(57)【要約】本発明は媒質中に閉じ込められている物体の位置を求める方法に関する。ここでは少なくとも１つの容量式センサ装置を用いて検出信号を形成し、これが調査すべき媒質中に浸透するようにする。検出信号の評価、特にインピーダンス測定を行うことにより、媒質中に閉じ込められている物体の情報を得ることができる。  本発明では、検出信号を評価するために、測定信号について、媒質に基づく信号成分と媒質中に閉じ込められている物体に基づく信号成分とを分離するアルゴリズムを用いる。  さらに本発明は上述の方法を実行する測定装置に関する。
2005518547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの容量式センサ装置を用いて検出信号を形成し、これが調査すべき媒質中に浸透するようにし、
検出信号の評価、特にインピーダンスの測定を行うことにより、媒質中に閉じ込められている物体の情報を得る
媒質中に閉じ込められている物体の位置を求める方法において、
検出信号を評価するために、測定信号について、媒質に基づく信号成分と媒質中に閉じ込められている物体に基づく信号成分とを分離するアルゴリズムを用いる
ことを特徴とする媒質中に閉じ込められている物体の位置を求める方法。
【請求項２】
測定信号のうち媒質に基づく信号成分を求めるために、包囲している媒質の材料に対してｎ個のパラメータを有するモデルを用いる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
包囲している媒質の材料に対するｎ個のパラメータを特性マップのかたちで記憶し、評価アルゴリズムによる問い合わせを行えるようにする、請求項２記載の方法。
【請求項４】
所定のインピーダンスに即したｎ回の基準測定により特性マップのパラメータを得る、請求項２または３記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１回の基準測定を既知の基準材料に即して行う、請求項４記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１回の基準測定を検出信号の短絡により行う、請求項４記載の方法。
【請求項７】
包囲している媒質の材料を求めるために、モデルのｎ個のパラメータを用いて測定した材料の測定値に対して補間を行い、比較最適化により包囲している媒質の材料を近似的に求める、請求項２から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
モデルのｎ個のパラメータを用いて測定した材料の測定値の補間から、包囲している媒質を形成する材料の誘電率値を求める、請求項７記載の方法。
【請求項９】
包囲している媒質の材料について求められた誘電率値を用いて媒質中に閉じ込められている物体の深さ情報を得る、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
包囲している媒質の誘電率を用いて、測定信号のうち媒質中に閉じ込められている物体に基づく信号成分の位相測定から、閉じ込められている物体の深さ情報を得る、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
検出信号を形成するセンサ装置のラテラル方向のオフセットに依存して測定信号を測定し評価する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
２つ以上の測定周波数に依存して測定信号を測定し評価する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項記載の媒質中に閉じ込められている物体の位置を求める方法を実施する測定装置、例えばハンドヘルド型の位置測定装置において、
センサ装置と、センサ装置に対する検出信号を形成する手段と、検出信号から測定値を求める制御評価ユニットと、求められた測定値を出力する出力装置とを有する
ことを特徴とする測定装置。
【請求項１４】
さらに測定信号に対する少なくとも１つの内部較正装置を有する、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
較正装置は少なくとも１つの所定のインピーダンスに即した測定を行う、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
較正装置は所定のインピーダンスを形成するための短絡スイッチを有している、請求項１４または１５記載の装置。
【請求項１７】
較正装置を時間に依存して作動させるスイッチング手段を有する、請求項１４から１６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１８】
さらに材料データ、例えば既知の材料の誘電率を記憶した記憶手段を有する、請求項１３から１７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１９】
さらに計算された測定結果、例えば媒質中に閉じ込められている物体の横方向位置および／または深さをその位置がわかるように測定装置の出力装置上に表示する、請求項１３から１８までのいずれか１項記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
従来の技術
本発明は請求項１の上位概念記載の閉じ込められている物体の位置を求める方法および請求項１３の上位概念記載の閉じ込められている物体の位置を求める装置に関する。
【０００２】
この種の方法およびこの方法を実施する測定装置は容量式センサ装置を利用している。この容量式センサ装置は検出信号を例えば電磁場のかたちで形成し、これが調査すべき媒質中に少なくとも充分な規模で浸透するようにする。媒質中に閉じ込められている物体はこの検出信号に作用するので、検出信号を評価すると媒質中に閉じ込められている物体の情報を得ることができる。
【０００３】
この形式の測定装置、例えばスタッドセンサは、媒質中に閉じ込められている物体が形成した容量式センサ装置の電気容量の変化によってこれを検出する。媒質中に閉じ込められている物体は媒質の誘電特性を変化させるので、媒質の近傍に測定コンデンサが近づくと物体に帰せられる容量変化またはインピーダンス変化を検出することができる。こうした容量変化は例えば容量式センサ装置の測定コンデンサの変位電流によって測定することができる。
【０００４】
米国特許第６２４９１１３号明細書からコンパクトでハンドヘルド型のスタッドセンサが公知である。このスタッドセンサは、閉じ込められている物体の位置を求めるために、壁に沿って測定装置を動かしたときのセンサ回路内の容量変化を検出する。媒質中に閉じ込められている物体の正確な位置を表示するために、当該の明細書の測定装置は、測定装置のケーシング表面に矢印状に配置されたＬＥＤアレイを有している。測定装置が物体を検出されると、信号強度に依存して、測定装置のケーシング上の矢印状のＬＥＤアレイのうち１つのＬＥＤ対がアクティブになる。閉じ込められている物体に近づくにつれて、つまり物体から生じる検出信号が強くなるにつれて、ＬＥＤアレイのアクティブなＬＥＤが増え、矢印が頂部へ向かって延びてゆく。測定装置が最終的に閉じ込められている物体の直接上方まで来るとＬＥＤアレイの矢印の頂部が発光する。このように当該の明細書の測定装置は基本的には媒質中、例えば壁内に閉じ込められている物体の位置を求めることができる。ただしこの装置およびこの装置を基礎とした単純な方法のみでは物体の閉じ込められている深さを測定することはできない。
【０００５】
国際公開第９４／０４９３２号公報には、表面後方に存在する対象物の位置を求めるハンドヘルド型の位置測定装置が開示されている。この装置は物体によって誘導される付加的な容量を検出するセンサと、検出信号を評価する評価ユニットと、測定結果を表示するディスプレイとを備えている。当該の公報の測定装置はさらにセンサ装置を高感度モードまたは低感度モードで駆動することのできる駆動装置も有している。
【０００６】
また上掲の公報には表面後方に存在する対象物の位置を求める方法も開示されている。そのために相応の測定装置が調査すべき壁に沿って動かされる。当該の公報のセンサは材料密度の上昇または低下をセンシングする手段を有している。これにより装置およびユーザにはセンサが誤って（例えば封入物の直接上方で）較正されていることなどが知らされる。こうした装置を基礎とした方法によればさらに、調査すべき媒質があまりに厚すぎたり薄すぎたりするために物体を検出できない場合にもユーザがそれを知ることができる。
【０００７】
上掲の公報の測定装置のディジタルメモリによれば、測定装置がオンとなっているあいだ較正データを記憶しておくことができる。
【０００８】
米国特許第６１９８２７１号明細書からは、測定装置に集積された３つの容量センサを壁に沿って動かしたときの容量変化を検出して、壁内に閉じ込められている物体の位置を求めるスタッドセンサが公知である。評価回路により３つの容量式素子の充電に必要な相対時間が監視され、センサを調査すべき壁に沿って動かし、閉じ込められている物体に起因して調査すべき材料の誘電率が変化したとき、その変化分に基づいて３つのセンサ素子の相対容量の変化分を測定する。ここでは比較回路が用いられ、個々のセンサ素子について測定された相対容量の各変化分から閉じ込められている物体の位置が求められる。
【０００９】
上掲の明細書の測定装置は測定装置の評価ユニットに接続された複数の表示素子から成るディスプレイを有している。複数の表示素子のうち物体の直接上方に位置する素子のみが信号を表示する。つまり存在している物体の上方に測定装置をセンタリングすることができるのであるが、位置測定の手段としては間接的である。
【００１０】
本発明の利点
媒質中に閉じ込められている物体の位置を求める本発明の方法は、容量式センサ装置で形成された検出信号、例えば調査すべき媒質中に浸透する電場が、閉じ込められている物体によって変化する性質を利用している。媒質中に閉じ込められている物体は容量式センサ装置の電極間の電場に作用し、測定コンデンサの容量を変化させる。これにより例えば測定コンデンサの変位電流を検出するかまたは変位電流に相関する測定量を求めることにより、閉じ込められている物体に基づく容量変化を求めることができる。容量変化を正確に解析することにより、閉じ込められている物体の測定センサに対する位置に関する情報を抽出することもできる。
【００１１】
検出精度を定める主たる技術的問題は誘電性の閉じ込められている物体について求められた測定コンデンサの容量変化が極端に小さくなることに由来する。したがって測定コンデンサの容量変化を求める際に高度に正確なプレシジョン測定が必須である。求められるのは例えばプラスチックチューブなどからの誘電性の影響のもとでの値である。誘電性の影響は例えばサブピコファラド領域で生じる。
【００１２】
コンデンサ容量の小さな変化は、測定コンデンサの電極に印加される１Ｖの交流電圧と利用される１００ＫＨｚの測定周波数とのもとで、１μＡより小さな変位電流の電流差として得られる。こうした小さな電流差は特に測定が困難である。というのは、この変位電流は、閉じ込められている物体の有無に関わらず包囲している媒質によって形成される下地電流に重畳されるからである。
【００１３】
本発明によれば閉じ込められている物体の位置を求める方法において、検出信号を評価するために、測定信号について、媒質に基づく信号成分と媒質中に閉じ込められている物体に基づく信号成分とを分離するアルゴリズムが用いられる。測定コンデンサの容量変化の大きさおよび位相に比例する測定量を求めることにより、包囲している媒質の表面近傍の領域に由来する信号成分と閉じ込められている物体から導出された信号成分とを識別することができる。
【００１４】
下地電流のうち、表面近傍の電場の電気力線にしたがってコンデンサ表面の直接の周囲で流れる変位電流が優勢である。ここに僅かな位相ずれを引き起こす電流成分が生じる。特徴的な位相の位置により、本発明の下地電流の信号成分と閉じ込められている物体に基づく信号成分とを区別することができる。
【００１５】
有利には、測定信号のうち包囲している媒質に基づく信号成分を識別するために、複数（ｎ個）のパラメータを有する数学的モデルを利用する。この数学的モデルは種々の材料を表す。これらの材料パラメータは特性マップのかたちで測定装置内に記憶され、測定信号の評価の際に問い合わされる。
【００１６】
有利には、包囲している媒質のモデルの材料パラメータは所定のインピーダンスに即した基準測定により取得される。このため本発明の方法では、典型的な幾つかの材料またはそれらの材料の任意の組み合わせからどのような下地信号が生じるかということが測定の前にすでに“既知”である。包囲している媒質について実際に測定された信号と比較することにより、本発明の方法ではきわめて正確に包囲している媒質の組成が求められ、その誘電特性、例えば誘電率値が結論される。
【００１７】
所定のインピーダンスに即した基準測定は例えば既知の基準材料を用いて本発明の測定装置の製造後ただちに行われ、その結果が測定装置内に記憶される。
【００１８】
有利には、本発明の測定装置はさらにオンオフ可能な較正装置を有している。この較正装置は前述の所定のインピーダンスに即した基準測定をいつでも行うことができる。較正装置の所定のインピーダンスとして例えば容量式センサ装置の短絡回路が利用される。これにより検出信号が短絡され、測定回路のインピーダンスが回路網の特性インピーダンスを求めるのみで求められる。
【００１９】
また例えば検出回路網の“開放端部”を所定のインピーダンスの形成に利用してもよい。この場合、測定装置内部のスイッチング手段を介して検出信号を相応の回路へ切り換え、基準インピーダンスを測定することができる。
【００２０】
包囲している媒質の材料を求めるために、本発明の方法では、測定値と基準測定から得られたモデルのｎ個のパラメータとのあいだで補間を行う。こうして比較最適化により包囲している媒質の誘電特性をきわめて良好な近似で求めることができる。
【００２１】
有利には、包囲している媒質を求めるために少なくとも４つの材料基準値が導入され、本発明の測定装置に記憶される。これらの基準材料の既知の４つの誘電率から、下地信号によって生じた検出信号の場のひずみを充分な精度で結論することができる。
【００２２】
格納されているパラメータモデルを用いて測定された包囲している媒質についての信号の比較最適化から、媒質の誘電率を計算することができる。包囲している媒質の誘電率が既知であれば、本発明の方法により、閉じ込められている物体の信号成分の位相が導出され、ここから直接に閉じ込められている物体の深さ情報を結論することができる。
【００２３】
したがって有利には、本発明の方法で隠れている物体の深さを定量的に出力することができる。閉じ込められている物体に基づく測定信号の位相ずれと包囲している媒質の誘電率とが既知になれば、そこから直接に深さ情報を得ることができる。
【００２４】
さらに有利には、本発明の方法では、検出信号を形成するセンサ装置のラテラル方向のオフセットに依存して測定信号が測定され評価される。容量式センサ装置は物体を包囲している媒質に沿って運動されるので、場所に相関した信号評価が可能となる。このことは隠れている物体（例えば壁内の電線またはプラスチックチューブ）の影響を１つの測定位置のみでなく複数の位置にわたって追跡できることを意味する。これにより従来は達成されなかった高い信頼性で物体を識別し、その位置を求めることができる。
【００２５】
本発明の方法では、測定信号を複数の測定周波数で評価するので、例えば冗長的な周波数での測定に基づいて測定信号の一義性に生じる問題を排除することができる。
【００２６】
本発明の方法は、有利には、例えば壁内、天井裏および／または床下に閉じ込められている物体の位置を求める測定装置において用いられる。相応の本発明の測定装置によれば、性能の良いディジタルシグナルプロセッサを用いて、きわめて簡単な操作のみで間違えようのない明確な位置の結果表示が得られるユーザ操作面が実現される。信頼性の高い横方向の位置および深さ位置が本発明の測定装置のディスプレイに画像表示されることにより、明確で誤解のない情報が得られる。ここでユーザは従来の位置測定装置のような音響信号または光学信号の解釈を行わずに済む。
【００２７】
本発明の測定装置およびその基礎となる本発明の方法によれば、ユーザは媒質中に閉じ込められている物体の位置を空間の３つの次元の全てについて正確に求めることができる。さらに本発明の方法によれば、閉じ込められている物体の大きさに関する情報も得られる。
【００２８】
図面
本発明の実施例を図示し、以下に詳細に説明する。図およびその説明や本発明の方法およびこれを利用した測定装置に係る特許請求の範囲には種々の特徴が相互に関連して含まれている。当該の技術分野の技術者はこれらの特徴を個々に捉えることも有意に組み合わせて捉えることもできる。
【００２９】
図１には本発明の方法の基礎となる測定状況の概略図が示されている。図２には本発明の方法にしたがったインピーダンス測定部のブロック図が示されている。図３には評価された測定信号Ｍ（ω）の温度依存性がシンボリックに示されている。図４には基準値を取り入れる方法のステップを表すフローチャートが示されている。図５には本発明の方法のステップを表すフローチャートが示されている。
【００３０】
実施例の説明
図１には本発明の方法が適用されるないしは本発明の測定装置が利用される典型的な測定状況が概略的に示されている。容量式センサ装置１４を用いて媒質１０に閉じ込められている物体１２を検出する。閉じ込められている物体１２はこれを包囲する媒質１０の表面１６から距離ｄのところに位置している。例えば容量式センサ装置１４を含む測定装置１８が物体１２を包囲している媒質１０の表面１６に載置される。容量式センサ装置１４は主として測定コンデンサ２０から成り、これは２つのコンデンサ電極２２，２４を備える。測定原理をわかりやすく図示するために当該のコンデンサ電極２２，２４は図１では上下に並べて表してある。実際の容量式センサ装置では測定コンデンサの各電極は相互にほぼ平行に配置されている。測定コンデンサ２０の電場の所望の配向作用は相応の電極またはジオメトリ手段によって得られる。
【００３１】
電圧２６を印加することにより電場２８が測定装置１８の測定コンデンサ２０の各電極２２，２４のあいだに生じる。測定コンデンサの２つの電極に特に交流電圧が印加される場合、各コンデンサ電極のあいだには電場２８を表す力線３０に沿っていわゆる変位電流が流れる。変位電流Ｉは固定電圧Ｕのもとではインピーダンスが小さくなるにつれて、つまり測定コンデンサ２０の複素インピーダンスＺが小さくなるにつれて大きくなる。変位電流Ｉは例えば電流計２１により直接に、または変位電流に相関する測定量Ｍ、例えば電圧信号を介して測定することができる。
【００３２】
測定コンデンサ２０のインピーダンスＺは主としてコンデンサ電極２２，２４のあいだに存在する物質によって定まる。この種の測定コンデンサ２０が閉じ込められている物体１２の近傍に来ると、電場２８が通る領域の物質の組成が変化する。特に閉じ込められている物体１２により誘電率εが変化し、このためにインピーダンスＺが物体１２を含まない媒質１０に比べて変化する。
【００３３】
閉じ込められている物体１２に起因する誘電率の変化およびこれに付随する測定コンデンサのインピーダンスＺの変化は測定コンデンサの容量Ｃの変化に相応する。
【００３４】
測定コンデンサ２０の容量Ｃの増大、またはここから得られるコンデンサ電極間の変位電流Ｉの増大は、図１では、力線図で電場２８を表す際に力線密度を増すことによって示されている。
【００３５】
周囲の媒質１０の相応する誘電率よりも大きな誘電率εを有する物質が、容量式センサ装置１４によって形成される電場２８の領域内に含まれている場合には力線は密になり、周囲の媒質よりも小さい誘電率を有する物質が電場の領域内に含まれている場合には、閉じ込められている物体の領域において力線が疎らになる。
【００３６】
閉じ込められている物体に基づく容量変化または容量式センサ装置における変位電流の変化は種々の電子回路によって測定し評価することができる。
【００３７】
例えば測定コンデンサおよびこれに直列または並列に接続された少なくとも１つのコイルによって形成される共振回路の固有振動数を用いることができる。短い電気パルスによる励振の後、この種の共振回路はその共振振動数で減衰振動する。こうした共振振動数を時間的に測定することにより、関与している容量および変位電流を推定することができる。
【００３８】
前述の手段に代えて、周波数固定の定交流電圧を印加して、測定コンデンサを通る変位電流を直接に測定することもできる。
【００３９】
本発明の方法では、容量式センサ装置１４の変位電流Ｉを直接には測定せず、検出信号を評価するために周波数依存性の測定量Ｍを測定する。この測定量Ｍは容量式センサ装置の変位電流Ｉにほぼ線形に依存する量である。測定量Ｍとして本発明の方法では特に変位電流に相関する電圧を測定する。つまり使用される測定量Ｍについて
Ｍ ＝ Ｍ(ω) ＝ α(ω)＋β(ω)＊Ｉ(ω)
が成り立つ。
【００４０】
複合的な測定量Ｍ(ω)は測定コンデンサの変位電流Ｉ(ω)の線形近似として評価される。ここでα(ω)はコンデンサ電極の内部クロストークを記述しており、β(ω)は容量式センサ装置の評価回路および適合化回路網内の電気線路の周波数特性および位相ひずみを考慮している。
【００４１】
α(ω)およびβ(ω)は独立に測定可能な周波数依存性の定数である。これらの定数は例えば所定のインピーダンスで基準測定を行うことによりきわめて正確に求めることができるため、測定量Ｍを測定することによって変位電流も求められる。
【００４２】
図２には本発明の方法の範囲で利用可能な評価回路の実施例が示されている。クロックベース３２によって制御されるパルス発生器３４は短時間かつスペクトルの広い電圧パルスを形成し、この電圧パルスは、波カプラ３６を介して容量式センサ装置１４に供給可能である。測定コンデンサ２０の容量ひいてはセンサのインピーダンスＺは、コンデンサ電極の電場が入り込む誘電性の媒質に依存する。
【００４３】
容量式センサ装置が物体１２の近傍に近づくとコンデンサの場の誘電率の変化に基づいて電場のひずみが発生する。これによりインピーダンスＺが変化し、このインピーダンスＺは、変位電流ないしは導出される測定量Ｍ(ω)を介して測定可能である。容量式センサ装置のインピーダンスは、時間依存性の電圧信号Ｕ(ｔ)として再び方向性カプラ３６を介して出力結合され、増幅され、サンプリングユニット４０へ供給される。そこで測定信号の大きさおよび位相が求められるが、このことは後でより詳しく説明する。
【００４４】
容量式センサ装置１４が波動インピーダンスに合わせて調整されて線路に接続されているポイントでは、パルス発生器から波カプラを介して入力結合された電圧が多かれ少なかれ影響を受けて反射される。このポイントで反射した信号の振幅および位相は容量式センサ装置１４のインピーダンスＺと線路の波動インピーダンスとの差を反映しており、容量式センサ装置１４のインピーダンスの大きさおよび位相を推定し、ひいては容量式センサ装置１４を通って流れる電流の大きさおよび位相を推定することができる。
【００４５】
したがってセンサコンデンサを流れる電流の大きさおよび位相を求めることは、容量式センサ装置１４の接続ポイントで反射した電圧Ｕの大きさおよび位相を求めることに帰せられる。
【００４６】
接続ポイントで反射した信号は波カプラを介して戻る。波カプラ３６でのクロストークにより送信分岐に誘導される信号は、検出分岐の方向へ直接に戻ってきた信号成分に比べれば無視できるほど小さい。検出回路の入力側にかかる電圧Ｖは、波カプラ３６での僅かな損失と伝搬時間差とを除けば、容量式センサ装置１４の接続ポイントで反射した電圧Ｕを反映している。
【００４７】
波カプラ３６の後方で生じた（通常は小さい）電圧は、検出分岐において有利にはまず高周波数増幅器３８で増幅される。続いてこの電圧は所定の時点Ｔでサンプリングされる。電圧を測定する時点はここではサンプリングパルスにより設定される。パルス発生器で形成された電圧の位相に対する、反射した電圧の位相を求められるようにするためには、送信信号の発生器とサンプリングパルスの発生器とが固定の位相で結合されていることが重要である。このことはクロックベースの使用により保証される。
【００４８】
周波数ｆでサンプリング回路へ印加される電圧成分
Ｖ(ｆ) ＝ ｖ(ｆ)＊exp(ｉφ(ｆ))
は式
Ｗ(Ｔ) ＝ Re(exp(ｉ＊２π＊ｆ＊Ｔ)＊Ｖ(ｆ))
にしたがってサンプリング回路の後方で測定される電圧Ｗ(Ｔ)に関係している。サンプリング時点Ｔのオフセットから周波数ｆでの電圧Ｖの大きさおよび位相を推定することができる。
【００４９】
電圧Ｗは有利にはまず低周波数増幅器で処理され、続いてアナログディジタル変換器で検出される。こうして種々の時点Ｔで電圧Ｗを測定することにより、反射した電圧成分の振幅の他に位相を求めることができ、ひいては容量式センサ装置内を流れる電流の大きさおよび位相が推定される。
【００５０】
測定信号はアナログディジタル変換器４４を出た後、ディジタルシグナルプロセッサ４６へ供給される。
【００５１】
ＤＳＰエレメント４６はさらなる信号処理と、励振パルスおよびサンプリングパルスを形成するクロックベースの制御とを担当している。ＤＳＰエレメント４６により、評価された測定値、特に壁内に閉じ込められている物体の深さと測定装置に対するその横方向の位置とがリアルタイムで、つまり測定過程中に、ディスプレイ４８に表示することができる。このように本発明の方法は装置が壁に沿って動かされているあいだにすでに、物体が壁内のどこに、どのくらいの深さで閉じ込められているかをユーザにディスプレイ表示することができる。
【００５２】
横方向位置を得るには、調査すべき媒質の上方で容量式センサ装置１４を２つの逆方向５０，５２へ動かしてみればよい。相応の距離センサが容量式センサ装置１４のその時点での位置をディジタルシグナルプロセッサへ供給するので、物体の深さと横方向位置とを相関させて表示することができる。
【００５３】
本発明の方法について、較正のために測定コンデンサ２０に代えて所定の基準インピーダンス５４を測定することもできる。このためにこの電気回路にスイッチング手段を設けて検出信号の形成および評価を行う。これは図２の実施例ではシンボリックなスイッチ５６として表されている。このスイッチング手段により励振パルスを測定コンデンサ２０へではなく基準インピーダンス５４へ切り換えて供給することができる。この所定の基準インピーダンス５４は例えば信号線路の短絡により形成可能である。機器内部の所定の基準インピーダンス５４を実現する別の手段としては例えば信号線路の“開放端部”が挙げられる。このように本発明の方法および本発明の測定装置は内部に較正装置を有しており、この較正装置によって、この基本としての方法は、例えば温度ドリフトを計算によって補償することができるのである。
【００５４】
所定の基準インピーダンス５４で較正測定することにより、電気回路網によって影響を受ける定数α(ω)，β(ω)を求め、また変位電流Ｉ(ω)に対して、測定量Ｍ(ω)に生じたドリフトをこのような基準測定にしたがって補償することができる。ここで上記の定数は容量式センサ装置の変位電流Ｉと測定量Ｍ(ω)との関係を定めるものである。
【００５５】
重大なドリフト作用は特に、関与しているコンポーネントの温度変化および経年変化プロセスによって生じる。すなわち例えば付加的な時間遅延δＴが励振パルスと応答パルスとのあいだに発生して、これにより低周波数信号が歪むことがある。フーリエ変換された測定信号Ｍ(ω)でのこの種の付加的な時間遅延は乗算的なファクタしか発生させないので、サンプリング時点のドリフトは比較的簡単にデータセットから計算で取り除くことができる。
【００５６】
またパルス出力および励振パルスに固有のスペクトル形状も温度ドリフトの影響を受ける。ただし高周波数増幅器の周波数特性のドリフトも前述と同様に基準測定により補償することができる。
【００５７】
装置の変化を補償するため、すなわち例えば温度に起因するドリフトを補償するため、この測定信号に対して線形の補正関数を利用する。図３は温度が測定量Ｍ(ω)に与える影響を概略的に示している。この測定量Ｍ(ω)は、温度依存の変化の影響を大きく受けているとする。曲線５６は、２０℃の温度における周波数依存の測定信号Ｍ(ω)を示しており、また同様に図示された測定曲線５８は−１０℃の温度において測定された信号Ｍ(ω)を表している。測定信号の評価の基礎となるこの方法は、相異なる温度における２つの測定曲線の線形な依存性を仮定している。
【００５８】
この温度作用を補償するため、２つの補正ファクタγ０(ω)ならびにγ１(ω)が、較正条件（例えば２０℃）の下で測定した測定量Ｍ(ω)と、例えば現場での測定における測定量Ｍ(ω)との関係について設定される。すなわち、例えば、
Ｍ−１０°(ω) ＝γ０(ω)＊(Ｍ２０°(ω))＋γ１(ω)
が成り立つのである。
【００５９】
例えば、本発明の方法に対し、複数の較正条件について、すなわち所定の温度および例えば空気測定（Luftmessung）、較正用石材または短絡されたセンサによって実現可能な基準インピーダンスにおいて測定量Ｍ(ω) を測定する。
【００６０】
現場における実際の動作条件下で較正測定が同じ所定のインピーダンスで行なわれる場合、すなわち、ここでも空気測定、較正用石材における測定、ないしは短絡されるセンサによる測定によって行なわれる場合、ドリフト作用に起因して変化した測定値Ｍ(ω)から補正定数γ０(ω) およびγ１(ω)を推定することができる。このようにして求めた補正量は記憶ユニットに格納されるため、これらの補正量は後の信号評価時に呼び出すことができる。
【００６１】
閉じ込められている物体の位置を実際に測定する前に、所定のインピーダンスで較正測定を行う場合、この較正測定によって実際に得られる補正量γ０(ω) およびγ１(ω)を利用して、実際の測定過程における測定量Ｍ(ω)を補正することができる。
【００６２】
これにより、本発明では、処理すべき測定量に影響してこれを劣化させる作用を、測定された測定信号から計算によって取り除くことができる。一般的にドリフト作用と称される容量式センサ装置の測定量への影響には、例えば、温度変化、湿度の変化、素子の経年変化によって発生する変化があり、また測定装置の給電電圧の変化による変化もある。したがって例えば、ハンドへルド型でありバッテリ駆動の測定装置の形態をとる本発明の測定装置の実施例は、バッテリ電圧の降下をさらに所定の時間にわたって補償することができ、この際にこのような電圧変化が測定結果の品質に大きく影響してしまわないようにすることが可能である。
【００６３】
上記のドリフト作用の他に、個々の構成部分の個体のばらつき（Exemplarstreuung）も個々の測定装置の測定特性を変化させる。これらは上記の補正関数を介して補償することができる。したがって本発明の方法によって上記のドリフト作用または個体のばらつきの補償を行うことができ、ここでこれは、装置に記憶された基準信号と、測定時点に記録される較正信号とを比較することよって行われる。この比較測定により、この測定信号に対する線形の補正量を求めることができ、この補正量により、本発明の方法では、現場で目下測定される測定値を基準条件に基づいて計算することができる。
【００６４】
殊に有利であるのは、装置を作製した直後、例えば装置がまだメーカにあるうちに所定の較正条件の下で基準測定を行うことである。この場合、この測定と、後の現場での実際の位置探知測定とを調整することができる。
【００６５】
所定の測定信号Ｍ(ω)を得るこのような基準測定を「マスタ測定装置」によって行い、この「マスタ装置」に対して求めた基準値を特性マップの形で別の測定装置に作製直後に記録する。この場合、例えば、個々の装置の測定コンデンサにおける電場の方向特性についての個体のばらつきを補償することも可能である。
【００６６】
電気的な測定場に対して、コンデンサ電極ないしは相応の方向性電極が機械的ないしはジオメトリ的に異なることに起因して方向特性が異なることは、閉じ込められている物体に対する検出箇所が異なることを意味し、さまざまな装置によって得られた測定データの比較が困難になる。
【００６７】
図４はブロック図を用いて基準値の測定の流れを示しており、ここでこれらの基準値は、例えば、本発明の装置の作製直後にまだメーカ側にあるうちにすでに測定され、この測定装置の記憶素子に格納することができる。ステップ９０では本発明の測定装置の記憶素子にユーザガイドが書き込まれる。ここでこれは、アニメーション化された映像シーケンスとしてこの測定装置のディスプレイに再生可能であり、またユーザにはこの測定装置を較正するために現場で行うべき方法ステップがわかりやすくなる。
【００６８】
方法ステップ９２では基準測定が行われ、この装置に格納される。これらの基準測定は、装置個別のシステムパラメタを決定するのに使用される。このために所定のインピーダンスで測定した測定信号が評価され、個々の測定装置毎に１次の補正関数が作成される。この補正関数により、個体のばらつき、例えば容量式センサ装置の機械的な実施における個体のばらつきを、現場において後に測定される信号から計算によって取り除くことができる。
【００６９】
方法ステップ９４では測定装置がさまざまな所定の下地材料に較正される。例えば空気、コンクリート、金属ならびにYtongコンクリートブロックおよび別の加工建設材料におけるこれらの基準測定の測定値がこの装置に格納される。これらの所定の材料の周知の誘電率に基づいて、検出回路網に依存する定数α(ω)ならびにβ(ω)を決定することができ、ここでこれらの定数は、容量式センサ装置の誘電的な変位電流と、評価に使用される測定信号Ｍ(ω)との間の関係を形成する。すなわちこのような基準測定により、位相の歪みならびに信号線路の周波数特性に起因してないしは測定コンデンサの電極間の内部的なクロストークによって設定される信号の歪みを決定することができる。これによって、これらの既知の係数α(ω)ないしはβ(ω)を用いて後に現場で測定信号Ｍ(ω)を決定する際に、基礎となる誘電的な変位電流を極めて精確に推定することができる。
【００７０】
方法ステップ９４ではまたこの方法の基礎にある、閉じ込め側の媒質のモデルに対して補間パラメタが得られる。本発明の方法は、閉じ込め側の媒質に対して数値モデルを利用しており、ここでこの数値モデルは、所定の基準材料の複数の材料パラメタを利用する。現場で測定される包囲側の媒質の信号と、測定装置に格納されているモデルのパラメタとの比較最適化によって、測定した包囲側の媒質の誘電特性を極めて正確に決定することができる。重要なのは、現場で測定される包囲側の媒質の値に対する、このモデルの基礎にある基準パラメタの補間が利用されることである。
【００７１】
方法ステップ９６では容量式センサ装置のジオメトリファクタが決定される。このために既知の媒質に閉じ込められている、空間的に極めて限定された基準体において基準信号が測定される。容量式センサ装置の電極の機械的またはジオメトリ的な偏差に起因して、測定コンデンサの方向特性が異なることがあるため、閉じ込められた物体の精確な位置の決定が不確かになり得る。したがって方法ステップ９６では、個々の測定装置の方向特性の偏差を考慮する補正パラメタを各測定装置毎に求めてこの測定装置に格納する。これによって評価を行うアルゴリズムがこれらのパラメタを呼び出して考慮できるようにする。
【００７２】
本発明の方法ないしは本発明の装置に対する基準値をメーカ側で設定する図４の方法ステップ９８では、実行した基準測定から物体検出に対する閾値を求める。この閾値を用いて処理アルゴリズムは、物体が検出されたか否かを判定する。これらの閾値は、個々の装置の測定精度に依存し、また相応する個体のばらつきにも依存する。
【００７３】
図４の方法ステップ１００は、前に求められた調整量を本発明の測定装置の記憶素子に格納することを示している。格納したこれらの基準値と、実際の測定の前に現場で行われる較正測定とによって、測定信号に与える障害作用を大いに排除することができるため、極めて正確確な測定センサを実現することができる。殊に強調すべきであるのは、例えばプラスティックチューブもこの測定センサによって識別できることである。本発明の測定装置ないしは基礎にある本発明の方法の性能を高めるのに大きな影響があるのは、多数の基準値を記録することであり、これらの基準値によって後の信号評価に障害をなす作用を計算によって取り除くことができる。
【００７４】
本発明の方法の中心点は、評価すべき測定信号Ｍ(ω)を２つの成分に分割することである。この測定信号Ｍ(ω)は、包囲側の媒質に起因する下地成分ＵＧ(ω)と、閉じ込められている物体から生じる封入物成分Ｅ(ω)とに分けられる。封入物信号も下地信号も共に信号量Ｍ(ω)の測定により、位相も振幅も共に既知である。ここで注意すべきであるのは、誘電性の作用によって媒介される封入物信号Ｅ(ω)は極めて小さいことである。閉じ込められている物体に基づいて決定される容量変化は、例えばプラスチックチューブではふつうサブピコファラドの範囲である誘電性の作用下にある。この小さな変化は、容量式センサに例えば１Ｖ、１００ＫＨｚの測定周波数の交流電圧を加えた際に得られ、したがって変位電流の差分は１μＡよりも小さい。
【００７５】
このような理由から本発明の方法では、ギガヘルツ範囲の測定周波数を利用して、閉じ込められている物体に起因する極めて小さな容量変化に対してもなお測定信号が十分に大きく変化するようにする。ここで下地信号は、物体がない場合に生じる信号を表す。これは例えば封入物のすぐ横で測定される。本発明で利用されるのは、電気的な測定場の表面近傍の領域によって形成される変位電流の成分が下地信号の優勢を占めることである。以下では下地信号ＵＧ(ω)が既知であることを前提とする。この下地信号ＵＧ(ω)は、測定コンデンサの電場の電気力線ｖに沿う複数の変位電流Ｉｖ(ω)からなる。個々の電気力線ｖは、例えば図１からわかるようにさまざまな長さを有する。したがって平均の電気力線長Ｌを定めることができ、この平均の電気力線長Ｌによって変位電流の位相が示される。すべての位相は以下、この平均の位相に対して示される。容量式センサ装置の測定電極近くで誘電的な作用が及ぼされると、上記の変位電流の電流分布が変化する。実践的には、閉じ込められた物体によるこの変化は小さいと仮定することができる。すなわち、
Ｅ(ω) ≪ ＵＧ(ω)
が成り立つ。
【００７６】
したがって近似的に仮定してよいのは、誘電的な封入物の影響は、長さＬｖを有する個々の電気力線ｖに沿った変位電流Ｉｖの増大または減少になることである。すなわち、
Ｉｖ(ω)(封入物あり) ＝ ξ＊Ｉｖ(ω)（下地）＊exp(ｉ＊２π／λ(ω)＊Ｌｖ−Ｌ)
が成り立つ。
【００７７】
ここでξは実数の増幅ないしは減衰ファクタを表す。封入物の誘電率εが周囲の媒質のεよりも大きい場合、ξ＞１が成り立つ。測定コンデンサの容量は増大して変位電流が大きくなる。その他の場合、ξ＜１が成り立つ。封入物が十分に小さい場合、所定の長さＬｖの電気力線だけが関係し、近似的に
Ｅ(ω) ＝ (Ｉｖ(ω)(封入物あり)−Ｉｖ(下地))
＝ (１−ξ)＊exp(ｉ＊２π／λ(ω)＊(Ｌｖ−Ｌ))＊Ｉｖ(ω)(下地)
が成り立つ。
【００７８】
封入物が既知である場合、すなわち金属製の封入物ないしは空所の場合、(１−ξ)の符号は既知である。
【００７９】
この場合、
２π／λ(ω)＊(Ｌｖ−Ｌ) ＝ −Φ(ω)＋Ψ(ω)
が成り立つ。
【００８０】
すなわち信号Ｅ(ω)の位相と下地信号ＵＧ(ω)の位相との比較から、関係式
λ(ω)／２π＊(−Φ(ω)＋Ψ(ω))＋Ｌ ＝ Ｌｖ
によって、関係する電気力線の長さＬｖを逆に推定することができる。関係する電気力線の長さは、ジオメトリファクタＧ(ω，Ｌ)を介して物体の深さに関係している。
【００８１】
実践的にはこの装置により、大部分において封入物が存在していない位置区間[ｘ，ｙ]にわたって平均化が行われる。これによってＭＷ＿Ｍ(ω)の空間的な平均値により、下地成分に対して使用可能な開始点が得られる。すなわち、測定量Ｍ(Ｘｊ，ω)がｎ個の位置Ｘｊにおいて検出された場合、下地成分を決定するため、すべてのｊに対してＭ(Ｘｊ，ω)について加算し、１／Ｎで規格化する。
【００８２】
この基礎となる平均化方法の考えられ得る拡張として有利であるのは、信号変化の大きな領域、すなわち平均値からの偏差が大きい値を平均値形成から除外するか、または平均値の形成を、位置についての測定データの中央値の形成によって置き換えることである。
【００８３】
さらに、相異なる箇所についての平均化の代わりに、記憶装置に格納されテーブル化された下地信号ＭＵＧ(ω)を使用することができる。下地がコンクリートであることがわかっている場合、記憶装置に格納された測定値ＭＵＧＢＥＴＯｎ(ω)を下地信号として使用することができる。ここでこの測定値ＭＵＧＢＥＴＯｎ(ω)は、均一なコンクリートブロックに対して得られる測定値である。抜き出すべき記憶された下地信号の選択は、例えば推定した下地信号と、テーブル化された種々異なる下地とを比較することによって自動的に、またはユーザによって操作されるスイッチによって行われる。
【００８４】
下地に対して数値モデルが利用され、これは既知の材料の少なくとも４つの材料パラメタ、例えば、誘電率を利用する。このモデルが基礎としているのは、誘電的な境界層における電磁信号の反射特性である。測定した閉じ込め媒質の材料を求めるため、閉じ込め媒質のモデルにおけるパラメタの重み付けを変更する。ここでこの重み付けの変更は、測定した下地信号における比較最適化により、測定した下地信号に最も近いモデル信号が再構成されるまで行われる。これにより、モデル媒質のパラメタの補間によって、測定した閉じ込め媒質の誘電率を推定することができる。閉じ込め媒質の誘電率がわかれば、閉じ込められている物体から発生する測定信号の位相情報から、この閉じ込め媒質における閉じ込められた物体の深さを推定することができる。
【００８５】
本発明では上記の方法において、閉じ込められている物体を検出するための閾値が可変であるようにする。感度調整によって、例えば、殊に周期的構造を有する関係のない物体を測定信号から計算によって取り除くことができ、これによって後に測定結果を視覚的に表示する際にこれがもはや表示されないようにする。また本発明の方法によって可能になるのは、測定信号の位相シフトの範囲を固有に選択することによって、測定範囲を所望の深さ範囲に制限することができる。これによって、固有に制限された深さ範囲を選択することができる。本発明の測定装置に設けられたディスプレイの視覚的再生において表示される測定深さは、さまざまな値の間（例えば６〜１０ｃｍ）で切換可能である。
【００８６】
図５は、本発明の個々の方法ステップを説明するブロック図の概略を示している。
【００８７】
ステップ６０において装置をスイッチオンした後、この測定装置に対するシステムチェックが行われる。システムチェック６２により、例えばバッテリ状態（バッテリ電圧）、バッテリの内部抵抗ならびに目下の温度がチェックされる。引き続いてステップ６４では所定のインピーダンスで基準測定を行う。このためには例えば、装置内部の基準電圧を利用するか、または空気測定を行うことも可能である。この基準測定は、ＥＭＶ障害を決定するためにも行われ、ここでこれは例えば隣接した送信装置によって行われる。このようなＥＭＶ障害は、本発明の方法により、後に測定信号から計算によって取り除かれる。
【００８８】
本発明の方法のステップ６５では壁コンタクトチェックを行い、ここでは本発明の測定装置の相応する距離センサのチェックにより、この測定装置が取扱指示通りに、調査すべき壁に載置されたことが保証される。択一的にはこの壁コンタクトを容量式センサ装置の測定信号を評価することによってチェックすることも可能である。この測定装置により、周囲の媒質として空気が求められる場合、この装置は壁に載置されていないのである。
【００８９】
引き続いて実際の測定過程が実行され、方法ステップ６８において容量式センサ装置の生データが測定され、ディジタル信号プロセッサに転送される。測定信号の評価のスタートである方法ステップ７０では、外部の障害発生源による障害信号を上記の生データから計算によって取り除く。続いて方法ステップ７２では、個体のばらつきに起因する測定信号の第１の補正を行う。このためにはメーカ側で基準測定によって求めた装置個別のシステムパラメタ、すなわち相応する補正係数を考慮し、この測定信号を上記のように線形に変換する。方法ステップ７４では、例えば温度または経年変化作用などの装置内部のドリフト作用の補正が行われる。測定信号Ｍ(ω)に対する相応の補正関数を求めるため、方法ステップ７４では、メーカで所定のインピーダンスで行われこの装置に記憶された基準測定値と、方法ステップ６４による目下の基準測定の結果との間で比較が行われる。このように処理された測定信号Ｍ*(ω)に対し、方法ステップ７６において、閉じ込め媒質の信号成分と、閉じ込められている物体に起因する信号成分とを上記のように分離する。この装置に記憶された基準材料に対する特性量と、閉じ込められた媒質の組成に対する相応の数学モデルとを介して、基準値を用いた補間によって、測定された壁材料が決定される。殊に、測定された壁材料ないしは閉じ込め媒質には、測定信号をさらに評価するために必要な誘電率が対応付けられる。
【００９０】
閉じ込め媒質から出発してないしは閉じ込められた物体から出発して検出信号を信号成分に分離した後、閉じ込められている物体の正確な位置を決定するため、ステップ７８において、容量式センサ装置に対するジオメトリファクタを考慮する。このジオメトリファクタにより、例えば、容量式センサ装置の方向特性における、製造に起因するジオメトリ上の偏差が考慮される。これらの装置の個別の違いは、線形の補正関数によって考慮することができ、また実際の測定信号から計算によって取り除くことができる。メーカ側で調整した物体検出に対する閾値を考慮して、方法ステップ８０では信号処理によって、物体が探知されたか否かの判定がなされる。この判定がイエスの場合、引き続いて物体のサイズ、測定装置に対するその相対位置ならびに閉じ込められている物体の物体深さが、測定量Ｍ*(ω)の位相および大きさを上記のように評価することによって決定される。殊に壁に閉じ込められている物体の深さは、測定量Ｍ*(ω)の位相ならびに方法ステップ７６で求めた包囲材料の誘電率から決定される。
【００９１】
方法ステップ８２では、得られた測定結果がグラフィックに測定装置のディスプレイに表示される。これに加えて、この測定装置の目下の位置に対する、探知した物体の位置と、物体サイズと、物体の深さとがシンボリックな表示でこの測定装置の表示装置に再現されて、ユーザが、調査した壁の断面図を得られるようにする。
【００９２】
殊にこの測定装置のディスプレイに、許容される開孔深さを例えば同様にグラフィックに表示することができる。ここでこの開孔深さは、開孔過程時に、探知した物体に当たることなく可能な深さである。測定装置のディスプレイへの測定結果の表示はリアルタイムに行われるため、測定装置がまだ壁の一部を移動している間に、探知した物体が、短い遅延時間だけで本発明の測定装置のスクリーンに表示される。
【００９３】
本発明の方法ならびに相応する本発明の装置は、上記の説明および図面に示した実施例には制限されない。
【００９４】
図４および５の参照符号一覧
【００９５】
【表１】
2005518547.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の方法の基礎となる測定状況の概略図である。
【００９７】
【図２】本発明の方法にしたがったインピーダンス測定部のブロック図である。
【００９８】
【図３】評価された測定信号Ｍ（ω）の温度依存性を示すグラフである。
【００９９】
【図４】基準値を取り入れる方法のステップを表すフローチャートである。
【０１００】
【図５】本発明の方法のステップを表すフローチャートである。
【図１】
2005518547.tif 000004
【図２】
2005518547.tif 000005
【図３】
2005518547.tif 000006
【図４】
2005518547.tif 000007
【図５】
2005518547.tif 000008
【国際調査報告】
2005518547.tif 000009
2005518547.tif 000010
2005518547.tif 000011
2005518547.tif 000012
2005518547.tif 000013
2005518547.tif 000014