(57)【要約】製造コストを下げた超音波トランスデューサー（１００）。この超音波トランスデューサーは、第１の絶縁保持層（１０４）、第２の絶縁保持層（１０８）及び第１と第２の保持層に挟まれた振動体フィルム層（１０６）を含む。第１の保持層は、貫通の第１の複数の開孔（１３５）を含み、第２の保持層は、貫通の第２の複数の開孔（１３５）を含み、第２の開孔（１３９）は、前記第１の開孔と実質的に位置が合っている。さらに、前記超音波トランスデューサーは、これに接続の複数のスプリング／バックプレートアッセンブリーを有する第１のカバー部（１０２）と第２のカバー部（１１０）を含む。前記第１の保持層、振動体フィルム層及び第２の保持層が組み合わされて、前記超音波トランスデューサーの第１と第２のカバー部の間に挟まれている。この超音波トランスデューサーの積層構造で単一の振動体フィルムを使用しての超音波トランスデューサーアレイが構成可能になる。
2005506742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構成の静電音響トランスデューサー：
第１の電極；
貫通した複数の第１の開孔を有する第１の保持層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置された振動体フィルム層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置されている複数のプレートであり、該プレートの各々は、前記第１の保持層を貫通している前記第１の開孔のそれぞれ一つに位置が実質的に合っているもの；
前記第１の電極と前記複数のプレートの間に配置されていて、それぞれの前記プレートを前記振動体フィルム層に押圧するようになっている少なくとも一つの弾性部材；及び
隣接する第１の保持層の一方の面に配置されている第２の電極
を備え，
前記トランスデューサーは、前記第１と第２の電極に駆動電圧を受けると、前記フィルム層が振動し、これによって、音波又は超音波周波数の一連の圧縮波を発生させるように構成されているもの。
【請求項２】
前記振動体フィルム層は、一枚のフィルムを備える請求項１のトランスデューサー。
【請求項３】
前記振動体フィルム層は、前記第１の保持層に面する導電性面と前記第１の電極に面する非導電性面とを有し、前記振動体フィルム層の導電性面が第２の電極を形成するように構成されている請求項１のトランスデューサー。
【請求項４】
前記振動体フィルム層の導電性面は、アルミニウム、金又はニッケル面になっている請求項３のトランスデューサー。
【請求項５】
前記振動体フィルム層は、ポリマーからなる請求項１のトランスデューサー。
【請求項６】
前記ポリマーは、ポリエステル、ポリイミド、ＰＥＴ及びＰＴＦＥからなるグループから選ばれるものである請求項５のトランスデューサー。
【請求項７】
前記振動体フィルム層の厚さが０．２μｍ〜１００．０μｍの範囲のものである請求項１のトランスデューサー。
【請求項８】
複数の貫通した第２の開孔を有する第２の保持層をさらに含み、この第２の保持層は、前記振動体フィルム層と前記第１の電極の間に配置され、第２の開孔それぞれは、前記第１の開孔と位置が実質的に合致していて、前記複数のプレエートが前記第２の開孔それぞれに実質的に配置されている請求項１のトランスデューサー。
【請求項９】
前記第２の保持層は、該層に形成の迷路チャンネルを有し、この迷路チャンネルは、ケーブルをゆるみなく配置できるものであり、前記トランスデューサーは、さらに、前記迷路チャンネルに配置のケーブルを含み、前記第１と第２の電極に駆動電圧を印加するように構成されている請求項８のトランスデューサー。
【請求項１０】
前記ケーブルは、シールドされたケーブルからなる請求項９のトランスデューサー。
【請求項１１】
前記振動体フィルム層の反対側の前記第１の保持層の一方の面の配置された保護層をさらに含む請求項１のトランスデューサー。
【請求項１２】
前記保護層と前記振動体フィルム層が前記保護層により音が吸収されないように十分な所定の距離をもって離隔されている請求項１１のトランスデューサー。
【請求項１３】
前記所定の距離は、前記第１の保持層の厚さに相当する請求項１２のトランスデューサー。
【請求項１４】
前記所定の距離は、音波又は超音波の波長の約１／２である請求項１２のトランスデューサー。
【請求項１５】
前記保護層は、接地されるようになっている請求項１１のトランスデューサー。
【請求項１６】
前記弾性部材は、前記第１の電極と前記プレートそれぞれに電気的に接続している請求項１のトランスデューサー。
【請求項１７】
前記第１と第２の電極へ駆動電圧を印加するようになっているシールドされたケーブルをさらに含む請求項１のトランスデューサー。
【請求項１８】
以下の構成である超音波トランスデューサー：
振動体の面；及び
この振動体の面の一方の面に配置の保護カバー
を備え、
前記保護カバーと前記振動体の面は、前記保護カバーにより音が吸収されないように十分な所定の距離をもって離隔されているもの。
【請求項１９】
前記振動体の面と前記保護カバーとの間に配置されている保持層をさらに含み、前記所定の距離は、前記保持層の厚さに相当する請求項１８のトランスデューサー。
【請求項２０】
前記所定の距離は、前記超音波トランスデューサーにより発生される音波又は超音波の波長の約１／２である請求項１８のトランスデューサー。
【請求項２１】
前記保護層と前記振動体の面とにぐるり実質的に取り付けられている装飾層をさらに含む請求項１８のトランスデューサー。
【請求項２２】
前記装飾層が織物カバーからなる請求項２１のトランスデューサー。
【請求項２３】
前記保護層が接地されるようになっている請求項１８のトランスデューサー。
【請求項２４】
以下の構成からなるパラメトリック拡声器：
少なくとも一つのオーディオ信号を与えるようになっている少なくとも一つのオーディオ信号源；
前記オーディオ信号を代表する第１の信号を受け、この第１の信号を超音波周波数に変換する変調器；及び
振動体の面とこの振動体の面の一方の面に配置された超音波トランスデューサーを備え、
前記保護カバーと前記振動体の面は、前記保護カバーにより音が吸収されないように十分な所定の距離をもって離隔されているもの。
【請求項２５】
前記振動体の面と保護カバーとの間に配置されている保持層をさらに含み、前記所定の距離は、前記保持層の厚さに相当する請求項２４のパラメトリック拡声器。
【請求項２６】
前記所定の距離は、前記超音波トランスデューサーにより発生される音波又は超音波の波長の約１／２である請求項２４のパラメトリック拡声器。
【請求項２７】
前記保護層と前記振動体の面とにぐるり実質的に取り付けられている装飾層をさらに含む請求項２４のパラメトリック拡声器。
【請求項２８】
前記装飾層が織物カバーからなる請求項２４のパラメトリック拡声器。
【請求項２９】
前記保護層が接地されるようになっている請求項２４のパラメトリック拡声器。
【請求項３０】
以下の構成からなるパラメトリックオーディオシステム：
少なくとも一つのオーディオ信号を与えるようになっている少なくとも一つのオーディオ信号源；
前記オーディオ信号を代表する第１の信号を受け、この第１の信号を超音波周波数に変換する変調器；及び
前記変換された第１の信号を受け、この変換された第１の信号を選択されたパスにそって空気中に流し、これによって前記選択されたパスの少なくとも一部にそってオーディオ信号を再生する静電音響トランスデューサーを備え、
前記静電音響トランスデューサーが以下の構成からなるもの：
第１の電極；
貫通した複数の第１の開孔を有する第１の保持層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置された振動体フィルム層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置されている複数のプレートであり、該プレートの各々は、前記第１の保持層を貫通している前記第１の開孔のそれぞれ一つに位置が実質的に合っているもの；
前記第１の電極と前記複数のプレートの間に配置されていて、それぞれの前記プレートを前記振動体フィルム層に押圧するようになっている少なくとも一つの弾性部材；及び
隣接する第１の保持層の一方の面に配置されている第２の電極
を備え，
前記トランスデューサーは、前記第１と第２の電極に駆動電圧を受けると、前記フィルム層が振動し、これによって、前記投射される信号を発生させるように構成されているもの。
【請求項３１】
前記振動体フィルム層は、単一のフィルムからなる請求項３０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３２】
前記振動体フィルム層は、前記第１の保持層に面する導電性面と前記第１の電極に面する非導電性面とを有し、前記振動体フィルム層の導電性面が第２の電極を形成するように構成されている請求項３０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３３】
前記振動体フィルム層の導電性面は、アルミニウム、金又はニッケル面になっている請求項３２のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３４】
前記振動体フィルム層は、ポリマーからなる請求項３０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３５】
前記ポリマーは、ポリエステル、ポリイミド、ＰＥＴ及びＰＴＦＥからなるグループから選ばれるものである請求項３４のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３６】
前記振動体フィルム層の厚さが０．２μｍ〜１００．０μｍの範囲のものである請求項３０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３７】
複数の貫通した第２の開孔を有する第２の保持層をさらに含み、この第２の保持層は、前記振動体フィルム層と前記第１の電極の間に配置され、第２の開孔それぞれは、前記第１の開孔と位置が実質的に合致していて、前記複数のプレエートが前記第２の開孔それぞれに実質的に配置されている請求項３０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３８】
前記第２の保持層は、該層に形成の迷路チャンネルを有し、この迷路チャンネルは、ケーブルをゆるみなく配置できるものであり、前記トランスデューサーは、さらに、前記迷路チャンネルに配置のケーブルを含み、前記第１と第２の電極に駆動電圧を印加するように構成されている請求項３７のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項３９】
前記ケーブルは、シールドされたケーブルからなる請求項３８のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項４０】
前記振動体フィルム層の反対側の前記第１の保持層の一方の面の配置された保護層をさらに含む請求項３０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項４１】
前記保護層と前記振動体フィルム層が前記保護層により音が吸収されないように十分な所定の距離をもって離隔されている請求項４０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項４２】
前記所定の距離は、前記第１の保持層の厚さに相当する請求項４１のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項４３】
前記所定の距離は、音波又は超音波の波長の約１／２である請求項４１のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項４４】
前記保護層は、接地されるようになっている請求項４０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項４５】
前記弾性部材は、前記第１の電極と前記プレートそれぞれに電気的に接続している請求項３０のパラメトリックオーディオシステム。
【請求項４６】
以下の構成からなるアコースティック音発生器：
少なくとも一つのオーディオ信号を与えるようになっている少なくとも一つのオーディオ信号源；及び
前記オーディオ信号を受け、このオーディオ信号を空気中に投射する静電アコースティックトランスデューサーを備え、
前記静電アコースティックトランスデューサーは、
第１の電極；
貫通した複数の第１の開孔を有する第１の保持層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置された振動体フィルム層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置されている複数のプレートであり、該プレートの各々は、前記第１の保持層を貫通している前記第１の開孔のそれぞれ一つに位置が実質的に合っているもの；
前記第１の電極と前記複数のプレートの間に配置されていて、それぞれの前記プレートを前記振動体フィルム層に押圧するようになっている少なくとも一つの弾性部材；及び
隣接する第１の保持層の一方の面に配置されている第２の電極
を備え，
前記トランスデューサーは、前記第１と第２の電極に駆動電圧を受けると、前記フィルム層が振動し、これによって、前記投射される信号を発生させるように構成されているもの。
【請求項４７】
前記振動体フィルム層は、一枚のフィルムを備える請求項４６のアコースティック音発生器。
【請求項４８】
前記振動体フィルム層は、前記第１の保持層に面する導電性面と前記第１の電極に面する非導電性面とを有し、前記振動体フィルム層の導電性面が第２の電極を形成するように構成されている請求項４６のアコースティック音発生器。
【請求項４９】
前記振動体フィルム層の導電性面は、アルミニウム、金又はニッケル面になっている請求項４８のアコースティック音発生器。
【請求項５０】
前記振動体フィルム層は、ポリマーからなる請求項４８のアコースティック音発生器。
【請求項５１】
前記ポリマーは、ポリエステル、ポリイミド、ＰＥＴ及びＰＴＦＥからなるグループから選ばれるものである請求項５０のアコースティック音発生器。
【請求項５２】
前記振動体フィルム層の厚さが０．２μｍ〜１００．０μｍの範囲のものである請求項４６のアコースティック音発生器。
【請求項５３】
前記弾性部材が前記第１の電極と前記プレートそれぞれに電気的に接続している請求項４６のアコースティック音発生器。
【請求項５４】
複数の貫通した第２の開孔を有する第２の保持層をさらに含み、この第２の保持層は、前記振動体フィルム層と前記第１の電極の間に配置され、第２の開孔それぞれは、前記第１の開孔と位置が実質的に合致していて、前記複数のプレエートが前記第２の開孔それぞれに実質的に配置されている請求項４６のアコースティック音発生器。
【請求項５５】
前記第２の保持層は、該層に形成の迷路チャンネルを有し、この迷路チャンネルは、ケーブルをゆるみなく配置できるものであり、前記トランスデューサーは、さらに、前記迷路チャンネルに配置のケーブルを含み、前記第１と第２の電極に駆動電圧を印加するように構成されている請求項５４のアコースティック音発生器。
【請求項５６】
前記ケーブルは、シールドされたケーブルからなる請求項５５のアコースティック音発生器。
【請求項５７】
前記振動体フィルム層の反対側の前記第１の保持層の一方の面に配置された保護層をさらに含む請求項４６のアコースティック音発生器。
【請求項５８】
前記保護層と前記振動体フィルム層が前記保護層により音が吸収されないように十分な所定の距離をもって離隔されている請求項５７のアコースティック音発生器。
【請求項５９】
前記所定の距離は、前記第１の保持層の厚さに相当する請求項５８のアコースティック音発生器。
【請求項６０】
前記所定の距離は、音波又は超音波の波長の約１／２である請求項５８のアコースティック音発生器。
【請求項６１】
前記保護層は、接地されるようになっている請求項５７のアコースティック音発生器。
【請求項６２】
以下の構成からなる静電アコースティックトランスデューサー：
第１の電極；
貫通した少なくとも一つの第１の開孔を有する第１の保持層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置された振動体フィルム層；
前記第１の電極と前記第１の保持層の間に配置されている少なくとも一つのプレートであり、該プレートは、前記第１の保持層を貫通している前記第１の開孔に位置が実質的に合っているもの；
前記第１の電極と前記プレートの間に配置されていて、前記プレートを前記振動体フィルム層に押圧するようになっている少なくとも一つの弾性部材；及び
隣接する第１の保持層の一方の面に配置されている第２の電極
を備え，
前記トランスデューサーは、前記第１と第２の電極に駆動電圧を受けると、前記フィルム層が振動し、これによって、音波又は超音波周波数の一連の圧縮波からなる出力を発生させるように構成されているものであり、
前記トラスデューサーは、さらに、前記トランスデューサー出力を増幅させるＤＣバイアス電圧を発生するバイアス回路を含んでいるもの。
【請求項６３】
前記バイアス回路は、ＤＣ駆動信号で駆動される請求項６２のトランスデューサー。
【請求項６４】
前記バイアス回路は、ＡＣ駆動信号で駆動される請求項６２のトランスデューサー。
【請求項６５】
少なくとも一つの貫通した第２の開孔を有する第２の保持層をさらに含み、この第２の保持層は、前記振動体フィルム層と前記第１の電極の間に配置され、第２の開孔は、前記第１の開孔と位置が実質的に合致していて、前記プレートが前記第２の開孔それぞれに実質的に配置されている請求項６２のトランスデューサー。
【請求項６６】
前記弾性部材は、前記第１の電極と前記プレートそれぞれに電気的に接続している請求項６２のトランスデューサー。
【請求項６７】
以下の工程からなる静電アコースティックトランスデューサー：
第１の保持層と第２の保持層との間に振動体フィルム層をラミネートするものであって、この第１の保持層は、貫通した複数の第１の開孔を有し、第２の保持層は、貫通した複数の第２の開孔を有し、前記第１の開孔は、前記第２の開孔それぞれと実質的に位置が合っており；
前記第１の保持層に貫通した第１の開孔内にそれぞれのプレート部材を実質的に配置し；
前記プレートにそれぞれの弾性部材を配置し、この弾性部材が前記それぞれのプレート部材を前記振動体フィルム層に押し当てるようにし；そして
少なくとも隣接の第１の保持層にカバー部を取り付け、前記弾性部材を前記それぞれのプレート部材に押圧するようにすること。
【請求項６８】
前記隣接の第２の保持層に保護層を配置する工程をさらに含む請求項６７の方法。
【請求項６９】
て配置する第３の配置工程が前記保護層を前記振動体フィルム層から所定の距離だけ離すことを含み、この所定距離は、前記保護層による音の吸収を無くすのに十分なものになっている請求項６８の方法。
【請求項７０】
前記所定距離は、第２の保持層の厚さに相当する請求項６９の方法。
【請求項７１】
前記所定距離は、前記トランスデューサーにより発生される音波又は超音波の波長の約１／２である請求項６９の方法。
【請求項７２】
前記保護層をポテンシャルに接地する工程をさらに含む請求項６８の方法。
【請求項７３】
装飾層を前記保護層と前記第１と第２の保持層の実質的まわりに取り付ける工程をさらに含む請求項６７の方法。
【請求項７４】
前記装飾層は、ファブリックのカバーからなる請求項６７の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
〔関連出願へのクロスレファレンス〕
この出願は、超音波トランスデューサーと題する２００１年１０月９日に出願されたアメリカ合衆国仮特許出願第６０／３２８，５１６号の優先権を主張するものである。
【０００２】
〔連邦政府支援の研究または開発に関する声明〕
なし。
【０００３】
〔発明の背景〕
この発明は、おおまかに言えばアコースティックトランスデューサーに関し、より詳しくは、製造コストが安いハイパフォーマンスの超音波トランスデューサーに関するものである。
【０００４】
超音波トランスデューサーは、非線形伝達媒体における音波または超音波シグナルを発生させるパラメトリックスピーカー・システムに使用できることが知られている。例えば、超音波トランスデューサ・アレイをパラメトリックスピーカー・システムに用いて空気中または水中で音波（即ち、可聴の）シグナルを発生させる。従来のパラメトリック・オーディオシステムは、一般的には、変調した搬送信号を増幅する少なくとも一つの励振増幅器において超音波搬送信号を少なくとも一つのオーディオ信号で変調する変調器及びこれら変調され、増幅された搬送信号を選択された投射方向にそって空気中に通す複数の超音波トランスデューサー・アレイを含んでいる。例えば、超音波トランスデューサーは、複数の自蔵式の静電トランスデューサー、圧電トランスデューサー、電歪トランスデューサー、電気−熱−機械式フィルム（ＥＴＭＦ）トランスデューサー又はフッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）フィルムトランスデューサーを備えている。空気の非直線伝達特性により、投射された超音波信号は、空気中を通ることで復調され、これによって選択された投射パスの少なくとも一部にそって前記オーディオ信号が再生されることになる。
【０００５】
在来のパラメトリックオーディオシステムにおいては、このシステムにより発生される可聴音のレベルは、前記超音波トランスデューサー・アレイの全表面領域と前記アテイにより発生の音のカバー領域に比例するのが一般的である。しかしながら、代表的な圧電トランスデューサーのような代表的な超音波トランスデューサーは、約０．６３５ｃｍ（約１／４インチ）にしかすぎない直径のものである点から問題が多い。その結果、最適なトランスデューサー・アレイにおける表面領域を得るには、超音波トランスデューサーアレイが数百又は千又はそれ以上の圧電又は静電トランスデューサーを含むことが必要なることが多い。
【０００６】
可聴音の高いレベルまでに達するために、超音波トランスデューサーを大型化することはできるが、これもまた問題が山積している。例えば、静電トランスデューサーには、振動体フィルムで支持されているバックプレート部材が含まれているのが一般的である。しかしながら、静電トランスデューサーが大型になるにつれ、このバックプレートのサイズも大きくなってしまい、これによって、大きくされたバックプレートを支持する薄い振動体フィルムを傷めてしまうおそれがある。さらに、これら小さなトランスデューサーの各々は、超音波トランスデューサーアレイにおいて個々に接続され、独立して作動するようになっているのが一般的であるから、パラメトリックオーディオシステムが複雑化してしまい、製造コストも上昇してしまう。
【０００７】
したがって、パラメトリックスピーカーシステムに使用できる改良された超音波トランスデューサーが望まれている。このような超音波トランスデューサーにより、パラメトリックスピーカーシステムにおける超音波トランスデューサーアレイの構成の信頼度を高め、コストを安くする解決策が与えられる。
【０００８】
〔発明の概要〕
この発明によれば、パラメトリックスピーカーシステムにおいて信頼度が高い超音波トランスデューサーアレイを構成すると共にシステム全体の製造コストを下げることができる超音波トランスデューサーが提供される。ここに記載の超音波トランスデューサーは、積層構造のものであって、超音波振動体フィルムの単一層と単一のマトリックス・トランスデューサーハウジングを使用して、超音波トランスデューサーアレイにおいてマルチプルの超音波トランスデューサーを形成できるようになっている。
【０００９】
一つの実施の態様においては、前記超音波トランスデューサーは、第１の絶縁保持層、第２の絶縁保持層及びこれら第１と第２の保持層の間に挟まれている振動体フィルム層を備えている。前記第１の絶縁保持層は、該層を貫通する第１の複数の開孔を含み、前記第２の絶縁保持層は、該層を貫通する第２の複数の開孔を含み、前記第２の複数の開孔は、前記第１の複数の開孔と実質的に位置が合っているものである。さらに、前記超音波トランスデューサーは、第１のカバー部と第２のカバー部を備えている。前記第１の保持層、振動体フィルム層及び第２の保持層が組合されたものは、前記第１と第２のカバー部の間に挟持されている。
【００１０】
ここに記載の実施の態様においては、前記第１の保持層に面する前記振動体フィルム層の面は、金属化されておらず、前記第２の保持層に面する前記振動体フィルム層の反対面は、金属化されている。この超音波トランスデューサーは、さらに、複数の導電性バックプレート及び複数の導電性スプリングを含み、これらは、前記第１のカバーと前記振動体フィルム層との間に配置されていて、前記第１の保持層と実質的に同じ面になっている。各バックプレートは、前記第１の保持層を貫通する開孔それぞれに実質的に位置が一致しており、前記バックプレートは、前記開孔それぞれの形状に合致する形状になっている。各スプリングは、バックプレートそれぞれと第１のカバーとの間に配置され、該スプリングは、バックプレートそれぞれと機械的及び電気的に接続しており、前記カバーは、導電性面を有している。
【００１１】
導電性の前記第１のカバー、複数の前記スプリング及び複数のバックプレートが組み合わされて第１の電極を構成し、前記振動体フィルム層の金属化された面が第２の電極を構成する。前記超音波トランスデューサーは、前記第１と第２の電極に電圧を印加し、これによって、前記振動体フィルム層と前記バックプレートの間に電界が生じ、前記フィルムが前記複数のバックプレートに引き付けられるようになる。前記第１と第２の電極の間に印加される電圧がＡＣ電圧であれば、前記フィルムが振動し、インカムする信号波形に相当する音波又は超音波周波数の圧縮波発生する。
【００１２】
好ましい実施の態様においては、前記第２のカバー部には、保護メッシュ層と装飾カバー層が含まれており、前記保護層は、第２の保持層と装飾層との間に挟まれている。さらに、第２の保持層は、前記振動体フィルム層と保護層及び装飾層を十分離す十分な厚さを持っていることが好ましく、これによって、関心がある音波又は超音波帯域にわたり、保護層及び装飾層が十分離れていなければ生じてしまう音波減衰及び／又は吸収損失を減らしたり、効果的になくしたりすることができるようになっている。
【００１３】
単一の層の振動体フィルムを含む上記の積層構造の超音波トランスデューサーを与えることで、パラメトリックスピーカーシステムへの使用に適している超音波トランスデューサーアレイが低下したコストで製造できる。
【００１４】
この発明の他の特徴、機能及びアスペクツは、以下の発明の詳細な説明から明らかになる。
【００１５】
図面を参照しての以下の発明の詳細な記述で、この発明は、より完全に理解される。
【００１６】
〔発明の詳細な記述〕
超音波トランスデューサーと題する２００１年１０月９日に出願されたアメリカ合衆国仮特許出願第６０／３２８，５１６号をここに参考文献として組み入れるものである。
【００１７】
製造コストが安いハイパフォーマンスで、信頼性が高い超音波トランスデューサーを記載する。ここに記載の超音波トランスデューサーは、積層された構造を有し、この構造によって、一層の超音波振動フィルムを用い、実質的には、単一の機械的構造の多数の超音波フィルムトランスデューサが形成される。
【００１８】
図１は、この発明による超音波トランスデューサー１００の図解の実施の態様を示す。図示の実施の態様において、超音波トランスデューサー１００は、第１のカバー部１０２、第１の絶縁保持層１０４、振動体フィルム層１０６、第２の絶縁保持層１０８及び第２のカバー部１１０を備えている。図１に示すように、振動体フィルム層１０６は、第１と第２の保持層１０４，１０８の間にサンドイッチされている。さらに、第１の絶縁保持層１０４、振動体フィルム層１０６及び第２の絶縁保持層１０８は、組み合わされて前記第１と第２のカバー部１０２，１１０の間にサンドイッチされている。
【００１９】
特には、前記振動体フィルム層１０６には、金属化されていない（絶縁）面１０６．１と金属被覆または導電性を有する反対面１０６．２とが含まれている。例えば、振動体フィルム層１０６は、ポリエステル、ポリイミド、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）または他の適当なポリマー性または非ポリマー性マテリアルの薄いフィルム（厚さ範囲が０．２〜１００．０μｍ、代表的には、８μｍ）から作られている；そして、金属被膜または導電性被膜は、例えば、アルミニウム、金またはニッケルといったものからなる。さらに、第２のカバー部１１０は、保護層１１１と装飾層１１２とを含む。例えば、保護層１１１は、ワイヤから作られたクロス、多孔の金属シートまたは他の振動体フィルム層１０６を損傷しないように保護すると共に圧縮音波または圧縮超音波がほとんど減衰せずに通過できるようになっている別のマテリアル（好ましくは、導電性）からなる。装飾層１１２は、超音波トランスデューサー１００を装飾すうのに適したクロスまたは他のマテリアルからなる。理解すべき点は、第２のカバー部１１０は、オプショナルなもので、省略してもよい。
【００２０】
さらに、第１の保持層１０４は、貫通孔１０５のような第１の多数の開孔１３５を含み、第２の保持層１０８は、貫通孔１０９のような第１の多数の開孔１３９を含んでいる。第１の多数の開孔１３５は、第２の多数の開孔１３９と実質的に位置が一致している。例えば、開孔１３５，１３９の各々は、円形、四角形、矩形その他適当な幾何学的形状のものであり、直径が約１．２７ｃｍ（１／２インチ）から１０．１６ｃｍ（４インチ）である。
【００２１】
さらに、超音波トランスデューサー１００は、バックプレート１１７のような複数の導電性バックプレート１１６とスプリング１１５のような対応している複数の導電性スプリングとを含み、これらは、前記第１の保持層１０４と実質的に同じ面で前記第１のカバー１０２と振動体フィルム層１０６との間に配置されている。ここに記載の実施の態様においては、それぞれのバックプレート及び少なくとも一つのそれぞれのスプリングは、前記第１の保持層１０４に形成された開孔１３５それぞれに対して設けられている。しかしながら、理解すべき点は、単一のコンパウンド・スプリングを別途用いて、前記複数のバックプレート１１６を保持するようにしてもよい。前記複数のバックプレート１１６それぞれは、比較的軽量なもので、前記開孔１３５，１３９の形状に実質的に合致する形状になっている。さらに、前記バックプレート１１６のそれぞれは、前記第１の保持層１０４に貫通の開孔１３５の一つに実質的に位置が合っている。さらに、前記複数のスプリング１１４のそれぞれは、それぞれのバックプレートと第１のカバーとの間に配置され、スプリング１１４が前記それぞれのバックプレートと第１のカバーとに機械的及び電気的に接続するようになっている。前記第１のカバー部分１０２、スプリング１１４、バックプレート１１６及び第１の保持層１０４、振動体フィルム層１０６及び第２の保持層１０８が組み合わされて、弾性スプリング１１４がバックプレート１６を前記それぞれの開孔１３５を介して振動体フィルム層１０６の非金属化面１０６．１に対し弾性的に押し当てるようになる。
【００２２】
例えば、前記バックプレート１１７は、前記開孔１１５内に配置され、開孔１０９に実質的に位置が合うようになっている。さらに、スプリング１１５は、バックプレート１１７と第１のカバー部分１０２との間にあって、開孔１０５内に配置されている。したがって、第１のカバー部分１０２、スプリング１１５、バックプレート１１７及び第１の保持層１０４、振動体フィルム層１０６及び第２の保持層１０８の組み合わものによって、スプリング１１５でバックプレート１７を前記開孔１０５を介して振動体フィルム層１０６に対し弾性的に押し当てるようになる。
【００２３】
この好ましい実施の態様においては、振動体フィルム層１０６は、前記第１と第２の絶縁保持層１０４，１０８の間にラミネートされている。特に、前記振動体フィルム層１０６６と前記第１と第２の絶縁保持層１０４，１０８とは、適当な機械的ファスナー類、リベット及び／または接着剤を用いて一体化され、強固な積層構造に作られており、これによって、前記フィルム層１０６が前記保持層１０４，１０８の間を意図せずにシフトしないようになっている。例えば、適当な接着剤を用いて、第１の保持層１０４と振動体フィルム層１０６とを接着することができる。さらに、第２の保持層１０８には、複数のねじ孔（例えば、孔２３０、図２参照）が貫通されていることが好ましく、これらの孔は、第１のカバー層１０２（図１参照）及び第１の保持層１０４における対応の複数の孔（図示せず）に通されるそれぞれのねじに合うもので、このようにして、第１の保持層１０４、振動体フィルム層１０６及び第２の保持層１０８が第１のカバー部分１０２へしっかりと固定されるようになっている。注目すべき点は、前記複数のなじが一つ又は複数の電気的に活性の層に通されることで、前記ねじは、ナイロンねじのような絶縁性ファスナー類であることが好ましい点である。前記バックプレート１１６は、アルミニウムなどの適当な導電性で、軽い素材から作られている。さらに、それぞれのスプリング１１４により振動体フィルム層１０６に弾性的に圧接されている前記複数のバックプレート１１６の面（符号なし）は、好ましくは、へこまされたり、溝がつけられたり、そして／又はざらざら面にされ、超音波トランスデューサーの音響特性（例えば、帯域）を目的に応じて調整し、仕立て上げることができるようになっている。さらに、前記スプリング１１４は、コイルスプリング（好ましくは、コニカルコイルスプリング）、リーフスプリング又は他の適当なタイプのスプリングからなる。これらのスプリング１１４は、前記振動体フィルム層１０６を実質的にコンスタントな力で付勢し、前記フィルム層１０６をしわがよらないように前記バックプレート１１６にぴったり押し当てるようになっている。前記スプリングの形態でフィルムのクリープを補償するもので、このクリープは、時間がかなり経過したとき、スプリング１１４による付勢力の作用で前記振動体フィルム層１０６に発生するものである。
【００２４】
上記のように、複数のスプリング１１４は、前記導電性の第１のカバー１０２とバックプレート１１５とに電気的に接続している。したがって第１のカバー１０２、スプリング１１４及びバックプレート１１６が組み合わされて、超音波トランスデューサー１００の第１の電極を形成する。この好ましい実施の態様においては、この第１の電極は、接地して前記超音波トランスデューサー１００の第１のカバー部分１０２の近辺である程度の電磁シールド機能をもつようになる。前記振動体フィルム層１０６の金属化面１０６．２は、前記トランスデューサー１００の第２の電極を形成する。
【００２５】
したがって、前記超音波トランスデューサー１００は、前記トランスデューサーの第１と第２の電極の間に駆動電圧が印加されるようになっていて、前記振動体フィルム層１０６とバックプレート１１６との間に電界が発生し、これによって、前記フィルム１０６が前記第２の電極へ引かれるようになっている。前記第１と第２の電極の間にＡＣ電圧をかけると、一つ又はそれ以上の音波又は超音波圧縮波が発生することになる。例えば、前記トランスデューサー駆動信号が接続ケーブル１１８を介して前記超音波トランスデューサー・アッセンブリーに伝えられる。
【００２６】
ここに記載の実施の態様においては、第２のカバー部分１１０は、前記第２の保持層１０８の厚み分だけ、前記振動体フィルム層１０６から所定の距離をおいて離れている。前記第２の保持層１０８の厚さを精確に設定することで、前記保護層１１１による音波又は超音波減衰を関心のある選択された帯域にわたり減らしたり、効果的になくしたりすることができる。例えば、第２の保持層１０８の厚さは、約０．３１７５ｃｍ（約１／８）インチに設定し、約４５〜５５ｋＨｚ（又は好ましくは４５〜７０ｋＨｚ）にわたる帯域にわたり超音波減衰を効果的になくすことができる。認識すべき点は、５５ｋＨｚの超音波圧縮波の波長は、約０．６３５ｃｍ（約１／４インチ）であり、これは、この図示の実施の態様における第２の保持層１０８の厚さに等しい点である。注目すべきは、吸収を最低にするための第２の保持層１０８の最適の厚さは、経験的に決定される。これは、前記最適な層の厚さが前記保護層１１１と装飾層１１２の音響特性（例えば、インピーダンス）によるからである。吸収には一般的に多くの最低度合いがあるが、第１の最低吸収度合いが好ましく、これによって前記トランスデューサーを薄く保て、減少した吸収での最高帯域になるからである。したがって、好ましい実施の態様においては、第２のカバー部分１１０（保護層１１１と装飾層１１２を含む）を前記振動体フィルム層１０６から約１／２波長におくように第２の保持層１０８の厚さを設定する。前記第２のカバー１１０を前記振動体フィルム層１０６から約１／２波長の距離だけ離すことで、前記振動体フィルム層１０６と保護層１１１との間にスタンディングエーブが発生し、これによって前記層１０６，１１１の間にエネルギーがコンサーブされ、屈折の後、再輻射されることになる。
【００２７】
さらに上記したように、超音波トランスデューサー１００には、前記超音波トランスデューサー機構の接地した第１のカバー部分１０２から第２の保持層１０８に達する複数のねじ（図示せず）が含まれている。好ましい実施の態様においては、前記複数のねじは、電気絶縁性のもので、第２の保持層１０８におけるねじ孔（例えば、孔２３０、図２参照）を経て保護層１１１に達する形状になっている。さらに、前記保護メッシュ層１１１は、“空”の孔（即ち、フィルムがない孔）に配置のスプリングにより接地されるようになっていて、超音波トランスデューサー１００の第２のカバー部分１１０の近辺においてある程度の電磁シールドするようになっている。
【００２８】
超音波トランスデューサー１００（図１参照）の詳細を示す図２に示すように、振動体フィルム層２０６は、開孔２３０近くでトリミングされて電気的に活性のフィルム層２０６が前記孔２３０を塞いだり、前記孔２３０に通される接地されたねじ（図示せず）に対し意図せずに電気的に接触しないようになっている。注目すべき点は、前記振動体フィルム層１０６（図１参照）から第２のカバー１１０に対し約１／４波長だけ離間している間隔が、電気的に活性のフィルム層１０６と接地された保護層１１１との間の実際の操作距離を構成する点である。
【００２９】
好ましい実施の態様においては、絶縁性の装飾層１１２は、保護層１１１に隙間なしに直に施されている。装飾層１１２を保護層１１１に直に施すことで、関心をもって選択した帯域全体にわたる装飾層１１２による吸収損失を減らしたり、又は効果的になくしたりすることができる。例えば、装飾層１１２の絶縁性素材を保護層１１１、第２の保持層１０８、振動体フィルム層１０６及び第１の保持層１０４にわたり引き伸ばし、前記第１の保持層１０４と第１のカバー部分１０２の周縁にそって前記素材を適当な接着剤で接着することにより前記超音波トランスデューサー機構に固定できる。
【００３０】
図２は、超音波トランスデューサー１００（図１参照）の詳細構造２００を示す。図２に示すように、超音波トランスデューサー２００は、第１のカバー部分２０２、貫通孔２０５のような複数の開孔を含む第１の絶縁性保持層２０４、振動体フィルム層２０６、前記開孔２０５と実質的に位置が合っているバックプレート２１７のような複数のバックプレート及びそれぞれ正負のワイヤを含む接続ケーブル２１８を備えている。
【００３１】
好ましい実施の態様においては、接続ケーブル２１８は、電磁輻射がほとんどない同軸ケーブルからなる。接続ケーブル２１８は、第１の保持層２０４に設けられた迷路２２８にそって配置され、前記ケーブル２１８がたるまないようにされている。さらに、接続ケーブル２１８の負のワイヤ（図示せず）が超音波トランスデューサー２００の上記した第１の電極に接続され、接続ケーブル２１８の正のワイヤ２２９が超音波トランスデューサー２００の上記した第２の電極に接続されている。
【００３２】
ここの好ましい実施の態様においては、負のワイヤは、前記バックプレート／スプリング・アッセンブリーの適宜の部分に固定だれている導電性テープ２２６（例えば、銅テープ）の第１の部分を経て第１の電極に接続されている。このましい実施の態様においては、銅テープの第１の部分は、少なくとも１本のスプリングの巻かれている部分の間におしこまれている。正のワイヤ２２９は、第２の保持層１０８（図１参照）の内側面に固定の銅テープ２２０の第２の部分を介して第２の電極に接続されている。注目すべき点は、正のワイヤ２２９は、振動体フィルム層２０６に形成された第１の開孔２２１を通って銅テープ２２０の第２の部分に接続されている。さらに、銅テープ２２０は、振動体フィルム層（図２参照）の金属化面１０６．２に対面し、超音波トランスデューサーが最終的にアッセンブリーされたとき、前記テープ２２０が前記フィルムに良好に電気的接触できるようになっている。好ましい実施の態様においては、銅テープ２２０は、少なくとも半分が振動体フィルム層２０６を通って前記フィルムに電力を均等に配分できるようになっている。さらに、銀ペイント、導電性エポキシ又は他の適当な電気的に結合するコンパウンドを銅テープ２２６とバックプレートとの間及び銅テープ２２０と振動体フィルム層２０６との間に用い、導電性を高めている。例えば、接続ケーブル２１８の正負ワイヤを第１と第２の銅テープ２２６，２２０それぞれにはんだづけする。
【００３３】
超音波トランスデューサー２２０には、バイアス回路２２２と結合回路２２４が含まれている。例えば、ＤＣバイアス信号が接続ケーブル２１８によりＡＣトランスデューサー駆動信号へ“ピギーバック(piggybacked) される”。結合回路２２２で高電圧ＤＣバイアス信号を発生させ、これを用いて前記超音波トランスデューサーの出力を増幅し、直線性を改善する。
【００３４】
図示の実施の態様においては、バイアス回路２２２と結合回路２２４は、振動体フィルム層２０６に形成された第２と第３の開孔２３，２２５それぞれに配置されている。さらに、バイアス回路２２２と結合回路２２４を結ぶワイヤ（符号なし）が前記フィルムに形成のチャンンルに配置され、前記開孔２２３，２２５を相互に連通させている。
【００３５】
認識すべき点は、超音波トランスデューサー１００（図１参照）の積み重ね構造は、複数の超音波フィルムトランスデューサーを配列でき、各超音波トランスデューサーがバックプレート１１６のそれぞれ一つに対応するものとなる。さらに認識すべき点は、超音波トランスデューサーのアレイが実質的に単一の超音波振動体フィルム（例えば、振動体フィルム層１０６）を用いて形成されている点である。
【００３６】
図３は、パラメトリック・オーディオシステム３０１の実施の態様を図示するもので、このシステムには、上記した超音波トランスデューサー１００（図１参照）に適合する超音波トランスデューサーアレイが含まれている。図示の実施の態様においては、超音波トランスデューサーアレイ３００は、超音波担持信号発生器３１４と一つ又は複数のオーディオ信号源３０４．１〜３０４．ｎを含む信号発生器３０２により駆動される。オプショナルの調整回路３０６．１〜３０６．ｎが前記オーディオ信号源３０４．１〜３０４．ｎにより発生されたそれぞれのオーディオ信号を受け、これら調整されたオーディオ信号を加算器３１０に入力する。注目すべきは、前記オーディオ信号のこのような調整は、前記オーディオ信号を加算器３１０により加算した後選択的に行われる。いずれにあっても、前記調整は、一般的には再生された音における歪みを減らしたり、効果的になくしたりするのに必要な非直線反転からなる。前記調整は、イコライゼーション（等化）（音の）及びコンプレッションのようなスタンダードな音の発生ルーチンを付加的に備える。
【００３７】
モジュレータ３１２が加算器３１０から複合オーディオ信号を受け、前記キャリア発生器３１４から超音波担持信号を受け、前記超音波担持信号を前記複合オーディオ信号でモジュレートする。このモジュレータ３１２は、モジュレーションインデックスを変えるために調節可能であることが好ましい。キャリアでの倍増による振幅調整が好ましいが、このようなモジュレーションの究極の目的は、可聴帯域信号を超音波に変えることであるから、そのような結果が得られるモジュレーションであれば、どのようなものでも使用できる。
【００３８】
好ましい実施の態様においては、モジュレータ３１２は、変調された搬送信号をマッチングフィルタ３１６へ送り、このフィルタにより励振増幅器３１８と超音波トランスデューサー・アレイ３００の概ね非フラットの周波数リスポンスのための補償を行うようになっている。前記マッチングフィルタ３１６により変調された搬送信号が励振増幅器３１８へ送られ、ここからさらに増幅された前記変調された搬送信号が超音波トランスデューサー・アレイ３００の多重超音波フィルムトランスデューサへ送られる。前記励振増幅器３１８には、複数の遅延回路３２０が含まれており、前記超音波トランスデューサー・アレイ３００のアウトプットにおける超音波ビームの向きをきめたり、集束したり、形作るために、変調された搬送信号のすべての周波数にわたり相対位相シフトするようになっている。この超音波ビームは、複合オーディオ信号で振幅が変調された強度が強い超音波搬送信号であり、伝播媒体の非直線伝播特性により空気層通過で復調され、可聴音を発生する。注目すべきは、この非直線パラメトリックプロセスにより発生の可聴音は、変調エンベロープ（変調された音の強さ）の二乗にほぼ比例する点である。
【００３９】
したがって、可聴音における歪みを減らすには、可聴信号に発生する結果になってしまうような歪みを逆転させる非直線逆転回路が信号コンディショナー３０６．１〜３０６．ｎに含まれていることが好ましい。ほとんど多くの信号にとって、この逆転は、適切にオフセットされた後、前記信号の平方根に近づく。さらに、可聴音のレベルを上げるには、多重超音波フィルムトランスデューサーの有効面領域が最大になるように前記超音波トランスデューサーが構成されていることが好ましい。
【００４０】
超音波搬送信号発生器３１４により発生された前記搬送信号の周波数の好ましいオーダーは、４５ｋＨｚ又はそれ以上であり、さらに好ましくは、５５ｋＨｚ又はそれ以上のものである。前記オーディオ信号源３０４．１〜３０４．ｎにより発生されたオーディオ信号は、代表的には、約２０ｋＨｚが最大周波数であるから、前記変調された超音波搬送信号におけるオーディオ信号の強さによる実質的な強さの最低の周波数成分は、約２５〜３５ｋＨｚ又はこれ以上の周波数を有している。このような周波数は、人間が聞き取れる可聴範囲より上にあるものであることが一般的であり、したがって、大雑把に言えば、人間の聴覚システムに対するインパクトを下げてしまっている。上記のシステム３０１の構成に適合するパラメトリックオーディオシステムは、ここに参考文献として組み入れるパラメリックオーディオシステムと題する２００１年１月１１日出願の併行して出願の米国特許出願第０９／７５８，６０６号に記載されている。
【００４１】
上記の図解された実施の態様を記載したが、他の実施の態様又は変形も実施可能である。例えば、超音波トランスデューサー１００（図１参照）の第１のカバー部１０２を備える第１の電極を接地して、電磁シールドにしたり、振動体フィルム層１０６の金属化面１０６．２を備える第２の電極を電気的に活性なものとした点は、記載されている。しかしながら、前記振動体フィルム層を別途接地したり、第１のカバー部を電気的に活性なものにできる。この別な実施の態様においては、前記振動体フィルム層が最低の衝撃ハザードになるようにし、したがって、前記保護メッシュ層を所望に応じて前記フィルムに近付けたり（又は前記保護層を共になくしてしまう）できる。注目すべきは、シールド層（図示せず）を前記電気的に活性の第１のカバー部近くに追加し、外部へ輻射される電磁界をなくすようにできる点である。
【００４２】
さらに記載されている点は、前記パラメトリックオーディオシステム３０１（図３参照）には、遅延回路３２０が含まれ、この回路の構成で、前記超音波トランスデューサーにより発生される超音波ビームの向きをきめたり、集束したり、形作るために、変調された搬送信号のすべての周波数にわたり相対位相シフトするようになっている。しかしながら、このような位相化又は“シェードされた”超音波トランスデューサー・アレイ構成は、別途、マルチプル駆動信号又は個々のアレイ要素を適当に減衰又はフィルターし、ついで減衰された／フィルターされた信号を前記アレイの選択された領域へ送ることで達成できる。例えば、前記振動体フィルム層を接地し、マルチプルの減衰／フィルターされた駆動信号を前記スプリングとバックプレートを介して超音波トランスデューサー・アレイの選択された領域へ送ることができる。さらに、マルチプルの駆動信号を搬送し、前記スプリングに接触するための適当なトレースをもつ回路板（図示せず）を前記超音波トランスデューサーの第１のカバー部の代わりに用いることができる。このような回路板は、また、処理回路、ルーティング回路及び／又は他の必要な回路を含み、位相化のトランスデューサー・アレイを駆動するマルチプルの信号を発生することができるようになっている。
【００４３】
また記載されている点は、振動体フィルム層１０６（図１参照）は、ポリエステル、ポリイミド、ＰＶＤＦ、ＰＥＴ、ＰＴＦＥ又は他の適当なポリマー性又は非ポリマー性マテリアルから作られている点である。しかしながら、好ましい実施の態様においては、前記振動体フィルム層は、電気抵抗性の適当なマテリアルから作られ、これによって、前記フィルムは、前記超音波トランスデューサーの動作中には僅か（例えば、数℃程度）発熱する。この振動体フィルム層の僅かな発熱により前記フィルムにおける凝縮作用が低下する。前記振動体フィルム層の温度を抵抗発熱により周囲温度より高くすると、露点が上がり、これによって、前記フィルムが曇らず、環境条件が逆境であっても、トランスデューサーの信頼性を損ねない。
【００４４】
注目すべき点は、適当なねじ付き挿入具（図示せず）を用いて、前記超音波トランスデューサー１００（図１参照）を外部装置に取り付けることができる点である。例えば、１／４〜２０タイプのねじ付き挿入具を用いて、普通のカメラ取り付け具（欧州使用のための適切なメートル調節をもつ）に合うようにすることができる。ねじ付き挿入具を超音波トランスデューサーのセンター近くに配置した場合、電気的に活性なマテリアル（振動体フィルム層のような）を前記挿入具の近辺から除去し、回路短絡をなくし、使用者が高電圧にさらされないようにすることができる。
【００４５】
この発明に因る超音波トランスデューサーを製造する方法を図４を参照しながら説明する。工程４０２で示すように、銅テープを第２の絶縁保持層の内面に固定し、正のワイヤを第２の電極に接続し、前記保護層を第２の絶縁保持層の外面に取り付ける。ついで、工程４０４で示すように、振動体フィルム層を第１と第２の絶縁保持層の間にラミネートする。ついで前記バックプレートを工程４０６で示すように前記第１の保持層に形成の開孔それぞれに落としこむ。つぎに、工程４０８で示すように、前記バックプレートそれぞれにスプリングを落としこむ。正／負のワイヤとバイアス／結合回路を工程４１０で示すように付加する。つぎに、装飾層を工程４１２で示すように引き伸ばし、保護層と第１及び第２の保持層のまわりに固定する。第１のカバー部をついで工程４１４で示すように所定の位置に固定し、前記スプリングを押圧し、これによって最終の超音波トランスデューサー・アッセンブリーが組み上がる。
【００４６】
さらに認識すべきは、当業者により、パラメトリックアレイの上記した超音波トランスデューサーのモディフィケーションと変形がここに記載の発明コンセプトを逸脱することなく可能であることである。したがって、この発明は、添付の請求の範囲の範囲と精神とによる場合を除き限定して解釈されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明による超音波トランスデューサーの分解斜視図。
【図２】図１に示した超音波トランスデューサーの一部の詳細な平面図。
【図３】図１の超音波トランスデューサーを含むパラメトリックスピーカーシステムのブロック図。
【図４】図１の超音波トランスデューサーの製造方法を示すフロー図。
【図３】
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【図４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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