(57)【要約】  基板の表面のアクティブ層（１０）に設けられたアクティブ回路と、ボンドワイヤ（２２、２４、２６、２８）用のボンディング面を形成する少なくとも一つのボンドパッド（１２、１４、１６、１８）と、少なくとも一つのボンドパッドとアクティブ回路との間の電気接続部（２０）とを有するディスクリート半導体部品、特に磁気抵抗センサ、は、一つ以上のボンドパッド（１２、１４、１６、１８）がアクティブ層（１０）の上に配置されていることを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面のアクティブ層に設けられたアクティブ回路と、
それぞれがボンドワイヤ用のボンディング面を形成する少なくとも一つのボンドパッドと、
前記少なくとも一つのボンドパッドと前記アクティブ回路との間の電気接続部と、
を有するディスクリート半導体部品、特に、磁気抵抗センサであって、
一つ以上の前記ボンドパッドは前記アクティブ層の上に配置されていることを特徴とする、ディスクリート半導体部品。
【請求項２】
一つ以上の前記ボンドパッドはほぼ完全に前記アクティブ層を覆うことを特徴とする、請求項１に記載のディスクリート半導体部品。
【請求項３】
前記電気接続部はパッシベーション層を介して前記アクティブ層へ通じることを特徴とする、請求項１に記載のディスクリート半導体部品。
【請求項４】
前記パッシベーション層は酸化珪素又は窒化珪素を含むことを特徴とする、請求項３に記載のディスクリート半導体部品。
【請求項５】
前記ボンドパッドはアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のディスクリート半導体部品。
【請求項６】
前記ボンドワイヤは金又は金合金で構成されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載のディスクリート半導体部品。
【請求項７】
アクティブ回路を有するアクティブ層を備えた基板を準備するステップと、
パッシベーション層を前記アクティブ層へ塗布するステップと、
を含む、ディスクリート半導体部品を製造する方法であって、
前記パッシベーション層上の一つ以上のボンドパッドの配置と、
前記一つ以上のボンドパッドから前記アクティブ回路への電気接続部の通過と、
を特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面のアクティブ層に設けられたアクティブ回路と、ボンドワイヤ用のボンディング面を形成する少なくとも一つのボンドパッドと、少なくとも一つのボンドパッドとアクティブ回路との間の電気接続部と、を有するディスクリート半導体部品、特に、磁気抵抗センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗センサの形のこの種のディスクリート部品は、図１の配置図に示されている。磁気抵抗センサは、駆動用歯車又は被駆動歯車の角度、位相関係、直線位置、及び、回転速度駆動ギアホイール、のような値を測定するため使用され、この目的のため、異方性磁気抵抗効果が利用されている。１０として示されたアクティブ層から、２０のような電気接続部がボンドパッド１２、１４、１６、１８へ通じ、ボンドパッドは、一般的にアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、このボンドパッドには、金属ボンドワイヤ、好ましくは、金又は金合金製の金属ボンドワイヤが、チップとその周辺との間を電気的に接触させるため、通常ボールボンド又はウェッジボンドが適用される。これらのボンドパッド及びアクティブ層は、チップ上で互いに隣接して配置される。ボンドパッドは、典型的に、６０μｍ×６０μｍから１００μｍ×１００μｍの最小サイズ未満ではなく、そのためチップの全面積のかなりの部分を占有する。チップレイアウトでボンドパッドのために定められた位置は、また、チップを挿入することができるパッケージの形を決め、これは、異なるタイプのパッケージで使用することを考慮する限りでは、フレキシビリティを著しく制限する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、使用されるパッケージの形に関するフレキシビリティが増大されると共に、チップ面積が著しく削減されるように上記のディスクリート半導体部品を配置することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この目的は、請求項１に記載されたディスクリート半導体部品によって実現される。有利な実施形態は従属請求項の対象になる。この種のディスクリート半導体部品を製造する方法は請求項７に記載されている。
【０００５】
本発明によれば、一つ以上のボンドパッドをアクティブ層の上に配置する対策が講じられる。この「アクティブ回路上のボンドパッド」配置は、集積回路に関して公知であり、例えば、国際公開ＷＯ００／３５０１３パンフレットに記載されている。しかし、それは、ディスクリート半導体部品に使用されたことがない。なぜならば、ボンディングが下側に位置する壊れやすい層を破損する虞があるからである。これは回避し得ることがわかった。本発明によれば、今やこのようにして、チップに必要とされる面積であって、アクティブ層の面積によって実質的に定められる面積を著しく削減することが可能である。
【０００６】
好ましい実施形態では、一つ以上のボンドパッドは、ほぼ完全にアクティブ層を覆う。これは、ボンド接続を事実上空間のあらゆる方向で行うことが可能であり、したがって、チップのレイアウトに変更を加えることなく、使用されるパッケージの形を最大限に変えることができる、という点で有利である。本発明のこの実施形態を用いて、付加的なメタライゼーション層を導入することを必要とせずに、磁気抵抗センサのＥＭＣ感度を顕著に低下させることも可能である。ボンドパッドは、入ってくる高周波の交番磁場に対する遮蔽効果があり、必要に応じてボンドパッドの下側にパッシベーション層を置くことにより、容量効果が得られ、そのパッシベーション層を通じてボンドパッドからアクティブ層への電気接続部がまた作製される。
【０００７】
パッシベーション層は、好ましくは、酸化珪素又は窒化珪素からなり、ボンドパッドと一体となって容量性効果を生ずる。ボンドパッドは、この場合、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成してもよい。
【０００８】
ボンドパッドに適用されるボンドワイヤは、好ましくは、金又は金合金で構成される。
【０００９】
ディスクリート半導体部品を製造する方法は、
アクティブ回路を有するアクティブ層を備えた基板を準備するステップと、
パッシベーション層を前記アクティブ層へ塗布するステップと、
を含み、
前記パッシベーション層上の一つ以上のボンドパッドの配置と、
前記一つ以上のボンドパッドから前記アクティブ回路への電気接続部の通過とを特徴とする。
【００１０】
本発明は、チップの面積の著しい削減と、与えられたパッケージの形の独立性と、必要に応じて、電磁遮蔽の手段として十分な大きさにしなければならないボンドパッドの使用と、を有利に組み合わせる。しかし、後者の点に関して、形成されたキャパシタを介する磁気抵抗性の抵抗構造体の並列接続は、システム全体として、システムによる望ましくない遅い動作、又は、望ましくない発振を生じさせる時定数を生成しないことに注意しなければならない。
【００１１】
本発明の上記特徴及びその他の特徴は、以下に記述される実施形態から明らかであり、これらの実施形態を参照して説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図２は、本発明による磁気抵抗センサのアクティブ層１０のボンドパッド１２、１４、１６、１８の配置を示す図である。ボンドパッド１２、１４、１６、１８は、アクティブ層１０を実質的に覆うように設計される。このことは、ボンドパッド１２、１４、１６、１８が遮蔽効果を備えるようにする。このレイアウトは、また、接続用のボンドワイヤに対する変更の可能性を与える。
【００１３】
二つの例が図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されている。図３（ａ）は、アクティブ領域の片側でボンドパッド１２、１４、１６、１８に全てが接続されているボンドワイヤ２２、２４、２６、２８を示す。レイアウトを変更することなく、レイアウトの両側で交互に接続することが可能であり、例えば、図３に示されるように、ボンドパッド１２及び１６とボンドパッド１４及び１８にそれぞれ取り付けられたボンドワイヤ２２及び２６とボンドワイヤ２４及び２８は、アクティブエリアの反対側に接続される。
【００１４】
本発明によるディスクリート半導体部品は、「アクティブ回路上のボンドパッド」を採用しない対応したディスクリート半導体部品が使用される場合にいつでも使用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来技術による磁気抵抗センサの配置図である。
【図２】本発明の一実施形態を形成する磁気抵抗センサの配置図である。
【図３（ａ）】ボンドワイヤの考えられる配置を示す図である。
【図３（ｂ）】ボンドワイヤの考えられる配置を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【国際調査報告】
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