(57)【要約】表示パネルはマトリクス状に配置された複数の発光素子を有する。この表示パネルに用いられる駆動装置は、各発光素子間の輝度のバラツキを少なくすることができる。クロック信号によりキャパシタの充放電を行い、かかる放電電流を利用して発光素子を駆動するパルス供給回路を形成する。表示パネルを構成する各々の発光素子の駆動電流の大きさをＴＦＴ回路のトランジスタ素子に依らず、主にパルス供給回路の駆動電源電圧やクロック周波数など表示パネルの外部から正確に決定することのできる要因によって定める。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アドレス線からの選択信号に基づいて特定された発光素子をデータ線上の電圧値に応じてＯＮ／ＯＦＦ制御する発光素子駆動回路であって、
前記選択信号に応じて制御される第１のスイッチング素子と、
前記第１のスイッチング素子を介して供給される前記データ線上の電圧値に応じた電荷を保持する第１のキャパシタと、
前記第１のキャパシタが前記電荷を保持している限り、クロック信号に同期して断続するパルスを前記発光素子に供給するパルス供給回路と、を含むことを特徴とする発光素子駆動回路。
【請求項２】
前記パルス供給回路は、第１及び第２の駆動電源と、
前記発光素子の一端と前記第１の駆動電源との間に直列に接続された第２及び第３のスイッチング素子と、
前記発光素子の前記一端にその一端が接続された第２のキャパシタと、
１つの共通端子と２つの独立端子とを具備し、前記共通端子に前記２つの独立端子を交互に切り替えて接続する切換機能を有する第４のスイッチング素子とを含み、
前記共通端子は前記第２のキャパシタの他端に接続され、前記２つの独立端子の内の一方は前記第２の駆動電源に接続され、他方は基準電位点に接続されており、
前記第２のスイッチング素子は、前記第１のキャパシタに保持された前記電圧値に基づいて制御され、
前記第３及び前記第４のスイッチング素子は、クロック信号に応じて互いに同期して制御されることを特徴とする請求項１記載の発光素子駆動回路。
【請求項３】
前記第４のスイッチング素子は、複数の発光素子について共通に設けられていることを特徴とする請求項２記載の発光素子駆動回路。
【請求項４】
前記第１の駆動電源は前記第２の駆動電源を兼ねることを特徴とする請求項２に記載の発光素子駆動回路。
【請求項５】
前記発光素子は有機ＥＬ発光素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子駆動回路。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３スイッチング素子の各々はバイポーラトランジスタまたはＦＥＴからなる請求項２に記載の発光素子駆動回路。
【請求項７】
前記第２及び第３スイッチング素子はデュアルゲートトランジスタにより置換される請求項２に記載の発光素子駆動回路。
【請求項８】
前記発光素子は無機ＥＬ発光素子または発光ダイオードからなる請求項１に記載の発光素子駆動回路。
【請求項９】
アドレス線からの選択信号に基づいて特定され、データ線上の電圧値に応じてＯＮ/ＯＦＦ制御される発光素子と、
前記選択信号に応じて制御される第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子を介して供給される前記データ線上の電圧値に応じた電荷を保持する第１キャパシタと、
前記第１キャパシタが前記電荷を保持している限り、クロック信号に同期して断続するパルスを前記発光素子に供給するパルス供給回路と、を含むことを特徴とするディスプレイパネルのセル。
【請求項１０】
前記パルス供給回路は、第１駆動電源及び第２駆動電源と、
前記発光素子の一端と前記第１駆動電源との間に直列に接続された第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子と、
前記発光素子の前記一端にその一端が接続された第２キャパシタと、
１つの共通端子と２つの独立端子と有し、前記共通端子に前記２つの独立端子を交互に切り替えて接続する切換機能を有する第４スイッチング素子とを含み、
前記共通端子は前記第２キャパシタの他端に接続され、前記２つの独立端子の内の一方は前記第２駆動電源に接続され、他方は基準電位点に接続されており、
前記第２スイッチング素子は、前記第１キャパシタに保持された前記電圧値に基づいて制御され、
前記第３スイッチング素子及び前記第４スイッチング素子は、クロック信号に応じて互いに同期して制御されることを特徴とする請求項９記載のディスプレイパネルのセル。
【請求項１１】
前記第４スイッチング素子は、複数の発光素子について共通に設けられていることを特徴とする請求項１０記載のディスプレイパネルのセル。
【請求項１２】
前記第１駆動電源は前記第２駆動電源を兼ねることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイパネルのセル。
【請求項１３】
前記発光素子は有機ＥＬ発光素子であることを特徴とする請求項９に記載のディスプレイパネルのセル。
【請求項１４】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子の各々はバイポーラトランジスタまたはＦＥＴからなる請求項１０に記載のディスプレイパネルのセル。
【請求項１５】
前記第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子はデュアルゲートトランジスタにより置換される請求項１０に記載のディスプレイパネルのセル。
【請求項１６】
前記発光素子は無機ＥＬ発光素子または発光ダイオードからなる請求項９に記載のディスプレイパネルのセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示パネルにおける発光素子の駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、有機エレクトロルミネセンス（以下、単に“有機ＥＬ”と称する）などの発光素子をマトリクス状に配置した表示パネルにおいて、１つの画素（１の発光セル）を駆動する回路として、図１に示すＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ）による駆動回路が一般に用いられている。図１の破線で囲んだ四角形の部分が１セルである。
【０００３】
図１において、Ｑａはアドレッシング用のスイッチングトランジスタであり、Ｃはデータの電圧レベルを記憶するメモリ用のキャパシタ、Ｑｂは負荷である有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用のトランジスタである。また、ＥＬは有機ＥＬ発光素子であり、陽極及び陰極が発光を担う有機機能層を挟持した構造を持ち、その電気的な特性としては、同図に示す如くダイオードと同様の整流特性を有する。尚、実際の表示パネルにおいては、図１に示す回路が表示画面中の１セルを構成し、かかるセルが表示画面のＸ−Ｙ方向のそれぞれにマトリクス状に多数配置されていることになる。
【０００４】
図１における動作を説明すれば以下の通りである。先ず、表示パネルに敷設された複数のセルの中で特定のセルを選出するアドレス線からの選択信号によって所望の発光セルが選択される。かかる選択信号によって、当該選択されたセルのトランジスタＱａがＯＮとなる。これによって、当該セルのキャパシタＣがデータ線に接続され、データ線上の電位がキャパシタＣに記憶される。つまり、データ線上のデータが“ＯＮ”であれば、その電位はＨｉレベルでありキャパシタＣはその電位まで充電される。一方、データが“ＯＦＦ”であれば、その電位はＬｏｗレベルでありキャパシタＣの電位はＬｏｗレベルに達するまで放電される。
【０００５】
キャパシタＣが一旦Ｈｉレベルに充電されると、次にＬｏｗレベルのデータが書き込まれるまで、トランジスタＱｂのゲート電圧がＨｉレベルに保持されるため、トランジスタＱｂは負荷である有機ＥＬ発光素子にドレイン電流を流し続ける。これによって、Ｈｉレベルのデータが書き込まれたセルの発光が維持されることになる。尚、トランジスタＱｂにＭＯＳ型のＦＥＴ(Field Effect Transistor;電界効果トランジスタ）を用い、かつ、図１に示すようなドレイン接地の回路構成を採ることにより、トランジスタＱｂの入力インピーダンスをほぼ無限大に設定し得る。これによって、一旦充電されたキャパシタＣの電位は、トランジスタＱｂが接続されていても殆ど低下することはない。
【０００６】
ところで、有機ＥＬ発光素子の駆動回路に用いられる低温ポリシリコンＴＦＴは、一般にその電気的な特性上のバラツキが多い。特に、各セルのドライブトランジスタＱｂの［Vgs-Id］（ゲート・ソース間電圧−ドレイン電流）特性にバラツキが生ずると、各セルのドライブトランジスタにおける相互コンダクタンスの値が区々となる。つまり、各セルのキャパシタＣに充電されたＨｉレベルの電圧値が同じであっても、各々のドライブトランジスタを流れるドレイン電流が異なる値となってしまう。これによって、各セルにおける有機ＥＬ発光素子の駆動電流が不均一となり、表示パネルの画面上に砂をばら撒いたような輝度のバラツキパターンが表れる不具合を生ずるおそれがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の１つの目的は、各々の発光セル間における輝度のバラツキが少ない発光素子の駆動回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光素子駆動回路は、アドレス線からの選択信号に基づいて特定された発光素子をデータ線上の電圧値に応じてＯＮ／ＯＦＦ制御する発光素子駆動回路であって、
前記選択信号に応じて制御される第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子を介して供給される前記データ線上の電圧値に応じた電荷を保持する第１のキャパシタと、前記第１のキャパシタが前記電荷を保持している限り、クロック信号に同期して断続する電圧パルスを前記発光素子に印加するパルス供給回路とを含むことを特徴とする。表示パネルは多数の発光素子（セル）により構成される。表示パネルを構成する各々の発光素子の輝度のバラツキを減少できるので、表示画面の画質を向上させることができる。
【０００９】
前記パルス供給回路は、第１及び第２の駆動電源と、前記発光素子の一端と前記第１の駆動電源との間に直列に接続された第２及び第３のスイッチング素子と、前記発光素子の前記一端にその一端が接続された第２のキャパシタと、１つの共通端子と２つの独立端子とを具備し、前記共通端子に前記２つの独立端子を交互に切り替えて接続する切換機能を有する第４のスイッチング素子とを含でもよい。
【００１０】
また、前記共通端子は前記第２のキャパシタの他端に接続され、前記２つの独立端子の内の一方は前記第２の駆動電源に接続され、他方は基準電位点に接続されており、前記第２のスイッチング素子は、前記第１のキャパシタに保持された前記電圧値に基づいて制御され、前記第３及び前記第４のスイッチング素子は、クロック信号に応じて互いに同期して制御されてもよい。駆動電源動作のクロック周波数を変化させることにより、パネル全体の輝度をスムーズにコントロールすることが可能となる。
【００１１】
前記第４のスイッチング素子は、複数の発光素子について共通に設けられてもよい。
前記発光素子は有機ＥＬ発光素子であってもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明にかかる有機ＥＬ発光素子の駆動回路の実施例を図２の回路図に示す。
【００１３】
先ず、図２に基づいて本実施例の構成を説明する。同図において、スイッチング素子Ｑ１（以下、単に“Ｑ１”と称する）（１０）は、表示パネルのアドレス線からの選択信号によってＯＮ／ＯＦＦ制御されるスイッチング素子であり、例えば、バイポーラトランジスタやＦＥＴによって構成されている。Ｑ１（１０）において、スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ制御を司るゲート端子はアドレス線に接続されている。また、スイッチング素子の一方の端子は表示パネルのデータ線に接続され、他の一方の端子は後述するキャパシタＣ１（２０）に接続されている。キャパシタＣ１（２０）は、前記Ｑ１（１０）を介して取り込まれたデータ線上のデータ、即ちデータ線上の電位を記憶するためのキャパシタである。従って、キャパシタＣ１（２０）の一端はＱ１（１０）のスイッチ端子の一方に接続され、キャパシタＣ１（２０）の他の一端は接地されている。以上のＱ１（１０）及びキャパシタＣ１（２０）が、本実施例に基づく発光素子駆動回路におけるデータメモリ部を構成している。
【００１４】
スイッチング素子Ｑ２（３０）及びスイッチング素子Ｑ３（４０）（以下、単に“Ｑ２（３０）”及び“Ｑ３（４０）”と称する）は、前記Ｑ１（１０）と同様に、例えばバイポーラトランジスタやＦＥＴによって構成されたスイッチング素子である。Ｑ２（３０）とＱ３（４０）は、図２に示す如く、直列に固定して接続されているので、かかる直列枝は、２つのスイッチング素子を個別に接続して構成しても良いし、例えば１つのデュアルゲート・トランジスタを用いて構成しても良い。かかるＱ２（３０）とＱ３（４０）の直列枝の一端は、第１の駆動電源＋Ｖｃｃ１に接続され、他の一端は、後述する有機ＥＬ発光素子（５０）の陽極、及びキャパシタＣ２（６０）の一端に接続されている。また、Ｑ２（３０）のゲート端子は、データメモリ部におけるＱ１（１０）の一端に接続されており、Ｑ３（４０）のゲート端子は、表示パネルのクロック信号供給線に接続されている。キャパシタＣ２（６０）は、前記第１の駆動電源の電圧値を一時的に蓄えるキャパシタである。キャパシタＣ２（６０）の一端は、Ｑ２（３０）の一端及び有機ＥＬ発光素子（５０）の陽極に接続されており、他の一端は後述するスイッチング素子Ｑ４（７０）のコモン端子に接続されている。スイッチング素子Ｑ４（以下、単に“Ｑ４”と称する）（７０）は、例えばバイポーラトランジスタやＦＥＴによって構成された、いわゆるオルタネイト切換動作を行うスイッチング素子である。即ち、Ｑ４（７０）は、そのゲート端子に印加された電圧値に応じてそのコモン端子を、２つの独立したスイッチ端子に交互に切り換えて接続する。Ｑ４（７０）のゲート端子はクロック信号の供給線に接続されており、そのコモン端子はキャパシタＣ２（６０）の一端に接続されている。また、Ｑ４（７０）の２つの独立したスイッチ端子の一方は、第２の駆動電源＋Ｖｃｃ２に接続されており、他の一方は接地されている。因みに、以上のＱ２（３０）、Ｑ３（４０）、キャパシタＣ２（６０）、及びＱ４（７０）が、本実施例に基づく発光素子駆動回路におけるパルス供給部を構成している。
【００１５】
有機ＥＬ発光素子（以下、単に“ＥＬ”と称する）（５０）は、有機ＥＬを利用した発光素子であり、その電気的な特性は、図２の回路記号に示す如くダイオードと同様の整流特性を有している。つまり、ＥＬ（５０）の陽極に所定の発光閾値電圧以上の直流電圧を印可することによって順方向電流が流れ、当該素子が発光現象を呈することになる。尚、ＥＬ（５０）の陽極は、Ｑ２（３０）及びキャパシタＣ２（６０）の各々の一端に接続されており、その陰極は接地されている。
【００１６】
次に、図２に示す実施例における回路動作を以下に説明する。尚、動作説明においては、説明の便宜上、本実施例による発光素子駆動回路を主に、データメモリ部とパルス供給部の２つに分けて説明する。また、ディスプレイパネルは多数の発光素子を有し、その内の１つまたは幾つかの発光素子が選択されて発光する。選択はアドレスラインを介して供給される選択信号によりなされる。図２の発光素子５０は選択された発光素子である。
【００１７】
最初にデータメモリ部における動作を説明する。データメモリ部では、まず、所望する発光セルを選択すべくアドレス線上の電圧レベルがＨｉｇｈレベルとなって、目的とする発光セルのＱ１（１０）のゲート端子に印加される。それに伴いＱ１（１０）がＯＮとなり、そのときのデータ線上の電圧レベルがキャパシタＣ１（２０）に記憶される。これを具体的に示せば、キャパシタＣ１（２０）は、データがＨｉｇｈのときＨｉｇｈレベルの電位まで充電され、逆にデータがＬｏｗのときはＬｏｗレベルの電位まで放電されることになる。データレベルのＨｉｇｈまたはＬｏｗは、当該画素を担う有機ＥＬ発光素子のＯＮ／ＯＦＦに関わるものであり、データレベルのＨｉｇｈが有機ＥＬ発光素子のＯＮに、ＬｏｗがＯＦＦに相当する。
【００１８】
アドレス線は、キャパシタＣ１（２０）にデータの書込が終了するとそのレベルをＬｏｗと為し、これによってＱ１（１０）がＯＦＦとなり、次のデータの書き込みが行われるまでデータレベルを示す電圧値がキャパシタＣ１（２０）に保持されることになる。尚、図２からも明らかなように、キャパシタＣ１（２０）の非接地側端子は、後述するパルス供給部のスイッチング素子Ｑ２（３０）のゲート端子に接続されている。従って、キャパシタＣ１（２０）に保持されたデータレベルに応じて、パルス供給部のＱ２（３０）も、次のデータが書き込まれるまでの間、ＯＮまたはＯＦＦの状態で保持されることになる。
【００１９】
続いて、パルス供給部における動作を説明する。尚、パルス供給部において、ＥＬ（５０）の発光閾値電圧Ｖｅｌと、２つの駆動電源の電圧値である＋Ｖｃｃ１及び＋Ｖｃｃ２との間には、次式に示す関係が成立しているものとする。
【００２０】
Ｖｃｃ１＋Ｖｃｃ２＞Ｖｅｌ
Ｖｃｃ１＜Ｖｅｌ
Ｖｃｃ２＜Ｖｅｌ
前述の如く、パルス供給部においては、クロック供給線からのクロック信号がＱ３（４０）及びＱ４（７０）の各々のゲート端子に印加されている。本実施例では、かかるクロック信号として、例えば、ＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルの振幅が所定の周期で交互に繰り返すパルス波形を想定している。
【００２１】
先ず、クロック信号波形がＨｉｇｈレベルであり、かかる電圧レベルがＱ３（４０）及びＱ４（７０）の各々のゲート端子に印加された場合を仮定する。この場合、本実施例では、Ｑ４（７０）のコモン端子が接地側に切り換えられ、同時にＱ３（４０）のスイッチング素子がＯＮとなるように設定しておく。かかる条件の下において、キャパシタＣ１（２０）に記憶されたデータによってＱ２（３０）がＯＮの場合、キャパシタＣ２（６０）の一端はＱ２（３０）及びＱ３（４０）を介して第１の駆動電源＋Ｖｃｃ１に接続され、また、キャパシタＣ２（６０）の他の一端はＱ４（７０）を介して接地される。これによって、キャパシタＣ２（６０）は、第１の駆動電源の電圧値＋Ｖｃｃ１まで充電されることになる。
【００２２】
次に、クロック信号波形がＬｏｗレベルに移行したものと仮定する。これによって、Ｑ３（４０）及びＱ４（７０）の各々のゲート端子はＬｏｗレベルとなり、Ｑ４（７０）のコモン端子は第２の駆動電源＋Ｖｃｃ２側に切り換えられ、同時にＱ３（４０）がＯＦＦとなる。かかる動作によって、キャパシタＣ２（６０）の接地されていた電極端は、Ｑ４（７０）を介して第２の駆動電源に接続されるため、キャパシタＣ２（６０）の接地側電極の電位が０から＋Ｖｃｃ２まで嵩上げされることになる。
【００２３】
ところで、クロック信号波形がＨｉｇｈレベルのときにキャパシタＣ２（６０）は、既に第１の駆動電源の電位＋Ｖｃｃ１まで充電されている。従って、クロック信号波形がＬｏｗレベルに推移すると、上記の切換動作によって、キャパシタＣ２（６０）のＱ２（３０）に接続された側の電極の電位は（Ｖｃｃ１＋Ｖｃｃ２）に上昇する。
【００２４】
一方、前記電極はＥＬ（５０）の陽極にも接続されており、前述の如くＶｃｃ１＋Ｖｃｃ２＞Ｖｅｌの関係があるので、かかる電位上昇によってＥＬ（５０）への印加電圧が発光閾値電圧Ｖｅｌを上回る。これによって、ＥＬ（５０）は導通して駆動電流が流れ、有機ＥＬ発光素子が発光現象を呈する。
【００２５】
ここで、キャパシタＣ２（６０）の静電容量をＣ２とすると、ＥＬ（５０）に流入する電荷量ｑｅｌは次のように表すことができる。
【００２６】
ｑｅｌ＝（Ｖｃｃ１＋Ｖｃｃ２−Ｖｅｌ）×Ｃ２
そして、クロック信号のパルス波形がＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルとを交互に繰り返す１サイクル毎に、パルス供給部において上記の動作が繰り返されることになる。従って、１秒間のクロック信号のサイクル数をｆｎ（ｃ／ｓ）とすると、１秒間にＥＬ（５０）を流れる平均駆動電流Ｉｅｌは、
Ｉｅｌ＝ｑｅｌ×ｆｎ
＝（Ｖｃｃ１＋Ｖｃｃ２−Ｖｅｌ）×Ｃ２×ｆｎ
となる。
【００２７】
尚、データメモリ部のキャパシタＣ１（２０）に記憶されたデータがＯＦＦ即ち、Ｌｏｗレベルの場合は、Ｑ２（３０）がＯＦＦのままである。このため、クロック信号によってＱ３（４０）及びＱ４（７０）のスイッチングが行われても、キャパシタＣ２（６０）が第１の駆動電源＋Ｖｃｃ１に接続されることはなく、従ってＥＬ（５０）に駆動電流が流れることもない。
【００２８】
パルス供給部におけるクロック信号のサイクル数は、有機ＥＬ発光素子の発光輝度との関係から種々の値を選択することが可能である。例えば、データの書込を行う１アドレッシング期間内に、１回または複数回のクロック信号のサイクル数を設定しても良い。逆に、複数回のアドレッシング期間内に、１サイクルとしても良い。また、アドレッシング期間とクロック信号のサイクル数を非同期に設定しても問題はない。
【００２９】
本実施例によれば、有機ＥＬ発光素子ＥＬ（５０）の駆動電流は、前述の如く
（Ｖｃｃ１＋Ｖｃｃ２−Ｖｅｌ）×Ｃ２×ｆｎ
によって決定される。
【００３０】
上式において、第１及び第２の駆動電源の電圧値Ｖｃｃ１及びＶｃｃ２は、高精度の定電圧電源回路を用いることによって、表示パネルの外部において正確に設定することが可能である。また、パルス供給部の各スイッチング素子を駆動するクロック信号のサイクル数ｆｎも、表示パネル外部の発振回路によって正確に定めることができる。つまり、本実施例の場合、有機ＥＬ発光素子の駆動回路であるＴＦＴの内部で決定される要素は、キャパシタＣ２（６０）の静電容量のみとなる。一般に、かかる静電容量は、キャパシタＣ２（６０）の電極面積と、絶縁膜厚及び、絶縁膜の誘電率によって決定される。従って、ＴＦＴ回路の製造プロセスにおいて、キャパシタの静電容量は比較的正確に再現することが可能であり、ＴＦＴトランジスタの特性に較べてそのバラツキも少ない。
【００３１】
ディスプレイパネルは複数のセルから構成され、複数の前記駆動回路が複数の発光素子に付随している。
【００３２】
つまり、本実施例の有機ＥＬ発光素子駆動回路によれば、表示パネルを構成する各々のセルにおいて、その発光素子の駆動電流のバラツキを極めて小さく抑えることが可能となる。
【００３３】
尚、上式の発光閾値電圧Ｖｅｌは環境温度の影響を受けるが、同一の表示パネル面内でのバラツキは無視し得るものと言える。さらに、発光閾値電圧Ｖｅｌと駆動電源との電位差（Ｖｃｃ１＋Ｖｃｃ２−Ｖｅｌ）の値を大きく採っておけば、各々の発光素子の駆動電流に対するＶｅｌのバラツキの影響を少なくすることができる。
【００３４】
図２では、発光素子として有機ＥＬ発光素子を用いてその動作を説明したが、本実施例は、かかる事例に限定されるものではなく発光素子として、例えば無機ＥＬ発光素子や発光ダイオードなどの他の発光素子を用いても良い。
【００３５】
また、図２に示すスイッチング素子Ｑ４（７０）は、各々のセル毎に設けても良いし、複数のセルについて共通に設ける構成としても良い。後者の構成を採ることによって、各々のセルの回路構成を簡略化することが可能となる。
【００３６】
尚、図２に示す実施例において、発光素子であるＥＬ（５０）の陽極側を接地し、第１の駆動電源Ｖｃｃ１および第２の駆動電源Ｖｃｃ２を負電圧に設定する構成としても良い。
【００３７】
また、図２の実施例では、第１の駆動電源＋Ｖｃｃ１と、第２の駆動電源＋Ｖｃｃ２の２つの別電源を用いたが、これらの電源を単一の駆動電源で兼用する構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来の有機ＥＬ発光素子を用いた発光素子駆動回路の構成図である。
【図２】本発明に基づく有機ＥＬ発光素子駆動回路の実施例を示す構成図である。
【図１】
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【図２】
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【国際公開パンフレット】
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2005503588.tif 000026
2005503588.tif 000027
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005503588.tif 000028
2005503588.tif 000029
【国際調査報告】
2005503588.tif 000030
2005503588.tif 000031
2005503588.tif 000032