(57)【要約】  本発明は、少なくとも２つの半導体部品（２０，２２）を有する回路構造（Schaltungsanordnung）に関係するものである。上記半導体部品は、端子をそれぞれ備えており、第１半導体部品（２０）の少なくとも１つの端子（２１）は、他方の半導体部品（２２）の端子（２３）と導電接続されている。本発明の目的は、切り替え操作時に発生する高周波数振動を減衰させることである。この目的は、上記構造に、半導体部品（２０，２２）から離して、渦電流減衰構造（５０，５２，５４）を備えるか、または、既存の導電接続に加えて、高抵抗線接続部（５０）を介して上記半導体部品（２０，２２）を相互に直接接続することによって達成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの半導体部品（２０，２２）を有し、これらの半導体部品が端子をそれぞれ備え、一方の半導体部品（２０）の少なくとも１つの端子（２１）が、他方の半導体部品（２２）の端子（２３）と導電接続されている回路構造において、
上記構造の上側または下側に、半導体部品（２０，２２）から間隔を開けて、渦電流減衰構造（５０，５２，５４，６２）が備えられていることを特徴とする回路構造。
【請求項２】
上記減衰構造（５０）が、板状に形成されている、請求項１に記載の回路構造。
【請求項３】
上記減衰構造（５４）が、格子状に形成されている、請求項１に記載の回路構造。
【請求項４】
上記減衰構造（５２）が、枠状または環型に形成されている、請求項１に記載の回路構造。
【請求項５】
上記半導体部品を電気的に接続するための導体環（１０，３０，４０，４２）が備えられており、
この導体環に対してほぼ平行に、上記減衰構造（５０，５２，５４）が配置されている、請求項２〜４のいずれか１項に記載の回路構造。
【請求項６】
上記半導体部品が、特に、電力トランジスタ、サイリスタまたはダイオードのいずれかである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路構造。
【請求項７】
上記半導体部品の端子（２１，２３）が、ボンディングワイヤ（４０，４２）によって、共通の接続配線（Anschlussleitung）、特に経路型の(schienenfoermige)接続配線（３０）と接続されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路構造。
【請求項８】
上記半導体部品（２０，２２）が、板状の減衰構造（６２）を有する支持板（６０ａ，６０ｂ）上に形成されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路構造。
【請求項９】
上記２つの半導体の端子（２１，２３）は、さらに、高オームのボンディングワイヤを介して相互に接続されている、請求項８に記載の回路構造。
【請求項１０】
少なくとも２つの半導体部品（２０，２２）を有し、これら半導体部品が端子をそれぞれ備え、一方の半導体部品（２０）の少なくとも１つの端子（２１）が、導電接続（４０，３０，４２）を介して、他方の半導体部品（２２）の端子（２３）と導電接続されている回路構造において、
上記２つの端子が、さらに、少なくとも１つの高オームのボンディングワイヤ（７０）を介して、相互に導電接続されていることを特徴とする回路構造。
【請求項１１】
上記高オームのボンディングワイヤの特有の抵抗が、アルミニウムの特有の抵抗の約１０２倍から１０５倍である、請求項１０に記載の回路構造。
【請求項１２】
上記回路構造の上側または下側に、半導体部品（２０，２２）とは間隔を開けて、渦電流減衰構造が備えられている、請求項１０または１１に記載の回路構造。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、請求項１の前提構成の特徴に基づく回路構造（Schaltungsanordnung）に関するものである。
【０００２】
このような回路構造は、特に、電力電子装置（leistungselektronische Anlagen）用の小型モジュールである。小型モジュールでは、様々な電力部品（Leistungsbauelemente）が、標準化されたサブユニット（Untereinheiten）を形成するように接続されている。この場合、特に、２つまたはそれ以上のトランジスタまたはダイオードの並列回路（Parallelschaltungen）が形成されている。これは、回路の最大電流輸送能力（Stromtragfaehigkeit）を高めるためである。
【０００３】
図１は、従来技術に基づく、大電流を切り替える電力モジュールの一例を示す。電気的な等価回路図（Ersatzschaltbild）を、図２に示す。このような構造は、例えば欧州審査済登録特許０４２７１４３号（EP0427143B1）または欧州公開特許０２７７５４６号（EP0277546A1）に記載されている。この回路には、２つの半導体切替素子（Halbleiterschaltelemente）、特に、電力ＩＧＢＴ（Leistung-IGBT）が備えられている。これらは、それぞれ、半導体本体１２０，１２２に集積されており、支持板（Traegerplatte）１６０上に配置されている。支持板１６０は、通常、支持部１６０ｂと、裏面側金属化部（Rueckseitenmetallisierung）１６０aとからなる２層構造である。
【０００４】
半導体本体１２０，１２２の表面側、または、表面の少なくとも一部には、部品の端子１２１，１２３（この場合は、エミッタまたはソース端子Ｅ）が形成されている。ゲート端子Ｇについては、図１には特に記載していないが、エミッタ端子またはソース端子から絶縁されている表面領域に位置している。半導体本体１２０，１２２に集積されたトランジスタのコレクタまたはドレイン端子は、通常、半導体本体の裏面側に形成されている。図面では、半導体本体が、母線（Stromschiene）１１０によって、相互に導電接続されている。なお、半導体本体は、この母線上に形成されている。
【０００５】
端子１２１，１２３は、ボンディングワイヤ（Bonddraehten）１４０，１４２によって、共通配線（Leitung）と接続されている。なお、共通配線とは、この場合、回路電位と接続できる母線１３０のことである。また、電流輸送能力を高めるために、１つの部品に複数のボンディングワイヤが備えられている。
【０００６】
母線１１０，１３０を備える支持板１６０は、ＤＣＢ基板（ＤＣＢ＝直接銅ボンディング；direct copper bonding）として形成されていてもよい。この場合、母線１１０，１３０は、支持部４０ａとしてのセラミック基板に位置する銅領域または銅島（Kupferinseln）であり、裏面側金属化部は、同じく銅を含んでいる。
【０００７】
エミッタ−コレクタ経路またはドレイン−ソース経路（負荷に対して直列）が供給電圧と並列接続されている装置では、トランジスタをスイッチオンするとき（すなわち、導電状態とする時）と、スイッチオフするとき（すなわち、遮断状態とする時）との双方に、妨害電磁波（Stoerabstrahlungen）を引き起こす高周波数振動が生じる。このような振動については、例えば、Y. Takahashi, K. Yoshikawa, T. Koga, M. Soutome, T. Takano, H. Kirihata, Y. Seki: 「超高電力２．５ｋＶ−１８００ＡパワーパックＩＧＢＴ（“Ultra high power 2.5kV-1800A Power Pack IGBT）」Proceedings of ISPSD, １９９７年, 233-236、または、B. Gutsmann, P. Mourick, D. Silber: 「新しい『プラズマ抽出通過時間』メカニズムによるＩＧＢＴ末尾電流振動の説明（"Explanation of IGBT Tail Current Oscillations by a Novel 'Plasma Extraction Transit Time' Mechanism"）31st European Solid-State Device Research Conference ESSDERC, ２００１年９月１１日−１３日, 255-258に記載されている。
【０００８】
本発明の目的は、少なくとも２つの半導体部品を有し、これら半導体部品は、端子をそれぞれ備え、一方の半導体部品の端子が、他方の半導体部品の端子と導電接続されている回路構造において、スイッチオン操作またはスイッチオフ操作時の高周波数振動の発生を、防止、または、少なくとも激減できる回路構造を提供することにある。
【０００９】
この目的は、請求項１に記載の特徴に基づく回路構造によって達成される。従属の請求項は、有利な実施形態に関連するものである。
【００１０】
本発明の回路構造では、構造の上側に、半導体部品とは間隔を開けて、渦電流減衰構造（Wirbelstromdaempfungsstruktur）が備えられている。この構造は、特に、板状、格子状、枠状または環型に形成されている。
【００１１】
切り替え操作時に生じる高周波数振動は、共振回路（Schwingkreisen）から生じるものである。共振回路は、トランジスタＴ１０，Ｔ２０の接合層−容量（Sperrschicht-Kapazitaeten）Ｃ１０，Ｃ２０と、配線インダクタンス（Leitungsinduktivitaeten）ＬＰとを備えている。これを、２つのトランジスタの並列回路として、図２に記載する。
【００１２】
切り替え操作時に、半導体部品およびその導線（Zuleitungen）に生じる高周波数振動は、本発明の減衰構造に渦電流を誘発する。この減衰構造は、適切な抵抗（Widerstand）を有している。この適切な抵抗によってオーム損失（ohmsche Verluste）が生じる。このオーム損失は、共振回路に対して遡及し（rueckwirken）、高周波数振動を減衰させる。
【００１３】
この場合、好ましくは平坦に形成されている減衰構造のシート抵抗（Schichtwiderstand）は、渦電流が誘発された場合にオーム損失を引き起こす程度に大きく、かつ、実際に渦電流を発生させる程度に小さい。
【００１４】
減衰構造の抵抗が大きすぎる場合、渦電流は生じず、減衰構造の有効性はない。同じく、減衰構造の抵抗が小さすぎる場合は、オーム損失がほとんど生じず、減衰構造の有効性はない。最適な減衰を実現できる減衰構造の抵抗値については、回路構造の正確な構成および使用する半導体部品の数に応じた測定またはシミュレーションにより査定できる。
【００１５】
渦電流減衰構造は、特に、ボンディングワイヤの上側に配置されている。このボンディングワイヤを介して、半導体部品は、電気的に伝導して（特に、電流を伝導する経路を介して）相互に接続されている。これらボンディングワイヤは、高周波数振動を減衰構造（ここで渦電流が生成される）と特に良好に接続するために備えられている。
【００１６】
上記の目的、すなわち、切り替え操作時の高周波数振動を防止または少なくとも減少させることは、さらに、請求項１０に記載の特徴に基づく回路構造によって達成される。有利な実施形態を、この請求項に関連する従属請求項に記載する。
【００１７】
この回路構造では、半導体部品間の既存の導電接続に加えて、高オーム（高インピーダンス）の配線接続（hochohmige Leitungsverbindung；特に、ボンディングワイヤ）が備えられている。このボンディングワイヤは、２つの半導体部品を相互に直接接続している。
【００１８】
この直接接続は、インダクタンスと寄生共振回路（parasitaeren Schwingkreises）の抵抗とに影響を及ぼす。この場合、生じる振動の周波数に応じて、抵抗を以下のように設定できる。すなわち、高周波数振動を減衰する特に高い損失が、所望の周波数領域の範囲内で生じるように、抵抗を設定できる。
【００１９】
回路構造の上側の減衰構造と、高オームの直接接続（「直接ボンディング；direktbondung」）とを共に使用することが有利である。
【００２０】
以下に、図に示す実施例によって、本発明を詳しく説明する。
【００２１】
図１は、従来技術の回路構造を示す図である。
図２は、図１の回路構造の等価回路図である。
図３は、板状の減衰構造を有する本発明の回路構造の実施例を示す図である。
図４は、枠状の減衰構造を有する本発明の回路構造の実施例を示す図である。
【００２２】
図５は、格子状の減衰構造の平面図である。
図６は、回路構造に渦電流減衰構造が備えられている場合の寄生共振回路の直列抵抗（図６ａ）とインダクタンス（図６ｂ）との、減衰構造と半導体部品との間隔に関する依存性を、シート抵抗（Flaechenwiderstaende）をさまざまに変えて示す図である。
【００２３】
図７は、高オームの直接接続を有する本発明の回路構造の実施例を示す図である。
図８は、回路構造に直接接続が備えられている場合の寄生共振回路の直列抵抗（図８ａ）とインダクタンス（図８ｂ）とにおける、直接接続の伝導性に関する依存性（周波数５５０ＭＨｚ）を示す図である。
【００２４】
図９は、回路構造に直接接続が備えられている場合の直列抵抗（図９ａ）とインダクタンス（図９ｂ）との周波数依存性（特有の伝導性を３．７・１０９ｐＳ／μｍとした場合）を示す図である。
図１０は、板状の減衰構造を有する本発明の回路構造の他の実施例を示す図である。
【００２５】
これらの図では、別記しない限り、同一の機能を有する部材に同一の符号を付している。
【００２６】
図３は、本発明の回路構造の実施例における透視図である。この実施例では、回路構造は、２つの半導体部品を備えている。これらの半導体部品は、それぞれ、半導体本体２０，２２に集積されている。これらの半導体部品は、例えば電力ダイオード（Leistungsdioden）または電力トランジスタ（Leistungstransistoren）である。半導体本体２０，２２は、支持板６０ａ，６０ｂを有する支持構造６０に形成されている。
【００２７】
この部品の場合、半導体部品の１つの端子（例えば、トランジスタの場合はエミッタ端子またはソース端子）は、半導体部品２０，２２の表面側２１，２３に形成されている。半導体部品のこれら端子２１，２３は、相互に導電接続されている。さらに、これら端子２１，２３は、それぞれ、配線接続４０，４２（特に、ボンディングワイヤ）を介して、電流を導く経路（stromleitenden Schiene）３０と接続されている。この経路は、支持板６０ａ，６０ｂ上に形成されており、支持構造の一部である。電流輸送能力を高めるため、または、端子２１，２３と母線３０との間のオーム抵抗（ohmischen Widerstandes）を低減するために、各端子２１，２３に、それぞれ複数のボンディングワイヤ４０，４２が備えられている。
【００２８】
半導体本体２０，２２は、支持構造６０にある他の母線１０上に形成されている。この母線１０は、母線３０からは絶縁されている。この母線１０は、半導体本体の裏面側を相互に導電接続している。なお、この裏面側は、半導体本体が電力トランジスタである場合、通常、そのコレクタ端子またはドレイン端子を形成するものである。支持板は、特に、ＤＣＢ基板（ＤＣＢ＝直接銅ボンディング；direct copper bonding）として形成されている。このＤＣＢ基板は、絶縁性の（isolieerenden）支持部６０ｂ（通常は、セラミック）上に、相互に間隔の開いた銅島を備えている。この場合、母線１０，３０は、それぞれ、銅島の１つに側に形成されている（durch eine der Kupferinseln gebildet）。
【００２９】
ボンディングワイヤ４０，４２と、母線１０，３０とは、部品２０，２２を接続する導体環（Leiterschleife）を形成する。この導体環に対して、板状の減衰構造５０がほぼ平行に配置されている。
【００３０】
上記の部品を、伝導状態から遮断状態、または、遮断状態から伝導状態とすると、寄生効果のために高周波数振動が生じることがある。
【００３１】
この高周波数振動を防止、または、少なくとも減少させるために、本発明では、半導体部品２０，２２と、ボンディングワイヤ４０，４２とを有する構造の上側に、板状の減衰構造５０が備えられている。この減衰構造は、半導体部品２０，２２およびボンディングワイヤ４０，４２と導電接続されていない。以下でさらに詳しく説明するように、この板状の減衰構造５０は、導電性であり、回路構造の他の特徴に応じたシート抵抗を有している。
【００３２】
切り替え操作時に生じる高周波数振動は、板状の減衰構造５０に渦電流を生成する。また、この構造の抵抗は、渦電流が誘発されることによって構造５０に最大のオーム損失が生じるように選択されている。これは、高周波数振動を、このような方法で減衰するためである。
【００３３】
図４は、本発明の回路構造の他の実施例を示す。この回路構造が、図３に示す回路構造と異なる点は、半導体部品２０，２２の上側に備えられている減衰構造５２が、基本的に、平坦な枠（flacher Rahmen）として形成されている点である。この減衰構造５２でも、切り替え操作時に生じる高周波数振動によって、渦電流が誘発される。この高周波数振動は、特にボンディングワイヤ４０，４２を介して放出される。ボンディングワイヤ４０，４２は、この点に関しては、アンテナのような機能を果たしている。
【００３４】
図５は、１つの可能な減衰構造の他の実施例を示す平面図である。この減衰構造は、図３，４に基づく減衰構造５０，５２と同様に使用できる。この減衰構造５４は、平坦な格子状の部品（Element）として形成されている。
【００３５】
通常、ボンディングワイヤにおける半導体本体２０，２２から最も突出している点と減衰構造５０，５２，５４との最小間隔は、０．１ｍｍ〜５ｍｍである。
【００３６】
支持板は、図２，３に示したように、ＤＣＢ基板として形成されていることが好ましい。また、支持板は、母線１０，３０の配置されている絶縁層６０ｂ（特に、セラミック）と、裏面側金属化部６０ａ（特に、銅でできている）とを有し、２層構造となっている。
【００３７】
なお、渦電流は、この裏面側金属化部にも誘発される。しかし、この渦電流は、振動を十分に減衰しない。なぜなら、通常、裏面側金属化部の電気抵抗が低いからである。
【００３８】
図１０に示す他の実施形態のように、絶縁層６０ｂの下側にある低オーム（低抵抗）の（niederohmigen）裏面側金属化部に変えて、減衰構造６２を形成してもよい。この構成では、例えば図３，４に記載されているような、部品２０，２２の上側に配置されている減衰構造を、場合によっては、省くこともできる。
【００３９】
減衰構造は、渦電流を減衰するための所望の高さの電気抵抗を有する物質を含んでいることが好ましい。この物質は、均一な物質（homogenes Material）または不均一な物質（inhomogenes Material）として構成されている。不均一な物質は、電気抵抗の低い領域（島）を備えていることが好ましい。これら領域の間に、高オームの領域が配置される。
図６は、寄生共振回路の直列抵抗または直列インダクタンスに対して板型の減衰構造の及ぼす影響（Einfluss）が、板型の減衰構造とボンディングワイヤとの間隔にどのように依存するのか、を示す図である。この図では、上記の影響を、板型の減衰構造のシート抵抗をさまざまに変えて複数示している。
【００４０】
破線（図６ａの下、および、図６ｂの上）は、直列抵抗の値と、減衰構造を備えていない直列インダクタンスとを示す。直列抵抗の値と、減衰構造を備えていない直列インダクタンスは、曲線形状（Kurvenverlauf）の基礎となるシミュレーションされたモデル（simulierten Model）では、約０．０７５Ωおよび５．３５ｎＨである。
【００４１】
さらに、図６ａ，６ｂに、板状の減衰構造とボンディングワイヤとの間隔に応じた、直列抵抗および直列インダクタンスの変遷を、を、減衰構造の特有の（spezifischen）シート抵抗を変えて複数している。これらの抵抗は、銅については０．１７・１０−３オーム／□（Ohm/Square）であり、さらに、１オーム／□、２オーム／□、３オーム／□、５オーム／□、２０オーム／□である。特有のシート抵抗は、各物質の特有の抵抗を、使用する板状の減衰構造の厚さ（ここでは、１００μｍ）で割ったものである。従って、銅についての特有のシート抵抗（１区画（□）毎の抵抗）は、１．７・１０−８Ω・ｍ（特有の抵抗）と厚み１００μｍとの商から算出される。
【００４２】
減衰構造を銅から構成する場合、寄生共振回路の直列抵抗はほとんど変わらない。従って、減衰についてはほぼ有効ではないことが分かる。
【００４３】
一般的に、減衰構造とボンディングワイヤとの間隔が狭いほど、減衰構造の有効性が上る。この結果は、驚くべきことではない。なぜなら、ボンディングワイヤからの間隔が大きくなるにつれて磁場強度（Feldstaerke）が低くなり、その結果、減衰構造において誘発される渦電流の強度（すなわち、減衰構造が高周波数振動に及ぼす影響）も少なくなるからである。
【００４４】
図６ａは、減衰構造に使用する物質の特有のシート抵抗が高くなるにつれて、減衰構造が直列抵抗に及ぼす作用（Auswirkung）が大きくなり、最大値に達した後は、シート抵抗を増加させると、減衰構造が直列抵抗に及ぼす作用が減少することも示している。図６ａに記載の実施例では、２〜３オーム／□の特有のシート抵抗を有する物質が、寄生共振回路の直列抵抗を最も強く上昇させ、すなわち、共振回路に生じる高周波数振動の減衰に対して最も強い影響を及ぼす。図６ａに記載の曲線（Kurve）は、２５０ＭＨｚの共振回路周波数で査定したものである。
【００４５】
減衰構造をなす物質の特有のシート抵抗であって、２つまたはそれ以上の部品（特に、並列接続されている電力トランジスタ）を有する任意の半導体回路構造に対して最適な特有のシート抵抗は、図６ａに記載したようなシミュレーション曲線を記録することによって査定できる。この場合、寄生共振回路の直列抵抗を最も上昇させる物質が好ましい。
【００４６】
上部板とボンディングワイヤとの間隔に応じた、図６ｂの直列インダクタンスの形状より、減衰構造が、寄生共振回路の直列インダクタンスを低減していることが分かる。ただし、減衰構造とボンディングワイヤとの間隔が大きくなるにつれて、この効果は少なくなる。直列インダクタンスについては、減衰構造に使用する物質の特有のシート抵抗が低いほど、減衰構造が直列インダクタンスをより強く低減するといえる。
【００４７】
図７は、２つの半導体部品２０，２２を有する回路構造の他の実施形態を示す。これら半導体部品の端子２１，２３は、ボンディングワイヤ４０，４２および母線３０を介して、相互に接続されている。回路構造のこの実施形態が、図３〜図５に示した上記した回路構造と異なる点は、板状または枠状の減衰構造の代わりに、高オームの配線接続７０が備えられている点である。ボンディングワイヤ４０，４２および母線３０を介した既存の導電接続に加えて、この配線接続７０は、半導体部品２０，２２の端子２１，２３を相互に導電接続するものである。この場合、配線接続７０は、特に、ボンディングワイヤとして形成されている。
【００４８】
このボンディングワイヤ７０として使用する物質の電気抵抗は、アルミニウムの電気抵抗の１００〜１００００倍であることが好ましい。
【００４９】
このような、通常のボンディングワイヤよりも高オームであるボンディングワイヤ７０を使用することで、部品２０，２２の端子２１，２３の間に介在する、ボンディングワイヤ４０，４２および母線３０によって不可避（massgeblich）に形成される寄生共振回路のインダクタンスは、以下のように影響される。すなわち、寄生共振回路の直列抵抗が、特定の周波数または特定の周波数領域において、特に高くなり、その結果、これら周波数では、共振回路の損失が特に高くなる。それゆえ、図８ａを参考にしながら以下に詳しく説明するように、この周波数領域の周波数を有する高周波数振動が強く減衰される。
【００５０】
図８ａは、周波数を５５０ＭＨｚとした場合の、寄生共振回路の直列抵抗におけるボンディングワイヤ７０（接続ボンド；Verbindungsbond）の電導性に関する依存性を示す図である。ボディングワイヤ７０は、部品２０，２２を直接接続するものである。また、５５０ＭＨｚの周波数は、切り替え操作時に生じる高周波数振動の一般的な値である。この場合、直列抵抗は、ボンディングワイヤ７０の伝導性を高めるにつれて、最大値となるまで上昇する。その後、ボンディングワイヤ７０の伝導性がさらに上昇すると、直列抵抗は、再び小さい値となる。この例では、３．７・１０９ｐＳ／μｍの伝導性を有するボンディングワイヤ７０が、周波数５５０ＭＨｚでの高周波数振動を減衰するために最適となる。なぜなら、直列抵抗は、この伝導性で最大値をとるからである。比較のために、図８ａに、アルミニウム製のボンディングワイヤ７０を使用した場合の直列抵抗を示す（図８ａの一番右の値）。
【００５１】
図８ｂは、接続ボンドの伝導性が寄生共振回路の直列インダクタンスに与える影響を示す図である。この図８ｂから、接続ボンドの伝導性が上昇するにつれて直列インダクタンスが低くなり、直列抵抗が最大となる領域では、特に急激に下降することが分かる。また、接続ボンド１０の伝導性がさらに上昇すると、直列インダクタンスはわずかに低くなる。図８ｂには、比較のために、接続ボンドとしてアルミニウムを使用した場合の直列抵抗も示している。
【００５２】
最後に、図９ａ，９ｂは、接続ボンド７０の電導性を３．７・１０９ｐＳ／μｍとした場合における、直列抵抗および直列インダクタンスの周波数依存性示す図である。なお、これらの図では、比較のために、高オームの接続ボンドを備えていない構造の、同様の依存性についても示している。このようなボンディングワイヤが備えられている場合、振動の周波数が上昇するにつれて、直列抵抗が特に大きく上昇する。また、これとは対照的に、振動の周波数が上昇するにつれて、直列インダクタンスが大きく低減することがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】従来技術の回路構造を示す図である。
【図２】図１の回路構造の等価回路図である。
【図３】板状の減衰構造を有する本発明の回路構造の実施例を示す図である。
【図４】枠状の減衰構造を有する本発明の回路構造の実施例を示す図である。
【図５】格子状の減衰構造の平面図である。
【図６ａ】回路構造に渦電流減衰構造が備えられている場合の寄生共振回路の直列抵抗における、減衰構造と半導体部品との間隔に関する依存性を、シート抵抗（Flaechenwiderstaende）をさまざまに変えて示す図である。
【図６ｂ】回路構造に渦電流減衰構造が備えられている場合の寄生共振回路のインダクタンスにおける、減衰構造と半導体部品との間隔に関する依存性を、シート抵抗（Flaechenwiderstaende）をさまざまに変えて示す図である。
【図７】高オームの直接接続を有する本発明の回路構造の実施例を示す図である。
【図８ａ】回路構造に直接接続が備えられている場合の寄生共振回路の直列抵抗における、直接接続の伝導性に関する依存性（周波数５５０ＭＨｚ）を示す図である。
【図８ｂ】回路構造に直接接続が備えられている場合の寄生共振回路のインダクタンスにおける、直接接続の伝導性に関する依存性（周波数５５０ＭＨｚ）を示す図である。
【図９ａ】回路構造に直接接続が備えられている場合の直列抵抗における、周波数依存性（特有の伝導性を３．７・１０９ｐＳ／μｍとした場合）を示す図である。
【図９ｂ】回路構造に直接接続が備えられている場合のインダクタンスにおける、周波数依存性（特有の伝導性を３．７・１０９ｐＳ／μｍとした場合）を示す図である。
【図１０】板状の減衰構造を有する本発明の回路構造の他の実施例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
2005512325.tif 000014
【図１０】
2005512325.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持構造（６０）上に形成された少なくとも２つの半導体部品（２０，２２）を有し、これらの半導体部品が端子をそれぞれ備え、一方の半導体部品（２０）の少なくとも１つの端子（２１）が、他方の半導体部品（２２）の端子（２３）と導電接続されている回路構造において、
上記支持構造（６０）の上側または下側に、半導体部品（２０，２２）から間隔を開けて、渦電流減衰構造（５０，５２，５４，６２）が備えられており、
この渦電流減衰構造（５０，５２，５４，６２）が、半導体部品（２０，２２）または導線から放出される高周波電磁振動を減衰するように設計されていることを特徴とする回路構造。
【国際調査報告】
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