(57)【要約】源基板（６）から生じ、支持基板（７）上に転送されている材料の有用層（６３）の面積を増加させる方法。これら二枚の基板の一方が主面取り部（７４、６４）により囲まれ、その表面が少なくとも輪郭線（Ｃ７）の平坦中央領域（７０）を有し、他方の基板が周辺側面（６６）で縁取られた平坦領域（６７）を有し、周辺側面は平坦領域に垂直又はほぼ垂直であり、平坦領域（６７）の外郭線（Ｃ“６）の寸法が第一基板（７）の平坦中央領域（７０）の外郭線（Ｃ７）の寸法より大きく、結合中に、平坦中央領域（７０）の外郭線（Ｃ７）が平坦領域（６７）の外郭線（Ｃ“６）内に入り込むように、二枚の基板（６，７）の内の一方が他方に対して適用されるという点でこの発明は注目に値する。この発明は、電子工学、光学又は光電子工学向けの複合基板の製造に適用できる。
2005533394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に、電子工学、光学又は光電子工学の分野で用いられる複合基板の製造中に支持基板へ転送される材料、特に、半導体材料、の有用層の面積を増加させる方法であって、源基板の表面を支持基板の対向する表面に分子結合する少なくとも一工程と、前記源基板から生じる有用層を前記支持基板上に転送する工程を備え、前記有用層は前記源基板の前記表面から該源基板の内部へ延在し、前記方法は、
前記結合工程の前に、
第一基板である前記支持及び源基板のいずれか一方が主面取り部により囲まれ、前記第一基板の表面が平坦中央領域を有し、
第二基板である他方の基板がバルク基板で、前記第二基板の表面が周辺側面で縁取られた平坦領域を有し、前記周辺側面は前記平坦領域に垂直又はほぼ垂直であり、
前記平坦領域の外郭線の寸法が前記第一基板の前記平坦中央領域の外郭線の寸法より大きく、
結合中に、
前記第一基板の前記平坦中央領域の前記外郭線が前記第二基板の前記平坦領域の前記外郭線内に入り込むように、前記二枚の基板の内の一方が他方に対して適用されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第二基板の前記平坦領域の前記外郭線の寸法が前記第一基板の前記主面取り部の内郭線の寸法より大きく、結合中に、前記第一基板の前記主面取り部の前記内郭線が前記第二基板の前記平坦領域の前記外郭線内に入り込むように、前記二枚の基板の内の一方が他方に対して適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一基板の前記表面が、前記平坦中央領域と前記主面取り部との間に延在する副面取り部を備えることを特徴とする請求項１又は２いずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記第二基板の前記平坦領域に対して前記平坦中央領域が中央に位置するように前記第一基板が前記第二基板に結合されることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第二基板は前記源基板であることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記源基板と前記支持基板とを互いに結合する工程の前に前記源基板内に脆弱領域を形成し、前記転送される有用層が前記脆弱領域と前記源基板の前記表面との間に延在し、
前記結合工程の後に前記脆弱領域に沿って前記源基板の残存部分から前記有用層を剥離することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記脆弱領域は原子種注入により形成されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記脆弱領域は多孔層により形成されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
機械的又は電気的オリジンによる圧力を加える、熱エネルギを供給する、そして、化学的エッチングのいずれか一つの技術又は組み合わせにより前記有用層が剥離されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記源基板の前記表面、そして、前記支持基板の前記表面の少なくともいずれか一表面が絶縁材料の層で覆われることを特徴とする請求項１乃至９いずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、特に、電子工学、光学又は光電子工学向けの、基板の製造中に支持基板へ効果的に転送される半導体材料の有用層の面積を増加させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では、分子結合（“ｗａｆｅｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ”として知られる）による結合と、“周辺リング”として知られる領域を有する支持基板への有用層の転送との組み合わせ技術を用いてすべての基板が製造されている。
【０００３】
このリングは支持基板の周辺に位置する領域であって、そのために有用層が転送された訳ではなく、即ち、転送が行われた場合、このリングは、その中で有用層が部分的に転送された領域であり、又は、上記支持基板との結合力が弱いために、その後の処理において消失したものである。
【０００４】
図１、図２に各々示すのは、“ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ”という意味の頭字語“ＳＯＩ”により当業者に知られる基板の断面図と平面図である。
【０００５】
図１に示すのは、シリコン支持基板１で、この上に、シリコン層２２に覆われたシリコン酸化物層２１を有する複合層２が分子結合により転送されている。
【０００６】
文言“リング”３は、支持基板１のほぼ環状の領域であって、その上に複合層２が転送されていない、又は、十分に転送されなかったものとして定義される。
【０００７】
さらに詳細には、図２の平面図において、このリング３は幅、且つ又は、形状が変化しており、即ち、複合層２の垂直な側部２００が不規則（ぎざぎざ）になっており、且つ又は、複合層のアイランド２‘が支持基板１へ転送されて存在してもよく、しかし、これはその複合層２の中央部分の残存部分から離れている。
【０００８】
図１及び図２は、各層、支持基板そしてリングの幅に関し、実際とはスケールが異なる概略図であることに注意されたい。
【０００９】
このリング現象は、例えば、“ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ”という意味の頭字語“ＳＩＣＯＩ”又は“ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ  ｏｎ  ｑｕａｒｔｚ”という意味の頭字語“ＳＯＱ”により当業者に知られる他の基板にも起きる。ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ  ｏｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ（ＡｓＧａ／Ｓｉ）を含む他の多層基板にもリングが見られる。
【００１０】
例えば、窒化シリコンの２インチ（５０ミリメートル（ｍｍ））からあるシリコン基板の１２インチ（３００ミリメートル）に至る支持基板１の直径とは無関係に、このリング３は、通常、その幅が１ｍｍ乃至４ｍｍ±０．５ｍｍ変化する。さらにその幅が変動し、即ち、基板の一端での幅が他端より小さくなる。
【００１１】
層転送中にこのリングが見られることには以下に議論するように種々の原因がある。特筆すべきは用いる基板が面取りされていること、結合エネルギの変化、そして、基板製造方法における各種の積極的な工程である。
【００１２】
リングが見られることを説明するのに図３を引用するが、これは、分子結合により結合された２枚の基板の各片側の一部、即ち、それから有用層が切り取られる源基板４と、その有用層を受けるための支持基板５の概略断面図を示している。この図は従来技術を示している。
【００１３】
以後の記載並びに図面においては、基板は円形形状を有するものとし、これは、この形状が最も多く見られるからである。しかし、これは他の形状でも構わない。
【００１４】
源基板４は二つの平行に向かい合う面を有し、図３において、参照番号４００がそれら面の一つである“表”を示す。この表面４００が支持基板５上に結合されることになる。源基板４は側部４１を有する。
【００１５】
さらに、裏部分と後で支持基板５に転送される有用層４３という二つの部分を確定する脆弱領域４２を形成する処理が基板４に施されている。
【００１６】
以後の記載並びに請求の範囲において、文言“有用層”は、例えば、以下に記載する原子種注入、摩擦研磨、且つ又は、化学エッチングの方法により厚みが変わる転送された層を意味する。
【００１７】
最近では、源基板と支持基板に使われる基板は市場で入手できるものであり、標準化された条件を満足するものである（例えば、シリコン基板におけるＳＥＭＩ  ＭＩ−０３０２標準）。これら標準は、主に、それら基板が可能な限りいろんなユーザの装置に適用できるようにするものである。
【００１８】
それら標準によれば、側部４１と表面４００とが交わる部分に環状の主面取り部４４又は主垂下部が基板４に設けられており、これは、表面４００の面と、さらに詳細には、後で説明するように、高精度に平坦な領域４０と大きな角度α（４５度に近い）を成している。この主面取り部４４は半径方向に幅Ｌ以上に渡って延在している。幅Ｌは各種基板に応じて１００マイクロメートル（μｍ）から５００μｍに渡って変化する。主面取り部４４は源基板４の機械的破断並びに切り込みのリスクを削減するものである。
【００１９】
源基板４について上記述べたのと同じように、支持基板５は表面５００、側部５１、そして、主面取り部５４を有する。
【００２０】
基板４、５が互いに結合される場合には面取り部４４，５４において結合は行われず、これは角度αの大きさによるものである。そこで、リング幅がそれら主面取り部４４，５４の幅Ｌに相当することになると予想される。ところが、図に見られるように、それは、実際、大きくなっている。
【００２１】
図に見られるように、基板４の表面４００は、実際、二つの領域を有し、即ち、基板４のほぼ中央に位置し、以後、“平坦中央領域”と称する第一の平坦領域４０と第一領域を取り囲む第二領域４５とを有する。
【００２２】
第二領域４５は副面取り部であり、これは、通常、環状を成し又は副垂下部であり、平坦中央領域４０の平面と角度βを成す。この副面取り部４５は平坦領域４０と主面取り部４４との間に延在している。
【００２３】
以後の記載並びに請求の範囲において、文言“平坦”は結合に適する平坦さを意味し、文言“中央領域”はほぼ基板表面中央に位置する領域を意味するが、その表面上で若干編心して位置してもよい。
【００２４】
図３並びにそれ以降の図面は概略的であり、明瞭にするために、これらの図において角度βはかなり誇張されている。
【００２５】
さらに詳細には、副面取り部４５は主面取り部４４ほどには鋭くない垂下部を構成し、これは各種基板形成工程（ラッピング、研磨、化学エッチング）の間に見られ、これらの工程が基板側でより大きいエッチング及び材料除去効果を生む。副面取り部４５は標準から外れるものである。その幅Ｌ‘は市場で入手可能な基板上で半径方向に５００μｍから３０００μｍに渡って取り得る。副面取り部４５は上記標準では規定されない寸法を有する高精度には確定されない領域である。さらに、角度βの値は変動し、従って、副面取り部４５は、図３に概略的に示すように平坦ではなく、場所によってドーム状であったり、平坦ではない。
【００２６】
その結果、実際には（そして各概略的な図と比べて）、源基板４の側部は複数の傾斜面ではなく、多少凸形状であり、即ち、副面取り部４５と主面取り部４４との間、又は、主面取り部と側部４１との間にエッジがない。凸形状とするのは基板４に如何なる切り込みも生じないようにするためである。
【００２７】
源基板４について上記述べたのと同様に、支持基板５は平坦な中央領域５０とほぼ環状の副面取り部５５を有し、副面取り部４５と同様に平坦ではない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
平坦ではない表面やそのような副面取り部４５、５５の存在を許さない分子結合では結合やその領域での層転送が十分ではなく、周辺リングが見られることになる。
【００２９】
さらに、周辺リングが見られる第二の理由は、荒さ、平坦さ、微粒子との接触に対する表面の化学的性質等をパラメータとした関数として、二枚の対向する基板の表面間の結合エネルギが変化することである。そのようなパラメータは基板側面においてもあまり制御することができずに変化し、これによってもリングが形成されることになる。
【００３０】
最後になるが、リングが形成されるさらなる要因は基板製造方法における各種の積極的な工程である。
【００３１】
頭字語ＢＥＳＯＩ（ｂｏｎｄ  ａｎｄ  ｅｔｃｈｂａｃｋ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）により知られている基板製造方法では、源基板を支持基板上に結合し、源持基板の少なくとも一面が酸化物層で覆われる。源基板の露出表面に摩擦研磨、且つ又は、化学的アタック・エッチング処理が施され、その後、源基板が有用層になるまで研磨される。
【００３２】
化学的アタック（結合界面が部分的に剥離するリスクを伴う）を含むタイプの方法では、酸化による影響が源基板の側部及び前部に及び、機械的摩擦研磨により両部分でリングが大きくなる傾向がある。
【００３３】
同様に、脆弱領域に沿った破断による層の剥離を含む方法では、側部周辺において、剥離が脆弱領域ではなく結合界面上で起きる傾向があり、大きな表面面積を有する環状のリングが形成されることになる。
【００３４】
再び図３を参照すると、脆弱領域４２が水素注入により形成されるという特別な場合、図に示されているように、源基板４の残存部分から有用層４３を剥離する次の工程の間に水素の気泡が大きくなり副面取り部４５の面にほぼ垂直に力を加える。この領域では、この力に打ち勝つ十分な結合がなく、これは、副面取り部５５が副面取り部４５から角度２βだけ離れており、結合が破断するからである。そこで、支持基板５上に転送される層４３ではなく副面取り部４５の表面に気泡が形成される。言い換えれば、結合が行われるが品質が落ちることになる。
【００３５】
リングが存在することにより多くの問題がある。
【００３６】
第一に、その上に電子素子を形成することができない表面となってしまうことである。都合の悪いことには、経済的な観点からすると、１平方ミリメートル面積が増えるごとに基板毎により多くの素子を形成することができる。
【００３７】
さらには、このリングは上記のように平坦ではなく、その幅は基板の一端から他端において変化しうるので、そのような基板を製造設備内で用いると産業プロセスのいろんな工程内で生産性の問題が生じる。
【００３８】
従来技術にはそのようなリングを排除することができるように基板側部を研磨する方法があり、例えば、文書ＵＳ６，２２１，７７４を参照されたい。
【００３９】
側部を機械的に研磨する方法は、また、サプライヤＳＥＺにより用いられ知られている。この方法は堆積処理が施された硬化シリコン基板で用いられ、それは側部から材料が除去される（“ｌｉｆｔ−ｏｆｆ”又は“ｐｅｅｌ−ｏｆｆ”として知られる）というリスクがあるということで知られており、粒子の汚染レベルが高くなってしまう。
【００４０】
それにも関わらず、これらの方法では周辺に層が転送されない領域が大きくなって有用層を抑制してしまうという傾向がある。さらには、リングを平坦化させると転送された層の周辺に欠陥が生じやすい。
【００４１】
文書ＥＰ−１，０５９，６６３には半導体薄膜を製造するプロセスが記載されており、これは、第一の基板上に半導体層と多孔層を形成し、その周辺領域から半導体層を除去し、そして、半導体層表面に結合された第二の基板を用いて半導体層を第一の基板から分離する工程を備える。
【００４２】
このプロセスは、転送された層が多孔層上にエピタキシャル成長しているという事実に関わる亀裂の問題を解決することを目的としている。
【００４３】
この文書は、支持基板上に転送された有用層の面積を増やすために２枚の基板間の結合を高めることを目的としているものではない。
【００４４】
これとは反対に、半導体層の周辺領域を除去すると転送される有用層の面積が低減されることになる。
【００４５】
従って、この発明の目的は上記の問題を改善するもので、特に、層転送プロセス中に源基板から取られ支持基板上に転送される材料の量を増加させることにより上記リングの面積を低減することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００４６】
この目的のために、この発明は、特に、電子工学、光学又は光電子工学の分野で用いられる複合基板の製造中に支持基板へ転送される材料、特に、半導体材料、の有用層の面積を増加させる方法であって、源基板の表面を支持基板の対向する表面に分子結合する少なくとも一工程と、前記源基板から生じる有用層を前記支持基板上に転送する工程を備え、前記有用層は前記源基板の前記表面から該源基板の内部へ延在している方法を提供する。
【００４７】
この発明によれば、前記結合工程の前に、第一基板である前記支持及び源基板のいずれか一方が主面取り部により囲まれ、前記第一基板の表面が平坦中央領域を有し、第二基板である他方の基板がバルク基板で、前記第二基板の表面が周辺側面で縁取られた平坦領域を有し、前記周辺側面は前記平坦領域に垂直又はほぼ垂直であり、前記平坦領域の外郭線の寸法が前記第一基板の前記平坦中央領域の外郭線の寸法より大きく、結合中に、前記第一基板の前記平坦中央領域の前記外郭線が前記第二基板の前記平坦領域の前記外郭線内に入り込むように、前記二枚の基板の内の一方が他方に対して適用される。
【００４８】
この発明のこれらの特徴によれば、有用層がより大きい面積上に転送される。
【００４９】
この発明の他のそして限定のない特徴は以下の単一の又は組み合わせによりもたらされる。
【００５０】
前記第二基板の前記平坦領域の前記外郭線の寸法が前記第一基板の前記主面取り部の内郭線の寸法より大きく、結合中に、前記第一基板の前記主面取り部の前記内郭線が前記第二基板の前記平坦領域の前記外郭線内に入り込むように、前記二枚の基板の内の一方が他方に対して適用される。
【００５１】
前記第一基板の前記表面が、前記平坦中央領域と前記主面取り部との間に延在する副面取り部を備える。
【００５２】
前記第二基板の前記平坦領域に対して前記平坦中央領域が中央に位置するように前記第一基板が前記第二基板に結合される。
【００５３】
前記第二基板は前記源基板である。
【００５４】
前記源基板と前記支持基板とを互いに結合する工程の前に前記源基板内に脆弱領域を形成し、前記転送される有用層が前記脆弱領域と前記源基板の前記表面との間に延在し、前記結合工程の後に前記脆弱領域に沿って前記源基板の残存部分から前記有用層を剥離する。
【００５５】
前記脆弱領域は原子種注入又は多孔層により形成される。
【００５６】
機械的又は電気的オリジンによる圧力を加える、熱エネルギを供給する、そして、化学的エッチングのいずれか一つの技術又は組み合わせにより前記有用層が剥離される。
【００５７】
前記源基板の前記表面、そして、前記支持基板の前記表面の少なくともいずれか一表面が絶縁材料の層で覆われる。
【００５８】
この発明の他の特徴並びに効果が以下のこの発明のいくつかの好ましい実施形態により明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５９】
この発明の目的は上述の複合基板を製造する方法を改良するものであって、そのような方法は源基板の一つの面を支持基板の対向する面に分子結合する少なくとも一工程と源基板から有用層を支持基板に転送する工程を含む。
【００６０】
従って、その複合基板は支持基板に転送された少なくとも一つの有用層を備える。
【００６１】
ここで、図４を参照すると、この発明の第一実施形態が見られ、源基板６（後で有用層６３が取られる）が支持基板７に分子結合される準備ができている。
【００６２】
この実施形態では、支持基板７は上記のそして図３に見られる支持基板５と同等のものである。従って、再度詳細には説明しない。
【００６３】
支持基板７は側部７１と主面取り部７４と源基板６の表面６００を受ける表面７００とを備える。この表面７００は平坦な中央領域７０と副面取り部７５を覆っている。
【００６４】
図４とそれ以降の図面に見られるように、そして通常の場合、源、支持基板６，７は円形である。同様に、それらの平坦中央領域も円形であり、そして、主、副面取り部（存在すれば）は環状に描かれる。それでも、基板６，７且つ又は各々の中央領域は他の形状、例えば、楕円形、八角形又は長方形とすることができる。
【００６５】
図７にさらに明瞭に見られるように、副面取り部７５は内郭線Ｃ７と外郭線Ｃ‘７とにより確定される。副面取り部７５の内郭線Ｃ７は平坦中央領域７０の外郭線を成し、同様に、副面取り部７５の外郭線Ｃ７は平坦中央領域７０の外郭線を備え、同様に、副面取り部７５の外郭線Ｃ’７は平坦中に主面取り部７４の内郭線を成すことが分かる。
【００６６】
この発明の第一実施形態では、図４，５に見られるように、基板６はバルク基板であり、即ち、源基板６の表面６００は接合工程前では加工されず、従来の基板と比較して、それは主面取り部、副面取り部のいずれも有しない。従って、表面６００全体が参照番号６７の平坦な領域であり、これは側面６６により囲まれている。
【００６７】
即ち、この平坦領域６７の参照符号がＣ“６である輪郭線が源基板６の外郭線を成し、そして、周辺の側面６６がこの平坦領域６７に対し垂直又はほぼ垂直になっている。
【００６８】
文言“ほぼ垂直”は、その後のある研磨処理がわずかに角度を変えてしまうことがあるが、この側面６６が領域６７に対し垂直になる構造を意味する。
【００６９】
図５はこの発明の第一実施形態の三つの変形例を示す。
【００７０】
第一変形例（実線で示す）においては、源基板６が支持基板７に結合されると、源基板６の側面６６が、支持基板７の側面７１と位置合わせされて垂直に配され、二枚の基板６、７が同じ寸法（又は基板が円形の場合同じ直径）有する。この変形例は現存する基板取扱い装置を用いることができるという点で有利であり、これは、層転送及び分子結合を含むこのタイプの方法に現在用いられる基板に対して、側面６６を横切って測定した源基板６の直径が変わらないからである。
【００７１】
第二変形例（一点転鎖線で示す）においては、源基板６の側面６６が副面取り部７５（輪郭線Ｃ７とＣ‘７の間）と位置合わせされて垂直に配されている。
【００７２】
第三変形例（図には示されていない）においては、源基板６の直径が支持基板７の直径より大きく、そして、平坦領域６７の輪郭線Ｃ“６が支持基板７の外側の寸法を超えている。
【００７３】
この発明の上記の変形例では、平坦領域６７の輪郭線Ｃ“６の寸法が支持基板７の平坦中央領域７０の外郭線Ｃ７より大きく、そして、結合の際に、輪郭線Ｃ７が輪郭線Ｃ“６内に入り込むように支持基板７に対して源基板６が設けられるように留意されたい。
【００７４】
さらに、好ましくは、源基板６の平坦中央領域６７の輪郭線Ｃ“６の寸法が支持基板７の主面取り部７４の内郭線Ｃ‘７より大きく、そして、結合の際に、内郭線Ｃ’７が輪郭線Ｃ“６内に入り込むように支持基板７に対して源基板６が設けられる。
【００７５】
このようにして、支持基板７の副面取り部７５が基板６の平坦領域６７と常に向かい合いこの領域に対し小さな角度βを形成する。これら二面の結合が高まり、有用層６３のより多くの部分が面取り部７５に転送される。従って、実際に転送される有用層６３の面積が増加し、それに対し、リング面積が減少する。
【００７６】
最後に、そして効果的なことに、支持基板７の平坦中央領域７０が源基板６の中央領域６７に対して中央に位置するように源基板６が支持基板７に結合される。従って、転送された有用層６３も支持基板７に対して中央に、又は、ほぼ中央に位置するようになる。
【００７７】
この発明の第二実施形態を図６を参照して以下に記載する。
【００７８】
この実施形態は図５を参照して記載した実施形態とは反対であり、即ち、源基板６が平坦中央領域６０と主面取り部６４と副面取り部６５を有し、一方、垂直、又は、ほぼ垂直に延在する周辺側面７６により囲まれた平坦領域７７により支持基板７の表面７００が構成されている。
【００７９】
上記のように、支持基板７の平坦領域７７の輪郭線Ｃ“７の寸法が源基板６の平坦中央領域６０の輪郭線Ｃ６より大きく、そして、結合の際に、この輪郭線Ｃ６が輪郭線Ｃ”７内に入り込むように支持基板７に対して源基板６が設けられる。
【００８０】
さらに、好ましくは、輪郭線Ｃ“７の寸法が源基板６の主面取り部６４の内郭線Ｃ‘６より大きく、そして、結合の際に、内郭線Ｃ’６が輪郭線Ｃ“７内に入り込むように支持基板７に対して源基板６が設けられる。
【００８１】
効果的なこととして、基板６，７もまた互いに中央に位置する。
【００８２】
上記の二実施形態のうち、平坦な表面６７に対し垂直なエッジ６６を源基板６が有する図５の実施形態は産業規模でこの方法を実施できるという点で一般的に好ましい。
【００８３】
基板６，７に対しどの実施形態を選択するにせよ、以下に記載するような各種の態様で源基板６から有用層を取り除くことができる。
【００８４】
第一変形例では、基板６，７を互いに分子結合する工程の前に、源基板６内に脆弱領域６２が形成されて、後で支持基板７に転送される有用層６３を確定し、範囲を定める。結合後、この脆弱領域６２に沿って源基板６の残存部分から有用層６３が剥離される。
【００８５】
図４乃至図６は概略的であり、そして、明瞭にするためのものであり、そこに示されている有用層６３は実際よりかなり厚いことを認識されたい。
【００８６】
脆弱領域６２を形成する技術は当業者に知られており詳細には説明しない。
【００８７】
この脆弱領域６２は表面６００から原子種を注入することにより効果的に形成できる。
【００８８】
文言“原子種を注入”は原子、分子又はイオン種の如何なる衝撃をも意味し、これにより、その種を、衝撃を受けた表面６００から所定深さにその種の最大濃度を持って材料に導入することができる。分子又はイオン化原子種はほぼ最大に分散するエネルギで材料に導入することができる。
【００８９】
例えば、イオンビーム・インプランタ又はプラズマ・イマーション（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）・インプランタを用いて原子種を上記源基板６内に注入することができる。
【００９０】
好ましくは、注入はイオン衝撃で行う。好ましくは、注入イオン種は水素である。希ガス（例えば、ヘリウム）等の他のイオン種を単独又は水素と組み合わせて効果的に用いることができる。
【００９１】
注入により源基板６のバルク内に平均イオン貫通深さで脆弱領域６２が形成され、この領域は表面６００の平面とほぼ平行になる。表面６００からこの脆弱領域６２に渡り有用層６３が延在する。
【００９２】
例えば、登録商標“Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ”として知られる方法に関する文献が引用される。
【００９３】
例えば、ヨーロッパ特許ＥＰ−Ａ−０  ８４９  ７８８に記載されているＣａｎｏｎによる登録商標“ＥＬＴＲＡＮ”として知られる方法を用いて得られる多孔層により脆弱領域６２を構成することができる。
【００９４】
表面６００と７００の結合工程の後、源基板６の残存部分から有用層６３が剥離される。
【００９５】
有用層６３の剥離は以下の技術の少なくとも一つを単独に又は組み合わせて続けて行うことができる。機械的オリジン（圧力により脆弱領域６２内にブレード又は流体ジェットを挿入）、又は、電気的オリジンによる制限を加える。熱エネルギを加える。そして化学的エッチングである。これらの剥離技術は当業者に知られており詳細には説明しない。これにより支持基板７に転送された有用層６３を有する複合基板が提供される。
【００９６】
上記のように、脆弱領域６２に沿って、そして、“ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔａｔｉｏｎ”により支持基板との結合が十分な強度となる領域と垂直に位置合わせがなされて有用層６３が水平に剥離される。
【００９７】
最後に、図示しない実施形態の第三変形例では、“ｂｏｎｄ  ａｎｄ  ｅｔｃｈｂａｃｋ”として知られる技術により有用層６３を形成することができ、源基板６の表面６００を支持基板７の表面７００に結合した後、その源基板６の裏面を化学的アタックによりラッピング且つ又はエッチング処理し、そして、支持基板７上にその有用層６３に相当する厚みになるまで研磨する。
【００９８】
特に、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の場合は、本出願の導入部で述べたＢＥＳＯＩ方法により有用層６３を得ることができる。
【００９９】
最後に、この方法が適用可能な材料の例が挙げられる。
【０１００】
支持基板７は任意ではあるが半導体材料であり、例えば、シリコン、透明基板（例えば、石英又はガラス）、炭化珪素、ガリウム砒素、リン化インジウム、又は、ゲルマニウムから選ばれた材料で形成される。
【０１０１】
源基板６は、好ましくは、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化珪素、シリコンとゲルマニウムの合金又は混合物（Ｓｉ−Ｇｅ混合物として知られる）、III／Ｖ混合物として知られる混合物、即ち、一つの要素が周期律表のIIIａ列から、そして、他の要素がＶａ列から選ばれた混合物、例えば、窒化ガリウム、ガリウム砒素、又は、リン化インジウムから選ばれた半導体材料で形成される。
【０１０２】
最後に、支持基板７の表面７００を酸化物タイプ（例えば、ＳｉＯ２）又は窒化物タイプ（例えば、Ｓｉ３Ｎ４）の絶縁層で覆うことができ、この絶縁層は、有用層６３を剥離した後に、有用層６３と支持基板７の間に設けられる。
【０１０３】
源基板６の表面６００を上記のタイプの絶縁材料で覆うことができ、転送された有用層６３が二層を備えることになる。源基板６上に複数の層を堆積することもでき、文言“有用層”はスタック層を意味することになる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】ＳＯＩタイプ基板の逆鉛直断面を示す概略図である。
【図２】図１の基板の平面図を示す概略図である。
【図３】従来技術を用いて共に結合された源基板と支持基板の部分鉛直断面を示す概略図である。
【図４】この発明の第一実施形態における源基板と支持基板の鉛直断面であり、それら基板が共に結合される準備ができた状態を示す部分概略図である。
【図５】図４の第一実施形態における源基板と支持基板の鉛直断面であり、それら基板が共に結合された状態を示す部分概略図である。
【図６】図４の第一実施形態における源基板と支持基板の鉛直断面であり、それら基板が共に結合された状態を示す部分概略図である。
【図７】この発明で用いる支持基板の角度を有する部分を上から見た図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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