(57)【要約】  本発明は、電磁放射に感受性のある加工物上にパターンを形成するための方法に関する。電磁放射は、多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される。ピクセルは、前記コンピュータ制御のレチクル中に、デジタル記述に基づいて配置される。前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記加工物上に形成され、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互状態に配置される。本発明はまた、加工物上にパターンを形成するための装置にも関する。本発明はまた、半導体ウェーハ及びマスクにも関する。
2005513770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改良仮想グリッドを用いて電磁放射に感受性のある加工物上にパターンを形成するための方法であって、
多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて電磁放射を放出することと、
デジタル記述に基づいて前記コンピュータ制御のレチクル中に前記ピクセルを配置することと、
前記加工物上に前記コンピュータ制御のレチクルの像を形成するステップであって、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互状態に配置されることとを含む方法。
【請求項２】
少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、ピクセルから成る１次元の線に属する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記像が、１つの描画パス中に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記像が、複数の描画パスを用いて形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、前記複数の描画パス中にそれぞれ異なるように配置される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１の描画パスにおいて、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った少なくとも第１のピクセルが、第１のグレースケール値に設定され、少なくとも１つの他のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれ、少なくとも１つの他の描画パスにおいて、前記少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った少なくとも第２のピクセルが、前記第１のグレースケール値に設定され、少なくとも１つの他のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
４重の描画パスによって前記パターンが形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のグレースケール値に設定された、異なる描画パス中の前記少なくとも１つのピクセルが、重なり合っていない、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記取り囲むピクセルが、同じグレースケール値に設定される、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記取り囲むピクセルが、異なるグレースケール値に設定される、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、ピクセルから成る少なくとも２本の線に属する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも２本の線に属する前記ピクセルが、前記仮想グリッドを形成する際に、それぞれ異なって重みづけされる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ピクセルが、ＳＬＭ中の微小反射鏡である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ピクセルが、透過的である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
電磁放射に感受性のある加工物上にパターンを形成するための装置であって、
電磁放射を多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出する放射源と、
前記コンピュータ制御のレチクルの像を前記加工物上に形成する投影システムであって、前記加工物上に形成される前記像に含まれる前記要素のエッジの位置を精密に調整するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、パターンを形成される少なくとも１つの要素の少なくとも１部分の境界に沿って、交互状態に配置される投影システムとを含む、装置。
【請求項１６】
少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、ピクセルから成る１次元の線に属する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記像が、１つの描画パス中に形成される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記像が、複数の描画パスを用いて形成される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、前記複数の描画パス中にそれぞれ異なるように配置される、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
第１の描画パスにおいて、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿った少なくとも第１のピクセルが、第１のグレースケール値に設定され、少なくとも第２のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれ、少なくとも第２の描画パスにおいて、前記フィーチャ・エッジの前記部分に沿った少なくとも第２のピクセルが、前記第１のグレースケール値に設定され、少なくとも前記第２のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれる、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
４重の描画パスによって前記パターンが形成される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記第１のグレースケール値に設定された、異なる描画パス中の前記ピクセルが、重なり合っていない、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
前記第１のグレースケール値に設定された、異なる描画パス中の前記ピクセルが、少なくとも１ピクセル分互いに隔てられている、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記取り囲むピクセルが、同じグレースケール値に設定される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２５】
前記取り囲むピクセルが、異なるグレースケール値に設定される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２６】
１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、２ピクセル幅の線に属する、請求項１５に記載の装置。
【請求項２７】
少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、３ピクセル幅の線に属する、請求項１５に記載の装置。
【請求項２８】
前記ピクセルが、ＳＬＭ中の微小反射鏡である、請求項１５に記載の装置。
【請求項２９】
前記ピクセルが、透過型ＳＬＭである、請求項１５に記載の装置。
【請求項３０】
多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される電磁放射を用いて少なくとも１つの描画パス中にパターンを形成される少なくとも１つの集積回路を含み、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、デジタル記述に基づいて配置され、前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記ウェーハ上に形成され、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互状態に配置される半導体ウェーハ。
【請求項３１】
加工物上にプリントされるパターンを含むマスクであって、マスク基板が、多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される電磁放射を用いて少なくとも１つの描画パス中にパターンを形成され、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、デジタル記述に基づいて配置され、前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記マスク基板上に形成され、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互状態に配置されるマスク。
【請求項３２】
データ・ファイル中の記述に基づいて面上にパターンの像を形成するための方法であって、
複数の描画パスを提供することと、
少なくとも２つのパス中のピクセルのグリッドをオフセットすることと、
異なるパス中のエッジ・ピクセルの値を制御することと、
エッジの質を最適化するように、少なくとも２つのパスの間のエッジ・ピクセルの値を所定のラスタ化規則によって調整することとを含む、方法。
【請求項３３】
前記エッジの質が、エッジ粗さとして定義される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記エッジの質が、エッジ鋭さとして定義される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記エッジの質が、限界寸法制御（ＣＤＣ）として定義される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
少なくとも１つのパス中の少なくとも２つの隣接エッジ・ピクセルが、等しくない値を有する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
前記ラスタ化が、非線形である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
前記非線形ラスタ化が、第１の領域が第１の重み関数を有し、第２の領域が第２の重み関数を有する、少なくとも２つの領域に各ピクセルを分割することによって実行される、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
データ・ファイル中の記述に基づいて基板上にパターンを描画するため、及び仮想グリッドを生成するための方法であって、
第１の描画パス中にフィーチャのエッジ・ピクセルのシーケンスを生成することと、
少なくとも第２の描画パス中でフィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスを置換することと、
前記基板上で前記シーケンスを互いに少なくとも部分的に重なり合せることとを含む、方法。
【請求項４０】
少なくとも２つのパスでピクセルのグリッドをオフセットすることをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
フィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスを少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿って周期的に反復させることをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】
フィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスが、非周期的である、請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】
データ・ファイル中の記述に基づいて基板上にパターンを描画するため、及び仮想グリッドを生成するための方法であって、
第１の描画パス中にフィーチャのエッジ・ピクセルの第１のシーケンスを生成することと、
少なくとも第２の描画パス中にフィーチャのエッジ・ピクセルの第２のシーケンスを生成することと、
前記基板上で前記シーケンスを互いに少なくとも部分的に重なり合せることとを含む、方法。
【請求項４４】
前記第１及び第２のシーケンスが、周期的である、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記第１及び第２のシーケンスが、非周期的である、請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
前記ピクセルが、オン／オフ・ピクセルである、請求項４３に記載の方法。
【請求項４７】
前記ピクセルが、多値ピクセルである、請求項４３に記載の方法。
【請求項４８】
少なくとも２つのパスでピクセルのグリッドをオフセットすることをさらに含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４９】
前記フィーチャのエッジ・ピクセルのうちの少なくとも１つのピクセルが、非線形ラスタ化を達成するため、異なる重み関数を有する少なくとも２つの領域に分割される、請求項４３に記載の方法。
【請求項５０】
前記フィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスが、ピクセルから成る１次元の線に属する、請求項４３に記載の方法。
【請求項５１】
前記フィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスが、ピクセルから成る少なくとも２本の線に属する、請求項４３に記載の方法。
【請求項５２】
前記少なくとも２本の線中の前記ピクセルが、前記仮想グリッドを形成する際に、それぞれ異なって重みづけされる、請求項５１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、改良された像を得る技法に関する。詳細には、本発明は、改良された仮想グリッドを備えた、例えば、空間光変調器（ＳＬＭ）などの、コンピュータ制御の結像装置を用いるリソグラフィの方法に関する。本発明はまた、加工物にパターンを形成するための、前記方法を含む装置にも関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィによる製造は、集積回路、マスク、レチクル、フラットパネル・ディスプレイ、微小機械又は微小光学デバイス、並びにリードフレーム及びＭＣＭなどのパッケージ・デバイスを製造する際に有用である。リソグラフィによる製造には、マスタ・パターンをコンピュータ制御レチクルから加工物上に結像させるための、光学システムが関与することがある。適した加工物は、可視又は非可視光線などの電磁放射に感受性のある層を含むことができる。そのようなシステムの実施例が、本発明と同一の発明者及び出願者による、ＷＯ  ９９４５４３５に記載されている。
【０００３】
前記コンピュータ制御レチクルを、例えば、可動微小反射鏡の１次元若しくは２次元のアレイ若しくは行列、透過ＬＣＤ結晶の１次元若しくは２次元のアレイ若しくは行列、又は格子効果、干渉効果、若しくはシャッタなどの機械的要素に基づいた、その他の同様のプログラム可能な１次元若しくは２次元のアレイを含む、空間光変調器（ＳＬＭ）とすることができる。
【０００４】
一般的に言って、パターンの質は、多重パス描画によって向上させることができる。しかし、多重パス描画によって向上するパターンの質には、必ずしも同時には良くならない、複数の異なる局面がある。第１に、複数パスでのアドレス・グリッドは、単一パスでのアドレス・グリッドよりも細密にすることが可能である。第２に、オフセット・グリッドをもつ多重パスでは、限定されたピクセル・サイズが原因のグリッド効果を除去することができる。
【０００５】
第３に、多重パスによって、確率的誤差（光路中のアーチファクト、露光ドーズ中のノイズ、結像に用いられるビーム又はフィールドの位置決め誤りなど）が統計的に減少する。例えば、４重パスでは、ドーズの確率的誤差の影響が、２（４の平方根）分の１に減少する。第４に、描画フィールドを互いにずらすことによって、系統的誤差（描画される像の隅でのドーズ低下、ひずみ、及び焦点面曲率）を減少させることができる。第５に、複数の描画パスを用いると、不良ピクセルをより効果的に修正することが可能になる。第６に、多重パス方式の多くは、エッジを滑らかにする。エッジ鋭さの保持は、多重パス方式の望ましい特性である。
【０００６】
様々なラスタ化多重パス方式を考案することができるが、上述した６つの局面をすべて同時に改善する方式を見つけることが問題となる。
【０００７】
図３ａには、仮想グリッドを生成するための公知の方法が示されている。図３ａには、７行５列のピクセルから成るアレイが示されている。最も左側の２列のピクセルは、最大のグレースケール値に設定されている。最も右側の２列のピクセルは、最小のグレースケール値に設定されている。中央の列のピクセルは、中間のグレースケール値に設定されている。図３ａは、仮想グリッドを生成するために、単一パスにおいてフィーチャのエッジ・ピクセル３０１をアナログ変調させる一実施例である。前記中央の列のピクセルは、すべて同じ値に設定されている。
【０００８】
図３ｂには、仮想グリッドを生成するための別の公知の方法が示されている。この方法では、４重の描画パス３０５を２進ドーズ（例えば、１００％、５０％、２５％、１２．５％）で描画する。ある１つの単一パス中のピクセルは、すべて等しいグレースケール値に設定される。仮想グリッドは、少なくとも１つの描画パスで、フィーチャのエッジ・ピクセル列をオンにすることによって生成される。図３ｂでは、一番上の描画パス及び下から２番目の描画パスで、フィーチャのエッジ・ピクセル列がオンにされている。
【０００９】
図３ｃには、仮想グリッドを生成するためのさらに別の公知の方法が示されている。この方法では、４つの描画パス３０５は、すべて同じドーズで描画される。少なくとも１つのパスで、フィーチャのエッジ・ピクセル列３０４がオンにされる。図３ｃでは、一番下の描画パス及び下から２番目の描画パスが、そのようなパスである。
【００１０】
図４ａには、仮想グリッドを生成するための別の公知の方法が示されている。この方法では、４つのパス４０１は、等しいドーズでオフセット描画される。図４ａでは、異なる描画パスは、原点４０２に対してオフセットされて示されている。エッジ・ピクセル４０３をいくつかのパスだけでオンにすることによって、描画するフィーチャのエッジを精密に位置決めすることができる。
【００１１】
図４ｂには、仮想グリッドを生成するためのさらに別の公知の方法が示されている。この方法では、パス毎に異なるアナログ値４０４を与える、フィーチャのエッジ・ピクセルのアナログ変調と、オフセットパスとの組合せが利用される。
【００１２】
図５ａには、単一パス描画方式における、４つのピクセルから成る描画グリッドが示されている。５０１で示す基準マークは、グリッドの中央に配置される。
【００１３】
図５ｂには、異なる描画パスをオフセットするための公知の方法が示されている。ここでは、４つのパスが用いられており、その中の２つは、別の２つに対して、ピクセル・グリッドに平行な直交する２方向に、半ピクセル・サイズに相当する距離だけオフセットされている。多重描画方式において異なる描画パスをオフセットすることによって、様々な結像上の欠陥を多かれ少なかれ効果的に隠すことができる。
【００１４】
図５ｃには、グリッドを隠すために、異なる描画パスをオフセットするための別の公知の方法が示されている。この実施例では、すべての描画パスが、互いに対してオフセットされる。１つの描画パスは、第１の方向にだけオフセットされ、別の描画パスは、前記第１の方向と直行する第２の方向にオフセットされ、また別の描画パスは、前記第１及び前記第２の方向に同時にオフセットされる。前記第１及び前記第２の方向へのオフセットは、半ピクセル・サイズとして示されている。
【００１５】
パスの数を増やすことによって、パターンの忠実度をより高めることが、一般には可能であるが、コストは高くなる。パスの数を２倍にすると、パターン・ジェネレータの資本費用と運転費用も生産加工品当り２倍になり、多くの場合、経済的に不可能である。
【００１６】
一般に、様々な方法で像を形成するのに、コンピュータ制御されるレチクルを使用することができる。ＳＬＭなどのこれらのレチクルは、数多くの変調素子又はピクセルを含み、いくつかの例では、１００万又はそれを超える数のピクセルとなる。
【００１７】
発明者の１人が本出願の発明者と同一人であるＷＯ  ９９／４５４４０に、改良されたアドレス分解を備えたパターン・ジェネレータについての記載がある。前記出願では、パターン・フィーチャ内部では１つのタイプのピクセル・マップ、パターン・フィーチャ外部では別のタイプのピクセル・マップ、及びパターン・フィーチャの境界では中間のピクセル・マップというように、ピクセルを、２よりも多い複数の状態に設定することができる。中間のピクセル・マップは、加工物に投影されるＳＬＭのピクセルのグリッドよりも細密なグリッドでの境界のプレースメントに依存して生成される。
【００１８】
ウェーハ上にプリントされるパターンの線幅及び２本の線の間の間隔が非常に狭いことが原因で、プリント方法及びその方法を利用する装置には多くの要求が課せられる。非常に粗大なアドレス・グリッドを提供するＳＬＭを使用すると、光学的結像でそれらを使用する際に利用可能な解像度及び精密度が制限されることがある。例えば、加工物へのプリントパターンは、その線幅及び精密度に関して制約されることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
したがって、当技術分野では、加工物上に形成される像中の要素のエッジの位置をより精密に調整する方法が必要とされている。当技術分野では、多重パスによる平準化の有効性を向上させること、すなわち、フィーチャのエッジの改良された精密調整をより少ない数のパスで可能にすることも必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上述の背景技術に鑑みて、単一パス又は多重パス描画技法のいずれを用いた場合でも、加工物上に形成される像に含まれる要素のエッジ位置の精密な調整は、マイクロメートル未満の範囲にある線幅を達成する上で欠くことができない。
【００２１】
本発明は、マスク、半導体ウェーハ、光電子デバイス、微小光学デバイス、磁気デバイス、超伝導デバイス、表示デバイス、ＭＣＭなどの電子相互接続構造の描画など、デジタル入力データ・ファイルに基づいて、加工物上にパターンを形成する際に適用される。本発明は、描画機構からは独立であり、レーザ及びその他の電磁ビーム、電子及びその他の荷電粒子ビームに適用される。ビームという言葉は広義に理解されるべきものであり、ＳＬＭ、セル投影などの投影領域を用いるプリント方法も含まれる。また、原子ビーム、多光子プロセス、もつれ合い光子、近接場効果、走査プローブからの直流露光、及び熱照射など、従来技術にはない描画機構も含まれる。
【００２２】
したがって、本発明の目的は、要素のエッジの精密な調整のための改良方法を提供することである。
【００２３】
第１の実施例では、本発明は、電磁放射に感受性のある加工物上にパターンを形成するための方法を提供する。電磁放射は、多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される。ピクセルは、前記コンピュータ制御のレチクル中に、デジタル記述に基づいて配置されている。前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記加工物上に形成され、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互状態に配置される。
【００２４】
本発明の別の実施例では、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、ピクセルから成る１次元の線に属する。
【００２５】
本発明のまた別の実施例では、前記像は、１つの描画パス中に形成される。
【００２６】
本発明のさらに別の実施例では、前記像は、複数の描画パスを用いて形成される。
【００２７】
本発明のまたさらに別の実施例では、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、前記複数の描画パス中にそれぞれ異なるように配置される。
【００２８】
本発明の別の実施例では、第１の描画パスにおいて、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った少なくとも第１のピクセルが、第１のグレースケール値に設定され、少なくとも１つの他のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれ、少なくとも１つの他の描画パスにおいて、前記少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った少なくとも第２のピクセルが、前記第１のグレースケール値に設定され、少なくとも１つの他のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれる。
【００２９】
本発明のまた別の実施例では、４重の描画パスが、パターンを形成する。
【００３０】
本発明のまた別の実施例では、前記第１のグレースケール値に設定された、異なる描画パス中のピクセルは、重なり合っていない。
【００３１】
本発明のまた別の実施例では、前記取り囲むピクセルは、同じグレースケール値に設定される。
【００３２】
本発明のまた別の実施例では、前記取り囲むピクセルは、異なるグレースケール値に設定される。
【００３３】
本発明のまた別の実施例では、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、ピクセルから成る２ピクセル幅の線に属する。
【００３４】
本発明のまた別の実施例では、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、ピクセルから成る３ピクセル幅の線に属する。
【００３５】
本発明のまた別の実施例では、前記ピクセルは、ＳＬＭ中の微小反射鏡である。
【００３６】
本発明のまた別の実施例では、前記ピクセルは、透過的である。
【００３７】
本発明の別の態様は、要素のエッジの精密な調整のための改良装置を提供する。
【００３８】
第１の実施例では、本発明は、電磁放射に感受性のある加工物上にパターンを形成するための装置を提供する。前記装置は、電磁放射を多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出する放射源と、前記コンピュータ制御のレチクルの像を前記加工物上に形成する投影システムとを含み、加工物上に形成される前記像に含まれる前記要素のエッジの位置を精密に調整するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、パターンを形成される少なくとも１つの要素の少なくとも１部分の境界に沿って、交互状態に配置される。
【００３９】
本発明の第１の実施例では、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、ピクセルから成る１次元の線に属する。
【００４０】
本発明の別の実施例では、前記像は、１つの描画パス中に形成される。
【００４１】
本発明のまた別の実施例では、前記像は、複数の描画パスを用いて形成される。
【００４２】
本発明のまた別の実施例では、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、前記複数の描画パス中にそれぞれ異なるように配置される。
【００４３】
本発明のまた別の実施例では、第１の描画パスにおいて、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿った少なくとも第１のピクセルが、第１のグレースケール値に設定され、少なくとも第２のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれ、少なくとも第２の描画パスにおいて、前記フィーチャ・エッジの前記部分に沿った少なくとも第２のピクセルが、前記第１のグレースケール値に設定され、少なくとも前記第２のグレースケール値に設定されたピクセルに取り囲まれる。
【００４４】
本発明のさらに別の実施例では、パターンは、４重の描画パスによって形成される。
【００４５】
本発明のさらに別の実施例では、前記第１のグレースケール値に設定された、異なる描画パス中の前記ピクセルは、重なり合っていない。
【００４６】
本発明のまた別の実施例では、前記第１のグレースケール値に設定された、異なる描画パス中の前記ピクセルは、少なくとも１ピクセル分互いに隔てられている。
【００４７】
本発明のまた別の実施例では、前記取り囲むピクセルは、同じグレースケール値に設定される。
【００４８】
本発明のまた別の実施例では、前記取り囲むピクセルは、異なるグレースケール値に設定される。
【００４９】
本発明のまた別の実施例では、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、２ピクセル幅の線に属する。
【００５０】
本発明の別の実施例では、少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿った、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、３ピクセル幅の線に属する。
【００５１】
本発明の別の実施例では、前記ピクセルは、ＳＬＭ中の微小反射鏡である。
【００５２】
本発明の別の実施例では、前記ピクセルは、透過型ＳＬＭである。
【００５３】
本発明の別の態様は、より細密なアドレス・グリッドを用いてパターンが形成される、改良されたウェーハを提供する。
【００５４】
第１の実施例では、本発明は、少なくとも１つの集積回路を含む半導体ウェーハを提供し、前記少なくとも１つの集積回路は、多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される電磁放射を用いて少なくとも１つの描画パス中にパターンを形成され、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、デジタル記述に基づいて配置され、前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記ウェーハ上に形成され、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互状態に配置される。
【００５５】
本発明の別の態様は、より細密なアドレス・グリッドを用いてパターンが形成される、改良されたマスクを提供する。
【００５６】
第１の実施例では、本発明は、加工物上にプリントされるパターンを含むマスクを提供し、マスク基板は、少なくとも１つの描画パス中に多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される電磁放射を用いて少なくとも１つの描画パス中にパターンを形成され、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、デジタル記述に基づいて配置され、前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記マスク基板上に形成され、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルは、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互状態に配置される。
【００５７】
本発明の別の態様は、像を形成される要素のエッジの精密な調整のための改良された方法を提供する。
【００５８】
第１の実施例では、本発明は、データ・ファイル中の記述に基づいて、面上にパターンの像を形成するための方法を提供し、複数の描画パスが提供され、少なくとも２つのパス中のピクセルのグリッドは互いにオフセットされ、異なるパス中のエッジ・ピクセルの値は制御され、少なくとも２つのパスの間のエッジ・ピクセルの値は、エッジの質を最適化するように所定のラスタ化規則によって調整される。
【００５９】
本発明の別の実施例では、前記エッジの質は、エッジ粗さとして定義される。
【００６０】
本発明の別の実施例では、前記エッジの質は、エッジ鋭さとして定義される。
【００６１】
本発明の別の実施例では、前記エッジの質は、限界寸法制御（ＣＤＣ）として定義される。
【００６２】
本発明の別の実施例では、少なくとも１つのパス中の前記少なくとも２つの隣接エッジ・ピクセルは、等しくない値を有する。
【００６３】
本発明の別の実施例では、前記ラスタ化は、非線形である。
【００６４】
本発明の別の実施例では、第１の領域が第１の重み関数を有する、各ピクセルの少なくとも２つの領域への前記分割は、非線形ラスタ化を実行し、第２の領域は第２の重み関数を有する。
【００６５】
本発明の別の態様は、仮想グリッドを生成するための方法を提供する。
【００６６】
第１の実施例では、本発明は、データ・ファイル中の記述に基づいて、基板上にパターンを描画するため、及び仮想グリッドを生成するための方法を提供し、フィーチャのエッジ・ピクセルのシーケンスが、第１の描画パス中に生成され、フィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスは、少なくとも第２の描画パス中で置換され、前記シーケンスは互いに、前記基板上で少なくとも部分的に重なり合う。
【００６７】
別の実施例では、本発明は、少なくとも２つのパスで、ピクセルのグリッドをオフセットする動作をさらに含む。
【００６８】
別の実施例では、本発明は、フィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスを少なくとも１つのフィーチャ・エッジに沿って周期的に反復する動作をさらに含む。
【００６９】
本発明の別の実施例では、フィーチャのエッジ・ピクセルの前記シーケンスは、非周期的である。
【００７０】
本発明の別の態様は、仮想グリッドを生成するためのさらなる方法を提供する。
【００７１】
第１の実施例では、本発明は、データ・ファイル中の記述に基づいて、基板上にパターンを描画するため、及び仮想グリッドを生成するための方法を提供し、フィーチャのエッジ・ピクセルの第１のシーケンスが、第１の描画パス中に生成され、フィーチャのエッジ・ピクセルの第２のシーケンスが、少なくとも第２の描画パス中に生成され、前記シーケンスは互いに、前記基板上で少なくとも部分的に重なり合う。
【００７２】
本発明の別の実施例では、前記第１及び第２のシーケンスは、周期的である。
【００７３】
本発明の別の実施例では、前記第１及び第２のシーケンスは、非周期的である。
【００７４】
本発明の別の実施例では、前記ピクセルは、オン／オフ・ピクセルである。
【００７５】
本発明の別の実施例では、前記ピクセルは、多値ピクセルである。
【００７６】
別の実施例では、本発明は、少なくとも２つのパスで、ピクセルのグリッドをオフセットする動作をさらに含む。
【００７７】
本発明の別の実施例では、前記フィーチャのエッジ・ピクセルのうちの少なくとも１つのピクセルが、非線形ラスタ化を達成するため、異なる重み関数を有する少なくとも２つの領域に分割される。
【００７８】
本発明及びその利点をより完全に理解するため、次に、以下の説明を添付の図面と併せて参照する。
【実施例】
【００７９】
図１ａには、ラスタ化されたフィーチャ１０２が示されている。ピクセル１０３を含むグリッド１０１は、座標系の原点１０４を基準に位置合せされている。図１ａから、グリッドがいくぶん粗いことが見て取れる。したがって、フィーチャ１０２は、要望するほど正確には像を形成できないことがある。
【００８０】
図１ｂには、図１ａに示すのと同じフィーチャが示されているが、図１ｂのフィーチャは、より細密なグリッドにラスタ化されている。ラスタ化の精度は２倍向上しているが、描画用のピクセルは４倍になっており、そのため、この方法は、図１ａに示された方法に比べて、より多くの時間を消費する。
【００８１】
図１ｃには、図１ａに示すのと同じフィーチャが示されており、同じサイズのグリッドにラスタ化されている。ただし、オフセットのない４つのパス１０５が用いられている。等しいドーズで異なるパスに像が形成されるのであれば、レジスト特性及び時間遅延などのリソグラフィの様々な特性は、この結像方法を、図１ａに示す方法よりも正確なものにすることができる。
【００８２】
図２ａには、ラスタ化された垂直線が示されている。図２ｂには、図２ａのラスタ化された線の理想的な露光２０２が示されている。露光ビームの有限の解像力によってスムージングされて、図２ｂの２０３で示される露光ドーズが与えられる。図２ｂには露光によるスムージングが示されているが、化学的拡散、現像剤トランスポート、及びレジスト又は記録媒体の解像力も同様の影響を及ぼす。図２ｃには、段を含むラスタ化されたフィーチャが示されている。結像されるフィーチャは、破線で示されるパターンとなる。段２０５のスムージングは、図２ｂに関して説明した露光ビームの有限の解像力が原因である。したがって、ピクセル２０６は、隣接ピクセルの影響をこうむる。
【００８３】
図６ａには、異なる描画パスをオフセットする、本発明の方法が示されている。この実施例では、４重の描画パスが、直交する２方向に４分の１ピクセルだけ、それぞれ互いに対してオフセットされている。図６ａに示すパスは、ピクセルの対角線に沿ってオフセットされている。一般にＮ重のパスでは（Ｎは２よりも大きな整数とする）、パスは、ピクセルの対角線に沿って、ピクセル・サイズ／Ｎだけオフセットして配置される。すなわち、３重の描画パスの場合、第１のパスは座標原点に揃えて描画され、第２のパスはピクセルの対角線上の前記座標原点から１／３ピクセルだけ離れた所に描画され、第３のパスはピクセルの対角線上の前記座標原点から２／３ピクセルだけ離れた所に描画される。
【００８４】
図６ｂには、図６ａに示す前記オフセット方法によって描画された星型が示されている。好ましくない非対称性が対角線方向に表れているのが、図６ｂから見て取れる。これは、スムージングはピクセルの辺に平行な方向でのみ生じ、それから逸れた方向では粗いグリッドの影響が表れるという事実による。
【００８５】
図６ｃには、異なる描画パスを互いにオフセットする、本発明の別の方法が示されている。この実施例では、４重の描画パスは、互いに同じ量だけオフセットして配置されているが、図６ａに示すように直線に沿ってはいない。図６ｃでは、第１のパスは座標原点に揃えて描画される。第２のパスはｘ軸の方向に１／４ピクセル・サイズ、ｙ軸の負方向に１／２ピクセル・サイズオフセットして描画される。ｘ軸及びｙ軸の方向は、長方形ピクセルの辺に平行とする。第３のパスはｘ軸の方向に１／２ピクセル・サイズ、ｙ軸の方向に１／４ピクセル・サイズオフセットして描画される。第４のパスはｘ軸の方向に３／４ピクセル・サイズ、ｙ軸の負方向に１／４ピクセル・サイズオフセットして描画される。このオフセット方法によって、ピクセルの辺に平行な２つの方向と、さらに前記ピクセルの２本の対角線の方向に関して、対称性が得られる。
【００８６】
図６ｄには、図６ｃに基づく方法によって描画された同じ星型が示されている。図６ｄの星型は、図６ｂの星型と比べて、対称性が改善されている。図６ｃに示す方式に従って描画パスをオフセットすることによって、８方向すべてに関して対称性が達成される。
【００８７】
図７には、４つのパス７０１、７０２、７０３，７０４中の複数のピクセルに関する基準点が示されている。水平及び垂直軸に沿った不均一な分割を犠牲にして、パス間の変位をピクセル・サイズ単位の小さな分数分だけ僅かに変更し、基準点をより均一に配置するようにすることが可能である。ラスタライザ・アルゴリズムの詳細及びパターン・ジェネレータの誤差構造の詳細によって、どちらがより好ましいかが決定される。図７のパターンの鏡像及びそれを９０度回転させた鏡像は、等しく好ましい。図７のオフセット方法は、グリッド・パターンを隠すのに特に好ましい。異なる数のパスを用いることもでき、そうした場合、パターンは異なって見える。パス間のオフセットは、ｘ軸並びにｙ軸方向に及び２本の対角線に関して、できるだけよい対称性がえられるように選択すべきである。
【００８８】
図８には、アナログ又は多値ピクセルをもった、本発明による４重の描画パスが示されている。中央の列が、フィーチャのエッジを成すピクセルの列を表す。見て分かるように、前記列中のピクセルは、異なる状態に設定されている。フィーチャのエッジを成す列のピクセルのパターンを、４重のパスで、等しくすることもでき、等しくなくすることもできる。グレースケール値を様々に変更することによって、より細密なアドレス・グリッドが達成される。
【００８９】
図９には、エッジ・ピクセルの列が１より多い、本発明による４重のパスが示されている。ピクセルは多値ピクセルである。この場合もまた、１つの描画パス中の複数のエッジ列を、少なくとも１つの他の描画パス中のエッジ列と、等しくすることもでき、等しくなくすることもできる。異なるエッジ列中のピクセルは、異なる重みをもつことができ、例えば、どのようなパターンの像を形成するかに応じて、ある場合と別の場合とで、異なるように設定することができる。
【００９０】
図１０には、本発明による多重パス方式が示されている。図１０では、異なるドーズをもつパスが、細密なアドレス・グリッドを生成し、いくつかのパス（一般に、高いドーズをもつパス）が、平均化を改善するために二重化されている。図１０において同じ斜交平行線模様で示される同じドーズをもつパスは、像の均一性を改善するように配置された露光フィールド及び／又はピクセル・グリッドをもつことができる。平均化が高いドーズをもつパスからの影響を最も強く受けるという事実のため、高いドーズをもつ描画パスは反復される。より低いドーズをもつパスは主に、アドレス・グリッドを細密に調整するのに使用することができる。より高いドーズをもつパスは、アドレス中の高位の有効ビット用に用いられ、より低いドーズをもつパスは、アドレス中の低位の有効ビット用に用いられる。
【００９１】
図１１ａ及び図１１ｂには、より細密なグリッドを生成するためのエッジ・ピクセルと、パス毎に異なるエッジ・ピクセル列又は配置をもった、本発明による多重パス方式が示されている。図１１ａでは、異なるパスが、基本的に同じ露光を用いて描画される。図１１ｂでは、２つのパスは、例えば、２５％の露光を用いて描画され、他の２つのパスは、１００％の露光を用いて描画される。各パス中の列の周期は４であり、ピクセル・サイズの１６分の１の合成グリッドを提供する。エッジ・ピクセル列の一例が、図１１ｂの重ね合されたパスの右側に示されている。左側の２つのパターンは、１００％の露光で描画することができ、右側の２つのパターンは、２５％の露光で描画することができる。
【００９２】
図１２ａ〜図１２ｅには、異なるエッジ・ピクセル列が示されている。エッジ・ピクセル列は、周期的であることも、非周期的であることもできる。図には、異なる周期をもった周期的な列と、結果の像のエッジが示されている。図１２ａには、周期１のピクセル列、すなわち、すべてのピクセルが同じ値をもったピクセル列が示されている。明らかに、この列は、滑らかなエッジを生成する。
【００９３】
図１２ｂには、周期２のピクセル列が示されており、図１２ａのものより２倍細密な仮想アドレス・グリッドを提供する。露光ツール及び処理のスムージング機能のため、エッジはまだ滑らかである。ピクセルは、例えば、１６の状態をもつアナログ型であり、フィーチャのエッジの１つ置きのピクセルを、例えば、５／１６に設定し、残りのピクセルを６／１６に設定することができる。
【００９４】
図１２ｃには、周期３のピクセル列が示されており、３倍細密なグリッドを提供するが、ライン・エッジ粗さ（ＬＥＲ）を呈し始める。実際のエッジ粗さは、ピクセル・サイズとトレードオフの関係にあり、この図は典型的な一例を示している。
【００９５】
図１２ｄ及び図１２ｅには、それぞれ周期４及び１０のピクセル列が示されている。これら２つの図では、ピクセル列の周期が大きくなるに従って、エッジ粗さが増大することが明瞭に見て取れる。
【００９６】
図１３には、図１２の方式を用いた場合の、仮想グリッドとライン・エッジ粗さの間の関係を示すグラフが示されている。仮想グリッドとライン・エッジ粗さは共に、ピクセル・サイズと関係がある。
【００９７】
図１４には、長いエッジ・ピクセル周期１４０１をもった、４つのパスが示されている。各パス１つずつでは、強いライン・エッジ粗さ１４０２を呈している。複数のピクセルから成るパターンを各パスの間で変位させ、パスを互いに重ね合せることによって、ライン・エッジ粗さ１４０３が大幅に解消される。
【００９８】
図１５には、パス毎にシミュレートされたエッジ粗さとそれらを合成した粗さを示した２つのグラフが示されている。フィーチャ・エッジの異なるプレースメントに対応した２つの異なるシーケンスが、２つのグラフに示されている。あるプレースメントはより良く、あるプレースメントはより悪いことを、グラフは示しているが、どちらのプレースメントによっても、粗さを大幅に解消することが可能である。図１５の左側のグラフは、規則的なピクセル・エッジ・パターンの変位を示し、右側のグラフは、不規則なピクセル・エッジ・パターンの重ね合わせを示す。
【００９９】
図１６には、図１３と同じグラフが示されているが、図１６のグラフには、変位させたエッジ・ピクセル・シーケンスの４重パスのエッジ粗さも示されている。グラフは、典型的な入力パラメータをもったシミュレーションに基づいており、４重パスで可能な最大シーケンス長は１６であることを示している。より長いシーケンス長は、粗さをグリッドより大きくすることがある。
【０１００】
図１７には、２値（オン／オフ）ピクセルで且つシーケンス周期が５の場合の、エッジ・ピクセルの値を計算するためのアルゴリズムが示されている。フィーチャのエッジは、中央列のピクセル上、０．４０９単位の所に位置づけられる。事前に、シーケンスを０、２、４、１、３とすることが決められる。フィーチャのエッジを成す列中でピクセルをオン状態に設定するための基準を、Ｐ＋（Ｓｉ／Ｌ）＞１とする。ただし、Ｐはフィーチャのエッジの位置、Ｓｉはシーケンス中の個々の番号、Ｌはシーケンス長である。
【０１０１】
図１８には、基本的に図１７と同じ図が示されているが、図１８では、６５値ピクセルが用いられている。この場合、０．４０９＝１６／６４＋０．００９＝（１６＋０．５７６）／６４である。多値ピクセルを用いているので、いつ状態が１６／６４から１７／６４に変わるのか関心がある。したがって、Ｐ＝０．５７６である。
【０１０２】
図１９には、より細密なアドレス・グリッドを得るための２つの方法の組合せが示されている。例では、図９、図３２、図３３に示すように、１より多い列で、アナログ・エッジ・ピクセルが用いられる。異なる列中のピクセルの効果は異なることができ、列は線形又は非線形の方式で組み合わせることができる。このような２つの方法は、較正される参照テーブルと共に、本発明で用いることができる。入力データは、各方法に対して参照値を与え、例えば、列中のアナログ値の参照値を与える。参照テーブルは一般に、アドレス・ビットよりも多くの出力ビットをもち、６ビットのアドレス・ビットは、２つの８ビット値を生成することができる。値の異なる組合せに関するエッジ・プレースメントが測定され、入力値にマップされる較正ステップの間に、８ビット値が生成される。１つの方法しか用いないより単純な場合にも、同じ参照テーブルを用いることができるが、各入力に対して出力は１つとなる。
【０１０３】
図２０ａ及び図２０ｂには、パス毎に異なるエッジ・シーケンスをもち、各パスが変位されている、多重パス方式が示されている。図２０ａには、フィーチャのエッジ・ピクセルの異なるシーケンスが示されている。図２０ｂには、どのようにパスが重ね合されるかが示されている。パス間の変位のため、フィーチャのエッジを表す破線は、パス毎に異なる位置に示されている。最終エッジ位置の各位置について、たいがいすべてが異なる、フィーチャのエッジ・パターンの少なくとも１つの組合せが存在し、基本的に滑らかなエッジを形成する。図２０ａ及び図２０ｂのピクセルは、オン／オフ・ピクセルである。
【０１０４】
図２１ａ及び図２１ｂには、入力エッジが１アドレス単位だけ移動した場合、パス中でエッジ・ピクセルを完全に入れ替えることができることが示されている。図２１ａには、１つのエッジ・プレースメントにある２つのパスが示されている。図２１ｂには、入力エッジが図２１ａと比べて１仮想グリッド単位だけ左に移動した場合の、同じ２つのパスが示されている。１つのピクセルの値をオンからオフに変化させ（図２１ａではフィーチャのエッジを成す列中の６ピクセルがオン状態であり、図２１ｂでは５ピクセルがオン状態）、次に、最善のＬＥＲ及びエッジ鋭さのためにピクセルを入れ替えたものである。
【０１０５】
図２２には、ピクセル・サイズの１／２８の仮想グリッドを提供する、等しくない長い周期的シーケンスをもつ４つのパスが示されている。シーケンス長は７である。各仮想グリッド・ステップ毎に、１ピクセルをオフからオンに反転させる。７ステップ後、同じシーケンスを再度用いることができるが、パス間の順序は変更又は回転されている。シーケンスが周期的である必要はなく、非周期的シーケンスも基本的に同じ特性をもつことが分かる。より多い又は少ないパスを用いることも可能であり、パス間の異なる変位を用いること、又は変位を用いないことも可能である。
【０１０６】
図２３ａ及び図２３ｂには、各パス及び４つのパスを合成したパスのエッジ粗さを示す２つのグラフが示されている。図２３ａには、１つのフィーチャ・エッジ・プレースメントのビットマップが示されており、図２３ｂには、別のフィーチャ・エッジ・プレースメントのビットマップが示されている。図２３ａでは、低周波数の影響は見られない。
【０１０７】
図２４ａ及び図２４ｂには、異なるエッジ・ロケーションについて、最適化された又はほぼ最適化されたエッジ・ピクセル・シーケンスを計算するための、２つの方法が示されている。計算されるシーケンスは、オフラインで計算され、ラスタ化の際の利用に備えて表にまとめられる。図２４ａには、異なるパスでのエッジ・ピクセルを表す２進シーケンスが示されている。使用されているピクセルは、２値ピクセルである。４つのパスが、上述した本発明の変位方式と共に用いられる。エッジ・ピクセルのシーケンスは非周期的として示されている。この図２４ａの説明は、本発明を実現するための数多くの代替方法のうちの１つに過ぎない。図２４ａは、各パス中の１列のピクセルがシーケンスによって制御されること、すなわち、４重パス方式では制御される列が４つあることを示している。もちろん、別の列数を用いて、４重パス方式を制御することも可能である。
【０１０８】
図２４ｂには、入力アドレス・グリッドによって与えられる各エッジ位置にとって優れた特性をもつシーケンスを生成するためのアルゴリズムが示されている。開始２値シーケンスを生成するのに誤差拡散アルゴリズムを用いることができる。誤差拡散アルゴリズムは、コンピュータ・グラフィックス関連の書籍中に見出すことができる。誤差拡散アルゴリズムは、０及び１のほぼ均一な分配を提供する。短いシーケンスの反復置換によって、シーケンスをさらに改良することができる。置換は、平均エッジ位置を保存するが、一方で、結像モデルで評価されるエッジ粗さに影響する。候補シーケンスを素早く生成するために、最初は単純な結像モデルを用いることができる。次に、候補シーケンスは、より総合的なモデル、例えば、市販のリソグラフィ・シミュレーション・プログラムによってさらに分析／評価される。許容レベルを満たすシーケンスが見つかると、そのシーケンスが受け入れられ、アルゴリズムは、次のエッジ・ロケーションに進む。
【０１０９】
図２５ａ及び図２５ｂには、非線形ラスタ化関数が示されている。ピクセル又は平均列と、入力データ及びピクセル領域におけるフィーチャ間の重なり合いとの対比が示されている。図２５ａには、線形関数、区分的に直線の非線形関数、及び滑らかな非線形関数を示すグラフが示されている。現実には、これらの関数は切り捨ての結果、階段状になるので、３つの関数はどれも理想化されている。図２５ｂには、図２０と同じ図が示されているが、図２５ｂでは、２つのパスだけがエッジ・ピクセルをもつので、より好いエッジ鋭さを与える、非線形ラスタ化関数が用いられている。フィーチャ・エッジの各位置は、独立に最適化することができる。図２５ｂの仮想グリッドは、ピクセル・サイズの１／１６である。フィーチャ・エッジのピクセルを見ること、及び４重の描画パスを用いることによって、１つのパスではフィーチャ・エッジ・ピクセルに１００％の露光を用いることができ、別の描画パスではフィーチャ・エッジ・ピクセルに０％の露光を用いることができる。残りの２つのパスについては、より急峻なラスタ化関数を用いることができる。
【０１１０】
図２６ａ〜図２６ｃには、スーパサンプリング・ラスタライザでどのように非線形ラスタ化が実現できるかが示されている。各ピクセルの内部で、フィーチャはより細密なグリッド、スーパサンプリング・スーパグリッド上にラスタ化される。ピクセル値は、ラスタライザによって設定されたスーパグリッド・ポイントの数になる。すべてのスーパグリッド・ポイントが同じ重みの場合、ラスタ化は線形となり、ピクセル中央付近のスーパグリッド・ポイントにより重い重み関数を与えた場合、非線形ラスタ化関数が生成される。図２６ｂには、中央の四角形で重みが重くなる重み関数が示されている。図２６ｃには、周縁付近よりも中央で重みが重くなる連続な重み関数が示されている。このスーパサンプリングによって、より急峻なラスタ化関数を実現することができる。
【０１１１】
図２７ａには、図７の変位方式を用いる、非線形ラスタ化のための重み関数が示されている。図２７ａには、パス２７０１中のピクセル領域が示されており、この領域は、４つパスを重ねた際に４重にオーバラップする領域を満たす。より重い重み関数をもつ長方形領域２７０２はより狭く、４つパスを重ねた際にオーバラップしない領域を満たす。この長方形は、２つのパス２７０３中で、９０度回転させなければならない。これら２つの領域サイズのどちらに対するスーパサンプリングも、入力パターンの正しいピクセル表現を与える。すなわち、小さなフィーチャをどこかに配置して、その領域がピクセル値によって正確に反映されないようにすることは不可能である。異なるオーバラップ・ファクタ、例えば、２又は８をもつ、同じ特性をもつ他の領域の形がある。２つの領域の形の各々が、正しいラスタ化を提供するので、それらの線形の組合せは、やはりどれも正しい。
【０１１２】
図２７ｂには、スーパサンプルされたグリッドをもつピクセルが示されている。長方形の中央部分には１つの重み関数が与えられ、ピクセルの残りの部分には別の重み関数が与えられる。
【０１１３】
図２７ｃには、図２７ｂの重み関数が３次元で示されている。中央領域及び平坦域の高さは、求める非線形性の程度に基づいて任意に選ぶことができる。
【０１１４】
図２８ａ及び図２８ｂには、ｘ軸方向に半ピクセル・サイズ、ｙ軸方法に半ピクセル・サイズオフセットした２つのパスについての、図２７ｂ及び図２７ｃの関数と類似した重み関数が示されている。長方形の内部及び前記長方形の外部の重みを変えることによって、非線形性の特性を変えることができる。すなわち、非線形関数の勾配が変化する。
【０１１５】
図２９には、加工品６０にパターンを形成するための装置１の例示的な実施例が示されている。前記装置１は、電磁放射を放出するための放射源１０、第１のレンズ構成５０、コンピュータ制御のレチクル３０、ビーム調節器構成２０、フーリエ面内の空間フィルタ７０、及び第１のレンズ構成４０を含む。
【０１１６】
放射源１０は、７８０ｎｍから上に約２０ｎｍの幅をもつ波長として定義される赤外線（ＩＲ）から超紫外線（ＥＵＶ）までの波長範囲の放射を放出することができる。本出願では、超紫外線は、上は波長１００ｎｍの放射から、下は電磁放射として扱うことが可能な放射まで、すなわち、光学素子によって反射され、焦点を結ぶ放射までとして定義される。放射源１０は、パルス放射又は連続放射を放出する。連続放射の放射源１０から放出される放射は、前記放射源１０と前記コンピュータ制御のレチクルの間の放射経路に置かれたシャッタを用いて、パルス放射に整形することができる。一例では、放射源１０、すなわち、露光ビームの放射源は、パルス出力２４８ｎｍ、パルス長約１０ｎｓ、繰り返し率１０００ＨｚのＫｒＦエキシマ・レーザとすることができる。繰り返し率は、１０００Ｈｚより上とすることも、下とすることもできる。
【０１１７】
ビーム調整器ユニットは、単一レンズとすることも、レンズ又は他の光学素子の組立品とすることもできる。ビーム調整器ユニット２０は、放射源１０から放出される放射を、コンピュータ制御のレチクル３０の表面の少なくとも一部に均一に分配する。連続放射の放射源の場合、そのような放射源からのビームを、コンピュータ制御のレチクルの表面でスキャンすることができる。
【０１１８】
放射源１０と、例えば、空間光変調器（ＳＬＭ）とすることができる、コンピュータ制御のレチクル３０との間に、前記ビーム調整器ユニットを配置し、ユニット２０は、ビームがＳＬＭの表面を均一に照射するように、ビームを拡張及び整形する。放射源としてエキシマ・レーザを用いる好ましい実施例では、ビームの形は長方形であり、ビーム発散度はｘ軸方向とｙ軸方向とでは異なり、放射強度はビーム横断面でしばしば不均一となる。ビームは、ＳＬＭ３０の形及びサイズとすることができ、またビームを均質化して、やや予測不可能なビームの輪郭が、例えば、１〜２％の均一性をもつフラットな照射に変換されるようにすることができる。これは次のステップ、すなわち、第１のビーム整形ステップ、均質化ステップ、第２のビーム整形ステップによって実行することができる。また、ビームを角度をつけてフィルタリングし、整形して、ＳＬＭの各点に衝突する放射が制御された角の対辺もつようにする。
【０１１９】
本発明の光学素子は、ウェーハ・ステッパのものと類似している。ステッパでは、ビームは、光導体、光源の多くの鏡像が形成される反射内壁を有する長方形又はプリズム形のロッドの中で均質化されて、照射は多くの独立した光源の重ね合せとなる。均質化は、屈折、反射、又は回折光学素子を用いた、ビームの分割及び再結合によっても実行することができる。
【０１２０】
ＳＬＭ３０には、プリントされるパターンのデジタル記述が入力される。パターンは最初に、通常の市販の描画プログラムで作成することができる。パターン・ファイルをＳＬＭに入力する前に、前記パターン・ファイルを分割し、ＳＬＭが認識できる形式に変換する。
【０１２１】
図３０には、ピクセルの２次元アレイを含む空間光変調器（ＳＬＭ）２００が示されている。この実施例では、行３００１が８行、列３００２が８列で、ピクセルの合計は６４個である。現実には、ＳＬＭは、数１００万個のピクセルを含むことができるが、分りやすくするために、高々数１０個のピクセルを含むＳＬＭが選択されている。
【０１２２】
微小反射鏡ピクセルは、例えば、２０×２０μｍとすることができる。縮率２００×の投影レンズは、ＳＬＭ上の１個のピクセルを、加工物上の像の０．１μｍに対応させる。各ピクセルは、６４レベルに制御できるので、１００ｎｍのピクセルは１．５６ｎｍ刻みの６４個の増分で補間される。
【０１２３】
左側の２列のピクセル３０１０、３０１１、及び右側の２列のピクセル３０１６、３０１７は、いわゆるブラック状態に設定される。すなわち、ピクセルは、加工物上でまったく放射作用を引き起さない、図１で０によって示される状態にある。中央の２列３０１３、３０１４は、いわゆるホワイト状態に設定される。すなわち、ピクセルは、加工物上で最大の放射作用を引き起す、図３０で１００によって示される状態にある。列３０１０、３０１１、３０１６、３０１７中のピクセルは、フィーチャの外部のピクセルである。列３０１３、３０１４中のピクセルは、フィーチャの内部のピクセルである。列３０１２、３０１５中のピクセルは、境界のフィーチャ・ピクセルである。フィーチャの境界のピクセルは、図１に示すように、フィーチャの境界に沿って交互状態に、この例では７４、７５と交互するように設定される。この実施例では、フィーチャの境界のピクセルは１つ置きに７４に設定され、残りは７５に設定される。同図から見て取れるように、列２１２のフィーチャ境界ピクセルの状態は、列３０１３のフィーチャ境界ピクセルの状態と一致していない。すなわち、７５で示されるフィーチャ境界ピクセルは、同じ行に属していない。本発明の一代替実施例では、フィーチャ境界ピクセルは、互いに一致する。すなわち、同じグレーレベルで示されるフィーチャ境界ピクセルは、同じ行に配置される。
【０１２４】
フィーチャの境界のピクセルを１つ置きにあるグレーレベルに設定し、残りを別のグレーレベルに設定する代りに、フィーチャ境界ピクセルの１つ置きの対を、交互状態に設定することもできる。各ピクセルが６４レベルに制御でき、加工物上のピクセル・サイズが１００ｎｍである場合、ＳＬＭ中のフィーチャ境界ピクセルを交互状態に設定することによって、１つの描画ステップで０．７８ｎｍのアドレス・グリッドを達成することができる。図３０では、フィーチャ境界ピクセルは、単一列３０１２、３０１５によって表されている。
【０１２５】
より滑らかなフィーチャ・エッジは、第１のグレースケール値に設定されたすべてのフィーチャ境界ピクセルと、それに近いグレースケール値に設定された残りのピクセルとによって生成される。近いグレースケール値は、単一の描画パスで交互状態のより長いシーケンスが選ばれた場合に比べて、より高い値とすることもでき、より低い値とすることもできる。
【０１２６】
本発明の一代替実施例では、図３１に示すように、フィーチャ境界ピクセルは２列で表される。図３１では、最も左側の列３１１０及び最も右側の列３１１７が、それぞれブラック状態に設定され、これら２列のピクセルは、フィーチャの外部のピクセルを表す。図２では、列３１１３、３１１４がフィーチャの内部のピクセルを表す。列３１１１、３１１２、３１１５、３１１６がフィーチャの境界のピクセルを表す。
【０１２７】
この実施例では、フィーチャ境界ピクセルの最も左側の列３１１１及びフィーチャ境界ピクセルの最も右側の列３１１６中のピクセルは、１つ置きにグレースケール・レベル１に設定され、残りはグレースケール・レベル０に設定される。この例では、フィーチャ境界ピクセルの最も左側の列３１１１中の０に設定されたピクセルは、フィーチャ境界ピクセルの他の列３１１２中のより高い値（この例では７５）のピクセルと組み合わさって、加工物上に１つのフィーチャ・エッジを一緒に形成する。２つの列３１１５、３１１６についても同様のことが言え、加工物上に別のフィーチャ・エッジを一緒に形成する。すなわち、最も右側の列３１１６中の０は、フィーチャ境界ピクセルの他の列３１１５中のピクセルのより高い値（この例では７５）と組み合わさり、最も右側の列３１１６中の１は、フィーチャ境界ピクセルの他の列３１１５中のピクセルのより低い値（この例では７３）と組み合わさる。
【０１２８】
あるいは、反対の組合せ方を用いることもできる。すなわち、加工物上に１つのフィーチャ・エッジを形成する２列のフィーチャ境界ピクセルがある場合、これらの列の一方における交互状態のより高い状態（グレースケール値）を、これらの列の他方における交互状態のより高い状態（グレースケール値）と組み合わせることもできる。
【０１２９】
フィーチャ境界のピクセル列をフィーチャ境界ピクセル列の外側に拡張する代りに、図３２に示すように、前記列をフィーチャ境界ピクセル列の内側に拡張することもできる。図３２では、列３２１０、３２１１、３２１６、３２１７がフィーチャ外部のピクセル列を表す。列３２１２、３２１３、３２１４、３２１５がフィーチャ境界のピクセル列を表す。この場合、描画される線は４列で表されるに過ぎず、２列が線の一方のエッジを表すので、フィーチャ内部のピクセル列は存在しない。図３２から見て取れるように、交互する値のより高い値は、すべて互いに組み合わさる。すなわち、列３２１３及び列３２１４中の１００は、列３２１２及び列３２１５中の７５と互いに組み合わさる。あるいは、フィーチャ境界ピクセル列の外側の列３２１２、３２１５中のより高い値を、フィーチャ境界ピクセル列の内側の列３２１３、３２１４中のより低い値と組み合わせることもできる。
【０１３０】
図３３には、空間光変調器（ＳＬＭ）における本発明のフィーチャ・エッジ・パターンのまた別の実施例が示されている。この例では、フィーチャ境界ピクセルを３列で表す。最も左の列３３１０及び最も右の列３３１７は、それぞれブラック状態に設定され、これら２列中のピクセルは、フィーチャ外部のピクセルを表す。フィーチャ境界ピクセルは、列３３１１、３３１２、３３１３、３３１４、３３１５、３３１６が表す。図３３には、フィーチャ内部のピクセルは存在しない。
【０１３１】
この実施例では、フィーチャ境界ピクセルの最も左側の列３３１１及びフィーチャ境界ピクセルの最も右側の列３３１６中のピクセルは、１つ置きにグレースケール・レベル１に設定され、残りはグレースケール・レベル０に設定される。この例では、フィーチャ境界ピクセルの最も左側の列３３１１中の０に設定されたピクセルは、フィーチャ境界ピクセル列３３１２、３３１３、３３１４、３３１５中のより高いグレースケール値のピクセルと組み合わさっている。グレースケール値０は、この実施例では、列３３１２、３３１５中のグレースケール値７５と組み合わさる。列３３１２、３３１５中の残りのピクセルは７４に設定されている。グレースケール値０は、この実施例では、列３３１３、３３１４中のグレースケール値１００と組み合わさる。列３３１３、３３１４中の残りのピクセルは９９に設定されている。列３３１１、３３１２、３３１３、３３１４、３３１５、３３１６、３３１７は、直線のフィーチャ・エッジを一緒に形成する。
【０１３２】
図３４ａには、細密なアドレス・グリッドを用いて直線を形成するための、４重描画パスの第１のパスが示されている。列３４１０、３４１１、３４１６、３４１７中のピクセルは、グレースケール値０に設定されている。列３４１３、３４１４中のピクセルは、グレースケール値１００に設定されている。列３４１０、３４１１、３４１６、３４１７は、先の実施例で用いた用語法によれば、フィーチャ外部のピクセル列であり、列３４１３、３４１４は、同じ用語法を用いれば、フィーチャ内部のピクセル列である。列３４１２、３４１５は、フィーチャ境界のピクセル列である。第１の描画パスでは、前記フィーチャ境界のピクセル列中のピクセルは、第２のグレースケール値に設定される少なくとも１つのピクセルを除いて、すべて第１のグレースケール値に設定される。図３４ａに示すこの実施例では、それぞれの列の８ピクセルのうち７ピクセルが、グレースケール値７５に設定されている。列３４１２中の１ピクセルがグレースケール値７４に設定され、列３４１５中の１ピクセルがグレースケール値７４に設定されている。この例では、列３４１２、３４１５中のグレースケール値７４は、互いに組み合わさっている。すなわち、それらは互いに、正確に対向する位置にある。しかし、本発明の一代替実施例では、前記第２のグレースケール値は、フィーチャ境界ピクセル列の両方で等しい値でなくてよく、また互いに正確に対向する位置になくてよい。
【０１３３】
図３４ｂには、直線を形成するための、４重パスの第２の描画パスが示されている。図３４ｂと図３４ａの間の唯一の相違は、図３４ａでは上から３番目の位置にあった、フィーチャ境界のピクセル列３４１２、３４１５中の第２のグレースケール値が、図３４ｂでは最も上の位置に移動したことである。
【０１３４】
図３４ｃには、直線を形成するための、４重パスの第３の描画パスが示されている。図３４ｂと図３４ｃの間の唯一の相違は、図３４ｂでは最も上の位置にあった、フィーチャ境界のピクセル列３４１２、３４１５中の第２のグレースケール値が、図３４ｃでは上から５番目の位置に移動したことである。
【０１３５】
図３４ｄには、直線を形成するための、４重パスの第４の描画パスが示されている。図３４ｄと図３４ｃの間の唯一の相違は、図３４ｃでは上から５番目の位置にあった、フィーチャ境界のピクセル列３４１２、３４１５中の第２のグレースケール値が、図３４ｃでは最も下の位置に移動したことである。
【０１３６】
前記第１、第２、第３、及び第４の描画パスを重ね合せた場合、前記第２のグレースケール値の効果は基本的に、図１のフィーチャ境界ピクセル列３４１２、３４１５中のより低いグレースケール値と同じである。
【０１３７】
図３４ｅには、描画パスを４重とし、ピクセル・シーケンス長を８ピクセルとする実施例における、描画パス方式が示されている。第１、第２、第３、第４カラムは、それぞれ第１、第２、第３、第４の描画パスにおける１つのフィーチャ境界ピクセル列を表す。第１の描画パスにおける前記フィーチャ境界ピクセル列中のピクセルは、図３４ｅの最も左側の列に示すように、最初は個別に設定されて、１シーケンスのグレースケール値が生成される。前記８ピクセルから成るシーケンス中の少なくとも１つのグレースケール値は、他の値と異なっている。図３４ｅに示す描画パス方式では、他の値と異なっている前記少なくとも１つのグレースケール値は、それぞれの描画パスが互いに重ね合されるときに、フィーチャ境界ピクセル列の中の様々な位置に移動して、より細密なアドレス・グリッドを生成する。
【０１３８】
あるいは、説明した８個の代りに、シーケンス中で任意の数のピクセル、例えば、６、１２、１４，１６個のピクセルを用いることができる。本発明は、図によって説明した、単一描画パス又は４重描画パスに限定されるものではなく、例えば、２、３、５など、任意の数の描画パスと共に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１ａ】単一描画パスを用いてフィーチャをラスタ化する第１の方法を示した図である。
【図１ｂ】単一描画パスを用いてフィーチャをラスタ化する第２の方法を示した図である。
【図１ｃ】単一描画パスを用いてフィーチャをラスタ化する第３の方法を示した図である。
【図２ａ】ラスタ化されたフィーチャを示した図である。
【図２ｂ】露光ドーズを個別ピクセルの関数として示した図である。
【図２ｃ】エッジのスムージングを示した図である。
【図３ａ】仮想グリッドを生成するための、従来技術による第１の実施例を示した図である。
【図３ｂ】仮想グリッドを生成するための、従来技術による第２の実施例を示した図である。
【図３ｃ】仮想グリッドを生成するための、従来技術による第３の実施例を示した図である。
【図４ａ】仮想グリッドを生成するための、従来技術による第４の実施例を示した図である。
【図４ｂ】仮想グリッドを生成するための、従来技術による第５の実施例を示した図である。
【図５ａ】パスのオフセットを生成するための、従来技術による第１の実施例を示した図である。
【図５ｂ】パスのオフセットを生成するための、従来技術による第２の実施例を示した図である。
【図５ｃ】パスのオフセットを生成するための、従来技術による第３の実施例を示した図である。
【図６ａ】異なる描画パスをオフセットするための、本発明による第１の実施例を示した図である。
【図６ｂ】図６ａによるオフセットを用いて星型をプリントした結果を示した図である。
【図６ｃ】パスのオフセットを生成するための、本発明による第２の実施例を示した図である。
【図６ｄ】図６ｃによるオフセットを用いて星型をプリントした結果を示した図である。
【図７】本発明による４重の描画パスを用いて基準点を示した図である。
【図８】本発明による４重パス描画方式の第１の実施例を示した図である。
【図９】本発明による４重パス描画方式の第２の実施例を示した図である。
【図１０】本発明による４重パス描画方式の第３の実施例を示した図である。
【図１１ａ】本発明による４重パス描画方式の第４の実施例を示した図である。
【図１１ｂ】本発明による４重パス描画方式の第５の実施例を示した図である。
【図１２ａ】単一パスにおけるフィーチャのエッジ・ピクセルのシーケンスの結果を示した図である。
【図１２ｂ】単一パスにおけるフィーチャのエッジ・ピクセルのシーケンスの結果を示した図である。
【図１２ｃ】単一パスにおけるフィーチャのエッジ・ピクセルのシーケンスの結果を示した図である。
【図１２ｄ】単一パスにおけるフィーチャのエッジ・ピクセルのシーケンスの結果を示した図である。
【図１２ｅ】単一パスにおけるフィーチャのエッジ・ピクセルのシーケンスの結果を示した図である。
【図１３】仮想グリッドと線のエッジ粗さの間の関係を示したグラフである。
【図１４】本発明による、長いフィーチャ・エッジ・ピクセル周期をもった４重の描画パスを示した図である。
【図１５】各パスについてシミュレートしたエッジ粗さ及びそれらを合成した粗さを示したグラフである。
【図１６】エッジ粗さがエッジ・ピクセルのシーケンスを様々に置換した４重パスのエッジ粗さであること以外は図１３のグラフと同じグラフである。
【図１７】オン／オフ・ピクセルを用いた場合のエッジ・ピクセルの値を計算するためのアルゴリズムを示した図である。
【図１８】ピクセルが６５種の値を取ること以外は図１の図と同じ図である。
【図１９】仮想グリッドを改良するための２つの方法の組合せを示した図である。
【図２０ａ】多重パス方式の一実施例を示した図である。
【図２０ｂ】多重パス方式の別の実施例を示した図である。
【図２１ａ】入力されるフィーチャ・エッジが１アドレス単位移動したときの、２つのパスの間の相違を示した図である。
【図２１ｂ】入力されるフィーチャ・エッジが１アドレス単位移動したときの、２つのパスの間の相違を示した図である。
【図２２】多重パス方式の一実施例を示した図である。
【図２３ａ】エッジ粗さを示したグラフである。
【図２３ｂ】エッジ粗さを示したグラフである。
【図２４ａ】フィーチャ・エッジの最適な又は最適に近いピクセル列を計算するための手順を示した図である。
【図２４ｂ】フィーチャ・エッジの最適な又は最適に近いピクセル列を計算するための手順を示した図である。
【図２５ａ】非線形ラスタ化関数を示した図である。
【図２５ｂ】ラスタ化関数が非線形であること以外は図２０の図と同じ図である。
【図２６ａ】非線形ラスタ化の結果を示した図である。
【図２６ｂ】非線形ラスタ化の結果を示した図である。
【図２６ｃ】非線形ラスタ化の結果を示した図である。
【図２７ａ】図７の変位方式を用いた非線形ラスタ化のための重み関数を示した図である。
【図２７ｂ】図７の変位方式を用いた非線形ラスタ化のための重み関数を示した図である。
【図２７ｃ】図７の変位方式を用いた非線形ラスタ化のための重み関数を示した図である。
【図２８ａ】重み関数の別の実施例を示した図である。
【図２８ｂ】重み関数の別の実施例を示した図である。
【図２９】空間光変調器（ＳＬＭ）における本発明のフィーチャ・エッジ・パターンの一実施例を示した図である。
【図３０】空間光変調器（ＳＬＭ）における本発明のフィーチャ・エッジ・パターンの別の実施例を示した図である。
【図３１】空間光変調器（ＳＬＭ）における本発明のフィーチャ・エッジ・パターンのさらに別の実施例を示した図である。
【図３２】空間光変調器（ＳＬＭ）における本発明のフィーチャ・エッジ・パターンのさらに別の実施例を示した図である。
【図３３ａ】空間光変調器（ＳＬＭ）における本発明のフィーチャ・エッジ・パターンの別の実施例の第１の描画パスを示した図である。
【図３３ｂ】第２の描画パスを示した図である。
【図３３ｃ】第３の描画パスを示した図である。
【図３３ｄ】第４の描画パスを示した図である。
【図３３ｅ】図５ａ〜図５ｄに示されたパスを表す表である。
【図３４】パターン・ジェネレータを示した図である。
【図１ａ】
2005513770.tif 000003
【図１ｂ】
2005513770.tif 000004
【図１ｃ】
2005513770.tif 000005
【図２ａ】
2005513770.tif 000006
【図２ｂ】
2005513770.tif 000007
【図２ｃ】
2005513770.tif 000008
【図３ａ】
2005513770.tif 000009
【図３ｂ】
2005513770.tif 000010
【図３ｃ】
2005513770.tif 000011
【図４ａ】
2005513770.tif 000012
【図４ｂ】
2005513770.tif 000013
【図５ａ】
2005513770.tif 000014
【図５ｂ】
2005513770.tif 000015
【図５ｃ】
2005513770.tif 000016
【図６ａ】
2005513770.tif 000017
【図６ｂ】
2005513770.tif 000018
【図６ｃ】
2005513770.tif 000019
【図６ｄ】
2005513770.tif 000020
【図７】
2005513770.tif 000021
【図８】
2005513770.tif 000022
【図９】
2005513770.tif 000023
【図１０】
2005513770.tif 000024
【図１１ａ】
2005513770.tif 000025
【図１１ｂ】
2005513770.tif 000026
【図１２ａ】
2005513770.tif 000027
【図１２ｂ】
2005513770.tif 000028
【図１２ｃ】
2005513770.tif 000029
【図１２ｄ】
2005513770.tif 000030
【図１２ｅ】
2005513770.tif 000031
【図１３】
2005513770.tif 000032
【図１４】
2005513770.tif 000033
【図１５】
2005513770.tif 000034
【図１６】
2005513770.tif 000035
【図１７】
2005513770.tif 000036
【図１８】
2005513770.tif 000037
【図１９】
2005513770.tif 000038
【図２０ａ】
2005513770.tif 000039
【図２０ｂ】
2005513770.tif 000040
【図２１ａ】
2005513770.tif 000041
【図２１ｂ】
2005513770.tif 000042
【図２２】
2005513770.tif 000043
【図２３ａ】
2005513770.tif 000044
【図２３ｂ】
2005513770.tif 000045
【図２４ａ】
2005513770.tif 000046
【図２４ｂ】
2005513770.tif 000047
【図２５ａ】
2005513770.tif 000048
【図２５ｂ】
2005513770.tif 000049
【図２６ａ】
2005513770.tif 000050
【図２６ｂ】
2005513770.tif 000051
【図２６ｃ】
2005513770.tif 000052
【図２７ａ】
2005513770.tif 000053
【図２７ｂ】
2005513770.tif 000054
【図２７ｃ】
2005513770.tif 000055
【図２８ａ】
2005513770.tif 000056
【図２８ｂ】
2005513770.tif 000057
【図２９】
2005513770.tif 000058
【図３０】
2005513770.tif 000059
【図３１】
2005513770.tif 000060
【図３２】
2005513770.tif 000061
【図３３】
2005513770.tif 000062
【図３４ａ】
2005513770.tif 000063
【図３４ｂ】
2005513770.tif 000064
【図３４ｃ】
2005513770.tif 000065
【図３４ｄ】
2005513770.tif 000066
【図３４ｅ】
2005513770.tif 000067
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月12日(2004.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
改良仮想グリッドを用いて電磁放射に感受性のある加工物上にパターンを形成するための方法であって、
多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて電磁放射を放出することと、
デジタル記述に基づいて前記コンピュータ制御のレチクル中に前記ピクセルを配置することと、
前記加工物上に前記コンピュータ制御のレチクルの像を形成するステップであって、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互グレースケール値に配置されることとを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
電磁放射に感受性のある加工物上にパターンを形成するための装置であって、
電磁放射を多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出する放射源と、
前記コンピュータ制御のレチクルの像を前記加工物上に形成する投影システムであって、前記加工物上に形成される前記像に含まれる前記要素のエッジの位置を精密に調整するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、パターンを形成される少なくとも１つの要素の少なくとも１部分の境界に沿って、交互グレースケール値に配置される投影システムとを含む、装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される電磁放射を用いて少なくとも１つの描画パス中にパターンを形成される少なくとも１つの集積回路を含み、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、デジタル記述に基づいて配置され、前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記ウェーハ上に形成され、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互グレースケール値に配置される半導体ウェーハ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３１】
加工物上にプリントされるパターンを含むマスクであって、マスク基板が、多数の変調素子（ピクセル）を有するコンピュータ制御のレチクルに向けて放出される電磁放射を用いて少なくとも１つの描画パス中にパターンを形成され、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、デジタル記述に基づいて配置され、前記コンピュータ制御のレチクルの像が、前記マスク基板上に形成され、より小さなアドレス・グリッドを生成するために、前記コンピュータ制御のレチクル中の前記ピクセルが、１つのフィーチャ・エッジの少なくとも１部分に沿って、交互グレースケール値に配置されるマスク。
【国際調査報告】
2005513770.tif 000068
2005513770.tif 000069
2005513770.tif 000070
2005513770.tif 000071