(57)【要約】【課題】双方向型の授業に好適に用いることのできる画像表示システムを提供する。【解決手段】第１の端末は、第１の画像情報を生成する機能と、第１の画像情報を供給する機能と、第２の画像情報を供給される機能と、第１の表示装置と、を有し、第１の表示装置は、第１の画像情報に基づき表示する機能を有する第１の画素と、第２の画像情報に基づき表示する機能を有する第２の画素とを有し、第２の端末は、第１の画像情報を供給される機能と、入力情報に基づいて第２の画像情報を生成する機能と、第２の画像情報を供給する機能と、第２の表示装置と、入力情報を取得する機能を有する入力装置と、を有し、第２の表示装置は、第１の画像情報に基づき表示する機能を有する第３の画素と、第２の画像情報に基づき表示する機能を有する第４の画素とを有する、画像表示システムを提供する。【選択図】図１
2018073306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端末と、第２の端末と、を有し、
前記第１の端末は、第１の画像情報を生成する機能と、前記第１の画像情報を送信する機能と、第２の画像情報を受信する機能と、第１の表示装置と、を有し、
前記第１の表示装置は、第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、前記第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、
前記第２の画素は、前記第２の画像情報に基づき表示する機能を有し、
前記第２の端末は、前記第１の画像情報を受信する機能と、入力情報に基づいて第２の画像情報を生成する機能と、前記第２の画像情報を送信する機能と、第２の表示装置と、入力装置と、を有し、
前記第２の表示装置は、第３の画素と、第４の画素と、を有し、
前記入力装置は、前記入力情報を取得する機能を有し、
前記第３の画素は、前記第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、
前記第４の画素は、前記第２の画像情報に基づき表示する機能を有する、画像表示システム。
【請求項２】
請求項１において、
サーバを有し、
前記サーバは、前記第１の画像情報を受信する機能と、前記第１の画像情報を送信する機能と、前記第２の画像情報を受信する機能と、前記第２の画像情報を送信する機能と、を有する、画像表示システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
第３の端末を有し、
前記第３の端末は、前記第１の画像情報および前記第２の画像情報を受信する機能と、第３の表示装置とを有し、
前記第３の表示装置は、前記第１の画像情報および前記第２の画像情報に基づき表示する機能を有する、画像表示システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の画素は、第１の表示素子を有し、
前記第２の画素は、第２の表示素子を有し、
前記第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、
前記第２の表示素子は、可視光を発する機能を有する、画像表示システム。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の画素は、第３の表示素子を有し、
前記第４の画素は、第４の表示素子を有し、
前記第３の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、
前記第４の表示素子は、可視光を発する機能を有する、画像表示システム。
【請求項６】
第１の端末は、第１の画像情報を生成し、前記第１の画像情報をサーバに送信し、
前記サーバは、前記第１の画像情報を受信し、前記第１の画像情報を第２の端末に送信し、
前記第２の端末は、前記第１の画像情報を受信し、前記第１の画像情報に基づき表示し、第２の画像情報を生成し、前記第２の画像情報を前記サーバに送信し、
前記サーバは、前記第２の画像情報を前記第１の端末に送信し、
前記第１の端末は、前記第１の画像情報および前記第２の画像情報に基づき表示する、画像表示方法であって、
前記第１の端末は、第１の画素と、第２の画素とを有し、
前記第１の画素は、前記第１の画像情報に基づき表示し、
前記第２の画素は、前記第２の画像情報に基づき表示する、画像表示方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記サーバは、前記第１の画像情報および前記第２の画像情報を第３の端末に送信し、
前記第３の端末は、前記前記第１の画像情報および前記第２の画像情報を表示する、画像表示方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第１の画素は、第１の表示素子を有し、
前記第２の画素は、第２の表示素子を有し、
前記第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、
前記第２の表示素子は、可視光を発する機能を有する、画像表示方法。
【請求項９】
通信装置と、演算装置と、表示装置と、を有し、
前記通信装置は、前記第１の画像情報を供給される機能と、前記第１の画像情報に基づく信号を送信する機能と、第２の画像情報に基づく信号を受信する機能と、前記第２の画像情報を供給する機能と、を有し、
前記演算装置は、前記第１の画像情報を生成する機能と、前記第１の画像情報を供給する機能と、前記第２の画像情報を供給される機能と、を有し、
前記表示装置は、第１の画素と、第２の画素とを有し、
前記第１の画素は、前記第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、
前記第２の画素は、前記第２の画像情報に基づき表示する機能を有する、情報処理装置。
【請求項１０】
請求項９において、
入力装置を有し、
前記入力装置は、入力情報を取得する機能を有し、
前記演算装置は、前記入力情報に基づいて前記第１の画像情報を生成する機能を有する、情報処理装置。
【請求項１１】
通信装置と、演算装置と、表示装置と、を有し、
前記通信装置は、第１の画像情報に基づく信号を受信する機能と、前記第１の画像情報を供給する機能と、第２の画像情報を供給される機能と、前記第２の画像情報に基づく信号を送信する機能と、を有し、
前記演算装置は、前記第１の画像情報を供給される機能と、前記第２の画像情報を生成する機能と、前記第２の画像情報を供給する機能を有し、
前記表示装置は、第１の画素と、第２の画素とを有し、
前記第１の画素は、前記第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、
前記第２の画素は、前記第２の画像情報に基づき表示する機能を有する、情報処理装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
入力装置を有し、
前記入力装置は、入力情報を取得する機能を有し、
前記演算装置は、前記入力情報に基づいて前記第２の画像情報を生成する機能を有する、情報処理装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の画素は、第１の表示素子を有し、
前記第２の画素は、第２の表示素子を有し、
前記第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、
前記第２の表示素子は、可視光を発する機能を有する、情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、画像表示システム、画像表示方法および情報処理装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、又は製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、電子機器を活用した教育方法が発展し、学習を支援する情報処理装置の需要が高まってきた。例えば、特許文献１には、表示装置と、タッチ入力装置を有し、指先やスタイラスで文字、図形を書き込むことのできる電子黒板が開示される。
【０００４】
また、モバイル型の電子機器を使用した教育方法が提案されている。モバイル型の電子機器においては、利便性が高いこと、長時間の使用が可能であること等が要求される。特許文献２には、電子機器の長時間の使用を可能にするため、液晶ディスプレイの消費電力を低減し、電子機器を低消費電力化する技術が開示されている。当該液晶ディスプレイにおいては、静止画像を表示する際に液晶素子の書き換えの頻度を低くすることで、消費電力を低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−４３４８４号公報
【特許文献２】特開２０１４−１１２２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
小学校、中学校等において、生徒が作成した絵画、作文等の作品を、生徒同士で鑑賞し、評価するという双方向型の授業が行われることがある。このような授業において、生徒が、他の生徒が作成した作品に対する意見を述べるには、口頭で説明するまたはメモに記す等の手段が用いられる。しかし、このように言葉を用いて作品に対する意見を述べる場合、生徒にとって、伝えたい意見を十分に表現することが困難になることがある。その結果、活発な意見交換が行われないという問題が発生することがある。
【０００７】
そこで、本発明の一態様は、双方向型の授業において、好適に使用することのできる画像表示システム、画像表示方法または情報処理装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、作品に対する意見を表現するために用いることのできる画像表示システム、画像表示方法または情報処理装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、活発な意見交換を発生させることで、生徒の意欲を向上させ、授業の学習効果を高めることのできる画像表示システム、画像表示方法または情報処理装置を提供することを課題とする。
【０００８】
また、本発明の一態様は、画像表示システムおよび情報処理装置、の消費電力を低減させ、これらの長時間使用を可能にすることを課題とする。また、本発明の一態様は、消費電力を低減することのできる画像表示方法を提供することを課題とする。
【０００９】
また、本発明の一態様は、新規な情報処理装置、新規な画像表示システム、または、新規な画像表示方法を提供することを課題とする。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、第１の端末と、第２の端末と、を有し、当該第１の端末は、第１の画像情報を生成する機能と、当該第１の画像情報を送信する機能と、第２の画像情報を受信する機能と、第１の表示装置と、を有し、当該第１の表示装置は、第１の画素と、第２の画素と、を有し、当該第１の画素は、当該第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、当該第２の画素は、当該第２の画像情報に基づき表示する機能を有し、当該第２の端末は、当該第１の画像情報を受信する機能と、入力情報に基づいて第２の画像情報を生成する機能と、当該第２の画像情報を送信する機能と、第２の表示装置と、入力装置と、を有し、当該第２の表示装置は、第３の画素と、第４の画素と、を有し、当該入力装置は、当該入力情報を取得する機能を有し、当該第３の画素は、当該第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、当該第４の画素は、当該第２の画像情報に基づき表示する機能を有する、画像表示システムである。
【００１２】
上記構成の画像表示システムにおいて、サーバを有し、当該サーバは、当該第１の画像情報を受信する機能と、当該第１の画像情報を送信する機能と、当該第２の画像情報を受信する機能と、当該第２の画像情報を送信する機能と、を有するとより好ましい。
【００１３】
上記各構成の画像表示システムにおいて、第３の端末を有し、当該第３の端末は、当該第１の画像情報および当該第２の画像情報を受信する機能と、第３の表示装置とを有し、当該第３の表示装置は、当該第１の画像情報および当該第２の画像情報に基づき表示する機能を有するとより好ましい。
【００１４】
また、本発明の一態様は、第１の端末は、第１の画像情報を生成し、当該第１の画像情報をサーバに送信し、当該サーバは、当該第１の画像情報を受信し、当該第１の画像情報を第２の端末に送信し、当該第２の端末は、当該第１の画像情報を受信し、当該第１の画像情報に基づき表示し、第２の画像情報を生成し、当該第２の画像情報を当該サーバに送信し、当該サーバは、当該第２の画像情報を当該第１の端末に送信し、当該第１の端末は、当該第１の画像情報および当該第２の画像情報に基づき表示する、画像表示方法であって、当該第１の端末は、第１の画素と、第２の画素とを有し、当該第１の画素は、当該第１の画像情報に基づき表示し、当該第２の画素は、当該第２の画像情報に基づき表示する、画像表示方法である。
【００１５】
上記構成の画像表示方法において、当該サーバは、当該第１の画像情報および当該第２の画像情報を第３の端末に送信し、当該第３の端末は、当該当該第１の画像情報および当該第２の画像情報を表示するとより好ましい。
【００１６】
また、本発明の一態様は、通信装置と、演算装置と、表示装置と、を有し、当該通信装置は、当該第１の画像情報を供給される機能と、当該第１の画像情報に基づく信号を送信する機能と、第２の画像情報に基づく信号を受信する機能と、当該第２の画像情報を供給する機能と、を有し、当該演算装置は、当該第１の画像情報を生成する機能と、当該第１の画像情報を供給する機能と、当該第２の画像情報を供給される機能と、を有し、当該表示装置は、第１の画素と、第２の画素とを有し、当該第１の画素は、当該第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、当該第２の画素は、当該第２の画像情報に基づき表示する機能を有する、情報処理装置である。
【００１７】
上記構成の情報処理装置において、入力装置を有し、当該入力装置は、入力情報を取得する機能を有し、当該演算装置は、当該入力情報に基づいて当該第１の画像情報を生成する機能を有するとより好ましい。
【００１８】
また、本発明の一態様は、通信装置と、演算装置と、表示装置と、を有し、当該通信装置は、第１の画像情報に基づく信号を受信する機能と、当該第１の画像情報を供給する機能と、第２の画像情報を供給される機能と、当該第２の画像情報に基づく信号を送信する機能と、を有し、当該演算装置は、当該第１の画像情報を供給される機能と、当該第２の画像情報を生成する機能と、当該第２の画像情報を供給する機能を有し、当該表示装置は、第１の画素と、第２の画素とを有し、当該第１の画素は、当該第１の画像情報に基づき表示する機能を有し、当該第２の画素は、当該第２の画像情報に基づき表示する機能を有する、情報処理装置である。
【００１９】
上記構成の情報処理装置において、入力装置を有し、当該入力装置は、入力情報を取得する機能を有し、当該演算装置は、当該入力情報に基づいて当該第２の画像情報を生成する機能を有するとより好ましい。
【００２０】
上記各構成の画像表示システム、画像表示方法および情報処理装置において、当該第１の画素は、第１の表示素子を有し、当該第２の画素は、第２の表示素子を有し、当該第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、当該第２の表示素子は、可視光を発する機能を有するとより好ましい。
【００２１】
上記各構成の画像表示システムにおいて、当該第３の画素は、第３の表示素子を有し、当該第４の画素は、第４の表示素子を有し、当該第３の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、当該第４の表示素子は、可視光を発する機能を有するとより好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様により、双方向型の授業において、好適に使用することのできる画像表示システム、画像表示方法または情報処理装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、作品に対する意見を表現するために用いることのできる画像表示システム、画像表示方法または情報処理装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、活発な意見交換を発生させることで、生徒の意欲を向上させ、授業の学習効果を高めることのできる画像表示システム、画像表示方法または情報処理装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の一態様により、画像表示システムおよび情報処理装置の消費電力を低減させ、これらの長時間使用を可能にすることができる。また、本発明の一態様により、消費電力を低減することのできる画像表示方法を提供することができる。
【００２４】
また、本発明の一態様により、新規な情報処理装置、新規な画像表示システム、または、新規な画像表示方法を提供することができる。
【００２５】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一態様を説明するブロック図。
【図２】本発明の一態様を説明するフローチャート。
【図３】本発明の一態様を説明する斜視図または正面図。
【図４】画素ユニットを説明する図。
【図５】画素ユニットを説明する図。
【図６】表示装置の回路を説明する図および画素の上面図。
【図７】表示装置の回路を説明する図。
【図８】表示装置の回路を説明する図および画素の上面図。
【図９】表示装置の構成を説明する図。
【図１０】表示装置の構成を説明する図。
【図１１】表示装置の構成を説明する図。
【図１２】表示装置の構成を説明する図。
【図１３】電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２８】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
【００２９】
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００３０】
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００３１】
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【００３２】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００３３】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【００３４】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００３５】
また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
【００３６】
トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。したがって、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。
【００３７】
一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１３Ａであり、Ｖｇｓが‐０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１９Ａであり、Ｖｇｓが−０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、または、Ｖｇｓが−０．５Ｖ以上−０．８Ｖ以下の範囲において、１×１０−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−２２Ａ以下である、と言う場合がある。
【００３８】
また、本明細書等では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。
【００３９】
トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、または１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃以上３５℃以下の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃以上３５℃以下の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００４０】
トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、または２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００４１】
上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。
【００４２】
また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。
【００４３】
なお、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。ただし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
【００４４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置および画像表示システムについて、図１乃至図３を用いて説明する。
【００４５】
図１（Ａ）は、本発明の一態様の画像表示システムの構成を示すブロック図である。また、図１（Ｂ）は、情報処理装置１００の構成を示すブロック図である。
【００４６】
図２は、本発明の一態様の画像表示システムの動作方法を示すフローチャートである。
【００４７】
図３（Ａ）乃至図３（Ｅ）は、本発明の一態様の画像表示システムの動作方法を説明する斜視図または正面図である。
【００４８】
［画像表示システムの構成］
まず、本発明の一態様の画像表示システムの構成について説明する。
【００４９】
図１（Ａ）に示すように、本発明の一態様の画像表示システムは、複数の端末１１０と、サーバ１２０とを有する。また、本発明の画像表示システムは、電子黒板１３０を有する。また、本発明の一態様の画像表示システムは、画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２の生成、送信、受信および表示を行う。
【００５０】
画像情報Ｄ１は、端末１１０によって生成される画像であって、例として、絵画、図または写真等が挙げられる。なお、画像情報Ｄ１は、文字情報を含んでいてもよい。
【００５１】
画像情報Ｄ２は、端末１１０によって生成される画像であって、例として、絵画または図等が挙げられる。なお、画像情報Ｄ２は、文字情報を含んでいてもよい。
【００５２】
双方向型の授業において、本発明の一態様の画像表示システムを使用する場合、生徒が作成した絵画、図、写真、または作文等を画像情報Ｄ１として扱うことができる。また、当該作品に対する意見を表現する絵画または図等を画像情報Ｄ２として扱うことができる。
【００５３】
端末１１０は、演算装置、表示装置、通信装置および入力装置等を備える。また端末１１０の有する表示装置は、可視光を反射する機能を備える第１の表示素子と、可視光を発する機能を備える第２の表示素子とを有する。
【００５４】
また、端末１１０は、画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２を生成する機能と、サーバ１２０に画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２を送信する機能と、サーバ１２０から送信された画像情報Ｄ１を受信する機能と、サーバ１２０から送信された画像情報Ｄ２を受信する機能と、画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２を表示する機能と、を有する。
【００５５】
双方向型の授業において、本発明の一態様の画像表示システムを使用する場合、例えば、教師および授業に参加する生徒が、それぞれ一ずつ端末１１０を使用する。
【００５６】
サーバ１２０は、演算装置および通信装置等を備える。サーバ１２０は、端末１１０から送信された画像情報Ｄ１を受信する機能と、端末１１０から送信された画像情報Ｄ２を受信する機能と、画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２を保存する機能と、端末１１０および電子黒板１３０に画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２を送信する機能と、を有する。
【００５７】
双方向型の授業において、本発明の一態様の画像表示システムを使用する場合、サーバ１２０は、授業が行われる教室内に設置されてもよく、当該教室の外のいずれかの場所に設置されてもよい。また、サーバ１２０は、携帯できる小型機器等であってもよい。端末１１０のうちの一、例えば、教師が使用する端末１１０が、サーバ１２０として機能してもよい。
【００５８】
電子黒板１３０は、演算装置、表示装置および通信装置等を備える。また、電子黒板１３０は、サーバ１２０から送信された画像情報Ｄ１を受信する機能と、サーバ１２０から送信された画像情報Ｄ２を受信する機能と、画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２を表示する機能と、を有する。
【００５９】
なお、電子黒板１３０に用いることのできる表示装置は、特に限定されない。後述する表示装置１１１、液晶ディスプレイ、または、有機ＥＬディスプレイ等を用いることができる。端末１１０のうちの一が、電子黒板１３０として機能してもよい。したがって、本明細書等において、電子黒板を端末と表記することがある。
【００６０】
双方向型の授業において、本発明の一態様の画像表示システムを使用する場合、例えば、電子黒板１３０は、授業が行われる教室に設置される。
【００６１】
以上が、本発明の一態様の画像表示システムの構成についての説明である。
【００６２】
［情報処理装置の構成］
次に、端末１１０の一例である情報処理装置１００の構成について説明する。なお、情報処理装置１００は、サーバ１２０または電子黒板１３０として機能してもよい。
【００６３】
図１（Ｂ）に示すように、情報処理装置１００は、演算装置１０１と、入出力装置１０９と、を有する。
【００６４】
演算装置１０１は、演算部１０２および記憶部１０３を備える。また、伝送路１０４および入出力インターフェース１０５を備える。また、演算装置１０１は、入力情報Ｕ１および検知情報Ｕ２を供給される機能を有する。また、演算装置１０１は、通信情報Ｗ１を供給する機能および通信情報Ｗ２を供給される機能を有する。
【００６５】
また、演算装置１０１は、画像情報Ｄ１に基づく画像情報Ｖ１を供給する機能を有する。または、演算装置１０１は、画像情報Ｄ２に基づく画像情報Ｖ２を供給する機能を有する。
【００６６】
演算部１０２は、例えばプログラムを実行する機能を有する。プログラムとして、例えば、タッチパネル等を用いて入力された入力情報Ｕ１に基づき画像情報Ｄ１を生成する機能を有するプログラム、入力情報Ｕ１に基づき画像情報Ｄ２を生成する機能を有するプログラム、写真を撮影するプログラム、画像情報Ｄ２を生成するプログラム、画像情報Ｄ１に基づく画像情報Ｖ１を生成する機能を有するプログラムまたは画像情報Ｄ２に基づく画像情報Ｖ２を生成する機能を有するプログラム等を用いることができる。
【００６７】
記憶部１０３は、例えば演算部１０２が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有し、具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタおよび容量を有する記憶素子等を用いることができる。
【００６８】
入出力装置１０９は、表示装置１１１、入力装置１１２、検知装置１１３および通信装置１１４を備える。また、入出力装置１０９は、入力情報Ｕ１、検知情報Ｕ２、通信情報Ｗ２を供給する機能を有する。また、入出力装置１０９は、画像情報Ｖ１、画像情報Ｖ２および通信情報Ｗ１を供給される機能を有する。
【００６９】
通信装置１１４は、供給された通信情報Ｗ１をネットワークに送信する機能およびネットワークから受信した情報を通信情報Ｗ２として供給する機能を有する。例えば、通信装置１１４は、供給された通信情報Ｗ１の一部である画像情報Ｄ１をサーバ１２０に送信する機能と、供給された通信情報Ｗ１である画像情報Ｄ２をサーバ１２０に送信する機能と、サーバ１２０から送信された画像情報Ｄ１を通信情報Ｗ２の一部として受信する機能と、サーバ１２０から送信された画像情報Ｄ２を通信情報Ｗ２の一部として受信する機能と、を有する。
【００７０】
入力装置１１２は、使用者が情報処理装置１００を操作するために入力する入力情報Ｕ１を供給する機能を備える入力装置を備える。入力装置としては、例えば、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイスまたはタッチパネル等を用いることができる。タッチパネルとしては、手指による入力が可能なタッチパネルまたはスタイラスによる入力が可能なタッチパネル等を用いることができる。
【００７１】
検知装置１１３は、周囲の状態を検知して検知情報Ｕ２を供給する機能を備えるセンサを備える。検知装置としては、例えば、マイク、カメラまたは照度センサ等を用いることができる。
【００７２】
表示装置１１１は、画像情報Ｖ１および画像情報Ｖ２が供給される機能と、画像情報Ｖ１および画像情報Ｖ２に基づく画像を表示する機能を有する。
【００７３】
なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えば入力装置１１２が重ねられた表示装置１１１は、入力装置１１２であるとともに表示装置１１１でもある。
【００７４】
次に、表示装置１１１の構成について詳細に説明する。
【００７５】
表示装置１１１は、第１の画素１１６および第２の画素１１７を備える。
【００７６】
第１の画素１１６は、画像情報Ｖ１に基づいて表示を行う機能を有する。また、第１の画素１１６には、第１の表示素子が設けられる。
【００７７】
第２の表示素子は、画像情報Ｖ２に基づいて表示を行う機能を有する。また、第２の画素１１７には、第２の表示素子が設けられる。
【００７８】
上記のように、画像情報Ｖ１は、画像情報Ｄ１に基づく。したがって、第１の画素１１６は、画像情報Ｄ１に基づいて表示を行う機能を有するといえる。また、画像情報Ｄ１は、第１の画素１１６において表示するために生成、送信または受信等が行われる画像情報であるといえる。
【００７９】
また、上記のように、画像情報Ｖ２は、画像情報Ｄ２に基づく。したがって、第２の画素１１７は、画像情報Ｄ２に基づいて表示を行う機能を有するといえる。また、画像情報Ｄ２は、第２の画素１１７において表示するために生成、送信または受信等が行われる画像情報であるといえる。
【００８０】
なお、第１の画素と第２の画素は、同数且つ同ピッチで、表示部に配置されていることが好ましい。このとき、隣接する第１の画素と第２の画素を合わせて、画素ユニットと呼ぶことができる。これにより、複数の第１の画素１１６で表示された画像すなわち画像情報Ｄ１に基づく画像と、複数の第２の画素１１７で表示された画像すなわち画像情報Ｄ２に基づく画像とを、同じ表示領域内に表示することができる。従って、画像情報Ｄ１と画像情報Ｄ２を合成する処理を行わなくとも、画像情報Ｄ１に基づく画像と、画像情報Ｄ２に基づく画像とを同時に表示することができる。また、画像情報Ｄ１に基づく画像と、画像情報Ｄ２に基づく画像とが重なっているように使用者に認識させることが可能である。
【００８１】
第１の画素および第２の画素では、画像データの書き込みトランジスタとして、金属酸化物をチャネル領域に有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは極めてオフ電流が小さく、画像データとして書き込んだ電位を長時間保持することが可能となる。したがって、ＯＳトランジスタを用いた画素は、リフレッシュレートを低減することができる。これによって、表示装置の消費電力を低減することができる。
【００８２】
第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有する。例えば、第１の表示素子としては反射型の液晶素子を使用することができる。反射型の液晶素子を有する第１の画素は、リフレッシュレートを低減しても、ちらつきなく表示することが可能である。したがって、画像情報Ｖ１に基づいて表示を行う際、リフレッシュレートを低減することができる。すなわち、画像情報Ｄ１に基づいて表示を行う際の、表示装置の消費電力を低減することができる。
【００８３】
第２の表示素子は、可視光を発する機能を有する。例えば、第２の表示素子としては発光素子を使用することができる。また、第２の表示素子としては、発光素子の他に、透過型の液晶素子を使用することができる。第１の表示素子として、反射型の液晶素子を使用し、第２の表示素子として、透過型の液晶素子を使用する場合、表示装置は、バックライトを有するとより好ましい。
【００８４】
なお、検知装置１１３として照度センサを用いる場合、環境に応じて表示装置１１１を使い分けることができる。例えば、暗い環境で使用されるときには発光素子を有する第２の画素を主に使用して表示し、明るい環境で使用されるときには反射型の液晶素子を有する第１の画素を主に使用して表示するというように使い分けることができる。このように環境の明暗によって表示装置１１１を使い分けることにより、表示装置１１１の消費電力を低減することができる。
【００８５】
表示装置１１１として使用することのできる表示装置について、後の実施の形態で詳細に説明する。
【００８６】
以上が、端末１１０の一例である情報処理装置１００の構成についての説明である。
【００８７】
［動作方法］
次に、本発明の一態様の画像表示システムの動作方法について、双方向型の授業において本発明の一態様の画像表示システムを用いる場合を例に挙げて説明する。
【００８８】
まず、図２を用いて、複数の端末１１０、サーバ１２０、および電子黒板１３０を有する画像表示システムの動作方法の一例について説明する。なお、図２においては、２台の端末１１０の動作を示すが、画像表示システムで用いることのできる端末１１０の数は、２には限られない。また、図２において、２台の端末１１０のそれぞれは、端末１１０ａおよび端末１１０ｂと示される。また、下記に説明する画像表示システムにおいて、端末１１０ａの使用者が生徒Ａであり、端末１１０ｂの使用者が生徒Ｂであるとする。
【００８９】
〔第１のステップ〕
第１のステップにおいて、端末１１０ａが、画像情報Ｄ１を生成する（図２（Ｓ１）参照）。なお、このとき、端末１１０ａの有する第１の画素１１６が、画像情報Ｄ１に基づいて表示を行うため、端末１１０ａの使用者である生徒Ａは、画像情報Ｄ１を視認することができる。
【００９０】
第１のステップにおいて、例えば、画像情報Ｄ１は、生徒Ａがタッチパネルを用いることにより入力した入力情報Ｕ１（以下、入力情報Ｕ１（ａ）と記載する）に基づき生成される。また、画像情報Ｄ１は、生徒Ａが端末１１０ａの有するカメラを使用して撮影した写真等であってもよい。また、画像情報Ｄ１は、入力情報Ｕ１（ａ）に基づく文字情報を画像に配置することにより生成されてもよい。また、画像情報Ｄ１は、生徒Ａが、マイク等を用いることにより入力した検知情報Ｕ２（以下、検知情報Ｕ２（ａ）と記載する）に基づく音声情報を変換することにより生成されてもよい。
【００９１】
具体的には、画像情報Ｄ１は、生徒Ａがタッチパネルを用いて描写したデジタル画像、生徒Ａが画用紙等の紙に描いた絵画の写真、生徒Ａが作成した作文を変換することにより生成される画像、または生徒Ａが話す詩などの音声情報を変換することにより生成される文字情報を配置された画像であってもよい。
【００９２】
図３（Ａ）には、画像情報Ｄ１を生成した後に画像情報Ｄ１を表示する端末１１０ａを示し、図３（Ｂ）には、画像情報Ｄ１の一例を示す。なお、図３（Ａ）において、端末１１０ａは、表示装置１１１、カメラ１４１、および操作ボタン１４２を有する。
【００９３】
〔第２のステップ〕
第２のステップにおいて、端末１１０ａは、端末１１０ａが生成した画像情報Ｄ１（以下、画像情報Ｄ１（ａ）と記載する）をサーバ１２０に送信する（図２（Ｓ２）参照）。
【００９４】
〔第３のステップ〕
第３のステップにおいて、サーバ１２０は、画像情報Ｄ１（ａ）を受信する（図２（Ｓ３）参照）。
【００９５】
〔第４のステップ〕
第４のステップにおいて、サーバ１２０は、画像情報Ｄ１（ａ）を送信する（図２（Ｓ４）参照）。
【００９６】
なお、サーバ１２０は、第３のステップの後、画像情報Ｄ１（ａ）を保存することもできる。また、画像情報Ｄ１（ａ）を保存した後、第４のステップを行うことを命令する信号が供給されてから第４のステップを行うこともできる。第４のステップを行うことを命令する信号は、例えば、端末１１０または電子黒板１３０等から供給される。
【００９７】
〔第５のステップ〕
第５のステップにおいて、端末１１０ｂは、画像情報Ｄ１（ａ）を受信する（図２（Ｓ５）参照）。
【００９８】
〔第６のステップ〕
第６のステップにおいて、端末１１０ｂは、画像情報Ｄ１（ａ）を表示する（図２（Ｓ６）参照）。このとき、端末１１０ｂの有する第１の画素１１６が、画像情報Ｄ１（ａ）に基づき表示を行う。
【００９９】
〔第７のステップ〕
第７のステップにおいて、端末１１０ｂは、画像情報Ｄ２を生成する（図２（Ｓ７）参照）。なお、このとき、端末１１０ｂの有する第１の画素１１６は、画像情報Ｄ１（ａ）に基づく表示を継続する。第１の画素１１６は、画像情報Ｄ１（ａ）に基づき表示を行い、第２の画素１１７が、画像情報Ｄ２に基づいて表示を行うことで、生徒Ｂは、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２とが、重なっているように認識することができる。
【０１００】
第７のステップにおいて、例えば、画像情報Ｄ２は、生徒Ｂがタッチパネルを用いることにより入力した入力情報Ｕ１（以下、入力情報Ｕ１（ｂ）と記載する）に基づき生成される。このとき、生徒Ｂは、画像情報Ｄ１（ａ）を視認することができるため、画像情報Ｄ１（ａ）に、画像情報Ｄ２を直接書き込むかのような感覚をもつことができる。また、画像情報Ｄ２は、入力情報Ｕ１（ｂ）に基づいて生成された文字情報を配置された画像であってもよい。また、画像情報Ｄ２は、生徒Ｂが、マイク等を用いることにより入力した検知情報Ｕ２（以下、入力情報Ｕ２（ｂ）と記載する）に基づく音声データを画像に変換することにより生成されてもよい。
【０１０１】
具体的には、画像情報Ｄ２は、画像情報Ｄ１（ａ）についての生徒Ｂの意見を表す。生徒Ｂは、画像情報Ｄ１（ａ）に直接書き込むような感覚をもちながら画像情報Ｄ１（ａ）について意見することができるため、生徒Ａに伝えたい意見を十分に表現することができる。
【０１０２】
図３（Ｃ）には、画像情報Ｄ１（ａ）を表示しながら画像情報Ｄ２を生成する途中の端末１１０ｂを示し、図３（Ｄ）には、完成した画像情報Ｄ２を示す。図３（Ｃ）に示すように、生徒Ｂは、タッチパネルを含む表示装置１１１に対してスタイラス１４３を用いて入力情報Ｕ１（ｂ）を入力する。このとき生徒Ｂは、画像情報Ｄ２を画像情報Ｄ１（ａ）に直接書き込むような感覚をもつことができる。
【０１０３】
なお、画像情報Ｄ２は、図３（Ｄ）に示すように、表示領域１４４と、非表示領域１４５とを有する場合がある。
【０１０４】
〔第８のステップ〕
第８のステップにおいて、端末１１０ｂは、端末１１０ｂが生成した画像情報Ｄ２（以下、画像情報Ｄ２（ｂ）と記載する）をサーバ１２０に送信する（図２（Ｓ８）参照）。
【０１０５】
〔第９のステップ〕
第９のステップにおいて、サーバ１２０は、画像情報Ｄ２（ｂ）を受信する（図２（Ｓ９）参照）。
【０１０６】
ここで、端末１１０ｂと同様に、第５のステップ乃至第８のステップを行う端末１１０が他にも存在する場合を想定する（図示なし）。例えば、第３の端末１１０である端末１１０ｃが存在し、端末１１０ｂと同様に画像情報Ｄ２を生成し、送信する場合を想定する。この場合、第９のステップにおいて、サーバ１２０は、画像情報Ｄ２（ｂ）に加えて、端末１１０ｃが生成した画像情報Ｄ２（以下、画像情報Ｄ２（ｃ）と記載する）を受信する。
【０１０７】
〔第１０のステップ〕
第１０のステップにおいて、サーバ１２０は、画像情報Ｄ２（ｂ）を送信する（図２（Ｓ１０）参照）。
【０１０８】
なお、サーバ１２０は、第９のステップの後、画像情報Ｄ２（ｂ）を保存することもできる。また、画像情報Ｄ２（ｂ）を保存した後、第１０のステップを行うことを命令する信号が供給されてから第１０のステップを行うこともできる。第１０のステップを行うことを命令する信号は、端末１１０または電子黒板１３０等から供給される。
【０１０９】
〔第１１のステップ〕
第１１のステップにおいて、端末１１０ａは、画像情報Ｄ２（ｂ）を受信する（図２（Ｓ１１）参照）。
【０１１０】
〔第１２のステップ〕
第１２のステップにおいて、端末１１０ａは、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２（ｂ）を表示する（図２（Ｓ１２）参照）。なお、このとき、第１の画素１１６は、画像情報Ｄ１（ａ）に基づき表示を行い、第２の画素１１７は、画像情報Ｄ２（ｂ）に基づき表示を行うことで、生徒Ａは、画像情報Ｄ１（ａ）と画像情報Ｄ２（ｂ）とが、重なっているように認識することができる。
【０１１１】
図３（Ｅ）には、画像情報Ｄ１（ａ）と画像情報Ｄ２（ｂ）とを表示する端末１１０ａを示す。図３（Ｅ）に示すように、画像情報Ｄ２（ｂ）の表示領域１４４においては、画像情報Ｄ２（ｂ）は、画像情報Ｄ１（ａ）と重なって表示される。一方、端末１１０ａの表示装置１１１において、画像情報Ｄ２（ｂ）の非表示領域１４５においては、画像情報Ｄ２（ｂ）が表示されなくてもよい。
【０１１２】
なお、第９のステップにおいて、サーバ１２０が画像情報Ｄ２（ｃ）を受信する場合、サーバ１２０は、第１２のステップの後で画像情報Ｄ２（ｃ）を送信する（図示なし）。次に、端末１１０ａは、画像情報Ｄ２（ｃ）を受信し、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２（ｃ）を表示する。なお、このとき、第１の画素１１６は、画像情報Ｄ１（ａ）に基づき表示を行い、第２の画素１１７は、画像情報Ｄ２（ｃ）に基づき表示を行う。
【０１１３】
〔第１３のステップ〕
第１３のステップにおいて、電子黒板１３０は、画像情報Ｄ１（ａ）を受信する（図２（Ｓ１３）参照）。
【０１１４】
〔第１４のステップ〕
第１４のステップにおいて、電子黒板１３０は、画像情報Ｄ１（ａ）を表示する（図２（Ｓ１４）参照）。なお、電子黒板１３０の有する表示装置が、第１の画素１１６および第２の画素１１７を有する場合、第１の画素１１６が、画像情報Ｄ１（ａ）に基づき表示を行う。
【０１１５】
〔第１５のステップ〕
第１５のステップにおいて、電子黒板１３０は、画像情報Ｄ２（ｂ）を受信する（図２（Ｓ１５）参照）。
【０１１６】
〔第１６のステップ〕
第１６のステップにおいて、電子黒板１３０は、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２（ｂ）を表示する（図２（Ｓ１６）参照）。
【０１１７】
なお、電子黒板１３０の有する表示装置が、第１の画素１１６および第２の画素１１７を有さない液晶ディスプレイまたは有機ＥＬディスプレイ等である場合、電子黒板１３０は、第１５のステップの後に、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２（ｂ）を合成する処理を行った後、第１６のステップを行う。
【０１１８】
一方、電子黒板１３０の有する表示装置が、第１の画素１１６および第２の画素１１７を有する場合、第１の画素１１６は、画像情報Ｄ１（ａ）に基づき表示を行い、第２の画素１１７は、画像情報Ｄ２（ｂ）に基づき表示を行う。これによって、電子黒板１３０の観察者は、画像情報Ｄ１（ａ）と画像情報Ｄ２（ｂ）とが、重なっているように認識することができる。したがって、電子黒板１３０の有する表示装置が、第１の画素１１６および第２の画素１１７を有する場合、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２（ｂ）を合成する処理が不要になり、好ましい。
【０１１９】
なお、第９のステップにおいて、サーバ１２０が画像情報Ｄ２（ｃ）を受信する場合、サーバ１２０は、第１６のステップの後で画像情報Ｄ２（ｃ）を送信する（図示なし）。次に、電子黒板１３０は、画像情報Ｄ２（ｃ）を受信し、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２（ｃ）を表示する。このとき、電子黒板１３０の有する表示装置が、第１の画素１１６および第２の画素１１７を有する場合、第１の画素１１６は、画像情報Ｄ１（ａ）に基づき表示を行い、第２の画素１１７は、画像情報Ｄ２（ｃ）に基づき表示を行う。
【０１２０】
一方、第９のステップにおいて、サーバ１２０が画像情報Ｄ２（ｃ）を受信し、かつ、電子黒板１３０の有する表示装置が、第１の画素１１６および第２の画素１１７を有さない場合、電子黒板１３０は、第１５のステップにおいて、画像情報Ｄ２（ｂ）および画像情報Ｄ２（ｃ）の両方を受信してもよい。電子黒板１３０は、第１５のステップの後に、画像情報Ｄ１（ａ）と、画像情報Ｄ２（ｂ）と、電子情報Ｄ２（ｃ）とを合成する処理を行った後、第１６のステップを行ってもよい。
【０１２１】
以上が、本発明の一態様の画像表示システムの動作方法についての説明である。
【０１２２】
上記のとおり、本発明の一態様の画像表示システムにおいて、端末１１０は、画像情報Ｄ１に基づく画像および画像情報Ｄ２に基づく画像を同じ表示領域内に表示させることができる。従って、画像情報Ｄ１と画像情報Ｄ２を合成する処理を行わなくとも、画像情報Ｄ１に基づく画像と、画像情報Ｄ２に基づく画像とを同時に表示することができる。これによって、画像情報Ｄ１と画像情報Ｄ２を同時に表示するための処理時間を短縮することができ、好ましい。
【０１２３】
また、上記のとおり、端末１１０が有する第１の表示素子として反射型の液晶素子を使用すると、画像情報Ｄ１に基づいて表示を行う際の、表示装置の消費電力を低減することができる。これによって、本発明の一態様の画像表示システムの消費電力を低減することができ、好ましい。
【０１２４】
また、上記のとおり、双方向型の授業において、本発明の一態様の画像表示システムは、作品に対する意見を表現するために用いることができる。したがって、本発明の一態様の画像表示システムを用いることで、活発な意見交換を発生させ、生徒の意欲を向上させ、授業の学習効果を高めることができる。
【０１２５】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１２６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の画像表示システムにおいて用いることのできる表示装置および当該表示装置の駆動方法について説明する。
【０１２７】
本発明の一態様の表示装置は、可視光を反射する第１の表示素子が設けられた画素を備える。または、可視光を発する第２の表示素子が設けられた画素を備える。
【０１２８】
表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光と、第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方、または両方により、画像を表示する機能を有する。または、表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光の光量と、第２の表示素子が発する第２の光の光量と、をそれぞれ制御することにより、階調を表現する機能を有する。
【０１２９】
また、表示装置は、第１の表示素子の反射光の光量を制御することにより階調を表現する第１の画素と、第２の表示素子からの発光の光量を制御することにより階調を表現する第２の画素を有する構成とすることが好ましい。第１の画素および第２の画素は、例えばそれぞれマトリクス状に複数配置され、表示装置を構成する。
【０１３０】
また、第１の画素と第２の画素は、同数且つ同ピッチで、表示部に配置されていることが好ましい。このとき、隣接する第１の画素と第２の画素を合わせて、画素ユニットと呼ぶことができる。これにより、後述するように複数の第１の画素のみで表示された画像と、複数の第２の画素のみで表示された画像、ならびに複数の第１の画素および複数の第２の画素の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示部に表示することができる。
【０１３１】
第１の画素が有する第１の表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。
【０１３２】
第１の表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１の表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。
【０１３３】
第２の画素が有する第２の表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。特に、電界を印加することにより発光性の物質から発光を取り出すことのできる、電界発光素子を用いることが好ましい。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。
【０１３４】
第２の表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザなどの自発光性の発光素子を用いることができる。または、第２の画素が有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。
【０１３５】
第１の画素は、例えば白色（Ｗ）を呈する副画素、または例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。また、第２の画素も同様に、例えば白色（Ｗ）を呈する副画素、または例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。なお、第１の画素および第２の画素がそれぞれ有する副画素は、４色以上であってもよい。副画素の種類が多いほど、消費電力を低減することが可能で、また色再現性を高めることができる。
【０１３６】
本発明の一態様は、第１の画素で画像を表示する第１のモード、第２の画素で画像を表示する第２のモード、および第１の画素および第２の画素で画像を表示する第３のモードを切り替えることができる。また、実施の形態１で示したように、第１の画素および第２の画素のそれぞれに異なる画像信号を入力し、合成画像を表示することもできる。
【０１３７】
第１のモードは、第１の表示素子による反射光を用いて画像を表示するモードである。第１のモードは光源が不要であるため、極めて低消費電力な駆動モードである。例えば、外光の照度が十分高く、且つ外光が白色光またはその近傍の光である場合に有効である。第１のモードは、例えば本や書類などの文字情報を表示することに適した表示モードである。また、反射光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいという効果を奏する。
【０１３８】
第２のモードでは、第２の表示素子による発光を利用して画像を表示するモードである。そのため、外光の照度や色度によらず、極めて鮮やかな（コントラストが高く、且つ色再現性の高い）表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、外光の照度が極めて小さい場合などに有効である。また外光が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第２のモードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。またこれにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第２のモードは、鮮やかな画像や滑らかな動画などを表示することに適したモードである。
【０１３９】
第３のモードでは、第１の表示素子による反射光と、第２の表示素子による発光の両方を利用して表示を行うモードである。具体的には、第１の画素が呈する光と、第１の画素と隣接する第２の画素が呈する光を混色させることにより、１つの色を表現するように駆動する。第１のモードよりも鮮やかな表示をしつつ、第２のモードよりも消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、外光の照度が比較的低い場合や、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。また、反射光と発光とを混色させた光を用いることで、まるで絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。
【０１４０】
以下では、本発明の一態様のより具体的な例について、図面を参照して説明する。
【０１４１】
［表示装置の構成例］
【０１４２】
図４は、本発明の一態様の表示装置が備える画素アレイ４０を説明する図である。画素アレイ４０は、マトリクス状に配置された複数の画素ユニット４５を備える。画素ユニット４５は、画素４６と、画素４７とを備える。
【０１４３】
図４では、画素４６および画素４７が、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の３色に対応する表示素子を備える場合の例を示している。
【０１４４】
画素４６は、赤色（Ｒ）に対応する表示素子４６Ｒ、緑色（Ｇ）に対応する表示素子４６Ｇ、青色（Ｂ）に対応する表示素子４６Ｂを有する。表示素子４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂはそれぞれ、可視光を発する第２の表示素子である。
【０１４５】
画素４７は、赤色（Ｒ）に対応する表示素子４７Ｒ、緑色（Ｇ）に対応する表示素子４７Ｇ、青色（Ｂ）に対応する表示素子４７Ｂを有する。表示素子４７Ｒ、４７Ｇ、４７Ｂはそれぞれ、可視光を反射する第１の表示素子である。
【０１４６】
以上が表示装置の構成例についての説明である。
【０１４７】
［画素ユニットの構成例］
続いて、図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて画素ユニット４５について説明する。図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、画素ユニット４５の構成例を示す模式図である。
【０１４８】
画素４６は、表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇ、表示素子４６Ｂを有する。表示素子４６Ｒは、光源を有し、画素４６に入力される第２の階調値に含まれる赤色に対応する階調値に応じた輝度の赤色の光Ｒ２を、表示面側に射出する。表示素子４６Ｇ、表示素子４６Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇ２または青色の光Ｂ２を、表示面側に射出する。
【０１４９】
画素４７は、表示素子４７Ｒ、表示素子４７Ｇ、表示素子４７Ｂを有する。表示素子４７Ｒは、外光を反射し、画素４７に入力される第１の階調値に含まれる赤色に対応する階調値に応じた輝度の赤色の光Ｒ１を、表示面側に射出する。表示素子４７Ｇ、表示素子４７Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇ１または青色の光Ｂ１を、表示面側に射出する。
【０１５０】
〔第３のモード〕
図５（Ａ）は、外光を反射する表示素子４７Ｒ、表示素子４７Ｇ、表示素子４７Ｂと、光を発する表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇ、表示素子４６Ｂの両方を駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図５（Ａ）に示すように、画素ユニット４５は、光Ｒ１、光Ｇ１、光Ｂ１、光Ｒ２、光Ｇ２、および光Ｂ２の６つの光を混色させることにより、所定の色の光５５を表示面側に射出することができる。
【０１５１】
このとき、表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇおよび表示素子４６Ｂのそれぞれの輝度を低く抑えることが好ましい。例えば、表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇおよび表示素子４６Ｂのそれぞれが発することのできる光の輝度の最大値（最大輝度ともいう）を１００％としたときに、第３のモードで表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇおよび表示素子４６Ｂのそれぞれが発する光の輝度の最大値を、最大輝度の５％以上５０％以下、好ましくは１％以上６０％以下とすることが好ましい。これにより、低い消費電力で表示できるとともに、表示される画像がより絵画的になり、また目に優しい表示を行うことが可能となる。
【０１５２】
〔第１のモード〕
図５（Ｂ）は、外光を反射する表示素子４７Ｒ、表示素子４７Ｇ、表示素子４７Ｂを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図５（Ｂ）に示すように、画素ユニット４５は、例えば外光の照度が十分に高い場合などでは、画素４６を駆動させずに、画素４７からの光（光Ｒ１、光Ｇ１、および光Ｂ１）のみを混色させることにより、所定の色の光５５を表示面側に射出することもできる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。
【０１５３】
〔第２のモード〕
図５（Ｃ）は、表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇ、表示素子４６Ｂを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図５（Ｃ）に示すように、画素ユニット４５は、例えば外光の照度が極めて小さい場合などでは、画素４７を駆動させずに、画素４６からの光（光Ｒ２、光Ｇ２、および光Ｂ２）のみを混色させることにより、所定の色の光５５を表示面側に射出することもできる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また外光の照度が小さい場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。
【０１５４】
このとき、第３のモードよりも、可視光を発光する表示素子の輝度を高めることが好ましい。例えば、第２のモードで表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇ、表示素子４６Ｂのそれぞれが発する光の輝度の最大値を、最大輝度の１００％とする、または、５０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下とすることができる。これにより、外光の明るい場所であっても鮮やかな画像を表示することができる。
【０１５５】
ここで、表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇ、表示素子４６Ｂのそれぞれが発する光の輝度の最大値は、ダイナミックレンジに置き換えることができる。すなわち、第３のモードでは、第２のモードよりも表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇ、表示素子４６Ｂのそれぞれのダイナミックレンジを狭く設定することができる。例えば、表示素子４６Ｒ、表示素子４６Ｇまたは表示素子４６Ｂにおける第３のモードのダイナミックレンジを、第２のモードのダイナミックレンジの５％以上５０％以下、好ましくは１％以上６０％以下に設定することができる。
【０１５６】
以上が画素ユニット４５の構成例についての説明である。
【０１５７】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５８】
（実施の形態３）
以下では、本発明の一態様の画像表示システムに用いることのできる表示装置の例について説明する。以下で例示する表示装置は、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置である。
【０１５９】
［構成例］
図６（Ａ）は、表示装置４００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置４００は、表示部３６２にマトリクス状に配列した複数の画素４１０を有する。また表示装置４００は、回路ＧＤと、回路ＳＤを有する。また、方向Ｒに配列した複数の画素４１０、回路ＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、および複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また、方向Ｃに配列した複数の画素４１０、回路ＳＤと電気的に接続する複数の配線Ｓ１、および複数の配線Ｓ２を有する。
【０１６０】
なお、ここでは簡単のために回路ＧＤと回路ＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液晶素子を駆動する回路ＧＤおよび回路ＳＤと、発光素子を駆動する回路ＧＤおよび回路ＳＤとを、別々に設けてもよい。
【０１６１】
画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素４１０において、液晶素子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
【０１６２】
図６（Ｂ１）は、画素４１０が有する導電層３１１ｂの構成例を示す。導電層３１１ｂは、画素４１０における液晶素子の反射電極として機能する。また導電層３１１ｂには、開口４５１が設けられている。
【０１６３】
図６（Ｂ１）には、導電層３１１ｂと重なる領域に位置する発光素子３６０を破線で示している。発光素子３６０は、導電層３１１ｂが有する開口４５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口４５１を介して表示面側に射出される。
【０１６４】
図６（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。このとき、図６（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口４５１が一列に配列されないように、導電層３１１ｂの異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発光素子３６０が発する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を離して配置することができるため、発光素子３６０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
【０１６５】
また、図６（Ｂ２）に示すような配列としてもよい。
【０１６６】
非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子３６０を用いた表示が暗くなってしまう。
【０１６７】
また、反射電極として機能する導電層３１１ｂに設ける開口４５１の面積が小さすぎると、発光素子３６０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
【０１６８】
開口４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口４５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
【０１６９】
［回路構成例］
図７は、画素４１０の構成例を示す回路図である。図７では、隣接する２つの画素４１０を示している。
【０１７０】
画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、および発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、および配線Ｓ２が電気的に接続されている。また、図７では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、および発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
【０１７１】
図７では、スイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を示している。
【０１７２】
スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソースまたはドレインの一方が配線Ｓ１と接続され、ソースまたはドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、および液晶素子３４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子３４０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
【０１７３】
また、スイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソースまたはドレインの一方が配線Ｓ２と接続され、ソースまたはドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソースまたはドレインの一方、および配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソースまたはドレインの他方が発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
【０１７４】
図７では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。
【０１７５】
配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子３４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。
【０１７６】
配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２および配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。
【０１７７】
図７に示す画素４１０は、例えば、反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１および配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２および配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また、両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１および配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。
【０１７８】
なお、図８では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０とを有する例を示したが、これに限られない。図８（Ａ）は、一つの画素４１０に一つの液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３６０ｗ）を有する例を示している。
【０１７９】
図８（Ａ）では図７の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３および配線Ｓ３が接続されている。
【０１８０】
図８（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０を、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、および白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。
【０１８１】
また、図８（Ｂ）には、画素４１０の構成例を示している。画素４１０は、電極３１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、電極３１１の周囲に配置された発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、および発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、および発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。
【０１８２】
［表示パネルの構成例］
図９は、本発明の一態様の表示パネル３００の斜視概略図である。表示パネル３００は、基板３５１と基板３６１とが貼り合わされた構成を有する。図９では、基板３６１を破線で明示している。
【０１８３】
表示パネル３００は、表示部３６２、回路３６４、配線３６５等を有する。基板３５１には、例えば回路３６４、配線３６５、および画素電極として機能する導電層３１１ｂ等が設けられる。また図９では基板３５１上にＩＣ３７３とＦＰＣ３７２が実装されている例を示している。そのため、図９に示す構成は、表示パネル３００とＦＰＣ３７２およびＩＣ３７３を有する表示モジュールと言うこともできる。
【０１８４】
回路３６４は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
【０１８５】
配線３６５は、表示装置や回路３６４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部、またはＩＣ３７３から配線３６５に入力される。
【０１８６】
また、図９では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板３５１にＩＣ３７３が設けられている例を示している。ＩＣ３７３は、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なお表示パネル３００が走査線駆動回路および信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ３７２を介して表示パネル３００を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ３７３を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ３７３を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ３７２に実装してもよい。
【０１８７】
図９には、表示部３６２の一部の拡大図を示している。表示部３６２には、複数の表示素子が有する導電層３１１ｂがマトリクス状に配置されている。導電層３１１ｂは、可視光を反射する機能を有し、後述する液晶素子３４０の反射電極として機能する。
【０１８８】
また、図９に示すように、導電層３１１ｂは開口を有する。さらに導電層３１１ｂよりも基板３５１側に、発光素子３６０を有する。発光素子３６０からの光は、導電層３１１ｂの開口を介して基板３６１側に射出される。
【０１８９】
また、基板３６１上にはタッチセンサを設けることができる。例えば、シート状の静電容量方式のタッチセンサ３６６を表示部３６２に重ねて設ける構成とすればよい。または、基板３６１と基板３５１との間にタッチセンサを設けてもよい。基板３６１と基板３５１との間にタッチセンサを設ける場合は、静電容量方式のタッチセンサのほか、光電変換素子を用いた光学式のタッチセンサを適用してもよい。
【０１９０】
［断面構成例１］
図１０に、図９で例示した表示パネルの、ＦＰＣ３７２を含む領域の一部、回路３６４を含む領域の一部、および表示部３６２を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。なお、タッチセンサ３６６は含まない。
【０１９１】
表示パネルは、基板３５１と基板３６１の間に、絶縁層２２０を有する。また基板３５１と絶縁層２２０の間に、発光素子３６０、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、着色層１７４等を有する。また絶縁層２２０と基板３６１の間に、液晶素子３４０、着色層１７１等を有する。また基板３６１と絶縁層２２０は接着層１８１を介して接着され、基板３５１と絶縁層２２０は接着層１８２を介して接着されている。
【０１９２】
トランジスタ２０６は、液晶素子３４０と電気的に接続し、トランジスタ２０５は、発光素子３６０と電気的に接続する。トランジスタ２０５とトランジスタ２０６は、いずれも絶縁層２２０の基板３５１側の面上に形成されているため、これらを同一の工程を用いて作製することができる。
【０１９３】
基板３６１には、着色層１７１、遮光層１７２、絶縁層１６１、および液晶素子３４０の共通電極として機能する導電層３１３、配向膜１７３ｂ、絶縁層１６７等が設けられている。絶縁層１６７は、液晶素子３４０のセルギャップを保持するためのスペーサとして機能する。
【０１９４】
絶縁層２２０の基板３５１側には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４、絶縁層２１５等の絶縁層が設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１２、絶縁層２１３、および絶縁層２１４は、各トランジスタを覆って設けられている。また絶縁層２１４を覆って絶縁層２１５が設けられている。絶縁層２１４および絶縁層２１５は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ等を覆う絶縁層として、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４の３層を有する場合について示しているが、これに限られず４層以上であってもよいし、単層、または２層であってもよい。また平坦化層として機能する絶縁層２１４は、不要であれば設けなくてもよい。
【０１９５】
また、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、およびトランジスタ２０６は、一部がゲートとして機能する導電層２２１、一部がソースまたはドレインとして機能する導電層２２２、半導体層２３１を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。
【０１９６】
液晶素子３４０は反射型の液晶素子である。液晶素子３４０は、導電層３１１ａ、液晶３１２、導電層３１３が積層された積層構造を有する。また、導電層３１１ａの基板３５１側に接して、可視光を反射する導電層３１１ｂが設けられている。導電層３１１ｂは開口２５１を有する。また、導電層３１１ａおよび導電層３１３は可視光を透過する材料を含む。また、液晶３１２と導電層３１１ａの間に配向膜１７３ａが設けられ、液晶３１２と導電層３１３の間に配向膜１７３ｂが設けられている。また、基板３６１の外側の面には、偏光板１７０を有する。
【０１９７】
液晶素子３４０において、導電層３１１ｂは可視光を反射する機能を有し、導電層３１３は可視光を透過する機能を有する。基板３６１側から入射した光は、偏光板１７０により偏光され、導電層３１３、液晶３１２を透過し、導電層３１１ｂで反射する。そして、液晶３１２および導電層３１３を再度透過して、偏光板１７０に達する。このとき、導電層３１１ｂと導電層３１３の間に与える電圧によって液晶の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板１７０を介して射出される光の強度を制御することができる。また光は着色層１７１によって特定の波長領域以外の光が吸収されることにより、取り出される光は、例えば赤色を呈する光となる。
【０１９８】
発光素子３６０は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子３６０は、絶縁層２２０側から導電層１９１、ＥＬ層１９２、および導電層１９３ｂの順に積層された積層構造を有する。また導電層１９３ｂを覆って導電層１９３ａが設けられている。導電層１９３ｂは可視光を反射する材料を含み、導電層１９１および導電層１９３ａは可視光を透過する材料を含む。発光素子３６０が発する光は、着色層１７４、絶縁層２２０、開口２５１、導電層３１３等を介して、基板３６１側に射出される。
【０１９９】
ここで、図１０に示すように、開口２５１には可視光を透過する導電層３１１ａが設けられていることが好ましい。これにより、開口２５１と重なる領域においてもそれ以外の領域と同様に液晶３１２が配向するため、これらの領域の境界部で液晶の配向不良が生じ、意図しない光が漏れてしまうことを抑制できる。
【０２００】
ここで、基板３６１の外側の面に配置する偏光板１７０として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、外光反射を抑制するために光拡散版を設けてもよい。また、偏光板の種類に応じて、液晶素子３４０に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。
【０２０１】
導電層１９１の端部を覆う絶縁層２１６上には、絶縁層２１７が設けられている。絶縁層２１７は、絶縁層２２０と基板３５１が必要以上に接近することを抑制するスペーサとしての機能を有する。またＥＬ層１９２や導電層１９３ａを遮蔽マスク（メタルマスク）を用いて形成する場合には、当該遮蔽マスクが被形成面に接触することを抑制するためのマスクギャッパとしての機能を有していてもよい。なお、絶縁層２１７は不要であれば設けなくてもよい。
【０２０２】
トランジスタ２０５のソースまたはドレインの一方は、導電層２２４を介して発光素子３６０の導電層１９１と電気的に接続されている。
【０２０３】
トランジスタ２０６のソースまたはドレインの一方は、接続部２０７を介して導電層３１１ｂと電気的に接続されている。導電層３１１ｂと導電層３１１ａは接して設けられ、これらは電気的に接続されている。ここで、接続部２０７は、絶縁層２２０に設けられた開口を介して、絶縁層２２０の両面に設けられる導電層同士を接続する部分である。
【０２０４】
基板３５１の基板３６１と重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４は、接続層２４２を介してＦＰＣ３７２と電気的に接続されている。接続部２０４は接続部２０７と同様の構成を有している。接続部２０４の上面は、導電層３１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
【０２０５】
接着層１８１が設けられる一部の領域には、接続部２５２が設けられている。接続部２５２において、導電層３１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層３１３の一部が、接続体２４３により電気的に接続されている。したがって、基板３６１側に形成された導電層３１３に、基板３５１側に接続されたＦＰＣ３７２から入力される信号または電位を、接続部２５２を介して供給することができる。
【０２０６】
接続体２４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体２４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体２４３は、図１０に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体２４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。
【０２０７】
接続体２４３は、接着層１８１に覆われるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層１８１に、接続体２４３を分散させておけばよい。
【０２０８】
図１０では、回路３６４の例としてトランジスタ２０１が設けられている例を示している。
【０２０９】
図１０では、トランジスタ２０１およびトランジスタ２０５の例として、チャネルが形成される半導体層２３１を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。一方のゲートは導電層２２１により、他方のゲートは絶縁層２１２を介して半導体層２３１と重なる導電層２２３により構成されている。このような構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。このとき、２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示パネルを大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
【０２１０】
なお、回路３６４が有するトランジスタと、表示部３６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよい。また回路３６４が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部３６２が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。
【０２１１】
各トランジスタを覆う絶縁層２１２、絶縁層２１３のうち少なくとも一方は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。すなわち、絶縁層２１２または絶縁層２１３はバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに対して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示パネルを実現できる。
【０２１２】
基板３６１側において、着色層１７１、遮光層１７２を覆って絶縁層１６１が設けられている。絶縁層１６１は、平坦化層としての機能を有していてもよい。絶縁層１６１により、導電層３１３の表面を概略平坦にできるため、液晶３１２の配向状態を均一にできる。
【０２１３】
［断面構成例２］
また、本発明の一態様の表示パネルは、図１１に示すように、画素に設けられる第１のトランジスタと、第２のトランジスタが重なる領域を有する構成であってもよい。このような構成とすることで、一画素あたりの面積を小さくすることができ、高精細な画像が表示できる画素密度の高い表示パネルを形成することができる。
【０２１４】
例えば、発光素子３６０を駆動するためのトランジスタであるトランジスタ２０５と、トランジスタ２０８が重なる領域を有する構成とすることができる。または、液晶素子３４０を駆動するためのトランジスタ２０６と、トランジスタ２０５およびトランジスタ２０８の一方が重なる領域を有する構成であってもよい。
【０２１５】
［断面構成例３］
また、本発明の一態様の表示パネルは、図１２に示すように、表示パネル３００ａと表示パネル３００ｂが接着層３５０を介して貼り合わされた構成であってもよい。表示パネル３００ａは、表示部３６２ａに液晶素子３４０およびトランジスタ２０６を有し、表示部３６２を駆動する回路３６４ａにトランジスタ２０１ａを有する。表示パネル３００ｂは、表示部３６２ｂに発光素子３６０およびトランジスタ２０５、２０８を有し、表示部３６２ｂを駆動する回路３６４ｂにトランジスタ２０１ｂを有する。
【０２１６】
このような構成とすることで、表示パネル３００ａおよび表示パネル３００ｂのそれぞれに適した作製工程を用いることができ、製品歩留りを向上させることができる。
【０２１７】
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【０２１８】
〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【０２１９】
厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。
【０２２０】
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【０２２１】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用いることができる。
【０２２２】
また、金属基板の表面を酸化する、または表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、またはスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置するまたは加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。
【０２２３】
可撓性を有し、可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示パネルも軽量にすることができる。
【０２２４】
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０２２５】
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
【０２２６】
可撓性を有する基板に、表示パネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
【０２２７】
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示パネルとすることができる。
【０２２８】
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
【０２２９】
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０２３０】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０２３１】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である金属酸化物を用いることができる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などであり、例えば、後述するＣＡＣ−ＯＳなどを用いることができる。
【０２３２】
シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。
【０２３３】
半導体層は、例えばインジウム、亜鉛およびＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜とすることができる。
【０２３４】
半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０２３５】
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのとき酸化物半導体を用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できる、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。
【０２３６】
半導体層としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例えば、半導体層は、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０−９／ｃｍ３以上のキャリア密度の酸化物半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。これにより不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
【０２３７】
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性および電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
【０２３８】
半導体層を構成する酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０２３９】
また、アルカリ金属およびアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【０２４０】
また、半導体層を構成する酸化物半導体に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
【０２４１】
また、半導体層は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、ｃ軸に配向した結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、または、Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ａｎｄ  Ａ−Ｂ−ｐｌａｎｅ  Ａｎｃｈｏｒｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
【０２４２】
非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。
【０２４３】
なお、半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積層構造を有する場合がある。
【０２４４】
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（ＣｌｏｕｄーＡｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【０２４５】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０２４６】
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０２４７】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０２４８】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０２４９】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０２５０】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０２５１】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。したがって、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０２５２】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０２５３】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０２５４】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０２５５】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、および窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０２５６】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０２５７】
また、ＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。したがって、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０２５８】
また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０２５９】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０２６０】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。したがって、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０２６１】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０２６２】
したがって、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０２６３】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。したがって、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０２６４】
または、トランジスタのチャネルが形成される半導体にシリコンを用いてもよい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。
【０２６５】
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。一方、トップゲート型のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。
【０２６６】
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０２６７】
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。また、表示素子を駆動するためのトランジスタのソースおよびドレインまたはゲートとして、透光性を有する導電性材料を用いることで、画素の開口率を高めることができ、好ましい。
【０２６８】
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０２６９】
また、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。
【０２７０】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０２７１】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０２７２】
〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
【０２７３】
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡ−ＩＰＳモード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。
【０２７４】
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０２７５】
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
【０２７６】
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【０２７７】
また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、または半透過型の液晶素子などを用いることができる。
【０２７８】
本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。
【０２７９】
透過型または半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、２つの偏光板を設ける。また偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を備える直下型のバックライトを用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
め好ましい。
【０２８０】
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
【０２８１】
また、反射型、または半透過型の液晶素子を用いる場合、偏光板よりも外側に、フロントライトを設けてもよい。フロントライトとしては、エッジライト型のフロントライトを用いることが好ましい。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を備えるフロントライトを用いると、消費電力を低減できるため好ましい。
【０２８２】
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、ＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０２８３】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０２８４】
ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０２８５】
ＥＬ層には低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０２８６】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０２８７】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色および赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
【０２８８】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。
【０２８９】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【０２９０】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０２９１】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜または金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。
【０２９２】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。
【０２９３】
なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、および電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。
【０２９４】
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
【０２９５】
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０２９６】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
【０２９７】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０２９８】
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０２９９】
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。なお、着色層の色としては、Ｒ、ＧおよびＢの組み合わせ、またはＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）およびＹ（イエロー）の組み合わせ等を用いることができる。
【０３００】
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
【０３０１】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３０２】
（実施の形態４）
本発明の一態様に係る画像表示システムにおいて、端末１１０として用いることができる電子機器として、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像記憶装置または画像再生装置、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図１３に示す。
【０３０３】
図１３（Ａ）はナビゲーションシステムであり、筐体９７１、表示部９７３、操作キー９７４等を有する。表示部９７３にはタッチセンサが設けられ、主な入力操作を行うことができる。本発明の一態様の画像表示システムにおいて１３（Ａ）に示したナビゲーションシステムを端末１１０として用いることで、車内でも、画像情報Ｄ１および画像情報Ｄ２のやり取りを行うことができる。
【０３０４】
図１３（Ｂ）は、折り畳み可能な電子機器であり、筐体９０１ａ、筐体９０１ｂ、ヒンジ９０３、表示部９０２等を有する。表示部９０２は筐体９０１ａ及び筐体９０１ｂに、組み込まれている。
【０３０５】
筐体９０１ａと筐体９０１ｂとは、ヒンジ９０３で回転可能に連結されている。電子機器９００は、筐体９０１ａと筐体９０１ｂとが閉じた状態と、開いた状態と、に変形することができる。これにより、持ち運ぶ際には可搬性に優れ、使用するときには大きな表示領域により、視認性に優れる。
【０３０６】
また、ヒンジ９０３は、筐体９０１ａと筐体９０１ｂとを開いたときに、これらの角度が所定の角度よりも大きい角度にならないように、ロック機構を有することが好ましい。例えば、ロックがかかる（それ以上に開かない）角度は、９０度以上１８０度未満であることが好ましく、代表的には、９０度、１２０度、１３５度、または１５０度、１７５度などとすることができる。これにより、利便性、安全性、及び信頼性を高めることができる。
【０３０７】
表示部９０２は、タッチパネルとして機能し、指やスタイラスなどにより操作することができる。
【０３０８】
筐体９０１ａまたは筐体９０１ｂのいずれか一には、無線通信モジュールが設けられ、インターネットやＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｗｉ−Ｆｉ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｆｉｄｅｌｉｔｙ：登録商標）などのコンピュータネットワークを介して、データを送受信することが可能である。
【０３０９】
表示部９０２には、一つのフレキシブルディスプレイで構成されていることが好ましい。これにより、筐体９０１ａと筐体９０１ｂの間で途切れることのない連続した表示を行うことができる。なお、筐体９０１ａと筐体９０１ｂのそれぞれに、ディスプレイが設けられる構成としてもよい。
【０３１０】
本発明の一態様の画像表示システムにおいて、図１３（Ｂ）に示した携帯型ゲーム機を端末１１０として用いることで、複数の画像情報Ｄ１に基づく画像を同時に表示することができる。
【０３１１】
図１３（Ｃ）はデジタルカメラであり、筐体９６１、シャッターボタン９６２、マイク９６３、スピーカ９６７、表示部９６５、操作キー等を有する。本発明の一態様の画像表示システムにおいて、図１３（Ｃ）に示したデジタルカメラを端末１１０として用いることで、当該デジタルカメラを用いて撮影した写真にコメント等を重ねて表示することができる。
【０３１２】
図１３（Ｄ）は腕時計型の情報端末であり、筐体９３１、表示部９３２、リストバンド９３３、操作用のボタン９３５、竜頭９３６、カメラ９３９等を有する。表示部９３２はタッチパネルとなっていてもよい。本発明の一態様の画像表示システムにおいて、図１３（Ｄ）に示した腕時計型の情報端末を端末１１０として用いることもできる。
【０３１３】
図１３（Ｅ）は携帯電話機の一例であり、筐体９５１、表示部９５２、操作ボタン９５３、外部接続ポート９５４、スピーカ９５５、マイク９５６、カメラ９５７等を有する。当該携帯電話機は、表示部９５２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部９５２に触れることで行うことができる。本発明の一態様の画像表示システムにおいて、図１３（Ｅ）に示した携帯電話機に本発明の一態様の表示システムを端末１１０として用いることもできる。
【０３１４】
図１３（Ｆ）は携帯データ端末であり、筐体９１１、表示部９１２、カメラ９１９等を有する。表示部９１２が有するタッチパネル機能により情報の入出力を行うことができる。本発明の一態様の画像表示システムにおいて、図１３（Ｆ）に示した携帯データ端末を端末１１０として用いることもできる。
【０３１５】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０３１６】
４０    画素アレイ
４５    画素ユニット
４６    画素
４６Ｂ    表示素子
４６Ｇ    表示素子
４６Ｒ    表示素子
４７    画素
４７Ｂ    表示素子
４７Ｇ    表示素子
４７Ｒ    表示素子
５５    光
１００    情報処理装置
１０１    演算装置
１０２    演算部
１０３    記憶部
１０４    伝送路
１０５    入出力インターフェース
１０９    入出力装置
１１０    端末
１１０ａ    端末
１１０ｂ    端末
１１０ｃ    端末
１１１    表示装置
１１２    入力装置
１１３    検知装置
１１４    通信装置
１１６    画素
１１７    画素
１２０    サーバ
１３０    電子黒板
１４１    カメラ
１４２    操作ボタン
１４３    スタイラス
１４４    表示領域
１４５    非表示領域
１６１    絶縁層
１６７    絶縁層
１７０    偏光板
１７１    着色層
１７２    遮光層
１７３ａ    配向膜
１７３ｂ    配向膜
１７４    着色層
１８１    接着層
１８２    接着層
１９１    導電層
１９２    ＥＬ層
１９３ａ    導電層
１９３ｂ    導電層
２０１    トランジスタ
２０１ａ    トランジスタ
２０１ｂ    トランジスタ
２０４    接続部
２０５    トランジスタ
２０６    トランジスタ
２０７    接続部
２０８    トランジスタ
２１１    絶縁層
２１２    絶縁層
２１３    絶縁層
２１４    絶縁層
２１５    絶縁層
２１６    絶縁層
２１７    絶縁層
２２０    絶縁層
２２１    導電層
２２２    導電層
２２３    導電層
２２４    導電層
２３１    半導体層
２４２    接続層
２４３    接続体
２５１    開口
２５２    接続部
３００    表示パネル
３００ａ    表示パネル
３００ｂ    表示パネル
３１１    電極
３１１ａ    導電層
３１１ｂ    導電層
３１２    液晶
３１３    導電層
３４０    液晶素子
３５０    接着層
３５１    基板
３６０    発光素子
３６０ｂ    発光素子
３６０ｇ    発光素子
３６０ｒ    発光素子
３６０ｗ    発光素子
３６１    基板
３６２    表示部
３６２ａ    表示部
３６２ｂ    表示部
３６４    回路
３６４ａ    回路
３６４ｂ    回路
３６５    配線
３６６    タッチセンサ
３７２    ＦＰＣ
３７３    ＩＣ
４００    表示装置
４１０    画素
４５１    開口
９０１ａ    筐体
９０１ｂ    筐体
９０２    表示部
９０３    ヒンジ
９１１    筐体
９１２    表示部
９１９    カメラ
９３１    筐体
９３２    表示部
９３３    リストバンド
９３５    ボタン
９３６    竜頭
９３９    カメラ
９５１    筐体
９５２    表示部
９５３    操作ボタン
９５４    外部接続ポート
９５５    スピーカ
９５６    マイク
９５７    カメラ
９６１    筐体
９６２    シャッターボタン
９６３    マイク
９６５    表示部
９６７    スピーカ
９７１    筐体
９７３    表示部
９７４    操作キー
【図１】
2018073306.tif 000003
【図２】
2018073306.tif 000004
【図３】
2018073306.tif 000005
【図４】
2018073306.tif 000006
【図５】
2018073306.tif 000007
【図６】
2018073306.tif 000008
【図７】
2018073306.tif 000009
【図８】
2018073306.tif 000010
【図９】
2018073306.tif 000011
【図１０】
2018073306.tif 000012
【図１１】
2018073306.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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