(57)【要約】内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、開口部が両端から中央部に行くほど狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。前記線形蒸発源を利用した薄膜の製作の際、薄膜製作のための真空蒸発源の低い物質使用率を改善し、全体薄膜の均一性を確保できるだけでなく、シャドウマスクによるシャドウ効果を改善できる。
2005520933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項２】
前記開口部の中央部は、長手方向に一定部分が閉鎖される請求項１に記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項３】
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は長手方向に一定間隔をおいて離隔形成され、前記中央部に行くほど幅が狭くなる有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項４】
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は前記長手方向と同じ幅を持つ主開口部と、前記主開口部の両側に、前記長手方向の中央部の一定部分を除いた残り部分から前記中央部に行くほど幅が狭くなる三角形状の補助開口部とを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項５】
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面が開放される坩堝と、
両端から中央部に行くほど幅が狭くなる開口部が形成され、前記一側面で前記坩堝に分離可能に挿嵌する開口部調節ユニットを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項６】
前記開口部調節ユニットと重なる前記坩堝の一部が除去され、前記開口部調節ユニットの一部が加熱ソースに露出する請求項５に記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項７】
前記収容空間内の前記開口部の下側には、前記蒸着用物質が外部に飛散することを防止するための飛散防止部が設置される請求項１、３、４及び５のいずれか１つに記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項８】
前記収容空間内に長手方向に一定間隔をおいて複数個のブロックが設置され、前記収容空間を分割して前記蒸着用物質を収容する請求項１、３、４及び５のいずれか１つに記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項９】
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成され、前記収容空間内に前記開口部の下部の前記一側面に飛散防止部が突設される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
【請求項１０】
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝と、
前記坩堝と関連して設置されて前記蒸着用物質を蒸発させる加熱装置とを含み、
前記開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源アセンブリー。
【請求項１１】
閉ループを形成するフレームと、
前記フレームから前記フレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成される複数個の突起部とを含み、
前記各突起部の上面には熱線を係止するように溝が形成される蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板。
【請求項１２】
前記溝と接する前記間隙の部分には前記熱線が通過できる通過孔が形成される請求項１１に記載の蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板。
【請求項１３】
前記フレームの外側端部には係止突起が形成され、前記係止突起と端部との間に両端が固定される放熱板がさらに設置される請求項１１に記載の蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板。
【請求項１４】
閉ループを形成するフレームと、前記フレームから前記フレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成されて上面に熱線を係止する溝が形成された複数個の突起部とを含み、上下一定の間隔で離隔配置される一対の絶縁固定板と、
前記一対の絶縁固定板の間隙を通過し、前記溝を境界として上下ジグザグで巻き付けれらる熱線を含む蒸着用蒸発源のヒーターアセンブリー。
【請求項１５】
前記フレームの外側端部には係止突起が形成され、前記係止突起と端部との間に両端が固定される放熱板がさらに設置される請求項１４に記載の蒸着用蒸発源のヒーターアセンブリー。
【請求項１６】
請求項１１の絶縁固定板に熱線を巻き付けるために提供され、ピンが挿入され、一定間隔で２列に配されるための複数のピン溝を有し、１つの列に配置されるピン溝は他の列に配置される隣接のピン溝の領域に対応するようにピン溝がジグザグで配置され、各ピン溝の幅は前記絶縁固定板の突起部の幅に対応する蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレート。
【請求項１７】
前記２列のいずれかの一列から一定の距離だけ延長離隔されたピン溝が一定間隔で設置される請求項１６に記載の蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレート。
【請求項１８】
端部に設置されるピン溝に隣接して前記熱線の最初部分を固定する固定片が嵌合される固定溝がさらに形成される請求項１６に記載の蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレート。
【請求項１９】
請求項１３の絶縁固定板と請求項１８の熱線ワインディングプレートを利用して、蒸発源に熱線を設置して固定する方法において、
前記熱線ワインディングプレートのピン溝にピンを挿入し、前記熱線が最初のワインディングピンと隣接する位置に前記熱線の最初部分を固定する段階と、
１つの列とこれに対向する他の列との間に、前記挿入ピンを境界としてジグザグで前記熱線をワインディングする段階と、
ワインディングが完了した熱線を前記熱線ワインディングプレートから分離する段階と、
前記分離された熱線の曲げ部分を前記絶縁固定板の突起部の溝に係止する段階と、
前記熱線が巻き付けられる一対の絶縁固定板を一定の張力を持つように張設させ、蒸発源に設置する段階とを含む蒸着用蒸発源の熱線固定方法。
【請求項２０】
前記蒸発源に設置した後、前記熱線の外側に前記一対の絶縁固定板間に放熱板を設置する段階をさらに含む請求項１９に記載の蒸着用蒸発源の熱線固定方法。
【請求項２１】
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って両端から中央部に行くほど幅が狭くなる開口部が形成される坩堝と、
前記坩堝の端部に沿う形状のフレームと、前記フレームから前記フレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成され、上面に熱線を係止する溝が形成される複数個の突起部とを含み、上下一定の間隔をおいて離隔配置される一対の絶縁固定板と、
前記一対の絶縁固定板の間隙を通過し、前記溝を境界として上下ジグザグで巻き付けられる熱線とを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源アセンブリー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着工程用蒸発源及びこれに適用される絶縁固定板、熱線ワインディングプレート及び熱線固定方法に関し、より詳しくは、低い物質使用率を改善し、全体薄膜の均一性を確保できる蒸着工程用蒸発源に関する。
【０００２】
さらに、本発明は、蒸着を利用した半導体などの薄膜の製作の際に使用する蒸発源に固定される熱線の損傷を防止し、熱線を蒸発源の周囲に容易に設置して蒸発源に均一な熱が加えられるようにし、熱線の耐久性を高め、熱線を固定する固定板により覆われる面積を最小化することにより、効率が向上できる蒸着工程用蒸発源の絶縁固定板、熱線ワインディングプレート及び熱線固定方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機電気発光素子などを含む有機半導体素子の製作には、大別すれば、低分子物質を真空中で蒸発させて製作する場合や、高分子物質を溶剤に溶解してスピンコーティング(ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ)、ディップコーティング(ｄｉｐ ｃｏａｔｉｎｇ)、ドクターブレーディング、インクジェットプリンティングなどを利用して製作する２つの方法がある。
【０００４】
前述の方法のうち、真空中で薄膜を製作する場合、所望の形状の開口部を持つシャドウマスクを基板の前に整列し、この基板に物質を蒸着することにより、基板に薄膜を製作することになる。
【０００５】
前述のような真空蒸着方法を使用する場合、図１に示すように、薄膜の均一性を確保するために、基板１と蒸発源２との間の距離を遠く離隔させ、蒸発源２を基板１の中央下部に配置した後、基板１を回転させて蒸着することになる。
【０００６】
また、上記の方法を改善して、図２に示すように、蒸発源２が基板１の下部で一定角度をなすように配置された後、基板１を回転させて蒸着することにより、基板１に蒸着される薄膜の均一性を向上できる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述のような基板の蒸着方法は、基板の大きさが大きくなれば、基板及び蒸発源間の距離も共に増加する。このように、距離が増加する場合には蒸発源から蒸発した物質が基板にも蒸着されるが、多くの部分が真空チャンバーに蒸着されて蒸発物質の使用率が顕著に低くなるという問題点が発生する。実際に使用されている有機物質が高価であることを勘案すれば、量産時の原価上昇の大きい要因になり得る。
【０００８】
しかも、基板の面積が大きい場合、図３に示すように、シャドウマスク３と蒸発源２がなす角度により発生するシャドウ効果(ａ部分参照)が問題となる。シャドウ効果は、基板１の中間部と端部が蒸発源２となす角度の相違により発生する。このような問題はシャドウマスクの開口部が一層減少する天然色素子の製作においてさらに深刻である。
【０００９】
前記のような問題点を解決するために、複数の蒸発源を線形で配置したり、線形の蒸発源を利用して基板をスキャンする方法を使用することもできる。
【００１０】
しかしながら、複数の蒸発源を使用する場合、それぞれの蒸発源を調節して所望の蒸発率を維持することが容易でなく、線形の蒸発源を利用する場合、基板の端部で発生する薄膜の不均一性を解決するのが容易でないという問題点があった。
【００１１】
一方、蒸着工程のために真空中で使用される蒸発源は、大別すれば、直接的な抵抗加熱により蒸発させる加熱蒸発源と、熱線で発生する放射を利用して物質を加熱し蒸発させる放射蒸発源とがある。
【００１２】
図４は従来の放射蒸発源の熱線固定装置を示す斜視図である。
同図に示すように、蒸発させたい物質が入っている坩堝３１の周囲に熱線３２を配置する。この例では点蒸発源(ｐｏｉｎｔ ｓｏｕｒｃｅ)に対応する坩堝３１を示しているが、線形蒸発源(ｌｉｎｅａｒ ｓｏｕｒｃｅ)に対応する坩堝にも適用されることは当然である。
【００１３】
熱線３２を固定させるために、セラミックなどの材質からなる絶縁固定板３３、３４を坩堝３１の上下に配置し、熱線３２を絶縁固定板３３、３４に各々形成された穴３３ａ、３４ａに交互に挿入し固定する。高温の蒸発源の場合、上側と下側の絶縁固定板３３、３４の外部周囲に金属板(図示せず)を配置して熱線から放出する放射熱を反射させるようにすることもできる。
【００１４】
このように、上側と下側の絶縁固定板３３、３４を利用して熱線３２を配置するために、上側と下側の絶縁固定板３３、３４を穴３３ａ、３４ａが互いに対向するように配置し、長い熱線３２を上側の絶縁固定板３３の穴３３ａから下側の絶縁固定板３４の穴３４ａに貫通させた後、下側の絶縁固定板３４の隣接穴に熱線３２を反対方向に挿入し、さらにこれを上側の絶縁固定板３３の隣接穴に挿入する。このような方法を繰り返して図４のような状態に熱線を固定する。
【００１５】
このような過程において、隣接穴を介して熱線を通過させた後、熱線の開路を防止し、均一な熱を加えるために熱線は堅く引かれる。この時、熱線３２が絶縁固定板の穴を通過しながら穴との摩擦によって損傷を受けたり、曲がったりする等の問題点が発生する。
【００１６】
このように、熱線が傷つけば、以後に製作される蒸発源に熱線を介して通電する時、熱線の抵抗値が部分的に不均一になり、坩堝の温度分布が不均一になる。このような状態で長期間使用すれば、傷ついた熱線の部位は機械的強度が弱くなり、結局、断線となるという問題点があった。
【００１７】
また、前述のような従来の熱線固定装置は、上側及び下側の絶縁固定板の厚さだけ熱線が覆われることになり、結局、坩堝に加えられる放射熱が減少するという問題点があった。
【００１８】
したがって、本発明の目的は、薄膜製作のための真空蒸発源の低い物質使用率を改善し、全体薄膜の均一性を確保できるだけでなく、シャドウマスクによるシャドウ効果を改善できる有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を提供することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、熱線の損傷を防止し、熱線を蒸発源の周囲に容易に設置して蒸発源に均一に熱が加えられるようにし、熱線の耐久性を高め、熱線を固定する固定板により覆われる面積を最小化することにより、効率を向上できる蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置及びその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
これらの目的を達成するために、本発明の一側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成された坩堝を含み、開口部が両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。
【００２１】
開口部の中央部は長手方向に一定部分が閉鎖されるように形成することができる。
【００２２】
本発明の他の側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面が開放される坩堝と、両端から中央部に行くほど幅が狭くなる開口部が形成され、一側面で坩堝に分離可能に挿嵌する開口部調節ユニットを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。
【００２３】
望ましくは、開口部調節ユニットと重なる前記坩堝の一部が除去され、開口部調節ユニットの一部が加熱ソースに露出する。
【００２４】
また、収容空間内の前記開口部の下側には、蒸着用物質が外部に飛散することを防止するための飛散防止部を設置することができる。
【００２５】
望ましくは、収容空間内に長手方向に一定間隔をおいて複数個のブロックが設置され、収容空間を分割して蒸着用物質を収容することができる。
【００２６】
本発明のまた他の側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成され、収容空間内に開口部の下部の一側面から飛散防止部が突設される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。
【００２７】
本発明のまた他の側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝と、坩堝と関連して設置されて蒸着用物質を蒸発させる加熱装置とを含み、開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源アセンブリーが開示される。
【００２８】
本発明のまた他の側面によれば、閉ループを形成するフレームと、フレームからフレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成される複数個の突起部とを含み、各突起部の上面には熱線を係止する溝が形成される蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板が開示される。
【００２９】
望ましくは、溝と接する間隙の部分には熱線が通過できる通過孔が形成される。
【００３０】
選択的に、フレームの外側端部には係止突起が形成され、係止突起と端部との間に両端が固定される放熱板をさらに設置することができる。
【００３１】
本発明によれば、閉ループを形成するフレームと、フレームからフレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成されて上面に熱線を係止する溝が形成される複数個の突起部とを含み、上下一定の間隔で離隔配置される一対の絶縁固定板と、一対の絶縁固定板の間隙を通過し、溝を境界として上下ジグザグで巻き付けられる熱線を含む蒸着用蒸発源のヒーターアセンブリーが開示される。
【００３２】
本発明によれば、ピンが挿入され、一定間隔で２列に配されるための複数のピン溝を有し、１つの列に配置されるピン溝は他の列に配置される隣接のピン溝の領域に対応するようにピン溝がジグザグで配置され、各ピン溝の幅は絶縁固定板の突起部の幅に対応する蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレートが、前述した絶縁固定板に熱線を巻き付けるために提供される。
【００３３】
選択的に、２列のいずれかの一列から一定の距離だけ延長離隔されたピン溝が一定の間隔で設置されることができる。
【００３４】
望ましくは、端部に設置されるピン溝に隣接して熱線の最初部分を固定する固定片を嵌合する固定溝をさらに形成することができる。
【００３５】
本発明によれば、上述した絶縁固定板と熱線ワインディングプレートを利用して、蒸発源に熱線を設置して固定する方法が開示され、熱線ワインディングプレートのピン溝にピンを挿入し、熱線が最初ワインディングピンに隣接する位置で熱線の最初部分を固定する段階と、１つの列とこれに対向する他の列との間に、挿入ピンを境界としてジグザグで熱線をワインディングする段階と、ワインディングが完了した熱線を熱線ワインディングプレートから分離する段階と、分離された熱線の曲げ部分を絶縁固定板の突起部の溝に係止する段階と、熱線が巻き付けられる一対の絶縁固定板を一定の張力を持つように張設させ、蒸発源に設置する段階とを含む。
【００３６】
望ましくは、蒸発源に設置した後、熱線の外側へ一対の絶縁固定板間に放熱板を設置することができる。
上記の一般的説明と、以下の詳細な説明の双方は、例示的かつ説明的なものであり、クレームされた発明の更なる説明を提供しようとするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
添付図面に基づき、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００３８】
＜第１実施例による線形蒸発源＞
図５は本発明の第１実施例による有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す斜視図で、図６は図５の線形蒸発源を示す断面図である。
【００３９】
坩堝１０は、片側に開口部１１が形成され、残りは閉鎖されて内部に収容空間が形成され、収容空間には蒸着用物質Ａが収納される。望ましくは、坩堝１０は長い筒形状で形成され、開口部１１は坩堝１０の長手方向に沿って形成される。
【００４０】
したがって、開口部１１の上部で長手方向に対して垂直な方向に基板を移動させたり、反対に坩堝１０を移動させて薄膜を蒸着できる。
【００４１】
本発明によれば、開口部１１の幅は長手方向の両端部から中央部に行くほど幅が狭くなるようにすることにより、薄膜の蒸着の際に均一な厚さで薄膜を蒸着できる。
【００４２】
すなわち、従来技術では、開口部１１の幅が長手方向の全体にわたって同一であるので、拡散密度の差により中央部に物質が厚く蒸着され、周辺部に行くほど物質が薄く蒸着される現状が発生することにより、全体として薄膜の均一度が低下した。
【００４３】
また、開口部１１の中央部の一定部分が閉鎖されてもほぼ等しい効果を示すことができる。
【００４４】
本発明の精神と範囲を逸脱せずにこのような基本的な特徴の修正や多様化は当業者にとって明らかである。例えば、開口部１１を原形や四角形として長手方向に離隔形成し、中央部に行くほど幅が狭くなるように形成することができる。
【００４５】
また、長手方向に同じ幅を持つ主開口部を形成し、主開口部の両側に、中央部の一定部分を除いた残り部分から中央部に行くほど幅が狭くなる三角形状の補助開口部を形成することもできる。
【００４６】
＜第２実施例による線形蒸発源＞
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、開口部１１を長手方向に沿って一定の大きさで形成させ、ノズル部２１の幅が第１実施例と同様な別途の開口部調節ユニット２０を分離可能に設置することにより、蒸着のための開口面積の調節がより容易になる。
【００４７】
一般的に、坩堝１０に第１実施例と同様な形状の開口部を直接形成するのは容易ではないので、他の材質を持つ開口部調節ユニット２０を着脱可能に製作して坩堝１０の開口部１１に取り付けて使用するものである。
【００４８】
開口部調節ユニット２０は１つのセットとして一体製作したり、２個以上に分離製作して各々を組合わせて設置することができる。望ましくは、開口部調節ユニット２０の上段にはフランジが形成され、坩堝１０の上段に密着挿入される深さを正確に設定できる。
【００４９】
また、ノズル部２１から一定の距離をおいて離隔して下部に飛散防止片３０を長手方向に設置することにより、坩堝１０内の物質Ａが飛散して基板などに損傷を与えるのを防止する。
【００５０】
＜第３実施例による線形蒸発源＞
上述した第２実施例で開口部調節ユニット２０を使用する場合、開口部調節ユニット２０が坩堝１０内に挿入されてむしろ熱を遮断することにより、開口部の相対的な温度が低くなり、蒸着物質が開口部調節ユニット２０に蒸着されることもできる。その場合、蒸着の進行中に、蒸着物質が開口部調節ユニット２０の開口部の形態を変形させたり、入口を閉鎖させる結果を引き起こすことがある。
【００５１】
これを改善するために、図８のように、坩堝１０の両側面の一部分を削除して開口部調節ユニット２０が露出するようにし、露出部分が加熱部１２を構成することにより、蒸着時の熱線の熱が直接開口部調節ユニット２０を加熱できるようにし、開口部調節ユニット２０に物質Ａが蒸着されて入口が閉鎖されるのを防止できる。
【００５２】
図９は本発明の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を利用した薄膜蒸着方法を示す図である。図５乃至図９を参照して本発明の作用及び効果を説明すれば、次の通りである。
【００５３】
図９に示すように、本発明の線形蒸発源を利用した蒸着の際、基板１とマスク３を坩堝１０の開口部１１の長手方向に対して垂直な方向に線形移動させて蒸着するのが望ましいが、場合に応じて基板１とマスク３が固定された状態で坩堝１０が線形移動して蒸着することもできる。
【００５４】
坩堝１０の開口部１１は両端部より中央部の幅が狭くなる形状のものであれば、いかなる形状であっても良い。すなわち、両端部が三角形状で形成され、三角形の中央部側の頂点から中央部に間隙が延長されて開口部を形成しても同様の効果をなすことができ、このような開口部１１によって蒸着される薄膜の均一性を大きく向上できる。
【００５５】
また、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、別途の開口部調節ユニット２０を開口部１１に取り付けて物質Ａが蒸発する開口面積を容易に調節できる。開口部調節ユニット２０を着脱可能にすることにより、物質Ａの蒸着によりノズル部２１が汚染されて開口面積が狭くなる場合、これを取り外して容易に洗浄することができる。
【００５６】
一方、蒸着が最初に開始される場合や物質の密度変化などによる蒸着の場合、物質Ａが飛散して基板１を汚染させたり、予期できない蒸着がなされる可能性があり、これは薄膜形成に大きい損傷を招くことになる。したがって、開口部１１の下側(内側)やノズル部２１の下側に飛散防止部３０を構成することにより、これを容易に防止できる。
【００５７】
まず、従来の蒸発源を利用した蒸着の場合には、蒸着される薄膜の均一性のために、基板１及び蒸発源間の距離を遠く離隔すべきであるが、本発明の線形蒸発源を利用した蒸着の場合には、比較的近接している状態で蒸着できるので、物質Ａの使用率を大きく向上でき、よって、物質を頻繁に補充する必要もなくなった。
【００５８】
一方、図１０に示すように、場合に応じて、基板１とマスク３を立設させ、坩堝１０も立設させ、基板１とマスク３を立設した状態で左右方向に移動させて蒸着させることもできる。
【００５９】
このような場合、一般の形態の坩堝を使用すれば、物質が重力により下方に偏るようになり、蒸着物質が流出するという問題があったり、たとえ薄膜は製作できても薄膜の均一性は保障できない。このような場合、坩堝１０内の物質が位置する空間にブロック１３を設けたり、このブロック１３を引出し可能な箪笥(図示せず)形態で設けることにより、坩堝１０を立設した場合、物質が下方に偏るのを防止できる。
【００６０】
＜第４実施例による線形蒸発源＞
図１１を参照すれば、基板１とマスクが立設した場合において、基板１に対向する側面に開口部１１を形成し、物質Ａの飛散を防止するために図１１のように坩堝１０内に飛散防止部１４を形成できる。
【００６１】
したがって、図１２に示すように、基板１とマスク３を立設した状態において、坩堝１０を垂直方向に移動させながら蒸着することもできる。
【００６２】
図１３は本発明の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源の効果を示している。同図に示すように、本発明の線形蒸発源を利用して薄膜を製作した場合(●)は、点蒸発源を使用した場合(▲)や開口部調節ユニットを使用しない場合(■)よりも改善した薄膜の均一性を示している。
【００６３】
図１４は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置を利用して熱線を設置した状態を示す斜視図で、図１５は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板を示す平面図で、図１６は図３のＡ-Ａ'線に沿う断面図である。
【００６４】
この実施例では、説明の便宜上、点蒸発源を例として説明し、前述の第１乃至第４実施例の線形蒸発源に適用できることは明らかである。
【００６５】
点蒸発源４０を中心として、点蒸発源４０を取り囲むように一定の間隔をおいて熱線７０が配置される。
【００６６】
熱線７０は上下に配置された絶縁固定板６０により両端が固定される。図１５及び図１６によると、絶縁固定板６０は、リング状のフレーム６３と、このフレーム６３から中心方向に一体に突設する複数の突起部６１とからなる。突起部６１の上面には熱線７０を係止するようにガイドする溝６１ａが形成され、各突起部６１間には熱線７０が通過できる直径の通過孔６２が形成される。
【００６７】
望ましくは、突起部６１を一定の間隔をおいて相互分離されるように形成し、熱線７０が通過する部分にのみ原形の通過孔６２を形成することにより、熱線７０の動きにより摩擦が発生しても熱線７０に損傷を与えない。
【００６８】
図１７は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板の他の実施例を示す断面図である。
絶縁固定板６０のフレーム６３の外側端部に係止突起６４を形成して放熱板８０を両端で固定できる。すなわち、高い放射温度を得るために熱線７０を取り囲むように放熱板７０を設置するが、フレーム６３の外側端部に係止突起６４を形成することにより、より容易に放熱板７０を設置することができる。
【００６９】
図１８は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置に熱線を巻き付けるのに適用される熱線ワインディングプレートを示す平面図である。
本発明の絶縁固定板６０を利用して蒸発源４０に熱線を容易に設置するために、熱線ワインディングプレートが利用される。熱線ワインディングプレート５０にはピン(図１９の５２)の挿入されるピン溝５１が対をなす形態で２列に配置される。各対をなすピン溝５１間の間隔は突起部６１の幅に対応し、各列間の間隔は上下絶縁固定板６０間の間隔に対応する。
【００７０】
１つの列に配置される各対をなすピン溝５１は、他の列のピン溝間に対向するように配置されて、ジグザグで熱線７０が巻き付けられる。
【００７１】
また、ピン溝５１を突起部６１の幅と対応する幅を持つように形成して１つずつ配置することもできる。熱線７０を巻き付けるとき、摩擦を最小化するためにピン溝５１に嵌合するピンの側面に曲面を形成することが望ましい。
【００７２】
また、固定溝５５は熱線７０の最初部分を固定するための固定片(図１９の５４)を嵌合する部分であって、熱線を設置する蒸発源の大きさによって熱線を巻き付けるように多様な位置に形成する。
【００７３】
図１９は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置に熱線ワインディングプレートを利用して熱線を巻き付ける方法を説明する斜視図である。
【００７４】
図１８及び図１９を参照して、熱線ワインディングプレートを利用して蒸発源に熱線を設置する過程を説明する。
【００７５】
まず、図１９に示すように、熱線ワインディングプレート５０のピン溝５１にピン５２を挿入し、固定溝５５間に熱線７０を通過させて、固定片５４を固定溝５５に嵌着することにより、熱線７０が一定の張力を維持できるようにする。
【００７６】
続いて、２列に配置されたピン５２間をジグザグで繰り返しながら各ピン５２を境界として熱線７０を巻き付ける。
【００７７】
熱線７０を全部巻き付けた後には、固定片５４を除去し、各ピン５２をピン溝５１から分離させれば、一定の形状で巻き付けた熱線７０が熱線ワインディングプレート５０から分離される。すなわち、熱線７０は一定の直径を持っているので、一旦巻き付けた形状をそのまま維持できる。
【００７８】
この状態で熱線７０を上下絶縁固定板６０に係止するが、各ピン５２により曲げた熱線７０部分が突起部６１の溝６１ａに係止される。
【００７９】
以後、二つの絶縁固定板６０を設置したい蒸発源の高さだけ引っ張って一定の張力を持つようにした後、二つの絶縁固定板６０を蒸発源に設置する。
【００８０】
このように、熱線ワインディングプレートを利用して熱線を巻き付けて一定の形態を維持した後、絶縁固定板の突起部に巻き付けられた熱線を移して蒸発源に設置することが本発明の特徴であり、このような方法により、熱線に無理な摩擦や張力が作用することなく、容易に熱線を設置できる。
【００８１】
一方、場合に応じて蒸発源の上側と下側に加えられる放射熱を異にすることができる。特に、蒸発源の下部の温度をより高くする場合が多いが、このような場合、図１８に示すように、下側に対応する列より一定の距離だけさらに延長離隔されるピン溝５３を、一定間隔にて設置できる。
【００８２】
したがって、延長設置されたピン溝５３がある部分は、このピン溝５３を熱線７０を巻き付ける境界とすることにより、結果的に熱線分布が増加するので、下側での温度を上昇させることができる。
【００８３】
以上では本発明の望ましい実施例に基づいて本発明を示し、かつ説明したが、本発明の精神や範囲から逸脱せずに当業者にとって様々な変更と変形を行うことができることは明らかである。したがって本発明は、添付のクレームの範囲内の発明とその均等物の変更と変形を包含することを意図している。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
上述のように、本発明の線形蒸発源によれば、薄膜が蒸着により形成されるとき、蒸発源の低原料使用率が改善され、蒸着された薄膜全体の厚さの均一性が保証され、シャドーマスクによるシャドー効果が改善される。
さらに、本発明の熱線固定具と固定方法によれば熱線の損傷が防止され、蒸発源の周囲に熱線を配することができる。さらに、蒸発源に対して熱が均一に与えられ、熱線の耐久性が向上され、絶縁固定板でシールドされた領域は最小化されて効率が高められる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
発明の更なる理解を提供し、本明細書に組み込まれ、かつその一部を構成するよう含まれる添付図面は、本発明の実施例を図示し、説明文と共に本発明の原理の説明に役立つであろう。
【図１】従来の蒸発源を利用した蒸着方法を示す図である。
【図２】従来の蒸発源を利用した他の蒸着方法を示す図である。
【図３】従来の蒸発源を利用した蒸着時に発生するシャドウ効果に対する説明図である。
【図４】従来の放射蒸発源の熱線固定装置を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１実施例による有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す斜視図である。
【図６】図５の線形蒸発源を示す側面断面図である。
【図７Ａ】本発明の第２実施例による他の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す側面断面図である。
【図７Ｂ】図６ａの側面断面図である。
【図８】本発明の第３実施例による有機導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す断面図である。
【図９】本発明の線形蒸発源を利用した薄膜蒸着方法を示す図である。
【図１０】本発明の線形蒸発源を利用した他の薄膜蒸着方法を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施例による有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す断面図である。
【図１２】図１１の線形蒸発源を利用した薄膜蒸着方法を示す図である。
【図１３】本発明の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を使用した場合の薄膜の均一性を示すグラフである。
【図１４】本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置を利用して熱線を設置した状態を示す斜視図である。
【図１５】本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板を示す平面図である。
【図１６】図３のＡ-Ａ'線に沿う断面図である。
【図１７】本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板の他の実施例を示す断面図である。
【図１８】本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の熱線ワインディングプレートを示す平面図である。
【図１９】本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の熱線ワインディングプレートを利用して熱線を設置する過程を示す分解斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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