(57)【要約】ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＬＩＧＢＴ）デバイスが、基板（２０）と、前記基板上の埋込み酸化物層（２２）と、横方向に延在するドリフト領域（２６）を有する、埋込み酸化物層上のシリコン層（２４）と、前記シリコン層上のエミッタ／カソード（２８）と、エミッタ／カソード（２８）から横方向に分離させられると共に前記シリコン層上にもたらされるコレクタ／アノード（３０）と、エミッタ／カソード（２８）とコレクタ／アノード（３０）との間の誘電層（４２）、例えば熱成長酸化物と、シリコン層（２４）上のゲート電極（３４）と、前記コレクタ／アノードに隣接して前記層のほぼ端部にまで、前記フィールド酸化物層内又は前記フィールド酸化物層上に延在する前記フィールドプレート（３８、４０）とを有する。前記コレクタ／アノード（３０）に隣接すると共に前記フィールドプレート（３８、４０）のレベルの下の前記フィールドプレートの端部（４６）と前記コレクタ／アノード（３０）との間のシリコン層（２４）の領域が、ＬＩＧＢＴのコレクタ／アノード（３０）における寄生バイポーラ効果を抑制するのに十分なガンメル数を有する。
2005517283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の埋込み酸化物層と、
横方向に延在するドリフト領域を有する、前記埋込み酸化物層上のシリコン層と、
フィールドプレートとしての役割も果たす、チャネル領域上のゲート電極と、
前記ドリフト領域の一方の側の本体及びエミッタ／カソードと、
前記ドリフト領域の他方の側のコレクタ／アノードと、
前記ドリフト領域シリコン層及び前記チャネルからゲート電極を分離する誘電層と、
前記コレクタ／アノードに隣接して、前記層のほぼ端部にまで延在する前記フィールドプレートと
を有するラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイスであって、
前記コレクタ／アノードに隣接すると共に前記フィールドプレートのレベルの下の前記フィールドプレートの端部と前記コレクタ／アノードとの間の前記シリコン層の領域が、前記ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタの前記コレクタ／アノードにおける寄生バイポーラトランジスタを抑制するのに十分なガンメル数を有するラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項２】
前記コレクタ／アノードと前記コレクタ／アノードに最も近い前記フィールドプレート部分の前記端部との間の前記横方向の距離が前記フィールドプレート部分を短くさせることによって増大させられる請求項１に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項３】
前記コレクタ／アノードと前記コレクタ／アノードに隣接する前記フィールドプレート部分の前記端部との間の前記横方向の距離が、前記フィールドプレート部分又は前記更なるフィールドプレートを短くさせることによって延在させられる請求項２に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項４】
所望の電圧定格に依存して、１０乃至８０μｍのドリフト領域長を有し、前記コレクタ／アノードに隣接する第一のフィールドプレート部分又は第二のフィールドプレート部分は、前記ドリフト領域の前記端部から５乃至１８μｍ短いところが端部となる請求項３に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項５】
前記コレクタ／アノードと前記コレクタ／アノードに隣接する前記フィールドプレート部分の前記端部との間の前記横方向の距離が、前記第一のフィールドプレート部分又は前記第二のフィールドプレート部分の前記端部から更に離れるように前記コレクタ／アノードを位置させることによって延在させられる請求項３又は４の何れか一項に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項６】
前記コレクタ／アノードが前記ドリフト領域の前記端部から５乃至１８μｍの間隔をおいて位置される、１０乃至８０μｍのドリフト領域長を有する請求項５に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項７】
高ドーピングゾーンが、前記ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタの前記コレクタ／アノードにおける寄生バイポーラ効果を抑制するのに十分なガンメル数をもたらすために前記コレクタ／アノードと前記コレクタ／アノードに隣接する前記フィールドプレートとの間で前記シリコン層の前記トップの下にもたらされる請求項１に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項８】
前記高ドーピングゾーンが、前記周りのシリコン層における前記ドーピングの２倍又はそれより多く倍数の高さのドーピングを有する請求項７に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項９】
前記高ドーピングゾーンが前記コレクタ／アノードから短いところに端部を有する請求項７又は８に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項１０】
前記高ドーピングゾーンが前記フィールド酸化物層において端部を有する請求項７又は８に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項１１】
メタルからのコレクタ／アノードコンタクトを有し、前記コレクタ／アノードコンタクトは、前記ドリフト領域における空乏化を防止するために前記ドリフト領域接合部及び前記コレクタ／アノードに渡って延在する請求項１に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項１２】
前記コレクタ／アノードコンタクトが、前記ドリフト領域接合部及び前記コレクタ／アノードに渡って少なくとも２μｍ延在する請求項１１に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項１３】
前記誘電層が、前記エミッタ／カソードと前記コレクタ／アノードとの間のドリフト酸化物、及び熱成長フィールド酸化物を有する請求項１に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【請求項１４】
前記ゲート電極が、誘電物によって絶縁分離させられている少なくとも一つのメタルフィールドプレートによって延在させられると共に、前記コレクタ／アノードに隣接して前記フィールド酸化物及びドリフト酸化物層に渡って前記層のほぼ端部にまで延在する請求項１乃至１３の何れか一項に記載のラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス（ｒａｔｅｒａｌ  ｉｓｏｌａｔｅｄ  ｇａｔｅ  ｂｉｐｏｌａｒ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｄｅｖｉｃｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイスは通常、基板と、基板上の埋込み酸化物層と、埋込み酸化物層上のシリコン層とを有している。シリコン層は、横方向に延在するドリフト領域と、当該ドリフト領域の一方の側の本体及びエミッタ／カソードと、他方の側のコレクタ／アノードとを含んでいる。誘電層がゲート電極をチャネル及びドリフト領域シリコン層から分離する。当該ゲート電極は、フィールド酸化物上のフィールドプレートとしての役割も果たし、コレクタ／アノードに隣接するほぼその端部にまでフィールド酸化物層とドリフト酸化物層との間に延在する一つ又は複数の絶縁分離メタルフィールドプレート（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｉｓｏｌａｔｅｄ  ｍｅｔａｌ  ｆｉｅｌｄ  ｐｌａｔｅ）によって延在させられていてもよい。これらのフィールドプレートは、ゲート、エミッタ／カソード、又は回路における他の何れかの好適なポテンシャル部に電気的に接続され得る。ＬＩＧＢＴ（ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイス）は、導電度変調（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）のためにＬＤＭＯＳよりもずっと高い飽和電流のポテンシャルを有しているが、ＳＯＩにおいて当該フィールドプレートを備えるＬＩＧＢＴは、自身の達成可能な降伏電圧について制限される。３倍の飽和電流についての導電度変調が示されていているが、降伏電圧は、対応するＬＤＭＯＳの降伏電圧よりもずっと低くなっている。
【０００３】
米国特許第ＵＳ−Ａ−５，５５９，３４８号公報は、ゲート領域がフィールド酸化物層に渡って部分的に達している延在部を有するデバイスを開示している。ゲートの当該延在部は、全フィールド酸化物層に渡って達していないので、ドリフトドーピング濃度（ｄｒｉｆｔ  ｄｏｐｉｎｇ  ｄｅｎｓｉｔｙ）を最大限化するためにフィールドプレートを形成しない。それ故に、当該ＬＩＧＢＴにおいて、エミッタ／カソード層と、ベース層と、コレクタ／アノードに隣接するシリコン層の領域との間に形成され得る寄生バイポーラトランジスタは、非常に広いベース幅及び非常に低い利得（ｇａｉｎ）を有する。当該デバイスの実効的な利得は大きくなり得ないか、又は無限大になり得ないため、寄生トランジスタのＢＶｃｅｏは当該ＬＩＧＢＴの降伏電圧も制限しないであろう。概して、当該フィールドプレートの作用によって、より高いドリフトドーピングが可能となるため、全フィールド酸化物層に渡って延在するフィールドプレートを有することも所望され得る。
【０００４】
Ｙｉｎｇ−Ｋｅｕｎｇ  Ｌｅｎｕｇ氏他による、ＩＥＥＥ  ＥＤ−４５の２２５１乃至２２５４頁の“高電圧高速パワーＩＣのための薄膜ＳＯＩにおけるラテラルＩＧＢＴ（Ｌａｔｅｒａｌ  ＩＧＢＴ  ｉｎ  ｔｈｉｎ  ＳＯＩ  ｆｏｒ  ｈｉｇｈ  ｖｏｌｔａｇｅ，  ｈｉｇｈ  ｓｐｅｅｄ  ｐｏｗｅｒ  ＩＣ）”から、線形的に低下させられるドーピングプロファイルを備える超薄膜シリコンオンインシュレータ技術で構成される高電圧ＬＩＧＢＴが知られている。低下させられたドーピングプロファイルは降伏電圧を、４μｍ埋込み酸化物を備える０．５μｍＳＯＩで構成されるＬＩＧＢＴにおいて測定される７２０Ｖにまで改善するであろう。低下させられたドーピングプロファイルは明らかに降伏電圧特性（ｂｒｅａｋ  ｄｏｗｎ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ）を改善するが、ゲートのゲート延在部が当該デバイスにおけるフィールド酸化物に渡って短い距離しか延在しないため、ドリフトドーピングは最大化され得ない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、改善された高い端部特性、特により高い降伏電圧を有するＳＯＩにおけるＬＩＧＢＴを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本目的のために、基板と、前記基板上の埋込み酸化物層と、横方向に延在するドリフト領域を有する、前記埋込み酸化物層上のシリコン層と、フィールドプレートとしての役割も果たす、チャネル領域上のゲート電極と、前記ドリフト領域の一方の側の本体及びエミッタ／カソードと、前記ドリフト領域の他方の側のコレクタ／アノードと、前記ドリフト領域シリコン層及び前記チャネルからゲート電極を分離する誘電層と、前記コレクタ／アノードに隣接して、前記層のほぼ端部にまで延在する前記フィールドプレートとを有するラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイスであって、前記コレクタ／アノードに隣接すると共に前記フィールドプレートのレベルの下の前記フィールドプレートの端部と前記コレクタ／アノードとの間の前記シリコン層の領域が、前記ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタの前記コレクタ／アノードにおける寄生バイポーラトランジスタを抑制するのに十分なガンメル数を備えるラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタデバイスがもたらされる。
【０００７】
ガンメル数（Ｇｕｍｍｅｌ  ｎｕｍｂｅｒ）が、ベース幅に渡るドーピング濃度の積分値又はベースのドーピング濃度（面積当たりのドーピング）として規定される。結果として、高いガンメル数（広いベース幅及び／又は高いベースドーピング）は低い飽和電流及び低い利得をもたらすであろう。
【０００８】
“ベース幅”変調（“ｂａｓｅ  ｗｉｄｔｈ”  ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）のために、及びフィールドプレート又は更なるフィールドプレートと、コレクタ／アノードとの間のポテンシャル差によるガンメル数における対応する減少のために、当該デバイスの実効的な利得は無限大となることが可能であり、ＬＩＧＢＴのエミッタ／カソードとコレクタ／アノードとの間の降伏電圧（ＢＶｃｅ）は制限されることが本発明により分かっている。従ってＬＩＧＢＴのコレクタ／アノードにおける寄生バイポーラ効果を抑制するのに十分なほどガンメル数を増大させることにより当該問題は解消される。本発明は、ＬＩＧＢＴのアノード又はコレクタ／アノードにおけるベースパンチスルー（ｐｕｎｃｈ−ｔｈｒｏｕｇｈ）の危険性を有する寄生バイポーラ効果を防止し、それ故に前記デバイスは降伏電圧に関して元来の特性を達成することが可能になる。
【０００９】
有利な実施例によれば、本発明は、フィールドプレートがコレクタ／アノードの近くに延在するが、ＬＩＧＢＴのコレクタ／アノードにおける寄生バイポーラ効果を抑制し得るガンメル数がもたらされるように十分な距離を備えるＬＩＧＢＴをもたらす。フィールドプレートは、コレクタ／アノードに可能な限り近くに延在するが、ＬＩＧＢＴのコレクタ／アノードにおける寄生バイポーラ効果を抑制し得るガンメル数がもたらされるように十分な距離を備える。実施例の利点は、コレクタ／アノード自身において、コレクタ／アノードに隣接する第二のフィールドプレート部分又は第一のフィールドプレート部分の間の間隔（ｓｐａｃｉｎｇ）を適切に設計することによってガンメル数が所望のレベルまで効率的に増大させられ得ることにある。
【００１０】
有利な実施例によれば、本発明は、コレクタ／アノードとコレクタ／アノードに最も近いフィールドプレート部分の端部との間の横方向の距離が当該フィールドプレート部分を短くさせることによって増大させられるＬＩＧＢＴをもたらす。当該ＬＩＧＢＴにおける本発明は、ＬＩＧＢＴの全ドリフト領域をカバーするフィールドプレートを有し得る。しかしながら、コレクタ／アノードに隣接するフィールドプレートをわずかに短くさせることは、ドリフト領域に対するフィールドプレートの影響で大きなマイナスの効果を有さず、他方でフィールドプレートとコレクタ／アノードとの間の領域における寄生バイポーラ効果を抑制するための所望の効果を有する。
【００１１】
有利な実施例によれば、本発明は、所望の電圧定格（ｖｏｌｔａｇｅ  ｒａｔｉｎｇ）に依存して、１０乃至８０μｍのドリフト領域長を有するＬＩＧＢＴをもたらす。ここでコレクタ／アノードに隣接するフィールドプレート部分は、ドリフト領域の端部から５乃至１８μｍ短いところが端部となる。通常のＬＩＧＢＴにおいて、ドリフト領域の長さは１０乃至８０μｍの範囲内にある。当該ＬＩＧＢＴにおいて、十分なことに、所望の効果がこのように第一のフィールドプレート部分又は第二のフィールドプレート部分を短くさせる。
【００１２】
有利な実施例によれば、本発明は、コレクタ／アノードとコレクタ／アノードに隣接するフィールドプレート部分の端部との間の横方向の距離が、第一のフィールドプレート部分又は第二のフィールドプレート部分の端部から更に離れるようにコレクタ／アノードを位置させることによって延在させられるＬＩＧＢＴをもたらす。コレクタ／アノードをフィールドプレートの端部から離れたところに移すことによって、フィールドプレートの利点をもたらすことがなくても、所望の効果が実現され得る。しかしながら、両方の手段を講じることによっても、すなわち第一のフィールドプレート部分又は第二のフィールドプレート部分をわずかに短くさせると共に、及びフィールドプレートの端部からコレクタ／アノードを移動させることによっても、本発明が有利な態様で具現化され得ることは注意されるべきである。
【００１３】
有利な実施例によれば、本発明は、コレクタ／アノードがドリフト領域の端部から５乃至１８μｍの間隔をおいて位置される、１０乃至８０μｍのドリフト領域長を有するＬＩＧＢＴをもたらす。１０乃至８０μｍのドリフト領域の長さを有する通常のＬＩＧＢＴにおいて、十分なことに、このようにドリフト領域から間隔をおいてコレクタ／アノードがもたらされる。ドリフト領域からの、コレクタ／アノードのこの量の更なる間隔が、チップ上のデバイスのダイ（ｄｉｅ）の跡（フットプリント（ｆｏｏｔ  ｐｒｉｎｔ））にほとんど影響を及ぼさないことは明らかである。
【００１４】
有利な実施例によれば本発明は、高ドーピングゾーン（ｈｉｇｈ−ｄｏｐｅｄ  ｚｏｎｅ）が、ＬＩＧＢＴのコレクタ／アノードにおける寄生バイポーラ効果を抑制するのに十分なガンメル数をもたらすためにコレクタ／アノードとコレクタ／アノードに隣接するフィールドプレートとの間でシリコン層のトップの下にもたらされるＬＩＧＢＴをもたらす。当該高ドーピングゾーンをもたらすことにより所望の効果が実現される。上記特徴の何れかに加えて高ドーピングゾーンがもたらされてもよい。この場合、前記特徴の有利な効果により、ＬＩＧＢＴのコレクタ／アノードにおける寄生バイポーラ効果の高度な抑制（ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）がもたらされる。
【００１５】
有利な実施例によれば本発明は、高ドーピングゾーンが、周りのシリコン層におけるドーピングの２倍又はそれより多く倍数の高さのドーピングを有するＬＩＧＢＴをもたらす。当該高ドーピングゾーンは、シリコン層におけるドーピングの２倍の高さしか有していないため、ＬＩＧＢＴの製造の間に容易に生成される。他方で、この更なるドーピングを備える当該ゾーンは所望の効果をもたらすことが分かっている。
【００１６】
有利な実施例によれば本発明は、高ドーピングゾーンがコレクタ／アノードから短いところに端部を有するＬＩＧＢＴをもたらす。高ドーピングゾーンがアノード又はコレクタ／アノードに達していない場合、ＬＩＧＢＴアノードの“エミッタ効果”は低下させられない。
【００１７】
有利な実施例によれば本発明は、高ドーピングゾーンがフィールド酸化物層において端部を有するＬＩＧＢＴをもたらす。それによって、有利なことに高ドーピングゾーンの効果が最大の効果でもたらされる一方、当該手段に対して必要とされるチップ面積が最小化される。
【００１８】
有利な実施例によれば本発明は、ドリフト領域における空乏化を防止するためにドリフト領域接合部及びコレクタ／アノードに渡って延在する、メタルからのコレクタ／アノードコンタクトを有するＬＩＧＢＴをもたらす。
【００１９】
有利な実施例によれば本発明は、ドリフト領域における空乏化を防止するためにドリフト領域接合部及びコレクタ／アノードに渡って少なくとも２μｍ延在する、メタルからのコレクタ／アノードコンタクトを有するＬＩＧＢＴをもたらす。
【００２０】
有利な実施例によれば本発明は、誘電層が熱成長フィールド酸化物（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ｇｒｏｗｎ  ｆｉｅｌｄ  ｏｘｉｄｅ）、及びエミッタ／カソードとコレクタ／アノードとの間のドリフト酸化物を有するＬＩＧＢＴをもたらす。
【００２１】
有利な実施例によれば本発明は、ゲート電極が、誘電物によって絶縁分離させられている少なくとも一つのメタルフィールドプレートによって延在させられると共に、フィールド酸化物及びドリフト酸化物層に渡って、コレクタ／アノードに隣接するそれらのほぼ端部に延在するＬＩＧＢＴをもたらす。
【００２２】
本発明の好ましい実施例が、この場合図面を参照して記載される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は、コレクタ／アノード領域における寄生バイポーラデバイスの存在及びその効果を説明するためにＬＩＧＢＴのコレクタ／アノード領域を示している。埋込み酸化物層（図示略）に隣接して、上にフィールドプレート８がもたらされているトップの酸化物層６に隣接して例えばｎ形ドーピングコレクタ／アノード領域４がもたらされている。コレクタ／アノード領域４又はアノードは、前記デバイスにおける“ホール（欠陥電子）エミッタ（ｈｏｌｅ（ｄｅｆｅｃｔ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ）−ｅｍｉｔｔｅｒ）”である。線１２及び１４は、コレクタ／アノード４のバイアス条件（ｂｉａｓ  ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ）に対する、二つの異なるフィールドプレート８における空きの充電ゾーン（ｓｐａｃｅ  ｃｈａｒｇｅ  ｚｏｎｅ）１０の限界部を示している。これは、コレクタ／アノード接合部と空き充電限界部との間の中性ベースゾーン（ｎｅｕｔｒａｌ  ｂａｓｅ  ｚｏｎｅ）１６の変調を示しており、それによって当該寄生デバイスのガンメル数も示している。それ故に“ベース幅”変調が、フィールドプレートとコレクタ／アノードとの間のポテンシャル差によってガンメル数の減少をもたらす。もたらされている実施例の各々は、フィールドプレートとコレクタ／アノードとの間の高バイアスにおいてさえ、ガンメル数を増加させ、それによって当該寄生デバイスの利得を増加させる役割を果たしている。
【００２４】
図２は、基板２０、基板２０上の埋込み酸化物層２２、及び埋込み酸化物層２２上のシリコン層２４を有し、シリコン層２４が横方向に延在するドリフト領域２６を有するＬＩＧＢＴデバイスを示している。エミッタ／カソード２８はチャネル領域３４の左に位置される。コレクタ／アノード３０は前記ドリフト領域２６の右にもたらされる。トップの酸化物層４２は、エミッタ／カソード２８とコレクタ／アノード３０との間にもたらされる。ゲートが、エミッタ／カソード２８に隣接するチャネル３４及びゲート誘電物上に位置され、誘電物４２（フィールド酸化物）上にフィールドプレート３８として延在し得る。本体領域がソース３８及びチャネル３４を含むと共に、ソースの左に３６としてコンタクトされ、又は多結晶シリコンのエッジに対するソースによる交互のパターンで第二の降伏効果（ｓｅｃｏｎｄ  ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  ｅｆｆｅｃｔ）が低減される（領域３６は図２に示されている断面の前及び後にもたらされ得るが図示略）。
【００２５】
フィールドプレート３８は、ソース２８若しくはゲート又は何れかの他の好適な回路ポテンシャル部に接続される何れかの可能なメタル層４０によって延在させられ得るか、又は置換され得る。このことは、メタルからゲート多結晶シリコンを絶縁分離する更なる誘電物４４を挿入することにより誘電物、及びそれ故にシリコンにおける電界を低減することによって、動機付けられ得る。
【００２６】
本発明は、当該特定のフィールドプレート構成体に制限されるものではない。フィールド酸化物層に渡って、コレクタ／アノードに隣接する、当該層のほぼ端部にまで延在する二つのフィールドプレート部分のうちの一つしかもたらされ得ない。更に、フィールドプレートはフィールド酸化物領域内に延在し得る。様々なフィールドプレート構成体に対する例は、米国特許第ＵＳ−Ａ  ５，２４６，８７０号公報、米国特許第ＵＳ−Ａ  ５，３６２，９７９号公報、国際特許第ＷＯ  ９９／３４４４９号公報、及び国際特許第ＷＯ  ００／３１７７６号公報に示されている。
【００２７】
図２から理解され得るように、最後のフィールドプレート４０の端部４６は、図１に示されているフィールドプレート８の端部と比較すると、図２における線２７によって示されているドリフト領域２６の端部から更に移動させられている。それ故に、コレクタ／アノード３０に隣接するフィールドプレート部分４０の端部４６とコレクタ／アノードとの間の横方向の距離が延在させられる。１０乃至８０μｍのドリフト領域長を有する通常のＬＩＧＢＴにおいて、フィールドプレート部分４０の端部４６は、ドリフト領域２６の端部を示す線２７から５乃至１０μｍ移動させられる。
【００２８】
図１と２との比較から理解され得るように、コレクタ／アノード３０は、図１のコレクタ／アノード４と比較して線２７によって示されるドリフト領域２６の端部から図２のＬＩＧＢＴにおいて更に移動させられる。それ故にフィールドプレート部分４０の端部４６とコレクタ／アノード３０との間の横方向の距離は、図１のＬＩＧＢＴにおける各々の距離と比較すると更に延在させられている。６０乃至８０μｍのドリフト領域長を有する通常のＬＩＧＢＴにおいて、線２７によって示されるドリフト領域の端部とコレクタ／アノード３０、特にそれの中心線５０との間の距離は、各々５μｍと１８μｍとの間にある。
【００２９】
図２から理解され得るように、シリコン層２４のトップの表面に隣接するコレクタ／アノード３０とドリフト領域２６との間の高ドーピングゾーン５２がもたらされている。すなわち、フィールドプレート部分４０の端部とコレクタ／アノード３０との間のシリコン層２４のトップの下に高ドーピングゾーン５２がもたらされている。高ドーピングゾーン５２は、高ドーピングゾーン５２を囲うシリコン層２４の領域のドーピングの少なくとも２倍の高さのドーピングを有する。高ドーピングゾーン５２は、図２から理解され得るように、コレクタ／アノード３０から短いところ、及びフィールド酸化物層４２から短いところにも端部を有している。
【００３０】
要約すると、ドリフト領域の端部からコレクタ／アノード又はフィールドプレートを後退させることは、寄生バイポーラトランジスタの実効ベース（アノード／コレクタに隣接する空乏化されていないゾーン）を広げることによってガンメル数を増大させる。間に挟まれた高ドーピングゾーンは、更なるドーピングでガンメル数を増大させる。それ故にコレクタ／アノード領域における寄生バイポーラ作用が防止される。
【００３１】
上記は例示的であり、限定を意図するものではないことは理解され得る。多くの実施例が、上記を評価する当業者にとって明らかであろう。それ故に本発明の範囲は、上記を参照して決定されるべきではないが、代わりに請求に係る同等の全範囲を伴う従属請求項を参照して決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】寄生バイポーラデバイスの表示を伴うＬＩＧＢＴのコレクタ／アノード領域を示している。
【図２】本発明のＬＩＧＢＴの実施例を示している。
【図１】
2005517283.tif 000003
【図２】
2005517283.tif 000004
【国際調査報告】
2005517283.tif 000005
2005517283.tif 000006
2005517283.tif 000007