(57)【要約】【課題】高発光輝度、低消費電力および高信頼性を持つアクティブマトリックス型ＯＥＬＤを提供する。【解決手段】従来の２端子を持つ有機発光ダイオードと比較して、より低動作電圧下で高発光輝度を持つ３極性有機電界発光装置がＯＥＬＤの画素部に電気的に連結している。従って、本発明の思想が有機発光装置を持つ表示装置に適用されれば、低消費電力および高輝度を持つ電気製品を製作できる。
2005520292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３極性有機電界発光装置を持つ画素および前記３極性有機電界発光装置を駆動させる半導体手段を含むアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置(ＯＥＬＤ)であって、
基板上に形成された前記３極性有機電界発光装置は、画素電極、この画素電極と対向しながら配置された対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に介在された発光層、および前記画素電極と前記対向電極の１つが形成された水準で形成され、前記画素電極または対向電極と離隔する調節電極を含み、前記調節電極は、前記画素電極と前記発光層または前記対向電極と前記発光層との間の相対的な電位差を調節するためのもので、前記画素電極と前記対向電極の重畳部分の外部領域に形成され、
前記半導体手段は、前記３極性有機電界発光装置の上部または下部に位置し、このとき、絶縁層が前記半導体手段と前記３極性有機電界発光装置との間に介在され、前記半導体手段は、外部電源供給を受けた一端と、前記層間絶縁膜内に形成されたビアホールを通じて前記３極性有機電界発光装置の電極中の１つに連結している他端とにより、３極性有機電界発光装置の電流が制御されることを特徴とするアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置(ＯＥＬＤ)。
【請求項２】
前記画素電極は前記ビアホールを通じて前記半導体手段に連結しており、前記調節電極は前記画素電極が形成された水準で形成され、前記調節電極は前記層間絶縁膜内に具備された前記ビアホールと同じ高さを持つ第２ビアホールを通じて前記調節電極に印加される電源供給に連結している請求項１に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項３】
前記画素電極と前記調節電極は同じ材料からなる請求項２に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項４】
前記調節電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ及びこれらの複合体の何れか１つからなる請求項３に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項５】
前記画素電極は前記ビアホールを通じて前記半導体手段に連結しており、前記調節電極は前記対向電極が形成された水準で形成され、前記調節電極の上部に位置する層間絶縁膜上に具備された電源供給線に連結している請求項１に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項６】
前記対向電極と前記調節電極は同じ材料からなる請求項５に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項７】
前記調節電極は、Ａｌ、Ｃａ、Ｍa、Ｌｉ、Ａｇ 、Ｂａ及びこれらの複合体から選択された何れか１つからなる請求項６に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項８】
前記駆動用半導体素子はＴＦＴからなる請求項１〜５のいずれか１項に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項９】
前記発光層は、１重項または３重項の励起により得た低分子量有機物質または高分子有機物からなる請求項１〜５のいずれか１項に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項１０】
ソース信号線駆動回路およびゲート信号線駆動回路を持つアクティブマトリックス型ＯＥＬＤにおいて、
前記ソース信号線駆動回路から提供される複数のソース信号線と、
前記ソース信号線とマトリックス状で配置され、前記ゲート信号線駆動回路から提供される複数のゲート信号線と、
各々が前記複数のソース信号線の１つと前記複数のゲート信号線の１つとの交差部分に配置される複数の画素と、
前記複数の画素を駆動するための電源を供給する複数の電源供給線および
前記画素の第３電極に印加される電源を供給する複数の第３電極電源供給線を含み、
前記複数の画素の各々は、３極性有機電界発光装置および前記複数の３極性有機電界発光装置に電気的に連結している複数のＴＦＴを含み、前記３極性有機電界発光装置は、第１電極、前記第１電極上に形成される有機発光層、前記有機発光層上に形成される第２電極および前記第１電極と前記第２電極との間の領域の外部に形成される第３電極を含み、前記第３電極は、前記第１電極および前記有機発光層間の電位差または前記第２電極および前記有機発光層間の電位差を調節することを特徴とするアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項１１】
前記複数のＴＦＴは、前記３極性有機電界発光装置の電流の流れを制御する１つの駆動用ＴＦＴと、前記駆動用ＴＦＴのオン/オフを制御する１つのスイッチング用ＴＦＴとを含み、前記駆動用ＴＦＴは前記複数の電源供給線の１つと前記３極性有機電界発光装置との間に連結しており、前記３極性有機電界発光装置は前記駆動用ＴＦＴと前記複数の第３電極電源供給との間に連結しており、前記スイッチング用ＴＦＴは前記複数のソース信号線の１つ及び前記複数のゲート信号線の１つと前記駆動用ＴＦＴとの間に連結しており、前記複数の電源供給線は前記複数のソース信号線と平行に配置され、前記複数の第３電極電源供給線は前記複数のゲート信号線と平行に配置される請求項１０に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項１２】
前記複数のＴＦＴは、前記３極性有機電界発光装置の電流の流れを制御する１つの駆動用ＴＦＴと、前記駆動用ＴＦＴのオン/オフを制御する１つのスイッチング用ＴＦＴとを含み、前記駆動用ＴＦＴは前記複数の電源供給線の１つと前記３極性有機電界発光装置との間に連結しており、前記３極性有機電界発光装置は前記駆動用ＴＦＴと前記複数の第３電極電源供給線との間に連結しており、前記スイッチング用ＴＦＴは前記複数のソース信号線の１つ及び前記複数のゲート信号線の１つと前記駆動用ＴＦＴとの間に連結しており、前記複数の電源供給線と前記複数の第３電極電源供給線は前記複数のソース信号線と平行に配置され、前記複数の電源供給線の各々と前記複数の第３電極電源供給線の各々は、前記複数のゲート信号線の伸張方向に位置する隣接した２個の画素に配置された一対の駆動用ＴＦＴ及び一対の３極性有機電界発光装置に共有し連結している請求項１０に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項１３】
前記複数のゲート信号線と平行に配置される複数の消去ゲート配線、および各々が前記駆動用ＴＦＴと前記複数の電源供給線の１つとの間に連結している複数の消去用ＴＦＴを、さらに備える請求項１２に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項１４】
各画素は、前記スイッチング用ＴＦＴのソース及びドレーンの１つと、前記複数の電源供給線の１つとの間に連結している他のスイッチング用ＴＦＴ、及び前記駆動用ＴＦＴのゲートと前記複数の電源供給線の１つとの間に連結している消去用ＴＦＴをさらに含み、
前記他のスイッチング用ＴＦＴのゲートはｉ番目ゲート信号線に連結しており、前記スイッチング用ＴＦＴのゲートはｉ+１番目ゲート信号線に連結しており、前記消去用ＴＦＴのゲートはｉ-１番目ゲート信号線に連結している請求項１２に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【請求項１５】
前記複数の第３電極電源供給線の１つに連結しており、前記第３電極の各々に転送される信号のタイミングを制御する第３電極駆動回路をさらに含む請求項１０に記載のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置(ＯＥＬＤ:Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ-Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ)に関し、特に、低駆動電圧下で高発光輝度を持つアクティブマトリックス型ＯＥＬＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、自己発光装置としての２端有機発光装置の開発に伴い、この２端有機発光装置を採用するＯＥＬＤパネル又はＯＥＬＤが盛んに研究されてきている。
【０００３】
通常、２端有機発光装置は有機発光ダイオード(ＯＬＥＤ:ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ)と称する。ＯＬＥＤは、一対の電極、すなわち陽極と陰極、および陽極と陰極との間に介在された有機発光層を含む。代表的なＯＬＥＤとして、“Ｔａｎｇ”等により提案された“陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極”の構造を持つものがある。このような多層の積層構造を持つＯＬＥＤは、高発光効率を持つため、研究開発中にある現在のＯＥＬＤの大部分で採択されている。さらに、正孔注入層は陽極と正孔輸送層との間に形成されることができ、或いは電子注入層が電子輸送層と陰極との間に形成されることができる。
【０００４】
電圧がＯＥＬＤに印加されれば、陰極から出た電子および陽極から出た正孔は有機発光層に注入され、以後、有機発光層に注入された電子と正孔の再結合により発光中心が励起され、これにより電界発光を生ずる。本明細書では、陽極と陰極との間に介在された全ての層を“ＥＬ層”という。よって、ＥＬ層は前述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層を含むことができる。また、単一の有機層を、ＥＬ層の形成に使用することができる。本明細書では、ＥＬ装置からの発光を“ＥＬ装置の駆動”と言及する。
【０００５】
ＯＥＬＤの駆動システムは、パッシブマトリックス型システムと、アクティブマトリックス型システムとを含む。パッシブマトリックス型ＯＥＬＤは、ストライプパターン形状で透明な絶縁基板上に形成された透明電極である陽極、有機ＥＬ層、および陽極と直交するストライプパターン形状の金属である陰極を含み、これらは順次形成される。
【０００６】
パッシブマトリックス型ＯＥＬＤにおいて、陽極(または陰極)の走査線の１つが選択され、選択された走査線に連結している複数のデータ信号の１つ或いはその以上の陰極(または陽極)信号線が選択される。よって、選択された走査線と選択されたデータ信号線に連結している画素から発光が発生する。外部から入力されたデータ信号(またはビデオ信号)が信号線駆動回路により編集され、これにより信号線として出力される。信号線駆動回路用ＩＣチップは、ＴＡＢ(Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ)方式にて表示装置上に装着されたり、或いは画素基板上に直接接合されたりして、表示装置に組立てられる。
【０００７】
アクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、マトリックス状で配列された複数の画素の各々として用意した駆動半導体素子およびスイッチング半導体素子を含む。半導体素子らは、前記ＯＥＬＤの陽極と陰極の１つに連結してＯＥＬＤの電流を制御する。アクティブマトリックス型ＯＥＬＤの単位画素は、ＯＬＥＤ及び絶縁基板上に形成された半導体フィルムを持つトランジスタを含む。ここで、半導体フィルムを持つトランジスタは、以後に“薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下“ＴＦＴ”という)と称する。
【０００８】
具体的に、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、複数のＯＬＥＤ、絶縁基板上に形成された複数のゲート信号線、複数のソース信号線、複数の電源供給線、スイッチング用および駆動用複数のＴＦＴ、並びに複数のキャパシタを含む。一般的に、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤにおける各々の画素には、少なくとも１個のスイッチング用ＴＦＴと、少なくとも１個の駆動用ＴＦＴとを含む、少なくとも２個のＴＦＴ及び１個のキャパシタが提供される。
【０００９】
最近、基板上にＴＦＴを形成する技術が非常に進歩した。特に、多結晶質シリコンからなるＴＦＴは、非結晶質シリコンからなる従来のＴＦＴよりも高い移動度(ｍｏｂｉｌｉｔｙ)を有するので、より高速で動作できる。また、各画素は外部駆動回路により制御された。しかしながら、多結晶シリコンＴＦＴ技術は、基板上に画素を制御するための駆動回路を直接形成することを可能にする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したように、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤの各種駆動回路および素子は単一の基板上に形成できるので、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、製作費用の減少、歩留まりの向上および表示装置の小型化のような多くの利点を持つ。また、ＯＬＥＤはバックライト・ソースが不要なので、液晶表示装置(ＬＣＤ)と比較して、ＯＬＥＤを使用する表示装置の厚さ及び重さを非常に減少させることができる。そのような理由により、ＬＣＤの代わり、ＯＥＬＤがモバイルコンピュータ、モバイル電話機、モバイルゲーム装置、電子書籍などのような携帯用情報端末機のディスプレイ部分で使用される傾向にある。このような傾向と相まって、より低動作電圧下で、より高発光輝度を持つＯＥＬＤの開発が要求されている。
【００１１】
従って、本発明の目的は、低動作電圧下で高発光輝度を持つＯＥＬＤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によるアクティブマトリックス型ＯＥＬＤにおいて、透明基板上に、３端子(又はトライオード)有機電界発光装置、および前記３端子(又はトライオード)有機電界発光装置を駆動させるためのＴＦＴのような駆動半導体手段を持つ画素が形成される。ここで、３端子(又はトライオード)有機電界発光装置は、画素電極、画素電極と対向しながら配置された対向電極、画素電極と対向電極との間に介在された発光層、および画素電極と対向電極の１つが形成された水準で位置され、画素電極または対向電極から離隔している調節電極を含む。前記調節電極は、画素電極および発光層間の電位差または対向電極および発光層間の電位差を制御し、画素電極および対向電極間の領域の外部に形成される。以後、３端子(又はトライオード)トランジスタ装置を“トライオード”と称する。前記半導体手段は、３極性有機電界発光装置の上部または下部に位置する。層間絶縁膜は、半導体手段と３極性有機電界発光装置との間に介在される。半導体手段は、外部電源を受ける一端と、層間絶縁膜内に形成されたビアホールを通じて３極性有機電界発光装置の３個の電極のいずれか１つに連結している他端とにより、３極性有機電界発光装置の電流の流れが制御される。
【００１３】
代表例として、前記半導体手段は、３極性有機電界発光装置の画素電極に連結することができる。以後、このような構造は単純化のため本発明を説明するのに利用されるが、本発明はこれに限定されるものではない。特に、調節電極が画素電極の形成された水準で形成され、調節電極が層間絶縁膜内に具備されたビアホールと同じ高さを持つ第２ビアホールを通じて、調節電極に印加される電源供給に接続される。そして、画素電極および対向電極は同じ物質からなるが、これは従来の２端有機電界発光装置の製造工程に比べて、追加工程を発生させない。
【００１４】
他の例として、調節電極は、対向電極の形成された水準で形成されて電源供給線に連結している。ここで、対向電極と調節電極は、同じ物質からなることが望ましい。
【００１５】
前述した発光層は、１重項または３重項の励起により得た低分子量有機材料あるいは高分子材料からなる。
【００１６】
本発明の他の側面から、ソース信号線駆動回路およびゲート信号線駆動回路を持つアクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、ソース信号線駆動回路から提供される複数のソース信号線と、ソース信号線とマトリックス状で配置され、ゲート信号線駆動回路から提供される複数のゲート信号線と、各々が複数のソース信号線の１つと複数のゲート信号線の１つとの交差部分に配置される複数の画素と、および、複数の画素を駆動するための電源を供給する複数の電源供給線を含む。そして、複数の画素の各々は、３極性有機電界発光装置および複数の３極性有機電界発光装置に電気的に連結している複数のＴＦＴを含む。３極性有機電界発光装置は、画素電極(陽極またはドレーン電極)用第１電極、第１電極上に形成される有機発光層、有機発光層上に形成される対向電極(陰極又はソース電極)用第２電極、および第１電極と第２電極との間の領域の外部に形成される調節電極(ゲート電極)用第３電極を含む。第３電極は、第１電極および有機発光層間の電位差または第２電極および前記有機発光層間の電位差を調節する。また、本発明のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、画素の第３電極に印加される電源を供給するための第３電極電源供給線をさらに含む。
【００１７】
一実施例として、複数のＴＦＴは、３極性有機電界発光装置の電流の流れ量を制御する駆動用ＴＦＴ及び駆動用ＴＦＴのオン/オフを制御するスイッチング用ＴＦＴを含む。駆動用ＴＦＴは、複数の電源供給線の１つと３極性有機電界発光装置との間に連結しており、３極性有機電界発光装置は、駆動用ＴＦＴと複数の第３電極電源供給線の１つとの間に連結している。スイッチング用ＴＦＴは、複数のソース信号線の１つに連結しており、そして、複数のゲート信号線の１つと駆動用ＴＦＴとの間に連結している。複数の電源供給線は複数のソース信号線と平行に配列され、複数の第３電極電源供給線は複数のゲート信号線と平行に配列される。
【００１８】
他の実施例として、複数の電源供給線と複数の第３電極電源供給線は、複数のソース信号線と平行に配列される。複数の電源供給線の各々と複数の第３電極電源供給線の各々は、複数のゲート信号線の伸張方向に位置して隣接している２個の画素に配置された一対の駆動ＴＦＴ及び一対の３極性有機電界発光装置に共通的に連結している。
【００１９】
また、他の実施例として、本発明のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、複数のゲート信号線と平行に配置される複数の消去ゲート配線、および各々が駆動用ＴＦＴと複数の電源供給線の１つとの間に連結している複数の消去用ＴＦＴをさらに備える。
【００２０】
また、他の実施例として、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤの各画素は、スイッチング ＴＦＴのソース及びドレーンの１つと駆動用ＴＦＴのゲートとの間に形成された第１消去用ＴＦＴ、並びに駆動用ＴＦＴのゲートと複数の電源供給線の１つとの間に連結している第２消去用ＴＦＴをさらに含む。この場合、第１消去用ＴＦＴのゲートはｉ番目ゲート信号線に連結しており、スイッチング用ＴＦＴのゲートはｉ+１番目ゲート信号線に連結しており、第２消去用ＴＦＴのゲートはｉ-１番目ゲート信号線に連結している。
【００２１】
従来のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤでは、画素は２端有機発光ダイオード装置を半導体素子に連結して得られた。しかしながら、本発明のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤでは、３極性有機発光トランジスタ(又はトライオード装置)が半導体素子に接続されて画素を形成し、これにより、発光メカニズムを制御する。したがって、ＯＥＬＤの発光効率が向上する。ここで、半導体素子としては、電界効果トランジスタ(ＦＥＴ)、望ましくはＴＦＴが使用される。
【００２２】
図１ａは、本発明のＯＥＬＤに使用された一例による３極性有機ＥＬ装置の横断面図を示す。この３極性有機ＥＬ装置は、基板１０と、この基板１０上に形成された第１電極１１と、この第１電極１１の上部に形成され、第１有機層２２及び/または第２有機層２６を含む有機層と、この有機層の上部で第１電極１１と対向すように形成された第２電極１６と、有機層の相対的な電位差を調節するために有機層の下部に形成された第３電極２０とを含む。ここで、第３電極２０は、第１電極１１と第２電極１６との間の領域の外部に形成される。第３電極は、伝導性有機材料、伝導性無機材料、金属またはその複合体で構成され、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ及びその複合物からなる群から選択されたいずれか１つであることが望ましい。
【００２３】
第３電極２０の位置と形態は、特に限定されないが、第３電極２０が第１電極１１及び第２電極１６間の領域の内部に多孔性の網(ｐｏｒｏｕｓ ｎｅｔｗｏｒｋ)形状または格子(ｇｒｉｄ)形状で形成された場合、第３電極２０が第１電極１１及び第２電極１６間の電界を遮蔽できる。よって、電荷キャリアの注入および輸送は直接妨害を受けて、発光活性領域が非常に減少される。これに、上記問題を克服するために、第３電極２０は陽極１１と陰極１６との間に限定された領域の外部に形成されることが望ましい。また、第３電極２０は、絶縁性有機材料または絶縁性無機材料で封止することもできる。第３電極２０は、陽または陰の電位を持つように外部回路と連結しており、ＥＬ層に移動する電子および正孔の電流の流れ量が制御され、発光輝度は変化できる。３極性有機ＥＬ装置の詳細な説明は、大韓民国特許出願１０-２００１-３２４０５、大韓民国特許出願１０-２００１-６５４４２及びＰＣＴ出願ＰＣＴ/ＫＲ０２/１０３に記載されている。本発明によるＯＥＬＤは、これら３件の出願明細書で言及した３極性有機ＥＬ装置を使用する。
【００２４】
ＥＬ層は、第１有機層２２及び/または第２有機層２６を含むことができ、これらは正孔注入層(ＨＩＬ)１２、正孔輸送層(ＨＴＬ)１３、有機発光層(ＥＭＬ)１４及び電子輸送層(ＥＴＬ)１５から構成することができる。第１電極１１は、ＥＬ層に正孔を注入する陽極(Ａ)として作用し、第２電極１６は、ＥＬ層に電子を注入する陰極(Ｃ)として作用する。このようなＯＥＬＤにおいて、第１電極１１及び第２電極１６に対するＥＬ層(２２及び/または２６)の相対的な電位差は、第３電極２０に印加される電圧の強さを制御することにより調節できる。従って、第３電極２０によって有機ＥＬ層(２２及び/または２６)に移動された電子と正孔の流れ量を精密に調節することにより、発光の強さを制御できる。
【００２５】
有機ＥＭＬ（１４）は、ＯＬＥＤの製造に使用される従来の多様な化合物からなり、望ましくは、伝導性、非伝導性または半導体性の有機モノマー、オリゴマー或いは高分子を使用できる。有機モノマーは、緑色領域(５４０-５５０ｎｍ)で発光するＡｌｑ３(ｔｒｉｓ(８-ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ ａｌｕｍｉｎｕｍ))、ＢｅＢｑ２(ｂｉｓ(１０-ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏ[ｈ]ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ)ｂｅｒｙｌｌｉｕｍ ｃｏｍｐｌｅｘ)、Ａｌｍｑ(ｔｒｉｓ(４-ｍｅｔｈｙｌ-８-ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ)ａｌｕｍｉｎｕｍ)とすることができる。有機ＥＭＬ(１４)用青色発光層は、ＺｎＰＢＯとＢａｌｑ(Ｂｉｓ(８-ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌａｔｏ)-(４-ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ)ａｌｕｍｉｎｕｍ)のような金属錯体化合物、またはスチリルアリレン(ｓｔｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ)系誘導体であるＤＰＶＢｉ(４、４’-ｂｉｓ(２、２-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｖｉｎｙｌ)ｂｉｐｈｅｎｙｌ)、オキサジアゾル(ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ)系誘導体であるＯＸＡ-Ｄ、ビススチルアントラセン系誘導体、ビススチリルアリレン系誘導体としてＢｃｚＶＢｉ(４、４’-Ｂｉｓ(２-ｃａｒｂａｚｏｌｅ)ｖｉｎｙｌｅｎｅ)ｂｉｐｈｅｎｙｌ)などの非金属錯体化合物からなるとすることができる。また、高発光効率を持つ有機ドーパントが有機ＥＭＬ(１４)に添加されて、有機ＥＬ装置の発光効率および耐久性を向上させる。有機ＥＭＬ(１４)としては、ＰＰＰ(ｐｏｌｙ(ｐａｒａ-ｐｈｅｎｙｌｅｎｙｌｅｎｅ)、ＰＰＶ(ｐｏｌｙ(１、４-ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎｅ)、ＰＶＫ(ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｃａｒｂａｚｏｌｅ)またはポリカーボネート(ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ)などの公知の発光高分子を使用できる。
【００２６】
必要に応じて形成される前記ＨＩＬ(１２)及びＨＴＬ(１３)は、陽極１１から正孔の注入を容易にし、正孔を安全に輸送し、電子の遮断を容易にするために使用される。ＨＩＬ(１２)及びＨＴＬ(１３)として、ＴＰＤ(ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ; Ｎ、Ｎ’-ｂｉｓ(３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ)-Ｎ、Ｎ’-ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ)、スチリルアミン(ｓｔｒｙｌａｍｉｎｅ)誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を使用することができる。ＥＴＬ（１５）は、陰極１６から電子の注入を容易にし、電子を有機ＥＭＬ（１４）に安定に輸送し、正孔の遮断を容易にするためのものとして、Ａｌｑ３のようなキノリン誘導体から構成することができる。
【００２７】
すなわち、ＨＩＬ(１２)、ＨＴＬ(１３)及びＥＴＬ(１５)は、有機ＥＭＬ(１４)の方に流れる正孔および電子の数を増加させ、発光のためにこれらを再結合することにより、有機ＥＬ装置の発光効率を改善させる。ＨＩＬ(１２)、ＨＴＬ(１３)、ＥＭＬ(１４)及びＥＴＬ(１５)の厚さは特に制限されず、製造方法に依存して一般的には５〜８００ｎｍ程度の厚さを持つ。所定の場合には、ＥＬ層上に無機層を追加することができる。
【００２８】
正孔注入のための陽極１１は、相対的に高い仕事関数を持つＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ)、ＩＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ)、ポリアニリンまたはＡｇなどから構成することができる。電子注入のための陰極１６は、相対的に低い仕事関数を持つＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉまたはその複合体から構成することができる。必要に応じて陰極１６の下部に、ＬｉＦのような無機層を積層することもできる。第３電極２０は、伝導性有機モノマーや伝導性有機オリゴマー等の伝導性有機材料、伝導性無機材料、金属またはその複合体で構成され、望ましくはＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ及びその化合物で構成される群で選択された何れか１つから構成することができる。第３電極２０は、陽または陰の電位を持つように外部回路と連結している。これにより、第３電極２０に印加された電位が、ＥＬ層(２２及び/または２６)の電位差を調節する。その結果、有機ＥＭＬ(１４)(図１ｂ)に移動する電子および正孔の流れが統制され、発光輝度が変化する。
【００２９】
３極性有機ＥＬ装置の動作は、エネルギーバンド構造の電位差ダイヤグラムを示す図１ｂ〜図１ｄより明らかとなる。
【００３０】
陽極１１、陰極１６及び第３電極２０に電位が印加されなければ、図１ｂに示すように、ＨＩＬ(１２)、ＨＴＬ(１３)、有機ＥＭＬ(１４)及びＥＴＬ(１５)は熱力学的平衡状態にあり、各層のフェルミ準位は互いに一致する。
【００３１】
第３電極２０が外部電気回路から分離された状態において、陽極１１と陰極１６との間に電位ＶＣＡが印加されれば、陽極１１から正孔がＨＩＬ(１２)のＨＯＭＯ(ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ)状態で順次注入され、陰極１６から電子がＥＴＬ(１５)のＬＵＭＯ(ｌｏｗｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ)状態で順次注入される。ここで、印加電圧ＶＣＡがターンオン(ｔｕｒｎ-ｏｎ)電圧(ＶＯＮＳＥＴ)より低いと、正孔および電子が有機ＥＭＬ(１４)に移動できないため電界発光が発生せず、これは通常のＯＬＥＤの動作と同一である。反面、図１ｃに示すように、第３電極２０が外部電気回路に連結しており、陰極１６と第３電極２０との間に電圧ＶＣＧが印加されれば、電圧ＶＡＧにより発生した電圧によって、電子はＨＩＬ(１２)、ＨＴＬ(１３)及びＥＴＬ(１５)を通して有機ＥＭＬ(１４)に移動できる。このため、有機ＥＭＬ(１４)で正孔と電子の発光性再結合により、電界発光が発生する。さらに、陽極１１と陰極１６との間の局所電界効果により、付加電子が第３電極２０から有機ＥＭＬ(１４)に注入できる(図１ｃ)。これは、電圧ＶＣＡがＶＯＮＳＥＴより小さくても、第３電極に電圧ＶＣＧが印加されれば、電界発光が発現できることを意味する。このような状態において、電圧ＶＣＡが漸次増加すれば、有機ＥＭＬ(１４)に注入される正孔と電子の濃度が漸次増加し、発光輝度も漸次増加する。３極性有機ＥＬ装置の特性は、第３電極２０の電位に敏感に依存する。
【００３２】
図１ｅは、本発明のＯＥＬＤに使用された他の例の３極性有機ＥＬ装置の概略横断面ダイヤグラムを示す。３極性有機ＥＬ装置は、基板１０と、この基板１０上に形成された第１電極１１と、この第１電極１１の上部に形成され、第１有機層２２及び/または第２有機層２６を含むＥＬ層と、このＥＬ層の上部で第１電極１１と対向すように形成された第２電極１６と、ＥＬ層の相対的な電位差を調節するためにＥＬ層の下部に形成された第３電極２０とを含む。ここで、第３電極２０は、第１電極と第２電極との間の領域の外部に形成される。
【００３３】
３極性有機ＥＬ装置の動作は、エネルギーバンド構造の電位ダイヤグラムを示す図１ｆ〜図１ｈにより明らかである。
【００３４】
図１ｆに示すように、陽極１１、陰極１６及び第３電極２０に電圧が印加されなければ、ＨＩＬ(１２)、ＨＴＬ(１３)、有機ＥＭＬ(１４)及びＥＴＬ(１５)は熱力学的平衡状態にあり、各層のフェルミ準位は互いに一致する。
【００３５】
図１ｆに示すように、第３電極２０が外部電気回路から分離された状態において、陽極１１と陰極１６との間に電位ＶＣＡが印加されれば、陽極１１から正孔がＨＩＬ(１２)のＨＯＭＯ状態で順次注入され、陰極１６から電子がＥＴＬ(１５)のＬＵＭＯ状態で順次注入される。ここで、印加電圧ＶＣＡがターンオン電圧(ＶＯＮＳＥＴ)より低いと、正孔および電子が有機ＥＭＬ(１４)に移動できないため電界発光が発生せず、これは通常の２極性ＯＬＥＤの動作と同一である。反面、図１ｇに示すように、第３電極２０が外部電気回路に連結しており、陰極１６と第３電極２０との間に電圧ＶＣＧが印加されれば、電圧ＶＣＧの電位差のため、電子および正孔はＨＩＬ(１２)、ＨＴＬ(１３)及びＥＴＬ(１５)を通して有機ＥＭＬ(１４)に移動できる。このため、有機ＥＭＬ(１４)で正孔と電子の発光性再結合により電界発光が発生する。さらに、陽極１１と陰極１６との間の局所電界効果により、付加電子が第３電極２０から有機ＥＭＬ(１４)に注入できる(図１ｇ)。すなわち、電圧ＶＣＡが第３電極２０に印加時、ＶＯＮＳＥＴより小さい電圧ＶＣＡによっても、電界発光を発生することができる。電圧ＶＣＡが漸次増加すれば、図１ｈに示すように、有機ＥＭＬ(１４)に注入される正孔と電子の濃度が徐々に増加し、発光輝度も漸次増加する。
【００３６】
以上のように、３極性有機ＥＬ装置は、電圧ＶＣＡがＶＯＮＳＥＴより低い条件でも、発光を生じさせることができ、３極性有機ＥＬ装置の発光輝度は２極性有機ＥＬ装置よりも高い。
【００３７】
一方、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、同じ発光輝度を確保するのにパッシブマトリックス型ＯＥＬＤよりも低動作電圧を持つので、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤの消費電力をパッシブマトリックス型ＯＥＬＤよりも一層抑制することができる。アクティブマトリックス型ＯＥＬＤでは、パッシブマトリックス型ＯＥＬＤに比べて、発光輝度を画素数に関係なしに獲得できる。すなわち、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤにおける有機ＥＬ装置の電流密度は、多数の画素がある場合にもほぼ一律に低い。反面、パッシブマトリックス型ＯＥＬＤにおける有機ＥＬ装置の電流密度は、所定の発光輝度を維持するために、画素数の増加に従って顕著に増加する。
【００３８】
結局、画素数を増加させて高解像度のイメージを得るには、相対的に低い電流密度を持つ(すなわち、低い消費電力を持つ)アクティブマトリックス型ＯＥＬＤの方が、消費電力の側面から見れば、パッシブマトリックス型ＯＥＬＤより有利となる。従って、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤに前述した３極性有機ＥＬ装置を採択する場合、所定の輝度を確保するための動作電圧は一層低くなったり、或いは所定の動作電圧下での発光効率が一層向上できたりし、これにより、高発光輝度を持ってイメージを表示できる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によるアクティブマトリックス型発光装置は、相対的に低い動作電圧を持つ３極性有機ＥＬ装置を採用して、ＯＥＬＤの低消費電力、高発光輝度、信頼性の向上およびＯＥＬＤのＥＬ層の寿命延長が得られる。従って、本発明のアクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、電気製品、表示装置、テレビ、デジタルカメラ、コンピュータ、ノートブックコンピュータ、モバイルコンピュータ、録画媒体を備えた携帯映像再生装置、スクリーン、掲示板、広告看板、ゴーグル型表示装置、自動車用表示装置、ビデオカメラ、プリンタ表示装置、遠隔通信装置、電話機用表示装置、モバイル電話、オーディオ装置、ゲーム機、無線携帯情報端末機、電子手帳、電子本、ＣＤ再生装置、発光アクセサリ及び前方または後方プロジェクタ等のような発光装置を採用する装置に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明による３極性有機ＥＬ装置を採用するアクティブマトリックス型ＯＥＬＤの実施例を、具体的に説明する。
【実施例１】
【００４１】
図２ａは、本発明の一例によるＯＥＬＤの概略ダイヤグラムを、図２ｂは、図２ａのＡ-Ａ’による概略横断面ダイヤグラムを、図２ｃは、図２ａの画素部における単位画素の一例を示す概略回路図を、図２ｄは図２ｃの回路用レイアウトを、図３ａ-３ｄは図２ａの画素部分に採用される単位画素の概略横断面を示す。
【００４２】
本発明によるアクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、画像が表示される画素部２１１と、画素部２１１に信号を伝達するソース信号駆動回路２１２と、ゲート信号駆動回路２１３と、第３電極駆動回路２１５とを含む。駆動回路２１２、２１３、２１５に転送される信号は、入力配線２１４を通してフレキシブル印刷回路コネクター２１９(ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄｓ Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ)から提供される。尚、未説明の符号２１６は本発明による３極性有機ＥＬ装置の上部に具備されたカバー部材、符号２１７は酸素と水の侵入を防止するのため保護膜、符号２１８は樹脂からなる封止部材を示す。
【００４３】
ゲート駆動回路２１３は、画素部２１１の画素２０３に転送される信号のタイミングを制御するためのもので、シフトレジスタ、バッファー、ラッチ、伝達ゲートまたはレベルシフタを備える。図２ｂに示すように、ＮチャネルＴＦＴ(１０９)とＰチャネルＴＦＴ(１０８)からなるＣＯＳ回路が、ゲート駆動回路２１３の基本ユニットとなっている。シフトレジスタ、バッファー、ラッチ、伝達ゲートまたはレベルシフタの構造は、公知である。
【００４４】
図２ｂには示していないが、ソース信号駆動回路２１２は、ソース信号線に入力される信号を編集/生成するものである。ソース信号駆動回路２１２は、１ライン期間にわたって入力された入力信号をサンプリングするデジタル信号サンプリング回路、サンプリングしたデジタル信号を記憶させる記憶回路、記憶されたデジタル信号を相応する持続時間のパルスに変換する記憶回路、およびパルスの持続時間の間、一定値の電流を出力する定電流回路からなり、このような回路も公知のもので、ＣＯＳ回路を使用して構成できる。
【００４５】
第３電極駆動回路２１５は、第３電極２０に転送される信号のタイミングを制御するためのもので、所定の電圧レベルの電源供給回路と第３電極電源供給線に連結している。また、ゲート駆動回路２１３と類似の第３電極駆動回路２１５は、シフトレジスタ、バッファー、ラッチ、伝達ゲートまたはレベルシフタを含む。図２ｂに示すように、ＮチャネルＴＦＴ(１１１)とＰチャネルＴＦＴ(１１３)からなるＣＯＳ回路が、第３電極駆動回路２１５の基本ユニットとなっていることが望ましい。併せて、第３電極駆動回路２１５はゲート駆動回路２１３と一部または全体を共有できる。
【００４６】
前述した駆動回路２１２、２１３、２１５は、本実施例のように、画素部２１３と同じ基板上に具備させることができ、別途に集積されたチップ形態で具備させて画素部２１３に接続させることもできる。
【００４７】
図２ｂに示すように、画素部２１１は、複数の画素２０３、及び複数の画素２０３の各々に対応して配置された１個のスイッチング用ＴＦＴ(図示せず)と１個の駆動用ＴＦＴ(１０２)とからなる複数のＴＦＴを含む。
【００４８】
図２ｂの画素２０３は、図３ａの画素構造と同一なので、図２ｂの画素２０３の構造および製造工程は、図３ａを参照して説明する。
【００４９】
図３ａによれば、可視光線に対して透明な基板１０上には、３極性有機ＥＬ装置１１、２０、２２、２６または１６を通して流れる電流量を制御するための駆動用ＴＦＴ(１０２)と、駆動用ＴＦＴ(１０２)に印加される電圧を制御するためのスイッチング用ＴＦＴ(図示せず)とが具備される。駆動用ＴＦＴ(１０２)のドレーン４２は、３極性有機ＥＬ装置の陽極１１と連結しており、ここで、陽極１１は画素電極である。３極性有機ＥＬ装置の第３電極２０は、画素電極１１が形成された水準で形成される。
【００５０】
画素の製造過程によれば、ソース４０、ドレーン４２及びゲート４１を有する駆動用ＴＦＴ１０２と、スイッチング用ＴＦＴ(図示せず)とを基板１０上に形成する。以後、駆動用ＴＦＴ(１０２)のソース４１に連結している電源供給線８１１と、３極性有機ＥＬ装置の第３電極２０に電源を供給する第３電極電源供給線８１５とが同時に形成される。基板１０としては、ガラス基板、石英基板、結晶化ガラス基板またはプラスチック基板を使用でき、基板１０は３極性有機ＥＬ装置の構造および用途により、シリコンまたはガリウム砒素のような半導体材料から構成できる。駆動用ＴＦＴ(１０２)のゲート４１の形成の間、ゲート配線８０５が形成される。
【００５１】
そして、電源供給線８１１、８１５が形成された結果物上に、約５０ｎｍの窒化ケイ素膜１５ａと１０００ｎｍ厚さのアクリル層１５ｂとからなる層間絶縁膜１５が形成されて、結果物を平坦化する。窒化ケイ素膜は、外部からイオン不純物が３極性有機ＥＬ装置を採用する装置内の半導体層に混入することを防止するために使用される。アクリル層は平坦化のために使用されるが、これに代えて、ポリアミド、ポリイミド及びＢＣＢ(ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ)のような熱硬化型または光硬化型の有機樹脂材料を使用することもできる。アクリル層のような有機樹脂膜は吸湿性を持つため、有機樹脂層の表面は、有機樹脂のコーティング後、表面をコンパクトに再形成するためにプラズマ処理されることが望ましい。また、プラズマ処理は、３極性有機ＥＬ装置の陰極１６として使用されるリチウムのようなアルカリ性金属材料が、３極性有機ＥＬ装置を採用する装置内の半導体層に消散することを防止する。
【００５２】
平坦化した層間絶縁膜１５に、電源供給線８１１及び第３電極電源供給線８１５を露出させるビアホールを形成する。ビアホールを有する基板上に、高い仕事関数(例えば、４.５〜５.５ｅＶ)を持つ導電性物質をコーティングしパターニングして、画素電極(または陽極１１)と第３電極２０を同時に形成する。典型的には、陽極１１を形成する材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、錫オキサイドまたはその化合物などを使用する。第３電極２０を形成する他の方法として、マスクを使用することができる。第３電極２０が形成される部分を除いて基板上に陽極１１を形成後、さらにマスクを利用して陽極１１が形成された部分を除いた基板上に陽極１１形成物質と異なる導電性物質を塗布して、第３電極２０を形成することもできる。以後、画素電極(または陽極１１)と第３電極２０の上部にＥＬ層２２、２６を順次形成する。ＥＬ層２２、２６の膜厚は８０〜２００ｎｍ(典型的には１００〜１２０ｎｍ)であり、陰極１６の厚さは１８０〜３００ｎｍ(典型的には２００〜２５０ｎｍ)である。そして、ＥＬ層は単一膜構造または多層膜構造を持つことができ、これらは公知である。ＥＬ層の形成時、赤色光を発光するＥＬ層、緑色光を発光するＥＬ層および青色光を発光するＥＬ層が同時に形成される。併せて、ＥＬ層は、カラー変換層またはカラーフィルタ層と協力してカラー表示を提供できる層を含む。そして、ＥＬ膜を構成する材料は、１重項励起(ｓｉｎｇｌｅｔ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ)によりＥＬを得る蛍光材料と、３重項励起(ｔｒｉｐｌｅｔ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ)によりＥＬを得る燐光材料とを含む。
【００５３】
次に、ＥＬ層の上部に対向電極として陰極１６を形成する。陰極１６の材料としては、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇ及びＢａのいずれか１つ(例えば、Ｍｇ：Ａｇ又はＡｌ：Ｌｉ)のように低い仕事関数(例えば、２.５〜３.５ｅＶ)を持つ導電性材料が使用される。ここで、発光材料を含んだＥＬ層と陰極１６は、大気に露出させることなく、連続的に形成されることが望ましい。また、複数の画素間の漏洩電流をシンク(ｓｉｎｋ)できる導電体を画素間に形成することもできる。
【００５４】
製作した３極性有機ＥＬ装置２０３は、保護膜１７により覆われる。保護膜１７は、３極性有機ＥＬ装置を酸素と水から保護するためのものである。保護膜１７の材料としては、窒化ケイ素、窒酸化ケイ素、酸化アルミニウム膜、酸化チタンまたは炭素(特に、ダイアモンド型炭素)などを使用することができる。未説明の符号５１Ａ及び５１Ｂは、画素部２１１で単位画素２０３を分離するための画素分割バリア(ｂａｒｒｉｅｒ)を示す。
【００５５】
前述したように、駆動用ＴＦＴが３極性有機ＥＬ装置の陽極１１に連結している場合、陰極１６が対向電極になる。ここで、駆動用ＴＦＴとしてＰチャネルＴＦＴが使用されれば、ＯＥＬＤの消費電力が抑制される。しかしながら、スイッチング用ＴＦＴは、ＮチャネルＴＦＴまたはＰチャンネルＴＦＴで構成させることもできる。
【００５６】
ＯＥＬＤの製造工程面からみれば、画素内の駆動用ＴＦＴ(１０２)のソース４０に接続された電源供給線８１１の形成時、第３電極２０に連結している第３電極電源供給線８１５を、同時に形成することができる。併せて、ドレーン４２を画素電極１１に連結するビアホールの形成時、第３電極電源供給線を第３電極２０に連結するビアホールが同時に形成されることができる。したがって、ドレーン４２にコンタクトされるビアホールの高さは、第３電極電源供給線８１５を第３電極２０に連結するビアホールの高さと実質的に同一である。陽極１１と第３電極２０の材料が同じ場合、駆動用ＴＦＴ(１０２)上に形成されたビアホールを通じて駆動用ＴＦＴ(１０２)のドレーン４２に連結する画素電極１１の製作途中、第３電極電源供給線８１５上に形成されたビアホールを通じて第３電極電源供給線８１５に連結する第３電極２０が画素電極１１の近くに同時に形成される。従って、第３電極２０による製造工程段階の増加なしに３極性有機ＥＬ装置を含む画素が製作されることができる。画素製作過程のうち、特に、画素部２１１の駆動用ＴＦＴ及びスイッチング用ＴＦＴの製作に際し、ゲート信号駆動回路２１３を構成するＴＦＴ(１０８、１９８)、ソース信号駆動回路２１２及び第３電極駆動回路２１５を構成するＴＦＴ(１１１、１１３)が同時に製作されることができる。
【００５７】
複数の画素、ゲート信号駆動回路２１３、ソース信号駆動回路２１２及び第３電極駆動回路２１５が作られた後、保護膜２１７が結果物上に印加され、ＥＬ装置は封止部材２１８または保護膜により保護され、本発明によるアクティブマトリックス型ＯＥＬＤが機密空間２２０の中に完全に封止され、外気に露出しなくなる。機密空間２２０は、不活性ガス(典型的に窒素ガスまたは稀ガス)、樹脂または不活性液体(典型的に、パークロロアルカン(ｐｅｒｃｈｌｏｒｏａｌｋａｎ)に代表される液体フッ化炭素)により充填できる。併せて、水分吸収剤(例えば、酸化バリウム)または脱酸化剤を機密空間２２０に導入することも効果的である。また、包装のような工程により装置を機密した後、基板上に形成された装置または回路からの端子を、外部端子に接続させるためのＦＰＣ(２１９)が製造されて、図２ｂでの最終ＯＥＬＤが作られる。
【００５８】
ＯＥＬＤの３極性有機ＥＬ装置を含む画素の構造は、図２ｂまたは図３ａに示すものに限定されず、多様に変更することができ、このような変更例の一部を図３ｂ〜図３ｄに示す。
【００５９】
図３ｂでは、画素部にＥＬ層を形成した後、陰極１６を形成する工程のうちで導電性材料を基板の全面に塗布しパターニングして、陰極１６と第３電極２０を同時に形成できることを除いて、従来のＯＬＥＤを含む画素の製作工程がそのまま適用される。ここで、陰極１６の材料は、第３電極２０の材料と同じであることが望ましい。必要に応じて、複数のマスクを利用して陰極１６及び第３電極２０は、同種または異種の物質で形成されてもよい。この場合、陰極１６と第３電極電源供給線８１５が、駆動回路の電源供給線が形成されてから続いて形成され、その後、保護膜が形成される。
【００６０】
図３ｃ及び図３ｄは、３極性有機ＥＬ装置の陰極１６が駆動用ＴＦＴ(１０２)に電気的に連結していることを示す。画素電極が陰極１６の材料で形成され、駆動用ＴＦＴ(１０２)は消費電力を考慮して、ＮチャネルＴＦＴで構成されることが望ましい。図３ａ及び図３ｂのように、３極性有機ＥＬ装置の第３電極２０は、図３ｃに示すようにＥＬ層の下部に形成されたり、または図３ｄに示すようにＥＬ層上に形成されたりする。対向電極は透明な陽極１１であり、図３ａ及び図３ｂの場合とは反対に、装置の上部の方向に発光される。
【００６１】
また、図３ａ〜図３ｄでは、駆動用ＴＦＴとしてプレーナトップゲート(ｐｌａｎａｒ ｔｏｐ ｇａｔｅ)型ＴＦＴのみが使用されたが、スイッチング用ＴＦＴだけでなく、駆動用ＴＦＴとして逆スタッガーボトムゲート(ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ)型ＴＦＴも使用されることができる。
【００６２】
本明細書では、本発明によるＥＬ装置の対向電極の電位を“対向電位”と称し、第３電極の電位を“第３電極電位”と称する。対向電極に電源を供給するための電源ソースは“対向電源”と称し、第３電極に電源を供給するための電源ソースは“第３電極電源”と称する。“ＥＬ駆動電圧”は、画素電極、対向電極および第３電極によりＥＬ層に印加される電圧を意味する。
【００６３】
図３ａまたは図３ｂに示した画素を採用する画素部の等価回路を、図２ｃに示し、このレイアウトを図２ｄに示す。画素８０４には、２個のＴＦＴ(８０７、８０８)及び３極性有機ＥＬ装置８０９が具備される。駆動用ＴＦＴ(８０８)は、図３ａまたは図３ｃの駆動用ＴＦＴ(１０２)に対応し、３極性有機ＥＬ装置は図３ａまたは図３ｃの陽極１１、有機層２２、２６、陰極１６及び第３電極２０で構成された装置に対応する。
【００６４】
具体的に、スイッチング用ＴＦＴ(８０７)のゲート電極はゲート信号線８０５から突出された部分として、ゲート信号線８０５に接続される。スイッチング用ＴＦＴ(８０７)のソース及びドレーンの１つはソース信号線８０６に接続され、もう１つは駆動用ＴＦＴ(８０８)のゲート電極および画素のキャパシタ８１０の１つの電極に接続される。キャパシタ８１０は、電源供給線８１１から突出されて駆動用ＴＦＴ(８０８)から延長され、そして、突出部および延長部間に絶縁膜を介在することにより形成される。スイッチング用ＴＦＴ(８０７)が非選択状態(オフ状態)にある時、キャパシタ８１０は駆動用ＴＦＴ(８０８)のゲート電圧を維持させる。
【００６５】
駆動用ＴＦＴ(８０８)のソース及びドレーンの１つは電源供給線８１１に接続され、もう１つは陽極１１、対向陰極(図３ａの１６)及び陽極１１に隣接するように配置された第３電極２０を含む３極性有機ＥＬ装置８０９の陽極１１に接続される。電源供給線８１１は、画素部を持つ基板の外部に具備された外部電源供給部(図示せず)に連結して、既定の電位を取る。また、電源供給線８１１はキャパシタ８１０に連結している。第３電極２０は第３電源供給線８１５に連結しており、第３電極電源供給線８１５は、画素部が形成された基板の外部に具備された第３電極電源供給部(図示せず)に連結している。これにより、第３電極２０は既定の第３電極電位を取る。
【００６６】
付言すれば、スイッチング用ＴＦＴ(８０７)と駆動用ＴＦＴ(８０８)の各々は、ソース領域とドレーン領域との間に形成されたチャネルを持つ多重ゲート構造を持つ。特に、スイッチング用ＴＦＴ(８０７)のオフ電流(ＴＦＴがオフ状態にある時に流れるドレーン電流)の抑制という側面から、スイッチング用ＴＦＴ(８０７)が多重ゲート構造を持つことが効果的である。また、スイッチング用ＴＦＴ(８０７)及び駆動用ＴＦＴ(８０８)の両者は、ＮチャネルＴＦＴとＰチャネルＴＦＴとで構成されることができる。図３ａに示すように、陽極(透明電極)が画素電極、陰極が対向電極の場合、駆動用ＴＦＴ(８０８)はＰチャネルＴＦＴであることが望ましい。反面、図３ｃに示すように、陽極(透明電極)が対向電極、陰極が画素電極の場合、駆動用ＴＦＴ(８０８)はＮチャネルＴＦＴであることが望ましい。
【００６７】
ゲート信号線８０５とソース信号線８０６に対して“オン”になった画素では、スイッチング用ＴＦＴ(８０７)を通してソース信号線８０６に転送されたデータ信号がキャパシタ８１０で充電される。また、キャパシタ８１０に充電されたデータ信号は駆動用 ＴＦＴ(８０８)のゲート電極に印加される。信号の印加の間に、駆動用ＴＦＴ(８０８)が開放されて電源供給線８１１から転送された信号が、３極性有機ＥＬ装置の陽極に印加される。ここで、３極性有機ＥＬ装置の対向電極は画素部を持つ基板の外部に具備された対向電圧に接続されて、対向電位が常に一定に印加される。また、第３電極電源供給線８１５から転送された信号らが第３電極２０に印加されて、第３電極２０の電位は既定の水準になる。したがって、対向電極と画素電極との間に介在されたＥＬ層では発光が生じることになる。
【００６８】
本実施例では、キャパシタが単位画素内に含まれた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、キャパシタがない画素構造にも適用できる。
【００６９】
要約すれば、本発明の一例によるアクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、ソース信号線駆動回路２１２、ゲート信号線駆動回路２１３、第３電極駆動回路２１５及び画素部２１１を含む。画素部２１１には、ソース信号線駆動回路２１２から提供された複数のソース信号線と、ゲート信号駆動回路２１３から提供された複数のソース信号線とがマトリックス状で配列され、ゲート信号線とソース信号線の交差部分には複数の画素が配列される。また、画素部２１１には、その画素を駆動させるための電源を供給する複数の電源供給線と、第３電極駆動回路から提供されて画素を構成する３極性有機ＥＬ装置の第３電極に電源を供給する複数の第３電極電源供給線とがある。画素は、３極性有機ＥＬ装置、３極性有機ＥＬ装置の電流を制御する駆動用半導体素子、および駆動用半導体素子のゲート電圧を制御するためのスイッチング用半導体素子を含む。
【実施例２】
【００７０】
図４は、画素部の単位画素構成の他の例を示す回路図であって、各画素に３個の半導体素子が割り当てられる。
【００７１】
符号“１００１”はスイッチングＴＦＴ(１００２)のソース配線を、符号“１００３”はスイッチングＴＦＴ(１００２)のゲート配線を、符号“１００４”は駆動用ＴＦＴを、符号“１００５”はキャパシタ(省略することもできる)を、符号“１００６”は電源供給線(Ｖ)を、符号“１００７”は消去用ＴＦＴを、符号“１００８”は消去ゲート配線を、符号“１００９”は３極性有機ＥＬ装置を示す。
【００７２】
消去用ＴＦＴ(１００７)のドレーンは、駆動用ＴＦＴ(１００４)のゲートに接続されて、駆動用ＴＦＴ(１００４)のゲート電圧を強制的に変化させることができる。消去用ＴＦＴ(１００７)のソースは共通電源供給線１００６に連結しており、そのゲートは消去ゲート配線１００８に連結している。駆動用ＴＦＴ(１００４)のドレーンは３極性有機ＥＬ装置１００９に連結しており、そのソースは共通の電源供給線１００６とキャパシタ１００５の一端に連結している。そして、キャパシタ１００５の他端は、駆動用ＴＦＴ(１００４)のゲート及びスイッチング用ＴＦＴ(１００２)のドレーンに連結している。スイッチング用ＴＦＴ(１００２)のソースは、ソース配線１００１に連結している。また、３極性有機ＥＬ装置１００９の第３電極は、隣接する画素の３極性有機ＥＬ装置の第３電極と共通に接続する第３電極電源供給線１０１０に共通に連結している。
【００７３】
スイッチング用ＴＦＴ(１００２)と駆動用ＴＦＴ(１００４)は、第１実施例と同一のものとすることができる。消去用ＴＦＴ(１００７)は、ＮチャネルＴＦＴまたはＰチャネルＴＦＴからなることができる。しかしながら、スイッチング用ＴＦＴ(１００２)及び消去用ＴＦＴ(１００７)は、オフ電流を低くできるように、同じタイプのチャネルＴＦＴからなることが望ましい。また、１つの電源供給線１００６と１つの第３電極電源供給線１０１０が、隣接する２個の画素に共通に共有されている。すなわち、隣接する２個の画素は、電源供給線１００６と第３電極電源供給線１０１０に対して対称的に位置する。したがって、電源供給線１００６及び第３電極電源供給線１０１０の数を減少でき、画素部の発光領域が十分に確保でき、そして、発光輝度は向上できる。本実施例において、３極性有機ＥＬ装置１００９の第３電極は、図２ａ〜図２ｄに示すように、陽極が形成された水準または陰極が形成された水準で形成されることができる。
【実施例３】
【００７４】
図５ａは、画素部の単位画素構成の他の例を示すものであって、各画素に４個の半導体素子が付与される。
【００７５】
図５ａにおいて、符号“１１０１”は第１スイッチング用ＴＦＴ(１１０２)のソース配線を、符号“１１０３”は第１スイッチング用ＴＦＴ(１１０２)に直列接続された第２スイッチング用ＴＦＴを、符号“１１０４”は第１スイッチング用ＴＦＴ(１１０２)のゲートに接続された(ｉ+１)番目ゲート配線を、符号“１１０５”は第２スイッチング用ＴＦＴ(１１０３)のゲートに接続された(ｉ)番目ゲート配線を、符号“１０１０”は３極性有機ＥＬ装置１１１０の第３電極に電源を供給する第３電極電源供給線を、符号“１１０６”は消去ＴＦＴを示す。
【００７６】
消去用ＴＦＴ(１１０６)のソースは電源供給線１１０７に接続され、そのゲートは(ｉ-１)番目ゲート配線に接続される。この場合、消去用ＴＦＴ(１００６)のドレーンは、駆動用ＴＦＴ(１１０８)のゲートに接続されて駆動用ＴＦＴ(１１０８)のゲート電圧が強制的に変化するようになる。そして、消去ＴＦＴ(１１０６)のドレーンは駆動ＴＦＴ(１１０８)のゲートに連結しており、そのゲートは第２スイッチング ＴＦＴ(１１０３)のドレーンに接続される。駆動用ＴＦＴ(１１０８)のソースは電源供給線１１０７に接続され、そのドレーンは３極性有機ＥＬ装置１１１０に接続される。３極性有機ＥＬ装置１１１０の第３電極は、隣接する画素の３極性有機ＥＬ装置１１１０の第３電極と共に、第３電極電源供給線１１０１に共通に連結している。第１スイッチング用ＴＦＴ(１１０２)のゲートは(ｉ+１)のゲート配線１１０９に連結しており、そのドレーンは第２スイッチング用ＴＦＴ(１１０３)のドレーンに連結している。第１スイッチング用ＴＦＴ(１１０２)のソースは、ソース配線１１０１に連結している。
【００７７】
スイッチング用ＴＦＴ(１００２、１００３)と駆動用ＴＦＴ(１００４)は、第１実施例と同一のＴＦＴで形成することができ、消去用ＴＦＴ１１０６はＮチャネルＴＦＴまたはＰチャネルＴＦＴで形成することができる。
【００７８】
実施例１と比較して、本実施例における画素構造の差異点は、スイッチング用ＴＦＴが第１スイッチング用ＴＦＴ(１１０２)と第２スイッチング用ＴＦＴ(１１０３)に変更され、第１スイッチング用ＴＦＴ(１１０２)のゲートが次の隣接ラインのゲート配線、すなわち、(ｉ+１)番目ゲート配線に接続され、消去用ＴＦＴ(１１０６)のゲートが先の隣接ラインのゲート配線、すなわち、(ｉ-１)番目ゲート配線に接続される。
【００７９】
図５ａの画素構造が採用された場合、(ｉ-１)番目ゲート配線、(ｉ)番目ゲート配線および(ｉ+１)番目ゲート配線に入力されるゲート信号を適切に操作することにより、ＥＬ画素が動作できる。ここで、図５ｂは、データ信号が画素に書き込まれる時のゲート信号のタイミングチャートであり、図５ｃは、データ信号が画素から消去される時のゲート信号のタイミングチャートである。(ｉ-１)のタイミングチャートは、(ｉ-１)のゲート配線を通した信号タイミングチャートであり、(ｉ)のタイミングチャートは、(ｉ)のゲート配線を通した信号タイミングチャートであり、(ｉ+１)のタイミングチャートは、(ｉ+１)のゲート配線を通した信号タイミングチャートである。
【００８０】
本実施例によれば、消去用ＴＦＴ(１１０６)がゲート配線に連結しているので、消去ゲート配線は省略できる。したがって、画素の有効発光領域が増加でき、消去ゲート配線を駆動するための駆動回路を省略できることにより、ＯＥＬＤの製造の歩留まりを改善することができる。
【００８１】
ここで、本実施例における３極性有機ＥＬ装置１１１０の第３電極は、図２ａ〜図２ｄに示すように、陽極または陰極が形成された水準で形成することもできる。
【００８２】
以上の実施例から、１つの画素に２個〜４個の半導体素子が割り当てられるが、本発明はこれに限定されず、本発明は５個のＴＦＴを採用する画素にも適用できる。
【００８３】
前述した３極性有機ＥＬ装置は、陽極、陰極の他に正孔と電子の注入量を調節する第３電極をさらに含む。従って、本発明による３極性有機ＥＬ装置のＥＬ駆動電圧(ターンオン電圧)は、従来のＯＬＥＤのものより低くなる。また、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤでは、画素を構成するＥＬ装置の駆動電流密度を増加することなく、高解像度の表示画面が得られる。本発明によるアクティブマトリックス型ＯＥＬＤは、低動作電圧(消費電力)を使用して高輝度を持つ高解像度の表示画面を示すことができる。これにより、表示の信頼性を高めることができる。そして、このようなＯＥＬＤは各種の電気機器用光源として使用され、典型的には、ＬＣＤの背景照明または前景照明として使用する光源あるいは照明設備の光源として採用される。
【００８４】
一方、画素部の単位面積当たりの放射量が２００ｃｄ/ｍ２の場合、発光効率が５ｃｄ/Ａと仮定すれば、従来の２極性有機ＥＬ装置を採用するＯＥＬＤの画素部に要求される単位面積当たりの電流は、約４ｍＡ/ｃｍ２である。したがって、必要な電流量が画素部の面積に比例して大きく増加するため、画素部の面積が大きくなる場合には、ＴＦＴのようなスイッチが電源供給源から電源供給線に印加される電位および電流を同時に制御しにくくなる。
【００８５】
しかしながら、本発明のＯＥＬＤでは、電源電位、第３電極電位および対向電極電位は、予め調節されて維持されるため、本発明を利用して大型スクリーンパネルを具現するのに効果的である。
（実験例１）
通常の２極性有機ＥＬ装置に対する本発明の３極性有機ＥＬ装置の優秀性は、低電圧でも高輝度が得られることである。以後、ＥＬ装置の一実験例を説明する。
【００８６】
図３ａに示した画素の３極性有機ＥＬ装置が製造される。ＩＴＯからなる画素電極(第１電極、陽極)１１と透明なＩＴＯで構成された第３電極２０上に、銅フタロシアニン(ＣｕＰｃ)、芳香族アミンである４、４'、４'-ｔｒｉｓ[Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌ-ａｍｉｎｏ]、ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ(ｍＴＤＡＴＡ)、４、４'-ｂｉｓ[Ｎ-ｎａｐｈｔｈｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌ-ａｍｉｎｏ]ｂｉｐｈｅｎｙｌ(α-ＮＰＤ)及び、Ａｌｑ３が順次積層される。次に、その上段に第２層１６としてＡｌ:Ｌｉ層が形成されて、３極性有機ＥＬ装置サンプルを形成する。
【００８７】
各有機層の厚さをみれば、４、４'、４'-ｔｒｉｓ[Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌ-ａｍｉｎｏ]であるＨＩＬは４０ｎｍの厚さを持ち、ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ(ｍＴＤＡＴＡ)であるＨＴＬは２０ｎｍの厚さを持ち、(α-ＮＰＤ)である有機ＥＭＬは６０ｎｍの厚さを持ち、Ａｌｑ３である電子注入層は２０ｎｍの厚さを持つ。第１、２及び３電極１１、１６、２０は、陽または陰の電位を持つように外部回路と連結している。
【００８８】
図６ａ及び図６ｂは、３極性有機ＥＬ装置の第３電極２０の電位に対する、発光強さ対ＶＣＡを示すグラフである。
【００８９】
第３電極２０が外部電気回路と遮断された後、電圧ＶＣＡが第１及び第２電極１１、１６間に印加される。次に、比較例として発光強さが図６ａに示される。第３電極２０が遮断されれば、３極性有機ＥＬ装置の動作は従来のＯＬＥＤと同一である。すなわち、電界発光はＶＣＡ=６Ｖ(ＶＯＮＳＥＴ)の近くから始まってＶＣＡが増加するにつれて発光輝度が増加する。図６ａに示すように、ＶＣＡ=９Ｖの近くの発光輝度は１０００(ａｒｂ.ｕｎｉｔ)であり、１０００(ａｒｂ.ｕｎｉｔ)以内の発光輝度を確保するための電圧ＶＣＡは６Ｖ〜９Ｖであり、そして、ＶＣＡ調節範囲は約３Ｖ程度である。
【００９０】
一方、電圧ＶＣGが第３電極２０に印加され、電圧ＶＣＡの変化がなされたＥＬ装置から発光強さの測定値が、図６ｂに示される。
【００９１】
図６ｂに示すように、電圧ＶＣＧが減少するほど、電界発光が初期に発生する電圧ＶＣＡはＶＯＮＳＥＴ(６Ｖ)以下に顕著に減少し、低電圧のＶＣＡ下での３極性有機ＥＬ装置の発光輝度は従来のＯＬＥＤのものに比べて一層増加する。図６ｂにおいて、ＶＣＧ=ＯＶの場合、ＶＣＡ=４Ｖの近くで発光が始まってＶＣＡが増加するにつれて発光輝度が漸次増加する。ここで、ＶＣＡ=９Ｖの近くの発光輝度は２５００(ａｒｂ.ｕｎｉｔ)であり、２５００(ａｒｂ.ｕｎｉｔ)以内の発光輝度を確保するための電圧ＶＣＡは４ Ｖ〜９Ｖであり、ＶＣＡの調節範囲は約５Ｖ程度で広くなった。すなわち、従来のＯＬＥＤに比べて、ＶＣＡ調節範囲の下限は一層低い電圧に移動され、ＶＣＡ調節範囲は一層増加するが、これは図３ａの３極性有機ＥＬ装置が輝度の調節または階調表示に有用であることを証明する。
【００９２】
上記の実験例によれば、アクティブマトリックス型ＯＥＬＤにおいて、３極性有機ＥＬ装置の使用時、発光を発生させるＥＬ駆動電圧ＶＣＡが低くなるので、３極性有機ＥＬ装置を含む画素を駆動させるためのＴＦＴの駆動電圧を減少できる。ＴＦＴの駆動電圧が低くなれば、ホットキャリア効果によるＴＦＴの劣化を抑制できる。したがって、ＯＥＬＤの消費電力が減少するだけでなく、高発光輝度を持つＯＥＬＤが容易に得られ、製造段階および製造費用が減少する。併せて、本発明のＯＥＬＤを電気製品の光源または表示部として使用することにより、高発光輝度および低消費電力を持つ電気製品を製造できる。
【００９３】
本発明は望ましい実施例を参照して説明したが、当業者は、添付の請求項により限定されず、本発明の思想から逸脱しない範囲内で多様に変更できることが理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１ａ】本発明のＯＥＬＤに使用された一例による３極性有機ＥＬ装置の横断面ダイヤグラムである。
【図１ｂ】図１ａの３極性有機ＥＬ装置のエネルギーバンドの電子電位差ダイヤグラムである。
【図１ｃ】図１ａの３極性有機ＥＬ装置のエネルギーバンドの電子電位差ダイヤグラムである。
【図１ｄ】図１ａの３極性有機ＥＬ装置のエネルギーバンドの電子電位差ダイヤグラムである。
【図１ｅ】本発明のＯＥＬＤに使用された他の例による３極性有機ＥＬ装置の概略横断面ダイヤグラムである。
【図１ｆ】図１ｅの３極性有機ＥＬ装置のエネルギーバンドの電子電位差ダイヤグラムである。
【図１ｇ】図１ｅの３極性有機ＥＬ装置のエネルギーバンドの電子電位差ダイヤグラムである。
【図１ｈ】図１ｅの３極性有機ＥＬ装置のエネルギーバンドの電子電位差ダイヤグラムである。
【図２ａ】本発明の一例によるＯＥＬＤの概略ダイヤグラムである。
【図２ｂ】図２ａのＡ-Ａ’に沿う概略横断面ダイヤグラムである。
【図２ｃ】図２ａの画素部の単位画素の一例を示す概略回路図である。
【図２ｄ】図２ｃの回路用レイアウト図である。
【図３ａ】本発明の一例によるＯＥＬＤの３極性有機ＥＬ装置を含む単位画素の概略横断面図である。
【図３ｂ】本発明の他の例によるＯＥＬＤの３極性有機ＥＬ装置を含む単位画素の概略横断面図である。
【図３ｃ】本発明の更に他の例によるＯＥＬＤの３極性有機ＥＬ装置を含む単位画素の概略横断面図である。
【図３ｄ】本発明の更に他の例によるＯＥＬＤの３極性有機ＥＬ装置を含む単位画素の概略横断面図である。
【図４】画素部の単位画素の他の例を示す概略回路図である。
【図５ａ】画素部の単位画素の更に他の例を示す概略回路図である。
【図５ｂ】図５ａの画素構造を採用したＯＥＬＤのゲート信号タイミングダイヤグラムである。
【図５ｃ】図５ａの画素構造を採用したＯＥＬＤのゲート信号タイミングダイヤグラムである。
【図６ａ】ＯＥＬＤに採用された従来のＯＬＥＤの印加電圧と発光輝度との関係を示すグラフである。
【図６ｂ】本発明のＯＥＬＤに採用された３極性有機ＥＬ装置の印加電圧と発光輝度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９５】
１０          基板
１１          画素電極
１４          発光層
１５          層間絶縁膜
１６          対向電極
２０          調節電極
４０          ソース
４１          ゲート
４２          ドレーン
２１２        ソース信号線駆動回路
２１３        ゲート信号線駆動回路
２１５        第３電極駆動回路
８０６        ソース信号線
８１５        第３電極電源供給線
１００２      スイッチング用ＴＦＴ
１００４      駆動用ＴＦＴ
１００７      消去用ＴＦＴ
１００８      消去ゲート配線
【図１ａ】
2005520292.tif 000003
【図１ｂ】
2005520292.tif 000004
【図１ｃ】
2005520292.tif 000005
【図１ｄ】
2005520292.tif 000006
【図１ｅ】
2005520292.tif 000007
【図１ｆ】
2005520292.tif 000008
【図１ｇ】
2005520292.tif 000009
【図１ｈ】
2005520292.tif 000010
【図２ａ】
2005520292.tif 000011
【図２ｂ】
2005520292.tif 000012
【図２ｃ】
2005520292.tif 000013
【図２ｄ】
2005520292.tif 000014
【図３ａ】
2005520292.tif 000015
【図３ｂ】
2005520292.tif 000016
【図３ｃ】
2005520292.tif 000017
【図３ｄ】
2005520292.tif 000018
【図４】
2005520292.tif 000019
【図５ａ】
2005520292.tif 000020
【図５ｂ】
2005520292.tif 000021
【図５ｃ】
2005520292.tif 000022
【図６ａ】
2005520292.tif 000023
【図６ｂ】
2005520292.tif 000024
【国際調査報告】
2005520292.tif 000025
2005520292.tif 000026