(57)【要約】  本発明は電磁放射によるデジタルスキャン撮像に関する。スキャン方向とその方向とは垂直の方向との間の解像度の違いを減少させるため、スキャン方向の画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６）は、隣接する画素のカウンタへパルスを向けることを可能にするスイッチング手段（Ｓｍ１、Ｓｍ２、Ｓｍ３）を通してカウンタ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）へ接続され、それにより、それ自身の画素に加えて、計数のために、読み取り領域は複数の「部分画素」に分割可能であって、適切にスイッチング位置を変更することにより、「部分画素」により形成される読み取り領域として、撮像スキャンを可能にする。
2005509510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を利用した、特にマンモグラフィ装置に接続して使用するデジタルスキャン撮像におけるセンサ装置であり、
複数の放射量子を電子ホールの複数の対へ変換する材料を含みまたはその材料と一体化される放射吸収素子、
上記放射線吸収素子の放射を受け取る表面とは反対側の表面の上の、上記放射線吸収素子を複数の画素に分割する画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）、または対応する手段、
上記画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）、または、上記対応する手段へ接続され、画素電極から入力されるパルスを計数するカウンタ（Ｃ）、
を備え、
上記センサ装置は、
センサ装置のスキャン方向に、少なくとも２の整数であるＮ個の連続した画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに、１つのカウンタ（Ｃ）および１つのスイッチング手段（Ｓｍ）が配置されている連続した構造が得られ、
スイッチング手段（Ｓｍ）に、２Ｎ−１個の連続した画素電極（Ｐ）からなる接続された画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の複数の集合が接続され、各集合で、最も中央の画素電極（Ｐ２）が１つのスイッチング手段（Ｓｍ）だけに接続され、
上記最も中央の画素電極（Ｐ２）の前にある複数の画素電極（Ｐ１）は、上記のおよびそれより前のスイッチング手段（Ｓｍ）の両方に接続可能に配置され、および
上記最も中央の画素電極（Ｐ２）の後に続く複数の画素電極（Ｐ３）は上記のおよびそれの後に続くスイッチング手段（Ｓｍ）の両方に接続可能に配置される
ように、上記カウンタ（Ｃ）および上記画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の間に配置されたカウンタ特定のスイッチング手段（Ｓｍ）を備えること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサ装置であって、
画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）または上記対応する手段により作られるスキャン方向での画素の寸法が、スキャン方向とは垂直な方向の画素の寸法の約半分でであること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のセンサ装置であって、
スイッチング手段（Ｓｍ）が、Ｎ個の連続した画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）からなる読み取り領域からカウンタ（Ｃ）へパルスを向けるために配置され、スキャン移動の進行につれて、スイッチング手段（Ｓｍ）が、読み取り領域を、スキャン方向とは逆の方向へ、一度に１画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ずつ移動させること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載のセンサ装置であって、
Ｎ個の連続した画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）からなる読み取り領域が、後に続く複数のカウンタへ転送される時はいつも、前の複数のカウンタからカウンタ（Ｃ）をロードする手段がセンサ装置の中に配置されること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載のセンサ装置であって、
上記スイッチング手段（Ｓｍ）が、スキャン方向の移動速度および画素の大きさを考慮に入れたクロック信号により制御されること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載のセンサ装置であって、
そのセンサ装置の電子機器装置が前置増幅器（２１）を備えること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項７】
請求項６に記載のセンサ装置であって、
そのセンサ装置の電子機器装置が比較器（２２）も備えること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載のセンサ装置であって、
上記スイッチング手段（Ｓｍ１、Ｓｍ２、Ｓｍ３）が、前のおよび後に続く選択可能な上記画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６）を選択するスイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）、および、信号を複数のカウンタ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）に向ける前に、異なる画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６）から来るパルス系列を組み合わせる回路手段（ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３）を備えること
を特徴とするセンサ装置。
【請求項９】
電磁放射を利用した、特にマンモグラフィに接続して使用するデジタルスキャン撮像における方法であり、
被写体よりも細い光線を用いて被写体をスキャンして、
複数の画素を備えるセンサ装置を用いて、被写体の反対側へ上記光線をたどり、そのセンサ装置内で、吸収された放射量子が、画素を形成する電極またはそれの同等物の上に生成されるパルスとして検出され、またそのセンサ装置内で、上記パルスが、複数の上記画素電極またはそれの同等物に接続された複数のカウンタにより計数される方法であって、
かつ、スキャンの進行につれて、複数のパルスが１つのカウンタに向けられる時に少なくとも一度移動する、少なくとも２画素電極の幅の読み取り領域から、複数の画素電極から、カウンタ特定のスイッチング手段を経由して、複数のカウンタへ、複数のパルスを向け、読み取り領域の移動ごとに、上記読み取り領域に属する複数の画素電極の少なくとも１つからの複数のパルスが、上記移動の前に使用されたカウンタと異なるカウンタに向けられ始めること
を特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
少なくとも２段階で、スイッチング手段を経由して２Ｎ−１個（Ｎは読み取り領域の幅を示す少なくとも２の整数である）の連続した画素電極からなる電極の集合から１つのカウンタへパルスを向ける、上記電極の集合の最も中央の画素電極が１つのスイッチング手段のみに接続されるように、上記連続した画素電極がスイッチング手段に接続されていて、複数のパルスがいつもＮ個の画素電極から各カウンタへ向けられ、上記最も中央の画素電極より前の複数の画素電極は、上記スイッチング手段またはそれより前のスイッチング手段に接続されていて、上記最も中央の画素電極の後に続く複数の画素電極は上記スイッチング手段またはそれの後に続くスイッチング手段に接続されていること
を特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の方法であって、
スキャン移動の進行につれて、Ｎ個の画素電極からなる読み取り領域を、スキャン移動とは反対の方向へ、上記スイッチング手段を用いて、一度に１画素電極ずつ移動すること
を特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項９、請求項１０または請求項１１に記載の方法であって、
１つのカウンタからそれの後に続くもう１つのカウンタへの読み取り領域の移動に関連して、カウンタをそれの後に続くカウンタ上へロードすること
を特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項９から請求項１２のいずれか１つに記載の方法であって、
異なる複数の画素電極からの、上記パルス系列を組み合わせる回路手段を通して同じカウンタへ向けられるべきパルス系列を向けること
を特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項９から請求項１３のいずれか１つに記載の方法であって、
上記スイッチング手段を制御して、スキャン方向の移動の速度および画素の大きさを考慮に入れるクロック信号により読み取り領域を移動すること、
を特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項９から請求項１４のいずれか１つに記載の方法であって、
スキャン方向の寸法がそれに垂直な方向の寸法より小さく、特にその寸法の半分である複数の画素からの複数のパルスを計数すること
を特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁放射により実現される被写体のデジタル撮像、特にＸ線を使用したＴＤＩ（時間遅延積分）法によるスキャン撮像に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁放射に基づく撮像は、例えば、いわゆる全視野撮像または細長いセンサを使用して、スキャン撮像として実現可能である。最新の技術により、デジタルセンサの製造コストは、センサ面積の関数として、指数関数的に増加するので、可能であるときはいつもスキャン撮像を使用する傾向がある。スキャン撮像において、典型的には撮像される被写体よりかなり細い光線を用いて、撮像される領域は細長い扇形光線によりスキャンされ、光線のスキャン移動は細長いセンサにより追随されて、撮像スキャンの間、その細長いセンサから撮像情報が連続的に読み取られる。
【０００３】
デジタル撮像に一般的に使用される半導体センサは基本的構造をもち、その基本的構造では、小さな画像素子、すなわち画素がそれより大きな放射検出領域を形成する。従来技術のセンサは、可視光のみの波長を主に検出可能であって、それは、例えばＸ線量子が、光量子に変換され、続いて画素の撮像情報を形成する電気信号に変換されねばならないことを意味する。より最新の技術のＸ線センサ、いわゆる直接検出センサでは、画像素子の領域に到達する放射は、媒体中に吸収され、電子ホールの対、別の言い方をすれば、電気的に検出可能な電荷へ直接に変換される。上記媒体は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＧａＡｓ，Ｈｇｌ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、Ｐｂｌなどのバイアスされた（光電子）半導体材料であってもよく、電界がその媒体の上に配置されたとき、放射量子により生成される電子ホール対の各々は、それ自身の画素の領域内へ集められることが可能である。生成される電荷が、隣接する画素の領域へ広がることなしに、すべての進入する放射量子を吸収するように、放射を検出する材料層は十分に厚く配置できるので、電界によるコリメーションおよび直接検出を利用するそのようなセンサは、解像度を犠牲にせずにとても高い量子効率（ｄｑｅ）を可能にする。画素電極の電気情報は、単位時間に画素に蓄積された電荷の量を計測することにより、または、画素領域に離散して吸収された各量子を計数することにより、すなわち、例えば特許文献１で開示された技術を使用することにより、検出できる。後者の技術では、放射量子の吸収の結果生成される各電荷インパルスがカウンタを１つ増加させる。いわゆる光子計数に基づいたこの検出方法が使用される時、量子により生成される上記電荷をまず蓄積して、続いて、蓄積された電荷の大きさを計測するかわりに、異なるエネルギーレベルの複数の量子の各々が個々に計数される。光子計数法を使用して、生成される像のコントラストが著しく改善される。
【０００４】
典型的には、デジタルセンサの複数の画素は、垂直方向および水平方向に等しい寸法をもち、上記複数の画素は、上記デジタルセンサのアクティブな領域に一様に分布するように配置される。スキャン撮像が、画素の大きさを単位として、１つの画素からもう１つの画素へ像情報を移動させることにより、実現されるとき、各画素上に撮像された点は、使用された画素の有効な大きさの関数として、スキャン方向に「揺り動く」。これらの典型的な従来技術のセンサでは、スキャン撮像の解像度は、スキャン方向の方がそれに垂直な方向より明らかに低い。実際、スキャン方向の解像度は、それに垂直な方向の解像度の約半分であることが分かっている。
【０００５】
スキャン方向の解像度を上げるもっともらしく自然な解決方法は、画素の大きさの減少であり、例えば、画素の大きさを半分にすることである。しかし、これは、センサに必要とされる読み取り電子機器の数、および生成される像情報の量を４倍にする。また、たとえ、スキャン方向の解像度がこの方法で所望のレベルまで向上したとしても、スキャン方向に垂直の方向の解像度は、まだスキャン方向の解像度の２倍である。
【０００６】
原理的には、この画素装置は、スキャン方向に近接して密度を高めることにより、別の言い方をすれば、スキャン方向のみ画素の寸法を減少させることにより実現できる。しかし、この場合も、読み取り電子機器の数および像情報の量はそれぞれ増加する。
【特許文献１】国際公開公報第ＷＯ９８／１６８５３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、スキャン方向に垂直の方向の解像度に関して、従来技術よりも高いスキャン方向の解像度で、被写体を撮像する新しい可能性を提供するが、像情報の量を増加しないか、または、少なくとも実質的に読み取り電子機器の数を増加しない、デジタルスキャン撮像のためのセンサ装置と方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的は添付の独立請求項で定義された、センサのスキャン方向に、１つのカウンタ（Ｃ）および１つのスイッチング手段（Ｓｍ）が、Ｎ個の連続した画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに配置され、Ｎは値が少なくとも２の整数である連続した構造が得られ、各集合で、最も中央の画素電極（Ｐ２）が１つのスイッチング手段（Ｓｍ）だけに接続されているように、スイッチング手段（Ｓｍ）が、２Ｎ−１個の連続した画素電極（Ｐ）からなる接続された画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の集合であり、上記最も中央の画素電極（Ｐ２）の前の複数の画素電極（Ｐ１）は、上記のおよびそれより前のスイッチング手段（Ｓｍ）の両方に接続可能である配置にされ、および、上記最も中央の画素電極（Ｐ２）の後に続く複数の画素電極（Ｐ３）は上記のおよびそれの後に続くスイッチング手段（Ｓｍ）の両方に接続可能である配置にされるように、上記装置が、カウンタ（Ｃ）および画素電極（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の間に配置されたカウンタ特定のスイッチング手段（Ｓｍ）を備えたセンサ装置、および、少なくとも２画素電極の幅があって、スキャンの進行につれて、複数のパルスが１つのカウンタに向けられる時に少なくとも一度移動する読み取り領域から、複数の画素電極から、カウンタ特定のスイッチング手段を経由して、複数のカウンタへ、複数のパルスが向けられ、読み取り領域の全ての移動と関連して、上記読み取り領域に属する複数の画素電極の少なくとも１つからの複数のパルスが、上記移動の前に使用されたカウンタの他のカウンタに向けられ始めることを特徴とする方法により達成される。添付の従属請求項では、順番に、本発明の好ましい実施の形態が定義される。本発明は、必要とされる読み取り電子機器の数の観点から、新しくて有利な方法で、スキャン方向と、それとは垂直な方向との間の解像度の違いを減少可能であるという考えに基づいている。従来技術では、複数の画素が、上記画素から受信可能な電気パルスを計数する複数のカウンタに連結可能なとき、本発明により、複数の画素は必ずしも複数のカウンタに直接接続されている必要はないが、複数の画素の一部は、画素「自身」のカウンタだけでなく、隣接する画素のカウンタへも、インパルスの方向付けを許可するスイッチング手段を経由して接続される。このように、読み取り領域は、読み取り領域を形成する複数の「部分画素」に分割可能であり、次にこの分割は、スイッチ接続を適切に変更することにより、撮像スキャンに続くよう手配可能である。しかし、例えば、この方法で、スキャン方向の画素の大きさを半分に減少させることは、計数電子機器の数は同じままなので、読み取り電子機器の全体の数を著しく増加することにはならない。当然に、スキャン撮像を可能にするために、全ての場合で、上記複数のカウンタは、例えば、本出願人のフィンランド特許出願ＦＩ  ２０００  ０５９２号に記載のように、上記複数のカウンタからスキャンされる方向に設置されるように、配置されねばならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付の図を参照して発明の実施の形態を説明する。
【００１０】
以下において、本発明は、例として、フィンランド特許出願ＦＩ  ２０００  ０５９２号で開示されたＸ線、センサ技術、および装置を使用して記載されているが、しかし本発明はこれらの解決に限定されない。特許出願ＦＩ  ２０００  ０５９２号は、この参照により本明細書に組み込まれている。本発明の基本的な考えは、電磁放射を利用し、カウンタにより計数可能なパルスにより像情報が読まれる任意のスキャン撮像、特に直接検出に基づいたＸ線センサに応用可能である。
【００１１】
図１はＸ線の直接検出に基づいた１つの典型的なセンサ１０の基本的構造を示す。このセンサ１０において、放射１２を吸収する手段１１は面積Ｘ＊Ｙをもつ材料層であって、上記材料層は上記放射を電気信号へ直接に変換する。上記材料層は強電界Ｖに置かれる。この放射変換層は、例えば、比較的薄い（半導体）材料層（Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＧａＡｓ、Ｈｇｌ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、Ｐｂｌ）から成る。上記材料層の表面は、放射１２に面する表面とは反対側であるので図１では隠れているが、その表面を所望のように覆う画素電極を備える。この電界を用いて、生成された上記信号は、こうして、画素レベルで平行にされ、例えば、半導体を基にした吸収手段１１の面積と実質的に等しい面積である基板，および、各画素電極と結合されるインジウム球接合部１３を備える読み取り電子機器により、検出される。読み取り電子機器は、例えばＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）技術により実現可能である。
【００１２】
図２および図３において、本発明の原理は単純化されたブロック図により示される。上記の図２および図３による実施の形態では、読み取り電子機器は、例えば各画素電極Ｐ１、Ｐ２、．．．に対して特定のコネクタ表面を配置することにより、および、各カウンタＣ、Ｃ'、Ｃ''、Ｃ'''が、前の画素の列において同じ行の上の画素のカウンタから並行に（図の太い矢）ロードできるように、スキャン移動の方向に（図の細い矢）上記カウンタＣ、Ｃ'、Ｃ''、Ｃ'''を相互接続することにより、実現可能である。第１列のカウンタはゼロにロードするように配置可能で、これによりセンサ信号はただちにゼロにリセットされる。
【００１３】
図２は本発明による第１の装置を示し、この装置は１つのカウンタＣのための本発明の最小アセンブリの最も関連する複数の素子を備える。図２の装置において、画素電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は上記カウンタＣに直接には接続されておらず、スイッチング手段Ｓｍが上記画素電極と上記カウンタの間に配置されている。３つの上記画素電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３はスキャン方向で上記スイッチング手段Ｓｍに接続可能であり、このことは上記画素電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のうち２つを選択可能にし、そこから複数のパルスが各（特定の）瞬間に上記カウンタＣへ向けられる。図２の装置においては、読み取り領域の大きさは２画素電極であって、最初、画素電極Ｐ１およびＰ２からなる読み取り領域から、そして次に、画素電極Ｐ２およびＰ３からなる読み取り領域から、上記カウンタＣへパルスを向けるために上記スイッチング手段Ｓｍが、使用される。こうして、撮像する間、スキャン移動は、例えば、１画素電極長の複数のステップでスイッチング手段Ｓｍを用いて、２つの隣接する画素電極の単位でセンサ上で行われ、別の言い方をすれば、各瞬間に、複数のパルスが、２つの隣接する画素電極からなる読み取り領域からカウンタＣへ向けられる。
【００１４】
図３は、１つの画素電極／カウンタ線上の、本発明による第２の装置を示す。図３の例において、５つの画素電極をスイッチング手段Ｓｍ'、Ｓｍ''、Ｓｍ'''を通して各カウンタＣ'、Ｃ''、Ｃ'''へ接続可能であり、画素電極の内４つがもう一つのスイッチング手段へも接続可能である。例えば、スイッチング手段Ｓｍ''を通ってカウンタＣ''へ接続可能な画素電極Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、およびＰ７の内、画素電極Ｐ４およびＰ５はスイッチＳｍ'を通ってカウンタＣ'へも接続可能であって、画素電極Ｐ７およびＰ８はスイッチＳｍ'''を通ってカウンタＣ'''へも接続可能である。
【００１５】
一般的に、上に説明したようなセンサ構造へ適用されるとき、本発明による装置は以下の構造からなる。Ｎが、読み取り領域の大きさ、すなわち事実上、画素の大きさを示す２以上の整数であるとき、２Ｎ−１個の連続した画素電極からなる各集合が、最も中央の画素電極Ｐが、１つのスイッチング手段Ｓｍにのみ接続可能であるように、１つのスイッチング手段Ｓｍに接続可能であって、スキャン方向に最も中央の画素電極より前の画素電極は、上記スイッチング手段Ｓｍより前のスイッチング手段Ｓｍにも接続可能であり、スキャン方向に最も中央の画素電極の後に続く画素電極Ｐは、上記スイッチング手段Ｓｍの後に続くスイッチング手段へも接続可能である。スキャンの進行とともに、各積分期間の間、撮像情報は各画素電極Ｐから１つのカウンタＣのみへ読み取られるように、スイッチの位置を（少なくとも）一度に１画素電極Ｐ変更することにより、読み取り領域は移動される。上記カウンタＣは、上記読み取り領域が後に続くカウンタへ転送されるとき、別の言い方をすれば、１画素電極の複数のステップで移動するときと同時に、上記最も中央の画素電極Ｐが上記読み取り領域の最後の画素電極であるときはいつも、前のカウンタからロードされる。
【００１６】
図３に示された例では、スキャン方向での読み取り領域の幅は、３画素電極Ｐの幅であって、これにより、上記スイッチング手段Ｓｍは、複数のカウンタＣの各々へ上記画素電極の可能な５つのパルスの内３つを向け、また、スキャン移動が進行するにつれて、スキャン方向とは逆の方向へ、１つの画素電極から次の画素電極へ読み取り領域の端を移動させる。当然、前の複数のカウンタから複数のカウンタをロードすることは、読み取り領域を移動させるのと同じ方向に起こる。
【００１７】
上記の画素装置では、スキャン方向での画素の寸法がそれとは垂直の方向での画素の寸法の約半分であるとき、解像度が両方向でおおよそ同じである１つの装置が提供される。
【００１８】
図４は、図２における本発明の実施の形態に対応するセンサの装置のより詳細なブロック図を示す。本実施の形態による電子機器の装置は、スキャン方向に複数の画素電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５およびＰ６を備え、各画素電極は信号前置増幅器２１および比較器２２を備える。比較器の動作は、任意の、外部で設定された比較レベルにしたがって、画素電極Ｐの領域に吸収される１つの量子を検出するか検出しないかどちらかであるという考えに基づいている。上記比較レベルは、入力パルスのエネルギーが比較されるエネルギーレベルであって、典型的には、パルスは、もしそのエネルギーが比較レベルを超えると計数される。本発明のいくつかの実施の形態では、エネルギーが比較レベルより低い複数のパルスも計数される。比較器２２の使用は実際上本発明の必要条件ではない。比較器２２なしの実施の形態では、上記カウンタＣは単純に画素電極から入力される全てのパルスを計数する。
【００１９】
スイッチング手段Ｓｍ１、Ｓｍ２、Ｓｍ３は、図４に示されるようにスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３とパルス系列とを接続する回路手段ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３により実現可能である。例えば、スキャン速度および画素の大きさの関数として、スキャン撮像の特定の撮像条件にしたがって、当業者には明らかな方法で、上記スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３がクロック信号で制御される。パルス系列を接続する回路手段ＯＲはＯＲゲートであって、そのＯＲゲートは、異なる複数のパルス系列の複数のパルスが１つのパルス系列としてカウンタＣに向けられるように、異なる複数の画素電極Ｐから入力される複数のパルスを組み合わせる。
【００２０】
実際には、図４の装置は、例えば、カウンタＣ１は最初に、画素電極Ｐ１およびＰ２のパルスを計数し、次に、画素電極Ｐ２およびＰ３のパルスを計数し、カウンタＣ１の内容がカウンタＣ２に転送されて、最初に画素電極Ｐ３およびＰ４のパルスを計数し、次に画素電極Ｐ４およびＰ５のパルスを計数することにより、対応する方法で計数が継続されるように制御される。
【００２１】
図４の解決では、上記カウンタＣ１、Ｃ２、Ｃ３が、例えば、そのエネルギーレベルが比較レベルを超える各電圧および電流パルスを計数する、画素特定の１２ビットから１６ビットのデジタルカウンタであってもよい。これらのカウンタは、カウンタがいっぱいの時、計数することを防ぐ回路とともに提供可能であって、これにより、計測される画素信号がその最高値であるということ以外は、露出オーバーがイメージ中にどのような欠陥をも生じさせない。加えて、上に記したように、スキャン撮像を可能にするための上記カウンタは、スキャン方向とは逆の方向の複数の前のカウンタからロード可能に配置され、それ自体既知の任意の技術により、スキャン方向にあるセンサの後縁で、それらの複数のカウンタの内容が読み取られる。上記内容は、そのようなものとして並列に読み取り可能であるか、信号導体の数を最小にするために、シフトレジスタの中へ並列にロード可能であり、かつ１つの導体を用いて直列形式でセンサから転送可能である。
【００２２】
しかし、例えば、複数の上記カウンタの結果が読み出されシフトレジスタにロードされる方法は、本発明に関連しない。さらに、本発明は、イメージ情報が撮像の間に画素領域で検出された全ての量子に基づいて、または、閾値レベルを超える検出された量子の数を計数することにより検出されるかに関わらず、適用可能である。なおこの閾値レベルは選択可能であってもよい。
【００２３】
本発明のセンサ装置および方法は、それ自体既知の後に続くイメージ処理技術の使用を可能にする。例えば、本発明の実行により、いくつかの撮像用途で過度の解像度を、生じたとしても、例えば問題になっている被写体の要求により、照射量／撮像解像度を最適にするように、イメージ処理コンピュータにおいて、複数のカウンタにより検出される信号をより大きな単位へ組み合わせることが可能である。
【００２４】
技術が進歩するにつれて、本発明の基本的な考えが、多くの種類の方法で実現可能であることは当業者にとって明らかである。マンモグラフィ（乳房Ｘ線撮影）では高い解像度が典型的に要求されるので、特に、本発明はスキャン技術を利用したマンモグラフィに応用可能である。したがって、本発明とその実施の形態は上記の複数の例に限定されないが、添付の請求項の範囲で変化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】Ｘ線の直接検出に基づくセンサの構造を示す図
【図２】本発明の原理を示すブロック図
【図３】本発明の原理を示すブロック図
【図４】本発明の１つの好ましい実施の形態による電子機器の装置を示す図
【符号の説明】
【００２６】
１１  半導体ベースの吸収手段
１２  放射
１３  インジウム球接合部
２１  信号前置増幅器
２２  比較器
【図１】
2005509510.tif 000003
【図４】
2005509510.tif 000004
【図２】
2005509510.tif 000005
【図３】
2005509510.tif 000006
【国際調査報告】
2005509510.tif 000007
2005509510.tif 000008