(57)【要約】立体選択開環反応を触媒するのに活性であるキラル遷移金属−配位子触媒錯体を製造する方法が、不整四座配位子を過剰量のブレンステッド酸中で、第１列遷移金属の塩（該塩の共役酸の酸性度は、該ブレンステッド酸の酸性度と同じか又は小さい）と、活性キラル遷移金属−配位子触媒錯体を形成させるのに有効な条件下で接触させ、そして該活性錯体が水の添加により沈殿され得るところの水混和性のプロトン性溶媒中の該錯体の溶液を形成させ、そして水を該溶液に添加して該錯体の少なくとも一部を沈殿させることを含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
キラル触媒錯体を製造する方法であって、
不整四座配位子をブレンステッド酸、Ｃｏ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩ）塩（該塩の共役酸の酸性度は、該ブレンステッド酸の酸性度と同じか又は小さい）及び酸化剤と、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と該配位子とのキラル触媒錯体を形成させるのに有効な条件下で接触させ、
該錯体が水の添加により沈殿され得るところの水混和性のプロトン性溶媒中の該錯体の溶液を形成させ、そして
水を該溶液に添加して該錯体の少なくとも一部を沈殿させる
ことを含む方法。
【請求項２】
不整四座配位子が、構造式（１）による少なくとも１種の化合物又はその塩
【化１】
2005538838.tif 000019
〔ここで、
Ｂ1は、架橋置換基−Ｒ10−Ｒ11−Ｒ12であり、ここでＲ10及びＲ12は各々独立して不存在であるか又はアルキル、アルケニル若しくはアルキニルを表し、そしてＲ11は不存在であるか又はアミン、イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、スルホニル、硫黄、セレン若しくはエステルを表し、
Ｂ2及びＢ3は各々独立して、環構造中に４から８個の原子を含み且つシクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルケニル、アリール及び複素環式から選択された環部分を表し、
Ｙ1及びＹ2は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、
Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22は各々、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23でもっての、それぞれのＢ1、Ｂ2及びＢ3部分の１つ又はそれ以上の共有結合置換を表し、しかもＲ20は架橋部分Ｂ1の１つ又はそれ以上の位置において出現し得、
Ｒ23は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル若しくはヘテロシクリル又はポリシクリルであり、そして
ｎは、ゼロ又は１から８の整数であり、
但し式（１）の配位子の置換基は、該配位子が不整であるように選択される〕
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
不整四座配位子が、構造式（２）による少なくとも１種の化合物又はその塩
【化２】
2005538838.tif 000020
〔ここで、
Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、あるいはその代わりにＲ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8置換基の別の一つと融合されて、環構造中に４から８個の原子を有する炭素環式又は複素環式環構造を形成し得、但しＲ44は不存在であり得、そしてその場合においてＲ40及びＲ41置換基を担持する炭素原子はＲ42及びＲ43置換基を担持する炭素原子に共有結合され、またＲ40及びＲ41は各々独立してＲ42又はＲ43の一方と融合されて、それらが結合されている炭素原子を含む環構造を形成し得、
Ｙ1及びＹ2は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、
Ｒ23は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル若しくはヘテロシクリル又はポリシクリルであり、そして
ｎは、ゼロ又は１から８の整数であり、
更に、但し式（２）の配位子の置換基は、該配位子が不整であるように選択される〕
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ44が不存在であり、Ｒ40及びＲ42が融合されて、それらが結合されている炭素原子と一緒に１，２−シクロヘキシレン基を形成する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
Ｒ41、Ｒ43、Ｙ1、Ｙ2、Ｘ2、Ｘ4、Ｘ6及びＸ8が各々Ｈであり、そしてＸ1、Ｘ3、Ｘ5及びＸ7が各々ｔ−ブチルである、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
ブレンステッド酸が、約３０℃より大きいか又は等しい引火点を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ブレンステッド酸が、酢酸、プロピオン酸、イソ酪酸、トリフルオロ酢酸及びメタンスルホン酸から選択された化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
塩が、酢酸コバルト、プロピオン酸コバルト、イソ酪酸コバルト、トリフルオロ酢酸コバルト、酢酸クロム、プロピオン酸クロム、イソ酪酸クロム及びトリフルオロ酢酸クロム（それらの各々は、無水又は水和形態にあり得る）から選択された化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
酸化剤が酸素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
酸素を、空気の形態にて導入する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
水混和性のプロトン性溶媒が、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール及び１−メトキシ−２−プロパノールから選択された化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
配位子、酸、塩及び酸化剤を水混和性のプロトン性溶媒中で接触させて、水混和性のプロトン性溶媒中の錯体の溶液を形成させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
配位子、酸、塩及び酸化剤を、約３５℃より大きいか又は等しい引火点を有する液体反応媒質中で接触させ、そして水混和性のプロトン性溶媒中の錯体の溶液を、水混和性のプロトン性溶媒を液体反応媒質と交換することにより形成させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
水を溶液に添加する工程の前又は中に、触媒錯体の結晶質粒子を含む結晶種粒子を溶液に添加する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
結晶種粒子が、約１０から約２５マイクロメートルの粒子サイズを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
沈殿されるべき触媒錯体の総重量に基づいて約０．５から約２重量パーセントの結晶種粒子の量にて、結晶種粒子を溶液に添加する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
沈殿錯体を、濾過により単離する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法により製造されたキラルＣｏ（ＩＩＩ）−又はＣｒ（ＩＩＩ）−配位子触媒錯体。
【請求項１９】
キラル触媒錯体を製造する方法であって、
構造式（２）による不整四座配位子又はその塩
【化３】
2005538838.tif 000021
〔ここで、
Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、あるいはその代わりにＲ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8置換基の別の一つと融合されて、環構造中に４から８個の原子を有する炭素環式又は複素環式環構造を形成し得、但しＲ44は不存在であり得、そしてその場合においてＲ40及びＲ41置換基を担持する炭素原子はＲ42及びＲ43置換基を担持する炭素原子に共有結合され、またＲ40及びＲ41は各々独立してＲ42又はＲ43の一方と融合されて、それらが結合されている炭素原子を含む環構造を形成し得、
Ｙ1及びＹ2は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、
Ｒ23は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル若しくはヘテロシクリル又はポリシクリルであり、そして
ｎは、ゼロ又は１から８の整数であり、
更に、但し式（２）の配位子の置換基は、該配位子が不整であるように選択される〕
を、酢酸、プロピオン酸、イソ酪酸、トリフルオロ酢酸及びメタンスルホン酸から選択されたブレンステッド酸、酢酸コバルト、プロピオン酸コバルト、イソ酪酸コバルト、トリフルオロ酢酸コバルト、酢酸クロム、プロピオン酸クロム、イソ酪酸クロム及びトリフルオロ酢酸クロムから選択されたＣｏ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩ）塩及び空気と、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と該配位子とのキラル触媒錯体を形成させるのに有効な条件下で接触させ、
メタノール、エタノール及びｎ−プロパノールから選択された化合物を含む水混和性のプロトン性溶媒中の該錯体の溶液を形成させ、そして
水を該溶液に添加して該錯体の少なくとも一部を沈殿させる
ことを含む方法。
【請求項２０】
配位子、酸、塩及び酸化剤を水混和性のプロトン性溶媒中で接触させて、水混和性のプロトン性溶媒中の錯体の溶液を形成させる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
配位子、酸、塩及び酸化剤を過剰量のブレンステッド酸中で接触させ、そして水混和性のプロトン性溶媒中の錯体の溶液を、水混和性のプロトン性溶媒を該過剰量のブレンステッド酸と交換することにより形成させる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
粒子状固体形態のキラル触媒錯体を製造する方法であって、
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール及び１−メトキシ−２−プロパノールから選択された化合物を含む水混和性のプロトン性溶媒中の、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と不整四座配位子とのキラル触媒錯体の溶液を用意し、
水を該溶液に添加して該錯体の少なくとも一部を沈殿させ、そして
この沈殿錯体を粒子状固体として単離する
ことを含む方法。
【請求項２３】
立体選択開環反応を触媒するのに活性な触媒であって、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と、不整四座配位子、並びにカルボキシレート、水酸化物、アルコキシド、チオラート、スルホネート、スルホンアミド、イソシアネート、イソチオシアネート及びハロゲン化物から選択された対イオン又は求核剤とのキラル触媒錯体を含み、しかも該錯体が結晶質固体形態にある触媒。
【請求項２４】
キラル触媒錯体の少なくとも１つの分子が、メタノールの分子を更に含む、請求項２３に記載の触媒。
【請求項２５】
キラル触媒錯体が、長方形平面状又は長方形角錐状の幾何学的形を有する、請求項２３に記載の触媒。
【請求項２６】
触媒が、構造式（３）による少なくとも１種のキラル触媒錯体
【化４】
2005538838.tif 000022
〔ここで、
Ｂ1は、架橋置換基−Ｒ10−Ｒ11−Ｒ12であり、ここでＲ10及びＲ12は各々独立して不存在であるか又はアルキル、アルケニル若しくはアルキニルを表し、そしてＲ11は不存在であるか又はアミン、イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、スルホニル、硫黄、セレン若しくはエステルを表し、
Ｂ2、Ｂ3は各々独立して、環構造中に４から８個の原子を含み且つシクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルケニル、アリール及び複素環式から選択された環部分であり、
Ｙ1及びＹ2は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、
Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22は各々、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23でもっての、それぞれのＢ1、Ｂ2及びＢ3部分の１つ又はそれ以上の共有結合置換を表し、しかもＲ20は架橋部分Ｂ1の１つ又はそれ以上の位置において出現し得、
Ｒ23は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル若しくはヘテロシクリル又はポリシクリルであり、そして
ｎは、ゼロ又は１から８の整数であり、
但し式（３）の錯体の置換基は、該錯体が不整であるように選択され、
Ｍは、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）であり、
Ａは、カルボキシレート、水酸化物、アルコキシド、チオラート、スルホネート、スルホンアミド、イソシアネート、イソチオシアネート及びハロゲン化物から選択された対イオン又は求核剤であり、そして
Ａ′は、不存在であるか又は水、プロトン性の水混和性溶媒若しくはブレンステッド酸の分子である〕
を含む、請求項２３に記載の触媒。
【請求項２７】
触媒が、構造式（４）による少なくとも１種のキラル触媒錯体
【化５】
2005538838.tif 000023
〔ここで、
Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、あるいはその代わりにＲ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8置換基の別の一つと融合されて、環構造中に４から８個の原子を有する炭素環式又は複素環式環構造を形成し得、但しＲ44は不存在であり得、そしてその場合においてＲ40及びＲ41置換基を担持する炭素原子はＲ42及びＲ43置換基を担持する炭素原子に共有結合され、またＲ40及びＲ41は各々独立してＲ42又はＲ43の一方と融合されて、それらが結合されている炭素原子を含む環構造を形成し得、
Ｙ1及びＹ2は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、
Ｒ23は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル若しくはヘテロシクリル又はポリシクリルであり、そして
ｎは、ゼロ又は１から８の整数であり、
但し式（４）の錯体の置換基は、該錯体が不整であるように選択され、
Ｍは、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）であり、
Ａは、カルボキシレート、水酸化物、アルコキシド、チオラート、スルホネート、スルホンアミド、イソシアネート、イソチオシアネート及びハロゲン化物から選択された対イオン又は求核剤であり、そして
Ａ′は、不存在であるか又は水、プロトン性の水混和性溶媒若しくはブレンステッド酸の分子である〕
を含む、請求項２３に記載の触媒。
【請求項２８】
キラル触媒錯体が、約５０から約１００マイクロメートルの粒子サイズを有する自由に流動する結晶質固体粒子の形態にある、請求項２３に記載の触媒。
【請求項２９】
立体選択開環反応を触媒するのに活性な触媒であって、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と、不整四座配位子、カルボキシレート及びスルホネートから選択された対イオン又は求核剤、並びにメタノールの分子とのキラル触媒錯体を含み、しかも該錯体が結晶質固体形態にある触媒。
【請求項３０】
立体選択開環方法であって、
Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と、不整四座配位子、及びカルボキシレート、水酸化物、アルコキシド、チオラート、スルホネート、スルホンアミド、イソシアネート、イソチオシアネート又はハロゲン化物から選択された対イオン又は求核剤とのキラル触媒錯体であって、キラル又はプロキラル環式基質の求核剤による求核攻撃を触媒するのに活性であるキラル触媒錯体を結晶質固体形態にて用意し、しかも該基質は、該求核剤による求核攻撃に感受性の反応中心を有する炭素環又は複素環を含み、
該求核剤と該キラル又はプロキラル環式基質とを、触媒量の該触媒錯体の存在下で、立体異性体富化生成物を生成させるのに有効な条件下で反応させる
ことを含む方法。
【請求項３１】
求核剤が、水、フェノキシド、水酸化物、アルコキシド、アルコール、チオール、チオラート、カルボン酸及びカルボキシレートから選択された１種又はそれ以上の化合物を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
環式基質が、式（５）による化合物
【化６】
2005538838.tif 000024
〔ここで、
Ｒ50、Ｒ51、Ｒ52及びＲ53は各々独立して、それが結合されている炭素原子と共有結合を形成し且つＹを含む安定な環構造の形成を可能にする有機又は無機置換基であり、そして
Ｙは、Ｏ、Ｓ、−ＮＲ54、−Ｃ（Ｒ55）Ｒ56であり、又は式Ｇ−Ｈ−Ｉを有し、ここでＲ54はＨ、アルキル、カルボニル置換アルキル、カルボニル置換アリール又はスルホネートであり、Ｒ55及びＲ56は各々独立して電子吸引性基であり、Ｇ及びＩは各々独立して不存在又は（Ｃ1〜Ｃ5）アルキル、Ｏ、Ｓ、カルボニル若しくは−ＮＲ54であり、そしてＨはカルボニル、ホスホリル又はスルホニルである〕
を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
立体選択開環反応を触媒する際に既知活性度を有するキラル触媒錯体を提供する方法であって、
Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と不整四座配位子とのキラル触媒錯体を単離し、
この単離錯体の一部を用いて第１立体選択開環反応を触媒し、そして
第１反応の反応速度を決定し、そして
第１立体選択開環反応に類似の立体選択開環反応を触媒する際に用いるために残りの単離錯体を提供する
ことを含む方法。
【請求項３４】
触媒錯体が、構造式（３）による少なくとも１種の錯体
【化７】
2005538838.tif 000025
〔ここで、
Ｂ1は、架橋置換基−Ｒ10−Ｒ11−Ｒ12であり、ここでＲ10及びＲ12は各々独立して不存在であるか又はアルキル、アルケニル若しくはアルキニルを表し、そしてＲ11は不存在であるか又はアミン、イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、スルホニル、硫黄、セレン若しくはエステルを表し、
Ｂ2、Ｂ3は各々独立して、環構造中に４から８個の原子を含み且つシクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルケニル、アリール及び複素環式から選択された環部分であり、
Ｙ1及びＹ2は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、
Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22は各々、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23でもっての、それぞれのＢ1、Ｂ2及びＢ3部分の１つ又はそれ以上の共有結合置換を表し、しかもＲ20は架橋部分Ｂ1の１つ又はそれ以上の位置において出現し得、
Ｒ23は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル若しくはヘテロシクリル又はポリシクリルであり、そして
ｎは、ゼロ又は１から８の整数であり、
Ｍは、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）であり、
Ａは、対イオン又は求核剤であり、そして
Ａ′は、不存在であるか又は水、プロトン性の水混和性溶媒若しくはブレンステッド酸の分子である〕
を含む、請求項３３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、立体選択開環反応を触媒する際に用いるための触媒、より特定的には活性遷移金属−配位子触媒錯体に向けられる。
【背景技術】
【０００２】
キラル（ｓａｌｅｎ）Ｃｏ（ＩＩＩ）錯体により触媒されるエポキシドの開環の際の様々な求核剤の立体選択反応は、製薬、農芸化学、並びにフレーバー及びフラグランス工業に有用な数多くのエナンチオマー富化キラル生成物に対する容易な入手手段を提供する。これらの生成物は、化学量論量未満の求核剤を用いてのラセミエポキシドの速度論的分割によって、又は求核剤と分割エポキシドとの立体選択化学量論反応によって入手され得る。これらの方法について、不活性Ｃｏ（ＩＩ）種から又はキラル配位子及び金属塩からのどちらかからの活性Ｃｏ（ＩＩＩ）触媒の生成は、適当な溶媒（典型的には、メチレンクロライドのような塩素化炭化水素）、ブレンステッド酸（典型的には、酢酸）、及び空気又は酸素の使用を必要とする。印刷発表された手順において、活性触媒の生成は、典型的には、開環反応が行われるたびに遂行され、そして品質及び性能における変動性を受ける。米国特許第５，６６５，８９０号明細書、米国特許第５，９２９，２３２号明細書、米国特許第５，６６３，３９３号明細書、米国特許第５，６３７，７３９号明細書、米国特許第６，２６２，２７８号明細書、Tokunaga,M.、Larrow,J.F.、Kakiuchi,F.、Jacobsen,E.N.，「水でもっての不整触媒反応：  触媒加水分解の手段による末端エポキシドの効率的速度論的分割」，Science，１９９７，２７７，９３６〜９３８。Schaus,S.E.、Brandes,B.D.、Larrow,J.F.、Tokunaga,M.、Hansen,K.B.、Gould,A.E.、Furrow,M.E.、Jacobsen,E.N.，「キラル（ｓａｌｅｎ）コバルト（ＩＩＩ）錯体により触媒される末端エポキシドの高選択加水分解速度論的分割。エナンチオ富化末端エポキシド及び１，２−ジオールの実用的合成」，J. Am. Chem. Soc.，２００２，１２４，１３０７。Furrow,M.E.、Schaus,S.E.、Jacobsen,E.N.，「加水分解速度論的分割によっての高エナンチオ富化Ｃ３構成単位に対する実用的入手手段」，J. Org. Chem.，１９９８，６３，６７７６。
【０００３】
現在、触媒活性化は、不活性（ｓａｌｅｎ）Ｃｏ（ＩＩ）錯体をメチレンクロライド中で２当量の酢酸と反応させることを含む。空気がこの混合物中に数時間（規模に依存する）スパージされて、活性（ｓａｌｅｎ）Ｃｏ（ＩＩＩ）ＯＡｃ触媒及び水（Ｏ2の還元から）が形成される。この時点にて、溶媒が減圧蒸留により除去され、しかして触媒を容器の壁上に無定形固体の膜として沈着させる。この方法に関していくつかの問題があり、しかしてこれらの問題は規模に基づいて大きくなる。第一に、空気のスパージングは、空気−溶媒蒸気の混合物の発生のために、非引火性溶媒又は高引火点を有するものの使用を要求する。メチレンクロライドは低沸点であり且つ環境的危険物であるので、その蒸気は、大気への放出前の空気流出物から除去されねばならない。これはスクラビング装置を要求し、しかしてスクラビング装置は保守されねばならない。第二に、溶媒除去は時間がかかり、しかして該方法をよりコストがかかるようにし、また溶媒の完全な除去は実際上不可能である（特に、比較的大きい規模において）。その場合には、残留溶媒は、開環反応後の生成物から除去されねばならず、しかして更なるコストを招く。次に、活性化反応は毎回遂行される故、開環反応が遂行されるたびに変動性という望ましくない要素が存在する。
【０００４】
発明の要約
第１側面において、本発明は、キラル触媒錯体を製造する方法であって、
不整四座配位子をブレンステッド酸、Ｃｏ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩ）塩（該塩の共役酸の酸性度は、該ブレンステッド酸の酸性度と同じか又は小さい）及び酸化剤と、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と該配位子とのキラル触媒錯体を形成させるのに有効な条件下で接触させ、
該錯体が水の添加により沈殿され得るところの水混和性のプロトン性溶媒中の該錯体の溶液を形成させ、そして
水を該溶液に添加して該錯体の少なくとも一部を沈殿させる
ことを含む方法に向けられる。
【０００５】
第２側面において、本発明は、粒子状固体形態のキラル触媒錯体を製造する方法であって、
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール及び１−メトキシ−２−プロパノールから選択された化合物を含む水混和性のプロトン性溶媒中の、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と不整四座配位子とのキラル触媒錯体の溶液を用意し、
水を該溶液に添加して該錯体の少なくとも一部を沈殿させ、そして
この沈殿錯体を粒子状固体として単離する
ことを含む方法に向けられる。
【０００６】
第３側面において、本発明は、立体選択開環反応を触媒するのに活性な触媒であって、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と、不整四座配位子、並びにカルボキシレート、水酸化物、アルコキシド、チオラート、スルホネート、スルホンアミド、イソシアネート、イソチオシアネート及びハロゲン化物から選択された対イオン又は求核剤とのキラル触媒錯体を含み、しかも該錯体が結晶質固体形態にある触媒に向けられる。
【０００７】
第４側面において、本発明は、立体選択開環方法であって、
Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と、不整四座配位子、及びカルボキシレート、水酸化物、アルコキシド、チオラート、スルホネート、スルホンアミド、イソシアネート、イソチオシアネート又はハロゲン化物から選択された対イオン又は求核剤とのキラル触媒錯体であって、キラル又はプロキラル環式基質の求核剤による求核攻撃を触媒するのに活性であるキラル触媒錯体を結晶質固体形態にて用意し、しかも該基質は、該求核剤による求核攻撃に感受性の反応中心を有する炭素環又は複素環を含み、
該求核剤と該キラル又はプロキラル環式基質とを、触媒量の該触媒錯体の存在下で、立体異性体富化生成物を生成させるのに有効な条件下で反応させる
ことを含む方法に向けられる。
【０００８】
第５側面において、本発明は、立体選択開環反応を触媒する際に既知活性度を有するキラル触媒錯体を提供する方法であって、
Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）と不整四座配位子とのキラル触媒錯体を単離し、
この単離錯体の一部を用いて第１立体選択開環反応を触媒し、そして
第１反応の反応速度を決定し、そして
第１立体選択開環反応に類似の立体選択開環反応を触媒する際に用いるために残りの単離錯体を提供する
ことを含む方法に向けられる。
【０００９】
発明の詳細な説明及び好ましい具体的態様
便宜上、本願において用いられる或る用語がここに集められている。
【００１０】
用語「求核剤」は当該技術において認識され、そして本願において用いられる場合、反応性電子対を有する化学部分を意味する。求核剤の例は、アミン、メルカプタン及びアルコールのような非荷電化合物、並びにアルコキシド、チオラート、カルボアニオン及び様々な有機及び無機アニオンのような荷電部分を包含する。
【００１１】
本願において用いられる場合の用語「求電子原子」、「求電子中心」及び「反応中心」は、求核剤により攻撃されそして求核剤への新たな結合を形成ところの基質の原子を指す。たいていの（しかしすべてではない）場合において、これはまた、脱離基が離れるところの原子である。
【００１２】
用語「電子吸引性基」は当該技術において認識され、そして本願において用いられる場合、同じ位置にある場合の水素原子よりも大きくそれ自身の方に電子を引き寄せる官能基を意味する。例示的電子吸引性基は、ニトロ、ケトン、アルデヒド、スルホニル、トリフルオロメチル、−ＣＮ、塩化物、等を包含する。本願において用いられる場合の用語「電子供与性基」は、同じ位置にある場合の水素原子よりも小さくそれ自身の方に電子を引き寄せる官能基を意味する。例示的電子供与性基は、アミノ、メトキシ、等を包含する。
【００１３】
用語「キラル」は、鏡像パートナーの非重ね合わせ性という性質を有する分子を指し、一方用語「アキラル」は、鏡像パートナー上に重ね合わせ可能である分子を指す。「プロキラル分子」は、特定の方法においてキラル分子に転化される潜在性を有する分子である。
【００１４】
用語「立体異性体」は、同一の化学構造を有するが、しかし空間における原子又は基の配置に関して相違する化合物を指す。特に、「エナンチオマー」は、互いの重ね合わせ不能な鏡像であるところの化合物の２種の立体異性体を指す。一方、「ジアステレオマー」は、２個又はそれ以上の不整中心を有する立体異性体であって、それらの分子が互いの鏡像でない立体異性体を指す。
【００１５】
用語「位置異性体」は、同じ分子式を有するが、しかし原子の結合性において相違する化合物を指す。従って、「位置選択方法」は、他のものよりも特定の位置異性体の生成を有利にする方法であり、たとえば、反応は或る位置異性体の収量の統計的に有意な増加をもたらす。
【００１６】
用語「反応生成物」は、求核剤と基質の反応から生じる化合物を意味する。一般に、「反応生成物」は、本願において、安定な単離可能な化合物を指すようそして不安定な中間体又は遷移状態を指さないよう用いられる。
【００１７】
配位子又は触媒錯体に関して本願において用いられる場合、用語「不整」は、配位子又は錯体が対称の面又は点により関連づけられないキラル中心を含むこと並びに／あるいは配位子又は錯体が非対称軸（たとえば、束縛回転、ヘリシティ、分子のノッチング（「結び目形成」）又はキラル金属錯化に因る）を含むことを意味する。
【００１８】
配位子に関して本願において用いられる場合、用語「四座」は、配位子が４個のルイス塩基置換基を含むことを意味し、しかして該置換基は、たとえば酸素原子、硫黄原子、窒素含有置換基（アミノ、アミド又はイミノ基のような）、リン含有置換基（ホスフィン又はホスホネート基のような）及びヒ素含有置換基（アルシン基のような）から選択され得る。
【００１９】
金属原子と四座配位子の錯体に関して本願において用いられる場合、用語「長方形平面状」は、いくらかのゆがみを受けるが、錯体のルイス塩基原子の各々が実質的に同じ平面に在り且つ実質的に長方形の配置にあり、そして錯体の金属原子が実質的に同じ平面に在るところの幾何学的配置を指す。
【００２０】
金属原子と四座配位子の錯体に関して本願において用いられる場合、用語「長方形角錐状」は、いくらかのゆがみを受けるが、錯体のルイス塩基原子の各々が実質的に同じ平面に在り且つ実質的に長方形の配置にあり、そして錯体の金属原子が該平面の上方又は下方に在るところの幾何学的配置を指す。
【００２１】
本願において用いられる場合の用語「錯体」は、電子に富む１個又はそれ以上の独立存在の可能な分子又は原子と、電子に乏しい１個又はそれ以上の分子又は原子（それらの各々もまた独立存在が可能である）との結合により形成された配位化合物を意味する。
【００２２】
用語「基質」は、本発明に従って求核剤と又は環拡大試薬と反応して、ステレオジェン中心を有する少なくとも１種の生成物を生じ得る化合物を意味する。
【００２３】
用語「触媒量」は、当該技術において認識され、そして反応体に対して化学量論量未満の量の触媒を意味する。本願において用いられる場合、触媒量は、反応体に対して０．０００１から９０モルパーセントの触媒、一層好ましくは反応体に対して０．００１から５０モルパーセント更に一層好ましくは０．０１から１０モルパーセント更に一層好ましくは０．１から５モルパーセントの触媒を意味する。
【００２４】
「立体選択方法」は、反応生成物の他のあり得る立体異性体に優先して、反応生成物の特定の立体異性体を生成する方法である。「エナンチオ選択方法」は、反応生成物の２種のあり得るエナンチオマーの一方の生成を有利にする方法である。主題の方法は、生成物の特定の立体異性体の収量がキラル触媒の不存在下で行われる同じ反応から生じる該立体異性体の収量に対して統計的に有意な量だけ多い場合、「立体選択性に富む」生成物（たとえば、エナンチオ選択性に富む又はジアステレオ選択性に富む）を生成すると言われる。たとえば、主題のキラル触媒の一つにより触媒されるエナンチオ選択反応は、特定のエナンチオマーについて、キラル触媒を欠く反応のｅ．ｅ．より大きいｅ．ｅ．をもたらす。
【００２５】
「エナンチオ選択反応」は、一方のエナンチオマーに富むキラル非ラセミ生成物にアキラル反応体を転化する反応である。エナンチオ選択性は、一般に、
【数１】
2005538838.tif 000002
〔ここで、Ａ及びＢは形成エナンチオマーの量である〕
として定義される「エナンチオマー過剰率」（「ｅ．ｅ．」）によって定量化される。エナンチオ選択反応は、ゼロより大きいｅ．ｅ．でもって生成物を生じる。好ましいエナンチオ選択反応は、２０％より大きい一層好ましくは５０％より大きい更に一層好ましくは７０％より大きい最も好ましくは８０％より大きいｅ．ｅ．をもたらす。
【００２６】
立体異性体富化生成物に関して本願において用いられる場合、用語「劣化」は、生成物の収率又はエナンチオマー過剰率の減少を意味する。
【００２７】
「ジアステレオ選択反応」は、一つのジアステレオマーに富む生成物にキラル反応体（ラセミ体又はエナンチオマー的に純粋であり得る）を転化する。
【００２８】
キラル反応体がラセミ体である場合、キラル非ラセミ試薬又は触媒の存在下で、一方の反応体エナンチオマーは、他方のものよりゆっくり反応し得る。これは「速度論的分割」と称され、しかして反応体エナンチオマーは反応差速により分割されて、エナンチオマー富化生成物を生じる。速度論的分割は、通常、一方の反応体エナンチオマーのみと反応するのに十分な試薬（すなわち、ラセミ基質のモル当たり半モルの試薬）の使用により達成される。ラセミ反応体の速度論的分割について用いられてきた触媒反応の例は、シャープレス（Sharpless）エポキシ化及びノヨリ（Noyori）水素化を包含する。
【００２９】
「位置選択反応」は、どちらかといえば一つの反応中心において別の反応中心においてよりも優先的に起こる反応である。たとえば、非対称的に置換されたエポキシド基質の位置選択反応は、二つのエポキシド環炭素の一方において優先反応を起こす。
【００３０】
キラル触媒に関しての用語「非ラセミ」は、５０％より多い一層好ましくは少なくとも７５％の所望立体異性体を有する触媒の製造を意味する。「実質的に非ラセミ」は、触媒の所望立体異性体について９０％より大きいｅ．ｅ．一層好ましくは９５％より大きいｅ．ｅ．を有する触媒の製造を指す。
【００３１】
本発明の目的のために、化学元素は、元素周期表，ＣＡＳ版，Handbook of Chemistry and Physics，第６７版，１９８６〜８７，内側表紙に従って同定される。また、本発明の目的のために、用語「炭化水素」は、少なくとも１個の水素及び１個の炭素原子を有するあらゆる許容化合物を包含するよう想定されている。広い観点において、許容炭化水素は、非環式及び環式、分枝状及び非分枝状、炭素環式及び複素環式、芳香族及び非芳香族の有機化合物（置換又は非置換であり得る）を包含する。
【００３２】
用語「アルキル」は、直鎖アルキル基、分枝鎖アルキル基、シクロアルキル（脂環式）基、アルキル置換シクロアルキル基及びシクロアルキル置換アルキル基を含めて、飽和脂肪族基のラジカルを指す。好ましい具体的態様において、直鎖又は分枝鎖アルキルは、その主鎖中に３０個又はそれ以下の炭素原子（たとえば、直鎖についてＣ1〜Ｃ30、分枝鎖についてＣ3〜Ｃ30）、一層好ましくはその主鎖中に２０個又はそれ以下の炭素原子を有する。同様に、好ましいシクロアルキルは、それらの環構造中に４から１０個の炭素原子を有し、そして一層好ましくは環構造中に５、６又は７個の炭素を有する。
【００３３】
更に、本明細書及び請求項を通して用いられる場合の用語「アルキル」は、「非置換アルキル」及び「置換アルキル」の両方を包含するよう意図されており、しかして後者は、炭化水素主鎖の１個又はそれ以上の炭素上の水素を置き換える置換基を有するアルキル部分を指す。かかる置換基は、たとえば、ハロゲン、ヒドロキシル、カルボニル、アルコキシル、エステル、ホスホリル、アミン、アミド、イミン、チオール、チオエーテル、チオエステル、スルホニル、アミノ、ニトロ又は有機金属部分を包含し得る。炭化水素鎖上において置換された部分は、適切な場合、それら自身置換され得る、ということが当業者により理解されるであろう。たとえば、置換アルキルの置換基は、置換及び非置換形態のアミン、イミン、アミド、ホスホリル（ホスホネート及びホスフィンを含めて）、スルホニル（サルフェート及びスルホネートを含めて）及びシリル基、及びまたエーテル、チオエーテル、セレノエーテル、カルボニル（ケトン、アルデヒド、カルボキシレート及びエステルを含めて）、−ＣＦ3、−ＣＮ、等を包含し得る。例示的置換アルキルは、下記に記載される。シクロアルキルは、アルキル、アルケニル、アルコキシ、チオアルキル、アミノアルキル、カルボニル置換アルキル、ＣＦ3、ＣＮ、等で更に置換され得る。
【００３４】
用語「アルケニル」及び「アルキニル」は、長さ及びあり得る置換において上記に記載されたアルキルに類似のしかしそれぞれ少なくとも１個の二重又は三重結合を含有する不飽和脂肪族基を指す。
【００３５】
本願において用いられる場合、「ニトロ」は−ＮＯ2を意味し、「ハロ」は−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ又は−Ｉを意味し、「ヒドロキシル」は−ＯＨを意味し、「カルボキシル」は−ＣＯＯＨを意味し、「アルデヒド」は−Ｃ（Ｏ）Ｈを意味し、そして「チオ」は−ＳＨを意味し、しかして各場合において、ＲはＨ、アルキル又はアリールであり、そして用語「有機金属」は、ジフェニルメトキシシリル基のような、炭素原子に直接的に結合されている金属原子（水銀、亜鉛、鉛、マグネシウム又はリチウムのような）又はメタロイド（ケイ素、ヒ素又はセレンのような）を指す。
【００３６】
かくして、本願において用いられる場合の用語「アルキルアミン」は、置換又は非置換アミンが結合されているところの、上記に定義されたとおりのアルキル基を意味する。例示的具体的態様において、「アミン」は、一般式
【化１】
2005538838.tif 000003
〔ここで、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル、アルケニル、−（ＣＨ2）m−Ｒ3−Ｃ（＝Ｏ）−アルキル、−Ｃ（＝Ｏ）−アルケニル、−Ｃ（＝Ｏ）−アルキニル、−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ2）mＲ3を表し、又はＲ1及びＲ2はそれらが結合されているＮ原子と一緒になって、環構造中に４から８個の原子を有する複素環を完成し、Ｒ3はアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環又は多環を表し、そしてｍはゼロ又は１から８の範囲の整数である〕
により表され得る。
【００３７】
「アミド」は、一般式
【化２】
2005538838.tif 000004
〔ここで、Ｒ1及びＲ2は上記に定義されたとおりである〕
による置換基を意味する。
【００３８】
「イミノ」は、一般式
【化３】
2005538838.tif 000005
〔ここで、Ｒ1は上記に記載されたとおりであるが、Ｒ1はＨであり得ないという追加の但し書きを伴う〕
による置換基を意味する。
【００３９】
「チオエーテル」は、−Ｓ−アルキル、−Ｓ−アルケニル、−Ｓ−アルキニル及び−Ｓ−（ＣＨ2）mＲ3（ここで、ｍ及びＲ3は上記に定義されたとおりである）の一つにより表される部分を意味する。
【００４０】
用語「カルボニル」は、−Ｃ（Ｏ）−を意味する。本願において用いられる場合の用語「カルボニル置換アルキル」は、置換又は非置換カルボニル基が結合されているところの、上記に定義されたとおりのアルキル基を意味し、そしてアルデヒド、ケトン、カルボキシレート及びエステルを包含する。例示的具体的態様において、「カルボニル」部分は、一般式
【化４】
2005538838.tif 000006
〔ここで、Ｘは不存在であるか又は酸素若しくは硫黄を表し、そしてＲ4は水素、アルキル、アルケニル又は−（ＣＨ2）mＲ3（ここで、ｍ及びＲ3は上記に定義されたとおりである）を表す〕
により表される。Ｘが酸素である場合、該式は「エステル」を表す。Ｘが硫黄である場合、該式は「チオエステル」を表す。Ｘが不存在でありそしてＲ4が水素でない場合、上記の式は「ケトン」基を表す。上記の式の酸素原子が硫黄により置き換えられる場合、該式は「チオカルボニル」基を表す。
【００４１】
本願において用いられる場合の用語「アルコキシル」又は「アルコキシ」は、酸素ラジカルが結合されているところの、上記に定義されたとおりのアルキル基を指す。代表的アルコキシル基は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、等を包含する。「エーテル」は、酸素により共有結合された２個の炭化水素である。従って、アルキルをエーテルにするところのアルキルの置換基は、−Ｏ−アルキル、−Ｏ−アルケニル、−Ｏ−アルキニル、−Ｏ−（ＣＨ2）m−Ｒ3（ここで、ｍ及びＲ3は上記に記載されたとおりである）の一つにより表され得るように、アルコキシルであるか又は類似する。
【００４２】
「ホスホリル」は、一般に、式
【化５】
2005538838.tif 000007
〔ここで、Ｑ1はＳ又はＯを表し、そしてＲ5は水素、低級アルキル又はアリールを表す〕
により表され得る。アルキルを置換するために用いられる場合、ホスホリルアルキルのホスホリル基は、一般式
【化６】
2005538838.tif 000008
〔ここで、Ｑ1はＳ又はＯを表し、そして各Ｒ5は独立して水素、低級アルキル又はアリールを表し、Ｑ2はＯ、Ｓ又はＮを表す〕
により表され得る。
【００４３】
本願において用いられる場合、用語「ホスフィノ」は−ＰＲ2を包含し、そして用語「ホスホナト」は−Ｐ（ＯＲ）2を意味し、ここでＲはＨ、アルキル、アリール、複素環式又は多環である。
【００４４】
好ましい具体的態様において、「シリル」部分（アルキル上において置換されていてもよい）は、一般式
【化７】
2005538838.tif 000009
〔ここで、各Ｒ6は独立して水素、アルキル、アルケニル又は−（ＣＨ2）m−Ｒ3（ここで、ｍ及びＲ3は上記のとおり定義される）を表す〕
により表され得る。
【００４５】
例示的「セレノエーテル」（アルキル上において置換されていてもよい）は、−Ｓｅ−（ＣＨ2）m−Ｒ3（ここで、ｍ及びＲ3は上記のとおり定義される）のものから選択される。
【００４６】
本願において用いられる場合の用語「スルホニル」は２個の炭素原子に結合されたＳ（Ｏ）2部分を意味し、そして本願において用いられる場合の用語「スルホネート」はアルコキシ、アリールオキシ又はヒドロキシ基に結合されているところの、上記に定義されたとおりのスルホニル基を意味する。かくして、好ましい具体的態様において、スルホネートは、構造
【化８】
2005538838.tif 000010
〔ここで、Ｒ7はＨ、アルキル又はアリールである〕
を有する。
【００４７】
本願において用いられる場合の用語サルフェートは、ヒドロキシ又はアルコキシ基に結合されているところの、上記に定義されたとおりのスルホニル基を意味する。かくして、好ましい具体的態様において、サルフェートは、構造
【化９】
2005538838.tif 000011
〔ここで、Ｒ8及びＲ9は独立して不存在、水素、アルキル又はアリールである〕
を有する。更に、Ｒ8及びＲ9は、スルホニル基及びそれらが結合されている酸素原子と一緒になって、５から１０員を有する環構造を形成し得る。
【００４８】
類似の置換がアルケニル及びアルキニル基に対して成されて、たとえばアルケニルアミン、アルキニルアミン、アルケニルアミド、アルキニルアミド、アルケニルイミン、アルキレンイミン、チオアルケニル、チオアルキニル、カルボニル置換アルケニル又はアルキニル、アルケノキシル、アルキノキシル、メタロアルケニル及びメタロアルキニルを生じ得る。
【００４９】
本願において用いられる場合の用語「アリール」は、０から４個のヘテロ原子を含み得るところの４、５、６及び７員の単環芳香族基、たとえばベンゼン、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン及びピリミジン、等を包含する。環位置にヘテロ原子を有するかかるアリール基は、上記に記載されたような置換基、たとえばハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）m−Ｒ3、−ＣＦ3、−ＣＮ、等で置換され得、ここでｍ及びＲ3は上記のとおり定義される。
【００５０】
本願において用いられる場合の用語「ヘテロ原子」は、炭素又は水素以外のいかなる元素の原子をも意味する。好ましいヘテロ原子は、窒素、酸素、硫黄、リン及びセレンである。
【００５１】
用語「複素環」又は「複素環式基」は、環構造が１から４個のヘテロ原子を含むところの３から１０員の環構造、一層典型的には５から７員の環を指す。複素環式基は、ピロリジン、オキソラン、チオラン、イミダゾール、オキサゾール、ピペリジン、ピペラジン、モルホリンを包含する。複素環式環は、１つ又はそれ以上の位置において、上記に記載されたような置換基、たとえばハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）mＲ3、−ＣＦ3、−ＣＮ、等で置換され得、ここでｍ及びＲ3は上記のとおり定義される。
【００５２】
用語「炭素環」は、一般に、環員が各々炭素原子である環構造を指す。
【００５３】
用語「多環」又は「多環式基」は、２個又はそれ以上の炭素が二つの隣接環の共有である２個又はそれ以上の環式環（たとえば、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリール及び／又は複素環）を指し、たとえば、これらの環は「縮合環」である。非隣接原子によって結合されている環は、「架橋環」と称される。多環の環の各々は、上記に記載されたような置換基、たとえばハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）mＲ3、−ＣＦ3、−ＣＮ、等で置換され得、ここでｍ及びＲ3は上記のとおり定義される。
【００５４】
「架橋置換基」は、置換部位間に共有結合橋を形成するように、触媒のコア構造上における２つ（又はそれ以上）の部位においての、同じ（同一とは対照的に）置換基による置換を指す。たとえば、架橋置換基は、一般式すなわち−Ｒ10−Ｒ11−Ｒ12により表され得、ここでＲ10及びＲ12は各々独立して不存在であるか又はアルキル、アルケニル若しくはアルキニル（各々好ましくはＣ1からＣ10）を表し、そしてＲ11は不存在であるか又はアミン、イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、スルホニル、硫黄、セレン若しくはエステルを表す。
【００５５】
本願において用いられる場合、用語「置換」は、有機化合物のあらゆる許容置換基を包含するよう想定されている。広い観点において、許容置換基は、有機化合物の非環式及び環式、分枝状及び非分枝状、炭素環式及び複素環式、芳香族及び非芳香族の置換基を包含し、しかして例示的置換基は、たとえば、上記に記載されたものを包含する。許容置換基は、適切な有機化合物について１個又はそれ以上及び同じ又は異なり得る。本発明の目的のために、窒素のようなヘテロ原子は、水素置換基、及び／又は該ヘテロ原子の原子価を満たすところの本願において記載された有機化合物のいずれの許容置換基をも有し得る。本発明は、決して有機化合物のかかる許容置換基により限定されるようには意図されていない。
【００５６】
触媒錯体に関して本願において用いられる場合、「結晶質固体形態」は、錯体が目視検査にて規則的反復構造パターンを示す固体（典型的には、粒子状）物質であることを意味する。目視検査は、肉眼又は顕微鏡検査であり得る。理論により縛られたくないけれども、かかる結晶質固体形態は、錯体の分子が格子構造にて配列されていることの発現であると信じられる。
【００５７】
本願において用いられる場合、用語「引火点」は、たとえばＡＳＴＭ Ｄ１２１０−６３に与えられたタグリアブエ（Tagliabue）開放式方法によってのように、いかなる適用可能な「密閉式」又は「開放式」試験方法によっても決定されるように、液体が空気との引火性混合物を形成するのに十分な蒸気を発する温度を意味する。
【００５８】
本発明の方法の不整四座配位子成分として適当な配位子は、たとえばｓａｌｅｎ、ポルフィリン、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、シクラム又はフタロシアニンに由来するものである。一つの具体的態様において、四座配位子は、キラルｓａｌｅｎ又はｓａｌｅｎ様配位子に由来する。
【００５９】
一つの具体的態様において、不整四座配位子は、構造式（１）による少なくとも１種の化合物又はその塩
【化１０】
2005538838.tif 000012
〔ここで、
Ｂ1は、架橋置換基であり、
Ｂ2及びＢ3は各々独立して、環構造中に４から８個の原子を含み且つシクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルケニル、アリール及び複素環式から選択された環部分を表し、
Ｙ1及びＹ2は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、
Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22は各々、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23でもっての、それぞれのＢ1、Ｂ2及びＢ3部分の１つ又はそれ以上の共有結合置換を表し、しかもＲ20は架橋部分Ｂ1の１つ又はそれ以上の位置において出現し得、
Ｒ23は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル若しくはヘテロシクリル又はポリシクリルであり、そして
ｎは、ゼロ又は１から８の整数であり、
但し式（１）の配位子の置換基は、該配位子が不整であるように選択される〕
を含む。
【００６０】
好ましい具体的態様において、不整四座配位子は、構造式（２）による少なくとも１種の化合物又はその塩
【化１１】
2005538838.tif 000013
〔ここで、
Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルキニル、アミノ、ニトロ、チオ、イミノ、アミド、ホスホリル、ホスホナト、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、又は−（ＣＨ2）n−Ｒ23であり、あるいはその代わりにＲ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8置換基の別の一つと融合されて、環構造中に４から８個の原子を有する炭素環式又は複素環式環構造を形成し得、但しＲ44は不存在であり得、そしてその場合においてＲ40及びＲ41置換基を担持する炭素原子はＲ42及びＲ43置換基を担持する炭素原子に共有結合され、またＲ40及びＲ41は各々独立してＲ42又はＲ43の一方と融合されて、それらが結合されている炭素原子を含む環構造を形成し得、そして
Ｒ23、Ｙ1、Ｙ2及びｎは各々、上記のとおり定義され、
更に、但し式（２）の配位子の置換基は、該配位子が不整であるように選択される〕
を含む。
【００６１】
好ましい具体的態様において、配位子は、構造（２）（ここで、Ｒ44は不存在であり、Ｒ40及びＲ42は融合されて、それらが結合されている炭素原子と一緒に１，２−シクロヘキシレン基を形成する）による少なくとも１種の化合物を含む。
【００６２】
好ましい具体的態様において、配位子は、構造（２）（ここで、Ｒ41、Ｒ43、Ｙ1、Ｙ2、Ｘ2、Ｘ4、Ｘ6及びＸ8は各々Ｈであり、そしてＸ1、Ｘ3、Ｘ5及びＸ7は各々ｔ−ブチルである）による少なくとも１種の金属−配位子錯体を含む。
【００６３】
本発明の方法のブレンステッド酸成分は、反応条件下でプロトンを供与することが可能であるいかなる化合物でもあり得る。或る具体的態様において、ブレンステッド酸は、約３０℃より大きいか又は等しい引火点を有する。或る具体的態様において、ブレンステッド酸は、２００℃より小さいか又は等しい沸点を有する。或る具体的態様において、ブレンステッド酸は、約３５℃より大きいか又は等しい引火点及び１６０℃より小さいか又は等しい沸点を有する。好ましい具体的態様において、該酸は、酢酸、プロピオン酸、イソ酪酸、トリフルオロ酢酸及びメタンスルホン酸から選択される。好ましい具体的態様において、ブレンステッド酸は酢酸を含む。
【００６４】
一つの具体的態様において、配位子は、遷移金属の量に基づいて、約５から約１０モル当量のブレンステッド酸と接触される。
【００６５】
別の具体的態様において、下記において更に論考されるように、配位子の単位容量当たり約２から約１０容量のブレンステッド酸が、触媒形成を行うところの液体媒質として用いられる。
【００６６】
適当なＣｏ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩ）塩は、たとえば、酢酸コバルト、プロピオン酸コバルト、イソ酪酸コバルト、トリフルオロ酢酸コバルト、酢酸クロム、プロピオン酸クロム、イソ酪酸クロム及びトリフルオロ酢酸クロム（それらの各々は、無水又は水和形態にあり得る）を包含する。好ましい具体的態様において、金属塩は酢酸コバルトを含む。酢酸コバルトは、酢酸コバルト四水和物として商業的に入手できる。
【００６７】
一つの具体的態様において、配位子は、配位子の量に基づいて、約１から約２モル当量の金属塩と接触される。
【００６８】
Ｃｒ（ＩＩ）塩の場合において、Ｃｒ（ＩＩ）をＣｒ（ＩＩＩ）に酸化する前にＣｒ（ＩＩ）配位子錯体を形成させるために、酸化剤と接触させる前にＣｒ（ＩＩ）塩を配位子及び酸と不活性雰囲気下で接触させることが好ましい。
【００６９】
好ましい具体的態様において、本発明の方法の酸化剤成分は酸素を含む。一つの具体的態様において、酸素は、空気の形態にて導入される。好ましい具体的態様において、配位子、酸及び金属塩は、時間当たり配位子のキログラム当たり約１００から約１０００リットルの空気と接触される。別の好ましい具体的態様において、配位子、酸及び金属塩は、時間当たり配位子のキログラム当たり約２００から約８００リットルの空気と接触される。
【００７０】
一つの具体的態様において、酸素は触媒形成反応混合物中に、たとえば出口端が該混合物中に沈められるスパージャー管を通じて、空気を該混合物中に通気することにより導入される。
【００７１】
本発明の方法の水混和性のプロトン性溶媒成分は、反応体又は触媒錯体に悪影響を及ぼさずしかも触媒錯体が少なくとも実質的に可溶であるところの且つ触媒錯体が水の添加により沈殿され得るところのいかなる水混和性のプロトン性溶媒でもあり得る。一つの具体的態様において、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール及び１−メトキシ−２−プロパノールから選択される。本願において用いられる場合、触媒錯体が溶媒に「実質的に可溶」であるという記述は、少なくとも１キログラムの錯体が約１リットルから約２０リットルの溶媒中に溶解することを意味する。溶媒に関して本願において用いられる場合、「水混和性」は、溶媒が相分離なしにいかなる割合にても水と混合されることが可能であることを意味する。
【００７２】
水混和性のプロトン性溶媒中の触媒錯体の溶液を形成させる工程は、接触工程と同時に又は接触工程に引き続いて形成され得る。
【００７３】
一つの具体的態様において、配位子、酸、塩及び酸化剤は水混和性のプロトン性溶媒中で接触されて、水混和性のプロトン性溶媒中の錯体の溶液を形成する。好ましい具体的態様において、触媒錯体形成反応は、配位子のキログラム当たり約２から約１５リットルの水混和性のプロトン性溶媒中で行われる。
【００７４】
別の具体的態様において、触媒錯体形成反応は、約３５℃より大きいか又は等しい引火点を有する液体反応媒質中で行われ、そしてたとえば液体反応媒質をストリッピング除去し且つ水混和性のプロトン性溶媒を添加することにより、水混和性のプロトン性溶媒が液体反応媒質と交換される。一つの具体的態様において、約２から約１５リットルの水混和性のプロトン性溶媒が、錯体のキログラム当たり添加される。適当な液体反応媒質は、たとえば、過剰量のブレンステッド酸を包含する。
【００７５】
好ましい具体的態様において、配位子、酸、塩及び酸化剤は過剰量のブレンステッド酸中で接触され、そして水混和性のプロトン性溶媒中の錯体の溶液は、過剰のブレンステッド酸をストリッピング除去し且つ水混和性のプロトン性溶媒を添加することにより形成される。好ましい具体的態様において、約２から約１５リットルの水混和性のプロトン性溶媒が、配位子のキログラム当たり添加される。
【００７６】
一般に、触媒形成方法は、たとえば約−２０℃から約２００℃一層好ましくは約２５℃から約１５０℃の温度のような、反応体、触媒又は生成物に悪影響を及ぼさない温和な条件下で行われる。
【００７７】
好ましい具体的態様において、約３５℃未満の引火点を有する物質を伴ういかなる活動も、たとえば或る水混和性のプロトン性溶媒中の錯体の溶液の形成は、不活性雰囲気下で（たとえば、アルゴン又は窒素雰囲気下でのような）行われる。
【００７８】
好ましい具体的態様において、水混和性のプロトン性溶媒中の触媒錯体の溶液の単位容量当たり約０．５から約５容量の水が溶液に添加されて、錯体を沈殿させる。
【００７９】
或る具体的態様において、触媒錯体は、結晶質固体の形態にて沈殿する。或る具体的態様において、触媒錯体の溶液は結晶種添加されて（たとえば、触媒錯体の結晶を該溶液と水の混合物に添加することにより）、該溶液からの触媒錯体の結晶化を促進させる。結晶種添加なしで、触媒錯体の沈殿結晶は、典型的には、比較的小さい粒子サイズ（たとえば、約１０から約２５マイクロメートル（μｍ）のような）を示す。そのように形成された比較的小さい結晶は、立体選択開環反応用の触媒として又はその後の触媒錯体の沈殿における結晶種粒子として用いるのに適している。２５μｍより大きい粒子サイズを有する触媒錯体の粒子もまた、結晶種粒子として適している。典型的には、結晶化されるべき触媒錯体の期待総量に基づいて約０．５から約２．０重量パーセント（ｗｔ％）の結晶種粒子が、該溶液と水の混合物に添加される。結晶種粒子の導入は、種結晶の粒子サイズより大きい粒子サイズを有する単離触媒錯体の結晶質粒子の形成を促進する。或る具体的態様において、触媒錯体結晶の増大粒子サイズは、濾過による結晶の単離の改善容易性及び単離結晶の乾燥の改善容易性を含めて、結晶のその後の処理の容易性を改善することに関して利点を呈する。本願において用いられる場合、用語「粒子サイズ」は、粒子の最も長い寸法の見掛け長さ（たとえば、該寸法を光学顕微鏡の十字線に付与された目盛と目視的に比較することにより測定される）を指す。
【００８０】
好ましい具体的態様において、沈殿錯体は、次いで、たとえば濾過により単離される。
【００８１】
好ましい具体的態様において、単離触媒錯体は適当な洗浄液好ましくは水で洗浄され、洗浄液から単離され、そして次いで乾燥されて（たとえば、真空下で）、粒子状固体形態の触媒錯体を生じる。適当な洗浄及び単離技法は、置換洗浄（すなわち、洗浄液を単離錯体の床又は濾過ケーキに通す）及びスラリー洗浄（すなわち、触媒錯体と洗浄液のスラリーを混合し、そして次いでこのスラリーを濾過する）を包含する。
【００８２】
単離触媒錯体は、次いで、たとえばわずかに高められた温度にて（たとえば、約３０から約６０℃）若しくは減圧下で（たとえば、約５００ミリバール未満）又は高められた温度及び減圧下で乾燥される。好ましくは、単離触媒錯体は、恒量まで、すなわち単離触媒の更なる乾燥が更なる重量減少をもたらさなくなるまで乾燥される。
【００８３】
或る具体的態様において、乾燥活性触媒錯体は、次いで、湿気及び空気に対して少なくとも実質的に不透過性である密閉容器中で貯蔵される。単離触媒は、立体選択開環反応を触媒する際のその活性度を長期貯蔵中保持することが分かった。十分に乾燥すること及び貯蔵中湿気との単離錯体の接触を防ぐことが、活性触媒の安定性を高めると信じられる。
【００８４】
乾燥した自由に流動する安定な固体物質として活性触媒錯体を単離することができることにより、活性触媒錯体の分析的特性決定及び性能試験の改善容易性、並びにかかる活性触媒錯体が用いられる開環反応におけるより大きいバッチ対バッチの再現性が可能にされる。
【００８５】
公知のＣｏ（ＩＩＩ）−ｓａｌｅｎ配位子触媒錯体活性化方法において、立体選択開環反応において用いられるべき反応器中で、典型的には反応体（すなわち、求核剤及び基質化合物）の添加前に、活性触媒が反応のたびに形成され、そして触媒性能データは、典型的には立体選択開環反応における使用前には得られない。活性触媒は、今や、反応のたびにてではなくより大きいバッチにて、本発明の方法に従って生成され得、しかして触媒の使用におけるより大きい再現性及び信頼性に通じる。
【００８６】
本発明の方法は、公知のその場のＣｏ（ＩＩＩ）ｓａｌｅｎ配位子触媒錯体活性化方法より少ない時間しか必要とせず、またかかる方法と比べて、本方法は塩素化溶媒（たとえばメチレンクロライドのような）を用いる必要性を除くことにおいて有意な環境的利点を与える。
【００８７】
一つの具体的態様において、本発明の触媒錯体は、構造式（３）による少なくとも１種の錯体
【化１２】
2005538838.tif 000014
〔ここで、
Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｙ1及びＹ2は各々、上記のとおり定義され且つ該錯体が不整であるように選択され、
Ｍは、Ｃｏ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）であり、
Ａは、対イオン又は求核剤であり、そして
Ａ′は、不存在であるか又は水、プロトン性の水混和性溶媒若しくはブレンステッド酸の分子である〕
を含む。
【００８８】
錯体のＡ置換基として適当な対イオン及び求核剤は、たとえば、カルボキシレート、水酸化物、アルコキシド、チオラート、スルホネート、フェノキシド、スルホンアミド、アジ化物、イソシアネート、イソチオシアネート及びハロゲン化物を包含する。好ましい具体的態様において、Ａは、アセテート、４−ニトロベンゾエート及び（１Ｓ）−１０−ショウノウスルホネートから選択される。
【００８９】
好ましい具体的態様において、Ａ′は、メタノールの分子である。
【００９０】
好ましい具体的態様において、キラル触媒は、構造式（４）による少なくとも１種の錯体
【化１３】
2005538838.tif 000015
〔ここで、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44、Ｙ1、Ｙ2、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7及びＸ8、Ｍ、Ａ及びＡ′は各々、上記のとおり定義され且つ該錯体が不整であるように選択される〕
を含む。
【００９１】
一つの具体的態様において、本発明のキラル触媒は、長方形平面状又は長方形角錐状の幾何学的形を有する。
【００９２】
好ましい具体的態様において、キラル触媒は、構造（４）（ここで、Ｒ44は不存在であり、Ｒ40及びＲ42は融合されて、それらが結合されている炭素原子と一緒に１，２−シクロヘキシレン基を形成する）による少なくとも１種の金属−配位子錯体を含む。
【００９３】
好ましい具体的態様において、キラル触媒は、構造（４）（ここで、Ｒ41及びＲ43、Ｙ1、Ｙ2、Ｘ2、Ｘ4、Ｘ6及びＸ8は各々Ｈであり、そしてＸ1、Ｘ3、Ｘ5及びＸ7は各々ｔ−ブチルである）による少なくとも１種の金属−配位子錯体を含む。
【００９４】
一つの好ましい具体的態様において、キラル触媒は、構造（４）（ここで、ＭはＣｏ（ＩＩＩ）である）による少なくとも１種の金属−配位子錯体を含む。活性Ｃｏ（ＩＩＩ）触媒を単離することにより、不活性Ｃｏ（ＩＩ）触媒の合成及び単離は除外され、しかして有意なコスト節約をもたらすことになる。
【００９５】
或る具体的態様において、触媒錯体は、結晶質固体形態にて沈殿及び単離される。或る具体的態様において、触媒錯体は、約１０から約１０００μｍ一層典型的には約２５から約２００μｍの粒子サイズを有する自由に流動する結晶質固体粒子として単離される。
【００９６】
或る好ましい具体的態様において、単離触媒錯体は安定であり、すなわち、触媒は、密閉容器中周囲条件下で、約３ヶ月より多いか又は等しい一層好ましくは約６ヶ月より多いか又は等しい貯蔵中、その安定性を保持する。
【００９７】
本発明の方法により形成された活性触媒は、求核剤での環式基質の立体選択開環反応を触媒するための触媒として有用であり、また開環反応と同じ反応器中で触媒活性化を行う必要性を除く一方、一般に、そのようなその場方法により製造された同様な触媒と少なくとも同じくらい良好に遂行する。
【００９８】
一般に、反応性電子対を有するいかなる化合物も、立体選択開環反応の求核剤として適している。適切な反応条件下で本発明の方法において求核剤として用いるのに適している化合物は、たとえば、水素化物；アミン、メルカプタン及びアルコール（フェノールを含めて）のような非荷電化合物；アルコキシド、フェノキシド、チオラートのような荷電化合物；カルボアニオン、アジ化物、シアン化物、チオシアン酸、酢酸、ギ酸、クロロギ酸及び重亜硫酸アニオンのような有機又は無機アニオン；有機銅酸塩、有機亜鉛、有機リチウム、グリニャール試薬、エノラート及びアセチリドのような有機金属試薬を包含する。
【００９９】
より高度に好ましい具体的態様において、求核剤は、水、フェノキシド、水酸化物、アルコキシド、アルコール、チオール、チオラート、カルボン酸及びカルボキシレートから、更に一層好ましくは水、フェノール特にシリル化フェノール、及びカルボン酸から選択された１種又はそれ以上の化合物を含む。
【０１００】
好ましい具体的態様において、立体選択開環反応の環式基質は、式（５）による化合物
【化１４】
2005538838.tif 000016
〔ここで、
Ｒ50、Ｒ51、Ｒ52及びＲ53は各々独立して、それが結合されている炭素原子と共有結合を形成し且つＹを含む安定な環構造の形成を可能にする有機又は無機置換基であり、そして
【０１０１】
Ｙは、Ｏ、Ｓ、−ＮＲ54、−Ｃ（Ｒ55）Ｒ56であり、又は式Ｇ−Ｈ−Ｉを有し、ここでＲ54はＨ、アルキル、カルボニル置換アルキル、カルボニル置換アリール又はスルホネートであり、Ｒ55及びＲ56は各々独立して電子吸引性基であり、Ｇ及びＩは各々独立して不存在又は（Ｃ1〜Ｃ5）アルキル、Ｏ、Ｓ、カルボニル若しくは−ＮＲ54であり、そしてＨはカルボニル、ホスホリル又はスルホニルである〕
を含む。
【０１０２】
好ましい具体的態様において、Ｒ50、Ｒ51、Ｒ52及びＲ53は各々独立して、Ｈ、ヒドロキシル、ハロ、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、イミノ、アミド、ニトロ、チオ、ホスホリル、ホスホナト、ホスフィノ、カルボニル、カルボキシル、シリル、スルホニル、ケトン、アルデヒド、エステル、チオエーテル、セレノエーテル、又は−（ＣＨ2）nＲ57（ここで、Ｒ57はアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル又はヘテロシクリルであり、そしてｎは０≦ｎ≦８の数である）であり、あるいはその代わりにＲ50、Ｒ51、Ｒ52又はＲ53置換基の別の一つと融合されて、かかる置換基が結合されている炭素原子と一緒に炭素環式又は複素環式環構造を形成し得る。
【０１０３】
より高度に好ましい具体的態様において、基質は、求電子性中心及び脱離基を含有する環式化合物を含み、しかしてたとえば、エピクロロヒドリンのようなエポキシド、１，２−プロピレンイミンのようなアジリジン、１，２−プロピレンスルフィドのようなエピスルフィド、１，２−プロピレングリコール環式カーボネートのような環式カーボネート、１，２−プロピレングリコール環式チオカーボネートのような環式チオカーボネート、１，２−プロピレングリコール環式ホスフェートのような環式ホスフェート、１，２−プロピレングリコール環式サルフェートのような環式サルフェート、１，２−プロピレングリコール環式サルファイトのような環式サルファイト、β−ブチロラクタムのようなラクタム、β−ブチロチオラクタムのようなチオラクタム、β−メチル−γ−ブチロラクトンのようなラクトン、β−メチル−γ−ブチロチオラクトンのようなチオラクトン、及び１，３−ブチロスルトンのようなスルトンを包含する。
【０１０４】
一般に、立体選択開環反応は、たとえば約−２０℃から約２００℃一層好ましくは約２５℃から約１５０℃の温度のような、反応体、触媒又は生成物に悪影響を及ぼさない温和な条件下で行われる。
【０１０５】
一般に、立体選択開環反応は、液体反応媒質中で行われる。反応は、追加の溶媒なしに、不活性溶媒中で（ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、ヘキサン、ジメチルスルホキシドの一つ又はそれ以上のような）又は反応性溶媒中で（たとえば、求核剤及び溶媒の両方としてのエタノールを用いてのような）行われ得る。
【０１０６】
或る具体的態様において、立体選択開環反応は、たとえばアルゴン又は窒素雰囲気下でのような、不活性雰囲気中で行われる。その代わりに、反応は、たとえばＨＣＮガス下でシアニド求核剤でエポキシドの開環を行うように、反応性雰囲気下で行われ得る。
【０１０７】
実施例１
次のスキームに従ってメタノール中でキラルｓａｌｅｎ配位子、Ｃｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏ、酢酸及び空気を反応させることにより、活性触媒を製造した。すなわち、
【化１５】
2005538838.tif 000017
【０１０８】
機械撹拌機、温度計及び空気スパージング浸漬管を備えた３Ｌ三口丸底フラスコに、（Ｒ，Ｒ）−ヤコブセン（Jacobsen）配位子１（８２ｇ，０．１５ｍｏｌ，１．０当量）を装填した。次いで、この容器に、ＭｅＯＨ（７５０ｍＬ）を周囲温度にて装填した。次いで、このフラスコに、氷酢酸（１８ｇ，０．３ｍｏｌ，２．０当量）を装填した。この反応容器に、Ｃｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏ（４１．９ｇ，０．１６５ｍｏｌ，１．１当量）を装填し、そして更に７５ｍＬのＭｅＯＨ（合計おおよそ１０容量）をすすぎ液として用いた。配位子固形分のほとんどが溶解するまで、フラスコの内容物を大気に開放して３０分間撹拌した。次いで、この暗緑／褐色混合物に、撹拌しながら２時間、大気に開放された浸漬管を用いて、空気流を室内真空によって吸引して通した。フラスコの内容物を、配位子の消費及びＣｏ（ＩＩ）ｓａｌｅｎ触媒の不存在についてＴＬＣにより監視した。監視が反応の完了を指摘した時、スパージング管を添加漏斗と取り換え、そして水（８５０ｍＬ）を添加漏斗によって２〜３時間かけて（最初はゆっくり，少しずつ）ゆっくり添加して、活性Ｃｏ（ＩＩＩ）配位子触媒錯体２を沈殿させた。ブフナー漏斗上のワットマン３濾紙を通じての反応容器の内容物の真空濾過により、褐色固形分を単離した。これらの固形分を水（２×３５０ｍＬ）で洗浄し、そして風乾した。これらの固形分を濾紙から掻き取り、そして真空炉において室内真空下３５℃にて乾燥して、ＮＭＲ分析によりＣｏ（ＩＩＩ）配位子触媒錯体２と同定された１０５ｇ（定量的）の暗褐色固体が得られた。ＮＭＲスペクトルは、コバルトに配位されたメタノールの分子（それにより、金属の６番目の配位部位を満たす）を含有する期待錯体と一致した。
【０１０９】
実施例２
次のスキームに従って過剰の酢酸中でキラルｓａｌｅｎ配位子、Ｃｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏ、酢酸及び空気を反応させることにより、活性触媒を製造した。すなわち、
【化１６】
2005538838.tif 000018
【０１１０】
インペラー、温度計及び空気スパージング浸漬管を備えた反応容器に、（Ｓ，Ｓ）−ヤコブセン（Jacobsen）配位子３（２．２ｋｇ）を装填した。この反応容器に、装填穴を通じて、酢酸コバルト四水和物（１．０６ｋｇ）を装填した。この反応容器を、窒素でパージした。この反応器に、室温にて掻き混ぜ下で、酢酸１８．５ｋｇを約０．５ｈｒの期間かけて装填した。この反応容器の内容物を室温にて撹拌する一方、この混合物に約７５０リットルの空気／ｋｇの配位子／時の速度にて圧縮空気でもって３時間通気した。流出空気流を、水酸化ナトリウムスクラバーに通した。容器の内容物の組成を、ＴＬＣにより３０分ごとに監視した。反応が完了すると（＞９５％の転化率）、空気の通気を止め、容器を窒素でパージし、そして容器内の圧力をゆっくり１００〜１１０ｍｂａｒに減じた。次いで、容器の内容物をポット温度５０〜５５℃及びジャケット温度７０℃にて２〜３ｈ加熱し、しかして１４ｋｇのＡｃＯＨ（使用容量の７５％）を反応容器の内容物からストリッピングした。次いで、真空を窒素で破壊し、そして容器の内容物を０．５〜１ｈかけて室温に冷却した。次いで、この反応容器に、メタノール（１０．５ｋｇ）を装填した（メタノールの量は、除去されたＡｃＯＨの容量に等しい）。撹拌しながら１．５時間かけて水（１１ｋｇ）を連続的に滴加して、触媒を沈殿させた。該水の１０％添加後、反応物を２５ｇの種結晶でもって結晶種添加した。生じたスラリーを、GUEDU製濾過スチル中に移した。圧力を加えて、固体を単離した。清澄な濾液が得られるまで、水（合計約５０ｋｇ）を少しずつ添加することにより単離固体を洗浄した。この濾液は、３．５と４．５の間のｐＨを有していた。洗浄された単離固体を真空炉（４０℃，３５ｍｂａｒ）にて恒量まで乾燥して、ＮＭＲ分析によりＣｏ（ＩＩＩ）配位子触媒錯体４と同定された２．８ｋｇの固体（理論量の９５〜９７％）が得られた。
【０１１１】
実施例３
単離触媒が密閉容器中で周囲温度にて貯蔵された時間の長さに対するラセミエピクロロヒドリンの加水分解速度論的分割（「ＨＫＲ」）における触媒の活性度を監視することにより、触媒の安定性を評価した。
【０１１２】
オーバーヘッド機械撹拌機及び温度計を備えた１２５ｍＬジャケット付き容器に、上記の実施例１に与えられた手順に従って製造された（Ｒ，Ｒ）−Ｃｏ（ＩＩＩ）−ｓａｌｅｎ配位子−アセテート−メタノール触媒錯体（１．６６ｇ，２．５ｍｍｏｌ，ラセミエポキシドに対して０．５ｍｏｌ％）を添加した。この容器に、ラセミエピクロロヒドリン（４６．７ｇ，０．５ｍｏｌ）を添加し、そしてこの混合物を温度制御再循環流体でもって５℃にもたらした。シリンジポンプを用いて、水（６．７５ｇ，０．３７５ｍｏｌ，ラセミエポキシドに対して０．７５当量）を２時間の期間をかけて装填した。添加が完了すると、エピクロロヒドリンエナンチオマー過剰率＞９９％により指摘されるような完了まで、反応をキラルＧＣ分析により監視した。
【０１１３】
貯蔵触媒錯体のサンプルを用いて、ＨＫＲ反応を上記の手順に従って様々な時間行った。時間の種々の長さ貯蔵された触媒錯体（月数で表された「貯蔵時間」）を用いて得られた結果が、得られたエピクロロヒドリン生成物のエナンチオマー過剰率（パーセントとして表された「エピクロロヒドリンｅ．ｅ．」）及び反応について報告ｅ．ｅ．値に達するのに要した時間数で表された反応時間（「反応時間」）に関して、下記において表Ｉに記載されている。
【０１１４】
表Ｉ
貯蔵時間（月）      エピクロロヒドリンｅ．ｅ．（％）        反応時間
０                        １００％                  ４時間４０分
２                      ９９．５％                  ５時間１６分
７                      ９９．５％                  ５時間００分
【０１１５】
上記の実施例２に与えられた手順に従って製造された貯蔵（Ｓ，Ｓ）−Ｃｏ（ＩＩＩ）−ｓａｌｅｎ配位子−アセテート−メタノール触媒錯体のサンプルでもって行われたエピクロロヒドリンのＨＫＲについて、類似の結果が下記の表ＩＩに与えられている。
【０１１６】
表ＩＩ
貯蔵時間（月）      エピクロロヒドリンｅ．ｅ．（％）        反応時間
０                      ９９．１％                  ４時間００分
３                      ９９．６％                  ５時間３６分
【国際調査報告】
2005538838.tif 000026