(57)【要約】本発明は、キャパシタ、レジスタ、またはインダクタ等の、平面上で構成される受動回路部品を有するプリント基板の製造に有用な金属箔製造に関する。銅箔両面をニッケル薄膜で被覆することで、箔の機能性範囲が広まる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面を有し、当該両面のうちの片面または両面に電気化学研摩処理、機械研摩処理、または粗化処理が任意に施された銅箔と、前記両面の各面に設けられたニッケル層とからなる導電性基板。
【請求項２】
銅箔の片面または両面を、電気化学研摩処理または機械研摩処理した、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項３】
銅箔の片面または両面に、粗化処理を施した、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項４】
銅箔の片面または両面に、銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項５】
銅箔が電解銅箔である、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項６】
銅箔が、圧延と焼きなましを施された銅箔である、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項７】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜２００マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項８】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜１５０マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項９】
銅箔の片面または両面が、約１０マイクロインチ以下の平滑さとなるまで研摩された、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１０】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に設けられたものである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１１】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、両方のニッケル層に設けられたものである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１２】
更に、レジスタ、キャパシタ、またはインダクタの形成材料の追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に設けられたものである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１３】
ニッケル層の厚さが約０．１μｍ〜約５μｍである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１４】
両面を有する銅箔を形成し、この両面のうちの片面または両面を任意に、電気化学研摩処理、機械研摩処理、または粗化処理し、両面それぞれにニッケル層を析出させてなる、導電性基板の製造方法。
【請求項１５】
銅箔両面のうちの片面または両面が、電気化学研摩処理または機械研摩処理された、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
銅箔両面のうちの片面または両面が粗化処理された、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
銅箔両面のうちの片面または両面に、銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
銅箔が電解銅箔である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
銅箔が、圧延と焼きなましを施された銅箔である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜２００マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜１５０マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
銅箔の片面または両面が、約１０マイクロインチ以下の平滑さとなるまで研摩された、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に析出付着されたものである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、両方のニッケル層に析出付着されたものである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
更に、レジスタ、キャパシタ、またはインダクタの形成材料の追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に設けられたものである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
ニッケル層の厚さが約０．１μｍ〜約５μｍである、請求項１４に記載の導電性基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスタ、キャパシタ、及びインダクタ等の、プリント基板（ＰＣＢ）に埋め込み可能な受動素子の製造に関する。受動素子は、自己の両側に薄いニッケル層を主要電極として有する銅箔からなる導電性基板を用いて形成してもよい。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板はエレクトロニクスの分野でよく知られており、各種業務用及び消費家電製品に用いられている。プリント基板は、小規模な装置にだけではなく、ミサイルや産業用制御機器等の大規模な物の用途にも有用である。例えば、ラジオやテレビ、電話機、自動車のダッシュボード、及びコンピュータの内側に見受けられる。プリント基板は、航空機搭載航空電子工学機器や誘導システムの操作上でも重要な役割を果たしている。プリント基板上の部品実装のための表面積は、機能や速度に対する要求が増すにつれて、制限を受ける形状因子となりつつある。
【０００３】
現状では、従来のＰＣＢの表面積の４０％強が、レジスタ、キャパシタ、及びインダクタ等の受動素子で占められている。これらの素子を平面形状に設計しなおすことで、プリント基板本体に埋め込み可能で、そうすることで、能動素子に使える表面積が増す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
当該分野では、集積レジスタ、キャパシタ、及びインダクタやトランスデューサ等の磁気部品を有するプリント基板の製造が知られている。受動素子製造の技術上の要求に部分的に取り組む技術は多種多様であるが、それぞれに難点がある。本発明は、プリント基板本体に埋め込み可能な平面受動素子の製造を可能とするものである。
【０００５】
更に、ニッケル層を用いることで、性能範囲がより広くなった素子の製造が可能となり、応用範囲が増える。加えて、純金属か合金であるかの形状を問わず、ニッケルは、プリント基板作製に通常に用いられる樹脂への箔の密着性を向上させることが知られており、セラミクスや金属酸化物との親和性を有するとともに、熱安定性や化学腐蝕耐性を増強させるという付加利益を有する。本発明は、誘電体媒質にて分離可能で且つキャパシタとしての機能を果たすよう構成可能な平面の箔を提供するものである。当該箔を、抵抗物質または誘導性物質で被覆し、これらの機能を果たすようにすることも可能である。これらの物質への密着性を向上させたことと、熱安定性を高めたことが、本発明の重要な特徴である。クリアランスホールの像を作り、これを生成する方法や、フォトレジストや化学エッチング技術を用いるその他の回路の特徴はよく知られている。その後、受動素子を、標準積層技術にて集積回路パッケージのプリント基板に埋め込んでもよい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、両面を有し、当該両面のうちの片面または両面に電気化学研摩処理、機械研摩処理、または粗化処理が任意に施された銅箔と、前記両面の各面に設けられたニッケル層とからなる導電性基板を提供するものである。
【０００７】
本発明はまた、両面を有する銅箔を形成し、当該両面のうちの片面または両面に任意に電気化学研摩処理、機械研摩処理、または粗化処理を施し、両面それぞれにニッケル層を析出付着させてなる、導電性基板の製造方法を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
その片面または両面に任意に電気化学研摩処理、機械研摩処理、または粗化処理が施された、両面を有する銅箔と、当該両面に施されたニッケル層とからなる導電性基板を用意した。
【０００９】
本発明の方法の第一工程は、回転ドラムに電気めっき処理を施すか、または銅インゴットを圧延し、その後焼なましをするか、のどちらかによって、好ましくは銅である金属箔を製造することである。本発明では、「銅箔」という用語は銅または銅合金を含むが、亜鉛、真鍮、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス鋼、鉄、金、銀、チタン、及びこれらの組み合わせや合金を含めてもよい。銅箔の厚さは、それぞれの具体的な用途に応じて変えてよい。
【００１０】
好適な実施例においては、銅箔の厚さは、約５μｍから約５０μｍである。電解方法による銅箔製造は、よく知られている。一つの好適な方法としては、銅塩溶液から回転金属ドラムへ銅を電着させることが含まれる。箔の、ドラムに隣接する側は通常、平滑面または光沢面であり、その反対側は、粗面としても知られる比較的粗い面を有する。このドラムは通常、ステンレス鋼かチタンでできており、カソードとしての機能を果たし、前記溶液から析出される銅を受ける。約５〜１０ボルトの槽電圧が、アノードとカソードとの間に通常印加されて銅を析出させ、一方では酸素がアノードに発生する。その後、この銅箔はドラムから除去される。
【００１１】
電気めっき箔は、ニューヨーク州、フーシックフォールズのオーク三井から発売されている。圧延銅は、イリノイ州、イーストアルトンのオーリンブラスから発売されている。
【００１２】
箔表面に改変を加えて、内蔵受動素子の性能を高めることが可能である。粗い方の表面を用いて、箔への内蔵受動素子の密着性を助長する必要がある場合や、その後の、箔へのプリント基板の密着性を助長する必要がある場合は、箔への密着性促進剤となる、当該分野で知られている接合増強処理で当該箔に前処理を施してもよい。この点、ニッケルまたは銅のコブ付け処理は、箔の片面または両面に対して行なえる。銅またはニッケル等の金属または合金の微小コブを電着させることによる一つの粗化技術を用いれば、箔への密着性が向上する。このことは、特許文献１〜３に従って行うことができ、これらを参考文献としてここに記載した。コブの寸法範囲は、約４０マイクロインチから約２００マイクロインチとすることができ、更に好ましくは、約４０マイクロインチから約１５０マイクロインチとすることができる。
【００１３】
【特許文献１】米国特許第６，１１７，３００号
【特許文献２】米国特許第５，６７９，２３０号
【特許文献３】米国特許第３，８５７，６８１号
【００１４】
箔表面の微細構造は、オハイオ州、シンシナチのマー・ファインプリュフ社（Ｍａｈｒ  Ｆｅｉｎｐｒｕｅｆ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から発売されているパーソメータ（Ｐｅｒｔｈｏｍｅｔｅｒ）のＭ４ＰモデルまたはＳ５Ｐモデル等の表面計で計測される。波形部表面の粒子構造の形状測定は、イリノイ州  ６００６２、ノースブルック、２１１５  サンダースロードのインターコネクティング・アンド・パッケージング・サーキッツ協会（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の工業規格ＩＰＣ−ＴＭ−６５０  セクション２．２．１７に従って行なわれた。この測定に当たっては、試料表面の測定長さＩｍが選択される。Ｒｚは、測定長さＩｍ（ここで、ＩｏはＩｍ／５）内の５ヶ所の連続した試料長さの谷部高さに対する平均最大頂点と定義される。Ｒｔは、測定長さＩｍの最大粗度深さであるとともに、山部の最も高い部分と谷部の最も低い部分との間の最大垂直方向距離でもある。Ｒｐは、測定長さＩｍ内の平らな部分の最大深さであるとともに、山部の最も高い部分の高さでもある。Ｒａ、または平均粗さは、測定長さＩｍ内で粗さ形状の中心線からの全絶対距離を計算した平均値である。本発明の重要なパラメータは、ＲｚとＲａである。表面処理を行ない、波形部を有する表面構造を作製するのであるが、これにより粗さのパラメータを、Ｒａが約１〜約１０μｍ、Ｒｚが約２〜約１０μｍの範囲となるようにする。
【００１５】
本発明の別の実施例では、平滑な銅表面が要求されよう。例えば、キャパシタでは誘電体間隔を最小にすることが求められる。電極の短絡防止のためには、表面は極力平滑且つ無傷であることが望まれる。これを達成するための技術は、電気化学研摩または機械研摩である。平滑面はまた、レジスタの均一性確保を助けるためにも必要となろう。機械研摩は、参考文献としてここに記載する特許文献４または特許文献５に記載された技術に従って行なってもよい。電気化学研摩は、銅をピロリン酸銅浴に浸漬して行なってもよい。電流を、箔が陽極となるように付与する。電流は、約０．２ａｍｐｓ／ｃｍ２〜約２ａｍｐｓ／ｃｍ２を約１０秒間〜約１分間流すのが適切である。銅は、箔の山部領域から微小な尖りを事実上除去され、より平滑になる。
【００１６】
【特許文献４】米国特許第５，６８８，１５９号
【特許文献５】米国特許第６，２９１，０８１号
【００１７】
ニッケル層を銅箔両面に施し、導電性構造を形成する。ニッケル層は、ニッケルまたは、亜鉛、真鍮、クロム、アルミニウム、ステンレス鋼、鉄、金、銀、チタン、及びこれらの組み合わせや合金からなる他の金属からなるニッケル合金を含むのが好ましい。ニッケル層はこれを、電着、電気めっき、スパッタリング、または無電解めっき等の従来の何らかの方法で銅箔に施してもよい。好適な実施例においては、ニッケル層は電着で析出される。ニッケル層の厚さは、それぞれの具体的な用途に応じて変えてよい。好適な実施例においては、ニッケル層の厚さは、約０．１μｍ〜約５μｍであり、約０．２μｍ〜約２μｍが好ましいが、約０．４μ〜約０．６μが最も好ましい。これは、スルファミン酸ニッケルと、塩化ニッケルと、硼酸との水溶液であるワット浴またはその他の公知のめっき液を、可溶性ニッケルアノードと併せて用いれば達成できる。めっき時間と電流密度は、化学的性質や所望の析出厚さにより変わる。
【００１８】
ニッケル層によって両面に施された銅箔からなる本発明の導電性基板は、電極や電子受動素子の製造に有用である。このような平面状の受動素子は、プリント基板や集積チップパッケージングに埋め込まれるものである。これらの素子は、適切な層をニッケルに追加して施すことにより製造される。この追加される層の性質は、キャパシタ、レジスタ、インダクタ装置が製造されるのかどうかによって決まる。
【００１９】
前記いずれかの受動素子を形成するに際しては、適度な厚さの薄いニッケル層を銅箔表面に析出させた後、追加する層をニッケル層の片面或いは両面に施してもよい。この層の組成により、その機能、即ち、キャパシタ、レジスタ、またはインダクタの別が決まる。適切な追加層は、ニッケル層の片面または両面に施された、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなるものとすればよい。インダクタ形成に適した一つの好適な材料としては、ＮｉＦｅがある。キャパシタ形成に適した材料としては、これに限定しないが、熱可塑性ポリマーと、エポキシ樹脂、ポリイミド、テフロン（登録商標）、及びポリエステル等の熱硬化性とが含まれる。一対のポリマー被覆シートを貼り合わせ、間に誘電高分子材料を挟んだ二枚のニッケルめっき銅シートを形成する。
【００２０】
抵抗体は、特許文献６に記載のニッケル−リン合金層を形成することで製造できる。電気抵抗層は、導電性材料と、非導電性材料とからなる電気抵抗複合材料を均一に分散させた層を形成することによって形成してもよい。これは、中実の非導電性粒子と、電気めっきされると導電性金属を形成する導電性金属イオンとを含有する電気めっき液を用いる周知の電着方法で形成してもよい。本発明に係る層の箔材料の抵抗材料及び／又は導電性金属層に用いられる導電性金属は、どのような金属、准金属、合金、またはそれらの組み合わせでも、電流を通せるものであればよい。導電性金属または合金として抵抗共析材料に有用な導電性金属類の例としては、以下の一つ以上のものが含まれる。即ち、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、コバルト（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、鉛（Ｐｂ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、炭素（Ｃ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び銅（Ｃｕ）である。導電性金属及び合金はまた、上記導電性材料の一種以上の合金から選んでもよく、もしくは上記導電性金属または合金の一種以上からなる複数の層から選んでもよい。抵抗性複合材料中の非導電性材料は、導電性金属と組み合わせたときに有用な共析電気めっき抵抗箔層ができるものであれば、どんな非導電性材料でもよい。この非導電性材料は、抵抗箔材料全体に均一に分散可能な粒状材料が好ましい。かかる粒状材料は、金属酸化物、金属窒化物、セラミックス、及びその他の粒状非導電性材料を含むが、これらに限定されない。粒状非導電性材料は、窒化ホウ素、炭化ケイ素、アルミナ、シリカ、酸化白金、窒化タンタル、タルク、ポリ四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、エポキシ粉末、及びこれらの混合体から選ばれるのがより好ましい。この追加層は、スパッタリング、化学気相蒸着、燃焼化学気相蒸着、電気化学析出（めっき）等の電着、無電解めっき、ゾル・ゲル法、ロール塗布等の被覆、スクリーン印刷、ディスペンシング、積層法、及び噴霧法を始めとしてこれらに限定されない適切な技術を用いて施してもよい。好ましくは、この追加層の厚さが、約０．０１〜約２５μｍであるとよい。
【００２１】
【特許文献６】米国特許第６，２９１，０８１号
【００２２】
電極の製造には、以下の諸工程を含む。
ａ）銅塩溶液から銅を回転式金属ドラムに電着させるか、または銅インゴットを圧延することによって銅箔を製造し、その後焼きなます工程と、
ｂ）箔の片面または両面を、機械研摩処理か、またはコブ付の接合強化層等の粗化処理で任意に処理する工程と、
ｃ）電気化学研摩か機械研摩にて、箔の片面または両面を任意に改変して表面の平滑さを向上させる工程と、
ｄ）銅箔の片面または両面にニッケル層を被覆する工程と、
ｅ）レジスタ、キャパシタ、またはインダクタの形成に適した埋め込み式受動材料を、ニッケルめっき銅箔のいずれかの面に施す工程と、
ｆ）当該埋め込み式受動材料を、必要に応じて乾燥、硬化、または焼きなます工程と、
ｇ）必要に応じて電極を当該素子に施す工程。
【００２３】
以下の限定されない実施例は本発明を説明するためのものであり、成分の割合や代替の変動は当業者には自明であり、本発明の範囲内である。
【００２４】
実施例１：  構造的にも化学的にも密着性促進処理を施していない３５μｍの電解銅箔を、以下の成分、即ちスルファミン酸、塩化ニッケル、及び硼酸を含み、ニッケルが８０ｇ／Ｌ、塩素が８ｇ／Ｌ、硼素が６ｇ／Ｌであるめっき浴に通した。このめっき槽には、可溶性ニッケル陽極を入れてある。箔に電流を付与して、ＣＤ＝５０ＡＳＦとなるようにした。電流の付与時間は約１０秒で、０．５μｍまでの厚さを有するニッケル層を析出した。その後、ニッケル層を、７μｍのポリイミド樹脂層で被覆した。液体ポリイミド樹脂を、Ｎ−メチルピロリドンと共にステンレス鋼製の混合バット内で、固体度２５％、粘度約２０，０００センチポーズに調整した。ポリイミド溶液を分配装置に供給し、約５０μｍの膜を、重力と液体高分子粘度とを分配力として用い、動いている箔の光沢面に施した。
【００２５】
ドクターブレードを調節し、厚さ４３μｍの湿った膜を製造して、厚さ約７．６μｍの乾いた高分子膜を有する可撓性複合材料とした。せき止められた材料の連続する液体水頭高さと量は、ドクターブレードの上流側で維持されているために、可撓性複合膜の厚さが一定となり、膜は気泡の無い状態に保たれている。
溶媒を蒸発させ、重合体を炉内で硬化させた。被覆した箔を炉に入れたばかりのときは、初期温度の降下が当然予想される。炉内が定常温度に達した時点で箔サンプルを取り出し、箔の被覆状態の重量を下地の重量と比較した後、ポリイミドの密度を用いて重量から膜厚へ換算することにより、膜厚を調べた。供給されたポリイミドの割合の調節及び/又は箔に対するドクターブレードの高さの調節は、この測定に基づいて行なう。この工程を、所望の膜厚が得られるまで繰り返す。キャパシタは、この被覆箔の２片を、２７５℃及び１５０ＰＳＩで３０秒間油圧プレスで積層させることにより形成される。プレスは、水銀２８インチの真空下で行なわれる。平行面キャパシタは、静電容量を０．２ピコファラッド、引き剥がし強度を８ポンド／インチとして形成される。
【００２６】
実施例２：  ＢａＴｉＯ３を５０重量％の割合で樹脂に添加し、静電容量を１．２ピコファラッド、引き剥がし強度を６．５ポンド／インチとしたこと以外は、実施例１の場合と同様の構造物を形成した。
【００２７】
実施例３（比較）：  ニッケル層を具備しない電解銅箔を用いたことを除いて実施例１を繰り返した。この結果得られた構造物で、静電容量は０．２ピコファラッドであるが引き剥がし強度は２．０ポンド／インチ未満の平行面キャパシタを形成した。
【００２８】
実施例４：  銅箔の片面にもニッケルめっきが施されたこと以外は実施例１と同じ箔を製造した。チタン酸バリウムのスラリーを、ゾル・ゲル法を用いて銅箔の平滑面に塗布した。このスラリーを乾燥させ、６００℃で焼きなまして、３００〜９００ナノメータの高誘電率層を作製した。最上部の電気接点は、銅めっきされるニッケル層にスパッタリングで施される。この結果得られたキャパシタは、１００〜５００ナノファラッド／ｃｍ２の静電容量を備える。
【００２９】
実施例５：銅のコブ付け処理が箔の光沢面に施されたこと以外は実施例１と同じ箔を製造した。コブ付け処理の後は、ニッケルめっきを行なう。当該ニッケル層には、燃焼化学気相蒸着をを用いて白金の薄層を施した。厚さは、５０〜３００ナノメータである。こうして、低効率が２００〜１２００オーム／平方であるレジスタを得た。
【００３０】
実施例６：実施例４の薄膜を作製し、デュポン社から発売されている銀粒子含有セラミックペーストをニッケル面にスクリーン印刷した。その後、この素材を４００℃の高温炉で焼きなまして抵抗材を形成した。その後、この抵抗材をエポキシ強化繊維ガラスに積層し、コアを形成した。そして、このコアをパターン処理し、レジスタへ行き来する電気経路を形成した。
【００３１】
本発明を、好適な実施例を参照しながら具体的に示し、記載したが、本発明の範囲の精神を逸脱せずに様々な変更や改変が可能なことは、当業者には容易に理解されるであろう。本件クレームは、開示されている実施例と、上記記載のような改変例と、その均等物全てを網羅するものと解釈されることを目的としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面を有し、当該両面のうちの片面または両面が電気化学研摩処理、機械研摩処理、または粗化処理が施され、約１０マイクロインチ以下の平滑さとなるまで研摩された銅箔と、前記両面の各面に設けられたニッケル層とからなる導電性基板。
【請求項２】
銅箔の片面または両面に、電気化学研摩処理または機械研摩処理された、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項３】
銅箔の片面または両面に、粗化処理を施された、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項４】
銅箔の片面または両面に、銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項５】
銅箔が電解銅箔である、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項６】
銅箔が、圧延と焼きなましを施された銅箔である、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項７】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜２００マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項８】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜１５０マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項９】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に設けられたものである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１０】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、両方のニッケル層に設けられたものである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１１】
更に、レジスタ、キャパシタ、またはインダクタの形成材料の追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に設けられたものである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１２】
ニッケル層の厚さが０．１μｍ〜５μｍである、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項１３】
両面を有する銅箔を形成し、この両面のうちの片面または両面を、電気化学研摩処理、機械研摩処理、または粗化処理をし、約１０マイクロインチ以下の平滑さとなるまで研摩し、
両面それぞれにニッケル層を析出させる、導電性基板の製造方法。
【請求項１４】
銅箔両面のうちの片面または両面に、電気化学研摩処理または機械研摩処理するものである、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１５】
銅箔両面のうちの片面または両面に、粗化処理するものである、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１６】
銅箔両面のうちの片面または両面に、銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１７】
銅箔が電解銅箔である、請求項１４に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１８】
銅箔が、圧延と焼きなましを施された銅箔である、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１９】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜２００マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項２０】
銅箔の片面または両面に、大きさが４０〜１５０マイクロインチである銅またはニッケルのコブが設けられた、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項２１】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に析出付着されたものである、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項２２】
更に、金属、ポリマー、セラミック、またはこれらの組み合わせからなる追加層が、両方のニッケル層に析出付着されたものである、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項２３】
更に、レジスタ、キャパシタ、またはインダクタの形成材料の追加層が、ニッケル層の少なくとも一方に設けられたものである、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項２４】
ニッケル層の厚さが０．１μｍ〜５μｍである、請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
【国際調査報告】
2005529448.tif 000002
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