(57)【要約】【課題】有機化合物層への水分の浸入を抑制して、特性劣化が少なく信頼性の高い有機デバイスを提供する。【解決手段】基板１１上に下部電極１３、有機化合物層１４、上部電極１５を備え、該上部電極１５を第１の封止層１６及び第２の封止層１７で被覆した有機デバイスにおいて、第１の封止層１６を、シリコンと窒素とを有する膜１６ａと酸化アルミニウム膜１６ｂとの積層膜とし、第２の封止層１７をシリコンと窒素とを有する膜で構成し、周辺領域２において、第２の封止層１７で第１の封止層１６の酸化アルミニウム膜１６ｂの端部を被覆する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域の外側に配置された周辺領域と、を有し、
前記画素が、前記基板側から下部電極、有機化合物層、上部電極、第１の封止層、第２の封止層を当該順序で有する有機デバイスであって、
前記第１の封止層が、シリコンと窒素とを有する膜と、酸化アルミニウム膜と、からなる積層膜で構成され、
前記第２の封止層が、シリコンと窒素とを有する膜であり、
前記周辺領域において、前記第１の封止層の端部が、前記第２の封止層で覆われていることを特徴とする有機デバイス。
【請求項２】
前記第１の封止層が、前記基板側から、前記シリコンと窒素とを有する膜と、前記酸化アルミニウム膜と、を当該順序で有する積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
【請求項３】
前記第１の封止層が、前記基板側から、前記酸化アルミニウム膜と、前記シリコンと窒素とを有する膜と、を当該順序で有する積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
【請求項４】
前記第１の封止層が、前記基板側から、前記シリコンと窒素とを有する膜と、前記酸化アルミニウム膜と、前記シリコンと窒素とを有する膜と、を当該順序で有する積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
【請求項５】
前記シリコンと窒素とを有する膜が、シリコン窒化物又はシリコン酸化窒化物からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機デバイス。
【請求項６】
前記周辺領域に配線パッド電極を有し、前記第２の封止層が配線パッド電極と接していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機デバイス。
【請求項７】
前記画素が、前記第１の封止層と前記第２の封止層の間にカラーフィルタを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機デバイス。
【請求項８】
前記有機化合物層が、少なくとも有機発光層を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機デバイス。
【請求項９】
前記有機化合物層が、少なくとも有機光電変換層を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光層や有機光電変換層などの有機化合物層を備えた有機デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）層等の有機発光層を用いた発光装置や、有機光電変換層を用いた撮像装置等の光電変換装置が知られている。これらの有機デバイスは、優れた発光特性や光電変換特性を有する一方で、水分によってその特性が劣化してしまうことが知られている。従って、有機デバイスの特性を維持するためには、上記有機発光層や有機光電変換層などの有機化合物層への水分の侵入を抑制することが好ましい。
特許文献１には、有機デバイスにおいて、有機化合物層への水分の侵入を抑制する技術が開示されている。具体的には、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜と酸化アルミニウム（ＡｌＯx）膜との積層膜が封止層として用いられている。上記シリコン膜は化学気相堆積法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、上記酸化アルミニウム膜は原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってそれぞれ形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−６２７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者が鋭意検討した結果、ＡＬＤ法による厚さ数十ｎｍ乃至数百ｎｍ程度の酸化アルミニウム膜は、アルカリ溶液や水と反応して欠陥が発生する懸念があった。特に、これに熱が加わると反応が促進され、例えば水分によって腐食（加水分解）が進んでしまうおそれがある。
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、有機化合物層への水分の浸入を抑制して、特性劣化が少なく信頼性の高い有機デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板上に、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域の外側に配置された周辺領域と、を有し、
前記画素が、前記基板側から下部電極、有機化合物層、上部電極、第１の封止層、第２の封止層を当該順序で有する有機デバイスであって、
前記第１の封止層が、シリコンと窒素とを有する膜と、酸化アルミニウム膜と、からなる積層膜で構成され、
前記第２の封止層が、シリコンと窒素とを有する膜であり、
前記周辺領域において、前記第１の封止層の端部が、前記第２の封止層で覆われていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、水と反応しやすい酸化アルミニウム膜が、水と反応しにくいシリコンと窒素とを有する膜で覆われているため、有機化合物層への水分の浸入が抑制され、特性劣化が少なく信頼性の高い有機デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の有機デバイスの一実施形態の平面図である。
【図２】図１の有機デバイスの部分断面模式図である。
【図３】比較例１の有機デバイスの部分断面模式図である。
【図４】本発明の有機デバイスの他の実施形態の部分断面模式図である。
【図５】本発明の有機デバイスの他の実施形態の部分断面模式図である。
【図６】図２の有機デバイスの製造工程を説明するための部分断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は、有機デバイスにおいて、有機化合物層を水分の侵入から保護するための第１の封止層を有し、さらに、酸化アルミニウムが含まれる該第１の封止層の端部を第２の封止層で覆うことで、該端部からの水分の侵入を抑制したことに特徴を有する。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用できる。
【０００９】
（平面構成）
図１に示すように、本実施形態による有機デバイスは、複数の画素が配列される画素領域１と該画素領域１の外側にある周辺領域２と、配線パッド電極３とを有する。配線パッド電極３では配線電極が表面に露出しており、ＡＣＦ（異方性導電膜）等を用いてフレキシブルケーブルに接続される。
【００１０】
（断面構成）
図１の有機デバイスにおけるＡ−Ａ’線に沿った部分断面模式図を図２に示す。
基板１１上に、シリコン酸化物（ＳｉＯx）やシリコン窒化物（ＳｉＮx）等の無機絶縁材料からなる絶縁層１２が形成されている。基板１１は、ガラス基板やシリコン基板等を用いることができる。絶縁層１２の下層には、不図示のトランジスタや配線等が形成される。また、基板上には配線パッド電極３が形成されている。配線パッド電極３は導電性の高い金属材料であることが好ましい。例えば、アルミニウムや銅、銀、モリブデン、チタン、窒化チタンなどの金属材料を用いることができる。
【００１１】
絶縁層１２上には、下部電極１３が配置されている。下部電極１３は、タングステン等の導電性材料で形成されるプラグ電極によってトランジスタに接続される（不図示）。下部電極１３は導電性の高い金属材料であることが好ましい。例えば、アルミニウムや銀、アルミニウム合金、銀合金、チタン、窒化チタンなどの金属材料を用いることができる。
【００１２】
下部電極１３上には、有機化合物層１４が形成されている。本発明の有機化合物層１４は、少なくとも有機発光層、又は有機光電変換層を含む。詳細な材料の説明は後述する。
【００１３】
有機化合物層１４上には、上部電極１５が形成されている。上部電極１５は、光が射出する、又は入射する電極であり、多くの光を利用するために光透過性が高いことが好ましい。上部電極１５として、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛などの透明酸化物導電材料を用いることができる。また、上部電極１５として、薄膜の金属電極を用いることができる。例えば、薄膜の金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム又はこれらの合金が好ましい。また、薄膜の金属電極は光の吸収が抑制されることが好ましいため、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚が好ましい。マグネシウムは水分と反応しやすく、有機化合物と同様に水分から遮断する必要がある。
【００１４】
上部電極１５上には、第１の封止層１６と第２の封止層１７が順次積層されている。第１の封止層１６は、シリコンと窒素とを有する膜１６ａと酸化アルミニウム膜１６ｂの積層膜で構成されている。
【００１５】
シリコンと窒素とを有する膜１６ａとしては、ＣＶＤ法を用いて形成されたシリコン窒化物（ＳｉＮ）膜又はシリコン酸化窒化物（ＳｉＯＮ）膜が好ましい。ＣＶＤ法で形成されたＳｉＮ膜やＳｉＯＮ膜は、水透過率が１×１０-6ｇ／ｍ2・ｄａｙ程度である。
【００１６】
酸化アルミニウム膜１６ｂとしては、ＡＬＤ法を用いて形成された酸化アルミニウム膜が好ましい。真空に引かれた成膜チャンバーに基板を挿入し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスをフローし、基板表面にＴＭＡを１原子層吸着させる。その後、ＴＭＡガスを排気する。次に、酸素を供給し、高周波電力を投入しプラズマを発生させ、基板表面に吸着したＴＭＡを酸化させる。続いて、Ｏ2を排気する。これにより、基板表面に１原子層の酸化アルミニウム膜１６ｂを形成する。これを繰り返し、所望の膜厚の酸化アルミニウム膜を形成できる。ＡＬＤ法は成膜時間が長く、タクト時間を短くするために酸化アルミニウム膜は数十ｎｍ乃至数百ｎｍの膜厚が好ましい。このようなＡＬＤ法で形成された酸化アルミニウム膜は、凹凸部での膜の付き回りが高く、被覆性が極めて高いという特徴を有する。ＡＬＤ法で形成されたアルミニウム膜の密度は、３．０ｇ／ｃｍ3以上４．２ｇ／ｃｍ3以下である。さらには、３．２ｇ／ｃｍ3以上４．０ｇ／ｃｍ3以下であってよい。
【００１７】
これに対して、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＮ膜やＳｉＯＮ膜は、凹凸部での被覆性がＡＬＤ法で形成された酸化アルミニウム膜より低い。これは、凹凸部の上部での成長方向と、凹凸部の周囲での成長方向が異なり、この異なった方向の膜が合わさった部分が鬆（空隙）になり、ＳｉＮ膜やＳｉＯＮ膜に欠陥ができると考えられる。このような鬆の欠陥から水分が浸入してしまう。
【００１８】
本発明の第１の封止層１６は、水透過率が極めて低いシリコンと窒素とを有する膜１６ａと被覆性が極めて高い酸化アルミニウム膜１６ｂを積層膜とすることで、有機化合物層１４を外部雰囲気中の水分から遮断することができる。第１の封止層１６のシリコンと窒素とを有する膜１６ａと酸化アルミニウム膜１６ｂの積層順序としては、以下の３構成が好ましい。
（１）基板側からシリコンと窒素とを有する膜１６ａ、酸化アルミニウム膜１６ｂ
（２）基板側から酸化アルミニウム膜１６ｂ、シリコンと窒素とを有する膜１６ａ
（３）基板側からシリコンと窒素とを有する膜１６ａ、酸化アルミニウム膜１６ｂ、シリコンと窒素とを有する膜１６ａ（図２の構成）
【００１９】
本発明の有機デバイスは、周辺領域２において第１の封止層１６の端部が第２の封止層１７で覆われていることを特徴とする。第２の封止層１７は、シリコンと窒素とを有する膜であり、第１の封止層１６で用いられるシリコンと窒素とを有する膜１６ａと同様に、ＣＶＤ法を用いて形成されたＳｉＮ膜やＳｉＯＮ膜が好ましい。このような構成によって、酸化アルミニウム膜１６ｂを通じて端部から水分が浸入するのを防ぐことができる。第２の封止層１７の厚さは、酸化アルミニウム膜１６ｂの端部を被覆して水分の侵入を抑制しうる範囲で薄い方が好ましく、好ましくは０．５μｍ乃至２．０μｍである。
【００２０】
図３に、酸化アルミニウム膜１６ｂの端部が第２の封止層１７で覆われていない構成（後述する比較例１）を示す。配線パッド電極３を表面に露出するために、第１の封止層１６が配線パッド電極３上で除去されている。有機化合物層１４の端部と酸化アルミニウム膜１６ｂの端部が近いような狭額縁であるほど、水分の浸入による有機化合物層１４の劣化が早く発生してしまう。また、酸化アルミニウム膜１６ｂの腐食によって配線パッド電極３の周辺において、第１の封止層１６の膜剥がれが発生する懸念がある。
【００２１】
本発明において、第２の封止層１７は、少なくとも第１の封止層１６の端部を覆っていればよいが、図２に示すように、第２の封止層１７は配線パッド電極３と接していることが好ましい。第２の封止層１７はＳｉＮ膜やＳｉＯＮ膜のシリコンと窒素とを有する膜であり、配線パッド電極３はアルミニウムや窒化チタンなどの金属材料であるため、どちらも水分遮断性が高い。よって、第２の封止層１７が配線パッド電極３と接していることで、配線パッド電極３の周辺からの水分の浸入を防ぐことができる。
【００２２】
図４に、第２の封止層１７が配線パッド電極３と接していない構成を示す。第２の封止層１７が絶縁層１２と接しており、絶縁層１２の端部が露出している。絶縁層１２がシリコン酸化物（ＳｉＯx）で形成される場合、ＳｉＯxはＳｉＮやＳｉＯＮと比較すると水分遮断性が低い。よって例えば、有機デバイスを高温高湿の環境下に長時間放置した場合や、水中に長時間放置した場合などにおいて、絶縁層１２を通じて水分が浸入してしまうおそれがある。
【００２３】
図２に示すように、第２の封止層１７の上に、カラーフィルタ１８を形成しても良い。カラーフィルタ１８は、赤フィルタ１８Ｒと緑フィルタ１８Ｇ、青フィルタ１８Ｂが画素毎に配置される。カラーフィルタ１８の工程は、第２の封止層１７の後工程であり、材料塗布と露光・現像を各色のフィルタ毎に繰り返す。カラーフィルタ１８のパターニング現像ではアルカリ現像液が一般的に使用される。本発明の有機デバイスにおいては、第１の封止層１６の端部が第２の封止層１７で覆われているため、アルカリ現像液によって酸化アルミニウム膜１６ｂがダメージを受けることを抑制できる。
【００２４】
本発明の他の実施形態として、図５に示すように、第１の封止層１６と第２の封止層１７の間にカラーフィルタ１８を配置しても良い。カラーフィルタ１８は、有機バインダの中に顔料が分散された材料であるのに対して、第２の封止層１７は無機材料で形成されている。よって、有機デバイスの取り扱い時の引掛け傷などのカラーフィルタ１８の物理的ダメージに対する保護層としても第２の封止層１７が機能することができる。尚、この場合、カラーフィルタ１８をパターニングする際にアルカリ現像液と第１の封止層１６とが接触することを考慮すると、第１の封止層１６の最上層はシリコンと窒素とを有する膜１６ａとすることが好ましい。
【００２５】
本発明の有機デバイスにおいて、有機化合物層１４は少なくとも有機発光層又は有機光電変換層を含む。有機化合物層１４が有機発光層の場合は、有機デバイスが発光装置として機能し、有機光電変換層の場合は有機デバイスが撮像装置として機能する。
【００２６】
有機発光層は、公知の有機発光材料を用いることができる。単体で発光層として機能する発光材料でもよいし、発光層ホスト材料と発光材料との混合層としてもよい。
有機発光材料としては、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン等）、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、スチルベン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、銅錯体、ユーロピウム錯体、ルテニウム錯体、及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられる。
発光層ホスト材料としては、芳香族炭化水素化合物もしくはその誘導体の他、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体等が挙げられる。
【００２７】
有機光電変換層は、公知の有機材料又は有機・無機ハイブリッド材料のいずれかを用いることができる。有機材料としては、例えば、フラーレン系材料、フタロシアニン系材料、金属錯体系材料、スクアリウム系材料、アミン系材料、インダン系材料、フルオレン系材料などを用いることができる。これらの有機材料で層を形成してもよいし、複数の材料で層を形成してもよい。またそれらの層を積層した構成としてもよい。有機・無機ハイブリッド材料としては、例えば、有機・無機ハイブリッド型ペロブスカイト膜を用いることができる。有機・無機ハイブリッド型ペロブスカイト膜を構成する材料とは、一般式ＡＢＸ3で表わされるものである。ここで一般式においてＡ及びＢはカチオン材料であり、Ｘはアニオン材料である。有機・無機ハイブリッド材料はＡ、Ｂ或いはＸのいずれかが有機材料であり、Ａ＝ＣＨ3ＮＨ3、Ｂ＝Ｐｂ、Ｘ＝ＩであるＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩ3を例に挙げることができる。
【００２８】
有機化合物層１４と下部電極１３の間や、有機化合物層１４と上部電極１５の間に機能層を形成してもよい。機能層としては、例えば電荷輸送層、電荷ブロック層が挙げられる。電荷輸送層の材料としては、正孔や電子の移動度が高い材料を用いることができる。また、正孔ブロック層の材料としては、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ；最高占有準位）が深い（真空準位に対してエネルギー的に遠い）材料を用いることができる。一方、電子ブロック層としては、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ；最高被占有準位）が浅い（真空準位に対して近い）材料を用いることができる。ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯは、絶対値の大きさに基づいて、高い、低いとも表現することができる。具体的には、ＨＯＭＯが深いとは、ＨＯＭＯが高いとも表現できる。その他についても同様である。
【００２９】
下部電極１３と機能層との界面や、上部電極１５と機能層の界面に、電荷注入層を形成してもよい。電子注入層としては、アルカリ（土類）金属、又はアルカリ（土類）金属化合物の薄膜（０．５ｎｍ乃至１．０ｎｍ）を用いることができる。例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）やフッ化カリウム（ＫＦ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が好ましい。また、電子注入層として、有機化合物にドナー（電子供与性）ドーパントとして機能する金属又は金属化合物を混合する層を用いることができる。電子注入効率を向上させるために仕事関数の低い金属、もしくはその化合物をドーパントとして用いることが好ましく、仕事関数が低い金属としてはアルカリ金属又はアルカリ土類金属又は希土類が好ましい。アルカリ金属化合物は、大気中での取り扱いが比較的容易なため好ましい。例えば、アルカリ金属化合物としてセシウム化合物が好ましく、炭酸セシウムは大気中で安定であり、取り扱いが容易である。電子注入層の有機化合物としては電子輸送性の材料が好ましく、公知の材料、例えばアルミキノリノール錯体やフェナントロリン化合物等を用いることができる。アルカリ金属は水分と反応しやすく、有機化合物と同様に水分から遮断する必要がある。
【００３０】
次に、本発明の有機デバイスの製造工程について、図６を用いて説明する。図６は、図１，図２に示す有機デバイスの製造工程を示す部分断面模式図である。
【００３１】
先ず、図６（ａ）に示すように、基板１１上に絶縁層１２を形成する。絶縁層１２の下層には、不図示のトランジスタや配線等を形成する。また、周辺領域２に配線パッド電極３を形成する。
次に、画素領域１の絶縁層１２上に、下部電極１３を形成する。下部電極１３は、プラグ電極によってトランジスタ（不図示）に接続されている。
【００３２】
次に、図６（ｂ）に示すように、画素領域１の下部電極１３上に有機発光層を含む有機化合物層１４を形成する。有機化合物層１４の形成方法としては、所望のパターニングの開口を有した蒸着マスクを用いた真空蒸着法を用いることができる。
次に、有機化合物層１４上に上部電極１５を形成する。上部電極１５の形成方法としては、所望のパターニングの開口を有した蒸着マスクを用いた真空蒸着法を用いることができる。
次に、基板１１全面に第１の封止層１６を形成する。本例では、第１の封止層１６は、基板１１側からシリコンと窒素とを有する膜１６ａと酸化アルミニウム層１６ｂとシリコンと窒素とを有する膜１６ａとが順次積層された積層膜である。先ず基板１１全面に、ＣＶＤ法を用いてシリコンと窒素とを有する膜１６ａを形成する。次いで、シリコンと窒素とを有する膜１６ａ上の全面に、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜１６ｂを形成する。次いで、酸化アルミニウム膜１６ｂ上の全面に、ＣＶＤ法を用いてシリコンと窒素とを有する膜１６ａを形成する。
【００３３】
次に、図６（ｃ）に示すように、配線パッド電極３上の第１の封止層１６と絶縁層１２をドライエッチングにより除去する。ドライエッチングは、先ず所望の開口を有したレジストパターンを形成した後に、ドライエッチング装置で反応性ガスを導入してプラズマエッチングで第１の封止層１６と絶縁層１２を除去する。次いで、レジストパターンを剥離液で除去する。
【００３４】
次に、図６（ｄ）に示すように、基板１１全面に第２の封止層１７を形成する。第２の封止層１７としては、ＣＶＤ法を用いてシリコンと窒素とを有する膜を形成する。
【００３５】
次に、図６（ｅ）に示すように、配線パッド電極３上の第２の封止層１７をドライエッチングにより除去する。ドライエッチングは、まず所望の開口を有したレジストパターンを形成した後に、ドライエッチング装置で反応性ガスを導入してプラズマエッチングで第２の封止層１７を除去する。次いで、レジストパターンを剥離液で除去する。
【００３６】
次に、第２の封止層１７の上に、カラーフィルタ１８を形成する。カラーフィルタ１８は、材料塗布と露光・現像を各色のフィルタ毎に繰り返して形成する。
【実施例】
【００３７】
（実施例１）
図６に示す製造工程で、図１，図２に示す有機デバイスを製造した。
【００３８】
図６（ａ）に示すように、シリコン製の基板１１上に、ＳｉＯxからなる絶縁層１２を形成し、周辺領域２に窒化チタンからなる配線パッド電極３を形成した。次に、画素領域１の絶縁層１２上に、基板１１側からアルミニウム合金と酸化インジウム錫が順次積層された下部電極１３を形成した。下部電極１３は、タングステンからなるプラグ電極によってトランジスタ（不図示）に接続した。
【００３９】
次に、図６（ｂ）に示すように、画素領域１の下部電極１３上に有機発光層を含む有機化合物層１４を形成した。次いで、有機化合物層１４上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる電子注入層（不図示）を０．５ｎｍの膜厚で形成した後に、銀とマグネシウムの混合膜（体積比１：１）からなる上部電極１５を１０ｎｍの膜厚で形成した。電子注入層と上部電極１５の形成方法としては、所望のパターニングの開口を有した蒸着マスクを用いた真空蒸着法を用いた。
【００４０】
次に、基板１１全面に、シリコンと窒素とを有する膜１６ａとして、ＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を５００ｎｍの膜厚で形成した。次いで、シリコンと窒素とを有する膜１６ａ上の全面に、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜１６ｂを５０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、酸化アルミニウム膜１６ｂ上の全面に、ＣＶＤ法を用いてシリコンと窒素とを有する膜１６ａとして、ＳｉＮ膜を５００ｎｍの膜厚で形成した。
【００４１】
次に、図６（ｃ）に示すように、第１の封止層１６上に、所望の開口を有したレジストパターンを形成した後に、ドライエッチング装置で反応性ガスを導入してプラズマエッチングで配線パッド電極３上の第１の封止層１６と絶縁層１２を除去した。その後、レジストパターンを剥離液で除去した。
【００４２】
次に、図６（ｄ）に示すように、基板１１全面にＣＶＤ法を用いて第２の封止層１７としてＳｉＮ膜を１μｍの膜厚で形成した。
【００４３】
次に、図６（ｅ）に示すように、配線パッド電極３上の第２の封止層１７をドライエッチングにより除去した。ドライエッチングは、まず所望の開口を有したレジストパターンを形成した後に、ドライエッチング装置で反応性ガスを導入してプラズマエッチングで第２の封止層１７を除去した。次いで、レジストパターンを剥離液で除去する。酸化アルミニウム膜１６ｂの端部は第２の封止層１７で覆われ、また、第２の封止層１７は配線パッド電極３と接している。
【００４４】
次に、第２の封止層１７の上に、赤フィルタ１８Ｒと緑フィルタ１８Ｇと青フィルタ１８Ｂからなるカラーフィルタ１８を、材料塗布と露光・現像を各色のフィルタ毎に繰り返して形成し、有機デバイスを得た。
【００４５】
本実施例の有機デバイスは、発光装置であり、所望の電圧印加時の発光効率（ｃｄ／Ａ）を測定した。次いで、６０℃の水中に２４時間放置した後に、再度、発光効率を測定したところ、発光効率の低下は確認できなかった。
【００４６】
（比較例１）
図３に示すように、第２封止層１７を形成しない以外は、実施例１と同様にして発光装置を作製した。得られた発光装置について、実施例１と同様に所望の電圧を印加して発光効率を測定し、次いで、６０℃の水中に２４時間放置した後に再度発光効率を測定したところ、発光効率の低下は５％程度と大きかった。
【００４７】
（実施例２）
図４に示すように、第２の封止層１７が配線パッド電極３と接しておらず、絶縁層１２と接して絶縁層１２の端部が露出している以外は、実施例１と同様にして発光装置を作製した。得られた発光装置について、実施例１と同様に所望の電圧を印加して発光効率を測定し、次いで、６０℃の水中に２４時間放置した前後に発光効率を測定したところ、発光効率の低下は２％程度と小さかった。
【００４８】
（実施例３）
下部電極１３を窒化チタンで形成し、有機光電変換層を含む有機化合物層１４を形成し、上部電極１５を、膜厚３０ｎｍの酸化インジウム亜鉛層とした。また、第１の封止層１６を、基板１１側から、ＣＶＤ法による厚さ３００ｎｍのＳｉＮ膜、ＡＬＤ法による厚さ１００ｎｍの酸化アルミニウム膜、ＣＶＤ法による厚さ１００ｎｍのＳｉＮ膜とした。次いで、実施例１と同様にしてカラーフィルタ１８を形成した後、第２の封止層１７として、ＣＶＤ法による厚さ１μｍのＳｉＯＮ膜を形成した。これら以外の構成は、実施例１と同様にして撮像装置を作製した。
【００４９】
得られた撮像装置について、所望の電圧印加時の単位面積当たりの感度（Ｖ／（ｌｘ・ｓ・μｍ2））を測定した。次いで、該撮像装置を６０℃の水中に２４時間放置した後にところ、感度の低下は確認できなかった。
【００５０】
（比較例２）
図３に示すように、第２の封止層１７を形成しない以外は、実施例２と同様にして撮像装置を作製した。得られた撮像装置について、実施例２と同様に所望の電圧を印加して単位面積当たりの感度を測定し、次いで、６０℃の水中に２４時間放置した後に再度感度を測定したところ、感度の低下は６％程度と大きかった。
【００５１】
（実施例４）
図４に示すように、第２の封止層１７が配線パッド電極３と接しておらず、絶縁層１２と接して絶縁層１２の端部が露出している以外は、実施例１と同様にして撮像装置を作製した。得られた撮像装置について、実施例２と同様に所望の電圧を印加して単位面積当たりの感度を測定し、次いで、６０℃の水中に２４時間放置した後に再度感度を測定したところ、感度の低下は２％程度と小さかった。
【符号の説明】
【００５２】
１：画素領域、２：周辺領域、３：配線パッド電極、１１：基板、１２：絶縁層、１３：下部電極、１４：有機化合物層、１５：上部電極、１６：第１の封止層、１６ａ：シリコンと窒素とを有する膜、１６ｂ：酸化アルミニウム膜、１７：第２の封止層、１８：カラーフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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