(57)【要約】  この発明は、半導体装置の中で処理されるウェハーに対する運搬及び輸送用の容器に関する。このウェハー運搬システムは、損傷から保護し、粒子から保護してシッパ内のウェハーの汚染を最小限に抑える。この発明は、半導体ウェハーにクッション性を与えるウェハークッションを含んでいる。このウェハークッションは、平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下である閉セルポリエチレン材料から形成されている。このウェハークッションは、最適には、過酷な条件のもとで放出有機物が検出されない。静電気制御特性は、材料の構造の一部であるカーボンの結果として得られる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハーにクッションを与えるためのウェハークッションであって、閉セルポリエチレン材料から形成されており、この材料が、平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下であり、過酷な条件のもとで放出有機物が検出されないウェハークッション。
【請求項２】
前記閉セルポリエチレン材料が1.5〜1.9pcfの密度を有する請求項１記載のウェハークッション。
【請求項３】
前記閉セルポリエチレン材料が10%の歪みで5.0〜9.0psiの範囲の圧縮強度を有する請求項１記載のウェハークッション。
【請求項４】
前記閉セルのポリエチレン材料が本来的に静電気制御特性を有している請求項３記載のウェハークッション。
【請求項５】
ある厚みによって分離された二つの平行な面を有する半導体ウェハーを運搬するためのシステムであって、
ウェハーキャリアベースと、
少なくとも一つのウェハーラテラルサポートと、
ウェハーキャリアカバーと、
少なくとも一つのウェハークッションと、
を有し、前記ウェハーキャリアベースとウェハーラテラルサポートが協働してウェハースタックポケットを形成しており、このウェハースタックポケットが、ラテラルサポートにほぼ直角の平行なウェハー面を有する半導体ウェハーを受容するよう構成され、ウェハーキャリアカバーがウェハーキャリアベースと協働してウェハースタックポケットを横切るよう構成され、ウェハークッションがウェハースタックポケットによって受容されるよう構成され、2〜10mmの厚みを有するほぼ均一な層から成り、この層が、1.5〜1.9pcfの密度と、平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-イオンが60ng/g以下であるエネルギ吸収性の閉セルポリエチレンフォーム材料から形成されており、過酷な条件のもとで放出有機物が検出されないシステム。
【請求項６】
前記閉セルポリエチレン材料が1.5〜1.9pcfの密度を有する請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記閉セルポリエチレン材料が、10%の歪みで5.0〜9.0psiの範囲の圧縮強度を有する請求項６記載のシステム。
【請求項８】
前記閉セルポリエチレン材料が、本来的に静電気制御特性を有する請求項７記載のウェハークッション。
【請求項９】
半導体ウェハーを運搬する方法であって、
ウェハーキャリアを準備する段階と、
前記ウェハーキャリアの中に挿入するためのウェハークッションを形成する段階と、
前記ウェハークッションを挿入して半導体ウェハーにクッション性を与える段階と、
を有し、前記クッションが平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下であり過酷な条件のもとで放出有機物が検出されない、エネルギ吸収性を有する閉セルポリエチレンフォーム材料から形成されている方法。
【請求項１０】
半導体ウェハーを運搬するときに使用するクッションを製造するための方法であって、平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下であり過酷な条件のもとで放出有機物が検出されないフォーム材料を提供することと、コインスタックウェハーシッパに装着するために前記フォーム材料を成形する手段を用いることとを有する方法。
【請求項１１】
前記フォーム材料が1.5〜1.9pcfの密度を有する請求項１０記載のウェハークッション。
【請求項１２】
前記フォーム材料が10%の歪みで5.0〜9.0psiの範囲の圧縮強度を有する請求項１０記載のウェハークッション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体ユニットに処理されるウェハーのための運搬及び輸送用の容器に関する。さらに詳しくは、この発明はそうした運搬容器及びシッパにウェハーを詰め込むために使用されるクッションに関する。
【背景技術】
【０００２】
この発明は水平方向にウェハーを保持するエンクロージャを含めて、半導体ユニットへ処理されるウェハー用のキャリアに関する。
【０００３】
半導体ウェハーは、様々な処理装置における処理のときに多くの工程を経る。ウェハーはワークステーションからワークステーションへと運搬され、必要な処理工程を行うためにしばしば一時的に貯蔵されなければならない。また、時には、ウェハーを、ウェハー製造施設から、別の場所まで運搬あるいは輸送して、そこで別の処理をしなければならない。ウェハーを取り扱い、貯蔵し、輸送するための、多くのタイプの運搬及び輸送デバイスがこれまでに知られている。“コインスタック”ウェハーキャリアは、運搬のためにウェハーを水平方向に保持するタイプのシッパである。
【０００４】
半導体産業は、より大きなウェハーを半導体へと処理するようになってきている。半導体の寸法が大きくなるにつれて、すなわち、単位面積当たりの回路数が増大するにつれて、粒子の形の汚染物質がより大きな問題となってきている。回路を破壊する可能性のある粒子のサイズは小さくなっていて、分子レベルに近づいている。
【０００５】
粒子以外の汚染物質も制御する必要がある。ウェハーの上に付着する化学物質(species)はそのあとの処理工程の邪魔になる可能性がある。荷電イオンやアミンは特に望ましくない汚染物質である。汚染物質や粒子の抑制は、半導体ウェハーの製造、処理、運搬、貯蔵のすべての段階で必要である。
【０００６】
ウェハーは輸送のときに損傷を受けないように保護しなければならない。キャリアシステムは、例えばウェハーを落としたときなどの破損や衝撃から保護する必要がある。そうした保護のための重要な部品は、ウェハーキャリア内部の底に設けられるウェハークッションである。ウェハークッションはウェハーを破損から保護しなければならないが、粒子及び／あるいは化学物質でウェハーを汚染してはならない。
【０００７】
ウェハークッションフォームで使用される従来の材料は、帯電防止特性、静電気消散性、及び導電性を含めた、静電気抑制特性を有するように処理される。これらのウェハークッションの製造では、一般に、バルクのフォーム材料から形成され、そのあと個々のフォームクッションに加工される。従来の材料は静電気制御性を与えるために別の処理工程を経る。一般的な処理としては、フォーム材料にカーボンを含浸し、かつ／あるいはその表面を薬品で処理する工程がある。
【０００８】
半導体産業は一般的にはポリウレタン、あるいはオープンセルのポリエチレンのフォームをウェハークッションとして使用する。これらの材料は良好な工学特性を有しており、また損傷に対して適切な保護を与えることから、好ましい。しかし、これらのクッションはウェハーを汚染するイオンやアミン、及びその他の化学物質をアウトガスとして出す。半導体産業では、損傷から適切に保護し、シッパ内のウェハーを汚染せずに粒子から保護するようなウェハーキャリアが要望されている。
【発明の開示】
【０００９】
この発明のウェハー運搬システムは、損傷を適切に保護し、粒子から保護してシッパ内のウェハーの汚染を最小限に抑えることによって、これら長年の問題を解決するウェハーキャリアを提供している。これらの問題に対する解決策の一部は、処理を行って静電気制御するのとは違って、ウェハーキャリアとして使用するのに適した材料がそれに固有の静電気抑制特性を有している必要があることを認識したものである。処理としては、材料から容易に分離される物質を材料へ添加する段階を含んでいる。これに対して、固有の静電気抑制特性を有する材料は、より安定していて、脱気あるいは粒子放出をしにくい。
【００１０】
この発明の好ましい実施の形態は、5×107オーム以下の表面抵抗を有する閉セルポリエチレン材料から形成された、半導体ウェハーにクッション性を与えるためのウェハークッションである。このポリエチレン材料は、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下である。ウェハークッションは過酷な条件のもとで放出有機物が検出されないことが最適である。好ましい密度は、立方フィート当たりのポンド(pcf)で約1.5〜1.9であり、好ましい圧縮強度は10%の歪みで5.0〜9.0psiの範囲である。静電気抑制特性は、材料の構造の一部であるカーボンの結果として得られる。これに対して、他のウェハークッションは、表面処理された、あるいはカーボンが含浸された材料から形成されている。
【００１１】
この発明の別の好ましい実施の形態は、本願に記載したウェハークッションを含めた、半導体ウェハーを運搬するためのコインスタックウェハーキャリアシステムである。この発明のシステムで使用するのに適したウェハーキャリアの一例は、本願と同一人に譲渡された米国特許出願09/851,499において与えられており、同出願の全体をここに参照によって導入する。
【００１２】
このシステムの実施の形態は、ウェハーキャリアベースと、少なくとも一つのウェハーラテラルサポートと、ウェハーキャリアカバーと、少なくとも一つのウェハークッションを有している。ベースとウェハーラテラルサポートは協働してウェハースタックポケットを形成しており、半導体ウェハーはその中に積み重ねられる。ウェハーの面はラテラルサポートとほぼ直角であり、ウェハーは水平状態で運搬することができる。ウェハーキャリアカバーはキャリアベースと協働して、ウェハースタックポケットを横切っており、ウェハーを損傷や衝撃、粒子から保護している。ウェハークッションはウェハースタックポケットの中に嵌め込まれ、エネルギ吸収性を有するクローズドセルのポリエチレンフォーム材料から形成された2〜10ｍｍの厚みの材料層を有している。このフォーム材料は、1.5〜1.9pcfの密度と、平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下である。このクッションは過酷な条件のもとで測定したときに放出ガス有機物が検出されないことが好ましい。静電気抑制特性は、材料の構造の一部であるカーボンの結果として得られることが好ましい。
【００１３】
この発明のある実施の形態は、半導体ウェハーを輸送する方法を含んでいる。ウェハーシッパを用意し、ウェハークッションを用意してウェハーキャリアの中に挿入する。クッションは、平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下であり過酷な条件のもとで測定したときに放出ガス有機物が検出されないような閉セルポリエチレン材料から形成されており、ウェハーキャリアの中に挿入される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
このウェハーキャリアシステムはウェハーを運搬するときのウェハーの破損を防止し、粒子や、アミン及びイオンなどの化学物質による汚染から適切に保護する。このシステムの重要な部分は、例えば特にシッパを落としたりして生じる急激な力など、システムに加わる力の吸収を助けるウェハークッションである。圧縮強度など、クッションの材料特性はそのクッションの性能を決める助けになる。このシステムのウェハークッションの圧縮強度は、ASTM D3575-91試験で測定したとき、10%圧縮で約7.0psi、25%圧縮で9.5psi、40%圧縮で14.0psi、50%圧縮で19.0psiであることが好ましい。
【００１５】
このウェハーキャリアシステムは、静電気制御特性を有する、すなわち平方当たり約2×107オーム以下の抵抗を有するウェハークッションを有している。静電気制御特性によって、望ましくない静電気放電を防止する助けになる。静電気制御特性はその材料に本来備わっていることが好ましい。本来備わっているとは、フォーム材料を製造するために使用する材料が静電気制御特性を有していることを意味している。つまり、本来的な静電気制御特性を有する材料は、フォームにカーボンを含浸あるいはコーティングする段階を含めて、静電気制御特性を与えるための段階の処理を必要としない。
【００１６】
静電気制御特性は、クッションを製造するために使用される材料の構造中に存在するカーボンに関係していることが好ましい。“材料の構造中に存在するカーボン”とは、その材料の静電気制御特性に関係するカーボンがフォームのセルを形成するプラスチックの中に存在することを意味している。フォームのセルは低倍率（例えば50×）で容易に見ることができ、材料の固体プラスチック（高分子）によって形成される材料中のオープンスペースのことである。これに対して、フォームの中に含浸されたカーボンはフォームの中にセルを形成しない。
【００１７】
このウェハーキャリアシステムは化学物質による汚染を最小限に抑えるウェハークッションを有している。ウェハークッションは、化学物質の放出数を、特にアミンの放出が最小限に抑えられる閉セルポリエチレンフォーム材料から形成されることが好ましい。このシステムのクッションは、適度な条件で浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下であり、過酷な条件のもとで検出可能なアミンは放出されない。
【００１８】
ウェハーキャリアシステムの好ましい実施の形態が図１に示されている。ウェハーキャリアシステム１０は、ウェハーキャリアカバー２０と、ウェハーキャリアベース３０と、ウェハークッション１００と、ウェハーセパレータ１１０を有している。ウェハーキャリアベース３０は外壁１２０と、ピア６０を有する。ピア６０にはラッチ７０が取り付けられている。ウェハーラテラルサポート４０がベース３０に取り付けられていて、ウェハースタックポケット１３０を形成している。ウェハーカバー２０は、側部５０と、ラッチ７０を受容するためのスロット８０を有している。ウェハークッション１００はベース３０とカバー２０の中に嵌め込まれ、ウェハー９０を支える。使用時にはクッション１００がベース３０の中に設置され、ウェハー９０がクッション１００の上に載せられ、ラテラルサポート４０が、ラテラルサポート４０に対してほぼ直角に配置されるウェハー９０を横から支える。ウェハーセパレータ１１０がウェハー９０の上に載せられ、ウェハーとセパレータは交互にされて、ウェハークッション１００が最上部に載せられる。ウェハーカバー２０を、ウェハースタックポケット１３０を横切るように、ベース３０に設置して、ラッチ７０をスロット８０へ係合させる。
【００１９】
ウェハーキャリアシステムの好ましい実施の形態が図２に示されている。ウェハーキャリアシステム１１は、ウェハーキャリアカバー２１と、ウェハーキャリアベース３１と、ウェハークッション１０１と、ウェハーセパレータ１１１を有している。ウェハーキャリアベース３１は、ラテラルサポート４１によって形成された外壁とピア６１を有している。ピア６１にはラッチ７１が取り付けられている。ウェハーラテラルサポート４１はベース３１へ取り付けられていて、ウェハースタックポケット７１を形成している。ウェハーカバー２１は、側部５１と、ラッチ７１を受容するためのスロット８１を有している。ウェハークッション１０１はベース３１とカバー２１の中に嵌め込まれ、ウェハー９１を支える。使用時には、クッション１０１がベース３１の中に設置され、ウェハー９１がクッション１０１の上に載せられ、ラテラルサポート４１が、ラテラルサポート４１に対してほぼ直角に配置されるウェハー９１を横から支える。ウェハーセパレータ１１１がウェハー９１の上に載せられ、ウェハーとセパレータは交互にされ、ウェハークッション１０１が最上部に載せられる。ウェハーカバー２１を、ウェハースタックポケット１３１を横切るようにベース３１に設置して、ラッチ７１をスロット８１へ係合させる。
【００２０】
ウェハークッションはウェハースタックポケットに受容されるときの必要性に応じて、例えば図１〜図５に示されている１００、１０１、１０２、１０３のように様々な形状に形成することができる。ウェハークッション１００〜１０３は好ましくは2〜10mmの厚みを有するほぼ均一な単一の材料層から形成される。ウェハークッション１００〜１０３は、好ましくは1.5〜1.9pcfの密度と、平方当たり5×107オーム以下の表面抵抗と、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下であり、過酷な条件のもとで放出ガス有機物は検出されないようなエネルギ吸収性を有する閉セルポリエチレンフォーム材料から形成される。
【００２１】
多層や、別の形状、別の厚み、そしてバンプや凹部、穴、溝など他の表面構造を含んだウェハークッションの他の実施の形態は、この明細書を読めば当業者には明らかであろう。この発明のウェハークッションは、ダイカット、成形、スリッティング、押し出し、スカイビング、ホットワイヤの利用を含んだ、当業者に周知の様々な手段で形状を形成することができる。ウェハークッションとして利用するのに好ましい材料は、ZOTEFORM IndustriesによるPLASTAZOTEの商標を付けられた閉セルポリエチレンである。また、ウェハークッションは大部分のウェハーキャリアシステムに適用可能である。
【００２２】
例１：適度な条件のもとでのイオン放出についての試験の手順
インサート例
【００２３】
この例は適度な条件のもとでのイオン放出についての試験の詳細を示している。この方法は、イオンクロマトグラフィによるアニオン及びカチオン分析のために超純粋DI水を用いて材料を浸出させる。この試験は、Re-pipetter(RAININ)及び対応するチップ(tips)あるいは均等物と、Class 100 Laminar Flow Hood、PRECISION 180 Series Hot Water Bathあるいはその均等物、Lead Ring Weights、125-ml ポリプロピレン（PP）サンプルボトル、18-MW/cmイオン除去水、フッ化物、酢酸塩、蟻酸塩、塩化物、亜硝酸塩、臭化物、硝酸塩、硫酸塩、フタル酸塩、リン酸塩、リチウム、アンモニウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、及びカルシウムの1000ppm標準を用いて行った。“ppb”はミリリットル当たり1ナノグラム(ng/ml)として定義され、”ppm”はミリリットル当たり1マイクログラム(μg/ml)として定義される。この手順を実行するときは清浄なクラス10のニトリル手袋を着用して、妥当な範囲で可能な限り多くのサンプル作成をクラス100の層流フードの中で行った。使用するまえに、少なくとも24時間にわたって18-MW/cmのイオン除去水で、すべての専用実験器具をすすいだ。使用するまえに、すべての実験器具を18-MW/cmのイオン除去水で3回リンスした。
【００２４】
試験は以下の手順に従って行った。温水浴のスイッチを入れて、85℃に設定する。125-mlのPPねじでキャップをされたボトルに、以下のようにテープでラベルを付ける。Lch Blk, Sample #1、Sample #2など（分析する各サンプルセットに対して浸出ブランクを準備しなければならない）。清浄なステンレススチールはさみを用いてインサートを約(1cm×1cm×1cm)の小片に切断する。切断したサンプルの約0.5gを正確に重量測定し、125-mlのPPねじでキャップをされたボトルの中に入れる。各サンプルに対して正確な質量を記録する。18-MW/cmのイオン除去水の正確に50.0mlをサンプルボトルの中に加える。18-MW/cmのイオン除去水の正確に50.0mlを、空の125-mlのPPボトルへ加えて、ブランクを作成する。サンプルボトルとブランクボトルの蓋の上にリングウェイトを設置し、温水浴の中に設置する。1時間にわたって浸出させる。温水浴からサンプル及びブランクを取り出し、室温の水浴の中に設置する。室温の水浴の中で少なくとも10分間にわたってサンプルとブランクを冷却させる。サンプルとブランクをラベルが付けられた新しい清浄な125-mlのppボトルの中へ移し、分析が行われるまで貯蔵する。
【００２５】
分析は25.0、75.0及び150.0ng/mlで作成した校正標準を用いてイオンクロマトグラフィによって行った。各校正曲線に対して0.999以上の回帰係数が必要であった。以下の品質制御手順に従った。校正検証標準（校正標準とは違った標準のストックから作成された）をランの最初に分析して校正標準と現在の校正を検証する（+/-10%の復元率が必要である）。連続する校正検証標準を10サンプルごとに分析し、ランの最後に装置の安定性を検証する（+/-10%の復元率が必要である）。ランの最初にブランクを10サンプルごとに分析し、ランの最後にキャリーオーバ(carry-over)が起きていないことを検証する。サンプル作成に使用したDI水のサンプルを分析してその清浄さを検証する。データの換算を以下のように行った。ブランクを作成して、各分析ごとに分析した。ブランクの結果をサンプルの結果から引いた。装置からの結果(ng/ml単位)に、使用した浸出物の容積(50ml)を掛け、サンプルの質量で割ってng/gの単位を得た。
【００２６】
例２  適度な条件のもとでのイオン放出についての試験
例１の手順に従い、以下の四つの材料を含めた複数の材料を分析した。閉セルの静電気制御されたポリエチレン(英国サリー(Surrey, England)のZOTEFORM incorporatedのPLASTAZOTE)、オープンセルの帯電防止ポリウレタン、波型の導電性帯電防止閉セル架橋高密度架橋ポリエチレン、閉セルの帯電防止ポリエチレン(CELLUPLANK)。この結果を表１に掲げる。重要なことは、一つの材料だけが、適度な条件のもとで浸出するイオンはCl-が1800ng/g以下で、F-/酢酸塩が400ng/g以下で、NO3-が270ng/g以下で、SO42-が350ng/g以下で、PO43-が60ng/g以下であることである。
【表１】
2005508805.tif 000003
【００２７】
例３  ガスクロマトグラフィ質量分析による有機放出ガス分析
この例は過酷な条件のもとでの有機放出ガスを測定するための手順を詳細に示している。この方法は自動熱脱離装置(automated thermal desorbtion unit)（ATD）を使用しており、ガスクロマトグラフィ質量分析（GC-MS）によって分析した。熱脱離ガスクロマトグラフFGTM1350も参照のこと。以下の材料が必要である。自動熱脱離装置、熱脱離サンプルチューブ（ガラス）、熱脱離サンプルチューブ（ステンレススチール）(SUPERLCO P/N 255055)、熱脱離サンプルチューブ（ガラス）(SUPELCO P/N 25090-U)、Gasoline Range Organic Standardで証明された標準のメタノール中プタン500ppm。以下の定義が適用される。ppbはミリリットル当たり1ナノグラム(ng/ml)、ppmはミリリットル当たり1マイクログラム(μmg/ml)。注：この手順を行っているときは常に清浄なクラス10のニトリル手袋を着用する。
【００２８】
作業員は装置及びサンプルの準備を以下のように進める。ステンレススチールのATDチューブをはかりの上に載せて、風袋を計る。清浄なステンレススチールはさみを用いて、インサートを約(1mm×1mm×1mm)の小片に切断する。ピンセットを用いて0.05グラムのサンプルをチューブの中へ入れる。小片は脱離流を塞がないようにするためにルーズな状態にしなければならない。チューブの両端にキャップを設置する。チューブをATD装置に設置して、30分間100℃で脱離させる。
【００２９】
作業員はATD GC-MSを用いた分析と品質制御を以下のように進める。0.2mlのGRO標準を、TENAX TAを含んだガラスチューブの中に入れ、独立した校正標準として使用する。校正検証標準をランの最初に分析して、独立した校正標準と現在の校正を検証する（+/-10%の復元率が必要である）。連続した校正検証標準を10サンプルごとに分析し、ランの最後に装置の安定性を検証する（+/-10%の復元率が必要である）。ランの最初にブランクを10サンプルごとに分析し、ランの最後にキャリーオーバが起きていないことを検証する。既知の濃度のサンプルを分析して結果を検証する。
【００３０】
データの換算を以下のように行った。ブランクを作成して、各分析ごとに分析する。ブランクの結果をサンプルの結果から引く。装置からの結果を以下のように計算する。濃度＝（0.1mg）（全ピーク面積サンプル）、結果はmg/g単位で報告された。
例４  有機放出ガス分析の結果
【００３１】
例３の手順に従い、以下の四つの材料を含めた複数の材料を分析した。閉セルの静電気制御されたポリエチレン(英国サリー(Surrey, England)のZOTEFORM incorporatedのPLASTAZOTE)、開セルの帯電防止ポリウレタン、閉セル架橋高密度架橋帯電防止ポリエチレン、閉セルの帯電防止ポリエチレン(CELLUPLANK)。この結果を表１の一番下の行に掲げる。重要なことは、複数の閉セルポリエチレン材料を試験したが、それらのうち、放出されるアミンの量が検出されなかったのはそのうちの一つだけであった。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】半導体ウェハーを輸送するためのシステムについての実施の形態の斜視図を示している。
【図２】半導体ウェハーを輸送するためのシステムについての別の実施の形態の斜視図を示している。
【図３】ウェハークッションについての一つの実施の形態の斜視図を示している。
【図４】図３のウェハークッションの平面図を示している。
【図５】ウェハークッションにについての別の実施の形態の平面図を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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