(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の周辺領域に存在する段差の位置よりも外周側の領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生を防止する。【解決手段】周辺領域に段差２２を有する基板の上にインプリント材８のパターンを形成するインプリント方法において、前記基板の前記段差２２の位置に基づいて、前記基板の前記段差２２の位置よりも外周の側の領域にインプリント材８が配置されないように前記基板の上にインプリント材８を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程と、前記制御情報に基づいて前記基板の上にインプリント材８を配置する配置工程と、前記基板の上のインプリント材８に型を接触させ該インプリント材を硬化させる硬化工程と、を含む。【選択図】図１４
2018073989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺領域に段差を有する基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板の前記段差の位置に基づいて、前記基板の前記段差の位置よりも前記基板の外周側の領域にインプリント材が配置されないように前記基板の上にインプリント材を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程と、
前記制御情報に基づいて前記基板の上にインプリント材を配置する配置工程と、
前記基板の上のインプリント材に型を接触させ該インプリント材を硬化させる硬化工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記基板は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配置された層とを含み、
前記段差は、前記層の側面によって構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記制御情報は、インプリント材を配置すべき領域を示す情報を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記制御情報は、インプリント材を配置すべき複数の位置を示すマップを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記段差の位置を取得する取得工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記取得工程は、前記段差の位置を計測する計測工程を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記計測工程は、インプリント装置に設けられた計測器によって実施される、
ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記計測器は、前記型を介して前記基板を観察するための顕微鏡を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記計測工程は、前記基板の複数のショット領域の位置を特定するためのグローバルアライメント計測の際に実施される、
ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記段差は、前記基板のエッジに沿った円を構成するように配置され、
前記計測工程では、前記基板の少なくとも３箇所で前記段差の位置を検出することによって前記基板における前記円の位置を計測する、
ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
周辺領域に段差を有する基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板の上にインプリント材を供給する供給部と、
前記基板の前記段差の位置に基づいて、前記基板の前記段差の位置よりも前記基板の外周側の領域にインプリント材が配置されないように、前記供給部による前記基板の上へのインプリント材の供給を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
前記基板の前記段差の位置を計測する計測器を備え、
前記制御部は、該計測器の計測結果に基づいて、前記供給部による前記基板の上へのインプリント材の供給を制御することを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント方法により基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載のインプリント装置により基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新たなリソグラフィー技術として、基板の上にインプリント材を配置し、インプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって基板の上に型のパターンを転写するインプリント技術が注目されている。型は、モールドまたはテンプレートとも呼ばれる。インプリント技術では、基板の上の適切な位置にインプリント材を配置することが重要である。
【０００３】
特許文献１には、滴下制御装置と、インクジェットヘッドと、ステージと、光源とを備えるインプリント装置が記載されている。特許文献１のインプリント装置は、インプリント材を基板上に滴下するとともにテンプレートを基板に押し付けて基板上にテンプレートのパターンを形成する。特許文献１のインプリント装置では、ステージに対するテンプレートの位置ずれ量と、ステージの移動方向に対するインクジェットヘッドのノズル列の位置ずれ量とが補正されるようにステージの移動方向およびインプリント材の吐出量が制御される。
【０００４】
特許文献２には、モールドを用いて基板上に供給されたインプリント材を成形するインプリント装置が記載されている。特許文献２のインプリント装置は、インプリント材の液滴を吐出する複数のノズルを有し、基板上に供給させるべきインプリント材の配置を示すマップに従って各ノズルにおける液滴の吐出を制御する。このマップは、モールドを用いて成形されるインプリント材の厚さが許容範囲に収まるように更新される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−６９７５８号公報
【特許文献２】特開２０１５−２１３１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インプリント装置では、一般に、基板のエッジから一定幅の部分の層を除去する処理がなされた基板がインプリント装置に送り込まれうる。この処理は、エッジビード除去（ＥＢＲ）処理と呼ばれる。ＥＢＲ処理では、基板を回転させながら基板の外周部に溶剤を供給することによって基板のエッジから一定幅の部分の層が除去されうる。ＥＢＲ処理によって基板の上に形成される段差は、ＥＢＲ段差と呼ばれうる。
【０００７】
ＥＢＲ処理によって形成されるＥＢＲ段差が目標位置から大きくずれると、インプリント装置において基板における周辺領域にパターンを形成する際に、ＥＢＲ段差の外側領域（ＥＢＲ段差と基板のエッジとの間の領域）にインプリント材が供給されうる。この場合、ショット領域に正常にパターンが形成されない可能性がある。また、ＥＢＲ段差の位置よりも外周側の領域に供給されたインプリント材が揮発して型に付着し、その後に硬化すると、後のインプリント処理においてパターン欠陥を発生させたり、基板の上のインプリント材に型を接触させた際に型を破損させたりする可能性がある。
【０００８】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、基板の周辺領域に存在する段差の位置よりも外周側の領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの側面は、周辺領域に段差を有する基板の上にインプリント材によってパターンを形成するインプリント方法に係り、前記インプリント方法は、前記基板の前記段差の位置に基づいて、前記基板の前記段差の位置よりも前記基板の外周側の領域にインプリント材が配置されないように前記基板の上にインプリント材を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程と、前記制御情報に基づいて前記基板の上にインプリント材を配置する配置工程と、前記基板の上のインプリント材に型を接触させ該インプリント材を硬化させる硬化工程とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の周辺領域に存在する段差の外側領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図２】ＥＢＲ段差を説明する図。
【図３】ＥＢＲ段差を説明する図。
【図４】ＥＢＲ段差を説明する図。
【図５】ＥＢＲ段差を説明する図。
【図６】ＥＢＲ段差のずれに起因する問題を説明する図。
【図７】ＥＢＲ段差のずれに起因する問題を説明する図。
【図８】本発明の一実施形態のインプリント方法の手順を説明する図。
【図９】本発明の一実施形態の他のインプリント方法の手順を説明する図。
【図１０】ＥＢＲ段差の位置を求める方法を例示する図。
【図１１】ＥＢＲ段差の位置の計測とパターン形成とを並行して実施可能なインプリント装置の構成を例示する図。
【図１２】ＥＢＲ段差の位置の計測とパターン形成とを並行して実施する方法を例示する図。
【図１３】基板のエッジ、ＥＢＲ段差およびショットレイアウトの関係を例示する図。
【図１４】マップの補正を説明するための図。
【図１５】基板駆動機構による基板の駆動速度とインプリント材（液滴）の間隔との関係（ａ）、および、インプリント材を吐出するための駆動素子の駆動周波数とインプリント材（液滴）の間隔との関係（ｂ）を例示する図。
【図１６】マップの補正を説明するための図。
【図１７】マップの補正を説明するための図。
【図１８】物品製造方法を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１３】
図１には、本発明の一実施形態のインプリント装置１００の構成が示されている。インプリント装置１００は、基板３の上にインプリント材８のパターンを形成するインプリント方法を実施する装置である。インプリント材８としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。
【００１４】
非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、吐出部１１により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板３は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１５】
本明細書および添付図面では、基板３の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。
【００１６】
インプリント装置１００は、例えば、基板３を保持し駆動する基板駆動機構４、型１を保持し駆動する型駆動機構２、硬化部７、供給部１１、計測器５、１５および制御部９を備えうる。基板駆動機構４および型駆動機構２は、基板３と型１との相対位置が調整されるように基板３および型１の少なくとも一方を駆動する駆動機構を構成する。基板駆動機構４は、基板３を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸）について駆動するように構成されうる。型駆動機構２は、型１を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。
【００１７】
計測器５は、基板３の周辺領域に存在するＥＢＲ段差等の段差の位置を計測するための装置である。計測器５は、例えば、顕微鏡を含みうる。あるいは、計測器５は、変位計などのセンサを含みうる。該センサは、非接触式であることが好ましい。計測器１５は、型１を介して計測対象物を計測するための装置である。計測器１５は、例えば、型１を介して基板３のアライメントマークを観察しつつ型１のアライメントマークを観察するための顕微鏡を含みうる。計測器１５は、基板３の周辺領域に存在するＥＢＲ段差等の段差の位置を計測するために使用されてもよい。硬化部７は、基板３の上のインプリント材８に対して、インプリント材８を硬化させるためのエネルギー（例えば、紫外線等の光）を供給する。
【００１８】
供給部１１（ディスペンサ）は、基板３の上にインプリント材８を供給あるいは配置する。供給部１１は、例えば、基板駆動機構４による基板３の駆動と同期してインプリント材８を吐出し、基板３上の目標位置にインプリント材８を供給あるいは配置する。型駆動機構２、計測器５、１５および硬化部７は、マウント１０を介して床によって支持された構造体６によって支持されうる。マウント１０は、床から構造体６への振動の伝達を遮断または低減するように構成される。
【００１９】
制御部９は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部９は、基板駆動機構４、型駆動機構２、硬化部７、供給部１１および計測器５、１５を制御する。制御部９は、例えば、インプリント装置１００が配置された工場の統括制御部にネットワークを介して接続されうる。
【００２０】
図２（ａ）には、基板３のエッジ２１（基板の外周）、ＥＢＲ段差２２およびショットレイアウト２９の関係が例示されている。ショットレイアウト２９は、複数のショット領域２８の配列によって構成されている。図２（ａ）では、簡単化のために、複数のショット領域２８の間のスクライブラインは図示が省略されている。ショット領域２８は、１回のインプリントによってパターンが形成される領域である。インプリントとは、基板３の上のインプリント材８に型１を接触させインプリント材８を硬化させる動作である。ショット領域２８は、少なくとも１つのチップ領域を含み、典型的には複数のチップ領域を含む。
【００２１】
基板３のＥＢＲ段差２２の位置よりも外周側（外側）の領域（以下、外側領域）に食み出した領域を有するショット領域は、欠けショット領域である。欠けショット領域は、少なくとも１つのチップ領域を含みうる。基板３のＥＢＲ段差２２の外側領域に食み出していないショット領域は、非欠けショット領域（あるいは、完全ショット領域）である。
【００２２】
インプリントによってパターンが形成される領域は、ＥＢＲ段差２２の内側領域である。欠けショット領域にインプリントによってパターンを形成する場合は、ＥＢＲ段差２２の内側領域にのみインプリント材が配置されるべきである。ＥＢＲ段差２２の外側領域にインプリント材が配置されると、そのインプリント材は、異物となってしまうだけでなく、インプリント装置内をケミカル汚染したり、型１に付着することによってパターン欠陥を引き起こしたりし、型１を破損させたりしうる。
【００２３】
図２（ｂ）、（ｃ）は、図２（ａ）の部分２３を拡大した図である。図２（ｂ）には、欠けショット領域２４にパターンを形成するために欠けショット領域２４にインプリント材８（の液滴）が配置された様子が模式的に示されている。図２（ｃ）には、非欠けショット領域２５にパターンを形成するために欠けショット領域２４にインプリント材８（の液滴）が配置された様子が模式的に示されている。インプリント材８の配置は、ショット領域の形状、型１のパターンの幅および密度等に応じて決定されうる。
【００２４】
図３を参照しながらＥＢＲ段差２２について説明する。図３（ａ）には、ＥＢＲ処理が模式的に示されている。基板３は、半導体基板３５と、半導体基板３５の上に配置された１又は複数の層３３、３４とで構成されうる。図３（ａ）の例では、半導体基板３５の上に複数の３３、３４が存在する。半導体基板３５は、有効領域３６と、有効領域３６の外側領域である無効領域３７とを有する。有効領域３６は、インプリントによってパターンを形成することができる領域であり、無効領域３７は、インプリントによってパターンを形成することができない領域である。半導体基板３５の無効領域３７における層３３、３４は、ＥＢＲ装置において除去される。ＥＢＲ装置は、例えば、基板３を保持するチャックを回転させることによって基板３を回転させながら半導体基板３５の無効領域３７にノズル３１から薬液３２を供給することによって、無効領域３７内の層３３、３４を除去する。これにより、無効領域３７内の層３３、３４が除去され、ＥＢＲ段差２２を有する基板３が得られる。ＥＢＲ段差２２は、層３３、３４の側面ＳＳによって構成される。ここで、ＥＢＲ段差２２は、有効領域３６と無効領域３７との境界として理解されうるが、ＥＢＲ段差２２より所定距離だけ内側の位置に有効領域３６と無効領域３７との境界が定められてもよい。ＥＢＲ段差２２は、基板３の周辺領域３８に存在する段差である。
【００２５】
基板３（半導体基板３５）のエッジ２１とＥＢＲ段差２２との間の距離（ＥＢＲ処理による層の除去幅）は、プロセス条件に応じて決定されうる。ＥＢＲ段差２２は、典型的には、円形である。ＥＢＲ装置によって形成されるＥＢＲ段差２２は、基板３の中心と同心の円形を有することが好ましい。しかしながら、例えば、ＥＢＲ装置への基板３の搬送精度が不十分であると、基板３の中心が基板３を保持するチャックの中心から偏芯し、これにより円形のＥＢＲ段差２２の中心が基板３の中心から偏芯する。あるいは、薬液３２を吐出するノズル３１の位置やＥＢＲ処理のノズル３１の圧力の設定が理想値からずれていると、円形のＥＢＲ段差２２の径が目標とするＥＢＲ段差の径からずれる。
【００２６】
図４（ａ）には、円形のＥＢＲ段差２２の中心４２が基板３の中心４１と一致している状態、即ち、円形のＥＢＲ段差２２と基板３のエッジ２１とが同心である状態が示されている。図４（ｂ）には、円形のＥＢＲ段差２２の中心４２が基板３の中心４１と一致していない状態、即ち、円形のＥＢＲ段差２２と基板３のエッジ２１とが同心ではない状態が示されている。図５には、円形のＥＢＲ段差２２の中心４２が基板３の中心４１と一致しているが、円形のＥＢＲ段差２２の径が目標とするＥＢＲ段差５１の径と異なる状態が例示されている。
【００２７】
図６には、実際のＥＢＲ段差２２が目標とするＥＢＲ段差５２の位置からずれた基板３に対してインプリントによってパターンを形成した場合に発生する問題が模式的に示されている。図６（ａ）のように、実際のＥＢＲ段差２２が目標とするＥＢＲ段差５２より内側（基板中心側）に位置する場合、供給部１１から吐出されるインプリント材８’は層３３、３４の上ではなく、半導体基板３５の上（ＥＢＲ段差２２の外側領域）に配置されうる。
【００２８】
半導体基板３５の上（ＥＢＲ段差２２の外側領域）に配置されたインプリント材８’は、層３３、３４の上のインプリント材８に型１を接触させる際に揮発してインプリント材８”として型１に付着しうる。層３３、３４の上のインプリント材８を硬化させるためにインプリント材８に対して硬化部７によってエネルギーが照射されると、インプリント材８とともにインプリント材８”も硬化しうる。硬化したインプリント材８”は、異物として型１に残ってしまう。
【００２９】
例えば、図７（ａ）に示される欠けショット領域８１に対するパターン形成の後に非欠けショット領域８２に対するパターン形成を行う場合を考える。この場合、欠けショット領域８１に対するパターン形成の際にインプリント材８”が型１に付着し硬化し、非欠けショット領域８２に対するパターン形成の際に、そのインプリント材８”が非欠けショット領域８２に異物として付着しうる。一例において、複数の異物８”が円弧状に並ぶようにショット領域に配置されうる。型１に付着し固化したインプリント材８”は、他のショット領域に対するパターン形成においても該他のショット領域に異物として付着しうる。
【００３０】
以上のような問題を解決するために、本実施形態のインプリント装置１００では、ＥＢＲ段差２２の外側領域にインプリント材８が配置されないように供給部１１による基板３へのインプリント材８の供給が制御される。図８には、インプリント装置１００において実行されるインプリント方法の手順が示されている。図８に示されるインプリント方法は、制御部９によって制御されうる。ここでは、基板３がＥＢＲ段差２２を有する例を説明するが、本発明は、基板３がその周辺領域に他の段差を有する場合にも適用されうる。
【００３１】
まず、工程Ｓ９０１（搬送工程）では、制御部９は、不図示の搬送機構を制御して、基板３を基板駆動機構４の基板チャックに搬送させ、該基板チャックに保持させる。工程Ｓ９０２（取得工程）では、制御部９は、ＥＢＲ段差２２の位置を示す情報を取得する。制御部９は、例えば、計測器５を使ってＥＢＲ段差２２の位置を計測するための計測工程を実施することによってＥＢＲ段差２２の位置を取得することができる。あるいは、制御部９は、アライメントマークの位置を計測するための計測器１５を使ってＥＢＲ段差２２の位置を計測するための計測工程を実施することによってＥＢＲ段差２２の位置を取得することができる。あるいは、制御部９は、他の装置からＥＢＲ段差２２の位置を示す情報を受信することによって該情報を取得してもよい。
【００３２】
計測器５または１５を使ってＥＢＲ段差２２の位置を示す情報を取得する場合、制御部９は、基板３の複数のショット領域の位置を特定するためのグローバルアライメント計測において該情報を取得してもよい。ここで、グローバルアライメント計測は、基板３の複数のショット領域から選択される複数のサンプルショット領域の位置を計測器１５によって計測し、その結果に基づいて基板３の複数のショット領域の位置を特定する処理である。複数のサンプルショット領域を計測器１５によって計測するために基板駆動機構４によって基板３を駆動する経路中にＥＢＲ段差２２の位置を計測するための経由位置を含めることが好ましい。つまり、グローバルアライメント計測の際にＥＢＲ段差２２の計測が実施されうる。ここで、基板３を駆動する経路がなるべく短くなるように該経路を決定することが好ましい。これにより、グローバルアライメント計測およびＥＢＲ段差２２の位置の計測を別個に実施する場合よりも、グローバルアライメント計測およびＥＢＲ段差２２の位置の計測に要する時間を短縮することができる。
【００３３】
工程Ｓ９０３（生成工程）では、制御部９は、工程Ｓ９０２で取得した情報（ＥＢＲ段差２２の位置）に基づいて、ＥＢＲ段差２２の外側領域にインプリント材が配置されないように基板３の上にインプリント材を配置する処理を制御する制御情報を生成する。ここで、制御情報は、インプリント材を配置すべき領域を示す情報、および／または、インプリント材を配置すべき複数の位置を示すマップを含みうる。
【００３４】
工程Ｓ９０４（配置工程）では、制御部９は、欠けショット領域に対しては、工程Ｓ９０３で生成した制御情報に基づいて基板駆動機構４および供給部１１を制御することによって、基板３のインプリント対象のショット領域の上にインプリント材８を配置する。ここで、インプリント対象のショット領域は、インプリントによってパターンを形成すべきショット領域を意味する。  欠けショット領域には、設計上のショットレイアウトでは、非欠けショット領域であるが、目標とするＥＢＲ段差から実際のＥＢＲ段差２２がずれることによって欠けショット領域となるショット領域も含まれうる。工程Ｓ９０４（配置工程）では、非欠けショット領域については、工程Ｓ９０３で生成された制御情報に基づくことなく、即ち、ＥＢＲ段差２２の位置に基づくことなく、インプリント材の配置を制御する。
【００３５】
制御情報がインプリント材を配置すべき領域を示す情報である場合、制御部９は、該情報に基づいて、インプリント材を配置すべき領域内にのみインプリント材８が配置されるように基板駆動機構４および供給部１１を制御しうる。制御情報がマップである場合、制御部９は、該マップによって示される各位置にインプリント材８が配置されるように基板駆動機構４および供給部１１を制御しうる。
【００３６】
工程Ｓ９０５（接触工程）では、制御部９は、型駆動機構２を制御して、基板３のインプリント対象のショット領域の上のインプリント材８に型１を接触させる。これにより、型１のパターンを構成する凹部にインプリント材８が充填される。工程Ｓ９０６（硬化工程）では、制御部９は、硬化部７を制御して、インプリント材８を硬化させるためのエネルギーを基板３のインプリント対象のショット領域の上にインプリント材８に照射させる。これによって、インプリント対象のショット領域の上のインプリント材８が硬化する。工程Ｓ９０７（分離工程）では、制御部９は、型駆動機構２を制御して、インプリント対象のショット領域の上の硬化したインプリント材８から型１を分離させる。
【００３７】
工程Ｓ９０８では、制御部９は、基板３のインプリント対象の全てのショット領域に対するパターン形成が終了したかどうかを判断し、終了していれば工程Ｓ９０８に進む。一方、終了していなければ、工程Ｓ９０４に戻り、未処理のショット領域に対して工程Ｓ９０４〜Ｓ９０７を実施する。工程Ｓ９０９では、制御部９は、不図示の搬送機構を制御して、基板３を基板駆動機構４からインプリント装置１００の装置外へ搬出する。
【００３８】
図９には、インプリント装置１００において実行される他のインプリント方法の手順が示されている。図９に示されるインプリント方法は、制御部９によって制御されうる。ここでは、基板３がＥＢＲ段差２２を有する例を説明するが、本発明は、基板３がその周辺領域に他の段差を有する場合にも適用されうる。図９に示されたインプリント方法は、図８に示されたインプリント方法に対して工程Ｓ９１０（判断工程）および工程Ｓ９１１（警告工程）が付加されている。
【００３９】
工程Ｓ９１０（判断工程）は、工程Ｓ９０２と工程Ｓ９０３との間に挿入されている。工程Ｓ９１０では、工程Ｓ９０２で取得したＥＢＲ段差２２の位置が許容範囲内であるかどうかを判断し、ＥＢＲ段差２２の位置が許容範囲内である場合には、前述の工程Ｓ９０３〜工程Ｓ９０９を実行する。一方、ＥＢＲ段差２２の位置が許容範囲外である場合は、工程Ｓ９１１において警告を発した後に工程Ｓ９０９に進む。ＥＢＲ段差２２の位置が許容範囲内である場合は、ＥＢＲ段差２２の外側領域にインプリント材８が配置されないように基板３の上にインプリント材８を配置する処理を制御する制御情報を生成することによって、ＥＢＲ段差２２の位置のずれに対して対処する。一方、ＥＢＲ段差２２の位置が許容範囲外である場合は、そのような基板３に対してインプリント法によってパターンを形成しても無駄になるので、パターンを形成することなくインプリント装置１００から基板３が搬出される。ＥＢＲ段差２２の位置が許容範囲であるかどうかは、例えば、ＥＢＲ段差の目標位置からの実際のＥＢＲ段差２２のずれが予め設定された閾値以下であるかどうかを判断することによってなされうる。
【００４０】
以下、ＥＢＲ段差２２の位置を取得するための幾つかの方法を例示的に説明する。まず、計測器５が非接触型の変位計である例を説明する。この例では、基板駆動機構４によって基板３のＥＢＲ段差２２が計測器５の計測軸を横切るように基板３を移動させる。計測器５によって得られる変位の計測値が段差状に変化するときの基板３の位置に基づいてＥＢＲ段差２２の位置として取得するこができる。例えば、変位の計測値が閾値を越えたときの基板３の位置に基づいてＥＢＲ段差２２の位置を取得することができる。ＥＢＲ段差２２は、例えば５０〜１００ｎｍであり、閾値はこの範囲内で設定されうる。
【００４１】
次に、計測器５が顕微鏡である例を説明する。この例では、ＥＢＲ段差２２を含む領域を計測器５の視野内に収め、顕微鏡によってＥＢＲ段差２２を含む領域の画像を撮像する。そして、画像を処理することによって（例えば、輝度の変化に基づいて）ＥＢＲ段差２２の位置を取得することができる。ここで、顕微鏡によって得た画像と予め準備された基準画像との比較によってＥＢＲ段差２２を検出することができる。
【００４２】
ＥＢＲ段差２２は、その全周にわたって実際に計測されてもよいし、複数個所について実際に計測を行い、その結果に基づいて計算等によって求められてもよい。例えば、ＥＢＲ段差２２が円形である場合、少なくとも３箇所でＥＢＲ段差２２の位置を計測して、その結果に基づいて幾何学的な方法でＥＢＲ段差２２の中心位置および径を求めることができる。
【００４３】
ＥＢＲ段差２２は、図１０に例示されるように基板３にアライメントマークＡＭが存在する場合には、アライメントマークＡＭを基準としてＥＢＲ段差２２の位置が求められてよい。即ち、ＥＢＲ段差２２の位置は、アライメントマークＡＭに対する相対位置として求められてもよい。
【００４４】
ＥＢＲ段差２２の位置に計測するために要する時間が許容できない場合には、ＥＢＲ段差２２の計測とインプリント法によるパターンの形成とが並行して実施されてもよい。これは、図１１、図１２に示されるように、２つの基板駆動機構４を設け、一方の基板駆動機構４で１つの基板を駆動しながらＥＢＲ段差の位置を計測し、他方の基板駆動機構４で他の基板を駆動しながらパターンの形成を行うという方法によって達成されうる。
【００４５】
また、計測に要する時間の短縮を目的として、まず簡易的に数点でＥＢＲ段差の計測を行い、目標位置に対するＥＢＲ段差のずれが閾値を超えていたらより詳細にＥＢＲ段差の計測を行うという方法が採用されてもよい。複数の基板を処理する場合において、それらの間のばらつきが小さいことが保証されている場合、先頭の少なくとも１枚の基板についてＥＢＲ段差の計測を行ってその結果に基づいて制御情報を生成し、他の基板についてはＥＢＲ段差の計測を省略してもよい。例えば、複数の基板が同一の装置で同一ロットとして処理されたものである場合には、該複数の基板の間のばらつきが小さいことが保証されていると見做すことができる。
【００４６】
以下、ＥＢＲ段差２２の外側領域にインプリント材８が配置されないように基板３の上にインプリント材８を配置する処理を制御する制御情報を生成する生成工程（工程Ｓ９０３）の具体例を例示的に説明する。ここでは、供給部１１が複数の吐出口を有し、基板駆動機構４が基板３を移動させながら該複数の吐出口からインプリント材を吐出する方式によって基板３の上にインプリント材を配置する例を説明する。制御情報は、インプリント材（の液滴）を配置すべき複数の位置を示すマップを含みうる。１つのショット領域に配置すべきインプリント材の総量が多少増減しても問題がない場合は、オリジナルのマップにおけるインプリント材（の液滴）を配置すべき複数の位置を増減することによって、補正されたマップ（制御情報）を生成することができる。オリジナルのマップとは、例えば、外部装置または不図示のコンソールからインプリント装置１００に提供されるマップ（制御情報）である。
【００４７】
図１３には、基板３のエッジ２１、ＥＢＲ段差２２およびショットレイアウト２９の関係が例示されている。ショットレイアウト２９は、複数のショット領域２８の配列によって構成されている。図１３では、簡単化のために、複数のショット領域２８の間のスクライブラインは図示が省略されている。
【００４８】
図１４（ａ）には、図１３の欠けショット領域１３１、基板３のエッジ２１、ＥＢＲ段差２２が拡大して示されている。また、図１４（ａ）には、オリジナルのマップ（制御情報）ＭＰによって指定されるインプリント材８の配置例が黒のドットで示されている。図１４（ａ）は、ＥＢＲ段差２２が目標位置に一致している例である。この場合は、オリジナルのマップＭＰに従ってインプリント材８を配置すればよく、マップＭＰを補正して新たなマップを生成する必要はない。
【００４９】
図１４（ｂ）には、ＥＢＲ段差２２の位置が図１４（ａ）に示されたＥＢＲ段差２２よりも内側（基板３の中心側）に寄った状態が示されている。図１４（ｂ）に示された例では、ショット領域１３１に配置すべき複数のインプリント材８のうちの一部であるインプリント材８１がＥＢＲ段差２２の近傍または外側に配置されている。したがって、オリジナルのマップＭＰに従ってインプリント材８を配置すると、図６（ａ）を参照しながら説明したように、インプリント材８１がＥＢＲ段差２２の外側領域に配置され、パターン不良等を生じさせうる。そこで、制御部９は、オリジナルのマップ（制御情報）ＭＰを補正して新たなマップ（制御情報）ＭＰ’を生成する。具体的な例を挙げると、制御部９は、ＥＢＲ段差２２の外側領域に配置される可能性があるインプリント材８１（最も右側の列）をオリジナルのマップＭＰから削除することによって新たなマップＭＰ’を生成する。図１４（ｃ）は、制御部９は、ＥＢＲ段差２２の外側領域に配置される可能性があるインプリント材８１（最も右側の列）をオリジナルのマップＭＰから削除することによって生成された新たなマップＭＰ’が示されている。図１４（ｂ）、（ｃ）を参照して説明した方法は、ショット領域１３１に配置するインプリント材８の総量（例えば、液滴数）を増減させても問題が発生しない場合に有用である。
【００５０】
オリジナルのマップＭＰから液滴を削除ことによって補正されたマップＭＰ’を生成する方法では、インプリント材の不足によって未充填箇所が生じる可能性がある。また、オリジナルのマップＭＰに液滴を追加したりすることによって補正されたマップＭＰ’を生成する方法では、インプリント材が過剰なためにショット領域から食み出したりする可能性がある。
【００５１】
以下では、オリジナルのマップＭＰにおけるインプリント材の総量を維持しつつ補正されたマップＭＰ’を生成する方法を例示的に説明する。ここでは、インプリント材の液滴の間隔を規定するパラメータ値を変更することによってオリジナルのマップＭＰから補正されたマップＭＰ’を生成する２つの方法を例示的に説明する。
【００５２】
第１の例では、基板駆動機構４による基板３の駆動速度とインプリント材８の液滴の配置ピッチ（中心間距離）との関係に基づいて、オリジナルのマップＭＰから補正されたマップＭＰ’を生成する方法である。図１５（ａ）には、基板駆動機構４による基板３の駆動速度とインプリント材８（液滴）の間隔との関係が例示されている。
【００５３】
第２の例では、供給部１１の吐出口に設けられた駆動素子（例えば、圧電素子）の駆動周波数とインプリント材８の液滴の配置ピッチ（中心間距離）との関係に基づいて、オリジナルのマップＭＰから補正されたマップＭＰ’を生成する方法である。ここで、駆動素子は、吐出口からインプリント材を吐出するためのインプリント材を駆動する素子である。図１５（ｂ）には、駆動素子の駆動周波数とインプリント材８（液滴）の間隔との関係が例示されている。図１５（ａ）、（ｂ）に例示されるような関係は、実験又はシミュレーション等を通して取得可能である。
【００５４】
図１６（ａ）には、図１３の欠けショット領域１３１、基板３のエッジ２１、ＥＢＲ段差２２が拡大して示されている。また、図１６（ａ）には、オリジナルのマップ（制御情報）ＭＰによって指定されるインプリント材８の配置例が黒のドットで示されている。図１６（ａ）は、ＥＢＲ段差２２が目標位置に一致している例である。この場合は、オリジナルのマップＭＰに従ってインプリント材８を配置すればよく、マップＭＰを補正して新たなマップを生成する必要はない。図１６（ａ）の例示おいて、例えば、インプリント材８の配置ピッチＰを５０μｍとする。マップＭＰにおける最も右の列のインプリント材８とＥＢＲ段差２２との間には、例えば１０μｍの距離が設定され、これによりＥＢＲ段差２２の外側にインプリント材８が配置されることが防止される。
【００５５】
図１６（ｂ）には、ＥＢＲ段差２２の位置が図１６（ａ）に示されたＥＢＲ段差２２よりも内側（基板３の中央側）に寄った状態が示されている。図１６（ｂ）に示された例では、ショット領域１３１に配置すべき複数のインプリント材８のうちの一部であるインプリント材８１がＥＢＲ段差２２の近傍または外側に配置されている。したがって、オリジナルのマップＭＰに従ってインプリント材８を配置すると、図６（ａ）を参照しながら説明したように、インプリント材８１がＥＢＲ段差２２の外側領域に配置され、パターン不良等を生じさせうる。
【００５６】
ショット領域８１に配置するインプリント材８の総量を変更するべきではない場合、制御部９は、以下の式（１）に従って、補正された配置ピッチＰ’を計算することができる。
【００５７】
Ｐ’＝（Ｄ−ΔＤ）÷（Ｎ−１）  ・・・（１）
Ｐ’：補正後の配置ピッチ
Ｄ：ＥＢＲ段差２２の位置から最も遠い列の液滴の位置からＥＢＲ段差２２の目標位置までの距離
ΔＤ：：ＥＢＲ段差の目標位置からの実際のＥＢＲ段差２２の位置のずれ量
Ｎ：液滴の配置における列数
図１６（ｃ）には、補正された配置ピッチＰ’に従ったマップ、即ち、補正されたマップＭＰ’が示されている。制御部９は、補正された配置ピッチＰ’が得られるように、図１５（ａ）、（ｂ）の関係に基づいて基板駆動機構４による基板３の駆動速度または供給部１１における駆動素子の駆動周波数を変更する。これにより、補正されたマップＭＰ’に従った位置にインプリント材８の液滴が配置される。
【００５８】
以下、オリジナルのマップＭＰにおけるインプリント材の総量を維持しつつ補正されたマップＭＰ’を生成する他の方法を例示的に説明する。以下で説明される方法では、制御部９は、オリジナルのマップＭＰにおいてＥＢＲ段差２２の近傍または外側に配置される液滴の位置をＥＢＲ段差２２の内側にシフトさせることによって、補正されたマップＭＰ’を生成する。
【００５９】
図１７（ａ）には、図１３の欠けショット領域１３２、基板３のエッジ２１、ＥＢＲ段差２２が拡大して示されている。また、図１７（ａ）には、オリジナルのマップ（制御情報）ＭＰによって指定されるインプリント材８の配置例が黒のドットで示されている。図１７（ａ）の例では、ＥＢＲ段差２２ｍが目標位置Ｔから内側にずれている。よって、オリジナルのマップＭＰに従ってインプリント材８を配置すると、その一部がＥＢＲ段差２２ｍの外側領域に配置されうる。
【００６０】
そこで、図１７（ｂ）に例示されるように、制御部９は、オリジナルのマップＭＰにおいてＥＢＲ段差２２の近傍または外側に配置される液滴の位置をＥＢＲ段差２２ｍの内側にシフトさせることによって、補正されたマップＭＰ’を生成する。図１７（ｃ）には、図１７（ｂ）の一部が拡大して示されている。図１７（ｂ）、（ｃ）において、白丸はオリジナルのマップＭＰにおけるインプリント材の位置を示し、矢印は、インプリント材の配置位置のシフトを模式的に示している。シフトは、実際のＥＢＲ段差２２から所定距離内にインプリント材が配置されないようになされうる。
【００６１】
以上のように、本実施形態によれば、基板の周辺領域に存在する段差の外側領域にインプリント材が供給されることに起因する不具合の発生、例えば、パターン欠陥の発生や型の破損等を防止することができる。
【００６２】
以下、上記の実施形態の変形例を説明する。同一のロットを構成する複数の基板の先頭の少なくとも２枚の基板についてＥＢＲ段差の位置を計測した結果のばらつきが所定値以下であった場合、他の基板については、ＥＢＲ段差の位置を計測することなく、当該結果に基づいてパターン形成を行ってもよい。これにより、ＥＢＲ段差の位置の計測に要する時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【００６３】
ＥＢＲ段差の位置の計測結果をＥＢＲ段差に影響を与える装置（例えば、ＥＢＲ処理を行うＥＢＲ装置、ＥＢＲ装置に基板を搬送する搬送装置、それらを制御する制御装置）にフィードバックし、それによってＥＢＲ段差が形成される位置を調整してもよい。これにより、マップを補正する必要がなくなり、また、欠けショット領域の面積が複数のロット間で均一化されうる。フィードバックは、各基板のＥＢＲ段差の計測の度になされてもよいし、複数の基板の計測結果を統計処理した結果についてなされてもよい。
【００６４】
上記のようなインプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００６５】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００６６】
次に、物品製造方法を例示的に説明する。図１８（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００６７】
図１８（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１８（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００６８】
図１８（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００６９】
図１８（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１８（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１００：インプリント装置、１：型、２：型駆動機構、３：基板、４：基板駆動機構、５：計測器、６：構造体、７：硬化部、８：インプリント材、９：制御部、１１：供給部、１５：計測器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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