(57)【要約】本発明は、導管区分（２，３）を流れる分配されていないガス流（１）を部分流（１０，１１）に分配するための装置に関する。前記部分流（１０，１１）は、互いに分離された流出通路（１２，１３）内へ流出する。制御可能な調量装置（７，３２，３５）が設けられており、この調量装置（７，３２，３５）により、別のガス流（４１）が、それぞれ部分流（１０，１１）の１つに配量可能である。導管区分（２，３）と流出通路（１２，１３）との間には、分配されていないガス流（１）を第１及び第２の流れ領域（１６，１７）に分配する分離エレメント（６）が収容されている。流れ込まれるセグメントディスク（２０）の第１及び第２の破断部（５１，５２；６６，６７）が、前記セグメントディスク（２０）に対して相対的に可動な制御ディスク（２８）により解放又は閉鎖可能である。
2005537427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導管区分（２，３）内を流れる分配されていないガス流（１）を部分流（１０，１１）に分配するための装置であって、該部分流（１０，１１）が、互いに分離された流出通路（１２，１３）内へ流出するようになっており、制御可能な調量装置（７，３２，３５）が設けられており、該調量装置（７，３２，３５）により、別のガス流（４１）が、それぞれ１つの部分流（１０，１１）に配量可能である形式のものにおいて、導管区分（２，３）と流出通路（１２，１３）との間に、分配されていないガス流（１）を第１及び第２の流れ領域（１６，１７）に分配する分離エレメント（６）が収容されており、流れ込まれるセグメントディスク（２０）の第１及び第２の破断部（５１，５２；６６，６７）が、前記セグメントディスク（２０）に対して相対的に可動な制御ディスク（２８）により解放又は閉鎖可能であることを特徴とする、分配されていないガス流（１）を分配するための装置。
【請求項２】
制御ディスク（２８）が、調量装置（７，３２，３５）の相対的に可動な中空軸（７，３２）で収容されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
制御ディスク（２８）を収容する中空軸（７，３２）が、ステッピングモータ（９）により、第１の調節距離（８４）又は第２の調節距離（８５）だけ、セグメントディスク（２０）に対して相対的に調節可能である、請求項２記載の装置。
【請求項４】
制御ディスク（２８）が、中空軸（７，３２）の、円錐状に形成された制御ディスク収容部（３９）に収容されており、該収容部（３９）の尖端（３１）が点支持部（３１）であり、該点支持部（３１）を介して、中空軸（７，３２）がセグメントディスク（２０）内に支持されている、請求項２記載の装置。
【請求項５】
中空軸（７，３２）の中空軸壁（３３）に、調量開口（３４）が形成されており、該調量開口（３４）が、中空軸（７，３２）を取り囲むスリーブ（３５）の調量開口（３６）又は第２の調量開口（３７）とオーバラップに移行可能である、請求項２記載の装置。
【請求項６】
第１の調量開口（３６）を介して、添加剤（４１）が、第１の流れ領域（１６）内へ導入可能であり、かつ第２の調量開口（３７）を介して第２の流れ領域（１７）内へ導入可能である、請求項５記載の装置。
【請求項７】
制御ディスク（２８）が、補強する周縁（４０）を備えた深絞り加工された薄板部材の形で構成されている、請求項１記載の装置。
【請求項８】
制御ディスク（２８）が、半径方向に延びる半径方向リブ（２９）を有している、請求項７記載の装置。
【請求項９】
制御ディスク（２８）が、半径方向に延びる溝（３０）を有している、請求項７記載の装置。
【請求項１０】
セグメントディスク（２０）が、補強部（２２）を介して、第１のフランジ（４）で支持されている、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
補強部（２２）が、支持ロッド（２６）を有しており、該支持ロッド（２６）が、セグメントディスク（２０）の中央に設けられた押圧部材（２７）で支持されている、請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
セグメントディスク（２０）又は制御ディスク（２８）のディスク面（５５，５６）に設けられた破断部（５１，５２）が、第１の開口ジオメトリ（５０）では、半径方向に延びる半径方向ギャップの形で構成されている、請求項１記載の装置。
【請求項１３】
破断部を形成する第１及び第２の半径方向ギャップ（５１，５２）が、第１の幅（８０）若しくは第３の幅（８３）を有しており、第１の幅（８０）が第３の幅（８３）を上回っている、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
セグメントディスク（２０）及び制御ディスク（２８）のディスク面（５５，５６）に設けられた破断部（５１，５２）が、交互の順序で配置されている、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
セグメントディスク（２０）及び制御ディスク（２８）のディスク面（５５，５６）に設けられた破断部（６６，６７）が、第２の開口ジオメトリ（６０）では、交互の順序で配置されたスリット状又は台形の開口の形で形成されている、請求項１記載の装置。
【請求項１６】
スリット状の開口（６６）及び台形の開口（６７）が、ディスク面（５５，５６）に設けられた同心的なリング（６１，６２，６３）上に配置されている、請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
ディスク面（５５，５６）に設けられたスリット状及び台形の開口（６６，６７）の貫通横断面が、制御ディスク（２８）の回転軸線（４４）に関連して半径方向に増大する、請求項１５記載の装置。
【請求項１８】
セグメントディスク（２０）及び制御ディスク（２８）のディスク面（５５，５６）に設けられた破断部（５１，６７）を、第２の流れ領域（１７）でオーバラップに移行可能な切換位置（５７，６９）で、第２の流れ領域（１７）では、分配されていないガス流（１）の約９０％に相当する部分流（１１，９２）が調節され、かつ第１の流れ領域（１６）では、分配されていないガス流（１）の約１０％に相当する部分流（１０，９３）が調節される、請求項１記載の装置。
【請求項１９】
セグメントディスク（２０）及び制御ディスク（２８）のディスク面（５５，５６）に設けられた破断部（５１，６７）内に、第１の流れ領域（１６）の内部でオーバラップに移行可能な切換位置（５７，６８）では、第１の流れ領域（１６）では、分配されていないガス流（１）の約９０％に相当する部分流（１１，９２）が調節され、かつ第２の流れ領域（１７）では、分配されていないガス流（１）の約１０％に相当する部分流（１０，９３）が調節され、請求項１記載の装置。
【請求項２０】
調量装置（７，３２，３５）を介して、添加剤（４１）が、分配されていないガス流（１）の約１０％に相当する部分流（１０，９３）を案内する流れ領域（１６，１７）に供給される、請求項１８又は１９記載の装置。
【請求項２１】
排ガス触媒に添加剤（４１）を供給するための前記請求項のいずれか１項記載の装置の使用法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
現在の内燃機関における要請は、混合気圧縮火花点火式の内燃機関であれ、又は空気圧縮式の内燃機関であれ、排ガスエミッションに関して常に高まっている。２００５年のために期待されるユーロＩＶ排ガス基準（Euro IV Norm）に関して、空気圧縮式の内燃機関では、粒子フィルタの使用が論じられている。これらの粒子フィルタは、ディーゼルエンジンにより排出される粒子を排ガス流から除去することが望ましい。ＣＯ及びＨＣは酸化触媒により大部分を燃焼することができる。特に火花点火式のガソリン直噴オットーエンジンにおいても生じるＮＯｘの低減を行うことは困難である。
【０００２】
従来技術
空気圧縮式の内燃機関では、有害物質ＣＯ及びＨＣが、内燃機関に後置された酸化触媒により大部分燃焼される。ＮＯｘの低減を行うのは最も困難である。排ガス流に還元剤を添加することによりはじめて、後置された触媒内でＮＯｘ低下を達成することができる。酸化触媒の後置は、ディーゼルエンジンでは一酸化炭素及び炭化水素エミッションの著しい低下をもたらす。炭化水素エミッションは粒子エミッションにも貢献するので、制限された程度には触媒によって低減することもできる。低硫黄燃料（２００５年からは≦０．００１％；≦１０ｐｐｍＳ）の使用は、触媒の持続的な作用を保証する。
【０００３】
現在では、ＳＣＲ法（選択的触媒還元法：Selective Catalytic Reduction）により、最高のＮＯｘ変換率が得られる。この場合に、還元剤は調量システムを介して、特性曲線に関連して複数部材で形成された触媒コンバータに注入される。現在汎用の還元剤は尿素水溶液である。加水分解部では、これより還元剤ＮＨ３（アンモニア）自体が形成される。ＳＣＲ部では、次いでＮＯｘの還元が行われる。触媒システムは、一般に未燃焼の有害物質ＣＯ及びＨＣを酸化する酸化部により完結する。還元剤としての尿素水溶液の代わりに、ディーゼル燃料を還元剤として使用することもできる。
【０００４】
還元システム（ＣＲＴシステム）の別の実施態様によれば、まず酸化触媒内で有害物質ＣＯ，ＨＣ及びＮＯｘが酸化される。この場合に、連続的に再生される粒子フィルタシステムが使用される。酸化により形成されたＮＯ２は、次いで後置されたパティキュレートフィルタにおいてそこで析出された粒子の炭素Ｃと結合し、そこで炭素Ｃを継続してＣＯ２の形に燃焼する。このＮＯ２は、再びＮＯに還元される。場合によっては望ましい完全なＮＯｘ還元は、既に上に述べたように、次いでＳＣＲ法に基づき行われなければならない。このシステムは、パティキュレートフィルタ内の温度ピークを阻止し、これにより、パティキュレートフィルタの耐用寿命を高める。最適かつ持続的に作用する還元を保証するためには、シティディーゼル（City-Diesel）とも呼ばれる硫黄なしのディーゼル燃料（≦０．００１％Ｓ）によるエンジン運転が必要である。
【０００５】
現在発展途上にある、ガソリン直噴原理により作動するオットーエンジンでは、燃焼時にＮＯｘ含有量が発生する。このＮＯｘ含有量は、極めて希薄な排ガス内では、三元触媒によって低減することはできない。より高い排ガスフィードバック率による排ガスフィードバックに基づき排ガス中のＮＯｘ率の約７０％の削減が達成される。排ガス規定を充たすためには、付加的にＮＯｘエミッションの後処理が不可避である。この排ガス含有量の低減のためには、ＮＯｘ吸蔵型触媒が大きな可能性を提供している。排ガス組成を制御するためのエンジン対策としては、燃焼室に再び供給された排ガスにより燃焼ピーク温度の低減をもたらすことが、ＮＯｘエミッションに関して極めて効果があることが判明している。ＮＯｘ形成は、燃焼温度に伴い過大に上昇するので、温度低下のための手段としての排ガスフィードバックは、ＮＯｘ低減のための極めて効果的な手段であるといえる。排ガスフィードバック率のさらなる最適化により、燃料消費の低減を達成することもできる。排ガスフィードバックは、内燃機関の流入弁若しくは流出弁の対応した弁オーバラップによる内部の排ガスフィードバックを介して、又は対応して制御された排ガスフィードバック弁による外部の排ガスフィードバックを介して行うことができる。
【０００６】
発明の説明
本発明により提案された手段により、ガスの分岐箇所に沿って進入した分配されていない全流が、所定の容量流比率で２つのガス分流に分配される。同時に、別の媒体の配量したい流れ、例えば空気圧縮式の内燃機関又は混合気圧縮火花点火式の内燃機関の排ガスの排ガス後処理のために、分岐箇所で分配された両部分流に所定の比率で供給される。
【０００７】
添加剤、特に還元剤を配量するための調量装置が、分配されていない完全なガス流の流れ方向で見て、ガス流を分配するための装置の後方に、部分流内に配置されている。中空軸の形で形成された配量装置には、制御ディスクが収容されている。この制御ディスクは、ガス流の流れ横断面に配置されたセグメントディスクと協働する。ガス流の流れ方向で見て、拡散区分を有していてよい供給区分の内部には、例えば隔壁の形で形成可能な分離エレメントが設けられている。この分離エレメントは、供給区分若しくは拡散区分の流れ横断面を第１の流れ横断面と第２の流れ横断面とに分割する。これらの第１の流れ横断面と第２の流れ横断面とはそれぞれ半円形の横断面を有している。セグメントディスク及びこのセグメントディスクに対して相対的に可動な制御ディスクは、両方の面に一様に形成された複数の開口を有している。セグメントディスク及び制御ディスクのディスク面にわたって一様に分配して設けられたこれらの開口は、ガス流を分配するための装置の後方に位置する排ガス触媒の一様な流れを保証する。管案内区分の内部に設けられた第１若しくは第２の流れ領域の絞り若しくは絞られていない解放は、セグメントディスクに対する制御ディスクの相対運動により行うことができる。容積流比率の切換、若しくは第１又は第２の流れ横断面の絞り及び解放は、制御ディスクの小さい角度運動により行うことができる。このことは、第１の流れ領域の絞り若しくは解放と第２の流れ領域の絞り若しくは解放との間の切換が著しく短縮されるという利点を提供する。
【０００８】
セグメントディスク及び制御ディスクは、有利には薄板部材の形で設計される。セグメントディスクも制御ディスクも、薄板溝又は半径方向リブ又は縁部折曲げにより補強することができ、これにより、ガス流の流れ横断面に生じる曲げ負荷に持ちこたえられる。流れ横断面の内部に定置されて配置されたセグメントディスクは、さらにリブを設けることにより補強することができる。
【０００９】
セグメントディスクに対して相対的な制御ディスクの相対運動及び容易な摺動性を得るためには、セグメントディスクと制御ディスクとの間にエアギャップが設けられている。このエアギャップの大きさは、配量装置として使用される中空軸に設けられた円錐領域の構成に関連している。この円錐領域は、軸線方向にばねによって、制御ディスクとセグメントディスクとの間の所定の位置に保持されている。このことは、一方では製造公差を補償するために、かつ他方では互いに相対的に可動なコンポーネントの間の摩擦を低減するために役立つ。
【００１０】
流れ方向で見て、セグメントディスク及び制御ディスクの後方に配置された調量装置は中空軸を有している。この中空軸自体はスリーブにより取り囲まれている。前記中空室は、定置されて配置されたスリーブに対して相対的に回動可能である。有利には、制御ディスクは中空軸に形成された円錐領域に固定される。連結部若しくはステッピングモータにより行うことのできる中空軸の回動時には、調量開口の回動が行われる。この調量開口は、中空軸の壁内に形成されている。中空軸の壁内に設けられた前記調量開口は、対称軸線を中心とした中空軸の回動に応じて、中空軸を取り囲む、定置されて配置されたスリーブの壁内に設けられた流出開口とオーバラップさせることができる。回動可能な中空軸を取り囲むスリーブは、流れ横断面で見て、分離エレメントにより所定の位置に保持される。スリーブに対して相対的な、中空軸の回動に応じて、第１又は第２の流れ領域への添加剤の供給が、制御ディスク、若しくは流れ横断面に定置されて配置されたセグメントディスクの下流で行われる。
【００１１】
本発明により提案された手段の実施態様によれば、制御ディスクにもセグメントディスクにも開口が種々異なったジオメトリに設けられている。これらの開口は半径方向ギャップの形で形成することができる。これらの半径方向ギャップのうちそれぞれ１つのより大きい幅の半径方向ギャップと、より小さい幅の半径方向ギャップとを、周方向で見てセグメントディスクと制御ディスクの周にわたって規則的に分配して配置することができる。択一的に、セグメントディスクと制御ディスクとの貫流を可能にする開口は、同心的な円上に位置するように配置された周方向スリット、若しくは台形の開口の形で形成されていてもよい。制御ディスクに設けられた破断部の形状は、それぞれセグメントディスクに設けられた破断部の形状に対応する。
【００１２】
別の実施態様では、制御ディスクは軸線方向摺動によりセグメントディスクの法へ移動させることができる。このことは、極めて小さい、例えば１０％の部分流の調節を可能にする。この実施態様によれば、セグメントディスクでは周方向スリット若しくはセグメントディスクのディスク面の狭い半径方向ギャップは省略することができる。
【００１３】
実施例
図１は、本発明により提案されたガス流を分配するための装置の平面図を示している。
【００１４】
分配されていないガス流１が、供給区分２の内部を流れる。この供給区分２は拡散区分３内へ移行する。この拡散区分３には第１のフランジ４が形成されている。この第１のフランジ４は第２のフランジ５に結合されている。この第２のフランジ５では、第１の流出通路１２と第２の流出通路１３とが開口している。これらの流出通路１２若しくは１３は、流れ横断面に対して垂直方向に配置された定置の分離エレメント６により分離されている。第１のフランジ４と第２のフランジ５とは、それぞれ１つのスプリングワッシャ１４が対応配置された複数のフランジねじ１５を介して、互いに結合されている。部分流１，１０のための流出通路１２と、部分流２（符号１１）のための流出通路１３との間には、添加剤を調量するための調量装置が設けられている。この調量装置は中空軸７を有している。この中空軸７は連結部８を介してステッピングモータ９に連結されている。このステッピングモータ９を介して、配量装置として働く中空軸７を、分離エレメント６で受け止められているスリーブ（図１には図示しない）に対して相対的に調整することができる。
【００１５】
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って断面したフランジ結合部の横断面図である。
【００１６】
図２による図面から明らかなように、分離エレメント６が第１の流れ領域１６と第２の流れ領域１７とを互いに分離している。これらの流れ領域１６，１７は、通路壁１８により外側方向へ限定されている。第１の流れ領域１６は第１の流れ通路１２内へ移行し、かつ第２の流れ領域１７は第２の流出通路１３内へ移行する。例えば分離壁の形で形成された分離エレメント６は、鉛直方向の組付け位置で組み付けられており、スリーブ（図２には図示しない）を収容する。このスリーブ内には、ステッピングモータ９と連結部８とにより駆動される中空軸（図１参照）７が包含されている。
【００１７】
図３は、図１による装置を図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線により断面した、セグメントディスク、及び流れ方向で見てこのセグメントディスクに後置された制御ディスクの横断面図である。
【００１８】
分配されていないガス流１が、供給区分２を通過し、この供給区分２から拡散区分３内へ進入する。供給区分２と拡散区分３とは、通路壁１８により限定されている。分配されていないガス流１の流れ方向で見て、拡散区分３は、定置されて収容されたセグメントディスク２０により限定される。このセグメントディスク２０の周面は、第１のフランジ４により支承されている。この第１のフランジ４及び第２のフランジ５は、これらのフランジ４，５の周に分配して配置された複数のフランジねじ１５を介して互いに結合されている。この場合に、それぞれのフランジねじ１５には１つのスプリングワッシャ１４が対応配置されていてよい。第１のフランジ４と第２のフランジ５との間の突合わせ部には、シールリング１９，２１が設けられており、これにより、前記第１のフランジ４と第２のフランジ５との間のフランジ結合部は外側方向へシールされる。第１のフランジ４にはセグメントディスク２０が固定されている。このセグメントディスク２０は、さらに支持ロッド２６を有している。この支持ロッド２６は、拡散区分３の対称軸線４２に対して同軸的に延びている。支持ロッド２６では支持部２４が支持されている。この支持部２４は、第１のロッド２３の脚部と第２のロッド２５の脚部とを収容するために働く。さらにこれらの第１のロッド２３及び第２のロッド２３は、第１のフランジ４の、拡散区分３に向けられた側で収容されている。このような補強部２２により、第１のフランジ４におけるセグメントディスク２０の支承が安定化される。有利には、セグメントディスク２０に設けられた支持ロッド２６の固定部は押圧部材２７の内部に位置している。この押圧部材２７は、拡散区分３に向いていない方の側で、中空軸７，３２の円錐尖端部を収容するための点支持部３１を有している。前記中空軸７，３２は、図３による図面では、添加剤、例えば気化された燃料４１のための配量装置として働く。
【００１９】
第１のフランジ４に固定されたセグメントディスク２０は、有利には薄板部材の形で形成されており、このセグメントディスク２０に形成された押圧部材２７を除いては、流れ横断面を通ってほぼ鉛直方向に延在している。前記流れ横断面は、分離エレメント６（図３による図面には示さない）により、第１の流れ領域１６と第２の流れ領域１７とに分割されている。分配されていないガス流１の流れ方向で見て、わずかな軸線方向の間隔をおいて、セグメントディスク２０の後方には、中空軸７,３２内で支持された制御ディスク２８が配置されている。セグメントディスク２０と制御ディスク２８との間にはギャップ４５が位置している。制御ディスク２８は、例えば深絞り加工された薄板部材の形で構成することができる。この薄板部材は、制御ディスク収容部３９（セグメントディスク２０の点支持部３１）で収容されている。制御ディスク２８は、一方ではこの制御ディスク２８の内面で支持されており、他方ではスリーブ３５の、制御ディスク収容部３９に向いていない方の端面で支持されているばねエレメント３８により、セグメントディスク２０に対してプレロード（予荷重）をかけられている。半径方向の補強のためには、セグメントディスク２０は溝３０を有しているか、又は半径方向リブ２９を有している。これらの溝３０又は半径方向リブ２９は、セグメントディスク２０に対して相対的に可動な制御ディスク２８の補強をもたらす。この制御ディスク２８は、供給区分２若しくは拡散区分３の貫流時にたわみ負荷にさらされている。さらに制御ディスク２８の周面４０に環状の縁折曲げ部を設け、これにより、この構成部分を付加的に補強することができる。
【００２０】
図３による図面では、配量装置が中空軸７，３２により形成される。これらの中空軸７，３２は、一方では制御ディスク収容部３９を有しており、この制御ディスク収容部３９には、セグメントディスク２０に対して相対的に可動な制御ディスク２８が固定されている。中空軸３２（この中空軸３２の壁には符号３３を付す）は、スリーブ３５に対して相対的に回動可能である。このスリーブ３５は、分離エレメント（図３に図示しない）６で支承されている。この分離エレメント６は、流れ横断面を第１の流れ領域１６と第２の流れ領域１７とに分割する。中空軸７，３２は、連結部８（図１に概略的に示す）とステッピングモータ（図１に概略的に示す）とにより回動せしめられる。中空軸７，３２の壁（符号３３参照）が調量開口３４を有している。中空軸７，３２を取り囲む、定置された配置されたスリーブ３５は、第１の流れ領域１６に向けられた第１の調量開口３６、並びにこの第１の調量開口３６の向かい側に配置された、第２の流れ領域１７に向けられた調量開口３７を有している。中空軸７，３２の中空軸壁３３に設けられた調量開口３４の位置に応じて、開口３４若しくは３７及び開口３４若しくは３６のオーバラップ部を介して、添加剤、例えば気化された燃料４１を第１の流れ領域１６又は第２の流れ領域１７内へ導入することができる。これにより、全流１の、第１の流れ領域１６を通過する部分流（図１の符号１０参照）に添加剤を装入することができる。すなわち、中空軸７，３２の対応した回動時に調量開口３４と第２の調量開口３７とがオーバラップした場合には、第２の流れ横断面１７のスリーブ内を通過する部分流２（図１による符号１１参照）に添加剤を負荷することができる。
【００２１】
定置されて配置されたセグメントディスク２０と、これに対して相対的に中空軸７，３２に配置された制御ディスク２８との間の軸線方向ギャップ４５を減じるためには、制御ディスク２８はばねエレメント３８により負荷されている。このばねエレメント３８は、分離エレメント６内に不動に取り付けられたスリーブ３５の端面で支持されている。中空軸７，３２は、ガス流４１、例えば気化された燃料により貫流される。この燃料は、開口３４，３６若しくは３４，３７のオーバラップに対応して、側方でスリーブ３５から流れ領域１６又は１７内へ流出する。中空軸７，３２の対称軸線は、拡散区分３若しくは供給区分２の対称軸線４２と同軸的に延びている。摩擦を阻止し、中空軸７，３２のスリーブ３５の相対運動のために必要な、ステッピングモータ９により加えられる駆動出力を低減するためには、中空軸７，３２の、押圧部材２７に向けられた側に円錐領域４３が形成されている。この円錐領域４３の円錐尖端部は、押圧部材２７の点支持部３１である。このような装置により、一方では、定置されて配置されたセグメントディスク２０に対する制御ディスク２８の相対運動時の摩擦低減が可能であり、他方では、選択された装置により、不動に収容されたセグメントディスク２０と制御ディスク２８との間の製造公差若しくは取付け公差を補償することができる。制御ディスク２８がセグメントディスク２０に対して相対的に回動可能である回転軸線には符号４４が付されており、中空軸７，３２の対称軸線４２及び拡散区分３若しくは供給区分２の対称軸線４２と一致している。
【００２２】
図４は、提案された手段による第１の実施態様のセグメントディスク及び制御ディスクの第１の切換位置を示している。
【００２３】
図４に示した平面図では、制御ディスク２８（この制御ディスク２８のディスク面には符号５６を付す）はセグメントディスク２０（このセグメントディスク２０のディスク面には符号５５を付す）の下方に位置している。セグメントディスク２８及び制御ディスク２８の第１の実施態様によれば、セグメントディスク２０は周方向で見て規則的に互いに隣接して配置された開口を有している。これらの開口は、第１の開口ジオメトリ５０で形成されている。図４に示した第１の実施態様では、セグメントディスク２０のディスク面５５に、互いに隣接して位置する第１及び第２の半径方向ギャップ５１若しくは５２が形成されている。セグメントディスク２０が第１のフランジ４に不動に支承されているのに対して、制御ディスク２８は回転軸線４４を中心として、前記セグメントディスク２０に対して相対的に可動である。
【００２４】
図４による図平面に対して垂直に、例えば壁の形で構成可能な分離エレメント６が延びている。この分離エレメント６は、セグメントディスク２０のディスク面５５に対応した流れ横断面を第１の流れ領域１６と第２の流れ領域１７とに分離する。
【００２５】
第１の流れ領域１６の内部では、セグメントディスク２０のディスク面５５の第１の半径方向ギャップ５１が、制御ディスク２８のディスク面５６の面領域により閉じられている（図４の符号５４参照）。これに対して、セグメントディスク２０のディスク面５５の第２の半径方向ギャップ５２が開かれている（図４による第１の流れ領域１６の位置５３参照）。このことは、分配されていないガス流１（図３による図参照）のわずかな部分流のみが、第１の流れ領域１６を、開かれた状態５３にある第２の半径方向ギャップ５２を介して貫流することを意味する。
【００２６】
これに対して、第１の半径方向ギャップ５１は第２の流れ領域１７の内部では開かれている。すなわち、第２の流れ領域１７では、第２の半径方向ギャップ５２が、制御ディスク２８のディスク面５６の対応した領域により再び閉じられている。この状態では、第２の流れ領域１７を貫流する部分流１１は、第１の流れ領域１６を貫流する部分流１０よりも著しく大きい。第１の流れ領域１６若しくは第２の流れ領域１７を貫流するガス流１若しくは１１の分離は、図平面に対して垂直な、例えば分離壁として構成可能なエレメント６により得られる。それぞれセグメントディスク２０のディスク面５６に構成された第１の半径方向ギャップ５１及び５２の正確なオーバラップを補償するためには、これらの第１の半径方向ギャップ５１及び５２は、同様にセグメントディスク２０に対して相対的に可動な制御ディスク２８のディスク面５６に形成されている。セグメントディスク２０若しくは制御ディスク２８が薄板部材、例えば深絞り加工された、又は押抜き加工法の形で形成された構成部材として形成されている場合には、図３に示した半径方向リブ２９は、半径方向ギャップ５１若しくは５２の形成時に、制御ディスク２８のディスク面５６に形成することができる。図４に示した、セグメントディスク２０のディスク面５５に設けられた第１又は第２の半径方向ギャップ５１及び５２の開かれた横断面５３若しくは閉じられた横断面５４は、回転軸線４４を中心としてセグメントディスク２０に対して相対的に可動な制御ディスク２８の第１の切換位置５７で得られる。第１の切換位置５７では、したがって第２の流れ領域１７では第１の流れ領域１６よりも高い部分流が調節される。
【００２７】
図５は、第１の実施態様によるセグメントディスク及び制御ディスクの第２の切換位置を示している。
【００２８】
符号５８により示した第２の切換位置では、不動に配置されたセグメントディスク２０と、このセグメントディスク２０に対して相対的に可動な制御ディスク２８との間には、図４に比較して比率が逆になっている。図４及び図５による図面では、第１の開口ジオメトリ５０のセグメントディスク２０若しくは制御ディスク２８の破断部は、第１及び第２の半径方向ギャップ５１若しくは５２として形成されており、第２の切換位置５８では、第２の流れ領域１７の領域に位置する第１の半径方向ギャップ５１は、制御ディスク２８のディスク面５６により閉じられており、第２の半径方向ギャップ５２は、制御ディスク２８のディスク面５６により解放されている。したがって、第２の流れ領域１７では、第２の半径方向ギャップ５２は開放位置５３にあり、かつセグメントディスク２０のディスク面５５に設けられた第２の半径方向ギャップ５１は閉じられた状態５４にある。
【００２９】
図５よる図平面に対して垂直に延びる分離エレメント６により第２の流れ領域１７から分離されている第１の流れ領域１６では、第２の半径方向ギャップ５２は制御ディスク２８のディスク面５６により閉じられている。これに対して、第１の半径方向ギャップ５１は、制御ディスク２８のディスク面５６に、セグメントディスク２０のディスク面５５に設けられた第１の半径方向ギャップ５１に対応して形成された第１の半径方向ギャップ５１により開放されている。
【００３０】
図５の図面による第２の切換位置５８では、部分流は第１の流れ領域１６を、開放された状態５３にある第１の半径方向ギャップ５１を通って通過し、かつ図５による第２の切換位置５８にある第２の流れ領域１７では、第２の半径方向ギャップ５２のみが開放された状態５３にあり、第２の流れ領域１７に位置する第１の半径方向ギャップ５１は、制御ディスク２８のディスク面５６により閉じられている（図５による符号５４参照）。
【００３１】
有利な形式では、制御ディスク２８を第１の切換位置５７から第２の切換位置５８へ移行するためには、最小の切換距離のみが必要であり、このことは、切換のために必要な所用時間を著しく短縮する。それぞれに絞られた若しくは解放された第１及び第２の流れ領域１６，１７を通って、回転軸線４４を中心とした制御ディスク２８の切換位置５７若しくは５８に応じて、選択された第１の開口ジオメトリ５０に基づき約９０％若しくは１０％の部分流が流出通路１２若しくは１３内へ流れ込むことができる。制御ディスク２８、及び図４及び図５ではセグメントディスク２０及び制御ディスク２８により覆い隠されている、後置された配量装置により、添加剤４１、例えば気化された燃料が流れ領域１６，１７内へ送入される。
【００３２】
図６は、第２の実施態様によるセグメントディスク及び制御ディスクの第１の切換位置を示している。
【００３３】
図６では、セグメントディスク２０及び制御ディスク２８の第１の切換位置が符号６８により示されている。セグメントディスク２０若しくは制御ディスク２８の図６に示した実施態様では、これらのセグメントディスク２０若しくは制御ディスク２８に設けられた破断部は、第２の開口ジオメトリ６０で形成されている。この第２の開口ジオメトリ６０によればスリット開口６０又は台形開口６７の形で形成された、セグメントディスク２０のディスク面５５若しくは制御ディスク２８のディスク面５６に設けられた破断部は、回転軸線４４に対して同心的に配置された複数の円６１，６２及び６３上に位置している。
【００３４】
第１のフランジ４に不動に収容されたセグメントディスク２０は、第１のリング６１を有している。この第１のリング６１には、周方向で見て、交互に台形開口６７とスリット開口６６とが順次に続いている。第１のリング６１により第２のリング６２は取り囲まれている。この第２のリングには、同様にセグメントディスク２０の周方向で見て、それぞれスリット開口６６が台形開口６７に続いている。第１のリング６１及び第２のリング６２は第３のリング６３を取り囲んでいる。この第３のリング６３は、第１のリング６１及び第２のリング６２に類似に、スリット状の開口６６と台形状に構成された開口６７との順序を周方向に有している。
【００３５】
図６による図面では、第１の流れ領域１６の内部では、第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３に位置する台形の開口６７は開放されている。すなわち、制御ディスク２８のディスク面５６に設けられた対応した台形の開口６７は、セグメントディスク２０のディスク面５５の台形の開口６７と揃っている。これに対して、第１の流れ領域１６の内部では、第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３に位置するスリット状の開口６６は、制御ディスク２８のディスク面５６の領域により閉じられている。台形の開口６７の開放された状態は符号６４により示唆されており、第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３に設けられたスリット状の開口６６の閉じられた状態は符号６５により示されている。
【００３６】
これに対して、図６によれば、第２の流れ領域１７では、スリット状の開口６６は第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３で開放位置６４に位置しており、かつ第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３に配置された台形の開口６７は、第２の流れ領域１７では全て閉じられた状態６５にある。この状態に基づき、第１の流れ領域１７を通過する、分配されていないガス流１の部分流は、第１の流れ領域１６を通過する部分流よりも著しくわずかである。回転軸線４４若しくは点支持部３１を中心として相対的に可動な制御ディスク２８は、図６による第１の切換位置６８を取る。
【００３７】
図７は、第２の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第２の切換位置を示している。
【００３８】
図７による図面では、回転軸線４４若しくは点支持部３１を中心として可動な制御ディスク２８の第２の切換位置が符号６９により示されている。この第２の切換位置６９では、部分流比率は、図６に示した第１の切換位置６８に対して正反対である。
【００３９】
第１の流れ領域１６では、第１のリング６１、第２のリング６２及び第３のリング６３上で交互に連続する台形開口６７は、制御ディスク２８のディスク面５６により閉じられおり、かつスリット状に形成された開口６６は、第１の流れ領域１６の内部では制御ディスク２８のディスク面５６により全て開放位置６４を取る。これに対して、分離エレメント６により第１の流れ領域１６から分離された別の流れ領域１７では、セグメントディスク２０のディスク面５５の第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３に沿って配置された台形の開口６７は全て開放位置６４に位置している。これに対して、セグメントディスク２０のディスク面５５に形成された、スリット状に構成された開口６６は、全て中空軸７，３２の回転軸線４４若しくは点支持部３１を中心として可動な制御ディスク２８のディスク面５６の対応した領域により閉じられている。
【００４０】
したがって、図７の図面によれば第２の切換位置６９では、分配されていないガス流１のわずかな部分流（図１及び図３による説明参照）が、第１の流れ領域を、第１のリング６１、第２のリング６２及び第３のリング６３上に設けられた開放されているスリット状の開口６６を介してのみ通過する。第２の流れ領域１７の内部では、分配されていないガス流１のより大きい部分流（図１及び図３による説明参照）が、第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３上に設けられた、開放位置６４に位置する台形の開口６７を介して流れる。
【００４１】
回転軸線４４若しくは点支持部３１を中心とした制御ディスク２８の回転に対応して、中空軸７，３２の回動が得られるので、気化された燃料４１が、図４による第１の切換位置５７では第１の流れ領域１６内へ流れ込み、図５による第２の切換位置５８では第２の流れ領域１７内へ洗流せしめられ、図６に示した第１の切換位置６８では、第２の流れ領域１７内へ洗流せしめられ、図７に示した第２の切換位置６９では第１の流れ領域１６内に到達することが保証されている。
【００４２】
分配されていないガス流１のそれぞれより小さい部分流が、中空軸７，３２の形で構成された調量装置を通って洗流された、気化された燃料４１を、それぞれ第１の流出通路１２若しくは第２の流出通路１３に後置された排ガス触媒へ搬送する。分配されていないガス流１のよりわずかな部分流内へは、有利にはわずかな気化された燃料４１が調量されなければならず、これにより、例えばλ＝１の望ましい空気量が得られる。より小さい部分流は、気化された燃料４１を触媒へ搬送するための担体として働く。
【００４３】
図８による図面は、図５の第１の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第２の切換位置並びに調節された部分流を示している。
【００４４】
図８による拡大された寸法で示した図面につき、セグメントディスク２０及びこのセグメントディスク２０の後方に可動に配置された制御ディスク２８が明らかである。この第２の切換位置５８では、第１の半径方向ギャップ５１はそれぞれ開放位置５３に位置しており、かつ第１の流れ領域１６の内部に位置する第２の半径方向ギャップ５２は、全て第１の流れ領域１６に設けられた制御ディスク２８のディスク面５６により閉じられている。
【００４５】
図８によるセグメントディスク２０の第１の開口ジオメトリ５０により第２の半径方向ギャップ５１の形で形成された開口は、第１の幅８０並びに第２の幅８１を有している。第１の幅８０は第２の幅８１を上回る。第２の幅８１を起点として、第１の半径方向ギャップ５１は半径方向にギャップ長さ８２を介して延びており、かつ第１の半径方向ギャップ５１の幅は、第２の幅８１から半径方向に第１の幅８０まで連続的に増大している。
【００４６】
これに対して、第２の半径方向ギャップ５２は著しくよりわずかな第３の幅８３を有している。この第３の幅８３も、セグメントディスク２０のディスク面５５で見て第２の半径方向ギャップ５２のギャップ長さ８２にわたって半径方向に増大している。
【００４７】
制御ディスク２８の第２の切換位置５８では、セグメントディスク２０に対して相対的に、図８による図平面に対して垂直方向に延びる隔壁６により第２の流れ領域１７から分離された第１の流れ領域１６を、部分流１０が通過する。この部分流１０は、図１及び図３の説明による供給区分２若しくはこの供給区分２に後置された拡散区分３を通過する分配されていないガス流１の約９０％に相当する。
【００４８】
第２の流れ領域１７の内部では、図８に示した、セグメントディスク２０及び制御ディスク２８の第２の切換位置５８では、セグメントディスク２０のディスク面５５に設けられた第２の半径方向ギャップ５２のみが開放位置５３に位置しており、かつ第１の半径方向ギャップ５１は、全て閉じられた位置５４を取っている。図８に示した第２の切換位置５８では、第２の流れ領域１７を部分流９３が通過する。この部分流９３は、図１及び図３の図面による供給区分並びに拡散区分３を通過する分配されていないガス流１の約１０％に相当する。
【００４９】
図８に示した第２の切換位置５８から第１の切換位置５７への、かつ第１の切換位置５７から第２の切換位置への、回転軸線４４若しくは点支持部３１を中心とした制御ディスク２８の切換は、第１の調節距離８４に沿って行われる。この調節距離は極めて短く、これにより、第１の切換位置５７から第２の切換位置５８への切換時及び第２の切換位置５８から第１の切換位置５７への切換時には極めて短い切換時間を達成することができる。この切換時間は、流れ領域１６及び１７を通過する部分流の変化への素早い反応を可能にする。回転軸線４４若しくは点支持部３１を中心として回動可能な制御ディスク２８の切換と同時に、添加剤（例えば気化された燃料）の導入部の、それぞれ、部分流のより小さい方、すなわち、符号９３により示した部分流により貫流される流れ領域１６，１７への切換が行われる。前記部分流は、図１及び図３の説明による供給区分２及び拡散区分３による分配されていないガス流１の約１０％に相当する。
【００５０】
図９に拡大した寸法で示した、セグメントディスク２０及び制御ディスク２８の第２の切換位置６８では、第１の流れ領域１６の内部の台形の開口６７は開放位置６４に進入している。この開口位置６４は、制御ディスク２８のディスク面５６に設けられた台形に構成された開口６７と揃っている。それぞれ第１のリング６１、第２のリング６２及び第３のリング６３に配置された、スリット状の開口６６は、第１の流れ領域１６の内部では、制御ディスク２８のディスク面５６の領域により閉じられている。第１のリング６１、第２のリング６２及び第３のリング６３上には、台形の開口６７がスリット状の開口６６に交互の順序で続く。
【００５１】
セグメントディスク２０のディスク面５５に設けられたスリット状の開口６６の長さは、図９に符号８６により示されており、第１のリング６１上に形成された、２つの台形開口６７の間のスリット状の開口６６の長さを示している。前記台形開口６７は同様に第１のリング６１上に配置されている。これに対して、第１のリング６１に対して同心的に形成された、セグメントディスク２０のディスク面５５に設けられた第２のリング６２上に位置しているスリット状の開口６６は、ディスク面５５の周方向で見て、幾らかよりわずかな第２のスリット長さ８７を有している。第３のリング６３上に設けられた２つの台形の開口６７の間に位置するスリット状の開口６６は、図９による図面の符号９１により特定されている周方向の長さを有している。互いに同心的なリング６１，６２，６３上に設けられた台形の開口６７の配置に基づき、セグメントディスク２０のディスク面５５及びこのディスク面５５と協働する、制御ディスク２８のディスク面５６において種々異なった台形ジオメトリ８８，８９，９０が調節される。第１のリング６１上に配置された台形の開口６７は、周方向で見て、セグメントディスク２０のディスク面５６に設けられた、第１のリング６１に対して同心的に延びる第２のリング６２上に形成された台形の開口６７に比べて、より大きい長さ８８にわたって延びている。セグメントディスク２０のディスク面５５に設けられた第１のリング６１及びこの第１のリング６１に対して同心的に延びる第２のリング６２に設けられた台形の開口６７の縁部の間隔は、一定不変に保たれているが、しかしながら、第２のリング６２上にスリット状の開口６６と交互にセグメントディスク２０のディスク面５５に形成された台形の開口６７は、周方向で見て、セグメントディスク２０の第１のリング６１に位置する台形の開口６７よりも短い。最後に、第３のリング６３上にスリット状の開口６６と交互に配置された台形の開口６７は、再び周方向で見て、セグメントディスク２０のディスク面５５に設けられた第２のリング６２上にスリット状の開口６６と交互に形成された台形の開口６７よりも短い。図９に明確に示してはいないが、このことは、台形状に形成された開口６７であれ、スリット状に形成された開口６６であれ、制御ディスク２８のディスク面５６に形成された開口についてもいえる。
【００５２】
図９の図面による第１の流れ領域１６の内部では、第１のリング６１、第２のリング６２及び第３のリング６３上に設けられた台形の開口６７は全て開放位置６４を取っているので、第１の流れ領域１６の内部では、図１及び図３の図面による供給区分２と拡散区分３とを通過する、分配されていないガス流１の部分流９２が調節される。これに対して、第１のリング６１、第２のリング６２並びに第３のリング６３上にスリット状に構成された開口６６は、図９に再現された、セグメントディスク２０に対して相対的な、制御ディスク２８のディスク面５６の回転位置では閉じられている。第１の流れ領域１６は、図９による図平面に対して垂直に延びた分離エレメント６（最も単純な場合には分離壁）により第１の流れ領域１７から分離されている。第２の流れ領域１７の内部では、不動に配置されたセグメントディスク２０に対して相対的な、制御ディスク２８の切換位置に対応して、供給区分２と拡散区分３とを通過する分配されていないガス流１の約１０％の減じられた部分流９３が調節される（図１及び図３による図面参照）。
【００５３】
第２の流れ領域１７の内部では、同心的なリング６１，６２及び６３上に、台形の開口６７と交互に形成されたスリット状の開口６６のみが開放位置６４に位置している。しかしながら、セグメントディスク２０のディスク面５６に設けられた同心的なリング６１，６２及び６３上に台形状に構成された開口６７は、制御ディスク２８のディスク面５６の領域により閉じられている。この領域に基づき、第２の流れ領域１７の内部では、分配されていないガス流１の部分流９３が調節される。この部分流９３は、分配されていないガス流１の約１０％に相当する。回転軸線４４若しくは点支持部３１を中心として回動可能な制御ディスク２８は、図９による二重矢印により示唆されているように、時計回りにも反時計回りにも回転することができる。図９の図面によれば、制御ディスク２８を第１の切換位置６８から第２の切換位置６９へ切り換えるためには、第２の調節距離８５が必要である。この調節距離８５は、この場合には１８０°である。
【００５４】
点支持部３１（図３による図面参照）を中心とした、制御ディスク２８の回転運動と、中空軸７，３２の回転運動との連結に基づき、添加剤、例えば気化された燃料流４１の、第２の流れ領域１７への洗流が、制御ディスク２８の下流側で得られることが保証されている。第２の流れ領域１７内へ洗流された添加剤は、分配されていないガス流１の約１０％に相当する部分流９３により、第１の流出通路１２（図１による説明参照）へ送入され、これにより、第１の流出通路１２に後置された排ガス触媒に引き渡すことができる。これに対して平行して、供給区分２若しくは拡散区分３内の分配されていないガス流１の約９０％に相当するより大きい部分流９２の、第２の流出通路１３への送入が行われる。この流出通路１３は、図９に示した第１の流れ領域１６に後置されている。
【００５５】
図９による台形の開口６７とスリット状の開口６６との配置の利点は、切換位置６８でスリット状の開口６６を通って、流れ領域１７に進入するより小さい部分流９３が、流れ領域１７の横断面にわたって一様に分配されることである。これにより、調量された添加剤、すなわち、例えば気化された燃料４１が、より良好に部分流に取り込まれる。
【００５６】
図１０による図面は、提案された手段の図７に示した第２の実施態様によるセグメントディスク及び制御ディスクが見られる。
【００５７】
この図面では、制御ディスク２８が回転軸線４４若しくは点支持部３１（図３による図面参照）は第１の切換位置６８に調節されている。この第１の切換位置６８では、部分流分配比は、図９の図面による部分流分配比とは正反対である。第１の流れ領域１６の内部では、台形の開口６７と交互に、同心的なリング６１，６２，６３上に配置された、種々異なった開口ジオメトリ８６，８７，９１のスリット状の開口６６が開放位置６４に調節されており、かつ同心的なリング６１，６２，６３上に配置された、種々異なった開口ジオメトリ８８，８９，９１台形の開口６７は、第１の流れ領域１６の内部では、制御ディスク２８のディスク面５６により全て閉じられている。それ故、第１の流れ領域１６の内部では、減じられた部分流９３が調節されている。この部分流９３は、第２の流れ領域１７を通過する部分流９２に比べて絞られた状態に対応している。開放位置６４に位置する台形の開口６７を介して第２の流れ領域１７を通過する部分流は、図１及び図３の図面による拡散区分３の横断面全体の内部の、セグメントディスク２０及び制御ディスク２８の通過前の分配されていないガス流１の約９０％に相当する。
【００５８】
図１０による図平面に対して垂直に延びる隔壁６により第１の流れ領域１６から分離された第２の流れ領域１７の内部では、同心的なリング６１，６２，６３上に設けられた、種々異なった台形ジオメトリ８８，８９及び９０の台形の開口６７の間に位置するスリット状の開口６６が、制御ディスク２８のディスク面５６の領域により閉じられている。図１０に示した切換位置では、制御ディスク２８と、配量装置として働く中空軸７，３２（図３による説明参照）の回転運動の連結に基づき、第１の流れ領域１６への添加剤４１の洗流が行われる。この流れ領域１６はより小さい部分流９３により通過される。この部分流９３は、分配されていないガス流１（図１及び図３による図面参照）の約１０％に相当する。
【００５９】
図８、図９及び図１０に図示した切換位置５８，５９若しくは６９では、流れ領域１６，１７のそれぞれ一方が絞られた状態を取り、かつ流れ横断面１６，１７のそれぞれ他方が、分配されていないガス流１の約９０％の通過を可能にする。流れ横断面に定置されて配置されたセグメントディスク２０の本発明により提案された装置、及びこの装置の後方の下流側に位置する、前記セグメントディスク２０に対して相対的に可動な制御ディスク２８により、排ガス触媒の一様な流れが保証されており、この場合に、添加剤、例えば気化された燃料４１の洗流は、流れ領域１６，１７のうち、より小さい部分流、すなわち、供給区分２若しくは拡散区分３内の分配されていないガス流１の約１０％に相当する部分流９３により通過される方の流れ領域１６，１７において常に保証されている。
【００６０】
本発明の図示しない１構成では、セグメントディスク２０が（例えば第１の半径方向ギャップ５１又は台形の開口に対応して）１種類の開口のみを有している。これらの開口は、所定の切換位置では、セグメントディスク２０の一方の半部では完全に開かれており、かつ制御ディスク２８の別の半部では完全にカバーされており、別の切換位置ではこの反対になっている。この場合に、開口のカバーにもかかわらず、わずかな部分流が、ギャップ４５（図３参照）の幅の対応した選択によりこの流れ領域に生じる。この場合、前記ギャップ４５を介して、わずかな部分流が制御ディスク２８を通過して流れることができる。この構成では、有利には制御ディスク２８はセグメントディスク２０に対して相対的に軸線方向に運動することができ、したがってギャップ４５の幅を変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明により提案された、ガス流を分配するための装置を示す平面図である。
【図２】図１の装置の一部の、解放されたフランジ結合部を示す横断面図である。
【図３】図２による装置のセグメントディスク及び制御ディスクを示す横断面図である。
【図４】第１の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第１の切換位置を示す横断面図である。
【図５】第１の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第２の切換位置を示す横断面図である。
【図６】第２の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第１の切換位置を示す横断面図である。
【図７】第２の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第２の切換位置を示す横断面図である。
【図８】第１の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第２の切換位置、及びこの切換位置に調節された、ガス流の部分流への分配比率を示す横断面図である。
【図９】第２の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第１の切換位置、及びこの切換位置に調節された部分流を示す横断面図である。
【図１０】第２の構成によるセグメントディスク及び制御ディスクの第２の切換位置、及びこの切換位置で調節された、部分流の比率を示す横断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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