(57)【要約】本発明は、トランス、インダクタ及びその製造方法に関し、特にインダクタ、チョーク、トランスなど誘導コンポーネントに関する。複数のビアホール１２が、強磁性基板１０を貫通して形成されている。共通のビアホールを通る１次導体３２及び２次導体３４を配置することによって、巻数比１対１の複数のトランスが形成される。回路によって、並列と直列との組み合わせで１次巻線及び２次巻線が接続される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次巻線と２次巻線間の漏れインダクタンスが著しく少ないセルコア型トランスであって、該トランスが、実質的に平坦な表面、及び該平坦な表面に直接実装された、前記トランスに関係する回路コンポーネントを備え、
ａ．強磁性材料で構成されたスラブが、間隔をあけて行と列に並び、前記スラブを貫通する一連のビアホールを備え、
ｂ．第１の１次導体が、前記強磁性材料の前記スラブ内に形成された前記ビアホールのうち第１のビアホールを通って延び、流れる電流によって、前記強磁性材料のうち前記ビアホールを囲む近接した部分に磁界が発生し、
ｃ．第２の１次導体が、前記強磁性材料の前記スラブ内に形成された前記ビアホールのうち第２のビアホールを通って延び、該第２のビアホールが前記第１のビアホールに隣接し、
ｄ．前記第１の１次導体と前記第２の１次導体とが接続され、前記第１のビアホールを流れる電流の方向と、前記第２のビアホールを流れる電流の方向とが逆向きであり、その結果として、前記第１のビアホールと前記第２のビアホールとの間に発生する磁束の方向が、２つの隣接する磁界が交わる位置では同じであり、
ｅ．第１の２次導体が、前記強磁性材料の前記スラブ内に形成された、前記第１の１次導体が通るビアホールと同じビアホールを通って延び、前記第１の１次導体を流れる電流によって生じる磁束により、前記第１の２次導体に電圧が誘起され、
ｆ．第２の２次導体が、前記強磁性材料の前記スラブ内に形成された、前記第２の１次導体が通るビアホールと同じビアホールを通って延び、前記第２の１次導体を流れる電流によって生じる磁束により、前記第２の２次導体に電圧が誘起され、
ｇ．相互に接続された前記１次導体及び相互に接続された前記２次導体により、前記セルコア型トランス用の所定の巻数比が提供され、
ｈ．前記スラブのトップ面及びボトム面に形成されたプリント回路が、前記第１の１次導体と前記第２の１次導体、及び前記第１の２次導体と前記第２の２次導体と電気的に接続された回路を備えていることを特徴とするセルコア型トランス。
【請求項２】
実質的に平坦な表面、及び該平坦な表面に直接実装された、トランスに関係する回路コンポーネントを備えたセルコア型トランスであって、
ａ．強磁性材料で構成されたスラブが、該スラブを貫通し、間隔をあけて形成された一連のビアホールを備え、
ｂ．複数の１次導体が、個別に前記ビアホールを通って延び、前記１次導体を流れる電流によって、前記強磁性材料のうち前記ビアホールを囲む近接した部分に、複数の磁界が個別に発生し、
ｃ．複数の２次導体が、個別に前記１次導体が通る前記ビアホールと同じビアホールを通って延び、
ｄ．相互に接続された前記１次導体及び相互に接続された前記２次導体により、前記セルコア型トランス用の所定の巻数比が提供され、
ｅ．前記スラブのトップ面及びボトム面に形成されたプリント回路が、前記１次導体及び前記２次導体と電気的に接続された回路を備えていることを特徴とするセルコア型トランス。
【請求項３】
複数の前記１次導体が、すべての前記ビアホールを流れる電流の方向が隣接する前記ビアホールを流れる電流の方向とは逆向きになるように相互に接続され、その結果として、近接するビアホール間に発生する磁束の方向が、隣接する磁界が交わる位置では同じになるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のセルコア型トランス。
【請求項４】
複数の前記２次導体が、直列に接続されていることを特徴とする請求項２に記載のセルコア型トランス。
【請求項５】
複数の前記２次導体が、並列に接続されていることを特徴とする請求項２に記載のセルコア型トランス。
【請求項６】
ｘ＋ｙ個の前記２次導体を備え、ｘ個の前記２次導体が直列に接続され、ｙ個の前記２次導体が直列に接続され、直列に接続されたｘ個の前記２次導体と直列に接続されたｙ個の前記２次導体とが並列に接続され、ステップダウントランスが構成されていることを特徴とする請求項２に記載のセルコア型トランス。
【請求項７】
ｂ＋ｃ個の前記１次導体及びｘ＋ｙ個の前記２次導体を備え、ｂ個の前記１次導体が直列に接続され、ｃ個の前記１次導体が直列に接続され、
直列に接続されたｂ個の前記１次導体と、直列に接続されたｃ個の前記１次導体とが並列に接続され、
ｘ個の前記２次導体が直列に接続され、ｙ個の前記２次導体が直列に接続され、
直列に接続されたｘ個の前記２次導体と、直列に接続されたｙ個の前記２次導体とが並列に接続され、選択された巻数比のトランスが得られるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のセルコア型トランス。
【請求項８】
ロスが少なく効率的な磁束パスを有するセルコア型トランスの製造方法であって、
実質的に平面状の強磁性材料を貫通する複数のビアホールを形成するステップと、
トッププリント基板及びボトムプリント基板に、前記ビアホールに対応するビアホールと、前記強磁性材料の外側領域に１つ以上のビアホールとを形成するステップと、
前記強磁性材料を貫通して延びる前記ビアホールのそれぞれを通る１次導体を形成するステップと、
それぞれの前記ビアホール及びそれらのビアホールに近接する強磁性材料の部分が、巻数比１：１のトランスとして機能するように、前記強磁性材料を貫通して延びる前記ビアホールのそれぞれを通り、前記１次導体から絶縁された２次導体を形成するステップと、
前記トッププリント基板及び前記ボトムプリント基板に回路を形成することにより、前記セルコア型トランスの目標の巻数比によって決定される並列又は直列の回路に、前記１次導体及び前記２次導体を接続するステップと、
前記強磁性材料の前記外側領域に位置する１つ以上の前記ビアホールを通る導体を形成することにより、前記トッププリント基板及び前記ボトムプリント基板上の回路を接続するステップと、
前記トッププリント基板と前記ボトムプリント基板間に、前記平面状の強磁性材料を積層するステップとを含むことを特徴とするセルコア型トランスの製造方法。
【請求項９】
ロスが少なく効率的な磁束パスを有するセルコア型トランスの製造方法であって、
実質的に平板状の強磁性材料を貫通する複数のビアホールを形成するステップと、
フレキシブル基板内に前記ビアホールに対応するビアホール及び前記強磁性材料の外側領域に１つ以上のビアホールを形成するステップと、
前記強磁性材料を貫通して延びる前記ビアホールのそれぞれを通る１次導体を形成するステップと、
それぞれの前記ビアホール及びそれらのビアホールに近接する強磁性材料の部分が、巻数比１：１のトランスとして機能するように、前記強磁性材料を貫通して延びる前記ビアホールのそれぞれを通り、前記１次導体から絶縁された２次導体を形成するステップと、
前記フレキシブル基板に回路を形成することにより、前記セルコア型トランスの目標の巻数比によって決定される並列又は直列の回路に、前記１次導体及び前記２次導体を接続するステップとを含むことを特徴とするセルコア型トランスの製造方法
【請求項１０】
ロスが少なく効率的な磁束パスを有するセルコア型トランスの製造方法であって、
実質的に平板状の強磁性材料を貫通する複数のビアホールを形成するステップと、
前記強磁性材料を貫通して延びる前記ビアホールのそれぞれを通る１次導体を形成するステップと、
それぞれの前記ビアホール及びこれらのビアホールに近接する強磁性材料の部分が、巻数比１：１のトランスとして動作するように、前記強磁性材料を貫通する前記ビアホールを通り、前記１次導体から絶縁された２次導体を形成するステップと、
回路を形成することにより、前記セルコアトランスの目標の巻数比によって決定される、並列又は直列の回路に、前記１次導体及び前記２次導体を接続するステップとを含むことを特徴とするセルコア型トランスの製造方法。
【請求項１１】
表面が実質的に平坦であり、平坦な前記表面上に直接実装されたトランスに関係する回路コンポーネントを備えたセルコア型トランスであって、
ａ．間隔をあけて貫通して形成された一連のホールを備えた磁性材料のスラブと、
ｂ．前記ホールのうちの１つを通る第１の導体と、
ｃ．前記ホールを通り、前記第１の導体から電気的に絶縁された第２の導体と、
ｄ．前記スラブのトップ面及びボトム面に形成され、前記第１の導体及び前記第２の導体と電気的に接続されたプリント回路とを備えていることを特徴とするセルコア型トランス。
【請求項１２】
ａ．磁性材料の少なくとも一部に、該磁性材料を貫通し、間隔をあけて設けられた一連のホールを備えた磁性材料を含む部材と、
ｂ．前記ホールのうちの１つを通る第１の導体と、
ｃ．前記ホールと同じホールを通り、前記第１の導体から電気的に絶縁された第２の導体と、
ｄ．前記スラブのトップ面及びボトム面に形成され、前記第１の導体及び前記第２の導体と電気的に接続されたプリント回路とを備えていることを特徴とするセルコア型トランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導コンポーネント及びそれらのコンポーネントの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘導コンポーネントは、通常、強磁性コアと絶縁された導電線の巻線とを使用することによって製造されている。強磁性コアは、例えば、トロイダルコア、ロッドコア又は図１に示したようなＥ形の強磁性部材とそのＥ形の３本の脚に接している強磁性キャップとを組み合わせたもので構成されている。
【０００３】
トロイダルコア及びロッドコアには、手作業又は自動化された装置により、絶縁された銅線が巻かれ、トランス用の複数層の多数の巻線又はインダクタ用の単一の巻線が形成されている。そのアセンブリは、さらに、銅線を保護するためにカプセルなどの中に収められて密封される。また、用途に応じた要求に従って銅線をはんだ付けすることにより、回路の接続が行われる。このような従来の製造方法は、それぞれの部品のハンドリングに、高い労務費が必要である。また、従来の方法は、銅線を正確に位置決めすることが難しいので、漏れインダクタンス、分布キャパシタンス、巻線間キャパシタンス及び巻線間の共通モードインバランス(common mode imbalance)などの電気的パラメータに大きなばらつきがある。
【０００４】
図１に示したＥ形の部材及びＥ形の脚部に取り付けられたキャップの組立品（アセンブリ）から、誘導コンポーネントが製造され、要求に応じて、Ｅ形の脚の周りに手作業又は自動化された装置により絶縁された銅線が巻かれている。接着又はクランプにより所定の位置にキャップを固定し、最後に密封することによって、このサブアセンブリが完成する。さらに、用途に応じた要求に従って、銅線をはんだ付けすることによって、回路の接続が行われる。上記のように、この装置には、トロイダルコア及びロッドコアという制限があるだけではなく、通常、この装置はかなり大型である。また、キャップがＥ形部材とは分離しているので、磁路には、Ｅ形部材とキャップとの間に非強磁性のギャップによる抵抗があり、それによって、トランスの効率が低下する。
【０００５】
図１に示した構造の電源トランスの場合には、Ｅ形のコアとキャップによって巻線がヒートシンクから隔離されるので、巻線の電気抵抗によるロスに起因して発生する熱が、放散しにくいという欠点がある。
【発明の開示】
【０００６】
本発明に係る実施の形態は、インダクタ、トランス及びそれらの製造方法を提供し、最先端の技術を超える優位性をもたらすものである。本発明に従って接続されたこれらのインダクタ及びトランスは、エレクトロニクス、電気通信及びコンピュータに関連する技術分野で、多くの用途が開かれている。以下に開示する１つの態様では、強磁性材料で構成された矩形のスラブが、プリント基板（ＰＣＢ）の間に積層されている。複数のスルーホールが、スラブを製造する際に、スラブのトップ面からボトム面まで穿孔されるか、形成される。そのホールの数は、目標の巻線数に対応している。この態様のインダクタ及びトランスには、アンペアの法則が非常に新規な方法で適用される。すなわち、回路基板に個々の誘導デバイスが使用されたり組み立てられたりするのではなく、回路基板内に、トランス、インダクタなどが形成されるようになっている。したがって、巻線は絶縁された導電線ではない。本発明の場合には、スラブを貫通するホールは、スルーホールめっきなどによって導電性となっており、間に積層されたスラブの両面のプリント基板に電気的に接続されている。このめっきされたスルーホール及びプリント基板の回路パターンによって、トランス及びインダクタ用のコアを備えたトランス及びインダクタが形成される。これらのトランス及びインダクタ用のスラブは、強磁性材料で構成され、ビアホール（スルーホール）が穿孔又は形成されている。本発明に係る実施の形態によれば、特に高周波インダクタ及びトランスを製造する上で、大幅な改善が得られる。
【０００７】
以下に開示する別の態様の場合には、インダクタ又はトランスは、フレキシブル回路（ＦＬＥＸ、以下、フレキシブル基板と記す）、プリント基板などの適当な基板上に支持されており、一組の多層の薄い同心の強磁性金属リングによって形成されたコアを備えている。これらの同心リングで構成されたコアに近接して位置するビアホールによって、プリント回路と電気的に接続され、インダクタ及びトランスの巻線が形成される。上記の態様の場合には、渦電流の発生が抑制された、透磁率が高いインダクタ及びトランスを構成することができる。このように構成されたインダクタ及びトランスには、小型の低周波電源用という特殊な用途がある。
【０００８】
次に説明する別の態様の場合には、１つの導体が薄い強磁性スラブに形成されたビアホール内に設けられ、１ターンインダクタが構成されている。この導体を通る電流によって、スラブ内のビアホールに近接する部分では、ビアホールの周りに円運動する磁界が発生する。
【０００９】
以下に説明するさらに別の態様の場合には、第１及び第２の導体が、強磁性スラブの同じビアホール内に形成され、巻数比１対１のセルコア型トランスが構成される。直列及び並列接続の組み合わせで、多数のビアホール内の第１及び第２の導体を接続することによって、目標の巻数比を有するトランスを構成することができる。強磁性スラブに追加されたビアホールに、さらに感知(sensing)導体を形成することによって、インダクタ又はトランスに追加巻線を加えることができる。上記のように構成されたインダクタ及びトランスには、大きな２次電流が得られる小型の電源トランスという特別な用途がある。
【００１０】
上記の利点に加えて、本発明に係るインダクタ及びトランスには、さらに多くの別の利点がある。それらの利点には、優れた熱放散性、電気的接続をより簡素化することができる外側接続(outside connection)、磁気特性をより改善することができる短い磁束パス、より簡素化された製造、より集積化された相互接続、より小型化された誘導デバイス、優れた特性、優れた製造再現性などが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の全体的な本質的事項、特徴及び利点に関する要点は前述のとおりである。また、特定の実施の形態及びその改良については、以下の図面を参照した詳細な説明によって、当業者には、さらに明らかになるであろう。
【００１２】
図２Ａ、２Ｂは、トロイダルコア３０を備えた従来の一般的なトランスを示す図である。図２Ａ、２Ｂには、図面を単純化するために、絶縁された導電線で形成された２つの巻線、すなわち、２ターン巻線３２及び４ターン巻線３４を備えたトランスを示した。それぞれのターン３６は、コア３０に巻かれているので、電流が１つの巻線を流れると、コア３０内を回って流れる磁束パス３８が発生する。図２Ａには、コア３０の中心側と外側の周りとを通る巻線３２、３４が示されている。図２Ａに示したように、巻線３２、３４は、コア３０を介して電気誘導結合されている。すなわち、コア３０によって、１次巻線（２ターン巻線）３２と２次巻線（４ターン巻線）３４とを結合する磁束パスが提供される。そのために、１次巻線３２に電圧が印加されると、２次巻線３４に電圧が発生する。
【００１３】
本発明に係る実施の形態の場合には、図２Ａ、２Ｂに示したものとは非常に異なったコア及び巻線の配置(arrangement)が用いられる。図３は、適当な間隔を設けて配置された複数のビアホール１２が形成された強磁性スラブ１０を示す平面図である。なお、ビアホール１２は、インダクタ又はトランスが形成されるスラブ１０のトップ面１４からボトム面１６にかけて貫通している。図３には、強磁性スラブ１０に穿孔されて形成された合計２５個のビアホール１２が示されている。ただし、形成されるビアホール１２の数は、所定の用途に応じて要求される巻線数に依存している。以下の説明で明らかになるように、インダクタ又はトランスは、ビアホール１２を選択的に配列し、さらに、１次巻線と２次巻線とを形成するために、トップ面１４及びボトム面１６の両面間のビアホール１２に、導体をめっきすることによって形成される。また、２次巻線は、ビアホール１２に、第２のセットの絶縁された導体を配置することによって形成することができる。
【００１４】
本明細書で用いる用語「スラブ」及び「強磁性スラブ」は、このアプリケーションを通して使用され、あらゆる有用な強磁性材料による構成物を表す広い意味の用語であることを意図している。限定するものではないが、強磁性材料の形態には、シート、薄いシート、板状の部材、強磁性材料の積層体などがある。
【００１５】
「バーチャルコア」
図４Ａ及び４Ｂは、本発明の実施の形態に係る「バーチャルコア」を示す図である。ビアホール５６、６８によって形成されたパターンによって、図４Ａ、４Ｂに示した実施の形態係るコアは、「バーチャルトロイダルコア」又は「バーチャルトロイド」とも表記される。図４Ｂの断面図に示したように、強磁性材料のスラブ５０は、トップ面５２及びボトム面５４を備え、また、図４Ｂに示したスラブ５０の断面には、２つの外側ビアホール５６と１つの内側ビアホール６８とが位置している。以下に説明するように、小型のインダクタ及びトランスの場合には、スラブ５０は、比較的高い抵抗率を有するフェライトの薄い層で構成されていることが好ましい。
【００１６】
図４Ａ及び４Ｂには、本発明に従って構成されたバーチャルトロイダルトランス用のバーチャルコアを示した。このバーチャルコアには、８個の外側ビアホール５６と６個の内側ビアホール６８（図４Ｂには、すべては示されていない）を備えたスラブ５０が用いられている。また、導体５８が、スラブ５０のトップ面５２とボトム面５４上に形成されている。この導体５８には、他のデバイス又は回路への接続用パッド６０が設けられている。また、以下に説明するように、これらの外側ビアホール５６及び内側ビアホール６８には、トップからボトムまでめっきが施され、導体５８と電気的に接続されている。したがって、例えば、パッド６０とパッド６０’との間に、完全な電気回路が形成されている。また、以下に説明するように、バーチャルトロイダルトランス６２は、上記のように、円形のパス６４を備えた構成となっている。
【００１７】
図５は、同じスラブ７０上に配置された２つの独立したバーチャルコア７２、７４を備えた強磁性スラブ７０を示す平面図である。第２のトランス（バーチャルコア）７４は、本発明に係る別の実施の形態を示しており、ビアホールが別の特定のパターンで配列されている。この別の特定のパターンに従った配列の場合には、内側の矩形７６及び外側の矩形７７によって、矩形のバーチャルトロイド７５が形成されている。
【００１８】
図６は、別の実施の形態に係るバーチャルコアを示す平面図であり、トップ面８０及びボトム面（図示省略）を備えた強磁性スラブ７８に形成されたバーチャルコアを示している。強磁性スラブ７８は、バーチャルトロイドの外周８４を形成するように配列された８個の外側ビアホール８２と、バーチャルトロイドの内周８５を形成するように配列された８個の内側ビアホール８３とを備えている。導体８６は、スラブ７８のトップ面８０及びボトム面に形成され、外側ビアホール８２と内側ビアホール８３に施されためっきを介して、連続した電気的パスを形成している。以下に説明するように、図６に示したバーチャルコアによって、８ターンの巻線を備えたバーチャルトロイダルインダクタが形成される。
【００１９】
フレキシブル基板（ＦＬＥＸ）の部品としての製造
製造方法の１つに、図７、８及び９に示したように、トップ及びボトムのフレキシブル基板９２内に、多数の強磁性スラブ（コア９０）を埋め込む方法がある。所定の巻線に対応する銅の回路パターン９２を、接着剤１１５によってスラブ（コア９０）のトップ面１１２及びボトム面１１４に接着されるエポキシ樹脂のシート１１０上に形成する。このように、コア９０は、積層処理によって、回路パターン９２内に埋設される。図８及び９に示したように、ビアホールは、フレキシブル基板９２のコンポジット層及びコア９０を貫通して形成され、その結果、トップフレキシブル基板１１６からボトムフレキシブル基板１１７への接続が形成される。なお、ビアホールを導電性のインクで充填する方法又は通常の工業的なめっき法により、多数のバーチャルコアの接続を同時に行なうことができる。図８及び９には、上記の構造体の断面図を示した。
【００２０】
プリント基板の部品としての製造
図１０、１１及び１２は、別の製造方法を示す図であり、この方法の場合には、プリント基板のトップ層１７０とボトム層１７２との間に、多数の強磁性体のピース１５０が埋め込まれる。図１０は、プリント基板又はプリプレグアレー１５６に接着されたホール１５４を示す斜視図である。このプリプレグ１５６のパネルは、それぞれのコアピース１５０を収容することができるようになっている。図１１に示したように、ピース１５０をホール１５４に挿入した後、プリント基板のトップセクション（トップ層）１７０及びボトムセクション（ボトム層）１７２を積層し、アレー１５６を形成する。このように、ピース１５０は、エポキシ樹脂の２枚のシート間に、ピース１５０をサンドイッチにする積層法によって埋設される。さらに、プリント基板１９２のコンポジット層及びピース１５０を貫通してビアホール１９０を形成することにより、トッププリント基板１９４の回路とボトムプリント基板１９６の回路との間の接続を形成する。なお、多数のコアを同時に電気的に接続するためには、ビアホール１９０を、導電性インク１９８で充填する方法又は通常の工業的なめっき法を用いることが好ましい。また、上記の構造体の断面構造は、図８及び９に示したフレキシブル基板１１７の構造と同様である。主な相違点は、個々のピース１５０に適合しない、プリント基板材料の不撓性によっている。
【００２１】
フレキシブル基板又はプリント基板を用いない製造方法
図１３は、別の製造方法を説明するための断面図であり、多数のコア２１０が、キャリア２１２上に支持された状態を示している。それぞれのコア２１０は、ホール２１４に合うように形成されている。次に、通常の工業的なインクのスクリーン印刷法を用いて、コア２１０のトップ部２１５及びボトム部２１６に回路を形成する。それと同時に、ホール２１４を埋めることにより、トップ部２１５とボトム部２１６間の側部に必要な電気的接続を形成する。
【００２２】
バーチャルコアへのアンペアの法則の適用
上記の本発明に係る実施の形態の場合、磁性スラブを貫通する導電性のビアホールを備えており、極めて新規な態様で、アンペアの法則が適用される。ビアホールは、基板上に形成された２つの巻線間に、磁束パスが存在するように形成される。図４Ａに示したように、内側ビアホール６８に囲まれたパスは、正味ゼロの電流を囲む。したがって、そのようなパスには、磁束が存在しない。また、内側ビアホール６８には、外側ビアホール５６を囲む領域にゼロの磁束を発生させる、外側ビアホール５６を流れる電流と等しい逆向きの電流が流れるので、外側ビアホール５６を囲むすべてのパスも、正味の電流がゼロである。しかし、内側ビアホール６８と外側ビアホール５６とに囲まれたパスは、内側ビアホール６８を囲んでいるので、正味の磁束を有する。内側ビアホール６８又は外側ビアホール５６を部分的に囲むその他のパスには、磁束が電流と同様にもっとも短い物理的なパスを選択するので、大きな磁束が発生しない。したがって、この構成によって、図２Ａ、２Ｂに示したトロイダルトランスと非常に類似した動作が行われ、この構成は、図４Ａ、４Ｂに、バーチャルトロイダルトランス６２として示されている。
【００２３】
アンペアの法則は、下記の（１）式で表される。
【００２４】
【数１】
2005539383.tif 000003
ここで、クローズドパスの周りの磁界強度Ｈの線積分値は、そのパスによって囲まれた領域を横切る電流Ｉの合計に等しい。図６に関しては、アンペアの法則によれば、内側ビアホール８３の内側に含まれるすべてのクローズドパスの線積分値は、この領域内ではビアホールを流れる電流がないので、含まれる正味の電流がゼロになることを表している。したがって、バーチャルトロイダルコアの内周８５内では磁束が発生しない。外側ビアホール８２を囲むすべてのクローズドパスの線積分値も、そのクローズド領域を横切る正味の電流がゼロとなる。その理由は、８個の内側ビアホール８３から流れ出る電流が、８個の外側ビアホール８２に流れ込む等しい量の電流によって相殺されるからである。したがって、バーチャルトロイダルコアの外周８４を囲むすべての領域では、磁束が発生しない。
【００２５】
連続した磁束が存在する唯一の領域は、バーチャルトロイダルコアの内周８５と外周８４間の領域である。この領域では、クローズドパスの線積分値は、取り囲まれた領域と交差する８個の内側ビアホール８３を流れる電流の合計によって構成される。したがって、図６に示したビアホールの配列パターンによって、バーチャルトロイダルインダクタが形成される。すなわち、外周８４及び内周８５によって、８ターンの巻線によって励磁されるバーチャルトロイダルコアが画定される。点線で示した軌道８８は、バーチャルトロイダルコア領域に閉じ込められる磁束パスの方向を表している。
【００２６】
ビアホールの位置を適切に選択することによって、基板上に、様々な形状のバーチャルコア及び様々なコアの配置が可能であることが明らかである。上記のように、同じ基板上に、多くの独立した磁気回路を構成することができる。したがって、図４Ｂに示した強磁性スラブ５０のトップ面５２及びボトム面５４上に、ビアホール及び回路導体を適切に配置することによって、単純なインダクタ及びトランスの回路に比べて、より複雑な回路を構成することが可能である。例えば、従来のプリント基板及びフレキシブル基板（フレキシブル回路ボード）産業で採用されているプロセス（フォトデポジション、エッチング及びめっき）を用いることによって、超小型回路アセンブリを形成する同じ基板上に、抵抗器、キャパシタ、集積回路などの多くのコンポーネントを配置することができる。
【００２７】
図１４は、同じ強磁性スラブ２１８上に、複数のバーチャルコア２２０、２２２、２２４が配置された例を示す平面図である。それぞれのバーチャルコア２２０、２２２、２２４は独立に動作し、図６に示しためっきされたビアホール相互の間及びビアホールを通る回路接続が形成されており、バーチャルトロイダルトランス又はバーチャルトロイダルインダクタのいずれかが形成されている。第１のバーチャルコア２２０は、図６に示したバーチャルトロイダルコアなどの８ターンの巻線によって励磁される。第２のバーチャルコア２２２は、ビアホールが、図６に示したバーチャルトロイダルコアとほぼ同じ幾何学的配置となっている、別の実施の形態を示している。ただし、バーチャルトロイダルコアを形成するビアホールの数が少なく、４ターンの巻線によって励磁されるようになっている。点線で示した円２２３は、バーチャルトロイダルコア領域に閉じ込められた磁束パスの方向を表している。第３のバーチャルコア２２４は、さらに別の実施の形態を示している。バーチャルコア２２４の場合には、内側の矩形２２６及び外側の矩形２２７によって画定された矩形のバーチャルトロイダルコアが形成されている。矩形のバーチャルコア２２４は、１２ターンの巻線によって励磁される。点線で示した軌道２２８は、矩形のバーチャルトロイダルコア領域に閉じ込められる磁束パスの方向を表している。
【００２８】
例えば、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲の無線周波数に使用されるような高周波回路に好適なインダクタ及びトランスは、前述の実施の形態に従って製造することができる。前述の実施の形態における強磁性スラブは、例えば１００〜１０，０００の範囲の透磁率と、１，０００オーム／ｃｍ〜１０９オーム／ｃｍの範囲の抵抗率を有するフェライト材料の薄い層で形成することが好ましい。代表的なフェライト材料には、酸化第二鉄とアルニコがある。そのようなフェライト材料は、スラブを貫通するめっきされたビアホール相互を電気的に絶縁することができるような十分に高い抵抗率を備えている。また、上記のように構成されたトランス及びインダクタは、小型化に適応している。これらのデバイスは、複雑なピン又はリードフレームを必要としない。したがって、０．０３インチ（０．７６ｍｍ）の径のビアホールを備えた、長さ１．５インチ（３８ｍｍ）、幅１インチ（２５ｍｍ）、厚さ０．０５インチ（１．３ｍｍ）のスラブには、２つ以上のトランス用のコアを設けることができる。この強磁性スラブは非常に小型である。さらに、トップ面及びボトム面の表面パッドによって接続端子が形成され、その面を直接プリント基板に実装することができる。そのために、デバイスの装着面積が減り、その他の部品用に、より多くのスペースを生み出すことができる。図示された巻線は、実質的には２つの平行な面に配置されている。したがって、代表的な応用例である１０層のプレーナ型トランス装置の巻線は、全体の高さを５層分の高さに低くすることができる。強磁性スラブは、例えば、０．０５インチ（１．３ｍｍ）というように極めて薄い。そのために、本発明に係るインダクタ及びトランスは、立体的なＥ形コア構造ではなく、実質的に非常に薄い１枚の平板で構成することが可能であり、さらに大きな倍率で全体の高さを低くすることができる。
【００２９】
フレックス密度(flex density)が大きく、渦電流が少ないトランス及びインダクタに関するさらに別の実施の形態
低周波電源トランスなどの多くの誘導デバイスは、通常１０，０００〜１００，０００の範囲の比較的高い比透磁率を有するコアを必要としている。しかし、本発明に係る実施の形態によって得られる改良により、より低い値及びより高い値、すなわち、１，０００〜１，０００，０００の範囲のコアを利用することができる。高いフレックス密度(flex density)が得られる材料には、鋼、鉄、珪素鋼、７８パーマロイ、ミューメタル、純鉄、スーパーマロイ(supermalloy)などの特定の金属又は合金がある。高磁束密度が得られることは、トランス及びインダクタを構成する上で非常に有利である。しかし、上記の材料は金属であるために抵抗率が低く、誘導渦電流が発生し、それによって高磁束密度という利点が打ち消される。図１６は、金属コア内を流れる磁束によって発生する誘導渦電流３００を示す図である。コアとして金属を使用する最近のトランス及びインダクタの場合は、通常、トロイダルコア又はＥ形の薄板を積層して形成されたＥ形コアで構成することによって、上記の渦電流の発生を抑制している。なお、それぞれの薄板は、いくつかのタイプの絶縁性接合剤を用いることによって電気的に分離されている。Ｅ形コア全体には、コア全体を形成するために、多数の上記の薄板が用いられている。この構成によって、渦電流の発生は、それぞれの薄板の断面領域に限定される。以下に説明するように、本発明の１つの特徴は、コアの断面積をさらに減少させることができることである。
【００３０】
図１７〜２１は、コア材料用として強磁性金属の使用を可能にする、本発明の１つの実施の形態に係る製造例を示す図である。この場合には、フレキシブル基板又はプリント基板２９０上に形成され、絶縁シートによって分離された、薄い金属が積層された一組の環状リングが、フレキシブル基板又はプリント基板２９０によって支持されている。環状リングの中心側及び外側に位置するめっきされたビアホールと、めっきにより形成された導体によって、コアの周りに電気的ターンが完成される。以下に説明するように、この実施の形態の場合には、それぞれの積層されたコアセクションの断面積を実質的に減少させることによって、渦電流の発生を実質的に小さく抑えている。
【００３１】
はじめに、プリント基板又はフレキシブル基板２９０に強磁性金属のシートを積層し、次に、強磁性シートの一部をエッチングによって除去し、近接した間隔で、幅の狭い連続した複数のコアセグメントのパターンを形成する。それによって、複数のコアラミネーションを形成する。図１７は、エッチングにより形成された１６個のコアアレーを備えたプリント基板又はフレキシブル基板３１０の個々の層を示す平面図である。本技術分野で採用されている積層法及びエッチング法によって、アレーのサイズ及びパターンに応じて、１６個を超えるコアを形成することが可能であることが理解されるであろう。コアアレー３１５は、シート（フレキシブル基板）３１０のトップとボトムの両面に同じアレーが形成されるように、周知の両面プロセス(double-sided process)を使用してエッチングを行うことにより形成することが好ましい。
【００３２】
図１８は、コアアレー３１５の１つを示す部分拡大平面図である。図１８には、１６の同心の強磁性の導電性金属リング３２０ａ〜３２０ｐを備えたアレーが示されており、それぞれのリングは、エッチングにより除去された個々のスペース又はボイド３２５ａ〜３２５ｏによって、相互に絶縁されている。同様に、アレー３１５の外側の領域３３０及び最も内側のリング３２０の内側の領域３３５は、磁性材料のボイドとなっている。しかし、この発明は同心のリングアレーに限定されるものではない。当業者であれば、相互に絶縁された連続的に順次大きくなる一連の正方形又は長方形などで、他のタイプのコアアレーを構成可能なことが明らかであろう。
【００３３】
次の製造ステップは、実質的に位置合わせされたアレー３１５を含む複数のプリント基板及びフレキシブル基板２９０を積層することである。図１９Ａに示したように、同心リング３１５ａ〜３１５ｈのコアアレーを、コアパターンを備えた層のそれぞれのコア上に位置合わせして各層を積層する。その結果、複数の高磁束が流れる、渦電流発生領域が非常に小さい金属コアが得られる。なお、アレー３１５のエッチングに使用されるシート材料の厚さは極めて薄く、例えば、０．０００５インチ〜０．０１０インチ（０．０１３ｍｍ〜０．２５ｍｍ）の範囲とすることができる。同心リング３１５ａ〜３１５ｈは、従来のプリント基板又はフレキシブル基板のエッチング技術を利用することによって、０．００２インチ〜０．００３インチ（０．０５ｍｍ〜０．０８ｍｍ）のオーダーの非常に狭い幅にエッチすることが可能である。その結果、渦電流が発生するコア領域の断面のサイズが、著しく減少する。
【００３４】
積層プロセスの一部として、絶縁材料３４０（図２１Ｂ参照）の薄層を、エッチングにより形成されたそれぞれの同心リングアレー３１５のトップ面に隣接させて配置する。この絶縁材料３４０には、通常、エポキシ樹脂が使用される。また、この絶縁材料３４０のシートとエッチングにより形成された強磁性リングを支持する絶縁性シートとは、異なった材料とするのがよい。その代表的な材料には、プリント基板及びフレキシブル基板のボードの製造用に、デュポンアンドロジャース社によって製造されているエポキシ樹脂及びアクリル樹脂がある。通常、エポキシ樹脂及びプリプレグ（及びガラスを含むエポキシ樹脂）は、プリント基板ボードの製造に用いられ、アクリル樹脂はフレキシブル基板の製造に用いられている。図１８に示したボイド３２５、ボイド３３０及びボイド３３５は、積層処理の際には、図２１Ａ及び２１Ｂに示したように、絶縁材料３４０で埋められている。
【００３５】
上記のように、本発明の実施の形態に係る電気巻線は、コア構造体の両面上のプリント回路と、その回路と接続する導体を含むビアホールによって構成されることが好ましい。図１７〜２１に示した実施の形態に係る巻線の形成ステップは、図２０Ａ、２０Ｂ、２１Ａ及び２１Ｂに示されている。
【００３６】
図２０Ａ及び２０Ｂを参照すると、追加された銅の層３５０、３５５は、エッチングが行なわれた金属の表面と銅の層３５０、３５５の表面とを絶縁する、追加された絶縁層３６０のトップ面、絶縁層３６５のボトム面にそれぞれそれぞれ積層される。
【００３７】
図２１Ａ及び２１Ｂは、完成した構造体を示す断面図であり、この構造体は、積層されたアレー全体を貫通して穿孔されたビアホール３７０を備えている。これらのビアホール３７０は、めっきされたビアホール３７０によって構成される巻線のターンを電気的に絶縁することができるように、低い抵抗率の強磁性リングに接しない状態で近接して配置されている。次に、これらのビアホール３７０に、例えば、銅などの導電性材料でめっきを施す。なお、ビアホール内には、銅の代わりに、導電性のインク、導電性のペーストなどを充填してもよい。次に、同心リングコアアレー３１５の回りに巻線を形成するために、銅の層３５０、３５５にエッチングを施すことにより、めっきされたビアホール３７０と電気的に接続した回路パターンを形成する。
【００３８】
図２１Ａ及び２１Ｂに示した実施の形態の場合には、図面を簡潔に表すために、それぞれのトランスに対して、少数のビアホール３７０ａ、３７０ｂ、３７０ｃ及び３７０ｄが示されている。当業者であれば、図１７〜２１に示した実施の形態に関しては、さらにビアホールを追加することによって、多数の巻線を備えたコアを形成可能なことが明らかであろう。また、必要な場合には、銅の層３５０、３５５上に、さらに銅の層を積層することにより、追加されるビアホールに必要な接続を形成することができる。
【００３９】
個々のトランス及びインダクタは、アレーから部品を「ダイ」カッティング又はルーティングする通常の方法によって、図２１Ａ、２１Ｂに示した積層されたアレーから切り出される。切り出されたそれらのデバイスは、図１及び図１６に示した従来の誘導デバイスに置き換えて利用することができる。また、エッチングが施された金属コアは、図１９に示したようなアレーの部分であるので、その他のコンポーネントと相互に接続することができる。
【００４０】
「セルコア」を備えたトランス及びインダクタに関するさらに好ましい実施の形態
図２２は、「セルコア」と呼ばれる、本発明に係る別の実施の形態を示す図であり、１つ以上の誘導デバイスが、強磁性スラブ４００内にアレーを形成する６０個のビアホール４０２によって形成されている。図２２に示したように、電流は、アレー内のそれぞれのビアホール４０２に入るか、ビアホール４０２から出るかのいずれかの向きに流れる。これらの電流は、図４Ｂに示したように、全部のビアホール４０２及びビアホール４０２間にめっきにより形成された導体を流れる。以下に説明するように、各ビアホール４０２及び強磁性スラブ４００におけるビアホール４０２の周りの部分（点線の円４０４によって示されている）によって、「セルコア」が形成される。このセルコアは、１つ１つ、又は１つ以上のその他のセルコアとの組み合わせのいずれかで、誘導デバイスを形成する。
【００４１】
図２２に示したセルコアは、バーチャルコアを製造する方法として開示した前述の方法を用いることによって製造することができる。例えば、図２２に示したセルコアは、図７、８及び９に関する前述の説明の際に開示したものと同様なフレキシブル基板の一部として、図１０、１１及び１２に関する前述の説明の際に開示したプリント基板の一部として、又は図１３に関する前記説明で開示したフレキシブル基板又はプリント基板を用いない方法により、製造することができる。
【００４２】
アンペアの法則のセルコアへの適用
アンペアの法則に従うと、図２２に示したビアホール４０２内の導体を流れるそれぞれの電流によって、点線で示した円４０４によって表された循環する磁界が発生する。従来の誘導デバイスの場合には、コアの中央の孔を通る「ターン」を構成するために、フェライトのトロイダルコアの周りに、絶縁された導体が巻き付けられている。しかし、そのような形態の巻線又はターンは、コア内に磁束を発生させるためには必要ではない。例えば、図２３は、アンペアの法則に関する１つの態様を示しており、直線状の導体４１２を流れる電流によって、環状の磁界４１０が発生する。したがって、磁界を発生させるためには、必ずしも湾曲した導体を必要としない。しかし、磁界のパスは、電流のパスに依存しており、例えば、環状の電流のパスは、電流パスの中心を通る直線状の磁界を発生させる。
【００４３】
このように、アンペアの法則に従えば、強磁性スラブ４００の一部、すなわち、ビアホール４０２を囲むビアホール４０２に近接した領域に磁界が発生する。そのために、図２２に示したビアホール４０２内の導体に１つの電流を流すことによって、１ターンインダクタに相当する個別の誘導デバイスが形成される。点線で示した円４０４によって表されているように、導体を流れる電流によって発生する磁束は、強磁性スラブ４００のうち、ビアホール４０２の周辺領域に位置している。
【００４４】
ファラデーの法則のセルコアへの適用
本発明に係る別の好ましい実施の形態の場合には、図２２に示した１つ以上のビアホールを通る絶縁された第２の導体を配置することによって、本明細書では「セルコア型トランス」又は「セル型トランス」と称するトランスが形成される。図２４は、ファラデーの法則が適用された実例を示す図であり、導体４２０のパスによって囲まれた領域Ａに、時間変化する密度Ｂの磁束が流れた時に、導体４０２に強度Ｅの電界が発生することを示している。この法則は、下記の（２）式によって表される。
【００４５】
【数２】
2005539383.tif 000004
（２）式は、閉ざされたパスの周りおける電界強度Ｅの線積分値が、そのパスによって閉ざされた領域Ａと交差する、時間変化する磁束密度Ｂの合計に等しいことを表しており、その時に誘起される電圧を示している。
【００４６】
したがって、図２２に示した実施の形態の場合には、ビアホール４０２内の第２の導体（２次導体）によって検出される磁束密度は、同じビアホール４０２内に１次電流によって誘起されたすぐ周りの磁束密度に等しい。巻数比１対１のトランスと等価の個別の誘導デバイスが、図２２に示した同じビアホール４０２に、１次電流が流れる導体（１次導体）と、２次電流又は検出電流が流れる導体（２次導体）とを通すことによって構成される。以下に説明するように、多数のビアホール４０２内の１次及び２次導体を、直列又は並列の組み合わせで電気的に接続することにより、所定の巻数比の１次巻線と２次巻線とを備えたセル型トランスを形成することができる。また、誘起される電圧の極性が、各ビアホール４０２からの信号を組み合わせた時に加算的である限り、その組み合わされた巻線は、作動するトランスのパーツとして作用する。
【００４７】
図２２に示した電流フローのパターンは、すべての個々のビアホール４０２を流れる電流の方向が、アレーの同じ行又は列内で隣接するすべてのビアホール４０２に流れる電流の方向とは逆向きになるように配列されている。点線で示した円４０４は、それぞれのビアホール４０２の周りに位置する環状の磁束の方向を示している。また、円４０４は、それぞれのビアホール４０２間で発生した磁束が、隣接する２つの磁界が交わる位置では、同じ方向であることを示している。しかし、そのような方向の組み合わせは必ずしも必要ではなく、電流を流す方向には、様々なパターンが可能である。例えば、図２５は、本発明に係る実施の形態を示しており、４０個のビアホール４３２によって、強磁性スラブ４３４内にアレーが形成されている。図２５に示した電流フローのパターンは、電流が、列内では各ビアホールを同じ方向に流れ、各列内のビアホールを流れる電流の方向が、隣接するどの列とも逆方向になるように配列されている。点線で示した円４３６は、同じ行内で隣接する２つのビアホール４３２間では、発生する磁束の方向が同じであり、一方、同じ列内で隣接する２つのビアホール４３２間では、発生する磁束の方向が逆向きであることを示している。図２６は、本発明に係る別の実施の形態を示す図であり、この場合には、強磁性スラブ４４０内に形成された４０個のビアホール４３８のそれぞれに流れる電流の方向が同じになっている。また、点線で示した円４４２は、ビアホール４３８間、すなわち、隣接する２つの磁界が交わる位置では、発生する磁束の方向が逆向きであることを示している。
【００４８】
電流フローのパターンにかかわらず、個々のビアホールで生成した磁束は、強磁性材料内のビアホールを囲む、ビアホールに近接する領域に位置し続ける。このように、様々な電流フローのパターンを選択することが可能であり、直列と並列の巻線の組み合わせを形成することにより、回路パスを簡素化することができる。
【００４９】
セルコアの組み合わせ
上記のように、図２２に示した単一のビアホール４０２を通る絶縁された２次導体を配置することによって、巻数比１対１のセル型トランスを形成することができる。また、多数のビアホール４０２内の１次導体及び２次導体を、直列及び並列に組み合わせで接続することも可能であり、それによって、あらゆる巻数比のセル型トランスを形成することができる。図２７は、本発明の実施の形態に係るトランスを模式的に示す図であり、１つの６セル型トランス４５６が、強磁性スラブ４６０（各ビアホール４５８の周りに図示されている部分）に形成された６個のビアホール４５８によって構成されている。セル型トランス４５６は、電流パスを構成する１次巻線４６２を備えている。この１次巻線４６２の２つの端部４６６、４６８間に示されている電圧Ｖｉｎによって、第１の端部４６６から、直列に各ビアホール４５８を通り抜けて電流Ｉｉｎが流れる。さらに、セル型トランス４５６は、直列に各ビアホール４５８を通り抜ける電流パスを構成する２次巻線４６４を備えている。１次巻線４６２及び２次巻線４６４は、強磁性スラブ４６０のトップ面４７０及びボトム面４７２の導体と、それらの面間のビアホール４５８を通る導体（図示省略）とで構成されている。
【００５０】
１次巻線４６２は直列であるので、電流Ｉｉｎは、各ビアホール４５８を通って流れ、電流Ｉｉｎによって、各ビアホール４５８を通る２次巻線４６４の部分に、前述のように、Ｉｉｎと等しい電流が誘起する。２次巻線４６４も直列であるので、各ビアホール４５８を通る２次巻線の最大電流Ｉｏｕｔは、Ｉｉｎに等しい。したがって、ＶｏｕｔとＶｉｎとは等しい。なお、図２７に示した６セル型トランスの巻数比は、１対１となっている。
【００５１】
図２８は、本発明の別の実施の形態に係るトランスを模式的に示す図である。この場合には、図２７に示した６セル型トランス４５６の２次巻線４６４が、異なった巻き方になっている。すなわち、２つのビアホールのグループ４８８、４９０を並列に流れる電流パスが形成されている。なお、各グループ４８８、４９０を流れる電流は、３つのビアホール４５８を直列に通り抜ける。また、各ビアホール４５８を通る２次巻線４６４の部分で、Ｉｉｎに等しい電流が誘起し、Ｉｉｎに等しい２つの電流Ｉ１及びＩ２が発生する。したがって、オームの法則及びエネルギ保存の法則に従って、ＩｏｕｔはＩｉｎの２倍となり、ＶｏｕｔはＶｉｎの２分の１となる。このセル型トランスの巻数比は２対１（１次対２次）であり、各ビアホール４５８を通る２次巻線４６４に流れる最大電流は、Ｉｏｕｔの２分の１に等しい。
【００５２】
図２９は、本発明のさらに別の実施の形態に係るトランスを模式的に示す図である。この場合には、図２７に示した６セル型トランスの２次巻線が、別の巻き方となっており、３つのビアホールのグループ４９２、４９４、４９６を並列に流れる電流パスが設けられている。なお、各グループ４９２、４９４、４９６を流れる電流は、２つのビアホール４５８を直列に流れる。各ビアホール４５８を通る２次巻線４６４の部分で、Ｉｉｎに等しい電流が誘起し、それぞれＩｉｎに等しい電流Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３が発生する。したがって、Ｉｏｕｔは、Ｉｉｎの３倍となり、Ｖｏｕｔは、Ｖｉｎの３分の１となる。このセル型トランスの巻数比は３対１（１次対２次）であり、２次巻線４６４の各ビアホール４５８を流れる最大電流は、Ｉｏｕｔの３分の１となる。
【００５３】
図３０は、本発明のさらに別の実施の形態に係るトランスを模式的に示す図である。図２７に示した６セル型トランス４５６の２次巻線４６４は、２つのビアホールのグループ４９８、５００を直列に流れる電流パスを備えている。なお、各ビアホールのグループ４９８、５００を流れる電流パスは、３つのビアホール４５８を並列に流れる。この構成によって、上記の図２９で用いられた２次巻線の構成と同じ結果が得られる。このことは、多くの異なった巻線の構成によって、同様な結果が得られることを示している。
【００５４】
図３１は、本発明のさらに別の実施の形態に係るトランスを模式的に示す図である。この場合には、図２７に示した６セル型トランス４５６の２次巻線４６４が、別の巻き方に変更されている。すなわち、すべての６個のビアホール４５８を並列に流れる電流パスが設けられている。上記のように、オームの法則及びエネルギ保存の法則に従って、同様な原理を用いることにより、ＩｏｕｔはＩｉｎの６倍となり、ＶｏｕｔはＶｉｎの６分の１となる。このセル型トランスの巻数比は６対１（１次対２次）であり、２次巻線４６４の各ビアホール４５８を流れる最大電流は、Ｉｏｕｔの６分の１である。
【００５５】
図３２Ａ〜３２Ｉは、図２７に示した６セル型トランス４５６の１次巻線４６２及び２次巻線４６４を記号によって示す図であり、様々な巻数比を有する本発明のさらに別の実施の形態に係るトランスを示している。１次巻線４６２及び２次巻線４６４の両方に表示されている黒色の矢印５１２は、ビアホールを通るそれぞれの巻線に流れる電流の方向を表している。矢印５１２間の直列接続５１４及び並列接続５１６は、例を示すためだけではあるが、所定の巻数比を得るために、図２７に示した６個のビアホール４５８を通り、１次巻線４６２及び２次巻線４６４を流れる電流パスの様々な組み合わせを表している。
【００５６】
前述の本発明の実施の形態に係る６セル型トランス４５６は、図２７〜図３２Ｉに示したものに限定されない。次の表１に示すように、図２７に示した６セル型トランス４５６に関する可能な接続には、すべての組み合わせがバランスしているとはかぎらないが、３６通りの組み合わせがある。本明細書で用いる「バランス」したセル型トランスとは、それぞれのビアホールを流れる電流が同じ大きさであることを意味する。表１に、全部で１６の可能な「バランス」した構成（＊印が付されている）を示す。なお、それらのうち１０の構成は、ユニークな組み合わせである（アンダーラインが付されている）。
【００５７】
【表１】
2005539383.tif 000005
本発明は、図２７−３２Ｉを参照して、上記の説明によって開示した６セル型トランスに限定されない。目標の巻数比を備えたセル型トランスを形成するために、どのような数のビアホールを使用してもよい。ビアホールの数が増加するのに伴って、巻線数の組み合わせの数が著しく増加し、幅広い巻数比、インダクタンス及び構成によって、設計上の要求を容易に解決することができるようになる。例えば、強磁性スラブに形成される２０個のセルコアのアレーによって、４００の異なった構成が得られ、そのうちの３６がバランスし、２１が全体的にユニークである。
【００５８】
セルコア型電源トランス
電源及びその他の２次電流が大きい用途の場合、図２６に示した画一的な電流パターンを選択することによって、１次巻線の接続及び高電流の２次巻線の接続の両方が簡素化されるという長所がある。この場合には、セルコアの大部分又はすべてが並列に接続されている。図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃは、実施の形態に係る、プリント基板の接着剤５２８（図３３Ｃ参照）に埋め込まれた強磁性スラブ５３４を含むセルコア型電源トランス５３０を示す図である。例として示すだけであるが、図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃに示したセルコア型電源トランス５３０は、巻数比５対１であり、２次出力電流が５０アンペアになるように構成されている。１つのビアホールに１アンペアを超える電流を流すことができる導体をめっきするためには、コストと多くの時間を必要とするので、通常、各ビアホールに流れる電流を１アンペア以下に制限する必要がある。
【００５９】
以下に説明するように、図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃに示した５０個のビアホール５３６は、並列に接続されているので、各ビアホール５３６内の２次導体を流れる最大１アンペアの電流により、５０アンペアの２次電流を出力することができる。図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃを参照すると、５０個のビアホール５３６は、トッププリント基板５５０のコンポジット層、強磁性スラブ５３４及びボトムプリント基板５５２のコンポジット層を貫通しており、５行のビアホール５３６でアレーが形成されている。これらの行は、図３３Ａに示したように、説明用に符号Ｒ１〜Ｒ５で表示した。５０個のビアホール５３６のそれぞれには、１次導体（図示省略）と相互に絶縁された２次導体（図示省略）とが設けられている。また、４個のめっきされたビアホール５３８が、強磁性スラブ５３４外のプリント基板領域５３２にプリント基板を貫通して形成されている。明確に表すために、図３３Ｃの断面図には、強磁性スラブ５３４を貫通するビアホール５３６及びプリント基板領域５３２を貫通する２つのビアホール５３８を示した。トッププリント基板５５０は、絶縁層５４８によって絶縁された第１トップ導電層５４０及び第２トップ導電層５４４を備えている。また、ボトムプリント基板５５２は、絶縁層５４８によって絶縁された第１ボトム導電層５４２及び第２ボトム導電層５４６を備えている。
【００６０】
図３３Ａには、セルコア型トランス５３０の平面図を示した。このトランス５３０には、第２トップ導電層５４４及び絶縁層５４８の一部を除去することにより、第１トップ導電層５４０を露出させた部分が設けられている。第１トップ導電層５４０の一部によって、強磁性スラブ５３４の一面側の行Ｒ１に含まれるビアホール５３６それぞれの１次導体間に電気的接続が形成されている。また、第１ボトム導電層５４２の一部によって、強磁性スラブ５３４の他面側の行Ｒ１に含まれるビアホール５３６それぞれの１次導体間の電気的接続が形成されている。上記の接続によって、行Ｒ１に含まれる１０個すべての１次導体が、第１トップ導電層５４０の一部及び第１ボトム導電層５４２の一部間で並列に接続されている。同様に、それぞれのビアホール５３６の１次導体は、それぞれの行Ｒ２〜Ｒ５毎に、並列に接続されている。さらに、プリント基板領域５３２に位置するビアホール５３８は、第１トップ導電層５４０及び第１ボトム導電層５４２の部分に電気的に接続され、それによって、行Ｒ１〜Ｒ５間が直列に接続されている。なお、図３３Ａに示したように、アレー内の各ビアホール５３６を流れる１次電流は、方向が同じである。
【００６１】
図３３Ｂには、セルコア型電源トランス５３０の平面図を示した。第２トップ導電層５４４によって、強磁性スラブ５３４の一面側で、それぞれのビアホール５３６内の２次導体間が電気的に接続されている。また、第２ボトム導電層５４６によって、強磁性スラブ５３４の他面側で、それぞれのビアホール５３６内の２次導体間が電気的に接続されている。したがって、５０個すべてのビアホール５３６内の２次導体が、第２トップ導電層５４４と第２ボトム導電層５４６間で並列に接続されている。
【００６２】
図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃに示したセルコア型電源トランスの動作は次のとおりである。ノード５５４（図３３Ａ参照）に１０アンペアの１次電流が印加されると、行Ｒ１の各ビアホール５３６を並列に流れる。したがって、それぞれのビアホール５３６には、１アンペアだけの１次電流が流れ、その１次電流は、行Ｒ１における第１トップ導電層５４０の一部から、第１ボトム導電層５４２の一部へ流れる。次に、１０アンペアの１次電流が、行Ｒ１における第１ボトム導電層５４２の部分から、行Ｒ２上の第１トップ導電層５４０へ、プリント基板領域５３２に位置するビアホール５３８を介して流れる。このようにして、１０アンペアの１次電流が、行Ｒ１のノード（１次電流入力）５５４から、行Ｒ５のノード（１次電流出力）５５６へ流れ、プリント基板領域５３２における４個のビアホール５３８を介して、連続するそれぞれの行を直列に流れ、また、それぞれの行では各ビアホール５３６を通って並列に流れる。したがって、５０個すべてのビアホール５３６には、強磁性スラブ５３４を通って１アンペアの１次電流が流れることになる。１０アンペアの電流を流すために、プリント基板領域５３２に位置する４個のビアホール５３８は、一例として示すだけであるが、拡大スロット、多数のビアホール、ソリッドの高電流ピン、単一の厚いワイヤ又は多数のワイヤによって構成してもよい。
【００６３】
それぞれのビアホール５３６を流れる１アンペアの１次電流によって、それぞれのビアホール５３６を通る２次導体に、１アンペアの２次電流が誘起される。それぞれのビアホール５３６の２次導体は、第２トップ導電層５４４と第２ボトム導電層５４６との間で並列に接続されているので、５０アンペアの２次電流が、第２トップ導電層５４４におけるノード（２次電流入力）５５８から、第２ボトム導電層５４６におけるノード（２次電流出力）５６０に流れる。したがって、セルコア型電源トランス５３０では、５０アンペアの２次電流が得られる。なお、この場合の巻数比は、５対１（１次対２次）となっている。
【００６４】
図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃに示した実施の形態に係るセルコア型電源トランス５３０は、非常に単純な配列であり、１次巻線、２次巻線の両方の電気抵抗が最小になっている。この場合、第２トップ導電層５４４及び第２ボトム導電層５４６の両方とも、銅などの板状の導電材料で構成することができるという利点があるので、高電流の２次巻線の抵抗は極めて低い。また、それぞれのビアホール５３６内の１次導体及び２次導体は、それぞれのビアホールのパス長さが実質的に同じであるので、それぞれのビアホール５３６に流れる電流が等しい。なお、１次巻線の入力端子と出力端子（ノード５５４及び５５６で表されている）及び２次巻線の入力端子と出力端子（ノード５５８及び５６０で表されている）は、適宜配置することができる。
【００６５】
バーチャルコア及びセルコアの組み合わせ
図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃに示した実施の形態に係るセルコア型電源トランスの場合には、図２６に示した電流の方向が採用されており、出力電流及び巻数比に関しては、多くの異なった仕様を満足するように、容易に変更することができる。また、図２６に示したように電流パターンが画一的であるので、バーチャルコア型と組み合わせることにより、２つ以上の２次巻線を備えたトランスを構成することができるという利点がある。１つのビアホールを２つ以上の２次導体が通るビアホールを備えたセルコアは、製造するのが非常に難しく、コストも高い。しかし、追加２次導体を備えたビアホールの場合、セルコアを近接して配置することにより、セルコアを囲む強磁性材料内の環状の磁束流を検出することができる。例えば、図３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃを参照してすでに説明したように、強磁性スラブ５３４内の各ビアホール５３６には、１つの１次電流用導体及び１つの２次電流用導体を設けることが可能であり、１次導体によって２次導体に２次電流が発生する。１つ以上の追加２次巻線は、強磁性スラブ５３４の領域に、めっきされたビアホールを形成することによって、１次導体に結合(couple)させることができる。なお、この場合、磁束は、セルコアのすぐ周りの領域を超えた部分、例えばアレーの周縁部などを流れると考えられる。
【００６６】
本実施の形態の特長
ワンピースコア：
図１に示したように、Ｅ形のコア構造の場合には、Ｅ形コアとそのキャップとの間にギャップが生じる。ほとんどのトランスでＥ形コアが使用されており、Ｅ形コアは、例えばエポキシ樹脂、クランプを用いることによって他へ結合される、片方のコアを必要としている。このトランスの製造方法は、多くの時間を必要とし、ロスが生じやすく、さらに、Ｅ形コアとキャップとの間にギャップが生じるために、デバイスのパラメータにばらつきが生じやすい。それに対して、本明細書に開示したコアの場合には、連続したピースで構成されており、それによって、トランス効率(transformer efficiency)を向上させることができる。また、ワンピースの設計であるので、２つの部品を別々の処理ステップで製造し、１のものに組み立てる必要がない。
【００６７】
磁気飽和を避けるために、図１７〜２１に示した実施の形態において意図的なギャップが必要な場合には、図１８に示した同心リングのそれぞれに、エッチングにより分離部を形成するのがよい。エッチングにより形成されたそのようなギャップを有するリングとすることにより、従来のＥ形コアにおける機械的な分離に起因して発生する、大きな特性のばらつきを防止することができる。
【００６８】
渦電流の低減：
図１７〜２１に示した形態に構成されたインダクタ及びトランスの場合には、金属を２方向に分けて積層することによって、渦電流の発生を大幅に抑制することができるという優れた性能が得られる。その理由は、上記の実施の形態に係るインダクタ及びトランスは、（ａ）リング３２０をエッチングにより形成する金属シートは、プリント基板又はフレキシブル基板を製造する材料を用いることによって、大幅に薄くすることができること、（ｂ）絶縁された個々のリング３２０の幅が、非常に狭いことという理由により、従来の積層型のコアに比べて、より薄いコアを備えているからである。渦電流はセグメントの断面積の２乗に比例するので、実施の形態に係るインダクタ及びトランスの場合には、従来の方法で製造されるインダクタ又はトランスに比べて、渦電流の発生が格段に抑制される。例えば、図１に示した従来のＥ形コアに関しては、薄板が離れてしまうか、単に機械的な健全性(mechanical integrity)がないという理由により、コアの金属積層を２方向に分けることができない。
【００６９】
表面実装：
本発明に係る実施の形態に従って形成される巻線は、別のリードフレーム構造、複雑なピン止め又は仕上げめっきを必要とすることなく、表面実装用リードを形成することができる。また、本発明に従って構成された誘導デバイスは、プリント基板、フレキシブル基板などの別の表面への表面実装技術用に容易に修正することができる。
【００７０】
相互接続：
エッチングにより形成されるトランス及びインダクタは、プリント基板、フレキシブル基板などの製造に用いられるのと同じプロセスを利用して製造することができる。したがって、トランスは、電源又は回路アセンブリ（組立品）の一体化された部品とすることが好ましく、それによって、物理的なサイズが小さく、接続箇所が少なくなり、一般に、アセンブリをよりコンパクトで、より小型化することができる。また、回路のバランスをとるためのキャリアとしてトランス領域を用いることにより、エッチングにより形成されたトランスの上又は下に、直接回路要素を取り付けることができるので、全体の回路領域を、トランス領域と同程度に小さくすることができる。例えば、電源への利用では、強磁性プレートの上面に、ダイオード、ＦＥＴ半導体などのスイッチングデバイスを直接実装することができる。それによって、電源回路の長さが短くなり、サイズが小さくなる。
【００７１】
磁気的健全性(Magnetically Sound)：
本発明に係る実施の形態に従って構成されたコアは、従来のトランスに比べて、よりロスが少なく、より効率的な磁束パスを備えている。これらの特性は、設計上及び機能上、トロイダルコアに、より酷似している。また、磁束パスは、Ｅ形コア、ＰＱコアなどのコアを用いる従来の比較のトランスに比べてさらに短い。
【００７２】
図２２〜３３Ｃに示したように、実施の形態に係るセルコアは、従来の誘導デバイス以上の改善された性能を有している。同じビアホールに１次巻線と２次巻線とを通す配置とすることによって、巻線が同じ磁束を共有するようになるので、１次巻線と２次巻線間の漏れインダクタンスを著しく減少させることができる。また、同じビアホールに１次巻線と２次巻線とを通す配置とすることによって、１次巻線と２次巻線の反作用効果及び１次ワイヤと２次ワイヤ間の分離により、近接効果が著しく減少する。プリント基板又はフレキシブル基板の製造に用いられる通常のプロセスによって、導体の位置決めを行うことができるので、好ましい導体パターンを実現することができ、そのパターンによって、個々の導体を流れる電流を少なくし、導体の抵抗を低くすることができる。
【００７３】
サイズ：
実施の形態に係るインダクタ及びトランスなどのデバイスは、複雑なピン又はリードフレームを必要としないので、従来の誘導デバイスより小型化することができる。トップ面及びボトム面の表面パッドは、それら自体で接続端子を形成し、プリント基板などに直接表面実装される。そのために、デバイスの実装面積(footprint)が狭くなり、その他のコンポーネント用に、より広いスペースを確保することができる。巻線は２つの面に配置されるので、代表的な応用である１０層のプレーナ型トランスの巻線は、全体の高さを５層分に低くすることができる。また、「コア」は、立体的なＥ形コア構造ではなく１つの面に位置するので、さらに大きな倍率で全体の高さを低くすることができる。強磁性スラブは、厚さが薄く表面が平坦であるので、非常に平坦なトランス又はインダクタを構成することができる。薄い強磁性スラブ内に、小さなビアホールを近接して形成することによって、非常に小型の誘導デバイスを構成することができる。１つのビアホールとそのすぐ周りの強磁性領域を含む基本的な強磁性コアを実現するためには、図２２〜３３Ｃに示したコアセルの配列を用いることが好ましい。
【００７４】
コスト：
実施の形態に係るトランス及びインダクタは、フレキシブル回路(flex circuit)によって作製することができるので、多層プレーナ巻線に比べて、製造コストが大幅に安い。トランス又はインダクタに必要な導体は、プリント基板又はフレキシブル基板の製造に、通常使用される自動処理技術によって形成することができる。また、リードフレーム、ポッティング、キャップ及びキャップの接着(gluing)が不要であるので、デバイスの製造がより容易である。
【００７５】
熱放散：
本発明に係る実施の形態に従って構成されたトランス及びインダクタには、熱を発生する巻線がアセンブリ内に埋め込まれていないこと、従来のトランスのように、重ね合わせて巻かれていないこと、又はプレーナ型トランスのように積層されていないことという特徴がある。その代わりに、基本的には、めっきされた巻線が、トランス又はインダクタの上面及び下面に配置されている。このレイアウトの場合には、巻線内に熱がトラップされることがなく、優れた熱放散性を得ることができる。プリント基板は、例えば、厚さ０．００５インチ（０．１３ｍｍ）の薄いはんだマスクだけによる間隔をあけてヒートシンクに取り付けられ、また、巻線の半分がヒートシンクに熱的に接触するように配置することが好ましい。それによって、放熱率に優れた表面領域が得られる。図１５には、銅、アルミニウムなどのヒートシンク２３２に直接実装された、優れた熱放散性を得るための広い表面領域２３０を有するデバイスの１例を示した。
【００７６】
広範な用途：
本発明に係る実施の形態によって、様々な可能な巻数比が実現されることを示した。さらに、ビアホールを整合させて強磁性スラブを積層することによって、多数の同じ巻線を有する多次元のデバイスを実現することができる。
【００７７】
本明細書では、特定の実施の形態に関連付けて本発明を開示したが、これらの実施の形態は、例を示す目的のためだけに開示したにすぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲の各請求項に記載された事項だけに従って限定されなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】従来の技術に係る強磁性体のＥ形コアを示す概念的な図であり、適合する強磁性体のキャップを備えている。
【図２Ａ】従来のトロイダル型トランスを示す平面図である。
【図２Ｂ】従来のトランスを示す側面図である。
【図３】貫通して延びる２５個のビアホールを備えた強磁性スラブを示す平面図である。
【図４Ａ】「バーチャル」トロイダルトランスを示す平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示したバーチャルトランスの側面図である。
【図５】バーチャルトランスの別の実施の形態を示す平面図である。
【図６】「バーチャル」トロイダルトランスを示す平面図である。
【図７】大きなパネル状のフレキシブル基板上に積層された７０個のコアのアレーを示す平面図である。ただし、個々のコアを示すために、トップフレキシブル基板が取り除かれている。
【図８】個々のコアスラブに積層されたトップフレキシブル基板及びボトムフレキシブル基板を示す部分拡大側面図である。
【図９】個々のスラブ内のビアホールを示す断面図である。
【図１０】２５個のコアを収容するための２５ホールのアレーを備えたプリント基板プリプレグの例を示す斜視図である。
【図１１】個々のコアを示す部分拡大側面図であり、コアに積層されたトッププリント基板及びボトムプリント基板を示している。
【図１２】個々の強磁性スラブ内のビアホールを示す部分拡大断面図である。
【図１３】スクリーン印刷により導電性ペーストが充填されたビアホールを示す部分拡大断面図である。
【図１４】別の実施の形態に係るバーチャルコアを示す平面図である。
【図１５】本発明に関する熱放散特性を説明するための断面図であり、体積に対する表面積の割合を大きくすることによって熱放散特性が改善される例である。
【図１６】渦電流が発生する態様を説明するメタルトロイダルコアを示す斜視図である。
【図１７】強磁性金属にエッチングを施すことによって形成された、複数の同心リングのコアラミネーションを示す平面図である。
【図１８】図１７に示したコアラミネーションの１つを拡大して示す平面図である。
【図１９Ａ】積層された複数のコアラミネーションを示す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに示したコアの積層体の１つを示す部分拡大断面図である。
【図２０Ａ】図１９Ａに示した積層体に、トッププリント基板及びボトムプリント基板が追加された状態を示す断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに示したコア積層体の１つを示す部分拡大断面図である。
【図２１Ａ】図２０Ａに示した積層構造を貫通して形成された、めっき後のビアホールを示す断面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ａに示したコア積層体の１つを示す部分拡大断面図である。
【図２２】強磁性スラブに形成された６０個の「セルコア」のアレーと、電流が交互に流れるパターンに対する磁束の方向を示す平面図である。
【図２３】アンペアの法則に従って、直線状の導体を流れる電流によって生成する磁束密度を示す図である。
【図２４】導体のパスが、磁束密度が時間変化する領域を囲む時に、ファラデーの法則に従って、導体内に発生する電界強度を示す図である。
【図２５】４０個のセルコアが形成されたアレーを示す平面図であり、図示された電流のパターンに対して発生する磁束の方向を示している。
【図２６】４０個のセルコアが形成されたアレーを示す平面図であり、画一的な電流のパターンに対して発生する磁束の方向を示している。
【図２７】巻数比１対１のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線を模式的に示す図である。
【図２８】巻数比２対１のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線を模式的に示す図である。
【図２９】巻数比３対１のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線を模式的に示す図である。
【図３０】巻数比３対１のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線を模式的に示す図であり、２次巻線の巻き方が、図２９に示した巻き方に対して変更されている。
【図３１】巻数比６対１のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線を模式的に示す図である。
【図３２Ａ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｂ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｃ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｄ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｅ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｆ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｇ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｈ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３２Ｉ】さらに別の態様のトランスを形成するための、６個のセルコアを通り抜ける１次巻線及び２次巻線に関する直列及び並列の接続を記号によって示す図である。
【図３３Ａ】セルコア型電源トランスの第１トップ導体層を示す平面図であり、５０個のビアホールが形成されたアレーにおける、各ビアホールを通る１次導体間の電気的な接続を示している。
【図３３Ｂ】図３３Ａに示したセルコア型電源トランスの第２トップ導体層を示す平面図であり、５０個のビアホールを含むアレーにおいて、各ビアホールを通る２次導体間の電気的な並列接続を示している。
【図３３Ｃ】図３３Ａに示したセルコア型電源トランスの横断面図である。
【図１】
2005539383.tif 000006
【図２Ａ】
2005539383.tif 000007
【図２Ｂ】
2005539383.tif 000008
【図３】
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【図４Ａ】
2005539383.tif 000010
【図４Ｂ】
2005539383.tif 000011
【図５】
2005539383.tif 000012
【図６】
2005539383.tif 000013
【図７】
2005539383.tif 000014
【図８】
2005539383.tif 000015
【図９】
2005539383.tif 000016
【図１０】
2005539383.tif 000017
【図１１】
2005539383.tif 000018
【図１２】
2005539383.tif 000019
【図１３】
2005539383.tif 000020
【図１４】
2005539383.tif 000021
【図１５】
2005539383.tif 000022
【図１６】
2005539383.tif 000023
【図１７】
2005539383.tif 000024
【図１８】
2005539383.tif 000025
【図１９Ａ】
2005539383.tif 000026
【図１９Ｂ】
2005539383.tif 000027
【図２０Ａ】
2005539383.tif 000028
【図２０Ｂ】
2005539383.tif 000029
【図２１Ａ】
2005539383.tif 000030
【図２１Ｂ】
2005539383.tif 000031
【図２２】
2005539383.tif 000032
【図２３】
2005539383.tif 000033
【図２４】
2005539383.tif 000034
【図２５】
2005539383.tif 000035
【図２６】
2005539383.tif 000036
【図２７】
2005539383.tif 000037
【図２８】
2005539383.tif 000038
【図２９】
2005539383.tif 000039
【図３０】
2005539383.tif 000040
【図３１】
2005539383.tif 000041
【図３２Ａ】
2005539383.tif 000042
【図３２Ｂ】
2005539383.tif 000043
【図３２Ｃ】
2005539383.tif 000044
【図３２Ｄ】
2005539383.tif 000045
【図３２Ｅ】
2005539383.tif 000046
【図３２Ｆ】
2005539383.tif 000047
【図３２Ｇ】
2005539383.tif 000048
【図３２Ｈ】
2005539383.tif 000049
【図３２Ｉ】
2005539383.tif 000050
【図３３Ａ】
2005539383.tif 000051
【図３３Ｂ】
2005539383.tif 000052
【図３３Ｃ】
2005539383.tif 000053
【国際調査報告】
2005539383.tif 000054
2005539383.tif 000055