(57)【要約】【課題】  マルチスタック光学データ記憶媒体（３０）であって、この媒体（３０）の入射面（４１）を介して入射する集束した放射ビーム（４０）を用いて記録及び読み出しを行う記憶媒体（３０）を提供する。この記憶媒体は第１基板（３１ａ）を有し、この基板（３１ａ）の一方の面にはＬ０と称する第１記録スタック（３３）が設けられており、この第１記録スタック（３３）は、第１Ｌ０案内溝（３８ａ，３８ｂ）の形態に形成された、記録可能型の第１Ｌ０記録層（３５）を有する。この第１Ｌ０記録層（３５）と第１基板（３１ａ）との間には第１反射層（３９）が設けられている。第２基板（３１ｂ）は、その一方の面にＬ１と称する第２記録スタック（３２）が設けられており、この第２記録スタック（３２）は、第１Ｌ０記録スタック（３３）より入射面（４１）に近い位置に存在し、第２Ｌ１案内溝（３７）の形態に形成されている。これら第１及び第２記録スタック（３２，３３）の間には透明スペーサ層（３６）が挟まれている。第１Ｌ０案内溝（３８ａ，３８ｂ）の深さＧL0は１００ｎｍより小さい。このようにすることにより、放射ビームの波長を約６５５ｎｍとした際のＬ０スタックの反射率が極めて高いものとなる。
2005530286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録及び読み出し用のマルチスタック光学データ記憶媒体であって、記録及び読み出しの際に、この媒体の入射面を介して入射する集束した放射ビームを使用する当該マルチスタック光学データ記憶媒体は、
第１基板であって、この第１基板の一方の面にＬ０と称する第１記録スタックが設けられ、この第１記録スタックは、第１Ｌ０案内溝の形態に形成された記録可能型の第１Ｌ０記録層と、この第１Ｌ０記録層及び前記第１基板間に設けられた第１反射層とを有するようにした当該第１基板と、
第２基板であって、この第２基板の一方の面にＬ１と称する第２記録スタックが設けられ、この第２記録スタックは、記録可能型の第２Ｌ１記録層を有するとともに、前記第１Ｌ０記録スタックより入射面に近い位置に存在しており、且つ第２Ｌ１案内溝の形態に形成されている当該第２基板と、
これら第１及び第２記録スタック間に挟まれた透明スペーサ層であって、前記集束した放射ビームの焦点の深度よりも充分に厚い透明スペーサ層と
を有するマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第１Ｌ０案内溝の深さＧL0が、ＧL0＜１００ｎｍであることを特徴とするマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項２】
請求項１に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第１Ｌ０案内溝の深さＧL0がＧL0＜８０ｎｍであり、前記第１Ｌ０案内溝の半値全幅ＷL0がＷL0＜３５０ｎｍであるマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第１Ｌ０案内溝の深さＧL0が２５ｎｍ＜ＧL0＜４０ｎｍであり、前記第１反射層が金属を有し且つ当該第１反射層の厚さが５０ｎｍより厚いマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記記録可能型の第１Ｌ０記録層が色素を有し、前記第１案内溝のランド部上で測定した当該記録層の厚さが７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にあるマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第１Ｌ０記録層の、前記第１反射層がある側とは反対側に、誘電体層が設けられているマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項６】
請求項５に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記誘電体層の厚さが５ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内にあるマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第１Ｌ０記録層の、前記第１反射層がある側とは反対側に、金属を有する第２反射層が設けられているマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項８】
請求項７に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第２反射層の厚さが５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあるマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項９】
請求項７又は８に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
前記第２反射層が、Ag、Au、Cu及びAlから成る群から選択した金属を主として有するマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体において、
放射ビームの波長を約６５５ｎｍとした際の前記第１及び第２記録スタックの有効反射率のレベルが少なくとも０．１８であるマルチスタック光学データ記憶媒体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマルチスタック光学データ記憶媒体をマルチスタック記録に使用して、放射ビームの波長を約６５５ｎｍとした際の、前記第１Ｌ０記録スタック自体の反射率のレベルが少なくとも０．５であり、前記第１Ｌ０記録層の記録マークの変調率が少なくとも０．６になるようにするマルチスタック光学データ記憶媒体の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録及び読み出し用のマルチスタック光学データ記憶媒体であって、記録及び読み出しの際に、この媒体の入射面を介して入射する集束した放射ビームを使用する当該マルチスタック光学データ記憶媒体は、
第１基板であって、この第１基板の一方の面にＬ０と称する第１記録スタックが設けられ、この第１記録スタックは、第１Ｌ０案内溝の形態に形成された記録可能型の第１Ｌ０記録層と、この第１Ｌ０記録層及び前記第１基板間に設けられた第１反射層とを有するようにした当該第１基板と、
第２基板であって、この第２基板の一方の面にＬ１と称する第２記録スタックが設けられ、この第２記録スタックは、記録可能型の第２Ｌ１記録層を有するとともに、前記第１Ｌ０記録スタックより入射面に近い位置に存在しており、且つ第２Ｌ１案内溝の形態に形成されている当該第２基板と、
これら第１及び第２記録スタック間に挟まれた透明スペーサ層であって、前記集束した放射ビームの焦点の深度よりも充分に厚い透明スペーサ層と
を有するマルチスタック光学データ記憶媒体に関するものである。
本発明は、このような媒体の使用方法にも関するものである。
【０００２】
上述した光学記録媒体の例は欧州特許出願第1067535号明細書から既知である。通常、光学記憶媒体は円形ディスクの形態をしている。
【０００３】
光学記録媒体の市場に関して、これまでのところ最も重要で成功しているフォーマットが、ライトワンス（追記）型フォーマットであるコンパクトディスクレコーダブル（ＣＤ−Ｒ）であることは明らかである。ＣＤ−Ｒの重要性は、コンパクトディスクリライタブル（ＣＤ−ＲＷ）により引き継がれると長期に亘り予想されてきたが、未だにＣＤ−Ｒ媒体の実際の市場規模はＣＤ−ＲＷ媒体より少なくとも一桁大きい。さらに、ドライブに関して最も重要なパラメータは、ＣＤ−Ｒ媒体に対する最大書き込み速度であり、ＣＤ−ＲＷに対するものではない。勿論、例えばＣＤ−ＲＷ用のマウントレイニアの存在により市場がＣＤ−ＲＷにシフトしていく可能性は依然としてある。しかし、ＣＤ−Ｒフォーマットは、１００％の互換性があるため極めて魅力的なフォーマットであることが分かっている。
【０００４】
デジタルバーサタイルディスクリライタブル（ＤＶＤ＋ＲＷ）規格に続いて、最近新しいデジタルバーサタイルディスクレコーダブル（ＤＶＤ＋Ｒ）規格が制定された。この新しいＤＶＤ＋Ｒ規格は、ＤＶＤ＋ＲＷを補助するのに重要なものとしてますます注目を集めている。最終消費者は光学ライトワンスフォーマットになじんでいるため、リライタブルフォーマットよりもライトワンスフォーマットを受け入れやすいということが考えられる。
【０００５】
Ｒ（レコーダブル）及びＲＷ（リライタブル）フォーマットの双方に対して、単一スタックの媒体しか存在しないため、容量従って記録時間が制限されるという問題がある。ＤＶＤ−ビデオに関しては、二重スタック媒体が大きな市場占有率を有することに注目されたい。二層、即ち二重スタックのＤＶＤ＋ＲＷディスクもおそらくは実現可能であろう。しかし、完全な互換性のあるディスク、即ち二層ＤＶＤ−ＲＯＭの反射率及び変調率の仕様の範囲内にあるディスクを得ることは極めて困難であり、少なくとも相変化材料の特性に関して大きな進歩が要求されることは明らかである。完全な互換性がなければ市場における二層ＤＶＤ＋ＲＷの成功は疑わしい。
【０００６】
二層ＤＶＤ−ＲＯＭ規格と互換性のある二層ＤＶＤ＋Ｒ媒体を得るには、上層Ｌ１及び下層Ｌ０の双方の有効反射率が、放射ビームの波長を約６５５ｎｍとした際に少なくとも１８％になるようにする必要がある。有効反射率とは、スタックＬ０及びＬ１の双方が存在しておりこれらＬ０及びＬ１のそれぞれに光を集束させた場合に、媒体から戻ってくる光の有効部分として測定した反射率を意味する。このことは、Ｌ０スタック自体の反射率を極めて高いレベル、例えば５０％より高い、好ましくは６０％より高いレベルにする必要があることを意味する。その理由は、Ｌ１スタックが入ってくる光及び出て行く光の殆どの部分を吸収してしまうためである。本明細書におけるＬ０及びＬ１の表記は従来通常用いられていた、Ｌ０を「最も近い」スタック、つまり放射ビームの入射面に対して最も近いスタックとする表記から変更していることに注意されたい。本明細書では、Ｌ０を最も深いスタックとし、Ｌ１，…，Ｌｎを放射ビームの入射面に、より近いスタックとして表記している。欧州特許出願公開第1067535号明細書では以下の定義が用いられている。ｄＧ１は、Ｌ１に対応する第１情報記録／再生ユニットの溝内の色素層の厚さであり、ｄＧ２は、Ｌ０に対応する第２情報記録／再生ユニットの溝内の色素層の厚さである。ｄＬ１は、Ｌ１に対応するランド上の色素層の厚さであり、ｄＬ２は、Ｌ０に対応するランド上の色素層の厚さである。Ｌ１に対応する溝の深さはｄ１であるが、Ｌ０に対応する溝の深さｄ２は異なるように規定されている。ｄ２は、色素層を被覆した後の、この色素層表面において測定したランド及び溝の高さの差である。ｄＧ２、ｄ２及びｄＬ２は、それぞれ約１７４、１４０及び１２０ｎｍに設定してある。計算により、この設定ではＬ０に対応する基板の溝の深さｇは約１９４ｎｍであることが分かる。本発明者の測定により、深さ１９４ｎｍの溝を有する既知の媒体の反転Ｌ０スタックの反射率は、ブランク（即ち溝のない）領域の反射率の１５〜５０％に過ぎないことを確かめた。このことは、二層ＤＶＤ−ＲＯＭ規格と互換性のある二層ＤＶＤ＋Ｒ媒体を得るために、下層Ｌ０のデータトラック上に集束する光ビームの反射率を充分な高さ（上層Ｌ１の透過率に応じて代表的には６０％より高い）にする必要があるために所望される６０％の反射率レベルを達成し得ないことを意味する。二重スタックＤＶＤ＋Ｒの製造という観点からは、Ｌ０スタックの記録層が、溝構造を有する基板の側とは反対側の反射層の側に存在することを意味する反転Ｌ０層構造が好ましい。
【０００７】
本発明の目的は、頭書に記載した種類の光学データ記憶媒体であって、放射ビームの波長を約６５５ｎｍとした際の、Ｌ０記録スタックの反射率の値が２５％より高い、好ましくは５０％より高い光学データ記憶媒体を提供することにある。
【０００８】
この目的は、本発明により、頭書に記載した種類の光学記憶媒体において、第１Ｌ０案内溝の深さＧL0を、ＧL0＜１００ｎｍとしたことを特徴とする光学記憶媒体により達成される。この発明の開示の意図するところは、高い反射率値を達成するために浅い案内溝を利用することにある。計算によれば、案内溝の深さを２００ｎｍより深くすることによっても反射率を高くすることができるが、このような案内溝はマスタリング形成や射出成型を考慮すると製造するのがより難しいものとなる。溝の深さを１００ｎｍより深くすると反射率が減少するのは、金属で被覆した溝が放射ビームの導波路として作用することにより、光学的作用、例えば偏光の変化による有効反射率の低下を達成するためであると説明することができる。溝の深さが２００ｎｍより深くなると、これらの作用による反射率は上昇しうる。
【０００９】
好適例においては、第１Ｌ０案内溝の深さＧL0をＧL0＜８０ｎｍとし、第１Ｌ０案内溝の半値全幅ＷL0をＷL0＜３５０ｎｍとする。溝の半値全幅を３５０ｎｍより小さくする場合、溝の深さは８０ｎｍより浅くする必要がある。溝の全半値幅を、例えば５００〜６００ｎｍの比較的広い幅にした場合には、依然として充分な反射率を保ちながら溝の深さを１００ｎｍに近いものとすることができる。溝の幅をより小さくすると導波路類似の作用がより著しいものとなり有効反射率が減少するおそれがある。溝の深さを浅くすると、ラジアルエラー信号（プッシュプル）及びウォブル信号が反転するが、これはドライブで修正すべきものである。
【００１０】
他の例では、第１Ｌ０案内溝の深さＧL0を２５ｎｍ＜ＧL0＜４０ｎｍとし、第１反射層が金属を有するようにし且つ当該反射層の厚さを５０ｎｍより厚くする。このようにすると反射率が極めて高い値になり、２層ＤＶＤ読み取り専用、即ちビデオ及びＲＯＭ規格との互換性が得られる。付加的な手段を用いない場合には、溝の深さを浅くすることにより光学変調率、即ちマーク部分と非マーク部分との光学的コントラストは比較的低くなる。例えば、溝の深さを３５ｎｍとして行った実験では、ランド及び溝の双方における変調率は１０％であった。
【００１１】
更に他の例では、記録可能型の第１Ｌ０記録層が色素を有するものとし、第１案内溝のランド上で測定した当該記録層の厚さを７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内のものにする。記録層の厚さをこの範囲にすることにより、色素層におけるマークの形成が充分なものになる。このスタックを用いると、溝の深さを著しく低減させつつ良好な変調率を得ることができる。記録処理を溝内とは逆になるようにランド上で行うと、適切な変調符号が、即ちハイトゥロウ”high-to-low”記録が達成される。このことにより、プッシュプル信号が適切な符号を有するようになり、光学ディスクドライブ内にプッシュプル符号を反転させる手段を設ける必要がなくなるという他の利点が得られる。
【００１２】
第１Ｌ０記録層の、第１反射層がある側とは反対側に誘電体層を設けることができる。このことにより変調率が更に良好になるという利点が得られる。この誘電体層の厚さは５ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内にするのが好ましい。
【００１３】
更に他の例では、Ｌ０記録層の、第１反射層がある側とは反対側に、金属を有する第２反射層を設ける。この第２反射層の厚さは、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にするのが好ましい。この第２反射層は、Ag、Au、Cu及びAlから成る群から選択した金属を主として有するようにするのが好ましい。この第２反射層によりＬ０スタックの反射率がさらに高くなるという利点が得られる。良好な記録性能を得るためにはスタックの設計を僅かに変形させる必要が生じる場合もある。
【００１４】
反転Ｌ０スタックの溝を浅くすることにより、放射ビームの反射中に案内溝のウォブルが現れにくくなるという他の利点が得られる。ウォブルは、案内溝の付加的な情報、例えばアドレス又は時間信号を変調するのに使用される。例えば、深さＧL0を１６０ｎｍとした案内溝を使用した場合、ウォブルと同じ周期を有する信号中に１５％の変動が現れる。溝の深さＧL0を３５ｎｍにした場合にはこの変動は実質的に存在しなくなる。
【００１５】
本発明を、添付の図面を参照してより詳細に説明する。
図１は、溝の深さＧL0を１２６ｎｍとした本発明によらない基板を用いた場合の反転Ｌ０ＤＶＤ＋Ｒスタックに関する実験結果を示すものである。溝領域に対する反射率は、ブランク領域（ミラー領域）の反射率の約１５％である。この値は、許容しうるものではない。
【００１６】
図２は、溝の深さを約３５ｎｍとした本発明によるＤＶＤ＋ＲＷ基板を用いた場合の反転Ｌ０ＤＶＤ＋Ｒスタックに関する実験結果を示すものである。溝領域に対する反射率は、ブランク領域の反射率の約８５％であり、溝の深さをより深くした場合の反射率より著しく高くなっている。ディスクは依然として充分なプッシュプル信号を示しているためトラッキングすることができる。また、この実験結果は、変調率が比較的低くなるものの（１０％、１１Ｔキャリア対ノイズ比ＣＮＲ≒３０ｄＢ）、データの書き込みを行うことができることも示している。しかし、図５及び６の設計のスタックによれば変調率を高くすることができる。
【００１７】
Ｌ０基板３１ａは、ＦＷＨＭ（半値全幅）ＷL0が３００ｎｍとなる深さが３５ｎｍの溝と、厚さ１００ｎｍのAg反射層３９と、厚さ８０ｎｍのアゾ色素記録層３５と、保護層とを有している。代表的な色素として、（フタロ）シアニン型、アゾ型、スクアリリウム型、ピロメテン型又は所望の特性を有する他の有機色素材料を使用することができる。
【００１８】
図３には、記録用のマルチスタック光学データ記憶媒体３０が示されている。記録中には、集束した放射ビーム、即ち約６５５ｎｍの波長のレーザビーム４０が媒体３０の入射面４１を介して入射する。媒体３０は、第１基板３１ａを有し、この基板３１ａの一方の面には、記録可能型のＬ０記録層３５、即ちアゾ色素の層を有するＬ０と称する第１記録スタック３３が設けられている。Ｌ０記録層３５は、第１Ｌ０案内溝３８ａの形態に形成されており、このＬ０記録層３５と第１基板３１ａとの間に第１反射層３９が設けられている。第２基板３１ｂは、その一方の面に、アゾ色素の層より成る記録可能型のＬ１記録層３４を有するＬ１と称する第２記録スタック３２が設けられている。この第２Ｌ１記録スタック３２は、第１Ｌ０記録スタック３３よりも入射面４１に近い位置に存在しており、且つ第２Ｌ１案内溝３７の形態に形成されている。
【００１９】
第１記録スタック３３及び第２記録スタック３２間には透明スペーサ層３６が挟まれており、その厚さは約４０μｍである。第１Ｌ０案内溝３８ａの深さは３５ｎｍである。案内溝の深さは、Ｌ１記録層３４と透明スペーサ層３６との間に存在させる半反射層の位置において規定されていることに注意すべきである。媒体３０は次のようにして製造することができる。スペーサ層３６に前成形溝とも称するＬ０用の第１案内溝を設けておくか、或いはスペーサ層３６をＬ１に設けた後にＬ０用の第１案内溝をスペーサ層にマスタリング形成する。案内溝は通常らせん状にする。その後、溝付スペーサ層３６上に第１記録スタックＬ０を堆積する。最後に、溝を有していない第１基板３１ａを被着する。この構成配置を形式１と称する。
【００２０】
図４には、形式２と称する媒体３０の変形例を示す。この形式２は、反転Ｌ０スタックに基づく好適例である。本例では案内溝３８ｂが第１基板３１ａに存在しているという点を除いて、図３の例に関する説明が本例にも当てはまる。Ｌ０を有する第１基板３１ａは、Ｌ１を有する第２基板に透明スペーサ層３６を介して取付けられている。スタック１、スタック２及びスタック３と称する具体的なＬ０スタックの好適な設計については、図５及び６を用いて後述する。形式１及び２の双方のディスクに対するスペーサ層の好適な厚さは、４０μｍ〜７０μｍである。具体的な例として、
Ｌ１：８０ｎｍの色素層／１２ｎｍのＡｇ層／ＵＶ硬化樹脂層（保護層）、
Ｌ０：１００ｎｍの(ZnＳ)80(SiＯ2 )20層／１３０ｎｍの色素層／１００ｎｍのＡｇ層、
５５μｍの厚さのスペーサ層
を用いる。この例では、放射ビームの波長を約６５５ｎｍとした場合、Ｌ１からの有効反射率は２０％であり、Ｌ０からの（Ｌ１を介して測定した）有効反射率は２１％である。
【００２１】
記録可能な二重スタックＤＶＤディスクの上側のＬ１スタックの透過率は、下側に位置するＬ０スタックにアドレスしうるようにするために高くする必要がある。さらに、Ｌ１スタックの反射率は、二層ＤＶＤ−ＲＯＭの仕様に適合させるため少なくとも１８％にするのが好ましい。ここで提案するスタックは、ＤＶＤ＋Ｒ−ＤＬに使用することに限定されるものではなく、（マルチスタックの）有機色素に基づいたいかなる光学記録媒体にも適用しうるものである。
【００２２】
図５ａ及び５ｂに、以下の設計によるスタックに関する代表的な結果を示す。
スタック１
スタック１を以下のように構成する。
基板３１ａの案内溝の深さを２５〜４０ｎｍにする。
１００ｎｍの厚さの光学的に密封されたＡｇミラー層を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
ランド上で１３０ｎｍの厚さとしたアゾ色素層であって、色素の屈折率を、代表的なＤＶＤの記録可能なの色素の屈折率に相当する２．２４〜０．０２ｉ（λ＝６５５ｎｍ）としたアゾ色素層を設ける。
８０〜１２０ｎｍの厚さの(ZnＳ)80(SiＯ2 )20を設ける、ｎ≒２．１とした他の誘電体層でも同じ結果が得られる。
【００２３】
この設計は、溝を浅くした場合の反転Ｌ０記録スタックの高変調率及び高反射率を組み合わせている。適切な変調符号（ハイトゥロウ”high-to-low”記録）を得るために、このスタックでは（溝内とは逆になるように）ランド上で記録を行う必要がある。この場合、プッシュプル信号が適切な符号（「ランド上」）を有するという他の利点が得られる。パラメータＬは、Ｌ＝（ｄG −ｄL ）／Ｇとして規定され、この式においてｄG は溝内の色素層の厚さであり、ｄL はランド上の色素層の厚さであり、Ｇは溝の深さである。このパラメータは、溝構造体に堆積処理を行った後の色素層の平坦性を示す目安である。通常、色素層はスピンコーティングにより堆積され、その平坦性Ｌは約０．２〜０．５の範囲内にある。Ｌ＝０は、ｄG ＝ｄL であることを意味し、Ｌ＝１は、色素層を案内溝構造体に堆積した後の色素層の頂面が完全に平坦になっていることを意味する。図５ａは、放射ビームの波長を６５５ｎｍとした際の、ランド上の反射率の計算結果を、ランド上の色素層の厚さｄL の関数として示す。図５ｂは、ランド上の変調率の計算結果を、ランド上の色素層の厚さｄL の関数として示す。水平方向の破線は最小の所望レベルを示す。色素層の厚さｄL が約７０〜１５０ｎｍの範囲にある場合に、この所望レベルに到達していることに注意されたい。
【００２４】
スタック１により得られた実験結果では、７５％の高い変調率と、７０％の高い反射率とが得られた。変調率は、一般にＭ＝（Ｒno-mark −Ｒmark）／Ｒno-mark として規定され、この式においてＲmark及びＲno-mark は、それぞれ、書き込みマークがある場合及び書き込みマークがない場合における読み取りレーザビームの反射レベルである。Ｌ０層に書き込みを行うのに必要なレーザビームの出力は７ｍＷにすぎず、このことはＬ１スタックが存在することを考慮すると好ましいものである。その理由は、レーザビームの出力の比較的多くの部分がＬ１スタックに吸収されるためである。
【００２５】
図６ａ及び６ｂに、以下の設計によるスタックの代表的な関する結果を示す。
スタック２
スタック２を以下のように構成する。
基板３１ａの案内溝の深さを２５〜４０ｎｍにする。
１００ｎｍの厚さの光学的に密封した第１Ａｇ反射層３９を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
ランド上で１００〜１３０ｎｍの厚さとしたアゾ色素層であって、色素の屈折率を、代表的な色素の屈折率に相当する２．２４〜０．０２ｉにしたアゾ色素層を設ける。
５〜１５ｎｍの厚さの第２Ａｇ反射層を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
このようにして形成したスタック２のランド上の反射率ＲL 及びランド上の変調率ＭL を、ランド上の色素層の厚さｄL の関数として、種々の平坦度Ｌの色素層に対して図６ａ及びｂにプロットした。
【００２６】
図示しないが以下に説明するようなスタック３の設計も可能である。
スタック３
スタック３は以下のように構成する。
基板３１ａの案内溝の深さを２５〜４０ｎｍにする。
１００ｎｍの厚さの光学的に密封したＡｇ反射層３９を設ける。他の金属、例えばAu、Cu又はAlも使用することができる。
ランド上で９０〜１６０ｎｍの厚さとしたアゾ色素層３５であって、色素の屈折率を、代表的な色素の屈折率に相当する２．２４〜０．０２ｉとしたアゾ色素層を設ける。
５〜５０ｎｍのSiＯ2 層を設ける。他の誘電体も使用することができる。
【００２７】
図７は、一例として、放射ビームの波長を６５５ｎｍにした際の、従来の単一スタックＤＶＤ＋Ｒディスクに関する結果を示す。色素の屈折率は２．２４〜０．０２ｉ（λ＝６５５ｎｍ）とした。計算によれば、溝内の色素層の厚さを８０ｎｍとした場合に、溝上の反射率曲線７２及び溝上の変調率曲線７１は双方とも最適な値になる。この計算した反射率及び変調率は、実験により得られた値と良好に一致した。Ｌ０層から良質な信号を得るために、高い反射率及び高い変調率（双方について６０％を超える）を兼ね備えたスタックの設計を得ようと試みた。その結果、簡単な３層スタックの設計の場合、溝内に記録された信号は殆どの場合誤った極性（ロートゥハイ”low-to-high”記録、図示せず）を有するようになることが分かった。従って、溝を浅くした場合のランド上での記録、或いはより複雑なスタックの設計を考慮することができる。
【００２８】
上述した図５及び６の双方のスタック設計に関しては、変調率及び反射率の双方が高くなる色素層の厚さの範囲を特定することができる。本発明による上述したスタックは、浅い溝に対して最適化したものであることに注意されたい。
【００２９】
上述した例は本発明を限定するものでなく説明のためのものであり、当業者は、特許請求の範囲から逸脱することなく多くの他の例を設計しうるであろうことに注意されたい。所定の手段が特許請求の範囲の互いに異なる従属項に引用されているという事実は、これらの手段を有利に組み合わせて用いることができないことを意味するものではない。
【００３０】
本発明によれば、マルチスタック光学データ記憶媒体であって、この媒体の入射面を介して入射する集束した放射ビームを用いて記録及び読み出しを行う記憶媒体を説明した。この記憶媒体は、第１基板を有し、この第１基板の一方の面にはＬ０と称する第１記録スタックが設けられており、この第１記憶スタックは、第１Ｌ０案内溝の形態に形成された記録可能型の第１Ｌ０記録層を有している。この第１Ｌ０記録層と第１基板との間には第１反射層が設けられている。第２基板は、その一方の面にＬ１と称する第２記録スタックを有し、この第２Ｌ１記録スタックは、第１Ｌ０記録スタックより入射面に近い位置に存在しており、第２案内溝の形態に形成されている。これら第１及び第２記録スタックの間には透明スペーサ層が挟まれている。第１Ｌ０案内溝の深さＧL0は、１００ｎｍより小さい。このようにすることにより、放射ビームの波長を約６５５ｎｍとした際のＬ０スタックの反射率が極めて高くなる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、溝の深さを１２６ｎｍとした反転Ｌ０ＤＶＤ＋Ｒスタックのブランク領域（ミラー領域）及び溝領域における反射率を示し、溝領域の反射率は、ブランク領域の反射率の約１５％に過ぎないことを表す。
【図２】図２は、溝の深さは３５ｎｍとした反転Ｌ０ＤＶＤ＋Ｒスタックのブランク領域（ミラー領域）及び溝領域の反射率を示し、溝領域の反射率は、ブランク領域の反射率の約８５％であることを表す。
【図３】図３は、本発明による実施例の線図的断面図である。
【図４】図４は、本発明による反転Ｌ０スタックの実施例の線図的断面図である。
【図５】図５ａ及び５ｂは、本発明によるスタックの設計の代表的計算結果を示す。
【図６】図６ａ及び６ｂは、本発明による他のスタックの設計の代表的計算結果を示す。
【図７】参考例としての単層ＤＶＤ＋Ｒのディスクに関して計算した反射率及び変調率を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【国際調査報告】
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