(57)【要約】本発明は、タンタル酸リチウムからなる弾性境界波装置に関する。フィルタを構成する２つの基板が同じ切断方向及び同じ結晶方向を有する場合、本発明は、特に、素子の最終性能特性を決定する電気機械結合係数を最適化する最良のカット角を実現する。結合係数及び減衰の変化をカット角及び伝搬方向の関数として示すグラフを提示する。これらの最適カット角に対応する素子の主要な音響特性の値も提供する。このタイプの装置の用途は、共振器又はフィルタ等の、又は遅延線のような受動素子としての使用であり、或いは位相コードによって素子を認識する原理に従って動作する測定チェーン又は素子アレイにおける集積素子としての使用である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
・タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなる第１結晶基板（Ｓ１）、
・やはりタンタル酸リチウムから成る第２結晶基板（Ｓ２）、
・互いに接合された上記基板に挟まれた平面境界領域であって、弾性波の伝搬を生じさせるように作用し、且つ少なくとも電気音響トランスデューサを含む平面境界領域（Ｉ）、及び
・前記電気音響トランスデューサを電気的に接続する相互接続手段
を備えた弾性境界波装置であって、
前記基板は初期正規直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）（Ｚは光学軸に平行であり、Ｘは結晶のピエゾ電気により定義され、Ｙは（Ｘ，Ｚ）に直交する）上に定義され、同じカット面及び共通の結晶方向を有し、前記カット面は２つの連続する回転を表わす角度φ及びθにより特定され、φはＺ軸を中心とする第１の回転に対応し、第１の回転により得られる座標系は（Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’）（Ｚ’はＺに一致する）によって示され、θはＸ’軸を中心とする第２の回転を表わし、第２の回転により得られる座標系は（Ｘ’’，Ｙ’’，Ｚ’’）（Ｘ’’はＸ’に一致する）によって示され、弾性波の伝搬方向は前記座標系（Ｘ’’，Ｙ’’，Ｚ’’）においてＹ’’軸を中心とする回転を表わす第３の角度ψにより定義され、伝搬方向ψの全てについて、
カット角（φ，θ）が、（０，０，０）ａカット及び（６０，０，０）ａカットと呼ばれる次の２つの角度範囲の一方に収まることを特徴とする弾性境界波装置。
−（０，０，０）ａカット：      −５°≦φ≦＋５°
−２０°≦θ≦＋３０°
−（６０，０，０）ａカット：    ＋５５°≦φ≦＋６５°
−３０°≦θ≦＋２０°
【請求項２】
前記（Ｘ’’，Ｙ’’，Ｚ’’）座標系において定義される角度（φ，θ，ψ）が、（０，０，０）ｂカット及び（６０，０，０）ｂカットと呼ばれる次の２つの角度範囲の一方に収まることを特徴とする請求項１に記載の弾性境界波装置。
−（０，０，０）ｂカット：      −５°≦φ≦＋５°
−１０°≦θ≦＋１０°
−５°≦ψ≦＋５°
−（６０，０，０）ｂカット：    ＋５５°≦φ≦＋６５°
−１０°≦θ≦＋１０°
−５°≦ψ≦＋５°
【請求項３】
前記２つの基板の厚さが弾性波の動作波長（λ）に比べて大きく、前記境界領域の厚さが弾性波の前記動作波長（λ）に比べて小さいことを特徴とする請求項１及び２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項４】
前記境界領域が、少なくとも一つの電気音響トランスデューサ及び一つ以上の誘電体材料層を含む積層構造の形態であることを特徴とする請求項１，２及び３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記境界領域が電気音響トランスデューサ群のみを含み、互いに接触する前記基板の２つの表面の一方にエッチングが施されることにより、前記境界領域が小さくなって境界平面となることを特徴とする請求項１，２及び３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
共振器又はフィルタ又は遅延線又は位相コード素子等の受動素子であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
素子チェーンから構成される測定センサであって、前記チェーンが、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の装置を少なくとも１つ含むことを特徴とする測定センサ。
【請求項８】
位相コードを用いた原理に従って動作し、且つ素子チェーンから構成される装置であって、前記チェーンが請求項１ないし７のいずれか一項に記載の装置を少なくとも１つ含むことを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の開示】
【０００１】
本発明の技術分野は弾性境界波装置の分野に関するものであり、特に２つのタンタル酸リチウム基板の間の境界に形成されるフィルタの分野に関する。
【０００２】
圧電基板の表面上の波の伝搬を利用する弾性表面波装置の製造方法が知られている。レイリー（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）波と呼ばれる波の場合、これらの波は、間に電位差が印加された電極を組み合わせて構成した、互いに噛み合う複数の櫛型トランスデューサによって生成及び受信される。これらの装置は２つの主要な欠点を有している。
第１に、表面波が基板表面上を正確に伝搬するためには、この表面は自由な状態を維持する必要がある。この状態はキャビティを実現するカプセル封入技術により達成することができる。
第２に、互いに噛み合う櫛を構成する電極群のピッチは多くの場合短く、数百ナノメートルオーダーである。また、パッケージ内部の非常に小さい寸法の導電性パーティクルがトランスデューサに短絡を生じさせ、装置の正常動作を阻害することがある。この欠点を解決するために、素子のパッケージを気密カプセル封入するか、又は絶縁誘電体材料の薄膜層をトランスデューサの上に堆積させることが必要である。パッシベーションと呼ばれるこの処理によって、導電性パーティクルによる影響を無くすことができる。しかしながら、このパッシベーション処理により、実施コストの高い処理であるカプセル封入処理を省略するまでには至らない。
【０００３】
弾性境界波装置を使用することにより、カプセル封入に関連する種々の問題を解決することができる。この場合、基板の表面上の弾性波の伝搬ではなく、２つの基板の間の境界における弾性波の電波を使用する。当然のことながら、この装置によって、キャビティを必要としない、保護膜で覆われた素子を得ることができる。また、パッケージが全く不要となる。
【０００４】
１９２４年に、Stoneleyは弾性波を２つの材料の間の境界に沿って伝搬させることが可能であることを示した（Proc. Roy. Soc. London A 106, 416）。これらの波はサジタル平面で偏向していると考えられた。
１９７１年に、Maerfeld及びTournoisは、２つの材料の間の表面を伝搬する水平方向のせん断波が存在することを示した。圧電現象が生じていると考えられた（C. Maerfeld及びP. Tournois, Appl. Phys. Lett. 19, 117, 1971）。このタイプの波を弾性素子に最初に使用した例が仏国特許第２１４５７５０号に開示されている。ここに記載する本発明は、少なくとも一つが圧電材料である２つの材料の間の境界における純粋なせん断波の伝搬を利用する。２つの材料が同じである場合も考察する。しかしながら、上記の特許は、トランスデューサを２つの材料の間の境界に配置することについては何ら言及していない。
【０００５】
１９８３年に、パッケージレスのＳＡＷ（ｓｕｒｆａｃｅ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ：弾性表面波）装置の製造を目的とした、圧電材料と等方性材料の境界に沿った波の伝搬についての開示が行われ、またこの記述は暗に、トランスデューサを境界に配置することを前提としている。結合係数についての研究も行なわれた（Shimizu等、"Stoneley waves propagating along an interface between piezoelectric material and isotropic material", 1983 IEEE US Proc. pp 373-375）。
さらに１９９８年には、材料の異なる組合せがフィルタリングに利用可能かどうかを確認する目的で分析された（M. Yamaguchi, T. Yamashita, K. Hashimoto及びT. Omori, “Highly piezoelectric waves in Si/SiO2/LiNbO3 and Si/SiO2/LiNbO3 structures（未出版））。
最後に１９９９年に、仏国特許第２７９９９０６号に、２つの同じ圧電材料間の境界にトランスデューサを使用するフィルタが公開された。
【０００６】
一般的に、弾性境界波装置は、図１に示すように、少なくとも一方が圧電性を示すＳ１及びＳ２で示す２つの基板と、これらの２つの基板の間に位置する境界領域Ｉとから構成される。通常、境界領域Ｉは、少なくとも電気音響トランスデューサＥを含む構造である。上述の装置に接続される電気配線により、信号の放出及び送信が可能である。
【０００７】
境界波を使用して受動素子を形成することができる。一般的に、結晶の表面上を伝搬する波を使用して得られるどのようなタイプの装置も境界波を使用して形成することができる。特に、境界配置した半波長に等しい周期を有する金属電極アレイを使用して境界波を反射することができる。従って、２つの反射器アレイの間に電極が互いに噛み合っているトランスデューサを配置することによりまず共振器が形成され、次いで、これらの共振器を電気手段又は音響手段を通して互いに接続することによりフィルタが形成される。トランスデューサの指向性は、これらの反射器をトランスデューサ内に分散させることにより改善される。従って弾性表面波素子は、特に遅延線、帯域フィルタ、共振器及び分散フィルタ等、あらゆる用途に利用可能である。これらの素子を測定センサとして用いることも可能である。
【０００８】
位相コード装置は、特定コードを所定の位相コード素子に関連付ける方法が分かるように電極が分布していることを特徴とする特定のトランスデューサ群を有する。電波を使用して遠隔地からの照会が可能な装置はこの原理を用いている。動作は次のようである。位相コードを波の放出時に使用し、そしてこの波を位相コード素子の入力に接続されるアンテナにより捕える。従来、トランスデューサは信号を機械波に変換する。前記波は出力トランスデューサまで伝搬し、そこで波は再度電気信号に変換されて再放出される。受信信号が分析され、よって信号を受信及び変換した素子が特定される。
【０００９】
境界波装置は、遠隔地からの照会が可能な装置として、特に圧力、温度又は加速度等の測定機器に使用することができる。
【００１０】
境界波素子に使用し得る構造の選択肢は非常に広い。特に、次の組合せを挙げることができる。
・基板Ｓ１は圧電性であり、基板Ｓ２は圧電性でない。この場合、基板Ｓ２は素子の形成を容易にするために機械特性を基準に選択される。例えば、基板Ｓ１がニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムから成る場合、基板Ｓ２は溶融シリカ又は単結晶シリコンから成ることが好ましい。
・２つの基板は共に圧電性であるが、異なる性質を有する。例えば、次の組合せを挙げることができる。
・水晶／ニオブ酸リチウム
・水晶／タンタル酸リチウム
・タンタル酸リチウム／ニオブ酸リチウム
・２つの基板は同じ性質を有するが、異なる結晶カット角を有する。図２は、規格ＩＥＥＥ１９４９を初期正規直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）（Ｚは結晶の光学軸に平行であり、Ｘは結晶の圧電気により定義され、Ｙは（Ｘ，Ｚ）面に垂直である）に使用して、連続する２つの回転角度φ及びθにより定義されるカット面を示している。ここで、φはＺ軸を中心とする第１の回転に対応し、この第１の回転によって得られる座標系は（Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’）により示され、この場合、Ｚ’はＺに一致する。θはＸ’軸を中心とする第２の回転に対応し、この第２の回転によって得られる座標系は（Ｘ’’，Ｙ’’，Ｚ’’）により示され、この場合、Ｚ’はＸ’に一致する。この最終的な座標系において、次いで弾性波の伝搬方向がＹ’’軸を中心とする回転を表わす第３の角度ψにより定義される。一例として、これらの規格により、ＳＴ水晶に関する表面波に普通使用されるカット角の値は次に示す通りである。
・φ＝０°；θ＝４２．７５°；ψ＝０°
・２つの基板は同じ性質を示し、且つ同じカット角を有する。例えば、水晶及びニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを使用することができる。この場合、一般的な法則として、アセンブリ操作は２つの基板の結晶を同じ方向に向けて行なわれる。
【００１１】
基板Ｓ１及びＳ２の親和性の問題、特に熱膨張及び組立て上の問題が明らかに生じないので、最後の例が特に興味深い。この場合、結晶面の方向は同じ方向の偏光が得られるように選択される。
【００１２】
以下に挙げる４つの主要な特性により圧電材料の弾性波伝搬特性を定義する。
・弾性境界波の伝搬速度Ｖ。このパラメータは、所定の動作周波数Ｆについて、このパラメータＶがＶ／Ｆに比例する櫛形電極の櫛歯アレイのピッチＰを決定する限り重要である。素子が高周波数、一般的には数ＧＨｚのオーダーで動作する場合、高い伝搬速度を達成することにより、現在のエッチング技術に適合する十分に広いピッチを維持することが可能になる。
・弾性波波長当たりｄＢの単位で表わされる減衰Ａ又は挿入損失は、小さくなることが一般的に望ましいパラメータであり、このパラメータが小さくなることによって装置の挿入損失を小さくすることができる。
・周波数変化の１次係数ＣＦＴは、周囲温度近傍において温度の変化に伴って変化し、ｐｐｍ．Ｃ−１で表わされる。装置構成は、この係数が小さい程、熱変動に対する感度が低い。
・装置に得られる最大相対周波数帯域を表わす電気機械結合係数ｋ２。この係数は、何の処理も施されていない基板及び金属処理の施された基板の上の表面波の速度の間の相対差の半分として計算される。ｋ２はパーセントで表わされる無次元のパラメータであり、一般的にこの係数は最大になることが望ましいパラメータである。
【００１３】
これらの種々のパラメータ、特に結合係数ｋ２は圧電性結晶のカット角及び伝搬方向に強く依存する。従って、図３ａ及び３ｂに示すように、タンタル酸リチウムの場合、カット角に応じて、０〜７の範囲で変化するｋ２値を得ることが可能になる。図３ａはθ＝０の場合のｋ２の変化を関数（φ，ψ）で示し、図３ｂはφ＝０の場合のｋ２の変化を関数（θ，ψ）で示している。これらの図では、不連続部分は、可能な伝搬モードが存在しない領域を示す。従って、カット角の選択が重要である。しかしながら、この角度の関数としての音響特性の変化は、単純に、例えば結晶構造を考慮に入れることで求めることはできない。これらの変化はまた、弾性表面波に使用する、処理が何も施されていない材料の場合に得られる変化とは非常に異なる。
【００１４】
弾性境界波フィルタの製造に関連する仏国特許第２７９９９０６号（Pierre Tournoisによる）には、一般的な推奨事項が例示的に記載されており、これらの推奨事項に従うことによって最適なカット角を選択することができる。タンタル酸リチウムを使用する場合、Ｙ結晶軸（この場合、Ｙは或る角度、例えば１７５°だけ回転させる）に沿ってカット可能であることが特に言及されている。
【００１５】
本発明自体は、最適化されたカット角の範囲の選択を提案する。実際、本発明は、カット角の許容誤差、それを可能にする一連の最適カット角、タンタル酸リチウムの場合において可能な最良の特性、特にパラメータｋ２の最大値、及び最終的に所望の性能特性を実現する主要な特性の値を提供する。
また、素子を製造するための種々の工程についても記載する。
【００１６】
本明細書において、本発明の目的は、
・タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなる第１結晶基板、
・やはりタンタル酸リチウムからなる第２結晶基板、
・互いに接合された上記基板に挟まれた平面境界領域であって、弾性波の伝搬を生じさせるように作用し、且つ少なくとも電気音響トランスデューサを含む平面境界領域、及び
・前記トランスデューサを電気的に接続する相互接続手段
を備えた弾性境界波装置を提供することであり、本装置では、これらの基板は初期正規直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）（Ｚは光学軸に平行であり、Ｘは結晶のピエゾ電気により定義され、Ｙは（Ｘ，Ｚ）に直交する）上に定義され、同じカット面及び共通の結晶方向を有し、このカット面は２つの連続する回転を表わす角度φ及びθにより特定され、φはＺ軸を中心とする第１の回転に対応し、第１の回転により得られる座標系は（Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’）（Ｚ’はＺに一致する）により表され、θはＸ’軸を中心とする第２の回転を表わし、第２の回転により得られる座標系は（Ｘ’’，Ｙ’’，Ｚ’’）（Ｘ’’はＸ’に一致する）によって示され、弾性波の伝搬方向は、座標系（Ｘ’’，Ｙ’’，Ｚ’’）においてＹ’’軸を中心とする回転を表わす第３の角度ψにより定義され、伝搬方向ψの全てについて、
カット角（φ，θ）が、（０，０，０）ａカット及び（６０，０，０）ａカットと呼ばれる次の２つの角度範囲の一方に含まれることを特徴とする。
−（０，０，０）ａカット：      −５°≦φ≦＋５°
−２０°≦θ≦＋３０°
−（６０，０，０）ａカット：    ＋５５°≦φ≦＋６５°
−３０°≦θ≦＋２０°
【００１７】
有利には、結合係数の最大値を実現し、且つ挿入損失を低減させるために、制限角度範囲内で操作することが望ましい。この場合、（Ｘ’’，Ｙ’’，Ｚ’’）座標系における角度（φ，θ，ψ）が、（０，０，０）ｂカット及び（６０，０，０）ｂカットと呼ばれる次の２つの角度範囲の一方に収まる。
−（０，０，０）ｂカット：      −５°≦φ≦＋５°
−１０°≦θ≦＋１０°
−５°≦ψ≦＋５°
−（６０，０，０）ｂカット：    ＋５５°≦φ≦＋６５°
−１０°≦θ≦＋１０°
−５°≦ψ≦＋５°
【００１８】
有利には、２つの基板の厚さは、弾性波の動作波長（λ）に比べて大きい。これらの条件の下で、弾性波は２つの基板の内部に閉じ込められたままとなるので、外部からの摂動による影響が全く生じない。これとは対照的に、境界領域の厚さは弾性波の同じ動作波長に比べて薄くなるように選択され、この境界領域の固有の機械的特性によって生じる摂動が無視できる。
有利には、境界領域は、少なくとも一つの電気音響トランスデューサ及び一つ以上の誘電体材料層を含む積層構造の形態である。これらの層の主要な利点は、これらの層によって、弾性波が伝搬し易くなる、又は境界領域への第２基板の接着力が強くなることである。
【００１９】
有利には、境界領域は電気音響トランスデューサ群のみを含み、互いに接触する基板の２つの表面のうち一方にエッチングが施されることにより、境界領域が小さくなって境界平面になる。これらの条件の下で、アセンブリされた２つの基板及び境界領域の組合せは、トランスデューサが設けられる単一の基板に相当する。
有利には、この装置は弾性表面波装置を利用可能な全ての用途に使用することができ、特に共振器又はフィルタ、又は遅延線、又は位相コード素子のような受動素子として使用することができる。
【００２０】
最後にこの装置を、コード化素子の原理に従って動作し、遠隔地からの照会が可能な装置等の測定チェーン又は素子アレイに使用することができる。
非制限的な例として挙げる後述の詳細な説明を添付の図面と共に参照することにより、本発明をさらに深く理解することができ、また他の利点が明らかになるものと考える。
【実施例】
【００２１】
通常３％超の良好な結合係数ｋ２、及び境界平面内の波の伝搬方向全てにおいて小さい減衰を実現するために、カット角（φ，θ）は、（０，０，０）ａカット及び（６０，０，０）ａカットと呼ばれる次の角度範囲内に収められる（図４ａ，４ｂ，５ａ及び５ｃ参照）。
−（０，０，０）ａカット：      −５°≦φ≦＋５°
−２０°≦θ≦＋３０°；
−（６０，０，０）ａカット：    ＋５５°≦φ≦＋６５°
−３０°≦θ≦＋２０°；
通常６％超の最適化された結合係数ｋ２、及び通常２×１０−３未満の小さい減衰を実現するために、カット角（φ，θ）及び伝搬方向ψは、（０，０，０）ｂカット及び（６０，０，０）ｂカットと呼ばれる次の角度範囲内に収められる（図４ａ，４ｂ，５ａ及び５ｃ参照）。
−（０，０，０）ｂカット：      −５°≦φ≦＋５°
−１０°≦θ≦＋１０°
−５°≦ψ≦＋５°
−（６０，０，０）ｂカット：    ＋５５°≦φ≦＋６５°
−１０°≦θ≦＋１０°；
−５°≦ψ≦＋５°
【００２２】
下の表は、各範囲について、座標（φ，θ，ψ）における、結合係数ｋ２を最大値にするカット角を示している。４つの主要パラメータの値はこの角度に対応する。
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これらの最大値近傍のｋ２の変化を図６ａ〜７ｃに示す。
【００２３】
タンタル酸リチウムからなる境界波素子の製造は次のステップを含む。
・２つの基板の内の一方に境界領域を形成し、その際必ず櫛形電極を形成するサブステップを含むステップ；
・２つの基板を組み立て、切断するステップ；及び
・電気配線を形成するステップ
【００２４】
櫛形電極は、所謂埋込み電極法、又は所謂電極堆積法によって形成される。
第１の方法の場合、製造プロセスの主要ステップは次の通りである。
・採用したカット角で第１タンタル酸リチウム基板の面カットを行なうステップ；
・電極を形成する位置にエッチングを施すステップ；
・純アルミニウム、又は熱マイグレーションを抑える銅−チタンのような材料を含むアルミニウム合金からなる、電極を形成するための材料を堆積させるステップ；及び
・エッチング位置にのみ材料が残るように平坦化を行なうステップ。
第２の方法の場合、プロセスの主要ステップは次の通りである。
・電極を形成するための材料を平面基板に堆積させるステップ；
・次に、この材料を切断して電極のみを残すステップ；
・電極の間に挿入層Ｃを堆積するステップ；及び
・層Ｃの表面に仕上げを施して電極の厚さを有する平面層を得るステップ。
【００２５】
別の実施形態では、製造プロセスは、まず層Ｃを堆積させ、この層の電極の位置に開口を形成し、電極の材料をこの層の上に堆積させ、そして最後に、前記結果が得られるように平坦化を行なう。層の厚さが弾性波の波長に比べて十分に薄い場合、アセンブリの電気音響特性は殆ど修正の必要がない。
次に、技術的理由又は音響上の理由により、誘電体材料からなる更に別の層を加えて境界領域を完成させる。これらの層によって、特に２つの基板間の接着力が強まる。しかしながら、最終厚さＩは、これらの基板のカット角による特性を維持することが望ましい場合には、弾性波の動作波長に比べて薄く維持する必要がある。
【００２６】
次に、第１基板と同じカット角で切り出されるタンタル酸リチウムである第２基板を、電極形成プロセスの最後で前記基板に貼り付ける。このアセンブリ操作は、分子接着又は陽極接合により行われる。構成上、第２基板は第１基板と同じ結晶方向を有する。
次に、電気配線を形成する。この配線の形成には幾つかの実施可能な方法がある。非制限的な例として、
・境界領域の平面に配線を形成する；
・２つの基板の内の一つの基板を使用して配線を形成する
ことが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】境界波装置の一般的構成の概略図である。
【図２】角度φ及びθにより定義されるカット角及びカット角の座標系における伝搬方向を示す。
【図３】図３ａ及びｂは、θ＝０及びφ＝０という２つの角度条件における、タンタル酸リチウムを使用した場合のｋ２の変化を、カット角及び伝搬方向の関数として示している。
【図４】図４ａ及びｂは、ψ＝０のとき、（０，０，０）ａカットを行った場合の結合係数ｋ２の変化及び挿入損失の変化を、θ及びφの変化の関数としてマッピングしたものである。
【図５】図５ａ及びｂは、ψ＝０のとき、（６０，０，０）ａカットを行った場合の結合係数ｋ２の変化及び挿入損失の変化を、θ及びφの変化の関数としてマッピングしたものである。
【図６】図６ａ，ｂ及びｃは、（０，０，０）ａカット近傍のカットが行なわれる場合の、挿入損失の変化及び結合係数ｋ２の変化を、３つの角度θ，φ及びψの内の一つの角度の変化の関数として示したものであり、いずれの場合も他の２つの角度は一定とする。
【図７】図７ａ，ｂ及びｃは、（６０，０，０）ａカット近傍のカットが行なわれる場合の、挿入損失の変化及び結合係数ｋ２の変化を、３つの角度θ，φ及びψの内の一つの角度の変化の関数として示したものであり、いずれの場合も他の２つの角度は一定とする。
【図１】
2005528031.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
2005528031.tif 000011
2005528031.tif 000012
2005528031.tif 000013
2005528031.tif 000014