(57)【要約】本発明は、大面積センサ配置、特に、フラットダイナミックＸ線検出器（ＦＤＸＤ）に関する。センサ配置の感光及び／又は感Ｘ線センサ（画素）は、基板（１）上の平面分布で配置され、従って、感応層（２０）が形成される。層（２０）の表面には、核センサのコンタクト点（２３）が設けられ、このコンタクト点は、１つ以上の接続層（３０、４０）を介して、集積回路（６）に接続される。従って、電子評価回路（６）が２次元状に、且つ、センサ（２０）に平行して配置される多層の非常にコンパクトな構造が得られる。回路（６）における夫々の評価回路は各センサに関連付けられ、その結果、経路が非常に短くなり、且つ、雑音が減少する。
2005501417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散されて配置される感光及び／又は感Ｘ線センサの層を有し、前記感光及び／又は感Ｘ線センサの夫々は少なくとも１つのコンタクト点を有するセンサ配置であって、
集積回路を有する少なくとも１つの構成要素が、前記センサの層の上に且つ前記センサの層と平行に配置され、
前記集積回路は、前記コンタクト点と接続され、且つ、前記センサの信号を読出しするよう構成され、
電気リード線を有する少なくとも１つの接続層が、前記センサの層と前記構成要素との間に設けられ、
前記接続層は、前記集積回路を前記センサの前記コンタクト点及び／又は外部端子に接続する、センサ配置。
【請求項２】
前記接続層は、少なくとも１つの電気絶縁層を有し、
前記電気絶縁層の中を通って、電気導電材料からなるバイアが延在することを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項３】
前記接続層は、前記センサの層に永久的に接続されることを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項４】
前記センサの前記コンタクト点間の距離は、前記集積回路の関連付けられる端子間の距離とは異なり、且つ、前記集積回路の関連付けられる端子間の距離より好適には大きいことを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項５】
前記感光及び／又は感Ｘ線センサ、及び／又は、前記接続層は、薄膜技術により形成されることを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項６】
前記センサは、Ｘ線を直接電気信号に変換する材料から作られ、好適には、Ｇｅ、（非晶質）Ｓｅ、ＧａＡｓ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＩ２、及び／又は、ＨｇＩ２から作られることを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項７】
前記センサは、Ｘ線に感応するシンチレーション層と光に感応する光層とを有する２層構造を有することを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項８】
前記センサは、前記感光光層としてフォトダイオードを有することを特徴とする請求項７記載のセンサ配置。
【請求項９】
前記センサは、セルに分割されるグリッド状に配置され、正確に１つの集積回路を有する構成要素が各セルに関連付けられることを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項１０】
各集積回路において、各センサは、夫々の読出し電子回路に関連付けられ、
前記夫々の読出し電子回路は、好適には各センサに対し夫々の前置増幅器を有することを特徴とする請求項１記載のセンサ配置。
【請求項１１】
請求項１に記載のセンサ配置を有することを特徴とする、特に、Ｘ線検査装置、コンピュータ断層撮影装置、又は、核医学検査装置である撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、分散して配置される感光及び／又は感Ｘ線センサの層を有するセンサ配置に係る。
【０００２】
感光及び／又は感Ｘ線センサの２次元的な大面積層が設けられるセンサ配置は、特に、医学分野においてＸ線画像のダイナミック再現に用いられる。このような種類の大面積Ｘ線センサは、「フラットダイナミックＸ線ディテクタ」（ＦＤＸＤ）とも称する。ＦＤＸＤのような検出器は、様々な特殊用途向けＸ線装置に用いることのできる普遍的な検出器の構成要素である。用途は、コンピュータ断層撮影及び核医学だけに留まらない。
【０００３】
ＦＤＸＤＸ線検出器は、例えば、ＥＰ０４４０２８２Ｂ１から公知である。この公知のＸ線検出器は、薄膜技術に基づいており、この技術では、電気回路が、基板上に薄い層を溶着することによって形成される。ＥＰ０４４０２８２Ｂ１によると、光子の吸収により電流を一時的に通すフォトダイオードと、各フォトダイオードの読出しリード線への選択的な接続を可能にする薄膜トランジスタとからなるマトリクス配置が形成される。非晶質シリコンが半導体材料として用いられる。このように得られた配置は、感光フォトダイオードの上に追加のシンチレータ層を溶着することによりＸ線に感応する大面積フォトセンサを構成する。この場合、シンチレータ層がＸ線量を吸収し、このＸ線量を、フォトダイオードにより検出可能な光量に変換する。
【０００４】
更に、Ｘ線を直接電気信号に変換する配置も公知である。例えば、ＤＥ４００２４２９Ａ１は、薄膜技術により製造され、薄膜プレート上の蓄積電気容量がフォトダイオードの代わりに用いられ、シンチレータ層の代わりに直接変換する材料が用いられるセンサマトリクスを記載する。
【０００５】
全ての公知のＦＤＸＤ型センサでは、例えば、ＣＭＯＳ回路のような集積回路は、大面積薄膜電子部のエッジに接続される。この回路は、マトリクスセルの横列方向の駆動と、縦列方向の増幅とマトリクスセルからの信号の捕捉を行う。マトリクスの横列方向読出し時いわゆる「切替え雑音」と、個々のセンサと回路間の長い接続リード線は、比較的高い雑音レベルを招来することが問題である。
【０００６】
上述を考慮するに、本発明は、感光及び／又は感Ｘ線センサの大面積アレイを有し、信号雑音の少ない改善されたセンサ配置を提供することを目的とする。
【０００７】
この目的は、請求項１に開示するようなセンサ配置により達成される。有利な実施例は、従属項に開示する。
【０００８】
提案するセンサ配置は、２次元的に分散され、それぞれ少なくとも１つのコンタクト点を有する感光及び／又は感Ｘ線センサの層を有する。このセンサ層の上に、且つ、このセンサ層に平行して、半導体技術により形成されたことが好適である集積回路を有する少なくとも１つの構成要素が配置され、この構成要素は、前述のコンタクト点に接続され、且つ、センサの信号を読出しするよう構成される。センサ配置は、大面積配置であることが好適であり、つまり、センサ配置は、一般的に、数千の個々のセンサを有し、数平方センチメートルから数百平方センチメートルの大きさのオーダの表面面積を占めることが好適である。センサ上に形成されるコンタクト点は、このことは完全に必要であるわけではないが、２次元センサ配置の片面に全てあることが好適である。更に、センサ層と集積回路との間には、集積回路を、センサのコンタクト点及び／又は外部端子に接続する電気リード線を有する少なくとも１つの接続層が設けられる。外部端子は、特に、電圧供給端子であり得る。
【０００９】
提案するセンサ配置は、基本的に、２段構造を有する。第１の段は、感光及び／又は感Ｘ線センサの層を有し、一方、第２の段は、第１の段と平行に延在し、集積回路を有する構成要素を有する。簡潔にするために、集積回路を有する構成要素を、以下に「集積回路」とも称する。上述した２段構成によって、個々のセンサ素子から読出し電子回路への接続は、エッジの所まで表面全体を亘って通される必要がなく、センサ素子の層に対し垂直に、即ち、センサに隣接し且つセンサに平行して延在する集積回路までの最短の経路に沿って延在し得る。このような種類の配置は、短い接続経路という利点を提供し、結果として信号における雑音を減少する。更に、各センサに独自の「画素電子回路」を設けることも可能である。
【００１０】
幾何学的な観点から、この回路配置は更に、集積回路を有する大面積センサの非常にコンパクトな構成を可能にする利点を有する。現段階の技術によって可能であるよりも多くの集積回路を用いることができるようになる。何故なら、センサのエッジだけでなく表面全体が利用可能となるからである。その一方で、表面全体を集積回路で埋める必要もない。
【００１１】
１つ以上の接続層によって、センサは、適応された接続距離で集積回路に接続されることが可能となる。従って、集積回路の端子は、センサの幾何学的に正確に上にある必要はなく、同時に、短いリード線経路の利点は依然として維持される。更に、接続層を用いることによって、取り付け時の位置合わせ精度に関する要件は、例えば、バンプボンド技術といった用いられる接続技術に対し適度な制限内に保つことができる。
【００１２】
センサ配置の集積回路は、ＣＭＯＳ技術により形成されることが好適である。これは、小さい供給電圧での動作を可能にする、確立され且つ長期間の使用で保証済みの半導体技術である。
【００１３】
接続層は、少なくとも１つの電気絶縁層を有してもよく、この電気接続層の中を通って、導電材料のバイアが延在する。絶縁層は、電気リード線のセンサ層の表面からの電気的な隔離を与え、それにより、リード線のルーティングに関しより大きい自由度が提供される。
【００１４】
接続層は、センサ層に永久に接続されることが好適である。このことは、接続層をセンサとそのコンタクト点に直接溶着することによって特に実現されることが可能であり、従って、接続層とセンサ層は、大きい面積に亘って互いに接触し、且つ、材料保持力により互いに接続される。
【００１５】
提案するセンサ配置における隣接するセンサのコンタクト点間の距離は、コンタクト点に関連付けられる集積回路の端子間の距離とは異なり得る。コンタクト点は、集積回路の関連付けられる端子間の距離より大きい距離で特に置かれ得る。「ファン−イン」、又は、「ファン−アウト」とも称する様々な距離の適応は、この場合、接続層により与えられる。このような適応が可能であることは、つまり、センサ又は集積回路に関し、片面にあるコンタクト点間の距離と、もう片面にある端子間の距離の最適な選択を可能にする。特に、例えば、ＣＭＯＳ技術によって形成される集積回路は、最小の寸法に小さくし得る。
【００１６】
感光、及び、恐らく、感Ｘ線であるセンサは、好適には薄膜技術によって基板上に形成される。接続層も、薄膜技術によって有利に形成されることができる。現段階の技術から周知である薄膜技術によると、抵抗、コンデンサ、導体トラック等を形成するための材料は、蒸着又はマスクを用いてのダスティングによって溶着される。更に、例えば、エッチングといった追加の処理段階も実行し得る。このような大面積処理にてセンサ画素マトリクスを形成する結果、コンタクト点は、適切な機械的精度を有する。従って、画素の位置は、正確に決定される。このことは、正確な撮像に重要である。
【００１７】
本発明に従うセンサ配置の形成は、完全な配置に対し高い歩留まりを得ることを可能にする。何故なら、一方で、大面積センサ層は非常に単純に且つ大雑把に形成され、他方で、集積回路は従来の寸法を有し、予め試験されることが可能だからである。望まれる場合は、このような集積回路も、欠陥を示す場合には個々に交換することも可能である。集積回路の接続層への取り付けは、標準的な方法（例えば、バンプボンディング）によって行うことが可能であり、従って、このことは、比較的重要ではない。
【００１８】
センサは、特に、Ｘ線に感応し得、従って、Ｘ線を直接電気信号に変換する材料から作られ得る。この材料は、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）、非晶質セレン（Ｓｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、テルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ヨウ化鉛（ＰｂＩ２）、及び／又は、ヨウ化水銀（ＨｇＩ２）である。直接的に変換するセンサは、追加の変換段階により発生する信号エラー及び雑音が回避されるという利点を有する。
【００１９】
或いは、センサは、Ｘ線にも感応し、且つ、感Ｘ線シンチレーション層と感光光層からなる２段構造を有し得る。このような種類のセンサにおいて、Ｘ線量は、シンチレーション層内で光量を形成するよう変換され、この光量は、続いて感光光層内で検出されることが可能である。
【００２０】
後者の２段構造のセンサは、特に、感光光層にフォトダイオードを有し得る。このダイオードは、非晶質シリコン（Ｓｉ）から形成されるフォトダイオードであることが有利である。
【００２１】
センサ配置にこのように形成される層全体に亘るセンサの分散は、グリッド、即ち、規則正しい周期的なパターンに応じるような形に形作られることが好適である。配置は、特に、六角形のグリッド及び／又はマトリクス、つまり、横列と縦列を有する矩形のグリッドで有り得る。グリッドはセルに分割され、正確に１つの集積回路が、各セルに関連付けられる。従って、一般的には数千である多数の個々のセンサは、それぞれ共通のセル内に位置付けられる小さいセンサ群に分割され、１つのそのようなセル内の全てのセンサは、同一の集積回路に接続される。センサ層全体のこのようなモジュラー分解は、集積回路の表面面積が、関連付けられるセンサに占有される表面面積よりも小さく、同時に短い接続経路は依然として維持されるという利点を提供する。何故なら、このようにして発生するセンサの余剰の表面面積は、センサ配置全体に亘って（グリッドの形式で）均等に分布されるからである。更に、このような種類のセンサ配置は、故障に対しより良好に保護される。何故なら、集積回路の故障は、グリッド全体ではなく、グリッド配置の１つのセルのみに関与するからである。必要である場合、個々の集積回路は、修理のために交換することも可能である。
【００２２】
センサの後者のグリッド状の配置において、好適には、約１，０００と約１００，０００との間であるが、より好適には、１０，０００と１００，０００との間の個々のセンサが１つのセルに配置され、これらのセンサの全ては、１つの集積回路に関連付けられる。このような数に対し、できるだけ少ない数の集積回路における読出し電子回路の分散と、できるだけ短い接続経路の必要との間の最適な妥協が達成される。
【００２３】
センサ配置の１つの好適な実施例によると、各読出し電子回路は各センサに関連付けられる。読出し電子回路は、数個のセンサに対するそのような複数の読出し電子回路を有する１つの集積回路の一部を形成し得る。各センサの関連付けられる集積読出し電子回路への直接接続によって、センサは、行列アドレスによってアドレス指定される必要がなくなる。そのようなアドレス指定作業により生じる切替え雑音も、従って、排除される。各センサの関連付けられる読出し電子回路への直接的且つ永久的な接続の更なる利点は、読出し速度は、アドレス指定の読出しにより達成される読出し速度より高いということである。更に、各センサ（画素）には、各センサに対し夫々の前置増幅器を有する夫々の読出し回路が関連付けられ、それにより、例えば、エネルギー検出、計数、イベント制御される読出し、照射量検出、フレーム転送等の複雑な信号処理が可能にされる。
【００２４】
本発明は更に、上述したような種類のセンサ配置を有することを特徴とする撮像装置にも関する。この装置は、特に、Ｘ線検査装置、コンピュータ断層撮影装置、及び／又は、核医学検査装置で有り得る。
【００２５】
本発明を、図面を参照しながら、例示的に、詳細に以下に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の第１のセンサ配置の一部を示す側面図である。この例は、特に、医学用途に用いることのできる大面積Ｘ線検出器に関する。
【００２７】
センサ配置全体は、例えば、ガラスである基板１上に形成される。このセンサ配置の構造は、原則的に、互いの上に配置され、基板１と平行に延在する３つの異なる層を有する３層構造である。第１の層２０は、入射光子（図１では下から入射する）を吸収する信号生成層である。入射光子は、例えば、電荷信号といった電気信号に変換される。信号生成層２０の上に配置される接続層３０は、層２０における個々のセンサ（画素）と電子評価回路との電気接続を確立する。評価回路は、第３の層を形成し、接続層３０の上に且つ接続層３０に接触して配置される集積回路の「２次元」ＣＭＯＳ構成要素６からなる。
【００２８】
信号生成層２０自体も３層構造を有し、下部に且つ基板１に接触して、フラットリヤコンタクト２１が形成され、これは、特に、所与の外部から与えられる電位を受信する電極として作用する。感光及び／又は感Ｘ構造２２が、リアコンタクト層２１の上に且つリアコンタクト層２１に接触して配置される。このような種類の層の構成は、原則的に公知であり、例えば、ＤＥ４００２４２９Ａ１又はＤＥ４２２７０９６Ａ１に記載される。層２２は、特に、ａ−Ｓｅ、ＰｂＯ、ＰｂＩ２等の直接変換する材料から構成される。或いは、センサ層２２は、例えば、非晶質シリコンから形成されるＰＩＮフォトダイオードといったフォトダイオードから作られ得る。この場合、構造全体（集積回路６以外）は、従来のａ−Ｓｉ薄膜処理によって製造されることが可能である。
【００２９】
画素コンタクト２３は、感光及び／又は感Ｘ線層２２上にマトリクス状のグリッドの形で設けられる。これらのコンタクトは、特に、金属である導電性材料からなる平面的な素子である。１つの感光及び／又は感Ｘ線センサ（画素）の信号は、各画素コンタクト２３から得ることができる。
【００３０】
接続層３０は、感光及び／又は感Ｘ線層２２上に直接設けられ、パッシベーション層３１によって画素コンタクト２３を包む。夫々の画素コンタクト２３に接触し、パッシベーション層３１の表面上にコンタクト点を形成する画素接続部３２は、パッシベーション層３１の中を延在する。パッシベーション層３１の表面には、追加の接続リード線３３が設けられ、この追加の接続リード線３３は、例えば、集積回路からセンサ配置のエッジまで延在し、センサ配置のエッジにおいてリード線は供給電圧に接続され得る。
【００３１】
最後に、接続層３０の上には、集積回路（ＩＣ）６を有する層が設けられる。個々の集積回路６は、インジウムバンプボンドで有り得るコンタクト材料５を介して、画素接続部３２又は他の接続リード線３３に電気接続される。
【００３２】
大面積信号生成層２０と、接続層３０と、接続層３０上に設けられる集積回路６の配置は、大面積センサの非常にコンパクトな構成を結果としてもたらす。全体として、多数の回路を収容することができるようになるが、これは、現段階の技術とは対照的に、この目的のために、センサの周りのエッジだけが利用可能であるからではないからである。画素コンタクト２３の下にある個々の画素は、集積回路６における、特に、関連付けられる前置増幅器である夫々の関連付けられる回路に直接的に且つ永久的に接続することが好適である。従って、画素電子回路の雑音は、劇的に減少する（切替え雑音と長い接続が排除される）。更に、エネルギー検出、計数、イベント制御される読出し、照射量検出、フレーム転送等を有する信号処理を有するインテリジェント画素電子回路を実施することができる。
【００３３】
図２は、センサ配置の代替の構造を示す。この構造は、第１の接続層３０の上に更なる接続層４０が配置される点で図１の構造とは異なる。集積回路６は、第２の接続層４０上に設けられる。図２に示す参照番号及び特徴付けられる素子は図１のものと対応し、第２の接続層４０は、第１の接続層３０と同様に、パッシベーション層４１と、画素接続部４２と、その表面上にある追加の接続リード線４３を有する。接続層の１つが、供給電圧リード線と集積回路への又は集積回路からの、例えば、センサ配置のエッジにおけるボンドパッドに接続される更なるリード線を収容し得る。図面に示すように、第２の接続層４０は、第１の接続層３０に追加して、画素コンタクト２３のマトリクス状の分布を、画素接続部４２の好適には空間的に密集した分布に変換するよう用いられ得る（ファン−イン）。このような画素接続部４２のより密集したパターンは、集積回路６によって接触されるのに好適である。更に、第２の接続層４０の中に更なる電気接続が設けられ得るので、接続のルーティングに関しより大きい自由度がある。
【００３４】
図１及び図２に示すセンサ配置は、既知の技術、つまり、一方で、例えば、薄膜技術から既知である層２０、接続層３０及び４０の大面積生成と、他方で、特に、いわゆるバンプボンディングといった集積回路に一般的に用いられる既知の接続技術によって実現することができる。
【００３５】
図３は、完全なセンサ配置を示す平面図、つまり、集積回路６を見たときの図である。この図は、個々のセンサから構成され、画素接続部３２を有する接続層がその上に設けられる感光及び／又は感Ｘ線層２０を示す。ここでも画素接続部３２は、集積回路（ＩＣ）６につながり、これらの回路を個々のセンサ素子に接続する。更に、接続層の表面には、ＩＣ６から供給電圧のための外部端子に繋がる接続リード線４３が設けられる。
【００３６】
図３にて分かるように、感応面２０全体は、マトリクス状の配置にあるセンサ又は画素により占有され、示す例では、表面全体上のセンサ画素の数は、５１２×５１２となる。画素ピッチは２００μｍになり（ピッチという用語は、同様の構造が繰り返される距離として理解される）、アクティブ表面の寸法は、約１０×１０ｃｍ２である。５１２×５１２のセンサ画素のマトリクスは、（論理的に）１６のサブマトリクス又はセルに分割され、各セルは、セルの中心に配置される正確に１つの集積回路６に関連付けられる。従って、集積回路６あたりの画素チャンネル数は、１２８×１２８となり、ボンドピッチは、例えば、８０μｍとなる（＝ＩＣでは画素ピッチ）。
【００３７】
好適にはＣＭＯＳ技術により形成される集積回路６の表面面積は、センサのアクティブ表面面積より小さい。本実施例では、ＩＣ６の表面面積のセンサのアクティブ表面面積に対する割合は、８０２／２００２＝０．１６（追加の接続等で約２０％となる）。所与のセル幾何学では、この係数は、例えば、２０４８×２０４８画素を有する大きいセンサ表面面積に対しても変わらない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】１つの接続層を有する本発明のセンサ配置の層状構造を示す図である。
【図２】２つの接続層を有する本発明のセンサ配置の層状構造を示す図である。
【図３】セルとしてマトリクス状に分散される１６の集積回路を有する本発明のセンサ配置を示す平面図である。
【国際公開パンフレット】
2005501417.tif 000003
2005501417.tif 000004
2005501417.tif 000005
2005501417.tif 000006
2005501417.tif 000007
2005501417.tif 000008
2005501417.tif 000009
2005501417.tif 000010
2005501417.tif 000011
2005501417.tif 000012
2005501417.tif 000013
2005501417.tif 000014
2005501417.tif 000015
2005501417.tif 000016
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005501417.tif 000017
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005501417.tif 000018
2005501417.tif 000019
2005501417.tif 000020
2005501417.tif 000021
2005501417.tif 000022
2005501417.tif 000023
2005501417.tif 000024
2005501417.tif 000025
2005501417.tif 000026
2005501417.tif 000027
2005501417.tif 000028
2005501417.tif 000029
2005501417.tif 000030
2005501417.tif 000031
【国際調査報告】
2005501417.tif 000032
2005501417.tif 000033
2005501417.tif 000034