(57)【要約】光結合素子パッケージ（３０）を開示する。光結合素子パッケージは、キャリア基板（３２）と、キャリア基板上の複数の導電領域（４６）から成る。光結合デバイス（３８、４０）、光透過性媒体（４８）、および複数の導電構造（３４）がキャリア基板上に配置可能である。
2005502205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）複数の導電領域を含んだキャリア基板と、
ｂ）キャリア基板上の光エミッタデバイスと、
ｃ）キャリア基板上の光受信デバイスと、
ｄ）光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置される光透過性媒体と、
ｅ）キャリア基板の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田構造
とによって構成される光結合素子パッケージ。
【請求項２】
キャリア基板上において、光エミッタデバイスと光受信デバイスの周りに配置されたダム構造をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の光結合素子パッケージ。
【請求項３】
複数の半田構造におけるその各々の半田構造寸法は、光エミッタデバイスおよび光受信デバイスの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の光結合素子パッケージ。
【請求項４】
さらに、光透過性媒体上に反射性コーティングを施していることを特徴とする請求項１に記載の光結合素子パッケージ。
【請求項５】
キャリア基板上において、エミッタデバイスを複数の導電領域のうちの１つに連結する第１ワイヤと、光受信デバイスを導電領域のうちの１つに連結する第２ワイヤをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の光結合素子パッケージ。
【請求項６】
ａ）複数の導電領域を含んだキャリア基板と、
ｂ）キャリア基板上の光エミッタデバイスと、
ｃ）エミッタデバイスを複数の導電領域のうちの少なくともその１つに連結する第１ワイヤと、
ｄ）エミッタデバイスからの放射線を受け取るようにされた、キャリア基板上の光受信デバイスと、
ｅ）光受信デバイスを導電領域のうちの少なくともその１つに連結する第２ワイヤと、
ｆ）光エミッタデバイスおよび光受信デバイス上や、これらの間に配置される光透過性媒体と、
ｇ）複数の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田構造とによって構成され、該半田構造の各々が光受信デバイスおよび光エミッタデバイスの厚さよりも大きな寸法を有することを特徴とする
光結合素子パッケージ。
【請求項７】
光透過性媒体はシリコンからなることを特徴とする請求項６に記載の光結合素子パッケージ。
【請求項８】
複数の半田構造が、光エミッタデバイス、検出素子、および光透過性媒体の周りに配置されることを特徴とする請求項６に記載の光結合素子パッケージ。
【請求項９】
キャリア基板はセラミック材料からなることを特徴とする請求項６に記載の光結合素子パッケージ。
【請求項１０】
ａ）第１の複数導電領域から成る回路基板と、
ｂ）（ｉ）キャリア基板、（ｉｉ）キャリア基板上の第２の複数導電領域、（ｉｉｉ）キャリア基板上の光受信デバイス、（ｉｖ）キャリア基板上の光エミッタデバイス、（ｖ）光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置された光透過性媒体、（ｖｉ）キャリア基板の該第２複数導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田構造とにより構成されており、回路基板にマウントがなされる光結合素子パッケージとによって構成される光結合装置。
【請求項１１】
光透過性媒体と回路基板間にはギャップ（すき間）があることを特徴とする請求項１０に記載の光結合装置。
【請求項１２】
ａ）複数の導電領域を有するキャリア基板上に光エミッタデバイスをマウントし、
ｂ）キャリア基板上に光受信デバイスをマウントし、
ｃ）光エミッタデバイスおよび光受信デバイス上に光透過性媒体を形成し、そして
ｄ）キャリア基板の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に複数の半田構造を形成することから成る、
光結合素子パッケージを形成する方法。
【請求項１３】
複数の半田構造は半田ボールから成ることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
複数の半田構造の形成は、キャリア基板上の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に複数の半田デポジットを堆積させ、半田デポジットをリフローすることから成ることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ステップｄ）はステップｃ）の後に実行されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
ａ）請求項１２の方法に従って光結合素子パッケージを形成し、
ｂ）該光結合素子パッケージを回路基板にマウントする
ことから成る光結合装置を形成する方法。
【請求項１７】
ａ）複数の導電領域を含んだキャリア基板と、
ｂ）キャリア基板上の光エミッタデバイスと、
ｃ）キャリア基板上の光受信デバイスと、
ｄ）光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置された光透過性媒体と、
ｅ）キャリア基板の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上の複数の導電構造とによって構成される、回路構造にマウント可能である、
表面実装可能な光結合素子パッケージ。
【請求項１８】
複数の導電構造は複数の導電性カラムを含むことを特徴とする請求項１７に記載の表面実装可能な光結合素子パッケージ。
【請求項１９】
回路構造はプリント回路基板であることを特徴とする請求項１７に記載の表面実装可能な光結合素子パッケージ。
【請求項２０】
複数の導電構造のその各々の高さは、光エミッタデバイスおよび光受信デバイスよりも高いことを特徴とする請求項１７に記載の表面実装可能な光結合素子パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
光結合素子には、光透過性媒体によって光受信デバイスに光学的に連結した、少なくとも１つの光エミッタデバイスが含まれている。この構成により、光エミッタデバイスを含んだ１つの電気回路から、光受信デバイスを含んだ他の電気回路への情報通過が可能となっている。２つの回路間においては電気的遮へいが高度に維持されている。なぜならば、情報は絶縁ギャップを光学的に横断する一方向伝送であるからである。例えば、光受信デバイスは、光エミッタデバイスを含んだ回路動作を修正することは出来ない。このフューチャは重要である。なぜならば、例えば、エミッタはマイクロプロセッサもしくはロジックゲートを用いる低電圧回路にて駆動し、出力光受信デバイスは高電圧ＤＣもしくはＡＣ負荷回路の一部であるかもしれないためである。光学的な絶縁は、敵対行為の出力回路によって引き起こされる入力回路へのダメージを回避できる。
【０００２】
一般的な光結合素子パッケージのフォーマットはデュアルインラインパッケージ、すなわちＤＩＰである。このパッケージは集積回路のハウジングに広く利用されており、従来の光結合素子にも用いられている。４、６、８、あるいは１６ピンを有する様々な形態の光結合素子ＤＩＰパッケージが一般に製造されている。
【０００３】
図１は、従来の光結合素子ＤＩＰパッケージ１０の断面図である。図示を行った光結合素子１０はリード２４（ａ）、２４（ｂ）（すなわちピン）を有するリードフレーム２４を備える。光エミッタデバイス１２が一方のリード２４（ａ）に取り付けられている。光受信デバイス１４はもう一方のリード２４（ｂ）に取り付けられている。光受信デバイス１４は、光エミッタデバイス１２により生成された光を受け取った後、電気信号を生成する。光エミッタデバイス１２は、その低面よりリード２４（ａ）に電気的に連結を行っており、また、ワイヤ１１を介して他のリード（図示せず）に電気的に連結を行っている。同様に、光受信デバイス１４は、その低面よりリード２４（ｂ）に電気的に連結を行っており、また、ワイヤ１３を介して他のリード（図示せず）に電気的に連結を行っている。光エミッタデバイス１２はアノードおよびカソードの、２つの電気接続により作動することが従来技術において理解されよう。これらの接続はこのようにワイヤ１１とリード２４（ａ）によって成されている。同様に、光受信デバイス１４は一般的にエミッタおよびコレクタの２つの電気的接続により作動する。これら接続はワイヤ１３とリード２４（ｂ）によって成されている。光結合素子パッケージ１０にはさらに光透過性媒体１６が含まれる。成形コンパウンド１８が、リードフレーム２４、光エミッタデバイス１２、光受信デバイス１４、および光透過性媒体１６を封止している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１に示した光結合素子パッケージ１０に対する改善がいくつか可能である。例えば、光結合素子パッケージ１０は、費用および時間のかかるオーバーモールド工程を必要とする。オーバーモールド工程において、成形コンパウンド２６は光結合素子パッケージ１０の他の部分を封止する。オーバーモールド工程これ自体に加えて、余分な成形コンパウンド除去する目的にて成形材料除去工程（例えば、不純物除去工程および鋳ばり除去工程）が用いられるため、それが光結合素子パッケージの形成時間および費用に加算される。さらには、異なる「形状因子」（例えば４、６、あるいは８ピンのパッケージ）のモールド成形品を作り出すのに必要な金型にかなりの設備投資を要する。従って、オーバーモールディング工程を削除することが出来れば、光結合素子パッケージ製造に関わる時間およびコストを削減することが可能である。
【０００５】
光結合素子パッケージ１０への改善はまだ他にも可能である。光結合素子パッケージ１０は温度サイクリングにより故障する傾向がある。例えば、成形コンパウンド１８と光透過性媒体１６が加熱および冷却されると、これらは熱膨張特性における差によって異なる比率にて膨張と収縮を行う。成形コンパウンド１８と光透過性媒体１６は分離する可能性もあり、構造的に弱いパッケージとなる。温度サイクリングにおいてはまた、リードフレーム２４が成形コンパウンド１８を出るポイントにおいて（例えばポイント“Ａ”にて）応力が発生する。この応力により、リードフレームが損傷した、もしくは弱化したりする。また、ワイヤ１１、１３は成形コンパウンド１８および光透過性媒体１６を通ることがある。成形コンパウンド１８と光透過性媒体１６の熱膨張特性における差から、ワイヤ１１、１３に応力が生じ、これらを損傷する場合がある。
【０００６】
従来の光結合素子パッケージの高さを減じることもまた望ましい。図１に示した光結合素子パッケージ１０は比較的高い。例えば、一般的ＤＩＰパッケージの正味の高さは約３．５から４．０ｍｍである。光結合素子パッケージがより低形状となるよう、光結合素子パッケージの高さを減じることが望ましい。そうすることによって、より小型の電子部品を作り出すことが可能である。
【０００７】
本発明の実施形態はこれらおよび他の問題を個々にかつ集約的に解決に導くものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施形態を、光結合素子パッケージ、光結合素子アセンブリ、およびこれらを作り出す方法に導く。
【０００９】
本発明の一実施形態により、ａ）複数の導電領域を含んだキャリア基板と、ｂ）キャリア基板上の光エミッタデバイスと、ｃ）キャリア基板上の光受信デバイスと、ｄ）光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置される光透過性媒体と、ｅ）キャリア基板の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田構造とによって構成される光結合素子パッケージが提供される。
【００１０】
本発明のまた別の実施形態により、ａ）複数の導電領域を含んだキャリア基板と、ｂ）キャリア基板上の光エミッタデバイスと、ｃ）エミッタデバイスを複数の導電領域のうちの少なくともその１つに連結する第１ワイヤと、ｄ）エミッタデバイスからの放射線を受け取るようにされた、キャリア基板上の光受信デバイスと、ｅ）光受信デバイスを導電領域のうちの少なくともその１つに連結する第２ワイヤと、ｆ）光エミッタデバイスおよび光受信デバイス上や、これらの間に配置される光透過性媒体と、ｅ）各々の半田構造寸法が光受信デバイスおよび光エミッタデバイスの高さよりも大きい、複数の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田構造とによって構成される光結合素子パッケージが提供される。
【００１１】
本発明のまた別の実施形態により、ａ）第１の複数導電領域から成る回路基板と、ｂ）（ｉ）キャリア基板、（ｉｉ）キャリア基板上の第２の複数の導電領域、（ｉｉｉ）キャリア基板上の光受信デバイス、（ｉｖ）キャリア基板上の光エミッタデバイス、（ｖ）光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置された光透過性媒体、（ｖｉ）キャリア基板の該第２複数導電領域のうちの少なくともその一部の領域上の複数の半田構造とにより構成されており、回路基板にマウントがなされる光結合素子パッケージとによって構成される光結合装置が提供される。
【００１２】
本発明のまた別の実施形態により、ａ）複数の導電領域を有するキャリア基板上に光エミッタデバイスをマウントし、ｂ）キャリア基板上に光受信デバイスをマウントし、ｃ）光エミッタデバイスおよび光受信デバイス上に配置される光透過性媒体を形成し、そしてｄ）キャリア基板の複数導電領域のうちの少なくともいくつかの導電領域上に複数の半田構造を形成することからなる、光結合素子パッケージを形成する方法が提供される。
【００１３】
本発明のまた別の実施形態より、ａ）上記の方法に従って光結合素子パッケージを形成し、ｂ）光結合素子パッケージを回路基板にマウントすることからなる、光結合装置を形成する方法が提供される。
【００１４】
本発明のまた別の実施形態を、ａ）複数の導電領域を含んだキャリア基板と、ｂ）キャリア基板上の光エミッタデバイスと、ｃ）キャリア基板上の光受信デバイスと、ｄ）光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置された光透過性媒体と、ｅ）キャリア基板の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上の複数の導電構造とによって構成される、回路構造にマウント可能である、表面実装可能な光結合素子パッケージに導く。
【００１５】
本発明のこれらの実施形態および他の実施形態について、図面を参照にしながら以下にさらに詳しく説明するものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の一実施形態は光結合素子パッケージに関するものである。光結合素子パッケージは複数の導電領域を有するキャリア基板から成る。光エミッタデバイスおよび光受信デバイスといったような光電子デバイスがキャリア基板上に配置される。光透過性媒体は、光エミッタデバイスと光受信デバイス上や、これらの間に配置される。半田構造（あるいは他の導電構造）がキャリア基板上の導電領域の少なくともその一部の導電領域上に形成されている。結果作り出されたパッケージは反転され、回路基板（サーキットボード）といったような回路基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）にマウント可能である。半田構造は、回路基板およびキャリア基板のその面する導電領域（例えば導電パッド）とを接合する。従い、本発明のいくつかの実施形態はＢＧＡ（ボール・グリッド・アレー）タイプのパッケージとして使用され得る。
【００１７】
図面を参照に行う詳細説明の大部分ではキャリア基板上にて半田構造（半田ボール）を使用する。しかし、半田構造を、導電性カラム（例えば電気メッキした銅カラムといった電気メッキカラム）を含む他の好適な導電構造に置き換えることも可能であることが理解されよう。本発明の実施形態において、キャリア基板を回路基板に電気的に連結する目的に、好適などのような導電構造も光結合素子パッケージにおいて使用され得ることが理解されよう。
【００１８】
図２は、本発明の実施形態に従った光結合素子パッケージ３０を示したものである。光結合素子パッケージ３０は、光エミッタデバイス３８および光受信デバイス４０を配備したキャリア基板３２を含んでいる。この例において、光エミッタデバイス３８および光受信デバイス４０の両方は並列関係にあり、ほぼ同一平面上にある。受信デバイス４０がエミッタ装置３８からの放射線を受け取れるようにこれらはキャリア基板３２上に配置可能である。
【００１９】
本発明の実施形態において他の好適な光電子デバイスもまた使用可能である。例えば、光エミッタデバイス４０はシリコンまたはガリウムヒ素より製造可能であり、光受信デバイス４０によって検知可能な放射線（例えば赤外線、可視光線）の放射が可能である。光エミッタデバイスの例にＬＥＤ（発光ダイオード）デバイスがある。光受信デバイス４０の例にはフォトレジスタおよびフォトデテクタダイオードがある。光受信デバイス４０はシリコンのような半導体材料からも形成され得る。
【００２０】
キャリア基板３２および光結合素子パッケージ３０はその好適な寸法を有し得る。例えば、キャリア基板３２は約１０ｘ１０ｍｍ2（３．５ｘ３．５ｍｍ2）未満の平面寸法を有し得る。回路基板上にマウントされるときには、光結合素子パッケージ３０の高さは、従来のＤＩＰタイプのパッケージの高さよりも少なく（例えば高さが約３．５乃至３．０ｍｍ未満に）なり得る。実施例において、回路基板にマウントされる際の光結合素子パッケージ３０の最大高さは、約１．２５ｍｍ（すなわち、キャリア基板の高さ、プラス半田構造の高さ）もしくは１．０ｍｍにもなり得る。例えば、全体パッケージ高が約１．２５ｍｍである場合、キャリア基板３２の厚さが約０．２５ｍｍ、半田構造３４の高さが約１．００ｍｍとなり得る。好ましくは、半田構造の高さは光エミッタデバイスと光受信デバイス厚よりも大きい。従来のＤＩＰタイプパッケージと比較して、本発明の実施形態はより低い形状を有しており、スペースもそれほどとらない。従い、本発明の実施形態を用いる諸電子部品は、従来のＤＩＰタイプパッケージを使用する電子部品よりも小型化される。
【００２１】
光透過性媒体４８は、光エミッタデバイス３８、光受信デバイス４０、およびワイヤ５２を覆うことが出来る。光透過性媒体４８は、光学級、シリコンダイコート材料（例えば「グロブトップ」タイプの封止材料）から成る。いくつかの実施形態において、光透過性媒体４８の広がった領域はミリメータの単位（例えば１．６ｘ１．６ｍｍ2）である。
【００２２】
ダム構造３６は、光透過性媒体４８の液体もしくは半固体前駆体を閉じ込めるために使用出来る。これは光透過性媒体４８の周りに、かつ、整列した光エミッタデバイス３８と光受信デバイス４０の周りにも配置可能である。ダム構造３６を光結合素子パッケージ３０内に残すことも可能であり、あるいは光透過性媒体４８の形成後に取り除くことも可能である。他の実施形態において、光透過性媒体を形成する材料の力学的性質（例えば表面張力および粘性）が適切な形状（例えばドーム形状）を形成するのに十分なものであれば、ダムを必要としない場合もある。
【００２３】
複数の半田構造３４が光エミッタデバイス３８と光受信デバイス４０の周りに配置される。半田構造３４は例えば半田ボールである。典型的な半田ボールは約１ｍｍのオーダ（例えば０．７５ｍｍ）乃至はこれ未満の半径を有する。半田構造３４は光エミッタデバイス３８および光受信デバイス４０の入力／出力ターミナルとして作用し得る。キャリア基板３２上の半田構造３４はその適したピッチを有する。例えば、いくつかの実施形態において、平均ピッチは約２．５ｍｍ乃至はこれ未満である。キャリア基板３２を反転させて、回路基板にマウントすると、半田構造３４によってキャリア基板３２に対して回路基板（図示せず）が間隔を置く。
【００２４】
キャリア基板３２は複数の導電領域を有する。複数の導電領域には、半田構造３４の下、光エミッタデバイス３８の下、かつ光受信デバイス４０の下の導電領域（図示せず）と、光エミッタデバイス３８および光受信デバイス４０に近接した導電領域４６とを含む。導電領域のいくつかは、例えば銅、金等からなる導電パッドである。
【００２５】
光エミッタデバイス３８と光受信デバイス４０に近接した導電領域４６は、ボンディングワイヤ５２によって連結可能である。導電線４５は、導電領域４６、光エミッタデバイス３８、および光受信デバイス４０に半田構造３４を電気的に連結するために使用され得る。
【００２６】
しかし、図２に示した実施形態は、本発明の実施形態の一例である。図２において導電線および導電領域の特定の構成を示しているが、本発明の実施形態において、導電線および導電領域は、その適したいかなるサイズも、いかなる形状もとり得ることが理解されよう。また、図２に示した実施形態においては、１個の光エミッタデバイス３８、１個の光受信デバイス４０、かつ４個の半田構造３４が配備されているが、本発明の実施形態において、（好適なあらゆる構成において）適したいかなる数量の光電子デバイスも、適したいかなる数量の半田構造も光結合素子パッケージに配備され得ることが理解されよう。
【００２７】
図３は、図２に示した光結合素子パッケージ３０の横断面図である。図３に示すように、本実施形態における光透過性媒体４８の高さは、（キャリア基板３２の導電領域上の）半田構造３４の高さを超えない。また、半田構造３４は、光受信デバイスおよび光エミッタデバイス３８の厚さよりも大きい。光結合素子パッケージ３０が回路基板（図示せず）にマウントされると、半田構造によってキャリア基板３２と回路基板との間に間隔があく。
【００２８】
図４（ａ）から図４（ｄ）を参照に、図２および図３に示した光結合素子パッケージ３０を形成する典型的な方法を説明することが出来る。光結合素子パッケージ３０を含んだ光結合装置１００を形成する典型的方法は、図４（ｅ）を参照して説明する。
【００２９】
図４（ａ）は、キャリア基板３２上の導電領域にマウントされた光エミッタデバイス３８を示している。好ましくは、キャリア基板３２はセラミック材料あるいは金属蒸着セラミック材料からなる。セラミック材料は好ましい構造、熱伝導性、および電気絶縁特性を有する。キャリア基板３２は内部回路を含むこともあり、含まないこともある。光受信デバイス（図４（ａ）には示しておらない）は光エミッタデバイス３８の横に配置される。光エミッタデバイス３８および光受信デバイスは従来技術において公知の適切な方法によりキャリア基板３２にマウント可能である。
【００３０】
キャリア基板３２はその好適な構成において複数の導電領域と導電線をも有する。図４（ａ）に示す例において、いくつかの導電領域４７はキャリア基板３２の縁部の領域にあり、光エミッタデバイス３２と光受信デバイス（図示せず）の周りに配置されている。これら導電領域４７は例えばその上に半田構造が形成される導電パッドである。内側の導電領域４６もまた導電パッドであり得る。ワイヤ５２は内側導電領域４６とそして光エミッタデバイス３８にも接合可能である。光エミッタデバイス３８の下にも導電領域４９がある。
【００３１】
図４（ａ）に示した構造はその適した方法により形成可能である。例えば、いくつかの実施形態においては、複数の光エミッタデバイスは半導体ウェハ（図示せず）に形成される。光エミッタデバイスの形成後、半導体ウェハは例えばダイシング鋸を用いてダイカットされ得る。光エミッタデバイスを互いに切り離した後、適切な方法により個々の光エミッタデバイスを、キャリア基板のシート、すなわち帯状になったキャリア基板にマウント可能である。例えば、光エミッタデバイスはキャリア基板にダイボンドされ得る。例えばエポキシあるいは半田共晶ダイ接着技術を含むダイボンディング技術が使用され得る。光受信デバイスは同様の方法にて形成され、キャリア基板に接着される。
【００３２】
光エミッタデバイスのような光結合デバイスが個々のキャリア基板にマウントされるとき、キャリア基板は、シート状すなわち帯状につながった複数のキャリア基板の中の１つである。タイバーもしくは他の構造によって個々のキャリア基板をシート状すなわち帯状につなげている。ダム構造を形成する、光透過性媒体を形成する、かつ半田構造を形成する（これら全てに関して詳細をさらに後述する）といったようなステップの１つ以上のステップの後、タイバーが（例えばカッティングブレードのような切断部材にて）切断されて、個々のキャリア基板を切り離し、個々の光結合素子パッケージが形成される。説明を簡易にするため、図４（ａ）から図４（ｂ）には１個のみのキャリア基板３２を示している。本発明の実施形態に従った光結合素子パッケージは、単一キャリア基板上に連続的に製造されるか、もしくはシート状すなわち帯状になった複数キャリア基板上にて並行して製造され得る。
【００３３】
光エミッタデバイス３８および光受信デバイスがキャリア基板３２にマウントされた後、ワイヤ５２（例えばゴールドワイヤ）が光エミッタデバイス３８およびその対応する導電領域４６に接合される。他のワイヤ（図示せず）は光受信デバイスおよびその対応する導電領域に接着される。ワイヤ接合方法は従来技術において公知である。例えば、ワイヤは光受信デバイス、光エミッタデバイス、またはキャリア基板の導電領域に、例えば熱圧着工程を用いて接合可能である。
【００３４】
図４（ｂ）を参照に説明すると、ダム構造５１をキャリア基板３２上に形成することができる。このダム構造５１は、光エミッタデバイス３８および光受信デバイス（図示せず）の周りに形成される、好適な材料のリングからなる。ダム構造５１は、実質的に被着された光透過性材料もしくは光透過性材料前駆体の物理的バリアとなる。適切などのような材料もダム構造５１において使用され得る。いくつかの実施形態において、閉じたジオメトリ（例えばサークル）のエポキシ材料が、適切なディスペンサにより、キャリア基板３２上において、光エミッタデバイス３８および光受信デバイスの周りに被着される。それからエポキシ材料は固化される。
【００３５】
図４（ｃ）を参照に説明すると、ダム構造５１が形成された後、光透過性材料４８がダム構造５１内に形成され得る。液体シリコン、シリコンジェルといったような光透過性材料前駆体が、適切なディスペンサを用いて、キャリア基板３２上においてダム構造５１内に被着される。ディスペンサは例えば、キャリア基板３２上に液体シリコンを供給する針である。ダム構造５１は光透過性材料前駆体の外側への流れを妨げ、光透過性材料前駆体を閉じ込め、それが外側の導電領域４７に達しないようにする。光透過性材料前駆体がキャリア基板３２上に堆積された後、被着された液体シリコンは固体の状態に硬化（例えば熱硬化）され、光透過性材料４８を形成する。
【００３６】
光透過性材料４８が硬化した後、複数の半田構造３４が外側の導電領域４７上に形成され得る。半田構造は例えば標準的な錫／鉛半田（例えば６３／３７）を含み得る。半田構造３４は適した方法によって形成可能である。例えば、半田構造３４は、導電領域４７に（例えばステンシルにより）半田ペーストを付着することにより形成可能である。導電領域に半田ペーストを堆積した後、半田ペーストをリフローし、半田ボールを形成することが出来る。また別の実施形態において、半田構造は、あらかじめ形成された半田ボールを導電領域４７上に配置し、接着することにより形成可能である。
【００３７】
図４（ａ）から図４（ｄ）を参照に、特定の順序において処理工程を説明してきたが、本発明の実施形態はここに記載の特定の工程順序に限定されるものではないことが理解されよう。例えば、いくつかの実施形態において、キャリア基板上に光透過性材料を形成する前に、キャリア基板上に半田構造を形成することが可能である。
【００３８】
図４（ｅ）を参照に説明すると、半田構造３４がキャリア基板３２の導電領域４７上に形成された後、形成された光結合素子パッケージ３０は反転され、その表面が回路基板５７にマウントされ、光結合装置１００を形成する。半田構造３４は回路基板５７の導電領域５９と位置が合わせられて、キャリア基板３２を回路基板５７に接着可能にする。回路基板５７は例えばプリント回路基板である。
【００３９】
図示の実施形態において、光透過性媒体４８と回路基板５７間にギャップ（すき間）がある。このすき間は何ら物質の入っていない空のスペースである。都合良く、光透過性媒体４８は温度サイクリングの間、このスペースにより支障なく膨張、収縮を行うことが出来る。例えば、光結合素子パッケージ３０の製造中、光透過性媒体４８は、例えば半田リフロー工程の間に加熱および冷却がなされる。また、光結合素子パッケージ３０が光結合装置１００内にあるとき、光結合装置１００が使用される電子デバイスの動作中に、光結合素子パッケージ３０はさまざまな加熱、冷却サイクルが課される。この両ケースにおいて、光透過性媒体４８はオーバーモールディングにより物理的に閉じ込められることなく、支障なく膨張、収縮が可能である。パッケージ内に応力はほとんど生じない。これにより、より信頼性の高いパッケージとなる。
【００４０】
他の実施形態において、光透過性媒体４８と回路基板４７間のギャップには物質が注入され得る。例えば、非反射性物質をこのギャップに供給し、回路基板５７内の何らかの回路（図示せず）からの光が光エミッタデバイスで放射線の潜在的に反射するのを減じることが可能である。あるいは、反射性材料が光透過性媒体４８に塗布され、放射された放射線を光透過性媒体４８内に保つのに役立つ。こうした反射性コーティングには二酸化チタンのような材料を含む。
【００４１】
この方法の適したポイントにて、光結合素子パッケージもしくはその前駆体が試験され、個々分割され、そしてパックされる。シンギュレーション工程において、キャリア基板３２が、複数キャリア基板がシート状すなわち帯状になった（例えば１枚の、帯状のセラミック）その中の１つである場合、キャリア基板３２は、シート状すなわち帯状になった他のキャリア基板からカッティングにより切り離すことが出来る。
【００４２】
本発明の実施形態は、既に上記において述べた長所に加えて、他の多くの長所を有する。例えば、成形コンパウンドおよびピンは本発明の実施形態において必要ではないことから、ピンや接着ワイヤにおける過度の応力に関する問題がなくなるか、もしくは減じられる。また、本発明の実施形態においては、モールド材料を使用するオーバーモールド工程を必要としない。オーバーモールド工程とオーバーモールド工程に関する工程を削減することで、製造コストを減じ、製造時間を短縮することが出来る。言い換えると、これによってより低コストのパッケージとなる。加えて、本発明の実施形態においては成形された材料およびピンを使用する必要がないことから、異なるタイプの光結合素子パッケージ（例えば、４ピン、６ピン、８ピン等）の専用の成形を必要としない。それにより、様々に「形状因子」の異なる多数の光結合素子パッケージのための専用金型を維持する必要が減じられる。さらに、本発明の実施形態において、キャリア基板は在庫として記され、在庫が保たれ、必要に応じて供給可能である。最終的に光結合素子パッケージが回路基板にマウントされるとき、光結合素子パッケージは上記に述べた従来の光結合素子パッケージよりも低形状を有する。従い、従来のＤＩＰタイプの光結合素子パッケージを使用するよりも、本発明の実施形態を用いることによって小型の電子部品を作り出すことが出来る。
【００４３】
前述における説明を本発明の特定の好適な実施形態に導いたが、本発明の基本的範囲を逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態が考案され得る。そうした他の実施形態もまた本発明の範囲に含まれることを意図する。さらに、本発明の範囲を逸脱することなく、本発明の１つ以上の実施形態のフューチャは、本発明の他の実施形態の１つ以上のフューチャと組み合わせ可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】従来の光結合素子パッケージの横断面図である。
【図２】本発明の実施形態に基づく光結合素子パッケージの平面図である。
【図３】図２のライン３−３における、光結合素子パッケージの断面図である。
【図４】本発明の実施形態に従った光結合素子パッケージを形成する際に用いられるさまざまな構造の断面図である。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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