(57)【要約】ここに示されているのは、マイクロストリップ導体を使用して、高周波技術に使用可能な導体構造を導体支持体に作製する方法である。ここでこれは１８０μｍより格段に小さい、例えば３０μｍの層間隔を有する。この方法によれば、少なくともレーザ構造化法の際にはレーザについて、エッチング法の際にはエッチングについて、また前記導電体構造支持体に最も薄くデポジットできる特性について、少なくとも化学成分スズまたはアモルファスレジストの特性に相応する特性を有するレジストと一緒に、レーザ構造化法とエッチング法とを組み合わせる。
2005535146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法において、
少なくとも、レーザ構造化法の際にはレーザについて、エッチング法の際にはエッチングについて、また前記導体構造支持体に最も薄くデポジットできる特性について、少なくとも化学成分スズまたはアモルファスレジストの特性に相応する特性を有するレジストを使用し、
レーザ構造化法とエッチング法との組み合わせを適用することを特徴とする、
高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法。
【請求項２】
導体構造支持体としてＦＲ４支持材料を使用する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レジストとして化学成分スズまたはアモルファスレジストを使用する、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
高周波技術に使用可能な導体構造の少なくとも周囲にて、少なくとも、大きな面積で残っている導体構造を除去する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法に関する。
【０００２】
今日のプリント基板技術では、共振器、帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタに対して、またスパイラルインダクタンスに対してもかなり大きな構造が必要である。比較的薄い、例えば５０μｍのオーダのサイズを有する絶縁層による適用では、ライン生産に対する従来の比較高い導体路公差により、マイクロストリップ導体の使用が許容されないことが多い。いずれにせよマイクロストリップ導体を使用できる可能性は、比較的大きな導体路公差によって大きく制限される。例えば高周波技術的な適用に対してマイクロストリップ導体は現在のところ不適切である。セラミックによる適用では作製時に、導体構造支持体として使用されるプリント基板に比べて長い製造過程所要時間が必要である。さらにセラミックを使用する際の生産量は、プリント基板にくらべて格段に不利である。またセラミックは光学的支持体としては不適切である。
【０００３】
共振器、帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタに対して、またスパイラルインダクタンスに対して大きな構造を回避するため、これまではスペース上の理由からプリント基板の表面におけるコンポーネントが使用されてきた。この場合にこれらのコンポーネントにより、コストが上昇しており、さらにコンポーネントをプリント基板に載置するためのコストが付け加わっていた。別の欠点は、これらのコンポーネントに対する取付領域をプリント基板の表面に用意しなければならなかったことである。
【０００４】
確かにいわゆるＦＲ４プリント基板において、十分に大きい領域が設けられている場合にマイクロストリップ導体がＨＦ部にすでに使用されていた。しかしながらこれは例えば、ＨＦ構造に対して例えば１００μｍより大きい、比較的大きな層間隔を有する領域箇所に限定されていた。上記の導体路における公差は、このような層間隔の場合に受け入れられていたのである。
【０００５】
本発明の課題は、マイクロストリップ導体を使用して、層間隔が１００μｍよりも格段に小さく高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法を提供することである。
【０００６】
この課題は、本発明により、請求項１に記載した方法ステップを有する方法によって解決される。
【０００７】
これによれば、接着強さの高いレジストと一緒に、レーザ構造化法とエッチング法とが組み合わせられ、ここでこのレジストは、少なくとも、レーザ構造化法の際にはレーザについて、エッチング法の際にはエッチングについて、また導体構造支持体に最も薄くデポジットできる特性について、少なくとも化学成分スズまたはアモルファスレジストの特性に相応する特性を有するのである。
【０００８】
化学成分スズは、約１μｍの厚さでデポジットすることができる。アモルファスレジストは、２０μｍよりも格段小さな厚さであってもデポジットすることができる。レジストが薄くデポジットできればできるほど、本発明にとってはそれだけ有利である。従来のレジストは、２０μｍよりも格段に大きい層厚を有していた。これらの格段に薄いレジストにより、レーザを極めて精確に行うことができる。これにより、最適化した作製プロセスでは、２０ないしは１０μｍの範囲およびそれ以下までの構造が可能である。このような微細な構造により、高周波技術に使用可能な導体構造を形成することができ、ここでこの導体構造により、相応の欠点を有するがそうなれば必要である従来のコンポーネントが置き換えられるのである。詳しくいうと、この導体構造はつぎのように形成することができる。すなわちこの導体構造により、高周波技術に有効なコンデンサ、コイルおよび抵抗がそれぞれ所望の値を有し、最小のスペースに形成されるようにこの導体構造を形成できるのである。この際にレーザ構造化法により、例えばフォト技術法に比べて構造化が比較的簡単に、しかしながら高速に可能になる。レーザ構造化法とエッチング法とを組み合わせることによってさらに、大きな領域（vollflaechige Bereiche）を、別の領域の除去によって同時に取り除くことができるという利点が得られる。これによって時間が節約される。しかしながらこれはまた高周波技術に使用される導体構造が、フルの領域によって存在し得る電場により、マイナスの影響を受けないようにするためにしばしば必要である。
【０００９】
まとめるとプリント基板の内側の層にまたは外側の層にもわずかな公差しか有しない、この方法によって構造化された導体路は、作製加工素材（Fertigungsnutzen）全体にわたってほとんど任意の機能を有するマイクロストリップ導体路として実現することができる。導体路幅は、ほとんど任意に限定することができる。今日ではすでに±５μｍ以下の公差が可能である。通例の公差は以前±２５μｍの大きさの範囲であった。
【００１０】
本発明の有利な実施形態は従属請求項に記載されている。
【００１１】
有利な実施形態によれば、導体構造支持体としてＦＲ４支持材料を使用する。この材料は公知であり、またコスト的に有利である。
【００１２】
化学成分スズまたはアモルファスレジストの利点は、レーザ構造化法とエッチング法とからなる組合せと一緒にすることにより、高周波技術に使用可能な導体構造が実現できることである。
【００１３】
有利な実施形態では、高周波技術に使用可能な導体構造の少なくとも周囲において、少なくとも、大きな面積で残っている導体構造を除去する。
【００１４】
以下では本発明を図面に基づいて詳しく説明する。ここで
図１は、本発明による方法の基本的な流れを示しており、
図２は、高周波技術に使用可能な導体構造および高周波技術に使用できない導体構造を有する、図１の方法にしたがって作製した比較的大きなプリント基板構造の一部を断面図で示しており、
図３は、本発明による導体構造と、相応する従来技術による導体構造との間のサイズ比較を示しており、
図４〜７は、本発明にしたがって作製されるコイルの段階的な実現を示しており、
図８〜１０は、プリント基板において本発明にしたがって実現され完成された３つの適用の側面図を示しており、
図１１および１２は、本発明による別の適用を示しており、
図１３〜１６は、コンデンサ、コイル、抵抗および湿度センサについての本発明の適用例を示している。
【００１５】
図１に示した部分レーザ構造化された導体パターン（ＰＨＤＩ：Partial High Density Interconnection）には導体構造支持体１（基板、例えばＦＲ４プリント基板）が示されており、その表面は、最初のコーティングフェーズにおいて相応に前処理され、化学成分銅の薄い層をデポジットすることができる。つぎの電解コーティングでは別の銅層がデポジットされる。この実施例ではこの銅層は、２０μｍまでの総層厚を有する。これに引き続いて薄いレジスト層がデポジットされる。ここでこれは約１μｍの層厚を有する化学成分スズからなる。
【００１６】
コーティングフェーズの後、構造化フェーズが続く。構造化は図１のようにレーザで行う。この構造化フェーズでは、化学成分スズ層の下にある銅層を後に取り除かなければならない箇所において、レーザにより、化学成分スズ層が切削除去される。
【００１７】
この構造化フェーズの後、いま述べたように露出させられた銅層がエッチングによって除去される。つぎにまだ残っている化学成分スズ層を取り除く。
【００１８】
図２では左上の領域に本発明の導体構造が示されており、これに対して中央の領域には従来の導体構造が示されている。
【００１９】
図３には、あらかじめ与えられた導体構造が、本発明にしたがって、また従来技術にしたがって実現される場合に、サイズの比が示されている。
【００２０】
図４〜７にはマイクロストリップ導体によって実施されるコイルの段階的な実現が、本発明にしたがって示されている。ここでは図４において１ｍｍ長さの辺を有する銅の領域が示されている。この銅の領域は、個々の作製ステップにおいてレーザによって構造化される。図５ではすでに渦巻形のコイルを識別することができる。図６では邪魔なコーナー領域が除去される。図７でコイルが完成する。
【００２１】
図８〜１０では再度、完成した適用例がそれぞれ側方から示されており、ここでこれはそれぞれコイルに基づいている。図の形状および大きさは任意に選択することができる。図示の実施例では、それぞれ最もコンパクトな形状が選択されている。
【００２２】
図１１にはコンポーネントの下のプリント基板内における適用例が示されている。図示の形態ではプリント基板の取り付け面は不要である。このコイルは、このレイアウトの任意の別の箇所に収容することも可能である。
【００２３】
図１２には接続部分領域（バッド）の下にあるコンデンサとしての適用が示されている。適切な絶縁層と、下に向かってわずかな小さな層厚、例えば２５μｍまでの層厚とを使用することによって、例えば２０ｐＦまでの範囲のコンデンサを極めて小さなスペースに実現することができる。これらのコンデンサは付加的に、これが誘導的には全く作用しないという利点を有する。
【００２４】
図１３にはＨＦコンデンサについての適用が示されている。図１４にはＨＦコイルについての適用が示されている。図１５にはＨＦ抵抗についての適用が、また図１６には湿度センサについての適用が示されている。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明による方法の基本的な流れを示す図である。
【図２】高周波技術に使用可能な導体構造および高周波技術に使用できない導体構造を有する、図１の方法にしたがって作製した比較的大きなプリント基板構造の一部を示す断面図である。
【図３】本発明による導体構造と、相応する従来技術による導体構造とのサイズを比較する図である。
【図４】本発明にしたがって作製されるコイルを実現する１段階を示す図である。
【図５】本発明にしたがって作製されるコイルを実現する別の１段階を示す図である。
【図６】本発明にしたがって作製されるコイルを実現するさらに別の１段階を示す図である。
【図７】本発明にしたがって作製されるコイルを実現するさらに別の１段階を示す図である。
【図８】プリント基板において本発明にしたがって実現され完成された適用の側面図である。
【図９】プリント基板において本発明にしたがって実現され完成された別の適用の側面図である。
【図１０】プリント基板において本発明にしたがって実現され完成されたさらに別の適用の側面図である。
【図１１】本発明の別の適用を示す図である。
【図１２】本発明のさらに別の適用を示す図である。
【図１３】コンデンサについての本発明の適用例を示す図である。
【図１４】コイルについての本発明の適用例を示す図である。
【図１５】抵抗についての本発明の適用例を示す図である。
【図１６】湿度センサについての本発明の適用例を示す図である。
【図１】
2005535146.tif 000003
【図２】
2005535146.tif 000004
【図３】
2005535146.tif 000005
【図４】
2005535146.tif 000006
【図５】
2005535146.tif 000007
【図６】
2005535146.tif 000008
【図７】
2005535146.tif 000009
【図８】
2005535146.tif 000010
【図９】
2005535146.tif 000011
【図１０】
2005535146.tif 000012
【図１１】
2005535146.tif 000013
【図１２】
2005535146.tif 000014
【図１３】
2005535146.tif 000015
【図１４】
2005535146.tif 000016
【図１５】
2005535146.tif 000017
【図１６】
2005535146.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
確かにいわゆるＦＲ４プリント基板において、十分に大きい領域が設けられている場合にマイクロストリップ導体がＨＦ部にすでに使用されていた。しかしながらこれは例えば、ＨＦ構造に対して例えば１００μｍより大きい、比較的大きな層間隔を有する領域箇所に限定されていた。上記の導体路における公差は、このような層間隔の場合に受け入れられていたのである。
文献EP-A-0 530 564 A1から導体構造支持体に導体構造を作製する方法が公知であり、ここではスズまたはスズ−鉛の合金がレジストとして使用される。レジスト層は、金属層にデポジットされ、レーザによって構造化される。引き続き、露出された金属層の領域がエッチングによって除去される。
また例えばmicro resist technology社から、製品情報Rev.: 2/01により、例えば、レジストシリーズma-N 2400において、例えば殊にレジストma-N 2403が公知である。ここでこれは、レジストとしての化学成分スズと比較して、レーザ構造化法の際にはレーザについて、エッチング法に際にはエッチングについて、また導体支持体に最も薄くデポジットできる特性について、少なくとも化学成分スズまたはアモルファスレジストの特性に相応する特性を有するレジストである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１に示した部分レーザ構造化された導体パターン（ＰＨＤＩ：Partial High Density Interconnection）には導体構造支持体１（基板、例えばＦＲ４プリント基板）が示されており、その表面は、最初のコーティングフェーズにおいて相応に前処理され、化学成分銅の薄い層２をデポジットすることができる。つぎの電解コーティングでは別の銅層３がデポジットされる。この実施例ではこの銅層は、２０μｍまでの総層厚を有する。これに引き続いて薄いレジスト層４がデポジットされる。ここでこれは約１μｍの層厚を有する化学成分スズからなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
コーティングフェーズの後、構造化フェーズが続く。構造化は図１のようにレーザ５で行う。この構造化フェーズでは、後に化学成分スズ層４の下にある銅層３を取り除かなければならない箇所において、レーザ５により、化学成分スズ層４が切削除去される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この構造化フェーズの後、いま述べたように露出させられた銅層３がエッチングによって除去される。つぎにまだ残っている化学成分スズ層を取り除く。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図２では左上の領域に本発明の導体構造６が示されており、これに対して中央の領域には従来の導体構造７が示されている。
新しいＨＦ構造である本発明の導体構造６は、例えば３０μｍの層間隔８を有する。これに対して従来の導体構造７は、例えば１８０μｍの層間隔９を有する。
さらに図２には、新しいＨＦ構造に関連して、個別のマイクロスルーホールコンタクト部１０と、複数の高品質のマイクロストリップ導体１１とが示されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図３には、あらかじめ与えられた導体構造が、本発明にしたがって、すなわち新技術１２において実現される場合、また従来技術にしたがって、すなわち旧技術１２において実現される場合に、視覚的に表された面積比較においてサイズの比が示されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１１にはコンポーネントの下のプリント基板内における適用例が示されている。図示の形態ではプリント基板の取り付け面は不要である。このコイルは、このレイアウトの任意の別の箇所に収容することも可能である。
詳しくいうと、ここにはコンポーネント１４が設けられている。これは層レベルＬ１において接続部分領域１５に接続されている。層レベルＬ１の下ないしは接続部分領域１５の下の層レベルＬ２において、新しい技術では渦巻形の導体構造が実現されている。これは例えば図８にも示されている通りである。層レベルＬ２の下および渦巻形の導体構造の下には、層レベルＬ１に相応する層レベルＬ３が配置されている。
図１１にはさらに部分拡大図が組み込まれており、これは、接続部分領域１５を中心として深さおよび面の方向に延びる領域を拡大して示している。この際にこの部分拡大図には個別のマイクロスルーホールコンタクト部１６も示されている。この実施例ではこのマイクロスルーホールコンタクト部１６により、層レベルＬ１と層レベルＬ２との間のスルーホールコンタクトが形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１２には接続部分領域（バッド）の下にあるコンデンサとしての適用が示されている。適切な絶縁層と、下に向かってわずかな層厚、例えば２５μｍまでの層厚とを使用することによって、例えば２０ｐＦまでの範囲のコンデンサを極めて小さなスペースに実現することができる。これらのコンデンサは付加的に、これが誘導的には全く作用しないという利点を有する。
詳しくいうと、ここにはコンポーネント１７が設けられている。これは層レベルＬ１において接続部分領域１８に接続されている。層レベルＬ１の下ないしは接続部分領域１８の下の層レベルＬ２において、新しい技術では部分導体１９が実現されている。さらにこの下の層レベルＬ３には別の接続部分領域２０が配置されている。層レベルＬ１と部分導体１９との間の、また部分導体１９と層レベルＬ３との間にはそれぞれ、第１絶縁層２１ないしは第２絶縁層２２が配置されている。まとめるとこの配置構成により、接続部分領域１８と２０との間に多層コンデンサが実現されるのである。
図１２には、図１１と同様にさらに部分拡大図が組み込まれており、これは、接続部分領域１８を中心として深さおよび面の方向に延びる領域を拡大して示している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１３にはＨＦコンデンサについての適用が示されている。図１４にはＨＦコイルについての適用が示されている。図１５にはＨＦ抵抗についての適用が、また図１６には湿度センサについての適用が示されている。
ここでこれらのコンポーネントは、図１３，１４，１５において、素子によって覆われる素子領域ＢＥ−Ｆ内で素子パッド領域ＢＥ−Ｐの隣に実現されており、ここでこの素子パッド領域ＢＥ−Ｐは、上記の素子との電気的な接続に対する素子はんだ付け部分領域ＢＥ−Ａとみなすこともできる。
図１６には関連するコンポーネントそれ自体だけが示されている。
ＰＨＤＩ技術においてＨＦ構造２３により、ＨＦコンデンサを図１３に示したように実現し、このコンデンサが１ｐＦの容量を有するようにするため、約１ｍｍ２のコンデンサ領域２４が必要である。この際に高品質の導体路２５は、コンデンサの接続のために、例えば２０μｍの幅を有する。
ＰＨＤＩ技術においてＨＦ構造２６により、ＨＦコイルを図１４に示したように実現するため、約１５ｍｍの長さのいわゆるストリップラインに対するコイル領域が必要であり、これは高品質の導体路２７によって実現される。
このコイル中心点端子に対して、０．０８ｍｍの直径を有するマイクロスルーホールコンタクト部２８が実現される。
ＨＦ抵抗を図１５に示したように実現するため、第１接続領域２９に対して第１銅層および第２接続領域３０に対して第２銅層が実現され、これらの間に、所定のイプのシートが入れられる。
領域３２としてまとめられる接続領域２９，３０は、高品質の領域である。ＨＦ抵抗の抵抗値は、入れられたシートのタイプと接続領域とを介して決定される。調整はＰＨＤＩ技術で行われる。
図１５の図示の実施例では、さらにＨＦ抵抗の第１端子への導体路３３と、第２端子の導体路３４とが示されている。
図１６に示した湿度センサは、２つの時点において示されている。図１６の上側部分にはレーザプロセスの前の湿度センサが示されているのに対して、図１６の下側部分ではレーザプロセスの後の湿度センサが示されている。
レーザプロセスの前、最初のうち、高品質の領域３５が存在しており、つぎにレーザプロセスによって、高品質の導体路幅を有する導体路３６がこの領域に追加される。図示の実施例において幅は少なくとも２５μｍである。
図１６の湿度センサに対してはその端子に至る導体路３７が実現されており、これらは、図示の実施例において０．１ｍｍの幅を有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法において、
少なくとも、レーザ構造化法の際にはレーザについて、エッチング法の際にはエッチングについて、また前記導体構造支持体に最も薄くデポジットできる特性について、少なくとも化学成分スズまたはアモルファスレジストの特性に相応する特性を有するレジストを使用し、
レーザ構造化法およびエッチング法による方法ステップを組み合わせることを特徴とする、
高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005535146.tif 000019
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005535146.tif 000020
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005535146.tif 000021
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2005535146.tif 000022
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2005535146.tif 000023
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2005535146.tif 000024
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2005535146.tif 000025
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2005535146.tif 000026
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2005535146.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
確かにいわゆるＦＲ４プリント基板において、十分に大きい領域が設けられている場合にマイクロストリップ導体がＨＦ部にすでに使用されていた。しかしながらこれは例えば、ＨＦ構造に対して例えば１００μｍより大きい、比較的大きな層間隔を有する領域箇所に限定されていた。上記の導体路における公差は、このような層間隔の場合に受け入れられていたのである。
文献EP-A-0 530 564 A1から導体構造支持体に導体構造を作製する方法が公知であり、ここではスズまたはスズ−鉛の合金がレジストとして使用される。レジスト層は、金属層にデポジットされ、レーザによって構造化される。引き続き、露出された金属層の領域がエッチングによって除去される。
また例えばmicro resist technology社から、製品情報Rev.: 2/01により、例えば、レジストシリーズma-N 2400において、例えば殊にレジストma-N 2403が公知である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法において、
前記導体構造支持体の金属層にレジスト層をデポジットするステップと、
該レジスト層をレーザによって構造化し、レーザによって露出した領域をエッチングで除去するステップとを実行し、
前記レジスト層に対して、化学成分スズ、アモルファスレジストまたは、micro resist technology社のレジストシリーズma-N 2400のカテゴリまたはこのようなカテゴリの相応の発展形態であるレジストを使用することを特徴とする、
高周波技術に使用可能な導体構造を導体構造支持体に作製する方法。
【請求項２】
導体構造支持体としてＦＲ４支持材料を使用する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
高周波技術に使用可能な導体構造の少なくとも周囲にて、少なくとも、大きな面積で残っている導体構造を除去する、
請求項１または２に記載の方法。
【国際調査報告】
2005535146.tif 000028
2005535146.tif 000029
2005535146.tif 000030
2005535146.tif 000031
2005535146.tif 000032
2005535146.tif 000033