(57)【要約】【課題】  放射線を放出することが可能なデータ記録媒体を用いているデータ記憶システムのデータ密度を、印加信号の下で増やすこと。【解決手段】  時間変化印加信号により放射線放出物質を駆動するための駆動回路(4)と、データ記憶媒体から放出される放射線を検出し、かつ、放射線検出信号を発生させるための放射線検出器アレイ(6)と、タイミング基準信号に従ってデータ記憶媒体の異なるタイプのマークから読み出す検出信号を区別するために検出信号を処理するように構成されている処理部(8)と、を備える、電界発光データ記憶媒体からデータを読み出すための光学読み出しデバイス。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線放出データ記憶媒体が、印加信号の印加に基づく放射線の量を変化させて放出することが可能なデータ記憶エリアの形態でデータを保持する放射線放出物質を備えており、当該データ記憶エリアが、少なくとも、異なる第1のデータ値と第2のデータ値とを示す、第1のタイプのデータ記憶エリアと第2のタイプのデータ記憶エリアとを含む、当該放射線放出データ記憶媒体からデータを読み出すための光学読み出しデバイスであって、
当該デバイスが、
印加信号により前記放射線放出物質を駆動するための駆動部と、
当該データ記憶エリアから放出される放射線を検出し、かつ、放射線検出信号を発生させるための放射線検出部と、
前記媒体に記憶されている前記データに対応するデータ信号を発生させるために当該検出信号を処理するための処理部と、を備えており、
当該駆動部が、時間変化印加信号を発生させるように構成されており、前記処理部が、前記検出信号の時間的特性に従って、当該第1のタイプのデータ記憶エリアからの検出信号と当該第2のタイプのデータ記憶エリアからの検出信号を区別するように前記検出信号を処理するように構成されている光学読み出しデバイス。
【請求項２】
当該駆動部は、実質的に絶えず変化している印加信号の発生に適している請求項1に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項３】
当該印加信号は、ほぼ線形である請求項2に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項４】
前記駆動部および当該処理部は、共通タイミング源に接続されており、それにより、前記検出信号の処理が、前記印加信号に同期する請求項1、2または3に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項５】
前記共通タイミング源は、ディジタル信号発生器である請求項4に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項６】
前記印加信号を発生させるためのディジタル−アナログコンバータを備える請求項5に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項７】
当該共通タイミング源は、アナログ信号発生器である請求項4に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項８】
当該アナログ信号発生器は、前記印加信号を発生させるために用いられる請求項7に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項９】
デジタル・タイミング信号を発生させるためのアナログ−ディジタルコンバータを含む請求項7または8に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１０】
当該処理部は、前記検出信号の特性を認識することによって、前記検出信号の処理を前記印加信号に同期させることに適している請求項1、2または3に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１１】
前記デバイスは、少なくとも、第1のタイプのデータ記憶エリアと、第2のタイプのデータ記憶エリアと、第3のタイプのデータ記憶エリアという、前記データ記憶エリアの形態でデータを保持する放射線放出物質を備えているデータ記憶媒体からのデータの読み出しに適している上記請求項のいずれかに記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１２】
当該処理部は、前記検出信号の時間的特性に従って、当該第3のタイプのデータ記憶エリアからの読み出しに起因する検出信号と、当該第1および第2のタイプのデータ記憶エリアからの読み出しに起因する検出信号との区別に適している請求項11に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１３】
前記デバイスは、以下の第1および第2のデータ記憶媒体の異なるタイプのデータ記憶エリアの数が異なっている、第1の複数の異なるタイプのデータ記憶エリアの形態でデータを保持する放射線放出物質を備えている第1のデータ記憶媒体から、および、第2の複数の異なるタイプのデータ記憶エリアの形態でデータを保持する放射線放出物質を備えている第2のデータ記憶媒体からのデータの読み出しに適している請求項11または12に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１４】
当該処理部は、データが、当該第1のデータ記憶媒体から読み出されているか、または、当該第２のデータ記憶媒体から読み出されているかに従って、前記検出信号の処理を変えることに適している請求項13に記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１５】
当該放射線検出部は、一次元の放射線検出器アレイを備える上記請求項のいずれかに記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１６】
当該放射線検出部は、二次元の放射線検出器アレイを備える上記請求項のいずれかに記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１７】
当該放射線放出物質は、電界発光物質を備えており、当該印加信号は電圧信号である上記請求項のいずれかに記載の光学読み出しデバイス。
【請求項１８】
当該放射線放出物質は、蛍光物質を備えており、当該印加信号は放射線信号である請求項1から16のいずれかに記載の光学読み出しデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学読み出しデバイス、特に、印加信号の影響を受けて放射する放射線放出物質を備えるデータ記憶媒体から、データを読み出すための光学読み出しデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
さまざまな事象として、物質が、印加信号の影響を受けて放射線を放出するということは公知である。一つの例として、物質が、印加電圧信号の影響を受けて放射線を放出する電界発光がある。他の例として、物質が、励磁放射線信号の影響を受けて放射線を放出する蛍光がある。
【０００３】
特許文献1には、多数の情報層を有する、電界発光多層光学情報記憶媒体が記載されている。各々の層には、情報が、電界発光物質の形態で記憶される。その情報は、ページと呼ばれている領域に構築される。特定の層上の特定のページは、媒体に集積化されている電極によって、アドレス指定を行うことができる。データは、電界発光特性の形態で電界発光多層光学情報記憶媒体にコード化される。これにより、読み出されているデータ値に従って変化する。
【０００４】
印加信号の下で放射線を放出することが可能なデータ記録媒体を用いる、データ記憶システムのデータ密度を増加させることは、望ましいことであろう。
【０００５】
【特許文献１】国際公開第00/48197号パンフレット
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、放射線放出データ記憶媒体が、印加信号の印加に基づく放射線の量を変化させて放出することが可能なデータ記憶エリアの形態でデータを保持する放射線放出物質を備えており、当該データ記憶エリアは、少なくとも、異なる第1のデータ値と第2のデータ値とを示す、第1のタイプのデータ記憶エリアと第2のタイプのデータ記憶エリアとを備える、当該放射線放出データ記憶媒体からデータを読み出すための光学読み出しデバイスであって、当該デバイスが、
印加信号により前記放射線放出物質を駆動するための駆動部と、
当該データ記憶エリアから放出される放射線を検出し、かつ、放射線検出信号を発生させるための放射線検出部と、
前記媒体に記憶されている前記データに対応するデータ信号を発生させるために当該検出信号を処理するための処理部と、を備えており、
当該駆動部が、時間変化印加信号を発生させるように構成されており、前記処理部が、前記検出信号の時間的特性に従って、当該第1のタイプのデータ記憶エリアからの検出信号と当該第2のタイプのデータ記憶エリアからの検出信号を区別するたように前記検出信号を処理するように構成されている光学読み出しデバイスを提供することができる。
【０００７】
本発明は、放射率レベルが異なるエリアに、データが記憶されているデータ記憶媒体からデータを読み出すための有効な手段を提供する。
【０００８】
好ましい実施例では、本発明は、少なくとも3つの異なる放射率レベルが、データ記憶媒体にエンコードされる、複数レベルのデータコード体系が実現される。ここで、このようなマルチレベル・コード体系を実現する1つの方法は、アナログ信号を発生させる検出器アレイを用い、かつ、その後、記憶情報を読み出すべく適切なディジタル・レベルを生成するために、各々の異なる検出器にアナログ−ディジタルコンバータを設けることであろう。しかし、このことは、各々の検出器に対して、複雑な電子回路を必要とさせ、さもなければ、全体に検出器アレイに対して、データ抽出速度を減少させるであろう。本発明の使用は、最低限、単一のディジタル−アナログコンバータ、または単一のアナログ−ディジタルコンバータの使用で済むことを可能にする。これにより、デバイスの複雑さが著しく減少する。
【０００９】
更なる効果は、システムの異なる信号対ノイズ比、または、複数レベルのコード体系において選択されるレベルの数に、デバイスを適合化するために、スキャン速度を調整することが可能であることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の更なる特徴および効果は、添付図面を参照して、単に一例として与えられる、以下の本発明の好ましい実施例の記載から明らかになるであろう。
【００１１】
次に図1を参照する。本発明は、放射線放出データ記憶媒体2からデータを読み出すための光学読み出しデバイスに関する。一実施例において、放射線放出データ記憶媒体2は、少なくとも上側がインジウム・スズ酸化物（ITO）のような透明導電物質で形成されている、2枚の平面電極層の間にはさまれているポリフェニレン−ビニレン（PPV）のような、有機電界発光物質の平面層を含む有機光放出デバイス（OLED）である。データは、物質の別々のデータ記憶エリアにおける、物質の放出強度を局所的に変更させることによって記憶される。データ記憶エリアの放出強度は、データ記憶エリア間で変化している。このような変化は、以下の何れかによって達成させることができる。すなわち、これは、放射線放出データ記憶媒体2が、読出し専用タイプの場合には、放射線放出データ記憶媒体2の製造中に、リソグラフ的に予めパターニングすることによって達成させることができる。
或いは、これは、放射線放出データ記憶媒体2が、単独で書き込み可能なまたは書き換え可能なタイプの場合には、書き込み処理中に、データ・エリアの放出強度が選択的に低減するために、レーザー光線または紫外光線のような放射線光源を含む、本発明の光学読み出しデバイスと組み合わせることが可能な書き込みデバイスを用いることによって達成させることができる。
【００１２】
光学読み出しデバイスは、放射線放出データ記憶媒体2の各電極から電界発光層全体に印加される印加電圧信号で、放射線放出データ記憶媒体2を駆動するための駆動回路4も含む。ある電圧が、1回で、全てのデータ担持層の全体に、印加される。駆動回路4は、時間変化電圧信号を生成して、これにより、読み出しサイクル中に、各々のデータ記憶エリアから時間変化放射線出力が生成されるように、適合化されている。
【００１３】
放射線検出器アレイ6は、複数の個々のデータ記憶エリア（以下、「マーク」と称する。）を含む、選択エリア（本願明細書において「ページ」Pと称する。）から放出される放射線を検出するように適合化されている。放射線検出器アレイ6は、相補形金属酸化物シリコン（CMOS）センサーアレイ形態、または電荷結合素子（CCD）アレイ形態とすることができる。
【００１４】
処理回路8は、放射線検出器アレイ6によって発生される検出信号を処理し、放射線放出データ記憶媒体2から現在読み出されている、ページPに記憶されているデータに対応する出力データ信号を発生させ、かつ、駆動回路4の動作を制御する。
【００１５】
光学系10は、現在読み出されているページPを、放射線検出器アレイ6上に結像させるために、光学読み出しデバイスの、放射線放出データ記憶媒体2の位置と放射線検出器アレイ6との間に位置する。光学系10は、たとえば、放射線放出データ記憶媒体2から放出される放射線に対する、回折の限界スポットサイズに近い、サイズのエリア（マークのエリアに対応するエリア）を解像することが好ましい。
【００１６】
図2は、放射線放出データ記憶媒体2の3つの異なるタイプのマークからの放射線出力の光度レベルI1、I2およびI3を示す。これらは、本発明の一実施例において用いられている例示的な典型値であるが、しかしながら、光度レベルは、用いられる物質によって相違するであろうということに留意されたい。垂直軸に沿った値は、キャンデラ／m2で与えられており、かつ、水平軸に沿った値は、ボルトで与えられていることに留意されたい。
【００１７】
最大放出特性I1の第1のデータ値に対応する第1のタイプのマークは、いかなる選択駆動電圧でも光度レベルが最も高い。中間放出特性I2の第2のデータ値に対応する第2のタイプのマークは、いかなる選択駆動電圧でも光度レベルが中間である。最低放出特性I3の第3のデータ値に対応する第3のタイプのマークは、いかなる選択駆動電圧でも光度レベルが最も低い。各々の特性は、駆動電圧レベルの増加と共に、光度が増加する。異なるマークの各放出特性は、図示されるように、駆動電圧の下で、光度が、一般に、駆動電圧と共に指数的に増加する。
【００１８】
図3は、本発明の一実施例の駆動回路4および処理回路8の各素子をより詳細に示す。本実施例では、駆動回路4は、ディジタル−アナログ（D/A）コンバータ22に、カウント信号Cを提供するカウント信号発生器20を含む。カウント信号Cは、読み出しサイクル中に、規則的な間隔で、周期的に増加される。ディジタル−アナログコンバータ22は、入力されるカウント信号Cに従って、放射線放出データ記憶媒体2の電極に印加される、連続変化印加電圧信号Aを発生させる。連続変化印加信号は、ほぼ線形に変化することが好ましい。
【００１９】
放射線放出データ記憶媒体2は、複数の異なるタイプのデータ記憶エリアを含む。本実施例では、3つのレベルのコード体系に対応する、3つの異なるタイプのマークが存在する。各々のデータ記憶エリアは、3つの異なるデータ値が、いかなる特定のデータ記憶エリアにも存在し得るように、異なるデータ値に対応している。いかなる特定のデータ記憶エリアにおいても、起こり得る異なるデータ値の数（この例では、3）は、本願明細書においては、複数レベルのコード体系におけるコードレベルの数と呼ばれる。カウント信号発生器20は、繰り返し速度が、読み出しサイクルあたり、放射線放出データ記憶媒体2のコードレベルの数の少なくとも2倍で変化するカウント信号を発生するように適合化されている。
【００２０】
カウント信号Cは、放射線検出器アレイ6からの検出信号を処理するために、カウント信号Cを用い、かつ、カウント信号Cに対応するサンプリング・レートを用いる、信号処理器24にも供給される。各々異なるマーク・タイプに対して許容される、ある限度内での、出力レベルの変化を許容するために、このカウント信号Cは、読み出しサイクルあたり、コードレベルの数の少なくとも4倍の繰り返し速度を持つことが好ましい。これにより、各マーク・タイプは、確実に区別することが可能になる。
【００２１】
放射線検出器アレイ6は、現在読み出されているページPにおける、各々の異なるマークのエリアに対応する、放射線検出器アレイ6の各々の画素（本願明細書において、「検出器」と称する。）、または一組の画素から、異なる出力信号D1,D2…Dnを発生させる。これらの異なる検出信号D1, D2…Dnの各々は、信号処理器24で別々に処理される。放射線検出器アレイ6の各々の検出器の出力は、読み出しサイクル中に、印加電圧信号Aが次第に増加していく影響を受けて、放射線放出データ記憶媒体2の各々のマークからの光出力の量が増加するにつれて、増加する。各々の検出器からの出力は、読み出しサイクル内の特定時間に、マーク・タイプに対応する飽和レベルに達する。相対的に多量の放射線を放出するマーク・タイプは、読み出しサイクルの始めの部分で、対応する検出器の飽和を引き起こすような量の放射線を放出する。逆に言えば、相対的に少量の放射線を放出するマーク・タイプは、印加電圧Aが、対応する検出器の飽和を引き起こすように十分に増加した場合には、読み出しサイクルの相対的に後の段で、対応する検出器の飽和を引き起こす。
【００２２】
信号処理器24は、対応する検出器からの出力が飽和に近づくとトリガされる、各々の検出信号D1, D2…Dnに対応する閾値レベル・センサを含む。閾値レベル・センサのトリガに応じて、カウント信号Cの現在のカウントが、放射線検出器アレイ6内の検出器の位置に対応するメモリ位置のラッチ・メモリ26に、記憶される。全ての閾値レベル・センサがトリガされる時点まで、印加信号Aは増加する。その時点で、信号処理器24は、新たな読み出しサイクルを開始させて、放射線放出データ記憶媒体2上の隣接するページPを読み出す。各読み出しサイクルの間、ラッチ・メモリ26から、出力データ信号Oが読み出され、データ読み出し素子が設置されているデバイスの更なるデータ処理素子へ出力される。
【００２３】
図4(A)〜図4(C)は、図2にそれぞれ表示される、光度カーブI1〜I3を発生している、各々のマーク・タイプに対応する検出信号を示す。図4(A)〜図4(C)は、全て、カウント信号Cの増加地点がマークされている時間軸を示す。カウント信号Cは、ゼロから始まって、一信号読み出しサイクル中に、不連続な積分ステップで5まで増加する。
【００２４】
ディジタル−アナログコンバータ22は、読み出しサイクルの開始時に、読み出しサイクルのうちの最も低い印加電圧Aを発生させ、読み出しサイクルの残りのサイクル中に、印加電圧Aを線形に増加させることを開始する。本実施例では、コードレベルの数は3であり、かつ、カウント信号Cの繰り返し速度はサイクルあたり6の増加である。最初の2つのカウント期間内に、検出器での飽和レベルを生成するマークは、最大の電界発光特性を有する、第1のタイプのマークであると決定される。同様に、第3のまたは第4のカウント期間内に、検出器での飽和を生成するマークは、中間の電界発光特性を有する、第2のタイプのマークであると決定される。第5のまたは第6のカウント期間内に、対応する検出器での飽和を生成するマークは、最低の電界発光特性を有する、第3のタイプのマークであると決定される。図4(A)〜図4(C)の各々には、各々のこれらの異なるマーク・タイプに対して、信号処理器24において検出器の飽和が検知される時刻t1、t2およびt3が、それぞれ示されている。信号処理器24は、閾値検出器によって、読み出しサイクル内に、各々のこれらの時刻を検出し、かつ、対応するデータ成分をラッチ・メモリ26に書き込む前に、カウント信号Cの現在のカウントを用いてデータ値を決定する。放射率が最も低いページPのマークを読み出した後に、印加信号Aは、ゼロにリセットされ、かつ、各々の検出器の出力は、次の読み出しサイクルが開始される前にゼロに戻る。
【００２５】
図4(A)〜図4(C)は、一般的に、出力応答特性が線形的な放射線検出器からの出力信号を示すことに留意されたい。別の実施例では、処理回路8は、検出器の特性を変更するために（たとえば、一般的な、対数関数の出力応答特性を生成するために）、各々の検出器に結合される。これにより、飽和地点のアプローチがより顕著になる。すなわち、飽和地点の近くの出力反応傾度が、線形の出力反応に関連して増加する。
【００２６】
上記の実施例では、駆動回路4は、カウント信号発生器20から提供されるタイミング基準信号に従って、印加信号Aを発生させる信号発生器22を含む。さらに、信号処理器24にも、検出信号D1,D2…Dnの処理を、印加信号Aと同期させるために、カウント信号Cが入力される。この場合、共通タイミング発信源は、ディジタル信号発生器の形態となる。別の実施例では、印加電圧Aを、共通タイミング発信源を形成するアナログ信号発生器によって発生させてもよい。このタイミングは、印加電圧Aを入力して、それに対応するデジタル・タイミング基準信号を発生させる、信号処理器のアナログ−ディジタルコンバータを介して送られる。これらのデジタル・タイミング基準信号は、検出信号D1,D2…Dnの処理を印加信号Aと同期させる、信号処理器24で用いられる。
【００２７】
更なる実施例では、共通タイミング発信源の使用によって印加信号に直接同期させることがない検出信号D1, D2…Dnの処理は、検出信号D1,D2…Dnの特性を認識することによって、検出信号D1, D2…Dnの処理を、印加信号に同期させる。たとえば、検出信号D1,D2…Dnは、読み出しサイクルの開始を示す、放射線放出データ記憶媒体2の参照マークに対応する、予め定められた信号特性を含むこともできる。それゆえ、タイミング特性は、さまざまな異なる種類のマークを区別する検出信号D1,D2…Dnを処理するために、放射線検出器アレイ6から入力された検出信号D1, D2…Dnの中から検出することができる。信号処理器24内のクロック信号発生器は、出力データ信号Oに対応するディジタルデータ値を発生させるために用いられる参照タイミングと共に、各々の検出器の飽和に対応するタイムスタンプを提供するために用いても良い。
【００２８】
異なる実施例で用いられている光学系10は、さまざまな異なる形態とすることができる。一実施例において、光学系10は、現在読み出されているページPに対応する、放射線放出データ記憶媒体2の単一のエリアを結像する。このタイプの光学系10は、読み出しサイクル中に、順次、隣接するページPを読み出すことを可能にするために、光学系10に関連して放射線放出データ記憶媒体2が機械的に動く、機械的な「ステップアンドスキャン」システムと共に、用いることができる。
【００２９】
上記の実施例では、放射線放出データ記憶媒体2は、2つの同一電極の間に配置されている電界発光物質を含む。この結果、全ての電界発光層は、現在読み出されているページPの位置にかかわりなく活性化される。これにより、放射線放出データ記憶媒体2からのデータの読み出しを実行するために必要な回路が単純になる。しかしながら、別の実施例では、電界発光物質が、アドレス電極アレイの間に配置されている。この結果、現在読み出されているページPに対応するエリアは、各読み出しサイクル中に、選択的に活性化される。本実施例では、放射線放出データ記憶媒体2の全体に分布した異なるページPに対応する複数のエリアを、各々のページ・エリアのイメージが、不完全な検出器アレイ・エリア全体を占めているようにして、放射線検出器アレイ6に同時に結像するように、光学系10を配置することができる。これにより、デバイスの機械的なスキャンに対する必要性が減少する。すなわち、複数のページPを、機械的なスキャンを形成することなく、逐次的にスキャンすることができる。この実施例の1つの例では、データの複数ページPを含む、放射線放出データ記憶媒体2上の情報担持エリアの全てが、放射線検出器アレイ6に同時に結像される。これによって、機械的なスキャンに対する、いかなる必要性も回避される。
【００３０】
本発明の一実施例では、放射線検出器アレイ6は、一列に配置された複数の放射線検出器からなる一次元の放射線検出器アレイの形態である。本発明の第2の実施例では、放射線検出器アレイ6は、矩形形態の二次元の放射線検出器アレイの形態である。
【００３１】
上記の実施例では、3つのレベルのデータコード体系が、放射線放出データ記憶媒体2に用いられているが、これは、単に例示目的のみで用いられていることに留意されたい。データコードレベルには、大きな数が用いられることが好ましい。マルチレベル・コード体系は、各々のマークから読み出されている、たとえば、8ビット、12ビット、16ビット、または32ビットのデータ信号に対応するように選択することができる。一方、本発明には、二値のデータコード体系を適用することもできる。実際に用いられるコードレベルの数は、このシステムの信号対ノイズ比に依存させることが好ましいであろう。これにより、放射線放出データ記録媒体2のデータ密度をできる限り高くしなくても良いように、選択されるコードレベルの数は、異なるレベルで正確に解像することが許容されるのに充分小さくなるであろう。
【００３２】
本発明は、電界発光レベルの異なる数に対応する異なるデータコード体系を有する、データ記憶媒体の異なったフォーマットを読み出すことが出来る、データ読み出しデバイスにより実施することができる。たとえば、第1のフォーマットの放射線放出データ記憶媒体2は、3つの異なるデータコード体系に対応する3つの電界発光レベルを有することができる。さらに、第2のフォーマットの放射線放出データ記憶媒体2は、4つの異なるデータコード体系に対応する4つの電界発光レベルを有することができる。放射線放出データ記憶媒体2のこれらの異なるフォーマットの各々から、効率よくデータを読み出すために、デバイスの素子の何れも交換する必要はない。むしろ、信号処理器24は、収容されるべき各々の異なる放射線放出データ記憶媒体2のフォーマットに対応する、2つの異なる処理モードで作動させることができる。さらに、タイミング基準信号の繰り返し速度を、異なるモードで相違させてもよい。図3に示される実施例では、たとえば、4つのレベルの放射線放出データ記憶媒体2を読み出すときに、3つのレベルの放射線放出データ記憶媒体2を読み出すときのカウント繰り返し速度に対して、カウント信号Cを増加させてもよい。
【００３３】
上記の各実施例では、光放出物質は、多くの既知の電界発光重合体の1つ、または、これらの組合せのような有機物質であることが好ましい。例には、ポリピリジン、ポリピリジルビニレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン、ポリナフタレンビニレン、ポリフェニレンアセチレン、ポリフェニレンジアセチレン、ポリシアノ-テレフタイリデン、ポリフェニレンベンゾビスチアゾール、ポリベンズイミダゾ-ベンゾフェナントロリン、ポリピリジン共重合体、ポリピリジルビニレン共重合体、ポリフェニレン共重合体、ポリフェニレンビニレン共重合体、ポリチオフェン共重合体、ポリビニルカルバゾール共重合体、ポリフルオレン共重合体、ポリナフタレンビニレン共重合体、ポリフェニレンアセチレン共重合体、ポリフェニレンジアセチレン共重合体、ポリシアノ-テレフタイリデン共重合体、ポリフェニレンベンゾビスチアゾール共重合体、およびポリベンズイミダゾベンゾフェナントロリン共重合体が含まれる。
【００３４】
上記の各実施例では、単電界発光層の放射線放出データ記憶媒体2について説明したが、本発明は、多電界発光層の放射線放出データ記憶媒体2にも適用できる。多電界発光層の放射線放出データ記憶媒体2からデータを読み出す場合には、各層が、読み出し中に、選択的に活性化される。
【００３５】
上記の各実施例は、本発明の説明に役立つ実例であるものと理解されたい。本発明の別の実施例は、予見される。たとえば、電界発光による放射線放出データ記憶媒体2からデータを読み出すのに代えて、蛍光性データ記憶読み出しシステムに関して、本発明を利用することも可能である。この場合、データ記憶媒体は、印加電圧信号Aに関する上記の記載と、時間変化特性が同じである、印加紫外線放射線信号の影響を受けて活性化される蛍光物質層を含む。このように、マルチレベル・コード蛍光性データ記憶媒体からのデータ読み出しは、本発明を用いることによって提供される。
【００３６】
当然のことながら、一実施例に関して説明されるいかなる特性も、他の実施例に用いることができる。さらに、上述されていない等価なもの、および変更は、添付の請求の範囲において規定されている、本発明の範囲から逸脱することなく使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施例に従う光学読み出しデバイスの概略図である。
【図２】駆動電圧と電界発光物質に対する光度との関係を表示しているグラフである。
【図３】図1に表示されている装置の更なる詳細を表示している概略図である。
【図４】本発明の実施例に従う検出器からの検出信号を表示しているグラフである。
【符号の説明】
【００３８】
2  放射線放出データ記憶媒体
4  駆動回路
6  放射線検出器アレイ
8  処理回路
10  光学系
20  カウント信号発生器
22  ディジタル−アナログ（D/A）コンバータ
24  信号処理器
26  ラッチ・メモリ
A  印加信号
C  カウント信号
D  検出信号
O  出力データ信号
【図１】
2005528778.tif 000003
【図２】
2005528778.tif 000004
【図３】
2005528778.tif 000005
【図４】
2005528778.tif 000006
【国際調査報告】
2005528778.tif 000007
2005528778.tif 000008