(57)【要約】本発明は、改善された磁区拡大読出しが実現される光磁気記録技術に関する。マーク領域が、サブマーク部分および隣接するサブスペース部分として記録され、その予め決められた第１および第２の長さの合計が、そのマークおよびスペースのパターンに応じて変化させられる。本提案の書込方法は、ＭＡＭＭＯＳにおける読出しのための最小磁界よりも大きな漏れ磁界を伴う、良好に選択されたごく小数の磁区を用いて、長いランレングスを書き込むことができるように、長いランレングスを、チャネルビット長とは独立に選択されたサブマーク長および／またはサブスペース長を用いて書き込むことを可能とする。このようにして、短いランレングスと長いランレングスとのあらゆる組合せについて、読出条件の違いをなくすことができ、その結果、ランダムなデータに対して実質的に改善されたパワーマージンがもたらされる。
2005529437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記録媒体の記録トラック上に、マークおよびスペースのパターンとして情報を記録する方法であって、
ａ）予め決められた第１の長さを有する少なくとも１つのサブマーク部分を、前記記録媒体の記録面に実質的に垂直な第１の方向に磁化し、予め決められた第２の長さを有する少なくとも１つの隣接するサブスペース部分を、前記第１の方向と反対向きの第２の方向に磁化することにより、マーク領域を書き込む工程と、
ｂ）前記予め決められた第１の長さと前記予め決められた第２の長さとの合計を、前記マークおよびスペースのパターンに応じて変化させる工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記変化させる工程が、先行するおよび／または後続のマークおよびスペースのパターンに基づいて、前記マーク領域に対して実行されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記先行するおよび／または後続のマークおよびスペースのパターンの長さが、数百ナノメートルであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記予め決められた第１の長さと前記予め決められた第２の長さとの前記合計が、チャネルビット長よりも大きく設定されることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記マーク領域内の前記サブマーク部分の個数が、該マーク領域のランレングスに対応するチャネルビットの個数よりも少ないことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
５チャネルビットに対応するランレングスを有するマーク領域が、対応のサブスペース部分で隔てられた２つまたは３つのサブマーク部分を用いて書き込まれることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記光磁気記録媒体が、記憶層と読出層とを含む磁区拡大記録媒体であることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記マーク領域に沿った漏れ磁界の最大値と最小値との差に基づいて、前記記憶層と前記読出層との間の距離を設定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
光磁気記録媒体の記録トラック上に、マークおよびスペースのパターンとして情報を記録する記録装置であって、
ａ）前記光磁気記録媒体の予め決められた第１の長さを有する少なくとも１つのサブマーク部分を、前記記録媒体の記録面に実質的に垂直な第１の方向に磁化し、予め決められた第２の長さを有する少なくとも１つの隣接するサブスペース部分を、前記第１の方向と反対向きの第２の方向に磁化することにより、マークを書き込む書込手段と、
ｂ）前記予め決められた第１の長さと前記予め決められた第２の長さとの合計を、前記マークおよびスペースのパターンに応じて変化させる制御手段とを含むことを特徴とする記録装置。
【請求項１０】
前記制御手段が、先行するおよび／または後続のマークおよびスペースのパターンに応じて、前記予め決められた第１の長さと前記予め決められた第２の長さとの前記合計を変化させるものであることを特徴とする請求項９記載の記録装置。
【請求項１１】
前記制御手段が、前記マーク領域内の前記サブマーク部分の個数を、該マーク領域のランレングスに対応するチャネルビットの個数よりも少ない値に設定するものであることを特徴とする請求項９または１０記載の記録装置。
【請求項１２】
当該記録装置が、磁区拡大技術により読出しがなされる光磁気ディスクのためのディスク再生装置であることを特徴とする請求項９から１１いずれか１項記載の記録装置。
【請求項１３】
記録トラック上に、マークおよびスペースのパターンとして情報が記録される光磁気記録媒体であって、
マーク領域が、当該記録媒体の記録面に実質的に垂直な第１の方向に磁化された、予め決められた第１の長さを有する少なくとも１つのサブマーク部分と、前記第１の方向と反対向きの第２の方向に磁化された、予め決められた第２の長さを有する少なくとも１つの隣接するサブスペース部分とを含み、
前記記録トラックに沿って、前記予め決められた第１の長さと前記予め決められた第２の長さとの合計が変化させられることを特徴とする記録媒体。
【請求項１４】
当該光磁気記録媒体が、磁区拡大技術により読出しがなされる光磁気ディスクであることを特徴とする請求項１３記載の記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録トラック上に、マークおよびスペースのパターンとして情報を記録するための方法、装置および記録媒体に関するものである。特に、本発明は、Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＡＭｐｌｉｆｙｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ（磁気増幅光磁気システム；ＭＡＭＭＯＳ）のような磁区拡大システムのための記録技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記憶システムでは、記録されるマークの最小幅は、回折限界により、すなわち集光レンズの開口数（ＮＡ）とレーザー波長とにより決まる。この幅の低減は、一般的には、より短い波長のレーザーとより高いＮＡを有する集光光学系とに基づく。光磁気記録を行う際には、Ｌａｓｅｒ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ（レーザーパルス磁界変調；ＬＰ−ＭＦＭ）を用いることにより、最小ビット長を、光学的な回折限界よりも短い長さに低減させることができる。ＬＰ−ＭＦＭでは、ビット遷移は、レーザーの切換えによって誘起される、磁界および温度勾配の切換えによって決まる。このようにして記録された小さな三日月形のマークの読出しには、Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｕｐｅｒ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ（磁気超解像；ＭＳＲ）またはＤｏｍａｉｎ
Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ（磁区拡大；ＤｏｍＥｘ）の手法を用いる必要がある。これらの技術は、いくつかの静磁気または交換結合ＲＥ−ＴＭ層を有する記録媒体に基づいている。ＭＳＲによれば、光磁気ディスクの読出層は、読出中において、読出スポットの小さな領域内においてのみ記憶層からマークをコピーし、隣接するビットをマスクするように設計されている。一方、磁区拡大によれば、スポット中心の磁区が拡大される。ＭＳＲに対する磁区拡大技術の利点により、回折限界未満の長さを有するビットを、回折限界のスポットと同等の大きさを有するビットとして、ほぼ同じ信号対雑音比（ＳＮＲ）で検出することができる。ＭＡＭＭＯＳは、静磁気的に結合された記憶層および読出層に基づく磁区拡大方法であって、読出層内における拡大および拡大された磁区の縮小に、磁界変調が用いられ得る磁区拡大方法である。
【０００３】
しかしながら、ＭＡＭＭＯＳ媒体に長いランレングスが書き込まれると、その長いランレングスに対応する磁区の中心の漏れ磁界が、境界部の漏れ磁界よりも弱くなる（接線方向において）。特定の「臨界長さ」においては、ランレングス中心の漏れ磁界は、その領域においてＭＡＭＭＯＳ信号を発生させるのに不十分な強さ、すなわち読出層においてコピーされた磁区を得るのに不十分な強さとなってしまう。このことは、エラーを含むビットストリームをもたらす。この問題は、レーザーの読出パワー、したがって全体温度を高め、それにより記憶層の局所的な漏れ磁界を増強すると同時に、読出層の保磁力を低下させることにより解決することができる。漏れ磁界の増強および読出層の保磁力の低下が十分であれば、上記で失われたＭＡＭＭＯＳ信号が発生させられる。しかしながら、この手法は、読出しの解像度を決める熱コピー窓を増大させることもあり、それによって、重なりの効果により、余分な擬似ＭＡＭＭＯＳ信号が発生させられ得る。
【０００４】
日本の特開２０００−２６００７９号では、１つのビットの２値情報が、反対方向に磁化された２つの磁区の組合せより構成されている磁区パターンに割り当てられ、２つ以上のビットに亘って続く記録情報が、反対方向に磁化された磁区パターンの一続きとして記録層内に形成されるようにされた、ＭＡＭＭＯＳ型記録システムが提案されている。これにより、それぞれの読出磁区の位置によらず、たとえその読出磁区が連続した記録情報の中心に位置するものであっても、均一な漏れ磁界が得られる。したがって、記録情報の各単位を、高い信頼性で再生層に転写することができる。特に、マーク領域は、長さＬ１を有するサブマーク領域と、それに続く長さＬ２を有する短いサブスペース領域との連なりとして記録される。サブスペース領域の長さとサブマーク領域の長さとの比Ｌ２／Ｌ１は、０．１から０．９の範囲内にあるように提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＭＡＭＭＯＳにおける読出しでは、外部磁界と、記憶層内のビット・パターンからの漏れ磁界との合計は、読出層の保磁磁界よりも大きくされるべきである。すなわち、
Ｈ外部＋Ｈ漏れ，記憶層＞Ｈｃ，読出層                            （１）
とされるべきである。温度が増す（レーザーパワーに比例して）につれて、漏れ磁界は増大し保磁磁界は減少するので、この条件を満たすには、最小温度Ｔｍｉｎ（または最小レーザーパワー）が必要である。一方、レーザーパワーが大きくなり過ぎると、このＴｍｉｎよりも温度が高い領域の寸法が大きくなり過ぎて、隣接するビットとの重なりが生じる。このことは、偽の追加ピークをもたらし、長いマークのランレングスを読み出す際、誤った数のピークが検出されるようにしてしまう。さらには、小さなスペースは全く検出できないこととなる。したがって、レーザーパワーは、スポット中心における温度がちょうどＴｍｉｎを上回るように制御されるべきである。漏れ磁界はまた、書込済磁区の長さ（およびその周囲環境）にも依存する。
【０００６】
図２Ａは、トラック方向に沿った書込済磁区すなわちマーク領域の漏れ磁界（記録面に対して垂直な方向ｚへの漏れ磁界）を、３０から１０００ｎｍの範囲内の種々の磁区長すなわちビット長について示した図である。さらに、図２Ｂは、最大漏れ磁界Ｈｚ，ｍａｘと磁区中心での漏れ磁界Ｈｚ，中心とを、ビット長の関数として示した図である。図２Ａおよび図２Ｂから分かるように、１００ｎｍよりも大きなビット長に対しては、漏れ磁界は減少し、特に磁区の中心付近で減少する。このことは、たとえばチャネルビット長ｂ＝１００ｎｍに対して読出条件が最適化されると、より大きな磁区は何らＭＡＭＭＯＳ信号を示さないことを意味する。より強い読出パワーまたはより強い外部磁界を用いると、大きな磁区の中心からはＭＡＭＭＯＳピークのみが消える。しかしながら、小さな磁区はもはや分解され得なくなる。
【０００７】
図３は、チャネルビット長がｂ＝１００ｎｍである場合における、１チャネルビット長に対応する長さの磁区の連なりすなわちＩ１キャリア（破線）と、５チャネルビット長に対応する長さの１つの連続磁区すなわちＩ５キャリア（実線）とについて、トラック方向に対する漏れ磁界を示した図である。図３の上側部分には、漏れ磁界の波形に対応する磁化パターンが示されており、ここで、４つの連続した＋記号は、１チャネルビット長に対応する長さのマーク領域を示し、４つの−記号は、１チャネルビット長に対応する長さのスペース領域を示す。曲線１および２は、異なる値のＨｃ，読出層−Ｈ外部に対する、保磁磁界のプロファイルを示している。図３では、第１の状況は、Ｈｃ，読出層−Ｈ外部が２７ｋＡ／ｍのすぐ下の値であるときに対応する（曲線１）。この場合には、熱プロファイルの先端部のみが使用される。第２の状況は、スポットの最も熱い個所においてＨｃ，読出層−Ｈ外部が１２ｋＡ／ｍ前後であるとき（曲線２）に当てはまる。この場合は、保磁磁界のプロファイルが、隣接するマークの漏れ磁界と常に重なり合うので、Ｉ１スペース（すなわち、１チャネルビット長に対応する長さを有するスペース）を観測することはできない。より一般的に述べれば、最良の解像度／パワーマージンを用いたＭＡＭＭＯＳにおける読出しでは、ランレングスのあらゆる組合せ間における漏れ磁界の最大値と最小値との間の差は、可能な限り小さくされるべきである。
【０００８】
したがって、本発明の１つの目的は、ＭＡＭＭＯＳにおける読出しの解像度とパワーマージンとを改善することのできる、光磁気媒体に記録するための方法、装置および媒体を提供することである。  
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、上記の目的は、請求項１に記載された記録方法と、請求項９に記載された記録装置と、請求項１３に記載された記録媒体とを提供することによって達成することができる。
【００１０】
これによれば、長いランレングスおよび短いランレングス（の組合せ）からの漏れ磁界の等化は、サブマーク部分および／またはサブスペース部分の長さを、実際のチャネルビット長とは独立に適当に設定することによって、達成することができる。長いランレングスは、必要な時刻において重なりを与えるために保磁力プロファイルに合わせられた長さおよび間隔を有する、少数の独立した「上向き（ｕｐ）」磁区を用いて書き込むことができる。既知の書込方法において提案されているように、１つのランレングス内において周期的なビット・パターンを用いる必要はない。正しい組合せにより、短いランレングスと長いランレングスとのあらゆる組合せについて、読出条件の違いをなくすことができ、その結果、ランダムなデータに対してずっとよく改善されたマージンがもたらされる。
【００１１】
より大きなＬ２／Ｌ１比を利用する（最も小さなマークのランレングスに対しては、小さなサブマーク）ことにより、自由度が向上させられる。周囲のまたは隣接するランレングスは、それにより発生させられる長い影響範囲を有する磁気双極子磁界のため、磁区構造の漏れ磁界に影響する。したがって、あるランレングスに対する書込方法は、原則として、先行するデータおよび後続のデータに基づいて適合化されるべきである。ＭＡＭＭＯＳにおける読出しの唯一の必要条件は、ＭＡＭＭＯＳ型拡大が生じるべき個所において、保磁磁界とビット・パターンからの漏れ磁界との間に重なりが存在すべき点である。
【００１２】
本提案の解決策のさらなる利点は、ランレングスの有効長を、その端部において減らすことができる点である。こうすることにより、漏れ磁界と保磁力プロファイルとの望ましくない重なりを抑制することができるので、解像度および／またはパワーマージンをさらに改善することができる。
【００１３】
ここで、重なり（またはコピー窓）の（間接的な）測定に基づいた、レーザーパワーおよび磁界の他のいかなる制御方法を用いてもよい点に留意されたい。長いランレングスのサブマーク部分およびサブスペース部分は、たとえばランレングスの中心付近の重なりが、ある特定の範囲のレーザーパワーまたは外部磁界に敏感となるようなやり方で書き込まれる。そのようにしないと、中心における局所的に低減させられたパワーマージンは、レーザーパワーがわずかに低すぎる場合にはピークが失われることにつながる（逆もまた言える）。良好に選択がなされた場合には、本提案の書込方法は、他の制御方法を補完するため、または他の制御方法の精度を高めるために用いることができる。特に、予め決められた第１および第２の長さの合計は、チャネルビット長よりも大きく設定されてもよい。その場合、関係するマーク領域内のサブマーク部分の個数は、そのマーク領域のランレングスに対応するチャネルビットの個数よりも少なくされてもよい。一例として、５チャネルビットに対応するランレングスを有するマーク領域は、対応のサブスペース部分によって隔てられた３つのサブマーク部分を用いて書き込まれ得る。
【００１４】
さらなる改善点として、記憶層と読出層との間の距離は、マーク領域に沿った漏れ磁界の最大値と最小値との差に基づいて設定されてもよく、それにより、読出層における漏れ磁界のレベルが設定される。
【００１５】
その他の有利な進歩点は、従属請求項に記載されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１７】
まず、好ましい実施形態を、図１に示したＭＡＭＭＯＳ型ディスク再生装置を基に説明する。図１は、ディスク再生装置の構成を概略的に示した図である。このディスク再生装置は、光磁気ディスク等の光磁気記録媒体１０を、記録中においてコードデータに同期させられた周期を有するパルスに変換された光により照射するための、レーザー光照射部と、記録時および必要な場合には光磁気記録媒体１０の再生時において、制御された手法で磁界を印加する磁気ヘッド１２を含む磁界印加部とを有する、光ピックアップユニット３０を含んでいる。光ピックアップユニット３０内では、レーザーは、記録パルス調整回路３２から記録パルスを受信し、それによりパルスの振幅と光ピックアップユニット３０のレーザーのタイミングとを制御する、レーザー駆動回路に接続されている。記録パルス調整ユニット３２は、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ；位相ロック・ループ）回路を含んでいてもよいクロック発生器２６から、クロック信号を受信する。
【００１８】
ここで、無磁界ＭＡＭＭＯＳが使用される場合には、再生装置が磁界を必要としないこともある点に留意されたい。さらに、簡単のため、図１においては、ディスク１０のそれぞれ反対の側に、磁気ヘッド１２と光ピックアップユニット３０とが示されている点に留意されたい。しかしながら、好ましい実施形態によれば、それらはディスク１０の同じ側に配されるべきである。
【００１９】
磁気ヘッド１２は、ヘッド駆動ユニット１４に接続されており、記録時において、位相調整回路１８のようなタイミング調整回路と、サブマーク調整回路２２とを介して、変調器２４から、コード変換されたデータを受け取る。変調器２４は、入力記録データを所定のコードに変換し、サブマーク調整回路２２は、その所定のコードの各マーク領域を、サブマーク部分すなわちサブマーク領域と、サブスペース領域とに変換する。ここで、サブマーク部分の予め決められた第１の長さＬ１と、サブスペース部分の予め決められた第２の長さＬ２とは、ディスク１０に書き込まれるべきマークおよびスペースのパターンに基づいて設定される。特に、サブマーク調整回路２２は、書き込まれるべきマークおよびスペースのパターンを十分に検出するために必要とされる、予め決められた漏れ磁界特性を達成または維持するようなやり方で、予め決められた第１および第２の長さＬ１およびＬ２を設定するようにされていてもよい。サブマーク調整回路２２もまた、変調器２４内に配されていてもよい点に留意されたい。
【００２０】
再生時には、ヘッド・ドライバ１４が、再生調整回路２０を介して、クロック発生器２６からクロック信号を受け取り、再生調整回路２０が、磁気ヘッド１２に適用されるパルス振幅とタイミングとを調整するための同期信号を発生させる。記録時および再生時において、ヘッド・ドライバ１４に供給されるそれぞれの信号の切換えすなわち選択を行うために、記録／再生スイッチ１６が付与されている。しかしながら、無磁界ＭＡＭＭＯＳでは、再生中に磁界が印加されなくてもよいので、この切換えを行う特徴は必要ない。
【００２１】
さらに、光ピックアップユニット３０は、光磁気記録媒体１０から反射されたレーザー光を検出し、復号器２８に付与される対応の読出信号を発生させるための検出器を含んでいる。復号器２８は、読出信号を復号し、出力データを発生させるようにされている。さらに、光ピックアップユニット３０により発生させられた読出信号は、クロック発生器２６に供給される。クロック発生器２６は、光磁気記録媒体１０の浮彫りされたクロックマークから取得されるクロック信号を抽出し、同期目的のそのクロック信号を、記録パルス調整回路３２、再生調整回路２０、サブマーク調整回路２２および変調器２４に供給するものである。特に、クロック発生器２６のＰＬＬ回路内で、データチャネルクロックが発生させられてもよい。
【００２２】
記録には、ＭＦＭを用いてもよいが、ＬＰ−ＭＦＭが好ましい。その場合、レーザーは、各サブマークにつき１回と、各サブスペースにつき（少なくとも）１回パルス動作させられる。実用的な解決策として考えられるのは、整数値のサブスペース長／サブマーク長比を用い、チャネルビット長ではなくサブマーク長に対応する周波数でレーザーをパルス動作させる策である。いずれにしても、レーザーのデューティサイクル（サブマーク長よりも短いパルス）およびタイミング（磁界とレーザーパルスとの間の位相）は、最適化されるべきである。
【００２３】
ＬＰ−ＭＦＭのデータ記録の場合には、光ピックアップユニット３０のレーザーは、データチャネルクロックの周期の半分に対応する固定周波数で変調され、回転している光磁気記録媒体１０のデータ記録領域すなわちスポットは、等しい距離で局所的に熱せられる。加えて、クロック発生器２６から出力されたデータチャネルクロックは、標準的なクロック周期を有するデータ信号を発生させるために、変調器２４とサブマーク調整回路２２とを制御する。記録データは、変調器２４により変調およびコード変換され、記録データの情報に対応する２値ランレングス情報が得られる。サブマーク調整回路２０では、記録情報のマーク領域が、少なくとも１つのサブマーク部分と少なくとも１つのサブスペース部分とに変換される。一方、チャネルビットに対応するスペース領域は保持される。このようにして、互いにすぐ後に連続して連なる複数のマーク領域からなるコードのランレングスは、ディスク１０の読出層において所望の漏れ磁界特性を得るように選択された、それぞれの予め決められた長さＬ１とＬ２とを有する、多数の連続したサブマーク領域とサブスペース領域とに変換される。サブマーク調整回路２２から出力されたコードデータのサブマーク部分とサブスペース部分とのパターンは、位相調整回路１８へと送られ、位相調整の後、記録／再生スイッチ１６を介してドライバ１４へと送られる。
【００２４】
光磁気記録媒体１０の構造は、日本の特開２０００−２６００７９号に記載された構造に対応するものであってもよい。
【００２５】
この好ましい実施形態によれば、サブマーク調整回路２２は、反対向きの磁化方向を有する領域を挿入することにより、より長い磁区長の漏れ磁界を増大させるように構成されている。サブマーク部分およびサブスペース部分のそれぞれの長さＬ１およびＬ２の適当な値を、個別にかつ連続的に選択することにより、短い磁区と長い磁区との漏れ磁界特性が最適化され、適切な読出しと改善されたパワーマージンとを保障することができる。
【００２６】
さらに、記憶層と読出層との間の距離を増大させることによって、漏れ磁界の振幅の低下という犠牲を払ってではあるが、読出層における漏れ磁界のレベルをさらに改善することができる。漏れ磁界の多少の低下は、安定した読出しを妨げる問題とはならないであろうから、このアプローチを、ディスク構造を最適化するために用いることができる。
【００２７】
加えて、磁区の磁気双極子場の範囲が長いため、周囲環境すなわち隣接ランレングスもまた、磁区構造の漏れ磁界に影響を与える点を考慮すべきである。したがって、あるランレングスに対する書込方法はまた、先行するおよび後続のデータに基づいて、サブマーク調整回路２２においても適合化させられ得る。この影響がどれくらいの長さに亘って重大であるかは、ディスク構造に依存するが、数１００ｎｍ前後である。これよりも（ずっと）狭い熱プロファイルでは、熱スポットの中心から離れると急速に磁化が小さくなるので、影響を受ける領域はより小さくなる。
【００２８】
本提案の書込方法は、自由度を高め、原則として、短いランレングスと長いランレングスとのあらゆる組合せについて、読出条件の違いをなくすことを可能とするものである。考慮すべき第１の事項は、漏れ磁界が、ランレングス全体に亘って一定である必要はないということである。漏れ磁界が高くされる必要があるのは、ＭＡＭＭＯＳ型拡大が生じるべき個所のみである。より一般的に言えば、ＭＡＭＭＯＳにおける読出しの唯一の必要条件は、たとえば十分大きな外部磁界を印加することにより、保磁磁界と、ＭＡＭＭＯＳ型拡大が生じるべきビット・パターンからの漏れ磁界との間に、重なりが存在すべきことである。既知の単純な書込方法では、このことは、上向き／下向き磁化領域の周期的なビット・パターンであって、上向き領域が外部磁界の拡大方向と同期させられたビット・パターンを用いることによって実現され得る。
【００２９】
しかしながら、ランレングスの内部では、パターンが保磁力プロファイルとの十分な重なりを与えるものである限り、周期的なビット・パターンを用いる必要はない。したがって、局所的な漏れ磁界がＭＡＭＭＯＳにおける読出しを与える最小漏れ磁界よりも高いとき（ある所与のレーザーパワーと外部磁界とに対して）は、コピー窓（およびそれに伴う重なり）が大きくなるという事実を、利用することが可能である。このようにして、長いランレングス、たとえばＩ５キャリアは、たとえば、必要な時刻において重なりを与えるために保磁力プロファイルに合わせられた長さおよび間隔を伴う、３つの独立した「上向き」磁区を用いて書き込まれ得る。したがって、サブマーク部分の長さＬ１と、サブスペース部分の長さＬ２との合計は、連続的に変化してもよく、もはやチャネルビット長ｂに対応する必要はない。
【００３０】
図４は、チャネルビット長ｂ＝１００ｎｍに対する本発明の好ましい実施形態の第１の例に係る、Ｉ５およびＩ１キャリアについての対応の概略図を示した図である。上側部分に示されているように、各チャネルビットは４つの単位に分割されており、各単位の磁化方向は「＋」または「−」で示されている。黒塗りの四角形は、連続的に書き込まれたＩ５を表す。その他の曲線は、破線で示すＩ１キャリアのレベルよりも大きな漏れ磁界を有する、Ｉ５のランレングスについての３つの独立したピークを示している。保磁力プロファイル（実線、非対称な「放物状」）がビットまたは磁区パターン上をスキャンするにつれて得られる、結果としての重なり（時間に対し）は、下向き三角形の漏れ磁界曲線の下方に示されている。重なりは、Ｉ５ランレングス全体に亘って連続的である。したがって、図４の下から２つ目の波形で示すような変調された外部磁界Ｈｅｘｔが印加された場合、図４の一番下の波形で示す結果として得られる信号は適正なものである。その他の曲線を比較すると、Ｉ５ランレングスに隣接するマークも、自己の漏れ磁界をＩ１キャリアのレベル（破線）に維持するために変調される必要があることは、明らかである。
【００３１】
図５は、８０ｎｍのチャネルビット長と、Ｌ２／Ｌ１＝１、Ｌ１＝Ｌ２＝４０ｎｍである単純な書込方法とについて、類似の概略図を示したものである。破線の曲線は、Ｉ１キャリアを表し、四角は、従来型の単純な書込方法におけるＩ５ランレングスを示している。丸は、好ましい実施形態の第２の例に係る本提案の書込方法を表しており、ここでは、Ｉ１キャリアの適正な読出しも可能とする読出条件下において、ＭＡＭＭＯＳにおける適正な読出しをＩ５ランレングスについて実現するため、２つのみのマークが使用されている。さらにこの第２の例では、Ｉ５ランレングス全体に亘って重なりが連続的である。したがって、変調された外部磁界Ｈｅｘｔを印加すると、結果として得られる信号はやはり適正なものとなる。
【００３２】
図６Ａは、類似のグラフを示しているが、Ｌ２／Ｌ１＝３、Ｌ１＝２０ｎｍ、Ｌ２＝６０ｎｍに対するグラフである。合計の漏れ磁界は低下しているが、Ｉ５ランレングスに対する最良のビット・パターンを選択する際の自由度は、Ｌ２／Ｌ１＝１の場合よりもずっと大きい。丸は、やはりＬ２／Ｌ１＝３の場合の、従来型の単純な書込方法を表している。三角についての重なりは、ここでも下から２番目の波形に示されており、適正な読出しを結果としてもたらす。
【００３３】
図６Ｂは、図６Ａと同じ図であるが、より低い保磁力プロファイル、たとえばより高いレーザーパワーについて、重なりが描かれている。依然として、改善されたパワーマージンを示す適正な読出しが可能である。より高いＬ２／Ｌ１比に対するこの自由度の向上は、主として、８０−１００ｎｍ未満の（サブ）マーク長については、ビット長の増大と共に漏れ磁界が大きく増大するという事実に起因する（図２Ａ参照）。さらに、周囲の非マーク長（マーク間の間隔）が増大すると、すなわちＬ２／Ｌ１比がより高くなると、漏れ磁界は増大する。したがって、所望の漏れ磁界に到達するには、２０ｎｍのサブマーク長（図６Ａおよび６Ｂにおけるように、ｂ＝８０ｎｍ、Ｌ２／Ｌ１＝３に対して）を始めとして、より大きなマーク長と種々の間隔との多くの組合せがある。
【００３４】
最適化プロセスにおける境界条件の１つは、界磁コイルとその書込用ドライバとの制限された変調周波数と、十分なＳ／Ｎについての必要条件と、読出しのための良好な熱安定性とによって決まる、使用可能な磁区の最小長さである。したがって、本提案のアプローチにおける自由度の向上は、非常に有利なことである。
【００３５】
本提案の書込方法は、長いランレングスを、チャネルビット長とは独立に選択されたサブマーク長および／またはサブスペース長を用いて書き込むことを可能とする。これにより、ＭＡＭＭＯＳにおける読出しのための最小磁界よりも大きな漏れ磁界を伴う、良好に選択されたごく小数の磁区を用いて、長いランレングスを書き込むことができるように、長さＬ１とＬ２との合計を任意に変化させることができる。このようにして、短いランレングスと長いランレングスとのあらゆる組合せについて、読出条件の違いをなくすことができ、その結果、ランダムなデータに対して実質的に改善されたパワーマージンがもたらされる。
【００３６】
本発明は、上記の好ましい実施形態に限定されるものではなく、漏れ磁界の変化を低減し、読出解像度を増大させるため、あらゆる光磁気記録プロセスに適用可能なものである点に留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の好ましい実施形態に係るＭＡＭＭＯＳ型ディスク再生装置の概略ブロック図
【図２Ａ】種々のビット長すなわち種々のランレングスについて、トラック方向に対する、ディスクに垂直な漏れ磁界成分を示した図
【図２Ｂ】マーク領域のビット長すなわちランレングスに対する、漏れ磁界成分を示した図
【図３】Ｉ１キャリアとＩ５キャリアとの漏れ磁界特性と、種々の保磁磁界のプロファイルとを示した図
【図４】本発明の好ましい実施形態に係る書込方式の第１の例に係る、特定の書込パターンに対する漏れ磁界特性と重なりとを示した図
【図５】本発明の好ましい実施形態に係る書込方式の第２の例に係る、特定の書込パターンに対する漏れ磁界特性と重なりとを示した図
【図６Ａ】本発明の好ましい実施形態に係る書込方式の第３の例に係る、特定の磁区パターンに対する漏れ磁界特性と重なりとを示した図
【図６Ｂ】本発明の好ましい実施形態に係る書込方式の第３の例に係る、より低い保磁プロファイルにおける、特定の磁区パターンに対する漏れ磁界特性と重なりとを示した図
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【国際調査報告】
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