(57)【要約】【課題】加速器グリッドの耐用年数を延ばすこと。【解決手段】イオンスラスタは、イオン化チャンバの近位に、そのチャンバからイオンを引いて加速するための加速器グリッドを含む。加速器グリッドは、コアと、推進剤の分子量未満の質量を有する材料からなる重なり合う層とを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
推進剤を加速するためのイオンスラスタであって、
イオン化チャンバと、
前記イオン化チャンバの近位に少なくとも１つの加速器グリッドと、
前記少なくとも１つの加速器グリッドの少なくとも一部を覆い、前記推進剤の分子量未満の分子量を有する材料から作られる層と、
を具備するイオンスラスタ。
【請求項２】
前記材料は、前記推進剤の分子量の約３分の１未満の分子量を有する請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項３】
前記層は、結晶質である請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項４】
前記薄い層は、約０．１ミクロンから約１ミクロンの間の厚さを有する請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項５】
前記推進剤はＸｅであり、前記材料は、Ｃ、ＢおよびＢｅの１つまたはそれ以上である請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項６】
前記層は、ＣおよびＢから構成される請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項７】
前記層は、少なくとも約２０％（モル）のＣおよび少なくとも約４０％（モル）のＢを含む請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項８】
前記層は、約２０％および約６０％（モル）の間のＣで作られる請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項９】
前記層は、少なくとも約８０％（モル）のＢから作られる請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項１０】
前記カバー層は、前記推進剤によって衝突されるときに前記層のスパッタリングを実質的に防止するのに十分な厚さを有する請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項１１】
前記層は、前記加速された推進剤の少なくともほぼ停止距離である厚さを有する請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項１２】
前記層は、前記層の結合エネルギと少なくともほぼ同一である結合エネルギで、前記グリッドに結合される請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項１３】
請求項１記載のイオンスラスタを含む乗物エンジン。
【請求項１４】
前記加速器グリッドは、各々が湾曲した表面を有する複数のレベルを含み、前記イオン化チャンバは出口を有し、前記加速器グリッドは、前記チャンバからイオンを引くために前記出口に十分に近い請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項１５】
前記加速器グリッドは、複数のレベルを含み、その各々は、厚さが約１ｍｍを超えず、それを通る複数のほぼ整列配置された穴を含む請求項１記載のイオンスラスタ。
【請求項１６】
推進剤を加速するためのイオンスラスタであって、
イオン化チャンバと、
前記イオン化チャンバに近位の加速器グリッドであって、前記加速器グリッドは、各々が複数の穴を有する複数のグリッドレベルを含み、前記レベルの各々は、コア層と、前記推進剤の原子量未満の原子量を有する結晶質材料から作られる薄いカバー層と、から作られる加速器グリッド層と、
を具備するイオンスラスタ。
【請求項１７】
前記第１の材料はＭｏを含み、前記第２の材料は、少なくとも約２０％のＣおよび少なくとも約４０％のＢを含み、前記薄いカバー層は厚さが約０．１ミクロンから約１ミクロンの間である請求項１６記載のイオンスラスタ。
【請求項１８】
推進剤を加速するのに有用なイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法であって、
加速器グリッドコアを形成するステップと、
前記加速器グリッドコアを少なくとも約４７５℃の温度へ加熱するステップと、
前記加熱された加速器グリッドコア上に、前記推進剤の分子量の約３分の１未満の分子量を有する材料から作られた薄い層を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
薄い層を形成する前記ステップは、前記加速器グリッドコアをプラズマに露出することを含む請求項１８記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２０】
前記加速器グリッドコアをプラズマに露出する前記ステップは、前記加速器グリッドを少なくとも約１０００秒間、前記プラズマに露出することを含む請求項１９記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２１】
前記薄い層は、Ｃ、ＢおよびＢｅの少なくとも２つを含み、前記方法は、Ｃ、ＢおよびＢｅの少なくとも２つで、新規ガス作業プラズマをシーディングすることによって前記プラズマを準備するステップをさらに含む請求項１８記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２２】
前記薄い層は、少なくとも約２０％のＣおよび少なくとも約４０％のＢを含み、前記プラズマをシーディングするステップは、ＢおよびＣを含有する化合物で前記プラズマをシーディングすることを含む請求項２１記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２３】
層を形成する前記ステップは、厚さが約０．１ミクロンから約１ミクロンの間の層を形成することを含む請求項１８記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２４】
層を形成する前記ステップは、結晶質層を形成することを含む請求項１８記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２５】
前記グリッドコアを加熱する前記ステップは、前記グリッドコアを少なくとも約５００℃の温度へ加熱することを含む請求項１８記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２６】
前記薄い層を形成する前記ステップは、前記薄い層を一緒に保持する結合エネルギと少なくともほぼ同じ大きさである結合エネルギで前記グリッドに前記薄い層を結合することをさらに含む請求項１８記載のイオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法。
【請求項２７】
推進剤をイオン化するためにイオンスラスタ用の加速器グリッドを製造するための方法であって、
グリッドコアを形成するステップと、
前記グリッドコア上に薄い層を形成し、前記層が前記イオン化した推進剤に露出されるときに前記層のスパッタリングに抵抗するのに十分な結合エネルギで前記薄い層を前記グリッドコアに結合するステップであって、前記薄い層は、各々が前記推進剤の約３分の１未満の分子量を有する１つまたはそれ以上の材料から作られるステップと、
を含む方法。
【請求項２８】
前記１つまたはそれ以上の材料は、少なくとも約２０％（モル）のＣおよび少なくとも約４０％（モル）のＢを含む請求項２７記載の加速器グリッドを製造するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、イオンスラスタである。本発明の別の分野は、乗物の推進、たとえば、宇宙船の推進である。
【背景技術】
【０００２】
イオンスラスタは、推進剤がイオン化されるチャンバと、そのチャンバからのイオンの流れを促進する負に帯電した加速器グリッドと、を含む。イオンスラスタは、いずれの数の適切な推進剤を使用してもよく、キセノンが典型的な例である。イオンスラスタからの流れを利用して、たとえば、宇宙における宇宙船の速度および／または位置を調節するために有用な反応スラストを提供することができる。イオンスラスタは、燃焼系スラスタに必要な大きな質量の化学燃料に比較して、イオン化される比較的少量の消費可能な推進剤に関連する利点を提供する。イオンスラスタは、小型のサイズに作られることが多く、そのため、イオンスラスタによって作られる力は小さい。イオンスラスタは、したがって、比較的長い期間、操作される。多くの任務のために、イオンスラスタは長期間作動することが望まれ、数千時間またはそれ以上になることもある。
【０００３】
典型的なイオンスラスタ加速器グリッドは、２つまたはそれ以上の別個のレベルを含み、それは、その間に電場を形成するために異なる電位である。グリッドは、モリブデン（Ｍｏ）から作られることが多く、イオン化チャンバのすぐ下流に置かれる。複数の整列配置した開口部が、グリッドレベルの各々にある。加えられた電圧によって加速されたいくつかのイオンは、開口部を通って進み、推進力を与える。他のイオンはグリッドに衝突し、それを加熱しそれから材料をエッチングする。これは、グリッドの疲労および歪みを生じさせ、究極的にグリッドの故障を招くこともある。
【０００４】
加速器グリッドの崩壊または故障は急速に発生することもあるため、これは、最初に故障するスラスタ構成要素であることが多く、そのため、スラスタの耐用年数を限定する。加速器グリッドの耐用年数を延ばすためにいくつかの提案がされている。たとえば、Ｍｏ以外の構造材料を使用することが、調査されている。炭素（繊維かまたはグラファイト形態かのいずれか）、ベリリウムおよびチタンは各々が調査されている。しかし、これらの材料の各々は、満足のいくものではないことがわかっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
代替構造材料での１つの問題は、グリッドの温度が宇宙の非常に低い周囲温度からグリッドの摂氏数百度の操作温度へ変わるときに、大幅な変形を呈することもあるということである。また、いくつかの材料の電子放出特性は、結果として、エンジン内の数個の密接に間隔をおいたグリッドの間に直接アークを制定することもある。カーボンファイバも緩くなり、短絡を生じることもある。カーボングラファイトは、工学するには難しいことがわかり、結果として、グラファイトグリッドはメタリックグリッドと比較すると比較的厚く、スラスタ性能は減少する。これらおよび他の理由から、Ｍｏは依然として、イオンスラスタグリッド用材料として最適である。
【０００６】
加速器グリッドの耐用年数を延ばす他の努力は、Ｍｏ加速器グリッドに対する損傷を限定するために、または、グリッドにわたる電圧を下げてインターセプトされたイオンの衝突エネルギを下げるために、スラスタのプラズマ形成の条件を変えることに焦点が当てられている。しかし、一般に、これらの努力によってグリッドの耐用年数を延ばすことは、イオンスラスタの効率および仕事率を犠牲にすることになる。さらに提案された解決法は、加速器グリッドに保護表面層を設けることであった。しかし、今までのところ、提案された層は、実際的ではなく、数種類の問題に悩まされている。たとえば、イオン衝突の高い操作温度およびエネルギが、下にあるグリッドに高い確率で層の係合解除を生じさせる可能性がある。
【０００７】
これらおよび他の問題は、業界では解決されないままである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施の形態は、推進剤を加速するためのイオンスラスタに関する。模範的なイオンスラスタは、イオン化チャンバと、そのイオン化チャンバの近位に少なくとも１つの加速器グリッドと、を具備する。本発明の１つの模範的な実施の形態において、その少なくとも１つの加速器グリッドは、推進剤の分子量よりも少ない分子量を有する材料から作られるその表面の少なくとも一部を覆う薄い層を有する。これらの要素を有する模範的な加速器グリッドは、実質的に長い耐用年数を提供することが発見されている。
【０００９】
本発明のさらなる実施の形態は、イオンスラスタの加速器グリッドを製造するための方法に関する。１つの模範的な方法は、加速器グリッドコアを形成するステップと、コアを少なくとも約５００℃の温度へ加熱するステップと、推進剤の分子量の約３分の１未満の分子量を有する材料製の加熱された加速器グリッドコアに薄い層を形成するステップと、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明において、加速器グリッドは、スパッタリング等によるグリッドの減衰を防止するために、薄い保護層を含む。本発明の模範的な実施の形態を詳細に説明する前に、本発明は、イオンスラスタ、イオンスラスタ用の加速器グリッド、および、イオンスラスタ加速器グリッドを製造するための方法に関することが、認識される。本発明の加速器グリッドを説明する際には、本発明の方法も説明されてもよいことが理解される。同様に、本発明の方法を検討しているときに、本発明の機器も同様に有されてもよいことが認識される。
【００１１】
次に図面に移ると、図１は、本発明の模範的なイオンスラスタ１０の概略図であり、これは、たとえば、宇宙船または他の乗物用の乗物エンジンを形成してもよい。模範的なイオンスラスタは、推進剤１４が推進剤源（図示せず）からポート１６を通って中に導入されるイオン化チャンバ１２を含む。ひとたびチャンバ１２内に導入されると、推進剤１４は、陰極２０から放出された電子１８との衝撃によってイオン化される。次いで、イオン化した推進剤粒子は、全体として２２で示される帯電した加速器グリッドによってイオン化チャンバ１２から引かれる。
【００１２】
図２の斜視図によって最良に示されるように、加速器グリッド２２は、２つまたはそれ以上の個別レベル２４を含んでもよく、その各々は、複数の開口部２６を有する。略矩形形状に示されているが、加速器グリッドレベル２４は、他の形状であってもよく、楕円または円を含むが、それらに限定されない。開口部２６は、略円形であるように示されているが、同様に、他の形状、たとえば方形または矩形を取ってもよい。レベル２４の各々は、その間に電場を誘発するように、異なる電位である。場は、チャンバ１２（図１）からイオンを引きそれを加速するのに十分である。イオンのいくつかは、開口部２６を通って進み、イオンスラスタから後方（図１の矢印の全体的な方向）へ押し出されて反対に方向づけられた推進力を提供し、一方、他のイオンは、グリッドレベル２４の一方または他方にぶつかる。
【００１３】
図３は、図２の線３−３にほぼ沿って矢印で示された方向に取られた加速器グリッド２４の一部の断面図である。イオンは、図３の矢印によって示されるように、ほぼ経路に沿って開口部２６を通って進む。各グリッドレベル２４は、グリッドコア５０と、重なり合っているカバー層５２と、を含む。グリッドレベル２４は、一般に、厚さ約１ｍｍ未満であり、約１ｍｍの距離だけ互いから間隔をおいている。図３の断面図（または図１または２）では明らかではないが、レベル２４の各々は、機械的強度を与えるために、わずかに弓形であるかまたはドーム状の表面であることが好ましい。コア５０を構造するための模範的な材料は、Ｍｏである。
【００１４】
好適な層５２は、実質的にグリッドコア５０の表面全体を覆い、入射するイオンの衝撃下で層５２のスパッタリングを防止するのに十分な厚さを有する。言い換えると、層５２は、少なくとも入射するイオンの停止距離ほどの大きさである厚さを有することが好ましい。多くの典型的なイオンスラスタの適用では、この厚さは、約０．１ミクロンから約１ミクロンの間に入る。層５２はまた、実質的にグリッドコア５０の表面全体を覆うことが好ましいが、それより覆う範囲が少なくても利益および利点は提供し、本発明によって企図される。スパッタリングおよび他の減衰を考慮することが有用であることが発見されたが、これは、「純粋」な推進力およびエネルギ転移の分析的なフレームワークの加速器グリッドに関係するからである。この簡略化したフレームワークにおいて、スパッタリングおよび減衰は、入射するイオンから層５２へのエネルギ転移の効率を最小限にする層５２の構造用材料を選択することによって、減少するかまたは排除することができる。一般に、衝突におけるエネルギ転移の効率は、類似した質量の２つの粒子の間で最高である。衝突する粒子の間の質量が下記の関係にしたがって不均一になるときに、効率は落ちる。
ＥLYR＝［４（ｍ1ｍ2）／（ｍ1＋ｍ2）2］ＥINCD          （１）
ただし、ｍ1は層５２の構造用材料の分子量であり、ｍ2は推進剤の分子量であり、ＥINCDは層にぶつかる推進剤イオンの入射エネルギであり、ＥLYRは衝突後のターゲット粒子の最大エネルギである。エネルギ転移速度を最小限にするために、衝撃粒子とターゲット粒子との間で質量に大きな差があることが望ましい。推進剤の質量は、イオンスラスタによって供給される推進力に比例するため、より軽い推進剤を使用するには不利点がある。
【００１５】
これらの理由のため、好適な層５２は、推進剤の分子量未満の分子量を有する材料から作られ、推進剤の約３分の１未満であることが好ましい。業界で有利であると知られている特定の推進剤は、キセノン（Ｘｅ）であり、これは、１３１．３原子質量単位（ａｍｕ）の原子量を有する。層５２を構造するのに好適な材料の例として、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）およびベリリウム（Ｂｅ）が挙げられるが、他の材料も有用であってもよい。Ｂｅの毒性によって呈される取り扱いの困難さのために、ＣおよびＢは一般に、Ｂｅよりも好適である。
【００１６】
ＣおよびＢを一例として挙げると、Ｃの質量は１２．０ａｍｕであり、Ｂは１０．８ａｍｕである。Ｘｅを推進剤としてこれらの値を数式１に当てはめると、結果として、ＥLYRはＣでは０．３１、Ｂでは０．２８になる。したがって、比較的低いエネルギ転移効率は、結果として、入射するＸｅ粒子とグリッド層との間になり、層の耐用年限は十分である。Ｍｏグリッドコア５０上にＢおよび／またはＣから作られた１ミクロン厚さの層５２が、グリッドの耐用年限を１０倍増やすと信じられている。
【００１７】
図４は、０．１ミクロンのＢでコーティングされたモリブデン表面のものと比較した、ベアモリブデン表面からのスパッタリング収率のＳＲＩＭ（物質内のイオンの停止および範囲）計算の結果のグラフである。図４に見ることができるように、薄いＢのコーティングは、下にあるＭｏを、入射するＸｅイオンによる腐食から保護する。閾値エネルギは、スパッタリングが発生しないように、通過されることができると信じられている。すなわち、グリッドレベル２４にぶつかるイオンの所与のエネルギ用では、種の間の十分に不良なエネルギ転移のため、層の粒子が表面を離れることは可能ではないが、それは、入射する衝撃エネルギが表面エネルギバリアを克服することができないからである。これは、スパッタリング系腐食に基づいたコーティングされたグリッド構成要素では基本的に無限な耐用年限を暗示する。図４の０．１ミクロンのＢ層で１００ｅＶ入射未満のＸｅエネルギに、この効果が見られる。
【００１８】
低質量の材料から作られることに加えて、層５２は、層５２自体の結合エネルギに近い結合エネルギで、下にあるコア５０へ保持されることも好ましい。すなわち、層５２は、層５２を一緒に保持する結合エネルギ未満ではないエネルギで、コア５０に保持されることが好ましい。これらの大きさの結合エネルギは、層５２が、衝撃下でコア５０から係合解除する傾向がないことを確実にする。
【００１９】
スパッタリングおよび崩壊への所望の抵抗を達成するために、層５２は、結晶質であることがもっとも好ましいが、非結晶質層５２もまた利益および利点を提供してもよい。また、特定の層５２の組成は、特定の利点を提供すると信じられている。たとえば、グリッド２２の操作のために適切な伝導性を保証するために、少なくとも約２０％（モル）のＣ  を含む層５２が好適である。しかし、状況によってＣの濃度が高すぎると、結果として下にあるコア５０への結合エネルギが低くなり、且つ、他の望ましくない結果となることもある。約６０％（モル）未満が好適である。また、少なくとも約４０％（モル）のＢが好適であり、少なくとも約８０％（モル）がより好適である。これらの量のＢは、Ｃとの相互作用を通して層５２を安定化するのに効果的であると信じられている。もっとも有利であると信じられている特定の組成は、約２０％（モル）のＣおよび約８０％（モル）のＢの範囲である。
【００２０】
本発明はまた、イオンスラスタ用の加速器グリッドを製造するための方法にも関する。図５のフローチャートは、本発明の１つの模範的な方法を例示する。加速器グリッドコアがまず形成される（ブロック１０２）。模範的なグリッドコアは一般に、図３のコア５０に一致する。これは、Ｍｏまたは他の適切な材料から作られてもよく、互いから間隔をおいた複数のレベル２４を含む。複数の開口部２６がレベル２４の各々にあり、一般に互いに整列配置される。そのようなグリッドコアを作るための特定のステップは一般に公知であり、たとえば、コアレベル２４の所望の全体的寸法にシートを形成することと、次いで、レーザー切断または他の適切な方法を通して開口部２６を形成することと、を含んでもよいことを、当業者は認識する。
【００２１】
図４の模範的な方法は、次に、コアを少なくとも約４７５℃の温度に（ブロック１０４）、より好ましくは少なくとも約５００℃の温度に、加速するステップと、加速器グリッドとともに使用されるべき推進剤の分子量の約３分の１未満の分子量を有する材料を使用してコアに薄い層を形成するステップ（ブロック１０６）と、を含む。コアに形成された薄い層は、層５２とほぼ一致することが好ましい。これは、実質的にコア５０の表面全体を覆うことが好ましく、たとえばＣ、Ｂおよび／またはＢｅ等の材料から作られる。好適な組成の範囲は、少なくとも約４０％（モル）のＢ、より好ましくは少なくとも約５０％（モル）のＢ、少なくとも約２０％（モル）のＣ、および、好ましくは約６０％（モル）未満のＣである。もっとも好適な組成は、約２０％（モル）のＣおよび約８０％（モル）のＢに近いものであると信じられている。好ましくは、本発明の方法は、結晶質層５２を提供するステップを含むが、非結晶質層５２もまた利益および利点を提供してもよい。
【００２２】
本発明の方法は、層５２のスパッタリングを実質的に防止するのに十分な厚さで層５２を提供し、それによってグリッドコア５０を保護することを含む。本願に上記に検討されたように、この厚さは、多くの用途では実際に約０．１ミクロンから約１ミクロンの間であってもよいが、他の厚さもまた企図される。
【００２３】
本発明の方法は、衝撃イオンの衝突エネルギに耐えるのに十分な結合エネルギで、下にあるコア５０に層５２を結合するステップによって特定の利益を提供することが発見されている。この大きさの結合エネルギは、グリッドコア５０の長い耐用年数を提供するように、スパッタリングおよび層崩壊の他の形態に抵抗するのに十分である。グリッドコアを少なくとも約４７５℃の温度に、より好ましくは少なくとも約５００℃の温度に加熱するステップは、適切な結合エネルギでコア５０に層５２を結合するのに、且つ／または、結晶質層５２を形成するのに、有利であることが発見されている。約４７５℃未満の温度に加熱されたグリッドコアに層を形成するステップは、結果として、操作中にグリッドコアから高い確率で分離するというより低い結合エネルギになることが発見されている。約５００℃の好適な最小温度は、Ｍｏという好適なグリッド材料の程度、および、少なくとも約２０％（モル）のＣおよび少なくとも約４０％（モル）のＢという好適な層組成に関係してもよく、この温度は、他の材料から作られたグリッドおよび層にも類似の影響を与えると信じられている。
【００２４】
本発明のもっとも好適な方法において、グリッドに薄い層を形成するステップは、加熱されたグリッドをプラズマへ露出することによって達成される。方法は、プラズマを、少なくともＢおよびＣを含有する化合物でシーディングするステップをさらに含むことが好ましい。プラズマを、たとえばカルボラン（Ｃ2Ｂ10Ｈ2）、ジボラン（２（ＢＨ3））またはデカボラン（Ｂ10Ｈ14）の１つまたはそれ以上の化合物でシーディングし、Ｍｏグリッドコアを少なくとも約４７５℃〜約５００℃の温度でプラズマに少なくとも約１０００秒露出することで、結果として、望ましい厚さおよび組成を有する層５２が得られる。Ｃ2Ｂ10Ｈ2を使用することがもっとも好ましいが、それは、これがＣおよびＢの両方を含有するからである。
【００２５】
同様に、それらの要素から作られた純粋なプラズマを使用することによって、純粋なＢ、ＣまたはＢｅフィルムを加えることができる。このプロセスを使用して、１ミクロンの比較的薄いフィルムを、約１０００秒、グリッド上に置くことができる。プラズマを準備しシーディングするための多くの方法が公知であり、たとえば、グリッドを含む新規なガスプラズマカラム内にシード化合物を供給することを含むことを当業者は認識する。プラズマカラムは真空下であることが、もっとも好ましい。
【００２６】
本発明の様々な実施の形態が示され説明されているが、他の修正例、変形例および代替例が当業者には明らかであることを理解すべきである。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、そのような修正例、変形例および代替例を作ることができ、それは、添付の特許請求の範囲から決定されるべきである。
【００２７】
本発明の様々な特徴は、添付の特許請求の範囲に述べられている。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の模範的なイオンスラスタの概略図である。
【図２】図１の加速器グリッドの斜視図である。
【図３】図２の加速器グリッドの、示された方向に線３−３にほぼ沿って取られた部分断面図である。
【図４】０．１ミクロンのＢでコーティングされたモリブデン表面のものと比較した、ベアモリブデン表面からのスパッタリング収率のＳＲＩＭ（物質内のイオンの停止および範囲）計算の結果のグラフである。
【図５】本発明の模範的な方法を例示するフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005538302.tif 000007
【国際調査報告】
2005538302.tif 000008