(57)【要約】準光学的ミリメートル波ビームを使用する可変ビームスプリッタ１０である。ビームスプリッタ１０は円形金属プレート２０を具備し、そのプレート２０には周期的なアレイ３０として形成された長方形のスロットが切込まれている。プレート２０は入射ミリメートル波ビームがプレート２０の表面に対して４５゜の角度で入射されるように配置されている。入射ビームの偏波はプレート２０の表面に平行である。電界がスロットに垂直なプレート２０の方位のときプレート２０は入射パワーのほぼ１００％を透過させる。入射ビームとプレートとの間で４５゜の角度を維持しながら入射電界がスロットに平行になるようにプレート２０がその軸を中心に９０゜回転されるとき、入射ビームに対して９０゜の角度ではプレート２０の透過は０％となり、入射パワーのほぼ１００％が反射される。０゜から９０゜の範囲内で回転角度を変化させることにより反射および透過パワーは入射パワーを０％と１００％の間で連続的に変化させることができる。ビームスプリッタは電磁波から吸収した熱を金属プレート２０のエッジから除去する冷却システムを備えている。
2005501452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスロットを有する導電性プレートと、
前記プレートに入射する電磁波に対して固定した角度で前記プレートを支持する機構と、
電磁波から吸収される熱を前記プレートのエッジから除去する機構とを具備しており、
前記プレートのスロットは、第１のレベルにおいて前記プレートの軸に関して第１の角度方位にあるときには前記プレート上に予め定められた角度で入射する電磁波を透過させ、第２のレベルにおいてスロットが前記プレートの軸に関して第２の角度方位にあるときには前記プレート上に予め定められた角度で入射する電磁波を反射させるように構成されている可変パワー分割装置。
【請求項２】
さらに、前記プレートの前記軸に関して前記第１の方位の角度から前記第２の方位の角度に前記プレートをその軸に関して回転させる装置を備えている請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記スロットは周期的なアレイで配置されている請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記スロットは長方形である請求項１項記載の装置。
【請求項５】
前記スロットは二等辺参角形のパターンで、次の関係式およびディメンションにしたがって前記プレート中に切込んで形成され、
（２λ／ｄｘ ）≧１＋ ｓｉｎθ，
（λ／ｄｙ ）≧１＋ ｓｉｎθ，および
（λ／ｄｘ ）２ ＋（λ／２ｄｙ ）２ ≧（１＋ ｓｉｎθ）２
ここで、ｄｘ はｘ軸に沿ったアレイの周期であり、
２ｄｙ はｙ軸に沿ったアレイの周期であり、
λは前記電磁波の波長であり、
θは入射角度である請求項１項記載の装置。
【請求項６】
スロットの幅は６１ミルであり、スロットの高さは２０ミルであり、ｘ軸に沿ったアレイの周期は９０ミルであり、ｙ軸に沿ったアレイの周期は７０ミルであり、プレートの厚さは６ミルであり，αは約３７．８７５度である請求項５記載の装置。
【請求項７】
入射角度はプレートの表面に対して４５度である請求項６項記載の装置。
【請求項８】
前記電磁波の周波数は９５ＧＨｚである請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記入射角度はプレートの表面に対して４５度である請求項１項記載の装置。
【請求項１０】
前記電磁波の周波数は３０乃至３００ＧＨｚの範囲にある請求項１記載の装置。
【請求項１１】
前記電磁波により伝送されるパワーは１００ｋＷより大きい請求項１記載の装置。
【請求項１２】
前記プレートは円形である請求項１記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁波を指向させ、制御する方法および装置に関する。特に、本発明は、可変パワー分割装置、ビームスプリッタ等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
種々の応用において、高いパワーレベルおよび高い周波数で電磁波パワーを指向させ、制御するシステムおよび方法が必要とされている。例えば、１００乃至１０００ｋＷより大きいパワーを有する準光学的ガウスビームによりミリメートル波周波数（３０乃至３００ＧＨｚ）でパワー分割を行うことが必要とされている。準光学的ミリメートル波パワー分割における既知の技術は、典型的にしっかりと引伸ばされた平行なワイヤの狭い間隔のアレイから構成されている。ワイヤグリッドの可変パワー分割器は多くの準光学的ミリメートル波システムにおいて普通のコンポーネントである。低いパワーレベルにおいては、入射ビームによって誘起された電流によって各ワイヤで発生される熱は重要ではない。十分に高いパワーレベルにおいては、吸収された熱は張られているワイヤの機械的な故障を発生させる可能性がある。
【０００３】
例えば、低損失のワイヤグリッド可変パワー分割器によって吸収されたパワーの割合は、入射パワーの１００％を反射するように整列されているとき、０．００１のような低い値にすることができる。すなわち、入射ビームによって搬送されるパワーの１ｋＷ当たりパワー分割器は少なくとも１Ｗを吸収する。もしも入射ビームの搬送パワーが１ＭＷであれば、パワー分割器は少なくとも１．０ｋＷを吸収し、入射ビームの搬送パワーが５ＭＷであれば、パワー分割器は少なくとも５ｋＷを吸収する。ワイヤグリッド可変パワー分割器はこのような多量の熱を放散することはできない。その理由は、ワイヤグリッドを構成しているワイヤの吸収したパワーを放散する能力はそれらの細いワイヤの断面積で厳しく制限されてその結果として熱伝導度が低いからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、高パワーで、高い周波数の応用における有効なパワー分割のためのシステムおよび方法が技術的に必要とされている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この技術的な要求は本発明の可変パワー分割を行うシステムおよび方法によって解決される。本発明のシステムは複数のスロットを有する導電性プレートを備えている。それらのスロットは、第１のレベルにおいてはプレートの軸に関して第１の角度の方位にあるときには予め定められた角度および偏波でプレート上に入射する電磁波を透過させ、第２のレベルにおいてはプレートの軸に関してスロットが第２の角度の方位にあるときには予め定められた角度および偏波でプレート上に入射する電磁波を反射させるように周期的なアレイで配置されている。支持機構が設けられて入射する電磁波の伝搬方向に対して固定した角度にプレートが維持され、また、入射した電磁波から吸収される熱をプレートのエッジから除去する手段が設けられている。
【０００６】
本発明はプレートの軸に関して第１の方位角度から第２の方位角度にプレートを回転させる装置を使用するように構成されている。特定の応用において、本発明は準光学的ミリメートル波ビームを使用する可変ビームスプリッタとして構成されている。このビームスプリッタは円形の金属プレートで構成され、それに長方形のスロットの周期的なアレイが切られて形成されている。プレートは入射ミリメートル波ビームがプレートの表面に対して４５度の角度で入射するように配置されている。さらに、入射ビームの偏波面はプレート表面に平行である。入射ビームの電界がスロットに垂直な（すなわち電界がスロットの狭い寸法を横断する方向）プレートの方位のとき、プレートは入射エネルギのほぼ１００％を透過させる。（入射ビームとプレートとの間で４５゜の角度を維持しながら）入射電界がスロットに平行になるようにプレートがその軸を中心に９０゜回転されるとき、入射ビームに対して９０゜の角度ではプレートの透過は０％となり、入射パワーのほぼ１００％が反射される。０゜から９０゜の範囲内で回転角度を変化させることにより反射および透過パワーの両者は入射パワーの０％から１００％の範囲内で連続的に変化させることができる。
【０００７】
本発明の優れた特徴は、準光学的ミリメートル波ビームに対する可変ビームスプリッタとしてスロットを設けたプレートを使用し、入射電界とスロットの軸との間の角度における反射および透過係数の依存性を利用して、軸を中心とするプレートの回転により反射および透過パワーを連続的に変化させることを可能にすることによって得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の利点を開示するために添付図面を参照にして以下例示的な実施形態および例示的な応用について説明する。
本発明はここでは例示的な実施形態を参照にして特定の応用について記載されているが、本発明はそれに限定されるものではないことを理解すべきである。当業者は本発明の技術的範囲内において付加的な変型、応用、および実施形態、ならびに本発明が顕著な利用性を有する付加的な応用分野を認識するであろう。
【０００９】
図１は本発明にしたがった準光学的ミリメートル波ビームを使用するように構成された可変ビームスプリッタの例示的な構成の正面図を示している。本発明のビームスプリッタ１０は長方形のスロットの周期的なアレイ３０を穿孔された円形の金属プレート２０を備えている。このプレートは支持体１１上に設置され、入射ビームに対して所望の角度を維持するように構成されている。プレート２０はベリリウム銅その他の特定の応用に対して適当な導電性の金属材料で形成される。図示された構成では、プレート２０は直径が４．５インチで厚さが６ミルである。ここに記載した例示的なビームスプリッタ１０は低乃至中程度のパワーの応用に適した低コストの装置である。プレート２０の厚さは化学的加工を使用して装置を構成することを可能にし、それは本質的に低コストのプロセスである。高パワーに対する適用では、プレート材料の有限の電気伝導度により入射ビームから吸収された熱の放散を可能にするために十分に高い熱伝導を与えるもっと厚い材料が必要となる可能性があり、また、プレートのエッジから熱を除去するための手段が設けられる必要がある。しかしながら、材料が厚すぎると化学的加工が使用できなくなる。それはスロットがプレート中に深く形成されなければならないからである。この場合には電気放電加工（ＥＤＭ）が使用できる。
【００１０】
図１では、プレート２０は正確な角度の位置を可能にするためにエッジに沿って５゜ごとに基準孔１２を有している。しかしながら、最良の実施形態では、プレート２０の周囲に歯車１４が設けられる。この歯車１４はピニオン歯車１６と結合されるように構成されている。ピニオン歯車１６は制御装置２２とユーザインターフェース２４により与えられる命令に応答するステップモータ１８によって駆動される。
【００１１】
ビームスプリッタ１０の動作周波数は、スロットの寸法、アレイの周期性、およびプレートの厚さによって決定される。ビームスプリッタ１０のパワー処理能力は、その厚さによって決定されるプレートの熱伝導度によって決定される。高パワーに対する適用では、プレートのエッジから吸収された熱を除去するための手段が設けられる必要がある。図２の（ａ）はそのような手段の１つの例示的な構成を示している。
【００１２】
図２の（ａ）は本発明にしたがって構成された高いパワー可変ビームスプリッタ１０に対する冷却システムの例示的な構成の斜視図である。図２の（ａ）に示されているように、冷却ジャケット２６がプレート２０のエッジに取付けられ、水その他の適当な冷却流体が冷却流体入力部２７から供給され、時計方向に冷却ジャケット２６を通って流れ、冷却流体出力部２８から排出される。
【００１３】
図２の（ｂ）は冷却ジャケット２６内に設けられている冷却チヤンネル２９の詳細を示すために切断された状態を示している。０゜乃至９０゜の角度範囲で中心軸を中心にビームスプリッタ１０を回転することを可能にするために、フレキシブルなチューブ（図示せず）が使用されて冷却流体入力部２７に冷却流体を供給し、冷却流体出力部２８から冷却流体を排出する。
【００１４】
図３は図１に示されたビームスプリッタのスロットアレイの一部を拡大して示している。図３に示されているように、スロット３２は長方形の形状であり、二等辺三角形のパターンで配置されている。スロットはプレート２０中に化学的に加工されて形成されている。当業者は、この説明がアレイ中のスロットの形状や数を限定するものではなく、またスロットが形成される方法を限定するものでもないことを認識するであろう。
【００１５】
スロットが二等辺三角形のパターンで配置されているとき、格子のローブを避けるために以下のような条件が満足されなければならない。
【００１６】
（２λ／ｄｘ ）≧１＋ ｓｉｎθ，
（λ／ｄｙ ）≧１＋ ｓｉｎθ，
および、（λ／ｄｘ ）２ ＋（λ／２ｄｙ ）２ ≧（１＋ ｓｉｎθ）２
ここで、ｄｘ はｘ軸に沿ったアレイの周期であり、
２ｄｙ はｙ軸に沿ったアレイの周期であり、
λは入射電磁波の波長であり、
θは入射角度である（図４参照）。
【００１７】
例示された実施形態において、スロットの寸法は長さが６１ミルで、高さが２０ミルである。すなわち、ａ＝６１ミルおよびｂ＝２０ミルである。ｘおよびｙ方向のアレイの大きさは、それぞれｄｘ ＝９０ミルおよびｄｙ ＝３５ミルであり（ｙ方向の周期は２×ｄｙ ＝７０ミル）、プレートの厚さは６ミルである。最も近接したスロットとの間の角度はα＝ｔａｎ −１（２ｄｙ／ｄｘ）＝３７．８７５゜である。周期は水平方向で９０ミルであり、垂直方向で７０ミルである。これらのｄｘ およびｄｙ の値により、入射角度θ＝４５゜、動作周波数９５ＧＨｚに対して格子ローブは存在しない。例示された実施形態において、スロットアレイ３０は４インチの直径の円を満たしている。したがって近似的に４０００のスロットが設けられている。
【００１８】
ビームスプリッタ１０は、図４に示されるように、入来するミリメートル波ビームがプレート２０の垂線に対して４５゜の角度で入射するように方向を定められている。
【００１９】
図４は可変ビームスプリッタ１０および入射波、反射波、透過波ヲ示す上面図である。入射波はプレートの軸であるｚ軸に対して角度θで入射する。ビームスプリッタ１０を透過した入射パワーの割合は、ｚ軸を中心にしてビームスプリッタ１０を９０゜回転することにより０乃至１００％の範囲で連続的に変化されることができる。
【００２０】
図５は本発明による水平なスロットアレイの方向を有する入射ＴＥ（横断電界）およびＴＭ（横断磁界）波によるビームスプリッタの構成を示している第１の図である。この図において、ＴＥ波はその電界がビームスプリッタを含む平面に平行な平面波であり、ＴＭ波はその磁界がビームスプリッタを含む平面に平行な平面波である。ｚ軸はビームスプリッタ１０の表面に垂直であり、回転角度φに対する回転軸である。この図に示されたビームスプリッタの方向に対して、入射ＴＥ波のほぼ１００％が透過される。反射されたＴＥ波と透過さたＴＥ波は示されていないがそれらの電界の偏波面はビームスプリッタを含む平面に平行である。同様に反射されたＴＭ波と透過さたＴＭ波の磁界の偏波面はビームスプリッタを含む平面に平行である。
【００２１】
図５に示されるように、入射ビームの偏波面はスロットの短い軸に平行であるとき、ほぼ１００％の透過が設計周波数において達成される。ビームスプリッタ１０がその軸を中心に回転されるとき（入射ビームと平面の垂線との間の４５゜を維持しないがら）、透過パワーの割合は減少し、反射パワーは増加する。
【００２２】
図６は本発明による垂直なスロットアレイの方向を有する入射ＴＥ波およびＴＭ波によるビームスプリッタの構成を示している第２の図である。入射波をＴＥ波と仮定すると、ビームスプリッタを透過した入射パワーの割合はｚ軸を中心とするビームスプリッタの回転角度によって決定される。図５および６において、ベクトルｋの大きさは２π／λであり、その方向は入射ビームの伝搬方向である。図６に示された方向に対して、入射パワーのほぼ１００％がビームスプリッタによって反射される。図６に示されているように９０゜の回転角度において、入射ビームの偏波面はスロットの長軸に平行であり、ビームスプリッタを透過するパワーはゼロであり、ほぼ１００％が反射される。
【００２３】
ビームスプリッタ１０の性能は、発散があまり大きくないかぎりは入射ガウスビームの角度発散により影響されない。また、ガウスビームに対して入射パワー密度は、θ＝で４５゜からの偏差が最大であるビームのエッジにおいて最低であり、そのため４５゜以外の角度におけるパワー透過係数のの減少はビームスプリッタの性能に最小の影響しか与えない。
【００２４】
図７は例示的な実施形態の可変ビームスプリッタ１０に対する周波数の関数としてのパワー透過係数（挿入損失）を示すグラフである。入射波は角度４５゜でビームスプリッタ１０に入射したＴＥ００フロケ（Ｆｌｏｑｕｅｔ） モード波である。アレイ中のスロットは長方形であるから、スロットの方位に関して入射波の偏波に応じて異なった方法で入射波に影響することは驚くことでしない。この結果の１つは透過係数がビームスプリッタの回転角度が変化するとき変化することであり、それはスロットに関して入射波の方位を変化し、スロット穴を有するプレートが可変ビームスプリッタとして動作することを可能にしている。別の結果は、ある程度の偏波の変換が生じることである。すなわち、入射ＴＥ００波は図８に示されているように透過中に直交偏波ＴＭ００モードに変換される。
【００２５】
図８および９は９５ＧＨｚの動作周波数で異なった入射角度に対する回転角度の関数として示された実施形態の可変ビームスプリッタ１０に対するパワー透過係数を示す一連のグラフである。すなわち、
図８のａは９５ＧＨｚの動作周波数で４０゜の入射角度に対する回転角度の関数として示された実施形態の可変ビームスプリッタ１０に対するパワー透過係数を示すグラフである。
【００２６】
図８のｂは９５ＧＨｚの動作周波数で４５゜の入射角度に対する回転角度の関数として示された実施形態の可変ビームスプリッタ１０に対するパワー透過係数を示すグラフである。
【００２７】
図９は９５ＧＨｚの動作周波数で５０゜の入射角度に対する回転角度の関数として示された実施形態の可変ビームスプリッタ１０に対するパワー透過係数を示すグラフである。異なった入射角度に対するパワー透過係数の類似性は、可変ビームスプリッタ１０の性質が入射角度に過度に敏感ではなく、発散角度が過度に大きくなければ発散ガウスビームに適応できることを明瞭に示している。
【００２８】
図８および９においてパワー透過係数は所望のＴＥ００モード、ＴＭ００モード、および全体の透過モードに対して描かれ、この全体の透過モードはＴＥ００モードとＴＭ００モードで透過されたパワーの合計である。それぞれの場合に、ビームスプリッタ１０は若干の偏波の変換を生じ、そのため透過されたフィールドは所望のＴＥ００成分に加えてＴＭ００成分を有している。しかしながら、全体の透過パワーは、ビームスプリッタ１０の回転角度が０゜から９０゜に増加するとき、その最大から最小にスムースに変化することが期待される。
【００２９】
図１０は、θ＝４５゜に対する回転角度の関数としてパワー反射係数とＴＥ００モード、ＴＭ００モード、およびＴＥ００＋ＴＭ００モードに対する回転角度の関係を示している。この図は、反射されたパワーがビームスプリッタの回転角度φを変化させることによって同様に変化させることができることを示している。
【００３０】
偏波の回転は準光学的成分に対して異常ではない。例えば反射鏡はしばしば反射において入射波の偏波を回転させる。必要ならば、不所望な偏波成分はそれらの通路に追加のビームスプリッタを配置することによって反射および透過ビームから除去することができる。各追加のビームスプリッタは上記した可変ビームスプリッタ１０と構造および形態は同一であるが、固定回転角度に維持される。回転角度は所望の偏波成分が１００％透過するように選択される。図８のｂはＴＥ００モードにおける入射ビームに対して、回転角度φ＝０゜のとき、すなわち入射ビームの偏波が平面のスロットに垂直なときに１００％の透過が生じることを示している。
【００３１】
図１１および１２は、θ＝４５゜に対する回転角度の関数としてＴＥ００モード、ＴＭ００モード、およびＴＥ００＋ＴＭ００モードに対する入射ＴＭ００モードに対する示された実施形態の可変ビームスプリッタ１０のパワー透過および反射係数を示している。
【００３２】
図１１は、プレートの厚さが６ミルであっても回転角度が０゜に等しいとき入射ＴＭ００モードに対する挿入損失がほぼ２５ｄＢであることを示している。所望ならば、挿入損失はプレートの厚さを増加させることによって増加させることができる。
【００３３】
図１２は、回転角度が０゜のとき、入射フィールドがＴＭ００モードにあるときには入射パワーのほぼ１００％が反射されることを示している。その結果、ＴＥ００成分およびＴＭ００成分の両者を有するビームがφ＝０゜の固定回転角度を有するビームスプリッタに入射するとき、ＴＥ００成分の１００％が透過され、ＴＭ００成分の透過は０％であり、ＴＭ００成分の反射は１００％であり、ＴＥ００成分の反射は０％である。それ故、図１３に示されているように、各ビームの通路上に固定回転角度φ＝０゜を有するビームスプリッタを配置することによって反射されたビームおよび透過されたビームから不所望の偏波成分は除去されることができる。
【００３４】
図１３は偏波保持可変ビームスプリッタ装置の上面図であり、ＴＥ波およびＴＭ波がそこに入射し、反射され、および透過される。図１３において、３個のビームスプリッタ１０， １０’， １０’’ が使用されている。第１のビームスプリッタ１０は可変であり、第２および第３のビームスプリッタ１０’， １０’’ は固定である。全体の透過パワーは第１のビームスプリッタ１０を９０゜回転させることによってその最大から０に変化される。不所望な偏波は、各ビームの通路に０゜の固定された回転角度を有する第２および第３のビームスプリッタ１０’， １０’’ を配置することによって反射および透過ビームから除去される。
【００３５】
要約すると、本発明は電磁エネルギ、特に準光学的ミリメートル波ビームを使用する可変ビームスプリッタに関する。このビームスプリッタ１０は長方形のスロットの周期的なアレイを穿孔された導電性金属プレートを備えている。ビームスプリッタをその軸を中心に回転させることによって、ビームスプリッタにより反射および透過されるパワーは０％から１００％の範囲にわたって変化させることができる。
【００３６】
したがって、本発明は、特定の応用に対する特定の実施形態を参照にして記載されているが、当業者および本発明の開示した内容にアクセスする者は、本発明の技術的範囲に含まれる付加的な変型、応用、および実施形態を認識するであろう。例えば、示された構成においては、入射ミリメートル波ビームは図８乃至１０に示されるようにθ＝４５゜の角度で可変ビームスプリッタ１０に入射する。しかしながら、本発明は４５゜の角度に限定されない。当業者は本発明の技術的範囲内において他の入射角度θのシステムを設計することができる。当業者はまたθを増加するときビームスプリッタの直径が入射ビームの断面積に適合するように増加されなければならないことを認識するであろう。
【００３７】
それ故、ここに記載された特許請求の範囲によって、このような応用、変形変更、および実施形態が全て本発明の技術的範囲に含まれることを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による準光学的ミリメートル波ビームを使用するように構成された可変ビームスプリッタの１構成の正面図。
【図２】
本発明により構成された高パワー可変ビームスプリッタのための冷却システムの斜視図およびその切断した斜視図。
【図３】
図１に示されたビームスプリッタのスロットアレイの一部の拡大図。
【図４】
可変ビームスプリッタと入射波、反射波、透過波の正面図。
【図５】
本発明による水平なスロットアレイの方位を有する入射ＴＥ波およびＴＭ波を有するビームスプリッタの幾何学的構造の第１の説明図。
【図６】
本発明による垂直なスロットアレイの方位を有する入射ＴＥ波およびＴＭ波を有するビームスプリッタの幾何学的構造の第２の説明図。
【図７】
周波数の関数として本発明の可変ビームスプリッタの実施形態に対するパワー透過係数（挿入損失）を示すグラフ。
【図８】
９５ＧＨｚの動作周波数における４０゜および４５゜の入射角度のＴＥ波に対する回転角度の関数として本発明の可変ビームスプリッタの例示的な実施形態に対するパワー透過係数を示すグラフ。
【図９】
９５ＧＨｚの動作周波数における５０゜の入射角度のＴＥ波に対する回転角度の関数として本発明の可変ビームスプリッタの例示的な実施形態に対するパワー透過係数を示すグラフ。
【図１０】
９５ＧＨｚの動作周波数における４５゜の入射角度のＴＥ波に対する回転角度の関数として本発明の可変ビームスプリッタの例示的な実施形態に対するパワー反射係数を示すグラフ。
【図１１】
９５ＧＨｚの動作周波数における４５゜の入射角度のＴＭ波に対する回転角度の関数として本発明の可変ビームスプリッタの例示的な実施形態に対するパワー透過係数を示すグラフ。
【図１２】
９５ＧＨｚの動作周波数における４５゜の入射角度のＴＭ波に対する回転角度の関数として本発明の可変ビームスプリッタの例示的な実施形態に対するパワー反射係数を示すグラフ。
【図１３】
偏光保存可変ビームスプリッタおよびそれに入射し、反射され、および透過されるＴＥおよびＴＭ波の正面図。
【図１】
2005501452.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際公開パンフレット】
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2005501452.tif 000039
2005501452.tif 000040
2005501452.tif 000041
2005501452.tif 000042
【国際調査報告】
2005501452.tif 000043
2005501452.tif 000044
2005501452.tif 000045