(57)【要約】【解決手段】シリコン含有出発成分を火炎加水分解することによって石英ガラス管を製造する公知の方法において、ＳｉＯ２含有粒子が製造されて、キャリア上に堆積されて、所定の径方向スート密度プロファイルを持つ多孔質スート壁を有するスート管を形成し、スート管は、塩素含有雰囲気中で処理され、その後ガラス化される。塩素含有雰囲気中で脱水処理した後でも所定の径方向屈折率分布が得られるようにこの公知の方法を改良するため、内側領域に隣接する移行領域がスート壁の厚みの少なくとも７５％を越える範囲に及ぶという条件で、スート壁の内側領域で密度が石英ガラスの密度の少なくとも２５％に増加し、スート壁の外側領域で密度が減少し、移行領域で密度が外側領域に向かって減少するように、密度を調整することを本発明では提案する。本発明の管状中間製品は、内側領域において、石英ガラスの密度の少なくとも２５％に密度が増加し、外側領域において密度が減少し、内側領域に隣接する移行領域において密度が外側領域に向かって減少し、移行領域がスート壁の厚みの少なくとも７５％を越える範囲に及ぶというスート壁によって特徴付けられる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有出発成分を火炎加水分解することによって石英ガラス管を製造する方法であって、該出発成分が、ＳｉＯ２含有粒子が製造されるデポジション・バーナーに供給される工程と、該粒子が長軸を中心に回転するキャリア上に堆積されて、所定の径方向スート密度プロファイルを持つ多孔質スート壁を有するスート管を形成する工程と、該スート管が塩素含有雰囲気中で処理される工程と、該処理されたスート管がガラス化される工程を含む方法であって、内側領域（１）に隣接する移行領域（２）が該スート壁の厚みの少なくとも７５％を超える範囲に及ぶという条件で、該スート壁の内側領域（１）において、密度（４）が石英ガラスの密度の少なくとも２５％に増加するように調整され、該スート壁の外側領域（３）において、密度が減少するように調整され、その結果、該内側領域（１）において増加した密度（４）と該外側領域（３）において減少した密度との差が、４％〜１２％の間の範囲であり、該移行領域（２）において、密度が外側領域（３）に向かって減少するように調整されるということを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記内側領域（１）において、密度が、石英ガラスの密度の２５％〜３５％、好ましくは、２８％〜３２％の間に調整され、前記外側領域（３）において、密度が、石英ガラスの密度の２０％〜２７％、好ましくは２０％〜２４％に調整されるということを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スート管は、内側に進行する溶融面の形成中に外側から加熱されることによってガラス化されるということを特徴とする、前記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
連続して減少する密度が、前記移行領域（２）において調整されるということを特徴とする、前記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ほぼ直線的に減少する密度が、前記移行領域（２）において調整されるということを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記移行領域（２）において内側から外側に減少する密度は、前記形成途中のスート管の表面温度を低下させることによって得られることを特徴とする、前記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記内側領域は、前記スート管の内壁（５）からの距離が３０ｍｍ以下であり、好ましくは２０ｍｍ以下であることを特徴とする、前記の請求項のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は 、シリコン含有出発成分を火炎加水分解することによって石英ガラス管を製造する方法であって、該出発成分が、ＳｉＯ２含有粒子を製造するデポジション・バーナーに供給されるという工程と、該粒子が、長軸を中心に回転するキャリア上に堆積されて、所定の径方向密度プロファイルを持つ多孔質ＳｉＯ２のスート壁を有するスート管を形成する工程と、該スート管が、塩素含有雰囲気中で処理される工程と、該処理されたスート管がガラス化される工程とを含む、方法に関する。
【０００２】
更に、本発明は、所定の径方向密度プロファイルを持つ多孔質ＳｉＯ２スート壁を有する石英ガラスから成る管状中間製品、及びこのような管の使用方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
石英ガラス管は、光ファイバのためのプリフォームの出発原料として使用される。プリフォームは、一般的に、低屈折率を有する材料から成るジャケットで覆われたコアを有する。プリフォームのコアを合成石英ガラスから製造する方法には、ＶＡＤ（気相軸付け）法、ＯＶＤ（外付け気相成長）法、ＭＣＶＤ（内付け気相成長）法、及び、ＰＣＶＤ（プラズマ気相成長）法と呼ばれる方法がある。これら全ての方法において、コア・ガラスは、ＳｉＯ２粒子をサブストレート上に堆積し、ガラス化して製造される。ＶＡＤ法及びＯＶＤ法においては、コア・ガラスは、外側からサブストレート上に堆積され、ＭＣＶＤ法及びＰＣＶＤ法においては、コア・ガラスはいわゆるサブストレート管の内壁上に堆積される。サブストレート管は、コア材料を純粋に支持する機能を有し得るが、それ自体、導光コアの一部としても形成され得る。繊維設計に応じて、サブストレート管は、ドープ石英ガラス又は非ドープ石英ガラスにより構成される。更に、プリフォームの製造としては、コア・ガラスでできたロッドをクラッド・ガラス管に挿入して、クラッド・ガラスと一緒に溶融させるという、いわゆるロッド・イン・チューブ法が知られている。プリフォームを延伸すると、光ファイバが得られる。
【０００４】
各プロセスにもよるが、クラッド・ガラスは、別の方法（ＯＶＤ法、プラズマ法、ロッド・イン・チューブ法）で製造されたり、あるいは、いわゆるＶＡＤ法では一般的であるように、クラッド・ガラス及びコア・ガラスが同時に製造される。コア・ガラスとクラッド・ガラスの屈折率の差は、適切なドーパントを混合することにより設定される。多くのドーパント、特に、ゲルマニウム、燐、又はチタンが、石英ガラスの屈折率を増加させるのに適切であり、一方、フッ素及びホウ素は、石英ガラスの屈折率を減少させるということが知られている。
【０００５】
また、石英ガラスの屈折率は、塩素によってもわずかに増加される。この塩素の影響は、特に、ＳｉＣｌ４などの塩素含有出発原料から石英ガラスを製造する際や、塩素含有雰囲気中で多孔質の「スート体」を処理する際に、注意しなければならない。例えば、欧州特許公開公報Ｎｏ．６０４  ７８７では、いわゆる「スート法」によるドープ石英ガラス管の製造が記載されている。スート法では、ＳｉＣｌ４やＧｅＣｌ４という出発成分をデポジション・バーナーで火炎加水分解することによって粒子が製造され、製造された粒子は長軸を中心に回転するキャリア・ロッド上に層を成して堆積さる。この時、デポジッション・バーナーはキャリア・ロッドに沿って振動しながら往復運動する。このプロセスにおいて、ＧｅＯ２でドープ処理された多孔質スート壁は、ＳｉＯ２の粒子から形成される。次に、ドープ処理されていないＳｉＯ２のクラッド・ガラス層がその上に堆積される。キャリア・ロッドを除去後、このようにして製造された管状のスート体は、通常、塩素含有雰囲気中で加熱することによって、精製・脱水される。プリフォームを完成するために、更なるクラッド・ガラスで囲まれたいわゆるコア・ロッドは、脱水されたスート体をガラス化（焼結）することによって得られる。光ファイバは、プリフォームから線引きされて作られる。
【０００６】
塩素含有雰囲気中で脱水中、塩素がスート体に入り込み、ＧｅＯ２含有スート体のＧｅＯ２が浸出し得る。
【０００７】
多孔質スート壁の脱水中におけるこれらの塩素の影響により、通常、径方向の屈折率曲線が、プリフォームの所望のプロファイルから逸脱してしまう。スート壁全体で一定の屈折率曲線を有する所望のプロファイル（以後、「均一な径方向の屈折率曲線」とも呼ぶ）の場合、内側から外側に径方向に減少する屈折率は、多くの場合、脱水後に得られる。このことにより、通常、光ファイバの導光性、例えば、いわゆる遮断波長に、好ましくない変化が生じてしまう。更に、ＭＣＶＤ法及びＰＣＶＤ法によるサブストレート管の内側堆積中の堆積速度が、塩素の分散によって影響を受け、不規則な堆積速度の原因となり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、スート堆積プロセス、塩素含有雰囲気中での脱水処理、及びガラス化プロセスを含む、石英ガラスを製造する一般的な方法を、所望の径方向の屈折率分布が得られるように改良することにある。
【０００９】
更に、本発明の目的は、塩素含有雰囲気中で加熱することによる脱水処理後、管状の壁全体の屈折率が所望の曲線に調整される場合に、多孔質石英ガラスでできた管状中間製品を提供することにある。
【００１０】
本発明の更なる目的は、本発明により製造した管状中間製品の適切な使用方法を示すことにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の方法から派生する方法に関しては、内側領域に隣接する移行領域がスート壁の厚みの少なくとも７５％を越える範囲に及ぶという条件で、スート壁の内側領域で密度が石英ガラスの密度の少なくとも２５％にまで増加し、スート壁の外側領域で密度が減少し、移行領域で密度が外側領域に向かって減少するように密度が調整されるので、前記の目的が本発明によって実現される。
【００１２】
スート管の脱水処理中、スート壁内において、塩素が径方向に不均一に混入したり、又は、塩素が少なくとも径方向に不均一に影響することがあり得、そのことが、ガラス化された管における不均一な屈折率分布の一因となる。驚いたことに、このような径方向に不均一な塩素の影響は、ガラス化後に径方向に均一な屈折率分布を有する石英ガラス管が得られるようにスート体の特定の径方向の密度プロファイルを調整することによって、補償又は解消され得ることが判明している。
【００１３】
ここで要求される特定の径方向の密度プロファイルは、移行部における密度が、少なくとも２５％に増した値（内側領域において）から、外側に向かって、スート壁の外側領域に至るまで減少するということを特徴とする。理想的には、移行領域は、スート壁全体に及ぶ。この場合、内側領域はスート管の内壁と一致し、外側領域はスート管の外側自由表面で終了する。内側と外側領域の間の移行領域がスート壁の厚みの少なくとも７０％を占めるという条件で、内側領域が外側に向かってシフトしても、又は外側領域が内側に向かってシフトしても、程度は落ちるが、所望の技術的成果は得られる。スート管の外側自由表面と移行領域の間に、約２８％より高い密度の領域がある場合には、所望の結果は得られない。
【００１４】
スート壁の内側の相対密度に関するデータは、２．２１ｇ／ｃｍ３の密度の石英ガラスに基づいている。密度を計測するために、スート壁からサンプルを取り、Ｘ線を使った方法で計測する。
【００１５】
キャリアは、グラファイト、アルミニウム酸化物等のセラミック材料、アンドープ石英ガラス、ドープ石英ガラス、或いは、ドープ又はアンドープの多孔質ＳｉＯ２スートから成るロッド状体又は管状体である。また、ドープ石英ガラス又はドープＳｉＯ２スートから成るキャリアも、径方向に不均一なドーパント分布を有し得、特に、径方向に不均一な屈折率プロファイルを持ついわゆる「コア・ロッド」という、光ファイバの中間製品として、設計され得る。
【００１６】
したがって、本発明の方法は、スート壁全体又は少なくともスート壁の大部分（＞７０％）を占める密度プロファイルを介して屈折率曲線を均一にすることを目的とし、実質的には、内側から外側に減少する密度によって特徴付けられる。
【００１７】
好ましくは、内側領域の密度増加と外側領域の密度減少との差は、石英ガラスの密度の１％〜１５％の範囲内で、好ましくは、４％から１２％の範囲内に設定される。ガラス化された石英ガラス管における均一な屈折率分布の調整のためには、内側領域と外側領域の密度差は明確であるが、移行領域の密度勾配は明確ではないということが判明している。同様の密度差（量差）が、移行領域での密度勾配が小さい厚肉のスート管や、移行領域での密度勾配が大きい薄肉スート管において得られる。
【００１８】
上記の内側領域と外側領域の密度差を考慮して、内側領域の密度が２５％から３５％、好ましくは２８％〜３２％に調整され、外側領域の密度が２０％〜２７％、好ましくは、２０％〜２４％に調整されると（密度の各データは、石英ガラスの密度を基準とする）、アドバンテージのあることが判明した。
【００１９】
このような径方向の密度プロファイルにより、スート壁の壁厚全体に、塩素をより均一に分布、又は、塩素をより均一に作用させることができ、その結果、塩素含有雰囲気中での先の脱水処理による、ガラス化されたスート管の径方向の屈折率プロファイルへの影響が、少なくなる。
【００２０】
本発明の方法において、外側から加熱され、内側に進行する溶融面を形成することによって、スート管はガラス化されるのが好ましい。このプロセスにおいて、溶融面は、スート密度が減少する領域からスート密度が増加する領域へと進行する。前述の方法の有利な効果は、外側から内側に移動する溶融面によって均一化される塩素濃度プロファイルが、前述のスート管の壁厚全体への脱水処理によって設定されたという事実によって説明され得る。
【００２１】
有利なことに、連続的に減少する密度は、移行領域で調整される。移行領域内で密度が内側から外側へ一定割合で減少するので、一部の工程や付随する塩素の影響による変化が回避され、その結果、ガラス化されたスート管の均一な屈折率プロファイルの調整が容易にされる。このことは、ほぼ直線的に減少する密度が移行領域で調整される際に立証される。移行領域の密度の減少は、肉眼で見える減少であり、約１０ｍｍの長さにわたって平均化されている。一定割合の密度減少からのわずかなズレや微小な範囲での密度のばらつきは、本発明の方法の成功を阻害するものではない。
【００２２】
移行領域において内側から外側へ減少する密度は、堆積中に、成長するスート管の表面温度を徐々に下げることによって得られるのが好ましい。密度の増加は、堆積中に表面温度が上昇するように便宜上設定される。後の焼き締めのための追加の工程は、ここでは必要ない。表面温度を上げるために多くの適切な方法がある。ここでは、例として、下記の方法を参照する。デポジション・バーナーの火炎温度を高く設定すること、デポジション・バーナーとスート管表面との距離を変えること、デポジション・バーナーとスート管との間の相対運動のスピードを減速すること。表面温度は、逆の方法によって低下させることができる。
【００２３】
理想的には、内側領域は、スート管の内壁の真上から始まる。しかし、特に、スート壁の第１の層は、特定の条件（安定性、弾性等）に基づいて設計されることが多く、前記の条件に合った低い密度を有し得る。このような場合、内側領域は、スート密度の最大値によって特徴付けられ、内側から外側に減少する密度の領域（移行領域）は、内壁から少し距離が離れて始まり、その距離は、３０ｍｍ以下で効果があり、好ましくは２０ｍｍ以下である。
【００２４】
管状中間製品に関しては、上記の目的が本発明により達成される。本発明においては、内側領域に隣接する移行領域がスート壁の厚みの少なくとも７５％以上の範囲に及ぶという条件で、内側領域のスート壁の密度が、石英ガラスの密度の少なくとも２５％に増加し、外側領域の密度は減少し、移行領域の密度は外側領域に向かって減少する。
【発明の効果】
【００２５】
また、このような多孔質石英ガラスでできた管状中間製品は、下記では、「スート管」と呼ぶ。石英ガラス管は、スート管をガラス化（焼結）することによって製造される。本発明のスート管は、スート壁全体の上記の径方向密度曲線によって特徴付けられる。この密度曲線は、塩素含有雰囲気中での先の脱水処理後のガラス化により、管壁全体に均一な屈折率曲線を有する石英ガラス管を得るのに役立つ。
【００２６】
この効果についての考えられうる解釈は、記載された不均一な密度曲線が、脱水処理中の局所的に異なる塩素の作用を防止又は補償するのに役立つということである。
【００２７】
移行領域内の密度が、内側から外側に減少するということが極めて重要である。理想的には、移行領域は、スート壁全体に及び、この場合、内側領域は、スート管の内側自由表面で終わり、外側領域はスート管の外側自由表面で終わる。また、程度は下がるが、内側領域だけが管状スート壁の内壁から離れて始まる場合、及び／又は、外側領域が外側のジャケットから離れて始まる場合にも、所望の技術的効果が得られる。しかし、中間の移行領域が、スート壁の厚みの少なくとも７５％を占めるのが好ましい。約２８％を越える高い密度の領域が、スート管の外側自由表面と移行領域との間に存在する場合、所望の結果は得られない。
【００２８】
石英ガラス管を製造するために、従来のスート管を使用すると、径方向の屈折率分布が、先の脱水処理による塩素の作用によって阻害される。これに対して、本発明のスート管は、塩素含有雰囲気中で加熱することによって脱水処理にかけられるが、ガラス化された石英ガラス管の壁全体で均一な屈折率曲線が容易に調整されるということを特徴とする。塩素の影響は、上記で説明された移行領域において所定の密度曲線を有する中間構成によって解消又は補償されるので、所定の屈折率プロファイルでかつ同時に低い水酸基含有量を有する石英ガラス管を、本発明のスート管を用いて提供することができる。
【００２９】
スート管の有利な実施態様は、従属請求項に記載される。また、移行領域の径方向の拡張および内側領域と外側領域との間の密度曲線にも関連して、本発明の方法に関する詳細な説明について言及する。
【００３０】
キャリアを除去後、ガラス化された管状のスート管は、プリフォームのコア・ロッドにクラッドとして取り付けるためのいわゆる「ジャケット管」として使用することができる。
【００３１】
しかし、スート管は、キャリアの上でもガラス化され得る。ドープ石英ガラス又はアンドープ石英ガラスの場合、特に、コア・ロッド形状のキャリアの場合は、光ファイバのためのプリフォーム又はこのようなプリフォームの一部を製造することができる。
【００３２】
しかし、均一な径方向の屈折率曲線により、本発明のスート管は、中間製品がガラス化され、サブストレート管の形成中に延伸されて、コア材料がＭＣＶＤ法又はＰＣＶＤ法によってサブストレート管の内壁上に堆積されるので、特に、光ファイバのプリフォームを製造するのに使用することができる。
【００３３】
ガラス化されて延伸された後、サブストレート管は、管壁全体に所定の均一な屈折率分布を有する。したがって、このようにして製造されたサブストレート管は、所定の屈折率プロファイルが重要である場合、プリフォームを製造するのに特に適している。
【００３４】
本発明のスート管を用いた更なる有利な可能性は、いわゆるコア・ガラス・ロッドが石英ガラス管によって提供されて、クラッドを取り付けられるので、脱水処理とガラス化の後に、光ファイバのためのプリフォームを形成するジャケット材料として前記の管を使用することにある。この場合、水酸基の含有量は低くなければならない。これは、多孔質スート管を高温塩素処理法にかけて実現される。更に、可能な限り均一な屈折率曲線が観測されなければならない。上記のように、これは、移行領域で所定の密度曲線を中間形成し，後で脱水処理を行う、本発明のスート管において達成されるので、その結果、所定の屈折率プロファイルでかつ同時に低い水酸基含有量を有する石英ガラス管が、スート管から得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
次に、実施形態及び図面を参照して更に詳細に本発明を説明する。詳細を示す図面は下記のとおりである。
【００３６】
図１及び図３はそれぞれ、脱水処理前及びガラス化の前のプロセス段階における多孔質スート管の壁全体の径方向密度プロファイルを示す。Ｙ軸上に、スート管の特定の密度が、相対単位（石英ガラスの理論密度に基づいた％）でグラフ化されている。Ｘ軸は、スート体の壁全体の厚みに基づいて、相対単位で半径を示す。半径「０」は、スート体の内壁に相当し、半径「１００」は、その外壁に相当する。測定された各スート管は、約５０ｍｍの内径と約３２０ｍｍの外径を有する。
【００３７】
図２及び図４は、脱水処理後およびガラス化後のプロセス段階の石英ガラス管の径方向屈折率プロファイルを示す。アンドープの石英ガラスと比較した屈折率差「Δｎ」がＹ軸上に示される。Ｘ軸は、石英ガラス管全体での径方向の位置「Ｐ」をミリ単位で示す。位置「Ｐ＝０」は、内孔の中心軸を示す。
【００３８】
実施例
図１の径方向密度プロファイルでは、スート密度は、最初に、内側領域１において内側から外側に増加し、その後、約３３％の最大値４から始まって、移行領域２で内側から外側に徐々に減少し、外側のジャケット３の領域で２４％の値に達する。したがって、移行領域２内では、スート密度は全体で９％減少する。移行領域２は、スート管の壁厚の約９０％を構成する。移行領域は、内側領域１に隣接し、内壁５から約１５ｍｍ離れた、スート密度の最大値４から始まって、外側に向かって外側ジャケット３までの径方向に約１２０ｍｍの長さにわたって広がる。
【００３９】
堆積プロセス後、スート管は、脱水処理にかけられ、その後ガラス化されて、石英ガラス管を形成する。図２は、脱水処理及びガラス化の後で、石英ガラス管で計測された屈折率プロファイルを示す。内孔２１に隣接する石英ガラス管の壁２２は、純粋な石英ガラスと比較して、Δｎ＝０．０００４の屈折率の増加を示す。石英ガラス管の壁２２全体の屈折率は、内孔２１から外壁２３に至るまでほぼ均一であるということは特筆すべきことである。
【００４０】
ここで、図１で示した密度プロファイルを有するスート管及び図２で示した屈折率プロファイルを有する石英ガラス管の製造について、例を示して説明する。
【００４１】
ＳｉＯ２のスート粒子はデポジション・バーナーのバーナー炎でＳｉＣｌ４を火炎加水分解することによって形成され、前記粒子は、長軸を中心に回転するキャリア・ロッドの上に層を成して堆積され、スート体を形成する。図２で示すように、径方向の密度曲線をスート体の内側に形成するために、第１のスート層の堆積中に、比較的高い表面温度が生じ、約３０％の比較的高密度のスート領域が形成される。その後、スート密度は、上記に記載した約１５ｍｍ離れた距離で、約３２％の最大値４に達するまで、徐々に増加する。
【００４２】
「移行領域」２が、本発明の意義において発生するのが、この段階である。後のスート層の堆積中に、形成途中のスート体の表面温度は下がり続けるので、スート密度が減少する。このため、増大するスート体の表面の円周速度が一定のままとなるように、キャリア・ロッドの回転速度が減速し続ける。スート体の円周は増加するのに、バーナーの火炎温度は一定であるので、表面温度が低下する。この結果、図１で示した径方向の密度勾配をもたらす。より急勾配又はより平坦な勾配を生み出すために、水素と酸素の燃焼ガスの供給量を変えて、デポジション・バーナーの火炎温度を変化させる。
【００４３】
堆積プロセスの完了とキャリア・ロッドの除去後、図１で示した密度プロファイルを有するスート管が得られる。石英ガラス管は、下記の例によって説明された方法を用いてスート管から製造される。
【００４４】
上記で詳細に説明した方法の工程によって得られたスート体は、製造プロセスにより入った水酸基を除去するため、脱水処理にかけられる。このため、スート管は、垂直方向に脱水炉に入れられ、最初に、塩素含有雰囲気中で約９００℃の温度で処理される。この処理は、約８時間続く。こうして、１００ｗｔ．ｐｐｂ．より低い水酸基濃度になる。
【００４５】
脱水処理中に多孔質スート材料に作用する塩素の影響は、内側領域１の高密度と移行領域２の密度曲線によって補償されるので、本発明のスート管を用いて、図２で示した所定の均一な屈折率プロファイルを持つ石英ガラス管を得ることができる。
【００４６】
図２で示した屈折率プロファイルを持つ石英ガラスを製造するため、スート管は、縦型ガラス溶融炉において約１３００℃の範囲の温度で焼結される。この際、スート体は、環状加熱ゾーンに供給され、炉の中でゾーン方向に加熱される。このプロセスにおいて、溶融面は、外側から内側に進行する。その後、焼結された（ガラス化された）管は、外径４６ｍｍ、内径１７ｍｍに延伸される
【００４７】
均一な屈折率分布は別として、このようにして得られた石英ガラス管は、水酸基の濃度が低く、そのため、光ファイバのためのプリフォームのコアに近い領域で使用できる。
【００４８】
比較するため、図３及び図４は、従来のスート管の径方向密度プロファイルと、従来のスート管から製造される石英ガラス管の屈折率プロファイルを示す。
【００４９】
比較例
図３は、従来技術によって製造されたスート管の径方向密度プロファイルを示す。約４０．５％のスート密度を有する内壁３から約１５ｍｍ離れた最大値３２は別として、密度は、スート管の壁厚全体でほぼ一定であり、平均約２８％である（破線３３）。
【００５０】
堆積プロセスの後、上記の例に基づいて説明されたように、スート管は同様の脱水処理にかけられ、その後、ガラス化されて延伸され、その結果、外径６４ｍｍで内径２２ｍｍの石英ガラス管となる。
【００５１】
屈折率プロファイルを、この石英ガラス管で計測した。その結果は、図４に示す。内孔４１に隣接する石英ガラス管の壁４２の内側では、内側から外側に向かって屈折率は著しく減少する。内壁４１の領域で約＋０．０００５の最大値から始まって、屈折率は、３０％より多く減少し、外壁４２の領域で＋０．０００３５より少なくなるほどにまで減少する。したがって、径方向に不均一な屈折率分布を有する石英ガラス管が、従来のスート体をガラス化して延伸することによって得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の石英ガラス管は、ＭＣＶＣ法によってコア材料層を内側に堆積するため、好ましくは、サブストレート管として使用される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】ガラス化の前の、本発明の多孔質ＳｉＯ２スート管の壁全体の径方向密度プロファイルを示す。
【図２】図１のＳｉＯ２スート管をガラス化して延伸することによって得られた石英ガラス管で計測された屈折率プロファイルを示す。
【図３】ガラス化の前の、従来の多孔質ＳｉＯ２スート管の壁全体の径方向密度プロファイルを示す（比較例）。
【図４】図３のＳｉＯ２スート管をガラス化して延伸することによって得られた石英ガラス管で計測された屈折率プロファイルを示す。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
2005507358.tif 000029
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