(57)【要約】  本発明は、ヘリカル式テープ記録に関して有効なものであって、集積型磁気ヘッドを形成する。この集積型磁気ヘッドは、薄層構造を具備し、この薄層構造が、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片（６４，６６）と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップ（６８）と、を備えている。薄層構造は、２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）の間に形成される。これら２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）内においては、両磁極片の両サイドに、耐摩耗性材料からなるゾーンを形成する。
2005513708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積型磁気ヘッドであって、
薄層構造を具備し、
この薄層構造が、前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片（６４，６６）と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップ（６８）と、を備え、
前記両磁極片が、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料からなる２つのゾーンによって囲まれていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記両磁極片が、前記薄層構造の２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）の間に含有され、
前記薄層構造が、少なくとも前記２つの平行平面の間に、前記両磁極片の両サイドのところにおいて、前記磁気記録媒体の前記供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料を備えていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記薄層構造が、前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片（６４，６６）と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップ（６８）と、を備え、
前記両磁極片が、前記薄層構造に関する横断方向において、２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）の間に含有され、
前記２つの平行平面の間に、前記ギャップによって隔離された前記両磁極片の両サイドのところにおいて、第１耐摩耗性材料（７０）が設けられ、これにより、読取および／または書込のための前記面の耐摩耗性を増強させていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記ギャップが、方位角付きギャップ（６８）とされていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
さらに、第２耐摩耗性材料からなる２つの層（４３，５４）を備え、
これら２つの層が、前記薄層構造を取り囲んでおり、これにより、読取および／または書込のための前記面の耐摩耗性を増強させていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
さらに、層状の形態とされた部材（９８）を備え、
この部材（９８）が、前記薄層構造と、前記第２耐摩耗性材料からなる前記２つの層のうちの一方の層（５４）と、の間に、前記磁気ヘッドの付加的な回路を有していることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記第１耐摩耗性材料（７０）が、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２ のいずれかとされていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記第２耐摩耗性材料が、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ、ＣａＴｉＯ３ 、サファイア、ＳｉＣ、および、Ｓｉ３Ｎ４の中から選択されていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記磁気ヘッドの活性部分を取り囲む主要層（７０）と；
この主要層（７０）を取り囲む２つの中間介在層（６０，９８）と；
前記主要層（７０）をなす材料よりも小さな耐摩耗性を有した材料から形成されているとともに、前記２つの中間介在層（６０，９８）を取り囲む、２つの補助層（４３，５４）と；
を具備し、
前記２つの中間介在層が、前記２つの補助層（４３，５４）をなす材料よりも小さな耐摩耗性を有した材料から形成され、これにより、前記磁気ヘッドの寿命全体にわたって前記磁気ヘッドと前記磁気記録媒体との間の良好なコンタクトを可能とし得る構造が形成されていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項１０】
集積型磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片（６４，６６）と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップ（６８）と、を備えてなる、薄層構造を形成し、
前記両磁極片を、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料からなる２つのゾーンによって囲まれたものとすることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、
前記両磁極片を、前記薄層構造の２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）の間に含有されたものとし、
前記薄層構造を、少なくとも前記２つの平行平面の間に、前記両磁極片の両サイドのところにおいて、前記磁気記録媒体の前記供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料を備えたものとすることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１〜３のいずれか１項に記載された集積型磁気ヘッドを少なくとも１つ製造するための方法であって、
−第１および第２磁極片（６４，６６）と、好ましくは方位角付きのものとされるとともに前記第１および第２磁極片を隔離するギャップ（６８）と、磁気回路の後方閉塞部分（７６）と、を備えてなる第１基板を形成し；
−この基板内において、前記ギャップによって隔離された前記第１および第２磁極片の周囲に、第１ハウジング（７８）を形成し；
−この第１ハウジングを、第１耐摩耗性材料（７０）によって充填し；
−この第１耐摩耗性材料（７０）を平坦化し；
−前記第１および第２磁極片と前記ギャップと前記後方閉塞部分とを備えなおかつ閉塞された磁気回路を形成することによって、前記磁気回路（７７）を完成させ；
−前記磁気ヘッドのコイルを形成し；
−前記磁気ヘッドを横方向に切断することによって、この磁気ヘッドを前記第１基板から切り出し、これにより、前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面（８２）を露出させる；
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、
前記第１耐摩耗性材料（７０）を、ＳｉＯ２ とすることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
−前記第１基板内において、前記磁気ヘッドのコイルの形成を可能とするための前記第１ハウジング（７８）と第２ハウジング（８４）とを、同時に形成し；
−これら第１および第２ハウジングを、前記第１耐摩耗性材料（７０）によって同時に充填し；
−前記第１ハウジングを充填した前記第１耐摩耗性材料と、前記第２ハウジングを充填した前記第１耐摩耗性材料とを、同時に平坦化する；
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１２または１３記載の方法において、
前記第１基板を、補助基板（９０）と、この補助基板上に位置したエッチング停止層（９２）と、このエッチング停止層上に位置するとともに適切な配向性を有した単結晶材料から形成された薄層（９４）と、を備えてなるものとし、
前記第１および第２磁極片と、前記ギャップと、前記第１ハウジングとを、前記薄層をエッチングすることによって、前記薄層内に形成することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、
前記補助基板（９０）を、シリコンから形成し、
前記エッチング停止層（９２）を、ＳｉＯ２ から形成し、
前記薄層（９４）を、単結晶シリコンから形成することを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６記載の方法において、
−前記補助基板を除去することによって、前記エッチング停止層を露出させ；
−前記薄層の自由面上に、前記磁気ヘッドを完成させるため前記磁気ヘッドのコイルを形成させ得るような他の層（９８）を固定し；
−この層（９８）に関し、前記エッチング停止層上において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな第２材料からなる第１および第２層（４３，４５）をそれぞれ固定し；
−前記磁気ヘッドを横方向に切断する；
ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録のための集積型磁気ヘッドならびにその製造方法に関するものである。
【０００２】
特に、本発明は、テープ上へのヘリカル式磁気記録のための、薄層技術によって製造された、集積型磁気ヘッドに関するものである。
【０００３】
本発明は、主に、一般用のまたはプロ用のビデオ（ホームビデオレコーダ、カムコーダ）に適用され、また、コンピュータ記録デバイスにも適用される。他の応用分野は、コンピュータにおけるマスメモリ（マイクロコンピュータ、ワークステーション、および、大規模システム）や、他の一般的消費者用途（マルチメディア、フォト、オーディオ、等）のためのテープまたはディスク上へのデータ貯蔵、である。
【背景技術】
【０００４】
マスメモリ（ビデオ、オーディオ、または、コンピュータ）のために構成された磁気記録媒体は、多数のトラックを備えており、これらトラック上に、複数の磁気ドメインの形態でもって情報が書き込まれるようになっている。情報密度を増大させるためには、単位表面積あたりのデータ数を増大させる。この目的のために、トラック幅と、トラックどうしの離間間隔とが、同時に低減される。最終的には、例えばヘリカル式標準記録方式においては、トラックどうしが隣接するようになる。この状況は、図１に概略的に示されており、図１においては、トラック（２）どうしが隣接している様子が図示されている。
【０００５】
好ましくは、２つの磁気ヘッドが、使用される。それら磁気ヘッドの方位角は、互いに隣接した２つのトラックの読取および書込のために、共にゼロではなくかつ互いに相違している。これにより、トラック間におけるクロストークという問題点が回避されている。図１の例においては、方位角すなわち傾斜は、ｉを０°とは異なる角度とした場合に、それぞれ、＋ｉおよび−ｉとされている。したがって、複数のビットが、２つの逆向きの角度（＋ｉ，−ｉ）に従って書き込まれる。
【０００６】
最終的トラックの幅は、各標準方式において、正確に規定されている（例えば、ＤＶＣロングプレイシステムにおいては、６．７μｍ）。
【０００７】
現在のところ、この分野に属しかつ市販されている磁気記録ヘッドは、微小機械加工によって製造されている。それらは、個別的に製造されるものであり、マイクロエレクトロニクスにおいて得られるような大量生産技術の利点を受けることがない。
【０００８】
しかしながら、現在行われているようなトラック幅の低減により、必要とされるヘッドの寸法は、もっと低減される必要がある。このような寸法は、現在、微小機械加工の限界に近づきつつある。
【０００９】
他の製造方法が、以下の文献において提案されている。すなわち、（１）P. Gaud 氏、H. Sibuet 氏、A. Persico 氏、および、L. Vieux Rochaz 氏による“Manufacturing
process for recording and/or reading heads for magnetic recording”と題する １９９２年２月６日付けで公開された国際公開第９２／０２０１５号パンフレット。これに関しては、米国特許第５，２５０，１５０号明細書も、参照されたい。
【００１０】
この文献は、好ましくは傾斜角度付きのギャップすなわち方位角付きギャップを有した集積型磁気ヘッドの製造技術に関するものである。
【００１１】
本発明が、この文献（１）に開示された構造に対する改良を提供するものであることを、指摘しておく。
【００１２】
次に、図２〜図５を参照して、文献（１）において開示された例について要約して説明する。
【００１３】
図２は、チップ（６）内に集積化された磁気ヘッド（４）を概略的に示す平面図であって、２つの磁極片（８，９）は、方位角付きギャップ（１０）によって隔離されている。
【００１４】
チップ（６）は、カット後の状態で示されている（すなわち、製造時の基板から隔離された後の状態で示されている）とともに、磁気ヘッドと磁気記録媒体（例えば、テープ）との間の接触面（１７）が形成されている。
【００１５】
図２においては、磁気ヘッド（４）の磁気回路の上部（１２）と、その磁気回路のこの上部（１２）を囲んでいるコイルまたはソレノイド（１２）と、が示されている。さらに、磁気回路の後方閉塞部分（１６）が示されている。
【００１６】
後方閉塞部分（１６）は、磁極片（８，９）と同時に形成されている。
【００１７】
図３〜図５は、文献（１）による磁気ヘッド（４）の製造方法における主要ステップのみを示している概略的な断面図である。特に、様々なマスキング段階についての言及は、省略する。
【００１８】
図３〜図５における断面図は、図２におけるＡ−Ａ断面に対応している。これら各図は、それぞれ、第１磁極片のための第１ハウジングのエッチング形成（図３）、ギャップの形成ならびに第１ハウジング内への磁性材料の配置（図４）、および、第２磁極片の形成（図５）、を示している。
【００１９】
より詳細には、この例においては、鉛直面に対して２０°という方位角付きギャップを有した集積型ヘッドを、単結晶シリコン上に製造することに関して説明する。この目的のために、＜１１５＞配向とされ０．５°だけオフセットされた単結晶シリコン基板（１８）が使用される。異方性エッチングを行うことによって、図３に示すように、エッチングプロファイル（２０）と、キャビティすなわちハウジング（２２）と、を形成する。
【００２０】
しかしながら、この原理は、他の任意の単結晶基板に対して適用することができ、ギャップの傾斜角度すなわち方位角を、選択された値とし得ることに、注意されたい。
【００２１】
異方性エッチングの後に、熱酸化を行う。これにより、磁気ヘッドには、ギャップ（１０）（図４）が形成される。得られた熱酸化層（ＳｉＯ２ ）は、符号（２４）によって示されている。ギャップの形成後には、キャビティ（２２）を、磁性材料によって充填し、これにより、第１磁極片（８）を形成する。この磁性材料は、渦電流という問題を改善するために、可能であれば層状化することができる。
【００２２】
その後、選択的等方性エッチング（この例においては、シリコンをエッチングし、かつ、ＳｉＯ２ をエッチングしない）を行うことにより、さらなるキャビティを形成し、このさらなるキャビティを、先の場合と同様に、磁性材料によって充填する。これにより、第２磁極片（９）（図５）が形成される。したがって、第２磁極片（９）は、方位角付きギャップ（１０）を介することによって、第１磁極片（８）から隔離されている。
【００２３】
この文献（１）において最も重要なポイントは、方位角付きギャップを介した２つの磁極片の形成である。しかしながら、シリコン上に配置されるヘッドにおいては、ソレノイドを形成する必要がある。ソレノイドの形成は、図６〜図１１に要約されている。図６〜図９における断面は、図２におけるＢ−Ｂ断面に対応しており、図１０および図１１における断面は、図２におけるＣ−Ｃ断面に対応している。
【００２４】
図６〜図１１においては、下側コイルのためのハウジングのエッチングによって形成するとともに、このハウジングをＳｉＯ２ によって充填し、その後、平坦化し（図６）、エッチングを行うとともに例えば銅といったような金属を平坦的に成膜することによって、下側コイルを配置し（図７）、下側コイルと磁気回路の上部との間に絶縁層を配置し（図８）、磁気回路の上部を配置するとともに、上側コイルに対しての絶縁層を配置し（図９）、銅を充填して成膜して平坦化することによって、下側コイルと上側コイルとの間の電気接続部分を形成し（図１０）、上側コイルを配置する（図１１）。
【００２５】
より詳細には、コイルまたはソレノイドの製造に関する第１ステップにおいては、シリコン基板（１８）内にハウジングをエッチングによって形成する（図６）。このハウジングは、下側コイル、すなわち、下方位置におけるコイル、を受領するためのものである。したがって、このハウジングを、この場合にはＳｉＯ２ とし得るような電気絶縁材料（２６）によって充填する。その場合、成膜して平坦化することによって、充填を行う。図６においては、磁気回路をなす磁極片（８）と後方閉塞部分（１６）とが図示されている。
【００２６】
その後、充填済みのハウジング（２６）内において、下側コイルを受領するためのさらなる複数のハウジングを、エッチングによって形成する（図７）。これら複数のハウジングを、銅を成膜して平坦化することによって、充填する。これにより、磁気ヘッドの下側コイルをなす銅導体が得られる。
【００２７】
その後、例えばＳｉＯ２ といったような電気絶縁層（３０）を、得られたアセンブリ上に成膜し（図８）、これにより、下側コイル（銅ワイヤまたは銅導体）と、磁気回路の上部と、の間に電気絶縁を形成する。
【００２８】
この絶縁層は、最終的にはソレノイドによって囲まれることとなる磁気回路の上部が導電性磁性材料から構成されることにより、必要とされる。
【００２９】
その後、ＳｉＯ２ からなる新たな電気絶縁層（３２）を成膜する（図９）。ここで、成膜して平坦化することによって、磁気回路の上部（３４）を、配置する。次に、このアセンブリを、ＳｉＯ２ からなる電気絶縁層（３６）によって被覆する。この電気絶縁層（３６）を使用することにより、磁気回路と上側コイルとを絶縁することができる。
【００３０】
その後、エッチングと成膜と平坦化とを行うことにより、銅からなる電気接続部分を形成する（図１０）。これにより、表面に対しての電気的コンタクトを行うことができる。その後、エッチングと成膜と平坦化とを行うことにより、図１１に示すように、ＳｉＯ２ からなる新たな絶縁膜（４０）を形成し、これにより、上側コイル（４２）を配置する。
【００３１】
文献（１）に記載の技術は、いくつかの欠点を有している。
【００３２】
この技術においては、方位角付きのギャップを得るために、単結晶シリコンを使用している。しかしながら、単結晶シリコンの機械的特性は、得られる磁気ヘッドの実用的使用に関して、不適切なものである。実際、シリコンの摩耗度合いは、大き過ぎるものである。
【００３３】
したがって、本発明者らは、磁気ヘッドと、この磁気ヘッドによる読取や書込の対象部材をなす磁気記録媒体（例えば、テープ）との間の接触領域（１７）（図２）をなす材料を、置換することを試みた。
【００３４】
また、以下の文献を参照することができる。すなわち、（２）M. Fievre 氏、J.B.
Albertini 氏、P. Gaud 氏、および、H. Sibuet 氏による“Integrated magnetic head
for helicoidal magnetic recording on tapes and its manufacturing process”と題する２０００年３月２２日付けで出願された仏国特許出願第０００３６３５号明細書。これに関しては、ＰＣＴ特許出願第ＦＲ０１／００８４０号明細書も、参照されたい。
【００３５】
この文献は、集積型磁気ヘッドを製造するに際してＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）構造を使用することを記載しており、図１２Ａに示すように、ギャップの直上および直下のところにおいて、シリコンを、例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣといったようなより硬い材料によって置換するという手段を提案している。
【００３６】
しかしながら、この手段を使用したにしても、図１２Ａに示すように、接触領域においてギャップの周囲には、なおもシリコンが存在している。
【００３７】
図１２Ａが、積層を備えてなる磁気ヘッドを示していることに注意されたい。そのため、上記における『直上』とか『直下』とか『周囲』とかいう用語は、意味を有している。
【００３８】
図１２Ａにおいては、磁気ヘッドが、シリコンよりも硬い材料から形成された下側基板（４３）と、例えばＳｉＯ２ から形成された層（４４）と、第１磁極片（４８）と第２磁極片（５０）との間に位置したギャップ（４６）と、磁気回路の上部とその磁気回路を取り囲むコイルとを含有した層（５２）と、基板（４３）と同じ材料から形成することができるような表面層（５４）と、を備えていることがわかる。残りのシリコンは、符号（５６）によって示されている。
【００３９】
図１２Ｂは、図１２Ａの一部を示す図であって、２つの面（Ｐ１，Ｐ２）の一般的定義を概略的に示している。これら面（Ｐ１，Ｐ２）は、互いに平行な平面であって、磁気ヘッドの両磁極片（４８，５０）を含有しているとともに、図１２Ｂに示すようなポイント（Ａ，Ｂ）によって規定されている。ポイント（Ａ，Ｂ）は、２つの磁極片（４８，５０）の外縁に共通した面（４６）の一部をなしている。面（４６）のこの部分は、磁気ヘッドのギャップである。
【特許文献１】国際公開第９２／０２０１５号パンフレット
【特許文献２】米国特許第５，２５０，１５０号明細書
【特許文献３】仏国特許出願第０００３６３５号明細書
【特許文献４】ＰＣＴ特許出願第ＦＲ０１／００８４０号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００４０】
本発明の目的は、上記様々な欠点を克服することである。
【００４１】
特に、本発明は、薄層構造を備えた集積型磁気ヘッドを提供するものであって、薄層構造の接触ゾーン内においては、シリコンよりも硬い材料が、ギャップの周囲において、好ましくはこのギャップの直下においても、シリコンを置換している。本発明は、また、このような磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【００４２】
より詳細には、本発明は、集積型磁気ヘッドに関するものであって、薄層構造を具備し、この薄層構造は、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップと、を備え、両磁極片は、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料からなる２つのゾーンによって囲まれていることを特徴としている。
【００４３】
本発明の主題をなす集積型磁気ヘッドのある特定の実施形態においては、両磁極片は、薄層構造の２つの平行平面の間に含有され、薄層構造は、少なくとも２つの平行平面の間に、両磁極片の両サイドのところにおいて、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料を備えている。
【００４４】
本発明は、また、集積型磁気ヘッドに関するものであって、薄層構造を具備し、この薄層構造が、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップと、を備え、両磁極片が、薄層構造に関する横断方向において、２つの平行平面の間に含有され、２つの平行平面の間に、ギャップによって隔離された両磁極片の両サイドのところにおいて、例えばハウジングをなす材料よりも硬い材料といったような第１耐摩耗性材料（Ｒ１）が設けられ、これにより、読取および／または書込のための面（図２における面（１７））の耐摩耗性を増強させている。
【００４５】
本発明においては、ギャップは、方位角を有していない直線状のものとすることができる。しかしながら、このギャップは、好ましくは、上述した理由のために、方位角付きギャップすなわち傾斜付きギャップとされる。
【００４６】
好ましくは、本発明の主題をなす集積型磁気ヘッドは、さらに、第２耐摩耗性材料（Ｒ２）からなる２つの層を備え、この第２材料は、例えばシリコンよりも硬い材料とされ、これら２つの層は、薄層構造を取り囲んでおり、これにより、読取および／または書込のための面の耐摩耗性を増強させる。
【００４７】
材料（Ｒ１，Ｒ２）の組合せは、ギャップに隣接した両磁極片のコンタクトを最適なものとし得るよう、面（１７）に対しての横方向半径を十分に小さく維持し得るように、なおかつ、磁気ヘッドの摩耗に基づく平坦化現象を回避し得るように、選択することができる（例えば、材料（Ｒ１）を、材料（Ｒ２）よりも、耐摩耗性の大きな材料として選択することができる）。
【００４８】
第２耐摩耗性材料の選択は、図１５の材料（７０）を勘案して行うことができ、これにより、摩耗時のヘッドの横方向半径を制御することができる。
【００４９】
本発明の主題をなす集積型磁気ヘッドは、さらに、層状の形態とされた部材を備えることができ、この部材は、薄層構造と、第２耐摩耗性材料からなる２つの層のうちの一方の層と、の間に、磁気ヘッドの付加的な回路を有している。
【００５０】
第１耐摩耗性材料（Ｒ１）は、例えばＡｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２ のいずれかとして選択することができる。
【００５１】
第２耐摩耗性材料（Ｒ２）は、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ、ＣａＴｉＯ３ 、ＺｒＯ２ 、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ、サファイア、ＳｉＣ、および、Ｓｉ３Ｎ４の中から選択することができる。
【００５２】
本発明のある特定の実施形態においては、磁気ヘッドは、磁気ヘッドの活性部分を取り囲む主要層と；この主要層を取り囲む２つの中間介在層と；主要層をなす材料よりも小さな耐摩耗性を有した材料から形成されているとともに、２つの中間介在層を取り囲む、２つの補助層と；を具備し、２つの中間介在層は、２つの補助層をなす材料よりも小さな耐摩耗性を有した材料から形成され、これにより、磁気ヘッドの寿命全体にわたって磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の良好なコンタクトを可能とし得る構造が形成されている。
【００５３】
本発明は、また、集積型磁気ヘッドの製造方法に関するものであって、この方法においては、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップと、を備えてなる、薄層構造が形成され、両磁極片が、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料からなる２つのゾーンによって囲まれたものとされることを特徴としている。
【００５４】
本発明による方法におけるある特定の実施形態においては、両磁極片は、薄層構造の２つの平行平面の間に含有され、薄層構造は、少なくとも２つの平行平面の間に、両磁極片の両サイドのところにおいて、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料を備えている。
【００５５】
本発明は、また、少なくとも１つの集積型磁気ヘッドを製造するための方法に関するものであって、この方法においては、
−第１および第２磁極片と、好ましくは方位角付きのものとされるとともに第１および第２磁極片を隔離するギャップと、磁気回路の後方閉塞部分と、を備えてなる第１基板を形成し；
−この基板内において、ギャップによって隔離された第１および第２磁極片の周囲に、第１ハウジングを形成し；
−この第１ハウジングを、例えばシリコンよりも大きな耐摩耗性を有した材料といったような、第１耐摩耗性材料（Ｒ１）によって充填し；
−この第１耐摩耗性材料を平坦化し；
−第１および第２磁極片とギャップと後方閉塞部分とを備えなおかつ閉塞された磁気回路を形成することによって、磁気回路を完成させ；
−磁気ヘッドのコイルを形成し；
−磁気ヘッドを横方向に切断することによって、この磁気ヘッドを第１基板から切り出し、これにより、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を露出させる。
【００５６】
本発明による方法におけるある特定の実施形態においては、第１耐摩耗性材料（Ｒ１）は、ＳｉＯ２ とされる。
【００５７】
この場合、本発明による方法におけるある好ましい実施形態においては、
−第１基板内において、磁気ヘッドのコイルの形成を可能とするための第１ハウジングと第２ハウジングとを、同時に形成し；
−これら第１および第２ハウジングを、第１耐摩耗性材料によって同時に充填し；
−第１ハウジングを充填した第１耐摩耗性材料と、第２ハウジングを充填した第１耐摩耗性材料とを、同時に平坦化する。
【００５８】
本発明のある特定の実施形態においては、第１基板が、補助基板と、この補助基板上に位置したエッチング停止層と、このエッチング停止層上に位置するとともに適切な配向性を有した単結晶材料から形成された薄層と、を備え、第１および第２磁極片と、ギャップと、第１ハウジングとが、薄層をエッチングすることによって、薄層内に形成される。
【００５９】
好ましくは、補助基板が、シリコンから形成され、エッチング停止層が、ＳｉＯ２ から形成され、薄層が、単結晶シリコンから形成される。
【００６０】
本発明のある特定の実施形態においては、
−補助基板を除去することによって、エッチング停止層を露出させ；
−薄層の自由面上に、磁気ヘッドを完成させるため磁気ヘッドのコイルを形成させ得るような他の層を固定し；
−この層に関し、エッチング停止層上において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな第２材料からなる第１および第２層をそれぞれ固定し；
−磁気ヘッドを横方向に切断する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６１】
本発明は、添付図面を参照しつつ、本発明を何ら限定するものではなく単なる例示としての好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明を読むことにより、容易に理解されるであろう。
【００６２】
以下の説明においては、材質に関する記載は、例示に過ぎない。
【００６３】
図１３は、製造途中の時点で、本発明による集積型磁気ヘッドを概略的に示す図である。
【００６４】
図１３に示す薄層構造（５８）は、チップの端面を示すものである。このチップは、製造途中の１つの磁気ヘッドを備えるものであっても、また、ウェハのエッジのところに、大量生産される多数の磁気ヘッドを備えるものであっても、良い。
【００６５】
この構造（５８）は、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面の位置で示されている。この面は、磁気記録媒体に対して接触するものとして構成されている（図２における面（１７））。
【００６６】
この構造（５８）は、シリコン製の薄層（６０）上に形成されている。薄層（６０）は、基板（６２）上に形成されているとともに、エッチング停止層として機能する。基板（６２）は、例えばシリコンからまたは耐摩耗性材料（Ｒ２）から、形成されている。
【００６７】
シリコン層（６０）の上面からなる平面（Ｐ１）と、この平面（Ｐ１）に対して平行な他の平面（Ｐ２）と、の間においては、読取および／または書込のための面の位置におよびこの面の近傍において、構造（５８）は、第１磁極片（６４）と、第２磁極片（６６）と、これら磁極片どうしを隔離しているシリコン製の方位角付きギャップ（６８）と、両磁極片（６４，６６）の両側に配置されているとともに例えばシリコンよりも硬い材料といったような耐摩耗性材料（７０）（Ｒ１）と、を備えている。
【００６８】
この材料（７０）は、例えば、アルミナまたはシリカから形成される。
【００６９】
図１３の構造は、耐摩耗性材料（６２）上におけるあるいは図１４において平面視で示しているような耐摩耗性材料（７２）上における、シリコン製ウェハ上においてあるいはシリコンタイプのＳＯＩからなるウェハ上において、多数の工程によって形成される。符号（７４）は、製造途中の磁気ヘッド構造を含有しているチップを切り出すための経路を示している。図１３は、図１４におけるＤ−Ｄ線に沿っての断面に対応している。
【００７０】
各チップに関し、ギャップ（６８）によって隔離された２つの磁極片（６４，６６）と、このチップに対応する磁気ヘッドの磁気回路の後方閉塞部分を形成する部材（７６）とが、まず最初に形成される。
【００７１】
その後、シリコンウェハ内に、図１４の平面図において示すように両磁極片（６４，６６）の周囲のところに、ハウジング（７８）が、エッチングによって形成される。その後、このハウジングを、適切な成膜手段を使用することにより、耐摩耗性材料（７０）（図１５）によって充填する。
【００７２】
その後、この材料を平坦化し、過剰部分を除去する（そして、これにより、図１３におけるフラットな平面（Ｐ２）を得る）。
【００７３】
その後、磁気回路を閉塞する（両磁極片と後方閉塞部分とは既に形成されている）とともに、磁気ヘッドのコイル（７８）を形成することによって、磁気ヘッドの磁気回路（７７）（図１６）を完成させる。
【００７４】
その後、チップ（８０）を切り出し、このチップを、図１６に示すような外形とする。これにより、耐摩耗性材料（７０）が、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面（８２）上において、両磁極片の周囲に位置している。
【００７５】
両磁極片（６４，６６）や、これら両磁極片を隔離するギャップ（６８）や、後方閉塞部分（７６）や、磁気回路（７７）の閉塞部分や、コイル（７８）、の形成に関しては、図３〜図１１ならびに関連する説明を参照することができる。
【００７６】
図１７〜図１９の例においては、耐摩耗性材料（７０）としてシリカを使用することについて説明する。この場合、両磁極片（６４，６６）の周囲に位置するシリコンのエッチング操作と、ハウジング（７８）（図１４）内へのシリカの成膜操作と、シリカの平坦化操作とは、図１７に示すような下側コイルハウジング（８４）に関連するそれら操作と同時に行うことができる。
【００７７】
この技術が、付加的な技術ステップを追加することなく摩耗という問題点を解決し得るという利点を有していることに、注意されたい。
【００７８】
より詳細には、図１７に示すように、特に、『下側コイルハウジング』と称されるハウジング（８４）が、ウェハ（７２）（図１４）上において既にエッチング形成されている。このハウジングは、例えば銅製導体といったような下側コイル導体を設置するのに必要とされるものである。
【００７９】
図１４〜図１６においては説明も図示もしていないものの、下側コイルハウジング（８４）は、このようにして、磁気回路を構成している両磁極片とこれらを隔離するギャップと後方閉塞部分に加えて、形成される。
【００８０】
ハウジング（７８，８４）は、ウェハ（７２）をなすシリコンのエッチングによって、同時的に形成される。その後、下側コイルハウジング（８４）内には、シリカ（８６）が成膜される（図１８）。また、両磁極片の周囲に位置したハウジング（７８）内には、耐摩耗性材料（７０）が成膜される。この材料（７０）も、また、シリカである場合には、２つの成膜は、同時に行われ、その後、それらは、同時的に平坦化される（ウェハ（７２）が全体的に平坦化される）。
【００８１】
ハウジング（８４）の充填に使用されたシリカ（８６）の中に、銅製の下側コイルが埋設されることを、指摘しておく。
【００８２】
磁気回路の閉塞部分と、対応ソレノイドの形成と、が完了した後に、上述したように、各チップの切出と外形の成形とが行われる。
【００８３】
耐摩耗性材料（７０）は、シリカである必要はない。例えば、アルミナを使用することができる。
【００８４】
図２０〜図２２は、この変形例に対応して本発明による磁気ヘッドに関する各製造ステップとを示す概略的な断面図である。図１９は、製造途中において、本発明による磁気ヘッドを概略的に示す平面図である。図２０〜図２２は、図１９におけるＥ−Ｅ断面に対応している。
【００８５】
図１９においては、上述したように、磁気ヘッドを含有しているチップを切り出すための経路（７４）が示されている。両磁極片（６４，６６）と、これら両磁極片を隔離するギャップ（６８）と、対応磁気回路の後方閉塞部分（７６）と、下側コイルハウジング（８４）と、両磁極片（６４，６６）の周囲に形成されたハウジング（７８）と、が示されている。
【００８６】
図１９〜図２２の場合には、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）構造の中の絶縁層を、エッチング停止層として使用する。成膜ステップと平坦化ステップとは、上記と同様にして行う。
【００８７】
より詳細には、図２０においては、シリコン基板（９０）と、この上に形成されたシリカ製の薄層（９２）と、この上に形成された単結晶シリコン製の薄層（９４）と、が示されている。
【００８８】
さらに、磁極片（６６）と、磁気回路の後方閉塞部分（７６）と、が示されている。特に、下側コイルハウジング（８４）と、磁気記録媒体（例えば、テープ）に対しての接触領域すなわち摩擦領域のところにおいて両磁極片の周囲に位置して形成されたハウジング（７８）と、が示されている。これらハウジング（８４，７８）は、薄層（９４）をなすシリコン中にエッチングによって形成されており、その際、シリカ層（９２）が、エッチング停止層として機能する。
【００８９】
図２１は、例えばシリカやアルミナといったような耐摩耗性材料（７０）によるハウジング（７８）の充填と、シリカ（８６）によるハウジング（８４）の充填と、を示している。図２２は、耐摩耗性材料（７０）およびシリカ（８６）を平坦化した後の状態を示している。
【００９０】
図２３は、製造途中における本発明による他の磁気ヘッドを概略的に示す断面図である。
【００９１】
より詳細には、この磁気ヘッドは、磁気ヘッドの読取および／または書込のための面のところに端面構造を備えている。
【００９２】
図２３の構造は、図１３の構造と比較すれば、製造方法において、さらに先に進んだステップを表している。
【００９３】
また、図２３の構造と、図１２Ａに示す公知構造と、を比較する。当然のことながら、図２３の構造は、図１２Ａに示す公知構造に対して、改良点が加えられたものである。
【００９４】
実際、図２３に示す構造は、本発明に基づく利点を、文献（２）に記載の技術に対して、適用したものである。
【００９５】
図２３の構造によれば、シリコンに関連するすべての摩耗問題を解決することができる。それは、読取および／または書込のための面のところに位置したすべてのシリコンを置換しているからである。
【００９６】
図２３においては、両磁極片（６４，６６）は、シリカからなる方位角付きギャップ（６８）によって隔離されている。ギャップ（６８）は、シリコン基板上に形成されたシリカ層（６０）上に形成されている。両磁極片（６４，６６）の両側に配置されている材料は、図１３に関連して上述したように、耐摩耗性材料（７０）である。シリカ層（９６）が、この材料（７０）を被覆している。このシリカ層（９６）は、さらに、耐摩耗性材料（７０）と磁極片（６４）との間にも配置されている。
【００９７】
層（９８）が、シリカ層（９６）上に固定されており、この層（９８）は、磁気回路の上部と、その磁気回路を取り囲むコイルと、を含有している。
【００９８】
耐摩耗性材料（５４）が、層（９８）に対して固定されている。シリコン基板は、除去されており、シリカ層（６０）を露出させている。耐摩耗性材料（４３）が、シリカ層（６０）に対して固定されている。これら基板（４３，５４）は、例えば、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ、ＣａＴｉＯ３ 、あるいは、ＺｒＯ２ から形成される。
【００９９】
次に、本発明による磁気ヘッドに関し、本発明を何ら限定することなく単なる例示の目的のために、数値的例示を行う。図２４は、本発明による磁気ヘッドの一例を概略的に示す平面図であり、一方、図２５は、ソレノイドを形成する前の時点において、図２４の磁気ヘッドの製造時に得られた積層状況を概略的に示す断面図である。
【０１００】
図２４（および図２５）は、図１６（および図２２）に対応した図である。図１６と図２４とにおいては（図２２と図２５とにおいては）、同じ部材に対して同じ符号が付されている。
【０１０１】
図２４の例においては、ギャップ（６８）の長さ（ｄ１）（平面視）は、約１０μｍであり、磁気回路の後方閉塞部分（７６）の長さ（ｄ３）（平面視）は、２５０μｍの程度であり、材料（７０）のためのハウジングの幅（ｄ２）は、１ｍｍの程度である。
【０１０２】
図２５の積層構造においては、磁気回路の後方閉塞部分（７６）の幅（ｄ４）は、約１００μｍであり、ハウジング（７８）の幅（ｄ５）は、約５０μｍであり、ハウジング（８４）の幅（ｄ６）は、約２００μｍであり、層（９４）の厚さ（ｄ７）は、約４μｍである。
【０１０３】
図２６は、本発明による磁気ヘッドの他の例を概略的に示す図である。この磁気ヘッドの外形形状（あるいは、プロファイル）（Ｐ）と、この磁気ヘッドに対して使用されることとなる磁気テープの供給方向（Ｄ）と、が図示されている。
【０１０４】
テープの供給方向に対する横断方向において、互いに異なる硬さを有した３つの材料が、磁気ヘッドの活性部分（すなわち、両磁極片と、この磁気ヘッドの機能部材からなるすべての活性部分と、からなる活性部分）の両サイドに配置されている。
【０１０５】
より詳細には、第１層（７０）が、磁気ヘッドの活性部分（この活性部分は、層（７０）の中央部分内に挿入されている）を取り囲んでいる。この第１層（７０）をなす材料は、最も硬い材料から構成されている。
【０１０６】
他の２つの層（６０，９８）が、この層（７０）を取り囲んでいるとともに、最もソフトな材料から構成されている。
【０１０７】
さらに他の２つの層（４３，５４）が、さらに外側に配置されており、これにより、『サンドイッチ』構造（テープの供給方向に対する横断方向に積層されている）が形成されている。これら２つの層（４３，５４）は、２つの層（６０，９８）を取り囲んでいるとともに、層（７０）をなす材料の硬さと、層（６０，９８）をなす材料の硬さと、の間の硬さの材料から構成されている。
【０１０８】
図２６に示すような構造は、『トライマラン（trimaran）』タイプの構造である。この構造の形状は、磁気ヘッドの寿命全体にわたってヘッドとテープとの間における良好な接触をもたらすのに適した形状とされている。
【０１０９】
本発明が提供するいくつかの例は、方位角付きギャップを備えた磁気ヘッドに関するものである。しかしながら、本発明は、そのような例に限定されるものではなく、本発明を適用することによって、直線状ギャップを備えた磁気ヘッドを形成することもできる。
【０１１０】
本発明による技術は、シリコンの結晶配向性の選択によって方位角を選択し得るという利点をもたらす。また、シリコン以外の他の単結晶基板を使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】トラックどうしが互いに隣接しているような公知の磁気記録支持媒体を概略的に示す図である。
【図２】方位角付きギャップを有した公知の磁気ヘッドを概略的に示す平面図である。
【図３】図２の磁気ヘッドの製造方法における主要ステップを示す概略的な断面図である。
【図４】図２の磁気ヘッドの製造方法における主要ステップを示す概略的な断面図である。
【図５】図２の磁気ヘッドの製造方法における主要ステップを示す概略的な断面図である。
【図６】図２の磁気ヘッドにおけるソレノイドの形成に関する各ステップを示す概略的な断面図である。
【図７】図２の磁気ヘッドにおけるソレノイドの形成に関する各ステップを示す概略的な断面図である。
【図８】図２の磁気ヘッドにおけるソレノイドの形成に関する各ステップを示す概略的な断面図である。
【図９】図２の磁気ヘッドにおけるソレノイドの形成に関する各ステップを示す概略的な断面図である。
【図１０】図２の磁気ヘッドにおけるソレノイドの形成に関する各ステップを示す概略的な断面図である。
【図１１】図２の磁気ヘッドにおけるソレノイドの形成に関する各ステップを示す概略的な断面図である。
【図１２Ａ】他の公知の磁気ヘッドにおける接触領域を概略的に示す断面図である。
【図１２Ｂ】磁気ヘッドの磁極片を含有した平行平面を規定するための概略的な断面図である。
【図１３】製造途中の時点において、本発明による磁気ヘッドの特定の実施形態における端面を示す概略的な断面図である。
【図１４】図１３の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す平面図である。
【図１５】図１３の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す平面図である。
【図１６】図１３の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す平面図である。
【図１７】耐摩耗性材料としてシリコンを使用した場合に、図１３の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す平面図である。
【図１８】耐摩耗性材料としてシリコンを使用した場合に、図１３の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す平面図である。
【図１９】製造途中において、本発明による磁気ヘッドを概略的に示す平面図である。
【図２０】図１９の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す断面図である。
【図２１】図１９の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す断面図である。
【図２２】図１９の磁気ヘッドの製造方法における各ステップを概略的に示す断面図である。
【図２３】本発明による磁気ヘッドの他の特定の実施形態における接触領域を概略的に示す断面図である。
【図２４】本発明による磁気ヘッドの一例を概略的に示す平面図である。
【図２５】ソレノイドを形成する前の時点において、図２４の磁気ヘッドの一例を概略的に示す断面図である。
【図２６】本発明による磁気ヘッドの他の例を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【０１１２】
４３  第２耐摩耗性材料からなる層、補助層
５４  第２耐摩耗性材料からなる層、補助層
６０  中間介在層
６４  磁極片
６６  磁極片
６８  ギャップ
７０  第１耐摩耗性材料、主要層
７７  磁気回路
７８  第１ハウジング
８２  読取および／または書込のための面
８４  第２ハウジング
９０  補助基板
９２  エッチング停止層
９４  薄層
９８  層、中間介在層
【図１】
2005513708.tif 000003
【図２】
2005513708.tif 000004
【図３】
2005513708.tif 000005
【図４】
2005513708.tif 000006
【図５】
2005513708.tif 000007
【図６】
2005513708.tif 000008
【図７】
2005513708.tif 000009
【図８】
2005513708.tif 000010
【図９】
2005513708.tif 000011
【図１０】
2005513708.tif 000012
【図１１】
2005513708.tif 000013
【図１２Ａ】
2005513708.tif 000014
【図１２Ｂ】
2005513708.tif 000015
【図１３】
2005513708.tif 000016
【図１４】
2005513708.tif 000017
【図１５】
2005513708.tif 000018
【図１６】
2005513708.tif 000019
【図１７】
2005513708.tif 000020
【図１８】
2005513708.tif 000021
【図１９】
2005513708.tif 000022
【図２０】
2005513708.tif 000023
【図２１】
2005513708.tif 000024
【図２２】
2005513708.tif 000025
【図２３】
2005513708.tif 000026
【図２４】
2005513708.tif 000027
【図２５】
2005513708.tif 000028
【図２６】
2005513708.tif 000029
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月24日(2003.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積型磁気ヘッドであって、
薄層構造を具備し、
この薄層構造が、前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片（６４，６６）と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップ（６８）と、を備え、
前記両磁極片が、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな第１材料からなる２つのゾーンによって囲まれていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記両磁極片が、前記薄層構造の２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）の間に含有され、
前記薄層構造が、少なくとも前記２つの平行平面の間に、前記両磁極片の両サイドのところにおいて、前記磁気記録媒体の前記供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな第１材料を備えていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記薄層構造が、前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片（６４，６６）と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップ（６８）と、を備え、
前記両磁極片が、前記薄層構造に関する横断方向において、２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）の間に含有され、
前記２つの平行平面の間に、前記ギャップによって隔離された前記両磁極片の両サイドのところにおいて、第１耐摩耗性材料（７０）が設けられ、これにより、読取および／または書込のための前記面の耐摩耗性を増強させていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記ギャップが、方位角付きギャップ（６８）とされていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
さらに、第２耐摩耗性材料からなる２つの層（４３，５４）を備え、
これら２つの層が、前記薄層構造を取り囲んでおり、これにより、読取および／または書込のための前記面の耐摩耗性を増強させていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項５記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
さらに、層状の形態とされた部材（９８）を備え、
この部材（９８）が、前記薄層構造と、前記第２耐摩耗性材料からなる前記２つの層のうちの一方の層（５４）と、の間に、前記磁気ヘッドの付加的な回路を有していることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項５または６記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記第２耐摩耗性材料が、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ、ＣａＴｉＯ３ 、サファイア、ＳｉＣ、および、Ｓｉ３Ｎ４の中から選択されていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記第１耐摩耗性材料（７０）が、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２ のいずれかとされていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型磁気ヘッドにおいて、
前記磁気ヘッドの活性部分を取り囲む主要層（７０）と；
この主要層（７０）を取り囲む２つの中間介在層（６０，９８）と；
前記主要層（７０）をなす材料よりも小さな耐摩耗性を有した材料から形成されているとともに、前記２つの中間介在層（６０，９８）を取り囲む、２つの補助層（４３，５４）と；
を具備し、
前記２つの中間介在層が、前記２つの補助層（４３，５４）をなす材料よりも小さな耐摩耗性を有した材料から形成され、これにより、前記磁気ヘッドの寿命全体にわたって前記磁気ヘッドと前記磁気記録媒体との間の良好なコンタクトを可能とし得る構造が形成されていることを特徴とする集積型磁気ヘッド。
【請求項１０】
集積型磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面を構成する部分に、２つの磁極片（６４，６６）と、これら磁極片を隔離するとともに長手方向に位置合わせされたギャップ（６８）と、を備えてなる、薄層構造を形成し、
前記両磁極片を、磁気記録媒体の供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料からなる２つのゾーンによって囲まれたものとすることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、
前記両磁極片を、前記薄層構造の２つの平行平面（Ｐ１，Ｐ２）の間に含有されたものとし、
前記薄層構造を、少なくとも前記２つの平行平面の間に、前記両磁極片の両サイドのところにおいて、前記磁気記録媒体の前記供給方向において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな材料を備えたものとすることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１〜３のいずれか１項に記載された集積型磁気ヘッドを少なくとも１つ製造するための方法であって、
−第１および第２磁極片（６４，６６）と、好ましくは方位角付きのものとされるとともに前記第１および第２磁極片を隔離するギャップ（６８）と、磁気回路の後方閉塞部分（７６）と、を備えてなる第１基板を形成し；
−この基板内において、前記ギャップによって隔離された前記第１および第２磁極片の周囲に、第１ハウジング（７８）を形成し；
−この第１ハウジングを、第１耐摩耗性材料（７０）によって充填し；
−この第１耐摩耗性材料（７０）を平坦化し；
−前記第１および第２磁極片と前記ギャップと前記後方閉塞部分とを備えなおかつ閉塞された磁気回路を形成することによって、前記磁気回路（７７）を完成させ；
−前記磁気ヘッドのコイルを形成し；
−前記磁気ヘッドを横方向に切断することによって、この磁気ヘッドを前記第１基板から切り出し、これにより、前記磁気ヘッドの読取および／または書込のための面（８２）を露出させる；
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、
前記第１耐摩耗性材料（７０）を、ＳｉＯ２ とすることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
−前記第１基板内において、前記磁気ヘッドのコイルの形成を可能とするための前記第１ハウジング（７８）と第２ハウジング（８４）とを、同時に形成し；
−これら第１および第２ハウジングを、前記第１耐摩耗性材料（７０）によって同時に充填し；
−前記第１ハウジングを充填した前記第１耐摩耗性材料と、前記第２ハウジングを充填した前記第１耐摩耗性材料とを、同時に平坦化する；
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１２または１３記載の方法において、
前記第１基板を、補助基板（９０）と、この補助基板上に位置したエッチング停止層（９２）と、このエッチング停止層上に位置するとともに適切な配向性を有した単結晶材料から形成された薄層（９４）と、を備えてなるものとし、
前記第１および第２磁極片と、前記ギャップと、前記第１ハウジングとを、前記薄層をエッチングすることによって、前記薄層内に形成することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、
前記補助基板（９０）を、シリコンから形成し、
前記エッチング停止層（９２）を、ＳｉＯ２ から形成し、
前記薄層（９４）を、単結晶シリコンから形成することを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６記載の方法において、
−前記補助基板を除去することによって、前記エッチング停止層を露出させ；
−前記薄層の自由面上に、前記磁気ヘッドを完成させるため前記磁気ヘッドのコイルを形成させ得るような他の層（９８）を固定し；
−この層（９８）に関し、前記エッチング停止層上において、シリコンよりも耐摩耗性の大きな第２材料からなる第１および第２層（４３，４５）をそれぞれ固定し；
−前記磁気ヘッドを横方向に切断する；
ことを特徴とする方法。
【国際調査報告】
2005513708.tif 000030
2005513708.tif 000031
2005513708.tif 000032
2005513708.tif 000033
2005513708.tif 000034
2005513708.tif 000035