(57)【要約】【課題】  多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも１つの結晶質半導体基板の沈積する方法を改善し、それを実施する装置を提供する。【解決手段】  本発明は、多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも１つの結晶質半導体基板の沈積する方法に関するもので、反応炉（１）の処理室（２）にガス導入装置（７）によってガス状の初期物質が導入され、ガス状の初期物質は必要な場合には化学的なガス相反応および／または表面反応の後、処理室の基板保持器（５）に配置されている半導体基板の表面に、半導体皮膜を形成するよう沈積され、半導体皮膜および半導体基板に、Ｖ基の１つ以上の元素、ＩＩＩおよびＶ基の元素、またはＩＩおよびＶＩ基の元素の何れかの結晶を形成させ、このとき第一の処理ステップにおいて、１つ以上の第１の初期物質で構成される第１の処理ガスが、第１の半導体皮膜を沈積するため処理質に導入され、その処理ガスの分解生成物が第１の皮膜の結晶を形成し、さらに第１の半導体皮膜に添加を行うため、少量の別の初期物質を処理室に導入することができる。ここで、第１の処理工程の前または後の第２の処理工程において、第２の半導体皮膜を沈積するため、第２の初期物質および場合によってはさらに別のガスを含有する第２の処理ガスを同じ処理室導入し、その分解生成物で第１の皮膜の結晶と異なる結晶を備えた第２の半導体皮膜を形成し、第２の半導体皮膜に添加するため少量の第１の初期物質を処理室に導入できるようにすることが提案されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも１つの結晶質半導体基板の沈積する方法で、反応炉（１）の処理室（２）にガス導入装置（７）によってガス状の初期物質が導入され、ガス状の初期物質は必要な場合には化学的なガス相反応および／または表面反応の後、処理室の基板保持器（５）に配置されている半導体基板の表面に、半導体皮膜を形成するよう沈積され、半導体皮膜および半導体基板に下記の結晶の何れかが形成させる、
（ａ．）Ｖ−基の１つ以上の元素
（ｂ．）ＩＩＩ―基およびＶ−基の元素、または
（ｃ．）ＩＩ―基およびＶＩ−基の元素
このとき、第一の処理工程において、１つ以上の第１の初期物質で構成される第１の処理ガスが、第１の半導体皮膜を沈積するため処理室に導入され、その処理ガスの分解生成物が第１の皮膜の結晶を形成し、さらに第１の半導体皮膜に添加を行うため、少量の第２の初期物質を処理室（２）に導入することができる方法において、
第１の処理工程の前または後の第２の処理工程において、第２の半導体皮膜を沈積するため、第２の初期物質および場合によってはさらに別のガスを含有する第２の処理ガスを同じ処理室導入し、その分解生成物で第１の皮膜の結晶と異なる結晶を備えた第２の半導体皮膜を形成し、第２の半導体皮膜に添加するため少量の第１の初期物質を処理室に導入できるようにすることを特徴とする方法。
【請求項２】
特に、少なくとも１つの皮膜の結晶は基板の結晶に対応し、少なくとも１つの皮膜は基板の結晶と異なる結晶を備えていることを特徴とする請求項１に記載する方法。
【請求項３】
特に、少なくとも１つの皮膜が基板を構成する結晶と同じ元素で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載する方法。
【請求項４】
特に、基板がシリコンであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載する方法。
【請求項５】
特に、少なくとも皮膜の１つが、砒化ガリウム、窒化ガリウムまたはシリコン、シリコン／ゲルマニウムまたは酸化物であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載する方法。
【請求項６】
特に、第１および第２の皮膜の間における移行範囲が、単一層の固溶体により形成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載する方法。
【請求項７】
特に、第２の皮膜が直接第１の皮膜の上に沈積されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載する方法。
【請求項８】
特に、基板保持器、処理室壁（３）、処理室カバー（４）の上に沈積した、第１または第２の処理ガスの分解生成物が、それぞれが従属する第１または第２の皮膜の沈積後、除去されるか不動態化されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載する方法。
【請求項９】
特に、材料の除去がＨＣｌによるエッチングか、またはプラズマによって行われることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載する方法。
【請求項１０】
特に、水素基、塩素基または弗素基から構成されるプラズマが基板から離れて発生されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載する方法。
【請求項１１】
特に、基板表面またはその前に沈積された皮膜の表面がともにエッチングされることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載する方法。
【請求項１２】
多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも１つの結晶質半導体基板の沈積する装置で、反応炉（１）の処理室（２）にガス導入装置（７）によってガス状の初期物質が導入され、ガス状の初期物質は必要な場合には化学的なガス相反応または表面反応の後、処理室（２）の基板保持器（５）に配置されている半導体基板の表面に、半導体皮膜を形成するよう沈積させ、ガス導入装置（７）の上流側に配置されるガス混合システムを備えた装置において、
ガス混合システムは、ＩＩＩ−基、ＩＶ−基、およびＶ−基のガス状初期物質、およびガス質量流制御装置（１０）から供給することができるＩＩＩ−Ｖ−半導体皮膜およびＩＶ−半導体皮膜の成長に対応する量のガス質量流を処理することができるガス質量流制御装置（１０）を備え、少なくとも１つのガス質量流制御装置（１０）は第１または第２の半導体皮膜の皮膜成長に必要なガス質量流、および添加のみのためそれぞれの場合で異なる、第２または第１の半導体皮膜に必要なガス質量流を供給することができることを特徴とする装置。
【請求項１３】
特に、両者のガス質量流が少なくとも１０００の係数で異なることを特徴とする請求項１２記載する装置。
【請求項１４】
特に、基板の外部に沈積した材料を除去するか不動態化する手段を特徴とする請求項１２または１３に記載する装置。
【請求項１５】
特に、除去するか不動態化する手段が処理室壁（３）および処理室カバー（４）に作用することを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載する装置。
【請求項１６】
特に、寄生的成長を除去する手段はプラズマを発生することであることを特徴とする請求項１２ないし１５のいずれかに記載する装置。
【請求項１７】
特に、処理室壁（３）および処理室カバー（４）の範囲に発生させることができるプラズマを特徴とする請求項１２ないし１６のいずれかに記載する装置。
【請求項１８】
特に、基板保持器を後方から加熱することができることを特徴とする請求項１２ないし１７のいずれかに記載する装置。
【請求項１９】
特に、処理室壁（３）および処理室カバー（４）を加熱することができることを特徴とする請求項１２ないし１８のいずれかに記載する装置。
【請求項２０】
特に、ガス導入装置（７）が反応炉（１）の中央に配置されることを特徴とする請求項１２ないし１９のいずれかに記載する装置。
【請求項２１】
特に、回転駆動される基板保持器（５）が、特に回転駆動される基板保持板（６）を備えていることを特徴とする請求項１２ないし２０のいずれかに記載する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも１つの結晶質半導体基板の沈積する方法に関するもので、反応炉の処理室にガス導入装置によってガス状の初期物質が導入され、ガス状の初期物質は必要な場合には化学的なガス相反応または表面反応の後、処理室の基板保持器に配置されている半導体基板の表面に、半導体皮膜を形成するよう沈積され、半導体皮膜および半導体基板に下記の結晶の何れかが形成される。
（ａ．）Ｖ基の１つ以上の元素
（ｂ．）ＩＩＩ―基およびＶ基の元素、または
（ｃ．）ＩＩ―基およびＶＩ―基の元素
このとき、第一の処理ステップにおいて、１つ以上の第１の初期物質で構成される第１の処理ガスが、第１の半導体皮膜を沈積するため処理室に導入され、その処理ガスの分解生成物が第１の皮膜の結晶を形成し、さらに第１の半導体皮膜に添加を行なうため、少量の別の初期物質を処理室に導入することができる。
【背景技術】
【０００２】
ＷＯ０１／６５５９２Ａ２号により、ガス相のエピタクシによって窒化ガリウムまたは砒化ガリウムがシリコン結晶上に沈積されることは既知である。シリコン結晶は上記（ａ．）で述べた特性を備えている。窒化ガリウムまたは砒化ガリウムは上記（ｂ．）で述べた特性を備えている。さらに従来の技術においてシリコンにシリコンの単結晶を沈積することも既知である。この処理もガス相エピタクシで実施される。砒化ガリウムを沈積するためガス状のトリメチルガリウムおよびガス状の砒素が初期物質として使用されるのに対し、シリコン基板上の単結晶シリコン皮膜はガス状のシランが初期物質として使用される。上記（ａ．）で述べた結晶の固溶体を、例えばガリウムおよびシリコンから作成することも可能である。この場合、ガス状のシランに加えてガス状のゲルマンがガス導入装置によって処理室に導入される。この場合は、処理ガスは２つのガス状の初期物質によって構成される。この処理ガスにシリコン／ゲルマニウムを添加するためさらに別の初期物質を追加することもできる。別の初期物質として極めて微量のガス状の痕跡が導入され、ガリウム添加または砒素添加のどちらが希望されるかによって、トリメチルガリウムまたは砒素が考慮の対象となる。
【０００３】
一方、単結晶の砒化ガリウム皮膜の沈積において、上記（ｂ．）の特性の結晶を沈積するためガス相の２成分処理ガスが導入され、砒化ガリウム結晶に添加するため、その処理ガスに別の初期物質が極めて微量の痕跡で混合される。この初期物質はシランまたはゲルマンである。他方、シリコンまたはシリコン／ゲルマニウムの皮膜成長のためシリコンがＧａＡｓの添加物質として極めて微量、例えば千倍に薄めて処理ガスに追加される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、既知の方法の処理技術をさらに発達させ、その方法を実施できる装置を提供するという課題に基づいている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題の解決策は請求項に示される。
【０００６】
特に、第１の処理工程の前または後の第２の処理工程において、第２の半導体皮膜を沈積するため、第２の初期物質および場合によってはさらに別のガスを含有する第２の処理ガスを同じ処理室導入し、その分解生成物で第１の皮膜の結晶と異なる結晶を備えた第２の半導体皮膜を形成し、第２の半導体皮膜に添加するため少量の第１の初期物質を処理室に導入できるように準備される。本発明による方法では、砒化ガリウム皮膜をシリコンまたはシリコン上のシリコン皮膜に沈積させるだけではなく、シリコン上に砒化ガリウム皮膜か、砒化ガリウム皮膜上にシリコン皮膜のいずれかを１つの処理室で引き続いて沈積させる。この皮膜は添加物のない状態だけではなく、添加した沈積もできる。ＩＶ−皮膜上にＩＩＩ−Ｖ−皮膜を重ねて沈積することもできる。これは勿論ＩＩ−皮膜およびＶＩ−皮膜にも適用できる。有利な方法で、添加物質としてそれぞれ別の処理ガスの初期物質を使用することによって、砒化ガリウム皮膜ならびにシリコン皮膜に添加することができる。本発明による装置は、対応してガス導入装置へ導かれる多数のガス供給配管によって特徴付けられる。少なくとも２つの初期物質が結晶の形成および添加に使用できるので、初期物質の供給源を最適に利用することができる。これによって装置および半導体製品の製作コストを低減することができる。ガス量の調節のため特にガス質量流調整装置が設けられ、これによって個々のガス流を調整することができる。このガス質量流調整装置は、第１の半導体皮膜の皮膜成長に必要なガス量、ならびに第２の半導体皮膜の添加のみに必要なガス量を供給できるように構成されると好都合である。少なくとも１つの皮膜の結晶、例えばシリコンまたはゲルマニウムは基板の結晶、例えばシリコンに対応することができる。しかし基板は砒化ガリウム、燐化インジウムまたはゲルマニウムから構成することもできる。この場合少なくとも１つの皮膜は、まさしくこれらの材料から構成する。少なくとも１つの別の皮膜は、基板の結晶と異なった結晶を備えていると好都合である。基板がシリコンの場合、これらの皮膜は砒化ガリウム、燐化インジウムまたは砒化ガリウムインジウム燐化物または窒化ガリウムで構成することができる。少なくとも１つの皮膜は、基板の構成と同じ元素例えばシリコンを含有していることが好ましい。しかし、基板の結晶と異なる結晶の皮膜として酸化物も考慮することができる。第１および第２の皮膜の移行部、例えばシリコン／ゲルマニウムまたは砒化ガリウムは単一層固溶体で形成することが好ましい。２つの皮膜間の移行範囲における単一層固溶体の形成により、一般的には異なった格子常数を有する皮膜は接着され、欠陥なく互いに結合される。異なった結晶の皮膜も同様に直接重ねて沈積することができるが、ガス相の成分は変更しなければならない。しかし、両方の皮膜工程の間に中間工程が実施される。この中間処理工程はエッチング工程または不動態化工程である。エッチング工程においては、前の処理ガスから基板保持器に沈積した材料が除去される。この寄生的成長生産物のエッチングによる除去は、ＨＣｌを処理室に導入することによって行われる。これは材料が砒化ガリウムまたはその他のＩＩＩ−Ｖ−結合物の場合特に有利である。シリコン沈積工程の寄生的成長生成物を除去しなければならない場合は、水素基、塩素基または弗素基から発生するプラズマを使用することができる。このプラズマは、例えば高周波の交流電磁界によって点火される。この交流電磁界は、基板に隣接する基板の表面範囲だけが基によって侵害されるよう、基板の外側の範囲に生成されることが好ましい。このプラズマによって処理室の壁およびカバーを処理することができるので、その部分の沈積も除去される。またエッチング工程を、基板の表面もエッチングされるように実施することもできる。これによって基板の表面、または場合によっては前に沈積した皮膜の表面に僅かな損傷を生ずる。しかし、この種の僅かな表面の損傷はその上に続く皮膜の接着のため必要である。これによって結晶核皮膜に準じた皮膜が形成される。この結晶核皮膜は、不動態化のためのエッチング工程の代わりに中間皮膜が沈積されることによっても形成される。本方法の好ましい１つの代案として、処理パラメータすなわち処理室内のガス流および温度を、寄生的成長が低減されるように設定する。このため基板保持器を下側から加熱するだけでなく、処理室の壁およびカバーも加熱する。処理室は円筒形の形状であることが好ましい。その中央にガス導入装置が設けられる。基板保持器はガス導入装置に直接向かい合う位置に設けられ、回転駆動することができる。基板保持器の上には基板保持器の中心に対して惑星状に配置された基板保持板を設け、これも回転駆動される。基板保持板の回転駆動は、既知の方法で適切なガスクッションによって実施される。
【０００７】
本発明の実施例を以下添付した図面によって説明する。
【発明の効果】
【０００８】
多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも１つの結晶質半導体基板の沈積する方法が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１に示した装置は、概略のみを示した反応炉１の処理室２である。処理室２は水平平面に延び、例えばグラファイトまたは皮膜したグラファィトから構成することができる基板保持器５を備えている。基板保持器５は既知の方法で回転駆動される。保持器は自分の中心軸の回りを回転する。基板保持器５は円板形である。基板保持器上には、基盤を載せる円筒形の基板保持板６のため円板状の凹部が設けられる。この基板保持板６はガスクッションにより回転駆動される。これらは自分の中心軸回りに回転する。
【００１０】
処理室２の中央にガス導入装置７が設けられる。このガス導入装置７は、図１の実施例においては２つのガス導入開口部を有し、１つは例えばトリメチルガリウムがガス状で処理室に入ることができる周上の導入開口部、および１つは砒素を処理室に導入することができる中央の導入開口部である。ガス導入装置７は、基板保持器５と平行に延びる処理室カバー４の開口部を貫通して突き出している。処理室２の周囲は、処理ガスが処理室２から排出されるガス出口開口部を備えた、リング状の壁３によって取囲まれる。
【００１１】
基板保持器５は下側から例えば赤外線または電波によって加熱される。処理室壁３および処理室カバー４も加熱することができる。処理室壁および処理室カバーの加熱は寄生的成長を低減させるのに役立つ。
【００１２】
処理室カバー４および処理室壁３は導電性として構成することができる。しかし、導電区間を備えるようにすることもできる。この導電区間に電極８、９が接続される。この電極に高周波交流電磁界を接続することができるので、処理室２内部のガス相の成分が適切な場合はプラズマを発生させることができる。このプラズマは水素基、塩素基または弗素基を発生し、これによって処理室カバー４または処理室壁３のシリコン皮膜をエッチングで除去することができる。さらにガス導入装置７によってＨＣｌを導入し、処理室壁および処理室カバー４の砒化ガリウムの被覆をエッチングで除去することができる。ＨＣｌの導入または基の発生は、基板保持器５の表面もエッチングすることに役立つ。この場合、基板の表面または基板上に沈積した皮膜もエッチングすることができる。
【００１３】
図２に示した実施例は、主としてガス導入装置７の形状が図１に示した実施例と異なる。図１のガス導入装置７は多ダクトガス導入システムで、ダクトが出口部まで互いに分離されているのに対し、図２に示したガス導入装置７は「シャワーノズル」式である。このガス導入装置は中央室を有し、ここから多数の格子網状に配置された開口部が処理室２に開口する。
【００１４】
図１では参照番号１０により種々のガス質量流制御装置を示した。装置はそれぞれトリメチルインジュウム、トリメチルガリウム、燐、砒素、シラン、ゲルマン、塩素、弗素および水素のガス質量流制御装置を備えている。ガス質量流制御装置１０は任意の構造とすることができる。ガス質量流制御装置１０が、少なくとも結晶を形成するガスの１つ、例えばトリメチルインジュウム、トリメチルガリウム、燐、砒素、シランまたはゲルマンに関し、これらの初期物質が結晶形成用初期物質ならびに添加物質として使用することができるように設計されていると有利である。これらの初期物質を添加物質として使用すると、１０の数乗分の１に低減されたガス質量が、ガス質量流制御装置１０からガス導入装置７に導入される。問題とする初期物質のこのようなガス質量流の低減は、例えば適切な希釈によって行うことができる。しかし要点は、問題とする初期物質が結晶を形成するためおよび、別の結晶に添加するための痕跡の形態で使用できることである。
【００１５】
本発明による方法を、図３ないし図８に示した縦方向の皮膜組織によって説明する。図には簡略化のため基板材料としてシリコンが示されている。
【００１６】
図３に示す皮膜組織を得るため、シリコン基板上に単結晶のシリコン／ゲルマニウムが沈積される。このシリコン／ゲルマニウム皮膜の上にシリコン皮膜の沈積が行なわれる。最後に砒化ガリウムが沈積される。
【００１７】
シリコン／ゲルマニウム皮膜を沈積するため、基板保持器５は約１０００℃に加熱される。続いてシランおよびゲルマンがガス導入装置７によって処理室に導入される。シリコン／ゲルマニウム皮膜がシリコン基板上に沈積される。続いてシリコン皮膜の沈積のためシランだけがガス導入装置によって処理室２に導入され、シリコン皮膜が沈積される。このとき寄生的な成長により僅かな沈積が処理室の壁３または処理室カバー４に発生する。この被覆は、処理室の壁３および反応炉のカバー４を加熱することによって低く抑えることができる。
【００１８】
シリコン皮膜の沈積後、反応炉壁３および反応炉カバー４の寄生的沈積がエッチングによって除去される。これは水素、塩素またはフッ素のプラズマによって行われる。このため塩素またはＨＣｌまたはフッ素または水素が処理室に導入される。電極８および９を介して処理室でプラズマが点火される。このとき生じた自由な基がプラズマの範囲の被覆をエッチングで除去する。
【００１９】
その代わりに、寄生的被覆を不動態化する例えば砒化ガリウムの薄い中間皮膜を沈積してもよい。
【００２０】
図４に示す皮膜組織を得るため、最初は同様にシリコン基板上にシリコン／ゲルマニウムを沈積する。続いてシリコン／ゲルマニウム皮膜上に、エッチング工程または不動態化工程の後砒化ガリウムを沈積する。
【００２１】
図５に示す皮膜組織を得るため、シリコン基板上にシリコン／緩衝皮膜を沈積した後、砒化ガリウムを沈積する。この場合も砒化ガリウムを沈積する前にエッチング工程または不動態化工程を行う。
【００２２】
図６に示す実施例において、シリコン基板は先ず酸化皮膜を沈積する。この酸化皮膜の上に砒化ガリウムの沈積を行う。
【００２３】
図７に示した実施例では、基版の上に沈積したシリコン／ゲルマニウム皮膜の上に砒化ガリウムが沈積される。この砒化ガリウム被膜は次にシリコン皮膜で覆われる。シリコンの被覆皮膜を沈積する前に、エッチングまたは不動態化工程が実施される。寄生的に処理室壁３、基板保持器５または反応炉カバー４に沈積した砒化ガリウムを除去するため、反応炉にＨＣｌを導入することができる。このＨＣｌは寄生的に成長した砒化ガリウムをエッチングにより除去する。このエッチング工程で砒化ガリウム被膜もエッチングされる。
【００２４】
１つの代替法として、シリコンの被覆皮膜を沈積する前に不動態化皮膜を沈積し、砒化ガリウムの被覆によってガリウムまたは砒素が蒸発することができないようにする。
【００２５】
図８に示した実施例では、シリコン基板上に先ずシリコン／ゲルマニウムを沈積する。この皮膜の上に砒化ガリウム被膜を実施する。この場合、シリコン／ゲルマニウムが被覆皮膜となる。
【００２６】
本発明による方法は、反応炉に１つ以上の基板を装着して行う。基板は例えば基板保持板６に載せられる。しかし、１つの基板を回転することができない基板保持器に載せることもできる。反応炉を閉じた後、処理室はシリコンの沈積温度に加熱される。これは約１０００℃である。続いて処理室２にガス導入装置７によってシランが導入される。シランのガス質量流は、ガス質量流制御装置１０によって調整される。ガス質量流は対応する厚い皮膜成長が行われるよう充分高く調整する。
【００２７】
シリコン皮膜の沈積後、シランの流れは零に設定する。
【００２８】
代わりの方法として、純粋なシランの代わりにゲルマンおよびシランの混合物をガス状で導入し、基板上にシリコンゲルマニウム皮膜を成長させる。代替案として酸化物生成材料（図６）を導入することもできる。シリコン皮膜の沈積の間、皮膜生成の初期物質としてシランを使用する。このシランに追加して砒素またはトリメチルガリウムまたはホスフィンまたはトリメチルインジウムをガス導入装置７から処理室２に導入する。この第２の初期物質の質量流は、シランに対し例えば数１０００分の１程度で非常に少なく、この第２の初期物質は結晶を生成することなく結晶への添加物として作用する。
【００２９】
第１の処理ガスとして、シランまたはシラン／ゲルマン混合物から第１の半導体皮膜が沈積した後、第２の半導体皮膜を沈積させることができる。これは第２の初期物質、および特に２つの第２の初期物質を、処理ガスとして処理室に導入することによって行なう。この第２の処理ガスは、砒素またはトリメチルガリウム若しくは硼素、およびトリメチルインジウムとの混合物か、または４つのすべての初期物質からなる混合物から構成される。この第２の処理ガスは、続いて低減した沈積温度でガス導入装置７によって処理室２に導入される。基板の上、または前もって沈積されたシリコンまたはシリコン／ゲルマニウムの上にＩＩＩ−Ｖ−皮膜が沈積される。この皮膜はシリコンまたはシリコン／ゲルマニウムから構成されるＩＶ−結晶質皮膜とは異なる結晶を有している。ＩＩＩ−Ｖ−皮膜の沈積の間に、上記の結晶を生成する初期物質に追加してシランを処理室に導入することができる。しかし、シランの質量流は例えば砒素およびトリメチルインジウムの質量流より相当に低い。すなわち、皮膜はほとんど砒化ガリウムから形成され、痕跡としてシリコンが含有される。この場合シリコンは単に添加物質である。
【００３０】
代わりの方法として、第１の皮膜の沈積後にエッチング中間工程を割り込ませることもできる。このエッチング中間工程において、処理室壁３および処理室カバー４および基板保持器５の範囲がエッチングされる。シリコン皮膜の沈積の間またはその部分に沈積された物質はエッチング工程によって除去される。このエッチング工程のおいてシリコン皮膜の表面もエッチングされる。寄生的なシリコンをエッチングにより除去するため、プラズマを使用することが好ましい。このためガス状のフッ素、塩素またはＨＣｌが供給される。高周波の交流電磁界によってこれらのガスは基を形成し、処理室壁３および処理室カバー４の沈積は除去される。
【００３１】
エッチング工程の代わりに、中間皮膜を沈積することもできる。この中間皮膜は、先ず第１に処理室壁３および処理室カバー４が覆われるように沈積する。適切な方法によって処理室壁３または処理室カバー４の温度が調整される。処理のパラメータは、基板の沈積工程において、できるだけ少ない材料が処理室壁および処理室カバーに沈積するように選定される。しかし、中間皮膜工程においては、処理のパラメータは被覆だけが皮膜されるように選定される。
【００３２】
砒化ガリウムまたは燐化インジウムの寄生的成長を除去するため、プラズマでなく純ＨＣｌを使用することができる。この場合も、エッチング工程において処理室壁および処理室カバーの沈積を除去するだけではなく、基板上の皮膜表面もエッチングされることを考慮しなければならない。これは個々の皮膜の間に、単一層の固溶体による皮膜を形成させる場合に特に有利である。移行範囲における単一層の固溶体の形成は、皮膜の互いの接着を促進するか、または欠陥のない成長に有効である。
【００３３】
ＩＩＩ−Ｖ−結合半導体の代わりに、ＩＩ−Ｖ−結合半導体を沈積することもできる。
【００３４】
開示されたすべての特徴は本発明に対し基本的なものである。従って、対応する／添付の優先書類（事前出願のコピー）の開示もまたすべて本出願の開示内に含まれるものであり、その目的のためこれらの書類の特徴もこの出願の請求事項に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
多数の結晶質半導体皮膜を少なくとも１つの結晶質半導体基板の沈積する方法に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】反応炉の処理室に対する第１の実施例の概略図である。
【図２】反応炉の処理室に対するの第２の実施例である。
【図３】本発明による方法により作成した種々の皮膜組織である。
【図４】本発明による方法により作成した種々の皮膜組織である。
【図５】本発明による方法により作成した種々の皮膜組織である。
【図６】本発明による方法により作成した種々の皮膜組織である。
【図７】本発明による方法により作成した種々の皮膜組織である。
【図８】本発明による方法により作成した種々の皮膜組織である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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