(57)【要約】単一のセルギャップ（４０）のみを必要とする高い反射性及び透過性の半透過型液晶ディスプレイ（ＴＬＣＤ）を提供する。反射（Ｒ）サブピクセル領域のセルギャップを減少させる代わりとして、本発明は、反射（Ｒ）の全体のリターデイション変化Δｄが透過ピクセル（Ｔ）のものと等しくなるように、反射ピクセル（Ｒ）（４２）の複屈折変化Δｄを減少させる。これは、およそ４５°のピクセルの部分的なスイッチングにより実現され、それは、セルギャップ（４０）の反射ピクセル（Ｒ）領域（４２）における分子（４４）に対し、不連続の電極によって発生するフリンジフィールド（fringing fields）を印加することによって、単一のセルギャップ（４０）の反射ピクセル（Ｒ）領域（４２）において生じる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のギャップを有する高反射（Ｒ）及び高透過（Ｔ）の半透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造方法であって、
単一ギャップのＬＣＤにおいて反射ピクセル（Ｒ）の全体のリターデイションΔｎｄが透過ピクセルの全体のリターデイションΔｎｄと略等しくなるように、当該単一ギャップの液晶ディスプレイにおける反射ピクセル（Ｒ）の複屈折変化Δｎを減少させるステップを有することを特徴とする半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記複屈折変化Δｎを減少させるステップは、複屈折変化Δｎを約１／２に減少させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記複屈折変化Δｎを減少させるステップは、反射ピクセル（Ｒ）における分子の部分的なスイッチングを行うステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項４】
前記部分的なスイッチングは、約４５°であることを特徴とする請求項３に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項５】
前記部分的なスイッチングを行うステップは、反射ピクセル（Ｒ）に対して電場を印加するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記電場を印加するステップは、フリンジフィールドを発生させるステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項７】
前記フリンジフィールドを発生させるステップは、前記単一のセルギャップにおける前記反射ピクセル（Ｒ）近傍の不連続な画素電極によってフリンジフィールドを発生させることを特徴とする請求項６に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項８】
前記不連続な画素電極は、約１０μｍ未満の幅と、約３μｍ未満のギャップとを有することを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項９】
前記セルギャップの大きさを増大させるに伴い、前記不連続な電極における幅及びギャップ間隔の範囲を増大させるステップを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項１０】
高反射（Ｒ）及び高透過（Ｔ）の半透過型液晶ディスプレイ（ＴＬＣＤ）であって、
透過ピクセル（Ｔ）及び反射ピクセル（Ｒ）を備えた単一ギャップの液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と
単一ギャップＬＣＤにおいて反射ピクセル（Ｒ）の全体のリターデイションΔｎｄが透過ピクセルの全体のリターデイションΔｎｄと略等しくなるように、当該単一セルギャップの液晶ディスプレイにおける反射ピクセル（Ｒ）の複屈折変化Δｎを減少させる手段とを有することを特徴とする半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項１１】
前記複屈折変化Δｎを減少させる手段は、複屈折変化Δｎを約１／２に減少させる手段を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項１２】
前記複屈折変化Δｎを減少させる手段は、反射ピクセル（Ｒ）における分子の部分的なスイッチングを行う手段を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項１３】
前記部分的なスイッチングは、約４５°であることを特徴とする請求項１２に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項１４】
前記部分的なスイッチングを行う手段は、反射ピクセル（Ｒ）に対して電場を印加する手段を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項１５】
前記電場を印加する手段は、フリンジフィールドを発生させる手段を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項１６】
前記単一のセルギャップにおける前記反射ピクセル（Ｒ）近傍の不連続な画素電極を更に有することを特徴とする請求項１５に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項１７】
前記不連続な画素電極は、約１０μｍ未満の幅と、約３μｍ未満のギャップとを有することを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に関し、より詳細には、部分的なスイッチング機能を備えた半透過型液晶ディスプレイ（Ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣＤ）の装置及び方法に関する。本発明は、２００３年４月３０日付けの米国の仮特許出願（出願番号６０／３７６６７０）に基づく優先権の利益を有するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、良好な彩度とともに高いコントラスト比を示す。しかしながら、透過型ＬＣＤはバックライトを必要とするために消費電力が高い。明るい環境（例えば、屋外）では、ディスプレイは完全に色あせて、読みやすさが損なわれる。一方、反射型ＬＣＤは、表示された画像を読み出すのに周囲の光を利用するので、明るい環境でも読みやすさは維持される。それらの電力消費は、バックライトがないために劇的に低減される。しかしながら、周囲の光が十分でない場合には、反射型ＬＣＤの読みやすさは損なわれる。さらに、そのコントラスト比は、透過型ＬＣＤに比べて低い。
【０００３】
上記の不都合を解消するために、半透過型ＬＣＤ（ＴＬＣＤ）が開発され、これにより、いかなる周囲の光の環境においても良好な読みやすさが維持され得る。これらのディスプレイでは、ピクセルは、Ｒ（反射）及びＴ（透過）サブピクセルに分けられる。Ｔサブピクセルは、反射物を備えずにバックライトからの光が通過することを許容し、装置は透過モードで動作可能である。通常は、Ｒ及びＴの面積比は、反射型ディスプレイに好ましい４：１である。透過モードは、節電のために周囲が暗いときのみ使用される。一般に、開発されてきた半透過型ＬＣＤ（ＴＬＣＤ）には主として２つの手法、即ち、単一のセルギャップ（図１ａ）及び二重のセルギャップ（図１ｂ）が存在する。
【０００４】
単一のセルギャップの手法においては、Ｒ及びＴモードのセルギャップ（ｄ）は同一である。そのセルギャップは、Ｒモードに対して最適化される。結果として、光はＬＣ層を一度通過するのみなので、Ｔモードのための光透過率は通常５０％以下である。Ｒ及びＴモードの双方に対して高い光効率を達成するために、図１ｂに示すように、ＴピクセルのセルギャップがＲピクセルの２倍の大きさとなるような二重のセルギャップの手法がしばしば用いられる。この場合、ＬＣ層において光が進む全体の長さは、Ｔ及びＲの双方について同じである。しかしながら、この手法は、ＥＢＣ（Electrically Controlled Birefringence）モード、例えば、ＶＡ（Vertical Alignment）及びＰＡ（Parallel Alignment）モードにのみ適するものである。
【０００５】
単一のセルギャップの半透過型ＬＣＤ（ＴＬＣＤ）は、通常は透過Ｔについて低い効率をもたらす。高度のＴ及びＲを達成するために、しばしば二重のセルギャップの手法に転ずる必要がある。しかしながら、この手法は、非常に要求の厳しい製造プロセスのみならず、より複雑な構造をもたらす。その製造プロセスは、２つのセルギャップの間の差を良好に制御する必要があり、それは、特別な層（通常は、有機）の制御に依存する。さらに、Ｒ及びＴ領域の間のセルギャップにおける差は、Ｔ及びＲディスプレイモードの間の応答時間の違いをもたらす。
【０００６】
これらの相違は、ＶＡ（Vertical Alignment）ＬＣモードでの透過型ＬＣＤ（ＴＬＣＤ）を用いて好適に説明される。例えば、図２ａに示すように、セルギャップ（ｄ）がＲ及びＴともに同じである場合、Ｒにより２倍の経路を経るために、反射光Ｒは、Ｔの場合のΔｎ・ｄの２倍の大きさである２・Δｎ・ｄの全体のリターデイション変化を受け得る。従って、反射の変化の割合は、Ｔの場合の２倍程度の速さとなり、図２ｂに示すような、一様でない光のレベルの変化をもたらす。ここで、Ｒは、２．７５Ｖで輝度が１００％に到達し、一方、Ｔは、それと同一の電圧では５０％に到達するだけである。従って、この構造を用いた半透過型ＬＣＤ（ＴＬＣＤ）は、Ｔについて単に５０％の光効率を導くのみの２．７５Ｖでのオン（ＯＮ）状態の電圧Ｖｏｎを有し得る。
【０００７】
一方、図３ａに示すような二重のセルギャップの手法においては、Ｒ領域におけるセルギャップをｄ／２に減少させることで、Ｒ（二重経路）の全体の経路の長さをＴと同一のｄ（２×ｄ／２）とする。この構造により、図３ｂに示すようにＲ及びＴの双方について等しいリターデイション変化及び輝度変化がもたらされる。従って、Ｒ及びＴともに１００％の高い効率を有し得る。
【０００８】
先行技術で教示された問題を解消できる手法、即ち、単一のセルギャップのみを用いて高い光効率を達成する手法は、これまではほとんど存在しなかった。米国特許６２８１９５２号によって提案されたひとつの可能性は、Ｒ及びＴ領域において異なるＬＣ配向を用いることである。しかしながら、この手法を現在のＬＣ技術を用いて大量生産のために実現するのは非常に困難である。
【０００９】
本発明（後に開示する）の対象の米国特許庁における調査では、以下の７つの米国特許及び２つの米国特許出願が示されている。
【００１０】
Ｋｒｕｅｇｅｒらの米国特許４２５６３７７号は、垂直配向を生じさせるための配向の開発に関し、ＴＬＣＤの部分的なスイッチングとあまり関係がない。
【００１１】
Ｍｏｃｈｉｚｕｋｉらの米国特許５１１３２７３号は、強誘電性液晶の電気光学応答のメモリの改良に関するものである。
【００１２】
Ｙａｎａｇｉｓａｗａらの米国特許５１２８７８６号は、今回クレームした発明とは関連のないＴＦＴ−ＬＣＤ装置に用いられたブラックマトリックスに関するものである。
【００１３】
Ｂｅｅｓｅｌｙらの米国特許５４０００４７号は、エレクトロルミネセンスディスプレイの応答時間の改良に関するものであり、部分的なスイッチングについての記述はない。
【００１４】
Ｋｕｒａｔｏｍｉらの米国特許５５１５１８９号は、ニューラルネットワークのためのＬＣ空間光変調器に関するものであり、半透過式の直視型ディスプレイのためのものではない。
【００１５】
Ｐａｒｋの米国特許６０４３６０５号は、浮動補助電極によってプラズマディスプレイを改善するものであり、その開示は、ＬＣＤに関連するものではない。
【００１６】
Ｋｉｍらの米国特許６３４４０８０Ｂ１号は（前述の引用と同様に）、プラズマディスプレイのみに関連するものである。
【００１７】
Ｐａｒｋの米国特許公開２００１／００４０６６６Ａ１号は、ＬＣＤのための配向膜を教示しているが、ＴＬＣＤを生じさせるためのいかなる技術も開示していない。
【００１８】
Ａｒａｉの米国特許公開２００１／００４３２９７Ａ１号は、部分的なスイッチングに関連しておらず、ＴＮ（Twisted Nematic）及びＳＴＮ（Super Twisted Nematic）ＬＣＤに関連するものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
その調査において示された引用例では、現在のＬＣ技術を用いて、大量生産のために単一のセルギャップのみを使用して高い光効率を実現するにあたり直面する困難性を減ずるためのいかなる提案もなされていない。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の第１の目的は、二重のセルギャップを使用することなしに単一ギャップの手法で、高い反射（Ｒ）及び透過（Ｔ）の半透過型液晶ディスプレイ（ＴＬＣＤ）を提供することにある。
【００２１】
本発明の第２の目的は、高い反射（Ｒ）及び透過（Ｔ）の半透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を提供することにあり、それは、周囲の光が十分に明るくないときでも、特にカラー反射型ディスプレイにおいて、質の高い画像を表示するための高い性能を有する。
【００２２】
本発明の第３の目的は、高い反射（Ｒ）及び透過（Ｔ）の半透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を提供することにあり、それは、単一ギャップＬＣＤにおける反射ピクセル中の分子の部分的なスイッチングを備えるものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、単一ギャップを有する高い反射（Ｒ）及び透過（Ｔ）の半透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が提供され、それは、単一ギャップの液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）における反射ピクセル（Ｒ）の複屈折変化Δｎを低減するステップを含み、その単一ギャップＬＣＤにおいては、反射ピクセル（Ｒ）の全体のリターデイションΔｎｄは、透過ピクセルの全体のリターデイションΔｎｄと略等しくなる。
【００２４】
また、本発明によれば、単一ギャップの半透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が提供され、それは、透過ピクセル（Ｔ）及び反射ピクセル（Ｒ）を有する単一ギャップの液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、及び、単一ギャップ液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）において反射ピクセル（Ｒ）の複屈折変化Δｎを低減する手段を含み、その単一ギャップＬＣＤにおいては、反射ピクセル（Ｒ）の全体のリターデイションΔｎｄは、透過ピクセルの全体のリターデイションΔｎｄと略等しくなる。
【００２５】
本発明の更なる目的及び利点は、添付の図面において図解される以下の好適な実施の形態の詳細な説明から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施の形態を詳細に説明する前に、本発明が詳細な説明に示された特定の構成に対する適用に限定されるものではなく、他の実施の形態も可能であることを理解されたい。また、ここで使用される用語は、説明を目的とするものあって限定するためのものではない。
【００２７】
以下で開示される本発明においては、セルギャップをｄからｄ／２へ減少させる代わりに、部分的なスイッチング（partial switching）を利用することによってＲにおける複屈折変化をΔｎからΔｎ／２へ減少させることが可能であることが見出された。分子は、通常の９０°の代わりに略４５°でスイッチされる。この場合、結果として生じる二重の光路Ｒのリターデイション変化は、Ｔの場合と等しく（Δｎ／２）×（２ｄ）＝Δｎｄのままである。これにより、単一のセルギャップ構造を用いてＴ及びＲともに高い光効率がもたらされる。
【００２８】
以下では、その種の部分的なスイッチングの発生のための適切な構成を説明する。これは、不連続な画素電極（またはコモン電極）を用いることによって、Ｒ領域に強いフリンジフィールド（fringing fields）を発生させることにより達成される。このフリンジフィールドの構成及び目的は、ＬＣＤのための広視野角技術として報告されているＦＦＳ（Fringe-Field-Switching）とは全く異なるものである。その相違点は、以下のようなものである。
【００２９】
（ａ）ＦＦＳの構成では、強い横電界スイッチング（In-Plane-Switching）を生じさせるために、コモン電極が画素電極と同じ基板の側にあることを必要とする。しかしながら、本発明では、コモン電極は別の基板上にあり、これは、標準の電場を利用する標準的なＴＦＴ−ＬＣＤと類似の構成である。
【００３０】
（ｂ）本発明の目的は、横電界スイッチングを生じさせることではなく、その代わりに、電場を通常の方向から斜めの方向へと逸らして、部分的なスイッチングを生じさせることにある。
【００３１】
このように、本発明のフリンジフィールドの手法は、既存のＦＦＳ ＴＦＴ−ＬＣＤと比較して構成及び目的がともに異なるものである。
【００３２】
本発明は、二重のセルギャップの手法を用いることなしに、Ｒ（反射）及びＴ（透過）ともに高い光効率を達成するための技術を示す。それは、この場合には光効率と等しいＬＣＤの出力光レベル変化が、装置のＬＣ層における入射光の進行によって受ける全体のリターデイション変化に比例することに基づくものである。全体のリターデイション変化Δｎｄは、１）電圧が印加された状態における液晶分子の再配向の結果として入射光に見られる複屈折変化Δｎ、及び２）単一経路の光についてのセルギャップｄに等しい、ＬＣ層における入射光が進む全体の経路長さｄの積である。Ｒサブピクセル領域のセルギャップを減少させる代わりに、Ｒの複屈折変化Δｎを減少させることで、Ｒの全体のリターデイション変化Δｎｄは、Ｔの場合と等しくなる。この場合、単一のセルギャップを使用して、高いＲ及びＴをともに達成することができる。
【００３３】
ここで、本発明を最も良く理解するために図４を参照する。Ｒ領域４２におけるセルギャップ（ｄ）４０を半分に減少させる代わりとして、本発明では、反射領域における複屈折変化Δｎを半分に減少させ、全体のリターデイションは同一のままとする。これは、ＬＣ分子４４の部分的なスイッチングにより達成され得る。通常の電場によって行われ得るＬＣ分子４６の９０°へのスイッチングの代わりに、図４に示すように、Ｒ領域におけるＬＣ分子４４を略４５°に部分的にスイッチングし、ΔｎではなくΔｎ／２の複屈折変化をもたらす。従って、ＬＣ層におけるＲの全体の経路は２ｄであるので、Ｒの全体のリターデイション変化は、Δｎ・ｄ（＝Δｎ／２×２ｄ）のままである。この条件の下で、Ｔ及びＲはともに等しく且つ高い効率得られると考えられる。
【００３４】
部分的なスイッチングのための方法として、斜めの電場を用いることができる。コンピュータシミュレーションによると、必要とされる部分的なスイッチングを実現するために適切な斜めの電場を生じさせるための方法は、図５に示すように、不連続な画素電極５０及びコモン電極５２の間でフリンジフィールドを生じさせることによるものである。不連続な電極５０は、フリンジフィールドが優位を占めるために、狭い幅Ｗ（一般に約１０μｍ未満）及び狭いギャップＧ（一般に約３μｍ未満）を有することが必要である。これにより、ギャップ領域及びその付近におけるＬＣ分子が部分的にスイッチングされ、従って、結果として生じる単一経路のリターデイション変化が減少する。その不連続な電極は、反射体の頂部に、それらの間の薄い絶縁層（例えば、ＳｉＯ２）とともに設けることができる。或いは、その不連続な電極は、反射基板上の画素電極の代わりに、カラーフィルタ基板上のコモン電極を用いて設けることもできる。この場合、反射体上において付加的な絶縁層或いは変更は必要とされない。
【００３５】
一例として、図６は、Ｒ領域において約１μｍの幅及び約１μｍのギャップの不連続な電極を備えたＶＡ半透過型デバイスについて、電圧の関数としてのＲ及びＴの光効率を示す。Ｔ領域における電極は連続的なままである。図に示すように、Ｒの光効率は、約３．７５Ｖにおいて１００％に到達する。オン状態（Ｖｏｎ）としてこの電圧でデバイスにバイアスをかけた場合、Ｔの効率は約９０％であり、これは、不連続な電極なしの単一のセルギャップの装置における効率よりもより高い値である。この場合のＲにおける部分的なスイッチングは理想的なものではないのでＴの効率は１００％ではない。即ち、９０°にスイッチされたＴにおける分子のように、全ての分子が、その電圧において４５°にスイッチされることはない。しかしながら、適切な設計によって、その効率は最適化され得る。電極幅Ｗ及び電極ギャップＧは、強いフリンジフィールドを保証するために、それぞれ約１０μｍ及び約３μｍと等しくまたはそれより小さく最適に保持されているが、実際の限界は、デバイスのセルギャップに依存する。より大きなセルギャップでは、フリンジフィールドがより広い領域に拡大可能なので、より広い電極幅及びギャップが許容される。従って、部分的なスイッチングの量は、より大きな電極幅及びギャップにもかかわらず概ね同一のままとなり得る。
【００３６】
表１は、異なる電極幅及びギャップの組合わせを用いて得られた結果の一例を示す。この結果は、部分的なスイッチングの原理が実際に非常に新しく且つ簡易な方法であり、複雑な二重のセルギャップの手法を用いることなしに、単一のセルギャップのＴＬＣＤについて高いＲ及びＴの効率を達成することを示している。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
上述のように、異なる電極幅Ｗ及び電極ギャップＧの組合わせを用いて得られた光効率Ｒ及びＴが表１に示されている。その結果は、本発明の部分的なスイッチングの手法を用いて、８５％を超えるＲ及びＴを着実に達成可能であることを実証している。また、それは、いくつかのケースでは、電極ギャップＧを小さくしてもしすぎることはないことを示している。
【００３９】
その示された結果は、単一のセルギャップのＴＬＣＤについて高いＲ及びＴの効率を達成するために、部分的なスイッチングの原理が実際に非常に新しく且つ簡易な方法たり得ることを示している。さらに、セルギャップの増大とともに部分的なスイッチングの量が増大するので、Ｒ及びＴ双方の光効率は、セルギャップを増大させることにより更に改善することが可能である。表１の結果のほとんどは、一例として約３．６μｍのセルギャップに基づくものである。
【００４０】
本発明は、二重のセルギャップの手法を用いることなしに高反射且つ高透過ＴＬＣＤを実現する全く新規かつ簡易な技術を開示するものである。
【００４１】
本発明は、セルギャップをｄからｄ／２に減少させる代わりに、部分的なスイッチングを用いることによってＲ領域における複屈折変化をΔｎからΔｎ／２に減少させ得るという予期しない事実に基づくものである。分子は、通常の９０°ではなく約４５°でスイッチングされる。この場合、複光路Ｒについて結果的に生じるリターデイション変化は、Ｔの場合と同一の（Δｎ／２）×（２ｄ）＝Δｎｄのままである。これにより、簡易な単一のセルギャップ構造を用いてＴ及びＲの双方に対して高い光効率がもたらされる。
【００４２】
そのような部分的なスイッチングを生じさせるための適切な手法を説明してきた。これは、不連続の画素電極（またはコモン電極）を用いてＲ領域に強いフリンジフィールドを生じさせることによって実現されるものである。このフリンジフィールドの構成及び目的は、ＬＣＤのための広視野角技術として報告されているＦＦＳ（Fringe-Field-Switching）とは全く異なるものである。
【００４３】
（ａ）ＦＦＳの構成では、強い横電界スイッチング（In-Plane-Switching）を生じさせるために、コモン電極が画素電極と同じ基板の側にあることを必要とする。しかしながら、本発明では、コモン電極は別の基板上にあり、これは、標準の電場を利用する標準的なＴＦＴ−ＬＣＤと類似の構成である。
【００４４】
（ｂ）本発明の目的は、横電界スイッチングを生じさせることではなく、その代わりに、既存のＦＦＳ ＴＦＴ−ＬＣＤとは構成及び目的が異なるフリンジフィールドの手法で、電場を通常の方向から斜めの方向へと逸らして、部分的なスイッチングを生じさせることにある。
【００４５】
本発明は、Ｒ及びＴともに高い光効率を達成するために、二重のセルギャップの手法を用いる必要性をなくすものである。上述したように、二重のセルギャップの手法は、より複雑な製造プロセスのみならず複雑な構造をもたらす。その製造プロセスは、２つのセルギャップの間の差を非常に好適に制御する必要があり、それは、特別な層（通常は有機物）の制御に依存する。この好適な制御は難しく、不均一なセルギャップとなり、従って、、ＬＣＤの光学的性能の低下を招く可能性がある。
【００４６】
二重のセルギャップの手法とは異なり、単一のセルギャップは、Ｔ及びＲの表示モードの間で応答時間の差を生じさせることはない。
【００４７】
また、この手法は、Ｒ領域における通常の連続的な電極の代わりに不連続な電極を形成するために、大きな追加的構成要素を必要としないので、本発明は、コストを低減することが可能である。二重のセルギャップの場合、二重のセルギャップ構造体を形成するために、特別な厚い有機層を必要とする。
【００４８】
本発明は、携帯電話、ＰＤＡ（personal digital assistants）及び電子書籍（e-book）等のハンドヘルド及びモバイル通信に適用されるが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
本発明を特定の実施の形態について説明したが、本発明の範囲は、それらの実施の形態のみに限定されるべきものではなく、特に、特許請求の範囲の記載により特定された発明の技術的範囲内において種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１ａ】従来技術による単一のセルギャップを用いた半透過型液晶ディスプレイ（ＴＬＣＤ）を示す図
【図１ｂ】従来技術による二重のセルギャップを用いたＴＬＣＤを示す図
【図２ａ】電場が印加された状態でのスイッチングを示す単一のセルギャップのＶＡ（Vertically aligned）ＴＬＣＤピクセルの構造を示す図
【図２ｂ】図２ａの装置における反射−電圧プロット及び透過−電圧プロットを示す図
【図３ａ】電場が印加された状態でのスイッチングを示す二重のセルギャップのＶＡ  ＴＬＣＤの構造を示す図
【図３ｂ】図３ａの装置における反射−電圧プロット及び透過−電圧プロットを示す図
【図４】本発明の単一ギャップＬＣＤの部分的なスイッチングの構成を示す図
【図５】本発明の単一ギャップＬＣＤにおける不連続の電極を用いた強いフリンジフィールドの発生を示す図
【図６】Ｒサブピクセル領域における部分的なスイッチングを備えた単一のセルギャップＶＡ ＴＬＣＤの反射−電圧（Ｒ−Ｖ）及び透過−電圧（Ｔ−Ｖ）プロットを示す図
【符号の説明】
【００５１】
４０  セルギャップ（ｄ）
４４  ＬＣ分子
５０  画素電極
５２  コモン電極
【図１ａ】
2005524115.tif 000004
【図１ｂ】
2005524115.tif 000005
【図２ａ】
2005524115.tif 000006
【図２ｂ】
2005524115.tif 000007
【図３ａ】
2005524115.tif 000008
【図３ｂ】
2005524115.tif 000009
【図４】
2005524115.tif 000010
【図５】
2005524115.tif 000011
【図６】
2005524115.tif 000012
【国際調査報告】
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