(57)【要約】本発明によれば、集束放射ビーム（１０）による高速記録用の書換え可能な光データ記憶媒体（２０）が述べられる。前記媒体（２０）は層のスタック（２）を担持する基板（１）を有する。前記スタック（２）は第１誘電体層（３）、第２誘電体層（５）並びにSb及びTeを有する合金の相変化材料の記録層（４）を有する。前記記録層（４）は前記第１誘電体層（３）及び前記第２誘電体層（５）の間に介挿される。前記合金はさらに2〜10at.%のGaを含む。これにより、ダイレクトオーバーライト時の最大データレートの著しい改善が達成される。さらに0.5〜4.0%のGeを前記合金に加えることにより、保存寿命安定性が高められる。
2005531444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集束放射ビームによる高速記録用の書換え可能な光データ記憶媒体であって、当該媒体は層のスタックを担持する基板を有し、前記スタックは第１誘電体層、第２誘電体層並びにSb及びTeを有する合金の相変化材料の記録層を有し、前記記録層は前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層の間に介挿される光データ記憶媒体において、前記合金はさらに2〜10at.％のGaを含むことを特徴とする光データ記憶媒体。
【請求項２】
前記合金は3〜7at.％のGaを含むことを特徴とする請求項１に記載の光データ記憶媒体。
【請求項３】
前記合金はさらに0.5〜4.0at.%、好ましくは、0.5〜2.5at.%のGeを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の光データ記憶媒体。  
【請求項４】
原子Sb/Te比が３及び１０の間であることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の光データ記憶媒体。  
【請求項５】
原子Sb/Te比が３及び６の間であることを特徴とする請求項４に記載の光データ記憶媒体。
【請求項６】
金属反射層が前記第１誘電体層から遠い側で前記第２誘電体層に隣接して存在することを特徴とする請求項１に記載の光データ記憶媒体。  
【請求項７】
付加的な層が前記金属反射層及び前記第２誘電体層の間に挟まれて存在し、前記第２誘電体層の化学的影響から前記金属反射層を保護することを特徴とする請求項６に記載の光データ記憶媒体。
【請求項８】
前記付加的な層はSi3N4を有することを特徴とする請求項７に記載の光データ記憶媒体。
【請求項９】
前記記録層は20nm以下の厚さを持つことを特徴とする請求項１に記載の光データ記憶媒体。
【請求項１０】
少なくとも16m/sの記録速度を用いた高データレート記録への請求項１乃至９の何れか一項に記載の光データ記憶媒体の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集束放射ビームによる高速記録用の書換え可能な光データ記憶媒体であって、当該媒体は層のスタックを担持する基板を有し、前記スタックは第１誘電体層、第２誘電体層並びにSb及びTeを有する合金の相変化材料の記録層を有し、前記記録層は前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層の間に介挿される光データ記憶媒体に関する。
【０００２】
本発明はまた、高データレートアプリケーションにおける斯かる光データ記憶媒体の使用に関する。
【背景技術】
【０００３】
冒頭段落に述べられるタイプの光データ記憶媒体の実施例は米国特許第US6,108,295号から知られている。
【０００４】
相変化原理に基づく光データ記憶媒体は魅力的である。なぜなら、ダイレクトオーバーライト(DOW)及び高記憶密度の可能性と、再生専用光データ記憶システムとの容易な互換性とを兼ね備えるからである。相変化光記録は、比較的高出力の集束放射ビーム、例えば、レーザ光ビームを用いて結晶質記録層へのサブミクロンサイズの非晶質記録マークの形成を伴う。情報の記録時、媒体は記録されるべき情報に応じて変調される集束レーザ光ビームに対して動かされる。高出力レーザ光ビームが結晶質記録層を溶融する場合にマークが形成される。レーザ光ビームがスイッチオフされる及び／又は次いで記録層に対して相対的に動かされる場合に、溶融されたマークのクエンチングが記録層に生じ、非照射部分では結晶質のままである記録層の照射部分に非晶質情報マークが残る。書込まれた非晶質マークの消去は、記録層を溶融することなく、より低出力レベルで同一レーザを用いた加熱による再結晶化により実現される。非晶質マークは、比較的低出力の集束レーザ光ビームにより例えば基板を介して読取られ得るデータビットを表す。結晶質記録層に対する非晶質マークの反射の差が、変調されたレーザ光ビームをもたらし、次いで、記録された情報に応じて変調された光電流に検出器により変換される。
【０００５】
相変化光記録における最も重要な要求の一つは、高いデータレートである。これは、データが、少なくとも30Mビット／秒のユーザデータレートで媒体に書込まれ得る及び書換えられ得ることを意味する。斯かる高いデータレートは、記録層がDOW時に高結晶化速度、すなわち、短い結晶化時間を持つことを要求する。既に記録されている非晶質マークがDOW時に再結晶化され得ることを確実なものとするため、記録層は、レーザ光ビームに対する媒体の速度に整合するために適当な結晶化速度を持たなければならない。結晶化速度が十分ではない場合、古いデータを表す前の記録からの非晶質マークがDOW時に完全に消去されない(再結晶化されない)。これは高いノイズレベルをもたらす。高結晶化速度はとりわけ高密度記録及び高データレート光記録媒体、例えば、ディスク形状のハイスピードCD-RW、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、DVR-red及びblue（これらは新世代の高密度Digital Versatile Disk+RW（RWは斯かるディスクの書換え可能性を意味する）及びDigital Video Recordingの省略形である）光記憶ディスクにおいて必要とされる。red（赤色）及びblue（青色）は用いられるレーザ波長を意味する。青色のバージョンはBlue-ray Disk（ブルーレイディスク：BD）とも呼ばれる。これらのディスクに対して、完全消去時間(complete erasure time: CET)は30ns以下でなければならない。CETは、静的に測定される、結晶質環境に書き込まれた非晶質マークの完全な結晶化のための消去パルスの最小継続期間と規定される。120mmのディスク毎に4.7GBの記録密度を持つDVD+RWに対して、26Mビット／秒のユーザデータビットレートが必要とされ、DVR-blueに対して、該レートは35Mビット／秒である。DVD+RW及びDVR-blueのハイスピードバージョンに対しては、50Mビット／秒以上のデータレートが要求される。非晶質マークの完全な消去について２つのプロセスが知られている。すなわち、核形成(nucleation)による結晶化と粒結晶子成長(grain crystallite growth)による結晶化である。結晶子(crystallite)の核形成は、結晶子の核が自発的且つ無作為に非晶質材料内に形成されるプロセスである。それ故、核形成の確率(probability)は記録材料層の体積、例えば、厚さに依存する。粒成長結晶化は、結晶子（例えば非晶質マークの結晶質周囲または核形成により形成された結晶子）が既に存在している場合に起こり得る。粒成長は、既に存在している結晶子に隣接する非晶質材料の結晶化により上記した結晶子の成長を伴う。実際には両方のメカニズムが並行して起こり得るが、一般に一方のメカニズムが効率又は速度の観点で他方より優勢になる。
【０００６】
相変化光記録における他の非常に重要な要求は、高いデータ安定性である。これは、記録されたデータが長期間劣化していない状態のままであることを意味する。高いデータ安定性は、記録層が100℃以下の温度において低結晶化速度、すなわち、長い結晶化時間を持つことを要求する。データ安定性は例えば50℃又は30℃の温度で例えば特定されるかもしれない。光データ記憶媒体の長期保管中、書込まれた非晶質マークがある速度で再結晶化する。これは、記録層の特性により決定される。マークが再結晶化されると、該マークはもはや結晶質の周囲と区別不可能になる。言い換えると、マークは消去される。実際上の理由で、室温、すなわち、30℃で少なくとも20年の再結晶化時間が必要とされる。
【０００７】
米国特許第US6,108,295号では相変化タイプの媒体がディスク形状の基板を有し、該基板上に第１誘電体層、相変化タイプの記録層、第２誘電体層及び反射層を持つ。斯かる層のスタック(a stack of layers)はIPIM構造とも称され得る。ここで、Iは誘電体層を表し、Pは相変化記録層を表し、Mは金属反射層を表す。この米国特許は、組成My(SbxTe1-x)1-yの記録層を開示している。ここで、Mは元素の大群から選ばれる少なくとも一つの種類であり、0≦y≦0.3であり、0.5<x<0.9である。例示されている特定の種類はGe、In、Ag、Znである。CDの速度の6倍、すなわち、8.4m/sまでの比較的低い記録速度が述べられているが、この特許の主な目的は、ダイレクトオーバーライト耐久性の改善、すなわち、信号品質を損ねることなくDOWを繰り返す回数の増加にある。斯かる速度は100ns以下のCETを要求する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、16m/s以上の線速におけるダイレクトオーバーライトを用いる高データレート光記録に適した、冒頭段落に記載の種類の光データ記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的は、本発明にしたがって前記合金がさらに2〜10at.％のGaを含むことを特徴とする冒頭段落に記載の種類の光データ記憶媒体により達成される。
【００１０】
本出願人は、Gaのドーピング、すなわち、GaをSb-Te組成に加えることが、In、Ge及びAg等の他の成分よりも著しく速い結晶化速度を達成すると言う見解を持っている。Ag、Ge及びInは、米国特許第US6,108,295号から共晶又は準共晶(quasi-eutectic)Sb-Te相組成に対する添加物として知られている。Gaの添加は特段例示されず、特別な利点も述べられていない。本出願人はまた、Geをドープしたサンプルと比較して、Gaをドープした組成が同一の記録速度、例えば、24m/sでより少ないディスクノイズをもたらすことも見出した。前記合金が3〜7at.％のGaを含む場合、保存寿命安定性及び媒体ノイズが改善される更なる利点が実現される。ノイズは結晶質相の反射のばらつきから生じ、ゆえに、媒体ノイズの指標は実験静止テスタを用いてディスクの初期化部分の多数の光反射測定値(R)の標準偏差(dR)から得られ得る。ばらつきはdR/Rと表すことができる。
【００１１】
一実施例において、前記合金はさらに0.5〜4.0at.%、好ましくは、0.5〜2.5at.%のGeを含む。保存寿命安定性を高めるために、GaをドープしたSb-Te材料が、Geのような強い結合を形成するイオンで共ドープされてもよい。ほんの数パーセント、即ち、0.5〜2.5at.%しか必要ではない。なぜなら、この共ドーピングが強すぎても結晶化速度及びノイズに悪影響を与えるからである。
【００１２】
更なる実施例において、原子Sb/Te比は３及び１０の間である。Sb/Te比（3〜10）は結晶化速度を調整するために用いられ得る。Sb/Te比を高くすると結晶化速度が上がる。好ましくは、原子Sb/Te比は３及び６の間である。これらSb/Te比におけるドープした組成はより低い媒体ノイズを示し、高速記録に有利である。Sb/Te比を増加することにより結晶化速度を増加させると、媒体ノイズが高くなる。それ故、Gaのような“高速”イオンで比較的低いSb/Te比のSb-Te組成をドープすることが有利である。このようにして、高記録速度すなわちデータレートが低い媒体ノイズレベルで達成され得る。
【００１３】
更なる実施例において、金属反射層が前記第１誘電体層から遠い側で前記第２誘電体層に隣接して存在する。金属反射層は、スタックの全体的な反射及び／又は光コントラストを高める働きをする。さらに、金属反射層は、非晶質マーク形成時の再結晶化を妨げる、非晶質マークの形成時の記録層の冷却速度を高めるためのヒートシンクとして働く。金属反射層は、Al、Ti、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Ni、Cr、Mo、W及びTaからなる群（これら金属の合金も含む）から選択される少なくとも一つの金属を有してもよい。付加的な層が前記金属反射層及び前記第２誘電体層の間に挟まれて存在し、前記第２誘電体層の化学的影響から前記金属反射層を保護することが好ましい。特に、Agが反射層において用いられる場合、誘電体層の例えばS原子がAgと反応する可能性が防止される。保護(screening)に適した付加的な層は例えばSi3N4を有する。
【００１４】
好ましくは、前記記録層は20nm以下の厚さを持つ。これは、記録層が比較的高い光透過度を持つことができる利点を持ち、マルチスタック光媒体の場合に有利である。マルチスタック光媒体にはいくつかの記録層が存在する。記録／読取りレーザビームは通例“より低いレベル”の記録層へ記録する／から読取るために“より高いレベル”の記録層を通るように仕向けられる。この場合、より高いレベルの記録層は、レーザビームが“より低いレベル”の記録層へ通り抜けるように少なくとも部分的に透明でなければならない。
【００１５】
媒体の繰り返し性(cyclability)は、記録層が2nm及び8nmの間の厚さを持つ少なくとも１つの付加的な炭化物層に接触している場合にさらに増加され得る。繰り返し性は、媒体に書込まれたマークのジッタレベルのある増加に達するまでになし得るDOWの繰り返し数である。ジッタは、例えば接線方向におけるマークのエッジの位置決め精度に対する目安である。ジッタがより大きくなることは、位置決め精度がより低くなることに対応する。上述の材料は、II+PI+Ｉ又はII+PIのスタックにおいて用いられる。ここでI+は炭化物である。代わりに、窒化物又は酸化物が用いられてもよい。II+PI+Iのスタックにおいて、記録層Ｐは第１及び第２炭化物層I+間に挟まれる。第１及び第２炭化物層の炭化物は、好ましくは、優れた繰り返し性と短いCETとを兼ね備えたSiC、ZrC、TaC、TiC及びWCの群の中のいずれかである。SiCは、光学的、機械的及び熱的特性、更に、価格が比較的低いことから好ましい材料である。付加的な炭化物層の厚さは好ましくは2nm及び8nmの間である。炭化物の比較的高い熱伝導性は、厚さが小さい場合にはスタックにわずかな影響しか及ぼさず、それによってスタックの熱的設計を容易にしている。第１誘電体層と記録層との間の炭化物層は、その比較的小さな厚さのため光コントラストに影響を及ぼさないか殆ど影響を及ぼさない。
【００１６】
第２誘電体層、即ち、金属反射層と相変化記録層との間の層は、例えば金属反射層及び／又は更なる層の直接の影響から記録層を保護し、光コントラスト及び熱的挙動を最適化する。最適な光コントラスト及び熱的挙動のため、第２誘電体層の厚さは好ましくは10〜30nmの範囲である。光コントラストに鑑みて、他の例では、上記層の厚さがλ/(2n)nmだけ更に厚く選択されても良い。ここでλはレーザ光ビームの波長（単位nm）であり、ｎは第２誘電体層の屈折率である。しかしながら、より高い厚みの選択は、記録層に対する金属反射層又は更なる層の冷却の影響を減少させるであろう。
【００１７】
第１誘電体層、即ち、放射ビーム、例えば、レーザ光ビームが最初に入射する層に係る最適な厚さの範囲は、数ある中でもレーザ光ビームの波長λにより決定される。λ=670nmの場合、最適値は90nm付近に見つかる。
【００１８】
第１及び第２誘電体層は、ZnSとSiO2との混合物、例えば（ZnS）80(SiO2)20からなってもよい。代替物は、例えばSiO2、TiO2、ZnS、AlN、Si3N4及びTa2O5である。好ましくは、SiC、WC、TaC、ZrC又はTiCのような炭化物が用いられる。これらの材料は、ZnS-SiO2混合物より高い結晶化速度及び良好な繰り返し性を与える。
【００１９】
反射層及び誘電体層は共に、蒸着又はスパッタリングにより設けられてもよい。
【００２０】
光データ記憶媒体の基板は、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリメタクリル酸メチル(PMNA)、非晶質ポリオレフィン又はガラスからなる。典型的な例において、基板はディスク状であり、120mmの径及び例えば0.6又は1.2mmの厚さを持つ。0.6又は1.2mmの基板が用いられる場合、各層は、第１誘電体層から始めて該基板上に設けられ得る。レーザ光が基板を介してスタックに入射する場合、該基板は少なくともレーザ光の波長に対して透明でなければならない。基板上のスタックの各層は、逆の順、即ち、第２誘電体層又は金属反射層から始めて設けられても良く、この場合レーザ光ビームは基板を通ってスタックに入射しないであろう。任意に、最外部の透明な層が、周囲環境から下位の層を保護するカバー層としてスタック上に存在しても良い。この層は、上述した基板材料の１つ、又は例えば100μmの厚さの紫外線硬化型ポリ（メタ）アクリレートのような透明樹脂からなってもよい。このような比較的薄いカバー層は、集束レーザ光ビームの高い開口数(NA)、例えばNA=0.85を可能とし、比較的良好な光品質及び均質なものでなければならない。薄い100μmのカバー層は例えばDVR又はBDディスクに用いられる。レーザ光ビームが上記透明な層の入射面を介してスタックに入射する場合、基板は不透明であってもよい。
【００２１】
記録層の側の光データ記憶媒体の基板の面は、好ましくは、レーザ光ビームによって光学的に走査され得るサーボトラックを備える。サーボトラックはしばしば螺旋型の溝から構築され、射出成型又はプレス加工時の成型により基板に形成される。他の例では、溝は、基板上に別個に具備されている、例えばアクリレートの紫外線硬化層のような合成樹脂層における複製プロセスにおいて形成されてもよい。高密度記録においては、斯かる溝は例えば0.5〜0.8μmのピッチ及び該ピッチの約半分の幅を持つ。
【００２２】
高密度記録及び消去は、例えば670nm以下の波長（赤色から青色）の短波長レーザを用いることにより実現され得る。
【００２３】
相変化記録層は蒸着又は適切なターゲットのスパッタリングにより基板に設けられ得る。かくして堆積した層は非晶質である。適切な記録層を構築するために、該層は最初に完全に結晶化される必要があり、これは一般に初期化と呼ばれる。この目的のため記録層は、GaをドープしたSb-Te合金の結晶化温度より高い温度、例えば180℃まで炉の中で加熱され得る。他の例では、ポリカーボネート等の合成樹脂の基板が十分な出力のレーザ光ビームにより加熱され得る。これは、例えば特別なレコーダにおいて実現可能であり、この場合レーザ光ビームが動いている記録層を走査する。斯かるレコーダはイニシャライザ(initializer)とも呼ばれる。その後、非晶質の層が、基板が不利な熱負荷にさらされることを防ぎつつ、該層を結晶化するために必要とされる温度まで局所的に加熱される。
【００２４】
本発明を例示の実施例により及び添付の図面を参照してより詳細に述べる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１において、集束放射ビーム１０による高速記録用の書換え可能な光データ記憶媒体２０、例えば、DVR-redディスクが、基板１及び該基板１上に設けられる層のスタック２を持つ。スタック２は、90nmの厚さを持つ(ZnS)80(SiO2)20からなる第１誘電体層３、22nmの厚さを持つ(ZnS)80(SiO2)20からなる第２誘電体層５、並びに表１又は２の例Ａ１、Ａ２、Ｂ及びＣに示される組成を持つ合金の相変化材料からなる記録層４を持つ。記録層４は14nmの厚さを持ち、第１誘電体層３及び第２誘電体層５の間に介挿されている。120nmの厚さを持つAgからなる金属反射層６が、第１誘電体層３から遠い側で第２誘電体層５に隣接して存在する。付加的な層８が、金属反射層６及び第２誘電体層５の間に挟まれて存在し、第２誘電体層５の化学的影響から金属反射層６を保護する。付加的な層８はSi3N4を有し、3nmの厚さを持つ。
【００２６】
ドーパントの量が表１又は２に示されている。さらに、表１は測定実験データCET、dR/Rの値を含む。表２はとりわけ保存寿命安定性(archival life stability)に係るデータを含む。CETは、可変の出力レベル及び継続期間の670nmの波長を持つレーザパルスを用いて16×16の非晶質マークのマトリクスを消去することにより測定された。マークを消去するために必要とされる最小時間がCETである。媒体ノイズの指標が前述したdR/Rから得られる。保存寿命は外挿された。外挿曲線は、結晶化時間が逆絶対温度(inverse absolute temperature)（単位K）に指数的に依存すると言う一般に認められている仮定に基づくものである。結晶化挙動は書込まれたマーク上で測定された。通例安定性は堆積されたままの非晶質状態(as deposited amorphous state)に基づくが、一般に安定性の値が高くなりすぎる。これは、書込まれた非晶質マークが、堆積されたままの非晶質状態の層よりも、特に結晶成長を招く結晶質のマークエッジにおいてより多くの核形成サイトを含み、結晶化速度を増加させるからである。書込まれたマークの結晶化挙動の測定値、例えば、CETに対して、以下の手順が用いられた。スタックがガラス基板上にスパッタされ、ディスクの平坦部分がレーザを用いて初期化された。DVD密度のキャリヤ(carrier)が初期化された部分に螺旋状に連続的に書込まれた。ディスクから切断された一部が炉に置かれ、次いで非晶質マークが大きなレーザスポット（λ=670nm）を用いて反射を監視しながら特定の温度で結晶化された。
【００２７】
100μmの厚さを持つレーザ光に透明な例えばUV硬化樹脂からなる保護層７が、第１誘電体層３に隣接して存在する。スピンコーティング、次いでUV硬化により層７を設けることができる。
【００２８】
スパッタリングにより層３、４、５、６及び８は設けられる。記録層４の初期結晶質状態は、該層の結晶化温度を越えるまで連続レーザ光ビームによりイニシャライザにおいて堆積されたままの非晶質記録層４を加熱することにより得られる。
【００２９】
表１はSb-Te合金のドーピングレベルを単一のドーパントを用いて変えた各種例の結果の概要である。Ａ１は本発明によるドーパントGaを用いた例であり、Ｄ、Ｅ及びＦは既知のドーパントIn、Ge及びAgを用いた例である。Ａ１のCETはサンプルＤ、Ｅ及びＦのCETよりも著しく短いことに留意されたい。
【００３０】
表１例Ａ１、Ｄ、Ｅ及びＦ
【表１】
2005531444.tif 000003
【００３１】
表２例Ａ２、Ｂ及びＣ
表２の例Ｂ及びＣにおいて、GaでドープされたSb-Te合金がそれぞれ1at.%及び2at.%のGe（ドーパント２）をさらに含む場合の効果が示されている。Gaの量は相応に減少される。30℃における外挿保存寿命がGeを加えることにより著しく改善されていることが分かる。2.5%を越えるGeを加えるとCETの増加を招くであろう(表に示さず)。
【表２】
2005531444.tif 000004
【００３２】
図２は、Ga、In及びGeをドープしたSb-Te組成に係るDVD+RWフォーマットに対して期待される最大データレート（1X=11Mビット／秒）及び最大ディスク線速度を示す。Sb/Te比は、（Geをドープした組成に対して示されている）一次近似においてCETに反比例する最大媒体線速度を制御するためのパラメータとして用いられ得る。媒体線速度（左縦軸）は直接データレート（右縦軸）に翻訳され得る。略々3.5のSb/Te比において、Gaのドーピングが最大データレートを与える。いっそう速い速度即ちデータレート、即ち、32m/sのVLmaxがGaのドーピングを用いた5.2のSb/Te比で達成される。
【００３３】
図３は、マーク変調の関数としての異なる組成に対するCET測定値を示す。マーク変調は非晶質マークのマークサイズに対する目安である。変調が大きいほどマークの径が大きくなる。成長が優勢な結晶化プロセスに対して、CETはマークの径に正比例する。これは、非晶質マークの再結晶化がエッジで始まり、ゆえにマークの径が小さいほどより速く完全に再結晶化されることから理解され得る。点３１、３２及び３３は、Ag、Ge及びInをそれぞれドープした“共晶”Sb-Teに対するCETの結果を示す。“共晶”は、共晶組成Sb69Te31における又は比較的近い組成を意味する。点３４及び３５は、それぞれ3.6及び5.1のSb/Te比に係るGaをドープしたSb-Teに対する結果を表す。後者は極端に速い結晶化を示していることが分かる。この極端に速い結晶化特性は、書込み時にマークの再結晶化に起因する小さなマークをもたらすかもしれない。記録層に隣接してヒートシンク、例えば、反射金属層を施すことにより、この再結晶化を防止することができる。
【００３４】
図４は、異なるSb/Te比におけるGeをドープしたSb-Te合金に係る３つの媒体ノイズスペクトルを示す。媒体線速度は7m/sであり、検出器の反射DCレベルは750mVであり、測定帯域幅は30kHzである。Sb/Te比の増加はより速い結晶化速度をもたらす。しかしながら、図４から、媒体ノイズはSb/Te比とともに増加することが見てとれる。グラフ４３は、3.5のSb/Te比を用いたGeをドープしたSb-Te合金を表し、低い媒体ノイズを示す。しかしながら、この合金は、比較的高いCET即ち低いデータレート／速度を持つ。それ故、Gaのような“高速”ドーパントを用いることが有利であり、ゆえに、より小さなSb/Te比を選択することができ、表１に見られるように低い媒体ノイズが得られる。4.6のSb/Te比（グラフ４２）及び7.2のSb/Te比（グラフ４３）を持つGeをドープした組成を用いて作られたスタックは、媒体ノイズが多すぎて、それ程適したものではない。
【００３５】
上述した実施例は本発明を制限するというよりは解説するものであり、当業者であれば添付請求項の範囲から逸脱することなく多くの他の実施例を設計できるであろうことに留意されたい。各請求項において、括弧内に置かれた如何なる参照符号も当該請求項を限定するものとみなしてはならない。“有する”なる用語は、請求項に記載されたもの以外の他の要素及びステップの存在を排除するものではない。或る手段が相互に異なる従属請求項に記載されるという事実のみでは、これらの手段の組合せが有利に使用できないということを示すことにはならない。
【００３６】
本発明によれば、集束放射ビームによる高速記録用の書換え可能な光データ記憶媒体が述べられる。前記媒体は層のスタックを担持する基板を有する。このスタックは第１誘電体層、第２誘電体層並びにSb及びTeを有する合金の相変化材料の記録層を有する。前記記録層は前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層の間に介挿される。前記合金はさらに2〜10at.%のGaを含む。これにより、ダイレクトオーバーライト時の最大データレートの著しい改善が達成される。さらに0.5〜4.0%のGeを前記合金に加えることにより、保存寿命安定性が高められる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明による光データ記憶媒体の概略断面図を示す。
【図２】Sb/Te比を変える一方、Sb-Te合金内のドーパントを異ならしめた最大記録線速度VLmaxのグラフ表現を示す。
【図３】ドープしたSb-Te相変化材料に係るマーク変調の関数としての完全消去時間(CET)を示す。
【図４】DVD+RWレコーダ上で測定された、GeをドープしたSb-Te組成に係るノイズスペクトルを示す。
【図１】
2005531444.tif 000005
【図２】
2005531444.tif 000006
【図３】
2005531444.tif 000007
【図４】
2005531444.tif 000008
【国際調査報告】
2005531444.tif 000009
2005531444.tif 000010
2005531444.tif 000011