(57)【要約】【課題】  集積回路中の材料層を定義するための全位相レイアウトを定義する方法が開示される。この方法は、位相シフテイングを使用して実質的に層を定義するために位相シフターを定義、配置、そして洗練するのに使用できる。【解決手段】  工程を通じて、交互の開口、暗いフィールド位相シフト・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義、及びコンプリメンタリ・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義が生成される。マスクは定義から製造でき、そして集積回路中の材料層を製造するために使用される。位相シフター又は切断の間の分離は、マスク製造を容易にし、同時に、位相シフテイング・マスクにより定義される特徴の各々の量を最大にするために設計される。コスト関数が位相割当ての相対的品質を記述して位相衝突を減少しより高い品質の位相割当てを選択するために使用される。
2005517200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料層を持つ集積回路を製造する方法であって、層がレイアウトにより記述されて、材料層の実質的に全てが位相シフテイングを使用して定義されるものにおいて、
位相シフテイングを使用して定義されるべきレイアウト中の複数の特徴を識別し、複数の特徴の各々は複数の端を含み、
複数の特徴の端の近くに複数のシフター形状を置き、複数の特徴は第１の端と第２の端を有する第１の特徴を含み、第１の端は第２の端に接続し、そして複数のシフター形状は第１の端上に置かれる第１シフター形状と第２の端上に置かれる第２シフター形状を含み、第１シフター形状と第２シフター形状とが最小距離により分離され、
複数の位相シフターを生成するために位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当て、
複数の位相シフターを洗練することを含む方法。
【請求項２】
複数のシフター形状を置くことがさらに、最大シフター面積、レイアウト中の複数の特徴を囲む最大シフター面積、複数のシフター形状が置かれるべき場所のレイアウト上の位置に対応した最大シフター面積を定義することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１シフター形状と第２シフター形状とが最小距離により分離されることがさらに、第１シフター形状と第２シフター形状との間に切断を許容できるように第１シフター形状と第２シフター形状とを置くことを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
割当てることがさらに、特定の位相割当てを受容する相対的な品質を記述するために複数のコスト関数を使用し、複数のコスト関数は内側角コスト関数、外側角コスト関数、３つの端コスト関数、小さなシフター面積コスト関数、位相衝突コスト関数、及び複数層コスト関数の内の１つ又は複数を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
洗練することがさらに、
同じ位相を持つ複数の位相シフター中に隣接位相シフターを併合し、
角を真っ直ぐにすることにより複数の位相シフター中に位相シフターを拡張し、
優勢又は下位の位相で隣接位相シフター間の開いた空間を充填することにより複数の位相シフター中に位相シフターを拡張し、そして
シフター形状を設計規則チェックに従うように調節する、
ことの１つ又は複数を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数の特徴及び複数の位相シフターから複数のトリム形状を定義することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
複数の位相シフターから第１マスクデータ・ファイルを生成し、
複数のトリム形状から第２マスクデータ・ファイルを生成することをさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
置くことが、複数のシフター形状に対した最初のシフター形状を使用し、最初のシフター形状が直方形の上に積み重ねられた台形を含み、直方形部分が特徴の端に直に隣接することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
材料層の実質的に全てが位相シフテイングを使用して定義されるものがさらに、複数の位相シフターにより層の非メモリ部分の少なくとも８０パーセントが定義され；複数の位相シフターによりレイアウトのフロアプランの部分の少なくとも８０パーセントが定義され；複数の位相シフターによりレイアウトの少なくとも９０パーセントが定義され；複数の位相シフターによりレイアウトの重要な経路内の全ての特徴が定義され；複数の位相シフターにより位相衝突のために位相シフトできない特徴を除くレイアウト中の全ての特徴が定義され；複数の位相シフターによりテスト構造を除くレイアウト中の全てが定義され；及び、複数の位相シフターによりダミー構造を除くレイアウト中の全てが定義される、ことの中の１つ又は複数を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ホトリソグラフイック・マスクを使用して形成されるべき層中の目標パターンを定義するホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を提供するために電磁波中に実現されたコンピュータ・データ信号であって、
位相シフテイングを使用して定義されるべき目標パターン中の複数の特徴を識別するためのソースコード・セグメントと、複数の特徴の各々は複数の端を含み、
ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義中に複数のシフター形状を置くためのソースコード・セグメントと、複数のシフター形状は複数の特徴の端の近くに置かれ、複数の特徴は第１の端と第２の端を有する第１の特徴を含み、第１の端は第２の端に接続し、そして複数のシフター形状は第１の端上に置かれる第１シフター形状と第２の端上に置かれる第２シフター形状を含み、第１シフター形状と第２シフター形状は最小距離により分離され、
複数の位相シフターを生成するために位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当てるためのソースコード・セグメントと、
複数の位相シフターを洗練するためのソースコード・セグメントと、
を含むコンピュータ・データ信号。
【請求項１１】
位相を割当てるためのソースコード・セグメントがさらに、分岐及び限定位相割当てのためのソースコード・セグメントを含む請求項１０に記載のコンピュータ・データ信号。
【請求項１２】
位相を割当てるためのソースコード・セグメントがさらに、グラフに基づいた位相割当てのためのソースコード・セグメントを含む請求項１０に記載のコンピュータ・データ信号。
【請求項１３】
第２ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を与えるためのソースコード・セグメントをさらに含み、第２ホトリソグラフイック・マスクは目標パターンを定義するためのホトリソグラフイック・パターンと一緒に使用されるコンプリメンタリ・マスクを含み、第２ホトリソグラフイック・マスクは目標パターンと複数のシフター形状を使用して定義される請求項１０に記載のコンピュータ・データ信号。
【請求項１４】
第２ホトリソグラフイックは、トリム・マスク、３トーン・マスク、減衰位相シフテイング・マスク、及びバイナリ・マスクの少なくとも１つを含む請求項１３に記載のコンピュータ・データ信号。
【請求項１５】
目標パターンが第１ファイル・フォーマットのコンピュータ・データ信号として表され、そしてホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義が第２ファイル・フォーマットのコンピュータ・データ信号として表される請求項１０に記載のコンピュータ・データ信号。
【請求項１６】
第１ファイル・フォーマットと第２ファイル・フォーマットが同じフォーマットである請求項１５に記載のコンピュータ・データ信号。
【請求項１７】
第１ファイル・フォーマットがＧＤＳ−ＩＩストリーム・フォーマットを含み、第２ファイル・フォーマットがマスク製造機械に使用される適当なフォーマット中にマスクデータ・ファイルを含む請求項１５に記載のコンピュータ・データ信号。
【請求項１８】
ホトリソグラフイック・マスクを使用して形成されるべき層中の目標パターンを定義するためのホトリソグラフイック・マスクであって、目標パターンが複数の特徴を含むものであって、
以下の工程により定義される位相シフテイング開口を有する暗いフィールド・マスクを含む、
複数の特徴の端の近くに複数のシフター形状を置き、複数の特徴は第１の端と第２の端を有する第１の特徴を含み、第１の端は第２の端に接続し、そして複数のシフター形状は第１の端上に置かれる第１シフター形状と第２の端上に置かれる第２シフター形状を含み、第１シフター形状と第２シフター形状とが最小距離により分離され、
複数の位相シフターを生成するために位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当て、
複数の位相シフターを洗練し、及び
ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を生成する、
ホトリソグラフイック・マスク。
【請求項１９】
置くことがさらに、第１シフター形状と第２シフター形状との間に切断を許容できるように第１シフター形状と第２シフター形状とを置くことを含む請求項１８に記載のホトリソグラフイック・マスク。
【請求項２０】
切断が、４５度の角度のオフセットで正方形状に終わる真っ直ぐな首と交差された実質的に正方形の切り込みからなる開口を含む請求項１９に記載のホトリソグラフイック・マスク。
【請求項２１】
切断が２つの隣接するシフター形状の間に最小のマスク製造幅開口を持つ請求項１９に記載のホトリソグラフイック・マスク。
【請求項２２】
目標パターンが、ホトリソグラフイック・マスクにより層の非メモリ部分の少なくとも８０パーセントが定義され；ホトリソグラフイック・マスクにより層のフロアプランの部分の少なくとも８０パーセントが定義され；ホトリソグラフイック・マスクにより層の少なくとも９０パーセントが定義され；ホトリソグラフイック・マスクにより層の重要な経路内の全ての特徴が定義され；ホトリソグラフイック・マスクにより位相衝突のために位相シフトできない特徴を除く層中の全ての特徴が定義され；ホトリソグラフイック・マスクによりテスト構造を除く層中の全てが定義され；及び、ホトリソグラフイック・マスクによりダミー構造を除く層中の全てが定義される、ことの中の１つ又は複数を含むことを特徴とする請求項１８に記載のホトリソグラフイック・マスク。
【請求項２３】
集積回路中の材料層内の目標パターンのホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を定義するための装置であって、目標パターンが複数の特徴を含み、
目標パターン内の複数の特徴の回りの最大シフター面積を定義するための手段と、
シフター形状が複数の特徴の端に沿って走り、そして切断を許容するために隣接するシフター形状間に空間を残すようにシフター形状が最大シフター面積内に置かれる、ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義中に複数のシフター形状を置くための手段と、
位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当てるための手段と、
シフター形状を洗練するための手段と、
複数のシフター形状を含むホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を出力するための手段と、
を含む装置。
【請求項２４】
目標パターンと複数のシフター形状とからコンプリメンタリ・ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を与えるための手段をさらに含む請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
割当てるための手段がさらに、複数のシフター形状中の位相シフターに対する与えられた位相割当てのコストを計算する手段を含み、コストは与えられた位相割当ての相対的品質に対応する請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含み、その中にホトリソグラフイック・マスクを使用して定義されるべき層中の目標パターンを定義するホトリソグラフイック・マスクの定義のためのコンピュータ読み取り可能な命令が記憶されていて、目標パターンが複数の特徴を含む、製造物において、
目標パターンにアクセスするための命令の第１組と、
目標パターン内の複数の特徴の回りの最大シフター面積を定義するための命令の第２組と、
シフター形状が複数の特徴の端に沿って走り、そして切断を許容するために隣接するシフター形状間に空間を残すようにシフター形状が最大シフター面積内に置かれる、ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義中にシフター形状を置くための命令の第３組と、
位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当てるための命令の第４組と、
シフター形状を洗練するための命令の第５組と、
ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を記憶するための命令の第６組と、
を含む製造物。
【請求項２７】
命令の第４組がさらに、特定の位相割当てを受容する相対的な品質を記述するために複数のコスト関数を使用するための命令組を含み、複数のコスト関数は内側角コスト関数、外側角コスト関数、３つの端コスト関数、小さなシフター面積コスト関数、位相衝突コスト関数、及び複数層コスト関数の内の１つ又は複数を含む請求項２６に記載の製造物。
【請求項２８】
命令の第４組がさらに、位相割当てのために分岐及び限定を実行するための命令組を含む請求項２６に記載の製造物。
【請求項２９】
命令の第２組がさらに、最大シフター面積を定義するために端キャップを除いて複数の特徴の回りの境界を成長させるための命令組を含む請求項２６に記載の製造物。
【請求項３０】
命令の第２組がさらに、最小シフター面積と端キャップ切断保護を定義するための命令組を含み、最大シフター面積が端キャップ保護を考慮する請求項２６に記載の製造物。
【請求項３１】
命令の第２組がさらに、複数の特徴を複数のグループにクラスター化するための命令組を含み、各グループが命令の第３、第４、及び第５組中の独立の並列処理に対して影響を受ける請求項２６に記載の製造物。
【請求項３２】
命令の第２組がさらに、最小シフター面積と端キャップ切断保護を定義するための命令組を含み、最大シフター面積が端キャップ保護を保護する請求項３１に記載の製造物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホトリソグラフイック・マスクを使用して集積回路などの対象の小さな寸法の特徴を製造することに関する。より詳細には、本発明は、集積回路及び同様の対象について複雑なレイアウトの位相シフト・マスキングに関する。
【０００２】
背景技術
位相シフト・マスキングは、集積回路中の小さな寸法の特徴を生成するために応用されている。典型的に、この特徴は小さくて決定的な寸法を持つ設計の選ばれた要素に限定されている。例えば、米国特許第５，７６６，８０６号公報を参照。
【０００３】
集積回路中の小さな寸法の特徴の製造は改善された速度と性能を生ずるが、このような装置の製造においてより広範囲に位相シフト・マスキングを応用することが望まれる。しかし、位相シフト・マスキングをより複雑な設計に拡張するとマスク・レイアウト問題の複雑性を大いに増加する。例えば、位相シフト窓を高密度の設計について割り付けすると、位相衝突が発生する。位相衝突の１つのタイプは、露光パターンで隣接した線の実現を意図して位相シフト窓を重ね合わせるなど、マスクにより露光されるべき特徴の近くに同じ位相を持つ２つの位相シフト窓が割り付けられたレイアウトの場所である。もし、位相シフト窓が同じ位相を持つ場合、所望の特徴を生成するために必要な光学干渉を生じない。従って、マスクにより定義される層に形成されるべき特徴の近くに位相衝突の位相シフト窓の不注意なレイアウトを防止する必要がある。
【０００４】
一つの集積回路の設計中に、数百万の特徴が割り付けられる。このような多数の特徴に関する反復操作についてのデータ処理資源の負荷は、大きくて、いくつかの例では反復操作は実用的に不可能である。従来技術を使用して、大量のレイアウトが位相シフトにより達成される回路について、位相シフト窓のレイアウト及びこのような窓に対して位相シフト値を割当てることは、実用的に不可能となった反復操作の１つである。
【０００５】
これら及びその他の複雑性のため、複雑な設計について位相シフト・マスキング技術の実現は、位相シフト・マスクの設計に対する手法に改良を必要とする。
【０００６】
発明の開示
集積回路（ＩＣ）中の材料層を定義するために全位相レイアウトを定義するための方法が開示される。全位相レイアウトでは、実質的に、材料層、例えば、多結晶シリコン層に全ての特徴が位相シフトを使用して定義される。位相シフトを使用して特徴を定義することにより、層の大部分は波長以下の特徴から構成できる。例えば、もし、λ＝１９３ｎｍステッパーを使用すると、位相シフトの使用無しでは大きさが顕著にλ以下の特徴を最終ＩＣ上に製造することは困難である。位相シフターに位相を割当て、置き、及び形付けることに系統的な手法を提供することで、方法はホトリソグラフイック・マスクとして高品質のレイアウトを製造できる。これらのマスクは次にＩＣの層の製造に使用できる。
【０００７】
あるパターンについて、例えば、集積回路の多結晶シリコン（又はゲート）層、特徴が同定できる。特徴の端のキャップを除き、特徴の回りの領域を成長させることにより、最大シフター領域が定義できる。最大シフター領域は特徴を定義するためにシフターが望ましくは置かれる空間に対応する。シフター形状は特徴の端に当てて置かれる。シフターの形状は、異なるシフター間に開口又は切断が必要な場合、互いに空間を残して間隔される。間隔要件は、最小間隔及び端長についての設計規則に関係し、異なるタイプの状況、例えば、外側及び内側角、について異なる。
【０００８】
いくつかの実施の形態では、シフター形状は直方形の上に積み重ねられた台形である。この形状は頂上に正方形の切り込みを持つ切断を可能にするように設計される。従って、マスクにより製造が困難な尖った角を回避する。
【０００９】
いくつかの実施の形態では、その後、シフター形状は最大シフター領域内のある開口領域を満たすために洗練される。
【００１０】
次に、異なるシフター形状間の位相依存性はコストと一緒に決定される。これは、代替的な開口位相シフテイング・マスクについてある要件が存在する、例えば、特徴の反対側のシフターは反対の位相を持つべきであるために重要である。しかし、位相衝突以外に考慮されるべき追加の考慮があってもよい。例えば、内側角に、外側角に、３つの端に沿って、同じ位相の２つのシフターを持つことがどれだけ好ましいか又は好ましくないか等である。他の基準は複数層依存性、例えば、接点、拡散領域等に基づいて位置付けることである。小さいシフターについてコスト関数と同じく、全体的に、コスト関数はある配置、例えば、与えられた同じ位相でのシフター形状Ａとシフター形状Ｂの相対的な品質を説明する。
【００１１】
依存性とコスト関数に従い、位相がシフター形状に割当てられることができる。その後、同じ位相シフターが一緒にでき前の開口切断空間のいくつかを一緒に充填する。本発明のいくつかの実施の形態により、小さなシフターを除去し、角を正方形にし、そして開口空間を優勢又は下位の位相で充填することを含む、追加の洗練が提供される。
【００１２】
位相シフターが定義された後、位相シフター形状及び元のパターンを使用したトリム形状が定義できる。いくつかの実施の形態では、論理的な又は完成した位相シフター形状と元のレイアウトが一緒にされ、マスク不整列エラーを明らかにするために寸法が小さくされ、そして別の論理的なものが元のレイアウトと共に実行される。トリム・レイアウトは減衰された位相シフテイング形状、例えば、トリトーン・マスク等を含んでよい。
【００１３】
いくつかの実施の形態では、入力はＧＤＳ−ＩＩストリーム・フォーマットなどのフォーマットのレイアウトを含んだファイルであり、出力は１つ又は複数のファイル
である。１つの実施の形態では、出力はトリム及び位相層の両方を含んだ１つのＧＤＳ−ＩＩストリーム・フォーマット・ファイルである。別の実施の形態では、出力は２つのマスクデータ・ファイルで、各マスクにつき１つで、マスク製造機械の使用に適したものである。
【００１４】
本発明の実施の形態は、ホトリソグラフイック・マスクを含む。ホトリソグラフイック・マスクは、位相マスク及びコンプリメンタリ・マスクを含む。位相マスクは、位相窓が上述したような目的パターンを定義するために配置された暗いフィールドの代替の開口位相マスクを含む。コンプリメンタリ・マスクは、位相マスクにより残された人工物を取り除くため、及び、位相マスクにより定義されていない残りの端又は端部分を定義するために設計されたマスクを含む。
【００１５】
本発明の実施の形態は、集積回路製造方法を含む。この方法は、上述のように定義され、そして準備されたマスクを使用してＩＣ内に材料層を露呈することを含む。
【００１６】
詳細な説明
概観
位相、対応するトリム、集積回路中の材料層を定義するためのレイアウトを定義する方法及び装置が開示される。本発明の実施の形態は、ここに開示される方法に従い及び装置により生成されるマスクデータ準備（ＭＤＰ）データを含む。他の実施の形態は、ここに開示される方法及び装置により定義されるレイアウトから製造される集積回路、レチクル又はマスクを含む。
【００１７】
本発明の１つの実施の形態によると、例えば、ＧＤＳ−ＩＩフォーマットの入力レイアウトが、材料層のために受取られる。本発明の実施の形態は、例えば、以下に説明される図２５の工程により、位相シフトを使用したレイアウトのパターンの実質的に全ての部分を定義するための１つ又は複数の出力レイアウトを生成する。例えば、出力レイアウトは、１つ又は複数の位相層とトリム層を持つＧＦＳ−ＩＩストリーム・ファイルを含んでよい。いくつかの実施の形態では、０及び１８０度位相シフターがマスク製造工程を助けるために異なる層に分離される。これは部分的に現在のＧＤＳ−ＩＩストリーム・フォーマットの限界である。なぜなら、このファイル・フォーマットは層内の多角形について位相を指定する標準の方法を提供しないからである。説明の便宜上、ここで使用される単一タームの位相層は、位相マスクを生成する使用のために設計されたある出力ファイル・フォーマット中の全ての関連位相層を言う。従って、出力は時々「全位相」レイアウト、又はマスク／レチクルとして呼ばれるものである。さらに、出力は、全位相マスクと共に使用される、時々、「トリム・マスク」として呼ばれるコンプリメンタリ・マスク用の対応するレイアウトを含む。位相データと共に、トリム・データは同じ及び／又は別のファイル内に存在できる。
【００１８】
以下に、本発明を詳細に説明する。最初に、パラメータ、切断形状、シフター形状等を含むさまざまな設定情報が考察される。そして、本発明のいくつかの実施の形態により使用される工程が例示のレイアウトを参照して説明される。
【００１９】
設定
位相層及びトリム層が定義される工程が、元のレイアウトと共に動作するのに使用されるいくつかのパラメータと設定問題と関連して最良に理解される。最初に、切断形状と内側及び外側角切断の配置が説明される。そして、位相領域の境界が生成される方法が考察される。次に、最初のシフター形状と大きさが説明される。そして、ゆっくりと成長するシフターの形状の工程が説明される。最後に、位相シフター及び切断の形状と配置を決定するために使用されるコスト関数が考察される。
【００２０】
切断形状及び内側と外側角
最初に、図１乃至３を参照すると、レイアウトのための内側及び外角切断が、本発明の１つの実施の形態により使用される切断形状のより詳細な図と共に示されている。まず、第１図を参照すると、内側角切断１００が位相層１０２及び例示的内側角に対するトリム層に関して検査される。位相層１０２において、特徴１１０がシフター１１２とシフター１１４により定義されて示される（特徴１１０は実際には位相層１０２自身の部分でない）。同様に、トリム層１０４は、シフターにより定義された領域を保護し、そして角を定義するトリム１１８を含む。特徴１１０の境界がトリム層１０４中の点線により示されている。特に興味が有るのは、使用される切断形状であり、図３を参照して、下に詳細に説明する。切断形状は、実質的に正方形状の切り込みを含み、角の切り込みから４５度角度で出てくる真っ直ぐな線の首を持つ。この形状は設計規則に従うように設計され、そして、より重要なことは、マスクの製造を容易にする。
【００２１】
同様に、図２は、位相層２０２とトリム層２０４を含んだ外側角切断２００を示す。位相層２０２内に、特徴２１０がシフター２１２とシフター２１４とにより定義されている（特徴２１０は位相層２０２自身の一部ではないが、説明の簡潔さのために示す）。トリム層２１４内に、シフターにより定義された領域を保護し、そして角を定義するトリムが示されている。点線が、トリム層２０４内の特徴２１０の境界を示すために使用されている。さらに、一点鎖線がトリム線２０４上で使用できる代替的な角形状２２２を示す。代替的な角は、完全に設計規則をクリーンにするために設計され。これと比較して、元の角は、切断の角度のある端に対して角の端が近接することにより、設計規則違反を作っているかもしれない。図２のように、同様な切断形状が設計規則に従い、そしてより重要には、レイアウトのためのマスクを容易に製造するために使用される。
【００２２】
図３を参照すると、例示的な切断３００が点線として示されている。切断３００が、シフター対を分離するために図１と図２に使用された切断と似た形状を持つ。形状は、頂上に実質的に正方形の切り込みを含み、それは正方形で終わる真っ直ぐな首により４５度の角度だけオフセットして交差されている。正方形の切り込みと首との間の角度が３０６で示されている。１つの実施の形態では、角度は１３５度である。切断３００のさまざまな端の大きさは、工程と設計規則に依存する。例えば、端長さ３０２は、マスク製造技術による、工程の最小端長さに関係する。１つの実施の形態では、端長さ３０２は最小端長さ、ｒ＞０．０、の倍数である。この例では、ｒ＝１．０である。同様に、端長さ３０４は、最小端長さに依存し、最小端長さ、ｒ’＞０．０の倍数である。この例では、ｒ’＝√２／２である。首の幅３０８は、最小端分離と工程のリソグラフイック性質とに依存し、例えば、ｒ”＞０．０の倍数である。より詳細には、幅３０８は、トリムが切断に隣接した代替の位相シフター間に残された位相人工物を取り除くことができるのに十分でなければならい。
【００２３】
境界
図４を参照すると、端キャップ４０４を有する特徴４００に対する所望の位相境界が示されている。境界４０４が太い破線で示されている。図示されるように、境界は、端キャップ４０４が存在する所を除いて、特徴形状上での成長操作により生成できる。端キャップ４０４の高さは最小幅長さ、例えば、０．８Ｘ、１．０Ｘ、１．１Ｘ、より一般的には、ｒＸ、ｒ＞＝０．０、に関連することに注意する。いくつかの実施の形態では、端キャップ領域は特徴４００の上端を横断する平らの境界を生ずる真っ直ぐな線である。これは、端キャップの定義のために位相シフター又はトリムが使用されるか否か及びどれだけ隣接特徴上の位相領域が減少される必要があるかの違いを反映する。より詳細には、特徴４００の端キャップ４０４に隣接した特徴４１０を見ると、境界４０２内に含まれる特徴４００に対するシフターにより、特徴４１０の回りの境界を減少する必要性は、仮に特徴４００に対するシフターが端キャップ４０４の頂上に向けて拡張される場合よりも少ない。従って、端キャップの処理はレイアウト設計のトレードオフを表す。１つの実施の形態では、端キャップを定義するために、そして境界が端キャップ上で平坦とするため、位相シフターの使用が好ましい。
【００２４】
別の実施の形態では、端キャップの処理は、ある端キャップの場合がどのように処理されるべきかを記述する１つ又は複数の規則を参照して、ケース・バイ・ケースに基づいて決定される。例えば、規則はもし端キャップに隣接する特徴がなければ、平坦な境界を使用することを指定するだろう。しかし、例えば、図４の特徴４１０のように、近接の特徴がある状態では、端キャップ回りの領域はトリム層を使用して定義されるべきである。さらに別の実施の形態では、両方の可能性を使用してレイアウトの領域上でシミュレーションが行われて、より良い結果を生ずる構成が選択される。
【００２５】
境界４０２は、特徴４００を再生するために好ましいシフター幅に設定されるべきである。例えば、特徴４００がＸｎｍの重要な寸法（ＣＤ）を持ち、そして与えられたリソグラフイ工程でＸｎｍの重要な寸法に対する好ましいシフター幅がＹｎｍの場合（例えば、光の特定の波長、可干渉性、レジスト特性等）、境界は特徴４００の端からＹｎｍに置くことができる。例えば、２４８ｎｍ波長リソグラフイック工程に対して、好ましいシフター幅は１５０ｎｍ−３００ｎｍである。好ましい幅は、さまざまな条件下でのテスト・パターンのシミュレーションと測定から決定できる。
【００２６】
図５を参照して、隣接する特徴及び端キャップに関する境界の処理の追加的方法を考察する。図５は、特徴５００と境界５０２及び境界５１２を持つ特徴５１０とをそれぞれ詳細に示す。特徴５００上に端キャップ５０４が示されている。図示されるように、境界５０２と境界５１２内の領域は重なり合っている。また、特徴５１０に関連した最小境界５１４の部分も示されている（太い鎖線）。最小境界５１４は、特徴５１０を定義するのに使用される最小シフター幅を表す。切断保護領域５２０が、端キャップ５０４のいずれの側に示されている（格子パターン）。この領域は、境界５０２の上端からの最小の分離を含む（例えば、図５の垂直方向）。また、それは、例えば、境界５０２の幅の切断を許容するための他の方向（例えば、図５の水平方向）にも十分に広い。しかし、特徴５１０を定義するための適当なシフター幅が存在することを確保するために、最小境界５１４に従い含まれなければならないどんな領域は、最小領域５１４での切断保護５２０の端に示されるように切断保護領域から取り除かれる。従って、切断保護５２０は、位相シフトを使用した特徴５１０の定義を一方で可能にしながら、端キャップ５０４の右（又は左）に対して真っ直ぐな線切断を可能にするための適当な余地を保証する。
【００２７】
シフター大きさ及び形状
図６を参照して、基本的なシフター形状を考察する。特に、特徴６００がその特徴の近くに置かれた関連するシフター６１０と共に示される。このポイントでは、シフター６１０には位相が割当てられていない。このポイントでは、シフター６１０は、直方体の上に台形が載った直方体形状である。台形部分の端は切断に適応するために４５度である。しかし、より一般的にどんな設計規則に従う角度を使用できる。シフター形状の別の観点は、シフターが切断の基礎に直接に当接する時（図２２の説明を参照）でも、隣接切断が開口したままであることを許容することである。特徴６００に当接するシフター６１０の基礎からシフターの頂上への方向は、特徴の重要な寸法（ＣＤ）を制御するために関連する寸法であるので、（シフター）幅と呼ばれる。さらに、より小さなシフターに対しては、シフターが最小幅要件を満たすならば、台形部分を省くことができる。
【００２８】
シフター６１０は、最小距離ｄ1が、シフターの端と次の角、又は、この場合は、端との間に維持されるように、特徴６００に当接する端に沿って置かれている。最小距離ｄ1は、切断を可能にする適当な大きさである。１つの実施の形態では、この距離は、一般的な形の式１で表されるように外側角に対して内側は異なる。
【００２９】
内側角
2005517200.tif 000003
外側角
2005517200.tif 000004
（１）
ここで、dimは許容最小寸法である。より一般的には、この形は最小寸法のｒ＞０．０の倍数である。
【００３０】
同様に、シフター６１０は、直方体部分が最小の許容シフター幅ｄ2で置かれる。（これは、シフターの基礎から台形領域の基礎に向かう軸に沿う図６の垂直方向である。）この最小シフター幅は、設計規則パラメータ、例えば、最小寸法、から導出される。リソグラフイックの観点からは、これは他のシフター（図６に図示しない）とトリム層（図示しない）と一緒に特徴（例えば、特徴６００）を定義するためには十分な大きさではないかもしれない。λ＝２４８ｎｍの１つの工程では、ｄ2は０．０６μｍである。
【００３１】
図６に示されるように、また、シフター６１０の上端に沿った長さとして示される、シフター６１０の開始長さとして、シフター長さｄ3を最大にすることが有用であろう。最小幅ｄ2が使用されてｄ3が最大にされる時、シフターの台形部分が図６に示されるように一般的に優勢となる。さらに、このシフター配置は所望の切断部分を設定する。内側角上で、図１に示されるように１つの切断のみが可能である。外側角上で、シフター６１０の形状は、図２に示される４５度の角度を含み、どんな角度からも切断を可能にする。より詳細には、図１０を短く参照すると、特徴１０００の外側角がシフター１００２とシフター１００４と共に示されていて、矢印が外側角切断をシフターの位置に基づいていずれの角度で置くことができることを示す。また、シフター６１０は、境界（太い破線）に接触するために全体の幅が最大化されていることにも注意する。ある状況では、台形形状を維持しながら境界に到達するためにシフターを拡張することは不可能であるだろう。その場合は、図１１乃至１３に示されるようなシフター形状が適当に使用できる。
【００３２】
図７を参照すると、レイアウトの部分である特徴７２０と特徴７００が、それぞれシフター７３０とシフター７１０と一緒に図示されている。シフター７１０とシフター７３０とは近接している。ここで、それぞれのシフターの間の分離は最小分離、ｄ4、よりも小さい。いくつかの実施の形態では、ｄ4は最小分離設計規則及び／又は最小分離に関する１つ又は複数のリソグラフイック・パラメータと一致する。本発明のいくつかの実施の形態では、図８に示すように、シフターはシフター７１０とシフター７３０とが一緒になって図示するようなシフター８１０を形成する。いくつかの実施の形態では、図９に示すように、例えば、設計規則に従うために、切り込み充填が実施される必要があるであろう。
【００３３】
図９は、図７に示されるのと同様な構成を示す。しかし、それぞれ特徴７２０と特徴７００に近いシフター９２０とシフター９１０が互いに当接して、切り込み９３０と切り込み９３２とを残す。本発明のいくつかの実施の形態は、シフターを一緒にして、破線に示すように、このような切り込みを充填する。充填された切り込みの幅は、いくつかの実施の形態ではｄ4と等しい、又は、少ない２つのシフターの間の長さに対応する。
【００３４】
シフターの再形状
図１１乃至１３を参照すると、本発明の実施の形態により、図６に説明されたように置かれたシフターをレイアウト処理中に再形状することが考えられる。図１１は、接点が着くパッドの特徴１１００と、切断１１０４と切断１１０６に対する破線としての２つの切断が示される（他の切断は説明の簡略のために省略）。また、切断の外側端が境界、又は、好適なシフター幅の場所を示す（図１１でのみ太い破線により強調される）。図１１で理解されるように、シフター１１０２は切断１１０４と切断１１０６とを収容する十分な余地を持って最小幅と長さで置かれる。しかし、もし、台形の端が４５度の角度に維持される場合、シフターは図６乃至９に示された形状を維持しながら境界までの全シフター幅を充填することはできない。
【００３５】
図２５と関連してより詳細に説明するように、レイアウトの処理の際、シフターは図１２に示すように最大幅まで大きさを増加できる。ここでは、シフター１２０２が示される。１つの実施の形態では、図１２の再形状は境界がレイアウトのフィールドに当接した場合にのみ実行される。さらに、シフターと切断の間の周囲領域の１つ又は両方が適当ならば、シフター中に組み込まれる。これが適当な場合は図２５と関連してより詳細に説明される。図１３は、シフター１３０２、シフター１３０４、及びシフター１３０６の３つのシフターとして拡張されたシフターを示す。最終出力レイアウトでは、これらは同じ位相を持ち、適当ならば、全体シフターを表す１つの多角形へと一緒にされる。３つのシフターが結合された形状は、台形の部分が元の特徴に隣接するように回転させられた図６のシフターの形状と類似する。
【００３６】
コスト関数
図１４乃至１７を参照して、本発明の実施の形態で使用されるコスト関数が詳細に説明される。コスト関数は、特定の構成を受容する相対的な「悪さ」（又は、どのように関数が式化されるかに依存して「良さ」）を記述するために使用できる。コスト関数の目的のため、衝突とはレイアウトの位相層上のシフターの配置が（所望の）特徴を分解することが部分的又は完全のいずれかでできないことである。衝突を減らすことに加えて、コスト関数は、２つの選択の相対的なコストに基づいて、本発明の実施の形態が１つの構成を他よりも好ましいとするために使用できる。図２５と関連して、位相層の設計にコスト関数を使用することが詳細に説明される。
【００３７】
図１４は、同じ位相シフターを重ね合わせることにより生ずる衝突を示す。特に、図１４では、特徴１４００が両方とも同じ位相のシフター１４０２とシフター１４０４により部分的に囲まれている。２つのシフターは、例えば、特徴１４００の幅の距離１４０２により離間されている。２つのシフターが重なり合う領域は重ね合わせ１４１０である。この位相衝突を許容するコストを表すための１つの方法は、式２の一般式に公式化される。
【００３８】
2005517200.tif 000005
【００３９】
ここで、overlapは位相衝突長（例えば、重ね合せ１４１０）の測定であり、distanceはシフターがどれだけ離れているかであり（例えば、距離１４２０）、dimは設計の最小特徴幅であり、εは最小グリッド大きさ、そして、ｒ＞０．０は実現に依存した比であり、１つの実施の形態では、真っ直ぐな線のシフター衝突に対してｒ＝１．０である。従って、もし、シフター１４０２とシフター１４０４が同じ位相で、それらの重ね合せの長さが長い場合、レイアウト中に衝突が留まることを許容するためのコストは高い。
【００４０】
２つの端の場合は２つの基本的な形：図１５の内側角、図１６の外側角を持ち、これらを内側又は外側角という。２つの端の場合、本発明のいくつかの実施の形態は位相領域の切断を回避することを好む。従って、このような実施の形態では、コスト関数は１つの大きな（同位相）シフターを持つことに比べ、シフター１５０２とシフター１５０４（部分的に特徴１５００を定義する）に分割することに大きなコストが関連するように設計される。図１６とシフター１６０２とシフター１６０４（特徴１６００を部分的に定義する）に関し、同じ目的が真実である。
より詳細には、式３の一般的な形の式が使用できる。
【００４１】
2005517200.tif 000006
【００４２】
内側又は外側角の計算に対して、ここで、ｄ01は２つの端の内の１つの長さであり、ｄ12は他の長さであり、ｒ＞０．０である。図１５を参照すると、距離１５２０及び距離１５３０がｄ01及びｄ12にそれぞれ対応する。同様に、図１６では、距離１６２０及び距離１６３０がｄ01及びｄ12にそれぞれ対応する。使用される比ｒは実現に依存する。１つの実施の形態によると、外側角についてｒ＝１６．０、内側角について６．０である。
【００４３】
図１７に３つの端の場合が示されていて、内側と外側角が互いに近接した時、例えば、階段ステップ、に発生する。特徴１７００は、図６と関連して上述したパラメータによるシフター形状を配置するためには不十分な距離１７２０の端を持つ。好適なのは同じ位相を３つ全ての端に割当てることである。例えば、単一の接触するシフターを有することである。式４の一般的な形のコスト関数が使用できる。
【００４４】
2005517200.tif 000007
【００４５】
ここで、ｒ＞０．０で、ｄ12は短い端の長さ、例えば、図１７中の距離１７２０、に対応する。使用される比は、実現に依存する。１つの実施の形態では、ｒ＝５．０である。
【００４６】
さらに、本発明のいくつかの実施の形態は、小さなシフター領域に対するコスト関数を禁止する。例として、図１８の状態を取ると、２つの小さなシフター、例えば、シフター１８００とシフター１８１０、が近接している。このように小さなシフターはマスクに製造するのが困難であり、それらを一緒にして１つのより大きなシフターにすることが望ましい。このようなコスト関数は式５の一般的な形とすることができる。
【００４７】
2005517200.tif 000008
【００４８】
ここで、 “ａ１”は現在のシフターのある距離、例えば、ｎナノメータ、内の第１シフターの幾何学的面積であり、“ａ２”は現在の（小さな）シフターの面積である。例えば、もし、シフター１８００が現在のシフターであるならば、その面積はａ２により与えられ、一方、シフター１８１０の面積はａ１により与えられる。１つの実施の形態では、ｒ＝０．０７である。上述したように、ある距離内の全てのシフターのコストが計算でき、及び／又は、ｒの値も距離に関して変化できる。例えば、遠く離れたシフターはより低いｒ値を使用する。
【００４９】
さらに、コスト関数が単一の比、ｒ、に関して示されたが、事実、複数の比が使用できる。例えば、１つの実施の形態では、ｒの値は式の他の要に基づいて選択できる。例えば、もし、距離が＞１２０ｎｍならば、外側角に対してｒ＝８．０、しかし、もし、距離が＞２４０ｎｍならば、ｒ＝４．０等である。もしコストを計算する時及び／又はさらにより大きな距離での衝突に対して減少するペナルティに基づいて相対的コストを修正する時、特定の距離／面積の遮断が使用されない場合、これは使用できる。別の実施の形態では、隣接特徴領域の大きさが、ｒの値に関連する。例えば、もし、切断が相対的に大きな領域、例えば、接点が着くパッド、に触れる場合、その位置の切断を許容することが、もし切断がより小さな領域、例えば、Ｔ交差、に触れるよりも望ましい。例えば、図１８中の大きな多結晶シリコン領域に近い切断位置１８４０に対してより小さい多結晶シリコン領域に近い切断位置１９４０を考える。従って、いくつかの実施の形態では、大きな領域に対するｒ値は、より小さい隣接領域に対して使用されるｒ値よりも小さい。何故ならば、位相衝突はより大きい領域ではＯＰＣにより容易に修正できるからである。
【００５０】
本発明の他の実施の形態は、適当なコスト関数を定義しそして選択する際に複数の層からの情報を使用する。図２１を短く参照すると、レイアウト２１００が示されている。もし、小さな直方形面積（例えば、特徴２１１０の端又は特徴２１２０の端）が接点の着くパッドであると決定される場合、異なるコスト関数を選択できる。本発明の１つの実施の形態によれば、接点の着くパッドが検出される時、その領域のプリンテイングを改善するため、切断の最大数を使用するコスト関数の公式化により表現される好みがある。他の例は、例えば、Ｔジャクション等（図１９を参照すると、拡散１９１０が特徴１９００と共にゲートを形成し、切断位置１９４０が示されている）、トランジスタを定義する拡散領域の近くの切断を回避することを含む。他のいくつかの規則タイプは、ローカル相互接続−多結晶シリコン相互作用及び電気的接続を確保するためのバイア層−金属層相互作用検出を含む。
【００５１】
最終的に、コスト関数が図２５の工程中に本発明の実施の形態により使用されてよく、そして、下に詳細に説明するように、より詳細にはステップ２５４０及び２５４５中に使用されてよい。
【００５２】
分岐及び限定
本発明のいくつかの実施の形態が分岐限定アルゴリズムを位相割当て問題を解決するために使用するので、これらの短い説明を行う。良く知られているいくつかのさまざまな分岐限定アルゴリズムが存在する。１つの実施の形態では、カリフォルニア、サンノゼ、数値技術会社、カダバラ・デザイン・オートメーションからのａｂｒａＣＡＤ（商標）ソフトウェア内の分岐限定アルゴリズムが使用される。
【００５３】
位相割当て問題は、ツリー（探索空間を表す）中、２nの可能な経路から１つの経路を選択する問題として見ることにより、分岐限定に対して設定できる。ここで、ｎは、位相割当てについて処理されている与えられたレイアウト又はレイアウト領域中の位相シフターの数である。最初の位相割当てがプロセスを開始しそして最初のコストを与えるために、１つ又は複数の位相シフターに対して提供される。ソルバーが解空間を探索すると同時に、例えば、高いコストを生ずるよう見える経路を除去することにより、探索空間を限定する。これは、解空間の部分の連続した分岐（探索）を可能にして、より低いコストを結果する。
【００５４】
停止ポイントはユーザにより選択できる。ある時間の期間内に、閾値の下の位相割当てコストの最小に到達するまで実行し、そして、そのポイントで発見された最低コストを選択する。さらに、有利には、分岐及び限定は十分な計算資源が利用できるならば一般的に並列に実行できる。
【００５５】
代替的に、位相割当て問題を解くために、適当ならば、重み付けグラフ端及びグラフ色付けアルゴリズムを使用して、グラフに基づいたアルゴリズムを使用できる。
次に、位相層とコンプリメンタリ・トリム層を定義する工程を詳細に説明する。
【００５６】
工程フロー
図２０を参照すると、レイアウトを準備するための工程が示される。図２０の工程は図２５の工程と一緒に使用して、位相シフテイングを使用したレイアウトのパターンを実質的に定義することができる。結果として得られるレイアウトは位相シフテイング・マスク及び対応するトリム・マスクを定義するために使用でき、そして、これらは集積回路を定義するためにリソグラフイック工程で使用できる。
【００５７】
工程は、最大シフター面積が決定されるステップ２０００で開始される。これは、単に、好適なシフターの大きさ、例えば、構造からのある距離ｎ  ｎｍ、を定義するためである。図４乃至５と共に説明したように、これは端キャップの識別後に計算できる。ｎの特定の値は、シミュレーション及び／又はテスト・マスク露光から決定でき、そして、リソグラフイ工程、設計、及びレイアウトに依存する。
【００５８】
図２１を参照すると、特徴２１１０と特徴２１２０の２つの特徴を含んだレイアウト２１００が示されている。図２１は、端キャップ２１１２と端キャップ２１２２の端キャップが識別された後のレイアウトを示す。そして、図２２には、レイアウト２１００及び太い破線として特徴を定義するのに使用される最大、又は、好適なシフターを定義する境界２３３０を含むレイアウト２２００が示される。
【００５９】
次に、ステップ２００５で、いくつかの中間値及び／又は形状が後の使用のために計算される。いくつかの実施の形態では、これらの値及び／又は形状は必要なときのみに計算される。１つの実施の形態によると、次の値及び／又は形状が前に計算される。
・非フィールド＝シフター形状＋元のレイアウト
・フィールド＝境界内の面積−非フィールド
これらの値及び／又は形状は以降のステップでより容易に使用できる。同様に、重要でない面積の位置を識別できる。例えば、線の曲がり（Ｌの角）、線の交差（Ｔ）及び他の最小幅でない特徴などの全ての最小大きさの領域が識別され、これらの全ては重要でないとみなされる。
【００６０】
次に、ステップ２０１０で、フィールドからの切断の位置が決定される。これは、図２３に関して容易に理解できる。レイアウト２３００が示されており、レイアウト２３００は、境界２２３０の各角で境界２２３０からフィールドの内側方向への所定の切断形状（図３参照）の切断を含む。図示されるように、切断の位置のいくつかは、特徴、例えば、近くの端キャップ、と重なり合う。他の切断、例えば、２３１０、は線端がどのように処理されるかのためにだけ切断が存在するので注目される。そして、その切断はステップ２０１５により生成されない。他の同様な例は、切断２３１２と切断２３１４を含む。これに対して、いくつかの他の切断、例えば、切断２３１６、は境界の角及び特徴の角の両方で発生される。従って、切断２３１６もステップ２０１５で見つけられる。
【００６１】
工程はステップ２０１５に続き、角切断形状を、例えば、角特徴から境界まで識別する。これはレイアウト２４００を含む図２４に示されている。図２４では、切断位置が特徴の角により決定されることを強調するために、境界端がより薄く作られている。再び、図２３と比較すると、いくつかの追加の切断位置が見つかる。例えば、切断２４１０である。そして、ステップ２０１０で、切断形状が図３に示される形状に一致される。ステップ２０１０とステップ２０１５は並列に実行でき、互いに順序が異なり、及び／又は、単一のステップに結合できる。
【００６２】
さらに、いくつかの実施の形態では、可能な切断が特徴の重要でない部分、例えば、図１９中のＴの後ろ（図示しない）、に沿って計算される。１つの実施の形態では、これらの切断位置は図２０の工程のステップ２００５での重要でない領域の決定と一緒に計算できる。もし、そのオプションが選択されると、各端に対して、切断の重要でない領域の中心回りの最小幅が、図２０の追加のステップ（図示しない）として後の使用のために計算できる。
【００６３】
図２０の工程の性質は、予備的なものである。いくつかの実施の形態では、全体の工程が省略され、値が必要に応じて、図２５の工程中で計算される。図２０の工程の完了時に、図２５の工程が開始される。観念的な観点から、図２５の開始で、操作されているレイアウトは図２１に示されるレイアウトであり、そして、図２０の工程中に計算された全ての値が例えばレイアウトの余分な層、メモリ等に保存される。
【００６４】
図２５のプロセスは、ステップ２５２０で、シフター形状を最初に配置することで開始する。説明のため、いくつかの切断位置が点線の輪郭で示される。１つの実施の形態では、図６に示される基本的な形状に従いシフターが置かれる。シフター形状はレイアウト、例えば、図２６のレイアウト２６００、の各端に沿って置かれる。最初に、シフター２６１０を参照すると、それは隣接する特徴の端と当接して置かれる。シフターの大きさは、端までの距離制約ｄ1（図６参照）に従いながら最大化される。理解されように、もし、シフター、例えば、シフター２６１０、が好適な幅まで延長できない場合、図１１乃至１３に示された拡張手法が使用できる。さらに、もし、領域中に２つの切断があると（例えば、シフター２６１４の左側）、シフターは両方が開いたままであることを確保する（この効果は、内側及び外側角に対する値ｄ1に内在する）。
【００６５】
図２６は、シフター、例えば、シフター２６１２とシフター２６１４、を一緒にして示さないことに注意する。これは、ステップ２５２０及び／又はステップ２５２５の一部として生ずる。さらに、シフター形状は切断を許容するために設計されることに注意する。これは、図２６中で、例えば、シフター２６２０により示される。ここで、シフターが領域２６２５（鎖線の円）に示されるように隣接のシフターと非常に近接するが、シフター２６２０の台形部分の角度は切断を許容する。同様に、図１０に示すように、外側角は全ての角度から切断を許容する。
【００６６】
そして、工程はステップ２５２５へ続き、開いた空間を充填して、シフターを一緒にする。シフターの併合と切り込みの充填は図７乃至９に関して上述され、そして、この工程がこのステップで発生する（又は、それはステップ２５２０の一部として実行できる）。このステップで、例えば、シフター２６１２とシフター２６１４が一緒に併合されて、切り込みが充填されて、図２７のレイアウト２７００に示されるシフター２７１４を形成する。さらに、図２７に示すように、シフター２６２０に近い前の開いた空間が充填されて（例えば、充填された開いた空間２７２５）、端キャップに近い角などの開いた空間が除去される。より一般的には、工程は、図２７に示されるように、もし切断が図から取り除かれて、そして各開いた空間が考察されると、良く理解できる。開いた空間２７３０を例に取る。開いた空間が３つの異なる位相シフターに触れていることが見える。これはその開いた空間をこのステップで充填するために不安定な候補にする。要件は、この空間が１つだけのシフター又は１つだけの重要でない形状に触れることである。
【００６７】
図２７で、シフターに隣接した他の開いた空間が同様に充填されている（参照番号を省略）。さらに、図２７で、充填された開いた空間が顕著な三角形の多角形として示されているが、シフター形状はレイアウト記述フォーマットにより支援されるフォーマットに依存して１つ又は複数の多角形として形成できる（例えば、図２８で、１つの多角形がシフター２６２０と充填された開いた空間２７２５とに対して使用される）。
【００６８】
ステップ２５３０で、工程は続いて４５度角度切断を使用して充填する。これは、例えば、図１２に示すように、シフターを充填することを含む。１つの実施の形態では、空間が充填されているかどうかを決定するためのテストは、（ｉ）充填された面積は設計規則に従ったままであるか、（ｉｉ）拡張されたシフターは２つの重要でない面積（フィールド又は重要でない特徴）に触れるか、である。関連のある重要でない特徴は、このステップで容易に計算できる。重要でない特徴は、シフター及びフィールドに当接しない元のレイアウトのこれらの部分を含む。ステップ２５３０で提供された清掃は、図２８のレイアウト２８００に見ることができる。ここでは、いくつかの４５度シフターが充填されている。例えば、充填２８１０、充填２８１２、及び充填２８１４である。しかし、領域２８２０、領域２８２２、及び２８２４は充填されていない。領域２８２２と領域２８２４の場合、シフター併合が生ずるであろう。領域２８２０の場合、領域が２つの切断に当接していて、開いたままである。より詳細にいくつかの実施の形態では、面積が１つの切断、最大で１つのシフター、フィールド及び元のレイアウトの最大で２つの角に触れる場合、シフターが拡張される。
【００６９】
次に、ステップ２５３５で、工程は工程が完了するまで上記ステップ（２５２５−２５３０）に戻る。そして、ステップ２５４０に続く。停止基準は、前回のループの通過の際にシフター形状への変化が生じたかどうか、固定数の繰返し、他の停止基準及び／又は上記の組合わせ、例えば、最大５回繰返すが変化が生じなければ直ちに、を含むことができる。
【００７０】
ステップ２５２０−２５３５の内容と特定の分解は変更できる。しかし、ステップ２５４０が開始された時点で、シフター形状は確立されているべきであり、そして実際的な限度で最大の大きさ（幅、長さ、充填された開いた空間、等）である。これは、ステップ２５４０−２５６５が、再形状及び／又はシフターの再定義ではなく、主として位相を割当てるためである。
【００７１】
工程はステップ２５４０に続き、コスト関数の計算及び位相依存性が決定される。図１４乃至１９に関連して上述したように、コスト関数は、異なるシフターに対する位相割当ての特定のタイプを許容する相対的な悪さ（又は、公式に依存して良さ）を記述する。上記の通り、コスト関数は層に敏感で、異なる距離の相互作用等に対して異なる公式を持つ。処理コストの有用な減少を与えるために、レイアウトは図２５の工程を通じて処理するために、小さな領域又はクラスターにグループ化できる。クラスター化の利点は、ステップ２５４５の際に現れる。例えば、もし、分岐及び限定が使用されると、ｎ値はレイアウト全体に対するよりもレイアウトの部分に対してより小さくなる。１つの実施の形態では、クラスターは１つの境界多角形内のレイアウト領域を含み、従って、１つのレイアウトは、数百又は数千のクラスターを有するであろう。
【００７２】
ステップ２５４５で、位相割当てが実行される。１つの実施の形態によると、上記の分岐及び限定タイプのアルゴリズムが使用される。工程中、実際に使用される特定の切断が決定される。例えば、もし、２つのシフターが切断により分離されるが、同じ位相が割当てられると、それらは最終的に併合されて一緒になる。図２９を参照すると、図２８のレイアウトが、最初の位相割当てを持つレイアウト２９００として示されている。
【００７３】
次に、ステップ２５５０で、シフターが拡大され、そして切断が充填できる。１つの実施の形態では、これは元のレイアウトを境界方向へ成長させて、そして開いた空間を計算することにより実行される。もし、与えられた開き空間が全て１つの位相のシフターに触れる場合、その領域はその位相により充填できる。例えば、領域２９１０（２つの異なる位相のシフターに触れる）と領域２９１２（２つの同じ位相のシフターに触れる）を対比する。もし、適当ならば、このステップに従って充填できる開き領域を識別するために他のアルゴリズムが使用できる。
【００７４】
ステップ２５５０の結果が図３０に示されている。ここで、レイアウト３０００が切断空間を充填するためにシフターが拡大されていることを示す。上記の通り、領域２９１０は隣接するシフターの位相が異なるためにこのステップにより充填されない。
【００７５】
工程はステップ２５６０に続き、小さなシフターが除去される。これは所定の大きさ基準に基づくことができる。いくつかのレイアウトに対して、これは工程がステップ２５７０及び２５８０に続く時、それぞれ、優勢又は下位の位相により充填できる開いた空間を生ずる。例のレイアウトは、ステップ２５６０で除去されるべきどんなシフターを持たない。従って、レイアウトはステップ２５６０では修正されない。
【００７６】
次に、ステップ２５７０で、シフターのさらなる洗練が生ずる。これは、隣接する面積の優勢な位相によるフラッド充填切断を含む。図３１のレイアウト３１００を参照すると、シフター３１１０とシフター３１２０が他のレイアウトで示された特徴２１２０と同様な特徴３１６０を定義する。しかし、レイアウト３１００中に特徴２１１０がないため、図３１中の特徴３１６０の大きな領域の全ての周りにシフターが存在する。レイアウト３１００は、図２０の工程及び図２５の工程に従い処理されている。ステップ２５５０後、シフター３１２０とシフター３１１０に示されるシフター形状が確立される。ステップ２５６０で、フラッド充填３１３０、そして開いた空間からシフターへ変換される。位相シフター３１１０を切断３１５０の切断領域中の優勢な位相とする決定は、いくつかの要因に基づくことができる。周囲の位相シフターの総面積と位相、開き空間に当接するシフターの相対的端長さ等、である。ここで、シフター３１１０の位相が、例えば、前の開いた空間に当接する端の長さから、優勢であると決定される。
【００７７】
図３１から理解されるように、優勢な位相を選択する１つの効果は、例えば、切断３１５０、結果として得られる切断の位置を決定できることである。図３１において、切断３１５０は垂直方向を向き、そしてシフター３１２０に当接する。しかし、もし、シフター３１２０が優勢な位相を持つと発見された場合、結果として得られる切断は水平方向を向き、そしてシフター３１１０に隣接する。
【００７８】
ステップ２５７０の一部として、ステップ２５７０のフラッド充填の際に生成されたどんな最小間隔又は最小端長違反が修正できることである（図３１に図示しない）。図３２を参照すると、図３１のレイアウトと同様な態様で処理された単純なレイアウトの一部が示されている。図３２で。特徴３２００及び特徴３２１０は、特徴を定義するために特徴の回りに置かれたシフター３２２０、シフター３２３０、及びシフター３２４０を持つ。ステップ２５７０で、シフター３２５０とシフター３２６０が優勢位相によりフラッド充填中に加えられる。これは、それが切断に当接するシフター３２５０上に設計規則に従わない鋭角を残す。ステップ２５６０中、この角は図３３のシフター３３３０により示されるように除去できる。しかし、今度は、この除去は頂上で本当に必要なものより大きい、例えば、シフター間の最小分離よりも大きい、開口を作る。
【００７９】
ステップ２５８０の際、下位の位相を使用して開いた空間を充填することにより、すなわち、図３３に示されるようにシフター３３５０を加えることにより、シフター３３３０とシフター３３４０の間の切断開口を全体の許容される最小の分離にするために下位位相が使用できる。ステップ２５７０と同じく、充填後に、分離及び端長さ違反を修正できる。
【００８０】
図３１乃至３３を参照すると、設計規則には従うけれど、相対的に複雑で、マスク製造、検査等についてわずかな困難を与えるであろう切断形状が見られる。従って、本発明のいくつかの実施の形態では、シフター形状をスクウェアオフために図２５の工程中に１つのステップ（図示しない）を含む。これは、図３４に示すように、より真っ直ぐな切断を生ずる。ここでは、図３２のレイアウトが真っ直ぐにされ（スクウェアオフ３４１０及びスクウェアオフ３４２０）、そして、ステップ２４７０が適用されて、フラッド充填３４３０及びフラッド充填３４４０を生ずる。ステップ２５８０は、図３４のレイアウトに変化を生じないことに注意する。何故ならば、充填されるべき追加の開いた空間がないからである。また、結果として得られた切断が製造に容易であることに注意する。
【００８１】
より詳細には、スクウェアオフステップは、位相割当て後に何時でもでき、１つの実施の形態では、ステップ２５６０とステップ２５７０の間で行われる。１つの実施の形態では、シフターノスクウェアオフ基準は、追加して戻される真っ直ぐな部分が、（ｉ）異なる位相のシフターに対して所定の分離内で隣接又は触れない、又は（ｉｉ）どんな他のスクウェアオフ部分と重なり合うことがない、である。また、スクウェアオフは、図１２に示されるタイプのシフター、例えば、シフター１２０２に対して、２つの可能なスクウェアオフを含むことができる。詳しくは、１つのスクウェアオフが、頂上を変化させないままで台形領域を直方形にする。また、頂上部分は前の台形部分の充填で別にスクウェアオフできる。この二重のスクウェアオフのタイプは図３５の切断３５１０の直ぐ上に示されていて、ここで、スクウェアオフ部分は説明のために別個のシフター形状として示されている。
【００８２】
図３０のレイアウトに対するステップ２５６０とステップ２５７０との結果が、図３５にレイアウト３５００として示される（上述したスクウェアオフ手順が使用されていることに注意する）。切断３５１０回りのシフターのスクウェアオフ、例えば、スクウェアオフ３５２０、には優勢位相による充填、例えば、充填優勢３５３０、が続く。そして、工程はステップ２５８０へ続き、ここでフラッド充填が繰返される。しかし、今度は優勢位相ではなく下位がどの領域を充填するかを決定するのに使用される。他の点では、ステップ２５８０はステップ２５７０と同一である。図示されたレイアウトの例では、ステップ２５８０で追加の充填はない。
【００８３】
このポイントで、本発明のいくつかの実施の形態によると、レイアウトの処理が完了する。
【００８４】
トリム・レイアウト又は層は、位相層から導出できる。これが、図３５のレイアウトに対して図３６で、レイアウト３６００のトリム３６１０により示されている（元の特徴の輪郭が破線で示され、そして位相層が背景に参照のために示される）。１つの実施の形態では、これは、シフター形状＋元のレイアウトを僅かな縮小、例えば、０．０２μ、だけ縮小し、そして元のレイアウトを加え戻すことに基づいた、単純な幾何学計算でできる。縮小の量は、マスク不整列、露光条件等に対して十分な許容量を含み、与えられた工程に基づいて決定できる。例えば、位相及びトリム層に対して異なるドーズを使用することにより、トリム層内の開口の大きさは、位相人工物を除去するために許容できるかもしれないものよりも小さくできる。２００１年１０月５日に出願された発明者クリストファ・ピエラット等の発明の名称「位相シフテイング・ホトリゾグラフイックマスクの露光制御」米国特許出願第０９／９７２，４２８号を参照。
【００８５】
図３７を参照すると、位相シフテイング・マスクに対する完全なレイアウト３７００が、光透過性領域（シフター３７１０、シフター３７２０、及びシフター３７３０）としての位相シフター及びマスク上のそれ以外の不透明保護材料（例えば、クロム）と共に示されている。説明のために、元の特徴の輪郭が破線で示されている。上記の通り、シフター３７１０はマスク記述を含むＧＤＳ−ＩＩ出力ファイルの１つの層内にあり、一方、シフター３７２０とシフター３７３０は別の内にある（例えば、１つの層内に０、他に１８０）。さらに、図示しないが、切断は連続位相及び／又は複数位相光透過性領域、例えば、０−１８０の徐々に、切断中９０、切断中６０と１２０、及び／又はその他のいくつかの組合せ、であることができる。図３８は、トリム３６１０を示すコンプリメンタリ・トリム・マスクについての完全なトリム・レイアウト３８００を示す。さらに、図２と関連して先に説明したように、代替的な角３８１０について破線に示すように、外側角上の切込み開口ではなく、対角線を使用することが可能である。
【００８６】
また、いくつかの追加的な後処理が、レイアウトを設計及びマスク製造規則に従わせるために、必要及び／又は望ましいであろう。例えば、図３７及び図３８を参照すると、切断３５１０（図３５を参照）の領域に隣接したシフター及びトリム層の両方に極端に短い端が存在する。この端に沿ってトリムとシフターの幅をこの短い端に垂直に拡張して短い端を除去することにより、この端を取り除くことができ、図３８中に、処理後の端３８２０に対して破線として、１つのトリム層だけが示される。
【００８７】
代表的な代替的実施の形態
さらに、説明が主として、ＩＣ内の多結晶シリコン、又は「ポリ」層を定義する例に集中して行われたが、位相シフテイングは材料の他の層、例えば、相互接続、金属、を定義するために使用できる。
【００８８】
いくつかの実施の形態では、中間及び最終処理ステップにより生成された異なる形状は単一データ・ファイルの異なる層内に維持される。例えば、もし、ＧＤＳ−ＩＩストリーム・フォーマットが使用される場合、元のレイアウトは最初の層、ゼロ角度シフターは第２層、１８０度シフターは第３層、そしてトリム層は第４層内に維持できる。他の実施の形態では、複数のデータ・ファイルが関連情報を分離するために使用できる。さらに、図示するように、中間処理ステップの結果が出力でき、そして与えられたレイアウトに対するシフター形状と割当てプロセスをより良く理解するために見ることができる。
【００８９】
いくつかの実施の形態では、結果として得られるレイアウトは以下の少なくとも１つのレイアウトを含む。
・レイアウト中の１つの材料層内の非メモリ部分の８０パーセント（％）
・１つの材料層内のフロアプランの部分の８０パーセント（％）
・ある領域のセルの８０パーセント（％）
・材料層の９０パーセント（％）
・材料層の９５パーセント（％）
・材料層の９９パーセント（％）
・材料層の１００パーセント（％）
・１つの材料層中のチップ（ＡＬＵ）の機能単位の１００パーセント（％）
・１つの材料層中の設計の重要な経路内の特徴の１００パーセント（％）
・１つの材料層中のある寸法以下又は以上、例えば、重要な寸法５０μｍ＜ＣＤ＜１００μｍ、を持つ特徴の１００パーセント（％）
・解決できない位相衝突のために位相シフトできない特徴を除く材料層中の全て
・テスト構造を除く材料層中の全て
・全ての非ダミー特徴、例えば、処理目的のための構造的支持を提供する特徴、及び材料層中の非電気的機能特徴、の１００パーセント（％）
が位相シフテイングを利用して定義できる。さらに、特徴が実質的に位相シフテイング・マスクを使用して定義する時でも（例えば、図３１中のレイアウト３１００中の特徴３１６０）、切断開口及び切断キャップでの特徴部分はコンプリメンタリ・マスクにより定義される。従って、特徴３１６０などの特徴は、位相シフテイングを使用して定義されると考えられる（又は、「位相シフテイング・マスク」を使用して）。
【００９０】
本発明の実施の形態は、製造されたマスク及び／又は本発明の実施の形態に従い定義されたレイアウトにより製造されたマスク組を含むことができる。例えば、図３７及び図３８のレイアウトは、カリフォルニア、サンノゼ、数値技術会社、トランスクリプション・エンタープライズ・インクからのＣＡＴＳ（商標）などのマスクデータ準備ソフトウェアにより処理されて、マスク書込み及び製造機械の使用に適したフォーマットのマスクデータ・ファイルを生成する。本発明の実施の形態は、本発明の実施の形態に従い定義されたレイアウトから構成されたマスクにより定義された材料層を含んだ完成集積回路を含む。
【００９１】
本発明の実施の形態は、集積回路の材料層を製造する方法を含む。このような実施の形態中に使用される１つのウェハ製造工程は、ウェハの上表面にホトレジスト層を塗布し、ホトレジスト層を焼き、ホトレジスト層上に第１マスクを置き、第１マスクを介してホトレジスト層を露光し、ホトレジスト層上に第２マスクを置き、第２マスクを介してホトレジスト層を露光し、ウェハを焼き、ホトレジスト層を現像し、ケミカル食刻又はイオン注入し、そしてホトレジスト層を除去することを含む。追加の材料層も同様に定義できる。第１及び第２マスクは、上述したレイアウトから生成される位相シフテイング・マスク及びコンプリメンタリ・マスクである。例えば、第１マスクは、図３７のレイアウト３７００から構成されるマスクであり、第２マスクは図３８のレイアウト３８００から構成されるマスクであることができる。マスク露光順序は、本発明の１つの実施の形態により反転できる。例えば、コンプリメンタリ・マスクが露光されそして位相シフテイング・マスクが露光される。
【００９２】
本発明のいくつかの実施の形態は、図１７の工程を実行するためのコンピュータ・プログラムを含む。１つの実施の形態では、工程は、カリフォルニア、サンノゼ、数値技術会社、カダブラ・デザイン・オートメイションにより製造されたａｂｒａＣＡＤ（商標）ソフトウェアを使用して実現できる。１つの実施の形態では、工程は、ａｂｒａＣＡＤ（商標）ソフトウェア中のＡＬ言語プログラムを使用して記述される。いくつかの実施の形態では、コンピュータ・プログラムはコンピュータ読み取り可能媒体、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等に記憶される。他の実施の形態では、コンピュータ・プログラムは電磁搬送波及び／又はコンピュータ・データ信号中に実現できる。例えば、電磁搬送波及び／又はコンピュータ・データ信号はネットワーク上をアクセスされるプログラムを含むことができる。
【００９３】
ここで使用される、リソグラフイ及び／又は光リソグラフイの言葉は、可視光、紫外線、深紫外線、超紫外線、Ｘ線、ｅビーム、及び／又は、リソグラフイ目的のための他の放射源を指す。
【００９４】
結論
上述した本発明の実施の形態の説明は、例示的説明の目的のために与えられた。本発明を開示された正確な形に限定すること及び網羅的な意図はない。多くの修正と変形が明らかである。実施の形態は本発明の原理とその実際的な応用を最良に説明するために選ばれて記述され、これによりさまざまな変形を持つ本発明のさまざまな実施の形態が意図される特定の使用に適することが理解できる。本発明の範囲は特許請求の範囲の記載により定義されることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】位相及びトリム層を形作るために使用された例示的な内側角切断を示す図。
【図２】位相及びトリム層を形作るために使用された例示的な外側角切断を示す図。
【図３】切断形状を詳細に示す図。
【図４】端キャップ識別後のシフター境界を示す図。
【図５】端キャップ切断保護領域を示す図。
【図６】最初のシフター形状を示す図。
【図７】一緒にするために最小シフター分離を示す図。
【図８】一緒にした後の図７のシフターを示す図。
【図９】隣接したシフター間の充填されるべき切り込みを示す図。
【図１０】図６のシフター形状がどのように外側角上に開口切断を残すかを示す図。
【図１１】接点が着く領域上の最初のシフターの配置を示す図。
【図１２】シフターが境界まで延長された後の図１１のレイアウトを示す図。
【図１３】開口空間がシフターによりさらに充填された後の図１２のレイアウトを示す図。
【図１４】真っ直ぐな線の位相衝突に対するコスト関数に使用された測定を示す図。
【図１５】内側角に対するコスト関数に使用された測定を示す図。
【図１６】外側角に対するコスト関数に使用された測定を示す図。
【図１７】３つの端の場合に対するコスト関数に使用された測定を示す図。
【図１８】小さなシフター領域の場合に対するコスト関数に使用された測定を示す図。
【図１９】他の層上の特徴に対して敏感なコスト関数を示す図。
【図２０】レイアウトを準備するための工程フロー図。
【図２１】端キャップ識別後の例示的なレイアウトを示す図。
【図２２】シフター境界が定義された後の図２１のレイアウトを示す図。
【図２３】図２２のレイアウトに対するフィールド切断形状を示す。
【図２４】図２２のレイアウトに対する角切断形状を示す。
【図２５】位相シフトを使用するレイアウトのパターンを実質的に定義するために位相層とトリム層を設計するための工程フロー図。
【図２６】図２５の工程に従いシフターの配置後の図２１のレイアウトを示す図。
【図２７】図２５の工程に従いいくつかの開口空間が充填された後の図２６のレイアウトを示す図。
【図２８】図２５の工程に従いシフター形状の追加的な洗練後の図２７のレイアウトを示す図。
【図２９】図２５の工程に従い最初の位相割当て後の図２８のレイアウトを示す図。
【図３０】図２５の工程に従いシフターの拡大後の図２９のレイアウトを示す図。
【図３１】優勢な位相を使用したフラッド充填による位相シフターの洗練を示す図。
【図３２】優勢な位相を使用したフラッド充填による位相シフターの洗練を示す図。
【図３３】下位の位相を使用したフラッド充填による位相シフターの洗練を示す図。
【図３４】優勢な位相を使用したフラッド充填及び角を取ることによる位相シフターの洗練を示す図。
【図３５】図２５の工程に従いシフターを洗練した後の図３０のレイアウトに対する位相層を示す図。
【図３６】図３４のレイアウトの位相層上に重ね合わせられたトリム層を示す図。
【図３７】図３４のレイアウトに対する完全な位相シフテイング・レイアウトを示す図。
【図３８】図３５のレイアウトと共に使用されるトリム層を示す図。
【図１】
2005517200.tif 000009
【図２】
2005517200.tif 000010
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005517200.tif 000014
【図７】
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【図８】
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【図９】
2005517200.tif 000017
【図１０】
2005517200.tif 000018
【図１１】
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【図１２】
2005517200.tif 000020
【図１３】
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【図１４】
2005517200.tif 000022
【図１５】
2005517200.tif 000023
【図１６】
2005517200.tif 000024
【図１７】
2005517200.tif 000025
【図１８】
2005517200.tif 000026
【図１９】
2005517200.tif 000027
【図２０】
2005517200.tif 000028
【図２１】
2005517200.tif 000029
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2005517200.tif 000035
【図２８】
2005517200.tif 000036
【図２９】
2005517200.tif 000037
【図３０】
2005517200.tif 000038
【図３１】
2005517200.tif 000039
【図３２】
2005517200.tif 000040
【図３３】
2005517200.tif 000041
【図３４】
2005517200.tif 000042
【図３５】
2005517200.tif 000043
【図３６】
2005517200.tif 000044
【図３７】
2005517200.tif 000045
【図３８】
2005517200.tif 000046
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料層を持つ集積回路を製造する方法であって、層がレイアウトにより記述されて、材料層の実質的に全てが位相シフテイングを使用して定義されるものにおいて、
位相シフテイングを使用して定義されるべきレイアウト中の複数の特徴を識別し、複数の特徴の各々は複数の端を含み、
複数の特徴の端の近くに複数のシフター形状を置き、複数の特徴は第１の端と第２の端を有する第１の特徴を含み、第１の端は第２の端に接続し、そして複数のシフター形状は第１の端上に置かれる第１シフター形状と第２の端上に置かれる第２シフター形状を含み、第１シフター形状と第２シフター形状とが最小距離により分離され、
複数の位相シフターを生成するために位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当て、
複数の位相シフターを洗練することを含む方法。
【請求項２】
複数のシフター形状を置くことがさらに、最大シフター面積、レイアウト中の複数の特徴を囲む最大シフター面積、複数のシフター形状が置かれるべき場所のレイアウト上の位置に対応した最大シフター面積を定義することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１シフター形状と第２シフター形状とが最小距離により分離されることがさらに、第１シフター形状と第２シフター形状との間に切断を許容できるように第１シフター形状と第２シフター形状とを置くことを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
割当てることがさらに、特定の位相割当てを受容する相対的な品質を記述するために複数のコスト関数を使用し、複数のコスト関数は内側角コスト関数、外側角コスト関数、３つの端コスト関数、小さなシフター面積コスト関数、位相衝突コスト関数、及び複数層コスト関数の内の１つ又は複数を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
洗練することがさらに、
同じ位相を持つ複数の位相シフター中に隣接位相シフターを併合し、
角を真っ直ぐにすることにより複数の位相シフター中に位相シフターを拡張し、
優勢又は下位の位相で隣接位相シフター間の開いた空間を充填することにより複数の位相シフター中に位相シフターを拡張し、そして
シフター形状を設計規則チェックに従うように調節する、
ことの１つ又は複数を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数の特徴及び複数の位相シフターから複数のトリム形状を定義することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
複数の位相シフターから第１マスクデータ・ファイルを生成し、
複数のトリム形状から第２マスクデータ・ファイルを生成することをさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
置くことが、複数のシフター形状に対した最初のシフター形状を使用し、最初のシフター形状が直方形の上に積み重ねられた台形を含み、直方形部分が特徴の端に直に隣接することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
材料層の実質的に全てが位相シフテイングを使用して定義されるものがさらに、複数の位相シフターにより層の非メモリ部分の少なくとも８０パーセントが定義され；複数の位相シフターによりレイアウトのフロアプランの部分の少なくとも８０パーセントが定義され；複数の位相シフターによりレイアウトの少なくとも９０パーセントが定義され；複数の位相シフターによりレイアウトの重要な経路内の全ての特徴が定義され；複数の位相シフターにより位相衝突のために位相シフトできない特徴を除くレイアウト中の全ての特徴が定義され；複数の位相シフターによりテスト構造を除くレイアウト中の全てが定義され；及び、複数の位相シフターによりダミー構造を除くレイアウト中の全てが定義される、ことの中の１つ又は複数を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ホトリソグラフイック・マスクを使用して形成されるべき層中の目標パターンを定義するためのホトリソグラフイック・マスクであって、目標パターンが複数の特徴を含むものであって、
以下の工程により定義される位相シフテイング開口を有する暗いフィールド・マスクを含む、
複数の特徴の端の近くに複数のシフター形状を置き、複数の特徴は第１の端と第２の端を有する第１の特徴を含み、第１の端は第２の端に接続し、そして複数のシフター形状は第１の端上に置かれる第１シフター形状と第２の端上に置かれる第２シフター形状を含み、第１シフター形状と第２シフター形状とが最小距離により分離され、
複数の位相シフターを生成するために位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当て、
複数の位相シフターを洗練し、及び
ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を生成する、
ホトリソグラフイック・マスク。
【請求項１１】
集積回路中の材料層内の目標パターンのホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を定義するための装置であって、目標パターンが複数の特徴を含み、
目標パターン内の複数の特徴の回りの最大シフター面積を定義するための手段と、
シフター形状が複数の特徴の端に沿って走り、そして切断を許容するために隣接するシフター形状間に空間を残すようにシフター形状が最大シフター面積内に置かれる、ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義中に複数のシフター形状を置くための手段と、
位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当てるための手段と、
シフター形状を洗練するための手段と、
複数のシフター形状を含むホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を出力するための手段と、
を含む装置。
【請求項１２】
コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含み、その中にホトリソグラフイック・マスクを使用して定義されるべき層中の目標パターンを定義するホトリソグラフイック・マスクの定義のためのコンピュータ読み取り可能な命令が記憶されていて、目標パターンが複数の特徴を含む、製造物において、
目標パターンにアクセスするための命令の第１組と、
目標パターン内の複数の特徴の回りの最大シフター面積を定義するための命令の第２組と、
シフター形状が複数の特徴の端に沿って走り、そして切断を許容するために隣接するシフター形状間に空間を残すようにシフター形状が最大シフター面積内に置かれる、ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義中にシフター形状を置くための命令の第３組と、
位相依存性とコストに従い複数のシフター形状に位相を割当てるための命令の第４組と、
シフター形状を洗練するための命令の第５組と、
ホトリソグラフイック・マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を記憶するための命令の第６組と、
を含む製造物。
【請求項１３】
命令の第４組がさらに、特定の位相割当てを受容する相対的な品質を記述するために複数のコスト関数を使用するための命令組を含み、複数のコスト関数は内側角コスト関数、外側角コスト関数、３つの端コスト関数、小さなシフター面積コスト関数、位相衝突コスト関数、及び複数層コスト関数の内の１つ又は複数を含む請求項１２に記載の製造物。
【請求項１４】
命令の第４組がさらに、位相割当てのために分岐及び限定を実行するための命令組を含む請求項１２に記載の製造物。
【請求項１５】
命令の第２組がさらに、最大シフター面積を定義するために端キャップを除いて複数の特徴の回りの境界を成長させるための命令組を含む請求項１２に記載の製造物。
【請求項１６】
命令の第２組がさらに、最小シフター面積と端キャップ切断保護を定義するための命令組を含み、最大シフター面積が端キャップ保護を考慮する請求項１２に記載の製造物。
【請求項１７】
命令の第２組がさらに、複数の特徴を複数のグループにクラスター化するための命令組を含み、各グループが命令の第３、第４、及び第５組中の独立の並列処理に対して影響を受ける請求項１２に記載の製造物。
【請求項１８】
命令の第２組がさらに、最小シフター面積と端キャップ切断保護を定義するための命令組を含み、最大シフター面積が端キャップ保護を保護する請求項１７に記載の製造物。
【国際調査報告】
2005517200.tif 000047
2005517200.tif 000048
2005517200.tif 000049