(57)【要約】【課題】  共通のガス流入部品(D)を通し、基板ホルダ(S)を設けた処理室内へプロセスガスを導入する方法及び装置を提供する。【解決手段】  ガス流入部品が冷却されふるい状の多数のガス放出孔を具備するガス流入面を有する。基板ホルダは水平面内でガス流入面に平行に設けられ鉛直軸周りに回転駆動される。基板ホルダとガス流入面との間の距離は７５mm以下である。少なくとも１種の有機金属化合物と少なくとも１種の水素化物と別のガスとからなる反応ガス用のガス供給装置も設けられる。基板ホルダ上方に延在する等温状態はガス流入部品からの距離が小さくなるにつれて平坦となり、等温均一性が高くなる。
2005518104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多成分半導体層を少なくとも単一の基板上に堆積させるプロセスにおいて、
２種若しくはそれ以上の成分をもつドーピングされた固溶体又は３種若しくはそれ以上の成分をもつドーピングされていない固溶体のいずれかを堆積させるために、少なくとも３種の反応プロセスガスが用いられる工程と、
基板ホルダ上に配置された基板を内部に具備する処理室内へ、共通のガス流入部品を用いて前記プロセスガスを導入する工程と、
温度が制御されかつ多数のガス放出孔をふるい状に具備するガス流入面を前記ガス流入部品に設ける工程と、
水平面内において前記ガス流入面に対して平行であって鉛直軸の周りに回転駆動される基板ホルダを設ける工程と、
前記基板ホルダと前記ガス流入面との間の距離を７５mm以下とする工程と、
前記反応プロセスガスに少なくとも１種の有機金属化合物及び少なくとも１つの水素化物を含める工程とを有する
多成分半導体層を少なくとも単一の基板上に堆積させるプロセス。
【請求項２】
前記基板ホルダが環状ガス流入部品により取り囲まれ、該環状ガス流入部品からポンプへガス放出ラインが接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記処理室内の全圧が少なくとも２０mbar(２kPa)〜１０００mbar(１００kPa)の範囲に設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記ガス流入部品を通る全ガス流量が５slm(８Pa・m３/s)〜２００slm(３４０Pa・m３/s)の範囲に設定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
前記基板ホルダの回転速度が、１０rpm〜２０００rpmの範囲に設定されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
前記半導体層がIII族及びV族半導体層であり、更なるプロセスにおいて前記半導体層がＬＥＤ、太陽電池、レーザＨＢＴ及びＨＥＭＴを形成するために処理されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
基板の温度が５００°Ｃ〜１２００°Ｃの範囲において、又は、７５０°Ｃにおいて、７５mmの処理室高さの場合に前記全ガス流量が３０slm(５１Pa・m３/s)〜１００slm(１７０Pa・m３/s)の間であり、前記基板ホルダの回転速度が１００rpm〜１０００rpmの間であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
基板の温度が５００°Ｃ〜１２００°Ｃの範囲において、又は、７５０°Ｃにおいて、５０mmの処理室高さの場合に前記全ガス流量が３０slm(５１Pa・m３/s)〜１００slm(１７０Pa・m３/s)の間であり、前記基板ホルダの回転速度が１０rpm〜１０００rpmの間であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項９】
基板の温度が５００°Ｃ〜１２００°Ｃの範囲において、又は、７５０°Ｃにおいて、２０mmの処理室高さの場合に前記全ガス流量が１０slm(１７Pa・m３/s)〜５０slm(８５Pa・m３/s)の間であり、前記基板ホルダの回転速度が１０rpm〜１０００rpmの間であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
基板の温度が５００°Ｃ〜１２００°Ｃの範囲において、又は、７５０°Ｃにおいて、１１mmの処理室高さの場合に前記全ガス流量が５slm(８Pa・m３/s)〜５０slm(８５Pa・m３/s)の間であり、前記基板ホルダの回転速度が１０rpm〜１０００rpmの間であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
前記処理室高さが１１mm、１５mm又は２０mm以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の多成分半導体層を少なくとも単一の基板上に堆積させるプロセスを行うための装置において、
前記反応プロセスガスが共通のガス流入部品を用いて前記処理室内へ導入され、前記処理室内には基板ホルダが設けられ、前記ガス流入部品がガス流入面を具備し、前記ガス流入面の温度が制御されると共に該ガス流入面がふるい状の多数のガス放出孔を具備しており、前記基板ホルダが水平面内で前記ガス流入面と平行に設けられかつ鉛直軸の周りに回転駆動され、前記基板ホルダと前記ガス流入面との間の距離が７５以下であり、かつ、前記反応プロセスガスのためのガス供給手段を有し、前記反応プロセスガスは少なくとも１種の有機金属化合物と少なくとも１種の水素化物とこの種の更なるガスとからなることを特徴とする装置。
【請求項１３】
前記ガス流入部品が前記ガス流入面の領域において水冷されることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記基板ホルダと前記ガス流入面との間の距離すなわち処理室高さが５０、４０、３０、２５、２０、１６又は１１mm未満であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記基板ホルダと前記ガス流入面との間の距離すなわち処理室高さが１１、１５又は２０mmより大きいことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
前記基板ホルダの直径が前記ガス流入面の直径に対応し、１０、２０、３０、３５、４０又は４５cmより大きいことを特徴とする請求項１２〜１５のいずれかに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多成分半導体層を少なくとも単一の基板上に堆積させるプロセス及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、上記のタイプのプロセス及び関連する装置を開示する。当該文献にから認知される装置は、反応容器を具備し、その内側に回転駆動される基板ホルダが設置されている。この基板ホルダは、水平面内に配置され、鉛直軸周りに回転可能である。ガス流入部品は、基板ホルダの上方にて基板ホルダの半径より短い距離に配置される。このガス流入部品は、ガス流入面を具備し、このガス流入面は基板ホルダの表面と平行に延びて多数のガス放出孔を設けており、これらのガス放出孔は、ふるい状に互いに近接して配置されている。ガス反応プロセス用のガスは、これらのガス放出孔を通してこの処理室内へ導入される。基板ホルダ上に置かれた基板上にドーピングされた固溶体を堆積するために、III族有機金属成分及びV族水素化物並びにドーパントが、ガス放出孔を通過させられる。しかしながら、基板上に３種以上の成分をもつ固溶体を堆積させるために複数のIII族成分及び／又はV族成分を処理室内へ導入することもできる。基板ホルダが背面から加熱されることにより、基板上及び／又は基板表面上方の気相中で反応させることができる。
【特許文献１】米国特許第5,871,586号明細書
【特許文献２】米国特許第5,781,693号明細書
【特許文献３】国際公開第99/42636号パンフレット
【特許文献４】米国特許第6,086,677号明細書
【特許文献５】米国特許第5,595,606号明細書
【特許文献６】米国特許第5,709,757号明細書
【特許文献７】米国特許第5,422,139号明細書
【非特許文献１】Journal of Crystal Growth 195 (1998) 725-732
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これらの反応は、好適には熱分解反応とすべきである。分解生成物すなわち熱活性開始物質が、付加物を形成することを避けるべきである。さらに、表面全体に亘って均一に成長させることが必要である。
【０００４】
非特許文献１は、成長速度の均一性と反応ガス利用度とを最適化するために理論的考察に基づいて得られたパラメータの組を与えている。非特許文献１の著者は、基板ホルダ表面とガス出口表面の間の距離が短いことがこれらの層特性を最適化するために適していることを前提としている。非特許文献１では、最良の結果は、処理室の高さが１６〜２５mmの範囲内のとき得られるとしている。
【０００５】
特許文献２は、同様に、基板上への層の堆積を開示しており、ガス開始物質がシャワーヘッド状のガス流入部品を用いて気相へ導入される。
【０００６】
特許文献３もまた、「シャワーヘッド」を用いた気相へのガス開始物質の導入を開示している。
【０００７】
特許文献４〜７もまた、シャワーヘッド状のガス流入部品を開示している。
【０００８】
本発明は、堆積層の結晶組成がその全面積に亘って１０００ppmより遙かに良好な(すなわち、最高で１００ppm)の偏差を有し、さらに最適化する見地から全圧、全ガス流量及び基板ホルダの回転速度のパラメータを可能な限り自由に選択できるような導入方法において、上述のように少なくとも３種の成分をもつ半導体層を堆積させるプロセスを改良することを目的とする。
【０００９】
上記目的は、請求の範囲に記載された本発明により達成される。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求の範囲に記載されたプロセスを実現するには、基板ホルダとガス出口表面の間の距離を最大７５mmに制限することが重要である。
【００１１】
この距離の制限は、実験を通しての発見すなわち、基板上方の気相における処理室内の等温均一性が、処理室の高さ７５mmを超えた場合にこの距離の大きさに大きく依存することに基づいている。５０mm未満の場合、この等温均一性は、基板ホルダとガス流入面との間の距離に対して事実上完全に独立であるのみでなく、その場所の好適レベルで安定化される。縦型反応容器内では、ガス流入面と基板表面との間の流れが、流入部の幾何学形状、キャリアガスとその量、基板ホルダの回転速度、及びプロセスパラメータ（基板ホルダ温度、ガス流入面温度及び気相の全圧等）に依存する。ガス放出孔から基板表面への開始物質の移動及び化合物半導体結晶の成長は、拡散により制限される。基板表面上では化学平衡反応は生じない。基板表面を通して拡散する個々の分子は、その場所で完全に消費されて層内へ取り込まれる。この移動機構は、界面モデルに基づいて理論的に説明される。基板表面上方では、複数の界面を有する界面系が存在する。流れの界面は、密度、流速及び処理室の幾何学形状等の力学的なガスパラメータの結果により形成される。拡散界面も存在しており、これは拡散特性に依存し、特に個々のガスの分子サイズに依存する。拡散界面は障壁であり、その上方では、開始物質は基板への一様な移動を確保するために均一に分散されなければならない。最後に、温度界面が存在し、これは、幾何学形状と流れ特性に大きく依存する。
【００１２】
基板上方において、気相は、縦方向の大きな温度勾配をもつ。ガス流入面に対する基板ホルダの相対速度の変動と、径方向の全ガス流量の変動によって、この温度勾配曲線は処理室内の径方向位置に大きく依存する。各開始物質は、それぞれ固有の特徴的な分解エネルギーをもち、かつこれらの分解エネルギーが互いに大きく相異しているため、気相における温度勾配曲線は基板表面への個々の反応パートナーの質量移動に対して大きな影響を及ぼす。成長速度は全表面に亘って事実上均一であるかもしれないが、この面内における不均一な温度勾配曲線のために層の組成が著しく変動する可能性がある。
【発明の効果】
【００１３】
驚くべきことに、前述の研究に加え、ここで行われた実験において、基板ホルダ上方におけるガス流入部品との間の距離が短くなるにつれて、等温性がますます平坦となり、７５mmにおいても利用可能な等温均一性が確立され、５０mm未満の処理室高さにおいて最適な等温均一性が確立されることが判明した。この範囲では、処理室高さは全く問題とならない。なぜなら、この範囲では等温均一性がほとんど変化しないからである。５０mm未満の処理室高さの範囲では、等温性は事実上完全に平坦であるので、上方から基板上の気相へ径方向に流入する開始物質は、事実上、全表面に亘って径方向において同じ条件下で分解する。これにより、層の成長速度が径方向全体に亘って一定となるのみならず、固溶体の組成も一定となる。
【００１４】
更なる実験において確認されたように、処理室高さの低減により成長速度を均一化できる。これにより、堆積される層全体に亘る層の厚さの変動を最小とすることができる。しかしながら、同時に、このプロセスにとって適切な他のパラメータ、すなわち全ガス流量もまた層の厚さの均一性に対し、特にこのプロセスの効率に対し、大きく影響するように決定することも可能である。全ガス流量が少なくなりかつ処理室高さが低くなると、層中へ取り込まれる反応ガスの供給割合が大きくなる。従って、処理室高さを最小（数ミリメートル）まで低減することも理論的には可能である。しかしながら、このことは、ガス流入部品のガス放出面が分解した開始物質で覆われることを避けるべくガス流入部品を冷却するために大きなコストが掛かることを意味する。さらに、機械的条件によっても処理室高さの下限が制限される。
【００１５】
処理室高さが約５０mmより高い場合は処理室高さのみが組成の均一性に影響するという驚くべき発見により、本発明においては、このプロセスに適切な他のパラメータを選択することによって効率を最適化すると同時に層の厚さもまた基板全面で均一とすることを任意に行うことができる。１％未満の層の厚さの均一性を実現することが可能である。この驚くべき発見により、処理室高さが低い場合は、他のプロセスパラメータを純粋に経済的側面の観点から最適化することができる。すなわち、全流量を最小としかつ回転速度を最大とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明を、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、シミュレーション計算で決定された結果を示す。４組の最適化されたパラメータの組が互いに比較された。これらのパラメータは、図１１〜２９に示されたものに対応する。
【００１７】
図１は、これらのパラメータについて、平均値からの等温均一性の平均偏差をプロットしたものである。処理室高さが低減するにつれて平均偏差が減少していることがわかる。処理室高さ７５mm以下では、平均偏差は事実上一定である。等温性は、この範囲では非常に平坦である。等温性は、８０mmを超えると曲線となる。低い処理室高さにおいて等温性が平坦な線となる結果は、含まれる反応物質の気相分解速度が事実上どの場所でも同じであることを意味する。この結果は、結晶中のIII／III比若しくはV／V比又はドーパントの取り込みが事実上層表面全体に亘って一定であることを意味する。
【００１８】
図２及び図３は、ｎドーピングされたAlGaInP層のシート抵抗を示している。上記のプロセスパラメータにおいて、処理室高さ８０mmでは、層内に不均一な電荷キャリア分布が生じる。これは、不均一なシート抵抗により表される。その平均からの偏差は、この場合５％である。図３は、処理室高さを低減した場合、すなわち５０mmの場合のシート抵抗の様子を示している。この場合も、シート抵抗はΩ／sqで与えられる。この電荷キャリア分布は、極めて一定である。平均からの偏差は、全表面に亘って０．５％である。
【００１９】
図４及び図５は、処理室高さが層組成の均一性に及ぼす影響を示している。これらの図は、AlGaInP層のホトルミネセンス画像を表している。図４に示された表面は、高さ８０mmの処理室で堆積されたものである。平均からの標準偏差はこの場合、０．４２％であり、組成における絶対変動の１１５７ppmに対応する。
【００２０】
図５に示した層は、高さ２０mm、全ガス流量２０slm(３４Pa・m３/s)及び基板ホルダ回転速度１０rpmの処理室で堆積されたものである。この場合、層全体に亘る標準偏差は０．００５％であり、組成の絶対変動の１０００ppmに対応する。
【００２１】
図６〜図１１に示した等温曲線は、高さ８０mmの処理室について計算されたものである。全ガス流量は２０slm(３４Pa・m３/s)〜１００slm(１７０Pa・m３/s)の間で変化させているが、等温均一性には僅かしか影響しない。等温曲線は、符号Ｓで示される基板ホルダの縁領域において不均一となる。利用可能な値は、全ガス流量５０slm(８５Pa・m３/s)、基板ホルダ回転速度１００rpmで得られる。基板ホルダ回転速度は、等温曲線に対して大きく影響する。基板ホルダ回転速度が１０００rpmの場合、等温曲線は縁領域において著しく不均一となり、処理室の中央領域における等温領域から極めて大きく変動する。処理室高さ８０mmでは、基板ホルダ回転速度は、１００rpm前後の狭い範囲でのみ変動可能であり、全ガス流量は５０slm(８５Pa・m３/s)前後の狭い範囲でのみ変動可能である。この実験は、水素をキャリアガスとして用いて行われた。ヘリウム又は窒素を用いた場合は、キャリアガスの粘性が異なるために、最適な流体力学的プロセスパラメータが異なる。しかしながら、最適なパラメータの組は、同じレイノルズ数で生じるはずである。プロセス温度が５００°Ｃ〜１２００°Ｃの間で変動する場合は、気体力学特性もまた、同じレイノルズ数に設定される。
【００２２】
図１２〜図１７に示された結果は、処理室高さ５０mmのものである。全ガス流量は、この場合、２０slm(３４Pa・m３/s)〜１００slm(１７０Pa・m３/s)の間で変化させた。基板ホルダ回転速度は、１００〜１０００rpmの範囲で変化させた。全ガス流量に亘って、極めて低い流量範囲においてのみ影響が見られた。２０slm(３４Pa・m３/s)を超えると、全ガス流量の影響は、事実上ゼロである。この場合も、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度は、等温性の状態にある程度の影響を与え、特に基板ホルダの縁領域において影響がある。しかしながら、全ガス流量の影響は、図６〜図１１に示した結果の場合よりも小さい。
【００２３】
基板ホルダ回転速度の影響もまた、処理室高さ８０mmのときよりも小さい。処理室高さを８０mmから５０mmへ低減することは、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度等の他のプロセスパラメータを、実際に、より大きな範囲で変化させられることを意味する。全ガス流量の値は、３倍の範囲で変化させることができ、そして基板ホルダ回転速度は、１０倍の範囲で変化させることができる。
【００２４】
図１８〜図２３に示された結果は、処理室高さ２０mmで得られたものである。この場合、全ガス流量は、２０slm(３４Pa・m３/s)〜５０slm(８５Pa・m３/s)の間で変化させ、基板ホルダ回転速度は、１０〜１０００rpmの間で変化させた。これらの図は、全ガス流量が、事実上、基板ホルダの縁領域において等温曲線に全く影響を及ぼさないことを明確に示している。基板ホルダ回転速度もまた、等温曲線にほとんど影響を与えない。これらのパラメータを用いて、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度を非常に広範囲で変化させることが可能となる。全ガス流量は、５倍以上の範囲で極めて容易に変化させることができ、そして基板ホルダ回転速度は、１０倍以上の範囲で極めて容易に変化させることができる。
【００２５】
図２４〜図２９に示された結果は、処理室高さ１１mmで得られたものである。この場合、全ガス流量は、５slm(８Pa・m３/s)〜５０slm(８５Pa・m３/s)の間で変化させた。基板ホルダ回転速度は、１０〜１００rpmの間で変化させた。これらのパラメータは、等温曲線に全く影響を与えなかった。このことは、処理室高さ１１mmの場合、全ガス流量を少なくとも１０倍の範囲で変化させることができることを意味する。基板ホルダ回転速度は、等温曲線を変化させることなく１００倍の範囲で変化させることさえできる。等温性は、全処理室内で完全に平坦である。
【００２６】
処理室高さは、理論的にはさらに低減することができる。しかしながら、１１mmの高さ未満では、特性の向上はほとんど観られない。逆に、処理室カバーＤが基板ホルダＳの表面に対して完全に平行でなければならないことが流体力学的条件に大きく関係する。処理室カバーＤと基板ホルダＳの表面との間の距離が短くなるほど、平行である状態からのずれの影響が大きくなっていく。
【００２７】
技術的理由から、処理室カバーと基板ホルダの表面との理想的な平行配置を実現することはできない。従って、１０mm以下の処理室高さを選択しないことが非常に有利である。これは、基板ホルダ直径が１０〜３５cmの場合に適用される。さらに大きな基板ホルダ直径の場合、例えば４０cmを超える場合は、１０mmを超える処理室高さを限界とすることが必要となる可能性がある。例えば、下限を２０mmとする。一般的に、プロセスは７５０°Ｃで行われ、通常の全圧は１５０mbar(１５kPa)〜１０００mbar(１００kPa)の間であり、好適には２００mbar(２０kPa)〜５００mbar(５０kPa)の間である。この場合、一般的には基板ホルダのみが加熱される。処理室カバーＤは、シャワーヘッド状に形成されるが、対照的に冷却されるため、結果的に処理室カバーの表面において極めて大きな熱の取り込みと放散が必要である。
【００２８】
しかしながら、必然的な製造上の許容度のために、処理室高さの下限もまた必要となる場合がある。これらの偏差は、本質的には統計的な揺らぎに起因するものではあるが、実際に最適となる処理室高さの範囲が、特に基板ホルダの直径と使用ガスの粘性も考慮すると１０〜７５mmの間となることを意味している。しかしながら、処理室高さは、５０、４０、３０、２５又は１０mm未満に範囲とすることが好ましい。
【００２９】
本発明に関して全ての特徴が開示された。関連する優先書類の開示内容はその全体が本願の開示に、その一部は本願の請求の範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】種々の処理室高さにおける等温均一性の実験結果を示している。
【図２】処理室高さ８０mmにおいて、被覆基板のシート抵抗を示しており、シート抵抗が等しい領域に沿ってラインを引いている。
【図３】処理室高さ５０mmにおいて、図２と同様のシート抵抗を示している。
【図４】処理室高さ８０mm、全ガス流量５０slm、基板ホルダ回転速度１００rpmにおいて、被覆基板上のホトルミネセンス発光波長を示しており、波長の等しい領域に沿ってラインを引いている。
【図５】処理室高さ２０mm、全ガス流量２０slm、基板ホルダ回転速度１０rpmにおける、図４と同様の図である。
【図６】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図７】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図８】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図９】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１０】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１１】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１２】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１３】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１４】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１５】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１６】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１７】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１８】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１９】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２０】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２１】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２２】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２３】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２４】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２５】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２６】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２７】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２８】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図２９】種々の処理室高さ、全ガス流量及び基板ホルダ回転速度において、処理室カバーＤと基板ホルダＳの間でシミュレーション計算により得られた等温曲線を示す。
【図１】
2005518104.tif 000003
【図２】
2005518104.tif 000004
【図３】
2005518104.tif 000005
【図４】
2005518104.tif 000006
【図５】
2005518104.tif 000007
【図６】
2005518104.tif 000008
【図７】
2005518104.tif 000009
【図８】
2005518104.tif 000010
【図９】
2005518104.tif 000011
【図１０】
2005518104.tif 000012
【図１１】
2005518104.tif 000013
【図１２】
2005518104.tif 000014
【図１３】
2005518104.tif 000015
【図１４】
2005518104.tif 000016
【図１５】
2005518104.tif 000017
【図１６】
2005518104.tif 000018
【図１７】
2005518104.tif 000019
【図１８】
2005518104.tif 000020
【図１９】
2005518104.tif 000021
【図２０】
2005518104.tif 000022
【図２１】
2005518104.tif 000023
【図２２】
2005518104.tif 000024
【図２３】
2005518104.tif 000025
【図２４】
2005518104.tif 000026
【図２５】
2005518104.tif 000027
【図２６】
2005518104.tif 000028
【図２７】
2005518104.tif 000029
【図２８】
2005518104.tif 000030
【図２９】
2005518104.tif 000031
【国際調査報告】
2005518104.tif 000032
2005518104.tif 000033
2005518104.tif 000034
2005518104.tif 000035
2005518104.tif 000036
2005518104.tif 000037