(57)【要約】電気めっきベース層（１４）上に設けられる無機陰画型レジスタ層（１６）を、ビーム（ＥＢ）によって照射し、それにより前記レジストが、形成されるべきパターンによる硬化パターンに硬化され得るステップと、レジスト層の照射されていない部分を除去するステップと、レジスト層の硬化部分（１８）の間の層（２０）を電気めっきするステップとによって、非常に微細なパターン（１８）が製造され得る。
2005506578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタル層においてサブミクロン幅のパターンを形成する方法であって、
基板上に陰画型レジスタ物質を有するレジスト層を形成するステップと、
ビームによって前記レジスト層の選択部分を照射し、それにより前記レジストが、形成されるべき前記パターンによる硬化パターンに硬化され得るステップと、
前記レジスト層の照射されていない部分を除去するステップと
を含む方法において、前記レジスト物質は無機物質であると共に、
前記レジスト層がもたらされる前に前記基板上に電気めっきベース層を形成するステップと、
前記レジスト層の前記硬化部分の間の層を電気めっきするステップと
が行われる方法。
【請求項２】
シロキサン物質がレジスト物質として使用される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
水素シルセスキオキサンがレジスト物質として使用される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
水素シルセスキオキサンのトップ層及びノボラックのボトム層を有する二重層がレジスト層として使用される請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項５】
銀、ニッケル、及びパーマロイの物質のうちの一つの層が、前記レジスト層の前記照射された部分の間に電気めっきされる請求項１、２、３、又は４に記載の方法。
【請求項６】
銀、金、銅、アルミニウム、及びモリブデンの物質のうちの一つの層が、電気めっきベース層として使用される請求項１、２、３、４、又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記電気めっきベース層がもたらされる前に、前記パターンがもたらされるべき前記基板表面を絶縁分離層でカバーする中間ステップによって特徴付けられる請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記電気めっきプロセスが完了させられた後に、前記レジスト層の前記照射された部分を除去する更なるステップによって特徴付けられる請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記パターンがサブミクロン幅を有すると共に、前記パターンの幅よりもかなり長い相互距離で構成されることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法によって製造されるパターン。
【請求項１０】
前記パターンはリソグラフィックプロジェクション放射に対して透過性のあるマスクパターンを構成すると共に、前記パターンの間のパターン領域はリソグラフィックプロジェクション放射に対して透過性のないマスク領域を構成するリソグラフィマスクが形成される請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法によって製造されるパターン。
【請求項１１】
前記パターンは透過格子ストリップを構成すると共に、前記パターンの間のパターン領域は非透過中間ストリップを構成する格子構造体が形成される請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法によって製造されるパターン。
【請求項１２】
薄膜磁気記録ヘッドにおいて少なくとも一つの磁気ギャップの構造体が形成される請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法によって製造されるパターン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタル層においてサブミクロン幅のパターンを形成する方法であって、
基板上に陰画型レジスタ物質を有するレジスト層を形成するステップと、
ビームによって前記レジスト層の選択部分を照射し、それにより前記レジストが、形成されるべき前記パターンによる硬化パターンに硬化され得るステップと、
前記レジスト層の照射されていない部分を除去するステップと
を含む方法に関する。
【０００２】
本発明は、当該方法によって製造されるパターンにも関する。
【背景技術】
【０００３】
パターン（ｐａｔｔｅｒｎ  ｏｆ  ｆｅａｔｕｒｅ）は、格子構造体（ｇｒａｔｉｎｇ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、例えば光学装置（ｏｐｔｉｃａｌ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）における使用のための光格子であってもよく、リソグラフィックプロジェクション（露光投影）装置（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）において使用されるイメージセンサ（ｉｍａｇｅ  ｓｅｎｓｏｒ）の一部を形成してもよい。このような装置は、マスキング、物質除去（ｍａｔｅｒｉａｌ  ｒｅｍｏｖｉｎｇ）、及び注入技術（ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）による、集積回路（ＩＣ）の製造において不可欠な手段である。プロジェクション装置は、半導体基板の同一の領域において異なるマスクパターンをうまく投影（ｉｍａｇｅ）するために使用される。各々のマスクパターンは基板の異なるレベルでもたらされる。当該装置は、プロジェクションビームを供給するための照射（イルミネーション）ユニット（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  ｕｎｉｔ）、マスクを収容するためのマスクホルダ、基板を収容するための基板ホルダ、及びマスクホルダと基板ホルダとの間にもたらされるプロジェクションシステムをこの順で含む。特定のマスクによって構成されるべき基板レベルにおいて形成されるべきデバイスのパターンに対応するマスクパターンがマスクにもたらされる。プロジェクションシステムは、基板にコーティング（ｃｏａｔ）されているレジスト層にマスクパターンを投影する。当該プロジェクションシステムはレンズのシステム若しくはミラーのシステムであってもよいし、又はこのようなシステムの組み合わせであってもよい。プロジェクションシステム及び可能ならば照射ユニットの動作特性（ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ）を制御するために、プロジェクション装置はイメージセンサを有する。当該イメージセンサは、例えば電荷結合デバイス（ＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ））又はフォトダイオードのアレイのような放射感知素子（ｒａｄｉａｔｉｏｎ−ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｅｌｅｍｅｎｔ）と、放射感知素子の前にもたらされる放射透過領域（ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ａｒｅａ）のアレイを有する光遮蔽素子（ｌｉｇｈｔ−ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）とから構成されるデバイスである。イメージセンサは基板ホルダ内、又は基板ホルダ上に設けられ得る。プロジェクションシステムの動作特性を計測するために、例えば格子パターンのようなテストパターンを備えるマスクがマスクホルダ内に位置され、プロジェクションビームによって照射される。テストパターンはプロジェクションシステムによってイメージセンサ上に投影される。光遮蔽素子はテストパターンに対応する透過領域のパターンを有する。イメージセンサの出力信号は電子処理回路（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｃｉｒｃｕｉｔ）に供給される。当該回路においてこれらの信号は、テストパターン自身に対応する標準信号（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｓｉｇｎａｌ）と比較される。
【０００４】
レジスト層においてリソグラフィック装置によって投影され得るデバイスパターンの寸法は、当該装置のプロジェクションシステムの解像力（ｒｅｓｏｌｖｉｎｇ  ｐｏｗｅｒ）又は解像度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）に依存している。解像度はλ／ＮＡに比例している。ここでλは、前記装置内で使用されるプロジェクションビームの波長であり、ＮＡはプロジェクションシステムの開口数（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）である。ＩＣのようなより高い密度、従ってより高い動作速度のデバイスを製造するために、より小さなデバイスパターンが投影されなければならないので、より高い解像度を備えるプロジェクションシステムが使用されるべきである。このような高い解像度のプロジェクションシステムを備えるリソグラフィックプロジェクション装置を制御するために、増大された解像力を備えるイメージセンサが使用されるべきである。このことは、放射シールド（ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｓｈｉｅｌｄ）における透過開口部（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ）の幅、例えば格子の透過ストリップの幅がかなり低減されるべきであることを意味している。
【０００５】
現行のリソグラフィックプロジェクション装置は、水銀灯（ｍｅｒｃｕｒｙ  ｌａｍｐ）によって生成される、３６５ｎｍの波長を有する紫外放射（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ（ＵＶ）ｒａｄｉａｔｉｏｎ）、又は励起レーザ（ｅｘｃｉｔｅｒ  ｌａｓｅｒ）によって生成されると共に２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、又は１５７ｎｍの波長を有する深紫外放射（ｄｅｅｐ  ＵＶ（ＤＵＶ）ｒａｄｉａｔｉｏｎ）を使用する。基本的に、１５７ｎｍの放射で動作する装置により１００ｎｍぐらいの幅のパターンが投影され得る。１００ｎｍよりも狭い幅を有するデバイスパターンを投影すべき将来のリソグラフィックプロジェクション装置の場合、更により小さな波長を有する、軟Ｘ線放射（ｓｏｆｔ−Ｘ  ｒａｙ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）とも称される極端紫外放射（ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵＶ（ＥＵＶ）  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、数ｎｍから数十ｎｍまでの、好ましくは１３ｎｍのオーダの波長を備える放射を意味すると理解されている。ＥＵＶイメージセンサの場合、格子ストリップは更に低減されるべきである。通常のＥＵＶイメージセンサ格子は、５０乃至１５０ｎｍの幅を備えるリッジ（ｒｉｄｇｅ）又は溝（ｇｒｏｏｖｅ）の形態のストリップと、２０００ｎｍのピッチ又は格子周期（ｇｒａｔｉｎｇ  ｐｅｒｉｏｄ）とを有する。当該ストリップは、５０乃至１００ｎｍ厚の、例えばニッケル（ｎｉｃｋｅｌ（Ｉｎ））又は銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｅｒｇ））層のような金属層（ｍｅｔａｌｌｉｃ  ｌａｙｅｒ）で処理される。このような層は一般に何れかの種類の非導電性基板上の化学真空堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｃｕｕｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ））によって堆積される。
【０００６】
メタル層において小さな溝又は間隔（ｓｐａｃｅ）を備えるこのような格子を製造する最も明白な技術は、反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）であろう。しかしながら、エッチング製造物は不揮発（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ）であるため、５０乃至１５０ｎｍの溝幅に対して、このエッチング技術は最も透過性のある（ｍｏｓｔ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）層又はアロイ層において必要とされる特性をもたらさない。用語透過（ｔｅｒｍ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）は、これらの層において形成される溝が層の下部表面と上部表面との間に垂直壁（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｗａｌｌ）を示さないが、これらの表面の間の円滑な透過性（ｓｍｏｏｔｈ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）を示すという事実を参照している。いわゆる“リフトオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）”方法も適していない。当該方法は、小さな幅を有する単一の絶縁分離溝（ｉｓｏｌａｔｅｄ  ｇｒｏｏｖｅ）を製造するために使用され得るが、格子の溝のような一連のこのような溝が製造されるとき、溝は互いに成長し、これにより劣悪な溝の壁の解像度（ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）がもたらされる。リフトオフ方法は、レジストパターンがメタルパターンに転写（ｔｒａｎｓｆｅｒ）されるとき、コントラスト反転（ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｒｅｖｅｒｓａｌ）（すなわちレジストにおけるリッジがメタルにおけるスリットになる）を行うために使用される。５０ｎｍのオーダの幅を有する溝は、電子ビーム（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）により陰画型レジスト（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｔｏｎｅ  ｒｅｓｉｓｔ）において対応するストリップを描画（ｗｒｉｔｅ）することによってのみ再生可能な態様でもたらされ得る。陰画型レジストは、レジストの現像後、照射された部分（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）が残されるレジストを意味すると理解される。レジスト層において形成される格子パターンは、必要とされる格子パターンの陰画となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、非常に小さな格子溝を備える格子のような非常に小さなパターンを製造するのに非常に適した方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
当該方法は、リフトオフステップを使用せず、従ってこのようなステップにおいて固有の不利点に影響を及ぼされない。前記方法は、レジスト材料が無機物質であると共に、
【０００９】
レジスト層がもたらされる前に基板上に電気めっきベース層（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ  ｂａｓｅ  ｌａｙｅｒ）を形成するステップと、
レジスト層の硬化部分（ｃｕｒｅｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）の間の層を電気めっきするステップと、
が実行されることを特徴としている。
【００１０】
格子構造体はこの場合、エッチング技術によりレジスト構造体を支持物質に転写する代わりに、格子ストリップの間及び当該ストリップの領域の外側に支持物質を堆積させることによって形成される。
【００１１】
前記方法は好ましくは更に、シロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）がレジスト物質として使用されていることを特徴としている。
【００１２】
最も好ましくは、前記方法は更に、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ（ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ））がレジスト材料として使用されることを特徴としている。
【００１３】
ジャーナル「真空科学及び技術」Ｂ１８，６（２０００），３４１９（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｂ  １８，６（２０００），３４１９）において発行されていると共に、電子ビーム、イオンビーム、及びフォトンビーム技術、並びにナノ加工（ＥＩＰＢＮ２０００）に関する第４４回国際会議（パームスプリングスカリフォルニア２０００）における論文“高アスペクト比ナノスケール電子ビームリソグラフィのためのＨＳＱ／ノボラック二重層レジスト”（“ＨＳＱ／Ｎｏｖｏｌａｋ  ｂｉｌａｙｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ  ｆｏｒ  ｈｉｇｈ  ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ  ｎａｎｏｓｃａｌｅ  ｅ−ｂｅａｍ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”  ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ  ｏｎ  Ｐｒｏｃ．  ４４ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−，  Ｉｏｎ−  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｎ−Ｂｅａｍ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｎｄ  Ｎａｎｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ（ＥＩＰＢＮ２０００），Ｐａｌｍ  Ｓｐｒｉｎｇｓ  ＣＡ  ２０００）に記載されているように、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）は、電子に反応しやすく、微細パターン描画電子ビーム（ｆｉｎｅ  ｐａｔｔｅｒｎ  ｗｒｉｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）のための陰画型レジストとして使用され得る。ＥＵＶ放射のための格子構造体が製造されるとき、ＨＳＱは、電子ビームによって交差結合（ｃｒｏｓｓ−ｌｉｎｋ）された後、ＥＵＶ放射に対して透過性を持つという多大な利点をもたらす。
【００１４】
他のシロキサン物質も、予想される目的のために陰画型レジスト物質として使用され得る。
【００１５】
ＨＳＱ物質の吸収（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）が大きく、描画ビームの浸透深さ（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  ｄｅｐｔｈ）が小さいので、ＨＳＱの薄い層が使用され得なければならない場合、前記方法は好ましくは更に、水素シルセスキオキサンのトップ層及びノボラックのボトム層を有する二重層がレジスト層として使用されることを特徴とする。
【００１６】
そのとき、より大きな深さを有するパターンが製造され得る。
【００１７】
本発明の他の態様によれば、前記方法は、銀、ニッケル、及びパーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）の物質のうちの一つの層が、レジスト層の照射された部分（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）の間に電気めっきされることを特徴とする。
【００１８】
これらの物質は、放射、特にＥＵＶ放射に対する低い透過率（ｌｏｗ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を有するという利点を示す。
【００１９】
本発明の更なる他の態様によれば、前記方法は、銀、金、アルミニウム、銅、及びモリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）の物質のうちの一つの層が、電気めっきベース層として使用されることを特徴とする。
【００２０】
低い電気抵抗のため、銀、金、アルミニウム、及び銅は、電気めっきベースに対して最適の物質であり、より高い抵抗を有するいくつかの物質が電気めっきされることを可能にする。低抵抗値に加えて、モリブデンはＥＵＶ放射に対して透過性を持つという更なる利点を有する。
【００２１】
電気めっきプロセス中に、めっき物質がレジスト支持表面（ｒｅｓｉｓｔ  ｃａｒｒｙｉｎｇ−ｓｕｒｆａｃｅ）から離れた基板表面上に堆積されることを防止するため、前記方法は更に、電気めっきベース層がもたらされる前に、パターンがもたらされるべき基板表面を絶縁分離層でカバーする中間ステップ（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  ｓｔｅｐ）によって特徴付けられる。
【００２２】
代わりとして、レジスト支持表面の代わりに、前記離れた表面は絶縁分離層でカバーされ得る。
【００２３】
ＨＳＱ層とモリブデン層との両方はＥＵＶ放射に対して十分に透過性があるので、ＨＳＱ層の照射された部分を有する、形成されたパターン構造体は、ＥＵＶプロジェクション装置における使用のためのパターンとして使用され得る。パターンがＥＵＶ放射以外の放射で使用されるべきである場合、レジストと電気めっきベース物質との他の組み合わせが選択されなければならない。メタル層の開口部においてＨＳＱ又は他のレジスト物質がもたらされることにより、異物（ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ）は開口部に堆積されることが防止される。このことは、ＩＣ又は他のデバイスのための製造環境において重要な利点となる。ＨＳＱの他の重要な利点は、当該物質から形成されるパターンが、ＥＵＶ放射すなわち軟Ｘ線放射によって、このような放射を使用する装置における使用の間、除去されないことにある。
【００２４】
本方法によって製造されるパターンは、リソグラフィの領域の外側で使用されてもよく、ＥＵＶ放射以外の放射のために使用されてもよい。このようにパターンをもたらすために、前記方法は、電気めっきプロセスが完了させられた後にレジスト層の照射された部分を除去する更なるステップによって特徴付けられ得る。
【００２５】
このようにもたらされる構造体のパターンは、電気めっきされた非透過のメタル層における完全に透過性のある開口部から構成される。
【００２６】
本発明は、上記の方法によって製造されるパターンにも関する。このパターンは、パターンがサブミクロン幅を有すると共に、パターンの幅よりもかなり大きな相互距離でもたらされることを特徴とする。
【００２７】
前記パターンはいくつかの用途において実現されている。第一の用途において、パターンはリソグラフィックマスクのマスクパターンを形成する。ここで前記パターンは、リソグラフィックプロジェクション放射に対して透過性のあるマスクパターン（ｍａｓｋ  ｆｅａｔｕｒｅ）を構成し、前記パターンの間のパターン領域はリソグラフィックプロジェクション放射に対して透過性のないマスク領域を構成する。
【００２８】
この種のマスクパターンは、特にＥＵＶマスクに適しているが、異なる短い波長の放射を使用するリソグラフィックプロジェクション装置のためのマスクにおいても使用され得る。
【００２９】
第二の用途において、前記パターンは格子構造体を形成する。ここで前記パターンは透過格子ストリップを構成し、前記パターン間のパターン領域は非透過の中間ストリップを構成する。
【００３０】
この種の格子構造体は特に、ＥＵＶマスク又は異なる波長のリソグラフィックプロジェクション装置における使用に適している。例えばアライメントマスク（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｍａｓｋ）としての使用、又はこのような装置のためのイメージセンサにおける使用に適している。格子構造体は、概して小さな格子ストリップを備える格子が必要とされる全ての用途においてリソグラフィの領域の外側で使用されてもよい。
【００３１】
第三の用途において、磁化され得る層（ｍａｇｎｅｔｉｚａｂｌｅ  ｌａｙｅｒ）におけるスリットの形態におけるパターンが、薄膜磁気記録ヘッド（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｈｅａｄ）における磁気ギャップ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｇａｐ）を形成する。
【００３２】
本発明のこれら及び他の態様は、以下に記載された実施例から明らかであり、これらの実施例を参照して、限定されない例によって説明されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図１に概略的に示されているリソグラフィックプロジェクション装置の主要モジュールは、
ＥＵＶ放射のプロジェクションビームＰＢを供給するための照射（イルミネーション）システムＬＡ／ＩＬと、
当業者に知られているように、マスクＭＡを支持するためのマスクホルダ（図示略）を有するマスクテーブルＭＴと、
当業者に知られているように、基板Ｗ、例えばレジストがコーティングされたシリコンウエハ（ｒｅｓｉｓｔ  ｃｏａｔｅｄ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｗａｆｅｒ）を支持するための基板ホルダ（図示略）を有する基板テーブルＷＴと、
対象部分（ｔａｒｇｅｔ  ｐｏｒｔｉｏｎ）、すなわちＩＣ領域又はダイ（ｄｉｅ）Ｃ上に、マスクＭＡの照射された部分を投影するためのプロジェクションシステムＰＬとである。
【００３４】
ＥＵＶプロジェクション装置におけるプロジェクションシステムは、反射部品（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｅｌｅｍｅｎｔ）のシステムである。
【００３５】
前記装置は複数の計測システムも備えている。そのうちの一つは、基板Ｗ及びマスクＭＡのＸＹ平面において相互のアライメントを決定するためのアライメント計測デバイス（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｍｅａｓｕｒｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）である。他の計測システムは、基板ホルダ、それ故に基板の方位（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）と、Ｘ及びＹ位置とを計測するための干渉計（ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ）システムＩＦｗである。更に他の計測システムは、プロジェクションシステムＰＬの焦点又は投影領域と基板Ｗ上のレジスト層の表面との間のずれ（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）を求めるための焦点誤差（フォーカスエラー（ｆｏｃｕｓ−ｅｒｒｏｒ））検出システムである。これらの計測システムは、電子信号処理及び制御回路を有するサーボシステム（ｓｅｒｖｏｓｙｓｔｅｍ）の一部を形成する。当該システムによって、基板の位置及び方位と焦点とが、前記計測システムにより供給される信号に関連して修正され得る。図１において、ＰＷは、基板テーブルＷＴに対する位置決め（ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ）手段又はアクチュエータ（ａｃｔｕａｔｏｒ）を表している。
【００３６】
図１に示されているリソグラフィックプロジェクション装置での使用のためのマスクＭＡは反射マスク（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｍａｓｋ）である。前記装置は、ステッピング装置（ｓｔｅｐｐｉｎｇ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）又はステップアンドスキャンニング装置（ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｓｃａｎｎｉｎｇ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）であってもよい。両装置とも当業者に知られている。基板に加えてステップアンドスキャンニング装置は、位置決め手段ＰＷ及び基板干渉計システムＩＦｗ、並びにマスク位置決め手段ＰＭ及びマスク干渉計システムＩＦｍを有する。
【００３７】
照射システムＬＡ／ＩＬによって供給される露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）又はプロジェクションビームＰＢは、例えば１３ｎｍのオーダの波長を有するＥＵＶ放射のビームである。このようなビームの場合、１００ｎｍ又はそれより小さなオーダの非常に小さなデバイス又はＩＣのパターンがレジスト層に投影され得る。当該ビームを供給する照射システムは、プラズマソース（ｐｌａｓｍａ  ｓｏｕｒｃｅ）ＬＡを有していてもよい。当該ソースは放電プラズマソース（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ｐｌａｓｍａ  ｓｏｕｒｃｅ）又はレーザにより生成されたプラズマソース（ｌａｓｅｒ−ｐｒｏｄｕｃｅｄ  ｐｌａｓｍａ  ｓｏｕｒｃｅ）であってもよい。両ソースとも当業者に知られている。
【００３８】
照射システムは、ソース放射を捕らえる（ｃａｐｔｕｒｅ）と共に誘導（ｇｕｉｄｅ）し、この放射を、マスクパターンに照射する好適なプロジェクションビームＰＢに整形する様々な光学コンポーネントを有する。マスクによって反射されるビームＰＢはプロジェクションシステムＰＬを通過する。当該システムは、当該ビームを基板のトップのレジスト層に集束させて、基板のＩＣ領域又は選択された対象の位置においてマスクパターンの影像を形成する。
【００３９】
図１の左部分に示されているように、マスクＭＡは、マスクパターンＣの領域の外側に例えば二つのマスクアライメントマークＭ１及びＭ２を有している。好ましくは、これらのアライメントマークは、回折格子（ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）によって構成される。これらのマークは、好ましくは２次元となる。すなわちこれらのマークは、図１においてＸ及びＹ方向に延在する格子ストリップを含む。基板Ｗは、少なくとも二つのウエハアライメントマークを有する。その二つマークＰ１及びＰ２は図１の右側部分に示されている。マークＰ１及びＰ２は、マスクパターンの影像が形成されなければならない基板の領域の外側に位置される。マスク及び基板アライメントマークは、マスクパターンを備える基板の露光のステップに先行するアライメントステップの間、マスク及び基板のアライメントの程度を検出するために使用される。この検出は、専用アライメントビームによって、マスクアライメントマーク及び基板ウエハアライメントマークを互いに投影することにより行われ得るか、又はマスクアライメントマーク及び基板アライメントマークを基準マーク（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｍａｒｋ）上に投影することにより行われ得る。ＥＵＶプロジェクション装置における使用のための格子アライメントマークは、非常に小さな幅を備える格子ストリップを有するべきである。このような微細なマスクアライメントマークが従来技術で製造されることは困難である。
【００４０】
プロジェクション装置の投影動作特性を監視するため、及びその計測システムを校正するため、前記装置は、図１においてコンポーネントＩＳによって概略的に示されているイメージセンサを有する。当該イメージセンサは、基板テーブルＷＴ内に組み込まれてもよい。イメージセンサの初期の実施例が、米国特許第ＵＳ−Ａ４，５４０，２７７号公報に記載されている。プロジェクションシステムの倍率（ｍａｇｎｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を決定するため、及び／又はアライメントシステムの校正のために使用される当該イメージセンサは、クロム層（ｃｈｒｏｍｉｕｍ  ｌａｙｅｒ）でコーティングされているガラスプレート（ｇｌａｓｓ  ｐｌａｔｅ）を有する。当該層において、１．５μｍの幅を有する光透過ゾーン（ｌｉｇｈｔ−ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ  ｚｏｎｅ）がエッチングされる。当該ゾーンはマスクにおけるアパーチャ（ａｐｅｒｔｕｒｅ）に対応する。マスクはクロム層上に投影され、アパーチャと対応する開口部との相互のアライメントは、開口部の後ろにもたらされているフォトダイオードによって開口部を通過する光量を計測することにより決定される。
【００４１】
ＥＵＶ放射はガラスによって吸収されるので、当該イメージセンサはＥＵＶリソグラフィック装置において使用され得ない。当該装置に対して、イメージセンサの光透過ゾーン（ｌｉｇｈｔ−ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ  ｚｏｎｅ）は、自身の放射感知素子に対する開口部となるべきである。更にこれらの開口部は米国特許第ＵＳ−Ａ４，５４０，２７７号公報に記載のイメージセンサにおける光透過ゾーンよりもずっと小さくなるべきである。ＥＵＶイメージセンサのための開口部の構造体は通常格子スリットを備える格子構造体となる。
【００４２】
図２は、当該格子パターンの実施例の小部分（二つの格子周期ＰＥしか示されていない）の断面図を示している。格子スリットＳＬは垂直断面図を有する。前記スリットは５０乃至１５０ｎｍの幅ＷＩ及び５０乃至１００ｎｍの深さｄを有する。格子周期又はピッチＰＥは２０００ｎｍのオーダである。これらの溝はメタル層（ＭＬ）、例えばニッケル（Ｎｉ）又は銀（Ａｇ）において処理される。スリット層は、入射放射を電気信号に変換する、ＥＵＶ放射感知検出器ＤＥを有する光電子デバイスＯＥＤ（ｏｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）上に堆積されてもよい。前記格子は１次元又は２次元の格子であってもよい。すなわち、格子スリットは１方向、又は２方向、例えば相互に直角な方向に延在していてもよい。この種の格子は１方向又は２方向で計測するためにそれぞれ使用される。前記検出器信号を処理するための電子回路は光電子デバイスＯＥＤ内に組み込まれてもよい。前記検出器、例えばフォトダイオードがより良好な感度を示す放射にＥＵＶ放射を変換する放射変換層（ｒａｄｉａｔｉｏｎ−ｃｏｎｖｅｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）ＣＬが格子とＯＥＤとの間にはさまれていてもよい。
【００４３】
本発明によれば、必要とされる特性を有すると共に図２に示されているそのような格子パターンは、図３ａ乃至３ｄに示されている処理ステップを実行することによって比較的簡単な態様でもたらされ得る。図３ａに示されているように、基板１０、例えばシリコン基板、又はＯＥＤ（図示略）は、導電性物質、好ましくはモリブデンの層１４でコーティングされる。当該層はスパッタプロセス（ｓｐａｔｔｅｒ  ｐｒｏｃｅｓｓ）によって堆積される。層１４は、１５７６ｎｍよりも短い波長を備える電磁放射及び一般に荷電粒子放射（ｃｈａｒｇｅｄ−ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）に対して、電子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）放射に反応する陰画型レジストである水素シルセスキオキサンの層１６でカバーされる。必要ならば前記レジストは、例えば２分間、１２０乃至１５０度で加熱されるソフトベーク（ｓｏｆｔ  ｂａｋｅ）にもたらされてもよい。これにより、レジストの基本的な特性は変化しない。次に、図３ｂに矢印ＥＢによって示されているように、レジスト層１６は、透過ストリップ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｓｔｒｉｐ）が形成されるべき位置において電子ビームにより照射される。“描画（ｗｒｉｔｉｎｇ）”電子ビームは当該照射を行う。すなわち電子ビームは、格子ストリップが開始されなければならない点又は終了されなければならない点に位置され、形成されるべきストリップの長さに対応する長さに渡って走査される。電子ビーム描画装置の代わりに、電子ビームプロジェクション装置が使用され得る。そのときレジスト層は、形成されるべきパターンに対応するマスクパターンを含むマスクを介してブロードビーム（ｂｒｏａｄ  ｂｅａｍ）により照射される。ＨＳＱレジスト層に入る電子はＨＳＱ物質の交差結合（ｃｒｏｓｓ−ｌｉｎｋｉｎｇ）をもたらす。後続するステップのように、ＨＳＱレジスト層は現像され、照射されなかったレジストは除去される。照射されたＨＳＱ物質はストリップの位置において残され、図３ｃに示されているように、当該物質はリッジ１８のパターンを形成する。それから図３ｄに示されているように、メタルのようなめっきする物質の非透過層２０は、リッジの領域の外側、及びこれらのリッジの間で電気めっきによって堆積される。前記方法の利点は、リッジのトップにめっき物質が堆積されないことにある。
【００４４】
層２０は銀又はニッケル層であってもよい。前記パターンがＥＵＶ装置における使用のためのものである場合、当該層は好ましくは、パーマロイとして知られているアロイＮｉ０．７８Ｆｅ０．２２を有する。ＥＵＶ放射に対する当該物質の減衰長（ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ  ｌｅｎｇｔｈ）は１５ｎｍである。このことは、当該ビームが１５ｎｍ厚のパーマロイ層を通過した後、その強度は元の強度の１／ｅ（又は３７％）に低減されることを意味している。例えば、１００ｎｍ厚のモリブデンは自身に関するＥＵＶ放射入射の０．８％を透過するので、当該層はＥＵＶ放射に対して非透過層となる。ＳｉＯ２のように振舞う、リッジ１８の交差結合されたＨＳＱ物質は９８ｎｍの減衰長を有し、モリブデンは１６２ｎｍの減衰長を有するので、これらの物質は、自身の厚さがあまり大きくない場合、ＥＵＶ放射に対して高度な透過性を有する。
【００４５】
図３ａ乃至３ｄに示されている、本発明の方法によってもたらされるリッジ１８のパターンは、このように非透過の表面領域において透過スリットのパターンを形成する。当該方法の利点は、十分なコントラストを示す格子パターン、すなわち自身の透過性がＥＵＶ放射に対する環境の透過性と十分に異なるストリップを有するパターンを得るためにリッジ１８及びモリブデン層１４は除去される必要がないことにある。
【００４６】
当該格子パターンは、ＥＵＶイメージセンサを得るために光電子デバイス又は検出器上に堆積されてもよい。検出器の感知層（ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）が更なる層の下に埋め込まれる場合、これらの層は、前記検出器が自由になるように前もって除去されるべきである。一般に格子構造体の場合、及び当該用途の場合、リッジの構造は周期的となる。このことは、全てのリッジの間の距離が同じであることを意味している。リッジ、それ故に格子スリットの幅ＷＩは、電子ビームＥＢの幅、及びμＣ／ｃｍ２で表される、前記ビームのドーズによって決定される。ここでＣは電荷の単位クーロン（Ｃｏｕｌｏｍｂ）を表している。格子パターン以外のパターン、例えばマスクパターンの場合、電子ビームの幅及びドーズは、リッジ１８ａ、１８ｂ、及び１８ｃによって図３ｃ及び３ｄに示されているように、異なる幅のスリットを有するパターンを実現するために変化し得る。
【００４７】
前記方法は、上記物質と異なる、レジスト物質、電気めっきベース物質、及びめっき物質で実施されてもよい。パターンの想定される用途及び特にこのような用途において使用される放射の波長によって物質の選択は決定される。めっき物質は、放射に対して非透過となるべきであり、レジストリッジが最終製造物にもたらされる場合、レジスト物質と電気めっきベース物質との両方は透過性を持つべきである。
【００４８】
１次元のパターンの代わりに、２次元のパターンも生成され得る。２次元の場合、電子ビームは、透過領域が形成されるべきＨＳＱ層の位置において例えば直交する２方向でＨＳＱ層を走査しなければならない。
【００４９】
図４は、電気めっきプロセスの原理を示している。リッジ１８のパターン及び層１４を備える基板は、リッジの間、及びめっきベース層１４上に堆積されるべきメタルを有する電解質（ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ）３２で満たされているホルダ３０にもたらされる。層１４は、例えば銅端子ブロック（ｃｏｐｐｅｒ  ｔｅｒｍｉｎａｌ  ｂｌｏｃｋ）又はチップ３４によって電流源３６の第一の極（ｐｏｌｅ）に電気的に接続される。ホルダは、電流源の第二の極に接続される電極３８を有する。前記源がスイッチオンされると、電子がベース層１４に注入されるので、当該層は負に帯電される。当該層は電解質３２からメタルイオン（ｍｅｔａｌ  ｉｏｎ）を引き寄せ始める。層１４の表面において、前記イオンは放電され、中性メタル原子（ｎｅｕｔｒａｌ  ｍｅｔａｌ  ａｔｏｍ）が前記表面上に析出されて、その結果、メタル層２０が層１４の表面上に形成される。
【００５０】
一定の厚さの安定なメタル層を得るため、めっきベース層の電気抵抗は堆積されるべき物質の電気抵抗よりも小さくなることが必要とされる。そうでない場合、メタルイオンは、ベース層１４の全表面上の代わりに、まずチップ３４上に堆積され、それからメタル層の既に形成されている部分上に堆積される。変動する厚さの不安定なメタル層がそれから形成されるであろう。概して、低い電気抵抗、すなわち銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、及び銅（Ｃｕ）のような高導電率（ｃｏｎｄｕｃｔｉｂｉｔｙ）を有する物質は、めっきベース層１４に適した物質である。これらの物質は、より低い導電率を有する多くのメタルのめっきを可能にする。ＥＵＶ放射に対して透過性のある開口部又はスリットのパターンが製造されるべきである場合、一つのモリブデン層がめっきベース層として使用されるべきである。当該物質は５．２０μΩ．ｃｍの比較的高い抵抗値を有するので、めっきされ得る物質の選択が制限される。しかしながら、Ｎｉ０．７８Ｆｅ０．２２（パーマロイ）のような、６．８４μΩ．ｃｍのより高い抵抗値を有するニッケル（Ｎｉ）のアロイがこのために非常に適した物質となる。
【００５１】
メタルが基板の下部表面上に堆積されることを防止するために、当該表面は絶縁分離層でコーティングされ得る。同じ目的のため、図３に示されている絶縁分離層１２は好ましくは基板の上部表面にもたらされる。層１２はシリコン酸化物（ＳｉＯ２（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｄｉｏｘｉｄｅ））層であってもよい。構造体上のパターンがＥＵＶイメージセンサの一部を形成するとき、絶縁分離層は好ましくはシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ））層となる。当該層の場合、めっきベース層の良好な付着部（ａｄｈｅｓｉｏｎ）が実現され得ると共に、酸化が防止され得る。Ｓｉ３Ｎ４層は、ＥＵＶイメージセンサの検出器のトップ層を形成してもよい。
【００５２】
本方法の実施例において、５０ｎｍの厚さを備えるモリブデン層がめっきベース層として使用され、堆積されたＮｉ０．７８Ｆｅ０．２２層２０が１００ｎｍの厚さを有する。１００ｎｍの範囲における幅と、５０ｎｍ又は更に少ない値までの１００ｎｍ以下（ｓｕｂ−１００ｎｍ）の範囲における幅とを有するリッジが製造されている。製造されたリッジの高さは、数十乃至数百ｎｍの範囲において変動してもよい。
【００５３】
例示によって、図５ａは、７００μＣ／ｃｍ２の電子ビームドーズで製造されているＮｉ０．７８Ｆｅ０．２２層から突出しているＨＳＱリッジの中央部分のＳＥＭ（走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ））写真を示している。図５ｂは、５００μＣ／ｃｍ２のドーズで製造されている当該リッジの中央部分を示している。リッジの設計幅は１６０ｎｍであり、測定幅は約１６０ｎｍである。これらの図は、製造されたリッジの幅に関する電子ビームドーズの影響を示している。図６は、１５００μＣ／ｃｍ２の電子ビームドーズで製造されているＮｉ０．７８Ｆｅ０．２２層から突出している二つのＨＳＱリッジのＳＥＭ写真を各々の表示で示している。リッジの設計幅は４０ｎｍであり、測定幅は５０ｎｍである。
【００５４】
製造され得るＨＳＱリッジの高さは、ＨＳＱにおける電子前方散乱（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｆｏｒｗａｒｄ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）、それ故に当該物質における電子の浸透深さによって制限される。１００ｎｍよりも多い高さを備えるリッジが必要とされる場合、単一のＨＳＱレジスト層１６の代わりに、陰画型レジストＨＳＱ上部コート（ｕｐｐｅｒ  ｃｏａｔ）及び下部コート（ｌｏｗｅｒ  ｃｏａｔ）としてのハードベーク（ｈａｒｄ−ｂａｋｅ）されたノボラックレジストを有する二重層レジスト（ｄｏｕｂｌｅ  ｌａｙｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ）がレジスト層として使用され得る。図７は、当該二重層を使用することによって得られるリッジのパターンの実施例の小部分を示している。当該リッジ１８はノボラックの部分１８ａ及び交差結合されているＨＳＱのトップ部分１８ｂから構成されている。前記トップ部分の厚さは１００ｎｍのオーダであってもよく、下部の厚さは１００ｎｍから、例えば６００ｎｍまでであってもよい。ＨＳＱ／ノボラック二重層及び電子ビームリソグラフィにおけるその使用の詳細については、上記論文“高アスペクト比ナノスケール電子ビームリソグラフィのための水素シルセスキオキサン／ノボラック二重層レジスト”が参照される。リッジの厚さは、例えば製造されるべき格子のようなパターンにおいて必要とされるコントラストによって決定される。
【００５５】
前記方法は、透過スリットの幅が、当該スリット間の非透過領域の幅のオーダとなる微細格子パターンを製造するために使用されてもよい。例えば、当該格子は０．５のデューティサイクルを有していてもよい。このことは、透過スリットの幅が非透過スリットの幅に等しくなることを意味している。当該格子は光格子、すなわち可視及び紫外光のための格子であってもよい。当該格子を得るために、図３ｄのＨＳＱのリッジは除去されるので、スリットを備えるメタル層２０だけしか残されない。透過層（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）に対して、自身の上に格子が形成される基板は透過性を持つべきである。反射格子を得るために、基板は反射性を持つべきである。
【００５６】
本発明の方法によって製造される光格子は、例えば放射ビームの回折、ビーム分割（ｂｅａｍ  ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ）、及び白色ビームの色分離（ｃｏｌｏｕｒ  ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）等のための微細な格子が必要とされる何れかの光学装置において使用されてもよい。当該格子はリソグラフィックプロジェクション装置におけるアライメントマークとして使用されてもよい。例えば図１においてＥＵＶプロジェクション装置におけるマスクアライメントマークＭ１又はＭ２として使用されている。本方法によって製造され得る透過スリットは非常に小さくなり得るので、基準マーク（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｍａｒｋ）に対する、マスクアライメントマーク、それ故にマスクの非常に正確なアライメントが可能となる。
【００５７】
前記方法は、光投影システム、ＥＵＶ投影システム、及び更にはＸ線投影システムのような投影システム（ｉｍａｇｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）における使用に対して、格子以外の微細パターンを製造するためにも使用され得る。前記パターンは、例えば変動する幅（ｖａｒｙｉｎｇ  ｗｉｄｔｈ）を有する環状透過ストリップ（ａｎｎｕｌａｒ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｓｔｒｉｐ）又はスリットのアレイとなる。前記ストリップはフレネルレンズ（Ｆｒｅｓｎｅｌ  ｌｅｎｓ）を共に形成する。
【００５８】
前記方法は、リソグラフィックマスク（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  ｍａｓｋ）、例えばＥＵＶマスクの製造のために更に使用され得る。前記方法は、前記マスクパターン自身のパターン、例えばＩＣパターンを製造するために、及び／又はいわゆる補助パターン（ａｓｓｉｓｔｉｎｇ  ｆｅａｔｕｒｅ）、例えば微細マスクパターンが投影されるときに発生する近接効果（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｅｆｆｅｃｔ）を補償するスキャタリングバー（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｂａｒ）を製造するためにもたらされ得る。今日電子ビーム描画装置が、ＵＶ及びＤＵＶリソグラフィのための透過マスク並びにＥＵＶリソグラフィのための反射マスクを製造するために既に使用されている。電気めっき及びＨＳＱレジストの使用により、これまで透過物質として知られてきた物質においても、高解像度の垂直壁（ｗｅｌｌ−ｄｅｆｉｎｅｄ  ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｗａｌｌ）を有するパターンの製造が可能になる。当該パターンは、イオンエッチング又はリフトオフ技術でもたらされ得ない。前記パターンはリッジの形態となるため、ダスト（ｄｕｓｔ）で満たされ得ない。前記リッジがＨＳＱリッジである場合、それらはＥＵＶ放射によって除去され得ない。
【００５９】
概して前記方法は、金属層における透過ストリップ、又はサブミクロン、特に１００ｎｍ以下の幅のスリット（ｓｕｂ−１００ｎｍ  ｗｉｄｅ  ｓｌｉｔ）を正確に製造するために使用され得る。当該層は、リソグラフィ装置、又はより一般的には光学装置において適用され得るばかりでなく、他の技術に対する装置においても適用され得る。当該装置の例としては、薄膜磁気記録ヘッドがある。図９は、当該磁気ヘッドの実施例の上面図（ｔｏｐ  ｖｉｅｗ）である。比較のために、知られている薄膜磁気ヘッドが図８に示されている。前記知られているヘッドは、磁気透過性のある物質（ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ  ｐｅｒｍｅａｂｌｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）又は磁化され得る物質（ｍａｇｎｅｔｉｚａｂｌｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）のヨーク（ｙｏｋｅ）４０を有している。前記ヨークは、磁化され得ない物質（ｎｏｎ−ｍａｇｎｅｔｉｚａｂｌｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）４４で満たされるギャップ４２を備えている。前記ギャップは長さｌｅ及び高さｈｅを有している。コイルが前記ヨークに巻かれている（そのコイルのうち一つの巻き線４６しか示されていない）。矢印４８は、光ヘッドと磁気記録キャリアのトラック（図示略）とが、記録キャリアを走査するために互いに対して移動する方向を示している。当該記録キャリアは、キャリアの磁気領域（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｄｏｍａｉｎ）によりもたらされるヘッドの磁化における変動を検出することによって読み出される。
【００６０】
図９の磁気ヘッドにおいて、ギャップは、ＨＳＱのようなレジスト物質のリッジ５２によって置換される。当該リッジは、磁気透過性のある物質の層５１に組み込まれる。矢印５８は、トラック走査方向（ｔｒａｃｋ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を示している。当該ヘッドは、上記態様で、電気めっきベース層上にレジスト好ましくはＨＳＧのリッジを形成すると共に、磁化され得る物質の層５１の場合、コイル巻き線のために確保される５７を除いて、前記リッジの周辺部を電気めっきすることによって製造される。当該層の厚さは、５μｍのオーダとなり得るリッジの高さに等しくてもよい。リッジは、例えば１００乃至２００ｎｍの幅を有し得る。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明が実現され得る構成要素を有するリソグラフィックプロジェクション装置の実施例を概略的に示している。
【図２】ＥＵＶイメージセンサの実施例の一部を示している。
【図３ａ】本方法の連続ステップを示している。
【図３ｂ】本方法の連続ステップを示している。
【図３ｃ】本方法の連続ステップを示している。
【図３ｄ】本方法の連続ステップを示している。
【図４】異なる電子ビームドーズを使用して本方法によって製造された１６０ｎｍ幅リッジのＳＥＭ写真を示している。
【図５ａ】異なる電子ビームドーズを使用して本方法によって製造された１６０ｎｍ幅リッジの他のＳＥＭ写真を示している。
【図５ｂ】異なる電子ビームドーズを使用して本方法によって製造された１６０ｎｍ幅リッジの他のＳＥＭ写真を示している。
【図６】本方法によって製造された４０ｎｍ幅リッジのＳＥＭ写真を示している。
【図７】ＨＳＱ／ノボラック二重レジスト層を有するリッジのパターンを示している。
【図８】知られている薄膜磁気ヘッドを示している。
【図９】本発明の方法によって製造された当該ヘッドを示している。
【国際公開パンフレット】
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2005506578.tif 000024
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005506578.tif 000025
【国際調査報告】
2005506578.tif 000026
2005506578.tif 000027