(57)【要約】この電極板（１）は、各放電領域（３）に、少なくとも２つの電極素子（４，４’）を有しており、該電極素子は、対称Ｏｘ軸を有していて、前記放電領域に給電する２つの電極間に一定電位差が印加される場合に、当該電極をカバーする誘電体層の表面で測定した表面電位Ｖ（ｘ）が、素子の放電エッジから進むに連れて連続的又は非連続的に減少部分なしに増大するように適合化されている。  ディスプレイパネルの発光効率が著しく改善される。
2005531110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネル内で放電領域を画定するコプラナー放電電極板（１）であって、
−誘電体層（６）で被覆された少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイを有しており、前記コプラナー電極アレイの全体的方向は平行であり、第１のアレイの各電極（Ｙ）は第２のアレイの電極（Ｙ’）に隣接して対を形成し、一連の放電領域を提供することを意図しており、
−各放電領域に関して、共通の長手方向の対称軸Ｏｘを有する少なくとも２つの電極素子（４，４’）を有しており、該電極素子の各々が１対の電極（Ｙ，Ｙ’）に接続されている形式のコプラナー放電電極板（１）において、
各放電領域（３）の各電極素子（４）に関して、Ｏｘ軸上の点Ｏが、前記放電領域（３）の他方の電極素子（４’）と向き合う前記電極素子（４）のいわゆる点火エッジ上に位置しており、前記Ｏｘはいわゆる放電終了エッジの方向を向いており、該放電終了エッジは前記Ｏｘ軸上のｘ＝ｘｃｄに位置し、前記放電エッジの反対側において前記素子（４）の境界を定めており、前記電極素子の形状ならびに電気誘電体層の厚さ及び組成は、ｘｂｃ−ｘａｂ＞０．２５ｘｃｄ，ｘ＜０．３３ｘｃｄ，ｘｂｃ＞０．５ｘｃｄであるようなｘの値の区間［ｘａｂ，ｘｂｃ］が存在し、且つ、一定の電位差が前記放電領域を提供する２つの電極の間に印加されたときに、表面電位Ｖ（ｘ）がｘの関数として前記［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内で値Ｖａｂからより高い値Ｖｂｃへと連続的又は非連続的に上昇するように適合されており、前記電極素子（４）が陰極として機能するように適切な符号を有していることを特徴とするコプラナー放電電極板。
【請求項２】
ｘａｂとｘｂｃとの間から選び出された、ｘ−ｘ’＝１０μｍとなるようないずれのｘ及びｘ’についても、Ｖｎｏｒｍ（ｘ）−Ｖｎｏｒｍ（ｘ’）＞０．００１である、請求項１に記載のコプラナー電極板。
【請求項３】
正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）が、無限幅の電極素子に関してＯｘ軸に沿って得られる最大電位Ｖ０−ｍａｘに対する当該電極素子のための誘電体層のレベルｘにおける表面電位の比として定義され、該正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）は、前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｖｎ−ａｂ＝Ｖａｂ／Ｖ０−ｍａｘから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｖｎ−ｂｃ＝Ｖｂｃ／Ｖ０−ｍａｘまで上昇し、
Ｖｎ−ｂｃ＞Ｖｎ−ａｂ，Ｖｎ−ａｂ＞０．９，及び（Ｖｎ−ｂｃ−Ｖｎ−ａｂ）＜０．１である、請求項１又は２に記載のコプラナー電極板。
【請求項４】
前記電極の間への電位差の印加と同じ条件の下では、ｘ＝ｘｃｄである前記放電終了エッジと位置ｘ＝ｘｂｃとにより区切られた、前記素子を覆う誘電体層の表面領域における最大電位は、ｘ＝０である前記点火エッジと位置ｘ＝ｘａｂとにより区切られた、前記素子を覆う誘電体層の表面領域の最大電位よりも厳密に大きい、請求項１から３のいずれか１項に記載のコプラナー電極板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のコプラナー電極板を備えていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記誘電体層の長手方向比容量Ｃ（ｘ）が前記誘電体層の直線状基本ストリップの容量として定義され、前記ストリップは前記電極素子（４）と前記誘電体層の表面との間に限定されており、Ｏｘ軸上のｘに位置し、前述した表面電位の上昇が達成されるように、前記Ｏｘ軸に沿って長さｄｘを有し、前記ストリップの境界を定める電極素子の幅に相当する幅を有し、誘電体層の前記長手方向比容量Ｃ（ｘ）は、減少する部分なしに、前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｃａｂから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｃｂｃまで連続的又は非連続的に増大する、請求項１から４のいずれか１項に記載のコプラナー電極板。
【請求項７】
前記素子と前記誘電体層の表面との間にあり、ｘ＝ｘｃｄである前記放電終了エッジと位置ｘ＝ｘｂｃとにより区切られた誘電体層部分の容量は、前記素子と前記誘電体層の表面との間にあり、ｘ＝０である前記点火エッジと位置ｘ＝ｘｃｄとにより区切られた誘電体層部分の容量よりも厳密に大きい、請求項６に記載のコプラナー電極板。
【請求項８】
ｘ＝ｘｂｃとｘ＝ｘｃｄとの間にある領域の誘電体層の長手方向比容量は、０＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意の別の点における誘電体層の長手方向比容量よりも大きい、請求項７に記載のコプラナー電極板。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか１項に記載のコプラナー電極板を備えていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
請求項１から４のいずれか１項に記載のコプラナー電極板（１）といわゆるアドレス電極板とを有するプラズマディスプレイパネルであって、アドレス電極（Ｘ）のアレイを選択的に有しており、前記アドレス電極（Ｘ）は誘電体層で被覆されており、それぞれ前記放電領域のうちの１つにおいて前記コプラナー電極板の１つの電極対と交差するように向き付けられ位置決めされており、前記電極板はミクロンで表された距離Ｈｃにより隔てられており、該電極板の間に前記放電領域が画定されている形式のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記ディスプレイパネルの各放電領域（３）に関して、ならびに該領域の各電極素子（４，４’）に関して、
Ｅ１（ｘ）及びＰ１（ｘ）をそれぞれ長手方向の位置ｘにおける前記電極素子（４）上方の誘電体層のミクロンで表された平均の厚さ及び平均比誘電率とし、Ｅ２（ｘ）及びＰ２（ｘ）を前記アドレス電極（Ｘ）上方の誘電体層の、又は、アドレス電極が存在しない場合にはアドレス電極板のミクロンで表された平均の厚さ及び平均比誘電率とし、当該の厚さ及び誘電率の両方ともまた、アドレス電極板の表面上にあってＯｘ軸に平行であり、かつ前記コプラナー電極板の表面に対して垂直な面内にある軸上に位置する長手方向の位置ｘで測定されるとすると、前記諸層の厚さ及び組成は、比Ｒ（Ｘ）＝１−［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（Ｘ）］／［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（ｘ）＋Ｈ（ｘ）＋Ｅ２（ｘ）／Ｐ２（Ｘ）］が、減少する部分なしに、前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｒａｂから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｒｂｃまで連続的又は非連続的に増加するように適合されている、ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記電極素子の幅Ｗｅ（ｘ）はｘ値の前記範囲内では一定である、請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
ｘａｂとｘｂｃとの間から選び出された、ｘ’−ｘ＝１０μｍとなるようないずれのｘ及びｘ’についても、Ｒ（ｘ’）−Ｒ（ｘ）＞０．００１である、請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
Ｒｂｃ＞Ｒａｂ、Ｒａｂ＞０．９、及び、（Ｒｂｃ−Ｒａｂ）＜０．１である、請求項１２又は１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
ｘｂｃ＜ｘ＜ｘｃｄであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値は、０＜ｘ＜ｘａｂであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値よりも厳密に大きい、請求項１１から１３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
ｘｂｃ＜ｘ＜ｘｃｄであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値は、０＜ｘ＜ｘａｂであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値よりも厳密に大きい、請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
各放電領域（３）の各電極（４）に関して、前記誘電体層（６）は前記電極素子（４）の上方において少なくともｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意のｘに関して一定の誘電定数Ｐ１とミクロンで表された一定の厚さＥ１とを有しており、前記電極素子（４）は以下の定義、すなわち、
−正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）は、無限幅の電極素子に関してＯｘ軸に沿って得られる最大電位Ｖ０−ｍａｘに対する当該電極素子のための誘電体層のレベルｘにおける表面電位の比として定義され、正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）は前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｖｎ−ａｂ＝Ｖａｂ／Ｖ０−ｍａｘから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｖｎ−ｂｃ＝Ｖｂｃ／Ｖ０−ｍａｘまで上昇し；
−該素子の理想的な幅プロフィールは式：
【数１】
2005531110.tif 000007
により定義され、ここで、Ｗｅ−ａｂはｘ＝ｘａｂにおいてＯｘ軸に対して垂直に測定された前記素子の全幅であり；
−下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗ及び上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐは式：Ｗｅ−ｉｄ−ｌｏｗ＝０．８５Ｗｅ−ｉｄ−０及びＷｅ−ｉｄ−ｕｐ＝１．１５Ｗｅ−ｉｄ−０により定義され、ｘａｂ以上ｘｂｃ以下の任意のｘについて、ｘにおいてＯｘ軸に垂直に測定された前記素子の全幅Ｗｅ（ｘ）は、
Ｗｅ−ｉｄ−ｌｏｗ＜Ｗｅ（ｘ）＜Ｗｅ−ｉｄ−ｕｐとなるものである、なる定義を有している、請求項６から８のいずれか１項に記載のコプラナー電極板。
【請求項１７】
前記幅Ｗｅ−ａｂは８０μｍよりも小さいか又は等しい、請求項１６に記載のコプラナー電極板。
【請求項１８】
前記幅Ｗｅ−ａｂは５０μｍよりも小さいか又は等しい、請求項１７に記載のコプラナー電極板。
【請求項１９】
前記電極素子（４）は２つの側方導電素子に細分されており、これらの側方導電素子はＯｘ軸に関して対称であり、少なくともｘが［ｘａｂ，ｘｂ３］区間内に存在している領域においては分かれており、ただし前記区間においてｘｂ３−ｘａｂ＞０．７（ｘｂｃ−ｘａｂ）である、請求項１６から１８のいずれか１項に記載のコプラナー電極板。
【請求項２０】
ｘｂ３＝ｘｂｃである、請求項１９に記載のコプラナー電極板。
【請求項２１】
Ｏｙが点火エッジに沿って延びているＯｘ軸に交差する軸であり、ｄｅ−ｐ（ｘ）が、ｘａｂとｘｂｃの間にある任意の位置ｘにおいてＯｙ軸に平行に測定された、前記２つの側方導電素子の互いに向き合った端部の間の距離であるとすると、ｘａｂとｘｂ２の間にある任意のｘの値に対してｄｅ−ｐ（ｘ）＞ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）であるようなｘ＝ｘｂ２がｘａｂとｘｂ３の間に存在する、請求項１９又は２０に記載のコプラナー電極板。
【請求項２２】
ｄｅ−ｐ（ｘ）は１００μｍと２００μｍの間にある、請求項２１に記載のコプラナー電極板。
【請求項２３】
ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂ２である領域において、所与のｘに対して、側方導電素子の側方端部間の中間距離の軌跡である各側方導電素子の中線を考察すると、ｘにおける該素子の中線への接線はＯｘ軸に対して６０°未満の角度をなす、請求項２２に記載のコプラナー電極板。
【請求項２４】
前記角度が３０°と４５°との間にある、請求項２３に記載のコプラナー電極板。
【請求項２５】
Ｏｙが点火エッジに沿って延びているＯｘ軸に交差する軸であり、ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）が位置ｘａｂにおいてＯｙ軸に平行に測定された、前記２つの側方導電素子の互いに向き合った端部の間の距離であるとすると、前記電極素子が前記側方導電素子をつなぐ点火バーと呼ばれる横バーを有しており、前記点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さは、ｙ１とＯｘ軸のいずれかの側にあるｄｅ−ｐ（ｘａｂ）／２との間にある｜ｙ｜に対するこの長さの値ΔＬａよりも、０とＯｘ軸のいずれかの側にあるｙ１との間にある｜ｙ｜に対する値ΔＬａだけ大きい、請求項１９から２４のいずれか１項に記載のコプラナー電極板。
【請求項２６】
請求項１６から２５のいずれか１項に記載のコプラナー電極板を備えていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２７】
請求項１から４のいずれか１項に記載のコプラナー電極板（１）とアドレス電極板（２）とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、
−アドレス電極（Ｘ）のアレイと；
−並列バリアリブ（１６）のアレイとを有しており、
前記アドレス電極（Ｘ）は誘電体層で被覆されており、それぞれ前記放電領域のうちの１つにおいて前記コプラナー電極板の１つの電極対と交差するように向き付けられ位置決めされており、前記並列バリアリブ（１６）はそれぞれ他の２つの隣接バリアリブからＷｃの距離において他の２つの隣接アドレス電極の間に配置されており、前記電極板はミクロンで表された距離Ｈｃにより隔てられており、該電極板の間に前記放電領域が画定されている形式のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層（６）は少なくともｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意のｘに対しては前記電極素子（４）の上方において均一な組成と一定の厚さとを有しており、
前記ディスプレイパネルの各放電領域（３）に関して、ならびに該領域の各電極素子（４，４’）に関して、前記電極素子（４）は一定の幅Ｗｅ−ｐ０の２つの側方導電素子に細分されており、これらの側方導電素子はＯｘ軸に関して対称であり、ｘが［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内に存在している領域においては分かれており、
Ｏｙが点火エッジに沿って延びているＯｘ軸に交差する軸であり、ｄｅ−ｐ（ｘ）が、ｘａｂとｘｂｃの間にある任意の位置ｘにおいてＯｙ軸に平行に測定された、前記２つの側方導電素子の互いに向き合った端部の間の距離であるとすると、ｄｅ−ｐ（ｘ）は前記［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内のｘの関数として連続的又は非連続的に増加し、
ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂ２である領域において、所与のｘに対して、側方導電素子の側方端部間の中間距離の軌跡である各側方導電素子の中線を考察すると、ｘにおける該素子の中線への接線はＯｘ軸に対して２０°と４０°の間の角度をなし、
ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）≦３５０μｍである、ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２８】
２００μｍ≦ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）≦３５０μｍであり、前記電極素子は前記側方導電素子をつなぐ点火バーと呼ばれる横バーを有しており、前記点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さは、ｙ１とＯｘ軸のいずれかの側にあるｄｅ−ｐ（ｘａｂ）／２との間にある｜ｙ｜に対するこの長さの値ΔＬａよりも、０とＯｘ軸のいずれかの側にあるｙ１との間にある｜ｙ｜に対する値ΔＬａだけ大きい、請求項２７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２９】
ＷａをＯｙ軸に沿って測った前記点火バーの幅とすると、
Ｌａ＜２Ｗｅ−ｐｏならば、ΔＬａ＞２Ｗｅ−ｐ０−Ｌａであり、
Ｌａ≧２Ｗｅ−ｐｏならば、ΔＬａ＞０．２Ｌａである、請求項２８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３０】
請求項１から４のいずれか１項に記載のコプラナー電極板（１）とアドレス電極板（２）とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、
−アドレス電極（Ｘ）のアレイと；
−並列バリアリブ（１６）のアレイとを有しており、
前記アドレス電極（Ｘ）は誘電体層で被覆されており、それぞれ前記放電領域のうちの１つにおいて前記コプラナー電極板の１つの電極対と交差するように向き付けられ位置決めされており、前記並列バリアリブ（１６）はそれぞれ２つの隣接アドレス電極の間に配置されており、前記隣接アドレス電極はミクロンで表された距離Ｈｃにより隔てられており、該電極板の間に前記放電領域が画定されている形式のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層（６）は少なくともｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意のｘに対しては前記電極素子（４）の上方において均一な組成と一定の厚さとを有しており、
Ｗｃを２つの隣接バリアリブ間の距離とすると、前記ディスプレイパネルの各放電領域（３）に関して、ならびに該領域の各電極素子（４，４’）に関して、前記電極素子（４）は一定の幅Ｗｅ−ｐ０の２つの側方導電素子に細分されており、これらの側方導電素子はＯｘ軸に関して対称であり、ｘが［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内に存在している領域においては分かれており、
前記電極素子は、
−点火バーと呼ばれる横バーと；
−放電安定化バーと呼ばれる横バーと；
−少なくとも１つの中間横バーとを有しており、
前記点火バーの幅はＷｃより大きいか又は等しく、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さはＬａであり、前記点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、
前記放電安定化バーの幅はＷｃより大きいか又は等しく、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さはＬｓであり、前記点火バーの一方の端部は前記放電終了エッジに相当し、
前記中間横バーの幅はＷｃより大きいか又は等しく、Ｏｘ軸に沿った前記点火バーの位置は全長Ｌｂにわたって完全に［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内にあり
Ｌｂ≦Ｌａ＜Ｌｃである、ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３１】
前記中間横バーの一方の端部は前記放電安定化バーからｄ１の距離にあり、他方の端部は前記点火バーからｄ２の距離にあり、ｄ２／２＜ｄ１＜ｄ２である、請求項３０に記載のディスプレイパネル。
【請求項３２】
３×ｍａｘ（Ｌａ，Ｌｂ）＜Ｌｓ＞５×ｍａｘ（Ｌａ，Ｌｂ）である、請求項３１に記載のディスプレイパネル。
【請求項３３】
前記コプラナー電極板（１）とアドレス電極板とを有しており、これらの電極板の間に前記放電領域が画定されており、各放電領域に関して、ならびに各電極素子に関して、Ｗｅ−ａｂをＯｘ軸に沿ってｘ＝ｘａｂにおいて測られた、前記［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間の始点における前記電極素子の幅とすると、前記電極素子は好適には点火バーと呼ばれる横バーを有しており、該点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、Ｏｘ軸に沿って測った該点火バーの長さは、Ｗｅ−ａｂ≦Ｌａ＜８０μｍとなるものである、請求項５，９，１０−１５，及び２６−３２のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３４】
前記電極板（１，２）の間に互いからＷｃの距離で前記コプラナー電極板の全体的方向に対して垂直に配置された並列バリアリブのアレイを有しており、Ｏｙを点火エッジに沿って延びるＯｘ軸に交差する軸とし、ＷａをＯｙ軸に沿って測った前記点火横バーの幅とすると、Ｗｃ−６０μｍ＜Ｗａ≦Ｗｃ−１００μｍである、請求項３３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３５】
前記電極板（１，２）の間に互いからＷｃの距離で前記コプラナー電極板の全体的方向に対して垂直に配置された並列バリアリブのアレイを有しており、Ｏｙを点火エッジに沿って延びるＯｘ軸に交差する軸とし、ＷａをＯｙ軸に沿って測った前記点火横バーの幅とし、Ｗａ−ｍｉｎを超えると前記バリアリブが前記素子上方の誘電体層の表面電位の実質的な低下を生じさせるものとすると、前記点火横バーは、
｜ｙ｜≦Ｗａ−ｍｉｎ／２なる任意の点において、Ｏｘ軸に沿って測った前記放電領域の２つの電極素子の点火エッジの間の距離が一定かつｇｃに等しいような中心領域Ｚａ−ｃと；
｜ｙ｜＞Ｗａ−ｍｉｎ／２なる任意の点において、Ｏｘ軸に沿って測った前記放電領域の２つの電極素子の点火エッジの間の距離が値ｇｃから連続的に減少するような、中心領域Ｚａ−ｃの両側にある２つの側方領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２とを有している、請求項３３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３６】
コプラナー電極板の間に、各々一定のプラトーを有する維持パルスと呼ばれる一連の電圧パルスの様々な対を発生さえるのに適した供給手段を有している、請求項５，９，１０−１５，及び２６−３２のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
１／発明の分野
図１Ａ及び１Ｂに記載されているように、本発明は、プラズマディスプレイパネルの種々のセル又は放電領域内での、放電点火、放電拡散及び放電安定化領域の限定に関する。
【０００２】
２／発明の背景
プラズマディスプレイには、一般的に、少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイが設けられており、各コプラナー電極アレイの総体的な方向は平行であり、その際、第１のアレイの各電極Ｙは、第２のアレイの電極Ｙ’に隣り合っていて、当該第２のアレイの電極Ｙ’と共に対となって、放電領域セットに給電するようにされており、更に、給電される各放電領域に対して、以下を有しており：
−放電点火領域と呼ばれる導電領域Ｚａであり、該導電領域Ｚａは、第２のアレイの前記電極に向き合った点火エッジを有しており；
−放電拡散領域と呼ばれる導電領域Ｚｂであり、該導電領域Ｚｂは、前記点火エッジとは反対側の導電性点火領域の後ろ側に配置されており；および
−導電拡散領域の後ろ側に位置している放電安定化又は放電終了領域と呼ばれる導電領域Ｚｃであり、該導電領域Ｚｃは、前記点火エッジとは反対側の前記要素の境界を定める放電終了端を有している。
【０００３】
上述の３つの領域の定義は、後で、陰極シースの移動に関して補う。
【０００４】
これら各電極板は、上述タイプのコプラナー放電電極板１１、及び、アドレス電極アレイが設けられた他の電極板１２を有しており、コプラナー放電電極板１１と他の電極板１２との間に、放電気体が充填された前記放電領域を集めた２次元セットが配置されたタイプの通常のプラズマディスプレイパネルの製造用に使われる。
【０００５】
各放電領域は、アドレス電極Ｘと、コプラナー放電電極板の電極Ｙ，Ｙ’の対との交差部に位置しており；各電極対によって給電される各放電領域セットは、全体的に、放電領域の水平列又はディスプレイパネルのサブピクセルに相応し；各アドレス電極によって給電される各放電領域セットは、総体的に、放電領域又はサブピクセルの垂直行に相応している。
【０００６】
コプラナー放電電極板の電極アレイは、メモリ効果を奏するために誘電層１３でコーティングされており、前記層自体は、一般的に酸化マグネシウムに基づく保護及び２次電子放出層１４でコーティングされている。
【０００７】
隣り合った放電領域、少なくとも異なった色を放射する放電領域は、全体的に、水平バリアリブ１５及び／又は垂直バリアリブ１６によって境界付けられており、これらの各リブは、全体的に、各電極板間のスペーサとして作用する。
【０００８】
図１Ａ及び１Ｂに示されたセルは、矩形形状からなり（他のセル幾何形状が従来技術によって開示されている）、このセルの最大寸法は、アドレス電極Ｘに対して平行に延びている。Ｏｘを、このセルの対称長手方向軸であるとすると、放電セルを形成する電極対によって給電される各放電領域で、バリアリブ１５，１６によって境界付けられた電極部又は電極素子Ｙ，Ｙ’は、Ｏｘ軸に対して垂直方向に沿って一定幅を有している。
【０００９】
発光（輝度）放電領域の壁部は、全体的に、発光放電の紫外線放射に対して感応するリンで部分コーティングされている。隣り合った放電領域には、異なった基本色を放射するリンが設けられており、その結果、これらの隣り合った領域の組み合わせにより、画素又はピクセルを形成する。
【００１０】
作動中、画像を表示するために、例えば、以下のビデオシーケンスが実行される：
−アドレス電極アレイ及びコプラナー電極アレイの１つを用いて、ディスプレイパネルの各列は、予め選択された、この列の各放電領域の誘電層の領域上の堆積電荷によって連続してアドレスされ、そのうちの相応のサブピクセルは、画像を表示するために作動される必要があり；それから
−コプラナー放電電極板の２つのアレイの各電極間に、維持電圧パルス列を印加することによって、プリチャージ領域内でしか放電が生じず、そうすることによって、相応のサブピクセルを作動して、画像を表示することができる。
【００１１】
ヨーロッパ特許公開第０７８２１６７号公報（Ｐｉｏｎｅｅｒ）の図１５及び図３Ａ以下には、上述のタイプのコプラナー放電電極板が示されており、該コプラナー放電電極板で、電極対を介して給電される各放電領域内で、当該電極対の各電極は、他の電極に対向する横バー３１と、一定幅の中央脚部３２から形成されたＴ字形の要素を有しており、各電極素子は、その中央脚部の基部を通る導電バス３３を介して電気的に接続されている。
【００１２】
電極素子の各横バー３１は、放電点火領域Ｚａを形成し、各中央脚部３２は、放電拡散領域Ｚｂを形成し、各横バー３３は、放電安定化領域Ｚｃを形成することができる。作動時、持続期間中、横バー３１の、点火エッジと呼ばれるエッジの一端で、各放電が開始し、それから、相応の脚部３２及び当該脚部３２に接続されたバス３３に沿って拡散する。
【００１３】
Ｔ字形の変形例は、同じ刊行物、ヨーロッパ特許公開第０７８２１６７号公報（Ｐｉｏｎｅｅｒ）の図１４に示されている。これは、上下反転したＵ字の形であり、つまり、（中央の脚部の代わりに）両側に脚部があって、これら脚部は、前述のものと同様の横点火バーに垂直方向であり、各脚部が各々、このバーの一端に接続されている。点火後、放電が細分割され、それから、各々上下反転したＵ字形の一方の脚部に相応する２つの平行な側方拡散路に沿って延び、２つの路は、電極の導電バスのところで合流する。
【００１４】
ヨーロッパ特許公開第０８０２５５６号公報（Ｍａｔｓｕｓｈｉｔａ）に記載された別の変形例によると、特に、図９及び以下説明する図４Ａに示されているように、Ｕ字形の各側方脚部４２ａ，４２ｂは、２つの隣り合ったセル間で共有されており、同じ電極の素子の横バーは、連続導体を形成し、各コプラナー電極がハシゴ形となり、その第１のレールは、点火領域Ｚａとして使われ、その横バーは、放電領域の境界に位置しており、放電拡散領域Ｚｂとして使われ、その第２のレールは、安定化領域Ｚｃとして使われる。
【００１５】
電極部分を形成する拡散領域に沿って放電を拡げるための、そのようなプロセスは、放電からの紫外線放射形成効率、及び、励起された燐の表面に亘って広く分布するのに有利である。
【００１６】
３／発明の要約
本発明の課題は、更に改善されていて、放電の発光効率とプラズマディスプレイパネルの寿命を最適化された新規タイプのコプラナー放電プラズマディスプレイパネルセルを提供することにある。
【００１７】
この目的のために、本発明によると、
プラズマディスプレイパネル内で放電領域を画定するコプラナー放電電極板であって、
−誘電体層で被覆された少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイを有しており、前記コプラナー電極アレイの全体的方向は平行であり、第１のアレイの各電極は第２のアレイの電極に隣接して対を形成し、一連の放電領域を提供することを意図しており、
−各放電領域に関して、共通の長手方向の対称軸Ｏｘを有する少なくとも２つの電極素子を有しており、該電極素子の各々が１対の電極に接続されている形式のコプラナー放電電極板において、
各放電領域の各電極素子に関して、Ｏｘ軸上の点Ｏが、前記放電領域の他方の電極素子と向き合う前記電極素子のいわゆる点火エッジ上に位置しており、前記Ｏｘはいわゆる放電終了エッジの方向を向いており、該放電終了エッジは前記Ｏｘ軸上のｘ＝ｘｃｄに位置し、前記放電エッジの反対側において前記素子の境界を定めており、前記電極素子の形状ならびに電気誘電体層の厚さ及び組成は、ｘｂｃ−ｘａｂ＞０．２５ｘｃｄ，ｘ＜０．３３ｘｃｄ，ｘｂｃ＞０．５ｘｃｄであるようなｘの値の区間［ｘａｂ，ｘｂｃ］が存在し、且つ、一定の電位差が前記放電領域を提供する２つの電極の間に印加されたときに、表面電位Ｖ（ｘ）がｘの関数として前記［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内で値Ｖａｂからより高い値Ｖｂｃへと連続的又は非連続的に上昇するように適合されており、前記電極素子が陰極として機能するように適切な符号を有しているようにされる。
【００１８】
電極素子が陰極として作動する場合、この電極素子をカバーする誘電体層の表面は、正に荷電される。
【００１９】
従って、表面電位Ｖ（ｘ）は、連続的又は非連続的に急速に、ｘ＝ｘａｂからｘ＝ｘｂｃに増大する。ｘに関する、この電位の導関数、即ち、ｄＶ（ｘ）／ｄｘは、従って、どのｘでもｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃのように正又はゼロである。
【００２０】
有利には、各放電領域で、２つの対向電極素子と、隣接する誘電体層が同一であり、電極間間隔の中心に関して対称である。
【００２１】
この電極板がプラズマディスプレイパネル内に統合され、一定プラトー（平坦）領域維持パルス列が、各放電領域の、各電極の２つのアレイ間に供給されると、２つの電極素子の各々が、交互に陽極として、陰極として使われる。
【００２２】
通常のように、このディスプレイパネル内の各コプラナー維持放電は、連続的に、点火期間、拡散期間及び放電終了期間又は安定期間を含み、この点火期間内では、放電の陰極シースは移動せず、拡散期間及び放電終了期間内では、放電の陰極シースは見えなくなり、又は、安定期間内では安定化される。
【００２３】
従って、このディスプレイパネル内の各放電領域の各電極素子は、通常、以下を含む：
−前記点火エッジを含む導電放電点火領域Ｚａを含み、この領域は、前記要素が陰極として作動する場合、前記点火期間中、放電のイオンが堆積される誘電体層の領域に相応し；
−導電放電拡散領域Ｚａ、即ち、前記点火領域Ｚａの後ろ側に、前記点火エッジとは反対側の面上に位置している領域を含み、この領域は、前記要素が陰極として作動する場合、前記拡散期間中、陰極シースの移動によって掃引される誘電体層の領域に相応し；
−前記拡散領域Ｚｂの後ろ側に位置している導電性の放電終了又は安定化領域Ｚｃを含み、この領域は、前記放電終了エッジを含み、放電のイオンが前記放電終了期間中又は前記要素が陰極として作動する場合安定期間中堆積される誘電体層の領域に相応している。
【００２４】
本発明によると、［ｘａｂ，ｘｂｃ］間隔により、前記電極素子上に、電極素子の全長Ｌｅ＝ｘｃｄの少なくとも２５％を示す前記拡散領域Ｚｂが定義される。
【００２５】
本発明によると、各維持パルスで、放電の点火前でも、このディスプレイパネル内の各放電領域の各電極素子で、Ｏｘ軸に沿って得られるのは、前記パルス中、電極素子が陰極として使われる場合に、この電極素子の拡散領域をカバーする誘電体層の表面で、ｘの関数として増大する電位分布である。
【００２６】
そのような電極素子及び隣接誘電体層により、放電終了又は安定化領域まで急速に点火領域上に拡散する持続放電が生じ、その際、点火領域内では、最小エネルギ消散であり、高効率放電終了領域内では、最大エネルギ消散であり、通常の維持パルス発生器を使って、印加される電位が大して上昇せずに、各パルスが一定電圧プラトー領域を有する維持電圧パルスの通常の列が、種々の対の電極間に供給される。
【００２７】
要するに、本発明は、各放電領域に、対称Ｏｘ軸を有していて、これらの電極素子をカバーする誘電体層の表面で測定される表面電位Ｖ（ｘ）が、一定電位差が前記放電領域に給電する２つの電極間に印加される場合に、素子の放電エッジから出発して連続的又は非連続的に、減少部分なしに上昇するように設計されている、少なくとも２つの電極素子を有しているプラズマディスプレイパネル用のコプラナー放電電極板である。
【００２８】
本発明のコプラナー電極板により、発光効率が改善されて、寿命が長いプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【００２９】
有利には、ｘａｂとｘｂｃとの間から選び出された、ｘ−ｘ’＝１０μｍとなるようないずれのｘ及びｘ’についても、Ｖｎｏｒｍ（ｘ）−Ｖｎｏｒｍ（ｘ’）＞０．００１である。
【００３０】
有利には、正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）が、無限幅の電極素子に関してＯｘ軸に沿って得られる最大電位Ｖ０−ｍａｘに対する当該電極素子のための誘電体層のレベルｘにおける表面電位の比として定義され、該正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）は、前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｖｎ−ａｂ＝Ｖａｂ／Ｖ０−ｍａｘから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｖｎ−ｂｃ＝Ｖｂｃ／Ｖ０−ｍａｘまで上昇し、
Ｖｎ−ｂｃ＞Ｖｎ−ａｂ，Ｖｎ−ａｂ＞０．９，及び（Ｖｎ−ｂｃ−Ｖｎ−ａｂ）＜０．１である。
【００３１】
このコプラナー電極板が統合されているプラズマディスプレイパネルでは、拡散領域の終端と、安定化領域内とで、誘電体の正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）をほぼ１近くであるように定義することによって、問題の電極素子が接続される電極のバスが、この点での電極素子のほぼ無限の幅の領域に相応するようになる。点火領域内、又は、拡散領域の開始時に、誘電体層の正規化表面電圧を、できる限り１近く、特に、ほぼ０．９５にすることは重要である。この値１から実質的に離れると、例えば、０．８に離れると、実際の点火電圧が上昇して、常に有害であり、つまり、もっと高価な電子コンポーネントが必要になる。従って、Ｖｎ−ａｂの下側限界及び電位差ΔＶｎ＝Ｖｎ−ｂｃ−Ｖｎ−ａｂの上側限界は、本発明のコプラナー電極板がプラズマディスプレイパネル内に組み込まれる場合、放電を点火するために、任意のセルの各電極素子間に印加される電位差が有害な程増大するのを制限するようにする必要がある。
【００３２】
有利には、前記電極の間への電位差の印加と同じ条件の下では、ｘ＝ｘｃｄである前記放電終了エッジと位置ｘ＝ｘｂｃとにより区切られた、前記素子を覆う誘電体層の表面領域における最大電位は、ｘ＝０である前記点火エッジと位置ｘ＝ｘａｂとにより区切られた、前記素子を覆う誘電体層の表面領域の最大電位よりも厳密に大きい。
【００３３】
この電極板が、プラズマディスプレイパネル内に統合されて、一定プラトー領域維持パルス列が２つの電極アレイ間に供給される場合、各放電領域で、各維持パルスでの、点火領域Ｚａ内に位置している誘電体層の表面の最大電位は、放電の点火前でも、安定化領域Ｚｃ内の誘電体層の表面の最大電位よりも厳密に低いことが分かる。
【００３４】
この要件により、放電の安定作動点は、放電が開始されたら点火領域ではあり得ず、放電が開始されると、放電は、必然的に、放電終了エッジに向かって、誘電体層の表面に沿って、拡散領域内に拡散する。
【００３５】
本発明は、本発明のコプラナー電極板を備えたプラズマディスプレイである。
【００３６】
また、本発明は、以下を有するプラズマディスプレイパネル内の放電領域を定義するためのコプラナー放電電極板であって：
−誘電体層でコーティングされていて、その方向がほぼ平行である、少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイであって、その際、第１アレイの各電極は、第２アレイの電極に隣接していて、当該第２アレイの電極と対であって、放電領域セットに給電するようにされており；
−各放電領域に、少なくとも２つの電極素子を有しており、各電極素子は、対称Ｏｘの共通の縦軸を有していて、各々対の電極に接続されている、
コプラナー放電電極板において、
各放電領域の各電極素子に、Ｏｘ軸上の点Ｏが、前記放電領域の他の電極素子に対向する前記電極素子の所謂点火エッジ上に配置されており、Ｏｘ軸は、前記放電エッジとは反対側の面上の前記素子の境界を決める所謂放電終了エッジの方に配向されており、
前記誘電体層の長手方向比容量Ｃ（ｘ）が前記誘電体層の直線状エレメンタリストリップの容量として定義され、前記ストリップは前記電極素子と前記誘電体層の表面との間に限定されており、Ｏｘ軸上のｘに位置し、前述した表面電位の上昇が達成されるように、前記Ｏｘ軸に沿って長さｄｘを有し、前記ストリップの境界を定める電極素子の幅に相当する幅を有し、誘電体層の前記長手方向比容量Ｃ（ｘ）は、減少する部分なしに、前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｃａｂから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｃｂｃまで連続的又は非連続的に増大する。
【００３７】
このようにして得られるものは、誘電体層の表面電位の分布が増大するコプラナー電極板である。
【００３８】
前記直線状のエレメンタリストリップの境界を決める電極素子の幅Ｗｅ（ｘ）又はＷａ（ｘ）は、例えば、前記素子が２つの横方向導電素子に細分割されている場合には、非連続である。この場合、各横方向導電素子の幅の和が得られる。
【００３９】
有利には、前記素子と前記誘電体層の表面との間にあり、ｘ＝ｘｃｄである前記放電終了エッジと位置ｘ＝ｘｂｃとにより区切られた誘電体層部分の容量は、前記素子と前記誘電体層の表面との間にあり、ｘ＝０である前記点火エッジと位置ｘ＝ｘｃｄとにより区切られた誘電体層部分の容量よりも厳密に大きい。
【００４０】
この電極板がプラズマディスプレイパネル内に統合されて、一定プラトー領域維持パルス列が２つの電極アレイ間に供給されると、各放電領域で、前記安定化領域Ｚｃに相応する誘電体層の全キャパシタンスは、前記点火領域Ｚａに相応する誘電体層の全キャパシタンスよりも大きい。
【００４１】
この要件により、放電の安定作動点は、放電が開始したら点火領域であることはできず、しかも、いったん放電が開始すると、放電は、必然的に、放電終了エッジの方に、誘電体層の表面に沿って、拡散領域内に拡散する。
【００４２】
有利には、ｘ＝ｘｂｃとｘ＝ｘｃｄとの間にある領域の誘電体層の長手方向比容量は、０＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意の別の点における誘電体層の長手方向比容量よりも大きい。
【００４３】
この電極板がプラズマディスプレイパネルに統合されていて、一定プラトー領域維持パルスが、電極の２つのアレイ間に供給されると、各放電領域で、安定化領域Ｚｃ内での誘電体層の長手方向比容量が、拡散領域Ｚｂ又は点火領域Ｚａ内での任意の他の位置ｘでの誘電体層の長手方向比容量よりも大きい。
【００４４】
有利には、高い発光効率の放電終了領域Ｚｃ内で、放電の最大エネルギ消散を達成することができる。
【００４５】
また、本発明は、本発明の比容量が増大するコプラナー電極板を備えたプラズマディスプレイパネルである。
【００４６】
本発明は、放電領域を限定するためのコプラナー電極板を備えており、該コプラナー電極板は、誘電体層で被覆された少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイを有しており、コプラナー電極アレイの全体的方向は平行であり、第１のアレイの各電極は第２のアレイの電極に隣接して対を形成し、一連の放電領域を提供することを意図しており、アドレス電極板を有しており、該アドレス電極は、前記放電領域のうちの１つにおいて前記コプラナー電極板の１つの電極対と交差するように向き付けられ位置決めされた、誘電体層で被覆されたアドレス電極のアレイを選択的に有しており、前記電極板はミクロンで表された距離Ｈｃにより隔てられており、前記電極板の間に前記放電領域が画定されており、
各放電領域に関して、共通の長手方向の対称軸Ｏｘを有する少なくとも２つの電極素子を有しており、該電極素子の各々が１対の電極に接続されている、プラズマディスプレイパネルにおいて、
各放電領域の各電極素子に関して、Ｏｘ軸上の点Ｏが、前記放電領域の他方の電極素子と向き合う前記電極素子のいわゆる点火エッジ上に位置しており、前記Ｏｘ軸はいわゆる放電終了エッジの方向を向いており、該放電終了エッジは前記Ｏｘ軸上のｘ＝ｘｃｄに位置し、前記放電エッジの反対側において前記素子の境界を定めており、
Ｅ１（ｘ）及びＰ１（ｘ）をそれぞれ長手方向の位置ｘにおける前記電極素子上方の誘電体層のミクロンで表された平均の厚さ及び平均比誘電率とし、Ｅ２（ｘ）及びＰ２（ｘ）を前記アドレス電極（Ｘ）上方の誘電体層の、又は、アドレス電極が存在しない場合にはアドレス電極板（２）のミクロンで表された平均の厚さ及び平均比誘電率とし、当該の厚さ及び誘電率の両方ともまた、アドレス電極板の表面上にあってＯｘ軸に平行であり、かつ前記コプラナー電極板の表面に対して垂直な面内にある軸上に位置する長手方向の位置ｘで測定されるとすると、
前記電極素子の形状、前記諸層の厚さ及び組成は、比Ｒ（Ｘ）＝１−［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（Ｘ）］／［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（ｘ）＋Ｈ（ｘ）＋Ｅ２（ｘ）／Ｐ２（Ｘ）］が、減少する部分なしに、前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｒａｂから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｒｂｃまで連続的又は非連続的に増加するように適合されている。
【００４７】
これは、本発明の第１の概略実施例である。
【００４８】
有利には、前記電極素子の幅Ｗｅ（ｘ）はｘ値の前記範囲内では一定である。
【００４９】
有利には、ｘａｂとｘｂｃとの間から選び出された、ｘ’−ｘ＝１０μｍとなるようないずれのｘ及びｘ’についても、Ｒ（ｘ’）−Ｒ（ｘ）＞０．００１である。
【００５０】
有利には、Ｒｂｃ＞Ｒａｂ、Ｒａｂ＞０．９、及び、（Ｒｂｃ−Ｒａｂ）＜０．１である。これらの要件により、点火に必要な電圧を限定することができる。
【００５１】
有利には、ｘｂｃ＜ｘ＜ｘｃｄであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値は、０＜ｘ＜ｘａｂであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値よりも厳密に大きい。
【００５２】
有利には、ｘｂｃ＜ｘ＜ｘｃｄであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値は、０＜ｘ＜ｘａｂであるような任意のｘに対するＲ（ｘ）の値よりも厳密に大きい。
【００５３】
本発明は、各放電領域の各電極に関して、前記誘電体層は前記電極素子の上方において少なくともｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意のｘに関して一定の誘電定数Ｐ１とミクロンで表された一定の厚さＥ１とを有しており、前記電極素子は以下の定義、すなわち、
−正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）は、無限幅の電極素子に関してＯｘ軸に沿って得られる最大電位Ｖ０−ｍａｘに対する当該電極素子のための誘電体層のレベルｘにおける表面電位の比として定義され、正規化表面電位Ｖｎｏｒｍ（ｘ）は前記区間の始点（ｘ＝ｘａｂ）における値Ｖｎ−ａｂ＝Ｖａｂ／Ｖ０−ｍａｘから前記区間の終点（ｘ＝ｘｂｃ）における値Ｖｎ−ｂｃ＝Ｖｂｃ／Ｖ０−ｍａｘまで上昇し；
−該素子の理想的な幅プロフィールは式：
【００５４】
【数１】
2005531110.tif 000003
により定義され、ここで、Ｗｅ−ａｂはｘ＝ｘａｂにおいてＯｘ軸に対して垂直に測定された前記素子の全幅であり；
−下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗ及び上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐは式：Ｗｅ−ｉｄ−ｌｏｗ＝０．８５Ｗｅ−ｉｄ−０及びＷｅ−ｉｄ−ｕｐ＝１．１５Ｗｅ−ｉｄ−０により定義され、ｘａｂ以上ｘｂｃ以下の任意のｘについて、ｘにおいてＯｘ軸に垂直に測定された前記素子の全幅Ｗｅ（ｘ）は、
Ｗｅ−ｉｄ−ｌｏｗ＜Ｗｅ（ｘ）＜Ｗｅ−ｉｄ−ｕｐであるようなものである、なる定義を有している。
【００５５】
これは、本発明の第２の概略実施例である。
【００５６】
電極素子の幅Ｗｅ（ｘ）は、例えば、前記素子が２つの横方向導電素子に細分割されている場合、非連続である。その際、各横方向導電素子の幅の和が得られる。
【００５７】
この低い制限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと、この高い制限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐとの間のどの電極素子プロフィールも、本発明の本質的な特有の要件による前記間隔の開始点（ｘ＝ｘａｂ）と終端点（ｘ＝ｘｂｃ）との間の電位の分布を連続的又は非連続的に上昇させることができるようになる。
【００５８】
また、本発明は、以下の要件の１つ以上を有している：
−前記幅Ｗｅ−ａｂは８０μｍよりも小さいか又は等しく；そして
−前記幅Ｗｅ−ａｂは５０μｍよりも小さいか又は等しく、
その際、有利には、そのような電極板がプラズマディスプレイパネルに組み込まれている場合、放電の開始時に消散されるエネルギの量を制限することができる。
【００５９】
有利には、前記電極素子は２つの側方導電素子に細分されており、これらの側方導電素子はＯｘ軸に関して対称であり、少なくともｘが［ｘａｂ，ｘｂ３］区間内に存在している領域においては離れており、ただし前記区間においてｘｂ３−ｘａｂ＞０．７（ｘｂｃ−ｘａｂ）である。
【００６０】
有利には、ｘｂ３＝ｘｂｃである。
【００６１】
有利には、Ｏｙが点火エッジに沿って延びているＯｘ軸に交差する軸であり、ｄｅ−ｐ（ｘ）が、ｘａｂとｘｂｃの間にある任意の位置ｘにおいてＯｙ軸に平行に測定された、前記２つの側方導電素子の互いに向き合った端部の間の距離であるとすると、ｘａｂとｘｂ２の間にある任意のｘの値に対してｄｅ−ｐ（ｘ）＞ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）であるようなｘ＝ｘｂ２がｘａｂとｘｂ３の間に存在する。従って、側方導電素子は、相互に次第に離れるように移動し、それから、相互にｘ＝ｘｂ２を越えるようになる。
【００６２】
本発明は、以下の各要件の１つ以上を有している：
−ｄｅ−ｐ（ｘ）は１００μｍと２００μｍの間にあり：
−ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂ２である領域において、所与のｘに対して、側方導電素子の側方端部間の中間距離の軌跡である各側方導電素子の中線を考察すると、ｘにおける該素子の中線への接線はＯｘ軸に対して６０°未満の角度をなし；
−前記角度が３０°と４５°との間にあり；この要件により、前記電極板がプラズマディスプレイパネル内に組み込まれる場合、拡散領域内で、陰極シースの移動と干渉するのが回避される。
【００６３】
また、本発明は、プラズマディスプレイパネル内で放電領域を定義するためのコプラナー放電電極板であり、以下の要件を含む：
−少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイを含み、コプラナー電極アレイは、誘電体層でコーティングされており、当該コプラナー電極アレイの方向は全体的に平行であり、その際、第１アレイの各電極は、第２アレイの電極に隣接しており、対になっており、
−各放電領域に関して、共通の長手方向の対称軸Ｏｘを有する少なくとも２つの電極素子を有しており、該電極素子の各々が１対の電極（Ｙ，Ｙ’）に接続されている形式のコプラナー放電電極板において、
−各放電領域の各電極素子に関して、Ｏｘ軸上の点Ｏが、前記放電領域の他方の電極素子と向き合う前記電極素子のいわゆる点火エッジ上に位置しており、前記Ｏｘはいわゆる放電終了エッジの方向を向いており、該放電終了エッジは前記Ｏｘ軸上のｘ＝ｘｃｄに位置し、前記放電エッジの反対側において前記素子の境界を定めており、
−前記電極素子は、２つの側方導電素子に細分されており、該側方導電素子は、Ｏｘ軸に関して対称であり、少なくともｘが間隔［ｘａｂ，ｘｂ３］内にある領域内で分離されており、
−Ｏｙが点火エッジに沿って延びているＯｘ軸に交差する軸であり、ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）が位置ｘａｂにおいてＯｙ軸に平行に測定された、前記２つの側方導電素子の互いに向き合った端部の間の距離であるとすると、前記電極素子が前記側方導電素子をつなぐ点火バーと呼ばれる横バーを有しており、前記点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さは、ｙ１とＯｘ軸のいずれかの側にあるｄｅ−ｐ（ｘａｂ）／２との間にある｜ｙ｜に対するこの長さの値ΔＬａよりも、０とＯｘ軸のいずれかの側にあるｙ１との間にある｜ｙ｜に対する値ΔＬａだけ大きい。
【００６４】
電極素子は、２つの側方導電素子間に位置付けられた、側方点火バーの中心に突出部を有している。有利には、Ｗｅ（ｘａｂ）＝Ｗｅ−ａｂならば、Ｗｅ−ａｂ≦Ｌａ≦８０μｍである。有利には、ΔＬａ＞０．２Ｌａである。有利には、Ｏｙ軸に沿って測定して、この突出部の幅Ｗａ−ｉ＝２ｙ１は、Ｗｅ−ａｂ＜Ｗａ−ｉ＜８０μｍであり、その際、Ｗｅ−ａｂ＝２Ｗｅ−ｐ０である。
【００６５】
また、本発明は、全ての電極素子のプロフィールが本発明のようであるコプラナー電極板が設けられたプラズマディスプレイパネルである。
【００６６】
また、本発明は、コプラナー電極板とアドレス電極板との間に放電領域を定義し、距離Ｈｃによって分離されているコプラナー電極板とアドレス電極板とを有しているプラズマディスプレイパネルであり、コプラナー電極板は以下を含む：
−誘電体層で被覆された少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイを有しており、前記コプラナー電極アレイの全体的方向は平行であり、第１のアレイの各電極は第２のアレイの電極に隣接して対を形成し、一連の放電領域を提供することを意図しており；
−各放電領域に関して、共通の長手方向の対称軸Ｏｘを有する少なくとも２つの電極素子を有しており、該電極素子の各々が１対の電極に接続されており、アドレス電極板は以下を含み：
−前記アドレス電極（Ｘ）は誘電体層で被覆されており、それぞれ前記放電領域のうちの１つにおいて前記コプラナー電極板の１つの電極対と交差するように向き付けられ位置決めされており、
−前記並列バリアリブはそれぞれ他の２つの隣接バリアリブからＷｃの距離において他の２つの隣接アドレス電極の間に配置されており、そして、各放電領域の各電極素子に関して、Ｏｘ軸上の点Ｏが、前記放電領域の他方の電極素子と向き合う前記電極素子のいわゆる点火エッジ上に位置しており、前記Ｏｘはいわゆる放電終了エッジの方向を向いており、該放電終了エッジは前記Ｏｘ軸上のｘ＝ｘｃｄに位置し、前記放電エッジの反対側において前記素子の境界を定めているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層は少なくともｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意のｘに対しては前記電極素子の上方において均一な組成と一定の厚さとを有しており、前記ディスプレイパネルの各放電領域に関して、ならびに該領域の各電極素子に関して、前記電極素子は一定の幅Ｗｅ−ｐ０の２つの側方導電素子に細分されており、これらの側方導電素子はＯｘ軸に関して対称であり、ｘが［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内に存在している領域においては分かれており、Ｏｙが点火エッジに沿って延びているＯｘ軸に交差する軸であり、ｄｅ−ｐ（ｘ）が、ｘａｂとｘｂｃの間にある任意の位置ｘにおいてＯｙ軸に平行に測定された、前記２つの側方導電素子の互いに向き合った端部の間の距離であるとすると、ｄｅ−ｐ（ｘ）は前記［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内のｘの関数として連続的又は非連続的に増加し、ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂ２である領域において、所与のｘに対して、側方導電素子の側方端部間の中間距離の軌跡である各側方導電素子の中線を考察すると、ｘにおける該素子の中線への接線はＯｘ軸に対して２０°と４０°の間の角度をなし、ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）≦３５０μｍである。
【００６７】
これは、本発明の第３の概略実施例である。
【００６８】
コプラナー電極板とアドレス電極板とを分離する比較的小さな距離により、一方の導電素子が他方の導電素子に及ぼす静電効果は十分に強く、本発明により、０．９よりも有利に大きいＶｎ−ａｂと、１に有利に近いＶｎ−ｂｃとの間の誘電体の表面での正規化電位の変化が、各側方導電素子の幅を維持しつつ、一定であるようにすることができる。
【００６９】
有利には、２００μｍ≦ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）≦３５０μｍであり、前記電極素子は前記側方導電素子をつなぐ点火バーと呼ばれる横バーを有しており、前記点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さは、ｙ１とＯｘ軸のいずれかの側にあるｄｅ−ｐ（ｘａｂ）／２との間にある｜ｙ｜に対するこの長さの値ΔＬａよりも、０とＯｘ軸のいずれかの側にあるｙ１との間にある｜ｙ｜に対する値ΔＬａだけ大きい。
【００７０】
この要件によると、従って、電極素子は、２つの側方導電素子間に位置付けられた、２つの側方点火バーの中心に、突出部を有している。その際、この突出部は、放電イニシエータとして機能し、拡散用のエネルギの付加的な消散を生じない。この目的のために、ΔＬａ＋Ｌａ＜８０μｍであるように、Ｏｙ軸に沿って測定して、突出部の幅Ｗａ−ｉ＝２ｙ１であるように（その際、Ｗｅ−ａｂ＝２Ｗｅ−ｐ０）、延長部ΔＬａを選択すると有利である。
【００７１】
有利には、  ＷａをＯｙ軸に沿って測った前記点火バーの幅とすると、
Ｌａ＜２Ｗｅ−ｐｏならば、ΔＬａ＞２Ｗｅ−ｐ０−Ｌａであり、
Ｌａ≧２Ｗｅ−ｐｏならば、ΔＬａ＞０．２Ｌａである。
【００７２】
そのようなプラズマディスプレイパネルでは、これらの幾何学的な特性により、放電開始時に陰極シースでのエネルギ消散が著しく増大しないように、点火電圧を低減することができるようになり、特に、拡散の瞬間での、このシースの移動は、側方に、突出部の領域の外側に、側方導電素子の各々でシフトされる必要がある。この突出部での側方点火バーの中心でメモリチャージが増大することは、陰極シースのエネルギに不所望なインパクトを与えない。
【００７３】
また、本発明は、コプラナー電極板とアドレス電極板との間の放電領域を定義して、距離Ｈｃによって分離されたコプラナー電極板とアドレス電極板とを有するプラズマディスプレイパネルであり、以下の要件を含み：
−誘電体層で被覆された少なくとも第１及び第２のコプラナー電極アレイを有しており、前記コプラナー電極アレイの全体的方向は平行であり、第１のアレイの各電極は第２のアレイの電極に隣接して対を形成し、一連の放電領域を提供することを意図しており；
−各放電領域に関して、共通の長手方向の対称軸Ｏｘを有する少なくとも２つの電極素子を有しており、該電極素子の各々が１対の電極に接続されており、アドレス電極板は以下を含み；
−アドレス電極のアレイと；
−並列バリアリブのアレイとを有しており、
前記アドレス電極のアレイは誘電体層で被覆されており、それぞれ前記放電領域のうちの１つにおいて前記コプラナー電極板の１つの電極対と交差するように向き付けられ位置決めされており；
前記並列バリアリブのアレイはそれぞれ２つの隣接アドレス電極の間に、他の２つの隣接バリアリブから距離Ｗｃのところに配置されており、及び、各放電領域の各電極素子に関して、Ｏｘ軸上の点Ｏが、前記放電領域の他方の電極素子と向き合う前記電極素子のいわゆる点火エッジ上に位置しており、前記Ｏｘはいわゆる放電終了エッジの方向を向いており、該放電終了エッジは前記Ｏｘ軸上のｘ＝ｘｃｄに位置し、前記放電エッジの反対側において前記素子の境界を定めているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層は少なくともｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃであるような任意のｘに対しては前記電極素子の上方において均一な組成と一定の厚さとを有しており、前記ディスプレイパネルの各放電領域に関して、ならびに該領域の各電極素子に関して、前記電極素子は一定の幅Ｗｅ−ｐ０の２つの側方導電素子に細分されており、これらの側方導電素子はＯｘ軸に関して対称であり、ｘが［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内に存在している領域においては分かれており、
前記電極素子は、
−点火バーと呼ばれる横バーと；
−放電安定化バーと呼ばれる横バーと；
−少なくとも１つの中間横バーとを有しており、
前記点火バーの幅はＷｃより大きいか又は等しく、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さはＬａであり、前記点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、
前記放電安定化バーの幅はＷｃより大きいか又は等しく、Ｏｘ軸に沿って測った前記点火バーの長さはＬｓであり、前記点火バーの一方の端部は前記放電終了エッジに相当し、
前記中間横バーの幅はＷｃより大きいか又は等しく、Ｏｘ軸に沿った前記点火バーの位置は全長Ｌｂにわたって完全に［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間内にあり；及び、Ｌｂ≦Ｌａ＜Ｌｃである。
【００７４】
これは、発明の第４の概略実施例である。
【００７５】
Ｌｓ＞Ｌａなので、放電終了領域内に位置している誘電体層のキャパシタンスは、点火領域と放電終了領域との間の正の電位差を形成するために、放電点火領域内に位置してる誘電体層の比容量よりも大きい。
【００７６】
有利には、前記中間横バーの一方の端部は前記放電安定化バーからｄ１の距離にあり、他方の端部は前記点火バーからｄ２の距離にあり、ｄ２／２＜ｄ１＜ｄ２である。
【００７７】
有利には、３×ｍａｘ（Ｌａ，Ｌｂ）＜Ｌｓ＞５×ｍａｘ（Ｌａ，Ｌｂ）である。
【００７８】
本発明のプラズマディスプレイパネルの一方又は他方の既述の要件は別にして、このディスプレイパネルは、アドレス電極板を有しており、当該アドレス電極板はコプラナー電極板と共に放電領域を画定しており、各放電領域に関して、ならびに各電極素子に関して、Ｗｅ−ａｂをＯｘ軸に沿ってｘ＝ｘａｂにおいて測られた、前記［ｘａｂ，ｘｂｃ］区間の始点における前記電極素子の幅とすると、前記電極素子は好適には点火バーと呼ばれる横バーを有しており、該点火バーの一方の端部は前記点火エッジに相当し、Ｏｘ軸に沿って測った該点火バーの長さは、Ｗｅ−ａｂ≦Ｌａ＜８０μｍとなるようなものである。厳密に言うと、点火領域の終了後、位置ｘ＝ｘａｂは、拡散領域の開始に相応するので、Ｌａ＜ｘａｂである。
【００７９】
有利には、この要件により、点火領域内の誘電体層上の表面電位を、拡散領域の開始時での表面電位に等しいように維持することができる。
【００８０】
有利には、このディスプレイパネルは、前記電極板の間に互いからＷｃの距離で前記コプラナー電極板の全体的方向に対して垂直に配置された並列バリアリブのアレイを有しており、Ｏｙを点火エッジに沿って延びるＯｘ軸に交差する軸とし、ＷａをＯｙ軸に沿って測った前記点火横バーの幅とすると、Ｗｃ−６０μｍ＜Ｗａ≦Ｗｃ−１００μｍである。
【００８１】
有利には、前記電極板の間に互いからＷｃの距離で前記コプラナー電極板の全体的方向に対して垂直に配置された並列バリアリブのアレイを有しており、Ｏｙを点火エッジに沿って延びるＯｘ軸に交差する軸とし、ＷａをＯｙ軸に沿って測った前記点火横バーの幅とし、Ｗａ−ｍｉｎを超えると前記バリアリブが前記素子上方の誘電体層の表面電位の実質的な低下を生じさせるものとすると、前記点火横バーは、
｜ｙ｜≦Ｗａ−ｍｉｎ／２なる任意の点において、Ｏｘ軸に沿って測った前記放電領域の２つの電極素子の点火エッジの間の距離が一定かつｇｃに等しいような中央領域Ｚａ−ｃと；
｜ｙ｜＞Ｗａ−ｍｉｎ／２なる任意の点において、Ｏｘ軸に沿って測った前記放電領域の２つの電極素子の点火エッジの間の距離が値ｇｃから連続的に減少するような、中央領域Ｚａ−ｃの両側にある２つの側方領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２とを有している。
【００８２】
バリアリブに近い側方領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２内の２つの電極素子を分離するギャップを低減することによって、パッシェン条件を局所的に適合することによって、この領域内の電界を増大し、且つ、壁（ウォール）効果の結果生じる１次粒子の低減を補償することができる。従って、一定点火領域エリアのために、点火電位の低減が達成され、又は、一定点火電位のために、点火領域エリアの低減が達成される。
【００８３】
有利には、種々異なる対のコプラナー電極板の間に、各々一定のプラトーを有する維持電圧パルスと呼ばれる一連の電圧パルスの様々な対を発生させるのに適した供給手段を有している。
【００８４】
有利には、本発明により、この通常の、高価でないタイプの維持パルス発生器を用いて、プラズマディスプレイパネルの発光効率及び寿命を著しく長くすることができる。
【００８５】
４／図面の簡単な説明
本発明について、以下、図示の実施例を用いて詳細に説明する。但し、この実施例は、従来技術と比較するために提示するものであって、本発明を限定するものではない。その際：
図１Ａ及び１Ｂは、従来技術のセルの第１の構造を、各々平面及び断面で見た図を示し；
図２Ａは、図１Ａ及び１Ｂに示されたタイプのセルでの、時間Ｔ１及び時間Ｔ２での放電状態の図を示し、図２Ｂは、時間Ｔの関数としての放電電流の変化を示す図であり；
図３Ａは、従来技術のセルの第２の構造の平面図であり、図３Ｂは、この構造での、時間Ｔの関数として、放電電流の変化を示す図であり；
図４Ａは、従来技術のセルの第３の構造の平面図であり、図４Ｂは、この構造での、時間Ｔの関数として、放電電流の変化を示す図であり；
図５は、図１〜４の従来技術の構造の電極素子に沿った誘電層の表面電位の分布を示す図；
図６は、コプラナー電極板を有するプラズマディスプレイパネルのセル斜視略図；
図７は、後続図面に記載されている本発明の構造の電極素子に沿った誘電層の、本発明による表面電位の分布を示す図；
図８は、誘電層の厚みが変化する構造に基づく本発明の第１の実施例の略図；
図９は、プラズマディスプレイパネルのセル内の電極素子の幅の関数として、誘電層の正規化表面電位の変化を任意単位で示す図；
図１０Ａ〜１０Ｄ及び１１Ａ〜１１Ｄは、電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
図１２は、点火領域内の電極素子の幅の関数として、放電を点火するためのセルの各電極素子間に印加される正規化点火電位の変化を示し；
図１３及び１４は、本発明の電極素子の点火エッジの可能な２つの構成を示し；
図１５Ａ、１５Ｂは、図１３又は図１４に示された点火エッジで供給される、図１０Ｃによる構造の変化を示す図；
図１６及び１８Ａ〜１８Ｇは、電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
図１７は、２つの側方導電素子間の間隙の関数として、図１６のセルの中心での誘電層の表面電位の変化を示す図；
図１９は、電極素子が、一定幅を有する２つの側方導電素子に分割されている構造に基づく本発明の第３の変形実施例の略図；
図２０Ａは、２つの横バーを有するセル構造を示す図；
図２０Ｂは、本発明の第３の概略実施例を示す３つの横バーを有する従来技術のセル構造を示す図；
図２１は、図２０Ａ及び２０Ｂの構造の電極素子に沿った誘電層の表面電位の分布を示す図
である。
【００８６】
５／有利な実施例の詳細な説明
説明を簡単にするため、及び、本発明が従来技術に勝る差異及び利点を示すために、同じ機能を果たす要素には同一の参照番号を付けた。
【００８７】
コプラナー放電電極板がプラズマディスプレイパネルに使われると、一方は陰極として使われ、他方は陽極として使われる一対の各電極間に生じるプラズマ放電は、点火期間と拡散期間とを含む。図２Ａは、図１Ａに記載したような、コプラナー放電領域を有するタイプのセルの長手方向断面略図を示し、図２Ｂは、持続放電中このセルのコプラナー電極間の電流の変化を示す。
【００８８】
放電の点火電圧は、明らかに、特に、陰極が陽極だった以前の放電中、及び、陽極が陰極だった以前の放電中、点火領域近くの陽極及び陰極に予め蓄積された電荷に依存する。従って、放電前、正の電荷が陽極に蓄積され、負の電荷が陰極に蓄積され、このような蓄積された電荷により、所謂メモリボルテージと呼ばれるものが形成される。点火電圧は、各電極間に印加される電圧、又は、維持電圧、プラスメモリボルテージに相応する。
【００８９】
点火の瞬間に、各電極間の放電ガス中の電子なだれ（アバランシェ）により、陰極の周囲に集中した正の空間電荷が生じて、所謂陰極シースを形成する。放電の陰極シースと陽極端との間に位置している仮想陽光柱（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｐｓｅｕｄｏ−ｃｏｌｕｍｎ）と呼ばれるプラズマ領域により、正及び負の電荷が同一比で持続する。従って、この領域は、電流を導電し、その際、電界は低い。従って、仮想陽光柱領域は、低い電子エネルギ分布を有しており、その結果、紫外線フォトンの形成に有利であり、その際、放電ガスの励起を促進する。
【００９０】
従って、陽極と陰極との間のガス内の電界の大部分は、陰極シース内の場に相応している。陽極と陰極との間のフィールド線に沿って、電位降下の大部分は、陰極シース領域に相応する。陰極シースの強フィールド内で加速されるイオンの、誘電層をコーティングする酸化マグネシウムベース層への衝突により、陰極近くで２次電子が十分に放出される。それから、この強電子倍増の効果により、各電極間の導電プラズマ濃度が、イオンも電子も著しく増大し、それにより、陰極シースが陰極の近傍で収縮し、このシースが、プラズマの正電荷が、陰極をカバーする誘電体表面部分上に堆積される点に位置付けられるようになる。陽極側には、前側から、正の「メモリ」電荷の層が予め蓄積されている後ろ側に徐々に中性化するために、イオンよりも遙かに移動するプラズマの電子が、陽極をカバーする誘電体表面部分上に堆積される。この、蓄積されている正の電荷が全て中性化されると、陽極と陰極間の電位が減少し始め、陰極シース内の電界は、シースの最大収縮に相応している最大値に達し、つまり、各電極間の電流は、最大である。このシースの収縮は、陰極シースと酸化マグネシウムの表面との間の加速電界内で消散させられるイオンのエネルギがかなり増大することにより生じ、この結果、酸化マグネシウム表面がイオンスパッタリングによってかなり劣化する。図２Ｂを参照すると、最大初期電流Ｉ１の初期時間Ｔ１で、従って、放電時に堆積された最大エネルギの初期時間Ｔ１で、仮想陽光柱領域は小さく、従って、放電のエネルギ効率が低い。
【００９１】
放電の形成前、陰極をカバーする誘電体層の表面で対称縦軸Ｏｘに沿った電位分布は均一である（図５の曲線Ａを用いてかなり詳細に後述する）。従って、この放電の開始前、電位は、放電拡散軸Ｏｘに沿って一定であり、従って、陰極シースを移動するための横電界はない。従って、放電から生じる正の電荷は堆積され、従って、シースはなんら移動せずに、徐々に点火領域Ｚａに増強される。従って、点火領域Ｚａは、この放電の陰極シースが移動されない場合の持続期間中、放電の開始時のイオン蓄積の領域に相応する。その際、イオン衝突は、酸化マグネシウム層の小さな領域内に集中され、前述の層の強い局所スパッタリングを生じる。陰極シースの下側に位置している誘電体表面部分上に蓄積される正の電荷の作用下で、「横」場が、一方では、全て堆積された、これらの正の電荷と、他方では、例えば、先行放電中に陰極上に予め堆積された負の電荷及びこの陰極に加わる電位との間に生成される。このシース近くの陰極上に蓄積された正の電荷の濃度の限界値に相応する横方向場の限界値を超過すると、この横方向場により、イオン電荷が、陰極をカバーする誘電体表面上に蓄積されるにつれて、移動すべき陰極シースが更に一層点火領域から離れるように移動される。拡散すべきプラズマ放電を生じるのは、この移動である。陰極シースは、プラズマのイオンが堆積される点、拡散領域の境界に位置付けられる。放電中、各セル内の電極素子の整列後、陰極シースが移動する。従って、拡散領域Ｚｂは、放電の陰極シースの移動によって掃引される領域に相応する。
【００９２】
点火エッジとは反対側に、各電極素子は、放電終了エッジを有する。陰極シースの移動の終端で、放電は、一般に消えない。その理由は、この移動の終端で、誘電体層の表面電位は、陽極をカバーする誘電体層の表面電位に較べて、依然として、この放電を維持するのに十分な高さの電位差を有しているからである。つまり、陰極をカバーする誘電体層上の全面的な堆積は、この陰極に加わる電位を十分に補償しないので、その際、陰極の移動なしに放電が持続する（安定化領域又は放電終了領域Ｚｃと呼ばれるものに相応する）。厳密に言うと、この「放電終了領域」は、放電開始前に、この領域内の誘電体層の表面電位が、拡散及び点火領域内の誘電体層の残部の電位よりも大きい場合に限って、「安定化領域」となる。放電開始前に、この領域内の誘電体層の表面電位が、拡散及び点火領域内の誘電体層の残部の電位よりも大きくない場合、放電終了領域は、拡散領域の終端のみであり、厳密に言うと、安定化領域ではない。
【００９３】
時間Ｔ＝０で放電が開始すると、この時間Ｔ１は、点火終止時間又は拡散開始時間として定義され、時間Ｔ２は、拡散終止時間又は安定化開始時間として定義される。図２Ｂを参照すると、誘電体層の表面上のプラズマの、時間Ｔ１〜時間Ｔ２での拡散により、放電の仮想陽光柱領域を拡散することができ、従って、セル内のガスを励起するために消散される、この放電の電気エネルギ部分を増大することができ、従って、放電時の紫外線フォトンの生成効率を改善することができる。放電を拡散することにより、比較的大きなエリアに亘って酸化マグネシウム層のイオン衝突スパッタリングを分布することができ、局所劣化を低減することができ、それにより、前記層の寿命を増大することができ、その結果、プラズマディスプレイスクリーンの寿命を増大することができる。図２Ａ、２Ｂに示されている構造の場合、時間Ｔ２で消散するエネルギ量は（この時点で、電流Ｉ２に相応している）小さいままである。従って、放電中消散するエネルギ全体のうち、少ない部分しか、高い紫外線フォトン生成効率を有し、且つ、低い酸化マグネシウム層スパッタリングレートを有するために、この放電が十分に拡散される時間中消散されない。発光効率を改善し、従って、寿命を改善する１手段は、放電開始中消散されるエネルギ分布を反転すること、又は、最小値のＩ１／Ｉ２比を有するようにすることにある。特に、最大エネルギは、最小値のＩ１／Ｉ２比がその最適拡散点である場合、つまり、放電が拡散領域Ｚｂを離れ、安定化領域Ｚｃに入る時間Ｔ２である場合、放電時に消散されるべきである。
【００９４】
陰極をカバーする誘電体層の表面に亘る放電を拡散するための横方向場の形成レートは、拡散領域内の何れかの点でのような点火領域内の陰極シースの下側に位置している誘電体層の局所キャパシタンスに依存している。この局所キャパシタンスが高くなればなる程、堆積される電荷量が増大し、横方向シースの移動場を増大するのに必要な時間が長くなる。この局所キャパシタンスにより、放電によって観測される表面電位が決まる。局所キャパシタンスが均一である場合、横電界は生じず、この横電界の形成は、完全に、以前の放電から生じる誘電体層の表面上に予め蓄積された電荷と、電流放電によって堆積された電荷とによって形成される電位差に依存している。つまり、横方向場、従って、放電の拡がりは、電気エネルギの十分な量が、誘電体層の表面が完全に局所的に蓄電されるために注入される場合に限って形成され得る。
【００９５】
しかも、既述のように、放電が拡散領域Ｚｂを離れて、安定化領域Ｚｃに入る時点Ｔ２で、放電中の最大エネルギを消散する必要がある。従って、このために、安定化領域Ｚｃ内の誘電体層のキャパシタンスを、放電領域の他のどの部分の誘電体層のキャパシタンスよりも大きくする必要がある。
【００９６】
従来技術の図１Ａ、１Ｂの構造を有するセルの場合、放電領域Ｚｂは、セルの全１／２長の均一幅を有する電極素子に沿って拡散しており、その結果、この電極素子と陰極シースとの間に位置している誘電体層部分１３の局所キャパシタンスは、点火領域内及び拡散領域内のどの点でも一定値を有しており、その拡散期間中、陰極シースのどの部分でも、即ち、放電のどの状態でも一定値を有している。電極素子をカバーする誘電体層１３の所定の構成誘電体材料でも、この局所キャパシタンスは、電極素子が全放電領域に相応するので、常に最大である。放電領域の電極素子をカバーする誘電体層の表面での電位の分布は、図５の曲線Ａによって示されており、時間Ｔに直ぐ先行して放電が開始して、図１−ＡのＯｘ軸上で測定して、点火エッジから距離ｘの関数として形成され、これは、ここでは、問題のセルの電極素子の対称縦軸である。この分布は、Ｋｉｎｅｍａ  Ｓｏｆｔｗａｒｅ社のＳＩＰＤＰ２Ｄバージョン３．０４と呼ばれる２Ｄモデリングソフトウェアを使用して得られる。誘電体層の局所キャパシタンスは、この層の表面上のどの点でも一定であるので、この表面電位は、電極素子の全長に亘って均一且つ一定であり、点火期間後、誘電体層の表面に亘る放電の移動にとって有利な横電界は生じないということが分かる。その際、図２Ｂに示されている放電電流は、上述の特性を有しており、その際、電気エネルギの大部分は、横放電拡がり場が、シースの移動を生じるのに十分に形成される前に消散され、電気エネルギの小さな部分が、移動中、及び、シースの移動の終わりで消散され、放電は、最大発光効率に達する。その際、Ｉ１／Ｉ２比は高い。
【００９７】
図３Ａに記載されているセルの構造では、各電極素子Ｙ又はＹ’は、Ｏｘ軸に対して垂直方向に、放電陰極シースの移動の平均方向に沿った、即ち、Ｏｘ軸に沿った移動の際に均一ではない幅を有している。コプラナー電極の要素をカバーする誘電体層の長手方向比容量は、長さスライスに相応するＯｘ軸上のｘに位置している非常に短い距離ｄｘに亘って延びている、この層の領域のキャパシタンスとなり、Ｏｘ軸上の同じｘ位置の電極素子の幅に相応する幅Ｗｅ（ｘ）に亘って延びている。この場合には、図３Ａに示されている電極素子をカバーする誘電体層の長手方向比容量は、電極素子が第１の横バー３１からなる点火領域Ｚａ内で高く、その際、電極素子が中央脚部３２からなる拡散領域Ｚｂ内で低く、最後に、電極素子が、第２の横バー３３によって形成されている放電終了領域Ｚｃ内で再度高い。この放電の時間Ｔの関数としての放電電流Ｉの変化は、図３Ａのセル構造の場合の図３Ｂに示されている。電極素子Ｙをカバーする誘電体層の表面上の電位Ｖの分布は、放電の開始に先行する時間で、図５に点線によって示されため曲線Ｃとして示されている。この分布は、拡散領域内に「凹部」を有しており、この凹部は、点火領域と安定化領域との間に電位障壁を形成する。放電は、点火領域Ｚａをカバーする誘電体表面上で開始される。２つの横バー３１，３３間の脚部３２によって形成されている拡散領域は、どのｘ位置でも低い長手方向比容量を有しているので、この脚部をカバーする誘電体層の表面電位は、この脚部３２の幅が、セル内の点火領域内の横バー３１の長さよりも厳密に短いか、又は、長いかどうかに依存して、点火領域の横バー３１をカバーする誘電体層の表面電位よりも低いか、又は、等しい。従って、点火領域Ｚａと拡散領域Ｚｂとの間の遷移区間に、脚部３２をカバーする誘電体表面に沿った放電拡散方向Ｏｘから離れる横方向場か、又は、ゼロ横方向場がある。従って、この構造では、横方向場により、電位差が堆積された負電荷の蓄積によって、それから正電荷の蓄積によって形成される場合に限って放電が拡げられる。そのような電荷の堆積は、点火領域内での放電の電気エネルギの大部分を消散することによってしか得ることができず、その結果、電流Ｉ１は高いままである。逆に、電極素子の縦キャパシタンスは、拡散領域Ｚｂの脚部３２の領域内で低く、この領域内の電荷の堆積は急速であり、従って、シースを移動するの必要な横方向場は、この領域内のどの点でも急速に生成され、それにより、第２の横バー又はバス３３までの脚部３２に沿った陰極シースの急速な移動が促進される。
【００９８】
脚部３２の幅が狭くなればなる程、長手方向比容量は低くなり、陰極シースの移動率は一層急速となる。脚部３２の幅が（点火領域Ｚａを形成する）セル内の横バー３１の長さよりも長い場合、放電の特性は、図１Ａの構造の場合に説明したのと同様である（ゼロ横方向場）。ここで関心があるのは、脚部３２の幅が点火領域Ｚａの長さよりも狭いか、又は、等しい場合に限ってである。しかも、各放電の開始前に、電位障壁を示す、図５に曲線Ｃによって示された電位分布の同じタイプが、陽極に生じる。脚部３２によって形成される逆電位差により、陽極での電子の拡がりが妨げられる。この理由は、放電の開始時に、電子は、もはや、図１の構造でのように、全陽極に亘って直ぐに拡がらず、電位障壁の上流側に位置している陽極用の部分に亘ってのみ、即ち、第１の横バーに位置している部分に亘ってのみ拡がり、陽極上に蓄積された電荷により、電位障壁が越えられると直ぐに、電子は、急速に陽極の残り部分に亘って拡散し、陽極上に位置している誘電体層の表面と、シースの位置で、陰極上に位置している誘電体層の表面との電位差は急速に低減する。陽極と陰極との間に整列している場に沿って、陰極シース領域に相応する電位降下の大部分は、電荷が陽極上に堆積されるに連れて、このシース内の電界を急速に減少するので、それにより、このシースが拡散され、イオンが酸化マグネシウム層に衝突するエネルギが低減し、この層上での電荷の生成速度が低下する。この拡散の効果により、陰極シースの移動速度はしだいに低減し、第２の横バーに達する前に、放電は消散される。拡散領域のエッジ部で、第２の横バー３３に達するために、各電極間に印加される電位は、脚部３２での電極素子の低い縦キャパシタンスを補償し、陽極上での電子の急速な堆積によって生じる陰極シース内の電界の急速な低減を補償するように増大する必要がある。放電終了領域Ｚｃを形成する第２の横バー３３が、特定の高い縦キャパシタンスを有しているので、延長された放電は、第２の横バー３３をカバーする誘電体表面上の電荷の体積が、各電極間に印加される電位を完全に補償するまで、このバー上で移動しない。従って、拡散期間の終わりで消散される放電の電気エネルギ部分が増大し、電流Ｉ２の強度が増大する。
【００９９】
図３Ｂに示されているように、それから、Ｉ１／Ｉ２比が、Ｉ２での増大により低減する。しかし、放電の電気エネルギの大部分は、誘電体表面上に電荷を堆積するため、横方向場を十分に高く形成して第１のバー３１から第２の横バー３３に至るまで陰極シースを通過させるため、従って、脚部３２によって形成された電位障壁を克服するために、点火領域内で失われたままである。
【０１００】
図４Ａには、図３Ａに記載された構造と同様の構造が示されている。２つの同じバーを結合するＯｘ軸上に中心がある単一の脚部の代わりに、セルの境界の方にシフトされて、この実施例では、バリアリブ１５の上部上に位置付けられた２つの脚部４２ａ，４２ｂが設けられている。これら２つの横バーとこれら２つの脚部とからなる電極素子をカバーする誘電体層の表面で、放電が開始する前の電位分布は、前述の同じＳＩＰＤＰ−２Ｄソフトウェアを使って得られる。この分布は、図５に曲線Ｂ１として示されている。Ｏｘ軸は、全体的に陰極シース移動領域の対称軸に相応する。この電位分布は、この実施例では、２つの横バー間の放電領域の中心に脚部がないことに起因する、２つの横バー間の高い電位障壁を生じる。それにも拘わらず、２つのバー間の電位降下は、セルの壁に沿って位置している脚部４２ａ，４２ｂがあることによって制限される。放電によって生成される電流Ｉの強度が、図４Ｂに時間Ｔの関数として示されている。
【０１０１】
前述のように、第１の横バー（点火領域Ｚａ）をカバーする誘電体層の表面上で放電が開始し、それから、中央脚部がないことに起因する電位障壁にぶつかる。電子は、陽極を越えて拡散することはできないので、放電は急速に消滅する。ここでの横電界は、導電素子の前面から後ろ側に向かう放電拡散方向から離れる。この横方向場を反転するために、電位障壁を補償するように、第１の横バー上に十分な量の電荷が堆積する必要がある。従って、同じモデリングソフトウェアが再度、放電中、放電が拡散開始する寸前の電位分布を得るために使われ、図５に曲線Ｂ２として知られている電位分布により、この場合、点火領域Ｚａを形成する横バーから、放電終了領域Ｚｃを定義する第２の横バー（このバー上に第２の陰極シースが形成される）に直接通るように放電が移動開始する。このように、第１の横バーから第２の横バーに通るようにすることは、何らエネルギロスなしに達成され、それにより、実質的な放電拡がりを達成することができる。しかし、電位障壁を急速に変化させて、第２の横バー上に第２の陰極シースを形成して維持することができるように、電極に印加される電位を著しく増大する必要がある。従って、放電の第１の部分は、第１の横バー上の陰極シースの実質的な短縮、イオン衝突による酸化マグネシウム表面の実質的なスパッタリング、及び、第２の放電の電流Ｉ２よりも高い電流Ｉ１の結果、通常作動電圧よりも遙かにずっと高い電圧で生じる。このタイプの放電のＩ１／Ｉ２比は、拡散領域の終端を構成する横バー上での第２の放電を形成するように再度改善される。
【０１０２】
従って、プラズマディスプレイパネルの発光効率及び寿命は、高放電効率期間中、エネルギの大部分を消散するように、例えば、Ｉ１／Ｉ２比が最小であるように、放電中消散されるエネルギの分布を反転することによって改善される。事後に極めて詳細に説明するように、本発明の目的は、放電を迅速に引き伸ばすのに十分な高さのレベルで陰極シースを移動し、他方、電気エネルギの最小量を消散するために、横電界を維持且つ制御すること、その際、いったん引き伸ばされると、放電を安定化すること、従って、電気エネルギの最大量を消散することにある。
【０１０３】
図６には、電極間分離又はギャップ５のどちらかに基づく対称電極素子対４，４’を維持するコプラナー電極板１、及び、必ずしも、そうする必要はないが、電極４，４’に対してほぼ垂直方向のアドレス電極Ｘを支持するアドレス電極板２によって、その大きな各面積間に境を接していて、誘電体層７でコーティングされている矩形形状の放電領域３が略示されている。ギャップから離れた電極素子の終端は、電極素子に電圧を給電するのに使われる導電バスＹｃ（図示してない）に電気的に接続されている。
【０１０４】
放電領域３は、電極板によってのみ境界付けられているのではなく、電極板（図示していない）に対して垂直方向に位置しているバリアリブによっても境界付けられており、そのようにして、放電セルを形成している。
【０１０５】
Ｌｃ，Ｗｃ及びＨｃを各々放電セルの長さ、幅、厚みとする。各電極素子４，４’は、セルの最大寸法、即ち、その長さＬｃに沿って延びている。Ｌｅを、電極素子の点火端と、電極素子の放電終了エッジとの間の、この寸法に沿った各電極素子の長さとする。Ｅ１を、各電極素子４，４’上の誘電体層の厚み、Ｐ１を、各電極素子４，４’上の誘電体層の相対誘電率とする。Ｅ２を、アドレス電極Ｘ上の、又は、アドレス電極がない場合には電極板２上の誘電体層の厚み、Ｐ２を、アドレス電極Ｘ上の、又は、アドレス電極がない場合には電極板２上の誘電体層の相対誘電率とする。従って、距離Ｈｃは、２つの電極板１及び２の間のギャップの厚みに相応する。図に示されている電極素子４，４’は、従来技術のように、Ｔの形状である。
【０１０６】
Ｏが、点火エッジでのセルの中心に相応すると、Ｏｘは、放電終了エッジの方向に延びているセルの対称の長手方向面内のコプラナー電極板の表面に位置している軸であり、Ｏｙは、コプラナー電極板の表面に位置している軸であり、一般的には、Ｏｘ軸に対して横方向であり、セルの側壁の方向に点火エッジに沿って延びており、Ｏｚは、プラズマディスプレイパネルの対向電極板の方向に延びているコプラナー電極板の表面に対して垂直な軸である。
【０１０７】
本発明は、各放電の開始前に、点火領域から、放電終了又は安定化領域まで、点火領域内で消散されるエネルギ最小量と、高効率の放電終了領域Ｚｃ内で消散されるエネルギ最大量で急速に放電が拡がるような、拡散領域内の任意点での正又はゼロの横電界を形成するように、各セルのコプラナー電極素子をカバーする誘電体層の特定の長手方向キャパシタンスを主として調整することを提案するものであり、その際、通常の維持パルス発生器を使って、各パルスが、印加電位が明らかに上昇しない一定電圧プラトー領域を有する通常の維持電圧パルスが、種々の対の電極間に給電される。
【０１０８】
拡散領域Ｚｂ内の放電の急速な拡散を達成するために、誘電体層の表面上で、各放電開始前に、点火領域Ｚａの軸Ｚａｂに相応する拡散領域Ｚｂの開始から、安定化領域Ｚｃの開始に相応する拡散領域の終端Ｘｂｃまで連続して、又は、非連続して、増大する電位を形成することが提案されている。
【０１０９】
本発明によると、増大のこの間隔を越えると、負の電位勾配の点はなく、この電位勾配は、点火エッジとは反対側での、この放電の移動方向内の、放電陰極シースの移動領域の対称軸Ｏｘに沿って測定される。この電位勾配に相応して、電界が形成される。本発明によると、この電位の上昇は、以下、図７の曲線Ｃを用いて説明するように、連続的であり、又は、拡散領域の開始と終止との間の少なくとも１つ、有利には２つの電位プラトー領域のある電位の急速な変化によって、非連続的である。
【０１１０】
図７に点線で示された曲線Ｃにより、拡散領域Ｚｃに相応する電極板１の全誘電体表面に亘って厳密に正であるような場に相応して電位が連続的に増大する例が得られる。この例については、図８を用いて後で更に説明する。ΔＶを、拡散領域の開始Ｘａｂと終止Ｘｂｃとの間の誘電体層の表面の電位差とすると、前述の差は、この間隔に亘って、この間隔の任意の点で、誘電体層の表面下の電極素子４の任意の点で同じ電位を印加するために、点火エッジとは反対側に位置付けられている拡散領域の終端Ｘｂｃの方に向かうＯｘ方向に沿って配向された正の電界を形成するように、本発明のように分布されている。
【０１１１】
各放電開始前に、電極素子に印加される電位を変更せずに、拡散領域Ｚｂの開始から終止まで連続的又は非連続的に増大する電位を得るために、拡散領域内の電極素子をカバーする誘電体層の長手方向比容量が、この場を得るのに適切なやり方で変えられる。この理由は、局所キャパシタンスにより、放電によって形成される誘電体層の表面電位が決定されるからである。
【０１１２】
従って、放電拡散軸Ｏｘに沿って、このように増大する電位、又は、このような正の電界を形成すると、拡散領域Ｚｂの開始ｘ＝ｘａｂから終端ｘ＝ｘｂｃに向かって増大する電極素子をカバーする誘電体層の長手方向比容量が形成される。各電極素子４に、点火領域Ｚａの終端ｘａｂ及び拡散領域Ｚａの開始は、長手方向比容量が増大し始める、この要素上の位置ｘに相応する。各電極素子４で、拡散領域Ｚｂの終端ｘｂｃと、安定又は放電終了領域Ｚｃは、最も高い長手方向比容量に達する、この要素上の位置ｘに相応する。
【０１１３】
各電極素子で、安定化領域の端部のエッジが定義され、位置ｘ＝ｘｃｄに相応し、このエッジは、ｘ＝０に位置付けられた点火エッジと反対側の面上である。図６に示されているように、各セルで、Ｌｅ＝ｘｃｄ及びＬｍａｘは、このセルの２つの電極素子４，４’の安定化領域の終端のエッジを分離する距離である。
【０１１４】
有利には、点火領域ｘａｂの終端は、Ｌｅ／３よりも小さく、放電終了の開始は、Ｌｅ／２よりも大きい。更に、拡散領域の長さ（ｘｂｃ−ｘａｂ）は、電極素子の全長Ｌｅの１／４以上、有利には、この長さの１／２以上を示す。
【０１１５】
本発明は、以下の特徴の１つ又は複数を有している：
−ΔＶは、Ｏｘ軸に沿った誘電体層の表面の最も高い電位Ｖｍａｘの１０％以下であり、電位差ΔＶの上側限界の関数は、放電点火電位での有害な上昇を、同一構造であるが、従来技術の一定の長手方向比容量を有するセルでの放電を得るために印加する必要がある電圧の２０％以下に制限することができる。有利には、Ｏｘ軸に沿った誘電体層の表面の最も高い電位の約５％に相応するΔＶ値が選ばれる；
−この電位差ΔＶから得られる電界は、位置ｘ＝ｘａｂと位置ｘ＝ｘｂｃとの間の前記間隔内で、陰極シースを十分に急速に移動し、放電を十分に急速に拡散するように、任意の点で、電極素子の長さの１００μｍに較べて、この最大電位Ｖｍａｘの１％よりも大きい；
−位置ｘ＝０とｘ＝ｘａｂとの間の点火領域Ｚａ内の拡散領域の前に位置する誘電体層の表面の最大電位が、位置ｘ＝ｘｂｃとｘ＝ｘｃｄとの間の安定化領域Ｚｃ内の拡散領域を越えて位置する誘電体層の表面の最大電位よりも厳密に小さく、その結果、放電の安定作動点は、放電が開始されると、点火領域であることができず、その結果、いったん開始されると、放電は、必然的に、拡散領域の終端の方に、拡散領域内の誘電体層の表面に沿って拡散する；
−ｘｂｃとｘｃｄとの間の安定化領域Ｚｃに相応する誘電体層の全キャパシタンスは、０とｘａｂとの間の点火領域Ｚａに相応する誘電体層の全キャパシタンスよりも厳密に大きい；
−安定化領域Ｚｃ内の誘電体層の長手方向比容量は、拡散領域Ｚｂ及び点火領域Ｚａ内の任意の点で、誘電体層の長手方向比容量よりも大きく；従って、エネルギの最大量は、高効率放電終了領域Ｚｃ内で消散される。
【０１１６】
本発明の定義を簡単にするために、正規化表面電位Ｖｎｏｒｍは、問題の電極素子での誘電体層の位置ｘでの表面電位Ｖと、無限幅、即ちセルの幅Ｗｃよりも大きい幅の電極素子でのＯｘ軸に沿った最大可能電位との比として定義される。
【０１１７】
拡散領域の開始（ｘ＝ｘａｂ）での正規化電位が、値Ｖｎ−ａｂを有するように選ばれて、拡散領域（ｘ＝ｘｂｃ）の終端での正規化電位が、値Ｖｎ−ｂｃを有するように選ばれると、有利には：Ｖｎ−ｂｃ＞Ｖｎ−ａｂ、Ｖｎ−ａｂ＞０．９及び（Ｖｎ−ｂｃ−Ｖｎ−ａｂ）＜０．１である。
【０１１８】
上で説明したような誘電体層の表面に電位分布を形成することにより、以下の性質を有する放電が得られる：
−空隙５において電極素子４，４’の２つの対向端部の間に放電が開始される；これらの端部は開始エッジに相当する；
−電子は自然電場により陽極に強く引き寄せられ、初期的には陽極に沿って急速に放電を広げる；
−正電荷は陰極シースの下にある誘電体層の表層部に堆積し、陰極シースは電位差ΔＶにより形成された横電場の影響による運動を急速に被るので、初期放電電流Ｉ１は小さいままであり、放電の第１フェーズにおいて放散される放電の電気エネルギーの一部は、著しく拡散する前には、本発明の意図された目的に従って低いままである；
−放電は広がり、各電極素子４，４’の拡散領域の２つの端部ｘｂｃの間で急速に安定化するので、放電のこの第２フェーズの間、電流は大きく、放電の第２フェーズ及び特に安定化フェーズにおいて放散される放電の電気エネルギーの一部は本発明の意図された目的に従って高い。
【０１１９】
プラズマディスプレイパネルのコプラナーセル内の誘電体層の表面における表面電位を求めるために、フランスのトゥールーズに本拠を置くＣＰＡＴラボラトリ社とアメリカ合衆国のＫｉｎｅｍａ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ社との共同開発で開発されたＫｉｎｅｍａ  Ｓｏｆｔｗａｒｅ社の上記ＳＩＰＤＰ２Ｄバージョン３．０４ソフトウェアを用いて、モデリング操作が行われる。このソフトウェアはプラズマディスプレイパネルの典型的な条件の下では２Ｄ放電モデルを使用する。
【０１２０】
このモデルの入力パラメータは特に下記のものを含む：
放電ガスの組成：典型的には５％Ｘｅ及び９５％Ｎｅ；
セルの寸法：典型的には、０．１００００×１０−１ｃｍから０．３００００×１０−１ｃｍの間の幅、０．２００００×１０−１ｃｍから０．６００００×１０−１ｃｍの間の長さＬｃ；
セルの２つの対向電極素子の輪郭を定める、セルの幅及び長さに沿った周期の数：４８×４８；
放電ガスの圧力：典型的には３５０〜７００Ｔｏｒｒ；
放電ガスの温度：３００Ｋ；Ｄｅ／Ｍｕｅ（ｅＶ）＝１．０００；
酸化マグネシウム層の二次電子放射係数：Ｘｅの場合には０．５０００００×１０−１、Ｎｅの場合には０．４０００００；
誘電体の比誘電率：典型的には１０．０００；
壁での条件：（１＝“対称”、２＝“周期的”）；このパラメータは、２つの媒介壁の間に配置された電極素子機構がはっきりと画定されている場合には、影響を及ぼさない；
パルスタイプ：２（１＝“単パルス”、２＝“マルチパルス”、３＝“ブレークダウン”）；放電の終了：９０μｓ；
パルス数：典型的には１０；
放電終了閾値：イオン密度が０．１０００００×１０８ｃｍ−３；
シーケンスの定義：
ｉ１−ｉ２  ｉ３「時間」：３    ４    ２
電圧パルス波形：「階段状」（１）又は「直線状」（２）又は「正弦波状」（３）：１
ｖｅｌ１  ｖｅｌ２  ｖｅｌ３  ｖｅｌ４  ｖｅｌ５（μｓでの持続時間）
０．００  ２００．００  ０．００  ０．００  ０．００  ２０．００
したがって、ソフトウェアは４８周期×４８周期のメッシュを有しており、このメッシュの上には、電極幅の影響を調べるためのセルの断面に従って、任意の点に、電極を覆う誘電体層の形状とこの誘電体層の局所的な誘電率が入力される。つぎに、可変の幅を有するバー線がこのメッシュの上に配置される。これらのバー線は、一方では、ディスプレイパネル前面のコプラナー電極板を表しており、他方では、裏面にあるもう一方の電極板を表している。モデリングの試みのために、Ｏｘ軸を中心とした可変の幅を有するコプラナー電極を選んである。
【０１２１】
構造データが入力された後、各々の電極の電位が入力される。もちろん、前面を１Ｖに設定し、裏面のアドレス電極を０Ｖに設定することによって、セル内の誘電体層の表面に０から１の間の正規電位分布を直接得ることもできる。ソフトウェアモデルが実行されているときは、放電は行われない。というのも、誘電体層の電位分布を得ることが望ましいからである。さまざまな試行が示すところによれば、放電の前又は後に、モデルは誘電体層の表面にまったく同じ電位分布を与える。なぜならば、メモリ電荷の分布は完全に電位線に従うからである。０Ｖ及び１Ｖを印加することによっては、もちろん放電は発生しない。しかし、所望の表面電位分布は得られる。
【０１２２】
したがって、シミュレーションされた放電がまったく存在しない場合でさえ、数周期にわたってソフトウェアを実行した後にソフトウェアを停止し、ソフトウェアによって供給された結果のテーブルから誘電体層の表面における電位値を復元する必要がある。電極が中心に凹部を有している場合には（電極素子の細分のケースについては後を参照）、結果として、各々の側方電極素子部分に配置された誘電体層上での最大電位を採用する必要がある。なお、この最大電位は対称軸のゆえに各側方部分において同一である。
【０１２３】
コプラナー電極板の同一の放電領域の電極素子の上方にある誘電体層の表面における表面電位を求めるためには、誘電体層の表面における電位を直接測定するような方法を使用することも可能である。この方法はそれ自体は公知のものであり、ここで詳細に説明することはしない。測定は、前記電極素子のうちの１つの上方で、前記放電領域を提供する２つの電極の間に一定の電位差を印加することによって行われる。なお、この２つの電極は、問題となっている電極素子が陰極として作用するように適切な符号を有している。
【０１２４】
本発明の第１の一般的な実施形態では、誘電体層の表面における本発明に従った電位分布は、一定の幅の電極素子を覆う誘電体層の厚さ又は比誘電率を変化させることによって得ることができる。位置ｘにおける表面電位Ｖ（ｘ）の電極Ｖに印加された電位に対する比は次の式によって近似することができる。
Ｖ（ｘ）／Ｖ＝１−［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（Ｘ）］／［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（ｘ）＋Ｈ（ｘ）＋Ｅ２（ｘ）／Ｐ２（Ｘ）］
ここで、Ｅ１（ｘ）はミクロンで表された厚さであり、Ｐ１（ｘ）は放電拡散軸Ｏｘに沿った位置ｘにおける各電極素子４，４’上方の誘電体層の比誘電率である。Ｅ２（ｘ）はミクロンで表された厚さであり、Ｐ２（ｘ）は、放電拡散軸Ｏｘに沿った位置ｘにおけるアドレス電極Ｘ上方の誘電体層の比誘電率、又は、アドレス電極が存在しない場合には電極板２上方の誘電体層の比誘電率である。
【０１２５】
本発明のこの一般的な実施形態によれば、比１−［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（Ｘ）］／［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（ｘ）＋Ｈ（ｘ）＋Ｅ２（ｘ）／Ｐ２（Ｘ）］は、０＜ｘ＜ｘｂｃでは連続的又は非連続的に増加する。前記区間内では、この比の変化は負の増加の点を含んでいない。増加に飛びのある非連続的増加の場合には、この比の変化は好適にはこの区間内に少なくとも２つのプラトーを含む。連続的増加の場合には、この比は好適にはｘに従って線形に（ａｘ＋ｂ型の法則に従って）増加する。
【０１２６】
好適には、本発明の第１の実施形態の場合、以下の条件のうちの１つ又は複数も組み合わせられる。
【０１２７】
比１−［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（Ｘ）］／［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（ｘ）＋Ｈ（ｘ）＋Ｅ２（ｘ）／Ｐ２（Ｘ）］は、ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃでは０．９と１の間にある；
電極素子は一定の幅Ｗｅ（ｘ）と適切な長さを有しており、そのため、電極間スペース５の両側の電極素子の対向端部の間に延在する放電端部における放電領域の全長ＬｍａｘはＬｃ−２００μｍより小さいか又は等しい；
０＜ｘ＜ｘａｂのときの比１−［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（Ｘ）］／［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（ｘ）＋Ｈ（ｘ）＋Ｅ２（ｘ）／Ｐ２（Ｘ）］は、ｘｂｃ＜ｘ＜ｘｃｄのときの前記比よりも厳密に小さい；
ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃのときの比１−［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（Ｘ）］／［Ｅ１（ｘ）／Ｐ１（ｘ）＋Ｈ（ｘ）＋Ｅ２（ｘ）／Ｐ２（Ｘ）］は、ｘｂｃ＜ｘ＜ｘｃｄのときの前記比よりも小さいが、０＜ｘ＜ｘａｂの範囲における前記比を５％だけ低下させたものよりもけっして低くはならない。
【０１２８】
図８には、この第１の一般的な実施形態に従った本発明の第１の実施例が示されている。電極板１の誘電体層６又は電極板２の誘電体層７の静電特性を連続的に変化させることは困難である。図８には本発明によるセルの縦方向断面が示されている。Ｏｘ軸に沿ったセルの中心における表面電位分布は、図７の曲線Ｃとして与えられており、理想的な理論的曲線にほぼ等しい。２つの同一の電極素子４Ｅ，４Ｅ’が設けられたこのセルは、以下の特性を有している：
各電極素子４Ｅ，４Ｅ’は図１Ａの従来技術の場合と同じように一定の幅を有しており、またこれらの電極素子の対向端部を隔てる距離ＬｍａｘがＬｃ−２００μｍ未満であるような長さを有している；
放電拡散軸Ｏｘに沿って測ったこの電極素子４Ｅ，４Ｅ’の厚さは、ｘ＝０とｘ＝ｘｃｄの間において３つの順次するプラトーをもって減少する。各プラトーは次の区間のうちの１つに相当している：［０；ｘａｂ］、［ｘａｂ；ｘｂｃ］、［ｘｂｃ；ｘｃｄ］
安定化領域Ｚｃにおいては、各電極素子はｘｂｃ＜ｘ＜ｘｃｄにおいて残りの放電領域における電極素子の厚さの５倍より大きな厚さを有している。この超過厚さ領域は電極素子に対する給電バスに相当する；
比誘電率Ｐ１を有する第１の均質誘電体層６Ｅが放電領域全体を覆う。したがって、この層６Ｅの厚さは、安定化領域内で電極素子が比較的薄くなっている点においては、拡散領域Ｚｂに比べて薄い；有利には、この誘電体層の厚さは、安定化領域内の誘電体の厚さが拡散領域Ｚｂ内の誘電体の厚さの半分未満になるように設計される；
第１の層６Ｅの比誘電率に等しい又はそれよりも低い比誘電率Ｐ１’を有する第２の誘電体層６Ｅ’は、０＜ｘ＜ｘａｂにおいて、点火領域Ｚａ内と拡散領域Ｚｂ外における誘電体層６Ｅ，６Ｅ’の厚さの合計が誘電体層６Ｅの厚さの１．５〜２倍となるように、導電性素子素子の超過厚さ領域外の放電領域を部分的に覆っている。
【０１２９】
本発明の第２の全体的な実施形態は、誘電体層の表面電位が上で規定した本発明に固有の基本的法則に従って上昇するように、放電拡散領域Ｚｂ内の電極素子の幅Ｗｅ（ｘ）を変化させることにある。簡単化のために、拡散領域において一様な厚さと一様な組成とを有する誘電体層を採用する。
【０１３０】
図９は、電極素子を覆っている誘電体層の表面で放電前に得られる正規化電位Ｖｎｏｒｍに対する電極素子の幅Ｗｅ−ａｕの（任意単位“ａｕ”での対数目盛上での）依存性を律する一般的法則をグラフにより示している。ただし、Ｖｎｏｒｍは上で定義されたものである。
【０１３１】
上記の図が示しているように、この変化は２つの部分に分けられる：
Ｖｎｏｒｍが０と０．９８の間にある領域では、所望の正規化表面電位ＶｎｏｒｍについてＷｅを決定することのできる式は、Ｗｅ＝ｂ．ｅｘｐ（ａＶｎｏｒｍ）の形の式である。
【０１３２】
Ｖｎｏｒｍが０．９８と１の間にある領域では、電極の幅と誘電体層の表面電位との間の式は、無限の幅Ｗｅを有する電極に関してしかＶｎｏｒｍ＝１が得られないという点で異なる。
【０１３３】
とりわけ興味があるのは、０と０．９８の間にあるこの曲線の一部、特に上に示したように本発明の好適な表面電位領域に相応するＶｎｏｒｍ＝０．９とＶｎｏｒｍ＝０．９８の間にあるこの曲線の一部である。曲線のこの部分においては、Ｗｅ（ｘ）とＶｎｏｒｍ（ｘ）との間の式は次のように表現される：
Ｗｅ（ｘ）＝Ｗｅ−ａｂｅｘｐ｛ａ［Ｖｎｏｒｍ（ｘ）−Ｖｎ−ａｂ］｝          （１）
ここで、Ｗｅ−ａｂ＝ｂ．ｅｘｐ［ａＶｎ−ａｂ］は拡散領域の始点におけるｘ＝ｘａｂでの電極の幅を表しており、この点において放電の開始前に誘電体層の表面電位Ｖｎ−ａｂを得ることができるようにするものであり、Ｗｅ−ｂｃ＝Ｗｅ−ａｂｅｘｐ［ａ（Ｖｎ−ｂｃ−Ｖｎ−ａｂ）］は拡散領域の終点におけるｘ＝ｘｂｃでの電極の幅を表しており、この点において放電の開始前に誘電体層の表面電位Ｖｎ−ｂｃを得ることができるようにするものである。
【０１３４】
上の式（１）は電極素子の拡散領域Ｚｂの理想的な幅プロフィールＷｅ−ｉｄ（ｘ）を電位分布の関数として定義するために使用されている。ただし、この電位分布は、本発明に従って、誘電体層の表面において拡散領域の始点における値Ｖｎ−ａｂと拡散領域の終点における値Ｖｎ−ｂｃとの間で得られることが望ましい。本発明によれば、この分布は、電位の勾配、すなわち電場がｘａｂとｘｂｃの間のどんなｘについても正又はゼロであるような形で、上記２つの値の間で連続的に又は非連続的に上昇する電位に相当する。
【０１３５】
式（１）の中のパラメータ“ａ”は主に電極板１の誘電体層６の表面比容量に依存する。Ｅ１（ｘ）をミクロンで表された厚さとし、Ｐ１（ｘ）を問題の電極４の上方にある誘電体層の非誘電率とする。実験により示されたところによれば、パラメータ“ａ”は比Ｐ１／Ｅ１の平方根として式
【０１３６】
【数２】
2005531110.tif 000004
に従って変化するので、誘電体層の表面比容量が高ければ高いほど、係数“ａ”が大きくなる、すなわち、電極素子の幅Ｗｅ−ｉｄ（ｘ）がｘに従って急速に増大する。
【０１３７】
拡散領域の入口においては、Ｗｅ−ａｂはＶｎ−ａｂの選択に直接的に依存している。Ｖｎ−ａｂ＝０．９に対しては、Ｐ１／Ｅ１の関数として式
【０１３８】
【数３】
2005531110.tif 000005
（記号√は「平方根」を意味する）に従ってＷｅ−ａｂを選択することが好ましい。０．９から０．９８の間のＶｎ−ａｂの他の任意の値に対しては、Ｗｅ−ａｂの相応する値はつぎの式を用いて容易に見つけることができる：
Ｗｅ−ａｂ＝Ｗｅ−ａｂ（Ｖｎ−ａｂ＝０．９）ｅｘｐ［ａ（Ｖｎ−ａｂ−０．９）］。
【０１３９】
表面電位が値Ｖｎ−ａｂと値Ｖｎ−ｂｃとの間で線形に上昇する、つまり、Ｖ（ｘ）がアフィン関数である本発明の特定のケースでは、Ｖ（ｘ）＝（ｘ−ｘａｂ）（Ｖｎ−ｂｃ−Ｖｎ−ａｂ）／（ｘｂｃ−ｘａｂ）＋Ｖｎ−ａｂである。
【０１４０】
その場合、ｘの関数としての電極素子の理想的な幅Ｗｅ−ｉｄ−０（ｘ）はつぎの式によって簡単に定義することができる：
【０１４１】
【数４】
2005531110.tif 000006
【０１４２】
この式（２）は本発明の好ましい理想的なプロフィールＷｅ−ｉｄ−０を定義するものであり、拡散領域において線形の表面電位分布の達成を可能にする。
【０１４３】
図７において放電拡散軸Ｏｘに沿って曲線Ａとして示された、誘電体層の表面電位の分布は、上記のモデリングソフトウェアを用いて得られる。表面電位はｘ＝ｘａｂとｘ＝ｘｂｃとの間の拡散領域Ｚａにおいて実際に線形に上昇することが確認されている。
【０１４４】
この好ましい理想的プロフィールＷｅ−ｉｄ−０に対して、下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐを式Ｗｅ−ｉｄ−ｌｏｗ＝０．８５Ｗｅ−ｉｄ−０及びＷｅ−ｉｄ−ｕｐ＝１．１５Ｗｅ−ｉｄ−０を用いて定義することができる。つまり、下限プロフィール及び上限プロフィールは、好ましい理想的な幅プロフィールＷｅ−ｉｄ−０に対してそれぞれ−１５％と＋１５％の差を有している。
【０１４５】
本発明の第２の全体的な実施形態の文脈においては、この下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐとの間に位置する任意の電極素子プロフィールは本発明の不可欠の一般的特徴に従って拡散領域Ｚａの始点と終点との間で連続的又は非連続的に上昇する電位分布を達成することができることが判明している。
【０１４６】
本発明においては、誘電体層の従来の実施形態はＰ１／Ｅ１比を制限するので、一般的には０．２＜Ｐ１／Ｅ１＜０．８であり、したがって、放電の開始時に放散されるエネルギー量を制限するためには、導電性素子の幅Ｗｅ−ａｂを拡散領域Ｚｂの始点（ｘａｂ）における５０μｍに等しいか又は小さくし、拡散領域の終点ｘｂｃにおける幅Ｗｅ−ｂｃをこの値よりも厳密に大きくすることが望ましい。しかしながら、過度に高い作動電圧の使用（これを実施することはコスト高である）を避けるためには、放電の開始時における少量のエネルギー損失が受容され、導電性素子素子の幅Ｗｅ−ａｂはこの値より少し大きく選定される。
【０１４７】
もちろん、導電性電極素子を製造するために使用される製造技術は精度の限界を有している。電極製造における精度は、拡散領域内での軸Ｏｘに沿った電極幅Ｗｅ（ｘ）が本発明において定義された値に対して±１５％より大に変化しない限り、本発明の適用に影響しない。
【０１４８】
つぎに、放電拡散領域Ｚｂへ向かう放電の拡散方向における軸Ｏｘに沿った電極幅の理想的なプロフィールを説明する。
【０１４９】
安定化領域内での電極素子の理想的プロフィールの定義に関して、既に示したように、放電が最適な拡散点にあるとき、すなわち、放電が拡散領域Ｚｂを出て、安定化領域Ｚｃに入る時点にあるときに放電の最大エネルギー量を放散するためには、領域Ｚｃにおける誘電体層の縦方向比容量が放電領域内の他の任意の点における誘電体層の縦方向比容量よりも大きいことが必要である。Ｗｓが安定化領域内での電極素子の幅であるとするならば、Ｗｓはできるだけ大きく選定する、したがってＷｃ（セルの幅）に比較的近く選定することが好ましく、Ｗｅ−ｂｃはＷｓに等しいか又はそれより小さく選定することが好ましい。
【０１５０】
図１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，及び１０Ｄは、プラズマディスプレイスクリーンのハーフセルの（図６のＯｚ軸に沿った）上面図で、本発明のこの第２の一般的実施形態にしたがった電極素子の形状の例を示している。
【０１５１】
図１０Ａは立体形の素子（ハッチングされた領域）を示しており、この素子の輪郭は、核酸領域Ｚｂの下方では、本発明のこの第２の実施形態の特定の条件を満たしている。好適には、図中のハッチングされた電極素子の領域は透明な導電性材料でできている。対照的に、図中で黒く表示された、電極Ｙ，Ｙ’の導電バスＹｃ，Ｙ’ｃに相当する電極素子の領域１０１は、全般的に不透明で、ハッチングされた領域の厚さよりも大きな厚さを有する導電性材料でできている。したがって、誘電体層６の厚さはハッチングされた領域においてはより薄い。導電バスＹｃは、放電セルの内壁を覆う蛍光体層により放射される可視光が隠されないように有利には放電領域の外部に配置される。
【０１５２】
セル壁は放電における紫外放射発生の挙動及び効率に重要な役割を果たしていることが判明している。特に、これらの壁の近傍に配置された電極素子の領域であって、しかもこの素子がセルの幅Ｗｃに近い幅Ｗｅを有している領域において、内壁は放電における紫外放射発生の挙動及び効率に重要な役割を果たしている。したがって壁の近傍では、各セルに、プラズマの荷電粒子又は励起粒子の損失の実質的な増大が観察される影響域が存在しており、この荷電粒子又は励起粒子の損失は、エネルギー損失、発光効率の低下、及び一般的にこれらの壁に堆積させられている蛍光体の劣化の原因となる。動作時のプラズマディスプレイスクリーンの従来的な条件の下では、壁のこの影響域は、特に放電ガスの組成と圧力とに依存して、典型的には壁から３０〜５０μｍの距離まで広がっている。有利には、放電安定化領域Ｚｃにおいては、この壁効果により生じるエネルギー損失は、有利には電極素子の幅ＷｓをＷｃ−（２×３０μｍ）＝Ｗｃ−６０μｍより小さいが、この値に近く選択することにより制限される。
【０１５３】
電極素子は、点火領域と拡散領域の背後で、コプラナー電極Ｙ，Ｙ’のためのバスＹｂに接続されている。２つの選択肢が存在しうる：
−バスが安定化領域に組み込まれる。この場合、安定化領域の幅が大きすぎることに起因する壁効果の前記欠点に直面する。このケースは以下に示す図１０Ｃに図示されている；
−または、リアバスが安定化領域から後退させられる。この場合、電極素子をどのようにしてバスに接続するかという問題が生じる。そこで、バスは有利にはセルの１つの壁に配置され、安定化領域の幅より格段に小さな幅を有するバスに電極素子を接続するために接続素子が使用される。このケースは以下に示す図１０Ｂ及び１０Ｄに図示されている。
【０１５４】
図１０Ｂの例は既に説明した図１０Ａの例に似ているが、放電安定化領域において、電極素子がセルの幅Ｗｃよりも小さな幅を有しており、放電が低発光効率の壁効果領域に貫入しないように、電気接触領域１０２を除いてセルの水平壁１５の絶縁層厚１５１によって導電バス１０１から分離されている。電気接触領域１０２の幅は導電バスＹｃと放電安定化領域Ｚｃの間の接触抵抗が増大しないように一般的には５０μｍ〜１５０μｍである。したがって、蛍光体の発光効率と寿命は図１０Ｂの構造を使用することによってさらに改善される。
【０１５５】
このように放電安定化領域内の電極エリアを減少させることにより、この領域内での誘電体層の総容量も部分的に減少し、その結果、放電の輝度を下げることができる。
【０１５６】
図１０Ｃの例は図１０Ｂの全般的な構造を繰り返しているが、今度は導電バスが放電安定化領域内に組み込まれており、また壁効果領域からさらに離れているので、導電バスを覆う比較的薄い誘電体層が導電バスに沿った表面比容量を上げ、このケースでは放電安定化領域の容量を上げる。したがって、放電時間と放電輝度が増大する。図１０Ｄの例は図１０Ｃの例の変種であり、蛍光体の可視光放射領域内における導電バスの不透明度を下げることができる。
【０１５７】
図１１Ａ〜１１Ｄは本発明の第２の全体的な実施形態の別の例を図示したものである。
【０１５８】
電極板１を電極板２と合わせるために使用される整列方法は、互いに平行又は垂直な部品をつねに整列させることができるわけではない。したがって、上述のように、プロフィールの曲がった電極を使用しないことが好ましい。本発明の意図する目的は、幅が増大していく連続した導電素子部分を用いて、誘電体層の表面電位を飛躍的に変化するように非連続的に上昇させることにより達成することができる。
【０１５９】
図１１Ａは、拡散領域の下で電極素子が狭い幅Ｗｒの中心導体から形成されていることを除けば、図１０Ｃと同一の例を図示したものである。上記中心導体は一定の幅Ｗｅ１，Ｗｅ２，Ｗｅ３の順次する導電セグメントを電気的に結合しており、これら導電セグメントは、Ｏｘ軸に沿ってｘ１，ｘ２，ｘ３と名付けられたセグメントの平均位置における幅の昇順にしたがって中心導体に対して横方向に延在している。本発明によれば、Ｏｘ軸に沿った位置ｘ１，ｘ２，ｘ３に関連した幅Ｗｅ１，Ｗｅ２，Ｗｅ３が実際に上で述べた下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐとの間にあることを確認するためにチェックが行われる。下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐは、上で本発明の第２の全体的な実施形態の場合に定義された理想的な直線プロフィールＷｅ−ｉｄ−０から−１５％及び＋１５％だけ異なっている。この本発明の定義との合致を確かめるため、各導電セグメントの端部をつなぐ破線により描かれた外形が考慮される。順次するセグメントの間の間隔（ｘ２−ｘ１），（ｘ３−ｘ２）は好適にはＯｘ方向に沿って減少する。導電セグメントの数は一般に３以上５以下である。
【０１６０】
導電素子の製造プロセスが特に放電開始領域に最も近い拡散領域の部分において十分に細かいセグメントを形成することができないということもあり得る。したがって、ｘａｂとｘｂ１との間にある拡散領域Ｚｂの第１のセグメントに対応する部分の長さｘｂ１−ｘａｂが拡散領域の長さｘｂｃ−ｘａｂの半分を下回るならば、上記第１の部分において狭い幅Ｗｅ１の同一セグメントを使用することができる。
【０１６１】
図１１Ｂは、セグメントがＯｘ軸と同じ方向に延びていることを除けば、図１１Ａの例と同一の例を図示したものである。図１１Ａの場合と同じように、点線で示されたセグメント端部は１５％以内で理想的な直線電極素子プロフィールＷｅ−ｉｄ−０に合致している。
【０１６２】
図１１Ｃは、拡散領域の下で、電極素子がＷｅ−ａｂ又は製造プロセスにより許容される最小幅、好適には５０μｍ未満の幅に等しい幅の直線的な第１の領域と、短い方の底辺がこの直線領域の幅に等しい台形の第２の領域とを含んでいることを除けば、図１０Ｃの例と同一の例を図示したものである。第１及び第２の領域の寸法は、電極素子のプロフィールが、本発明の第２の全体的な実施形態の場合に定義された理想的な直線プロフィールＷｅ−ｉｄ−０からそれぞれ−１５％ないし＋１５％だけ異なる上述した下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐの間に完全に内接するように選択されている。この変更形態によれば、電極素子は理想的なプロフィールの効果と実質的に同一の効果を得ることができ、しかも有利には製造に関するいくつかの制約条件を無くすことができる。１００μｍ以下の長さの直線的な第１の領域を使用することが好ましい。
【０１６３】
図１１Ｄは図１１Ａの変更形態を図示したものであり、電極セグメント間の距離がゼロである。電極素子のプロフィールはＯｘ軸に沿った階段の形状をとっている。放電はＯｘ軸において拡散領域Ｚｂ内へと広がる。
【０１６４】
最適なコプラナー電極素子のジオメトリは上述のように拡散領域内では決定されないが、点火領域Ｚａ内では、点火フェーズ中の効率を改善するために決定される。これらのジオメトリは任意のタイプの電極に対して適用可能であり、特に本発明の第２の全体的な実施形態による電極素子に対して適用可能である。
【０１６５】
最適なジオメトリを決定するための主な条件は次の通りである：点火電圧Ｖａの最小化；点火フェーズ中の電流Ｉａの制限；拡散フェーズの開始時における電位に等しくそれより高くない電位を点火領域の誘電体表面に形成すること。図５の曲線Ｂ１及びＣは、この電位が最大値を示す点火エッジに近いｘ値の範囲が存在するため、この後者の条件は満たされないことを示している。
【０１６６】
点火に関しては、良く知られたパッシェンの法則によって任意の１つの維持対の電極間に印加すべき電圧を決めることにより、プラズマディスプレイパネルの電極板の間の放電領域を充たしている放電ガス内で電子なだれを生じさせ、ひいてはプラズマ放電を発生させることができる。これらの法則は、この電圧と特に放電ガス及び２つの電極の放電エッジを隔てる空隙の性質及び圧力との間の関係を確立する。
【０１６７】
これらの法則によれば、電極間空隙の近傍環境、すなわち、向き合った電極端の長さのみがこの点火電圧の値に対して有意な影響を有する。したがって、既に述べた従来技術のＴ字形電極素子において、この近傍環境に相応し、放電点火領域Ｚａを構成しているのはＴ字の横バーである。図３Ａを参照すると、電極素子の点火領域は３１とラベル付けされており、３２とラベル付けされたこの同じ素子の拡散領域Ｚｂとは異なっている。
【０１６８】
実際、本発明の第２の全体的な実施形態の例において示したような点火エッジの非常に狭い電極素子、例えば、拡散領域しか設けられておらず、点火エッジにおける幅がおよそＷｅ−ａｂである電極素子は、電場の一様性と放電の電子なだれ利得を変え、結果的に作動電圧を上げ、所与の電圧に対する放電の遅延を延ばし、パワーエレクトロニクスのコストとプラズマディスプレイスクリーンのアドレス速度とに影響を与える。
【０１６９】
図１３は、同じ１つの放電セルの２つの電極素子の点火領域を概略的に示している。点火フロントの幅はＷａであり、上で定義したＯｘ軸に沿って測った点火領域の「長さ」はＬａに等しく、拡散領域（図示せず）が始まり、拡散領域の幅Ｗｅ−ａｂが最小である点に相応している。
【０１７０】
図１２は正規化された点火電圧Ｖａ（実線）の変化を点火フロントの幅Ｗａの関数として示している。幅Ｗａが減少するとき、点火電位（実線）の上昇が２つの効果から生じる：
−誘電体層の表面の電位が既に示したように電極の幅の関数として減少し、その結果、単純な静電効果（太点線）により点火電位の上昇が生じる；
−電子なだれ利得は、パッシェンの条件に従った点火の可能な領域に存在する一次電荷の数に依存している。それゆえ、広い点火領域が電子なだれ利得の増大と点火電位（細点線）の低下を可能にする。
【０１７１】
したがって、点火領域の幅Ｗａが大きければ大きいほど、点火電位は低くなる。最小幅Ｗａ−ｍｉｎが存在し、それより上では、点火電圧Ｖａは点火フロントの幅Ｗａによっては変化しない、又は少ししか変化しない。この幅Ｗａ−ｍｉｎは、それより上ではＷａ−ｍｉｎとＷｃとの間にあるスペースで形成された一次粒子の無視できない損失が壁によって引き起こされる臨界的な幅である。
【０１７２】
点火条件を改善するためには、点火領域内の誘電体層の全体的な容量を低くして、放電の陰極シースが点火領域内にあるときに放電の電流Ｉａが小さくなるようにする必要がある。それゆえ、電極素子の点火領域の幅Ｗａが低点火電圧を維持するために比較的大きくなければならない場合には、過度に大きな点火電流Ｉａが発生しないのに十分なだけ点火面積が小さいことが好ましい。Ｗａ−ｍｉｎを超える点火領域の幅のどんな変化も付加的な一次粒子をほとんど生じさせず、結果として静電効果による表面電位の上昇がほとんど又はまったく生じない。通常、Ｗａ−ｍｉｎとＷｃとの間にある壁効果領域は各側壁から高々５０μｍだけ広がっている。したがって、最低点火電圧を得るには、Ｗｃ−１００ミクロン以上の点火フロント幅を選択することが好ましい。好適には、４００μｍより大きな幅を有するセルの場合には、Ｗａは３００μｍを超えない。点火領域の幅は、面積を、したがってまた点火領域内の誘電体層の容量を制限しないように、Ｗｃ−１００ミクロンに近くすると好ましい。点火領域内の容量を小さく保つことは、以下で説明されるように、点火領域の他方の寸法Ｌａが比較的小さいことを意味する。
【０１７３】
向き合った電極素子端部の幅Ｗａだけが、電場の一様性となだれ効果を引き起こす一次電荷の数に影響を与える。点火フロントの幅Ｌａは点火領域に沿った誘電体層の表面電位だけを変化させる。この長さＬａに沿った表面電位の変化は、拡散領域における電極の幅Ｗｅに対して与えられる変化に類似している。点火領域内の誘電体層の表面電位を拡散領域の始点における表面電位に等しく保つためには、上記の条件のうちの１つによれば、電極素子の長さＬａをＷｅ−ａｂに等しくなるように選定することが好ましい。点火電圧Ｖａを下げるために、点火領域内の電極素子の長さＬａをＷｅ−ａｂより長くすることが可能である。実験により、８０μｍを超える長さはもはや実質的に表面電位を低下させず、点火領域内の放電電流Ｉａを著しく増大させてしまう。この放電電流Ｉａの増大は発光効率にとって不利である。点火領域内の電極素子の長さＬａがＷｅ−ａｂと８０μｍの間である場合、放電拡散軸Ｏｘに沿った誘電体層の表面電位の分布は図７の曲線Ｂ（破線の曲線）の形をとる。曲線Ｂは有利には、点火領域内で、比較可能なｘ値の区間に関して図５の曲線Ｂ１及びＣの最大値よりも低い最大値を有している。
【０１７４】
また、有利には以下のような構成を採用することにより、Ｗａ＞Ｗａ−ｍｉｎとなるように選定することも可能である。既に見たように、Ｗａ−ｍｉｎは、それを超すと壁が誘電体層の表面電位の実質的な低下と、Ｗａ−ｍｉｎとＷｃとの間にあるスペースにおいて形成された一次粒子の無視できない損失とを生じさせるような幅に相当する。それゆえ、点火領域Ｚａ内で、任意の点においてｙ≦Ｗａ−ｍｉｎ／２である中心領域Ｚａ−ｃと、任意の点においてｙ＞Ｗａ−ｍｉｎ／２である中心領域の両側の２つの側方領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２とを区別することができる。それゆえ、側方領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２では、電極間空隙が中心領域Ｚａ−ｃにおいて有している値より厳密に低い値を有していることが好ましい。点火領域のこのようなプロフィールは図１４に示されている。有利には、この種のプロフィールによって点火領域内の電極素子の面積をさらに小さくすることができ、したがってこの領域内でより容易に誘電体層の低容量を得ることができる。
【０１７５】
側方領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２内の２つの電極素子の間の空隙を壁の近くまで小さくすれば、この領域内の電場を増強することができ、またパッセン条件を局所的に調整することにより壁効果から生じる一次粒子の減少を補償することができる。したがって、一定の点火面積に対して点火電位が低下する、又は、一定の点火電位に対して点火領域の面積が減少する。
【０１７６】
図１３，１４に示されている点火領域の例は、図１５Ａ及び１５Ｂに示されているように、図１０及び１１の例に記載されている他のいずれかの拡散領域Ｚｂ及び安定化領域Ｚｃと組み合わせてもよい。図１５Ａ及び１５Ｂでは、図１０Ｃの全般的構造が繰り返されているが、それぞれ図１３及び１４の点火領域が付加されている。
【０１７７】
特に本発明の第２の全体的な実施形態に適用可能な電極素子の好適な構成をこれから説明する。
【０１７８】
上述のように、セルの中心長手軸Ｏｘに沿ってセルの中心で放電の拡散が起きる場合、放電は最適な電場条件の恩恵を受ける。その理由は、今回Ｏｙ軸に沿って測定した誘電体の表面の電位分布はセルの中心で、したがってｙ＝０で最大値を有することが判明しているからである。ただし、誘電体の表面の電位分布はつねに放電前に測定される。この電位はセル壁に向かって、すなわち、バリアリブに向かって漸進的に低下していく（｜ｙ｜は上昇する）。その理由は次の通りである。すなわち、これらの壁によってディスプレイパネルの２つの電極板の間に形成されたキャパシタはＯｙ軸に沿って僅かにではあるが漸進的に誘電体層上の表面電位を低下させるので、放電は電極板１のコプラナー電極素子を覆う誘電体層の表面においてセルの中心軸Ｏｘに集中したままであり、放電、すなわち紫外光子源は、蛍光体で被覆されたそれぞれの壁（電極板２によって全体的に支持されているバリアリブ１５，１６）から最大の距離にあるからである。
【０１７９】
紫外光子発生の分布を改善するため、ならびに瞬時電流密度を低下させることによってセル内のエネルギー散逸を一様にするためには、文献ＥＰ  ０  ７８２  １６７及びＥＰ  ０  ８０２  ５５６に関連して説明したＵ形電極の場合のように、拡散領域を単一の拡散経路ではなく２つの拡散経路に細分することが好ましい。そのため、本発明による電極素子の拡散領域は、Ｏｘ軸に関して対称な２つの側方領域Ｚｂ−ｐ１，Ｚｂ−ｐ２に細分される。そのため、本発明による電極素子は２つの側方導電素子に細分され、各側方素子の幅の和Ｗｅ−ｐ１（ｘ）＋Ｗｅ−ｐ２（ｘ）は、上で定義した下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐの間にくるように、上で定義した本発明の第２の全体的な実施形態に特有の条件を満たす。ただし、下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐは上で定義した理想的な直線プロフィールＷｅ−ｉｄ−０からそれぞれ＋１５％、−１５％離れている。図１６は本発明のこの好適な実施形態による電極素子を示しており、この図では、２つの側方導電素子はセルの長手方向対称軸Ｏｘに関して対称に配置された２つの拡散領域Ｚｂ−ｐ１及びＺｂ−ｐ２を生じる。
【０１８０】
好適には、側方導電素子の各側方拡散領域の大部分は、上述した有害な壁効果を避けるために、セルの側壁から３０μｍよりも離れている。
【０１８１】
図１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ及び１８Ｄの例では、電極素子がセルの中心軸Ｏｘに関して対称な双方とも拡散領域Ｚｂ内と点火領域Ｚａ内とにある２つの側方導電素子に細分されていることを除けば、図１０Ｃに示されている全体的な電極素子構成が繰り返されている。側方導電素子の全幅Ｗｅは、拡散領域Ｚｂにおいて、本発明の第２の全体的な実施形態に関連して規定した一般法則を満たしている。したがって、放電は点火領域Ｚａと拡散領域Ｚｂの両方において２つの平行な全般的方向に沿って広がる。
【０１８２】
図１８Ａの例では、拡散領域Ｚｂ内の２つの側方導電素子はそれぞれ、前記拡散領域に平行な壁の近傍に側方縁部を有しており、有利には互いに対する静電効果を減少させるために、このケースではセルの中心軸Ｏｘから非常に離れている。導電素子の各点火領域はＷｅ−ａｂより小さな電極幅Ｗａ１及びＷａ２を有している。
【０１８３】
しかしながら、２つの軸対称な側方導電素子がこのように非常に離れている場合には、今回側方点火領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２において放電前にＯｙ軸に沿って測定した誘電体の表面の電位分布はセルの中心ｙ＝０で最小値を有することが判明している。不都合にも、セルの中心において最小値が存在すること、及び、このことから生じる横方向中心ポテンシャル障壁は、放電の励起領域を制限してしまう。図１７は、プラズマディスプレイスクリーンセルの典型的な動作条件に関して、セルの中心ｙ＝０における誘電体層の正規化表面電位Ｖ０−ｎｏｒｍをセルの中心とこの中心を向いたいずれかの軸対称な側方導電素子端部との間のμｍ単位での距離ｙ１＝ｙ２の関数として与えることにより、この点を図解している。表面電位Ｖ０−ｎｏｒｍは、およそ１００ミクロンを下回る中心からの距離ｙ１＝ｙ２に対して５％未満しか影響されず、５０ミクロンを下回る中心における距離に対しては安定していることが判明している。好適には、セルの長手軸の領域で誘電体層の表面電位を十分高く維持するために、２つの軸対称な側方導電素子の端部の間の距離２ｙ１＝２ｙ２は１００〜２００ミクロンの間の値に選定される。図１８ｂの例はこの好適な実施形態を図解したものである。この例は、２つの側方導電素子の端部の間の距離が１００〜２００μｍの間であることを除けば、図１８Ａの例と同様である。
【０１８４】
２つの軸対称な側方導電素子がこのように近接している場合、放電点火特性は大いに改善される。しかしながら、拡散領域においては、一方の側方導電素子の他方に対する静電効果が増大し、拡散領域Ｚｂにおいて導電素子の全幅Ｗｅが本発明の第２の全体的実施形態に関連して規定された一般法則に従っていても、各側方導電素子の上方の誘電体層の表面電位の変化が、電位を上げるという本発明の追求する目的から逸れるところまで妨害されてしまう。
【０１８５】
それゆえ、側方点火領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２から遠すぎず、しかしそれぞれの軸対称側方導電素子の側方拡散領域Ｚｂ−ｐ１，Ｚｂ−ｐ２からは十分に遠くすることが有利であると見られる。
【０１８６】
最良の妥協案は、本発明の変更形態に従って、点火領域と大部分の拡散領域とにおいて２つの軸対称な側方導電素子に細分された電極素子を使用することである。ただし、これら２つの軸対称な側方導電素子において、
−側方点火領域Ｚａ−ｐ１，Ｚａ−ｐ２では、Ｏｘ軸に対して横方向に測定されるセルの中心における表面電位の低下を制限するために、これらの領域の対向端部の間の距離は非常に小さく、１００〜２００μｍの間である；
−側方拡散領域Ｚｂ−ｐ１，Ｚｂ−ｐ２では、Ｏｘ軸に対して横方向に測定される本発明に従った表面電位を得るため、ならびにこれら側方拡散領域の相互の静電効果を制限するために、これらの領域の対向端部の間の距離は比較的大きい。
【０１８７】
ｄａ−ｐをＯｙ軸上の位置ｘ＝０で測定した、第１の側方点火領域Ｚａ−ｐ１と第２の側方点火領域Ｚａ−ｐ２との間の距離とし、ｄｅ−ｐをｘａｂとｘｂｃの間にある任意のｘ位置においてＯｙ軸に対して平行に測定した、ｘに位置する第１の側方拡散領域Ｚｂ−ｐ１の部分と同じくｘに位置する第１の側方拡散領域Ｚｂ−ｐ１の部分との対向端部間の距離とする。
【０１８８】
好適には、側方導電素子は次の条件で使用される：
−  １００μｍ≦ｄａ−ｐ≦２００μｍ；
−ｘａｂとｘ２の間にあるｘの任意の値に関してｄｅ−ｐ（ｘ）＞ｄａ−ｐであるような、ｘａｂとｘｂｃの間にある値ｘ＝ｘｂ２が存在する。
【０１８９】
図１８Ｃはこれらの特性を有する２つの側方導電素子に細分された電極素子の例を示している。各側方導電素子は、２つの側方導電素子の間の距離が始点においては１００〜２００ミクロンの間の範囲内と小さく、その後、各側方導電素子が不利な壁効果が現れ始める地点のセル壁に近づくまでｘにつれて増大するように、始点から壁へ向かってカーブしている。この壁効果を避けるため、各側方導電素子の最も近い側方端を壁から隔てる距離は、拡散領域の任意の点において、３０μｍに等しいか又はそれより大きいままに留まっている。
【０１９０】
各側方導電素子に関して、その側方端の間の中点の軌跡を考察すれば、各側方導電素子は中線によって表すことができる。上記の特性によれば、これら２つの中線はｘ＝ｘｂ２までは別れており、ｘ＞ｘｂ２で接近して一つになる。
【０１９１】
拡散領域内での陰極シースの変位を妨げないためには、各側方導電素子に関して、ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂ２の領域において、この素子の中線に対するｘにおける接線がＯｘ軸に対して６０°未満の角度、好適には３０°〜４５°の角度をなすことが好ましい。
【０１９２】
図１８Ｄ及び１８Ｅは、拡散領域の下で、電極素子が不連続であり、すでに図１１Ｂに関連して説明したように、連続する導電素子に細分されていることを除けば、図１８Ｂ及び１８Ｃの例と同じ例を示している。前と同様に、各セグメントの端部により画定されるプロフィールによれば、拡散領域において、電極素子の累積的幅はいたるところで、本発明の第２の全体的な実施形態の場合に定義された理想的な直線プロフィールＷｅ−ｉｄ−０からそれぞれ−１５％ないし＋１５％だけ異なる上述した下限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｌｏｗと上限プロフィールＷｅ−ｉｄ−ｕｐの間に内接する。
【０１９３】
もちろん、図１８Ｆ及び１８Ｇの例が示すように、上述した点火領域又は安定化領域の形状を図１８Ａ〜１８Ｅの拡散領域の形状と組み合わせてこれらの電極素子に適用すると有利である。
【０１９４】
本発明の第３の全体的な実施形態においては、拡散領域においてＯｘ軸に沿って表面電位の連続的又は非連続的な上昇を得るために、２つの軸対称な側方導電素子の相互の静電効果が用いられる。
【０１９５】
それゆえ、この本発明の第３の全体的な実施形態は、電極素子が少なくとも拡散領域においてそれぞれ２つの軸対称側方導電素子に細分されており、これらの側方導電素子は一定の幅を有するが、本発明に従って、Ｏｘ軸に沿って誘電体層の表面電位の連続的又は非連続的な上昇が得られるように、相互の距離ｄｅ−ｐ（ｘ）がｘａｂとｘｂｃの間にある任意のｘに対して連続的又は非連続的に減少するような電極素子に関している。
【０１９６】
図１９はこの第３の実施形態による構造の１つの例を示しており、この例では、拡散領域の電極部分を覆う誘電体層の表面電位の変化は２つの側方導電素子の間の平均距離につれて変化する。具体的には、一方の電極部分の他方に対する静電効果は、０．９から１の間の正規化表面電位の変化を可能にするほど十分に強いが、その一方で、ｘａｂとｘｂｃの間で変化するｘに対して一定な側方導電素子の幅Ｗｅ−ｐ１及びＷｅ−ｐ２をまだ維持する。この有利な効果を利用し、本発明にしたがって、Ｏｘ軸に沿って誘電体層の表面電位の連続的又は非連続的な上昇を得るためには、ならびに、図に示されているように、これらの側方導電素子が直線状である場合においては、
ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）≦３５０μｍであり、かつ、
ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂ２である領域において、ｘにおける各側方導電素子の中線への接線がＯｘ軸に対して２０°と４０°の間の角度をなさなければならない。
【０１９７】
これらの条件の外では、各電極部分を覆う誘電体層の表面電位の変化は、２つの側方導電素子の間の距離ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）が３５０μｍより大きい地点において飽和する。このとき、位置ｘの関数としての電位の上昇率は、ｘの変化が１００μｍである場合に好適な１％限界レベルよりも低くなる。なお、１００μｍのｘの変化は拡散領域における放電の急速な広がりには不十分である。もちろん、ｘａｂ＜ｘ＜ｘｂｃである領域では、Ｗｅ−ｐ１（ｘ）＝Ｗｅ−ｐ２（ｘ）＝一定である。
【０１９８】
図１９の例は、２つの拡散経路（以下の説明を参照）の間のセルの中心ｙ＝０における放電前の誘電体層の表面電位の低下が制限される又は無くなるように２００μｍ≦ｄｅ−ｐ（ｘａｂ）≦３５０μｍである特定の場合に関しているが、図１９の例では、点火領域Ｚａは有利には、それぞれ拡散領域Ｚｂ−ｐ１，Ｚｂ−ｐ２につながった２つの側方部におけるよりも大きな長さＬａ＋ΔＬａを有する細長い中心領域Ｚａを含んでいる。この細長部ΔＬａは突起１９１を形成しており、この突起１９１が有利には動作電圧を低下させる。その理由は次の通りである。すなわち、この突起１９１がセルの中心における点火領域Ｚａの面積を増大させ、したがって点火領域の容量を増大させても、堆積する電荷の量は動作電圧を下げることにしか貢献しないからである。というのも、この点ｙ＝０における放電は、この電極素子の拡散領域がセルのＯｘ軸に関して横方向にオフセットされているため、セルのＯｘ軸に沿って広がることができず、中心におけるメモリ電荷の増加は、電荷堆積の後にシースの形成がすぐに続く従来技術による上記Ｔ形とは違い、陰極シースのエネルギーに不都合なインパクトを与えることがないからである。したがって、点火領域Ｚａ内ならびに側方拡散領域Ｚｂ−ｐ１及びＺｂ−ｐ２が分かれる地点における電極素子のこの中心の伸長は、拡散のために付加的なエネルギー散逸（消散）を要さない放電開始因（イニシエータ）として機能する。この目的で、ΔＬａ＋Ｌａ＜８０μｍであり、かつＯｙ軸に沿って測った突起１９１の幅Ｗａ−ｉがＷｅ−ａｂ＜Ｗａ−ｉ＜８０μｍであるように、伸長ΔＬａを選定することが好ましい。
【０１９９】
好適には、本発明のこの第３の実施形態に関して、つぎの条件のうちの１つ又は複数が組み合わされる：
Ｗｅ−ａｂ≦Ｗｅ−ａｂ（Ｐ１／Ｅ１＝０．１３）；
Ｗｅ−ｂｃ≦Ｗｃ、及び、壁での電荷損失を制限するために好適にはＷｅ−ｂｃ≦Ｗｃ−６０μｍ。
【０２００】
本発明の第４の全体的実施形態によれば、コプラナー電極の各導電素子は、一定の幅の軸対称な側方導電素子を介してつながれた点火領域内の横バーと安定化領域内の横バーとの他に、拡散領域内に配置された少なくとも１つの付加的な横バーを有している。さらに、この横バーの寸法と位置は以下で説明する別の条件を満たしている。
【０２０１】
図２０Ａは、文献ＥＰ  ０  ８０２  ５５６（Ｍａｔｓｕｓｈｉｔａ）の図９に関連して既に説明した図４Ａのコプラナー電極素子と多少類似したコプラナー電極素子を有するタイプの構造を示している。各導電素子Ｙは３つの領域、すなわち、点火領域Ｚａ、拡散領域Ｚｂ、及び安定化もしくは放電終了領域Ｚｃに分割されている。点火領域Ｚａはここでは横バー３１に相当する。安定化領域Ｚｃはここでは図４Ａとは異なり、点火領域Ｚａの横バー３１の長さＬａよりも長い長さＬｓにわたって延びる横バー３３’に相当する。これらの長さは、前と同様に、セルの長手軸Ｏｘに沿ったこれらのバーの長さに相当する。これらの横バー３１，３３’は拡散領域Ｚｂにおいて軸対称な側方導電素子又は側方脚部４２ａ，４２ｂを介してつながっている。ただし、側方導電素子４２ａ，４２ｂは、セルの壁に向かってシフトしているため遠く離れており、それぞれ一定の幅Ｗｅ−ｐ１及びＷｅ−ｐ２を有している。
【０２０２】
図２１は誘電体層の表面電位の分布の断面図Ａ（曲線Ａ）と図２０Ａのセルの断面図Ｂ（曲線Ｂ）とを示している。この分布は前述したＳＩＰＤＰ−２Ｄソフトウェアを用いて得られる。
【０２０３】
Ｌｓ＞Ｌａなので、放電終了領域内の誘電体層の容量は、点火領域と放電終了領域との間に正の電位差が形成されるように、放電点火領域内に位置する誘電体層の比容量よりも大きい。したがって、前述した好適な一般的条件Ｖｎ−ｂｃ＞Ｖｎ−ａｂが満たされている。
【０２０４】
導電素子の幅Ｗｅについてと同様に、導電素子の長さＬｅも同じ法則に従って誘電体層の表面の電位を変化させる。本発明の第２の実施形態の場合では、長さＬｅがＷｅより常に大きいため長さＬｅは何の役割も果たしていないので、誘電体層の表面の電位は導電素子の幅によってしか影響されない。曲線Ａによって示されている誘電体層の表面電位は、２つの側壁の間の拡散領域に電極が存在しないため、点火領域を離れると著しく低下している。拡散領域のこの部分では、表面電位は側壁に位置する２つの垂直なバーにより形成される電位に依存している。この壁から離れれば離れるほど、この領域での電位の上昇は大きくなる。これに対して、点火領域及び放電終了領域での壁端部における電位は構造の中心部における電位よりも低い。それゆえ、好適な放電経路は側壁に沿っており、壁の中心にはない。壁の境界に沿って配置された拡散領域のこの部分では、損失は大きく、プラズマ密度は低い。その結果、生成される紫外光子の数が著しく低下し、したがって輝度が低下する。また、電位は拡散領域のこの部分においては比較的一定であり（曲線Ｂ）、拡散を可能にする横電場の形成が許されない。
【０２０５】
本発明の目的を達成するため、すなわち、放電領域において連続的又は非連続的に上昇する表面電位を得るため、ならびに放電の自然な拡散を可能にする横電場を形成するために、図２０Ａに関連して既に説明したセルの中に、本発明の第４の全体的実施形態に従って、少なくとも１つの第３の横バー２０５が付加される。本発明によれば、セルの長手方向の対称軸Ｏｘに沿って測ったこのバーの長さＬｂは、Ｌｂ≦Ｌａ＜Ｌｓとなるものである。本発明によれば、このバーはこの場合、拡散領域内で次のように位置決めされている。すなわち、ｄ１を点火領域Ｚａと拡散領域Ｚｂの対向端部の間の距離とし、ｄ２を安定化領域Ｚｃと拡散領域Ｚｂの対向端部の間の距離とすると、ｄ２／２＜ｄ１＜ｄ２である。
【０２０６】
このような解決手段が図２０Ｂに示されている。
【０２０７】
Ｏｘ軸に沿ってセルの中心ｙ＝０において誘電体層の表面の電位を測定することにより、図２１の曲線Ｃが得られる。このような分布は本発明の全般的な規定に適合しており、それによりこの表面電位は放電領域内で連続的又は非連続的に上昇することが分かる。
【０２０８】
このように、各電極素子は少なくとも３つの横バー３１，２０５，３３’を有しており、これらの横バーは全体として放電拡散方向Ｏｘに対して垂直な方向に延びており、これらの横バーに対して垂直で電極板２の側壁に位置する軸対称な側方導電素子によってつながれている。
【０２０９】
好適には、３×ｍａｘ（Ｌａ，Ｌｂ）＜Ｌｓ＜５×ｍａｘ（Ｌａ，Ｌｂ）である。
【０２１０】
今まで説明してきた或る全体的実施形態の考えられる組合せも、コプラナー電極板の各電極素子において、この素子に印加される定電位が同じ放電領域の他方の素子に印加される電位に比して負である場合に、拡散領域内の誘電体層の表面電位がＯｘ軸に沿って上昇するならば、本発明の一部を形成する。
【０２１１】
本発明は特に、プラズマディスプレイパネルのコプラナー電極板のこれらの電極Ｙ，Ｙ’が一般に５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚである従来の周波数で一定の電圧プラトー（矩形波又は方形波のパルス）を有する電圧パルスによって給電されるケースに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２１２】
【図１Ａ】従来技術のセルの第１の構造を平面及び断面で見た図；
【図１Ｂ】従来技術のセルの第１の構造を平面及び断面で見た図；
【図２Ａ】図１Ａ及び１Ｂに示されたタイプのセルでの、時間Ｔ１及び時間Ｔ２での放電状態の図；
【図２Ｂ】時間Ｔの関数としての放電電流の変化を示す図；
【図３Ａ】従来技術のセルの第２の構造の平面図；
【図３Ｂ】第２の構造での、時間Ｔの関数として、放電電流の変化を示す図；
【図４Ａ】従来技術のセルの第３の構造の平面図；
【図４Ｂ】第３の構造での、時間Ｔの関数として、放電電流の変化を示す図；
【図５】図１〜４の従来技術の構造の電極素子に沿った誘電層の表面電位の分布を示す図；
【図６】コプラナー電極板を有するプラズマディスプレイパネルのセル斜視略図；
【図７】後続図面に記載されている本発明の構造の電極素子に沿った誘電層の、本発明による表面電位の分布を示す図；
【図８】誘電層の厚みが変化する構造に基づく本発明の第１の実施例の略図；
【図９】プラズマディスプレイパネルのセル内の電極素子の幅の関数として、誘電層の正規化表面電位の変化を任意単位で示す図；
【図１０Ａ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１０Ｂ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１０Ｃ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１０Ｄ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１１Ａ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１１Ｂ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１１Ｃ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１１Ｄ】電極素子が可変の幅を有する構造に基づく、本発明の第２の変形実施例の略図を示し；
【図１２】点火領域内の電極素子の幅の関数として、放電を点火するためのセルの各電極素子間に印加される正規化点火電位の変化を示し；
【図１３】本発明の電極素子の点火エッジの可能な２つの構成を示し；
【図１４】本発明の電極素子の点火エッジの可能な２つの構成を示し；
【図１５Ａ】図１３又は図１４に示された点火エッジで供給される、図１０Ｃによる構造の変化を示す図；
【図１５Ｂ】図１３又は図１４に示された点火エッジで供給される、図１０Ｃによる構造の変化を示す図；
【図１６】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１７】２つの側方導電素子間の間隙の関数として、図１６のセルの中心での誘電層の表面電位の変化を示す図；
【図１８Ａ】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１８Ｂ】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１８Ｃ】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１８Ｄ】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１８Ｅ】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１８Ｆ】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１８Ｇ】電極素子が可変幅を有していて、２つの側方（ラテラル）導電素子に分割される構造に基づく、本発明の第２の他の変形実施例の略図；
【図１９】電極素子が、一定幅を有する２つの側方導電素子に分割されている構造に基づく本発明の第３の変形実施例の略図；
【図２０Ａ】２つの横バーを有するセル構造を示す図；
【図２０Ｂ】本発明の第３の概略実施例を示す３つの横バーを有する従来技術のセル構造を示す図；
【図２１】図２０Ａ及び２０Ｂの構造の電極素子に沿った誘電層の表面電位の分布を示す図
2005531110.tif 000008
2005531110.tif 000009
2005531110.tif 000010
2005531110.tif 000011
【図５】
2005531110.tif 000012
【図６】
2005531110.tif 000013
【図７】
2005531110.tif 000014
【図８】
2005531110.tif 000015
【図９】
2005531110.tif 000016
2005531110.tif 000017
2005531110.tif 000018
【図１２】
2005531110.tif 000019
【図１３】
2005531110.tif 000020
【図１４】
2005531110.tif 000021
2005531110.tif 000022
【図１６】
2005531110.tif 000023
【図１７】
2005531110.tif 000024
2005531110.tif 000025
【図１９】
2005531110.tif 000026
2005531110.tif 000027
【図２１】
2005531110.tif 000028
【国際調査報告】
2005531110.tif 000029
2005531110.tif 000030
2005531110.tif 000031
2005531110.tif 000032