(57)【要約】本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積し、更に、そのシード層を覆って導電層を堆積することにより特徴部を埋め込むことに関する。一実施形態において、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層で構成される。例えば、銅合金のシード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含んでもよい。別の実施形態では、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層と、この銅合金のシード層を覆って堆積された第２のシード層とで構成される。銅合金のシード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含んでもよい。第２のシード層は、非ドープの銅のような金属で構成される。更に別の実施形態では、シード層は、第１シード層と、第２シード層とを含む。第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属で構成されてもよい。第２シード層は、非ドープ銅のような金属で構成されてもよい。
2005528776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って（over）シード層を堆積するステップであって、該シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成される前記ステップと、
上記シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。
【請求項２】
バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップを備えた方法。
【請求項３】
バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って第２のシード層を堆積するステップと、
を備えた方法。
【請求項４】
上記銅合金シード層は、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記銅合金シード層は、濃度が約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの金属を含む、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項６】
上記銅合金シード層は、濃度が約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの金属を含む、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項７】
バリア層を覆ってシード層を堆積し、その後、該シード層を覆って導電性材料層を堆積する方法において、
上記バリア層を覆って第１シード層を堆積するステップであって、該第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成されたものであるステップと、
上記第１シード層を覆って第２シード層を堆積するステップと、
を備えた方法。
【請求項８】
上記第１シード層は、下位の単層（a sub-monolayer）から約５０Åの側壁カバレージまで堆積される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記第１シード層は、下位の単層から約４０Åの側壁カバレージまで堆積される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
上記銅の導電性材料層は、上記第２シード層を覆って堆積される、請求項３又は７に記載の方法。
【請求項１１】
約５０Å以下の側壁カバレージまでバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆ってシード層を堆積するステップであって、該シード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成された前記ステップと、
を備えた銅金属化のための基板構造体を準備する方法。
【請求項１２】
上記バリア層は、約２０Å以下の側壁カバレージまで堆積される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
上記バリア層は、約１０Å以下の側壁カバレージまで堆積される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
上記シード層は、上記銅及び金属の銅合金シード層で構成される、請求項１又は１１に記載の方法。
【請求項１５】
バリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約０．０１原子パーセントから５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。
【請求項１６】
上記バリア層は、原子層堆積、化学的気相堆積、物理的気相堆積、及びその組合せより成るグループから選択された技術によって堆積される、請求項１、１１又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅合金シード層を堆積するステップであって、該銅合金シード層は、銅と、濃度が約０．０１原子パーセントから５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された前記ステップと、
上記銅合金シード層を覆って第２シード層を堆積するステップと、
上記第２シード層を覆って銅の導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。
【請求項１８】
上記銅合金シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積、及びその組合せより成るグループから選択された技術によって堆積される、請求項２、３、１５又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆ってアルミニウムを含む第１シード層を下位の単層から約５０Åの側壁カバレージまで堆積するステップと、
上記第１シード層を覆って第２シード層を堆積するステップと、
上記第２シード層を覆って導電性材料層を堆積するステップと、
を備えた特徴部を埋め込む方法。
【請求項２０】
上記第１シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項７又は１９に記載の方法。
【請求項２１】
上記第２シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項３、７、１７又は１９に記載の方法。
【請求項２２】
上記銅の導電性材料層は、電気メッキ、無電解堆積、化学的気相堆積、物理的気相堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項１、１５、１７又は１９に記載の方法。
【請求項２３】
原子層堆積によりバリア層を堆積するステップと、
上記バリア層を覆って銅及びアルミニウムを含むシード層を堆積するステップと、
を備えた銅の電気メッキのための基板構造体を準備する方法。
【請求項２４】
上記シード層は、銅及びアルミニウムの銅合金シード層で構成され、該銅合金シード層に存在するアルミニウムは、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
上記シード層は、上記バリア層を覆って堆積された第１シード層と、該第１シード層を覆って堆積された第２シード層とで構成される、請求項１、１１又は２３に記載の方法。
【請求項２６】
上記第１シード層は、銅及びアルミニウムの銅合金シード層で構成され、該銅合金シード層に存在するアルミニウムは、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントであり、更に、上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
上記銅合金シード層は、約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
上記銅合金シード層は、約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
上記銅合金シード層は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３０】
上記銅合金シード層は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度でアルミニウムを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
上記第１シード層は、下位の単層から約５０Åの側壁カバレージまでアルミニウムを含み、更に、上記第２シード層は、非ドープの銅を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
上記バリア層は、チタン、窒化チタン、窒化チタンシリコン、タンタル、窒化タンタル、窒化タンタルシリコン、タングステン、窒化タングステン、窒化タングステンシリコン及びその組合せより成るグループから選択された材料で構成される、請求項１、１１、１５、１７、１９又は２３に記載の方法。
【請求項３３】
上記シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積及びその組合せより成るグループから選択された技術により堆積される、請求項１又は１１に記載の方法。
【請求項３４】
上記第１シード層は、銅及び金属の銅合金シード層で構成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項３５】
上記第１シード層は、金属で構成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項３６】
上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項３、７又は１７に記載の方法。
【請求項３７】
上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項３４に記載の方法。
【請求項３８】
上記第２シード層は、非ドープの銅で構成される、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
シード層を物理的気相堆積するためのターゲットにおいて、
銅と、
アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属と、
を含み、上記金属は、上記ターゲットに約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの濃度で存在するようにされたターゲット。
【請求項４０】
上記金属は、上記ターゲットに約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項３９に記載のターゲット。
【請求項４１】
上記金属は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項３９に記載のターゲット。
【請求項４２】
シード層を堆積するためのチャンバーにおいて、
銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成されたターゲットを備え、上記金属は、上記ターゲットに約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの濃度で存在するようにされたチャンバー。
【請求項４３】
上記金属は、上記ターゲットに約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項４２に記載のチャンバー。
【請求項４４】
上記金属は、約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの濃度で存在する、請求項４２に記載のチャンバー。
【請求項４５】
基板を処理するためのシステムにおいて、
銅合金シード層を堆積するための第１チャンバーを備え、上記銅合金シード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成され、上記金属は、上記銅合金に約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの濃度で存在するようにされたシステム。
【請求項４６】
バリア層を堆積するための第２チャンバーを更に備え、上記銅合金シード層は、該バリア層を覆って堆積される、請求項４５に記載のシステム。
【請求項４７】
上記第２チャンバーは、原子層堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、及び物理的気相堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項４６に記載のシステム。
【請求項４８】
上記第１チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第２チャンバーは、原子層堆積チャンバーである、請求項４６に記載のシステム。
【請求項４９】
上記第１チャンバー及び上記第２チャンバーに連通する移送チャンバーを更に備えた、請求項４６に記載のシステム。
【請求項５０】
上記チャンバーの少なくとも２つは、単一チャンバーである、請求項４６に記載のシステム。
【請求項５１】
基板を処理するためのシステムにおいて、
銅合金シード層を堆積するための第１チャンバーであって、上記銅合金シード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属とで構成されるものである第１チャンバーと、
上記銅合金シード層を覆って非ドープ銅のシード層を堆積するための第２チャンバーと、
を備えたシステム。
【請求項５２】
バリア層を堆積するための第３チャンバーを更に備え、上記銅合金シード層は、該バリア層を覆って堆積される請求項５１に記載のシステム。
【請求項５３】
基板を処理するためのシステムにおいて、
金属シード層を堆積するための第１チャンバーであって、上記金属シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成されるものである第１チャンバーと、
上記金属シード層を覆って非ドープ銅のシード層を堆積するための第２チャンバーと、
を備えたシステム。
【請求項５４】
バリア層を堆積するための第３チャンバーを更に備え、上記金属シード層は、該バリア層を覆って堆積される、請求項５３に記載のシステム。
【請求項５５】
上記第１チャンバーは、物理的気相堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、原子層堆積チャンバー、及び無電解堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項４５、５１又は５３に記載のシステム。
【請求項５６】
上記第２チャンバーは、物理的気相堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー、原子層堆積チャンバー、及び無電解堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項５１又は５３に記載のシステム。
【請求項５７】
上記第３チャンバーは、原子層堆積チャンバー、化学的気相堆積チャンバー及び物理的気相堆積チャンバーより成るグループから選択される、請求項５２又は５４に記載のシステム。
【請求項５８】
上記第１チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第２チャンバーは、物理的気相堆積チャンバーであり、上記第３チャンバーは、原子層堆積チャンバーである、請求項５２又は５４に記載のシステム。
【請求項５９】
上記第１チャンバー、上記第２チャンバー及び上記第３チャンバーと連通する移送チャンバーを更に備えた、請求項５２又は５４に記載のシステム。
【請求項６０】
上記チャンバーの少なくとも２つは、単一チャンバーである、請求項５２又は５４に記載のシステム。
【請求項６１】
上部に誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも１つのバリア層と、
上記少なくとも１つのバリア層を覆って形成された銅合金のシード層であって、該銅合金のシード層は、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属とで構成され、該金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択されたものである銅合金のシード層と、
上記銅合金のシード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。
【請求項６２】
上記銅合金のシード層は、濃度が約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの金属を含む、請求項６１に記載の構造体。
【請求項６３】
上記銅合金のシード層は、濃度が約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの金属を含む、請求項６１に記載の構造体。
【請求項６４】
上部に誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも１つのバリア層と、
上記少なくとも１つのバリア層を覆って形成された銅合金のシード層であって、該銅合金のシード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される銅合金のシード層と、
上記銅合金のシード層を覆って形成された第２シード層と、
上記第２シード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。
【請求項６５】
上記第２シード層は、非ドープ銅で構成される、請求項６４に記載の構造体。
【請求項６６】
上記銅合金のシード層は、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの金属を含む、請求項６４に記載の構造体。
【請求項６７】
上記銅合金のシード層は、濃度が約０．０１原子パーセントから約２．０原子パーセントの金属を含む、請求項６４に記載の構造体。
【請求項６８】
上記銅合金のシード層は、濃度が約０．１原子パーセントから約１．０原子パーセントの金属を含む、請求項６４に記載の構造体。
【請求項６９】
誘電体層が形成された基板であって、上記誘電体層には上記基板の上面へとアパーチャーが形成されている基板と、
上記誘電体層を覆って形成された少なくとも１つのバリア層と、
上記少なくとも１つのバリア層を覆って形成された第１シード層であって、該第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される第１シード層と、
上記第１シード層を覆って形成された第２シード層と、
上記第２シード層を覆って形成された銅の導電性材料層と、
を備えた構造体。
【請求項７０】
上記第２シード層は、非ドープ銅で構成される、請求項６９に記載の構造体。
【請求項７１】
上記第１シード層は、下位の単層から約５０Åの側壁カバレージを有する、請求項６９に記載の構造体。
【請求項７２】
上記第１シード層は、下位の単層から約４０Åの側壁カバレージを有する、請求項６９に記載の構造体。
【請求項７３】
上記バリア層は、チタン、窒化チタン、窒化チタンシリコン、タンタル、窒化タンタル、窒化タンタルシリコン、タングステン、窒化タングステン、窒化タングステンシリコン及びその組合せより成るグループから選択された材料で構成される、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。
【請求項７４】
上記バリア層は、約５０Å以下の側壁カバレージを有する、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。
【請求項７５】
上記バリア層は、約２０Å以下の側壁カバレージを有する、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。
【請求項７６】
上記バリア層は、約１０Å以下の側壁カバレージを有する、請求項６１、６４又は６９に記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【発明の内容】
【０００１】
技術分野
本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積する装置及び方法に関する。より詳細には、本発明は、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆って銅及び別の金属を含むシード層を堆積する装置及び方法に関する。
【０００２】
背景技術
サブミクロン以下の特徴部を高い信頼性で製造することは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）及び極超大規模集積（ＵＬＳＩ）のための重要な技術の１つである。しかしながら、回路技術のフリンジがプレスされるときには、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ技術における相互接続部の寸法収縮により処理能力に付加的な要求が課せられる。この技術の中心に位置する多レベルの相互接続部は、ビア及び他の相互接続部のようなアスペクト比の高い特徴部の高精度処理を必要とする。これらの相互接続部を高い信頼性で製造することは、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩの成功にとって非常に重要であると共に、個々の基板の回路密度及び品質を高める努力を続けるためにも非常に重要である。
【０００３】
回路密度が高まるにつれて、ビア、コンタクト及び他の特徴部、並びにそれらの間の誘電体材料の巾がサブミクロン寸法（例えば、０．２０マイクロメーター未満）へと減少するが、誘電体層の厚みは実質的に一定のままであり、その結果、特徴部のアスペクト比、即ち高さを巾で除算したものが高くなる。多くの慣習的な堆積プロセスでは、アスペクト比が４：１を越える場合、特に、アスペクト比が１０：１を越える場合には、サブミクロン特徴部を埋め込むことが困難である。それ故、アスペクト比の高いサブミクロン特徴部は実質的に空所がなく且つ継ぎ目がないものを形成するように多大な努力が払われ続けている。
【０００４】
現在、銅及びその合金が、サブミクロン相互接続技術に対して選択された金属となっている。というのは、銅はアルミニウムより抵抗率が低く（アルミニウムが３．１μΩ−ｃｍであるのに対して１．７μΩ−ｃｍ）、且つ通電容量が高いと共に、電子移動抵抗が著しく高いからである。これらの特性は、高い集積レベル及び高いデバイス速度において経験する高い電流密度をサポートするために重要である。更に、銅は、熱伝導率が良く、高純度の状態で入手できる。
【０００５】
銅の金属化は、種々の技術により行うことができる。典型的な方法は、一般的に、特徴部を覆ってバリア層を物理的に気相堆積し、そのバリア層を覆って銅のシード層を物理的に気相堆積し、次いで、その銅のシード層を覆って銅の導電性材料層を電気メッキして特徴部を埋め込むことを含む。最終的に、気相堆積された層と誘電体層が、例えば、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により平坦化され、導電性相互接続特徴部が画成される。
【０００６】
しかしながら、銅の使用に伴う１つの問題は、銅がシリコンや二酸化シリコンや他の誘電体材料へ拡散してデバイスの完全性を危うくすることである。それ故、銅の拡散を防止するために適合バリア層が益々重要になってきている。窒化タンタルは、銅がその下の層へ拡散するのを防止するためのバリア材料として使用されている。しかしながら、窒化タンタル及び他のバリア層の公知使用に伴う１つの問題は、これらバリア層が、銅を堆積するには濡れ性に乏しい物質であり、多数の問題を引き起こすことである。例えば、これらバリア層を覆って銅のシード層を堆積する間に、銅のシード層が凝集して不連続となり、銅のシード層上への銅の導電性材料層の均一堆積（即ち銅層の電気メッキ）を妨げることになる。別の例では、これらバリア層を覆って銅の層が堆積された基板構造体をその後に高温度で処理したときに、水分が抜けて銅層に空所が形成される。更に別の例では、形成されたデバイスの使用中にデバイスの熱ストレスにより銅層に空所が生じ、デバイスの故障を招く。従って、改良された相互接続構造体、及び相互接続構造体を堆積する方法が要望される。
【０００７】
発明の開示
本発明は、一般に、バリア層を堆積し、そのバリア層を覆ってシード層を堆積し、更に、そのシード層を覆って導電層を堆積することにより特徴部を埋め込むことに関する。一実施形態において、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層で構成される。例えば、銅合金のシード層は、銅と、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含む。別の実施形態では、シード層は、バリア層を覆って堆積された銅合金のシード層と、この銅合金のシード層を覆って堆積された第２のシード層とで構成される。銅合金のシード層は、銅の他に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属とを含む。第２のシード層は、非ドープの銅のような金属で構成される。更に別の実施形態では、シード層は、第１シード層と、第２シード層とを含む。第１シード層は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組み合せのような金属で構成される。第２シード層は、非ドープ銅のような金属で構成される。
【０００８】
上記で簡単に述べた本発明の特徴、効果及び目的をいかに達成するかを詳細に理解できるようにするため、添付図面に示した本発明の実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。
【０００９】
しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を例示するに過ぎず、本発明の範囲を何ら限定するものではなく、本発明は、それ以外にも等しく有効に実施できることに注意されたい。
【００１０】
好ましい実施形態の詳細な説明
バリア層を堆積するためのプロセスチャンバー
図１は、本発明の態様に基づき原子層堆積によって１つ以上のバリア層を形成するのに使用される処理システム１０の一実施形態を示す概略断面図である。もちろん、他の処理システムも使用できる。
【００１１】
処理システム１０は、一般に、プロセスチャンバー１００と、ガスパネル１３０と、制御ユニット１１０と、電源１０６と、真空ポンプ１０２とを備えている。プロセスチャンバー１００は、一般に、支持ペデスタル１５０を収容し、これは、半導体ウェア１９０のような基板をプロセスチャンバー１００内に支持するのに使用される。
【００１２】
チャンバー１００において、支持ペデスタル１５０は、埋設された加熱素子１７０により加熱される。例えば、ペデスタル１５０は、ＡＣ電源から加熱素子１７０へ電流を通流することにより抵抗加熱される。次いで、ウェハ１９０がペデスタル１５０により加熱され、希望の処理温度範囲、例えば、特定のプロセスに基づき約２０℃から約１０００℃の範囲に維持される。
【００１３】
ペデスタルの温度を監視するために、熱電対のような温度センサ１７２がウェハ支持ペデスタル１５０に埋め込まれる。例えば、測定された温度は、フィードバックループに使用され、電源１０６から加熱素子１７０へ供給される電流を制御して、ウェハの温度を希望の温度又はあるプロセス用途に適した希望の温度範囲内に維持し又は制御することができる。ペデスタル１５０は、放射熱（図示せず）又は他の加熱方法を使用して加熱されてもよい。
【００１４】
真空ポンプ１０２は、プロセスチャンバー１００からプロセスガスを排気するのに使用されると共に、チャンバー１００内に希望の圧力又は圧力範囲内の希望の圧力を維持する助けをするのに使用される。チャンバー１００の壁を貫通するオリフィス１２０は、プロセスチャンバー１００へプロセスガスを導入するのに使用される。オリフィス１２０のサイズは、従来、プロセスチャンバー１００のサイズに依存する。
【００１５】
オリフィス１２０は、その一部がバルブ１２５によりガスパネル１３０へ結合される。ガスパネル１３０は、２つ以上のガス源１３５、１３６から合成プロセスガスを受け取ってオリフィス１２０及びバルブ１２５を経てプロセスチャンバー１００へ供給するように構成される。ガス源１３５、１３６は、液相の先駆物質を室温で保管してもよく、それらは、後でガスパネル１３０内において加熱されて、蒸気相に変換され、チャンバー１００へ導入される。又、ガス源１３５、１３６は、キャリアガスの使用により先駆物質を供給するようにされてもよい。ガスパネル１３０は、更に、パージガス源１３８からパージガスを受け取ってオリフィス１２０及びバルブ１２５を経てプロセスチャンバー１００へ供給するようにも構成されてもよい。シャワーヘッド１６０がオリフィス１２０に結合されてもよく、プロセスガス、パージガス又は他のガスを支持ペデスタル１５０上のウェハ１９０に向けて配送する。
【００１６】
シャワーヘッド１６０及び支持ペデスタル１５０は、離間された電極として機能してもよく、プラズマを点火するための電界を発生する。ＲＦ電源１６２がシャワーヘッド１６０に結合されるか、ＲＦ電源１６３が支持ペデスタル１５０に結合されるか、或いはＲＦ電源１６２、１６３が各々シャワーヘッド１６０及び支持ペデスタル１５０に結合される。ＲＦ電源１６２、１６３にはマッチングネットワーク１６４が結合され、このネットワークは、ＲＦ電源１６２、１６３に供給される電力を制御するために制御ユニット１１０に結合されてもよい。
【００１７】
プログラムされたパーソナルコンピュータやワークステーションコンピュータ等の制御ユニット１１０は、ウェハ処理シーケンスの異なる段階中にガスパネル１３０及びバルブ１２５を通る種々のプロセスガスの流れを制御するように構成することもできる。説明上、制御ユニット１１０は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１１２と、サポート回路１１４と、関連制御ソフトウェア１１３を含むメモリ１１６とを備えている。ガスパネル１３０を通るプロセスガスの制御に加えて、制御ユニット１１０は、ウェハ処理に使用される他の活動、とりわけ、ウェハの搬送や温度制御やチャンバー排気を自動的に制御する役割も果たすように構成され、その幾つかは本明細書で別途に説明する。
【００１８】
制御ユニット１１０は、種々のチャンバーを制御するための工業用設定に使用できる任意の形式の汎用コンピュータプロセッサ及び下位のプロセッサの１つでよい。ＣＰＵ１１２は、ランダムアクセスメモリやリードオンリメモリやフロッピーディスクドライブやハードディスクや、他の形式のローカル又はリモートのデジタル記憶装置のような適当なメモリ１１６を使用してもよい。種々のサポート回路は、システム１０をサポートするためにＣＰＵ１１２に結合されてもよい。ソフトウェアルーチン１１３は、必要に応じて、メモリ１１６に記憶されるか、又はリモート配置の第２のコンピュータプロセッサ（図示せず）により実行される。制御ユニット１１０とウェハ処理システム１０の他の種々の要素との間の双方向通信は、信号バス１１８として集合的に示された多数の信号ケーブルを経て取り扱われ、図１には幾つかのケーブルしか示されていない。
【００１９】
バリア層の形成
図１に例示されたチャンバーは、次のプロセスを実施するのに使用可能である。もちろん、他のプロセスチャンバーも使用できる。図２Ａ−図２Ｂは、本発明の１つ以上の態様に基づく相互接続構造体を製造するためのバリア層形成の一実施形態を示す。
【００２０】
図２Ａは、誘電体層２０２が堆積された基板２００の一実施形態を示す概略断面図である。処理段階に基づき、基板２００は、シリコン半導体ウェハであるか、又はウェハ上に形成された他の材料層でもよい。誘電体層２０２は、基板２００の露出面部分２０２Ｔへと延びるコンタクトホール又はビア２０２Ｈを形成するように成形及びパターン化された酸化物、酸化シリコン、炭素−シリコン−酸化物、フルオロ−シリコン、多孔性誘電体又は他の適当な誘電体でもよい。明瞭化のために、基板２００は、膜処理が実行される任意のワークピースを指し、そして基板構造体２５０は、基板２００と、この基板２００に形成された他の材料層、例えば、誘電体層２０２とを示すために使用される。又、当業者であれば、本発明がデュアルダマシンプロセス流にも使用できることが理解されよう。
【００２１】
図２Ｂは、原子層堆積（ＡＬＤ）により図２Ａの基板構造体２５０を覆って形成されたバリア層２０４の一実施形態を示す概略断面図である。バリア層は、窒化タンタル層で構成されるのが好ましい。使用することのできる他のバリア層材料は、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化チタンシリコン（ＴｉＳｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタルシリコン（ＴａＳｉＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タングステンシリコン（ＷＳｉＮ）、及びその組合せを含む。
【００２２】
明瞭化のため、窒化タンタルバリア層で構成されたバリア層の一実施形態を参照して、バリア層の堆積を詳細に説明する。１つの態様において、窒化タンタルバリア層の原子層堆積は、図１のプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバーへタンタル含有化合物及び窒素含有化合物を順次供給することを含む。タンタル含有化合物及び窒素含有化合物を順次供給すると、基板構造体２５０上にタンタル含有化合物の単層及び窒素含有化合物の単層が交互に化学吸着される可能性がある。
【００２３】
図３Ａ−図３Ｃは、集積回路製造のある段階、特に、バリア層形成段階において基板３００の例示部分にタンタル含有化合物及び窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す。図３Ａにおいて、タンタル含有化合物３０５のパルスを図１に示すプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバーに導入することによりタンタル含有化合物の単層が基板３００に化学吸着される。タンタル含有化合物３０５の単層を吸着するのに使用される化学吸着プロセスは、基板の表面にはタンタル含有化合物を化学吸着する場所が一定数しかないので所与のパルス中に基板３００の表面には１つの単層しか化学吸着されないという点で自己制限的であると考えられる。一定数の場所がタンタル含有化合物３０５によって占有されると、タンタル含有化合物のそれ以上の化学吸着は阻止される。
【００２４】
タンタル含有化合物３０５は、通常、タンタル原子３１０を１つ以上の反応種３１５と共に含む。一実施形態では、タンタル含有化合物は、タンタル系有機金属先駆物質又はその派生物である。有機金属先駆物質は、ペンタジメチルアミノタンタル（ＰＤＭＡＴ：Ｔａ（ＮＭｅ２）５）であるのが好ましい。ＰＤＭＡＴは、多数の理由で効果的に使用できる。ＰＤＭＡＴは、比較的安定している。ＰＤＭＡＴは、充分な蒸気圧を有し、供給を容易にする。特に、ＰＤＭＡＴは、低いハロゲン化物含有量で製造できる。ＰＤＭＡＴは、そのハロゲン化物含有量が１００ｐｐｍ未満で製造でき、又、ハロゲン化物含有量が３０ｐｐｍ未満又は５ｐｐｍ未満でも製造できる。理論で束縛されることを望まないが、バリア層に組み込まれるハロゲン化物（塩素のような）が、それを覆って堆積された銅の層を侵食するために、ハロゲン化物含有量の低い有機金属先駆物質が有益であると考えられる。
【００２５】
タンタル含有化合物は、他の有機金属先駆物質又はその派生物でもよく、例えば、ペンタエチルメチルアミノ−タンタル（ＰＥＭＡＴ：Ｔａ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５ＣＨ３）２］５）、ペンダジエチルアミノ−タンタル（ＰＤＥＡＴ：Ｔａ（ＮＥｔ２）５）、並びにＰＥＭＡＴ、ＰＤＥＡＴ又はＰＤＭＡＴのいずれか及び全ての派生物でもよいが、これらに限定されない。他のタンタル含有化合物は、ＴＢＴＤＥＴ（Ｔａ（ＮＥｔ２）３ＮＣ４Ｈ９又はＣ１６Ｈ３９Ｎ４Ｔａ）及びハロゲン化タンタル、例えば、Ｘをフッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、又は塩素（Ｃｌ）、及びその派生物とすればＴａＸ５を含むが、これに限定されない。
【００２６】
タンタル含有化合物は、ガスとして供給されてもよいし、又はキャリアガスの助けで供給されてもよい。使用することのできるキャリアガスは、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）を含むが、これらに限定されない。
【００２７】
タンタル含有化合物の単層が基板３００に化学吸着された後に、パージガスのパルスを導入することにより余計なタンタル含有化合物がプロセスチャンバーから除去される。使用することのできるパージガスは、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）及び他のガスを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００２８】
図３Ｂを参照すれば、プロセスチャンバーがパージされた後に、窒素含有化合物３２５のパルスがプロセスチャンバーに導入される。窒素含有化合物３２５は、単独で供給されてもよいし、又はキャリアガスの助けで供給されてもよい。窒素含有化合物３２５は、窒素原子３３０を１つ以上の反応種３３５と共に含む。窒素含有化合物は、アンモニアガス（ＮＨ３）で構成されるのが好ましい。使用することのできる他の窒素含有化合物は、ｘ及びｙを整数とすれば、ＮｘＨｙ（例えば、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４））、ジメチルヒドラジン（（ＣＨ３）２Ｎ２Ｈ２）、ｔ−ブチルヒドラジン（Ｃ４Ｈ９Ｎ２Ｈ３）、フェニルヒドラジン（Ｃ６Ｈ５Ｎ２Ｈ３）、他のヒドラジン派生物、窒素プラズマソース（例えば、Ｎ２、Ｎ２／Ｈ２、ＮＨ３又はＮ２Ｈ４プラズマ）、２，２’アゾイソブタン（（ＣＨ３）６Ｃ２Ｎ２）、エチルアジド（Ｃ２Ｈ５Ｎ３）、及び他の適当なガスを含んでもよいが、これらに限定されない。必要に応じて、キャリアガスを使用して、窒素含有化合物を配送してもよい。
【００２９】
窒素含有化合物３２５の単層が、タンタル含有化合物３０５の単層に化学吸着されてもよい。原子層堆積（ＡＬＤ）中の表面における先駆物質の組成及び構造は、正確には分からない。理論で束縛されることは望まないが、窒素含有化合物３２５の化学吸着された単層が、タンタル含有化合物３０５の単層と反応して、窒化タンタル層３０９を生成すると考えられる。反応種３１５、３３５は、副産物３４０を生成し、これは、基板面から真空システムにより搬送される。窒素含有化合物３２５とタンタル含有化合物３０５との反応は、タンタル含有化合物３０５の１つの単層しか基板面に化学吸着されないので、自己制限されると考えられる。別の理論では、先駆物質は、基板の表面上にあるときに中間状態となる。更に、堆積された窒化タンタル層は、タンタル（Ｔａ）又は窒素（Ｎ）の単純な元素以上のものも含んでもよく、むしろ、窒化タンタル層は、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、及び／又は酸素（Ｏ）を有する更に複雑な分子も含んでもよい。
【００３０】
窒素含有化合物３２５の単層がタンタル含有化合物の単層に化学吸着された後に、パージガスの別のパルスを導入することにより余計な窒素含有化合物がプロセスチャンバーから除去される。その後、図３Ｃに示すように、タンタル含有化合物及び窒素含有化合物の単層の交互の化学吸着の窒化タンタル層堆積を、希望の窒化タンタル厚みに達するまで、必要に応じて繰り返すことができる。
【００３１】
図３Ａ−図３Ｃでは、窒化タンタル層の生成は、基板上にタンタル含有化合物の単層を化学吸着させることから始め、その後、窒素含有化合物の単層を化学吸着させるとして説明した。或いは又、窒化タンタル層の生成は、基板に窒素含有化合物の単層を化学吸着させることから始め、その後、タンタル含有化合物の単層を化学吸着させるようにしてもよい。更に、別の実施形態では、反応ガスのパルスとパルスとの間にポンプ排気だけを使用して反応ガスの混合を防止することもできる。
【００３２】
タンタル含有化合物、窒素含有化合物及びパージガスの各パルスに対する時間巾は、可変であり、使用する堆積チャンバー及びそれに結合された真空システムの容積容量に依存する。例えば、（１）ガスのチャンバー圧力が低いと、長いパルス時間を必要とし、（２）ガス流量が低いと、チャンバー圧力を上昇して安定化するのに長い時間を要し、従って、長いパルス時間が必要となり、（３）大容積のチャンバーは、充填するに長時間を要し、チャンバー圧力を安定化するのに長時間がかかり、従って、長いパルス時間を必要とする。同様に、各パルスとパルスとの間の時間も可変であり、プロセスチャンバー及びそれに結合された真空システムの容積容量に依存する。一般に、タンタル含有化合物又は窒素含有化合物のパルスの時間巾は、化合物の単層の化学吸着に充分な長さでなければならない。一般に、パージガスのパルス時間は、プロセスチャンバーに残留する反応副産物及び／又は残留材料を除去するに充分な長さでなければならない。
【００３３】
一般に、基板上に交互の単層を化学吸着するのに、タンタル含有化合物に対して約１．０秒以下のパルス時間、及び窒素含有化合物に対して約１．０秒以下のパルス時間で通常充分である。プロセスチャンバーに残留する反応副産物及び／又は残留材料を除去するのに、パージガスに対して約１．０秒以下のパルス時間で通常充分である。もちろん、タンタル含有化合物及び窒素含有化合物の化学吸着を確保すると共に、反応副産物の除去を確保するのに、長いパルス時間を使用してもよい。
【００３４】
原子層堆積中に、基板は、選択されたタンタル含有化合物の熱分解温度以下にほぼ維持される。ここに示すタンタル含有化合物に使用されるヒータ温度範囲は、例えば、チャンバー圧力が約１００ｔｏｒｒ未満で、好ましくは、５０ｔｏｒｒ未満であるときに、約２０℃から約５００℃である。タンタル含有ガスがＰＤＭＡＴであるときには、ヒータ温度は、好ましくは、約１００℃から約３００℃であり、更に好ましくは、約１７５℃から約２５０℃である。別の実施形態では、他の温度も使用できることが理解されよう。例えば、熱分解温度より高い温度を使用することができる。しかしながら、温度は、堆積活動の５０％以上が化学吸着プロセスであるように選択されねばならない。別の例では、熱分解温度より高い温度は、各先駆物質堆積中の分解量を制限して、成長モードが原子層堆積の成長モードと同様になるように使用されてもよい。
【００３５】
図１のプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバーにおいて原子層堆積により窒化タンタル層を堆積する１つの例示的プロセスは、先ず、ペンタジメチルアミノ−タンタル（ＰＤＭＡＴ）を、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量、好ましくは、約２００ｓｃｃｍから５００ｓｃｃｍの流量で、約１．０秒以下の時間中供給し、次いで、アンモニアを、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量、好ましくは、約２００ｓｃｃｍから５００ｓｃｃｍの流量で、約１．０秒以下の時間中供給し、更に、パージガスを、約１００ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量、好ましくは、約２００ｓｃｃｍから５００ｓｃｃｍの流量で、約１．０秒以下の時間中供給することを含む。ヒータ温度は、約１．０から約５．０ｔｏｒｒのチャンバー圧力において約１００℃から約３００℃に維持されるのが好ましい。このプロセスは、サイクル当たり約０．５Åから約１．０Åの厚みで窒化チタン層を生成する。希望の厚みが得られるまで交互のシーケンスが繰り返されてもよい。
【００３６】
一実施形態では、窒化タンタルバリア層のようなバリア層が約５０Å未満の側壁カバレージに堆積される。別の実施形態では、バリア層が約２０Å未満の側壁カバレージに堆積される。更に別の実施形態では、バリア層が約１０Å未満の側壁カバレージに堆積される。銅の拡散を防止するには、厚みが約１０Å未満のバリア層で充分であると考えられる。１つの態様では、アスペクト比の高いサブミクロン以下の特徴部を埋め込むのに薄いバリア層が効果的に使用されてもよい。もちろん、側壁カバレージが５０Åより大きいバリア層を使用してもよい。
【００３７】
バリア層は、更に、プラズマアニールされてもよい。一実施形態では、バリア層は、アルゴンプラズマ又はアルゴン／水素プラズマでプラズマアニールされてもよい。ＲＦ電極に供給されるＲＦ電力は、約１００Ｗから約２０００Ｗであり、好ましくは、２００ｍｍ直径の基板の場合に約５００Ｗから約１０００Ｗであり、更に、好ましくは、３００ｍｍ直径の基板の場合に約１０００Ｗから約２０００Ｗでよいが。チャンバーの圧力は、１００ｔｏｒｒ未満でよいが、好ましくは、０．１ｔｏｒｒから約５ｔｏｒｒであり、更に好ましくは、約１ｔｏｒｒから３ｔｏｒｒである。ヒータ温度は、約２０℃から約５００℃でもよい。プラズマアニールは、１サイクルの後、複数のサイクルの後、又はバリア層生成の後に実行される。
【００３８】
バリア層の原子層堆積の実施形態は、基板上に反応物質の単層を化学吸着させるものとして以上に述べた。本発明は、反応物質が単層以上のもの又はそれ以下のものに堆積される実施形態も包含する。又、本発明は、反応物質が自己制限的に堆積されない実施形態も包含する。又、本発明は、反応物質が逐次に又は同時に供給される化学気相堆積プロセスにおいてバリア層２０４が主として堆積されるような実施形態も包含する。又、本発明は、ターゲットが堆積されるべき材料で構成される（即ち窒化タンタルを堆積するための窒素雰囲気中におけるタンタルターゲット）物理的気相堆積プロセスにおいてバリア層２０４が堆積されるような実施形態も包含する。
【００３９】
シード層を堆積するためのプロセスチャンバー
一実施形態において、シード層は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、無電解堆積のような適当な技術又はこれら技術の組み合せにより堆積される。シード層を堆積するのに適した物理的気相堆積技術は、高密度プラズマ物理的気相堆積（ＨＤＰ  ＰＶＤ）或いはコリメート式又は長射程(long throw)スパッタリングのような技術を含む。ＨＤＰ  ＰＶＤの一形式は、自己イオン化プラズマ物理的気相堆積である。シード層を自己イオン化プラズマ物理的気相堆積することのできるチャンバーは、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社から入手できるＳＩＰＴＭチャンバーである。自己イオン化物理的気相堆積することのできるチャンバーの実施例は、本発明と矛盾しない程度に参考としてここに援用する「Rotating Sputter Magnetron Assembly」と題する米国特許第６，１８３，６１４号に開示されている。
【００４０】
図４は、シード層の堆積に使用される物理的気相堆積を行うことのできる処理システム４１０の一実施形態を示す概略断面図である。もちろん、他の処理システム及び他の形式の物理的気相堆積も使用できる。
【００４１】
処理システム４１０は、真空チャンバー４１２を含み、これは、ヒータペデスタル４１８に保持されたウェハ４１６に堆積されるスパッタリング材料で構成されたＰＶＤターゲット４１４に対して密封されている。チャンバー内に保持されたシールド４２０は、チャンバー４１２の壁をスパッタ材料から保護すると共に、アノード接地平面を形成する。選択可能なＤＣ電源４２２がターゲット４１４をシールド４２０に対して負にバイアスする。
【００４２】
ガス源４２４は、スパッタ作用ガス、通常、化学的に不活性なガスであるアルゴンを、質量流量コントローラ４２６を経てチャンバー４１２へ供給する。真空システム４２８は、チャンバーを低圧力に維持する。コンピュータベースのコントローラ４３０は、ＤＣ電源４２２及び質量流量コントローラ４２６を含む反応炉を制御する。
【００４３】
アルゴンがチャンバーに導入されると、ターゲット４１４とシールド４２０との間のＤＣ電圧によりアルゴンがプラズマへと点火され、正に荷電されたアルゴンイオンが、負に荷電されたターゲット４１４へ引き付けられる。これらイオンは、相当のエネルギーでターゲット４１４に当たり、ターゲットの原子又は原子クラスターをターゲット４１４からスパッタリングさせる。ターゲット粒子のあるものがウェハ４１６に当たってそこに堆積され、ターゲット材料の膜を形成する。
【００４４】
効率的なスパッタリングを行うために、ターゲット４１４の後部にマグネトロン４３２が配置されている。これは、逆極性の磁石４３４、４３６を有し、チャンバー内でこれら磁石４３４、４３６の近傍に磁界が形成される。この磁界は、電子を捕獲し、電荷中性化のために、イオン密度も高まって、チャンバー内でマグネトロン４３２の付近に高密度プラズマ領域４３８を形成する。マグネトロン４３２は、通常、ターゲット４１４の中心にある回転軸４５８の周りで回転し、ターゲット４１４のスパッタリングにおける全カバレージを達成する。
【００４５】
ペデスタル４１８は、ＤＣ自己バイアスを発生し、これは、イオン化スパッタ粒子を、プラズマから、ウェハ４１６の付近のプラズマシースを横切って引き付ける。その結果は、ペデスタル電極４１８の付加的なＤＣ又はＲＦバイアスで強調され、プラズマシースを横切ってウェハ４１６に向って抽出されるイオン化粒子を更に加速させ、スパッタ堆積の方向性を制御することができる。
【００４６】
シード層の形成
図４に例示したチャンバーを使用して、次のプロセスが実施される。もちろん、他のプロセスチャンバーが使用されてもよい。図５Ａ−図５Ｃは、バリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態を示す概略断面図である。
【００４７】
図５Ａに示す一実施形態は、図２Ｂのバリア層２０４を覆って銅合金のシード層５０２を堆積し、この銅合金のシード層５０２を覆って銅の導電性材料層５０６を堆積して、特徴部を埋め込むことを含む。ここで使用する「銅の導電性材料層」という語は、銅又は銅合金で構成された層として定義される。銅合金のシード層５０２は、その上にその後に材料を堆積する上で助けとなる銅金属合金で構成される。銅合金のシード層５０２は、銅及び第２の金属、例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、他の金属及びその組合せで構成される。第２の金属は、好ましくは、アルミニウム、マグネシウム、チタン及びその組合せで構成され、更に好ましくは、アルミニウムで構成される。ある実施形態では、銅合金のシード層は、その第２金属の濃度の下限が、約０．００１原子パーセント、約０．０１原子パーセント、又は約０．１原子パーセントであり、その上限が、約５．０原子パーセント、約２．０原子パーセント又は約１．０原子パーセントである。いずれの下限からいずれの上限までの範囲内の第２金属の濃度も、本発明の範囲内である。銅合金シード層５０２における第２金属の濃度は、その銅合金シード層５０２の抵抗を下げるためには約５．０原子パーセント未満であるのが好ましい。ここで使用する「層」という語は、１枚以上の層として定義される。例えば、銅合金シード層５０２が、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの範囲の第２金属とで構成される場合に、この銅合金シード層５０２は、層の合計組成が、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの第２金属とを含む複数の層で構成されてもよい。説明上、層の合計組成が、銅と、濃度が約０．００１原子パーセントから約５．０原子パーセントの第２金属とを含む複数の層で構成される銅合金シード層５０２は、例えば、その第２金属で構成された第１シード層及び銅で構成された第２シード層を備えてもよいし、銅／第２金属合金で構成された第１シード層及び銅／第２金属合金で構成された第２シード層を備えてもよいし、或いは銅／第２金属合金で構成された第１シード層及び銅等で構成された第２シード層を備えてもよい。
【００４８】
銅合金シード層５０２は、特徴部の側壁の少なくとも約５Åカバレージの厚みに堆積されるか、又は特徴部の側壁の少なくとも連続的なカバレージの厚みに堆積される。一実施形態では、銅合金シード層５０２は、フィールドエリアにおいて、約１０Åから約２０００Åの厚みに堆積され、物理的気相堆積により堆積される銅合金シード層５０２で、約５００Åから約１０００Åに堆積されるのが好ましい。
【００４９】
図５Ｂに示す別の実施形態は、図２Ｂのバリア層２０４を覆って銅合金のシード層５１２を堆積し、この銅合金のシード層５１２を覆って第２のシード層５１４を堆積し、更に、この第２のシード層５１４を覆って銅の導電性材料層５１６を堆積して、特徴部を埋め込むことを含む。銅合金のシード層５１２は、銅及び第２の金属、例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、他の金属及びその組合せで構成される。第２の金属は、好ましくは、アルミニウム、マグネシウム、チタン及びその組合せで構成され、更に好ましくは、アルミニウムで構成される。ある実施形態では、銅合金のシード層は、その第２金属の濃度の下限が、約０．００１原子パーセント、約０．０１原子パーセント、又は約０．１原子パーセントであり、その上限が、約５．０原子パーセント、約２．０原子パーセント又は約１．０原子パーセントである。いずれの下限からいずれの上限までの範囲内の第２金属の濃度も、本発明の範囲内である。一実施形態では、第２シード層５１４は、非ドープの銅（即ち純粋な銅）で構成される。１つの態様において、非ドープの銅で構成された第２シード層５１４が使用されるのは、その電気抵抗率が同じ厚みの銅合金シード層５１２より低く且つ表面酸化に対する抵抗が高いためである。
【００５０】
銅合金シード層５１２は、特徴部の側壁を覆って単層未満の厚み（即ち下位の単層厚み又は不連続層）に堆積されてもよい。一実施形態では、フィールドエリアにおける銅合金シード層５１２及び第２シード層５１４の合成厚みは、約１０Åから約２０００Åであり、物理的気相堆積により堆積される銅合金シード層５１２及び第２シード層５１４については、約５００Åから約１０００Åであるのが好ましい。
【００５１】
図５Ｃに示す更に別の実施形態は、図２Ｂのバリア層２０４を覆って第１シード層５２３を堆積し、この第１シード層５２３を覆って第２シード層５２４を堆積し、更に、この第２シード層５２４を覆って銅の導電性材料層５２６を堆積して、特徴部を埋め込むことを含む。第１シード層５２３は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される。この第１シード層５２３は、アルミニウムで構成されるのが好ましい。一実施形態では、第２シード層５１４は、非ドープの銅（即ち純粋な銅）で構成される。
【００５２】
第１シード層５２３は、特徴部の側壁を覆って単層未満の厚み（即ち下位の単層厚み又は不連続層）に堆積されてもよい。一実施形態では、第１シード層は、合成シード層の合計抵抗を下げるために、約５０Å側壁カバレージ未満、好ましくは、約４０Å側壁カバレージ未満の厚みに堆積される。フィールドエリアにおける第１シード層５２３及び第２シード層５２４の合成厚みは、約１０Åから約２０００Åであり、物理的気相堆積により堆積される第１シード層５２３及び第２シード層５２４については、約５００Åから約１０００Åであるのが好ましい。
【００５３】
銅合金シード層５０２、５１２、第１シード層５２３又は第２シード層５１４、５２４は、物理的気相堆積、化学的気相堆積、原子層堆積、無電解堆積を含む技術又はこれら技術の組み合せによって堆積することができる。一般に、シード層が、物理的気相堆積技術を使用して堆積される場合には、図４に示すチャンバー４１２のようなチャンバーは、堆積されるよう意図された金属又は金属合金と同様の組成を有するターゲット４１４のようなターゲットを備えている。例えば、銅合金シード層５０２、５１２を堆積するためには、ターゲットは、銅、及び第２の金属、例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、他の金属及びその組合せで構成されてもよい。第２の金属は、アルミニウムで構成されるのが好ましい。ある実施形態では、ターゲットは、その第２金属の濃度の下限が、約０．００１原子パーセント、約０．０１原子パーセント、又は約０．１原子パーセントであり、その上限が、約５．０原子パーセント、約２．０原子パーセント又は約１．０原子パーセントである。いずれの下限からいずれの上限までの範囲内の第２金属の濃度も、本発明の範囲内である。別の例において、第１シード層５２３を堆積するためには、ターゲットは、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、スズ、及びその組合せより成るグループから選択された金属で構成される。シード層が化学的気相堆積又は原子層堆積により堆積される場合には、図１に示したチャンバーのようなチャンバーは、堆積されるべき金属又は金属合金の適当な先駆金属物質を与えるように構成される。
【００５４】
図４のプロセスチャンバーのようなプロセスチャンバー内で物理的気相堆積によりシード層を堆積する１つのプロセス例は、堆積されるべき材料のターゲットを使用することを含む。プロセスチャンバーは、約０．１ｍｔｏｒｒから約１０ｍｔｏｒｒの圧力に維持されてもよい。ターゲットは、約５ｋＷから約１００ｋＷの電力でＤＣバイアスされてもよい。ペデスタルは、約０から約１０００Ｗの電力でＲＦバイアスされてもよい。ペデスタルは、加熱されなくてもよい（即ち、室温）。
【００５５】
銅の導電性材料層５０６、５１６、５２６は、電気メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、無電解堆積又はこれら技術の組み合せによって堆積することができる。銅の導電性材料層５０６、５１６、５２６は、電気メッキプロセスで得られるボトムアップ成長のために電気メッキで堆積されるのが好ましい。電気メッキ方法は、例えば、本発明と矛盾しない程度に参考としてここに援用する２０００年９月５日付の「Electro Deposition Chemistry」と題する米国特許第６，１１３，７７１号に開示されている。
【００５６】
銅−アルミニウムシード層のような銅合金シード層は、バリア層上に非ドープ銅のシード層を設ける場合に比して、バリア層に対する接着性が改善されることが分かっている。銅合金シード層は、バリア層に対して良好な接着性を有するので、銅合金シード層は、そこに堆積される材料に対して良好な濡れ物質として作用する。理論で束縛されることを望まないが、銅シード層の銅及び他の金属の濃度が、シード層に良好な濡れ特性及び良好な電気的特性を与えると考えられる。更に、合計厚みが単層未満である銅合金シード層は、非ドープシード層のような第２シード層がその上に堆積されて少なくとも結合連続シード層を形成する限り、銅合金シード層が材料の堆積に対して改善された界面を与えるので、これを使用できると考えられる。
【００５７】
同様に、アルミニウムシード層のような金属シード層も、バリア層上に非ドープ銅のシード層を設ける場合に比して、バリア層に対する接着性が改善されることが観察されている。金属シード層は、バリア層に対して良好な接着性を有するので、金属シード層は、そこに堆積される材料に対して良好な濡れ物質として作用する。理論で束縛されることを望まないが、合計厚みが単層未満であるアルミニウムシード層のような金属シード層は、この金属層が、その上に堆積される非ドープ銅のシード層のような材料の堆積に対して改善された界面を与えるので、これを使用できると考えられる。
【００５８】
ここに開示するシード層は、バリア層に対する改善された接着性を有すると共に、その上に堆積される材料、例えば、その上に堆積される銅の導電性材料層に対して良好な濡れ特性を有する。それ故、シード層は、銅の導電性材料層を堆積する間、その後に高温度で処理する間、及びデバイス使用中にデバイスに熱ストレスがかかる間に、銅の導電性材料層における凝集、水分除去又は空所の形成のおそれを低減することによりデバイスの信頼性を高める。
【００５９】
１つの態様において、シード層は、いかなるバリア層と共に使用されてもよく、且ついかなる堆積技術で堆積されたバリア層と共に使用されてもよい。又、シード層は、いかなる堆積技術で堆積されてもよい。更に、銅の導電性材料層のような導電性材料層は、いかなる堆積技術によってシード層上に堆積されてもよい。
【００６０】
本発明のプロセスは、開口巾が約０．２ミクロン未満で且つアスペクト比が約４：１、約６：１又は約１０：１以上のアパーチャーを埋め込むのに効果的に使用できる。
【００６１】
ここに開示するプロセスは、個別のチャンバーで実行されてもよいし、或いは複数のチャンバーを有する多チャンバー処理システムで実行されてもよい。図６は、ここに開示するプロセスを実行するように構成された多チャンバー処理システム６００の一例を示す概略上面図である。この装置は、ＥＮＤＵＲＡＴＭシステムであり、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ・インクから商業的に入手できるものである。同様の多チャンバー処理システムが、本開示と矛盾しない程度に参考としてここに援用する１９９３年２月１６日付の「Stage Vacuum Wafer Processing System and Method」と題する（テップマン氏等の）米国特許第５，１８６，７１８号に開示されている。システム６００の特定の実施形態は、本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲をこれに限定するものではない。
【００６２】
システム６００は、一般に、基板をシステム６００へ及びそこから移送するためのロードロックチャンバー６０２、６０４を備えている。通常、システム６００は真空状態にあるので、ロードロックチャンバー６０２、６０４は、システム６００へ導入される基板を「ポンプダウン」する。第１ロボット６１０は、ロードロックチャンバー６０２、６０４と、プロセスチャンバー６１２、６１４と、移送チャンバー６２２、６２４と、他のチャンバー６１６、６１８との間で基板を移送可能である。第２ロボット６３０は、プロセスチャンバー６３２、６３４、６３６、６３８と、移送チャンバー６２２、６２４との間で基板を移送可能である。プロセスチャンバー６１２、６１４、６３２、６３４、６３６、６３８は、システム６００により実行される特定のプロセスに対して必要がなければシステム６００から除去されてもよい。
【００６３】
一実施形態において、システム６００は、プロセスチャンバー６３４が銅合金シード層５０２を堆積するように構成される。例えば、銅合金シード層５０２を堆積するためのプロセスチャンバー６３４は、物理的気相堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は原子層堆積チャンバーでもよい。システム６００は、更に、プロセスチャンバー６３２がバリア層２０４を堆積するように構成され、上記銅合金シード層５０２はこのバリア層を覆って堆積されてもよい。例えば、バリア層２０４を堆積するためのプロセスチャンバー６３２は、原子層堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は物理的気相堆積チャンバーでもよい。１つの特定の実施形態では、プロセスチャンバー６３２は、図１に示すチャンバーのような原子層堆積チャンバーでもよく、又、プロセスチャンバー６３４は、図４に示すチャンバーのような物理的気相堆積チャンバーでもよい。
【００６４】
別の実施形態では、システム６００は、プロセスチャンバー６３４が銅合金シード層５１２を堆積すると共に、プロセスチャンバー６３６がその銅合金シード層５１２を覆って第２のシード層５１４を堆積するように構成される。例えば、銅合金シード層５１２を堆積するためのプロセスチャンバー６３４及び／又は第２のシード層を堆積するためのプロセスチャンバー６３６は、物理的気相堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は原子層堆積チャンバーでもよい。システム６００は、更に、プロセスチャンバー６３２がバリア層２０４を堆積するように構成されてもよく、銅合金シード層５１２がこのバリア層を覆って堆積されてもよい。例えば、バリア層２０４を堆積するためのプロセスチャンバー６３２は、原子層堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は物理的気相堆積チャンバーでもよい。１つの特定の実施形態では、プロセスチャンバー６３２は、図１に示すチャンバーのような原子層堆積チャンバーでもよいし、プロセスチャンバー６３４、６３６は、図４に示すチャンバーのような物理的気相堆積チャンバーでもよい。
【００６５】
別の実施形態では、システム６００は、プロセスチャンバー６３４が金属シード層５２３を堆積してもよく、プロセスチャンバー６３６がその金属シード層５２３を覆って第２のシード層５２４を堆積するように構成されてもよい。例えば、金属シード層５２３を堆積するためのプロセスチャンバー６３４及び／又は第２のシード層５２４を堆積するためのプロセスチャンバー６３６は、物理的気相堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は原子層堆積チャンバーでもよい。システムは、更に、プロセスチャンバー６３２がバリア層２０４を堆積するように構成されてもよいし、金属シード層５２３がこのバリア層を覆って堆積されてもよい。例えば、バリア層２０４を堆積するためのプロセスチャンバー６３２は、原子層堆積チャンバーでもよいし、化学的気相堆積チャンバーでもよいし、又は物理的気相堆積チャンバーでもよい。１つの特定の実施形態では、プロセスチャンバー６３２は、図１に示すチャンバーのような原子層堆積チャンバーでもよいし、プロセスチャンバー６３４、６３６は、図４に示すチャンバーのような物理的気相堆積チャンバーでもよい。
【００６６】
１つの態様において、バリア層２０４と、シード層（銅合金シード層５０２、銅合金シード層５１２及び第２シード層５１４、又は金属シード層５２３及び第２シード層５２４）との堆積は、空気及び他の不純物が層に入り込むのを防止すると共に、バリア層２０４を覆ってシード構造体を維持するために、多チャンバー処理システムにおいて真空状態のもとで実行可能である。
【００６７】
システム６００の他の実施形態も本発明の範囲内である。例えば、システムにおける特定のプロセスチャンバーの位置が変更されてもよい。別の例では、単一のプロセスチャンバーが２つの異なる層を堆積するように構成されてもよい。
【００６８】
実施例
実施例１
ＴａＮ層を原子層堆積により基板上に約２０Åの厚みまで堆積した。このＴａＮ層を覆ってシード層を物理的気相堆積により約１００Åの厚みまで堆積した。シード層は、１）非ドープの銅を含むターゲットを使用して堆積された非ドープの銅、２）約２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して堆積された約２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅合金、３）約２．０原子パーセントの濃度のスズを含む銅−スズターゲットを使用して堆積された約２．０原子パーセントの濃度のスズを含む銅合金、又は４）約２．０原子パーセントの濃度のジルコニウムを含む銅−ジルコニウムターゲットを使用して堆積された約２．０原子パーセントの濃度のジルコニウムを含む銅合金で構成された。それにより得られた基板を、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で約３８０℃の温度で約１５分間アニールした。
【００６９】
走査電子顕微鏡写真は、アニール後に非ドープ銅層の凝集を示した。銅−ジルコニウム合金は、非ドープ銅層より僅かな凝集を示した。銅−スズ合金は、銅−ジルコニウム合金より僅かな凝集を示した。銅−アルミニウム合金は、著しい凝集を示さなかった。
【００７０】
実施例２
２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約２．０原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により種々の基板上に堆積した。それにより得られた基板は、１）ＡＬＤ  ＴａＮ層を覆って約５０Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、２）約１００ÅのＴａ層を覆って約５０Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、３）ＡＬＤ  ＴａＮ層を覆って約１００Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、４）窒化シリコン（ＳｉＮ）層を覆って約１００Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層、及び５）酸化シリコン層を覆って約１００Åの厚みまで堆積された銅−アルミニウム層を含むものであった。それにより得られた基板は、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で約３８０℃の温度で約１５分間アニールされた。走査電子顕微鏡写真は、種々の基板上の銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。
【００７１】
実施例３
２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約２．０原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により、ＡＬＤ  ＴａＮ層を覆って５０Å又は１００Åの厚みまで堆積した。それにより得られた基板を、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で、約３８０℃、約４５０℃又は約５００℃の温度で約１５分間アニールした。走査電子顕微鏡写真は、約３８０℃又は約４５０℃の温度でアニールした基板の場合に銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。約５００℃の温度でアニールした基板の場合には銅−アルミニウム合金がある程度の水分除去の発生を示した。
【００７２】
実施例４
約２．０原子パーセントの濃度のアルミニウムを含む銅−アルミニウムターゲットを使用して、約２．０原子パーセントのアルミニウムを含む銅−アルミニウム合金膜を、物理的気相堆積により、ＡＬＤ  ＴａＮ層を覆って５０Å又は１００Åの厚みまで堆積した。それにより得られた基板を、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）雰囲気中で約４５０℃の温度で約３０分間アニールした。走査電子顕微鏡写真は、約４５０℃の温度で約３０分間アニールした基板の場合に銅−アルミニウム合金に著しい凝集がないことを示した。
【００７３】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明の基本的な範囲を逸脱せずに他の及び更に別の実施形態を案出することができ、従って、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって限定される。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】原子層堆積により１枚以上のバリア層を形成するのに使用できる処理システムの一実施形態を示す概略断面図である。
【図２Ａ】誘電体層が堆積された基板の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの基板構造体上に形成されたバリア層の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３Ａ】バリア層形成段階において基板の一部分上にタンタル含有化合物と窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す図である。
【図３Ｂ】バリア層形成段階において基板の一部分上でタンタル含有化合物と窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す図である。
【図３Ｃ】バリア層形成段階において基板の一部分上でタンタル含有化合物と窒素含有化合物の単層を交互に化学吸着する一実施形態を示す図である。
【図４】銅合金シード層を堆積するのに使用される物理的気相堆積可能なプロセスシステムの一実施形態を示す概略断面図である。
【図５Ａ】図２Ｂのバリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態の概略断面図である。
【図５Ｂ】図２Ｂのバリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態の概略断面図である。
【図５Ｃ】図２Ｂのバリア層を覆ってシード層を堆積する実施形態の概略断面図である。
【図６】多チャンバー処理システムの一例を示す概略上面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０…処理システム、１００…プロセスチャンバー、１０２…真空ポンプ、１０６…電源、１１０…制御ユニット、１１２…ＣＰＵ、１１３…制御ソフトウェア、１１４…サポート回路、１１６…メモリ、１２０…オリフィス、１２５…バルブ、１３０…ガスパネル、１３５、１３６…ガス源、１３８…パージガス源、１５０…支持ペデスタル、１６０…シャワーヘッド、１６２、１６３…ＲＦ電源、１６４…マッチングネットワーク、１７０…加熱素子、１７２…温度センサ、１９０…半導体ウェハ、２００…基板、２０２…誘電体層、２０２Ｈ…コンタクトホール又はビア、２０２Ｔ…露出表面部分、２０４…バリア層、４１０…処理システム、４１２…真空チャンバー、４１４…ターゲット、４１６…ウェハ、４１８…ヒータペデスタル、４２０…シールド、４２４…ガス源、４２６…質量流量コントローラ、４２８…真空システム、４３０…コントローラ、４３２…マグネトロン、４３８…高密度プラズマ領域、４５８…回転軸、５０２…シード層、５０６…導電性材料層
【図１】
2005528776.tif 000003
【図２ａ】
2005528776.tif 000004
【図２ｂ】
2005528776.tif 000005
【図３Ａ】
2005528776.tif 000006
【図３Ｂ】
2005528776.tif 000007
【図３Ｃ】
2005528776.tif 000008
【図４】
2005528776.tif 000009
【図５Ａ】
2005528776.tif 000010
【図５Ｂ】
2005528776.tif 000011
【図５Ｃ】
2005528776.tif 000012
【図６】
2005528776.tif 000013
【国際調査報告】
2005528776.tif 000014
2005528776.tif 000015
2005528776.tif 000016
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