(57)【要約】本発明は、少なくとも１つのディスプレイピクセルを有するエレクトロルミネセントディスプレイであって、前記ディスプレイピクセルは、少なくとも、基板と、前記基板上に又は前記基板を覆って堆積された第１の電極と、エレクトロルミネセント層と、第２の電極とを有する、エレクトロルミネセントディスプレイに関する。前記ディスプレイピクセルは、更に、当該ディスプレイピクセル内に、当該ディスプレイピクセルからの光出力を増大する少なくとも１つの絶縁構造を有する。光出力増大構造は、異なった輝度レベルを有する画像を生成するために用いられることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのディスプレイピクセルを有するエレクトロルミネセントディスプレイであって、前記ディスプレイピクセルは、少なくとも、
−基板と、
−前記基板上に又は前記基板を覆って堆積された第１の電極と、
−エレクトロルミネセント層と、
−第２の電極と、
を有する、エレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記ディスプレイピクセルは、更に、当該ディスプレイピクセル内に、当該ディスプレイピクセルからの光出力を増大するように適応された少なくとも１つの絶縁構造を有することを特徴とするエレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記絶縁構造は、前記第１の電極上に又は前記第１の電極を覆って堆積された誘電体絶縁層の一部である、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項３】
請求項１に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記絶縁構造は、上部基板層として前記基板の一部である、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記第２の電極は反射層を有し、前記光出力は前記反射層における反射によって増大される、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項５】
請求項１に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記ディスプレイピクセルは、少なくとも１つの横光出力増大構造を有する、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項６】
請求項５に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記横光出力増大構造は、前記ディスプレイピクセルの前記エレクトロルミネセント層で生じた光の光出力を増大し、前記エレクトロルミネセントディスプレイの他のディスプレイピクセルから受信される光の出力を防止するために傾斜した壁を有する、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項７】
請求項１に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記基板は、少なくとも１つの上部基板層によって、前記ディスプレイピクセルの幾らかの光出力の全反射を許可するように適応される、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項８】
請求項７に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記基板は前記ディスプレイピクセルの横方向の寸法と比較して薄い、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項９】
請求項７に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記基板は、前記全反射を許可するように適応された上部基板層を有する、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、動作中、前記絶縁構造及び／又は前記横光出力増大構造は、前記ディスプレイピクセル内で異なった輝度レベルの領域を提供する、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、前記領域は、異なった輝度レベルを有する画像を提供するようにパターン化される、エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載のエレクトロルミネセントディスプレイを有する電子デバイス。
【請求項１３】
少なくとも１つのディスプレイピクセルを有するエレクトロルミネセントディスプレイを製造する方法であって、
−基板を提供するステップと、
−前記基板上に又は前記基板を覆って第１の電極層を堆積するステップと、
−前記第１の電極層上に又は前記第１の電極層を覆ってエレクトロルミネセント層を堆積するステップと、
−前記エレクトロルミネセント層上に又は前記エレクトロルミネセント層を覆って第２の電極層を堆積するステップと、
を少なくとも有する方法において、更に、前記ディスプレイピクセル内に、前記ディスプレイピクセルからの光出力を増大するように適応された少なくとも１つの絶縁構造が提供される構造化ステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、前記構造化ステップは、前記第１の電極上に又は前記第１の電極を覆って堆積された絶縁層において実行される、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法において、前記構造化ステップは、前記基板において実行される、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法において、前記基板は上部基板層を有し、前記エレクトロルミネセント層は放出層を有し、当該方法は、前記上部基板層及び放出層の厚さを調整して前記光出力を増大する前記効果を制御するステップを有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのディスプレイピクセルを有するエレクトロルミネセントディスプレイであって、前記ディスプレイピクセルは、少なくとも、
−基板と、
−前記基板上に又は前記基板を覆って堆積された第１の電極と、
−エレクトロルミネセント層と、
−第２の電極と、
を有する、エレクトロルミネセントディスプレイに関する。
【０００２】
本発明は、更に、このようなエレクトロルミネセントディスプレイを有する電子デバイスに、そして、エレクトロルミネセントディスプレイを製造する方法に、関する。
【背景技術】
【０００３】
特開平１１−２１４１６２号は、基板上に形成されたディスプレイピクセルを有するエレクトロルミネセントディスプレイを開示する。このディスプレイピクセルは、絶縁層と、第１及び第２の電極間に挟まれたエレクトロルミネセント層とから構成されている。エレクトロルミネセントデバイスの光出力は、第１の電極に複数の微小突起を設けることによって改善される。これらの突起は、第２の電極の一部に傾斜を生じさせる。第２の電極の傾斜した面は、エレクトロルミネセントディスプレイの種々のディスプレイピクセルの光出力の効率に寄与する。
【０００４】
しかし、光出力の最適化を意図するエレクトロルミネセントディスプレイは、多くの場合、追加の幾つかの製造ステップを必要とするディスプレイ構造を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の１つの目的は、追加の製造ステップが全く又はほんのわずかしか必要とされない、光出力を改善するエレクトロルミネセントディスプレイを提供することである。代替的に、同じ光出力のためにより小さいディスプレイピクセルアパーチャが用いられることができ、このことは製造工程の堅牢性について有益である。又は、ディスプレイピクセルに、より小さい駆動電流が印加されてもよく、この結果、パワーが低減されることができ又は劣化が低減されることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的は、前記ディスプレイピクセルが、更に、当該ディスプレイピクセル内に、当該ディスプレイピクセルからの光出力を増大するように適応された少なくとも１つの絶縁構造を有することを特徴とするエレクトロルミネセントディスプレイを提供することによって達成される。この絶縁構造は、以下では光出力増大構造（ＬＯＥＳ）とも呼ばれる。
【０００７】
幾つかの構造化ステップが、エレクトロルミネセントディスプレイの製造の最中に実行される。絶縁構造は、従来の製造ステップの１つの最中に得られることができるので、追加のプロセスステップは必要とされない。絶縁構造は、好適には第１の及び第２の電極を分離する絶縁層から得られる。本実施例において、絶縁構造は、第１の電極と堆積されるべきルミネセント層との間の接触を確立するために絶縁層にコンタクトホールが作製されるステップと同じステップで実現されることができる。絶縁構造は、１つ又は複数の上部基板層を構造化することによって得られることもできる。この実施例は、製造が簡単でもある。
【０００８】
本発明の好適な実施例において、ディスプレイピクセルは、少なくとも１つの横光出力増大構造（ＳＬＯＥＳ）を有する。ＳＬＯＥＳは、ピクセルから隣接したピクセルに漏れようとする光の捕獲を可能にする。このようなＳＬＯＥＳは、光出力効率を更に改善するためにディスプレイピクセル内でＬＯＥＳと組み合わせられることができる。
【０００９】
本発明の好適な実施例において、ＳＬＯＥＳは、ディスプレイピクセルの光出力を増大し、エレクトロルミネセントディスプレイの隣接したディスプレイピクセルから受信される光の出力が当該ディスプレイピクセルから放出されることを防止するために傾斜した壁を有する。従って、本実施例において、ＳＬＯＥＳは、エレクトロルミネセントディスプレイの性能に最適に寄与するための複数のタスクを有する。
【００１０】
本発明の好適な実施例において、基板、上部基板層、又は、ディスプレイピクセルが形成される層は、ピクセルの横方向の寸法と比較して薄い。この特徴は、ディスプレイピクセルから光の出力を高める。なぜなら、基板厚さの低減は、屈折率に関して一致しない上部基板層の界面で又は基板−空気界面で全反射（ＴＩＲ）を示す、ディスプレイピクセルを出る前にＬＯＥＳ又はＳＬＯＥＳによって反射されるべき光の可能性を増加するからである。
【００１１】
本発明の好適な実施例において、ＬＯＥＳ及びＳＬＯＥＳは、エレクトロルミネセントディスプレイが動作させられたときにディスプレイピクセル内で異なった輝度レベルを有する領域を提供する。これらの領域は、ディスプレイ上で異なった輝度レベルを有する画像（例えばグラフィックス又はアイコン）を得るために用いられることができ、この結果、より鮮明な画像が表示されることができ、又は代替的にパワーが低減されることができる。
【００１２】
言うまでもなく、本発明の前述の実施例又は前述の実施例の側面が組み合わせられることができる。
【００１３】
本発明は、更に、本発明によるエレクトロルミネセントディスプレイを有する電子デバイスに関する。このような装置は、例えば移動電話又はパーソナル携帯情報機器（ＰＤＡ）であってもよい。
【００１４】
本発明は、更に、少なくとも１つのディスプレイピクセルを有するエレクトロルミネセントディスプレイを製造する方法であって、
−基板を提供するステップと、
−前記基板上に又は前記基板を覆って第１の電極層を堆積するステップと、
−前記第１の電極層上に又は前記第１の電極層を覆ってエレクトロルミネセント層を堆積するステップと、
−前記エレクトロルミネセント層上に又は前記エレクトロルミネセント層を覆って第２の電極層を堆積するステップと、
を少なくとも有し、更に、前記ディスプレイピクセル内に、前記ディスプレイピクセルからの光出力を増大するように適応された少なくとも１つの絶縁構造が提供される構造化ステップを有する方法に関する。
【００１５】
この方法の利点は、前記構造化ステップは、多くの場合、従来の製造工程に統合されることができるか、又は、１つ若しくは幾つかの追加の又は修正されたプロセスステップしか必要としないという事実に関連する。好適な実施例において、前記構造化ステップは、前記第１の電極上に又は前記第１の電極を覆って堆積された絶縁層において実行される。このとき、構造化ステップは、第１の電極と後に堆積されるべきルミネセント層との間の接触を確立するためのこの中間層へのコンタクトホールの供給と組み合わせられることができる。このように、増大した光出力を有するエレクトロルミネセントディスプレイを得るために、追加の製造ステップは必要とされない。
【００１６】
１つの実施例において、エレクトロルミネセントディスプレイの層の厚さが、光出力を増大する効果を制御するために変化される。このようにして、最適な制御が達成されることができる。
【００１７】
米国特許第６，０９１，１９５号は、光を鏡又はピクセルのエッジにおける全反射によって捕らえるメサピクセル構成を有するカラーディスプレイを開示する。鏡は、これらの鏡に入射する光がディスプレイピクセルを出ることにより光出力を増加させるような基板との角度を示す。このようなエレクトロルミネセントディスプレイの製造は、複雑であり、本発明によるエレクトロルミネセントディスプレイと比較して、追加のプロセスステップを必要とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施例は、以下で添付の図面を参照してより詳細に説明される。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施例によるアクティブマトリクスルミネセントディスプレイの断面の一部である（一定の比率ではない）。このアクティブディスプレイは、第１の電極２、誘電体絶縁層３、ルミネセント層４及び第２の反射電極５を持つ基板１を有する。示される構成において、エレクトロルミネセントディスプレイは、サブピクセル６、７を有するディスプレイピクセルＰを示す。
【００２０】
基板１は、図２−Ａ〜２−Ｃにおいて更に説明されるように、ベース基板１’及び幾つかの上部基板層を有してよい。ベース基板は、好適にはガラス又はプラスチック等の透明材料でできている。基板の全厚さは１００〜７００μｍの範囲である一方で、上部基板層の合計厚さは、一般的に１〜３μｍである。
【００２１】
第１の電極２は、ルミネセント層４において生成される光に関して透明である。一般的に、第１の電極２はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から作られるが、異なった伝導性透明材料も代替的に用いられることができる。エレクトロルミネセントディスプレイの製造の間、絶縁層３が、第１の電極２の上に堆積され、続いて、ディスプレイピクセルＰが形成されるべき部位においては除去される。例えば、誘電体絶縁層３は、窒化シリコン又は酸化シリコンでできており、０．５μｍの厚さを有する。
【００２２】
第１の電極２及び誘電体絶縁層３は、エレクトロルミネセント層４又はエレクトロルミネセント材料（例えばポリ−ｐ−フェニレン（ＰＰＶ）等の特定の有機材料又はその誘導体）を有する層によってカバーされる。エレクトロルミネセント層４は、真空蒸着、化学蒸着、又は、スピンコーティング、ディップコーティング若しくはインクジェットプリンティング等の液体を用いる技術を用いて堆積することができる。一般的に、高分子有機エレクトロルミネセントディスプレイにおいて、伝導ポリマー（ポリアニリン（ＰＡＮＩ）又はポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ））から作られる追加の層（図示せず）が、第１の電極２とエレクトロルミネセント層４との間に適用される。
【００２３】
エレクトロルミネセント層４は、第２の電極５によってカバーされる。第２の電極は、金属であり、高度に反射性である。エレクトロルミネセントディスプレイの平面図から、第２の電極は、種々のディスプレイピクセル間の金属ストライプとして又は実質的に連続的な途切れない層として見える。
【００２４】
図１は、アクティブエレクトロルミネセントディスプレイの断面であるが、本発明及びその利点は、パッシブエレクトロルミネセントディスプレイ並びにモノクロ及びカラーディスプレイにも適用可能であることに注意されたい。パッシブディスプレイにおいては、追加の誘電層が製造工程に導入されてもよい。なぜならアクティブ及びパッシブマトリクスディスプレイにおいては放出層が一般的であるからである。このプロセスは、小分子有機エレクトロルミネセントディスプレイについてすら一般化されることができる。
【００２５】
図１に示されるエレクトロルミネセントディスプレイを動作する際に、ディスプレイ制御手段（図示されない。例が論文「Passive and active matrix addressed  olymer light-emitting diode displays」(Proceedings SPIE Conference Vol. 4295, p. 134, 2001)」により与えられており、これはここに参照により組み込まれる。）によって電圧がディスプレイピクセルＰに印加されることができる。電圧が電極２、５に印加されなければ、光はルミネセント層４では生成されず、ディスプレイピクセルＰはオフ状態にある。電流又は電圧がルミネセント層４に印加されると、光がこの層４において又はこのピクセルから生成され、この光は、ディスプレイピクセルＰから透明な第１の電極２及び透明基板１を通じて大気中に出て、結果として、光線８によって示されるディスプレイピクセルＰの直接像が得られる。しかし、ディスプレイピクセルＰで生成される光は、ランバート的に（Lambertianally）放出される、即ち、発光は各方向にほぼ等しく分散される。従って、直接像８を生じるのではなく後述されるべき特定の条件の下では基板層を通過する光線が、ディスプレイサブピクセル６、７から放出される。
【００２６】
図１に示されるディスプレイピクセルＰは、光出力増大構造（ＬＯＥＳ）３’を有する。ＬＯＥＳ３’は、サブピクセル６及び７を分離する絶縁層３において小さい絶縁構造を形成するように適切にパターン化される。ディスプレイサブピクセル６、７からの一部の光線は、基板１の上部基板層とベース基板との間の界面で又は基板と空気との界面で全反射（ＴＩＲ）を示し、続いて第２の電極５から反射される。これらの光線（以下ではＴＩＲ光線とも呼ばれる）は、参照番号９で示される。ＬＯＥＳ３’の存在のため、ＴＩＲ光線９は、第２の電極５によって反射され空気中に入り、この結果、ディスプレイピクセルＰの全光量は増大する。光出力のこの増大は、図１の光線１０によって表される。
【００２７】
ＬＯＥＳ３’は、アクティブマトリクスの製造工程においていかなる追加のプロセスステップもなく実現されることができる。アクティブマトリクスエレクトロルミネセントディスプレイの製造の間に、上部誘電体絶縁層３は、ディスプレイピクセルＰの境界を作製するためにエッチングされる。これらの境界は、第１の電極２と第２の電極５によってカバーされるエレクトロルミネセント層４との間のコンタクトホールを規定する。ＬＯＥＳ３’は、エッチング過程の間に除去されるべき領域を規定するのに異なったマスクを用いることによりエッチング過程を修正することによって得られることができる。
【００２８】
ＬＯＥＳ３’及び第２の電極５による光出力増大は、以下で図２及び３を参照して明らかにされるように、ＬＯＥＳ３’のベースにおける電流密度の局所的な増加による発光を除いてはＬＯＥＳ３’の上のルミネセント層４において光が実際には生成されないという事実に関わらず、ＬＯＥＳ領域からの光出力が周囲領域からの光よりも高いという現象を生じる。このように、ＬＯＥＳ３’がディスプレイピクセルＰのアパーチャ（即ちディスプレイピクセル領域中の発光領域の割合）を減少させるが、全体的な光出力は、ＬＯＥＳ３’の無いディスプレイピクセルと比較して、高められる。
【００２９】
光出力の増大は、基板１の厚さを減少させることによって最適化されることができる。基板１が厚すぎれば、多くのＴＩＲ光線９は、まず、エレクトロルミネセントディスプレイの隣接したディスプレイピクセル上に入射し、カップリングして消滅（couple
out）せず、又は、これらの隣接したディスプレイピクセル間で光クロストークを生成しさえする。ＴＩＲ光線９の出力は、基板１の厚さを低減することによって増大される。なぜなら、薄い基板においては、ほとんどのＴＩＲ光線９がＬＯＥＳ３’に当たり、ディスプレイピクセルＰの領域を出る前に第２の電極５上で反射するからである。
【００３０】
図２−Ａ〜２−Ｃは、ＬＯＥＳの３つの実施例を示す。示される構造は、ベース基板１’を有する基板１を持ち、この上には、例えば０．２μｍのＳｉＯ２層１’’等の種々の上部基板層が堆積される。基板１のベース基板１からの上部基板層’は、上に向かう順で、それぞれ例えば０．２μｍのＳｉＮ層（層１’’）、０．１μｍのＳｉＮ層及び０．０５μｍのＳｉＯ２層を有する。図２−Ａにおいて、図１に示されたＬＯＥＳ３’が更に詳細に示される。ルミネセント層４は、例えば０．２μｍの下部ＰＥＤＯＴ層及び例えば０．１μｍの上部ＰＰＶ層を有する。図２−Ｂは、基板−空気界面でＴＩＲが発生しないので光がディスプレイピクセルＰ内に残るため（例えば基板が厚すぎるかもしれないためである。これよりずっと薄い基板はディスプレイピクセル内でのＴＩＲを生じさせた可能性がある）、又は、第１の電極２と基板１との界面で（上部基板層が設けられないので）ＴＩＲが発生しないため、光出力を増大させないＬＯＥＳ３’を示す。図２−Ｃにおいて、上部基板層（例えばＳｉＯ２層１’’）の１つを構造化することによってＬＯＥＳが設けられる。上部基板層構造が設けられることができる限り、図２−Ｃに示される全ての上部基板層が必要なわけではないということに注意されたい。上部基板層１’’を構造化することによって、光放出領域が増加されるので、矢印で示すように、光出力の増大が得られる。
【００３１】
図３において、図２−Ａに示すようにＬＯＥＳ３’を有するディスプレイピクセルＰの電気回路表示が与えられる。破線は、ＰＰＶ及びＰＥＤＯＴ層の界面を示す。この表示は、電気的効果が、上述され図１に示されるような光出力の光学的な増大の他にも、光出力増大を生じさせる及び／又はこれに貢献することができることを表す。抵抗Ｒ１及びＲ２は、ＰＥＤＯＴ層の横方向の抵抗を表し、容量Ｃは、ＰＥＤＯＴ／ＳｉＮ／ＩＴＯの容量を表す。ダイオードは、活性化されたときのＰＰＶ層の放出動作を表す。抵抗及び容量効果に起因して、点Ｘの電圧は、点Ｙにおける電圧よりも常に高い。しかし、Ｙの上のＰＰＶ層がＸの上のＰＰＶ層よりも薄ければ、真中のダイオード、即ち、ＬＯＥＳ３’の上のルミネセント層からの光出力は、より大きい。光効果及び電気効果は、調整可能である、即ち、これらの効果の光出力に対する又は互いに対する寄与は、決定されることができる。この調整は、特に、光効果については、基板１の上部基板層の層厚さを変化させることによって、そして、電気効果については、ＰＥＤＯＴ及びＰＰＶ層４の層厚さを変化させることによって、達成されることができる。このようにして、光出力を増大する効果は制御されることができる。
【００３２】
図４は、本発明の第２の実施例を示す。図１と共通する同一の部分を示すのに、同じ参照番号が用いられた。直接の光出力８以外には、ＴＩＲ光線９は、再び、ＬＯＥＳ３’に起因して、第２の電極５で部分的に反射し、これにより、全体的な光出力が高められる。加えて、図４に示される本発明の実施例は、横光出力増大構造（ＳＬＯＥＳ）３’’を有する。光線１３によって示すように、これらのＳＬＯＥＳ３’’は、光出力の増大にも寄与する。
【００３３】
ＳＬＯＥＳ３’’は、基板１に対して傾斜した壁１１、１２を有する。基板１と空気との界面でＴＩＲを示すルミネセント層４において生成される光が、ＬＯＥＳ３’の方に完全に反射されるわけではないので、ＴＩＲ光線９がＳＬＯＥＳ３’’に当たる可能性がある。ＴＩＲ光線９が傾斜壁１１に入射すれば、光出力は、光線１３で示すように、増大される。このように、第２の電極で反射してＬＯＥＳ３’の領域の空気に入るＴＩＲ光線９に加えて、更に、ディスプレイピクセルＰから漏れようとしているＴＩＲ光線９は、ＳＬＯＥＳ３’’のため、第２の電極の存在によって空気中へ反射される。
【００３４】
ＴＩＲ光線９’が、ＳＬＯＥＳ３’’の傾斜壁１１に当たらなければ、これらの光線は、基板１を通じて隣接したディスプレイピクセルに行く。光線１４によって示されるように、これらのＴＩＲ光線９’を、該ＴＩＲ光線９’が生じた隣接ディスプレイピクセルに戻すために、ＳＬＯＥＳ３’’には傾斜した側壁１２が設けられる。光線１４は、隣接したディスプレイピクセルに戻って、当該隣接したディスプレイピクセルの光出力に寄与することができる。
【００３５】
ＴＩＲ光線９’の隣接したピクセルへの通過を更に低減するために、黒いマスク（例えば黒いレジスト又はポリシリコン）が、ディスプレイピクセル間に配置されることができる。このような黒いマスクは、ＴＩＲ光線９’が隣接したピクセルに通過して届く前に、これらＴＩＲ光線９’を吸収することができる。
【００３６】
言うまでもなく、ＳＬＯＥＳ３’’はディスプレイピクセルＰの側面に単独で、即ちＬＯＥＳ３’無しで適用されることができる。
【００３７】
図５−Ａ、Ｂ及びＣは、ＬＯＥＳ３’を適用することによってエレクトロルミネセントディスプレイ上のディスプレイピクセルＰ内で生成されることができるグラフィックス又はアイコン等の種々の画像を示す。アイコンは、特に移動用アプリケーションにおいては、ディスプレイの必須の部分でありうる。アイコンは、移動電話又はＰＤＡのディスプレイに通常存在する電池、文字又は顔を表してもよい。図５−Ａに示される例は、ストライプ１５、ドット１６、環状リング１７、市松模様１８及びスマイルアイコン１９を有する。より複雑な画像も生成されることができる。図５−Ｂは、１ビット画像（即ち明るい領域についてはオン状態及び画像の暗い領域についてはオフ状態）を有する有機ＬＥＤディスプレイ上の従来型のグラフィックを示す。中程度のレベルの明るさＢは、従来は、ディスプレイピクセルにおいて吸光構造等の領域比技術を用いることによって又はディスプレイピクセルの電極の特定の部分を除去することによって得られている。これらの中程度レベル２０は、図６に示される。図５−Ｃは、ＬＯＥＳ３’及び／又はＳＬＯＥＳ３’’を適用することによって生成されることができる画像を示す。本発明の好適な実施例は、画像中で、ディスプレイピクセルの従来型のオン状態において得られる主要な明るさ１より上の明るさＢを有する領域を得る可能性を提供する。これは図６において輝度レベルＢ＝１．１及びＢ＝１．２によって示される。このようにして、より多くの輝度レベル（即ち３ビット）を有する画像が得られることができ、結果として、エレクトロルミネセントディスプレイ上でより鮮明で魅力的な画像が得られる。この結果は、エレクトロルミネセントディスプレイにおけるドライバの複雑性をもたらすアイコンの追加のパターニング又はより多くの接続無しに達成される。異なった輝度レベルＢは、ディスプレイピクセル構造自身の中で構築されるＬＯＥＳ３’等の光学構造によって達成される。
【００３８】
本発明を教示するために、ディスプレイ装置の好適な実施例及びこのようなディスプレイ装置を有する電子デバイスが上記で説明された。当業者には、本発明の他の代替例及び等価の実施例が、本発明の真の精神から逸脱することなく考えられ、実施されることができることは明らかであり、本発明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施例によるディスプレイピクセルを示す。
【図２−Ａ】層状構造を有するＬＯＥＳを示す。
【図２−Ｂ】層状構造を有するＬＯＥＳを示す。
【図２−Ｃ】層状構造を有するＬＯＥＳを示す。
【図３】ディスプレイピクセルを表す電気的な機構を示す。
【図４】本発明の第２の実施例によるディスプレイピクセルを示す。
【図５−Ａ】ピクセル内画像を示す。
【図５−Ｂ】ピクセル内画像を示す。
【図５−Ｃ】ピクセル内画像を示す。
【図６】種々のピクセル内輝度レベルを示す図を示す。
【図１】
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【図３】
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【図６】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2005534146.tif 000011
2005534146.tif 000012