(57)【要約】【課題】優れた防水性を発揮することのできるセンサーモジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】センサーモジュールは、第１基体と、前記第１基体と対向して配置され、前記第１基体との間に内部空間を有して前記第１基体に接合された第２基体と、前記内部空間に配置されているセンサー素子と、前記第１基体の前記第２基体側の面および前記第２基体の前記第１基体側の面の少なくとも一方に設けられ、液体の通過を阻止し気体の通過を許容する溝部と、を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基体と、
前記第１基体と対向して配置され、前記第１基体との間に内部空間を有して前記第１基体に接合された第２基体と、
前記内部空間に配置されているセンサー素子と、
前記第１基体の前記第２基体側の面および前記第２基体の前記第１基体側の面の少なくとも一方に設けられ、液体の通過を阻止し気体の通過を許容する溝部と、を有していることを特徴とするセンサーモジュール。
【請求項２】
前記溝部の深さおよび幅は、それぞれ、０．０５μｍ以上、３．０μｍ以下である請求項１に記載のセンサーモジュール。
【請求項３】
前記溝部の長さは、１０μｍ以上である請求項１または２に記載のセンサーモジュール。
【請求項４】
前記第２基体は、前記第１基体側の面に開放する凹部を有している請求項１ないし３のいずれか１項に記載のセンサーモジュール。
【請求項５】
前記第１基体の前記第２基体側の面に設けられ、前記内部空間の内外に延びる配線用溝部と、
前記配線用溝部に配置され、前記センサー素子と電気的に接続されている配線と、を有している請求項１ないし４のいずれか１項に記載のセンサーモジュール。
【請求項６】
前記内部空間の外側に配置され、前記配線と電気的に接続されている配線基板を有している請求項５に記載のセンサーモジュール。
【請求項７】
前記溝部の前記内部空間の外側に位置する開口の周囲は、撥水処理が施されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載のセンサーモジュール。
【請求項８】
前記センサー素子と電気的に接続されている回路素子を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載のセンサーモジュール。
【請求項９】
前記回路素子は、前記内部空間に収納されている請求項８に記載のセンサーモジュール。
【請求項１０】
前記センサー素子は、圧力を検出することのできる圧力センサー素子である請求項１ないし９のいずれか１項に記載のセンサーモジュール。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のセンサーモジュールを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のセンサーモジュールを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーモジュール、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧力を検出するための圧力センサーモジュールとして、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーモジュールは、圧力センサーと、防水性を付与するために圧力センサーを覆うゲル樹脂と、を有している。しかしながら、このような構成では、ゲル樹脂が経年的に劣化し、それに伴ってゲル樹脂の硬度が変化して徐々に正確な圧力検出が困難となっていく。
【０００３】
そこで、ゲル樹脂を用いることなく圧力センサーモジュールに防水性を付与する構成として、例えば、特許文献２に記載のパッケージデバイスが知られている。特許文献２のパッケージデバイスは、細孔が形成された防水板を用いることで、ゲル樹脂を用いることなく防水性を発揮している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１３３３９８号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１４／６１８９２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載のパッケージデバイスでは、細孔がアスペクト比の大きい長孔であるため、一般的な製造方法によっては、十分な防水性を発揮できる程に小さい細孔を形成することはできない。そのため、特許文献２に記載のパッケージデバイスでは、優れた防水性を発揮することができない。具体的には、例えば、細孔を形成するための一般的な方法としてディープシリコンエッチング法が知られている。しかしながら、この技術を利用しても、せいぜい１μｍ〜２μｍ程度の径の細孔しか形成できず、この程度の径では、生活防水（１ｍ防水）程度の防水性しか発揮することができない。
【０００６】
本発明の目的は、優れた防水性を発揮することのできるセンサーモジュール、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
【０００８】
本発明のセンサーモジュールは、第１基体と、
前記第１基体と対向して配置され、前記第１基体との間に内部空間を有して前記第１基体に接合された第２基体と、
前記内部空間に配置されているセンサー素子と、
前記第１基体の前記第２基体側の面および前記第２基体の前記第１基体側の面の少なくとも一方に設けられ、液体の通過を阻止し気体の通過を許容する溝部と、を有していることを特徴とする。
このような構成によれば、防水性を発揮するのに十分な細さの溝部を容易に形成することができる。そのため、優れた防水性を発揮することのできるセンサーモジュールが得られる。
【０００９】
本発明のセンサーモジュールでは、前記溝部の深さおよび幅は、それぞれ、０．０５μｍ以上、３．０μｍ以下であることが好ましい。
これにより、より優れた防水性を発揮することができる。
【００１０】
本発明のセンサーモジュールでは、前記溝部の長さは、１０μｍ以上であることが好ましい。
これにより、より優れた防水性を発揮することができる。
【００１１】
本発明のセンサーモジュールでは、前記第２基体は、前記第１基体側の面に開放する凹部を有していることが好ましい。
これにより、より容易に、内部空間を形成することができる。
【００１２】
本発明のセンサーモジュールでは、前記第１基体の前記第２基体側の面に設けられ、前記内部空間の内外に延びる配線用溝部と、
前記配線用溝部に配置され、前記センサー素子と電気的に接続されている配線と、を有していることが好ましい。
これにより、センサー素子と外部装置との電気的な接続を容易に行うことができる。
【００１３】
本発明のセンサーモジュールでは、前記内部空間の外側に配置され、前記配線と電気的に接続されている配線基板を有していることが好ましい。
これにより、センサー素子と外部装置との電気的な接続を容易に行うことができる。
【００１４】
本発明のセンサーモジュールでは、前記溝部の前記内部空間の外側に位置する開口の周囲は、撥水処理が施されていることが好ましい。
これにより、水の接触角を精度よく制御することができるため、溝部の大きさを決定し易くなる。
【００１５】
本発明のセンサーモジュールでは、前記センサー素子と電気的に接続されている回路素子を有していることが好ましい。
これにより、センサー素子の駆動が容易となる。
【００１６】
本発明のセンサーモジュールでは、前記回路素子は、前記内部空間に収納されていることが好ましい。
これにより、センサー素子と回路素子とを近づけて配置することができるため、これらを繋ぐ配線長を短くすることができ、ノイズが生じ難くなる。
【００１７】
本発明のセンサーモジュールでは、前記センサー素子は、圧力を検出することのできる圧力センサー素子であることが好ましい。
これにより、センサーモジュールを圧力センサーモジュールとして用いることができるため、優れた利便性（広い適用分野）を発揮することができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、本発明のセンサーモジュールを有することを特徴とする。
これにより、本発明のセンサーモジュールの効果を享受でき、高い信頼性を有する電子機器が得られる。
【００１９】
本発明の移動体は、本発明のセンサーモジュールを有することを特徴とする。
これにより、本発明のセンサーモジュールの効果を享受でき、高い信頼性を有する移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係るセンサーモジュールの断面図である。
【図２】図１に示すセンサーモジュールの平面図である。
【図３】溝部のサイズを決定する方法を説明するための模式図である。
【図４】図１に示すセンサーモジュールが有する圧力センサー素子の断面図である。
【図５】図４に示す圧力センサー素子が有するセンサー部の平面図である。
【図６】図５に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。
【図７】図１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１に示すセンサーモジュールの変形例を示す断面図である。
【図１２】図１１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１に示すセンサーモジュールの変形例を示す断面図である。
【図１６】図１に示すセンサーモジュールの実装状態を示す断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係るセンサーモジュールの断面図である。
【図１８】図１７に示すセンサーモジュールの変形例を示す断面図である。
【図１９】本発明の第３実施形態に係るセンサーモジュールの断面図である。
【図２０】図１９に示すセンサーモジュールが有する圧力センサー素子の断面図である。
【図２１】本発明の第４実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【図２２】本発明の第５実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【図２３】本発明の第６実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明のセンサーモジュール、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係るセンサーモジュールについて説明する。
【００２３】
図１は、本発明の第１実施形態に係るセンサーモジュールの断面図である。図２は、図１に示すセンサーモジュールの平面図である。図３は、溝部のサイズを決定する方法を説明するための模式図である。図４は、図１に示すセンサーモジュールが有する圧力センサー素子の断面図である。図５は、図４に示す圧力センサー素子が有するセンサー部の平面図である。図６は、図５に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図７ないし図１０は、それぞれ、図１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。図１１は、図１に示すセンサーモジュールの変形例を示す断面図である。図１２ないし図１４は、それぞれ、図１１に示すセンサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。図１５は、図１に示すセンサーモジュールの変形例を示す断面図である。図１６は、図１に示すセンサーモジュールの実装状態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１、図４、図７ないし図１６中の上側および図２中の紙面手前側を「上」とも言い、図１、図４、図７ないし図１６中の下側および図２中の紙面奥側を「下」とも言う。
【００２４】
図１に示すセンサーモジュール１００は、圧力を検出することのできる圧力センサーモジュールである。このようなセンサーモジュール１００は、第１基体１１０と、第１基体１１０に接合され、第１基体１１０との間に内部空間Ｓ１を形成している第２基体１２０と、内部空間Ｓ１に収容された圧力センサー素子１（センサー素子）および回路素子１３０と、内部空間Ｓ１の外側に配置された配線基板１４０と、を有している。
【００２５】
（第１基体）
図１に示すように、第１基体１１０は、板状である。また、第１基体１１０は、第１層１１０Ａと、第１層１１０Ａの上面に積層された第２層１１０Ｂと、を有する積層体で構成されている。なお、本実施形態では、第１層１１０Ａは、単結晶シリコン（Ｓｉ）で構成された単結晶シリコン層であり、第２層１１０Ｂは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で構成されたシリコン酸化層である。なお、第１基体１１０は、例えば、シリコン基板の上面を熱酸化し、シリコン基板の上面にシリコン酸化膜を形成することで得ることができる。このような構成によれば、構成が簡単となると共に、半導体プロセスに適した第１基体１１０となる。なお、図示では、第１層１１０Ａと第２層１１０Ｂの境界は、明確となっているが、これに限定されず、境界が不明確であってもよい。
【００２６】
第１層１１０Ａの厚さとしては、特に限定されないが、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。これにより、機械的強度を十分に保ちつつ、第１基体１１０の薄型化を図ることができる。一方、第２層１１０Ｂの厚さとしては、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。これにより、後述する溝部１１２および配線用溝部１１３を形成するのに十分な厚さを確保しつつ、第２層１１０Ｂの薄型化を図ることができる。また、この程度の厚さであれば、上述した熱酸化法によって容易に第２層１１０Ｂを形成することができる。
【００２７】
ただし、第１基体１１０の構成としては、特に限定されない。例えば、第１層１１０Ａおよび第２層１１０Ｂの構成材料が本実施形態と異なっていてもよいし、単層で構成されていてもよいし、３層以上の積層体で構成されていてもよい。
【００２８】
また、第１基体１１０は、内部空間Ｓ１の内側に位置し、上面に開放する凹部１１１を有している。そして、凹部１１１の底面に、圧力センサー素子１および回路素子１３０が配置（固定）されている。なお、凹部１１１は、第２層１１０Ｂを貫通し、第１層１１０Ａの途中まで掘り込まれている。これにより、圧力センサー素子１および回路素子１３０を配置するのに十分な深さの凹部１１１が得られ、その分、第２基体１２０を薄くすることができる（後述する凹部１２１を浅くすることができる）。そのため、センサーモジュール１００の低背化（薄型化）を図ることができる。
【００２９】
また、第１基体１１０は、その上面（第２基体１２０側の面）に開放する溝部１１２を有している。そして、この溝部１１２を介して内部空間Ｓ１の内外が連通している。具体的には、溝部１１２の開口のうち、両端部を除く中央部が第２基体１２０によって塞がれており、一端部が内部空間Ｓ１の外側に開口し、他端部が内部空間Ｓ１の内側に開口している。これにより、溝部１１２を介して内部空間Ｓ１の内外が連通している。なお、以下では、説明の便宜上、内部空間Ｓ１の外側に位置している開口を外側開口１１２ａとも言う。
【００３０】
また、溝部１１２は、その深さが第２層１１０Ｂの厚さよりも浅く、その全域が第２層１１０Ｂに形成されている。このように、第２層１１０Ｂ内に溝部１１２を形成すること、すなわち、異なる層に跨ることなく溝部１１２を形成することで、例えば、第２層１１０Ｂと第１層１１０Ａとに跨って溝部１１２が形成されている場合と比較して、溝部１１２の形成が容易となる。ただし、溝部１１２は、第２層１１０Ｂと第１層１１０Ａとに跨って形成されていてもよい。
【００３１】
溝部１１２は、内部空間Ｓ１の外側から内部空間Ｓ１の内側への液体の通過（内部空間Ｓ１の内側への液体の侵入）を阻止すると共に、内部空間Ｓ１の外側（内側）から内部空間Ｓ１の内側（外側）への気体の通過を許容する機能を有している。これにより、内部空間Ｓ１が水（液体）から保護され、センサーモジュール１００が防水性を発揮することができる。さらに、溝部１１２は、通気性を有するため、内部空間Ｓ１の外側の圧力が溝部１１２を介して内部空間Ｓ１内に伝搬される（すなわち、内部空間Ｓ１の内外の圧力が等しく保たれる）。そのため、内部空間Ｓ１に収納された圧力センサー素子１によって、内部空間Ｓ１外の圧力を検出することができる。よって、これらの機能によって、センサーモジュール１００は、高精度でかつ高い信頼性を発揮することができる。
【００３２】
なお、図２に示すように、本実施形態では、溝部１１２は、直線状をなしている。これにより、溝部１１２をより単純な形状とすることができるため、溝部１１２の形成が容易となる。また、溝部１１２の形成に必要なスペースをより小さくすることができるため、センサーモジュール１００の小型化を図ることができる。ただし、溝部１１２の形状としては、特に限定されず、例えば、延在方向の途中に、湾曲部または屈曲部を少なくとも１つ以上有していてもよい。
【００３３】
また、図２に示すように、溝部１１２は、その幅方向（延在方向に直交する方向）に並んで複数設けられている。これにより、例えば、使用中に、ある溝部１１２が異物によって詰まってしまっても、他の溝部１１２によって内部空間Ｓ１の内外が連通した状態を維持することができる。そのため、故障の可能性が低下し、信頼性を向上させることができる。ただし、溝部１１２の数としては、特に限定されず、１つであってもよい。
【００３４】
以上、溝部１１２について説明した。この溝部１１２のサイズ（深さ、幅、長さ）については、後に説明する。
【００３５】
また、図１に示すように、第１基体１１０は、その上面（第２基体１２０側の面）に開放する配線用溝部１１３を有している。配線用溝部１１３は、内部空間Ｓ１の内外に延びている。すなわち、配線用溝部の一端部は、内部空間Ｓ１の内側に位置し、他端部は、内部空間Ｓ１の外側に位置している。また、配線用溝部１１３には配線１１４が配置されている。そして、配線１１４の一端部は、内部空間Ｓ１の内側に位置し、他端部は、内部空間Ｓ１の外側に位置している。配線１１４は、内部空間Ｓ１に収納された圧力センサー素子１および回路素子１３０の電気的な引き出しを行うための配線である。このように、配線１１４によって圧力センサー素子１および回路素子１３０の電気的な引き出しを行うことで、内部空間Ｓ１の外側に位置する外部装置（例えば実装基板）と、内部空間Ｓ１の内側に位置する圧力センサー素子１および回路素子１３０との電気的な接続が容易となる。
【００３６】
また、配線用溝部１１３は、その深さが第２層１１０Ｂの厚さよりも浅く、その全域が第２層１１０Ｂに形成されている。このように、第２層１１０Ｂ内に配線用溝部１１３を形成することで、例えば、第２層１１０Ｂと第１層１１０Ａとに跨って配線用溝部１１３が形成されている場合と比較して、配線用溝部１１３の形成が容易となる。ただし、配線用溝部１１３は、第２層１１０Ｂと第１層１１０Ａとに跨って形成されていてもよい。
【００３７】
また、図２に示すように、配線用溝部１１３は、直線状をなし、その幅方向（延在方向に直交する方向）に沿って複数形成されている。そして、各配線用溝部１１３に１本の配線１１４が配置されている。これにより、配線１１４間のショートをより確実に抑制することができる。ただし、配線用溝部１１３の形状としては、特に限定されず、例えば、延在方向の途中に、湾曲部または屈曲部を少なくとも１つ以上有していてもよい。また、配線用溝部１１３の数も特に限定されず、例えば、１つでもよい。この場合は、１つの配線用溝部１１３内に複数の配線１１４を配置すればよい。
【００３８】
なお、図１に示すように、配線用溝部１１３と第２基体１２０との隙間は、シール部材１９０によって封止されている。したがって、配線用溝部１１３を介しては、内部空間Ｓ１の内外に液体も気体も通過は阻止されるが、シール部材１９０により封止を省略し、液体の通過は阻止されるが、気体の通過は許容するような構成としてもよい。また、この場合には、配線用溝部１１３は、溝部１１２と同様の機能を発揮するため、配線用溝部１１３が溝部１１２を兼ねていてもよい。
【００３９】
以上、第１基体１１０について説明した。なお、凹部１１１、溝部１１２および配線用溝部１１３の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、レーザー加工法、イオンミリング法等の各種加工法を用いることができる。これらの中でも、ドライエッチング法を用いることが好ましい。これにより、より緻密で精度のよい加工が可能となる。
【００４０】
（第２基体）
図１に示すように、第２基体１２０は、板状であり、第１基体１１０の上面に接合されている。なお、本実施形態では、第２基体１２０は、単結晶シリコン基板で構成されている。これにより、構成が簡単となると共に、半導体プロセスに適した第２基体１２０となる。ただし、第２基体１２０の構成材料としては、特に限定されない。
【００４１】
また、第２基体１２０は、下面側に開口し、第１基体１１０の凹部１１１と連通する凹部１２１を有している。そして、凹部１２１および凹部１１１によって内部空間Ｓ１が形成されている。前述したように、第１基体１１０に凹部１１１を形成し、この凹部１１１によって圧力センサー素子１および回路素子１３０の載置面を下方へずらしている分、凹部１２１の深さを浅くすることができる。そのため、第２基体１２０の薄型化（センサーモジュール１００の薄型化）を図ることができる。
【００４２】
また、第２基体１２０は、凹部１２１と重ならないように位置し、第２基体１２０を厚さ方向に貫通する貫通孔１２２を有している。そして、この貫通孔１２２から溝部１１２の外側開口１１２ａが露出している。すなわち、貫通孔１２２に溝部１１２が連通している。これにより、貫通孔１２２を介して、外側開口１１２ａをセンサーモジュール１００の外側に露出させることができる。そのため、溝部１１２を介して内部空間Ｓ１の内外の圧力を等しく保つことができる。
【００４３】
また、第２基体１２０は、凹部１２１と貫通孔１２２との間に位置し、溝部１１２の開口の中央部を塞ぐ蓋部１２３を有している。そして、溝部１１２の内面と蓋部１２３の下面とで孔１１２”が形成されている。この孔１１２”によって、内部空間Ｓ１への液体の侵入を阻止する（気体の通過は許容する）ことができる。
【００４４】
なお、第１基体１１０と第２基体１２０との接合方法は、特に限定されないが、接合部材を介さずに接合する方法（直接接合法）が好ましく、例えば、表面活性化接合法を用いることができる。接合部材を用いないことで、接合部材によって溝部１１２が封止されてしまうことを防止することができ、溝部１１２を介して内部空間Ｓ１の内外が連通した状態を維持することができる。また、第２基体１２０の下面を第１基体１１０の上面に接触させることができるため、孔１１２”のサイズ（特に深さ）をより精度よく制御することができると共に、より小さくすることができる。そのため、センサーモジュール１００は、優れた防水性を発揮することができる。
【００４５】
以上、第１基体１１０および第２基体１２０についてそれぞれ詳細に説明した。ここで、少なくとも、溝部１１２の外側開口１１２ａの周囲（例えば、貫通孔１２２の内周面および貫通孔１２２から露出している第１基体１１０の上面等）は、撥水処理されていることが好ましい。これにより、外側開口１１２ａの周囲での水の接触角を精度よく制御することができるため、溝部１１２（孔１１２”）のサイズを決定し易くなる。なお、撥水処理が施されている部位は、溝部１１２の周囲に限定されず、例えば、溝部１１２の内面であってもよい。また、撥水処理としては、特に限定されず、例えば、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）を持つフッ素化合物でコーティングする方法を用いることができる。トリフルオロメチル基を持つフッ素化合物でコーティングすると、水の接触角は、理論上１２０°程度となる。
【００４６】
また、各溝部１１２（孔１１２”）の深さＴおよび幅Ｗとしては、特に限定されないが、それぞれ、０．０５μｍ以上、３．０μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以上、１．０μｍ以下であることがより好ましく、０．０５μｍ以上、０．５μｍ以下であることがさらに好ましい（図１、図２参照）。これにより、溝部１１２を常識的な加工技術によって確実に形成することができる大きさとしつつ、より高い防水性（生活防水以上の防水性）を発揮することができる。
【００４７】
また、各溝部１１２の断面開口形状としては、特に限定されず、例えば、正方形、長方形等の矩形、平行四辺形、台形等、矩形以外の四角形、三角形、五角形以上の多角形、半円形等であってもよい。なお、本実施形態では、矩形の断面開口形状となっている。また、各溝部１１２の横断面積（断面開口の面積）としては、特に限定されないが、例えば、０．０２５μｍ２以上、９μｍ２以下であることが好ましい。
【００４８】
ここで、図３に示すように、Ｄ＝貫通孔の径、Ｐ＝圧力、σ＝表面張力（≒７２ｄｙｎ／ｃｍ：２０℃）、θ＝接触角（＝１２０°）としたとき、Ｄ＝（−４σｃｏｓθ）／Ｐなる関係を満足する。この式から、各溝部１１２（孔１１２”）の深さＴおよび幅Ｗをそれぞれ３．０μｍ以下とすることで、十分に高い防水性（約３気圧以上の防水性）を発揮できることがわかる。なお、センサーモジュール１００が有する防水性としては、特に限定されないが、１０気圧防水（すなわち、水中を１００ｍ潜った状態でも水の通過を阻止できる程度の防水性）以上であることが好ましい。これにより、例えば、フリーダイビング等にも耐え得る防水性を発揮することができ、利便性に優れたセンサーモジュール１００となる。
【００４９】
また、各溝部１１２（孔１１２”）の長さＬとしては、特に限定されないが、１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましい。これにより、溝部１１２（孔１１２”）が十分に長くなり、溝部１１２から内部空間Ｓ１への水（液体）の侵入をより効果的に抑制することができる。なお、溝部１１２の長さの上限値としては、特に限定されないが、３０μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以下であることがより好ましい。これにより、センサーモジュール１００の大型化を抑制することができる。
【００５０】
（圧力センサー）
図４に示すように、圧力センサー素子１は、基板２と、基板２に配置されたセンサー部５と、基板２の下面に接合されたベース基板６と、基板２とベース基板６との間に形成された圧力基準室Ｓと、を有している。
【００５１】
基板２は、ＳＯＩ基板（すなわち、第１シリコン層２１、酸化シリコン層２２および第２シリコン層２３がこの順で積層されている基板）である。ただし、基板２としては、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。また、基板２は、シリコン以外の半導体材料、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素等で構成された基板（半導体基板）であってもよい。
【００５２】
また、基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２５が設けられている。基板２には、下方に開放する有底の凹部２４が形成されており、この凹部２４の上側（凹部２４によって基板２が薄くなっている部分）がダイアフラム２５となっている。また、ダイアフラム２５の上面が、圧力を受ける受圧面２５１となっている。
【００５３】
ダイアフラム２５には、ダイアフラム２５に作用する圧力を検出し得るセンサー部５が設けられている。図５に示すように、センサー部５は、ダイアフラム２５に設けられた４つのピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を有している。そして、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、配線５５を介して互いに電気的に接続され、図６に示すブリッジ回路５０（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。ブリッジ回路５０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給（印加）する駆動回路が接続されている。そして、ブリッジ回路５０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の抵抗値変化に応じた検出信号（電圧）を出力する。そのため、この出力された検出信号に基づいてダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができる。
【００５４】
ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、それぞれ、例えば、基板２の第２シリコン層２３にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、配線５５は、例えば、基板２の第２シリコン層２３に、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
【００５５】
なお、センサー部５の構成としては、ダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができれば、特に限定されない。例えば、ブリッジ回路５０を構成していない少なくとも１つのピエゾ抵抗素子がダイアフラム２５に配置されている構成であってもよい。また、センサー部としては、本実施形態のようなピエゾ抵抗型の他にも、静電容量の変化に基づいて圧力を検出する静電容量型を用いてもよい。
【００５６】
また、図４に示すように、基板２の上面には、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）からなる第１絶縁膜３１と、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）からなる第２絶縁膜３２とが成膜されている。第１絶縁膜３１によって、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができる。また、第２絶縁膜３２によって、センサー部５を水分、ガス等から保護することができる。なお、第１、第２絶縁膜３１、３２の少なくとも一方は、省略してもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。
【００５７】
また、第２絶縁膜上には配線５５と電気的に接続された端子３３が設けられている。そして、この端子３３がボンディングワイヤーＢＷ２を介して回路素子１３０と電気的に接続されている。
【００５８】
ベース基板６は、凹部２４の開口を塞ぐように、基板２の下面に接合されている。これにより、ダイアフラム２５とベース基板６との間に圧力基準室Ｓが形成される。このようなベース基板６としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等を用いることができる。
【００５９】
圧力基準室Ｓは、真空（例えば１０Ｐａ以下程度）であることが好ましい。これにより、圧力センサー素子１を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができる。そのため、利便性の高いセンサーモジュール１００となる。ただし、圧力基準室Ｓは、真空状態でなくてもよい。
【００６０】
図１に示すように、このような圧力センサー素子１は、内部空間Ｓ１に収納されていると共に、ダイアフラム２５および端子３３を上側に向けて、ダイアタッチ材Ｄ（接合部材）を介して第１基体１１０（凹部１１１の底面）に接合されている。
【００６１】
（回路素子）
回路素子１３０は、ブリッジ回路５０に電圧を供給するための駆動回路、ブリッジ回路５０からの出力を温度補償するための温度補償回路、温度補償回路からの出力から受けた圧力を求める圧力検出回路、圧力検出回路からの出力を所定の出力形式（ＣＭＯＳ、ＬＶ−ＰＥＣＬ、ＬＶＤＳ等）に変換して出力する出力回路等を有している。
【００６２】
図１に示すように、回路素子１３０は、内部空間Ｓ１に収納されていると共に、ダイアタッチ材Ｄを介して第１基体１１０（凹部１１１の底面）に接合されている。また、回路素子１３０は、ボンディングワイヤーＢＷ１を介して配線１１４と電気的に接続されていると共に、ボンディングワイヤーＢＷ２を介して圧力センサー素子１と電気的に接続されている。
【００６３】
（配線基板）
図１に示すように、配線基板１４０は、可撓性を有する基材１４１と、基材１４１に配置された複数の配線１４９と、を有している。配線基板１４０としては、例えば、一般的に用いられているフレキシブルプリント基板を用いることができる。なお、本実施形態では基材１４１が可撓性を有しているが、基材１４１の全部または一部は、硬質であってもよい。すなわち、配線基板１４０として、リジッドフレキシブルプリント基板やリジッドプリント基板を用いてもよい。
【００６４】
また、配線基板１４０は、導電性の接合部材Ｂを介して第１基体１１０の上面に接合されている共に、接合部材Ｂを介して配線１４９と配線１１４とが電気的に接続されている。このような配線基板１４０を有することで、圧力センサー素子１および回路素子１３０を第１基体１１０からさらに引き出すことができ、外部装置との接続がより容易となる。
【００６５】
以上、センサーモジュール１００について説明した。このようなセンサーモジュール１００は、前述したように、第１基体１１０と、第１基体１１０と対向して配置され、第１基体１１０との間に内部空間Ｓ１を有して第１基体１１０に接合された第２基体１２０と、内部空間Ｓ１に配置されているセンサー素子としての圧力センサー素子１と、第１基体１１０の上面（第２基体１２０側の面）および第２基体１２０の下面（第１基体１１０側の面）の少なくとも一方（本実施形態では第１基体１１０の上面のみ）に設けられ、液体の通過を阻止し気体の通過を許容する溝部１１２と、を有している。これにより、センサーモジュール１００は、内部空間Ｓ１に対して通気性および防水性を有するため、高精度でかつ高い信頼性を発揮することができる。また、センサーモジュール１００で用いている溝部１１２は、従来構成の貫通孔と比較して基板を深く掘り込む必要がないため、従来構成に対して微細な加工が可能となる。そのため、現実的な加工方法によって、十分に幅Ｗの小さい溝部１１２を容易に形成することができる。そのため、上述の構成によれば、優れた防水性を有するセンサーモジュール１００を提供することができる。
【００６６】
また、前述したように、センサーモジュール１００では、溝部１１２の深さＴおよび幅Ｗは、それぞれ、０．０５μｍ以上、３．０μｍ以下であることが好ましい。これにより、十分に細い溝部１１２（孔１１２”）となり、センサーモジュール１００は、より優れた防水性を発揮することができる。
【００６７】
また、前述したように、センサーモジュール１００では、溝部１１２（特に、孔１１２”）の長さＬは、１０μｍ以上であることが好ましい。これにより、溝部１１２が十分に長くなり、溝部１１２から内部空間Ｓ１への水の浸入をより効果的に抑制することができる。そのため、センサーモジュール１００は、より優れた防水性を発揮することができる。
【００６８】
また、前述したように、センサーモジュール１００では、第２基体１２０は、下面（第１基体１１０側の面）に開放する凹部１２１を有している。これにより、簡単な構成で内部空間Ｓ１を形成することができる。
【００６９】
また、前述したように、センサーモジュール１００は、第１基体１１０の上面（第２基体１２０側の面）に設けられ、内部空間Ｓ１の内外に延びる配線用溝部１１３と、配線用溝部１１３に配置され、圧力センサー素子１と電気的に接続されている配線１１４と、を有している。これにより、圧力センサー素子１と外部装置との電気的な接続を容易に行うことができる。
【００７０】
また、前述したように、センサーモジュール１００は、内部空間Ｓ１の外側に配置され、配線１１４と電気的に接続されている配線基板１４０を有している。これにより、圧力センサー素子１と外部装置との電気的な接続をより容易に行うことができる。ただし、配線基板１４０は、省略してもよい。
【００７１】
また、前述したように、センサーモジュール１００では、溝部１１２の外側開口１１２ａ（内部空間Ｓ１の外側に位置する開口）の周囲は、撥水処理が施されている。これにより、水の接触角を精度よく制御することができるため、溝部１１２の大きさを決定し易くなる。ただし、撥水処理を省略してもよい。
【００７２】
また、前述したように、センサーモジュール１００は、圧力センサー素子１と電気的に接続されている回路素子１３０を有している。このように、圧力センサー素子１と回路素子１３０とをユニット化することで、回路素子１３０をセンサーモジュール１００と別体で用意する場合と比較して、センサーモジュール１００の駆動をより容易に行うことができる。ただし、回路素子１３０は、省略してもよい。
【００７３】
また、前述したように、センサーモジュール１００では、回路素子１３０は、内部空間Ｓ１に収納されている。これにより、回路素子１３０を保護することができる。また、圧力センサー素子１と回路素子１３０とを近づけて配置することができるため、これらを繋ぐ配線長（ボンディングワイヤーＢＷ２の長さ）を短くすることができ、その分、ノイズが生じ難くなる。ただし、回路素子１３０は、内部空間Ｓ１の外側に配置されていてもよい。
【００７４】
また、前述したように、センサーモジュール１００では、センサー素子として圧力を検出することのできる圧力センサー素子１を用いている。すなわち、センサー素子は、圧力を検出することのできる圧力センサー素子１である。これにより、センサーモジュール１００を圧力センサーモジュールとして用いることができるため、優れた利便性（広い適用分野）を発揮することができる。ただし、センサー素子としては、圧力センサー素子に限定されず、例えば、所定のガス（例えばＣＯ２）を検出するガス検出センサー素子、温度を検出する温度検出素子、湿度を検出する湿度センサー等を用いることができる。
【００７５】
次に、センサーモジュール１００の製造方法について簡単に説明する。まず、図７に示すように、第１基体１１０を用意し、凹部１１１、溝部１１２および配線用溝部１１３を形成する。凹部１１１、溝部１１２および配線用溝部１１３の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、レーザー加工法、イオンミリング法等の各種加工法を用いることができる。
【００７６】
次に、図８に示すように、配線用溝部１１３に配線１１４を形成し、凹部１１１の底面に圧力センサー素子１および回路素子１３０を配置し、これらをボンディングワイヤーＢＷ１、ＢＷ２で接続する。次に、図９に示すように、第２基体１２０を準備し、第２基体１２０を第１基体１１０に接合する。そして、配線用溝部１１３と第２基体１２０との隙間をシール部材１９０で封止する。次に、図１０に示すように、配線基板１４０を準備し、接合部材Ｂを介して配線基板１４０を第１基体１１０に接合する。以上により、センサーモジュール１００が得られる。
【００７７】
以上、本実施形態のセンサーモジュール１００について説明した。なお、センサーモジュール１００の構成は、上述の構成に限定されない。例えば、図１１に示すように、第２基体１２０が、枠状の第１層１２０Ａと、第１層１２０Ａの上部開口を塞ぐ板状の第２層１２０Ｂと、の積層体で構成されていてもよい。また、第２基体１２０が、３層以上の積層体で構成されていてもよい。この場合、例えば、図１２に示すように、第１層１２０Ａを第１基体１１０に接合してから、図１３に示すように、凹部１１１の底面に圧力センサー素子１および回路素子１３０を配置し、次に、図１４に示すように、第２層１２０Ｂを第１層１２０Ａの上面に接合するような製造方法としてもよい。
【００７８】
また、図１５に示すように、第１基体１１０から凹部１１１を省略し、第１基体１１０の上面に圧力センサー１および回路素子１３０を配置してもよい。
【００７９】
また、センサーモジュール１００は、例えば、図１６に示すようにして筐体９に実装することができる。筐体９には筐体９の内外を連通する貫通孔９１が設けられており、センサーモジュール１００は、貫通孔１２２を貫通孔９１に連通させた状態で筐体９に固定されている。また、センサーモジュール１００と筐体９との間から筐体９内へ液体が侵入しないように、センサーモジュール１００と筐体９との間にはシール部材９２が設けられている。
【００８０】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係るセンサーモジュールについて説明する。
【００８１】
図１７は、本発明の第２実施形態に係るセンサーモジュールの断面図である。図１８は、図１７に示すセンサーモジュールの変形例を示す断面図である。
【００８２】
本実施形態に係るセンサーモジュール１００は、第１基体１１０および第２基体１２０の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態のセンサーモジュール１００とほぼ同様である。
【００８３】
以下、第２実施形態のセンサーモジュール１００について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００８４】
図１７に示すように、本実施形態のセンサーモジュール１００では、第１基体１１０として、例えば、アルカリ金属イオン（Ｎａ＋等の可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）で構成されたガラス基板が用いられている。第２基体１２０は、シリコン基板で構成されているため、本実施形態では、第１基体１１０と第２基体１２０とを陽極接合法を用いて接合することができる。
【００８５】
なお、凹部１１１および配線用溝部１１３は、例えば、ウェットエッチングで形成することが好ましい。これにより、より簡単に、凹部１１１および配線用溝部１１３を形成することができる。
【００８６】
また、本実施形態では、溝部１１２は、第１基体１１０の上面ではなく、第２基体１２０の下面（第１基体１１０側の面）に形成されている。そして、溝部１１２は、その一端が内部空間Ｓ１に接続され、他端が貫通孔１２２に接続されている。このように、溝部１１２を第２基体１２０に形成しても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。ここで、溝部１１２の機能、好ましい寸法、撥水処理等については、前述した第１実施形態で述べたものと同様である。
【００８７】
なお、溝部１１２は、例えば、ドライエッチングで形成することが好ましい。これにより、より簡単に、溝部１１２を形成することができる。
【００８８】
このような第２実施形態によっても前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。なお、例えば、図１８に示すように、溝部１１２が、第１基体１１０の上面および第２基体１２０の下面の両方に形成されていてもよい。この場合、第１基体１１０側の溝部１１２と第２基体１２０側の溝部１１２とが合わさって孔１１２”が形成される。この時の好ましい深さＴは、第１基体１１０側の溝部１１２の深さと第２基体１２０側の溝部１１２の深さの合計で決定される。
【００８９】
なお、図１８では、第１基体１１０側の溝部１１２と第２基体１２０側の溝部１１２とが重なって配置されているが、これに限定されず、例えば、これらがずれて配置されていてもよい。すなわち、第１基体１１０側の溝部１１２と第２基体１２０とで形成された孔１１２”と、第２基体１２０側の溝部１１２と第１基体１１０とで形成された孔１１２”とが混在していてもよい。
【００９０】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係るセンサーモジュールについて説明する。
【００９１】
図１９は、本発明の第３実施形態に係るセンサーモジュールの断面図である。図２０は、図１９に示すセンサーモジュールが有する圧力センサー素子の断面図である。
【００９２】
本実施形態に係るセンサーモジュール１００は、圧力センサー素子の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態のセンサーモジュール１００とほぼ同様である。
【００９３】
以下、第２実施形態のセンサーモジュール１００について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００９４】
図１９に示すように、本実施形態のセンサーモジュール１００では、圧力センサー素子１がボンディングワイヤーＢＷ２を介して回路素子１３０に吊られ、第１基体１１０から浮遊した状態で支持されている。このように、圧力センサー素子１を第１基体１１０から浮遊させることで、第１基体１１０から圧力センサー素子１に応力が伝わり難くなり、圧力センサー素子１の圧力検知精度が向上する。
【００９５】
また、図２０に示すように、圧力センサー素子１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する基板２と、ダイアフラム２５の上面側に配置された圧力基準室Ｓと、基板２と共に圧力基準室Ｓを形成する周囲構造体４と、ダイアフラム２５の上面側に配置されたセンサー部５と、を有している。このうち、基板２、センサー部５および圧力基準室Ｓについては、前述した第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００９６】
周囲構造体４は、基板２との間に圧力基準室Ｓを形成している。このような周囲構造体４は、基板２上に配置された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に配置された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置された表面保護膜４５と、配線層４４および表面保護膜４５上に配置された封止層４６と、表面保護膜４５上に配置された端子４７とを有している。
【００９７】
配線層４２は、圧力基準室Ｓを囲んで配置された枠状のガードリング４２１と、センサー部５の配線５５と接続された配線部４２９とを有している。また、配線層４４は、圧力基準室Ｓを囲んで配置された枠状のガードリング４４１と、配線５５と接続された配線部４４９とを有している。
【００９８】
また、配線層４４は、圧力基準室Ｓの天井に位置し、ガードリング４４１と一体形成された被覆層４４４を有している。また、この被覆層４４４には圧力基準室Ｓの内外を連通する複数の貫通孔４４５が形成されている。複数の貫通孔４４５は、製造途中まで圧力基準室Ｓを埋めている犠牲層を除去する際のリリースエッチング用の孔である。また、ガードリング４２１、４４１は、前記リリースエッチング時のエッチングストッパーとして機能する。
【００９９】
そして、被覆層４４４上には封止層４６が配置されており、この封止層４６によって貫通孔４４５が封止され、気密的な圧力基準室Ｓが形成されている。表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ガス、ゴミ、傷等から保護する機能を有している。表面保護膜４５は、被覆層４４４の貫通孔４４５を塞がないように、層間絶縁膜４３および配線層４４上に配置されている。また、表面保護膜４５上には配線部４２９、４４９を介してセンサー部５と電気的に接続されている複数の端子４７が設けられている。そして、各端子４７にボンディングワイヤーＢＷ２が接続されている。これにより、ボンディングワイヤーＢＷ２を介して圧力センサー素子１が回路素子１３０に吊り下げ支持されると共に、センサー部５と回路素子１３０とが電気的に接続される。
【０１００】
このような周囲構造体４のうち、層間絶縁膜４１、４３としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層４２、４４および端子４７としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層４６としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜、シリコン酸化膜等を用いることができる。また、表面保護膜４５としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜等を用いることができる。
【０１０１】
このような第３実施形態によっても前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１０２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。
図２１は、本発明の第４実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【０１０３】
図２１に示すように、電子機器としての高度計２００は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、センサーモジュール１００が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することもできる。
【０１０４】
このような電子機器の一例である高度計２００は、センサーモジュール１００を有している。そのため、高度計２００は、前述したセンサーモジュール１００の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１０５】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１０６】
図２２は、本発明の第５実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【０１０７】
図２２に示すように、電子機器としてのナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、センサーモジュール１００と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【０１０８】
このナビゲーションシステム３００によれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、ナビゲーションシステム３００にセンサーモジュール１００を搭載し、高度情報をセンサーモジュール１００によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【０１０９】
このような電子機器の一例としてのナビゲーションシステム３００は、センサーモジュール１００を有している。そのため、ナビゲーションシステム３００は、前述したセンサーモジュール１００の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１１０】
なお、本発明の電子機器は、前述の高度計およびナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、ドローン、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１１１】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る移動体について説明する。
図２３は、本発明の第６実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【０１１２】
図２３に示すように、移動体としての自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。また、自動車４００は、車体４０１に搭載されている電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）４０３を有しており、この電子制御ユニット４０３にセンサーモジュール１００が内蔵されている。電子制御ユニット４０３は、センサーモジュール１００が車体４０１の加速度や傾斜等を検出することにより、移動状態や姿勢等を把握し、車輪４０２等の制御を的確に行うことができる。これにより、自動車４００は、安全で安定した移動をすることができる。なお、センサーモジュール１００は、自動車４００に備えられているナビゲーションシステム等に搭載されていてもよい。
【０１１３】
このような移動体の一例としての自動車４００は、センサーモジュール１００を有している。そのため、自動車４００は、前述したセンサーモジュール１００の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１１４】
なお、移動体としては、自動車４００に限定されず、例えば、飛行機、ロケット、人工衛星、船舶、ＡＧＶ（無人搬送車）、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。
【０１１５】
以上、本発明のセンサーモジュール、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１１６】
１…圧力センサー素子、２…基板、２１…第１シリコン層、２２…酸化シリコン層、２３…第２シリコン層、２４…凹部、２５…ダイアフラム、２５１…受圧面、３１…第１絶縁膜、３２…第２絶縁膜、３３…端子、４…周囲構造体、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２１…ガードリング、４２９…配線部、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４１…ガードリング、４４４…被覆層、４４５…貫通孔、４４９…配線部、４５…表面保護膜、４６…封止層、４７…端子、５…センサー部、５０…ブリッジ回路、５１、５２、５３、５４…ピエゾ抵抗素子、５５…配線、６…ベース基板、９…筐体、９１…貫通孔、９２…シール部材、１００…センサーモジュール、１１０…第１基体、１１０Ａ…第１層、１１０Ｂ…第２層、１１１…凹部、１１２…溝部、１１２”…孔、１１２ａ…外側開口、１１３…配線用溝部、１１４…配線、１２０…第２基体、１２０Ａ…第１層、１２０Ｂ…第２層、１２１…凹部、１２２…貫通孔、１２３…蓋部、１３０…回路素子、１４０…配線基板、１４１…基材、１４９…配線、１９０…シール部材、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、４０３…電子制御ユニット、ＡＶＤＣ…駆動電圧、Ｂ…接合部材、ＢＷ１、ＢＷ２…ボンディングワイヤー、Ｄ…ダイアタッチ材、Ｌ…長さ、Ｓ…圧力基準室、Ｓ１…内部空間、Ｔ…深さ、Ｗ…幅
【図１】
2018136230.tif 000003
【図２】
2018136230.tif 000004
【図３】
2018136230.tif 000005
【図４】
2018136230.tif 000006
【図５】
2018136230.tif 000007
【図６】
2018136230.tif 000008
【図７】
2018136230.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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