(57)【要約】リン含有の金属錯体を含む化合物は、エレクトロルミネセントデバイス中で用いることが可能であり、可視光線スペクトルの青色領域により近くで最大の発光を有する。錯体は、ディスプレイ、検出器、ボルタ電池、ソリッドステート照明または照明装置などの電子デバイス中の有機アクティブ層内で用いることが可能である。錯体は、他の用途における触媒としてまたはインジケータとしても用いてよい。新規化合物は、ホスト材料を必要とせずに用いることが可能である。非限定的な実施形態において、ＰｔまたはＩｒは、錯体内の金属原子のために用いてもよく、１つの配位子はリン含有の二座配位子を含んでもよく、もう１つの配位子はモノアニオン性の二座配位子を含んでもよい。リン含有の二座配位子は、ベンジル基、フェノキシ基またはフェニルアミノ基などを含んでもよい。
2005535722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＩｒおよびＰｔから選択される金属原子と、
リン原子と、ベンジル基、フェノキシ基およびフェニルアミノ基から選択される基とを含むリン含有の二座配位子と、
を含有する錯体を含む化合物であって、
前記リン含有の二座配位子がフェニル基と前記フェニル基に結合された第１の原子とを含み、前記第１の原子が炭素、窒素および酸素から選択され、
前記リン原子が前記第１の原子および前記金属原子に結合され、
前記金属原子が第２の原子に結合され、前記第２の原子がフェニル基の一部である炭素原子であることを特徴とする化合物。
【請求項２】
前記金属原子がＩｒおよびＰｔから選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記分子が前記金属原子に結合されたモノアニオン性の二座配位子を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
前記モノアニオン性の二座配位子がβ−エノラート、アミノカルボキシレート、イミノカルボキシレート、サリチレート、ヒドロキシキノリネートおよびジアリールホスフィノアルコキシドから選択されることを特徴とする請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
前記分子が前記金属原子に結合されたβ−エノラート配位子を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
前記第１の原子が炭素原子であり、
前記β−エノラート配位子が２，４−ペンタンジオネート、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオネート、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−１，３−ブタンジオネート、７，７−ジメチル−１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−４，６−オクタンジオネート、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタフルオロ−２，４−ペンタンジオネート、１，１，１，５，５，５−ヘキオサフルオロ−２，４−ペンタンジオネートおよび１−フェニル−３−メチル−４−ｉ−ブチリル−ピラゾリノネートから選択されることを特徴とする請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
請求項１に記載の化合物を含有するアクティブ層を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
前記電子デバイスがディスプレイを含み、
前記化合物が約４２０〜４８０ｎｍの範囲内で最大の発光を有することができることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記化合物が少なくとも約２０重量％のアクティブ層を含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
式１および式２
【化１】
2005535722.tif 000026
【化２】
2005535722.tif 000027
（式中、
Ｍは、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＩｒおよびＰｔから選択され、
Ｅは、Ｃ（Ｒ２）２、ＯおよびＮＲ２から選択され、
Ｌはモノアニオン性の二座配位子を含み、
Ｒ１は、存在する場合、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリールおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ２は、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリールおよび水素から選択され、
Ｒ３は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ２およびＲ３は一緒になって５員環または６員環を形成してもよく、
Ｒ４は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ５は、アルキレンオキシ、アリーレンオキシ、ビアリーレン、ビアルキル、ビアルキルオキシおよびビアリールオキシから選択され、
ｎは１および２から選択される）
から選択される化学式を含むことを特徴とする化合物。
【請求項１１】
ＭがＩｒおよびＰｔから選択されることを特徴とする請求項１０に記載の化合物。
【請求項１２】
Ｒ３およびＲ４の各々はフェニル基であることを特徴とする請求項１０に記載の化合物。
【請求項１３】
Ｌがβ−エノラート、アミノカルボキシレート、イミノカルボキシレート、サリチレート、ヒドロキシキノリネートおよびジアリールホスフィノアルコキシドから選択されることを特徴とする請求項１０に記載の化合物。
【請求項１４】
Ｅが炭素原子であり、
Ｌが２，４−ペンタンジオネート、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオネート、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−１，３−ブタンジオネート、７，７−ジメチル−１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−４，６−オクタンジオネート、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタフルオロ−２，４−ペンタンジオネート、１，１，１，５，５，５−ヘキオサフルオロ−２，４−ペンタンジオネートおよび１−フェニル−３−メチル−４−ｉ−ブチリル−ピラゾリノネートから選択されるβ−エノラート配位子を含むことを特徴とする請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
請求項１０に記載の化合物を含有するアクティブ層を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１６】
前記電子デバイスがディスプレイを含み、
前記化合物が約４２０〜４８０ｎｍの範囲内で最大の発光を有することができることを特徴とする請求項１５に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
前記化合物が少なくとも約２０重量％のアクティブ層を含むことを特徴とする請求項１６に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
【化３】
2005535722.tif 000028
（式中、
ＭはＩｒおよびＰｔから選択され、
Ｐｈはフェニル基であり、
Ｒ２はメチルおよび水素から選択され、
Ｒ６はアルキルであり、
Ｒ７はアルキルであり、
ＭがＰｔであるとき、ｎは１であり、ＭがＩｒであるとき、ｎは２である）
を含む化合物。
【請求項１９】
Ｒ６およびＲ７の各々がメチルおよびｔ−ブチルから選択されることを特徴とする請求項１８に記載の化合物。
【請求項２０】
請求項１８に記載の化合物を含有するアクティブ層を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２１】
前記電子デバイスがディスプレイを含み、
前記化合物が約４２０〜４８０ｎｍの範囲内で最大の発光を有することができることを特徴とする請求項２０に記載の電子デバイス。
【請求項２２】
前記化合物が少なくとも約２０重量％のアクティブ層を含むことを特徴とする請求項２１に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に金属錯体を含む化合物および電子デバイスに関し、より詳しくは、第８〜１０族金属錯体を含む化合物および電子デバイス内のアクティブ層として、インジケータとしておよび触媒としての該化合物の用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ中で用いられる発光ダイオードなどの光を放出する有機電子デバイスは、多くの異なる種類の電子装置中に存在する。これらのデバイスの多くにおいて、有機アクティブ層は、２層の電気接触層の間に挿入される。電気接触層の少なくとも１層は、光が電気接触層を通過できるように光透過性である。有機アクティブ層は、光透過性電気接触層の両端に電圧を印加すると、光透過性電気接触層を通して光を放出する。
【０００３】
有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）中の活性成分として用いられる有機エレクトロルミネセント化合物は周知である。アントラセン、チアジアゾール誘導体およびクマリン誘導体などの単純な有機分子はエレクトロルミネセントであることが知られている。半導電性共役ポリマーもエレクトロルミネセント成分として用いられてきた。８−ヒドロキシキノレートと三価金属イオン、特にアルミニウムとの錯体は、エレクトロルミネセント成分として広く用いられてきた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどのリン光金属錯体は、ＯＬＥＤ中の活性成分として用いることが可能である。従来の考えは、リン光金属錯体エミッタによる効率的なデバイスを達成するために、エミッタは、電荷輸送ホスト材料中にドープされなければならないということである。一種の特定の従来のＯＬＥＤにおいて、アクティブ層は、ファク−トリス［２−（４’，５’−ジフルオロフェニル）ピリジン−Ｃ’２，Ｎ］イリジウム（ＩＩＩ）によりドープされたポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）であり得る。イリジウムまたは白金の有機金属錯体によりドープされたポリマーのアクティブ層を有する他のエレクトロルミネセントデバイスは開示されている。しかし、これらの錯体の大部分は、緑色領域または緑青領域にピークを有する発光スペクトルを有する。可視光線スペクトルの青領域により近い最大の発光を有するエレクトロルミネセント化合物が必要とされ続けている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
リン含有の金属錯体を含む化合物は、エレクトロルミネセントデバイス中で用いることが可能であり、従来の化合物と比べて可視光線スペクトルの青色領域により近くで最大の発光を有する。錯体は、ディスプレイ、検出器、ボルタ電池、ソリッドステート照明、照明装置などの電子デバイス中の有機アクティブ層内で用いることが可能である。錯体は、他の用途における触媒としてまたはインジケータとしても用いてよい。新規化合物は、ホスト材料を必要とせずに用いることが可能である。
【０００６】
一つの実施形態の組において、化合物は、金属原子と、リン含有の二座配位子と、を含有する錯体を含むことが可能である。金属原子は、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＩｒおよびＰｔから選択することが可能であり、二座配位子は、リン原子と、ベンジル基、フェノキシ基およびフェニルアミノ基から選択される基とを含むことが可能である。これらの基の各々において、第１の原子はフェニル基に結合され、ここで、第１の原子は炭素、窒素および酸素から選択される。リン原子は第１の原子と金属原子に結合してもよい。金属原子は第２の原子に結合してもよく、ここで、第２の原子はフェニル基の一部である炭素原子である。
【０００７】
もう一つの実施形態の組において、化合物は、式１および式２
【０００８】
【化１】
2005535722.tif 000003
【０００９】
【化２】
2005535722.tif 000004
【００１０】
（式中、
Ｍは、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＩｒおよびＰｔから選択され、
Ｌはモノアニオン性の二座配位子であり、
Ｅは、Ｃ（Ｒ２）２、ＯおよびＮＲ２から選択され、
Ｒ１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリールおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ２は、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリールおよび水素から選択され、
Ｒ３は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ２およびＲ３は一緒になって５員環または６員環を形成することができ、
Ｒ４は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ５は、アルキレンオキシ、アリーレンオキシ、ビアリーレン、ビアルキル、ビアルキルオキシおよびビアリールオキシから選択され、
ｎは１および２から選択される）
から選択される化学式を含むことが可能である。
【００１１】
更なる実施形態の組において、化合物は、以下の式３
【００１２】
【化３】
2005535722.tif 000005
【００１３】
（式中、
ＭはＩｒおよびＰｔから選択され、
Ｐｈはフェニル基であり、
Ｒ２はメチルおよび水素から選択され、
Ｒ６はアルキルであり、
Ｒ７はアルキルであり、
ＭがＰｔであるとき、ｎは１であり、ＭがＩｒであるとき、ｎは２である）
を含むことが可能である。
【００１４】
本明細書を読んだ後、当業者は、これらの特定の実施形態が限定でなく、可能な実施形態のほんの一部を例示していることを認める。前述した一般的説明および以下の詳細な説明は例示および説明のみであり、添付した請求の範囲で定義された本発明を限定しない。
【００１５】
例を用いて本発明を示し、本発明は添付した図面に限定されない。
【００１６】
当業者は、図のエレメントが簡単で分かりやすくするために示され、必ずしも一律の縮尺に従わずに描かれていることを認めるであろう。例えば、図のエレメントの幾つかの寸法は、本発明の実施形態の理解の改善を助けるために他のエレメントに対して誇張されている場合がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の例証的実施形態について詳細に今から述べる。その例は添付した図面に示されている。可能なときはいつも、同一部品または類似部品（エレメント）を述べるために図面全体を通して同じ参照番号を用いる。
【００１８】
リン含有の金属錯体を含む化合物は、エレクトロルミネセントデバイス中で用いることが可能であり、従来の化合物と比べて可視光線スペクトルの青色領域により近くで最大の発光を有する。錯体は、ディスプレイ、検出器、ボルタ電池、ソリッドステート照明、照明装置などの電子デバイス中の有機アクティブ層内で用いることが可能である。錯体は、他の用途における触媒としてまたはインジケータとしても用いてよい。新規化合物は、ホスト材料を必要とせずに用いることが可能である。非限定的な実施形態において、ＰｔまたはＩｒは、錯体内で金属原子のために用いてもよく、１つの配位子はリン含有の配位子を含んでもよく、もう１つの配位子はモノアニオン性の二座配位子を含んでもよい。リン含有の配位子は、ベンジル基、フェノキシ基、フェニルアミノ基などを含んでもよい。化合物は、ディスプレイ、検出器、ボルタ電池、ソリッドステート照明、照明装置および他の潜在的電子デバイス中で用いることが可能である。
【００１９】
以下で記載する実施形態の詳細に対応する前に、幾つかの用語を定義するか、または明確化する。「活性」という用語は、エレクトロルミネセンス（または他の電子放射特性）または感光性を示すいかなる材料にも関連する。
【００２０】
「隣接する」という言葉は、デバイス中の層について述べるときに用いられるとき、１つの層がもう１つの層に直接隣接していることを必ずしも意味しない。他方、「隣接Ｒ基」という言葉は、化学式中で互いに隣接しているＲ基（すなわち、結合によって接続された原子上にあるＲ基）を指すために用いられる。
【００２１】
「アルキル」という用語は、脂肪族炭化水素から誘導された基を意味するものであり、非置換または置換であってもよい直鎖、分枝および環式の基を含む。「アリール」という用語は、非置換または置換であってもよい芳香族炭化水素から誘導された基を意味するものである。「アルコキシ」という用語は、アルキルサブ基に結合された酸素原子を含む基を意味するものであり、ここで、酸素原子は分子の残りと結合を形成する。「アリールオキシ」という用語は、アリールサブ基に結合された酸素原子を含む基を意味するものであり、ここで、酸素原子は分子の残りと結合を形成する。「アルキレンオキシ」という用語は、アルキルサブ基に結合された酸素原子を含む二座基を意味するものであり、ここで、酸素原子は分子の残りと一つの結合を形成し、アルキル基は分子の残りと第２の結合を形成する。「アリーレンオキシ」という用語は、アリールサブ基に結合された酸素原子を含む二座基を意味するものであり、ここで、酸素原子は分子の残りと一つの結合を形成し、アリール基は分子の残りと第２の結合を形成する。アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキレンオキシ基およびアリーレンオキシ基の各々は非置換または非置換であってもよい。
【００２２】
「β−ジカルボニル」という用語は、２個のケトン基がＣＨＲ基によって分離されて存在する中性化合物を意味するものである。「β−エノラート」という用語は、２個のカルボニル基の間のＣＨＲ基のＨが引き抜かれたβ−ジカルボニルのアニオン形態を意味するものである。
【００２３】
「ベンジル」という用語は、式（ｉ）およびその誘導体を有する基を意味するものである。
【００２４】
【化４】
2005535722.tif 000006
【００２５】
「ビアリーレン」という用語は、２個のアリール基が各アリール基上の結合の点を有する単結合によって結合されている二座基を意味するものである。「ビアルキル」という用語は、２個のアルキル基が各アルキル基上の結合の点を有する単結合によって結合されている二座基を意味するものである。「ビアリールオキシ」という用語は、２個のアリールオキシ基が各アリールオキシ基の酸素原子上の結合の点を有する単結合によって結合されている二座基を意味するものである。「ビアルコキシ」という用語は、２個のアルコキシ基が各アルコキシ基の酸素原子上の結合の点を有する単結合によって結合されている二座基を意味するものである。
【００２６】
「化合物」という用語は、原子から更になる分子から構成された電気的に帯電していない物質であって、前記原子が化学結合を破壊せずに物理的手段によって対応する分子から分離され得ない物質を意味する。
【００２７】
「錯体」という用語は、名詞として用いられるとき、少なくとも１個の金属原子および少なくとも１個の配位子を有する化合物を意味するものである。「配位子」という用語は、金属原子の配位球に結合される分子、イオンまたは原子を意味するものである。
【００２８】
本明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含む（ｈａｓ）」、「含む（ｈａｖｉｎｇ）」またはそれらの他の一切の変形は、限定的でない「含む」を包含することを意図している。例えば、エレメントのリストを含む方法、プロセス、物品または装置は、それらのエレメントのみに必ずしも限定されず、明示的にリストされていないか、またはこうした方法、プロセス、物品または装置に固有でない他のエレメントを含んでもよい。更に、明示的に逆に記載されていない限り、「または（ｏｒ）」は非排他的ＯＲを意味し、排他的ＯＲを意味しない。例えば、条件ＡまたはＢは、Ａが真（または存在する）およびＢが偽（または存在しない）、Ａが偽（または存在しない）およびＢが真（または存在する）ならびにＡとＢの両方が真（または存在する）のいずれか一つによって満足される。
【００２９】
「電子求引性」は「正孔注入性」と同義語である。文字通り、正孔は電子を欠くことを表し、典型的には電子を除くことにより形成され、よって正孔と呼ばれる正電荷キャリアが作られ、または注入されるという幻想を生み出す。正孔は電子のシフトによって移動し、電子のない領域が隣接領域からの電子で満たされるようになり、それは正孔が当該隣接領域に移動する様相を与える。簡単のために、正孔、正孔注入という用語およびそれらの変形を本明細書において用いる。
【００３０】
「最大の発光」という用語は、エレクトロルミネセンスの最大強度が得られる波長（ナノメートル）を意味するものである。エレクトロルミネセンスは、一般に、試験するべき材料を２層の電気接触層の間に挿入し、電圧を印加するダイオード構造で測定される。光強度および波長は、例えば、それぞれフォトダイオードおよび分光器によって測定することが可能である。
【００３１】
「基」という用語は、有機化合物中の置換基または錯体中の配位子などの化合物の一部を意味するものである。
【００３２】
「ヘテロアルキル」という用語は、基中の炭素原子の代わりに少なくとも１個の異なる原子を有するアルキル基を意味するものである。
【００３３】
「ヘテロアリール」という用語は、アリール環内の炭素原子の代わりに少なくとも１個の異なる原子を有するアリール基を意味するものである。ヘテロアリール化合物の例には、フラン、ピリダジンおよびチオフェンなどが挙げられる。
【００３４】
「フェニルアミノ」という用語は、式（ｉｉ）およびその誘導体を有する基を意味するものである。
【００３５】
【化５】
2005535722.tif 000007
【００３６】
「フェノキシ」という用語は、式（ｉｉｉ）およびその誘導体を有する基を意味するものである。
【００３７】
【化６】
2005535722.tif 000008
【００３８】
「光活性」という用語は、エレクトロルミネセンスまたは感光性を示すいかなる材料にも関連する。
【００３９】
「ポリマー」という用語は、少なくとも約１０５ｇ／モルの分子量を有する化合物を意味するものである。「小分子」という用語は、約１０４ｇ／モル以下の分子量を有する化合物を意味するものである。
【００４０】
全体を通してＩＵＰＡＣ番号付けシステムを用いる。そこでは周期律表からの族が１〜１８として左から右に番号付けられている（「ＣＲＣ化学物理ハンドブック（ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ）」、第８１版、２０００年）。本明細書における化学式および反応式において、文字Ｅ、Ｌ、ＲおよびＺは、内部で定義される原子または基を指定するために用いてもよい。「Ｍｅ」は、メチル基の略号であり、「Ｅｔ」はエチル基の略号であり、「Ｂｕ」はブチル基の略号であり、「ｎ−Ｂｕ」はノルマルブチル基の略号であり、「ｔ−Ｂｕ」はｔ−ブチル基の略号であり、「Ｐｈ」はフェニル基の略号である。Ｂｕをノルマルブチル、イソブチルおよびｔ−ブチル基から選択することが可能であることを注意すること。他のすべての文字は、従来の原子記号を指定するために用いられる。「Ｈ＋Ｆ」という用語は、完全水素添加置換基、部分弗素化置換基または過弗素化置換基を含む水素と弗素のすべての組み合わせを意味するものである。
【００４１】
本明細書に記載されていない範囲において、特定の材料、処理操作および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、有機発光ディスプレイ技術、フォトディテクタ技術、光起電技術および半導体技術内のテキストブックおよび他の情報源において見られる。
【００４２】
本発明を例示し限定しない実施形態のより特定の詳細に今注目する。電子デバイスは、化合物を含有する有機アクティブ層により製造することが可能である。化合物は、式１および式２
【００４３】
【化７】
2005535722.tif 000009
【００４４】
【化８】
2005535722.tif 000010
【００４５】
（式中、
Ｍは、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＩｒおよびＰｔから選択され、
Ｌはモノアニオン性の二座配位子であり、
Ｅは、Ｃ（Ｒ２）２、ＯおよびＮＲ２から選択され、
Ｒ１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリールおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ２は、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリールおよび水素から選択され、
Ｒ３は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ２およびＲ３は一緒になって５員環または６員環を形成してもよく、
Ｒ４は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロアルキル、アルコキシおよびアリールオキシから選択され、
Ｒ５は、アルキレンオキシ、アリーレンオキシ、ビアリーレン、ビアルキル、ビアルキルオキシおよびビアリールオキシから選択され、
ｎは１および２から選択される）
から選択される化学式を有する金属錯体を含むことが可能である。
【００４６】
上の式（１）および式（２）に示されたリン含有の配位子はベンジルホスフィンであってもよく、ここでＥ＝Ｃ（Ｒ２）２であり、式（１）においてＲ３およびＲ４は同じかまたは異なることが可能であり、アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびヘテロアルキルから独立して選択され、式（２）においてＲ５はビアリーレンおよびビアルキルから選択される。ベンジルホスフィンは、対応するベンジルクロリドと、テトラヒドロフラン（「ＴＨＦ」）などの溶媒中のリン化リチウムとの反応から得ることが可能である。こうした反応の例を以下の式（Ａ）として示す。
【００４７】
【化９】
2005535722.tif 000011
【００４８】
上の式（１）および式（２）に示されたリン含有の配位子はフェニルホスフィットであってもよく、ここでＥ＝Ｏであり、式（１）においてＲ３およびＲ４は同じかまたは異なることが可能であり、アルコキシおよびアリールオキシから独立して選択され、式（２）においてＲ５はビアルコキシおよびビアリールオキシから選択される。フェニルホスフィットは、塩基の存在下でクロロホスフィットとフェノールの反応によって得ることが可能である。こうした反応の例を以下の式（Ｂ）として示す。
（ＰｈＯ）２ＰＣｌ＋ＰｈＯＨ＋Ｅｔ３Ｎ→ＰｈＯＰ（ＯＰｈ）２    式（Ｂ）
【００４９】
上の式（１）および式（２）に示されたリン含有の配位子はフェニルホスフィニットであってもよく、ここでＥ＝Ｏであり、式（１）においてＲ３およびＲ４は同じかまたは異なることが可能であり、アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびヘテロアルキルから独立して選択され、式（２）においてＲ５はビアリールおよびビアルキルから選択される。フェニルホスフィニットは、塩基の存在下でクロロホスフンとフェノールの反応によって得ることが可能である。こうした反応の例を以下の式（Ｃ）として示す。
（Ｐｈ）２ＰＣｌ＋ＰｈＯＨ＋Ｅｔ３Ｎ→ＰｈＯＰ（Ｐｈ）２    式（Ｃ）
【００５０】
上の式（１）および式（２）に示されたリン含有の配位子はフェニルホスホニットであってもよく、ここでＥ＝Ｏであり、式（１）においてＲ３は、アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびヘテロアルキルから選択され、Ｒ４はアルコキシおよびアリールオキシから選択され、式（２）においてＲ５はアルキレンオキシおよびアリーレンオキシから選択される。フェニルホスホニットは、塩基の存在下でのジクロロホスフィンとフェノールの反応、その後の第２のフェノールおよび塩基の添加によって得ることが可能である。こうした反応の例を以下の式（Ｄ１）および（Ｄ２）として示す。
ＰｈＰＣｌ２＋ＰｈＯＨ＋Ｅｔ３Ｎ→Ｐｈ（ＯＰｈ）ＰＣｌ    式（Ｄ１）
Ｐｈ（ＯＰｈ）ＰＣｌ＋ＰｈＯＨ＋Ｅｔ３Ｎ→ＰｈＯＰ（Ｐｈ）（ＯＰｈ）    反応（Ｄ２）
【００５１】
上の式（１）および式（２）に示されたリン含有の配位子はフェニルアミノリン化合物であってもよく、ここでＥ＝ＮＲ２であり、式（１）においてＲ３およびＲ４は同じかまたは異なることが可能であり、アルコキシ、アリールオキシアリール、ヘテロアリール、アルキルおよびヘテロアルキルから選択され、式（２）においてＲ５はアルキレンオキシ、アリーレンオキシ、ビアリーレン、ビアルキル、ビアルキルオキシおよびビアリールオキシから選択される。フェニルアミノリン化合物は、フェニルアミノ化合物とクロロホスフィンまたはクロロホスフィットの反応によって得ることが可能である。こうした反応の例を以下の式（Ｅ）として示す。
ＰｈＮ（Ｍｅ）Ｈ＋ＣｌＰＰｈ２＋Ｅｔ３Ｎ→ＰｈＮ（Ｍｅ）ＰＰｈ２    式（Ｅ）
【００５２】
別の反応は以下の式（Ｆ）である。
ＰｈＮ（Ｍｅ）Ｐ（Ｐｈ）Ｃｌ＋ＣｌＭｇＡｒ→ＰｈＮ（Ｍｅ）Ｐ（Ｐｈ）（Ａｒ）    式（Ｆ）
【００５３】
Ｌ配位子はモノアニオン性の二座配位子であることが可能である。一般に、これらの配位子は、配位原子としてＮ、Ｏ、ＰまたはＳを有し、金属原子に配位されたときに５員環または６員環を形成する。適する配位基には、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノおよびチオレートなどが挙げられる。これらの配位子のために適する親化合物の例には、β−ジカルボニル（β−エノラート配位子）およびそれらのＮおよびＳ同族体、アミノカルボン酸（アミノカルボキシレート配位子）、ピリジンカルボン酸（イミノカルボキシレート配位子）、サリチル酸誘導体（サリチレート配位子）、ヒドロキシキノリン（ヒドロキシキノリネート配位子）およびそれらのＳ同族体ならびにジアリールホスフィノアルカノール（ジアリールホスフィノアルコキシド配位子）が挙げられる。
【００５４】
β−エノラート配位子は、一般に以下の式４
【００５５】
【化１０】
2005535722.tif 000012
【００５６】
を有する。Ｒ６およびＲ７は同じかまたは異なることが可能であり、水素、ハロゲン、アルキル、ヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリール基であることが可能である。Ｒ８基は、重水素、水素、ハロゲン、アルキル、ヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリール基であることが可能である。隣接Ｒ基は接続して５員環および６員環を形成することが可能であり、それらは置換され得る。例えば、Ｒ６およびＲ７基は、−Ｃｍ（Ｈ＋Ｆ）２ｍ＋１、−Ｃ６Ｈ５、−Ｃ４Ｈ３Ｓおよび−Ｃ４Ｈ３Ｏから選択してもよい。ここで、ｍは１〜１２の整数であり、非限定的な実施形態において、１〜６の整数である。例証的Ｒ８基はＨおよびＦを含むことが可能である。
【００５７】
適するβ−エノラート配位子の例には、以下の表１に記載された化合物が挙げられる。表中、β−エノラート形態のための略称は括弧内に示している。
【００５８】
【表１】
2005535722.tif 000013
【００５９】
β−ジカルボニル親化合物は、一般に市販されている。親化合物である１，１，１，３，５，５，５−ヘプタフルオロ−２，４−ペンタンジオン、ＣＦ３Ｃ（Ｏ）ＣＦＨＣ（Ｏ）ＣＦ３は、パーフルオロペンテン−２とアンモニアの反応、その後の加水分解工程に基づく二工程合成を用いて調製することが可能である。この化合物は、加水分解を受け易い場合があるので、無水条件下で貯蔵し反応させることが可能である。
【００６０】
ヒドロキシキノリネート配位子は、部分弗素化または完全弗素化されてもよいアルキル基またはアルコキシ基などの基で置換され得る。適するヒドロキシキノリネート配位子の例は略称を括弧内に示している表２の配位子が挙げられる。
【００６１】
【表２】
2005535722.tif 000014
【００６２】
親ヒドロキシキノリン化合物は、一般に市販されている。
【００６３】
ホスフィノアルコキシド配位子は、一般に以下で示す式５
【００６４】
【化１１】
2005535722.tif 000015
【００６５】
（式中
Ｒ９は、Ｃｍ（Ｈ＋Ｆ）２ｍ＋１、Ｃ６（Ｈ＋Ｆ）ｐＺ５−ｐから選択され、
Ｒ１０は、Ｃｍ（Ｈ＋Ｆ）２ｍ＋１、Ｃ６（Ｈ＋Ｆ）ｐＺ５−ｐから選択され、
Ｒ１１は、各出現において同じかまたは異なることが可能であり、Ｈ、Ｆおよび        Ｃｍ（Ｈ＋Ｆ）２ｍ＋１から選択され、
ＺはＣｍ（Ｈ＋Ｆ）２ｍ＋１であり、
ｍは１〜１２の整数であり、
ｑは２または３であり、
ｐは０または１〜５の整数である）
を有する。
【００６６】
【化１２】
2005535722.tif 000016
【００６７】
式６を有する前駆体ホスフィノアルカノール化合物は、例えば、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２−（ジフェニルホスフィノ）エタノールを調製するための手順などの既知の手順を用いて調製することが可能である。この方法は、ジフェニルホスフィノメチルリチウムとヘキサフルオロアセチルアセトンの反応、その後の加水分解を含むことが可能である。
【００６８】
あるいは、ホスフィノアルカノール化合物は、１，１−ビス（トリフルオロメチル）エチレンオキシドと対応する第二ホスフィン（Ｒ９２ＰＨ）または塩（［Ｒ９２Ｐ］Ｍ）（式中、Ｍは、Ｌｉ、ＮａまたはＫである）としての脱プロトン化形態との反応を用いて調製することが可能である。脱プロトン化形態は、ＢｕＬｉまたはｔ−ＢｕＯＫなどの強塩基で第二ホスフィンを処理することにより調製することが可能である。
【００６９】
あるいは、ホスフィノアルカノール化合物は、従来の方法を用いて調製できるハロヒドリンのジリチエート化誘導体を用いて製造することが可能である。ジリチオ誘導体はクロロホスフィンと反応して、所望のホスフィノアルカノール配位子を製造することが可能である。ハロヒドリンは、ＨＨａｌ（Ｈａｌ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）によるエポキシド（「オキシラン」とも呼ばれる）の開環などの様々な従来の方法によって製造することが可能である。これは、１，１−ビス（トリフルオロメチル）エチレンオキシドを調製するために有用な場合がある。一実施形態において、乾燥させたブロモヒドリンとｎ−ブチルリチウムをｎ−ブチルリチウム対ブロモヒドリンのモル比約２：１で組み合わせる。ホスフィノアルカノールを調製するためのプロセスは、
（１）エポキシドと水性ＨＢｒを組み合わせて、ブロモヒドリンを形成する工程、
（２）反応（１）からのブロモヒドリンを単離し、水を除去する工程、
（３）反応（２）からの乾燥させたブロモヒドリンとｎ−ブチルリチウムをｎ−ブチルリチウム対ブロモヒドリンのモル比約２：１で組み合わせる工程、
（４）反応（３）の生成物にクロロホスフィンを添加する工程および
（５）反応（４）の生成物に酸を添加する工程
を含むことが可能である。
【００７０】
例証的なホスフィノアルコキシド配位子において、Ｒ９およびＲ１０はＣ６Ｆ５またはＣ６ＨｐＹ５−ｐ（式中、ＹはＣＦ３であり、ｐは３または４である）である。一つの非限定的な実施形態において、Ｒ１１の少なくとも一方はＣＦ３であり、ｑは２である。
【００７１】
適するホスフィノアルカノール化合物の例を表３（ａ）に示し、略称を括弧内に入れている。
【００７２】
【表３】
2005535722.tif 000017
【００７３】
上の化合物に対応するホスフィノアルコキシド配位子を表３（ｂ）に示し、略称を括弧内に入れている。
【００７４】
【表４】
2005535722.tif 000018
【００７５】
より特定の非限定的で例証的な金属錯体化合物組は、以下の式３
【００７６】
【化１３】
2005535722.tif 000019
【００７７】
（式中、
ＭはＩｒおよびＰｔから選択され、
Ｐｈはフェニル基であり、
Ｒ２はメチルおよび水素から選択され、
Ｒ６はアルキルであり、
Ｒ７はアルキルであり、
ＭがＰｔであるとき、ｎは１であり、ＭがＩｒであるとき、ｎは２である）
を含むことが可能である。
【００７８】
Ｒ６およびＲ７は同じかまたは異なってもよいことに注意すること。一実施形態において、Ｒ６およびＲ７は独立して炭素原子数１〜４のアルキル基から選択される。これらの化合物の幾つかを形成する実施例は本明細書において後で記載する。上で記載された式のいずれにおいても、弗素などのハロゲン原子は同じ位置で水素原子を置換してもよい。
【００７９】
金属錯体は、一般に、金属塩化物、リン含有の配位子およびモノアニオン性の配位子を組み合わせることにより調製することが可能である。金属塩化物は最初に２−エトキシエタノールなどの適する溶媒中のリン含有の配位子と反応させることが可能である。六配位金属については、配位子対金属のモル比は、一般に約２：１である。四配位金属については、配位子対金属のモル比は、一般に約１：１である。その後、得られた中間製品はモノアニオン性の配位子の塩と反応させるか、または塩基の存在下で中性親化合物と反応させて、式１または式２を有する化合物を形成させる。
【００８０】
金属錯体を含む電子デバイスおよびその製造プロセスに今注目する。電子デバイスは２層の電気接触層の間に配置された少なくとも１種の有機活性材料を含むことが可能であり、ここで、デバイスの層の少なくとも１層は金属錯体化合物を含む。図１に示したように、電子デバイスは、アノード層１１０、カソード層１５０およびアクティブ層１３０を含むことが可能である。任意の正孔注入／輸送層１２０はアノード層１１０に隣接し、任意の電子注入／輸送層１４０はカソード層１５０に隣接する。層１２０および１４０は電荷輸送層の例である。
【００８１】
アクティブ層１３０は、少なくとも約２０重量％の前述したリン含有の金属錯体を含むことが可能である。幾つかの実施形態において、アクティブ層１３０は、Ａｌｑ３などのホスト電荷輸送材料が不要なので実質的に１００％のリン含有の金属錯体であってもよい。「実質的に１００％」とは、不純物または層を形成させるプロセスからの偶発的副生物の可能性を除き、金属錯体が層中の唯一の材料であることを意味する。さらに、幾つかの実施形態において、リン含有の金属錯体は、アクティブ層１３０内の電荷輸送を助けるために典型的に用いられる、ホスト材料内のドーパントであってもよい。金属錯体のいずれかを含むアクティブ層１３０は小分子活性材料であることが可能である。
【００８２】
デバイスは、アノード層１１０またはカソード層１５０に隣接する支持体または基材（図示していない）を含んでもよい。最も多くの場合、支持体はアノード層１１０に隣接する。支持体は、可撓性または硬質、有機または無機であることが可能である。一般に、ガラスまたは可撓性有機フィルムが支持体として用いられる。アノード層１１０は、カソード層１５０と比べて正孔を注入するためにより効率的である電極である。アノードは、金属、混合金属、合金、金属酸化物または混合金属酸化物を含有する材料を含むことが可能である。アノード層１１０内の適する金属元素は、第４、５、６族および８〜１１族遷移金属を含むことが可能である。アノード層１１０が光透過性である場合、インジウム錫酸化物などの第１２、１３および１４族金属の混合金属酸化物を用いてもよい。アノード層１１０のための材料の幾つかの非限定的な特定例には、インジウム錫酸化物（「ＩＴＯ」）、アルミニウム錫酸化物、金、銀、銅、ニッケルおよびセレンが挙げられる。
【００８３】
アノード層１１０は、化学蒸着法または物理蒸着法あるいはスピンキャスト法によって形成してもよい。化学蒸着法は、プラズマ強化化学蒸着法（「ＰＥＣＶＤ」）または金属有機化学蒸着法（「ＭＯＣＶＤ」）として行ってもよい。物理蒸着法は、スパッタリング（例えば、イオンビームスパッタリング）、ｅ−ビーム蒸発および抵抗蒸発のすべての形態を含むことが可能である。物理蒸着法の特定の形態は、ｒｆマグネトロンスパッタリングまたは誘導結合プラズマ物理蒸着法（「ＩＣＰ−ＰＶＤ」）を含む。これらの蒸着技術は、半導体製造技術内で周知されている。
【００８４】
正孔輸送層１２０はアノードに隣接してもよい。正孔輸送小分子化合物と正孔輸送ポリマーの両方を用いることが可能である。Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）およびビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）に加えて、一般に用いられる正孔輸送分子には、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、銅フタロシアニンなどのポルフィリン化合物が挙げられる。一般に用いられる正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）およびポリアニリンである。正孔輸送ポリマーは、上述したものなどの正孔輸送分子をポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマーにドープすることにより得ることが可能である。
【００８５】
正孔注入／輸送層１２０は、スピン被覆、キャスティング、およびグラビア印刷などの印刷を含む従来のいかなる手段を用いても形成させることが可能である。層は、インクジェット印刷、熱模様付けあるいは化学蒸着法または物理蒸着法によっても被着させることが可能である。
【００８６】
通常、アノード層１１０および正孔注入／輸送層１２０は、同じ平版印刷動作中に模様付けされる。模様は所望に応じて異なってもよい。層は、第１の電気接触層材料を被着させる前に、例えば、第１の可撓性複合バリア構造上に模様付けマスクまたはレジストを置くことにより模様において形成させることが可能である。あるいは、層は、全体的層（ブランケット沈着物とも呼ばれる）として被着させることが可能であり、その後、例えば、模様付けレジスト層技術および湿式化学エッチング技術または乾式エッチング技術を用いて模様付けすることが可能である。技術上周知されている模様付けのための他のプロセスも用いることが可能である。電子デバイスをアレー内に配置するとき、アノード層１１０および正孔注入／輸送層１２０は、典型的には、実質的に同じ方向に伸びる長さを有する実質的に平行の細片に形成される。
【００８７】
アクティブ層１３０は本明細書で記載された金属錯体を含んでもよい。選択される特定の材料は、特定の用途、動作中に用いられる電位または他の要素に応じて異なってもよい。アクティブ層１３０は、スピン被覆、キャスティングおよび印刷を含む従来のいかなる技術によっても溶液から被着させることが可能である。活性有機材料は、材料の性質に応じて蒸着プロセスによって直接被着させることが可能である。
【００８８】
任意の層１４０は、電子注入／輸送を促進する両方のために機能することが可能であり、層界面でクエンチング反応を防ぐために緩衝層または閉じ込め層としても機能することが可能である。より詳しくは、層１４０は電子移動度を促進する場合があり、層１３０および１５０が別な風に直接接触している場合、クエンチング反応の可能性を減らす場合がある。任意の層１４０のための材料の例には、金属キレート化オキシノイド化合物（例えばＡｌｑ３など）、フェナントロリン系化合物（例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＤＰＡ」）または４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＰＡ」）など）、アゾール化合物（例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（「ＰＢＤ」など）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−チアゾール（「ＴＡＺ」）など）、他の類似化合物あるいはそれらのいずれか１つ以上の組み合わせが挙げられる。あるいは、任意の層１４０は無機であってもよく、ＢａＯ、ＬｉＦまたはＬｉ２Ｏなどを含んでもよい。
【００８９】
電子注入／輸送層１４０は、スピン被覆、キャスティング、およびグラビア印刷などの印刷を含む従来のいかなる手段を用いても形成させることが可能である。層は、インクジェット印刷、熱模様付けあるいは化学蒸着法または物理蒸着法によっても被着させることが可能である。
【００９０】
カソード層１５０は、電子または負電荷キャリアを注入するために特に効果的である電極である。カソード層１５０は、第１の電気接触層（この場合、アノード層１１０）より低い仕事関数を有するいかなる金属または非金属であるもとも可能である。第２の電気接触層のための材料は、第１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、第２族（アルカリ土類）金属、第１２族金属、希土類、ランタニド（例えば、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕなど）およびアクチニドから選択することが可能である。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、イットリウムおよびマグネシウム、ならびにそれらの組み合わせなどの材料も用いてよい。Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦおよびＬｉ２Ｏは、動作電圧を下げるために有機層とカソード層の間に沈着させることも可能である。カソード層１５０のための材料の非限定的な特定例には、バリウム、リチウム、セリウム、セシウム、ユーロピウム、ルビジウム、イットリウム、マグネシウムまたはサマリウムが挙げられる。
【００９１】
カソード層１５０は、通常、化学蒸着法または物理蒸着法によって形成される。一般に、カソード層は、アノード層１１０および任意の正孔注入層１２０に関して上述したように模様付けされる。デバイスがアレー内にある場合、カソード層１５０は、カソード層細片の長さが実質的に同じ方向に且つアノード層細片の長さに実質的に垂直に伸びる実質的に平行の細片に模様付けしてもよい。ピクセルと呼ばれる電子エレメントは、交差点（ここで、アレーを平面図または上面図から見るとき、アノード層細片がカソード層細片に交差する）で形成される。
【００９２】
他の実施形態において、追加の層が有機電子デバイス内に存在してもよい。例えば、正孔注入層１２０とアクティブ層１３０との間の層（図示していない）は、正電荷輸送、層のバンドギャップマッチングまたは保護層としての機能などを促進する場合がある。同様に、電子注入層１４０とカソード層１５０との間の追加層（図示していない）は、負電荷輸送、層間のバンドギャップマッチング、保護層としての機能などを促進する場合がある。技術上知られている層を用いることが可能である。層の一部または全部は、電荷キャリア輸送効率を高めるために表面処理してもよい。成分層の各々ための材料の選択は、高いデバイス効率を有するデバイスを提供する目標と製造のコスト、製造の複雑さまたは他の潜在的要素を均衡させることにより決定してもよい。
【００９３】
電荷輸送層１２０および１４０は、一般にアクティブ層１３０と同じタイプの層である。より詳しくは、アクティブ層１３０が小分子化合物を有する場合、電荷輸送層１２０および１４０は、一方または両方が存在する場合、異なる小分子化合物を有することが可能である。アクティブ層１３０がポリマーを有する場合、電荷輸送層１２０および１４０は、一方または両方が存在する場合、異なるポリマーを有することも可能である。さらに、アクティブ層１３０は小分子化合物であってもよく、その隣接電荷輸送層のいずれもがポリマーであってもよい。
【００９４】
各機能層は２層以上の層から構成してもよい。例えば、カソード層は、第１族金属の層およびアルミニウムの層を含んでもよい。第１族金属はアクティブ層１３０により近くにあってもよく、アルミニウムは水などの環境汚染物から第１族金属を保護するのを助ける場合がある。
【００９５】
限定しようとする意図はないけれども、異なる層は、以下の厚さ範囲を有してもよい。無機アノード層１１０は、通常は約５００ｎｍ以下、例えば、約５０〜２００ｎｍであり、任意の正孔注入層１２０は、通常は約１００ｎｍ以下、例えば、約５０〜２００ｎｍであり、アクティブ層１３０は、通常は約１００ｎｍ以下、例えば、約１０〜８０ｎｍであり、任意の電子注入層１４０は、通常は約１００ｎｍ以下、例えば、約１０〜８０ｎｍであり、カソード層１５０は、通常は約１０００ｎｍ以下、例えば、約３０〜５００ｎｍである。アノード層１１０またはカソード層１５０が少なくとも多少の光を透過する必要がある場合、こうした層の厚さは約１００ｎｍを超えてはならない。
【００９６】
デバイス中の電子−正孔再結合域の位置および従ってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対厚さによって影響を及ぼすことが可能である。例えば、Ａｌｑ３などの潜在的発光化合物を電子輸送層１４０中で用いるとき、電子−正孔再結合域はＡｌｑ３層内に存在することが可能である。それなら、発光はＡｌｑ３の発光であり、所望の鮮明な発光ではない。従って、電子輸送層の厚さは、電子−正孔再結合域が発光層（すなわちアクティブ層１３０）内に存在するように選択されるべきである。層厚さの所望の比は、用いられる材料の厳密な性質に応じて異なることが可能である。
【００９７】
金属錯体により製造されたデバイスの効率は、デバイス中の他の層を最適化することにより更に改善することが可能である。例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ／ＡｇまたはＬｉＦ／Ａｌなどのより効率的なカソードを用いることが可能である。成形された基材および動作電圧の減少または量子効率増加をもたらす正孔輸送材料も利用できる。追加の層は、種々の層のエネルギーレベルを調整するとともにエレクトロルミネセンスを促進するために加えることも可能である。
【００９８】
電子デバイスの用途に応じて、アクティブ層１３０は、（発光ダイオードのような）信号あるいは放射エネルギーに応答するとともに印加された電位（検出器またはボルタ電池など）でまたは電位なしで信号を発生させる材料の層によって活性化される発光層であることが可能である。放射エネルギーに応答しうる電子デバイスの例は、光導電セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、フォトチューブおよび光電池から選択される。本明細書を読んだ後、当業者は、当業者の特定の用途のための材料を選択することができるであろう。
【００９９】
ＯＬＥＤにおいて、それぞれカソード層１５０およびアノード層１１０から光アクティブ層１３０に注入された電子および正孔は、アクティブ層１３０中の負帯電ポーラロンおよび正帯電ポーラロンを形成させる。これらのポーラロンは印加された電場の影響下で移動し、反対帯電種によりポーラロン励起を形成し、その後、放射再結合を受ける。通常は約２０ボルト未満、場合によって約５ボルト以下のアノードとカソードの間の十分な電位差はデバイスに印加してもよい。実際の電位差は、より大きな電子部品中のデバイスの用途に応じて異なってもよい。多くの実施形態において、アノード層１１０は正電圧にバイアスされ、カソード層１５０は電子デバイスの動作中に実質的に接地電位または零ボルトである。バッテリーまたは他の動力源は、回路の一部として電子デバイスに電気的に接続してもよいが、図１に例示されていない。
【０１００】
他の実施形態において、リン含有の金属錯体化合物は、層１２０または１４０中の電荷輸送材料として用いることが可能である。化合物は、有効であるために層１２０、１３０または１４０中で用いられるとき、固体マトリックス希釈剤（例えばホスト電荷輸送材料）中にある必要はない。層の全重量を基準にしてリン含有の金属錯体化合物が約２０重量％を上回り且つリン含有の金属錯体化合物が実質的に１００％以下の層をアクティブ層１３０として用いることが可能である。追加の材料は、錯体化合物を有するアクティブ層１３０中に存在することが可能である。例えば、蛍光染料は発光の色を変えるために存在してもよい。希釈剤も添加してよい。希釈剤は、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）およびポリシランなどの高分子材料であることが可能である。希釈剤は、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルまたは第三芳香族アミンなどの小分子であることも可能である。希釈剤を用いるとき、錯体化合物は、一般に、少量、すなわち、層の全重量を基準にして通常は２０重量％未満、好ましくは１０重量％未満で存在する。
【０１０１】
上述した金属錯体を用いるときの利点は、青色により近い光の放出に関連する。ディスプレイ中で用いるとき、上述した金属錯体は、青色により近い光を放出することが可能である。青色により近い発光のゆえに、より良好な色制御はフルカラーディスプレイから可能である。多少の緑色が存在しうるけれども、ディスプレイの使用者は、使用者の期待色により近い青色および紫色（ピクセル内で青色サブピクセルと赤色サブピクセルの組み合わせを用いる）を認めるであろう。
【０１０２】
金属錯体は電子デバイス以外の用途で用いてもよい。例えば、錯体は触媒またはインジケータ（例えば、バイオアッセイにおける酸素感受性インジケータまたはリン光インジケータなど）として用いてもよい。
【実施例】
【０１０３】
実施例は多くの異なる化学品から形成させることができるＰｔ金属錯体およびＩｒ金属錯体を含む。最後の実施例は実施例において記載された化合物の一部のための電子データを含む。
【０１０４】
（実施例１）
ベンジル−ジフェニルホスフィンからのＰｔ（ｔ−Ｂｕ２−ａｃａｃ）（ベンジルジフェニルホスフィン）の合成を例証するために以下の実施例を用いる。以下の擬化学式（Ｇ）を用いてＰｔ錯体を形成することが可能である。
【０１０５】
【化１４】
2005535722.tif 000020
【０１０６】
１．「Ａ」反応
ベンジルジフェニルホスフィン（約２．０ｇすなわち１３ミリモル、マサチューセッツ州ニューベリーポートのストレム・ケミカルズ（Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．（Ｎｅｗｂｕｒｙｐｏｒｔ，ＭＡ））（「ストレム」）製）および塩化白金（ＩＩ）（約１．８ｇすなわち１２ミリモル、ストレム）をクロロベンゼン（約１００ｍＬ、ミズーリ州セントルイスのシグマ−アルドリッチ（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｏｒｐ．（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ））（「アルドリッチ）」）製））中のテトラブチルアンモニウムクロリド（約３３０ｍｇすなわち０．１２ミリモル、（「アルドリッチ」））の存在下で組み合わせることが可能であり、窒素下で約１３０℃で約１０分にわたり攪拌することが可能である。その時間後、揮発性成分を真空で除去することが可能である。固体残留物をメタノール中に懸濁させてもよく、得られた固形物を濾過により単離し、エーテルで洗浄し、放置して真空で乾燥させることが可能である。この得られた固形物の収量は約３．５ｇであることが可能である。
【０１０７】
２．「Ｂ」反応
Ａ反応から得られた固形物の全収量を２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、ナトリウム塩（約１．８ｇすなわち８．７ミリモル、対応する酸および水素化ナトリウム（両方ともアルドリッチ製）から調製することが可能である）および２−エトキシエタノール（約５０ｍＬ、アルドリッチ）と組み合わせることが可能である。内容物を約１２０℃で約４５分にわたり窒素下で攪拌してもよい。その後、揮発成分を真空で除去することが可能である。溶離溶媒としてヘキサン／酢酸エチル（約２０：１の比）を用いるシリカゲルフラッシュクロマトグラフィを介して所望の製品を得られた粗暗褐色固形物から精製することが可能である（製品Ｒｆ＝０．７）。所望の製品（約２５０ｍｇすなわち０．３８ミリモル、ＰｔＣｌ２から３．２％）は、２５４ｎｍおよび３６５ｎｍの照明下で青色発光示す無色泡状固形物として単離することが可能である。
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ７．７６−７．８３（４Ｈ、ｍ）、７．３８−７．４６（４Ｈ、ｍ）、７．１３−７．２５（２Ｈ、ｍ）、６．９０−７．１３（３Ｈ、ｍ）、５．８６（１Ｈ、ｓ）、３．７１（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝１１．６Ｈｚ）、１．２９（９Ｈ、ｓ）、１．０９（９Ｈ、ｓ）ｐｐｍ。
【０１０８】
（実施例２）
４−フェニルベンジルクロリドからのＰｔ（ｔ−Ｂｕ２−ａｃａｃ）（４−フェニル−ベンジル−ジフェニルホスフィン）の合成を例証するために以下の実施例を用いる。以下の擬化学式（Ｈ）を用いてＰｔ錯体を形成することが可能である。
【０１０９】
【化１５】
2005535722.tif 000021
【０１１０】
１．「Ａ」反応
無水ＴＨＦ（約１０ｍＬ、アルドリッチ）中の４−フェニルベンジルクロリド（約１．６ｇすなわち０．８１ミリモル、アルドリッチ）の窒素下で室温で攪拌された溶液に無水ＴＨＦ（約１０ｍＬ）中のリチウムジフェニルホスファイド（約１．６ｇすなわち８．１ミリモル、ｎ−ブチルリチウム（アルドリッチ）およびジフェニルホスフィン（ストレム）から調製されたもの）を１分にわたり滴下することが可能である。塩化ベンジル溶液と接触させるとリン試薬の赤味を帯びた溶液を白くすることが可能である。その後、約１時間の攪拌後に混合物を蒸発乾固させることが可能である。残留物を無水／脱気ジクロロメタンで抽出し、セライトを通して濾過して、沈殿した塩副生物を除去してもよい。濾液を蒸発乾固させて、くすんだ白色の粗固形物として所望の製品を生じさせることが可能であり、それを特に精製せずに更なる処理のために用いることが可能である。単離収量は約２．５ｇ（８８％）であることが可能である。
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ７．３５−７．５０（６Ｈ、ｍ）、７．３０−７．３５（２Ｈ、ｍ）、７．１５−７．２５（２Ｈ、ｍ）、７．０５−７．２０（９Ｈ、ｍ）、３．２９（２Ｈ、ｓ）ｐｐｍ。３１Ｐ  ＮＭＲ（２０３ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）δ８．９３ｐｐｍ。
【０１１１】
２．「Ｂ」反応
Ａ反応からの製品（約２．０ｇすなわち５．７ミリモル）、塩化白金（ＩＩ）（約１．４ｇすなわち５．２ミリモル、ストレム）およびテトラブチルアンモニウムクロリド（約１４０ｍｇすなわち０．５２ミリモル、アルドリッチ、真空で乾燥させたもの）をクロロベンゼン（約５０ｍＬ、アルドリッチ）中で約１３０℃において窒素下で約１０分にわたり攪拌することが可能である。その時間後、揮発性成分を真空で除去することが可能である。固体残留物をメタノールに懸濁させることが可能であり、得られた固形物を濾過により単離し、エーテルで洗浄し、放置して真空で乾燥させることが可能である。
【０１１２】
３．「Ｃ」反応
Ｂ反応からの約１．０ｇの粗固形物を２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、ナトリウム塩（約４４ｍｇすなわち２．２ミリモル、対応する酸および水素化ナトリウム（両方ともアルドリッチ製）から調製されたもの）および２−エトキシエタノール（約５０ｍＬ、アルドリッチ）と組み合わせることが可能である。内容物を約１２０℃で約４５分にわたり窒素下で攪拌することが可能である。その後、揮発成分を真空で除去することが可能である。溶離溶媒としてヘキサン／酢酸エチル（約８：１の比）を用いるシリカゲルフラッシュクロマトグラフィを介して所望の製品を得られた粗暗褐色固形物から精製してもよい（製品Ｒｆ＝０．７）。所望の製品（約７５ｍｇすなわち０．１０ミリモル）は、２５４ｎｍおよび３６５ｎｍの照明下で青色発光示す無色泡状固形物として単離することが可能である。
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ８．１８（１Ｈ、ｍ）、７．７８−７．９０（４Ｈ、ｍ）、７．６２−７．６８（２Ｈ、ｍ）、７．３５−７．５０（９Ｈ、ｍ）、７．２２−７．３３（３Ｈ、ｍ）、５．８８（１Ｈ、ｓ）、３．７５（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝１１．７Ｈｚ）、１．３１（９Ｈ、ｓ）、１．１０（９Ｈ、ｓ）ｐｐｍ。
【０１１３】
（実施例３）
（±）−１−フェニルエチルクロリドからのＰｔ（ｔ−Ｂｕ２−ａｃａｃ）（（±）１−フェニルエチル−ジフェニルホスフィン）の合成を例証するために以下の実施例を用いる。以下の擬化学式（Ｉ）を用いてＰｔ錯体を形成することが可能である。
【０１１４】
【化１６】
2005535722.tif 000022
【０１１５】
１．「Ａ」反応
無水ＴＨＦ（約１０ｍＬ、アルドリッチ）中の（±）−１−フェニルエチルクロリド（約１．５ｇすなわち７．８ミリモル、ニューハンプシャー州ハンプトンのフィッシャー・サイエンティフィック・インターナショナル（Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．（Ｈａｍｐｔｏｎ，ＮＨ））のアクロス・オーガニックス（Ａｃｒｏｓ  Ｏｒｇａｎｉｃｓ）（「Ａｃｒｏｓ  Ｏｒｇａｎｉｃｓ」）から入手できる）の窒素下で室温で攪拌された溶液に無水ＴＨＦ（約１０ｍＬ）中のリチウムジフェニルホスファイド（約１．５ｇすなわち８．１ミリモル、ｎ−ブチルリチウム（アルドリッチ）およびジフェニルホスフィン（ストレム・ケミカルズ）から調製されたもの）を１分にわたり滴下することが可能である。塩化ベンジル溶液と接触させるとリン試薬の赤味を帯びた溶液を白くすることが可能である。その後、約１時間の攪拌後に混合物を蒸発乾固させることが可能である。残留物を無水／脱気ジクロロメタンで抽出し、セライトを通して濾過して、沈殿した塩副生物を除去してもよい。濾液を蒸発乾固させて、くすんだ白色の粗固形物として中間製品を生じさせることが可能であり、それを特に精製せずに更なる化学作用のために用いることが可能である。単離収量は約２．０ｇ（８８％）であることが可能である。
【０１１６】
２．「Ｂ」反応
Ａ反応からの製品（約１．０ｇすなわち３．５ミリモル）、塩化白金（ＩＩ）（約９２０ｍｇすなわち３．５ミリモル、ストレム）およびテトラブチルアンモニウムクロリド（約９６ｍｇすなわち０．３５ミリモル、アルドリッチ、真空で乾燥させたもの）をクロロベンゼン（約５０ｍＬ、アルドリッチ）中で約１３０℃において窒素下で約１０分にわたり攪拌することが可能である。その時間後、揮発性成分を真空で除去することが可能である。固体残留物をメタノールに懸濁させてもよく、得られた固形物を濾過により単離し、エーテルで洗浄し、放置して真空で乾燥させることが可能である。
【０１１７】
３．「Ｃ」反応
Ｂ反応からの約８５０ｍｇの粗固形物を２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、ナトリウム塩（約４２０ｍｇすなわち２．０ミリモル、対応する酸および水素化ナトリウム（両方ともアルドリッチ製）から調製されたもの）および２−エトキシエタノール（約５０ｍＬ、アルドリッチ）と組み合わせることが可能である。内容物を約１２０℃で約４５分にわたり窒素下で攪拌することが可能である。その後、揮発成分を真空で除去することが可能である。溶離溶媒としてヘキサン／酢酸エチル（約８：１の比）を用いるシリカゲルフラッシュクロマトグラフィを介して所望の製品を得られた粗暗褐色固形物から精製してもよい（製品Ｒｆ＝０．７）。所望の製品（約２１０ｍｇすなわち０．３１ミリモル）をヘキサンからの再結晶化によって単離して、２５４ｎｍおよび３６５ｎｍの照明下で青色発光示す無色微結晶質固形物を生じさせることが可能である
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ７．７９−７．８６（３Ｈ、ｍ）、７．５８−７．６９（２Ｈ、ｍ）、７．３３−７．５５（６Ｈ、ｍ）、７．１０−７．２２（１Ｈ、ｍ）、６．９０−７．０５（２Ｈ、ｍ）、５．８６（１Ｈ、ｓ）、３．８７（１Ｈ、ｑ、Ｊ＝３．４Ｈｚ）、１．２８（９Ｈ、ｓ）、１．１９（３Ｈ、ｄｄ、Ｊ＝１７．０および７．２Ｈｚ）、１．０９（９Ｈ、ｓ）。
【０１１８】
（実施例４）
２−フェニルベンゾイルブロミドからのＰｔ（ｔ−Ｂｕ２−ａｃａｃ）（２−フェニル−ベンジル−ジフェニルホスフィン）の合成を例証するために以下の実施例を用いる。以下の擬化学式（Ｊ）を用いてＰｔ錯体を形成することが可能である。
【０１１９】
【化１７】
2005535722.tif 000023
【０１２０】
１．「Ａ」反応
無水ＴＨＦ（約１０ｍＬ、アルドリッチ）中の２−フェニルベンジルブロミド（約１．９ｇすなわち７．８ミリモル、アルドリッチ）の窒素下で室温で攪拌された溶液に無水ＴＨＦ（約１０ｍＬ）中のリチウムジフェニルホスファイド（約１．５ｇすなわち７．８ミリモル、ｎ−ブチルリチウム（アルドリッチ）およびジフェニルホスフィン（ストレム・ケミカルズ）から調製されたもの）を１分にわたり滴下することが可能である。臭化ベンジル溶液と接触させるとリン試薬の赤味を帯びたることが可能である。混合物を約１時間の攪拌のあとで、蒸発乾固させることが可能である。残留物を無水／脱気ジクロロメタンで抽出し、セライトを通して濾過して、沈殿した塩副生物を除去してもよい。濾液を蒸発乾固させて、くすんだ白色の粗固形物として中間製品を生じさせることが可能であり、それを特に精製せずに更なる化学作用のために用いることが可能である。単離収量は約２．０ｇ（７３％）であることが可能である。
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ７．０５−７．１８（５Ｈ、ｍ）、６．８５−７．０５（５Ｈ、ｍ）、６．７０−６．８５（９Ｈ、ｍ）、３．２３（２Ｈ、ｓ）ｐｐｍ。３１Ｐ  ＮＭＲ（２０３ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）δ−７．５０ｐｐｍ。
【０１２１】
２．「Ｂ」反応
Ａ反応からの製品の一部（約１．５ｇすなわち４．３ミリモル）、塩化白金（ＩＩ）（約１．１ｇすなわち４．３ミリモル、ストレム）およびテトラブチルアンモニウムクロリド（約１２０ｍｇすなわち０．４３ミリモル、アルドリッチ、真空で乾燥させたもの）をクロロベンゼン（約５０ｍＬ、アルドリッチ）中で約１３０℃において窒素下で約１０分にわたり攪拌することが可能である。その時間後、揮発性成分を真空で除去することが可能である。固体残留物をメタノールに懸濁させることが可能であり、得られた固形物を濾過により単離し、エーテルで洗浄し、放置して真空で乾燥させることが可能である。
【０１２２】
３．「Ｃ」反応
Ｂ反応からのの粗固形物の約１．９ｇ部分を２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、ナトリウム塩（約６９０ｍｇすなわち３．４ミリモル、対応する酸および水素化ナトリウム（両方ともアルドリッチ製）から調製されたもの）および２−エトキシエタノール（約５０ｍＬ、アルドリッチ））と組み合わせることが可能である。内容物を約１２０℃で約４５分にわたり窒素下で攪拌してもよい。その後、揮発成分を真空で除去することが可能である。溶離溶媒としてヘキサン／酢酸エチル（約８：１の比）を用いるシリカゲルフラッシュクロマトグラフィを介して所望の製品を得られた粗暗褐色固形物から精製してもよい（製品Ｒｆ＝０．７）。その後、ヘキサンから再結晶されることも可能である。所望の製品（約１３０ｍｇすなわち０．１７ミリモル）は、２５４ｎｍおよび３６５ｎｍの照明下で青色発光示す微結晶質固形物として単離してもよい。
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ７．８０−７．８８（１Ｈ、ｄ）、７．６２−７．７５（３Ｈ、ｍ）、７．２８−７．５２（１０Ｈ、ｍ）、７．０２−７．１３（２Ｈ、ｍ）、６．８５−６．９５（２Ｈ、ｍ）、５．８８（１Ｈ、ｓ）、３．６１（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝１１．６Ｈｚ）、１．３１（９Ｈ、ｓ）、１．１０（９Ｈ、ｓ）ｐｐｍ。
【０１２３】
（実施例５）
Ｉｒ錯体の合成を例証するために以下の実施例を用いる。Ｉｒ錯体は、Ｉｒ（ａｃａｃ）ビス（ベンジル−ジフェニルホスフィン）であることが可能であり、それをベンジルジフェニルホスフィンから製造することが可能である。以下の擬化学式（Ｋ）を用いてＩｒ錯体を形成することが可能である。
【０１２４】
【化１８】
2005535722.tif 000024
【０１２５】
１．「Ａ」反応
ベンジルジフェニルホスフィン（約１．０ｇすなわち３．６ミリモル、ストレム・ケミカルズ）、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（約０．５２ｇすなわち１．７ミリモル、ニュージャージー州ウェストデプトフォードのジョンソン・マシー（Ｊｏｈｎｓｏｎ  Ｍａｔｔｈｅｙ  Ｉｎｃ．（Ｗｅｓｔ  Ｄｅｐｔｆｏｒｄ，ＮＪ））から入手できる）およびエトキシエタノール（約１５ｍＬ、アルドリッチ、脱気）を窒素下で約１３０℃において約４５分にわたり攪拌することが可能である。黄色沈殿物を濾過によって単離し、真空下で乾燥させて、約０．７８ｇの中間製品を生じさせてもよい。
３１Ｐ  ＮＭＲ（２０２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ−３８．８３。
【０１２６】
２．「Ｂ」反応
Ａ反応からの製品（約０．３０ｇ）を２，４−ペンタンジオン（約０．５９ｇすなわち０．４８ミリモル、対応する酸および水素化ナトリウム（両方ともアルドリッチ製）から調製されたもの）および２−エトキシエタノール（約１５ｍＬ、アルドリッチ）と組み合わせることが可能である。内容物を約１３０℃で約１時間にわたり窒素下で攪拌することが可能である。その後、揮発成分を真空で除去することが可能である。溶離溶媒としてＣＨ２Ｃｌ２を用いるシリカゲルフラッシュクロマトグラフィを介して製品を得られたくすんだ白色粗固形物から精製することが可能である。製品（約３５ｍｇ）は、２５４ｎｍおよび３６５ｎｍの照明下で青色発光示す白色固形物として単離してもよい。
３１Ｐ  ＮＭＲ（２０２ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２、２９６Ｋ）：δ−５．２８。
【０１２７】
（実施例６）
この実施例は、上述したような実施例１〜４の金属錯体を用いるＯＬＥＤの形成を例示している。正孔輸送層（ＨＴ層）、エレクトロルミネセント層（ＥＬ層）および少なくとも１層の電子輸送層（ＥＴ層）を含む薄膜ＯＬＥＤデバイスは、熱蒸発技術によって製造することが可能である。油拡散ポンプ付きの「エドワード・オート（Ｅｄｗａｒｄ  Ａｕｔｏ）」３０６蒸発器（カリフォルニア州フェアフィールド（Ｆａｉｒｆｉｅｌｄ，ＣＡ）のＢＯＣエドワーズ（ＢＯＣ  Ｅｄｗａｒｄｓ）のＢＯＣコーティング・テクノロジー・デヴィジョン（ＢＯＣ  Ｃｏａｔｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ）から入手できる）を用いてもよい。薄膜沈着物のすべてのための基準真空は、ほぼ約１０−６トルであってもよい。沈着チャンバは、真空を破ることを必要とせずに５種の異なる膜を沈着させることができる。
【０１２８】
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）被覆ガラス基材を用いることが可能である。ＩＴＯ層は約１００〜２００ｎｍの範囲内の厚さを有してもよい。不要ＩＴＯ領域を公称１Ｍ  ＨＣｌ溶液でエッチング除去することにより基材を最初に模様付けして、第１の電極模様を形成させてもよい。ポリイミドテープをマスクとして用いることが可能である。その後、模様付きＩＴＯ基材を洗浄剤水溶液中で超音波で浄化してもよい。その後、基材を蒸留水、続いてイソプロパノールでリンスし、その後、トルエン蒸気内で約３時間にわたり脱脂してもよい。
【０１２９】
その後、浄化された模様付きＩＴＯ基材を約１０−６トルの絶対圧にポンプで下げられている真空チャンバに装填することが可能である。その後、約５〜１０分にわたり酸素プラズマを用いて基材を更に浄化してもよい。浄化後、薄膜の多層を熱蒸発によって基材上に逐次沈着させてもよい。最後に、シャドーマスクを通して、Ａｌの模様付き金属電極を沈着させてもよい。膜の厚さは、石英結晶モニター（ニューヨーク州シラキュースのシコン・インストルメンツ（Ｓｙｃｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．（Ｓｙｒａｃｕｓｅ，ＮＹ））から入手できる「シコン（Ｓｙｃｏｎ）」ＳＴＣ−２００）を用いることにより沈着中に測定してもよい。その後、完成ＯＬＥＤを真空チャンバから取り出し、封入せずに直ちに特性分析することが可能である。
【０１３０】
デバイス層および厚さのまとめを表４に示している。すべての場合、アノードは上述したＩＴＯであり、カソードは約７０〜７６ｎｍの範囲内の厚さを有するＡｌである。表１のすべての厚さは近似である。
【０１３１】
（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）電圧に対するエレクトロルミネセンス放射輝度および（３）電圧に対するエレクトロルミネセンススペクトル測定することにより、ＯＬＥＤサンプルを特性分析することが可能である。用いられた装置２００を図２に示している。オハイオ州ソロンのケイスリ・インストルメンツ（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．（Ｓｏｌｏｎ，ＯＨ））によって製造された「ケイスリ・ソース・メジャーメント・ユニット（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｓｏｕｒｃｅ−Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｕｎｉｔ）」モデル２３７などの電源測定装置２８０でＯＬＥＤサンプル２２０のＩ−Ｖ曲線を測定してもよい。ニュージャージー州ラムゼイのミノルタ・コーポレーションＵＳＡ（Ｍｉｎｏｌｔａ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ＵＳＡ（Ｒａｍｓｅｙ，ＮＪ））から入手できる「ミノルタ（Ｍｉｎｏｌｔａ）」ＬＳ−１１０発光計などの発光計２１０で電圧に対するエレクトロルミネセンス放射輝度（単位Ｃｄ／ｍ２）を測定してもよい一方で、電源測定装置２８０を用いて電圧を走査した。分光器２５０を通して分散させた、電子シャッター２４０を通して一対のレンズ２３０を用いて光を集めることによりエレクトロルミネセンススペクトルを得てもよく、その後、ダイオードアレー検出器２６０で測定してもよい。すべての３つの測定を同時に行ってもよく、コンピュータ２７０によって制御してもよい。デバイスを動作させるために必要な電流密度によりＬＥＤのエレクトロルミネセンス放射輝度を除すことにより特定の電圧におけるデバイスの効率を決定することが可能である。効率に関する単位はＣｄ／Ａである。
【０１３２】
結果を以下の表４に示している。
【０１３３】
【表５】
2005535722.tif 000025
【０１３４】
前述した明細において、本発明を特定の実施形態に関して記載してきた。しかし、当業者は、以下の請求の範囲に記載された本発明の範囲を逸脱せずに種々の修正および変更をなすことができることを認める。従って、明細書および図は、限定的意味合いでなく例示におい考慮されるべきであり、こうしたすべての修正は本発明の範囲内に含まれることを意図している。
【０１３５】
有益性、他の利点および問題の解決法を特定の実施形態に関して上で記載してきた。しかし、有益性、利点、問題の解決法、およびいずれかの有益性、利点または解決法を気付かせうるか、またはより明確にさせうるいかなる要素も、いずれかの請求の範囲またはすべての請求の範囲の決定的要素または特徴、必要な要素または特徴あるいは必須要素または特徴として解釈されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】アクティブ層中のベンジルホスフィン金属錯体を含む電子デバイスの断面図の説明を含む。
【図２】ＬＥＤ試験装置の構成図を含む。
【図１】
2005535722.tif 000029
【図２】
2005535722.tif 000030
【国際調査報告】
2005535722.tif 000031
2005535722.tif 000032
2005535722.tif 000033
2005535722.tif 000034