(57)【要約】【課題】なし【解決手段】  回折格子（４３）、及び該回折格子（４３）の上に半導体ナノクリスタル層を含む構造体であって、レーザー（１０）になり得る。該半導体ナノクリスタル層は、II−VI族の化合物を含む複数の半導体ナノクリスタル（３２）を含み得、該ナノクリスタル（３２）は、金属酸化物マトリックス（３３）中に分布している。該回折格子（４３）は、200nm〜500nmの周期性を有することができる。
2005512308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
200 nmから500 nm に周期性を有する回折格子、及び該回折格子に配置された半導体ナノクリスタルの層を含む構造体。
【請求項２】
該層が、5容量％より多くの半導体ナノクリスタルを含む、請求項１記載の構造体。
【請求項３】
該層が、10容量％より多くの半導体ナノクリスタルを含む、請求項１記載の構造体。
【請求項４】
各該複数の半導体ナノクリスタルが、II−VI族の化合物、II−V族の化合物、III−VIの化合物、III−V族の化合物、IV−VI族の化合物、I−III−VI族の化合物、II−IV−VI族の化合物、及びII−IV−Vの化合物からなる群から選択された、同一、又は異なる第一半導体材料を含む、請求項１記載の構造体。
【請求項５】
各第一半導体材料が、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項４記載の構造体。
【請求項６】
各第一半導体材料が、第二半導体材料によって被覆されている、請求項４記載の構造体。
【請求項７】
第二半導体材料が、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、又はこれらの混合物である、請求項６記載の構造体。
【請求項８】
各第一半導体材料が、第一バンドギャップを有し、かつ各第二半導体材料が、該第一バンドギャップよりも大きい、第二バンドギャップを有する、請求項６記載の構造体。
【請求項９】
各ナノクリスタルが、約10 nm以下の直径を有する、請求項１記載の構造体。
【請求項１０】
該複数のナノクリスタルが、単分散分布のサイズを有する、請求項１記載の構造体。
【請求項１１】
該回折格子が、250 nmから450 nm に周期性を有する請求項１記載の構造体。
【請求項１２】
該回折格子が、300 nmから400 nm に周期性を有する請求項１記載の構造体。
【請求項１３】
回折格子、及び該回折格子上に配置された半導体ナノクリスタル層を含むレーザーであって、該層が第II−VI族の化合物を含む複数の半導体ナノクリスタルを含み、該ナノクリスタルが、金属酸化物マトリックス中に分布されることを含む、前記レーザー。
【請求項１４】
該層が、5容量％より多くの半導体ナノクリスタルを含む、請求項１３記載のレーザー。
【請求項１５】
該半導体ナノクリスタルが、第二半導体材料で被覆されている、請求項１３記載のレーザー。
【請求項１６】
該複数のナノクリスタルが、単分散分布のサイズを有する、請求項１３記載のレーザー。
【請求項１７】
該回折格子が、200 nmから500 nm に周期性を有する請求項１３記載の構造体。
【請求項１８】
該回折格子が、300 nmから400 nm に周期性を有する請求項１３記載の構造体。
【請求項１９】
レーザーの形成方法であって:
一の直径、及び構成を有する、半導体ナノクリスタルを選択すること、及び
回折格子上に、該半導体ナノクリスタルを配置することを含む、前記レーザーの形成方法。
【請求項２０】
該ナノクリスタルの直径を選択し、特定の出力エネルギーを有するレーザーを作成する、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
該ナノクリスタルの構成を選択し、特定の出力エネルギーを有するレーザーを作成する、請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
該ナノクリスタルの直径を選択し、特定の出力エネルギーを有するレーザーを作成する、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
該回折格子を選択し、特定の出力エネルギーを有するレーザーを作成するように、選択された周期性を有するようにする、請求項１９記載の方法。
【請求項２４】
さらに、該回折格子の表面上に、該半導体ナノクリスタルを含む層を形成することを含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２５】
さらに、該回折格子の表面上に、半導体ナノクリスタルの単分散集団を含む層を形成することを含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２６】
該層に、5容量％より多くの半導体ナノクリスタルを含ませる、請求項２５記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（連邦政府委託研究、または開発）
米国政府は、全米科学財団により授与された助成金第DMR-98-08941号、及び米国エネルギー省により授与された助成金第NSF-CHE-97-08265号に従う発明において、特定の権利を有し得る。
【０００２】
（技術分野）
本発明は、半導体ナノクリスタルを含む構造体、及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
（背景）
量子ドットととも呼ばれる、化学的に合成されたコロイド状の半導体ナノクリスタルは、有機配位子の層に蒸着された直径1〜10nmの無機半導体粒子から成る（C. B. Murray らの論文, Annu. Rev. Mat. Sci., 2000, 30, 545-610（該論文を引用して取り込んでいる。））。これらのゼロ次元半導体構造は、強い量子閉じ込め効果を示し、該効果は、ナノクリスタルのサイズにより整調することができる電気的、及び光学的特性を有する複雑なヘテロ構造を作り出すボトム−アップ化学的アプローチを設計において利用することができる。同時に、囲まれた有機配位子シェルの結果として、半導体ナノクリスタルを、大きな分子として、化学的に取り扱うことができる。
【０００４】
光増幅器は、ゲイン媒体（gain medium）を利用して、光放射を増幅する。増幅器において、ソース（source）は該ゲイン媒体を励起し、該ゲイン媒体の高、及び低エネルギー状態の間に反転分布を形成する。該励起されたゲイン媒体は、該反転分布の高、及び低エネルギー状態の間のエネルギー差と重なるエネルギーで、光放射を増幅することができる。その理由は、該媒体からの放射する誘導放射は、光の吸収よりも効率的であるためである。一般に、レーザーは、共振器を利用して、励起されたゲイン媒体にフィードバックを供給し、増幅された自発的放射を引き起こす。レーザー共振器は、該ゲイン媒体に関連して配置される一連の光学要素（例えば、鏡）を含むことができ、該共振器に放射を反射し、かつそれによりフィードバックを提供する。例えば、ゲイン媒体は、安定、または不安定な共振器内に配置することができる。従来の固体レーザー、及びガスレーザー、ならびに増幅器は、一般に、該レーザーの材料に依存して、非常に特異的なスペクトル出力を与える。入手し得るゲイン材料を使用して達成し得る以外のスペクトル出力、またはそれほど特異的ではないスペクトル出力が望ましい場合、色素レーザー、チューナブル光学パラメーター発振器（OPO）、または増幅器（OPA）を使用することができる。色素レーザーは、大きく、かさ高く、かつ、また毒性であり得る流体成分を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、回折格子、及び半導体ナノクリスタル層を含む、構造体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（要約）
本発明の構造体は、回折格子、及び半導体ナノクリスタル層を含む。該半導体ナノクリスタル層は、無機マトリックス中に組み込まれている複数のナノクリスタルを含み得る。該無機マトリックスは、例えば、ゾル−ゲル法、または他の低温マトリックス形成法により製造される金属酸化物マトリックスとすることができる。該金属酸化物マトリックスは、結晶、または非晶質とすることができる。該金属酸化物マトリックスは、例えば、クラックのような、光散乱の欠陥をなくすことができる。
【０００７】
１つの局面において、構造体は、200 nmから500 nmの周期性を有する回折格子、及び該回折格子の上に配置された半導体ナノクリスタル層を有する。
別の局面において、レーザーは、回折格子、及び該回折格子の上に配置された半導体ナノクリスタル層を有し、該層は、II−VI族の化合物を含む複数の半導体ナノクリスタルを含む。該ナノクリスタルは、金属酸化物マトリックス中に分布し得る。
別の局面において、レーザーの形成方法は、一の直径と組成を有する半導体ナノクリスタルを選択すること、及び回折格子の上に該半導体ナノクリスタルを配置することを含む。該ナノクリスタルの直径を選択して、特定の出力エネルギーを有するレーザーを作成することができ、該ナノクリスタルの組成を選択し、特定の出力エネルギーを有するレーザーを作成することができ、または該回折格子を選択して、特定の出力エネルギーを有するレーザーを作成するように選択された、周期性を有するようにすることができ、また、これらを組み合わせることができる。該半導体ナノクリスタルを含む層を、該回折格子の表面上に形成することができる。
【０００８】
ポリマーマトリックス中にナノクリスタルを組み込むことによる、これまでの努力（J.W. Lee らの論文, Advanced Materials 2000, 12, 1102（本明細書にその全体を引用する。））と同様に、該ナノクリスタルの合成、及び該マトリックスの製造は、切り離されている。従って、狭いサイズ分布、高い蛍光効率を有する質の高いナノクリスタルは、初め、以前に確立された、文献の手順を利用して製造し、かつビルディングブロックとして利用されている（C.B. Murray らの論文, J. Amer. Chem. Soc. 1993, 115, 8706、B.O. Dabbousi らの論文, J. Phys. Chem. B 1997, 101, 9463（各論文を、本明細書中で、その全体を引用する。））。次いで、該有機、表面一不動態化配位子を交換し、エタノールのような極性溶媒中で該ナノクリスタルを安定化し、かつ、またチタニアゾル−ゲルマトリックス中に、該ナノクリスタルを組み込む、拘束力を与える。制御できるように、湿気に曝露されたチタン（IV）アルコキシド前駆体を用いる、チタニアマトリックスの形成（A. Imhof らの論文, Nature 1997, 389, 948（その全体が引用により組み込まれている。））は、該ナノクリスタルの光特性に有害な酸触媒の使用を不要にする。次いで、熱アニーリングにより、複合体製造を完了する。このプロセスにおいて、該ナノクリスタルの不完全な組み込みは、該チタニアマトリックスから該ナノクリスタルのマイクロスケールでの相分離を導き、かつ光散乱フィルムを形成するので、不活性雰囲気下でのゲル化時間が重要である。
【０００９】
一般に、半導体ナノクリスタル層は、金属酸化物マトリックス中に分布した、複数の半導体ナノクリスタルを含む。該半導体ナノクリスタル層を用いて、光放射を増幅するように、またはレーザーによる、光放射を生み出すことができる。特に、該半導体ナノクリスタル層は、半導体ナノクリスタルの最密フィルムのような、半導体ナノクリスタルの濃縮固体を含み、光増幅を生じさせ、または短い増幅器、またはキャビティ長に渡るレージングを生じさせる高増幅率を与える。
【００１０】
レーザーは、半導体ナノクリスタル層、及び該半導体ナノクリスタルフィルムにフィードバックを提供するように、関連して配列された回折格子を含む。レーザーは、200 nmから500 nmに、250 nmから450 nmに、または300 nmから400 nmに周期性を有する回折格子を含む構成の層、及び該回折格子の上に配置された半導体ナノクリスタル層を含み得る。レーザーは、回折格子、及び該回折格子上の半導体ナノクリスタルフィルムを含む構成の層を含むことができ、該フィルムは、金属酸化物マトリックス中に分布した複数の半導体ナノクリスタルを含む。該半導体ナノクリスタル層は、金属酸化物マトリックスに分布した複数の半導体ナノクリスタルを含み得る。
【００１１】
光シグナルの増幅方法は、回折格子を含み、かつ金属酸化物マトリックス中に分布する複数のナノクリスタルを有する半導体フィルムを含む構成に、光ビームをあてることを含む。
レーザーの形成方法は、一の層に関連するキャビティを配列して、該層にフィードバックを与えることを含む。該光ゲイン媒体は、金属酸化物マトリックス中に分布した複数の半導体ナノクリスタルを含む。
該層は、実質的に欠陥を含まず、散乱のような損失を減らすことができる。該層は、該ナノクリスタルの最大バンドギャップの放射と等しい、または低いエネルギーで光シグナルを生じさせることができる。また、該層は、濃縮固体は、実質的に吸収がないエネルギーで、ゲインを与えることができる。
【００１２】
該層は、0.2容量％より多く、5容量％より多く、10容量％より多く、または15容量％より多くの半導体ナノクリスタルを含むことができる。各々の該複数の半導体ナノクリスタルは、同一、または異なる第一半導体材料を含み得る。該第一の半導体材料は、II−VI族の化合物、II−V族の化合物、III−VI族の化合物、III―V族の化合物、IV−VI族の化合物、I−III−VI族の化合物、II−IV−VI族の化合物、またはII−IV−V族の化合物（例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、またはこれらの混合物）であってもよい。各第一半導体材料は、第二半導体材料（例えば、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、またはこれらの混合物）で被覆されていてもよい。各第一半導体フィルムは、第一バンドギャップを有し、かつ各第二半導体材料は、該第一バンドギャップよりも大きい第二バンドギャップを有する。各ナノクリスタルは、約10ナノメートル以下の直径を有し得る。該複数のナノクリスタルは、単分散分布のサイズを有することができる。該複数のナノクリスタルは、複数の単分散分布のサイズを有する。該複数の単分散分布のサイズは、広い範囲のエネルギー、または複数の狭い範囲（例えば、75 nm以下のゲインのFWHM）のエネルギーに渡りゲインを与えることができ、ここで、該ゲイン最大値は、エネルギーにおいて少なくとも幾つかの前記狭い範囲が重ならないような、分離されたエネルギーで生じる。ナノクリスタルの該濃縮固体は、ガラスのような基板の上に配置される。ナノクリスタルの該濃縮固体は、約0.2ミクロンより大きな厚みを有する。
【００１３】
該金属酸化物マトリックスは、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ジルコニウム、またはこれらの混合物を含むことができる。
増幅された誘導放射（ASE）を観測するのに十分に高い体積分率で、該構成におけるチタニアマトリックス中にあるナノクリスタルを安定化することで、例えば、多種の波長でASEを示すより複雑な構造体の創造に対する、室温下でのASEの観測のような利点を導く。適当なフィードバックに対する、そのような構造を連関することで、広いスペクトルウィンドを整調できる室温レーザーの開発を可能にする。また、高いナノクリスタル密度、及びマトリックスの安定性が重要な場合、それらのマトリックスも、ナノクリスタルの他の非線形光学的応用に役に立つであろう。
【００１４】
本発明の他の特徴、目的、及び利点は、説明、及び図面、及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（詳細な説明）
面発光分布帰還型（DFB）回折格子レーザーの構造体の構成は、色選択DFBレーザーの創出を可能にする。該DFBレーザーの独得な光特性を活用し、該ナノクリスタル／チタニア中で安定化された、該ナノクリスタルのサイズを変えることによって、560nm〜625nmの波長範囲で発光するようにすることができる。〜30nmから、〜1nmの放射線幅（FWHM）の減少は、すべての場合において見られる。観測されたレージングスペクトルは、すべてのフィルムの測定されたゲインスペクトルによく一致しており、かつ線形PL放射のグラフに関連して、常にスペクトルのレッド−シフトを示す。我々の検出条件下、すべての該ナノクリスタルレーザー装置にとってのレーザー線幅（FWHM、約1〜1.5nm）は、多くの外側の競合DFBレージングモードの時間積分範囲を示している。最終的に、該基礎をなす回折格子の周期性を変える代わりに、該ナノクリスタル／チタニアマトリックスの効果的な屈折率を、構成ナノクリスタルの体積分率を調節することによって変えることができる。このようなシステムの該スペクトルのゲインの位置、並びに、該屈折率の双方を独立に変化させる能力は、多種の波長で同時に作動するより複雑なナノクリスタルレーザーを創出することを可能にする。
【００１６】
増幅器、及びレーザーは、放射を増幅するための、またはレージングにより放射を生じるゲイン媒体を含む。該ゲイン媒体は、複数の半導体ナノクリスタルを含み得る。該ナノクリスタルは、吸収波長において、光源を用いて照射され、発光波長で放射を生じ得る。該放射は、量子閉じ込め半導体材料のバンドギャップに対応する周波数を有する。該バンドギャップは、該ナノクリスタルのサイズの関数である。小さな直径を有するナノクリスタルは、物質の分子、及びバルク形状との間の中間的特性を有し得る。例えば、小さな直径を有する半導体材料に基づいたナノクリスタルは、三次元のすべてにおいて、電子、及びホールの両方の量子閉じ込めを示すことができ、結晶サイズの減少と共に、該物質の効果的なバンドギャップの増加を導く。従って、ナノクリスタルの光吸収、及び放射の両方は、該クリスタルのサイズが減少するにつれて、青色に（すなわち、高エネルギー側に）シフトする。
【００１７】
該ナノクリスタルからの放射は、狭いガウス放射バンド（Gaussian emission band）となり得るものであり、該ナノクリスタルのサイズ、該ナノクリスタルの組成、またはその両方を変化させることによって、紫外領域、可視領域、または赤外領域のスペクトルのすべての波長領域に渡り整調することができる。例えば、CdSeは、可視領域において整調でき、InAsは、赤外領域において整調し得る。ナノクリスタルの集団の狭いサイズの分布は、狭いスペクトル範囲の光放射を生じ得る。該集団は、単分散とすることができ、かつ該ナノクリスタルの直径において、15％rms 以下の偏差、好ましくは10％以下の偏差、さらに好ましくは5％以下の偏差を示し得る。最大半減での全幅値（FWHM）が、約75nm以下、好ましくは60nm以下、さらに好ましくは40nm以下、そして最も好ましくは30nm以下である、狭い範囲のスペクトルの放射が観測され得る。該放射の幅は、ナノクリスタルの直径の分散性が減少するにつれて、減少する。半導体ナノクリスタルは、例えば、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、または80％より高い発光量子効率を有し得る。
【００１８】
該ナノクリスタルを形成する半導体は、II−VI族の化合物、II−V族の化合物、III−VI族の化合物、III−V族の化合物、IV−VI族の化合物、I−III−VI族の化合物、II−IV−VI族の化合物、及びII−IV−V族の化合物、例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、またはこれらの混合物を含み得る。
【００１９】
単分散半導体ナノクリスタルの調製方法は、高温の配位溶媒に注入される、ジメチルカドニウムのような有機金属試薬の熱分解を含む。これにより、別個の核形成を減少させ、かつナノクリスタルを顕微鏡的な量に制御された成長をもたらす。ナノクリスタルの調製、及び操作は、例えば、米国出願第08/969,302号（本明細書中で、その全体を引用する。）に記載されている。ナノクリスタルの製造方法は、コロイド成長プロセスである。コロイドの成長は、高温の配位溶媒中に、Mドナー、及びXドナーを迅速に注入することによって生じる。該注入は、ナノクリスタルを形成するように、制御された様式で成長され得る核を生成する。該反応混合物は、該ナノクリスタルを成長、及びアニールさせるように、穏やかに加熱され得る。一のサンプル中において、該ナノクリスタルの平均サイズ、及びサイズ分布の双方は、成長温度に依存する。安定した成長を維持するために必要な該成長温度は、平均結晶サイズの増加に伴って、増加する。該ナノクリスタルは、ナノクリスタルの集団のメンバーである。別個の核形成、及び制御された成長の結果として、得られたナノクリスタルの該集団は、狭い、直径の単分散分布を有する。直径の該単分散分布は、また、サイズと関連している。核形成に続く、該配位溶媒中での該ナノクリスタルの制御された成長、及びアニーリングのプロセスは、また、均一の表面誘導体化、及び規則的なコア構造を生じさせ得る。該サイズ分布が、鋭くなるにつれて、該温度は、安定した成長を維持するために引き上げられ得る。より多くのMドナー、またはXドナーを添加することによって、該成長期間を短縮することができる。
【００２０】
該Mドナーは、無機化合物、有機金属化合物、または金属元素であり得る。Mは、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、またはタリウムである。該Xドナーは、該Mドナーと反応し、一般式MXを有する物質を形成し得る化合物である。通常、該Xドナーは、カルコゲナニドドナー、またはプニクタイドドナー、例えば、ホスフィンカルコゲニド、ビス（シリル）カルコゲニド、二酸素、アンモニウム塩、またはトリス（シリル）プニクタイドである。適切なXドナーには、二酸素、ビス（トリメチルシリル）セレニド（(TMS)2Se）、トリアルキルホスフィンセレニド（例えば、（トリ-n-オクチルホスフィン）セレニド（TOPSe）、または（トリ-n-ブチルホスフィン）セレニド（TBPSe））、トリアルキルホスフィンテルリド（例えば、（トリ-n-オクチルホスフィン）テルリド（TOPTe）、またはヘキサプロピルホスホラストリアミドテルリド（HPPTTe））、ビス（トリメチルシリル）テルリド（(TMS)2Te）、ビス（トリメチルシリル）スルフィド（(TMS)2S）、トリアルキルホスフィンスルフィド（例えば、（トリ-n-オクチルホスフィン）スルフィド（TOPS））、アンモニウム塩（例えば、ハロゲン化アンモニウム（例えば、NH4Cl））、トリス（トリメチルシリル）ホスフィド（(TMS)3P）、トリス（トリメチルシリル）アルセニド（(TMS)3As）、またはトリス（トリメチルシリル）アンチモニド（(TMS)3Sb）を含む。特定の実施形態において、該Mドナー、及び該Xドナーは、同一の分子内の部分であり得る。
【００２１】
配位溶媒は、該ナノクリスタル成長の制御に役立ち得る。該配位溶媒は、ドナー孤立電子対を有する（例えば、該成長するナノクリスタルの表面に配位するのに、役立つ孤立電子対を有する）化合物である。溶媒の配位は、該成長するナノクリスタルを安定化し得る。代表的な配位溶媒は、アルキルホスフィン、アルキルホスフィンオキシド、アルキルホスホン酸、またはアルキルホスフィン酸が挙げられるが、ピリジン、フラン、及びアミンのような、他の配位溶媒もまた、該ナノクリスタルの生成にとって、適切であり得る。適切な配位溶媒の例としては、ピリジン、トリ-n-オクチルホスフィン（TOP）、トリ-n-オクチルホスフィンオキシド（TOPO）、及びトリス−ヒドロキシルプロピルホスフィン（tHPP）が挙げられる。工業用のTOPOを、使うことができる。
【００２２】
該反応の成長段階の間のサイズ分布は、該粒子の吸収線幅をモニタリングすることによって評価することができる。該粒子の吸収スペクトルの変化に応答する反応温度の改善により、成長の間、鋭い粒子サイズ分布の維持が可能になる。反応物を、結晶の成長の間、該核形成溶液に添加し、より大きな結晶に成長させることができる。特定のナノクリスタルの平均直径で、成長を停止させ、かつ該半導体材料の適切な組成を選択することによって、該ナノクリスタルの発光スペクトルは、300nmから5ミクロンの波長範囲で、またはCdSe、及びCdTeにより、400nm〜800nmの波長範囲にわたって、連続的に調整することができる。該ナノクリスタルは、150Å以下の直径を有する。ナノクリスタルの集団は、15Å〜125Åの範囲の平均直径を有する。
【００２３】
該ナノクリスタルは、一の狭いサイズ分布を有するナノクリスタル群のメンバーであり得る。該ナノクリスタルは、球形、棒状、円盤状、または他の形状であり得る。該ナノクリスタルは、半導体材料のコアを含み得る。Mが、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、またはこれらの混合物であり、かつXが、酸素、硫黄、セレン、テルル、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、またはこれらの混合物である場合、該ナノクリスタルは、式MXを有する一のコアを含み得る。
【００２４】
該コアは、該コアの表面上に被覆を有し得る。該被覆は、該コアの組成と異なる組成を有する半導体材料とすることができる。該ナノクリスタルの表面上の半導体材料の被覆は、II−VI族の化合物、II−V族の化合物、III−VI族の化合物、III―V族の化合物、IV−VI族の化合物、I−III−VI族の化合物、II−IV−VI族の化合物、及びII−IV−V族の化合物、例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、またはこれらの混合物、を含み得る。例えば、ZnS、ZnSe、またはCdSの被覆は、CdSe、またはCdTeナノクリスタル上で成長し得る。被覆プロセスは、例えば、米国出願第08/969,302号（本明細書中で、その全体が引用により取り込まれている。）に記載されている。被覆を行う間に該反応混合物の温度を調節し、かつ該コアの吸収スペクトルをモニタリングすることによって、高い発光量子効率、及び狭いサイズ分布を得ることができる。
【００２５】
該粒子サイズ分布は、米国出願第08/969,302号（本明細書中で、その全体が引用により取り込まれている。）に記載されている、メタノール／ブタノールのような、該ナノクリスタルの貧溶媒を用いるサイズ選択的沈殿によって、さらに精製することができる。例えば、ナノクリスタルは、10％ブタノールのヘキサン溶液中で分散され得る。メタノールは、乳白光が持続するまで、攪拌溶液に滴下して加えることができる。遠心分離による上清と凝集物との分離により、サンプル中の最も大きな結晶で富化された沈殿物が生成される。この手順は、光学吸収スペクトルのさらなる鋭利化が認められなくなるまで、繰り返すことができる。サイズ選択的沈殿は、種々の溶媒／非溶媒のペア（このペアには、ピリジン／ヘキサン、及びクロロホルム／メタノールが挙げられる）中で実施し得る。サイズ選択されたナノクリスタル集団は、平均直径から15％rms偏差以下、好ましくは10％rms偏差以下、より好ましくは5％rms偏差以下を有することができる。
【００２６】
該ナノクリスタルの外部表面は、該成長プロセスの間に用いた該配位溶媒から誘導される化合物の層を含み得る。該表面は、過剰な競合の配位グループへの繰り返し曝露することにより、改善し、上層を形成することができる。例えば、該覆われたナノクリスタルの分散を、配位する有機化合物（例えば、ピリジン）を用いて処理し、ピリジン、メタノール、及び芳香族化合物中で容易に分散するが、脂肪族溶媒中では、もはや分散しない結晶を生成することができる。このような表面交換プロセスを、該ナノクリスタルの外部表面と配位、または結合し得るすべての化合物、例えば、ホスフィン、チオール、アミン、及びリン酸塩、を用いて実施することができる。該ナノクリスタルは、表面に対して親和性を示し、かつ懸濁液、または分散媒体に対して親和性を有する部分で終る短鎖ポリマーに曝露することができる。そのような親和性は、該懸濁液の安定性を改善し、かつ該ナノクリスタルの凝集を防止する。
【００２７】
該構成物は、ソースによって励起された時に、該フィルムが、光放射に対するゲインを与えるような、欠陥を実質的に含まない。欠陥を有するナノクリスタル固体（すなわち、それらのフィルムが、実質的に欠陥を含む）は、該フィルムが、ソースによって励起された時に、増幅された誘導放射を生じないような損失（例えば、散乱）を生じる。概して、該フィルムの厚さは、約0.2ミクロン〜10ミクロン、または0.25ミクロン〜6ミクロンの間であり得る。
【００２８】
ナノクリスタルの構成物は、溶媒系において、先に記述した、該粉体半導体ナノクリスタル、及び該分散から該ナノクリスタルのドロップキャスティングフィルムを、再分散することによって、形成することができる。ドロップキャスティングの該溶媒系は、該ナノクリスタルの外面の化学的特性（すなわち、該ナノクリスタルが、容易に該溶媒系中に分散されるか否か）に依存する。例えば、テトラヒドロフラン／エタノール溶媒系は、トリス−ヒドロキシルプロピルホスフィン（tHPP）配位子で修飾された表面を有しているナノクリスタルのドロップキャストフィルムに使用できる。ピリジン表面を有しているナノクリスタルは、メタノール／ピリジン（９：１）の溶媒系から、ドロップキャストし得る。該ドロップキャストフィルムは、減圧下で乾燥される前に、約12〜24時間、不活性ガス雰囲気下で乾燥する。通常、該フィルムを基板上で形成する。該基板は、該ナノクリスタルと反応しないすべての材料から作ることができる。該基板は、光放射の特定のエネルギーで、不透明、または透明であるように、選択することができる。該基板は、種々の形状に形成できる。基板材料の例を挙げると、サファイヤ、及びシリコンがある。該フィルムと組み合わせる前に、基板を、酸素プラズマで洗浄し、表面の有機汚染物質を取り除くことができる。それに代わり、最初、濃硫酸、及び過酸化水素７：３のエッチング溶液を用いて該基板を処理し、続いて、濃硫酸、過酸化水素、及び水１：１：７の溶液を用いて処理することによって、該基板の表面の親水性を増加することができる。
【００２９】
透過型電子顕微鏡（TEM）により、該ナノクリスタル集団のサイズ、形状、及び分布についての情報を得ることができる。粉末X線回折（XRD）パターンは、該ナノクリスタルの結晶構造の型、及び質に関する最も完全な情報を提供し得る。粒子径が、ピーク幅に対して、Ｘ線のコヒーレンス長を介して、反比例するので、サイズの評価も可能である。例えば、該ナノクリスタルの直径を、透過型電子顕微鏡で直接測定することができ、または例えばシェラーの式を用いて、X線回折データから評価することができる。また、UV/Vis吸収スペクトルからも評価することができる。固体結晶の厚さは、該ナノクリスタル固体の光学吸収を測定すること、及びベールの法則を適用することによって、紫外／可視スペクトロメーターを用いて測定することができる。
【００３０】
ポンプ−プローブ（Pump-probe）レーザー実験（例えば、過渡吸収フェムト秒レーザー実験）により、半導体ナノクリスタルの濃縮固体の光ゲインを測定することができる。半導体ナノクリスタルの濃縮固体（例えば、最密固体）は、約10 cm-1、25 cm-1、50 cm-1、100 cm-1、または1,000 cm-1 の光放射のゲインを示し得る。ソースが該ナノクリスタルを励起して、半導体ナノクリスタル中に電子−ホール（e-h）対を生成する場合に、半導体ナノクリスタルのフィルム中のゲインが生じる。所定の温度範囲（約6K〜310Kの間、またはそれ以上）で、励起ソースが、半導体ナノクリスタルあたり、約1.0、1.5、または2.0 e-h対より多く生成する場合に、ゲインが、半導体ナノクリスタルの濃縮固体中で観察され得る。該e-h対の数を増大するように、該ソースパワーの密度を増大させることで、該フィルムのゲインを増大することができる。光学的に記載されるが、該励起ソースは電気的であり得る。一般に、該励起ソースは、該ナノクリスタル固体の反転分布を生じ得る。
【００３１】
該濃縮固体において、ゲインは、バンドギャップ光ルミネッセンス（すなわち、放射）と等しい、または低いエネルギーで生じる。例えば、該最大ゲインは、最大バンドギャップ放射、またはそれ以下のエネルギーで生じ得る。該バンドギャップの放射のエネルギーは、上述のように、該半導体材料、及び該量子閉じ込めナノクリスタル微結晶のサイズに依存する。該ゲインの最大値、及び該放射の最大値の間のエネルギー差は、該ナノクリスタルのサイズの減少とともに小さくなる。
【００３２】
半導体ナノクリスタルの該構成物は、同一サイズ、及び同一半導体材料のナノクリスタル微結晶を加えて、放射エネルギーの狭いバンドを有するゲイン（例えば、約75nm以下のFWHMを有するエネルギーのバンドを有する）を製造することができる。あるいは、該半導体フィルムを、異なる材料、異なるサイズを有する同一材料、またはその両方から作り、放射エネルギーの広いバンドを有するゲイン、または異なる放射エネルギーの中心にある多数の狭いバンドを有するゲインを提供することができる。
【００３３】
図１を参照すれば、面発光分布帰還型回折格子レーザー10は、基板20、ゲイン媒体30、及び回折格子43を含む。ゲイン媒体30は、金属酸化物マトリックス33の中に、ナノクリスタル32の構成物を含む。操作する際、増幅器10の利用者は、ゲイン媒体30を通る入力光放射ビーム40を管理し、かつ該ゲイン媒体を励起させるように、外部光放射ビーム50を供給し、反転分布を作り出す。もし、該入力光ビーム40のエネルギーが、ゲイン媒体30がゲインを促進するエネルギーと重なるならば、増幅器10は、光ビーム40を増幅し、増幅出力ビーム60を供給する。
【００３４】
該構造体を調製する一般的な方法論は、次に示す実例に基づく。初めに、CdSe、及びCdSe（ZnS）コア−シェルナノクリスタルを、先に記述された手順（C.B. Murray, らの論文, J. Amer. Chem. Soc. 1993, 115, 8706, C.B. Murray, らの論文, J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 8706, B.O. Dabbousi, らの論文, J. Phys. Chem. B 1997, 101, 9463）を用いて合成した。該合成したナノクリスタルを囲んでいる、在来のトリオクチルホスフィン／トリオクチルホスフィンオキシド（TOP／TOPO）配位子を、トリス−ヒドロキシルプロピルホスピン（tHPP）配位子と置き換え、アルコール性の溶媒に安定なナノクリスタルを作り、かつ該ナノクリスタルをチタニアマトリックス中に組み込み、拘束力を与える。繰り返し行われる遠心／再分散工程により、該過剰なTOPOキャップを取り除く。次いで、精製されたナノクリスタルを、不活性ガス雰囲気下のグローブボックスに移し、そこで、テトラヒドロフラン、及びエタノールの１：５（W／W）溶液中に分散する。得られたスラリーに、等量の新しい配位子（tHPP）を加える。一定の攪拌の下、tHPPと化学量論の等しい量のチタン（IV）ブトキシド（tBOT）を、加える。得られた溶液を、該グローブボックス中、2時間、60℃として、プレポリマー化し、この操作を完了することで、透明、均一な溶液が得られる。制御された湿度状態（〜20％）の下、予め洗浄したシリカ基板上に、この溶液をスピンコーティングし、次にホットプレート上、200℃で、2分間アニーリングすることにより、透明なナノクリスタル／チタニア合成フィルムが得られる。該ナノクリスタル／tHPP：tBOTの相対比率は、該フィルムの屈折率を決定し、該屈折率は、ナノクリスタルの体積分率に敏感に依存する。該フィルムの厚さは、tHPP−tBOT、及びTHF／エタノールの比率によって、大まか制御され、かつ該スピンコーターのスピン速度によって、細かに制御される。この意味では、ナノクリスタルは、その屈折率を整調する導波管の受動成分、及び活性なレージング媒質の双方として、利用される。
【００３５】
この手順を用いることによって、0.2、及び0.7マイクロメートルの間に調節できる厚さを有し、1.65、及び1.82の間に屈折率を有し、かつ12％と高い、ナノクリスタルの体積分率を有するフィルムを、繰り返し得られる。フィルムの厚さ、及び屈折率は、プロフィロメトリ、透過分光装置、及びエリプソメトリーの組み合わせを利用することにより、決定された。この化学的なアプローチは、再現性が高く、かつ種々の基板、及びさらに複雑な構造に、容易に利用することができる。
【００３６】
該フィルムの光学的研究の結果は、次のとおりである：
該フィルムを、クリオスタットに取り付け、かつ80Kに冷やすか、または単に室温に保持した。励起レーザー（400nm、1kHz、〜100fs）を、円柱レンズを利用して、先端の近くの該基板に対して垂直に、焦点を合わせた。該基板上のストライプの幅は、50〜100ミクロンであった。該基板の先端からの光ルミネッセンス（PL）強度を、一定の光束密度下、励起のストライプ長の関数として測定した。狭いASEピークは、560〜630nmのスペクトルの範囲で調査されたすべてのサンプルにおいて、はっきりと規定されたしきい値を有し、ストライプ長の関数として現れることが観測された。狭線化された放射は、すべてのサンプルにおいて、自発PLピークの低エネルギー側で、観測された。
【００３７】
図２は、1.94〜2.23eVのエネルギー範囲をカバーする、該ナノクリスタルのサイズに伴って調整できるナノクリスタル／チタニア導波管の狭い形式ゲインプロファイルを示す。図２は、規格化されたナノクリスタル／チタニア導波管の蛍光を表わす。自発放射のFWHM線幅（28nmから7nm）のゲイン誘導狭さが、しきい値の上で観測される。すべてのサンプルにおいて、これらの狭ゲインプロファイルは、サイズ分布＜8％のナノクリスタルを用いて、〜18cm-1から、〜50cm-1範囲で、及び〜9−11nmのFWHMの範囲で変化するピーク値を有する。これは、コロイド状半導体ナノクリスタルを用いる、狭ゲインプロファイルをはっきりと示し、これらの材料において、理論上予測された、量子閉じ込め効果を強調している。該形式ゲインプロファイルの幅は、支配的に使用される該ナノクリスタルのサイズ分布の関数である。
【００３８】
一般的に、面発光DFBレーザーは、次のアプローチを利用することにより、調製することができる。次いで、該ナノクリスタル／チタニアフィルムの屈折率を調節する能力は、狭ゲインプロファイル（9nm）がフィードバック構造と一致する場合、重要である。第二オーダーDFB回折格子を用い、そこで光フィードバックが、薄膜中の第二オーダーのブラッグ散乱を通して供給され、かつ生じたレーザー光と組み合わさった出力が、該基板に対し通常の第一オーダーの回折を通して媒介される。使用された該回折格子は、界面リソグラフィーを使ってパターン化されたものである（M.L. Schattenburgらの論文, J. Vac. Sci. Technol. B, 1995, 13, 3007、及び M. Farhoud, らの論文, J. Vac. Sci. Technol. B 1999, 17, 3182, （それぞれが、明細書に全体として組み込まれている。））。界面リソグラフィーの利用は、大きな領域に渡り、優れた空間位相コヒーレンスを有する構造体を与え、かつ該DFB構造体の周期性もまた、容易に変化されるようになる。該回折格子の周期性は、200nm〜500nmの範囲とし得る。310nm〜350nmの範囲の回折格子の周期性を構成した。使用された該基板は、その表面上に1ミクロンの熱SiO2を有する、標準の直径10cmのシリコンウェハーであった。該回折格子パターンは、一連の反応性イオンエッチ（RIE）工程を使って、フォトレジストから酸化物層に移された。該回折格子パターンは、ブラッグの条件（2Λ＝M（λ0／neff））により規定され、ここで、Mは回折次数、Λは該回折格子の周期性、λ0は回折光の自由空間波長、及びneff は、該活性層の効果的な屈折率である。RIEの後、該フォトレジストは、該SiO2層において、垂直プロファイル50nm深さを有する回折格子を残して、取り除かれた。
【００３９】
図３は、DFB回折格子（Λ＝330 nm）の先端上に、倍率500nmで、加工した後の薄膜の走査電子顕微鏡写真図を示す。いくつかの波紋（おそらく、溶媒の急な蒸発で生じたもの）も見られるが、均一の厚さであることが明白である。さらに具体的に、図３は、周期Λ＝350nmを有する、CdSe（ZnS）コア−シェル（半径2.5nmのCdSeコア、〜2単層ZnSシェル）ナノクリスタル／チタニアDFBの室温レーザースペクトルであり、FWHM＝0.8nmを有し、626.7nmで狭いピークを示す。図３は、大きな範囲で均一性である、該ナノクリスタル／チタニアフィルムを図解する。該フィルムを通して、だいだい20マイクロメートルの範囲でクラック、及びピンホール欠陥がないことが、明らかであり：
特性が、最密フィルムを介して、著しく改善されている。該厚さの均一性、及びこれらのフィルムの表面のラフネスは、〜10nm（rms）であり、かつこれらのフィルムの原子間力顕微鏡の調査と一致している。このような特性は、フィルムの散乱損失を減らし、かつ室温下でレージング活性を観測することを可能にする。
【００４０】
次いで、面発光DFBレーザー構造体の構築は、該回折格子の先端上に、ナノクリスタル／チタニア薄膜をスピンコーティングすることによって行った。スピニングスピードを変化させ、該フィルムの厚さをコントロールした。従って、ナノクリスタル体積分率、及び該フィルムの屈折率は、該ナノクリスタル／チタニアフィルムのゲインピークを伴う、該回折格子のブラッグの条件に一致するように調節した。該サンプルは、液体窒素クリオスタットのコールドフィンガーに置き、かつ80Kに冷した。400nmパルス励起光は、該構造体の前面の上の円柱レンズを用いて焦点を合わせた。該構造体の前からの光ルミネッセンス放射は、分光計と組み合わされ、かつCCDカメラを用いてスペクトル的に分析された。
【００４１】
該光ルミネッセンス放射について、特性を調べた。図４は、励起の関数として、該光ルミネッセンス放射ピークを示す。図４の図中は、スペクトル的に分散され、異なるポンプパワーで時間積分された放射が示されている。さらに具体的には、図４は、励起ポンプパルス強度の関数として、DFB回折格子（Λ＝350nm）に配置したCｄSeナノクリスタル／チタニアフィルムの光ルミネッセンス強度（λ＝607nm）のプロットであり、明瞭なレージングのしきい値を示している。図４の図中Aは、該DFBストップバンドによって調節された、該ナノクリスタル／チタニアフィルムの自発放射を示す。図４の図中Bは、しきい値のわずかに上のナノクリスタルレーザー放射のスペクトルを示す。図４の図中Cは、さらに片対数プロット上のしきい値の上のナノクリスタルレーザー放射のスペクトルが描かれており、比較のため、図４の図中Bのスペクトルを重ねた。
【００４２】
自発放射の様式（図４の図中A）において、ナノクリスタルPLは、誘電性材料の屈折率の一次元調整に伴うストップバンドを伴っている。この屈折率の調整は、基礎をなす回折格子によって起き、該ナノクリスタル／チタニアフィルムの厚さ調整から生じる。該ストップバンドギャップは、10nmオーダーであり、かつ該回折格子パラメーターを有する、これらのナノクリスタル／チタニア構造体の狭いゲインプロファイルの一致に関する難問を明瞭に示している。該レージングのしきい値の上において、最も高いネットゲインを有する該ストップバンド先端でのモードは、該ポンプパワーが増加するにつれて、超直線的に増大した（図4の図中B、及び図４の図中C）。該構造体の前方からの放射は、可視レーザーに崩壊し、かつ該フィルム上のルミネッセンス点は、明るい狭線に固定する。
【００４３】
図５は、化学的に合成されたナノクリスタルを含む構造体の一つの利点を説明している。強い量子閉じ込め効果を示すナノクリスタルのサイズに依存性発光スペクトルを、DFBレーザーを活用して、該DFBレーザーを作り出す。該レーザーは、該ナノクリスタル／チタニアマトリックス中で安定化された該ナノクリスタルのサイズを変えることによって、560nm〜625nmの波長領域で発光するものである。図５は、しきい値の下の異なる半径を有するCdSeナノクリスタルの該光ルミネッセンス発光スペクトルのプロット（点線）（（A）2.7nm、（B）2.4nm、（C）2.1nm、（D）1.7nm（コアCdSe））であり、80Kでのナノクリスタル／チタニアフィルムDFBレーザー装置にとって、レーザーしきい値の上のスペクトル（実線）と比較した。該レーザー放射は、A）621nm、B）607nm、C）583nm、D）560nmで起きる。図５は、DFB回折格子とつながった場合、80Kでの異なるナノクリスタル／チタニアマトリックスのしきい値のわずかに上、及び下の規格化された発光スペクトルを示す。〜30nmから〜1nmへの放射線幅（FWHM）の劇的な減少は、すべての場合において見られる。観測されたレージングスペクトルは、すべてのこれらのフィルムの測定されたゲインスペクトルによく対応しており、かつ線形PL放射プロファイルに関連して、常にスペクトル的にレッドシフトしている。すべてのサンプルは、ｄ）ZnSの〜２単層を有するCdSe（ZnS）コア−シェルナノクリスタルを除いて、CdSeナノクリスタルである。我々の検出条件下、すべての該ナノクリスタルレーザー装置にとって、該レーザー線幅（FWHM、約1〜1.5nm）は、多くの外側の競合DFBレージングモードの時間積分したエンベロープを示している。
【００４４】
また、ナノクリスタル／チタニアマトリックスを用いる付加的な利益も、図５中に示されている。583nm、607nm、及び625nmで機能する該DFBレーザーを、同じ回折格子の周期性（Λ＝350nm）のフィードバック構造を有するが、異なるサイズのナノクリスタルを用いて作成した。基礎をなす周期性を変える代わりに、該ナノクリスタル／チタニアマトリックスの有効な屈折率を、構成ナノクリスタルの体積分率を調整することによって変えた。このようなシステムの該スペクトルのゲインの位置、並びに、該屈折率を独立に変える能力は、同時に多種の波長で機能するナノクリスタルレーザーを開発できることを十分に意味している。
【００４５】
図６は、室温ナノクリスタルDFBレーザーを示している。強い閉じ込めレジーム中の、理論的に予測されたナノクリスタルレーザーの温度非感受性が観察される。図６は、DFB回折格子（Λ＝350nm）につながった、ナノクリスタル／チタニアマトリックスのしきい値の上の放射プロファイルを示す。分解能制限線幅（0.8nm）は、室温下、この構造体から観察され；一の線幅は、80Kまで冷やしても、変わらない。
【００４６】
レーザー活性が、80Kの時と同様に、室温で、コロイド状のCdSe、及びCdSe（ZnS）を用いて示されている。チタニアホストマトリックス中に、ナノクリスタルを埋め込んだ、直接の化学的なルートの開発により、我々は、薄膜の特性を調整し、面発光（第２オーダーDFB構造体）と、それらの狭い形式ゲインプロファイルと正確に一致させることができた。これらの新しいナノクリスタルベースレーザーの正確な調整を、異なるサイズ、及び高品質、コロイド状CdSeナノクリスタルの体積分率を使い、強い量子閉じ込め効果を利用することによって、明らかにされた。このナノクリスタル薄膜システムは、レーザーの応用において、他の材料のナノクリスタルの組み込みが、十分にできることを意味しており、従って、UV-、及びIR-作動性湿潤化学的調製ナノクリスタルレーザーの可能性を開いている。これらのナノクリスタルシステムの容易性、ハイスループット、調整性、及び室温機能性が、特徴である。化学的な柔軟性は、様々な基板、及びフィードバック機構への、この技術の移行を可能にするだろう。
【００４７】
他の実施形態も、添付の特許請求の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
（図面の説明）
【図１】図１は、ナノクリスタル、及び回折格子の構造の概略図である。
【図２】図２は、CdSeナノクリスタル／チタニア導波管に関する形式ゲインプロファイルを示す。
【図３】図３は、ナノクリスタル、及び回折格子を含む構造の写真である。
【図４】図４は、励起ポンプパルス強度の関数としての、DFB回折格子上に配置したCdSeナノクリスタル／チタニアフィルムの光ルミネッセンス強度のプロットである。
【図５】図５は、異なる半径を有するCdSeナノクリスタルの光ルミネッセンス発光スペクトルのプロットである。
【図６】図６は、CdSe（ZnS）コア−シェルナノクリスタル／チタニアDFB装置の室温レーザーのスペクトルである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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