(57)【要約】  アンチモン・ドープ金属酸化物、好適には、アンチモン・ドープ酸化スズのガラス上への被膜は、有機スズ化合物、有機アンチモン化合物、水、及び酸素を含む均一で、且つ気化された反応体の混合物を提供して、該反応体混合物をガラスの高温リボンの面に送込んで、そこで、前記の複数の化合物を反応させてアンチモン・ドープ金属酸化物、好適には、アンチモン・ドープ酸化スズの被膜を形成することによって、作成可能である。本発明に従って、適用されたこのアンチモン・ドープ金属酸化物の被膜、好適には、アンチモン・ドープ酸化スズの被膜は、厚さの均一性、及びガラスの成膜された面上でのシート抵抗が向上され、更に、成膜／製造の効率が増大される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温のガラス基板上の面にアンチモン・ドープ金属酸化物の被膜を適用するための化学蒸着プロセスであって、
ａ）アンチモン・ドープ金属酸化物被膜がその上に成膜される面を含む高温ガラス基板を提供するステップと、
ｂ）金属化合物、酸素含有化合物、水、及び550°F未満の温度で前記の酸素含有化合物又は水と前反応を生じない有機アンチモン化合物を含む、均一で、且つ気化された反応体の混合物を提供するステップと、
ｃ）前記気化反応体混合物を前記高温ガラス基板の前記面に送込んで、前記混合物を反応させて前記高温ガラス基板の前記面上にアンチモン・ドープ金属酸化物被膜を成膜するステップと、
ｄ）前記の成膜されたガラス基板を周囲雰囲気に冷却するステップとを有することを特徴とするプロセス。
【請求項２】
前記有機アンチモン化合物は、
（R1）XSb（R2）3‐Xの化学式（R1：アリール基、R2：アルキル基、X = 3 又は2）の化合物であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記有機アンチモン化合物は、ジアリルアルキルアンチモン化合物であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記有機アンチモン化合物は、
（Mes）3Sb、Ph3Sb、（Tolyl）3Sb、及び（RXC6H5−X）3Sb（ここで、R：1乃至4の炭素原子を有する小鎖有機群）から成る群より選択されるトリアリルアンチモン化合物であり、且つX = 1〜5であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記有機アンチモン化合物は、Ph3Sbであることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
高温のガラス基板上の面にアンチモン・ドープ酸化スズの被膜を適用するための化学蒸着プロセスであって、
ａ）アンチモン・ドープ酸化スズ被膜がその上に成膜される面を含む高温ガラス基板を提供するステップと、
ｂ）スズ化合物、酸素、水、及び550°F未満の温度で前記の酸素又は水と前反応を生じない有機アンチモン化合物を含む、均一で、且つ気化された反応体の混合物を提供するステップと、
ｃ）前記気化反応体混合物を前記高温ガラス基板の前記面に送込んで、前記の均一な気化反応体混合物を反応させて前記高温ガラス基板の前記面上にアンチモン・ドープ酸化スズ被膜を成膜するステップと、
ｄ）前記の成膜されたガラス基板を周囲雰囲気に冷却するステップとを有することを特徴とするプロセス。
【請求項７】
前記スズの前駆物質は、有機スズ化合物であることを特徴とする請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記スズの前駆物質は、二塩化ジメチルスズであることを特徴とする請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
前記成膜プロセスは、フロート・ガラス製法の一部として行われることを特徴とする請求項６に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記成膜プロセスは、フロート槽の中、若しくはフロート槽に隣接して行われることを特徴とする請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記成膜プロセスは、900°F乃至1350°Fの温度で行われることを特徴とする請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記成膜プロセスは、1100°F乃至1280°Fの温度で行われることを特徴とする請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記成膜プロセスは、1000Å乃至5000Åの厚さで成膜されることを特徴とする請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記成膜プロセスは、1000Å乃至3500Åの厚さで成膜されることを特徴とする請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記アンチモン含有被膜が成膜される前に、前記アンチモン含有被膜がその上に成膜される前記基板に、色を抑制する被膜が適用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記有機アンチモン化合物は、水及び酸素と殆ど反応しないことを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１７】
高温のガラス基板上の面にアンチモン・ドープ金属酸化物を適用するための化学蒸着プロセスであって、
ａ）アンチモン・ドープ金属酸化物被膜がその上に成膜される面を含む高温ガラス基板を提供するステップと、
ｂ）ナトリウム拡散バリヤー層を設けて、該層を前記高温ガラス基板上に直接的に成膜するステップと、
ｃ）金属化合物、酸素含有化合物、水、及び550°F未満の温度で前記の酸素含有化合物又は水と前反応を生じない有機アンチモン化合物を含む、均一で、且つ気化された反応体の混合物を提供するステップと、
ｄ）前記気化反応体混合物を前記高温ガラス基板の前記面に送込んで、前記混合物を反応させて前記高温ガラス基板の前記面上にアンチモン・ドープ金属酸化物被膜を成膜するステップと、
ｅ）前記の成膜されたガラス基板を周囲雰囲気に冷却するステップとを有することを特徴とするプロセス。
【請求項１８】
前記ナトリウム拡散バリヤー層は、シリカを有することを特徴とする請求項１７に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にガラス上への金属酸化物被膜の生成方法に関するものであり、特に、アンチモン・ドープ酸化スズ被膜を化学蒸着を用いて高温のガラス基板上に形成するためのプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、蒸着されたガラス製品は、当技術分野においてフロート・ガラス製法（Float Glass Process）として公知のプロセスで製造される際に、ガラス基板を連続的に成膜することによって製造される。このプロセスは、適切に囲まれた溶融スズ槽の上にガラスをキャスティングするステップ、次に、十分冷却させた後に、槽と位置合わせがなされている引取りロールにガラスを移動させるステップ、及び、ロールを横断してガラスを進める際に、最初にガラス焼きなまし炉を通して、次に周囲雰囲気に曝す間にガラスを冷却する最終的なステップを含む。酸化を防止するように、プロセスのフロート部分で非酸化性雰囲気が保持されている一方で、ガラスが溶融スズ槽と接触されている。周囲雰囲気は、ガラス焼きなまし炉の中に保持されている。種々の被膜の化学蒸着（CVD）は、槽又はガラス焼きなまし炉の中で、或いはそれらの間の移行ゾーンの中で、高温ガラスの面と、熱分解して金属酸化物被膜を形成する反応体を含有する化学気相とを接触させることによって、好都合に実行することが可能である。このためには、当然、その化学反応体は、それらの熱分解温度より低い気化温度を有している必要がある。CVD技法により気化させてガラス上に金属酸化物被膜を形成することが可能な金属含有化合物は、多数存在している。特に対象となるのは、気化されて酸化スズ被膜を形成するスズ酸化物である。
【０００３】
例えばガラス上への、酸化スズ等の所定の金属酸化物被膜の望ましい性能特性は、低い放射率、低いシート抵抗、高い光透過率、及び高い赤外線反射率等であり、それらは金属酸化物被膜の中にドーパントを組込むことによって向上される。従来技術でドーパントとして用いられている物質の中には、アンチモンもある。アンチモンは、通常、ハロゲン化アンチモン（例えば、SbCl3）等のように、無機アンチモン化合物の形で提供されてきた。
【０００４】
ガラス蒸着プロセスで用いられる反応体の物理的形態は、概して、液体、固体、気化した液体又は固体、キャリア・ガス混合物内に分散された液体又は固体、若しくはキャリア・ガス混合物内に分散された気化した液体又は固体である。化学蒸着のプロセスでは、概して、気化した液体又は固体が用いられ、それらは通常、キャリア・ガス混合物内に分散されている。
【０００５】
特許文献１には、有機アンチモン・ルイス塩基付加物が開示されており、それが、多種多様な化学蒸着を用いたアンチモン薄膜の形成、及びSb−イオン注入に有用であると記載されている。本発明には、ルイス塩基付加物も含んでおらず、且つアンチモン化金属の形成若しくはイオン注入も含んでいない。更に、前記特許文献１には、以下の化学蒸着法：化学蒸着法と、（例えば、レーザ、光、プラズマ、イオン等）利用型化学蒸着法だけしか開示されていない。
【０００６】
CVDプロセスを用いて、高温ガラス基板の面にアンチモンがドープされた酸化スズ被膜を適用するために、従来的に公知である方法を改良して、それにより、成膜されたガラス製品のシート抵抗の均一性及び低シート抵抗性を向上させること、且つ、同時に、公知の無機アンチモン・ドーパントで生じてしまう前駆物質材料の望ましくない前反応（pre-reaction）を最小限に抑えることが望ましい。更に、従来的に公知の方法よりも安価な、高温ガラス基板の面にアンチモン・ドープ酸化スズ被膜を適用するための方法を提供することが望ましい。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第6,005,127号
【特許文献２】米国特許出願第09/625,921号
【特許文献３】米国特許第5,090,985号
【特許文献４】米国特許第4,504,526号
【特許文献５】米国特許第4,377,613号
【発明の開示】
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、高温ガラス基板の面にアンチモン・ドープ金属酸化物被膜を適用するための化学蒸着に関して方向付けられている。好適には、この金属は、スズ化合物である。最も好適には、このスズ化合物は、有機スズ化合物である。驚くべきことに、ガラス上の、アンチモン・ドープ金属酸化物被膜、特に、スズ酸化物被膜の望ましい特性は、
高温ガラス基板の面にアンチモン・ドープ金属酸化物被膜を適用する化学蒸着プロセスであって、
ａ）その上にアンチモン・ドープ金属酸化物被膜が蒸着される面を含む高温ガラス基板を提供するステップと、
ｂ）金属化合物、酸素含有化合物、水、及び550°F未満の温度で前記酸素含有化合物又は水と前反応をしない有機アンチモン化合物を含む均一な、且つ気化された反応混合物を提供するステップと、
ｃ）前記高温ガラス基板の前記面に前記気化された反応混合物を送込んで、前記混合物を反応させて、前記高温ガラス基板の前記面上にアンチモン・ドープ金属酸化物被膜を蒸着するステップと、
ｄ）前記蒸着されたガラス基板を周囲温度に冷却するステップとを有するプロセスを利用することによって向上される。
【０００９】
酸素の供給源が本発明のプロセスに対して必要であり、好適には、空気、気体酸素、及び分子酸素の中から選択される。
【００１０】
一好適実施例では、ナトリウム拡散バリヤーが、好適には、シリカ層が、アンチモン・ドープ金属酸化物を蒸着する前にガラス基板の面に適用される。本発明のこのプロセスは、アンチモン・ドープ金属酸化物被膜を備えているガラス製品に対して特に適切であり、且つ、エネルギー効率のよい建築ガラス、航空機又は自動車のガラス、及び多種多様な光学デバイス又は電子デバイスに対して有用である。
【００１１】
同時係属中の特許文献２には、ガラス基板上に蒸着及び付着されるアンチモン・ドープ酸化スズ薄膜と、このアンチモン・ドープ酸化スズ被膜の上に蒸着及び付着されるフッ素・ドープ酸化スズの被膜とが開示されている。その結果による成膜されたガラス製品は、高い太陽エネルギー選択性を有している。ここでの言及を以って、特許文献２の全文を本明細書の一部とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
金属酸化物被膜は、特に、アンチモンでドープされた酸化スズ被膜は、当技術分野において化学蒸着（CVD）として公知であるプロセスによって、高温のガラス基板の面上に成膜され得る。本発明のこのプロセスにより、その反応体が結合されて、高温のガラス基板の面上に送込まれる均一な、且つ気化された反応体の流れが形成される。この気化された反応体の流れが反応して、高温のガラス基板の面上にアンチモン・ドープ金属酸化物被膜が成膜される。高温ガラスの面上に存在している必要がある酸化性雰囲気の中で、有機金属化合物が、好適には、有機スズ被膜化合物が、熱分解して金属／酸化スズの被膜が形成される。
【００１３】
このプロセスは、通常、ガラス製造の際に、フロート・ガラス製法（フロート法）を用いて行われ、ガラスがまだ高温である間に、フロート槽、ガラス焼きなまし炉、若しくは槽と炉との間の移行ゾーンの中で生じる。このガラス基板は、概ね約750°F乃至約1500°Fの範囲内の温度で提供される。これらは、ガラスがフロート・ガラス製法を用いて製造される際の種々のステージにおける、大体の温度である。より詳述すると、この成膜プロセスは、900°F乃至1350°Fの範囲の温度で、好適には、1100°F乃至1280°Fの範囲の温度で実行される。
【００１４】
本発明によるプロセスで用いるのに適切なガラス基板には、当技術分野において公知の、成膜されたガラス製品の準備用の任意の従来式ガラス基板が含まれる。自動車の窓ガラス及びプレート・ガラスの製造に用いられる典型的なガラス基板は、一般的にソーダ石灰ケイ酸ガラスと呼ばれている。一般的には、別の適切なガラスに、アルカリ石灰ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウ素−アルミノケイ酸ガラス、リン酸ガラス、石英ガラス等、及びそれらを組合わせたものが指定されてよい。好適なガラスは、ソーダ石灰ケイ酸ガラスである。
【００１５】
好適には、本発明のCVD反応体の流れは、気化されて、前進されているガラス・リボンの面の付近若しくは所定の点に運搬される有機スズ被膜化合物を含んでいる。本発明を実行するのに有用な適切な有機スズ化合物には、二塩化ジメチルスズ、二塩化ジエチルスズ、二酢酸ジブチルスズ、テトラメチルスズ、三塩化メチルスズ、塩化トリエチルスズ、塩化トリメチルスズ、三塩化エチルスズ、三塩化プロピルスズ、三塩化イソプロピルスズ、三塩化s−ブチルスズ、三塩化t−ブチルスズ、三塩化フェニルスズ、三塩化カルボエトキシエチルスズ等、及びそれらを組合わせたものが含まれる（具体的に引用されたそれらだけに制限されるわけではない）。これらの化合物は、高温ガラス上に酸化スズ被膜を適用するための前駆物質として、CVD技法の分野で一般的に公知であり、且つ市販もされている。好適な有機スズ化合物は、二塩化ジメチルスズである。この有機スズ化合物と、所望に応じて、キャリア・ガス、酸化剤、安定剤、炭化水素、不活性ガス、及びその他同様のものとが気化されて、ガス状の有機スズ反応体の流れが形成される。ここでは、このガス状の有機スズ反応体の流れという用語は、気化された有機スズ化合物、酸化剤、及び不活性キャリア・ガスを概ね有するものとして用いられている。
【００１６】
この気化された有機スズ化合物は、当技術分野において公知の、例えば、分散又は流動化された有機スズ粉末を気化させる方法、高温キャリア・ガスの流れによる充填層内の有機スズ粒子を気化させる方法、可溶性の有機スズ化合物を高温キャリヤ・ガスの流れの中へ注入する方法、液体有機スズ化合物を通してキャリヤ・ガスを気泡化させる方法等の任意の手順によって準備することが可能である。気化された有機スズ化合物を含む反応体の流れを準備するための好適な方法は、例えば、特許文献３に開示されているように、混合ガスの存在下で、薄膜蒸発装置内で化合物を気化する方法である。ここでの言及を以って、該文献の全文を本明細書の一部とする。上述のように、概ねヘリウム、窒素、若しくはアルゴン、或いはそれらの混合物等の不活性キャリヤ・ガスから成るこの気体の流れは、所望に応じて水若しくは酸素等の酸化剤を含んでいてよい。好適なキャリア・ガスは、酸素を酸化剤として含むヘリウム及び窒素、並びにそれらの混合物である。その結果の気化された有機スズを含む反応体の流れは、概ね約250°F乃至約450°Fの温度に加熱され、次に、高温ガラス基板の面の反応ゾーンに運搬される。このとき、このガラス面に最も近い成膜装置の面での温度は、約550°F以下である。
【００１７】
有機アンチモン化合物、酸化剤、及び不活性ガスを含む別個の反応体の流れは、本発明の蒸着システムの別の構成要素である。
【００１８】
本発明において有用である有機アンチモン化合物は、
（R1）XSb（R2）3−X      （R1：アリール基、R2：アルキル基、X = 3 又は2）
という化学式で一般的に記述することが可能である。X = 2の場合、前記化合物のファミリーは、ジアリルアルキルアンチモン化合物として公知の化合物になり、本発明で用いるのに適切であるが、後述でより詳細が説明されるように、酸素と前反応を生じる可能性が高い。
【００１９】
上記の化学式でX = 3である場合、化合物の好適なファミリーであるトリアリルアンチモン化合物が形成される。そのような化合物の例には、（Mes）3Sb（ここで、Mes：メシチル若しくは1,3,5トリメチルフェニル）、（Tolyl）3Sb、Ph3Sb、及び（RXC6H5−X）3Sb（ここで、R：1乃至4の炭素原子を有する小鎖有機群（即ち、C1−C4等）であり、X = 1〜5）がある。これらのうち、後述する理由で、Ph3Sbが特に好適である。
【００２０】
蒸着温度での反応性が非常に高く、且つ水若しくは酸素と前反応を生じない、若しくは腐食しないという不可欠な必要条件を満たすアンチモン化合物はほとんどないことがわかっている。上述のトリアリルアンチモン化合物は、これらの基準に合致することが分かっており、従って、本発明に関して好適な化合物である。Ph3Sbは、上述の望ましい特性を備えたトリアリルアンチモン化合物であることに加えて、商業量が入手できるので、特に好適である。
【００２１】
SbCl3等の従来の無機アンチモン前駆物質材料とは違い、このPh3Sbが有機スズ試薬、水、及び酸素と共に用いられた場合に、安定状態のまま残存し、前反応を生じないので、有害なSb／O／Cl固体化合物は、無視できる量しか生じない。SbCl3等の物質は、水との反応性が高いことが分かっている。更に、水と反応して望ましくない不揮発性の固体化合物を形成するだけでなく、それらは腐食性を有している。
【００２２】
主要な成膜装置上に形成されたそのような固体物質は、蒸着の効率を低下させてしまう。それどころか、最悪の場合には、蒸着作業が完全に中断されてしまう。本発明の、空気、及び水に対して安定である有機アンチモン前駆物質によって、Sb／O／Cl固体物質の形成が原因である整備のための頻繁な中断が減少されるので、作業の不活動時間が短縮される。
【００２３】
有機アンチモンを含有する反応体の流れは、その上に被膜が蒸着される高温ガラス基板の面に反応体を運搬する前に、所定位置で有機スズ反応体の流れと結合するが、好適には、それは非常に近接した位置で行われる。有機アンチモンを含有するこの反応体の流れは、有機スズの気化に関して前述された方法等の、任意の適切な方法を用いて化合物を気化することにより準備することが可能である。有機アンチモンを含有するこの気化された反応体の流れと、気化された有機スズ化合物を含有する反応体の流れとは、これら2つのガス状の流れが高温ガラス基板の面に送出される前に、混合することにより結合され得る。或いは、液体状若しくは溶液状の有機アンチモン含有反応体の流れが、気化された有機スズ化合物を含む高温の反応体の流れの中に噴射されてもよく、それにより、アンチモン含有の溶液状若しくは液体状の化合物が気化される。結合後に、有機スズ、有機アンチモン、水、及び酸素含有化合物から成る気化された反応体が、高温のガラスの面に運ばれて、そこでそれらが互いに反応して、その上にアンチモン・ドープ酸化スズの被膜が蒸着される。
【００２４】
一好適実施例では、二塩化ジメチルスズと、窒素、ヘリウム、若しくはそれらの混合物等の不活性キャリヤ・ガスとを上述のような蒸発装置内で気化させることにより、有機スズ反応体の流れが形成される。次に、生成されたガス状の流れが、ガス状の酸素と結合する。同時に、Ph3Sb及び水が気化されて、その結果生じた有機アンチモン及び水蒸気から成るガス状の反応体の流れが、ガス状の有機スズ反応体の流れと結合して、均一且つガス状の反応体の流れが形成される。この均一なガス状の反応体の流れが高温ガラス基板の面に運ばれて、それにより、アンチモン・ドープ酸化スズ被膜がこの高温ガラス基板の面上に蒸着される。この均一なガス状の反応体の流れは、任意の適切な成膜装置でガラスの面に送られてよい。好適な成膜装置の1つが、特許文献４に示されており、ここでの言及を以って、その全文を本明細書の一部とする。
【００２５】
本発明によれば、高温ガラス基板の面に送られた均一なガス状の反応体の混合物は、好適には、約10%乃至60%の酸素、約2%乃至50%の水、及び約0.01%乃至4%の有機アンチモンを含み、最も好適には、約10%乃至50%の酸素、約15%乃至35%の水、及び約0.01%乃至約0.05%の有機アンチモンを含む（示されているパーセントは全てモル%である）。更に、この均一なガス状の反応体の混合物は、所望する酸化スズ被膜の厚さ及び基板のライン・スピードに応じた所望の濃度の有機スズ混合物を含む。即ち、当業者が理解されるように、所望の基板のライン・スピードで所望の厚さの被膜を適用するのに十分な量の有機スズがガス状の反応体の混合物内に提供される。従来の商業運転の場合、ガス状の反応体の混合物は、約0.01%乃至約8%の有機スズを含む。
【００２６】
本発明に従ってアンチモン・ドープ酸化スズ被膜を形成する際に、ガラス基板とアンチモン・ドープ酸化スズ被膜との間に、ナトリウム拡散バリヤーとして機能する物質層が適用されるのが好ましいことにも留意されたい。成膜されたガラス製品は、本発明に従ってアンチモン・ドープ酸化スズ被膜が、間にナトリウム拡散バリヤー層を備えてガラスに成膜される場合には、ガラス上に直接的に適用する場合とは対照的に、低い放射率、低いシート抵抗、及び低い曇り度（haze）を有することが分かっている。このナトリウム拡散層は、好適には、シリカで形成される。このシリカ層は、好適には、従来式のCVD技法を用いて形成される。
【００２７】
より好適な実施例では、最初に酸化スズの薄膜が高温ガラス基板の面上に成膜され、更に、その上にシリカの薄膜が成膜されて、それにより、酸化スズ／シリカの下層構造が、ガラスと、その後に成膜されるアンチモン・ドープ酸化スズ層との中間層を形成する。この実施例では、シリカ薄膜は、ナトリウム拡散層として機能するだけでなく、第1の（ドープされていない）酸化スズ薄膜と組合わさって、できあがった成膜ガラス製品に真珠光沢が生じることを抑制するのにも役立っている。そのような真珠光沢防止層の利用法は、特許文献５に開示されており、ここでの言及を以ってその全文を本明細書の一部とする。
【００２８】
本発明に従って、気化された反応体を首尾よく結合させ、且つ送込むことに関して、作業条件は、細部にわたって重大な意味を有するものではないことに留意する必要がある。上述の作業条件は、従来式に本発明を実行するということに関して説明されたものにすぎない。しかしながら、上記の作業条件が、開示された範囲内で含まれる各化合物に対してそのまま適用可能でない場合もある。こういったことが生じる化合物は、当業者には容易に理解できるであろう。そのような場合は全て、いずれの処理も、例えば、温度条件の増減、反応体である有機スズ及び有機アンチモンの配合比の変更、気化の作業条件のルーチン的な変更等による当業者に公知の従来的な修正によって、首尾よく実行することが可能であり、或いは、他の点では従来的である別の作業条件を適用することによって本発明を実行することが可能である。
【００２９】
更に、本発明のプロセスが、複数の連続的な層で構成される被膜が形成されるように、所望に応じて所定基板上で繰返されてもよいことにも留意されたい。このとき、各層の組成が同一である必要はない。反応体に対して所定の流速が与えられた場合に、被膜層の厚さが基板の移動速度に依存するのは至極明白である。これらの条件下で、2以上の成膜装置を並置することによって、所望に応じて反応体ステーションが拡大されてもよい。この方法によって、層が冷却されてしまう前に次の層が重ねられて、非常に均質的な全面的な被膜が生成される。
【００３０】
本発明は、本発明を代表する特定の実施例を参照することで、より容易に理解することができる。しかしながら、この特定の実施例は、例示の目的のためだけに提供されたものであり、本発明は、その精神及び範疇から外れることなく、特に例示がなされたもの以外の方法を用いても実行し得ることを理解されたい。
【実施例】
【００３１】
（例１及び例２）
以下の実験的な条件が、例１及び例２に適用可能である。
【００３２】
実験室の炉は、1つ若しくは複数のガラス・シートを、200インチ／分の速度で炉の中を通して移動させるための移動用コンベヤーを備えており、更に、単一の、10インチ幅の、双方向性成膜装置を含んでいる。この成膜装置は、化学蒸着によって薄膜若しくは積層膜を形成するように、気化された反応体をガラス・シートの面に搬送するのに適している。
【００３３】
ガラス・シートが約1170°Fに加熱されるのに対して、この成膜装置は、反応器の面（即ち、ガラス面に最も近い部分）での温度が約500°Fである。
【００３４】
種々の前駆物質の準備は、「バブラー（bubbler）」として公知の複数のソース・チャンバ（source chamber）を利用することにより達成される。それは、酢酸エチル（EtOAc）、トリフェニルアンチモン（Ph3Sb）、及び二塩化ジメチルスズ（Me2SnCl2）の各々に対するバブラであり、特定温度に保持される。このバブラの中には、特定の流速でヘリウム・ガスが導入される。
【００３５】
特定のソース若しくはバブラの温度と流速との関係は、以下の通りである。
【００３６】
【表１】
2005508819.tif 000002
【００３７】
用意された反応体は、5.25 slmの流速の酸素（O2）、及び12.4 slmの流速の水（H2O）と共に、実験室の成膜装置の中に導入される。
【００３８】
上述の種々の反応体が成膜装置の中で結合して、それにより、アンチモン・ドープ酸化スズ被膜が、この場合には、予め200Åの厚さのSiO2層が成膜されている透明なソーダ石灰ケイ酸ガラスの上に成膜される。
【００３９】
【表２】
2005508819.tif 000003
【００４０】
薄膜の厚さは、側面計を用いて測定される。
【００４１】
Tvisは、スペクトルの可視領域（400nm乃至800nm）の光が、成膜されたガラスを通るときの透過率である。
【００４２】
Tsolは、太陽放射が、成膜されたガラスを通るときの透過率である。
【００４３】
EtOAcバブラを通るHeの流速が、例１では0.75 slmであるのに対して、例２では0.50 slmであることにも留意されたい。その他のパラメータは、両例に関して前述した通りである。
【００４４】
これらの試験によって生成された薄膜は、厚さ及び導電率が均一であり、低い曇り度及び優れた太陽エネルギー選択吸収特性を有する。
【００４５】
（例３）
適格なアンチモン・ドープ酸化スズ薄膜は、酢酸エチル（EtOAc）中に溶解されたトリフェニルアンチモン（Ph3Sb）等の、アリルアンチモン化合物溶液を利用しても生成可能である。その他の適切な溶剤には、それらだけに制限されるものではないが、ヘキサン、トルエン、ジクロロメタン、及びアセトニトリルが含まれる。例１及び例２と同様に、ガス状二塩化ジメチルスズ（Me2SnCl2）を通して不活性ガスが気泡化される。例１及び例２と同様に、反応体の流れが共に、酸素及び水と結合する。
【００４６】
例３における実験室の炉の条件及び成膜装置は、例１及び例２の場合と同じである。
【００４７】
重量にして18%のPh3Sbを含み、流速が毎分11立方センチメートルであるPh3Sb／EtOAcの反応体の流れは、5.25 slmの流速の酸素及び12.4 slmの流速の水と共に、1.2 slmの流速のガスをガス状のMe2SnCl2を通して吹込み気泡化させることにより生成されるMe2SnCl2の反応体の流れと結合して、予め200Åのケイ酸バリヤー層が上に成膜されているソーダ石灰ケイ酸基板上に薄膜を形成する。成膜される薄膜は、以下の特性を備えている。
【００４８】
【表３】
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【００４９】
本発明は、その好適実施例と考えられるものに関して説明がなされてきた。しかしながら、この特定の実施例は、例示の目的のためだけに提供されたものであり、本発明は、その精神及び範疇から外れることなく、特に例示がなされたもの以外の方法を用いても実行し得ることを理解されたい。
【国際調査報告】
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