(57)【要約】  本発明は、ＶＵＶ光リソグラフィシステム及びプロセスのための１６０ｎｍより短波長の光が透過する光リソグラフィ用結晶材料を提供する。本発明は、１９３ｎｍより短波長の光リソグラフィ光子を操作する１５７ｎｍ光微細リソグラフィ素子に利用するための光リソグラフィ用フッ化物結晶を提供する。本発明は、１６０ｎｍより短波長の光を利用するＶＵＶ光リソグラフィシステム及びプロセスのための、１６０ｎｍより短波長の光が透過する光リソグラフィ用結晶材料の作成方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長１５７ｎｍの光を利用する光リソグラフィ屈折システムに使用するための、１６０ｎｍより短波長の光が透過する光リソグラフィ用結晶材料であって、前記結晶が波長１５７ｎｍの光を透過させる光リソグラフィ用結晶材料において、
前記結晶は、化学式が（Ｍ１）ｘ（Ｍ２）１−ｘＦ２の等方性アルカリ土類金属混晶であり、
ここで、
Ｍ１はＣａ、Ｓｒ及びＢａからなるアルカリ土類金属群から選ばれる第１のアルカリ土類金属であり、
Ｍ２はＣａ、Ｓｒ及びＢａからなるアルカリ土類金属群から選ばれる第２のアルカリ土類金属であり、
Ｍ１とＭ２は相異なり、
ｘは０と１の間にある、
ことを特徴とする光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項２】
前記ｘが０.５から０.７５の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項３】
前記Ｍ１がＳｒであり、前記Ｍ２がＢａであることを特徴とする請求項１に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項４】
前記Ｍ１がＳｒであり、前記Ｍ２がＢａであって、前記ｘが０.５から０.７５の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項５】
前記Ｍ１がＳｒであり、前記ｘが０.５から０.７５の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項６】
前記Ｍ２がＢａであり、前記ｘが０.５から０.７５の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項７】
前記アルカリ土類金属混晶が、≧８６％の１５７ｎｍ光透過率、＞１.５６の１５７ｎｍ光屈折率ｎ，及び＜−０.００３の１５７ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有することを特徴とする請求項１に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項８】
＞１００ｍｍの大寸直径及び＞３０ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項９】
波長１５７ｎｍの光を利用する光リソグラフィ屈折システムに使用するための、１６０ｎｍより短波長の光が透過する光リソグラフィ用結晶材料であって、波長１５７ｎｍの光を前記結晶材料が透過させる、前記光リソグラフィ用結晶材料において、前記結晶が、化学式がＭ１−ｘＲｘＦ２＋ｘの等方性アルカリ土類金属ランタン混晶であり、ここで、ＭはＣａ、Ｓｒ及びＢａからなるアルカリ土類金属群から選ばれるアルカリ土類金属であり、Ｒはランタンであって、ｘは０.３以下であることを特徴とする光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項１０】
前記ｘが０.２１から０.２８の範囲にあることを特徴とする請求項９に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項１１】
前記ＭがＣａである場合に前記ｘは０.２８であり、前記ＭがＢａである場合に前記ｘは０.２６であり、及び前記ＭがＳｒである場合に前記ｘは０.２１であることを特徴とする請求項９に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項１２】
前記アルカリ金属アルカリ土類金属混晶が、≧８６％の１５７ｎｍ光透過率、＞１.５６の１５７ｎｍ光屈折率ｎ，及び＜−０.００３の１５７ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有することを特徴とする請求項９に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項１３】
＞１００ｍｍの大寸直径及び＞３０ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項９に記載の光リソグラフィ用結晶材料。
【請求項１４】
波長１５７ｎｍの光を透過させるための、１６０ｎｍより短波長の光が透過する光リソグラフィ用結晶材料の作成方法において、
フッ化ランタンＬａＦ３及び、ＭがＣａ，Ｓｒ及びＢａからなるアルカリ土類金属群から選ばれる、フッ化アルカリ土類金属ＭＦ２のフッ化アルカリ土類金属／フッ化ランタン混合物を提供する工程、
るつぼを提供する工程、
前記フッ化アルカリ土類金属／フッ化ランタン混合物を前記るつぼに装填する工程、
前記フッ化アルカリ土類金属／フッ化ランタン混合物を溶融させて結晶化前融液を形成する工程、
前記融液を漸進的に固化させて、ｘが０.３以下の、フッ化アルカリ土類金属／フッ化ランタン混晶Ｍ１−ｘＬａｘＦ２＋ｘにする工程、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は全般的には光リソグラフィに関し、特に、１５７ｎｍ領域の波長を利用する、１６０ｎｍより短波長の真空紫外光（ＶＵＶ）投影リソグラフィ屈折システムなどの、１９３ｎｍより短い、好ましくは１７５ｎｍより短い、さらに好ましくは１６４ｎｍより短いＶＵＶ波長を利用する光リソグラフィシステムに使用するための光微細リソグラフィ用結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロプロセッサ及びＤＲＡＭのような半導体チップは“光リソグラフィ”と呼ばれる技術を用いて製造される。光リソグラフィ装置には、パターン付マスクを照明するための照明レンズ系と、光源と、マスクパターン像をシリコン基板上につくるための投影レンズ系とが組み込まれている。
【０００３】
半導体の性能は最小線幅を縮小することにより向上してきた。これにより、結果的に光リソグラフィ装置の解像度を向上させる必要が生じている。一般に、転写パターンの解像度はレンズ系の開口数に正比例し、照明光の波長に反比例する。１９８０年代初期において、用いられる光の波長は水銀ランプのｇ線からの４３６ｎｍであった。その後波長は３６５ｎｍ（水銀ランプのｉ線）まで短くなり、現在製造に用いられている波長はＫｒＦレーザの発光から得られる２４８ｎｍである。次世代のリソグラフィ装置では、光源が、１９３ｎｍで発光するＡｒＦレーザに変わるであろう。光リソグラフィが自然に進化すれば、光源は１５７ｎｍで発光するフッ素レーザに変わることになろう。レンズの製作は、波長毎に異なる材料を要する。２４８ｎｍにおける光学材料は石英ガラスである。１９３ｎｍシステムの場合は、石英ガラスレンズとフッ化カルシウムレンズが併用されるであろう。１５７ｎｍでは、石英ガラスはレーザ光を透過させない。現時点で１５７ｎｍでの使用に好ましい材料は純フッ化カルシウム結晶である。
【０００４】
１９３ｎｍより短い真空紫外光波長を利用する投影光リソグラフィシステムは、最小線幅を狭くするという点で恩恵をもたらす。１５７ｎｍ波長領域の真空紫外波長を利用するようなシステムには、より狭い最小線幅の集積回路の性能を向上させる可能性がある。現在、半導体工業で集積回路製造に用いられている光リソグラフィシステムは、普及している２４８ｎｍ及び１９３ｎｍの波長などの、より短い光波長に向けて進化してきたが、１５７ｎｍなど、１９３ｎｍより短い真空紫外波長の工業的使用及び採用は、そのような１５７ｎｍ領域の真空紫外波長の光学材料透過性により妨げられてきた。Ｆ２エキシマーレーザの発光スペクトルＶＵＶ窓のような１５７ｎｍ領域における真空紫外光リソグラフィの恩恵を集積回路の製造に利用するために、１６４ｎｍより短波長及び１５７ｎｍにおいて有益な光学特性を有する光リソグラフィ用結晶が必要とされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来技術の問題を克服し、真空紫外波長により集積回路製造能力を向上させるために使用できるフッ化物光リソグラフィ用結晶を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、１６０ｎｍより短波長の光（以降、“λ＜１６０ｎｍ光”と略記する）が透過する光リソグラフィ用フッ化バリウム結晶である。本フッ化バリウム結晶は１５７ｎｍにおいて＜−０.００３の屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有する。
【０００７】
別の態様において、本発明は光リソグラフィ用分散制御結晶を含む。本分散制御結晶は等方性フッ化バリウム結晶である。本フッ化バリウム結晶は−０.００３より小さい１５７.６２９９ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλ及び＞１.５６の１５７.６２９９ｎｍ光屈折率ｎを有することが好ましい。
【０００８】
さらに別の態様において、本発明は、λ＜１６０ｎｍ光リソグラフィ照明レーザを提供する工程、フッ化カルシウム結晶光学素子を提供する工程、＜−０.００３のλ＜１６０ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有するフッ化バリウム結晶光学素子を提供する工程及び、光リソグラフィパターンを形成するために、λ＜１６０ｎｍリソグラフィ光にフッ化カルシウム光学素子及びフッ化バリウム光学素子を透過させる工程を含む、λ＜１６０ｎｍ光リソグラフィ方法を含む。
【０００９】
さらに別の態様において、本発明は光リソグラフィ用分散制御素子の作成方法を含む。本方法は、フッ化バリウム原材料を提供する工程、フッ化バリウム原材料を溶融させて結晶化前フッ化バリウム融液を形成する工程、フッ化バリウム融液を固化させてフッ化バリウム結晶にする工程、及び＜−０.００３の１５７ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有する等方性フッ化バリウム結晶を提供するために、フッ化バリウム結晶をアニールする工程を含む。
【００１０】
本発明のさらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、この説明から、一部は当業者に容易に分かるであろうし、あるいは、以下の詳細な説明及び特許請求の範囲を含む本明細書に説明されるように本発明を実施することにより理解されるであろう。
【００１１】
上記概説及び以下の詳細な説明は、いずれも本発明の例示に過ぎず、特許請求される本発明の性質及び特徴の理解のための枠組みの概要を記載するためのものであることを理解すべきである。
【００１２】
さらに高い解像度を達成するためにリソグラフィプロセスのための照明光の波長を短くする必要があるが、照明光レーザ発光の帯域幅は有限である。１００ｎｍノードに必要な解像度を達成するために、全屈折系光学設計を用いる光リソグラフィ装置製造業者は、線幅を極めて狭く（２ｐｍ未満に）したレーザを用いることもできるし、レーザの帯域幅を補償する分散特性を有する２つの光学材料を用いることもできる。
【００１３】
好ましい実施形態において、本発明は、２ｐｍより線幅が狭められていないフッ素エキシマーレーザからの光を利用する屈折レンズを作製できるようにするために、全般的にはＶＵＶリソグラフィのための、特に１５７ｎｍの領域における色補正のための光リソグラフィ用等方性結晶材料を提供することを含む。本発明は、１５７ｎｍ光リソグラフィに恩恵を与えるフッ化物結晶材料の範囲を含む。好ましい実施形態では、本光リソグラフィ用分散制御結晶は帯域幅０.２ｐｍ以上の１５７ｎｍ光リソグラフィ照明レーザとともに利用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
材料の屈折率は材料を通過するエネルギーの波長によって変化し、これは材料の分散と呼ばれる。したがって、１種類の光学材料で構成されているレンズ系を通過する光がある範囲の波長を有する場合、それぞれの波長は別々の焦点に集められ、よって解像度が低下する。この作用は、異なる分散特性をもつ第２の光学材料を用いることで解消できる。この技法は色補正として知られている。色補正材料として使用するためには、満たされるべき特定の基準がある。すなわち、材料は動作波長を透過させなければならず、等方性でなければならず、最適な分散特性を有していなければならない。１５７ｎｍでは、必要な精確度で測定された分散特性を有する唯一の材料は、フッ化カルシウムである。１５７ｎｍ光を透過させ、等方性であるという基準を適用したときに色補正材料として使用できるのは、以下の材料である。
【００１５】
Ｉ．フッ化アルカリ金属ベース材料
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム及び、ＭがＬｉ，ＮａまたはＫのいずれかであり、ＲがＣａ，Ｓｒ，ＢａまたはＭｇのいずれかである、化学式がＭＲＦ３の材料。そのような材料の例は、ＫＭｇＦ３，ＫＳｒＦ３，ＫＢａＦ３，ＫＣａＦ３，ＬｉＭｇＦ３，ＬｉＳｒＦ３，ＬｉＢａＦ３，ＬｉＣａＦ３，ＮａＭｇＦ３，ＮａＳｒＦ３，ＮａＢａＦ３及びＮａＣａＦ３などであるが、これらに限定されない。
【００１６】
II．フッ化アルカリ土類金属ベース材料
フッ化カルシウム、フッ化バリウム及びフッ化ストロンチウム。これらの材料のそれぞれは別のこれらの材料と組み合わされて、Ｍ１がＢａ，ＣａまたはＳｒのいずれかであり、Ｍ２がＢａ，ＣａまたはＳｒのいずれかであって、ｘが０と１の間の値である、化学式が（Ｍ１）ｘ（Ｍ２）１−ｘＦ２の混晶を形成することができる。非限定的例は、ｘ＝０.５のＢａ０.５Ｓｒ０.５Ｆ２及びｘ＝０.２５のＢａ０.２５Ｓｒ０.７５Ｆ２である。ｘ＝０の場合には、材料はＣａＦ２，ＢａＦ２及びＳｒＦ２である。
【００１７】
III．ＭがＣａ，ＢａまたはＳｒのいずれかであり、Ｒがランタンである、化学式がＭ１−ｘＲｘＦ２＋ｘの混晶ベース材料
このような材料において、結晶構造はｘ値０.３未満で等方性である。この化学式の例として、ｘ＝０.２８のＣａ０.７２Ｌａ０.２８Ｆ２.２８，またはｘ＝０.２６のＢａ０.７４Ｌａ０.２６Ｆ２.２６，またはｘ＝０.２１のＳｒ０.７９Ｌａ０.２１Ｆ２.２１のタイプなどがあるが、これらに限定されない。
【００１８】
上記の材料Ｉ，II及びIIIのそれぞれは、結晶成長の“ストックバーガー”法または“ブリッジマン”法として知られる技法を用いて作成することができる。このプロセスは、成長させるべき材料の粉末をるつぼとして知られる容器内に装填する工程を含む。通常は高純度黒鉛でつくられるるつぼは、成長させるべき材料の融点より高いレベルまで温度を上げるに十分な能力をもつ加熱器内の可動支持構造体上に配置される。るつぼの周りに加熱器システムを組み上げた後、システムをベルジャーで閉じ、真空ポンプの組合せを用いて排気する。１０−５Ｔｏｒｒ（約１.３３×１０−３Ｐａ）より高い真空に達した後、電力を加熱器に加え、設定レベルに達するまで連続的に上げていく。この設定電力レベルは予備溶融試験により定められる。溶融電力において数時間経過後、可動支持構造体を起動させ、炉内でるつぼを徐々に降下させる。るつぼの先端が降下するにつれて、るつぼは冷却されて、溶融材料が凝固し始める。降下し続けると、融液の全てが凝固するまで固化が進行する。全材料が凝固した時点で、炉への電力を溶融電力よりも低くし、るつぼを上昇させて加熱器内に戻し、数時間かけて熱平衡に至らせることができ、次いで、加熱器への電力を徐々に下げることにより室温まで冷却することができる。室温に達すれば、真空を解除し、ベルジャー、続いて加熱器を取り外して、結晶をるつぼから取り出すことができる。
【００１９】
結晶成長のブリッジマン法またはストックバーガー法はフッ化物ベース材料の通常の結晶成長法であるが、これが唯一利用できる方法という訳ではない。チョクラルスキー法、キロプーロス（Kyropoulos）法またはストーバー（Stober）法などの技法を利用することもできる。
【００２０】
上記の材料から得られるディスクの寸法及び形状は可変であり、例えばレンズについては、１１８〜２５０ｍｍ径×３０〜５０ｍｍ厚である。ディスクは従来通り研削されて、ほぼ同じ寸法の、所望の曲率を有するレンズに形成される。レンズは汎用であり、例えば色補正が必要とされる場合には必ず用いられる。その後、レンズは広範な光学システム、例えば、１５７ｎｍシステムを含み、これに限定されるレーザ、分光写真システム、顕微鏡及び望遠鏡に組み込むことができる。
【００２１】
上述の特定の実施例は例示に過ぎず、いずれにせよ、いかなる意味においても開示の他の部分を限定するものではない、と解釈されるべきである。
【００２２】
以上及び以下に引用される、全ての特許出願明細書、特許明細書及び刊行物の開示内容全体が、本明細書に参照として含まれる。
【００２３】
当業者であれば、上述の説明から本発明の基本的特徴を容易に確認することができ、また、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、様々な用法及び条件に適合させるために本発明を様々に変更及び改変できる。
【００２４】
本発明は、少なくとも０.２ｐｍの帯域幅を有するλ＜１６０ｎｍ光リソグラフィレーザとともに使用するための、λ＜１６０ｎｍ光透過光学結晶を含む。光リソグラフィ用結晶は、８５％より高い１５７ｎｍ光透過率及び１５７ｎｍにおいて＜−０.００３の屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有する等方性フッ化バリウム結晶を含む。本フッ化バリウム結晶は、好ましくは＜−０.００４であり、さらに好ましくは＜−０.００４３である、１５７ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有する。本フッ化バリウム結晶は、＞１.５６の１５７ｎｍ光屈折率ｎを有することが好ましい。ｎ≧１.６であることがさらに好ましく、ｎ≧１.６４であることが最も好ましい。本フッ化バリウム結晶は、好ましくは＞８×１０−６/℃であり、さらに好ましくは≧８.５×１０−６/℃である、１５７ｎｍ光屈折率温度係数ｄｎ/ｄｔを有する。好ましい実施形態において、本光リソグラフィ用フッ化バリウム結晶は、＞１００ｍｍの大寸直径及び＞３０ｍｍの厚さを有するが、約１１８〜２５０ｍｍの範囲の直径及び約３０〜５０ｍｍの範囲の厚さを有することがさらに好ましい。少なくとも０.５ｐｍの帯域幅をもつＦ２エキシマーレーザのような広帯域幅照明源とともに利用される場合に、上記のフッ化バリウム結晶は帯域幅分散制御光学素子を含む。本光リソグラフィ用フッ化バリウム結晶の汚染ナトリウム含有量は、重量で＜１０ｐｐｍであることが好ましく、重量で＜５ｐｐｍであることがさらに好ましく、重量で＜１ｐｐｍであることが最も好ましい。本光リソグラフィ用フッ化バリウム結晶の総希土類汚染物含有量は重量で１ｐｐｍより少ないことが好ましい。本光リソグラフィ用フッ化バリウム結晶の総酸素汚染物含有量は、重量で５０ｐｐｍより少ないことが好ましく、重量で＜２０ｐｐｍであることがさらに好ましい。そのような低汚染物レベルにより有益な光学特性が与えられ、結晶は、好ましくは≧８６％，さらに好ましくは≧８８％の、１５７ｎｍ光透過率を有する。
【００２５】
別の態様において、本発明はλ＜１６０ｎｍ光透過光リソグラフィ用分散制御結晶を含む。本光リソグラフィ用分散制御結晶は、＜−０.００３の１５７.６２９９ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλと、＞１.５６の１５７.６２９９ｎｍ光屈折率ｎとを有する、等方性フッ化バリウム結晶を含む。分散制御結晶のｄｎ／ｄλは＜−０.００４であることが好ましく、ｄｎ／ｄλは＜−０.００４３であることがさらに好ましい。結晶の屈折率ｎは＞１.６であることが好ましい。
【００２６】
別の態様において、本発明は、λ＜１６０ｎｍ光リソグラフィ照明レーザを提供する工程、フッ化カルシウム結晶光学素子を提供する工程及び、＜−０.００３である、λ＜１６０ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλを有するフッ化バリウム結晶光学素子を提供する工程を含む、λ＜１６０ｎｍ光利用光リソグラフィ法を含む。本方法は、好ましくは最小線幅が≦１００ｎｍの、光リソグラフィパターンを形成するためにλ＜１６０ｎｍリソグラフィ光にフッ化カルシウム光学素子及びフッ化バリウム光学素子を透過させる工程を含む。フッ化バリウム結晶光学素子を提供する工程は、フッ化バリウム結晶原材料を容器に装填する工程、原材料を溶融させて結晶化前フッ化バリウム融液を形成する工程及びフッ化バリウム融液を漸進的に凝固させてフッ化バリウム結晶にする工程を含むことが好ましい。本方法は、フッ化バリウム結晶を加熱する工程、結晶を熱平衡徐冷する工程及びフッ化バリウム結晶を光学素子の形につくる工程をさらに含むことが好ましい。照明レーザの帯域幅は≧０.５ｐｍであることが好ましく、≧１ｐｍであることが好ましい。別の態様において、本発明は光リソグラフィ用分散制御光学素子の作成方法を含む。本方法は、フッ化バリウム原材料を提供する工程、フッ化バリウム原材料を溶融させて結晶化前フッ化バリウム融液を形成する工程、フッ化バリウム融液を固化させてフッ化バリウム結晶にする工程及び、１５７ｎｍ光屈折率波長分散ｄｎ/ｄλが＜−０.００３の等方性フッ化バリウム結晶を提供するために、フッ化バリウム結晶をアニールする工程を含む。本方法は、汚染物除去フッ化物掃去剤を提供する工程及び汚染物を除去するために掃去剤をフッ化バリウム原材料とともに溶融させる工程を含むことが好ましい。掃去剤はフッ化鉛であることが好ましい。
【実施例】
【００２７】
光リソグラフィ用フッ化バリウム結晶試料を作成した。作成した結晶に対して１５７ｎｍ帯屈折率測定を行った。また、作成した結晶に対して１５７ｎｍ帯透過露光を行った。
【００２８】
高純度黒鉛るつぼ容器内で結晶を成長させた。高純度フッ化バリウム粉末をるつぼに装填した。フッ化バリウム粉末を装填したるつぼを、１２８０℃超の温度まで温度を上昇させるのに十分な能力をもつ結晶成長加熱器内の可動支持構造体の上に配置した。フッ化バリウム粉末を約１２８０℃より高温で溶融させて結晶化前フッ化バリウム融液にし、次いで、１２８０℃を含む温度勾配を通してるつぼを降下させ、融液を漸進的に凝固させて結晶形態にした。次に、フッ化バリウム結晶を熱平衡へ到達させ並びに結晶の応力及び複屈折を低減させるために、形成した結晶を１２８０℃未満の温度に加熱することによりアニールした後、徐冷した。次いで、そのように形成したフッ化バリウム結晶試料を分析的に検査した。１５７ｎｍ光透過レーザ耐久性試料は８６％の外部透過率を示した。１５７ｎｍ光絶対屈折率試料は、２０℃においてｄｎ/ｄλ（λ＝１５７.６２９９ｎｍ）＝−０.００４３７６±０.０００００４ｎｍ−１の１５７ｎｍ光分散を示し、１５７.６２９９ｎｍの１５７ｎｍ波長における絶対屈折率はｎ（λ＝１５７.６２９９ｎｍ）＝１.６５６６９０±０.０００００６であり、また約２０℃における屈折率温度係数はｄｎ/ｄＴ（約２０℃，１気圧（１０１３ｈＰａ）Ｎ２）＝１０.６（±０.５）×１０−６/℃及びｄｎ/ｄＴ（約２０℃，真空）＝８.６（±０.５）×１０−６/℃であることもわかった。
【００２９】
当業者には、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく本発明に様々な改変及び変形がなされ得ることが明らかであろう。したがって、本発明の変更及び変形が、添付される特許請求事項及びそれらの等価物の範囲に入れば、本発明はそれらの変更及び変形を包含するとされる。
【国際調査報告】
2005509583.tif 000002
2005509583.tif 000003