(57)【要約】  超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）のための交流バイアス装置が開示されている。交流バイアス装置は、アレイにおける各ＭＵＴ素子の感度がＭＵＴ薄膜を崩壊させることなく調節されることを可能にする。ＭＵＴ素子の感度は、ＭＵＴ素子に供給される交流バイアス信号の周波数を変化させることによって調節されることができる。本発明の代替実施例は、第１の交流バイアス信号の位相と逆の位相をもつ第２の交流バイアス信号を加える。この装置は、ニュートラルな又は中立的なバイアス信号を供給し、それによってＭＵＴ素子から大きい振幅のバイアス信号を除去する。
2005509466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器であって、
キャパシタンスを有するとともに、音響エネルギーを受け取り、該音響エネルギーを電気的信号に変えるように構成された超微細加工された超音波トランスデューサと、
位相をもつ交流バイアス信号を前記超微細加工された超音波トランスデューサに供給するように構成された第１の交流信号発生器と、
前記超微細加工された超音波トランスデューサの出力である前記電気的信号と前記交流バイアス信号とを含む組み合わせ信号を受け取り、該組み合わせ信号を復調するように構成された復調器と、
を有する超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項２】
前記第１の交流信号発生器によって供給される前記交流バイアス信号の位相と逆の位相をもつ交流バイアス信号を供給するように構成された第２の交流信号発生器と、
前記第２の交流信号発生器の出力部に結合された容量素子であって、該容量素子の出力が前記復調器に供給される、容量素子と、
を更に有する請求項１に記載の超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項３】
前記容量素子が前記超微細加工された超音波トランスデューサと並列に配される、請求項２に記載の超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項４】
前記容量素子が前記超微細加工された超音波トランスデューサと同じ基板上に設けられる、請求項３に記載の超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項５】
前記容量素子及び前記超微細加工された超音波トランスデューサが垂直方向において設けられ、共通電極を共有する、請求項４に記載の超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項６】
前記第１の交流信号発生器と前記超微細加工された超音波トランスデューサとの間に結合されたインピーダンス整合ネットワークを更に有する、請求項１に記載の超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項７】
超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器であって、
キャパシタンスを有するとともに、音響エネルギーを受け取り、該音響エネルギーを電気的信号に変えるように構成された超微細加工された超音波トランスデューサと、
位相をもつ第１の交流バイアス信号を前記超微細加工された超音波トランスデューサに供給するように構成された第１の交流信号発生器と、
前記第１の交流バイアス信号の位相と逆の位相をもつ第２の交流バイアス信号を前記超微細加工された超音波トランスデューサに供給するように構成された第２の交流信号発生器と、
前記第２の交流信号発生器と前記超微細加工された超音波トランスデューサとの間に結合されたキャパシタと、
前記電気的信号を受け取り、復調するように構成された復調器と、
を有する超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項８】
前記第１の交流信号発生器と前記超微細加工された超音波トランスデューサとの間に結合された第１のインピーダンス整合ネットワークと、
前記第２の交流信号発生器と前記キャパシタとの間に結合された第２のインピーダンス整合ネットワークと、
を更に有する請求項７に記載の超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器。
【請求項９】
超微細加工された超音波トランスデューサ音響受信器にバイアスをかける方法であって、
キャパシタンスを有するとともに、音響エネルギーを受け取り、該音響エネルギーを電気的信号に変えるように構成された超微細加工された超音波トランスデューサを設けるステップと、
位相をもつ第１の交流バイアス信号を前記超微細加工された超音波トランスデューサに供給するステップと、
前記超微細加工された超音波トランスデューサの出力である前記電気的信号と前記交流バイアス信号とを含む組み合わせ信号を復調するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載された少なくとも１つの超微細加工された超音波トランスデューサアレイを有する、超音波プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に超音波トランスデューサに関し、より具体的には改善された感度をもつ、交流バイアスをかけられる超微細加工された超音波トランスデューサ（micro-machined ultrasonic transducer;ＭＵＴ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波トランスデューサは、かなり長い間利用されており、特に非侵襲的な医用診断イメージングに有用である。超音波トランスデューサは、一般に、圧電素子又は超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）素子のいずれかから形成される。圧電素子は、一般にはジルコン酸チタン酸塩（ＰＺＴ）のような圧電セラミックからなり、トランスデューサを形成するように構成された複数の素子を備える。ＭＵＴは、シリコン基板上において絶縁材料によってその端部の周囲を支持される可撓性の薄膜又はメンブレンを本質的に有する容量性の超音波トランスデューサセルをもたらす既知の半導体製造技術を使用して形成される。薄膜又は薄膜の一部とシリコン基板における空隙のベース部とに電極の形で接点材料を与え、適当な電圧信号を電極に印加することにより、ＭＵＴは、適当な超音波が生成されるように通電されることができる。同様に、電気的にバイアスをかけられるとき、ＭＵＴの薄膜は、反射された超音波エネルギーを捕獲し、そのエネルギーを電気的にバイアスをかけられた薄膜の運動に変えることによって超音波信号を受け取るために使用されることができ、これによって受信信号が生成される。
【０００３】
超音波トランスデューサ素子は制御回路と組み合わせられてトランスデューサアセンブリを形成することができ、これは更に可能であれば付加的な制御エレクトロニクスを有する筐体に電子回路基板の形で組み込まれ、このような組み合わせが超音波プローブ又は超音波探触子を形成する。多様な音響整合層、バッキング又は裏打ち層及びデマッチング（de-matching）層を有することができるこの超音波プローブを使用することにより、生体組織を通して超音波信号を送受信することができる。
【０００４】
一般には、各ＭＵＴ素子が送受信器であるＭＵＴアレイが設計される。このような装置において、各ＭＵＴ素子は、送信パルスを生成すること及び音響エネルギーを受け取ることの双方を行う。残念ながら、ＭＵＴ素子を音響エネルギーに関して良い送信器にする該ＭＵＴ素子の特性は、それを音響エネルギーに関して良い受信器にする特性と同じではない。例えば、送信パルスの間、ＭＵＴは大きいパワー出力を供給することが望ましい。これを達成するため、薄膜の大きいたわみ（deflection）、大きいギャップ、薄膜の高い剛性及び高いバイアス電圧を使用して、送信時に望まれる高圧力波を生成する。このようなＭＵＴにおいて、空洞又はキャビティの深さは、薄膜の静的なたわみの少なくとも３倍深くなければならない。空洞の深さの約１／３より大きい薄膜のたわみは、空洞床部への薄膜の崩壊を生じさせる。ギャップは、薄膜と空洞のベース部との間の距離として規定される。大きいギャップは、小さいキャパシタンス及び大きい虚数インピーダンスをもたらす。
【０００５】
逆に、ＭＵＴが感度の良い音響受信器である場合、薄膜の小さいたわみ、小さいギャップ、薄膜の低い剛性及び高いバイアス電圧を使用して、感度の良い音響受信器素子を提供する。従来、崩壊しない最小のサイズまで薄膜をたわませるとともにギャップを縮小するために、一般に直流バイアス電圧が加えられてきた。小さいギャップは、虚数インピーダンスを低減し、柔らかい薄膜は、対象物から反射された音響エネルギーに晒されるとき容易にたわみ、高い信号対雑音比（ＳＮＲ）をもたらす。受信動作中、直流バイアス電圧が「センス」電圧として働き、ＭＵＴを通る電流（Ｉ）が監視され、これによりＭＵＴのキャパシタンス（Ｃ）を測定することができる。ＭＵＴ上の電荷（Ｑ）は、Ｑ＝Ｃ＊Ｖとして規定される。この式で、ＣはＭＵＴのキャパシタンスであり、ＶはＭＵＴに印加される直流バイアス電圧である。電流（Ｉ）は、Ｉ＝ｄＱ／ｄｔ，＝ｄ［ＣｘＶ］／ｄｔとして規定される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
残念ながら、受信動作中のＭＵＴへの直流バイアス電圧の印加は欠点をもつ。例えば、ＭＵＴの受信感度を増加させるために、直流バイアス電圧は増加されなければならない。残念ながら、直流バイアス電圧が、一般に崩壊電圧Ｖｃｏｌｌａｐｓｅと呼ばれる特定のポイントに達すると、ＭＵＴ薄膜は空洞の床部に崩壊し、受信器として動作不能になる。従って、直流バイアス電圧を使用するとき、ＭＵＴの感度はＩ＝ｄＣ／ｄｔ＊Ｖｃｏｌｌａｐｓｅによって制限される。
【０００７】
従って、バイアス電圧に対する上述の制限なしでＭＵＴの感度を調節する能力を持つことが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）用の交流バイアス装置が開示される。交流バイアス装置は、アレイにおける各ＭＵＴ素子の感度がＭＵＴ薄膜を崩壊させることなく調節されることを可能にする。ＭＵＴ素子の感度は、ＭＵＴ素子に供給される交流バイアス信号の周波数を変化させることによって調節されることができる。本発明の代替実施例は、第１の交流バイアス信号の位相と逆の位相をもつ第２の交流バイアス信号を加える。この装置は、ニュートラルな又は中立的なバイアス信号を供給し、これによりＭＵＴ素子から大きい振幅のバイアス信号を除去する。
【０００９】
当業者には、以下の図面及び詳細な説明を考察することにより他のシステム、方法、特徴及び本発明の利点が明らかであろう。すべてのそのような付加的なシステム、方法、特徴及び利点はこの説明に含まれ、本発明の範囲内にあり、添付の請求項により保護されることが意図される。
【００１０】
請求項に規定される本発明は、以下の図面を参照してより良く理解されることができる。図面における構成要素は必ずしも互いに一定の縮尺で示されているわけではなく、むしろ本発明の原則を明瞭に説明することに重点が置かれている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
後述する本発明は、バイアス回路に接続された超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）素子の多くのさまざまな構成に適用可能である。以下に示す構成は、ＭＵＴ素子にバイアスをかけるために交流信号を使用する単なる１つの実現可能な例にすぎない。
【００１２】
図１は、超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）音響受信器１００の一部を図示するブロック図である。ＭＵＴ音響受信器１００は、接続部１０４を通して任意の整合ネットワーク１０６に結合された交流信号発生器１０２を有する。交流信号発生器１０２は、接続部１０４に交流センス信号を供給する。交流バイアス信号と呼ばれる交流センス信号は、ＭＵＴアレイ１１０におけるＭＵＴ素子に電気的にバイアスをかけるために使用される。φと呼ばれる交流センス信号は、ＭＵＴ受信信号の音響センサ周波数の概して２倍より高い周波数で生成される。
【００１３】
任意の整合ネットワーク１０６が省かれる場合、交流センス信号は接続部１０８を通してＭＵＴアレイ１１０に伝達される。ＭＵＴアレイ１１０は、一般に、複数の個々のＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎを有する。ＭＵＴ素子はそれらのキャパシタンスによって特徴づけられるので、ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎはキャパシタとして図示されている。一般に、ＭＵＴアレイ１１０は、何百又は何千ものＭＵＴ素子を有することができるが、接続を容易にするため、一般には１２８個の素子のアレイを有する。更に、簡潔にするため詳細は省かれるが、各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎは、一般に複数のＭＵＴセルを有する。各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎにおけるＭＵＴセルは、所望の性能に依存して直列又は並列のいずれかで接続されることができる。
【００１４】
更に、ＭＵＴアレイ１１０に結合された１つの交流信号発生器１０２を使用するように示されているが、個別の交流信号発生器が各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎに結合されてもよい。しかしながら、簡潔にするため、図１において１つの交流発生器１０２がＭＵＴアレイ１１０に結合されるように図示されている。本発明の見地によれば、各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎは、接続部１０８上の交流センス信号φを使用して電気的にバイアスをかけられる。接続部１０４上の交流信号発生器１０２の出力は、当業者に知られているようにいかなる適当な波形であってもよく、これに限定されないが例えば方形波又は正弦波でありうる。
【００１５】
受信動作中、音波が各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎに当たる。各ＭＵＴ素子は交流信号によりバイアスをかけられるので、崩壊電圧がなく、従ってＭＵＴの薄膜のセットポイントは相対的に安定したままである。このようにして、ＭＵＴの感度は、接続部１０８上の信号φの周波数の関数として調節されることができる。
【００１６】
ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎにバイアスをかけるために交流センス信号が使用されるとき、電流は式Ｉ＝Ｃ＊ｄＶ／ｄｔにより規定される。従って、ｄｔが減少し、交流センス信号φの周波数が増加するにつれて、各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎの感度が増加する。好適には、接続部１０８上の交流センス信号の周波数は十分に高い周波数であり、それゆえ各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎ内の各ＭＵＴセルの薄膜は動きがないか又は非常にゆっくりと動く。従って、ＭＵＴ素子を通る電流は、交流センス信号の電圧のスルーレートに依存する。このようにして、各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎの所望の感度は、接続部１０８上の交流センス信号の周波数を増加させ又は減少させることによって調節することができる。
【００１７】
任意の整合ネットワーク１０６は、交流信号発生器１０２の出力のインピーダンスをＭＵＴアレイ１１０のインピーダンスに整合させることができる制御されたインピーダンスを提供する。更に、任意の整合ネットワーク１０６を使用して、接続部１０４上の信号の電圧レベルを高めてＭＵＴアレイ１１０の感度を高めることもできる。任意の整合ネットワークは、単純な直列インダクタ若しくは並列インダクタ、複素誘導性−容量性（ＬＣ）ネットワーク、パイ（π）ネットワーク、ティー（tee）ネットワーク、又は接続部１０４上の電圧のアクティブな制御が望まれる場合にはトランスでありうる。整合ネットワーク１０６がトランスを有する場合、接続部１０４上の信号の電圧レベルを増加させることができ、これによりＭＵＴアレイ１１０の感度もまた高められる。インピーダンス整合ネットワークは調節可能である。
【００１８】
動作中、音波は各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎに当たる。音波はＭＵＴの薄膜を振動させ、それによって接続部１１２上にＭＵＴの電気的信号出力を供給する。この電気的な信号は、ＭＵＴ素子１１０−１に当たる音波の結果であり、その音波に比例する。ＭＵＴ素子１１０−１に当たる音波による接続部１１２上の電気的な信号の変化は復調器１１４に供給される。復調器１１４は、接続部１１２上の信号を復調し、接続部１１６上に出力を供給し、付加的な受信及び処理回路（図示せず）及び結果的にＭＵＴ音響受信器１００が位置付けられている超音波ユニットのディスプレイ（図示せず）へ出力を供給する。復調器１１４の３つの典型的な実施例について図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃに関して説明する。
【００１９】
接続部１０８上の相対的に大きい交流センス信号のため、接続部１１２上の電圧信号のレベルは大きく、各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎのキャパシタンスの変動とともに変動する。このキャパシタンスの変動は、ＭＵＴ素子１１０−１に当たる音波の結果であり、各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎに当たる音波を表すので重要な信号である。接続部１１２に存在する大きい交流センス信号を低減し又は除去するため、第２の交流信号発生器１２０を使用することができる。交流信号発生器１２０は、交流信号発生器１０２の出力と実質的に同じ振幅であるが逆の位相をもつ交流信号を供給する。φの反転として示されるこの逆の位相の交流信号は、接続部１２２を通して任意の整合ネットワーク１２４に供給される。任意の整合ネットワーク１２４は、簡潔さのため１つのインダクタとして図示されている。一般に、任意の整合ネットワーク１２４の構成は、任意の整合ネットワーク１０６の構成と同様である。
【００２０】
任意の整合ネットワーク１２４の出力は、接続部１２６を通して任意の固定キャパシタ１２８に供給される。交流信号発生器１２０からの反転φ信号出力の振幅が交流信号発生器１０２からのφ信号出力の振幅と実質的に等しい場合、任意の固定キャパシタ１２８のキャパシタンス値は、交流バイアスをかけられるＭＵＴ素子１１０−１のキャパシタンスに実質的に等しくなければならない。代替例として、反転φ信号の振幅に依存して、任意のキャパシタ１２８のキャパシタンス値は、ＭＵＴ素子１１０−１のキャパシタンス値と異なってもよい。更に、図１には１つの固定キャパシタのみが図示されているが、一般には各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎについて固定キャパシタ１２８がある。
【００２１】
任意の交流信号発生器１２０からの反転φ信号を加えることによって、接続部１１２上に存在する大きいφ信号（交流センス信号）が打ち消され、ＭＵＴ素子１１０−１のキャパシタンス変動信号のみが接続部１１２上に残される。この変動信号は、ＭＵＴ素子１１０−１に当たる音波の結果である。従って理想的には、ＭＵＴ素子１１０−１がバイアスをかけられた基準位置にあるとき、接続部１１２上に存在する信号は実質的にない。ＭＵＴ素子１１０−１の薄膜がその薄膜に当たる音波のために動くとき、音波によって発生する変動信号が、接続部１１２上に存在する唯一の信号である。この変動信号（すなわち重要な信号）は、復調器１１４により復調される。本質的に、ＭＵＴ素子１１０−１の薄膜が動くまで、接続部１１２上に信号は存在しない。この装置は、ＭＵＴ音響受信器１００が飽和するのを妨ぐ助けとなる。
【００２２】
資源を節約し、ＭＵＴアレイ１１０が形成される基板上における利用可能な空間の使用を最大限にするため、固定キャパシタ１２８は、各ＭＵＴ素子１１０−１乃至１１０−ｎと同じ基板上に作製されることができる。以下、この装置について図３に関して説明する。
【００２３】
図２Ａは、図１の復調器１１４の第１の実施例を示す概略図である。図２Ａの復調器２０２は、１対のスイッチ２０４及び２１０を有するアナログ復調器である。スイッチ２０４及び２１０は、これに限定されないが例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）技術を使用して実現されることができる。スイッチ２０４は、ゲート端子２０６においてクロック信号を受け取る。クロック信号は、交流信号発生器１２０からの反転φ信号の周波数と同じ周波数をもち、実際に交流信号発生器１２０からの反転φ信号でありうる。ゲート端子２０６上のクロック信号によりスイッチ２０４が閉じ、接続部１１２上の電流がグラウンドに短絡される。
【００２４】
スイッチ２１０は、交流信号発生器１０２からのφ信号の周波数と同じ周波数をもち、実際に交流信号発生器１０２からのφ信号でありえるクロック信号を受け取る。φ信号がスイッチ２１０のゲート端子２０８に与えられるとき、接続部１１２上の信号入力は、そのピークでサンプリングされ、接続部２１２を通して接続部１１６へ送られて復調器のアナログ出力になる。
【００２５】
図２Ｂは、図１の復調器１１４の他の代替実施例を示す概略図である。図２Ｂの復調器２２２は、アナログ‐デジタル（Ａ／Ｄ）コンバータ２２４及びＡＮＤゲート２３０を有する。Ａ／Ｄコンバータ２２４はサンプルレートを有する。接続部１１２上に交流信号が存在し、Ａ／Ｄコンバータがその交流信号と同期している場合、交流信号をそのピークでサンプリングすることにより、交流信号が復調される。このようにして、接続部１１２上のＭＵＴ素子１１０−１（図１Ａ）の出力が復調される。この復調された信号は、接続部２２６を通してＡＮＤゲート２３０の入力部の一方に送られる。ＡＮＤゲート２３０への他の入力は、接続部２２８上の信号φである。このようにして、デジタル出力が接続部１１６上に供給される。
【００２６】
図２Ｃは、図１の復調器１１４の他の代替実施例である。復調器２４０はＡ／Ｄコンバータ２４２を有し、Ａ／Ｄコンバータ２４２はサンプルアンドホールド回路２４４を有する。サンプルアンドホールド回路２４４は本質的に復調器であり、これによって接続部１１２上に存在する交流信号は、接続部２４６上のφ信号のアサートに従ってサンプリングされる。接続部１１６上のＡ／Ｄコンバータ２４２の出力は復調されたデジタル出力であり、このデジタル出力は、ＭＵＴ音響受信器の他の素子に送られる。
【００２７】
図３は、本発明の見地に従う固定キャパシタを有する超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）セルアセンブリの概略断面図である。多くの技法を使用することにより、ＭＵＴセルを多くのさまざまな構成で作製することができる。図３に示される構成は単に説明的なものにすぎない。ＭＵＴセルアセンブリ３００は、概して、例えばＮ＋ドーピングされた導体３１４を有するシリコン（Ｓｉ）の基板材料３１２を有する。例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）の誘電層３１６が、基板層３１２の上に堆積される。図示するように、金属導体３２４が誘電体３１６の上に堆積される。ＭＵＴセル１１０は、誘電層３１６及び金属導体３２４の上に形成される。
【００２８】
ＭＵＴセル１１０は、好適には窒化ケイ素を使用して作製される薄膜３２２を有する。薄膜３２２は、誘電層３１６及び金属導体３２４の上に設けられ、真空ギャップと呼ばれることがある空洞又はキャビティ３２６を形成する。空洞３２６を形成する薄膜３２２の一部３４２は可撓性である。空洞３２６は、空洞の床部３３４と呼ばれる空洞のベース部と、可撓性の薄膜の一部３４２の下面３３６との間の距離であるギャップ３３８を規定する。
【００２９】
図示されるように、可変キャパシタとして振る舞う空洞３２６への電気的接続を設けるために、電気的接点３２８が可撓性の薄膜の一部３４２の上に設けられる。可撓性の薄膜の一部３４２は、電気的接点３２４及び３２８を通して供給される電気的な信号に応じて及び可撓性の薄膜の一部３４２に当たる音響エネルギーに応じてたわむことができるように十分な可撓性がある。
【００３０】
本発明の見地によれば、図１の固定キャパシタ１２８は、Ｎ＋ドーピングされた導体３１４と金属導体３２４との間に存在する誘電層３１６によって形成される。このようにして、固定キャパシタ１２８は、ＭＵＴセル１１０と垂直方向において一体化されることができ、固定キャパシタ１２８及びＭＵＴセル１１０は、金属導体３２４を共有することができる。ＭＵＴセルアセンブリ３００にバイアスをかけるために電気的接点３１４、３２４及び３２８に電気的信号を供給する回路は、簡潔にするために図面から省かれている。
【００３１】
当業者には、本発明の原則から実質的に逸脱することなく上述したように本発明に多くの変形及び変更が施されてもよいことが明らかであろう。例えば、本発明は、ＭＵＴトランスデューサ素子の多くのさまざまな構成とともに使用することができる。更に、本発明は、例えばシリコン及びゲルマニウムを含む異なる基板材料にも適用可能である。すべてのそのような変形及び変更はここに含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）受信器の一部を示すブロック図。
【図２Ａ】図１の復調器の第１の実施例を示す概略図。
【図２Ｂ】図１の復調器の代替実施例を示す概略図。
【図２Ｃ】図１の復調器の他の代替実施例を示す図。
【図３】本発明の見地による固定キャパシタを含む超微細加工された超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）セルアセンブリの概略断面図。
【図１】
2005509466.tif 000003
【図２Ａ】
2005509466.tif 000004
【図２Ｂ】
2005509466.tif 000005
【図２Ｃ】
2005509466.tif 000006
【図３】
2005509466.tif 000007
【国際調査報告】
2005509466.tif 000008
2005509466.tif 000009
2005509466.tif 000010