(57)【要約】Ｅｕドープされた酸化物ホスト格子からなるＵＶ−青色励起発光物質が一般的組成物ＭＡＬ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘを備え、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｂａのグループからのアルカリ希土金属の少なくとも１つである。
2005529229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光物質、有利にはＬＥＤ適用のための蛍光体であって、該蛍光体は３６０から４７０ｎｍの範囲のＵＶ−青色で励起される形式の発光物質において、
Ｅｕドープされたホスト格子が一般的組成物ＭＡＬ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘを備え、ただしＭはＣａ，Ｓｒ，Ｂａのグループからのアルカリ希土金属の少なくとも１つであり、ｘ≧０．００２かつｘ≦１．５、有利には０．７以下であり、Ｅｕの割合はＭの０．１から２５％である、ことを特徴とするＵＶ−青色励起発光物質。
【請求項２】
ホスト格子はトリジマイト構造から誘導される、請求項１記載のＵＶ−青色励起発光物質。
【請求項３】
Ｍは緑色発光を達成するためのストロンチウムおよび/またはバリウムである、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
【請求項４】
Ｍは青色発光を達成するためのカルシウムである、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
【請求項５】
Ｍは前記物質の少なくとも２つの混合物である、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
【請求項６】
Ｍは有利には４０mol-％までのＺｎを付加的に含む、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
【請求項７】
Ａｌは完全にまたは部分的にＧａにより置き換えられる、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
【請求項８】
Ｓｉは完全にまたは部分的に、有利には２５％以上がＧｅにより置き換えられる、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
【請求項９】
ホスト格子にはさらにＭｎがドープされており、共ドープされたＭｎの量は有利にはＥｕドープの５０％までである、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１つに記載のＵＶ−青色励起発光物質を有する光源（２０）。
【請求項１１】
一次放射光は青色であり、請求項１から９までのいずれか１項記載のＵＶ−青色励起発光物質は他の蛍光体、とりわけ赤色発光蛍光体と一次放射光を長波長の二次放射光に変換するために結合されており、これにより白色光を発する、請求項１０記載の光源。
【請求項１２】
一次放射光はＵＶであり、請求項１から９までのいずれか１項記載のＵＶ−青色励起発光物質は他の蛍光体、とりわけ赤色および青色発光蛍光体と一次放射光を長は称の二次放射光に変換するために結合されており、これにより白色光を発する、請求項１０記載の光源。
【請求項１３】
光源は少なくとも１つのＬＥＤを備える照明デバイスである、請求項１０記載の光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スペクトル領域のＵＶ／青部分で励起可能な発光物質に関するものであり、より詳細には、もっぱらそれに係るものではないが、光源、有利には発光ダイオード（ＬＥＤ）に対する蛍光体に関する。この蛍光体は、希土類付活酸窒化ケイ素のクラスに属する。
【０００２】
背景技術
白色ＬＥＤに関しては、青色発光ダイオードと黄色発光物質との組合せにより実現されている。このような組合せは貧弱な演色性を有するが、赤緑青システム（ＲＧＢ）を使用することにより格段に改善することができる。このようなシステムは例えば赤エミッタおよび青エミッタと、例えばＳｒＡｌ２Ｏ４：ＥｕまたはＢａＡｌ２Ｏ４：Ｅｕの緑発光アルミン酸塩蛍光体との組合せを使用する。ただしＥｕの代わりにＭｎを添加することもできる。その発光マキシムは約５２０ｎｍ前後である。ＵＳ−Ａ６２７８１３５参照。しかしこれらアルミン酸塩の励起バンドおよび発光バンドの位置は最適ではない。これらは３３０から４００ｎｍの範囲の短波長ＵＶにより励起しなければならない。
【０００３】
新たな興味深い発光材料は、Ｅｕ２＋のドープされたαサイアロン材料である。これらはＭｔＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ（１６−ｎ）の構造を有する。ただしＭはＣａまたはＹまたは希土類金属である。値ｔはｍ／ｖａｌ＋として与えられ、ここでｖａｌ＋はイオンＭの原子価の電荷である。例えばＭ＝Ｓｒ２＋のｖａｌ＋値は２である。従って構造全体の電荷は完全に補償されている。さらなる詳細については例えば“Luminescence properties of Tb, Ce, or Eu-Doped α-Sialon Materials”,J. van Krevel et al., J. Sol. St. Chem., April 2002, p.19-24,および“Preparation and Luminescence Spectra Ca and rare Earth co-doped α-SiALON Ceramics“, R.-J. Xie et al. in J.A. Ceram. Soc. 2002, p.1229-1234 May 2002,およびさらにUS-Pub 2002/004392を参照されたい。これらはすべてαサイアロンタイプのＣａサイアロンを取り扱っている。サイアロンの他のタイプは現在のところまだ知られていない。
【０００４】
発明の開示
本発明の課題は、請求項１の上位概念による新たな発光物質を提供することである。本発明のさらなる目的は、ＵＶ／青放射により効率的に励起され、微調整された蛍光体を提供することである。本発明のさらなる課題は、少なくとも１つのＬＥＤを光源として有する照明装置で使用するための蛍光体を提供することであり、このＬＥＤは３６０から４７０ｎｍの範囲の一次放射を発生し、この一次放射は部分的にまたは完全に、長波長放射に蛍光体により変換される。この蛍光体はＬＥＤからの一次放射に曝される。さらなる課題は、白色光を放射し、とりわけ高い演色性を有する照明装置を提供することである。さらなる課題は、ＬＥＤデバイスのように高効率な照明デバイスを提供することであり、このデバイスは３６０から４７０ｎｍの範囲で良好に吸収し、容易に製造できるようにする。
【０００５】
この課題は請求項１および１０の特徴部分の構成によって解決される。とりわけ有利な構成は従属請求項に記載されている。
【０００６】
変換は少なくとも酸窒化蛍光体によって達成される。この蛍光体はＥｕ付活アルミン酸塩またはＥｕ，Ｍｎ共付活アルミン酸塩のクラスから発生する。より詳細には、従来技術の欠点は、窒素をＭＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）に取り込むことにより克服される。その結果、酸窒化蛍光体が生じ、通常は有利にはトリジマイト構造を維持する。しかし他の構造も除外されない。より詳細には（ＡｌＯ）＋は部分的に（ＳｉＮ）＋により置換され、一般的合成物：ＭＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：（ＥｕまたはＥｕ，Ｍｎ）が形成される。値ｘはｘ≧０．００２に設定され、多くの場合ｘ＝１．５である。窒化物Ｓｉ３Ｎ４から誘導された前記の従来技術によるαサイアロンタイプ構造とは反対に、ここでの構造はＳｉＯ２変態、とりわけ有利にはトリジマイト構造から導出され、より酸化物様である。
【０００７】
反対に、αサイアロン物質はいわゆる窒化物構造を示す。言い替えると、これらはＳｉ３Ｎ４をベースとし、ここでＳｉ−Ｎは部分的にＡｌ−Ｏおよび／またはＡｌ−Ｎにより置換される。これら種々異なる構造により種々異なる発光特性が生じる。なぜなら可能なアクティベータがαサイアロンとトリジマイトとで強く異なって、周囲イオンと局所的に相互作用する位置にあるからである。
【０００８】
Ｍの主成分としてのＣａの場合、有利な値は０．００１≦ｘ≦０．１である。Ｍの主成分としてのＢａまたはＳｒの場合、有利な値は０．１≦ｘ≦０．７である。窒素の取り込みにより、共有結合と配位子場開裂の程度が増大する。その結果このことは、励起と放射帯を酸化物ラチスと比較して長波長方向にシフトする。得られた蛍光体は高い化学的かつ熱的安定性を示す。すべての関連プロパティの拡張した微調整がカチオンＭの使用によって得られる。このカチオンＭは前記Ｍ金属の複数（とりわけＳｒとＢａ）を結合すること、さらにＺｎをカチオンＭの一部として含むこと（有利には１０〜４０mol-％）、および／またはＳｉの少なくとも一部をＧｅにより置換すること（有利には５〜２５mol-％）、および／またはＡｌをＧａにより置換すること（有利には５〜２５mol-％）により達成される。有利には、金属Ｍは主として緑発光のためのＢａおよび／またはＳｒであり、主として青発光のためのＣａである。カチオンＭにドープされるＥｕの量はＭの０．１から２５％の間、有利にはＭの２から１５％の間である。さらに関連プロパティを微調整するためＭｎによりドープすることはＥｕドーピングのほとんど５０％の有利な量で可能である。
【０００９】
低エネルギー励起バンドゆえに、これらの材料によってＵＶ−青色放射を青−緑色光に変換することができるので、これらをたとえば白色光源（一例としてランプ）において適用することができ、殊にこの光源は１次青色放射ＬＥＤをベースとし（一般には４３０〜４７０ｎｍ付近の発光を伴うＧａＮまたはＩｎＧａＮをベースとし）これに赤色発光蛍光体が組み合わせられる。適切な赤色発光蛍光体はＥｕドーピングされた窒化珪素材料たとえばＭ２Ｓｉ５Ｎ８（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）であり、これについてはたとえばWO 01/40403を参照されたい。有色光源のための用途も可能である。
【００１０】
図面の簡単な説明
次に、複数の実施形態を参照しながら本発明について詳しく説明する。
図１には、白色光源として用いられる半導体コンポーネント（ＬＥＤ）が注型樹脂を用いた形式（図１ａ）と注型樹脂を用いてない形式（図１ｂ）とで描かれている。
図２には、本発明による蛍光体を用いた照明装置が示されている。
図３には、本発明による蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
図４から図８には、本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
図９には、ユニットセルの容積とｘの値との関係が示されている。
【００１１】
本発明を実施するための最良の形態
例示のため、白色ＬＥＤにおいてＩｎＧａＮチップとともに使用することに関して、WO 01/40403で用いたのと類似の構造について説明する。図１ａには、白色光のためのこのような光源の構造が具体的に描かれている。光源は４００ｎｍのピーク発光波長をもつＩｎＧａＮタイプの半導体コンポーネント（チップ１）をベースとしており、これには第１および第２の電気接続部２および３が設けられていて、これは凹部９の領域で不透明なベースハウジング８中に埋め込まれている。これらの接続部のうち一方の接続部３は、ボンディングワイヤ４を介してチップ１と接続されている。凹部９は壁７を有しており、この壁はチップ１の青色１次放射のための反射器として用いられる。凹部９は注封材料５によって充填されており、これには主成分（有利には重量の少なくとも８０％）としてシリコーン注型樹脂（またはエポキシ注型樹脂）が含まれており、さらに（有利には重量の１５％よりも僅かに）蛍光色素６を有している。さらに僅かな量としてたとえばメチルエーテルとアエロシルも含まれる。蛍光色素は３つの色素の混合物であり、これは本発明による緑色蛍光体とともに青色光、緑色光および赤色光を発光する。
【００１２】
図１ｂには半導体コンポーネント１０を備えた光源の１つの実施形態が示されており、これによれば白色光への変換は個々のチップにじかに取り付けられた蛍光体変換層１６によって行われる。基板１１最上部の上にコンタクト層１２、ミラー１３、ＬＥＤチップ１４、フィルタ１５ならびに蛍光体層１６が設けられており、この蛍光体層１６はＬＥＤの１次放射により励起され、これを可視の長波放射に変換する。この構造ユニットはプラスチックレンズ１７により取り囲まれている。ここでは２つのオーミックコンタクトのうち上部コンタクト１８だけが示されている。ＬＥＤの１次ＵＶ放射は約４００ｎｍであり、２次放射はＭ（１−ｃ）Ａｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：Ｄｃ、ただしＤはＥｕまたはＥｕ，Ｍｎである本発明による第１の蛍光体により発光される。特に有利にはＢａＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：（１０％）Ｅｎ２＋を使用し、約５２５ｎｍで（または一般式ではｃ＝０．１およびＤ＝Ｅｕで）、オレンジレッドを発する窒化珪酸塩を用いた第２の蛍光体により発せられる。
【００１３】
図２には照明装置２０が示されている。これは共通支持体２１を有しており、これには立方体の外部ケーシング２２が接着されている。このケーシングの上側には共通カバー２３が設けられている。立方体ハウジングは複数のカットアウト部分を有しており、その中に個々の半導体コンポーネント２４が収容されている。それらの半導体コンポーネントは約４５０〜４７０ｎｍのピーク発光をもつ青色発光ダイオードである。白色光への変換は変換層２５により行われ、それらの変換層は青色放射を受ける可能性のある面すべてに配置されている。それらの面にはハウジング側壁、カバーおよび支持体の内面が含まれる。変換層２５は、本発明による蛍光体を使用し赤色スペクトル領域と緑色スペクトル領域で発光する蛍光体から成り、１次放射の青色非吸収部分と混合されて白色光が生成される。
【００１４】
本発明による新たな蛍光体を製造するための市販の出発材料としてＥｕ２Ｏ３（純度９９．９９％）、ＢａＣＯ３（純度＞９９．０％）、ＳｒＣＯ３（純度＞９９．０％）、ＣａＣＯ３（純度＞９９．０％）、Ａｌ２Ｏ３（純度９９．９％）、ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４を使用した。原材料をイソプロパノールにおいてプラネタリボールミルにより４〜５時間、適切な量で均質に湿式混合した。混合後、混合物を加熱炉で乾燥させ、めのう乳鉢で粉砕した。ついでその粉末を、水平管加熱路における還元性の窒素／水素雰囲気のもとでモリブデンのるつぼ内において１１００〜１４００°Ｃで焼成した。焼成後、Ｘ線回折（銅Ｋアルファ線）により特性を決定した。
【００１５】
すべてのサンプルは、とりわけ４３５から４４５ｎｍの青色（Ｍ＝Ｃａの場合）、または緑色（Ｍ＝ＳｒまたはＢａに対して）、とりわけＢａの場合は４９５から５３０ｎｍ、Ｓｒの場合は５１５から５７５ｎｍにおいて発光最大値を有するＵＶ−青色励起により効率的に発光した。発光スペクトルおよび励起スペクトルの典型的な２つの例が図３と図４に示されている。図３は、ＳｒＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：Ｅｕ（値ｘにより変化する）の発光スペクトルと励起スペクトルを示す。図４は、ＢａＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘ：Ｅｕ（ｘの値により変化する）の発光／励起スペクトルを示す。
【００１６】
窒素の量を変化することにより、発光は４９５〜５７５ｎｍの範囲でシフトすることができる。とりわけＳｒはシフトに対して鋭敏である（図３）。一方、励起バンドの先端は４００ｎｍから４３０ないし４６５ｎｍに、有利には４４０ｎｍにシフトすることができる。図４のＭ＝Ｂａを参照のこと。観察されるいっそう高い波長へのシフトは、Ｅｕ ５ｄバンドの重心がいっそう低いエネルギーのところになり、さらにＥｕ ５ｄバンドの配位子場開裂がいっそう強くなることに起因する。
【００１７】
カチオンＭに対する添加物としてＺｎを有利には３０％よりも多くはならないよう混入させ、さらにＡｌを少なくとも部分的に有利には２５％よりも多くはならないようＧａと置き換えることにより、および／またはＳｉをＧｅにより少なくとも部分的に有利には２５％よりも多くはならないよう置き換えることにより不過程な微調整を達成することができる。
【００１８】
表１
【００１９】
【表１】
2005529229.tif 000003
【００２０】
以下に、ＭＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：（１０％）Ｅｕ２＋（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）に対する合成手順を示す。可能な出発材料は表１に示されている。
【００２１】
すべての酸窒化物蛍光体はトリジマイトも含めて、以下の反応式（気相は無視する）に従い合成することができる：
(1-y)ＭＣＯ３＋(2-x)/２Ａｌ２Ｏ３＋ｘ/4 Ｓｉ３Ｎ４＋x/4 ＳｉＯ２＋y/2 Ｅｕ２Ｏ３ →
Ｍ１−ｙＥｕｙＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ
ただしＭ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの単独または組合せであり、例えばｙ＝０．１である。
【００２２】
例えばＢａ．９Ｅｕ０．１Ａｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘの組成物が次の表２に示されている。
【００２３】
表２（単位：グラム）
【００２４】
【表２】
2005529229.tif 000004
【００２５】
蛍光体の発光プロパティを示す詳細な実験結果は正確なＳｉＯ２含有量にほとんど依存していなかった。しかしＳｉＯ２含有量を適切な量に低減すると（例えば計算されたＳｉＯ２量の1/60まで低減することができる）、相純度と効率が格段に向上する。
【００２６】
水平管加熱炉において少量のＨ２（１０％）を伴うＮ２の還元性雰囲気のもとで、粉末混合物がＭｏるつぼ内において１１００〜１４００°Ｃで数時間焼成される。
【００２７】
さらにＳｉＯ２還元の役目を明瞭にする試料の励起スペクトルと発光スペクトルが図５から図８に示されている。
【００２８】
図５の実施例：Ｂａ０．９Ｅｕ０．１Ａｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ、ただしｘ＝０．３であり、ＳｉＯ２還元なし。蛍光体は、λexc＝４４０ｎｍにより放射スペクトルに対して励起され、励起スペクトルに対してはλmon＝５３０ｎｍでモニタされた。その主相はＢａＡｌ２Ｏ４構造を有する。
【００２９】
図６の実施例：Ｂａ０．９Ｅｕ０．１Ａｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ、ただしｘ＝０．３であり、ＳｉＯ２量は計算されたＳｉＯ２量の１／４に低減された（λexc＝４４０ｎｍ、λmon＝５３０ｎｍ）。その主相はＢａＡｌ２Ｏ４構造を有する。
【００３０】
Ｓｉ3Ｎ4が次の反応式［１］により（ＳｉＮ）＋のソースとして使用された：
ＭＣＯ３＋(2-x)/2 Ａｌ２Ｏ３＋x/4 Ｓｉ３Ｎ４＋x/4 ＳｉＯ２ →
ＭＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ｛＋ＣＯ2↑｝        （Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）
ＢａからＣａへ原子半径が低減すると、（ＳｉＮ）＋による（ＡｌＯ）＋の置き換えがこの反応によればいっそう困難になることが判明した。結晶格子パラメータ結果は、トリジマイト構造を有するＢａＡｌ２Ｏ４へのＮの最大溶解度が約ｘ≒０．６であったことを示す。図９は、ユニットセル容積とトリジマイト構造を有するＢａＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘのｘ値との関係を示す。予想どおり、Ａｌ−Ｏ間隔と比較して小さなＳｉ−Ｎ間隔から、ユニットセル容積はｘの上昇と共に減少する。これは図９に示されている。ｘ値が０．６より大きいと、ユニットセル容積はほとんど一定であり、二次相が観察される。
【００３１】
良好な結果は、ｘが約０．６までのＢａアルミン酸塩により、ＳｉＯ２量をドープすることなく達成される。
【００３２】
同様に良好な結果は、Ｓｒアルミン酸塩により見られる。（量ｙとして表現される）ＳｉＯ２含有量の低減により、ＭＡＬ２−ｘＳｉｘ−ｙＯ４−ｘ−２ｙＮｘ：Ｅｕ、ただし有利にはｙ≦０．２５ｘ、タイプの非化学量論的アルミン酸塩が得られる。最良の性能はＳｉＯ２補正と、０．５までのｘにより達成される。同じことがＣａアルミン酸塩に対しても真であるが、０．０５より小さいｘの値が有利である。
【００３３】
ＭＡＬ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：１０％Ｅｕ２＋の発光プロパティを以下より詳細に論議する。図８は、ＭＡＬ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：Ｅｕ２＋（Ｍ＝Ｓｒ，Ｃａ）の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す。ＳｉＯ2の含有量は低減されていない。より詳細には図８ａはＳｒＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：Ｅｕ２＋（１０％）の励起スペクトルと発光スペクトルを示し、図８ｂはＣａＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：Ｅｕ２＋（１０％）の励起スペクトルと発光スペクトルをそれぞれ種々異なるｘにより示す。
【００３４】
ユニットセル容積とＭＡＬ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘのｘ値との関係に相応して、発光バンドはカチオンに依存して多かれ少なかれ長波長の方向にシフトする。Ｂａの場合、シフトは典型的には４９５ｎｍから５３０ｎｍであり、Ｓｒの場合シフトは典型的には５２５ｎｍから５７５ｎｍであり、Ｃａの場合シフトは典型的には４４０ｎｍから４４５ｎｍである。ＢａＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：（１０％）Ｅｕ２＋に対しては、発光バンドは約４９７ｎｍから５２７ｎｍに、組み込まれた窒素の含有量ｘの上昇と共にシフトする。励起バンドの位置も相応に３８５ｎｍから４２５ｎｍにシフトする。
【００３５】
ＭＡＬ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：（１０％）Ｅｕ２＋（ただしＭはＳｒまたはＣａの少なくとも１つ）については、（ＳｉＮ）＋の量は実質的に発光波長および励起波長を増大させない。なぜなら結晶格子パラメータにシフトがほとんど観察されないからである。Ｅｕの発光バンドの最大シフトは、Ｍ＝Ｃａの場合に窒素組み込みが少ないという事実から１０ｎｍ以下である。従って少量の（ＳｉＮ）＋の組み込みはＥｕ２＋イオンの局所座標に僅かな影響しか及ぼさない。この議論は、通常の理論量のＳｉＯ２の添加により理解される。
【００３６】
しかし驚くべきことには、理論量以下のＳｉＯ２を使用するのがいくつかの場合で有利である。式（１）において低減されたＳｉＯ２のＮ組み込みと発光プロパティへの作用は、ＳｒＡｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：Ｅｕ２＋（１０％）の場合に最も顕著である。その理由は未だ十分に解明されていない。式（１）で使用すべきＳｉＯ2の量が約係数６０だけ低下されれば、増大された（ＳｉＮ）＋の量がシフトされたトリジマイト構造を有するＳｒＡｌ２Ｏ４結晶格子に組み込まれることが発見された。最大溶解度はｘ≒０．５（表１）である。Ｎ組み込みの結果、Ｅｕ発光バンドは５７５ｎｍまでの長波長にシフトする（図３）。４３０ｎｍでの明瞭な励起ショルダーが図３に示すように、窒素の最大溶解度（ｘ＝０．３...０，５）で発生する。
【００３７】
トリジマイトから誘導された構造の代わりに、ＳｒＳｉＡｌ２Ｏ３Ｎ２の構造から誘導された構造も可能である。この化合物はSchnickにより１９９８年に発見された。これはＬｎＳｉ３Ｎ５（ただしＬｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ）タイプのケイ酸窒化物と同位体である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１には、白色光源として用いられる半導体コンポーネント（ＬＥＤ）が注型樹脂を用いた形式（図１ａ）と注型樹脂を用いてない形式（図１ｂ）とで描かれている。
【００３９】
【図２】図２には、本発明による蛍光体を用いた照明装置が示されている。
【００４０】
【図３】図３には、本発明による蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
【００４１】
【図４】本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
【００４２】
【図５】本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
【００４３】
【図６】本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
【００４４】
【図７】本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
【００４５】
【図８】本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
【００４６】
【図９】図９には、ユニットセルの容積とｘの値との関係が示されている。
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2005529229.tif 000013
【国際調査報告】
2005529229.tif 000014
2005529229.tif 000015
2005529229.tif 000016