(57)【要約】【課題】ステージ位置を精度良く計測し、描画精度の低下を防止する。【解決手段】本実施形態による荷電粒子ビーム描画装置は、レーザ干渉計７０と、波長変動検出部８と、試料Ｗに荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部２とを備える。波長変動検出部８は、レーザ光を１パス用のレーザ光と２パス用のレーザ光とに分離し、描画室２ａ内に配置された反射鏡８８に照射し、１パス干渉による第１ビート信号と２パス干渉による第２ビート信号を出力する。描画制御部３ｃは、第１ビート信号と第２ビート信号との差分に基づいてレーザ光の波長変動係数を算出し、レーザ干渉計７０により計測されたステージ１１の位置情報を補正し、補正後のステージ位置情報に基づいて描画部２を制御する。【選択図】図２
2018073901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置する移動可能なステージが内部に設置された描画室と、
レーザ光を出力するレーザ源と、
前記レーザ光を分岐する分岐部と、
前記ステージの位置を、前記分岐部により分岐されたレーザ光を用いて計測するレーザ干渉計と、
前記レーザ光の波長変動を検出する波長変動検出部と、
前記試料に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部と、
前記描画部を制御する描画制御部と、
を備え、
前記波長変動検出部は、
前記分岐部により分岐されたレーザ光を第１レーザ光と第２レーザ光とに分離するビームスプリッタと、
前記描画室内に配置された反射鏡と、
前記第１レーザ光を第１測定光及び第１参照光に分離し、前記第２レーザ光を第２測定光及び第２参照光に分離する偏光ビームスプリッタと、
前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間をｍ回（ｍは１以上の整数）往復した前記第１測定光と前記第１参照光とを合成した第１合成光を検出して第１ビート信号を出力し、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間をｎ回（ｎはｍより大きい整数）往復した前記第２測定光と前記第２参照光とを合成した第２合成光を検出して第２ビート信号を出力する検出器と、
を有し、
前記描画制御部は、前記第１ビート信号と前記第２ビート信号との差分に基づいて前記レーザ光の波長変動係数を算出し、前記波長変動係数を用いて前記レーザ干渉計により計測された前記ステージの位置情報を補正し、補正後のステージ位置情報に基づいて前記描画部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記検出器は、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間を１往復した前記第１測定光と前記第１参照光とを合成した前記第１合成光を検出して前記第１ビート信号を出力し、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間を２往復した前記第２測定光と前記第２参照光とを合成した前記第２合成光を検出して前記第２ビート信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記ステージは第１方向と、前記第１方向と直交する第２方向とに移動可能であり、
前記第１方向におけるステージ位置を計測する第１のレーザ干渉計と、前記第２方向におけるステージ位置を計測する第２のレーザ干渉計とが設けられており、
前記レーザ源、前記分岐部、及び前記波長変動検出部は、前記第１のレーザ干渉計と前記第２のレーザ干渉計とのそれぞれに対応して設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記ステージは第１方向と、前記第１方向と直交する第２方向とに移動可能であり、
前記第１方向におけるステージ位置を計測する第１のレーザ干渉計と、前記第２方向におけるステージ位置を計測する第２のレーザ干渉計とが設けられており、
前記第１のレーザ干渉計及び前記第２のレーザ干渉計は、同一のレーザ源から出力されたレーザ光を用いて計測を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
レーザ源から出力されたレーザ光を分岐する工程と、
レーザ干渉計が、分岐されたレーザ光を用いて、描画室内に設置されたステージの位置を計測する工程と、
分岐されたレーザ光を第１レーザ光と第２レーザ光とに分離する工程と、
偏光ビームスプリッタにより、前記第１レーザ光を第１測定光及び第１参照光に分離し、前記第２レーザ光を第２測定光及び第２参照光に分離する工程と、
前記偏光ビームスプリッタと前記描画室内に配置された反射鏡との間をｍ回（ｍは１以上の整数）往復した前記第１測定光と前記第１参照光とを合成した第１合成光を検出して第１ビート信号を出力する工程と、
前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間をｎ回（ｎはｍより大きい整数）往復した前記第２測定光と前記第２参照光とを合成した第２合成光を検出して第２ビート信号を出力する工程と、
前記第１ビート信号と前記第２ビート信号との差分に基づいて前記レーザ光の波長変動係数を算出する工程と、
前記波長変動係数を用いて、前記レーザ干渉計により計測された前記ステージの位置情報を補正する工程と、
補正後のステージ位置情報に基づいて、前記ステージに載置された試料に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
従来の電子ビーム描画装置は、描画対象の基板が載置されたステージを移動させつつ、ステージ位置に基づいて電子ビームを偏向し、基板の所望の位置に電子ビームを照射してパターンを描画している。
【０００４】
ステージの位置の測定には、レーザ干渉計が用いられている。レーザ干渉計は、偏光ビームスプリッタ、λ／４板、反射鏡などの複数の光学部品を有する。レーザ光は、偏光ビームスプリッタに入射すると、ステージに向かう測定光（測長光）と反射鏡に向かう参照光とに分けられる。ステージで反射した測定光及び反射鏡で反射した参照光は、偏光ビームスプリッタにより合成されて干渉光となる。測定光と参照光との光路差により発生する干渉縞からステージ位置が計測される。
【０００５】
レーザ光の波長が変動すると、ステージ位置の測定誤差が生じる。そのため、レーザ発振器では、出力を安定させるための制御が行われているが、波長変動を完全に無くすことは極めて困難であった。近年のパターンに微細化に伴い、この誤差が無視できないものとなり、描画精度を低下させるおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２１８２４８号公報
【特許文献２】特開平５−３１５２２１号公報
【特許文献３】実公平７−１６９８２号公報
【特許文献４】特開２０１５−７５４６１号公報
【特許文献５】特開平７−１６７６０７号公報
【特許文献６】特開２０１０−５６３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ステージ位置を精度良く計測し、描画精度の低下を防止することができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、試料を載置する移動可能なステージが内部に設置された描画室と、レーザ光を出力するレーザ源と、前記レーザ光を分岐する分岐部と、前記ステージの位置を、前記分岐部により分岐されたレーザ光を用いて計測するレーザ干渉計と、前記レーザ光の波長変動を検出する波長変動検出部と、前記試料に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部と、前記描画部を制御する描画制御部と、を備え、前記波長変動検出部は、前記分岐部により分岐されたレーザ光を第１レーザ光と第２レーザ光とに分離するビームスプリッタと、前記描画室内に配置された反射鏡と、前記第１レーザ光を第１測定光及び第１参照光に分離し、前記第２レーザ光を第２測定光及び第２参照光に分離する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間をｍ回（ｍは１以上の整数）往復した前記第１測定光と前記第１参照光とを合成した第１合成光を検出して第１ビート信号を出力し、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間をｎ回（ｎはｍより大きい整数）往復した前記第２測定光と前記第２参照光とを合成した第２合成光を検出して第２ビート信号を出力する検出器と、を有し、前記描画制御部は、前記第１ビート信号と前記第２ビート信号との差分に基づいて前記レーザ光の波長変動係数を算出し、前記波長変動係数を用いて前記レーザ干渉計により計測された前記ステージの位置情報を補正し、補正後のステージ位置情報に基づいて前記描画部を制御することを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記検出器は、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間を１往復した前記第１測定光と前記第１参照光とを合成した前記第１合成光を検出して前記第１ビート信号を出力し、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間を２往復した前記第２測定光と前記第２参照光とを合成した前記第２合成光を検出して前記第２ビート信号を出力することを特徴とする。
【００１０】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記ステージは第１方向と、前記第１方向と直交する第２方向とに移動可能であり、前記第１方向におけるステージ位置を計測する第１のレーザ干渉計と、前記第２方向におけるステージ位置を計測する第２のレーザ干渉計とが設けられており、前記レーザ源、前記分岐部、及び前記波長変動検出部は、前記第１のレーザ干渉計と前記第２のレーザ干渉計とのそれぞれに対応して設けられていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、前記ステージは第１方向と、前記第１方向と直交する第２方向とに移動可能であり、前記第１方向におけるステージ位置を計測する第１のレーザ干渉計と、前記第２方向におけるステージ位置を計測する第２のレーザ干渉計とが設けられており、前記第１のレーザ干渉計及び前記第２のレーザ干渉計は、同一のレーザ源から出力されたレーザ光を用いて計測を行うことを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、レーザ源から出力されたレーザ光を分岐する工程と、レーザ干渉計が、分岐されたレーザ光を用いて、描画室内に設置されたステージの位置を計測する工程と、分岐されたレーザ光を第１レーザ光と第２レーザ光とに分離する工程と、偏光ビームスプリッタにより、前記第１レーザ光を第１測定光及び第１参照光に分離し、前記第２レーザ光を第２測定光及び第２参照光に分離する工程と、前記偏光ビームスプリッタと前記描画室内に配置された反射鏡との間をｍ回（ｍは１以上の整数）往復した前記第１測定光と前記第１参照光とを合成した第１合成光を検出して第１ビート信号を出力する工程と、前記偏光ビームスプリッタと前記反射鏡との間をｎ回（ｎはｍより大きい整数）往復した前記第２測定光と前記第２参照光とを合成した第２合成光を検出して第２ビート信号を出力する工程と、前記第１ビート信号と前記第２ビート信号との差分に基づいて前記レーザ光の波長変動係数を算出する工程と、前記波長変動係数を用いて、前記レーザ干渉計により計測された前記ステージの位置情報を補正する工程と、補正後のステージ位置情報に基づいて、前記ステージに載置された試料に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する工程と、
を備えるものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レーザ波長の変動量を検出して測長誤差を補正するため、ステージ位置を精度良く計測でき、描画精度の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る電子ビーム描画装置の概略図である。
【図２】同実施形態に係るステージ及びレーザ干渉計の概略図である。
【図３】同実施形態に係るレーザ干渉計の概略図である。
【図４】レーザ光の光路を示す図である。
【図５】レーザ光の光路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は本発明の実施形態に係る電子ビーム描画装置の概略図である。図１に示す描画装置１は、描画対象の基板Ｗに電子ビームを照射して所望のパターンを描画する描画部２と、描画部２の動作を制御する制御部３とを備えた可変成形型の描画装置である。
【００１７】
描画部２は、描画対象となる試料Ｗを収容する描画室２ａと、その描画室２ａにつながる光学鏡筒２ｂとを有している。この光学鏡筒２ｂは、描画室２ａの上面に設けられており、電子ビームを成形及び偏向し、描画室２ａ内の試料Ｗに対して照射するものである。描画室２ａ及び光学鏡筒２ｂの内部は減圧されて真空状態になっている。
【００１８】
描画室２ａ内には、試料Ｗを支持するステージ１１が設けられている。このステージ１１は水平面内で互いに直交するＸ軸方向及びＹ軸方向（以下、単にＸ方向及びＹ方向という）に移動可能である。ステージ１１上には、例えばマスクやブランクなどの試料Ｗが載置される。描画室２ａの外周には、ステージ１１の位置を計測する計測部４が設けられている。計測部４の構成については後述する。
【００１９】
光学鏡筒２ｂ内には、電子ビームＢを出射する電子銃などの出射部２１と、電子ビームＢを集光する照明レンズ２２と、ビーム成形用の第１成形アパーチャ２３と、投影レンズ２４と、成形偏向器２５と、ビーム成形用の第２成形アパーチャ２６と、試料Ｗ上にビーム焦点を結ぶ対物レンズ２７と、試料Ｗに対するビームショット位置を制御するための副偏向器２８及び主偏向器２９とが配置されている。
【００２０】
描画部２では、電子ビームＢが出射部２１から出射され、照明レンズ２２により第１成形アパーチャ２３に照射される。第１成形アパーチャ２３は例えば矩形状の開口を有している。電子ビームＢが第１成形アパーチャ２３を通過すると、その電子ビームの断面形状は矩形状に成形され、投影レンズ２４により第２成形アパーチャ２６に投影される。投影位置は成形偏向器２５により偏向可能であり、投影位置の偏向により電子ビームＢの形状と寸法を制御することが可能である。第２成形アパーチャ２６を通過した電子ビームＢは、その焦点が対物レンズ２７によりステージ１１上の試料Ｗに合わされて照射される。このとき、ステージ１１上の試料Ｗに対する電子ビームＢのショット位置は副偏向器２８及び主偏向器２９により偏向される。
【００２１】
制御部３は、描画データを記憶する記憶部３ａと、描画データを処理してショットデータを生成するショットデータ生成部３ｂと、描画部２を制御する描画制御部３ｃとを備えている。なお、ショットデータ生成部３ｂや描画制御部３ｃは、電気回路などのハードウェアにより構成されても良く、また、各機能を実行するプログラムなどのソフトウェアにより構成されても良く、あるいは、それらの両方の組合せにより構成されても良い。
【００２２】
描画データは、半導体集積回路の設計者などによって作成された設計データ（レイアウトデータ）が描画装置１に入力可能となるように、描画装置１用のフォーマットに変換されたデータであり、外部装置から記憶部３ａに入力されて保存されている。記憶部３ａとしては、例えば、磁気ディスク装置や半導体ディスク装置（フラッシュメモリ）などを用いることが可能である。
【００２３】
なお、前述の設計データは、通常、多数の微小なパターン（図形など）を含んでおり、そのデータサイズは大きい。この設計データがそのまま他のフォーマットに変換されると、変換後のデータ量はさらに増大してしまう。このため、描画データでは、データの階層化やパターンのアレイ表示などの方法により、データ量の圧縮化が図られている。このような描画データが、チップ領域の描画パターン、または、同一描画条件である複数のチップ領域を仮想的にマージして一つのチップに見立てた仮想チップ領域の描画パターンなどを規定するデータとなる。
【００２４】
ショットデータ生成部３ｂは、描画データにより規定される描画パターンをストライプ状（短冊状）の複数のストライプ領域（長手方向がＸ方向であり、短手方向がＹ方向である）に分割し、さらに、各ストライプ領域を行列状の多数のサブ領域に分割する。ショットデータ生成部３ｂは、各サブ領域内の図形の形状や大きさ、位置などを決定し、さらに、図形を一回のショットで描画可能な複数の部分領域に分割し、ショットデータを生成する。なお、ストライプ領域の短手方向（Ｙ方向）の長さは電子ビームＢを主偏向で偏向可能な長さに設定されている。
【００２５】
描画制御部３ｃは、描画パターンを描画する際、ステージ１１をストライプ領域の長手方向（Ｘ方向）に移動させつつ、電子ビームＢを主偏向器２９により各サブ領域に位置決めし、副偏向器２８によりサブ領域の所定位置にショットして図形を描画する。その後、１つのストライプ領域の描画が完了すると、ステージ１１をＹ方向にステップ移動させてから次のストライプ領域の描画を行い、これを繰り返して試料Ｗの描画領域の全体に電子ビームＢによる描画を行う。なお、描画中には、ステージ１１が一方向に連続的に移動しているため、描画原点がステージ１１の移動に追従するように、主偏向器２９によってサブ領域の描画原点をトラッキングさせている。
【００２６】
このように電子ビームＢは、副偏向器２８と主偏向器２９によって偏向され、連続的に移動するステージ１１に追従しながら、その照射位置が決められる。ステージ１１のＸ方向の移動を連続的に行うとともに、そのステージ１１の移動に電子ビームＢのショット位置を追従させることで、描画時間を短縮することができる。
【００２７】
描画制御部３ｃは、計側部４により計測されたステージ１１の位置情報を用いて、副偏向器２８や主偏向器２９などの制御、すなわちビーム照射位置の制御を行う。
【００２８】
次に、計側部４の構成について説明する。図２に示すように、計側部４は２ヶ所に設けられており、図２中の下側に位置する第１の計側部４は、Ｙ方向におけるステージ１１の位置を計測する。また、図２中の左側に位置する第２の計側部４は、Ｘ方向におけるステージ１１の位置を計測する。これらの第１及び第２の計側部４は同じ構造を有するため、その共通の構造について以下に説明する。
【００２９】
計側部４は、レーザ源５と、レーザ源５から出射されたレーザ光を分岐する分岐部６と、レーザ光を用いてステージ１１までの距離を計測する測長部７と、レーザ光の波長変動を検出する波長変動検出部８とを備える。レーザ光には、例えばヘリウムネオンレーザを用いることができる。分岐部６は例えばハーフミラーを用いることができる。
【００３０】
測長部７は、レーザ干渉計７０、及びレーザ干渉計７０による干渉光を受光する受光部７１を有する。受光部７１は、例えばフォトダイオードを用いることができる。
【００３１】
レーザ源５から出射され、分岐部６で分岐されたレーザ光の一方が、レーザ干渉計７０で分割される。レーザ干渉計７０で分割されたレーザ光の一方は、ステージ１１に進行する。一方、分割されたレーザ光の他方は、レーザ干渉計７０内のミラー（図示略）に進行する。これら進行したレーザ光は、それぞれステージ１１又はミラーで反射されてレーザ干渉計７０に戻り、レーザ干渉計７０において干渉する。
【００３２】
この干渉したレーザ光を受光部７１で受光し、光路差により発生する干渉縞が観測される。観測結果は描画制御部３ｃに通知される。このような計測がＸ方向及びＹ方向の両方で行われ、第１の計側部４のレーザ干渉計７０とステージ１１とのＹ方向の相対距離、さらに、第２の計側部４のレーザ干渉計７０とステージ１１とのＸ方向の相対距離が測定され、それらの相対距離情報からステージ１１の位置が把握される。
【００３３】
レーザ干渉計７０は、描画室２ａの側面に形成された収容室Ｒ１に収容されている。レーザ源５、分岐部６、受光部７１等は描画部２の筐体の外部に設けられている。
【００３４】
図２及び図３に示すように、波長変動検出部８は、レーザ干渉計８０、反射鏡８８、及びレーザ干渉計８０による干渉光を受光する受光部８９を有する。レーザ干渉計８０は、描画室２ａの側面に形成された収容室Ｒ２に収容されている。反射鏡８８は描画室２ａ内のステージ１１近傍に配置されている。受光部８９は描画部２の筐体の外部に設けられており、例えばフォトダイオードが用いられる。
【００３５】
レーザ干渉計８０は、分岐部６で分岐されたレーザ光の他方を分割するビームスプリッタ８１、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）８２、反射鏡８３〜８５、λ／４板８６及び８７を有する。
【００３６】
レーザ干渉計８０は、反射鏡８８との間で１往復する１パス方式のレーザ干渉と、２往復する２パス方式のレーザ干渉とを観測する。ビームスプリッタ８１で分割された一方のレーザ光Ｌ１が１パス用のレーザ光となり、他方のレーザ光Ｌ２が２パス用のレーザ光となる。図３では、説明の便宜上、分割されたレーザ光Ｌ１、Ｌ２が偏光ビームスプリッタ８２に入射するところまでを示している。
【００３７】
図４に示すように、レーザ光Ｌ１は、偏光ビームスプリッタ８２の偏光分離面８２ａにより、測定光（測長光）と参照光とに分離される。参照光は偏光分離面８２ａで反射する。偏光分離面８２ａを直進する測定光は、反射鏡８５で反射し、偏光分離面８２ａで反射し、λ／４板８７を通過し、反射鏡８８に向かって直進する。反射鏡８８で反射した測定光は、λ／４板８７を通過し、偏光分離面８２ａを直進する。測定光及び参照光が同軸光軸上に合成する。受光部８９が合成光を検出して、ビート信号（第１ビート信号）を出力する。
【００３８】
図５に示すように、レーザ光Ｌ２は、偏光ビームスプリッタ８２の偏光分離面８２ａにより、測定光と参照光とに分離される。偏光分離面８２ａで反射した参照光は、反射鏡８３、８４、偏光分離面８２ａで順に反射する。
【００３９】
偏光分離面８２ａを直進する測定光は、反射鏡８５で反射し、偏光分離面８２ａで反射し、λ／４板８７を通過し、反射鏡８８に向かって直進する。反射鏡８８で反射した測定光は、λ／４板８７を通過し、偏光分離面８２ａを直進する。そして、反射鏡８３、８４で反射し、偏光分離面８２ａを直進し、λ／４板８７を通過し、反射鏡８８に向かって直進する。反射鏡８８で再度反射した測定光は、λ／４板８７を通過し、偏光分離面８２ａで反射し、反射鏡８５で反射し、偏向分離面８２ａを通過し、測定光及び参照光が同軸光軸上に合成する。受光部８９が合成光を検出して、ビート信号（第２ビート信号）を出力する。
【００４０】
描画制御部３ｃは、受光部８９から出力される第１ビート信号及び第２ビート信号を取得し、２つのビート信号の差分から測長変動Δｘを算出する。この測長変動Δｘは、レーザ源５から出射されるレーザ光の波長の変動度合いを示すものである。レーザ源５に設定されている発振レーザ光の波長をλ、１パス方式での測定光と参照光との光路差をＸａ、２パス方式での測定光と参照光との光路差をＸｂとし、レーザ光の波長の変動度合いを示す波長変動係数ｋを用いて、波長変動Δｘは以下の式で表すことができる。
【００４１】
【数１】
2018073901.tif 000003
【００４２】
上記の式より、波長変動係数ｋはｋ＝Δｘ／（Ｘｂ−Ｘａ）となる。Ｘａ及びＸｂは既知の値であり、描画制御部３ｃは、受光部８９における観測結果から求めたΔｘに基づいて、波長変動係数ｋを（常時）リアルタイムに算出する。描画制御部３ｃは、第１の計側部４及び第２の計側部４のそれぞれにおける波長変動係数ｋに基づいて、各レーザ源５から出射されるレーザ光の波長変動を検出し、測長部７で計測されたステージ１１のＸ方向における位置及びＹ方向における位置情報を補正する。描画制御部３ｃは、補正後のステージ位置情報を用いて描画部２を制御し、描画処理を行う。
【００４３】
このように本実施形態によれば、波長変動係数ｋに基づく補正によりステージ１１の位置が精度良く求まり、ビームを所望の位置に照射することができるため、描画精度の低下を防止することができる。
【００４４】
反射鏡８８の位置が変動し、偏光ビームスプリッタ８２と反射鏡８８との間の距離が変動した場合について考える。反射鏡８８の位置がαだけ変動した場合、Δｘ＝ｋ（（Ｘｂ＋４α）−（Ｘａ＋２α））＝ｋ（Ｘｂ−Ｘａ＋２α）となる。波長変動係数ｋはｋ＝Δｘ／（Ｘｂ−Ｘａ＋２α）となる。
【００４５】
ここでα＝１ｍｍと仮定すると、波長変動係数ｋは０．００１９９５ｐｐｍとなる。反射鏡８８の位置が１ｍｍ変動しても、波長変動係数ｋの変動量は５×１０−１２であり、レーザ波長安定性に対して十分小さい値となる。従って、波長変動係数ｋは、反射鏡８８の位置変動の影響を殆ど受けず、レーザ光の波長変動を高精度に検出できる。
【００４６】
上記実施形態では、レーザ干渉計８０は、反射鏡８８との間で１往復する１パス方式のレーザ干渉と、２往復する２パス方式のレーザ干渉とを観測していたが、これに限定されず、反射鏡８８との間で３往復以上したレーザ干渉を観測してもよい。
【００４７】
上記実施形態では、波長変動検出部８の受光部８９から出力される第１ビート信号と第２ビート信号との差分から波長変動Δｘを算出し、ステージ１１の位置情報を補正していたが、さらに、第１ビート信号又は第２ビート信号から描画室２ａの変形を測長し、描画室２ａの変形量を考慮してステージ１１の位置情報を補正してもよい。
【００４８】
上記実施形態では、第１の計側部４、第２の計側部４のそれぞれにレーザ源５及び波長変動検出部８が設けられる構成について説明したが、１つのレーザ源５から出射されたレーザ光を分岐して第１の計側部４及び第２の計側部４で使用するようにしてもよい。この場合、波長変動検出部８はいずれか一方にのみ設ければよい。
【００４９】
上記実施形態では、電子ビームを照射する描画装置について説明したが、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームを照射するものであってもよい。また、描画装置は、マルチビーム描画装置であってもよい。
【００５０】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１  描画装置
２  描画部
２ａ  描画室
２ｂ  光学鏡筒
３  制御部
３ａ  記憶部
３ｂ  ショットデータ生成部
３ｃ  描画制御部
４  計側部
５  レーザ源
６  分岐部
７  測長部
８  波長変動検出部
１１  ステージ
２１  出射部
２２  照明レンズ
２３  第１成形アパーチャ
２４  投影レンズ
２５  成形偏向器
２６  第２成形アパーチャ
２７  対物レンズ
２８  副偏向器
２９  主偏向器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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