(57)【要約】ＳＯＩ基板／ＥＯＩ（Ｅｐｉｐｏｌｙ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の表面から、連続して続く別個の２回のディープエッチングステップでシリコン基板層（１）の所望の深さにまで押し進み、このシリコン基板層を酸化物層近くの上側の領域で犠牲層として、酸化物層の上方で機能層に位置決めされた島状構造体を鉛直方向で露出させるために使用することが提案される。鉛直方向の大きな変位を発生させるための犠牲層プロセスの本発明によるコンセプトは、純粋な表面マイクロマシニングプロセスステップに基づいている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素から成る、鉛直方向に変位可能な、特に傾倒可能な島状領域（６）を、該島状領域の下方に位置するシリコン基板層（１）におけるエッチングプロセスを用いて露出させることによって、マイクロマシニング型の装置、特にマイクロマシニング型の旋回ミラー装置を製作するための方法において、
当該方法が、以下のステップ：すなわち、
−犠牲層として設けられた上側の領域を備えたシリコン基板層（１）に酸化物層（２）を介在して設けられたＳｉ機能層（３）を備えたＳＯＩ基板またはＥＯＩ基板を準備し；
−のちの島状領域（６）を側方で機能層（３）に対して露出させる第１の異方性のプラズマエッチングステップによって、機能層（３）を貫いて酸化物層（２）にまで達する少なくとも１つの溝（５）を形成し；
−少なくとも溝（５）の側壁を被覆するパッシベーション層（１０）を形成し、次いで、溝底部をシリコン基板層（１）にまで、方向付けられた物理的なエッチング法によって開放し；
−溝（５）を第２の異方性のプラズマエッチングステップによって、開放された溝底部（１１）から、シリコン基板層（１）の予め規定された深さにまでディープエッチングし、この場合、第２の異方性のプラズマエッチングステップが、犠牲層の深さを規定しており；
−島状領域（６）の下方の犠牲層の領域（１２）を、シリコン基板層（１）の、溝（５）から出発する横方向のサイドエッチングによって除去するための等方性の犠牲層エッチングステップを実施し、これによって、島状領域（６）を露出させ、鉛直方向に可動にする；
を有していることを特徴とする、マイクロマシニング型の装置を製作するための方法。
【請求項２】
犠牲層エッチングステップをパッシベーション層（１０）および酸化物層（２）に対して選択的に行う、請求項１記載の方法。
【請求項３】
島状領域（６）が、１つまたはそれ以上の結合ウェブ（８）を介して、機能層（３）の、島状領域（６）を取り囲む領域（７）に結合されており、これによって、露出させられた島状領域（６）が、１つまたはそれ以上の結合ウェブ（８）を中心として運動、有利にはねじり旋回を実施するようになっており、島状領域（６）の一部が、シリコン基板層（１）の、自由にエッチングされた領域（１２）に突入するような振幅を前記運動が有している、請求項２記載の方法。
【請求項４】
結合ウェブ（８）として、機能層（３）の、残された狭幅の領域を使用する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
島状領域（６）の内部に別の溝構造（９）を設け、犠牲層深さにまでエッチングし、これによって、犠牲層エッチングステップが、同時に全ての溝（５，９）から出発して実施可能である、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
溝（５）と、穿孔穴として形成された別の溝構造（９）との上方に、特にミラー表面の反射性を改善する少なくとも１つの別の層（１３）を析出し、これによって、穿孔穴（９）を閉塞し、島状領域（６）を、該島状領域（６）を取り囲む領域（７）から分離する溝（５）を閉塞しない、請求項５記載の方法。
【請求項７】
島状領域（６）を側方で露出させる溝（５）を別の溝構造（９）よりも広幅に形成する、請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
犠牲層エッチングステップを、一種類のガスＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＮＦ３またはＢｒＦ３を用いた化学的なドライエッチングによって行う、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
パッシベーション層（１０）をＣＶＤ析出または熱酸化によって被着する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
パッシベーション層（１０）および／または酸化物層（２）を犠牲層エッチングステップ後、特にガスＨＦ／Ｈ２Ｏを用いた化学的なドライエッチングによって再び除去する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケイ素から成る、鉛直方向に変位可能な、特に傾倒可能な島状領域を、該島状領域の下方に位置するシリコン基板層におけるエッチングプロセスを用いて露出させることによって、マイクロマシニング型の装置（つまり、マイクロマシニング技術を用いて製作された装置）、特にマイクロマシニング型の旋回ミラー装置を製作するための方法に関する。
【０００２】
このような形式の方法は、すでにドイツ連邦共和国特許出願公開第１９７５７１９７号明細書ならびにアメリカ合衆国特許第５１９８３９０号明細書に基づき公知である。これらの公知の明細書に関して、以下にさらに詳しく説明する。
【０００３】
任意のマイクロマシニング型の装置および構造体、特にディスプレイのための光スイッチおよび光変調器に使用可能であるにもかかわらず、本発明ならびに本発明の根底にある問題性を、シリコン表面マイクロマシニングのテクノロジで製作可能なマイクロマシニング型の旋回ミラー装置に関して説明する。
【０００４】
マイクロマシニング型の旋回ミラー装置は、たとえば光ビームの路を個々の光導波路（光ファイバ）またはアレイで配置された光導波路の間で切り換えるために、組み込まれた光学系に使用される。このような形式の旋回ミラー装置は、種々異なるデザインで知られていて、ミラーに組み込まれたかまたはミラーの側方で同じチップに配置された制御可能な駆動装置を有している。この駆動装置は、ミラー表面の傾倒運動ひいては光学的な切換過程を発生させる。
【０００５】
旋回ミラー装置の、マイクロマシニング技術により露出させられた可動の部分、すなわち、ミラー表面を形成する上面を備えた島状領域が、この島状領域の一部が、シリコン基板層の、自由にエッチングされる領域に突入するような振幅を有するねじり旋回を実施し得る傾倒運動には、所望の傾倒角の大きさに応じて、島状領域の下方の深い自由室が前提となる。自由にエッチングされる領域は当然ながら横方向にも少なくとも島状領域の寸法を有していなければならない。
【０００６】
マイクロマシニング技術を用いて製作される旋回ミラー装置または別の光学的な構成素子（光学的なＭＥＭＳ）のために必要であるように、チップ面に対して垂直な大きな変位は、従来、表面マイクロマシニングでは形成することができない。なぜならば、使用される慣用の犠牲層もしくはエッチング技術が、露出させられた構造体の運動を表面に対して垂直に数マイクロメートル（多くの使用事例に対してほんの数゜の過度に僅かな傾倒角に相当）しか許容しないからである。
【０００７】
したがって、現在、鉛直方向の大きな変位を備えた光学的な構成素子、特に旋回ミラー装置は、たとえば上述したドイツ連邦共和国特許出願公開第１９７５７１９７号明細書に基づき公知であるように、たいてい、ミラー構造体がウェーハ表面から構造化され、バルクマイクロマシニングの方法によって支持基板の裏面から解離されることによって得られる。この場合、一般的にＳＯＩ材料が使用され、シリコン基板層を裏面から異方性のウェットエッチングによって上側のシリコン層（もしくは酸化物層）にまで一貫してエッチングすることが必要となるのに対して、島状領域の側方の露出はウェットエッチング前後にドライエッチング法によって行われる。
【０００８】
マイクロマシニング型の構造体が側方でかつ鉛直方向で露出可能である表面ディープエッチング法は、冒頭で述べたアメリカ合衆国特許第５１９８３９０号明細書に基づき公知である。そこの、いわゆるＳＣＲＥＡＭプロセス（ｓｉｎｇｌｅ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｅｔｃｈ  ａｎｄ  ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）は、一貫した、すなわち、別個の機能・犠牲層に分割することができない単結晶のシリコンウェーハから出発する。このシリコンウェーハでは、全ての構造化・ディープエッチングステップが一貫して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって行われる。この場合、まず、エッチングマスクがＲＩＥエッチングによって構造化され、次いで、相応の溝構造がウェーハにＲＩＥディープエッチングによって形成され、その後、溝の側壁の選択的なマスキングによって、露出させたい構造体が規定され、最後に、選択された（島状）構造体の下方の基板領域がＲＩＥによる完全なサイドエッチングによって露出させられる。ＳＣＲＥＡＭプロセスは、一方では、高いプロセス一貫性によって特徴付けられおり、他方では、プロセス一般的に僅かなエッチングレートを備えた、特に選択された広幅の（島状）構造体に不利な影響を与えるサイドエッチングが行われる。選択された（島状）構造体の防護されない下面が、シリコン基板の、（島状）構造体の下方に位置する領域のサイドエッチング時に部分的に著しく一緒に侵食されるという事実が、特に旋回ミラー装置における使用事例に関して特に問題となる。
【０００９】
本発明の課題は、冒頭で述べた形式の製作法を改良して、特に表面マイクロマシニングプロセスステップに限定された製作法を提供することである。
【００１０】
冒頭で述べた形式の方法はこの課題を、以下のステップ：すなわち、
−犠牲層として設けられた上側の領域を備えたシリコン基板層に酸化物層を介在して設けられたＳｉ機能層を備えたＳＯＩ基板またはＥＯＩ基板を準備し；
−のちの島状領域を側方で機能層に対して露出させる第１の異方性のプラズマエッチングステップによって、機能層を貫いて酸化物層にまで達する少なくとも１つの溝を形成し；
−少なくとも溝の側壁を被覆するパッシベーション層を形成し、次いで、溝底部をシリコン基板層にまで、方向付けられた物理的なエッチング法によって開放し；
−溝を第２の異方性のプラズマエッチングステップによって、開放された溝底部から、シリコン基板層の予め規定された深さにまでディープエッチングし、この場合、第２の異方性のプラズマエッチングステップが、犠牲層の深さを規定しており；
−島状領域の下方の犠牲層の領域を、シリコン基板層の、溝から出発する横方向のサイドエッチングによって除去するための等方性の犠牲層エッチングステップを実施し、これによって、島状領域を露出させ、鉛直方向に可動にする；
によって解決する。
【００１１】
本発明の根底にある思想は、まず、ＳＯＩ基板もしくはＥＯＩ（Ｅｐｉｐｏｌｙ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の表面から、連続して続く別個の２回のディープエッチングステップでシリコン基板層の所望の深さにまで押し進み、このシリコン基板層を部分的に、より正確には、酸化物層近くの上側の領域で犠牲層として、酸化物層の上方で機能層に位置決めされた島状構造体を鉛直方向で露出させるために使用することにある。鉛直方向の大きな変位を発生させるための犠牲層プロセスの本発明によるコンセプトは、純粋な表面マイクロマシニングプロセスステップに基づいている。
【００１２】
本発明によれば、第１のステップにおいて、（ミラー）構造体がディープエッチング法によってＳＯＩもしくはＥＯＩに形成される。このためには、機能層のために適した異方性の各プラズマエッチング法、有利には、ドイツ連邦共和国特許第４２４１０４５号明細書に基づき公知のフッ素ベースのＳｉディープエッチング法を使用することができる。このＳｉディープエッチング法は、交互に連続して続く別個のエッチング・重合ステップを有している。より詳しい詳細は、ドイツ連邦共和国特許第４２４１０４５号明細書から知ることができる。エッチングストップは酸化物層で生ぜしめられる。
【００１３】
第１のディープエッチングステップの後、（ミラー）構造体が後続のステップで不動態化される。この不動態化層（パッシベーション層）は（ミラー）構造体の構造体溝で開放される。第２のディープエッチングステップが続いている。この第２のディープエッチングステップによって、犠牲層、ここでは、シリコン基板層の、酸化物層近くの上側の領域が深く開放される。すなわち、犠牲層の深さが、本発明によれば、主として、（すなわち、含まれたエッチング時にプロセス一般的に生ぜしめられる不正確さを除いて）規定された第２のディープエッチングプロセスによって調整される。（ミラー）構造体を完全に解離するために、横方向の等方性のドライエッチングステップが続いている。
【００１４】
本発明によって、約１〜２００μｍの底自由度で大きな変位を許容するマイクロマシニング型の装置を実現するために、半導体テクノロジの既知のプロセスの使用と、一貫した表面処理とが可能となる。さらに、高いプロセスコントロール、特に±５％の正確な深さ調整が可能となる。方法の特別な利点は、鉛直方向のかつ横方向の高いエッチングレートである。
【００１５】
機能層における応力勾配（ミラー上面／下面）の、ＥＯＩ基板の使用によって付与された良好なコントロールによって、光学的なシステムにおけるミラー表面の高い分解能もしくは調整可能な湾曲が可能となる。さらに、本発明によれば、比較的薄いミラー（サイズオーダ：ウェーハ裏面から一貫してエッチングされた基板における機能層の厚さ５０μｍに比べて１０μｍ未満）が可能となる（元々のミラー材料もしくは追補的に別の層として析出されたミラー材料としてのエピタキシャル多結晶シリコン、減圧ＣＶＤ−Ｓｉ、酸化物層または金属層）。ミラーのこの僅かな厚さおよび相応に僅かな質量に基づき、光学的な構成素子の高い固有周波数ひいては高い切換速度を達成することができる。
【００１６】
さらに、本発明による犠牲層プロセスと、たとえば別の機能平面をミラー構造体平面の上方にまたは下方に製作するための別の製作ステップおよび、たとえば駆動構造体（たとえば電極）を第２のエピタキシャル多結晶シリコン構造体平面に製作するかもしくは薄いねじりばねを製作するための付加的な犠牲層技術（たとえば酸化物の気相エッチング）との組合せの可能性がある。本発明による方法は、たとえば埋め込まれた導体路および／または別の半導体構造体が基板に形成される複雑な全プロセスの一部であってよい。
【００１７】
従属請求項には、請求項１に記載した製作法の有利な実施態様および改良形が見られる。
【００１８】
特に有利な実施態様によれば、犠牲層エッチングステップをパッシベーション層および酸化物層に対して選択的に行う。このことは、プロセスの精度特性に対する決定的な利点を有している。第１には、薄いミラー構造体を形成することができる。なぜならば、このミラー構造体が後続の犠牲層エッチングステップで侵食されない、すなわち、消費されないからである。この不活性の特性は、特に比較的大きな（２〜３ｍｍの）島状領域の製作時にも重要となる。なぜならば、等方性の気相エッチングステップが、周囲のただ１つの溝から出発して、形成したい自由室の中心にまで前進するために、無視することができない時間を必要とするからである。
【００１９】
この時間を短縮するかもしくは不動態化された機能構造体を、極めて長く続くエッチング侵食にさらさないために、島状領域の内部に別の溝構造を設け、犠牲層深さにまでエッチングし、これによって、犠牲層エッチングステップが、同時に全ての溝から出発して一層迅速に実施可能であると有利である。パッシベーション層と高い等方性のエッチングレートとに基づき、ＳＣＲＥＡＭ法に比べて、いずれにせよ、有利には著しく僅かに、このような形式の穿孔穴が必要となる。
【００２０】
方法の特に有利な実施態様は、マイクロマシニング型の旋回ミラー装置の製作にある。この場合、島状領域が、１つまたはそれ以上の結合ウェブを介して、機能層の、島状領域を取り囲む領域に結合されており、これによって、露出させられた島状領域が、１つまたはそれ以上の結合ウェブを中心として運動、有利にはねじり旋回を実施するようになっており、島状領域の一部が、シリコン基板層の、自由にエッチングされた領域に突入するような振幅を前記運動が有している。
【００２１】
この実施態様は、溝と、穿孔穴として形成された別の溝構造との上方に、特にミラー表面の反射性を改善する少なくとも１つの別の層を析出し、これによって、穿孔穴を閉塞し、島状領域を、該島状領域を取り囲む領域から分離する溝を閉塞しないことによって、さらに一層改善することができる。
【００２２】
このことは、特に有利には、島状領域を側方で露出させる溝を別の溝構造よりも広幅に形成することによって達成することができる。
【００２３】
プロセス技術的には、方法の別の実施態様によれば、犠牲層エッチングステップを、一種類のガスＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＮＦ３またはＢｒＦ３を用いた化学的なドライエッチングによって行うと有利である。
【００２４】
別の実施態様によれば、パッシベーション層をＣＶＤ析出または熱酸化によって被着することができる。
【００２５】
方法の別の実施態様によれば、パッシベーション層および／または酸化物層を犠牲層エッチングステップ後、特にガスＨＦ／Ｈ２Ｏを用いた化学的なドライエッチングによって再び除去すると有利である。
【００２６】
以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。
【００２７】
図１Ａには、たとえば、シリコン基板層１（ｎ型またはｐ型ドーピングされている、（１００）または（１１１）方位を有している）と、熱酸化物またはＣＶＤ酸化物から成る、約５０ｎｍ〜１μｍの厚さを有する酸化物層２と、エピタキシャル多結晶シリコン（またはＳＯＩの場合には多結晶シリコン）から成るＳｉ機能層３と、たとえばラッカまたは酸化物から成るエッチングマスク４とを備えたＥＯＩ層順序が示してある。
【００２８】
図１Ｂには、（このプロセス段階では、それぞれマスク構造体４にしか存在していない）溝５が示してある。この溝５は島状領域６を、機能層３の、島状領域６を取り囲む（可動でない）領域７から仕切っている。さらに、ねじりばね８を認めることができる。このねじりばね８には島状領域６、すなわち、ミラー構造体が懸架されている。これによって、のちの旋回ミラーのための回動軸線が規定されている。ねじりばね８として結合ウェブ、すなわち、機能層３の、残された狭幅の領域を使用することができる。
【００２９】
ミラー構造体６の上面は、同じく図１Ａおよび図１Ｂから明らかであるように、横方向の伸びに応じて、多かれ少なかれ多くの穿孔穴９を備えていてよい。これらの穿孔穴９に関しては、以下に図８の説明でさらに詳しく説明する。このような形式の穿孔穴９、すなわち、別の（のちの）溝構造が設けられる場合には、穿孔穴９が、以下、形成したい溝５と同じディープエッチングステップもしくはパッシベーションステップに含められる。
【００３０】
次のプロセスステップの結果、すなわち、第１の異方性のプラズマエッチングステップを行った後の結果が図２に示してあり、機能層３に形成された溝構造５，９を認めさせる。このエッチングプロセスは酸化物に向かって選択的に経過し、酸化物層２で突然ストップする。可動の島状領域６を、この島状領域６を取り囲む固定の領域７から分離する外側の溝５は、以下に図８で詳しく説明するように、穿孔穴９よりも僅かに広幅に形成されていることが望ましい。
【００３１】
図３には、（溝構造５，９内には図示していない）パッシベーション層１０の析出後のプロセス段階が示してある。このパッシベーション層１０は後続の犠牲層エッチングステップで、たとえば少なくとも一種類のガスＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＮＦ３またはＢｒＦ３によって全く侵食されないかまたは極めて僅かな程度しか侵食されない。析出は、有利には自体公知の方法、たとえば熱酸化、減圧ＣＶＤ（ｌｏｗ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ励起ＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはオゾン助成されたＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート）析出によっても行われる。典型的な酸化ケイ素パッシベーション層以外に、別の無機のパッシベーション層（たとえば金属、窒化物、ＳｉＣ等）が使用されてもよい。この無機のパッシベーション層は、なだらかなかつ理想事例では均質の十分な縁被覆を側壁の領域に有していて、のちのステップで選択的に島状領域６に対してエッチングすることができる。
【００３２】
考慮される析出法の選択時には、いずれにせよ、エッチング溝５，９の底部に、のちに比較的僅かな手間で再び除去可能な僅かな被着層しか生ぜしめれないことに注意しなければならない。
【００３３】
図４には、溝底部の領域で酸化物層２（およびパッシベーション層１０）が、方向付けられた物理的なエッチング法によって開放され、これによって、開口１１がシリコン基板層１に向かって形成された後の後続のプロセス段階が示してある。このエッチング時には、側壁パッシベーション層を破壊しないことに注意しなければならない。この要求は、ウェーハ表面に対して垂直に作用する適切なプラズマガイドを伴うＲＩＥ（反応性イオンエッチング）または別の方法によって満たすことができる。
【００３４】
図５には、溝５と、別の溝構造９とが、第２の異方性のプラズマエッチングステップによって所望の深さｄにエッチングされた後の方法段階が示してある。この場合、この深さｄによって、主として、後続の犠牲層エッチングプロセス（図６参照）の深さが設定される。
【００３５】
図６には、等方性のシリコンエッチングステップによって溝構造５，９が横方向にエッチングされるプロセス段階が示してある。形成されたパッシベーション層１０と、酸化物層２とによって、ミラー構造体６は、シリコン基板層１の中実のサイドエッチングにもかかわらず無傷のままである。エッチングプロセスは、たとえばガスＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＮＦ３またはＢｒＦ３によって、比較的高いエッチングレートを備えた気相エッチングの方法で実施することができる。図６に示した矢印は、シリコン基板層１の深さｄまでのＸｅＦ２の侵入を示している。島状構造体６の横方向の幅が大きい（２〜３ｍｍ）場合には、この島状構造体６が、複数の溝構造５，９から同時に拡幅するエッチングプロセスによって露出させられる、つまり、残されると有利である。
【００３６】
等方性のエッチングプロセスによって、島状領域６の下方の規定された領域が除去される。原理的には、島状領域６は、いまや、この場合にシリコン基板層１に形成された切欠き内に変位することができる。このことは、機械的な安定性に関する問題を生ぜしめない。なぜならば、２００μｍのエッチング深さｄでさえ、十分な実体を備えた、約６００〜７００μｍの厚さを有するシリコン基板層１が維持され続けるからである。
【００３７】
必要な場合には、図７に示したように、パッシベーション層１０（および酸化物層２）を等方性のシリコン犠牲層エッチングステップ後に公知の方法、たとえばガスＨＦ／Ｈ２Ｏを用いた化学的なドライエッチングによって再び除去することが難なく可能である。このことは、矢印によって図７に示してある。
【００３８】
同じく、図８に示したように、必要な場合には、１つまたはそれ以上の付加的な層１３を、（場合によってさらに別の溝構造９によって穿孔された）ミラー面、すなわち、島状領域６の上面に析出することが可能である。これによって、たとえばミラー表面の反射性を改善することができる。析出プロセスとして、有利には、同様の縁被覆が生ぜしめられ（たとえばＳｉまたはＧｅまたはＳｉＧｅの減圧ＣＶＤまたはメタライゼーション）、場合によって存在する狭幅（４ｍｍ未満の幅）の穿孔穴の閉塞１４が生ぜしめられる方法が選択される。ミラー層１３のデザイン時には、可動の構造体６を固定の構造体７から分離する溝５が穿孔穴９よりも広幅に形成されていることに注意しなければならない。これによって、溝５の領域で、旋回ミラー６の機能を損なう望ましくない閉塞を回避することができる。したがって、場合によって可能な別の上面プロセスステップのために、被覆後にもしくは被覆層１３によって、閉塞されたミラー表面を提供することができる。
【００３９】
本発明を有利な実施例につき前述したにもかかわらず、本発明は、この実施例に限定されておらず、種々異なる形式に変更可能である。
【００４０】
たとえば、静電式の駆動装置として作用する、旋回ミラー６の運動のためのアクチュエータエレメントを実現するために、図面に示していない自体公知の別のプロセスステップを設けることができる。このアクチュエータエレメントは、たとえば外部から電圧で負荷可能なコンデンサを有することができる。このコンデンサの一方の電極は、除去された領域１２によって形成された切欠きの底部に形成され、コンデンサの他方の電極は島状構造体６の下面によって形成される。しかし、ミラーエレメント６と、（チップに設けられた）アクチュエータエレメントとの空間的な分離も可能である。
【００４１】
本発明による製作法によって、極めて大きな振幅のためのマイクロマシニング型の旋回ミラーを、構成レーザ、バーコードレーザ、室監視、自動車における座席占有認識またはこれに類するものに使用するために製作することができる。
【００４２】
最後に、上述した実施例には１つのミラー構造体が示してあるが、本発明は、島状領域６がミラーエレメントではなく、その他の機械的なアクチュエータ、たとえば作動部材またはこれに類するものである構造体にも使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】本発明による旋回ミラー装置のための第１の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【００４４】
【図１Ｂ】図１Ａのプロセス段階における（駆動装置なしの）旋回ミラーの平面図である。
【００４５】
【図２】本発明による旋回ミラー装置のための第２の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【００４６】
【図３】本発明による旋回ミラー装置のための第３の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【００４７】
【図４】本発明による旋回ミラー装置のための第４の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【００４８】
【図５】本発明による旋回ミラー装置のための第５の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【００４９】
【図６】本発明による旋回ミラー装置のための第６の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【００５０】
【図７】本発明による旋回ミラー装置のための第７の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【００５１】
【図８】本発明による旋回ミラー装置のための第８の製作プロセスの（図１Ｂに示したＡＡ′線に沿った）概略的な横断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  シリコン基板層、  ２  酸化物層、  ３  機能層、  ４  エッチングマスク、  ５  溝、  ６  島状領域、  ７  領域、  ８  ねじりばね、  ９  穿孔穴、  １０  パッシベーション層、  １１  開口、  １２  領域、  １３  層、  １４  閉塞、  ｄ  深さ
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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