(57)【要約】垂直磁気記録ヘッド２２は多層主書込み極３０を含む。主書込み極３０は、第１の材料層４６、第２の材料層４８、及び第１の材料層４６と第２の材料層４８の間に位置付けされた中間層５０を含む。第２の材料層４８は、第１の材料層４６の飽和磁気モーメントよりも大きな飽和磁気モーメントを有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録ヘッド（２２）用の主書込み極（３０）であって、
第１の飽和磁気モーメントを有する材料の第１の層（４６）と、
前記第１の飽和磁気モーメントよりも大きな第２の飽和磁気モーメントを有する材料の第２の層（４８）と、
前記第１の材料層（４６）と前記第２の材料層（４８）の間に位置付けされた中間層（５０）とを備える主書込み極（３０）。
【請求項２】
前記中間層（５０）が、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び／又はＳｉ３Ｎ４を含む、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項３】
前記中間層（５０）が、約５オングストロームから約２０オングストロームまでの範囲の厚さである、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項４】
前記中間層（５０）の厚さが、前記第１の材料層（４６）の厚さよりも小さい、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項５】
前記中間層（５０）の厚さが、前記第２の材料層（４８）の厚さよりも小さい、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項６】
前記第１の材料層（４６）が、前記中間層（５０）を介して前記第２の材料層（４８）に磁気交換結合されている、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項７】
前記第１の材料層（４６）が、ＮｉＦｅＸを含み、ＸがＣｒ、Ｃｕ、及び／又はＴｉを含む、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項８】
前記第１の飽和磁気モーメントが、約０．３Ｔから０．５Ｔまでの範囲にある、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項９】
前記第２の材料層（４８）が、ＦｅＣｏ又はＦｅＣｏＸを含み、ＸがＢ、Ｚｒ、Ｔａ、及び／又はＨｆを含む、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項１０】
前記第２の飽和磁気モーメントが、約１．６Ｔから約２．４Ｔまでの範囲にある、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項１１】
前記中間層が、非磁性材料である、請求項１に記載の主書込み極（３０）。
【請求項１２】
垂直磁気記録ヘッド（２２）であって、
主書込み極（３０）と、
前記主書込み極（３０）に磁気的に結合された戻り極（３２）とを備え、
前記主書込み極（３０）が、
第１の飽和磁気モーメントを有する材料の第１の層（４６）、
前記第１の飽和磁気モーメントよりも大きな第２の飽和磁気モーメントを有する材料の第２の層（４８）、及び
前記第１の材料層（４６）と前記第２の材料層（４８）の間に位置付けされた中間層（５０）を備える垂直磁気記録ヘッド（２２）。
【請求項１３】
前記主書込み極（３０）が、約０から約０．５までの範囲の磁化困難軸残留磁気を有する、請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド（２２）。
【請求項１４】
前記中間層（５０）が、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び／又はＳｉ３Ｎ４を含む、請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド（２２）。
【請求項１５】
前記中間層（５０）が、約５オングストロームから約２０オングストロームまでの範囲の厚さである、請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド（２２）。
【請求項１６】
前記第１の材料層（４６）が、前記中間層（５０）を介して前記第２の材料層（４８）に磁気交換結合されている、請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド（２２）。
【請求項１７】
磁気ディスク・ドライブ記憶システム（１０）であって、
ハウジング（１２）と、
前記ハウジング（１２）内に位置付けされた垂直磁気記録媒体（１６）と、
前記磁気記録媒体（１６）に近接して前記ハウジング（１２）内に取り付けられた垂直磁気記録ヘッド（２２）とを備え、前記垂直磁気記録ヘッド（２２）が、
主書込み極（３０）、及び
前記主書込み極（３０）に磁気的に結合された戻り極（３２）を備え、前記主書込み極（３０）が、
第１の飽和磁気モーメントを有する材料の第１の層（４６）、
前記第１の飽和磁気モーメントよりも大きな第２の飽和磁気モーメントを有する材料の第２の層（４８）、及び
前記第１の材料層（４６）と前記第２の材料層（４８）の間に位置付けされた中間層（５０）とを備える磁気ディスク・ドライブ記憶システム（１０）。
【請求項１８】
前記主書込み極（３０）が、約０から約０．５までの範囲の磁化困難軸残留磁気を有する、請求項１７に記載のシステム（１０）。
【請求項１９】
前記中間層（５０）が、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び／又はＳｉ３Ｎ４を含む、請求項１７に記載のシステム（１０）。
【請求項２０】
前記第１の材料層（４６）が、前記中間層（５０）を介して前記第２の材料層（４８）に磁気交換結合されている、請求項１７に記載のシステム（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２００１年１０月１９日に出願した米国仮特許出願第６０／３４４，９２９号の便益を請求するものである。
【０００２】
本発明は、垂直磁気記録ヘッドに係り、より詳細には、多層主書込み極を有する垂直磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００３】
磁気記録ヘッドは、磁気ディスク・ドライブ記憶システムで使用するのに有用である。今日そのようなシステムで用いられる大抵の磁気記録ヘッドは、「水平」磁気記録ヘッドである。従来の形の水平磁気記録は、ほぼ６．２Ｇｂｉｔ／ｃｍ２（４０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２）より上の密度で超常磁性不安定性の問題があると予測されている。ビット・セルのアスペクト比を減少するか又は変更することで、この制限はほぼ１５．５Ｇｂｉｔ／ｃｍ２（１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２）まで延びると信じられている。しかし、１５．５Ｇｂｉｔ／ｃｍ２（１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２）より上の記録密度では、水平磁気記録の限界を克服するために違った方式が必要になりそうである。
【０００４】
水平記録に代わるものは、「垂直」磁気記録である。垂直磁気記録は、水平磁気記録の限界を遥かに超えて記録密度を伸ばす能力があると信じられている。垂直磁気記憶媒体で使用するための垂直磁気記録ヘッドは、比較的小さな底面面積を有する主書込み極及びより大きな底面面積を有する磁束戻り極を含んだ一対の磁気的に結合された磁極を含むことができる。主書込み極と記録媒体の軟い下層の間に磁界を誘起するために、複数の巻数を有するコイルが、主書込み極に近接して位置付けされている。軟い下層は記憶媒体の硬い磁気記録層の下に位置し、主極で生成される磁界の振幅を増大する。これによって、今度は、より大きな保磁力を有する記録媒体の使用が可能になり、したがって、より安定したビットを媒体に記憶することができる。記録過程で、コイルの電流は主極を付勢し、この主極が磁界を生成する。この磁界の像が軟い下層に生成されて、磁気媒体に生成される磁界強度を増大する。先端から軟い下層に発散する磁束密度は、戻り磁束極を通って帰ってくる。戻り極は、主書込み極から十分遠く離れているので、戻り極の材料は主書込み極の磁束に影響を及ぼさない。この主書込み極の磁束は、記憶媒体の硬い層及び軟い下層に向けて垂直方向に導かれる。
【０００５】
垂直磁気記録システムは、一様な磁気特性を有する主書込み極を使用することができる。すなわち、主書込み極は、一様な磁気モーメントを有する単一材料で作られる。しかし、そのような書込み極は、近接するトラックを劣化させることがあるスキュー効果を示すことがある。
【０００６】
垂直磁気記録システムは、代わりに、「ハイブリッド」設計の主書込み極を使用することができ、このハイブリッド設計では、例えば、低飽和磁気モーメント材料の上に高飽和磁気モーメント材料が形成される。この型の設計は、例えば、書込み過程中のスキュー効果を軽減するのに有効であることが分かっている。しかし、そのようなハイブリッド設計では、低飽和磁気モーメント材料が高飽和磁気モーメント材料中にテクスチャ（模様）を誘起する可能性があり、このテクスチャは、ヘッド設計の望ましい磁気特性に、例えば残留磁気増加のような、影響を及ぼすかもしれない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、知られている垂直磁気記録ヘッドの制限、不利点、及び／又は欠点を克服する改良された垂直磁気記録ヘッドの必要性が確認される。その上、既知の主書込み極の制限、不利点、及び／又は欠点を克服する垂直磁気記録ヘッドの改良された主書込み極の必要性が確認される。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
明細書及び図面を詳しく調べた後でより完全に理解されるように、本発明の実施例は、これらの確認された必要並びに他の必要を満たす。
【０００９】
本発明の態様に従って、垂直磁気記録ヘッドの主書込み極は、第１の材料層、第２の材料層、及び第１及び第２の材料層の間に位置付けされた中間層を備える。第２の材料層は、第１の材料層の飽和磁気モーメントよりも大きな飽和磁気モーメントを有する。中間層は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及び／又はアモルファスであるか或いは磁気層とほとんど又は全く整合しない格子を有する任意の材料を含むことができる。第１の材料層は、中間層を介して第２の材料層に磁気交換結合されている。これによって、軟らかで単軸の磁気特性及び比較的小さな磁化困難軸残留磁気を有する主書込み極が形成されるようになる。
【００１０】
本発明の他の態様によると、垂直磁気記録ヘッドは、主書込み極及び主書込み極に磁気的に結合された戻り極を備える。主書込み極は、第１の材料層、第２の材料層、及び第１の材料層と第２の材料層の間に位置付けされた中間層を備える。第２の材料層は、第１の材料層よりも大きな飽和磁気モーメントを有する。
【００１１】
本発明のさらに他の態様に従って、磁気ディスク・ドライブ記憶システムは、ハウジング、ハウジング内に位置付けされた垂直磁気記録媒体、及び磁気記録媒体に近接してハウジング内に取り付けられた垂直磁気記録ヘッドを備える。磁気記録ヘッドは、主書込み極及び書込み極に磁気的に結合された戻り極を備える。主書込み極は、第１の材料層、第２の材料層、及び第１の材料層と第２の材料層を磁気交換結合するように第１の材料層と第２の材料層の間に位置付けされた中間層を備える。第２の材料層は、第１の材料層よりも大きな飽和磁気モーメントを有する。
【実施例】
【００１２】
本発明は、垂直磁気記録ヘッド、より詳細には、多層主書込み極を有する垂直磁気記録ヘッドを提供する。本発明は、磁気ディスク・ドライブ記憶システムで用いるのに特に適している。ここで使用されるような記録ヘッドは、読取り及び／又は書込み動作を行うことができるヘッドとして一般的に定義される。ここで使用されるような垂直磁気記録は、磁気記憶媒体内の磁気ドメインを記録ヘッド及び／又は記録媒体の進行方向に対して実質的に垂直に向けることを一般的に意味する。
【００１３】
図１は、本発明に従った垂直磁気記録ヘッドを使用することができるディスク・ドライブ１０の実体図である。ディスク・ドライブ１０は、ディスク・ドライブの様々な部品を含むような大きさに作られ、かつそのように構成されたハウジング１２を含む（この図では、上の部分が取り除かれて下の部分が見えている）。ディスク・ドライブ１０は、この場合には磁気ディスクである少なくとも１つの磁気記憶媒体１６を回転させるためのスピンドル・モータ１４をハウジング内に含む。この磁気記憶媒体１６は垂直磁気記録媒体であってもよい。少なくとも１つのアーム１８がハウジング１２内に含まれ、各アーム１８は、記録ヘッド又はスライダ２２の付いた第１の端部２０と、軸受２６でシャフトに旋回するように取り付けられた第２の端部２４とを有する。アーム１８を旋回してディスク１６の所望の領域すなわちトラック２７に記録ヘッド２２を位置付けするために、作動装置用モータ２８がアームの第２の端部２４に位置付けされている。作動装置用モータ２８は、制御装置で調節される。この制御装置は、この図に示さないが、当技術分野ではよく知られている。
【００１４】
図２は、垂直磁気記録ヘッド２２及び垂直記録磁気媒体１６の模式的な部分側面図である。具体的には、記録ヘッド２２は、主書込み極３０と、ヨーク又は台座３５で磁気的に結合された戻り極すなわち反対の極３２とを備える書込み部分を含む。磁化コイル３３が、記録ヘッド２２を付勢するようにヨーク又は台座３５を取り巻いている。記録ヘッド２２は、また、図示しない読取りヘッドを含み、この読取りヘッドは、当技術分野で一般的に知られているような任意の従来型の読取りヘッドであってもよい。
【００１５】
引き続き図２を参照して、垂直磁気記録媒体１６は記録ヘッド２２の下に位置付けされている。記録媒体１６は基板３８を含み、この基板３８は、セラミック・ガラス又はアモルファス・ガラスのような任意の適切な材料で作ることができる。軟磁性下層４０を基板３８に堆積する。軟磁性下層４０は、例えば比較的大きなモーメント及び大きな透磁率を有する任意の適切な材料で作ることができる。硬い磁気記録層４２を軟い下層４０の上に堆積し、その結果、垂直方向を向いた磁気ドメイン４４が硬い磁性層４２に含まれる。硬い磁気記録層４２の適切な硬い磁性材料は、ＣｏＣｒ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｄ、ＣｏＦｅＰｄ、ＣｏＣｒＰｄ、又はＣｏＣｒＰｔから選ばれた少なくとも１つの材料を含むことができる。
【００１６】
本発明に従って、主書込み極３０は多層構造である。具体的には、主書込み極３０は、第１の層４６、第２の層４８、及び第１の層４６と第２の層４８の間に位置付けされた中間層５０を含む。第１の層４６は、中間層５０を介して第２の層４８に磁気的に交換結合されている。主書込み極３０の第１の層４６は、例えばＮｉＦｅＸのような材料で作ることができる。ここで、Ｘは、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、及び／又はＮｉＦｅの磁気特性を維持しながらＮｉＦｅのモーメントを効果的に薄める任意の材料を含む。第１の層４６の材料は、第１の層４６の飽和磁気モーメントが約０．３Ｔから約０．５Ｔまでの範囲にあるように選ばれる。
【００１７】
主書込み極３０の第２の層４８は、例えばＦｅＣｏ又はＦｅＣｏＸのような材料で作ることができる。ここで、Ｘは、Ｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、及び／又は軟くて単軸特性を有する材料をもたらす粒径精製で結果として得られる任意の材料を含む。第２の層４８の材料は、第２の層４８が約１．６Ｔから約２．４Ｔまでの範囲の飽和磁気モーメントを有するように選ばれる。
【００１８】
中間層５０は、第１の層４６と第２の層４８の間の絶縁として作用するように非磁性材料で作られる。中間層５０は、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及び／又は第１の層４６及び第２の層４８の材料と比べて同様な格子定数を有しない任意の材料で形成することができる。
【００１９】
説明したように、ハイブリッド・ヘッド設計の主書込み極、すなわち低飽和磁気モーメント材料の上に直接に高飽和磁気モーメント材料が形成された主書込み極は、高飽和磁気モーメント材料の層にテクスチャを誘起することが分かっている。これによって、磁化困難軸（Ｍｒｈ）に沿って残留磁気の増加がもたらされるだけでなく、高飽和磁気モーメント材料の層により磁化困難でより単軸でない磁気特性がもたらされる。したがって、中間層５０は、第１の層４６（比較的小さな飽和磁気モーメントを有する）と第２の層４８（比較的大きな飽和磁気モーメントを有する）の間に位置付けされる。具体的には、例えば使用する特定の材料及びそれの厚さに基づいた中間層５０は、低飽和磁気モーメント材料の上に直接に形成された高飽和磁気モーメント材料の間に見出されるテクスチャ化効果を壊すか又は最小限にするように作用する。中間層５０のパラメータは、第１の層４６が第２の層４８に磁気的に交換結合したままであることを保証することでも重要である。したがって、中間層５０は、第２の層４８の厚さ４８ｔよりも薄いことはもちろんのこと、第１の層４６の厚さ４６ｔよりも薄い厚さｔであるべきである。ここで、例えば４６ｔ及び４８ｔは各々５００Ａと２０００Ａの間であることができる。中間層５０の厚さｔは、５オングストロームから約２０オングストロームまでの範囲であることができる。しかし、理解されるであろうが、中間層５０の厚さｔは、例えば、中間層５０に選ばれた特定の材料又は第１の層４６及び第２の層４８に選ばれた特定の材料のような、いくつかの要素に基づいて変化する。
【００２０】
説明したように、主書込み極３０の形成によって、約０から約０．５までの範囲のＭｒｈを有する主書込み極３０がもたらされる。この比較的小さなＭｒｈのために、例えば、記録ヘッド２２が付勢されていないときに主書込み極３０が書込み動作を行わないようにし易くなる。
【００２１】
本発明を説明するために、図３〜１３を参照する。具体的には、主書込み極３０のような主書込み極を次の構造で形成した。すなわち、
基板＼ＮｉＦｅＣｒ＼ｔÅＡｌ２Ｏ３＼ＦｅＣｏＢ、ここでｔ＝０、６、８、１０、１２及び１４。
ＮｉＦｅＣｒ材料は、比較的小さな飽和磁気モーメントを有する第１の層４６に対応し、ＦｅＣｏＢ材料は、比較的大きな飽和磁気モーメントを有する第２の層の材料に対応する。Ａｌ２Ｏ３材料は、中間層５０に対応し、様々な厚さを有するＡｌ２Ｏ３を用いて様々な構造を形成した。ＮｉＦｅＣｒ材料は、１６００オングストロームの厚さ及び０．４６Ｔ（Ｎｉ８０Ｆｅ２０）８７Ｃｒ１３という特定の組成を有した。ＦｅＣｏＢ材料は、１６００オングストロームの厚さ及び２．１Ｔ（Ｆｅ６５Ｃｏ３５）９１Ｂ９という特定の組成を有した。基板は、５０００オングストロームの熱酸化膜を有するＳｉ（１００）で形成した。ＦｅＣｏＢ材料及びＮｉＦｅＣｒ材料は、直流マグネトロン・スパッタリングにより適切な組成のターゲットから堆積した。Ａｌ２Ｏ３材料は、高周波マグネトロン・スパッタリングによりアルミナ・ターゲットから堆積した。
【００２２】
図３は、２．１ＴＦｅＣｏＢだけの磁化容易軸及び磁化困難軸（表示されている）に沿ったＢ−Ｈループを示す。具体的には、この材料が、比較的大きな飽和磁気モーメントで大きな磁気ひずみの材料としての軟くて単軸の磁気特性を有することが、Ｂ−Ｈループで示される。ＦｅＣｏＢは、ほぼ１５Ｏｅの磁化容易軸飽和保磁力、ほぼ１０Ｏｅの磁化困難軸飽和保磁力、及びほぼ４８ＯｅのＨＫ値を有する。ここで、ＨＫは、磁気飽和に達するために材料の磁化困難軸に沿って加えられた磁界Ｈの値である。ＦｅＣｏＢは、また、０．１６２の磁化困難軸直角度ＳＱｈを有することが測定された（ここで、ＳＱｈ＝Ｍｒｈ＼Ｍｓｈであり、さらにＭｒｈ＝磁化困難軸に沿った材料の残留磁気、及びＭｓｈ＝材料の磁化困難軸に沿った磁気飽和である）。
【００２３】
図４は、０．４６ＴＮｉＦｅＣｒ材料だけの磁化容易軸と磁化困難軸の両方に沿ったＢ−Ｈループを示す。図４は、ＮｉＦｅＣｒが、１．５Ｏｅより小さな磁化容易軸及び磁化困難軸飽和保磁力、ほぼ１．４ＯｅのＨｋ、及び０．６４３のＳＱｈを有する比較的軟い材料であることを示す。
【００２４】
図５は、１６００オングストロームの厚さのＮｉＦｅＣｒ材料の上に直接堆積された１６００オングストロームの厚さのＦｅＣｏＢ材料の磁化容易軸と磁化困難軸の両方に沿ったＢ−Ｈループを示す。この特定の構造は、ここで説明したような中間層のない「ハイブリッド」設計をもたらす。具体的には、図５は、ＮｉＦｅＣｒとＦｅＣｏＢが交換結合していることを示す。しかし、ＳＱｈは、０．１６２から０．７５２に増加している。このＳＱｈの増加、すなわちＭｒｈの増加によって、記録ヘッドが付勢されていない間に書込みか消去かどちらかが起こるようになることがある。この効果はＮｉＦｅＣｒによるＦｅＣｏＢにおけるテクスチャ化効果によっていることが決定された。基本的には、ＮｉＦｅＣｒによって、ＦｅＣｏＢの（１１０）テクスチャがほぼ７倍に増加する。その上、図５で示されるように、ＦｅＣｏＢ膜をいっそう等方性にして、ＦｅＣｏＢ粒径がいっそう大きくなることができる。
【００２５】
図６〜１０は、先に説明した構造の磁化容易軸と磁化困難軸の両方に沿ったＢ−Ｈループを示す。ここで、それぞれ、中間材料Ａｌ２Ｏ３の厚さ＝６、８、１０、１２、及び１４オングストロームである。
【００２６】
図１１〜１３は、本発明に従って組み立てられた主書込み極構造３０について中間層Ａｌ２Ｏ３の厚さに対する磁化困難軸飽和保磁力、ＨＫ、及びＳＱｈを示す。これらの図は、第１の層４６と第２の層４８の間に中間層５０を使用して主書込み極３０を形成することの利益を示す。具体的には、磁化困難軸飽和保磁力が減少し（図１１）、ＨＫが増加しそして比較的一定になり（図１２）、さらにＳＱｈが劇的に減少する（図１３）。留意すべきことであるが、増加及び／又は減少という相対的な記述は、材料間に位置付けされた中間層がないとき、すなわちＡｌ２Ｏ３の層の厚さが０に等しいときの比較結果に基づいている。図１１〜１３に示す結果は全て、効率の良い書込みヘッド性能に望ましい。
【００２７】
ここで説明したように、第１の層４６と第２の層４８は、中間層５０を介して磁気交換結合した状態のままでなければならない。図１３に示すように、中間層５０の材料Ａｌ２Ｏ３の厚さは、必要な交換結合に直接関係している。図５〜７は、ＮｉＦｅＣｒとＦｅＣｏＢが交換結合していることをはっきり示している。対照的に、図１０は、磁化容易軸Ｂ−Ｈループのステップ５２で示されるように、ＮｉＦｅＣｒとＦｅＣｏＢが交換減結合にあることをはっきり示している。図８及び９は、図１０のステップ５２で示される完全交換減結合に達する前の磁化容易軸ループの「遷移」領域を示す。したがって、図１３は、交換結合と共に最小限のＳＱｈをもたらすために好ましい１０〜１４オングストロームのＡｌ２Ｏ３厚さの領域があることを示す。したがって、これらの図は、特定の厚さの中間層５０を選ぶことで、第１の層４６と第２の層４８が交換結合した状態のままであることを可能にしながら、主書込み極のＭｒｈを効果的に減少することができることを示している。
【００２８】
本発明を説明する目的で、また本発明を制限する目的でなく、ここで特定の実施例を説明したが、当業者は理解するであろうが、添付の特許請求の範囲に記述するような本発明から逸脱することなく本発明の原理及び範囲の範囲内で、部品の細部、材料、及び配列について多数の変更例を作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に従った垂直磁気記録ヘッドを使用することができるディスク・ドライブ・システムを示す実体図である。
【図２】本発明に従った垂直磁気記録ヘッド及び垂直磁気記録媒体を示す模式的な部分側面図である。
【図３】１６００オングストロームの厚さを有する２．１ＴＦｅＣｏＢ材料のＢ−Ｈループを示す図である。
【図４】１６００オングストロームの厚さを有する０．４６ＴＮｉＦｅＣｒ材料のＢ−Ｈループを示す図である。
【図５】図４のＮｉＦｅＣｒ材料に堆積されたような図３のＦｅＣｏＢ材料のＢ−Ｈループを示す図である。
【図６】本発明に従って組み立てられ、６オングストロームの厚さのＡｌ２Ｏ３材料で形成された中間層を有する主書込み極のＢ−Ｈループを示す図である。
【図７】本発明に従って組み立てられ、８オングストロームの厚さのＡｌ２Ｏ３材料で形成された中間層を有する主書込み極のＢ−Ｈループを示す図である。
【図８】本発明に従って組み立てられ、１０オングストロームの厚さのＡｌ２Ｏ３材料で形成された中間層を有する主書込み極のＢ−Ｈループを示す図である。
【図９】本発明に従って組み立てられ、１２オングストロームの厚さのＡｌ２Ｏ３材料で形成された中間層を有する主書込み極のＢ−Ｈループを示す図である。
【図１０】本発明に従って組み立てられ、１４オングストロームの厚さのＡｌ２Ｏ３材料で形成された中間層を有する主書込み極のＢ−Ｈループを示す図である。
【図１１】Ａｌ２Ｏ３中間層厚さに対して、図６〜１０から決定されるような磁化困難軸飽和保磁力を示すグラフである。
【図１２】Ａｌ２Ｏ３中間層厚さに対して、図６〜１０から決定されるようなＨＫを示すグラフである。
【図１３】Ａｌ２Ｏ３中間層厚さに対して、図６〜１０から決定されるようなＳＱｈを示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
2005525665.tif 000016
2005525665.tif 000017