスクとして使用する場合、前記シリコン窒化膜を透過した軟Ｘ線の透過率は約５０％に減少する。そのため、軟Ｘ線は、実施例１におけるＸ線照射時間の２倍である、約２４時間照射した。この軟Ｘ線は、５００ｅＶおよび８００ｅＶのエネルギーレベルの双方で照射した。
【００７４】
実施例５
４−ニトロベンズアルデヒドの代わりに４−ニトロシンナムアルデヒドを使用し、ＴＥＭグリッドの代わりにゾーンプレートをフォトマスクとして使用したことを除いては、実施例１と同様の方法によりパターンを有する基板を製造した。軟Ｘ線は５００ｅＶおよび８００ｅＶのエネルギーレベルの双方で照射した。実施例４に記載した理由で、軟Ｘ線の照射時間は、それぞれのエネルギーレベルで約１０時間に延長した。
【００７５】
実施例６
トルエン中に、対称のポリ（スチレン−ブロック−メチルメタクリレート）共重合体（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｉｎｃ．製）を２質量％含む希釈溶液を、実施例１で製造されたナノパターンを有するシリカ基板上に、スピンコーティングを用いて２，５００〜３，０００ｒｐｍでコーティングした。得られた高分子薄膜を１８０℃、２４時間、真空乾燥器で熱処理した。ナノスケールパターンを有する半導体素子を製造するため、熱処理後の基板を、ＣＮ−イオンを含む０．０１Ｍ  ＫＣＮおよび２Ｍ  ＫＯＨのアルカリ溶液に浸漬させ、連続して攪拌させた。
【００７６】
実施例７
実施例１で製造されたナノパターンを有するシリカ基板を、この基板上にリンカー分子を固定化するため、スクシンイミジル４−マレイミドブチレート（ｓｕｃｃｉｎｉｍｉｄｙｌ  ４−ｍａｌｅｉｍｉｄｏ  ｂｕｔｙｒａｔｅ、ＳＭＢ）と反応させた。この固定化には、まずＳＭＢをＤＭＦ溶媒に溶解させ、炭酸水素ナトリウム緩衝溶液（５０ｍＭ、ｐＨ８．５）を用いて４倍に希釈して濃度２０ｍＭとした。３’−ＳＨ−１５ｍｅｒ−Ｃｙ３−５’をスポッティング溶液（１０ｍＭ  ＨＥＰＥＳ、５ｍＭ  ＥＤＴＡ、ｐＨ６．６）に溶解させ、次に、ＤＭＳＯ（４０体積％）を添加した。バイオチップを製造するため、スポッティング溶液を、マイクロアレイ用のピンタイプのスポッティング装置を用いて、リンカー分子が固定された基板上にスポッティングし、室温、湿度７０〜７５％に、３時間放置した。
【００７７】
実験例１：厚さ及び表面密度の測定
上記実施例において、芳香族アルデヒド化合物との反応前に、アミノシリル化またはアミノチオール化単分子層の厚さ、および、前記分子層表面のアミン基の密度を測定した。その結果、前記分子層の厚さは８Åから１０Åの範囲であり、アミノ基の密度は約３.５アミン／ｎｍ２であった。前記アミノシリル化単分子層と４−ニトロベンズアルデヒドおよび４−ニトロシンナムアルデヒドとの縮合後、厚さはそれぞれ４〜６Åおよび６〜８Å増加した。
【００７８】
実験例２：原子間力顕微鏡分析
実施例１において製造したパターンを有する基板を、図４に示すように、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて分析した。１０μｍ×１０μｍスケールの図４の写真は、５−μｍ幅のＴＥＭグリッドパターンが横断する基板表面を表す。図４において、この横断面の外側の領域は明るく見える。この明るい領域は、横断面の高さより約４Å程度高いと思われる。特に、この明るい領域には、フォトマスクとして用いたＴＥＭグリッドを介して光が照射されるため、これらの領域においてニトロ基が選択的に除去されてイミン基の化学変化を生じることで加水分解に対する耐性が得られ、これにより芳香環を有する疎水性表面が得られる。従って、照射領域の高さは、光を遮蔽するための５−μｍグリッドパターンが横断する非照射領域の高さよりも、芳香族環の大きさに等しい程度にまで高かった。
【００７９】
実施例２において製造したパターンを有する金基板もまた、ＡＦＭを用いて分析した。その結果、この金基板表面には図４に示されたものと同じパターンが観察された。
【００８０】
図５は、実施例３において基板上に形成されたパターンのＡＦＭ写真である。見掛け上は、軟Ｘ線が照射された領域および照射されなかった領域（５−μｍグリッドパターンの横断面に相当している）は、芳香族環の大きさに等しい段差を有している。実施例１において用いた４−ニトロベンズアルデヒドには存在しないアルケン結合（−ＣＨ２＝ＣＨ２−）を１つ有する４−ニトロシンナムアルデヒドを実施例３では用いたので、実施例３で形成されたパターンは、実施例１よりも高い約６Åの段差を示した。
【００８１】
図６および７は、実施例４において基板上に形成されたパターンのＡＦＭ写真である。図６は、ゾーンプレートを介して５００ｅＶの軟Ｘ線の照射により形成されたパターンにおける５μｍ×５μｍのエッジ領域を示す。このパターンは、１５０〜３００ｎｍほどの加工寸法を有し、右から左へいくほど狭くなっている。８０ｎｍの加工寸法を有するラインがさらに左の領域で見られた。図６において示されるパターンの明るい領域と暗い領域とでは、約７Åほど段差があった。
【００８２】
図７Ａおよび７Ｂは、ゾーンプレートを介して８００ｅＶの軟Ｘ線照射により基板上に形成されたパターンのＡＦＭ写真である。図７Ａは、ゾーンプレートの内側のゾーンを２２μｍ×２２μｍスケール表面で示す。この像の下の方では、より小さな加工寸法を有する部分的なな同心状パターンが見られる。図７Ｂは、パターンの外側のゾーンを２μｍ×２μｍに拡大したものを示す。図２Ｂの画像の左部分ではゾーンプレートによって遮蔽されない非パターン領域であり、右部分はパターンラインを有する最外輪パターン領域である。予想通り、８０ｎｍパターンラインが基板上にパターニングされているのが見られる。
【００８３】
ＡＦＭ分析の結果から、より高解像度のマスクを用いた本発明によるナノスケールパターニング方法により、数ナノメートルのスケールでの表面パターニングがなされたことが確認できた。
【００８４】
産業上の利用可能性
本発明によれば、交互に親水性と疎水性領域とを有する所望のナノスケール高解像度パターンを、短時間で基板表面に形成させることができる。かようなナノスケール高解像度パターンを有する前記基板は、共重合体でコーティングして選択的に表面がエッチングされることにより、ベース基板として、半導体分野において非常に有用である。反応性のある親水性アミン基がパターン中に存在することにより、酵素または様々な機能的物質との結合を、ナノスケールで制御することができる。従って、本発明のナノスケール高解像度パターニングは、高集積バイオチップや小型化バイオセンサーの開発において大いに貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】図１は、シリカ基板上に軟Ｘ線の照射により選択的な化学変化を生じ得る芳香族イミン単分子層を形成する本発明による方法を図示する。
【図２】図２は、金基板上に軟Ｘ線の照射により選択的な化学変化を生じ得る芳香族イミン単分子層を形成する本発明による方法を図示する。
【図３】図３は、フォトマスクを用いて芳香族イミン単分子層に、本発明により高解像度のパターニングする工程を図示する。
【図４】図４は、本発明の実施例１において基板表面に形成したパターンの拡大した原子間力顕微鏡写真である。
【図５】図５は、本発明の実施例２において基板表面に形成したパターンの拡大した原子間力顕微鏡写真である。
【図６】図６は、本発明の実施例４において５００ｅＶの軟Ｘ線の照射により形成されたパターンの原子間力顕微鏡写真である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の実施例４において、８００ｅＶの軟Ｘ線の照射により形成されたパターンの２２μｍ×２２μｍスケールで拡大した原子間力顕微鏡写真である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の実施例４において、８００ｅＶの軟Ｘ線の照射により形成されたパターンの２μｍ×２μｍスケールで拡大した原子間力顕微鏡写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【国際公開パンフレット】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に自己組織化アミノシリル化またはアミノチオール化単分子層を形成し、前記自己組織化アミノシリル化またはアミノチオール化単分子層の表面を置換された末端環を有する芳香族アルデヒドで処理して、置換された末端環を有する芳香族イミン単分子層を前記基板上に形成する段階と、
（ｂ）前記芳香族イミン単分子層から置換基を選択的に除去する段階と、
（ｃ）前記芳香族イミン単分子層を加水分解する段階と、
を含む、高解像度パターニング方法。
【請求項２】
前記置換された末端環を有する前記芳香族アルデヒドが、共役芳香族アルデヒドまたは非共役芳香族アルデヒドである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記置換された末端環を有する前記非共役芳香族アルデヒドが、下記式（１）で示される化合物である：
【化１】
2005502916.tif 000048
式中、ＸはＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記置換された末端環を有する前記共役芳香族アルデヒドが、下記式（２）、（３）または（４）で示される化合物である：
【化２】
2005502916.tif 000049
式中、ＸはＮＯ２、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記芳香族アルデヒドの置換基が、ニトロ基またはハロゲン基である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板が、シリカまたは金から形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（ｂ）前記芳香族イミン単分子層から置換基を選択的に除去する段階が、前記基板上に設置されたフォトマスクを介して、前記基板に軟Ｘ線を照射する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記軟Ｘ線が、エネルギーが４０ｅＶないし１５００ｅＶで、０．３ｎｍないし１０ｎｍの波長領域を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記フォトマスクが、ゾーンマスクである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
ベースプレートと、
前記ベースプレート上の表面層とを有し、前記表面層は一部に親水性アミン単分子層を含み、残りの部位に疎水性芳香族イミン単分子層を含み、これらが前記ナノスケールパターンを形成する、所定形状のナノスケールパターンを有する基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板上にジブロック共重合体をコーティングする段階と、
前記ジブロック共重合体でコーティングされた前記基板を熱処理（アニール）およびエッチングする段階と、
を含む、半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記ジブロック共重合体が、ポリ（スチレン−ブロック−メチルメタクリレート）である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の基板と、
前記親水性アミン分子層のアミン基に結合する生体分子と、
を含む、バイオチップ。
【請求項１４】
前記生分子が、タンパク質、ＤＮＡまたはＲＮＡである、請求項１３に記載のバイオチップ。
【国際調査報告】
2005502916.tif 000050
2005502916.tif 000051