(57)【要約】【課題】相互に接触することができる複数の接点面を備えた１つのスイッチ。【解決手段】複数の接点面の１つ以上の面を、ダイヤモンドのような１つの弾力のある材料で被覆することができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの基板構造と、
前記基板構造上に形成され、保護被膜処理された１つの接点領域と、
前記基板構造上に形成された１つの駆動部と、
前記基板構造上に形成された１つのアーム構造と、
前記アーム構造上に形成され、かつ前記接点領域に対向する１つのディンプル領域と、を備える、１つの装置。
【請求項２】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記被膜がロジウムを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記基板構造が１つのシリコン構造を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記被膜処理された接点領域が、１つの導電金属を備え、さらに前記導電金属と前記被膜層との間に設けられた１つの接着層を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記アーム構造が１つの導電金属を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ディンプル領域が１つの導電金属を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記駆動部が１つの導電金属を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
１つの基板構造の上に１つの導電接点領域を形成する段階と、
前記基板構造の上に１つの駆動領域を形成する段階と、
前記接点領域の上に１つの保護被膜を形成する段階と、
前記基板構造の上に１つのアーム構造を形成する段階と、
前記アーム構造上に、被膜処理された前記接点領域に対向して、１つのディンプル領域を形成する段階と、
を備える、１つの方法。
【請求項１２】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記被膜がロジウムを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記被膜が１つのダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記被膜と前記接点領域との間に１つの接着層を形成する段階を更に備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
１つの基板構造と、
前記基板構造上に形成された１つの接点領域と、
前記基板構造上に形成された１つの駆動部と、
前記基板構造上に形成された１つのアーム構造と、
前記アーム構造上に形成され、かつ前記接点領域に対向する被膜処理された１つのディンプル領域と、
を備える、１つの装置。
【請求項１８】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１９】
前記被膜がロジウムを備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項２０】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項２１】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項２２】
前記基板構造が１つのシリコン構造を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項２３】
前記接点領域が、１つの導電金属を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項２４】
前記被膜処理されたディンプル領域が、１つの導電金属を備え、さらに前記導電金属と前記被膜との間に設けられた１つの接着層を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項２５】
前記アーム構造が１つの導電金属を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項２６】
前記駆動部が１つの導電金属を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項２７】
１つの基板構造の上に１つの接点領域を形成する段階と、
前記基板構造の上に１つの駆動領域を形成する段階と、
前記基板構造の上に１つのアーム構造を形成する段階と、
前記アーム構造上に、被膜処理された前記接点領域に対向して、１つの導電ディンプル領域を形成する段階と、
前記接点領域の上に１つの保護被膜を形成する段階と、
を備える、１つの方法。
【請求項２８】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記被膜がロジウムを備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記被膜が１つのダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記被膜と前記ディンプル領域との間に１つの接着層を形成する段階を更に備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
１つの基板構造と、
前記基板構造上に形成され、被膜処理された少なくとも１つの接点領域と、
前記基板構造上に形成され、かつ、少なくとも１つの前記接点領域に対向する１つの表面を有する１つのアーム構造と、
を備える、１つの装置。
【請求項３４】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記被膜がロジウムを備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項３６】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項３７】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項３８】
前記基板構造が、１つの埋入された金属駆動領域を有する１つのシリコン基材の構造を備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項３９】
前記被膜処理された少なくとも１つの接点領域が、１つの導電金属を備え、さらに前記導電金属と前記被膜との間に設けられた１つの接着層を備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項４０】
前記アーム構造が１つの導電金属を備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項４１】
１つの基板構造の内部に１つの金属駆動領域を形成する段階と、
前記基板構造上に少なくとも１つの金属接点領域を形成する段階と、
少なくとも１つの前記金属接点領域の上に１つの保護被膜を形成する段階と、
前記基板構造の上に、少なくとも１つの前記金属接点領域に対向して、１つのアーム構造を形成する段階と、
を備える、１つの方法。
【請求項４２】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記被膜がロジウムを備える、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記被膜が１つのダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記被膜と少なくとも１つの前記金属接点領域との間に１つの接着層を形成する段階を更に備える、請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
１つの基板構造と、
前記基板構造上に形成された少なくとも１つの接点領域と、
前記基板構造上に形成され、かつ、少なくとも１つの前記接点領域に対向する１つの被膜を有する１つのアーム構造と、
を備える、１つの装置。
【請求項４８】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項４７に記載の装置。
【請求項４９】
前記被膜がロジウムを備える、請求項４７に記載の装置。
【請求項５０】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項４７に記載の装置。
【請求項５１】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項４７に記載の装置。
【請求項５２】
前記基板構造が、１つの埋入された金属駆動領域を有する１つのシリコン基材の構造を備える、請求項４７に記載の装置。
【請求項５３】
少なくとも１つの前記接点領域が１つの導電金属を備える、請求項４７に記載の装置。
【請求項５４】
前記アーム構造が、１つの導電金属を備え、さらに前記被膜と前記導電金属との間に設けられた１つの接着層を備える、請求項４７に記載の装置。
【請求項５５】
１つの基板構造の内部に１つの金属駆動領域を形成する段階と、
前記基板構造上に少なくとも１つの金属接点領域を形成する段階と、
前記基板構造の上に、少なくとも１つの前記金属接点領域に対向して、１つのアーム構造を形成する段階と、
前記アーム構造の、少なくとも１つの前記金属接点領域に対向する１つの面のすくなくとも１つの部分に、１つの保護被膜を形成する段階と、
を備える、１つの方法。
【請求項５６】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記被膜がロジウムを備える、請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項５５に記載の方法。
【請求項５９】
前記被膜が１つのダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項５５に記載の方法。
【請求項６０】
前記被膜と前記アーム構造との間に１つの接着層を形成する段階を更に備える、請求項５５に記載の方法。
【請求項６１】
１つの第１の表面および１つの第２の表面間に、前記第１の表面を前記第２の表面と接触させるために１つの電界を印加する段階を備え、前記第１の表面は１つの保護被膜で被覆されている、１つの方法。
【請求項６２】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項６１に記載の方法。
【請求項６３】
前記被膜がロジウムを備える、請求項６１に記載の方法。
【請求項６４】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項６１に記載の方法。
【請求項６５】
前記被膜が１つのダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項６１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の主題は、全体としてスイッチの分野に関係する。
【背景技術】
【０００２】
高周波スイッチはその寿命期間中に夥しい回数のスイッチ動作を繰り返す。いくつかの高周波スイッチは、部分的には、２個の金属接点間の接触によって作動することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
時間の経過と共に、複数の接点の１面または両面が損耗する可能性がある。損耗してくるとスイッチがスティクションする可能性があり、それによってスイッチの複数の接点が、接触中に相互に固着するに至る。スティクションはスイッチの作動速度を遅くする可能性がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
異なった複数の図面における複数の同じ参照番号の使用は、同一または類似の複数の要素を指し示していることに留意されたい。
【０００５】
図１は、本発明の一実施形態における１つのスイッチ１００の断面を示している。スイッチ１００は、基板１１０、アーム１７０Ａ、接点１７５、第２接点１２０Ｃおよび駆動部１２０Ｂを含むことができる。基板１１０は第２接点１２０Ｃおよびアーム１７０Ａを支持することができる。駆動部１２０Ｂとアーム１７０Ａとの間に１つの電圧を加えると、アーム１７０Ａが接点１７５を押し下げて第２接点１２０Ｃと接触させる。本発明の一実施形態によれば、第２接点１２０Ｃには、第２接点１２０Ｃを損耗から保護し得る１つの耐久性の保護被膜層１４０Ｃを設けることができる。
【０００６】
図２は、本発明の一実施形態に基づいて、図１に示したスイッチ１００を製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示している。操作２１０は、シリコン面１１０の上に金属層１２０を設ける加工を含んでいる。図３は、操作２１０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。シリコン面１１０の１つの適切な実施形態は１つのシリコンウェーハである。層１２０の複数の適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。金属層１２０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層１２０の１つの適切な厚さは約１／２〜１ミクロンである。
【０００７】
操作２２０は、金属層１２０の上に接着層１３０を設ける加工を含んでいる。図４は、操作２２０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層１３０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。金属層１３０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層１３０の１つの適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【０００８】
操作２３０は、層１３０の上に保護層１４０を設ける加工を含んでいる。図５は、操作２３０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。保護層１４０の複数の適切な材料にはダイヤモンド、ロジウム、ルテニウムおよび／またはダイヤモンド状炭素膜が含まれるが、これに限定されるわけではない。保護層１４０を設ける１つの適切な技術にはプラズマ強化化学蒸着法（ＣＶＤ）が含まれる。層１４０の１つの適切な厚さは約１００〜５００オングストロームである。
【０００９】
操作２４０は、複数の層１２０から１４０までの複数の部分を除去して複数のスタック１４５Ａ、１４５Ｂおよび１４５Ｃを形成する加工を含んでいる。各スタック１４５Ａ、１４５Ｂおよび１４５Ｃは層１２０から１４０までの複数の部分を含んでいる。図６は、操作２４０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。複数のスタック１４５Ａと１４５Ｂとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約５〜５０ミクロンである。スタック１４５Ｂの層１２０Ｂは駆動部１２０Ｂと呼称することができる。複数のスタック１４５Ｂと１４５Ｃとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約１〜１０ミクロンである。操作２４０において、複数の層１２０から１４０までの複数の部分を除去する１つの適切な技術には、（１）層１４０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層１４０の複数の部分を除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマによる層１４０のエッチング、（４）層１２０および１３０を除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の使用、および、（５）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【００１０】
操作２５０は、図６に断面で示す構造の上に犠牲層１５０を設ける加工を含んでいる。図７は、操作２５０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層１５０の複数の適切な材料には、ＳｉＯ２、高分子材料、ガラス基材の複数の材料および／または複数の金属（例えば、銅）が含まれる。層１５０を設ける複数の適切な技術には、（１）スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ）、スピンコーティングあるいは物理蒸着法が含まれる。これらに引き続いて、（２）層１３０の１つの表面を例えば化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によって研摩する。層１５０の１つの適切な厚さは、複数のスタック１４５Ａ、１４５Ｂおよび１４５Ｃの上で、約１ミクロンである。
【００１１】
操作２６０は、図７に示す構造から、層１５０の１つの部分と、スタック１４５Ａの複数の層１３０Ａおよび１４０Ａの複数の部分とを除去する加工を含んでいる。図８は、操作２６０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層１５０の部分と、スタック１４５Ａの複数の層１３０Ａおよび１４０Ａの複数の部分とを除去する１つの適切な距離は、図７に示す構造の側面１５５から、Ｘ軸に沿って１０〜３０ミクロンである。操作２６０を実施する１つの適切な技術には、（１）層１５０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層１５０を除去するための、１つのＨＦ溶液の適用、（４）層１４０Ａを除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマによる層１４０Ａのエッチング、（５）層１３０Ａを除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の適用、および、（６）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。以下、再形成された層１５０を層１５０Ａと呼称する。
【００１２】
操作２７０は、層１５０Ａから、ディンプル領域１６０を除去する加工を含んでいる。図９は、操作２７０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。ディンプル領域１６０はドーム型の形状に形成すればよい。操作２７０を実施する１つの適切な技術には、（１）層１５０Ａの曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層１５０Ａの１つのディンプル領域を除去するための、リアクティブイオンエッチングによる１つの深さ約１／２ミクロンまでの層１５０Ａのエッチング、および、（４）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【００１３】
操作２８０は、ディンプル領域１６０内および図９に示す構造の上に金属の導電層１７０を設ける加工を含んでいる。図１０は、操作２８０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。金属の導電層１７０の１つの適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。層１７０の材料は、金属層１２０の材料と同じ材料であってもよいが、同じ材料である必要はない。層１７０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層１７０の１つの適切な厚さは２〜４ミクロンである。本操作によって、金属の導電層１７０の部分から、ディンプル領域１６０に嵌合するディンプル接点１７５を形成することができる。
【００１４】
操作２９０は、図１０に示す構造の側面１７２から（Ｘ軸に沿って）約２〜８ミクロンの１つの距離まで、層１７０の１つの部分を除去する加工を含んでいる。図１１は、操作２９０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層１７０の１つの部分を除去する１つの適切な技術には、（１）層１７０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の使用、および、（４）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
以下、再形成された層１７０を層またはアーム１７０Ａと呼称する。
【００１５】
操作２９５は、残存している１つの犠牲層１５０Ａの除去を含んでいる。図１が、操作２９５の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。残存犠牲層１５０Ａを除去する１つの適切な技術には、図１１に示す構造を１つのＨＦ溶液に浸漬する処理が含まれる。
【００１６】
図１２は、本発明の一実施形態における１つのスイッチ３００の断面を示している。スイッチ３００は、基板３１０、アーム３７０Ａ、駆動部３２０Ｂ、第１接点３６５および第２接点３２０Ｃを含むことができる。駆動部３２０Ｂとアーム３７０Ａとの間に１つの電界を印加すると、接点３６５が押し下げられて第２接点３２０Ｃと接触する。本発明の一実施形態によれば、第１接点３６５には、第１接点３６５を損耗から保護し得る１つの耐久性の保護被膜層を設けることができる。
【００１７】
図１３は、本発明の一実施形態に基づいて、図１２に示したスイッチ３００を製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示している。操作４１０は、シリコン面３１０の上に金属層３２０を設ける加工を含んでいる。図１４は、操作４１０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。シリコン面３１０の１つの適切な実施形態は１つのシリコンウェーハである。層３２０の複数の適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。金属層３２０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層３２０の１つの適切な厚さは約１／２〜１ミクロンである。
【００１８】
操作４２０は、層３２０の複数の部分を除去して複数の層３２０Ａ、３２０Ｂおよび３２０Ｃを形成する加工を含んでいる。図１５は、操作４２０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。複数の層３２０Ａと３２０Ｂとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約５〜５０ミクロンである。複数の層３２０Ｂと３２０Ｃとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約１〜１０ミクロンである。層３２０の複数の部分を除去する１つの適切な技術には、（１）層３２０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の適用、および、（４）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。ここで、層３２０Ｂは別呼称として駆動部３２０Ｂと呼称することができ、また、層３２０Ｃは別呼称として第２接点３２０Ｃと呼称することができる。
【００１９】
操作４３０は、図１５に断面で示す構造の上に１つの犠牲層３３０を設ける加工を含んでいる。図１６は、操作４３０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層３３０の複数の適切な材料には、ＳｉＯ２、高分子材料、ガラス基材の複数の材料および／または複数の金属（例えば、銅）が含まれる。層３３０を設ける複数の適切な技術には、（１）スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ）または物理蒸着法が含まれる。これらに引き続いて、（２）層３３０の１つの表面を例えば化学的機械研磨法（ＣＭＰ）を用いて研摩する。複数の層３２０Ａ、３２０Ｂおよび３２０Ｃの上における層３３０の（Ｙ軸に沿う）適切な厚さは約１ミクロンである。
【００２０】
操作４４０は、犠牲層３３０に１つのアンカー領域を形成する加工を含んでいる。図１７は、操作４４０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層３３０の部分を除去する１つの適切な距離は、図１６に断面で示す構造の側面３３５から、Ｘ軸に沿って１０〜３０ミクロンである。操作４４０を実施する１つの適切な技術には、（１）層３３０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層３３０を除去するための、１つのＨＦ溶液の適用、および、（４）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。以下、再形成された層３３０を層３３０Ａと呼称することができる。
【００２１】
操作４５０は、層３３０Ａからディンプル領域３４０を除去する加工を含んでいる。図１８は、操作４５０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。ディンプル領域３４０はドーム型の形状に形成すればよい。操作４５０を実施する１つの適切な技術には、（１）層３３０Ａの曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層３３０Ａから１つのディンプル領域を除去するための、リアクティブイオンエッチングによる１つの深さ約１／２ミクロンまでの層３３０Ａのエッチング、および、（４）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【００２２】
操作４６０は、図１８に示す構造の上に保護層３５０を設ける加工を含んでいる。図１９は、操作４６０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。保護層３５０の複数の適切な材料にはダイヤモンド、ロジウム、ルテニウムおよび／またはダイヤモンド状炭素膜が含まれるが、これに限定されるわけではない。保護層３５０を設ける１つの適切な技術にはプラズマ強化化学蒸着法（ＣＶＤ）が含まれる。層３５０の適切な厚さは約１００〜５００オングストロームである。
【００２３】
操作４７０は、図１９に断面で示す構造の上に接着層３６０を設ける加工を含んでいる。図２０は、操作４７０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層３６０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。金属層３６０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層３６０の１つの適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【００２４】
操作４８０は、図２０に断面で示す構造の上に第２の１つの金属の導電層３７０を設ける加工を含んでいる。図２１は、操作４８０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。第２の金属の導電層３７０の１つの適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。層３７０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層３７０の１つの適切な厚さは約２〜４ミクロンである。ここで、再形成された層３７０をアーム３７０Ａと呼称する。ここで、第２の金属の導電層３７０で充満されたディンプル領域３４０の１つの部分を、別呼称として第１接点３６５と呼称する。
【００２５】
操作４９０は、側面３７５から（Ｘ軸に沿って）約２〜８ミクロンの１つの距離まで、層３５０から３７０までの１つの部分を除去する加工を含んでいる。図２２は、操作４９０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。操作４９０を実施する１つの適切な技術には、（１）層３７０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層３６０および３７０の１つの部分を除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の使用、（４）層３５０の１つの部分を除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマの使用、および、（５）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【００２６】
操作４９５は、残存している１つの犠牲層３３０Ａの除去を含んでいる。図１２が、操作４９５の結果として形成することができる１つの構造例、つまりスイッチ３００の断面を示している。残存犠牲層３３０Ａを除去する１つの適切な技術には、図２２に示す構造を１つのＨＦ溶液に浸漬する処理が含まれる。
【００２７】
図２３は、本発明の一実施形態における１つのスイッチ５００の断面を示している。スイッチ５００は、基板５０５、駆動部５２５Ａ、アーム５５５、複数の接点５３５Ｂ〜５３５Ｅを含むことができる。複数の接点５３５Ｂ〜５３５Ｅは基板５０５に装着することができる。駆動部５２５Ａとアーム５５５との間に１つの電界を印加すると、アーム５５５が複数の接点５３５Ｂ〜５３５Ｅの方に押し下げられて、複数の接点５３５Ｂ〜５３５Ｅとの１つの導電接続の確立が可能になる。本発明の一実施形態によれば、複数の接点５３５Ｂ〜５３５Ｅは、複数の接点５３５Ｂ〜５３５Ｅを損耗から保護し得る１つの耐久性の被膜層を含むことができる。
【００２８】
図２４は、本発明の一実施形態に基づいて、図２３に示したスイッチ５００を製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示している。操作６１０は、１つのシリコン層５１０の上にＳｉＯ２層５２０Ａを形成する加工を含んでいる。シリコン層５１０の１つの適切な実施形態は１つのシリコンウェーハである。ＳｉＯ２層５２０Ａの１つの適切な厚さは約０．２〜１ミクロンである。操作６１５は、ＳｉＯ２層５２０Ａの上に１つの金属層５２５を形成する加工を含んでいる。金属層５２５の１つの適切な厚さは約０．２〜１ミクロンである。金属層５２５の１つの適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。金属層５２５を形成する１つの適切な技術には、（１）スパッタリング溶射法または物理蒸着法、および、（２）金属層５２５の複数の部分を除去して駆動部５２５Ａを形成するエッチング、が含まれる。図２５は、操作６１０および６１５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。
【００２９】
操作６２０は、図２５に断面で示す構造の上に第２のＳｉＯ２層５２０Ｂを形成する加工を含んでいる。第２のＳｉＯ２層５２０Ｂの１つの適切な厚さは、駆動部５２５Ａの上で、約２〜４ミクロンである。図２６は、操作６２０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。ここで、複数の層５１０、５２０Ａおよび５２０Ｂ、ならびに駆動部５２５Ａの１つの積層結合体を基板５０５と呼称することができる。
【００３０】
操作６２５は、図２６に断面で示す構造の上に第２の金属層５３５を設ける加工を含んでいる。図２７は、操作６２５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。第２の金属層５３５の複数の適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。第２の金属層５３５を設ける１つの適切な技術には、スパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。第２の金属層５３５の適切な厚さは約１／２〜１ミクロンである。
【００３１】
操作６３０は、第２の金属層５３５の上に接着層５４０を設ける加工を含んでいる。図２８は、操作６３０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層５４０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。金属層５４０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層５４０の１つの適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【００３２】
操作６３５は、層５４０の上に保護層５４３を設ける加工を含んでいる。図２９は、操作６３５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。保護層５４３の複数の適切な材料にはダイヤモンド、ロジウム、ルテニウムおよび／またはダイヤモンド状炭素膜が含まれるが、これに限定されるわけではない。保護層５４３を設ける１つの適切な技術にはプラズマ強化化学蒸着法（ＣＶＤ）が含まれる。層５４３の１つの適切な厚さは約１００〜５００オングストロームである。
【００３３】
操作６４０は、複数の層５３５、５４０および５４３の複数の部分を除去して複数のスタック５４５Ａ〜５４５Ｆを形成する加工を含んでいる。図３０は、操作６４０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。各スタック５４５Ａ〜５４５Ｆは、複数の層５３５、５４０および５４３の複数の部分を含んでいる。複数のスタック５４５Ａと５４５Ｂとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２０〜８０ミクロンである。複数のスタック５４５Ｂと５４５Ｃとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２〜１０ミクロンである。複数のスタック５４５Ｃと５４５Ｄとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２〜１０ミクロンである。複数のスタック５４５Ｄと５４５Ｅとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２〜１０ミクロンである。複数のスタック５４５Ｅと５４５Ｆとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２０〜８０ミクロンである。複数の層５３５、５４０および５４３の複数の部分を除去する１つの適切な技術には、（１）層５４３の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層５４３を除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマによる層５４３のエッチング、（４）層５３５および５４０を除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の使用、および、（５）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【００３４】
操作６４５は、例えば図３０に断面で示す構造の上に犠牲層５５０を設ける加工を含んでいる。図３１は、操作６４５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層５５０の複数の適切な材料には、ＳｉＯ２、高分子材料、ガラス基材の複数の材料および／または複数の金属（例えば、銅）が含まれる。層５５０を設ける複数の適切な技術には、（１）スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ）あるいは物理蒸着法が含まれる。これらに引き続いて、（２）犠牲層５５０の表面を例えば化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によって研摩する。層５５０の１つの適切な厚さは、複数のスタック５４５Ａ〜５４５Ｆの上で、約１ミクロンである。
【００３５】
操作６５０は、図３１に断面で示す構造から、層５５０の１つの部分と、複数の層５４５Ａおよび５４５Ｆの複数の層５４０および５４３の複数の部分とを除去する加工を含んでいる。図３２は、操作６５０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層５５０の部分と、層５４５Ａの複数の層５４０および５４３とを除去する１つの適切な距離は、図３１の構造の側面５５１から、Ｘ軸に沿って約１０〜３０ミクロンである。層５５０の部分と、層５４５Ｆの複数の層５４０および５４３とを除去する１つの適切な距離は、図３１に断面で示す構造の側面５５３から、Ｘ軸に沿って約１０〜３０ミクロンである。操作６５０を実施する１つの適切な技術には、（１）層５５０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層５５０を除去するための、１つのＨＦ溶液の適用、（４）層５４３を除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマによる層５４０Ａのエッチング、（５）層５４０を除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の適用、および、（６）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【００３６】
操作６５５は、例えば図３２に断面で示す構造の上に第３の１つの金属の導電層５５５を設ける加工を含んでいる。図３３は、操作６５５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。第３の金属の導電層５５５の１つの適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。第３の金属の導電層５５５を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層５５５の適切な厚さは約１〜５ミクロンである。ここで、層５５５をアーム５５５と呼称することができる。
【００３７】
操作６６０は、残存している犠牲層５５０の除去を含んでいる。図２３が、操作６６０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。残存犠牲層５５０を除去する１つの適切な技術には、図３３に断面で示す構造を１つのＨＦ溶液に浸漬する処理が含まれる。
【００３８】
図３４は、本発明の一実施形態における１つのスイッチ７００の断面を示している。
スイッチ７００は、基板７０５、駆動部７２５Ａ、アーム７７０、複数の接点７３５Ｂ〜７３５Ｅを含むことができる。複数の接点７３５Ｂ〜７３５Ｅは基板７０５に装着することができる。駆動部７２５Ａとアーム７７０との間に１つの電界を印加すると、アーム７７０が複数の接点７３５Ｂ〜７３５Ｅの方に押し下げられて、複数の接点７３５Ｂ〜７３５Ｅとの１つの導電接続の確立が可能になる。本発明の一実施形態によれば、複数の接点７３５Ｂ〜７３５Ｅと接触することができるアーム７７０の１つの表面は、アーム７７０を損耗から保護し得る１つの耐久性の被膜を含むことができる。
【００３９】
図３５は、本発明の一実施形態に基づいて、図３４に示したスイッチ７００を製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示している。操作８１０は、シリコン層７１０の上にＳｉＯ２層７２０Ａを形成する加工を含んでいる。シリコン層７１０の１つの適切な実施形態は１つのシリコンウェーハである。ＳｉＯ２層７２０Ａの１つの適切な厚さは約０．２〜１ミクロンである。
【００４０】
操作８１５は、ＳｉＯ２層７２０Ａの上に１つの金属層７２５Ａを形成する加工を含んでいる。金属層７２５Ａの１つの適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。金属層７２５を形成する１つの適切な技術には、（１）１つの金属層のスパッタリング溶射法または物理蒸着法、および、（２）金属層７２５の複数の部分を除去して金属層７２５Ａを形成するエッチング、が含まれる。金属層７２５Ａの１つの適切な厚さは０．２〜１ミクロンである。図３６は、操作８１０および８１５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。ここで、複数の層７１０、７２０Ａおよび７２０Ｂ、ならびに駆動部７２５Ａの１つの積層結合体を基板７０５と呼称することができる。ここで、金属層７２５Ａを駆動部７２５Ａと呼称することができる。
【００４１】
操作８２０は、図３６に断面で示す構造の上にＳｉＯ２層７２０Ｂを形成する加工を含んでいる。ＳｉＯ２層７２０Ｂの１つの適切な厚さは、駆動部７２５Ａの上で、約２〜４ミクロンである。図３７は、操作８２０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。
【００４２】
操作８２５は、図３７に断面で示す構造の上に金属層７３５を設ける加工を含んでいる。図３８は、操作８２５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層７３５の複数の適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。金属層７３５を設ける１つの適切な技術には、スパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層７３５の１つの適切な厚さは約１／２〜１ミクロンである。
【００４３】
操作８３０は、層７３５の複数の部分を除去して複数の層７３５Ａ〜７３５Ｆを形成する加工を含んでいる。図３９は、操作８３０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。複数の層７３５Ａと７３５Ｂとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２０〜８０ミクロンである。複数の層７３５Ｂと７３５Ｃとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２〜１０ミクロンである。複数の層７３５Ｃと７３５Ｄとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２〜１０ミクロンである。複数の層７３５Ｄと７３５Ｅとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２〜１０ミクロンである。複数の層７３５Ｅと７３５Ｆとの間の（Ｘ軸に沿う）１つの適切な距離は約２０〜８０ミクロンである。層７３５の複数の部分を除去する１つの適切な技術には、（１）層７３５の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の使用、および、（４）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【００４４】
操作８３５は、図３９に断面で示す構造の上に１つの犠牲層７４０を設ける加工を含んでいる。図４０は、操作８３５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層７４０の複数の適切な材料には、ＳｉＯ２、高分子材料、ガラス基材の複数の材料および／または複数の金属（例えば、銅）が含まれる。層７４０を設ける複数の適切な技術には、（１）スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ）あるいは物理蒸着法が含まれる。これらに引き続いて、（２）犠牲層７４０の表面を例えば化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によって研摩する。層７４０の（Ｙ軸に沿う）１つの適切な厚さは、複数の層７３５Ａ〜７３５Ｆの上で、約０．５〜２ミクロンである。
【００４５】
操作８４０は、図４０に断面で示す構造から、層７４０の複数の部分を除去する加工を含んでいる。図４１は、操作８４０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層７４０の１つの部分を除去する１つの適切な距離は、図４０の構造の側面７４１から、Ｘ軸に沿って約１０〜３０ミクロンである。層７４０の１つの部分を除去する１つの適切な距離は、図４０の構造の側面７４２から、Ｘ軸に沿って約１０〜３０ミクロンである。操作８４０を実施する１つの適切な技術には、（１）層７４０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層７４０を除去するための、１つのＨＦ溶液の適用、および、（４）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。以下、再形成された層７４０を層７４０Ａと呼称する。
【００４６】
操作８４５は、図４１に断面で示す構造の上に保護層７５０を設ける加工を含んでいる。図４２は、操作８４５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。保護層７５０の複数の適切な材料にはダイヤモンド、ロジウム、ルテニウムおよび／またはダイヤモンド状炭素膜が含まれるが、これに限定されるわけではない。保護層７５０を設ける１つの適切な技術にはプラズマ強化化学蒸着法（ＣＶＤ）が含まれる。層７５０の１つの適切な厚さは約１００〜５００オングストロームである。
【００４７】
操作８５０は、図４２に断面で示す構造の上に接着層７６０を設ける加工を含んでいる。図４３は、操作８５０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層７６０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。金属層７６０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層７６０の適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【００４８】
操作８５５は、図４３に断面で示す構造の上に第３の金属の導電層７７０を設ける加工を含んでいる。図４４は、操作８５５の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。金属の導電層７７０の１つの適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。層７７０を設ける複数の適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層７７０の１つの適切な厚さは約１〜５ミクロンである。
【００４９】
操作８６０は、残存している犠牲層７４０Ａの除去を含んでいる。図３４が、操作８６０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。残存犠牲層７４０Ａを除去する１つの適切な技術には、図４４に断面で示す構造を１つのＨＦ溶液に浸漬する処理が含まれる。
【００５０】
変更態様：図面および前記の記載内容は本発明の複数の事例を表現している。しかしながら、本発明の範囲はこれらの特殊な複数の事例に限定されるものではない。本明細書における明示的な記載の有無に関わらず、構造、寸法および材料の使用を相違させたような多数の変形態様が可能である。複数の加工操作は組み合わせることも可能であるし、また同時に実施することも可能である。本発明の範囲は、少なくとも、以下の請求項に表現される範囲におよぶものである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態における１つのスイッチの断面を示す。
【図２】本発明の一実施形態における、図１のスイッチを製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示す。
【図３】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図４】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図５】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図６】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図７】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図８】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図９】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１０】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１１】本発明の一実施形態における、図１のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１２】本発明の一実施形態における１つのスイッチの断面を示す。
【図１３】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチを製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示す。
【図１４】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１５】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１６】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１７】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１８】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１９】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２０】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２１】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２２】本発明の一実施形態における、図１２のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２３】本発明の一実施形態における１つのスイッチの断面を示す。
【図２４】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチを製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示す。
【図２５】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２６】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２７】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２８】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図２９】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３０】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３１】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３２】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３３】本発明の一実施形態における、図２３のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３４】本発明の一実施形態における１つのスイッチの断面を示す。
【図３５】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチを製作するために用いることができる１つの可能な加工プロセスを示す。
【図３６】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３７】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３８】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図３９】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図４０】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図４１】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図４２】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図４３】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図４４】本発明の一実施形態における、図３４のスイッチのさまざまな製作過程の断面を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板構造と、
前記基板構造上に形成された第１接点領域と、
前記第１接点領域上に形成された保護被膜と、
前記保護被膜と前記第１接点領域との間に形成された金属接着層と、
前記基板構造上に形成された駆動部と、
前記基板構造上に形成されたアーム構造と、
前記アーム構造上に形成され、かつ前記第１接点領域に対向する第２接点領域と、を備える、装置。
【請求項２】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記被膜がロジウムを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記基板構造がシリコン構造を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１接点領域が、導電金属を備える請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記アーム構造が導電金属を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記第２接点領域が導電金属を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記駆動部が導電金属を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記駆動部と前記アーム構造との間に電圧を加えることによって、前記アーム構造は前記第２接点領域を押し下げて前記第１接点領域と接触させる、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
基板構造の上に導電性の第１接点領域を形成する段階と、
前記基板構造の上に駆動領域を形成する段階と、
前記第１接点領域の上に保護被膜を形成する段階と、
前記基板構造の上にアーム構造を形成する段階と、
前記アーム構造上に、被膜処理された前記第１接点領域に対向して、第２接点領域を形成する段階と、
を備える、方法。
【請求項１３】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記被膜がロジウムを備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記被膜と前記第１接点領域との間に接着層を形成する段階を更に備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
基板構造と、
前記基板構造上に形成された第１接点領域と、
前記基板構造上に形成された駆動部と、
前記基板構造上に形成されたアーム構造と、
前記アーム構造上に形成され、かつ前記第１接点領域に対向する第２接点領域と、
前記第２接点領域上に形成された保護被膜と、
前記保護被膜と前記第２接点領域との間に形成された金属接着層と
を備える、装置。
【請求項１９】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記被膜がロジウムを備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２３】
前記基板構造がシリコン構造を備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２４】
前記第１接点領域が、導電金属を含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２５】
前記第２接点領域が、導電金属を備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２６】
前記アーム構造が導電金属を備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２７】
前記駆動部が導電金属を備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２８】
基板構造の上に第１接点領域を形成する段階と、
前記基板構造の上に駆動領域を形成する段階と、
前記基板構造の上にアーム構造を形成する段階と、
前記アーム構造上に、前記第１接点領域に対向して導電性の第２接点領域を形成する段階と、
前記第２接点領域の上に保護被膜を形成する段階と、
を備える、方法。
【請求項２９】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記被膜がロジウムを備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
前記被膜と前記第２接点領域との間に接着層を形成する段階を更に備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３４】
埋入された金属の駆動部を有する基板構造と、
前記基板構造上に形成された少なくとも１つの接点領域と、
前記少なくとも１つの接点領域上に形成された保護被膜と、
前記基板構造上に形成され、かつ、少なくとも１つの前記保護被膜に対向する表面を有するアーム構造と
を備える、装置。
【請求項３５】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
前記被膜がロジウムを備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項３７】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項３８】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項３９】
前記基板構造が、シリコン基材の構造を備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項４０】
前記少なくとも１つの接点領域が導電金属を備え、前記少なくとも１つの接点領域とそれぞれの前記被膜との間に設けられた接着層をさらに備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項４１】
前記アーム構造が導電金属を備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項４２】
前記駆動部と前記アーム構造との間に電界を印加することによって、前記アーム構造が前記少なくとも１つの接点領域の方に押し下げられて、前記少なくとも１つの接点領域との導電接続を確立する、請求項４１に記載の装置。
【請求項４３】
基板構造の内部に金属駆動領域を形成する段階と、
前記基板構造上に少なくとも１つの金属接点領域を形成する段階と、
少なくとも１つの前記金属接点領域の上に保護被膜を形成する段階と、
前記基板構造の上に、少なくとも１つの前記金属接点領域に対向して、アーム構造を形成する段階と、
を備える、方法。
【請求項４４】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記被膜がロジウムを備える、請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項４３に記載の方法。
【請求項４７】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項４３に記載の方法。
【請求項４８】
前記被膜と前記少なくとも１つの前記金属接点領域との間に接着層を形成する段階を更に備える、請求項４３に記載の方法。
【請求項４９】
埋入された金属駆動領域を有する基板構造と、
前記基板構造上に形成された少なくとも１つの接点領域と、
前記基板構造上に形成され、かつ、前記少なくとも１つの接点領域に対向して、表面の部分に形成された被膜を有するアーム構造と、
を備える、装置。
【請求項５０】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項４９に記載の装置。
【請求項５１】
前記被膜がロジウムを備える、請求項４９に記載の装置。
【請求項５２】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項４９に記載の装置。
【請求項５３】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項４９に記載の装置。
【請求項５４】
前記基板構造が、シリコン基材の構造を備える、請求項４９に記載の装置。
【請求項５５】
少なくとも１つの前記接点領域が導電金属を備える、請求項４９に記載の装置。
【請求項５６】
前記アーム構造が、導電金属を備え、さらに前記被膜と前記アーム構造との間に設けられた接着層を備える、請求項４９に記載の装置。
【請求項５７】
基板構造の内部に金属駆動領域を形成する段階と、
前記基板構造上に少なくとも１つの金属接点領域を形成する段階と、
前記基板構造の上に、前記少なくとも１つの金属接点領域に対向して、アーム構造を形成する段階と、
前記アーム構造の、前記少なくとも１つの金属接点領域に対向する面のすくなくとも１つの部分に、保護被膜を形成する段階と、
を備える、方法。
【請求項５８】
前記被膜がダイヤモンドを備える、請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
前記被膜がロジウムを備える、請求項５７に記載の方法。
【請求項６０】
前記被膜がルテニウムを備える、請求項５７に記載の方法。
【請求項６１】
前記被膜がダイヤモンド状炭素膜を備える、請求項５７に記載の方法。
【請求項６２】
前記被膜と前記アーム構造との間に接着層を形成する段階を更に備える、請求項５７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
高周波スイッチはその寿命期間中に夥しい回数のスイッチ動作を繰り返す。いくつかの高周波スイッチは、部分的には、２個の金属接点間の接触によって作動することができる。なお、本出願に対応する米国出願の米国での審査において、下記の特許文献及び非特許文献が発見されている。
【特許文献１】米国特許第４９５９５１５号明細書
【特許文献２】米国特許第５２５８５９１号明細書
【特許文献３】米国特許第５３３４８０９号明細書
【特許文献４】米国特許第５６２７３９６号明細書
【特許文献５】米国特許第５６３８９４６号明細書
【特許文献６】米国特許第５６７３７８５号明細書
【特許文献７】米国特許第５６７７８２３号明細書
【特許文献８】米国特許第６０５４６５９号明細書
【特許文献９】米国特許第６１９１６７１号明細書
【特許文献１０】米国特許第６１９６７３８号明細書
【特許文献１１】米国特許第６３８４３５３号明細書
【特許文献１２】米国特許第６３９６３６８号明細書
【特許文献１３】米国特許第６４４０７６７号明細書
【特許文献１４】米国特許第６４５２１２４号明細書
【特許文献１５】米国特許第６６２１０２２号明細書
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
操作２２０は、金属層１２０の上に接着層１３０を設ける加工を含んでいる。図４は、操作２２０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層１３０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。接着層（金属層）１３０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層１３０の１つの適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
操作２５０は、図６に断面で示す構造の上に犠牲層１５０を設ける加工を含んでいる。図７は、操作２５０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層１５０の複数の適切な材料には、ＳｉＯ２、高分子材料、ガラス基材の複数の材料および／または複数の金属（例えば、銅）が含まれる。層１５０を設ける複数の適切な技術には、（１）スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ）、スピンコーティングあるいは物理蒸着法が含まれる。これらに引き続いて、（２）層１５０の１つの表面を例えば化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によって研摩する。層１５０の１つの適切な厚さは、複数のスタック１４５Ａ、１４５Ｂおよび１４５Ｃの上で、約１ミクロンである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
操作２６０は、図７に示す構造から、層１５０の１つの部分と、スタック１４５Ａの複数の層１３０Ａおよび１４０Ａ（それぞれスタック１４５Ａの中の層１３０及び１４０の部分）の複数の部分とを除去する加工を含んでいる。図８は、操作２６０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層１５０の部分と、スタック１４５Ａの複数の層１３０Ａおよび１４０Ａの複数の部分とを除去する１つの適切な距離は、図７に示す構造の側面１５５から、Ｘ軸に沿って１０〜３０ミクロンである。操作２６０を実施する１つの適切な技術には、（１）層１５０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層１５０を除去するための、１つのＨＦ溶液の適用、（４）層１４０Ａを除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマによる層１４０Ａのエッチング、（５）層１３０Ａを除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の適用、および、（６）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。以下、再形成された層１５０を層１５０Ａと呼称する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
操作４７０は、図１９に断面で示す構造の上に接着層３６０を設ける加工を含んでいる。図２０は、操作４７０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。層３６０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。接着層（金属層）３６０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層３６０の１つの適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
操作４８０は、図２０に断面で示す構造の上に第２の１つの金属の導電層３７０を設ける加工を含んでいる。図２１は、操作４８０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。第２の金属の導電層３７０の１つの適切な材料には金および／またはアルミニウムが含まれる。層３７０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層３７０の１つの適切な厚さは約２〜４ミクロンである。ここで、第２の金属の導電層３７０で充満されたディンプル領域３４０の１つの部分を、別呼称として第１接点３６５と呼称する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
操作４９０は、側面３７５から（Ｘ軸に沿って）約２〜８ミクロンの１つの距離まで、層３５０から３７０までの１つの部分を除去する加工を含んでいる。図２２は、操作４９０の結果として形成することができる１つの構造例の断面を示している。操作４９０を実施する１つの適切な技術には、（１）層３７０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層３６０および３７０の１つの部分を除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の使用、（４）層３５０の１つの部分を除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマの使用、および、（５）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。ここで、再形成された層３７０をアーム３７０Ａと呼称する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
操作６３０は、第２の金属層５３５の上に接着層５４０を設ける加工を含んでいる。図２８は、操作６３０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層５４０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。接着層（金属層）５４０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層５４０の１つの適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
操作６５０は、図３１に断面で示す構造から、層５５０の１つの部分と、複数のスタック５４５Ａおよび５４５Ｆの複数の層５４０および５４３の複数の部分とを除去する加工を含んでいる。図３２は、操作６５０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層５５０の部分と、スタック５４５Ａの複数の層５４０および５４３とを除去する１つの適切な距離は、図３１の構造の側面５５１から、Ｘ軸に沿って約１０〜３０ミクロンである。層５５０の部分と、スタック５４５Ｆの複数の層５４０および５４３とを除去する１つの適切な距離は、図３１に断面で示す構造の側面５５３から、Ｘ軸に沿って約１０〜３０ミクロンである。操作６５０を実施する１つの適切な技術には、（１）層５５０の曝露表面の除去するべきでない複数の部分への１つのマスクの装着、（２）マスクを重合させるためのフォトリソグラフィー（これによって１つの重合レジストを形成する）、（３）層５５０を除去するための、１つのＨＦ溶液の適用、（４）層５４３を除去するための、リアクティブイオンエッチングまたは酸素プラズマによるエッチング、（５）層５４０を除去するための、複数のフッ化炭化水素（例えばＣＦ４またはＣ２Ｆ６）あるいは硝酸と硫酸との１つの組み合わせ液の適用、および、（６）１つのレジスト脱離溶剤を用いた重合レジストの除去、が含まれる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
操作８５０は、図４２に断面で示す構造の上に接着層７６０を設ける加工を含んでいる。図４３は、操作８５０の結果として形成することができる１つの構造の断面を示している。層７６０の複数の適切な材料にはチタン、モリブデンおよび／またはタングステンが含まれる。接着層（金属層）７６０を設ける１つの適切な技術にはスパッタリング溶射法または物理蒸着法が含まれる。層７６０の適切な厚さは約０．１ミクロンである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
変更態様：図面および前記の記載内容は本発明の複数の事例を表現している。しかしながら、本発明の範囲はこれらの特殊な複数の事例に限定されるものではない。本明細書における明示的な記載の有無に関わらず、構造、寸法および材料の使用を相違させたような多数の変形態様が可能である。複数の加工操作は組み合わせることも可能であるし、また同時に実施することも可能である。本発明の範囲は、少なくとも、以下の請求項に表現される範囲におよぶものである。なお、１つの装置は、１つの基板構造と、前記基板構造上に形成され、保護被膜処理された１つの接点領域と、前記基板構造上に形成された１つの駆動部と、前記基板構造上に形成された１つのアーム構造と、前記アーム構造上に形成され、かつ前記接点領域に対向する１つのディンプル領域とを備える。また、前記被膜処理された接点領域が、１つの導電金属を備え、さらに前記導電金属と前記被膜層との間に設けられた１つの接着層を備える。また、前記駆動部が１つの導電金属を備える。なお、１つの装置は、１つの基板構造と、前記基板構造上に形成された１つの接点領域と、前記基板構造上に形成された１つの駆動部と、前記基板構造上に形成された１つのアーム構造と、前記アーム構造上に形成され、かつ前記接点領域に対向する被膜処理された１つのディンプル領域とを備える。また、前記接点領域が、１つの導電金属を含む。また、前記駆動部が１つの導電金属を備える。なお、１つの装置は、１つの基板構造と、前記基板構造上に形成され、被膜処理された少なくとも１つの接点領域と、前記基板構造上に形成され、かつ、少なくとも１つの前記接点領域に対向する１つの表面を有する１つのアーム構造とを備える。また、前記被膜処理された少なくとも１つの接点領域が、１つの導電金属を備え、さらに前記導電金属と前記被膜との間に設けられた１つの接着層を備える。また、前記アーム構造が１つの導電金属を備える。なお、１つの装置は、１つの基板構造と、前記基板構造上に形成された少なくとも１つの接点領域と、前記基板構造上に形成され、かつ、少なくとも１つの前記接点領域に対向する１つの被膜を有する１つのアーム構造とを備える。また、少なくとも１つの前記接点領域が１つの導電金属を備える。また、前記アーム構造が、１つの導電金属を備え、さらに前記被膜と前記導電金属との間に設けられた１つの接着層を備える。