(57)【要約】本発明は、式Ｉの新規なキラル配位子、その製造及び触媒反応における使用に関する。
2005505631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
【化１】
2005505631.tif 000014
［ここで、式Ｉ中で、
Ｒ１は、水素−、アルキル−、アルケニル−、芳香族又はヘテロ芳香族のアリール−、Ｏ−アルキル、ＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２、（ここで双方のアルキル基は直接にか又は酸素橋を介して互いに結合されていてもよい）、Ｏ−（アリール）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）−基を表し、
Ｒ２〜Ｒ９は互いに独立してＲ１の意味を有するか、又はＯ−ＣＯ−アルキル、Ｏ−ＣＯ−アリール、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＨ、ＮＯ２、Ｓｉ（アルキル）３、ＣＦ３、ＣＮ、ＣＯ２Ｈ、ＣＯＨ、ＳＯ３Ｈ、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨ（アルキル）、ＣＯＮ（アルキル）２、ＳＯ２（アルキル）、ＳＯ（アルキル）、ＳＯ（アリール）、ＳＯ２（アリール）、ＳＯ３（アルキル）、ＳＯ３（アリール）、Ｓ−アルキル、Ｓ−アリール、ＮＨ−ＣＯ（アルキル）、ＣＯ２（アルキル）、ＣＯＮＨ２、ＣＯ（アルキル）、ＮＨＣＯＨ、ＮＨＣＯ２（アルキル）、ＣＯ（アリール）、ＣＯ２（アリール）、ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ２（アルキル）、ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ２Ｈ、ＰＯ（アリール）２、ＰＯ（アルキル）２、ＰＯ３Ｈ、ＰＯ（Ｏ−アルキル）２の群から選択される基を表し、その際、その都度２つ又はそれ以上の隣接した基は、縮合環系が存在するように、その都度互いに独立して互いに結合されていてもよく、かつ
ここで、Ｒ１〜Ｒ９中で、
アルキルは炭素原子１〜１２個を有する炭化水素基を表し、かつアルケニルは炭素原子２〜４個を有する一不飽和又は複数不飽和の炭化水素基を表し、これらの基はその都度、線状又は分枝鎖状であってよく、かつＣｌ、Ｆ、アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、Ｏ−アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、Ｏ−（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、ＮＨ２、ＮＨ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））、Ｎ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））２で置換されていてよく、かつ
アリールは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、Ｏ−アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、Ｏ−（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、ＮＨ２、ＮＨ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））、Ｎ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））２で置換されていてよい５〜１０員の芳香族基を表し、その際、芳香族基の１〜４個の炭素原子は、５〜１０員のヘテロ芳香族アリール基が存在するように、窒素、酸素及び硫黄の群からのへテロ原子により置換されていてもよい］で示される、キラル配位子。
【請求項２】
Ｒ１がアルキル、アリール又はヘテロアリール−基の群からの基を表す、請求項１記載のキラル配位子。
【請求項３】
Ｒ１がＯ−アルキル又はＯ−（アリール）−基の群からの基を表す、請求項１記載のキラル配位子。
【請求項４】
Ｒ１がＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２、（ここで、双方のアルキル基は直接にか又は酸素橋を介して互いに結合されていてもよい）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）−基の群からの基を表す、請求項１記載のキラル配位子。
【請求項５】
Ｒ２〜Ｒ９が互いに独立して、Ｏ−ＣＯ−アルキル、Ｏ−ＣＯ−アリール、Ｂｒ、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨ（アルキル）、ＣＯＮ（アルキル）２、ＳＯ（アルキル）、ＳＯ（アリール）、ＳＯ２（アルキル）、ＳＯ２（アリール）、ＳＯ３（アルキル）、ＳＯ３（アリール）、ＮＨ−ＣＯ（アルキル）、ＣＯ２（アルキル）、ＣＯＮＨ２、ＣＯ（アルキル）、ＮＨＣＯＨ、ＮＨＣＯ２（アルキル）、ＣＯ２（アリール）、ＰＯ（アルキル）２、ＰＯ（Ｏ−アルキル）２、水素、アルキル−、アリール−又はヘテロアリール−、Ｏ−アルキル、ＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２、Ｏ−（アリール）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）、Ｆ、Ｃｌ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ＳＯ３Ｈ、ＣＯ（アルキル）、ＣＯ（アリール）、ＰＯ（アリール）２、ＰＯ３Ｈの群から選択される基を表す、請求項１から４までのいずれか１項記載のキラル配位子。
【請求項６】
Ｒ１〜Ｒ９中で、１つ又はそれ以上のこれらの基については、アルキル及びアルケニルが炭素原子１〜４個を有する炭化水素基を表し、その際、アルケニル基は二重結合を有し、かつアリールは５〜７員の芳香族基を表す、請求項１から５までのいずれか１項記載のキラル配位子。
【請求項７】
Ｒ２〜Ｒ９中のヘテロ芳香族アリール基が、１つ又は２つの窒素原子、１つの窒素原子及び１つの酸素原子又は１つの硫黄又は１つの酸素原子を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載のキラル配位子。
【請求項８】
２つ又はそれ以上の隣接した基Ｒ２〜Ｒ９が互いに結合して存在する、請求項１から７までのいずれか１項記載のキラル配位子。
【請求項９】
２つの隣接した基Ｒ２〜Ｒ９が、５〜７員の飽和又は不飽和の環式脂肪族環又は６員の芳香族環が存在するように互いに結合されている、請求項８記載のキラル配位子。
【請求項１０】
Ｒ１がアルキル−、アリール−又はヘテロアリール基、Ｏ−アルキル、ＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２、Ｏ−（アリール）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）を表し、
Ｒ２〜Ｒ９が互いに独立してＲ１の意味、水素、Ｆ、Ｃｌ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ＳＯ３Ｈ、ＣＯ（アルキル）、ＣＯ（アリール）、ＰＯ（アリール）２、ＰＯ３Ｈを有し、その際、その都度２つ又はそれ以上の隣接した基は、縮合環系が存在するように、その都度互いに独立して互いに結合されていてもよく、
その際、アルキル−、アルケニル−、芳香族又はヘテロ芳香族のアリール基が、請求項１に定義されているものであり、その際、これらの基は、請求項１に記載された置換基を有していてよい、請求項１から９までのいずれか１項記載のキラル配位子。
【請求項１１】
金属塩又は金属前錯体と、請求項１から１０までのいずれか１項記載の配位子との反応により得られることができる、触媒。
【請求項１２】
触媒が、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、コバルト、ニッケル又は銅の群からの金属を含有している、請求項１１記載の触媒。
【請求項１３】
式ＩＩ
【化２】
2005505631.tif 000015
で示される鏡像体純粋なジメチル化合物を、アルキルリチウム化合物でリチウム化し、その後、アミノリンジクロリド、アルキル−又はアリールリンジクロリドと反応させることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載のキラル配位子の製造方法。
【請求項１４】
基Ｒ１をその後に交換し、その際、４−アミノ−ホスフェピンから出発して、ＨＣｌ／Ｅｔ２Ｎ−交換により４−塩素−ホスフェピンに変換し、引き続いてアミン又はアルコール及びグリニャール試薬との反応により新しい基Ｒ１を導入する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
接触不斉反応のための請求項１から１０までのいずれか１項記載のキラル配位子又は請求項１１又は１２記載の触媒の使用。
【請求項１６】
ヒドロシリル化、アミノ化、アリル置換、グリニャール−カップリング、Heck-及びSuzuki-反応、ヒドロシアン化、ヒドロビニル化、ヒドロホルミル化、ヒドロアシル化及びヒドロカルボキシル化のための請求項１５記載のキラル配位子又は触媒の使用。
【請求項１７】
接触不斉水素化のための請求項１５記載のキラル配位子又は触媒の使用。
【請求項１８】
ＳＤＳと組合せた、請求項１５から１７までのいずれか１項記載のキラル配位子又は触媒の使用。
【請求項１９】
触媒を製造するための請求項１から１０までのいずれか１項記載のキラル配位子の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規のキラルホスファン配位子並びに触媒反応におけるその使用に関する。
【０００２】
均一系触媒作用における配位子としてのキラルな有機リン化合物は、近年、着実に重要性が増してきている。特にキラルなホスファン配位子は、ファインケミカルズの製造又は医薬及び農薬用の中間生成物の製造のための触媒の成分として工業的に使用される。さらにまた、そのような触媒法及び工業プロセスは、絶え間なくさらなる発展を受け、その際、新規の触媒系及び配位子系の改善は、尽力の中心にある。
【０００３】
特異的な基質の触媒変換のための特定のリン含有配位子の適性は、配位しているリン原子上の立体的性質及び電子的性質に依存する。それゆえ、そのような化合物中のリン上の置換基が変化することにより、リン配位子の電子的性質及び立体的性質に集中的に影響を及ぼしうるので、均一系触媒プロセスでの選択率及び活性は制御されうる。
【０００４】
鏡像体豊富化したキラル配位子は、不斉合成もしくは不斉触媒作用において使用され、ここでは、本質的に、配位子の電子的性質及び立体化学的性質が、それぞれの触媒作用の問題に最適に調整されていることが重要である。それゆえ、特定の不斉触媒作用にとって最適な“テーラーメードの”配位子を見つけ出すために、立体化学的及び電子的に異なるキラル配位子の大きな需要が存在する。
【０００５】
キラル配位子は、例えばオレフィンの立体選択な水素化反応の場合に、例えば鏡像体純粋なアミノ酸誘導体の製造のために、使用される。この方法論が記載されている抜粋記事は、例えばM. Beller, C. Bolm, Transition Metals for Organic Synthesis, 2巻, 13頁, VCH-Wiley, Weinheim 1998に見出される。キラルなホスファン配位子の使用下にキラルな化合物を合成するためにしばしば使用される別の方法は、例えば不斉アリル置換、不斉カップリング反応（Heck-反応、Suzuki-反応、Negishi-カップリング）並びに不斉シアン化及びビニル化である。
【０００６】
これら全ての反応の場合に、高いエナンチオ選択性を達成するために、キレート化しているホスファン配位子が使用される。しばしば、キレート化している配位子の製造は、より単純な単座のホスファン配位子の製造よりもより大きな困難と結びついている。故に、もちろん高エナンチオ選択的な反応を可能にする新規の単座のホスファン配位子を製造することに大きな関心が存在する。
【０００７】
単座のキラルなリン含有配位子も、キラル配位子としてエナンチオ選択的な触媒プロセスの実施に適していることは、I. V. Komarev, A. Boerner, Angew. Chem. 2001, 113, 1237の抜粋記事にホスフィット配位子及びアミノホスホニット配位子に基づいて記載されている。しかしながら、そこに記載された配位子は、ホスファン配位子を用いて実施可能な多くの触媒変換に適していない。
【０００８】
故に、単純に製造されることができ、かつエナンチオ選択的な反応操作を可能にする新規の単座のキラルなホスファン配位子の大きな需要が存在する。
【０００９】
この課題は、一般式Ｉ：
【００１０】
【化１】
2005505631.tif 000003
で示される配位子により解決され、ここで、式Ｉ中で、
Ｒ１は、水素−、アルキル−、アルケニル−、芳香族又はヘテロ芳香族のアリール−、Ｏ−アルキル、ＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２（ここで双方のアルキル基は直接にか又は酸素橋を介して互いに結合されていてもよい）、Ｏ−（アリール）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）−基を表し、
Ｒ２〜Ｒ９は、互いに独立してＲ１の意味を有するか、又はＯ−ＣＯ−アルキル、Ｏ−ＣＯ−アリール、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＨ、ＮＯ２、Ｓｉ（アルキル）３、ＣＦ３、ＣＮ、ＣＯ２Ｈ、ＣＯＨ、ＳＯ３Ｈ、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨ（アルキル）、ＣＯＮ（アルキル）２、ＳＯ２（アルキル）、ＳＯ（アルキル）、ＳＯ（アリール）、ＳＯ２（アリール）、ＳＯ３（アルキル）、ＳＯ３（アリール）、Ｓ−アルキル、Ｓ−アリール、ＮＨ−ＣＯ（アルキル）、ＣＯ２（アルキル）、ＣＯＮＨ２、ＣＯ（アルキル）、ＮＨＣＯＨ、ＮＨＣＯ２（アルキル）、ＣＯ（アリール）、ＣＯ２（アリール）、ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ２（アルキル）、ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ２Ｈ、ＰＯ（アリール）２、ＰＯ（アルキル）２、ＰＯ３Ｈ、ＰＯ（Ｏ−アルキル）２の群から選択される基を表し、
その際、その都度２つ又はそれ以上の隣接した基は、縮合環系が存在するように、その都度互いに独立して互いに結合されていてもよく、かつ
ここで、Ｒ１〜Ｒ９中で、
アルキルは炭素原子１〜１２個を有する炭化水素基を表し、かつアルケニルは炭素原子２〜４個を有する一不飽和又は複数不飽和の炭化水素基を表し、これらの基はその都度線状又は分枝鎖状であってよく、かつＣｌ、Ｆ、アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、Ｏ−アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、Ｏ−（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、ＮＨ２、ＮＨ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））、Ｎ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））２で置換されていてよく、かつ
アリールは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、Ｏ−アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２）、（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、Ｏ−（Ｃ５〜Ｃ１０）−アリール、ＮＨ２、ＮＨ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））、Ｎ（アルキル−（Ｃ１〜Ｃ１２））２で置換されていてよい５〜１０員の芳香族基を表し、その際、芳香族基の炭素原子１〜４個も、５〜１０員のヘテロ芳香族基が存在するように、窒素、酸素及び硫黄の群からのへテロ原子により置換されていてよい。
【００１１】
Ｒ１については、アルキル、アリール又はヘテロアリール、Ｏ−アルキル、ＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２、ピペリジン、モルホリン、Ｏ−（アリール）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）の群からの基が好ましい。
【００１２】
好ましい基Ｒ２〜Ｒ９は、互いに独立して、Ｏ−ＣＯ−アルキル、Ｏ−ＣＯ−アリール、Ｂｒ、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨ（アルキル）、ＣＯＮ（アルキル）２、ＳＯ（アルキル）、ＳＯ（アリール）、ＳＯ２（アルキル）、ＳＯ２（アリール）、ＳＯ３（アルキル）、ＳＯ３（アリール）、ＮＨ−ＣＯ（アルキル）、ＣＯ２（アルキル）、ＣＯＮＨ２、ＣＯ（アルキル）、ＮＨＣＯＨ、ＮＨＣＯ２（アルキル）、ＣＯ２（アリール）、ＰＯ（アルキル）２、ＰＯ（Ｏ−アルキル）２−基の群から選択されており、特に好ましくは、基：水素、アルキル−、アリール−又はヘテロアリール−、Ｏ−アルキル、ＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２、Ｏ−（アリール）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）、Ｆ、Ｃｌ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ＳＯ３Ｈ、ＣＯ（アルキル）、ＣＯ（アリール）、ＰＯ（アリール）２、ＰＯ３Ｈである。
【００１３】
好ましくは、Ｒ１〜Ｒ９中で、アルキル及びアルケニルは、炭素原子１〜４個を有する炭化水素基を表し、その際、アルケニル基は１つの二重結合を有し、かつアリールは５〜７員の芳香族基を表す。ヘテロ芳香族アリール基は、好ましくは１つ又は２つの窒素原子、１つの窒素原子及び１つの酸素原子又は１つの硫黄又は１つの酸素原子を有する。
【００１４】
式Ｉには縮合環系を有する配位子も含まれ、その際、２つ又はそれ以上の隣接した基Ｒ２〜Ｒ９は互いに結合されて存在する。好ましい縮合環系中で、互いに結合された基は、環式脂肪族及び芳香族の環、特に好ましくは５〜７員の環式脂肪族及び６員の芳香族の環系を形成する。結合は、その際、好ましくは、直接の単結合又は二重結合を介してか又は（Ｃ１〜Ｃ３）−アルキル基又は１つ又は２つの二重結合を有するアルケニル基を介して行われる。
【００１５】
式Ｉの特に好ましい配位子は、相応して、
Ｒ１が、アルキル−、アリール−又はヘテロアリール基、Ｏ−アルキル、ＮＨ−アルキル、Ｎ−（アルキル）２、Ｏ−（アリール）、ＮＨ−（アリール）、Ｎ−（アルキル）（アリール）を表し、
Ｒ２〜Ｒ９が、互いに独立してＲ１の意味を有するか、又はさらにまた水素、Ｆ、Ｃｌ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ＳＯ３Ｈ、ＣＯ（アルキル）、ＣＯ（アリール）、ＰＯ（アリール）２、ＰＯ３Ｈの群からの基を表し、その際、その都度２つ又はそれ以上の隣接した基は、縮合環系が存在するように、その都度互いに独立して互いに結合されていてもよく、
かつアルキル−、アルケニル−、芳香族又はヘテロ芳香族のアリール基が、前記の定義に支配されており、かつ前記の置換基を有していてよい置換パターンを有する。
【００１６】
式ＩＩの鏡像体純粋なジメチル化合物を介して、引き続きアルキルリチウム化合物でのリチウム化及びその後のアミノリンジクロリド又はアルキル−もしくはアリールリンジクロリドとの反応での本発明による配位子の合成の場合に、特に有効であることが証明された。
【００１７】
【化２】
2005505631.tif 000004
【００１８】
有利には、ＨＣｌ／Ｅｔ２Ｎ−交換によりそれぞれの４−アミノ−ホスフェピンから入手可能である相応する４−クロロ−ホスフェピンから出発して、アミン、アルコール及びグリニャール試薬との反応により本発明による多数の配位子が製造されることができる。この方法を用いて、式Ｉの化合物は単純に製造可能であり、その際、適している置換された出発物質の選択により、配位子上の所望の置換パターンが得られることができる。基Ｒ１は、さらにまた、今しがた記載されたように、さらにその後でも変性されるか又は交換されることもできる。
【００１９】
本発明による式Ｉの配位子は、触媒として遷移金属と共に使用される。
【００２０】
金属−配位子−錯化合物の製造は、金属塩又は相応する前錯体(Vorkomplexe)と一般式（Ｉ）の配位子との反応によりその場で行われることができる。さらにまた、金属−配位子−錯化合物は、金属塩又は相応する前錯体と一般式（Ｉ）の配位子との反応及び引き続いての単離により取得されることができる。そのような錯化合物の製造は、好ましくは、ワンポット反応において、高められた温度で撹拌しながら行われる。触媒活性な錯化合物は、その際、計画される触媒反応の反応バッチ中で直接製造されることもできる。
【００２１】
金属塩の例は、特にパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、コバルト、ニッケル又は／及び銅の、金属塩化物、金属臭化物、金属ヨウ化物、金属シアン化物、金属硝酸塩、金属酢酸塩、金属アセチルアセトネート、金属ヘキサフルオロアセチルアセトネート、金属テトラフルオロボレート、金属ペルフルオロアセテート又は金属トリフレートである。
【００２２】
触媒の製造に適している前錯体は、例えば次のものである：
シクロオクタジエンパラジウムクロリド、シクロオクタジエンパラジウムヨージド、
１，５−ヘキサジエンパラジウムクロリド、１，５−ヘキサジエンパラジウムヨージド、
ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、ビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）クロリド、
ビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）ブロミド、ビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）クロリド、
ビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）ブロミド、ビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）ヨージド、
ビス（アリル）パラジウム、ビス（メタリル）パラジウム、アリルパラジウムクロリド−ダイマー、
メタリルパラジウムクロリド−ダイマー、テトラメチルエチレンジアミンパラジウムジクロリド、
テトラメチルエチレンジアミンパラジウムジブロミド、
テトラメチルエチレンジアミンパラジウムジヨージド、
テトラメチルエチレンジアミンパラジウムジメチル、
シクロオクタジエン白金クロリド、シクロオクタジエン白金ヨージド、１，５−ヘキサジエン白金クロリド、
１，５−ヘキサジエン白金ヨージド、ビス（シクロオクタジエン）白金、カリウム（エチレントリクロロ白金酸塩）、
シクロオクタジエンロジウム（Ｉ）クロリド−ダイマー、ノルボルナジエンロジウム（Ｉ）クロリド−ダイマー、
１，５−ヘキサジエンロジウム（Ｉ）クロリド−ダイマー、トリス（トリフェニルホスファン）ロジウム（Ｉ）クロリド、
ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスファン）ロジウム（Ｉ）クロリド、
ビス（シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）ペルクロレート、ビス（シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボレート、
ビス（シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）トリフレート、ビス（アセトニトリルシクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）ペルクロレート、
ビス（アセトニトリルシクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボレート、
ビス（アセトニトリルシクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）トリフレート、
シクロペンタジエンロジウム（ＩＩＩ）クロリド−ダイマー、
ペンタメチルシクロペンタジエンロジウム（ＩＩＩ）クロリド−ダイマー、
（シクロオクタジエン）Ｒｕ（μ３−アリル）２、（（シクロオクタジエン）Ｒｕ）２（アセテート）４、
（（シクロオクタジエン）Ｒｕ）２（トリフルオロアセテート）４、ＲｕＣｌ２（アレーン）−ダイマー、
トリス（トリフェニルホスファン）レニウム（ＩＩ）クロリド、シクロオクタジエンルテニウム（ＩＩ）クロリド、
ＯｓＣｌ２（アレーン）−ダイマー、シクロオクタジエンイリジウム（Ｉ）クロリド−ダイマー、
ビス（シクロオクテン）イリジウム（Ｉ）クロリド−ダイマー、
ビス（シクロオクタジエン）ニッケル、（シクロドデカトリエン）ニッケル、トリス（ノルボルネン）ニッケル、
ニッケルテトラカルボニル、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトネート、
（アレーン）銅トリフレート、（アレーン）銅ペルクロレート、（アレーン）銅トリフルオロアセテート、コバルトカルボニル。
【００２３】
触媒反応において、本発明による配位子は、記載された遷移金属の単離された錯体として使用されることができるが、しかしこれらは、その場での形でも使用されることができる。
【００２４】
本発明による配位子もしくはその錯体が使用される触媒反応は、例えば接触水素化、ヒドロシリル化、アミノ化、アリル置換、グリニャール−カップリング、Heck-及びSuzuki-反応、ヒドロシアン化、ヒドロビニル化、ヒドロホルミル化、ヒドロアシル化及びヒドロカルボキシル化である。
【００２５】
好ましい反応は、接触水素化、ヒドロシリル化、アリル置換、ヒドロシアン化、ヒドロホルミル化及びヒドロカルボキシル化である。
【００２６】
接触水素化が特に好ましい。
【００２７】
触媒反応は、好ましくは溶液中で実施され、その際、有機溶剤、例えば酢酸エチル、ＴＨＦ、メタノール、トルエン、アセトン又はＣＨ２Ｃｌ２が適していることが判明している。さらにまた、極めて高いエナンチオ選択性は、例えば不斉水素化の際に、ＳＤＳの添加により達成されることができる。使用される基質に対して、１：０．０１〜１：２、好ましくは１：０．１〜１：０．５のモル比でのＳＤＳの添加が有効であることがわかっている。特にトルエン中での不斉水素化の際に、１：０．２のモル比でのＳＤＳの添加によりこれまで達成されなかった反応のエナンチオ選択性が達成された。
【００２８】
本発明による配位子を用いて、１，０００及びそれ以上のオーダーの触媒の大きなターンオーバー値が、高いエナンチオ選択性と同時に実現されることができる。それゆえ、本発明による配位子を用いて、僅かな触媒量で、すなわち高い触媒生産性での反応を実施することが可能であるので、触媒費用が最小限になる。さらにまた、本発明による配位子は単純に製造可能である。良好な触媒特性に加えて、多数の異なり置換された配位子が、配位子合成の際の適している出発物質の選択により単純に得られることができる。これを用いて、それらの電子的及び立体的な性質に基づいて最適化されている式Ｉの配位子を選択する特異合成の可能性が開かれる。これらの理由から、記載された配位子は、多数の接触合成に大工業的に使用可能である。
【実施例】
【００２９】
本発明による配位子の合成のための一般的な作業規定
方法１：
ヘキサン中の１．６ｍ ｎ−ＢｕＬｉ溶液２９．４ｍｌ（ｎ−ＢｕＬｉ ０．０４７mol）を、２５０ｍｌ三つ口フラスコ中に入れ、真空中で溶剤を取り除く。黄色の油状残留物を、ジエチルエーテル１５ｍｌ中に取り、０℃に冷却する。引き続いて、ジエチルエーテル２０ｍｌ中に溶解させた２，２′−ジメチル−１，１′−ジフェニル−誘導体０．０１９molを少しずつ添加する。赤い着色は、ＴＭＥＤＡ ７ｍｌ（０．０４７mol）の添加後に強化される。真紅の反応溶液を室温に温める。２〜４８ｈ後、結晶が析出する。上澄み溶液をデカントし、結晶ペーストを微量のペンタンで洗浄する。真空中での乾燥により、５０〜８５％位置選択的にジリチウム化された２，２′−ジメチル−１．１′−ジフェニル−誘導体が得られる。
【００３０】
２，２′−ジメチル−１，１′−ジフェニル−誘導体の二リチウム塩を、０℃で、ヘキサン３５ｍｌ中に懸濁させる。それぞれジクロロホスフィンＣｌ２ＰＲ１（Ｒ１＝Ｅｔ、ｔ−Ｂｕ、Ｐｈ、ＮＥｔ２、ＮＭｅ２）１．１当量を、ヘキサン１５ｍｌ中に溶解させて少しずつ添加し、その際、脱色が生じる。添加が終了した後に、反応混合物を室温に温め、２ｈ、還流で加熱して反応を完了させる。溶剤であるヘキサンをトルエンと交換する。Ｒ１＝アルキル又はアリールの場合に、ＬｉＣｌの分離は脱気した水での加水分解により行う。乾燥させた有機相から、ホスファン配位子を結晶化により単離することができる。Ｒ１＝Ｎアルキル２、Ｎアリール２、ＮＨアルキル、ＮＨアリール、Ｏアルキル、Ｏアリールである場合には、ＬｉＣｌを密閉したフリット中で分離する。リンアミダイト(Phoshoramidite)は、溶剤の濃縮によるかもしくはヘキサンの層で覆うこと(Ueberschichten)により取得することができる。
方法２：
１ ｌ三つ口フラスコ中に、相応するリンアミダイトＲ１＝ＮＥｔ２（方法１により製造）０．０２６molをシクロヘキサン３００ｍｌ中に懸濁させる。装置はガス導入管を備えており、０℃に冷却する。強く撹拌しながら、ＨＣｌガスを１ｈ、懸濁液に導通し、その際、その間に沈殿が溶解する。さらに１時間、過剰のＨＣｌを弱いアルゴン流下に撹拌する。引き続いて、沈殿をフリットに通して分離し、シクロヘキサン１００ｍｌで２回洗浄する。溶剤を３分の１に濃縮し、ヘキサンの層で覆う。それぞれクロロホスフィン７０〜９５％を結晶質粉末として単離することができる。
【００３１】
こうして製造したクロロホスフィン７．９×１０−３molを、ジエチルエーテル２０ｍｌ及びＴＨＦ ２０ｍｌ中に溶解させ、かつＲＭｇＸ（Ｒ＝ｉ−Ｐｒ、Ｘ＝Ｃｌ）１．１当量と少しずつ室温で混合する。添加が終了した後に、混合物を２ｈ、還流で加熱する。引き続いて、脱気した水４０ｍｌで加水分解し、乾燥させたエーテル相を濃縮し、トルエン１０ｍｌ中に取る。配位子は結晶質沈殿として単離される。
【００３２】
記載された方法で製造した本発明による配位子の例（例１）〜７））：
１） ４−フェニル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン：
３１Ｐ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：６．７ｐｐｍ；ＭＳ  ｍ／ｚ：３８８［Ｍ＋］。
２） ４−ｔ−ブチル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン：
３１Ｐ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：２９．６ｐｐｍ；  ＭＳ  ｍ／ｚ：３６８［Ｍ＋］、３１１、２６５。
３） ４−イソプロピル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン：
３１Ｐ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：２１．８ｐｐｍ；  ＭＳ  ｍ／ｚ：３５４［Ｍ＋］、３１１、２６５。
４） ４−エチル−４，５−ジ−ヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン：
３１Ｐ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：８．５ｐｐｍ；  ＭＳ  ｍ／ｚ：３４０［Ｍ＋］。
５） ４−ジエチルアミノ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト−［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン：
３１Ｐ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：７３．０ｐｐｍ；  ＭＳ  ｍ／ｚ：３８３［Ｍ＋］、３４０、３１３、２６５。
６） ４−ジメチルアミノ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン：
３１Ｐ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：７７．０ｐｐｍ；  ＭＳ  ｍ／ｚ：３５５［Ｍ＋］。
７） ４−クロロ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン：
３１Ｐ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：１１５．１ｐｐｍ；  ＭＳ  ｍ／ｚ：３４７［Ｍ＋１］、３２９、３１１、２８３。
【００３３】
類似に、次の別の化合物（例８）〜１７））を、一般的な作業規定に従って製造した：
８） ４−メチル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン、
９） ４−ｐ−メトキシフェニル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−e］−ホスフェピン
１０） ４−ｐ−トリフルオロメチルフェニル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］−ホスフェピン
１１） ４−メトキシ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン、
１２） ４−エトキシ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン、
１３） ４−ベンジルオキシ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン、
１４） ４−ジ−イソプロピルアミノ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン、
１５） ４−ピペリジル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ；１′，２′−ｅ］ホスフェピン、
１６） ６−ジエチルアミノ−１，１１−ジメトキシ−６−ホスファ−ジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン、
１７） ６−ジメチルアミノ−１，１１−ジメトキシ−６−ホスファ−ジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン、
１８） ６−メチル−１，１１−ジメトキシ−６−ホスファ−ジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン、
１９） ６−エトキシ−１，１１−ジメトキシ−６−ホスファ−ジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン。
接触水素化のための一般的な作業規定：
水素化容器中で、アルゴン雰囲気下で、［Ｒｈ（ＣＯＤ）２］ＢＦ４ ０．０２５mmol、配位子０．０５５mmol及び（Ｚ）−α−アセトアミノケイ皮酸メチルエステル０．５mmolを、それぞれ乾燥させかつ脱気した溶剤１２．５ｍｌに２５℃の温度で添加し、１５分間撹拌する。反応容器を水素で何度もすすぐ。引き続いて、常圧下で相応する量の水素を添加する。反応の開始後、水素の消費量を時間に応じて測定する。水素化試験は、四回の半減期後に終了する。ｅｅ−値の測定を、試料取り出し後にGC (XE 60)又はＨＰＬＣ（Chiracel ＯＤ−Ｈ）を用いて行う。
式（ＩＩＩ）のキラル配位子での接触水素化のための例２０〜２８
【００３４】
【化３】
2005505631.tif 000005
【００３５】
【表１】
2005505631.tif 000006
水素化のための代替的な作業規定：
水素化容器中で、アルゴン雰囲気下で  ［Ｒｈ（ＣＯＤ）２］ＢＦ４ ０．０１mmol、配位子 Ju 176/2（式（ＩＩＩａ））
【００３６】
【化４】
2005505631.tif 000007
０．０２２mmol及び基質１．０mmolを、それぞれ乾燥させかつ脱気した溶剤１５ｍｌに２５℃の温度で添加し、１５分間撹拌する。反応容器を水素で何度もすすぐ。引き続いて、常圧下に、相応する量の水素を添加する。反応の開始後に、水素の消費量を時間に応じて測定する。水素化試験は、４回の半減期後に終了する。ｅｅ−値の測定を、試料取り出し後にGC (XE 60)又はHPLC(Chiracel OD-H)を用いて行う。
上記の規定による水素化のための例３３〜３８。
【００３７】
【表２】
2005505631.tif 000008
例４０〜４２：接触水素化を今しがた記載されたように行い、Ｒｈ：配位子（ＩＩＩａ）−比を変える：
【００３８】
【表３】
2005505631.tif 000009
例４３〜４７：別の基質の接触水素化
【００３９】
【化５】
2005505631.tif 000010
【００４０】
接触水素化は、次の表に記載された記載を考慮に入れて今しがた記載されたように行う：
【００４１】
【表４】
2005505631.tif 000011
接触水素化のための例４７〜５８：
水素化を今しがた記載されたように行う。触媒前錯体として、［Ｒｈ（ＣＯＤ）２］ＢＦ４ ０．０１mmol、配位子として、式（ＩＩＩｂ）の化合物(Ju 180/4/2) ０．０２２mmolを使用する。基質１．０mmolを反応させる。
【００４２】
【化６】
2005505631.tif 000012
【００４３】
水素化の結果は、次の表に記載されている。
【００４４】
【表５】
2005505631.tif 000013
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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