(57)【要約】  ＩＣまたは別個の半導体領域が、キャリア上、例えば、バス構造内または縦列と横列との交差部に設けられている。別個の半導体領域は、ピクセル群（３５）を駆動させ且つ分配された情報をデコード（ＭＰＥＧ、ＪＰＥＧ等）した後に、そのデコードされた情報に応じてピクセルを駆動するためのエレクトロニクス（メモリ内のピクセルのアドレス、識別）を有している。各ピクセル群（３５）は、ディスプレイ内での各ピクセル群の場所を認識するためのコマンドレジスタを備えている。コマンドレジスタは、所定のアドレスを用いてプログラムされるとともに、対応するアドレス情報がバスライン上で与えられる時に、この情報を認識する。コントローラは、連続する情報のフレームに応じて、データが供給されるか否かを判断してもよい。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクセル群が設けられた基板と、前記各ピクセル群に関連付けられ且つ前記ピクセル群の領域に設けられた少なくとも１つの半導体デバイスとを備え、前記半導体デバイスには、表示されるデータに応じてピクセルを駆動するための駆動手段と、データ処理手段とをそなえたディスプレイ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
前記半導体デバイスには、前記ピクセル群の場所を認識するための手段が設けられたディスプレイ装置。
【請求項３】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
前記データ処理手段がデコーディング機能を有するディスプレイ装置。
【請求項４】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
前記半導体デバイスのアドレス指定速度が可変であるディスプレイ装置。
【請求項５】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
ディスプレイの異なる部分における前記駆動手段は、対応する半導体デバイスのアドレス指定速度を変えるための別個の制御手段を有するディスプレイ装置。
【請求項６】
請求項１に記載のディスプイ装置において、
更なる駆動手段は、１つのフレームメモリと、次のフレームの内容同士の変化を検知するための手段とを更に備えたディスプレイ装置。
【請求項７】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
前記駆動手段は、１つのフレームメモリと、次のフレームの内容同士の変化を検知するための手段とを更にそなえたディスプレイ装置。
【請求項８】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
表示されるエンコードされたデータは、次のフレームまたは次のサブフレームの内容同士の特定の変化量を検知した後、少なくとも１つの半導体デバイス群に伝送されるディスプレイ装置。
【請求項９】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
表示されるエンコードされたデータは、全フレームレートで、少なくとも１つの半導体デバイス群に伝送されるディスプレイ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のディスプレイ装置において、
少なくとも１つの前記半導体デバイス群は、表示されるデータの最も重要な部分を受けるディスプレイ装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のディスプレイ装置において、
少なくとも１つの前記半導体デバイス群は、表示されるデータの精緻化データを受けるディスプレイ装置。
【請求項１２】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
表示のための更なる駆動手段がエンコーディング機能を含んでいるディスプレイ装置。
【請求項１３】
請求項２に記載のディスプイ装置において、
場所を認識するための前記手段が読取専用構造を有しているディスプレイ装置。
【請求項１４】
請求項２に記載のディスプレイ装置において、
場所を認識するための前記手段がプログラム可能なメモリをそなえたディスプレイ装置。
【請求項１５】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、
前記駆動手段がバス構造を有するディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピクセル群が設けられた基板と、各ピクセル群に関連付けられ且つ前記ピクセル群の領域に設けられた少なくとも１つの半導体デバイスとを備えるディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
そのようなアクティブマトリクスディスプレイ装置の例は、ラップトップコンピュータおよびオーガナイザで使用されるＴＦＴ−ＬＣＤまたはＡＭ−ＬＣＤであるが、ＧＳＭ電話において益々広い用途を見出している。ＬＣＤの代わりに、例えば（高分子）ＬＥＤディスプレイ装置が使用されてもよい。
【０００３】
これらのタイプのディスプレイ装置の一般的な問題は、ピクセル領域に付加的にエレクトロニクスを設けると、開口度を犠牲にしてしまうという点である。エレクトロニクスは、多結晶シリコンの基板上で実現されてもよい。しかしながら、製造公差および配線は、一般に、ピクセル領域のエレクトロニクスを簡単な機能に制限してしまう。そのため、ポリシリコン中のエレクトロニクスは、周辺回路に限定されたままである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、本発明は、表示されるデータに応じてピクセルを駆動するための駆動手段とデータ処理手段とがピクセル群の領域の半導体デバイスに設けられているディスプレイ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
半導体デバイスには、ピクセル群の場所を認識するための手段が設けられていることが好ましい。
【０００６】
例えば、ここでは、アドレス情報および画像情報を連続的に通過させる８ビットバス構成が考えられる。この場合、エンコードされたデータをバス構造を介して送信することにより、ディスプレイ装置を駆動するために低周波を使用して、損失を減らしてもよい。これは、半導体デバイス（ＩＣ）がピクセル領域に駆動エレクトロニクスを備えているからこそ達成し得るものである。これにより、各ピクセル群内に例えばデコーディング機能を与えることができる。
【０００７】
その表面上に電気接続接点を有する複数の半導体デバイスを半導体基板に設けることにより、所定の位置（ピクセル群内）にＩＣを設けることができる。半導体デバイスは、オリジナルの半導体基板の表面領域内で互いに離間されており、また、電気接続接点は、ディスプレイの導体パターンに対して導電状態で接続される。その後、半導体デバイスが半導体基板から分離される。
【０００８】
設けられるＩＣの場所が予め分かっているため、例えばアドレスレジスタ或いは１または複数のデータレジスタをＩＣに予め（ＩＣ処理（ＲＯＭ構造）中またはｅ−ＰＲＯＭ技術を介して）設けることができる。アドレスは、バス上を送信されるデータ中に与えられて、特定のＩＣ（および対応するピクセル（群））によって認識され、また、エンコードされた形式の画像情報が記憶される。その後、画像情報がデコードされ、必要に応じて、考えられる更なるコマンドに従い、対応する電圧がピクセルに供給される。そのため、デバイスは、いわば、ある種の「分散デコーディング」を行なう。
【０００９】
とくに、限定するものではないが、単結晶シリコンを使用する場合には、（前述したように）従来のマトリクス構造で使用されるアーキテクチャとは異なるタイプのディスプレイ装置のアーキテクチャ、例えばバス構造を可能にする完全な機能を実現することができる。ＩＣが予め製造されるため、従来のポリシリコン技術よりも広い範囲にわたって電子機能を実現できるが、本発明は、ポリシリコン技術におけるエンコーディング機能の実現を排除しない。したがって、この特許（出願）において、用語「半導体デバイス」は、別個のポリシリコン領域も含んでいる。
【００１０】
とくに半導体デバイスとしてＩＣを使用すると、ＩＣは、それを半導体基板に固定する最中、半導体基板の場合と全く同じ方法で互いに対して配置されるため、これらのＩＣが非常に正確なピッチで設けられる。これは、ピクセルのマトリクス構造のように、１方向で一定のピッチである。また、ピッチが変化してもよい。
【００１１】
また、半導体デバイス（ＩＣ）は、その厚さが一般に０．２μｍである半導体層中で実現される。その結果、完成したディスプレイ装置におけるこれらの半導体デバイスは、極く僅かな厚さ（１μｍ未満）を有する。例えばＳＴＮ効果等の厚さに影響される効果に基づくディスプレイ装置において、これは、液体層の有効厚に対して小さいため、ＩＣの場所にスペーサが存在する場合であっても、前記効果が生じない。
【００１２】
論文「エレクトロニクスが完全に一体化されたフレキシブルディスプレイ」SID Int. DIsplay Conf.、２０００年９月、４１５頁〜４１８頁は、液状懸濁液中に具体的に形成された半導体デバイスが、基板を通過して、対応して基板に形成された「開口」または窪みに達するプロセスについて説明している。半導体デバイス（通常、標準的な技術によって製造されるＩＣ）は、基板の窪みにわたって任意に分配される。ＩＣが設けられた後、ピクセルとの接続が成される。
【００１３】
ここでは、そのようなＩＣの正確な位置が予め分かっていないため、バス構造を使用する場合には、特定の方法で、例えば（光センサ）プログラム可能メモリにより、ＩＣを固定して、このアドレス情報が例えばレーザビームを用いてプログラムされ得るようにしなければならない。
【００１４】
「分散デコーディング」は様々な用途を有している。実際に、コード化された情報は半導体デバイスのローカルメモリ内に書き込まれるため、デジタル放送（オーディオ、ビデオ、データ転送）から知られるようなソースコーディングおよびチャンネルコーディングの全ての利点が、これらの半導体デバイスの範囲まで広がる。一方、これにより、従来のディスプレイで使用される駆動エレクトロニクスを単純化でき、或いは、前記駆動エレクトロニクスに部分的に取って代わることができる。
【００１５】
一実施形態においては、例えば、１つのフレームメモリと、次のフレームの内容同士の変化を検知するための手段とを駆動手段が備えている場合、半導体デバイスのアドレス指定速度を変えることができる。一方、前記検知は、ディスプレイのための更なる駆動手段、例えばマイクロプロセッサまたはアドレスおよびデータを前記バス回路に供給する他の駆動回路で行なわれてもよい。更なる実施形態において、表示されるエンコードされたデータは、次のフレームまたは次のサブフレームの内容同士の特定の変化量を検知した後、全フレームレートで、少なくとも１つの半導体デバイス群に伝送される。
【００１６】
本発明のこれらの態様および他の態様は、後述する実施形態から明らかであり、後述する実施形態に関して説明される。
【００１７】
図面は、概略的であり、一定の比率で描かれていない。対応する要素は、一般に、同じ参照符号で示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、バス構造を有するディスプレイ装置３０の等価物を概略的に示している。ＩＣ（半導体デバイス）２０は、接続ライン３１，３２を介して、電源電圧に接続されており（この実施例では、ライン３１がアースに接続されている）、一方、ライン３３，３４は、例えばクロック信号等の情報を（シリアルに）供給する。情報は、プロセッサ４３を通った後、例えば、最初のビットがアドレス情報を含み且つ最後のビットが画像内容に関する情報を含むように構造化される。２つのライン３３，３４だけが示されているが、この実施例において、これらのラインは、アドレス情報および画像情報が連続的に通過する８ビットバスを形成する。また、情報は、電源ライン３１，３２上で重ね合わされてもよく、或いは、１つのライン（シリアルバス）を介して供給されてもよい。後述するように、ＩＣの場所が分かっているか或いは予め分かっていないため、１つのアドレスレジスタ或いは１または複数のアドレスレジスタにより、ＩＣに対して所定のアドレスが与えられてもよい。所定のＩＣ（および、対応するピクセル（群）３５）においては、アドレスがＩＣによって認識されて、画像情報が記憶され、その後、ライン３３，３４を介して与えられるコマンドに応じて、画像情報がピクセル３５に対して加えられる。
【００１９】
バス構造は、抵抗が（したがって、損失も）減少するように、メッシュ構造（図１においては、破線３１’，３２’，３３’，３４’によって示されている）として形成されてもよい。
【００２０】
また、ＩＣには、他の機能が組み込まれていてもよい。例えば、ディスプレイ装置の一部は、ＩＣ内に組み込まれたコマンドレジスタにより、情報の変化においてブロックされてもよく、或いは、ディスプレイ装置の一部のためＩＣ内に情報を記憶するために使用されてもよく、その情報は、コマンドで表示されるのみである（いわゆる「プライベートモード」）。画像処理（例えばガンマ補正）または駆動のための様々なアルゴリズムがＩＣ内で実現されてもよい。
【００２１】
図２は、本発明を適用できる他のディスプレイ装置３０の電気的等価物である。図２は、マトリクス構造中に群３５を成して配置されるか或いはそのように配置されない複数のピクセルを示している。ディスプレイ装置において、各群３５は、場所を認識するための手段、例えばコマンドレジスタ（図示せず）を備えている。コマンドレジスタは、所定のアドレスを用いてプログラミングされ、図１に関して説明した対応するアドレス情報がバスライン３２（３３）上に与えられると、このアドレス情報を認識する。また、半導体デバイスはフリップフロップを備えていてもよい。フリップフロップにおいては、このフリップフロップの状態に応じて、情報が再び表示される（「プライベートモード」）。バス電極には、例えば駆動回路４０を介して、データやコマンド等が与えられる。必要に応じて、入力データ信号４２は、最初に、プロセッサ４３を通過する。相互の同期化が駆動ライン４４を介して行なわれる。ここで、分割されたバス構造を介して、データ、コマンドおよび他の信号が群３５に与えられるため、これにより、電力は殆ど消費されない（データやコマンド等は、低周波で与えられる）。この場合においても、必要に応じて、メッシュ構造を使用することができる。
【００２２】
関連する実施例において、ピクセルは、液晶ディスプレイ装置の一部を形成するが、他の効果（電気泳動効果、エレクトロクロミック効果、マイクロメカニカル効果、スイッチングミラー装置、ホイルディスプレイまたは電界放射ディスプレイ）に基づき、代案として、（Ｏ）ＬＥＤディスプレイ装置および表示素子も考えられる。
【００２３】
図３は、（ＩＴＯまたは金属）電極５，６が設けられた例えばガラスまたは合成材料から成る２つの基板３，４間に液晶材料２が存在する光変調セル１の一部の概略断面である。電極パターンの一部は、中間電気光学層と共に、ピクセルを形成している。必要に応じて、ディスプレイ装置は、液晶材料を基板の内壁に向けて方向付ける配向層（図示せず）を備えている。液晶材料は、例えばポジ光異方性（positive optical anisotrory）およびポジ誘電異方性（positive dielectric anisotropy）を有する（ねじれた）ネマチック材料であってもよいが、例えばＳＴＮ効果またはキラルネマチック効果またはＰＤＬＣ効果等の双安定効果を利用してもよい。基板３，４は、通常、スペーサ７によって離間されており、一方、セルは、通常において充填開口が設けられたシールリム８を用いてシールされている。液晶材料２から成る層の一般的な厚さは、例えば５μｍである。電極５，５’は、０．２μｍという一般的な厚さを有しており、一方、この実施例では、半導体デバイス（ＩＣ）２０の厚さも約０．２μｍである。図３において、スペーサ７は、電極５’およびＩＣ２０の場所に示されている。電極およびＩＣ２０の全体の厚さは、液晶材料２から成る層の厚さに比べて無視できる。とくにハードコア８および弾性エンベロープ９を有する厚さが、約０．２μｍのスペーサが選択される場合には、スペーサ７の存在によってディスプレイ装置の光電子特性が全く影響を受けないか或いは殆ど影響を受けない。必要に応じて、スペーサとしても機能する更に厚いＩＣを使用することもできる（或いは、スルーメタライゼーションが実現されてもよい）。この場合、ＩＣの他方側は、他の基板に対する接続部（電気信号のための接続部）を形成する１または複数の接点を有していてもよい。
【００２４】
半導体デバイス（トランジスタまたはＩＣ）２０を製造するため、この実施例では、従来の技術が利用される。開始材料は、半導体ウエハ１０（図４、工程Iａ、図３参照）であり、好ましくは、弱いドーピング（１０１４原子／ｃｍ３）を有するｎ型エピタキシャル層１５がその上に成長されるｐ型基板１１を伴う好ましくはシリコンである。この工程の前に、エピタキシャル成長または拡散によって、更に濃密にドーピングされたｎ型層１３（約１０１７原子／ｃｍ３）が設けられる。更なるプロセス工程（埋め込み、拡散など）を施すことにより、エピタキシャル層１５内に、トランジスタ、電子回路、または、他の機能ユニットが形成される。完成後、表面には、シリコン酸化物等の絶縁層がコーティングされる。半導体技術における慣行的技術により、絶縁層中の接点開口を介して、接点メタライザーションが行なわれる。
【００２５】
薄い表面領域が絶縁層中に埋め込まれるＳＯI技術において、トランジスタ、電子回路、または、他の機能ユニットが実現される変形例においては、半導体デバイスのトランジスタの接点領域上で、接点メタライゼーションが直接に行なわれてもよい。
【００２６】
その後、マスクを介して、ＨＦ（電界の影響下で）を用いたエッチング処理が、ｎ型領域１４に対して施される。この処理においては、濃密にドーピングされたｎ型領域１４および下側のｎ型エピタキシャル層１３に対して等方性エッチングが施される。しかしながら、弱くドーピングされたｎ型エピタキシャル層１５には異方性エッチングが施され、所定時間後に、僅かな領域２５だけがこの層内に残されるようにする（図４、工程Iｂ参照）。
【００２７】
しかしながら、トランジスタ、電子回路（ＩＣ）、または、他の機能ユニットは、依然として、その最初に規定された位置にある。そのようなユニットの規則的なパターンは、一般に、所定のピッチで製造される。
【００２８】
この処理と同時に、或いは、この処理の後、ディスプレイ装置の基板３には、（所定の位置に）１または複数の電極５’を含むメタライゼーションパターンが設けられる（図４、工程IIａ，IIｂ）。この実施例において、基板３上のメタライゼーションパターンの部分５’は、半導体ウエハ１０の電子回路（ＩＣ）２０と同様に順序付けられる（異なる方向に同じピッチで）。
【００２９】
次の工程においては、半導体ウエハ１０が上下逆に反転され、基板３上のメタライゼーションパターン５’が半導体ウエハ１０の電子回路（ＩＣ）２０に対して正確に位置合わせされる。その後、メタライゼーションパターン５’と接点メタライゼーションとの間で電気接点が実現される。このため、例えば、電極５’上で導電接着剤または異方性導電接点が使用される。電子回路（ＩＣ）２０は、振動によって、または、異なる方法によって、半導体ウエハ１０から取り外される。これにより、画素電極５と、画素電極５に対して且つ互いに対して正確に位置合わせされるＩＣ２０とが設けられた基板３が得られる（図４、工程III）。また、開口の削減は、専らＩＣ（またはトランジスタ）の寸法によって決定される。
【００３０】
次に、必要に応じて、液晶材料を基板の内壁へと方向付ける配向層を設けることにより、ディスプレイ装置１が通常の方法で完成される。スペーサ７および通常において充填開口が設けられたシールリム８は、一般に、基板３，４間に設けられる。その後、この実施例においては、デバイスがＬＣ材料で満たされる（図４の工程IＶ）。
【００３１】
半導体デバイス（ＩＣ）２０が予め形成されるため、従来のポリシリコン技術よりも広い範囲にわたって電子機能を実現できる。とくに単結晶シリコンまたは再結晶ポリシリコンを使用すると、従来のマトリクス構造を用いる場合よりも、ディスプレイ装置の様々なタイプのアーキテクチャが可能となる機能を実現できる。
【００３２】
例えば、国際規格（例えばＪＰＥＧ、ＭＰＥＧ）にしたがって入力データ信号４２（図５ａ）が圧縮形式で供給される場合、これらのデータ信号は、接続ライン（バスライン）３１，３２，３３，３４を介して、複数のＩＣ（半導体デバイス）２０に分配される。
【００３３】
一般に、８×８ピクセルブロックのための離散コサイン変換を介して得られる（ＪＰＥＧ）エンコードされたデータは、８×８行列のブロックによって構成されている。これに対し、更なるエンコーディングにおいては、量子化、ジグザグ走査、ランレングスコーディング（ＲＬＣ）、可変長コーディング（ハフマン・コーディング、ＶＬＣ）が一般に使用される。ライン３３、３４を介して得られたエンコードされた信号は、ＩＣ（半導体デバイス）２０内でデコードされる。このため、この実施例において、各ＩＣ（半導体デバイス）２０は、（ＪＰＥＧ）デコーダ５０（図５ｂ）を備えている。ここに示される典型的なデコーダは、可変長コーディング（ＶＬＣ）テーブル５１と量子化テーブル５２とを有している。ＶＬＣ＋ＲＬＣデコーダ５３と非量子化器（dequantizer）５４と離散逆コサイン変換ブロック５５と共に、これらの要素は、バス情報を、８×８ピクセルブロックのための記憶装置５６に書き込まれる正確な輝度値にデコードする。その後、電子ブロック（ＩＣ）２０内のＤ−Ａ変換器、カウンタ、レジスタ等の適当なエレクトロニクス（図５ｂには示されていない）を介して、８×８ピクセル群のピクセル電極には、対応する電圧が供給される。
【００３４】
とくに静止画像が表示される場合には、ＩＣ（半導体デバイス）２０に新たなデータを供給する必要は殆ど無いか或いは全く無く、記憶装置５６の内容の更新にデータ転送を限定することができる。このため、プロセッサ４３（図５ａ）は、情報のその後のフレームの内容が記憶されるフレームメモリ４４，４４’を備えている。内容は、比較器４５内で比較され、結果に応じて、バッファ回路４６が有効化され、バスライン３３，３４に新しいデータが供給される。また、例えばピクチャ・イン・ピクチャ・アプリケーションでサブフレームだけが比較されてもよい。一方、比較されるサブフレーム（または、サブフレームの組み合わせ）は、特定の電子ブロック（ＩＣ）２０に関連付けられたピクセル情報および８×８ピクセル群３５内の対応するピクセルと一致してもよい。情報（の変化）に応じて、ピクチャ・イン・ピクチャ部分は、他の部分におけるアドレス指定速度とは異なるアドレス指定速度で、アドレス指定されてもよい。
【００３５】
必要に応じて、その後の（サブ）フレームの内容の比較が電子ブロック（ＩＣ）２０内に組み込まれてもよい。
【００３６】
これ以外に、記憶装置５６の内容は、ｎ個のフレーム毎に更新されてもよい。ｎは、トランジスタ内での漏電に起因するエラーを防止できる大きな数である。そのような漏電は、別個のレジスタによって電流を監視してフリップフロップをセットすることにより、或いは、ＩＣ（半導体デバイス）２０からプロセッサ４３へ向かう信号３６を形成することにより、検知されてもよい。
【００３７】
エンコードされない形式で供給される画像を表示するため、この実施例において、プロセッサ４３（図５）は、そのような情報をエンコードする可能性も含んでいる（図６）。この情報は、アナログ形式で供給されてもよい。この場合、情報は、最初に、ＡＤ変換器（図示せず）によってデジタル化され、その後、図６に更に詳細に示されるサブデバイス４８でエンコードされる。サブデバイス４８では、大きなピクセル群（例えば、１２８×１２８ピクセルまたはそれ以上）のためにＭＰＥＧエンコーディングが使用される。出力でのビットレートも一定に維持されるデバイスの一例としてのサブデバイス４８は、画像並び換え装置６０と、前の画像から画像領域を推論することができる動作ベクトル６２を決定する動作推定器６１とを備えている。エンコーディング機能で使用されるモード６３と共に、この動作ベクトル６２は、マルチプレクサ６４および（メモリ＋予測器）機能（ブロック６５）に対して供給される。メモリ予測器６５の出力は、推定器６１の出力を変更するために使用され、必要に応じて、その後、離散コサイン変換（ブロック６６）、量子化（ブロック６７）、可変長コーディング（ブロック６８）が一般に使用される。その後、エンコードされたデータは、必要に応じて、マルチプレクサ６４を介して、バッファ回路６８に供給される。幾つかのフィードバックループ、例えば、この実施例では、ビットレート調節機能７０を含むフィードバックループ６９および逆量子化機能（ブロック７２）と逆離散コサイン変換（ブロック７３）とを含むフィードバックループ７１がデバイス４８内に組み込まれていてもよい。
【００３８】
前述したようにエンコードされた後、エンコードされたデータは、参照符号４９で示されるように入力データ４２と同様の方法で処理されてもよく、或いは、参照符号４９’で示されるようにバッファ回路４６に転送されてもよい（図５（ａ））。
【００３９】
ライン３２，３３を介して得られるエンコードされた信号は、ＩＣ（半導体デバイス）２０内で再びデコードされる。このため、この実施例において、各ＩＣ（半導体デバイス）２０は、バッファ回路５７（必要に応じて）およびデマルチプレクサ・可変長デコーダ５８以外に、非量子化器５４および離散逆コサイン変換ブロック５５を含む（ＭＰＥＧ）デコーダ５０’を備えている。可変長デコーダ５８において、動作ベクトル６２’は、前の画像に関連付けられた情報から再び推論される。使用されるモード６３’と共に、この動作ベクトル６２は、マルチプレクサ６４およびメモリ予測器６５’に対して供給される。（メモリ＋予測器）−機能（ブロック５９）の出力は、推定器６１の出力を変更するために使用され、必要に応じて、その後、画像並び換えが行なわれる（ブロック５９）。
【００４０】
様々な種類のエンコーディングおよびデコーディングについての詳細な情報に関しては、デジタル通信技術、デジタルテレビに関する標準的な教科書およびＭＰＥＧ、ＪＰＥＧ、ＪＰＥＧ２０００等の国際規格を参照されたい。また、エンコーディングは、データ圧縮および暗号化を含んでいる。
【００４１】
分散されたＩＣ（ドライバ、デコーダ）は所定のアドレスを有しているため、表示情報を更新する様々な方法が考えられる。重要なセクションを更新する必要がある場合にアドレス指定を再開するために、必要に応じて、ディスプレイの第１の部分のアドレス指定が割り込まれる。これは、以下の例で実証される。
【００４２】
例１：入力データ４２（例えばビデオ信号）の急速な変化が与えられる。プロセッサ４３は、圧縮されたデータを用いて全てのブロック２０を全フレームレートでアドレス指定する。
【００４３】
例２：入力データ４２（例えばビデオ信号）が幾つかのフレームにわたって一定を保つ。殆ど圧縮されていないデータまたは全く圧縮されていないデータと共に表示される情報が一定（１または複数の次に続くフレーム内で）である場合、プロセッサ４３は、これらのブロック２０をアドレス指定する。これにより、画質が向上する。画像データを連続的に精緻化して帯域幅を小さくできる、ＷＯ０１／１７２６８で説明したような拡張可能な圧縮を行なう圧縮方法を使用して、データが圧縮されることが好ましい。ブロックに送られたデータが先のデータまたは完全に新しいデータの更新／精緻化情報を含んでいるか否かを示すために、１ビットを使用できる。
【００４４】
例３：コンピュータまたは制御アプリケーション内では、多くの場合、ディスプレイの特定の部分だけが更新を必要とする。この例において、プロセッサ４３は、最も多くの情報が変化しているブロックを識別するとともに、コード化された（或いは、コード化されていない）データを用いてこれらの最初をアドレス指定する。帯域幅を更新できるが幾つかのフレーム内で帯域幅を１回更新する必要があるだけである場合には、他のブロックが更新される（コード化されたデータを用いて）だけである。
【００４５】
本発明の保護範囲は、前述した実施形態に限定されない。また、冒頭で述べたように、別個に設けられてもよいし或いは１つのアセンブリとして設けられてもよい（ポリマー）ＬＥＤによってピクセル群が形成されてもよいが、本発明は、例えばプラズマディスプレイ、ホイルディスプレイ、電界放射効果、電気光学効果、電気機械効果（切換可能なミラー）に基づくディスプレイ装置などの他のディスプレイ装置にも適用することができる。
【００４６】
また、前述したように、フレキシブル基板（合成材料）を使用してもよい（装着型ディスプレイ、装着型エレクトロニクス）。また、製造の可能性、例えば円形または楕円形のディスプレイ装置も除外されない。
【００４７】
本発明は、新規な特徴のそれぞれ及び全て、特徴の組み合わせのそれぞれ及び全てに存在する。請求項の参照符号は、それらの保護範囲を限定しない。動詞「備える（含む）」及びその活用形は、請求項で述べられた要素以外の要素の存在を排除しない。要素に先行する冠詞「１つの（ａ）」または「１つの（ａｎ）」の使用は、そのような要素の複数の存在を排除しない。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係るディスプレイ装置の考えられる実施形態の電気的等価物である。
【図２】本発明に係るディスプレイ装置の他の実施形態の電気的等価物である。
【図３】本発明に係るディスプレイ装置の一部の概略断面図である。
【図４】本発明に係るディスプレイ装置の製造方法のフローチャートである。
【図５】エンコーディング方法を概略的に示している。
【図６】エンコーディングの他の方法を概略的に示している。
【図７】デコーディングの方法を概略的に示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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2005515501.tif 000012
2005515501.tif 000013