(57)【要約】本発明は、量子ドットを有する発光層（３）によって特徴付けられるエレクトロルミネセント装置を記載している。量子ドットは、量子ドットへの励起状態の注入を引き起こす機能ユニットを伴なう少なくとも１つのキャッピング分子を量子ドットの表面上に備える。機能ユニットを伴なうキャッピング分子は、電子輸送部分及び／又は正孔輸送部分及び／又は励起子輸送部分を有し、これらはそれぞれ電子、正孔及び励起子の量子ドットのコアへの注入を引き起こす。
2005502176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正孔の注入及び輸送ができる正孔処理手段と、
量子ドットを有し、前記正孔処理手段に接触する発光層であって、前記量子ドットの各々が前記量子ドットへの励起状態の注入を引き起こす機能ユニットを伴なう少なくとも１つのキャッピング分子を前記量子ドットの表面上に備えた発光層と、
前記発光層に接触し、前記発光層に電子を注入及び輸送するための電子処理手段と、
を有するエレクトロルミネセント装置。
【請求項２】
前記励起状態が、正孔、電子又は励起子を有する請求項１記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項３】
前記機能ユニットを伴なうキャッピング分子は、機能ユニットとして、電子輸送部分、正孔輸送部分、又は励起子輸送部分を有する請求項１記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項４】
前記電子輸送部分が、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、イソオキサゾール、イソオキサゾール誘導体、チアゾール、チアゾール誘導体、イソチアゾール、イソチアゾール誘導体、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、１，２，３−トリアゾール、１，２，３トリアゾール誘導体、１，３，５トリアジン、１，３，５トリアジン誘導体、キノキサリン、キノキサリン誘導体、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、アセチレンポリマー及びアセチレンオリゴマーの群から選択される請求項３記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項５】
前記正孔輸送部分は、第三級芳香族アミン、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、アセチレンオリゴマー、アセチレンポリマー、フタロシアニン、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン、及びポルフィリン誘導体からなる群から選択される請求項３記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項６】
前記励起子輸送部分は、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ペリレン、ペリレン誘導体、クマリン、クマリン誘導体、フェノキザゾン、フェノキザゾン誘導体、９，９’−スピロビフルオレンオリゴマー、９，９’−スピロビフルオレンポリマー、フェニレンポリマー、フェニレンオリゴマー、４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン誘導体、ローダミン、ローダミン誘導体、オキサジン、オキサジン誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、スチリル、スチリル誘導体、有機金属錯体、スチルベン、スチルベン誘導体、フラビン、フラビン誘導体、フルオレセイン、フルオレセイン誘導体、ピロメテン、及びピロメテン誘導体からなる群から選択される請求項３記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項７】
前記機能ユニットを伴なうキャッピング分子は、チオール、硫酸塩、亜硫酸塩、硫化物、カルボン酸、アルデヒド、アルコール、エステル、ホスフィン、リン酸塩、アミン、及び非縮合多核ピリジン（ｎｏｎ−ｆｕｓｅｄ ｐｏｌｙｎｕｃｌｅａｒ ｐｙｒｉｄｉｎｅ）からなる群から選択される結合ユニットを通じて前記量子ドットの表面にリンクされる請求項１記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項８】
前記量子ドットは、前記量子ドットの表面上に少なくとも１つのパッシベーティング分子を更に備えた請求項１記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項９】
前記パッシベーティング分子が、フッ化物イオン、非芳香族炭化水素部分を有する分子、配位溶媒、フォスファン、又はフォスファン酸化物からなる群から選択される請求項８記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項１０】
前記量子ドット表面上に、前記量子ドットへの励起状態の注入を引き起こす機能ユニットを伴なう少なくとも１つのキャッピング分子を備えている量子ドット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、量子ドットを有するエレクトロルミネセント装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロルミネセント装置、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）は、今日の表示技術に広く普及している。３００億台以上のチップが毎年生産され、自動車光及び交通信号のような新たなアプリケーションが成長し続けている。従来のダイオードは、無機化合物半導体、典型的にはＡｌＧａＡｓ（赤）、ＡｌＧａＩｎＰ（オレンジ−黄−緑）及びＡｌＧａＩｎＮ（緑−青）から作られる。これらのダイオードは、装置に使われる化合物半導体のバンドギャップに対応する周波数の単色光を発する。従って、従来のＬＥＤは、白色光、確かに、混合周波数からなる混色光を発することができない。さらに、特別の所望の“純（ｐｕｒｅ）”単一周波数の色のＬＥＤを生産することは、半導体化学の秀逸した制御が要求されるので、難しい。
【０００３】
ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）のようなフォトルミネセントポリマーの種々の誘導体を結合することによって白色ＬＥＤ又はカラーＬＥＤを製造することも提案されている。提案された１つの装置は、青色ＧａＮＬＥＤをコーティングするＰＰＶを含んでおり、そのＬＥＤからの光がＰＰＶの特徴色の放射を刺激し、このため、観測された光はＬＥＤ及びＰＰＶの特徴色の混合から成る。しかしながら、ＰＰＶベースの装置に対する最大理論量子収率は２５％であり、有機材料がかなり広いスペクトルの蛍光を発する傾向があるので、色制御はしばしば不十分である。さらに、ＰＰＶは光、酸素及び水によって劣化するので、高い信頼性で製造することはかなり難しい。
【０００４】
量子ドットの使用によって色を変えるエレクトロルミネセント装置を生産することも提案されている。量子ドットは、半径がバルク励起子のボーア半径より小さい半導体ナノ結晶である。このような装置により放出される光の波長は、量子ドットのサイズに依存することが分かった。このような装置は、米国特許ＵＳ５，５３７，０００号から既知である。
【０００５】
量子ドットのフォトルミネセント特性を向上させる目的で、量子ドット表面は、量子ドットの表面原子とトリ−ｎ−オクチルホスフィン酸化物（ＴＯＰＯ）のような有機部分との反応によって不活性化されている。有機部分でキャップされるＣｄＳｅ量子ドットは、約５％から１０％のエレクトロルミネセント量子収率を示す（Ｂａｗｅｎｄｉ ｅｔ ａｌ．， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １９９３， １１５， ８７０６）。国際公開番号ＷＯ９９／２６２９９号には、ＣｄＸ（ここで、Ｘ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）を有するコア及びそのコアに均一に被着されたＺｎＹ（ここで、Ｙ＝Ｓ、Ｓｅ）のオーバコーティングから成る量子ドットが記載されている。このような量子ドットは、３０％から５０％の範囲のフォトルミネセント量子収率を示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、改良された量子ドットを有するエレクトロルミネセント装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、この目的は、以下のａ）、ｂ）及びｃ）を有するエレクトロルミネセント装置によって達成される。
ａ）正孔の注入及び輸送ができる正孔処理手段
ｂ）量子ドットを有し、前記正孔処理手段に接触する発光層であって、前記量子ドットの各々が前記量子ドットへの励起状態の注入を引き起こす機能ユニットを伴なう少なくとも１つのキャッピング分子を前記量子ドットの表面上に備えた発光層
ｃ）前記発光層に接触し、前記発光層に電子を注入及び輸送するための電子処理手段
【０００８】
このような装置の１つの利点は、電子及び正孔の再結合が量子ドットの中で起こるということである。この過程、したがって装置全体のエレクトロルミネセント量子収率は、量子ドット表面上に存在する機能ユニットを伴なうキャッピング分子によって向上させることができる。機能ユニットを伴なうキャッピング分子は、電子、正孔又は励起子のような励起状態の量子ドットへの注入を生じさせる。
【０００９】
請求項３による改良点は、電子及び／又は正孔が、量子ドットの表面から、他方と再結合できる量子ドットのコアに伝導される利点を有する。励起子輸送部分は、量子ドットの表面から、電子及び正孔が最終的に再結合する量子ドットのコアまで、励起子を伝導する。電子輸送部分、正孔輸送部分、及び励起子輸送部分は、電子、正孔、及び励起子を量子ドットのコアに向けて輸送する何らかのアンテナとして機能する。
【００１０】
請求項４で言及される正孔輸送部分及び請求項５で言及される電子輸送部分は、効果的な電荷コンダクタである。請求項６で言及される励起子輸送部分は、効果的な励起子コンダクタである。
【００１１】
請求項７で言及される結合ユニットのうちの１つによって、機能ユニットを伴なうキャッピング分子は、効果的に量子ドットの表面に結合する。
【００１２】
請求項８によれば、量子ドットの安定性は、その表面にパッシベーティング分子をリンクすることによって増加することができる。請求項９は、効果的なパッシベーティング分子に言及している。
【００１３】
さらに、本発明は、前記量子ドット表面上に、量子ドットへの励起状態の注入を生じさせる機能ユニットを伴なう少なくとも１つのキャッピング分子を備えた量子ドットに関する。
【００１４】
本発明は、図面を基準にして更に詳細に説明される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１に示すエレクトロルミネセント装置は、透明なガラスプレートのような基板１を有する。正孔処理手段２は基板１の上に配されている。正孔処理手段２は、正孔注入と正孔移送の機能を含む。正孔処理手段２は、正孔注入及び正孔移送の機能を有する１つの層、又は一方が正孔注入の機能を有し他方が正孔移送の機能を有する２つの層を有することができる。単一の層からなる処理手段２は、Ｐドープされたシリコン、インジウムスズ酸化物、又はフッ化物がドープされたスズ酸化物を有することができる。正孔処理手段２が２つの層を有する場合、基板１の上に配された正孔注入層はインジウムスズ酸化物、スズ酸化物、フッ化物がドープされたスズ酸化物、銀、金、銅、又は３ｅＶ以上のバンドギャップを有するＰ型半導体を有することができる。正孔注入層の上に形成された正孔輸送層は、注入された正孔を正孔輸送層を通じて発光層３に向けて輸送することができる材料を有する。正孔輸送層の構成に使用することができる材料は、ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）又はポリチオフェン（例えばジオキシチオフェン）のような導電ポリマーを含む。３ｅＶ以上のバンドギャップを有するｐ型半導体も、正孔輸送層の構成に使用することができる。
【００１６】
発光層３は正孔処理手段２の上に形成される。発光層３は量子ドットを有する。量子ドットは半導体ナノメータ結晶であり、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅのようなＩＩ−ＶＩ族半導体化合物、及び／又はＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ及びＩｎＳｂのようなＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物の結晶、及び／又はＳｉ及びＧｅのようなＩＶ族半導体化合物の結晶を有することができる。その他に、半導体化合物を、Ｅｕ３＋、Ｔｂ３＋、Ａｇ＋又はＣｕ＋のような希土類金属のカチオン又は遷移金属のカチオンでドープすることができる。量子ドットは２つ以上の半導体化合物からなることが可能である。量子ドットはウエットケミカルプロセスによって準備することが好ましい。量子ドットはＩｎＮ、ＩｎＧａＰ又はＧａＡｓを有することが最もありそうに思われる。量子ドットの半径は、バルク材料の励起子ボーア半径より小さい。量子ドットは約１０ｎｍより大きくない半径を有することが最もありそうに思われる。量子ドットは１ｎｍと６ｎｍとの間の半径を有することが最も好ましい。
【００１７】
量子ドットはコアシェル構造を有することが可能である。この場合、量子ドットは、電子及び／又は正孔及び／又は励起子が量子ドットのコアに閉じ込められるように、バンドギャップの高いシェル材料（例えばＺｎＳ）でオーバーコートされた発光コア材料（例えばＣｄＳｅ）からなる。
【００１８】
量子ドットの表面にはキャッピング分子が備えられる。量子ドットへの励起状態の注入を生じさせるために、機能ユニットを有するキャッピング分子が量子ドットの表面にリンクされる。励起状態は、正孔、電子又は励起子とすることができる。量子ドットへの正孔注入を生じさせるために、機能ユニットとして正孔輸送部分を有する少なくとも１つのキャッピング分子が量子ドットの表面にリンクされる。正孔輸送部分は、第三級芳香族アミン、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、アセチレンオリゴマー、アセチレンポリマー、フタロシアニン、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン、又はポルフィリン誘導体を有することができる。オリゴマー又はポリマーの一つ以上の炭素原子を置換することもできる。好ましくは、このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、トリフェニルアミンユニット、フェニレンビニレンオリゴマーユニット、フェニレンオリゴマーユニット又はフルオレンオリゴマーユニットを有する。その他に、約４ｅＶ及び約６ｅＶの範囲内に最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）を有する色素を、正孔輸送部分として使うことができる。
【００１９】
量子ドットへの電子注入を生じさせるために、機能ユニットとして電子輸送部分を有する少なくとも１つのキャッピング分子が量子ドットの表面にリンクされる。電子輸送部分は、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、イソオキサゾール、イソオキサゾール誘導体、チアゾール、チアゾール誘導体、イソチアゾール、イソチアゾール誘導体、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、１，２，３−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール誘導体、１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン誘導体、キノキサリン、キノキサリン誘導体、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、アセチレンポリマー又はアセチレンオリゴマーを有することができる。オリゴマー又はポリマーの一つ以上の炭素原子を置換することもできる。好ましくは、このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、オキサジアゾールユニット、１，２，３−トリアゾールユニット、又はフルオレンユニットを有する。
【００２０】
量子ドットへの励起子注入を生じさせるために、機能ユニットとして励起子輸送部分を有する少なくとも１つのキャッピング分子は、量子ドットの表面にリンクされる。励起子輸送部分は、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ペリレン、ペリレン誘導体、クマリン、クマリン誘導体、フェノキザゾン、フェノキザゾン誘導体、９，９’−スピロビフルオレンオリゴマー、９，９’−スピロビフルオレンポリマー、フェニレンポリマー、フェニレンオリゴマー、４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン誘導体、ローダミン、ローダミン誘導体、オキサジン、オキサジン誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、スチリル、スチリル誘導体、有機金属錯体、スチルベン、スチルベン誘導体、フラビン、フラビン誘導体、フルオレセイン、フルオレセイン誘導体、ピロメテン、ピロメテン誘導体、又は他の色素を有することができる。オリゴマー又はポリマーの一つ以上の炭素原子を置換することもできる。好ましくは、このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、フェノキザゾンユニット、又は４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランユニットを有する。
【００２１】
量子ドットを安定させる（例えば凝集を防ぐ）ために、パッシベーション分子を量子ドットの表面にリンクすることもできる。このようなパッシベーション分子は、フッ化物イオン、非芳香族炭化水素部分を有する分子、配位溶媒、フォスファン、又はフォスファン酸化物を有することができる。量子ドットの表面はフッ化物イオンで保護されることが最もありそうである。
【００２２】
機能ユニットを有するキャッピング分子又は非芳香族炭化水素部分を有する分子は、結合ユニットを通じて量子ドットの表面にリンクされる。このような結合ユニットは、チオール、硫酸塩、亜硫酸塩、硫化物、カルボン酸、アルデヒド、アルコール、エステル、ホスフィン、リン酸塩、アミン、及び非縮合多核ピリジン（ｎｏｎ−ｆｕｓｅｄ ｐｏｌｙｎｕｃｌｅａｒ ｐｙｒｉｄｉｎｅ）の群から選択することができるものを有する。最も好ましいのは、結合ユニットとしてチオールを使用することである。
【００２３】
その他に、このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、結合ユニットと機能ユニットとを相互接続するスペーサユニットを有することができる。スペーサユニットは、約１個から２０個、より好ましくは約１個から約１０個の炭素原子を含む、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素鎖のような有機部分を有することができる。炭化水素鎖の一つ以上の炭素原子を置換することもできる。炭化水素鎖は、１つ以上の不飽和度（即ち、一つ以上の二重結合又は三重結合）を更に含むことができる。代わりにスペーサユニットは、約６個から約２０個の炭素原子を含む環状芳香族炭化水素鎖を有することができる。環状芳香族炭化水素鎖の一つ以上の炭素原子を置換することもできる。
【００２４】
量子ドットは、マトリックス中に埋め込まれる。このマトリックスは有機材料（最もありそうなのは、ポリイミドのような高分子有機材料）を有することができる。この材料は、ＺｎＳのような無機材料を有することもできる。
【００２５】
電子処理手段４は発光層３の上に配される。電子処理手段４は、電子注入と電子輸送の機能を含む。電子処理手段４は、電子注入及び電子輸送の機能を有する１つの層、又は一方が電子注入の機能を有し他方が電子輸送の機能を有する２つの層を有することができる。単一の層からなる電子処理手段４は、インジウムがドープされたスズ酸化物、フッ化物がドープされたスズ酸化物、いかなる金属又はＮ−ｄｏｐｅｄ半導体を有することができる。
【００２６】
電子処理手段４が２つの層を含む場合、発光層３の上に配された電子輸送層は、注入された電子を電子輸送層を通じて発光層３に向けて輸送することができる材料を有することができる。電子輸送層の構成に使用することができる材料は、ポリピロール、ポリフルオレン、フェニレンビニレンポリマー、又はポリチオフェンのような導電ポリマーを含む。
【００２７】
電子注入層は、先に記載された電子輸送層に電子を注入することができるＮ−ｄｏｐｅｄ半導体又はどのような金属も有することができる。電子注入層は透明である必要はない。エレクトロルミネセント装置の正孔処理側から（例えば、基板１としての役割を果たす透明ガラス基板を通じて）その装置を観測する人によって見えるようにするために、装置における正孔及び電子の再結合のときに発光層３によって発せられる可視光が透過層を通じて反射されるように、電子注入層は反射性であることが有利である。組立後、エポキシ樹脂、Ｓｉ３Ｎ４又はアモルファスカーボンのような封入材料で装置全体がシールされる。
【００２８】
エレクトロルミネセント装置が逆の構造を示すことも可能である。この構造では、電子処理手段４が基板１の上に配され、発光層３が電子処理手段４の上に配され、正孔処理手段２が発光層３の上に配される。
【００２９】
図２は、異なるキャッピング分子を有する量子ドットの概略断面を示す。量子ドットは、コア５とその表面にリンクされた幾つかの分子を有する。量子ドットは、パッシベーティング分子９と機能ユニットを伴なうキャッピング分子とを有することができる。機能ユニットを伴なうキャッピング分子は、機能ユニットとして、電子輸送部分６、正孔輸送部分７又は励起子輸送部分８を有することができる。機能ユニットを伴なうキャッピング分子は、結合ユニット１０によって、量子ドットの表面にリンクされる。パッシベーティング分子９は結合ユニット１０を有することもできる。ある場合には、パッシベーティング分子が、パッシベーティング分子９を量子ドットの表面にリンクする機能ユニットの性質を示す。
【００３０】
量子ドットは、電子輸送部分６を伴なうキャッピング分子のみ又は正孔輸送部分７を伴なうキャッピング分子のみ又は励起子輸送部分８を伴なうキャッピング分子のみのように、１つのタイプの機能ユニットを伴なうキャッピング分子のみを有することが可能である。更に、量子ドットは、２つ以上の異なるタイプの機能ユニットを伴なうキャッピング分子を有することが可能である。量子ドットは、機能ユニットを伴なう単一のキャッピング分子を有することも可能である。更に、例えば機能ユニットがポリマーの場合、２つ以上の量子ドットが、機能ユニットを伴なう同じキャッピング分子に結合されることも可能である。
【００３１】
正孔処理手段２及び電子処理手段４は電源端子に接続され、エレクトロルミネセント装置は外部電源に接続される。電圧が電源端子の間に供給されると、電子及び正孔が注入され発光層３に向けて輸送される。量子ドットの表面にリンクされ、機能ユニットとして電子輸送部分６を伴なうキャッピング分子の助けによって、電子は量子ドットのコア５に輸送される。正孔が、例えば量子ドットの表面にリンクされる正孔輸送部分７によって、量子ドットのコア５に輸送されるとき、再結合が起き、光（可視光が最もありそうである）が放出される。もう一つの可能性は、発光層３に正孔及び電子が励起子（電子−正孔ペア）を形成することである。励起子、これは電荷ではなくエネルギーを輸送し、励起子輸送部分８によって量子ドットのコア５に輸送される。最後に、励起子のエネルギーは、電子及び正孔の再結合によって解放される。
【００３２】
本発明は以下の例を基準にして記載されている。この例は説明のために提示されており、本発明を限定するものではない。
【００３３】
例１
基板１としての役割をするガラスプレートを、正孔処理手段２としての役割をするインジウムスズ酸化物で覆った。この正孔処理手段を、ＺｎＳ層に埋め込まれた量子ドットを有する発光層３で覆った。各量子ドットは、ＩｎＧａＰから作られたコア５と、量子ドットの表面上に幾つかの異なる分子とを有する。パッシベーティング分子９については、希釈されたフッ化水素酸で量子ドットを処理することによって、フッ化物イオンが量子ドットの表面にリンクされる。結合ユニット１０としての役割をするチオールユニットと電子輸送部分６の役割をするトリフェニルアミンユニットとを有する機能ユニットを伴なうキャッピング分子の第１の集合は、量子ドットの表面にリンクされる。ｎ−オクチルユニットは、スペーサユニットとしての役割をし、電子輸送部分６の１つのフェニル環を結合ユニット１０に接続する。更に、結合ユニット１０としての役割をするチオールユニットと正孔輸送部分７の役割をする２，２’：５’，２”：５”，２’’’：５’’’，２’’’’−クィンクチオフェン（ｑｕｉｎｑｕｅ ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ユニットとを有する機能ユニットを伴なうキャッピング分子の第２の集合は、量子ドットの表面にリンクされる。ｎ−ヘキシルユニットはスペーサユニットとしての役割をし、５位のクィンクチオフェン（ｑｕｉｎｑｕｅ ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）を結合ユニット１０に結合する。更に、結合ユニット１０としての役割をするチオールユニットと励起子輸送部分８としての役割をするフェノキザゾンユニットとを有する機能ユニットを伴なうキャッピング分子の第３の集合が、量子ドットの表面にリンクされる。ｎ−ブチルユニットは、スペーサユニットとしての役割をし、フェノキザゾンユニットを結合ユニット１０に接続する。発光層３の上に、電子処理手段４を被着した。電子処理手段４はＡｌからなる。装置の全体をエポキシ樹脂でシールした。正孔処理手段２及び電子処理手段４を電源端子に接続し、エレクトロルミネセント装置の全体を外部の電源に接続した。装置全体では、エレクトロルミネセント量子収率の向上が示された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエレクトロルミネセント（ＥＬ）装置の概略図を示す。
【図２】異なるキャッピング分子を有する量子ドットの概略断面。
【国際公開パンフレット】
2005502176.tif 000003
2005502176.tif 000004
2005502176.tif 000005
2005502176.tif 000006
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2005502176.tif 000008
2005502176.tif 000009
2005502176.tif 000010
2005502176.tif 000011
2005502176.tif 000012
2005502176.tif 000013
2005502176.tif 000014
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005502176.tif 000015
【国際調査報告】
2005502176.tif 000016
2005502176.tif 000017
2005502176.tif 000018
2005502176.tif 000019