(57)【要約】本発明は、基板上に、高屈折光学作用層と低屈折光学作用層とを交互に積層したものを有している各光学精密構成要素用の層システムの製造方法及び装置に関する。その際、一定保持された「遷移モード」での作動点で反応して駆動されるパルスマグネトロンスパッタステーションによって個別層を析出し、該析出の際に、各パルスマグネトロンスパッタステーションにて、所属のターゲット材料で均一にリニアに移動することによって、所定の速度Ｖ１で基板の近傍を通過し、該通過の際、Ｖ１を、個別層の析出の際に、所定個数部分を、層厚の少なくとも５０％の厚み以下に各層を堆積するように調整し、その後、基板上で、部分層システムの透過及び／又は反射及び／又は偏光を光学精密測定し、該光学精密測定の結果を、各層の完全析出後に達成すべき目標値と比較するのである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、高屈折光学作用層と低屈折光学作用層とを交互に積層したものを有している各光学精密構成要素用の層システムの製造方法において、
一定保持された「遷移モード」での作動点で反応して駆動されるパルスマグネトロンスパッタステーションによって個別層を析出し、該析出の際に、各パルスマグネトロンスパッタステーションにて、所属のターゲット材料で均一にリニアに移動することによって、所定の速度Ｖ１で基板の近傍を通過し、
該通過の際、Ｖ１を、個別層の析出の際に、所定個数部分を、層厚の少なくとも５０％の厚み以下に各層を堆積するように調整し、
その後、前記基板上で、部分層システムの透過及び／又は反射及び／又は偏光を光学精密測定し、該光学精密測定の結果を、各層の完全析出後に達成すべき目標値と比較し、
該比較から、目標層厚になる迄に未だ残っている層厚を検出し、未だ不足している層厚に応じて、新規速度ｖ２を設定し、該速度ｖ２で、所定数の通過後、前記目標層厚が達成される迄、目標層厚を調整し、または、層厚を新たに決め、別の速度を決め、
少なくとも、前記積層の層全体の析出期間中、パルスマグネトロンスパッタステーションをスイッチオフしない
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
２つの速度での各２回の通過後に目標層厚に達する請求項１記載の方法。
【請求項３】
２回の通過後、目標層厚の少なくとも９０％を析出するように速度ｖ１を調整する請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
パルスマグネトロンスパッタ源として、所謂埋込（ｖｅｒｓｔｅｃｋｔｅｎ）アノードを用いて直流電流パルスの供給によってユニポーラで駆動される個別源を使う請求項１から３迄の何れか１記載の方法。
【請求項５】
パルスマグネトロンスパッタ源として、中間周波交流電流パルスの供給によってバイポーラに駆動される、対状駆動式のマグネトロンの２重装置を使う請求項１から３迄の何れか１記載の方法。
【請求項６】
各基板をリニアな運動に対して付加的に、基板面に対して垂直方向に延在している軸を中心にして回転する請求項１から５迄の何れか１記載の方法。
【請求項７】
パルスマグネトロンスパッタステーションを、公知の手段でのプローブコーティングによって光学精密構成部品をコーティングする前に、個別層の堆積時に基板上の層特性の局所偏差が±１％よりも小さい程度に最適化する請求項１から６迄の何れか１記載の方法。
【請求項８】
目標層厚の達成に必要な速度Ｖ２ｉの評価によって、コーティングステーションの各々の平均析出速度のドリフトを検出し、速度Ｖ１ｉの設定値の適合によって補償する請求項２から７迄の何れか１記載の方法。
【請求項９】
いくつかの個別層の堆積後、基板をコーティングし、コーティング室内で形成されたテスト基板を、アナログ形式で個別層でコーティングし、該個別層の透過及び／又は反射及び／又は偏光を測定して、目標値と比較し、検出された偏差から、層厚の、透過速度への依存性を検出し、所定の速度Ｖ１ｉを補正する請求項１から８迄の何れか１記載の方法。
【請求項１０】
同時に少なくとも２つの基板をコーティングし、一方の前記基板上に高屈折層を堆積する間、他方の前記基板上に低屈折層を堆積し、逆に、一方の前記基板上に低屈折層を堆積する間、他方の前記基板上に高屈折層を堆積する請求項１から９迄の何れか１記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの基板（２）を収容するための、少なくとも１つの真空化可能な真空コーティング室（１）と、反応性パルスマグネトロンスパッタリング（Ｚｅｒｓｔａｅｕｂｕｎｇ）プロセスの実行用の位置的に相互に別個に設けられた少なくとも２つのパルスマグネトロンスパッタステーション（３′，３″）とを有しており、該パルスマグネトロンスパッタステーションには、少なくとも各々１つのマグネトロン源、作業ガスおよび反応ガスの供給および配分用手段、供給ガスの分圧及び／又は流れの測定および調整用手段、並びに、電気エネルギの供給および調整用手段が設けられており、少なくとも１つのパルスマグネトロンスパッタステーションの前記マグネトロン源には、光学低屈折層の析出用のターゲットが装着されており、前記マグネトロン源に対して所定の間隔でパルスマグネトロンスパッタステーションの各々に対して相対的に基板のリニアな運動を行うための手段、並びに、光学反射及び／又は光学透過及び／又は当該測定装置に対して所定の間隔で配置された基板の偏光の精密測定用の少なくとも１つの測定装置が設けられている請求項１記載の方法を実施するための装置。
【請求項１２】
測定装置は、単色光用の透過フォトメータを有する請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
装置は、基板の送給および搬出用の別の真空室を有している請求項１１又は１２記載の装置。
【請求項１４】
装置は、基板の温度調節用の装置を有している請求項１１から１３迄の何れか１記載の装置。
【請求項１５】
装置は、予め設定可能な波長領域内で、コーティング基板の透過、反射または偏光の各光学特性量の１つを波長に依存して測定するための装置を有している請求項１１から１４迄の何れか１記載の装置。
【請求項１６】
基板のリニアな運動のための手段が、垂直方向の基板位置または高々垂直方向の位置から１０°の偏差が達成されるように構成されている請求項１１から１５迄の何れか１記載の装置。
【請求項１７】
基板の搬送のために、頑丈な基板坦体を有しており、該基板坦体は、加工可能なセラミック材料製であり、前記基板坦体は、前記基板と形状がほぼ一致するようにして当該基板を収容するための凹部を有している請求項１１から１６迄の何れか１記載の装置。
【請求項１８】
基板坦体の無接触磁気案内用の手段が設けられている請求項１１から１７迄の何れか１記載の装置。
【請求項１９】
基板のリニアな運動に対して付加的に、基板面に対して垂直方向の軸を中心にして前記基板を回転することができる手段が設けられている請求項１１から１８迄の何れか１記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学精密構成要素用の層システムの製造方法および製造装置に関する。そのような層システムは、５０回以上の多数頻度で交互に形成された高屈折光学作用層と低屈折光学作用層とからなる。各構成要素は、例えば、光データ伝送用のネットワーク内で、例えば、高密度波長分割マルチプレクサ（ＤＷＤＭ：Ｄｅｎｓｅ  Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）（ＷＯ０１／０４６６８）およびゲインフラットニングフィルタ（ＷＯ９９／５０９７８）での狭帯域フィルタとして使用される。
【０００２】
光学精密構成要素用の層システムは、各個別層の「光学的厚み」を非常に精確に保持する必要がある。この「光学的厚み」は、層の屈折率および幾何学的厚みによって決められる。典型的な許容偏差の要件は、０．１パーセントである。そのような層システムを、非常に高価なプロセス制御および測定技術を利用して、プラズマ支援の電子ビーム減衰によって形成することは公知である（Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｃｏａｔｅｒｓ  １９９８，Ｐｒｏｃ．４１ｓｔ  Ａｎｎｕａｌ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ＩＳＳＮ  ０７３７−５９２１  ｐ．２１７−２１９）。その際、許容偏差の要件は、基板の収容用に設けられた面の狭く限定された部分面にしか充足されない。達成された層特性の検査、および、許容偏差の要件を充足する、ばらばらの各構成要素の選択は、非常にコスト高である。
【０００３】
さらに、そのような層システムを、イオンビームスパッタリングによって形成することが可能である（Ｆｉｒｍｅｎｓｃｈｒｉｆｔ”Ｓｐｅｃｔｏｒ”，Ｆｉｒｍａ  Ｖｅｅｃo,  Ｆｏｒｔ  Ｃｏｌｌｉｎｓ，Ｃｏｌ．，ＵＳＡ，１９９９）。前述の方法よりも層特性の均一度が改善されたこと、および、従って、歩留まりが一層向上したことについて報告されている。しかし、この方法での０．２．．．０．３ｎｍ／ｓの低い析出速度の結果、同様に経済性は不十分である。
【０００４】
本発明の課題は、従来技術に較べて高い経済性によって際だっている、冒頭に記載したような析出方法および所属の装置を提供することにある。
【０００５】
本発明によると、この課題は、請求項１記載の各要件の方法によって解決される。この方法の別の有利な実施例は、請求項２から１０に記載されている。方法を実施するための装置は、請求項１１に記載されている。装置の別の実施例は、請求項１２〜１９に記載されている各要件を有している。
【０００６】
この方法は、高屈折および低屈折光学層の析出のために、反応性パルスマグネトロンスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ，Ｓｐｕｔｔｅｒｎ）を利用し、その際、各基板は、少なくとも１つのパルスマグネトロンスパッタステーションに対して相対的に、均一なリニアな運動を行うことによって各個別高屈折または低屈折層を堆積するために、所定速度ｖ１で移動される。スパッタステーションには、金属の、または、酸素含有のターゲットが設けられており、このターゲットは、反応性の変換後、高屈折および低屈折層が形成される金属を含む。プロセスは、公知のようにして制御されて、反応性ガスを導入することによって、所謂「メタリックモード」から「リアクティブモード」に移行する際に生じて、「遷移モード」と呼ばれる安定状態に達する（Ｓ．Ｓｃｈｉｌｌｅｒ，Ｕ．Ｈｅｉｓｉｇ，Ｃｈｒ．Ｋｏｒｎｄｏｅｒｆｅｒ，Ｇ．Ｂｅｉｓｔｅｒ，Ｊ．Ｒｅｓｃｈｋｅ，Ｋ．Ｓｔｅｉｎｆｅｌｄｅｒ  ａｎｄ  Ｊ．Ｓｔｒｕｅｍｐｆｅｌ，Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｄ．ｃ．ｈｉｇｈ−ｒａｔｅ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ａｓ  ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｕｒｆ．Ｃｏａｔ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，３３（１９８７）４０５）。
【０００７】
本発明によると、パルスマグネトロンスパッタステーションは、少なくとも、基板上に完全に層システムを形成する期間中、一定に保持されるターゲット被覆度、所謂作動点で駆動される。このパルスマグネトロンスパッタステーションは、パルスマグネトロンスパッタステーションの前にコーティングすべき基板がない時間部分内でも、一定出力で更に駆動され続ける。個別層の厚みは、基板が各パルスマグネトロンスパッタステーションの傍を通って案内される搬送速度を変えることによって調整される。
【０００８】
本発明によると、少なくとも、層システムの各個別層の１つに対して、複数のコーティングステップの後に初めて、個別層の所定の厚みが達成されるように堆積される。搬送速度ｖ１を適切に選択することによって、層厚の少なくとも５０％、有利には、９０％の層厚が堆積されるにすぎない。続いて、部分的にコーティングされた基板上で、光学的な精密測定が行われる。その際、透過及び／又は反射及び／又は偏光を求める公知の測定方法が利用される。そのようにして得られた測定値を所属の目標値と比較することによって、各々の個別層の精確な目標層厚が達成されるまで、残留層厚が算出され、他の搬送速度Ｖ２を設定するために使用される。この搬送速度は、複数の個別ステップから合成することができる後続のコーティング後、個別層の達成したい目標層厚、つまり、層システム全体の機能のために必要な、個別層の「光学的厚み」が精確に得られるように選定される。本発明では、２つ以上の部分層内でも個別層を堆積することができ、その際、多数回、光学的精密測定と、直ぐ次の部分層の堆積用の新たな搬送速度が決定される。測定された光学的量の各々の目標値および残りの残留層厚が、構成要素の得られた光学的特性の数値的なシミュレーションによって、または、場合によっては経験的なやり方で求められる。
【０００９】
個別層の析出を、測定技術により監視される複数の部分コーティングに分割することによって、所定層厚を精確に維持する際に明らかに改善することができる。それと同時に、コーティングプロセスが非常に安定し、その際、この非常に安定したコーティングプロセスは、途中で遮断されずに駆動されるパルスマグネトロンスパッタステーションによって達成され、１ｎｍ／ｓ以上の経済的なコーティング速度でも、層特性を均一にすることができ、従来技術に較べて拡張した基板領域で、狭い許容偏差設定値を維持することができる。
【００１０】
パルスマグネトロンスパッタステーションを所謂ユニポーラモードで駆動すると有利である。そのために、公知のやり方で、直流電流パルスを個別マグネトロン源に供給し、このマグネトロン源は、所謂埋込（ｖｅｒｓｔｅｃｋｔｅｎ）アノードを用いて駆動される。（Ｓ．Ｓｃｈｉｌｌｅｒ，Ｋ．Ｇｏｅｄｉｃｋｅ，Ｊ．Ｒｅｓｃｈｋｅ，Ｖ．Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ，Ｓ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ  ａｎｄ  Ｆ．Ｍｉｌｄｅ，Ｐｕｌｓｅｄ  ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｕｒｆ．Ｃｏａｔ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，６１（１９９３）３３１）。別の有利な実施例では、パルスマグネトロンスパッタステーションは、所謂バイポーラモードで駆動される一対の個別マグネトロン源から構成されている（同書）。
【００１１】
層システムの光学特性の均一度を更に改善することができ、その際、リニアな運動に対して付加的に、コーティング期間中、基板面に対して垂直方向の軸を中心にして基板が回転する。
【００１２】
有利には、光学的な精密構成部品のコーティングの前に、各個別層のサンプルコーティングが行われる。光学的な特性量の位置分解測定によって、層特性の均一度、つまり、主として「光学的な厚み」が評価され、場合によっては、公知の手段を用いて、局所偏差が１％より小さい、有利には、０．１％よりも小さな値に迄改善される。そのような手段は、気体密度分布、絞りの形状の補正、マグネット源の磁場の補正、及び、他の手段の補正に関係している。
【００１３】
パルスマグネトロンスパッタステーションによって析出された部分層での多数回の光学的精密測定から、析出速度の変化傾向が求められ、後続のコーティング期間用の搬送速度を決める際に考慮されるようにすると、特に目的に適っている。
【００１４】
基板に、個別層のいくつかをコーティングした後、コーティングされていないテスト基板に個別層をコーティングして、その光学的な特性を測定し、そうして、搬送速度を決める際にその結果を考慮するようにすると、目的に適っている。個別層で、光学的な特性を測定する利点は、比較的高い測定精度によって達成されるのであり、層厚の、搬送速度への依存性を精確に較正することができる。
【００１５】
少なくとも２つの基板を同時にコーティングプロセスし、少なくとも２つのパルスマグネトロンスパッタステーションを同時に作動して、種々異なった材料をスパッタリングするようにすると、経済的且つ技術的な理由から特に有利である。その際、同じ時間に、高屈折層を一方の基板上、または、一方の基板群の上に析出し、低屈折層を他方の基板上、または他方の基板群の上に析出するとよい。基板のスループットの向上と、ターゲットの利用の改善の他に、この方法では、コーティングプロセスの安定性が明らかに向上する。と言うのは、塵埃の除かれた材料の大部分が基板上に析出され、従って、コーティング装置の内部部分に妨害となる層が形成されるのが低減されるからである。
【００１６】
本発明の、方法を実施するための装置は、少なくとも１つの基板を収容するために、少なくとも１つの、有利には、相互に接続可能な２つの、真空にすることができる真空コーティング室を有している。コーティング室が１つしか設けられない場合、コーティング室の形状、および、真空ポンプ並びに適切に部分的に分離された薄板の装置構成によって、パルスマグネトロンスパッタステーションが設けられている各領域間でのガス流を著しく減結合することができるようになる。パルスマグネトロンスパッタステーションは、公知のように構成されており、各々少なくとも１つのマグネトロン源、作業ガスおよび反応性ガスの供給および排出用の手段、供給されたガスの分圧及び／又はフローの測定および調整用手段、ならびに、電気エネルギの給電および調整用手段を有している。パルスマグネトロンスパッタステーション用の特に目的に適った構成手段は、例えば、ドイツ連邦共和国特許公開第１９９４７９３５号公報に記載されている。マグネトロン源として、ターゲットに塵埃が戻って付着するゾーンを回避するために、ターゲットとマグネトロンマグネット装置との相対運動を含む装置が適している。
【００１７】
マグネトロン源には、ターゲットが装着されており、ターゲットは、有利には、高屈折層および低屈折層用の結合層が形成される金属を、元素の形式で、例えば、高屈折Ｔａ２Ｏ５層の製造用のタンタルと、低屈折ＳｉＯ２層の製造用のシリコンを含んでいる。更に、装置は、パルスマグネトロンスパッタステーションの他に、コーティング基板の１つまたは複数の光学的特性を精密測定するための手段が装着された、少なくとも１つの測定ステーションを有している。例えば、この測定ステーションは、赤外線波長領域内の単色光ビームで作動する透過フォトメータを有するようにしてもよい。装置のパルスマグネトロンスパッタステーションは、２つ、および、場合によっては複数の測定ステーションが相互に並んで同一平面内に配設されているように設けてもよい。この場合には、基板搬送用の手段は、装置全体を通って基板がリニアに移動することができるように構成されている。装置の大きさを小さくするためには、パルスマグネトロンスパッタステーションを上下に、または、並列して対向し合うように設けると、目的に適っている。この場合には、基板の移動は、部分的にしかリニアでなく、更に、基板搬送面をずらしたり、１８０°回転させたりする手段を有していてもよい。
【００１８】
装置は、更に、マグネトロン源に対して精確に間隔を維持して、パルスマグネトロンスパッタステーションの各々に対して相対的に基板をリニアに搬送する手段を有しており、その際、コーティング用の各パルスマグネトロンスパッタステーションの選択時にランダムな列が得られる。搬送装置は、基板の正確な調整用、および、基板のリニアな速度の測定用の手段が設けられている。
【００１９】
本発明の装置は、有利には、真空化、ガス供給および基板搬送に必要な手段、ならびに、基板の温度調節用の装置を備えた、基板の送給および搬出用の別の真空室を有している。この基板の温度調節用の装置によって、同一の凝縮条件を維持することができる。更に、有利な実施例では、各光学的特徴量の１つの、波長依存測定用手段、例えば、反射の測定用のスペクトロメータを備えている。
【００２０】
少なくともプロセスステーションの領域内での、基板のリニアな運動手段が、基板のほぼ垂直方向の位置にあるか、または、垂直方向位置から高々１０°の偏差しか生じないようにすると、特に有利である。
【００２１】
特に有利には、加工し易いセラミック材料製の基板の収容および搬送用の基板坦体を備えた装置を装着し、基板坦体は、頑丈に形成されていて、基板を収容するために、凹部を有しており、この凹部は、基板坦体および基板は、コーティングすべき面上で平坦な面を形成するようにされている。有利には、基板坦体の無接触磁気案内用の手段付の保持部が接続されており、それにより、特に振動を生じないようにして搬送することができる。
【００２２】
実施例を用いて、本発明の方法、および、方法を実施するための装置について詳細に説明する。
【００２３】
所属の図面は、本発明の装置の断面平面図を示す。
【００２４】
装置は、真空コーティング室１を有している。２つの基板２′、２″は、真空コーティング室１内の、対向し合った２つのパルスマグネトロンスパッタステーション３′、３″の領域内でリニアに動くことができる。そのために、基板は２０ｍｍ厚であって、ガラス製で、凹部が設けられた収容部（図示していない）内に入れられている。この収容部は、強磁性材料製のフレーム（図示していない）によって密閉されている。その都度、リニアな駆動部４′、４″により、所定の搬送速度でフレームを精確に移動することができるようになり、範囲０．３ｃｍ／ｓ〜１００ｃｍ／ｓで、精度１０−３で調整することができる。収容部により、同時に、基板をほぼ垂直方向に位置付けることができる。フレーム用の無接触磁気ガイドによって、基板面に対して垂直方向に±１８０°の位置精度で案内することができる。パルスマグネトロンスパッタステーション３′、３″は、相互に対向し合っており、１８０°だけ回転して設けられている。両プロセスステーション間に、ガス密な分離壁が設けられており、この分離壁は、２つの真空ポンプ５′、５″の位置と、パルスマグネトロンスパッタステーションを通過する反応性ガス流をほぼ減結合するパルスマグネトロンスパッタステーション３′、３″は、各々２つの４００×１００ｍｍ２の寸法の平坦な矩形状ターゲットの６′、６″、６″′、６″″を有しており、その際、一方のマグネトロン源６′、６″のターゲットは、高純度タンタル製であり、他方のマグネトロン源６″′、６″″のターゲットは、シリコン製である。パルスマグネトロンスパッタステーションは、作業ガスアルゴンと反応性ガス酸素との配分用の供給用システム（図示していない）、並びに、プラズマの光放出の測定に基づいてガス調整するための装置（図示していない）を有している。マグネトロン源の給電のために、電流給電部（図示していない）が使われ、この電流給電部は、５０ｋＨｚの周波数でのバイポーラパルス状のエネルギを給電することができる。測定ステーションは、１５２０ｎｍの波長で作動する透過性フォトメータを有している。基板収容用の搬送及び回転装置９により、一方のパルスマグネトロンスパッタステーション３′から他方のパルスマグネトロンスパッタステーション３″に基板を選択なしに搬送することができ、逆に、基板の送給および搬出に使われる真空室１０に搬送することができる。真空室１０は、更に、基板の温度調節用の装置を有している（図示していない）。
【００２５】
この方法は、本実施例では、狭帯域フィルタＤＷＤＭの製造のために、１５０×１５０ｎｍ２の寸法の１０ｎｍ厚コーティング用に使用される。アイソレートフィルタは、１．５×１．５×１ｍｍ３の寸法を有している。層システムは、種々異なった光学厚の光学的に作用する１２０個の個別層を有している。層材料として、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉＯ２が選択される。
【００２６】
多重層システムの析出のために、先ず、パルスマグネトロンスパッタステーションが作動される。そのために、その都度１５０ｓｃｃｍのアルゴン流で、０．２Ｐａのアルゴン圧が設定及び調整される。バイポーラの電流給電部は、８ｋＷをタンタルターゲットのマグネトロン源に給電し、７ｋＷをシリコンターゲットのマグネトロン源に給電する。反応性ガス流、つまり、酸素流の調整用の目標値を設定することによって、公知のように、両パルスマグネトロンスパッタステーション用の作動点が調整され、この作動点で、比較的高い析出速度と、Ｔａ２Ｏ５層及びＳｉＯ２層の化学量論が達成される。パルスマグネトロンスパッタステーションは、続いて、テストコーティングによって制御され、その際、各テスト基板上に、Ｔａ２Ｏ５層及びＳｉＯ２層が析出され、それから、析出速度が特定される。続いて、パルスマグネトロンスパッタステーションは、析出過程の全ての期間中、遮断せずにスイッチオンし続ける。パルスマグネトロンスパッタステーションは、調整回路と、ターゲット侵食の影響を補償するための特別なアルゴリズムを用いて、析出速度の長時間ドリフトが出来る限り僅かであるように作動される。
【００２７】
シミュレーション計算によって、多重層システムのデザインに合わされた、即ち、各個別層の個数及び目標層厚に合わされたセットの、透過用の目標値が、各個別層の堆積後に各所定波長で形成される。この波長は、製造し終わった多重層システムが高い透過度を有している波長に相応する。この実施例では、１５２０ｎｍの波長が使われる。
【００２８】
真空室１０を用いて、２つの基板を相次いで送給した後、先ず、パルスマグネトロンスパッタステーションを利用して、光学的精度測定の測定精度を改善する理由から、高屈折個別層と低屈折個別層の各反射防止コーティング層が、公知のようにして、基板の、後で裏面となる面上に堆積される。目標は、１５２０ｎｍの波長領域内で、残留反射を、＜０．１パーセントに低減することである。その後、両基板は、真空室１０を用いて排出され、裏返しされ、再度供給され、その結果、多重層システムが堆積される必要がある基板が、活性ターゲット面の近傍を通過することができる。続いて、基板２′は、測定ステーション８′に配置され、裏面反射防止コーティングが設けられていない基板の透過度が、波長１５２０ｎｍで測定される。パルスマグネトロンスパッタ３′用の析出速度の検出された値から、速度ｖ′１．１が、パルスマグネトロンスパッタステーション３′が２回行ったり来たりして往復した後、第１の個別層のほぼ９０％が堆積される。この堆積後、測定ステーション８′で、透過測定が行われる。目標値Ｓ１との差からシミュレーションに相応して、明らかに大きな第２の速度ｖ′２．１が特定され、その結果、パルスマグネトロンスパッタステーション３′の新たな２回の実行後、第１の個別層が、測定精度の範囲内で正確に達成される。
【００２９】
基板２′は、その後、第２の低屈折層の堆積用の回転装置９を用いて、第２のパルスマグネトロンスパッタステーション３″の前で形成される。同じ時間で、基板２″は、第１の高屈折層の堆積用に形成される。基板２′上への第１のＳｉＯ２層の堆積は、第２のパルスマグネトロンスパッタステーション３″で、高屈折Ｔａ２Ｏ５層の前述のコーティングと技術的意味の上で同じやり方で行われる。この時間内に、基板２″に対して、基板２′の場合に既述したのと同様にして、搬送速度ｖ″１．１＝ｖ′１．１で、第１の層の析出が行われる。一般的に、基板２′上で、各々、速度ｖ′１．ｉ及びｖ′２．ｉでのｉ番目の個別層のコーティング、及び、基板２″上で、速度ｖ″１．ｉ−１及びｖ″２．ｉ−１で、ｉ−１番目の個別層のコーティングがほぼ同時に行われる。速度ｖ′２．ｉ及びｖ″２．ｉ−１は、各々、先行測定結果と、透過の算出された目標値との差、及び、それから導出された残留層厚とから、ｉ番目の層を仕上げるために特定される。ｖ２．ｉ値から、各パルスマグネトロンスパッタステーションの１つで、析出速度の変化が検出されると、速度ｖ１．ｉを、この傾向に応じて変えるようにしてもよい。回転装置９により、各基板が各々のパルスマグネトロンスパッタステーション及び測定ステーションで交互に形成され、同時に、両基板用の各個別層のコーティング期間中、区別する際に各基板の一方用の定位置として使われる。両基板上に全ての個別層を堆積した後、この基板は、個別に真空室１０を用いて排出される。パルスマグネトロンスパッタステーションは、別の対の基板のコーティング用に準備状態となる。この場合、パルスマグネトロンスパッタステーションは、スイッチオフされない。
【００３０】
複数のλ／４層である各層の２つの基板上に、前述のように、層の積層を析出するのに必要な時間は、約９時間である。この時間の一部分は、基板の操作及び多数の測定のために必要である。コンピュータ支援により調整されたパルスマグネトロンスパッタプロセスの高い基本安定度、及び、析出プロセスを本発明のように実行することによって、機能上制約される許容偏差の設定を充足する光学精密構成素子の高い収量を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の装置の断面平面図。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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