(57)【要約】装置10はハウジング11内に配置されたデジタルマイクロミラー装置16を含んでおり、ハウジングは蓋17により密封された開口13を有する。蓋は金属フレーム21と、フレームを通って設けられた開口23に支持されている放射透過性ウィンドウ素子41と、ウィンドウ素子の一側面に設けられたクロム層42とを含んでいる、クロム層はそれを貫通する穴43を有し、穴に隣接するクロム層のエッジ部分61はウィンドウ素子に関して、既存の装置よりも大きい鋭角62を形成する。この鋭角の形成技術はポジのフォトレジスト材料101の使用を含んでいる。
2005516256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓋を具備する装置において、
予め定められた波長の放射線に対して透過性であり、その一方の側に表面を有するウィンドウと、
前記ウィンドウの前記表面に隣接して設けられ、前記予め定められた波長の放射線に対して透過性の層とを具備し、前記層は貫通する開口部とその開口部の周囲に延在するエッジとを有し、そのエッジは前記表面に関して約１５゜よりも大きい鋭角で傾斜されている装置。
【請求項２】
前記鋭角は約２０゜よりも大きい請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記鋭角は約２２．５゜である請求項２記載の装置。
【請求項４】
反射防止材料の２つの隔てられた被覆層を含んでおり、前記ウィンドウと前記層とはそれぞれ前記被覆層間に配置されている請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記蓋は底を貫通する開口を有するフレームを含んでおり、前記ウィンドウは前記フレームを通して前記開口内に固定して取付けられている請求項１記載の装置。
【請求項６】
チャンバと、そのチャンバと連通する開口が貫通しているハウジングを含み、前記蓋は前記開口を遮断し、前記ハウジングに密封され、さらに前記ウィンドウに関して選択された方向付けで前記ハウジング内に支持されているデジタルマイクロミラー装置を含んでいる請求項１記載の装置。
【請求項７】
予め定められた波長の放射線に対して透過性であり、そこに表面を有するウィンドウを設け、
前記予め定められた波長の放射線に対して不透過性であり、それを貫通する開口部を有する層を前記ウィンドウの表面に隣接して設け、
前記開口部を囲んで延在する前記層のエッジを前記表面に関して約１５゜よりも大きい鋭角で延在する勾配を有するように形成するステップを含んでいる方法。
【請求項８】
前記形成するステップは約２０゜よりも大きいように前記鋭角を選択するステップを含んでいる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記形成するステップは約２２．５゜であるように前記鋭角を選択するステップを含んでいる請求項８記載の方法。
【請求項１０】
予め定められた波長の放射線に対して透過性であり、第１および第２の部分を有する表面をそこに有するウィンドウを設け、
前記表面の第１および第２の部分にポジのフォトレジスト材料の層を形成し、
前記表面の前記第１の部分の前記フォトレジスト材料の選択された部分を除去して前記表面の前記第２の部分上に前記フォトレジスト材料の残りの部分を残し、
前記フォトレジスト材料の前記残りの部分上および前記表面の前記第１の部分上に前記予め定められた波長の放射線に対して不透過性の材料の層を形成し、この不透過性材料の層は前記表面に対して垂直以外の方向で前記不透過性の材料をさらに被覆することによって形成され、それによって前記表面の前記第１の部分の前記不透過性の材料は、前記フォトレジストの前記残りの部分に隣接してその周辺を囲んで延在するエッジ部分が、前記表面に関して約１５゜よりも大きい鋭角で延在する勾配を有するように形成され、
その後、前記フォトレジスト材料の前記残りの部分と、その上の前記不透過性材料の層の部分を除去し、それにより前記不透過性の材料の層にそれを貫通する開口部を形成し、その開口部は、その周囲に沿って延在する前記不透過性材料の層の前記エッジ部分を形成されるステップを含んでいる方法。
【請求項１１】
前記エッジ部分の前記勾配を約２０゜よりも大きくさせるステップを含んでいる請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記エッジ部分の前記勾配を約２２．５゜にさせるステップを含んでいる請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記除去するステップは、前記残りの部分から前記選択された部分を区別するために、フォトレジスト材料の前記層をパターン化し、その後、前記フォトレジスト材料の前記選択された部分を化学的に除去するステップを含んでいる請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
フォトレジスト材料の前記層を形成し、前記不透過性の材料の層を形成する前記ステップは、フォトレジスト材料の前記層が前記不透過性の材料の層の数倍の厚さであるように形成される請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
フォトレジスト材料の前記層を形成し、前記不透過性の材料の層を形成する前記ステップは、フォトレジスト材料の前記層が前記不透過性の材料の層の約１６倍の厚さであるように形成される請求項１４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射透過性ウィンドウを有する蓋に関し、特に穴を有する不透明層をウィンドウに隣接している蓋に関する。
【背景技術】
【０００２】
既存の装置は蓋により閉じられている開口を有するハウジングを含んでおり、蓋はフレームを有し、フレームに密封されているウィンドウを有し、そのウィンドウは問題とする波長帯域の放射に透過性である。クロム層がウィンドウの一側面に設けられ、直線の側面と僅かに丸身を帯びた角を有する長方形の穴が貫通している。装置はハウジング内に既知のタイプのデジタルマイクロミラー装置（ＤＭＤ）を含んでいる。
【０００３】
放射ビームは蓋のウィンドウを通ってハウジングに入り、複数のサブビームを形成するためにＤＭＤにより処理される。いくつかのサブビームはその後、穴とウィンドウとを通ってハウジングを出て、例えばテレビジョンまたは映画館のスクリーンに投射されるイメージの生成を助ける。このタイプの既知の蓋は通常、意図する目的に適切であるが、これらは全ての面で成功していない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これに関して、ウィンドウおよび穴を通ってハウジングを出るサブビームがスクリーンに投射されたイメージを形成するとき、このイメージは典型的に比較的暗いことを意図される境界部領域により囲まれている。しかしながら、明るい光の目立った線またはゾーンは時折、暗い境界部領域内に現われる。幾つかのケースでは、光の２以上のこれらの望ましくない線またはゾーンの光が同時に現われる。これらの望ましくない線またはゾーンは既知の蓋により幾つかの方法で生じると考えられていたが、蓋がこの問題をどのようにして生じるかは明白に理解されていなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前述の説明から、投影されたイメージ周辺の境界部に照射の不所望な領域を避ける蓋を含む方法および装置の必要性が生じていることが認識されよう。本発明の第１の形態によれば、この必要性を解決する方法および装置が提供され、予め定められた波長の放射線に対して透過性であり、そこに表面を有するウィンドウを設け、予め定められた波長の放射線に対して不透過性であり、それを貫通する開口部を有する層をウィンドウの表面に隣接して設け、開口の周囲に延在する層のエッジをウィンドウの表面に関して約１５゜よりも大きい鋭角で延在する勾配を有するように形成するステップを含んでいる。
【０００６】
本発明の異なる形態によれば、その方法は、予め定められた波長の放射線に対して透過性であり、第１および第２の部分を有する表面をそこに有するウィンドウを設け、表面の第１および第２の部分にポジのフォトレジスト材料の層を形成し、表面の第１の部分のフォトレジスト材料の選択された部分を除去して表面の第２の部分上にフォトレジスト材料の残りの部分を残し、フォトレジスト材料の残りの部分上および表面の第１の部分上に予め定められた波長の放射線に対して不透過性の材料の層をさらに形成し、この不透過性の材料の層は表面に対して垂直以外の方向で不透過性の材料を被覆することによって形成され、それによって表面の第１の部分の不透過性の材料は、フォトレジストの残りの部分に隣接してその周辺を囲んで延在するエッジ部分が表面に関して約１５゜よりも大きい鋭角で延在するように勾配を有するように形成され、その後、フォトレジスト材料の残りの部分と、その上の不透過性材料の層の部分を除去し、それにより前記不透過性の材料の層にそれを貫通する開口部を形成し、その開口部は、その周囲に沿って延在する不透過性の材料の層のエッジ部分を形成されるステップを含んでいる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の良好な理解は、添付図面を伴った以下の詳細な説明から実現されよう。  
図１は、本発明の特徴を実施する装置10の側断面図である。図１を含めた図面では、明瞭にして、本発明の明白な理解を与えるために、ある構造は実寸大に示されていない。１例として、以下の説明から、幾つかの層の厚さは他の層の厚さと比較して図面では誇張されていることが明白になるであろう。別の例として、類似の理由で、幾つかの角度は誇張されたサイズで示されている。
【０００８】
図１では、装置10はチャンバ12を有するハウジング11を含んでおり、それは垂直方向の開口13が貫通している上部壁を有している。既知のタイプのデジタルマイクロミラー装置（ＤＭＤ）16は、ハウジング12の下部壁の上部表面上の中央位置において、チャンバ12内で支持されている。
【０００９】
ＤＭＤ16はマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置として一般的に知られている装置のクラス内に入る。ＤＭＤ16はその上部面上に図面では見られない小さい反射性ミラーの２次元アレイを有する。それらのミラーはそれぞれイメージの各画素に対応し、それぞれ電気制御信号に応答してＤＭＤ16により独立して物理的に動かされることができる。
【００１０】
蓋17はハウジングの上部に設けられている。蓋17の周囲エッジはハウジング11の内部および外部間でハーメチックシールを行う方法で、ハウジング11の上部表面に対して既知の方法でシーム溶接される。ガスがチャンバ12内の領域18に与えられ、蓋17はこのガスがチャンバ12から放出されないことを確実にする。ガスはそれらの運動を容易にし、比較的長い動作寿命を有することを確実にするように、ＤＭＤ16の２次元アレイのミラーを潤滑にする役目を行う。しかしながら、このガスはまたやや腐食性であり、開示された実施形態のハウジング11および蓋17はしたがってガスからの腐食損傷に対して耐性を有するように構成されている。
【００１１】
蓋17をより詳細に参照すると、図２は明瞭にするために反射防止被覆を省略している蓋17の平面図である。図１および２を参照すると、蓋17はプレート状の金属フレーム21を含み、それは開示された実施形態ではＡＳＴＭ−Ｆ１５のような市場で入手可能なスチール材料から作られている。フレーム21はほぼ正方形の形状を有し、その上部面のフレームの周辺エッジ全体に沿って延在する長方形断面の環状凹部22を有し、それによって外方に突出された環状フランジ24を規定する。図１に示されているように、フランジ24はハウジング11の上部に設けられて開口13周辺に延在する環状表面部分と結合している。
【００１２】
フレーム21はフレーム中心を垂直に延在する開口23を有する。開示された実施形態では、開口23は角が丸くされている点を除いてほぼ長方形の形状である。プレート状のウィンドウ41は開口23と同一の形状および寸法の周辺エッジを有し、開口23内に固定して取付けられている。特に、ウィンドウ41は平行な上部および下部表面を有するプレート状のガラス素子である。開示された実施形態では、ガラス素子41はバージニア州ダンビルのコーニング社のカタログ番号７０５６として市販されているような硼珪酸ガラス材料から作られている。この特定のガラス材料は約５４５ｎｍの波長を中心として、約４２０ｎｍから約７００ｎｍの範囲の放射線に透過性である。しかしながら、代わりに、異なる波長範囲の放射線に透過性である異なる材料を使用することも可能である。蓋17の組立て中に、フレーム21とガラス素子41はガラス素子41の周辺エッジが軟化する温度まで加熱され、その後蓋は室温まで冷却され、既知の方法でガラス素子の周辺エッジを開口23の周辺エッジへ融着される。
【００１３】
ガラス素子41はその下面に薄いクロム層42を有する。このクロム層42は厚さ約１，５００オングストロームを有し、約４２０ｎｍから７００ｎｍの問題とする範囲の波長の放射線に対して透過性ではない。図２で最良に見られるように、クロム層42はそれを垂直に貫通して延在する穴43を有する。開示された実施形態では、クロム層42は別々に示されていない３つのサブ層、特に間に酸化クロム層が挟まれている２つの間隔を隔てられたクロム層を含んでいる。しかしながら、層42は代わりに幾つかの他の適切な材料から作られ、または幾つかの他の適切な構造を有することができる。
【００１４】
ガラス素子41とクロム層42とは反射防止材料の２つの被覆56と57との間に挟まれている。開示された実施形態では、反射防止被覆56と57はそれぞれ技術で知られているタイプの多層被覆である。それ故、種々の層およびそれらが作られる材料は例示されず、ここでは詳細に説明しない。ここでは蓋17の下部の被覆57の最も外部の層がハウジング11の領域18内で与えられたガスの腐食特性に対して耐性である材料から作られていることを述べるだけで十分である。開示された実施形態では、この材料は弗化マグネシウムであるが、代わりに二酸化珪素のような幾つかの他の適切な材料である。被覆56と57はそれぞれ厚さ約２，６００オングストロームを有する。被覆56と57は前述したように約４２０ｎｍから約７００ｎｍの波長を含む問題とする範囲内の放射に対して透過性である。
【００１５】
別に示されていない開示された実施形態の変形では、反射防止被覆57はクロム層42の前にガラス素子41に施される。その後、クロム層42は反射防止被覆57上に形成されることができる。
【００１６】
図３は図２の断面線３−３に沿って取った部分的側断面図であり、拡大したスケールで図１の蓋17の一部分を示している。図３に示されているように、クロム層42は穴43を規定しているその最も内部のエッジに隣接して延在している周囲エッジ部分61を有し、それはガラス素子41の下部表面64に関して鋭角62で勾配を付けられまたは傾斜されている。開示された実施形態では、角度62は約２２．５゜である。既存の蓋では、傾斜または勾配の角度は実質上もっと小さく、例えば４゜から６゜である。
【００１７】
図１−３の実施形態の動作を簡単に説明する。図１で２つの矢印71により概略的に示されている入来する放射線ビームはガラス素子41と反射防止層56−57を通過し、ＤＭＤ16に到達する。ＤＭＤ16の各ミラーはそのミラーの現在の物理的位置により決定されたそれぞれの方向でビームのそれぞれの部分を反射する。これらの種々の独立して反射されたオリジナルビームの反射された部分をここではそれぞれサブビームを呼ぶ。これらのサブビームはその後、種々の異なる方向でＤＭＤ16から伝播し、少なくともそれらの幾らかは２つの矢印72により概略的に示されているように、ガラス素子41と反射防止被覆56−57を通過して戻る。簡単にする目的で、入来する放射71と放出される放射72を表す矢印は図１では垂線として示されているが、種々の異なるビームおよびサブビームが種々の異なる方向で典型的に伝播することが認識されるであろう。
【００１８】
一般的に、ＤＭＤのミラーの１つがその“オン”状態であるとき、そのミラーに到達する入来する放射71はガラス素子71と反射防止被覆56−57を通して伝播されるように反射される。対照的に、ミラーがその“オフ”状態であるとき、そのミラーに到達する入来する放射71は反射されてガラス素子41の方向以外の方向に伝播し、通常この放射はハウジング11内で放散される。開示された実施形態では、ミラーの２次元アレイの周囲に位置するミラーの幾つかの行は全て“オフ”状態で連続的に維持されており、したがって、常にオフであるミラーのリングを規定し、残りのミラーにより発生されるイメージ周辺の良好に規定された長方形エッジまたは境界部を提供する。残りの各ミラーがその“オン”状態であるときはいつでも、ガラス素子41と被覆56−57を通って伝播するそれぞれのサブビームの形状で放射を反射する。“オン”状態のミラーからのこれらの全てのサブビームはクロム層42のエッジ43から内部方向に隔てられている位置において、クロム層42内の穴43を通過する。
【００１９】
図３を参照すると、反射防止被覆56とガラス素子41を通過する幾らかの放射線71はクロム層42に衝突する。前述したように、クロム層42は３つのサブ層を含み、酸化クロムの中央のサブ層が２つのクロム層間に挟まれている。酸化クロムは問題とする範囲の放射線を吸収する傾向がある。したがって、クロム層42がその厚さをフルに有する場合、クロム層42に衝突する放射線71は吸収される。しかしながら、クロム層42の傾斜されたエッジ部分61では、酸化クロムのサブ層も傾斜している。酸化クロムのサブ層はしたがって、エッジ部分61では層42の他の場所ほどの厚さはなく、したがって放射線71の吸収能力が少ない。結果として、エッジ部分61は81で概略して示されているように、放射線71の幾らかを反射させることができる。
【００２０】
前述したように、説明される実施形態のエッジ部分61は２２．５゜の鋭角62で勾配を付けられ、これは反射される放射81が問題のイメージを形成する反射されたサブビーム72（図１）とは著しく異なる方向に伝播するように十分に大きい角度である。本発明によれば、不所望の光効果を防止するため、角度62は約１５゜よりも大きくなければならず、約２０゜よりも大きいことが好ましい。対照的に、後述するように、既存の蓋ではエッジ61の角度が非常に小さく、例えば４゜から６゜である。
【００２１】
このような既存の蓋では、クロム層のエッジ部分は82で概略して示されているように、サブビーム72の方向とは僅かにのみ異なる方向で放射を反射する。方向82の反射はまた、例えばこれらの反射を発生するそれぞれのエッジ部分のエネルギ吸収酸化クロムの異なる厚さが異なるために、反射81よりも高い強度を有する可能性がある。結果として、既存の蓋を使用するシステムでは、82の不所望の反射は投射されたイメージ周辺の境界部に光の不所望な線またはゾーンを発生する。しかし、開示された実施形態のエッジ部分61は既存の蓋よりも非常に大きい角度62を有するので、81のような任意の不所望な反射はイメージが伝播する方向とは非常に異なる方向に伝播し、それによって投射されたイメージ周辺の境界部における光の不所望な線またはゾーンを避けることができる。
【００２２】
約２２．５゜の有効な角度62を有するような方法でクロム層42のエッジ部分61を製造する技術を説明する。蓋17の大部分の特徴で適切な製造技術は既に技術で知られているので、以下の説明は蓋17を製造する手順全体を説明するのではなく、代わりにそのエッジ部分61が適切な勾配または傾斜を有するような方法によるクロム層42の製造に関連する手順部分に焦点を当てている。
【００２３】
このことに関して、図４は図３に類似しているが、反射防止被覆56−57が施される前の蓋17の製造プロセスの初期段階を示している側断面図である。クロム層42が形成される前に、ネガのフォトレジスト材料の層101がガラス素子41の表面64上に形成される。開示された実施形態では、フォトレジスト101はShipley Company L.L.C of Marlborough, MassachusettsからカタログS1818として市場で入手可能な材料である。同等のフォトレジスト材料は他の製造業者から入手可能であり、代わりに幾つかの他の適切なポジのフォトレジスト材料を使用することも可能である。
【００２４】
フォトレジスト材料101は表面64を横切って実質的に均一な厚さを有するように施され、これはクロム層42の目的とする厚さの数倍の厚さである。この実質的に均一な厚さは破線102により図４で概略的に示されている。開示された実施形態では、フォトレジスト材料101は約２．４μｍから約２．７μｍの厚さを有し、または換言するとクロム層42の目的とする厚さの約１６．３倍である厚さを有している。
【００２５】
適切な厚さにフォトレジスト材料101を施す１つの適切な技術は、表面64の中心に予め定められた量のフォトレジスト材料101を置き、遠心力が表面64を横切ってフォトレジスト材料の均一な分布を行うように適切な時間間隔で適切な速度でガラス素子41を含んだ蓋17を回転することである。しかしながら、代わりに所望の厚さでフォトレジスト材料101を施す任意の他の適切な技術を使用することも可能である。例えば、フォトレジスト材料の適切な選択により、これを回転する蓋へスプレーすることが可能である。
【００２６】
次に、図示されていない既知のタイプのガラスマスターパターンがフォトレジスト材料101の層に近接して置かれる。パターンは穴43（図２）が存在する領域にほぼ長方形のマスクを有する。フォトレジスト材料101はガラスマスターパターンを通して露光され、その後パターンは除去される。その後、フォトレジスト材料101を有する蓋17が既知のタイプの化学バス中に置かれ、露光されたフォトレジスト材料101部分を除去し、それによって図４で実線で示されているフォトレジスト材料101の層のマスクによって光から遮断されていた部分を残す。
【００２７】
次に、クロム層42が形成される。開示された実施形態では、これはガラスプレート41から隔てられクロムのソースとして機能するクロム量を含んでいる図示されていない真空チャンバ内でガラスプレート41のプラネタリ回転を行うことにより実行される。真空によって、クロムはソースから蒸発し、ガラスプレート41の表面64だけでなくフォトレジスト材料101の外部表面を含めたチャンバの他の場所に蒸着される。チャンバはこの手順の期間中は真空下に置かれるが、この手順の中の約３分の１を通じて、酸素量がチャンバに導入され、それによって結果として蒸着される材料はクロムではなく酸化クロムである。その後手順の約３分の２を通じて、チャンバは酸素を除去するため、ポンプで排気され、それによってクロムは再度蒸着される。結果としてクロム層42は効率的に別々に図示されていない３つのサブ層を有し、これはクロムの２つのサブ層とそれらの間に挟まれた酸化クロムのサブ層を含んでいる。開示した実施形態はソースからクロム材料を蒸発し、その後、この材料をガラスプレート41に付着するため真空を使用しているが、クロム材料のスパッタリングのような任意の他の適切な技術が代わりに、クロム層42を形成するために使用されることができる。
【００２８】
前述のガラスプレート41のプラネタリ運動のようなファクターにより、クロムおよび／または酸化クロム材料はガラスプレート41とフォトレジスト材料101に種々の方向で近づくが、そのほとんどは表面64に垂直ではない。その結果として、フォトレジスト101はクロム層42の目的とする厚さよりも約１６倍厚いので、フォトレジスト層101はフォトレジスト層101にすぐ隣接して位置されてその周辺に延在するガラス素子41上の表面64の領域を“蔭にする”可能性がある。したがって例えば経路116に沿って移動するクロムまたは酸化クロム材料はフォトレジスト101を通過し、フォトレジスト層101の近くの表面64に付着される。他方で、隣接する経路パス117に沿って移動するクロムまたは酸化クロム材料はフォトレジスト材料101のエッジの非常に近い表面64の部分に通じる方向で移動する。しかしながら、この材料は表面64に到達できる前にフォトレジスト層101に衝突し、そこに付着される。明瞭にするために、フォトレジスト層101に付着されたクロムおよび酸化クロム材料は図面には示されていない。
【００２９】
このシャドウ効果の結果として、フォトレジスト層101の非常に近くの領域の表面64に付着されたクロムおよび酸化クロム材料の量は表面64の他の部分に付着された量よりも少ない。これはクロム層42の傾斜または勾配を付けられたエッジ部分61を生成し、これは表面64に関して鋭角62を形成する。
【００３０】
クロム層42の形成後、フレーム21、ガラスプレート41、フォトレジスト層101、クロム層42を含んだアセンブリはフォトレジスト層101を溶解するために既知のタイプの化学バスに位置され、それによってガラス素子41の表面64から全ての残りのフォトレジスト材料101を除去する。フォトレジスト層101に付着されたクロムおよび酸化クロム材料は非常に薄いので、フォトレジスト層101のサポートなしにはその位置に残ることができず、それ故フォトレジスト層101が溶解すると剥がれ落ちる。ガラスプレート41の表面64に直接付着されているクロム層42はその位置に残り、図１−３で示されているようなクロム層42である。
【００３１】
蓋を製造する既存の技術は101で示されているようなポジのフォトレジストではなくネガのフォトレジストを使用している。技術で知られているように、ネガのフォトレジストは、パターン化された露光に続いて化学的に溶解する部分が露光された部分ではなく露光されない部分であるフォトレジストである。この化学プロセスの最後に、ネガのフォトレジストは破線131により図４で概略して示されているように、表面64に関して非常に急峻な角度を形成する。経路116に沿って移動して付着するクロムまたは酸化クロム材料はポジのフォトレジスト材料101が使用されるとき、ガラスプレート41の表面64に到達することに注意する必要がある。対照的にネガのフォトレジスト材料131が使用されるとき、経路116に沿って移動するクロムまたは酸化クロム材料はフォトレジスト層131に衝突し、表面64に到達せずにそこに付着される。
【００３２】
その結果、ネガのフォトレジスト131の使用は、図４の破線136により概略的に示されているクロム層42のエッジ部分を生じ、表面64に関して約４゜から６゜の非常に小さい鋭角137を形成する。図３に関連して前述したように、この小さい鋭角137を有するエッジ部分136は図３の82で示されているような方向で反射を発生でき、その結果として不所望な光効果になる。対照的に、エッジ部分61が非常に大きい鋭角62を有すると、これは図３の81で示されているような方向で反射を生じさせ、それによって不所望の光効果を防止する。
【００３３】
本発明は幾つかの技術的な利点を提供する。１つのこのような技術的な利点は不所望な光効果が投射されたイメージ周辺の境界部で確実に防止されることである。これはクロム層のエッジ部分の勾配の増加により実現され、これはある不所望な反射の強度および／または伝播方向を変更させる。関連する利点は所望の勾配を有するエッジ部分を有するクロム層を形成するための製造手順の提供から得られる。さらに別の関連する利点はこの製造手順がネガのフォトレジスト材料ではなくポジのフォトレジスト材料の使用を含み、それによって既存の製造手順と比較してプロセスステップまたはコストの付加を避けることができる。
【００３４】
１実施形態について詳細に示し説明したが、置換および変更が特許請求の範囲により規定されている本発明の技術的範囲を逸脱せずに可能であることが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の特徴を実施する装置の側断面図。
【図２】図１の装置のコンポーネントである蓋の平面図。
【図３】図２の蓋の選択された部分を示している図２の断面線３−３に沿った側断面図。
【図４】図３に類似しているが、その製造期間の中間段階における蓋の選択された部分を示している側断面図。
【図１】
2005516256.tif 000003
【図２】
2005516256.tif 000004
【図３】
2005516256.tif 000005
【図４】
2005516256.tif 000006
【国際調査報告】
2005516256.tif 000007
2005516256.tif 000008