(57)【要約】ｅ）構造（Ａ）の化合物を１つまたはそれ以上含有する第１の光酸発生剤（ＰＡＧ）化合物Ｐ１；ｆ）構造（Ｂ）の化合物を１つまたはそれ以上含有する第２の光酸発生剤化合物Ｐ２；およびｇ）そのアルカリ溶解性が酸感受性部分の存在によって抑えられまたはそのアルカリ溶解性が酸、場合によっては熱による処理によって取り戻されるポリマー成分を含むポリマーであって、それが、モノマー単位（Ｃ）を含むポリマー１つまたはそれ以上からなるもの；およびｈ）溶媒を含む、基板上にパターン化された画像を作成するのに使用するための放射線感受性組成物。すべての化学式構造は明細書中に定義されている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）構造（Ａ）の化合物を１つまたはそれ以上含む第１の光酸発生剤（ＰＡＧ）化合物Ｐ１；
ｂ）構造（Ｂ）の化合物を１つまたはそれ以上含む第２の光酸発生剤化合物Ｐ２；
ｃ）酸感受性部分の存在によってアルカリ溶解性が抑えられ、また酸および場合によっては熱での処理によってアルカリ溶解性が取り戻されるアルカリ可溶性樹脂成分を含むポリマー成分であって、このポリマーが、モノマー単位（Ｃ）を含む１つまたはそれ以上のポリマーからなるもの；および
ｄ）溶媒
を含む放射線感受性組成物であって、ここで構造（Ａ）は式：
【化１】
2005534956.tif 000035
（式中、ＲxＭ+は
【化２】
2005534956.tif 000036
であり、
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立にＣ1〜Ｃ12のフルオロアルキル基からなる群から選択されるか、またはＲ1およびＲ2はともにＮと結合して、ｙが４〜１２である(Ｆ2Ｃ)yＮ環を生成し；Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は非置換のアリール、アルキルまたはアルファ−ケトメチル基、もしくは酸感受性基で置換されたこのような基からそれぞれ独立に選択され、またはＲ3およびＲ4はＳ原子とともにシクロアルキルスルフォニウム環を生成し；Ｒ6〜Ｒ11およびＲ6’〜Ｒ11’は分枝状または線状のアルキル、アルコキシ、ハロゲン、水素、Ｇが酸感受性基であるとしたＯＣＯ2Ｇ、ＯＣＨ2ＣＯ2ＧまたはＯＧから独立に選択される）を有し；
構造（Ｂ）は式：
【化３】
2005534956.tif 000037
（式中、各々のＲ12は線状、環式もしくは分枝状のＣ1〜Ｃ8のフルオロアルキル基、置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のナフタレン基、Ｃ6〜Ｃ12の環式または脂環式の炭化水素、および線状、環式または分枝状のＣ1〜Ｃ8のアルキル基からなる群から独立に選択される）
を有し；そして
モノマー単位（Ｃ）は式：
【化４】
2005534956.tif 000038
（式中、Ｒ13はＨ、Ｃ1〜Ｃ4の低級アルキル、ＣＮおよびＣＨ2ＣＯ2Ｒ20からなる群から選択され；Ｒ14およびＲ15はＨ、線状または分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル、およびハロゲンからなる群から独立に選択され；Ｒ16はＨおよび分枝状または線状のＣ1〜Ｃ4のアルキルからなる群から選択され；Ｒ17は置換または非置換のフェニル、置換または非置換の線状、分枝状または環状のＣ1〜Ｃ20のアルキルであって場合によってはエーテルまたはエステル基を含むもの、置換または非置換のフェニルアルキレン、および置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンからなる群から選択され；Ｒ18およびＲ19はＨ、線状または分枝状または環式のＣ1〜Ｃ14のアルキル、およびＣ7〜Ｃ14の脂環式基からなる群からそれぞれ独立に選択され；Ｒ20はＣ1〜Ｃ14の分枝した、線状または環式のアルキル、置換または非置換のフェニル、およびＣ7〜Ｃ14環式基からなる群から選択される）を有する、上記放射線感受性組成物。
【請求項２】
組成物中に含まれる光酸発生剤化合物の全量が組成物中に含まれる固形物の約０.０５〜約２０重量％であり、また光酸発生剤化合物Ｐ１が組成物に含まれる光酸発生剤化合物全体の約２５〜約９９重量％を占め、そして第２の光酸発生剤化合物Ｐ２が約１〜約７５重量％を占める請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項３】
組成物中に含まれる光酸発生剤化合物の全量が組成物中に含まれる固形物の約１〜約１５重量％であり、また光酸発生剤化合物Ｐ１が組成物に含まれる光酸発生剤化合物全体の約３５〜約９０重量％を占め、そして第２の光酸発生剤化合物Ｐ２が約１０〜約６５重量％を占める請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項４】
組成物中に含まれる光酸発生剤化合物の全量が組成物中に含まれる固形物の約０.０５〜約２０重量％であり、また光酸発生剤化合物Ｐ１が組成物に含まれる光酸発生剤化合物全体の約６０〜約８０重量％を占め、そして第２の光酸発生剤化合物Ｐ２が約２０〜約４０重量％を占める請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項５】
ポリマー成分が組成物に含まれる固形物全体の約７５〜約９５重量％を占める請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項６】
構造（Ａ）においてＭがＳであり、そしてＲ1およびＲ2がＣ1〜Ｃ6のパーフルオロアルキルであり、また構造（Ｂ）においてＲ12が線状、分枝状または環式のＣ1〜Ｃ7アルキルである請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項７】
Ｒ1およびＲ2がＣ1〜Ｃ6の異なるパーフルオロアルキル基である請求項６に記載の放射線感受性組成物。
【請求項８】
光酸発生剤化合物Ｐ１において、(Ｒ1ＳＯ2ＮＳＯ2Ｒ2)-基が、
（ＣＦ3ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＮＣＦ2ＣＦ3)-
【化５】
2005534956.tif 000039
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
【化６】
2005534956.tif 000040
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3(ＣＦ2)7ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
からなる群から選択され、そして置換または非置換のＲ3Ｒ4Ｒ5Ｓ+基が
【化７】
2005534956.tif 000041
【化８】
2005534956.tif 000042
【化９】
2005534956.tif 000043
からなる群から選択され、ジアリールヨードニウム陽イオンが、
【化１０】
2005534956.tif 000044
からなる群から選択され、
そして第２の光酸発生剤化合物Ｐ２において、各Ｒ12基が、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロヘキシル、パーフルオロブチル、フェニル、メトキシフェニル、ブロモフェニル、４−メトキシナフタレン、ナフタレン、およびアダマンチルからなる群から独立に選択され；そして
モノマー単位（Ｃ）を含むポリマーにおいて、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ18およびＲ19がＨであり、そしてＲ17がＣ1〜Ｃ4の線状または分枝状のアルキルおよび置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンからなる群から選択される請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項９】
ポリマー成分がアクリレート、メタクリレート、ビニルエーテル、ビニルエステル、置換および非置換のスチレンからなる群から選択される追加のモノマー単位を含む請求項８に記載の放射線感受性組成物。
【請求項１０】
ポリマー成分がヒドロキシスチレンである追加のモノマー単位を含む請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項１１】
光酸発生剤化合物Ｐ１が、
４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム−ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、
４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム−ビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム−ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム−ビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、
トルエンジフェニルスルホニウム−ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、
トルエンジフェニルスルホニウム−ビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、
トルエンジフェニルスルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド、
トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオ
ロブチルスルホニル）イミド、
トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウム−ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、
トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウム−ビス−（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
からなる群から選択され、
光酸発生剤化合物Ｐ２がビス（第３級−ブチルスルホニル）イミドであり、そして
ポリマー成分が４−［１−（２−シクロヘキシルエトキシ）−エトキシ］スチレン−コ−４−［１−（ｔ−ブトキシ）−エトキシ］スチレン−コ−４−ヒドロキシスチレン−コ−４−ｔ−ブチルスチレンコポリマー、［４−（１−エトキシエトキシ）スチレン−コ−４−ヒドロキシスチレン、およびこれらの混合物から選択される、請求項１に記載の放射線感受性組成物。
【請求項１２】
ａ．好適な基板上に請求項１に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項１３】
ａ．好適な基板上に請求項２に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項１４】
ａ．好適な基板上に請求項３に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項１５】
ａ．好適な基板上に請求項４に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項１６】
ａ．好適な基板上に請求項５に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項１７】
ａ．好適な基板上に請求項６に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項１８】
ａ．好適な基板上に請求項７に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項１９】
ａ．好適な基板上に請求項８に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項２０】
ａ．好適な基板上に請求項９に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項２１】
ａ．好適な基板上に請求項１０に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【請求項２２】
ａ．好適な基板上に請求項１１に記載の放射線感受性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を作成し；
ｂ．コートされた基板をプレベーキングし；
ｃ．コートされプレベーキングされた基板を化学放射線で露光し；
ｄ．コートされ露光された基板を場合によってはポストベーキングし；
ｅ．コートされ露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化していないレリーフ画像を形成し；そして
ｆ．コートされ現像された基板を高められた温度でベーキングすることにより画像を硬化する
段階からなる、基板上にパターン化された画像を作成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高い解像度、優れたフォトスピード（ｐｈｏｔｏｓｐｅｅｄ）および優れた焦点深度を有し、同時に半導体デバイスの製造に有用なライン幅およびフィルム厚さの減少をもたらす感光性組成物に関し、またこのような半導体デバイスを製造するために基板上に画像形成されたパターンを作成するためにこのような感光性組成物を使用する方法に関する。      
【背景技術】
【０００２】
先進的なレジストには通常、光分解によって生成される酸が、アルカリ可溶化部分を保護する酸感受性基を除去することによりアルカリ不溶性からアルカリ可溶性への溶解性の転換を触媒する化学増幅と称される技術が用いられる。この種の感光性組成物中でしばしば使用されるポリマーには、ヒドロキシスチレン単位を含むポリマーにビニルエーテルを反応させることから得られるアセタールがある。例えば参照によって本記載に加入されている米国特許第５,９２８,８１８号、米国特許第５,８３４,５３１号および第５,５５８,９７６号中に見られるような、アセタールで保護されたポリヒドロキシスチレンをベースとする化学的に増幅されたレジストはよく知られている。好ましい特性そして化学的に増幅された他の物質にしばしばまさる利点には、低温での加工及びベーキング温度の変動に対して、感度が影響を受けにくいことが含まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体産業はますます小さいフィーチュア（ｆｅａｔｕｒｅ）を要求するので、半導体デバイスの製造で使用されるフォトレジストは改善された解像度を必要とする。要求解像度が一層小さいものまでになるにつれ、従来小さかった問題を解決することが一層重要になる。このような問題の２つは、性能がフィルム厚さおよびラインの崩壊に依存することである。解像度の増大が必要になるにつれ、加工寛容度を維持するためには、可能な限り深い焦点深度を得ることが一層重要である。本発明の目的は、大きなライン崩壊およびフィルム厚さへの依存性を少なくすると同時に、解像度、優れたフォトスピード、および優れたＤＯＦを有する解像度組成物を提供することである。      
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は半導体デバイスの製造で有用な放射線感受性組成物に関する。この放射線感受性組成物は、
ａ）構造（Ａ）の化合物を１つまたはそれ以上含む第１の光酸発生剤（ＰＡＧ）化合物Ｐ１；
ｂ）構造（Ｂ）の化合物を１つまたはそれ以上含む第２の光酸発生剤化合物Ｐ２；
ｃ）酸感受性部分の存在によってアルカリ溶解性が抑えられ、また酸および場合によっては熱での処理によってアルカリ溶解性が取り戻されるアルカリ可溶性樹脂成分を含むポリマー成分であって、このポリマーが、モノマー単位（Ｃ）を含む１つまたはそれ以上のポリマーからなるもの；および
ｄ）溶媒
を含み、ここで構造（Ａ）は式：
【化１】
2005534956.tif 000002
（式中、ＲxＭ+は
【化２】
2005534956.tif 000003
であり、
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立にＣ1〜Ｃ12のフルオロアルキル基であるか、またはＲ1およびＲ2はともにＮと結合して、ｙが４〜１２である(Ｆ2Ｃ)yＮ環を生成し；Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は非置換のアリール、アルキルまたはアルファ−ケトメチル基、および酸感受性基で置換されたこのような基からそれぞれ独立に選択され、またはＲ3およびＲ4はＳ原子とともにシクロアルキルスルフォニウム環を生成し；Ｒ6〜Ｒ11およびＲ6’〜Ｒ11’は分枝状または線状のアルキル、アルコキシ、ハロゲン、水素、Ｇが酸感受性基であるとしたＯＣＯ2Ｇ、ＯＣＨ2ＣＯ2ＧまたはＯＧから独立に選択される）を有し；
構造（Ｂ）は式：
【化３】
2005534956.tif 000004
（式中、各々のＲ12は線状、環式もしくは分枝状のＣ1〜Ｃ8のフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフタレン基、Ｃ6〜Ｃ12の環式もしくは脂環式の炭化水素、または線状、環式もしくは分枝状のＣ1〜Ｃ8のアルキル基から独立に選択される）
を有し；
そしてモノマー単位（Ｃ）は式：
【化４】
2005534956.tif 000005
（式中、Ｒ13はＨ、Ｃ1〜Ｃ4の低級アルキル、ＣＮ、またはＣＨ2ＣＯ2Ｒ20から選択され；Ｒ14およびＲ15はＨ、線状または分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル、またはハロゲンからそれぞれ独立に選択され、Ｒ16はＨ、または分枝状もしくは線状のＣ1〜Ｃ4のアルキルから選択され；Ｒ17は置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換の線状、分枝状もしくは環状のＣ1〜Ｃ20のアルキルであって場合によってはエーテルもしくはエステル基を含むもの、置換または非置換のフェニルアルキレンまたは置換もしくは非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンから選択され；Ｒ18およびＲ19はＨ、線状もしくは分枝状もしくは環式のＣ1〜Ｃ14のアルキル、またはＣ7〜Ｃ14の脂環式基から独立に選択され；Ｒ20はＣ
1〜Ｃ14の線状または分枝状または環式のアルキル、置換もしくは非置換のフェニル、またはＣ7〜Ｃ14環式基から選択される）
を有する。
【０００５】
本発明の感光性組成物は窒素性塩基、溶解阻害剤、コーティング添加剤、染料、界面活性剤などのような添加剤をさらに含んでよい。
【０００６】
好ましい第１の光酸発生剤化合物Ｐ１は、ＭがＳであり、そしてＲ1およびＲ2がＣ1〜Ｃ6のパーフルオロアルキルである構造Ａの化合物である。最も好ましい化合物Ｐ１はＭがＳであり、そしてＲ1およびＲ2がＣ1〜Ｃ6のパーフルオロアルキルであり、またＲ1がＲ2とは異なる構造（Ａ）の化合物である。
【０００７】
好ましい第２の光酸発生剤化合物Ｐ２は、Ｒ12が線状、分枝状、または環式のＣ1〜Ｃ7のアルキルである構造（Ｂ）の化合物である。  
【０００８】
モノマー単位（Ｃ）を含む好ましいポリマーは、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ18およびＲ19がＨであるものである。モノマー単位Ｃを含む一層好ましいポリマーは、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ18およびＲ19がＨであり、そしてＲ17がＣ1〜Ｃ4の線状もしくは分枝状のアルキル、または置換もしくは非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンまたは置換もしくは非置換の線状、分枝状もしくは環式のＣ1〜Ｃ20のアルキルで場合によってはエーテル基またはエステル基を含むものから選択されるポリマーである。モノマー単位（Ｃ）を含む最も好ましいポリマーは、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ18およびＲ19がＨであり、そしてＲ17がＣ1〜Ｃ4の線状もしくは分枝状のアルキル、または置換もしくは非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンであるポリマーである。
【０００９】
発明および好ましい態様に関する詳述
本発明の放射線感受性組成物は、
ａ）構造（Ａ）の化合物を１つまたはそれ以上含む第１の光酸発生剤（ＰＡＧ）化合物Ｐ１；
ｂ）構造（Ｂ）の化合物を１つまたはそれ以上含む第２の光酸発生剤化合物Ｐ２；
ｃ）酸感受性部分の存在によってアルカリ溶解性が抑えられ、また酸および場合によっては熱での処理によってアルカリ溶解性が取り戻されるアルカリ可溶性樹脂成分を含むポリマー成分であって、このポリマーがモノマー単位（Ｃ）を含む１つまたはそれ以上のポリマーからなるもの；および
ｄ）溶媒
を含み、ここで構造（Ａ）、（Ｂ）およびモノマー単位（Ｃ）は、以下の通りである：
【化５】
2005534956.tif 000006
（式中、ＲxＭ+は
【化６】
2005534956.tif 000007
であり、
Ｒ1およびＲ2はＣ1〜Ｃ12のフルオロアルキル基からそれぞれ独立に選択され、またはＲ1およびＲ2はともにＮと結合して、ｙが４〜１２である(Ｆ2Ｃ)yＮ環を生成し；Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は非置換のアリール、アルキルまたはアルファ−ケトメチル基、および酸感受性基で置換されたこのような基からそれぞれ独立に選択され、またはＲ3およびＲ4はＳ原子とともにシクロアルキルスルフォニウム環を生成し；Ｒ6〜Ｒ11およびＲ6’〜Ｒ11’は分枝状または線状のアルキル、アルコキシ、ハロゲン、水素、Ｇが酸感受性基であるとしたＯＣＯ2Ｇ、ＯＣＨ2ＣＯ2ＧまたはＯＧから独立に選択される）；
【化７】
2005534956.tif 000008
（式中、各々のＲ12は線状、環式もしくは分枝状のＣ1〜Ｃ8のフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフタレン基、Ｃ6〜Ｃ12の環式もしくは脂環式の炭化水素、または線状、環式もしくは分枝状のＣ1〜Ｃ8のアルキル基から独立に選択される）；
【化８】
2005534956.tif 000009
（式中、Ｒ13はＨ、Ｃ1〜Ｃ4の低級アルキル、ＣＮ、またはＣＨ2ＣＯ2Ｒ20から選択され；Ｒ14およびＲ15はＨ、線状または分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル、またはハロゲンからそれぞれ独立に選択され、Ｒ16はＨ、または分枝状もしくは線状のＣ1〜Ｃ4のアルキルから選択され；Ｒ17は置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換の線状、分枝状もしくは環状のＣ1〜Ｃ20のアルキルであって場合によってはエーテルもしくはエステル基を含むもの、置換または非置換のフェニルアルキレンまたは置換もしくは非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンから選択され；Ｒ18およびＲ19はＨ、線状もしくは分枝状もしくは環式のＣ1〜Ｃ14アルキル、またはＣ7〜Ｃ14の脂環式基からそれぞれ独立に選択され；Ｒ20はＣ1〜Ｃ14の分枝した線状、分枝状または環式のアルキル、置換もしくは非置換のフェニル、またはＣ7〜Ｃ14の脂環式基から選択される）。
【００１０】
感光性組成物中の光酸発生剤の全含有率は固形物の０.０５〜２０重量％である。好ましい範囲は約１〜約１５重量％である。第１の光酸発生剤化合物Ｐ１は含有光酸発生剤全体の約２５〜約９９重量％を占める。第２の光酸発生剤化合物Ｐ２は光酸発生剤の全量の約１〜約７５重量％を占める。さらに、光酸発生剤が存在してもよい。第１の光酸発生剤化合物Ｐ１は、含有光酸発生剤全体の約３５〜約９０重量％を占めるのが好ましい。第１の光酸発生剤化合物Ｐ１は、含有光酸発生剤全体の約６０〜約８０重量％を占めるのが最も好ましい。第２の光酸発生剤化合物Ｐ２は含有光酸発生剤の全量の約１０〜約６５重量％を占めるのが好ましい。第２の光酸発生剤化合物Ｐ２は含有光酸発生剤の全量の約
２０〜約４０重量％を占めるのが最も好ましい。
【００１１】
酸感受性部分の存在によってアルカリ溶解性が抑えられ、また酸での処理によってアルカリ溶解性が取り戻されるアルカリ可溶性樹脂成分を含むポリマー成分は、感光性組成物の含有固形物の約７５〜約９０重量％を占める。好ましい濃度は約８０〜９５重量％である。
【００１２】
フォトレジスト組成物のための溶媒の選定およびその濃度は、酸に不安定なポリマー中に取り入れられる官能基の種類、光酸発生剤、およびコーティング方法に主として依存する。溶媒は不活性であるべきであり、フォトレジスト中のすべての化合物を溶解すべきであり、成分との化学反応をなんらしてならず、またコーティング後の乾燥に際して再除去されるべきである。フォトレジスト組成物にとって好適な溶媒にはケトン、エーテルおよびエステル、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メトキシ−１−プロピレンアセテート、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、１，２−ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルラクテート、エチルラクテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル３−メトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどがあるであろう。好ましい溶媒はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−ヘプタノン、およびエチルラクテートである。
【００１３】
レジストの固形物含有率はフォトレジストの所望の厚さに応じて約１〜約２５重量％の範囲にあるであろう。好ましい固形物含有率は約５〜約１５重量％である。
【００１４】
第１の光酸発生剤化合物Ｐ１は構造（Ａ）
【化９】
2005534956.tif 000010
（式中、ＲxＭ+は
【化１０】
2005534956.tif 000011
であり、
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立にＣ1〜Ｃ12のフルオロアルキル基であるか、またはＲ1およびＲ2はともにＮと結合して、ｙが４〜１２である(Ｆ2Ｃ)yＮ環を生成し；Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は非置換のアリール、アルキルまたはアルファ−ケトメチル基、または酸感受性基で置換されたこのような基からそれぞれ独立に選択され、またはＲ3およびＲ4はともにシクロアルキルスルフォニウム環を生成し；Ｒ6〜Ｒ11およびＲ6’〜Ｒ11’は分枝状または線状のアルキル、アルコキシ、ハロゲン、水素、Ｇが酸感受性基であるとしたＯＣＯ2Ｇ、ＯＣＨ2ＣＯ2ＧまたはＯＧから独立に選択される）
の化合物を１つまたはそれ以上含む。
【００１５】
Ｐ１の例は(ＳＯ2Ｒ1)(ＳＯ2Ｒ2)Ｎ-の塩を溶媒中のＲxＭ+の塩と反応させることにより合成される。(ＳＯ2Ｒ1)(ＳＯ2Ｒ2)Ｎ-にとって好ましい対向イオンはナトリウムでありまたＲxＭ+にとって好ましい対向イオンはメシレートである。好ましい溶媒は水である。
【００１６】
好適な（Ｒ1ＳＯ2ＮＳＯ2Ｒ2）-基には以下があるがこれらに限定されない：
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＮＣＦ2ＣＦ3)-
【化１１】
2005534956.tif 000012
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3)-
（ＣＦ3(ＣＦ2)7ＳＯ2ＮＳＯ2ＣＦ3)-
【化１２】
2005534956.tif 000013
【００１７】
置換または非置換のアリールＲ3Ｒ4Ｒ5Ｓ+基には以下があるがこれらに限定されない：
【化１３】
2005534956.tif 000014
【００１８】
酸感受性基を有する置換アリールＲ3Ｒ4Ｒ5Ｓ+基には以下があるがこれらに限定されな
い：
【化１４】
2005534956.tif 000015
【００１９】
アルキルまたはシクロアルキル基を含む好適なＲ3Ｒ4Ｒ5Ｓ+基には以下があるがこれらに限定されない：
【化１５】
2005534956.tif 000016
【００２０】
アルファ−ケトメチル基を含む好適なＲ3Ｒ4Ｒ5Ｓ+基には以下があるがこれらに限定されない：
【化１６】
2005534956.tif 000017
【００２１】
ジアリールヨードニウム陽イオンには以下があるがこれらに限定されない：
【化１７】
2005534956.tif 000018
【００２２】
第２の光酸発生剤化合物Ｐ２は構造（Ｂ）：
【化１８】
2005534956.tif 000019
（式中、各々のＲ12は線状、環式もしくは分枝状のＣ1〜Ｃ8のフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフタレン基、Ｃ6〜Ｃ12の環式もしくは脂環式の炭化水素、または線状、環式もしくは分枝状のＣ1〜Ｃ8のアルキル基から独立に選択される）
を１つまたはそれ以上含む。好適なＲ12基の例には、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎ−Ｂｕ、ｔ−Ｂｕ、シクロヘキシル、パーフルオロブチル、フェニル、メトキシフェニル、ブロモフェニル、４−メトキシナフタレン、ナフタレン、およびアダマンチルがあるがこれらに限定されない。Ｐ２の例はＷａｋｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから市販で入手できる。
【００２３】
感光性組成物のポリマー成分は、酸感受性部分の存在によってアルカリ溶解性が抑えられ、また酸および場合によっては熱での処理によってアルカリ溶解性が取り戻されるアルカリ可溶性樹脂成分を含み；ここでこのポリマーは、
モノマー単位（Ｃ）
【化１９】
2005534956.tif 000020
（式中、Ｒ13はＨ、Ｃ1〜Ｃ4の低級アルキル、ＣＮ、またはＣＨ2ＣＯ2Ｒ20から選択され；Ｒ14およびＲ15はＨ、線状または分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル、またはハロゲンからそれぞれ独立に選択され、Ｒ16はＨ、または分枝状もしくは線状のＣ1〜Ｃ4のアルキルから選択され；Ｒ17は置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換の線状、分枝状もしくは環状のＣ1〜Ｃ20のアルキルであって場合によってはエーテルもしくはエステル基を含むもの、置換または非置換のフェニルアルキレンまたは置換もしくは非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンから選択され；Ｒ18およびＲ19はＨ、線状もしくは分枝状もしくは環式のＣ1〜Ｃ14のアルキル、またはＣ7〜Ｃ14の脂環式基からそれぞれ独立に選択され；Ｒ20はＣ1〜Ｃ14の線状、分枝状または環式のアルキル、置換もしくは非置換のフェニル、またはＣ7〜Ｃ14の脂環式基から選択される）                  
を含むポリマーを１つまたはそれ以上含む。感光性組成物中にモノマーＣを含む各ポリマーは、全ポリマーの約１０〜約９０％を占める。
【００２４】
モノマー単位（Ｃ）を含む好ましいポリマーは、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ18およびＲ19がＨであるポリマーである。モノマー単位（Ｃ）を含む一層好ましいポリマーは、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ18およびＲ19がＨでありそしてＲ17がＣ1〜Ｃ4の線状もしくは分枝状のアルキル、または置換もしくは非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンまたは置換もしくは非置換の線状、分枝状もしくは環式のＣ1〜Ｃ20のアルキルで場合によってはエーテル基またはエステル基を含むものから選択されるポリマーである。モノマー単位（Ｃ）を含む最も好ましいポリマーは、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ18およびＲ19がＨでありそしてＲ17がＣ1〜Ｃ4の線状もしくは分枝状のアルキル、または置換もしくは非置換のＣ6〜Ｃ20の環式アルキレンから選択されるポリマーである。
【００２５】
モノマー単位（Ｃ）を含むポリマーおよびコポリマーは、当業者に知られた好適な任意の重合手段を用いて対応するスチレン性前駆体をモノマー単位（Ｃ）へと重合することにより合成されることができる。この方法を用いるなら、スチレン性前駆体はヒドロキシスチレンの対応するアルファハロエーテルとの塩基性条件下での反応から典型的に合成される。
【００２６】
モノマー単位（Ｃ）を含むポリマーおよびコポリマーの好ましい合成方法は、標準的な重合方法（例えばフリーラジカル）によってヒドロキシスチレンポリマーおよびコポリマーを製造し、次いでポリマーを酸性条件下でビニルエーテル（Ｄ）と反応させることである。好適な合成の例は、参照によって本記載に加入されている米国特許第５６７０２９９号および第６０３３８２６号に見いだせる。
【化２０】
2005534956.tif 000021
【００２７】
別に好ましい方法はヒドロキシスチレンポリマーまたはコポリマーをアルコール（Ｒ17−ＯＨ）および酸触媒の存在でビニルエーテル（例えばｔ−ブチルビニルエーテル）と反応させることである。この合成方法の例は、参照によって本記載に加入されている米国特許第６１５９６５３号、第６１３３４１２号および第６３０９７９３号中に見いだせる。
【００２８】
本発明で用いる各ポリマーは１つ以上の異なるモノマー単位（Ｃ）を含んでよい。
【００２９】
本発明で用いられるポリマーは追加のモノマーをさらに含んでよい。好適なモノマーには、ラジカル重合性ビニルモノマー例えばアクリレート、メタクリレート、ビニルエーテル、ビニルエステル、置換および非置換のスチレンなどがある。追加的な好ましい態様では、好ましいポリマーはヒドロキシスチレンのモノマー単位をさらに含む。
【００３０】
追加の態様においては、フォトレジスト組成物に塩基性添加剤が添加されてよい。塩基性添加剤の目的は、化学放射線によって照射されるに先立ってフォトレジスト中に存在する陽子を除くことである。塩基は、酸に不安定な基が好ましくない酸によって攻撃されまた分裂することを防ぎ、これによってレジストの性能および安定性が増大する。フォトレジスト組成物が照射された後は、酸に不安定な基の分裂を塩基が妨げるのは好ましくないでありうから、組成物中の塩基の百分率は光酸発生剤より顕著に小さくなければならない。塩基性化合物が存在するとき、その好ましい範囲は光酸発生剤化合物の約３〜５０重量％である。窒素性塩基が好ましい。塩基添加剤の好適な例は、２−メチルイミダゾール、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリイソプロピルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、および１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネ−５−エン、および１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−５−エンである。
【００３１】
組成物の化学放射線波長に対する吸収を増大するためにフォトレジストに染料が添加されてよい。染料は組成物を被毒してはならず、またすべての熱処理を含めてプロセス条件に耐えることができねばならない。好適な染料の例はフルオレノン誘導体、アントラセン誘導体またはピレン誘導体である。フォトレジスト組成物にとって好適な他の特定の染料は参照によって本記載に加入されている米国特許第５,５９３,８１２号に記載されている。
【００３２】
フォトレジスト組成物は接着促進剤、溶解防止剤、および界面活性剤のような慣用の添加剤をさらに含有してよい。当業者なら所望の適切な添加剤およびその濃度を選定することができるであろう。
【００３３】
フォトレジスト組成物は既知のコーティング条件によって基板に均一に施される。例えばコーティングはスピンコーティング、浸漬、ナイフコーティング、積層、ハケ塗り、吹き付け、および逆ロールコーティングによって施されることができる。コーティング厚さの範囲は一般に約０.１μｍから１０μｍ以上までの値にわたる。コーティング操作の後、溶媒は一般に乾燥によって除去される。典型的に乾燥工程は、厚さ、加熱要素およびレジストの最終用途に応じて、大体数秒から数分にわたって；好ましくは約５秒から３０分にわたってレジストおよび基板が約５０〜１５０℃の温度まで加熱される『ソフトベーク（ｓｏｆｔ  ｂａｋｅ）』と称される加熱工程である。
【００３４】
フォトレジスト組成物は電子産業において異なる多くの用途にとって好適である。例えば電気メッキレジスト、プラズマエッチレジスト、ソルダーレジスト、印刷板製造用のレジスト、化学的ミリング用のレジスト、集積回路製造でのレジストとして使用されることができる。コーティングされた基板のコーティングおよび処理の可能な条件は対応的に異なる。
【００３５】
レリーフ構造を作成するために、フォトレジスト組成物でコーティングされた基板は像様に露光される。『像様』露光という用語には、予め決めたパターンのあるフォトマスクを通じての露光、コーティングされた基板の表面上で移動される、コンピュータ制御されたレーザービームによる露光、および対応するマスクを通じてのＸ線またはＵＶ線による露光のすべてを含む。
【００３６】
使用することができる放射線源は、光酸発生剤がそれに対して感受性をもつ放射線を発射するあらゆる源泉である。例には、高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、電子ビームおよびＸ線源がある。
【００３７】
レリーフ構造を作成するための上記した方法は、さらなる工程的手段として、露光と現像液での処理との間にコーティング物の加熱を含むのが好ましい。『露光後ベーク』として知られるこの熱処理の助けをかりて、ポリマー樹脂中の酸に不安定な基の、露光によって生成される酸との事実上完全な反応が達せられる。この後露光ベークの継続時間および温度は広い範囲で変化することがあり得、またポリマー樹脂の官能基、酸発生剤の種類に本質的に依存しまたこれらの２つの成分の濃度に依存する。露光されたレジストは典型的に、数秒から数分にわたって約５０〜１５０℃の温度に暴露される。好ましい後露光は約５〜３００秒にわたる約８０〜１３０℃である。
【００３８】
像様露光および物質の何らかの熱処理の後、フォトレジストは現像液中への溶解によって除去される。特定の現像液の選定はフォトレジストの種類に依存し；特にポリマー樹脂または生成する光分解生成物の性質に依存する。現像液は有機溶媒またはその混合物が添加されている塩基水溶液を含有してよい。特に好ましい現像液はアルカリ水溶液である。これには、アルカリ金属の珪酸塩、燐酸塩、水酸化物および炭酸塩の水溶液があるが、特にテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの水溶液、そして一層好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の水溶液がある。所望なら、比較的少量の湿潤剤および／または有機溶媒もまたこれらの溶液に添加されてもよい。
【００３９】
合成手順
ＰＡＧ合成例１
４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムメシレートの合成
還流コンデンサーを備えた５００ｍｌの丸底フラスコ中で、ｎ−ブチルフェニルエーテル（４０.４ｇ、０.２６９モル）、ジフェニルスルホキシド（４８ｇ、０.２３７モル）およびＥａｔｏｎの試薬（１５４ｇ）を混合した。発熱反応が起きた。反応混合物を撹拌しつつ５時間５０〜５５℃に保った。次に反応混合物を脱イオン水（１２００ｍｌ）に添加した。この混合物を３０分撹拌した。混合物をトルエン（２×３００ｍｌ）で２回抽出した。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（５７３.０ｇ）の２５％水溶液の添加により、下方の水性層のｐＨを８〜８.５に調整した。
【００４０】
ＰＡＧ合成例２
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムメシレートの合成
還流コンデンサーを備えた１Ｌの丸底フラスコ中で、１，３，５−トリメチルベンゼン
（４０ｇ、０.３３３モル）、ジフェニルスルホキシド（６７.３ｇ、０.３３３モル）およびＥａｔｏｎの試薬（１６０ｇ）を混合した。発熱反応が起きた。反応混合物を撹拌しつつ５時間５０〜５５℃に保った。次に反応混合物を脱イオン水（８００ｍｌ）に添加した。この混合物を３０分撹拌した。混合物をトルエン（２×２５０ｍｌ）で２回抽出した。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（８８９.６ｇ）の２５％水溶液の添加により、下方の水性層のｐＨを８〜８.５に調整した。
【００４１】
ＰＡＧ合成例３
ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミドの合成
撹拌棒およびｐＨ計を備えた２５０ｍｌのビーカ中で、ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）アミド（１５ｇ、水中の６０重量／重量％の酸、０.０１５５モル）および脱イオン水（１０５ｇ）を混合した。ｐＨが７.０を上回るまでこの溶液に水酸化ナトリウム（約１.９ｇ、水中の３３重量／重量％）をゆっくり添加した。溶液は粘稠になった。溶液を１５分撹拌しつつ室温に保った。この塩溶液を、直ちにそして引き続くＰＡＧ合成においてさらに精製することなく使用した。
【００４２】
ＰＡＧ合成例４
ビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミドの合成
撹拌棒およびｐＨ計を備えた２５０ｍｌのビーカ中で、ビス−（パーフルオロエタンスルホニル）アミド（２.０ｇ、０.００５２５モル）および脱イオン水（３０ｇ）を混合した。ｐＨが７.０を上回るまでこの溶液に水酸化ナトリウム（約０.７ｇ、水中の３３重量／重量％）をゆっくり添加した。溶液を１５分撹拌しつつ室温に保った。この塩溶液を、直ちにそして引き続くＰＡＧ合成においてさらに精製することなく使用した。
【００４３】
ＰＡＧ合成例５
４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド（ＰＡＧ１）の合成  
水３５ｇ中にナトリウムビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミド０.００５１７モルを含有する予め調製した溶液に４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムメシレート２.２３グラム（０.００５１７モル）を添加した。白い懸濁液が直ちに生成した。次いでエチルアセテート５０ｍｌを懸濁液に添加した。得られる混合物を２４時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで４回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、粘稠な油状物３.８７グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだ：δ-80.8 (t, 3F), -112.7 (t, 2F), -120.6 (t, 2F), -125.6 (q, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ1.0 (t, 3H), 1.5 (6重線, 2H), 1.8 (5重線, 2H), 4.2 (t, 2H), 7.4 (d, 2H), 7.9 (多重線, 12H)。
【００４４】
ＰＡＧ合成例６
４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド（ＰＡＧ２）の合成  
水３８ｇ中に実施例４で製造したナトリウム塩０.００６９４モルを含有する予め製造した溶液に、４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムメシレート２.９９グラム（０.００６９４モル）を添加した。白い懸濁液が直ちに生成した。次いでエチルアセテート５０ｍｌを懸濁液に添加した。得られる混合物を２４時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで４回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、粘稠な油状物４.３グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだ：δ-80.1 (s, 3F),-118. 3 (s, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ1.0 (t, 3H), 1.5 (6重線, 2H), 1.8 (5重線, 2H), 4.2 (t, 2H), 7.4 (d, 2H), 7.9 (多重線, 12H)。 
【００４５】
ＰＡＧ合成例７
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド（ＰＡＧ３）の合成  
水４０ｇ中に実施例３で製造したナトリウム塩０.００５２３モルを含有する予め製造した溶液に、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムメシレート２.１０グラム（０.００５２３モル）を添加した。白い懸濁液が直ちに生成した。次いでエチルアセテート６０ｍｌを懸濁液に添加した。得られる混合物を２４時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで４回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、粘稠な油状物３.７１グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだ：δ-82.2 (t, 3F), -114.2 (t, 2F), -121.9 (t, 2F), -127.1 (q, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ2.2 (s, 6H), 2.3 (s, 3H), 7.3 (s, 2H), 7.8 (多重線, 10H)。
【００４６】
ＰＡＧ合成例８
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド（ＰＡＧ４）の合成  
水４０ｇ中に実施例２で製造したナトリウム塩０.００６８９モルを含有する予め製造した溶液に、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムメシレート２.７６グラム（０.００６８９モル）を添加した。白い懸濁液が直ちに生成した。次いでエチルアセテート６０ｍｌを懸濁液に添加した。得られる混合物を２４時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで４回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、粘稠な固形物３.４グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだ：δ-80.0 (s, 3F), -118.3 (s, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ2.2 (s, 6H), 2.3 (s, 3H), 7.3 (s, 2H), 7.8(多重線, 10H)。
【００４７】
ＰＡＧ合成例９
トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド（ＰＡＧ５）の合成  
水５１ｇ中に実施例３で製造したナトリウム塩０.００３４４モルを含有する予め製造した溶液に、トルエンジフェニルスルホニウムヨーダイド１.３９グラム（０.００３４４モル）を添加した。次にエチルアセテート７０グラムを懸濁液に添加した。得られる混合物を４８時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで３回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、半ば粘稠な油状物２.７８グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだ：δ-82.2 (t, 3F), -114.2 (t, 2F), -121.9 (t, 2F), -127.1 (q, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ2.5 (s, 3H), 7.7 (d, 2H), 7.9 (多重線, 12H)。
【００４８】
ＰＡＧ合成例１０
トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド（ＰＡＧ６）の合成  
水６０ｇ中に実施例４で製造したナトリウム塩０.００５２５モルを含有する予め製造した溶液に、トルエンジフェニルスルホニウムヨーダイド２.１２グラム（０.００５２５
モル）を添加した。次にエチルアセテート５１グラムを懸濁液に添加した。得られる混合物を４８時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで３回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、油状物２.５６グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだδ-80.1 (s, 3F), -118.4 (s, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ2.5 (s, 3H), 7.7 (d, 2H), 7.9 (多重線, 12H)。
【００４９】
ＰＡＧ合成例１１
トルエンジフェニルスルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド（ＰＡＧ７）の合成  
水５０ｇ中にトリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミドのリチウム塩（３Ｍ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手）０.００３４モルを含有する予め製造した溶液に、トルエンジフェニルスルホニウムヨーダイド１.３９グラム（０.００３４モル）を添加した。次にエチルアセテート７０ｍｌを懸濁液に添加した。得られる混合物を２４時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで４回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、白い固形物２.８グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだ：δ-80.3 (s,
3F), -82.1 (tt, 3F), -114.3 (s, 2F), -122.02 (m, 2F), -127.01 (q, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ2.5 (s, 3H), 7.7 (d,2H0), 7.9 (多重線, 12H)。
【００５０】
ＰＡＧ合成例１２
トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド（ＰＡＧ８）の合成  
水５０ｇ中にトリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミドのリチウム塩（３Ｍ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手）０.００３４モルを含有する予め製造した溶液に、トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウムテトラフルオロボレート１.７８グラム（０.００３４モル）を添加した。次にエチルアセテート７０ｍｌを懸濁液に添加した。得られる混合物を２４時間撹拌した。底部の水層を取り除いた。エチルアセテート層を脱イオン水４０ｍｌで４回洗浄した。次にエチルアセテート層を硫酸マグネシウム上で乾燥した。濾過により硫酸マグネシウムを除去した。回転蒸発器上でエチルアセテートを濾液から除去し、白い固形物２.５２グラムを得た。19F  NMRスペクトルは以下の共鳴バンドを含んだ：δ-80.1 (s, 3F), -82.3 (tt, 3F), -114.3 (s, 2F), -122. 02 (m, 2F), -127.01 (q, 2F)。1H  NMRは以下を含んだ：δ1.4 (s, 27H), 7.8 (AB 4重線,
12H)。
【００５１】
ポリマーＰ１
４−［１−（２−シクロヘキシルエトキシ）−エトキシ］スチレン−コ−４−［１−（ｔ−ブトキシ）エトキシ］スチレン−コ−４−ヒドロキシスチレン−コ−４−ｔ−ブチルスチレンコポリマーの製造
２５０ｍＬの丸底３つ口フラスコに温度プローブ、磁器撹拌棒および閉鎖された真空アダプターを備えた。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１３４.９ｇをフラスコ内に装入した。粉末化したポリ（ヒドロキシスチレン−コ−ｔ−ブチルスチレン）（９３：７）（分子量１２７８０；ＰＤ１.９）３０.０ｇを撹拌下の溶媒中に添加した。混合物を３０分撹拌して均一な溶液を生成した。混合物を６０℃に加熱しそして溶液を真空下におき溶媒４８.９２ｇを溜出した。溶液を窒素下で室温まで放冷した。第３級ブチルビニルエーテル４.１５ｇおよび２−シクロヘキシルエタノール４.６９ｇを均一な溶液に添加した。１％のパラ−トルエンスルホン酸（ＰＧＭＥＡ９９ｇ中に酸１ｇを溶解することにより調製した）０.３０ｇを添加した。ＰＧＭＥＡ中の１％トリエチルアミン溶液を３.７７ｇを反応混合物に添加し酸をクウェンチした。反応混合物をさらに３０分撹拌した。ポリマー溶液を５００ｍＬの分離漏斗に移しそしてアセトン１１５ｇ、ヘキサン４６ｇおよび脱イオン水４６ｇで処理した。混合物を約３０秒から１分震盪しそして２層に分かれさせた。下方の水性層を廃棄した。上部の有機層をさらに２回の洗浄にかけた。第２の洗浄時にアセトン２３ｇ、ＰＧＭＥＡ７ｇおよび脱イオン水２３ｇを使用しそして第３の洗浄においてアセトン１７ｇ、ＰＧＭＥＡ７ｇおよび脱イオン水２３ｇを使用した。
【００５２】
上部の有機層を温度プローブ、磁器撹拌棒および真空蒸留アセンブリーを備えた５００ｍＬの丸底の３つ首フラスコに移し入れた。フラスコを加熱マントル上に置いた。アセトンおよびヘキサンを常圧蒸留によって除去した。水およびいくらかのＰＧＭＥＡを、蒸留フラスコの固形物含有率が約３０.１７％になるまで、６６℃で共沸真空蒸留によって除去した。分析データは表にある。ポリマーの構造を下記に示す（ａ＝０.７６；ｂ＝０.０７；ｃ＝０.０４；ｄ＝０.１３）。
【化２１】
2005534956.tif 000022
【００５３】
ポリマーＰ２
ポリマーＰ２は［４−（１−エトキシエトキシ）スチレン−コ−４−ヒドロキシスチレン  ３７：６３］（ＭＷＰ−２４０、Ｗａｋｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌの製品）である。
【００５４】
ポリマーＰ３
ポリマーＰ３はポリ［（４−ヒドロキシスチレン）−コ−（第３級−ブチルアクリレート）−コ−（イソボルニルアクリレート）］（６１：２５：１４）ＭＷであり：これはＴｒｉＱｕｅｓｔ，ＬＰによって特注で合成された。分子量は１６,６００ダルトンであった。
【００５５】
一般的な処方手順
実施例に記載したフォトレジスト成分をコハク瓶内で混合しそして均一な溶液を得るまで撹拌した。０.２μｍのフィルターを通じて溶液を清浄なコハク瓶内に濾過した。
【００５６】
一般的なリソグラフィーの手順１
ＤＵＶ４２Ｐ  ＢＡＲＣ（Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｃ．，Ｒｏｌｌａ，ＭＯ）をシリコンウエハー上に最初にスピンコーティングしそして２０５℃で７０秒近接ベーキングして、厚さ６２ｎｍのＢＡＲＣを得た。次にレジストの試料をＢＡＲＣ層上に施しそしてホットプレート上で３０秒プレベーキング（温度設定は特定の実施例に従う）し、厚さ３２５ｎｍのレジストフィルムを得た。次いでレジスト試料をＣａｎｏｎ  ＦＰＡ−３０００ＥＸ６ステッパーを用いてライン／スペースパターンを含むフォトマスクを通してＫｒＦエキシマーレーザビーム（２４８ｎｍ）によって像様に露光した。環状設定を２／３にし、数的開口０.６５ＮＡを用いた。露光されたレジストでコーティングされたウェーファを次いで１１０℃のホットプレート上で９０秒ＰＥＢ処理に付した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの０.２６２Ｎ溶液中での６０秒のパドル現像処理を行った。Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅを使用してデータを収集した。レジスト画像を断面方向に剪断し、そして画像を８０×１０3倍に拡大した。
【００５７】
一般的なリソグラフィーの手順２  
一般的なリソグラフィーの手順２は一般的なリソグラフィーの手順１と同一であったが、ただしＢＡＲＣの厚さは８０ｎｍでありフォトレジストの厚さは３６０ｎｍであった。
【００５８】
実施例１〜６
表１に示す量の様々なビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド型のＰＡＧ、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン（Ｗａｋｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ）、ポリマーＰ１、ポリマーＰ２、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）、トリス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］アミン（ＴＭＥＡ）、アンチピレン、およびＰＧＭＥＡを用いて一般的な処方手順に記載したように実施例１〜６のための処方物を調製した。表１に示した量はグラム単位による。実施例１〜６のための処方物は一般的なリソグラフィーの手順１を用いてリソグラフィーによって評価した。ウェーファは走査電子顕微鏡でフォトスピード、解像度、ＤＯＦ、およびプロフィルについて評価した。結果を、用いた対応するソフトベーク温度とともに表２に示す。表２中のエネルギーの大きさはラインとスペースの幅が等しい１３０ｎｍのライン−スペースパターンを解像するためのエネルギーをさす。
【００５９】
【表１】
2005534956.tif 000023
【００６０】
【表２】
2005534956.tif 000024
【００６１】
表２のデータは、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド型のＰＡＧを使用して得た丸みのあるプロフィルの上面が、ビススルホニルジアゾメタン型のＰＡＧの使用によって、最適化されていない処方物で改善されることができることを示す。
【００６２】
実施例７〜２４
表３に示す量のＰＡＧ８（ＰＡＧ合成例１２からのＰＡＧ）、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン（Ｗａｋｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ）、ポリマーＰ１、ポリマーＰ２、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）、トリス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］アミン（ＴＭＥＡ）、アンチピレン、およびＰＧＭＥＡを用いて一般的な処方手順に記載したように実施例７〜２４のための処方物を調製した。表３に示した量はグラム単位による。実施例７〜２４のための処方物は一般的なリソグラフィーの手順２を用いてリソグラフィーによって評価した。異なるソフトベーク条件を用いていくつかの処方物を評価した。これらの場合、結果は、表４において、ａ、ｂまたはｃの文字を付加して示した。ウェーファは走査電子顕微鏡でフォトスピード、解像度、ＤＯＦ、およびプロフィルについて評価した。結果を、用いた対応するソフトベーク温度とともに表４に示す。表４中のエネルギーの大きさはラインとスペースの幅が等しい１３０ｎｍのライン−スペースパターンを解像するためのエネルギーをさす。
【００６３】
【表３】
2005534956.tif 000025
【００６４】
【表４】
2005534956.tif 000026
【００６５】
表４のデータは、アセタールで保護されたＰＨＳをベースとする処方物中でビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド型のＰＡＧが唯一のＰＡＧとして使用される時、（実施例１９）の丸みのある上面があり勾配のついたプロフィル、非露光フィルムの厚さの減少および劣悪なＤＯＦが得られた。しかしながら、コ−ＰＡＧとしてビススルホニルジアゾメタン型ＰＡＧを使用した結果、平坦な上面のある垂直なプロフィル、非露光フィルムが減少しないこと、および優れたＤＯＦを得た（例えば実施例１１）。
【００６６】
実施例２５〜２６
表５に示す量に従うＰＡＧ８（ＰＡＧ合成例１２からのＰＡＧ）、トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウム  ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド（３Ｍ
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから得られるＰＡＧ９）、ポリマーＰ１、ポリマーＰ２、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）、アンチピレンおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を使用して一般的な処方手順に記載したように処方物の実施例２５および２６を調製した。表５に示す量はグラム単位による。実施例２５および２６は一般的なリソグラフィー手順２を用いてリソグラフィーによって評価した。ウェーファはフォトスピード、解像度、ＤＯＦおよびプロフィルについて走査電子顕微鏡で検査した。結果を、用いた対応するソフトベーク温度とともに表６に示す。表６中のエネルギーの大きさはラインとスペースの幅が等しい１３０ｎｍのライン−スペースパターンを解像する
ためのエネルギーをさす。
【００６７】
【表５】
2005534956.tif 000027
【００６８】
【表６】
2005534956.tif 000028
【００６９】
表６の結果は、非対称のビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミドは、対称的なビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミドより僅かに改善された性能を有することを示唆する。
【００７０】
実施例２７〜３０
表７に示す量に従うＰＡＧ８（ＰＡＧ合成例１２からのＰＡＧ）、トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウム  ビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド（３Ｍ
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから得られるＰＡＧ９）、ポリマーＰ３、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）、トリス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］アミン（ＴＭＥＡ），アンチピレンおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を使用して一般的な処方手順に記載したように実施例２７〜３０のための処方物を調製した。表７に示す量はグラム単位による。実施例２７〜３０は一般的なリソグラフィー手順２を用いてリソグラフィーによって評価した。ウェーファはフォトスピード、解像度、ＤＯＦおよびプロフィルについて走査電子顕微鏡で検査した。結果を、用いた対応するソフトベーク温度とともに表８に示す。表８中のエネルギーの大きさはラインとスペースの幅が等しい１３０ｎｍのライン−スペースパターンを解像するためのエネルギーをさす。
【００７１】
【表７】
2005534956.tif 000029
【００７２】
【表８】
2005534956.tif 000030
【００７３】
表８のリソグラフィーの結果は、ＥＳＣＡＰ型のポリマーマトリックス中では、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド型のＰＡＧと配合されたビススルホニルジアゾメタン型のコ−ＰＡＧはリソグラフィー性能に悪影響を与えたことを示す。
【００７４】
実施例３１および３２
表９に示す量に従うＰＡＧ８（ＰＡＧ合成例１２からのＰＡＧ）、トリス−（第３級−ブチルフェニル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホネート（ＴＴＢＰＳ−ノナフレート）、ポリマーＰ１、ポリマーＰ２、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）、トリス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］アミン（ＴＭＥＡ）、アンチピレンおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を使用して一般的な処方手順に記載したように実施例３１および３２のための処方物を調製した。表９に示す量はグラム単位による。実施例３１および３２は一般的なリソグラフィー手順２を用い、そして表１０に示すごとき別なフィルム厚さ条件３４０ｎｍの下でリソグラフィーによって評価した。ウェーファはフォトスピード、解像度、ＤＯＦおよびプロフィルについて走査電子顕微鏡で検査した。結果を、用いた対応するソフトベーク温度とともに表１０に示す。表１０中のエネルギーの大きさはラインとスペースの幅が等しい１３０ｎｍのライン−スペースパターンを解像するためのエネルギーをさす。
【００７５】
【表９】
2005534956.tif 000031
【００７６】
【表１０】
2005534956.tif 000032
【００７７】
表１０の結果は、フォトレジストフィルムの厚さの変化にともなって先行技術のレジストのフォトレジスト性能が変化する問題を例示する。このようなフォトレジスト厚さの差異は、基板上にフォトレジストが現存する形状のままコーティングされる時に生じる。実施例３１における先行技術の処方物は、フォトレジストのフィルム厚みがただの２０ｎｍしか異ならなく、著しく異なりそしてより小さいＤＯＦを有する。１つのフィルム厚さにおいて、ＤＯＦは画像のブリッジング（ｂｒｉｄｇｉｎｇ）によって制限される。他のフォトレジストフィルムの厚さにおいてＤＯＦはライン崩壊によって制限される。本発明の処方物（実施例３２）は、これらの問題によるようには制限されず、従ってフォトレジストフィルムの厚さの変化に応じてより大きくそしてより小さく変化するＤＯＦを有する。
【００７８】
実施例３３〜３８
表１１に示す量に従う様々なビス（パーフルオロアルキルスルホニル）−イミド型ＰＡＧの組み合わせ、２つのビス（スルホニル）ジアゾメタン  コ−ＰＡＧの１つ、ポリマーＰ１、ポリマーＰ２、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）、アンチピレンおよび８９部のＰＧＭＥＡを使用して一般的な処方手順に記載したように実施例３３〜３８のための処方物を調製した。表１１に示す量は部単位による。すべての処方物のための１１０℃のソフトベークを用いて、一般的なリソグラフィー手順２を採用してリソグラフィーによって試験した。結果を表１２に表示する。
【００７９】
【表１１】
2005534956.tif 000033
【００８０】
【表１２】
2005534956.tif 000034
【００８１】
これらの実験からの結果は、対称性または非対称のパーフルオロスルホニルイミド型ＰＡＧまたはこれらの混合物をビス（スルホニル）ジアゾメタン型ＰＡＧに添加するとリソグラフィー性能が改善されることを示す。
【００８２】
本発明をその特定の態様を参照しつつ述べたが、本記載に開示された発明概念の趣意および範囲から逸脱することなく変化、改変および変更を行いうることが分かるであろう。従って、付属する特許請求範囲の趣意および範囲に属するようなこのような変化、改変および変更はすべて包含される。
【国際調査報告】
2005534956.tif 000045