(57)【要約】本発明によると、読出しステーション（１）と格納データ（SD）をコンタクトレスにやりとりするためのデータキャリア（２）は、回復デバイス（１３）を備え、この回復デバイスによって、格納データ（SD）をメモリ（１１）内に格納している最中にこの手続が、供給電圧の不足により突然アボートされた場合、有効な格納状態がメモリ（１１）内に再格納される。この目的のために、メモリ（１１）内の、弱くしか格納されてない格納位置が読み出され、こうして読み出された格納データ（SD）がメモリ（１１）内に再格納される。
2005528711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ内の有効な格納データを回復するための回復デバイスであって、
前記格納データを前記メモリの格納エリア内に格納するための格納手段と、
前記格納された格納データを前記メモリの前記格納エリアから読み出すための読出手段と、
前記格納データの格納の最中における不測のアボートを検出し、前記メモリ内の有効な格納データを回復するための回復手段と、を備え、
前記有効な格納データを回復するための回復手段は前記格納データを前記メモリの少なくとも一つの格納エリアから読み出した後に、こうして読み出された格納データを前記メモリの同一の格納エリア内に再格納するように設計される、ことを特徴とする回復デバイス。
【請求項２】
前記格納手段は、前記第一の格納データをあるデータ格納エリア内に格納する前に、前記データ格納エリア内に格納されている第二の格納データをバックアップ格納エリア内に格納するように設計され、前記格納手段は、有効性情報を前記メモリの有効性格納エリア内に格納するように設計され、第一の有効性情報は前記データ格納エリアを、第二の有効性情報は前記バックアップ格納エリアを、有効な格納データを含む格納エリアであるものとして識別し、前記回復手段は、データ格納エリア内の有効な格納データを回復する前に、有効性格納エリア内に格納されている前記有効性情報を読出し、その後、こうして読み出された有効性情報を前記有効性格納エリア内に格納するように設計される、ことを特徴とする請求項２記載の回復デバイス。
【請求項３】
前記回復手段は、前記第一の有効性情報と前記第二の有効性情報のいずれも有効性格納エリアから読み出されない場合、前記第一の有効性情報を有効性格納エリア内に格納するように設計される、ことを特徴とする請求項２記載の回復手段。
【請求項４】
前記格納手段は、少なくとも第一のビット位置はビット”１”にて形成され、少なくとも第二のビット位置はビット”０”にて形成された第一の有効性情報と、少なくとも第一のビット位置はビット”０”にて形成され、少なくとも第二のビット位置はビット”１”にて形成された第二の有効性情報とを格納するように設計される、ことを特徴とする請求項２記載の回復デバイス。
【請求項５】
前記回復デバイスは、前記読み出された有効性情報が前記第二の有効性情報と対応するか否かをチェックするように設計され、こうして読み出された有効性情報を格納するために、前記回復手段は、前記チェックされた第二の有効性情報の前記対応するビット位置がビット”１”を含む場合は、もっぱら格納されている有効性情報のビット位置をビット”１”に上書するように設計され、これらビット位置の上書きの際には先行して行なわれる消去手順は省略される、ことを特徴とする請求項４記載の回復手段。
【請求項６】
メモリ内の有効な格納データを回復するための回復方法であって、
格納データを前記メモリの格納エリア内に格納するステップと、
前記格納された格納データを前記メモリの前記格納エリアから読み出すステップと、
前記格納データの格納の最中における不測のアボートを検出するステップと、
アボートが検出された場合、前記メモリ内の有効な格納データを回復するステップと、を含み、
前記有効な格納データを回復するために、前記格納データを前記メモリの少なくとも一つの格納エリアから読み出され、こうして読み出された格納データが前記メモリの同一の格納エリア内に再格納される、ことを特徴とする回復方法。
【請求項７】
前記第一の格納データをあるデータ格納エリア内に格納する前に、データ格納エリア内に格納されている第二の格納データがバックアップ格納エリア内に格納され、有効性情報が前記メモリの有効性格納エリア内に格納され、第一の有効性情報は前記データ格納エリアを、第二の有効性情報は前記バックアップ格納エリアを、有効な格納データを含む格納エリアであるものとして識別し、データ格納エリア内の有効な格納データを回復する前に、有効性格納エリア内に格納されている前記有効性情報が読み出され、その後、こうして読み出された有効性情報は有効性格納エリア内に格納される、ことを特徴とする請求項６記載の回復方法。
【請求項８】
前記第一の有効性情報と前記第二の有効性情報のいずれも有効性格納エリアから読み出されない場合、前記第一の有効性情報が有効性格納エリア内に格納される、ことを特徴とする請求項７記載の回復方法。
【請求項９】
前記格納されている第一の有効性情報は、少なくとも第一のビット位置にビット”１”、少なくとも第二のビット位置にビット”０”を含み、前記格納されている第二の有効性情報は、少なくとも第一のビット位置にビット”０”、少なくとも第二のビット位置にビット”１”を含む、ことを特徴とする請求項７記載の回復方法。
【請求項１０】
前記読み出された有効性情報が前記第二の有効性情報と対応するか否かをチェックされ、こうして読み出された有効性情報を格納するために、前記チェックされた第二の有効性情報の前記対応するビット位置がビット”１”を含む場合は、もっぱら前記格納されている有効性情報のビット位置がビット”１”にて上書きされ、これらビット位置の上書きの際には先行して行なわれる消去手順は省略される、ことを特徴とする請求項９記載の回復方法。
【請求項１１】
格納データを格納するためのメモリと前記メモリ内に格納されるべき格納データを受信するため及び前記メモリから読み出された格納データを送信するための通信手段とを備える、読出しステーションとコンタクトレスに通信するためのデータキャリアであって、  請求項1から５のいずれかに記載される回復デバイスが設けられている、ことを特徴とするデータキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ内の有効な格納データ（valid storage data）を回復するための回復デバイスであって、
前記メモリの格納エリア内に格納データを格納するための格納手段と、
前記メモリのこれら格納エリアから格納されている格納データを読み出すための読出手段と、
格納データの格納の最中における不測（突然）のアボートを検出し、前記メモリ内の有効な格納データを回復するための回復手段と、を備える回復デバイスに係る。
【０００２】
本発明は、更に、メモリ内の有効な格納データを回復するための回復方法であって、
前記メモリの格納エリア内に格納データを格納するステップと、
前記メモリのこれら格納エリアから格納されている格納データを読み出すステップと、
格納データの格納の最中における不測のアボートを検出するステップと、
アボートが検出されたとき、前記メモリ内の有効な格納データを回復するステップと、を含む回復方法に係る。
【０００３】
本発明は、更に、格納データを格納するためのメモリと、このメモリ内に格納されるべき格納データを受信するため、及びこのメモリから読み出された格納データを送信するための通信手段とを備える、読出しステーションとコンタクトレスな通信を行うためのデータキャリアに係る。
【背景技術】
【０００４】
このタイプの回復手段、このタイプの回復方法及びこのタイプのデータキャリアが合衆国特許第6,272,607号において知られている。公知のデータキャリアは、スマートカードにて形成され、これは、メモリ内に格納データを格納するための回復デバイスを備える。このスマートカードは通信手段を備え、スマートカードは、この通信手段を介して、読出しステーション（reader station）とコンタクトレスに通信するように設計されている。これを達成するために、読出しステーションは、高周波の電磁場を生成し、この電磁場が格納データを伝送するために変調されるが、スマートカードは、この電磁場からスマートカードを作動させるための電源を得る。
【０００５】
このスマートカードのメモリはEEPROMで形成される。読出しステーションは、このEEPROMの幾つかの格納エリアを、読出しコマンド（read command）を介して読み出すが、この目的のために、スマートカード内に設けられた読出手段は、これら幾つかの格納エリア内に格納されている格納データを読み出し、こうして読み出された格納データを通信手段を介して読出しステーションに送信する。更に、読出しステーションは、書込みコマンド（write command）を介して幾つかの格納データ（storage data）をEEPROMの幾つかの格納エリアに格納することができるが、この目的のために、このスマートカード内に設けられた格納手段は、読出しステーションから受信された格納データを通信手段を介してEEPROMの読出しステーションにて指定される格納エリア内に格納する。
【０００６】
EEPROMの一つの格納位置は浮動ゲート（floating gate）を備えるMOSトランジスタにて形成され、格納位置（storage location）をセットするためには、この浮動ゲートに電荷がトンネル効果を介して送られる。この格納位置を消去するためには、MOSトランジスタの浮動ゲートから電荷がトンネル効果を介して放電される。”１”なるデジタル値を有するビットが格納する前、すなわち格納位置をセットする前に、浮動ゲートは、格納手段から消去（切断）され、その後、デジタル値”１”を表す電圧値に充電される。この格納位置を読み出すときは、読出手段は、この浮動ゲート内に格納されている電圧値をチェックし、その値をある閾値と比較し、その格納位置にデジタル値”０”が格納されているのか、或いはデジタル値”１”が格納されているのかを決定する。
【０００７】
公知のスマートカードは回復手段（recovery means）を備え、この回復手段は、格納データをEEPROMの格納エリア内に格納している最中に格納手続が突然アボート（unexpectedly aborted）された場合、それら格納エリア内に以前に格納されていた格納データを、必要とされる場合は、ある回復方法（recovery method）に従って回復する。このような格納手続の突然のアボートは、ある格納手続の最中にスマートカードが電磁場から外されるときにいつも発生し、スマートカードへの電力の供給が突然絶たれる。
【０００８】
公知の回復方法によると、第一の格納データをメモリのあるデータ格納エリア（data storage area）に格納する前に、そのデータ格納エリア内に格納されている第二の格納データがそのメモリのバックアップ格納エリア（backup storage area）内に格納され、その後、第二の有効性情報（validity information）がそのメモリの有効性格納エリア（validity storage area）内に格納される。その後、データ格納エリアが消去され、次に第一の格納データがそのデータ格納エリア内に格納され、その後、その有効性格納エリア内に第一の有効性情報が格納される。この第一の有効性情報はそのデータ格納エリアを、そして、第二の有効性情報はそのバックアップ格納エリアを、有効な格納データ（valid storage data）を含む格納エリアであるものとして識別する。
【０００９】
この格納手続が中断されると、公知の回復方法においては、最初に、有効性格納エリアが読み出され、その読み出された情報が第一の有効性情報であるか、或いは第二の有効性情報であるのかチェックされる。第二の有効性情報である場合は、バックアップ格納エリア内に格納されている第二の格納データがデータ格納エリア内に新たに格納され、こうして、格納手続がアボートされる前に存在していた有効な格納状態が回復される。
【００１０】
ただし、この格納手続が、有効性情報が有効性格納エリアに格納されているまさにその瞬間にアボートされた場合は、この有効性情報は、有効性格納エリア内に弱くしか格納されない（only weakly stored）ことがあることが明らかとなった。ここで、弱く格納された格納位置（weakly stored storage location）とは、突然のアボートにより充電手続或いは放電手続が中断されたために、絶縁されたゲート内に、ビット”１”或いはビット”０”に対して提供される電荷とは一致しない電荷が格納されているような格納位置を意味する。このような場合、読出手段が弱く格納された格納位置を読み出したとき、その読み出されたアナログ電圧値がある閾値電圧よりも僅かに低いためにビット”０”が読み出されたり、反対にこの閾値電圧よりも少し高く、このためビット”１”が読み出されたりすることがある。こうして、この格納されている有効性情報に関して異なる結果が得られ、マルチ読出し（multiple reading）の問題を招来する。
【００１１】
公知のデバイスにおいては、突然のアボートのために第二の有効性情報が弱くしか格納されてないような場合、回復方法が、この第二の有効性情報を読み出し、第二の格納データをデータ格納エリア内に格納している最中に再びアボートされることが起こり得る。この場合、有効性格納エリアを再び読み出した結果として、第一の有効性情報が読み出されたものと判断され、このため、データ格納エリア内に有効でない格納データ（invalid storage data）が格納される不具合が生じる。この有効でない格納データは、第一の格納データの部分と第二の格納データの部分とを含み、これは非常に深刻な問題である。
【発明の開示】
【００１２】
本発明の一つの目的は、第一の段落に記載されたようなタイプの回復デバイス、第二の段落に記載されたようなタイプの回復方法、及び第三の段落に記載されたようなタイプのデータキャリアであって、上述の全ての問題を回避することが可能な回復デバイス、回復方法及びデータキャリアを提供することにある。この目的を達成するために、このタイプの回復デバイス内に設けられた、有効な格納データ（valid storage data）を回復するための回復手段は、メモリの少なくとも一つの格納エリアから格納データを読み出した後に、こうして読み出された格納データを、そのメモリの同一の格納エリア内に再格納するように設計される。
【００１３】
上述の目的を達成するために、このタイプの回復方法においては、有効な格納データの回復を改善するために、メモリの少なくとも一つの格納エリアからの格納データを読み出した後に、こうして読み出された格納データは、そのメモリの同一の格納エリア内に再格納される。
【００１４】
上述の目的を達成するために、このタイプのデータキャリアにおいては、クレーム１から５のいずれか１つに記載されるような回復デバイスが設けられる。
【００１５】
本発明によるこれら特徴（措置）の結果として、格納データの格納が突然アボートされた場合、弱くしか格納されてない全ての格納データが読み出され、こうして読み出された格納データがメモリ内に格納されることが確保される。このため、長所として、このタイプのデータが複数回読み出されたとき、異なる格納データが読み出され、それによって重大な問題が発生することを回避することが可能となる。例えば、弱く格納された格納データは、ある格納デバイスのユーザを、ある場合には、保護されているエリアに入ることを許されているものとして、別の場合には、許されてないものとして、識別することができるだろう。
【００１６】
万一、格納が突然アボートされ、このため回復デバイスによって格納データがメモリ内に格納されたが、その内容が最終的には正しくないものであったとしても、これは、必要であば、ある単純なテスト手続にて検出することもできる。ただし、望ましくは、このタイプのテスト手続の際には有効と判断され、その後の読出手続の際には無効と判断されるような、弱く格納された格納データがメモリ内に格納されることは回避されるべきである。
【００１７】
加えて、本発明によると、長所として、回復手段にて読み出された格納データは同一の格納エリア内に再格納され、このために、弱く格納された格納データは信頼度の高い状態に上書きされる。更に、このやり方では、メモリの利用効率も著しく向上する。
【００１８】
請求項２或いは７に記載される措置によると、長所として、有効性格納エリア（validity storage area）を読出した後に、この回復手段は、こうして読み出された第一或いは第二の有効性情報を、その有効性格納エリア内に再格納し、こうすることで、有効性情報が、弱くにではなく、信頼度の高い状態にて、格納されることが確保される。こうすることで、この回復方法がアボートされたとき、読出手段が、この回復方法の前の実行の際に読み出されたそれと異なる有効性情報を読み出すようなことが阻止される。こうして、長所として、格納手続が複数回アボートされた場合、或いは、この回復方法が複数回アボートされた場合でも、データ格納エリア内には常に有効なデータが格納されていることが確保される。
【００１９】
請求項３或いは８に記載の措置によると、長所として、有効性情報を格納しようとしているまさにその瞬間にアボートが突然発生した場合でも、この回復方法の実行によって有効な格納データがデータ格納エリア内に格納されることが確保される。
【００２０】
請求項４或いは９に記載の措置によると、第一の有効性情報と第二の有効性情報とは、互いに相補的なビットの組合せから形成される。これは、可能な最大限の冗長性を提供する。
【００２１】
請求項５或いは１０に記載の措置によると、第二の有効性情報は、増幅されるのみで、（先行する手続にて）消去されることはない。この措置のために、格納データを格納する際のいかなるときにアボートが発生したとしても、これによってデータが失われることはなく、１００％のデータ安全性（data security）が提供される。
【００２２】
以下では、本発明について図面に示される実施例を参照しながら更に詳細に説明するが、ただし、本発明は、これら実施例に制限されるものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は、電磁場HFを生成し、この電磁場HFを介して伝送信号（transmission signal）USをデータキャリア２とコンタクトレスに通信（contactless communication）するように設計された読出しステーション１を示す。読出しステーション１は、アンテナ３、処理手段４及び格納手段５を備える。処理手段４は、伝送信号US内に含まれており、データキャリア２に送られるべきコマンドデータKF及び格納データ（storage data, SD）を振幅変調するための変調手段を備える。処理手段４は、更に、データキャリア２によって負荷変調（load-modulated）されたその内部にデータキャリア２から読出しステーション１に伝送される格納データSDを含む伝送信号USを復調するための復調手段も備える。このタイプの読出しステーションはかなり以前から知られており、このためここでは詳細な説明は割愛する。
【００２４】
データキャリア２は、回復デバイス（recovery device）を形成し、アンテナ７と送・受信段８を有する通信手段６を備える。アンテナ７を用いて、伝送信号USは受信され、送・受信段８へと送られる。この送・受信段８は、振幅変調された伝送信号USを復調し、この伝送信号US内に含まれるコマンドデータKD及び格納データSDをデータキャリア２の処理手段９に送るように設計される。送・受信段８は、更に、伝送信号USを、処理手段９から送・受信手段８に送られる格納データSDにて負荷変調するように設計される。
【００２５】
アンテナ７には、加えて、クロックパルス発生段TAが接続されるが、このクロックパルス発生段TAは、データキャリア２の送・受信段８及び処理手段９に対するシステムクロックを、１３．５６MHｚなるクロック周波数を有する伝送信号USから生成する。アンテナ７には、加えて、電源段（supply stage）EGが接続されるが、この電源段EGは、伝送信号USを整流し、受動データキャリア２を作動するための電源（power supply）を提供する。データキャリア２のこれら要素は、もっぱらこの電源段EGによって提供される電源にて動作される。データキャリア２は、従って、読出しステーション１或いは他の匹敵する読出しステーションの近傍においてしか動作することができない。
【００２６】
データキャリア２の処理手段９はマイクロコンピュータにて形成され、ソフトウェアプログラムを、データキャリア２が電子地下鉄切符（electronic subway ticket）として用いられるように実行する。こうして、読出しステーション１から受信される格納データSDは、ある金額（monetary value）に対応する貸方金額（credit values）を含み、これら貸方金額が読出しステーション１によってデータキャリア２内に格納されている残高（balance）の貸し方に記入される。格納データSDは、同様にして、ある地下鉄旅程（subway journey）に対する料金（fare）に対応する金額（fare values）を含み、読出しステーション１によってこれら金額をデータキャリア２内に格納されている残高から引き出すようにすることもできる。
【００２７】
格納データSDを格納するためには、データキャリア２は、格納データSDをメモリ１１内に格納するように設計された格納手段１０を備える。この格納手段１０は、こうして、メモリ１１の格納エリアを管理するが、データ格納エリア（data storage area, DSB）、バックアップ格納エリア（backup storage area, BSB）、及び有効性格納エリア（validity storage area, GSB）が定義される。メモリ１１のこれら格納エリア内に格納されている格納データSDを読み出すためには、データキャリア２は、読出手段１２を備え、この読出手段１２はこうして読み出された格納データSDを処理手段９に送る。
【００２８】
メモリ１１はEEPROM（Electric Erasable Programmable Read Only Memory）にて形成され、EEPROMの各格納エリアは、複数の格納位置から形成される。EEPROMの各格納位置は、浮動ゲート（floating gate）を有するMOSトランジスタで形成され、格納位置をセットするためには、電荷がこの浮動ゲートにトンネル効果を介して送られる。格納位置を消去するためには、MOSトランジスタの浮動ゲートから電荷がトンネル効果を介して放電される。”１”なるデジタル値を有するビットを格納するためには、つまり、その格納位置をセットするためには、最初に、浮動ゲートが格納手段１０から消去（切断）され、その後、”１”なるデジタル値を表す電圧値まで充電される。この格納位置を読み出すためには、読出手段１２は、浮動ゲート内に格納されている電圧値をチェックし、この値をある閾値USと比較することで、その格納位置内に”０”なるデジタル値が格納されているのか、或いは”１”なるデジタル値が格納されているかを決定する。
【００２９】
もしデータキャリア２が電場HFから除去されると、電源段EGはもはや電源を供給することができなくなり、送・受信手段８、処理手段９、格納手段１０及び読出手段１２の処理は、突然アボート（aborted）される。このアボート（abort）がメモリ１１内に格納データSDを格納するための格納手続と関連する場合は、結果として、格納されるべき或いは既に格納されている格納データSDが失われることがある。これを防止するために、処理手段９、格納手段１０及び読出手段１２は、格納データSDの格納の際の不測のアボート（unexpected abort）を検出し、メモリ１１のデータ格納エリアDSB内の有効格納データ（valid storage data）を回復するように設計された再処理手段（reprocessing means）１３を形成する。
【００３０】
格納データSDの格納における突然のアボートのために、一つ或いは複数の格納位置が弱く格納（weakly stored）されることがあることが明らかとなった。ここで、弱く格納された格納位置（weakly stored storage location）とは、突然のアボートにより充電手続或いは放電手続が中断されたために、絶縁（切断）されたゲート内にビット”１”或いはビット”０”に対して提供される電荷とは一致しない電荷が格納されている格納位置を意味する。読出手段１２が弱く格納された格納位置を読み出した場合、読み出されたアナログ電圧値が閾値電圧USより僅かに低いためにビット”０”が読み出されたり、或いはこの閾値電圧USより少し高く、このためビット”１”が読み出されたりすることがある。このために、弱く格納された格納位置内に格納されている格納データSDに関して異なる結果が得られ、非常に厄介な（互いに矛盾する）複数読出値（multiple readout）の問題を招来する。
【００３１】
回復手段１３は、より具体的には、メモリ１１の少なくとも一つの格納エリアから格納データSDを読み出した後に、こうして読み出された格納データSDをメモリ１１内の同一メモリエリア内に再格納するように設計され、これによって、長所として、後に図１によるデータキャリアの一つの実施例との関連でより詳しく説明するよに、弱く格納された格納位置内に格納されている格納データSDが回復され、或いは、このような格納データSDが単に増幅されてもよい。
【００３２】
この実施例によると、データキャリア２のユーザは、地下鉄を用いて外出（travel）し、料金を支払うために、データキャリア２を読出しステーション１の電場HF内にかざす（hold）ものと想定される。読出しステーション１は、最初に、データキャリア２を識別し、次に、借方コマンド（debiting command）をコマンドデータKDとし、金額（fare value）を格納データSDとして、データキャリアに向けて送信する。こうして送信された格納データSDが、メモリ１１のデータ格納エリアSD内に格納されている貸方金額（credit value）を表す格納データSDから差し引かれることとなる。
【００３３】
これらコマンドデータKD及び格納データはアンテナ７にて受信され、送・受信段８にて決定され、処理手段９にて処理される。借方コマンドであるために、処理手段９は、読出手段１２に対して、データ格納エリア内に格納されている格納データSDを読み出すように指令する。すると、後に詳細に説明される図３に示される読出し方法AVが実行される。処理手段９は、料金（fare value）を、貸方額（credit value）を表す読み出された格納データSDから差し引き、次に、格納手段１０に対して、新たに決定された減少した貸方額を、新たな格納データSDとして、メモリ１１のデータ格納エリアDSB内に格納することを指令する。この目的に対しては、図２に示される書込み方法EVが実行される。
【００３４】
この書込み方法EVの実行は、ブロック１４から開始され、その後、ブロック１５において、データ格納エリアDSB内に格納されている格納データSDがバックアップ格納エリアBSB内に格納され、従って、データ格納エリアDSBがバックアップ格納エリアBSB内にコピーされる。全ての格納データSDがデータ格納エリアDSBからバックアップ格納エリアBSBへと正常に格納されると、ブロック１６において、バックアップ格納エリアBSBが有効な格納データ（valid storage data）SDを含む格納エリアであるものとして識別される。この目的に対しては、第二の有効性情報GI2が有効性格納エリアGSB内に格納されるが、この第二の有効性情報GI2は、ビットシーケンス”11110000”から形成される。
【００３５】
ブロック１７において、処理手段９によって決定された新たな格納データSDがデータ格納エリアDSB内に格納されるが、このデータ格納エリアDSB内に以前に格納されていた格納データSDは、このデータ格納エリアDSB内において上書きされる。この新たな格納データSDがデータ格納エリアDSB内に正常に格納されると、ブロック１８において、第一の有効性情報GI1が有効性格納エリアGSB内に格納される。この結果として、今度は、データ格納エリアDSBが有効な格納データSDを含む格納エリアであるものとして識別される。この第一の有効性情報GI1は、第二の有効性情報GI2とは相補的なビットシーケンス”00001111”から形成される。その後、ブロック１９において、この書込み方法EVは終了する。
【００３６】
書込み方法EVは、回復方法の一部を形成するが、この回復方法は、回復手段１３によって実行され、これによって、格納データSDの格納が突然にアボートされた場合でも、メモリ１１から有効な格納データSDが読み出されることが確保される。有効性格納エリアGSB内に格納されている有効性情報は、それぞれ、有効な格納データSDは、バックアップ格納エリアBSB内から読み出し可能か、或いはデータ格納エリアDSB内から読み出し可能かを示す。これが、図３による読出し方法を実行する際に、格納データSDを読み出す前に、毎回、回復手段１３にてチェックされる。
【００３７】
読出し方法AVの実行の際に、ブロック２０から開始して、ブロック２１において、ビットシーケンス”11110000”を有する第二の有効性情報GI2が有効性格納エリアGSB内に含まれており、従って、バックアップ格納エリアBSBが有効な格納データSDを含む格納エリアとして識別されているか否かがチェックされる。このビットシーケンスGI2が有効性格納エリアGSB内に正常に格納されてない場合は、後により詳細に説明するよに、有効な格納データSDはデータ格納エリアDSBに格納されており、このため、ブロック２２において、第一の有効性情報GI1が有効性格納エリアGSB内に格納される。
【００３８】
この結果、長所として、第一の有効性情報GI1が有効性格納エリアGSBの格納エリア内に弱くしか格納されてない場合は、ブロック２２の後に、第一の有効性情報GI1が有効性格納エリアGSB内に正常に格納されることとなる。このため、有効性格納エリアGSBが複数回読み出された場合でも、長所として、第一の有効情報GI1は常に正常に読み出されることとなる。
【００３９】
その後、ブロック２３において、現在、有効性格納エリアGSB内に格納されている第一の有効性情報GI1に基づいて、この読出し方法AVにて読み出されるべき格納データSDがデータ格納エリアDSBから読み出され、読出手段１２から処理手段９へと送られる。その後、この読出し方法AVは、ブロック２４において終了する。
【００４０】
他方、ブロック２１において、有効性格納エリアGSBから読み出されたビットシーケンスが第二の有効性情報GI2のビットシーケンス”11110000”と完全に一致する判明した場合は、ブロック２５において、ビットシーケンス”11110000”の、ビット”１”を含む格納位置に、値”１”が再び書込まれる。こうして、これら格納位置の浮動ゲートは値”１”に対応する格納電荷に充電される。この場合は、この格納位置に値”１”を格納するときとは異なり、先行する消去或いは放電手順は省略される。
【００４１】
先行する消去手順することの長所として、この読出し方法AVが有効性格納エリアGSB内に格納されている第二の有効性情報を増幅しようとした瞬間にアボートされた場合でも、このビットシーケンス”11110000”の幾つか或いは全てのビットが消去される危険はなくなる。このため、長所として、第二の有効性情報GI2の増幅が突然アボートされた場合でも、バックアップ格納エリアBSBではなく、データ格納エリアDBSが、有効な格納データSDを含む格納エリアであるとして識別される危険性は阻止される。
【００４２】
次に、ブロック２６において、現在有効な格納データSDであるものとして識別されるバックアップエリアBSBの格納データSDがデータ格納エリアDSB内に格納される。その後、ブロック２７において、今度は、データ格納エリアDBSが有効な格納データSDを含む格納エリアであるものとして識別される。次に、ブロック２３において、有効性格納エリアGSB内に格納されているこの第一の有効性情報GI1に基づいて、読み出されるべき格納データSDがデータ格納エリアDSBから読み出され、読出手段１２から処理手段９へと送られる。その後、ブロック２４において、この読出し方法AVは終了する。
【００４３】
以下では、この回復方法において、この読出し方法が、ブロック２２において第一の有効性情報を有効性格納エリアGSBに格納しようとした瞬間に、突然にアボートされたものと想定される。上述のように、このブロック２２は、ブロック２１において第二の有効性情報GI2のビットシーケンス”11110000”とは異なるビットシーケンスが有効性格納エリアGSB内に格納されていることが判明した場合は、必ず実行される。第一の有効性情報GI1の格納が、格納手段１０が有効性格納エリアGSBの全ての格納位置の消去手続の最中に突然アボートされたとしても、この場合は次の回に読出し方法AVが実行されたとき、ビットシーケンス”00000000”が有効性格納エリアGSB内に格納されるため、ブロック２１から再びブロック２２に進むこととなる。
【００４４】
この読出し方法AVが、ブロック２５において第二の有効性情報GI2のビット”１”が増幅されている最中にアボートされた場合も、この読出し方法AVは、次にブロック２１が実行されたとき再びブロック２５へと進むこととなり、このため、格納データSDのデータ損失が発生することはない。これは、この過程においては第二の有効性情報GI2のビット”１”が増幅されるのみで、これは先行する消去手続によって消去されることはなく、この理由により、第二の有効性情報GI2は常に有効性格納エリアGSB内に格納されているためである。
【００４５】
この読出し方法AVが、ブロック２６においてバックアップ格納エリアBSBの格納データSDをデータ格納エリアDSBに格納している瞬間にアボートされたときも、この読出し方法AVは、次回にブロック２１を実行したとき、第二の有効性情報GI2は強く格納されているために、再びブロック２５に向かう。その後、ブロック２６が再び遂行され、バックアップ格納エリアBSBの格納データSDがデータ格納エリアDSB内に完全な状態で格納されることとなり、このため、この場合も、格納データSDのデータ損失が発生することはない。
【００４６】
いったんブロック２６が完全な形で実行されると、同一の格納データSDがデータ格納エリアDSBとバックアップ格納エリアBSBの両方に格納されている状態となり、このため、ブロック２７の実行の瞬間にアボートが発生したとしても、格納データSDのデータ損失を招くことはない。
【００４７】
こうして、この回復方法の、この読出し方法AVの効果として、有効性格納エリアGSB内に弱く格納される可能性のある全ての格納位置は強く格納され、この結果として、アボートが突然に発生した場合でも、有効でないデータ格納エリアが有効な格納データSDを含む格納エリアSBであるものとして識別される危険は回避される。この読出し方法AVとの関連で特に言及すべき点は、前述のように、第二の有効性情報GI2を含む有効性格納エリアGSBのビット”１”を含む格納位置は、増幅されるのみで、前以て消去されることはないことである。
【００４８】
この実施例によると、アボートが突然発生した場合、有効性格納エリアGSBのみが読み出され、こうして読み出された有効性情報GIが再格納或いは増幅される。勿論、他の格納エリアも読み出し、これら読み出された格納データSDを再格納或いは増幅することで、これら格納エリアについても弱く格納された格納位置がなくなるようにすることもできる。ただし、この措置は、特に敏感な格納エリア、例えば、有効性格納エリアGSBに対してのみ適用する方が有利であると考えられる。
【００４９】
本発明による、格納データSDをメモリ内に格納している最中に突然アボートが発生した場合、格納データSDをメモリから読出し、こうして読み出された値をそのメモリの同一の格納エリアに再格納するという原理は、あらゆるタイプのメモリに適用することができる。この原理を用いることで、メモリ内に、それら格納位置を複数回読出したとき異なる格納データが与えられるという厄介な問題を招来する、弱く格納された格納位置が残されることを排除することが可能となる。
【００５０】
当業者においては明らかのように、メモリの多重性は、ハードディスク、容量アレイ（capacity array）、ディスケット（diskette）、磁気テープ、或いはDVD-RW等の磁気光学記録媒体との関連でも問題となり、本発明の原理はこれら分野にも適用できるものである。
【００５１】
この実施例との関連では、MOSトランジスタの浮動ゲート内に格納されたビット”１”に対応する格納電荷の増幅について説明されたが、逆論理（inverse logic）の場合は、勿論、浮動ゲート内に格納されたビット”０”に対応する格納電荷が増幅されることとなる。
【００５２】
本発明による回復デバイスは、多様なエリアに用いることができることに注意されたい。例えば、説明のタイプの回復デバイスは、コンピュータ、電話機或いは自動車のエレクトロニクス内で用いることもできる。
【００５３】
メモリの格納位置は、MOSトランジスタ以外のものから形成することもできる点にもに注意されたい。例えば、電子メカニカルメモリ（electro-mechanical memory）の格納位置を、その一方の端の位置がビット”０”を表し、他方の端の位置がビット”１”を表すスライディングスイッチ（sliding switch）から形成することも考えられる。
【００５４】
この回復デバイスは、コンピュータ或いは他のCE製品（例えば、DVD-RW製品）にも利用できることにも注意されたい。
【００５５】
本発明による回復デバイスは、メモリの格納エリア内に格納されている、あらゆる重要なデータに対して用いることができることに注意されたい。例えば、この回復デバイスは、コンピュータの処理が突然アボートされたとき、ハードディスクのディレクトリの、ディレクトリデータ及びポインタデータに対して用いることもできる。この場合、この不測のアボートは、例えば、停電によって引き起こされることが想定され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】読出しステーションとデータキャリアの略ブロック図であるが、これらは電磁場を介してコンタクトレスに通信するように設計されている。
【図２】図１によるデータキャリアの回復方法の内の、格納データをメモリの格納エリアに書込むための書込み方法の流れ図である。
【図３】図１によるデータキャリアの回復方法の内の、格納データをメモリの格納エリアから読み出すための読出し方法の流れ図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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