(57)【要約】本発明は１つの第１液体と少なくとも１つの第２液体とを用いて少なくともデイスク状対象物（ｄｉｓｋ−ｌｉｋｅ  ｏｂｊｅｃｔ）の規定されたエッジ領域内でデイスク状対象物を処置（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）する方法に関する。
2005519466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１液体と、少なくとも１つの第２液体と、を用いて少なくともデイスク状対象物の規定されたエッジ領域内でデイスク状対象物を処置するための方法であって、該第１液体が該第２液体と異なり、該方法が下記の連続する過程、すなわち、
１．１該デイスク状対象物をマスクの近くへ持って来る過程であるが、該マスクまでの距離ａ１が０ｍｍに等しいか又はそれより大きく、該マスクは該デイスク状対象物が処置されるべき該領域内で該デイスク状対象物と重なり合っている該過程と、
１．２該第１液体を、該第１液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域内に保持されるよう、適用する過程と、
１．３該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を距離ａ２まで増大する過程と、
１．４該デイスク状対象物上に残る第１液体の残分を除去する過程と、
１．５該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を距離ｂ１まで減じる過程と、
１．６該第２液体を、該第２液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域内に保持されるよう、適用する過程と、
１．７該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を距離ｂ２まで増大する過程と、
１．８該デイスク状対象物上に残る該第２液体の残分を除去する過程とからなることを特徴とする該方法。
【請求項２】
該第１液体が該デイスク状対象物から第１層を除去し、該第２液体がそのカバーされない表面を処置することを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
該第２液体が該カバーされない表面をエッチングすることを特徴とする請求項２の方法。
【請求項４】
該第２液体が該カバーされない表面を、下にある第２層が除去されるように、エッチングすることを特徴とする請求項３の方法。
【請求項５】
該距離ａ２又はｂ２が該距離ａ１又はｂ１の少なくとも１．５倍の大きさであることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項６】
該少なくとも２つの液体の少なくとも１つが該マスクから逸れた側部に適用され、該デイスク状対象物の周辺のエッジ付近に流れ、次いで該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域に浸透することを特徴とする請求項１の方法。
【請求項７】
少なくとも１層が少なくとも部分的に該マスクから逸れた側部上で除去されることを特徴とする請求項２の方法。
【請求項８】
１層の材料の少なくとも１つが、二酸化ケイ素｛熱酸化物、ＴＥＯＳ（オルトケイ酸エチル）｝、窒化ケイ素、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、コバルト、金、銀、白金、タングステン、ケイ化タングステン、ポリシリコン、銅、アルミニウム、ケイ酸塩ガラス｛フッ化ケイ酸塩ガラス、ホウ素ケイ酸塩ガラス（ＢＳＧ）、リンホウ素ケイ酸塩ガラス（ＰＢＳＧ）、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）、アンドープドケイ酸塩ガラス（ＵＳＧ）｝、チタン酸ホウ素ストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸鉛ジルコニウム（ＰＺＴ）、を含むグループから成ることを特徴とする請求項２の方法。
【請求項９】
１層の材料の少なくとも１つがチタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、コバルト、金、銀、白金、タングステン、ケイ化タングステン、ポリシリコン（多結晶質シリコン）、銅、アルミニウム、から成るグループのものであり、そしてもう１つの材料は窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ酸塩ガラスのグループからであることを特徴とする請求項８の方法。
【請求項１０】
該デイスク状対象物上に残る該第１エッチング溶液の残分を除去する該過程が該第１エッチング溶液の該残る残分が追い出される仕方で起こることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１１】
該デイスク状対象物上に残る該第１エッチング溶液の残分を除去する過程が液体で洗い流すことにより起こることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１２】
該マスクと該デイスク状対象物の間の該距離を増加する又は減じる過程が該デイスク状対象物を持ち上げる又は降下させる過程により起こることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１３】
該デイスク状対象物を該持ち上げる又は降下させる過程が、該マスクに面する該デイスク状対象物の表面がガスノズル経由の流れに抗する仕方で、すなわち該デイスク状対象物の該表面に垂直に作用する該ガス流れの速度成分に対し行われるそれぞれの変化により、起こることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１４】
該デイスク状対象物がエッチング処置中把持要素により該周辺の側部上で保持されることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１５】
該把持要素が該デイスク状対象物を持ち上げる及び降下させる間接触しないことを特徴とする請求項１４の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はデイスク状対象物（ｄｉｓｋ−ｌｉｋｅ  ｏｂｊｅｃｔ）、特にウエーハ（ｗａｆｅｒ）の主表面（ｍａｉｎ  ｓｕｒｆａｃｅ）の規定された領域（ｄｅｆｉｎｅｄ  ｒｅｇｉｏｎ）を湿式処置する方法（ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｗｅｔ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
デイスク状対象物、特にウエーハ、のエッジ（ｅｄｇｅ）に近い規定された部分を処置する理由は下記でより細かく詳細に説明される。
【０００３】
シリコンウエーハの様なウエーハは例えば全ての側部上に二酸化ケイ素のコーテイングを備えることが出来る。次の処理用［例えば、もし金層又はポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）｛多結晶質シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）｝層が付けられる筈であるなら］に、少なくとも主表面のエッジ領域の、場合によっては、その周辺の（ｃｉｒｃｕｍｆｅｒｅｎｔｉａｌ）表面範囲の領域及び／又は第２主表面の、現在あるコーテイングから該ウエーハをリリーブ（ｒｅｌｉｅｖｅ）することが必要である。これは特に、乾式エッチング法（ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄｓ）と湿式エッチング法（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄｓ）に分けられるエッチング法により行われる。該半導体基盤（ｓｅｍｉ−ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の主表面の或る領域から、前に電気メッキで付けられた金属（例えば銅）を除去することも又望ましい。この場合、この領域は該エッジに近いリング状の部分であるか、又は精密に、構造体が上に位置する｛デバイス側（ｄｅｖｉｃｅ  ｓｉｄｅ）｝、すなわち構造体が中に位置しない該主表面の領域、すなわちチップの無いゾーンであるか、何れかである。
【０００４】
該エッジに近い部分から層を除去する１つの理由は下記のようである。多種類の層が種々の処理で相互の上に付けられる。これらの層は又該ウエーハのエッジ領域をカバーする。該ウエーハの輸送中該ウエーハは前記エッジゾーンで多少とも固体的仕方でタッチされる。これは層の割れへ導く。かくして該ウエーハ表面を汚損する粒子が作られる。
【０００５】
本発明は層の湿式エッチングの様な液体でのデイスク状対象物の処置を目的とする。処置されるべきウエーハの表面部分は該処置液で加湿され（ｗｅｔｔｅｄ）、除去されるべき層又は不純物（ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ）は取り去られるか又はこの表面部分に層が付けられる。
【０００６】
液体での処置中、該デイスク状対象物は静止しているか又は回転する（例えば、それ自身の軸線の周りに）ことも出来る。
【０００７】
従って、本発明の目的はデイスク状対象物の表面上の規定された部分を処置する可能性を提供することである。又とりわけ、（該デイスク状対象物の外側エッジから測定して）２ｍｍ以上のエッジゾーンを処置することが可能であるべきである。もしこの場合領域が円形のラインで外方へ又は内方へ限定されるならば、これは未だ必ずしも必要でない。処置されるべき領域は多角形で限定されることも出来る。該デイスク状対象物が半導体ウエーハに関する時は、前記限定ラインはチップが配置される表面の領域｛”デバイス範囲（ｄｅｖｉｃｅ  ａｒｅａ）”｝に対応することが出来る。従って、外側のチップの無い領域が処置されるべきである。
【０００８】
更に、本発明の目的は、例えば、規定されたエッジ領域で該デイスク状対象物から２つ以上の層を除去するために、２つの又は幾つかの相互に異なる液体で規定された領域を続けて処置することである。これは、両層が同じエッチング用液体でアタック（ａｔｔａｃｋｅｄ）されない場合に特に問題である。該問題を説明するために下記の例を使用する。層Ａはシリコンウエーハのバルクのシリコン上に直接付けられた。層Ｂは層Ａ上に付けられた。層Ａは二酸化ケイ素で作られ、すなわちフッ化水素酸により相当アタックされる１層である。層Ｂは銅、すなわち強い酸化剤によってのみアタックされる層である。一方で、強い酸化剤は一般に二酸化ケイ素をアタックしない。他方、銅はフッ化水素酸により殆どアタックされない。
【０００９】
その最も一般的な実施態様では、本発明は第１液体と少なくとも１つの第２液体とで、少なくともデイスク状対象物の規定されたエッジ領域内でデイスク状対象物を処置する方法を提案するが、ここで該第１液体は該第２液体と異なる。
【００１０】
該２つの液体の間の差は成分又はそれらの濃度の選出により与えられ得る。
【００１１】
処置はここでは、例えば、湿式エッチング（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、湿式クリーン化（ｗｅｔ  ｃｌｅａｎｉｎｇ）又は電気化学処置｛ガルバニックエッチング（ｇａｌｖａｎｉｃ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、ガルバニックコーテイング（ｇａｌｖａｎｉｃ  ｃｏａｔｉｎｇ）（電気メッキ）｝も含めたもの、として理解される。その表面は表面的変化（酸化）により湿式の化学的仕方で処置される｛ｃａｎ  ｂｅ  ｔｒｅａｔｅｄ  ｉｎ  ｗｅｔ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｆａｓｈｉｏｎ  ｂｙ  ｓｕｐｅｒｆｉｃｉａｌ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ（ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）｝ことも可能である。
【００１２】
該方法は下記の連続的過程を含むが、それらは
・該デイスク状対象物はマスクの近くに持って来られ、該マスクまでの距離ａ１は０ｍｍに等しいかそれより大きく、該マスクは該デイスク状対象物が処置されるべき領域内では該デイスク状対象物と重なり合い、
・該第１液体を、該第１液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の領域内に保持されるよう、適用し、
・該マスクと該デイスク状対象物の間の距離を距離ａ２まで増加し、
・該デイスク状対象物上に残る該第１液体の残分（ｒｅｓｉｄｕｅｓ）を除去し、
・該マスクと該デイスク状対象物の間の距離を距離ｂ１まで減少させ、
・該第２液体を、該第２液体が該マスクと該デイスク状対象物の間の該領域内に保持されるよう、適用し、
・該マスクと該デイスク状対象物の間の距離を距離ｂ２まで増加し、
・該デイスク状対象物上に残る該第２液体の残分を除去する。
【００１３】
マスクで前に規定されたエッジ領域は１つの液体のみで処置され得たが、該方法は今度は該規定されたエッジ領域を幾つかの異なる液体ででも連続して処置する可能性を提供する。この方法は、前記異なる液体が相互に混合されない追加的利点を提供する。
【００１４】
該方法の実施態様では、該第１液体は該デイスク状対象物から第１層を除去し、該第２液体は該カバーされない表面を処置する。該第２液体は該カバーされない表面をエッチングすることが出来る。該カバーされない表面が更に第２層の表面である時、該第２液体は該カバーされない表面を、前記第２層が唯薄くされるよう或いは除去もされるよう、エッチングすることが出来る。
【００１５】
第１層のみならず第２層も含め両者が異なる材料の１つ又は幾つかの部分的層（ｐａｒｔｉａｌ  ｌａｙｅｒｓ）から成り得て、該部分的層の共通の側面はそれらが同じ液体（エッチング溶液）でエッチングされ得る、又は除去され得ることである。以前には１つのエッチング剤で除去され得る層の組合せをエッチングすることだけが可能であったが、本方法は今度は規定されたエッジ領域から、異なるエッチング溶液を要する層の組合せをも除去する可能性を提供する。
【００１６】
本方法の有利な実施態様に依れば、距離ａ２又はｂ２は距離ａ１又はｂ１の少なくとも１．５倍の大きさであるべきである（ａ２  ｏｒ  ｂ２  ｉｓ  ｔｏ  ｂｅ  ａｔ  ｌｅａｓｔ  ｏｎｅ  ａｎｄ  ａ  ｈａｌｆ  ｔｉｍｅｓ  ａｓ  ｌａｒｇｅ  ａｓ  ｔｈｅ  ｄｉｓｔａｎｃｅ  ａ１  ｏｒ  ｂ１  ）。かくして該デイスク状対象物と該マスクの間の毛管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）により保持される液体膜が破壊される確率はこの仕方で実質的に増加する。
【００１７】
本方法の更に進んだ実施態様では、該少なくとも２つのエッチング溶液の少なくとも１つは該マスクから逸れた側部に付けられ、該デイスク状対象物の周辺の側部上のエッジ付近を流れ、そして次いで該マスクと該デイスク状対象物の間の領域に浸透する（ｐｅｎｅｔｒａｔｅ）。この仕方で、該エッチング液体は該デイスク状対象物のエッジ全体上に均一に配分され得る。
【００１８】
又かくして該マスクからそれた該デイスク状対象物の側部上の少なくとも１層を少なくとも部分的に除去することが同時に可能である。
【００１９】
除去されるべき層の材料の少なくとも１つは下記のグループ、すなわち、二酸化ケイ素［熱酸化物（ｔｈｅｒｍａｌ  ｏｘｉｄｅ）、テーイーオーエス（ＴＥＯＳ）｛オルトケイ酸エチル（ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）｝］、窒化ケイ素、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、コバルト、金、銀、白金、タングステン、ケイ化タングステン、ポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）、銅、アルミニウム、ケイ酸塩ガラス［フッ化ケイ酸塩ガラス（ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）、ホウ素ケイ酸塩ガラス（ｂｏｒｏｎ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）｛ビーエスジー（ＢＳＧ）｝、リンホウ素ケイ酸塩ガラス｛ピービーエスジー（ＰＢＳＧ）｝、リンケイ酸塩ガラス｛ピーエスジー（ＰＳＧ）｝、アンドープドケイ酸塩ガラス（ｕｎｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）｛ユーエスジー（ＵＳＧ）｝］、チタン酸硼素ストロンチウム（ｂｏｒｏｎ  ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ）｛ビーエステー（ＢＳＴ）｝、チタン酸鉛ジルコニウム（ｌｅａｄ  ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ）｛ピーゼットテー（ＰＺＴ）｝、から成ることが出来る。
【００２０】
該材料の少なくとも１つは、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、コバルト、金、銀、白金、タングステン、ケイ化タングステン、ポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）、銅、アルミニウム、から成るグループから、そしてもう１つの材料は窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ酸塩ガラスのグループから選ばれることが出来る。１つのグループは酸化エッチング剤（ｏｘｉｄｉｚｉｎｇ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｒｅａｇｅｎｔｓ）で除去されるのが好ましい材料を含む。もう１つのグループはフッ化水素酸（ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ  ａｃｉｄ）を含むエッチング剤で除去される材料を含む。
【００２１】
有利な方法では、該デイスク状対象物上に残る第１エッチング溶液の残分（ｒｅｓｉｄｕｅｓ）の除去は該第１エッチング溶液の残る残分が落とされる（ｔｈｒｏｗｎ  ｏｆｆ）様な仕方で起こる。他の実施態様では、該デイスク状対象物上に残る該第１エッチング溶液の残分の除去は液体でリンス（ｒｉｎｓｉｎｇ）することにより起こる。両実施態様は、該デイスク状対象物の表面上のエッチング剤の残った残分により腐食（ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）が起こることを防止する。更に、キャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）と、該キャリアに組み合わされたウエーハと、が該全処置中に回転することも出来る。
【００２２】
該マスクと該デイスク状対象物の間の距離の増減は該デイスク状対象物を持ち上げる（ｌｉｆｔｉｎｇ）又は降下させる（ｌｏｗｅｒｉｎｇ）ことにより起こり得る。結果として、該マスクは該キャリアへ固定式に合体される得る。
【００２３】
有利な方法では、該デイスク状対象物を持ち上げる又は降下させることは該マスクに面する該デイスク状対象物の表面がガスノズルを介して吹き付けられる仕方で、すなわち、該デイスク状対象物の表面に垂直に作用するガス流れの速度成分のそれぞれの変化（ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅ  ｃｈａｎｇｅ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｓｐｅｅｄ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｇａｓ  ｓｔｒｅａｍ）を提供することにより、起こる。これは、該キャリアに面するデイスク状対象物の表面がタッチされる必要がない利点へ導く。代わりに、それは該マスクから遠く離れた浮遊状態（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ  ｓｔａｔｅ）に持ち込まれる。該デイスク状対象物の表面に垂直に作用するガス流れの速度成分の増加は種々の仕方で起こり得る。該デイスク状対象物の表面に対し傾斜した又は垂直な仕方で向けられた複数のガスノズルのガス流れが増加されるか、又は活動化されるのみでもよく、或いは該デイスク状対象物の表面に対し傾斜した仕方で向けられた複数のガスノズルの位置が、該ガスノズルが該デイスク状対象物の表面に向かってより急峻な仕方で向けられる様に、変更される。
【００２４】
本方法の実施態様では、該デイスク状対象物は該エッチング処置中周辺側部で把持要素（ｇｒａｓｐｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔｓ）により保持される。ここでは該デイスク状対象物を持ち上げることと降下させることは、該デイスク状対象物の該持ち上げと降下中に該把持要素が該対象物と接触しない様な方法で実現され得る。この目的で、該把持要素｛例えば、保持用ピン（ｈｏｌｄｉｎｇ  ｐｉｎｓ）｝は短時間に開かれ得る。
【００２５】
請求される方法が実行され得る装置は図７を参照して下記で説明される。該装置は基本ボデイ（ｂａｓｉｃ  ｂｏｄｙ）４とリング（ｒｉｎｇ）２から成るキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）１１｛チャック（ｃｈｕｃｋ）｝から成る。該リングはスペーサーボデイ（ｓｐａｃｅｒ  ｂｏｄｙ）４１により該基本ボデイから或る距離で該基本ボデイに締結（ｆａｓｔｅｎｅｄ）される。該リングの該ウエーハに面する表面は平面で、すなわち該ウエーハの主表面（ｍａｉｎ  ｓｕｒｆａｃｅ）に平行である。ピン３（保持用ピン）は該リング２に締結され、該リングは該キャリア１１の回転軸線Ａに対し半径方向に外方へ動かされ得て、該周辺側部で該ウエーハＷを囲むことが出来る。該ピン３は小さな円柱の形を備え、それらの軸線は該ウエーハの表面に垂直である。ガスノズル４６と４９内に開き、該キャリア１１に面するウエーハの表面に向かって面するガス導管（ｇａｓ  ｃｏｎｄｕｉｔｓ）４４と４５が該基本ボデイ４内に組み込まれる。該ノズル４６と４９は外方に傾斜した仕方で置かれる。更に内側に位置するノズル４９は、更に外側に位置するノズル４６より傾斜の少ない仕方で位置付けられており、それは、更に外側に位置するノズル４６の出て来るガス流れＧ１が、更に内側に位置するノズルの出て来るガス流れＧ２より平坦な角度で（ａｔ  ａ  ｆｌａｔｔｅｒ  ａｎｇｌｅ）該ウエーハ表面に衝突することを意味する。内側に位置するノズル４９のみならず外側に位置するノズル４６も含め両者がオプションとして、複数の円形に配置されたノズルか、又は環状ノズルの形か、何れかであることが出来る。
【００２６】
該内側上の該リング（マスク）の輪郭は通常円である。前記円は、該ウエーハの半径がエッチングされるべきウエーハのエッジ領域に対し幅広くあるべき程度に、より小さい半径を有する。いわゆるフラット（ｆｌａｔ）を含むウエーハのエッジがエッチングされるべきであり、該フラットのゾーン内の該エッジ領域が処置されるべき時、該マスクの輪郭はそれに従うよう選ばれねばならない。該方法が実行される時、該ウエーハがチャック上に、該ウエーハのフラットが該リングの内側輪郭の該フラットのゾーン内に入って来る様に、置かれる注意（ｎｏｔｉｃｅ）が払われねばならない。該処置中に該ウエーハが該リングに対しツイストすることを防止するために、該フラットの領域で該ウエーハにタッチする把持手段（保持用ピン）が提案される。前記把持手段は可動的又は固定的配備を備えることが出来る。
【００２７】
図７で説明される該装置は２つの実質的に異なる方法で運転され得る。第１の運転モードでは、外側ガス流れＧ１と内側ガス流れＧ２は相互に対し別々に活動化（ａｃｔｉｖａｔｅｄ）及び不活動化（ｄｅａｃｔｉｖａｔｅｄ）される。もし第１ガス流れＧ１のみが活動化されるなら、該ガスは領域４７上のみに流れる。ウエーハＷはほんの僅か持ち上げられ、かくしてマスク２とウエーハＷ間に小さな毛管状のギャップ（ｓｍａｌｌ  ｃａｐｉｌｌａｒｙ−ｌｉｋｅ  ｇａｐ）１５を作る。又例えばガス流れが全く活動化されず、その結果としてウエーハが該マスク（リング）上で休止することも可能である。もしこの第１運転状態で今液体が該ウエーハの上側上に適用されるなら、それは該ギャップ１５内へ引かれる。ガス流れＧ１に加えて又はそれに代わってガス流れＧ２が活動化されるなら、ガスは外側ノズル４６の外部の領域４７上にのみならず外側と内側のノズルの間の領域４８上にも流れる。前記第２運転状態の結果として、該ウエーハＷは点線で表される様に僅かに持ち上げられる。該ウエーハエッジは該ピン３の円柱面に沿って摺動するが、その目的には該ピンを１時的に僅かに開くことが必要である。該ウエーハの前記僅かな持ち上げは、マスクとウエーハの間のギャップ１５内の液体が最早毛管力により保持されないことを保証するのに充分である。液体はこの領域から除去され得て、それは該ガス流れで起こり、すなわち液滴（ｄｒｏｐｓ）は半径方向に外方へ吹き払われる。該液体の除去はキャリア１１全体が回転し、それと共に該ウエーハが回転する仕方でサポートされる。加えて、液体ライン２８を通して供給される洗い流し用液体（ｓｃｏｕｒｉｎｇ  ｌｉｑｕｉｄ）が該基本ボデイ４を通して、該キャリアに面するウエーハ表面上に導かれ、その結果ギャップ１５内にある液体が追加的に押し出される。前記洗い流し用液体も当然同様に除去される必要があり、それはそれを落とすことにより行われる。
【００２８】
第２の運転モードでは、ガス流れＧ１とＧ２の両者は一緒にスイッチされる。第１運転状態では第２運転状態に於けるより少ないガスが流れ、その結果ウエーハは第２運転状態の位置を取り、そこではマスク２までのその距離が第１運転状態に於けるより大きい。例えば該ウエーハＷのマスク２までの距離は第１運転状態では０．３ｍｍであり、第２では０．８ｍｍである。
【００２９】
本方法の起こり得る種々の実施例が図８及び図９で説明される。
【００３０】
図８ａから８ｄはウエーハの起こり得る処置段階を示す（断面で）が、該ウエーハはそのコア６０｛バルクのシリコン（ｂｕｌｋ  ｓｉｌｉｃｏｎ）｝（図８ａ）上に層６２を元々付けられていた。その後、前記層６２は、上側上、エッジ領域内そして該エッジに近いウエーハの下側の規定された領域内、で除去される。層６３（図８ｂ）が残る。カバーされない表面が今度は第２液体で処置される。それは、例えば、クリーン化されるか又はエッチングされる（図８Ｃのエッチングされた領域６４）か又は新層６７が付けられる（図８ｄ）。
【００３１】
図９ａから９ｅはウエーハの起こり得る処置段階を示す（断面で）が、そこでは２つの層（７０，７２）がそのコア６０（図９ａ）に元々付けられていた。その後該第１層は、その上側上、エッジ領域内そして該エッジに近い底部側の規定された領域内、で除去される。層７３は残り（図９ｂ）、従って層７０はカバーされずにある。今度は層７０のカバーされない表面が処置される。例えば、それはクリーン化されるか、エッチングされるか又は新層が付けられる（示されてない）。層７０のカバーされない表面がエッチングされると、それは薄くされるのみ（薄くされた領域７４、図９ｅ）か又は処置領域内で完全に除去され、層７１が残る（図９ｃ）。該処置される領域内の該２つの層７０，７２の除去後、今度は該カバーされない表面上に層７７を付けることが可能である（図９ｄ）。
【００３２】
該処理過程の起こり得るシーケンスの例は図１から６を参照して下記の様に説明され、すなわち
ａ）ウエーハが０−４０リットル／ｍｉｎのガス容積流量（ｇａｓ  ｖｏｌｕｍｅ  ｆｌｏｗ  ｒａｔｅ）（Ｇ１＋Ｇ２）を有するチャック上に置かれ、かくしてウエーハのマスクまでの０−０．３ｍｍの距離ａ１を生じる。該ウエーハは今は該マスク上に休止し、ガスクッション（ｇａｓ  ｃｕｓｈｉｏｎ）上に浮遊する。保持用ピン３が閉じられる。該ウエーハの前側（ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ）｛Ｗｆ、”デバイス側（ｄｅｖｉｃｅ  ｓｉｄｅ）”｝は該チャック又はリング２に面する。その距離は、該ウエーハと該マスクの間に浸透するエッチング液体がウエーハとマスクの相互重なりより先には何等浸透しない様に選ばれる。該距離が０ｍｍの時でも該エッチング液体はウエーハとマスクの間の領域に浸透し、それは該マスク及び／又は該ウエーハの表面粗さ（ｓｕｒｆａｃｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）によりもたらされる。
ｂ）該ウエーハを有する該チャックは３００ｒｐｍの速度で回転させられる。該ウエーハの後ろ側（ｒｅａｒ  ｓｉｄｅ）Ｗｂへの第１エッチング剤の適用。該エッチング剤は遠心力により該ウエーハのエッジまで、そのエッジの付近、そして部分的にＦ２として該ウエーハの前側Ｗｆ上まで流れるＦ２（図１）。該エッチング媒体の大部分Ｆ１は落とされる。該後ろ側、該ウエーハエッジ、そして該ウエーハとマスクが相互に重なり合う限りでの該前側、上で該第１エッチング剤で除去され得る全ての層は、すなわち点Ｐまで（領域ｄ）、除去される。該エッチング液体の１部は該ウエーハの該前側と該マスクの間の毛管状領域１５内に残る（図２）。
ｃ）該液体の適用は停止される。
ｄ）該ガス容積流量は１００−３００リットル／ｍｉｎまで増加され、かくして該ウエーハの該マスクまでの０．７−１．４ｍｍの距離ａ２を生じる。該保持用ピンを短時間開くことが必要である（図３）。マスク２と該ウエーハの該前側の間の液体膜は、液滴６で図解される様に、破壊される。
ｅ）第１エッチング液体は３０００ｒｐｍで落とされる。該ウエーハの前側と該マスクの間の毛管内に残る該エッチング液体の部分はかくしてこの領域から除去される。
ｆ）オプションとして、該エッチング液体の残分の除去を改良するために洗い流し用液体｛例えば、脱イオン水（ｄｅ−ｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）｝が該前及び／又は後ろ側上に適用され得る。該ウエーハと該マスクの間の距離が余り大きいので、それは毛管力によって間に保持されることはなく、従って容易に落とされ得る。この目的に必要な距離又はそれぞれのガス容積流量は実験的に決定出来る。
ｇ）該ガス容積流れは０−４０リットル／ｍｉｎまで減じられ、かくして該ウエーハの該マスクまでの０−０．３ｍｍの距離ｂ１を生じる。該ウエーハが降下するように該保持用ピンを短時間開く必要がある（図４と５）
ｈ）過程ｂ）−ｆ）の繰り返し（図４−６）。第１エッチング液体の代わりに、該第１のものと異なる第２エッチング液体が使用される。
ｉ）オプションとして、過程ｇ）の繰り返し及び続く過程ｂ）−ｆ）の繰り返し。該第２エッチング液体の代わりに該第２エッチング液体と異なる第３エッチング液体が使用される。第３エッチング液体は該第１エッチング液体と同様とすることが出来る。
ｊ）水の乾燥。
ｋ）該保持用ピンを開くこと及び該チャックからの該ウエーハの除去。
【００３３】
下記の２つの例は起こり得る層構造体｛スタック（ｓｔａｃｋ）｝と該層が除去され得るそれぞれのエッチング剤を示す。該層のシーケンスはここでは該層が除去されるシーケンスに依り選ばれる。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】ウエーハのエッジ付近及び前側での第１エッチング剤の流れを示す。
【図２】ウエーハの前側とマスクの間にエッチング液体が残ることを示す。
【図３】保持用ピンを短時間開くことを示す。
【図４−６】第２エッチング液体を用いた過程ｂ）−ｆ）の繰り返しを示す。
【図７】本発明の方法で用いられてもよい装置を示す。
【図８ａ−８ｄ】ウエーハの起こり得る処置段階を示す。
【図９ａ−９ｅ】ウエーハの起こり得る処置段階を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図９ｃ】
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【図９ｄ】
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【図９ｅ】
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【国際調査報告】
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