(57)【要約】画素（２）のアレイを備えるマトリクスディスプレイであって、各画素は第２の電極（２８、３６）と重なる幅が振動する第１の電極（１４、１６）を有する。各画素において前記第２の電極と前記第１の電極との間で重複する領域は、ディスプレイの悪影響を軽減するように実質的に不規則な態様で前記アレイにわたって変化する。前記第１の電極は、例えば印画法によって決定されてもよい。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素のアレイを備えるマトリクスディスプレイ装置であって、
前記画素の各々は第２の電極と重複する幅が振動する第１の電極を有し、
前記画素の各々において前記第２の電極と前記第１の電極との間の重複領域は、ディスプレイの悪影響を軽減するように実質的に不規則な態様で前記アレイにわたって変化することを特徴とするマトリクスディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第１の電極は印画法を用いて決定されることを特徴とする請求項１に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１の電極は隣接する液滴のラインで形成されることを特徴とする請求項２に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項４】
前記液滴は、各ラインに沿って実質的に均等に離間され、前記画素の各々における前記液滴に対する前記第２の電極の位置は前記アレイにわたって実質的に不規則な態様で変化することを特徴とする請求項３に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項５】
前記画素のそれぞれにおける前記第２の電極は、前記液滴の各ラインに沿って実質的に均等に離間され、
前記画素の各々における前記液滴の相対位置は各ラインに沿って実質的に不規則な態様で変化することを特徴とする請求項３に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項６】
前記コンポーネント間の各ラインに沿った前記液滴の間隔は、前記変化を達成するために、各ラインに沿って実質的に均一に調節されることを特徴とする請求項５に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項７】
前記画素の各々における電子コンポーネントは、前記第１および第２の電極の重複部分を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項８】
前記コンポーネントは、蓄積キャパシタであることを特徴とする請求項７に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項９】
前記電子コンポーネントは、ＴＦＴであることを特徴とする請求項７に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記画素の各々は画素電極を含み、
各画素の第２の電極は各画素電極に接続され、
前記第１の電極は前記ＴＦＴのゲート電極を形成することを特徴とする請求項９に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記画素の各々は、第４の電極と重複し隣接する液滴のラインで形成された第３の電極を有する他の電子コンポーネントを含み、
前記画素の各々において前記他のコンポーネントの前記第３および第４の電極の間での重複領域は、ディスプレイの悪影響を軽減するように実質的に不規則な態様でアレイにわたって変化することを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれかに記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項１２】
請求項９または請求項１０に従属する場合には、前記他の電子コンポーネントは蓄積キャパシタであることを特徴とする請求項９に記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記ディスプレイの前記ロウ電極は前記第１の電極によって形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれかに記載のマトリクスディスプレイ装置。
【請求項１４】
画素のアレイを備えるマトリクスディスプレイ装置を製造する方法であって、
前記画素の各々は第２の電極と重なる幅が振動する第１の電極を有し、
当該方法は、前記画素の各々において前記第１の電極を印刷するステップと、
前記画素の各々において前記第２の電極を決定するステップとを含み、
前記画素の各々において前記第２の電極と前記第１の電極との間で重複する領域は、ディスプレイの悪影響を軽減するように実質的に不規則な態様で前記アレイにわたって変化することを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記第１の電極は、隣接する液滴のラインをインクジェット印刷することによって前記画素の各々に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリクスディスプレイ装置およびその製造に関する。より詳細には、このような装置を製造する際に印刷または直接書き込み技術を使用することに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マトリクスディスプレイ装置における電子コンポーネントのアレイを作成する既知の工程では、基板上にシート状の材料を堆積し、その後フォトリソグラフィおよびエッチングを利用してその材料をパターニングする。材料層を堆積し、各層の上にフォトレジストを決定し、その後通常各材料層の９５％をエッチングによって除去する必要があるため、これらの技術はコストのかかるものである。必要とされる高性能パターンツールの処理能力は限られていると共に、大量の高価なフォトレジストおよび現像剤を使用する。
【０００３】
代替的な方法として、基板上に材料を所望のパターンに印刷または直接書き込みを行うことによって、ブランケット堆積工程およびマスク露出工程を省くことが提案されている。例えば、ジェット印刷ノズルを用いてフォトレジストマスクをパターニング対象の１つ以上の材料層の上に印刷する場合がある。このような技術は、２００２年１月２８日のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ８０，Ｎｏ．４におけるＷ．Ｓ．Ｗｏｎｇらによる「ジェットプリンティングによって製造されるアモルファスシリコン薄膜トランジスタおよびアレイ」に記載されており、この内容をここに参考として記載しておく。他の技術においては、完成済みの装置を形成する材料（またはその材料の前駆体）を所望のパターンで印刷する場合がある。電極材料を印刷することに関するここでの参考としては、前駆物質を印刷し、これをさらなる処理によって完成された電極の材料にすることが挙げられる。
【０００４】
日本国特許庁によって提供されたＪＰ−Ａ−１１−２７４６８１の英語の要約書では、印刷を利用して電子装置を形成することが記載されている。薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と呼ぶ）のゲート電極はインクジェット印刷を利用して形成される。
【０００５】
本発明の目的は、印刷または直接書き込み技術を使用してその電子コンポーネントを形成する改良されたマトリクスディスプレイ装置を提供すること、およびこのようなディスプレイ装置を製造するための改良された方法を提供することである。
【発明の開示】
【０００６】
本発明は、画素のアレイを備えるマトリクスディスプレイ装置を提供し、各画素は、第２の電極と重なる幅が振動する第１の電極を有し、各画素において前記第２の電極と前記第１の電極との間で重複する領域はディスプレイの影響を軽減するように実質的に不規則にこのアレイにわたって変化する。
【０００７】
好ましい実施の形態において、第１の電極は印画法を利用して決定される。より詳細には、第１の電極は隣接する液滴のラインで形成されてよい。隣接する液滴を含む電極を形成するために使用し得る印刷技術の一例としては、インクジェット印刷が挙げられる。代替的に、第１の電極材料を均一に堆積し、次に第１の電極の所望の形状を決定するマスクの印刷または直接書き込みを行うことによって第１の電極を形成してもよい。次に、露出した第１の電極材料をエッチングによって除去し、マスクを剥離して第１の電極を必要とされるパターンに残す。
【０００８】
透過型ディスプレイにおいては、電極の幅を可能な限り狭くして画素の開口を最大限にする必要がある。本発明者らは、インクジェット印刷等の印画法を利用して作成されたラインの幅が所定の印画装置で可能な最小値に接近すると、そのラインを構成する各液滴の輪郭が見えることを見出した。その結果、ラインの長さに沿って線幅の変化が規則的となる。本発明者らは、これはディスプレイの性能の低下に起因するものと認識した。画素の間隔を相互に均等にすると、画素の電子コンポーネントの他の電極（印刷によって決定された上または下にあるライン）の間で重複する領域および印刷によって決定されたラインがディスプレイにわたって周期的に変化して、ビーティング効果を生じる。従って、他の電極が印刷によって決定されたラインと結合することによって形成されるキャパシタンスも同様に変化する。そのため、画素の特性がディスプレイにわたって周期的に変化する。
【０００９】
この振動線幅は、電極材料自体が直接書き込まれているか、または、マスクが直接書き込まれ電極材料をパターニングするために用いられるかに関わらず、発生するものであることがわかる。マスクのエッジ部における周期的な変化は下方にある電極材料に複製される。
【００１０】
画素の透過率はそれに掛かる電圧に非常に敏感であるため、僅かな周期的変化でも重大な影響を及ぼす可能性がある。さらに、人間の目はディスプレイの透過率におけるいかなる周期的変化に対しても非常に敏感である。反転駆動方式を使用してディスプレイが駆動される場合、このような変化はそれ自体ちらつきとなって現れ、目で容易に分かるものである。
【００１１】
本発明によれば、各画素において電子コンポーネントの第１の電極と第２の電極との間で重複する領域は、アレイにわたって所定の方向に実質的に不規則に変化して上述の形態のビーティング効果を回避するように予め定められている。従って、それに付随するキャパシタンスの変化はディスプレイを横切って実質的に非周期的またはランダムである。尚、第２の電極は第１の電極の上にあってもよく、またはその逆であってもよい。
【００１２】
好ましい実施の形態において、ラインは隣接する液滴で形成され、これらの液滴は各ラインに沿って実質的に均等に離間されているが、各画素における液滴に対する第２の電極の位置は各ラインに沿って実質的に不規則に変化する。代替的に、各画素における第２の電極は液滴の各ラインに沿って実質的に均等に離間され、各画素において、それに対する液滴の位置は各ラインに沿って実質的に不規則に変化する。後者の実施の形態においては、部品間の各ラインに沿った液滴の間隔は各ラインに沿って実質的に均一に調節され、それによりこの変化を達成する。従って、液滴が電極に沿って均等に離間された場合に液滴が占有するであろう位置から移動すると、その一方の側または両側の液滴によって徐々に調節される。これは、液滴とその隣接するものとの間の間隔を特別に大きくしまたは小さくすることを回避する役目を果たす。このような特別に大きなまたは小さな間隔は、液滴と他の電極との間の重なりに影響を及し、あるいは、結果的に印刷されたラインを途切れさせるような線幅の非常に大きな変化の原因となり得る。
【００１３】
本発明のいくつかの実施の形態においては、各画素における電子コンポーネントは第１および第２の電極の重複部分を含む。この電子コンポーネントは各画素におけるＴＦＴとしてもよい。より詳細には、第２の電極は各画素電極に接続されたＴＦＴのドレイン電極とし、第１の電極はＴＦＴのゲート電極としてもよい。
【００１４】
代替的に、電子コンポーネントは、印刷によって決定されたディスプレイの蓄積キャパシタラインに沿って離間された各画素における蓄積キャパシタとしてもよい。
【００１５】
他の好ましい実施の形態において、各画素は、第４の電極と重なる幅が振動する第３の電極を有するさらなる電子コンポーネントを含み、他のコンポーネントの第３および第４の電極の間で各画素において重複する領域はディスプレイの影響を軽減するように実質的に不規則にアレイにわたって変化する。例えば、一方の電子コンポーネントを各画素におけるＴＦＴとしてもよく、他の電子コンポーネントを各画素における蓄積キャパシタとしてもよい。
【００１６】
ディスプレイのロウ（row）電極は第１の電極によって形成されてもよく、さらに、ロウ電極の各部分は各画素におけるＴＦＴのゲート電極を形成してもよい。
【００１７】
本発明はさらに、画素のアレイを備えるマトリクスディスプレイ装置を製造する方法を提供し、各画素は、第２の電極と重なる幅が振動する第１の電極を有し、この方法は、各画素において第１の電極を印刷するステップと、各画素において第２の電極を決定するステップとを含み、各画素において第２の電極と第１の電極との間で重複する領域はディスプレイの影響を軽減するように実質的に不規則にアレイにわたって変化する。第１の電極は、隣接する液滴のラインをインクジェット印刷することによって各画素に形成されることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態が添付図面を参照して以下に例示的に記述される。図面は模式的なものであり、正確な縮尺で描かれたものではない。これらの図の部分の相対的な大きさおよび比率は、図面の明確性および便宜性のために拡大または縮小されて示されている。同一の参照符号が、変形例および異なる実施の形態における同様または類似の要素を示すために全般的に使用されている。
【００１９】
本出願人による未公開英国特許出願第０１０５１４５．７（当方整理番号ＰＨＧＢ０１００３０）では、印刷技術を利用して製造するのに特に適したＴＦＴ構造が記載されている。さらに、本出願人による未公開英国特許出願第０１１２５６３．２および０１１２５６１．６（当方整理番号はそれぞれＰＨＧＢ０１００７６およびＰＨＧＢ０１００７７）では、印刷を採用し、ディスプレイ基板上で用いるように適合された画素蓄積キャパシタ構成が開示されている。これら３つの出願の内容を参照文献としてここに組み込まれる。
【００２０】
図１は、上記の未公開出願に示されているＴＦＴおよび蓄積キャパシタの一例を示している。ディスプレイ基板４上の画素のアレイのうちの単一画素２が図１に示されている。画素のアレイは基板と共にアクティブマトリクスディスプレイのアクティブプレートを形成している。
【００２１】
画素２はＴＦＴ６を含んでいる。基板４の平面に対して直角な線Ａ−Ａに沿ったＴＦＴ６の断面を図２に示す。同様に、線Ｂ−Ｂに沿った蓄積キャパシタ８の垂直断面を図３に示す。
【００２２】
基板４は、ほぼ平坦な上表面１０を有するガラス等の透明材料で形成されている。第１の金属化層は、表面１０上に印刷され、基板４を横断して延在する複数のロウ電極１４とロウ電極１４に対して平行に基板４を横断して延在する複数の蓄積キャパシタ電極ライン１６とを決定している。例えば、窒化シリコンから成る誘電体層１８がロウ電極１４および蓄積キャパシタライン１６の上に設けられている。
【００２３】
ＴＦＴ６の半導体アイランド２０は、ドープト水素化アモルファスシリコン２４（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）の層と、その下の水素化真性アモルファスシリコン２２（ｉａ−Ｓｉ：Ｈ）の層で構成されている。代表的には、これら２つの層は順次堆積され、次に、これらの両方は、単一の印刷マスクを用いて決定され得る。半導体アイランド２０は、ロウ電極１４の上方に配置されており、平面図では長方形であって、その長辺はロウ電極１４と平行している。半導体アイランドの下のロウ電極の領域はＴＦＴ６のゲート電極を形成している。
【００２４】
第２のパターン金属化層は、フォトリソグラフィを利用して決定され、基板４を横断してロウ電極１４に対して直角方向に延びているカラム電極２６を形成する。また、第２のパターン金属化層は、ドレイン電極２８と、このドレイン電極の周囲をまわって半導体アイランド２０を通過して戻るようにカラム電極２６から延びているフィンガ３０とを形成している。半導体アイランド２０の領域におけるドレイン電極２８、フィンガ３０およびカラム電極２６は、ロウ電極１４に対して直角にアイランドを横切るように延びている。カラム電極２６およびフィンガ３０は、ドレイン電極２８のいずれかの側で相互接続ソース電極を形成している。
【００２５】
オフセット印刷等の印画法を用いて半導体アイランド２０を形成する結果、その半導体アイランド２０の後縁３２の位置が正確に制御されずまたは決定されない場合がある。従って、フィンガ３０がない場合、ＴＦＴのゲート−ドレイン間キャパシタンスが良好に決定されない。これは、ディスプレイのアクティブプレートにわたる複数のＴＦＴの性能の不均一性をもたらす。フィンガ３０がそれを越えてアイランドの後縁３２に延びている半導体アイランドの部分をカラム電極２６に接続することによってこの問題に対処する。尚、半導体アイランドが反対方向に印刷されている場合、（その場合フィンガに隣接する）アイランドの先端３４の位置がよりよく決定され得るが、フィンガは同一の機能を果たす。
【００２６】
場合によっては、このようにドレイン電極のいずれかの側にソース電極を設けることによってさらなる利点が得られることがある。例えば、チャンネル幅が倍増する効果があり、それによって装置のオン抵抗が低下する。
【００２７】
第２の金属化層は、バックチャンネルエッチングステップを実行することによって、露出されたドープトアモルファスシリコン層２４をエッチングによって除去するために、エッチマスクとして用いられる。真性アモルファスシリコン層２２はＴＦＴ６のチャンネルを形成する。
【００２８】
第２の金属化層もまた蓄積キャパシタ８の上部電極３６を形成するために用いられ、上部電極３６と蓄積キャパシタライン１６との間で誘電体層１８がキャパシタ誘電体としての機能を果たす。インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の画素電極４４が（好ましくは印画法を用いて）パッシベーション層の上に設けられる。
【００２９】
基板全体の上にパッシベーション層３８が形成される。蓄積キャパシタ８の上部電極３６およびＴＦＴ６のドレイン電極２８の上にパッシベーション層３８を貫通するビア４０および４２がそれぞれ設けられる。パッシベーション層３８は、例えば、シリコン窒化物で形成されてよい。高分子材料等の他の材料を用いてもよい。
【００３０】
図１から図３に関連して上述した層の構成、特に半導体アイランド２０およびロウ電極１４の簡単な形態は、半導体アイランドおよびロウ電極の決定における不正確さが従来のアレイ構造と比較してあまり厳格でないことを意味している。そのため、印刷などの決定性（definition）の低い工程を用いることができる。その代わり、より重要な寸法であるＴＦＴ６のチャンネル長さは、高度な決定パターニング方法（即ち、フォトリソグラフィ）によって決定される。実際に、上述のＴＦＴ構造を用いる場合、これを、アクティブマトリクスディスプレイのアクティブプレートを製造するのに必要とされる唯一の高度な決定方法とすることができる。
【００３１】
図４は、インクジェット印刷された電極の線幅の変化を示しており、この幅は所定の印画装置で実現可能な最小値に接近している。このラインを構成している各液滴の輪郭が現れており、ラインの縁部５２、５４に振動（undulation）を引き起こしている。線幅は、液滴の半ピッチに等しい距離ｌを超える最小限ｗ１と最大限ｗ２との間で振動している。
【００３２】
図１および図２に示されているＴＦＴ構成は、従来のＴＦＴ構造に比べ、ＴＦＴの他の層に関連するソース／ドレイン金属化層の位置の変動について寛容であることがわかる。しかし、ロウ電極１４の線幅の変動は、ドレイン電極２８とロウ電極との間の寄生結合容量に影響し、そのため、ＴＦＴの性能特性に影響を及ぼす。
【００３３】
図５は、本発明の実施の形態に基づき変形された図１と類似の画素２を示している。ＴＦＴ６ａがカラム電極２６ａから離れ、関連する画素電極４４の中心線に向かってロウ電極１４と平行な方向に距離ｄだけシフトされている点において図１と異なっている。従って、ＴＦＴのドレイン電極は、図１に示されたソース／ドレイン金属化パターンの場合と異なる位置でロウ電極１４と重なっている。尚、ソース／ドレインパターンは、カラム電極２６ａのいずれかの側への距離範囲を超えてドレイン電極を移動させる場合と類似の方法で変形してもよい。ディスプレイにわたって画素から画素へ実質的に不規則にこの移動を変化させることによって、各画素のドレイン電極およびロウ電極を形成する液滴の間で重複する領域が同様に変化する。
【００３４】
図５に示された形態の代替的な実施の形態が図６に示されている。各画素のＴＦＴを不規則にずらすことによって画素電極およびロウ電極の液滴の相対的な位置における所望の非周期性を達成するのではなく、個々の液滴の位置を変化させることによって同一の結果を達成している。画素電極２８が重なる位置のロウ電極１４の（複数または単数の）液滴の幅がディスプレイにわたって実質的に不規則に変化するように液滴を配置する。
【００３５】
図６において、隣接する画素の画素電極２８、２８’は、均等に離間された液滴で形成されたロウ電極１４（破線）および液滴の間隔が変動する第２のロウ電極１４’と共に示されている。各画素の他の特徴は明確にするために省略されている。電極１４’の液滴６０’の輪郭が電極１４におけるそれに対応する部分６０の左側にずれていることが分かる。画素電極２８’の位置での電極１４’の平均幅ｗ３は、電極１４の対応する大きさｗ４よりも小さい。所定の画素電極の下にある（複数または単数の）液滴のずれは、その画素電極とその次のものとの間に介在している液滴の位置を調節することによって徐々に調整され得る。図６に示されているように、画素電極２８および２８’の間のロウ電極１４’の液滴の間隔がロウ電極１４の液滴に対応して僅かに狭められて液滴６０に対する液滴６０’のずれが調節される。
【００３６】
本発明の他の実施の形態を図７に示す。蓄積キャパシタライン１６および第１の上部キャパシタ電極３６が示されている。また、第２の上部電極３６’が（破線で）示されており、これは第１のものと同一の大きさであるが、そこからライン１６と平行な方向にずらされている。第１の上部電極３６とライン１６との間で重複する領域は、第２の上部電極とこのラインとの間で重複する領域よりも大きい。インクジェット印刷ライン１６の波状の輪郭のために、第２のものではなく第１のものに覆われた領域７０ａは、第１のものではなく第２のものに覆われた領域７０ｂよりも大きく、その結果として第１の上部電極３６を含むキャパシタに対する第２の上部電極３６’を含むキャパシタのキャパシタンスが最終的に減少する。ディスプレイにわたる蓄積キャパシタのキャパシタンスの周期的変化から生じるディスプレイの影響を回避するため、各上部電極およびそれに対応する蓄積キャパシタラインを形成する関連の液滴の相対位置は、ディスプレイにわたって実質的に不規則な態様で変化させてもよい。上述のＴＦＴ構造のそれに対する類似したアプローチにおいて、これは、液滴を規則的に離間し且つ各画素内で上部電極位置をランダムに変化させることによって、または、各画素における上部電極と関連した液滴の位置をランダムに変化させることによって達成するようにしてよい。上述のように、液滴の位置のどのような変動も、同一の蓄積キャパシタラインに沿った上部電極間の液滴によって徐々に調節され得る。
【００３７】
尚、専用の蓄積キャパシタライン１６を設ける代わりに、各画素の蓄積キャパシタは、次のまたは前の印刷されたロウ電極１４の上に設けられた追加の電極を用いて形成されてもよい。ディスプレイの影響を軽減するために、印刷された電極に対する追加の電極の位置に関しても上述と同様に配慮する。
【００３８】
当業者に公知の方法で図８に示されているように、液晶アクティブマトリクスディスプレイは、上述のように本発明に従って作成されたアクティブプレート８０を用いて、パッシブプレート８２を設け、アクティブプレートとこのパッシブプレートとの間に液晶材料８４を挟むことにより形成されてもよい。
【００３９】
本発明は（直接書き込み技術を含む）様々な印刷技術に適用可能であり、そのうちのインクジェット印刷は一例であり、そこでは材料の領域は所望のパターンで基板上に堆積され、その工程の解像度に対する制約のために印刷線の幅が振動することは当業者には明らかであろう。
【００４０】
ボトムゲート型ＴＦＴに関連して本発明をこれまで説明したが、本発明はトップゲート型ＴＦＴを備える画素にも同様に適用可能であることは当業者には明らかであろう。トップゲート型ＴＦＴにおいては、ソース／ドレイン金属化層、半導体層およびゲート絶縁層を堆積した後に、そのゲートを決定する印刷ロウ電極が堆積されてもよい。
【００４１】
さらに、本発明を様々な半導体技術に適用してもよい。上記のアモルファスシリコン層は、他の種類の半導体に置き換えてもよい。例えば、ポリシリコン、微結晶シリコン、有機半導体、ＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ半導体、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ半導体等が挙げられる。また、金属化層は、アルミニウム、銅、または必ずしも金属ではなくとも任意の適切な都合の良い導体であってもよい。
【００４２】
本開示を読むことによって、当業者には他の変更および変形が考えられるであろう。このような変更および変形は、技術的に既に公知でありかつここで既に説明した特徴の代わりにまたはそれに加えて用い得る均等物および他の特徴を含んでいても良い。
【００４３】
この出願において請求項は特定の特徴の組み合わせを規定したが、本発明の開示の範囲は、いずれかの請求項にここで記載されているものと同一の発明に関連するか否か、また本発明と同様に技術的問題のいずれかまたはすべてを緩和するか否かに関わらず、あらゆる新たな特徴またはここに明白にまたは暗に開示された特徴の新たな組み合わせまたはそれを総括したものをも含むものである。
【００４４】
別個の実施の形態で説明された特徴を単一の実施の形態で組み合わせて提供するようにしてもよい。逆に、簡略にするため単一の実施の形態で説明した様々な特徴を別個にまたは適切なサブコンビネーションで提供するようにしてもよい。本出願人は、本出願またはそれより派生するさらなる出願が係属している間にそのような特徴および／またはそのような特徴の組み合わせに対して新たな請求項を規定する場合があることをここに予告しておく。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】部分的に印刷技術を利用して形成されたＴＦＴおよび蓄積キャパシタを含むアクティブマトリクスディスプレイ画素の平面図を示している。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿ったＴＦＴの断面図を示している。
【図３】図１の線Ｂ−Ｂに沿った蓄積キャパシタの断面図を示している。
【図４】インクジェット印刷線の平面図を示している。
【図５】本発明の第１の実施の形態に従って変形された図１の画素と類似する画素を示している。
【図６】本発明の第２の実施の形態に従ってインクジェット印刷線を形成する液滴の間隔を変形例で平面図を示している。
【図７】蓄積キャパシタの上部電極の位置の変形例を平面図で示している。
【図８】本発明による液晶アクティブマトリクスディスプレイの断面図を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図８】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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