(57)【要約】基板に注入された少なくとも一種類の種の注入量を現場外で判定する方法。基板に注入された種を膨れさせる加熱工程と、基板の表面の画像を得る工程と、そして、画像を処理する工程とを備え、画像処理工程から注入量特性を推定することを特徴とする方法。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に注入された少なくとも一種類の種の注入量を現場外で判定する方法であって、
前記基板に注入された前記種を膨れさせる加熱工程と、
前記基板の表面の画像を得る工程と、そして、
前記画像を処理する工程とを備え、前記画像処理工程から注入量特性を推定することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記注入量特性は量的な特性であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記画像処理工程中に前記種の膨れの密度と大きさを分析することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記画像処理工程中に前記種の膨れの面積を計算することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記加熱工程と前記画像を得る工程の前に、注入量の関数として前記種の膨れ密度を調整することを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の方法。
【請求項６】
膨れ密度パラメータにより、注入量を推定することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
注入量値を用いて、注入機器の補償係数を求めることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記注入量特性は質的な特性であることを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記基板上の注入量の空間的な均一性を判定することにより注入量を判定することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板上の注入量の空間的な分布を得るために、前記基板の異なる部分で異なる膨れ測定を行うことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記加熱工程中の局部的な温度の影響を考慮して向きを変えて同じ条件で前記加熱工程を行った複数の基板に対して前記膨れ測定を行うことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板は半導体材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至１２いずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記材料はシリコン単結晶であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板材料の処理を判定することに関する。さらにこの発明は、基板に少なくとも一種類の種を注入する工程における注入量を判定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ここで、基板は、特に、シリコン等の半導体材料で形成されるものである。
【０００３】
さらに、用語“種”は基板に注入されるイオン又は原子のタイプを示すものである。以下に記載するように、この発明の好ましい形態では、種は、例えば、Ｈ＋イオン且つ又は水素原子Ｈである。
【０００４】
種（イオン又は原子）を基板材料に注入する方法の一例としては、基板を種の衝撃に晒す方法がある。
【０００５】
種の衝撃におけるエネルギの作用として、そして注入される種本来の作用として、種は基板全体に注入されるが、所定深さにおいて最大となる明確な分布を示す。これにより、基板所定深さに注入された種の最大濃度が決まる。
【０００６】
どの種でも、注入エネルギを制御することによりこの注入工程を変化させることができる。
【０００７】
そのような注入工程を含む方法の一例としてスマートカット（SMARTCUT、登録商標）法がある。この方法は仏特許２、６８１、４７２に一般的な用語として記載されている。
【０００８】
スマートカット法では、注入工程により、（シリコン単結晶等の半導体材料で形成された）基板の脆弱の程度が決まる。
【０００９】
この方法の次の工程は、注入された種の層に起因する脆弱部分を少なくとも部分的に破壊する分裂工程である。
【００１０】
従って、スマートカットのような方法では、注入工程により、注入特性（そして特に注入量）の作用として脆弱の程度が決まり、分裂工程が比較的簡単に行える。
【００１１】
さらに、注入により、分裂工程後のウエハ表面荒さがある程度決まる。
【００１２】
従って、スマートカット法に見られるように、基板材料に注入される種の注入量を判定できることが望ましい。
【００１３】
これは他の方法における種の注入においても必要なことである。
【００１４】
通常、注入における二つの重要なパラメータを判定することが望ましい。即ち、基板に注入される種の注入量、そして、基板表面上の各点での基板内注入均一性である。
【００１５】
この要求に少なくとも一部答える方法並びに装置が知られている。
【００１６】
第一のダイプの公知の方法は現場（in situ）測定を行うものであり、種の注入量を注入中にリアルタイムで測定する方法である。
【００１７】
米国特許４、７４３，７６７には、注入を表す電流を測定する手段が開示されている。
【００１８】
この特許の方法では、基板に注入する帯電微粒子のビームについて電流測定を行う。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
この方法の第一の欠点は、基板に注入されうる電気的に中性な種を測定できないことである。既に帯電（例えばＨ＋イオン）された種を注入するときであっても、少なくともこの種の一部が注入チャンバ内に残留する成分（例えば、酸素又は窒素の原子且つ又は分子）と衝突して電荷を消失してしまう。
【００２０】
そのような電気的に中性な種は基板に注入するのに十分なエネルギを保持するのであるが、上記の方法では、このような種を取り扱うことができない。
【００２１】
同様に、上記の方法では、何かの方法で電荷が帯電した種を通常のやり方で取り扱うことができない。
【００２２】
例えば、電荷で割った質量の比率がＨ＋イオンの２倍であるＨ２＋イオンは、実際の注入量は２倍であるにも関わらず、上記の方法では各Ｈ２＋イオンが単一イオンとカウントされてしまう。
【００２３】
さらに、そのような方法では、判定すべき注入均一性が得られない。
【００２４】
上記問題を一部解決する現場測定方法が有る。
【００２５】
例えば、米国特許４、７５１，３９３には、注入均一性に関する情報の少なくとも一部を提供する補間点測定が行える方法が開示されている。
【００２６】
さらに、米国特許５、９９８，７９８には、比較により、中性微粒子測定ができない問題を軽減する方法が開示されている。
【００２７】
しかし、これらの方法も、現場測定に関する上記問題の一つを解決するに過ぎない。
【００２８】
さらに、これらの方法は（単なる均一性補間であり、そして、注入中性微粒子を直接測定でするのではなく、事後的に測定するという）不完全なものである。
【００２９】
第二のダイプの公知の方法は現場外（ex situ）で注入特性を測定するものであり、注入が行われてから測定する方法である。
【００３０】
このダイプの第一の方法は、注入後に加熱処理するもので、注入種を基板構造内部に“固定する”するために加熱パラメータを制御する方法である。
【００３１】
加熱処理に続いて、種が注入された基板を電気的に判定して種の注入量を測定する。
【００３２】
この方法の大きな欠点は、水素（又は実際にはヘリウム）等の軽い種の注入量が測定できないことである。
【００３３】
スマートカット法による場合と同様に、この欠点は、水素等の軽いイオンの注入判定において問題となる。
【００３４】
現場外測定による第二の方法は、種が注入された基板の表面層を光学的に判定する方法である。
【００３５】
このような方法の例が米国特許５、８３４，３６４並びに米国特許４、８０７，９９４に開示されている。
【００３６】
しかし、このような方法は、燐、ボロン等の重いイオンの注入測定に用いられるもので、水素等の軽いイオンの注入測定に用いることはほとんど無理である。
【００３７】
さらに、この方法を採用するにはサーマプローブ（THERMAPROBE、登録商標）のような特殊な機器が必要となる。
【００３８】
米国特許４、８０７，９９４では、さらに、注入均一性測定に限界がある。この文献に開示されている方法は、比較的小注入量の判定に限られ、これに対し、スマートカット法による場合は、注入量は、通常、１平方ｃｍ当たりの原子数１０１６より大きい。
【００３９】
現場外測定による第三の方法は、種が注入された基板に対して高エネルギ微粒子の単一エネルギビームを照射し、反射したビームを分析して、基板表面層の注入プロファイルを調べる方法である。
【００４０】
このような方法が記載されている文献は、例えば、“Rutherford backscattering spectrometry（RBS）”（著者  Scott M. Baumann、発行  Charles Evens & Associates,810 Kifer Road, Sunnyvale, California, USAである。
【００４１】
このような方法の第一の欠点は、注入均一性を判定するのが困難であるということである。
【００４２】
これには、時間もコストもかかる大がかりな点測定を行う必要がある。
【００４３】
さらには、基板表面層の厚みを判定するのに限界がある。
【００４４】
そして、この方法の測定精度は５％以内にはならず実用性に欠ける。
【００４５】
現場外測定による第四の方法は、種が注入された基板表面をエネルギビームでエッチングしてエッチング深さを調べる方法である。
【００４６】
このような方法の一つは、二次イオン質量分析として知られる。
【００４７】
このような方法に第一の欠点は、注入均一性を判定するのが非常に困難であるということである。
【００４８】
さらに、この方法を採用するには多大なコストがかかる。
【００４９】
このように、ある程度、種の注入量又は注入均一性を判定する方法は各種あるが、早く且つ簡単に、同時に両者を判定でき、上述のような問題が無い方法が必要となる。
【００５０】
種が注入された基板構造に注入工程での各種パラメータが与える影響は既に分かっている。
【００５１】
これに関する文献は“Model for blistering of hydrogen implanted silicon and its application to silicon-on-quarts”、L. J. Huang et al.著、Electrochemical Society Proceedings, Processing of 8th International Symposium on Semiconductor silicon (Vol. 98-1, May 4-8, 1998, pp 1373-1384)がある。
【００５２】
しかし、この文献では、各種異なる注入パラメータの作用としての、注入後の基板に与える影響を観察するに留まっている。
【００５３】
どのような観点から見ても、この文献では、逆のこと、即ち、その基板に与える影響の観察結果により注入された量を判定することについては示唆してない。
【００５４】
尚、注入量判定については、この文献には、種が注入された基板を観察する比較的コストがかかる透過電子顕微鏡（TEM）により基板深さ方向の各部の像を観察する方法が記載されている。
【００５５】
他の文献には、種が注入された基板の特有な注入量の影響をある程度判定しているものがある。
【００５６】
例えば、Shiettekatte et al. 著の文献“Dose and implantation temperature influence extended detects nucleation in c-Si”、Nuclear instruments and methods in physics research, section B: beam interactions with material and atoms, North-Holland Publishing Company, Vol. 164-165, April 2000 (2000-04), pp 425-430である。
【００５７】
しかし、この文献でも、注入パラメータが各種異なる結果としての影響を観察するに留まっており、その観察結果を注入パラメータ自体の判定に利用することについては述べていない。
【００５８】
さらに、ＴＥＭを用いるこの方法は比較的コスト高で、種が注入された基板を観察するものであり、この文献には、基板の厚み方向に広がる欠陥が観察されるとの示唆がある。
【００５９】
最後に、この文献は、注入温度の影響を分析しており、注入量の影響について全く注目していない。
【００６０】
さらに、Da Silva et al.の文献“The effects of implantation temperature on He bubble formation in silicon”, Nuclear instrument and methods in physics research, section B: beam interactions with materials and atoms, North-Holland Publishing Company, Amsterdam NL, 175-177, April 2001 (2001-04), pp. 335-339がある。
【００６１】
この文献でも、注入量判定の観察結果を利用することについては述べられていない。
【００６２】
この文献では、種が注入された基板の深さ方向の構造を観察するのに高価なＴＥＭ又はＲＢＳを用いる。
【００６３】
さらに、この文献は、注入温度の影響についてのみ注目しており、注入量については考慮していない。
【００６４】
なお、この文献における基板の加熱処理は急速熱処理（RTA）であり、これに対し、以下に説明するこの発明では、加熱温度があまり高くならないようにするのが望ましいとしている。
【００６５】
即ち、種が注入された基板への注入工程での各種の特性が与える影響を観察した上記の文献では上記要求を満足できない。
【００６６】
この発明の目的は、上記要求を満足することである。
【課題を解決するための手段】
【００６７】
この目的を達成するために、この発明は、基板に注入された少なくとも一つの種の注入量を現場外で判定する方法を提供するもので、この方法は、基板に注入された種を膨れさせる加熱工程と、基板の画像を得る工程と、画像を処理する工程とを備え、処理された画像から注入量特性を推定するものである。
【００６８】
この発明の好ましく、且つ限定されない特徴は以下の通りである。
【００６９】
注入量特性は量的な特性である。
画像処理工程中に膨れた種の密度と大きさが分析される。
画像処理工程中に膨れの面積が計算される。
加熱工程及び画像を得る工程の前に、注入量の関数として膨れた種の密度が調整される。
膨れた種の密度パラメータから注入量が推定される。
注入量値を用いて注入種の補償係数が決められる。
注入量特性は質的な特性である。
基板上の注入量の空間的な均一性を判定することにより注入量が判定される。
基板の異なる部位において膨れた種に対する異なる測定により基板表面上の注入量の空間的な分布が得られる。
この測定では、同じ条件であるが異なる各々方向に配されて加熱処理がなされた複数の基板に対して行われて、加熱処理中の局部的な温度の影響が検討される。
注入種は水素又はヘリウムである。
基板は半導体材料で形成される。
この材料はシリコン単結晶である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７０】
この発明の方法は現場外での判定方法であり、既に基板に対して行われた注入工程を以下に示す各種パラメータに関して判定するものである。
【００７１】
さらに、以下に示すように、この発明は注入量を判定するものである。
【００７２】
この判定は量的且つ又は質的なものである。
【００７３】
用語“量的判定”は注入量値を判定することを意味するのに用いられる。
【００７４】
用語“質的判定”は基板への注入量の空間的均一性を判定することを意味するのに用いられる。この第二の判定は、基板への平均注入量より大きい又は小さい注入量が単位領域内へ与えられた基板の領域を特定することのみに用いられる。
【００７５】
用語“注入機器”は基板に種を注入する器機を意味するのに用いられる。これはどんな公知の注入機器でもよい。
【００７６】
上述のように、この発明の好ましい実施形態では、基板はシリコン単結晶等の半導体材料で形成され、注入種は水素が用いられる。
【００７７】
しかし、基板材料と注入種は異なるものでも良く、例えば、ヘリウムが注入されたシリコン基板であってもよい。
【００７８】
既に種が注入された基板に対し、この発明の判定方法は以下の主工程を備える。
【００７９】
基板に注入された種を膨れさせる加熱工程。
基板の画像を得る工程。
そして、画像を処理する工程。
【００８０】
加熱工程は、基板表面領域に水素の膨れが形成されるような温度と時間で行われる。
【００８１】
用語“膨れ（blister）”をここでは用いるが、用語“気泡（bubble）”を用いる著者もいる。
【００８２】
種が注入された基板への加熱処理の影響を図１に示す。ここでは、四枚の連続した図により種が注入された基板（１Ａ）の表面が如何に変化するかを示しており、加熱処理中に基板表面に膨れが生じ（加熱処理中に膨れ１Ｂ、１Ｃが続いて生じ）、その後、膨れ現象が終了している（１Ｄ）。
【００８３】
加熱処理を４４０度の温度で行った結果、図１に示す影響が現れた。
【００８４】
しかし、この温度には限定されない。この温度はこの発明の好ましい態様において適切な温度であることに過ぎない。
【００８５】
この加熱温度は以下の事項を同時に満足する必要がある。
【００８６】
主に温度と加熱時間に依存するある加熱量を必要とする膨れが活発に生じるのに十分高い温度であること。
【００８７】
加熱量が大きくなりすぎる上限値を超えない温度であること。上限値を超えると形成された膨れが破裂して良い判定が行えないからである。
【００８８】
加熱の温度と時間のパラメータを制御することにより注入された水素を大き過ぎることなく、又、小さ過ぎることもなく（破裂すること無しに）膨れさせることができる。
【００８９】
図２に、ある所定温度で加熱処理した場合の、加熱時間（横軸）の関数として、如何に、基板の単位面積当たりの膨れ密度（縦軸）を表すパラメータが変化するかを示す。
【００９０】
この図は、図１にその影響を示した加熱処理を行った場合の変化を示すものである。
【００９１】
加熱処理後の基板表面の画像を電荷結合素子（CCD）等の手段で得、この画像を処理することにより密度パラメータが得られる。このパラメータは、通常、顕微鏡の視野内の膨れ領域に対応する画素数と関係がある。
【００９２】
密度パラメータは、特に、以下の要素と関係がある。
【００９３】
顕微鏡画像の処理に用いる判定閾値。
画像の大きさと形状。
加熱時間と加熱温度。
そして、実際に基板に注入された水素の注入量。
【００９４】
注入量以外のそれらの制御可能なパラメータのための動作値を決め、結果としての密度値により注入量を判定する。
【００９５】
実際に注入された注入量を計算するにあたり、まず、膨れ密度パラメータと実際の注入量を関係づけるために、基準状態で基準注入機器を用いて調整する。
【００９６】
この調整は、既知の注入量で既に注入された基板をこの発明の加熱処理で加熱し、そして、膨れ領域を判定する。
【００９７】
以下に図４を参照して詳細に説明するように、注入均一性を判定するために、膨れ密度の空間的分布を分析することもできる。
【００９８】
それら制御可能なパラメータの内、重要なパラメータは加熱時間である。
【００９９】
図２より以下のことが分かる。
【０１００】
加熱時間が短いと（図では５分未満）、膨れ現象は起きない。
【０１０１】
時間経過と共に、これを過ぎると膨れ現象が起きる中間時間帯がある（図では５分乃至１５分）。
【０１０２】
ある加熱時間を過ぎると（図では約１５分乃至２０分）、膨れ現象が頂点に達し、これ以上進展しない。
【０１０３】
この発明では、膨れが良く成長し、頂点（図２では約１５分）に達する直前まで成長するような（無論、加熱温度の関数として）加熱時間を選択するのが好ましい。
【０１０４】
第一に、短すぎる加熱時間は避ける。
【０１０５】
有効な測定ができるように膨れを良く成長させることが重要で、これには、図２に見られるように、最小時間がある。
【０１０６】
加熱時間が短すぎると加熱炉内で基板が局部的に温度の影響を受けるが（高温/低温点…）、これは加熱時間を長くすることにより解消できる。
【０１０７】
しかしながら、第二に、膨れ現象が頂点に達する時間を越えて長時間加熱するのは望ましくない。
【０１０８】
これは、必要以上に長時間加熱すると、基板表面に形成された膨れが破裂することがあるからである。さらに、膨れが破裂すると、破裂した膨れと、破裂していない膨れと、そして、基板基部とが視覚的に区別されて、注入状態を判定するのが困難になる。
【０１０９】
従って、適切な加熱時間とは、膨れが良く成長するのに十分長く、しかし、膨れが破裂しない時間となる。
【０１１０】
この発明のある態様では、各種注入機器に必要な補償係数を決めるために、加熱された基板の画像を処理して水素注入量を測定する。
【０１１１】
産業規模で注入を行うには、異なる複数の注入機器（すべて同じ設計でも）により複数の基板に対し同時に注入処理を行う必要がある。
【０１１２】
これら注入機器の各々に与えられた唯一の基準値を基にこれら注入機器を制御できることが望ましい。
【０１１３】
しかしながら、二つの異なる注入機器に同じ基準値を与えても（即ち、同じ量注入するよう指示しても）、異なる量注入してしまうことがある。これは、同じように設計されてもそうである。
【０１１４】
この差は、通常、約５％である。
【０１１５】
従って、基準注入機器を選び、他の注入機器には個々にある補償係数を与え、そして、他のこれら注入機器に基準値を与えて、この共通基準値に補償係数を乗じて、各注入機器が同じ量注入できるようにする必要がある。
【０１１６】
この補償係数は、従って、ほぼ同じ値であり、通常、０．９程度の小さな値とする。
【０１１７】
この補償係数を決定する工程を平衡をとると呼称する。
【０１１８】
図３に二つの異なる注入機器により実際に注入が行われた際の注入量を示す。注入量は、同じ加熱処理を行って、この発明に従って測定した。
【０１１９】
詳細には、各注入機器において、平衡前の注入量（図３の左側の測定値）と平衡後の注入量（図３の右側の測定値）とを測定した。
【０１２０】
縦軸が密度パラメータで注入量を示す。
【０１２１】
図に見られるように、平衡前では、二つの注入機器による注入処理において、密度パラメータが大きく異なっている。パラメータは、注入機器Ｎｏ．１では２０，０００で、注入機器Ｎｏ．２では２４，０００である。
【０１２２】
この密度パラメータの大きな差は、これら二つの注入機器による実際の注入量の差１％に相当する。
【０１２３】
密度パラメータは注入量の変化に非常に敏感であり、小さな変化も検出することができる。
【０１２４】
図３の例では、１％の差が簡単に検出できた。
【０１２５】
これにより、注入機器Ｎｏ．２を基準注入機器として、注入機器Ｎｏ．１の補償係数を決めることができる。
【０１２６】
図３の右側の測定値は、補償係数を付与した後（即ち、注入機器Ｎｏ．１に与えられた基準値に上記の補償係数を乗じた後）の値で、両注入機器で、実際、同量注入されている。
【０１２７】
この発明の方法では、約１％又はさらに良い精度で注入量を判定することができ、公知の方法からと比べて大きな改善がなされている。
【０１２８】
従って、この発明の方法により、高い精度で注入量を判定することができる。
【０１２９】
この発明の方法の他の特徴は実施が簡単であるということである。
【０１３０】
特に、標準のＣＣＤのようなセンサで基板表面の画像を観察することにより注入状態を観察できる。
【０１３１】
これは公知の方法とのさらなる違いで、公知の方法では、注入基板の観察に、通常、高価で複雑な手段を用いなばならない（通常、基板の厚みで観察を行う）。
【０１３２】
図４に示すのは、測定された密度パラメータを用いて、基板表面上の注入量の均一性特性を判定するさらなる方法である。
【０１３３】
ここでも、上述した処理を行う。
【０１３４】
図４に示すのは、実際に注入された注入量を上述したこの発明の方法で基板全体に渡って測定したものである。図では、１２時から２時に渡る範囲で注入が行われた。
【０１３５】
この測定値は、加熱中に基板に局部的に吸収された熱量の関数となり、これは、加熱炉内の温度均一性に依存する。
【０１３６】
加熱炉内の温度均一性が失われることもあり得るので、これを補償するために加熱中に基板を回転させてもよい。
【０１３７】
さらには、同じ条件で同じ注入機器（又は、上述のように、互いに適切に補償された複数の注入機器）で注入された複数の同質の基板に加熱処理を行ってもよい。
【０１３８】
このような条件で複数の同質の基板に加熱処理を行う場合は、局部的に温度の影響が与えられないように加熱炉内で各基板の向きを変える。
【０１３９】
例えば、図４に示すオルソラディアル（ortho-radial）効果を避けるために、加熱炉内で０度乃至３６０度の範囲で均等な角度で異なる方向に基板の向きを変える必要がある。
【０１４０】
加熱炉内で異なる方向に向きを変えた複数の同質の基板での測定値の平均を取る。
【０１４１】
通常、局部的な変化を示す注入量の空間的分布を個々の基板に対して測定するには、局部的に温度の影響が与えられないように加熱炉内で各基板の向きを適切に変えて加熱した上で上記局部的変化が起きたものなのかを見極めることが重要で、その後で、複数の基板間で測定値の平均を取る。
【０１４２】
加熱炉内での局部的変化を避けるために上述のような方法を取ると、基板上の全体的な注入量が分かり、そして、注入均一性特性を判定することができる。
【０１４３】
この発明は、以上のように、簡単に且つ低コストで（加熱、画像捕捉、そして画像処理を２時間以内で行う）注入特性が得られる方法を提供する。
【０１４４】
この発明は、特別な装置を必要とせず、また、いかなる種類の基板に対しても、注入後に、特別な処置を行わずに、この発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】既に種が注入された一枚の基板の表面を示し、且つ、この発明の加熱処理の四段階に相当し、時間的な基板表面変化を示す四枚の連続した図である。
【図２】加熱処理により膨れた種の密度の、加熱時間関数としての変化を示すグラフである。
【図３】この発明の注入量測定に基づいて決定された注入補償係数によるこの発明の効果を示すグラフである。
【図４】ウエハ表面上の異なる方向での膨れ密度の空間的分布の測定結果を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005505135.tif 000031
2005505135.tif 000032
【国際調査報告】
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