(57)【要約】電界電子放出材料を創り出す方法において、バナジウム或いはバナジウム化合物が基体のそれぞれの場所に配置され、少なくとも１０２ｃｍ−２の平均密度で前記場所に複数の放出サイトを創り出す。好ましくは、前記バナジウム或いはバナジウム化合物が粒子形状をしている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界電子放出材料を創り出す方法であって、基体のそれぞれの場所にバナジウム或いはバナジウム化合物を配置し、少なくとも１０２cmの-２の平均密度で前記場所に複数の放出サイトを創り出す工程を含む方法。
【請求項２】
前記バナジウム或いはバナジウム化合物が粒子形状をしている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ａ．バナジウム含有材料を前記基体に適用する適用工程と、
ｂ．前記基体への適用後にバナジウム含有材料を処理して前記放出サイトを創り出す処理工程と、
を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記処理工程が前記バナジウム含有材料を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記処理工程が、１００〜１０００℃の範囲の温度まで前記バナジウム含有材料を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記処理工程が、３００〜８００℃の範囲の温度まで前記バナジウム含有材料を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記処理工程が、５００〜５５０℃の範囲の温度まで前記バナジウム含有材料を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記処理工程が、５〜３００分の範囲の時間にわたって前記温度を維持する工程を含むことを特徴とする請求項５、６、又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記処理工程が、５〜６０分の範囲の時間にわたって前記温度を維持する工程を含むことを特徴とする請求項５、６、又は７に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理工程が、１０〜３０分の範囲の時間にわたって前記温度を維持する工程を含むことを特徴とする請求項５、６、又は７に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理工程が、前記バナジウム或いはバナジウム化合物のホイスカを形成する工程を含むことを特徴とする請求項３〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記適用工程が、前記基体上へ直接または間接的に前記バナジウム含有材料を印刷する工程を含むことを特徴とする請求項３〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記適用工程が、前記基体上のカソード・トラック上へ前記バナジウム含有材料を印刷する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記適用工程が、前記基体上の抵抗層上へ前記バナジウム含有材料を印刷する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記バナジウム含有材料が有機金属化合物とバナジウム化合物を含むことを特徴とする請求項３〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
前記有機金属化合物が、ゴールド、パラジウムおよびプラチナから選ばれた１つまたはそれ以上の金属を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記バナジウム含有材料が、有機金属化合物の金属部分に関して０.０１〜１０重量％のバナジウムを含むことを特徴とする請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記バナジウム含有材料が、有機金属化合物の金属部分に関して０.５〜５重量％のバナジウムを含むことを特徴とする請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記バナジウム含有材料が、有機金属化合物の金属部分に関して０.８〜２.５重量％のバナジウムを含むことを特徴とする請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記バナジウム含有材料が酸化ナフテン酸バナジウムを含むことを特徴とする請求項３〜１９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２１】
前記バナジウム含有材料が、前記放出サイトと、この放出サイトを配置した層の両方を作成する材料を含むことを特徴とする請求項３〜２０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２２】
前記層が電極となることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記層がバラスト抵抗器として役立つ抵抗層となることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記処理工程が、前記層および前記放出サイトを同時に創り出すような条件の下にバナジウム含有材料を処理する工程を含むことを特徴とする請求項２１，２２，又は２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記処理工程が、前記層を創り出すような第１の条件の下に、そして、引き続いて前記層上に前記放出サイトを創り出すような第２の条件の下にバナジウム含有材料を処理する工程を含むことを特徴とする請求項２１，２２，又は２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記処理工程が、電界電子放出材料を電界電子放出装置内に密封する密封工程と並行して実施されることを特徴とする請求項３〜２５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２７】
基体上に金属酸化物を配置し、前記基体上の場所で金属酸化物からホイスカを成長させるような条件の下に金属酸化物を処理し、それによって、前記場所で複数の放出サイトを創り出す工程を含むことを特徴とする電界電子放出材料を創り出す方法。
【請求項２８】
前記放出サイトが少なくとも１０２ｃｍ−２の平均密度を有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記方法が、請求項２７または２８に記載の、そして、また、請求項１〜２６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３０】
電界電子放出材料を創り出す方法であって、実質的に添付図面を参照しながら先に説明した方法。
【請求項３１】
請求項１〜３０のいずれか１つに記載の方法により作成された電界電子放出材料。
【請求項３２】
基体のそれぞれの場所に適用され、少なくとも１０２ｃｍ−２の平均密度で前記場所に複数の放出サイトを創り出すバナジウム或いはバナジウム化合物を含む電界電子放出材料。
【請求項３３】
前記バナジウム或いはバナジウム化合物が複数の粒子形状をしていることを特徴とする請求項３２に記載の電界電子放出材料。
【請求項３４】
前記バナジウム化合物が、酸化バナジウム、珪化バナジウム、窒化バナジウム、珪酸バナジウム、炭化バナジウム、硼化バナジウム、硫化バナジウムおよびチタン酸バナジウムからなるグループから選ばれることを特徴とする請求項１〜３３のいずれか１つに記載の方法または材料。
【請求項３５】
電界電子放出材料上の前記サイトの分布がランダムであることを特徴とする請求項１〜３４のいずれか１つに記載の方法または材料。
【請求項３６】
前記サイトが、少なくとも１０３ｃｍ−２、１０４ｃｍ−２または１０５ｃｍ−２の平均密度で電界電子放出材料上に分布していることを特徴とする請求項１〜３５のいずれか１つに記載の方法または材料。
【請求項３７】
電界電子放出材料上の前記サイトの分布が実質的にランダムであることを特徴とする請求項１〜３６のいずれか１つに記載の方法または材料。
【請求項３８】
電界電子放出材料上の前記サイトの分布が、１ｍｍ直径の任意の円形領域における前記サイトの密度が電界電子放出材料のすべてについてサイト分布の平均密度から２０％より大きく変化しないように均一性を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法または材料。
【請求項３９】
直径１ｍｍの円形測定領域を使用するときの電界電子放出材料上の前記サイトの分布が実質的に二項分布またはポアソン分布であることを特徴とする請求項３８に記載の方法または材料。
【請求項４０】
電界電子放出材料上の前記サイトの分布が、少なくとも５０％の確率で４μｍ直径の任意円形領域に少なくとも１つの放出サイトが位置するように均一性を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法または材料。
【請求項４１】
電界電子放出材料上の前記サイトの分布が、少なくとも５０％の確率で１０μｍ直径の任意円形領域に少なくとも１つの放出サイトが位置するように均一性を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法または材料。
【請求項４２】
実質的に添付図面を参照しながら先に説明したような電界電子放出材料。
【請求項４３】
請求項３１〜４２のいずれか１つに記載の電界電子放出材料を含有する電界電子エミッタと、前記エミッタに電子を放出させるように前記エミッタを電界にさらす手段を含む電界電子放出装置。
【請求項４４】
前記電界電子エミッタのパッチ・アレイを有する基体と、整合したアパーチャ・アレイを有し、絶縁層によって、エミッタ・パッチ上方に支持された制御電極とを含むことを特徴とする請求項４３に記載の電界電子放出装置。
【請求項４５】
前記アパーチャがスロットの形をしていることを特徴とする請求項４４に記載の電界電子放出装置。
【請求項４６】
プラズマ反応器、コロナ帯電装置、無音放電装置、オゾン発生器、電子源、電子銃、電子装置、Ｘ線チューブ、真空計、ガス充填装置またはイオン・スラスタを含むことを特徴とする請求項４３〜４５のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項４７】
電界電子エミッタが装置作動用の全電流を供給することを特徴とする請求項４．３〜４６のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項４８】
電界電子エミッタが、装置のためのスターティング電流、トリガリング電流またはプライマー電流を供給することを特徴とする請求項４３〜４７のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項４９】
ディスプレイ装置を含むことを特徴とする請求項４３〜４８のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項５０】
ランプを含むことを特徴とする請求項４３〜４８のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項５１】
前記ランプが実質的に扁平であることを特徴とする請求項５０に記載の電界電子放出装置。
【請求項５２】
前記エミッタが電流を制限するバラスト抵抗器を経て電気駆動手段に接続されていることを特徴とする請求項４３〜５１のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項５３】
前記バラスト抵抗器が前記放出パッチの下の抵抗パッドとして適用されることを特徴とする請求項４４および５２に記載の電界電子放出装置。
【請求項５４】
前記エミッタ材料および／または蛍光物質が、スキャン用照明線を生成すべく電子駆動手段によってアドレス指定されるように配置された導電性トラックの１つまたはそれ以上の一次元アレイ上にコーティングされることを特徴とする請求項４３〜５３のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項５５】
前記電子駆動手段を含むことを特徴とする請求項５４に記載の電界電子放出装置。
【請求項５６】
前記電界エミッタが、気体、液体、固体、または真空の環境に配置されることを特徴とする請求項４３〜５５のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項５７】
光学的に半透明であるカソードを含み、このカソードが、そこから放出された電子がアノードに衝突してアノードのところに電界発光を生じさせるようにアノードに関して配置されており、この電界発光が光学的に半透明のカソードを通して見えることを特徴とする請求項４３〜５６のいずれか１つに記載の電界電子放出装置。
【請求項５８】
実質的に添付図面を参照しながら説明したような電界電子放出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界電子放出材料およびこの材料を使用する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
伝統的な電界電子放出においては、材料表面における、たとえば、式１のような高い電界が、表面電位障壁の厚みを、量子力学的トンネル効果によって電子が材料から出ることができるレベルまで減らす。マクロ電界を凝縮するために必要な状態は、原子的に鋭いポイントを使用することで実現できる。電界電子放出電流は、低仕事関数を有する表面を使用することによって、さらに増大させることができる。金属からの電界電子放出の測定基準は、周知のファウラー・ノルドハイム方程式（Fowler-Nordheime equation）によって表記される。
【式１】
【０００３】
2005521217.tif 000002
【０００４】
鋭いポイント（先端：tips）からの電界電子放出を利用する電子エミッタおよび電子放出アレイに関する従来技術はかなりある。この技術分野での研究者達の主な目的は、アパーチャ（ゲート： gate）を持つ電極を各々の単一の放出先端から１ミクロメータ以下に離して設置することで、１００Ｖ以下の印加電位を使用して必要な高電界を達成できるようにすることにあった。これらのエミッタはゲーテッド・アレイ（gated arrays）と呼ばれる。これを実際に初めて実現化したものが、カリフォルニア州のStanford Research Instituteで研究しているC A Spindtによって発表された（J. Appl. Phys. 39,7, pp 3504-3505, (1968))。それ以来、このようなエミッタ・アレイについての改良が、先端（tips）の体積及び表面を電気陽性要素で処理すること（doping）（米国特許第５,７７２,４８８号）を含めて、提案されて来ている。
先端ベースの放出システム(tip-based emitting systems)全てに係る主要な問題は、イオン衝撃による損傷や、高電流でのオーム加熱や、装置内腔の電気的な故障によって発生する破壊的損傷に対し非常に受けやすく、大面積装置を作ることは処理が困難で費用も掛かる、ということである。
【０００５】
１９８５年頃になって、ダイヤモンドの薄膜を成長させて、名目上平坦な電界エミッタ、すなわち、時間をかけて細心の注意を払って作られる先端を必要としない電界エミッタが得られることが発見された。Wang等は、電界電子放出電流が、３ＭＶｍ−１まで低くした電界を有する広面積ダイヤモンド・フィルムから得られるということを発表した（Electron. Lett., 27, pp 14.59-1461 (1991)）。この性能は、研究者によては、１１１個のダイヤモンド・ファセットの低電子親和性と、高密度の局在する偶発的な黒鉛混入との組み合わせによるものと考えられている（Xu, Latham and Tzeng Electron. Lett., 29, pp 1596-159 (1993)）が、別の説明も言い出されて来ている。その後すぐ、カーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ：carbon nanotubes）が発見されて、これが典型的な電界放出構造となった。このカーボン・ナノチューブ構造が電界放出することを実現化することにより、高電界でのカーボン・ナノチューブ構造の成長が説明されたばかりでなく（Colbert等：Science, 266, pp 1218-1222 (1994)）、カーボン・ナノチューブを含む電子源も報告されたのである（Rinzler等：Science, 269, pp1550-1553、(1995)）。
【０００６】
純粋なカーボン・ベースの放出システムに全てに伴う主要な問題は、酸化による損傷に対する脆弱性であるとか、カーボン・ベースのフィルムの中には、準安定的で、技術的に利用可能な電界放出装置を作るのに要求される真空ベークアウト及び密閉処理工程と相容れないものがあるという事実である。更に、カーボン・ナノチューブは、その体積成長工程で、種々に異なるタイプのナノチューブがもつれて束になってしまい、分離して取り除くのを難しくしてしまうので、装置に組み入れるのが難しい。また、現場触媒成長技術を用いることについての他の方法は、最高の電界放出特性を提供する高結晶構造の単一いつ壁ナノチューブ構造（または、実際には、１０層ほどのグラファイト層から成る多壁ナノチューブ構造）を産出する条件を発見することができないでいるために、一段と劣っている。それどころか、このような構造は、整然と整っていないグラファイト層を有する、かなり大きな直径の、カーボン繊維やカーボン・スタブである。
【０００７】
真空内腔での電極間の絶縁破壊に関連したメカニズムについての研究が、これを回避するために取り組まれてきた（たとえば、Latham and Xu, Vacuum, 42,18, pp 1173 - 1181 (1991)）。絶縁破壊では、電子が、金属・絶縁材・真空（MIV）構造になる活性サイトに相当に平坦な表面を残すことが知られている。この構造は、埋設誘電粒子か、金属の表面酸化物のような絶縁性パッチ上に載っている導電フレークかの、どちらかによって形成される。これは、Latham, High Voltage Vacuum Insulation, Academic Press (1995)のような科学文献によく説明されているところである。おなじように、もっと最近になって、Werner外（Particle Accelerator Conference, 2001）によって銅陰極或いはニオピウム陰極上のギザギアのバナジウムのとげとげした粒子が絶縁破壊や高電界放出電流密度といった望ましくないサイトに生じることが、公表された。
【０００８】
このような研究において言及される放出サイトは、突発的にほんのわずかな数でおきる、望ましくない欠陥であり、真空絶縁作業の主な目的はこういった欠陥を回避することである、ということが了解されよう。たとえば、量的基準としては、このような放出サイトが１平方センチメータ当りにほんの僅かしかなく、そして、１０３あるは１０４個に一つでも可視表面欠陥があれば、このような望ましくない予測不能の放出をおこすことになるのである。
このような研究の教示は、数多くの技術（たとえば、粒子加速器）によって採用され、真空絶縁を改善してきた。
【特許文献１】米国特許第５,７７２,４８８号
【非特許文献１】J. Appl. Phys. 39,7, pp 3504-3505, (1968)
【非特許文献２】Electron. Lett., 27, pp 14.59-1461 (1991)
【非特許文献３】Xu, Latham and Tzeng Electron. Lett., 29, pp 1596-159 (1993)
【非特許文献４】Colbert等：Science, 266, pp 1218-1222 (1994)
【非特許文献５】Rinzler等：Science, 269, pp1550-1553、(1995)
【非特許文献６】Latham and Xu, Vacuum, 42,18, pp 1173 - 1181 (1991)
【非特許文献７】Latham, High Voltage Vacuum Insulation, Academic Press (1995)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしこれとは反対に、本発明の実施例は、偶発的で望ましくない散発的なエミッタのを含むのとは対照的に、著しい密度の放出サイトを有するように慎重に設計された放出材料をもたらすものである。
【００１０】
本発明の好ましい実施例は、装置構造に組み込むことができ、カーボン・ナノチューブの利点と同様の利点持ち合わせ、密封措置を達成するために加熱された、基板、それから空気、真空へと、均一に制御可能に且つ安い費用でに適用される、改良した電界電子エミッタ材料を提供することを目的としている。
本発明の好ましい実施例は、とりわけ、電界電子放出ディスプレイパネル；電子ＭＡＳＥＲおよびジャイロトロン（electron MASERS and gyrotrons）のような高出力パルス装置；ＣＦＡのような交差電磁界マイクロ波管（crossed-field microwave tubes）、クライストロン（klystrons）のような線状ビーム管、フラッシュＸ線管、トリガー火花間隙（triggered spark gaps）、および関連装置；殺菌用広面積Ｘ線源；真空計：宇宙船用のイオン制御ロケット（ion thrusters）；粒子加速器；ランプ；オゾン発生器；プラズマ反応器といった装置に使用され得る、改良型電界電子放出材料および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、電界電子放出材料を創り出す方法が提供されるもので、この方法は、基体上のそれぞれの場所に、少なくとも１０２ｃｍ−２の平均密度で前記場所に複数の放出サイトを創り出すために、バナジウム或いはバナジウム化合物を配置する工程から成る。
好ましくは、前記バナジウム或いはバナジウム化合物は粒子形状である。
【００１２】
上記の方法は、好ましくは、
バナジウム含有材料を前記基体へ適用する適用工程と、
前記放出サイトを創り出すために、バナジウム含有材料を、前記基体へ
適用した後に処理する処理工程とを含む。
好ましくは、前記処理工程は、前記バナジウム含有材料を加熱する工程を含む。
前記処理工程には、１００乃至１０００℃の範囲の温度まで前記バナジウム含有材料を加熱する工程も含められる。
前記処理工程は、前記バナジウム含有材料を、３００乃至８００℃の範囲の温度に加熱する工程も含められる。
前記処理工程は、前記バナジウム含有材料を、５００乃至５５０℃の範囲の温度に加熱する工程も含められる。。
前記処理工程は、前記温度を、５乃至３００分間保つ工程も含められる。
前記処理工程は、前記温度を、５乃至６０分間保つ工程も含められる。
前記処理工程は、前記温度を、１０乃至３０分間保つ工程も含められる。
好ましくは、前記処理工程は、前記バナジウム或いはバナジウム化合物のホイスカ（whiskers  ひげ状のもの）を形成する工程を含む。
前記適用工程は、好ましくは、直接的或いは間接的に前記基体上へ前記バナジウム含有材料を印刷する工程を含む。
前記適用工程は、前記基体上の陰極トラック上へ前記バナジウム含有材料を印刷する工程を含んでいてもよい。
前記適用工程は、前記基体上の抵抗層上へ前記バナジウム含有材料を印刷する工程を含んでいてもよい。
【００１３】
好ましくは、前記バナジウム含有材料は、有機金属化合物とバナジウム化合物とを含む。
好ましくは、前記有機金属化合物は、ゴールド、パラジウム、プラチナから選ばれた１つ以上の金属を含む。
前記バナジウム含有材料は、有機金属化合物の金属部分に関して０.０１乃至１０重量％のバナジウムを含んでいてもよい。
前記バナジウム含有材料は、有機金属化合物の金属部分に関して０.５乃至５重量％のバナジウムを含んでいてもよい。
前記バナジウム含有材料は、有機金属化合物の金属部分に関して０.８乃至２.５重量％のバナジウムを含んでいてもよい。
前記バナジウム含有材料は、酸化ナフテン酸バナジウムを含んでいてもよい。
前記バナジウム含有材料は、前記放出サイトと、この放出サイトを配置した層の両方を作成する材料を含んでいてもよい。
【００１４】
前記層は電極を提供し得る。
前記層は、バラスト抵抗器として機能するように抵抗層を提供し得る。
【００１５】
前記処理工程は、前記層および前記放出サイトを同時に創り出すような条件の下でバナジウム含有材料を処理する工程を含んでいてもよい。
前記処理工程は、前記層を創り出すような第１の条件の下で、そして、前記層上に前記放出サイトを創り出すような第２の条件の下で、バナジウム含有材料を処理する工程を含んでいてもよい。
前記処理工程は、電界電子放出材料を電界電子放出装置内に密封するようになる密封工程と並行して実施してもよい。
【００１６】
別の態様においては、本発明は、基体上に金属酸化物を配置する工程と、前記基体上の複数の場所で金属酸化物からホイスカ（whiskers）を成長させるよという条件で金属酸化物を処理する工程とを含み、これによって、前記場所に複数の放出サイトを創り出すようにした、電界電子放出材料を創り出す方法を提供する。
好ましくは、前記放出サイトは、少なくとも１０２ｃｍ−２の平均密度を有する。
【００１７】
すぐ前の２つの段落のいずれかによる方法は、また、本発明の先の態様のいずれかによるものであってもよい。
本発明は、先行する請求項のいずれか１つに記載の方法によって作り出された電界電子放出材料にも及ぶ。
【００１８】
別の態様において、本発明は、少なくとも１０２ｃｍ−２の平均密度で、前記場所に複数の放出サイトを創り出すために、基体のそれぞれの場所に適用されたバナジウム或いははバナジウム化合物を含む電界電子放出材料にも及ぶ。
好ましくは、前記バナジウム或いはバナジウム化合物は複数の粒子形状をしている。
【００１９】
本発明の前述した態様において、前記バナジウム化合物は、酸化バナジウム、珪化バナジウム、窒化バナジウム、珪酸バナジウム、炭化バナジウム、硼化バナジウム、硫化バナジウム、チタン酸バナジウムから成る群から選らぶことができる。
【００２０】
好ましくは、電界電子放出材料上の前記サイトの分布は無作為任意である。
好ましくは、前記サイトは、少なくとも１０３ｃｍ−２、１０４ｃｍ−２、或いは、１０５ｃｍ−２の平均密度で電界電子放出材料上に分布する。
好ましくは、電界電子放出材料上の前記サイトの分布は実質的に均一である。
【００２１】
電界電子放出材料上の前記サイトの分布は、１ｍｍ直径の円形領域での前記サイトの密度が、どの領域でも、電界電子放出材料のすべてに対するサイト分布の平均密度より２０％以上変化しないというような均一性を有する。
【００２２】
直径１ｍｍの円形測定領域を使用するときの電界電子放出材料上の前記サイトの分布は、実質的に、二項分布（Binomial distribution）でも、ポアソン分布(Poisson distribution)でもよい。
【００２３】
電界電子放出材料上の前記サイトの分布は、少なくとも５０％の確率で、直径４μｍの円形領域に少なくとも１つの放出サイトが位置するような均一性を有している。
電界電子放出材料上の前記サイトの分布は、少なくとも５０％の確率で、直径１０μｍ円形領域に少なくとも１つの放出サイトが位置するように均一性を有している。
【００２４】
本発明は、本発明の上述した態様による電界電子放出材料を含む電界電子エミッタと、前記エミッタに電子を放出させるために、該エミッタを電界にさらすための手段と、を含む電界電子放出装置に及ぶ。
このような装置は、前記電界電子エミッタのパッチ・アレイ（an array of patches）を有する基体と、絶縁層によってエミッタ・パッチ上方に支持され、整合したアパーチャ・アレイ（aligned arrays）を有する制御電極と、から成る。
好ましくは、前記アパーチャはスロットの形態をしている。
【００２５】
上記の装置は、プラズマ反応器、コロナ帯電装置、無音放電装置、オゾン発生器、電子源、電子銃、電子装置、Ｘ線管、真空計、ガス充填装置、イオン・スラスタ（ion thruster）を含んでいてもよい。
【００２６】
電界電子エミッタは、装置作動に対し、全電流を供給する。
電界電子エミッタは、装置に対し、スターティング電流、トリガリング電流プライマー電流を供給する。
【００２７】
上記の装置は、ディスプレイ装置を含む。
上記の装置は、ランプを含む。
前記ランプは実質的に扁平でよい。
【００２８】
前記エミッタは、電流を制限するために、バラスト抵抗器を介して電気駆動手段に接続される。
好ましくは、前記バラスト抵抗器は、前記放出パッチの下で抵抗パッドとして適用される。
好ましくは、前記エミッタ材料および／または蛍光物質は、スキャン用照明線を生成するように、電子駆動手段によってアドレス指定されるよう配置された１つ以上の一次元導電性トラック・アレイ上に、コーティングされる。
好ましくは、前記電界電子放出装置は前記電子駆動手段を含む。
好ましくは、前記電界エミッタは、気体の、液体の、固体の、或いは真空の環境に配置される。
【００２９】
上記の電界電子放出装置は、光学的に半透明なカソード（陰極）であって、且つ、アノード（陽極）に関して、該カソードから放出された電子が該アノードに衝突して、アノードに電界発光を生じさせるように配置されたカソード（陰極）を含んでおり、この電界発光は前記光学的に半透明のカソードを通して見えるようになっている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明をより良く理解して貰うべく、そして、本発明の実施例をどのように実施すると良いかを示すために、以下に、添付図面と共に説明する。
これらの図において、同様の参照符号は、同様の、または、対応する部分を示している。
【００３１】
酸化バナジウムは、多くの異なった化学量論組成に存在できる材料である。このような酸化バナジウムとしては、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５がある。それに加えて、材料それ自体が広範にわたる様々な性質を有する。ＶＯ２は非金属性（低温）から金属性に変わる転移温度を有し、そして、Ｖ２Ｏ３は圧力を伴う同様の転移と、〜１５０Ｋの温度での金属転移への磁気絶縁体とを示している。金属形態において、Ｖ２Ｏ３は、３０００オームｃｍの抵抗を有し、〜２２１３Ｋの高融点を有する。Ｖ２Ｏ５は、２.２ｅＶのバンド・ギャップ（band-gap）を有する半導体特性を有する。融点は〜９６３Ｋである。これらの材料の複雑な物理的性質がまだ完全に理解されていないということを知っても驚くべきことではない（Transition Metal Oxides, P.A. Cox, Oxford University Press, 1992およびLeisenberger等：J. Vac. Sci. Tecbnol. A, 17, pp 1743-1749 (1999）)。しかしながら、酸化バナジウムには、光学スイッチング・コーティングおよび光学記憶薄膜を含めて、種々の技術的な適用例が見つかっている。ゾル−ゲル・プロセス（sol-gel processes）を用いて誘導されたＶ２Ｏ５リボンの電気的特性も報告されている（Muster等：Adv. Maser., 12, pp420-424 (2000))。
【００３２】
Ｖ２Ｏ５を作る従来技術分野で知られた１つの方法は、空気中において約８５０℃でバナジウム残渣をＮａＣｌと共に加熱して、ＮａＶＯ３を作成することである。ＮａＶＯ３は、酸性化によってＶ２Ｏ５に酸化される。このプロセスに関する不利な点は、ディスプレイのような安価で高面積の装置に対して通常使用される硼珪酸ガラスや高ひずみ点ガラス基板との適合性を持たないということである。しかしながら、アルミナ・タイルのような耐火性セラミック基板や、銅のようなかなり高融点の金属とは相性がよい。
【００３３】
また、酸化バナジウムはナノチューブ構造の形で成長できるという事実も重要なことである（H. J. Muht 外 ：Adv. Mater., 12, pp. 231-234 (2000))。この論文では、酸化バナジウム・ベースのナノチューブ・システム（ＶＯｘ−ＮＴ）は、低温ソフト化学合成技術を使用して製造できるため、ＣＮＴ以上の利点を有することが強調されている。たとえば、アルキル・アミンやアルキル・ジアミンは、バナジウム（Ｖ）アルコキシドと反応して、良好に整合した高結晶質ナノチューブをグラム単位で創り出すことができる。これらの材料は、リチウム電池の電極としての適用に対して研究されて来たが（M. F. Spahr等：J. Electrochem. Soc. 146, pp. 2780-2783 (1999)、これら材料は温度安定性が悪く、２５０℃以上で非晶質酸化バナジウムに崩壊してしまう。
【００３４】
本発明の一態様は、電界電子放出材料として熱成長したバナジウム含有ファイバの使用にある。たとえば、Ｖ２Ｏ５のロッド状形態およびその半導体特性は、低マクロ閾値電界（low macroscopic threshold fields）で作動可能な有用な電界電子放出材料を提供する。このような材料を導体上に配置することによって、良好な電界電子エミッタを作ることが可能である。
【００３５】
本発明のさらに別の態様は、印刷することによって、有用なバナジウム化合物エミッタ構造を製作する方法を提供する。Tuck, Taylorおよび Latham（英国特許第２３０４９８９号）は、インクを使用して領域電界エミッタを製作する印刷可能な方法を提案しており、この領域電界エミッタを焼成したとき、誘電マトリックス内に分散する導電性または半導電性の粒子を含む放出面が生じる。本発明の一実施例によるこの改良において、印刷バナジウム含有領域エミッタを達成する方法は、印刷に対して適切な賦形財（ヴィークル：vehicle）にバナジウム含有前駆物質（たとえば、バナジウム残渣、バナジウム・ゾル−ゲルまたは酸化ナフテン酸バナジウム）を使用することである。流体力学を制御するために、大量の粒子を含んでいない適切なスクリーン印刷配合物が、ＷＯ０２／０３４１３に教示されており、これをこれらの材料に適用できる。しかしながら、配合物は、他の適用方法（たとえば、インクジェット式印刷、塗装およびディップ・コーティング）に対してはもっと適応して誘導することもできる。
【実施例】
【００３６】
図１は、基体１（たとえば、硼珪酸ガラス）の必須領域にバナジウム含有前駆物質２を配置し、対象物を加熱処理することによって、ファイバ形態をした所望の電子放出ホイスカを製作する方法を示している。熱処理の一例として、空気中において５５０℃で焼成することがあり、これはガラス製基板１と適合する。熱処理の時間を制御することによって、制御した長さのバナジウム含有ファイバ３を成長させることが可能である。一例として、材料を１時間にわたって或る温度まで加熱し、このサンプルを２０分間５５０℃に保ち、その後、約２時間にわたって室温まで冷却する。この例では、長さ数ミクロメートルのファイバが得られる。
【００３７】
それに加えて、印刷層から成長するファイバのサイト密度および形態を制御するために、前駆物質内のバナジウム添加物の濃度を変化させることも可能である。前駆物質が配置される基体の化学組成も重要である。本発明者等は、硼珪酸ガラスが、ナトリウムおよび硼素の内容物を含めて、その組成物故に、使用するに有利な基体であることを発見した。基体がこのような有利な材料を含んでいない場合、或いは、電極のような基板層が前駆物質と基体間で障壁層となる場合には、これらの材料は、前駆物質に直接加えるか、前駆物質が配置されることになっている中間層に加えてもよい。
【００３８】
図２に示すように、このような方法は、装置のカソード電極４上に直接バナジウム含有エミッタ３を成長させるのに使用することができるので、エミッタが接触されて、電気的にアドレス指定されるようなる。
【００３９】
図３では、前駆物質２は電気抵抗フィルム５に適用されていて、この電気抵抗フィルムがバラスト抵抗器として作用して電流を調節する助けをし、それ故、放出材料３の均一性を向上させることができる、ということを示している。
【００４０】
これとは別の配置が図４に示してあり、この図では、前駆物質２は、横方向の抵抗が電気抵抗フィルム５によって形成されるように、片寄らされている。
【００４１】
上述したような、ナトリウムや硼素といったような、反応を触媒する添加物は、エミッタ前駆物質３にも、電極４にも、抵抗フィルム５としても作用する中間層にも加えられる、ということに留意されたい。
【００４２】
さらに別の実施例は、バナジウム前駆物質およびカソード電極をただ一回で印刷し、プロセス工程数を減らす方法を提供する。これは図５に示してある。図５では、バナジウム・エミッタ前駆物質を含有する導電性前駆物質６が基体１上に堆積させられて、次に、これが熱処理されて、導電性フィルムやバナジウム含有エミッタ材料７を生成するようになる。
【００４３】
このような実施例の一例では、液状で輝く（liquid bright）（或いは樹脂酸）、ゴールドや、パラジウムや、プラチナを使用することで、バナジウム前駆物質が添加される。これらの輝金属化合物（bright metal compounds）は、数多くのトレース金属や化合物が添加された後のゴールドや、パラジウムや、プラチナなどの有機金属化合物をベースとしている。輝金属化合物は、陶磁器・ガラス産業において、装飾的コーティングに広く使用されている。金属層は、基体上に材料を塗るか印刷するかしてから、４８０〜９２０℃の温度で空気中において対象物を焼成することによって形成される。この時点で、有機金属化合物は分解して、厚さ１００〜２００ナノメートルの純金属フィルムを産出する。添加物の役目は、ゴールドの粒度を制御し、接着性を促進することである。バナジウム化合物は、熱制御された特殊条件下で、表面から成長するバナジウム含有ファイバを産出する一属の適合性ある添加物の１例である。充分な量のバナジウムを確実に存在させることによって、焼成条件の下であり余る程のファイバが成長する。これもまた、導電性金属フィルムを形成し、保持することと適合性を有する。
【００４４】
このような前駆物質を使用する利点は、一回の印刷工程および一回の焼成工程で、印刷カソード電極と印刷エミッタ構造の両方の自動組み立てが行えるということである。これは、Tuck等（英国特許第２３３０６８７号）によって先に教示された低コスト電界効果装置（ＦＥＤ）構造をさらに改良することになるが、スパッタリング・プラズマ蒸着プロセス（たとえば、Chalamala & Gnade: IEEE Spectrum, April, pp. 42-51 (1998)）を使用して作成したもっと普通のトリード構造とそれを組み合わせてもよい。このようにして成長させたホイスカは、電界放出ディスプレイを空気中焼成し密封するのに必要な温度でも、安定している。これは、先に述べたＶＯｘ−ＮＴとは対照的である。
【００４５】
この方法のさらに別の利点は、カソード・トラックを限定してから、ゴールド・フィルムを形成してそれを基体に付着させるのに適した条件を使用して前記カソードトラックを空気中で焼成することができる、ということであるが、所望のバナジウム含有エミッタ構造の成長を促進するには不適当である。このような条件は、ピーク温度および滞留時間を慎重に制御することによって達成できる。このプロセスが図６に示してあり、図６では、カソード兼エミッタ前駆物質６が、基体１に適用されてから、熱処理されて、粘着性フィルムとなる。次に、ゲート誘電層８とゲート電極９とからなる上層装置構造を堆積させ、次いで、この装置を貫いてエミッタ・ホール１０をエッチング加工して、下層のカソード電極および非活性バナジウム前駆物質を露出させる。次いで、更に熱処理工程が続けられて、所望のバナジウム含有ファイバ１１がホールの底で成長させられる。ホールの底というのは、電子放出１２にとっては好ましい場所である。また、この焼成工程は、最終装置集成体を形成するのに用いられる空気中焼成・密封工程と組み合わせることもできる。こうすると、さらに、プロセスの工程数を減らす。
このようなプロセスでは、エミッタ・ホール形成工程以降の工程中にエッチング阻止層として機能するように、印刷バナジウム含有材料上に中間層を適用すると都合がよいかもしれない。
【００４６】
上記方法の変形例では、バナジウム前駆物質は、バラスト抵抗器として機能する中間の抵抗層を伴って、一回の工程で印刷される。このことは、抵抗層を形成するのにバナジウム含有前駆物質を用いた材料と組み合わせることによって達成される。この方法は、バナジウム前駆物質およびカソード電極を１回の工程で印刷する方法とほぼ同様である。抵抗層は、導電性基板上に配置してもしなくてもよい。前述のように、バナジウム・ホイスカの成長は、もっと後まで、一連の装置構造を作成中にまで、遅らせることもできる。
【００４７】
これらのファイバの成長を良好に制御することで、バナジウム含有ファイバの長さおよび面積密度は、確実に、装置におけるゲート・セル高さおよび直径と適合できる。図７は、空気中でバナジウム含有前駆物質を焼成するのに使用できる３つの温度プロファイルを示している。対応するスキャン電子顕微鏡写真は、これら条件の結果として、ホイスカの長さおよび密度に違いがあるのを示している。最低ピーク温度に対応する顕微鏡写真は、ほんの少しの短いファイバを示しており、中間の顕微鏡写真は、もっと長いけれどもばらばらに分散しているファイバを示しており、そして、最高温度に対応する顕微鏡写真は、密度高くびっしりとホイスカがあるのを示している。ホイスカの形態を管理できるというこの能力は、放出構造が、ゲート・ホール内に留まって、ゲート電極と短絡しない状態にある、という場合には、極めて重要である。また、ファイバがゲート・ホールの頂部を越えて突出して、アノードからの電界に影響をうけることがないように防止することも重要である。
【００４８】
このようなバナジウム含有ホイスカが必ず良好な電界電子放出特性を与えるということを説明するために、図８は、バナジウム含有ホイスカのサンプルで、４９個に分けて個別にテストした領域に対する、開始電界（黒棒グラフ）とそれに続く閾値電界（斜線棒グラフ）の、周波数棒グラフを示している。このデータは、コンピュータ制御式真空テスト・システムにおいてサンプルの表面上方５０ミクロメートルでスキャンする、有効直径〜３５０ミクロメートルのプローブを使用することによって得られた。このシステムは、Burden等（J. Vac. Sci. Technol. B 18, pp 900-904 (2000)）によって説明されている。このデータは、１０ｎＡの電流で、これらのエミッタを始動して作動させるのに必要なマクロ電界が、いずれの場合にも、２０ボルト／ミクロメートル以下であったことを示しており、そして、それ以降の開始電界の最小および最大間の開き（spread）は６ボルト／ミクロメートルであった、ということを示している。
【００４９】
本発明の好ましい実施例は、（とりわけて、）電界電子放出ディスプレイパネル、電子ＭＡＳＥＲおよびジャイロトロン（electron MASERS and gyrotrons）のような高出力パルス装置、ＣＦＡのような交差電磁界マイクロ波管（crossed-field microwave tubes）、クライストロンのような線状ビーム管、フラッシュＸ線管、トリガー火花間隙（triggered spark gaps）および関連装置、殺菌用の広面積Ｘ線源、真空計、宇宙船用イオン制御ロケット（ion thrusters）、粒子加速器、ランプ、オゾン発生器、プラズマ反応器といった装置に使用され得るコスト効率の良い広面積電界放射材料および装置を提供することを目的としている。
【００５０】
これらの装置の例が、図９ａ、９ｂ、９ｃに示してある。
図９ａは、電界放出ディスプレイにおいて使用され得るようなアドレス指定可能なゲーテッド・カソード（addressable gated cathode）を示している。この構造は、絶縁基体５００，カソード・トラック５０１，バナジウム含有エミッタ層５０２，カソード・トラックに電気的に接続したフォーカス・グリッド層５０３，ゲート絶縁体５０４，そしてゲート・トラック５０５で形成される。ゲート・トラックおよびゲート絶縁体をエミッタ・セル５０６が貫いている。選択されたカソード・トラック上の負バイアスと、ゲート・トラック上の対応する正バイアスとが、電子５０７をアノード（図示せず）に向かって放出させるようにあうる。ここで、上記したように、フォーカス・グリッド層（focus grid layer）５０３はエッチング阻止層として機能する。あるいは、層５０３は単にエッチング阻止層としてだけに用いてもよく、このような場合、層５０３は、導電性でも、絶縁性でも、半導電性でもよい。
【００５１】
電界効果装置を構築することのさらなる詳細を知りたい場合には、本発明者らの英国特許第２３３０６８７号を参照されたい。
各層における電極トラックを統合して、数多くの装置において用途を見いだせるような、制御可能であってもアドレス指定不可能である電子源を形成してもよい。
【００５２】
図９ｂは、上述したアドレス指定可能な構造５１０が、ガラス・フリット・シール（a glass frit seal）５１３によって、どのようにしてその上に蛍光スクリーン５１２を有する透明なアノード・プレート５１１へと接合されるようになるか、を示している。プレート間のスペース５１４はなくなって、ディスプレイを形成する。
【００５３】
図示および説明を容易にするためにモノクロ・ディスプレイを説明してきたが、３部分ピクセルを有する対応する装置を使用してカラーディスプレイを製造できることは当業者であれば容易に理解できよう。
【００５４】
図９ｃは、上記の材料のうちの１つを用いている扁平ランプを示している。このようなランプは、液晶ディスプレイ用のバックライト（backlighting for liquied crystal dislays）とするのに使用できるが、これは、室内照明などの他の用途を排除するものではない。
【００５５】
ランプはカソード・プレート５２０を含んでいて、その上に、導電層５２１とバナジウム含有放出層５２２とが配置されている。上記したように（そして、本願明細書において言及した本発明者等の他の特許出願にて説明したように）、バラスト層を使用して放出の均一性を向上させることができる。透明なアノード・プレート５２３には、導電層５２４と蛍光物質層５２５とが設けてある。ガラス・フリット５２６がリング状にぐるりとプレート間の空間を密閉して２枚のプレートを隔離するようになる。従って、プレート間の相互スペース５２７はなくなる。
【００５６】
このような装置の動作および構造は（本発明の実施例の多くの用途の単なる例に過ぎない）、当業者には容易に明らかであろう。本発明の好ましい実施例の重要な特徴は、電界電子放出材料が、インクとして、電極パターンとして形成されたときに、電界電子放出材料を印刷することができ、それ故に、ディスプレイで必要とされるような複雑なマルチ・エミッタ・パターンが穏やかなコストで作成されるのを可能にする、という能力である。さらに、この印刷能力は、低コスト基板材料、たとえば、ガラスを使用するのを可能にする。それに対して、ミクロ加工構造は、一般的には、高コスト単結晶基体に設けられるのである。この明細書の文脈において、印刷というのは、或る所定のパターンで放出材料を設置または形成するプロセスを意味する。適当なプロセスの例としては、（とりわけ）スクリーン印刷（screen printing）、ゼログラフィ（Xerography）、フォトリソグラフィ（photolithography）、静電メッキ（electrostatic deposition）、吹き付け（spraying）、インクジェット印刷（ink jet printing）、オフセット・リソグラフィ（offset lighography）がある。
【００５７】
インクとして一旦バナジウム含有電界放出材料が適用されてしまえば、バナジウム含有ファイバの成長が、その後のインク硬化中に生じる。たとえば、これは、それぞれの装置の組み立てプロセスにおける熱処理工程中に非常に都合よく起こる。
【００５８】
バナジウムを使用する代わりに、基体上に堆積させた種々の金属酸化物上の場所でホイスカを成長させて、これらの場所に放出サイトを設けることもできる。
【００５９】
金属酸化物の代替物としては、珪化物、窒化物、珪酸塩、炭化物、硼化物、硫化物、チタン酸塩等がある。
【００６０】
本発明を実施する装置は、大，小を問わず、あらゆるサイズで作ることができる。これは、特にディスプレイに当てはまる。ディスプレイは、シングル・ピクセル装置からマルチ・ピクセル装置まで、小型ディスプレイからマクロサイズ・ディスプレイまでに及ぶ可能性がある。
【００６１】
本発明の好ましい実施例は、たとえば真空絶縁電界において折々につけ注目されてきたような、散在するエミッタの偶発的で望ましくないまばらな包含物とは異なり、放出サイトの特筆すべき著しい密度を有するように意図的に設計された放出材料を提供するのである。
【００６２】
本発明の好ましい実施例において、電界電子放出材料上の放出サイトの分布は、好ましくはランダムであり、少なくとも１０２ｃｍ−２、１０３ｃｍ−２、１０４ｃｍ−２または１０５ｃｍ−２の平均密度を有する。この分布は、また、実質的に均一であり、そして、好ましくは、直径１ｍｍの円形測定領域を使用するときに実質的に二値分布またはポアソン分布である。この均一性は、１ｍｍ直径の任意円形領域における放出サイトの密度が、電界電子放出材料のすべてについてサイトの平均分布密度から２０％以上変化することがないようにすることが可能である。電界電子放出材料上の放出サイトの分布は、４μｍ或いは１０μｍ直径の円形領域のどこにでも少なくとも１つの放出サイトが位置する確率が少なくとも５０％となるような均、一性を有することができる。
【００６３】
この明細書において、「含む（comprise）」という動詞は、通常の辞書的な意味を有し、包括的な包含ということを意味している。すなわち、１つまたはそれ以上の特徴を包含するように「含む（comprise）」という単語を使用したのであり、更なる別の特徴も包含する可能性を排除するものではない。
【００６４】
この明細書（添付の特許請求の範囲、要約、および図面を含む）において開示された特徴のすべておよび／またはこのように開示されたの方法またはプロセスの工程のすべては、任意の組み合わせで組み込むことができる。ただし、このような特徴および／または工程の内の少なくともいくつが、相互に排他的であるような組み合わせは除外する。
【００６５】
この明細書（添付の特許請求の範囲、要約、および図面を含む）において開示された各特徴は、明確に述べていない限り、同様の、均等な目的を果す代替の特徴と交替できる。したがって、明確に述べていない限り、開示された各特徴は、包括的な一連の均等または同様の特徴の一例に過ぎない。
【００６６】
本発明は、前述の実施例（単数または複数）の詳細に限定されることはない。本発明は、この明細書（添付の特許請求の範囲、要約、および図面を含む）において開示された特徴の内の新規性ある特徴や新規な組み合わせにも及び、また、このように開示された方法やプロセスの工程の内、新規性のある工程または新規な組み合わせにも及ぶ。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】バナジウム含有前駆物質の領域が堆積され、次いでこの前駆物質を加熱処理して、前駆物質が配置された領域にバナジウム含有ホイスカを創り出すようになる基体を示している。
【図２】バック接点電極（カソード：陰極）を形成することになる導電性トラックが堆積され、次いで、このトラックの領域にバナジウム含有前駆物質が堆積され、次いで、この集成体の加熱処理を行なって、前駆物質が配置された領域にバナジウム含有ホイスカを創り出すようにした基体を示している。
【図３】バック接点電極（カソード）を形成することになる導電性トラックが堆積され、次いで、この導電トラックの領域の上面に中間電気抵抗層が配置され、次に、バナジウム含有前駆物質がこの抵抗層の領域に堆積さえｒ、次いで、この集成体の熱処理を行なって、前駆物質が配置された領域にバナジウム含有ホイスカを創り出すようにした基体を示している。
【図４】バック接点電極（カソード）を形成することになる導電性トラックが堆積され、次いで、導電性トラックの片側に逸れて延びるように中間電気抵抗層がこの導電性トラックの領域の上面に部分的に堆積され、次いで、電極から離れるようにこの抵抗層の領域にバナジウム含有前駆物質が堆積され、次いで、この集成体を熱処理して前駆物質が配置された領域にバナジウム含有ホイスカを創り出すようにした基体を示している。
【図５】バナジウム含有前駆物質を含む導電性トラックが堆積され、このバナジウム含有前駆物質が、熱処理の際に、バック接点電極（カソード）およびバナジウム含有ホイスカを形成することになるようにした基体を示している。
【図６】バナジウム含有前駆物質が、一回目の熱処理で、粘着性のバック接点電極を形成し、それ以降の熱処理で、バナジウム含有ファイバを成長させる本発明の一実施例を示している。
【図７】空気中でバナジウム含有前駆物質を熱処理するのに使用した３つの温度プロファイルを示し、関連した走査型電子顕微鏡写真が最終的なバナジウム含有ホイスカの形態を示しているグラフを示している。
【図８】プローブ方式（a probe system）を使用して得られた電界放出データの周波数棒グラフを示している。
【図９ａ−９ｃ】広面積電界電子エミッタの例を利用する装置の例を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９ａ−９ｃ】
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【国際調査報告】
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