(57)【要約】【課題】  少なくとも３つの独立して移動可能な接点を並行関係で有し、これらがＤＵＴ末端に向けてバネバイアスをかける接触子アセンブリを提供する。【解決手段】  被テストデバイス（ＤＵＴ）の末端に電気的に接触する、コンポーネントバッチ処理の一部としてのパラメトリックテスト及び最終分類のための接触子アセンブリで、少なくとも３つの接点が設けられ、それらの少なくとも２つがＤＵＴ末端と接触することを保証するのを助け、接点の各々がＤＵＴ末端と物理的及び電気的に接触する前端を有する。コンポーネントテストシステムに載置可能で、ＤＵＴ末端に向けた及びこれから離れた第１、第２、及び第３前端の独立移動のために並行関係で接点を支持する。第１バネがＤＵＴ末端に向けて第２前端とは独立して第１及び第３前端にバイアスをかける一方で、第２バネがＤＵＴ末端に向けて第１及び第３前端とは独立して第２前端にバイアスをかける。これは、接点の少なくとも２つの前端がＤＵＴ末端を減少された迷走直列インピーダンス（ＳＳＩ）で支えることを保証するのを助けることを目的としている。４つのバネ、１２のブレードの多接点一定強度接触アセンブリの実施例は、絶縁体により分離されたブレードタイプの接点を含み、これらは少なくとも１つのブレードをガード電位で保持することを可能にしている。
2005520162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンポーネントテストシステムが接触子アセンブリを通過してＤＵＴを移動させる際に、ＤＵＴの末端を電気的に接触させるコンポーネントテストシステムで使用可能であり、
コンポーネントテストシステムが接触子アセンブリを通過してＤＵＴを移動させる際に、前端を有してＤＵＴの末端を物理的かつ電気的に接触させるとともに、第１前端を有する第１接点と、第２前端を有する第２接点と、第３前端を有する第３接点を含む少なくとも３つの接点と、
コンポーネントテストシステムに載置可能であり、ＤＵＴが接触子アセンブリを通過して移動する際に、ＤＵＴの末端に向けた及びこれから離れた第１、第２、及び第３前端の独立移動のために並行関係で接点を支持する接点保持構造と、
ＤＵＴの末端に向けて第１、第２、及び第３前端にバネバイアスをかけるための手段とを含む接触子アセンブリ。
【請求項２】
ＤＵＴの末端に向けて第１、第２、及び第３前端にバネバイアスをかけるための手段が、
ＤＵＴの末端に向けて第１、第２、及び第３前端にバネバイアスをかけるのに適合された少なくとも２つのバネと、
ＤＵＴの末端に向けて第２前端から独立して第１及び第３前端にバイアスをかけるために配置された少なくとも２つのバネのうちの第１バネと、
ＤＵＴの末端に向けて第１及び第３前端から独立して第２前端にバネバイアスをかけるために配置された少なくとも２つのバネのうちの第２バネを含むことを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項３】
ＤＵＴの末端に向けて第１、第２、及び第３前端の各々に独立してバネバイアスをかけるための手段が、第１及び第２板バネを含み、これらが第１、第２、及び第３前端に一定強度で前端の工程の正常範囲にわたってバネバイアスをかけることを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項４】
第１、第２、及び第３接点が、ＤＵＴの末端の幅特性よりも狭い結合幅を有することを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項５】
接点を互いに電気的に絶縁するための手段をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項６】
接点を互いに電気的に絶縁するための手段が、接点のうちの少なくとも幾つかに非伝導コーティングを含むことを特徴とする請求項５に記載の接触子アセンブリ。
【請求項７】
接点を互いに電気的に絶縁するための手段が、少なくとも第１及び第２絶縁部材を含み、第１絶縁部材が第１及び第２接点の中間に配置され、第２絶縁部材が第２及び第３接点の中間に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の接触子アセンブリ。
【請求項８】
第１、第２、及び第３接点が、摺動接点として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項９】
第１、第２、及び第３接点が、転動接点として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項１０】
第１、第２、及び第３接点が、ポーゴー接点として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項１１】
接点保持構造が、非導電材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項１２】
接点保持構造が、導電材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の接触子アセンブリ。
【請求項１３】
末端と物理的及び電気的に接触する前端を有し、第１前端を有する第１接点と、第２前端を有する第２接点と、及び第３前端を有する第３接点とを含む少なくとも３つの接点と、
末端に向けた及びこれから離れた第１、第２、及び第３前端の独立した移動のために接点を並行関係で支持する手段と、
末端に向けて第１、第２、及び第３前端にバネバイアスをかけるための手段とを含む、末端と電気的に接触するための接触子アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、受動、２端子、セラミックキャパシタ、レジスタ、インダクタ等を含む小型電子回路コンポーネントのバッチ処理に関する。特に、パラメトリックテストの目的でバッチ処理の一部としてコンポーネント又は他の被テストデバイス（ＤＵＴ）の末端に電気的に接触するための接触子アセンブリに関する。
【関連技術】
【０００２】
ここで関係する極小サイズの電子回路コンポーネントは、処理を複雑化する。典型的にはおよそ０．０２０”×０．０１０”×０．０１０”くらい小さな寸法を有する平行６面体形状で製造されるため、これらの取扱いにくいコンポーネントは適切な設備と正確な取扱い技術を要求する。“キャリアプレート”として時々言及されることは、各コンポーネントの端部が伝導材料でコートされて電気的な末端を提供する際に、多くの何百ものコンポーネントを直立させて間隔を空けた位置で保持することである。末端を加えた後、“テストプレート”が、パラメトリックテスト目的及び最終分類のため、テストシステムの接触子アセンブリを通過する移動用にコンポーネントの大きな束を保持する。これらのコンポーネントの各々の思慮深いデザインは、効率的な処理を促進する。米国特許第６，２０４，４６４；  ６，２９４，７４７；  ６，１９４，６７９；  ６，０６９，４８０；  ４，３９５，１８４；  ４，６６９，４１６が例えば幾つかの従来の先行技術コンポーネントハンドリングシステム及びテスト技術として参照され得る。
【特許文献１】米国特許第６，２０４，４６４
【特許文献２】米国特許第６，２９４，７４７
【特許文献３】米国特許第６，１９４，６７９
【特許文献４】米国特許第６，０６９，４８０
【特許文献５】米国特許第４，３９５，１８４
【特許文献６】米国特許第４，６６９，４１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
接触子アセンブリは、特に興味深い。それは電気接点を有する装置であり、これは、テストプレートが接触子アセンブリを通過してＤＵＴを移動させる際に、ＤＵＴ末端と触れる。これはそうして電気テスト回路を完全にする。１つの問題は、ＤＵＴ末端に不適当に触れることは末端を物理的に損傷し得ることである。それはまた不良な電気接点を生じてテスト結果を悪化させる。
【０００４】
現存するの生成テスタは、しばしば“摺動接触”及び／又は“転動接触”を使用して上述した電気的および機械的機能を達成する。電気的には、十分に正確な電気テストを提供する方式で、接点はテストコンポーネントとＤＵＴ末端の間のテスト信号を連結すべきである。機械的には、接点をＤＵＴ末端に十分な強度で押圧して、通常ＤＵＴ末端表面に存在する非伝導酸化物層にかかわらず良好な電気接触を達成すべきである。十分な強度は、接点（例えば摺動板バネタイプの接触）を酸化物層を通じて下にあるＤＵＴ末端の伝導材料へと進行させて、接点とＤＵＴ末端の間の電気抵抗を減少させる。
【０００５】
問題は、ＤＵＴ末端に対する接触を強制することはＤＵＴ末端の表面にマーク又はスクラッチを残し得ることである。コンポーネントのエンドユーザーは、しばしばこのようなスクラッチを欠陥と考える。良好な電気接触の達成に失敗することは、他方で、テスト結果の質を下げる。電気的及び機械的機能はこの点において対立し、現存する接触子アセンブリのデザインは、その対立を軽減させることで種々の成功の程度を示している。こうして、小型電子回路コンポーネントのバッチ処理に関与した製造は、接触子アセンブリデザインでの改良を求めており、それゆえより良い接触子アセンブリのための必要性が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、少なくとも３つの独立して移動可能な接点を並行関係で有し、これらがＤＵＴ末端に向けてバネバイアスをかけられている接触子アセンブリを提供することにより、上で略述された関連事項に取り組むものである。３つの接点は、それらの少なくとも２つがＤＵＴ末端とより低い直列インピーダンスでＤＵＴの有効直列抵抗（ＥＳＲ）と直列に接触することを保証するのを助ける。好ましい実施例は、一定強度で工程の正常範囲（例えば１から３ミリメータ）にわたってバネバイアスをかけることを達成して、関連するスクラッチを軽減する。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図示された実施例は、前記のこととそれ以上のことを達成する。ＤＵＴ末端に向けて配置された前端を有する薄い並行ブレードの形状の摺動接点は、多接点を可能にする。接点の間の絶縁は、接点を互いに分離してケルビン測定技術を可能にする。３つの接点のうち中間のものは、漏れ電流のバランスをとることを助ける目的で、ガード電位で保持されても良く、ブレードの数は、それらがＤＵＴ末端の形状により良く一致し得るように、３を超えて増加されてもよい。この“多接点”技術は、ＤＵＴとの直列迷走インピーダンスを減少させ又は取り除き、一方で“ガード”技術は、ＤＵＴとの並列迷走インピーダンスの影響を減少させ又は取り除く。多接点技術は、非常に低いインピーダンスで良く機能する。ガード技術は、非常に高いインピーダンスで良く機能する。
【０００８】
請求項に現れるより詳細な用語のいくつかを言い換えるため、本発明はコンポーネントテストシステムで使用可能でありＤＵＴの末端と電気的に接触する接触子アセンブリを提供する。これは、コンポーネントテストシステムが、パラメトリックテスト及び最終分類のためにコンポーネントバッチ処理の一部として、接触アセンブリを通過してＤＵＴを移動させる際になされる。接触子アセンブリは、少なくとも３つの接点を含み、これらはここで第１、第２、及び第３接点（すなわち、３又はそれ以上の接点）として言及されている。接点の各々は、第１、第２、及び第３前端を有していて、ＤＵＴが接触子アセンブリを通過して移動する際に、物理的及び電気的にＤＵＴ末端と接触する。少なくとも２つの前端がＤＵＴ末端と接触してＤＵＴの有効直列抵抗（ＥＳＲ）と直列の迷走直列インピーダンス（ＳＳＩ）を減少又は除去することを、３又はそれ以上の接点が保証するのを助ける。
【０００９】
コンポーネントテストシステムに載置可能な接点保持構造は、ＤＵＴ末端に向けた及びこれから離れた第１、第２、及び第３前端の独立移動のために接点を並行関係で支持する。第１バネが第１及び第３前端にＤＵＴ末端に向けて第２前端と独立してバイアスをかける一方で、第２バネが第２前端にＤＵＴ末端に向けて第１及び第３前端と独立してバイアスをかける。この配置は、接点の少なくとも２つの前端がＤＵＴ末端を減少されたＳＳＩのために支えることを更に保証するのを助ける。
【００１０】
こうして、本発明は現存する接触子アセンブリの問題を軽減する。現存する接触子アセンブリを、本発明により構成された多接点一定強度の接触アセンブリで直接交換することは、性能を大幅に改善する。本発明により構成された多接点一定強度の４つのバネ、１２のブレードの接触アセンブリの実施例は、絶縁体により分離されたブレードタイプ接点を含む。ローラ接点とポーゴーピン接点は、本発明の範囲に入る。以下の線図及び詳細な説明は本発明の先の及び他の目的、構成、及び利点をより明確にしている。
【実施例】
【００１１】
図１〜４は、本発明により構成された接触子アセンブリ１０の種々の面を示し、３又はそれ以上の接点を有し、それらの少なくとも２つが被テストデバイス（ＤＵＴ）の末端に接触することを保証する目的を有する。接触子アセンブリ１０は、８つの接点を含む。それらは狭い導電ブレード１１−１８（例えば金属）の形状の摺動接点として構成され、接点保持構造１９（例えば非伝導プラスチック）により保持されている。全８つのブレード１１−１８は、図３及び４において指呼されていて、一方で８つのブレード接点のちょうど２つが図１で、２つが図２で指呼されている。描かれた接点保持構造１９は、非導電材料からなるが、それは開示されたより広い発明概念の範囲内で、導電材料から形成されても良く、図面はその代替をもカバーするように意図されている。導電材料から形成されるとき、それは例えばガード電位又はグランド電位で保持されても良い。
【００１２】
ブレード１１−１８の各々は、対応する前端２１−２８（図１及び４で指呼されている）の１つを有する。前端２１−２８は、図４に描かれているように、ＤＵＴ３０の末端２９に物理的及び電気的に接触する働きをする。これは、テストシステム３２のテストプレートコンポーネント３１（図４に線図で示されている）が接触子アセンブリ１０を通過してＤＵＴ３０を移動させたときに生じる。図４の点線３３は、テストシステム３２への接触子アセンブリ１０の物理的及び電気的接続を線図で示し、点線３４は、公知の方式でテストプレート３１による接触子アセンブリ１０を通過したＤＵＴ３０の物理的保持及び移動を示し、実線３５は、テストプレート３５がテストシステム３２の一部であることを示す。接点保持構造１９は、ブレード１１−１８をコンポーネントテストシステム３２に支持するための手段としてテストシステム３２に乗っており、他方で第１及び第２末端３６及び３７（図１〜３）がブレード１１−１８をテストシステム３２へ電気的に接続させている。
【００１３】
８つのブレード１１−１８は、図示されたように、４つの小ブレード１５−１８と近接して並行する交互に重ねられた関係で４つの大ブレード１１−１４を含む。それらはブレード保持構造１９、及びピン３８及び３９によりその関係で保持される。この配置は、末端２９の幅（例えばこの寸法のＤＵＴ末端幅につき１．０から５．０ミリメーター全ブレード幅）と比較可能なブレード１１−１８の全幅（Ｘ軸と平行に測定される）となり、これは少なくとも２つのブレードの前端によるテストの間、末端２９の多接点を保証する助けとなる。加えて、ＤＵＴ３０が接触子アセンブリ１０通過して移動する際に、ブレード１１−１８は、接点保持構造１９に並行関係でＤＵＴ３０の末端２９に向けた及びこれから離れた独立移動のために、移動可能に支持されている（例えば、これらはピン３８の周りに僅かにピボットする）。ブレード１１−１８は、Ｙ軸と平行に独立して移動し、これがそれらを末端３１の形状に一致させることを助ける。これらは典型的には約１から３ミリメーターＹ方向に移動して、典型的なＤＵＴ末端の形状の変化に適応し、その量は、ここでは工程の正常範囲として言及される。
【００１４】
接触子アセンブリ１０は、絶縁関係で接点支持構造１９に保持された第１及び第２板バネ４０及び４１を含み、非伝導ネジ４２（例えばプラスチック）および非伝導ワッシャ４３を備えている。第１及び第２バネ４０及び４１は、ＤＵＴ末端２９に向けて前端２１−２８にバネバイアスをかける手段として働く。第１バネ４０は、大ブレード１１−１４を支えており、これによりＤＵＴ末端２９に向けて、前端２１、２３、２５、及び２７とは独立して、大ブレード１１−１４の前端２２、２４、２６、及び２８にバネバイアスをかける。同様に、第２バネは小ブレードを支えており、これによりＤＵＴ末端に向けて、前端２２、２４、２６、及び２８とは独立して、小ブレード１５−１８の前端２１、２３、２５、及び２７にバネバイアスをかける。上記した１〜３ミリメーターの工程の正常範囲のため、第１及び第２板バネ４０及び４１は、それらの長さ（例えばＺ軸と平行なネジ４２に対して測定された２０〜２５ミリメーター）と比較して短い弧に沿って僅かだけ移動し、それでそれらはブレード１１−１８に比較的一定の強度をかけるといわれている（例えば、ブレードに対する強度は、工程範囲にわたってその最大値の１０パーセントより少なく変化する）。
【００１５】
周知の回路理論は、接触子アセンブリ１０によって達成される減少ＳＳＩを説明している。図５及び６の点Ａは、ＤＵＴ末端２９を表現している。点Ｂはブレード１２の前端２４（すなわち、２つの近接した接点の１つめ）を表現しており、点Ｃはブレード１７の前端２８（すなわち、２つの近接した接点の２つめ）を表現している。図５のＺａｂは、前端２４及びＤＵＴ末端２９の間の直列抵抗を表現しており、図５のＺａｃは前端２８及びＤＵＴ末端２９の間の直列抵抗を表現している。Ｚｂｃは、２つの前端２４及び２８の間のインピーダンス（例えば、２つの近接したブレード１２及び１７の間のインピーダンス）を表現している。
【００１６】
迷走直列インピーダンス（ＳＳＩ）は、図５から図６へのインピーダンス変換を行うことにより決定される。点０（理論的な測定定義点）と点Ａ（ＤＵＴ末端の表面）の間で定義されるＳＳＩ（Ｚ１）は、接点インピーダンスＺａｂ及びＺａｃと点Ｂ（第１ブレード１２）及び点Ｃ（第２ブレード１７）の間のインピーダンスＺｂｃから算出される。Ｚｂｃは、ブレードの間で可変又は１０オーム抵抗のように一定値とすることができる。値Ｚ１は、例えば、次のように算出される。
【数１】
2005520162.tif 000003
【００１７】
図６から図５への逆変換のインピーダンス値は、次のように算出される。
【数２】
2005520162.tif 000004
【００１８】
先の考察は、接触子アセンブリ１０のための迷走直列インピーダンス（ＳＳＩ）が著しく少なく、測定が真実であろうことを証明している。
【００１９】
次に図７−１１を考慮する。これらは本発明の第２実施例の様々な面を、４つのバネ、１２のブレードの接触子アセンブリ１００の形で示している。接触子アセンブリ１００は、接触子アセンブリ１０と幾つかの点で類似しており、そのため相違のみがより詳細に説明される。便宜のため、接触子アセンブリ１００の一部を指呼する参照符号は、接触子アセンブリ１０の類似又は関連する部分を指呼するものについて、１００だけ増加されている。
【００２０】
接触子アセンブリ１０と同様に、接触子アセンブリ１００は、接点保持構造を含んでいて、複数の少なくとも３つの接点を図４に示されたテストシステム３２に保持している。もっとも、接点保持構造は、異なって構成されていて、それは１２のブレードを有してさらにＤＵＴ末端２９と良好な接触を保証するのを助けている。接点保持構造は、図７−１０で確認される第１セクション１１９ａを含み、これは図７、９、及び１０で確認される第２セクション１１９ｂと、図７、８、及び１０で確認される第３セクション１１９ｃとを、図８で確認される第１、第２、及び第３ピン１１９ｄ、１１９ｅ、及び１１９ｆを用いて組み付けている。ともに組み付けられたとき、第２及び第３セクション１１９ｂ及び１１９ｃは、４つのバネ１０１、１０２、１０３、及び１０４をそれらの間で保持し（図７−１０）、４つのバネ１０１−１０４が、１２のブレード１０１ａ−ｃ、１０２ａ−ｃ、１０３ａ−ｃ、及び１０４ａ−ｃを支えるようになっている。ちょうどブレード１０１ａは図７及び８で確認され、ちょうど１０３ｂは図９で確認され、全ての１２のブレードは図１１で確認される。前端１０５ａ−１０５ｌは図１０及び１１で確認される。それらは、ブレードがピン１１９ｄに配置された非伝導スリーブ１０７（図９）の周りをピボットする際に、ＤＵＴ末端２９の形状の多様性に適合させる目的で、図４のＤＵＴ末端２９を支える。
【００２１】
接触子アセンブリ１００は、１２のブレードの近接したものの中間で、最も外側のブレードと接点保持構造の第１セクション１１９ａの間に、絶縁体部材を含む。絶縁体部材のちょうど１つ（絶縁体部材１０６）が、図９に見える。もちろん、ブレードの前端１０５ａ−１０５ｌが電気的にＤＵＴ末端と接触し得るようにさらされる限り、絶縁は代わりにブレードの幾つか又は全てへの非伝導コーティングによっても提供され得る。先述に加えて、第２及び第３セクション１１９ｂ及び１１９ｃが組み合わさってメスコネクタ１５０（図７−１０）を形成し、４つのバネ１０１−１０４（そしてそれゆえ１２のブレード）を図４に示されたテストシステム３２に電気的に接続するときに使用され、他方で第１セクション１１９ａは突起１５１及び１５２を含んでいて接触子アセンブリ１００テストシステム３２に載置されるときにそれを適切に並べる役割を果たす。
【００２２】
さて、図１２を考慮する。それは、第３実施例を４つのバネ、１２のブレードの接触子アセンブリ２００の形状で示している。接触子アセンブリ２００は、接触子アセンブリ１００と構造及び機能が類似しており、僅かに異なる接点保持構造を有する。また、図１２は、上記した接触子アセンブリ１００の部分との関係を描くのをさらに助ける。便宜のため、接触子アセンブリ２００の部分を指呼する参照符号は、接触子アセンブリ１００の類似の又は関連した部分を指呼するものに１００だけ増加されている。
【００２３】
接触子アセンブリ１００と同様に、接触子アセンブリ２００は、接点保持構造を含んでいて、複数の少なくとも３つの接点（１２のブレードタイプの接点）を図４に示されたテストシステム３２に保持する。接点保持構造は第１、第２、及び第３セクション２１９ａ、２１９ｂ及び２１９ｃを含み、これらはピン２１９ｄ及び２１９ｅとともに集まって４つのバネ２０１、２０２、２０３、及び２０４を保持する。４つのバネの各々は、１２のブレードの種々のものを支えており、ブレードは絶縁体部材２０６ａから２０６ｍによって絶縁されている。１２のブレードは、ピン２１９ｄと共軸に組み付けられた非伝導スリーブ２０７の周りをピボットする。組み付けられたとき、接点保持構造の第２及び第３セクション２１９ｂ及び２１９ｃが、接触子アセンブリ１００のメスコネクタ１５０と類似のメスコネクタ２５０を形成する。これらの類似性から離れて、接点保持構造の第１セクション２１９ａは、異なって構成された突起２５１及び２５２を含み、これらはアライメントの目的で嵌合構造をテストマシンに係合させる。
【００２４】
図１３に戻ると、それは４つのバネ、１２のブレードの接触子アセンブリ３００の形状の第４実施例を示している。接触子アセンブリ３００は、接触子アセンブリ２００と構造及び機能が類似している。主要な差異は、異なる絶縁体配置である。便宜のため、接触子アセンブリ３００の幾つかの部分を指呼する参照符号は、接触子アセンブリ２００の類似の又は関連する部分に１００だけ増加されている。
【００２５】
接触子アセンブリ２００と類似して、接触子アセンブリ３００は、接点保持構造を含んで複数の少なくとも３つの接点（１２のブレードタイプの接点）を図４に示されたテストシステム３２に保持する。接点保持構造は、接触子アセンブリ２００のそれとは少し異なり、ともに集まった第１、第２、第３、第４セクション３１９ａ、３１９ｂ、３１９ｃ、及び３１９ｄを含む。接点保持構造のコンポーネント３１９ｃ及び３１９ｄは、４つのバネ３０１、３０２、３０３、及び３０４を保持し、１２のブレードの種々のブレードを支えてこれによりバネバイアスをかける位置にあり、ちょうど２つのブレード３０５及び３０６が図１３で確認されている。
【００２６】
ブレードは、絶縁体材料により絶縁されていて、そのちょうど２つの絶縁体３０６ａ及び３０６ｂが図１３に確認される。接触子アセンブリ２００の絶縁体と異なり、接触子アセンブリ３００の絶縁体（絶縁体３０６ａ及び３０６ｂを含む）は、円形に形作られていて、適当な非導電性組成のワッシャ状コンポーネントからなる。絶縁体の対は、ブレード３０５ａ及び３０５ｂの間の絶縁体３０６ａ及び３０６ｂの対によって示されるように、近接したブレードの間及び最も外側のブレードと接点保持構造のコンポーネント３１９ａ及び３１９ｂの間に設けられていて、さらなるブレードの安定性がこれにより達成されている。絶縁体の厚さは、特定の使用（例えば配列コンポーネントへ多数の末端を接触させる）のためにブレードの間の所望の間隔を得るために選択され得る。
【００２７】
図１４ａ−１４ｅは、ローラタイプの接触子アセンブリ４００の形状の第５実施例の詳細を示す。接触子アセンブリ４００は、接触子アセンブリ３００と多くの点で類似しており、主要な差異は、摺動タイプの接触（例えば接触子アセンブリ３００）をローラタイプの接触子アセンブリ４００に変換するブレードにローラがあることである。便宜のため、接触子アセンブリ４００の幾つかの部分を指呼する参照符号は、接触子アセンブリ３００の類似の又は関連する部分を指呼するものに１００だけ増加されている。
【００２８】
接触子アセンブリ３００と類似して、接触子アセンブリ４００は接点保持構造コンポーネント４１９ａ、４１９ｂ、４１９ｃ、及び４１９ｄの組み合わせを含み、これらはともに集合して接点保持構造を形成して４つの導電バネ４０１、４０２、４０３、及び４０４と４つの導電接点（図１４ａ、１４ｂ、及び１４ｃ）を保持する。４つの接点は、ローラブレード接触アセンブリ４０６ａ、４０６ｂ、４０６ｃ、及び４０６ｄの形をとり、ピボット軸４０７（図１４ｂ）の周りの少量のピボット動作のために載置されている。バネ４０２は、ブレード４０５ａ及び４０５ｃ（図１４ｃ）を支えてローラブレードアセンブリ４０６ａ及び４０６ｃにＤＵＴ末端（例えば図４のＤＵＴ末端２９）に向けてバネバイアスをかけ、他方でバネ４０３はブレード４０５ｂ及び４０５ｄを支えてローラブレードアセンブリ４０５ｂ及び４０５ｄにバネバイアスをかけている。バネ４０１及び４０４は使用されず、図１４ａ−１４ｅに描かれたローラブレード配置の接触子アセンブリ４００から省略され得る。
【００２９】
ローラブレード接触アセンブリ４０６ａ−４０６ｄは、概して類似しており、ちょうどローラブレード接触アセンブリ４０６ａの詳細が図１４ｄ及び１４ｅを参照して更に詳細に描かれている。ローラブレードアセンブリ４０６ａは、２つの導電ローラ４０８ａ及び４０８ｂ（例えばブロンズベリリウム）を含み、これらは載置部材４０８ｃ及び回転軸４０８ｅの周りでの回転のための軸部材４０８ｄを備えたブレード４０５ａ（例えば同様にブロンズベリリウム）に載置される。ローラ４０８ａ及び４０８ｂ（図１４ｅ）の外周４２１及び４２２（図１４ｅ）が、通過するＤＵＴ末端（例えば図４のＤＵＴ末端２９）と接触するときに、ローラ４０８ａ及び４０８ｂが回転軸４０８ｅの周りで回転し、それらがＤＵＴ末端を越えて摺動するかわりにそれを越えて転動するようになっている。外周４２１及び４２２は、ローラブレードアセンブリ４０６ａの前端として構成され、接触子アセンブリ１０のための図４で確認される前端２１−２８と接触子アセンブリ１００のための図１１で確認される前端１０５ａ−１０５ｌに対応するものである。
【００３０】
図１５ａ−１５ｆは、ポーゴータイプ接触子アセンブリ５００の形状で第６実施例の詳細を示す。接触子アセンブリ５００は、既述の接触子アセンブリと幾つかの点で類似しており、主要な差異はポーゴーピンブレードである。参照符号は５００である。
【００３１】
接触子アセンブリ５００は、接点保持構造５１９を含み、これは４つの導電ポーゴーピンブレード５０５ａ、５０５ｂ、５０５ｃ、及び５０５ｄを保持している。ポーゴーピンブレード５０５ａ及び５０５ｂは、導電ストラップ５４１（図１５ｃ）とともに接続されている一方、ポーゴーピンブレード５０５ｃ及び５０５ｄは導電ストラップ５４２とともに接続されている。ポーゴーピンブレード５０５ａ−５０５ｄは、接触支持構造５１９によって移動可能に保持されていて、図１５ａ、１５ｃ、１５ｄ、及び１５ｇで確認される前端５２１、５２２、５２３、及び５２４がＤＵＴ末端（例えば図４のＤＵＴ末端２９）に向けておよびこれから離れて移動可能である。図１５ｃで矢印５５１により表現される適当なバネバイアスコンポーネントが、ポーゴーピンブレード５０５ａ及び５０５ｂに一定強度でＤＵＴ末端に向けてバネバイアスをかける一方、図１５ｃで矢印５５２により表現される他のバネバイアスコンポーネントが、ポーゴーピンブレード５０５ｃ及び５０５ｄにＤＵＴ末端に向けてバネバイアスをかけている。強度は、ブレードの工程の範囲で、その最大値の１０パーセント未満で変化する。ポーゴーピンブレードへの電気接続は、バネバイアスコンポーネントでなされる。
【００３２】
こうして、本発明は、ＤＵＴ末端に向けてバネバイアスがかけられた少なくとも３つの独立して移動可能な接点を並行関係で有する接触子アセンブリを提供する。３つの接点は、それらの少なくとも２つがＤＵＴ末端と低い迷走直列インピーダンス（ＳＳＩ）で接触することを保証するのを助ける。好ましい実施例は、一定強度で工程の正常範囲の間バネバイアスをかけて関連するスクラッチを低減することを達成する。摺動接触は、ＤＵＴ末端に向けて配置された薄い並行ブレードの形状で、多接点を容易にしている。接点の間の絶縁は、接点を互いに分離して、幾つかの接点を同電位（例えば、ケルビン及び／又はガードされた回路）で備えた絶縁された測定回路を含むケルビン測定技術を可能にしている。３つの接点のうち中間のものは、漏れ電流をバランスさせるのを助ける目的で、ガード電位で保持され得る。ブレードの数は、それらがＤＵＴ末端の形状をよりよく確認し得るように３を超えて増加され得るし、制御されたインピーダンスは、もし接点の１つが故障してもテスト回路が作動するようにドライブ及びセンス接点の間に設置可能である。加えて、現存する接触子アセンブリを本発明による多接点一定強度の接触アセンブリと直接交換することが、性能を著しく改善する。さらに、その技術は、路面電車送電線の接触、再充電可能な電池の末端接触等を含む種々の末端接触使用に適合可能である。典型的な実施例が示されて説明されているが、その分野の通常の技術常識を有する者は、本発明の思想及び範囲から必ずしも離れることなく、多くの変更、修正、及び置換をなしうる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による２つのバネ、８つのブレード、多接点一定強度の接触子アセンブリの第１実施例を、接触子アセンブリの説明に使用するためＸ−Ｙ−Ｚデカルト座標系で示す等角図である。
【図２】第１実施例の側面図である。
【図３】第１実施例の分解図である。
【図４】第１実施例の前方拡大図であり、テストシステム、テストプレート、及びＤＵＴを線図で、ＤＵＴの末端と接触する接点ブレードとともに示している。
【図５】ＤＵＴ末端に接触する２つの近接した接点の接点−末端インピーダンスを、接点−接点インピーダンスとともに示すブロック回路ダイアグラムである。
【図６】図５のブロック回路ダイアグラムから導かれた、変換されたブロック回路ダイアグラムであり、理論的な測定定義点と２つの近接した接点とＤＵＴ末端の間の迷走有効直列インピーダンス（ＳＳＩ）を示す。
【図７】本発明により構成された接触子アセンブリの第２実施例である４つのバネ、１２のブレードの等角図である。
【図８】第２実施例の側面図である。
【図９】図７の９−９線を含む垂直平面で見た第２実施例の断面図である。
【図１０】第２実施例の拡大前方側面図である。
【図１１】１２のブレードの一部を示す第２実施例の更なる拡大前方側面図。
【図１２】４つのバネ、１２のブレードの第３実施例の分解図であり、僅かに異なる接点保持構造を有し、この分解図はアセンブリの詳細をより多く示して多くの絶縁体をブレードの中間に見せている。
【図１３】４つのバネ、１２のブレードの第４実施例であり、異なる絶縁体をブレードの中間に有している。
【図１４ａ】本発明により構成された接触子アセンブリのローラタイプ第５実施例の側面図である。
【図１４ｂ】図１４ａの１４ｂ−１４ｂ線を含む垂直面で見たローラタイプ第５実施例の横断面図である。
【図１４ｃ】図１４ａの部分線を含む垂直面で見たローラタイプ第５実施例の横断面図である。
【図１４ｄ】ローラタイプ第５実施例の接点ブレード及びローラアセンブリの拡大側面図である。
【図１４ｅ】図１４ｄの１４ｅ−１４ｅ線を含む垂直面で見たローラアセンブリの更に拡大された横断面である。
【図１５ａ】本発明により構成された接触子アセンブリのポーゴーピン第６実施例の分解図である。
【図１５ｂ】ポーゴーピン第６実施例の等角図である。
【図１５ｃ】図１５ｂの１５ｃ−１５ｃ線を含む垂直面で見たポーゴーピン第６実施例の横断面図である。
【図１５ｄ】図１５ｃの１５ｄ−１５ｄ線を含む垂直面で見たポーゴーピン第６実施例の横断面図である。
【図１５ｅ】図１５ｄの１５ｅ−１５ｅ線を含む水平面で見たポーゴーピン第６実施例の横断面図である。
【図１５ｆ】図１５ｄの１５ｆ−１５ｆ線を含む水平面で見たポーゴーピンタイプ第６実施例の横断面図である。
【図１５ｇ】図１５ｆの１５ｇ−１５ｇ線を含む垂直面で見たポーゴーピンタイプ第６実施例の横断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４ａ】
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【図１４ｂ】
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【図１４ｃ】
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【図１４ｄ】
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【図１４ｅ】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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【図１５ｃ】
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【図１５ｄ】
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【図１５ｅ】
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【図１５ｆ】
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【図１５ｇ】
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【国際調査報告】
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