(57)【要約】  チャンバ内で動作する洗浄処理の終了点を決定する為の方法及び装置。特に、本発明の一実施形態は、（ａ）洗浄処理の副産物により吸収された放射線をチャンバの排気ライン内に導くステップと、（ｂ）副産物による放射の吸収分量を検出するステップと、（ｃ）吸収分量が所定のウインドウ（時間帯）内に該当する終了点を決定するステップと、を含む方法である。
2005516388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で動作する洗浄処理の終了点を決定する方法であって：
前記洗浄処理の副産物により吸収された放射線をチャンバの排気ライン内に導くステップと；
前記副産物による放射線の吸収分量を検出するステップと；
前記吸収分量が所定の時間帯内に該当する終了点を決定するステップと；
を備える方法。
【請求項２】
前記所定の時間帯は、チャンバの１００％洗浄および排気ラインの所定部分の、１００％未満の洗浄に対応する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記洗浄処理は、ダーク洗浄処理であり、導くステップは、赤外線を導く工程を備える、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記検出するステップは、前記放射線を吸収した後に前記副産物により放出される更なる放射線を検出する工程を備える、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記検出するステップは、フーリエ変換ラマン分光法を使用して更なる放射を分析する工程を更に備える、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記検出するステップは、前記分量を示す出力信号を発生させる工程を更に備える、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記決定するステップは、前記出力信号が前記所定の時間帯に該当するとき終了点を決定する工程を備える、請求項６記載の方法。
【請求項８】
第２の出力信号は、所定の複数の出力信号である、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記出力信号が前記所定の時間帯に該当するとき終了点を決定する工程は、出力信号が所定レベル以下になったときに決定することを備える、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記副産物は、ＳｉＦ４である、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
チャンバ内で動作する洗浄処理の終了点を決定する装置であって：
前記洗浄処理の副産物により吸収された放射線をチャンバの排気ライン内に送る放射源と；
前記副産物により放射された更なる放射線とバックグランド放射線分量とを検出する検出器と；
前記副産物による放射線の吸収分量を決定する為に更なる放射線と前記分量とを分析する分析器と；
前記吸収分量が所定の時間帯に達するとき、終了点信号を発生させるコントローラと；
を備える装置。
【請求項１２】
前記所定の時間帯は、チャンバの１００％洗浄および排気ラインの所定部分の、１００％未満の洗浄に対応する、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記洗浄処理は、ダーク洗浄処理であり、前記放射源は、赤外線放射源を備える、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記検出器は、更なる放射線を送るフィルタと、更なる放射線の波長に近い波長の帯域内の放射線を送るフィルタとを備える、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記分析器は、フーリエ変換ラマン分光計を備える、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記分光器は、前記分量を示す出力信号を発生させる、請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記コントローラは、前記出力信号が前記所定の時間帯に該当するとき前記終了点信号を発生させる、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記コントローラは、前記出力信号が所定のレベル以下になるとき前記終了点信号を発生させる、請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記副産物は、ＳｉＦ４である、請求項１８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の技術分野】
【０００１】
[0001]本発明の一以上の実施形態は、（以下に限定されないが）半導体処理チャンバを含む処理チャンバ内で処理の終了点を検出する為の方法および装置に関する。特に、本発明の一実施形態は、半導体処理チャンバ内の、洗浄処理の処理終了点検出の為の方法及び装置に関する。
【発明の背景】
【０００２】
[0002]周知のように、処理チャンバ（以下に限定されないが、例えば、半導体膜を堆積する為に使用される処理チャンバ、半導体膜をエッチングする為に使用される処理チャンバ）は、内部でウエハや基板が処理されるときには何時でも形成される残留物を定期的に除去する為に洗浄される必要がある（例えば、そのような処理チャンバは１以上のウエハが処理された後で洗浄可能である。）。処理チャンバを洗浄する為に、洗浄処理が一定時間の間（洗浄時間）、動作されるが、洗浄時間は、通常、処理チャンバ内に蓄積された残留物の全てが実質的に除去されるという要求により決まる。そのような洗浄処理は、通常、プラズマ処理を含む。
【０００３】
[0003]プラズマ洗浄処理の為に終了点を検出するステップは、処理チャンバ内で形成されるプラズマからの放射線出力をモニタすることにより実行される。終了点は、モニタされた放射線の分析により明らかにされるように、処理チャンバ内の特定化学組成の存在または不存在を検出することにより識別される。しかし、そのようなプラズマ洗浄処理は、プラズマ成分による処理チャンバの内部構成要素の物理的衝突と、そのような物理的衝突がこれらの内部構成要素を破損するため、一定環境の下では有利でないことが分かった。
【０００４】
[0004]高濃度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ  ＣＶＤ）処理チャンバ（このようなチャンバはカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（アプライド）により製造される）は、広範囲の応用例（以下に限定されるものではないが、例えば、フッ素ドープシリコンガラス（ＦＳＧ）膜を堆積する為、アンドープシリコンガラス（ＵＳＧ）膜を堆積する為、リンドープシリコンガラス（ＰＳＧ）膜を堆積する為、浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）に使用される膜を堆積する為など）に使用可能である。周期的な洗浄処理は、これらの応用例において使用された１以上の堆積処理後に実行される。前述した処理チャンバの内部構成要素の物理的衝突を避ける為、アプライドのＨＤＰＣＶＤ処理チャンバの為の、典型的な洗浄処理は、「ダーク」洗浄処理、すなわち、プラズマが遠くで（すなわち、処理チャンバの外側で）形成され、遠くで発生されたプラズマが処理チャンバ内に入れられ、洗浄処理を実行する化学処理である。
【０００５】
[0005]図１は、アプライドのＨＤＰ  ＣＶＤチャンバの描写的表示である。図１に示されるように、ＨＤＰ  ＣＶＤチャンバ１００は、加熱冷却板１１０、コイルアセンブリ１２０、内部チャンバ壁１３０、ウエハサポート１４０、スロットル＆ゲートバルブアセンブリ１５０、ターボポンプ１６０、フォアライン１６５、粗引きバルブ１７０、１８０、ターボバルブ１９０、リモートプラズマアプリケータ２００、リモートプラズマ噴射管２１０、リモートプラズマ噴射マニフォールド２２０を含む。通常の堆積処理中、堆積前駆体ガスは、２３０、２４０、２５０として描写的に示されるノズルを介してチャンバ１００に入れられ、ガス状堆積残留物は、スロットル＆ゲートバルブアセンブリ１５０とターボポンプ１６０によりチャンバ１００から排気される。そのような典型的な堆積処理中に、粗引きバルブ１７０とターボバルブ１９０は閉じられ、粗引きバルブ１８０はコントローラ（図示せず）の制御の下で開かれる。さらに、堆積処理中、残留物は内部チャンバ壁１３０上に形成される。典型的な洗浄処理中に、プラズマは、リモートプラズマアプリケータ２００内で発生され、プラズマは、リモートプラズマ噴射管２１０を通り、リモートプラズマ噴射マニフォールド２２０を通り、チャンバ１００内に流れる。そのような典型的な洗浄処理中に、粗引きバルブ１７０とターボバルブ１９０は開かれ、粗引きバルブ１８０はコントローラの制御の下で閉じられる。遠くで発生されたプラズマの成分は、残留物と相互作用し、ガス状の副産物を生み出すが、これらの副産物は、粗引きポンプ（図示せず）により、フォアライン１６５を通ってチャンバ１００から排気される。
【０００６】
[0006]周知のように、各応用例に対する最適洗浄時間は、多数のバリエーションを用いた複雑な関数（以下に限定されるものではないが、例えば、処理チャンバ内部表面の残留物の厚み、洗浄処理の開始中または処理中の処理チャンバ内部構成要素の温度、堆積処理中に使用される堆積／スパッタ比、残留物の化学的組成）になっている。従来技術によると、前述したダーク洗浄処理は、所定時間の後（洗浄終了点）に終了される（すなわち、洗浄終了点は、「時間による（by-time）」アルゴリズムに従って決定される。）しかし、そのような時間によるアルゴリズムは、他の理由の中で、チャンバの冷却は、堆積処理変動を生み出す温度変動を引き起こすので、信頼性がない。ダーク洗浄処理用洗浄終点を決定する為の一部の従来技術に係る解決法は、ガス状堆積副産物内のプラズマに衝突する「燃焼ボックス」を利用することを要する。しかし、そのような解決法は、通常、高電圧の使用を必要とし、信頼性がなく、電気的ノイズ問題を生み出すので、問題がある。
【０００７】
[0007]以上の観点から、当該技術において、ダーク洗浄処理の為の洗浄終了点を決定する方法及び装置に対する必要性がある。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]本発明の一以上の実施形態は、都合の良いことに、前述した当該技術における必要性を満足し、チャンバ内で動作する洗浄処理の終了点を決定する為の方法及び装置を提供する。特に、本発明の一実施形態は、（ａ）洗浄処理の副産物により吸収された放射線をチャンバの排気ライン内に導くステップと、（ｂ）副産物による放射線の吸収分量を検出するステップと、（ｃ）吸収分量が所定のウインドウ（時間帯）内に該当する終了点を決定するステップと、を含む方法である。
【０００９】
[0015]図６は、図１に示される高濃度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ  ＣＶＤ）処理チャンバ１００の不完全洗浄または過剰洗浄の関数として粒子増加量を示すグラフである。（ここで使用された「粒子増加量」という用語はウエハ上で処理ステップを実行する結果としてウエハに付加される粒子を指す。例えば、処理ステップを受ける前にウエハ上の粒子数を測定し、処理ステップを受けた後にウエハ上の粒子数を測定してもよい。２つの数の差が粒子増加量である。）本発明の背景で説明されたように、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（アプライド）により製造されたＨＤＰ  ＣＶＤ処理チャンバの為の典型的な洗浄処理は、「ダーク」洗浄処理、すなわち、プラズマが遠くで（すなわち、チャンバ１００の外側で）形成され、遠くで発生されたプラズマがチャンバ１００に入れられ、洗浄処理を実行する化学的な処理である。図６に示されるように、本発明者は、洗浄処理（すなわち、堆積処理中にチャンバ１００の内部チャンバ壁１３０上に堆積された残留物を除去する為の処理）が早く終了すると（不完全洗浄）、すなわち、残留物が１００％除去される前だと、貧弱な「粒子」パフォーマンス、すなわち、多量の粒子増加量が生じていることを発見した。本発明者は、シリコンガラス膜を堆積する堆積処理に続く不完全な洗浄に対する貧弱な粒子パフォーマンスの原因は、ＳｉＯ２粒子であると考えている。本発明者は、また、洗浄処理が遅く終了すると（過剰洗浄）、すなわち、１００％の残留物が除去された後の一定時間に貧弱な粒子パフォーマンスが生じることを発見した。本発明者は、過剰洗浄に対する貧弱な粒子パフォーマンスの原因は、洗浄プラズマと内部チャンバ壁１３０の表面との相互作用により生み出されたフッ化アルミニウムであると考えている。その結果、図６に示されるように、特定洗浄処理に対し、適切な洗浄ウインドウ（時間帯）、ウインドウ５１０があり、その間は、不完全洗浄又は過剰洗浄の結果として発生される粒子が避けられる。
【００１０】
[0016]  図２は、本発明の一実施形態に従って製作された終了点検出器３００を更に備える図１に示されたＨＤＰ  ＣＶＤ処理チャンバの描写的表示を示す。そのような実施形態の一つは、ＳｉＦ４ガスが洗浄処理の副産物としてチャンバ１００から排気される処理チャンバ洗浄処理の為に終了点を検出することを目標とする。そのような実施形態は、広範囲の応用例（以下に限定されるものではないが、例えば、フッ素ドープシリコンガラス（ＦＳＧ）膜を堆積する為、アンドープシリコンガラス（ＵＳＧ）膜を堆積する為、リンドープシリコンガラス（ＰＳＧ）膜を堆積する為、浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）に使用される膜を堆積する為、シリコン窒化物（ＳｉＮ）膜を堆積する為など）で有用である。
【００１１】
[0017]この実施形態によると、赤外線（ＩＲ）分光計は、ＳｉＦ４ガスの所定レベルで洗浄終了点を追跡し検出する為に使用される。そのため、この実施形態は、標準の分光計終了点検出技術における使用の為には何も光が発生されない洗浄処理の為に、洗浄終了点を決定するのに使用可能である。例えば、この実施形態は、遠隔プラズマ発生器が、チャンバ１００内に噴射されるプラズマを発生する洗浄処理の為に洗浄終了点を決定する為に使用可能である。そのような遠隔プラズマ発生器の製作法は、当業者にとって周知である。例えば、限定さらないが、遠隔プラズマ発生器は、ガスが通過するキャビティ内にマイクロ波を放つマイクロ波発生器を備えてもよい。
【００１２】
[0018]図２に示されるように、終点検出器３００（ＥＤＰ３００）は、チャンバ１００のフォアライン１６５周辺に配置される。図３は、本発明の一実施形態に従って製作されるＥＤＰ３００のブロック図を示す。図３に示されるように、ＩＲ源４００は、ＳｉＦ４ガスの吸収帯域（例えば、ＳｉＦ４ガスの振動モードにおける吸収帯域モード）の少なくとも一部と実質的に重複する波長を有する赤外線を出力する。一実施形態によると、波長は実質的に約１０２０ｎｍに等しい。ＩＲ源４００から出力されたＩＲ放射線は、ウインドウ（図示せず）を通って、図２に示されるチャンバ１００のチャンバ排気システムの、フォアライン１６５内の所定ボリューム内に噴射される。図３に更に示されるように、ＥＤＰ３００は、チョッパホィール４１０上に配置されたフィルタ４２０、４２５を備える。チョッパホィール４１０は、ＩＲ源４００からフォアライン１６５の反対側に配置され、フォアライン１６５内の他のウインドウ（図示せず）を貫通した放射線を受ける。フィルタ４２０は、ＩＲ源４００から出力された赤外線放射線を吸収したＳｉＦ４の分子により出力された実質的な波長で、ある波長帯域内で放射線を送るように構成され（例えば、フィルタ４２０は約９７２ｎｍに中心を持つ波長帯域で放射線を伝送可能）、フィルタ４２５は中性濃度または減光フィルタ（Neutral Density Filter）であって、フィルタ４２０により送られた波長帯域に近い波長帯域内で放射線を送る（例えば、フィルタ４２５は、約９０９ｎｍに中心を持つ波長帯域内で放射線を伝送可能）。図３に更に示されるように、チョッパホィール４１０（よって、フィルタ４２０、フィルタ４２５）は、モータ４３０により、コントローラ４４０からの信号に応答して回転される。
【００１３】
[0019]図３に更に示されるように、フィルタ４２０、４２５により伝送される放射線は、フーリエ変換ラマン（ＦＴＲ）分光計４６０により処理され、分析の為にコントローラ４４０に、入力として適用される出力信号を提供する。例えば、フィルタ４２５を通過する放射線に対応する、コントローラ４４０により受信される出力信号は、フィルタ４２０を通過する放射線に対応するコントローラ４４０により受信される出力信号から引かれるバックグランドを決定する為に使用される。本発明の一実施形態によると、ＦＴＲ分光計４６０から出力される信号（Ｉｘ信号）は、（例えば、当業者に周知な多数の方法の一つに従い、１ｘ信号を増幅することにより）第２信号（２０ｘ信号）を提供する為に２０の係数で積算され、その２０ｘ信号は、分析の為に、コントローラ４４０に対する入力として適用される。その後、バックグランド修正２０ｘ信号は、モニタされ、本発明のアルゴリズムが、洗浄終了点を決定する為に使用される。
【００１４】
[0020]以下に詳細に説明するように、本発明のアルゴリズムは、ＳｉＦ４をチャンバ１００から除去すること、粒子パフォーマンスとバックグランド修正２０ｘ信号との相関関係に基づく。ＩＲ源４００、チョッパホィール４１０、フィルタ４２０、フィルタ４２５、ＦＴＲ分光計４６０は、当業者に周知な数多くの方法の一つに従い製作され、例えば、コネチカット州イーストハートフォードのＭＫＳインストルメント社から商業的に入手可能である。コントローラ４４０は、パーソナルコンピュータでもよく、チャンバ１００を操作するコントローラ用コンピュータでもよい。当業者は、２０ｘ信号が便利な信号レベルを提供する為に使用される（例えば、２０ｘ信号は、適切な電圧解像度を提供する）が、本発明の実施形態は、２０ｘ信号の使用に限定されるものではないことを理解する筈である。実際、１ｘ信号がモニタされるか他の信号レベルがモニタされる他の実施形態が存在する。さらに、バックグランド修正を実行する為にチョッパホィールが利用される実施形態を説明してきたが、本発明の更なる実施形態は、これに限定されるものではない。実際、バックグランド修正が当業者に周知な方式でビームスプリッタを用いて行われる他の実施形態が存在する。
【００１５】
[0021]当業者が容易に理解するように、１ｘ信号、よって２０ｘ信号は、洗浄処理中、フォアライン１６５内で、ＳｉＦ４ガスＩＲ吸収分量を提供する。本発明の一実施形態によると、本発明のアルゴリズムは、２０ｘ出力信号が所定電圧レベルに達するときは何時でも、洗浄終了点を検出する。この実施形態によると、所定電圧レベルは、チャンバ１００及びフォアライン１６５の排気ポートからのＳｉＦ４の除去の所定パーセントに対応する。図４は、チャンバ１００の内側表面（チャンバ表面領域”Ｂ”）と排気ポートの内側表面領域”Ａ”）が表示されたＨＤＰ  ＣＶＤ処理チャンバ１００の描写的表示を示す。本発明のアルゴリズムによると、ＳｉＦ４除去のパーセントは、以下のコントローラ４４０により決定される。
【００１６】
（チャンバ表面領域”Ｂ”）＊１００／｛（チャンバ表面領域”Ｂ”）＋（排気ポート表面領域”Ａ”）｝
[0022]本発明の一実施形態によると、チャンバ１００の内側表面および排気ポートの内側表面からの洗浄処理により生成される９７．５％のＳｉＦ４の除去が達成されるときには何時でも、チャンバ１００は１００％洗浄であるとみなされ、洗浄終了点が見出される。有利なことに、この実施形態によると、ＥＰＤ３００は、洗浄時間を精力的に調節し、洗浄処理中のＳｉＦ４除去を追跡することによりチャンバ洗浄の一貫したレベルを提供する。そのため、もし排気ポート表面領域Ａが変わると、１００％チャンバ洗浄を達成する為にＳｉＦ４のパーセントの決定も同様に変わる。
【００１７】
[0023]図５は、どのように洗浄終了点が本発明の一実施形態に従って決定されるかの視覚的表示を示す。図５に示されるように、２０ｘ信号の振幅は、縦軸に電圧の関数として、横軸として時間の関数としてプロッタされている（２０ｘ信号の平坦上部は、使用された電圧スケールの為であることが分かる。）。図５に示されるように、９５％のＳｉＦ４の除去に対応する電圧の振幅は、不完全洗浄チャンバになり、９７．５％のＳｉＦ４の除去に対応する電圧の振幅は、１００％の洗浄チャンバになり、１００％のＳｉＦ４の除去に対応する電圧の振幅は、過剰洗浄チャンバになる。そのため、図５に示されるように、時間帯５００は、不完全洗浄または過剰洗浄から生じる粒子増加量を最小限にする最適洗浄時間に対応する。有利なことに、本発明の実施形態に従うと、最適洗浄終了点は、チャンバ及び排気ポートから１００％のＳｉＦ４除去以前に生じる。さらに、ＥＤＰ３００は、−様々な処理及びハードウェア条件の下で−、ＳｉＦ４ガス洗浄副産物のＩＲ吸収を測定することにより、更に、チャンバ条件から独立した各時間同一レベルで洗浄終了点を開始することにより、精力的に洗浄時間を調節し、チャンバ洗浄の一貫したレベルを提供する。さらに、最適洗浄時間は、１００％のＳｉＦ４の除去に対応する時間より短いので、本発明の実施形態の使用により、短い洗浄時間による高い処理能力、減少された洗浄ガス使用を提供可能である。本発明の実施形態を使用後、フォアライン１６５内に一部の堆積があるかもしれないが、チャンバは１００％洗浄である点に注意されたい。さらに、フォアライン１６５はチャンバ１００内の粒子源ではないので、フォアライン１６５を洗浄することは全く重要でないことに注意されたい。
【００１８】
[0024]本発明の更なる実施形態において、本発明のアルゴリズムは、終了時間のパーセントとして過剰洗浄を提供する為に延長されてもよい。
【００１９】
[0025]前述したように、一実施形態によると、ＳｉＯ２とフッ化アルミニウム粒子をモニタすることにより、ＥＰＤ３００は、以下のように決定される最適洗浄時間帯内で精力的に洗浄時間を調節し、一貫した、低い粒子の、高歩留まりチャンバ洗浄を提供する。以下は、所定の処理ステップの為に、図５に示された時間帯５００に対応する電圧を決定する一実施形態に係る方法を説明する。ステップ１：２０ｘ信号上の電圧レベルを選択し、洗浄処理の為の終了点を決定する（例えば、最初に、電圧レベルは、過剰洗浄に対応するのに十分に低くすべきである。）ステップ２：終了点を決定する為にＥＰＤ３００と選択された電圧レベルを使用して洗浄処理をモニタする。ステップ３：所定の処理ステップを使用して所定数のウエハを処理し；当業者にとって周知である多数の方法の一つにより各ウエハの為に粒子増加量の数を決定し；粒子増加量の平均数を決定する。ステップ４：ステージのおいて洗浄処理の為の終了点を決定する為に使用された電圧レベルを増加し、各ステージでステップ３を繰り返す。電圧レベルは、最終的には、不完全洗浄に対応するのに十分に高いレベルまで増加されるべきである。前述したように、各ステージで決定された粒子増加量の平均数は、最小値まで減少すべきであり、その後、過剰洗浄状態から不完全洗浄状態に進むにつれて増加すべきである。最後に、ウインドウ（時間帯）５００に対応する電圧レベルは、粒子増加量の平均数内の最小値（所定量内）を実質的に囲む。当業者は、過剰洗浄から始まり不完全洗浄に移動する代わりに、前述した処理は、不完全洗浄で始まり過剰洗浄に移動することにより行われることが理解できよう。
【００２０】
[0026]上記説明は、例示及び説明だけの為に提示されてきたことを当業者は認識するであろう。そのため、本発明を、開示された正確な形式に対して限定すること、或いは網羅的であることは意図されていない。例えば、洗浄処理の、一以上のガス状副産物の吸収を決定する、どんな方法でも利用する実施形態が製作可能である。さらに、実施形態は、洗浄処理（以下に限定されるものではないが、例えば、（ダーク又はダークでない）プラズマ洗浄処理、プラズマでない洗浄処理）、更に、あらゆる種類の処理チャンバ（限定されるわけではないが、例えば、堆積チャンバおよびエッチングチャンバ）を用いても使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】[0009]図１は、アプライドマテリアルズ社の高濃度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰＣＶＤ）処理チャンバの描写的表示を示す。
【図２】[0010]図２は、本発明の実施形態に従って製造された終了点検出器を更に備える、図１に示されたＨＤＰ  ＣＶＤ処理チャンバの描写的表示を示す。
【図３】[0011]図３は、本発明の一実施形態に従って、製造されたＥＤＰ３００のブロックダイアグラムを示す。
【図４】[0012]図４は、チャンバの内部表面と洗浄処理排気ポートが表示された、図２に示されたＨＤＰ  ＣＶＤ処理チャンバの描写的表示を示す。
【図５】[0013]図５は、本発明の一実施形態に従って、いかに洗浄終了点が決定されるかの描写的表示を示す。
【図６】[0014]図１に示されるＨＤＰ  ＣＶＤチャンバの不完全洗浄または過剰洗浄の関数として、粒子増量分を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２２】
１１０…ＨＤＰ  ＣＶＤチャンバ、１１０…加熱冷却板、１２０…コイルアセンブリ、１３０…内部チャンバ壁、１４０…ウエハサポート、１５０…スロットル＆ゲートバルブアセンブリ、１６０…ターボポンプ、１６５…フォアライン、１７０、１８０…粗引きバルブ、１９０…ターボバルブ、２００…リモートプラズマアプリケータ、２１０…リモートプラズマ噴射管、２２０…リモートプラズマ噴射マニフォールド。
【図１】
2005516388.tif 000003
【図２】
2005516388.tif 000004
【図３】
2005516388.tif 000005
【図４】
2005516388.tif 000006
【図５】
2005516388.tif 000007
【図６】
2005516388.tif 000008
【国際調査報告】
2005516388.tif 000009
2005516388.tif 000010
2005516388.tif 000011