(57)【要約】  ラジアル偏差が約１．１５程度以下の記憶媒体（５）が開示されている。一実施形態では、この記憶媒体（５）は、プラスチック基板（１０８）、光学層（１１４）、及びその間に配置されたデータ記憶層（１０２）を含んでなる。データ記憶層（１０２）と基板（１０８）の間に反射層（１１）が配置されている。
2005513697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある基板（１０８）組成及びある基板（１０８）厚さを有するプラスチック基板（１０８）、
基板（１０８）組成とは異なるある層組成を有する光学層（１１４）、
それらの間に配置されたデータ記憶層（１０２）、並びに
データ記憶層（１０２）と基板（１０８）の間に配置された反射層（１１）
を含んでなり、ラジアル偏差が半径５５ｍｍで約１．１５度以下である、記憶媒体（５）。
【請求項２】
光学層（１１４）対基板（１０８）の剛性比が室温における引張変形で測定して約０．５〜約５である、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項３】
前記剛性比が室温における引張変形で測定して約０．７〜約３である、請求項２記載の記憶媒体（５）。
【請求項４】
前記剛性比が室温における引張変形で測定して約１．２５〜約２．５である、請求項３記載の記憶媒体（５）。
【請求項５】
光学層（１１４）対基板（１０８）の膨潤比が約０．５〜約５．０である、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項６】
前記膨潤比が約０．７５〜約３．０である、請求項５記載の記憶媒体（５）。
【請求項７】
前記膨潤比が約１．０〜約２．５である、請求項６記載の記憶媒体（５）。
【請求項８】
光学層（１１４）の層厚が基板（１０８）の厚さの約２０％以上である、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項９】
前記層厚が基板（１０８）の厚さの約２０〜約４０％である、請求項８記載の記憶媒体（５）。
【請求項１０】
前記層厚が基板（１０８）の厚さの約２５〜約３５％である、請求項９記載の記憶媒体（５）。
【請求項１１】
光学層（１１４）の層厚が約０．２マイクロメートル〜約０．６ｍｍである、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項１２】
前記層厚が約０．２〜約１２０マイクロメートルである、請求項１１記載の記憶媒体（５）。
【請求項１３】
基板（１０８）の厚さが約０．３〜約２．５ｍｍである、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項１４】
基板（１０８）の厚さが約０．６〜約２．０ｍｍである、請求項１３記載の記憶媒体（５）。
【請求項１５】
基板（１０８）の厚さが約１．１〜約１．５ｍｍである、請求項１４記載の記憶媒体（５）。
【請求項１６】
光学層（１１４）がある層厚をもっており、前記層厚対基板（１０８）の厚さの厚さ比が約０．００１〜１未満である、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項１７】
厚さ比が約０．００５〜約０．５である、請求項１６記載の記憶媒体（５）。
【請求項１８】
前記厚さ比が約０．０２５〜約０．１である、請求項１７記載の記憶媒体（５）。
【請求項１９】
層組成及び基板（１０８）組成が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、並びにこれらのプラスチックを１種以上含むホモポリマー、コポリマー、反応生成物及び組合せからなる群から個別に選択されるプラスチックである、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項２０】
熱可塑性樹脂が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンとポリプロピレンのコポリマー、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリメチルペンタン、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、ポリ酢酸ビニル、ジエン系ポリマー及びコポリマー、ポリブタジエン、ポリイソプレン、エチレン性不飽和カルボン酸のポリマー、エチレン性不飽和カルボン酸を含有するポリマーの官能性誘導体、アクリルポリマー、ポリ（アクリル酸アルキル）、ポリ（メタクリル酸アルキル）、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸、アルケニル芳香族ポリマー、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、水素化ポリスチレン、シンジオタクチック及びアタクチックポリスチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、スチレン−コ−アクリロニトリル、スチレン−コ−無水マレイン酸、ポリビニルトルエン、ゴム変性ポリスチレン、ポリアミド、ナイロン−６、ナイロン−６６、ナイロン−１１、及びナイロン−１２、ポリアセタール、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリシクロヘキシルメチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、高耐熱性ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリアリーレンエーテル、２，６−ジメチルフェノールから誘導されたポリフェニレンエーテル及び２，３，６−トリメチルフェノールとのコポリマー、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、及びポリエーテルイミド、ポリアリーレンスルフィド、ポリスルホン、及びポリスルフィドスルホン、液晶ポリマー、並びにこれらの熱可塑性樹脂を１種以上含むホモポリマー、コポリマー、反応生成物、組合せ及び複合材からなる群から選択され、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリウレタン、鉱物充填シリコーン、ビス−マレイミド、シアネートエステル、多官能性アリル化合物、アクリル、アルキド、フェノール−ホルムアルデヒド、ノボラック、レゾール、ビスマレイミド、メラミン−ホルムアルデヒド、尿素−ホルムアルデヒド、ベンゾシクロブタン、ヒドロキシメチルフラン、イソシアネート、ベンゾシクロブテン樹脂、並びにこれらの熱硬化性樹脂を１種以上含むホモポリマー、コポリマー、反応生成物及び組合せからなる群から選択される、請求項１９記載の記憶媒体（５）。
【請求項２１】
前記ラジアル偏差が約１．０度以下である、請求項１記載の記憶媒体（５）。
【請求項２２】
前記ラジアル偏差が約０．７度以下である、請求項２１記載の記憶媒体（５）。
【請求項２３】
前記ラジアル偏差が約０．５度以下である、請求項２２記載の記憶媒体（５）。
【請求項２４】
前記ラジアル偏差が約０．２５度以下である、請求項２３記載の記憶媒体（５）。
【請求項２５】
ある基板（１０８）組成及びある基板（１０８）厚さを有するプラスチック基板（１０８）、
前記基板（１０８）組成とは異なる層組成及び前記基板（１０８）厚さとは異なる層厚を有する光学層（１１４）、
それらの間に配置されたデータ記憶層（１０２）、並びに
データ記憶層（１０２）と基板（１０８）の間に配置された反射層（１１）
を含んでなり、ラジアル偏差が半径５５ｍｍで約１．１５度以下である、記憶媒体（５）。
【請求項２６】
光学層（１１４）対基板（１０８）の剛性比が室温における引張変形で測定して約０．５〜約５である、請求項２５記載の記憶媒体（５）。
【請求項２７】
前記剛性比が室温における引張変形で測定して約０．７〜約３である、請求項２６記載の記憶媒体（５）。
【請求項２８】
前記剛性比が室温における引張変形で測定して約１．２５〜約２．５である、請求項２７記載の記憶媒体（５）。
【請求項２９】
光学層（１１４）対基板（１０８）の膨潤比が約０．５〜約５．０である、請求項２５記載の記憶媒体（５）。
【請求項３０】
前記膨潤比が約０．７５〜約３．０である、請求項２９記載の記憶媒体（５）。
【請求項３１】
前記膨潤比が約１．０〜約２．５である、請求項３０記載の記憶媒体（５）。
【請求項３２】
前記層厚が基板（１０８）厚さの約２０％以上である、請求項２５記載の記憶媒体（５）。
【請求項３３】
前記層厚が基板（１０８）厚さの約２０〜約４０％である、請求項３２記載の記憶媒体（５）。
【請求項３４】
前記層厚が基板（１０８）厚さの約２５〜約３５％である、請求項３３記載の記憶媒体（５）。
【請求項３５】
前記層組成及び基板（１０８）組成が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、並びにこれらのプラスチックを１種以上含むホモポリマー、コポリマー、反応生成物及び組合せからなる群から個別に選択されるプラスチックである、請求項３４記載の記憶媒体（５）。
【請求項３６】
前記ラジアル偏差が約１．０度以下である、請求項２５記載の記憶媒体（５）。
【請求項３７】
前記ラジアル偏差が約０．７度以下である、請求項３６記載の記憶媒体（５）。
【請求項３８】
前記ラジアル偏差が約０．５度以下である、請求項３７記載の記憶媒体（５）。
【請求項３９】
前記ラジアル偏差が約０．２５度以下である、請求項３８記載の記憶媒体（５）。
【請求項４０】
ある基板（１０８）組成及びある基板（１０８）厚さを有するプラスチック基板（１０８）、
前記基板（１０８）組成とは異なる層組成を有する光学層（１１４）、
それらの間に配置されたデータ記憶層（１０２）、並びに
データ記憶層（１０２）と基板（１０８）の間に配置された反射層（１１）
を含んでなる記憶媒体（５）であって、
記憶媒体（５）のラジアル偏差が半径５５ｍｍで約１．１５度以下であり、光学層（１１４）対基板（１０８）の剛性比が室温における引張変形で測定して約０．５〜約５であり、光学層（１１４）対基板（１０８）の膨潤比が約０．５〜約５．０である記憶媒体（５）。
【請求項４１】
前記剛性比が室温における引張変形で測定して約０．７〜約３である、請求項４０記載の記憶媒体（５）。
【請求項４２】
前記剛性比が室温における引張変形で測定して約１．２５〜約２．５である、請求項４１記載の記憶媒体（５）。
【請求項４３】
前記膨潤比が約０．７５〜約３．０である、請求項４０記載の記憶媒体（５）。
【請求項４４】
前記膨潤比が約１．０〜約２．５である、請求項４３記載の記憶媒体（５）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラジアルチルトの低減した媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学、磁気及び光磁気媒体は、１メガバイトの記憶当たり適度な単価で高い記憶容量を可能にする高性能記憶技術の一次資源である。通例ディスク表面積１平方インチ当たりのビット数（単位１０億）で表される面積密度（１平方インチ当たりのギガビット数（Ｇｂｉｔ／ｉｎ2））は、線密度（トラック１インチ当たりの情報のビット数）に、１インチ当たりのトラック数のトラック密度を乗じたものに等しい。面積密度の改良は、メガバイト当たりの単価削減の重要な要因の一つであり、さらに面積密度を増大することが産業界で要求され続けている。
【０００３】
光学記憶の分野では、アクセス時間、システム容量、及び競争力のある原価に開発目標が当てられている。面積密度の増大は、（近視野光学を用いた）回折限界の探求、三次元記憶の検討、可能性のあるホログラフ記録法の研究、その他の技術で対処されている。
【０００４】
従来、ポリマーデータ記憶媒体はコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＯＭ）及び追記型又は書換可能コンパクトディスク（例えば、ＣＤ−ＲＷ）、並びに類似の比較的低い面積密度、例えば約１Ｇｂｉｔ／ｉｎ2未満のデバイスのような領域で使用されてきており、これらは通例、低い複屈折を有する良好な光学品質の基板を使用する必要がある光学デバイスである。
【０００５】
図１を参照すると、読取装置３及び追記型又は書換可能記憶媒体５を有する低面積密度系１が図示されている。この記憶媒体５は、データ層７、誘電層９及び９’、反射層１１、並びに保護層１３を始めとする従来の層を含んでいる。この系１の作動中、読取装置３で発生したレーザー光１５が光学的に透明な基板１７に入射する。レーザー光は基板１７を貫通し、誘電層９、データ層７、第２の誘電層９’を貫通する。その後、レーザー光１５は反射層１１で反射し、誘電層９’、データ層７、誘電層９、及び基板１７を通って戻り、読取装置３で読み取られる。
【０００６】
従来、近視野を含む第１の表面技術を使用することに伴う上述の問題は、金属（例えば、アルミニウム）及びガラス基板を利用することで対処して来ている。これらの基板はディスクに形成され、その基板上にスパッタリングのような各種技術を用いて所望の層が配置される。可能な層として、反射層、誘電層、データ記憶層及び保護層がある。所望の磁気層が付加されたら、そのディスクを磁気読取／書込技術によってラジアル方向及びタンジェンシャル方向セクターに分割することができる。セクター構造は物理的又は化学的技術、例えばエッチングによっても付加することができるが、これは磁気層の設置前にしなければならない。
【特許文献１】米国特許第４２１７４３８号
【特許文献２】米国特許第４９８７１９４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
産業界の歩調の速さ、低価格での記憶容量増大の需要、書換可能ディスクの要望、及び検討されている数多くの技術から明らかなように、さらなる技術の進歩が常に望まれ、探求されている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、ラジアル偏差が半径５５ｍｍで約１．１５度以下の記憶媒体について開示する。一実施形態では、この記憶媒体は、プラスチック基板、光学層、及びその間に配置されたデータ記憶層を含んでなる。反射層が、データ記憶層と基板の間に配置されている。
【０００９】
添付の図及び以下の詳細な説明で上記特徴及びその他の特徴を例示する。
【００１０】
図で類似の要素は同様な番号を付してある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本明細書及び特許請求の範囲では、以下に定義する多くの用語を使用する。例えば、単数形態であっても、明らかに他の意味を示さない限り、複数も含むものとする。「適宜」とは、その後に記載される事象又は状況が起こってもよいし起こらなくてもよいことを意味し、またその事象又は状況が起こる場合と起こらない場合を含むことを意味している。本明細書で使用する「チルト」とは、ある材料が水平軸上で屈曲する程度をいい、通例、記憶媒体の外側半径における垂直方向の偏差として測定される。本明細書で使用する「最大ラジアルチルト範囲」とは、水の吸収とその後の脱着の間のディスクの曲率（湾曲）であり、従って通常産業界で開発者が規定するラジアルチルトの二倍である。
【００１２】
消費者の同調消費のために現存のＶＨＳテープレコーダーに置き換わるものとして高密度の再追記型(re-recordable)光学媒体フォーマットが開発されている。その最終目的は、記憶容量が２０ギガビット（Ｇｂ）に近いか又はそれを超え、データ転送速度が毎秒１００メガビット（Ｍｂｐｓ）に近いか又はそれを超える交換可能な媒体フォーマットを製造することである。このようなタイプの媒体には薄いリードスルー媒体が必要であり、現在８０マイクロメートルといったような薄いものが開発されようとしている。これらのフォーマットの殆どが構造上非対称であり、上記の薄いリードスルー媒体は厚めの基板によって支持されている。このリードスルー媒体の曲率は、周囲の環境の変化によって誘発される。湿度及び温度の変化は全体としての非対称構造、従ってリードスルー媒体中に曲率を誘発する。この曲率は球面収差を誘発し、このため光学ドライブの性能が落ちる。構造全体の寸法安定性を改良することになる基板及びフィルムの材料パラメーター及び材料パラメーター比の範囲を以下に示す。本技術によって、環境の湿度変化で誘発されるリードスルー媒体中の曲率変化が最小になる。
【００１３】
光学媒体フォーマットの開発者は、現在、消費者ＶＨＳ市場に置き換わるものとして再追記型光学媒体フォーマットに転換しようとしている。これらのフォーマットの場合、面積密度は、追加の情報層を加えるか、レーザー波長を低下させるか、及び／又は開口数を増大することによって増大させる。
【００１４】
開口数を増大することも波長を低下させることもいずれも、光学収差の大きさ、従って読取のノイズ／エラーに有害な影響を及ぼす。これらの収差は光学媒体のチルトに極めて敏感である。光学媒体の製造に用いられる材料は一般に水を吸収し、その結果通常膨潤として知られている材料の体積変化を引き起こす。水の吸収／膨潤に非対称があると、媒体中に曲げモーメントが生ずる。光学ディスク内の水吸収の非対称性は、情報層に隣接して不透過性の金属及び無機層が必要であることに起因している。曲げモーメントは媒体、従ってリードスルー媒体内中に曲率を生ずる。
【００１５】
ディスクの曲率は、ディスク表面からのレーザービームの偏向を測定することによって決定される。平坦な水平ディスクからの入射光の角度を当該ディスクの入射光の角度と比較し、その角度の差をディスクチルトという。幾何学的な観点から、レーザービームの偏向はディスクチルトの二倍に等しく、普通ラジアル偏差という。チルト範囲とは、水の吸収とその後の脱着時特定のディスク半径においてそのディスクで測定したチルトの最大範囲と定義される。
【００１６】
光学記憶媒体で高い面積密度を達成するためには、レーザービームのスポット直径（すなわち、レーザー光ビームが媒体に当たるところの直径）を小さくする必要がある。純粋な回折限界の場合、ビームの直径は開口数及び波長と次式の関係を有する。
【００１７】
【数１】
2005513697.tif 000003
【００１８】
光学媒体フォーマットで、レーザー波長及び／又は開口数は所望の密度増大を達成するために変更することができる。低波長化及び高開口数化への移行に伴う固有の問題は回顧ノイズ許容崩壊(retrospective noise tolerance collapse)、例えば、次式の関係を有するチルト許容度である。
【００１９】
【数２】
2005513697.tif 000004
【００２０】
開発されている媒体フォーマットでは、光学媒体の厚さを現状のフォーマットより薄くしてディスクのチルト許容度を上げる。この光学層又は光学フィルムを次に機械的安定性のため及び最終的に光学ドライブに使用するためにより厚い基板に接合する。他に、これらの光学層を２つ以上接合してＤＶＤフォーマットと類似の多層フォーマットを得る場合もある。このフィルムは光学媒体であり、情報層は射出成形された基板上にある。これらの薄い光学媒体は光学フィルムと考えることができる。
【００２１】
例えば、図２を参照して、データの検索には、データ記憶層（複数のこともある）１０２をかかる層に入射する光ビーム１１０（白色光、レーザー光、その他）と接触させる。データ記憶層１０２と基板１０８の間に配置された反射層（図示せず）が光を反射し、その光はデータ記憶層１０２、接着層１０６、光学層１１４を通って読取／書込装置１１２に戻り、ここでデータが取り出される。
【００２２】
構造が面内方向に無限に延びる弾性板であり、材料特性が厚さの関数ではないと仮定すると、水の吸収による等方性歪みは次式で表される。
【００２３】
【数３】
2005513697.tif 000005
【００２４】
基板の曲率はディスク内の水の分布の第１のモーメントと次式の関係を有する。
【００２５】
【数４】
2005513697.tif 000006
【００２６】
多層系の場合、上の積分は各層の材料パラメーターを含めて個々の層厚に対する積分の総和である。厚さ及び時間の関数としての水の濃度ｃ（ｚ，ｔ）は拡散方程式の解から計算される。二層系の場合、設定湿度変化により誘発される時間依存性の曲率変化は次の一般式で与えられる。
【００２７】
【数５】
2005513697.tif 000007
【００２８】
全ての材料パラメーターが与えられれば、二層構造の動的曲率変化を決定することができる。図３は、以上の数学的記述、及び環境湿度中での段階を経た適合光学フィルム／基板ポリカーボネート系（例えば、ポリカーボネート光学フィルムとポリカーボネート基板からなる系）に対する実験データを用いた検証を示す。一方、図４は、各種接合層を用いた３つの異なる系並びに適合及び不適合系に関する別の検証を示す。
【００２９】
光学媒体の製造業者は構造体の曲率に関して上限と下限の規格限界を定めている。基板の曲率は、環境の湿度変化の間あらゆる時にこれらの規格限界内に入ることが要求される。吸収とその後の脱着の間の曲率範囲（図５）は最小限に抑えるべきである。曲率範囲を低下させるには３つの方法がある。（１）水の吸収の際の基板の膨潤／歪みを低減すること、（２）構造体の曲率力学を最小にするフィルムを選択すること、及び（３）フィルムの厚さを変えること、である。水の吸収の際の膨潤／歪みが低減した材料を選択することによって単一層基板又は二重層系の曲率又はチルト範囲を低下させるやり方の説明が、本出願人に譲渡されている米国特許出願番号第０９／９４３７６７号に記載されている。
【００３０】
単一基板の場合水の吸収及び脱着の際の動的曲率の最大は次の関係によって与えられる。
【００３１】
【数６】
2005513697.tif 000008
【００３２】
これは、材料の溶解度及び膨潤係数を低減することで純粋な基板のチルトを最小にすることができるということを示している。こうして、系の曲率を最小にするように光学フィルムが選択される。この曲率はチルトに換算することができ、吸収とその後の脱着の際に構造体が受ける最大チルト範囲は次式で与えられる。
【００３３】
【数７】
2005513697.tif 000009
【００３４】
本明細書で使用する場合、「最大ラジアルチルト範囲」は、水の吸収とその後の脱着の間のディスクの曲率であり、従って、通常産業界で開発者により規定されるラジアルチルト規格の二倍である。
【００３５】
図４に、吸収の際及びその後の脱着の際の下記式の数量により正規化され、従ってフィルムのない基板の場合最大と最小でそれぞれ１及び−１の値に達する動的曲率の概要を示す。
【００３６】
【数８】
2005513697.tif 000010
【００３７】
基板とは異なる化学組成を有するフィルムを付加することによって、非対称性を低減することができ、従って最大チルトの値を低下させることができる。
【００３８】
光学フィルム（適合性フィルム及び不適合フィルム）の厚さが増大するにつれて、最大チルトも、基板と同じ厚さのフィルムの場合のチルトなしの点まで低下する（例えば、ＤＶＤ、ＤＶＲ（ディジタルビデオ記録）など）。図５に、厚さ比と共に変わる曲率範囲の挙動を示す。ここで、フィルムと基板は同じ材料である。基板の厚さの約３０％である適合フィルムを用いることによって、その被覆された基板のチルトをフィルムのない基板のチルトの５％まで低減することができるということが明らかになった。また、基板の厚さの約２０％の光学フィルム（層）の厚さで、チルトの低減は基板チルトの１０％に落ちる。この厚さに対する曲率の依存性は、厚さに対する収差の依存性によって起こるチルト許容度の低下より強い。この結果、光学フィルムの厚さを基板の厚さの約１８％以上とすることによって、チルトを約８０％以上も低減することができ、基板の厚さの約２０％以上の光学フィルム厚さで約９０％以上のチルトの低減が得られる。好ましくは、光学フィルムの厚さは基板の厚さの約２０〜約４０％であり、基板の厚さの約２５〜約３５％の厚さが好ましい。
【００３９】
フィルムの厚さが固定されたら、次にフィルムの材料特性を最適化してチルト範囲を低減させることができる。フィルムと基板の材料を不一致にすることによって、チルト範囲を低減させることもできる。例えば、表１に、基板曲率範囲の１１％である曲率範囲が得られるディスク系（すなわち、１００マイクロメートル（μｍ）のフィルムと１．１ミリメートル（ｍｍ）の基板）に対するパラメーターの比を示す。これは、所与の厚さの場合適合フィルム／基板系に対して４倍の改良である。
【００４０】
【表１】
2005513697.tif 000011
【００４１】
所与のフィルム厚さの場合、曲率は歪み比及び剛性比に対してより感受性が高く、拡散比に対してはより感受性が低い。図６は、剛性比及び歪み／膨潤比の関数として正規化された曲率範囲の概要を示す等高線プロットである。この等高線プロットは１．５という特定の拡散比に対するものである。最適曲率範囲は、剛性比が双曲線状に歪み比と関係している場合に得られる。この双曲線相関性は、１．０という特定の拡散比に対する等高線プロットを示す図７で支持されるようにあらゆる拡散比で一貫している。好ましくは、剛性比対膨潤比は領域２００により内側の等高線の内部にある。
【００４２】
以上の情報に基づき、光学フィルムは、所望の剛性比（γ）（ヤング率（メガパスカル）／（１−ポワソン比））、膨潤比（δ）（平衡時の材料の成長（増大）率）、及び拡散率比（ｑ）を有するプラスチックとすることができる。ここで、比は全て基板に対する光学フィルムの比である。これらのパラメーターの所望の量は光学フィルムの厚さに依存する。究極の目的は、チルト、例えば曲率を、半径５５ｍｍで約１．１５度以下のラジアル偏差範囲に低減することであり、半径５５ｍｍで約１．０度以下が好ましく、半径５５ｍｍで約０．８０度以下がさらに好ましく、半径５５ｍｍで約０．７０度以下がさらに一段と好ましく、半径５５ｍｍで約０．５０度以下がさらに一段と好ましく、半径５５ｍｍで約０．２５度以下が望ましい。一般に、剛性比は約０．５以上とすることができ、約０．７０以上の剛性比が好ましく、約１．２５以上の剛性比がさらに好ましい。好ましくは、剛性比は約５以下であり、約３以下の剛性比が好ましく、約２．５以下の剛性比がさらに一段と好ましい。光学フィルムと基板の剛性は、Ｉｎｓｔｒｏｎ試験機を用いて室温における引張変形として測定される。膨潤比に関しては、約０．５０以上とすることができ、約０．７５以上が好ましく、約１．０以上がさらに好ましい。好ましくは、膨潤比は約５以下であり、約３以下がさらに好ましく、約２．５以下がさらに一段と好ましい。膨潤歪みは、ＴＡ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓの熱機械分析機を用いて測定される。拡散率比は約０．０５以上とすることができ、約０．１０以上が好ましい。好ましくは、拡散率は約２．０以下であり、約１．０以下が好ましい。
【００４３】
厚さに関して、光学フィルムは約０．２マイクロメートル〜約０．６ｍｍの厚さを有することができる。このフィルムの厚さ範囲内で、用途によって、約０．６ｍｍ以下が好ましく、約２５０マイクロメートル以下がさらに好ましく、約１２０マイクロメートル以下がさらに一段と好ましい。また、この範囲内で、光学的厚さは約０．２マイクロメートル以上が好ましく、約５マイクロメートル以上がさらに好ましく、約５０マイクロメートル以上がさらに一段と好ましい。一方、基板は通例約０．３ｍｍ以上の厚さを有しており、約０．６ｍｍ以上が好ましく、約１．１ｍｍ以上がさらに好ましい。また、基板の厚さは約２．５ｍｍ以下が好ましく、約２．０ｍｍ以下がさらに好ましく、約１．５ｍｍ以下がさらに一段と好ましい。現在の設備・装置のため、また産業界の規格のため、約１．１ｍｍの基板の厚さが一般に好ましい。薄くした基板の厚さを使用する場合（例えば、約１．２ｍｍ未満）、光学フィルム対基板の厚さの比を約１以下に維持するのが好ましく、この厚さ比は約０．５以下が好ましく、約０．１以下がさらに好ましい。また、厚さ比は約０．００１以上が好ましく、約０．００５以上がさらに好ましく、約０．０２５以上がさらに一段と好ましい。
【００４４】
可能な光学フィルム材料は、適当な特性を示すいかなるプラスチックとすることもでき、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、並びにこれらの材料を１種以上含むホモポリマー、コポリマー、反応生成物及び組合せ、例えば、限定されることはないが、付加ポリマー及び縮合ポリマーがある。熱可塑性ポリマーの具体的な非限定例は、オレフィン−由来ポリマー（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びこれらのコポリマー）、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリメチルペンタン、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、ポリ酢酸ビニル、ジエン−由来ポリマー（例えば、ポリブタジエン、ポリイソプレン、及びこれらのコポリマー）、エチレン性不飽和カルボン酸のポリマー及びこれらの官能性誘導体、例えば、アクリルポリマー（例えば、ポリ（アクリル酸アルキル）、ポリ（メタクリル酸アルキル）、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル及びポリアクリル酸）、アルケニル芳香族ポリマー（例えば、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、水素化ポリスチレン、シンジオタクチック及びアタクチックポリスチレン）、ポリシクロヘキシルエチレン、スチレン−コ−アクリロニトリル、スチレン−コ−無水マレイン酸、ポリビニルトルエン、及びゴム変性ポリスチレン、ポリアミド（例えば、ナイロン−６、ナイロン−６６、ナイロン−１１、及びナイロン−１２）、ポリアセタール、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、及びポリシクロヘキシルメチレンテレフタレート）、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、高耐熱性ポリカーボネート、ポリエーテル（例えば、ポリアリーレンエーテル、特に２，６−ジメチルフェノールから誘導されたポリフェニレンエーテル、及び２，３，６−トリメチルフェノールとのコポリマー）、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、及びポリエーテルイミド、ポリアリーレンスルフィド、ポリスルホン、及びポリスルフィドスルホン、並びに液晶ポリマーである。
【００４５】
熱硬化性樹脂の非限定例は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリウレタン、鉱物充填シリコーン、ビス−マレイミド、シアネートエステル、多官能性アリル化合物、例えば、ジアリルフタレート、アクリル、アルキド、フェノール−ホルムアルデヒド、ノボラック、レゾール、ビスマレイミド、ＰＭＲ樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド、尿素−ホルムアルデヒド、ベンゾシクロブタン、ヒドロキシメチルフラン、及びイソシアネート、ベンゾシクロブテン樹脂、並びにこれらの熱硬化性樹脂を１種以上含むホモポリマー、コポリマー、反応生成物及び組合せである。一実施形態では、熱硬化性ポリマーはさらに、１種以上の熱可塑性ポリマー、例えば、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエステルなど、並びにこれらの熱可塑性ポリマーを１種以上含むホモポリマー、コポリマー、反応生成物及び組合せを含んでいる。熱可塑性ポリマーは通例、熱硬化性樹脂の硬化前に熱硬化性モノマー混合物と合わせて混合する。
【００４６】
熱可塑性ポリエステルと熱可塑性エラストマー性ポリエステルのいずれも使用することができる。熱可塑性ポリエステルの具体的な非限定例としては、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）、ポリ（１，３−プロピレンテレフタレート）、ポリ（シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）、ポリ（シクロヘキサンジメタノール−コ−エチレンテレフタレート）、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリ（ブチレンナフタレート）、及びポリアリーレートがある。熱可塑性エラストマー性ポリエステル（普通ＴＰＥといわれる）の具体的な非限定例としては、ポリ（アルキレンオキシド）の軟質−ブロックセグメント、特にポリ（エチレンオキシド）及びポリ（ブチレンオキシド）のセグメントを含有するポリ（アルキレンテレフタレート）（特に、ポリ［エチレンテレフタレート］及びポリ［ブチレンテレフタレート］）のようなポリエーテルエステル、並びに、芳香族ジイソシアネートとジカルボン酸及びカルボン酸末端ポリエステル又はポリエーテルプレポリマーとの縮合によって合成されたものを始めとするポリエステルアミドがある。
【００４７】
適切なポリアリーレートとしては、限定されることはないが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（普通ビスフェノールＡといわれる）のポリフタレートエステル、及び次式Ｉの構造単位からなり、適宜、下記式IIの構造単位を組み合わせて含むポリエステルがある。
【００４８】
【化１】
2005513697.tif 000012
【００４９】
式中、Ｒ16は水素又はＣ1-4アルキルである。
【００５０】
【化２】
2005513697.tif 000013
【００５１】
式中、Ｒ17は二価Ｃ4-12脂肪族、脂環式又は混合脂肪族−脂環式基である。後者のポリエステルは、アルカリ性条件で１，３−ジヒドロキシベンゼン部分と１種以上の芳香族ジカルボン酸塩化物との反応によって製造することができる。式IIの構造単位は１，３−ジヒドロキシベンゼン部分を含有しており、この部分はハロゲン（通常、塩素又は臭素）、又は好ましくはＣ1-4アルキル（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、プロピル、ブチル）で置換されていてもよい。これらのアルキル基は好ましくは第一又は第二の基であり、メチルがさらに好ましく、最も多くの場合両方の酸素原子に対してオルト位に位置するが、他の位置も考えられる。最も好ましい部分はレゾルシノール部分であり、この場合Ｒ16は水素である。１，３−ジヒドロキシベンゼン部分は、単環式部分（例えば、イソフタレート又はテレフタレート）又は多環式部分（例えば、ナフタレンジカルボキシレート）であることができる芳香族ジカルボン酸部分に結合している。
【００５２】
式IIの任意の軟質ブロック単位で、レゾルシノール又はアルキルレゾルシノール部分は、二価Ｃ4-12脂肪族、脂環式又は混合脂肪族−脂環式基であるＲ17と共にエステル形成性の組合せとして存在している。
【００５３】
可能なポリカーボネートとしては、次式IIIの構造単位を含むものがある。
【００５４】
【化３】
2005513697.tif 000014
【００５５】
式中、Ｒ18基の総数の約６０％以上は芳香族有機基であり、その残りは脂肪族、脂環式、又は芳香族基である。適切なＲ18基としては、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレン、４，４’−ビフェニレン、４，４’−ビ（３，５−ジメチル）−フェニレン、２，２−ビス（４−フェニレン）プロパン、６，６’−（３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ［１Ｈ−インダン］）、１，１’−ビス（４−フェニレン）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、及び、米国特許第４２１７４３８号に名称又は式（一般又は個別）が開示されているジヒドロキシ置換芳香族炭化水素に対応するもののような類似の基がある。
【００５６】
さらに好ましくは、Ｒ18は芳香族有機基であり、さらに一段と好ましくは次式IVの基である。
【００５７】
【化４】
2005513697.tif 000015
【００５８】
式中、各Ａ1及びＡ2は単環式二価アリール基であり、Ｙ1は１又は２個の原子がＡ1とＡ2を隔てる橋架け基である。例えば、Ａ1及びＡ2は通例非置換フェニレン又はその置換誘導体を表す。橋架け基Ｙ1は最も多くの場合炭化水素基、特に飽和基、例えばメチレン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、又はイソプロピリデンである。最も好ましいポリカーボネートはビスフェノールＡポリカーボネートであり、この場合各Ａ1及びＡ2はｐ−フェニレンであり、Ｙ1はイソプロピリデンである。適切なポリカーボネートは、界面法、溶液法、固相法又は溶融法を始めとする各種方法を用いて製造することができる。
【００５９】
一実施形態では、記憶媒体は、１種以上のポリカーボネートを有する１以上の層を含んでいる。別の実施形態では、記憶媒体は、２種の異なるポリカーボネートを有する１以上の層を含んでいる。単一のジヒドロキシ化合物モノマーから誘導されたホモポリカーボネート、及び１種より多くのジヒドロキシ化合物モノマーから誘導されたコポリカーボネートが包含される。
【００６０】
一実施形態では、記憶媒体の基板及び／又は１以上の他の層が、次の構造単位（Ｖ）又は（VI）を含むポリカーボネート又はコポリカーボネートからなる。
【００６１】
【化５】
2005513697.tif 000016
【００６２】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、及びＲ6はＣ1〜Ｃ6アルキル及び水素から独立に選択され、Ｒ7及びＲ8は独立にＣ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、Ｃ1〜Ｃ6アルキル置換フェニル、又は水素であり、ｍは０〜約１２の整数であり、ｑは０〜約１２の整数であり、ｍ＋ｑは約４〜約１２の整数であり、ｎは約１〜約２の整数であり、ｐは約１〜約２の整数である。
【００６３】
構造（Ｖ）の代表的な単位としては、限定されることはないが、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン（ＤＭＢＰＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＤＭＢＰＩ）の残基、及びこれらの単位を１種以上含む混合物がある。
【００６４】
構造（VI）の代表的な単位としては、限定されることはないが、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル）プロパン（ＤＭＢＰＡ）、及び４，４’−（１−フェニルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）（ＤＭｂｉｓＡＰ）の残基がある。
【００６５】
さらに別の実施形態では、記憶媒体の基板及び／又は１以上の他の層は、次の構造単位（VII）を含むポリカーボネート又はコポリカーボネートからなることができる。
【００６６】
【化６】
2005513697.tif 000017
【００６７】
式中、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ13及びＲ14は独立にＣ1〜Ｃ6アルキルであり、Ｒ11及びＲ12は独立にＨ又はＣ1〜Ｃ5アルキルであり、各Ｒ15は独立にＨ及びＣ1〜Ｃ3アルキルから選択され、各ｎは独立に０、１及び２から選択される。
【００６８】
構造（VII）の代表的な単位としては、限定されることはないが、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチルスピロビインダン（ＳＢＩ）、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，５，３’，３’，５’−ヘキサメチルスピロビインダン、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，５，７，３’，３’，５’，７’−オクタメチルスピロビインダン、５，５’−ジエチル−６，６’−ジヒドロキシ３，３，３’，３’−テトラメチルスピロビインダン、及びこれらの単位を１種以上含む混合物がある。
【００６９】
ポリフェニレンエーテルは、次式（VIII）の構造単位を複数含んでなるポリマーである。
【００７０】
【化７】
2005513697.tif 000018
【００７１】
式中、これら単位の各々において独立に、各Ｑ1は独立にハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル（すなわち、７個以下の炭素原子を含有するアルキル）、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、又は２個以上の炭素原子がハロゲン原子と酸素原子とを隔てているハロ炭化水素オキシであり、各Ｑ2は独立に水素、ハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、炭化水素オキシ又はＱ1に対して定義したハロ炭化水素オキシである。最も多くの場合、各Ｑ1がアルキル又はフェニル、特にＣ1-4アルキルであり、各Ｑ2が水素である。
【００７２】
ホモポリマーとコポリマーのポリフェニレンエーテルのいずれも使用することができる。適切なコポリマーとしては、かかる単位を（例えば）２，３，６−トリメチル−１，４−フェニレンエーテル単位と組み合わせて含有するランダムコポリマーがある。また、ビニルモノマー又はポリスチレンやエラストマーのようなポリマーなどの材料を公知の方法でポリフェニレンエーテルにグラフトして調製された部分を含有するポリフェニレンエーテル、並びに低分子量ポリカーボネート、キノン類、複素環式化合物及びホルマール類のようなカップリング剤を、公知の方法で、２つのポリフェニレンエーテル鎖のヒドロキシ基と反応させて、より高い分子量のポリマーとしてあるカップル化ポリフェニレンエーテル（但し、かなりの割合の遊離ＯＨ基が残っていることを条件とする）も包含される。
【００７３】
多くの目的に特に有用なポリフェニレンエーテルは、１以上のアミノアルキル含有末端基を有する分子を含むものである。このアミノアルキル基は通例ヒドロキシ基に対してオルト位に位置している。かかる末端基を含有するポリマーは、ジ−ｎ−ブチルアミン又はジメチルアミンのような適当な第一又は第二モノアミンを、酸化カップリング反応混合物の構成成分の一つとして配合することによって得ることができる。また、４−ヒドロキシビフェニル末端基が存在することも多いが、これは通例、特に銅−ハロゲン化物−第二又は第三アミン系において、副生物のジフェノキノンが存在する反応混合物から得られる。ポリマー分子のかなりの割合、通例ポリマーの約９０重量％もの多くを構成する割合が、アミノアルキル含有末端基及び４−ヒドロキシビフェニル末端基を１以上含有し得る。
【００７４】
明らかに、考えられるポリフェニレンエーテルには、構造単位における変化又はそれに付随する化学的特徴には関係なく、限定されることはないがホモポリマー及びコポリマーの熱可塑性ポリマー、並びに上記ポリフェニレンエーテルを１種以上含む混合物を始めとして、現在知られているものが全て包含される。コポリマーとしてはランダム、ブロック又はグラフト型のものを挙げることができる。従って、例えば、適切なポリスチレンとしては、非晶質ポリスチレン及びシンジオタクチックポリスチレンのようなホモポリマー、並びにこれらの化学種を含有するコポリマーが包含される。後者には、ハイインパクトポリスチレン（ＨＩＰＳ）、ゴムがポリブタジエンであるか又は約７０〜約９８重量％の範囲のスチレンと約２〜約３０重量％の範囲のジエンモノマーとのゴム状コポリマーであるブレンド及びグラフトを含む一群のゴム変性ポリスチレンが包含される。また、通例予め形成したジエンポリマー基幹（例えば、ポリブタジエン又はポリイソプレン）にスチレン及びアクリロニトリルをグラフトさせたものであるＡＢＳコポリマーも含まれる。適切なＡＢＳコポリマーは各種方法で製造することができる。
【００７５】
好ましい実施形態では、光学フィルムは熱可塑性樹脂からなり、基板は熱硬化性樹脂からなる。また、光学フィルムが熱硬化性樹脂からなり、基板が熱可塑性樹脂からなることも可能である。同様に、光学フィルム及び基板が熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の混合物からなり、光学フィルムの組成の１以上の要素が基板のものと異なることが可能である。
【００７６】
光学層又はフィルムは、蒸着（例えば、プラズマ助長化学蒸着など）、塗装・コーティング（例えば、電着塗装、メニスカス塗装、スプレー塗装、押出コーティング、スピンコーティング、溶液塗装など）、注型・流延（例えば、押出注型、溶液流延など）、射出成形、インフレーション・フィルムブローイング、カレンダー加工など、並びにこれらの技術を１種以上含む組合せを始めとする各種の技術で設けることができる。一方、基板は通例、押出、成形（例えば、射出成形、押出成形、圧縮成形など）など、並びにこれらの技術を１種以上組合せによって製造される。
【００７７】
基板は通例ポリカーボネート材料からなるが、基板はまた光学フィルムに関して上に挙げたいずれかのプラスチックからなることもできることは明白に理解される。例えば、基板は熱可塑性樹脂からなることができ、この熱可塑性樹脂はビスフェノールＡポリカーボネート、７モル％のポリエステル及び９３モル％のビスフェノールＡポリカーボネートを含有するビスフェノールＡとドデカン酸のコポリエステルポリカーボネート、３９モル％のポリフェニレンエーテル及び６１モル％のポリスチレン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニルメタン）、９０モル％のビスフェノールＡ及び１０モル％のジ−ｓｅｃ−ブチルビスフェノールＡ、テトラメチルシクロブタンジオールのポリカーボネート及び高流動性ポリカーボネートテトラキシリルヒドロキノンジホスファイトなど、並びにこれらの熱可塑性樹脂を１種以上含む混合物である。同様に、光学層は、８０ｗｔ％イソフタレートテレフタレートレゾルシノール−２０ｗｔ％ポリカーボネート、スチレンアクリロニトリル、ビスフェノールＡポリカーボネート、７モル％のポリエステル及び９３モル％のビスフェノールＡポリカーボネートを含有するビスフェノールＡとドデカン酸のコポリエステルポリカーボネート、３９モル％のポリフェニレンエーテル及び６１モル％のポリスチレン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニルメタン）、９０モル％のビスフェノールＡ及び１０モル％のジ−ｓｅｃ−ブチルビスフェノールＡ、テトラメチルシクロブタンジオールのポリカーボネート及び高流動性ポリカーボネートテトラキシリルヒドロキノンジホスファイトなど、並びにこれらの熱可塑性樹脂を１種以上含む反応生成物及び混合物を始めとする熱可塑性樹脂からなることができる。また、これらの高密度フォーマット用のフィルムは、約１０ナノメートル（ｎｍ）以下の面内遅延のような光学特性を有するのが好ましい。これらのフィルムはまた、低い厚さ不均一性及び表面粗度も有する。１００マイクロメートルのフィルムの場合、２センチメートル（ｃｍ）より長い長さスケールでの厚さの均一性は約２マイクロメートル以下の程度であり、１ミリメートル（ｍｍ）の長さスケールでの表面粗度は約４０ｎｍ以下の程度である。
【００７８】
基板はさらにエネルギー吸収（手段）を含んでいてもよい。減衰は、エネルギー吸収性構成要素の付加又は各種充填材及び強化材を用いる滑り機構のような各種のアプローチによって達成することができる。減衰特性を改良することができる有用な材料としては、中でも、高い減衰能（例えば、約０．０５以上の減衰係数）を有する弾性材料、例えば、加硫ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、イソブチレンゴム、ポリエーテルゴム、イソブチレン−イソプレンコポリマー及びイソシアネートゴム、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリスルフィドゴム及びフッ素ゴム、米国特許第４９８７１９４号に記載されているようなポリスチレン−ポリイソプレンコポリマーを始めとするブロックコポリマー、熱可塑性エラストマー材料、例えばポリウレタン、並びにこれらの１種以上含む組合せがある。また、振動−減衰材料には、大量の粒子（例えば、フェライト、金属、セラミックなど）、フレーク（例えば、タルク、マイカなどのフレーク）、及び各種繊維（例えば、酸化亜鉛、ウォラストナイト、炭素繊維、ガラス繊維など）、並びにこれらを１種以上含む混合物を使用することができる樹脂もある。また、微小繊維、フィブリル、ナノチューブ、及びウィスカー、発泡及びハチの巣構造も、上記のものの各種組合せと同様に有用であろう。
【００７９】
通例最上層である光学層に加えて、基板に付加することができる他の層として、１以上のデータ記憶層、潤滑層、接着層、誘電層、反射層、絶縁層、これらの層を１以上含む組合せ、その他を挙げることができる。データ記憶層は検索可能なデータを記憶することができるいかなる材料からなっていてもよく、例えば、光学層、磁気層、又はさらに好ましくは光磁気層であり、その厚さは約６００Å以下であり、厚さが約３００Å以下であるのが好ましい。可能なデータ記憶層は、限定されることはないが、酸化物（例えば、酸化ケイ素）、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素、並びにこれらを１種以上含む合金及び組合せ、その他、例えば、有機染料（例えば、シアニン又はフタロシアニン型染料）、及び無機相変化化合物（例えば、ＴｅＳｅＳｎ又はＩｎＡｇＳｂ）を含む。好ましくは、データ層は保磁力が約１５００エールステッド以上であり、約３０００エールステッド以上の保磁力が特に好ましい。
【００８０】
熱制御器として使われることが多い誘電層は、通例約１０００Å以下又は以上の厚さであり、約２００Åもの薄い厚さであることができる。可能な誘電層は、環境内で適合性であり、好ましくは周囲の層と反応しない材料のうちで、特に、窒化物（例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、その他）、酸化物（例えば、酸化アルミニウム）、炭化物（例えば、炭化ケイ素）、及び以上の誘電層を１以上含む組合せを含む。
【００８１】
反射層は、データ検索が可能になるように充分な量のエネルギーを反射するのに充分な厚さをもっているべきである。通例、反射層は、約７００Å以下、時にはそれ以上の厚さを有することができ、約３００〜約６００Åの厚さが一般に好ましい。可能な反射層は、特定のエネルギー場を反射することができる任意の材料、例えば、金属（例えば、アルミニウム、銀、金、チタン、及びこれらの材料を１種以上含む合金及び混合物、その他）を含む。この反射層は、スパッタリング、化学蒸着、電気メッキなどのような各種技術によって基板上に設けることができる。
【００８２】
適宜、光学層とデータ記憶層の間、及び／又は他の層間に、例えば、光学フィルムを基板に支持された他の層に接着することができる接着層を配置する。また、この接着層はディスクの減衰を高めるのに使用することもでき、接着剤の厚さと性質がこの層によって与えられる減衰の量を決定する。この接着層は、約５０マイクロメートル（μｍ）以下程度の厚さを有することができ、約１〜約３０マイクロメートルの厚さが好ましく、ゴム系又はエラストマー性熱硬化性樹脂、可撓性熱可塑性樹脂などからなることができる。典型的な接着剤はゴム系又はゴム様材料、例えば、天然ゴム又はシリコーンゴム又はアクリルエステルポリマーなどである。ゴム又はアクリルポリマー系などのような非剛性ポリマー系接着剤は、可撓性、クリープ耐性、復元力、及び弾性のようなエラストマーの特性の幾つかをもっており、データ記憶ディスクのプレイバック（再生）の品質を高めるのに有用な減衰を提供する。非剛性ポリマー系接着剤の化学は多様であり、エラストマー及びゴムとして、可撓性熱可塑性樹脂として、熱可塑性エラストマーとして上述したタイプの材料のポリマーを含む。かかる接着剤の適切な例としては、ポリイソプレン、スチレンブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、フルオロビニルメチルシロキサン、塩素化イソブテン−イソプレン、クロロプレン、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、ブチルアクリレート、発泡ポリスチレン、発泡ポリエチレン、発泡ポリプロピレン、発泡ポリウレタン、可塑化ポリ塩化ビニル、ジメチルシリコーンポリマー、メチルビニルシリコーン、ポリ酢酸ビニルなど、並びにこれらの接着剤を１種以上含む組成物がある。また、この層は上記接着剤の１種以上を含む組合せからなっていてもよい。通例、データ記憶ディスク用途に使用するには感圧接着剤が好ましい。接着層は、蒸着、スピンキャスティング、溶液付着、射出成形、押出成形などのような方法によってデータ記憶ディスクに設けることができる。
【００８３】
１以上のデータ記憶層、誘電層、保護層及び反射層に加えて、潤滑層その他のような他の層を使用することができる。有用な潤滑剤としては、フルオロ化合物、特にフルオロ油及びグリースなどがある。
【００８４】
本明細書に開示した記憶媒体は、厚さを制御することにより、及び／又は光学層と基板の組成を不一致にすることにより、光学層をもたない基板及び／又は適合光学層を有する基板（例えば、光学層が基板と同じ材料からなるもの）と比較して、チルトを低減する。この利点の幾つかを図８に示す。この図は、図３の不適合系（例えば、ラジアル偏差１．２６度）に対するラジアル偏差の大きな低減（すなわち、偏差０．５０度）を示している。図３と図８では異なる光学層を有する同じ基板を用いていることに留意されたい。図３で、Ｎｏ．１〜３はポリカーボネート基板と光学層の間に感圧接着剤を配置してなる試料に関し、一方試料１０、２０、３０、及び４０はポリカーボネート基板、光学層及びＵＶ硬化性接着剤を用いている。
【実施例１】
【００８５】
この実施例（シミュレート）では、ビスフェノールＡポリカーボネート（ＢＰＡ−ＰＣ）を基板材料として保持し、一方イソフタレートテレフタレートレゾルシノール−ポリカーボネート（ＩＴＲ−ＰＣ８０−２０）ブレンド、スチレンアクリロニトリル（ＳＡＮ５７６）又はＢＰＡ−ＰＣを光学フィルムとして選択した。光学フィルムの厚さは約１００マイクロメートルであり、基板の厚さは１．１ミリメートルであるので、フィルム対基板の厚さの比は０．０９である。
【００８６】
Ｉｎｓｔｒｏｎ引張試験機を用いて、基板と光学フィルムの両方の剛性を室温において引張変形として測定した。本明細書で定義したポリマー材料の膨潤は、完全に乾燥した材料を特定の温度で１００％相対湿度の環境に曝したときの体積成長率である。この膨潤は、ＴＡ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＴＭＡ  ２９４０  Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて測定される。フィルムを非常に低い一定の荷重下で取り付け、最初は乾燥した雰囲気に維持する。次に、材料を１００％相対湿度に曝したとき水の吸収による長さの変化を測定する。水による歪みすなわち膨潤をその材料の歪みとする（長さ変化を元のゲージ長さで割った値）。
【００８７】
下記表２に、異なる材料の組合せについて、フィルム対基板の剛性比及び膨潤比並びにラジアルチルト範囲の概要を示す。明白に分かるように、光学フィルムと基板に選択したポリマー材料が互いに異なるとき、基板と光学フィルムの材料としてＢＰＡ−ＰＣのみを使用する純粋な適合材料系よりラジアルチルト範囲がずっと小さい。
【００８８】
【表２】
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【００８９】
一般に、基板材料より剛性が高く、膨潤（水による歪み）がより大きい光学フィルムは、適合フィルム／基板系と比較してより良好な性能を有する。
【実施例２】
【００９０】
この実施例では、ＢＰＡ−ＰＣを光学フィルムに用いたポリマー材料とし、様々なポリマー材料を表２に示すように基板として使用した。光学フィルムの厚さは約１００マイクロメートルで、基板の厚さは１．１ミリメートルであるので、フィルム対基板の厚さの比は０．０９である。表に示した基板材料は次の通りである。７モル％のポリエステルと９３モル％のＢＰＡ−ＰＣを含有するビスフェノールＡとドデカン酸のコポリエステルポリカーボネート（ＲＬ−７５５３）、３９モル％のポリフェニレンエーテルと６１モル％のポリスチレン（ＰＰＥ／ＰＳ  １０１）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニルメタン）（ＢＨＰＭ）、９０モル％のビスフェノールＡと１０モル％のジ−ｓｅｃ−ブチルビスフェノールＡ（ＢＰＡジ−ｓｅｃ−ブチルＢＰＡ）、テトラメチルシクロブタンジオールのポリカーボネート（ＴＭＣＢＤ−ＰＣ）、並びにＢＰＡ−ポリカーボネートとポリカーボネートテトラキシリルヒドロキノンジホスファイトのブレンド（ＢＰＡ−ＰＣ＋１ｗｔ％ＴＸＨＱＤＲ）。
【００９１】
【表３】
2005513697.tif 000020
【００９２】
Ｉｎｓｔｒｏｎ引張試験機を用いて、基板と光学フィルムの両方の剛性を室温における引張変形で測定した。本明細書で定義したポリマー材料の膨潤は、完全に乾燥した材料を特定の温度で１００％相対湿度の環境に曝したときの体積成長率である。この膨潤は、ＴＡ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＴＭＡ  ２９４０  Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて測定される。フィルムを非常に低い一定の荷重下で取り付け、最初は乾燥した雰囲気に維持する。次に、材料を１００％相対湿度に曝したとき水の吸収による長さの変化を測定する。水による歪みすなわち膨潤をその材料の歪みとする（長さ変化を元のゲージ長さで割った値）。上記表３に、異なる材料の組合せについて、フィルム対基板の剛性比及び膨潤比並びにラジアルチルト範囲の概要を示す。ここでも明白に分かるように、光学フィルムとして用いたポリマー材料が基板に用いたものと異なると、ラジアルチルト範囲がずっと小さくなり、その結果増大した記憶容量となる。
【実施例３】
【００９３】
この実施例では、光学フィルムと基板の両方でＢＰＡ−ＰＣを、下記表４に示すように異なる材料に変えた。光学フィルムの厚さは約１００マイクロメートル、基板の厚さは１．１ミリメートルであり、フィルム対基板の厚さの比は０．０９である。
【００９４】
【表４】
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【００９５】
ここでは、光学フィルムとして、一方でポリスチレン（ＰＳ）を、他方で１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニルメタン）（ＢＨＰＭ）を使用した。どちらの場合も、３９モル％のポリフェニレンエーテルと６１モル％のポリスチレンのブレンドを基板として使用した。Ｉｎｓｔｒｏｎ引張試験機を用いて、基板と光学フィルムの両方の剛性を室温における引張変形で測定した。本明細書で定義したポリマー材料の膨潤は、完全に乾燥した材料を特定の温度で１００％相対湿度の環境に曝したときの体積成長率である。この膨潤は、ＴＡ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＴＭＡ  ２９４０  Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて測定される。フィルムを非常に低い一定の荷重下で取り付け、最初は乾燥した雰囲気に維持する。次に、材料を１００％相対湿度に曝したとき水の吸収による長さの変化を測定する。水による歪みすなわち膨潤をその材料の歪みとする（長さ変化を元のゲージ長さで割った値）。上記表４に、異なる材料の組合せについて、フィルム対基板の剛性比及び膨潤比並びにラジアルチルト範囲の概要を示す。ここでも明白に分かるように、光学フィルムとして用いたポリマー材料が基板に用いたものと異なると、ラジアルチルト範囲がずっと小さくなり、その結果増大した記憶容量となる。
【００９６】
本明細書に開示した記憶媒体は、光学フィルムと基板の組成を不一致にすることにより、また適宜基板と光学フィルムに不一致の厚さを使用することにより、ラジアルチルトを低減する。この不一致の組成は、光学フィルムと基板の組成に不一致がないディスクと比較して、より高い面積密度記憶（約２０Ｇｂ以上）を可能にすることになる。
【００９７】
一例の実施形態を参照して本発明を説明して来たが、当業者には、本発明の範囲から逸脱することなく様々な変更を行うことができ、その要素に代えて等価物を使用できることが了解されるであろう。加えて、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況又は材料を本発明の教示に適合させるために多くの修正を行うことができる。従って、本発明は、本発明を実施する最良の形態として開示した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に入る全ての実施形態を包含するものである。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】図１は、光学的に透明な基板を使用した先行技術の低面積密度系の断面図である。
【図２】図２は、光が基板を通らないでデータ記憶層に入射する記憶媒体、すなわち第１表面記憶媒体の考えられる一実施形態を使用した読取／書込系の断面図である。
【図３】図３は、異なる接合様式（すなわち、ＰＳＡ及び紫外線（ＵＶ）硬化性接着剤）を用いた２つの適合系で、２５℃、相対湿度（ｒｈ）５０％〜２５℃、９０％ｒｈに設定した湿度で誘発された曲率変化のグラフである。
【図４】図４は、脱着及び吸着の間の基板の動的曲率のグラフである。
【図５】図５は、吸収とその後の脱着の間の構造体の曲率範囲に対する厚さの影響を示すグラフである。
【図６】図６は、拡散比１．５における曲率比等高線図である。
【図７】図７は、拡散比１．０における曲率比等高線図である。
【図８】図８は、不一致系（例えば、図３と同じ基板で、基板と異なる組成のフィルムを有するもの）で、２５℃、相対湿度（ｒｈ）５０％〜２５℃、９０％ｒｈに設定した湿度で誘発された曲率変化のグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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