(57)【要約】【課題】１ないしは複数の熱エネルギ供給源を用いて、使用の場所において低温および／または熱を生成するための方法および設備を提供し、それによって液体または固体材料の輸送を回避すること。【解決手段】与えられた場所において、１ないしは複数の熱エネルギ供給源を使用して低温および／または熱を生成するための、ガスと液体もしくは固体の間の連続する可逆プロセスを含む方法であって：‐リアクタＲ１ならびにＲ’１を備えるＨＰアッセンブリ、リアクタＲ３ならびにＲ’３を備えるＬＰアッセンブリ、および、場合によってリアクタＲ２ならびにＲ’２を備えるＩＰアッセンブリを備える設備内において実行され、前記設備においては：・各リアクタＲｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆収着のシートであり、・各リアクタＲ’ｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆プロセスのシートであり、・それぞれのリアクタ内の吸着剤およびガスが、与えられた圧力において：アッセンブリのリアクタＲｉ内の収着平衡温度が、同一アッセンブリのリアクタＲ’ｉ内の可逆プロセスの平衡温度より高く、リアクタＲ１内の収着平衡温度が、Ｒ３内のそれより低く、前記ＩＰアッセンブリがある場合にはＲ２内の収着平衡温度が、Ｒ１とＲ３の平衡温度の間になるように選択され、・アッセンブリの前記リアクタＲｉおよびＲ’ｉが、前記ガスＧｉを交換するためのガス交換手段を備えており、・前記リアクタＲｉが、互いに熱を交換するための手段を備えており、かつ・前記リアクタが、大気圧から遮断されているものとし、‐さらにそれにおいて、前記設備の動作に必要な前記熱エネルギ供給源が、前記リアクタＲ’ｉへの供給を行うものとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられた場所において、１ないしは複数の熱エネルギ供給源を使用して低温および／または熱を生成するための、ガスと液体もしくは固体の間の連続する可逆プロセスを含む方法であって：
‐リアクタＲ１ならびにＲ’１を備えるＨＰアッセンブリ、リアクタＲ３ならびにＲ’３を備えるＬＰアッセンブリ、および、場合によってリアクタＲ２ならびにＲ’２を備えるＩＰアッセンブリを備える設備内において実行され、前記設備においては：
・各リアクタＲｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆収着のシートであり、
・各リアクタＲ’ｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆プロセスのシートであり、
・それぞれのリアクタ内の吸着剤およびガスが、与えられた圧力において：アッセンブリのリアクタＲｉ内の収着平衡温度が、同一アッセンブリのリアクタＲ’ｉ内の可逆プロセスの平衡温度より高く、リアクタＲ１内の収着平衡温度が、Ｒ３内のそれより低く、前記ＩＰアッセンブリがある場合にはＲ２内の収着平衡温度が、Ｒ１とＲ３の平衡温度の間になるように選択され、
・アッセンブリの前記リアクタＲｉおよびＲ’ｉが、前記ガスＧｉを交換するためのガス交換手段を備えており、
・前記リアクタＲｉが、互いに熱を交換するための手段を備えており、かつ
・前記リアクタが、大気圧から遮断されているものとし、
‐さらにそれにおいて、前記設備の動作に必要な前記熱エネルギ供給源が、前記リアクタＲ’ｉへの供給を行うものとする方法。
【請求項２】
・アッセンブリの２つのリアクタの間の前記ガス交換手段が閉じられ、それぞれの吸着剤およびガスが、前記リアクタ内において周囲温度に置かれ、その結果、前記ＨＰアッセンブリの前記リアクタＲ１がガスを多く含む形態の前記吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、前記リアクタＲ’１が、前記ガスＧ１を消費する状態となり、前記ＬＰアッセンブリの前記リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の前記吸着剤Ｂ３を含み、かつ対応する前記リアクタＲ’３が、ガスＧ３を供給する状態となるものとする予備ステップ；
・低温または熱を生成するステップであって、前記ステップの間に、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、前記リアクタＲ１とＲ’１の間、および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が、可能性としては前記リアクタＲ’３および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ’２が熱エネルギの入力によって通常温度より高い温度まで上昇した後に開かれるものとするステップ（ａ）；
・再生を行うステップであって、前記ステップの間に、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、前記リアクタＲ１とＲ’１の間、および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が、前記リアクタＲ’１および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ’２が熱エネルギの入力によって通常温度より高い温度まで上昇した後に開かれるものとするステップ（ｂ）；
を含むものとする、請求項１の方法。
【請求項３】
前記方法は、別の場所に配置された熱エネルギ供給源を使用して、与えられた場所において低温を生成するためのものであり、それにおいて：
・ＬＰアッセンブリ（または、ＬＰおよびＩＰアッセンブリ）内のそれぞれのガスおよび吸着剤が、前記リアクタ内の前記ガス交換手段を開いた後にＲ’３内（または、Ｒ’３内およびＲ’２内）に生じるそれぞれの圧力において、Ｒ’３内（または、Ｒ’３内およびＲ’２内）の前記可逆プロセスの平衡温度が、低温の生成が希望されている温度に対応するように選択され、
・前記生成するステップ（ａ）の間に、前記ガス交換手段が、リアクタＲ’３に対する（または、リアクタＲ’３およびＲ’２に対する）熱エネルギの先行入力なしに前記リアクタ間において開かれるものとする、請求項１または請求項２の方法。
【請求項４】
前記低温を生成するための方法は、前記ＨＰおよびＬＰアッセンブリを備える設備内において次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・一方においてはＲ１とＲ’１の間、他方においてはＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に導入され、その結果、前記ＨＰアッセンブリの前記リアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の前記吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、前記リアクタＲ’１が、前記ガスＧ１を消費する状態となり、前記ＬＰアッセンブリの前記リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の前記吸着剤Ｂ３を含み、かつ対応する前記リアクタＲ’３が、ガスＧ３を供給する状態となり、かつ
・ＬＰアッセンブリ内のそれぞれのガスおよび吸着剤が、前記ガス交換手段を開いた後にＲ’３内に生じるそれぞれの圧力において、Ｒ’３内の前記可逆プロセスの平衡温度が、低温の生成が希望されている温度に対応するように選択されるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、前記ガス移動手段が、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間で開かれ、それによってＲ’３内において低温が生成されるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ供給され、それを、周囲温度より高い温度まで上昇させ、続いて前記ガス移動手段が、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間で開かれ、それによって前記設備の再生が行われるものとする請求項３の方法。
【請求項５】
前記低温を生成するための方法は、前記リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・前記リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に導入され、その結果、前記ＨＰアッセンブリの前記リアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の前記吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、前記リアクタＲ’１が、前記ガスＧ１を消費する状態となり、前記ＬＰおよびＩＰアッセンブリの前記リアクタＲ３およびＲ２が、ガスをあまり含まない形態のそれぞれの吸着剤Ｂ３およびＢ２を含み、かつ前記リアクタＲ’３およびＲ’２が、それぞれのガスＧ３およびガスＧ２を供給する状態となり、かつ
・前記ＬＰおよびＩＰアッセンブリ内のそれぞれのガスおよび吸着剤が、前記ガス交換手段を開いた後にＲ’３およびＲ’２内に生じるそれぞれの圧力において、Ｒ’２およびＲ’３内のそれぞれの前記可逆プロセスの平衡温度が、低温の生成が希望されている温度に対応するように選択されるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、前記リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’３およびＲ’２内において低温が生成されるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ追加され、前記リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによって前記設備の再生が行われるものとする請求項３の方法。
【請求項６】
前記低温を生成するための方法は、前記リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・前記リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が閉じられ、
・選択されたそれぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に導入され、その結果、前記リアクタＲ１およびＲ２が、ガスを多く含む形態のそれぞれの吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）および（Ｂ２，Ｇ２）を含み、前記リアクタＲ’１およびＲ’２が、それぞれの前記ガスＧ１およびガスＧ２を消費する状態となり、前記リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の吸着剤Ｂ３を含み、かつ前記リアクタＲ’３が、ガスを供給する状態となるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、第１の段階として、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’３内に低温が生成され；第２の段階として、一方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間、他方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’２内に低温が生成されるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ供給され、それを、通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、一方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間、他方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによって前記設備の再生が行われるものとする請求項３の方法。
【請求項７】
前記低温を生成するための方法は、前記リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・前記リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が閉じられ、
・選択されたそれぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタＲｉおよび前記リアクタＲ’ｉ内に導入され、その結果、前記リアクタＲ１およびＲ２が、ガスを多く含む形態のそれぞれの吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）および（Ｂ２，Ｇ２）を含み、前記リアクタＲ’１およびＲ’２が、それぞれの前記ガスＧ１およびガスＧ２を消費する状態となり、前記リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の吸着剤Ｂ３を含み、かつ前記リアクタＲ’３が、ガスを供給する状態となるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによってＲ’３内に低温が生成されるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、第１の段階として、熱エネルギがＲ’１へ追加され、一方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間、他方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間が連通され；第２の段階として、熱エネルギがＲ’２へ追加され、一方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間、他方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間が連通され、それによって前記設備の再生が行われるものとする請求項３の方法。
【請求項８】
前記方法は、熱エネルギ供給源の温度より高い温度で熱を生成するためのものであり、それにおいて、生成するステップ（ａ）の間に、前記リアクタＲ’３によって、かつ可能性としては前記リアクタＲ’２によって、前記設備に対して、前記リアクタＲ３とＲ’３の間、および可能性としては前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段を開く前に熱エネルギが追加されるものとする、請求項１または請求項２の方法。
【請求項９】
前記方法は、別の場所に置かれた熱エネルギ供給源を使用して、与えられた場所において熱を生成するためのものであり、それにおいて前記再生ステップ（ｂ）に使用される前記熱供給源は、ステップ（ａ）の間に高められた温度で生成される熱のエクセルギであるとする、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記熱を生成するための方法は、前記リアクタＲ１ならびにＲ’１を備えるＨＰアッセンブリ、および、前記リアクタＲ３ならびにＲ’３を備えるＬＰアッセンブリを備える設備内において、次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・一方においてはＲ１とＲ’１の間、他方においてはＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に導入され、その結果、前記ＨＰアッセンブリのリアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の前記吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、前記リアクタＲ’１が、前記ガスＧ１を消費する状態となり、前記ＬＰアッセンブリの前記リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の前記吸着剤Ｂ３を含み、かつ対応する前記リアクタＲ’３が、ガスＧ３を供給する状態となるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、熱エネルギがＲ’３へ追加され、それを、通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによってＲ’１内において熱の生成を生じるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ供給され、それを、通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによって前記設備の再生が行われるものとする請求項８または９の方法。
【請求項１１】
前記熱を生成するための方法は、前記リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・前記リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が閉じられ、
・選択されたそれぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に導入され、その結果、前記リアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の前記吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、前記リアクタＲ’１が、前記ガスＧ１を消費する状態となり、前記リアクタＲ３およびＲ２が、ガスをあまり含まない形態のそれぞれの吸着剤Ｂ３およびＢ２を含み、かつ前記リアクタＲ’３およびＲ’２が、それぞれのガスＧ３およびガスＧ２を供給する状態となるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、熱エネルギがＲ’３およびＲ’２へ追加されて、それらを周囲温度より高い温度まで上昇させ、続いて、前記リアクタＲ３とＲ’３の間、前記リアクタＲ２とＲ’２の間、および前記リアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’１内において熱の生成を生ずるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ追加され、それを通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、前記リアクタＲ３とＲ’３の間、前記リアクタＲ２とＲ’２の間、および前記リアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによって前記システムの再生が行われるものとする請求項８または９の方法。
【請求項１２】
前記熱を生成するための方法は、前記リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・異なる前記リアクタの間の前記ガス移動手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に通常温度において導入され、その結果、前記リアクタＲ１およびＲ２が、ガスを多く含む状態のそれぞれの吸着剤（Ｓ１，Ｇ１）および（Ｓ２，Ｇ２）を含み、Ｒ３が、ガスをあまり含まない状態の吸着剤を含み、Ｒ’１およびＲ’２が、それぞれの前記ガスＧ１およびガスＧ２を消費する状態となり、かつＲ’３が、ガスＧ３を解放する状態となるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、熱エネルギがＲ’３へ追加され、続いて、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによってＲ’１内において熱の生成を生ずるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、第１の段階として、熱エネルギがＲ’１へ追加され、続いて、一方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間、他方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス移動手段が開かれ；第２の段階として、熱エネルギがＲ’２へ追加され、続いて、一方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間、他方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによって前記システムの再生が行われるものとする請求項８または９の方法。
【請求項１３】
前記熱を生成するための方法は、前記リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行されるものとし、すなわち前記条件を：
‐予備ステップの間に、
・異なる前記リアクタの間の前記ガス移動手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に通常温度において導入され、その結果、前記リアクタＲ２が、ガスを多く含む状態の吸着剤（Ｓ２，Ｇ２）を含み、Ｒ３およびＲ１が、ガスをあまり含まない状態のそれぞれの吸着剤Ｂ３およびＢ１を含み、Ｒ’２が、ガスＧ２を消費する状態となり、Ｒ’３およびＲ’１が、それぞれの前記ガスＧ３およびＧ２を解放する状態となるものとし、
‐ステップ（ａ）の間に、第１の段階として、熱エネルギがＲ’３へ追加され、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、他方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間の接続が行われ、それによってＲ’２内において熱の生成を生じ；第２の段階として、熱エネルギがＲ’２へ追加され、一方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間、他方においては前記リアクタＲ２とＲ’２の間の接続が行われ、それによってＲ’１内において熱の生成を生ずるものとし、
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ追加され、一方においては前記リアクタＲ１とＲ’１の間、他方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによって前記設備の再生が行われるものとする請求項８または９の方法。
【請求項１４】
前記リアクタＲ’ｉ内における前記可逆プロセスは、液相／気相変化、固体内におけるガスの吸着、液体内におけるガスの吸収、ガスと固体もしくは液体の間の化学反応、もしくはクラスレート・ハイドレートの形成であるとする、請求項１の方法。
【請求項１５】
前記リアクタＲｉ内における前記可逆プロセスは、固体内におけるガスの吸着、液体内におけるガスの吸収、ガスと固体もしくは液体の間の化学反応、もしくはクラスレート・ハイドレートの形成であるとする、請求項１の方法。
【請求項１６】
前記設備のすべての前記アッセンブリ内の前記可逆プロセスは、同一のガスを伴うものとする、請求項１の方法。
【請求項１７】
リアクタＲ１およびＲ’１を備えるＨＰアッセンブリ、リアクタＲ３およびＲ’３を備えるＬＰアッセンブリ、および、場合によってリアクタＲ２およびＲ’２を備えるＩＰアッセンブリを備える、低温および／または熱を生成するための設備であって：
・各リアクタＲｉは、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆収着のシートであり、
・各リアクタＲ’ｉは、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆プロセスのシートであり、
・それぞれのリアクタ内の反応物は、与えられた圧力において：アッセンブリの前記リアクタＲｉ内の収着平衡温度が、同一アッセンブリの前記リアクタＲ’ｉ内の可逆プロセスの平衡温度より高く、前記リアクタＲ１内の収着平衡温度が、Ｒ３内のそれより低く、前記ＩＰアッセンブリがある場合にはＲ２内の収着平衡温度が、Ｒ１とＲ３の平衡温度の間になるように選択されており、
・アッセンブリの前記リアクタＲｉおよびＲ’ｉが、前記ガスＧｉを交換するためのガス交換手段を備えており、
・前記リアクタＲ１、Ｒ３、および前記ＩＰアッセンブリがある場合にはＲ２は、互いの間において熱を交換するための手段を備えており、
・前記リアクタが、大気圧から遮断されているものとする設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、収着システムにより低温および／または熱を生成するための設備および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エネルギの生成が、エネルギを必要とする場所の近くに位置していない場合には、輸送手段を提供する必要がある。もっとも普及しているエネルギ輸送手段は、送電設備網である。それにもかかわらず、よく知られているように、一方において一時エネルギを電気に変換する効率が５０％をわずかに上回る程度であり、しかも電気の輸送が、約１５％の損失を伴う。また、低温または熱の分配のために、特に都市もしくは工業設備網内において、加熱もしくは冷却される媒体と熱交換を行う伝熱流体（たとえば水、スチーム等）を使用して熱形式のエネルギを輸送する方法もよく知られている。ほとんどの場合に、これらのタイプの交換は、知覚可能な熱もしくは潜在性の熱の交換を伴い、それが、大きな流体フローの再循環を生じさせ、その結果、伝熱流体の熱もしくは低温に関連する熱の損失だけでなく、ポンピングのための大きなエネルギの消費を招いている。
【０００３】
熱または低温を生成するための設備は、熱化学システムに基づくものが知られており、作用ガスと呼ばれるガスと、液体もしくは固体の間における可逆プロセスが使用される。これらのシステムにおいては、ガスと液体もしくは固体の間における結合ステップ（液体によるガスの吸収、固体上におけるガスの吸着、ガスと固体の間の反応）が発熱性となり、その逆のステップが吸熱性となる。これらの原理に基づいた多数のリアクタおよび方法は、すでに記述されている。特に、可逆反応を基礎とした低温もしくは熱を生成するためのデバイスの多くの変形が特許文献１に記載されている。これらのデバイスは、２もしくは３の圧力レベルで動作する２つのガス循環回路内の液体による作用ガスの可逆的な吸収によって機能する。そこに述べられている各種の動作モードのために、その種のリアクタの使用には、作用ガス循環回路の１つのリアクタの１つと、別の回路のリアクタの１つの間における液体吸収剤の循環を必要とする。この多量の液体の循環は、無視できない量のエネルギを消費するポンピング手段、および当該液体の輸送の間における熱の損失を防止するための大量の断熱手段を必要とする。完全な動作サイクルの間にデバイスへ供給されるエネルギの追加が、場合によっては作用ガスを供給するエバポレータへ、場合によってはガスを過剰に包含する液体を含むリアクタへ、ガスを解放するために行われており、その結果この入力が、ガスの気化温度より高い温度において生じ、したがって、より高いコストを負うことになる。
【０００４】
さらに、特許文献２および特許文献３には、水素化物内の水素の可逆挿入によって動作するシステムについて開示されている。このシステムは、それぞれが、水素化物を含み、かつ水素の循環のためのパイプによって接続された２つのリアクタからなる少なくとも２つの動作ユニットを包含している。特許文献２によれば、１動作サイクルの間に、１つの動作ユニットの、より平衡温度の高い水素化物を含むリアクタへ高温の熱を追加することによって第１の水素化物から水素が解放される。特許文献３に述べられている動作モードにおいては、それぞれのサイクルが少なくとも１ステップを含み、その間に、外部供給源によって熱が、動作ユニットの１つの『高温』リアクタへ追加される。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第４，５３１，３７４号（Ａｌｅｆｅｌｄ；アレフェルド）
【特許文献２】
米国特許第４，５２３，６３５号
【特許文献３】
米国特許第４，６２３，０１８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、１ないしは複数の熱エネルギ供給源を用いて、使用の場所において低温および／または熱を生成するための方法および設備を提供し、それによって液体または固体材料の輸送を回避することをねらいとしており、しかも比較的低い温度において当該設備の動作に必要なエネルギを供給することによってそれを行う。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に従って低温および／または熱を生成するための設備は、リアクタＲ１およびＲ’１を備えるＨＰアッセンブリ、リアクタＲ３およびＲ’３を備えるＬＰアッセンブリ、および、場合によってリアクタＲ２およびＲ’２を備えるＩＰアッセンブリを備えている。以下の本文においては、ＲｉがリアクタＲ１、Ｒ２、およびＲ３の任意の１つを表し、Ｒ’ｉがリアクタＲ’１、Ｒ’２、およびＲ’３の任意の１つを表すものとする。この設備は、以下の点を特徴とする：
・各リアクタＲｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆収着のシートであること；
・各リアクタＲ’ｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆プロセスのシートであること；
・それぞれのリアクタ内の反応物が、与えられた圧力において：アッセンブリのリアクタＲｉ内の収着平衡温度が、同一アッセンブリのリアクタＲ’ｉ内の可逆プロセスの平衡温度より高く、リアクタＲ１内の収着平衡温度が、Ｒ３内のそれより低く、前記ＩＰアッセンブリがある場合にはＲ２内の収着平衡温度が、Ｒ１とＲ３の平衡温度の間になるように選択されていること；
・アッセンブリのリアクタＲｉおよびＲ’ｉが、ガスＧｉを交換するためのガス交換手段を備えていること；
・リアクタＲｉが、互いに熱を交換するための手段を備えていること；
・リアクタが、大気圧から遮断されていること。
【０００８】
クラペイロン図は、可逆プロセスの平衡曲線（圧力Ｐ、温度Ｔ）を、一般にｌｎＰ＝ｆ（‐１／Ｔ）という形式で表す。理論的な平衡曲線は、化学反応あるいは液相／気相変化のようなモノバリアント・プロセスに関するラインになる。平衡曲線は、平衡点が固体もしくは液体内におけるガスの濃度の関数として変化することから、固体上におけるガスの吸着もしくは液体内におけるガスの吸収等のバイバリアント・プロセスに関する等量点の網となる。これに使用している表現によれば、クラペイロン図内において、与えられた可逆プロセスに対応する曲線がより左側に位置しているということは、ある圧力では、遷移温度が、図中の平衡曲線がより右側に位置する可逆プロセスのそれよりも低いことを意味している。
【０００９】
本発明の設備の所定のアッセンブリ内において、リアクタＲ’ｉ内の温度は、リアクタＲｉ内の温度より、それら２つのリアクタが、ガス移動手段を開くことによって連通されたとき、言い換えるとこれらのリアクタが同一の圧力にあるとき、その結果として低くなる。
【００１０】
本発明に従った設備においては、ＨＰアッセンブリのリアクタＲ１ならびにＲ’１が、結果的に、レンジ（圧力，温度）（ＰＴ）１内で動作し、このレンジは、概略でＬＰアッセンブリのレンジ（ＰＴ）３より上に位置する。設備が３つのアッセンブリを備えるときには、ＩＰアッセンブリが（ＰＴ）１と（ＰＴ）３の間の中間レンジ（ＰＴ）２において動作する。
【００１１】
リアクタＲ’ｉ内の可逆プロセスは、液相／気相変化の中から、および可逆収着、たとえば可逆化学反応、固体上におけるガスの吸着、液体によるガスの吸収、クラスレート・ハイドレートの形成といった可逆収着の中から選択することができる。
【００１２】
各リアクタＲｉは、化学反応、固体によるガスの吸着、液体によるガスの吸収、クラスレート・ハイドレートの形成等の可逆収着のシートである。
【００１３】
化学式１に示す液相／気相変化は、液化方向において発熱性であり、気化方向において吸熱性である。液体もしくは固体とガスの間における可逆収着は、化学式２のように記述することができるが、収着方向Ｓｉにおいて発熱性であり、脱着方向Ｄｉにおいて吸熱性である。
【００１４】
【化１】
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【００１５】
【化２】
2005504258.tif 000004
【００１６】
これらの可逆プロセスを基礎として多数の組み合わせが可能であり、それらは、有効な低温もしくは有効な熱を生成するための所望の温度を達成する作用をもたらす。
【００１７】
たとえば、２つのアッセンブリＨＰおよびＬＰを備える設備においては、まったく同一の可逆プロセスもしくは異なるプロセスをリアクタＲ’ｉ内に使用することができる。２つのリアクタＲ’ｉ内のプロセスが同じガスを解放する場合には、リアクタＲｉ内の吸着剤が異ならなければならない。リアクタＲ’ｉ内のプロセスが異なるガスを解放する場合には、これらのリアクタＲｉ内の吸着剤をまったく同じ、もしくは異なるものとすることができる。
【００１８】
同様に、３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備においては、同じガスＧを解放する可逆プロセスもしくは異なるガスＧｉを解放する可逆プロセスを、リアクタＲ’ｉ内で使用することができる。これらのリアクタＲ’ｉに関連付けされた、同じガスを解放するリアクタＲｉは、異なる吸着剤を含んでいなければならない。リアクタＲ’ｉが異なるガスを解放する場合には、それらに関連付けされたリアクタＲｉは、同じ吸着剤もしくは異なる吸着剤を含むことができる。
【００１９】
特定の実施態様においては、リアクタＲ’ｉが、同じガスを解放する液相／気相変化のシートになり、各リアクタＲｉが、そのガスと異なる液体もしくは固体の間における可逆収着のシートになる。
【００２０】
別の実施態様においては、各リアクタＲ’ｉが、異なるガスを生成する液相／気相変化のシートになり、各リアクタが、異なる固体もしくは液体を伴う収着のシートになる。
【００２１】
本発明に従った、与えられた場所において低温および／または熱を生成するための方法は、ガスと液体もしくは固体の間の連続する可逆プロセスを含む。この方法は、以下の点を特徴とする：
‐この方法が、リアクタＲ１ならびにＲ’１を備えるＨＰアッセンブリ、リアクタＲ３ならびにＲ’３を備えるＬＰアッセンブリ、および、場合によってリアクタＲ２ならびにＲ’２を備えるＩＰアッセンブリを備える設備内において実行され、当該設備においては：
・各リアクタＲｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆収着のシートであり、
・各リアクタＲ’ｉが、ガスＧｉの生成および消費を交互に行う可逆プロセスのシートであり、
・それぞれのリアクタ内の吸着剤およびガスが、与えられた圧力において：アッセンブリのリアクタＲｉ内の収着平衡温度が、同一アッセンブリのリアクタＲ’ｉ内の可逆プロセスの平衡温度より高く、リアクタＲ１内の収着平衡温度が、Ｒ３内のそれより低く、前記ＩＰアッセンブリがある場合にはＲ２内の収着平衡温度が、Ｒ１とＲ３の平衡温度の間になるように選択され、
・アッセンブリの前記リアクタＲｉおよびＲ’ｉが、前記ガスＧｉを交換するためのガス交換手段を備えており、
・前記リアクタＲｉが、互いに熱を交換するための手段を備えており、かつ
・前記リアクタが、大気圧から遮断されていること；
‐この設備の動作に必要な熱エネルギ供給源が、前記リアクタＲ’ｉへの供給を行うこと。
【００２２】
より具体的に述べれば、本発明に従って低温または熱を生成するためのこの方法は、以下を含んでいる：
・予備ステップ：このステップにおいては、アッセンブリの２つのリアクタの間のガス交換手段が閉じられ、それぞれの吸着剤およびガスがリアクタ内において通常温度に置かれ、その結果、ＨＰアッセンブリのリアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、前記リアクタＲ’１が、ガスＧ１を消費する状態となり、前記ＬＰアッセンブリのリアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の吸着剤Ｂ３を含み、かつ対応する前記リアクタＲ’３が、ガスＧ３を供給する状態となる；
・ステップ（ａ）：すなわち低温および／または熱を生成するステップであって、このステップの間に、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、前記リアクタＲ１とＲ’１の間、および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が、可能性としては前記リアクタＲ’３および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ’２が熱エネルギの入力によって通常温度より高い温度まで上昇した後に開かれる；
・ステップ（ｂ）：すなわち再生を行うステップであって、このステップの間に、一方においては前記リアクタＲ３とＲ’３の間、前記リアクタＲ１とＲ’１の間、および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が、前記リアクタＲ’１および前記ＩＰアッセンブリがある場合には前記リアクタＲ’２が熱エネルギの入力によって通常温度より高い温度まで上昇した後に開かれる。
【００２３】
再生ステップの終了時には、設備が再び低温または熱を生成する状態になる。その後、必要な長さにわたって設備をこの状態に維持するには、同じレベルの前記リアクタの間の前記ガス交換手段を閉じるだけで充分である。低温もしくは熱を再び生成することが望ましい場合には、上記の生成ステップ（ａ）およびそれに続くステップ（ｂ）を必要に応じて同様に繰り返せばよい。
【００２４】
基本的に低温の生成を目的とした特定の実施態様においては、本発明の方法が次の点によって特徴付けされる：
・ＬＰアッセンブリ（または、ＬＰおよびＩＰアッセンブリ）内のそれぞれのガスおよび吸着剤が、前記リアクタ内の前記ガス交換手段を開いた後にＲ’３内（または、Ｒ’３内およびＲ’２内）に生じるそれぞれの圧力において、Ｒ’３内（または、Ｒ’３内およびＲ’２内）の前記可逆プロセスの平衡温度が、低温の生成が希望されている温度に対応するように選択されること；
・生成ステップ（ａ）の間に、前記ガス交換手段が、リアクタＲ’３に対する（または、リアクタＲ’３およびＲ’２に対する）熱エネルギの先行入力なしに前記リアクタ間において開かれること。
【００２５】
本発明に従った低温の生成に使用される設備内においては、低温生成温度が、ＬＰアッセンブリもしくはＬＰおよびＩＰアッセンブリのリアクタＲ’ｉ内でガスＧｉが解放される温度によって決定され、それらが（圧力，温度）の最も低いレンジとなる。ＬＰアッセンブリ（および前記ＩＰアッセンブリがある場合はＩＰアッセンブリ）の２つのリアクタ内の可逆プロセスは、同一アッセンブリのリアクタＲｉとＲ’ｉの単純な連通が、Ｒ’ｉ内におけるガスＧｉの自発的な吸熱性の解放、およびＲｉ内における収着段階を生じさせ、それが周囲媒体からの必要な熱エネルギの引き込み、すなわちＲ’ｉのレベルにおける低温の生成を伴う。
【００２６】
周囲媒体からの熱エネルギの自発的な引き込みは、ステップ（ａ）の間に、Ｒ’３内、および前記ＩＰアッセンブリがある場合にはリアクタＲ’２内における低温の生成をもたらす。続いてこの設備の再生を行うために、ステップ（ｂ）の間に、リアクタＲｉとＲ’ｉの間のガス交換手段を開くことに先行して、もっとも高いレンジ（圧力，温度）、および可能性としては中間のレンジ（圧力，温度）を有しているアッセンブリのリアクタＲ’ｉを介して熱エネルギが追加される。
【００２７】
同時にこの設備は、それぞれのステップの間に、エネルギの導入によらず、したがって、低い低温生成温度とこの設備の高い再生温度の間の中間温度にあるリアクタＲ’ｉへ、熱エネルギをリストアする。これらの中間温度が有用な温度である場合には、低温および熱の同時生成にこの設備を使用することができる。
【００２８】
本発明に従った、２つのアッセンブリＨＰおよびＬＰを備える設備においては、ＬＰアッセンブリのリアクタＲ’３内のガスが解放される温度において低温が生成される。この方法は、次に示す条件の下に実行される：
‐予備ステップの間に、
・一方においてはＲ１とＲ’１の間、他方においてはＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が閉じられ；
・それぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に導入され、その結果、前記ＨＰアッセンブリの前記リアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の吸着剤（Ｂ１，Ｇ２）を含み、前記リアクタＲ’１が、前記ガスＧ１を消費する状態となり、前記ＬＰアッセンブリの前記リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の前記吸着剤Ｂ３を含み、かつ対応する前記リアクタＲ’３が、ガスＧ３を供給する状態となり；
・ＬＰアッセンブリ内のそれぞれのガスおよび吸着剤が、前記ガス交換手段を開いた後にＲ’３内に生じるそれぞれの圧力において、Ｒ’３内の前記可逆プロセスの平衡温度が、低温の生成が希望されている温度に対応するように選択されること；
‐ステップ（ａ）の間、すなわち低温生成ステップの間に、一方においてはＲ３とＲ’３の間、他方においてはＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによってＲ’３内におけるガスＧ３の自発的な解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含んだ吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、およびＲ’１内におけるガスＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間、すなわち再生ステップの間に、熱エネルギがＲ’１へ供給され、それを、周囲温度より高い温度まで上昇させ、続いて、一方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間、他方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによってＲ’１内におけるガスＧ１の解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着、およびＲ’３内におけるガスＧ３の発熱性の消費が行われること。
【００２９】
ステップ（ｂ）の終了時には、この設備が再び低温を生成する状態となる。つまり、ＬＰアッセンブリのリアクタＲ３とＲ’３の間の接続に充分な状態となる。この種の設備においては、低温がＲ’３内において生成され、再生がＲ’１によって達成される。リアクタＲ’３、すなわち低温生成のシートだけが、低温の生成が希望されている場所に必然的に配置される。
【００３０】
設備の再生の間に熱エネルギが供給されるリアクタＲ’１は、熱エネルギが利用可能な場所に配置され、そのほかのリアクタは、任意の適切な場所、つまり、低温生成の場所から任意の距離に配置される。したがって、熱い、あるいは冷たい液体もしくは固体の移動を伴うことなく、任意の温度においてガスを単純に循環させることによって、他の場所に配置された熱エネルギ供給源から、与えられた場所において低温を生成することが可能になる。これにより、固体もしくは気体の実際の移動に関連するすべての困難をはじめ、熱損失が排除される。
【００３１】
上記の２つのアッセンブリを伴う設備の動作は、それぞれのガスＧ１およびＧ３が同一であるか、異なるかによらずいずれも類似したものとなる。
【００３２】
３つのアッセンブリを含む設備においては、いくつかの低温生成モードを考慮することが可能である。同じ生成サイクルの間に、２つの異なる温度で低温を生成することができる。また、生成ステップ（ａ）の間の２つの連続する段階において所定の温度で低温を生成することができる。さらに生成ステップ（ａ）の間の単一の段階において所定の温度で低温を生成し、その後、再生ステップを２段階で行うこともできる。
【００３３】
２つの異なる温度において低温を生成するために、リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下にこの方法が実行される：
‐予備ステップの間に、
・リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスが前記リアクタ内に導入され、その結果、前記ＨＰアッセンブリの前記リアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の前記吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、前記リアクタＲ’１が、前記ガスＧ１を消費する状態となり、前記ＬＰおよびＩＰアッセンブリの前記リアクタＲ３およびＲ２が、ガスをあまり含まない形態のそれぞれの吸着剤Ｂ３およびＢ２を含み、かつ前記リアクタＲ’３およびＲ’２が、それぞれのガスＧ３およびガスＧ２を供給する状態となり、かつ
・前記ＬＰおよびＩＰアッセンブリ内のそれぞれのガスおよび吸着剤が、前記ガス交換手段を開いた後にＲ’３およびＲ’２内に生じるそれぞれの圧力において、Ｒ’２およびＲ’３内のそれぞれの前記可逆プロセスの平衡温度が、低温の生成が希望されている温度に対応するように選択されること；
‐ステップ（ａ）の間に、前記リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’３内におけるＧ３の自発的な解放、Ｒ’２内におけるＧ２の自発的な解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着、Ｒ２内における吸着剤Ｂ２を伴うＧ２の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、およびＲ’１内におけるガスＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ追加され、リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’１内におけるガスＧ１の解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着、Ｒ’３内におけるガスＧ３の発熱性の消費、Ｒ２内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ２，２）の吸熱性の脱着、およびＲ’２内におけるガスＧ２の発熱性の消費を生じること。
【００３４】
ステップ（ａ）の間に、Ｒ’３およびＲ’２内において低温の生成が観察される。ステップ（ｂ）の間に、Ｒ’１に対して熱エネルギを供給することによって、この設備が再生される。したがって、Ｒ’３およびＲ’２が配置される場所において、単純に通常温度でのガスの循環を行うことによって低温の生成が可能であり、この設備のそのほかの部分およびＲ’１への供給を行う熱供給源は、任意の場所に配置できる。
【００３５】
低温生成ステップの間に２段階の低温の生成を行うために、リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下にこの方法が実行される：
‐予備ステップの間に、
・リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が閉じられ、
・選択されたそれぞれの吸着剤およびガスがリアクタ内に導入され、その結果、リアクタＲ１およびＲ２が、ガスを多く含む形態のそれぞれの吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）および（Ｂ２，Ｇ２）を含み、リアクタＲ’１およびＲ’２が、それぞれのガスＧ１およびガスＧ２を消費する状態となり、リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の吸着剤Ｂ３を含み、かつリアクタＲ’３が、ガスを供給する状態となること；
‐ステップ（ａ）の間に、第１の段階として、一方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間、他方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’３内における低温の生成を伴うＧ３の自発的な解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着、Ｒ２内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ２，Ｇ２）の吸熱性の脱着、およびＲ’２内におけるＧ２の発熱性の消費を生じ；第２の段階として、一方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間、他方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が開かれ、それによってＲ’２内における低温の生成を伴うＧ２の自発的な解放、Ｒ２内における吸着剤Ｂ２を伴うＧ２の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、Ｒ’１内におけるガスＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ供給され、それを、通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、一方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間、他方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによってガスＧ１の解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着、およびＲ’３内におけるガスＧ３の発熱性の消費を生じること。
【００３６】
ステップ（ｂ）の終了時には、この設備が再び低温を生成する状態となる。Ｒ’３とＲ３の間の単純な接続が、このプロセスをリスタートさせる作用をもたらす。この特定のケースにおいては、リアクタＲ’１への供給を行う任意の場所に配置された熱供給源を使用し、リアクタＲ’３およびＲ’２を、低温を１つの場所において生成するか、あるいは２つの場所において生成するかに応じて同一の場所もしくは異なる場所に配置することが可能である。設備内のすべてのガスもしくはその一部を同じにすることができる。リアクタＲ’３およびＲ’２が、同一のガスを伴う同じ可逆プロセスのシートとなる場合には、生成ステップの２つの段階において同じ温度の低温が生成される。この実施態様は、低温生成の効率の向上を可能にする。
【００３７】
低温生成ステップの間の１つの段階で低温を生成するために、リアクタＲ１ならびにＲ
’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下にこの方法が実行される：
‐予備ステップの間に、
・リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間の前記ガス交換手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスがリアクタＲｉおよびリアクタＲ’ｉ内に導入され、その結果、リアクタＲ１およびＲ２が、ガスを多く含む形態のそれぞれの吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）および（Ｂ２，Ｇ２）を含み、リアクタＲ’１およびＲ’２が、それぞれのガスＧ１およびガスＧ２を消費する状態となり、リアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の吸着剤Ｂ３を含み、かつリアクタＲ’３が、ガスを供給する状態となること；
‐ステップ（ａ）の間に、一方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間、他方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間の前記ガス移動手段が開かれ、それによってＲ’３内における自発的なＧ３の解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、およびＲ’１内におけるガスＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間に、第１の段階として、熱エネルギがＲ’１へ追加され、一方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間、他方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間が接続され、それによって自発的なＧ１の解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ２内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ２，Ｇ２）の吸熱性の脱着、およびＲ’２内におけるガスＧ２の発熱性の消費を生じ；第２の段階として、熱エネルギがＲ’２へ追加され、一方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間、他方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間が接続され、それによってガスＧ２の解放、Ｒ２内における吸着剤Ｂ２を伴うＧ２の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着、およびＲ’３内におけるガスＧ３の発熱性の消費を生じること。
【００３８】
この実施態様においては、任意の場所に配置されるリアクタＲ’１およびＲ’２への供給を行うエネルギ供給源を使用してリアクタＲ’３内に低温が生成され、低温生成キャパシティを増加する作用がもたらされる。
【００３９】
したがって、低温を生成するための本発明の方法のすべての実施態様において、２つのアッセンブリを伴う設備内ではリアクタＲ’３内に低温が生成され、当該設備が、リアクタＲ’１への熱の入力によって再生されること、あるいは３つのアッセンブリを伴う設備内ではリアクタＲ’３内（または、リアクタＲ’３およびＲ’２内）に低温が生成され、当該設備が、リアクタＲ’２およびＲ’１（または、リアクタＲ’１）への熱の入力によって再生されることが明らかになる。
【００４０】
いずれの場合においても、設備の再生に使用される１ないしは複数の熱供給源を、低温が生成される場所から相当の距離に配置することができる。それにより任意の場所に配置されたエネルギ供給源を使用し、周囲温度において作用ガスの単純な移動を行うことによって、所定の場所で低温を生成することができる。したがって、この特徴は、アッセンブリの低温リアクタに対する熱の入力とともに、低温のリモート生成を可能にし、しかも従来技術の設備におけるより経済的な方法でそれを可能にする。
【００４１】
別の実施態様は、与えられた使用場所においてエネルギ供給源の温度より高い温度で熱の生成を行うことを基本的な目的としており、本発明の方法が、生成ステップ（ａ）の間に、リアクタＲ’３によって、かつＩＰアッセンブリがある場合はリアクタＲ’２によって、設備に対して、リアクタＲ３とＲ’３の間、および、ＩＰアッセンブリがある場合はリアクタＲ２とＲ’２の間のガス交換手段を開く前に熱エネルギが追加されることを特徴とする。
【００４２】
使用されるエネルギ供給源の温度より高い温度で熱を生成することに指向された本発明に従った設備においては、生成ステップ（ａ）の間に、この設備に対する熱エネルギがＬＰアッセンブリのリアクタＲ’３によって、あるいはＬＰおよびＩＰアッセンブリのリアクタＲ’３およびＲ’２によって供給され、熱がＨＰアッセンブリのリアクタＲ’１内に、あるいはＨＰおよびＩＰアッセンブリのリアクタＲ’１およびＲ’２によって回収され、言い換えるとＨＰアッセンブリおよびＩＰアッセンブリがある場合はＩＰアッセンブリの高められた動作温度において供給される。
【００４３】
熱が生成される温度は、リアクタＲ’１内においてガスＧ１が消費される温度およびＩＰアッセンブリがある場合にはリアクタＲ’２内においてガスＧ２が消費される温度によって決定される。再生ステップ（ｂ）では、リアクタＲ’１およびＩＰアッセンブリがある場合にはＲ’２に対し、ステップ（ａ）の供給源の温度に類似の温度において熱が供給され、リアクタＲ’３内およびＩＰアッセンブリがある場合にはリアクタＲ’２内に減損後の熱が回収される。再生ステップにおいてＲ’１内に、およびＩＰアッセンブリがある場合はＲ’２内に熱が導入される温度は、生成ステップの間にＲ’３内に熱が導入される温度より低くすることができる。
【００４４】
リアクタＲ’１（およびＩＰアッセンブリがある場合はＲ’２）内において高められた温度ｔで生成される熱Ｑは、たとえば熱交換器内もしくは、この高められた温度ｔの熱を必要とするプロセス内に使用することができる。この使用は、より低い温度ｔ０における特定の熱量Ｑ’をリリースし、その結果、Ｑ’＝Ｑ［１‐（ｔ０／ｔ）］となり、熱Ｑのエクセルギに対応する。この熱Ｑ’をステップ（ｂ）内において好適に使用して設備の再生を開始することができる。
【００４５】
したがって、本発明の熱を生成するための方法のこの特定の実施態様では、設備の外部に熱供給源を配置して設備を再生する必要がなく、より低い温度における任意の場所において利用可能な１ないしは複数の熱供給源を使用して、Ｒ’１（もしくはＲ’１およびＲ’２）内に、高められた温度で熱を生成することができる。
【００４６】
所定の温度において熱を生成するために、リアクタＲ１ならびにＲ’１を備えるＨＰアッセンブリ、および、リアクタＲ３ならびにＲ’３を備えるＬＰアッセンブリを備える設備内において本発明の方法が実行され、次の点を特徴とする：
‐予備ステップの間に、
・一方においてはＲ１とＲ’１の間、他方においてはＲ３とＲ’３の間の前記ガス移動手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスがリアクタ内に導入され、その結果、ＨＰアッセンブリのリアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、リアクタＲ’１が、ガスＧ１を消費する状態となり、ＬＰアッセンブリのリアクタＲ３が、ガスをあまり含まない形態の吸着剤Ｂ３を含み、かつ対応するリアクタＲ’３が、ガスＧ３を供給する状態となること；
‐熱を生成するステップ（ａ）の間に、熱エネルギがＲ’３へ追加され、それを通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、一方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間、他方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間のガス移動手段が開かれ、それによってＲ’３内における自発的なガスＧ３の解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、およびＲ’１内における熱の生成を伴うガスＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ供給され、それを、通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、一方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間、他方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間のガス移動手段が開かれ、それによってＲ’１内におけるガスＧ１の解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着、Ｒ’３内におけるガスＧ３の発熱性の消費、および設備の再生を生じること。
【００４７】
異なるリアクタ内に使用されている可逆プロセスのそれぞれの平衡曲線を考慮すると、ステップ（ａ）の間にＲ’３内へ、またステップ（ｂ）の間にＲ’１内へ導入される熱エネルギは、ステップ（ａ）の間にＲ’１内において熱が回収される温度と、ステップ（ｂ）の間にＲ’３内において減損後の熱が回収される温度の中間の温度におけるものとなる。
【００４８】
具体的な実施態様では、本発明の方法を実施して、与えられた場所において、別の場所に配置された２つの熱供給源の温度より高い温度で熱量を生成することができる。この場合には、本発明の方法が、リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行される：
‐予備ステップの間に、
・リアクタＲ１とＲ’１の間、Ｒ３とＲ’３の間、およびＲ２とＲ’２の間のガス交換手段が閉じられ、
・選択されたそれぞれの吸着剤およびガスがリアクタ内に導入され、その結果、リアクタＲ１が、ガスを多く含む形態の吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）を含み、リアクタＲ’１が、ガスＧ１を消費する状態となり、リアクタＲ３およびＲ２が、ガスをあまり含まない形態のそれぞれの吸着剤Ｂ３およびＢ２を含み、かつリアクタＲ’３およびＲ’２が、それぞれのガスＧ３およびガスＧ２を供給する状態となること；
‐ステップ（ａ）の間に、熱エネルギがＲ’３およびＲ’２へ追加されて、それらを周囲温度より高い温度まで上昇させ、続いて、リアクタＲ３とＲ’３の間、リアクタＲ２とＲ’２の間、およびリアクタＲ１とＲ’１の間のガス交換手段が開かれ、それによってＲ’３内におけるＧ３の自発的な解放ならびにＲ’２内におけるＧ２の自発的な解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着ならびにＲ２内における吸着剤Ｂ２を伴うＧ２の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、および熱の解放を伴うＲ’１内におけるＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ追加され、それを通常温度より高い温度まで上昇させ、続いて、リアクタＲ３とＲ’３の間、リアクタＲ２とＲ’２の間、およびリアクタＲ１とＲ’１の間のガス移動手段が開かれ、それによってＲ’１内におけるガスＧ１の解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着ならびにＲ２内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ２，Ｇ２）の吸熱性の脱着、およびＲ’３内におけるガスＧ３の発熱性の消費ならびにＲ’２内におけるガスＧ２の発熱性の消費を生じること。
【００４９】
この実施態様においては、リアクタＲ’２およびＲ’３へ中間温度で導入される熱が、生成ステップの間に、より高い温度においてＲ’１内に回収され、Ｒ’１へ中間温度で導入される熱が、再生ステップの間に、より低い温度においてリストアされる。
【００５０】
さらに本発明の方法は、生成ステップの間に１つの段階内において熱を生成し、連続する２つの段階内において設備の再生を行うことができる。その場合には、この方法が、リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行される：
‐予備ステップの間に、
・異なるリアクタの間のガス移動手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスがリアクタ内に通常温度において導入され、その結果、リアクタＲ１およびＲ２が、ガスを多く含む形態のそれぞれの吸着剤（Ｓ１，Ｇ１）および（Ｓ２，Ｇ２）を含み、Ｒ３が、ガスをあまり含まない形態の吸着剤を含み、Ｒ’１およびＲ’２が、それぞれのガスＧ１およびガスＧ２を消費する状態となり、かつＲ’３が、ガスＧ３を解放する状態となること；
‐ステップ（ａ）の間に、熱エネルギがＲ’３へ追加され、続いて、一方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間、他方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間のガス移動手段が開かれ、それによってＲ３内におけるＧ３の自発的な解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、およびＲ’３への供給を行う供給源の温度より高い温度での熱の生成を伴うＲ’１内におけるガスＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間に、第１の段階として、熱エネルギがＲ’１へ追加され、続いて、一方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間、他方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間のガス移動手段が開かれ、それによってＧ１の自発的な解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ２内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ２，Ｇ２）の吸熱性の脱着、およびＲ’２内におけるガスＧ２の発熱性の消費を生じ；第２の段階として、熱エネルギがＲ’２へ追加され、続いて、一方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間、他方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間のガス移動手段が開かれ、それによってガスＧ２の解放、Ｒ２内における吸着剤Ｂ２を伴うＧ２の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着、およびＲ’３内におけるガスＧ３の発熱性の消費を生じること。
【００５１】
本発明の方法は、さらに、生成ステップの間の２つの連続する段階において熱を生成し、１つの段階において設備を再生する作用を提供する。その場合にこの方法は、リアクタＲ１ならびにＲ’１、Ｒ３ならびにＲ’３、およびＲ２ならびにＲ’２のそれぞれを備える３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える設備内において、次の条件の下に実行される：
‐予備ステップの間に、
・異なるリアクタの間のガス移動手段が閉じられ、
・それぞれの吸着剤およびガスがリアクタ内に通常温度において導入され、その結果、リアクタＲ２が、ガスを多く含む形態の吸着剤（Ｓ２，Ｇ２）を含み、Ｒ３およびＲ１が、ガスをあまり含まない形態のそれぞれの吸着剤Ｂ３およびＢ１を含み、Ｒ’２が、ガスＧ２を消費する状態となり、かつＲ’３およびＲ’１が、それぞれのガスＧ３およびＧ２を解放する状態となること；
‐ステップ（ａ）の間に、第１の段階として、熱エネルギがＲ’３へ追加され、一方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間、他方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間の接続が行われ、それによってＧ３の自発的な解放、Ｒ３内における吸着剤Ｂ３を伴うＧ３の発熱性の収着、Ｒ２内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ２，Ｇ２）の吸熱性の脱着、およびＲ’３への供給を行う供給源の温度より高い温度での熱の生成を伴うＲ’２内におけるＧ２の発熱性の消費を生じ；第２の段階として、熱エネルギがＲ’２へ追加され、一方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間、他方においてはリアクタＲ２とＲ’２の間の接続が行われ、それによってＧ２の自発的な解放、Ｒ２内における吸着剤Ｂ２を伴うＧ２の発熱性の収着、Ｒ１内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ１，Ｇ１）の吸熱性の脱着、およびＲ’２への供給を行う供給源の温度より高い温度での熱の生成を伴うＲ’１内におけるガスＧ１の発熱性の消費を生じること；
‐ステップ（ｂ）の間に、熱エネルギがＲ’１へ追加され、一方においてはリアクタＲ１とＲ’１の間、他方においてはリアクタＲ３とＲ’３の間のガス移動手段が開かれ、それによってＧ１の解放、Ｒ１内における吸着剤Ｂ１を伴うＧ１の発熱性の収着、Ｒ３内におけるガスを多く含む吸着剤（Ｂ３，Ｇ３）の吸熱性の脱着、およびＲ’１への供給を行う供給源の温度より低い温度での熱の解放を伴うＲ’３内におけるガスＧの発熱性の消費を生じること。
【００５２】
ステップ（ａ）の間の、熱を生成するそれぞれの特定のケースにおいては、熱量がより高い温度に引き上げられて使用され、その一方、ステップ（ｂ）の間には、熱量がより低い温度に引き下げられ、この低い温度レベルが有用でない場合には、失われた熱を構成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
次に、具体的な動作の例を補助とし、対応するクラペイロン図を参照することによって本発明を詳細に説明する。
【００５４】
この説明は、ガスＧｉ用のエバポレータとして、またコンデンサとして交互に動作する液相／気相の変化のシートとなるリアクタＲ’ｉを基礎としている。リアクタＲ’ｉがモノバリアントもしくはダイバリアント収着のシートとなる設備への転置は、当業者の範囲内である。ダイバリアント収着の場合においては、ダイバリアント収着に対応するリアクタＲ’ｉ内の平衡ラインが１組の等量線になる。
【００５５】
なお図においてＥｉおよびＣｉは、リアクタＲ’ｉ内のガスＧｉの気化および液化をそれぞれ表している。
【００５６】
リアクタＲ’１およびＲ’３が同一のガスＧに関するエバポレータ／コンデンサとして交互に動作し、かつリアクタＲ１、Ｒ３が異なる吸着剤Ｂ１およびＢ３を含む、２つのアッセンブリＨＰおよびＬＰを備える設備内の低温の生成を、クラペイロン図によって図１に示す。
【００５７】
リアクタＲ１およびＲ３内の収着はモノバリアント・プロセスである。Ｇ、Ｂ１、およびＢ３は、それぞれの動作圧において、収着温度Ｓ１が脱着温度Ｄ３より高くなり、発熱性の収着温度Ｓ３が脱着温度Ｄ１より高くなるように選択される。
【００５８】
‐初期状態においては、リアクタＲ’１およびＲ’３が液体形式のガスＧを含み、リアクタＲ１が（Ｂ１，Ｇ）を含み、かつリアクタＲ３がＢ３を含む；Ｒ１とＲ３は、熱接触している；ＨＰおよびＬＰアッセンブリは、大気圧から遮断されており、周囲媒体と熱的な関係を有している；
【００５９】
‐第１の動作ステップの間に、次に示す態様に従って温度Ｔ３Ｂにおいて低温が生成される：Ｒ１とＲ’１、Ｒ３とＲ’３がそれぞれ連通される；ＨＰアッセンブリが圧力Ｐ１Ｂに、ＬＰアッセンブリが圧力Ｐ３Ｂにそれぞれ置かれる。リアクタＲ’３、Ｒ３、Ｒ’１、およびＲ１が見られる圧力および温度（Ｐ，Ｔ）の状態が、それぞれＥ３、Ｓ３、Ｄ１、およびＣ１として図の中に表されている。Ｂ３とＣの間の大きな親和性に起因してＧの自発的な気化がＲ’３内において生じる。収着Ｓ３に必要な量のガスＧの気化に要する熱量Ｑ３は、外部媒体から自発的に引き込まれ、それによって、温度Ｔ３Ｂの低温が生成される；同時に、Ｒ３内において収着Ｓ３によって解放される熱量Ｑ’３がＲ１の内容物に伝達され、ガスＧを解放することによって脱着Ｄ１を生じる。このガスＧは、コンデンサとして動作するリアクタＲ’１へ移動され、そこでは、温度Ｔ１Ｂにおける熱量Ｑ”３のリリースが観察される。
【００６０】
‐第２のステップの間に、設備が再生される：同一アッセンブリのリアクタ間のガス交換手段が閉じられ、熱量Ｑ１がリアクタＲ’１へ導入されてそれを温度Ｔ１Ｈまで上昇させ、続いて一方においてはリアクタＲ１、Ｒ’１が、他方においてはリアクタＲ３、Ｒ’３がそれぞれ連通される。ＨＰアッセンブリにおいては、平衡圧力Ｐ１Ｈにおいて圧力がセトリングし、Ｒ’１内にＧの気化を、Ｒ１内に発熱性の収着Ｓ１を生じさせ、Ｒ３に対する収着Ｓ１によってリリースされた熱Ｑ’１の伝達が、脱着Ｄ３、Ｒ３内のガスＧの解放、およびＲ’３における、温度Ｔ３Ｈでの熱量Ｑ”３の解放を伴ったその液化を生じさせる。このときのリアクタＲ’３、Ｒ３、Ｒ１、およびＲ’１が見られる状態（Ｐ，Ｔ）が、図中のＣ３、Ｄ３、Ｓ１、およびＥ１によってそれぞれ表されている。その後この設備は、再び低温を生成する準備が整う。リアクタＲ３およびリアクタＲ’３が、この時点において互いに遮断されている場合には、設備が潜在的な低温を蓄積する。低温は、圧力Ｐ３ＢにおいてＲ３とＲ’３を単純に連通させることによって随時生成することができる。
【００６１】
したがって、熱エネルギをリアクタＲ’１へ供給することによってＲ’３の置かれた場所において温度Ｔ３Ｂでの低温の生成が可能であり、それを随意の場所に取り付けること、特に熱エネルギが容易に利用可能な場所に取り付けできることが明らかである。温度Ｔ３ＨおよびＴ１Ｂが有効な温度レベルである場合には、この設備が、いわゆる低温生成ステップの間に同時に、Ｒ’３内において低温を、Ｒ’１内において熱を生成し、再生ステップの間にＲ’１に対して供給される熱から、減損後の熱をＲ’３内において生成する作用をもたらす。
【００６２】
低温の移動は、リアクタＲ１とリアクタＲ’１を接続するパイプ内、およびリアクタＲ３とそれに関連付けされたリアクタＲ’３を接続するパイプ内における単純なガスＧの移動によってなされる。使用されるガスＧおよび吸着剤Ｂ１およびＢ３は、低温が生成されることになる温度、および利用可能な熱エネルギ供給源の温度の関数として選択される。
【００６３】
この種の設備における理論的な低温生成効率は、ηＰ＝Ｑ３／Ｑ１として記述され、有効熱量Ｑ３の、導出される熱量に対する比となる。実際上これは１に近い。
【００６４】
リモート・サイトにおける有効生成量（ＱＰ３）の、現場で作られる有効生成量（ＱＰ１）に対する比によって定義される到達効率は、
ηｔ＝ＱＰ３／ＱＰ１＋Ｗ＝１‐（損失／ＱＰ１＋Ｗ）
として記述可能であり、それにおいてＷは、ガスのポンピング仕事量とする。本発明に従った設備を伴う熱エネルギの移動は、単純なガスの循環によって、エネルギが化学的形式で移動されることから、熱損失を伴わない。
【００６５】
低温、および可能性としては有効な熱の生成のための本発明の別の実施態様を図２に示す。この設備は、図１に示した場合に使用されたものに類似であり、連続するステップのシーケンスも類似している。相違点は、ＨＰアッセンブリが作用ガスＧ１を伴って動作すること、およびＬＰアッセンブリがＧ１とは異なる作用ガスＧ３を伴って動作することである。
【００６６】
初期状態においては、リアクタＲ’１およびＲ’３が、それぞれのガスＧ１およびＧ３を液体形式で含んでおり、リアクタＲ１は（Ｂ１，Ｇ１）を含み、リアクタＲ３はＢ３を含んでいる。前の例と同様に、リアクタＲ’３、Ｒ３、Ｒ１、およびＲ’１が見られる圧力および温度（Ｐ，Ｔ）の状態が、それぞれＥ３、Ｓ３、Ｄ１、およびＣ１として図中に表されている。これは、第１の動作ステップの間に、Ｒ’３内において生成される低温の熱量Ｑ３が、Ｇ３の気化温度である温度Ｔ３Ｂにあり、リアクタＲ’１内において生成される熱量Ｑ”３が、Ｇ１の液化温度である温度Ｔ１Ｂにあることを意味する。
【００６７】
第２のステップの開始時に、リアクタＲ’３、Ｒ３、Ｒ１、およびＲ’１が見られる状態（Ｐ，Ｔ）は、それぞれＣ３、Ｄ３、Ｓ１、およびＥ１として図中に表されている。この第２のステップの間に、収着Ｓ１に必要な量のガスＧ１を気化するために要する熱量Ｑ１が、Ｇ１の気化温度である温度Ｔ１Ｈにおいて導入され、Ｒ’３内において解放される熱量Ｑ”１が、Ｇ３の液化温度である温度Ｔ３Ｈとなる。
【００６８】
図３は、３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える本発明に従った設備に対応するクラペイロン図を示している。この特定の場合には、ガスＧが３つのリアクタＲｉ内において同一であり、吸着剤Ｂｉがすべて異なる。この種の設備は、低温の生成における多くの変形を可能にする。
【００６９】
より詳細に言えば、設備の再生の間におけるＲ’１内への熱エネルギの入力によって、リアクタＲ’２およびＲ’３内に、連続的に、もしくは同時に２つの異なる温度で低温を生成することが可能である。ガスＧおよび吸着剤Ｂｉは、それぞれの動作圧において、収着温度Ｓ２およびＳ３が、実質的に互いに同一となり、かつ脱着温度Ｄ１よりわずかに高くなるように、また収着温度Ｓ１が脱着温度Ｄ２およびＤ３よりわずかに高くなるように選択され、これらの脱着温度は、実質的に同一となる。初期状態においては、３つのリアクタＲ’ｉが液体形式のガスＧを含んでおり、リアクタＲ１は、ガスを多く含む形態の吸着剤（Ｂ１，Ｇ）を含んでおり、リアクタＲ２およびＲ３は、ガスをあまり含まない形態でそれぞれの吸着剤Ｂ２およびＢ３を含んでいる；１つのアッセンブリのリアクタＲｉおよびＲ’ｉは互いに連通していない；リアクタＲｉは、熱的に連絡されている；これらのアッセンブリは、大気圧から遮断されており、周囲媒体と熱的な関係を有している。
【００７０】
‐第１の動作ステップの間に、次に示す態様に従って温度Ｔ２ＢおよびＴ３Ｂにおいて低温が生成される：Ｒ１とＲ’１、Ｒ２とＲ’２、およびＲ３とＲ’３がそれぞれ連通される；一方においてはＢ２とＧの間、他方においてはＢ３とＧの間の非常に大きな親和性から、Ｒ’２内およびＲ’３内に自発的なＧの気化が生じる（図中にはそれぞれＥ２およびＥ３によって表されている）。収着Ｓ２に必要な量のガスＧを気化するために要する熱量、および収着Ｓ３に必要な量のガスＧを気化するために要する熱量は、自発的に外部媒体から引き込まれ、それによって、温度Ｔ２ＢおよびＴ３Ｂの低温が生成される；同時に、それぞれＲ２内およびＲ３内において、収着によって解放される熱量がＲ１の内容物（Ｂ１，Ｇ）に伝達され、ガスＧを解放することによって脱着Ｄ２を生じる。このガスＧは、コンデンサ（図中ではＣ１として示されている）として動作しているリアクタＲ’１へ運ばれ、リアクタＲ’１では、温度ＴｉＢの熱量のリリースが観察される。
【００７１】
‐第２のステップの間に、設備が再生され、設備内のリアクタの各アッセンブリが、それぞれの高圧レベルＰｉＨになる：熱量がエバポレータとして動作するＲ’１（図中にはＥ１として示されている）内に導かれるが、この熱量は、それを温度Ｔ１Ｈまで上昇させるために必要な量であり、その後、各アッセンブリの２つのリアクタが連通され、それによってＲ’１内にガスＧの気化が生じ、Ｒ１内に収着Ｓ１が生じる；この収着によってリリースされる熱量は、リアクタＲ２およびＲ３の内容物へ伝達され、脱着Ｄ２およびＤ３を生じさせる；解放されたガスは、リアクタＲ’２およびＲ’３へ伝達され、それにおいて、それぞれ温度Ｔ３ＨおよびＴ２Ｈで熱を解放することによって液化する（図中には、それぞれＣ２およびＣ３として示されている）；このステップの終了時には、設備が再び低温を供給する準備が整う。この時点において、リアクタＲ２およびＲ３のそれぞれが、それぞれのリアクタＲ’２およびＲ’３から遮断されている場合には、設備が潜在的な低温を蓄積し、単純に、一方においてはＲ２とＲ’２を、他方においてはＲ３とＲ’３をそれぞれ連通させることによって随時それを開放することができる。
【００７２】
温度Ｔ２Ｂまたは温度Ｔ３Ｂにおいて選択的に低温を生成するためには、一方においてリアクタＲ１とＲ’１を接続し、他方においてはリアクタＲ３とＲ’３を接続してＴ３Ｂでの低温の生成を行うか、あるいはリアクタＲ２とＲ’２を接続することによって第１のステップを実行する。
【００７３】
図４は、それぞれが２つのリアクタを含む３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備に対応するクラペイロン図を示している。前述の場合と同様に、作用ガスＧが３つのリアクタＲｉ内において同一であり、吸着剤Ｂｉがすべて異なる。プロセスの開始時には、リアクタＲ３がＢ３を含んでおり、ほかの２つのリアクタは、それぞれ（Ｂ１，Ｇ）および（Ｂ２，Ｇ）を含み、全体のシステムが周囲温度に置かれている。
【００７４】
‐第１のステップの間に、Ｒ３がＲ’３へ、Ｒ２がＲ’２へそれぞれ接続され、それによって温度Ｔ３Ｂにおける低温の生成を伴うＧの気化、およびＲ２に含まれている（Ｂ２，Ｇ）に伝達される熱の生成を伴うＲ３内の収着Ｓ３を生じ、それが脱着Ｄ２およびガスＧの解放を生じ、Ｒ’２内においてガスＧが、温度Ｔ２Ｈにおける熱の解放を伴って液化する。このステップの間にリアクタＲ’３、Ｒ３、Ｒ２、およびＲ’２が見られる状態（Ｐ，Ｔ）が、それぞれＥ３、Ｓ３、Ｄ２、およびＣ２によって図中に示されている。
【００７５】
‐同様に第２のステップの間には、一方におけるＲ２とＲ’２、他方におけるＲ１とＲ’１の接続によって、Ｒ’２に低温の生成を生じ、それによって脱着Ｄ１が必要とする熱をＲ１へ供給する収着Ｓ２を生じ、それに、Ｒ’１内の解放されたガスの液化に起因する温度Ｔ１Ｂにおける熱の生成が続く。このステップの間にリアクタＲ’２、Ｒ２、Ｒ１、およびＲ’１が見られる状態（Ｐ，Ｔ）が、それぞれＥ２、Ｓ２、Ｄ１、およびＣ１によって図中に示されている。
【００７６】
‐第３のステップの間に、熱をＲ’１へ供給し、それを温度Ｔ１Ｈまで上昇させることによってシステムが再生され、続いて、一方においてはＲ３とＲ’３が、他方においてはＲ１とＲ’１がそれぞれ接続され、収着Ｓ１のためにＲ１の方向にガスＧが解放される。解放された熱は、脱着Ｄ３のため、および解放されたガスの液化によるＲ’３内における熱の生成のためにＲ３内を伝わる。このステップの間にリアクタＲ’３、Ｒ３、Ｒ１、およびＲ’１が見られる状態（Ｐ，Ｔ）が、それぞれＣ３、Ｄ３、Ｓ１、およびＥ１によって図中に示されている。その後この設備は、新しい低温の生成シーケンスのための準備が整う。
【００７７】
それぞれの低温生成温度Ｔ２ＢおよびＴ３Ｂは、実質的に同じである。したがって、大量の低温の生成と２つの気化プロセスが対応することから、それを行うことが可能になる。
【００７８】
図５は、それぞれが２つのリアクタを含む３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備に対応するクラペイロン図を示している。前述の場合と同様に、作用ガスＧが３つのリアクタＲｉ内において同一であり、吸着剤Ｂｉがすべて異なる。プロセスの開始時には、周囲温度において、リアクタＲ３がＢ３を含んでおり、ほかの２つのリアクタは、それぞれ（Ｂ１，Ｇ）および（Ｂ２，Ｇ）を含んでいる。前述の例との違いは、低温生成ステップの間に、リアクタＲ３のみが収着モードで動作し、リアクタＲ’３内における温度Ｔ３Ｂの低温の生成を伴うことである。
【００７９】
‐第１のステップの間に、Ｒ３とＲ’３、およびＲ１とＲ’１の連通が、Ｒ’３内におけるガスＧの自発的な気化をもたらす。解放されたガスＧは、熱のリリースを伴う収着Ｓ３を生じ、それがＲ１へ伝達されて、そこで脱着Ｄ１を生じ、Ｒ’１において解放されたガスの、温度Ｔ１Ｂでの熱の生成を伴う液化を生じる。
【００８０】
‐第２のステップの間に、リアクタＲ’１に熱が追加されてＴ１Ｈまでそれが上昇し、続いて、一方ではＲ１とＲ’１が接続され、他方ではＲ２とＲ’２が接続されて、Ｒ１における収着Ｓ１に必要なガスＧの解放がもたらされ、リリースされた熱が脱着Ｄ２のためにＲ２へ伝達され、さらにＲ’２において熱の生成を伴って液化するＧの解放がもたらされる。
【００８１】
‐第３のステップの間にＲ’２に熱が追加されて、それがＴ２Ｈまで上昇し、続いて、一方ではＲ３とＲ’３が接続、他方ではＲ２とＲ’２が接続されて、Ｒ２における収着Ｓ２に必要なガスＧの解放がもたらされ、前のステップの間に形成された脱着（Ｂ３，Ｇ）に関してリリースされた熱がＲ３へ伝達され、その結果、この設備がＴ３Ｂにおける新しい低温生成シーケンスのために再生される。
【００８２】
この実施態様は、非常に低い温度において低温を生成する機能を提供する。
【００８３】
図６は、図３に示したものに類似の設備に対応するクラペイロン図を示しており、同じ態様で動作する。唯一の違いは、各アッセンブリに異なる作用ガスが使用されることである。第１のステップの間に、リアクタＲ’２およびＲ’３内において温度Ｔ２ＢおよびＴ３Ｂの低温が生成され、設備は、第２のステップの間に、エバポレータとして上昇した温度Ｔ１Ｈにおいて動作しているＲ’１に対して熱エネルギを追加することによって再生される。
【００８４】
図７は、図１の実施態様に使用されているものに類似の本発明に従った設備に対応するクラペイロン図を示しており、この設備は、２つのリアクタＲ１ならびにＲ３および関連するリアクタＲ’１ならびにＲ’３を備えるが、供給源より高い温度において熱量を生成するべく動作する。初期状態においてはリアクタＲ’１およびＲ’３が液体形式でガスＧを含み、リアクタＲ１が（Ｂ１，Ｇ）を、リアクタＲ３がＢ３をそれぞれ含んでいる。
【００８５】
‐第１の動作ステップの間に、次に示す態様で温度Ｔ１Ｈの熱が生成される：熱エネルギがＲ’３へ追加されてそれを温度Ｔ３Ｈまで上昇させ、続いてＲ１とＲ’１、Ｒ３とＲ’３がそれぞれ連通され、Ｒ’３における低温の生成を伴うＧの自発的な気化、収着Ｓ３のためのＲ３内のＧの移動、収着により解放された熱のＲ１への移動ならびにＲ１における脱着、解放されたガスのＲ’１への移動および温度ＴｉＨにおける熱の解放を伴う液化を生じる。
【００８６】
‐第２のステップの間に設備の再生が行われ、それにおいては、Ｒ’１に対して熱を追加し、温度Ｔ１Ｂまでそれを上昇させた後、同一アッセンブリのリアクタを連通させ、それによってＲ’１内におけるＧの気化、Ｒ１に対するＧの移動、Ｒ１における発熱性の収着、解放された熱のＲ３への移動、Ｒ３における脱着、Ｒ’３に対するガスの移動ならびに周囲温度より低い温度での熱のリリースを伴う液化を生じる；続いて設備が、供給源より高い温度レベルにおける新しい熱生成ステップに関して準備が整う。
【００８７】
この実施態様では、別の場所に配置される熱供給源を使用し、与えられた場所において熱を生成することが可能であり、一方ではリアクタＲ１とリアクタＲ’１（この場合はエバポレータ／コンデンサ）を接続し、他方ではリアクタＲ３と、それに関連付けされたエバポレータ／コンデンサＲ’３を接続するパイプ内において単にガスを移動させることによって、供給源より高い温度レベルの熱が生成される。これに使用される作用ガスＧおよび吸着剤Ｂ１ならびにＢ３は、熱が生成される温度、および利用可能な熱エネルギ供給源の温度の関数として選択される。
【００８８】
熱を生成するための本発明の別の実施態様を図８に示す。この設備は、図７に示されているケースのために使用されたものに類似であり、連続するステップのシーケンスも同様である。違いは、ガスＧ１とＧ３が異なることである。初期状態においては、リアクタＲ’１およびＲ’３が、それぞれのガスＧ１およびＧ３を液体形式で含んでおり、リアクタＲ１は（Ｂ１，Ｇ１）を、リアクタＲ３はＢ３を含んでいる。このことは、第１の動作ステップの間にＲ’１において、Ｇ１の液化温度である温度Ｔ１Ｈの有効熱量が生成されること、および再生を行う第２のステップの間に、Ｒ’３内に回収される減損後の熱量が、Ｇ３の液化温度である温度Ｔ３Ｂとなることを意味している。
【００８９】
図９は、図３に示されている例における低温の生成に使用されたものに類似の設備の熱の生成に対応するクラペイロン図を示している。
【００９０】
プロセスの開始時は、リアクタＲ２およびＲ３がそれぞれＢ２およびＢ３を含んでおり、リアクタＲ１が（Ｂ１，Ｇ）を、対応するリアクタＲ’１がガスＧを液体形式で含んでいる。
【００９１】
‐第１のステップにおいて、Ｒ’２およびＲ’３に、それぞれ充分な熱量、すなわちそれらを、周囲温度より高いそれぞれの温度Ｔ２ＨおよびＴ３Ｈまで上昇させるために必要な熱量が導かれ、続いてそれぞれのアッセンブリ内のリアクタが連通される。Ｒ’２およびＲ’３内においてはガスＧが自発的に気化し、収着Ｓ２およびＳ３を生じる。各収着の間にリリースされた熱は、脱着Ｄ１用にリアクタＲ１へ伝達され、その熱がガスＧを解放し、ガスＧがＲ’１内において液化し、温度Ｔ１Ｈの有効な熱を生成する。
【００９２】
‐第２のステップにおいては、熱がＲ’１内に導かれてそれを温度Ｔ１Ｂまで上昇させ、続いてそれぞれのアッセンブリ内のリアクタが連通される。ガスＧが、自発的にＲ’１内において気化し、収着Ｓ１が生じる；Ｓ１によってリリースされた熱は、Ｒ２およびＲ３へ伝達され、その熱によって脱着Ｄ２およびＤ３を生じ、その結果、この設備が再び熱を生成する状態になる。一方におけるリアクタＲ’２とＲ２の接続、および他方におけるＲ’３とＲ３の接続がない場合には、熱が蓄積される。この蓄積は、化学的形式おいて行われるために熱損失がない。
【００９３】
図１０は、３つのアッセンブリＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える本発明に従った設備に対応するクラペイロン図である。作用ガスＧは、３つのリアクタＲｉにおいて同一であり、吸着剤Ｂｉはすべて異なる。有効な熱の生成は、コンデンサとして動作するＲ’１に、そのもっとも高い圧力レベルにおいて生じ、したがってこの設備のもっとも高い温度に対応する。この設備は、中間温度レベルでの熱の導入によって２ステップにおいて再生される。
【００９４】
プロセスの開始時には、周囲温度において、リアクタＲ３がＢ３を含んでおり、ほかの２つのリアクタは、それぞれ（Ｂ１，Ｇ）および（Ｂ２，Ｇ）を含んでいる。
【００９５】
‐第１のステップの間に、熱がＲ’３内に導入されて、それを周囲温度より高いＴ３Ｈまで上昇させ、続いて一方においてはＲ３とＲ’３を、他方においてはＲ１とＲ’１をそれぞれ連通させる；Ｒ’３内におけるＧの自発的な気化が、Ｒ１内に含まれている（Ｂ１，Ｇ）へ伝達される熱の生成を伴うＲ３内の収着Ｓ３を生じさせ、その後、脱着Ｄ１およびガスＧの解放を生じさせ、そのガスＧがＲ’１内において、Ｔ３Ｈより高い温度Ｔ１Ｈにおける熱の解放を伴って液化する。
【００９６】
‐第２のステップの間に、熱がＲ’１内に導入されて、それを周囲温度より高いＴ１Ｂまで上昇させ、続いて一方においてはＲ２とＲ’２が、他方においてはＲ１とＲ’１がそれぞれ連通される；Ｒ’１内におけるＧの自発的な解放が、脱着Ｄ２に必要な熱をＲ２に供給する収着Ｓ１を生じさせ、さらにＲ’２内においてＧの液化を生じさせる。
【００９７】
‐第３のステップの間に、熱がＲ’２に供給され、続いて、一方においてはＲ２とＲ’２が、他方においてはＲ’３とＲ３が連通され、収着Ｓ２のためにＲ２の方向へガスＧが解放される。解放された熱が、脱着Ｄ３のためにＲ３内を伝わる。その後この設備は、新しい熱生成シーケンスのための準備が整う。
【００９８】
この実施態様においては、本発明に従った設備が、第１のステップの間に高いレベルで使用される熱を生成し、第２および第３のステップの間に再生が行われる。
【００９９】
図１１は、３つのアッセンブリ、ＨＰ、ＬＰ、およびＩＰを備える本発明に従った設備に対応するクラペイロン図を示している。３つのリアクタＲｉ内のガスＧは同一であり、吸着剤Ｂｉはすべて異なる。
【０１００】
プロセスの開始時においては、リアクタＲ３がＢ３を含んでおり、ほかの２つのリアクタは、それぞれ（Ｂ１，Ｇ）および（Ｂ２，Ｇ）を含んでいる。
【０１０１】
‐第１のステップの間に、Ｒ’３へ熱が導入される。この熱は、それ自身を温度Ｔ３Ｈまで上昇させるために必要な熱である。続いて、一方においてはＲ３とＲ’３が連通され、他方においてはＲ２とＲ’２が連通される；Ｒ’３内のＧの気化が、Ｒ３内において、Ｒ２内に含まれている（Ｂ２，Ｇ）へ伝達される熱の生成を伴う収着Ｓ３を生じさせ、その後、脱着Ｄ２および、温度Ｔ２Ｈの熱の解放を伴ってＲ’２内において液化するガスＧの解放を生じさせる。
【０１０２】
‐第２のステップの間に、Ｒ’２が温度Ｔ２Ｈまで上昇し、続いて一方においてはＲ２とＲ’２が連通され、他方においてはＲ１とＲ’１が連通されて、脱着Ｄ１に必要な熱をＲ１へ供給する収着Ｓ２が生じる；解放されたガスは、温度Ｔ１Ｈにおいて熱を解放しつつ、Ｒ１内で液化する。
【０１０３】
‐第３のステップの間に、熱がＲ’１へ供給されてそれを温度Ｔ１Ｂまで上昇させ、続いて、一方においてはＲ１とＲ’１が連通され、他方においてはＲ’３とＲ３が連通されて、収着Ｓ１のためにＲ１に向けてガスＧが解放される。解放された熱が、脱着Ｄ３のためにＲ１内を伝わる。その後この設備は、新しい熱生成シーケンスに関して準備が整う。
【０１０４】
本発明に従って３つのアッセンブリを伴うこの設備の実施態様においては、動作サイクルの最初の２ステップの間に高められた温度レベルの熱が生成され、第３のステップの間に設備が再生される。
【０１０５】
図１２は、低温の生成に関して動作する２つのアッセンブリを備えた特定の設備の理論的なクラペイロン図を示している。２つのアッセンブリ内において、作用ガスはアンモニアであり、したがって、リアクタＲ’１およびＲ’３は、ＮＨ３のコンデンサおよびエバポレータとして交互に動作する。ＨＰアッセンブリ内においては、リアクタＲ１が、ＮＨ３とＣａＣｌ２の反応のシートとなる。ＬＰアッセンブリ内においては、リアクタが次の化学式３に従う水によるＮＨ３の可逆吸収のシートになる。
【０１０６】
【化３】
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【０１０７】
これにおいてｘ１＝０．１であり、ｘ２＝０．２である。プロセスがバイバリアントであることから、平衡ラインが、吸収されるＮＨ３の量の関数としてシフトする。この種の設備のスタートアップの間においては、ＣａＣｌ２がガスを多く含んだ形態になり、水は、ガスをあまり含んでいない。続いて、約４バールの圧力においてリアクタＲ’３とＲ３の接続が行われ、０℃におけるＮＨ３の気化を生じ、水によるＮＨ３の吸収が９０℃の初期温度において生じる。水がアンモニア過剰となることから、水のアンモニア含有量ｘが０．２に到達すると、Ｒ３における温度が８０℃まで低下する。
【０１０８】
同時に、水によるアンモニアの吸収によって解放された熱が、リアクタＲ１へ伝達され、アンモニアを多く含んだ塩化カルシウムを分解する。解放されたアンモニアは、熱を解放しつつ、Ｒ’１内において４０℃で液化する。この設備を再生するために、Ｒ’１内に熱が導入されて、１６３℃の温度において、ＣａＣｌ２上に吸着されたアンモニアを気化させる。
【０１０９】
解放された熱は、リアクタＲ３へ伝達され、水に吸収されたアンモニアの一部を解放するが、この解放は、Ｒ３内の温度が１４０℃になると開始し、これは、アンモニア濃度が０．２の水に関する平衡温度に対応する。４０℃において生成される熱が有用である場合には、この設備が、低温および熱の同時生成に関して動作する。
【０１１０】
図１３は、低温の生成に関して動作する２つのアッセンブリを伴う設備の実験に基づくクラペイロン図を示している。２つのアッセンブリ内において、作用ガスはアンモニアであり、したがって、リアクタＲ’１およびＲ’３は、ＮＨ３のコンデンサおよびエバポレータとして交互に動作する。ＨＰアッセンブリ内においては、リアクタＲ１が、化学式４に従ったＮＨ３とＭｇＣｌ２の反応のシートとなる。ＬＰアッセンブリ内においては、リアクタＲ３が、化学式５に従ったＮＨ３とＮｉＣｌ２の反応のシートとなる。
【０１１１】
【化４】
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【０１１２】
【化５】
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【０１１３】
低温生成ステップの間は、Ｒ’３内において、‐５℃での低温の生成を行いつつアンモニアが気化され、塩化ニッケル内において発熱性反応が２２０℃で生じ、その熱が、アンモニアを多く含む塩化マグネシウムの２２０℃における脱着のためにＲ１内を伝わり、解放されたアンモニアが、熱を解放しつつＲ’１内において３０℃で液化する。
【０１１４】
再生ステップの間に、７８℃においてＲ’１内に熱が導入されて、ＮＨ３を気化させ、それが熱を解放しつつ塩化マグネシウム上に固定され、その熱が２６５℃においてＲ３内を伝わり、アンモニアを多く含む塩化ニッケルを分解し、再びこの設備は、低温を生成する準備が整う。リアクタＲ’３は、低温が必要な場所に取り付けられ、リアクタＲ’１は、熱エネルギが利用可能な場所に取り付けられる。このように化学的な方法によって低温のエネルギが移動され、熱損失が回避される。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】２つの固体および１つのガスを伴って低温の生成に関して動作する２つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のクラペイロン図である。
【図２】２つの固体および２つのガスを伴って低温の生成に関して動作する２つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のクラペイロン図である。
【図３】３つの固体および１つのガスを伴って低温の生成に関して動作する３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のクラペイロン図である。
【図４】３つの固体および１つのガスを伴って低温の生成に関して動作する３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備の別のクラペイロン図である。
【図５】３つの固体および１つのガスを伴って低温の生成に関して動作する３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のさらに別のクラペイロン図である。
【図６】１つの固体および３つのガスを伴って低温の生成に関して動作する３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のクラペイロン図である。
【図７】２つの固体および１つのガスを伴って熱の生成に関して動作する２つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のクラペイロン図である。
【図８】２つの固体および２つのガスを伴って熱の生成に関して動作する２つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のクラペイロン図である。
【図９】３つの固体および１つのガスを伴って熱の生成に関して動作する３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のクラペイロン図である。
【図１０】３つの固体および１つのガスを伴って熱の生成に関して動作する３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備の別のクラペイロン図である。
【図１１】３つの固体および１つのガスを伴って熱の生成に関して動作する３つのアッセンブリを備える本発明に従った設備のさらに別のクラペイロン図である。
【図１２】１つの固体、１つの液体、および１つのガスを伴って低温の生成に関して動作する２つのアッセンブリを備える本発明に従った設備の具体的なケースのクラペイロン図である。
【図１３】２つの固体および１つのガスを伴って低温の生成に関して動作する２つのアッセンブリを備える本発明に従った設備の具体的なケースのクラペイロン図である。
【符号の説明】
【０１１６】
Ｒ１，Ｒ’１，Ｒ２，Ｒ’２，Ｒ３，Ｒ’３，Ｒｉ，Ｒ’ｉ  リアクタ
ＨＰ，ＬＰ，ＩＰ  アッセンブリ
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇｉ  ガス
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂｉ  吸着剤
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３  Ｓｉ  収着
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３  Ｄｉ  脱着
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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2005504258.tif 000067
【国際調査報告】
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