(57)【要約】【課題】データハンドリング、ストレージ及び操作のための方法とシステム【解決手段】本願発明は、測定デバイスと、データハンドリング、ストレージ、及び操作の少なくとも一つの備えるコントローラとを備える改善されたデータ収集システムを提供する。本願発明はさらに、データハンドリング、ストレージ及び操作を備えた改善された方法を提供するもので、プロセスリアクタに結合した測定デバイスを使用する第１のデータのセットを測定する工程と、測定デバイスに結合するコントローラを作動させるピーク抽出アルゴリズムを使用し第１の減少されるデータのセットを生成する工程とを備える。ここで第１の減少されたデータのセットは、第１のデータセットのデータボリュームと等しいかより少ないデータボリュームを備える。本願発明の他の実施態様で、第１の減少されたデータセットと第２に減少されたデータセットは、決定され、比較され、プラズマ処理システムの状態と関連され得る。プラズマ処理システムの状態は、終点条件または故障条件を含むことができる。
2005527983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスリアクタと、
データ収集システムであって、
前記プロセスリアクタと結合した測定デバイスと、
前記測定デバイスと結合し、前記測定デバイスから抽出されるデータのハンドリングと、ストレージと、操作とを改良するアルゴリズムとを有するコントローラとを有する前記データ収集システムとを備える改良されたプラズマプロセスシステム。
【請求項２】
前記測定デバイスは、光検出デバイスと、電気測定デバイスとのうちの少なくとも１つである請求項１に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項３】
前記光検出デバイスは、検出器と、光学フィルタと、回折格子と、プリズムとのうちの少なくとも１つを有する請求項２に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項４】
前記光検出デバイスは、スペクトロメータと、モノクロメータとのうちの少なくとも１つである請求項２に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項５】
前記電気測定デバイスは、電圧プローブと、電流プローブと、外部ＲＦアンテナと、パワーメータとのうちの少なくとも１つである請求項２に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項６】
前記プラズマプロセスシステムを特徴づけるデータのハンドリング、ストレージ、及び操作の前記改良は、前記データのボリュームを減少されたデータに減少することを備える請求項１に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項７】
前記減少されるデータは、ピーク位置と、ピーク強度と、ピーク幅とのうちの少なくとも１つを備える請求項６に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項８】
前記ピーク位置は、波長と、波数と、周波数と、ラジアン周波数と、位相と、エネルギレベルとのうちの少なくとも１つである請求項７に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項９】
前記ピーク強度は、光強度と、ＲＦ電圧ハーモニックスと、ＲＦ電流ハーモニックスと、放射されるＲＦパワーのハーモニックスと、ＲＦパワーとのうちの少なくとも１つである請求項７に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１０】
前記ピーク幅は、ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）である請求項７に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１１】
データのハンドリングと、ストレージと、操作とを改良する前記アルゴリズムは、ピーク抽出アルゴリズムである請求項１に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１２】
前記ピーク抽出アルゴリズムは、Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙフィルタである請求項１１に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１３】
前記ピーク抽出アルゴリズムの出力は、ピーク位置と、ピーク強度と、ピーク幅とのうちの少なくとも１つである請求項１１に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１４】
前記ピーク位置は、波長と、波数と、周波数と、ラジアン周波数と、位相と、エネルギレベルとのうちの少なくとも１つである請求項１３に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１５】
前記ピーク強度は、光強度と、ＲＦ電圧ハーモニックスと、ＲＦ電流ハーモニックスと、ＲＦパワーハーモニックスとのうちの少なくとも１つである請求項１３に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１６】
前記ピーク幅は、ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）である請求項７に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項１７】
プラズマプロセスシステムのデータハンドリングと、ストレージと、操作との改良された方法であって、
プロセスリアクタに結合した測定デバイスを使用し、第１のデータのセットを測定することと、
前記測定デバイスに結合する前記測定デバイスコントローラで実行されるピーク抽出アルゴリズムを使用し、第１の減少したデータのセットを生成することと、
前記第１の減少されたデータのセットは、前記第１のデータのセットのデータボリュームと等しいか小さいデータボリュームであり、前記コントローラに前記第１の減少されたデータのセットを蓄積することとを備える方法。
【請求項１８】
測定デバイスは、光検出デバイスと、電気測定デバイスとのうちの少なくとも１つである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前期光検出デバイスは、検出器と、光学フィルタと、回折格子と、プリズムとのうちの少なくとも１つを有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記光検出デバイスは、スペクトロメータと、モノクロメータとのうちの少なくとも１つである請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記電気測定デバイスは、電圧プローブと、電流プローブと、外部ＲＦアンテナと、パワーメータとのうちの少なくとも１つである請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１のデータのセットは、光スペクトルと、ＲＦスペクトルのうちの少なくとも１つである請求項１７の方法。
【請求項２３】
前記第１の減少されたデータのセットは、ピーク位置と、ピーク強度と、ピーク幅とのうちの少なくとも１つを有する請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記ピーク位置は、波長と、波数と、周波数と、ラジアン周波数と、位相と、エネルギレベルとのうちの少なくとも１つである請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ピーク強度は、光強度と、ＲＦ電圧ハーモニックスと、ＲＦ電流ハーモニックスと、ＲＦパワーハーモニックスとのうちの少なくとも１つである請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記ピーク幅は、ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）である請求項７に記載のプラズマプロセスシステム。
【請求項２７】
前記ピーク抽出アルゴリズムは、Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙフィルタである請求項１７に記載の方法。
【請求項２８】
前記ピーク抽出アルゴリズムの出力は、ピーク位置と、ピーク強度と、ピーク幅とのうちの少なくとも１つである請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記ピーク位置は、波長と、波数と、周波数と、ラジアン周波数と、位相と、エネルギレベルとのうちの少なくとも１つである請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記ピーク強度は、光強度と、ＲＦ電圧ハーモニックスと、ＲＦ電流ハーモニックスと、ＲＦパワーハーモニックスとのうちの少なくとも１つである請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記ピーク幅は、ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）である請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
プロセスリアクタに結合した測定デバイスを使用し、第２のデータのセットを測定することと、
前記測定デバイスに結合する前記測定デバイスコントローラで実行されるピーク抽出アルゴリズムを使用し、第２の減少したデータのセットを生成することと、
前記第２の減少されたデータのセットは、前記第２のデータのセットのデータボリュームと等しいか小さいデータボリュームであり、前記コントローラに前記第２の減少されたデータのセットを蓄積することとを備える方法。
【請求項３３】
前記第２のデータのセットの前記測定は、前記第２の期間に対応し、
前記第１のデータのセットの前記測定は、前記第１の期間に対応する請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１の減少されたデータのセットを、前記第２の減少されたデータのセットと比較することと、
前記前記第１の減少されたデータのセットと、前記第２の減少されたデータのセットとの比較と、前記プラズマプロセスシステムとを相関を取ることとを備える請求項３２の方法。
【請求項３５】
前記第１の減少されたデータのセットを前記第２の減少されたデータのセットとの前記比較は、前記第１の減少されたデータのセットと前記第２の減少されたデータのセットとの間の差異の少なくとも１つを決定することを備える請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１の減少されたデータのセットと前記第２の減少されたデータのセットとの間の少なくとも１つの前記差異は、ピーク強度と、ピーク幅と、ピーク位置とのうちの少なくとも１つの差異を有する請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記第１の減少されたデータのセットと、前記第２の減少されたデータのセットとの比較と、前記プラズマプロセスシステムとの前記相関は、前記第１の減少されたデータのセットと、前記第２の減少されたデータのセットとの間とターゲット値との関係づけることを備える請求項３５の方法。
【請求項３８】
前記プラズマプロセスシステムの前記状態は、終点条件と、欠陥条件とのうちの少なくとも１つを備える請求項３４の方法。
【請求項３９】
前記プラズマプロセスシステムの前記状態は、前記第１の減少されたデータのセットと、前記第２の減少されたデータのセットとの間のうちの少なくとも１つの差異が、ターゲット値を越えた時に、終点検出器と、欠陥検出器とのうちの少なくとも１つを備える請求項３４の方法。
【請求項４０】
改良されたデータ収集システムは、
測定デバイスと、
前記測定デバイスに結合したコントローラとを有し、
前記コントローラは、前記測定デバイスから抽出されたデータのハンドリングと、ストレージと、操作とを改良するアルゴリズムを有する改良されたデータ収集システム。
【請求項４１】
前記測定デバイスは、光検出デバイスと、電気測定デバイスとのうちの少なくとも１つである請求項４１に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項４２】
前期光検出デバイスは、検出器と、光学フィルタと、回折格子と、プリズムとのうちの少なくとも１つを有する請求項４１に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項４３】
前記光検出デバイスは、スペクトロメータと、モノクロメータとのうちの少なくとも１つである請求項４１に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項４４】
前記電気測定デバイスは、電圧プローブと、電流プローブと、外部ＲＦアンテナと、パワーメータとのうちの少なくとも１つである請求項４１に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項４５】
前記プラズマプロセスシステムを特徴づけるデータのハンドリング、ストレージ、及び操作の前記改良は、前記データのボリュームを減少されたデータに減少することを備える請求項４０に記載の改良されたデータ収集システム。
前記第１のデータのセットは、光スペクトルと、ＲＦスペクトルのうちの少なくとも１つである請求項１７の方法。
【請求項４６】
前記減少されたデータは、ピーク位置と、ピーク強度と、ピーク幅とのうちの少なくとも１つを有する請求項４５に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項４７】
前記ピーク位置は、波長と、波数と、周波数と、ラジアン周波数と、位相と、エネルギレベルとのうちの少なくとも１つである請求項４６に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項４８】
前記ピーク強度は、光強度と、ＲＦ電圧ハーモニックスと、ＲＦ電流ハーモニックスと、ＲＦパワーハーモニックスとのうちの少なくとも１つである請求項４６に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項４９】
前記ピーク幅は、ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）である請求項４６に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項５０】
データのハンドリングと、ストレージと、操作とを改良する前記アルゴリズムは、ピーク抽出アルゴリズムである請求項４０に記載の改良されたデータ収集システム。
の改良されたデータ収集システム。
【請求項５１】
前記ピーク抽出アルゴリズムは、Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙフィルタである請求項５０に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項５２】
前記ピーク抽出アルゴリズムの出力は、ピーク位置と、ピーク強度と、ピーク幅とのうちの少なくとも１つである請求項５０に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項５３】
前記ピーク位置は、波長と、波数と、周波数と、ラジアン周波数と、位相と、エネルギレベルとのうちの少なくとも１つである請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記ピーク強度は、光強度と、ＲＦ電圧ハーモニックスと、ＲＦ電流ハーモニックスと、ＲＦパワーハーモニックスとのうちの少なくとも１つである請求項５２に記載の改良されたデータ収集システム。
【請求項５５】
前記ピーク幅は、ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）である請求項５２に記載の改良されたデータ収集システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願発明は、２００２年５月２９日に出願された米国仮出願番号第６０／３８３，６１２号の利益を請求し。その内容全体は参照してここに組み込まれる。
【０００２】
本願発明は、データ収集に関し、特にはデータ収集システムと、データ収集システムにおけるデータハンドリング（データ処理）、ストレージ、及び操作（manipulation）のための方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００３】
半導体産業の集積回路（ＩＣ）の製造は、基板から材料を除去したり、材料を堆積させたりするために必要な、プラズマリアクタ内の表面化学を生成し、促進するために概してプラズマが使用される。一般に、プラズマは、真空条件下で、供給されたプロセスガスにイオン化衝突を維持するのに十分なエネルギを有した加熱電子によってプラズマリアクタ内で形成される。さらに、熱い電子は、分離性衝突を継続するのに十分なエネルギを持つことができ、したがって、予め定められた条件（例えばチャンバ圧、ガス流量、その他）の下、ガスの特定のセットは、チャンバ内で実行される特定のプロセス（例えば、基板から材料を除去するエッチングプロセス、又は基板に材料を加える体積プロセス）に適合する荷電種と化学的反応種の集団を生成する為に選ばれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
典型的に、プラズマプロセスの間、例えば、エッチングアプリケーションのような、様々な診断技術、例えば光学発光分光法（ＯＥＳ）、ラジオ周波数（ＲＦ）電圧／電流／インピーダンス測定、ＲＦ調和（電圧／電流）測定値等、は、プラズマプロセスシステムの状態を特徴づけ、プラズマプロセスシステムのコントロールをし、プラズマプロセスシステムの欠陥検出をし、そして、例えば、プラズマプロセスシステムでエッチング終点を検出する為の方法を提供するために使用される。一般に、ＩＣデバイスサイズが縮小を続け、敏感にこれらのシステムを特徴づけることを要求されるデータ量は増加する傾向があった。
【０００５】
一例として、ＯＥＳデータは、データハンドリング、ストレージ及び操作に対し難しい問題を呈する。ＯＥＳデータに対する必要とされるデータ収集速度は、例えば１秒間に１０回のサンプリング速度で、６０００チャンネル（もしくは波長）もの大量データとなり得る。さらに、１秒間に１０回のデータ収集速度は、ウエハレベルのプロセス制御のためというより、むしろ終点検出だけのために１秒につき必要なのである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明は、測定デバイスと、データハンドリング、ストレージ、及び操作の少なくとも一つの備えるコントローラとを備える改善されたデータ収集システムを提供する。本願発明はさらに、データハンドリング、ストレージ及び操作を備えた改善された方法を提供するもので、プロセスリアクタに結合した測定装置を使用する第１のデータのセットを測定する工程と測定デバイスに結合するコントローラを作動させるピーク抽出アルゴリズムを使用し第１の減少されるデータのセットを生成する工程とを備える。ここで第１の減少されたデータのセットは、第１のデータセットのデータボリュームと等しいか、より少ないデータボリュームを備える。
【０００７】
本願発明の更なる他の目的は、データハンドリング、ストレージ、及び操作に対して付加的な改善された方法を提供することであり、操作は、プロセスリアクタに結合した測定デバイスを使用し、第２のデータセット測定する工程と、測定デバイスに結合したコントローラ上で実行されるピーク抽出アルゴリズムを使用して第２の減少したデータのセットを生成する工程とを備える。ここで第２の減少されたデータのセットは、第２のデータセットのデータボリュームと等しいか、より少ないデータボリュームを備える。
【０００８】
さらに本願発明の目的は、プラズマプロセスシステムに対しデータハンドリング、ストレージ、及び操作の付加的な改善された方法を提供するもので、第１の減少したデータのセットを第２の減少されたデータのセットと比較する工程と、第１の減少されたデータのセット及び第２の減少されたデータのセットの比較とプラズマプロセスシステムの状態との相関をとる工程とを備える。
【０００９】
本願発明のさらなる目的は、プロセスリアクタと、データ収集システムを備える改善されたプラズマ処理システムを提供することであり、データ収集システムは測定デバイスと、コントローラを備え、ここでコントローラはデータハンドリング、ストレージ及び操作の為の少なくとも１つのアルゴリズムを提供する。
【００１０】
本願発明のこれらと他の長所は、添付の図とともにされる発明の典型的な実施形態の以下の詳細な記述から、すぐに認識され、より明瞭になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本願発明の実施形態によれば、プラズマ処理システム１は、図１に示され、プロセスリアクタ１０と、データ収集システム１００とを備えており、ここでデータ収集システム１００は、測定デバイス５０とコントローラ５５を具備する。測定デバイス５０は、プロセスリアクタ１０に結合し、そして、コントローラ５５は、プロセスリアクタ１０の実行に関する信号を測定するために測定デバイス５２に結合する。さらに、コントローラ５５は改良されたデータハンドリング、ストレージ及び操作のためにアルゴリズムを実行することができる。
【００１２】
記載された実施形態において、プラズマプロセスシステム１は図１で表され、材料プロセスのためプラズマを利用する。望ましくは、プラズマプロセスシステム１は、エッチングチャンバを備える。あるいは、プラズマプロセスシステム１は、堆積（デポジション）チャンバ、例えば化学的気相成長（ＣＶＤ）システムまたは物理的気相成長（ＰＶＤ）システムを備える。
【００１３】
図２で表される本願発明の実施形態によれば、プラズマプロセスシステム１は、プロセスチャンバを有するプロセスリアクタ１０と、基板ホルダ２０と、その上に固定される処理対象の基板２５と、ガス注入（インジェクション）システム４０と、真空ポンプシステム５２とを備えることができる。基板２５は、例えば、半導体基板、ウェハ、または液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）であり得る。プロセスチャンバ１６は、たとえば、基板２５の表面に隣接しているプロセス領域４５でプラズマの生成を容易にするように構成することが出来、ここでプラズマは、加熱電子とイオン化可能なガスの間で衝突を介して形成される。イオン化可能な、ガスもしくは混合ガスは、ガス注入システム４０を介し導入され、プロセス圧力は調整される。例えば、たとえば、コントローラ５５は真空ポンプシステム５２を調節するのに用いられ得る。望ましく、プラズマは材料を予め定められた材料プロセスに特有な材料を生み出し、基板２５への材料を堆積、もしくは基板２５の露出した表面からの材料の除去のうちのいずれかを促進するために利用される。
【００１４】
例えば、基板２５は、ロボット式の基板移送システム経由で、スロットバルブ（図示せず）およびチャンバ供給部（ｃｈａｍｂｅｒ  ｆｅｅｄ−ｔｈｒｏｕｇｈ）（図示せず）を通じてプロセスチャンバ１６内外に移送されるが、この場合、この基板は、基板ホルダ２０の中に収容される基板持ち上げ用のピン（図示せず）によって受け入れられ、その内部に収容されたデバイスによって機械的に変換される。一度、基板２５が基板移送システムから受け入れられると、基板ホルダ２０の上面に下げられる。
【００１５】
望ましくは、基板２５は、例えば、静電式クランプシステム２８経由で基板ホルダ２０に固定することができる。さらにまた、基板ホルダ２０は、基板ホルダ２０からの熱を受け入れる再循環式の冷却剤の流れを含む冷却システムをさらに含むことができ、熱交換システム（図示せず）に熱を移送し、加熱時には、熱交換システムの熱を移送する。その上、基板２５と、基板ホルダ２０との間の隙間毎の熱伝導を改良すべく裏側のガスシステム２６経由で基板の裏側にガスを供給することができる。このようなシステムは、基板の温度制御が温度の上昇または低下に必要なときに利用することができる。例えば、基板の温度制御は、基板ホルダ２０への伝導によって基板２５から除去されるプラズマおよび熱流束から基板２５に供給される熱流束の均衡によって達成される固定状態での温度を越える温度で有効とすることができる。他の実施形態において、抵抗性加熱素子や、熱電気式ヒーター／クーラーなどの加熱素子を導入することができる。
【００１６】
図２に示す実施形態において、基板ホルダ２０は、電極を備え、この電極を通じて、、処理領域４５におけるプラズマにRF（Radio  Frequency：ラジオ周波数）電源を結合させる。例えば、基板ホルダ２０は、基板ホルダ２０へのインピーダンス整合ネットワーク３２を通じてRF発生器３０からのRFの送信経由でRF電圧で電気的にバイアスされる。このRFバイアスは、電子を加熱する役割を果たすことができ、それにより、プラズマを形成および維持する。この構成において、このシステムは、反応式イオンエッチング（ＲＩＥ）反応器として動作することができ、該システムにおいて、チャンバおよび上部ガス注入電極は、設置表面として機能する。RFバイアス用の代表的な周波数は、１メガヘルツ〜１００メガヘルツ（望ましくは、１３．５６メガヘルツ）までの範囲とすることができる。プラズマ処理用のRFシステムは、当業者に周知である。
【００１７】
一方、複数の周波数にて、基板ホルダ電極にはRFが印加される。さらにまた、インピーダンス整合ネットワーク３２は、反映された電力を最小化することによって、処理用チャンバ１０におけるプラズマに対するRFパワーの移送を最大化する役割を果たす。整合ネットワーク位相（例えば、Ｌタイプ、πタイプ、Ｔタイプなど）と、自動制御方法とは、当業者に周知である。
【００１８】
引き続き、図２について説明すると、処理ガスは、例えば、ガス注入システム４０を通じて処理領域４５に導入することができる。処理ガスは、例えば、アルゴン、ＣＦ４およびＯ２などのガスの混合物、あるいは、酸化エッチング適用のためのアルゴン、Ｃ４Ｆ８およびＯ２を、もしくは他の化学では、例えばO2/CO/Ar/C4F8,O2/CO/Ar/C5F8、O2/CO/Ar/C4F6,O2/CO/Ar/C4F6,N2/H2、備えることができる。ガス注入システム４０は、シャワーヘッドを備えることができ、この場合、処理ガスは、ガス供給システム（図示せず）から処理領域４５まで、ガス注入プレナム（図示せず）、一連のバッフル板（図示せず）とマルチオリフィス式シャワーヘッドガス注入板（図示せず）を通じて供給される。ガス注入システムは、当業者に周知である。
【００１９】
図１で記述されて、図２で再び示されるように、データ収集システム１００はプラズマプロセスシステム１の実行をモニターするためにプロセス室１６に結合する。データ収集システム１００は、コントローラ５５と測定デバイス５０を具備する。そして、それはプロセス領域４５でプラズマから発される光をモニターするための光検出デバイスでありえる。
【００２０】
測定デバイス５０は、プラズマから発される総光の強度を測るために（シリコン）フォトダイオードまたは光電子増倍管（ＰＭＴ）のような検出回路を含むことができる。それは、狭帯域干渉フィルターのような光学フィルターを更に含むことができる。代わりの実施形態で、測定デバイス５０は、ライン（線状）ＣＣＤ（電荷結合デバイス）またはＣＩＤ（電荷注入デバイス）アレイと回折格子またはプリズムのような光分散デバイスを具備することができる。さらに、測定デバイス５０は、与えられた波長で光を測定する為のモノクロメーター（例えば、回折格子／検出器システム）を、または光スペクトラムを測定するための分光計を（例えば回転回折格子）、例えばたとえば米国特許番号５，８８８，３３７に記載されているデバイス等、を具備することができる。
【００２１】
たとえば、測定デバイスは、Ｐｅａｋ  Ｓｅｎｓｏｒ  ＳｙｓｔｅｍｓもしくはＶｅｒｉｔｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社からの高分解能ＯＥＳセンサーを備えることが出来る。ＯＥＳセンサーは、紫外線（ＵＶ）、可視光（ＶＩＳ）、近赤外線（ＮＩＲ）にわたる幅広いスペクトルを具備することができる。分解能はおよそ１．４オングストロームである、すなわち、センサーは２４０から１０００ｎｍまで５５５０の波長を集めることができる。センサーは、次に、リニア２０４８ピクセルのＣＣＤ配列に集積された高感度ミニチュア光ファイバーＵＶ−ＶＩＳ−ＮＩＲ分光計を備える。
【００２２】
分光計は、シングル及びバンドルされた光ファイバーを通して送られる光を受け、そこで、光ファイバーからの光出力は固定格子を使用しラインＣＣＤアレイを横切って分散される。上で記述される構成と類似して、光学真空窓を通して発光する光はは、凸球面レンズによって光ファイバーの入力終端に集中する。３つの分光計、特に与えられたスペクトル域（ＵＶ、ＶＩＳ、ＮＩＲ）のために調整される各々は、プロセスチャンバのためにセンサーを形成する。各々の分光計は、独立したＡ／Ｄコンバータを含む。そして、最後に、センサー利用によって、完全な発光スペクトルが０．１から１．０秒ごとに記録される。
【００２３】
あるいは、測定デバイス５０は、プロセス領域４５と、電力計またはスペクトルアナライザーとを具備している電気系統の電気的性質をモニターするために電流及び／又は電圧プローブのような電気測定デバイスを具備することができる。たとえば、プラズマプロセスシステムは、プラズマをつくるためにしばしばＲＦパワーを使用され、そこにおいて、ＲＦ伝送線、例えば、同軸のケーブルまたは構造、は電気的結合素子（即ち、誘導コイル、電極等）を通してプラズマにＲＦエネルギを結合するために使用される。使用される電気的測定、例えば、電流−電圧婦ローブ、はＲＦ伝送ライン内のような電気的（ＲＦ）回路内のどこでも、働かすことが出来る。さらに、電気信号（例えば電圧または電流の時間トレース）の測定は、別々のフーリエ級数表現（周期信号を仮定すること）を使っている周波数スペースに、シグナルの変化を許す。その後、フーリエスペクトラム（または時変信号、周波数スペクトルのため）は、プラズマプロセスシステム１の状態を特徴づけるためにモニタされることができ、分析されることができる。電圧−電流プローブは、例えば、２００１年１月８日出願のペンディング米国出願番号６０／２５９，８６２号、１９９５年１１月１４日にＳｅｍａｔｅｃｈに発行された米国特許番号５４６７０１３号の中で詳しく記載され、それぞれは、全体として参照によってここに取り込まれる。
【００２４】
代わりの実施形態で、測定デバイス５０は、プラズマプロセスシステム１に外部の放射されたＲＦフィールド（電界）を計るために有効な広帯域ＲＦアンテナを具備することができる。
【００２５】
真空ポンプシステム５２は、例えば、毎秒５０００リットルまでのポンプ速度を実現可能なターボ分子式真空ポンプ（ＴＭＰ）と、チャンバ圧力のスロットル用のゲートバルブとを含む。ドライプラズマエッチングに利用される従来のプラズマ処理デバイスにおいては、毎秒１０００リットル〜３０００リットルのものが一般に用いられる。ＴＭＰは、低圧処理、通常、５０ｍＴｏｒｒ未満の場合に有効である。より高い圧力では、ＴＭＰポンプ速度は、急激に落ちてしまう。高圧処理（すなわち、１００ｍＴｏｒｒより大きい）場合、機械式ブースターポンプと、ドライ粗引きポンプ（ｄｒｙ  ｒｏｕｇｈｉｎｇ  ｐｕｍｐ）とを使用することができる。さらにまた、チャンバ圧力を監視するデバイスがプロセスチャンバ１６に結合される。この圧力測定チャンバは、例えば、ＭＫＳインストラメンツ社（ＭＫＳ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，ｉｎｃ．）（マサチューセッツ州、アンドーヴァ（Ａｎｄｏｖｅｒ，ＭＡ））による市販のタイプ６２８Ｂバラトン絶対容量マノメータとしてもよい。
【００２６】
コントローラ５５は、マイクロプロセッサと、メモリと、材料処理システム１からのモニタ出力のほか、材料処理システム１への入力を通信して起動するのに十分な制御電圧を生成することができるデジタル入出力ポートとを備える。さらに、コントローラ５５が、RF発生器３０、インピーダンス整合ネットワーク３２、ガス注入システム４０、真空ポンプシステム５０、圧力測定デバイス５２、裏側ガス供給システム２６、基板／基板ホルダ温度測定システム２７、静電式クランプシステム２８、および測定ツール１００に結合され、これらとの情報交換を行う。メモリ内に格納されたプログラムは、格納されたプロセスの製法に従って、材料処理システム１の上記コンポーネントへの入力を起動すべく利用される。コントローラ５５の一例としては、テキサス州、ダラスのデル・コーポレーション社（Ｄｅｌｌ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｄａｌｌａｓ，Ｔｅｘａｓ）により市販されるＤＥＬＬ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ  ６１０（登録商標）が挙げられる。
【００２７】
図３に示すように、プラズマプロセスシステム１は、磁場システム６０備え得る。例えば、磁場システム６０は、潜在的にプラズマの密度を増加させるため、及び／又はプラズマ処理の均一性を改良するため、静的、又は機械的もしくは電気的のどちらかで回転するｄｃ磁界システムをさらに備えることができる。さらに、回転速度および磁界強度を制限するため、磁界システム６０にコントローラ５５が結合される。回転式磁界の設計および実施は、当業者に周知である。
【００２８】
図４に示すように、図１のプラズマプロセスシステム１は、インピーダンス整合ネットワーク７４を通じてRF発生器７２からRFパワーを結合することが出来る上部電極７０を備えることができる。この上部電極にRFを印加する場合の代表的な周波数は、１０メガヘルツから２００メガヘルツ（望ましくは６０メガヘルツ）までの範囲とすることができる。また、下部電極に電力を印加する場合の代表的な周波数は、０．１メガヘルツから３０メガヘルツ（望ましくは２メガヘルツ）までの範囲とすることができる。さらに、コントローラ５５は、上部電極７０へのRFパワーの印加を制御するため、RF発生器７２およびインピーダンス整合ネットワーク７４に結合される。上部電極の設計と実施は、当業者に周知である。
【００２９】
図５に示すように、図１のプラズマプロセスシステムは、誘電コイル８０を備えることができる。例えば、ＲＦパワーは、ＲＦ発生器８２からインピーダンス整合ネットワーク８４を通じて誘電コイル８０に結合され、ＲＦぱわーは誘電コイル８０から、誘電ウィンドウ（図示せず）を通じてプラズマ処理領域４５に誘電結合される。誘電コイル８０にRFパワーを印加する場合の代表的な周波数は、１０メガヘルツから１００メガヘルツ（望ましくは、１３．５６メガヘルツ）の範囲とすることでできる。同様に、チャック電極に電力を印加する場合の代表的な周波数は、０．１メガヘルツから３０メガヘルツ（例えば、１３．５６メガヘルツ）の範囲とすることができる。また、スロット式のファラデーシールド（図示せず）は、誘電コイル８０と、プラズマとの間の容量結合を低減すべく使用されうる。さらに、コントローラ５５は、誘電コイル８０への電力の印加を制御するためRF発生器８２およびインピーダンス整合ネットワーク８４に結合される。他の実施形態で、誘導コイル８０は、変圧器結合プラズマ（ＴＣＰ）リアクタの上からプラズマプロセス領域と連絡（通信）する“スパイラル”コイル又は“パンケーキ”コイルである。誘電結合プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ；ＩＣＰ）ソースおよび変圧器結合プラズマ（ＴＣＰ）ソースの設計および実施は、当業者に周知である。
【００３０】
一方、上記プラズマは、電子サイクロトン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；ＥＣＲ）を使用して形成することができる。さらに別の実施形態において、このプラズマは、ヘリコン波の発生から形成される。さらに別の実施形態において、このプラズマは、拡散する表面波から形成される。上述した各プラズマソースは、当業者に周知である。
【００３１】
上で示したように、データ収集システム１００は、測定デバイス５０とコントローラ５５とを備え、ここでコントローラ５５は、改良されたデータハンドリング、ストレージ、及び操作のためのアルゴリズムを実行することができる。以下の説明において、プラズマプロセスシステム１から抽出されるデータのハンドリング、ストレージ及び操作は、一例として、光学発光分光法（ＯＥＳ）を使って示される。しかし、データのハンドリング、ストレージ及び操作の改良された方法は、この典型的な表現によって有効な範囲は制限されない。
【００３２】
光学発光分光法（ＯＥＳ）を使うとき、前に記載されたように、電磁放射のいろいろなエネルギーは、結晶または回折格子を使って空間的に分離され得る。回折格子は、波長に対応して入射光を分離する。光子（photon）のエネルギと波長とは、式によって関係づけられ、すなわち
【数１】
2005527983.tif 000003
【００３３】
ここでνは周波数、λは波長、ｃは光の速度である。光子のエネルギは、式によって周波数と関係する。すなわち
【数２】
2005527983.tif 000004
【００３４】
ここでＥはプランク定数である。式（１）及び式（２）の組み合わせは、以下の式を与える。
【数３】
2005527983.tif 000005
【００３５】
スペクトルは、入射光のエネルギーもしくは波長分布を表したものである。どちらの場合（エネルギーまたは波長）でも、スペクトラムは、エネルギーＥからＥ＋δＥへの範囲（スパン）で、または波長λからλ＋δλへの範囲（スパン）で、起こる光子の相対的な数を表示する。それにより、発光スペクトルの縦軸は、そして、強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）（Ｅ／δＥ）または強度（λ／δλ）としてしばしばラベルをつけられる。これらの表現は、ＥからＥ＋δＥまでの範囲でエネルギＥでの強度を、λからλ＋δλまでの範囲で波長λでの強度を示す。２つの表現の間の変換は、それぞれ、エネルギー２乗または波長２乗による割ることにより達成され得る。
【００３６】
図６は、プラズマエッチング工程からの典型的光学発光スペクトルを示す。たとえば、典型的プラズマエッチング工程からのＯＥＳスペクトラムは、波長空間の広い範囲をカバーしているゆっくり様々なバックグラウンド構造を示すことができる。さらに、広い形状が、２５０からおよそ４００ナノメートル（ｎｍ）までの範囲にある。スペクトラムのバックグラウンドは、プラズマ温度と電子密度に依存することができる。さらに、およそ６００ｎｍに、終点検出のために有効であるの付加的な形状が存在する。
【００３７】
図７は、測定された線幅を表す典型的な測定された光学発光スペクトルを示す。例えば、スペクトルピークは、３つのパラメータ、即ち、波長、強度、及び幅によって特徴づけることができる。波長は、スペクトル中のピークの中心の位置として定義することが出来る。ピークを表示するポイントを通じて、ガウス曲線フィッティングのＸＯ値として、センターはしばしば定められる。あるいは、図８で示すように、ピークのセンターは、スペクトラムの第１の微分のゼロ交差によって近似することができる。孤立したガウスの形づくられたピークの場合、第１の微分のゼロ交差は、ポイントにフィットされるガウス曲線のＸＯ値と同じ位置で起こる。第１の微分技術の利点は、単純性と速度である。
【００３８】
ピークの強度は、ピークの一方からピークの向こう側まで曲線の下のエリアとして定義することができる。単純なテクニックは、ピークの一方から他方にラインを引き、ピークとラインに囲まれているエリアを抽出することである。ラインより上のエリアは、バックグラウンド修正された強度であって、時々ネット（正味）強度として参照される；図７を見ること。その他の実施形態で、第２の微分の曲線のゼロ交差とカーブの上の間のエリアは、バックグラウンドより上のネット（正味）強度に比例する；図９を見なさい。フィルタ幅の最適の選択で、このテクニックの統計学は、重要な半値幅（ＦＷＨＭ）領域上の積分の統計量に近づく。
【００３９】
Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙ（ＳＶＧ）テクニックはスペクトルデータを平滑化（スムーシング）するために広く使用される。そして、ピーク位置を見つけだし、時々バックグラウンドより上のピーク強度を抽出する；Ｓａｖｉｔｓｋｙ、Ａ.とＧＯＬＡＹ．Ｍ. Ｊ. の１９６４、Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、第３６巻、ｐｐ. 1627―1639を見なさい。加えて、このテクニックは、データから独立している好都合な計算とフィルター係数のオファーを提供する。
【００４０】
ＳＶＧ技術は、データのチャネルのいくらかの数の上に次数ｎの多項式の最小２乗法フィッティングに基づくものである。フィルタは、中心ポイントの両側にチャネルの等しい数を延長する。そして、フィルタは、中心ポイントの左に、中心ポイントの右のポイントの数と、等しいポイントの数を含む幅を有する。トータルフィルタ幅は2ｍ＋1として表され、そこで、ｍはフィルタされた（または計算された）ポイントの両側のチャネルの数である。Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙフィルタのアプリケーションは、スペクトラムの下部の側から少なくともｍ＋1チャネルで、第１のフィルターをかけられたポイントスタートを計算することによって進行する。そして、一度に１つのチャネルに沿ってフィルタを動かしてスペクトラムの上部末端の前に、フィルタｍチャネルを止める。
【００４１】
ＳＶＧフィルタは、データｙｊの中央点について、多項式拡張の係数を計算する。すなわち
【数４】
2005527983.tif 000006
【００４２】
ここでｉはｊ−ｍからｊ＋ｍ、ｊ＝０、１、…、ｎの範囲で、最小二乗法フィッティングテクニックを使用する。ｘの値がいくぶん任意である点に注意することは、興味深い；唯一の要求は、中央点がゼロであるということである。均一なノイズ寄与を仮定して、テクニックにフィットしている最小２乗のアプリケーションは、マトリックス定式化に至る：
【数５】
2005527983.tif 000007
【００４３】
ここでＸｉｊ＝ｉｊ、ｉ＝−ｍ、−ｍ＋１、…、０、…、ｍ−１、ｍ  そしてｊ＝０，１，…、ｎである。ａ０，ａ１そしてａ２はのフィッティング値は、ポイントｙでのデータの平均、第１の微分、および第２の微分に、それぞれ密接に関係する。ａ（ａの上にバーを有する）のマトリックスの方程式（４）を解く。
【数６】
2005527983.tif 000008
【００４４】
マトリックス｛ｘＴｘ｝−１ｘＴ（ｘの上にはそれぞれバーを有する、以下同じ）は、多項式の次数とフィルタ幅にのみ依存し、データｙ（ｙの上にバーを有する、以下同じ）には依存しない。これは、マトリックス｛ｘＴｘ｝−１ｘＴは、与えられた多項式の次数とフィルタ幅のため一旦計算することが出来、繰り返して使うことができる。この観測は、自動化された使用に対し、Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙのフィルタリングテクニックを、早く、効果的にさせる。
【００４５】
ＳＶＧピーク抽出ルーチンからの出力は、概して多数のデータトリプレット、各測られた波長からなる各々のデータトリプレット、強度及びピーク幅の配列から成る。配列は、検出されるピークの数に従いより多くであるかより少しのデータトリプレットを含むことができる。しかし、データの最初のセットがピーク情報を抽出したものであるより、データトリプレットを具備しているデータの配列は、大きさにおいてかなり小さくなる。
【００４６】
プラズマエッチング工程におけるプラズマの典型的プロセス実行は、一連の工程から成り、それぞれの工程は１から１８０秒まで続いている。各々の工程の間、プロセスガス流量、ＲＦ電源と他のプロセス入力変数は、コントロールされ得る。時間とともに測られる特定のパラメーターは、工程の間で測られたパラメーターで変更を反映している一連の工程として、プロセス変数を変更する効果を示す傾向がある。工程の間、測られたパラメーターは、相対的に入力パラメータ、圧力、温度、及びプラズマチャンバ内で起こるプロセスの変動を反映している定数である傾向がある。それに加えて、プラズマはエッチングを行う１種類の材料を取り除き、そしてもう一種類の材料を露出する、プラズマの化学合成変化は光学発光スペクトラムの変化を引き起こす。１つの可能なスペクトラム変化は、現在プラズマに暴露されないか、暴露されない材料に属している特性輝線の出現か消滅である。
【００４７】
ＳＶＧを使って抽出されて、実行される典型的プロセスからのピークの部分的なリストは、図１０に示す。プロセス実行の初めに、主に処理工程の低消費電力のために、ほんの少しのピークだけは、検出された。プロセスの後半に、検出されたピークとそれらの強度の数は、増加した。実行の最後の方は、主にプラズマの化学合成の変化のために、スペクトルシグニチャーは、変化した。図１０の表において、波長と２つの連続期間¨Ｔ＝5¨と“Ｔ＝6¨の波長と強度は示される。いろいろな波長での相対的なピーク強度は、異なるソート順に現れるエントリの原因になって変化することに留意すべきです。しかし、このピークリストに対し、各々の波長は、両方のリストに現れる。プロセス実行から全ての波長の一致に基づいた適応可能なスペクトルシグニチャーは、同じ波長、もしくは、結合された出力テーブルの別々の行の同じ波長に極めて近い波長で、発生するピークに設置することにより定式化できる。この場合、各々の行は特定の波長ビンを参照すると、各々の列は特定の測定期間を参照する。新しい波長が検出された時、新しい行はテーブルに置かれる。この概念は、図１１の表で例示される。図１１の表は、データの前処理がどのような取り扱かわれたかは、１つの位置から他の位置に移動され、処理され、保存されプラズマプロセスシステムを特徴づける可能性の減少されたデータセットを形成されるデータのボリュームは激減出来ることを例示する。この前処理工程の１つの例示は、ピークパラメータ、例えば位置（もしくは波長）、強度、幅、を抽出されることである。
【００４８】
ＳＶＧフィルタリングは当業者には有名であり、Numerical Recipes in C, Press et AL., Cambridge University Press, pp. 650 ff.で発表され、そのような、アルゴリズムは市販されている。
【００４９】
代わりの実施形態で、ＲＦ測定からの典型的なＲＦスペクトラムは、ＲＦ伝送ライン内のループアンテナを挿入することによって実行され、図１２に示される。図１２において、観測された識別可能な複数のピークは、基本ＲＦ周波数（励起周波数）と励起周波数のハーモニックス（２次、３次、…）に関係する。多重励起周波数が使用される時（例えば６０ＭＨｚと２ＭＨｚ）、スペクトルは、多重励起周波数と内部変調製品に関連したハーモニックス（調波）周波数を含むことが出来る。前述の通り、ＳＶＧフィルタリング技術を使用し、図１４で報告されるデータのセットは処理されることができる。そして、ＲＦピーク（またはハーモニックス）を記載しているデータの減少されたセットを与える。
【００５０】
プラズマプロセスシステムのためのデータハンドリング、ストレージ及び操作の改良された方法は、図１３に参照として記載する。プロシジャ５００を記述しているフローチャートは図１３で示され、プロシジャ５００は５１０で始まる。５１０において、例えば、第１のデータのセッは、第１の時間もしくは第１の基板に対応する。先に記載したように、測定デバイスは、例えば光検出デバイス（スペクトルメータ、モノクロメータ、検出器を含む光学デバイス、光学フィルタ、回折格子及び／又はプリズム等）もしくは電気測定デバイス（例えば電圧プローブ、電流プローブ、パワーメータ、外部ＲＦアンテナ等）であり得る。一般で、第１のデータののセットは、プラズマ処理システムで起こっているプロセスと関連する物理的意味を有している識別可能なピークを示しているデータトレースでありえる。たとえば、データトレースは、光のスペクトラムまたはＲＦスペクトラムでありえる。
【００５１】
５２０で、第１の減少されたのデータセットは、ピークの抽出アルゴリズムを使用しているプロセスリアクタから得られるデータの第１のセットから生ずる。上で示したように、たとえば、ピークの抽出アルゴリズムは、Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙフィルタでありえる。
【００５２】
１の実施形態において、ピークの抽出アルゴリズムを使用しているデータ減少が少なくとも１つのピーク位置（例えば波長、波数、周波数、ラジアン周波数、位相（フェーズ）、その他）、ピーク強度（例えば光強度、ＲＦハーモニックス（調波）電圧、ＲＦ電流高調波、発散する調波電源の倍音、ＲＦ調波電源、その他）、ピーク幅（例えばピーク半値幅、その他）で、第１のデータのセットで観察される識別可能なピークと関係して提供される。５３０において、減少されたデータの第１のセットは、蓄積される。
【００５３】
代わりの実施形態で、プラズマ処理システムのためのデータハンドリング、ストレージ及び操作の改良された方法は、図１４に参照として記載される。方法が記載されたプロシジャ６００は、図１４に示され、５１０で始まり、５３０を通り、そこで６１０によって、第２のデータのセットがプロセスリアクタに結合する測定デバイスを使って測られることになっている。データの第２セットは、たとえば、第２の時間または第２の基板に対応することができる。先に述べたように、たとえば、測定デバイスは、光検出デバイスでありえる（例えば分光計、モノクロメーター、検出器を含んでいる光デバイス、光学フィルター、回折格子および／またはプリズム、その他）、あるいは、電気測定デバイス（例えば電圧プローブ、電流プローブ、電力計、外部ＲＦアンテナ、その他）でありえる。一般に、第２のデータのセットは、プラズマプロセスシステムで起こっているプロセスと関連する物理的手段を有する識別可能なピークを示しているデータトレースであり得る。たとえば、データトレースは、光のスペクトラムまたはＲＦスペクトラムでありえる。
【００５４】
６２０で、第２の減少されたデータのセットは、ピークの抽出アルゴリズムを使用しているプロセスリアクタから得られる第２のデータのセットから生ずる。上で示したように、たとえば、ピークの抽出アルゴリズムは、Ｓａｖｉｔｓｋｙ-Ｇｏｌａｙフィルタでありえる。１の実施形態において、ピークの抽出アルゴリズムを使用しているデータ減少が少なくとも１つのピーク位置（例えば波長、波数、周波数、ラジアン周波数、位相（フェーズ）、その他）、ピーク強度（例えば光強度、ＲＦハーモニックス（調波）電圧、ＲＦ電流高調波、発散する調波電源の倍音、ＲＦ調波電源、その他）、ピーク幅（例えばピーク半値幅、その他）で、第２のデータのセットで観察される識別可能なピークと関係して提供される。６３０において、減少された第２のデータのセットは、蓄積される。
【００５５】
代わりの実施形態として、プラズマ処理システムのためのデータハンドリング、ストレージ及び操作の改良された方法は、図１５に参照として記載される。図１５で、プロシジャ６００（図１４から）は、更に７１０に続く方法が記載され、ここで第１の減少されたデータのセットが、第２の減少されたデータのセットと比較される。比較は、たとえば、第１の減少されたデータのセットと第２の減少されたデータのセットの間で少なくとも１つの差異の決定を具備することができる。
【００５６】
７２０で、第１の減少されたデータのセットと第２の減少されたデータのセットとの比較は、プラズマ処理システムの状態を決定するために利用される。たとえば、差が目標値を上回るとき、第１の減少されたデータのセットと第２のげんしょうされたデータのセットとの間の差異の少なくとも１つは、ターゲット（目標）値と比較でき、ここでターゲット値を越える時は、プラズマプロセスシステムの状態を決定される。プラズマ処理システムの状態は、たとえば終点条件（たとえばエッチング工程の終点または故障条件）を具備することができる。そして、欠陥は、プラズマ処理システムで検出される。
【００５７】
本願発明の実施形態において、データハンドリング、ストレージ及び操作の改良された方法は、リアルタイムで得られるデータを利用し、リアルタイムで実行される。たとえば、獲得したデータは形状減少されたデータに変換されることができ、その後、減少されたデータは決してメモリーで獲得したデータを蓄積しなかったことなく記憶装置の上で蓄積されることができる。代わりの実施形態で、方法は前に蓄積されたデータを利用して実行される。たとえば、獲得したデータは記憶装置の上で蓄積されることができ、同じプロセッサーか異なるプロセッサーでもどちらでも、あとでデータを形状減少されたデータに変えることができ、それでどちらの記憶装置の上ででも減少されたデータを蓄積することができる。他の実施形態で、データは並列で得られることができてと並列減少されたデータに変換される。
【００５８】
この発明のある典型的な実施形態だけを上で詳述したが、当業者は多くの修正が新しい教示から具体的に出発することのない典型的な実施形態とこの発明の利点で可能であると容易に認める。したがって、全てのそのような修正は、この発明の範囲内に含まれることは予定される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、本願発明の好ましい実施形態によるプラズマ処理システムを示す図である。
【図２】図２は、本願発明の他の実施形態によるプラズマ処理システムを示す図である。
【図３】図３は、本願発明のもう一つの実施形態によるプラズマ処理システムを示す図である。
【図４】図４は、本願発明のもう一つの実施形態によるプラズマ処理システムを示す図である。
【図５】図５は、本願発明の付加的な実施形態によるプラズマ処理システムを示す図である。
【図６】図６は、プラズマエッチング工程から典型的光学発光スペクトルを示す図である。
【図７】図７は、測定された線幅を示す典型的な測定された光学発光分光を示す図である。
【図８】図８は、図９で示されるスペクトルピークの第１の微分のゼロ交差を示す図である。
【図９】図９は、図９で示されるスペクトルピークの第２の微分のゼロ交差を示す図である。
【図１０】図１０は、プラズマプロセスから減少された典型的データのセットを表している表を示す図である。
【図１１】図１１は、プラズマプロセスから減少された典型的データのセットを表している付加的な表を示す図である。
【図１２】図１２は、プラズマプロセスシステムで電気測定から典型的ＲＦスペクトルを表す図である。
【図１３】図１３は、本願発明の実施形態による改善されたデータハンドリング、ストレージ及び操作の方法を示す図である。
【図１４】図１４は、本願発明の実施形態による改善されたデータハンドリング、ストレージ及び操作のもう１つの方法を示す図である。
【図１５】図１５は、本願発明の実施形態による改善されたデータハンドリング、ストレージ及び操作のもう１つの方法を示す図である。
【図１】
2005527983.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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