(57)【要約】素子整合及び選択的な容量制限の妨害を防ぎながらダミーメタル充填物を配置するシステム及び方法を開示する。一般的に、集積回路の製造工程においてダミー充填物を位置づけるコンピュータにより自動化された方法は、集積回路の入力レイアウト及び素子整合の仕様として受信することと、素子整合を維持しながらダミー法則に従って、ダミー充填物を集積回路内に位置付けることを含む。ダミー充填物の位置付けは、素子整合が対称軸に沿って存在する少なくともひとつの対称軸に沿ってダミー充填物を位置付けることと、素子整合グが反復するエレメントによる整合である反復素子の整合を維持するようにダミー充填物を位置付けることを含むことができる。
2005520336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路製造工程においてダミー充填物をコンピュータにより自動的に位置付ける方法であって、
集積回路の入力レイアウト及び集積回路の素子整合の仕様として受信する工程と、
素子整合を維持しながらダミー充填物法則に従って、ダミー充填物を集積回路に位置付ける工程と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
デバイスマッチングの仕様は、少なくともひとつの対称軸によって集積回路の素子整合とする及び集積回路の反復するエレメントによって整合をする仕様から構成されるグループから選択されたものであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
ダミー充填物を位置付けるための前記工程は、
デバイスマッチングの仕様が少なくともひとつの対称軸による仕様を含むものとし、少なくともひとつの対称軸に沿って、ダミー充填物を位置付けることと、
デバイスマッチングの仕様が、集積回路の反復するエレメントによって整合をする仕様を含むものとし、反復するエレメントの整合を維持するように、ダミー充填物を位置付けることを備えることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記工程は、集積回路の少なくともひとつのネットをクリティカルネットとして工程、少なくともひとつのクリティカルネットは集積回路のすべてのネットのうちのサブネットのみを備えているもの工程と、
レイアウトファイルから指定された各クリティカルネットに対応する金属導体を判別する工程と
判別された各メタル導体について、メタル導体からの最小ネットブロック距離の距離まで延びるネットブロック除去ゾーンを描写する工程とを
備え、
ダミー充填物を位置付ける工程は、ネットブロック除去ゾーンの外部にダミー充填物を位置付けることをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
集積回路にダミー充填物を位置付ける、
集積回路のレイアウトを特定するレイアウトファイルを読み込む工程と、
集積回路の少なくともひとつのネットをクリティカルネットとして指定する工程であって、前記少なくともひとつのクリティカルネットは集積回路のすべてのネットのうちのサブネットのみを備えているものである工程と、
レイアウトファイルから指定された各クリティカルネットに対応するメタル導体を判別する工程と、
判別された各メタル導体について、金属導体からの最小ネットブロック距離の距離まで延びるネットブロック除去ゾーンを描画する工程を備え、
ダミー充填物を位置付ける段階は、ネットブロック除去ゾーンの外部にダミー充填物を位置付けることをさらに含むことを特徴とするコンピュータにより自動化された方法。
【請求項６】
少なくともひとつの指定されるクリティカルネットのためのクリティカルネット入力を受信する工程をさらに備える方法であって、前記受信入力はユーザまたはＣＡＤツールからの出力であることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
最小ネットブロック距離をユーザの入力及びソフトウェアプログラムの出力のうちのひとつからの入力として受信することをさらに備えることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
最小ネットブロック距離を設定することをさらに備えることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
最大許容容量増加を受信することと、
最大容量増加を設定された最大許容増加に制限している最小ネットブロック距離を決定することをさらに備えることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記最小ネットブロック距離の決定は、容量シミュレーションソフトウェアの利用を含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記容量シミュレーションソフトウェアは、ＰＡＳＡＬ（商標）またはＲＡＰＨＡＥＬ（商標）のうちのひとつであることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記最小ネットブロック距離の決定は、少なくともひとつの指定されたクリティカルネットを評価することだけであることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記判別は、少なくともひとつの指定クリティカルネットに対応するすべてのメタル導体を判別することを含むことを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記判別は、レイアウトファイルを使用してネット追跡することまたは標識付けすることを含むことを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記判別は、レイアウトファイルがＧＤＳ−ＩＩフォーマットであるネット追跡と、レイアウトファイルがネット接続性情報を含む標識付けを含むことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
レイアウトファイルがネット接続性情報を含む場合、レイアウトファイルは注釈付きＧＤＳ−ＩＩフォーマットまたはＬＥＦ／ＤＥＦフォーマットのうちのひとつであることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記ブロック除外ゾーンは、対応するメタル導体を含む指定信号ネット層および対応するメタル導体からの最小ネットブロック距離の距離内にある他の層における少なくともひとつのブロックされたゾーンを含むことを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記ダミー充填物の位置付けは、モデルに基づくダミー充填工程または法則に基づくダミー充填工程のうちの少なくともひとつを利用する含むことを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
集積回路製造工程にダミー充填物を位置付けするシステムであって、
集積回路のレイアウト及び集積回路のマッチングデバイスの仕様を含むデータ受信の入力と、
デバイスマッチングを維持しながらダミー法則に従ってダミー充填物を集積回路に位置付けるダミー充填ロケータを備えることを特徴とするシステム。
【請求項２０】
素子整合の仕様は、集積回路が素子整合を有する少なくともひとつの対称軸の仕様と、集積回路の反復して整合した素子の仕様を備えるグループから選択されることを特徴とする請求項１９記載のシステム。
【請求項２１】
前記ダミー充填ロケータは、素子整合の仕様が少なくともひとつの対称軸の仕様を含む素子整合の仕様に従って少なくともひとつの対称軸に沿ってダミー充填物を位置付けし、素子整合の仕様が集積回路の反復するエレメントの整合をする使用を含む、反復するエレメントの整合を維持するようにダミー充填物を位置付けすることにより素子整合を維持するものである請求項２０記載のシステム。
【請求項２２】
入力データは集積回路の少なくともひとつのネットを指定クリティカルネットとして指定し、少なくともひとつのクリティカルネットは集積回路のすべてのネット数以下のサブネットのみを備え、さらに、
レイアウトファイルから、各指定クリティカルネットに対応するメタル導体を判別するためのメタル導体判別プロセッサと、
判別された各メタル導体のために、メタル導体からの最小ネットブロック距離の距まで延びるネットブロック除去ゾーンを描画するための除去ゾーンプロセッサを備え、
また、ダミー法則に従ってネットブロック除去ゾーンの外側にダミー充填物を位置付けるダミー充填物ロケータを備えることを特徴とする請求項１９記載のシステム。
【請求項２３】
集積回路製造工程にダミー充填物を位置付けるためのシステムであって、
集積回路のレイアウトを特定するレイアウトファイルを含み、集積回路の少なくともひとつのネットを指定クリティカルネットとして指定するデータを受信し、前記少なくともひとつのクリティカルネットは集積回路のひとつのサブネットのみまたはすべてのネットを備えるものである入力と、
レイアウトファイルから各指定クリティカルネットに対応する金属導体を判別する金属導体判別プロセッサと、
金属導体のために、金属導体からの最小ネットブロック距離を延長するネットブロック除去ゾーンを描画する除去ゾーンプロセッサと、
ダミー法則に従ってネットブロック除去ゾーンの外部にダミー充填物を位置付けるダミー充填物ロケータとを備えることを特徴とするシステム。
【請求項２４】
クリティカルネット入力は、ユーザ及びＣＡＤツールのうちのひとつからのものであることを特徴とする請求項２２または２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項２５】
入力は、最小ネットブロック距離を入力としてさらに受け付けることを特徴とする請求項２２または２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項２６】
入力は最大容量増加を入力としてさらに受け付け、システムはさらに、
最小ネットブロック距離を決定し、最小ネットブロック距離は最大容量増加を受け付けた最大容量に制限するものであることを特長とする請求項２２または２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項２７】
最大容量増加の入力は、集積回路の機能性を確保する容量増加であることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記最小ネットブロック距離プロセッサは、最小ネットブロック距離を決定する容量シミュレーションソフトウェアを備えることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項２９】
前記容量シミュレーションソフトウェアは、ＰＡＳＣＡＬ（商標）及びＲＡＰＨＡＥＬ（商標）のうちのひとつであることを特徴とする請求項２８記載のシステム。
【請求項３０】
前記最小ネットブロック距離プロセッサは、少なくともひとつの指定クリティカルネットだけを評価することを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項３１】
前記金属導体判別プロセッサは、少なくともひとつのクリティカルネットに対応するすべての金属導体を判別することを特徴とする請求項２２または２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項３２】
前記金属導体判別プロセッサは、レイアウトファイルを使用して追跡及び標識付けのうちのひとつを行うことを特徴とする請求項２２または２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項３３】
前記金属導体判別プロセッサは、レイアウトファイルがＧＤＳ−ＩＩフォーマットにあるネット追跡を行い、前記金属導体判別プロセッサは、レイアウトファイルが注釈付きＧＤＳ−ＩＩフォーマットおよびＬＥＦ／ＤＥＦのうちのひとつである標識付けを行うことを特長とする請求項３２記載のシステム。
【請求項３４】
前記除去ゾーンプロセッサは、ネットブロック除去ゾーンを描画して、少なくともブロックされたゾーンを、対応する金属導体を含む信号ネット層及び対応する金属導体からのネットブロック距離の距離内にある他の層に含むことを特徴とする請求項２２または２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項３５】
前記メタル充填物ロケータは、モデルに基づくダミー充填物ロケータ及び法則に基づくダミー充填物ロケータのうちの少なくともひとつであることを特徴とする請求項２２または２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項３６】
複数の素子整合レイアウトと、
素子整合を維持するような方法で位置付けられた複数のダミー充填物を備えることを特徴とする集積回路。
【請求項３７】
デバイスマッチングは、少なくともひとつの対称軸に沿った装置対称、反復するエレメントの整合を伴うデバイス対称、ロウ対称、カラム対称およびアレー対称のうちの少なくともひとつを有することにより提供されることを特徴とする請求項３６記載の集積回路。
【請求項３８】
ダミー充填物は、素子整合が少なくともひとつの対称軸を有することを含む少なくともひとつの対称軸に沿って位置付けられ、
ダミー充填物は、素子整合が反復するエレメントの整合を有することを含む反復するエレメントの整合を維持するように位置付けられることを特徴とする請求項３７の集積回路。
【請求項３９】
少なくともひとつの信号ネットがクリティカル信号ネットとして指定され、残りの信号ネットは非クリティカル信号ネットであり、少なくともひとつのクリティカル信号ネットはすべての集積回路以下のサブネットを備え、各クリティカルネットはそれに関連付けられた金属導体を有し、
ダミー充填物は、各クリティカル信号ネットに関連付けられた前記金属導体からの最小ネットブロック距離の距離を拡張するブロック除去ゾーンの外部に位置付けされ、
少なくともいくつかのダミー充填物は、前記非クリティカル信号ネットに関連付けられた金属導体からの最小ネットブロック距離内に位置付けられることを特徴とする請求項３６記載の集積回路。
【請求項４０】
少なくともひとつがクリティカル信号ネットとして指定され、残りが非クリティカル信号ネットであり、少なくともひとつのクリティカル信号ネットは集積回路のすべての信号ネットより少ないサブネットを備え、各クリティカルネットはそれに関連したメタル導体を有する複数の信号ネットと、
ダミー充填物は、各クリティカルネットに関連する前記金属導体からの最小ブロック距離の距離を延長するネットブロック除去ゾーンの外部に位置付けられ、少なくともいくつかのダミー充填物は前記クリティカル信号ネットに関連付けられた金属導体からの最小ブロック距離内に位置づけられるダミー充填物を備えることを特徴とする集積回路。
【請求項４１】
最小ネットブロック距離は、少なくともひとつの指定クリティカルネットだけに依存することを特徴とする請求項３９または４０のいずれかに記載の集積回路。
【請求項４２】
前記ネットブロック除去ゾーンは、少なくともひとつのクリティカル信号ネットに関連する対応する金属導体を含む指定された各信号ネット層において、または対応する金属導体からのネットブロック距離の距離内にある他の層において、少なくともひとつのブロックされたゾーンを含むことを特徴とする請求項３９または４０のいずれかに記載の集積回路。
【請求項４３】
ダミー充填物は、モデルに基づくダミー充填工程または法則に基づくダミー充填工程のうちのひとつに従って位置付けされることを特徴とする請求項３９または４０のいずれかに記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の引用）
本出願は、同時係属中である米国特許出願Ｎｏ．１０／０９７，９７８、発明の名称「平坦化プロファイルの均一化を向上させるために利用されるメタル充填物による容量の増加を制限するシステム及び方法」（２００２年３月１２日提出、その全部を参照のため、本明細書において引用する）の一部継続出願である。
【０００２】
（発明の背景）
（１．発明の属する技術分野）
本発明は、一般的には半導体処理に関し、さらに詳細には、素子整合及び選択的な容量制限の妨害を防ぎながらダミーメタル充填物を位置付けるシステム及び方法を開示する。
【背景技術】
【０００３】
（２．関連技術）
典型的には、集積回路製造工程は、メタライゼーション、誘電体及びその他の材料を半導体表面に塗布して階層化配線構造を形成する一連の層形成工程を含む。一般に、ウェーハから形成された集積回路は、メタル充填ビアによって相互接続された複数の層にわたる複数の金属線を備える層間回路を含む。このように、製造工程における臨界工程のひとつは、層と半導体回路を接続する層間配線の形成であり、その結果、非常に複雑で回路密度の高い集積回路装置となる。
【０００４】
特に０．３５サブミクロンの半導体装置においては、製造工程において次工程から工程歩留まりを削減するために、次工程の前に集積回路の各層に良好な平坦化を行うことが重要である。平坦化表面は、次工程での焦点合わせの光リソグラフィで要求されるレベルを維持し、また金属配線が輪郭工程で変形しないようにするために必要とされることが多い。
【０００５】
例えば、層間配線の金属化のために、ダマシン法が用いられることが多い。ダマシン法は、装置の活性層に至る平坦化誘電体層へのビアまたはトレンチパターンのエッチングを必要とする。余分な金属は一般的に、ビアまたはトレンチに充填するためにウェーハ表面全体に堆積される。そして、余分な金属層は、配線としての金属細線を残して、パターン化した金属表面になるまで研磨される。製造工程における他の工程と同じように、研磨されたダマシン層は平坦であることが重要である。
【０００６】
超高密度集積回路の製造に必要な平坦度を達成するために、化学機械的研磨（平坦化）（ＣＭＰ）工程が用いられ、基板上の薄膜または層の形状を平坦化する。一般に、ＣＭＰ工程は、化学スラリーを加えながら制御された量の圧力を加えながら、研磨パッドとウェーハを相対的に回転させることにより、半導体ウェーハから選択的に金属を除去することを含む研磨工程である。ＣＭＰは酸化物および金属に対して行うことができ、良好な局所平坦化を実施することができる。ＣＭＰ工程後は、滑らかな表面が得られ、積層等の次工程に備える。
【０００７】
しかしながら、多くの場合、ＣＭＰ工程の結果得られた平坦プロファイルは、下部層のパターン密度に依存しており、これにより３０％−４０％を超えるばらつきがある。この下部層への依存については、例えば、以下の文献に記述がある。“Ａｎ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｍｏｄｅｌｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  ＣＭＰ  Ｄｉｅｌｅｃｒｉｃ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ”Ｏｕｍａ他、相互接続技術会議のプロシジャー、１９９８年２月、６７−６９ページ、参照のため本明細書において、すべてを引用する。）
パターン依存がもたらすＣＭＰ平坦化プロファイルのばらつきを減少させる方法のひとつとして、ダミーメタル充填物の使用によるものがある。特に、パターン密度をより平均化するために、すなわちレイアウト間の特性密度をより平均化するために、ＣＭＰ工程に先立ってダミーメタル充填物または特性を挿入する。特性密度の平均化は、ＣＭＰ等一定の操作のウェーハ処理の平均化を向上させる。このように、ダミーメタル充填物により、ＣＭＰ後のパターン依存プロファイルの削減が容易になる。
【０００８】
ダミー充填物の位置付けは一般的に、スペースが利用できる平均密度ダミーを配置する従来のダミー充填物法則にしたがって行う。（法則に基づくダミー充填物）。例えば以下を参照。“Ａｎａｌｙｚｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｅｆｆｅｃｓ  ｏｆ  Ｄｕｍｍｙ−Ｆｉｌｌｓ：Ｆｒｏｍ  Ｆｅａｔｕｒｅ  Ｓｃａｌｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｔｏ  Ｆｕｌｌ−Ｃｈｉｐ  ＲＣ  Ｅｘａｍｉｎａｔｉｏｎ”Ｌｅｅ他、ＩＥＤＭ２００１手順、２００１年１２月、参照のため、本明細書においてすべてを引用。しかしながら、法則に基づくダミー充填物のひとつの問題は、ダミー充填物の許容範囲が、一般的に所定の密度を設計ごとに試行錯誤によって決定するほど、相対的に広いということである。
【０００９】
パターン依存によるＣＭＰ平坦化プロファイルのばらつきを減少させるために、モデルに基づくダミー充填物挿入もまた用いることができる。一般的に、研磨パッドの回転による平均化効果の結果、ＣＭＰ平均化プロファイルは有効パターン密度と比例するため、モデルに基づくダミー充填物挿入は、所定の範囲に有効密度を達成するために、ダミー充填物を選択的に挿入することにより、大きな平坦化プロファイルのばらつきを減少させることができる。例えば以下を参照。“Ｍｏｄｅｌ−Ｂａｓｅｄ  Ｄｕｍｍｙ  Ｆｅａｔｕｒｅｓ  Ｐｌａｃｅｍｅｎｔ  ｆｏｒ  Ｏｘｉｄｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂｉｌｉｔｙ”Ｔｉａｎ他、集積回路及びシステムのコンピュータ援用設計に関するＩＥＥＥ会報、Ｖｏｌ．２０、Ｎｏ．７、２００１年７月、９０２−９１０ページ、参照のため本明細書において、すべてを引用する。
【００１０】
しかしながら、ダミーメタル充填物の挿入は電界および元の金属線の容量増加に悪影響を及ぼす。純容量の増加は、所定のロング・クリティカルネットでは２５％を超えることがある。ネットの中には、チップクリティカルの性能に影響を与えるチップ全体にわたるものもある。共通クリティカルネットは、クロックなどの全体的な制御信号である。一般的に、長相互接続ネットは、ネット遅延が直接に純容量の増加と比例するほどに、ＲＣ遅延によって支配される。このように、ネット遅延の２５％の増加は、回路の機能性にとって故障状況を引き起こすのに十分なことがある。
【００１１】
上記引用でＴｉａｎ氏が述べているように、ダミーメタルと元の金属層間に間隔があると容量が急速に低下する。Ｔｉａｎ氏は、容量増加を減少させるには、利用できる領域に制約がある中でセル内において元のメタル線とダミーメタルとの間隔を最大にすることを提案している。Ｔｉａｎ氏が提案した方法によれば、すべてのネットにおいて容量増加を減少させるとしている。しかしながら、すべてのネットについて容量を減少させることは難しく、Ｔｉａｎ氏が提案している方法では、長期クリティカルネットの所定領域内で容量増加を減少させることは補償することはできない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ダミーメタル充填物の挿入は、元の回路または装置設計の他の特性に悪影響を及ぼすことがある。このように、回路または装置の特性を維持しながらＣＭＰ後の平坦化プロファイルを均一性を向上させるシステム及び方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（発明の概要）
素子整合及び選択的な容量制限の妨害を防ぎながらダミーメタル充填物を位置付けるシステム及び方法を開示する。本システム及び方法においては、ウェーハ上にプリントされた構造に転写されるダミーメタル充填物の影響を考慮することにより、素子整合への妨害を制限し、選択的に容量増加を制限する。本発明は、プロセス、機器、システム、方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体またはプログラム命令が光・電子回線上に送出されるコンピュータネットワーク等のコンピュータ読み取り可能な媒体を含む数多くの方法で実施することができることを理解されたい。本発明の発明的実施例を以下に説明する。
【００１４】
集積回路製造工程にダミー充填物を位置付けるコンピュータにより自動化された方法は、集積回路のレイアウト入力及び集積回路の素子整合の仕様を受け付けることと、素子整合を維持しながらダミー法則にしたがって集積回路内にダミー充填物を位置付けることを含む。例えば、集積回路は、集積回路が素子整合対称を有する少なくともひとつの点対称を有することによって、素子整合を有することができる。ほかの例として、集積回路は、ロウ、カラムまたはアレイ等の反復するエレメントの整合を有することにより、素子整合を有することができる。このように、ダミー充填物の位置付けには、素子整合が軸対称に沿う軸対称の少なくともひとつに沿ってダミー充填物を位置付けることと、素子整合が反復するエレメントの整合である反復するエレメントの整合を維持するようにダミー充填物を位置付けることを含むことができる。
【００１５】
ダミー充填物による容量増加を制限するために、本発明は、集積回路のすべてのネットのサブセットのみであるクリティカルネットを集積回路の少なくともひとつのネットとして指定することと、指定したクリティカルネットに対応する金属導体をレイアウトファイルから判別することと、判別された各金属導体について金属導体からの最小ネットブロック距離（ＮＢＤ）の距離まで延びるネットブロック除去ゾーンを描写することを含む。ダミー充填物を位置付ける工程は、ネットブロック除去ゾーンの外部にダミー充填物を配置する工程を含む。
【００１６】
クリティカルネットは、ユーザまたはＣＡＤ装置の出力からの入力として受け付けられることができる。さらに本方法は、最小ＮＢＤを設定することを備えることができる。あるいは、本方法は、許容できる最小の容量増加（好ましくは、回路の機能性を確保し得るレベルまで）を設定することと、最小の容量増加を許容できる最大の容量増加に制限する最小ＮＢＤを決定することを含むことができる。最小ＮＢＤは、ＰＡＳＣＡＬ（商標）および／またはＲＡＰＨＡＥＬ（商標）等の容量シミュレーションソフトを使用して決定することができ、好ましくは、指定されたクリティカルネットのみを評価することにより実行することができる。
【００１７】
一般的には、少なくともひとつの指定されたクリティカルネットに対応する金属導体は、例えば、レイアウトファイルがＧＤＳ−ＩＩにある場合のようなネット追跡及び／またはレイアウトファイルがネット接続性の情報を含んでいるような場合のレイアウトファイルを使用した標識付けにより判別される。一般的には、ネット接続性情報を含むレイアウトファイルは、注釈付ＧＤＳＩＩフォーマットまたはＬＥＦ／ＤＥＦ（ライブラリ・エクスチェンジ・フォーマット、デザイン・エクスチェンジ・フォーマット）のいずれかである。一般的には、少なくともネットブロック除去ゾーンは、対応する金属導体を含む指定信号ネット層または対応する金属導体からのＮＢＤの最小距離内の他の層におけるブロックゾーンを含む。さらに、ダミー充填物の位置付けは、モデルまたは法則に基づくダミー充填工程を含むことができる。
【００１８】
集積回路製造工程においてダミー充填物を位置付けるシステムは一般的に、集積回路のレイアウトを含むデータの入力を受け付けることと、集積回路と素子整合を維持しながらダミー法則に従ってダミー充填物を位置づけるダミー充填ロケータの仕様を備える。
【００１９】
ダミー充填物による容量増加をさらに制限するために、指定クリティカルネットして全ネットのサブセットのみを指定したデータと、レイアウトファイルから各指定クリティカルファイルに対応する金属導体を識別する金属う導体識別プロセッサと、識別された各メタル導体の金属導体からのＮＢＤの最小距離を延長するネットブロック除去ゾーンを記述する除去ゾーンプロセッサもまた、入力によって受け付けることができる。ダミー充填フォケータは、例えば、対称軸に対して対称な装置または整合したエレメント等の素子整合を維持しながらユーザが提供するダミー規則に従って、ネットブロック除去ゾーンの外部にダミー充填物を位置付ける。
【００２０】
集積回路製造工程におけるコンピュータにより自動化されたダミー充填物位置付け方法は一般的に、集積回路のレイアウトを特定するレイアウトファイルを読み込むことと、クリティカルネットが集積回路の全ネットの唯一のサブセットである、集積回路の少なくともひとつのネットをクリティカルネットとして指定することと、識別された各金属導体のために金属導体からの最小ネットブロック距離の距離まで延びるネットブロック除去ゾーンに対応する金属う導体を描画することと、ダミー充填物をネットブロッキング除去ゾーンの外部に位置付けることを含む。
【００２１】
集積回路製造工程においてダミー充填物を位置付けるシステムは一般的に、指定クリティカルネットして全ネットのサブセットのみを指定したデータを入力によって受け付け、レイアウトファイルから各指定クリティカルファイルに対応する金属導体を識別する金属導体識別プロセッサと、識別された各金属導体の金属導体からのＮＢＤの最小距離まで延びるネットブロック除去ゾーンを記述する除去ゾーンプロセッサと、例えばユーザが提供したダミー規則に従ってダミー重点物を、ネットブロック除去ゾーンの外部に位置付けるダミー重点ロケータを含むことができる。
【００２２】
本発明の上記またはその他の特徴及び利点は、以下の説明とそれに付随して本発明の原理を実施例によって図示する図面によって提示されるであろう。
【００２３】
本発明は、番号が同一の参照番号で構成要素を特定する添付図面とともに、以下の詳細な説明により容易に理解できるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（具体的な実施例の説明）
デバイスマッチング及び選択的な容量制限の妨害を防ぎながらダミーメタル充填物を位置付けるシステム及び方法を開示する。以下の説明は、当業者が本発明を実施し、利用できるようにするためにこれを行う。例のみによって、具体的な実施例及び応用の説明を行い、種々の修正が当業者にとって明らかになるであろう。ここにおいて規定される一般原理は、本発明の意図及び範囲を逸脱しない限り、他の実施例及び応用に適用することができる。このように、本発明は、多くの別法、修正及びここで開示する原理及び特徴と矛盾しない相当物を含む最大の範囲に対して認められる。明瞭性の目的のため、本発明に関する技術範囲において既知の技術的資料は、本発明を不必要に不明なものとすることを避けるため、詳細には説明しない。
【００２５】
図１は、複数のメタル層１０２及び１０６−１１２を有する集積回路（ＩＣ）チップ１００の部分断面図である。層１１２は典型的には、基板であるので留意されたい。図２は、指定信号ネット１０４を含む信号ネット層１０２の部分平面図で、図３は指定信号ネット１０４を含む、指定信号ネット層１０２の上下の層であるメタル層１０６、１０８の部分平面図である。
【００２６】
固定バイアスされた元の金属１０４によって表される指定クリティカル信号ネットは、指定信号ネット層１０２に配置されている。上下金属層１０６、１０８はそれぞれ、指定信号ネット層１０２の上下の層である。さらに、グランド層１１０、１１２はそれぞれ、上下のグランド平面である。浮動ダミーメタル充填物１１４は、上下金属層１０６、１０８だけでなく信号ネット層１０２に位置付けされている。
【００２７】
図１において部分的に示すＩＣチップ１００のようなＩＣチップにおいて、ネットの全体的遅延はトランジスタ遅延と相互接続ＲＣ遅延とから構成される。短いネットについては、相互接続ＲＣ遅延はほとんど無視することができ、ほとんどがトランジスタ遅延から構成される。一方、長いネットについては、トランジスタ遅延がほとんど無視することができ、ほとんどが相互接続ＲＣ遅延から構成される。従って、ダミーメタル充填物１１４による容量増加は、典型的にロングタイミング・クリティカルネットについてのみ重要である。このように、一般的には、容量増加をロングタイミング・クリティカルネットの所定範囲内に制限すれば、回路の機能を確保するのに十分である。
【００２８】
所与のＩＣチップについては、指定クリティカル信号ネットとして、任意の適切な数のロングタイミング・クリティカルネットを選択することができる。指定クリティカルネットのダミーメタル充填物から生じた容量増加は、以下のより詳細な記述に従って、回路の機能を確保するために所定の範囲内で選択的に制限することができる。その上またはあるいは、ダミーメタル充填物は、好ましくは、以下の図４−図６に関連してより詳細に記述する回路におけるデバイスマッチングを維持する。
【００２９】
ダミーメタル充填物より生ずる容量増加を所定範囲内に抑えるために、ダミーメタル充填物から元のメタル線までの距離が増加するに従ってダミーメタル充填物により導入される容量増加は急激に減少する。しかしながら、ダミーメタル充填物の除去は非常に時間がかかり、クリティカルネットについてのみダミーメタル充填物の除去を行う場合でさえ、数千個のトランジスタＩＣチップについて行うのは実際には不可能である。
【００３０】
このように、図１に示す通り、浮動ダミーメタル充填物１１４は、指定信号ネットの固定バイアスされた元のメタル１０４からの最小または正味のブロックまたはバッファ距離（ＮＢＤ）１１６内への存在からブロックまたは除外される。ＮＢＤ及びダミーメタル充填物と元のメタル１０４との距離を維持することによって、ダミーメタル充填物１１４によるクリティカルネットの容量増加を制限することができる。
【００３１】
図１−図３に示すように、ダミー充填物１１４は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向への指定信号ネット１０４からのＮＢＤの距離内からブロックされる。特に、ダミーメタル充填物１１４は、指定信号ネット層１０２のＸ方向における指定信号ネット１０４からブロックされる。理解すべきことは、指定信号ネット１０４が指定信号ネット層１０２の長さをＹ方向に延長すると、ダミーメタル充填物ル１１４は、指定信号ネット層１０２のＹ方向への指定信号ネット１０４からのＮＢＤの距離内に存在することがブロックされるということである。その上、Ｚ方向すなわち図１に示す層１０２、１０６、１０８に垂直な方向の指定信号ネット１０４からのＮＢＤからの距離内についてもまた、ダミーメタル充填物１１４の存在がブロックされる。
【００３２】
図示する特別な例においては、上下層１０６、１０８だけが、Ｚ方向への指定信号ネットからのＮＢＤ１０４の距離内に存在する。このような上下金属層１０６、１０８はそれぞれ、図３の平面図に示すように、指定信号ネット層１０２と同様のＮＢＤ除外ゾーンを有している。図示してはいないが、指定信号ネット１０２の上下に層がゼロまたはそれ以上の指定信号ネット１０４からのＮＢＤの距離内にダミーメタル充填物１１４が存在することができるということを理解しなければならない。例えば、ＮＢＤが十分に小さい場合、ダミーメタル充填物１１４は、信号ネット層１０２において指定された指定信号ネット１０４からのＮＢＤの距離内についてのみ存在が妨げられ、他の層については起こらない。他の例として、ＮＢＤの距離が大きい場合には、指定信号ネット層１０２におけるだけではなく、指定信号ネット層１０２の上及び／または下の追加層においても、ダミーメタル充填物が指定信号ネット１０４からのＮＢＤの距離内に存在することが妨げられる。一般的に、ダミーメタル充填物が妨げられる層数は指定信号ネット層１０２の上下におけると同じである。
【００３３】
ＮＢＤ除去ゾーンとは、一般的に、指定信号ネット１０４からのＮＢＤの最小距離のことをいう。例えば、ＮＢＤ除去ゾーンは、仮想球形を指定信号ネット１０４を中心として全方向的に描くことにより定義することができる。他の実施例において、ＮＢＤ除去ゾーンは、Ｘ，Ｙ、Ｚの各方向における指定信号ネット１０４からのＮＢＤの距離まで延びる仮想の形を描くことにより定義することができる。典型的には、指定信号ネット１０４は一般的に、矩形のプリズムすなわちＮＢＤ除去ゾーンもまた矩形多面体である６個の側面を有する直角多面体である。ＮＢＤ除去ゾーンの描き方は、他の適切な方法もあることを理解されたい。
【００３４】
ＮＢＤは好ましくは、回路の機能性を確保するために容量増加を所定の量に抑えるような方法で決定する。好ましくは、コンピュータ自動化工程は、クリティカルネットからのＮＢＤの距離内のダミー充填物を除去するようにダミーメタル充填物の配置を決定するために利用する。コンピュータ自動化工程について、図７を参照して説明する。
【００３５】
業界で知られている通り、素子整合の特性には例えば、ノイズキャンセルが含まれる。このように、素子整合を維持しながら浮動ダミーメタル充填物を位置付けると、デバイスの対称特性の維持が容易になる。阻止整合は、少なくともひとつの対称軸に沿ったデバイス対称を備えること、及び／または反復摺るエレメントの整合を備えることにより、備えられる。素子整合はまた、ロウ、カラムまたはアレイにおいても行うことができる。少なくともひとつの対称軸に沿ったデバイス対称を備えることによる素子整合については、図４、図５を参照して以下に説明し、反復してマッチした素子を備えることにより備えられる素子整合については、図６を参照して以下に説明する。
【００３６】
図４は複数のメタル層１５２、１５６−１６２を有するＩＣチップ１５０の他の例及び対称軸１６８に沿ったデバイス対称によって得られる素子整合の部分的断面図である。図５は、対称軸１６８に対して対称な指定信号ネット１５４、１５４’を含む指定信号ネットである層１５２の部分平面図である。これらからはっきり分かるように、集積回路チップ１５０は、集積回路が素子整合を有する対称軸１６８を有することにより、素子整合を有することができる。
【００３７】
図４に示すように、層１６２は典型的には基板である。１本の対称軸に沿ってマッチするように、ＩＣチップの素子を２個だけ示しているが、阻止整合を有するチップは、典型的には、ロウ、カラム、アレイのような対照的にマッチした適切な数の素子を備えることができる。対称軸に沿った軸対称デバイスマッチングを有するＩＣチップ１５０は、それ自体図１−図３に関連して示して上記説明したＩＣチップと同様であるが、同様の素子及び思想は明瞭性の目的から、再び詳細には説明しない。
【００３８】
固定バイアスされた元のメタル１５４、１５４’で表される信号ネットは、クリティカル信号ネットとして指定することができ、指定クリティカルネットを含む信号ネット層は、指定信号ネット層１５２として指定することができる。上下メタル層１５６、１５８はそれぞれ、指定信号ネット層１５２の上下の層である。さらに、グランド層１６０、１６２はそれぞれ、上下のグランド層である。
【００３９】
浮動ダミーメタル充填物１６４は、対称軸１６８に沿うデバイス対称が維持されるように、上下金属層１５６，１５８だけでなく指定信号ネット層１５２にも位置付けることができる。上述したように、浮動ダミーメタル充填物ル１６４は、指定信号ネットの固定バイアスされた元の金属１５４、１５４’からの最小のネットブロッキングまたはバッファ距離（ＮＢＤ）１６６内に存在することを妨げられ、または除去されることができる。さらに、図４、図５に示すように、浮動ダミーメタル充填物１６４は、各層１５２、１５６，１５８の対称軸に沿って対象になるように位置付けることができる。
【００４０】
図６は、他のＩＣチップの例である、整合した素子１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃを備えることにより素子整合を有するＩＣチップ１５０’を示す。反復する整合した素子１４０Ａ，１４０Ｂ、１４０Ｃはロウ、カラムあるいはアレイの中に設けることができる。浮動ダミー充填物１６４は、反復する素子の整合を維持するように、整合した素子１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃの中に位置付ける。言い換えると、浮動ダミーメタル充填物は、整合した素子１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃが同じ番号及びダミーメタル充填物の位置付けを１６４有するように配置し、これにより、反復する素子間の整合を維持する。
【００４１】
好ましくは、素子整合を有する所与のＩＣチップに関しては、対称軸及び／または整合した素子は、整合を維持しながらダミーメタルの位置付けを容易にするように、特定する。指定した対称軸に沿って対称性を維持することによって素子整合を維持しながら、あるいは反復する素子を維持しながら、クリティカルネットからのＮＢＤの距離内からダミー金属を選択的に除去するように、コンピュータ自動化された工程を用いる。コンピュータ自動化された工程について、図７を参照して説明する。
【００４２】
図７は、ダミーメタル充填物の配置を決定して、素子整合を維持及び／または制限を容易にするコンピュータ自動化された工程１３０の流れ図である。この工程は、素子整合の特性のみまたは容量増加制限のみあるいは双方を組み合わせることにより実行することができる。上述したように、ダミーメタル充填物は、レイアウトの上の特性密度の平均化を助長することにより平坦度プロファイルの均一化を促進するために、利用される。回路の機能性を確保するために、素子整合を維持し及び／またはダミーメタル充填物による容量増加をタイミングクリティカルネットの所定範囲内に抑えるように、コンピュータ自動化された工程１３０によりダミーメタル充填物を位置付ける。特に、工程１３０は、素子整合を維持し及び／またはクリティカルネットからのバッファの安全な距離からのダミーメタル充填物をブロックしまたは除去する。
【００４３】
ステップ１３２において、集積回路の素子整合が判別される。上述したように、素子整合は、集積回路が対称的に整合した素子を有する少なくともひとつの対称軸を有すること、及びまたはロウ、カラム、アレイ等の反復した素子を有することにより、備えることができる。
【００４４】
工程１３０において、容量増加を制限するためにクリティカルネットからのバッファの距離内からダミーメタル充填物をブロックまたは除去できない場合は、点線の矢印１４２で示すように、以下に説明するステップ１４０に進む。
【００４５】
また、容量増加を抑えるために、クリティカルネットからのバッファの距離内からのダミーメタル充填物のブロックまたは除去を工程１３０が促進した場合、クリティカルネットしにて指定されるネット及び最大許容容量またはダミーメタル充填物による遅延の増加は、例えばステップ１３２において、ユーザ及び／またはＣＡＤツールにより決定される。
【００４６】
次にステップ１３４において、コンピュータ化された工程は、ダミーメタル充填物による容量増加または遅延の増加をステップ１３２における最大値に抑える最小安全値またはバッファ距離ＮＢＤに決定する。原則として、このステップ指定クリティカルネットとは別個に行う。以上から明らかなように、このステップ１３４は、ステップ１３２の前後または同時に行うことができる。ＰＡＳＣＡＬ（商標）、韓国ソウルの三星（株）が公表した３Ｄ容量シミュレータ、汎用市販（ＣＯＴＳ）の容量シミュレーションソフトを使用して最小安全距離を決定することができる。例えば、Ｊｉｎ−Ｋｙｕ  Ｐａｒｋ他「効果的なフィールド解アルゴリズムの使用による浮動ダミー重点物を考慮した相互接続容量を特徴とする全般的な方法」半導体工程及び装置のシミュレーション（ＳＩＳＰＡＤ２０００、９８−１００ページ、２０００年９月７日、この書籍の全体を本明細書で参照する。ＡＶＡＮＴＩ（株）（カリフォルニア、フレメント）が公表したＲＡＰＨＡＥＬ（商標）等の他の適当な他の３Ｄ容量シミュレータ等も代替として使用することができる。
【００４７】
ステップ１３６において、コンピュータにて自動化された工程は、ステップ１３２で指定したクリティカルネットに対応する金属導体を判別する。この工程は例えば、ＧＤＳ−ＩＩフォーマット等の集積回路の入力レイアウトファイルを用いたネット追跡により達成することができる。あるいは、注釈付きＧＤＳ−ＩＩフォーマットを使用した注釈付き回路レイアウトを使用して標識付けすることによって、ステップ１３６を行うことができる。
【００４８】
ステップ１３８において、ステップ１３６で判別された各金属導体について、コンピュータにて自動化された工程は１３０は、金属導体層またはＮＢＤ除去ゾーン内の指定信号ネットの上下の層においてＮＢＤ除去ゾーンを描画する。指定信号ネットの上下の層がＮＢＤ除去ゾーンにある場合、指定信号ネット層のもとの同様のこのようなそれぞれの層におけるブロック領域またはゾーンは、それに位置付けられたダミーメタル充填物を有することを妨げられる。
【００４９】
ステップ１４０において、ダミーメタル充填物の位置付けは、素子整合を維持し、ステップ１３８におけるブロック化領域に従って選択的に決定される。言い換えると、ダミーメタル充填物の位置付けは、対称軸に沿って対称であり、及び／または反復素子間および選択的にブロック領域またはゾーンの外部の許容領域でのみマッチする。所望の平坦プロファイルを得るために、法則あるいはモデルに基づくダミー充填工程等の適切なダミーメタル充填方法を実施することができる。
【００５０】
工程１３０は、本明細書で示す種々の工程の所定の順序に限られるものではないので、理解されたい。むしろ、工程１３０の種々の工程は、他の適切な方法で実行することができる。
【００５１】
本明細書で示す、素子整合を維持し、ダミーメタル充填物による容量増加を制限するシステム及び方法は、ＣＭＰ等の所定のウェーハ処理操作に利用することができる。しかしながら、これらのシステム及び方法は一般的に、適切なウェーハ処理操作に利用することができるので留意されたい。
【００５２】
図８は、集積回路製造工程において、図７の工程を実行してダミー充填物を配置するために利用されるシステム１７０を説明するブロック図である。特に、システム１７０は以下のものを受け付ける入力１７２を含む。（ａ）デバイスマッチングの仕様、すなわち（ｉ）集積回路が対称的なデバイスマッチングを有する対称軸及び／または（ｉｉ）反復してマッチした素子、（ｂ）集積回路の少なくともひとつのネットを指定クリティカルネットとして指定する入力、（ｃ）ダミー充填物による最大許容容量増加または最小ＮＢＤのいずれかを設定する入力、（ｄ）集積回路レイアウトを特定するレイアウトファイル、（ｅ）ダミー法則、及び／または（ｆ）しばしば技術ファイルとして参照される相互接続の形態情報。原則として、レイアウトファイルは、業界で既知のＧＤＳＩＩフォーマットまたは注釈付きＧＤＳＩＩフォーマットである。入力はそれぞれ入力１７２を介して受け付けられるが、ダミー法則は例えば、システム１７０に記憶されているので理解されたい。入力データはそれぞれリスト化されて分割入力として示されるが、いずれかのデータまたはすべてのデータは入力１７２で、分割入力の適切な番号で受け付けられることに留意されたい。例えば、レイアウトファイルもまた、素子整合の仕様を含む。
【００５３】
また、一般的に、容量増加を制限するためにクリティカルネットからのバッファの距離内からメタル充填物をブロックまたは除去する際にシステム１７０が容易化する場合にのみ、入力（ｂ）、（ｃ）を必要とするということに留意されたい。このような場合、システム１７０は、最小ブロック距離を決定する容量シミュレータ１７４を含むことができる。容量シミュレータは、最大容量増加を制限してしだい容量を設定する最小ネットブロック距離を決定する。上述したように、容量シミュレータはＰＡＳＣＡＬ（商標）及び／またはＲＡＰＨＡＥＬ（商標）等の適切な容量シミュレーションソフトを実行することができる。所与の工程に関して、最小ネットブロック距離がシステム１７０に対する入力として提供された場合、容量シミュレータ１７４は、システム１７０の一部としては必要でなく、特定の工程に利用される必要はない。
【００５４】
その上システム１７０は、各指定クリティカルネットに対応して金属導体を判別する金属導体判別プロセッサ１７６を含むことができる。各金属導体は、対応する指定信号ネット層に配置される。このように、システム１７０は、指定信号ネット層にネットブロック除去ゾーンを設定し、金属導体のブロック距離内のその他の層を設定することができる除去ゾーンプロセッサ１７８を含むことができる。
【００５５】
システム１７０は、ダミー法則に従ってダミー充填物を配置するダミー充填ロケータ１８０を含む。ダミー充填ロケータ１８０は素子整合を維持しながらダミー充填物を配置することにより、素子整合の特性を維持する。例えば、ダミー充填物ロケータ１８０は、反復素子間の整合を維持するように、ダミー充填物を所定の対称軸に沿って対称に配置する。ダミー充填ロケータ１８０はまた、システム１７０がさらに容量増加を制限するためにダミーメタル充填物のブロッキングまたは除去の際に容易にするネットブロック除去ゾーンの外部に、選択的にダミー充填物を配置する。
【００５６】
各部品またはプロセッサが分割プロセッサとして示されて説明されているが、適切な数のプロセッサを利用して本明細書で説明する機能の実行することができるので留意されたい。
【００５７】
図９及び図１０はそれぞれ、本明細書で説明した方法及び工程を実施するソフトウェアプログラムを実行するのに適した汎用コンピュータシステム１００１の略図及びブロック図である。本明細書で示して説明するコンピュータシステム１００１の構造及び構成は単なる実例であって、他のコンピュータ構造及び構成もまた利用することができる。
【００５８】
例示のコンピュータシステム１００１は、ディスプレイ１００３、画面１００５、本体１００７、キーボード１００９及びマウス１０１１を備える。一般的に、本体１００７はコンピュータ読み取り可能な記憶媒体１０１５を読み取るための１個以上のドライブと、システムメモリ１０５３と、例えば、本明細書で説明した方法及び工程またはソフトウェアプログラムで使用するデータを実行するコンピュータコードを組み込んだソフトウェアプログラムを記憶及び／または検索するために利用することのできるハードドライブ１０５５を収容している。ＣＤ及びフロッピー（登録商標）ディスク１０１５は、対応するＣＤ−ＲＯＭまたはＣＤ−ＲＷドライブ１０１３により読み取ることのできるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体の例である。一般的に、コンピュータ読み取り可能な媒体とは、コンピュータシステムによって読み取り可能なデータを記憶することのできるデータ記憶装置のことをいう。コンピュータ読み取り可能な媒体としては、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等の磁気メディア、ＣＤ−ＲＯＭ等の光メディア、プロティカルディスク等の光磁気メディア、及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）・プログラム可能論理デバイス（ＰＬＤ）・ＲＯＭ及びＲＡＭ装置等の特別に構成されたハードウェア装置が含まれる。
【００５９】
さらにコンピュータ読み取り可能な媒体は、ネットワーク上で搬送される搬送波として表されるデータ信号等、搬送波として表されるデータ信号をも包含することができる。このようなネットワークとしては、会社や他の環境におけるイントラネット、インターネットまたはコンピュータ読み取り可能なコードを分散形態で記憶して実行するように複数のコンピュータを接続したネットワークがありえる。
【００６０】
コンピュータシステム１００１は種々のサブシステムを備えることができ、これには、マイクロプロセッサ１０５１（ＣＰＵまたは中央処理装置ともいう）、システムメモリ１０５３、固定記憶装置１０６３（ハードドライブなど）、取り出し可能記憶装置１０５７（ＣＤ−ＲＯＭドライブなど）、ディスプレイアダプタ１０５９、サウンドカード１０６１、変換器１０６３（スピーカ及びマイクロホンなど）、ネットワークインターフェース１０６５及び／またはプリンタ／ファックス／スキャナインターフェース１０６７である。コンピュータシステム１００１はシステムバス１０６９を含むこともできる。しかしながら、図示してある特定のバスは、種々のサブシステムを連結する接続方式の単なる例である。例えば、ローカルバスは、中央プロセッサをシステムメモリまたはディスプレイアダプタに接続するために利用することができる。
【００６１】
本明細書で説明した方法及び工程は、単独のＣＰＵ１０５１上で実行することができ、及び／または処理の一部を共有する遠隔ＣＰＵとともにインターネット、イントラネット網またはＬＡＮ（ローカル・エリア・ネットワーク）などのネットワーク上で実行することができる。
【００６２】
本明細書では本発明の好適な実施例を説明、図示しているが、これらは単なる例示にすぎないのであって、本発明の思想及び範囲を逸脱しない限り、修正を加えることができることが理解できる。かくして、本発明は、以下の請求項のみを定義するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、多層金属層を有する回路例の部分断面図である。
【図２】図２は、指定された信号ネットを含む、図１の金属層の部分平面図である。
【図３】図３は、上下層が指定信号ネットを含む、図１の回路の金属層の部分平面図である。
【図４】図４は、対称軸に沿った装置を対称に備えることにより素子整合を取る複数のメタル層を有する回路の他の例の部分断面図である。
【図５】図５は、指定信号ネットを含む図４の回路の金属増の部分平面図である。
【図６】図６は、反復する層の整合を含むことによる素子整合を有する回路の他の例を示す。
【図７】図７は、素子整合及び／またはダミーメタル充填物の増加による容量増加の制限を維持する際、ダミーメタル充填物の位置付けを決定する、コンピュータにより自動化された工程を示す流れ図である。
【図８】図８は、集積回路製造工程にダミー充填物を位置付けるための図７の工程を実行するために利用されるシステムを示す図である。
【図９】図９は、本明細書中で説明した方法及び処理の種々の実施例によって利用することのできるコンピュータシステムの例を示す図である。
【図１０】図１０は、図９のコンピュータシステムのシステムを示すブロック図である。
【図１】
2005520336.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005520336.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2005520336.tif 000014
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