(57)【要約】電子撮像装置（１０）は、電気機能回路を含む基層（２０）を具備してなり、基層（２０）は回路の相互接続用の第１面（２２）と、光検出面として機能する第２面（２４）とを有している。第２面（２４）は、基層（２０）に配置された被露出感光性電気素子を有している。所定高さのスペーサ手段は、前記第２面（２４）に隣接して設けられる。このスペーサ手段を有利に使用して、レンズ系のレンズと前記光検出面との間の所望の距離の許容値を制御することができる。従って、製造後に、各イメージャ装置のレンズ系のそれぞれの焦点合わせを行う必要がなくなる。また、本発明の実施の一形態において、マイクロレンズの性能を向上させる空隙が形成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機能回路を含み、前記回路の電気的相互接続用の第１の側面と、光検出面としての第２の側面とを有している基層であって、前記第２の側面が前記基層内に配置された被露出感光性電気素子を含んでおり、また所定高さのスペーサ手段が前記第２の側面に隣接して配置されている基層を備える、
特に電子撮像チップである電子撮像装置。
【請求項２】
前記感光性電子素子はエッチング処理によって露出される、請求項１に記載の電子撮像装置。
【請求項３】
前記電気機能回路に対して電気的相互接続を行うよう配置され、前記第１の側面をインタフェース手段に電気的に相互接続する接続手段に取付けられたインタフェース手段を備える、請求項１または２に記載の電子撮像装置。
【請求項４】
前記インタフェース手段がフレックス・フォイルまたは多層フレックス・フォイルである、請求項３に記載の電子撮像装置。
【請求項５】
前記接続手段が導電性接着剤である、請求項３または４に記載の電子撮像装置。
【請求項６】
前記接続手段が、前記シリコン基層への前記インタフェース層の押付けによって電気接続を行うよう配置されている、請求項３または４に記載の電子撮像装置。
【請求項７】
前記第２面において、前記感光性電気素子への光経路中にカラーフィルタ手段が配置されている、請求項１乃至６のいずれかに記載の電子撮像装置。
【請求項８】
前記第２面において、前記感光性電気素子への光経路中にマイクロレンズが配置されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の電子撮像装置。
【請求項９】
所定高さの前記スペーサを有するレンズ系が前記第２面に取付けられており、前記スペーサの1端が前記基層に取付けられている、請求項１乃至８のいずれかに記載の電子撮像装置。
【請求項１０】
前記第２面が、前記スペーサに所定高さと所定形状とを与える表面トポロジを含んでいる、請求項１乃至８のいずれかに記載の電子撮像装置。
【請求項１１】
透明層が前記スペーサに取付けられている、請求項１０に記載の電子撮像装置。
【請求項１２】
前記透明層がガラス層である、請求項１１に記載の電子撮像装置。
【請求項１３】
レンズ系が前記透明層に取付けられている、請求項１１または１２に記載の電子撮像装置。
【請求項１４】
前記レンズ系が、レンズを含むレンズ鏡筒を有するレンズホルダも含んでいる、請求項９または１３のいずれかに記載の電子撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれかに記載の電子撮像装置を製造する方法であって、前記電子撮像装置が、シリコン・オン・エニシング（ＳＯＡ）またはシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）処理によって形成される、方法。
【請求項１６】
ウェハレベルで前記電子撮像装置全体を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至１３のいずれかに記載の電子撮像装置を製造する方法であって、前記感光性素子を露出させるよう前記基層の前記光検出面をエッチングしている間に、エッチマスクとしての前記基層の前記光検出面上に酸化パターンを与えるすることによって、前記スペーサを形成するステップを含む、方法。
【請求項１８】
請求項８乃至１２のいずれかに記載の電子撮像装置を製造する方法であって、成形樹脂で前記レンズ系を作成するステップを含む、方法。
【請求項１９】
請求項９または１３のいずれかに記載の電子撮像装置を製造する方法であって、前記被露出電気感光性素子と前記レンズ系内の前記レンズとの間の所定の距離に関して、±３０ミクロンの許容誤差を与えるよう構成されている、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１による電子撮像装置、特に電子撮像チップに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の画像センサ技術の開発は、幅広い消費者に適用される新世代のデジタル撮像製品のために道を開いている。調査研究によれば、消費者のコンピュータ周辺機器に対する第１の選択はデジタルカメラである。デジタルカメラの販売は、非常に多くの消費者が高品質でフル装備の製品を無理なく購入できるようになってから、ずっと高まっている。コンピュータで生成した文書にも簡単に挿入できて、瞬時に閲覧可能な画像を提供する可能性と、通信媒体としてインターネットの人気上昇と、そして最も重要なことであるが、フィルム現像処理の費用および時間の削減とを考慮すると、デジタルカメラは多くの消費者用途のために従来のフィルムカメラに取って代わろうとしている。工業用および保安用カメラ、医療器具、自動車センサ、ＰＣビデオカメラ、スキャナ、デジタルスチールカメラ、デジタルビデオカメラを含むデジタル撮像の利用可能な全市場は、１９９６年の２０００万台から２００２年に１億台を超えるまで成長すると予測されている。従って、市場における厳しい競争は、大量消費市場の画像センサ機器の非常に効率的かつ合理化された製造を要求している。
【０００３】
まず、画像センサまたは単純にイメージャとも呼ばれる撮像装置は、電子機器の眼としての機能を果たす特殊集積回路である。従って、撮像装置は入射光、すなわちフォトンを検出して、まず電荷、すなわちエレクトロンに変換し、最終的にはデジタルビット、すなわち２進情報に変換する。各映像素子（画素）は、固体感光センサ素子に相当する。一般的に、画像センサは、例えばスキャナにおいてこのようなセンサ素子の少なくとも１つの配列から構成される。通常、これらのセンサ素子は、例えばデジタルスチールまたはビデオカメラにおいて画像面を形成する２次元マトリクスとして配列される。感光領域として機能するセンサ素子を含むチップの面は、フォトサイトまたは光検出面とも呼ばれている。このようなセンサ素子には、2つの主要な技術、電荷結合素子（ＣＣＤ）技術および相補形金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）技術が使用される。
【０００４】
１つの画素を撮像する最も単純なＣＣＤ画像センサ素子は、画素における光電荷を収集し、クロックパルスを使用して一連の画素に沿って電荷を電荷反応増幅器にシフトさせる電荷移送機器である。ＣＣＤは、画素ごとのアナログ信号を出力する。１つの画素を撮像する最も単純なＣＭＯＳ画像センサ素子は、フォトダイオードとアクセストランジスタとからなるいわゆる受動画素である。フォトダイオード内で光生成された電荷は、各画素から下流の回路に受動的に移動される。
【０００５】
能動機器を製造するためには理想的であるが、シリコンは、その半導体性質による不良高周波特性を示す。その結果、相互接続およびクロストークが劣化し、高品質ストリップ線路およびインダクタの集積化が妨げられる。全く新しい両極処理に基づき、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）技術は、回路を絶縁基板の範囲に移動させることの可能な新規アプローチである。シリコン上で絶縁体を使用することの利点は、寄生容量が減少することである。これにより、特に非常に高い周波数を使用する場合に、非常に小さい構造で、回路の電力消費量全体で相互接続容量が優勢となる問題が解消される。いわゆるシリコン・オン・エニシング（ＳＯＡ）技術におけるＳＯＩへのより一般的なアプローチにおいて、完全な回路は硝子などの絶縁基板に移動されるので、これらの効果をほぼ完全に排除することが可能である。原則として、ウェハは新しい基板に上から接着され、元のシリコンは除去される。
【０００６】
第１に、イメージャチップ製造における重要な対象は、光、すなわち光学的充填比を検出する各画素内でのリアルエステート部分である。画素領域の一部を使用して信号を残りのイメージャ回路に転送するため、今日の充填比は１００％ではない。従って、他の場所での光入射は失われるか、あるいは回路において電流を生成することによって画像に人為現象を生じさせてしまう。同じ解像度を保ちながらも充填率を上昇させる１つの既知の方法は、マイクロレンズの使用であり、これはＣＣＤおよび多くのＣＭＯＳアクティブ画素センサの標準性能になっている。各画素の感光部分に光を集中させるマイクロレンズは、各画素ごとにチップの表面上で直接エッチングしたり、あるいは製造中に個別素子として追加することが可能である。従って、各画素上で正確に蒸着されると、マイクロレンズは入射光を感光領域に集中させるので、効果的な充填率が上昇する。
【０００７】
第２に、上記のＣＣＤおよびＣＭＯＳイメージャなどの電子撮像チップは電子撮像装置で広範囲に使用されることが分かっているが、その利用は寸法のために制限されることがよくある。まず、画素面の裏側の対向面で相互接続を行うためにパッキング技術を使用することができなかった。上記のＳＯＩ技術において、ガラス基板に孔をエッチングする可能性があるが、これには莫大な処理量が必要となり、またアスペクト比を達成するのが困難であるために好ましい解法ではない。
【０００８】
ＵＳ５４９５１１４は、光画像を通過させるのに十分な薄さまでシリコン層を削るステップを含む、小型電荷結合素子の製造方法を紹介している。ＣＣＤは裏返されるので、画像は削られたシリコン層を介して投影される。リードは、ＣＣＤに対して電気信号を送受するために周辺端部で規定される領域内に存在するよう、垂直関係でＣＣＤの以前の前面にバンプ接着される。
【０００９】
現在、ＳＯＡ／ＳＯＩ技術は、イメージャモジュールの規模と可能な許容範囲との改善に可能性を与えるように見える。実際の調査の別の目的は、ウェハレベルパッキング、すなわちウェハの規模でイメージャモジュールの製造ステップをできるだけまとめることに関連している。ここで、上記研究は、単一のイメージャチップ、すなわちリアルエステートに必要なウェハ領域を非常に効率よく使用することを目的としている。これにより、チップ出力に対する単一のウェハの歩留まり率が上昇する。
【００１０】
最後に、低コストイメージャモジュールを実現する重要かつ制限的な要素は、各単一イメージャモジュールを組み立てた後に、レンズの各焦点合わせを行わなければならないことである。また、イメージャチップの光検出側の表面で使用するカラーフィルタまたはマイクロレンズは、空隙を必要とし、マイクロレンズ材料の屈折と空隙の空気との間の差によって生じるライトフラクションを利用することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、このような空隙はイメージャモジュールの最終製造中に生成されるので、異質材料による感光性素子の汚染という1つの重要な問題がある。
【００１２】
従って、本発明の目的は、各イメージャチップのレンズ系の個別焦点合わせを必要としない電子撮像装置、特にイメージャチップを提供することにある。また別の目的は、カラーフィルタおよび／またはマイクロレンズを使用する場合に、イメージャモジュールの製造を改善することにある。また、ウェハ上の各単一イメージャチップに必要なリアルエステートは削減すべきである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
従って、電気機能回路を含み、前記回路の電気的相互接続用の第１面と、光検出面としての第２面とを有している基層であって、前記光検出面が前記基層内に配置された被露出感光性電気素子を含んでいる基層を具備してなる、特に電子撮像チップである電子撮像装置が提供される。この基層は従来のシリコンウェハであってもよく、また感光性素子はエッチング処理によって露出させることができる。また、第２面に隣接して、所定高さのスペーサ手段が配置される。所望の高さの製造許容値が所定範囲内で制御できるように前記スペーサ手段は有利に形成される。
【００１４】
電気機能回路を電気的に相互接続するために、シリコン基層の第１面上にインタフェース手段が配置される。これらのインタフェース手段は、フレックス・フォイル（flex foil）であってもよい。好適には、フレックス・フォイルは多層フレックス・フォイルである。インタフェース手段は、第１面をインタフェース手段に電気的に相互接続する接続手段に取り付けられる。フレックス・フォイルは、導電性接着剤でシリコン基層上に配置してもよい。しかし、フレックス・フォイルはまた、押付技術を使用することにより、シリコン基層内の電気回路に電気的に接続することができる。導電性接着剤の場合および押付技術の使用の場合とも、機能回路の所定のリードとフレックス・フォイルの所定のリードとが電気的に接触される。前記インタフェース手段は、薄いシリコン基層を強化する剛性支持体を有利に提供する。また、シリコン基層の第１面は、例えば赤外線などの直接的な熱輻射から保護される。
【００１５】
本発明の別の実施態様において、電子撮像装置は、前記感光性電気素子への光経路中において、前記第２面上に配列されたカラーフィルタ手段を備えている。また、カラーフィルタ手段の他に、あるいはカラーフィルタ手段に代えて、前記感光性電気素子への光経路中にマイクロレンズを配置することができる。そのため、マイクロレンズは、周辺部と画像領域、すなわち感光性素子を含む領域との間の機能回路内の微細構成の差によって形成される窪んだ画像領域に配置することができる。従って、周辺部で更なる金属層を使用して、画像領域よりも大きな総厚さを得ることができる。この場合、ガラス層をウェハの上部に設ければ、フォトサイトの上に空隙が自動的に形成されるので、マイクロレンズの効果を向上させ、汚染を防止することができる。
【００１６】
更に他の実施態様において、マイクロレンズの上の酸化物をエッチングして、更に微細な構成を有する空隙を実現する。しかし、犠牲的なシリコンをできるだけ回避することが望ましいため、光検出面の裏側での相互接続が可能なために周辺部がほとんどない別の好適な実施態様について、別の空隙生成方法を以下で説明する。
【００１７】
前記光検出面上に光画像を投影するために、電気撮像装置は、前記光検出素子上に光画像を結像させるレンズ系を具備している。一般に、レンズ系は、レンズを含むレンズ鏡筒を有するレンズホルダを含んでいる。また、前記レンズ系は成形樹脂で形成することができ、接着剤で固定してもよい。
【００１８】
本発明の第１の実施の形態において、前記レンズ系は、所定高さのスペーサを含んでいる。また、前記レンズ系は、前記スペーサを有する光検出面で前記基層上に配置される。
【００１９】
本発明の第２の実施の形態において、前記フォトサイトは、エッチング処理で形成できる所定の高さおよび形状のスペーサを含んでいる。従って、スペーサの形状および高さは、シリコンの厚さおよび結晶構造を使用することにより、エッチング処理で正確に制御することができる。ここに説明する１つの可能な方法として、前記電気的感光性素子が露出するように前記基層の前記光検出面をエッチングしている間に、エッチマスクとしての前記基層の前記光検出面上に酸化パターンを使用することで、前記スペーサを生成することができる。前記シリコンスペーサは、個別の撮像装置それぞれについてレンズの焦点合わせをする必要なく処理でき、ひいては最終製品が得られるよう、高さ許容値の制御を可能にする。処理に対して実現可能な高さの総許容値は±３０ミクロンの範囲にあるので、大部分がレンズホルダの成形許容値によって占められる。従って、シリコンスペーサを使用してレンズホルダの寸法を制限すると、許容値に関する必要条件を満たすことが容易になる。
【００２０】
また、前記シリコンスペーサ上に透明層を設けると有利である。前記透明層は、光スペクトルの所定周波数を前記光検出面に向かって通過させる材料で生成することができる。好適には、前記透明層はガラス層である。また、前記光検出面内に含まれる前記感光性素子上に光画像を結像させるよう、前記透明層にレンズ系を取り付けることができる。画像センサを有する回路を含む単一のダイスから構成されるシリコンウェハ上の可能な透明層としてガラスウェハを設ける場合、マイクロレンズの前方の空隙の既知の利点を、グラスウェハにシリコンウェハを接続するこのステップに組み入れることができる。また、ガラスウェハは、特別な強度でシリコン装置を支持する。
【００２１】
透明層の別の利点は、清潔な雰囲気における製造中に、感光性素子が気密に密閉されることにある。また、レンズおよびレンズホルダの限定された温度範囲により、ランド格子配列（ＬＧＡ）パッケージのような光学レンズ無しで、最終モジュールをリフローすることができる。導電性粘着剤を使用する場合、最終モジュールは光学レンズ系と共にプリント回路基板に取付けることもできるので、リフロー処理中の熱によるレンズ系の変形を防ぐことができる。最後に、シリコン基層に直接取付けられたレンズ系またはシリコンスペーサに取付けられた透明層は、圧力変更の可能性がある気密穴を形成する。これにより、シリコン基層が湾曲する。従って、インタフェース手段の別の利点は、シリコン基層の湾曲を防止する剛性支持体を提供することである。
【００２２】
上記の電子撮像装置の製造は、シリコン・オン・エニシング（ＳＯＡ）処理によって前記基層を生成するステップを具備している。また、本発明によれば、電子撮像装置全体を、ウェハレベルで製造することができる。従って、前記露出電気的感光性素子と前記レンズ系内の前記レンズとの間の所定の距離に関して±３０ミクロンの許容値を与えられる程度に、前記製造処理を制御することが可能となる。
【００２３】
本発明の別の利点は、ウェハレベルパッキングの可能性である。ここで、使用するＳＯＡ処理により、このようなモジュールの製造の最適化に対して新たな可能性も与えられる。これは、より小さなイメージャモジュールの構築を可能にする。従って、上部にフレックス・フォイルを有する非常に薄いシリコンに対する剛性支持体としても機能するレンズ取付部を含むウェハ規模で、パッケージ全体が製造される。シリコンスペーサを使用することの別の効果は、レンズホルダから支持する他に、装置を機械的に支持することである。
【００２４】
一般に、ＳＯＡ処理内でこのような電子撮像装置を製造する全体的処理は、以下のステップを具備している。  
【００２５】
ａ）既知の半導体技術により、ウェハ内に埋め込まれた機能回路の相互接続手段を含む前記ウェハの第１面上に多層フレックス・フォイルを取付ける。これは、導電性接着剤、あるいは半田付けでのバンプの使用など他の技術で実行される。機能回路とフレックス・フォイルとの間を電気接続するのに、押付技術を使用することもできる。  
ｂ）前記シリコンウェハをエッチングすることにより、前記ウェハの第２面、すなわち前記第１面に対向する面からシリコンを除去する。これに関して、実行すべき２つの可能な方法（Ａ）および（Ｂ）がある。  
Ａ）シリコンの残り部分をレンズ系のスペーサとして使用できるよう、感光性素子が存在する画像領域の位置でのみウェハの第２面をエッチングする。また、この場合、前記シリコンスペーサ上に透明層を設けて、光検出面と前記透明層との間に空隙を形成し、また光検出面が異質材料によって汚染されるのを防ぐことができる。また、
Ｂ）例えばレンズ系自体によって、レンズ系の別個のスペーサが必要なウェハの第２面全体をエッチングする。  
次に前記ステップ（Ａ）および（Ｂ）により、
ｃ）接着剤などを使用して、前記シリコンスペーサまたは前記透明層にレンズ系（レンズホルダ、レンズ鏡筒、およびレンズ）を取り付ける、すなわち（Ａ）の場合、あるいは前記レンズ系によって、スペーサを使用する前記シリコン層にレンズ系を直接取付ける、すなわち（Ｂ）の場合、また
ｄ）個別の撮像装置、すなわちセンサモジュールにおいてウェハを単一構成する。
【００２６】
ウェハレベルでイメージャモジュール全体を製造すると、高品質標準が満たされるだけでなく、各イメージャチップレンズ系のそれぞれの焦点合わせが不要となるので製造コストを削減することも可能となる。レンズ系は通常高い許容値を有しているので、焦点合わせはコストのかかるステップである。また、ウェハレベルでの単一モジュールの最終試験も可能である。
【００２７】
本発明の上記および他の目的、特徴および利点は、添付図面を参照して、好適な実施の形態の以下の説明より明らかとなるであろう。ちなみに、図面で同一の参照符号は同一または同等の部分を指示している点に注意されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明による撮像装置１０の断面図を示している。まず、電子撮像技術による既知の機能回路、すなわち感光性素子から構成されるシリコン装置を含むシリコン基層２０が設けられる。このシリコン基層は、回路の相互接続用の第１面２２と、光検出面として機能する第２面２４とを有している。前記第１面２２には、フレックス・フォイルとしての相互接続手段３０が取付けられ、これは前記シリコン基層２０内で機能回路（図示せず）を前記第１面２２から接続パッド３４に電気的に接続する微小ビアを提供する。前記相互接続手段３０は、導電性接着剤によって前記相互接続面２２に固定される。接続パッド３４は、銅の島状構造などである。
【００２９】
前記基層２０の第２面２４上には、カラーフィルタ手段４０が前記画像面内の素子の上に配置されている。このカラーフィルタ手段４０は、光スペクトルの所定周波数の通過を選択的に可能にする光学素子である。前記カラーフィルタ手段４０を覆って、マイクロレンズ５０が配置されている。これらのマイクロレンズ５０は、前記シリコン基層２０の前記第２面２４の画像面内の感光性素子の効果的充填率を有利に上昇させる。
【００３０】
前記カラーフィルタ手段４０およびマイクロレンズ５０の前記配列を覆うように、レンズ６４を含むレンズ鏡筒６２を有するレンズホルダ６０ａを具備しているレンズ系が設けられている。前記レンズホルダ６０ａは、前記シリコン基層２０の前記第２面２４の画像面と前記レンズ６４との間に所定の距離を作るよう、前記レンズ鏡筒６２内の前記レンズ６４を保持するよう配置されている。従って、所定高さのスペーサ６６は、そのレンズホルダ６０ａによって設けられる。前記レンズホルダ６０ａは樹脂または同様の材料で生成でき、また接着剤によって前記シリコン基層２０に固定することができる。
【００３１】
本発明の目的によれば、図１の実施形態は、簡素な構造の利点の他に、撮像装置のレンズ系がレンズ６４と画像面との間の距離の範囲に組み込まれるので、製造終了時に各撮像装置１０のそれぞれの焦点合わせがもはや不要となる小型の撮像装置を提供する。
【００３２】
次に図２を参照し、図１の実施形態に対する違いのみを説明する。図２は、断面図により本発明の別の実施形態を示している。まず、レンズ６４と画像面との間の所定距離を更に正確に与えるために、前記シリコン基層２０の前記光検出面２４に接して、シリコンスペーサ７０が配置されている。前記スペーサ７０に接して、ガラス層でもよい、接着剤によって前記シリコンスペーサ７０に取付けられる別の透明層８０が配置される。この透明層８０は、前記シリコンスペーサ７０と共に、前記マイクロレンズ５０の効率を上昇させ、また前記光検出面での感光性領域を密封する空隙を有利に形成する。
【００３３】
シリコンスペーサ７０は、前記光検出面２４のエッチング中に形成される。使用されるエッチング処理は、シリコン基層の厚さを考慮することで前記スペーサ７０の所望の高さが得られる程度に制御される。また、スペーサ７０の形状は、シリコン基層２０の結晶構造を考慮することで制御される。従って、シリコンの結晶構造を使用する場合、図２に示すようなスペーサ７０の等方性形状は、例えば一種のテーパ形状などに精密に形成することもできる。
【００３４】
また、本実施形態のレンズ系は、レンズ６４と前記光検出面２４との間の所定距離を実現するためのスペーサ手段を必要としないため、前記レンズ鏡筒６２と前記レンズ６４とを含むレンズホルダ６０ｂが設けられる。レンズホルダ６０ｂは所定位置内で透明層８０に固定されるので、レンズは前記光検出面２４に位置する前記画像面上に所望の画像を与える。
【００３５】
本発明の本実施形態の利点は、おそらく撮像装置１０をＰＣＢなどに組み込んだ後など、一番最後に撮像装置１０にレンズ系を取付けることが可能なことである。また、±３０ミクロンの範囲内で実現可能な高許容値により、レンズ系を個別調整する必要がない。
【００３６】
本開示の観点から、全て添付の特許請求の範囲内にある上記実施形態および他の実施形態の変形例は、当業者により明らかとなるであろう。また、本発明はその添付図面を参照して説明したが、請求項の本旨の範囲内で様々な他の変形例が実施されることが理解されよう。
【００３７】
上記説明において、電気機能回路を含む基層を具備し、この基層が回路の相互接続用第１面と、光検出面としての第２面とを有する電子撮像装置を紹介した。この第２面は、基層に配置された被露出感光性電気素子を有している。また、所定高さを有するスペーサ手段を前記第２面に隣接して設けている。スペーサ手段を有利に使用して、レンズ系のレンズと前記光検出面との間の所望の距離の許容値を制御することができる。従って、製造後の各イメージャ装置のレンズ系のそれぞれの焦点合わせを行う必要はない。また、本発明の実施の一形態において、前記スペーサ手段に透明層を設けることによって空隙を形成できるので、マイクロレンズの機能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態を示す。
【図２】図２は、透明層を設けて、画像面とレンズ系との間に空隙を形成する、本発明の第２の実施の形態を示している。
【図１】
2005528791.tif 000003
【図２】
2005528791.tif 000004
【国際調査報告】
2005528791.tif 000005
2005528791.tif 000006