(57)【要約】【課題】  薄膜を基板にコーティングするための方法及び装置を提供する。【解決手段】  少なくとも保存容器(12)内に貯蔵された固体又は液体の開始材料(15)が処理室(2)内へガス又はエアゾルとしてキャリアガスを用いて誘導され、そこで基板(3)上に凝縮される。固体又は液体の開始材料(15)は基板温度より高いソース温度に維持される。目標とする組成を調整可能とするべく、成分の特性、開始材料(15)を通るキャリアガス流量及び処理室(2)へのガス状開始材料の供給を決定する一連の多層及び接触面の特性が、少なくとも１つのバルブ(8)と１つの流量調節器(9)を用いて調節される。
2005520687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応装置(1)の処理室(2)内で少なくとも１つの基板に薄膜をコーティングするために、少なくとも１つの貯蔵容器(12)に貯蔵された固体又は液体の開始材料(15)がガス又はエアゾルとして前記処理室(2)内へ導入されて基板(3)上で凝縮するにあたり、前記固体又は液体の開始材料(15)が前記基板の温度より高いソース温度に保持されると共にキャリアガスが前記開始材料(15)を通り、ガス状開始材料の前記処理室(2)への供給が少なくとも１つのバルブ(8)を用いて制御されるプロセスにおいて、
前記貯蔵容器(12)内の圧力が該貯蔵容器(12)の下流側に設置された圧力調節器(16)を用いて調節され、かつ該貯蔵容器(12)の上流側に設置された流量調節器(9)により調節されるガス流が、該圧力調節器(16)の下流側に設置された排気ライン(10)へスイッチングバルブ(8)を用いて切り替え可能であることを特徴とする
基板上への薄膜堆積プロセス。
【請求項２】
少なくとも２つの異なる容器(11)が異なる開始材料(15)を収容すると共に、キャリアガスがそれらを別々に通過し、かつそれぞれのガス状開始材料の前記処理室への供給が少なくとも１つのバルブ(8)及び少なくとも１つの流量調節器(9)を用いて調節されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
堆積プロセスの間に、前記調節されたガス流を変更することにより、少なくとも１つのキャリアガスに溶け込んだ少なくとも１つの開始材料の供給を変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記ガス流が瞬時にオン又はオフに切り替えられることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
前記ガス流を一定速度で増加又は減少させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
１又は複数の前記開始材料が有機分子であり、かつ前記堆積層がさらにＯＬＥＤを形成するべく処理されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
１又は複数の開始材料を含有する複数の層が連続的に堆積される請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
一連の層が、前記ガスの組成を変更することのみにより同じ処理室内で直ちに次々に続けられるコーティング工程により作製されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のプロセス。
【請求項９】
ｎ型及びｐ型導電層が堆積されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
ドーピングされない介在層がドーピング層同士の間に堆積されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
濃度又は組成の層厚における変化が、容器(11)を通過するキャリアガス流の時間変化に対応することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
太陽電池、センサ又はトランジスタが、前記堆積された１又は複数の一連の層から作製されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１３】
前記ガスの経路、圧力及び温度を変化させることにより有機層の堆積が基板上で局所的に限定されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１４】
前記堆積がエンドレスでフレキシブルな基板上で行われることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１５】
前記層の成長をマスクを用いて横方向にパターン付けすることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１６】
１又は複数の一連の層が、保護用、絶縁用若しくは反射防止用コーティング又は金属により、同じ処理室内で行われる後続プロセスにおいてコーティングされることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載のプロセスを行うための装置であって、反応装置ハウジングと、該ハウジング内に設置された処理室(2)と、該処理室内に設置された温度制御可能な基板ホルダ(7)と、温度制御可能なガス入口部品(4)とを有し、温度制御可能なガスライン(5,6)が、各々固体又は液体の開始材料(15)を収容する複数の温度制御可能な貯蔵容器から前記ガス入口部品(4)までキャリアガスとガス状に変換された個々の開始材料(15)のために接続されており、該装置内にて前記キャリアガスに溶け込んだ前記ガス状開始材料のガス流が、バルブ(8)を用いることにより処理時間帯を通して制御可能である方式で各々別個に前記処理室内へ通過可能であるところの装置において、
前記貯蔵容器(12)内の圧力を調節するべく該貯蔵容器の下流側に設置された圧力調節器(16)と、該貯蔵容器(12)の上流側に設置された流量調節器(9)により調節される前記ガス流を排気ライン(10)へ切り替えるべく該圧力調節器(16)の下流側に設置されたスイッチングバルブとを有することを特徴とする
基板上への薄膜堆積装置。
【請求項１８】
媒体が底部から上方へ流れることができる容器(11)を有することを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
質量調節器(9)が前記容器(11)の上流側に接続されることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記容器(11)の下流側にスイッチングバルブが接続され、該スイッチングバルブを用いてガス状開始材料及び該ガス状開始材料を移送するキャリアガスが、処理室(2)又は排気ライン(10)のいずれかへ切り替え可能であることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれかに記載の装置。
【請求項２１】
圧力調節器(16)が前記バルブ(8)と前記容器(11)の間に設置されることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応装置の処理室内で少なくとも１つの基板に薄膜をコーティングするプロセスに関する。このプロセスにおいては、少なくとも１つの固体又は液体の開始材料が貯蔵容器に貯蔵され、ガス又はエアゾルとして処理室内へキャリアガスを用いて導入され、処理室内で基板上に凝縮される。固体又は液体の開始材料は、基板温度よりも高いソース温度に保持される。さらに、本発明は、特にこのプロセスを行うための装置に関し、この装置は反応装置とその中に設けられた処理室とを具備し、処理室内には、温度制御可能な基板ホルダと、温度制御可能なガス入口部品が設置され、ガス入口部品は温度制御可能なガスラインを具備しており、このガスラインは温度制御可能な複数の容器からガス入口部品へ接続されている。複数の容器の各々は、固体又は液体の開始材料を受容するためのものである。ガスラインは、キャリアガス及びガス状に変換された開始材料用である。開始材料は、調整された圧力で容器内に貯蔵される。コーティングは、同様に調整された圧力で処理室内で行われる。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、このタイプの装置を開示する。当該装置においては、冷却可能な基板ホルダが反応装置の処理室内に設置され、この基板ホルダに対向してシャワーヘッド形状の加熱可能なガス入口部品が存在する。キャリアガス及びそれぞれのキャリアガス中に溶け込んだガス状開始材料が通る複数のガスラインは、互いに別個にガス入口部品内へ開口している。ガス状開始材料は、ソース温度へ加熱された容器から出てくる。固体又は液体の開始材料がこれらの容器内に入れられている。液体又は固体の開始材料は、閉鎖可能な容器口を通して気化する。この蒸気はキャリアガスにより運ばれる。
【０００３】
特許文献２はさらに、例えば特許文献３に記載の汎用タイプの凝縮コーティングを同様に開示している。特許文献３は、ＯＶＰＤプロセスを開示する。このプロセスは、光学的非線形有機塩から形成された層を堆積させることを目的とする。これらの塩は、反応装置の高温領域内に設置された容器（るつぼ）内に貯蔵される。有機塩は、その位置を占めているソース温度によって気化する。ガス状に変換された固体開始材料は、容器内を流れるキャリアガスにより堆積領域へと移送され、堆積領域では基板ホルダ上に基板が載置されている。基板温度はソース温度よりも低いので、ガス状開始材料が基板上で凝縮することにより薄膜を形成する。当該文献に開示された方法及び装置は、少量の分子から有機発光ダイオードＯＬＥＤのためのベース材すなわち多層を創出するために用いることができる。
【０００４】
気化プロセスにおいては、得られる層厚が堆積時間により決定される。堆積速度は、気化容器の温度により決定される。複数のソースすなわち複数の容器又はるつぼが用いられる場合、種々のソース物質の間で互いに汚染が生じる可能性がある。従って、各ソースは別個の処理室に設置されなければならない。さらに、堆積システム全体に亘る高蒸気圧により望ましくない材料の分布が生じる。このことは、その構造における後続の層又は次のプロセスに対して制御不能なエントレインメントを引き起こすこととなる。
【０００５】
高輝度、低動作電圧及び長寿命のＯＬＥＤは、一連の多数のドーピング層又は非ドーピング層を必要とする。これらの層は、一プロセスにおいて連続的に堆積させなければならない。これらの層は、電子伝導体と、ホール伝導体と、バリア層と、発光層、光導電層又は光反射層とを具備する。これらの層は、好適には、組成すなわちそれらの特性が堆積方向に変化するような方法で創出されるべきである。層特性すなわち層組成又はドーパント含有量は、瞬時にも一定的にも制御速度を変更できるようにすべきである。上記については、各層の間に明確に規定された界面が要求される。
【特許文献１】国際公開WO 01/61077A2パンフレット
【特許文献２】国際公開WO 01/61071A1パンフレット
【特許文献３】米国特許第5,554,220号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述の欠点を克服すると共に、構成の特性を決定する組成、層の連なり及び界面特性の設定を制御可能とするプロセスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的は、特許請求の範囲に記載された本発明により達成される。
請求項１は、キャリアガスが開始材料を通って流れ、処理室（プロセスチャンバ）へのガス状開始材料の供給が少なくとも１つのバルブ及び流量調節器(マスフローコントローラ)を用いて調節されるプロセスに係る。このバルブは、好適には、スイッチングバルブであり、容器とガス入口部品との間に設置される。流量調節器は、容器の上流側に設置してもよい。気化速度を一定に維持するために、容器は温度制御される。容器へのガス供給ラインもまた、容器内のガス流が固体又は液体開始材料と同じ温度になるように温度制御されることが好適である。容器内部のガス圧を調節するために、圧力調節器をガス供給ラインにおける容器の下流側に設置し、これを用いて容器内の圧力を所定の値に保持することが可能である。バルブを用いることにより、キャリアガスとこれに溶け込んだガス状開始材料を含んで容器から流れ出るガス流を、処理室へ通過させたり、排気させたりできる。この排気／通気スイッチングにより、ガス濃度を予め正確に設定することが可能となり、開始材料を瞬時に切り替えることが可能となる。本発明の重要な点は、少なくとも２つの異なる容器が互いに異なる開始材料を収容し、キャリアガスはこれらをそれぞれ通って流れ、そして個々のガス状開始材料の処理室への供給がバルブ及び流量調節器を用いて調節されることである。この場合、バルブと流量調節器は、各容器に取り付けられる。
【０００８】
さらに、キャリアガスに溶け込んだ少なくとも２つの開始材料のうち少なくとも１つの供給が、堆積プロセス中に調節流量を変更することにより変更可能とすることが重要である。さらに、流量をオン又はオフに切り替えられるようにする。しかしながら、流量は、一定速度で増加又は減少させてもよい。用いられる開始材料は、好適には有機分子である。堆積した層はさらにＯＬＥＤを形成するために処理可能である。１又は複数の開始材料を有する複数の層が連続的に堆積されることが好適である。これらの一連の層は、異なる材料からなっていてもよい。
【０００９】
本発明による装置は、ガス入口部品へと流されるガス流がバルブと流量調節器を用いて常時調節可能であるような方法で処理室内へと通過させられる点が特徴である。これを実現するために、特に、各容器を通って底部から上方へ媒体を流すようにする。従って、固体又は液体の開始材料は、容器内の多孔性中間壁上に載置され、その開始材料を通ってキャリアガスが流れる。キャリアガスの温度は開始材料の温度に制御されている。流量調節器は、容器の上流側に設置されることが好適である。スイッチングバルブは、容器の下流側に設置される。圧力調節器も同様に、容器の下流側に設置してもよく、容器とスイッチングバルブの間に配置される。
【００１０】
この複合構造を創出するガス状開始材料は、例えば、窒素、アルゴン又はヘリウム等のガス流により移送される。
【００１１】
堆積速度、組成、及びその層に含ませるドーパントの量は、ガス流中の個々の開始物質の濃度により決定される。ガス流中の個々の濃度は、複数の独立した流量調節器を用いて設定される。希釈ラインも設けられ、ガス入口部品への供給ラインにおけるスイッチングバルブの下流側に開口する。ソース温度を変更することにより、個々の容器中の開始材料の蒸気圧を互いに独立に変更することができ、これにより、ガス流中の濃度を大きく増加させたり減少させたりできる。個々のソース容器は、ガス流の組成が再現可能にかつ事実上キャリアガス流と線形に変化するように構築される。ソースから反応装置までのラインは、設定されたガス組成が保持されるように構築される。
【００１２】
ガスラインの温度は、キャリアガス中のガス状開始材料の蒸気圧が飽和蒸気圧より低くなるように特に制御され、これにより、凝縮が起きないようにする。これらの配慮は、ガス入口部品の温度に対しても適用される。  ソース及びラインが分離されていることから、互いの汚染は生じない。ライン中及び容器中の圧力は、前述の圧力調節器を用いて調節される。バルブは、ソースを瞬時にかつ再現可能にオン及びオフに切り替えることができる。全てのソースは互いに物理的に分離されているので、ソースの間の互いの汚染はない。
【００１３】
複数の質的に異なる層を有する一連の層の堆積は、１つの処理室内で行うことができ、特に、次々に即座に続いていくステップで行うことができる。ガス流は互いに影響をおよぼさない。なぜなら、非常に希釈されたソース流が処理室の上流側でのみ結合されるからである。反応装置のガス入口部品及び、ガス入口部品から基板までのガス経路は、設定されたガス組成が再現不能なかたちで変更しないように構築される。従って、層の厚さは、スイッチング時間のみにより規定される。本発明による処理室及びその周辺の構造、すなわち容器のバルブや流量調節器の設置は、気相の組成すなわち層組成を非常に迅速に変更することを可能とする。前述の排気／通気のスイッチングにより、ガス濃度を予め正確に設定することができる。堆積システム全体に亘って、充たされない空の領域がないことが好適であり、それにより望ましくないガスの混合が生じない。
【００１４】
これらの理由から、個々の堆積層同士の間の界面の特性を正確に設定することができる。成長相同士の間の休止部分においては、表面を不活性ガスで充たすことができる。休止時間は所望の通りに、特に排気／通気スイッチングにより選択できる。１秒の何分の１かの極く短い休止時間が可能である。作動又は休止のスイッチング時間は、１秒の何分の１の程度から数分まで設定可能である。成長相同士の間の休止中のプロセスパラメータは、可能な限り自由に設定できる。例えば、ガス流、温度を予め設定可能である。
【００１５】
本発明によるプロセスは、多層の成長が徐々に始まったり終わったりできるのみでなく、瞬時にオン又はオフに切り替えることもできることが特徴である。このことにより、互いに堆積される個々の層同士の間の界面を正確に制御することができるようになる。これらの層は、わずか数ナノメートルの厚さの場合もある。界面に影響を及ぼすために個々の層同士の間にサブアトミック膜を堆積させることさえ可能である。これらのサブアトミック膜を用いて表面電荷を飽和させることができる。これにより所望するバンドベンディングを生じさせられる。界面、特に界面電荷に影響を及ぼすために、金属又はポリマーを堆積させることができる。
【００１６】
しかしながら、単純に成長を中断させることにより界面に影響を及ぼすことも可能である。この目的のためには、堆積を瞬時にオフに切り替える。その後、所定の時間だけ待機する。この時間中には成長は生じない。この時間中に表面が電子的に変化することもある。待機時間の後、瞬時に若しくは徐々に層成長を再開する。
【００１７】
本発明においては、用いられる開始材料は固体又は液体である。この意味は、気化可能な開始材料を用いることができるということである。しかしながら、気化温度が分解温度より高い開始材料を用いることも可能である。このタイプの材料は気化させることができない。なぜなら、気化する前に化学的に分解されるからである。これらの材料はエアゾルの形態、すなわち霧状にして移送させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施例を添付の図面を参照して説明する。
図１に示した装置は、反応装置１を有し、反応装置１は、温度制御可能なハウジングを具備する。ヒーター及びガス排出ライン、並びにこの反応装置１の他の構造要素は当然公知のものであるので、簡明とするために図示していない。反応装置に設けられた処理室２の底部は、基板ホルダ７により形成され、その温度は制御可能である。基板ホルダ７は、通常冷却されることにより、ガス入口部品４を通して処理室２内へ流れるガス状開始材料が基板ホルダ７上に載置された基板３上で凝縮し、薄膜を形成する。
【００１９】
ガス入口部品４は、シャワーヘッド形状としてもよい。ガス混合チャンバ内へ開口している複数の温度制御されたガスライン５が、ガス入口部品４の上方に設けられている。実施例では、２本の温度制御されたガスライン５が図示されている。ガスライン５及びガス入口部品４の温度は、基板温度よりも高く、ガス状開始材料が凝縮せず、化学的に変化せずかつ特にガスライン内で分解しない程度の温度となっている。
【００２０】
ガス状開始材料は、ガスソース内に設けられる。これらのガスソースは、温度制御可能な壁１２を具備する容器１１を有する。壁１２は、基板温度よりも高いソース温度へと加熱される。温度制御された供給ライン１３が、容器１１の底部へ開口している。供給ライン１３は、好適には容器の壁部１２と同じ温度に保持される。供給ライン１３は、キャリアガスを供給し、その流量は、流量調節器９により設定される。適切なキャリアガスは、例えば、窒素、アルゴン及びヘリウムである。このキャリアガスは、多孔性中間壁１４を通って流れる。固体及び、もし適切であれば液体の開始材料が多孔性中間壁１４上に載置される。開始材料は、例えば、前述の特許文献３に記載の小さい有機分子からなる。キャリアガスは、液体又は固体の開始材料１５を通って流れる。容器頂部の開口から流れ出るキャリアガスは、ガス状開始材料を含み、好適にはガス状開始材料で飽和している。温度制御されたライン６は圧力調節器１６へ開口し、この圧力調節器１６により容器圧力が調節される。温度制御されたスイッチングバルブ８は圧力調節器１６の下流側に設置され、これを用いて、ガス流をガス入口部品４へ通過させるか、排気ライン１０へ通過させることができる。ガスライン５がガス入口部品４へ開口している箇所のすぐ上流側において、キャリアガスライン１７がガスライン５内に開口している。これは、任意にさらに希釈するためであり、あるいは、バイパス操作を実現するためである。例として、バルブ８が容器１５から出たガス流を排気ライン１０へ切り替えているときのみ、ガス流がライン１７を通過できるようにする。ライン１７を流れるガス流及び排気ライン１０は同じ大きさであることが好適である。
【００２１】
図２ａ〜図２ｃは、ドーパント変化曲線の例に基づいて、本発明のプロセスを示した図である。流量調節器９により容器１１へ通過するキャリアガス量を適切に変化させることにより、基板上方の気相内のドーパントガス濃度を図２ａにプロットしたように設定することが可能である。相Ｔ１の間は、ドーパント濃度がこの処理時間帯を通して線形的に増加する。相Ｔ２の間は一定に保持され、相Ｔ３の間は、容器１５を通るガス流を適切に増加させることによりドーパント濃度が一定速度でさらに上昇する。相Ｔ４においては、ガス流を一定速度で減少させることによりドーパント濃度が線形的にゼロへ低下する。相５では、バルブ８が閉じている。相Ｔ６では、この処理時間帯を通してガス流が非線形な態様で変化させられる。相Ｔ７では、ガス流が、この処理時間帯を通してガス流が非線形な態様で低減させられる。
【００２２】
図２ｂに示すように、層の材料を含む容器を通る流れは一定に保持される。従って、基板上方の気相における関連する開始材料のガス濃度は一定である。
【００２３】
層の成長は、一定の成長速度で行われる。ドーパントの導入量のみがその処理時間帯を通して変化する。この結果、ドーパント変化曲線は、図２ｃに示す通りとなる。
【００２４】
図３ａ〜図３ｃは、例として、処理時間帯の間に層組成をどのように変化させることができるかを示している。２つの開始材料Ａ及びＢを処理室３内へ互いに独立に導入することができる。各開始材料Ａ、Ｂは別の容器１１内に載置される。容器１１を通るガス流は、別個に設定可能である。開始材料Ａが載置された容器１１を通って流れるガス流は、図３ａに示されている。これに従って、処理室内のこのガス状開始材料の濃度が変化する。
【００２５】
図３ｂは、この処理時間帯に開始材料Ｂを含む容器１１を通るガス流を示している。基板３の上方の気相中におけるガス状開始材料Ｂの濃度は、このガス流に従って変化する。
【００２６】
相Ｔ１では、開始材料Ｂに関係するスイッチングバルブ８が閉じており、開始材料Ａのみが処理室内へ通過する。図３ｃに示される通り、これに関係する層は、材料Ａのみを含有する。相Ｔ２では、材料Ａに関係するスイッチングバルブが排気へ切り替えられ、すなわち閉じられ、そして材料Ｂのみが処理室内へ通過する。従って、これに関係する層は開始材料Ｂのみを含有する。相Ｔ３では、開始材料Ａがバルブ８を切り替えることによりオンにされる。これに関係する層は双方の材料を含有する。相Ｔ４では、材料Ｂを収容する容器を通る流れが低減される。材料Ｂよりも材料Ａが多く堆積する。相Ｔ５では、材料Ａを収容する容器を通るガス流が増加させられる。これに従ってこの層組成が変化する。相Ｔ６では、材料Ａに関係するバルブが排気へと切り替えられる。従って、この層は、材料Ｂのみを有する。相Ｔ７では、双方のバルブ８が排気へ切り替えられる。層の成長は起きない。この相の間、処理室へ不活性ガスを導入することができる。相Ｔ８では、双方のバルブ８が通気に切り替えられる。材料Ａ及びＢを含有する層が堆積する。
【００２７】
もちろん、材料Ａ又は材料Ｂを収容する容器を通るキャリアガスを、図２ａに示すように、その処理時間帯を通して変化させることも可能である。この場合、層の組成は連続的に変化する。これにより傾斜傾向のある特性を創出することができる。
【００２８】
さらに、容器１１内部の温度を変更することにより、処理室２内の基板３上方の気相の組成を速やかに変化させることも可能である。しかしながら、より高速の変化は、流量調節器９を用いてガス流量を変化させることにより実現される。さらに、圧力を変化させることによっても変更が可能である。このためには、圧力調節器１６に予め設定した値を変更する。
【００２９】
本発明によるプロセス及び装置は、互いに堆積した個々の層間の界面に影響を与えるために用いることができる。特に、例えば、金属又はポリマーのサブアトミック膜を多層の１つの表面上に堆積させることができる。このタイプの介在層又は同様の介在層を用いて表面電荷を飽和させることができる。このことは、バンドベンディングを制御することになる。しかしながら、単純に成長プロセスを中断させることにより界面特性に影響を与えることもできる。堆積された層の通常の層厚は、１０〜１５ナノメートルである。複数の層を有する全体構造は、１００〜１５０ナノメートルの厚さである。前述の適用分野に加えて、本発明のプロセスはさらに、発光技術における白色発光素子を創出するために用いられる。
【００３０】
本発明においては、分解温度が低いために気化させることができない材料を開始材料とすることも可能である。この気化不能な特性の開始材料は、分解温度より高い気化温度をもつため、エアゾルとして移送される。
【００３１】
図４の概略図は、複数の温度調節チャンバ１８ａ、１８ｂ及び１８ｃを設けた実施例を示す。個々の温度調節チャンバ１８ａ、１８ｂ及び１８ｃは、異なる温度Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃに保持されている。固体又は液体の開始材料が載置された複数の容器１１ａ、１１ｂ、１１ｃが、チャンバ１８ａ、１８ｂ、１８ｃの内側に設置され、そしてこれらの開始材料は、前述の通り、ガス入口部品４を介して処理室内にへ供給される。処理室内には回転駆動される基板３が設置されている。
【００３２】
ガス入口部品４のガス放出面の外郭は、種々の形状とすることができる。図５に示すように、その形状は円形板としてもよい。図６に示すようにガス入口部品６のガス放出面の外郭形状が正方形でもよい。この形状を図７に示すようにさらに狭くして線に近い形状とし、特に、エンドレス基板をコーティングする装置及びプロセスに用いる。このタイプの装置は、図８に概略的に示されている。この場合、エンドレスでフレキシブルな基板３が処理室の一方の側から入り、温度制御可能な基板ホルダ７の上を滑っていく。フレキシブル基板３は、処理室の他方の側から出て行く。
【００３３】
マスクを通して層に対して横方向にパターン付けすることが可能である。複数の層が処理室内で堆積されることが好ましい。さらに、保護用、絶縁用、反射防止用のコーティングを一連の層に対して適用できる。
【００３４】
開示された全ての特徴は、（本質的に）本発明に関連する。関連する／添付される優先権書類（先願の複写物）の開示内容は、本願のクレームにおけるこれらの書類の統合的な特徴に関して、その全体が本願の開示に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】プロセスを実施する装置の概略構造を示す図である。処理室と開始材料のための２つの容器とを具備する反応装置を有する。
【図２ａ】処理室へ通過するドーパントの濃度の時間曲線を示す。
【図２ｂ】処理室内へ導入される層形成開始材料(Ａ)の濃度に関連する曲線を示す。
【図２ｃ】層中のドーパント変化を層の厚さの関数として示す。
【図３ａ】処理室へ通過した第１開始材料(Ａ)の濃度の時間曲線を示す。
【図３ｂ】図３ａに対応して、処理室へ通過した第２開始材料(Ｂ)の濃度の時間曲線を示す。
【図３ｃ】図３ａ及び３ｂに対応して、層組成を深さ変化として示す。
【図４】コーティング装置の別の実施例の概略図である。
【図５】円形のガス放出部品４の概略図である。
【図６】正方形の角形ガス放出部品の概略図である。
【図７】細長片形状の角形ガス放出部品の概略図である。
【図８】図４による別の実施例を示す。
【図１】
2005520687.tif 000003
【図２ａ】
2005520687.tif 000004
【図２ｂ】
2005520687.tif 000005
【図２ｃ】
2005520687.tif 000006
【図３ａ】
2005520687.tif 000007
【図３ｂ】
2005520687.tif 000008
【図３ｃ】
2005520687.tif 000009
【図４】
2005520687.tif 000010
【図５】
2005520687.tif 000011
【図６】
2005520687.tif 000012
【図７】
2005520687.tif 000013
【図８】
2005520687.tif 000014
【国際調査報告】
2005520687.tif 000015
2005520687.tif 000016
2005520687.tif 000017
2005520687.tif 000018
2005520687.tif 000019
2005520687.tif 000020