(57)【要約】状態変化を最適化する方法及びシステムには、ウェーハ注入装置のロードロック内において、例えばウェーハカセット、ウェーハ・フォトレジスト、補綴デバイス、或いは他の注入されるべきデバイスといったロードを第一状態において隔離する段階と、例えばこのロードロックを真空状態にポンプダウンすることによってこのロードを第１状態からロック設定値状態に移行する段階とを含めることができる。その後、例えば注入に望ましい条件になっている注入チャンバ内などの、第２状態にある環境にこのロードを曝露してもよく、この第２状態はその曝露によって乱されるかもしれず、その後、第２状態に復旧してもよい。第２状態に復旧するまでの時間を、ロック設定値状態に達するまでの時間の関数として最適化してもよい。この注入装置に関して、初注入までの時間をポンプダウン時間の関数として最適化してもよい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１状態においてロードを隔離する段階と、
前記ロードを前記第１状態からロック設定値状態に移行する段階と、
第２状態にある環境に前記ロードを曝露する段階であって、前記第２状態が前記曝露によって乱される曝露段階と、
前記第２状態に復旧する段階と、
前記ロードを前記第１状態から前記ロック設定値状態に移行する時間の関数として、前記第２状態に復旧するまでの時間を最適化する段階とを含む、状態変化を最適化する方法。
【請求項２】
前記第２状態に復旧する段階が、前記環境が加工設定値状態に達する時を決定する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
最適化段階が、
前記第２状態に復旧するまでの時間と、前記ロードを前記第１状態から前記ロック設定値状態に移行するまでの時間との、予め定義した数のデータ点を獲得したか否かを決定する段階と、
前記予め定義した数のデータ点を獲得していない場合に、前記ロードを前記第１状態から前記ロック設定値状態に移行するまでの前記時間をインクリメントする段階と、
インクリメント後にデータ点を更に獲得するために、隔離段階、移行段階、曝露段階、及び復旧段階に戻る段階と、
前記予め定義した数のデータ点を獲得した場合に、前記状態変化の最適条件を決定する段階とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記状態変化の前記最適条件を決定する段階が、
前記状態変化の前記最適条件が確定しているか否かを決定する段階と、
前記状態変化の前記最適条件が確定していない場合は、インクリメント段階、隔離段階、移行段階、曝露段階、及び復旧段階に戻る段階と、
前記状態変化の前記最適条件が確定している場合は終了する段階とを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
隔離段階が、
イオン注入装置のロードロック内に前記ロードを挿入する段階と、
前記ロードロック内の前記ロードを密閉する段階とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
移行段階が、周囲圧力から真空圧力設定値まで前記ロードロックをポンプダウンする段階を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
曝露段階が、前記ロードロックを前記イオン注入装置の注入チャンバに開放する段階を含むと共に、
復旧段階が、注入準備状態に復帰する段階を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
最適化段階が、
注入準備状態に復帰するまでの時間と、前記ロードロックをポンプダウンするまでの時間との、予め定義した数のデータ点を獲得したか否かを決定する段階と、
前記予め定義した数のデータ点を獲得していない場合は、前記ロードロックをポンプダウンするまでの前記時間をインクリメントする段階と、
インクリメント後にデータ点を更に獲得するために、隔離段階、移行段階、曝露段階、及び復旧段階に戻る段階と、
前記予め定義した数のデータ点を獲得した場合は、ポンプダウンするまでの前記時間と注入準備状態に復帰するまでの前記時間との組み合わせの最小値を決定する段階とを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
最小値を決定する段階が、
前記最小値が確定しているか否かを決定する段階と、
前記最小値が確定していない場合は、インクリメント段階、隔離段階、移行段階、曝露段階、及び復旧段階に戻る段階と、
前記最小値が確定している場合は終了する段階とを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
イオン注入装置のスループットを最適化する方法であって、
インクリメントした設定値に達するように、注入されるべきロードを備えたロードロックのポンプダウン時間を決定する段階と、
前記それぞれの設定値に対して決定した前記ポンプダウン時間と、前記それぞれの設定値に達すると同時に前記ロードロックを注入チャンバに開放した後に前記注入チャンバが注入準備状態に復帰するまでの回復時間とに基づいて、前記インクリメントした設定値の個々それぞれの設定値に対して前記ロードに初注入するまでの時間を決定する段階と、
前記ポンプダウン時間の関数として、前記ロードに初注入するまでの前記時間の最小値を決定する段階とを含む、最適化の方法。
【請求項１１】
予め定めた数のインクリメントした設定値に達するまで前記設定値をインクリメントする段階を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記インクリメント段階が、前記最小値に一致するよう前記設定値をインクリメントする段階を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記最小値に一致するよう前記設定値をインクリメントする段階を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
イオン注入装置のスループットを最適化するシステムであって、
インクリメントした設定値に達するように、注入されるべきロードを備えたロードロックのポンプダウン時間を決定する手段と、
前記それぞれの設定値に対して決定した前記ポンプダウン時間と、前記それぞれの設定値に達すると同時に前記ロードロックを注入チャンバに開放した後に前記注入チャンバが注入準備状態に復帰するまでの回復時間とに基づいて、前記インクリメントした設定値の個々それぞれの設定値に対して前記ロードに初注入するまでの時間を決定する手段と、
前記ポンプダウン時間の関数として、前記ロードに初注入するまでの前記時間の最小値を決定する手段とを含む、最適化のシステム。
【請求項１５】
予め定めた数のインクリメントした設定値に達するまで前記設定値をインクリメントする手段を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記インクリメントする手段が、前記最小値に一致するよう前記設定値をインクリメントする手段を含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記最小値に一致するよう前記設定値をインクリメントする手段を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
イオン注入装置のスループットを最適化するシステムであって、
注入されるべきロードを隔離するロードロックと、
設定値まで前記ロードロックをポンプダウンするポンプと、
前記ロードロックが前記設定値にある場合は、注入を行うため前記ロードを受け取る注入チャンバと、
それぞれのインクリメントした設定値の個々に対して決定したポンプダウン時間と、前記それぞれの設定値に達すると同時に前記ロードロックを前記注入チャンバに開放した後に前記注入チャンバが注入準備状態に復帰するまでの回復時間とに基づいて、前記それぞれのインクリメントした設定値に対して前記ロードに初注入するまでの時間を決定すると共に、前記ポンプダウン時間の関数として、前記ロードに初注入するまでの前記時間の最小値を決定するコントローラーとを含む、最適化のシステム。
【請求項１９】
イオン注入装置のスループットを最適化するために処理システムを、
インクリメントした設定値に達するよう、注入されるべきロードを備えたロードロックのポンプダウン時間を決定するように前記処理システムを制御する段階と、
前記それぞれの設定値に対して決定した前記ポンプダウン時間と、前記それぞれの設定値に達すると同時に前記ロードロックを注入チャンバに開放した後に前記注入チャンバが注入準備状態に復帰するまでの回復時間とに基づいて、前記インクリメントした設定値の個々それぞれの設定値に対して前記ロードに初注入するまでの時間を決定するように前記処理システムを制御する段階と、
前記ポンプダウン時間の関数として、前記ロードに初注入するまでの前記時間の最小値を決定するように前記処理システムを制御する段階と
によって制御する命令を含むコンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
予め定めた数のインクリメントした設定値に達するまで前記設定値をインクリメントするように前記処理システムを制御する段階を含む、請求項１９に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項２１】
インクリメントするように前記処理システムを制御する前記段階が、前記設定値が前記最小値に一致するように、前記処理システムを制御して前記設定値をインクリメントする段階を含む、請求項２０に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項２２】
前記設定値が前記最小値に一致するように、前記処理システムを制御して前記設定値をインクリメントする段階を含む、請求項１９に記載のコンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本方法及びシステムは、半導体ウェーハ処理に関し、より詳細にはウェーハ処理のスループットの最適化に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハカセットの製造には種々様々な材料が使用でき、微粒子管理、静電気放電の減少、重量、コスト及び寸法安定性を含んだ様々な目標を達成するために特定の材料が使用される。ある特定の材料を選択することでその目標を達成できるかもしれないが、この材料にはウェーハ処理の他の面においてマイナスの影響があるかもしれない。例えば、プラスチックカセット又はウェーハ上のフォトレジストは、それらの使用が望ましい多くの構造特性を示すことができるが、ウェーハ処理中に必要な真空状態に対してマイナスの影響があるかもしれない。注入装置又は加工機のスループット（つまり所定時間に亘って処理可能なウェーハの枚数）を維持するためだけでなく、正確なドーズ再現性及び注入均一性を確実にするために、ウェーハ処理中にイオン注入装置に対して、再現可能な高い真空状態が必要となるかもしれない。微粒子管理及び／又は寸法安定性を改善するために、例えばポリカーボネートといった、新しいカセット又はフォトレジストの材料を採用する際に、こうした機器のエンドユーザは、加工機の性能を維持するためには真空システムを再最適化する必要がありうることを理解していないかもしれない。
【０００３】
典型的な半導体ウェーハ処理システムでは、処理又は注入チャンバへのウェーハの搬送に備えて、ロードロック・ステーション内にウェーハカセットをロードしてもよい。ロードロック真空ポンプを用いてロードロック内の圧力を注入チャンバの真空状態に一致するレベルにまで下げることができる。その後、ロードロックを注入チャンバに開放してそのチャンバ内へウェーハを搬送してもよい。幾つかの例では、ロードロックを開放することでチャンバの圧力急上昇（原語：pressure
burst）が起こりうるので、注入を行うための許容レベルに、つまり、例えば注入ドーズ再現性、注入均一性、エネルギーコンタミネーション及び／又は加工機スループットといった所望の処理パラメーターを達成できるレベルに、チャンバ内の圧力を復帰するために、真空状態回復期間が必要となりえる。従って、初注入までの時間、つまり、ロードロック・ポンプダウンの開始から注入開始までの時間には、ロードロック・ポンプダウン時間と処理チャンバの真空状態回復時間とを含めることができる。
【０００４】
典型的には、ロードロック・ポンプダウンは、ロードロック内の設定値圧力に達して、ロードロックを注入チャンバに開放するまで継続してもよい。圧力急上昇が起こる時に真空状態回復期間を開始してもよい。このチャンバ内の真空状態回復は、この注入チャンバが注入チャンバ設定値圧力に達するまで継続してもよい。処理されるウェーハの所望の再現性及び注入均一性を実現するように、注入チャンバ設定値圧力を選んでもよい。ロードロック設定値圧力及び注入チャンバ設定値圧力を一定に保ってもよいが、ウェーハ処理に用いられる様々な材料は、材料のアウトガス発生、吸着及び吸収特性のため、必要な真空状態回復期間に対して大きく異なる影響を及ぼす可能性がある。従って、たとえロードロック及びチャンバ設定値圧力を維持し続けることができても、初注入までの時間と、その結果としてのウェーハ処理システムのスループットとは、使用材料に応じて変化しうる。
発明の概要
【０００５】
本明細書に記載した本方法及びシステムによれば、状態変化を最適化する方法は、第１状態においてロードを隔離する段階と、前記ロードを前記第１状態からロック設定値状態に移行する段階と、第２状態にある環境に前記ロードを曝露する段階であって、前記第２状態が前記曝露によって乱されうる曝露段階と、前記第２状態に復旧する段階と、前記ロック設定値状態に達するまでの時間の関数として、前記第２状態に復旧するまでの時間を最適化する段階とを含んでもよい。前記環境が加工設定値状態に達する時に、前記第２状態に復旧してもよい。
【０００６】
前記状態変化を最適化する際に、本方法及びシステムは、予め定義した数のデータ点を獲得したか否かを決定してもよく、また、前記予め定義した数のデータ点を獲得していない場合は、データ点を更に獲得するように戻るために、前記ロードを前記第１状態から前記ロック設定値状態に移行する前記時間をインクリメントしてもよい。本方法及びシステムは、前記予め定義した数のデータ点が獲得された場合に、前記状態変化の前記最適条件を決定してもよい。一実施形態では、前記状態変化の前記最適条件は、前記ロードを前記第１状態から前記第２状態に移行するまでの前記時間と加工設定値状態に達する時間との組み合わせの最小値であってもよい。本方法及びシステムは、前記最小値が確定しているか否かを決定する段階と、前記最小値が確定していない場合は、インクリメント段階、隔離段階、移行段階、曝露段階、及び復旧段階に戻る段階と、前記最小値が確定している場合は終了する段階とを含んでもよい。
【０００７】
一実施形態では、そのロードロック内にウェーハのウェーハカセットを挿入し密閉できるウェーハ注入装置と共に本方法を用いてもよい。周囲圧力から真空圧力まで前記ロードロックをポンプダウンしてもよく、その後、前記ロードロックを前記ウェーハ注入装置の前記注入チャンバに開放してもよい。前記注入装置に関して、復旧段階は、注入準備状態に復帰する段階を含んでもよく、また、最適化段階は、前記ロードロックをポンプダウンする前記時間をインクリメントする段階と、ポンプダウンする前記時間と注入準備状態に復帰する前記時間との組み合わせの最小値を決定するために、データ点を更に獲得するよう前記方法を繰り返す段階とを含んでもよい。
【０００８】
本方法を実行するためのシステムは、インクリメントした設定値に達するように、ロードを備えた前記注入装置のロードロックのポンプダウン時間を決定する手段と、前記それぞれの設定値に対して決定した前記ポンプダウン時間と、前記それぞれの設定値に達すると同時に前記ロードロックを注入チャンバに開放した後で前記注入チャンバが注入準備状態に復帰するまでの回復時間とに基づいて、個々それぞれの設定値に対して初注入するまでの時間を決定する手段と、前記ポンプダウン時間の関数として、初注入するまでの前記時間を最小化する手段とを備えたシステムを含んでもよい。コンピュータ可読媒体は、処理システムを実行するように前記システムを制御する命令を含むこともできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１に示したように、ロードを加工するために第１状態のロードを第２状態に移行する必要を伴う処理を最適化する方法１００のフローチャートを示すことができる。代表的な処理にはウェーハへの注入を含めてもよく、このウェーハは、初めは常圧（第１状態）下にあってもよく、前述したように、注入のために高い真空状態（第２状態）に移行させることが必要となるかもしれない。方法１００の実行例は、この代表的な注入処理として本明細書で後述する。しかしながら、この注入処理によって例示されうる一般的な特徴を備えた様々な処理の最適化にこの方法１００を応用可能なことは理解できるはずである。この注入処理には、他の半導体ウェーハ処理プロセス及び、例えば、高い表面硬さを必要としうる補綴（原語：prosthetics）及び他のデバイスに注入するために使用可能な、他のイオン注入処理が含まれるが、これらに限定されない。
【００１０】
この代表的な注入処理に関して、方法１００は、イオン注入装置の初注入までの時間を最適化し、それによって注入装置のスループットを改善してもよい。図２は、イオン注入装置１０の部分に関する概略図を示すことができる。方法１００は、１０２でロード１２の隔離に使用可能な隔離ロックにロード１２を挿入することにより開始してもよく、一方、１０４では、ロード１２を第１状態から第２状態に移行してもよい。この代表的な注入装置１０に関して、ロード１２は、挿入開口部１６を介して注入装置１０のロードロック１４に挿入可能なウェーハでもよく、或いは複数ウェーハのカセット１２でもよい。ロードロック１４は、本明細書で周囲圧力と呼ぶ、挿入中における第１圧力状態であってもよい。開口部１６を閉じることで、このウェーハ又はウェーハカセット１２を隔離しても或いはロードロック１４内に密閉してもよい。次に、１０４でロードロック１４のポンプダウンを開始でき、１０６で決定するとおり、ロードロック１４の設定値に達するまで継続できる。
【００１１】
注入装置１０に関しては、方法１００のこの第１反復では、ロードロック１４の設定値は、前述したようにロードロックの設定値圧力としてもよい。この設定値圧力は、注入装置１０に対して予め定めた設定値圧力であってもよく、また、こうした注入装置では標準的に行われているように、１０６で設定値圧力に達しうる時を決定するためにロードロック１４内で圧力を測定してもよい。一般に、ロック設定値は第２状態に一致してもよく、また、ロック内のセンサーがロックの状態変化を監視してもよい。１０６で特定するようにロック設定値に達しうる時に、ロック設定値に達するまでの所要時間を１０８で記録してもよく、そしてその所要時間を「設定値時間」と呼ぶこともできる。ロック設定値に達しうる時に、１１０で隔離ロック即ちロードロック１４を開放してロードを第２状態環境に曝露できる。つまり、図２の注入装置例に関しては、隔離弁２０及びスロット２２を開けることによってロードロック１４を注入チャンバ１８に開放できる。
【００１２】
上述のように、ロードロック１４を注入チャンバ１８に開放することによって注入チャンバ１８で圧力急上昇を引き起こすかもしれない。方法１００は、１１２で状態回復期間を含めることによって第２状態環境のこうした急変化に対処してもよく、１１４で決定するようにこの状態回復期間において第２状態に復旧してもよい。この環境が予め決めた加工設定値に達しうる時に、第２状態に復旧してもよい。注入装置１０に関して、この圧力急上昇によって注入チャンバ１８内の圧力が上がるかもしれず、また、１１２で第２状態に復旧することによって注入チャンバ１８内の圧力をチャンバ設定値圧力に到達できるまで下げることが必要になるかもしれない。上述のように、チャンバ設定値圧力は、注入の際に再現性及び注入均一性を満足に実現しうる圧力としてもよい。第２状態に復旧する時間を、初加工条件までの時間として、つまり注入を開始できるチャンバ１８内の条件に達するまでにかかる時間として、１１６で記録してもよい。その後、１１８で、隔離ロック即ちロードロック１４を閉じるか或いはこの第２環境即ち注入チャンバ１８から隔離して、第１状態即ち注入装置１０の周囲圧力に復帰できるようにしてもよい。
【００１３】
初加工条件までの時間を設定値時間の関数としてプロットしてもよい。図３はこうしたプロットを示し、注入装置１０に用いる方法１００の１０８及び１１６で記録した代表的な第１反復の結果は、「Ａ１」としてプロットし参照番号を付けた。理解可能なはずだが、最適化には、１２０で示すように十分な数のデータ点を獲得することを必要としてもよい。一般的な場合には、注入装置１０の例に関して前述したように、隔離ロック内の状態変化を監視することでは最適結果を得られないかもしれない。従って、方法１００に関しては、１２２で行うように、設定値時間をインクリメントしてもよく、また、設定値時間をロック設定値として用いて、方法１００は、１０８と１１６とで記録可能な新たなデータ点を獲得するように１０２に戻ってもよい。方法１００は、１２４で決定するとおり、十分なデータ点を獲得するまで設定値時間をインクリメントしてデータ点を獲得し続けてもよく、これを、１２６で示すように、最適化を行って最適値を獲得するまで継続できる。従って、注入装置１０の方法１００を用いて、初注入までの時間をポンプダウン時間の関数として最適化してもよく、或いは反対に、ロードロック・ポンプダウン時間の最適化によって初注入までの時間を最小化してもよい。
【００１４】
多数の最適化の方法が本発明の分野で周知であるかもしれず、また、手動曲線当てはめ、曲線当てはめアルゴリズム及び他の数値解析方法を含んでもよいことは理解できるだろう。最適化に必要なデータ点の数を、選択した最適化の方法によって定義してもよい。一例として、最適化は第１組のデータ点から始めてもよく、つまり、データ点の予め定義した数は１としておき、その後、各インクリメント後に新しい最適設定値時間を決定できる。選択した最適化の方法はまた、設定値時間及び必要なデータ点の数をインクリメントするシーケンスを決定してもよい。図３に示した例のプロットは、（マサチューセッツ州グロスターのバリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ社が提供する）ターボ分子ポンプを備えたＥ５−７６７注入装置と、ウェーハのポリカーボネート・カセットとを使用して得られたものとすることができる。この方法を例証するために、６つのデータ点Ａ１乃至Ａ６をプロットしてもよく、そして１２４で行う最適化にはデータ点Ａ１乃至Ａ６に手動による曲線３０の当てはめを含めてもよい。ロードロック・ポンプダウン時間が約６０秒の時に、初注入までの時間が約２５０秒という最短時間になりうることが曲線３０から分かる。当業者は理解するであろうが、曲線３０は、選択した最適化の方法だけでなく、使用した特定機器及び材料にも依存することがある。
【００１５】
Ａ１で示したように、標準ロードロック設定値圧力の使用と比較した場合に、初注入までの時間は２を超える除数で減少するかもしれない。更に、ロードロック・ポンプダウンの増進につれてカセット材料、ウェーハ及び／又はウェーハ上のフォトレジストのアウトガス発生が減少しうるので、ロードロック・ポンプダウン時間の増加によって注入均一性とドーズ再現性とが向上しうることにも注目できる。従って、６０秒を越えるロードロック・ポンプダウン時間に対しては、初注入までの時間が増えてしまうものの注入均一性とドーズ再現性とが更に向上しうることが、曲線３０から分かるであろう。
【００１６】
詳細に示し記述した好適な実施形態に関連して本方法及びシステムを開示してきたが、様々な変更及び改良は当業者には明白になるはずである。一例として、最適化の方法の選択には、最適化を行うようにプログラムされた、つまり、設定値のインクリメントとデータ点の獲得数の決定とを制御するようにプログラムされた、例えば注入コントローラー２４といった処理システムの使用を含めてもよい。更に、方法１００の１０８と１１６とで述べたたように、コントローラー２４には、設定値時間及び初加工条件までの時間即ち初注入までの時間をマークし記録するための、タイミング手段２４ａ及びメモリ２４ｂを含めてもよい。
【００１７】
方法１００は、製造プロセスから切り離されてもよいし、或いは製造プロセスの一部としてもよい。例えば、ロードの実際の製造処理に先立って、ロードの試料に対して方法１００を実行してもよい。一実施形態では、この処理システムは、様々な試料に対して最適化データを維持でき、また、この製造プロセスは、製造ロードに一致した試料に対して最適化した設定値で加工するよう設定できる。一実施形態では、方法１００は、１２８で試料に対して最適化を確定できるか否かを決定できる。方法１００は、最適化を確定してもよいと決定した場合は、試料に対して最適化した設定値を出して終了できる。
【００１８】
これに代えて、製造処理の最初に方法１００を実行して、１番目のロードによって、処理すべき残りのロードのための最適化を確立してもよい。更に、処理された各ロード又は各組のロードで最適化を更新しながら、製造処理の全体に亘って方法１００を実行し続けてもよい。一実施形態では、最適化を確定しなくてもよく、また、１２８は、１２２に返してロック設定値時間をインクリメントすると共に、別のロードの製造処理のために１０２に戻ることができる。このインクリメントは、１２６で決定した最適条件にロック設定値が一致可能となるように行うことができる。
【００１９】
前述したように、イオン注入装置１０は、方法１００の実行のほんの一例を示すにすぎないであろう。方法１００を用いることで、状態変化を組み込み可能な様々な処理に役立つことが理解できる。状態変化の追加例には、例えば、このイオン注入装置例に示したような圧力変化だけではなく、空気環境から単一気体環境への変化、液体から気体への又は気体から液体への状態変化、温度変化といった、気体の状態変化、及び他の状態変化、或いは公知でありうるものの組み合わせを含めることができる。イオン注入装置１０に関して、大まかな排気を、つまりロードロック１４のポンプダウンを、ポンプ２６で行ってもよい。設定値圧力までの最終ポンプダウンをターボ分子ポンプ２８で行ってもよい。従って、図中に示した構成要素の配置は、単に例示目的用にすぎず、対象となる実行例に適するように変えることができる。従って、開示した方法の範囲を逸脱しないで、品目を組み合わせることも、発展させることも、それ以外の様態で再構成することもできる。
【００２０】
本方法の実行と、処理システム即ちコントローラー２４に関して本明細書に記載したような本システムの制御とは、特別なハードウェア或いはソフトウェア構成に制限されないかもしれず、また、製造プロセスの制御に用いる多くの処理環境に適用できるかもしれない。ハードウェア又はソフトウェア、或いはハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにとして本方法を実行することができる。本方法は、１台又は複数台のプログラム可能なコンピュータで実行する１つ又は複数のコンピュータプログラムとして実行でき、このコンピュータには、コントローラー２４といったプロセッサと、メモリ２４ｂといったプロセッサによって可読記憶媒体と、１つ又は複数の入力デバイスと、１つ又は複数の出力デバイスとが含まれる。例えばイオン注入装置１０の実施形態といった幾つかの実施形態では、処理システム即ちコントローラー２４は、方法１００を使用可能なシステムの一部であってもよい。他の実施形態では、ネットワーク内のコンピュータ上で本方法を実行してもよい。公知のユーザ・インターフェースを通じてユーザが本システム及び方法を管理できるようにしてもよい。
【００２１】
好適には、コンピュータシステムと通信するために１つ又は複数の高級手続き型プログラミング言語又はオブジェクト指向のプログラミング言語を用いて、上述のコンピュータプログラム即ちプログラムを実行してもよいが、所望なら、アセンブリー又は機械語でこれらプログラムを実行することもできる。この言語はコンパイルしても、翻訳してもよい。
【００２２】
こうしたコンピュータプログラムは、汎用又は専用プログラム可能コンピュータが読み出し可能な記憶媒体又は装置（例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、又は磁気ディスク）上に格納可能であり、この記憶媒体又は装置がこのコンピュータに読み出され、本明細書に記載の手順を実行する際に、このコンピュータを構成し且つ作動するのが好ましい。更に、本方法及びシステムは、コンピュータプログラムを用いて構成されたコンピュータで可読記憶媒体として実現されているとみなすことができる。その場合には、そのように構成した記憶媒体によって、コンピュータは、特定の予め定義したやり方で動作できる。
【００２３】
更に、前述の変更は網羅的なものではなくて単に例示的なものかもれず、従って、他の変更を実施することができる。従って、当業者であれば、本明細書で説明し図示した部材の詳細及び配置に多くの付加的変更を行うことができる。よって、次の特許請求の範囲は、本明細書で開示した実施形態には限定されないことは理解できるはずである。これら特許請求の範囲は、具体的に記載されたものとは異なる様態で実行可能であって、法律によって許された最大の範囲で解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
次の図は、本ステム及び方法の幾つかの例示的な実施形態を示すもので、類似の参照番号は類似の要素を示す。これら図示した実施形態は例示的なものであり、いかなる意味でも限定的に解釈されるべきではない。
【図１】状態変化処理を最適化する方法のためのフローチャートを示す。
【図２】図１の方法を実行可能な注入装置の概略図を示す。
【図３】図１の方法の結果のプロットを示す。
【図１】
2005538567.tif 000002
【図２】
2005538567.tif 000003
【図３】
2005538567.tif 000004
【国際調査報告】
2005538567.tif 000005
2005538567.tif 000006