(57)【要約】【課題】  フォトクロミック液晶材料を提供する。【解決手段】  液晶装置を含む様々な電気光学装置に用いることができる新しいフォトクロミック液晶材料。この材料は、光を照射すると別の形態に変換することができ、これによって、それらを電気光学装置において光でアドレスすることを実現可能にすることができる。この材料は、５つの部分から成るヘテロ環に基づいている。
2005531663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式Ｉ及びＩｂ：
【化１】
2005531663.tif 000036
で表される材料であって、
以下の基：
【化２】
2005531663.tif 000037
は、以下のもの：
【化３】
2005531663.tif 000038
【化４】
2005531663.tif 000039
からそれぞれ選択され、以下の部分：
【化５】
2005531663.tif 000040
は、共に以下のもの：
【化６】
2005531663.tif 000041
【化７】
2005531663.tif 000042
から選択され、
*は、式Ｉ又は式Ｉｂへの付着点を示し、
以下の部分：
【化８】
2005531663.tif 000043
におけるフェニル基は、互いに独立にピリジン及びピリミジン基で置換することができ、
Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＨ、Ｓｅ、ＣＨ2、Ｐから選択され、
Ｊは、ＣＦ2、ＣＨ2、ＣＦＨ、ＮＲ9から選択され、ここで、Ｒ９は、Ｈ、Ｃ１−４０の分枝又は直鎖アルキルから選択され、ＣＨ2基の１つ又はそれ以上は、Ｏ、ＣＨで置換することができ、また、末端ＣＨ3基は、ＣＨ2基、又はＳＨ、ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＣＨＯ、Ｏ2ＣＣＨＣＨ2、又はＯ2ＣＣ（ＣＨ3）ＣＨ2基で置換することができ、
ａ及びｄは、ＣＨ3、ＣＦ3、ＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ3、又は式ＩＩから独立に選択され、
ｂ、ｃ、ｅ、及びｆは、Ｈ、式ＩＩ、又はＣ１−４０の分枝又は直鎖アルキルから独立に選択され、ここで、ＣＨ2基の１つ又はそれ以上は、Ｏ、ＣＦＨ、ＣＦ2、ＣＨで置換することができ、また、末端ＣＨ3基は、ＣＨ2基、又はＳＨ、ＯＨ、ＣＦ3、ＣＯＯＨ、ＣＨＯ、Ｏ2ＣＣＨＣＨ2、又はＯ2ＣＣ（ＣＨ3）ＣＨ2基で置換することができ、また、式ＩＩは、
【化９】
2005531663.tif 000044
によって与えられ、ここで、Ｙは、Ｏ、−ＣＯ2−、Ｏ2Ｃ、Ｓ、ＣＨ2、又は単結合から選択され、
Ｑは、（ＣＨ2）ｎ（ｎは１〜２０）又は（ＣＨ2）ｍ−［Ｓｉ（Ｌ２）−Ｏ］ｑ−Ｓｉ（Ｌ２）−（ＣＨ2）ｐ−から選択され、ここで、ｍは２〜２０、ｐは２〜２０、ｑは１〜１２であり、Ｌ基は、ＣＨ3、ＣＦ3、Ｈから互いに独立に選択され、
Ｚは、Ｏ又はＣＯ2又はＯ2Ｃ又はＣＨ2又は単結合であり、
以下の部分：
【化１０】
2005531663.tif 000045
は、メソゲン基であり、
Ｔは、１又は２又は３であり、
Ｔが２の場合、Ｑはまた、（ＣＨ2）ｇＮ（（ＣＨ2）ｒ）2、（ＣＨ2）ｇＳｉ（ＣＨ3）（（ＣＨ2）ｒ）2、（ＣＨ2）ｇＰ（（ＣＨ2）ｒ）2、（ＣＨ2）ｇＧｅ（ＣＨ3）（（ＣＨ2）ｒ）2から選択することができ、ここで、ｇ及びｒの値は、１〜２０から独立に選択され、
Ｔが３の場合、Ｑはまた、（ＣＨ2）ｇ’Ｓｉ（（ＣＨ2）ｒ’）3及び（ＣＨ2）ｇ’Ｇｅ（（ＣＨ2）ｒ’）3から選択することができ、ここで、ｇ’及びｒ’の値は、１〜２０から独立に選択され、
ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆの少なくとも１つは、式ＩＩから選択される、
ことを特徴とする材料。
【請求項２】
前記メソゲン基は、以下の式ＩＩＩ：
【化１１】
2005531663.tif 000046
で与えられ、Ａ、Ｂ、Ｂ’、Ｄは、以下の環：
【化１２】
2005531663.tif 000047
から選択され、前記環は、利用可能な置換位置の少なくとも１つの位置において、以下の置換基：Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＨ3、ＣＮ、ＯＲ、Ｒ、及びＮＣＳの１つ又はそれ以上で置換することができ、ここで、Ｒは、Ｃ1-16の分枝又は直鎖アルキルを表し、Ｂ’はまた、単結合から選択することができ、
Ｚ5は、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＮＯ2、Ｒ、ＯＲ、ＣＯ2Ｒ、ＣＦ3、ＯＯＣＲ、ＮＣＳ、ＳＣＮから選択され、ここで、Ｒは、直鎖又は分枝鎖アルキルであり、１−１６個の炭素原子を含むことができ、また、１つ又はそれ以上の非隣接ＣＨ2基をキラル又は非キラル形のＣＨ（ＣＮ）、ＣＨ（ＣＦ3）、ＣＨ（Ｃｌ）、ＣＨ（ＣＨ3）で置換することができ、１つ又はそれ以上の非隣接ＣＨ2基を二重結合が存在するようにＣＨで置換することができ、末端ＣＨ3基をＣＨ2基で置換することができ、
ただし、存在する環の総数は、４よりも大きくなく、
Ｗ1及びＷ2及びＷ3は、ＣＯＯ、ＯＣＯ、単結合、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2Ｏ、ＯＣＨ2、Ｏ、Ｓ、ＣＨ＝ＣＨ、Ｃ≡Ｃ、ＯＣＯ（ＣＨ2）x、ＣＯＯ（ＣＨ2）xから独立に選択され、ここで、xは１〜４である、
ことを特徴とする請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記メソゲン基又は該メソゲン基の少なくとも一部は、前記コレステリル基又は該コレステリル基の誘導体で与えられることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の材料。
【請求項４】
前記メソゲン基のコアは、以下のもの：
【化１３】
2005531663.tif 000048
から選択され、
前記メソゲン基の各々において、フェニル環のうちの１つ又は２つ又は３つは、シクロヘキシル、ピリミジン、又はピリジンで互いに独立に置き換えることができ、シクロヘキシル基及びフェニル基は、１つ又は２つ又は３つの位置において、Ｆで互いに独立に置換することができ、ＣＯ2基もまた、Ｏ2Ｃ又はＣ≡Ｃで置き換えることができる、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の材料。
【請求項５】
請求項１〜４に記載の化合物のいずれかを含むことを特徴とする液晶混合物。
【請求項６】
請求項１〜４に記載の材料のいずれか又は請求項５に記載の混合物を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
液晶装置であることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
多重アドレスされることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の装置。
【請求項９】
光によってアドレスされることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトクロミック液晶、及び混合物及び装置でのその使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトクロミック材料は、透過率がそれに入射する光の強度に伴って変化するものであり、透過率は、本体によって透過されるエネルギのそれに入射するエネルギに対する比率である。フォトクロミック材料は、電磁放射の影響下で可逆的な化学変換を受けることができ、異なる吸収極大を有する状態になる。更に一般的には、フォトクロミック材料は、選択した波長の光を照射すると、好ましくは制御された方法で、形状、電子構造、及び色を変化させる材料と考えることができる。
【０００３】
「液晶」という用語は公知である。これは、その構造の結果として、好ましくは作業温度、例えば−４０から２００℃で同様の配向にそれ自体が整列することになる化合物を意味する。これらの材料は、様々な装置、特に、液晶表示装置すなわちＬＣＤに有用である。
液晶は、様々な相で存在することができる。本質的には、液晶材料には３つの異なる部類があり、各々が特徴的な分子配列を有する。これらの部類は、ネマチック、キラルネマチック（コレステリック）、及びスメクチックである。
概して、ネマチック化合物の分子は、バルク材料中で特定の配向にそれ自体が整列することになる。スメクチック材料は、同じように配向することに加え、層の形で近接してそれ自体が整列することになる。
【０００４】
広範囲のスメクチック相、例えば、スメクチックＡ及びスメクチックＣが存在する。前者では、分子は、基体又は支持体に対して垂直に整列するが、後者では、分子は、支持体に対して傾斜することができる。いくつかの液晶材料は、温度が変化するといくつかの液晶相を有する。他のものでは、単に１つの相を有する。例えば、液晶材料は、等方性相から冷却される時に、等方性−ネマチック−スメクチックＡ−スメクチックＣ−固体という相を示すことができる。材料がスメクチックＡであると説明される場合、これは、一般的に、材料が有用な作業温度範囲に亘ってスメクチックＡ相を有するという意味であると受け取られる。
【０００５】
このような材料は、特に、自身を整列することができると共に電圧の影響下でそのアラインメントを変化させることができる能力を用いて偏光の経路に影響を及ぼし、これによって液晶ディスプレイをもたらす表示装置に有用である。これらは、時計、計算機、ディスプレイボード又は広告板、コンピュータスクリーン、特にラップトップコンピュータスクリーンなどのような装置に広く用いられている。化合物の電圧変化に反応する速度に影響を及ぼす化合物の特性には、分子の大きさ、粘性（Δｎ）、双極子モーメント（Δε）、導電率等が含まれる。
【０００６】
典型的な液晶装置は、２つのセル壁に挟まれた液晶材料の層（一般的には混合物）を含む。セル壁の内面には電極構造があり、電極構造の内面には、いわゆるアラインメント層がある。このアラインメント層は、装置のスイッチング特性を最適化することができるような特別な方法で液晶材料を整列させるのに役立つ。アラインメント層を設ける方法には、その表面を一般的には布で特定の方向に擦ることを含む様々な種類がある。代替的に、液晶材料上に特定のアラインメント特性を付与する効果を有する電極内面上に材料の層を堆積させる、いわゆる非接触アラインメント層がある。これらのアラインメント技術は、当業者には公知であり、改良されたアラインメントの方法を開発する努力が続けられている。
【０００７】
また、バルク液晶層の特性を改良する代替液晶材料に対する必要性も依然として存在する。
本発明人は、新しい部類であると考えられる材料を提供するためにフォトクロミック及び液晶材料の特性を組み合せた。この新しい材料は、そのバルク液晶特性及びそのアラインメント特性に関して、また、それらが従来のアドレス手段に加えてより光アドレスすることができる装置を提供する点でも関心が持たれている。
【０００８】
【非特許文献１】Ｋ．Ｌ．Ｋｏｍｐａ、Ｒ．Ｄ．Ｌｅｖｉｎｅ、ＰＮＡＳ、９８、４１０（２００１）
【発明の開示】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、次の式Ｉ及び式Ｉｂの材料が提供される。
【００１０】
【化１】
2005531663.tif 000003
【００１１】
ここで、以下の基：
【００１２】
【化２】
2005531663.tif 000004
【００１３】
は、以下のものからそれぞれ選択される。
【００１４】
【化３】
2005531663.tif 000005
【００１５】
【化４】
2005531663.tif 000006
【００１６】
ここで、以下のもの：
【００１７】
【化５】
2005531663.tif 000007
【００１８】
は、共に以下から選択される。
【００１９】
【化６】
2005531663.tif 000008
【００２０】
【化７】
2005531663.tif 000009
【００２１】
ここで、＊は、式Ｉ又は式Ｉｂへの付着点を示し、
【００２２】
【化８】
2005531663.tif 000010
【００２３】
におけるフェニル基は、互いに独立に、ピリジン及びピリミジン基で置換することができ、ここで、Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＨ、Ｓｅ、ＣＨ2、Ｐから選択され、また、Ｊは、ＣＦ2、ＣＨ2、ＣＦＨ、ＮＲ9から選択され、Ｒ９は、Ｈ、Ｃ１−４０分枝又は直鎖アルキルから選択され、ここで、１つ又はそれ以上のＣＨ2基は、Ｏ、ＣＨで置換することができ、末端ＣＨ3基は、ＣＨ2基、又はＳＨ、ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＣＨＯ、Ｏ2ＣＣＨＣＨ2、又はＯ2ＣＣ（ＣＨ3）ＣＨ2基で置換することができ、また、ａ及びｄは、ＣＨ3、ＣＦ3、ＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ3、又は式ＩＩから独立に選択され、ｂ、ｃ、ｅ、及びｆは、Ｈ、式ＩＩ、又はＣ１−４０分枝又は直鎖アルキルから独立に選択され、ここで、１つ又はそれ以上のＣＨ2基は、Ｏ、ＣＦＨ、ＣＦ2、ＣＨで置換することができ、末端ＣＨ3基は、ＣＨ2基、又はＳＨ、ＯＨ、ＣＦ3、ＣＯＯＨ、ＣＨＯ、Ｏ2ＣＣＨＣＨ2、又はＯ2ＣＣ（ＣＨ3）ＣＨ2基で置換することができ、また、式ＩＩは、以下のように与えられ、
【００２４】
【化９】
2005531663.tif 000011
【００２５】
ここで、Ｙは、Ｏ、−ＣＯ2−、Ｏ2Ｃ、Ｓ、ＣＨ2、又は単結合から選択され、Ｑは、（ＣＨ2）ｎ（ｎは１〜２０）、又は（ＣＨ2）ｍ−［Ｓｉ（Ｌ２）−Ｏ］ｑ−Ｓｉ（Ｌ２）−（ＣＨ2）ｐ−（ｍは２〜２０、ｐは２〜２０、ｑは１〜１２であり、Ｌ基は、互いに独立にＣＨ3、ＣＦ3、Ｈから選択される）から選択され、Ｚは、Ｏ又はＣＯ2又はＯ2Ｃ又はＣＨ2又は単結合であり、
【００２６】
【化１０】
2005531663.tif 000012
【００２７】
は、メソゲン基であり、Ｔは、１又は２又は３であり、Ｔが２であれば、Ｑも（ＣＨ2）ｇＮ（（ＣＨ2）ｒ）2、（ＣＨ2）ｇＳｉ（ＣＨ3）（（ＣＨ2）ｒ）2、（ＣＨ2）ｇＰ（（ＣＨ2）ｒ）2、（ＣＨ2）ｇＧｅ（ＣＨ3）（（ＣＨ2）ｒ）2から選択することができ、ここで、ｇ及びｒの値は、独立に１〜２０から選択され、Ｔが３であれば、Ｑも（ＣＨ2）ｇ’Ｓｉ（（ＣＨ2）ｒ’）3、及び（ＣＨ2）ｇ’Ｇｅ（（ＣＨ2）ｒ’）3から選択することができ、ここで、ｇ’及びｒ’の値は、独立に１〜２０から選択され、この場合、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆの少なくとも１つが式ＩＩから選択されることが条件である。
【００２８】
上式ＩＩでは、Ｙに相当する基は、一般的に連結基と呼ばれ、Ｑ基はスペーサ、Ｚ基は連結基と呼ばれるであろう。
Ｔが２であれば、Ｑに２つのＺ−メソゲン基が付着し、連結性がアルキレン基に対するか又はそれを通じたものである場合は、Ｑの適切なＣＨ2基からのＨが置換されることを示し、同様に、Ｔが３であれば、２Ｈが置換されることを示す。１つよりも多いＺ−メソゲン基が存在する、すなわちＴ＞１であれば、これらのＺ−メソゲン基は、独立に選択される。
【００２９】
好ましくは、メソゲン基は、以下の式ＩＩＩにより与えられる。
【００３０】
【化１１】
2005531663.tif 000013
【００３１】
Ａ、Ｂ、Ｂ’、Ｄは、以下の環：
【００３２】
【化１２】
2005531663.tif 000014
【００３３】
から選択され、これらの環は、利用可能な置換位置の少なくとも１つにおいて、置換基Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＨ3、ＣＮ、ＯＲ、Ｒ、及びＮＣＳの１つ又はそれ以上で置換することができ、ここで、Ｒは、Ｃ1-16分枝又は直鎖アルキルで与えられ（好ましくはＣ1-8、より好ましくはＣ1-5）、Ｂ’はまた、単結合から選択することができる。
【００３４】
Ｚ5は、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＮＯ2、Ｒ、ＯＲ、ＣＯ2Ｒ、ＣＦ3、ＯＯＣＲ、ＮＣＳ、ＳＣＮから選択され、ここで、Ｒは、直鎖又は分枝鎖アルキルであり、１−１６炭素原子を含むことができ、また、１つ又はそれ以上の非隣接ＣＨ2基をキラル又は非キラルの形でＣＨ（ＣＮ）、ＣＨ（ＣＦ3）、ＣＨ（Ｃｌ）、ＣＨ（ＣＨ3）で置換することができる場合、及び、二重結合が存在して末端ＣＨ3基をＣＨ2基で置換することができるように、１つ又はそれ以上の非隣接ＣＨ2基をＣＨで置換することができる場合を含み、この場合、存在する環の合計数は、４よりも大きくないことが条件である。
【００３５】
Ｗ1、Ｗ2、及びＷ3は、ＣＯＯ、ＯＣＯ、単結合、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2Ｏ、ＯＣＨ2、Ｏ、Ｓ、ＣＨ＝ＣＨ、Ｃ≡Ｃ、ＯＣＯ（ＣＨ2）x、ＣＯＯ（ＣＨ2）xから独立に選択され、ここで、ｘは１〜４である。
Ｚ基は、式ＩＩＩのメソゲン基に対してＡ、Ｂ、Ｂ’、Ｄ基上の利用可能な炭素原子置換位置の何れかで連結可能である。
同様に、式ＩＩ内のメソゲン基に対するＺ基の連結性は、付着点の性質を制限しない。
メソゲン基又はメソゲン基の少なくとも一部はまた、コレステリル基及びその誘導体で与えることができる。例えば、式ＩＩＩでは、Ｂ−Ｗ2−Ｂ’−Ｗ3−Ｄ−Ｚ5部分が、コレステリル及びその誘導体で与えられると考えられる。
【００３６】
好ましくは（独立に）、
【００３７】
【化１３】
2005531663.tif 000015
【００３８】
は、以下のものから選択され、
【００３９】
【化１４】
2005531663.tif 000016
【００４０】
【化１５】
2005531663.tif 000017
【００４１】
は、以下のものから選択される。
【００４２】
【化１６】
2005531663.tif 000018
【００４３】
ここで、ＸはＳであり、ＪはＣＦ２であり、ａ及びｄは、ＣＨ3又は式ＩＩであり、ｂ及びｃの一方、及びａ及びｆの一方は、式ＩＩから選択され、式ＩＩでは、ＹはＯ、ＯＣＯ、ＣＯ2であり、Ｑに関して、（ＣＨ２）ｎから選択される場合は、ｎは２〜１２、より好ましくは、３〜１１、４〜１１、又は６〜１１の範囲であり、（ＣＨ2）ｍ−［Ｓｉ（Ｌ２）−Ｏ］ｑ−Ｓｉ（Ｌ２）−（ＣＨ2）ｐから選択される場合は、ｍ及びｐは、好ましくは３〜１２、より好ましくは５〜１０であり、Ｔは１であり、式ＩＩＩに関して、好ましくは、Ａ、Ｂ、Ｂ’、Ｄは、フェニル及び／又はシクロヘキシルから選択され、置換される場合は、それらはＦで置換され、Ｚ5は、ＣＮ、ＯＲ、Ｒから選択され、ここで、ＲはＣ３−１２アルキルであり、Ｗ1及びＷ2（存在する場合）及びＷ3は、ＣＯＯ、ＯＣＯ、単結合から独立に選択される。
【００４４】
本発明の更に別の態様によれば、以下の式の材料が提供される。
【００４５】
【化１７】
2005531663.tif 000019
【００４６】
ここで、以下の基：
【００４７】
【化１８】
2005531663.tif 000020
【００４８】
は、以下のものからそれぞれ選択される。
【００４９】
【化１９】
2005531663.tif 000021
【００５０】
【化２０】
2005531663.tif 000022
【００５１】
【化２１】
2005531663.tif 000023
【００５２】
は、以下の基：
【００５３】
【化２２】
2005531663.tif 000024
【００５４】
が存在し、非対称化合物を含むことを示す。Ｖは、ＯＨ、ＣＯＯＨ、及びＯ（ＣＨ2）ｍＣＨＣＨ2で与えられ、ここで、ｍは２〜２０であり、この場合、ＶがＣＯＯＨであれば、化合物は非対称であるという条件である。ａ、ｄ、及びＸ基は、本発明の第１の態様により与えられ、＊は、付着点を表す。
【００５５】
式Ｉ及び式Ｉｂの化合物は、以下の一般構造の反応を通じて合成することができる。
【００５６】
【化２３】
2005531663.tif 000025
【００５７】
ここで、以下の基：
【００５８】
【化２４】
2005531663.tif 000026
【００５９】
は、以下のものからそれぞれ選択される。
【００６０】
【化２５】
2005531663.tif 000027
【００６１】
【化２６】
2005531663.tif 000028
【００６２】
すなわち、Ｖは、一般的に、ＯＨ、ＣＯＯＨ、又はＯ（ＣＨ2）ｍＣＨＣＨ2から独立に選択され、ここで、ｍは２〜２０であり、Ｂｒ、ＯＨ、又はＣＯＯＨのような活性基で置換された適切なメソゲン基を有する。スペーサ基がシロキサンである場合は、メソゲン基は、（ＣＨ2）ｐＳｉ（Ｌ２）［ＯＳｉ（Ｌ２）］ｑＨ基で置換することができる。
ａ、ｄ、及びＸ基は、本発明の第１の態様により与えられ、＊は付着点を示す。
【００６３】
式Ｉ及び式Ｉｂの材料は、以下に示す２つの形態の間で変換することができる。この場合、Ａは、実質的に４００〜２０００ｎｍ、好ましくは４００〜１０００ｎｍ、より好ましくは５００〜９００ｎｍの範囲である。Ｂは、２８０〜５００ｎｍの範囲である。
この変換を決める因子には、存在する官能基の性質、例えば、その電子求引性及び電子供与性が含まれる。
【００６４】
【化２７】
2005531663.tif 000029
【００６５】
以下に表す材料は、以下のように、２つの形態（Ｉ及びＩｂと表す）の間を変換することができる。
【００６６】
【化２８】
2005531663.tif 000030
【００６７】
本発明の材料は、様々な装置、特に電気光学装置に用いることができる。適切な例には、本発明の材料が様々な機能をもたらすことができる液晶装置が含まれる。例えば、これらは、表面アラインメント材料として、及び／又は液晶層の大部分に用いることができる。これらは、強誘電性及びネマチック混合物／装置に有用である。
本発明の材料は、良好な光安定性、低書込エネルギ密度、多数の読取／書込サイクル、熱安定性、ＵＶ安定性、式Ｉからｌｂに変わる時の異なる相特性、及び式ＩからＩｂに変わる時の異なるＵＶ吸収特性という１つ又はそれ以上の特性を有利に有する。
ここで、本発明を例示的に添付図面を参照して以下に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
一例としてある一定範囲の化合物が作られた。表では、化合物番号が参照される。
化合物１
文献に従い、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン及び４’−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルを合成する。化合物１は、次のようにして得られる。１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロ−ペンテン０．２５ｇ（０．４５ミリモル）及び４’−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリル０．２６ｇ（１．０７ミリモル）を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2２５ミリリットルに溶かす。ＤＭＡＰ５．７ｍｇ（０．０４５ミリモル）、続いてＤＩＣ０．１３ｇ（１．０７ミリモル）を加える。室温で２時間撹拌した後、減圧にして溶媒を蒸留して除去する。得られる生成物は、シリカゲルに溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いカラムクロマトグラフィにより精製し、白色固体（収量０．３３ｇ、７７％）として純粋な生成物を得る。実験式：Ｃ53Ｈ38Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：９５５．１４、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ＞３５０  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００６９】
化合物２
化合物１の調製に対して説明したのと同じ手順により化合物２を調製する。この場合の前駆体は、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサ−フルオロシクロペンテン及び４’−（６−ヒドロキシ−ヘキシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：７２％、実験式：Ｃ61Ｈ54Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１０６７．２３
【００７０】
化合物３
化合物１の調製に対して説明したのと同じ手順により化合物３を調製する。この場合の前駆体は、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサ−フルオロシクロペンテン及び４’−（７−ヒドロキシ−へプチロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：７６％、実験式：Ｃ63Ｈ58Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１０９５，２８、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １９４．９  ＳｍＸ  ７２．９  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００７１】
化合物４
化合物１の調製に対して説明したのと同じ手順により化合物４を調製する。  この場合の前駆体は、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサ−フルオロシクロペンテン及び４’−（８−ヒドロキシ−オクチロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：７７％、実験式：Ｃ65Ｈ62Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１１２３．３３
【００７２】
化合物５
化合物１の調製に対して説明したのと同じ手順により化合物５を調製する。この場合の前駆体は、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサ−フルオロシクロペンテン及び４’−（９−ヒドロキシ−ノニロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：７２％、実験式：Ｃ67Ｈ66Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１１５１．３８、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １７２．３  ＳｍＸ  ６９．９  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００７３】
化合物６
化合物１の調製に対して説明したのと同じ手順により化合物６を調製する。この場合の前駆体は、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサ−フルオロシクロペンテン及び４’−（１０−ヒドロキシ−デシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：８１％、実験式：Ｃ69Ｈ66Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１１７９．４３、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １６９．５  ＳｍＸ  ５３．１  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００７４】
化合物７
化合物１の調製に対して説明したのと同じ手順により化合物７を調製する。この場合の前駆体は、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン及び４’−（１１−ヒドロキシ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：７９％、実験式：Ｃ71Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１２２９．４８、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １７９．６  ＳｍＸ  ６６．４  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００７５】
化合物８
化合物１の調製に対して説明したのと同じ手順により化合物８を調製する。この場合の前駆体は、１，２−ビス（６−カルボキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサ−フルオロシクロペンテン及び４’−（１２−ヒドロキシ−ドデシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：７３％、実験式：Ｃ73Ｈ78Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１２５７．５３、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １６０．１  ＳｍＸ  ５７．１  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００７６】
化合物９
段階１
６−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン
６−メトキシベンゾ［ｂ］チオフェン２０．２０ｇ（０．１２モル）を無水ＴＨＦ４５０ミリリットルに希釈したものを窒素下で三口丸底フラスコに投入する。混合物を−５０℃まで冷却する。ｎＢｕＬｉの２．５Ｍヘキサン溶液６４ミリリットル（０．１４モル）を滴下する。得られる混合物を−４０℃で１時間３０分撹拌し、その後−７８℃まで冷却する。ＭｅＩ５２ｇ（０．３６モル）を加える。混合物を室温に戻した後、水２５０ミリリットルで加水分解する。水−ＴＨＦ混合物をＥｔ2Ｏ３００ミリリットルで３回抽出する。得られる有機相を飽和ＮａＣｌ水溶液で数回洗い、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。收集された固体をメタノールで再結晶すると、白色固体（収量２１．２５ｇ、９７％）が得られる。実験式：Ｃ10Ｈ10ＯＳ、モル質量：１７８．２５、融点：
【００７７】
段階２
３−ブロモ−６−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン
６−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン２０．６３ｇ（０．１３モル）及びＣＨＣｌ3２５０ミリリットルの混合物を氷水浴を用いて冷却する。Ｂｒ2２０．０８ｇ（０．１４モル）及びＣＨＣｌ3９０ミリリットルから成る溶液を滴下して加える。加え終われば、混合物を室温で３０分間撹拌し、その後、飽和Ｎａ2Ｓ2Ｏ6水溶液３００ミリリットルで加水分解する。水相をＣＨＣｌ3３００ミリリットルで２回抽出する。有機相を合わせて水で数回洗い、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。得られる固体をメタノールで再結晶すると白色固体（収量２８．５０ｇ、８８％）が得られる。実験式：Ｃ10Ｈ9ＢｒＯＳ、モル質量：２５７．１５、融点：８０〜８１℃。
【００７８】
段階３
１，２−ビス（６−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン
３−ブロモ−６−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン１０ｇ（０．０３９モル）を無水ＴＨＦ１５０ミリリットルに入れて撹拌した溶液に、ｎＢｕＬｉの２．５Ｍヘキサン溶液１５．６ミリリットル（０．０３９モル）を−７８℃窒素雰囲気下で滴下して加える。得られる混合物は−７８℃で３０分間撹拌した後、パーフルオロシクロペンテン４．１２ｇ（０．０１９モル）を一度に加える。加え終わった後、混合物を室温に戻し、その後、水１５０ミリリットルで加水分解する。ＴＨＦ−水混合物はＥｔ2Ｏ１５０ミリリットルで３回抽出する。得られる有機相を飽和ＮａＣｌ水溶液で数回洗って硫酸マグネシウムで乾燥し、次に、減圧下で濃縮する。粗生成物は、シリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、極性を増大させたペンタン及びＣＨ2Ｃｌ2（１００：０〜７０：３０）から成る混合物で溶離する。得られる固体をメタノールで再結晶し、白色固体（収量６．５０ｇ、６２％）を得る。実験式：Ｃ25Ｈ18Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量：５２８．５３、融点：１８２〜１８３℃。
【００７９】
段階４
１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン
段階３で得られる化合物５．６０ｇ（０．０１モル）及び予め希釈したＣＨ2Ｃｌ2１００ミリリットルを窒素下で三口丸底フラスコに投入する。得られる混合物を氷水浴を用いることにより冷却し、その後、ＢＢｒ3４．９１ミリリットル（０．０５モル）を滴下して加える。溶液を室温まで温め、６時間撹拌する。次に、氷水浴を用いることにより混合物を冷却し、１０％ＨＣＩ水溶液１００ミリリットルをゆっくりと加える。塩素処理相を水相から分離する。後者を酢酸エチルで数回抽出する。有機相を合わせて水で洗って硫酸マグネシウムで乾燥し、その後、減圧下で濃縮する。粗生成物は、シリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、極性を増大させたＣＨ2Ｃｌ2及びＥｔ2Ｏから成る混合物（１００：０〜９０：１０）で溶離すると、白色固体（収量４．７ｇ、９３％）を得る。実験式：Ｃ23Ｈ14Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量：５００．４８、融点：２３６〜２３７℃。
【００８０】
段階５
段階４で得られる化合物０．１５ｇ（０．３０ミリモル）及び１１−（４’−シアノ−ビフェニル−４−イロキシ）−デカン酸０．２６ｇ（０．７０ミリモル）を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2３０ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ４ｍｇ（０．０３０ミリモル）、次に、ＤＩＣ０．０８８ｇ（０．７２ミリモル）を加える。混合物は、室温で２時間撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる製品を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、白色固体（収量０．２５ｇ、７０％）の純粋な生成物を得る。実験式：Ｃ69Ｈ70Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１２０１．４３、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ６９．３  Ｎ  ７８．５  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００８１】
化合物１０
化合物１０は、化合物９の合成の段階５に説明の手順と同様の手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物９の合成の段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロ−シクロペンテン及び１１−（４’−シアノ−ビフェニル−４−イロキシ）−ウンデカン酸である。収量：７８％、実験式：Ｃ72Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１２２９．４８、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ５５．８  Ｎ  ６０．８  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００８２】
化合物１１
段階１
５−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン
この化合物は、文献に説明のものと同じ手順により５−メトキシベンゾ［ｂ］チオフェンから化合物９を合成する段階１に説明のものと同じ手順により調製する。収量：９２％、実験式：Ｃ10Ｈ10ＯＳ、モル質量：１７８．２５、融点：９７〜９８℃。
【００８３】
段階２
３−ブロモ−５−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン
この化合物は、５−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェンから化合物９を合成する段階２に説明の手順と同じ手順により調製する。収量：４０％、実験式：Ｃ10Ｈ9ＢｒＯＳ、モル質量：２５７．１５、液体。
【００８４】
段階３
１，２−ビス（５−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン
この化合物は、段階２で得られる３−ブロモ−５−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェンから化合物９を合成する段階３に説明の手順と同じ手順により調製する。収量：６９％、実験式：Ｃ29Ｈ10Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量：５２８．５３、融点：１２８〜１２９℃。
【００８５】
段階４
１，２−ビス（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン
この化合物は、段階３で得られる１，２−ビス（５−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテンから化合物９を合成する段階４に説明の手順と同じ手順により調製する。収量：８７％、実験式：Ｃ23Ｈ14Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量：５００．４８、融点：２５０〜２５１℃。
【００８６】
段階５
段階４で得られる化合物０．１５ｇ（０．３０ミリモル）及び１１−（４’−シアノ−ビフェニル−４−イロキシ）−デカン酸０．２６ｇ（０．７０ミリモル）を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2３０ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ４ｍｇ（０．０３０ミリモル）、次にＤＩＣ０．０８８ｇ（０．７２ミリモル）を加える。混合物は室温で２時間撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてＣＨ2Ｏ2を用いシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、白色固体（収量０．２７ｇ、７４％）の純粋な生成物を得る。実験式：Ｃ69Ｈ70Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１２０１．４３、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １４０．２  Ｎ  ９２．０  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００８７】
化合物１２
化合物１２は、化合物１１を合成する段階で説明した手順と同じ手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物１１を合成する段階４で得られる１，２−ビス（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロ−シクロペンテン及び１１−（４’−シアノ−ビフェニル−４−イロキシ）−ウンデカン酸である。収量：７３％、実験式：Ｃ71Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１２２９．４８、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １４０．２  Ｎ  ９２．０  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００８８】
化合物１３
段階１
１−［６−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル］−ヘプタフルオロシクロペンテン
３−ブロモ−６−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン（化合物９を合成する段階２で得られる化合物）７．６１ｇ（０．０３モル）を無水ＴＨＦ１２０ミリリットルに入れて撹拌した溶液に、ｎＢｕＬｉの２．５Ｍヘキサン溶液１１．９０ミリリットル（０．０３４モル）を−７８℃窒素雰囲気下で滴下して加える。得られる混合物は、−７８℃で３０分間撹拌した後、パーフルオロシクロペンテン２０ｇ（０．０９モル）を一度に加える。加え終わると、混合物を室温に戻し、その後、水１２０ミリリットルで加水分解する。ＴＨＦ−水の混合物をＥｔ2Ｏ１５０ミリリットルで３回抽出する。得られる有機相を飽和ＮａＣｌ水溶液で数回洗って硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、極性を増大させたペンタン及びＣＨ2Ｃｌ2（１００：０から８０：２０）から成る混合物で溶離すると、油状生成物（収量８．１２ｇ、７２％）が得られ、これは、更に精製しなくても次の段階に用いるのに十分な純度である。実験式：Ｃ15Ｈ15Ｆ7ＯＳ、モル質量：３７６．３３
【００８９】
段階２
１−（５−メトキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６−メトキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン
段階１で得られた化合物４．７８ｇ（０．０１８モル）を無水ＴＨＦ１００ミリリットルに入れて撹拌した溶液に、ｎＢｕＬｉの２．５Ｍヘキサン溶液７．２ミリリットル（０．０１８モル）を−７８℃、窒素雰囲気下で滴下して加える。得られる混合物を−７８℃で３０分間撹拌した後、化合物１１を合成する段階２で得られる化合物の合成物７ｇ（０．０１８モル）及び無水ＴＨＦ４０ミリリットルの溶液をゆっくりと加える。加え終わると、混合物を室温に戻し、その後、水１４０ミリリットルで加水分解する。ＴＨＦ−水混合物はＥｔ2Ｏ１５０ミリリットルで３回抽出する。得られる有機相は飽和ＮａＣｌ水溶液で数回洗って硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。粗生成物は、シリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、極性を増大させたペンタン及びＣＨ2Ｃｌ2から成る混合物で溶離する（１００：０から７０：３０）。得られる固体をメタノールで再結晶すると、白色固体（収量５．４２ｇ、５７％）を得る。実験式：Ｃ25Ｈ18Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量；５２８．５３、融点１１８〜１１９℃。
【００９０】
段階３
１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン
この化合物は、段階２で得られた化合物から化合物９を合成する段階４に説明の手順と同様の手順により調製する。収量：９１％、実験式：Ｃ23Ｈ14Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量：５００．４８、融点：２２８℃。
【００９１】
段階４
段階３で得られる化合物０．１５ｇ（０．３０ミリモル）及び１１−（４’−シアノ−ビフェニル−４イロキシ）−デカン酸０．２６ｇ（０．７０ミリモル）を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2３０ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ４ｍｇ（０．０３０ミリモル）、次にＤＩＣ０．０８８ｇ（０．７２ミリモル）を加える。混合物を室温で２時間撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、純粋な生成物の白色固体（収量０．２７ｇ、４％）を得る。実験式：Ｃ69Ｈ70Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１２０１．４３、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ７４．３  Ｎ  ８７．８  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９２】
化合物１４
化合物１４は、化合物１３を合成する段階４に説明の手順と同じ手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン及び１１−（４’−シアノ−ビフェニル−４−イロキシ）−ウンデカン酸である。収量；７８％、実験式：Ｃ71Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１２２９．４８、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ５６．９  Ｎ  ６５．６  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９３】
化合物１５
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．３０ミリモル）、４’−（６−ブロモ−ヘキシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリル０．２６ｇ（０．７２ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１０ｇ（０．７２ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流し、その後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物は、溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用い、シリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２６ｇ、８１％）を得る。実験式：Ｃ61Ｈ58Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１０６１．２５、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ７８．９  Ｎ  ９５．５  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９４】
化合物１６
化合物１６は、化合物１５の調製に関して説明した手順と同じ手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロ−シクロペンテン及び４’−（１０−ブロモ−デシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：８７％、実験式：Ｃ69Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１１７３．４６、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ７３．６  Ｎ  ７７．５  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９５】
化合物１７
化合物１７は、化合物１５の調製に関して説明した手順と同じ手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロ−シクロペンテン及び４’−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：８６％、実験式；Ｃ71Ｈ78Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１２０１．５１、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ５７．７  Ｎ  ６１．４  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９６】
化合物１８
化合物１１を合成する段階４で得られる１，２−ビス（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．３０ミリモル）、４’−（１０−ブロモ−ドセロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリル０．３０ｇ（０．７２ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１０ｇ（０．７２ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流し、その後室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィで溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いて精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２９ｇ、８４％）を得る。実験式：Ｃ69Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１１７３．４６、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １４１．３  Ｎ  ８８．８  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９７】
化合物１９
化合物１９は、化合物１８の調製に関して説明した手順と同じ手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物１１を合成する段階４で得られる１，２−ビス（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン及び４’−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：８１％、実験式：Ｃ71Ｈ78Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１２０１．５１、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １２０．５  ＳｍＸ  ５１．３  Ｎ  ６１．７  ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９８】
化合物２０
化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．３０ミリモル）、４’−（６−ブロモ−ヘキシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリル０．２６ｇ（０．７２ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１０ｇ（０．７２ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流し、その後室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２７ｇ、８４％）を得る。実験式：Ｃ61Ｈ58Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１０６１．２５、転移／Ｔ℃：Ｎ  １１３．２  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【００９９】
化合物２１
化合物２１は、化合物２０の調製に関して説明した手順と同じ手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物１３を合成する段階３得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン及び４’−（１０−ブロモ−デシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：７８％、実験式：Ｃ69Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１１７３．４６、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ５６．９  Ｎ  ６６．６  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１００】
化合物２２
化合物２２は、化合物２０の調製に関して説明した手順と同じ手順により得られる。この場合の前駆体は、化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン及び４’−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリルである。収量：８７％、実験式：Ｃ71Ｈ78Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１２０１．５１、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ５２．７  Ｎ  ６１．１  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１０１】
化合物２３
段階１
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．５０ｇ（０．９８ミリモル）、４’−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリル０．４２ｇ（０．９８ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１６ｇ（１．２ミリモル）、及び乾燥ブタノン７０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2及びＥｔ2Ｏ（９５／５）の混合物を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．３８ｇ、４５％）を得る。実験式：Ｃ47Ｈ49Ｆ6ＮＯ3Ｓ2、モル質量；８５４．０２、融点：７１〜７２℃。
【０１０２】
段階２
段階１で得られる化合物０．１５ｇ（０．１７ミリモル）及び１１−（４’−シアノ−ビフェニル−４−イロキシ）−ウンデカン酸０．１０ｇ（０．２６ミリモル）の混合物を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2２０ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ３．２ｍｇ（０．０２２ミリモル）、次に、ＤＩＣ３２ｍｇ（０．２６ミリモル）を加える。混合物を室温で２時間撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．１９ｇ、９２％）を得る。実験式：Ｃ71Ｈ76Ｆ6Ｎ2Ｏ5Ｓ2、モル質量：１２１５．５０、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ５７．８  Ｎ  ６２．１  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１０３】
化合物２４
化合物２３を調製する段階１で得られる化合物０．１０ｇ（０．１２ミリモル）、４’−（６−ブロモ−ヘキシロキシ）−ビフェニル−４−カルボニトリル０．０６ｇ（０．１７ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．０２ｇ（０．０１４ミリモル）、及び乾燥ブタノン１５ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．１２ｇ、８９％）を得る。実験式：Ｃ66Ｈ68Ｆ6Ｎ2Ｏ4Ｓ2、モル質量：１１３１．３８、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ５３．５  Ｎ  ６１．９  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１０４】
化合物２５
段階１
４−オクチロキシ−安息香酸（４−ヒドロキシ−ビフェニル−４−イル）エステル
４−オクチロキシ−安息香酸４．５ｇ（０．０１８モル）、４，４’−ジヒドロキシビフェニル７．０ｇ（０．０３８モル）、及びＤＭＡＰ０．４６ｇ（３．７ミリモル）を乾燥ＴＨＦ６５ミリリットルに溶解し、ＤＣＣ４．４ｇ（０．０２１モル）を加える。室温で１８時間撹拌した後、懸濁液を濾過する。残留物を高温のヘキサン：ＣＨＣｌ3：ＴＨＦ＝２：２：１溶液に溶解して室温まで冷却した後、沈澱物を濾過する。ＴＬＣで純粋な白色生成物が示されるまで再結晶を繰り返す（収量３．７ｇ、４９％）。実験式：Ｃ27Ｈ30Ｏ4、モル質量：４１８．５３、融点：１８３℃。
【０１０５】
段階２
４−オクチロキシ−安息香酸（４’−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−イル）エステル
４−オクチロキシ−安息香酸（４’−ヒドロキシ−ビフェニル−４−イル）エステル３．５ｇ（８．４ミリモル）、１，１１−ジブロモウンデカン７．８８ｇ（２５ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3３．４５ｇ（２５ミリモル）、及び乾燥ブタノン５０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量５．３５ｇ、８５％）を得る。実験式：Ｃ37Ｈ49ＢｒＯ4、モル質量：６３７．６９、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １０６．２  ＳｍＣ  １１５．６  ＳｍＡ  １５３．２  Ｎ  １７１．６  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１０６】
段階３
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．３ミリモル）、段階２で得られる４−オクチロキシ−安息香酸（４’−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−イル）エステル０．５６ｇ（０．９ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１２ｇ（０．９ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．３６ｇ、７４％）を得る。実験式：Ｃ100Ｈ124Ｆ6Ｏ6Ｓ2、モル質量：１６６４．１７、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ８７．９  ＳｍＡ  １６１．４  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１０７】
化合物２６
化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．３ミリモル）、化合物２５を合成する段階２で得られる４−オクチロキシ−安息香酸（４’−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−ビフェニル−４−イル）エステル０．５６ｇ（０．９ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１２ｇ（０．９ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィを用いて精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．３９ｇ、７９％）を得る。実験式：Ｃ100Ｈ124Ｆ6Ｏ10Ｓ2、モル質量：１６６４．１７、転移／Ｔ℃：ＳｍＸ  ９０．７  ＳｍＡ  ９４．２  Ｎ  １６２．７  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１０８】
化合物２７
段階１
４−（４−ヒドロキシ−シクロヘキシル）−フェノール
４−（４−ヒドロキシ−フェニル）−シクロヘキサノン１０ｇ（０．０５２モル）をメタノール３００ミリリットルに溶解する。ＮａＢＨ4２．１３ｇ（０．０５８モル）を室温で少しずつ２時間加える。一晩撹拌した後、氷水浴を用いて混合物を冷却し、その後、１０％ＨＣｌ水溶液で加水分解する。溶液は、酢酸エチルで数回抽出する。得られる有機相を水で洗って硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。残留物をエタノールで再結晶すると、純粋な白色結晶（収量８．７ｇ、８７％）を得る。実験式：Ｃ12Ｈ16Ｏ2、モル質量：１９２．２５、融点：２１３〜２１５℃。
【０１０９】
段階２
４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−フェニル］−シクロヘキサノール
段階１で得られる４−（４−ヒドロキシ−シクロヘキシル）−フェノール２．４０ｇ（０．０１２モル）、１，１１−ジブロモウンデカン１１．７６（０．０３７モル）、Ｋ2ＣＯ3５．１７ｇ（０．０３７モル）、及び乾燥ブタノン４０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下ブタノンを蒸留して除去する、粗生成物はエタノールで再結晶することにより精製し、純粋な生成物の白色固体（収量４．３４ｇ、８５％）を得る。実験式：Ｃ23Ｈ37ＢｒＯ2、モル質量：４２５．４４、融点：１００〜１０１℃。
【０１１０】
段階３
４−オクチロキシ−安息香酸４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−フェニル］−シクロヘキシルエステル
段階２で得られる４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−フェニル］−シクロヘキサノール３ｇ（７．０５ミリモル）及び４−オクチロキシ−ベンゾイルクロリド２．０２ｇ（７．５２ミリモル）を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2１００ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ０．９５ｇ（７，５２ミリモル）を加える。混合物を室温で一晩撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、純粋な生成物の白色固体（収量３．８ｇ、８２％）を得る。実験式：Ｃ38Ｈ57ＢｒＯ4、モル質量：６５７．７６、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  ７７．１  ＳｍＣ  ９５．９  ＳｍＡ  １１２．８  Ｎ  １２７．６  Ｉｓｏ  Ｉｌｑ．
【０１１１】
段階４
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１０ｇ（０．２ミリモル）、段階３で得られる４−オクチロキシ−安息香酸４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−フェニル］−シクロヘキシルエステル０．３１ｇ（０．４７ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．０６５ｇ（０．４７ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２５ｇ、７６％）を得る。実験式：Ｃ100Ｈ132Ｆ6Ｏ10Ｓ2、モル質量：１６７１．２３
【０１１２】
化合物２８
化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン０．１０ｇ（０．２ミリモル）、化合物２７を合成する段階３で得られる４−オクチロキシ−安息香酸４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−フェニル）−シクロヘキシルエステル０．３１ｇ（０．４７ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．０６５ｇ（０．４７ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２７ｇ、８４％）を得る。実験式：Ｃ100Ｈ132Ｆ6Ｏ10Ｓ2、モル質量：１６７２．２３
【０１１３】
化合物２９
段階１
４−（１−Ｒ（−）−メチル−へプチロキシ）−安息香酸メチルエステル
４−ヒドロキシ−安息香酸メチルエステル１０．６８ｇ（０．０７０モル）、５（＋）−オクタン−２−オール８．１０ｇ（０．０６２モル）、ＤＩＡＤ１５．１０（０．０７０モル）を無水ＴＨＦ１２０ミリリットルに溶解する。ＰＰｈ3１８．３９ｇ（０．０７０モル）を少しずつ３０分間加える。３時間撹拌した後、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィを精製すると、純粋な油状生成物（収量２３．４６ｇ、９２％）を得る。実験式：Ｃ16Ｈ24Ｏ3、モル質量：２６４．３６
【０１１４】
段階２
４−（１−Ｒ（−）−メチル−へプチロキシ）−安息香酸
段階１で得られる４−（１−Ｒ（−）−メチル−へプチロキシ）−安息香酸メチルエステル１０ｇ（０．０３９モル）をＴＨＦ１００ミリリットルに溶解する。ＫＯＨ２２ｇ（０．３９モル）を水４０ミリリットルに溶かした溶液を加える。混合物を加熱して還流し、６時間撹拌する。混合物を室温に戻した後、溶媒を蒸留して除去し、氷水を加える。濃ＨＣｌで酸性化した後、混合物をＣＨ2Ｃｌ2で数回抽出する。得られる有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮する。生成物をヘキサンで再結晶し、純粋な生成物の白色結晶（収量８．８８ｇ、９１％）を得る。実験式：Ｃ15Ｈ22Ｏ3、モル質量：２５０．３３、融点：６８〜６９℃。
【０１１５】
段階３
４−（１−Ｒ（−）−メチル−へプチロキシ）−安息香酸４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−シクロヘキシル］−フェニルエステル
化合物２７を合成する段階２で得られる４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−フェニル］−シクロヘキサノール３ｇ（７．０５ミリモル）及び４−（１−Ｒ（−）−メチル−へプチロキシ）−ベンゾイルクロリド（２時間還流することにより対応する酸及びＳＯＣｌ2から得られる）１．７６ｇ（７．０５ミリモル）を乾燥ＣＨ２Ｃｌ2４０ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ１．０６ｇ（８．４６ミリモル）を加える。混合物を室温で一晩撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃ１2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、純粋な生成物の白色固体（収量３．６１ｇ、７８％）を得る。実験式：Ｃ38Ｈ57ＢｒＯ4、モル質量：６５７．７６、転移／Ｔ℃：
【０１１６】
段階４
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１０ｇ（０．２ミリモル）、４−（１−Ｒ（−）−メチル−ヘプチロキシ）−安息香酸４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−シクロヘキシル］−フェニルエステル０．３１ｇ（０．４７ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．０６５ｇ（０．４７ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２８ｇ、８７％）を得る。実験式：Ｃ100Ｈ132Ｆ6Ｏ10Ｓ2、モル質量：１６７１．２３、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  ７２．１  ＳｍＸ  ４３．６  ＳｍＡ  ６０．５  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１１７】
化合物３０
化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン０．１０ｇ（０．２ミリモル）、化合物２９を合成する段階３で得られる４−（１−Ｒ（−）−メチル−へプチロキシ）−安息香酸４［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−シクロヘキシル］−フェニルエステル０．３１ｇ（０．４７ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．０６５ｇ（０．４７ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃ１2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２７ｇ、８４％）を得る。実験式：Ｃ100Ｈ132Ｆ6Ｏ10Ｓ2、モル質量：１６７１．２３、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  ８０．５  ＳｍＸ  ４５．８  ＳｍＡ  ６２．６  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１１８】
化合物３１
化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン０．１０ｇ（０．２ミリモル）、化合物２９を合成する段階３で得られる４−（１−Ｒ（−）−メチル−へプチロキシ）−安息香酸４−［４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−シクロヘキシル）−フェニルエステル０．１５ｇ（０．２３ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．０６５ｇ（０．４７ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２３ｇ、８０％）を得る。実験式；Ｃ85Ｈ105Ｆ6ＮＯ7Ｓ2、モル質量：１４３０．８７、転移／Ｔ℃：Ｔｇ２５．３  ＳｍＡ  ６６．２  Ｉｓｏ  Ｉｌｑ．
【０１１９】
化合物３２
段階１
４−（１２−ブロモ−ウンデシロキシ）−安息香酸メチルエステル
４−ヒドロキシ−安息香酸メチルエステル５ｇ（０．０３２モル）、１，１１−ジブロモウンデカン３０．９４ｇ（０．０９８モル）、Ｋ2ＣＯ3１３．５３ｇ（０．０９８モル）、及び乾燥ブタノン８０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量１０．６０ｇ、８６％）を得る。実験式：Ｃ19Ｈ29ＢｒＯ3、モル質量：３８５．３４、融点：５５〜５６℃。
【０１２０】
段階２
４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−安息香酸
段階１で得られる４−（１２−ブロモ−ウンデシロキシ）−安息香酸メチルエステル８ｇ（０．０２１モル）をＴＨＦ１００ミリリットルに溶解する。ＮａＯＨ１０ｇ（０．２４モル）水３５ミリリットルに溶かした溶液を加える。混合物を４０℃に加熱して４８時間撹拌する。混合物を室温に戻した後、溶媒を蒸留して除去し、氷／水を加える。ＨＣｌで酸性化した後、混合物をＣＨ2Ｃｌ2で数回抽出する。得られる有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮する。生成物をヘキサンで再結晶すると、純粋な生成物の白色結晶（収量７．８０ｇ、８８％）を得る。実験式：Ｃ18Ｈ27ＢｒＯ3、モル質量：３７１．３１、融点：１２０〜１２１℃。
【０１２１】
段階３
４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−安息香酸コレステロール
コレステロール５．６８ｇ（０．０１４モル）、４−（１２−ブロモ−ウンデシロキシ）−ベンゾイルクロリド（対応する酸及びＳＯＣｌ2を２時間還流することにより得られる）５．４５ｇ（０．０１４モル）、及び乾燥ＣＨ2Ｃｌ2８０ミリリットルを撹拌した溶液に、窒素雰囲気下でＤＭＡＰ２．２２ｇ（０．０１７モル）を加える。混合物を室温で一晩撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、純粋な生成物の白色固体（収量７．９７ｇ、７７％）を得る。実験式：Ｃ45Ｈ71ＢｒＯ3、モル質量：７３９．９５、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １１７．２  ＳｍＡ  １４３．７  ＴＧＢ  １４３．８  Ｎ  １９０．７  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１２２】
段階４
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．２９ミリモル）、段階３で得られる４−（１２−ブロモ−ウンデシロキシ）−安息香酸コレステロール０．５６ｇ（０．７６ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１０ｇ（０．７６ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．４３ｇ、８２％）を得る。実験式：Ｃ113Ｈ160Ｆ6Ｏ8Ｓ2、モル質量：１８２４．６０、転移／Ｔ℃：Ｔｇ  ６１．８  ＳｍＸ*  １７５．４  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１２３】
化合物３３
化合物１３を合成する段階３で得られる１−（５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６’−ヒドロキシ−２’−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３’−イル）−ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．２９ミリモル）、化合物３２を合成する段階３で得られる４−（１２−ブロモ−ウンデシロキシ）−安息香酸コレステロール０．５６ｇ（０．７７ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１０ｇ（０．７７ミリモル）、及び乾燥ブタノン１５ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．４０ｇ、７５％）を得る。実験式：Ｃ113Ｈ160Ｆ6Ｏ6Ｓ2、モル質量：１８２４．６０、転移／Ｔ℃：Ｔｇ  ６２．２  ＳｍＸ*  １７４．１  Ｎ*  １８３．１  Ｉｓｏ  Ｉｉｑ．
【０１２４】
化合物３４
段階１
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．７２ｇ（１．４１ミリモル）、４−ブロモ−ブト−１−エン０．５７ｇ（４．２３ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．５８ｇ（４．２３ミリモル）、及び乾燥ブタノン３５ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な油状生成物（収量０．７５ｇ、８７％）を得る。実験式：Ｃ31Ｈ32Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量：６１４．７１
【０１２５】
段階２
４’−［５−（１，１，３，３−テトラメチル−ジシロキサニル）−ペンチルオキシ］−ビフェニル−４−カルボニトリル
４’−ブト−３−エニロキシ−ビフェニル−４−カルボニトリル８．１２ｇ（０．０３２モル）を乾燥トルエン８０ミリリットルに溶解し、１，１，３，３−テトラメチル−ジシロキサン２１．５０ｇ（０．１６モル）を加える。溶液中に乾燥空気の気泡を２分間通し、キシレンに入れた白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体を数滴加える。水分が入らないように室温で２０時間撹拌した後、溶媒及び過剰な１，１，３，３−テトラメチル−ジシロキサンを減圧下で蒸留して除去する。残留物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2／ペンタン（７５／２５）混合液を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、無色油（収量１０．６７ｇ、８４％）を得る。実験式：Ｃ22Ｈ31ＮＯ2Ｓｉ2、モル質量：３９７．６６
【０１２６】
段階３
段階１で得られる化合物０．３ｇ（０．５１ミリモル）及び段階２で得られる１４’−［５−（１，１，３，３−テトラメチル−ジシロキサニル）−ペンチルオキシ］−ビフェニル−４−カルボニトリル０．７９ｇ（２．０５ミリモル）を乾燥トルエン２０ミリリットルに溶解する。乾燥空気の気泡を溶液中に２分間通し、キシレンに入れた白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体を数滴加える。水分が入らないように室温で２０時間撹拌した後、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。残留物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2／ペンタン（７５／２５）混合液を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、無色油（収量０．５３ｇ、７４％）を得る。実験式：Ｃ75Ｈ94Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2Ｓｉ4、モル質量：１４１０．０２
【０１２７】
化合物３５
化合物３４を合成する段階１で得られる化合物０．１５ｇ（０．２６ミリモル）及び４−オクチロキシ−２−［５−（１，１，３，３−テトラメチル−ジシロキサニル）−ペント−１−イロキシ］−安息香酸（４’−ウンデシロキシ−ビフェニル−４−イル）エステル（文献に説明の手順と同じ手順により得られる）０．５１ｇ（０．６５ミリモル）を乾燥トルエン１０ミリリットルに溶解する。乾燥空気の気泡を溶液中に２分間通し、キシレンに入れた白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体を数滴加える。水分が入らないように室温で２０時間撹拌後、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。残留物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2／ペンタン（７５／２５）混合液を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、無色油（収量０．３９ｇ、７０％）を得る。実験式：Ｃ125Ｈ180Ｆ6Ｏ12Ｓ2Ｓｉ4、モル質量：２１６５．２２、転移／Ｔ℃：Ｔｇ  −１４．３  Ｎ  １０．７  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１２８】
化合物３６
段階１
３−ブロモ−ベンゾ［ｂ］チオフェン
ベンゾ［ｂ］チオフェン６ｇ（０．０４４モル）及びＣＨＣｌ３８０ミリリットルの混合物を氷水浴を用いて冷却する。Ｂｒ2７．８９ｇ（０．０４４モル）及びＣＨＣｌ3４０ミリリットルの溶液をゆっくりと加える。加え終わると、混合物を室温で１時間撹拌し、その後、飽和Ｎａ2Ｓ2Ｏ6水溶液１５０ミリリットルで加水分解する。水相をＣＨＣｌ3１５０ミリリットルで２回抽出する。有機相を組合せて、水で数回洗って硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。組成生物を蒸留して精製し、無色液体（収量８．０ｇ、８４％）を得る。実験式：Ｃ8Ｈ5ＢｒＳ、モル質量：２１３．１０
【０１２９】
段階２
２−［１１−（３−ブロモ−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）−ウンデシロキシ］−テトラヒドロ−ピラン
段階１で得られる３−ブロモ−ベンゾ［ｂ］チオフェン６．９１ｇ（０．０３２モル）を無水ＴＨＦ１８０ミリリットルで希釈したものを窒素下で三口丸底フラスコに投入する。混合物を−７８℃まで冷却する。１．ＯＭのＬＤＡ溶液１７．１ミリリットルを滴下して加える。−７８℃で１時間３０分撹拌した後、２−（１２−ブロモ−ドデシロキシ）−テトラヒドロ−ピラン（文献に説明のように得られる）１１．８０ｇ（０．０３５モル）を加える。混合物を室温に戻した後、水１５０ミリリットルで加水分解する。水−ＴＨＦ混合物をＥｔ2Ｏ１５０ミリリットルで３回抽出する。得られる有機相を飽和ＮａＣｌ水溶液で数回洗って硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。粗生成物を溶離液としてペンタン及び酢酸エチルの混合物（９０：１０）を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な油状化合物（収量１１ｇ、７４％）を得る。実験式：Ｃ24Ｈ35ＢｒＯ2Ｓ、モル質量：４６７．５０
【０１３０】
段階３
段階２で得られる２−（１１−（３−ブロモ−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）−ウンデシロキシ］−テトラヒドロ−ピラン１０．３４ｇ（０．０２２モル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を撹拌し、ｎＢｕＬｉの２．５Ｍヘキサン溶液９．３ミリリットルを−７８℃窒素雰囲気下で滴下して加える。得られる混合物を−７８℃で３０分間撹拌した後、パーフルオロシクロペンテン２．３４ｇ（０．０１１モル）を一度に加える。加え終わると、混合物を室温に戻し、その後、水１００ミリリットルで加水分解する。ＴＨＦ−水混合物をＥｔ2Ｏ１００ミリリットルで３回抽出する。得られる有機相を飽和ＮａＣｌ水溶液で数回洗って硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮する。粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、ペンタン及び酢酸エチル（７０：３０）から成る混合物で溶離すると、黄色の油状化合物（４ｇ、３８％）が得られ、これは、更に精製することなく次の段階に用いるのに十分な純度である。実験式：Ｃ53Ｈ76Ｆ6Ｏ4Ｓ2、モル質量：９５５．２９
【０１３１】
段階４
段階３で得られた化合物３ｇ（３．１０ミリモル）をエタノール５０ミリリットルに溶解する。ＰＰＴＳ７８ｍｇ（０．３１ミリモル）を加え、混合物を加熱還流する。６時間撹拌した後、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、ペンタン及び酢酸エチル（５０：５０）の混合物で溶出して黄色の油状化合物（収量２．２２ｇ、９１％）を得る。実験式：Ｃ43Ｈ60Ｆ6Ｏ2Ｓ2、モル質量：７８７．０６
【０１３２】
段階５
段階４で得られた化合物０．３ｇ（０．３８ミリモル）、４’−ヒドロキシ−ビフェニル−４−カルボニトリル０．１５ｇ（７．８ミリモル）、ＤＩＡＤ０．１６ｇ（７．８ミリモル）を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2３０ミリリットルに溶解する。ＰＰｈ3０．２０ｇ（７．８ミリモル）を３０分間少しずつ加える。一晩撹拌した後、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、ペンタンで再結晶すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２３ｇ、５４％）を得る。実験式：Ｃ69Ｈ74Ｆ6Ｎ2Ｏ2Ｓ2、モル質量：１１４１．４６、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  １３９．８  Ｎ  ９６．７  Ｉｓｏ  Ｉｉｑ．
【０１３３】
化合物３７
段階１
２−ヒドロキシ−４−オクチロキシ安息香酸メチルエステル
メチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸エステル５１ｇ（０．３０モル）、Ｋ2ＣＯ3２０７ｇ（１．５モル）を乾燥ブタノン１リットルに溶解して撹拌した溶液に、還流しながらブロモオクタン６３ミリリットル（０．３６モル）の乾燥ブタノン２００ミリリットル溶液をゆっくりと加える。反応が完了するまで、反応混合物を１８時間還流させる。反応混合物を濾過した後、ブタノンを蒸留して除去し、残留物をメタノールで３回再結晶し、白色結晶（７４．５ｇ、８８％）を得る。実験式：Ｃ16Ｈ242Ｏ4、モル質量：１１４１．４６、融点：４６〜４７℃。
【０１３４】
段階２
４−オクチロキシ−２−（ペント−４−エン−１−イロキシ）安息香酸メチルエステル
段階１で得られた２−ヒドロキシ−４−オクチロキシ安息香酸メチルエステル６６．１ｇ（０．２３４モル）、５−ブロモペント−ｌ−エン４４．７ｇ（０．３０モル）、Ｋ2ＣＯ3２０７ｇ（１．５モル）、及び乾燥ブタノン７００ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。真空下で残留物を乾燥した後、僅かに黄色の油（７７．５ｇ、９５％）が得られるが、これは、更に精製することなく次の段階に用いることができる。実験式：Ｃ21Ｈ32Ｏ3、モル質量：３３２．４８
【０１３５】
段階３
４−オクチロキシ−２−（ペント−４−エン−１−イロキシ）安息香酸
段階２で得られる４−オクチロキシ−２−（ペント−４−エン−１−イロキシ）安息香酸メチルエステル７７．５ｇ（０．２２モル）をＴＨＦ７００ミリリットルに溶解する。ＫＯＨ６６．６ｇ（１．１９モル）を水２００ミリリットルに溶解した溶液を加える。混合物を加熱還流し、６時間撹拌する。混合物を室温に戻した後、溶媒を蒸留して除去し、氷／水を加える。濃ＨＣｌで酸性化した後、混合物をＣＨ2Ｃｌ2で数回抽出する。得られる有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮する。生成物をヘキサンで再結晶すると、純粋な生成物の白色結晶（６６．９ｇ、９２％）を得る。実験式；Ｃ20Ｈ30Ｏ4、モル質量：３３４．４５、融点：６７〜６８℃。
【０１３６】
段階４
４−オクチロキシ−安息香酸４−（４−ヒドロキシ−シクロヘキシル）−フェニルエステル
化合物２７を合成する段階１で得られる４−（４−ヒドロキシ−シクロヘキシル）−フェノール１０ｇ（０．０５２モル）及び４−オクチロキシ−安息香酸１３．０２ｇ（０．０５２モル）を無水ＴＨＦ１２０ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ０．６５ｇ（０．００５２モル）、次にＤＩＣ６．５６ｇ（０．０５２モル）を加える。混合物を室温で一晩撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてヘキサン及び酢酸エチル（７０：３０）の混合物を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、エタノールで再結晶すると、純粋な生成物の白色固体（収量６ｇ、２７％）を得る。実験式：Ｃ27Ｈ36Ｏ4、モル質量：４２４．５７、融点：１１１〜１１２℃。
【０１３７】
段階５
段階４で得られる４−オクチロキシ−安息香酸４−（４−ヒドロキシ−シクロヘキシル）−フェニルエステル５．２３ｇ（０．０１２モル）及び段階３で得られる４−オクチロキシ−２−（ペント−４−エン−１−イロキシ）安息香酸４．１１ｇ（０．０１２モル）を乾燥ＣＨ2Ｃｌ2１５０ミリリットルに溶解する。ＤＭＡＰ０．１５ｇ（０．００１２モル）、次にＤＩＣ１．５１ｇ（０．０１２ミリモル）を加える。混合物を室温で一晩撹拌する。溶媒を蒸留して除去した後、得られる生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、エタノールで再結晶すると、純粋な生成物の白色固体（収量２ｇ、２３％）を得る。実験式：Ｃ47Ｈ64Ｏ6、モル質量：７２５．０１、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  ８４．３  Ｎ  １３８．７  ＩＳＯ  ｌｉｑ．
【０１３８】
段階６
段階５で得られる化合物１．８ｇ（２．４２ミリモル）及び１，１，３，３−テトラメチル−ジシロキサン１．６３ｇ（１２ミリモル）を乾燥トルエン７０ミリリットルに溶解する。乾燥空気の気泡を溶液中に２分間通し、キシレンに入れた白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体を数滴加える。水分が入らないように室温で１８時間撹拌した後、溶媒を減圧下で蒸留して除去する。残留物を溶離液としてヘキサン／酢酸エチル（９０／１０）の混合物を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な白色固体（収量１．７４ｇ、８４％）を得る。実験式：Ｃ51Ｈ78Ｏ7Ｓｉ2、モル質量：８５９．３３、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  ４５．９  Ｎ  ８３．６  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１３９】
段階７
化合物３４を合成する段階１で得られる化合物０．２０ｇ（０．３４ミリモル）及び段階６で得られる分子０．７４ｇ（０．６８ミリモル）を乾燥トルエン２０ミリリットルに溶解する。乾燥空気の気泡を溶液中に２分間通し、キシレンに入れた白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体を数滴加える。水分が入らないように室温で２０時間撹拌した後、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。残留物を溶離液としてヘキサン／酢酸エチル（９０／１０）の混合物を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な油状生成物（０．６２ｇ、７９％）を得る。実験式：Ｃ133Ｈ188Ｆ6Ｏ16Ｓ2Ｓｉ4、モル質量：２３３３．３４、転移／Ｔ℃：Ｔｇ  ２．６  Ｎ  ５４．３  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１４０】
化合物３８
化合物３４を合成する段階１で得られる分子０．２０ｇ（０．３４ミリモル）とキシレンに入れた白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体数滴とを乾燥トルエン４０ミリリットルに撹拌した溶液に、化合物３７を合成する段階６で得られる分子０．３７ｇ（０．３４ミリモル）の乾燥トルエン２０ミリリットル溶液を室温で滴下して加える。水分が入らないように室温で２０時間撹拌した後、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。残留物を溶離液としてヘキサン／酢酸エチル（９０／１０）の混合物を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィを精製すると、純粋な油状生成物（収量０．３０ｇ、６１％）を得る。実験式：Ｃ82Ｈ110Ｆ6Ｏ9Ｓ2Ｓｉ2、モル質量：１４７４．０４、転移／Ｔ℃：Ｔｇ  −１０  Ｎ  １５  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１４１】
化合物３９
段階１
４’−ウンデク−１０−エニロキシ−ビフェニル−４−オール
４，４’−ジヒドロキシ−ビフェニル１０ｇ（０．０５３モル）、１１−ブロモ−１−ウンデセン１２．５２ｇ（０．０５３モル）、Ｋ2ＣＯ3７．４２ｇ（０．０５３モル）、及び乾燥ブタノン１２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、反応混合物を室温に戻す。水１００ミリリットルを加えて生成物を濾過し、水及びメタノールで洗う。得られる固体をブタノンで３回再結晶し、純粋な白色生成物（収量７．３５ｇ、４１％）を得る。実験式：Ｃ23Ｈ30Ｏ2、モル質量：３３８．４８、融点：１３５〜１３６℃。
【０１４２】
段階２
４−（１１−ブロモ−ウンデシロキシ）−４’−ウンデク−１０−エニロキシ−ビフェニル
段階１で得られる化合物２．８０ｇ（８．６８ミリモル）、１，１１−ジブロモ−ウンデカン８．１８ｇ（２６．０ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3３．６６ｇ（（２６．０ミリモル）、及び乾燥ブタノン４０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、反応混合物を室温に戻す。混合物を濾過し、減圧下で溶媒を蒸留して除去する。得られる粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製し、純粋な白色固体（収量９．１１ｇ、４１％）を得る。実験式：Ｃ34Ｈ51ＢｒＯ2、モル質量：５７１．６７、融点：９３〜９４℃。
【０１４３】
段階３
化合物２３を合成する段階１で得られる化合物０．１０ｇ（０．１２ミリモル）、段階３で得られる化合物０．１ｇ（０．１７ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．０２ｇ（０．０１７ミリモル）、及び乾燥ブタノン１５ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．１２ｇ、８９％）を得る。実験式：Ｃ81Ｈ99Ｆ6ＮＯ5Ｓ2、モル質量：１３４４．９８、融点：９１〜９２℃。
【０１４４】
化合物４０
化合物９を合成する段階４で得られる１，２−ビス（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．３０ミリモル）、ブロモ化合物０．３３ｇ（０．７２ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１０ｇ（０．７２ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２６ｇ、８１％）を得る。実験式：Ｃ85Ｈ84Ｆ6Ｎ2Ｏ6Ｓ2、モル質量：１４０７．７１、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  ４２．７  ＳｍＡ  １３３．３  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１４５】
化合物４１
１−（６−ヒドロキシ−２−メチルベンゾ［ｂ］チオフェン−３−イル）−２−（６−ウンデセロキシ−ｌ０−エン）ヘキサフルオロシクロペンテン０．１５ｇ（０．２７ミリモル）、ブロモ化合物０．１７ｇ（０．３０ミリモル）、Ｋ2ＣＯ3０．１０ｇ（０．７２ミリモル）、及び乾燥ブタノン２０ミリリットルの混合物を２４時間還流した後、室温に戻す。反応混合物を濾過し、減圧下でブタノンを蒸留して除去する。粗生成物を溶離液としてＣＨ2Ｃｌ2を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィで精製すると、純粋な生成物の白色固体（収量０．２６ｇ、８５％）を得る。実験式：Ｃ66Ｈ71Ｆ6ＮＯ4Ｓ2、モル質量：１１２０．４０、転移／Ｔ℃：Ｃｒｙｓｔ  ２４．９  ＳｍＡ  ６０．０１  Ｉｓｏ  ｌｉｑ．
【０１４６】
上述の実験では、以下の頭文字が用いられている。すなわち、ＤＩＣは、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミドであり、ＤＭＡＰは、４−ジメチルアミノピリジンであり、ＤＩＡＤは、ジイドプロピルアゾカルボキシレートであり、ＬＤＡは、リチウムジイソプロピルアミンである。
【０１４７】
以下の表は、本発明を例示する様々な化合物の相データを示す。
【０１４８】
【表１】
2005531663.tif 000031
【０１４９】
【表２】
2005531663.tif 000032
【０１５０】
【表３】
2005531663.tif 000033
【０１５１】
【表４】
2005531663.tif 000034
【０１５２】
【表５】
2005531663.tif 000035
【０１５３】
ここで、本発明を組み込む材料及び装置の使用例を図１１を参照して以下に説明する。
図１１は、例えば、ガラス又はポリマー製の２つの透明な板１及び２から成る液晶装置の代表例である。これらの板の内面は、透明導電電極３及び４でコーティングされている。液晶材料を構成する分子の平面配向がガラス板１及び２にほぼ平行になるように、例えばポリイミド製のアラインメント層５及び６をセルの内面上に導入する。これは、各列及び行の間の交点がアドレス可能な要素又はピクセルのｘｙマトリックスを形成するように、ガラス板１及び２を導電電極で完全にコーティングすることによって行われる。いくつかの種類のディスプレイでは、アラインメント方向は直交する。セルを組み立てる前に層５及び６を布（例えば、ベルベット製）で覆ったローラで所定の方向に擦り、この擦った方向は、セルを組み立てる時に平行（同じか又は反対方向）に配列される。スペーサ７、例えばポリメチルメタクリレートにより、ガラス板１及び２は、適切な距離、例えば２ミクロンだけ離される。液晶材料８は、その間の空間を満たすことによりガラス板１及び２の間に導入される。これは、標準的技術を用いてセルを流動充填することにより行うことができる。スペーサ７は、既存の技術を用いて真空状態で接着剤９を用いて密封される。セルの前及び背後に偏光子１０及び１１を配置することもできる。
【０１５４】
摩擦や斜方蒸着のような１つ又はそれ以上の標準的表面処理技術により、又はポリマーアラインメント層を用いることにより、１つ又はそれ以上のセル壁上にアラインメント層を導入することができる。
装置は、透過モード又は反射モードで作動することができる。前者の場合は、例えばタングステン電球から装置を通過する光は、選択的に透過又は遮断されて望ましい表示を形成する。反射モードでは、鏡又は拡散反射器（１２）を第２の偏光子１１の背部に置き、セル及び２つの偏光子を通して周囲光線を反射させる。鏡を部分的に反射させることにより、装置を透過モード及び反射モードの両方で作動させることができる。
【０１５５】
代替実施形態では、単一の偏光子及び染料材料を組み合わせることができる。アラインメント層５及び６は、２つの機能を有し、その一方は、接触する液晶分子を好ましい方向に整列させることであり、他方は、これらの分子を数度、一般的に約４°又は５°傾斜させる、いわゆる表面傾斜させることである。アラインメント層５及び６は、ポリイミドを数滴セル壁に落とし、厚さが一様になるまで壁を回転させることにより形成することができる。次に、所定の温度まで所定の時間加熱した後、ナイロン布でコーティングしたローラで単方向に擦ることによりポリイミドを硬化させる。
本発明で説明した装置は、多重アドレスすることができ、又はしなくてもよい。
【０１５６】
上述の典型的なＬＣＤの説明では、本発明の材料は、以下の一方又は両方を含む様々な役割を果たすことができる。
＊それらは、液晶材料８を構成することができる。
＊それらは、アラインメント層５及び６に構成することができる。
アラインメント層の一部である場合は、本材料は、アラインメント機能と、光化学的に修飾することにより、装置を通る平面偏光の透過に影響を及ぼすことができるという意味で液晶材料のバルク特性に寄与する機能とを提供することができる。本装置は、光学的に例えば光アドレスすることができ、又は、電気的及び光アドレス手段の両方の組合せを有することが適切であることもある。本装置が専ら光アドレスされる場合は、電極構造３及び４は必要ではない。
光学的アドレス手段を用いると、ピクセルを小さくすることが可能になり、これによって関連構成要素を小型化するという利点を活かすことができる装置をもたらすことができる。このような装置の例は、３Ｄディスプレイである。
【０１５７】
図１２〜図１６は、フォトクロミック材料の挙動に特徴的である、すなわち、閉鎖形は強く着色されるが開放形はそうでないことを極大が示している、照射された時の本発明の材料の吸収挙動の変調の例を示す。
光化学的測定値は、次のように得られたものである。
吸収スペクトルを２５°（±０．２℃）で分光分析用等級のシクロヘキサン溶液（フィッシャー・ケミカルズ製）中で行った。分析セル（光学距離１０ｎｍ）を「Ｃａｒｙ  ５０−ダイオード」アレイ分光光度計のサンプルチャンバ内部のサーモスタット銅ブロック内に入れた。照射には、「Ｏｒｉｅｌ  ２００  Ｗ」高圧Ｈｇ／Ｘｅランプを用いた。３１３及び５４６ｎｍ水銀線は、モノクロメータ（オリール製）を通過させることにより分離させた。
【０１５８】
変換測定
開放環及び閉鎖環異性体は、「Ｒａｉｎｉｎ  Ｄｙｎａｍａｘ  Ｍｉｃｒｏｓｏｒｂ」５μｍシリカカラム（長さ２５ｃｍ、内径４．６ｍｍ）を装着した「Ｍｅｒｃｋ−Ｈｉｔａｃｈｉ」システムを用い、化合物の化学構造により溶離液としてヘキサンを用いるか、又はヘキサン／酢酸エチルの混合物を用いてＨＰＬＣにより分離した。
それぞれの化合物に対して以下のデータが得られた。
図１２：化合物１６
初期状態：Ｃｒ  ４０．１  ＳｍＣ  ７４．５  Ｎ  ７８．５  Ｉｓｏ
最終状態：Ｔｇ  ２６．５  ＳｍＸ  ５４．６  Ｎ  ７５．９  Ｉｓｏ
光定常状態での変換は５６％である。
図１３：化合物２１
初期状態：Ｃｒ  ４５．４  ＳｍＣ  ７９．５  Ｎ  ９２．１  Ｉｓｏ
最終状態：Ｔｇ  ３１．８  ＳｍＸ  ９２．６  Ｉｓｏ
光定常状態での変換は６３％である。
図１４：化合物１８
初期状態：Ｃｒ  １４１．３（Ｎ  ８８．８）
最終状態：Ｃｒ  １２１．９（ＳｍＸ  ６３．５）
光定常状態での変換は６４％である。
図１５：化合物３２
初期状態：Ｃｒ  ６１．８  ＳｍＡ  １７５．４  Ｉｓｏ
最終状態：Ｔｇ  ４６．７  ＳｍＡ  １６０．６  Ｉｓｏ
光定常状態での変換は２４％である。
図１６：化合物３３
初期状態：Ｃｒ  ６２．１  ＳｍＡ  １６２．４  Ｎ＊  １８３．１  Ｉｓｏ
最終状態：Ｔｇ  ５２．３  ＳｍＡ  １６２．４  Ｎ  １８０．０  Ｉｓｏ
光定常状態での変換は４９％である。
明らかにしたこれらの変調は、それぞれの材料を装置に用いることができる方法を示していると考えることができる。
【０１５９】
光学アドレスされたメモリ装置（光学ストレージ）に、式Ｉ／Ｉｂの材料を用いることができる。材料は、２つの状態であるＩとＩｂ（又はその逆）の間で切り替わる。次に、材料の状態を変化させない波長の光を用いることによるか（多数回読取る）、又は材料の状態を変化させる光を用いることにより（１回読取る）、任意の空間点での材料の状態を読み取ることができる。複数の書込／読取／消去サイクルが可能である。読取光は、直線偏光、円偏光、又は楕円偏光とすることができる。この用途の特定の実施形態では、書込光は、円偏光であり、材料は、キラル変換を達成するようにＩとｌｂの間で切り替わる。
【０１６０】
本発明の材料は、基板１及び２の表面に束縛することができ、及び／又は電極、及び／又は任意的にアラインメント層を経由することができる。これは、フォトクロミック成分に取り付けられたスペーサ基を用いることにより達成することができる。これは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基を含む化合物に特に適用可能である。アルデヒド又は二重結合のような末端官能基を有する短いポリマー系を用いることができる。次に、照射を用いて、この基を基板表面に連結することができる。基Ｒ9は、それが１つ又はそれ以上のアルケン基を有する場合、特に末端位置にアルケン基がある場合には、付着点としての役割を果たすことができ、これは、式ＩＩＩのＺ5基の場合にも当てはまる。
【０１６１】
本発明の材料は、浸漬技術を含む従来の技術によるか、又はスピンコーティングにより基板表面をコーティングすることができる。
適切な光アドレス技術には、レーザの利用が含まれる。
本発明の材料の更に別の用途には、可逆圧電物質を含む圧電物質、及び人工筋肉又は光アドレス可能アクチュエータが含まれる。
分子論理ゲート（Ｋ．Ｌ．Ｋｏｍｐａ、Ｒ．Ｄ．Ｌｅｖｉｎｅ、ＰＮＡＳ、９８、４１０（２００１）参照）、液晶光応答染料、液晶光応答レーザ染料、画像検知及びセンサ保護、超高速カラーディスプレイ、及び材料を導電させる際の中間相分子スイッチの分野を含む、本発明の材料を有利に用いることができる他の用途が多数存在する。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明を例示する構造図である。
【図２】本発明を例示する構造図である。
【図３】本発明を例示する構造図である。
【図４】本発明を例示する構造図である。
【図５】本発明を例示する構造図である。
【図６】本発明を例示する構造図である。
【図７】本発明を例示する構造図である。
【図８】本発明を例示する構造図である。
【図９】本発明を例示する構造図である。
【図１０】本発明を例示する構造図である。
【図１１】本発明の材料を組み込んだ典型的な液晶装置の図である。
【図１２】照射後に実証された化合物のいくつかの吸収挙動の変調の１つを明らかにする図である。
【図１３】照射後に実証された化合物のいくつかの吸収挙動の変調の１つを明らかにする図である。
【図１４】照射後に実証された化合物のいくつかの吸収挙動の変調の１つを明らかにする図である。
【図１５】照射後に実証された化合物のいくつかの吸収挙動の変調の１つを明らかにする図である。
【図１６】照射後に実証された化合物のいくつかの吸収挙動の変調の１つを明らかにする図である。
【図１】
2005531663.tif 000049
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005531663.tif 000053
【図６】
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【図７】
2005531663.tif 000055
【図８】
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【図９−１】
2005531663.tif 000057
【図９−２】
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【図１０】
2005531663.tif 000059
【図１１】
2005531663.tif 000060
【図１２】
2005531663.tif 000061
【図１３】
2005531663.tif 000062
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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2005531663.tif 000067
2005531663.tif 000068
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