(57)【要約】本発明は以下のような構成のイメージアセンブリを提供する。（ａ）第１表面（１１）と、第１表面（１１）とは実質的に反対側の第２の第１表面とを有する変調器結晶体（１２）を含み、その第１表面（１１）が活性領域（２６）を有する。また、（ｂ）変調器結晶体（１２）を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体（２０）を含み、その発熱体（２０）が変調器結晶体の下に位置決めされると共に第１表面（２１）を有するようにし、発熱体（２０）の第１表面（２１）が変調器結晶体（１２）の第２表面に面し、変調器結晶体（１２）の第１表面（１１）の活性領域（２６）が一様な温度分布をもつように発熱体（２０）の第１表面（２１）が変調器結晶体の第２表面のある部分を覆っている。また、本発明はイメージアセンブリにおいて変調器結晶体の加熱方法を提供する。
2005538411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、前記第１表面が活性領域を有するようにし、
（ｂ）前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、前記発熱体が前記変調器結晶体の下に位置決めされると共に第１表面を有するようにし、前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面に面するようにし、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面の部分を覆っている
ことを特徴とするイメージアセンブリ。
【請求項２】
前記変調器結晶体に電気的に接続された１つ以上の電子部品をさらに含む請求項１に記載のイメージアセンブリ。
【請求項３】
前記変調器結晶体がＬｉＮｂＯ３を含む結晶である請求項１に記載に記載のイメージアセンブリ。
【請求項４】
ＬｉＮｂＯ３を含む変調器結晶体が約５モルパーセントの酸化マグネシウムを含む請求項３に記載のイメージアセンブリ。
【請求項５】
ＬｉＮｂＯ３を含む変調器結晶体が約７モルパーセントの亜鉛を含む請求項３に記載のイメージアセンブリ。
【請求項６】
前記発熱体の第１表面が、前記変調器結晶体の表面に付着される熱伝導性の粘着部材に付着されている請求項１に記載のイメージアセンブリ。
【請求項７】
前記発熱体がフラットシートである請求項１に記載のイメージアセンブリ。
【請求項８】
熱遮断性の部材を有する保持部材さらに含み、前記熱遮断性の部材が、一の表面と、前記発熱体が発熱体の第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、前記熱遮断性の部材の前記表面が前記発熱体の第２表面に接触している請求項１に記載のイメージアセンブリ。
【請求項９】
前記熱遮断性の部材が円盤形状である請求項８に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１０】
前記熱遮断性の部材がガラスまたは磁器で作られている請求項８に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１１】
前記発熱体の第１表面が、前記変調器結晶体の表面に付着される熱伝導性の粘着部材に付着されている請求項１に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１２】
前記発熱体が、電源から前記発熱体に電力を供給する手段に接続され、前記電源が所定の温度範囲内で前記変調器結晶体の温度を維持する温度制御手段を有する請求項１に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１３】
前記発熱体の第１表面が実質的に前記変調器結晶体の第２表面を覆っている請求項１に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１４】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、前記第１表面が活性領域を有する変調器結晶体を提供する段階と、
（ｂ）第１表面を有する発熱体を提供し、前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面に面するようにし、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面の部分を覆うようにする段階と、
（ｃ）前記発熱体によって前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱する段階と、
（ｄ）所定の温度範囲内で前記変調器結晶体の温度を維持する段階と、
を含むことを特徴とするイメージアセンブリにおける変調器結晶体の加熱方法。
【請求項１５】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、前記第１表面が活性領域を有するようにし、
（ｂ）前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、前記発熱体が前記変調器結晶体の下に位置決めされると共に一の表面を有するようにし、前記発熱体の一の表面が前記変調器結晶体の第２表面に面するようにし、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体の表面が前記変調器結晶体の第２表面の部分を覆うようにし、
（ｃ）前記変調器結晶体の第１表面上に存在している１つ以上の電子部品を含み、前記電子部品が変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断されるようにした
ことを特徴とするイメージアセンブリ。
【請求項１６】
前記１つ以上の電子部品に接触し、前記変調器結晶体の第２表面に接触する１つ以上の熱的絶縁部材によって、前記１つ以上の電子部品が前記変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断される請求項１５に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１７】
前記１つ以上の電子部品上に存在し、前記１つ以上の電子部品に熱的に接続された冷却支持体をさらに含む請求項１５に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１８】
前記冷却支持体に接触し、前記１つ以上の電子部品に接触する１つ以上の熱伝導性部材によって、前記冷却支持体が前記１つ以上の電子部品に熱的に接続される請求項１７に記載のイメージアセンブリ。
【請求項１９】
前記発熱体の第１表面が、前記変調器結晶体の第１表面に付着される熱伝導性の粘着部材に付着されている請求項１５に記載のイメージアセンブリ。
【請求項２０】
前記発熱体が、電源から前記発熱体に電力を供給する手段に接続され、前記電源が所定の温度範囲内で前記変調器結晶体の温度を維持する温度制御手段を有する請求項１５に記載のイメージアセンブリ。
【請求項２１】
前記発熱体の第１表面が実質的に前記変調器結晶体の第２表面を覆っている請求項１５に記載のイメージアセンブリ。
【請求項２２】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、前記第１表面が活性領域を有する変調器結晶体を提供する段階と、
（ｂ）第１表面を有する発熱体を前記変調器結晶体の下に位置決めし、前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面に面するようにし、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面の部分を覆うようにする段階と、
（ｃ）前記変調器結晶体の第１表面上に存在する１つ以上の電子部品を提供し、前記電子部品が前記変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断されるようにする段階と、
（ｄ）前記発熱体によって前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱する段階と、
（ｅ）所定の温度範囲内で前記変調器結晶体の温度を維持する段階と、
を含むことを特徴とする、イメージアセンブリにおける変調器結晶体の加熱方法。
【請求項２３】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、前記第１表面が活性領域を有するようにし、
（ｂ）前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体が前記変調器結晶体の第２表面の部分に接触して覆うようにし、
（ｃ）前記変調器結晶体の第１表面の下に位置決めされた１つ以上の電子部品を含み、前記電子部品が変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断されるようにした
ことを特徴とするイメージアセンブリ。
【請求項２４】
前記発熱体がニッケル−クロム被覆である請求項２３に記載のイメージアセンブリ。
【請求項２５】
前記１つ以上の電子部品に接触し、前記変調器結晶体の第２表面に接触する１つ以上の熱的絶縁部材によって、前記１つ以上の電子部品が前記変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断される請求項２３に記載のイメージアセンブリ。
【請求項２６】
前記１つ以上の電子部品の下に位置決めされ、前記１つ以上の電子部品に熱的に接続された冷却支持体をさらに含む請求項２３に記載のイメージアセンブリ
【請求項２７】
前記冷却支持体に接触し、前記１つ以上の電子部品に接触する１つ以上の熱伝導性部材によって、前記冷却支持体が前記１つ以上の電子部品に熱的に接続される請求項２６に記載のイメージアセンブリ。
【請求項２８】
前記発熱体が、電源から前記発熱体に電力を供給する手段に接続され、前記電源が所定の温度範囲内で前記変調器結晶体の温度を維持する温度制御手段を有する請求項２３に記載のイメージアセンブリ。
【請求項２９】
前記発熱体の第１表面が実質的に前記変調器結晶体の第２表面を覆っている請求項２３に記載のイメージアセンブリ。
【請求項３０】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、前記第１表面が活性領域を有する変調器結晶体を提供する段階と、
（ｂ）前記第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記変調器結晶体の第２表面の部分を発熱体に接触させて覆うようにする段階と、
（ｃ）前記変調器結晶体の第１表面の下に１つ以上の電子部品を提供し、前記電子部品が前記変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断されるようにする段階と、
（ｄ）前記発熱体によって前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱する段階と、
（ｅ）所定の温度範囲内で前記変調器結晶体の温度を維持する段階と、
を含むことを特徴とするイメージアセンブリにおける変調器結晶体の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージアセンブリにおける変調器結晶体の性能を向上させる方法及び装置に係わる。特に、本発明は、実質的にはイメージアセンブリの電子部品の温度を変更することなくイメージアセンブリにおける変調器結晶体を加熱する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱オフセット印刷プレート(thermal offset printing plate)業界における現在のいくつかの傾向は、特にいわゆる「コンピュータ・トゥ・プレート：Computer to Plate」（ＣＴＰ）システムに関係するものとしての生産性の向上の領域にあった。しかしながら、そのような従来のシステムは、現在、特に熱オフセット印刷プレートの画像化に関係して制限される。従来の内部ドラムシステムは、例えば鏡の回転速度、レーザービーム（ＹＡＧレーザ、赤色及び紫外線レーザダイオード、及び光ファイバレーザを有する音響光学変調器のためのもの）のオンオフ切り替え時間、及びレーザ光源出力に関係して制限される。ダイオードなどの複数のレーザ光源を有する従来の外部ドラムシステムは、例えばそれぞれの回転速度、それぞれのダイオードの数、及びそれにより発生する全出力に関係して制限される。空間変調器を採用する従来の外部ドラムは、そこで作られるスポットの数に関係する制限と同様に、出力も制限される。従来のフラットベッドシステム(flat bed system)は、それぞれのレーザ光源の限られた走査速度、変調周波数、及び出力と同様に、「プレート幅」、解像度も制限される。
【０００３】
レーザービームが一次元内で広げられてかなりの数の電気光学式ゲートの列（多くの隣接するスポットが形成され、その結果「幅広ブラシ」を構成できるような）を覆うような従来のシステムが、参考としてここに組み込まれている特許文献１に記載されている。特に、この特許文献１は、ゲートによってビームが複数のスポット形成可能ビームに分割されることを開示している。画像化のために感光性表面へそれぞれのビームを透過させることは、所定のパターンまたはプログラム通りに選択的に抑制され、一方、ビームはキャラクタ及び他のイメージを形成するために感光性表面に対して走査する。しかしながら、この特許文献１に記載されたブラシ状スポットの数は、光学収差によって制限される可能性がある。さらに、単一レーザ光源が発生させることができる出力は、それらの低感度のために感熱型プレートの画像化速度を制限する。また、単一レーザ光源による空間変調器の性能も制限される可能性がある。
【０００４】
熱メディアの照射を専門とするレーザ変調器は、何十ワットものレーザ出力、あるいはそれ以上のレーザ出力を必要とする。これに対し、全反射（Total Internal Reflection：ＴＩＲ）変調器は、例えば、非特許文献１で説明されるように、感熱プレートの照射には特に好適である。ＬｉＮｂＯ３結晶の使用に基づくＴＩＲ変調器は、その整流速度の原因で特に興味深い。このタイプの変調器は文献、及び参考としてここに組み込まれている特許文献２などのいくつかの特許文献に記載されている。レーザープリンタのＴＩＲ変調器の動作は、参考としてここに組み込まれている特許文献３に記載されていた。ＴＩＲ変調器は、現在、高水準のエネルギーが必要である感熱印刷プレートを生成するプレートセッター(platesetters)において使用され、そして、プレートセッターにおけるＴＩＲ変調器の実施は参考としてここに組み込まれている特許文献４に記載されている。
【０００５】
ＴＩＲ変調器はエネルギーを吸収しないので、熱を発生させずに高出力レーザ光線を変調器に貫通させることができる。しかし、電気光学変調器に高エネルギーの光線を貫通させることには、特に特許文献２に記載されているようなＴＩＲ変調器においては、非特許文献２に記載されたような消極的な影響がある。高エネルギー放射を結晶が受ける場合、強いエネルギー密度が、「光学損傷(optical damage)」や「直流ドリフト(dc drift)」として知られている有害な光屈折の効果を引き起こす。高レベルのエネルギーが必要なシステムにおけるこれらの副作用の存在が、変調器が受けることができるいわゆる熱プレートの照射量などのエネルギーの量を制限している。
【特許文献１】米国特許第4,746,942号明細書
【特許文献２】米国特許第4,281,904号明細書
【特許文献３】米国特許第4,554,561号明細書
【特許文献４】米国特許出願第09/865,345号明細書(出願日2001年5月25日)
【非特許文献１】エレクトリック・レターズ(Electronic Letters)第9号(1973年)p.309
【非特許文献２】SPIE電気光学材料及び磁気光学材料(Magneto-Optic Materials)1274号(1990年)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は変調器における光学損傷及び直流ドリフトの存在に対処するものである。両方の問題は、変調器の動作温度を上げ、所定の範囲で温度を維持することによって解決される。また、本発明は、結晶体の動作温度を自動的に制御することによる、変調器結晶体の性能の安定化に関する方法及び装置も提供する。また、本発明は、変調器結晶体に関する電子部品を、その結晶体を高温にした際の有害な影響から保護する方法及び装置を提供する。本発明の他の目的、特徴、及び利点は、ここに提供された詳細な説明で明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従って、（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、上記第１表面が活性領域を有するようにし、（ｂ）変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、その発熱体が変調器結晶体の下に位置決めされると共に第１表面を有するようにし、発熱体の第１表面が変調器結晶体の第２表面に面するようにし、変調器結晶体の第１表面の活性領域が一様な温度分布をもつように発熱体の第１表面が変調器結晶体の第２表面の部分を覆っていることを特徴とするイメージアセンブリ、を提供することが本発明の目的である。
【０００８】
また、（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、第１表面が活性領域を有する変調器結晶体を提供する段階と、（ｂ）第１表面を有する発熱体を提供し、その発熱体の第１表面が変調器結晶体の第２表面に面するようにし、変調器結晶体の第１表面の活性領域が一様な温度分布をもつように発熱体の第１表面が変調器結晶体の第２表面の部分を覆うようにする段階と、（ｃ）発熱体によって変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱する段階と、（ｄ）所定の温度範囲内で変調器結晶体の温度を維持する段階と、を含むことを特徴とするイメージアセンブリにおける変調器結晶体の加熱方法、を提供することが本発明の他の目的である。
【０００９】
また、（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、第１表面が活性領域を有するようにし、（ｂ）変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、その発熱体が変調器結晶体の下に位置決めされると共に一の表面を有するようにし、その発熱体の一の表面が変調器結晶体の第２表面に面するようにし、変調器結晶体の第１表面の活性領域が一様な温度分布をもつように発熱体の表面が変調器結晶体の第２表面の部分を覆うようにし、（ｃ）変調器結晶体の第１表面上に存在している１つ以上の電子部品を含み、その電子部品が変調器結晶体と発熱体とから熱的に遮断されるようにしたことを特徴とするイメージアセンブリ、を提供することが本発明の他の目的である。
【００１０】
また、（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、第１表面が活性領域を有する変調器結晶体を提供する段階と、（ｂ）第１表面を有する発熱体を変調器結晶体の下に位置決めし、その発熱体の第１表面が変調器結晶体の第２表面に面するようにし、変調器結晶体の第１表面の活性領域が一様な温度分布をもつように発熱体の第１表面が変調器結晶体の第２表面の部分を覆うようにする段階と、（ｃ）変調器結晶体の第１表面上に存在する１つ以上の電子部品を提供し、その電子部品が変調器結晶体と発熱体とから熱的に遮断されるようにする段階と、（ｄ）発熱体によって変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱する段階と、（ｅ）所定の温度範囲内で変調器結晶体の温度を維持する段階と、を含むことを特徴とする、イメージアセンブリにおける変調器結晶体の加熱方法、を提供することが本発明の他の目的である。
【００１１】
また、（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、第１表面が活性領域を有するようにし、（ｂ）変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、変調器結晶体の第１表面の活性領域が一様な温度分布をもつように発熱体が変調器結晶体の第２表面の部分に接触して覆うようにし、（ｃ）変調器結晶体の第１表面の下に位置決めされた１つ以上の電子部品を含み、その電子部品が変調器結晶体と発熱体とから熱的に遮断されるようにしたことを特徴とするイメージアセンブリ、を提供することが本発明の他の目的である。
【００１２】
また、（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、第１表面が活性領域を有する変調器結晶体を提供する段階と、（ｂ）第１表面の活性領域が一様な温度分布をもつように変調器結晶体の第２表面の部分を発熱体に接触させて覆うようにする段階と、（ｃ）変調器結晶体の第１表面の下に１つ以上の電子部品を提供し、その電子部品が変調器結晶体と発熱体とから熱的に遮断されるようにする段階と、（ｄ）発熱体によって変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱する段階と、（ｅ）所定の温度範囲内で変調器結晶体の温度を維持する段階と、を含むことを特徴とするイメージアセンブリにおける変調器結晶体の加熱方法、を提供することが本発明の他の目的である。
【００１３】
本発明は、ＴＩＲ変調器の結晶体が最適の温度まで加熱される一方で、それと同時に、イメージアセンブリの他の構成部材が熱的に遮断されることを確実にする。それらの構成部材は変調器結晶体に関係する電子部品を含んでいる。それらの電子部品の温度はその電子部品の動作仕様に基づいて定義される温度範囲内内で維持される。変調器結晶体内の温度は一様に維持され、その結果、結晶体内の温度変動に起因した結晶体内における屈折率の望ましくない変動が回避される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のイメージアセンブリは、望ましくは、変調器結晶体、その変調器結晶体を所定の温度範囲の温度まで加熱するための発熱体、及び１つ以上の電子部品を含み、その状況で、電子部品が変調器結晶体と発熱体とから熱的に遮断される。熱的遮断は、望ましくは、１つ以上の熱遮断性の部材を電子部品と変調器結晶体の間に位置決めすることによって達成される。熱的遮断は、温度範囲の温度まで変調器結晶体を加熱することによって、実質的に電子部品の温度を変化させないようなものであることが望ましい。
【００１５】
本発明で使うことができる変調器結晶体は、例えば、特許文献２、特許文献３、及び特許文献４に記載のようなＴＩＲ変調器として動作できるいずれかの変調器結晶体である。望ましくは、変調器結晶体はＬｉＮｂＯ３を含む結晶である。特に望ましい結晶組成は、約５ｍｏｌ％のＭｇＯ、または約７ｍｏｌ％のＺｎを含むＬｉＮｂＯ３である。望ましくは、変調器結晶体の電気光学的特性は時間非依存性である。
【００１６】
発熱体は、望ましくは、ほぼ平坦な加熱シートである。あるいは、発熱体は抵抗性の被覆である。この抵抗性の被覆は、ニッケル−クロム被覆が望ましい。
【００１７】
イメージアセンブリの発熱体は、電源から発熱体に電力を供給する手段に接続される。電源は、変調器結晶体の所定の温度範囲に対応した範囲内で電力を維持する温度制御手段を有することができる。
【００１８】
本発明の他の局面とその様々な実施形態は、以下の詳細な説明と添付図面の特定の参照により明らかになるであろう。
【００１９】
さて、図１、図２Ａ、及び図２Ｂを参照すると、本発明によるイメージアセンブリの第１の実施形態が示されている。図１に示されるように、電子部品１４は、イメージアセンブリでの使用のために当業者にとってよく知られているような電子ドライバーまたはチップで構成することができ、ボードワイヤ１６に電気的に接続される。それぞれのボードワイヤ１６はワイヤボンディング１８によって変調器結晶体１２に接続される。結晶体１２は活性領域２６を含む第１表面１１を有する。ここで使用される「活性領域」という用語は、イメージアセンブリが動作中であるときにレーザービームが打ち込まれる領域あるいは区画を示すことを意図している。
【００２０】
結晶体は、例えば特許文献４に記載されたＴＩＲ変調器として動作する。発熱体２０は、ほぼ平坦な加熱シートで構成でき、結晶体１２の下に位置決めされ、結晶体１２の第２表面１３に面する第１表面２１を有する。結晶体１２の第２表面１３は、図２Ｂに示されるように、結晶体１２の表面１１の実質的に反対側に位置する結晶体１２の第２表面１３に面している。発熱体２０の第１表面２１は、結晶体１２の第１表面の活性領域２６が一様な温度をもつように、結晶体１２の第２表面１３のある部分を覆っている。発熱体２０の第１表面２１は、結晶体１２の第２表面１３を充分に覆うようにすることが望ましい。第１表面２１には、結晶体１２の第２表面１３に付着させることが可能な粘着性リボン（図１には示されていない）などの、熱伝導性の粘着部材を付着することができる。配線３２は、発熱体２０を加熱するのに必要な電力を供給する電源（図１には示されていない）に電気的に接続される。イメージアセンブリは、図１、図２Ａ、及び図２Ｂ（図２Ｂは、図２Ａに表示された実施形態の分割断面図である）で円盤形状に示された熱遮断性部材２２を有する支持体２４をさらに含むことができる。熱遮断性部材２２はガラスあるいは磁器によりなることが望ましく、第１表面２５を有し、この第１表面２５は、図２Ｂに示されるように、発熱体２０の第１表面２１の実質的に反対側に位置する発熱体２０の第２表面２３に接触する。その結果、変調器結晶体１２、発熱体２０、及び支持体２４は、本発明における同一の実施形態の図２Ａ及び図２Ｂに示された側面図から見られるように、サンドイッチ構造を形成する。
【００２１】
さて、図３Ａ〜図３Ｃを参照すると、本発明によるイメージアセンブリの第２の実施形態が示されている。図３Ａに分解して示されるように、熱遮断性部材６２が変調器結晶体の第１表面１１上に存在している。電子部品６０は、熱遮断性部材６２上に順次存在し、その熱遮断性部材６２は、変調器結晶体１２と発熱体６４から電子部品を熱的に遮断している。表面１１は、イメージアセンブリの動作中にレーザービームが打ち込まれる活性領域２６を含む。また、イメージアセンブリは、電子部品６０に熱的に接続される冷却支持体５８をも含むことができる。冷却支持体５８はアルミニウムからなることが望ましい。冷却支持体５８の電子部品６０への熱的接続は、冷却支持体５８を１つ以上の熱伝導性部材４０’に付着して接合することにより達成される。１つ以上の熱伝導性部材４０’は、例えば粘着性のリボンとすることができ、図３Ｂに示されるように、１つ以上の電子部品６０にも接触できる。粘着性のリボンはスリーエム(3Ｍ)（登録商標）から入手可能な接着材料よりなっていることが望ましい。イメージアセンブリはさらに発熱体６４を含んでおり、その発熱体６４は、結晶体１２の下に位置決めされる。発熱体６４は、結晶体１２の第１表面の活性領域２６が一様な温度をもつように、結晶体１２の第２表面１３のある部分に接触して覆う第１表面６５を有している。第１表面６５が結晶体１２の第２表面１３に面していて、充分に覆うようにすることが望ましい。第１表面６５は、結晶体１２の第２表面１３に付着する粘着性のリボン（図３Ａ〜図３Ｃには示されていない）のような熱伝導性の粘着部材を付着することができる。配線３２は発熱体を加熱するのに必要な電力を供給する電源（図示されていない）に接続される。電力は、電子部品の性能に影響する熱衝撃を避けるために最小にされる。結晶体の熱慣性が低いため、結晶体が比較的短時間で必要な範囲の温度に達することを可能にするのには、低電力の供給で充分である。望ましい温度範囲は、ＬｉＮｂＯ３結晶体に対しては、約８０℃から約１２０℃の間である。図３Ｃは図３Ｂの「Ａ」部分の拡大図である。図３Ｃに示されるように、ワイヤボンディング６８を、電子部品６０、熱遮断性部材６２、及び変調器結晶体１２を付着して締め付けために使用することができる。
【００２２】
さて、図４Ａを参照すると、本発明によるイメージアセンブリの第３の実施形態が示されている。図４Ａに分解して示されるように、発熱体は、結晶体１２の第２表面１３（図４Ａでは見えない）上に真空下で蒸着された抵抗性ニッケル−クロム被覆２８であって、この技術分野における熟練した当業者にはよく知られ、半導体業界で広く使用される技法が利用されている。第１表面１３は、図４Ａの実施形態の側面分解図を表した図４Ｂに示されている。図４Ａに示されるように、被覆２８を加熱するのに必要な電力は、熱伝導性材料からなるそれぞれのコンタクトストリップ(contact strip)３０の第１縁部に接触する配線３２’より供給される。熱伝導性材料は金であることが望ましい。それぞれのストリップ３０の第１縁部とは反対側の第２縁部は、被覆２８に接触する。図４Ｂは、本発明の他の実施形態の側面分解図である。図４Ｂに示されるように、結晶体１２は第１表面１１を有する。第１表面１１は、１つ以上の熱遮断性部材３４のそれぞれに接触する。図４Ｃは、図４Ａの実施形態の側面図を表し、図４Ｄについては、図４Ｃの「Ｂ」部分の拡大図を表す。図４Ｃ及び図４Ｄに示されるように、１つ以上の熱遮断性部材３４は、１つ以上の電子部品３６に接触する。電子部品３６は順次１つ以上の熱伝導性部材４０に接触する。１つ以上の熱伝導性部材４０は、例えばポリサイエンスＡ．Ｇ．(Polyscience Ａ.G.)から入手可能なＨ２０などの、熱伝導性接着剤のパッチとすることができる。１つ以上の熱伝導性部材４０は、冷却支持体３８上に存在している。図４Ｃ及び図４Ｄに示されるように、電子部品３６、熱遮断性部材３４、及び変調器結晶体１２を付着して一緒に締め付けるのに、ワイヤボンディング５０が使用できる。
【００２３】
結晶体は、望ましくは、まず所定の温度まで加熱され、次に動作中に所定の温度中で維持される。望ましくは、図２〜図４に示された実施形態のいずれかの温度制御は、図５に示されるようにして達成される。先に議論した実施形態のいずれかによるイメージアセンブリ７０は、第１表面１１を有する変調器結晶体１２を含む。検出器７２は、変調器結晶体の表面１１に接触し、これによって変調器結晶体の温度が測定される。配線７３は、検出器７２によって測定された温度を目標値と比較する温度制御回路７４などの電源に、検出器７２を接続する。配線３２は発熱体（図５には示されていない）に温度制御回路７４を接続する。温度制御回路７４は調整回路５６を有している。調整回路５６は、温度制御回路７４から配線３２に供給される電力を、変調器結晶体の所定の温度範囲に対応した範囲内に維持し、これによって、変調器結晶体の温度を所定の温度範囲内の温度に維持する。
【００２４】
この技術分野に属する当業者にとって、ここに説明された好適な実施の形態の様々な変化及び修正が明らかであるということが、理解されるべきである。そのような変化及び修正は、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、またそれに伴う利点を減少することなく、なされることが可能である。よって、それは、そのような変化及び修正が添付の特許請求の範囲に包含されることを意味している。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明によるアセンブリの第１の実施形態の分解図を示す。
【図２Ａ】図１のアセンブリ例の側面図を示す。
【図２Ｂ】図１のアセンブリ例の側面分解図を示す。
【図３Ａ】本発明によるアセンブリの第２の実施形態の分解図を示す。
【図３Ｂ】図３Ａのアセンブリ例の側面図を示す。
【図３Ｃ】図３Ｂの側面図の部分拡大図を示す。
【図４Ａ】本発明によるアセンブリの第３の実施形態の分解図を示す。
【図４Ｂ】図４Ａの側面分解図を示す。
【図４Ｃ】図４Ａのアセンブリ例の側面図を示す。
【図４Ｄ】図４Ｃの側面図の部分拡大図を示す。
【図５】変調器アセンブリにおける温度制御回路を示す。
【符号の説明】
【００２６】
１１  表面
１２  変調器結晶体
１４  電子部品
１６  ボードワイヤ
１８  ワイヤボンディング
２０  発熱体
２２  熱遮断性部材
２４  支持体
２６  活性領域
２８  被覆
３２  配線
３４  熱遮断性部材
３６  電子部品
３８  冷却支持体
４０  熱伝導性部材
５０  ワイヤボンディング
５６  調整回路
５８  冷却支持体
６０  電子部品
６２  熱遮断性部材
６４  発熱体
６８  ワイヤボンディング
７０  イメージアセンブリ
７２  検出器
７３  配線
７４  温度制御回路
【図１】
2005538411.tif 000003
2005538411.tif 000004
2005538411.tif 000005
2005538411.tif 000006
2005538411.tif 000007
2005538411.tif 000008
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、前記第１表面が活性領域を有するようにし、
（ｂ）前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、前記発熱体が前記変調器結晶体の下に位置決めされると共に第１表面を有するようにし、前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面に面するようにし、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面のある部分を覆っている
ことを特徴とするイメージアセンブリ。
【請求項２】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有し、前記第１表面が活性領域を有する変調器結晶体を提供する段階と、
（ｂ）第１表面を有する発熱体を提供し、前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面に面するようにし、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体の第１表面が前記変調器結晶体の第２表面のある部分を覆うようにする段階と、
（ｃ）前記発熱体によって前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱する段階と、
（ｄ）所定の温度範囲内で前記変調器結晶体の温度を維持する段階と、
を含むことを特徴とするイメージアセンブリにおける変調器結晶体の加熱方法。
【請求項３】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、前記第１表面が活性領域を有するようにし、
（ｂ）前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、前記発熱体が前記変調器結晶体の下に位置決めされると共にある表面を有するようにし、前記発熱体のある表面が前記変調器結晶体の第２表面に面するようにし、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体の表面が前記変調器結晶体の第２表面のある部分を覆うようにし、
（ｃ）前記変調器結晶体の第１表面上に存在している１つ以上の電子部品を含み、前記電子部品が変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断されるようにした
ことを特徴とするイメージアセンブリ。
【請求項４】
（ａ）第１表面と、第１表面とは実質的に反対側の第２表面とを有する変調器結晶体を含み、前記第１表面が活性領域を有するようにし、
（ｂ）前記変調器結晶体を所定の温度範囲内の温度まで加熱するための発熱体を含み、前記変調器結晶体の第１表面の前記活性領域が一様な温度分布をもつように前記発熱体が前記変調器結晶体の第２表面のある部分に接触して覆うようにし、
（ｃ）前記変調器結晶体の第１表面の下に位置決めされた１つ以上の電子部品を含み、前記電子部品が変調器結晶体と前記発熱体とから熱的に遮断されるようにした
ことを特徴とするイメージアセンブリ。
【国際調査報告】
2005538411.tif 000011
2005538411.tif 000012
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