(57)【要約】【課題】端子間に凹部が形成される樹脂封止材を有する回路体の生産性を向上する。【解決手段】回路体３００は、直流負極端子３１２および交流端子３１３を露出した状態で封止する樹脂封止材３２１を備え、上記各端子３１２、３１３の相対向する一側面には、導体破断面３７１ａが形成され、樹脂封止材３２１の上記端子３１２、３１３間には導体破断面３７１ａとは反対側に陥没する凹部３４０が形成され、また、上記各端子３１２、３１３の一側面における導体破断面３７１ａと凹部３４０との間に、樹脂破断面３８１ａが形成されている。上記各端子３１２、３１３の一側面の厚さ方向と平行な方向の樹脂破断面３８１ａの長さは、当該平行な方向の上記各端子３１２、３１３いずれの導体破断面の長さより小さい。【選択図】図７
2018073892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導体と、
第２導体と、
前記第１導体の一側面と前記第２導体の一側面とを離間対向し、かつ、前記第１導体の一部と前記第２導体の一部とを露出した状態で前記第１導体と前記第２導体とを封止する樹脂封止材とを備え、
前記第１導体の前記一側面の一部および前記第２導体の前記一側面の一部には、それぞれ、導体破断面が形成され、
前記第１導体と前記第２導体が露出する前記樹脂封止材の露出面における、前記第１導体の前記一側面と前記第２導体の前記一側面との間に、前記露出面から導体破断面の反対側に陥没する凹部が形成され、
前記第１導体および前記第２導体それぞれの前記導体破断面と前記凹部との間に、樹脂破断面が形成され、
前記第１導体および前記第２導体の前記一側面の厚さ方向と平行な方向の前記樹脂破断面の長さは、当該平行な方向の前記第１導体および前記第２導体いずれの前記導体破断面の長さより小さい、回路体。
【請求項２】
請求項１に記載の回路体において、
前記樹脂封止材には、半導体素子を有する回路部が封止されており、
前記第１導体および前記第２導体は、前記回路部に接続される外部接続用端子である、回路体。
【請求項３】
請求項１に記載の回路体において、
前記第１導体および前記第２導体は、入力用または出力用の端子であり、前記第１導体の前記一側面と前記第２導体の前記一側面との間に、絶縁性の部材が配置されている、回路体。
【請求項４】
請求項３に記載の回路体において、
前記絶縁性の部材の一部は、前記樹脂封止材の前記凹部内に配置されている、回路体。
【請求項５】
第１導体と第２導体とを、長手方向におけるそれぞれの一端側が露出するように樹脂封止材により封止する回路体の製造方法であって、
前記第１導体と前記第２導体とが連結された連結部の、長手方向における前記一端側の反対側に、前記第１導体と前記第２導体とが前記樹脂封止材から露出する露出面よりも陥没する凹状の薄肉部が形成されるように前記樹脂封止材により、前記第１導体と前記第２導体とを封止し、
前記連結部および前記樹脂封止材の前記薄肉部の少なくとも一部を除去して、前記薄肉部の領域に凹部を形成する、回路体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路体および回路体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータ回路を内蔵するパワー半導体モジュール等の回路体は、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両駆動用の電力変換装置として用いられる。パワー半導体モジュールは、上・下アーム直列回路等の回路部を有する。パワー半導体モジュールは、回路部を構成する半導体素子を、一対の金属基板間に配置した状態で封止樹脂により封止されている。
半導体素子の入力端子および制御端子は、ボンディングワイヤにより、電源や制御回路部等の外部装置に接続されるリード端子に接合されている。
【０００３】
入力端子が接続される入力用リード端子および制御端子が接続される制御用リード端子は、封止樹脂の一側面から露出されている。該封止樹脂の一側面における入力用リード端子と制御用リード端子との間に凹部を設けて、入力用リード端子と制御用リード端子との間の沿面距離を確保することにより、パワー半導体モジュールの小型化を図ることが知られている。従来の方法では、リード端子を１つずつ分離した状態で金型内に配置し、モールド成型により封止される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１３０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載された構造では、リード端子を１つずつ分離した状態でモールド成型する方法であるため、各リード端子をリードフレームから分離したり、分離したリード端子を１つずつ金型内に配置する作業が必要であり、生産性が低い。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によると、回路体は、第１導体と、第２導体と、前記第１導体の一側面と前記第２導体の一側面とを離間対向し、かつ、前記第１導体の一部と前記第２導体の一部とを露出した状態で前記第１導体と前記第２導体とを封止する樹脂封止材とを備え、前記第１導体の前記一側面の一部および前記第２導体の前記一側面の一部には、それぞれ、導体破断面が形成され、前記第１導体と前記第２導体が露出する前記樹脂封止材の露出面における、前記第１導体の前記一側面と前記第２導体の前記一側面との間に、前記露出面から導体破断面の反対側に陥没する凹部が形成され、前記第１導体および前記第２導体それぞれの前記導体破断面と前記凹部との間に、樹脂破断面が形成され、前記第１導体および前記第２導体の前記一側面の厚さ方向と平行な方向の前記樹脂破断面の長さは、当該平行な方向の前記第１導体および前記第２導体いずれの前記導体破断面の長さより小さい。
本発明の第２の態様によると、回路体の製造方法は、第１導体と第２導体とを、長手方向におけるそれぞれの一端側が露出するように樹脂封止材により封止する回路体の製造方法であって、前記第１導体と前記第２導体とが連結された連結部の、長手方向における前記一端側の反対側に、前記第１導体と前記第２導体とが前記樹脂封止材から露出する露出面よりも陥没する凹状の薄肉部が形成されるように前記樹脂封止材により、前記第１導体と前記第２導体とを封止し、前記連結部および前記樹脂封止材の前記薄肉部の少なくとも一部を除去して、前記薄肉部の領域に凹部を形成する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、導体間の沿面距離を確保するための凹部が形成された樹脂封止材を有する回路体の生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の回路体の一実施の形態としてのパワー半導体モジュールの外観斜視図。
【図２】図１に図示されたパワー半導体モジュールのリードフレームの連結部を切断する前の、トランスファーモールド成型直後のパワー半導体モジュールの正面図。
【図３】樹脂封止材で封止する前の、パワー半導体モジュール中間体の正面図。
【図４】図２のＩＶ―ＩＶ線断面図。
【図５】パワー半導体モジュールに内蔵される回路の一例を示す模式図。
【図６】図２の領域ＶＩの拡大図。
【図７】図６における連結部および樹脂封止材の薄肉部の一部を除去した状態の図。
【図８】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図。
【図９】本発明の変形例を示し、図７に図示された端子間に絶縁部材を設けた構造を示す側面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の回路体および回路体の製造方法の一実施の形態を説明する。
図１は、本発明の回路体の一実施の形態を示す外観斜視図である。
なお、以下では、回路体を、パワー半導体モジュール３００を例として説明する。
パワー半導体モジュール３００は、第１回路部３００Ｕと第２回路部３００Ｌとを樹脂封止材３２１により封止した構造を有する。詳細は後述するが、第１回路部３００Ｕおよび第２回路部３００Ｌは、半導体素子を有している。第１回路部３００Ｕの第２導体板３３１と第２回路部の第４導体板３３２は、樹脂封止材３２１の表面から露出している。また、第１回路部３００Ｕの第１導体板３３３（図４参照）と第２回路部の第３導体板３３４（図４参照）は、樹脂封止材３２１の裏面から露出している。
【００１０】
樹脂封止材３２１は、ほぼ直方体形状を有する。樹脂封止材３２１は、例えば、４〜５ｍｍ程度の厚さを有する。樹脂封止材３２１の上面３２１ａからは、入出力端子３１０、上アーム用信号接続端子３１４、下アーム用信号接続端子３１５が上方に向けて露出されている。入出力端子３１０、上アーム用信号接続端子３１４、下アーム用信号接続端子３１５の一部は、樹脂封止材３２１に封止され、第１回路部３００Ｕおよび第２回路部３００Ｌの半導体素子に接続されている。入出力端子３１０は、直流正極端子３１１、直流負極端子３１２、交流端子３１３を含んでいる。入出力端子３１０、上アーム用信号接続端子３１４および下アーム用信号接続端子３１５を構成する各端子のすべては、ほぼ平行に延在されている。
【００１１】
図５は、図１に示されたパワー半導体モジュール３００に内蔵される回路の一例を示す模式図である。
パワー半導体モジュール３００は、インバータ回路の上アームを構成する第１回路部３００Ｕと、下アームを構成する第２回路部３００Ｌを備える。パワー半導体モジュール３００は、交流電力を入出力する交流端子３１３を備える。交流端子３１３は、モータやモータ／ジェネレータに対し、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相からなる３相のいずれかの交流電力を入出力する。また、パワー半導体モジュール３００は、直流正極端子３１１と直流負極端子３１２を備える。直流正極端子３１１と直流負極端子３１２は、それぞれ、不図示のバッテリおよびコンデンサに接続され直流電力を入出力する。さらに、パワー半導体モジュール３００は、供給された直流電力を交流電力に変換するスイッチング素子としてのパワー半導体素子を備える。
【００１２】
パワー半導体素子は、第１半導体素子３６１、第２半導体素子３６２、第３半導体素子３６３、第４半導体素子３６４を含んでいる。第１半導体素子３６１、第２半導体素子３６２は、例えば、ＩＧＢＴ（ゲート絶縁型バイポーラトランジスタ）である。ＩＧＢＴに替えて、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ）を用いてもよい。
第３半導体素子３６３および第４半導体素子３６４は、例えば、ダイオードである。
【００１３】
第１半導体素子３６１と第３半導体素子３６３は、 第１導体板３３３および第２導体板３３１に接続される。詳細には、第１導体板３３３には、第１半導体素子３６１のコレクタ電極および第３半導体素子３６３のカソード電極が接続される。第２導体板３３１には、第１半導体素子３６１のエミッタ電極および第３半導体素子３６３のアノード電極が接続される。第１半導体素子３６１と第３半導体素子３６３は、インバータ回路の第１回路部３００Ｕを構成する。
【００１４】
第２半導体素子３６２と第４半導体素子３６４は、第３導体板３３４と第４導体板３３２に接続される。詳細には、第３導体板３３４には、第２半導体素子３６２のコレクタ電極および第４半導体素子３６４のカソード電極に接続される。第４導体板３３２には、第２半導体素子３６２のエミッタ電極および第４半導体素子３６４のアノード電極が接続される。第２半導体素子３６２と第４半導体素子３６４は、インバータ回路の第２回路部３００Ｌを構成する。
【００１５】
第１導体板３３３は、直流正極端子３１１に接続され、第４導体板３３２は、直流負極端子３１２に接続される。第２導体板３３１と第３導体板３３４は、共に交流端子３１３に接続される。
【００１６】
第１回路部３００Ｕの上アーム用信号接続端子３１４には、第１半導体素子３６１のゲート信号等の制御信号が送信される。また、第２回路部３００Ｌの下アーム用信号接続端子３１５には、第２半導体素子３６２のゲート信号等の制御信号が送信される。
【００１７】
図１を参照して、樹脂封止材３２１の上面３２１ａには、該上面３２１ａから、第１、第２回路部３００Ｕ、３００Ｌ側に陥没する４つの凹部３４０が形成されている。４つの凹部３４０の位置は、直流正極端子３１１と上アーム用信号接続端子３１４との間、直流正極端子３１１と直流負極端子３１２との間、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間および交流端子３１３と下アーム用信号接続端子３１５との間である。各凹部３４０は、樹脂封止材３２１を厚さ方向に貫通している。
【００１８】
図２は、図１に図示されたパワー半導体モジュールのリードフレームの連結部を切断する前の、トランスファーモールド成型直後のパワー半導体モジュールの正面図である。図３は、樹脂封止材で封止する前の、パワー半導体モジュール中間体の正面図あり、図４は、図２のＩＶ―ＩＶ線断面図である。
パワー半導体モジュール３００を構成する第１回路部３００Ｕと第２回路部３００Ｌは隣接して配置されている。第１回路部３００Ｕは、対向して配置された第１導体板３３３と第２導体板３３１との間に、第１半導体素子３６１と第３半導体素子３６３を挟んだ構造を有し、ほぼ薄板状の直方体形状に形成されている。第１半導体素子３６１と第３半導体素子３６３は、それぞれ、板状の半導体基板であり、相互に離間して隣接して配置されている。
【００１９】
第２回路部３００Ｌは、対向して配置された第３導体板３３４と第４導体板３３２との間に、第２半導体素子３６２と第４半導体素子３６４を挟んだ構造を有し、ほぼ薄板状の直方体形状に形成されている。第２半導体素子３６２と第４半導体素子３６４はそれぞれ、板状の半導体基板であり、相互に離間して隣接して配置されている。
【００２０】
図４に図示されるように、第１回路部３００Ｕの第１導体板３３３と第２回路部３００Ｌの第３導体板３３４とは同一平面上に配置されている。また、第１回路部３００Ｕの第２導体板３３１と第２回路部３００Ｌの第４導体板３３２とは同一平面上に配置されている。
第１半導体素子３６１の一面には、コレクタ電極が形成されており、該一面がはんだ等の接合材３６５により第１導体板３３３に接合されている。第１半導体素子３６１の他面には、エミッタ電極および制御電極が形成されている。第１半導体素子３６１のエミッタ電極は、はんだ等の接合材３６５により第２導体板３３１に接合されている。図示はしないが、第３半導体素子３６３のアノード電極は、第２導体板３３１に、カソード電極は第１導体板３３３に、それぞれ、はんだ等の接合材３６５により接合されている。
【００２１】
同様に、第２半導体素子３６２の一面には、コレクタ電極が形成されており、該一面がはんだ等の接合材３６５により第３導体板３３４に接合されている。第２半導体素子３６２の他面には、エミッタ電極および制御電極が形成されている。第２半導体素子３６２のエミッタ電極は、はんだ等の接合材３６５により第４導体板３３２に接合されている。図示はしないが、第４半導体素子３６４のアノード電極は、第４導体板３３２に、カソード電極は第３導体板３３４に、それぞれ、はんだ等の接合材３６５により接合されている。
【００２２】
図３に図示されるように、第１、第３導体板３３３、３３４、入出力端子３１０、上・下アーム用信号接続端子３１４、３１５は、リードフレーム３５０に一体に形成される。第１、第３導体板３３３、３３４、入出力端子３１０、上・下アーム用信号接続端子３１４、３１５は、板状部材を板金加工またはエッチング等により形成することができる。
リードフレーム３５０は、第１導体板３３３と第３導体板３３４とが分離され、入出力端子３１０と上アーム用信号接続端子３１４との間、上アーム用信号接続端子３１４と下アーム用信号接続端子３１５との間を、タイバーと言われる、中間連結部３５１および上部連結部３５２で連結された構造を有する。それぞれ、分離して配置された各入出力端子３１０間、各上アーム用信号接続端子３１４間および各下アーム用信号接続端子３１５間も、中間連結部３５１および上部連結部３５２により連結されている。また、リードフレーム３５０の第１導体板３３３および第３導体板３３４は、それぞれ、中間連結部３５１を介して、直流正極端子３１１または交流端子３１３に接続されている。
なお、リードフレーム３５０は、第１、第３導体板３３３、３３４を連結する下部連結部３５３を有する。
【００２３】
第２導体板３３１には、第３導体板３３４側に向けて延在される中間接続部３６６が一体に形成されている。中間接続部３６６の先端は、はんだ等の接合材３６５により、第３導体板３３４に接合されている。
【００２４】
第２導体板３３１は、第１半導体素子３６１の制御端子３４１を露出した状態で、第１半導体素子３６１を覆っている。また、第４導体板３３２は、第２半導体素子３６２の制御端子３４２を露出した状態で、第２半導体素子３６２を覆っている。
なお、図示はしないが、第１半導体素子３６１の制御端子３４１は、ボンディングワイヤにより上アーム用信号接続端子３１４に接続され、第２半導体素子３６２の制御端子３４２は、ボンディングワイヤにより下アーム用信号端子３１５に接続される。また、第４導体板３３２は、不図示のリードフレーム部材により、図３に図示されたリードフレーム３５０の直流負極端子３１２に接続される。リードフレーム部材は、はんだ等の接合材を用いて、一端および他端が、それぞれ、第４導体板３３２および直流負極端子３１２に接合される。リードフレーム部材を第４導体板３３２に一体成型し、その先端を直流負極端子３１２に接合するようにしてもよい。
なお、このように、不図示のボンディングワイヤにより、第１、第２半導体素子３６１、３６２の制御端子３４１、３４２と上・下アーム用信号接続端子３１４、３１５とが接続され、不図示のリードフレーム部材により第４導体板３３２と直流負極端子３１２とが接続された状態をパワー半導体モジュール中間体という。
【００２５】
パワー半導体モジュール中間体は、トランスファーモールド成型、射出成形等のモールド成型により、図２に図示されるように樹脂封止材３２１により封止される。
モールド成型直後の状態では、リードフレーム３５０は、上部連結部３５２、中間連結部３５１および下部連結部３５３を有している。従って、各入出力端子３１０間および各上アーム用信号接続端子３１４間および各下アーム用信号接続端子３１５間は、中間連結部３５１および上部連結部３５２で連結されている。
また、この状態では、図１に図示されるパワー半導体モジュール３００の完成状態で形成されている各凹部３４０の領域を含む、中間連結部３５１と樹脂封止材３２１の上面３２１ａとの間には、薄肉部３２２が形成されている。
【００２６】
樹脂封止材３２１の材料としては、例えば、フィラーを分散したエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ノボラック系、多官能系、ビフェニル系を用いることができる。エポキシ樹脂以外にも、マレイミド化合物、ビスマレイミド化合物等を用いることができる。フィラーとしては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等を用いることができる。また、ゴム成分を添加し、可撓性を付与してもよい。
【００２７】
図６は、図２の領域ＶＩの拡大図であり、図７は、図６における連結部および樹脂封止材の薄肉部の一部を除去した状態の図であり、図８は、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
直流負極端子３１２と交流端子３１３とは、中間連結部３５１により連結されている。中間連結部３５１と樹脂封止材３２１の上面３２１ａとの間における、直流負極端子３１２の一側面３１２ａと交流端子３１３の一側面３１３ａとの間の領域、および完成状態で凹部３４０（図１参照）が形成される領域は、樹脂封止材３２１が薄く形成された薄肉部３２２となっている。図８に図示されるように、薄肉部３２２は、直流負極端子３１２や交流端子３１３の厚さ、すなわち、中間連結部３５１の厚さよりも小さい厚さに形成されている。
【００２８】
このため、図７に図示されるように、中間連結部３５１を切断すると、薄肉部３２２の大部分は、中間連結部３５１と共に除去され、これにより、樹脂封止材３２１の凹部３４０が形成される。通常、位置合わせの公差を考慮して、中間連結部３５１は、直流負極端子３１２の一側面３１２ａや交流端子３１３の一側面３１３ａより少し外方で切断される。従って、直流負極端子３１２や交流端子３１３には、突出状の切断残部３７１が形成される。切断残部３７１の破断面には、導体破断面３７１ａが形成される。また、切断残部３７１と樹脂封止材３２１の上面３２１ａとの間には、薄肉残部３８１が形成される。薄肉残部３８１の破断面には樹脂破断面３８１ａが形成される。
【００２９】
薄肉部３２２は、直流負極端子３１２や交流端子３１３よりも薄く形成されているので、樹脂破断面３８１ａの厚さは、導体破断面３７１ａの厚さより小さい。すなわち、直流負極端子３１２の一側面３１２ａおよび交流端子３１３の一側面３１３ａの厚さ方向と平行な方向の樹脂破断面３８１ａの長さは、直流負極端子３１２および交流端子３１３いずれの導体破断面３７１ａの長さより小さい。
【００３０】
上記は、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間に形成される薄肉部３２２を例として説明した。しかし、直流正極端子３１１と上アーム用信号接続端子３１４との間、直流正極端子３１１と直流負極端子３１２との間および交流端子３１３と下アーム用信号接続端子３１５との間においても同様であり、各端子間と樹脂封止材３２１の上面３２１ａとの間の領域、および凹部３４０が形成される領域には、薄肉部３２２が形成されている。そして、これらの薄肉部３２２は、中間連結部３５１を切断して除去する際、中間連結部３５１と共に除去され、各端子間に空間である凹部３４０が形成される。
【００３１】
各端子間に凹部３４０が形成されるため、各端子間の沿面距離を大きくすることができる。このため、パワー半導体モジュール３００の小型化、パワー半導体モジュール３００に内蔵される回路部に供給する電圧の高電圧化を図ることが可能となる。
本一実施の形態では、モールド成型により形成された各薄肉部３２２を、リードフレーム３５０の中間連結部３５１を除去する際、中間連結部３５１と共に除去することができ、各薄肉部３２２を除去するための工程を設ける必要が無い。このため、端子間に、該端子間の沿面距離を大きくするための凹部３４０が形成された樹脂封止材３２１を有するパワー半導体モジュール３００の生産性を向上することができる。
【００３２】
トランスファーモールド等のモールド成型では、上金型と下金型が接触する箇所には、摩耗が生じ、型寿命が短くなる。本一実施の形態では、薄肉部３２２が形成される箇所では、上金型と下金型とは接触することがない。このため、上金型と下金型とが接触することによる摩耗を抑制することができ、型寿命を向上することができる。
【００３３】
図９は、本発明の変形例を示し、図７に図示された端子間に絶縁部材を設けた構造を示す側面図である。
絶縁部材３９０は、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間に延在される絶縁片３９１を有する。絶縁片３９１は、直流負極端子３１２および交流端子３１３の上方から下方に向けて延在され、その先端は凹部３４０内に配置されている。つまり、絶縁片３９１は、直流負極端子３１２と交流端子３１３の樹脂封止材３２１の上面３２１ａから露出された全長に亘り直流負極端子３１２と交流端子３１３とを分離している。このため、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間の沿面距離が大きくなるばかりでなく、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間の空間距離も大きくすることができる。これにより、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間の絶縁性の確保を一層確実にすることができる。
なお、図示はしないが、絶縁部材３９０は、図１に図示される４つの凹部３４０の左右方向における全長をカバーする長さに形成されており、各凹部３４０に対応する４か所に形成された絶縁片３９１を有している。
【００３４】
上記一実施の形態によれば、下記の作用効果を得ることができる。
（１）パワー半導体モジュール３００は、直流負極端子３１２の一側面３１２ａと交流端子３１３の一側面３１３ａとを離間対向し、かつ、直流負極端子３１２の一部と交流端子３１３の一部とを露出した状態で直流負極端子３１２と交流端子３１３とを封止する樹脂封止材３２１とを備えている。直流負極端子３１２の一側面３１２ａの一部と交流端子３１３の一側面３１３ａの一部には、それぞれ、導体破断面３７１ａが形成されている。直流負極端子３１２と交流端子３１３が露出する樹脂封止材３２１の上面（露出面）３２１ａにおける、直流負極端子３１２の一側面３１２ａと交流端子３１３の一側面３１３ａとの間に、上面（露出面）３２１ａから導体破断面３７１ａの反値側に陥没する凹部３４０が形成されている。直流負極端子３１２の導体破断面３７１ａと凹部３４０との間および交流端子３１３の導体破断面３７１ａと凹部３４０との間に、樹脂破断面３８１ａが形成されている。直流負極端子３１２の一側面３１２ａおよび交流端子３１３の一側面３１３ａの厚さ方向と平行な方向の樹脂破断面３８１ａの長さは、当該平行な方向の直流負極端子３１２および交流端子３１３いずれの導体破断面３７１ａの長さより小さい。このような構成であるので、直流負極端子３１２と交流端子３１３とが中間連結部３５１で連結されたリードフレーム３５０の状態でモールド成型することができ、成型工程の能率を向上することができる。また、成型後、中間連結部３５１を除去すると、中間連結部３５１と共に薄肉部３２２が除去されて、樹脂封止材３２１の上面（露出面）３２１ａから露出された直流負極端子３１２と交流端子３１３との間に凹部３４０が形成される。このように、凹部３４０を形成するための薄肉部３２２を除去する工程を設ける必要が無い。従って、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間に沿面距離を大きくするための凹部３４０が形成された樹脂封止材３２１を有するパワー半導体モジュール３００の生産性を向上することができる。また、樹脂封止材３２１に、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間の沿面距離を大きくする凹部３４０が形成されるので、パワー半導体モジュール３００の小型化、パワー半導体モジュール３００に内蔵される回路部に供給する電圧の高電圧化を図ることが可能となる。
【００３５】
（２）直流負極端子３１２の一側面３１２ａと交流端子３１３の一側面３１３ａとの間の空間に、絶縁片３９１が配置されている。このため、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間の沿面距離が大きくなるばかりでなく、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間の空間距離も大きくすることができる。
【００３６】
（３）直流負極端子３１２と交流端子３１３とを、長手方向におけるそれぞれの一端側が露出するように樹脂封止材３２１により封止する回路体の製造方法であって、直流負極端子３１２と交流端子３１３とが連結された中間連結部３５１の、長手方向における前記一端側と反対側に、直流負極端子３１２と交流端子３１３とが樹脂封止材３２１から露出する上面（露出面）３２１ａよりも陥没する凹状の薄肉部３２２が形成されるように樹脂封止材３２１により、直流負極端子３１２と交流端子３１３とを封止し、中間連結部３５１および樹脂封止材３２１の薄肉部３２２の少なくとも一部を除去して、前記薄肉部３２２の領域に凹部３４０を形成する。この方法では、直流負極端子３１２と交流端子３１３とが中間連結部３５１で連結されたリードフレーム３５０の状態でモールド成型することができ、成型工程の能率を向上することができる。また、成型後、中間連結部３５１を除去すると、中間連結部３５１と共に薄肉部３２２が除去されて、樹脂封止材３２１の上面（露出面）３２１ａから露出された直流負極端子３１２と交流端子３１３との間に凹部３４０が形成される。このように、凹部３４０を形成するための薄肉部３２２を除去する工程を設ける必要が無い。従って、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間に沿面距離を大きくするための凹部３４０が形成された樹脂封止材３２１を有するパワー半導体モジュール３００の生産性を向上することができる。また、樹脂封止材３２１に、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間の沿面距離を大きくする凹部３４０が形成されるので、パワー半導体モジュール３００の小型化、パワー半導体モジュール３００に内蔵される回路部に供給する電圧の高電圧化を図ることが可能となる。
さらに、直流負極端子３１２と交流端子３１３との間に薄肉部３２２を形成するので、成型の際、薄肉部３２２が形成される箇所における上金型と下金型との接触を無くすことができる。このため、上金型と下金型とが接触することよる摩耗を抑制することができ、型寿命を向上することができる。
【００３７】
なお、上記一実施の形態では、入出力端子３１０、上・下アーム用信号接続端子３１４、３１５のすべてが、樹脂封止材３２１の上面３２１ａ側に配置されている構造として例示した。しかし、本発明は、入出力端子３１０、上・下アーム用信号接続端子３１４、３１５の一部が樹脂封止材３２１の上面３２１ａとは異なる側面に配置された構造に適用することができる。
【００３８】
上記一実施の形態では、入出力端子３１０の各端子間、および入出力端子３１０と上アーム用信号接続端子３１４との間または下アーム用信号接続端子３１５との間に凹部３４０、すなわち薄肉部３２２を形成する構造として例示した。しかし、本発明は、上アーム用信号接続端子３１４の各端子間または下アーム用信号接続端子３１５の各端子間に凹部３４０、すなわち薄肉部３２２を形成する構造に適用することができる。
【００３９】
上記一実施の形態では、パワー半導体モジュール３００を、ＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴで形成された第１、第２半導体素子３６１、３６２を用いたインバータ装置として例示した。しかし、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴに代えて、サイリスタや、ＧＴＯ（Gate Turn Off Thyristor）等を用いたインバータ回路にも適用することができる。
【００４０】
また、本発明は、直流−交流変換を行うインバータ装置に限らず、交流−交流変換を行うマトリックスコンバータ等、他の回路体にも適用することができる。
【００４１】
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００４２】
３００      パワー半導体モジュール（回路体）
３００Ｕ    第１回路部
３００Ｌ    第２回路部
３１０      入出力端子
３１１      直流正極端子
３１２      直流負極端子（第１導体）
３１２ａ    一側面
３１３      交流端子（第２導体）
３１３ａ    一側面
３１４      上アーム用信号接続端子
３１５      下アーム用信号接続端子
３２１      樹脂封止材
３２１ａ    上面（露出面）
３２２      薄肉部
３４０      凹部
３５０      リードフレーム
３５１      中間連結部（連結部）
３６１〜３６４      第１〜第４半導体素子
３７１      切断残部
３７１ａ    導体破断面
３８１      薄肉残部
３８１ａ    樹脂破断面
３９０      絶縁部材
３９１      絶縁片（絶縁性の部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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