(57)【要約】例えばＡＭＬＣＤのようなマトリックス表示装置は、画素アレイ／画素領域を画定する対向する表示画素電極構造を保持する離隔された第１および第２の基板を有し、第１の基板はさらに、例えば、ロウおよびカラム駆動回路、信号処理回路、メモリ回路、または制御論理回路を備える表示領域補助回路をその外側に保持している。この補助回路の少なくとも一部分は、この補助回路の上方に延長する前記第１の基板の一部分の上に保持された導電遮蔽層により、電気的干渉の問題を防止するために遮蔽されている。遮蔽層は、第２の基板上に堆積されると共に画素電極構造のために用いられる電極層の一部分を備えている。
2005519344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
離間する第１および第２の基板の間に配置された電気光学材料と、表示領域内に表示画素を画定させる画素電極のアレイを備える画素回路と前記表示領域の外側の該第１の基板の領域内の電子的な補助回路とを保持する前記第１の基板と、を備えるマトリックス表示装置において、
前記第２の基板は、前記第１の基板上の前記補助電子回路の少なくとも一部分の上方に延長すると共に、前記補助回路少なくとも一部分を電気的に遮蔽するための導電遮蔽層を保持するマトリックス表示装置。
【請求項２】
前記導電遮蔽層は、前記第２の基板上に堆積されると共に、前記表示領域内の前記表示画素の構成の一部分を形成する導電層の一部分を備える請求項１に記載のマトリックス表示装置。
【請求項３】
前記導電遮蔽層を構成する前記第２の基板上の前記導電層の部分、および、前記表示画素構造が、互いに電気的に分離されている請求項２に記載のマトリックス表示装置。
【請求項４】
前記第２の基板上に堆積された前記導電層は、前記第１の基板上に保持された前記表示画素電極に対向する１つまたはそれ以上の表示画素電極を形成する請求項２に記載のマトリックス表示装置。
【請求項５】
前記第２の基板上に堆積された前記導電層は、表示画素間に延長する遮光部を形成する請求項２に記載のマトリックス表示装置。
【請求項６】
前記導電遮蔽層は、前記補助回路のそれぞれの部分を覆う複数の電気的分離領域へと分割されている請求項１ないし請求項５の何れかに記載のマトリックス表示装置。
【請求項７】
前記第１および第２の基板間に延長する個別の電気接続素子を介して前記第１の基板から前記遮蔽層の前記電気的分離領域のそれぞれに電位が供給されている請求項６に記載のマトリックス表示装置。
【請求項８】
前記補助回路は、前記第１の基板上に組み立てられた薄膜回路素子を備える集積回路である請求項１ないし請求項７の何れかに記載のマトリックス表示装置。
【請求項９】
前記補助回路は、前記表示画素アレイを駆動するためのロウおよびカラム駆動回路を少なくとも備える請求項１ないし請求項８の何れかに記載のマトリックス表示装置。
【請求項１０】
前記電気光学材料を含む少なくとも前記表示領域の周囲に延長する前記第１および第２の基板の間に、シールラインが設けられている請求項１ないし請求項９の何れかに記載のマトリックス表示装置。
【請求項１１】
前記装置は、アクティブマトリックス液晶表示装置を備える請求項１ないし請求項１０の何れかに記載のマトリックス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、離隔された第１および第２の基板間に配置された電気光学材料を備え、前記第１の基板は表示領域内に表示画素を画定する画素電極アレイと、前記表示領域の外側の前記第１の基板の領域の電子的な補助回路とを備える画素回路を保持するマトリックス表示装置に関する。
【０００２】
このような表示装置の一つの例は、アクティブマトリックス液晶表示蔵置（ＡＭＬＣＤ―Active Matrix Liquid Crystal Display device―）である。公知のように、これらの装置は離隔された一対の基板の間に挟まれた液晶材料の層を備え、前記基板は液晶材料を含んで互いに封止され、ロウおよびカラムアレイに個々の表示画素を画定する電極を保持している。アクティブ基板またはプレートとして一般に引用される基板のうちの１つは、切換装置、具体的には画素電極に隣接して基板上に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ―Thin Film Transistor―）にそれぞれが組み込まれた画素電極アレイを保持している。この基板はまた、画素をアドレス可能にするためにＴＦＴに接続されたロウおよびカラムコンダクタのセットを保持している。パッシブ基板またはプレートとして一般に引用される他方の基板は、表示画素と第２電極を構成する電極構造を保持すると共に、前記表示領域における画素電極のアレイの情報に延長する共通電極を形成する単一の導電層として通常は設けられている。パッシブ基板はまた、具体的には、各々が組み込まれて上に横たわるカラーフィルタ素子のアレイを保持しており、アクティブ基板上の各々の画素電極、およびブラックマトリックス、遮光層は、表示画素の個別のカラーフィルタ素子の間に延長する光学的に不透明な材料のグリッド（grid―格子―）を備えている。
【０００３】
一般に、表示画素を駆動する駆動回路は、その出力がアドレスコンダクタのセットに接続された表示画素アレイの周囲のアクティブ基板上に設けられたＩＣの形態で提供されている。切換装置およびこの切換装置（ＴＦＴ）と同時に組み立てられた接続線、および共通の堆積層からの画素アレイ内のアドレスコンダクタのような回路素子を備える薄膜電子回路としてのアクティブ基板上の駆動回路を集積化することもまた公知である。このような集積化は、別々に組み立てられた駆動回路を提供するため、および、これらをアドレスコンダクタに接続するための必要性を避けている。個別の表示画素からの所望の表示出力を得るために、表示画素のロウを選択するためのロウ（走査）駆動回路と、画素に表示データ信号を供給するためのカラム（データ）駆動回路とが、従来の多結晶シリコン技術を用いて容易に集積化されることが可能である。集積化された駆動回路を用いた具体的な例の装置は、ＳＩＤ９２ダイジェストの第６０９〜６１２頁のＹ・西原等による“自己走査光バルブのための完全に集積化された多結晶ＳｉのＴＦＴ・ＣＭＯＳドライバ”と名付けられた論文に説明されている。
【０００４】
より最近では、例えば、電圧レベル生成、メモリ、ビデオ信号処理機能の付加的な回路機能がアクティブ基板上に同様に集積化可能であり、これらはこれまではアクティブ基板から分離されて提供された回路内で実施されていた。追加の、集積化された、補助回路機能を伴うＡＭＬＣＤの例は、ＡＭ−ＬＣＤ０１（アクティブマトリックス液晶表示、日本での２００１年国際ワークショップ）５３−５４頁のＭ・Ｊ・エドワーズによる“移動電話アプリケーションのための高度に集積化されたＡＭＣＬＤ”と名付けられた論文の中に述べられている。この中で、ダイナミックメモリ回路が画素内に組み込まれており、動作に必要な電圧レベルを生成するチャージポンプ回路、ロウおよびカラム駆動回路の動作を制御するための制御回路、および、共通電極駆動回路を備える追加の回路構成が、画素アレイ領域の外側の周囲のアクティブ基板上に集積化され、薄膜処理技術を用いて組み込まれている。このような装置は、低電圧デジタルデータ信号および３．３ボルト近辺の低電圧電力供給を提供するために、最小の外部接続のみを必要とする。
【０００５】
しかしながら、アクティブプレート上に集積された追加回路は、特に、電磁干渉およびノイズ効果、とりわけ、回路の複雑性、機能性および性能の増加に結びつけられた問題を導くことを期待されても良い。これらは、例えば、表示装置のサイズおよび／または解像度を増加させた結果のような、周波数を増加させて動作する回路のように、より明らかとなる回路からの電気的なノイズの放射によって起因される問題であるかもしれない。他方で、問題は、特に回路が相対的に低い電圧信号レベルで動作しているのならば、外部の電気的干渉の発生源に対するこれらの回路の感度を原因として体験されるかもしれない。
【発明の概要】
【０００６】
この発明によれば、冒頭の段落で述べられたマトリックス表示装置において、第２の基板が第１の基板の上の補助回路の少なくとも一部分の上方に延長すると共に、前記補助回路の領域を少なくとも電気的に遮蔽するための導電遮蔽層を保持するマトリックス表示装置を提供する。
【０００７】
したがって、装置が動作している間に補助回路により、または、補助回路内で、発生される電気的な干渉に伴う問題を防止、または少なくとも低減するために役立っている電気的な遮蔽は、相対的に簡単で便利なやり方で、かつ、最小の追加の構成要素や処理を必要とするだけで提供される。
【０００８】
補助回路は、望ましくは、表示画素を駆動する駆動回路、すなわち、ロウ（走査）駆動回路およびカラム（データ）駆動回路を含んでいる。
【０００９】
表示装置が、例えば、アクティブマトリックス液晶表示装置内の表示画素用の共通電極のような、画素電極アレイの上に設けられている第２の基板上の電極層を有している場合（これは、画素アレイにより画定された、または選択的にはこのアレイのそれぞれ異なる領域を覆う副分割された形態の表示領域の全体を覆うように延長する連続する電極であっても良い）、この目的のために第２の基板の上に提供された、具体的にはＩＴＯのような透明な導電材料を備える導電層は、導電遮蔽層を提供することにより有利に利用されても良い。したがって、遮蔽層は、如何なる追加的な構成要素、または、必要となる堆積層を設けることなく提供され、これにより、製造工程を簡略化することができる。
【００１０】
望ましくは、第２の基板がブラックマトリックス、光遮蔽層を保持する種類のものであり、この層は例えばクロムのような金属の導電性のある材料を備えている場合、そのときにはこの材料は、単独で、または、可能ならば共通電極層の材料と共に、さらに望ましくは上を覆っている層と共に、電気的な遮蔽層の材料を提供するために同様に用いられても良い。機能強化された遮蔽層は、したがって、ＩＴＯと比較して、より低いシート抵抗を有しているこの材料の長所により実現することができる。
【００１１】
電気的遮蔽層は、望ましくは、共通電極層および／または画素アレイの上方に延長するブラックマトリックス層から電気的に分離されている。この分離は、使用に際して異なる領域へと供給される電位が独立して制御されることを可能にしている。
【００１２】
個別の好適な実施形態において、補助回路が、それぞれの機能を実行すると共に第１の基板のそれぞれの分離した領域を占有する複数の異なる回路、例えば、表示領域に隣接したそれぞれ異なるエッジに位置するロウおよびカラム駆動回路やその他の領域の更なる付属回路を備える場合、電気的な遮蔽層は、別々の、物理的に分離した複数の部分を備え、これらの部分のそれぞれは、全体としてまたは部分的にの何れかで、異なる回路のそれぞれ１つかまたはそれ以上の上方に横たわっている。この分割は、異なる回路間の干渉を避けることを補佐するであろう。異なる回路を覆っている遮蔽層は、単一の、連続する、導電層として提供され得るが、この場合、個別の付属回路の上に設けられている層の部分に提供される電位を独立して制御することは不可能であろうし、異なる回路間に生じる干渉の恐れ（リスク）は増加するであろう。
【００１３】
この発明は特にマトリックス液晶表示装置、および、とりわけアクティブマトリックス液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に適用可能であるので、他の種類の電気光学材料を用いると共に同様に２つの離隔された基板を用いる表示装置に有利に適用可能であることは認識される。
【００１４】
電気光学材料を充填するための少なくとも表示領域の周囲に延長する２つの基板の間のシールを有するＡＭＬＣＤまたはこれと同様のものの場合、補助回路は、シールラインの外側または内側に場所を定められていても良い。前者の場合、さらに１つまたはそれ以上のシールが基板間に設けられて、その周囲に延長し、または、それぞれの部分に、回路構成を保護するための補助回路が設けられていても良い。それとは選択的に、例えばロウおよびカラム駆動回路のような、補助回路の部分は、シールラインの範囲内に場所を定められていても良く、これに対して、他の部分はシールラインの外側に場所を定められていても良く、さらに、シールラインの外側のこれらの部分は、１つまたはそれ以上の追加のシールにより、保護されていることが望ましい。
【発明の詳細な説明】
【００１５】
この発明による特にＡＭＬＣＤのマトリックス表示装置の実施形態について、添付図面を参照しながら、以下に説明する。添付の図面は、単なる概略であり、その縮尺についてまで示すものではないことは正しく評価されるであろう。
【００１６】
ＡＭＬＣＤは、その一般的な構成や動作の点では従来の種類のものであり、したがってここではこれらのアスペクトを詳細に説明することが必要であるとは考えていない。図面を参照すると、この装置は個別の表示画素１０のマトリックスアレイと、図１に拡大されて示された具体的な１つの回路構成とを備える。各画素は、画素電極１４と、ここでは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形態をとる組み込みスイッチング装置１６を備えている。画素電極１４は、ＴＦＴのドレインに接続され、その上、ＴＦＴのゲートとソースは、アレイ内の画素により共有される複数のロウおよびカラムコンダクタ１７および１８の複数のセットの１つにそれぞれ接続されている。
【００１７】
ロウおよびカラムに編成された、表示画素１０は、上に横たわる２つの基板２２および２３の間で、かつ、対応する表示領域２０を画定する画素アレイ領域を占めている。さらに図２を参照しながら、２つの基板２２および２３は離隔して設けられると共に、それらの間に捩れたネマティック（twisted nematic）液晶（ＬＣ―Liquid Crystal―）材料２５を含むようにシール２４によって表示領域２０を周辺を囲んで共にシールされている。シールラインは、共通電極３２の縁に略々一致している。たとえ柔軟な多結晶材料または絶縁表面を有する材料を含む他の絶縁材料が用いられていても良いが、両基板はガラスであり、表示部が透過型であるよりもむしろ反射型の場合も、動作中に光を透過させるために一方のみは光学的に透明である必要がある。
【００１８】
アクティブ基板として引用される基板２２は、表示アレイのアクティブマトリックス回路を保持しており、この回路はロウおよびカラムアドレスコンダクタ１７，１８のセットおよびＴＦＴ１６、およびさらに画素電極１４を備えている。アクティブマトリックス回路および画素電極は、従来のやり方で基板２２の内側の表面に形成され、この従来のやり方は、広い領域や、薄膜や、例えばＣＶＤプロセスにより、堆積および種々の導電化、絶縁化および基板上に堆積された層を半導体化することを含むプロセス技術を用いており、さらに、この技術分野で公知のような、フォトリソグラフィック定義づけ技術を用いている。ここで用いられているＴＦＴ１６は、上面または底部の何れかにゲート構造を有する多結晶シリコンタイプであることが望ましい。ＬＣ方向付け膜２６は、通常のやり方でアクティブマトリックス画素アレイの上方に設けられている。
【００１９】
パッシブ基板として引用される他方の基板２３は、液晶層２５に隣接してその内側の表面に、例えばＩＴＯのような、電気的に導通する透明な層３２を保持しており、この層は画素電極１４のアレイに対応して、表示領域２０の上方に連続的に延長すると共に、アレイ内で対向電極を構成する共通電極として機能を果たしている。したがって、各表示画素は、第１の電極１４と、共通電極層３２の上に横たわることにより構成された第２の電極と、その間に介在する液晶層２５とを備えている。更なるＬＣ方向付け膜３４は、ＩＴＯ電極３２の完全に上方に設けられている。その代わりに、共通電極３２は、（２つまたはそれ以上の）複数の電気的に分離された部分に分割されていても良く、各部分は、表示領域のそれぞれの部分を覆っており、ここでは、特別な種類の駆動スキームを用いることが望まれており、このスキームは、異なる機会にアレイの異なる領域内の画素第２電極に対して提供されるべき異なる電位を必要としている。
【００２０】
表示装置は、カラー表示装置を備えている。このような装置において、各画素がそれぞれのカラー出力に割り当てられるように複数の画素に配列された赤、緑、青のカラーフィルタ素子のアレイをさらに保持することは、パッシブ基板にとって普通のことである。しかしながら、これとは選択的に、カラーフィルタアレイは、その代わりにアクティブ基板２２上に設けられることも可能である。熟練した技術者にとって明白なように、いろいろな種類の異なるカラーフィルタ素子のタイプおよび構造を用いることができる。具体的にかつ図２に示されるように、カラーフィルタ構造は、３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃで示される赤、緑、青の部分より構成されるフィルタ層３６より成り、これらの部分のそれぞれは、それぞれの画素電極１４とブラックマトリックスの上に横たわり、ロウおよびカラム方向に延長すると共に個別のカラーフィルタ部分を取り囲むグリッドパターン３８を画定する光不透明材料のラインの形状を有している。
【００２１】
この装置の動作において、画素１０は、各ロウコンダクタ１７に対して順番に与えられる走査（ゲーティング）信号の手段により、選択されたロウにおける複数の画素のＴＦＴ１６をターンオンさせるために、１度にそれぞれのロウアドレス期間の１つずつで、連続してアドレスされている各ロウにより従来のように駆動されており、選択されたロウは、個別の画素の表示出力を決定する走査信号に同期して入力画像信号から得られてカラムコンダクタ１８に供給される、個別のデータ信号に対して負荷されるべき画素を許容している。選択されている画素のロウにおいて、そのロウの各画素１０の電極１４は、与えられたデータ信号にしたがったレベルへとこのようにしてチャージされて、これにより所望の表示出力を生成することができる。表示画像出力を提供する１つのフレーム期間内でこのようにして複数の画素の複数の全てのロウのアドレスに引き続いて、複数のロウは、連続する次のフレーム期間内で同様のやり方により再度繰り返しアドレスされる。
【００２２】
走査およびデータ信号は、基板２２上に保持されると共に補助回路の一部分を形成するロウおよびカラム駆動回路４０および４２により、それぞれ、ロウおよびカラムアドレスコンダクタ１７および１８のセットに対して供給される。これらの回路は、従来のタイプであり、画素表示領域２０の外側の基板２２の周辺で基板２２の内側の表面に集積化されている。これらは、例えばＴＦＴや、キャパシタおよび内部接続で、アクティブマトリックス回路のために用いられ同一の処理技術を用いて形成される層に、導通し、絶縁し、および半導通する同一の堆積された薄膜から基板２２上にアクティブマトリックス回路を同時に組み立てられた薄膜回路素子を備えている。駆動回路の集積化は、基板２２上または基板２２に対する内部接続を有する分離された支持部の上の何れかに、結晶シリコンＩＣの形態で予め組み立てられた駆動回路を設ける必要性を避けるように、多結晶ＴＦＴ技術を使用するＡＭＬＣＤにますます共通するようになってきている。
【００２３】
図１に示されるように、ロウおよびカラム駆動回路４０および４２は、画素アレイ２０の２つの隣接するサイドに沿うと共にシール２４の外側に延長する基板２２の個別の分離された複数の領域の上に形成される。ロウおよびカラムアドレスコンダクタ１７および１８は、画素表示領域からこれらの駆動回路により占められている領域に対して延長し、この領域で、これらは駆動回路の出力に対してそれぞれ接続されている。図において、駆動回路は、簡略化のために概略的にブロック形状に表現されている。
【００２４】
ロウおよびカラム駆動回路機能に加えると共に補助回路の一部分を形成する種々の電気回路機能はまた、Ｍ・Ｊ・エドワーズ他による上述した文献に説明された装置内のように同一のやり方により表示／画素アレイ領域２０の外側の基板２２上に集積化されることができる。表示装置のこの個別の実施形態において、アクティブ基板２２上に含まれる追加の回路機能は、カラム駆動回路４２へのその供給に先立って入力してくる映像信号の訂正と調整を行なうための処理回路４５と、前記入力してくる映像信号からのタイミング情報を導き出すと共にこの情報にしたがってロウおよびカラム駆動回路４０および４２の動作を制御するための制御論理回路４６と、画素データの保存を必要とする種々の目的のために用いられても良く、表示画像を保持するため、または、画像データ信号調整を実行する際に信号処理回路４５と共にフィールド保存として用いるためのメモリ回路４７とを備えている。基板２２上に集積化され、簡略化のために図面ではブロックの形式で再び表現されたこれら追加の回路のそれぞれは、基板２２上の周辺に向かう画素アレイ領域の外側で基板２２の個々の分離した領域を占めている。表面を安定化する（passivating）材料４９の層（図２）は、複数の回路の上部に配置されてそれらをカプセルのように覆うと共に保護している。更なる保護は、基板２２および２３の間に延長すると共に、補助回路が含まれる基板間の空間を囲んで密封してシールするための補助回路の周囲の追加のシール５２により提供されている。分離した追加のシールは、このようにして回路のそれぞれの部分のために用いられている。
【００２５】
個別の表示装置の要求に応じて説明される（例えば、上述された論文に説明されているような）これらの特別な複数の回路に加えて、またはこれらに代えて、補助電子集積回路が他の回路機能を含むことができたであろうことは予測されることであろう。一般的に、補助回路は、少なくともロウおよびカラム駆動回路４０および４２を含むことであろう。補助回路の異なる回路および画素アレイの間の複数の相互接続と複数の外部入力は、明瞭性のために図示されていない。
【００２６】
補助回路は、上述した例示の回路以外にも複数の回路を備えていても良いし、表示画素の駆動については必要的かつ直接的には関連づけられない複数の回路であっても良い。例えば、検知回路は、装置に対するタッチ入力その他を検知するために、基板２３上に集積化されていても良い。
【００２７】
このようにして提供された増加された機能性は、相対的に複雑な回路構成を必要としており、特にこのような回路を有する表示装置の性能の改善に伴い、例えば、より広くて、より高解像度の表示を生成するためのアレイ内の画素の数を増加させている結果として、電磁気の干渉効果に関連づけられた複数の問題が明らかとなる可能性がある。これらの問題は、複数の回路から発せられた電磁的な放射またはノイズの効果によっているかもしれない。具体的には、数ＭＨｚのオーダの周波数は、装置の動作の中に出現するかもしれない。従来は、複数の回路それ自身が非常に感度が良く、外部の発生源からの電気的干渉に対して影響を受け易い可能性がある。このような効果は、もしも回路が相対的に低いレベルの信号により動作しているならば、あるいは、信号レベル内の僅かな変化のみが受け入れ可能であるならば、特に明らかになるかもしれない。
【００２８】
幾つかの問題に関連する上述された電気的な干渉を低減させるために、表示装置は、パッシブ基板２３上に保持されると共に、アクティブ基板２２上に集積化された個別の回路により構成された補助回路の少なくとも部分の上方に延長する電気的な遮蔽部を備えて設けられている。この目的を達成するために基板２３のサイズが増大されているので、基板２３の端部領域５０により回路４２および４５−４７を覆うことにより、および、側部領域５１により回路４０を覆うことにより、全ての回路４０，４２，４５，６７および４７を覆うことができる。後者の面積における基板２３のサイズは、基板２２のサイズに実質的に対応している。電気的な遮蔽部は、基板２３の内側表面上で、追加回路の上方に保持された導電層の形で提供される。この層は、特にこの目的のために基板２３上に提供される、独立して配置された分離層であっても良く、この場合、この層の材料は、適切な方法により配置され、かつ、パターン形成されることが可能な種々の異なる導電性の材料から選択されても良い。しかしながら、望ましくは、遮蔽層は画素アレイ領域の基板２３の構造を形成するために用いられる配置された１つまたはそれ以上の導電層から形成される。これは、追加の堆積やパターニングプロセスが含まれる必要がないので、組み立て工程を非常に簡略化する。その代わりに、電気的な遮蔽のために必要とされる堆積層の領域は、この目的のために用いられるレジストパターニングやおよびエッチング動作を含む標準的なフォトリソグラッフィク処理技術の場合、適切に設計されたパターニングマスクを用いることにより、画素アレイ領域に必要とする構造を提供するために堆積層がパターン形成されるように同時に画定されることが可能である。
【００２９】
図示された実施形態において、基板２３の上に配置されると共に画素アレイの共通電極３２を形成するために用いられるＩＴＯ層は、図２に６０で示されるように、遮蔽層のために便宜的に利用される。基板２３の上方に配置されたＩＴＯ層は、これにより画定された遮蔽層６０および共通電極３２が電気的に分離されることによって画素アレイ内の信号と集積回路の動作との間の何れかの相互作用を避けるように、パターン形成される。さらに、この実施形態において、遮蔽層６０は、それぞれが、１つまたはそれ以上の追加回路の上に設けられる別々の領域に分けられている。次に、図１を参照すると、遮蔽層は、それぞれがカラム駆動回路４２、メモリおよび制御論理回路４７および４６、信号処理回路４５，およびロウ駆動回路４０を覆うと共に、それぞれがこのそれぞれの付属回路を個別に遮蔽するための役目を果たす、４つの分割部分６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃおよび６０Ｄに分けられている。共通電極３２は、画素アレイ領域用の遮蔽部としての役目を果たしている。
【００３０】
ここで、基板２３上の構造にブラックマトリックス３８を提供するために用いられる材料は、例えばクロムのような金属を備えている。この目的のために設けられた層はまた、ＩＴＯ層よりもむしろ遮蔽層を形成するために用いられても良い。これとは選択的に、両方の層は、遮蔽層がそのとき複合層構造を有するように用いられることも可能であろう。
【００３１】
この装置の使用において、電気的な遮蔽部６０Ａ−Ｄはそれぞれ所定の電位で保持されているので、電気的なスクリーニングとして適切に動作する。具体的には、これは、たとえ他の電位レベルが用いられていても良いとしても、接地電位に一致しても良い。電位レベルは、一定である必要はなく変化可能であり、例えば、その場合には下地の回路における電位レベルは、固定のパターンで変化する。例えば接地レベルのような同一の所定電位がもしも全ての部分に供給されるならば、電気的な遮蔽にとっては、全ての追加回路の上に横たわる連続する層を用いるよりもむしろ分割領域へと分割されることが望ましく、これにより、例えば信号処理回路４５内のアナログ信号へ影響を与えるメモリ回路４７内のデジタル切替信号のような、異なる回路間の相互作用の可能性を避けるかまたは低減させる。このような分割はまた、電力消費の低減を手伝うことができる。
【００３２】
電気的な遮蔽部６０Ａ−Ｄに対して適切な電位を与えるために、図１に６５で表示されるように、電気的な接続がアクティブ基板２２と基板２３のこれらの部分との間に設けられている。１つ以上の接続は、各部分に現れていても良い。同一の接続はまた、共通電極３２用に提供される。これらの接続は、例えば、アクティブ基板２２上に形成された僅かに圧縮可能な材料であると共に、集積化された電力生成回路により適切な電位レベルを供給される基板２２上に保持される導電性のトラックの上方の導電性のピラー（支柱）を備えていても良く、２つの基板２２および２３が組立てられて互いに密封されたときに、これらのピラーはそれぞれの遮蔽部および共通電極３２へコンタクトする。しかしながら、基板２２および基板２３上のこれらの領域との間の電気的な接続を確立するための他の手段は、熟練した技術者にとって明らかであろうように、用いることができる。
【００３３】
従来のＡＭＬＣＤの場合のように、２つの基板２２および２３は互いに近接し、具体的にはおよそ５ミクロン（μｍ）離れるように間隔をあけられており、したがって、電気的遮蔽層の部分は、それらのそれぞれの回路に極めて接近すると共に電磁気の干渉効果に対してかなり効果的なスクリーニングを提供しており、これにより、動作の時に現れる高周波数信号に特に起因して回路により生成される電気的なノイズの外側への放射を防止することができ、または、それらの動作と関係がある外部の電気的なノイズ源を防止するため、これらの回路は、例えば相対的に低いレベルの信号で動作するように設計されている長所により、何れにしてもこれらのノイズに対して敏感であっても良い。２つの基板の接近している間隔は、これらの基板のエッジで上に位置している部分により画定される間隔の側部が遮蔽されないで残されているかもしれないにもかかわらず、電気的なノイズが非常に小さいかまたは全くノイズのないことが、外側から集積回路に達するか、または、これらのサイドを介して外側へと逃げるかの何れかでありやすい。
【００３４】
上述した具体例において、基板２２および２３間にＬＣ材料を含むシール２４は、画素アレイの領域の周囲へと延びており、補助回路は、シールライン（密封線）の外側に位置付けられている。しかしながら、シールの他の配置は可能である。したがって、代わりにシールラインは、特定の関連する集積回路、例えばロウ駆動回路４０および／またはカラム駆動回路４２を囲んで配置されても良いので、これらの回路は、シールラインと基板とによりＬＣセル内に効果的に画定される。シールラインは選択的に、全ての補助回路を囲むために、全ての側部に沿って、基板２３のエッジの近くに配置されていても良い。この場合、単数または複数の追加のシール５２は、不必要である。
【００３５】
この発明はＡＭＬＣＤに関連して説明されていたが、間に電子光学材料、例えば、基板間に配置された電子クロム（エレクトロクロミック）または電子泳動（エレクトロフォレティック）材料を備えた間隙を有する２つの基板を同様に備えると共に、基板の１つの上に保持された補助回路を有する他の種類の表示装置に適用可能であることは、予見されることである。
【００３６】
本願の開示を読むことから、他の変形はこの技術分野の熟練技術者にとって明らかであろう。このような変形は、アクティブマトリックス表示装置およびそのための構成要素の技術分野で既に公知であり、この明細書で既に記載された特徴に代えてまたは加えて用いられるかもしれない他の特徴を含んでいても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】表示装置の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿って切断した概略断面図である。
【図１】
2005519344.tif 000003
【図２】
2005519344.tif 000004
【国際調査報告】
2005519344.tif 000005
2005519344.tif 000006