(57)【要約】  酸素ドープされた誘電体層を堆積する方法が提供される。酸素ドープされた誘電体層は、バリヤ層又はハードマスクに用いることができる。一態様においては、基板を処理する方法であって、基板を処理チャンバに配置するステップと、酸素含量有機ケイ素化合物、二酸化炭素、又はその組合せと、酸素を含有しない有機ケイ素化合物とを含む処理ガスを処理チャンバへ導入するステップと、処理ガスを反応させて酸素ドープされた誘電体材料を基板上に堆積させるステップとが含まれる。酸素ドープされた誘電体材料は、ダマシン又はデュアルダマシン適用においてバリヤ層として用いることができる。
2005513766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
本質的に酸素と炭素とを含む化合物と、酸素を含有しない有機ケイ素化合物とからなる処理ガスを処理チャンバに導入するステップと、
該処理ガスを反応させて該基板上に誘電体材料を堆積させるステップと
を含み、該誘電体材料がケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含量が約１５原子％以下である、前記方法。
【請求項２】
該酸素を含有しない有機ケイ素化合物が、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジシラノメタン、ビス(メチルシラノ)メタン、１,２-シラノエタン、１,２-ビス(メチルシラノ)エタン、２,２-ジシラノプロパン、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、及びその組合せの群より選ばれた有機シラン化合物を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
酸素と炭素とを含む該化合物が、ジメチルジメトキシラン、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、ヘキサメチルジシロキサン(ＨＭＤＳ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(ＯＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、及びその組合せの群より選ばれた酸素含有有機ケイ素化合物である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
該酸素含有有機ケイ素化合物と、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物との比が約１：４〜約１：１である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
該誘電体材料が、ケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含量が約３原子％〜約１０原子％の酸素である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
該処理ガスが、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、又はクリプトン、及びその組合せの群より選ばれた不活性ガスを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
該酸素含有有機ケイ素化合物が、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサンを含み、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物がトリメチルシランを含む、請求項３記載の方法。
【請求項８】
該処理ガスを反応させるステップが、約０.０３ワット/ｃｍ2〜約１５００ワット/ｃｍ2の電力密度を加えることによりプラズマを生成させる工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
該酸素を含有しない有機ケイ素前駆体がＳi-Ｈ結合を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
酸素と炭素とを含む該化合物が式ＣＸＨＹＯＺを有し、Ｘは０〜２であり、Ｙは０〜２であり、Ｚは１〜３であり、ここで、Ｘ＋Ｙは少なくとも１であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚは３以下である、請求項２記載の方法。
【請求項１１】
酸素と炭素とを含む該化合物が式ＣＸＨＹＯＺを有し、Ｘは０〜２であり、Ｙは０〜２であり、Ｚは１〜３であり、ここで、Ｘ＋Ｙは少なくとも１であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚは３以下である、請求項２記載の方法。
【請求項１２】
酸素と炭素とを含む該化合物が、二酸化炭素、一酸化炭素、水、及びその組合せの群より選ばれる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
酸素と炭素とを含む該化合物が二酸化炭素であり、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物がトリメチルシランであり、不活性ガスがヘリウムである、請求項６記載の方法。
【請求項１４】
基板を処理する方法であって、
酸素含有有機ケイ素化合物と、酸素を含有しない有機ケイ素化合物とを含む処理ガスを反応させることにより該基板上にバリヤ層を堆積させるステップであって、該誘電体材料がケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含量が約５原子％以下である、前記ステップと、
金属間誘電体層を該バリヤ層上に堆積させるステップと
を含む、前記方法。
【請求項１５】
該酸素を含有しない有機ケイ素前駆体がＳi-Ｈ結合を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
該酸素を含有しない有機ケイ素化合物が、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジシラノメタン、ビス(メチルシラノ)メタン、１,２-シラノエタン、１,２-ビス(メチルシラノ)エタン、２,２-ジシラノプロパン、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、及びその組合せの群より選ばれた有機シラン化合物を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
該酸素含有有機ケイ素化合物が、ジメチルジメトキシラン、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、ヘキサメチルジシロキサン(ＨＭＤＳ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(ＯＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、及びその組合せの群より選ばれた有機シロキサン化合物を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
該酸素含有有機ケイ素化合物がケイ素-水素結合を含む有機シロキサン化合物を含み、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、及びその組合せの群より選ばれる、請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
該酸素含有有機ケイ素化合物と、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物との比が約１：４〜約１：１である、請求項１４記載の方法。
【請求項２０】
該酸素含有有機ケイ素化合物が、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサンを含み、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物がトリメチルシランを含む、請求項１４記載の方法。
【請求項２１】
該誘電体材料が、ケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含量が約３原子％〜約１０原子％である、請求項１４記載の方法。
【請求項２２】
該処理ガスが、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、又はクリプトン、及びその組合せの群より選ばれた不活性ガスを更に含む、請求項１４記載の方法。
【請求項２３】
該処理ガスを反応させるステップが、電力密度を約０.０３ワット/ｃｍ2〜約１５００ワット/ｃｍ2で加えることによりプラズマを生成させる工程を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項２４】
該金属間誘電体層が
フォトレジスト材料をブランケット誘電体層上に堆積させるステップと、
該フォトレジスト層をパターン形成するステップと、
該ブランケット誘電体層と該バリヤ層をエッチングしてそれを通って相互接続開口を画成するステップと、
１種以上の導電材料を堆積させて該相互接続開口を充填するステップと
を含む方法によって堆積される、請求項１４記載の方法。
【請求項２５】
基板を処理する方法であって、
少なくとも一つの誘電体層を基板表面上に堆積させるステップと、
ハードマスク層を少なくとも一つの誘電体層上に形成するステップであって、該ハードマスク層がプラズマ中に酸素含有有機ケイ素化合物を含む処理ガスを反応させてケイ素、炭素、約１５原子％以下の酸素含量を含有する材料を堆積させることにより堆積される、前記ステップと、
該ハードマスク層の少なくとも一つの領域内にパターンを画成するステップと、
該ハードマスク層の該少なくとも一つの領域内に形成された該パターンによって該少なくとも一つの誘電体層内に形状画成を形成するステップと、
導電材料を該形状画成内に堆積させるステップと、
該導電材料を研磨するステップであって、該研磨プロセスの該導電材料と該ハードマスク層との除去速度比が４：１以上である、前記ステップと
を含む、前記方法。
【請求項２６】
該少なくとも一つの誘電体層の少なくとも一つが、ケイ素と、酸素と、炭素とを含み、誘電率が約３以下である、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
該酸素含有有機ケイ素化合物が、ジメチルジメトキシラン、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、ヘキサメチルジシロキサン(ＨＭＤＳ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(ＯＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、及びその組合せの群より選ばれた有機ケイ素化合物を含む、請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
該導電材料と該ハードマスク層との該除去速度比が約４.５：１より大きい、請求項２５記載の方法。
【請求項２９】
該処理ガスが、酸素を含有しない有機ケイ素化合物を更に含む、請求項２５記載の方法。
【請求項３０】
該酸素を含有しない有機ケイ素化合物が、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジシラノメタン、ビス(メチルシラノ)メタン、１,２-ジシラノエタン、１,２-ビス(メチルシラノ)エタン、２,２-ジシラノプロパン、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、及びその組合せの群より選ばれた有機シラン化合物を含む、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
該酸素含有有機ケイ素化合物と、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物との比が約１：４〜約１：１である、請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
該酸素含有有機ケイ素化合物が１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサンを含み、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物がトリメチルシランを含む、請求項２９記載の方法。
【請求項３３】
該ハードマスク層が、ケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含量が約３原子％〜約１０原子％である、請求項２５記載の方法。
【請求項３４】
該処理ガスが、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、又はクリプトン、及びその組合せの群より選ばれた不活性ガスを更に含む、請求項２５記載の方法。
【請求項３５】
プラズマ中で酸素含有有機ケイ素化合物を含む処理ガスを反応させるステップであって、酸素含有有機ケイ素化合物を該処理チャンバへ約３０００ｓｃｃｍ以下の流量で導入する工程と、不活性ガスを該処理チャンバへ約５０００ｓｃｃｍ以下の流速で導入する工程と、該処理チャンバを約１Ｔorr〜約１２Ｔorrの圧力で維持する工程と、該基板温度を約２００℃〜約４５０℃に維持する工程と、２００ｍｍ基板の電力レベルを約２００ワット〜約１０００ワットで該処理チャンバへ供給することにより該プラズマを生成させる工程とを含む、請求項２５記載の方法。
【請求項３６】
該処理ガスを反応させるステップが、電力密度を約０.０３ワット/ｃｍ2〜約１５００ワット/ｃｍ2で加えることによりプラズマを生成させる工程を含む、請求項２５記載の方法。
【請求項３７】
該酸素含有有機ケイ素化合物がケイ素-水素結合を有する有機シロキサン化合物を含み、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、及びその組合せの群より選ばれる、請求項２５記載の方法。
【請求項３８】
基板を処理する方法であって、
本質的に二酸化炭素と、酸素を含有しない有機ケイ素化合物からなる処理ガスを約０.０３ワット/ｃｍ2〜約１５００ワット/ｃｍ2の電力密度で生成したプラズマ中で反応させることによりバリヤ層を該基板上に堆積させるステップであって、酸素を含有しない有機ケイ素化合物がケイ素-水素結合を含み、該誘電材料がケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含量が約１５原子％以下である、前記ステップを含む、前記方法。
【請求項３９】
該酸素を含有しない有機ケイ素化合物が、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジシラノメタン、ビス(メチルシラノ)メタン、１,２-ジシラノエタン、１,２-ビス(メチルシラノ)エタン、２,２-ジシラノプロパン、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、及びその組合せの群より選ばれた有機シラン化合物を含む、請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
該処理ガス中の該二酸化炭素と、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物との比が約１：３〜約１：１である、請求項３８記載の方法。
【請求項４１】
該酸素を含有しない有機ケイ素化合物がトリメチルシランを含む、請求項３８記載の方法。
【請求項４２】
該誘電材料が、ケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含量が約３原子％〜約１０原子％である、請求項３８記載の方法。
【請求項４３】
該処理ガスが、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、又はクリプトン、及びその組合せの群より選ばれた不活性ガスを更に含む、請求項３８記載の方法。
【請求項４４】
該金属間誘電体層が、
フォトレジスト材料をブランケット誘電体層上に堆積させるステップと、
該フォトレジスト層をパターン形成するステップと、
該ブランケット誘電体層と該バリヤ層をエッチングしてそれを通って相互接続開口を画成するステップと、
１種以上の導電材料を堆積して該相互接続開口を充填するステップと
を含む方法で堆積される、請求項３８記載の方法。
【請求項４５】
該処理ガスが酸素含有有機ケイ素化合物を更に含む、請求項３８記載の方法。
【請求項４６】
該酸素含有有機ケイ素化合物が、ジメチルジメトキシラン、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、ヘキサメチルジシロキサン(ＨＭＤＳ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(ＯＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、及びその組合せの群より選ばれた有機シロキサン化合物を含む、請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
該酸素含有有機ケイ素化合物がケイ素-水素結合を有する有機シロキサン化合物を含み、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、及びその組合せの群より選ばれる、請求項４５記載の方法。
【請求項４８】
該酸素含有有機ケイ素化合物と、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物との比が約１：４〜１：１である、請求項４５記載の方法。
【請求項４９】
該酸素含有有機ケイ素化合物が、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサンを含み、該酸素を含有しない有機ケイ素化合物がトリメチルシランを含む、請求項４７記載の方法。
【請求項５０】
酸素と炭素とを含む該化合物がケイ素-水素結合を有する有機シロキサン化合物であり、１,３-ジメチルジシロキサン、１,１,３,３-テトラメチルジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、１,３-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(１-メチルジシロキサニル)メタン、２,２-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン、ヘキサメトキシジシロキサン(ＨＭＤＯＳ)、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)、２,４,６,８,１０-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、及びその組合せの群より選ばれる、請求項４９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
[0001]本出願は、２００１年１２月１４日に出願された米国仮特許出願第６０/３４０,６１５号の恩典を主張し、この開示内容は本明細書に援用されている。
【開示の背景】
【０００２】
発明の分野
[0002]本発明は、集積回路の製造に関し、基板上に誘電体層を堆積する方法及び誘電体層によって形成された構造に関する。
【０００３】
関連技術の説明
[0003]現代の半導体デバイスの製造において主要なステップの一つは、ガスの化学反応により基板上に金属層と誘電体層を形成することである。そのような堆積プロセスは、化学気相堆積、又はＣＶＤと呼ばれる。従来のＣＶＤプロセスは、熱誘導化学反応又はエネルギー増強化学反応が起こる基板表面に反応性ガスを供給して所望の層を製造するものである。
【０００４】
[0004]そのようなデバイスが、数十年前に初めて導入されて以来、半導体デバイスの形はサイズが劇的に縮小した。それ以来、集積回路は、一般的には、２年/半サイズの法則(しばしばムーアの法則と呼ばれる)に従ってきた。そのことはチップ上に適合するデバイスの数が２年毎に２倍になることを意味する。今日の製造プラントは、形状サイズが０.３５μｍや０.１８μｍものデバイスを通常製造し、将来のプラントはまもなく形が更に小さなデバイスを製造することになる。
【０００５】
[0005]集積回路上のデバイスのサイズを更に縮小するために、抵抗率の低い導電材料を用いるとともに誘電率の低い(４.０未満の誘電率)絶縁体を用いて隣接の金属ライン間の容量結合を減少させることが必要であった。そのような一低ｋ材料はケイ素と、酸素と、炭素とを含み、ダマシン形状を製造する際に誘電体材料として堆積することができる。抵抗率が低い一導電材料は銅やその合金であり、銅がアルミニウムより抵抗率が低く(アルミニウムの３.１μΩ-ｃｍと比べて１.７μΩ-ｃｍ）、電流が大きく、搬送容量が大きいことから、サブクォーターミクロン相互接続技術に選択される材料であった。これらの特性は、高レベルの集積化や高デバイス速度で受ける高い電流密度を支持するのに重要である。更に、銅は、良好な熱導電性を有し、非常に純粋な状態で利用できる。
【０００６】
[0006]半導体デバイスにおいて銅を使うことの一つの難しさは、銅がエッチングし正確なパターンを得ることが難しいことである。相互接続部を形成するための従来の堆積/エッチングプロセスを用いた銅によるエッチングは、満足なものではなかった。それ故、銅含有材料を有する相互接続部を製造する新規な方法と低ｋ誘電体材料が開発されている。
【０００７】
[0007]縦と横の相互接続部を形成する一方法は、ダマシン法又はデュアルダマシン法による。ダマシン法においては、低ｋ誘電体材料のような１種以上の誘電体材料が、縦の相互接続部、即ち、バイア、横の相互接続部、即ち、ラインを形成するために堆積されパターンエッチングされる。その後、銅のような導電材料と銅が周囲の低ｋ誘電体へ拡散することを防止するために用いられるバリヤ層材料が、エッチングされたパターンの中にはめ込まれる。その後、例えば、基板の場で、エッチングされたパターンの外部のあらゆる過剰量の銅やバリヤ層材料が除去される。
【０００８】
[0008]しかしながら、銅のような低ｋ誘電体材料は、しばしば多孔性であり、導電材料が中間層拡散しやすく、結果として短絡回路やデバイス故障が生じてしまう。バリヤ層誘電体材料は、中間層拡散を減少又は防止するために銅ダマシン構造で用いられる。しかしながら、窒化シリコンのような従来のバリヤ層誘電体材料は、しばしば７以上の高誘電率を有する。そのような高ｋ誘電体材料と周囲の低ｋ誘電体材料との組合せは、結果として誘電体スタックが所望の誘電率より高くなる。
【０００９】
[0009]更に、低ｋ材料は、従来の研磨プロセス下の研磨や導電材料の除去の間、表面欠陥又は形状変形を受けやすい。表面欠陥や変形を制限又は減少させるための一つの解決法は、低ｋ材料の形状画成をパターン形成しエッチングする前に、暴露した低ｋ材料の上にハードマスクを堆積するものである。ハードマスクは、損傷や変形に抵抗し、続いての材料堆積や平坦化又は材料除去プロセス、例えば、化学機械的研磨技術又はエッチング技術の間、下地低ｋ材料を保護して、欠陥形成や形状変形を減少させる。
【００１０】
[0010]ハードマスクを使う時の一つの難しさは、従来のハードマスク材料が研磨に対する抵抗性が十分でないことであり、結果としてハードマスクが早く除去され、下地材料をプロセスに暴露してしまう。低ｋ誘電体材料のような暴露された下地材料は、損傷し、表面欠陥や形状変形が生じてしまう。更に、従来のハードマスク材料は、しばしば７以上の高い誘電率を有し、所望の誘電率より高い誘電体スタックを製造し得る。現在のハードマスク材料は、ダマシン製造において用いられる低ｋ材料と十分な研磨抵抗性の双方を巧く与えていない。
【００１１】
[0011]それ故、バリヤ層として誘電率が低下した又は低い誘電体材料又はダマシン適用に満足な研磨抵抗性を持つハードマスクを堆積するための改善された方法が求められている。
【発明の概要】
【００１２】
[0012]本発明の態様は、一般的には、誘電率の低い酸素ドープされた炭化ケイ素層を堆積させる方法を提供する。一態様においては、本発明は、基板を処理する方法であって、処理チャンバに本質的に酸素と炭素とを含む化合物と、酸素を含まないオルガノシラン化合物とからなる処理ガスを導入するステップと、処理ガスを反応させて基板上に誘電体材料を堆積させるステップであって、誘電体材料がケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含有量が約１５原子百分率以下である、前記ステップとを含む、前記方法を提供する。
【００１３】
[0013]本発明の他の態様においては、基板を処理する方法であって、酸素含有有機ケイ素化合物と、酸素を含有しない有機ケイ素化合物とを含む処理ガスを反応させることにより基板上にバリヤ層を堆積させるステップであって、誘電体材料がケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含有率が約１５原子百分率以下である、前記ステップと、バリヤ層上に金属間誘電体層を堆積させるステップとを含む、前記方法が提供される。
【００１４】
[0014]本発明の他の態様においては、基板を処理する方法であって、基板上に少なくとも一つの誘電体層を堆積させるステップと、少なくとも一つの誘電体層上にハードマスク層を形成するステップであって、ハードマスク層がプラズマ中で酸素含有有機ケイ素化合物を含む処理ガスを反応させてケイ素と、炭素と、約１５原子％以下酸素含量とを含有する材料を堆積させる、前記ステップと、ハードマスク層の少なくとも一領域でパターンを画成するステップと、ハードマスク層の少なくとも一領域に形成されたパターンによって少なくとも一つの誘電体層において形状画成を形成するステップと、形状画成内に導電材料を堆積させるステップと、導電材料を研磨するステップであって、研磨プロセスが導電材料とハードマスク層と除去速度比が約４：１以上である、前記ステップとを含む、前記方法が提供される。
【００１５】
[0015]発明の他の態様においては、基板を処理する方法であって、本質的に二酸化炭素と、酸素を含有しない有機ケイ素化合物からなる処理ガスを反応させることにより基板上にバリヤ層を堆積させるステップであって、誘電体材料が、ケイ素と、酸素と、炭素とを含み、酸素含有量が約１５原子％以下である、前記ステップと、バリヤ層上に金属間誘電体層を堆積させるステップとを含む、前記方法が提供される。
【００１６】
[0016]発明の上記特徴が得られる方法が詳細に理解し得るように、上で簡単に纏めた本発明の具体的な説明は添付の図面に示される実施形態によって示すことができる。
【００１７】
[0017]しかしながら、添付の図面が本発明の典型的な実施形態だけを示すので、その範囲を制限するとみなされるべきでなく、本発明が他の等しく有効な実施形態まで許容することができることは留意すべきである。
【００１８】
[0021]発明の態様を更に理解するために、次の詳細な説明を参照しなければならない。
【好適実施形態の詳細な説明】
【００１９】
[0022]本明細書に記載された本発明の態様は、酸素ドープされた炭化ケイ素層を堆積させる方法に関係する。酸素ドープされた炭化ケイ素層は、少なくとも１種の、酸素を含有しない有機ケイ素化合物を含む処理ガス中に酸素と炭素とを含有する少なくとも１種の化合物を含むことにより堆積することができる。次に、酸素ドープされた炭化ケイ素層は層特性を変性するために堆積後に処理することができる。酸素ドープされた炭化ケイ素層は、典型的には、約１５原子百分率(原子％)以下の量を含み、好ましくは約３原子％〜約１０原子％の酸素を有する。酸素ドープされた炭化ケイ素層は、ダマシン又はデュアルダマシンプロセスのメタライゼーションスキームにおいて導電材料又はハードマスク誘電層に隣接したバリヤ層として用いることができる。
【００２０】
[0023]一態様においては、酸素ドープされた炭化ケイ素層は、酸素含有有機ケイ素化合物と、酸素を含有しない有機ケイ素化合物とを含む処理ガスを反応させて炭素-ケイ素結合を含み且つ誘電率が約５未満である誘電体層を形成することにより堆積することができる。酸素ドープされた炭化ケイ素層は、プラズマ増強化学気相堆積プロセスによって堆積することができる。
【００２１】
[0024]本明細書に記載されたプロセスに適した有機ケイ素化合物としては、脂肪族有機ケイ素化合物、環状有機ケイ素化合物、又はその組合せが含まれている。環状有機ケイ素化合物は、典型的には、３個以上のケイ素原子を含む環を有し、環は更に１個以上の酸素原子を含んでいる。市販の環状有機ケイ素化合物には、一つ又は二つのアルキル基がケイ素原子に結合したケイ素原子と酸素原子が交互の環が含まれている。
【００２２】
[0025]脂肪族有機ケイ素化合物は、１個以上のケイ素原子と１個以上の炭素原子を含む直鎖構造又は分枝鎖構造を持ち、その構造は更に酸素を含むこともできる。市販の脂肪族有機ケイ素化合物としては、アルキルシランのような、酸素を含有しない有機ケイ素化合物やアルキルシロキサンのような酸素含有有機ケイ素化合物が含まれている。
【００２３】
[0026]有機ケイ素化合物は、有機基に炭素原子を含有する。低誘電率層は、１個以上の炭素原子がケイ素に結合した有機ケイ素化合物から調製され、その炭素は適切な処理条件で酸化により容易に除去されない。用いられる有機ケイ素化合物は、下記構造を含んでいることが好ましい。
【００２４】
【化１】
2005513766.tif 000003
（式中、Ｒは、アルキル基、アルケニル基、シクロヘキセニル基、アリール基及びその機能的誘導体を含む。）しかしながら、本発明は、Ｓi-Ｈ結合を含まない有機ケイ素前駆体の使用を企図している。
【００２５】
[0027]適切な酸素を含有しない有機ケイ素化合物としては、例えば、下記化合物の１種以上が含まれる。
メチルシラン                                CH3-SiH3
ジメチルシラン                              (CH3)2-SiH2
トリメチルシラン(ＴＭＳ)                    (CH3)3-SiH
エチルシラン                                CH3-CH2-SiH3
ジシラノメタン                              SiH3-CH2-SiH3
ビス(メチルシラノ)メタン                    CH3-SiH2-CH2-SiH2-CH3
1,2-シラノエタン                            SiH3-CH2-CH2-SiH3
1,2-ビス(メチルシラノ)エタン                CH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH3
2,2-ジシラノプロパン                        SiH3-C(CH3)2-SiH3
1,3,5-トリシラノ-2,4,6-トリメチレン         -(-SiH2CH2-)3-(環状)
[0028]適切な酸素含有有機ケイ素化合物としては、例えば、下記化合物の１種以上が含まれる。
ジメチルジメトキシラン                              (CH3)3-Si-(OCH3)2
1,3-ジメチルジシロキサン                            CH3-SiH2-O-SiH2-CH3
1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン(TMDSO)             (CH3)2-SiH-O-SiH-(CH3)2
ヘキサメチルジシロキサン(HMDS)                      (CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3
1,3-ビス(シラノメチレン)ジシロキサン                (SiH3-CH2-SiH2-)2-O
ビス(1-メチルジシロキサニル)メタン                  (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-CH2
2,2-ビス(１-メチルジシロキサニル)プロパン          (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-C(CH3)
1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)   -(-SiHCH3-O-)4-(環状)
オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)           -(-Si(CH3)2-O-)4-(環状)
2,4,6,8,10-ペンタメチルシクロペンタシロキサン       -(-SiHCH3-O-)5-(環状)
1,3,5,7-テトラシラノ-2,6-ジオキシ-4,8-ジメチレン    -(SiH2-CH2-SiH2-O-)2-(環状)
ヘキサメチルシクロトリシロキサン                    -(-Si(CH3)2-O-)3-(環状)
上記のリストは、例示であり、本発明の範囲を制限するものとして解釈又は説明すべきではない。
【００２６】
[0029]酸素を含有しない有機ケイ素化合物と酸素含有有機ケイ素化合物は、反応して酸素含量が約１５原子％以下で且つ誘電率が約５未満である酸素ドープされた炭化ケイ素膜を堆積する。約３原子％〜約１０原子％の酸素含量は、十分なバリヤ層特性を有するとともに約４以下の誘電率を示すに違いない。
【００２７】
[0030]酸素を含有しない有機ケイ素化合物は、少なくとも一つのケイ素-炭素結合を含み、酸素含有有機ケイ素化合物はケイ素-酸素結合を含有する。例えば、酸素を含有しない有機ケイ素化合物はトリメチルシラン(TMS)であり、酸素を含んだ有機ケイ素化合物は１,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンであってもよい。酸素を含有しない有機ケイ素化合物と酸素を含有有機ケイ素化合物は、１０：１未満のモル比、好ましくは約４：１〜約１：１のモル比で反応させる。
【００２８】
[0031]本明細書に記載されるプロセスは、Applied Materials, Inc.、カリフォルニア州サンタクララ、から市販されているＤxＺ(登録商標)化学気相堆積チャンバのようなＲＦ電力を印加しつつ、有機ケイ素材料を化学的機械的に堆積するように適合した処理チャンバで行われることが好ましい。一般的には、有機ケイ素化合物は、ヘリウム、アルゴンのような希ガス、又は窒素(Ｎ2)のような不活性ガスを含むプラズマ中で反応させる。堆積した炭化ケイ素層は、誘電率が約５以下、好ましくは４以下である。
【００２９】
[0032]酸素ドープされた炭化ケイ素層は、一実施形態においては、トリメチルシラン及び/又は１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサンのような有機ケイ素化合物をそれぞれ約１０ミリグラム/分（ｍｇｍ）〜約１５００ｍｇｍの流量でプラズマ処理チャンバに供給し、任意により、酸化ガスを約１０ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で供給し、希ガスを約１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍの流量で供給し、基板温度を約０℃〜５００℃の維持し、チャンバ圧を約５００Ｔorrより低く、約０.０３ワット/ｃｍ2〜１５００ワット/ｃｍ2のＲＦ電力を維持することにより堆積させることができる。
【００３０】
[0033]ＲＦ電力は、１３ＭＨzや１４Ｍｈzのような高周波又は高周波と低周波の混合周波で供給し得る。例えば、約１３.５６ＭＨzの高周波は、約１３.５６ＭＨzの高周波と約３５６ＫＨzの低周波の混合周波と同様に用いることができる。ＲＦ電力は、連続して又は短い持続サイクルで供給することができ、その電力は、サイクルの表示レベルで約２００Ｈz未満、サイクル時全体が総デューティサイクルの約１０％〜約３０％である。更に、低周波ＲＦ電力は、堆積プロセスの間に加えることができる。例えば、３５６ＫＨzのような約１００ＫＨz〜約１ＭＨzで約１００ワット未満のような約３００ワット未満の印加は、膜特性を変性して、例えば、ＳiＣ膜の圧縮応力を増加させて銅応力移動を減少させるために用いることができる。
【００３１】
[0034]処理ガスは、ガス分配器によってチャンバへ導入することができ、ガス分配器は、基板表面から約２００ミル〜約７００ミルの間に配置することができる。
【００３２】
[0035]一好適態様においては、酸素ドープされた炭化ケイ素層は、一実施形態においては、有機ケイ素化合物、例えば、トリメチルシランや１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサンをプラズマ処理チャンバへ約１００ミリグラム/分(ｍｇｍ)〜約５００ｍｇｍの流量で、それぞれ約４：１〜約１：１の酸素を含有しない有機ケイ素化合物、即ち、トリメチルシランと酸素含有有機ケイ素化合物、即ち、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサンとのモル比で供給し、希ガスを約５００ｓｃｃｍ〜２０００ｓｃｃｍの流量で供給し、基板温度を約２５０℃〜約４５０℃に維持し、チャンバ圧を約１Ｔorr〜約１２Ｔorr、２００ｍｍ基板の場合に約５００ワット〜約１０００ワットのＲＦ電力を維持することにより堆積することができる。
【００３３】
[0036]ＲＦ電力は、１３ＭＨzから〜１４ＭＨzのような高周波又は、例えば、約１３.５６ＭＨzの高周波と約３５６ＫＨzの低周波の高周波と低周波の混合周波を供給し得る。ＲＦ電力は、連続して又は短い持続サイクルで供給することができ、その電力はサイクルの表示レベルで約２００Ｈz未満、サイクル時全体が総デューティサイクルの約１０％〜約３０％である。処理ガスは、ガス分配器によってチャンバへ導入することができ、ガス分配器は、基板表面から約３００ミル〜約４５０ミルに配置することができる。
【００３４】
[0037]他の態様においては、酸素含有ガスは、トリメチルシラン(ＴＭＳ)のような酸素を含有しない有機ケイ素化合物と反応させて誘電率が約５以下の酸素ドープされた炭化ケイ素材料を堆積させる。酸素含有ガスは、一般的には、式ＣＸＨＹＯＺを有し、Ｘは０〜２であり、Ｙは０〜２であり、ここで、Ｘ＋Ｙは少なくとも１であり、Ｚは１〜３であり、ここで、Ｘ＋Ｙ＋Ｚが３以下である。従って、酸素含有ガスには、二酸化炭素又は水が含まれてもよい。酸素含有ガスは、典型的には、無機材料である。本明細書に記載される酸素含有ガスと酸素含有有機ケイ素化合物は、酸素又はオゾンと比べて酸化しないガスと考えられる。
【００３５】
[0038]酸素ドープされた炭化ケイ素層は、一実施形態においては、トリメチルシランのような酸素を含有しない有機ケイ素化合物をプラズマ処理チャンバへ約１０ミリグラム/分(ｍｇｍ)〜約１５００ｍｇｍの流量で供給し、酸素含有ガスを約１０ｓｃｃｍ〜２０００ｓｃｃｍの流量で、約１：１〜約３：１の酸素含有ガスと、酸素を含有しない有機ケイ素化合物とのモル比で供給し、不活性ガスを約１ｓｃｃｍ〜約１００００ｓｃｃｍの流量で供給し、基板温度を約０℃〜約５００℃維持し、チャンバ圧を約５００Ｔorrより低く、約０.０３ワット/ｃｍ2〜約１５００ワット/ｃｍ2のＲＦ電力を維持することにより堆積することができる。
【００３６】
[0039]ＲＦ電力は、１３ＭＨｚ〜１４ＭＨｚような高周波で供給し得る。ＲＦ電力は、連続して又は短い持続サイクルで供給することができ、その電力は、サイクルの表示レベルで約２００Ｈz未満であり、サイクル時全体が総デューティーサイクルの約１０％〜約３０％である。処理ガスは、ガス分配器によってチャンバへ導入され、ガス分配器は、基板表面から約２００ミル〜約７００ミルに配置することができる。シャワーヘッドは、堆積プロセス中、約３００ミル〜約４５０ミルに配置することができる。
【００３７】
[0040]一好適態様においては、酸素ドープされた炭化ケイ素層は、一実施形態においては、トリメチルシランのような酸素を含有しない有機ケイ素化合物をプラズマ処理チャンバへそれぞれ約５０ミリグラム/分(ｍｇｍ)〜約１０００ｍｇｍの流量で供給し、二酸化炭素を約５０ミリグラム/分(ｍｇｍ)〜約１０００ｍｇｍで供給し、不活性ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍで供給し、基板温度を約２００℃〜約４５０℃に維持し、チャンバ圧を２Ｔorr〜１０Ｔorrに維持し、約１０ワット〜約１０００ワットにＲＦ電力を維持することにより堆積することができる。
【００３８】
[0041]ＲＦ電力は、１３ＭＨz〜１４ＭＨzのような高周波で供給し得る。ＲＦ電力は、連続して又は短い持続サイクルにおいて供給することができ、その電力は、サイクルの表示レベルで約２００Ｈzより小さく、サイクル時全体が総デューティサイクルの約１０％〜約３０％である。処理ガスは、ガス分配器によってチャンバへ導入することができ、ガス分配器は、基板表面から約２００ミル〜約７００ミルに配置することができる。シャワーヘッドは、堆積プロセスの間、約３００ミル〜４５０ミルに配置することができる。
【００３９】
[0042]本明細書にプロセスとともに用いることができるＣＶＤリアクタの一実施例は、ＣＶＤ/ＰＥＣＶＤサーマルリアクタ及び二酸化ケイ素の熱化学気相堆積ための使用及びインサイチュ多段平坦化プロセス(A Thermal CVD/PECVD Reactor and Use for Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide and In-situ Multi-step Planarized Process)と称し、Ｗang等に発行され、本発明の譲受人のApplied Materials, Inc.に譲渡された米国特許第５,０００,１１３号に記載されている。
【００４０】
[0043]上記のプロセスパラメータは、Applied Materials, Inc.、カリフォルニア州サンタクララ、から入手した堆積チャンバ内で２００ｍｍ(ミリメータ)基板について備えられる場合、約５００オングストローム/ｍｉｎ〜２０,０００オングストローム/ｍｉｎの範囲、例えば、約１００オングストローム/ｍｉｎ〜約３０００オングストローム/ｍｉｎの範囲の酸素ドープされた炭化ケイ素層のための堆積速度を示す。
【００４１】
[0044]堆積後、堆積された誘電体材料は、所望される場合には、誘電体材料の水分を減少させるとともに剛性と硬度を増大させるために約１００℃〜約４００℃の間の温度で約１分〜約６０分の間、好ましくは約３０分間アニールすることができる。アニールは、誘電体層の収縮又は変形を防止する次の層の堆積の後に行われることが好ましい。アルゴンやヘリウムのような不活性ガスはアニール雰囲気に添加することができる。
【００４２】
[0045]堆積した酸素ドープされた炭化ケイ素層は、その上に続いての材料の堆積をする前に、不純物を除去し、或いは酸素ドープされた炭化ケイ素層の暴露された表面を洗浄するためにプラズマ処理することができる。プラズマ処理は、ケイ素と炭素を含有する材料を堆積するために用いられる同様のチャンバにおいて行うことができる。プラズマ処理には、一般的には、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン、又はその組合せを含む不活性ガス、中でもヘリウムが好ましく、更に/又は水素、アンモニア、又はその組合せを含む還元ガスを処理チャンバに供給することが含まれる。プラズマ処理は、約１０秒〜約１００秒で行うことができる。プラズマ処理は、炭化ケイ素材料の暴露された表面から不純物を洗浄と考えられるとともに層を安定化するために用いることができ、大気条件下の水分又は酸素とその上に形成された層の接着と反応性でなくなる。
【００４３】
[0046]しかしながら、それぞれのパラメータは、様々なチャンバと３００ｍｍ基板のような異なる基板サイズでのプラズマプロセスを行うために変更することができることは留意すべきである。ケイ素と炭素を含有する膜のプラズマ処理の一例は、１９９９年の６月１８日に出願された“接着を増強し炭素含有層の酸化を最少にするプラズマ処理(Plasma Treatment to Enhance Adhesion and to Minimize Oxidation of Carbon-Containing Layers)”と称する米国特許出願第０９/３３６,５２５号に更に開示され、本明細書に記載された開示と特許請求された態様と一致した程度まで本明細書に援用されている。
【００４４】
[0047]炭化ケイ素の保護層は、二酸化炭素又は酸素からのプラズマ酸素と暴露されたあらゆる基板材料、例えば、銅との間の副反応を防止するために、酸素ドープされた炭化ケイ素層に先立って堆積させることができる。炭化ケイ素の保護層は、二酸化炭素のような遊離酸素源の存在しないときに酸素ドープされた炭化ケイ素層体積プロセスと同じ条件と前駆体によって行うことができる。
【００４５】
[0048]ＳiＣの保護層の、予備堆積保護層の一実施例には、トリメチルシランをプラズマ処理チャンバに約３２０ｓｃｃｍの流量で供給し、ヘリウムを８００ｓｃｃｍの流量で供給し、約３５０℃の基板温度を維持し、約１２Ｔorrのチャンバ圧と約５０オングストローム〜約１００オングストロームの層厚に約１０ワット〜約１０００ワットのＲＦ電力を維持することが含まれ得る。
【００４６】
[0049]酸素ドープされた炭化ケイ素層を堆積するために本明細書に記載された実施形態は、発明を例示するために示され、図示された具体的な実施形態は発明の範囲を限定するために用いるべきではない。
【００４７】
デュアルダマシン構造のバリヤ層の堆積
[0050]バリヤ層として本明細書に記載された酸素ドープされた炭化ケイ素材料を用いて形成されるダマシン構造の一実施例は、図１に示されている。酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層１１０は、一般的には、材料の中間層拡散を減少又は最少にするために基板表面上に本明細書に記載されたプロセスの酸素を含有しない有機ケイ素化合物と酸素含有有機ケイ素化合物を用いて堆積される。基板表面は、誘電体材料１０５に形成された金属形状１０７を含むことができる。
【００４８】
[0051]ＲＦエネルギー増強化学気相堆積プロセスにおいてアルキルシランを酸化することによって作成された第一誘電体層１１２、典型的には中間層誘導体材料、例えば、シリコンオキシカーバイド(炭素ドープされた酸化ケイ素)は、誘電体材料１０５中に形成された金属形状１０７を含む基板表面上の酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層１１０上に堆積される。第一誘電体層１１２の誘電体材料と誘電体材料の堆積プロセスの一実施例は、２００１年の９月１１日に発行された米国特許第６,２８７,９９０号に更に詳細に記載され、本明細書の説明と特許請求の範囲と一致する程度まで本明細書に援用されている。
【００４９】
[0052]その後、炭化ケイ素材料のエッチストップ部１１４(又は第二バリヤ層)が第一誘電体層１１２上に堆積される。エッチストップ部１１４は、窒素含有炭化ケイ素材料であってもよい。その後、エッチストップ部１１４が、第一誘電体層１１２の相互接続部又はコンタクト/バイア１１６の開口を画成するためにパターンエッチングされる。その後、第二誘電体層１１８がパターン形成エッチストップ部の上に堆積される。その後、フォトレジストが当該技術において既知の通常の手段によって堆積及びパターン形成されてコンタクト/バイア１１６を画成する。その後、単一エッチングプロセスが行われてエッチストップ部の下にコンタクト/バイア１１６を画成するとともにパターン形成エッチストップ部によって暴露された保護されていない誘電体をエッチングしてコンタクト/バイア１１６を画成する。その後、銅のような１種以上の導電材料１２０が堆積されて形成されたコンタクト/バイア１１６を充填する。
【００５０】
[0053]本明細書に記載されるプロセスによって堆積された酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層を含む発明に従って製造された好ましいデュアルダマシン構造を、本発明のステップがその上に形成された基板の断面図である図２Ａ〜図２Ｈにおいて連続して概略的に示す。
【００５１】
[0054]図２Ａに示されるように、酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層１１０は、基板表面上に堆積される。酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層１１０は、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)を処理チャンバ内に約３００ｍｇｍで導入するステップと、トリメチルシラン（ＴＭＳ）を処理チャンバ内に約３６０ｍｇｍで導入するステップと、処理チャンバ内にヘリウムを約１０００ｓｃｃｍで導入するステップと、９５０ワットのＲＦエネルギーを加えることにより処理チャンバ内にプラズマを生成するステップと、基板温度を約３５０℃に維持するステップと、チャンバ圧を約８.７Ｔorrで維持して酸素含量が約１５原子％未満の酸素ドープされた炭化ケイ素層を堆積させるステップを含むプロセスによって仮定的に堆積されてもよい。ガス分配器と基板表面との間の間隔は、約５１５ミルである。
【００５２】
[0055]図示されていないが、窒素を含有しない炭化ケイ素のキャッピング層は、バリヤ層１１０上に堆積されてもよい。窒素を含有しない炭化ケイ素キャッピング層は、窒素源が堆積プロセスの間にできるだけ少なくされ又は排除された窒素ドープされた炭化ケイ素プロセスによってインサイチュで堆積されてもよい。
【００５３】
[0056]酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層１１０は、ヘリウム(Ｈｅ）、アルゴン(Ａｒ）、ネオン(Ｎｅ）、及びその組合せを含む不活性ガス、及び/又は水素、アンモニア、及びその組合せを含む還元ガスでプラズマ処理されてもよい。プラズマ処理は、酸素ドープされた炭化ケイ素材料の堆積と共にインサイチュで行われてもよい。
【００５４】
[0057]トリメチルシランのような酸化した有機シランあるいは有機シロキサンからのシリコンオキシカーバイドのような中間層誘電体材料の第一誘電体層１１２は、第一酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層上１１０に製造すべき構造のサイズによって約５,０００オングストローム〜約１５,０００オングストロームの厚さまで堆積される。中間層誘電体材料として用いることができる低誘電率材料の実施例は、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials, Inc.から市販されているＢlack Ｄiamond(登録商標)とＳilk(登録商標)である。第一誘電体層は、また、パラリンのような低ポリマー材料、又は不純物ドープされていないシリコンガラス(ＵＳＧ)又はフッ素ドープされたシリコンガラス(ＦＳＧ)のような低ｋスピンオンガラスを含む他の低誘電率誘電体材料を含むことができる。
【００５５】
[0058]その後、第一誘電体層１１２は、２００ミリメートル基板に対して約６００ワット〜約８００ワットの電力レベルで約４０秒〜約６０秒間、ヘリウム又は水素のような還元ガスを含むプラズマプロセスによって処理されてもよい。処理チャンバは、反応性洗浄プロセスの間、約２０Ｔorr以下の圧力で、約４５０℃以下の基板温度で維持される。
【００５６】
[0059]図２Ｂに示されているように、炭化ケイ素材料であってもよい低ｋエッチストップ部１１４は、その後、約２００〜約１０００オングストロームの厚さまで第一誘電体層上に堆積される。酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層１１０に対して本明細書に記載されるように、低ｋエッチストップ１１４はプラズマ処理することができる。その後、低ｋエッチストップ部１１４は、コンタクト/バイア開口１１６を画成するとともにコンタクト/バイアが図２Ｃに示されるように形成される領域において第一誘電体層１１２を暴露するためにパターンエッチングされる。好ましくは、低ｋエッチストップ部１１４は、従来のフォトリソグラフィとフッ素イオン、炭素イオン、酸素イオンを用いたエッチングプロセスを用いてパターンエッチングされる。図示されていないが、約１００オングストローム〜約５００オングストローム厚の窒素を含有しない炭化ケイ素又は酸化ケイ素キャップ層は、材料を堆積する前にエッチストップ部１１６上に堆積されることができる。
【００５７】
[0060]低ｋエッチストップ部１１４が、コンタクト/バイアをパターン形成するためにエッチングされ、フォトレジストが除去された後、シリコンオキシカーバイドの第二誘電体層１１８が、図２Ｄに示されるように約５,０００〜約１５,０００オングストロームの厚さまで堆積される。第二誘電体層１１８は、ヘリウム又は水素のような還元ガスで２００ミリメートル基板に対して約６００ワット〜約８００ワットの電力レベルで約４０秒〜約６０秒間、プラズマ処理することができる。処理チャンバは、反応性洗浄プロセスの間、約２０Ｔorr以下の圧力と約４５０℃以下の基板温度で維持される。プラズマ処理は、続いて堆積される材料に対する層１１８の表面の反応性を低減すると考えられる。
【００５８】
[0061]代替的実施形態においては、約１００オングストローム〜約５００オングストローム厚の窒素を含有しない炭化ケイ素又は酸化ケイ素キャップ層は、フォトレジスト材料のような追加の材料の堆積する前に第二誘電体層１１８上に堆積されることができる。
【００５９】
[0062]その後、フォトレジスト材料１２２は、第二誘電体層１１８上に堆積され、好ましくは、図２Ｅに示されるように相互接続ライン１２０を画成するために従来のフォトリソグラフィプロセスを用いてパターン形成される。フォトレジスト材料１２２は、マサチューセッツ州マールボローのShipley Companyから市販されている、ＵＶ-５のような好ましくは高活性化エネルギーフォトレジストの当該技術において慣用的に知られる材料を含んでいる。その後、相互接続部とコンタクト/バイアは、図２Ｆに示されるようにメタライゼーション構造(例えば、相互接続部とコンタクト/バイア)画成するために反応性イオンエッチング又は他の異方性エッチング技術を用いてエッチングされる。エッチストップ部１１４又は第二誘電体層１１８をパターン形成するために用いられるいかなるフォトレジスト又は他の材料も、酸素除去又は他の適したプロセスを用いて除去される。
【００６０】
[0063]その後、メタライゼーション構造は、アルミニウム、銅、タングステン又はその組合せのような導電材料を用いて形成される。現在、銅の抵抗率が低い(アルミニウムの３.１ｍＷ-ｃｍと比べて１.７ｍＷ-ｃｍ)ためにより小さな形状を形成するために銅を用いる傾向がある。好ましくは、図２Ｇに示されるように、窒化タンタルのような適したバリヤ層１２４は、周囲のケイ素及び/又は誘電体材料への銅マイグレーションを防止するためにメタライゼーションパターンにおいてまずコンホーマルに堆積される。その後は、銅１２６は、導電性構造を形成するために化学気相堆積、物理気相堆積、電気めっき、又はその組み合わせを用いて堆積される。その構造が銅又は他の金属で充填されると、表面は図２Ｈに示されるように化学機械的研磨を用いて平坦化される。
【００６１】
デュアルダマシン構造の堆積
[0064]ダマシン構造の代替的実施形態においては、メタライゼーション構造をエッチングする場合、ダマシン構成を改善し且つダマシン構造のｋ材料を保護するためにフォトレジスト材料を堆積する前に誘電体層上にハードマスクとして本明細書に記載される酸素ドープされた炭化ケイ素材料がを堆積させることができる。本明細書に記載された炭化ケイ素をハードマスクとして酸素ドープされた炭化ケイ素膜を用いて形成されるダマシン構造の一実施例は、図３Ａ〜図３Ｇに示され、それらは本発明のステップがその上に形成された基板の断面図である。
【００６２】
[0065]図３Ａに示されるように、炭化ケイ素バリヤ層３１０は、基板と続いて堆積される材料との間のレベル間の拡散を排除するために基板表面上に堆積される。基板表面は、誘電体材料３０５において形成された金属形状３０７を含むことができる。炭化ケイ素バリヤ層３１０は、酸素、ホウ素、リン、又はその組合せを用いてドープされることができる。
【００６３】
[0066]本明細書に記載されるケイ素と、酸素と、炭素とを含む第一誘電体層３１２は、誘電体材料３０５に形成される金属形状３０７を含む基板表面上の炭化ケイ素バリヤ層３１０上に堆積される。中間層誘電体材料の第一誘電体層３１２は、製造すべき構造のサイズによって約５,０００オングストローム〜約１５,０００オングストロームの厚さまでトリメチルシランのような有機シラン又は有機シロキサンを酸化することにより第一炭化ケイ素バリヤ層３１０上に堆積される。
【００６４】
[0067]中間層誘電体材料として用いることができる低誘電率材料の例は、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials, Inc.から市販されているＢlack Ｄiamond(登録商標)やＳilk(登録商標)である。また、第一誘電体層も、パラリンを含む低ｋポリマー材料又はドープされていないシリコンガラス(ＵＳＧ)又はフッ素ドープされたシリコンガラス(ＦＳＧ)のような低ｋスピンオンガラスのような他の低ｋ誘電体材料を含むことができる。その後、シリコンオキシカーバイドについて本明細書に記載された堆積後のプラズマプロセスは、第一誘電体層３１２を処理することができる。
【００６５】
[0068]その後、炭化ケイ素材料又は酸化有機シラン層の低ｋエッチストップ部(又は第二バリヤ層)３１４は、約２００〜約１０００オングストロームの厚さまで第一誘電体層３１２上に堆積される。また、エッチストップ部３１４は、窒素含有炭化ケイ素材料であってもよい。その後、低ｋエッチストップ部３１４は、コンタクト/バイア開口３１６を画成するとともにコンタクト/バイアが図３Ａに示されるように形成される領域において第一誘電体層３１２を暴露するためにパターンエッチングされる。好ましくは、低ｋエッチストップ部３１４は、慣用のフォトリソグラフィとフッ素イオン、炭素イオン、又は酸素イオンを用いてパターンエッチングされる。図示されていないが、約１００オングストローム〜約５００オングストローム厚の窒素を含有しない炭化ケイ素又は酸化ケイ素キャップ層は、材料を更に堆積する前に、エッチストップ部３１６上に堆積することができる。
【００６６】
[0069]低ｋエッチステップ部３１４が第一誘電体層３１２のコンタクト/バイアをパターン形成するためにエッチングされ、フォトレジストが除去された後、本明細書に記載されたシリコンオキシカーバイドの第二誘電体層３１８が図３Ａに示されているように約５,０００オングストローム〜１５,０００オングストロームの厚さまで堆積される。第二誘電体層３１８も、シリコンオキシカーバイド層について本明細書に記載されたようにプラズマ処理することができる。
【００６７】
[0070]代替的実施形態においては、約１００オングストローム〜約５００オングストローム厚の窒素を含有しない炭化ケイ素又は酸化ケイ素キャップ層は、フォトレジスト材料のような追加の材料を堆積する前に第二誘電体層３１８上に堆積することができる。代替的実施形態においては、更に、炭化ケイ素キャップ層(図示されていない)は、フォトレジスト材料のような追加の材料を堆積する前に、第二誘電体層３１８上に堆積することができる。
【００６８】
[0071]その後、酸素ドープされた炭化ケイ素ハードマスク層３２２は、第二誘電体層３１８(又はキャップ層)上に堆積され、好ましくは図３Ｂに示されるように相互接続ライン３２０を画成するために従来のフォトグラフィプロセスを用いてパターン形成される。酸素ドープされた炭化ケイ素ハードマスク層３２２は、エッチング中の損傷から又は研磨法から第二誘電体層３１８のような低ｋ誘電体材料を保護しつつ、導電性材料を除去することを可能にする化学機械的研磨技術の停止を行うことができるハードマスクである。
【００６９】
[0072]酸素ドープされた炭化ケイ素ハードマスクの硬度は、１gＰaより大きく、例えば約１.５gPaより大きい。一般的には、シリコンオキシカーバイドハードマスクの多孔性は、約２％未満であり、下地誘電体層への酸化的拡散や水分拡散を防止する。シリコンオキシカーバイドハードマスクの硬度によって、化学機械的研磨(ＣＭＰ)中ハードマスクが研磨停止として働くことが可能である。ＣＭＰは、ハードマスクを除去しないので、ハードマスクは過剰研磨から下地層を保護する。ハードマスク層３２２の酸化物と酸素ドープされた炭化ケイ素との研磨選択性、即ち、除去速度比は約４：１以上、例えば、４.６：１であり、ときには酸化物と酸素含有炭化ケイ素との研磨選択性は約６：１以上であった。
【００７０】
[0073]酸素ドープされた炭化ケイ素ハードマスク層３２２は、本明細書に記載されるように堆積される。炭化ケイ素のためのハードマスク堆積の一実施例としては、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)を約１０００ｍｇｍで処理チャンバへ導入するステップと、ヘリウムを約５００ｓｃｃｍで処理チャンバへ導入するステップと、３３５ワットのＲＦエネルギーを加えることにより処理チャンバ内にプラズマを生成させるステップと、基板温度を約３５０℃に維持するステップと、酸素含量が約１５原子％未満の酸素ドープされた炭化ケイ素層を堆積させるためにチャンバ圧を約４Ｔorrに維持するステップとが含まれる。ガス分配器と基板表面との間の間隔は、約３００ミルである。ハードマスクは、堆積速度が約２１１５オングストローム/ｍｉｎ、誘電率が約３.２、酸化物と酸素ドープされた炭化ケイ素との研磨選択性が約４.６：１である。
【００７１】
[0074]その後、図３Ｃに示されるように第二誘電体層３１８と、低ｋエッチストップ部３１４と、第一誘電体層３１２と、炭化ケイ素バリヤ層３１０とを通ってエッチングされる。相互接続ライン３２０は、アルミニウム、銅、タングステン又はその組合せのような導電材料を用いてメタライゼーション構造を形成するために充填される。現在、銅の抵抗率が低い(アルミニウムの３.１mＷ-cmと比べて１.７mＷ-cm)ためにより小さな形状を形成するために銅を用いる傾向がある。好ましくは、図３Ｄに示されるように、タンタル又は窒化タンタルのような適切なバリヤ層３２４は、周囲のケイ素及び/又は誘電体材料への銅マイグレーションを防止するためにメタライゼーションパターンにおいてまずコンホーマルに堆積される。その後、銅３２６は、図３Ｅに示されるように構造を充填するために化学気相堆積、物理気相堆積、電気めっき、又はその組み合わせのいずれかを用いて堆積される。
【００７２】
[0075]構造が銅又は他の金属で充填されると、表面は化学機械的研磨を用いて平坦化される。しかしながら、研磨抵抗力のある酸素ドープされた炭化ケイ素ハードマスク層３２２は、図３Ｆに示されるように研磨プロセス後に残っていてもよい。酸素ドープされた炭化ケイ素ハードマスク層３２２は、基板の表面からプラズマプロセスによって除去することができる。
【００７３】
実施例
[0076]本明細書に記載された有機ケイ素化合物を基板表面上にバリヤ層として堆積させ、分析した。一例においては、炭化ケイ素膜を、酸素含有有機ケイ素前駆体と、酸素を含有しない有機ケイ素化合物を含有する混合前駆処理ガスから堆積させ、従来の炭化ケイ素前駆体、トリメチルシランからの炭化ケイ素膜と比較した。
【００７４】
[0077]酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層は、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン(ＴＭＣＴＳ)を約３００ｍｇｍで処理チャンバへ導入するステップと、トリメチルシラン(ＴＭＳ)を約３６０ｍｇｍで処理チャンバへ導入するステップと、ヘリウムを約１０００ｓｃｃｍで処理チャンバへ導入するステップと、９５０ワットのＲＦエネルギーを加えることにより処理チャンバ内にプラズマを生成させるステップと、基板温度を約３５０℃に維持するステップと、チャンバ圧を約８.７Ｔorr程度に維持して酸素ドープされた炭化ケイ素層を堆積させるステップとを含む混合前駆プロセスによって堆積した。ガス分配器と基板表面との間の間隔は、約５１５ミルである。
【００７５】
[0078]堆積された膜は、誘電率とバリヤ層拡散を試験分析した。混合前駆処理処理ガス炭化ケイ素膜の測定誘電率は約４であり、トリメチルシラン炭化ケイ素膜の測定誘電率は約４.３であった。
【００７６】
[0079]バリヤ層特性をバイアス温度試験によって試験し、ダマシンデバイスを上記炭化ケイ素膜を用いて形成するとともに堆積した膜を約２７５℃の基板温度にデバイスの漏電を測定しつつ供することにより行われた。漏れ電流は、バリヤ層特性を分解するにつれて増加する。漏れ電流が約１０-3アンペア/ｃｍ2に達したとき、バリヤ層は破損したと考えられる。これらの処理条件下でデバイスの５０％が破損した場合、堆積した膜のバリヤ有効性を示すために時間を測定した。膜を比較すると、混合前駆体炭化ケイ素の漏れ電流は１メガボルト/ｃｍ（ＭＶ/ｃｍ）において約１.２５ｅ-09アンペア/ｃｍ2と２ＭＶ/ｃｍにおいて１.９８ｅ-8アンペア/ｃｍ2であり、５０％の破損率は約３.７時間後であり、トリメチルシラン炭化ケイ素膜の漏れ電流は１ＭＶ/ｃｍにおいて約１ｅ-09アンペア/ｃｍ2、２ＭＶ/ｃｍにおいて１ｅ-6アンペア/ｃｍ2であり、５０％の破損率は約４.４時間後であることを示した。
【００７７】
[0080]酸素ドープされた炭化ケイ素バリヤ層は、二酸化炭素とトリメチルシラン(ＴＭＳ)を反応させることによりさせた。そのプロセスには、二酸化炭素を約３２０ｓｃｃｍで処理チャンバへ導入するステップと、トリメチルシラン(ＴＭＳ)を約３２０ｍｇｍで処理チャンバへ導入するステップと、ヘリウムを約１０００ｓｃｃｍで処理チャンバへ導入するステップと、４６０ワットのＲＦエネルギーを加えることによって処理チャンバ内にプラズマを生成させるステップと、基板温度を約３５０℃に維持するステップと、約２.５Ｔorrでチャンバ圧を維持して酸素ドープされた炭化ケイ素層を堆積させるステップとが含まれる。ガス分配器と基板表面との間の間隔は、約４００ミルである。このプロセスは、約１２４４オングストローム/ｍｉｎの堆積速度を示した。
【００７８】
[0081]酸素含有プラズマ、例えば、ＣＯ2を基板表面の暴露された部分を酸化することから最初に防止するために、トリメチルシランをプラズマ処理チャンバへ約３２０ｓｃｃｍの流量で供給し、ヘリウムを約８００ｓｃｃｍの流量で供給し、約３５０℃の基板温度で維持し、約１２Ｔorrのチャンバ圧とを維持し、そして約１０ワット〜約１０００ワットのＲＦ電力を維持することによって、約５０オングストローム〜約１００オングストロームの層厚まで維持することによりＳiＣ予備堆積保護層を堆積した。
【００７９】
[0082]堆積した膜について、誘電率とバリヤ層拡散を試験し分析した。炭化ケイ素膜を堆積した二酸化炭素の測定誘電率は、約４.２であり、トリメチルシラン炭化ケイ素膜の測定誘電率は約４.３であった。堆積された炭化ケイ素膜の反射率は１.９１２８であり、圧縮応力レベルは１.２７Ｅ9ｄｙｎｅ/ｃｍ2である。
【００８０】
[0083]更に、ＳiＣバリヤの応力は、堆積プロセスの間、低周波数ＲＦを加えることにより制御可能又は“同調する”ことが観察された。例えば、３５６ＫＨｚで２５ワットを加えると、約１.６Ｅ9ｄｙｎｅ/ｃｍ2から約２.２Ｅ9ｄｙｎｅ/ｃｍ2までＳiＣ膜の圧縮ストレスの増加が観察され、これは銅応力マイグレーションを減少させるのに望ましい。
【００８１】
[0084]バリヤ層特性をバイアス温度試験によって試験し、上記炭化ケイ素膜を用いてダマシンデバイスの形成するとともに堆積した膜を約２７５℃の基板温度に供することによりデバイスの漏れ電流を測定しつつ行った。漏れ電流は、バリヤ層特性を分解するにつれて増加する。漏れ電流が、約１０-3アンペア/ｃｍ2に達した場合、バリヤ層は破損したと考えられる。これらの処理条件下でデバイスの５０％が破損した場合、堆積した膜のバリヤ有効性を示すために時間を測定した。膜を比較することにより、混合前駆体炭化ケイ素の漏れ電流は１メガボルト/ｃｍ（ＭＶ/ｃｍ）で約８ｅ-10アンペア/ｃｍ2と２ＭＶ/ｃｍで４ｅ-8アンペア/ｃｍ2であり、５０％破損率は約１０時間を超えた後であり、例えば、一基板の破損は約１８時間であり、トリメチルシラン炭化ケイ素膜の漏れ電流は１ＭＶ/ｃｍで約１ｅ-09アンペア/ｃｍ2と２ＭＶ/ｃｍで１ｅ-6アンペア/ｃｍ2であり、５０％破損は約４.４時間後であったことが示された。
【００８２】
[0085]このデータから、利用可能なバリヤ層プロセスと比べて混合前駆体処理ガスのバリヤ層特性と誘電率において有意で予想されない改善が示される。
【００８３】
[0086]更に、上記二酸化炭素とトリメチルシラン(ＴＭＳ)を反応させることによって堆積した酸素ドープさせた炭化ケイ素バリヤ層と実施例と同様の処理条件下で酸素(Ｏ2)を反応させることによって堆積した酸素ドープさせた炭化ケイ素バリヤ層を比較した。二酸化炭素とＴＭＳ層は、約１０００オングストローム/ｍｉｎ〜約２０００オングストローム/ｍｉｎの割合で堆積し、層特性は、誘電率が約３.８〜約４.８、平均が約４.２、硬度が約１.５ＧＰa〜約３ＧＰa、圧縮応力が約１.６ｅ9ｄｙｎｅ/ｃｍ2であることが観測された。酸素とＴＭＳ層は、約６０００オングストローム/ｍｉｎ以上の割合で堆積し、層特性は、誘電率が約２.７〜約３.４８、平均が約２.８、硬度が約１.５ＧＰa〜約３ＧＰa、引張応力が約５ｅ8ｄｙｎｅ/ｃｍ2であることが観測された。下地低ｋ材料に対する最少の又は減少した損傷は、酸素とＴＭＳ層と比べて一酸化炭素とＴＭＳ層の場合に見られた。
【００８４】
[0087]上記は本発明の好適実施形態に関するが、本発明の更に多くの実施形態がその基本的範囲から逸脱せずに講じられてもよく、その範囲は、次の特許請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本明細書に記載される低ｋバリヤ層と低ｋ誘電体層とを含むデュアルダマシン構造を示す断面図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｈは、本発明のデュアルダマシン堆積順序の一実施形態を示す断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｇは、本発明のデュアルダマシン堆積順序の一実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０５…誘電体材料、１０７…形状、１１０…バリヤ層、１１２…第一誘電体層、１１４…エッチストップ部(第二バリヤ層)、１１６…コンタクト/バイア、１１８…第二誘電体層、１２０…相互接続ライン、１２２…フォトレジスト材料、１２４…バリヤ層、１２６…銅、３０５…誘電体材料、３０７…形状、３１０…バリヤ層、３１２…第一誘電体層、３１４…エッチストップ部(第二バリヤ層)、３１６…コンタクト/バイア、３１８…第二誘電体層(キャップ層)、３２０…相互接続ライン、３２２…ハードマスク層、３２４…バリヤ層、３２６…銅
【図１】
2005513766.tif 000004
【図２Ａ】
2005513766.tif 000005
【図２Ｂ】
2005513766.tif 000006
【図２Ｃ】
2005513766.tif 000007
【図２Ｄ】
2005513766.tif 000008
【図２Ｅ】
2005513766.tif 000009
【図２Ｆ】
2005513766.tif 000010
【図２Ｇ】
2005513766.tif 000011
【図２Ｈ】
2005513766.tif 000012
【図３Ａ】
2005513766.tif 000013
【図３Ｂ】
2005513766.tif 000014
【図３Ｃ】
2005513766.tif 000015
【図３Ｄ】
2005513766.tif 000016
【図３Ｅ】
2005513766.tif 000017
【図３Ｆ】
2005513766.tif 000018
【図３Ｇ】
2005513766.tif 000019
【国際調査報告】
2005513766.tif 000020
2005513766.tif 000021
2005513766.tif 000022