(57)【要約】  本発明は、プロセス溶液を利用したワークピース表面の電気化学的機械的処理のための装置を提供する。本発明の装置は、プロセス溶液に接触する電極と、供給スプールと受取スプールとの間に伸展するベルトワークピース表面作用デバイスとを含む。プロセス中、ワークピース表面はワークピース表面作用デバイスの近位に配置され、プロセス溶液は処理セクションを通してワークピース表面上に流れる。その間、電位差が電極とワークピース表面との間に印加される。
2005509092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶液を使用したワークピース表面の電気化学的機械的処理のための装置であって、
溶液に接触する電極と、
供給構造と受取構造との間に伸展しかつ取り付けられたワークピース表面作用デバイスと（ワークピース表面作用デバイスのセクションはワークピース表面に近接して配置され、溶液がワークピース表面作用デバイスのセクションにある開口部を通してワークピース表面上に流れ、電位差が電極とワークピース表面との間に維持される）、
溶液がそれを通して流れている間、ワークピース表面作用デバイスのセクションを直線的に動かすための機構と
を含む装置。
【請求項２】
ワークピース表面作用デバイスは、ベルトとして形成されている請求項１の装置。
【請求項３】
開口部は、チャネルである請求項２の装置。
【請求項４】
ワークピース表面作用デバイスは、上面がワークピース表面に面している、上面および底面をもつ柔軟な層を含む請求項２の装置。
【請求項５】
柔軟な層の上面は、研磨粒子を含む請求項４の装置。
【請求項６】
ワークピース表面作用デバイスを支持するための支持構造をさらに含む請求項４の装置。
【請求項７】
ワークピース表面作用デバイスは、柔軟な層の底面下に位置する圧縮層を含む請求項６の装置。
【請求項８】
ワークピース表面作用デバイスのセクションは、電気化学的機械的処理の少なくとも一部の間、ワークピースの前面の実質的に平坦な導電性表面と接触するように配置される請求項４の装置。
【請求項９】
支持構造は、支持層である請求項６の装置。
【請求項１０】
ワークピース表面作用デバイスを支持するための支持手段をさらに含む請求項８の装置。
【請求項１１】
支持手段は、ワークピース表面作用デバイスに加えられる溶液の圧力である請求項１０の装置。
【請求項１２】
圧縮層は柔軟な層の底に付着され、圧縮層は支持構造上で動くことができる請求項７の装置。
【請求項１３】
圧縮層は支持構造の上面に付着され、柔軟な層は圧縮層上で動くことができる請求項7の装置。
【請求項１４】
ワークピース表面作用デバイスのセクションは、駆動機構によって２方向の直線的な動きで動かされる請求項１の装置。
【請求項１５】
ワークピース表面作用デバイスのセクションは、駆動機構によって１方向の直線的な動きで動かされる請求項１の装置。
【請求項１６】
複数のワークピースを処理する際、ワークピース表面作用デバイスのセクションを、プロセス時間の合間に駆動機構によって前進させ、ワークピース表面作用デバイスの他のセクションをワークピース表面に近接させる請求項１の装置。
【請求項１７】
セクションおよび他のセクションは、同じチャネルパターンをもつ請求項１６の装置。
【請求項１８】
セクションおよび他のセクションは、異なるチャネルパターンをもつ請求項１６の装置。
【請求項１９】
第１の複数のワークピースが第１のプロセス時間中にセクションにおいて処理され、その後、第２の複数のワークピースが第２のプロセス時間中に他のセクションにおいて処理される請求項１７の装置。
【請求項２０】
第１の複数のワークピースが第１のプロセス時間中にセクションにおいて処理され、その後、第２の複数のワークピースが第２のプロセス時間中に他のセクションにおいて処理される請求項１８の装置。
【請求項２１】
ワークピース表面作用デバイスのセクションを、駆動機構によってプロセス中に連続的に前進させ、ワークピース表面作用デバイスの未使用部分を前記未使用部分がセクションよりも小さくなるようにワークピース表面に近接させる請求項２の装置。
【請求項２２】
供給構造は、ワークピース表面作用デバイスの未使用セクションをしまい込むための供給スプールであり、受取構造は、ワークピース表面作用デバイスの使用済みセクションをしまい込むための受取スプールである請求項２の装置。
【請求項２３】
印加された電位差は、電気メッキを提供する請求項１の装置。
【請求項２４】
印加された電位差は、電気研磨を提供する請求項１の装置。
【請求項２５】
第１の溶液と第２の溶液を使用したワークピース表面の電気化学的機械的処理のための装置であって、
溶液に接触する電極と、
第１の供給構造と第１の受取構造との間に伸展しかつ取り付けられた第１のワークピース表面作用デバイスと、
第２の供給構造と第２の受取構造との間に伸展しかつ取り付けられた第２のワークピース表面作用デバイスと、
第１のワークピース表面作用デバイスの第１のセクションを動かすための第１の機構と、
第２のワークピース表面作用デバイスの第１のセクションを動かすための第２の機構と、
第１および第２の溶液を、それぞれ第１および第２のワークピース表面作用デバイスの第１のセクションを通して流すための手段と
を含み、ワークピース表面は第１および第２のワークピース表面作用デバイスにおいて電気化学的機械的に処理され、その間、第１および第２の溶液はそれぞれのワークピース表面作用デバイスの第１のセクションを通して流れ、電位差が電極とワークピース表面との間に維持され得る装置。
【請求項２６】
流すための手段は、互いに異なる第１および第２の溶液を流す請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
流すための手段は、同じ第１および第２の溶液を流す請求項２５に記載の装置。
【請求項２８】
ワークピース表面を電気化学的機械的に処理するための方法であって、
供給構造と受取構造との間に伸展しかつ取り付けられたワークピース表面作用デバイスを提供する工程と、
チャネルパターンをもつワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションの非常に近位にワークピース表面を配置する工程と、
ワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションのチャネルを通してワークピース表面上に溶液を流す工程と、
溶液に接触する電極とワークピースとの間に電位差を印加する際、ワークピース表面を電気化学的機械的に処理する工程と、
電気化学的機械的処理の間、ワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションをワークピース表面上で直線的に動かす工程と
を含む方法。
【請求項２９】
駆動機構は、ワークピース表面作用デバイスを２方向の直線的な動きで動かす請求項２８の方法。
【請求項３０】
駆動機構は、ワークピース表面作用デバイスを１方向の直線的な動きで動かす請求項２８の方法。
【請求項３１】
ワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションをプロセス時間の合間に前進させ、ワークピース表面作用デバイスの第２の処理セクションをワークピース表面に近接させることをさらに含む請求項２８の方法。
【請求項３２】
第１および第２の処理セクションは、同じチャネルパターンをもつ請求項３１の方法。
【請求項３３】
第１および第２の処理セクションは、異なるチャネルパターンをもつ請求項３１の方法。
【請求項３４】
第１の複数のワークピースを第１のプロセス時間中に第１の処理セクションにおいて処理し、その後、第２の複数のワークピースを第２のプロセス時間中に第２の処理セクションにおいて処理することをさらに含む請求項３１の方法。
【請求項３５】
第１の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的堆積である請求項３４の方法。
【請求項３６】
第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的研磨である請求項３５の方法。
【請求項３７】
第１および第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的堆積である請求項３４の方法。
【請求項３８】
第１および第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的研磨である請求項３４の方法。
【請求項３９】
第１の複数のワークピースを第１のプロセス時間中に第１の処理セクションにおいて処理し、その後、第２の複数のワークピースを第２のプロセス時間中に第２の処理セクションにおいて処理することをさらに含む請求項３３の方法。
【請求項４０】
第１の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的堆積である請求項３９の方法。
【請求項４１】
第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的研磨である請求項３９の方法。
【請求項４２】
ワークピース表面作用デバイスをプロセス中に駆動機構によって前進させ、ワークピース表面作用デバイスの未使用部分をワークピース表面に近位させる請求項２９の方法。
【請求項４３】
電気化学的機械的処理は、電気化学的機械的堆積である請求項２８の方法。
【請求項４４】
電気化学的機械的処理は、電気化学的機械的研磨である請求項２８の方法。
【請求項４５】
請求項２８の工程を含む方法によって製造される集積回路。
【請求項４６】
プロセス溶液を使った電気化学的機械的処理システムで用いる、ワークピース上面で操作するためのベルトワークピース表面作用デバイスであって、
動きに適合したベルト（ベルトは上面および底面をもち、複数の処理セクションを含む）を含み、各処理セクションは、ベルトを貫いて形成された複数の開口部を含み、プロセス溶液はそれを通して流れてワークピース上面に行き渡ることができ、その間、セクションを移動させ、物理的接触がベルトのセクションとワークピース上面との間に生じるベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項４７】
開口部は、チャネルである請求項４６のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項４８】
チャネルは、規定パターンで分布する請求項４７のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項４９】
各処理セクションは、同一のチャネルパターンをもつ請求項４６のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項５０】
各処理セクションは、異なるチャネルパターンをもつ請求項４６のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項５１】
処理セクションは、処理セクション間に隙間なく形成されている請求項４９のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項５２】
処理セクションは、お互いから離れて間隔があいている請求項４９のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項５３】
処理セクションは、処理セクション間に隙間なく形成されている請求項５０のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項５４】
処理セクションは、お互いから離れて間隔があいている請求項５０のベルトワークピース表面作用デバイス。
【請求項５５】
溶液を使用して複数のワークピース表面を処理する電気化学的機械的処理のための方法であって、
供給構造と受取構造との間に伸展しかつ取り付けられたワークピース表面作用デバイスを提供する工程と、
複数のワークピースのうち第１の複数の表面を電気化学的機械的に処理し、その際、溶液に接触する電極と第１の複数のワークピース各々との間に電位差を加え、ワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションを使用する工程と、
ワークピース表面作用デバイスの第２の処理セクションを使用することができるように、ワークピース表面作用デバイスを動かす工程と、
複数のワークピースのうち第２の複数の表面を電気化学的機械的に処理し、その際、溶液に接触する電極と第２の複数のワークピース各々との間に電位差を加え、ワークピース表面作用デバイスの第２の処理セクションを使用する工程と
を含む方法。
【請求項５６】
第１および第２の処理セクションは、同一のチャネルパターンをもつ請求項５５の方法。
【請求項５７】
第１の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的堆積である請求項５６の方法。
【請求項５８】
第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的研磨である請求項５７の方法。
【請求項５９】
第１および第２の処理セクションは、異なるチャネルパターンをもつ請求項５５の方法。
【請求項６０】
第１の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的堆積である請求項５９の方法。
【請求項６１】
第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的研磨である請求項６０の方法。
【請求項６２】
第１および第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的堆積である請求項５５の方法。
【請求項６３】
第１および第２の処理セクションにおいて行われるプロセスは、電気化学的機械的研磨である請求項５５の方法。
【請求項６４】
請求項５５の工程を含む方法によって製造される集積回路。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本出願は、米国仮出願No.60/350,214（2001年11月2日に出願）からの優先権を主張し、米国特許出願No.09/607,567(2000年6月29日に出願)(NT-001D1-US)［これは米国特許出願No.09/201,929（1998年12月1日に出願）、現時点で米国特許No.6,176,992(NT-001-US)の分割出願である］および米国特許出願No.09/740,701（2000年12月18日に出願）（NT-020-US）［米国仮出願No.60/224,739（2000年10月10日に出願）（NT-020-P）に対して優先権を主張する］の一部継続出願である。
【分野】
【０００２】
本発明は、一般に半導体集積回路技術に関し、特にワークピースを電気処理または電気化学的に処理するためのデバイスに関する。
【背景】
【０００３】
従来の半導体デバイス例えば集積回路（ＩＣ）は、一般に半導体基板（通常はシリコン基板）と、絶縁材料層によって分離された複数の導電性材料層とを含む。導電性材料層（または相互接続）は、集積回路の配線ネットワークを形成する。配線ネットワークの各レベルの導体は、隣接するレベルの導体から絶縁層（層間誘電体としても知られる）によって分離される。シリコン集積回路に広く使用される１つの誘電体材料は、二酸化ケイ素であるが、ＩＣ構造中で標準的な緻密な二酸化ケイ素材料の少なくとも一部を、low-k誘電体材料例えば有機、無機、スピンオンおよびＣＶＤ候補と置換するという現在の傾向がある。通常、ＩＣ相互接続は、層間誘電体にエッチングされた凹部またはキャビィティ中にメタライゼーションプロセスによって導体例えば銅を充填することによって形成される。銅は、その低い電気抵抗と良好なエレクトロマイグレーション性のために、相互接続用途として好ましい導体になってきている。銅メタライゼーションプロセスの好ましい方法は、電気メッキである。集積回路において、複数のレベルの相互接続ネットワークは、基板表面に対して横方向に延びる。順次の層として形成された相互接続は、凹部例えば、バイアまたはコンタクトを用いて電気的に接続することができる。典型的な相互接続製造プロセスにおいては、最初に、絶縁層を半導体基板上に形成し、次に、パターニングおよびエッチングプロセスを行い、凹部またはキャビィティ例えば、トレンチ、バイア、およびパッドなどを絶縁層中に形成する。その後、銅を電気メッキし、全ての凹部を充填する。このような電気メッキプロセスにおいて、ウェハをウェハキャリア上に配置し、電解質溶液がウェハ表面および電極の両方を濡らしている間に、電極に対してカソード（−）の電圧をウェハ表面に印加する。
【０００４】
いったんメッキプロセスが終了すると、材料除去工程、例えば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）プロセス工程を行い、余分な銅層（銅の過剰被覆とも呼ぶ）をワークピースの上面（フィールド領域とも呼ぶ）から除去し、銅を凹部内のみに残す。その後、さらなる材料除去工程を行い、フィールド領域上にある他の導電層、例えばバリア／グルー層を除去する。このような製造は、物理的および電気的にお互いから分離された凹部内に銅の堆積を生じる。他の従来のエッチング技術を使用することもでき、フィールド領域から１工程で銅およびバリア／グルー層の両方を除去することができる従来手法もある。効率的に機能するＣＭＰ装置の特定のタイプは、米国特許No.6,103,628「搭載可能なハウジングをもつリバースリニアな研磨機」中に記載される。
【０００５】
従来の材料除去技術の弊害を、ワークピース表面上に平坦な導体材料の薄層を提供することができる平坦堆積手法、および平坦除去プロセスを使用することによって最小化または克服してもよい。これらの平坦堆積および除去プロセスはまた、ＩＣパッケージングに使用されるスルーレジストプロセスの用途をもつ。これらの用途において、メッキは、レジスト層に開いた穴の中に、各穴または開口部の底で露出したシードフィルム上に行われる。
【０００６】
ある技術は、集合的に電気化学的機械的処理（ＥＣＭＰＲ）と呼ばれ、電気化学的機械的堆積（ＥＣＭＤ）プロセスおよびエレクトロ（ＥＣＭＥ）（電気化学的機械的研磨とも呼ばれる）の両方を含む用語として使用される。一般に、ＥＣＭＤおよびＥＣＭＥプロセスの両方を、電気化学的プロセスおよび機械的動作の両方を伴うことから、電気化学的機械的処理（ＥＣＭＰＲ）と呼ぶことに留意すべきである。
【０００７】
ＥＣＭＰＲプロセスの１態様において、ワークピース表面作用デバイス（ＷＳＩＤ）例えばマスク、パッドまたはスイーパは、電気処理プロセスの少なくとも一部の間に使用され、その際、ワークピース表面とＷＳＩＤとの間で、物理的な接触（あるいは非常に近接した状態）があり、相対運動が起こる。様々な平坦堆積および平坦エッチング方法および装置の説明は、以下の特許および継続中の出願に見出すことができる（全ては本発明の譲受人(assignee)によって共通に所有されている）。米国特許6,176,992「電気化学的機械的堆積のための方法および装置」。米国特許出願09/740,701「外部影響力を用いてワークピースの上表面とキャビィティ表面に設けられた添加物の間に差異を生じさせるメッキ方法および装置」（2001年12月18日に出願）、および米国特許出願09/961,193「ワークピースの所定部分への堆積を制御するためのメッキ方法および装置」（9月20日に出願）。これらの方法は、ワークピース上のキャビィティ部分の中および上に平坦な仕方で金属を堆積することができる。それらはまた、凹部を超えて過剰な量の金属をもつ新規な構造を得る能力を、そのサイズに関係なく必要に応じて提供する。
【０００８】
ＥＣＭＤ方法では、ワークピース表面を電解質によって濡らし、電極に対してカソードにする（電極も電解質で濡らす）。これは、典型的にはワークピースの凹部内に導電性材料の堆積を生じ、ワークピースの上面に薄層を生じる。ＥＣＭＤ中、ワークピース表面とＷＳＩＤとの間の相対運動によりワークピース表面を掃引するとき、ウェハ表面をＷＳＩＤの表面に対して押し付けまたは近接させる（またはその逆）。平坦堆積は、上記した特許出願中で説明されているように、この掃引動作によって達成される。
【０００９】
ＥＣＭＥ方法では、ワークピース表面を電解質またはエッチング溶液によって濡らすが、印加した電圧の極性は逆にする。すなわち、電極と比較してワークピース表面をよりアノードにする。電圧差をつけなければ、エッチングは化学エッチングとなり、ワークピースとＷＳＩＤとの間に物理的接触または近接があるときに実施することができる。化学エッチングは、プロセス溶液またはエッチング溶液を使用して行うことができる。
【００１０】
最初に、ＥＣＭＤ技術を使用して平坦層を堆積し、次に、印加された電圧を逆転することによって同じ電解質中で平坦フィルム上にＥＣＭＥ技術を使用することによって非常に薄い平坦な堆積を得ることができる。代わりに、ＥＣＭＥ工程は、別個の機械および異なるエッチング電解質で行うこともできる。堆積の厚みは平坦な仕方で減少してもよい。実際には、ＥＣＭＥ技術は、フィールド領域上の全ての金属が除去されるまで継続してもよい。平坦エッチングはＷＳＩＤの使用の有無にかかわらず達成することができるので、エレクトロエッチングまたはエッチングプロセス中にＷＳＩＤを使用してもしなくてもよいことに留意すべきである。
【００１１】
図１Ａは、ウェハを処理するために使用される典型的な従来のＥＣＭＰＲシステム100の略図である。図１Ａにおいて、ＷＳＩＤ102はその中に開口部104をもち、処理されるワークピースまたはウェハ106の非常に近くに配置される。ＷＳＩＤ102は、穴110または開口部をもつ支持プレート108によって支持される。ウェハ106は、導電性材料、好ましくは銅または銅合金でメッキすべきシリコンウェハである。ウェハ106はウェハキャリア111によって保持され、ＷＳＩＤ102の上面113に対してウェハ前面112を位置付ける。開口部104は、矢印114によって示される電解質溶液から前面112上への銅の均一な堆積、または前面112からの均一なエレクトロエッチングを保証するように設計される。穴110は、開口部104の設計と正確に一致していてもいなくてもよい。一般に、開口部104は均一な堆積のために設計され、穴110は、電場および電解質溶液がＷＳＩＤ102に実質的に妨害されずに通過するようにする。従って、支持プレート108の単位面積あたりの穴の面積は、ＷＳＩＤ102の単位面積あたりの開口部の面積と等しいかそれ以上である。ウェハの前面112に面するＷＳＩＤ102の上面113はスイーパとして使用され、ＷＳＩＤ102それ自体は、全体的に均一な堆積またはエッチングのために、前面112に対する適切な電解質の流れと電場の流れを確立する。このようなＥＣＭＰＲシステム100はまた電極116を含み、電解質溶液114中に浸す。電解質114は、ＷＳＩＤ102の開口部104を通して電極116とウェハ106の前面112を流体的につなげる。
【００１２】
電極116は、Cu堆積のためにはCu片が典型的である。また、不活性電極、例えばPt被覆Tiからなるものでもよい。典型的な銅の電解質溶液は、この業界で一般に使用される添加物例えばアクセレータ、サプレッサー、レベラー(leveler)、塩化物などを含む硫酸銅溶液でもよい。平坦堆積技術、例えばＥＣＭＤにおいて、レベリングはプロセスによって自動的に行われるので、レベラーは必ずしも必要ではない。しかしながら、他の処理結果たとえばギャップの充填などの最適化のために、レベラーを加えるであろう。ＷＳＩＤ102の上面113は、電極116とウェハの前面112との間に電位を確立している間に、ウェハの前面112を掃引する。平坦フィルム例えば銅の堆積のために、ウェハ102の前面を電極116と比較してよりカソード（負）にする（電極はアノードになる）。同じＥＣＭＰＲシステムにおけるエレクトロエッチングの場合には、ウェハ表面を電極よりもアノードにする。化学エッチング（化学エッチングまたはエッチング）では、ウェハと電極との間に電位差は印加されない。
【００１３】
図１Ｂに示したように、ＷＳＩＤ102の構造は、上層120、中間層122、および底層124をもつ。上層120は、研磨材料、例えば3M社によって供給される固定研磨フィルムの部類またはＣＭＰ用途に使用される任意の他のいわゆるパッド材料（例えばRodelによって供給されるポリマーIC-1000材料）からなるのが好ましい。上層120の厚みは、典型的には0.05〜2mmの範囲にある。中間層122は上層120のための搭載層であり、中間層122および底層124において穴を規定する。中間層122は、典型的には硬質プラスチック材料、例えば1〜3mmの範囲の厚みをもつポリカーボネートからなる。底層124は、全体構造のための圧縮層として機能する。底層は、ポリマー発泡体材料、例えばポリウレタンまたはポリプロピレンからなる。米国特許No.6,413,403および6,413,388（本発明の譲受人に譲渡されている）は、ＷＳＩＤの様々な例を開示する。さらに、米国特許出願No.09/960,236「マスクプレートデザイン」（2001年9月20に出願）は、様々なＷＳＩＤの実施形態を開示する。さらにまた、米国特許出願No.10/155,828「低い力の電気化学的機械的堆積方法および装置」（2002年5月23日に出願）は、高度の圧縮層上に付着した柔軟かつ研磨性の上層をもつＷＳＩＤ構造を開示する。両出願は、本発明の譲受人に譲渡されている。ＷＳＩＤは多孔質支持プレート上に配置されるが、これはＷＳＩＤの不可欠な部分であってもなくてもよい。この特定構造において、電解質は、圧縮層の開口部または開孔と柔軟な層の開口部を通して流れる。
【００１４】
この結果、これらの技術は、ワークピースおよびウェハ上の平坦な金属堆積または新規な金属構造を得ることを補助するが、依然として、より良好な均一性をもつ堆積と高収量を得ることができるハイスループットな方法および装置のさらなる開発の必要性がある。
【概要】
【００１５】
本発明は、プロセス溶液を使用したワークピース表面の電気化学的機械的処理のための装置を提供する。本発明の装置は、プロセス溶液に接触する電極と、供給構造と受取構造との間に伸展しかつ取り付けられたベルトワークピース表面作用デバイスとを含む。さらに、ワークピース表面作用デバイスの処理セクションは、ワークピース表面に近接して配置される。プロセス溶液は、処理セクションを通過し、ワークピースの表面上へ流れていくことができる。電位差は、プロセス中、電極とワークピース表面との間で維持することができる。ある機構により、溶液がワークピース表面作用デバイスを通して流れる間、ワークピース表面作用デバイスの処理セクションを動かす。
【００１６】
さらに、本発明は、ワークピース表面の電気化学的機械的処理のための方法を提供する。本方法は、チャネルパターンをもつワークピース表面作用デバイスを提供するための工程を含む。ワークピース表面作用デバイスは、供給スプールと受取スプールとの間に伸展しかつ取り付けられている。ワークピースは、ワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションの非常に近位に配置される。プロセス溶液は、ワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションのチャネルを通してワークピース表面上に流れる。表面は、電気化学的機械的処理中に、ワークピース表面作用デバイスの第１の処理セクションとワークピース表面との間に相対運動を確立しながら、電気化学的機械的に処理される。プロセスの間、電位差が電極とワークピースとの間に維持される。
【００１７】
本発明の目的は、より良好な均一性をもつ金属層を提供するのを補助するベルトＷＳＩＤ設計を提供することである。
【００１８】
本発明のさらなる目的は、ベルトＷＳＩＤの複数のセクションにグループ化された開口部またはチャネルをもつベルトＷＳＩＤ設計を提供することである。
【００１９】
本発明は、電気化学的機械的処理装置にベルトＷＳＩＤを使用して、本発明の上記目的および他の目的を１つ１つまたはまとめて達成する。
【詳細な説明】
【００２０】
以下、好ましい実施形態について集積回路用途のための相互接続の製造例を使用しながら説明していく。しかしながら、多くの異なる用途、例えばパッケージング、フラットパネルディスプレイ、磁気ヘッドなどのために、本発明は、様々な電気メッキされた材料、例えばAu, Ag, Ni, Pt, Pd, Fe, Sn, Cr, Pb, Zn, Coおよびこれらの合金または他の材料をもつ任意のワークピースに作用するために使用できることを認識すべきである。以下に示した例では、電気メッキされる材料を銅として説明しているが、代わりに他の材料を使用することができることを理解されたい。
【００２１】
さらに、好ましい実施例は、平坦層を堆積する状況において説明していく。上記に言及したＥＣＭＰＲについての特許および出願中で説明されているように、エレクトロエッチング、化学エッチングおよび他のプロセスも必要とするさらなる新規な構造は、本発明を使用して得ることができる。１つの実施形態では、例えば、本発明のベルトＷＳＩＤ構造を使用するＥＣＭＤプロセスによって、ウェハ表面上に平坦導電層を形成する。さらなる新規な構造はまた、上記出願中に開示されたような低い力の電気化学的機械的エッチング（ＥＣＭＥ）を使用して形成してもよい。
【００２２】
本発明によって処理する典型的な基板200の表面領域の詳細を、図２Ａおよび図２Ｂに示した。基板200は、パターン化された層202（好ましくはワークピース204上に形成される絶縁層）を含む。絶縁層は、絶縁材料例えば二酸化シリコンから構成され、金属相互接続デザインルールに従って周知のパターニングおよびエッチング技術を使用して形成される。この実施形態において、絶縁層202は、凹部またはギャップ、すなわちフィールド領域210によって互いに分離された第１の凹部206および第２の凹部208から構成される。この実施形態において、凹部は、第１の凹部206がバイアとなり、第２の凹部208が第２のバイア209を底にもつトレンチとなるように形成することができる。上面210はフィールド領域とも呼ぶ。材料、例えばTa, TaN, Ti, TiN, またはWNをもつバリアまたはグルー層の１以上の薄層217は、キャビィティおよび上面を被覆する。銅の薄いフィルム218は、次の電気メッキされる銅層のためにバリア層の上にシード層として被覆される。銅のシード層は、次の堆積層の核形成および成長を促進することができるベース層を提供する。図２Ｂを参照すると、本発明により、プレーナ銅層220は、凹部206, 208, 209内およびフィールド領域210上に堆積することができる。本発明を使用して行われる堆積プロセスおよび他のプロセスについて以下に説明する。
【００２３】
図３は、本発明のベルトＷＳＩＤアセンブリー301およびキャリアヘッド302を含むＥＣＭＰＲシステム300の実施形態を示す。ベルトＷＳＩＤアセンブリー301は、上面304（または処理面）および背面306をもつＷＳＩＤベルト303と、一組のローラ308を含む。ＷＳＩＤベルトは、柔軟な材料から作られ、好ましくは掃引動作のための研磨処理面をもつ。ベルトＷＳＩＤは複数の開口部314（またはチャネル）をもち、プロセス溶液、例えばメッキ用電解液またはエレクトロエッチング溶液（矢印316として示す）が、電極317とワークピース（またはウェハ）320の前面318との間を流れるようにする。説明目的のために、プロセス溶液を保持するコンテナまたはキャビィティは図示しない。ウェハの前面318は、図２Ａおよび図２Ｂに示した典型的な基板を含む。以下に説明するように、ベルト303の処理面はまた、掃引動作を行うための隆起した表面を含む（図４Ｂを参照）。移動装置（図示せず）による１または２方向の直線的動きを実現するために、ベルトＷＳＩＤ303をローラ308上で動かす。ベルトＷＳＩＤを、エレクトロエッチングまたは電気堆積プロセスの間にウェハ前面の非常に近位で動かしてもよい。ベルトＷＳＩＤを、ウェハの前面において動かし、エレクトロエッチングまたは電気メッキの間に前面を掃引してもよい。移動装置はまた、ベルトＷＳＩＤ303を適切に引っ張り、ＥＣＭＰＲ中にワークピース表面との接触を確実にする。ベルトＷＳＩＤ303の背面306は、プレート309の上面307上に配置される。プレート309は、１以上の層から構成されていてもよい。この実施例において、プレート309は、上層322および底層324から構成される。上層322は圧縮性材料からなる。底層324は支持層であり、圧縮層を支持できるような硬質の材料からなる。圧縮層の開口部310Aおよび硬質層の開口部310Bは、プロセス溶液がプレート303を通して流れるようにする。さらに、圧縮層322は開口部310をもつか、またはプロセス溶液がその開口部を通して流れるような多孔性材料からなる。ベルトＷＳＩＤをプレート面上で引っ張り、プレート309の上面307が、上面307を覆うベルトＷＳＩＤの底面部と完全に接触するようにする。必要があれば、ベルトＷＳＩＤが上層上で動くとき、ベルトＷＳＩＤの底面がプレートの上面上でスライドし、その間、プロセス溶液316は、プレートおよびベルトＷＳＩＤ303の両方を通して流れる。
【００２４】
ベルトＷＳＩＤは、ポリマーフィルム、例えば固定研磨フィルム（ＣＭＰプロセスに広く使用され、3M社から入手可能）からなる。ベルトＷＳＩＤの柔軟な材料は薄く、0.2〜2mmの範囲の厚さをもつ。また、ベルトＷＳＩＤは複数の薄層をもつ複合体構造をもつ。ベルトＷＳＩＤは比較的平らな表面をもっており、例えば0.05〜0.5ミクロンサイズの研磨粒子（例えばBuehlerまたは3M社から入手可能）、または平らな上面をもつ小径ポストもしくはピラミッド型ポスト例えば3M社によって提供される固定研磨パッドに使用されるものを含むラッピングフィルムでもよい。ベルトＷＳＩＤの表面は、ワークピースの表面を効果的に掃引するために研磨性であるのが好ましい。
【００２５】
プレートの上層は、発泡体またはゲル状材料からなり、加える圧力のもとで容易に圧縮するが、いったん圧力を解けばその元の形状に戻る。プレートの上層は、1〜5mmの範囲の厚みをもつ。そのような材料の例は、ポリウレタン、ポリプロピレン、ゴム、ＥＶＡ、これらの混合物およびこれらに類する物質とすることができる。プレートの低層は多孔性プレートであるか、または多くの開口部をもち、電解質および電場が基板表面に向かって自由に流れるようにする。低層100cはそれ自体電極にしてもよい。
【００２６】
プロセスの間、ウェハ320を、ベルトＷＳＩＤの非常に近位にキャリアヘッドを用いて保持し、プレート309およびベルトＷＳＩＤ303を通して流れるプロセス溶液がウェハの前面を濡らすようにする。図４Ａの分解組立図に示すように、ウェハ320は、前もって定めたエリア321すなわちベルトＷＳＩＤ303のプロセス表面のプロセスエリア上で処理される。ベルトがプレートの上面307の上で引っ張られるとき、圧縮層がベルトを上方向に押し上げる。さらに、ウェハ320が処理表面と接触する場合、圧縮層はウェハの前面に対してウェハを押し付ける。プロセスエリア321は、ベルトＷＳＩＤを前進させることによって新しくする。使用されたプロセスエリアを新しいプロセスエリアに置換するために、使用されたプロセスエリアを貯蔵スプール312に巻き取り、新しいプロセスエリアを供給スプール311から引き出す。ベルトの前進は、約20〜100ウェハを処理した後に、またはＷＳＩＤの同一エリアの過度の使用が処理結果に悪影響を及ぼし始める前に行うことができる。この特徴により、ベルトＷＳＩＤ303は製造停止時間を減らし、システムのスループットを増加させる。代わりに、処理される各ウェハごとに、小さい値例えば1〜5mmの範囲でＷＳＩＤを割出し(index)またはゆっくりと前進させることができる。プロセスの間、ウェハキャリア304は、ベルトＷＳＩＤ303上でウェハを横方向に動かし、ウェハキャリアの回転軸ｚの周りを回転させることができる。上記に言及したように、本発明のベルトＷＳＩＤは横に動かすことができ、その間、キャリアヘッドを用いてウェハをその上で動かしてもよい。他の実施例において、ベルトは、貯蔵および供給スプールに取って代わるローラによって回転するループ形状または連続ベルトとしてもよい。ベルトをローラの周りに取り付け引っ張る。この実施形態におけるローラを駆動システムによって回転させ、ローラの回転運動によって、ベルトを処理に供されるウェハ表面に対して直線的に動かす。
【００２７】
また、図４Ａに示したように、ベルトＷＳＩＤの幅は、処理されるウェハの直径よりも短い。以下に説明するように、ベルトのこの特徴は、ウェハの前面と電源（図示せず）との間に電気的接触を確立させる。化学エッチングプロセスでは、電気的に接触させる必要がないので、ＷＳＩＤの幅はウェハの直径と等しいかまたはより大きい。ベルトＷＳＩＤは単一層または一層以上で作られた複合層であってもよい。ベルトが一層以上を含む場合、これらの層は同じ大きさであってもなくてもよい。しかしながら、このような複合層の全体の厚みは典型的には0.5〜2mmである。図４Ｂの透視図に示すように、ＷＳＩＤ500はＷＳＩＤ500の上面504と比較して小さい隆起した表面502をもっていてもよい。この実施例において、掃引機能は隆起した表面502によって行われる。好ましくは、隆起した表面502は研磨層を含む。
【００２８】
図３の典型的なＥＣＭＰＲシステム300は、平坦または非平坦メッキおよび平坦または非平坦エレクトロエッチングを行うことができる。この点で、非平坦プロセス手法を選択する場合、ウェハの前面をベルトＷＳＩＤ303の処理表面の近位に持ってくるが接触をさせないことにより、非平坦金属堆積を行うことができる。さらに、平坦プロセス手法を選択する場合、ウェハの前面を処理表面に接触させ、ベルトＷＳＩＤとウェハの前面との間に相対運動を確立する。プロセス溶液がベルトの開口部を通して送られるとき、前面がプロセス表面と接触している間に、ベルトが横方向に動くかウェハが回転および横方向に動くか、あるいはベルトＷＳＩＤとウェハの両方が動く。ウェハと電極との間に印加された電位のもと、およびベルトＷＳＩＤ303を通して出てくるプロセス溶液の存在中で、金属例えば銅を、ウェハ表面と電極との間に印加された電圧の極性により、ウェハの前面にメッキまたはエッチングする。
【００２９】
図５〜７は、様々なベルトＷＳＩＤプロセスエリアの設計を示す。本発明の原理に合致するものであれば、ベルトＷＳＩＤは様々なグループ化した開口部またはチャネルパターンを持っていてもよく、一般に、ベルトＷＳＩＤに沿った連続的なパターンまたはベルトＷＳＩＤに沿って繰り返す１以上のパターンのいずれにも適応する。図５に示すように、１つの実施形態において、ＷＳＩＤベルト330は、ベルトＷＳＩＤ330に沿って延びる連続的なパターンで形成されるチャネル332をもつ。この特定の設計において、チャネル332は平行なスリットとして形作られているけれども、それらは穴または様々な幾何学的形状の他の開口形、または様々な放射状のデザインとして形作られていてもよい。この実施形態において、プロセス条件およびウェハサイズにより、複数のプロセスエリア334を、端から端までの様式(end to end fashion)として延ばすことができる。ベルトＷＳＩＤ330を、機械的掃引動作としてプレート上で横方向に動かすことができる。一定の数のウェハを同じプロセスエリア上で処理した後に、ベルトＷＳＩＤを前進させて新しいプロセスエリアにする。代わりに、ベルトを、プロセス中に特定方向に除々に動かすことができる。この方法による増分の新しいベルトＷＳＩＤ部分は、連続的な仕方でプロセスエリア方向へ動かされる。
【００３０】
図６の他の実施形態に示すように、ベルトＷＳＩＤ336は、互いに分離されているプロセスエリア338にグループ化されたチャネル338をもつ。それぞれを使用した後、プロセスエリアを前進させ新しいものと交換する。このようなベルトでは、プロセス中の横方向の動きは主にウェハホルダーによって提供される。
【００３１】
ベルトＷＳＩＤは、単一のチャネルパターンをベルトＷＳＩＤに沿って延ばしてもよいが（例えば、図５および図６に示したベルトＷＳＩＤ）、ベルトＷＳＩＤはまた、複数の開口部またはチャネルパターンを含んでいてもよい。図７に例示したように、ベルトＷＳＩＤ340は、異なるサイズおよび形状をもつチャネル344、およびプロセスエリア上に掃引動作のための隆起した表面を含む多数のプロセスエリア342A〜342Dを持っていてもよい。例えば、プロセスエリア342Aは、丸い穴として形成されたチャネル344を含み、一方、プロセスエリア342Bは、スリットとして形成されたチャネル344を含む。プロセスエリア342Cは放射状パターンをもつチャネル344を含み、プロセスエリア342Dは矩形の穴として形成されたチャネル344を含む。各プロセスエリア342A〜342Dのチャネル344はまた、サイズおよび形状の点、および特定のプロセスエリア上での分布の仕方の点で異なっていてもよい。各プロセスエリアは、特定のプロセスエリアのためにベルトＷＳＩＤを前進または再度巻き込むことによって、ＥＣＭＤまたはＥＣＭＥまたは化学的エッチングプロセス用途として繰り返し使用してもよい。チャネルに特定の形状および分布を与えることによって、銅層のプロファイルを制御することができる。特定のプロセスエリアを使用することによって、銅層の厚みのプロファイルを均一化することができ、あるいは所望のプロファイルに変化させることができる。例えば、典型的な作業順序において、最初に、ウェハをプロセスエリア342A上でＥＣＭＤ処理し平坦な銅層を堆積する。次に、同じウェハをＥＣＭＥ処理または化学的機械的にエッチングし平坦な銅層をプロセスエリア342B上でエッチバック(etch back)する。この例において、プロセスエリア342Aは、均一な堆積を与えるＥＣＭＤプロセスにとって適しているチャネルパターンをもち、プロセスエリア342Bは、材料の均一なエッチングまたは除去を生じるＥＣＭＥまたはＣＭＥまたは化学エッチングプロセスにとって適しているパターンをもつ。
【００３２】
ＥＣＭＰＲの間、電位がウェハの前面と電極317との間で確立される。システム300の側面図である図８に示すように、ウェハの前面320は、ウェハの前面318の周辺領域352上で接触しスライドするコンタクト350を介して電源（図示せず）と接続されている。このようなコンタクトの例は、米国出願No.09/760,757「基板の端辺の除外を最小化しながら均一なフィルムを電気堆積するための方法および装置」（2001年1月17日に出願）、および米国仮出願60/348,758「電気処理プロセスのために電気的接触を提供するための方法およびシステム」（2001年10月26日に出願）に記載されている（両出願とも本発明の譲受人によって共通に所有されている）。
【００３３】
ウェハの前面と非常に近接している、典型的には接触しているＷＳＩＤを伴うプロセス工程の間、前面上にある金属の小粒子または供給源からの非導電性粒子が、ＷＳＩＤ材上に付着するかもしれない。これらの粒子は、基板表面から厳密に物理的に除去されたばかりであるか、または、メッキ溶液の不十分なろ過によってメッキ溶液から生じているために存在しているかもしれない。このような粒子は、本発明の調整装置を使用して取り除くことができる。図９に示すように、キャリアヘッド302は、ブラシ362をもつ調整装置360を含んでいてもよい。図示したように、ブラシ362はキャリアヘッド302の外周に配置される。ブラシ362は、粒子を機械的に掃き出すことによって取り除くことによってＷＳＩＤ303の調整を提供する。この実施形態において、ワークピース320上でのＥＣＭＰＲプロセス（ＥＣＭＤまたはＥＣＭＥ）およびＷＳＩＤ303の調整を、同一プロセス中、同時に起こすことができる。この特定の状況において、ＷＳＩＤ303全体を調整するために、キャリアヘッド302またはＷＳＩＤ303の横の動きは、好ましくはキャリアヘッド302の半径と等しくするかより大きくするべきであり、キャリアヘッドが覆うＷＳＩＤ部を効果的にきれいにすることができるようにする。代わりに、調整ブラシをヘッドに付着させず、ヘッドの横の動きにより走査される領域端の外側に適当な手段を用いて取り付ける。ベルトを動かすと、プロセスエリア全面に調整ブラシによって確実にブラシをかけることができる。
【００３４】
図１０Ａ〜１２は、ベルトＷＳＩＤの様々な実施形態を示す。図１０Ａは、ＥＣＭＰＲシステム402中のベルトＷＳＩＤ400を示す。図１０Ｂに詳細に示すように、ベルトＷＳＩＤ400は、上層404と上層に付着する底層406との２層から構成される。上層404は研磨層または研磨剤を含む層としてもよい。底層406は薄い圧縮層である。チャネル408はベルト400を貫いて形成され、プロセス溶液407が電極408とウェハ412の前面410との間を通して流れるようにする。図１０Ａを参照すると、使用中、ベルト402の圧縮層はシステム402のプレート414上に配置される。この実施形態のプレートは、硬い材料から作られるのが好ましい。プレートはチャネル416を含み、プロセス溶液がプレートを通して流れるようにする。プロセス中、ベルトの圧縮層は、システムの硬いプレートによって支持され、ベルトをウェハに向かって押し付ける。この実施形態では先の実施形態とは異なり、圧縮層はベルトＷＳＩＤの不可欠な部分である。圧縮層とプレート414との間の境界面は、この例および先の例において低摩擦の境界面であることが好ましい。上記実施形態に記載されたベルトとして、上層は典型的には0.2〜2mmの厚さであり、底層は典型的には1〜5mmの厚さであり、両層は互いに接着され、流体がそれを通じて流れることができるようにチャネルを寸法付けている。
【００３５】
図１１Ａは、ＥＣＭＰＲシステム422のベルトＷＳＩＤ420を示す。図１１Ｂで細部を示したように、ベルトＷＳＩＤ420は、研磨層または研磨剤を含む層である単一層から構成される。チャネル424をベルト420を貫いて形成し、電極428とウェハ432の前面430との間を通してプロセス溶液426が流れるようにする。図１１Ａを参照すると、使用中、ベルト302は、複数のローラ436をフレーム438上に配置したローラシステム434上に配置される。フレームをプロセス溶液中に浸漬し、ローラシステムを通してプロセス溶液が通過できるようにする。ローラはベルトの幅に沿って並べて配置され、プロセス中にウェハがベルトと接触する際、上下に動くことができる。プロセス中、ローラシステムはベルトをウェハに向かって押し付け、先の実施形態に示した圧縮層のようにふるまう。ローラ表面は好ましくは圧縮性材料を含み、ウェハ表面とベルト表面との間の接触を確立する。
【００３６】
図１２は、ＥＣＭＰＲシステム442のベルトＷＳＩＤ440を示す。ベルトＷＳＩＤ440は、研磨層または研磨剤を含む層である単一層から構成される。チャネル444はベルト440を貫いて形成され、プロセス溶液446が電極428とウェハ432の前面430との間を通して流れるようにする。プロセス溶液は容器中に入れる（図示せず）。プロセス中、ベルトは容器の側壁上端450上で支持される。それに加えて、プロセス溶液の溶出圧がベルトをウェハに向かって押し付けるので、さらなる支持を提供することになる。溶液の圧力は、先の実施形態に示した圧縮層のようにふるまう。
【００３７】
図１３Ａ〜１３Ｃは、ベルト440（図１２の助けを借りて説明される実施形態として示される）を支持するための様々な追加の機構を図示する。図１３Ａに示すように、ベルトＷＳＩＤ440はまた、ベルト440の下に位置しプロセス溶液446上に浮かんでいる複数の中空の球体452によって支持されており、球体はプロセス容器の壁上部450により閉じ込められている。球体は、気体例えば空気または軽い気体で充填されていてもよい。溶液の圧力に加えて、球体452がベルトに対するさらなる圧縮性の支持を加える。
【００３８】
図１３Ｂにおいて、同一の結果を、ベルト440の下に位置しプロセス溶液446が通過できるチャネル456をもつ浮揚性の層454を使用して達成することができる。浮揚性の層454は、スポンジ状の材料例えばポリウレタンからなるものでもよい。また、浮揚性の層は、その中にエアポケット（図示せず）を持っていてもよい。さらに、図１３Ｃに図示したように、浮揚性の層454および球体452の両方を、同一目的でベルト440の下に配置する。
【００３９】
図１４Ａおよび１４Ｂは、第１のベルトＷＳＩＤ602と第２のベルトＷＳＩＤ604（第１のベルトＷＳＩＤに隣接して配置される）とを含む複数のＷＳＩＤシステム600を示す。システム600は、必要に応じて２以上のＷＳＩＤベルトをもっていてもよい。システム600は、プロセス中、ベルト602および604の両方でウェハ606を処理することができる。ベルト602、604は、図５および６に示された繰り返しのチャネルパターンをもっていてもよい。ベルトはまた、異なる厚み分布のために設計された異なるチャネルパターンをもっていてもよい。例えば、第１のプロセス工程は、エッジが厚い堆積プロファイルを得るように、第１のベルト602上でＥＣＭＤを使用して行うことができる。次に、ベルト604を、ＥＣＭＥ工程に使用し、堆積の全体の厚みを減少することができる。ベルト604のパターンは、均一な厚みの分布を得るために、より多くの材料をエッジからエッチングすることができるようなものでもよい。必要に応じて、プロセスを第１のベルト上で続けてもよい（逆もまた同じ）。
【００４０】
様々な好ましい実施形態を上記に詳細に説明してきたけれども、当業者は、典型的な実施形態の多くの修飾が、本発明の新規な教示および利点から実質的に離れることなく可能となることを容易に理解するだろう。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】従来のＥＣＭＰＲシステムの概略図。
【図１Ｂ】ワークピース表面作用デバイスの概略図。
【図２Ａ】凹部を形成させた基板表面の表面領域の概略図。
【図２Ｂ】銅が基板表面上に堆積されている図２Ａに示した基板の概略図。
【図３】ベルトワークピース表面作用デバイスを使用するＥＣＭＰＲシステムの概略図。
【図４Ａ】ベルトワークピース表面作用デバイスの処理セクションの概略図。
【図４Ｂ】他のベルトワークピース表面作用デバイスの処理セクションの表面の概略図。
【図５】同一チャネルパターンの処理セクション（処理セクションは間隔をあけていない）をもつワークピース表面作用デバイスの概略図。
【図６】同一チャネルパターンの処理セクション（処理セクションは間隔をあけている）をもつワークピース表面作用デバイスの概略図。
【図７】異なるチャネルパターンの処理セクションをもつワークピース表面作用デバイスの概略図。
【図８】図３に示したＥＣＭＰＲシステムの電気的接触位置の概略図。
【図９】本発明のベルトワークピース表面作用デバイスの調整デバイスの概略図。
【図１０Ａ】ベルトワークピース表面作用デバイスシステムの概略図。
【図１０Ｂ】ベルトワークピース表面作用デバイスシステムの概略図。
【図１１Ａ】ベルトワークピース表面作用デバイスシステムの概略図。
【図１１Ｂ】ベルトワークピース表面作用デバイスシステムの概略図。
【図１２】ベルトワークピース表面作用デバイスシステムの概略図。
【図１３Ａ】代わりのベルト支持手段の概略図。
【図１３Ｂ】代わりのベルト支持手段の概略図。
【図１３Ｃ】代わりのベルト支持手段の概略図。
【図１４Ａ】複数のワークピース表面作用デバイスシステムの概略図。
【図１４Ｂ】複数のワークピース表面作用デバイスシステムの概略図。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【国際調査報告】
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