(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエーハの表面全体において緩やかに変化する凹凸をイメージすることができ、レーザー加工を実施する際の集光器の焦点位置を正確に位置付けることが可能なレーザー加工装置を提供する。【解決手段】制御手段は、該加工送り手段を作動して該保持手段に保持された該ウエーハの複数の所定位置を該高さ計測手段に位置付けて該所定位置の高さを計測し、該所定位置の高さをＸ座標、Ｙ座標に対応したＺ座標として記憶する座標記憶部と、Ｘ座標軸、Ｙ座標軸、Ｚ座標軸の３次元座標軸を該表示手段４７に表示すると共に該座標記憶部に記憶されている該複数の所定位置のＸ座標、Ｙ座標、Ｚ座標を該３次元座標軸に表して３次元グラフを作成するレーザー加工装置。【選択図】図５
2018058084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段に保持された該ウエーハの高さを計測する高さ計測手段と、該保持手段を該レーザー光線手段及び該高さ計測手段に対して相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向に加工送りする加工送り手段と、表示手段を含む制御手段と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置において、
該制御手段は、
該加工送り手段を作動して該保持手段に保持された該ウエーハの複数の所定位置を該高さ計測手段に位置付けて該所定位置の高さを計測し、該所定位置の高さをＸ座標、Ｙ座標に対応したＺ座標として記憶する座標記憶部と、
Ｘ座標軸、Ｙ座標軸、Ｚ座標軸の３次元座標軸を該表示手段に表示すると共に該座標記憶部に記憶されている該複数の所定位置のＸ座標、Ｙ座標、Ｚ座標を該３次元座標軸に表して３次元グラフを作成するレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの表面全体において緩やかに変化する凹凸を視覚的に確認することができるレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点が分割予定ラインの内部に位置付けられ分割予定ラインに沿って分割の起点となる改質層が内部に形成され、外力の付与によって個々のデバイスに分割されて携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される(例えば、特許文献１を参照。）。
【０００３】
改質層を形成するレーザー加工装置は、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する集光器を含むレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハの高さを計測する計測手段と、該保持手段を該レーザー光線照射手段及び該高さ計測手段とに対して相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向に加工送りする加工送り手段と、表示手段を含む制御手段と、から構成されていて、分割予定ラインの内部にレーザー光線の集光点を適正に位置付けることができる（例えば、特許文献２を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２００７−１５２３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した特許文献２に記載されたレーザー加工装置における高さ計測手段は、集光器の焦点位置をウエーハ内部に正確に位置付けるべく、各分割予定ラインのＸ座標位置、Ｙ座標位置に対応させて高さを計測するものであるが、ウエーハの表面全体において緩やかに変化する凹凸、所謂うねりを把握するものではなく、局所的に把握された高さの計測値のみに従って焦点位置を決定しているにすぎず、作業者がウエーハ表面全体のうねりを考慮していないことから、加工条件の設定を行う際にミスを招く虞があり、あるいは、設定ミスにより加工不良が発生しても、原因の発見が遅れたりする虞がある。また、加工不良によりウエーハの表面の凹凸が過剰に形成され、高さ計測値に基づいてウエーハが加工に適さないことが把握された場合も、ウエーハ全体で見たときに、どのようなうねりが形成されているのか視覚的にイメージすることできず、原因の究明に時間が掛かる等の問題がある。
【０００６】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの表面全体において緩やかに変化する凹凸をイメージすることができ、レーザー加工を実施する際の集光器の焦点位置を正確に位置付けることが可能なレーザー加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段に保持された該ウエーハの高さを計測する高さ計測手段と、該保持手段を該レーザー光線手段及び該高さ計測手段に対して相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向に加工送りする加工送り手段と、表示手段を含む制御手段と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置において、該制御手段は、該加工送り手段を作動して該保持手段に保持された該ウエーハの複数の所定位置を該高さ計測手段に位置付けて該所定位置の高さを計測し、該所定位置の高さをＸ座標、Ｙ座標に対応したＺ座標として記憶する座標記憶部と、Ｘ座標軸、Ｙ座標軸、Ｚ座標軸の３次元座標軸を該表示手段に表示すると共に該座標記憶部に記憶されている該複数の所定位置のＸ座標、Ｙ座標、Ｚ座標を該３次元座標軸に表して３次元グラフを作成するレーザー加工装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に基づき構成されるレーザー加工装置は、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段に保持された該ウエーハの高さを計測する高さ計測手段と、該保持手段を該レーザー光線手段及び該高さ計測手段に対して相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向に加工送りする加工送り手段と、表示手段を含む制御手段と、から少なくとも構成され、該制御手段は、該加工送り手段を作動して該保持手段に保持された該ウエーハの複数の所定位置を該高さ計測手段に位置付けて該所定位置の高さを計測し、該所定位置の高さをＸ座標、Ｙ座標に対応したＺ座標として記憶する座標記憶部と、Ｘ座標軸、Ｙ座標軸、Ｚ座標軸の３次元座標軸を該表示手段に表示すると共に該座標記憶部に記憶されている該複数の所定位置のＸ座標、Ｙ座標、Ｚ座標を該３次元座標軸に表して３次元グラフを作成するように構成されていることから、作業者がウエーハの表面全体の緩やかに変化する凹凸を視覚的に把握することができ、加工に適さないウエーハが発見された場合のウエーハ表面全体の状態から原因の究明を早期に実施することができ、加工不良の発生を全体的に低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に基づき構成されるレーザー加工装置の全体斜視図である。
【図２】図１に示されたレーザー加工装置に適用されたレーザー光線照射手段、及び高さ計測手段を説明するためのブロック図である。
【図３】本発明に高さ計測手段に適用される制御マップの一例を示す図面である。
【図４】制御手段の座標記憶部に記憶されたＸ座標、Ｙ座標に対応したＺ座標の値の一例を示す図である。
【図５】図１に示したレーザー加工装置の表示手段に表示される本発明に基づき作成された３次元グラフの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明によるレーザー加工装置について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
【００１１】
図１には、本発明に基づいて構成されるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置４０、および、被加工物としてのウエーハ１０の斜視図が示されている。被加工物としての該ウエーハ１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板からなり、略円板形状をなすウエーハ１０の表面には複数の分割予定ライン１２が格子状に形成されており、分割予定ライン１２によってウエーハ１０の表面が複数の領域に区画されている。該複数の領域のそれぞれには、デバイス１４が形成され、ウエーハ１０は、環状のフレームＦに外周が貼着された粘着テープＴに裏面側が貼り付けられ保持される。
【００１２】
図１に示すレーザー加工装置４０は、基台４１と、該被加工物を保持する保持機構４２と、保持機構４２を移動させる加工送り手段４３と、保持機構４２に保持される被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４４と、撮像手段４５と、基台４１の上面から上方に延び、次いで実質上水平に延びる該レーザー光線照射手段４４が内蔵された枠体４６と、後述するコンピュータにより構成される制御手段と、枠体４６上に載置され該制御手段に接続されて各種情報を表示する表示手段４７と、を備え、該制御手段により各手段が制御されるように構成されている。
【００１３】
保持機構４２は、Ｘ軸方向において移動自在に基台４１に搭載された矩形状のＸ軸方向可動板５１と、Ｙ軸方向において移動自在にＸ軸方向可動板５１に搭載された矩形状のＹ軸方向可動板５３と、Ｙ軸方向可動板５３の上面に固定された円筒状の支柱５０と、支柱５０の上端に固定された矩形状のカバー板５２とを含む。カバー板５２にはＹ軸方向に延びる長穴５２ａが形成されている。長穴５２ａを通って上方に延びる円形状の被加工物を直接的に保持する保持手段としてのチャックテーブル５４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック５６が配置されている。吸着チャック５６は、支柱５０を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。チャックテーブル５４の周縁には、周方向に間隔をおいて複数個のクランプ５８が配置されている。なお、Ｘ軸方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ軸方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ軸方向に直交する方向である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向で規定される平面は実質上水平である。
【００１４】
加工送り手段４３は、Ｘ軸方向移動手段６０と、Ｙ軸方向移動手段６５と、図示しない回転手段とを含む。Ｘ軸方向移動手段６０は、基台４１上においてＸ軸方向に延びるボールねじ６０ｂと、ボールねじ６０ｂの片端部に連結されたモータ６０ａとを有する。ボールねじ６０ｂの図示しないナット部は、Ｘ軸方向可動板５１の下面に固定されている。そしてＸ軸方向移動手段６０は、ボールねじ６０ｂによりモータ６０ａの回転運動を直線運動に変換してＸ軸方向可動板５１に伝達し、基台４１上の案内レール４３ａに沿ってＸ軸方向可動板５１をＸ軸方向において進退させる。Ｙ軸方向移動手段６５は、Ｘ軸方向可動板５１上においてＹ軸方向に延びるボールねじ６５ｂと、ボールねじ６５ｂの片端部に連結されたモータ６５ａとを有する。ボールねじ６５ｂの図示しないナット部は、Ｙ軸方向可動板５３の下面に固定されている。そして、Ｙ軸方向移動手段６５は、ボールねじ６５ｂによりモータ６５ａの回転運動を直線運動に変換し、Ｙ軸方向可動板５３に伝達し、Ｘ軸方向可動板５１上の案内レール５１ａに沿ってＹ軸方向可動板５３をＹ軸方向において進退させる。回転手段は、支柱５０に内蔵され支柱５０に対して吸着チャック５６を回転させる。
【００１５】
レーザー光線照射手段４４は、基台４１の上面から上方に延び、次いで実質上水平に延びる枠体４６に内蔵されている。該レーザー光線照射手段４４は、被加工物であるウエーハ１０の分割予定ライン１２の上面に沿って照射するものであり、チャックテーブル５４に保持されたウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハ１０の表面から所定の深さ位置に位置付けて照射し、分割予定ライン１２に沿って改質層を形成して分割起点とする形質層形成工程を実施するためのものである。
【００１６】
図２に基づいて、上記レーザー光線照射手段４４について、更に詳細に説明する。図示のレーザー光線照射手段４４は、上記枠体４６に内蔵されている。この枠体４６内には図２に示すように加工用パルスレーザー光線発振器４４ｃと、この加工用パルスレーザー光線発振器４４ｃが発振する加工用パルスレーザー光線をチャックテーブル５４に向けて透過させるダイクロイックミラー４４ｂと、該ダイクロイックミラー４４ｂを透過した加工用パルスレーザー光線を被加工物に対して集光する集光器４４ａとを備えている。該集光器４４ａは、ダイクロイックミラー４４ｂを透過したパルスレーザー光線を、ウエーハ１０に向けて方向を変換する反射ミラー４４ａ２と、加工用パルスレーザー光線を集光してウエーハ１０の内部に集光点を形成する対物集光レンズ４４ａ１から構成されている。加工用パルスレーザー光線発振器４４ｃは、例えば、被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を発振するものであり、被加工物がシリコン基板からなるウエーハである場合は、波長が１０６４ｎｍであるパルスレーザー光線を発振するＹＶＯ４パルスレーザー発振器或いはＹＡＧパルスレーザー発振器を用いることができる。なお、加工用パルスレーザー光線発振器４４ｃにおいて発振されるレーザー光線の波長は、基板を形成する部材に応じて適宜選択されるが、炭化珪素基板、リチウムタンタレート基板、ガラス基板或いは石英基板を含む基板であれば、波長が１０６４ｎｍであるパルスレーザーを用いることができる。なお、図示は省略するが、レーザー光線照射手段４４には、ウエーハ１０に対してレーザー光線を照射する際の集光点Ｐの上下方向の位置を調整するための集光点位置調整手段も備えられている。
【００１７】
図２を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置４０は、上記レーザー光線照射手段４４と共に、チャックテーブル５４に保持されたウエーハ１０の上面高さ位置を計測するための高さ計測手段７０を備えている。高さ計測手段７０は、所定の波長を有する光を発する発光源としての計測用レーザー光線を発振する計測用レーザー光線発振器７１と、該計測用レーザー光線発振器７１から発振された計測用のレーザー光線を上記ダイクロイックミラー４４ｂが配設された側の第１の経路７０ａに導くとともに、上記対物集光レンズ４４ａ１を通してチャックテーブル５４に保持されたウエーハ１０の上面に照射され反射した反射光を、対物集光レンズ４４ａ１、ダイクロイックミラー４４ｂを介して後述する受光素子７６ａ、７６ｂ側の第２の経路７０ｂに導く第１のビームスプリッター７２を備えている。
【００１８】
計測用レーザー光線発振器７１は、上記加工用パルスレーザー光線発振器４４ｃから発振される加工用パルスレーザー光線の波長と異なり、例えばシリコン基板からなるウエーハ１０に対して反射性を有する波長である、６３２ｎｍの計測用レーザー光線を発振するＨｅ−Ｎｅレーザー発振器を用いることができる。
【００１９】
第２の経路７０ｂには、該反射光の波長６３２ｎｍ以外の外光を除去するためのバンドパスフィルター７４が配設されている。バンドパスフィルター７４を通過した反射光は、第２のビームスプリッター７３により第３の経路７０ｃと第４の経路７０ｄに１：１の割合で均等に分岐させられる。第３の経路７０ｃの終端部には、第２のビームスプリッター７３によって分岐された反射光を集光する第１の集光レンズ７５ａと、該第１の集光レンズ７５ａによって集光された反射光を１００％受光する第１の受光素子７６ａが配設されており、第１の受光素子７６ａは、受光した光量に対応した電圧信号を制御手段２０に送る。また、第４の経路７０ｄの終端部には、第２のビームスプリッター７３によって分岐された反射光を集光する第２の集光レンズ７５ｂと、該第２の集光レンズ７５ｂによって集光された反射光の外側を遮光して反射光の中央部を帯状に通過させるスリット７７ａを備えたマスク７７と、該スリット７７ａを通過した反射光を受光する第２の受光素子７６ｂが配設され、第２の受光素子７６ｂは、受光した光量に対応した電圧信号を後述する制御手段２０に送る。なお、本実施形態では、高さ計測手段７０によりウエーハ１０に照射される計測用レーザー光線を、加工用パルスレーザー光線の照射に用いる対物集光レンズ４４ａ１を共用する形で使用し、計測用レーザー光線を照射する構成としたが、必ずしもこれに限定されず、計測用レーザー光線を照射するための専用の対物集光レンズを別途用意してもよく、その場合は、加工用パルスレーザー光線を照射するための対物集光レンズ４４ａ１のＸ軸方向に隣接させて配設するとよい。
【００２０】
制御手段２０は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略）。
【００２１】
上述した高さ計測手段７０の計測原理について以下に説明する。
計測用レーザー光線が対物集光レンズ４４ａ１から照射される際の集光点は、吸着チャック５６の表面から所定の基準位置であって、ウエーハ１０の表面から僅かに内側になるように位置付けられ、計測中にその位置が変化しない基準集光点Ｐ０に設定されている。ここで、第１の受光素子７６ａに受光される計測用レーザー光線の反射光は、第１の集光レンズ７５ａによって集光され、常に１００％受光されるので受光量は一定であり、第１の受光素子７６ａから出力される電圧値（Ｄ１）も一定（例えば１０Ｖ）となる。他方、第２の受光素子７６ｂによって受光される計測用レーザー光線の反射光は、第２の集光レンズ７５ｂによって集光された後、マスク７７のスリット７７ａによって通過できる反射光が規制されて、該スリット７７ａを通過できた反射光のみが第２の受光素子７６ｂで受光される。
【００２２】
ウエーハ１０の表面が、加工ばらつき等の原因で部分的に高くなり、基準集光点Ｐ０からウエーハ１０の表面までの距離が大きくなると、ウエーハ１０の表面に形成されるスポットの径が大きくなり、断面積の大きな反射光が形成される。この反射光は、ダイクロイックミラー４４ｂ、第１のビームスプリッター７２を経由して、第２のビームスプリッター７３で分離されるが、ウエーハ１０の表面の高さが高くなることにより反射光の断面積が大きくなるように変化しても、第１の受光素子７６ａでは１００％受光されるので出力される電圧値に変化が起きない。しかし、第２の受光素子７６ｂでは、スリット７７ａを通過できた反射光のみが受光されるため、出力される電圧値に変化が生じる。なお、スリット７７ａの幅は、ウエーハ１０の表面の高さ位置が、基準集光点Ｐ０と同一の高さ位置にある場合に、１００％通過でき、それよりも高い位置にある場合に、通過できる反射光が高さに応じて制限されるように設定されている。
【００２３】
より具体的に言えば、ウエーハ１０の表面の高さ位置が高いほどウエーハ１０上のスポット径が大きくなり、第４の経路７０ｄに分離された反射光の断面積も大きくなるため、該マスク７７のスリット７７ａにより遮蔽される割合が増大し、該スリット７７ａを通過できる反射光の割合が低下する。これにより、第２の受光素子７６ｂによって実際に受光される割合が低下し、出力される電圧値（Ｄ２）もそれに応じて低下する。即ち、基準集光点Ｐ０の位置に対するウエーハ１０の表面の位置が高くなるほど、第１の受光素子が出力する電圧値（Ｄ１）に対する第２の受光素子が出力する電圧値（Ｄ２）の値が低下し、Ｄ１／Ｄ２の値が大きくなるように変化する。
【００２４】
ここで、このＤ１／Ｄ２の値と、基準集光点Ｐ０からウエーハ１０の表面までの距離、すなわち、基準集光点Ｐ０の高さを基準（＝０）としたウエーハ１０の表面の高さを予め実験により検証し、図３に示すような制御マップを作成し、制御手段２０のリードオンリメモリ（ＲＯＭ）に記憶しておく。そして、Ｄ１／Ｄ２を求め、制御マップを参照することで、計測している所定位置の高さを把握することが可能となる。なお、高さ位置の基準となる基準集光点Ｐ０の位置は、ウエーハ１０の高さにばらつきがあっても、ウエーハ１０の表面よりも高い位置にならないような位置に設定される。
【００２５】
上述したレーザー加工装置４０を用い、上記ウエーハ１０の分割予定ライン１２に沿って高さを計測し、ウエーハ１０の内部に分割予定ライン１２に沿って改質層を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。
【００２６】
ウエーハ１０の高さを検出するためには、先ず上述した図１に示すレーザー加工装置４０のチャックテーブル５４の吸着チャック５６上に、粘着テープＴを介して環状のフレームＦに裏面が保持されたウエーハ１０を載置して吸引保持する。ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル５４は、加工送り手段４３によって撮像手段４５の直下に位置付けられる。
【００２７】
チャックテーブル５４が撮像手段４５の直下に位置付けられると、撮像手段４５および制御手段２０によってウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４５および制御手段２０は、ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１２と、該対物集光レンズ４４ａ１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、アライメントを遂行する。また、ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１２に対しても、同様にアライメントが遂行される。
【００２８】
そして、チャックテーブル５４上に保持されているウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１２を検出し、高さ計測位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル５４を移動して計測開始位置の分割予定ライン１２の一端を対物集光レンズ４４ａ１の直下に位置付ける。そして、集光点位置を、高さを計測する際の基準となる基準集光点Ｐ０に位置付け、高さ計測手段７０を作動して、計測用レーザー光線を照射しながら、チャックテーブル５４を矢印Ｘ（図面が記載された紙面に対して垂直な方向）で示す方向に移動し、加工送り終了位置まで移動する。この結果、ウエーハ１０の分割予定ライン１２における各所定位置に対応した第１の受光素子７６ａ、及び第２の受光素子７６ｂから出力される電圧値の比、Ｄ１／Ｄ２が得られる。Ｄ１／Ｄ２が得られたならば、その都度、図３に記載されたような制御マップを参照し、各所定位置における高さ（基準集光点Ｐ０からウエーハ１０の表面までの距離）が算出される。ここで算出された高さは、制御装置２０のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の記憶領域に形成されている座標記憶部に、分割予定ライン１２上の記所定位置のＸ座標、Ｙ座標に対応させられたＺ座標値として格納される（図４を参照。）。このようにして、ウエーハ１０に形成された全ての分割予定ライン１２沿って高さ計測工程を実施し、各分割予定ライン１２における全ての所定位置における高さ（Ｚ座標値）を測定して、制御手段２０のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の座標記憶部に格納する。
【００２９】
以上のようにしてウエーハ１０に形成された全ての分割予定ライン１２に沿って高さ計測工程を実施したならば、ウエーハ１０の内部に分割予定ライン１２に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施するが、この改質層形成工程を実施するに際し、制御手段２０はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の座標記憶部に格納されているウエーハ１０の分割予定ライン１２における高さのデータに基づいて、表示手段４７に図５に示すような３次元グラフを表示する。これにより、作業者は、ウエーハ１０の表面の凹凸を視覚によりイメージすることが可能となる。なお、この３次元グラフの表示を実行する際のＸ軸、Ｙ軸のスケールは、ウエーハ１０の直径(例えば８インチ）を基準に表示単位（ｉｎｃｈ）が調整され、Ｚ軸のスケールは、ウエーハ１０の高さの変化をより明確に把握し視認できる程度の単位（μｍ）に調整され表示される。ここでは、３次元グラフの典型的な例として、所謂メッシュグラフで表示した例を示すが、必ずしもメッシュグラフに限定されるわけではなく、色調の変化によりウエーハ１０の凹凸を表現する形式等、作業者がウエーハ１０の凹凸を視認できる形式であれば他の表示形式を採用することもできる。
【００３０】
ウエーハ１０の分割予定ライン１２に対して改質層形成工程を実施する場合は、概ね上述した計測用レーザー光線を照射する場合と同様の手順により加工用パルスレーザー光線を照射するため、詳細は省略するが、加工用パルスレーザー光線を照射する際には、上記した高さ計測手段７０により取得され、上記座標記憶部に記憶されたウエーハ１０の表面の高さのデータ（図４を参照。）に基づき、図示しない集光点位置調整手段を制御し、加工用パルスレーザー光線を照射する際の集光点位置を補正する。より具体的には、対物集光レンズ４４ａ１をウエーハ１０のストリート１２における高さ位置に対応して上下方向に移動させ、集光点がウエーハ１０の表面から常に一定の所定の深さになるように位置付け、ウエーハ１０の表面に平行な改質層が一定の深さで形成されるように制御する。なお、この時、表示手段４７に、現在レーザー光線が照射されている照射位置のウエーハ１０の表面の高さを示す数値だけでなく、図５に示すような、ウエーハ１０全体の凹凸を示す３次元グラフを表示し、現在加工されているウエーハ１０の分割予定ライン１２を図で示すような強調線Ｌで表示するようにしてもよく、種々の応用が可能である。
【００３１】
なお、本実施形態では、高さ計測手段７０が高さを計測する際の基準位置を、基準集光点Ｐ０としたが、高さを検出するための基準位置はこれに限定されず、吸着チャック５６の表面高さを基準にしてもよく、ウエーハ１０の表面の高さが変化しても、一定の値となる変化しない位置とするのであれば、いずれの位置を基準位置とすることができる。その場合は、基準位置に応じた制御マップを作成すればよい。
【００３２】
また、本実施形態では、高さ計測手段７０によりウエーハ１０の表面の高さを計測し、加工用パルスレーザー光線を照射して改質層を形成する工程を実施する前に、表示手段４７にウエーハ１０の高さを示す３次元グラフを表示させたが、３次元グラフを表示させるタイミングは作業者が任意に選択でき、例えば加工不良が生じた場合に表示させる等、その表示タイミングは限定されない。
【００３３】
さらに、本実施形態では、本発明の高さ計測手段７０が適用されたレーザー加工装置４０は、ウエーハ１０の内部に改質層を形成するレーザー加工装置である例を示したが、本発明はこれに限定されず、ウエーハ１０の表面の高さ位置を計測することが有益なレーザー加工装置であればいずれのレーザー加工装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１０：ウエーハ
１２：分割予定ライン
１４：デバイス
２０：制御装置
４０：レーザー加工装置
４２：保持手段
４３：加工送り手段
４４：レーザー光線照射手段
４７：表示手段
５４：チャックテーブル
５６：吸着チャック
７０：高さ計測手段
７１：Ｈｅ−Ｎｅレーザー発振器
７２：第１のビームスプリッター
７３：第２のビームスプリッター
７４：バンドパスフィルター
７５ａ：第１の集光レンズ
７５ｂ：第２の集光レンズ
７６ａ：第１の受光素子
７６ｂ：第２の受光素子
７７：マスク
７７ａ：スリット
【図１】
2018058084.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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