(57)【要約】【目的】  インクジェット印刷によりエレクトロルミネセンス物質を沈積する、エレクトロルミネセンス装置を製造する方法を開示する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセンス物質をインクジェット印刷により基板上に沈積することを特徴とする、エレクトロルミネセンス素子の形成方法。
【請求項２】
一次電極、（ｉｉ）正孔移動層、（ｉｉｉ）エレクトロルミネセンス物質からなる層、（ｉｖ）電子移動層を連続的に沈積する方法であって、かつ少なくとも前記エレクトロルミネセンス物質の層が、インクジェット印刷により沈積されることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記インクジェット印刷方法は、熱ジェット印刷、圧ジェット印刷および相変化ジェット印刷から選択され、かつ沈積される物質が、溶融液体滴下として基板上または被覆された基板上に噴射されることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記エレクトロルミネセンス物質は、式Ｍ（Ｌα）nを有し、式中Ｍが、希土類金属、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドを意味し、かつＬαが、有機の配位子を意味し、かつｎが、Ｍの原子価状態を意味することを特徴とする、請求項１から７記載のいずれかによる方法。
【請求項５】
前記エレクトロルミネセンス物質は、有機金属錯体であって、下記式
【化１】
2005517271.tif 000026
式中、ＬαおよびＬpが、有機配位子を意味し、かつＭが、希土類、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドを意味し、かつｎが、金属Ｍの原子価状態を意味し、かつ前記配位子Ｌαが、同じかまたは相違するものであることを特徴とする、前記の請求項記載のいずれかによる方法。
【請求項６】
同じかまたは相違可能の複数の配位子Ｌpが、存在することを特徴とする、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記エレクトロルミネセンス物質は、有機金属錯体であって、式（Ｌｎ）nＭ1Ｍ2または（Ｌｎ）nＭ1Ｍ2（Ｌp）、式中Ｌｎが、Ｌαを意味し、かつＬpが、中性の配位子を意味し、かつＭ1が、希土類、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドを意味し、かつＭ2が、非希土類金属を意味し、かつｎがＭ1およびＭ2の結合原子価状態を意味する、で表される錯体であることを特徴とする、前記の請求項記載のいずれかによる方法。
【請求項８】
前記エレクトロルミネセンス物質は、二核、三核、多核の有機金属錯体であって、下記式
【化２】
2005517271.tif 000027
［（式中Ｌが、橋かけ配位子を意味し、かつＭ1が希土類金属を意味し、かつＭ2が、Ｍ1または非希土類金属を意味し、ＬｍおよびＬｎが同じかまたは相違する上記定義有機配位子Ｌαを意味し、かつｘが、Ｍ1の原子価状態を意味し、かつｙが、Ｍ2の原子価状態を意味する）で表されるか、または下記式
【化３】
2005517271.tif 000028
（式中Ｍ1、Ｍ2およびＭ3が、同じかまたは相違する希土類金属を意味し、かつＬｍ、ＬｎおよびＬｐが、有機配位子Ｌαを意味し、かつｘが、Ｍ1の原子価状態を意味し、ｙが、Ｍ2の原子価状態を意味し、かつｚが、Ｍ3の原子価状態を意味し、かつＬｐは、ＬｍおよびＬｎと同じであり得るか、または相違しうる）で表されるか、または下記式
【化４】
2005517271.tif 000029
（式中Ｍ4が、Ｍ1を意味し、かつＬが、橋かけ配位子を意味し、希土類金属および非希土類金属が、金属結合の金属と一緒になりうるか、かつ／または中間の橋かけ原子、配位子または分子基を経由して結合されるか、または金属結合の金属により連結されるか、かつ／または中間の配位子およびを経由して連結される３種以上の金属が存在する）で表される］で表される二核、三核、多核の有機金属錯体であることを特徴とする、前記の請求項記載のいずれかによる方法。
【請求項９】
前記非希土類金属Ｍ2は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、錫、アンチモン、鉛、および遷移金属の第Ｉ、第ＩＩおよび第ＩＩＩの金属、例えばマンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、およびイットリウムから選択されることを特徴とする、請求項７または８記載の方法。
【請求項１０】
Ｌαは、式（ＩＶ）から式（ＸＶＩＩＩ）で表されることを特徴とする、請求項４から９に記載のいずれかによる方法。
【請求項１１】
Ｌpは、図面の欄の図１から図８の式で表されるかまたは式（ＸＩＸ）から式（ＸＸＶ）で表されることを特徴とする、請求項４から１０に記載のいずれかによる方法。
【請求項１２】
前記希土類、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドは、Ｓｍ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）Ｕ（ＩＩＩ）、Ｔｍ（ＩＩＩ）、Ｃｅ（ＩＩＩ）、Ｐｒ（ＩＩＩ）、Ｎｄ（ＩＩＩ）、Ｐｍ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｈｏ（ＩＩＩ）およびＥｒ（ＩＩＩ）から選ばれることを特徴とする、請求項４から１１に記載のいずれかによる方法。
【請求項１３】
前記エレクトロルミネセンス物質は、金属キノレートであることを特徴とする、請求項１から３に記載のいずれかによる方法。
【請求項１４】
前記金属キノレートは、リチウムキノレートであることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エレクトロルミネセンス物質は、エレクトロルミネセンス非希土類金属錯体であることを特徴とする、請求項１から３に記載のいずれかによる方法。
【請求項１６】
前記エレクトロルミネセンス物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛またはスカンジウム錯体であることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１７】
前記エレクトロルミネセンス物質は、β−ジケトン錯体であることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記エレクトロルミネセンス物質は、Ａｌ（ＤＢＭ）3、Ｚｎ（ＤＢＭ）2およびＭｇ（ＤＢＭ）2、Ｓｃ（ＤＢＭ）3であり、かつ（ＤＢＭ）が、トリス−（１，３−ジフェニル−１−３−プロパンジオン）を意味することを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
一次電極およびエレクトロルミネセンス層間に正孔移動物質層が、存在することを特徴とする、請求項１から１８に記載のいずれかによる方法。
【請求項２０】
正孔移動物質および光線放射金属化合物は、１つの層を形成するために混合されることを特徴とする、請求項１から１９に記載のいずれかによる方法。
【請求項２１】
前記正孔移動物質は、芳香族アミン錯体であることを特徴とする、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記正孔移動物質は、ポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン、置換ポリチオフェン、ポリシランおよび置換ポリシランから選択される重合体のフィルムであることを特徴とする、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記正孔移動物質は、式（ＩＩ）もしくは（ＩＩＩ）の、または図面の欄の図１２、１３、１４、１５もしくは１６の化合物のフィルムであることを特徴とする、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記正孔移動物質は、共役された重合体であることを特徴とする、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記共役された重合体は、ポリ（アリーレンビニレン）またはそれらの置換誘導体であることを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記共役された重合体は、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）−ＰＰＶおよびＰＰＶを含む共重合体であることを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記ＰＰＶにおけるフェニレン環は、１つ以上の置換基を有することを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）におけるフェニレン環は、アントラセンまたはナフチレン環のような融合された環系により取って代えられることを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
それぞれのポリフェニレンビニレン部位のビニレン基の数は、１より多いことを特徴とする、請求項２４から２８に記載のいずれかによる方法。
【請求項３０】
前記共役された重合体は、ポリ（２，５ジアルコキシフェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−（２−メトキシペンチルオキシ−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシペンチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−（２−ドデシルオキシ−１，４−フェニレンビニレン）および長鎖溶解性アルコキシ基である少なくとも１つのアルコキシ基を有する、他のポリ（２，５ジアルコキシフェニレンビニレン）から選択されることを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項３１】
前記アミノ置換芳香族化合物の重合体は、下記の一般式
【化５】
2005517271.tif 000030
［式中、Ｒが、オルト−またはメタ位置にあり、かつ水素、Ｃ１−１８アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシ、または下記の基
【化６】
2005517271.tif 000031
（式中、Ｒ”が、アルキルまたはアリールを意味し、かつＲ’’’が、水素、Ｃ１−６アルキルまたは少なくとも１つの上記式（Ｉ）の他の単量体を有するアリールを意味する）で表される］で表されるアニリン単量体の共重合体であることを特徴とする、請求項２１に記載の方法。
【請求項３２】
前記共重合体は、下記式
【化７】
2005517271.tif 000032
式中、ｐが、１から１０を意味し、かつｎが、１から２０を意味し、かつＲが、水素、Ｃ１−１８アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシを意味し、かつ、ｐが、１から２０を意味し、かつｎが、１から５０を意味し、かつＸが、陰イオンを意味する、ものであることを特徴とする、請求項２１に記載の方法。
【請求項３３】
前記共重合体の重量平均重合度は、約３０，０００のオーダーであることを特徴とする、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
ｐは、４であることを特徴とする、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
アミノ置換芳香族化合物の未置換もしくは置換重合体は、脱プロトン化されていることを特徴とする、請求項３１から３４に記載のいずれかによる方法。
【請求項３６】
前記アミノ置換芳香族化合物の未置換もしくは置換重合体は、蒸発する脱プロトン化されている重合体であることを特徴とする、請求項３５に記載の方法
【請求項３７】
置換芳香族化合物の重合体は、下記式
【化８】
2005517271.tif 000033
を有することを特徴とする、請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＳＯ4、ＢＦ4、ＰＦ6、Ｈ2ＰＯ3、Ｈ2ＰＯ4、アリールスルホナート、アレーンジカルボキシラート、ポリスチレンスルホナート、ポリアクリラート  アルキスルホナート、ビニルスルホナート、ビニルベンゼンスルホナート、セルローススルホナート、セルローススルファートまたは過フッ素化ポリアニオンから選択されることを特徴とする、請求項３１から３６に記載のいずれかによる方法。
【請求項３９】
前記共重合体は、アニリンとｏ−アニシジン、ｍ−スルファニリック酸またはｏ−アミノフェノールとの共重合体、またはｏ−トルイジンとオルソ−アミノフェノール、ｏ−エチルアニリンまたはｏ−フェニレンジアミンとの共重合体であることを特徴とする、請求項３１から３７に記載のいずれかによる方法。
【請求項４０】
前記アミノ置換芳香族化合物の重合体は、置換もしくは未置換ポリアミノナフタレン、ポリアミノアントラセン、ポリアミノフェナントレンから選択されるものであることを特徴とする、請求項３１に記載の方法。
【請求項４１】
陰極およびエレクトロルミネセンス物質の層間には電子注入物質の層が存在することを特徴とする、前記請求項に記載のいずれかによる方法。
【請求項４２】
前記電子注入物質は、金属キノラート、シアノアントラセン、９，１０ジシアノアントラセン、ポリスチレンスルホナート、アルミニウムキノラートおよびリチウムキノラートまたは図面の欄の図９または１０の式を有する化合物から選択されるものであることを特徴とする、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
二次電極は、アルミニウム、カルシウム、リチウム、または銀／マグネシウム合金であることを特徴とする、前記請求項に記載のいずれかによる方法。
【請求項４４】
一次電極は、透過伝導ガラスまたは樹脂物質、伝導重合体またはガラスもしくは樹脂物質で被覆の伝導重合体であることを特徴とする、前記請求項に記載のいずれかによる方法。
【請求項４５】
二次電極は、アルミニウム、カルシウム、リチウム、または銀／マグネシウム合金であることを特徴とする、前記請求項に記載のいずれかによる方法。
【請求項４６】
電子移動物質および光線発生金属化合物は、１つの層を形成するために混合されることを特徴とする、請求項４０から４４に記載のいずれかによる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はエレクトロルミネセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流が通過するとき光を発する物質はよく知られており、かつ表示装置適用の広い範囲で使用されている。液晶素子および無機半導体系の素子は、広範に使用されているが、消費電力が大きく、製造コストも高く、量子効率が低いという欠点を有しており、平面のパネル表示作成には適していない。
【０００３】
有機重合体が、エレクトロルミネセンス素子の用途として提案されたが、純粋な色を得ることができず、製造するのも高価で、かつ比較的低い効率を有している。
提案されたもう一つの化合物は、アルミニウムキノラートであるが、高範囲の色を得るにはドープ剤を必要とし、かつ比較的低い効率を有している。
【０００４】
特許出願、  すなわちＷＯ９８／５８０３７、ＷＯ  ９８／５８０３７、ＷＯ  ００２６３２３、ＷＯ  ００３２７１９、ＷＯ  ００／３２７１７、ＷＯ  ００／３２７１８、ＷＯ  ００４４８５１、ＷＯ  ００／４３４４４、ＷＯ  ００／４３４４６、ＷＯ  ００４３４４７、ＷＯ  ０２／０７５８２０およびＰＣＴ／ＧＢ０２／０１８３７、ＰＣＴ／ＧＢ０２／０１８８４、ＰＣＴ／ＧＢ０２／０２０９４、ＰＣＴ／ＧＢ０２／０２０９２、ＰＣＴ／ＧＢ０２／０２０９３、ＰＣＴ／ＧＢ０２／０２７２２、ＰＣＴ／ＧＢ０２／００３１６３、ＰＣＴ／ＧＢ０２／００３５８８、ＰＣＴ／ＧＢ０２／００４７６１は、ランタノイド、アクチノイドおよび他の希土類キレート類の構造および錯体の範囲を記載し、これらが有効な性質を有し、かつよい結果を与える、エレクトロルミネセンス素子に使用可能なことを記載している。
【０００５】
米国特許第５，１２８，５８７号は、ランタノイドの希土類元素の有機金属錯体からなるエレクトロルミネセンス装置を開示し、この有機金属錯体は高負荷機能の透過電極および低負荷機能の二次電極の間に挟まれ、エレクトロルミネセンス層および透過高負荷機能間に挿入された正孔伝導層（ａ  ｈｏｌｅ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を有し、かつエレクトロルミネセンス層および電子注入低負荷機能陽極間に挟まれた電子伝導層を有している。正孔伝導層および電子伝導層は素子の働きと効率を改善するために必要とされる。正孔移動層（ａ  ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）は、正孔を移動し、かつ電子を遮る働きをすることにより、正孔と再結合することなく、電極に動いていく電子を防止する。それゆえ、担体の再結合は、主にエミッター層内で起こる。
【０００６】
発明者らは、インクジェット印刷技術を使用してエレクトロルミネセンス素子を製造する方法を見いだした。
【発明の開示】
【０００７】
本発明によれば、エレクトロルミネセンス物質をインクジェット印刷で基板上に沈積するエレクトロルミネセンス素子の製造方法を提供する。
インクジェット技術の総括は、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ４２：４９−６２（１９９８）により提供されている。
【０００８】
インクジェットは、非衝撃ドットマトリックス印刷技術であり、インクの小滴を小さな開口部から媒体上の特定の位置に直接噴射し、像を形成する。インクジェット印刷は、多くの相違するデザインで実行され、かつ広い範囲の潜在的な適用を有している。基本的には、インクジェット印刷は、連続的なものおよびドロップ−オン−デマンドインクジェット方法に分けられる。１９６０年代の初期に、スタンフォード大学のスイート（Ｓｗｅｅｔ）博士は、オリフィスに圧力波模様を適用することによって、インクの流れが、均一な大きさで、かつ間隔の小滴に分けられうることを証明した。滴下ブリーク−オフ（ｂｒｅａｋ−ｏｆｆ）機構が調節されると、滴下が連続的なインクの流れを形成しながら、電荷が滴下に選択的に、かつ確実に加えられ得る。電場を通過するとき充電された滴下は、再循環のために溝に偏光させられ、かつこれらの未充電滴下は像（４）を形成するために媒体上に直接飛ぶ。この印刷方法は連続インクジェットとして知られている。
【０００９】
滴下偏光方法体系によると、連続インクジェットは、二成分または多成分偏光体系としてデザインされうる。二成分偏光体系において、滴下は、荷電されているかまたは非荷電である。荷電された滴下は、媒体上に直接飛んで行くことを可能とされるが、非荷電滴下は再循環のために溝に偏光される。多成分偏光体系においては、滴下は荷電され、かつ異なる水準で媒体に偏光される。非荷電滴下は再循環されるために溝にまっすぐに飛んで行く。
【００１０】
連続インクジェットの展開が多いが、ドロップ−オン−デマンドインクジェット方法の展開も普及している。ドロップ−オン−デマンド装置は、小滴が媒体の画像に使用される時のみにインク小滴を噴射する。この提案は、滴下荷電の複雑性を排除し、かつ連続インクジェット技術に必要とされるインク再循環固有の非信頼性のみならず偏光機器の複雑性を排除する。
【００１１】
利用されるインクジェットは二つの主要な型、すなわち熱および圧が現在存在する。双方の型において、液の滴下はジェットノズルから行われる（ａｒｅ  ｄｉｓｐｅｌｌｅｄ）。これらの印刷技術の内、熱インクジェット印刷は最初に開発され、かつ使用されている支配的な技術である。熱インクジェット印刷は、「ドロップ−オン−デマンド」として知られ、印刷カートリッジ内のインクを約４００度に過熱（ｓｕｐｅｒ−ｈｅａｔｉｎｇ）する方法を使用する。インクが加熱されると、蒸気気泡がカートリッジ内に形成され、膨張し、爆発し、それからプリントヘッドの微小な大きさのノズルから超微小なインクの小滴を媒体上に排出するようにしむけられている。インクがノズルヘッドから出ると、真空を創り出し、新鮮なインクを引き寄せる。この方法が、一秒間に数千回繰り返される。熱インクジェット印刷機は、米国特許第４，４６３，３５９号、同第４，４６３，３５９号および同第４，２７５，２９０号に記載され、かつノズルの形態は、米国特許第４，１０６，９７６号から同第４，１５７，９３５号に記載されている。
【００１２】
圧インクジェット印刷はカートリッジノズルからのインクの放出において、相違する原理に依存している。この技術では、荷電がカートリッジノズルに適用され、かつ内部に存在する小さな圧結晶を励起する。圧電子結晶が刺激されると、結晶が形を変え、かつインクの室に圧力をかける。この作用は、油の金属製容器に圧力をかけるときの作用と同じであり、かつノズル先端からインクを力強く排出する。
【００１３】
圧電子方法は、熱を利用しないゆえ、また熱が方法から除去されているので、印字ヘッドは熱インクジェット印刷機より広い範囲のインクを使用しうる。このことは、溶媒依存インク系および顔料インク処方が、よりたやすく利用され、将来におけるよりよいインクの開発能力を増す。
【００１４】
圧セラミック変形方法に依存する圧電子インクジェットにおいて、その技術は、４つの主要形式、すなわち圧力をかける、曲げる、押すおよび剪断する、に分類されうる。圧力をかける方法のインクジェットは、ガラスノズルを取り巻く圧セラミックの薄い管を有するかまたはインク導管を囲むプラスチックに圧セラミック管鋳造物を有するようにデザインされうる。
【００１５】
典型的な曲げる方法のデザインにおいては、圧セラミック板が、インク小滴を放出するのに使われる２つの薄板の電気機械変換器の配列を形成する隔壁に結合される。圧セラミック棒が拡大し、押す方法のデザインにおいては、棒はインクを押して小滴を排出する。理論的には、圧駆動体が直接接触し、かつインクを押す。しかしながら、実際の器具においては、圧駆動部およびインク間に薄い隔壁が挿入され、インクおよび圧駆動部物質間の望ましくない相互作用を防止する。
【００１６】
曲げるおよび押す２つの方法のデザインにおいては、電極間に発生された電界が、圧物質の分極と平行になる。剪断方法の印字ヘッドにおいては、電界は、圧駆動部の分極に垂直になるようにデザインされている。剪断作用は、剪断作用が、インクに逆らって圧板を変形させて小滴を放出する。この場合には、圧駆動体がインク室に作用する壁となる。インクおよび圧物質間の相互作用は、剪断方法の印字ヘッドデザインのキーパラメーターの一つである。
【００１７】
全部ではないが、今日市場におけるドロップ−オン−デマンドインクジェット印刷機のほとんどは、熱または圧電子原理のどちらかを用いている。静電気インクジェットおよび音波インクジェット方法は、共に開発段階にあって、多くの未決定特許を有し、かつ僅かの市場利用製造物を有する。
【００１８】
特殊な媒体に頼ることなくよりよい像品質を得るもう一つの提案は、室温で固体である固体インク（またはホットメルトまたは相−変化インク）の使用である。操作において、インクは溶融された液体の滴下として噴射される。相−変化インクはホットメルトまたは固体インクとも呼ばれている。インクは溶融された液体として印字ヘッドから噴出される。記録表面に当たると、溶融インク滴下はただちに固体化し、インクが印刷される媒体に広がるかまたは浸透するのを防止する。
【００１９】
インクジェット印刷および印刷機の概要を示す参考資料のリストが明細書の終わりに記載されている。
典型的なエレクトロルミネセンス装置は、（ｉ）一次電極（ｆｉｒｓｔ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、（ｉｉ）正孔（ｈｏｌｅ）移動層、（ｉｉｉ）エレクトロルミネセンス物質からなる層（ｉｖ）電子移動層および（ｖ）二次電極を含む。
【００２０】
それぞれの層は、インクジェット印刷により沈積されうるか、またはエレクトロルミネセンス層のみが、それにより沈積されうる。沈積される物質の性質によって、任意の既知インクジェット印刷方法、例えば上記記載の方法が使用されうる。沈積される物質が固体の時、沈積される物質が溶媒を用いた溶液であるならば、連続およびドロップ−オン−デマンドインクジェット方法および圧インクジェット印刷が使用される。使用される溶媒は、物質に依存するが、多くの溶媒の中でも、ジクロロメタン、ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン  ジメチルフォルムアミド等のような塩素化炭化水素が、好ましい。
【００２１】
代わりになるべきものとして、室温で固体である物質が、溶融流体の滴下として基板上に噴射される固体インク（またはホットメルトまたは相−変化インク）方法が使用されうる。
【００２２】
インクジェット印刷は、沈積される物質を調節された量で沈積するために使用され得、かつ正確な位置に物質を沈積するために調節されうる。
混合物質が沈積されるとき、その混合物質は、インクジェット印刷機のカートリッジに置かれる。沈積は、減圧または必要に応じて他の雰囲気で起こりうる。
【００２３】
本発明のエレクトロルミネセンス物質として使用されうるエレクトロルミネセンス化合物は、一般式（Ｌα）ｎＭ、式中Ｍが希土類、ランタノイドまたはアクチノイドを意味し、Ｌαが有機錯体を意味し、かつｎがＭの原子価状態（ｖａｌｅｎｃｅ  ｓｔａｔｅ）を意味する。
【００２４】
本発明に使用されうる好ましいエレクトロルミネセンス化合物は、式
【００２５】
【化９】
2005517271.tif 000002
【００２６】
式中、ＬαおよびＬpが、有機の配位子を意味し、Ｍが、希土類、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドを意味し、かつｎが金属Ｍの原子価状態を意味する。配位子Ｌαは、同じかまたは相違してもよく、かつ同じかまたは相違しうる複数の配位子Ｌpが存在しうる。
【００２７】
例えば、（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）（Ｌ．．）Ｍ（Ｌp）式中、Ｍが、希土類、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドを意味し、かつ（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）（Ｌ．．．）が、同じかまたは相違する有機錯体を意味し、かつ（Ｌp）が中性の配位子を意味する。配位子（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）（Ｌ．．）全体の電荷は、金属Ｍの原子価状態に等しい。ＭのＩＩＩ族原子価状態に相当する３つの基Ｌαが、存在すると、錯体は、式（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）Ｍ（Ｌp）を有し、かつ相違する基（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）が、同じかまたは相違しうる。
【００２８】
Ｌpは、単座、二座または多座であり得、かつ１種または二種以上の配位子Ｌpが存在しうる。
好ましいＭは、満たされていない内核を有する金属イオンであり、かつ好ましい金属は、以下、すなわちＳｍ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）Ｕ（ＩＩＩ）、Ｔｍ（ＩＩＩ）、Ｃｅ（ＩＩＩ）、Ｐｒ（ＩＩＩ）、Ｎｄ（ＩＩＩ）、Ｐｍ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｈｏ（ＩＩＩ）、Ｅｒ（ＩＩＩ）から選ばれるものであり、かつ特に好ましくはＥｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）から選ばれるものである。
【００２９】
本発明に使用されうるエレクトロルミネセンス化合物は、一般式（Ｌα）ｎＭ1Ｍ2（式中Ｍ1が上記Ｍを意味し、Ｍ2が、非希土類金属を意味し、Ｌαが上記記載の意味を有し、かつｎがＭ1およびＭ2の結合原子価状態を意味する）で表される化合物である。錯体は、一種または二種以上の中性の配位子Ｌpを含み得るので、その錯体は、一般式（Ｌα）ｎＭ1Ｍ2（Ｌp）（式中Ｌpが、上記記載の意味を有する）で表される錯体である。Ｍ2は、希土類、遷移金属、ランタノイドおよびアクチノイドを意味しない任意の金属、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅（Ｉ）、銅（ＩＩ）、銀、金、亜鉛、カドミウム、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、錫（ＩＩ）、錫（ＩＶ）、アンチモン（ＩＩ）、アンチモン（ＩＶ）、鉛（ＩＩ）、鉛（ＩＶ）を含む上記任意の金属および相違する原子価状態の遷移金属であって、第Ｉ、第ＩＩおよび第ＩＩＩの金属、例えばマンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＶ）、白金（ＩＩ）、白金（ＩＶ）、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウムを含む上記の任意の金属を意味する。
【００３０】
例えば、（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）（Ｌ．．）Ｍ（Ｌp）式中、Ｍが、希土類、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドを意味し、かつ（Ｌ1）（Ｌ2）（Ｌ3）（Ｌ．．．）および（Ｌp）が同じかまたは相違する有機錯体を意味する。
【００３１】
本発明に使用されうるさらなる有機金属錯体は、二核、三核および多核有機金属錯体、例えば式
【００３２】
【化１０】
2005517271.tif 000003
【００３３】
式中、Ｌが橋かけ配位子を意味し、かつＭ1が非希土類金属を意味し、かつＭ2がＭ1または希土類金属を意味し、ＬｍおよびＬｎが同じかまたは相違する上記記載の意味を有する有機配位子Ｌαを意味し、かつｘがＭ1の原子価状態を意味し、かつｙがＭ2の原子価状態を意味する、有機金属錯体である。
【００３４】
これらの錯体において、金属結合の金属であり得、またはＭ1およびＭ2間の一種または二種以上の橋かけ配位子でありえ、かつ基ＬｍおよびＬｎが、同じかまたは相違する、錯体でありうる。
【００３５】
三核が意味されることによって、金属結合の金属で結合される三種の希土類金属が存在し、すなわち下記式
【００３６】
【化１１】
2005517271.tif 000004
【００３７】
（式中、Ｍ1、Ｍ2およびＭ3が同じかまたは相違する希土類金属を意味し、かつＬｍ、ＬｎおよびＬpが有機配位子Ｌαを意味し、かつｘがＭ1の原子価状態を意味し、ｙがＭ2の原子価状態を意味し、かつｚがＭ3の原子価状態を意味し、かつＬpは、ＬｍおよびＬｎと同じであり得るか、または相違しうる）で表される、三種の希土類金属が存在する。
【００３８】
希土類金属および非希土類金属は、金属結合の金属と一緒になるか、かつ／または中間の橋かけ原子、配位子または分子基を経由して結合されうる。
例えば、金属は、橋かけ配位子により連結されえ、例えば式
【００３９】
【化１２】
2005517271.tif 000005
【００４０】
式中、Ｌが、橋かけ配位子を意味する、金属でありうる。
多核が意味されると、金属結合の金属により連結されるか、かつ／または中間の配位子を経由して連結される３より多い金属が存在し、すなわち式
【００４１】
【化１３】
2005517271.tif 000006
【００４２】
式中、Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3およびＭ4が希土類金属を意味し、かつＬが橋かけ配位子を意味する、金属が存在する。
金属Ｍ2は、希土類、遷移金属、ランタノイドまたはアクチノイドではなく任意の金属、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、錫、アンチモン、鉛を含む、任意の金属、および遷移金属の第Ｉ、第ＩＩおよび第ＩＩＩ族基、例えばマンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム等の任意の金属を含む。
【００４３】
好ましいＬαは、以下の式（Ｉ）から式（ＩＩＩ）、
【００４４】
【化１４】
2005517271.tif 000007
【００４５】
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が、同じかまたは相違しえ、かつ水素、ならびに置換および未置換脂肪族基、置換および未置換芳香族、複素環式および多環式環構造のような置換および未置換炭化水素、トリフルオロメチル基のようなフッ素炭化物、フッ素のようなハロゲン基またはチオフェニル基から選択されるものを意味しえ、ならびにＲ1、Ｒ2およびＲ3が、置換および未置換の融合された芳香族、複素環式および多環式環構造を形成しえ、かつ例えばスチレンのような単量体と共重合しえ、かつＸが、Ｓｅ、ＳまたはＯ原子を意味し、かつＹが、水素、置換および未置換芳香族、複素環式および多環式環構造のような置換または未置換炭化水素基、トリフルオロメチル基のようなフッ素炭化物、フッ素のようなハロゲン基またはチオフェニル基またはニトリルを意味し得る）、で示されるβジケトンから選択される。
【００４６】
例えば、Ｒ1および／またはＲ2および／またはＲ3は、脂肪族、芳香族および複素環式アルコキシ、アリールオキシおよびカルボキシ基、置換および置換フェニル、フルロフェニル、ビフェニル、フェナントレン、アントラセン、ナフチルおよびフルオレン基  ｔ−ブチルのようなアリル基、カルバゾールのような複素環式基を含む。
【００４７】
相違する基Ｌのいくつかは、同じかまたは相違するカルボン酸塩のような荷電された基であり得るので、基Ｌ1は、上記定義の意味を有しえ、かつ基Ｌ2、Ｌ3・・・は以下の式（ＩＶ）、
【００４８】
【化１５】
2005517271.tif 000008
【００４９】
（式中、Ｒは、上記定義のようなＲ1を意味し、または基Ｌ1、Ｌ2が、上記定義の意味を有し得、かつＬ3．．．等が、他の荷電基を意味する）、で示されるような荷電された基であり得る。
【００５０】
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、以下の式（Ｖ）、
【００５１】
【化１６】
2005517271.tif 000009
【００５２】
（式中、Ｘが、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＮＨを意味する）、で示される基でもありうる。
好ましい基Ｒ1は、トリフルオロメチル（ＣＦ3）およびジケトンであって、例えばベンゾイルトリフルオロアセトン、ｐ−クロロベンゾイルトリフルオロアセトン、ｐ−ブロモトリフルオロアセトン、ｐ−フェニルトリフルオロアセトン、１−ナフトイルトリフルオロアセトン、２−ナフトイルトリフルオロアセトン、２−フェナトイルトリフルオロアセトン、３−フェナトイルトリフルオロアセトン、９−アントロイルトリフルオロアセトントリフルオロアセトン、シンナモイルトリフルオロアセトン、および２−テノイルトリフルオロアセトンである。
【００５３】
相違する基Ｌは、以下の式（ＶＩ）、
【００５４】
【化１７】
2005517271.tif 000010
【００５５】
（式中、Ｘが、Ｏ、Ｓ、またはＳｅ原子を意味し、かつＲ1、Ｒ2およびＲ3が、上記の意味を有する）、で示される同じかまたは相違する配位子であり得る。
相違する基Ｌは、以下の式（ＶＩＩ）または式（ＶＩＩＩ）、
【００５６】
【化１８】
2005517271.tif 000011
【００５７】
（式中、Ｒが、ヒドロカルビル（ｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）、脂肪族、芳香族または複素環式のカルボキシ、アリールオキシ、ヒドロキシまたはアルコキシを意味し、例えば８ヒドロキシキノラート誘導体を意味する）、で示される同じかまたは相違するキノラート誘導体でありうるか、または以下の式（ＩＸ）または式（Ｘ）、
【００５８】
【化１９】
2005517271.tif 000012
【００５９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が、上記の意味を有するか、またはＨもしくはＦを意味し、例えばＲ1およびＲ2が、アルキルまたはアルコキシ基を意味する）、で示される基を意味するか、または
以下の式（ＸＩ）または式（ＸＩＩ）
【００６０】
【化２０】
2005517271.tif 000013
【００６１】
で示される基を意味する。
上記記載のように相違する基Ｌは、同じかまたは相違するカルボキシラート基、例えば下記式（ＸＩＩＩ）、
【００６２】
【化２１】
2005517271.tif 000014
【００６３】
［式中、Ｒ5が、置換または未置換芳香族、多環式または複素環式の環基、ポリピリジル基を意味し、Ｒ5が、２−エチルヘキシル基を意味し得るので、Ｌｎが、２−エチルヘキサノアートを意味し、またはＲ5が、椅子（ｃｈａｉｒ）構造を意味し得るゆえ、Ｌｎが、２−アセチルシクロヘキサノアートを意味し、またはＬαが、下記の式（ＸＩＶ）、
【００６４】
【化２２】
2005517271.tif 000015
【００６５】
式中、Ｒが、上記記載の意味を有し、例えばアルキル、アレニル、アミノまたは環もしくは多環の環のような融合された環を意味する］で表されるカルボキシラート基を意味する。
【００６６】
相違する基Ｌは、以下の基（ＸＶ）から基（ＸＶＩＩＩ）、
【００６７】
【化２３】
2005517271.tif 000016
【００６８】
（式中、Ｘが、Ｏ、ＳまたはＳｅを意味し、かつＲ、Ｒ1およびＲ2が、上記記載の意味を有する）または以下の基（ＸＶＩＩｂ）から基（ＸＶＩＩｅ）、
【００６９】
【化２４】
2005517271.tif 000017
【００７０】
で表される基を意味する。
基Ｌpは、下記式（ＸＶＩＩＩ）、
【００７１】
【化２５】
2005517271.tif 000018
【００７２】
［式中、同じかまたは相違しうる、それぞれのＰｈが、フェニル（ＯＰＮＰ）または置換フェニル基、他の置換もしくは未置換芳香族基、置換もしくは未置換複素環式もしくは多環式基、置換もしくは未置換のナフチル、アントラセン、フェナントレンのような融合された芳香族基またはピレン基を意味しうる。置換基は、例えばアルキル、アラルキル、アルコキシ、芳香族、複素環式、多環式基、フッ素のようなハロゲン、シアノ、アミノ、置換アミノ等を意味しうる。例として、図面の欄の図１および２に示されている。図１および２において、式中のかつＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が、同じであるかまたは相違しえ、かつハロゲン、ヒドロカルビル基、置換もしくは未置換芳香族基、複素環式および多環式環構造基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン基またはチオフェニル基から選択可能な基を意味し、かつ、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が、置換もしくは未置換の融合された芳香族、複素環式および多環式環構造基を形成し得、かつ例えばスチレンのような単量体と共重合しうる基である。Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が、ビニル基または下記式、
−Ｃ−ＣＨ２＝ＣＨ２−Ｒ
（式中、Ｒが、上記記載の意味を有する）、で表される基のような未飽和アルキレン基をも意味しうる］で表される基から選択されうる。
【００７３】
Ｌpは、下記の式（ＸＶＩＶ）から式（ＸＸＩ）、
【００７４】
【化２６】
2005517271.tif 000019
【００７５】
［式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が、上記記載の意味、例えば図面の欄の図３に示されているバトフェンであって、式中のＲが上記記載の意味を有するかまたは下記の式（ＸＸＩＩ）および式（ＸＸＩＩＩ）、
【００７６】
【化２７】
2005517271.tif 000020
【００７７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が、上記記載の意味を有する）、で表される基を意味する］、で表される化合物をも意味しうる。
Ｌpは、下記の式（ＸＸＩＶ）および式（ＸＸＶ）、
【００７８】
【化２８】
2005517271.tif 000021
【００７９】
式中、Ｐｈが、上記の意味を有する、で表される化合物をも意味しうる。
Ｌpキレートの他の例は、図４に示されるものであり、かつフルオレンおよび例えば図５に示されるようなフルオレン誘導体を意味し、かつ図６から図８に示される式で表されるような化合物を意味する。
【００８０】
ＬαおよびＬpの特別な例は、トリピリジルおよびＴＭＨＤ、およびＴＭＨＤ錯体、α，α’，α”トリピリジル、クラウンエーテル、シクラン、クリプタン、フタロシアナン、ポルホリイン（ｐｏｒｐｈｏｒｙｉｎｓ）、エチレンジアミンテトラミン（ＥＤＴＡ）、ＤＣＴＡ、ＤＴＰＡおよびＴＴＨＡである。ここでＴＭＨＤは、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナートであり、かつＯＰＮＰは、ジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホランである。ポリアミンの式は、図１１に示されている。
【００８１】
使用されうる他のエレクトロルミネセンス物質は、リチウムキノラートのような金属キノラート、およびアルミニウム、マグネシウム、亜鉛およびスカンジウムのような非希土類金属錯体および例えばトリス−（１，３−ジフェニル−１−３−プロパンジオン）（ＤＢＭ）のβ−ジケトンの錯体のような錯体であり、かつ適当な金属錯体は、Ａｌ（ＤＢＭ）3、Ｚｎ（ＤＢＭ）2、Ｍｇ（ＤＢＭ）2、Ｓｃ（ＤＢＭ）3等である。
【００８２】
一次電極は、好ましくは伝導のガラスまたは樹脂物質のような透過基板であって、陽極として作用し、好ましい基板は、伝導のガラスで被覆されたインジウム錫酸化物であるが、伝導性であるか、または金属または伝導性の樹脂のような伝導性の層を有する任意のガラスが使用可能である。伝導性重合体およびガラスまたは樹脂物質で被覆された伝導性重合体も基板として使用されうる。
【００８３】
正孔移動物質は、ポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、アミノ置換芳香族化合物の未置換もしくは置換重合体、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン、置換ポリチオフェン、ポリシラン等のようなアミン錯体でありうる。
【００８４】
ポリアミンの例は、下記式（ＸＸＶＩ）、
【００８５】
【化２９】
2005517271.tif 000022
【００８６】
［式中、Ｒが、オルト−またはメタ位にあり、かつ水素、Ｃ１−１８アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシ、または下記の式、
【００８７】
【化３０】
2005517271.tif 000023
【００８８】
（式中、Ｒが、アルキルまたはアリールを意味し、かつＲ’が、水素、少なくとも上記式（Ｉ）の他の単量体を有するＣ１−６アルキルまたはアリールを意味する）、で表される基を意味する］、で表される重合体である。
【００８９】
または、正孔移動物質は、ポリアニリン、下記一般式（ＸＸＶＩＩ）、を有する本発明に使用されうるポリアニリンであり得る。
【００９０】
【化３１】
2005517271.tif 000024
【００９１】
式中、ｐが、１から１０を意味し、かつｎが、１から２０を意味し、かつＲが、上記定義の意味を有し、かつＸが、陰イオン、好ましくはＣｌ、Ｂｒ、ＳＯ4、ＢＦ4、ＰＦ6、Ｈ2ＰＯ3、Ｈ2ＰＯ4、アリールスルホネート、アレーンジカルボキシレート、ポリスチレンスルホネート、ポリアクリレートアルキスルホネート、ビニルスルホネート、ビニルベンゼンスルホネート、セルローススルホネート、カムホルスルホネート、セルローススルフェイトまたは過フッ素化ポリアニオンから選択される。
【００９２】
アリールスルホネートの例は、ｐ−トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、９，１０−アンスラキノン−スルホネート、およびアントラセンスルホネート、アレーンジカルボキシレートの例は、フタレートであり、かつアレーンカルボキシラートの例は、ベンゾエートである。
【００９３】
我々は、ポリアニリンのようなアミノ置換芳香族化合物の未置換もしくは置換重合体のプロトン化重合体は、蒸発されがたく、または蒸発されることができず、驚くべきことであるが、アミノ置換芳香族化合物の未置換もしくは置換重合体が、脱プロトン化されると、そのものは容易に蒸発され得、すなわちその重合体は、蒸発可能であることを、見出した。
【００９４】
好ましくは、アミノ置換芳香族化合物の未置換もしくは置換重合体の蒸発可能な脱プロトン化重合体が、使用される。アミノ置換芳香族化合物の脱プロトン化未置換もしくは置換重合体は、水酸化アルミニウムのようなアルカリまたは水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化物で処理することによって重合体を脱プロトン化して形成可能である。
【００９５】
プロトン化度は、プロトン化ポリアニリンを形成し、かつ脱プロトン化することにより調節可能である。ポリアニリンを調製する方法は、Ａ．Ｇ．ＭａｃＤｉａｒｍｉｄおよびＡ．Ｆ．Ｅｐｓｔｅｉｎらの論文、Ｆａｒａｄａｙ  Ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｓ、Ｃｈｅｍ  Ｓｏｃ．８８  Ｐ３１９  １９８９  に記載されている。
【００９６】
ポリアミンの伝導度は、プロトン化度が４０および６０％間、例えば約５０％の例では最大の伝導度のプロトン化度に依存する。
好ましくは、重合体は、実質的には完全に脱プロトン化されている。
【００９７】
ポリアミンは、８つの単位、すなわちｐが、４を意味する、例えば下記式、
【００９８】
【化３２】
2005517271.tif 000025
【００９９】
の単位で形成されうる。
ポリアミンは、１×１０-1ジーメンｃｍ-1の水準の伝導度またはそれ以上の伝導度を有しうる。
【０１００】
芳香族環は、未置換または例えばエチルのようなＣ１からＣ２０のアルキル基により置換されうる。
ポリアニリンは、アニリンの共重合体でありえ、かつ好ましい共重合体は、アニリンとｏ−アニシジン、ｍ−スルファニリック酸またはｏ−アミノフェノールとの共重合体、またはｏ−トルイジンとｏ−アミノフェノール、ｏ−エチルアニリン、ｏ−フェニレンジアミンまたはアミノアントラセンとの共重合体である。
【０１０１】
使用されうるアミノ置換芳香族化合物の他の重合体は、置換もしくは未置換ポリアミノナフタレン、ポリアミノアントラセン、ポリアミノフェナントレン等および多価芳香族化合物の縮合された任意の他の重合体を含む。ポリアミノアントラセンおよびそれらを製造する方法は、米国特許第６，１５３，７２６号に開示されている。芳香族環は、未置換もしくは例えば上記定義の基Ｒにより置換可能である。
【０１０２】
他の正孔移動物質は、共役された重合体であり、かつ使用されうる共役重合体は、ＵＳ  ５８０７６２７、ＰＣＴ／ＷＯ９０／１３１４８およびＰＣＴ／ＷＯ９２／０３４９０に開示または参照されている任意の共役された重合体であり得る。
【０１０３】
好ましい共役重合体は、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）−ＰＰＶおよびＰＰＶを含む共重合体である。他の好ましい重合体は、ポリ（２−メトキシ−５−（２−メトキシペンチルオキシ−１，４−フェニレン  ビニレン）のようなポリ（２，５ジアルコキシフェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシペンチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−（２−ドデシルオキシ−１，４−フェニレンビニレン）および少なくとも１種の長鎖溶解性アルコキシ基であるアルコキシ基を有する、他のポリ（２，５ジアルコキシフェニレンビニレン）、ポリフルオレンおよびオリゴフルオレン、ポリフェニレンおよびオリゴフェニレン、ポリアントラセンおよびオリゴアントラセン、ポリチオフェンおよびオリゴチオフェンである。
【０１０４】
ＰＰＶにおいて、フェニレン環は、１種以上の置換基を有することができ、例えばそれそれの置換基は、独立してアルキル、好ましくはメチル、アルコキシ、好ましくはメトキシもしくはエトキシから選択される。
【０１０５】
任意のポリ（アリーレンビニレン）とそれらの置換誘導体が、使用され得、かつポリ（ｐ−フェニレンビニレン）のフェニレン環は、アントラセンまたはナフチレン環のような融合された環系により置き換えされ得、かつそれぞれのポリフェニレンビニレン部位におけるビニレン基の数は、例えば７またはそれ以上にまで増加可能である。
【０１０６】
共役された重合体は、ＵＳ  ５８０７６２７、ＰＣＴ／ＷＯ９０／１３１４８およびＰＣＴ／ＷＯ９２／０３４９０に開示された方法により製造されうる。
正孔移動層の厚さは、好ましくは２０ｎｍから２００ｎｍである。
【０１０７】
上記参照のポリアニリンのようなアミノ置換芳香族化合物の重合体は、他の正孔移動物質との緩衝層または連結に関しても使用可能である。
他のいくつかの正孔移動物質の構造式が、図面の欄の図１２、１３、１４、１５および１６に示され、式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が、同じかまたは相違し、かつ水素、および置換もしくは未置換脂肪族基、置換もしくは未置換芳香族基、複素環式および多環式環構造基のような置換もしくは未置換ヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン基またはチオフェニル基から選択される。さらに、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が、融合された芳香族基、複素環式および多環式環構造基を形成し得、かつ例えばスチレンのような単量体と共重合しうる基である。また、ＸがＳｅ、ＳまたはＯ原子を意味し、Ｙが水素、置換もしくは未置換芳香族、複素環式および多環式環構造のような置換もしくは未置換ヒドロカルビル基、トリフルオロメチル基のようなフッ素炭化物、フッ素のようなハロゲン基またはチオフェニル基またはニトリルである得る。
【０１０８】
例えば、Ｒ1および／またはＲ2および／またはＲ3は、脂肪族、芳香族および複素環式アルコキシ、アリールオキシおよびカルボキシ基、置換および置換フェニル、フルオロフェニル、ビフェニル、フェナントレン、アントラセン、ナフチルおよびフルオレン基  ｔ−ブチルのようなアリル基、カルバゾールのような複素環式基を含む。
【０１０９】
任意の構成として、陰極およびエレクトロルミネセンス物質間に電子注入物質の層があって、電子注入物質は、電流が電子注入物質を通過するとき、電子を移動するものであり、金属キノレート、例えばアルミニウムキノレート、リチウムキノレートのような金属錯体、９，１０ジシアノアントラセン、シアノ置換芳香族化合物、テトラシアノキニドジメタンのようなシアノアントラセン、ポリスチレンスルホネートまたは図面の欄の図９および１０に示される構造式を有する化合物（式中フェニル環が、上記定義の置換基Ｒ’で置換されうる）を含む。また、分離層の代わりに電子注入物質は、エレクトロルミネセンス物質と混合可能であり、かつそれで共同沈積される。
【０１１０】
二次電極は、陰極として機能し、かつ任意の低負荷機能の金属、例えばアルミニウム、カルシウム、リチウム、銀／マグネシウム合金、希土類金属合金等でありえ、アルミニウムが、好ましい金属である。アルカリ金属、希土類金属またはこれらの合金のような金属フッ化物は、例えば金属上に形成された金属フッ化物層を有することにより二次電極として使用可能である。
【０１１１】
任意構成として、正孔移動物質は、エレクトロルミネセンス物質と混合可能であり、かつそれで共同沈積される。
正孔移動物質、エレクトロルミネセンス物質および電子注入物質は、一緒に混合されて１つの層を形成可能で、構成を単純化し得る。
【０１１２】
本発明の表示（ｄｉｓｐｌａｙ）は、単色性または多色性でありうる。エレクトロルミネセンス希土類キレート化合物は、色の範囲、例えば赤、緑および青色光線および白色光線を発するものとして知られており、かつその例は、特許出願ＷＯ９８／５８０３７、ＰＣＴ／ＧＢ９８／０１７７３、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０３６１９、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０３０、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２４、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２８、ＰＣＴ／ＧＢ００／００２６８に開示されており、かつこれらの色を発するＯＬＥＤｓを形成するのに使用されうる。このように、全色表示は、３つの個別のバックプレーンを、それそれが相違する一次の単色性の色を、光スイッチング素子系（ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍ）の異なる面上に発して、配列することにより形成可能であり、他の面からは、組み合わされた色の像がみられうる。代わりになるべきものとして、相違する色を発するエレクトロルミネセンス希土類キレート化合物は、製作されえ、３つの隣り合わせるピオクセルの基の近接ダイオードピクセルは、赤、緑および青色の光線を作り出す。さらなる代わりになるべきものとして、フィールドの一連の色フィルターは、表示を発する白色光線に適合されうる。
【０１１３】
どちらか一つまたは双方の電極は、シリコンおよびエレクトロルミネセンス物質で形成可能であり、かつ正孔移動および電子移動物質に介在する層は、シリコン基板上にピクセルとして形成されうる。好ましくは、それぞれのピクセルは、少なくとも一つの希土類キレートエレクトロルミネセンス物質の層および基板から離れたその面上の有機層と接している（少なくとも半−）移動電極を含む。
【０１１４】
好ましい基板は、結晶性シリコンであり、かつ基板の表面は、磨かれるかまたは滑らかでありえ、電極、またはエレクトロルミネセンス化合物の沈積前の平らな表面を作り出す。代わりになるべきものとして、非平面のシリコン基板は、伝導重合体層で被覆可能であり、さらなる物質の沈積前に滑らかで、平らな表面を作り出しうる。
【０１１５】
一つの具体例において、それぞれのピクセルは、基板と接した金属電極を含む。金属および移動電極の相対的な負荷機能に依存して、どちらかが、陰極を構成する他の１つと共に陽極としての役目をしうる。
【０１１６】
シリコン基板が陰極であるとき、ガラスで被覆されたインジウム錫酸化物は、陽極として作用可能であり、かつ光線は、陽極から発せられる。シリコン基板が陽極として作用するとき、陰極は、適当な負荷機能、例えばガラスで被覆された、低負荷機能を有する、インジウム亜鉛酸化物の移動電極で形成されうる。陽極は、その上に形成される金属の移動被覆を有し得、適当な負荷機能を与えられ得る。これらの装置は、時には頂部発生装置（ｔｏｐ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ）または後部発生装置（ｂａｃｋ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ）として参照される。
【０１１７】
金属電極は、複数の金属層、例えば基板上に沈積されたアルミニウムのようなより高い負荷機能の金属およびより高い負荷機能の金属上に沈積されたカルシウムのようなより低い負荷機能の金属からなりうる。もう一つの例では、伝導重合体のさらなる層が、アルミニウムのような安定な金属の頂点に置かれる。
【０１１８】
好ましくは、電極が、鏡の後ろのそれぞれのピクセル（ａ  ｍｉｒｒｏｒ  ｂｅｈｉｎｄ  ｅａｃｈ  ｐｉｘｅｌ）として作用し、かつ基板の平らな表面に沈積されるか、または表面中に沈められている。しかしながら、代わりになるべきものとして、基板に接する光線吸収黒色層が存在しうる。
【０１１９】
もう一つの例において、底部伝導重合体層の選択領域は、ピクセル電極の底部接触面として働く伝導ピクセルの通路（ｐａｄｓ）の配列の形成を許容する適当な水溶液に曝すことにより非伝導が作られうる。
【０１２０】
ＷＯ  ００／６０６６９に記載されているように、それぞれのピクセルから発せられる光線の明るさは、それぞれのピクセル回路において、アナログ信号に変換されるデジタル信号をマトリックス回路構成（ｍａｔｒｉｘ  ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）するか、または入力することにより適用される電圧または電流を調節するのと類似の方法で調節可能である。基板は、好ましくは、像を作り出すために、ピクセルの配置を入れる情報データ処理のためのデータドライバー、データ変換器および走査ドライバーをも提供する。適用される電圧に依存して相違する色の光線を発するエレクトロルミネセンス物質が、使用されるとき、それぞれのピクセルの色は、マトリックス回路構成により調節可能である。
【０１２１】
一つの具体例において、それぞれのピクセルは、電圧調節要素および変化しうる抵抗要素を含むスイッチにより調節されるが、双方の要素は、便宜的には、金属−酸化物−半伝導フィールド効果トランジスター（ＭＯＳＦＥＴｓ）または活性マトリックストランジスターにより形成される。
【０１２２】
参照文献
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２８．Ａ．Ｊ．Ｍｉｃｈａｅｌｉｓ（Ｘａａｒ）、「小滴沈積装置」、米国特許第４，８８７，１００号  （１９８９）
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４１．Ｍ．Ｓｈｉｍｏｍｕｒａ、「２液記録用の、インクセット、インク容器、記録ユニット、記録方法および記録装置」、欧州特許出願  ０７７６９５０  （１９９７）
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】式（ＸＶＩＩＩ）の化合物の一例を示す図である。
【図２】式（ＸＶＩＩＩ）の化合物の一例を示す図である。
【図３】バトフェンの一例を示す図である。
【図４】Ｌpキレートの他の例を示す図である。
【図５】フルオレン誘導体の一例を示す図である。
【図６】Ｌpキレートの他の例を示す図である。
【図７】Ｌpキレートの他の例を示す図である。
【図８】Ｌpキレートの他の例を示す図である。
【図９】電子注入物質に含まれる化合物の一例を示す図である。
【図１０】電子注入物質に含まれる化合物の一例を示す図である。
【図１１】ポリアミンの一例を示す図である。
【図１２】他のいくつかの正孔移動物質の構造式を示す図である。
【図１３】他のいくつかの正孔移動物質の構造式を示す図である。
【図１４】他のいくつかの正孔移動物質の構造式を示す図である。
【図１５】他のいくつかの正孔移動物質の構造式を示す図である。
【図１６】他のいくつかの正孔移動物質の構造式を示す図である。
【図１】
2005517271.tif 000034
【図２ａ】
2005517271.tif 000035
【図２ｂ】
2005517271.tif 000036
【図３】
2005517271.tif 000037
【図４ａ】
2005517271.tif 000038
【図４ｂ】
2005517271.tif 000039
【図４ｃ】
2005517271.tif 000040
【図４ｄ】
2005517271.tif 000041
【図４ｅ】
2005517271.tif 000042
【図４ｆ】
2005517271.tif 000043
【図４ｇ】
2005517271.tif 000044
【図４ｈ】
2005517271.tif 000045
【図４ｉ】
2005517271.tif 000046
【図４ｊ】
2005517271.tif 000047
【図４ｋ】
2005517271.tif 000048
【図４ｌ】
2005517271.tif 000049
【図５ａ】
2005517271.tif 000050
【図５ｂ】
2005517271.tif 000051
【図５Ｃ】
2005517271.tif 000052
【図５ｄ】
2005517271.tif 000053
【図５ｆ】
2005517271.tif 000054
【図５ｇ】
2005517271.tif 000055
【図６ａ】
2005517271.tif 000056
【図６ｂ】
2005517271.tif 000057
【図６ｃ】
2005517271.tif 000058
【図６ｄ】
2005517271.tif 000059
【図６ｅ】
2005517271.tif 000060
【図７ａ】
2005517271.tif 000061
【図７ｂ】
2005517271.tif 000062
【図７ｃ】
2005517271.tif 000063
【図７ｄ】
2005517271.tif 000064
【図７ｅ】
2005517271.tif 000065
【図７ｆ】
2005517271.tif 000066
【図８ａ】
2005517271.tif 000067
【図８ｂ】
2005517271.tif 000068
【図８ｃ】
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【図８ｄ】
2005517271.tif 000070
【図８ｅ】
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【図８ｆ】
2005517271.tif 000072
【図８ｇ】
2005517271.tif 000073
【図８ｇ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２ａ】
2005517271.tif 000078
【図１２ｂ】
2005517271.tif 000079
【図１２ｃ】
2005517271.tif 000080
【図１２ｄ】
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【図１３ａ】
2005517271.tif 000082
【図１３ｂ】
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【図１３ｃ】
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【図１４】
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【図１５ａ】
2005517271.tif 000086
【図１５ｂ】
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【図１６ａ】
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【図１６ｂ】
2005517271.tif 000089
【図１６ｃ】
2005517271.tif 000090
【国際調査報告】
2005517271.tif 000091
2005517271.tif 000092
2005517271.tif 000093