(57)【要約】アルミニウム、マグネシウムまたはチタンの金属およびこれらの合金に、六ホウ化カルシウム粒子を添加することによって、金属マトリックス複合体を製造した。得られる金属マトリックス複合体は軽量であり、改良された強度、増大した弾性率、および低下した熱膨張係数を有するので、金属マトリックス複合体は産業において更に有用とされる。金属マトリックス複合体は、アルミニウム、マグネシウム、チタンまたはこれらの組み合わせの粒子と、六ホウ化ケイ素、六ホウ化カルシウム、四ホウ化ケイ素、四ホウ化カルシウムまたはこれらの組み合わせの粒子とを混合することによっても形成される。混合された粒子は粉末冶金技法に従って処理されて、金属マトリックス複合体材料が製造される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム、マグネシウム、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される金属と、六ホウ化カルシウム粒子とからなり、該六ホウ化カルシウム粒子が約０．１〜約８０重量％の範囲で該金属中に存在することを特徴とする金属マトリックス複合体。
【請求項２】
前記六ホウ化カルシウムが、約０．１〜約２００ミクロンの平均粒径を有する請求項１に記載の金属マトリックス複合体。
【請求項３】
前記金属がアルミニウムである請求項１に記載の金属マトリックス複合体。
【請求項４】
アルミニウム、マグネシウム、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される金属と、六ホウ化カルシウム粒子および六ホウ化ケイ素粒子とからなり、前記六ホウ化カルシウム粒子および前記六ホウ化ケイ素粒子が約０．１〜約８０重量％の範囲で前記金属中に存在することを特徴とする金属マトリックス複合体。
【請求項５】
前記六ホウ化カルシウム粒子および前記六ホウ化ケイ素粒子が、約０．１〜約２００ミクロンの平均粒径を有する請求項４に記載の金属マトリックス複合体。
【請求項６】
前記金属がアルミニウムである請求項４に記載の金属マトリックス複合体。
【請求項７】
金属マトリックス複合体からなり製造物品であって、該金属マトリックス複合体が、アルミニウム、マグネシウム、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される金属と、六ホウ化カルシウム粒子とからなり、該六ホウ化カルシウム粒子が約０．１〜約８０重量％の範囲で該金属中に存在することを特徴とする製造物品。
【請求項８】
前記六ホウ化カルシウムが、約０．１〜約２００ミクロンの平均粒径を有する請求項７に記載の製造物品。
【請求項９】
前記金属がアルミニウムである請求項７に記載の製造物品。
【請求項１０】
前記製造物品が蹄鉄である請求項７に記載の製造物品。
【請求項１１】
前記蹄鉄がアルミニウムマトリックス複合体から製造されたものであり、前記アルミニウムマトリックス複合体が、約７５ミクロンの平均粒径を有する約５〜約１０重量％の六ホウ化カルシウム粒子を含み、その残りがＡ３５６アルミニウム金属である請求項１０に記載の製造物品。
【請求項１２】
前記製造物品がメモリディスク基板である請求項７に記載の製造物品。
【請求項１３】
前記メモリディスク基板がアルミニウムマトリックス複合体から製造されたものであり、前記アルミニウムマトリックス複合体が、約１０ミクロンの平均粒径を有する約４０重量％の六ホウ化カルシウム粒子を含み、その残りがアルミニウム金属である請求項１２に記載の製造物品。
【請求項１４】
前記製造物品がハードドライブ用アクチュエータアームである請求項７に記載の製造物品。
【請求項１５】
前記ハードドライブ用アクチュエータアームがアルミニウムマトリックス複合体から製造されたものであり、前記アルミニウムマトリックス複合体が、約５０ミクロンの平均粒径を有する約３０重量％の六ホウ化カルシウム粒子を含み、その残りがＡ３５６アルミニウム金属である請求項１４に記載の製造物品。
【請求項１６】
粉末形態の金属材料と、粉末形態のセラミック材料とを組み合わせることによって形成される金属マトリックス複合体材料であって、
該複合体材料の約５０重量％〜９９重量％の範囲にある金属であって、アルミニウム、マグネシウム、チタン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属と、
該複合体材料の約１重量％〜５０重量％の範囲にあるセラミック材料であって、六ホウ化ケイ素、六ホウ化カルシウム、四ホウ化ケイ素、四ホウ化カルシウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるセラミック材料と、
からなる金属マトリックス複合体材料。
【請求項１７】
前記複合体材料が、約１マイクロメートル〜５００マイクロメートルの範囲の粒径を有する請求項１６に記載の金属マトリックス複合体。
【請求項１８】
金属材料とセラミック材料とを組み合わせることによって形成される金属マトリックス複合体材料であって、
該複合体材料の約５０重量％〜９９重量％の範囲にある金属であって、アルミニウム、マグネシウム、チタン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属と、
該複合体材料の約１重量％〜５０重量％の範囲にあるセラミック材料であって、カルシウム、ホウ素、ケイ素、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも２つの材料を含むセラミック材料と、
からなる金属マトリックス複合体材料。
【請求項１９】
前記金属が、前記セラミック材料と組み合わせられるときに粉末形態である請求項１８に記載の金属マトリックス複合体材料。
【請求項２０】
前記セラミック材料が、前記金属と組み合わせられるときに粉末形態である請求項１８に記載の金属マトリックス複合体材料。
【請求項２１】
前記セラミック材料が、前記粉末金属と組み合わせられるときに粉末形態である請求項１９に記載の金属マトリックス複合体材料。
【請求項２２】
粉末形態の金属と粉末形態のセラミックとを組み合わせることによって形成される金属マトリックス複合体ディスクであって、
該複合体材料の約１重量％〜５０重量％の範囲にあるセラミック材料と、
該複合体材料の約５０重量％〜９９重量％の範囲にある金属と、
からなる金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項２３】
第１の平坦な表面と、該第１の平坦な表面とは反対側に配置された第２の平坦な表面とを有する請求項２２に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項２４】
前記複合体材料が、約７０〜１８０ＧＰａの範囲の弾性率を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項２５】
前記複合体材料が、約１００〜１５０ＧＰａの範囲の弾性率を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項２６】
前記複合体材料が、約１４０〜１８０ＧＰａの範囲の弾性率を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項２７】
前記複合体材料が、約２．６〜２．９グラム／ｃ３の範囲の密度を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項２８】
前記複合体材料が、約２５〜７５ＧＰａ／ｇ／ｃ３の範囲の比弾性率を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項２９】
前記複合体材料が、約３０〜５０ＧＰａ／ｇ／ｃ３の範囲の比弾性率を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項３０】
前記複合体材料が、約５０〜７５ＧＰａ／ｇ／ｃ３の範囲の比弾性率を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項３１】
前記複合体材料が、約８．９〜２１．５ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有する請求項２３に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項３２】
外側表面を規定するディスクであって、該ディスクが粉末形態の金属と粉末形態のセラミックを組合せて形成する金属マトリックス複合体からなり、該セラミック材料が該複合体材料の約１重量％〜５０重量％の範囲にあり、該金属が該複合体材料の約５０重量％〜９９重量％の範囲にディスクと、
該ディスクの外側表面を完全に被覆するアモルファス材料層と、
からなる磁気ディスク基板。
【請求項３３】
磁気ディスク基板であって、
（ａ）上面と、
（ｂ）該上面の反対側のディスク上に配置された底面と、
（ｃ）該上面と該底面の間に延在する内側表面と、
（ｄ）該上面と該底面の間に延在する外側表面と
を規定するディスクであって、該ディスクが粉末形態の金属と粉末形態のセラミック材料を組み合せて形成される金属マトリックス複合体からなり、該セラミック材料が該複合体材料の約１重量％〜５０重量％の範囲にあり、該金属が該複合体材料の約５０重量％〜９９重量％の範囲であるディスクと、
該ディスクの該上面、底面、内側表面、および外側表面を被覆するアモルファス材料層と、
からなる磁気ディスク基板。
【請求項３４】
前記セラミック材料が、六ホウ化ケイ素、六ホウ化カルシウム、四ホウ化ケイ素、四ホウ化カルシウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項３２に記載の磁気ディスク基板。
【請求項３５】
前記アモルファス層がニッケル−リンからなる請求項３４に記載の磁気ディスク基板。
【請求項３６】
前記アモルファス層が前記ディスクを被覆する請求項３５に記載の磁気ディスク基板。
【請求項３７】
前記複合体材料が、約７０〜２６０ＧＰａの範囲の弾性率を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項３８】
前記複合体材料が、約１００〜１５０ＧＰａの範囲の弾性率を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項３９】
前記複合体材料が、約１４０〜１８０ＧＰａの範囲の弾性率を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項４０】
前記複合体材料が、約２．６〜２．９グラム／ｃ３の範囲の密度を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項４１】
前記複合体材料が、約２７〜１００ＧＰａ／ｇ／ｃ３の範囲の比弾性率を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項４２】
前記複合体材料が、約３５〜５０ＧＰａ／ｇ／ｃ３の範囲の比弾性率を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項４３】
前記複合体材料が、約５０〜７５ＧＰａ／ｇ／ｃ３の範囲の比弾性率を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【請求項４４】
前記複合体材料が、約８．０〜２１．５ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有する請求項３４に記載の金属マトリックス複合体ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、金属マトリックス複合体を用いることによって、強度、弾性率、および低下した熱膨張を含む改良された金属体の機械的および物理的特性に関する。
【０００２】
更に詳細には、本発明は、六ホウ化ケイ素、六ホウ化カルシウム、四ホウ化ケイ素、または四ホウ化カルシウム粒子を用いてアルミニウム、マグネシウムおよびチタンの金属マトリックス複合体を形成することによるこれらの金属の補強に関する。
【０００３】
［従来の技術］
アルミニウムおよびマグネシウムの軽量金属は様々な産業において利用されるため、非常に大きい市場を有する。チタンも、それよりは少ないが、軽量の製造材料として利用される。しかしながら、これらの金属には幾つかの欠点があり、その有用性が制限される。これらの欠点としては、低剛性（低弾性率）、高熱膨張係数、および低強度が挙げられる。これらの欠点のうちのいくつかは、これらの金属の金属マトリックス複合体の使用によって克服されている。通常、金属マトリックス複合体は、金属にセラミックスを添加することによって構成される。これらのセラミック添加剤の主な目的は、弾性率を増大させ、熱膨張係数を低下させることであった。炭化ケイ素ウィスカーなどの繊維性材料が添加される場合、強化が観察されている。そのほかの添加材料としては、ホウ素金属、炭素、ケイ酸アルミニウム、および酸化アルミニウムの繊維が挙げられる。更にその他の典型的な補強剤は、酸化アルミニウム微粒子や、種々の形態の炭化ホウ素および炭化ケイ素である。
【０００４】
これらの中で、酸化アルミニウム微粒子および炭化ケイ素微粒子だけが、アルミニウム系のマトリックス中で広く用いられている。これらのどちらかを溶融アルミニウムに添加するためには、添加剤の比重が溶融アルミニウムよりも著しく大きいので、連続的な攪拌作用を利用しなければならない。これは、溶融アルミニウム全体にわたって添加剤を実質的に均一に分配して保持するために、アルミニウム／添加剤混合物の絶え間ない攪拌が必要とされることを意味する。同様の問題が、同じ添加剤と溶融マグネシウムとの混合物の場合にも生じる。溶融金属の攪拌により、添加剤を溶融金属全体にわたって分配して保持することができるが、このような連続的攪拌は酸素含有物および水素による金属の汚染を引き起こす。
【０００５】
更に、金属マトリックス複合体の汚染および不均一性の理由から、再溶融（リサイクルのためなど）は、得られる供給製品（feed product）にばらつきがあるために問題である。
【０００６】
先行技術では、これらの困難を克服するために、様々な方法および組成物が開発されている。幾つかの例では、金属マトリックス複合体材料を製造するために、粉末金属プロセスが使用されている。例えば、米国特許第５，５７３，６０７号は金属マトリックス複合体について記載しており、ここでは、ホウ化ケイ素粒子がアルミニウム、マグネシウムまたはチタンと混ぜ合わせられて、金属マトリックス複合体が形成される。該特許に記載されるプロセスによると、金属マトリックスを形成するために、ホウ化ケイ素粒子は金属粒子と予め混合されてもよいし、あるいは溶融物中に攪拌されてもよい。金属マトリックス複合体材料を製造するために粉末冶金学を使用する他の例は、金属マトリックス複合体の調製における炭化ホウ素の使用を説明する米国特許第５，７１２，０１４号と、アルミニウム／セラミックディスク基板を製造するための粉末冶金技法の使用を説明する米国特許第５，９４８，４９５号とに表示および記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明の目的は、添加剤粒子を懸濁液中に保持するために最小限の攪拌しか必要としない、アルミニウム、マグネシウムおよびチタンの溶融金属を用いた金属マトリックス複合体を提供することである。
【０００８】
本発明のもう１つの目的は、補強剤が溶融金属と同様の比重を有することにより、金属マトリックス複合体の形成の間に添加剤粒子がほとんど沈降しないものである金属マトリックス複合体を提供することである。
【０００９】
本発明の更なる目的は、添加剤粒子が金属マトリックス複合体の延性を増大させるものである金属マトリックス複合体を提供することである。
【００１０】
開示される本発明の更なる目的は、金属粒子およびセラミック材料粒子の実質的に均一な混合物から、金属マトリックス複合体材料を提供することである。開示される本発明の更なる目的は、セラミック粒子の比率に対して選択される金属粒子の比率で、固体金属粒子と固体セラミック粒子とを混ぜ合わせることによって、所定の特性を有する金属マトリックス複合体材料を提供することである。
【００１１】
開示される本発明の更なる目的は、固体金属粒子と固体セラミック粒子とを混ぜ合わせることによって複合体が製造される、金属マトリックス複合体のディスクを提供することである。
【００１２】
本発明の更なるおよびその他の目的は本明細書に包含される説明から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の１態様によると、改良された新規な金属マトリックス複合体は、アルミニウム、マグネシウム、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される溶融金属と、六ホウ化カルシウム粒子とから形成される金属マトリックス複合体を含む。金属中に存在する六ホウ化カルシウム粒子の量は、約０．１〜約８０重量％の範囲である。
【００１４】
本発明のもう１つの態様によると、改良された新規な金属マトリックス複合体は、アルミニウム、マグネシウム、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される溶融金属と、六ホウ化カルシウム粒子および六ホウ化ケイ素粒子とから形成される金属マトリックス複合体を含む。金属中の六ホウ化カルシウム粒子および六ホウ化ケイ素粒子の量は、約０．１〜約８０重量％の範囲である。
【００１５】
本発明のもう１つの態様によると、改良された新規な製造物品は、金属マトリックス複合体を含む。金属マトリックス複合体は、アルミニウム、マグネシウム、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される金属と、六ホウ化カルシウム粒子とから形成される。金属中の六ホウ化カルシウム粒子の量は、約０．１〜約８０重量％の範囲である。
【００１６】
開示される本発明によると、金属粒子は、アルミニウム、マグネシウム、チタンおよびこれらの組み合わせの群から選択され、セラミック粒子は、六ホウ化ケイ素、六ホウ化カルシウム、四ホウ化ケイ素、四ホウ化カルシウム、およびこれらの組み合わせの群から選択される。
【００１７】
好ましくは、金属は複合体材料の５０重量％〜９９重量％の範囲であり、セラミックは複合体材料の１重量％〜５０重量％の範囲である。更に好ましくは、金属マトリックス複合体は、７０〜１８０ギガパスカル（「ＧＰａ」）の範囲の弾性率を有するように適合され、８．９〜２１．５ｐｐｍ／°Ｋの範囲の熱膨張係数を有するように適合されることが可能である。
【００１８】
本明細書で開示される本発明の現在の好ましい実施形態は、添付図面と関連して表示および説明される。
【００１９】
［発明の実施の形態］
溶融アルミニウムに六ホウ化カルシウム粒子を添加することによって、金属マトリックス複合体を製造した。六ホウ化カルシウムは、ドイツ、ケンプテンのWACKER-CHEMIEにより供給された。六ホウ化カルシウムの比重はアルミニウムの比重と非常に近いので、均一な混合物を達成するために、最小限の攪拌だけが必要とされた。誘導炉において加熱が達成される場合、攪拌作用は自動的に達成される。その他の加熱条件下では、いくらかの機械的攪拌が必要とされる。
【００２０】
アルミニウムに対して約０．１重量％〜約８０重量％の組成範囲の六ホウ化カルシウムを使用することができるが、ほとんどの用途では約５〜約４０重量％の範囲が最も実用的であり、これを試験のために用いた。六ホウ化カルシウムは、通常、約０．１〜約２００ミクロンの平均粒径範囲を有する。得られる金属マトリックスは軽量で、改良された強度、増大した延性および低下した熱膨張係数を有する。
【００２１】
本発明の開発では、主として、溶融金属への六ホウ化カルシウムの添加を利用した。しかしながら、本発明は、混合物を溶融する前に六ホウ化カルシウム粒子を粉末アルミニウム金属および他の任意の合金化成分と混合することも含むことは理解されるであろう。
【００２２】
更に、六ホウ化カルシウム粒子および六ホウ化ケイ素粒子の混合物を溶融金属へ添加してもよい。実質的に商業的なプロセスで調製される六ホウ化ケイ素を使用することができ、イリノイ州シカゴのCERACにより供給されるものと同程度であり、通常、約０．１〜約２００ミクロンの平均粒径範囲を有する。
【００２３】
溶融混合物は、蹄鉄（ｈｏｒｓｅｓｈｏｅｓ）、メモリディスク基板、ディスクドライブ用アクチュエータアーム、または本発明の金属マトリックス複合体の改良された機械的および物理的特性から利益を得ると思われる任意の製品など、製造品として所望の形状に鋳造することができる。
【００２４】
実施例１
金属マトリックス複合体の蹄鉄を、アルミニウムマトリックス複合体から製造した。アルミニウムマトリックス複合体は平均粒径が約７５ミクロンの約５〜約１０重量％の六ホウ化カルシウム粒子を含有し、その残りはＡ３５６アルミニウム金属であった。得られた蹄鉄は軽量、強力、耐摩耗性であり、予想外に延性であった。この蹄鉄は、４５度の角度で破損することなく曲げることが可能であった。。
【００２５】
実施例２
金属マトリックス複合体のメモリディスク基板を、アルミニウムマトリックス複合体から製造した。アルミニウムマトリックス複合体は平均粒径が約１０ミクロンの約４０重量％の六ホウ化カルシウム粒子を含有し、その残りはアルミニウム金属であった。
【００２６】
実施例３
金属マトリックス複合体のハードドライブ用アクチュエータアームを、アルミニウムマトリックス複合体から製造した。アルミニウムマトリックス複合体は平均粒径が約５０ミクロンの約３０重量％の六ホウ化カルシウム粒子を含有し、その残りはＡ３５６アルミニウム金属であった。
【００２７】
マグネシウムおよびチタンは、アルミニウムと同様に低い比重を有する。したがって、これらの金属と六ホウ化カルシウムとの金属マトリックス複合体は、本発明の範囲内にある。
【００２８】
上記から、アルミニウム、マグネシウムおよびチタンの改良された金属マトリックス複合体は、六ホウ化カルシウム粒子の添加により達成されることが理解されるであろう。その組成物は最小限の攪拌により容易に調製することができ、所望される場合には製品をリサイクルすることができる。
【００２９】
開示される本発明のもう１つの実施形態では、金属マトリックス材料は、固体金属粒子と固体セラミック粒子とを混ぜ合わせることによって製造される。金属およびセラミック粒子はいずれも、乾燥した粉末形態であり、金属マトリックス複合体のために選択される特定の特性に従った比率で一緒に混合される。次に、当該技術分野において一般に知られており、例えば米国特許第５，４８６，２２３号および同第５，８９５，６９６号に記載されるような金属マトリックス複合体を製造するための粉末金属プロセスに従って、金属およびセラミック粒子混合物は圧縮される。
【００３０】
開示される本発明の実施形態では、セラミック材料はジェットミルなどで粉末形態に調製される。六ホウ化ケイ素、六ホウ化カルシウム、四ホウ化ケイ素、四ホウ化カルシウムまたはこれらの組み合わせの粉末セラミック材料は、次に、アルミニウム、マグネシウム、チタン、またはこれらの組み合わせの粉末金属と混合されて、実質的に均一なセラミック／金属材料の混合物を形成する。開示される本発明の好ましい実施形態では、金属は約１重量％〜５０重量％の範囲であり、セラミック材料は約５０重量％〜９９重量％の範囲である。
【００３１】
当業者には知られているように、セラミック／金属混合物は、次に、鋳型内に入れられ、高圧下で圧縮される。粉末金属技術の当業者には知られているように、鋳型は、金属マトリックス複合体製品が形成されるように、所望の製品の形状である。次に、最終製品を製造するために必要に応じて、成形された形状に対して従来の金属処理が実行される。
【００３２】
粉末金属プロセスによる金属マトリックス複合体材料は、約１４０〜１７０ＧＰａの範囲の弾性率、約２．６〜２．９グラム／ｃ３の範囲の密度、約５０〜７０ＧＰａ／ｇ／ｃ３の比弾性率、および約８．０〜１２ｐｐｍ／°Ｋの範囲の熱膨張係数を有することが分かっている。
【００３３】
図面に示される更に特定の実施例のように、開示される本発明に従って、コンピュータメモリ記憶ディスクを製造するための基板として使用されるのに適した型の金属マトリックス複合体ディスク１０は、粉末アルミニウム金属を粉末六ホウ化ケイ素と混合することによって製造される。アルミニウム／六ホウ化ケイ素混合物は次に、一般的なディスク形状をした鋳型内に入れられ、加圧されて金属マトリックス複合体ディスク半加工品が形成される。次に、この半加工品に、研削および研磨などの従来の金属成形および仕上げプロセスを実施して、完成ディスクを製造する。
【００３４】
また、本明細書に開示される本発明に従って、金属マトリックス複合体ディスクの側面１４および１６にアモルファス材料層１２を付加して、金属マトリックス複合体ディスク基板を形成する。好ましくは、アモルファス材料層１２は、アルミニウム／六ホウ化ケイ素マトリックス複合体ディスク１０を被覆して金属マトリックス複合体ディスク基板を形成するニッケル−リン層である。ニッケル−リン層１２は、米国特許第５，８９５，６９６号に記載されるような当業者には一般的に知られている無電解めっき技法によって、ディスクに付加される。その後、磁気メモリオーバーレイ層１８がディスク基板に付加されて、メモリディスクが製造される。磁気メモリオーバーレイ層１８は、一般に、これも当業者に知られている真空スパッタリング堆積技法によって付与される。
【００３５】
本発明の好ましい実施形態であると現在考えられるものが表示および説明されたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から逸脱することなく、そこに様々な変更および修正を成し得ることは当業者には明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】開示される本発明による複合体ディスクおよび複合体ディスク基板の断面立面図である。
【図１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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