(57)【要約】【課題】  付加的な構成要素が共用化されて、ウエハのスループットに悪影響を及ばさずに価格を低減する二重チャンバ真空処理装置を提供する。  【解決手段】  処理用基板を交互に動作するためる構成された２つの処理チャンバを含むフォトレジスト・アッシング装置。当該装置は両チャンバのポンピングダウンおよび処理ポンピングを行う単一のポンプを含む。動作中、一方のチャンバが排気され、アンローディングされ、再ローディングされている間、他方のチャンバがポンピングダウンされ、処理される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交互に動作するように構成された２つの処理チャンバと、
前記２つのチャンバと流体連通する単一のポンプと
を具備し、
前記単一のポンプは前記２つのチャンバのポンプダウンと処理ポンピングの両者を行うように構成されている、
フォトレジスト・アッシング装置。
【請求項２】
前記単一のポンプと前記２つのチャンバとの間に設けられたスロットル弁をさらに具備し、当該スロットル弁は前記２つのチャンバの少なくとも１つにおける圧力を調整するように構成されている、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項３】
前記単一のポンプはドライポンプである、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項４】
前記単一のポンプと前記２つのチャンバのうちの少なくも１つの第１のチャンバとの間に設けられたただ１つの隔離弁をさらに具備する、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項５】
前記単一のポンプと前記２つのチャンバのうちの少なくも１つの第２のチャンバとの間に設けられたただ１つの隔離弁をさらに具備する、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項６】
前記２つのチャンバは相互に隣接して設けられている、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項７】
前記２つのチャンバの各々は、前記第１チャンバと前記第２チャンバとを切換可能な共通の電源で駆動されるように構成されたリモートプラズマアプリケーターを具備する、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項８】
前記電源はマイクロ波である、
請求項７記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項９】
前記電源は、前記１対の処理チャンバの間に同期的に多重化された共通の高周波電源である、
請求項１記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項１０】
前記２つの処理チャンバは同時に単一のシリコンウエハを受け入れるように各々が構成されており、
前記２つの処理チャンバの各々は下流プラズマ反応器を具備する、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項１１】
前記２つの処理チャンバは同時に単一のシリコンウエハを受け入れるように各々が構成されており、
前記２つの処理チャンバの各々はイン・チャンバプラズマ反応器を具備する、
請求項１に記載のフォトレジスト・アッシング装置。
【請求項１２】
複数のワークピースを連続的に処理する二重チャンバ処理装置であって、
当該二重チャンバ処理装置は、第１チャンバの第１プラズマ・アプリケータと、第２チャンバの第２プラズマアプリケータとの間を切換可能な共通電源を具備し、
前記第１チャンバは、前記共通の電源が当該第１チャンバに供給されてスイッチオン状態のとき、真空状態において当該第１チャンバ内が終了するまで、第２ワークピースを処理するものであり、
当該二重チャンバ処理装置は、前記処理の後、実質的に大気圧において、前記第２チャンバから第１ワークピースを取り除き、前記第２ワークピースが前記第１チャンバ内で処理されている間、処理すべき第３ワークピースを用いて前記第２ワークピースを再ローディングする、ロボットを具備し、
前記第２チャンバは、前記電源が前記第２プラズマ・アプリケータに提供されてスイッチオン状態のとき、真空状態において当該第２チャンバ内が終了するまで、前記第３ワークピースを処理するものであり、
前記ロボットは、前記処理の後、実質的に大気圧において、前記第１チャンバから前記第２ワークピースを取り除き、前記第３ワークピースが前記第２チャンバ内で処理されている間、処理すべき第４ワークピースを用いて前記第１ワークピースを再ローディングするものであり、
当該二重チャンバ処理装置は、前記第１チャンバと前記第２チャンバとを流体連通する状態にあるように適した明らかに１つのポンプを具備し、当該ポンプは、前記第１および第２の両者のチャンバの処理ポンピングおよびポンプダウン・ポンピングの両者を行うように構成されており、
当該二重チャンバ処理装置は、前記電源の供給、前記ロボットの移動、前記チャンバ処理および前記ポンプを、繰り返し、同期させて交互に制御するように構成されたコンピュータを具備する、
二重チャンバ処理装置。
【請求項１３】
前記コンピュータは、一度に、ただ一つ流体連通するように前記ポンプを開放するように、さらに構成されている、
請求項１２に記載の二重チャンバ処理装置。
【請求項１４】
処理装置において基板を処理する方法であって、当該処理方法は、
第１処理チャンバおよび第２処理チャンバを提供し、
第１真空ラインを介して前記第１処理チャンバと、第２真空ラインを介して前記第２処理チャンバと、選択的に流体連通するように適した単一の真空ポンプを提供し、
前記単一ポンプを用いて前記第１チャンバと前記第２チャンバを交互にポンピングする、
処理方法。
【請求項１５】
前記交互にポンピングする処理は、
前記第１真空ラインに第１隔離弁、および、前記第２真空ラインに第２隔離弁を提供し、
前記第１真空ラインにおける前記第１隔離弁を開放し、
前記ポンプを用いた前記第１処理チャンバをポンピングダウンし、
前記第１処理チャンバ内の第１基板を処理し、
前記第２処理チャンバから第２基板をアンロードする、
処理を含む、
請求項１４に記載の処理方法。
【請求項１６】
前記交互にポンピングする処理は、
第３基板を前記第２処理チャンバにロードし、
前記第１真空ラインにおける前記第１隔離弁を閉じ、
前記第２真空ラインにおける前記第２隔離弁を開放し、
前記第１基板の処理が完了した後、前記ポンプを用いて前記第２の処理チャンバをポンピングダウンし、
前記第２処理チャンバにおける第３基板を処理する
処理を含む、
請求項１５に記載の処理方法。
【請求項１７】
前記第２基板のアンローディング、および、前記第３基板のローディングは、前記ポンプを用いて、前記ポンピングダウン処理と前記第１処理とが同時に遂行される、
請求項１６に記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハおよび他の基板を処理する二重チャンバ真空処理装置に関するものであり、特に、本発明はそのような装置におけるハードウエア資源を共用する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
二重チャンバ真空処理装置は、あるハードウエア構成要素が処理チャンバ間において共用（shared) された状態で開発されている。その技術思想は、チャンバ間がハードウエア構成要素を共用化することにより、ウエハのスループットに著しい悪影響を及ぼすことなく、二重チャンバ真空処理装置の全価格を低減させ得るものである。そのような二重チャンバ真空処理装置の例示が、特許文献１（２００１年５月８日にＣｏｘ氏に発行された米国特許第６，２８８，７７３号）、および、特許文献２（２００１年８月１４日に発行された米国特許第６，２７３，９５６号）に開示されており、両米国特許は本明細書において参考までに一体化されており、本開示の一部をなしている。
【０００３】
上述した２つの米国特許の例示的な二重チャンバ真空処理装置のポンピング装置（系統）が図１に概念的に図解されている。図１に図解した装置は一般的に、２つの処理チャンバ１０，１２を含み、両者のチャンバは単一のマイクロ波源（図示せず）によって動作され、単一のマイクロ波源は２つのチャンバ１０，１２の間で切り換えることができる。当該装置は２つの真空ポンプ２０，２２を有する。ポンプダウン・ポンプ２０が動作して、処理に先立って、２つのチャンバ１０，１２を真空にする。
【０００４】
処理期間、処理ポンプ２２が動作して２つのチャンバ１０，１２を真空にする。真空ライン２６がポンプ２０，２２をチャンバ１０，１２に接続する。隔離弁３０，３２，３４，３６が真空ライン２６に設けられ、所望の要求に応じて、チャンバ１０，１２からポンプ２０，２２を選択的に隔離する。たとえば、基板がチャンバ１０内において処理されており、チャンバ１２がポンプダウンされているとき、隔離弁３２と３６が開放し、隔離弁３０，３４が閉じられる。基板がチャンバ１２内において処理されており、チャンバ１０がポンプダウンされているとき、隔離弁３０と３４が開けられ、隔離弁３２，３６が閉じられる。スロットル弁４０が処理ポンプ２２の上流に設けられて、基板が処理されているチャンバ１０，１２内の圧力を調整する。
【０００５】
動作中、チャンバ１０，１２の一方が処理されているとき、他方のチャンバ１０，１２が換気され（vented) 、処理された基板がアンロードされ（取り出され）、新しい基板がロードされ（取り付けられ）、ポンプダウンされる。もし、第１チャンバ１０，１２が処理されている間、これらのオーバーヘッド動作の全てが遂行され得るならば、第１チャンバ１０，１２が処理を終了した直後、マイクロ波電源が他のチャンバ１０，１２に切り換えられ得る。したがって、マイクロ波電源が十分に使用され、理想的には、チャンバ１０，１２のいずれか１つにおいて処理は発生していないという、装置のオーバーヘッド時間は存在しない。
【特許文献１】米国特許第６，２８８，７７３号
【特許文献２】米国特許第６，２７３，９５６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この「０オーバーヘッド」動作状態を実現するためには、しかしながら、図１に図解した装置は、４個の隔離弁３０，３２，３４，３５と、２つの真空ポンプ２０，２２と、かなり複雑な真空ライン２６の系統を必要とする。これらの構成要素は、特に、ポンプ２０，２２はかなり高額でありうる。さらに、ポンプダウン・ポンプ２０が十分に利用されない。その理由は、実際のポンプダウン処理が全体のオーバーヘッド時間の比較的小さな部分を単に構成しているからである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
したがって、付加的な構成要素が共用化されて、ウエハのスループットに悪影響を及ばさずに価格を低減する二重チャンバ真空処理装置の必要性が存在する。
【０００８】
本発明の１実施形態に基づけば、フォトレジスト・アッシング装置が提供される。当該フォトレジスト・アッシング装置は、交互に動作するように構成された２つの処理チャンバと、前記２つのチャンバと流体連通する単一のポンプとを具備し、該ポンプは前記２つのチャンバのポンプダウンと処理ポンピングの両者を行うように構成されている。
【０００９】
本発明の他の実施形態に基づけば、複数のワークピースを連続的に処理する二重チャンバ処理装置は、第１チャンバの第１プラズマアプリケータと第２チャンバの第２プラズマアプリケータとの間を切り換え可能な共通の電力源を備えている。第１チャンバは、電源が第１プラズマアプリケータに印加され、スイッチオンにされたとき、第１チャンバ内における真空状態において第２ワークピースの処理が完了するように構成されている。ロボットは、第２ワークピースが第１チャンバ内で処理されている間、処理し、第２チャンバに処理すべき第３ワークピースを再ローディングした後、実質的に大気圧において、第２チャンバから第１ワークピースを除去するように、設けられている。第２チャンバは、電源が第２プラズマアプリケータに供給され、スイッチオンにされたとき、第２チャンバ内で真空状態で第２ワークピースを処理するように、構成されている。ロボットは、第３ワークピースが第２チャンバ内で処理されている間、処理し、第１チャンバに処理すべき第４ワークピースを再ローディングした後、実質的に大気圧において、第１チャンバから第２ワークピースを除去するように、設けられている。明らかに１つのポンプが、第１および第２チャンバを流体連通するように、設けられ、かつ、適合されている。ポンプが両チャンバの処理ポンピングおよびポンプダウン（換気）ポンピングの両者を行うように、構成されている。付加的に、コンピュータを設けることができ、当該コンピュータは、上記電源供給、ロボットの移動、チャンバ処理およびポンピングを同期させて反復させ、交互に制御するように構成されている。
【００１０】
本発明の他の実施形態に基づけば、上記処理装置内において基板を処理するための方法が提供される。当該方法は、第１処理チャンバ、第２処理チャンバ、および、単一の真空ポンプを提供し、当該単一の真空ポンプは、第１真空ラインを介して第１処理チャンバと、第２真空ラインを介して第２処理チャンバとを選択的に連通させるのに適している。当該方法はさらに、単一の真空ポンプを用いて第１および第２チャンバを交互にポンピングする処理を含む。
【００１１】
代替的な実施形態に基づけば、当該方法はさらに、第１真空ラインにおける段１隔離弁、および、第２真空ラインにおけ句題２隔離弁を提供するステップを備えている。当該方法は、第１真空ラインにおける第１隔離弁を開放し、前記ポンプを用いて第１処理チャンバをポンピングダウンし、第１処理チャンバにおいて第１基板を処理する。当該方法はさらに、第２処理チャンバから第２基板をアンローディングする方法を提供する。他の実施形態に基づけば、当該方法はさらに、第１基板の処理が完了した後、第２処理チャンバ内に第３基板をローディングし、第１真空ラインにおける第１隔離弁を閉じ、第２真空ライ方法を備えている。最後に、第３基板が第２処理チャンバ内で処理される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、付加的な構成要素が共用化されて、ウエハのスループットに悪影響を及ばさずに価格を低減する二重チャンバ真空処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図示しここで述べる二重チャンバ処理装置は、特許文献１および２（米国特許第６，２８８，７７３号および米国特許第６，２７３，９５６号）に図示され、記載されている装置の種々の構成要素を包含しうる。たとえば、ここで述べる構成要素に加えて、本発明の二重チャンバ処理装置の実施形態は一般的に、マイクロ波源または他の適切な電源などの切換可能な電源を持つプラズマ供給源と、ウエハをローディングおよびアンローディングし、他のウエハを転送するステップを行うための適切なロボット的なインターフェースと、処理ガス供給源と、処理過程が終了した後の大気圧にチャンバを復帰させるための換気装置（換気系統：venting system) と、ウエハ処理の前とウエハ処理の間チャンバ内の圧力を低下させるポンピング装置（ポンピング系統）とを含むことができる。本発明の実施形態によれば、プラズマ提供源は、複数のチャンバの各々と協働する個別のリモートプラズマ・アプリケータ（applicator) を含む。代替実施形態において、プラズマ供給源は元の位置に（in situ)ある。他の付加的な構成要素もまた希望に応じて使用可能である。
【００１４】
図２は二重チャンバ基板処理装置のためのポンピング系統の１実施形態を図解している。図２に図解した装置は一般的に、第１処理チャンバ６０と第２処理チャンバ６２を含み、両者のチャンバは当該両者のチャンバ６０，６２の間で切り換えられ得る、（図示しない）単一のマイクロ波源または他の電源によって電力供給される。図解した装置は、同期して基板を交互に処理するように設計されており、それにより、一方のチャンバ（６０または６２）が処理ステップを遂行している間、残りのチャンバ（６０または６２）は任意の処理されたウエハがアンロードされ（unloaded、取り除かれ）、処理すべきウエハが再ロードされる（reloaded、再取付けされる) 。一般的に、本装置の好適な動作において、処理用構成要素は、任意の所定の時間において、２つのチャンバの一方のみを動作させる。
【００１５】
図解した実施形態において、二重チャンバ処理装置はただ１つの真空ポンプ６４を有しており、その真空ポンプ６４は両者のチャンバ６０，６２のために、処理ポンプおよびポンプダウンまたは換気ポンプの両者として提供するように構成されている。ポンプダウン・ポンプとして、ポンプ６４は、処理チャンバ内の圧力を、大気圧（約７６０Torr) から所望の処理圧力( 通常約１Torr）または処理圧力の近くの圧力まで、約３〜５秒で迅速に低下させるのに使用される。処理ポンプとしてポンプ６４は基板処理ステップの間、所望の処理圧力にチャンバを維持するためる使用される。それゆえ、ポンプの大きさは好ましくは、最大に要求されたポンピング負荷のためになっており、そのポンピング負荷はしばしば、チャンバの寸法、所望のポンプダウン比率および他の変数から決定され得る。ポンプ６４はドライポンプ（すなわち、潤滑油を必要としないポンプ）とウェットポンプ（すなわち、潤滑油を使用するポンプ）のいずれかであり得る。
【００１６】
第１真空ライン６６はポンプ６４を第１チャンバ６０に接続する。第２真空ライン６８はポンプ６４を第２チャンバ６２に接続する。隔離弁７０，７２が真空ライン６６，６８に設けられており、希望するならば、隔離弁７０，７２はポンプ６４をチャンバ６０，６２から隔離する。スロットル弁８０が、ポンプ６４と隔離弁７０，７２との間で、ポンプ６４の上流に設けられており、真空ラインを介してガスの流量比率を制御する。たとえば、スロットル弁をバイパスするなど、必要に応じて、付加的な弁および真空ラインを負荷することも可能である。
【００１７】
特許文献１、２（米国特許第６，２８８，７７３号、および、米国特許第６，２７３，９５６号）に記載されている装置においては、すなわち、図１に概略的に図解されているポンピング装置においては、換気、アンローディングおよびポンピングダウン・ステップ（準備フェーズ）は第１チャンバ１０において行われ、同時的に、第２チャンバ２０において、（たとえば、フォトレジスト・アッシング処理において）ウエハの処理が行われた。理想的には、処理フェーズと準備フェーズとは正確に同じ長さの時間をとるので、それゆえ、一方のチャンバから他方のチャンバに電力供給を切り換えるのに無駄時間なく可能にするという「０オーバーヘッド状態」を作る。
【００１８】
本発明の発明者は、実際には、以前の装置の理想的な「０オーバーヘッド」動作状態は常に達成されていないことを見いだした。その理由は、ある状況においては、準備フェーズは処理フェーズより僅かに長くなるからである。たとえば、フォトレジスト除去処理などの所定の処理はおおよそ１５秒程度で完了する。もし、準備フェーズも１５秒で完了するならば、装置は「０オーバーヘッド」で動作することができ、図１に図解した装置は１時間当たり２４０枚の基板を処理することができる。ある状況においてはしかしながら、図１に図解した装置は１５秒処理の間、１時間当たりたった２００枚の基板のスループット比率をもつことが見いだされており、その結果、準備フェーズが処理ステップより幾分長くなることが示唆されている。
【００１９】
図３に図形的に図解したように、もし第１チャンバ１０（たとえば）の準備フェーズ９０において遂行される複数のステップが、第２チャンバ１２がその処理フェーズ１００を終了するときに完了されないと、そのときは、ポンプ２２は、第１チャンバ１０が処理フェーズ１００に遷移されうるまで、無駄にならざるをえない。同様に、図１および図３に図解した装置において、ポンプダウン・ポンプ２０は必要とされない期間の実質的な長さの時間の間、無駄なままで残るであろう。これらの無駄時間は、ポンプを動作させ維持している状態に起こる実質的な施設の費用を表している。
【００２０】
これらの無駄時間は、図４に図解したように、準備フェーズ９０から処理フェーズ１０２にポンプダウン手順（procedure)を切り換えることにより実質的になくすことができるのであり、その結果として、施設の費用において実質的な無駄のなくし、同時に、高額なポンピング装置の多数の構成要素の削減を可能にする。
【００２１】
本発明の実施形態のポンピング装置の動作を図２および図４に関連づけて記述する。
第１チャンバ６０の処理フェーズ１０２の期間、第１真空ライン６６の隔離弁７０が開放状態になり、第２真空ライン６８の隔離弁７２が閉じられ、それにより、ポンプ６４が処理チャンバ６０と連通する。スロットル弁８０が処理の期間、ポンプ６４によるチャンバのガス抜きの流量比率を制御することにより、第１チャンバ６０内の圧力を調整するように、調節されうる。
【００２２】
図４に概略的に図解のように、第１チャンバ６０の処理フェーズ６４の期間、第２チャンバ６２の準備フェーズ９２が遂行される。図示のごとく、準備フェーズ９２は、換気処理、アンローディング処理、および、新規基板のチャンバへの再ローディング処理を含む。一旦、処理フェーズ１０２が第１チャンバ６０内で完了すると、両チャンバは、第１真空ライン６６における隔離弁７０を閉じ、第２真空ライン６８における隔離弁７２を開くことにより、それぞれ反対のフェーズに遷移可能となり、その結果、ポンプ６４は第２チャンバ６２と連通する。そこで、第２チャンバ６２におけるポンピングダウンと処理により、処理フェーズが第２チャンバ６２において開始可能となる。それゆえ、その時点において、ただ１つのチャンバがポンピングされて単一のポンプがこの機能を提供しうる。
【００２３】
第２チャンバ６２における処理フェーズ１０２の期間、換気し、アンローディングし、新規の基板をチャンバ６０に再ローディングすることにより、準備フェーズが第１チャンバ６０において遂行される。処理フェーズ１０２が第２チャンバ６２において完了した時点によって、第１チャンバ６０における準備フェーズ９２は完了となろう。それから、両チャンバは再び遷移されて、それらのフェーズを反復することが可能となる。
【００２４】
上述したように、ポンピングダウン時間は、準備フェーズ９２の全オーバーヘッド時間から効果的に減じられ、処理フェーズ１０２に加えられる。したがって、もしチャンバ６０，６２の１つをポンピングダウンするためのおおよそ３秒かかり、処理時間がおおよそ１５秒ならば、他のチャンバは換気し、アンローディングし、再ローディングするのに１８５秒の時間を持つ。それゆえ、図２に図解した簡単にした装置は、図１に図解した複雑で高価格の装置の（上述した例示における１時間当たり２００基板）とほぼ同じスループット比率を得ることがほぼ可能となる。
【００２５】
準備フェーズから処理フェーズ１０２へポンピングダウンを移動させることにより、従来の装置における１つの真空ポンプと２つの隔離弁を削減することができ、実質的に低価格の装置を提供する。図２の装置における真空ライン６６，６８の配置は、かなり簡単であり、それゆえ、真空ラインの削減に伴いさらなる費用の節約となる。その結果として、図２の装置は、従来の装置よりも低価格であり、維持することが容易である。加えて、ポンピングダウンの期間、マイクロ波リモートプラズマ源が使用されていない間、かなり高価格の真空ポンプ６４が十分稼働し、無駄がない。
【００２６】
それゆえ、図解しここで記述した装置は、従来の装置と比較して価格の高い１つのポンプの削減を可能とし、現存する真空ポンプを１００％使用することが可能となる。それゆえ、装置の価格および施設の費用の両者が、スループットまたは処理時間の犠牲なしに、低減される。
【００２７】
一方のチャンバがウエハを処理していて、他方のチャンバが大気圧からポンピングダウンが開始されるとき、相互作用のおそれなく、両チャンバを単一の真空ポンプに接続することについて考慮していず、空気のバーストが真空ラインからポンプへのかなり移動すること、および、ウエハを処理しているチャンバへバックアップがあることが期待される。最もネガティブな圧力がポンプヘッドにあるように向かうことがある。もし真空ラインが十分長く、直径が十分大きければ、そのような圧力は均等化され、空間を満たすように拡がるであろう。
【００２８】
アッシング処理の場合、全処理ガス流量が、代表的な単一ウエハ用チャンバについては毎分５リットルの桁（オーダー）である。したがって、チャンバを介して流れ処理されるべきガスは真空ラインにあるガスよりも圧力が高くあるべきである。真空ラインは、好ましくは、２つの処理チャンバの間の隔離状態を提供するように十分な長さになっている。隔離を支援するため、真空ラインは直径に関して十分大きくあるべきであり、それにより、ポンピングダウンされているチャンバから拡がるように、空気についてより大きな容積を提供する。さらに、バイパス弁を１／４インチラインに設けることができ、それにより、ポンピングダウンされているチャンバからの空気の初期バーストを緩慢にすることができる。１〜２秒後、メインＩＳＯ弁が開放され得り、それによって、高いコンダクタンスを提供し、チャンバから残存する空気のポンピングを迅速にする。
【００２９】
いくつかの実施形態および例示を述べたが、当業者によってこの開示において図解し記述した方法および装置の種々の要素が、さらなる実施形態を形成するための異なる組み合わせ、および／または、変形することができることが理解されよう。さらに、本明細書において述べた方法が、請求項に記載の処理ステップを適切に遂行する任意の装置によって実施される得ることが認識されよう。そのような変形態様、および／または、上述した方法と装置および明らかな修正およびその等価内容は、本開示の範囲にあることが意図されている。それゆえ、本発明の範囲は、上述した特定の実施形態によって制限されるべきではないし、下記の請求の範囲に記載の内容を誠実に読み取ることによってのみ決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は従来技術の二重チャンバ基板処理装置のためのポンピング装置を簡単化した概念図である。
【図２】図２は本発明の１実施形態に基づく二重チャンバ基板処理装置のためのポンピング装置の簡単化した概念図である。
【図３】図３は図１に図解したポンピング装置を用いた動作のタイミングおよび処理位相を図解した図である。
【図４】図３は図２に図解したポンピング装置を用いた準備のタイミングおよび処理位相を図解した図である。
【符号の説明】
【００３１】
６０，６２・・・チャンバ
６４・・真空ポンプ
６６，６８・・真空ライン
７０，７２・・隔離弁
８０・・スロットル弁
【図１】
2005534174.tif 000003
【図２】
2005534174.tif 000004
【図３】
2005534174.tif 000005
【図４】
2005534174.tif 000006
【国際調査報告】
2005534174.tif 000007
2005534174.tif 000008