(57)【要約】磁気抵抗構成素子のための標準セル装置であって、特にセル中央に設けられた少なくとも１つの磁気抵抗積層システム（３、２７）並びにセル周辺に設けられた少なくとも１つの入力部（９、３８、３９）及び少なくとも１つの出力部（１０、４２）を含み、入力部（９、３８、３９）は２つの入力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７）を有し、これらの入力接続部は、磁気抵抗積層システム（３、２７）を制御するために用いる磁界を生成する電流を導くため互いに接続可能であり、出力部（１０、４２）は２つの出力接続部（１３、１４、４３、４４）を有し、これらの出力接続部は信号を取り出すため磁気抵抗積層システム（３、２７）と接続可能であり、入力接続部及び出力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７、１３、１４、４３、４４）は、セルの長方形状の基本形（２、２６）に関して予め定められたラスター基準点に（それぞれ互いに鏡像対称又はセル中心に点対称に）配置されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗構成素子のための標準セル装置であって、特にセル中央に設けられた少なくとも１つの磁気抵抗積層システム（３、２７）並びにセル周辺に設けられた少なくとも１つの入力部（９、３８、３９）及び少なくとも１つの出力部（１０、４２）を含み、入力部（９、３８、３９）は２つの入力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７）を有し、これらの入力接続部は、磁気抵抗積層システム（３、２７）を制御するために用いる磁界を生成する電流を導くため互いに接続可能であり、出力部（１０、４２）は２つの出力接続部（１３、１４、４３、４４）を有し、これらの出力接続部は信号を取り出すため磁気抵抗積層システム（３、２７）と接続可能であり、入力接続部及び出力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７、１３、１４、４３、４４）は、セルの長方形状の基本形（２、２６）に関して予め定められたラスター基準点においてそれぞれ互いに鏡像対称又はセル中心に点対称に配置されている磁気抵抗構成素子のための標準セル装置。
【請求項２】
２つの入力接続部及び出力接続部（９、３８、３９、１３、１４、４３、４４）は、それぞれ互いに相対する側辺に配置されていることを特徴とする請求項１記載の標準セル装置。
【請求項３】
２つの入力接続部及び２つの出力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７、１３、１４、４３、４４）は、それぞれ互いに相対して配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の標準セル装置。
【請求項４】
２つの出力接続部及び２つの入力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７、１３、１４、４３、４４）又はそのいずれか一方は、セルの長方形状の基本形（２、２６）の各側辺の中央に配置されていることを特徴とする請求項３記載の標準セル装置。
【請求項５】
各２つの入力接続部（３４、３５、３６、３７）を有する２つの入力部（３８、３９）を備え、それぞれ２つの入力接続部は、長方形状の基本形（２６）の１つの側辺に、各側辺中央に対称に配置されていることを特徴とする請求項３又は４記載の標準セル装置。
【請求項６】
磁気抵抗積層システム（３、２７）は、セル周辺に設けられた出力接続部（１３、１４、４３、４４）の数に相応して固有のシステム出力接続部（４、５、４０、４１）を有し、セル周辺に設けられた入力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７）の数に相応して固有のシステム入力接続部（７、８、３０、３１、３２、３３）を有し、システム入力接続部は周辺側の出力接続部及び入力接続部と接続導体路を介して接続可能であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の標準セル装置。
【請求項７】
それぞれ互いに接続すべき接続部は互いに直接相対していることを特徴とする請求項６記載の標準セル装置。
【請求項８】
複数の磁気抵抗積層システムを含む標準セル装置（４５）が、ただ１つの磁気抵抗積層システムを含む標準セル装置の長方形状の基本形の面の倍数に相応する長方形状の基本形を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の標準セル装置。
【請求項９】
標準セル装置の構成が、プログラムコード手段の形を示し、このプログラムコード手段はエレクトロニック磁気抵抗構成素子のレイアウトを作成するためのコンピュータプログラムの部分であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の標準セル装置。
【請求項１０】
周辺側の入力接続部及び出力接続部（１１、１２、３４、３５、３６、３７、１３、１４、４３、４４）が、積層システム側のシステム入力接続部及びシステム出力接続部（４、５、７、８、３０、３１、３２、３３、４０、４１）と接続導体路（１５、１６、１７、１８）又は電流を導く接続手段を介して接続されている請求項１〜９のいずれか１つによる少なくとも１つの標準セル装置を含むエレクトロニック磁気抵抗構成素子。
【請求項１１】
接続導体路（１５、１６、１７、１８）がほぼ水平及びほぼ垂直に延び、互いにほぼ９０度の角度以下で交差することを特徴とする請求項１０記載のエレクトロニック磁気抵抗構成素子。
【請求項１２】
磁気抵抗積層システム（３、２７）がオアゲート、アンドゲート、ノアゲート又はナンドゲートであることを特徴とする請求項１０又は１１記載のエレクトロニック磁気抵抗構成素子。
【請求項１３】
ＧＭＲ（巨大磁気抵抗）型、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）型、又はＡＭＲ（異方性磁気抵抗）型、ＣＭＲ（コロッサル磁気抵抗）型の積層システム（３、２７）が使用されることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１つに記載のエレクトロニック磁気抵抗構成素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗構成素子、特に論理構成素子のための標準セル装置に関する。
【０００２】
所属の入力部及び出力部を有する少なくとも１つの磁気抵抗積層システムを含む磁気抵抗構成素子の従来の設計は個々に行われる、即ちその構成素子はそれぞれ異なったアーキテクチャを有する。その際回路レイアウト（配線、位置定め）はたいてい手仕事で設計されるか、又は自動作成式のレイアウトソフトウエアを使用して行われる。磁気抵抗構成素子はますますいっそう重要となっているので、レイアウトないしアーキテクチャを構成するためのこのような方法は適していない。
【０００３】
本発明は、磁気抵抗構成素子のレイアウトを簡単化する可能性を示すという課題に基づくものである。
【０００４】
この課題を解決するため、本発明によれば、磁気抵抗構成素子のための標準セル装置であって、特にセル中央に少なくとも１つの磁気抵抗積層システム、セル周辺に少なくとも１つの入力部及び少なくとも１つの出力部を含み、論理ユニットの場合には論理入力部及び出力部が対象となり、入力部は２つの入力接続部を有し、これらの入力接続部は磁気抵抗積層システムの制御のために用いる磁界を生成する電流を導くため互いに接続可能であり、出力部は２つの出力接続部を有し、これらの出力接続部は信号を取り出すため磁気抵抗積層システムと接続可能であり、入力接続部及び出力接続部は予め定められたラスター基準点において、セルの長方形状の基本形に関して、それぞれ互いに鏡像対称に、又はセル中心に対し点対称に配置されている。
【０００５】
本発明は標準化されたセル構成を提案するものであり、この標準セルは少なくとも１つの磁気抵抗積層システムを好ましくは、しかしながら必然的にではなくセル中央に有し、並びに対応する入力部及び出力部がそれぞれ少なくとも１つ設けられている。入力接続部及び出力接続部はそれぞれ、標準セルの長方形状の基本形ないし定義された長方形状のベース面に関して、定義されたラスター基準点に配置される。このラスター基準点及び対称性は、この場合、２つの標準セルが互いに並んで又は重なり合って配置される際、自動的に、両標準セルの互いに接続すべき各接続部が直接互いに相対するように選ばれ、その結果接続線の案内が簡単化される。さらに、もちろんセル装置の標準化の結果、このような標準セル構成を標準としてレイアウトプログラムに組み込むことができ、ひっくるめて回路レイアウトの作成及び構成素子のアーキテクチャを初めて可能にする。
【０００６】
２つの入力接続部及び２つの出力接続部は、それぞれセル周辺において互いに相対する側辺に配置するのが好ましい。本発明によれば、２つの入力接続部及び２つの出力接続部はそれぞれ直接相対して各側辺に配置するのが好ましい。その場合、２つの出力接続部及び２つの入力接続部、又はそのいずれか一方は、セルの長方形状の基本形の各側辺の中央に設けるのが有効である。
【０００７】
ただ１つの入力部又は論理入力部を有する装置に代えて、本発明によれば更に、それぞれ２つの入力接続部を有する２つの入力部が設けられるようにしてもよく、その際、それぞれ２つの入力接続部が、長方形状の基本形の１つの側辺において各側辺中央に対し対称に配置される。例として全部で４つの入力接続部の場合も、本発明による対称性及び所定のラスター基準における保持及び配置が与えられる。
【０００８】
磁気抵抗積層システムそのものは、セル周辺に設けられた出力接続部についての数に相応して固有のシステム出力接続部、またセル周辺に設けられた入力接続部についての数に相応して固有のシステム入力接続部を有し、このシステム入力接続部は周辺側の出力接続部及び入力接続部と、接続導体路を介して接続可能である。その際接続リード線は適切な技術により異なる面内を導かれ、このことは十分知られている。リード線案内を簡単化し、またできるだけ短い接続路を保証し得るようにするため、それぞれ互いに接続すべき接続部は互いに直接相対するようにすると合目的である。
【０００９】
本発明の思想をさらに発展させると、大きさ“１”の単一のセルの長方形状の基本形の面の整数倍に相当する面を持った拡大した標準セル装置を形成するため、複数の対称に構成されたセルが用意されるようにすることができる。この本発明の構成形態においては、単一の標準セルを定義するのみならず、単一のセルの複数倍、即ち例えば２倍又は３倍、に相当する拡大された標準セルを定義することを提案するものであり、この場合、多数の磁気積層システムに相応して、同じくまた入力部及び出力部が設けられる。単一のセルの基本面の倍数に関連させてこの拡大された標準セル装置の大きさの対応する決定、並びに周辺側の入力接続部及び出力接続部のラスター基準配置は、例えば、２つの磁気抵抗積層システム及び相応する出力部及び入力部を有する拡大された標準セル装置のほかに、２つの単一の標準セル装置を配置することを可能にし、この単一の標準セル装置は自動的に、一方では拡大された標準セル装置の各接続部に関して正しく位置決めされ、他方ではこのようにして存在する提供場所が回路レイアウトのコンパクト化のために最適に利用される。何故なら、単一の両標準セル装置の大きさは拡大された標準セル装置の大きさに十分に相応しているからである。
【００１０】
標準セル装置の構成は、プログラムコード手段の形で示されるのが有効であり、このプログラムコード手段はエレクトロニック磁気抵抗構成素子のレイアウトの作成のためのコンピュータプログラムの部分である。
【００１１】
標準セル装置そのものと並んで、本発明はさらに、エレクトロニック磁気抵抗構成素子に関し、この構成素子は前述の種類の少なくとも１つの標準セル装置を含み、その周辺側の入力接続部及び出力接続部は接続導体路又は電流を導く接続手段を介して積層システム側のシステム入力接続部及びシステム出力接続部と接続されている。
【００１２】
接続導体路は、ほぼ水平及びほぼ垂直に、９０度以下の角度で互いに交差し、その際導体路は既に述べたように異なる面内を通り、このことは絶縁上の理由で必要である。導体路の相応する面への案内は、公知のように、各入力接続部、出力接続部、システム入力接続部及びシステム出力接続部に設けられた適切なコンタクトホールを介して行われる。それに加えて、接続部は適切な電流を通す接続手段を介して接続することができる。増幅トランジスタ、プログラミング可能なバストランジスタ又はダイオード等、一般に能動素子、又は受動素子、又は線形素子、又は非線形素子を配置することも可能である。
【００１３】
“１”の必要面積を持った標準セルのための磁気抵抗積層システムは、代表的にはオアゲート、アンドゲート、ノアゲート又はナンドゲートであり、そのため１つのゲートに２つの論理入力部が設けられ、オアゲートもしくはノアゲート、又はアンドゲートもしくはナンドゲートとしての定義は、対応する導体路案内及び磁気抵抗構成素子の幾何学的形状又は構成により行われる。
【００１４】
積層システムそのものは、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗）、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗）又はＣＭＲ（コロッサル磁気抵抗）型のものが使用される。積層システムの重要な特性はヒステリシス特性であり、電流によるスイッチングが可能であることである。
【００１５】
本発明の他の利点、特徴及び詳細は、以下に述べる実施例及び図面から明らかである。
【００１６】
図１は、第１の実施形態の標準セル装置１を原理概要図の形で示したものである。この標準セル装置は、破線で示されるように、ほぼ長方形状の基本形２を有する。さらに、セル中央には磁気抵抗積層システム３が設けられ、そのシステムはここでは原理的にのみ示されている。積層システムは、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗）、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗）又はＣＭＲ（コロッサル磁気抵抗）であってよい。積層システム３には所属するものとしてシステム入力接続部４、５が設けられ、これらの接続部は導体路６を介して互いに接続されている。これらの接続部４、５及び導体路６を介して運転時電流が導かれ、この電流は磁界を生じ、この磁界が磁気抵抗積層システム３に作用し、またその構成に応じて場合によっては逆磁化効果を引き起こす。この種の磁気抵抗積層システムの基本原理は十分に知られており、それに詳細に立ち入ることは必要としない。
【００１７】
さらに積層システム３には２つのシステム出力接続部７、８が設けられ、これらの接続部を介して信号を取り出すことができ、その信号の大きさは積層システム３の磁化状態に関係している。この磁化状態は積層システムの基本磁化に関係し、この基本磁化は、特に、システムの磁気的に比較的硬質の層（参照層又はベース層ともいわれる）への予め定められた方向を持った磁化を作用させることによって調節される。
【００１８】
長方形状の基本形２ないしここでは図示された破線によって示されているセル周辺には、さらに入力部９及び出力部１０が設けられている。入力部９は周辺側の２つの入力接続部１１、１２を含み、これらの入力接続部は長方形状の基本形２の各側辺の中央に位置している。積層システム３も好ましくは中央に配置され、従ってシステム入力接続部４、５も中央に配置されているから、このラスター基準配置に基づいて、定められた点において、入力接続部９はシステム入力接続部４に、またシステム入力接続部５は入力接続部１２に直接相対することが明らかである。図に示された標準セルは鏡像対称に構成されており、即ち水平線又は垂直線に関して映した場合、各側辺において互いに相対する接続部は重なり合って写される。鏡像対称のほかに、セル中心に対する点対称を持った構成も可能である。このような場合には、２つの接続部は互いに向かい合う必要はないが、セル中心を通りこのセル中心に対し等距離にある共通の接続線上にある。２つの標準セルを並列に配置する場合に、関連する接続部が並列することを保証するためには上述の対称性の１つが与えられていることが重要である。
【００１９】
同様のことは、出力部１０を形成する出力接続部１３、１４についてもあてはまる。これらの接続部は同様にそれぞれの基本形側辺の中央に位置し、同様にシステム出力接続部７、８と直接向かい合っている。
【００２０】
この図１に描かれた第１の実施形態の単一の標準セル装置は、種々の方法で配線することができ、それは各入力接続部と出力接続部との間及びシステム入力接続部とシステム出力接続部との間に接続導体路を導くことによって行われる。図２は非反転構成素子のための第１の回路レイアウトを示す。入力接続部及びシステム入力接続部１１、４、５、１２は接続導体路１５、１６を介して互いに直接接続されている。同様のことが出力接続部及びシステム出力接続部１３、７、８、１４に対してもあてはまり、これらの出力接続部は接続導体路１７、１８を介して互いに直接接続されている。論理入力部９に加わる電流パルス１９は入力信号を形成する。出力信号２０は、この非反転構成素子に対しては入力信号と同相である。
【００２１】
これに対し、図３は信号インバータのための回路レイアウトを示す。ここでは入力接続部１１はシステム入力接続部５と接続され、システム入力接続部４は入力接続部１２と接続されており、即ち２つの導体ループ２１、２２が設けられる。出力接続部及びシステム出力接続部は、図２に関して述べたように、互いに直接接続されている。積層システム３の磁気特性及びスイッチング挙動に基づいて、論理入力部９を介して電流パルス２３が導かれたとき電流が逆に導かれ従って積層システム３に作用する磁界の逆生成に基づき、図３に示されるように出力信号２４の反転が生ずる。
【００２２】
入力部及び出力部を互いに接続する図３による回路レイアウトにおける接続導体路は、異なる面内を延びており、このことは絶縁上の理由から必要である。導体路を１つの面から他の面へ導くことはコンタクトホールを介して行われ、このコンタクトホールは各接続部点に存在し、各図に小さい円で示されている。図３に示されている入力部接続導体路の置き換えの代りに逆の構成も可能で、出力部接続導体路がループにして導かれ、その結果入力部接続導体路は再び直接互いに相対する接続部点間を延びる。
【００２３】
図４は本発明による第２の実施形態の標準セル装置２５を示す。この標準セル装置は同様に、破線で描かれた長方形状の基本形２６を有し、セル中心には磁気抵抗積層システム２７が設けられている。この積層システムに所属して、このレイアウトでは２つの導体路２８、２９が設けられ、各導体路はそれぞれシステム入力接続部３０、３１ないし３２、３３を有し、これらのシステム入力接続部にはセル周辺に設けられ直接相対する入力接続部３４、３５ないし３６、３７が設けられ、全体として２つの入力部３８、３９を形成している。即ち２つの分離した電流パルス従って入力信号を積層システムに加え、対応する磁界を生ぜしめることができ、その結果この構成によって論理ゲートを構成することができる。
【００２４】
さらに２つのシステム出力接続部４０、４１が設けられ、これらの接続部には出力部４２を形成する周辺側の出力接続部４３、４４が対応している。
【００２５】
この点について既に指摘されているように、入力部の数に関しては制限は存在しない。さらに、磁気抵抗積層システムをただ１つだけ設けることも絶対的なものではなく、プログラム可能な積層システムの直列回路を使用することもできる。ただ、標準セルレイアウトにおいては、基本面の整数倍にすることを要求されるだけである。この点については図９に関してさらに扱われる。入力部及び出力部は両方向に出入りが可能である。電流方向のプログラミングは、対応してリード線と接触している周辺を介して行われる。
【００２６】
図４からなるこの標準セル装置の回路レイアウトの第１の実施形態を図５に示す。この
実施形態では、入力接続部及びシステム入力接続部並びに出力接続部及びシステム出力接続部は互いに直接接続されており、即ちここでは導体路の接続導線は可能な限り最も短い。磁気抵抗積層システムの磁化を調節又は変更するプログラミング電流は、ここではシステム入力接続部３０からシステム入力接続部３１へ、ないしシステム入力接続部３２からシステム入力接続部３３へ流れる。
【００２７】
図６による結線はまた異なるものである。そこでは入力接続部３４及び３５は第１の導体ループを介して、入力接続部３６、３７は第２の接続導体ループを介して互いに接続されている。ここではプログラミング電流ないし入力信号は、システム入力接続部３１からシステム入力接続部３２へ、またシステム入力接続部３３からシステム入力接続部３２へ導かれ、即ち図５に関して述べたのと逆の方向に導かれる。
【００２８】
回路レイアウトの別の実施形態を図７に示す。ここでは入力接続部３４及び３５は導体ループを介して互いに接続され、その際プログラミング電流又は入力信号はシステム入力接続部３１からシステム入力接続部３０へ導かれる。他の両入力接続部３６及び３７は直接、即ちほとんど互いに直線状に接続され、積層システムを流れる電流は両システム入力接続部３２、３３を介して逆方向に導かれる。
【００２９】
図７と鏡像対称に相応する他の実施形態を図８に示す。この回路レイアウトにおいては、反転ループは入力接続部３６と３７との間に設けられており（図７の実施形態の場合は反転ループは入力接続部３４と３５との間にある。）、直接の接続が入力接続部３４と３５との間に生じる（図７による回路レイアウトの場合の入力接続部３６と３７との間の直接接続に対比して）。それに伴って、この実施形態の場合には反転機能は右側の入力接続部３６に任される。
【００３０】
各接続導体路が時として異なる面内を導かれることはおのずから自明である。時としてレイアウト及び導体路案内に応じて、導体路が接続部点において面を交換せず、場合によってはその長手上の任意の点で交換することが必要である。このことは、既に述べたように、対応するコンタクトホール（そのことはこの場所に設けられている）を通して行われるが、図を見やすくするため図示されていない。このことに具体的に立ち入ることは、どのように具体的な面の割り当てを行うかは当業者にとって明らかであるから必要としない。
【００３１】
磁気抵抗積層システム２７は、オアゲート又はアンドゲートとして構成又はプログラミングすることができる。オアゲートの場合には、磁気抵抗積層構成の軟質磁性層のスイッチングのために、少なくとも磁気抵抗積層システムの両入力部ないし入力接続部３０、３２の１つに論理“１”を加えることが必要である。これによって生じる磁界は、磁化を回転させるために十分である。アンドゲートの場合には、磁化を回転させるため両接続部に同時に論理“１”を加えることが必要である。
【００３２】
正の電流（システム入力接続部３０からシステム入力接続部３１へ、ないしシステム入力接続部３２からシステム入力接続部３３への）が論理“１”の状態に相応するという仮定の下に、オアゲート標準セルにより磁気論理の次の可能性が生じ、この場合簡単にするため両周辺側入力接続部３４、３６はｘ及びｙで呼び、電流の流れ及びリード線の案内に基づき各導体路２８、２９を介して磁気抵抗積層システムに加えられる各論理状態は同様にｘ及びｙに応じて異なる。
【００３３】
【表１】
2005528775.tif 000003
【００３４】
この表は、一方に列「外部配線」を示し、ここには入力部ｘ及びｙにかかる論理状態が与えられている。
【００３５】
中央には図５〜８による異なる「レイアウト変形」があげられ、ここでも論理状態の間で信号ｘ及びｙに基づいて、信号の磁気抵抗積層システムにかかり方が異なっている。
【００３６】
最後に右の列は、各レイアウト変形に対し出力接続部における「磁気」ないし論理状態を示す。
【００３７】
既に述べたように、磁気抵抗積層システムはアンドゲートとしても構成することができる。この場合、軟質磁性層の磁化を回転するためには２つの論理“１”が必要である。アンドゲート標準セルの対応する値の表は以下の表２から読み取ることができる。
【００３８】
【表２】
2005528775.tif 000004
【００３９】
アンドないしオア機能間のプログラミングは、例えば各磁気抵抗積層システムの軟質磁性層における保磁力を異ならせることによって行うことができる。ここではマスクプログラミングが適することが実証され、このプログラミングにおいては層における形状異方性を調整することができる。オア機能に対しては、軟質磁性層の保磁力が、積層システムに所属する導体路の１つにのみ電流が流れる際に生じる磁界が持つ磁界強さより小さくなければならないことが認められる。アンド機能の場合には、軟質磁性層の保磁力は、所属の両導体路に電流が流れる際に生じる両磁界の全磁界強さより小さいほうの磁界の磁界強さより大きい。
【００４０】
最後に図９は任意の集積論理素子から切り取った部分を示す。２つの上部リード線ｍ及びｎが示され、これらのリード線を介して入力信号が供給される。このようなそれぞれ２つの導体路部分間に、図の例では第１の標準セル装置４５が置かれ、この標準セル装置はそれに並んで置かれた２つの「単一の」標準セル装置４６のほぼ２倍に大きさで、長方形状の基本形ないし基本面を有し、標準セル装置４６はそれぞれただ１つの磁気抵抗積層システムを含むのに対し、標準セル装置４５は２つの磁気抵抗積層システムを有する。各周辺側の出力接続部の配置に基づいて、これらの出力接続部は互いにほぼ直接相対し、その結果配線距離が非常に短くなる。更に、ｍリード線とｎリード線との間に存在して提供される場所を最適に利用することができる。何故なら、既に述べたように、標準セル装置は１つの単一の標準セル装置４６の場合に最小面積、ないしこの大きさの複数倍、例えば標準セル装置４５の場合は２倍、を描くからである。もちろん、もっと大きい標準セル装置も可能であり、そのことはｍリード線とｎリード線との間隔に関係している。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】交差配置の入力部及び出力部を有する単一セルとしての標準セル装置を示す。
【図２】第１の実施形態の図１による標準セルの回路レイアウトを示す。
【図３】導体路案内が変更された第２の実施形態の図１による標準セルの回路レイアウトを示す。
【図４】２つの入力部を有する第２の実施形態の単一セルとしての標準セルを示す。
【図５】第１の実施形態の図４による標準セル装置の回路レイアウトを示す。
【図６】第２の実施形態の図４による標準セルの回路レイアウトを示す。
【図７】第３の実施形態の図４による標準セル装置の回路レイアウトを示す。
【図８】第４の実施形態の図４による標準セル装置の回路レイアウトを示す。
【図９】集積回路上の配置を明らかにするため合わせて３つの標準セル装置を有する回路レイアウトを示す。
【符号の説明】
【００４２】
１  標準セル装置
２  基本形
３  磁気抵抗積層システム
４、５  システム入力接続部
６  導体路
７、８  システム出力接続部
９  入力部
１０  出力部
１１、１２  入力接続部
１３、１４  出力接続部
１５、１６、１７、１８  接続導体路
１９  電流パルス（入力信号）
２０  出力信号
２１、２２  導体ループ
２３  電流パルス
２４  出力信号
２５  標準セル装置
２６  基本形
２７  磁気抵抗積層システム
２８、２９  導体路
３０、３１、３２、３３  システム入力接続部
３４、３５、３６、３７  入力接続部
３８、３９  入力部
４０、４１  システム出力接続部
４３、４４  出力接続部
４５、４６  標準セル装置
【図１】
2005528775.tif 000005
【図２】
2005528775.tif 000006
【図３】
2005528775.tif 000007
【図４】
2005528775.tif 000008
【図５】
2005528775.tif 000009
【図６】
2005528775.tif 000010
【図７】
2005528775.tif 000011
【図８】
2005528775.tif 000012
【図９】
2005528775.tif 000013
【国際調査報告】
2005528775.tif 000014
2005528775.tif 000015
2005528775.tif 000016
2005528775.tif 000017