(57)【要約】  基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備えた構成であって、キャパシタが第一の電極（６）と第二の電極（９）とそしてこれらの間に設けられた誘電体（８）とを有し、コンタクト構造がＵＢＭ（バンプ下地金属）層（９）とバンプ・コンタクト（１０）とを有し、相互配線層（６）がキャパシタの前記第一の電極を形成し、ＵＢＭ層（９）がキャパシタの第二の電極を形成する。
2005512320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備えた構成であって、
前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、
前記コンタクト構造がＵＢＭ（バンプ下地金属）層とバンプ・コンタクトとを有し、
前記相互配線層が前記キャパシタの前記第一の電極を形成し、前記ＵＢＭ層が前記キャパシタの前記第二の電極を形成する構成。
【請求項２】
前記基板は少なくとも一つの素子を有することを特徴とする請求項１に記載の構成。
【請求項３】
前記キャパシタが前記素子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の構成。
【請求項４】
前記素子は、複数能動素子、複数受動素子そして複数集積回路のグループから選択されることを特徴とする請求項２に記載の構成。
【請求項５】
基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを有する構成を備えた表示装置であって、
前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、
前記コンタクト構造がＵＢＭ（バンプ下地金属）層とバンプ・コンタクトとを有し、
前記相互配線層が前記キャパシタの前記第一の電極を形成し、前記ＵＢＭ層が前記キャパシタの前記第二の電極を形成する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造を備えた構成であり、キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、コンタクト構造がＵＢＭ（バンプ下地金属、under-bump metallization）とバンプ・コンタクトとを有する構成に関する。さらにこの発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、通常、単結晶半導体ウエハ内に形成される多くの半導体素子を備える。半導体ウエハ表面上と多結晶半導体材料の領域上とに薄い誘電体層が堆積又は成長される。比較的厚い誘電体層がそれら半導体素子上に堆積される。この厚い誘電体層を介して、それら半導体素子の端部末端までの経路となる複数のコンタクト・ホール又はコンタクト・バイア（via）がエッチングにより形成される。この厚い誘電体層の上に設けられた複雑なパターンの複数のストリップ導電体によりそれら各種の半導体素子が電気的に相互接続される。これらストリップ導電体は相互接続層とも呼ばれるが、厚い誘電体層内のバイアを介して、それら半導体素子の端部末端とコンタクトをとる。これらコンタクトがとられた後、この接続ストリップ導電体パターン上に保護層が堆積される。保護層内のコンタクト・バイアがこの接続パターンの、コンタクト・パッド（コンタクト・ランド）と呼ばれる複数の正方形部分への経路となる。これらのコンタクト・パッドを介して集積回路に対し電気的接続が行われる。この電気的接続を行うには所謂バンプ・コンタクトが用いられる。これらバンプ・コンタクトは第一の電気的導電層と、非常に厚い第二の電気的導電層とを有する。この第一の電気的導電層はＵＢＭ（バンプ下地金属、under-bump metallization）層とも呼ばれ、例えば、Ｔｉ/Ａｕを含む。第二の電気的導電層がバンプ・コンタクト本体であり、例えば金を含む。これは電気メッキにより行われる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
集積回路は、例えば、情報を視覚的に表示する装置へ情報データと電力を送るのに用いられる。この目的の為に、集積回路は、さらなる複数素子、例えば、複数のキャパシタを備える。このようなキャパシタは、通常、二つの電極と一つの誘電体層から形成される。通常、これらキャパシタは半導体材料に直接に設けられる。しかし、この方法の問題は、半導体基板の多くの領域をこれらキャパシタが占有するので、半導体素子の製造コストがかさむことである。
【０００４】
米国特許５，７４１、７２１は、例えば、集積回路を有するチップに設けられるキャパシタを開示している。
【０００５】
この発明の目的は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備え、低コストで簡単に製造できる構成を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備えた構成であって、前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、前記コンタクト構造がＵＢＭ（バンプ下地金属）層とバンプ・コンタクトとを有し、前記相互配線層がキャパシタの第一の電極を形成し、前記ＵＢＭ層がキャパシタの第二の電極を形成する構成により達成される。
【０００７】
この構成の特徴は、集積回路とコンタクト構造を製造するための標準プロセスに一回のみの材料形成工程と、二回のマスキング工程を加えただけで上記キャパシタを形成することができることである。従って、低コストで簡単にこの発明の構成を製造することができる。
【０００８】
従属項２乃至４で限定した各実施形態のさらなる特徴は、複雑な機能、例えば、複数の表示装置を駆動する複数の回路を備えた複数の構成を簡単に且つ低コストで製造できることである。さらに、この発明は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを有する構成を備えた表示装置であって、前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、前記コンタクト構造がＵＢＭ（バンプ下地金属層とバンプ・コンタクトとを有し、前記相互配線層が前記キャパシタの前記第一の電極を形成し、前記ＵＢＭ層が前記キャパシタの前記第二の電極を形成する表示装置に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
表示装置、例えば、液晶スクリーンは、例えば、このスクリーンを駆動する集積回路として少なくとも一つの構成を備える。この構成は、さらに、複数の能動素子と、例えば、複数のキャパシタ等のさらなる素子を備える。
【００１０】
二つの接続層と一つのキャパシタと一つのコンタクト構造と備えた構成の概略断面図を図１に示す。一つのキャパシタＣと二つの接続層を形成する複数の異なる材料層が基板１上に形成される。これら相互接続層の目的は、キャパシタとこの構成内の他の素子を相互接続し、そして、これら素子同士を相互接続することである。この構成の用途と製造方法に応じて、基板１には、絶縁材料、半導体材料、導電材料又は複数層の多重構造を備えてもよい。
【００１１】
基板１が絶縁材料を含む場合は、絶縁材料は、例えば、Ａｌ２Ｏ３又はＡｌＮ等のセラミック材料が好ましい。
【００１２】
基板１が半導体材料を含む場合は、シリコン、ガリウム・ヒ素、リン化インジウム、ガリウム・アルミニウム・ヒ素又はゲルマニウムを含む半導体材料が好ましい。これらの材料をボロン、ヒ素、アンチモン、燐、又はこれらドーパントの組み合わせでドープしてもよい。一つ乃至複数の能動素子、例えば、ダイオード又はトランシスタを基板１上に設けてもよい。これら能動素子により集積回路を形成することができる。
【００１３】
基板１が導電材料を含む場合は、導電材料は、例えば、タングステン又はモリブデン等の耐熱材料が好ましい。
【００１４】
基板１が二層以上の複合構造を有する場合は、ＬＴＣＣ（低温焼結セラミックス）技術を用いて複合構造を形成するのがよい。一つ乃至複数の受動素子、例えば、抵抗、キャパシタ、インダクタ又はストリップ導電体をＬＴＣＣ複合構造に集積化してもよい。これら受動素子により集積回路を形成することができる。
【００１５】
上記複合構造に代えて、各層が異なる厚みの又は異なるドーパントでド−プされた半導体材料の二層以上の複合構造としてもよい。この実施形態では、個々の層に、再度、例えば、ダイオード又はトランジスタ等の一つ乃至複数の能動素子を設けてもよい。これら能動素子により集積回路を形成することができる。さらに、この二層以上の複合構造を絶縁材料の層と、導電材料又は半導体材料の層とで構成してもよい。
【００１６】
基板１に形成されているのは、好ましくは、絶縁層２であり、この絶縁層２はＳｉＯ２を含んでもよい。さらに、ＳｉＯ２に加えて、ボロン、ヒ素、アンチモン、燐、又はこれらドーパントの組み合わせでドープして絶縁層２としてもよい。絶縁層２に所定のパターンにより第一の相互配線層３が形成される。第一の相互配線層３上と、この相互配線層３により覆われていない絶縁層２の領域上とに第一の誘電体層４が形成される。第一の誘電体層４は、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｏ４又はＳｉｘＯｙＮｚ（０  <  ｘ  <  １，０  <  ｙ  <  １，０  <  ｚ  <  １）を含む。第一の誘電体層４上に所定のパターンで第二の相互配線層６が堆積される。数カ所で、電気的導電性のコンタクト・バイア５を介して第一の相互配線層３が第二の相互配線層６に電気的に接続される。第一の相互配線層３と第二の相互配線層６とコンタクト・バイア５とは、例えば、Ｔｉ/ＴｉＮ/Ａｌ（Ｃｕ）を含む。第二の相互配線層６上と、この相互配線層６により覆われていない第一の誘電体層４の領域上とに保護層７が堆積される。保護層７は、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉｘＯｙＮｚ（０  <  ｘ  <  １，０  <  ｙ  <  １，０  <  ｚ  <  １）等の無機材料、例えば、ポリアミド又はポリシクロベンゾブテン等の有機材料、又は無機、有機合成材料を含でもよい。第二の相互配線層６が保護層７には覆われていない部分が数カ所あり、ここで保護層７が分断されている。後でキャパシタが設けられる第二の相互配線層６の領域上と保護層７上とに、好ましくは、酸化物、窒化物、又はオキシナイトライドを含む第二の誘電体層８が堆積される。好ましくは、第二の誘電体層８は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｏ４又はＳｉｘＯｙＮｚ（０  <  ｘ  <  １，０  <  ｙ  <  １，０  <  ｚ  <  １）を含む。
【００１７】
第二の誘電体層８により覆われた第二の相互配線層６のそれらの領域が、個々の領域において、キャパシタの第一電極として機能する。第二の相互配線層６上に直接堆積された第二の誘電体層８のそれらの領域が、個々の領域において、キャパシタの誘電体として機能する。第二の誘電体層８上と、この誘電体層８により覆われていない第二の相互配線層６の領域上に、好ましくはＡｕ/ＴｉＷを含むＵＢＭ（バンプ下地金属、under-bump metallization）層９が堆積される。キャパシタが設けられる領域内で、ＵＢＭ層９がキャパシタの第二電極として機能する。好ましくは、金を含み、ＵＢＭ層９上に例えば電気メッキにより堆積されるバンプ・コンタクト１０が、この領域内で、ＵＢＭ層９とコンタクト構造を形成し、基板１内のキャパシタ且つ又は素子、又は集積回路と電気的コンタクトをとる。この接続構造は第二の相互配線層６と電気的コンタクト状態にある。
【００１８】
これに代えて、接続導電体として機能するように、そして、例えば、キャパシタと第二の相互配線層６とを相互接続させるように、又は、複数のコンタクト構造として機能するように、ＵＢＭ層９を適宜パターンニングしてもよい。
【００１９】
さらにこれに代えて、この構成において一つ乃至複数の素子を形成するように、各種材料層、例えば、第一の相互配線層３と第二の相互配線層６とをパターンニングしてもよい。表示装置を駆動する構成では、そのような素子は、例えば、非揮発性メモリ・アレイの行デコーダ、列デコーダ、入出力ユニット（Ｉ/Ｏユニット）、ＳＲＡＭ（スタティックＲＡＭ）セル、ＲＯＭセル又は論理素子であってもよい。例えば、これら素子間の電気的接続又はこれら素子とキャパシタ又は接続構造との電気的接続はＵＢＭ層９を介して行うとよい。
【００２０】
絶縁層２内に設けた図示しない電気的導電性バイアを介して、基板１内に設けた素子、例えば、集積回路、能動素子又は受動素子を第一の相互配線層３と接続させてもよい。
【００２１】
キャパシタをチャージポンプ・キャパシタ又はデカップリング・キャパシタとして機能させてもよい。
【００２２】
一つのトランジスタ上に二つの相互配線層と、一つのキャパシタと、一つのコンタクト構造とを備える構成の概略断面図を図２に示す。この実施形態では、基板１が半導体材料を含む。基板１内に設けられているのは、二つの半導体領域、即ち、トランジスタのソース領域Ｓとドレイン領域Ｄである。絶縁層２は、好ましくはＳｉＯ２フィールド酸化膜層である。好ましくはＳｉＯ２を含む第一の誘電体層４内にトランジスタのゲート領域Ｇが設けられている。ゲート領域Ｇは、例えば、ｎ型又はｐ型ポリシリコンを含む。電気的導電性バイア１３を介して、第一の相互配線層３が、基板１内の半導体領域Ｓ、Ｄと接続されている。
【００２３】
この発明による、ある構成を製造する方法を図３に示す。この発明による、ある構成を製造するには、例えば、図３Ａに示すように、基板１と、絶縁層２と、コンタクト・バイア５を介して第二の相互配線層６に接続される第一の相互配線層３と、第一の相互配線層３と第二の相互配線層６との間に設けられた第一の誘電体層４と、そして、保護層７とを備えたウエハを公知のプロセスで形成する。半導体材料を含む基板１内に設けられるのは、集積回路を形成する複数の能動素子である。絶縁層２内の図示しない電気的に導電性の複数のバイアを介して、この集積回路が第一の相互配線層３に接続される。
【００２４】
図３Ｂに示すように、ウエハ上に最初にフォトレジスト１１が堆積され、そして、後でキャパシタが設けられる第二の相互配線層６上の領域がフォトレジスト１１に覆われないように、パターンニングされる。このために、例えば、エッチングにより、フォトレジスト１１から保護層７にまで達するように開口１２が設けられる。そして、図３Ｃに示すように、フォトレジスト１１が除去される。
【００２５】
保護層７上と第二の相互配線層６の露出領域上とに第二の誘電体層８が形成される（図３Ｄ）。
【００２６】
第二の誘電体層８上にフォトレジスト１１が堆積され、そして、後でコンタクト構造又はキャパシタと電気的コンタクトがとられる第二の誘電体層８の複数の領域が露出するように、パターンニングされる。このために、例えば、エッチングにより、フォトレジスト１１の層から、第二の誘電体層８、そして保護層７にまで達するように、それら各領域に開口１２が設けられる（図３Ｅ）。そして、図３Ｆに示すように、フォトレジスト１１が除去される。
【００２７】
第二の誘電体層８上と第二の相互配線層６の露出領域上とにＵＢＭ層９が堆積される（図３Ｇ）。
【００２８】
ＵＢＭ層９上にフォトレジスト１１が堆積され、そして、後でコンタクト構造となるＵＢＭ層９の複数の領域が露出するように、パターンニングされる（図３Ｈ）。そして、例えば、電気メッキによりバンプ・コンタクト１０が形成される（図３Ｉ）。
【００２９】
さらにＵＢＭ層９をパターンニングするために、最終構成においてＵＢＭ層９が複数の領域の各々に残らないように、これら各領域に開口１２が設けられて、フォトレジスト１１が再度パターンニングされる。フォトレジスト１１によって覆われていないＵＢＭ層９の複数の領域が、例えば、エッチングにより除去される（図３Ｊ）。そして、図３Ｋに示すように、フォトレジスト１１が除去される。
【００３０】
このような構成は、例えば、表示装置を駆動するのに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明が適用可能な構成を示す概略断面図である。
【図２】この発明が適用可能な構成を示す概略断面図である。
【図３Ａ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｂ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｃ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｄ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｅ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｆ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｇ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｈ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｉ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｊ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図３Ｋ】この発明が適用可能な構成を製造する工程を示すフローチャートの一図である。
【図１】
2005512320.tif 000003
【図２】
2005512320.tif 000004
【図３Ａ】
2005512320.tif 000005
【図３Ｂ】
2005512320.tif 000006
【図３Ｃ】
2005512320.tif 000007
【図３Ｄ】
2005512320.tif 000008
【図３Ｅ】
2005512320.tif 000009
【図３Ｆ】
2005512320.tif 000010
【図３Ｇ】
2005512320.tif 000011
【図３Ｈ】
2005512320.tif 000012
【図３Ｉ】
2005512320.tif 000013
【図３Ｊ】
2005512320.tif 000014
【図３Ｋ】
2005512320.tif 000015
【国際調査報告】
2005512320.tif 000016
2005512320.tif 000017
2005512320.tif 000018
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