(57)【要約】  本発明は概ね、工作物上のアライメント・マークを検出することに関する。特に、干渉計を適用して、ウェハまたはレチクルなどの工作物の表面からアライメント信号を検出する。本発明の他の態様は、詳細な説明、図および請求の範囲に反映される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作物上のアライメント・マークを検出する方法で、
アライメント・マークを走査する間に、干渉計を通して工作物の表面に放射線を当てる動作と、
工作物の表面から戻った放射線を使用して複素振幅情報を生成するために位相変調を使用する動作と、
走査したアライメント・マークの複素振幅情報に対応したデータを収集する動作とを含む方法。
【請求項２】
さらに、走査したアライメント・マーク全体で複素振幅情報のイメージを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
放射線が広いスペクトルの光源である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのカラー・フィルタを放射線に適用する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの空間フィルタを放射線に適用する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの偏光フィルタを放射線に適用する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
さらに、放射線を当てる間に少なくとも１回放射線を変化させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つのカラー・フィルタを放射線に適用する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの空間フィルタを放射線に適用する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの偏光フィルタを放射線に適用する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、データを使用して工作物を位置合わせすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、工作物を位置合わせした後に、工作物上のレジストにパターンを形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、工作物を位置合わせした後に工作物上のレジストにパターンを形成することと、レジストを選択的に除去することと、選択的に除去したレジストを通して工作物に構造を形成することとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
工作物上のアライメント・マークを検出する方法で、
アライメント・マークを走査する間に、干渉計を通して工作物の表面に放射線を当てる動作と、
工作物の表面から戻った放射線に対応したデータを収集する動作とを含む方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのカラー・フィルタを放射線に適用する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
放射線に複数の波長を使用する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つの空間フィルタを放射線に適用する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１つの偏光フィルタを放射線に適用する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
さらに、データを使用して工作物を位置合わせすることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、工作物を位置合わせした後に、工作物上のレジストにパターンを形成することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
さらに、工作物を位置合わせした後に工作物上のレジストにパターンを形成することと、レジストを選択的に除去することと、選択的に除去したレジストを通して工作物に構造を形成することとを含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２００１年１２月７日に出願され「Light Beam Homogenizer」と題した米国暫定特許出願第６０／３３７，７６４号に対する優先権を主張する。
【０００２】
本発明は概ね、工作物のアライメント・マークの検出に関する。特に、干渉法を適用して、ウェハまたはレチクルなどの工作物の表面からアライメント信号を検出する。
【背景技術】
【０００３】
工作物のアライメントは、精密半導体デバイスの製造にとって非常に重要である。工作物はいわゆるウェハでよい。二酸化シリコンが一般的なウェハ材料であるが、ガリウム砒素などの他の物質も使用する。工作物は、製造中に精密に位置合わせする必要がある。例えば、基板に直接書き込む際には、次の基板の頂部にある１層をパターン形成すると、所望の３次元構造が生成されるよう、基板の位置を精密に決定しなければならない。ステッパでの書き込みのためには、マスクを工作物に対して精密に位置合わせしなければならない。移相マスクなどの複雑なマスクのパターン形成では、移相区域がマスクの非移相区域に関連して適切に配置されるよう、工作物の位置を精密に決定しなければならない。
【０００４】
アライメント・マークは一般的に、アライメントを補助するために工作物に形成される。アライメント・マークを配置するために、チップ間の空間、またはウェハ周囲の空間を使用することができる。Ｎｉｋｏｎなど、アライメントには隆起構造を好む機器製造業者もいる。ＡＳＭＬなど、溝を好む製造業者もある。アライメント・マークは、何らかの材料を付着させることにより、工作物上または工作物内にある構造である。形成される構造は、下にある材料と同様の材料であるか、シリコン酸化物またはガラス材料上の銅など、非常に対照的であってもよい。対照的な色は、対照的な材料または薄膜から生成することができる。
【０００５】
化学機械的平面化（ＣＭＰ）などの幾つかの製造プロセスで、アライメント・マークを腐食させることができる。ＣＭＰが、バイアスせずにウェハの表面を平らにすることが理想的である。しかし、引くストロークより押すストロークで深く切削する鋸と同様、ＣＭＰはマークの一方縁を別の縁より多く除去してしまうことがある。バイアスがなくても、ウェハの比較的高い区域に載るマークは、マーク全体がすり減ることがある。
【０００６】
酸化物またはガラスの層を形成するか、レジストを塗布するなど、他の製造プロセスにおいてアライメント・マークが覆われたり、不明瞭にすることがある。チップの製造が、多層構造の作成を含むことが多くなっている。フィーチャのサイズを小型化し、フィーチャをより小さい区域に密集させようと努力しているので、構造はますます垂直方向になっている。ウェハ上で構造を層状にすると、アライメント・マークが不明瞭になる傾向があり、信号処理に関しては、アライメント・システムが検出しようとする信号が減少する。場合によって、非常にかすかなマークが望ましいことがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、ウェハおよびレチクルを含め、工作物を精密に位置合わせする新しい方法およびデバイスを導入する要請が生じている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は概ね、工作物のアライメント・マークの検出に関する。特に、干渉法がウェハまたはレチクルなどの工作物の表面からアライメント信号を検出することに適用される。本発明の他の態様は、詳細な説明、図面および請求の範囲に反映される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
下の詳細な説明は、図面に関して行う。好ましい実施形態は、本発明を例示するために説明するものであり、発明の技術的範囲を制限するものではなく、該範囲は請求の範囲によって定義される。当業者には、以下の説明に関する多様な同等の変形が認識される。
【００１０】
アライメントの基本的問題は、腐食するか、劣化するか、幾つかのプロセス層で覆われる可能性のあるマークにコントラストを与えることである。既知のアライメント・システムは、明視野または暗視野像と、イメージを形成するか格子から散乱して、回折次数の位相を測定する走査用レーザとを使用する。本発明は、これとは異なる。つまりイメージ、またはアライメント・マークの縁に関して記憶されたデータなどの同等の情報を形成するが、既知のアライメント・センサで使用されるイメージと同じタイプではない。既知のイメージ形成アライメント・システムは、カメラ・イメージを形成するが、本発明はコンピュータ・メモリに存在するアブストラクト・イメージを形成する。各ポイントで、複数の量を記憶する。複数スペクトルの反射率データまたは異なる極性の反射率データで構成することができる。イメージ・ポイントごとに少なくとも１つの複素振幅値、つまり複素数値で構成することが最も好ましい。幾つかのフィルタ設定で、または異なる焦点設定または他の代替構成について、同様の複素数データを含むことができる。
【００１１】
図１は、工作物上のアライメント・マークを検出するため干渉計を使用する１つの実施形態を示す。図示の干渉計は、図示のレンズ、基準、光源およびカメラの構成に基づき、リンニク干渉計と考えることができる。照明装置を図１の１１０または１１１に、検出器を反対の位置に配置することができる。照明装置は、有用な干渉パターンを生成するスペクトルの一部で放射線を生成し、これは放射線が当たる工作物の表面を損傷しないことが好ましい。ＣＣＤまたはＣＭＯＳカメラまたは他のセンサ・アレイを、少なくとも光子検出用に検出器として使用することができる。同様に、工作物を１２３または１２２に配置し、基準を反対位置に配置することができる。ウェハまたはレチクルが工作物でよい。ミラーまたは放射線を返す他の要素が基準でもよい。照明装置が１１０にあり、工作物が１２３にあるとすると、照明装置および戻りの放射線は、以下のようにスプリッタ１１４、１１５、第１レンズ・システム１１２、１１３および第２レンズ・システム１２０、１２１を通過する。照明は、第１レンズ・システム１１２の１つまたは複数のレンズによって集光する。第１レンズ・システムは、各放射線円錐の基本的に平行な中心軸を生成することが好ましい。照明は、有用な分割を一切することなく第１スプリッタ１１４を通過する。照明は、第２スプリッタ１１５を通過し、２本の路１２４、１２５に沿って分割される。第１路１２５は、第２レンズ・システム１２１を通過して、工作物１２３に当たる。第２レンズ・システムは、１つまたは複数のレンズを備えることができる。第２路１２４は、別の第２レンズ・システムを通過して、基準１２２に当たる。位相関連の情報は、路１２４、１２５の相対的長さを変化させることにより生成する。路１２４、１２５の相対的長さは、スプリッタ１１５に対して工作物１２３または基準１２２を移動させることにより変化させることができ、あるいは電気光学、音響光学または光弾性デバイスなどの電気光学デバイスによって位相を変化させることができる。高深度解像度を達成するため、測定ビームの位相を基準と比較し、これは異なる基準ビームか同じビームで位相または周波数をシフトするか、異なる時間または表面の異なる位置としてよい。干渉計の原理は、光学または電子的ノイズによってのみ制限される振動解像度を与え、これは通常、１ナノメートル未満である。路長を機械的に変化させる場合は、工作物または基準のみを移動すればよい。あるいは、第２レンズ・システムの一方の一部または全ての要素を、工作物または基準とともに移動することができる。圧電結晶を使用して、これらの品目のうち１つの位置を精密に変化させることができる。さらなる代替方法は、スプリッタ１１５を移動させることである。工作物および基準から戻った放射線は、第１スプリッタ１１４に当たり、別の第１レンズ・システム１１３を通過して、検出器１１１に投影される。干渉パターンが投影され、これは第１および第２路１２４および１２５を通過した光の位相関係に対応する。干渉計の構成および干渉計から表面の複素振幅反射率を取り出す方法は、当技術分野で、例えばDaniel Malacara著の「Optical Shop Testing 2d Ed.」(pp.501 - 510および700 - 707、Whiley & Sons, Inc. (New York 1992))、「Handbook Optics 」(McGraw-Hill(New York))および科学およびエンジニアリングの雑誌に記載されているように、よく知られている。
【００１２】
複素振幅は、ポイントごとに異なる表面の複素振幅反射率と表面の高さによって決定される。平坦な表面の場合、高さの情報は極めて精密であり、通常は１ｎｍ未満、場合によっては０．１ｍｎ未満である。均質な金属薄膜に高さの違いのみあるマークでは、主要情報は高さである。例えばマークが背景とは異なる化学組成を有するダマスク・プロセスなどで形成したマークでは、複素振幅が複素数屈折率の違いを示し、これは通常、ホワイト・メタルごとに異なり、適切な波長を選択するとさらに異なる。金属の屈折率に関する詳細は、Handbook of Opticsを参照されたい。第３のケースでは、マークおよび／または背景は少なくとも部分的に透明な表面薄膜を有する。この場合も、複素振幅が事情を明らかにする。高さと化学組成とナノメートル未満の厚さまでの表面薄膜に対する感度との組合せにより、本発明のアライメント・センサは頑丈かつ敏感になる。ＣＭＰ後のアライメント・マークの問題は、ＣＭＰプロセスによって非対称的に腐食することがあることである。高解像度の高さマップを生成するセンサは、この対称性に関する情報を提供し、位置データに必要な補正量の手がかりを与える。７００ｎｍから５００ｎｍの可視光線およびＮＡ＝０．８のレンズを使用すると、横方向解像度は０．５ミクロンのオーダーである。マークに関する事前データへのモデルの当てはめにより、さらに高い解像度でのイメージを生成することができる。例えば、マークが２つの不透明な材料でのみ構成され、その間に鮮明な境界があることが分かっている場合、光学解像度で示すようなものより遙かに正確に境界を位置決めすることが可能である。
【００１３】
任意選択で、例えば位置１３０または１３１に色、空間、偏光または他のフィルタを適合することができる。放射線の両方の路がフィルタの影響を受け、その結果の干渉パターンを強化することが好ましい。場合によっては、フィルタを路の１つのみ、例えばスプリッタ１１５と第２レンズ・システム１２０、１２１の一方の間、または第２レンズ・システムの要素間に適用することが有用なことがある。カラー・ホィールまたは他のカラー・フィルタを適用して、アライメント・マークの形成に使用する材料と隣接する材料との間のコントラストを強化することができる。一つの実施形態では、カラー・フィルタを、ＲＧＢカメラなどの多要素検出器の応答性に一致させることができる。別の実施形態では、多要素検出器の要素にまたがるようカラー・フィルタを選択することができる。あるいは、照明装置は、複数の波長帯の照明を生成して、それによりフィルタを必要とせずにコントラストを強化するよう構成された１つまたは複数のレーザでよい。広帯域照明装置を使用することは、レーザ・イメージと比較してスペックルを減少させる一つの方法であり、さらにマークに関する追加の深度情報ならびに、スペクトル情報を提供する。
【００１４】
アライメント・マークを生成する一方法は、レジストを露光するが、現像しないことである。露光すると、現像する前でもレジストの光学的特性はわずかに変化する。このわずかな変化が、マークの生成に使用する異なる放射線源で検出しなければならない弱い信号を生成する。本発明の方法およびデバイスは、レジストをさらに露光しなくても読み取ることができるフィルタまたは照明源を選択して、レジストの露光によって形成したマークを読み取るような構成にすることができる。
【００１５】
空間フィルタを適用して、表面の輪郭および他のパターンを強化することができる。適用できる多様な空間フィルタが、Reynoldsその他の「The New Physical Optics Notebook: Tutorials in Fourier Optics」(chs. 29 - 39, SPIE Optical Engg Press: Bellingham, Washington 1989)に記載されている。コントラストを強化するフィルタが顕微鏡研究では知られている。例えば位相差フィルタ、共焦点空間フィルタ、アポディゼーション・フィルタ、ノマルスキ・フィルタ、偏光フィルタなどである。Handbook of Optics参照。フィルタを干渉計と組み合わせてイメージを強化するか、同等のコントラスト強化をディジタルで追加して、イメージを取得することができる。特定のイメージを強化するために適切なフィルタを単純に、さらに自動的にも選択することができるので、後者の方法が有利であるが、光学フィルタはイメージの信号対雑音を改善することができる。例えば、アライメント・マークが分かっている場合、空間フィルタは、エッジの上昇または下降を強化するか、特定のパターンを検出するよう設計することができる。ＣＭＰ後、マークは歪むことが多い。解像度が高い干渉計のイメージは、マークの歪みを検出するのに十分な表面輪郭情報を提供し、補正の手掛かりを与えると考えられる。ビーム中に非対称性の光学フィルタを置くことは、横方向の情報を改善する一方法であり、したがってマークの歪みをよりよく補正することができる。例えばフィルタ・ホィール上の多様な空間フィルタを使用して、ＣＭＰまたは同様のプロセスの様々な潜在的非対称性を検出することができる。パターンの粗い探索にも有用なことがある。偏光フィルタも、方向情報の強化に使用することができる。
【００１６】
リンニク干渉計が図示されているが、他の多くの干渉計の形状を使用してもよい。この用途に適用できる他の種類の干渉計には、フィゾー、マイケルソン、ツワイストロン・グリーン、スマート、マッハ・ツェンダー、ソマルゲン、ミラーにちなんで命名された周知の干渉計構造またはその変形がある。表面輪郭形成用干渉計が幾つか、「Optical Shop Testing」の７００〜７０７ページに記載されている。これらの干渉計の幾つかは、０．１ｎｍより良好な表面深度解像度を有する。フィルタの配置は、特定の干渉計の光学的性質に適合される。
【００１７】
実際には、このアライメント検出システムを、選択した特定のフィルタまたは比較的短い帯域の照明源とともに、位相ステッピングまたはフィルタ変更に適用することができる。比較的狭いとは、線を細くするか、細くしないレーザ源を含むが、それに制限されない。位相ステッピングでは、工作物をアライメント・マークに予想される位置の近傍に配置する。位相ステッピングは、「Optical Shop Testing」で検討されている。位相ステッピング干渉計は、表面層の高さ、材料、組成および存在に関する情報を含む表面の複素振幅反射率のポイントに関するマップを提供する。多スペクトル照明または広帯域照明を有する位相ステッピング干渉計は、ディジタル領域のその後の分析のため、表面区域から使用可能な全ての情報を取得すると考えられている。アライメント・マークは、任意の従来通りのマークを含むことができる。マークの中心の位置決めを補助するため、ある程度対称のマークが好ましい。複雑な構造のマーク、つまり表面面積当たりにエッジが多いマークが好ましい。相互に対して角度を形成する２つ以上の格子構造を有するマークを使用することができる。小さい構造とそれより大きい構造との混合を有するマークを使用して、ＣＭＰ後のアライメントの正確さを改善することができる。というのは、小さいフィーチャと大きいフィーチャは歪みが異なるからである。適切な探索アルゴリズムを使用した場合は、非対称のマークも使用することができる。これらの製造プロセスの精度から、アライメント・マークの予想される位置は、実際のマークの近傍になるはずである。走査パターン開始される。走査は、ステッピングおよび描像または工作物を支持するステージの連続的移動を伴うことができる。ステージが連続的に移動する場合は、戻った放射線の収集は密な間隔となることがあり、したがって多くの放射線パターンが重なる。連続的に移動するステージとともに十分なピクセルを使用する状態で、アレイ状の検出器を構成することができる。工作物の表面から戻る放射線の複素振幅に対応するデータをコンパイルする場合に、ステージが検出器アレイを横切って移動することから、ステージの動作を考慮に入れることができる。圧電結晶は素早く応答し、工作物または基準に合わせて迅速に路長を調節することができる。電気光学、音響光学または光弾性デバイスも、位相の関係を迅速に調節することができる。したがって、第２路長にて第２路中のステージの位置を複写する代りに、複数の位相関係で複数の放射線パターンを収集することが好ましい。任意の従来の走査パターンを使用して、アライメント・マークを検出することができる。
【００１８】
複数の走査を適用することができ、様々なフィルタを放射線に適用する。フィルタを所定の位置に移動する必要がある場合、これは圧電結晶などの固体素子を起動するより長い時間がかかることがある。ステージの動作は、（例えば高速回転するフィルタ・ホィールまたは所定の位置で起動し、停止することができる圧電フィルタで）フィルタを交換するのに十分なだけ遅いか、十分に遅らせることができるが、走査を実行し、フィルタを変更して（例えば透明フィルタから着色フィルタへ、またはワイド・オープン空間フィルタから制限空間フィルタへの変更を含む）、再度走査することにより、それほど複雑でないフィルタ交換機構を適用することができる。粗く、連続的に細かくなるイメージ解像のため、一連のフィルタ・タイプを選択することができる。連続的な走査パターンは以前の走査と一致する必要はない。というのは、以前の走査からの情報を使用して、アライメント・パターンが配置されている場合は探索領域を減少させ、予想された区域にアライメント・マークの表示が見えない場合は、エラー状態の信号を送ることができるからである。好ましい実施形態では、干渉計が、ＣＣＤカメラまたは同様のデバイス上で表面のイメージを取得するが、マークのイメージまたは他の２次元表示を構築するために、ポイントに関するデータの取得と機械的走査動作も使用することができる。
【００１９】
ウェハ工作物上のアライメント・マークの検出を、チップの製造の連続的ステップと組み合わせることができる。例えば、アライメント・マークの検出後、チップ製造方法は、アライメント・マークの位置に基づいてレジスト層を露光することができる。レジスト層は、直接書き込みまたはステッパで露光することができる。直接書き込みは、走査レーザ、走査電子ビーム、ベクトル駆動の電子ビーム、ＳＬＭデバイス、または直流励起によってレジストを露光するアレイ状のナノチューブなどの近距離露光システムを使用して実行することができる。レジスト層を様々な方法で使用して、チップの様々な区域に複数の構造を形成することができる。チップ製造の当業者は、半導体基板上に構造を形成するにはレジスト層のパターン形成が基本であることを理解している。本発明のアライメントおよびパターン形成方法を適用すると、半導体基板上に半導体構造を形成することができる。コンポーネントを完成し、仕上げるには、レジストの現像、レジストの選択的除去、除去したレジスト区域を通してのエッチング、追加材料の付着または成長、追加レジストの塗布、およびアライメントおよびパターン形成方法の反復的適用などのその後の処理が必要となるが、これは半導体構造が形成された基板を物質的に変化させるものではない。干渉計を使用した精密なアライメントによって形成された構造は、半導体構成要素および半導体構成要素を組み込んだ製品全体が機能を発揮するために不可欠である。これは、短時間で生産され、直接書き込みおよび精密なアライメントの技術によって可能になった特注の半導体構成要素に特に当てはまる。
【００２０】
レチクル工作物上のアライメント・マークの検出は、チップ製造の連続的ステップと組み合わせることもできる。例えば、マスクの製造業者仕様に従って上述したアライメント方法を用いて、移相レチクルを生産することができ、アライメント方法を使用して準備したマスクを使用して、レジスト層を露光するようレチクルを使用することができる。レジスト層を多くの方法で使用して、上述したようにチップの様々な区域に複数の構造を形成し、半導体構成要素にとって非常に重要な構造を生成し、製品にとって非常に重要な構成要素を生成することができる。
【００２１】
干渉計アライメント・システムは、多くのタイプのパターン生成装置および多くのタイプの検査デバイスと組み合わせることができる。パターン生成装置のタイプには、レーザ・スキャナ、電子スキャナ、ベクトル駆動電子ビーム、ＳＬＭデバイス、近距離露光システム、ステッパまたはこれらのカテゴリのデバイスの現在または将来の変形がある。検査デバイスは、例えばレチクルまたはウェハ上に生成されるパターンと望ましいパターンとを比較するデバイスを含む。これは、レチクル上の移相構造の位相深さを測定するデバイスも含む。図２は概ねこれらの組合せを示す。工作物２２２は１つまたは複数のアライメント・マーク２２３を含む。幾つかの工作物がステージ２２１上にある。直接書き込み装置、マスク書き込み装置、ステッパまたは検査装置２０１を、干渉計のアライメント・デバイス２０２と対にする。幾つかの実施形態では、デバイス２０１はステッパであり、レチクル２１１を使用して工作物上のレジストを露光する。他の実施形態では、デバイス２０１は直接書き込み装置である。直接書き込み装置は、例えばＳＬＭなどで放射線パターンを形成するか、ビーム・ベクトルまたは走査デバイスの場合のように変調した放射線を配向することにより、露光放射線を制御することができる。直接書き込み装置は、放射線によるレチクルの区域の通過を制御するシャッタ状レチクル２１１を使用して、露光放射線を制御してもよい。望ましくない放射線は、遮断するか、ウェハから離れるよう回折することができる。他の実施形態では、デバイス２０１はマスク書き込み装置である。マスク書き込み装置は、直接書き込み装置と同様であるが、工作物がウェハまたはチップではなくレチクルである。マスク書き込み装置の動作パラメータは、工作物のために直接書き込み装置とは異なる。精密なアライメントが必要であるため、これらは似ている。さらに他の実施形態では、デバイス２０１は、レチクル２１１を使用するステッパである。ステッパは、レチクル２１１とウェハ２２２との両方のアライメントを必要とすることがある。アライメントのデバイスおよび方法を使用して、ステージ上のウェハ２２２と印刷に使用するマスク２１１上のレチクルとの両方を位置合わせすることができる。ウェハまたはレチクルを、位置合わせが必要な工作物と見なすことができる。検査デバイス２０１も、精密な位置合わせから恩恵を受ける。生産されるパターンに望ましいパターンを比較する検査デバイスでは、表面粗さを測定する検査デバイスとは異なり、アライメントはパターン一致または補正の試金石である。
【００２２】
本発明の別の実施形態は、工作物の表面から戻った放射線の複素振幅に対応するデータを収集することにより、または複数のフィルタを通過し、工作物の表面から戻った放射線に対応するデータを収集することにより干渉計計器を駆動する制御プログラムである。図２では、制御プログラムは、デバイス２０１上で動作可能な２３１として、またはデバイス２０１の外側にある２３２として代替的に図示されている。様々なプログラムを使用して、走査パターンおよび路長の変更、フィルタの変更またはその両方を通して干渉計計器およびステップ式または連続ステージの動作を駆動する。制御プログラムは、流通され、あるいはデバイス２０１内に設けたまたはデバイス２０１に接続する磁気媒体で実現することができる。プログラムは、干渉計計器に命令して、上記で特定した方法のいずれかを実行することができる。
【００２３】
本発明を以上で詳述した好ましい実施形態および例に関して開示しているが、これらの例は制限的な意味ではなく例示的な意味であるとする。当業者には変更および組合せが容易に想起され、この変更および組合せは本発明の精神および請求の範囲に入るものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】アライメント・マークの検出への干渉計の使用を示す。
【図２】干渉計アライメント・デバイスとパターン発生装置または検出デバイスとの組合せを示す。
2005512313.tif 000003
【図２】
2005512313.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作物上のアライメント・マークを検出する方法で、
アライメント・マークを走査する間に、干渉計を通して工作物の表面に放射線を当てる動作と、
工作物の表面から戻った放射線を使用して複素振幅情報を生成するために位相変調を使用する動作と、
走査したアライメント・マークの複素振幅情報に対応したデータを収集する動作とを含む方法。
【請求項２】
さらに、走査したアライメント・マーク全体で複素振幅情報のイメージを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
放射線が広いスペクトルの光源である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのカラー・フィルタを放射線に適用する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの空間フィルタを放射線に適用する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの偏光フィルタを放射線に適用する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
さらに、放射線を当てる間に少なくとも１回放射線を変化させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つのカラー・フィルタを放射線に適用する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの空間フィルタを放射線に適用する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの偏光フィルタを放射線に適用する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、データを使用して工作物を位置合わせすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、工作物を位置合わせした後に、工作物上のレジストにパターンを形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、工作物を位置合わせした後に工作物上のレジストにパターンを形成することと、レジストを選択的に除去することと、選択的に除去したレジストを通して工作物に構造を形成することとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
工作物を露光する方法で、
前記工作物上のアライメント・マークを走査する間に、干渉計を通して工作物の表面に放射線を当てる動作と、
工作物の表面から戻った放射線に対応した少なくとも複素振幅データを収集する動作と、
前記データを使用して前記工作物を位置合わせする動作と、
前記工作物上のレジスト層を露光する動作とを含む方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのカラー・フィルタを放射線に適用する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
放射線に複数の波長を使用する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つの空間フィルタを放射線に適用する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１つの偏光フィルタを放射線に適用する、請求項１４に記載の方法。
【国際調査報告】
2005512313.tif 000005
2005512313.tif 000006
2005512313.tif 000007
2005512313.tif 000008
2005512313.tif 000009