(57)【要約】高アスペクト比の特徴部を備えた基板上に層を形成する方法が開示される。層は、１以上の処理ガスと１以上のエッチング種から形成される。１以上の処理ガスは反応し、基板上に材料層を堆積する。材料層の堆積に関係して、エッチング種は、高アスペクト比の特徴部の開口付近で、選択的に堆積された材料層を除去し、空洞が無く、更に／又は、合わせ目が無い方式で、そのような特徴部を充填する。材料層は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）及び／又は化学気相堆積（ＣＶＤ）技術を用いて、基板上に堆積されてもよい。
2005505925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜堆積法において：
高アスペクト比の特徴部を持つ基板を堆積用チャンバ内に位置決めするステップと；
前記堆積用チャンバ内にガス混合物を提供するステップであって、前記ガス混合物は、一以上の処理ガスと一以上のエッチング種を備える、前記ステップと；
前記基板上に材料層を堆積するステップであって、前記ガス混合物内の前記エッチング種は、前記高アスペクト比の特徴部付近に堆積された材料層の一部を選択的に除去する、前記ステップと；
を備える、前記方法。
【請求項２】
前記高アスペクト比の特徴部における高さと幅の比は、約４：１より大きい、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記エッチング種は、一以上のオリフィスを通して前記チャンバに提供されるが、前記オリフィスは、そのようなエッチング種をコリメート方式で前記基板の方に向ける能力を有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記オリフィスから第１圧力の上方流と前記オリフィスから第２圧力の下方流とを備える、オリフィスを横切る圧力勾配が存在する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記第１圧力は、前記第２圧力より大きい、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記一以上のオリフィスは、前記基板に対して移動可能である、請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記一以上のエッチング用オリフィスは、約５Ｈｚより大きい周波数で前記基板に対して移動可能である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記堆積用チャンバは、化学気相堆積（ＣＶＤ）用チャンバまたは物理気相堆積（ＰＶＤ）用チャンバである、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記材料層は、金属、金属窒化物及び酸化物から成る群から選択された材料で形成される、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
相互接続構造体を形成する方法において：
高アスペクト比の特徴部を持つ基板を堆積用チャンバ内に位置決めするステップと；
前記堆積用チャンバ内に第１ガス混合物を提供するステップであって、前記第１ガス混合物は、一以上の第１処理ガスと一以上の第１エッチング種とを備える、前記ステップと；
前記基板上にバリア層を堆積するステップであって、前記第１ガス混合物内の前記第１エッチング種は、前記高アスペクト比の特徴部付近に堆積されたバリア層の一部を選択的に除去する、前記ステップと；
を備える、前記方法。
【請求項１１】
前記堆積用チャンバに第２ガス混合物を提供するステップであって、前記第２ガス混合物は、一以上の第２処理ガスと一以上の第２エッチング種とを備える、前記ステップと；
前記バリア層上に金属層を堆積するステップであって、前記第２ガス混合物内の前記第２エッチング種は、前記高アスペクト比の特徴部付近に堆積された金属層の一部を選択的に除去する、前記ステップと；
を更に備える、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記高アスペクト比の特徴部における高さと幅の比は、約４：１より大きい、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記第１エッチング種と前記第２エッチング種は、一以上のオリフィスを通して前記チャンバに提供されるが、前記オリフィスは、そのようなエッチング種をコリメート方式で前記基板の方に向ける能力を有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記オリフィスから第１圧力の上方流と前記オリフィスから第２圧力の下方流とを備える、オリフィスを横切る圧力勾配が存在する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記第１圧力は、前記第２圧力より大きい、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記堆積用チャンバは、化学気相堆積（ＣＶＤ）用チャンバまたは物理気相堆積（ＰＶＤ）用チャンバである、請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
前記バリア層は、金属と、金属窒化物とから成る群から選択された材料で形成される、請求項１０記載の方法。
【請求項１８】
トレンチ構造体を形成する方法において：
高アスペクト比の特徴部を持つ基板を堆積用チャンバ内に位置決めするステップと；
前記堆積用チャンバ内にガス混合物を提供するステップであって、前記ガス混合物は、一以上の処理ガスと一以上のエッチング種とを備える、前記ステップと；
前記基板上に酸化物層を堆積するステップであって、前記ガス混合物内の前記エッチング種は、前記高アスペクト比の特徴部付近に堆積された材料層の一部を選択的に除去する、前記ステップと；
を備える、前記方法。
【請求項１９】
前記高アスペクト比の特徴部における高さと幅の比は、約４：１より大きい、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記エッチング種は、一以上のオリフィスを通して前記チャンバに提供されるが、前記オリフィスは、そのようなエッチング種をコリメート方式で前記基板の方に向ける能力を有する、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記オリフィスから第１圧力の上方流と前記オリフィスから第２圧力の下方流とを備える、オリフィスを横切る圧力勾配が存在する、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記第１圧力は、前記第２圧力より大きい、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記堆積用チャンバは、化学気相堆積（ＣＶＤ）用チャンバである、請求項１８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【開示内容の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明は、材料層の堆積法、より具体的には、集積回路製造の為に材料層を堆積する方法に関する。
【０００２】
背景技術の説明
[0002]０．５ミクロン未満の、より小さな特徴部を信頼性良く生産することは、次世代の超大規模（ＶＬＳＩ）集積回路および超々大規模（ＵＬＳＩ）集積回路にとって重要な技術の一つである。特に、回路技術の周辺は、迫られているので、ＶＬＳＩやＵＬＳＩ技術における相互接続特徴部の縮小寸法は、処理能力における追加要求を設定した。例えば、複数レベルの相互接続特徴部は、バイア、ライン、コンタクトのような高アスペクト比（例えば、特徴部の高さと特徴部の幅との比）構造物の慎重な処理を必要とする。これらの特徴部の信頼できる形成は、集積回路の品質や高集積密度に対して持続された努力にとって非常に重要である。
【０００３】
[0003]回路密度が高くなると、バイア、ライン、コンタクトの幅がサブミクロン寸法（例えば、０．２５ミクロン未満）まで減少するが、そのような構造体間の誘電材層の厚さは、通常、実質的に一定になっているので、そのような特徴部に対するアスペクト比は増加する。多くの伝統的な堆積処理は、アスペクト比が４：１、特にアスペクト比が１０：１を越えると、サブミクロン構造体を充填するのは困難になる。
【０００４】
[0004]図１Ａ−図１Ｂは、基板１上の高アスペクト比の特徴部６内に材料層を堆積し得る結果を例示する。高アスペクト比の特徴部６は、隣接した特徴部２の間に形成された隙間、コンタクト部、バイア、又は層２内に画成されたトレンチのような開口である。図１Ａに示されるように、従来の堆積技術を用いて堆積される材料層１１は、その底部６Ｂや側部６Ｓより高速度で特徴部６の上縁６Ｔ上に堆積され、突出部を作る。突出部または材料の過剰な堆積は、時々、クラウニングと呼ばれる。このような過剰な材料は、堆積された材料１１により開口が閉鎖され内部に空洞が形成されるまで、特徴部６の上縁６Ｔ上に堆積され続ける。さらに、図１Ｂに示されるように、開口６の両側に堆積された材料層１１が合流するとき、合わせ目８が形成可能である。空洞または合わせ目のいずれかかが存在すると、信頼性の良くない集積回路の性能になる可能性がある。
【０００５】
[0005]そのため、基板上に材料層を堆積し、空洞が無く、合わせ目の無い高アスペクト比の開口の充填を提供する方法が必要である。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]高アスペクト比を備えた基板上に層を形成する方法が開示されている。この層は、１以上の処理ガスと、１以上のエッチング種を備えるガス混合物から形成される。１以上の処理ガスは、基板上に材料ガスを堆積するように反応する。材料層の堆積に関連して、エッチング種は、高アスペクト比の特徴部の開口付近に堆積された材料層の一部を選択的に除去し、空洞が無く、更に／又は、合わせ目の無い方法で、そのような特徴部を充填する。材料層は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）および／または化学気相堆積（ＣＶＤ）技術を用いて基板上に堆積可能である。
【０００７】
[0007]材料層の堆積処理は、集積回路製造技術と互換性を持つ。ある集積回路製造技術において、トレンチ隔離の為の絶縁層として使用される酸化物層が堆積可能である。そのような実施形態において、好ましい処理シーケンスは、アクティブな半導体領域間に形成されたトレンチ領域を上部に持たせた基板を提供することを含む。その後、トレンチ領域は、１以上の処理ガスと１以上のエッチング種を備えるガス混合物から形成された酸化物層で充填される。１以上の処理ガスは、反応し、トレンチ領域内に酸化物層を堆積する。酸化物層の堆積に関連して、エッチング種は、高アスペクト比トレンチ開口に隣接した酸化物層の一部を選択的に除去する。
【０００８】
[0008]他の集積回路製造技術において、集積回路相互接続構造体が製造される。そのような実施形態において、好ましい処理シーケンスは、内部に画成されたアパーチャーを備えた１以上の誘電層を上部に持たせたシリコン基板を提供することを含む。そのアパーチャーの基板上に１以上のバリア層を適合させて堆積する。１以上のバリア層は、１以上の処理ガスと１以上のエッチング種を備えるガス混合物から形成される。この１以上の処理ガスは、反応してアパーチャー内にバリア層を堆積する。バリア層の堆積に関連して、エッチング種は、高アスペクト比アパーチャー開口に隣接したバリア層の一部を選択的に除去する。１以上のバリア層が堆積された後、少なくとも一つの金属層が１以上のバリア層上に適合して堆積されるとき、相互接続構造体は完成する。金属層は、１以上の処理ガスと１以上のエッチング種を備えるガス混合物から形成される。１以上の処理ガスは、反応してアパーチャー内に金属層を堆積する。金属層の堆積と関連して、エッチング種は、高アスペクト比開口に隣接した金属層の一部を選択的に除去する。
【０００９】
[0009]本発明の教示は、以下の詳細な説明を添付図面との関連で考慮することにより容易に理解可能である。
【詳細な説明】
【００１０】
[0018]図２は、本願で説明された実施形態による集積回路の金属被膜を実施する為に使用可能なウエハ処理システム３５の概略表示である。ウエハ処理システム３５は、通常、処理用チャンバ３６，３８，４０，４１、脱ガスチャンバ４４，ロードロック用チャンバ４６、移送用チャンバ４８，５０、通過用チャンバ５２，マイクロプロセッサ・コントローラ５４を、電源（図示せず）、真空ポンプ（図示せず）のような他のハードウエア構成要素と共に備える。そのようなウエハ処理システム３５の一例は、カリフォルニア州サンタクララ市のアプライドマテリアルズ社から入手可能なENDURA（登録商標）システムである。
【００１１】
[0019]ウエハ処理システム３５の詳細は、１９９３年２月１６日に発行された”Staged-Vacuum Substrate Processing System and Method”という名称で共通に譲渡された米国特許第５，１８６，７１８号に記載され、本願に参考の為に組み込まれている。ウエハ処理システム３５の顕著な特徴を、以下、簡潔に説明する。
【００１２】
[0020]ウエハ処理システム３５は、２つの移送用チャンバ４８，５０を含み、それぞれが移送用ロボット４９，５１を含む。移送用チャンバ４８，５０は、通過用チャンバ５２により互いに分離されている。
【００１３】
[0021]移送用チャンバ４８は、ロードロック用チャンバ４６、脱ガス用チャンバ４４，予備洗浄用チャンバ４２，通過用チャンバ５２に結合されている。基板（図示せず）は、ロードロック用チャンバ４６を通ってウエハ処理システム３５にロードされる。その後、基板は、それぞれ、脱ガス用チャンバ４４，予備洗浄用チャンバ４２内で脱ガスおよび予備洗浄される。移送用ロボット４９は、脱ガス用チャンバ４４と予備洗浄用チャンバ４２との間で基板を移動させる。
【００１４】
[0022]移送用チャンバ５０は、処理用チャンバ３６，３８，４０，４１のクラスタに結合されている。洗浄された基板は、通過用チャンバ５２を通って、移送用チャンバ４８から移送用チャンバ５０に移送される。その後、移送用ロボット５１は、１以上の処理用チャンバ３６，３８，４０，４１間で基板を移動させる。
【００１５】
[0023]処理用チャンバ３６，３８，４０，４１は、いろいろな集積回路製造シーケンスを実行する為に使用される。例えば、処理用チャンバ３６，３８，４０，４１は、中でもとりわけ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）用チャンバ、イオン化金属プラズマ物理的気相堆積（ＩＭＰ  ＰＶＤ）用チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）用チャンバ、急速加熱処理（ＲＴＰ）用チャンバ、アンチ反射被膜（ＡＲＣ）用チャンバを含んでもよい。
【００１６】
[0024]図３は、ウエハ処理システム３５におけるスパッタリング型物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理用チャンバ３６の概略横断面図を示す。そのようなＰＶＤ処理用チャンバ３６の一例は、カリフォルニア州サンタクララ市のアプライドマテリアルズ社から商業上利用可能なＩＭＰ  ＶＥＣＴＲＡ（登録商標）チャンバである。
【００１７】
[0025]ＰＶＤ用チャンバ３６は、ガス源１０４、ポンプシステム１０６，ターゲット用電源１０８に結合されている。ＰＶＤ用チャンバ３６は、ターゲット１１０、垂直に移動可能なペデスタル１１２上に位置決めされた基板１２０、反応領域１１８を包囲するシールド１１２を包囲する。昇降機構１１６はペデスタル１１２に結合され、ターゲット１１０に対してペデスタル１１２を位置決めする。
【００１８】
[0026]ガス源１０４は、１以上の処理ガスをＰＶＤ用チャンバ３６内に供給する。１以上の処理ガスは、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガス、他の不活性ガスを備えてもよい。ポンプシステム１０６は、ＰＶＤ用チャンバ３６内の圧力を制御する。
【００１９】
[0027]１以上の処理ガスは、更に、反応種（例えば、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２））を備えてもよい。反応種は、ターゲット１１０からのスパッタされイオン化された粒子と反応して基板１２０上に材料層１２２を形成する能力がある。
【００２０】
[0028]ターゲット１１０は、通常、ＰＶＤ用チャンバ３６の頂部から懸架されている。ターゲット１１０は、ウエハ処理システム３５の動作中にスパッタされる材料を含む。ターゲットは、堆積されるべき材料として、絶縁体または半導体を含んでもよいが、ターゲット１１０は、一般的に、金属を備える。例えば、ターゲットは、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、技術的に知られる他の材料から形成されてもよい。
【００２１】
[0029]ペデスタル１１２は、ＰＶＤ用チャンバ３６内で基板１２０を支える。ペデスタルは、一般的に、処理中、ターゲット１１０から一定距離に配置される。しかし、ターゲット１１０と基板１２０との距離は、処理中に変更されてもよい。ペデスタル１１２は、昇降機構１１６により支持され、昇降機構１１６は、ＰＶＤ用チャンバ３６内で垂直範囲に沿ってペデスタル１１２を移動させる。
【００２２】
[0030]ターゲット用電源１０８は、１以上の処理ガスにエネルギを吹き込む為に使用され、ＤＣ源、高周波（ＲＦ）源、ＤＣパルス源、又は、マイクロ波源を備えてもよい。ＤＣ又はＲＦ電力のいずれかを処理ガスに印加することにより、反応領域１１８内に電界を生成する。電界は、処理領域１１８内で処理ガスをイオン化し、処理ガスのイオン、電子、処理ガスの原子（中性）を備えるプラズマを形成する。さらに、電界は、ターゲット１１０からターゲット粒子をスパッタする為に、処理ガスのイオンをターゲット１１０の方に加速する。プラズマ内の電子が、スパッタされたターゲット粒子と衝突するとき、そのターゲット粒子はイオン化する。
【００２３】
[0031]ＰＶＤ用チャンバ３６の構成は、ターゲット１１０からスパッタされイオン化されたターゲット粒子を基板１２０上に堆積することを可能にし、上部に膜１２２を形成する。シールド１１４は、ＰＶＤ用チャンバ３６内の反応領域内に、スパッタ粒子と非反応性ガスを閉じ込める。このように、シールド１１４は、不要な場所（ペデスタル１１２の下部、ターゲット１１０の後部）におけるターゲット粒子の堆積を防止する。
【００２４】
[0032]ＰＶＤ用チャンバ３６は、基板１２０上のスパッタ粒子の堆積を改善する為に追加の構成要素を備えてもよい。例えば、ＰＶＤ用チャンバ３６は、基板１２０にバイアスをかける為にバイアス用電源１２４を含んでもよい。バイアス用電源１２４はペデスタル１１２に結合され、基板１２０上の材料層の堆積を制御する。バイアス用電源１２４は、通常、例えば約４００ｋＨｚの周波数を持つＡＣ源である。
【００２５】
[0033]電源１２４からのバイアス電力が基板１２０に印加されるとき、プラズマ内の電子は、基板１２０に向かって蓄積し、基板１２０及びペデスタル上に負のＤＣオフセットを生成する。基板１２０に印加されたバイアス電力は、イオン化された、ターゲット粒子を引き寄せる。これらのイオン化されたターゲット粒子は、基板１２０に対し実質的に直交する方向で、一般的に、基板１２０に引き付けられる。このように、バイアス電力１２４は、基板１２０上のターゲット粒子の堆積を高める。
【００２６】
[0034]ＰＶＤ用チャンバ３６は、また、磁石１２６または磁気サブアセンブリであって、ターゲット１１０の後ろに位置決めされてターゲット１１０近傍に磁界を生成するものを備えてもよい。ＰＶＤ用チャンバ３６は、また、ターゲット１１０と基板１２０との間で、シールド１１４内に配置されたコイルを備えてもよい。コイル１３０は、一巻きコイル又は複数巻きコイルであって、エネルギが与えられたとき、スパッタされた粒子をイオン化するものを備えてもよい。この処理は、イオン金属プラズマ（ＩＭＰ）堆積として知られる。コイル１３０は、一般的に、例えば、約２ＭＨｚの周波数を持つＡＣ源１３２に結合されている。
【００２７】
[0035]エッチャント種は、リモート源１７０からＰＶＤ用チャンバ３６に提供される。エッチャント種は、エッチングガスアセンブリ１７５内の１以上のオリフィス１７２を通ってチャンバ３６に提供される。エッチング種は、リモート源１７０に結合されたリモート電源１７４により発生され、エネルギを与えられた粒子を含んでもよい。リモート電源は、ＲＦエネルギ源であることが好ましい。ＲＦ電力をエッチャントガスに印加することにより、エッチング種をイオン化して、イオン、電子、原子を備えるプラズマを形成する電界が生じる。
【００２８】
[0036]図４は、ＰＶＤ用チャンバ３６内部の基板１２０の平面図を提供する。基板上方に配置されているのは、エッチングガスアセンブリ１７５である。エッチングガスアセンブリ１７５は、１以上のオリフィス１７２を備える。１以上のオリフィス１７２は、チャンバ３６にエッチング種を提供する。
【００２９】
[0037]オリフィス１７２は、コリメートされたガス流形式で基板１２０にエッチング種を分配する為に基板１２０の上方に配置されている。適切なガス流機構は、１９９８年３月１０日に発行された、”Apparatus for the High Speed, Low Pressure Gas Jet Deposition of Conducting and Dielectric Thin Solid Films”という名称の、Schmitt等による米国特許第５７２５６７２号、１９９３年１０月２６日に発行された、”Microwave Plasma Assited Supersonic Gas Jet Deposition of Thin Film Materials”という名称の、Schmitt等による米国特許第５２５６２０５号により説明されており、これらは参考の為に本願に組み込まれる。
【００３０】
[0038]１以上のオリフィス１７２は、通常、内部キャビティ、ノズル開口（図示せず）を有するものとして特徴付けられる。内部キャビティは、リモート源１７０に結合されている。リモート源１７０は、エッチング種をエッチングガスアセンブリ１７５の内部キャビティに提供する。
【００３１】
[0039]オリフィス１７２は、基板１２０の上方に位置決めされ、コリメート方式で基板にエッチング種を提供する。オリフィス１７２は、互いに間隔を開けて、軸１８０に沿って配置可能であり、基板１２０に一様なエッチング種の分配を提供する。図４は、たった８個のオリフィスを備えたエッチングガスアセンブリ１７５を示すが、図４に示されたオリフィスと異なる位置に配置された多かれ少なかれのオリフィス１７２をアセンブリ１７５が持つことは本発明の教示の範囲内である。
【００３２】
[0040]エッチングガスアセンブリ１７５は、オプションとして、基板１２０に対して、平行移動又は回転運動を介して移動可能でもよい。基板に対する、ＰＶＤ用チャンバ３６内のエッチングガスアセンブリ１７５の運動は、通常、エッチング種の基板への一様な分配の改善を促進する。エッチングガスアセンブリは、例えば軸１９０に沿って、直線式に、或いは、旋回式に移動可能である。エッチングガスアセンブリ１７５は、約０．１ｃｍ／分より速い速度で基板に対して移動するのが好ましい。
【００３３】
[0041]図５は、ウエハ処理システム３５の化学気相堆積（ＣＶＤ）処理用チャンバ３８の概略横断面図を示す。そのようなＣＶＤ用チャンバ３８の例は、カリフォルニア州サンタクララ市のアプライドマテリアルズ社から商業上利用可能なＴＸＺ（登録商標）チャンバ、ＷＸＺ（登録商標）チャンバ、ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ５０００（登録商標）チャンバを含む。
【００３４】
[0042]ＣＶＤチャンバ３８は、基板２９０を支持する為に使用されるウエハ支持用ペデスタル２５０を一般的に収容する。ウエハ支持用ペデスタル２５０は、移動機構（図示せず）を用いて、ＣＶＤ用チャンバ３８の内側で垂直方向に移動可能である。
【００３５】
[0043]特定のＣＶＤ処理に依存するが、基板２９０は、堆積前或いは堆積中、ある所望の温度まで加熱可能である。例えば、ウエハ支持用ペデスタル２５０は、埋め込まれた加熱素子２７０により加熱されてもよい。ウエハ支持用ペデスタル２５０は、ＡＣ電源２０６から加熱素子２７０に電気を印加することにより抵抗加熱されてもよい。基板２９０は、それから、ペデスタル２５０により加熱される。
【００３６】
[0044]熱電対のような温度センサ２７２も、ウエハ支持用ペデスタル２５０に埋め込まれ、従来方式でペデスタル２５０の温度をモニタする。測定温度は、加熱素子２７０用ＡＣ電源２０６を制御する為にフィードバックループで使用され、特定処理用途に適した所望の温度で基板温度が維持または制御される。ウエハ支持用ペデスタル２５０は、オプションとして、放射熱（図示せず）を用いて加熱される。
【００３７】
[0045]真空ポンプ２０２は、ＣＶＤ用チャンバ３８を排気し、適切なガスの流れ及びＣＶＤ用チャンバ３８内の圧力を維持する為に使用される。シャワーヘッド２２０は、処理ガスが通過してＣＶＤ用チャンバ３８に導入されるが、ウエハ支持用ペデスタル２５０の上方に配置される。シャワーヘッドは、また、処理ガスに加えてエッチング種を導入してもよい。シャワーヘッド２２０は、ガスパネル２３０に接続され、ガスパネル２３０は、ＣＶＤ用チャンバ３８に提供されるエッチング種と様々な処理ガスを制御して供給する。
【００３８】
[0046]ガスパネル２３０を通るガスの流れの、適切な制御及び調節は、流量コントローラ（図示せず）およびマイクロプロセッサ・コントローラ５４により実行される（図２）。シャワーヘッド２２０は、ガスパネル２３０からの処理ガスがＣＶＤ用チャンバ３８内で一様に導入され、かつ、分配されるように許容する。
【００３９】
[0047]エッチャントが内部で保存されるリモートチャンバ２８０は、ＣＶＤ用チャンバ３８に接続されている。エッチャントは、シャワーヘッド２２０上の１以上のオリフィス１７２（図４）を通ってＣＶＤ用チャンバ３８に供給されるエッチング種を備える。エッチング種は、リモート電源２７４により、エネルギが与えられてもよい。リモート電源２７４は、好ましくはＲＦエネルギ源である。ＲＦ電力をエッチング種に印加することにより、電界が作られる。電界は、エッチング種をイオン化し、イオン、電子、原子（中性）を備えるプラズマを形成する。
【００４０】
[0048]図５は、シャワーヘッド２２０を通したエッチング種の分配を示すが、例えば、シャワーヘッド２２０に隣接した、或いは、シャワーヘッド２２０（図示せず）を囲む別個のガスアセンブリ（図示せず）を通してＣＶＤ用チャンバ３８にエッチング種が分配されることは、本発明の範囲内である。
【００４１】
[0049]シャワーヘッド２２０のオリフィス１７２は、例えば、図４に例示されＰＶＤ用チャンバ３６に対して検討されたような構成で組み立てられてもよい。図４は８つのオリフィス１７２を備えたアセンブリ１７５を示すが、アセンブリは、オリフィス１７２より多い数または少ない数の、図４で示された場所とは異なる位置に配置されたオリフィスを有してもよい。さらに、シャワーヘッドは、オプションとして、基板１２０に対して平行移動または旋回運動を介して移動可能であってもよい。基板に対するＣＶＤ用チャンバ３８内のシャワーヘッド２２０の運動は、通常、基板に対するエッチング種の一様な分配の改善を促進するものである。シャワーヘッド２２０は、例えば軸１９０（図４）に沿って直線状に移動、或いは、円周状に移動可能である。シャワーヘッド２２０は、約０．１ｃｍ／分より大きな速度で基板に対して移動するのが好ましい。
【００４２】
[0050] ＣＶＤ用チャンバ３８は、基板２９０上の層堆積を高める為に、追加構成要素を備えてもよい。例えば、シャワーヘッド２２０とウエハ支持用ペデスタル２５０は、また、間隔が開けられた一対の電極を形成してもよい。電界が、これらの電極間に発生すると、ＣＶＤ用チャンバ３８内に導入された処理ガスは、プラズマにより点火される。
【００４３】
[0051]通常、電界は、整合回路網（図示せず）を介してウエハ支持用ペデスタル２５０を高周波（ＲＦ）源（図示せず）に結合させることにより発生される。さらに、ＲＦ電源と整合回路網は、シャワーヘッド２２０に結合されるか、シャワーヘッド２２０及びウエハ支持用ペデスタル２５０の両方に結合されてもよい。
【００４４】
[0052]プラズマ増強型化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）技術は、基板面近くの反応領域に電界を印加することにより、反応ガスの励起及び／又は分離を促進し、反応種のプラズマを生成する。プラズマにおける種の反応度は、そのようなＰＥＣＶＤ処理に必要な温度を下げるという効果の下で、起こる化学反応に必要なエネルギを減じる。
【００４５】
[0053]図２を参照すると、前述したように、ＰＶＤ処理用チャンバ３６とＣＶＤ処理用チャンバ３８は、マイクロプロセッサコントローラ５４により、それぞれ制御される。マイクロプロセッサコントローラ５４は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御する為に工業的設定において使用可能な、あらゆる形式の汎用型マイクロプロセッサコントローラの一つでよい。コンピュータは、読取り書込み記憶装置、読出し専用記憶装置、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、ローカル又は遠隔の、他形式のデジタル記憶装置のように適切なメモリを使用することができる。様々なサポート回路は、ＣＰＵに結合され、従来の方式でプロセッサをサポートする。必要とされるソフトウェアルーチンは、メモリ内に保存されるか、遠隔に配置される第２のＣＰＵにより実行される。
【００４６】
[0054]ソフトウェアルーチンは、基板がペデスタル上に位置決めされた後で実行される。ソフトウェアルーチンは、実行されるとき、チャンバ処理が実施されるようにチャンバ操作を制御する特定処理用コンピュータに汎用コンピュータを変形させる。また、ソフトウェアルーチンは、集積回路または他の型のハードウェアハードウェア製作、又は、ソフトウェア又はハードウェアの組合せに特有のアプリケーションとして、ハードウェア内で実行されてもよい。
【００４７】
材料層の堆積
集積されたバリア層構造体
[0055]一実施形態において、集積回路は、高アスペクト比構造体内で集積されたバリア層構造体を形成した後、一以上の金属層を堆積することにより金属被膜される。集積されたバリア層構造体は、基板上に、とりわけ、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮｘ）、タングステン（Ｗ）、又は、窒化タングステン（ＷＮｘ）を備える１以上のバリア層を適合させて堆積することにより形成可能である。１以上のバリア層は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）を用いて基板上に適合させて堆積可能である。
【００４８】
ＰＶＤ堆積
[0056]一般に、以下の堆積処理パラメータは、ＰＶＤを用いてバリア層を適合させて形成する為に使用可能である。処理パラメータは、ウエハ温度が約２０℃から約３００℃、チャンバ圧が約０．１ミリトルから約１００トル、ＤＣ電力が約１ｋＷから約２０ｋＷ、バイアス電力が約１Ｗから約５００Ｗの範囲である。
【００４９】
[0057]窒素（Ｎ２）ガスは、窒素ベースバリア層が形成されるとき、ＰＶＤ堆積用チャンバに提供される。ＴｉＮｘ、ＴａＮｘまたはＷＮｘが形成されるとき、約１００ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍの範囲の流量を持つＮ２ガスがＰＶＤ用チャンバに提供可能である。
【００５０】
[0058]また、ヘリウム（Ｈｅ）またはアルゴン（Ａｒ）のような不活性ガスは、ＰＶＤ堆積用チャンバに提供可能であり、所望のチャンバ圧でチャンバを維持する。不活性ガスは、約１００ｓｃｃｍから約５０００ｓｃｃｍの範囲の流量で堆積用チャンバに提供されてもよい。
【００５１】
[0059]上記ＰＶＤ処理パラメータは、１以上のバリア層に対する堆積速度を約５０Å／分から約５００Å／分の範囲で与える。
【００５２】
[0060]バリア層の堆積に関連して、エッチング種は、ＰＶＤチャンバ３６に供給可能である。エッチング種は、高アスペクト比構造体の頂部で高濃度エッチング種が維持されるために、コリメート方式で基板４００に向けられる。コリメートされた分配は、基板面に対し垂直な方向におけるエッチング種の運動を参照する。
【００５３】
[0061]堆積されるバリア層に依存して、フッ素及び／又は塩素含有ガスは、エッチング種として使用可能である。例えば、とりわけ、六フッ化イオウ（ＳＦ６）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、トリフルオルメタン（ＣＨＦ３）、ジフルオルメタン（ＣＨ２Ｆ２）、フルオルクロロメタン（ＣＨ２ＦＣｌ）が使用可能である。
【００５４】
[0062]エッチング種のコリメートされた分配は、むしろ、エッチング種が基板に向かって移動するとき、エッチング種により生じる衝突の数及び／又は頻度を減少させる。ガスの任意の、方向性の無い、運動エネルギは、基板に向けられる運動エネルギに変換可能である。このように、エッチング種は、おそらく、最もアクティブな化学状態で高アスペクト比構造体の頂部に達し、これにより、その領域におけるエッチングが高められる。
【００５５】
[0063]エッチング種を十分にコリメートするため、リモート源１７０内の圧力は、ＰＶＤ用チャンバ内の圧力より大きくなっている。そのような条件下で、オリフィス１７２を通るエッチング種の流れは、基板１２０に向けられる。リモート源１７０内のガス圧は、例えば、約１〜１０トルの範囲でもよく、ＰＶＤ用チャンバ内の圧力は、例えば、約１ミリトル〜約１トルの範囲でもよい。
【００５６】
ＣＶＤ堆積
[0064]ＣＶＤ技術を用いて、熱的に、例えば、タングステン前駆体、チタン含有前駆体、タンタル含有前駆体を脱ガスすることにより、１以上のバリア層が形成可能である。タングステン前駆体は、タングステン六フッ化物（ＷＦ６）およびタングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）の群の中から選択可能である。タングステン含有前駆体は、数ある中で、例えば、タンタルペンタクロライド（ＴａＣｌ５）、ペンタキス（ジエチルアミド）タンタル（ＰＤＥＡＴ）（Ｔａ（Ｎｅｔ２）５）、ペンタキス（エチルメチルアミド）タンタル（ＰＥＭＡＴ）（Ｔａ（Ｎ（Ｅｔ）Ｍｅ））５）、ペンタキス（ジメチルアミド）タンタル（ＰＤＭＡＴ）（Ｔａ（Ｎｍｅ２）５）の群から選択可能である。チタン含有前駆体は、数ある中で、例えば、チタン・テトラクロライド（ＴｉＣｌ４）、テトラキス（ジエチルアミド）チタン（ＴＤＥＡＴ）（Ｔｉ（Ｎｅｔ２）４）、テトラキス（エチルメチルラミド）チタン（ＴＥＭＡＴ）（Ｔｉ（Ｎ（Ｅｔ）（Ｍｅ））４）、テトラキス（ジメチルアミド）チタン（ＴＤＭＡＴ）（Ｔｉ（ＮＭｅ２）４）の群から選択可能である。
【００５７】
[0065]数ある中で、水素（Ｈ２）、窒素（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）のようなキャリアガスは、タンタル、チタン、又は、タングステン前駆体と混合可能である。
【００５８】
[0066]一般に、以下の処理パラメータは、図５に示されたものと類似する処理チャンバ内でＣＶＤ技術を用いて１以上のバリア層を形成する為に使用可能である。処理パラメータは、ウエハ温度が約４５０℃未満、チャンバ圧が約０．１ミリトルから約１０トル、タンタル、チタン、タングステン前駆体流量が約５０ｓｃｃｍから約７０００ｓｃｃｍ、キャリアガス流量が約１００ｓｃｃｍから約１ｓｌｍの範囲を有する。上記処理パラメータは、ＣＶＤで堆積された１以上のバリア層の堆積速度に、通常、約１０Å／分から約２０００Å／分の範囲を提供する。
【００５９】
[0067]堆積されるバリア材に依存するが、フッ素及び／又は塩素含有ガスは、エッチング種として使用可能である。例えば、とりわけ、六フッ化イオウ（ＳＦ６）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、トリフルオルメタン（ＣＨＦ３）、ジフルオルメタン（ＣＨ２Ｆ２）、フルオルクロロメタン（ＣＨ２ＦＣｌ）が使用可能である。
【００６０】
[0068] エッチング種のコリメートされた分配は、むしろ、エッチング種が基板に向かって移動するとき、エッチング種により生じる衝突の数及び／又は頻度を減少させる。ガスの任意の、方向性の無い、運動エネルギは、基板に向けられる運動エネルギに変換可能である。このように、エッチング種は、おそらく、最もアクティブな化学状態で高アスペクト比構造体の頂部に達し、これにより、その領域におけるエッチングが高められる。
【００６１】
[0069] エッチング種を十分にコリメートするため、源２８０内の圧力は、ＣＶＤ用チャンバ内の圧力より大きくなっている。そのような条件下で、オリフィス１７２を通るエッチング種の流れは、基板１２０に向けられる。リモート源２８０内のガス圧は、例えば、約１〜１０トルの範囲でよく、ＣＶＤ用チャンバ内の圧力は、例えば、約１ミリトルから約１トルの範囲でもよい。
【００６２】
[0070]上記処理パラメータは、カリフォルニア州サンタクララ市のアプライドマテリアルズ社から入手可能な堆積用チャンバ内で、２００ｍｍ（ミリメートル）基板の実現に適する。他の堆積用チャンバは、本発明の範囲内であり、上記リストのパラメータは、１以上のバリア層を形成する為に使用される特定の堆積用チャンバに依存して変更可能である例えば、他の堆積用チャンバは、アプライドマテリアルズ社から入手可能な堆積用チャンバの為に列挙されたものより、大容積（例えば、３００ｍｍ基板を収容するように構成されたチャンバ）、あるいは小容積を持ち、大小のガス流量又は電力を必要とする。
【００６３】
[0071]バリア層の形成後、１以上の金属層が、集積されたバリア層構造体上に適合して堆積される。上記１以上の金属層は、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、及び／又は、これらの組合せを用いて、適合して堆積される。例えば、ＣＶＤ銅層は、Ｃｕ＋２（hfac）２（銅ヘクサフルオロアセチルアセトン）、Ｃｕ＋２（fod）２（銅ヘプタフルオロジメチルオクタンジエン）、Ｃｕ＋１hfac  ＴＭＶＳ（銅ヘクサフルオルアセチルアセトントリメチルビニルシラン）、又は、これらの組合せを含むガス混合物から堆積可能である。
【００６４】
[0072] 堆積される金属層に依存するが、フッ素及び／又は塩素含有ガスは、エッチング種として使用可能である。例えば、とりわけ、六フッ化イオウ（ＳＦ６）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、トリフルオルメタン（ＣＨＦ３）、ジフルオルメタン（ＣＨ２Ｆ２）、フルオルクロロメタン（ＣＨ２ＦＣｌ）が使用可能である。
【００６５】
[0073] エッチング種のコリメートされた分配は、むしろ、エッチング種が基板に向かって移動するとき、エッチング種により生じる衝突の数及び／又は頻度を減少させる。ガスの任意の、方向性の無い、運動エネルギは、基板に向けられる運動エネルギに変換可能である。このように、エッチング種は、おそらく、最もアクティブな化学状態で高アスペクト比構造体の頂部に達し、これにより、その領域におけるエッチングが高められる。
【００６６】
[0074] エッチング種を十分にコリメートするため、源１７０内の圧力は、ＰＶＤまたはＣＶＤ用チャンバ内の圧力より大きくなっている。このような条件下で、オリフィス１７２を通るエッチング種の流れは、基板１２０に向けられる。リモート源１７０，２８０内のガス圧は、例えば、約１〜１０トルの範囲でよく、ＰＶＤまたはＣＶＤ用チャンバ内の圧力は、例えば、約１ミリトルから約１トルの範囲でもよい。
【００６７】
[0075]図６Ａ〜図６Ｄは、集積バリア層堆積の様々な段階を経る基板の概略横断面図である。特定段階の処理に依存するが、基板は、シリコンウエハ又は、上部に堆積された他の材料層に対応可能である。
【００６８】
[0076]図６Ａは、基板４００の上に形成された層４０２を持つ基板４００の横断面図を例示する。層４０２は、基板４００の面の一部を晒す少なくとも一つの開口４０６を有する。開口４０６は、一般的に、ビアのような相互接続特徴部を示してもよい。相互接続特徴部は、約４：１より大きいアスペクト比（特徴部の深さと特徴部の幅との比）を有する。
【００６９】
[0077]図７は、開口４０６内の集積バリア層構造体を堆積する為に典型的な処理シーケンスが実行される処理フローダイアグラムを示す。ステップ６００において、基板４００は処理チャンバ内で位置決めされる。処理チャンバは、例えば、図２〜図３、図５に示されるように、クラスタツール３５内に収容された化学気相堆積用チャンバ３８または物理的気相堆積用チャンバ３６でもよい。
【００７０】
[0078]図６Ａ、図７のステップ６１０〜６２０で表示されるように、１以上の処理ガス４９０がチャンバに供給される。ＰＶＤ用チャンバにとって、１以上の処理ガス４９０は、１以上の不活性ガスを備え、これらは、少なくとも一つの開口４０６内で、基板４００上に、ＰＶＤスパッタ用ターゲットから材料をスパッタする為に使用される。不活性ガスは、例えば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）でもよい。
【００７１】
[0079]ＣＶＤチャンバにとって、１以上の処理ガス４９０は、基板４００上にバリア層４１０を形成する為に反応する１以上のガスである。この１以上の処理ガス４９０は、例えば、チタン・テトラクロライド（ＴｉＣｌ４）、アンモニア（ＮＨ３）を備えてもよい。処理ガス４９０は、基板４００上の開口の内側にバリア層４１０を堆積する為に使用される。処理ガスは、また、エッチング種を含む。エッチング種は、エネルギが与えられた粒子を含んでもよい。
【００７２】
[0080]図６Ｂを参照すると、処理ガス４９０内のエッチング種は、開口の底部４０６Ｂ又は側部４０６Ｓで堆積された材料より大きな速度で開口の頂部４０６Ｔの周りに堆積された材料を除去する。これにより、開口部４０６の頂部４０６Ｔが過剰な堆積により時ならず閉鎖されることなく、開口４０６の底部４０６Ｂと側部４０６Ｓで堆積が進められる。
【００７３】
[0081]図６Ｃに示されるように、バリア層４１０が形成された後、開口４０６は、金属４１２で充填される。金属層４１２は、処理ガス４９５から堆積される。金属層４１２は、開口４０６に予め形成されたバリア層４１０を覆って堆積される。堆積される金属層に依存するが、処理ガス４９０の組成物は、処理ガス４９５に対し同様の組成物でもよい。処理ガス４９５内のエッチング種が再び、開口４０６の頂部４０６Ｔの周りに堆積された過剰な金属４１２を都合良く除去するので、開口４０６は、図６Ｄで示されたように、ボトムアップ方式で充填される。
【００７４】
トレンチ絶縁物構造体
[0082]図８Ａ〜図８Ｂは、トレンチ隔離材料として酸化物層を組み込む、集積回路シーケンスの異なる段階における基板８００の概略横断面図を例示する。一般的に、基板８００は、処理が実行されるワークピースを指し、基板構造体８５０は、基板８００と、その上に形成された他の材料層を一般的に示す。特定段階の処理に依存するが、基板８００は、シリコン基板、或いは基板上に形成された他の材料層に対応可能である。
【００７５】
[0083]図８Ａは、例えば、トレンチ構造体８５０の横断面図を例示する。トレンチ構造体は、アクティブな半導体領域８０３と、トレンチ領域８０４とを含む。トレンチ領域８０４は、約５〜１０ミクロンの深さを持ってもよい。
【００７６】
[0084]図８Ｂは、図８Ａのトレンチ構造体８５０上に形成された酸化物層８０５を示す。酸化物層８０５は、トレンチ構造体８５０のトレンチ領域８０４を充填する。
【００７７】
[0085]酸化物層８０４は、シラン化合物、酸素源、不活性ガスを備えるガス混合物を反応することにより形成された低誘電率オルガノケイ酸塩層のようなケイ酸塩であってもよい。シラン化合物は、一般的な式Ｓｉ（ＣＨ３）ａＨ４−ａを有し、ａは１から４の間の範囲にある。例えば、メチルシラン（ＳｉＣＨ６）、ジメチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ８）、トリメチルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、テトラメチルシラン（ＳｉＣ４Ｈ１２）がオルガノシラン化合物として使用可能である。
【００７８】
[0086]酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、これらの組合せが、数ある中で、酸素源として使用可能である。ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、その組合せが、数ある中で、不活性ガスとして使用可能である。
【００７９】
[0087]一般的に、以下の堆積処理パラメータは、図５に示されるチャンバに類似したＣＶＤ処理用チャンバを使用して、ケイ酸塩層を形成するのに使用可能である。処理パラメータは、ウエハ温度が約５０℃から約２５０℃、チャンバ圧が約１トルから約５００トル、シラン化合物ガス流量が約５０ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍ、酸素源ガス流量が約１０ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍ、不活性ガス流量が約１０００ｓｃｃｍから約１００００ｓｃｃｍの範囲である。上記処理パラメータは、アプライドマテリアルズ社から利用可能な堆積チャンバ内で２００ｍｍ（ミリメートル）基板上で実現するとき、オルガノケイ酸塩層の為の堆積速度を約０．１ミクロン／分から約２ミクロン／分の範囲で与える。
【００８０】
[0088]堆積される酸素材料の組成に依存するが、フッ素及び／又は塩素含有ガスは、エッチング種として使用可能である。例えば、とりわけ、六フッ化イオウ（ＳＦ６）、トリフルオルメタン（ＣＨＦ３）、ジフルオルメタン（ＣＨ２Ｆ２）、フルオルクロロメタン（ＣＨ２ＦＣｌ）が使用可能である。
【００８１】
[0089] エッチング種のコリメートされた分配は、むしろ、エッチング種が基板に向かって移動するとき、エッチング種により生じる衝突の数及び／又は頻度を減少させる。ガスの任意の、方向性の無い、運動エネルギは、基板に向けられる運動エネルギに変換可能である。このように、エッチング種は、おそらく、最もアクティブな化学状態で高アスペクト比構造体の頂部に達し、これにより、その領域におけるエッチングが高められる。
【００８２】
[0090] エッチング種を十分にコリメートするため、リモート源２８０（図５）内の圧力は、ＣＶＤ用チャンバ内の圧力より大きくなっている。このような条件下で、オリフィス１７２を通るエッチング種の流れは、基板２９０に向けられる。リモート源２８０内のガス圧は、例えば、約１〜１０トルの範囲でよく、ＣＶＤ用チャンバ内の圧力は、例えば、約１ミリトルから約１トルの範囲でもよい。
【００８３】
[0091]図８Ｂを参照すると、処理ガス内のエッチング種は、開口の底部又は側部で堆積された材料より大きな速度で開口の頂部８０４の周りに堆積された材料を除去する。これにより、過剰な堆積により時ならず頂部領域が閉鎖されることなく、トレンチ８０４の底部と側部で堆積が進められる。
【００８４】
[0092]本発明の教示を組み込む幾つかの好ましい実施形態が示され、詳細に説明されてきたが、当業者は、これらの教示を更に組み込む多くの様々な実施形態を容易に案出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１Ａ】図１Ａは、従来技術の堆積処理を用いて充填された高アスペクト比の特徴部の為の可能な堆積結果の横断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、従来技術の堆積処理を用いて充填された高アスペクト比の特徴部の為の可能な堆積結果の横断面図である。
【図２】本願で説明された実施形態の実施の為に使用可能な装置の概略横断面図を示す。
【図３】物理的気相堆積（ＰＶＤ）用チャンバの概略横断面図を示す。
【図４】複数のオリフィスを備えるガスアセンブリの平面図を示す。
【図５】化学気相堆積（ＣＶＤ）用チャンバの概略横断面図を示す。
【図６Ａ】集積回路製造の異なる段階における基板の概略横断面図を示す。
【図６Ｂ】集積回路製造の異なる段階における基板の概略横断面図を示す。
【図６Ｃ】集積回路製造の異なる段階における基板の概略横断面図を示す。
【図６Ｄ】集積回路製造の異なる段階における基板の概略横断面図を示す。
【図７】本願で説明された方法を用いて材料層を堆積する為の一連の処理ステップを示す。
【図８Ａ】集積回路製造の異なる段階における基板の概略横断面図を示す。
【図８Ｂ】集積回路製造の異なる段階における基板の概略横断面図を示す。
【符号の説明】
【００８６】
１…基板、２…特徴部、６…高アスペクト比特徴部、６Ｂ…底部、６Ｓ…側部、６Ｔ…頂部、８…合わせ目、１１…材料層、３５…ウエハ処理システム、３６…ＰＶＤ用チャンバ、３８…ＣＶＤ処理用チャンバ、４０、４１…処理用チャンバ、４２…予備洗浄用チャンバ、４４…脱ガス用チャンバ、４６…ロードロックチャンバ、４８、５０…移送チャンバ、４９、５１…移送用ロボット、５２…通過用チャンバ、５４…マイクロプロセッサ・コントローラ、１０４…ガス源、１０６…ポンプシステム、１０８…ターゲット用電源、１１０…ターゲット、１１２…ペデスタル、１１４…シールド、１１６…昇降機構、１１８…反応領域、１２０…基板、１２２…膜、１２４…バイアス用電源、１２６…磁石、１３０…コイル、１３２…ＡＣ源、１７０…リモート源、１７２…オリフィス、１７４…リモート電源、１７５…エッチングガスアセンブリ、１８０…軸、２０２…真空ポンプ、２０６…ＡＣ電源、２２０…シャワーヘッド、２３０…ガスパネル、２５０…ウエハ支持用ペデスタル、２７０…加熱素子、２７２…温度センサ、２７４…リモート電源、２８０…リモートチャンバ、２９０…基板、４００…基板、４０２…層、４０６…開口、４０６Ｂ…底部、４０６Ｓ…側部、４０６Ｔ…頂部、４１０…バリア層、４１２…金属層、４９０…処理ガス、４９５…処理ガス、８００…基板、８０３…半導体領域、８０４…酸化物層、８０５…酸化物層、８５０…トレンチ構造体。
【図２】
2005505925.tif 000003
【図３】
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【図７】
2005505925.tif 000005
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
2005505925.tif 000037
2005505925.tif 000038
2005505925.tif 000039