(57)【要約】【課題】本発明は、現象依存電気的剛性を有する機械的共振器装置（１０）を提供する。【解決手段】現象は、例えば、温度または加速度でありうる。装置は、基板（１６）と支持装置によって基板の上に支持される共振器（１４）とを含む。装置は、電極-共振器間ギャップを得るために支持装置（１８）によって共振器に隣接して基板（１６）の上に支持される電極（１２）を更に含み、ギャップにわたり生成された電気的剛性は、現象によってもたらされる装置の共振周波数の不安定性を考慮に入れるために現象依存である。【選択図】図２ａ
2005500779.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器と、及び
電極-共振器間ギャップを得るために前記共振器に隣接する電極と
を備え、
前記ギャップにわたり生成された電気的剛性は、現象によってもたらされた共振周波数の不安定性を考慮するために現象依存であることを特徴とする、共振周波数を有しているメカニカル共振器装置。
【請求項２】
前記現象は、温度であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記現象は、加速度であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記電極と前記共振器との間の前記ギャップにわたる距離は、温度の関数として変化することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記共振器及び前記電極を支持するための支持装置を更に備え、前記共振器及びその支持装置の材料は、温度により前記電極及びその支持装置の材料とは異なるレートで膨張することを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記装置は、追加の電力消費に対する必要性なしで実質的に温度―無感応であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記共振器は、多結晶シリコン共振器であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記共振器は、多結晶シリコン共振器ビームであることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
基板及び前記基板の上に前記共振器及び前記電極を支持するための支持装置を更に備えている特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記基板は、半導体基板であることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記装置は、周波数-対-現象曲線を有し、かつ前記周波数-対-現象曲線は、特に適合されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置は、当該装置がバイアスされうる温度で実質的にゼロ温度係数を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記装置は、２ポート、垂直、マイクロメカニカル共振器装置であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記電極は、前記共振器の上に支持されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記電極の前記ギャップにわたる距離及び動作電圧は、温度によってもたらされる共振周波数シフトを実質的に取り消すことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記共振器の静電励起を許容するための位置で形成されたドライブ電極構成を更に備え、前記共振器及び前記ドライブ電極構成は、その間のギャップを規定することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記共振器は、単一の共振器ビームであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記電極は、金属電極であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記金属電極は、メッキ金属電極であることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記装置は、現象センサであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
前記装置は、温度センサであることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項２２】
前記装置は、加速度センサであることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項２３】
前記電極に対する前記支持装置は、少なくとも一対のオフ-アクシス・アンカーを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
前記電極は、当該電極における垂直膨張-誘導ストレスを低減するためにカットされることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記ギャップは、容量性ギャップであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
前記共振器は、曲げモード共振器であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、現象依存電気的剛性を有している機械的共振器装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高-Ｑ-マイクロ-スケール・メカニカル共振器をもたらすマイクロマシニングにおける最近の進歩は、通信及び時計（タイムキーパ）アプリケーションで用いられる高安定発振器に対するかなりのサイズ及びコスト低減をすぐに可能にしうる。特に、１０，０００を上回るＱ’ｓを有するＭＦ〜ＶＨＦ周波数間のＩＣコンパチブル表面マイクロメカニカル共振器は、C.T.-c.Nguyen, “Frequency-Selective MEMS for Miniaturized Low-Power Communication Devices (invited),” IEEE Trans. MICROWAVE THEORY TECH., Vol.47, No.8, pp.1486-1503, August 1999に記述されるように多結晶シリコン構造材料で実証されている。
【０００３】
また、表面マイクロマシニング及び集積回路を組合せるプレーナ処理を用いて、全てが一つのチップで、維持エレクロトニクスと一緒に集積されたマイクロ機械的（または“μメカニカル”）共振器を特徴とするプロトタイプ高Ｑ発振器も、C.T.-c.Nguyen and R.T.Howe, “An Integrated CMOS Micromechanical Resonator High-Q Oscillator,” IEEE SOLID-STATE CIRCUITS, Vol.34, No.4, pp.440-445, April 1999で実証されている。
【０００４】
残念ながら、これらの発振器における共振器のＱは、相当な短期間安定性を蓄えるのには十分であるが、それらの熱安定性は、必要な仕様よりもかなり短く、図１に示すように、０℃から８５℃の範囲にわたり１８７０ｐｐｍの大きさの周波数変化を一般的に示し、それは、多結晶シリコン・フォールド・ビーム・マイクロメカニカル共振器の性能をＡＴ-カット・クォーツのそれと比較する。この熱依存性を緩和する技法（例えば、温度補償回路、またはオーブン制御）が存在するが、それらの全ては、かなりの量の電力を消費し、それゆえに、ポータブル装置のバッテリ寿命を低減する。
【０００５】
“Micromechanical Resonator Device”という発明の名称の上記係属中の出願は、ヤング率温度依存性によって主にもたらされた温度-誘導形周波数シフトを打消すその共振器ビームに温度-依存応力を導入するための共振器及びその支持構造の戦略的形状設計を利用する形状応力-補償装置を開示する。
【０００６】
“Geometric Stress Compensation for Enhanced Thermal Stability in Micromechanical Resonators”, W.-T. Hsu et al, ULTRAS. SYMP., 190\98, pp. 945-948という題名の文献において、形状応力-補償設計技法が、材料のヤング率の熱依存を打消すために形状的に適合された応力-対-温度関数を用い、所与の温度範囲にわたり総合低周波数偏差を結果としてもたらしかつ処理においてゼロ温度係数ＴＦf0点を生成する、低周波数（ＬＦ，例えば、８０ｋＨｚ）ニッケル折返しビーム・マイクロメカニカル共振器に関して開示される。
【０００７】
その他の関連文献は以下のものを含む：C.T.-C Nguyen, “Micromachining Technologies for Miniaturized Communication Devices,”PROCEEDINGS OF SPIE: MICROMACHINING AND MICROFABRICATIONS, Santa Clara, CA, September 20-22, 1998, pp. 24-38; Kun Wang et al., “VHF Free-Free Beam High-Q Micromechanical Resonators,”XP-000830790, January 17, 1999, pp.453-458; and C.T.-C Nguyen, “Frequency-Selective MEMS For Miniaturized Communication Devices,”IEEE, 1998, pp.445-460.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、現象-依存電気剛性を有しているメカニカル共振器装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記目的及びその他の目的を実行することにおいて、共振周波数を有しているメカニカル共振器装置を提供する。装置は、電極-共振器間ギャップを得るために共振器及び共振器に隣接する電極を含み、ギャップにわたり生成された電気的剛性は、現象によってもたらされた共振周波数の不安定性を考慮に入れるために現象-依存である。
【００１０】
現象は、温度でありうるし、または加速度でありうる。
【００１１】
電極と共振器との間の容量性ギャップにわたる距離は、温度の関数として変化しうる。
【００１２】
装置は、共振器及び電極を支持するための支持装置を含みうる。共振器及びその支持装置の材料は、温度により電極及びその支持装置の材料とは異なるレートで膨張しうる。
【００１３】
装置は、追加の電力消費に対する必要性なしで実質的に温度-不感応でありうる。
【００１４】
共振器は、多結晶シリコン共振器ビームのような多結晶シリコンでありうる。
【００１５】
装置は、基板と、基板の上に共振器及び電極を支持するための支持装置とを含みうる。基板は、シリコン基板のような半導体基板でありうる。
【００１６】
装置は、特に適合されうる、周波数-対-現象曲線を有しうる。
【００１７】
装置は、装置がバイアスされうる実質的にゼロ温度係数温度を有しする。
【００１８】
装置は、２ポート、垂直、マイクロメカニカル共振器装置でありうる。
【００１９】
電極は、共振器の上または下で支持しうる
【００２０】
ギャップにわたる距離及び電極の動作電圧は、温度によってもたらされた共振周波数シフトを実質的打消しうる。
【００２１】
装置は、共振器の静電気励起を許容する位置に形成された駆動電極構造を更に含みうるし、かつ共振器及び駆動電極構造は、それらの間のギャップを規定しうる。
【００２２】
共振器は、単一の共振器ビームでありうる。
【００２３】
電極は、めっきがかけられた金属電極のような金属電極でありうる。
【００２４】
装置は、温度センサまたは加速度センサのような現象センサでありうる。
【００２５】
電極に対する支持装置は、少なくとも一対のオフ-アクシス・アンカーを含みうる。
【００２６】
電極は、電極における垂直膨張-誘導形応力を低減するためにカットされうる。
【００２７】
ギャップは、容量性ギャップでありうるしかつ共振器は、曲げモード共振器でありうる。
【００２８】
本発明の上記目的及びその他の目的、特徴、及び効果は、添付した図面と一緒に本発明を実行するための最良のモードの以下の詳細な説明から容易に明らかであろう。
【実施例】
【００２９】
一般に、ここに開示されたメカニカル共振器及びシステム設計は、追加の電力消費に対する必要性なしで背景技術に記述された熱依存性を打消すことを含んでいることを考慮に入れる方法を提供する。本発明では、マイクロメカニカル共振器の熱安定性は、水晶結晶共振器のそれよりも更によくすることができる。
【００３０】
電力が大きな問題ではない場合には、ここに記述した温度−不感応設計技法は、所与の電力レベルにおいて現在のマクロスコピック共振器を介して達成可能なものよりも優れた熱安定性を達成するために温度補償またはオーブン−制御回路と組合せることができる。
【００３１】
開示された共振器は、温度依存性が以下の要因によって支配される、曲げモードで振動するように設計されている：（１）クランプ・ビームの熱膨張または収縮による応力（ストレス）変化；（２）ヤング率温度依存性；及び（３）リリース・ビームの熱膨張または収縮による寸法（大きさ）の変化。しかしながら、共振器は、放射状輪郭（ラジアル・コンツアー(radial contour)）モード、ワイン-グラス・モードまたはその他のモードのようなその他のモードで動作する共振器でありうるということが理解されるべきである。
【００３２】
上記原因の中で、温度によるヤング率及び応力変化は、共振周波数に最も強い影響力を有する。大部分の現行の共振器の設計に対して、これら二つの原因は、単調に減少する共振周波数-対-温度曲線をもたらすために組合された。例えば、リンをドープした多結晶シリコン・クランプ-クランプ・ビーム共振器の共振周波数は、負のヤング率温度係数（ＴＣf）及びクランプ・ビーム膨張による負のＴＣfを有する。これらのＴＣf‘ｓは、正味の負の温度係数をもたらすことを増す。
【００３３】
ここに開示された高Ｑ、温度-不感応メカニカル共振器は、温度により変化する（即ち、温度の関数である）電気的ばね剛性、ｋeを実現するために戦略的電極設計及び構造を利用する。これを行なうことにより、共振周波数ｆ0を：
【００３４】
【数１】
2005500779.tif 000003
により、温度の関数にする。ここでｋmは、印加されたｄｃ-バイアスＶpがない）共振器のメカニカル剛性であり、かつｍrは、共振器の有効動的質量である。電気的剛性ｋe
は、（ビーム・ベンディング（曲げ）によるギャップ・スペース変化を無視して）概ね次式によって与えられる：
【００３５】
【数２】
2005500779.tif 000004
ここでＶpは、ｄｃ-バイアス電圧であり、Ａは、オーバラップ・エリアであり、
2005500779.tif 000005
は、真空における誘電率であり、ｄは、電極と共振器との間のギャップ・スペーシングである。式（２）に示したように、電極-共振器間容量性ギャップにわたり生成された電気的剛性は、ギャップ・スペーシングｄに強く依存する。
【００３６】
それゆえに、電気的剛性を温度の関数にする一つの方法は、温度により変化する電極-共振器間ギャップを実現することである。
【００３７】
図２ａは、本発明の、１０で示される、共振器装置の一つの好適な実施形態の斜視略図を表す。この実施形態では、１２で示される、オーバヘッド電極（即ち、上部電極）は、１４で示される、クランプ-クランプ・ビーム垂直メカニカル共振器の上に付加されている。オーバハンギング電極構成または電極１２は、通常のクランプ-クランプ・ビーム・アンカー１８を介してその終端で、図２ｂにおいて１６で示される基板にそれ自体アンカーされる。
【００３８】
図２ｂ（図２ａの部分図）に示すように、上部電極１２は、アンカー２０及びメカニカル共振器１４の構成材料よりも速く膨張する材料で構築されたブロックまたはアンカー１８によって有効（効果）的に支持される。材料のこの選択により、上部電極１２の底面は、の共振器ビーム１４の上面が（共振器アンカー２０の熱膨張及びそのビーム厚みによって）上方に移動するよりも速く上方に向かって垂直に移動し、図２ｂに類似する部分図であるがより高い温度における、図２ｃに示すように、上部電極と共振器間のギャップ２２スペーシングにおける正味の増大を結果としてもたらす。ギャップ２２スペーシングにおけるこの増大は、次いで式（１）及び（２）によってそれぞれ支配される、上部電極-共振器間容量性ギャップ２２にわたる電気ばね定数における減少及び共振周波数における対応する増大に導く。
【００３９】
ｄｃ-バイアス電圧Ｖp及び初期ギャップ２２スペーシングｄ0の適切な値を選択することによって、この共振周波数増大は、ヤング率と膨張-誘導応力温度依存性の組合せから生ずる温度による共振周波数減少を正確に取消すように合わせることができる。設計変数の関数としての期待温度係数に対する式は：
【００４０】
【数３】
2005500779.tif 000006
として与えることができる。ここで
2005500779.tif 000007
は、共振器材料のヤング率の温度係数であり、Ｖcは、上部電極１２に印加される制御電圧であり、ｋmは、共振器ビーム１４のメカニカルばね定数であり、ｈbeは、基板１６とオーバヘッド電極１２の底面との間のギャップであり、かつ
2005500779.tif 000008
及び
2005500779.tif 000009
は、それぞれ電極１２及び共振器１４の熱膨張係数である。
【００４１】
図２ａの実施形態は、この可変電気ばね定数原理に基づく温度-不感応マイクロメカニカル共振器に対するいくつかの可能な設計の一つを表す。
【００４２】
図３ａ〜３ｈは、図２ａの装置１０を作るためのサンプル処理フローを表す。図示するように、処理は、Ｓｉ-基板層３０、酸化膜３２、窒化膜３４、Ｎｉシード層３８及び図２ａ〜２ｃの駆動電極３５になる、多結晶シリコン３５を含んでいる図３ａの断面をもたらす標準高周波数垂直共振器表面マイクロマシニング処理で開始する。共振器構造１４は、規定されるが、しかし犠牲酸化物及び酸化マスク層３６は、まだそのまま残る。この地点で、処理は、ＨＦリリース段階を行なう代わりに、Ｎｉ犠牲スペーサ層３７は、図３ｄの断面をもたらすために適当なフォトレジスト・モルド４０を通して電気めっきを介して共振器構造１４の周りに形成されるという点において、通常の表面マイクロマシニングのものからそれている。シード層３８は、共振器１４の上部から図３ｃにおいて除去される。犠牲層３７を形成するために用いたモルド４０及びシード層３８の除去後、別の金属（Ｃｒ/Ａｕ/Ｃｒ）シード層４２及びモルド４４が（図３ｅに示すように）適用され、次いで上部電極構造１２に対するＡｕは、（図３ｆに示すように）めっきされる。このステップに対するモルド４４、層３７及びシード層４２は、除去されかつ構造全体は、ＨＦでリリースされ、図３ｈの自立形最終断面のままにしておくる。
【００４３】
明らかに、この発明の基本前提を実現することができる多くの形状（ジオメトリ）及び電極配置が存在する：機能依存電気ばね剛性による周波数補償。例えば、図４ａ及び図４ｂは、膨張-誘導形圧縮による、それらの上部電極１２’及び１２”の可能なワーピングをそれぞれ緩和しようとする追加装置１０’及び１０”をそれぞれ表す。そのような装置１０’及び１０”は、駆動電極３５’及び３５”によってそれぞれ駆動される、アンカー２０’及び２０”をそれぞれ有しているビーム１４’及び１４”を含む。そのようなワーピングは、電気剛性-対-温度変換特性における非線形性に導きうる。
【００４４】
図４ａでは、ワーピングは、（上記特許出願において記述されたように）スプリット・アンカーまたはオフ-アクシス・アンカー１８’を用いることによって低減され。それはアンカー位置における上下間応力差を抑制し、それゆえにアンカー１８’におけるワーピング（またはライジング）を抑制する。
【００４５】
図４ｂでは、電極１２”のアンカー１８”に近い上部電極材料におけるカット４０は、電極プレート”１２自体におけるあらゆる膨張応力を更に緩和するために用いられる。
【００４６】
上記に加えて、より根本的に異なる設計も可能である。例えば、上部電極１２を用いる代わりに、共振器構造材料よりもゆっくり膨張する材料で作られた下部電極を同様な結果で用いることができる（即ち、温度により増大する電極-共振器間ギャップ・スペーシングを実現する）。
【００４７】
更に、この技法は、単に温度だけでなく、メカニカル共振器の周波数安定性を含む、様々な現象に対して補償するために用いることもできる。例えば、加速度に対してメカニカル共振器の共振周波数を安定化する補償は、電極-共振器間ギャップが加速度に依存するような電極を用いて実行可能である。
【００４８】
図２ａに従って作られた装置１０に対して測定された周波数スペクトルを図５に示す。このプロットから抽出されたＱは、３，０００に近く、それは、この共振器装置１０を用いて発振器における良好な位相ノイズ性能を達成するために十分に高い。
【００４９】
図６は、上部電極-共振器間ギャップ２２にわたり印加されたｄｃ-バイアスＶｃの値を変化させることによる図２ａの共振器１０に対する部分周波数変化-対-温度のプロット（作図）を表す。明らかに、周波数-対-温度曲線の傾斜は、Ｖｃの値を調整することによって調整することができる。Ｖｃ＝-２Ｖで、周波数-対-温度曲線は、最も平坦であり、３４０Ｋから３６０Ｋ℃までＴＣf＝０．２６５ｐｐｍ/℃を達成し、かつ３００Ｋから３６０Ｋまでたった３５ｐｐｍの総合周波数偏差を達成する。
【００５０】
図７及び８は、図４ａ及び４ｂの共振器装置１０’及び１０”に対して類似するデータをそれぞれ表し、３００Ｋから３６０Ｋまで２４ｐｐｍ及び３７ｐｐｍの総合周波数偏差がそれぞれ観察される。これらの設計のそれぞれは、ゼロＴＣf温度点も示す。
【００５１】
主な効果及び寄与は多数ある。例えば、本発明は以下のものを提供する：
電力消費に対する必要性なしでかつ応力補償に対する必要性なしでマイクロメカニカル共振器の共振周波数の温度係数を一般に低減する方法。そのような応用は、それらの周波数基準に対する温度安定性を最も必要とするので、これは無線通信アプリケーションにおける基準発振器に対して非常に有用である
電気的剛性における変化をもたらしうる温度またはその他の変数の関数としてマイクロメカニカル共振器の周波数を制御する方法。この特徴は、共振器が所定の温度応答を有することを期待する様々な回路において非常に有用でありうる。
説明した処理技術は、フィルタ及び発振器のような、マイクロメカニカル共振器回路の設計柔軟性をかなり向上させる、２ポート、垂直、マイクロメカニカル共振器の実施を許容する。
【００５２】
要約すると、本発明は以下のものを提供する：
１）あるパラメータの関数として変化する電気的剛性は、マイクロメカニカル共振器の周波数-対-パラメータ特性を制御する目的でマイクロメカニカル共振器の共振周波数に影響を与えるために用いられるような一般設計技法。
２）１）と同様であるが、しかしフラットな周波数-対-パラメータ曲線を与える形状設計を用いる。
３）温度の関数として変化する電気的剛性は、マイクロメカニカル共振器の周波数-対-温度特性を制御する目的でマイクロメカニカル共振器の共振周波数に影響を与えるために用いられるような一般設計技法。
４）３）と同様であるが、しかしフラットな周波数-対-温度曲線を与える形状設計を用いる。
５）２ポート、垂直、マイクロメカニカル共振器を製造する技法。
【００５３】
本発明のマイクロメカニカル装置及びシステムは、メカニカル共振器の共振周波数における温度-誘導形（または一般的に誘導形）シフトを補償するために温度依存電気ばね定数を利用する。この設計を用いて、メカニカル共振器の温度係数（ＴＣf）は、追加の電力消費なしで実質的に低減することができ、かつゼロＴＣf温度は、共振器がより良い温度安定性に対して低電力オーブン制御を介してバイアスされうるところで導入することができる。
【００５４】
受動的温度補償を許容するこの共振器設計における特徴は、電極-共振器間ギャップ・スペーシングが温度により変化するような電極-共振器間オーバラップ静電容量の導入である。特に、温度補償（即ち、温度係数の低減）の場合について、構造は、電極-共振器間のギャップが温度により増大するように設計され、電気的剛性を低減させ、それにより共振器の周波数を上昇させる。次いで、温度を増大することによる周波数におけるこの増大は、オフセットしかつ温度におけるヤング率の依存性によって通常もたらされる周波数における減少を理想的に打消す。
【００５５】
この設計戦略は、ポータブル無線通信おける基準発振器アプリケーション及びＲＦチャネル-選択フィルタ・バンクに必要な温度安定性を実現するために採用することができる。更に、の共振器の熱応答がヌルである必要がないが、所与の形状を満足しなければならない場合に対して、この技法は、特定の共振周波数-対-温度曲線を適合させるために用いることもできる。
【００５６】
上述した設計技法は、温度または加速度補償だけに限定されないし、あらゆるメカニカル共振器装置に対して周波数-対-温度曲線をより一般に適合させるために用いることもできる。例えば、支援構造は、温度センサとして使用するために共振器の温度依存性を増大するように設計されうる。または、温度曲線は、一定の所定の位置にピーク及びバレーを有するように適合されうる。
【００５７】
本発明の実施形態が説明されかつ記述されたが、これらの実施形態は、本発明の全ての可能な形式を説明しかつ記述することを意図するものではない。それよりも、明細書で用いられる語は、限定よりも記述の語であり、かつ本発明の精神及び適用範囲から逸脱することなく様々な変更を行ないうるということが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】等折返し(equal-folded)ビーム多結晶シリコン・マイクロメカニカル共振器及び様々なカット・アングルを有するＡＴ−カット水晶結晶板に対する部分周波数変化 対 温度のグラフまたはプロットを示す。
【図２ａ】本発明に従って構築された温度不感応マイクロメカニカル共振器の斜視略図である。
【図２ｂ】寸法及び電気的バイアシングを示している図２ａの共振器の部分図である。
【図２ｃ】図２ｂの図に類似する部分図であるが、高い温度におけるものでありかつより大きなトップ電極-共振器間ギャップを有している。
【図３ａ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図３ｂ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図３ｃ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図３ｄ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図３ｅ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図３ｆ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図３ｇ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図３ｈ】本発明の共振器を作るためのサンプル処理フローを示す部分図である。
【図４ａ】本発明の共振器の別の実施形態の斜視略図であり、トップ電極は、上下間膨張勾配の作用を抑制するためのスプリット・アンカーを有する。
【図４ｂ】図４ａの実施形態に類似する、本発明の共振器の更に別の実施形態の斜視略図であるが、トップ電極プレートにおける垂直膨張誘導エリアを緩和するためにカットを用いている。
【図５】図２ａの共振器の１０ＭＨｚバージョンに対する周波数特性を示すグラフである。
【図６】図２ａの共振器に対する部分周波数変化 対 温度のグラフまたはプロットを示す。
【図７】図４ａの共振器に対する部分周波数変化 対 温度のグラフまたはプロットを示す。
【図８】図４ｂの共振器に対する部分周波数変化 対 温度のグラフまたはプロットを示す。
【図１】
2005500779.tif 000010
【図５】
2005500779.tif 000011
【図６】
2005500779.tif 000012
【図７】
2005500779.tif 000013
【図８】
2005500779.tif 000014
【国際公開パンフレット】
2005500779.tif 000015
2005500779.tif 000016
2005500779.tif 000017
2005500779.tif 000018
2005500779.tif 000019
2005500779.tif 000020
2005500779.tif 000021
2005500779.tif 000022
2005500779.tif 000023
2005500779.tif 000024
2005500779.tif 000025
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【国際調査報告】
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