(57)【要約】  本発明は、自動封止特性を有するコンデンサにおける絶縁体として使用するためのフィルム、および前記フィルムを製造するための方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムがアモルファスポリカーボネートからなることを特徴とする自動封止特性を有するコンデンサにおける絶縁体としてのフィルム。
【請求項２】
少なくとも１０，０００の平均Ｍｗを有する高分子熱可塑性芳香族ポリカーボネートをポリカーボネートとして使用することを特徴とする請求項１によるフィルム。
【請求項３】
少なくとも１６０℃のガラス転移温度を有するポリカーボネートをポリカーボネートとして使用することを特徴とする請求項１または２によるフィルム。
【請求項４】
ビスフェノールＴＭＣをポリカーボネートとして使用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つによるフィルム。
【請求項５】
フィルムは１０−７〜１０−４ｍの厚さを示すことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つによるフィルム。
【請求項６】
フィルムは５・１０−７ｍ〜２・１０−５ｍの厚さを示すことを特徴とする請求項５によるフィルム。
【請求項７】
フィルムは１．２・１０−６ｍ〜８・１０−６ｍの厚さを示すことを特徴とする請求項６によるフィルム。
【請求項８】
プラスチックを溶媒で溶解することによって、プラスチックをキャスティングドラム上にキャスティングすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つによるフィルムを製造する方法。
【請求項９】
キャスティング後フィルムを引き伸ばすことを特徴とする請求項８による方法。
【請求項１０】
プラスチックを溶媒で溶解することによって、プラスチックを輪転式グラビア印刷法において基材に塗布することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つによるフィルムを製造する方法。
【請求項１１】
アモルファスポリカーボネートをプラスチックとして使用することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１つによる方法。
【請求項１２】
少なくとも１０，０００の平均Ｍｗを有する高分子熱可塑性芳香族ポリカーボネートをポリカーボネートとして使用することを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１つによる方法。
【請求項１３】
塩化メチレンまたはブタノンを溶媒として用いることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１つによる方法。
【請求項１４】
ＰＥＴフィルムまたは紙を基材として用いることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１つによる方法。
【請求項１５】
さらなる処理を行う前にフィルムを基材から剥離することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１つによる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動封止特性を有するコンデンサにおける絶縁体としてのフィルム、およびこのようなフィルムを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フィルム、特にプラスチックフィルムの電気的コンデンサにおける絶縁体としての使用は公知である。このようなコンデンサは２つのタイプの構造に分類される。
【０００３】
フィルム／フォイル技術は第１の構造タイプと見なすことができる。このタイプのコンデンサはプラスチックフィルムを絶縁体として、金属フォイルを電極として含んでいる。
【０００４】
金属化プラスチックフィルムコンデンサは第２の構造タイプと言われるものである。これらは絶縁体として作用するプラスチックフィルムを含み、その上に金属の導電層を電極として蒸着する。好ましくは、１０−７ｍ（０．１μｍ）以下のコーティング厚さのアルミニウムを金属として用いる。
【０００５】
これら２つのタイプのコンデンサ構造の最も重要な分類上の特徴は、絶縁破壊に関するコンデンサの作用である。これは、原理的に絶縁している絶縁体が電荷によって穴が開くことによって、短絡につながりうるという現象を言う。絶縁体における不可避の弱い点が穴開きの発生の理由と言われる。第１の構造タイプでは、この短絡はコンデンサの欠陥につながる。
【０００６】
第２の構造タイプは、「自動封止」と言われている。絶縁体に絶縁破壊が生じた場合には、穴が開き部位付近の蒸着金属コーティングは、高いアーク中温度の結果、蒸発する。短絡の原因は効果的に焼落される。絶縁破壊が生じた場合には、絶縁体は高圧縮プラズマを形成し、これは絶縁体の層を押す。絶縁ハローが穴開きの周囲に形成される。コンデンサは操作可能性を維持する。
【０００７】
自己封止コンデンサはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）およびポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）フィルムから製造される。例示したすべてのフィルムは、部分的に結晶化したプラスチックである。
【０００８】
部分的に結晶化したプラスチックの不都合は、生産コストの高いことである。コンデンサにおける絶縁体として使用するためのフィルムを製造するのに用いることができる部分的に結晶化したプラスチック（自己封止特性を有する）は、自己封止が認められるためには、≧１０％の結晶化度を示さねばならない。
【０００９】
アモルファスプラスチックからのフィルムの製造がより好ましい。しかし、自己封止特性はこれまで、アモルファスプラスチックから形成されたフィルムを絶縁体として有するコンデンサでは認められなかった。
【００１０】
一方で、コンデンサはプリント回路基板上に取り付けられることも特徴である。ここでは、プッシュ−スルー（ｐｕｓｈ−ｔｈｒｏｕｇｈ）取り付け用コンデンサとＳＭＤ（表面取り付け素子）用コンデンサとの間の用途で分類がなされる。プッシュ−スルー取り付け用コンデンサには導線が固定される。コンデンサはプリント回路基板の表面上に配置される。導線はプリント回路基板を通って印刷導体側に伸び、ここで印刷導体にはんだ付けされる。
【００１１】
対照的に、ＳＭＤ部品は基板の印刷導体に直接取り付けられはんだ付けされる。したがって、これらは数秒間はんだ付けの熱に曝され、絶縁体フィルムの熱耐性について特に要求がある。
【００１２】
好適な溶媒を用いて調製されたポリカーボネート溶液を平坦な基材上にキャスティングし、次に溶媒を蒸発させ、基材から得られたフィルムを取り外すことによるポリカーボネートフィルムの製造は、欧州特許出願第ＥＰ−Ｂ１  ０  ３５９  ９５３号公報により公知である。このようにして製造されたフィルムを次に、一軸方向にまたは二軸方向に引き伸ばすことができる。導電体用の電気絶縁材料としてのポリカーボネートの使用はこの特許明細書から同様に公知である。
【００１３】
別の公知の先行技術では、マクロホール（Ｍａｋｒｏｆｏｌ）ＫＧを、コンデンサにおける絶縁体として使用するためのプラスチックフィルムとして用いている。これは、ビスフェノールＡホモポリカーボネートからなる高分子ポリカーボネートから形成され、２・１０−６ｍ〜６・１０−５ｍ（２〜６０μｍ）の厚さを有する部分的に結晶化した長手方向に引き伸ばされたキャストフィルムである。マクロホールＫＧから形成された絶縁体を備える金属化フィルムコンデンサは、１．２・１０−５ｍ（１２μｍ）以下のコーティング厚さを維持すれば、自己封止特性を示す。
【００１４】
マクロホールＫＧのようなプラスチックから形成された絶縁体は改良の必要がある。マクロホールＫＧからのフィルム製造は複雑である。なぜなら、溶解後に複雑なろ過工程を行わねばならないからである。さらに、温度は長時間のストレスのために制限し、熱耐性にも問題がある。連続的使用では、マクロホールＫＧから形成された金属化プラスチックフィルムを備えたコンデンサは、１２０℃以下の温度範囲で取り扱われる。これは、例えば、熱機関区画でのその使用を制限する。１４０℃の熱耐性限界はＳＭＤコンデンサの高温はんだ付けでは問題となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
したがって、発明の目的は、自己封止特性を有するコンデンサにおいて使用するための絶縁体としてのフィルムを提供することであり、このコンデンサは高温の範囲で使用することができ、ＳＭＤ法によって組み立てることができる。フィルムは製造に適した経済性があるべきである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
フィルムに関する目的は、発明により達成され、本発明では、フィルムはアモルファスポリカーボネートからなる。発明によれば、驚くべきことには、コンデンサにおける絶縁体として部分的に結晶化したプラスチックの代わりに、アモルファスポリカーボネートから形成されたフィルムを使用することができ、それにもかかわらず、自己封止特性を示す。また、ポリカーボネートはより高い熱耐性をも有する。
【００１７】
発明の有効な実施態様は、少なくとも１０，０００の平均分子量Ｍｗを有する高分子熱可塑性芳香族ポリカーボネートを使用することを提供する。さらに、少なくとも１６０℃のガラス転移温度を有するポリカーボネートを使用することが有効であることがわかった。発明のさらなる教示は、ポリカーボネート用出発製品として式（Ｉａ）を有するジヒドロキシジフェニルシクロアルカンの使用を提供し、
【化１】
2005515627.tif 000002
ここで、Ｒ１、Ｒ２は互いに独立して水素、ハロゲン、好ましくは塩素または臭素、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ５−Ｃ６シクロアルキル、Ｃ６−Ｃ１０アリール、好ましくはフェニル、およびＣ７−Ｃ１２アラルキル、好ましくはフェニルＣ１−Ｃ４アルキル、特にベンジルを示し、
ｍは４〜７、好ましくは４または５の全数を示し、
Ｒ３およびＲ４はＸごとに独立して選択することができ、互いに独立して水素またはＣ１−Ｃ６アルキルを示し、かつ、
Ｘは炭素を示し、但し、少なくとも１つのＸ原子上で、Ｒ３およびＲ４は両方ともアルキルを示す。
【００１８】
Ｒ３およびＲ４は好ましくは１〜２のＸ原子上で、特に１のみのＸ原子上で両方ともアルキルである。
【００１９】
好ましいアルキル基はメチルであり、；好ましくはジフェニル置換されたＣ原子（Ｃ−１）に対してα−位置の原子はジアルキル置換されず、したがって、Ｃ−１に対してβ位置でのアルキル二置換が好ましい。
【００２０】
脂環族基において５および６個の環炭素原子を有するジヒドロキシジフェニルシクロアルカン（式（Ｉａ）においてｍ＝４または５）、例えば、式（Ｉｂ）〜（Ｉｄ）を有するジフェノールが好ましく、
【化２】
2005515627.tif 000003
よって、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（式（Ｉｂ）、Ｒ１およびＲ２が両方ともＨ）が特に好ましい。ポリカーボネートを、欧州特許出願第３５９  ９５３  Ａ１号公報に従って、式（Ｉａ）を有するジフェノールから製造することができる。
【００２１】
ホモポリカーボネートを形成する式（Ｉａ）を有する１つのジフェノールと、コポリカーボネートを形成する式（Ｉａ）を有する１以上のジフェノールの両方を使用することができる。
【００２２】
さらに、式（Ｉａ）を有するジフェノールを、別のジフェノール、例えば、式（Ｉｅ）を有するものと組み合わせて使用し、
ＨＯ−Ｚ−ＯＨ      （Ｉｅ）
高分子熱可塑性芳香族ポリカーボネートを製造することもできる。
【００２３】
式（Ｉｅ）を有する好適な他のジフェノールは、Ｚが６〜３０個のＣ原子を有する芳香族基であり、１以上の芳香族核を含みうり、置換されうり、式（Ｉａ）を有するもの以外の脂肪族基または脂環族基または複素原子を結合リンクとして含みうるものである。
【００２４】
式（Ｉｅ）を有するジフェノールの例は：ヒドロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシビフェニール、ビ（ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホキシド、α，α’−ビス（ヒドロキシフェニル）ジイソプロピルベンゼンおよびその環状−アルキル化および環状ハロゲン化化合物である。
【００２５】
これらおよび他の好適なジフェノールは例えば、米国特許出願第３  ０２８  ３６５号公報、２  ９９９  ８３５号公報、３  １４８  １７２号公報、３  ２７５  ６０１号公報、２  ９９１  ２７３号公報、３  ２７１  ３６７号公報、３  ０６２  ７８１号公報、２  ９７０  １３１号公報および２  ９９９  ８４６号公報、ドイツ特許出願第１  ５７０  ７０３号公報、２  ０６３  ０５０号公報、２  ０６３  ０５２号公報、２  ２１１  ９５６号公報、フランス特許出願第１  ５６１  ５１８号公報および論文「Ｈ．シュネル（Ｓｃｈｎｅｌｌ）、ポリカーボネートの化学と物理、インターサイエンス・パブリッシャーズ（Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ）、ニューヨーク  １９６４年」に記載されている。
【００２６】
好ましい他のジフェノールは例えば：４，４’−ジヒドロキシビフェニール、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、α，α−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２，２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，４−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，１−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、α，α−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２，２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパンおよび２，２−ビス−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパンである。
【００２７】
式（Ｉｅ）を有する特に好ましいジフェノールは例えば：２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンである。
【００２８】
２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンは特に好ましい。他のジフェノールを個別に用いることも組み合わせ用いることもできる。
【００２９】
任意に導入することができる式（Ｉｅ）を有する他のジフェノールに対する式（Ｉａ）を有するジフェノールのモル比は、１００ｍｏｌ％（Ｉａ）：０ｍｏｌ％（Ｉｅ）〜２ｍｏｌ％（Ｉａ）：９８ｍｏｌ％（Ｉｅ）、好ましくは１００ｍｏｌ％（Ｉａ）：０ｍｏｌ％（Ｉｅ）〜１０ｍｏｌ％（Ｉａ）：９０ｍｏｌ％（Ｉｅ）、特に１００ｍｏｌ％（Ｉａ）：０ｍｏｌ％（Ｉｅ）〜３０ｍｏｌ％（Ｉａ）：７０ｍｏｌ％（Ｉｅ）および最も特に１００ｍｏｌ％（Ｉａ）：０ｍｏｌ％（Ｉｅ）〜５０ｍｏｌ％（Ｉａ）：５０ｍｏｌ％（Ｉｅ）であるべきである。
【００３０】
任意に他のジフェノールを組み合わせた、式（Ｉａ）を有するジフェノールから製造される高分子ポリカーボネートは、公知のポリカーボネート製造方法によって製造することができる。種々のジフェノールはランダムにもブロックでも互いに結合することができる。
【００３１】
発明によるポリカーボネートを公知の手段によって分岐することができる。分岐が要求される場合には、公知の方法によって、少量の、好ましくは（使用されるジフェノールに関して）０．０５〜２．０ｍｏｌ％の量の３以上の官能性の化合物、特に３以上のフェノール性ヒドロキシル基を有するものの縮合により導入することによって達成することができる。３以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する分岐剤の例には：フロログルシノール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）ヘプテン−２、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，３，５−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、トリ−（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２−ビス−[４，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル]プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェノール、２，６−イソ−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、ヘキサ−［４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェニル］オルトテレフタル酸エステル、テトラ−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、テトラ［４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェノキシ］メタンおよび１，４−ビス−［４’，４”−ジヒドロキシトリフェニル］メチル］ベンゼンがある。
【００３２】
いくつかの他の３官能性化合物は、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、塩化シアヌル酸および３，３−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドールである。
【００３３】
常套の濃縮の単官能性化合物は、ポリカーボネートの分子量の公知の調節用鎖停止剤として作用する。好適な化合物は、例えば、フェノール、ｔｅｒｔ．−ブチルフェノールまたは他のアルキル置換フェノールである。少量の式（Ｉｆ）を有するフェノールは分子量調節用に特に好適であり、
【化３】
2005515627.tif 000004
ここで、Ｒは分岐Ｃ８および／またはＣ９アルキル基を表す。
【００３４】
アルキル基Ｒ中のＣＨ３プロトンの含有量は好ましくは４７〜８９％であり、ＣＨおよびＣＨ２プロトンの含有量は５３〜１１％であり；Ｒは同様に好ましくは、ＯＨ基に対してオルトおよび／またはパラ位置にあり、オルト成分の上限は特に好ましくは２０％である。鎖停止剤は一般に使用されるジフェノールに関して、０．５〜１０、好ましくは１．５〜８ｍｏｌ％の量で使用される。
【００３５】
ポリカーボネートは好ましくは、界面重縮合法を用いた公知の方法（Ｈ．シュネル「ポリカーボネートの化学と物理」、ポリマー・レビュー、第ＩＸ巻、３３頁ｆｆ、インターサイエンス・Ｐｕｂｌ．１９６４年参照）で製造することができる。
【００３６】
この方法では、式（Ｉａ）を有するジフェノールをアルカリ水相に溶解する。他のジフェノールとのコポリカーボネートを製造するためには、式（Ｉａ）を有するジフェノールと他のジフェノール、例えば式（Ｉｅ）を有するものとの混合物を用いる。例えば式（Ｉｆ）を有する鎖停止剤を分子量を調節するために添加することができる。次に、これらをホスゲンと、不活性な、好ましくはポリカーボネート−溶解有機相の存在中で、界面重縮合法によって反応させる。反応温度は０℃〜４０℃である。
【００３７】
任意に導入される（好ましくは０．０５〜２．０ｍｏｌ％）分岐剤は、アルカリ水相中にジフェノールといっしょに入れることも、有機溶媒中にホスゲンの前に添加して溶解することもできる。式（Ｉａ）を有するジフェノールおよび任意の他のジフェノール（Ｉｅ）に加えて、モノ−および／またはビスクロロ蟻酸エステルを導入することもでき、よってこれらを添加し溶媒中に溶解する。鎖停止剤および分岐剤の量は、式（Ｉａ）および任意の式（Ｉｅ）によるジフェノレート基のモル量に依存し；クロロ蟻酸エステルを導入する場合には、ホスゲンの量は、対応して公知の手段で減らすことができる。
【００３８】
鎖停止剤および任意の分岐剤およびクロロ蟻酸エステル用の好適な有機溶媒は、例えば、塩化メチレン、クロロベンゼン、特に塩化メチレンとクロロベンゼンの混合物である。使用される鎖停止剤および分岐剤は任意に、同じ溶媒中に溶解することができる。
【００３９】
例えば、塩化メチレン、クロロベンゼンおよび塩化メチレンとクロロベンゼンの混合物は、界面重縮合法用の有機相として作用する。
【００４０】
例えば、ＮａＯＨ溶液はアルカリ水相として作用する。界面重縮合法によるポリカーボネートの製造は、触媒、例えば、４級アミン、特に４級脂肪族アミン、例えば、トリブチルアミンまたはトリエチルアミンを用いた常套の手段によって触媒することができ；触媒を、使用されるジフェノールのモルに関して０．０５〜１０ｍｏｌ％の量で使用することができる。触媒は、ホスゲン化を開始する前に、またはホスゲン化中またはホスゲン化の後でも添加することができる。
【００４１】
ポリカーボネートは、均一相中での公知の方法、いわゆる「ピリジン法」によって、および例えば、ホスゲンの代わりにジフェニルカーボネートを用いた公知の溶融エステル交換法によって製造することができる。
【００４２】
好ましくは、ポリカーボネートは少なくとも１０，０００、特に好ましくは２０，０００〜３００，０００、および特に２０，０００〜８０，０００の分子量Ｍｗ（重量平均、予めキャリブレーションした後ゲルクロマトグラフィーによって決定される）を有する。これらは線形でも分岐でもありうり、式（Ｉａ）を有するジフェノールに基づいてホモポリカーボネートまたはコポリカーボネートである。
【００４３】
式（Ｉａ）を有するジフェノールの導入によって、高い熱耐性を有する新規のポリカーボネートが製造され、これは他にも良好な一般的特性を示す。このことは特に式（Ｉａ）を有するジフェノール（ここで、ｍは４または５である）に基づくポリカーボネート、最も特にジフェノール（Ｉｂ）（ここで、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して式（Ｉａ）に対して示した意味を有し、特に好ましくは水素である）に基づくポリカーボネートに特に当てはまる。
【００４４】
したがって、特に好ましいポリカーボネートは、その構造ユニット中に式（Ｉ）（ｍ＝４または５）を有するもの、最も特に式（Ｉｇ）を有するユニットからなるものであり、
【化４】
2005515627.tif 000005
ここで、Ｒ１およびＲ２は式（Ｉ）に対して示した意味を有するが、特に好ましくは水素である。
【００４５】
式（Ｉｂ）を有するジフェノール（ここで、Ｒ１およびＲ２は特に水素である）に基づくこれらのポリカーボネートは、高い熱耐性に加えて、良好なＵＶ安定性と良好な溶融状態における流れ特性をも示し、これは予想外であった。
【００４６】
ポリカーボネートの特性はさらに、いずれかの方法で他のジフェノールと、特に式（Ｉｅ）を有するジフェノールと組み合わせることによって好ましく変更させることができる。このようなコポリカーボネートでは、式（Ｉａ）を有するジフェノールを、１００ｍｏｌ％のジフェノールユニット全量に関して、１００ｍｏｌ％〜２ｍｏｌ％の量で、好ましくは１００ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％の量で、特に１００ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の量で、最も特に１００ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％の量で、ポリカーボネート中に含まれる。
【００４７】
このようなポリカーボネートは、その自己封止特性を保持する一方で、特に高い熱耐性を示すことが見出された。
【００４８】
発明のさらなる教示によれば、絶縁体の厚さは、好ましくは１０−７〜１０−４ｍ（０．１〜１００μｍ）にすべきである。発明の実施態様は、５・１０−７ｍ〜２・１０−５ｍ（０．５〜２０μｍ）の範囲を提供し、発明のさらなる実施態様は、１．２・１０−６ｍ〜８・１０−６ｍ（１．２〜８μｍ）の範囲を提供する。
【００４９】
前述のようにフィルムを製造する方法に関して、目的は、発明によれば、溶媒で溶解したプラスチックをキャスティングドラム上にキャスティングするという第１の選択肢によって、達成される。この方法で製造されたフィルムを、必要であれば、キャスティング後に引き伸ばすことができる。前述のようにフィルムを製造する方法に関して、発明によれば、溶液の第２の選択肢は、溶媒で溶解したプラスチックを、輪転式グラビア印刷法において基材に塗布することを提供する。
【００５０】
両方の方法の選択肢に対して、アモルファスポリカーボネートをプラスチックとして使用することができる。両方の方法の選択肢の好ましい実施態様は、少なくとも１０，０００〜好ましくは６０，０００、特に好ましくは２５，０００〜４０，０００の平均分子量Ｍｗを有する高分子熱可塑性芳香族ポリカーボネートを使用することを提供する。より低粘度であるために、その後の製造工程をより経済的に行うことができる。さらに、両方の場合において、塩化メチレンまたはブタノンを溶媒として使用することができる。
【００５１】
発明の第２の方法の選択肢のさらなる実施態様によれば、ＰＥＴフィルムまたは紙を基材として用いることができる。また、さらなる処理を施す前にフィルムを基材から剥離することができる。
【実施例】
【００５２】
発明を、１のみの好ましい実施態様例を表す実施例を参照して、以下により詳細に説明する。４５ｍｏｌ％のＢＰＡと、式（Ｉｂ）（Ｒ１およびＲ２はともに水素である）を有する５５ｍｏｌ％のジヒドロキシジフェニルシクロアルカン（ビスフェノールＴＭＣ）からなるコポリカーボネート（アペック（Ａｐｅｃ）ＫＵ  １−９２０３、ベイヤ−（Ｂａｙｅｒ）ＡＧから）を塩化メチレンに溶解することによって、約１０％の溶液を製造する。場合によってはブタノンを、溶解のために使用することができる。次に、７・１０−６ｍ（７μｍ）の厚さのフィルムをキャスティングドラムにキャスティングすることによって製造する。このフィルムを引き伸ばし装置において、長手方向に引き伸ばすことによって引き伸ばし、厚さ５・１０−６ｍ（５μｍ）のフィルムを製造する。
【００５３】
コンデンサは、フィルムを形成しフィルムを導電性コーティングで鍍金することによって製造される。
【００５４】
次にこのようにして製造されたコンデンサに絶縁性試験を施して、その自己封止特性を立証する。この試験での電圧は、絶縁破壊が電気的弱い点で生じるように選択される。次にコンデンサの電気抵抗を測定し、コンデンサの容量の成果をμＦで、電気抵抗をＭΩで計算する。このようにして計算された値が５０００ｓ以上の場合には、コンデンサは自己封止性があると見なす。
【００５５】
当業者にとって驚きであり予想外であることには、アモルファスビスフェノールＡホモポリカーボネートから形成されたフィルムを備えたコンデンサは前述の条件を満たさないのであるが、アモルファスコポリカーボネートＡＰＥＣから形成されたフィルムを絶縁体として有するよう製造されたコンデンサは、前述の条件を満たしている。
【００５６】
ＡＰＥＣを用いてプラスチックフィルムを製造する有効性は、フィルムをより容易に製造でき、マクロホールＫＧと違ってＡＰＥＣはより容易に溶解し、その溶液が無制限のポットライフを示すことであり、このことは、溶液を長期間保存することができることを意味する。マクロホールＫＧの溶液ポットライフは２、３日に制限される。さらにＡＰＥＣは、より均一な領域が形成されるので、優れたキャスティング特性を有する。ＡＰＥＣはビスフェノールＡホモポリカーボネートより高い熱耐性を示す。
【国際調査報告】
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2005515627.tif 000009
2005515627.tif 000010
2005515627.tif 000011