(57)【要約】常圧プラズマ洗浄装置を供給する。  反応ガスを下側から供給することができる反応ガス供給部と、反応ガス供給部と所定間隔で離隔され反応ガス供給部と平行に設けられて、供給された反応ガスを所定圧力で吸入放出することができる反応ガス吸入部と、絶縁材質の固定体を介在して反応ガス供給部と反応ガス吸入部との間に反応ガス供給部及び反応ガス吸入部と平行に設けられた第１電極及び第２電極を含む電極部と、第１電極及び第２電極に電力を印加して第１電極及び第２電極の下側に電気場を形成することができる電源及び反応ガス供給部と、反応ガス吸入部及び電極部の下側に位置し被処理物を支持するテーブルと、を備える。また、一面が回転ローラーの上面に安着されて所定の方向に移送される被処理物と、前記被処理物の他面側に所定の間隔を置いて設けられ、同一の平面上に揃って設置される少なくとも二つの電極からなる電極部と、前記電極部へ所定の電圧を供給する電源と、を備える。
2005517530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定圧力の反応ガスを下側に供給することができる反応ガス供給部と、
前記反応ガス供給部と所定間隔で離隔されて前記反応ガス供給部と平行するよう設置し、前記供給された反応ガスを所定圧力で吸入放出することができる反応ガス吸入部と、
絶縁材質の固定体を介在して、前記反応ガス供給部と前記反応ガス吸入部との間に前記反応ガス供給部及び反応ガス吸入部と平行するように設置された第１電極及び第２電極を含む電極部と、
前記第１電極及び第２電極に電力を印加して前記第１及び第２電極の下側に電気場を形成することができる電源と、
前記反応ガス供給部、反応ガス吸入部及び電極部の下側に位置し、被処理物を支持するテーブルと、
を備えることを特徴とする常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２】
前記反応ガス供給部は、一側部及び他側部の内側に互いに相異なる方向の皺が形成された反応ガス供給管と、前記反応ガス供給管の表面に形成された複数の反応ガス供給口と、を備えて構成され、前記反応ガス吸入部は、一側部及び他側部の内側に互いに相異なる方向の皺が形成された反応ガス吸入管と前記反応ガス吸入管の表面に形成された複数の反応ガス吸入口からなることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項３】
前記反応ガス吸入口の直径が前記反応ガス供給口の直径よりも相対的に大きく形成されていることを特徴とする請求項２に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項４】
前記第１電極及び第２電極は、表面積を増加させるための複数の突出及び陥没部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項５】
前記第１電極及び第２電極表面は、エンボシング処理されていることを特徴とする請求項４に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項６】
前記第１電極及び第２電極は、絶縁ガラス上に位置していることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項７】
前記第１電極及び第２電極の表面は、両極酸化処理されていることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項８】
前記電極部の上側に前記第１電極及び第２電極を冷却させるための冷却ファンがさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項９】
前記反応ガス供給部、電極部及び反応ガス吸入部は、一体で形成され、前記反応ガス供給部、電極部及び反応ガス吸入部は支持台によって作業室の天井に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１０】
前記テーブル表面には、複数のローラーが備えられるので、前記ローラーにより前記テーブル上に位置した被処理物が一側から他側へ移動されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１１】
一面が回転ローラーの上面に安着されて所定の方向に移送される被処理物と、
前記被処理物の他面側に所定の間隔を置いて設置され、同一の平面上に揃って設置される少なくとも二つの電極からなる電極部と、
前記電極部に所定の電圧を供給する電源と、
を備えることを特徴とする常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１２】
前記電極部は、第１、２電極からなり、その第１、２電極の面積が同様に形成されたことを特徴とする請求項１１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１３】
前記第１、２電極及び電源の連結ライン上には、電流制限用の抵抗がそれぞれ連結されることを特徴とする請求項１２に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１４】
前記抵抗は、５０ｋΩ〜１５０ｋΩであることを特徴とする請求項１３に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１５】
前記電源は、１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの周波数及び５〜１０ｋＶ（Ｐ−Ｐ）電圧を印加することを特徴とする請求項１１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１６】
前記電極部の各電極は、所定の間隙を維持するように設置され、その間隙は１０〜１５ｍｍであることを特徴とする請求項１１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１７】
前記被処理物と間隙部との間隔は２〜５ｍｍにすることを特徴とする請求項１１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１８】
前記電極部をなす各電極の下部には絶縁体が用意され、
各電極の上部及び両側面をカバーする絶縁カバーが用意され、
前記絶縁体及び絶縁カバーはガラス、石英、セラミックのうちどれか一つで製作されることを特徴とする請求項１１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項１９】
前記電極部は、第１、２、３電極で構成され、その面積比が１：２：１で備えることを特徴とする請求項１１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２０】
前記第１、３電極は、共通電圧が印加され、前記第２電極は別途の電圧が印加される事を特徴とする請求項１９に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２１】
前記第２電極及び電源の連結ライン上には、電流制限用の抵抗が連結されることを特徴とする請求項２０に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２２】
前記抵抗は、５０ｋΩ〜１５０ｋΩであることを特徴とする請求項２１に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２３】
一面が回転ローラーの上面に安着されて所定の方向に移送される被処理物と、
前記被処理物の他面側に所定の間隔を置いて設置され、同一の平面上に揃って設置される少なくとも二つの電極からなる電極部と、
前記電極部に所定の電圧を供給する電源と、
前記電極部及び被処理物の上面に所定のガスを供給し、その供給されるガスが被処理物の全面に掛けて均一に供給するガス供給部と、を含み、
前記ガス供給部は、ガスが供給されるガス供給口と、
前記ガス供給口を通って供給されたガスを所定の空間内にとまるようにするガス緩衝部と、
前記ガス緩衝部を通って均一な圧力を維持するガスを前記被処理物の上面に噴射するノズル部と、
を備えることを特徴とする常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２４】
ガス緩衝部には、ガス通過ホールが形成された複数のバフルが積層されて設置され、
各バフルに形成されたガス通過ホールの位置が互いに離隔されるように位置したことを特徴とする請求項２３に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２５】
前記ガス供給部は、前記被処理物の移送方向を基準として被処理物が進入される位置である電極部の先端部に位置することを特徴とする請求項２３に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【請求項２６】
前記ガスは、不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）、またはヘリウム（Ｈｅ）であるか、またはこの混合ガスのうちどれか一つであり、アルゴン：ヘリウムの比率が１：１〜５：１にすることを特徴とする請求項２３に記載の常圧プラズマ洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、常圧プラズマ洗浄装置に関するもので、さらに詳しく説明すると、プラズマ状態の反応ガスを用いてＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）及びＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などを洗浄することができる常圧プラズマ洗浄装置（Ｃｌｅａｎｉｎｇ  ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｐｌａｓｍａ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
すべての材料の表面洗浄、またはその材料上に他の素材を蒸着、または接合して応用する場合は接着力及び密着力に大変大きな影響を及ぼす。従来の表面洗浄方法は、多様な化学薬品を用いて行われており、従って新しい表面洗浄方法が研究され利用されて来た。このような新しい表面洗浄方法のうちの一つとして低温低圧状態のプラズマを利用する方法を挙げられる。低圧プラズマを利用した表面洗浄方法は、低圧の真空槽内にプラズマを発生させて造ったイオンや活性化されたガスを材料の表面と接触させて材料表面の不純物や汚染物を除去することである。このような低圧状態のプラズマを利用する表面洗浄方法は、優れた洗浄効果にも拘わらず広く利用されていないのが実態であるが、その理由として、低圧プラズマを発生させるためには真空装置が必要であり、従って、大気圧の状態で行われる連続工程では適用するのが難しいからである。従って、最近では、大気圧の状態でプラズマを発生させて表面洗浄に利用しょうとする研究が活発に行われている。
【０００３】
大気圧プラズマ洗浄装置は、処理しようとする被処理物がローラーにより電極に到達する前に反応ガス、特に不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ２）などと酸化ガスであるＯ２、ＣＯ、圧縮空気などを注入し、そのような状態でＲＦやＡＣ電源が印加されると常圧である１気圧、または１気圧付近でプラズマが形成される。
【０００４】
従来のプラズマを用いた半導体洗浄装置として１９９９年７月１６日の特許文献１（発明の名称：プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置）に開示されている。
【０００５】
その構成は、内部に冷却水が流れる円筒形状の第１電極と前記第１電極が所定間隔で離隔されて第１電極を囲む円筒形状の第２電極を備える。
【０００６】
ここで、前記第１電極及び第２電極に高周波を印加させることによって、第１電極と第２電極との間に電気場を形成する電源が別途に備えられる。
【０００７】
そして、前記第１電極と第２電極との間の離隔空間に反応ガスを供給することができる反応ガス供給口が備えられ、前記第１電極と第２電極との間に供給されてプラズマ状態に転換された反応ガスを外部へ放出するための反応ガス吸入口が備えられる。
【０００８】
従って、前記第１電極と第２電極との間に高周波を印加して電気場を形成し、前記第１電極と第２電極との間の離隔空間に反応ガス供給口により反応ガスを供給することで、反応ガスをプラズマ状態に転換する。
【０００９】
そして、前記プラズマ状態の反応ガスを被処理物上に吐き出して被処理物の表面の有機物を除去する洗浄工程が実施できる。
【００１０】
この時、前記第１電極及び第２電極は、高周波の印加により高温で加熱されることによって、第１電極は第１電極内部に供給される冷却水により冷却できる。
【００１１】
しかし、前記従来のプラズマ処理装置は、プラズマ状態の反応ガスを生成して外部へ放出することによってプラズマ放出面積が小さく被処理物の大きさに制限されると言う問題点がある。
【００１２】
すなわち、前記プラズマガス放出型プラズマ処理装置は、特定大きさ以下の被処理物にに対しては一回のプラズマ放出で洗浄工程が完了できるが，特定大きさ以上の被処理物にに対しては被処理物、またはプラズマ処理装置が移動しながら繰返しプラズマガスの放出が行われることによって洗浄時間が長くなると言う問題点がある。
【００１３】
特に、前記プラズマガスを受けた被処理物の特定領域と前記被処理物、またはプラズマ処理装置の移動によってプラズマガスを受けた被処理物の他特定領域の接境領域は、プラズマガスの接触が小さく、被処理物は全体的に洗浄の均一度が落ちると言う問題点がある。
【００１４】
また、前記プラズマ処理装置は、第１電極の内部に冷却水を供給することによって第１電極及び第２電極を冷却させることにより第１電極は冷却されることができるが、第２電極は冷却水と直接接触しないので冷却効率が落ちると言う問題点がある。
【００１５】
図１は、従来の他洗浄装置の例を示す図で、図１に示したようにプラズマ状態の反応ガスを利用してＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）及びＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などの半導体製品を洗浄する洗浄工程が実施される反応チャンバー２を備える。
【００１６】
ここで、前記反応チャンバー２の一側には、反応ガスを供給する反応ガス供給口１０と被処理物を投入する被処理物供給口１４が備えられており、前記反応チャンバー２の他側では、プラズマ状態の反応ガスを外部へ放出する反応ガス放出口１２と被処理物を放出する被処理物放出口１６が備えられている。
【００１７】
また、前記反応チャンバー２の内側上部には、上部電極２２が備えられ、前記反応チャンバー２の内側下部では、下部電極１８が備えられ、前記上部電極２２及び下部電極１８は、１ｋＨｚないし１０ｋＨｚの高周波電力を印加できる電源２６と連結されている。
【００１８】
ここで、前記上部電極２２及び下部電極１８の表面には、アーキング（Ａｒｃｉｎｇ）などが発生することを防ぐように絶縁物２０，２４によりそれぞれ絶縁されており、前記下部電極１８は、図２に示したように上部表面に複数の貫通ホール（図示せず）が形成されており、前記貫通ホールを通って上下に移動し、被処理物を上昇及び下降させることができるピン（Ｐｉｎ）１９が設けられている。
【００１９】
従って、被処理物がロボットアーム等の移送手段によって被処理物供給口１４を通って下部電極１８上部に位置すれと、前記下部電極１８のピン１９は貫通ホールを通って下部電極１８表面上部へ突出されてロボットアーム等の移送手段から被処理物を移送させ貫通ホール下部へ移動することにより被処理物を下部電極１８上に位置させる。
【００２０】
次に、前記電源２６が上部電極２２及び下部電極１８に１ｋＨｚないし１０ｋＨｚの高周波電力を印加することによって、反応チャンバー２の内部には、電気場が形成され、前記電気場が形成された反応チャンバー２内部へ反応ガス供給口１０を通って反応ガスが供給される。
【００２１】
これにより、前記反応チャンバー２の内部に供給された反応ガスは、電気場Ｅによって活性化されてプラズマ状態に転換される。
【００２２】
さらに詳しく説明すると、前記電源２６は１ｋＨｚないし１０ｋＨｚの高周波電力の印加によって上部電極２２と下部電極１８との間では電気場が形成されるので、上部電極２２、または下部電極１８では電子が放出され、前記電子は反応ガスと衝突することによって反応ガスの最外郭の電子を外部へ離脱させてイオン、電子，原子団などが共存するプラズマ状態が形成される。
【００２３】
そして、前記プラズマ状態の反応ガスと反応チャンバー２内部の被処理物が反応することによって被処理物の表面に存在する有機物、金属物質などのパーティクルは除去される。
【００２４】
また、前記反応チャンバー２の内部にプラズマを用いた洗浄工程が完了されると、前記下部電極１８のピン１９は、貫通ホールを通って下部電極１８の表面上部へ突出されて被処理物を下部電極１８から離隔させ、前記ピン１９によって下部電極１８から離隔された被処理物は、再びロボットアームなどの移送手段により被処理物放出口１２に通って反応チャンバー２外部へ放出される。
【００２５】
しかし、従来の前記プラズマ洗浄装置は、１ＫＨｚないし１０ＫＨｚの高周波電力を使用することによって上部電極及び下部電極が高温に上昇することになるが、別途の冷却装置が備えられていないために上部電極と下部電極との間を通過する被処理物が上部電極及び下部電極で発散される熱により損傷を受けると言う問題点がある。
【００２６】
そして、前記プラズマ洗浄装置は、設置場所、上部電極及び下部電極の大きさの制限によって反応チャンバーの大きさが制限され、反応ガス注入及び排気装置の制限によって被処理物の洗浄用量が小さいと言う問題点がある。
【００２７】
特に、被処理物の反応チャンバー内部への投入及び放出が容易でないために特定大きさ以上の被処理物は反応チャンバー内部で洗浄工程を実施できないと言う問題点がある。
【００２８】
また、下部電極表面に複数の貫通ホールが備えられることによって貫通ホールの内部に反応チャンバー内部からプラズマ状態で転換された反応ガスの陽の電荷が蓄積されてプラズマのデンシティ（Ｄｅｎｓｉｔｙ）の均一度が落ち、下部電極表面の絶縁物が陽の電荷によってエッチングされて絶縁破壊が起きてアーキングなどが発生すると言う問題点がある。
【００２９】
次に、大気圧プラズマ装置の一例として特許文献２（発明の名称：大気圧プラズマ発生装置及びその装置を用いた大気圧プラズマ発生方法）に開示されている。
【００３０】
その構成は、交流電源と接触される電極と、接地電極で構成される電極部とを備え、ガスが存在する中で、前記電極部の間に交流電界場を印加して大気圧の状態でグロー放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ発生装置において、前記電極部間の導電体の表面に絶縁体を被覆して形成された粒状体を充填させたものである。
【００３１】
しかし、導電体の表面を絶縁物質で被覆させた粒状体を電極間に充填させた場合、反応性ガスなどが粒状体を通過しなければならないので流体の流れが妨げられプラズマ発生効率が低下する恐れがあると共に、粒状体内部の導電体の外部露出による危険性を抱えると言う問題点がある。
【００３２】
上述したように構成された大気圧プラズマ装置では、プラズマ発生のために電極部との間にガスが供給することになるが、この時、前記供給されるガスが均一に供給されていなければプラズマの均一性を保つことができない。
【００３３】
また、電極部の電極が上下に平行に設置され、その間に被処理物を介在する場合に被処理物が前記電極によって形成される電気場に影響を受けて被処理物に形成された金属膜などを損傷させると言う問題点がある。
【００３４】
また、上部電極と下部電極との間に被処理物を介在して洗浄工程を処理するので、極めて薄い形態の板状の試料だけが処理でき、その適用分野が極端に制限されることになる。
【００３５】
また、上述のように電極を上下部に配置し、その内部に被処理物を位置させた場合に各電極により発生される電気場が被処理物を通過する形態で形成されることによって、前記被処理物に形成された金属膜、すなわちパターンが損傷されると言う問題点がある。
【特許文献１】特開平１１−２０３６７３号公報
【特許文献２】特公平８−３２１３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３６】
本発明の目的は、被処理物の大きさ及び形状などに制限を受けることなく、被処理物を一括洗浄することによって洗浄時間を短縮させることができる常圧プラズマ洗浄装置を供給することにある。
【００３７】
本発明の他の目的は、被処理物の洗浄均一度を向上させることができる常圧プラズマ洗浄装置を供給することにある。
【００３８】
本発明のまた他の目的は、電極に対する冷却が効率的に行われる常圧プラズマ洗浄装置を供給することにある。
【００３９】
本発明のまた他の目的は、低周波を用いてプラズマを形成することで、電極が高温に上昇することを防止することができる常圧プラズマ洗浄装置を供給することにある。
【００４０】
本発明のまた他の目的は、被処理物を支持する電極表面に形成された貫通ホールによってプラズマのデンシティ均一度が落ち、電極の表面絶縁物の破壊によってアーキングなどが発生することを防止することができる常圧プラズマ洗浄装置を供給することにある。
【００４１】
本発明のまた他の目的は、電極部の電極を被処理物の基板と平行な状態をなすように構成して被処理物が電極部から発生される電気場の影響によって前記被処理物に形成された金属膜などを損傷することがないようにさせる常圧プラズマ洗浄装置を供給することにある。
【００４２】
本発明のまた他の目的は、ガス供給構造を改善して均一なプラズマが発生するようにさせる常圧プラズマ洗浄装置を供給することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
前記目的を達成するための本発明による半導体常圧プラズマ洗浄装置は、所定圧力の反応ガスを下側に供給することができる反応ガス供給部と、前記反応ガス供給部と所定間隔で離隔されて前記反応ガス供給部と平行に設置され、前記供給された反応ガスを所定圧力で吸入放出することができる反応ガス吸入部と、絶縁材質の固定体を介在して前記反応ガス供給部と前記反応ガス吸入部との間に前記反応ガス供給部及び反応ガス吸入部と平行に設置された第１電極及び第２電極を含む電極部と、前記第１電極及び第２電極に電力を印加して前記第１電極及び第２電極の下側に電気場を形成することができる電源と、前記反応ガス供給部、反応ガス吸入部及び電極部の下側に位置し、被処理物を支持するテーブルと、を備えて構成されることを特徴とする。
【００４４】
ここで、前記反応ガス供給部は、一側部及び他側部の内側に互いに相異なる方向の皺が形成された反応ガス供給管と、前記反応ガス供給管の表面に形成された複数の反応ガス供給口と、を備えて構成され、前記反応ガス吸入部は、一側部及び他側部の内側に互いに相異なる方向の皺が形成された反応ガス吸入管と、前記反応ガス吸入管の表面に形成された複数の反応ガス吸入口から成る。
【００４５】
そして、前記反応ガス吸入口の直径が前記反応ガス供給口の直径よりも相対的に大きく形成でき、前記第１電極及び第２電極は表面積を増やすための複数の突出及び陥没部が形成でき、前記第１電極及び第２電極の表面はエンボシング処理することができる。
【００４６】
また、前記第１電極及び第２電極ガラスの絶縁体上に位置することができ、前記第１電極及び第２電極の表面は両極酸化処理することができる。
【００４７】
そして、前記電極部の上側に前記第１電極及び第２電極を冷却させるための冷却ファンがさらに備えられ、前記反応ガス供給部、電極部及び反応ガス吸入部は一体で形成され、前記反応ガス供給部、電極部及び反応ガス吸入部は支持台によって作業室の天井に固定できる。
【００４８】
また、前記テーブル表面には、複数のローラーが備えられることで、前記ローラーによって前記テーブル上に位置した被処理物が一側から他側へ移動させることができる。
【００４９】
次に、一面が回転ローラーの上面に安着されて所定の方向に移送される被処理物と、前記被処理物の他面側に所定の間隔を置いて設置されて同一の平面上に揃えて設置される少なくとも二つの電極から成る電極部と、電極部に所定の電圧を供給する電源と、を備える。
【００５０】
前記電極部は第１、２電極から成り、その第１、第２電極の面積が同様に形成される。
【００５１】
前記第１、２電極及び電源の連結ライン上には、電流制限用の抵抗がそれぞれ連結される。その抵抗は５０ｋΩ〜１５０ｋΩにする。
【００５２】
前記電源は、１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの周波数及び５〜１０ｋＶ（Ｐ−Ｐ）電圧を印加する。
【００５３】
前記電極部の各電極は、所定の間隙を維持するよう設置され、その間隙は１０〜１５ｍｍとする。
【００５４】
前記被処理物と間隙部との間隔は２〜５ｍｍとする。
【００５５】
次に、前記電極部から成る各電極の下部には絶縁体が用意され、各電極の上部及び両側面をカバーする絶縁体が備えられる。
【００５６】
また、前記電極部は、第１、２、３電極で構成され、その面積比が１：２：１に備えられ、前記第１、３電極は共通電圧が印加され、前記第２電極は別途の電圧が印加される。
【００５７】
前記第２電極及び電源の連結ライン上には電流制限用の抵抗が連結され、前記抵抗は５０ｋΩ〜１５０ｋΩとする。
【００５８】
前記電極部になす各電極の下部には絶縁体が備えられ、各電極の上部及び両側面をカバーする絶縁カバーが用意され、前記絶縁体及び絶縁カバーはガラス、石英、セラミックのうちどれか一つで製作される。
【００５９】
次に、一面が回転ローラーの上面に安着されて所定の方向に移送される被処理物と、前記被処理物の他面側に所定の間隔を置いて設置され、同一の平面上に揃えて設置される少なくとも二つの電極から成る電極部と、前記電極部に所定の電圧を供給する電源と、前記電極部及び被処理物の上面に所定のガスを供給し、その供給されるガスが被処理物の全面に掛けて均等に供給するガス供給部を備え、前記ガス供給部はガスが供給されるガス供給口と、前記ガス供給口を通って供給されたガスを所定の空間内に留まれるようにするガス緩衝部と、前記ガス緩衝部により均一な圧力を維持するガスを前記被処理物の上面に噴射するノズル部を備える。
【００６０】
前記ガス緩衝部には、ガス通過ホールが形成された複数のバフルが積層されて設置され、各バフルに形成されたガス通過ホールの位置が互いに離隔されように位置する。
【００６１】
前記ガス供給部は、前記被処理物の移送方向を基準にして被処理物が進入される位置である電極部の先端部に位置する。
【００６２】
前記ガスは、不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）、またはヘリウム（Ｈｅ）であるか、またはこの混合ガスでありその混合ガスのアルゴン：ヘリウムの比率を１：１〜５：１にするのが好ましい。
【発明の効果】
【００６３】
本発明によると、被処理物の大きさ及び形状などに制限されることなく、被処理物を一括洗浄して洗浄時間を短縮させることができ、前記一括洗浄によって洗浄均一度を向上させることができる効果がある。
【００６４】
そして、電極に陥没及び突出部を形成し、表面をエンボシングで処理することによって電極に対する冷却効率が向上できるだけではなく、高密度のプラズマを形成することができ、１００Ｈｚないし１ＫＨｚの低周波使用することにより電極から熱が発生することを抑える効果がある。
【００６５】
また、ローラーを用いて被処理物を移送することで、被処理物を支持する電極表面に形成された貫通ホールによってプラズマのデンシティの均一度が落ち、絶縁破壊によるアーキングなどが発生することを防ぐ効果がある。
【００６６】
そして、本発明によるプラズマ洗浄装置は、常圧状態で反応ガスをプラズマ状態に転換することによって高価である高真空ポンプなどの使用を排除させ装備生産単価を下げる効果がある。
【００６７】
電極部の構成を同一の平面上に揃えて設置すると共に、被処理物の一面と平行状態をなすように設置して電気場の通過による被処理物に形成される金属膜、すなわちパターンの損傷されることを防ぐと言うメリットがある。
【００６８】
また、被処理物の上面に供給されるガスを均一に供給して均一な密度のプラズマを発生させて洗浄効率を向上させるメリットがある。
【００６９】
以上、本発明は、記載された具体的な例に関してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者において明白なものであり、このような変形及び修正が添付された特許請求範囲に属することは当然のことである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７０】
以下，添付された図面を参考して本発明の具体的な実施例を説明する。
【００７１】
［実施例１］
図３は、本発明の一実施例に係る半導体常圧プラズマ洗浄装置の断面の構成図であり、図４は本発明の一実施例に係る半導体常圧プラズマ洗浄装置の反応ガス供給部、電極部及び反応ガス吸入部の底面図である。
【００７２】
本発明による常圧プラズマ洗浄装置は、図３に示されたように所定間隔で離隔された第１支持台５２及び第２支持台５４によって反応ガス供給部３０、電極部３２及び反応ガス吸入部３４が作業室の天井等に固定されている。
【００７３】
また、前記反応ガス供給部３０は、所定圧力の酸素（Ｏ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス及び窒素（Ｎ２）ガス等の反応ガスを下側に供給することができる反応ガス供給管３６を備える。
【００７４】
この時、前記反応ガス供給管３６は、反応ガス供給部３０の下側に設置され、前記反応ガス供給管３６表面には複数の反応ガス供給口３８が形成されている。
【００７５】
そして、前記電極部３２は、中が空である箱（Ｂｏｘ）形態から成り、前記電極部３２の上部には電極部３２の内部空気を外部へ強制にポンピングし、冷却させることができる第１冷却ファン４０ａ及び第２冷却ファン４０ｂが備える。
【００７６】
特に、前記電極部３２の内部には、第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂが絶縁材質の固定体４６を介在して反応ガス供給部３０及び反応ガス吸入部３４と平行に配置設置され、前記第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂはアーキングなどが発生することを防ぐために第１絶縁ガラス４２ａ及び第２絶縁ガラス４２ｂ上に固定されている。
【００７７】
この時、前記第１電極４４a及び第２電極４４b上部には、表面積を増やして放熱効果を向上させられるように複数の突出及び陥没部が形成されてあり、前記突出及び陥没部が形成された第１電極４４a及び第２電極４４bの表面は外部表面積をさらに増やして放熱効果及びプラズマデンシティを向上させられるようにエンボシング（Ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）処理されている。
【００７８】
そして、前記第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂは、アルミニウムＡ１材質から成り、前記アルミニウム材質の第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの表面は腐食を防ぎ、放熱効果を向上させ、絶縁効果を向上させるために両極酸化処理されている。
【００７９】
また、前記第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂは、図５に示されたように１ｋＶないし８ｋＶの出力電圧と１００Ｈｚないし１ｋＨｚの低周波電力を印加することができる電源６２と互いに連結される事で、電源６２の低周波電力の印加によって第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの下側に電気場（Ｅ）が形成されることができる。
【００８０】
そして、前記反応ガス吸入部３４は、反応ガス供給部３０で下側に放出された酸素（Ｏ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス及び窒素（Ｎ２）ガス等の反応ガスを所定圧力で再び吸入し強制ポンピングする事ができる反応ガス吸入管４８を備える。
【００８１】
この時、前記反応ガス吸入管４８は、反応ガス吸入部３４の下側に設置され、前記反応ガス吸入管４８の表面には反応ガス供給口３８よりも直径が大きい複数の反応ガス吸入口５０が形成されている。
【００８２】
そして、図４を参照して反応ガス供給管３６、絶縁ガラス４２ａ、４２ｂ、電極４４ａ、４４ｂ及び反応ガス吸入管４８の配置状態についてより詳細に調べると、前記反応ガス供給管３６及び反応ガス吸入管４８が所定間隔で離隔されて配置され、前記反応ガス供給管３６と反応ガス吸入管４８との間の第１絶縁ガラス４２ａ及び第２絶縁ガラス４２ｂ上に第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂが設置される。
【００８３】
ここで、前記反応ガス供給管３６及び反応ガス吸入管４８は、内部に皺が形成された皺管から成り、前記反応ガス供給管３６及び反応ガス吸入管４８の一側部の皺方向と他側部の皺の方向が反対に形成されることで、反応ガスの供給及び放出が容易となる。
【００８４】
即ち、前記反応ガス供給管３６及び吸入管４８の一側部の内側には右の方向、他側部の内側には左の方向の皺を形成するか、または前記反応ガス供給管３６及び反応ガス吸入管４８の一側部の内側には左の方向、他側部の内側には右の方向の皺が形成されている。
【００８５】
従って、前記反応ガス供給管３６に流入される反応ガスは、反応ガス供給管３６内側に形成された皺による回転現象により反応ガス供給管３６の内側中央部に容易に移動供給されることができ、前記反応ガス吸入管４８の反応ガス吸入口５０に流入された反応ガスは、反応ガス吸入管４８の内側に形成された皺による回転現象がより反応ガス吸入管４８の端部に容易に移動放出できるようになっている。
【００８６】
しかし、前記反応ガス供給部３０、反応ガス吸入部３４及び電極部３２と約３ｍｍないし６ｍｍ程度下側に離隔された距離Ｄ、即ち、前記電源６２の第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂに対する電力印加によって第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの下側に形成される電気場の最大影響範囲内に被処理物６０を支持するテーブル５６が備えられている。
【００８７】
ここで、前記テーブル５６上には上部に支持された被処理物６０を一側から他側へ移動させるための複数のローラー（Ｒｏｌｌｅｒ）５８が設置されている。
【００８８】
以下、上述した本発明に係る常圧プラズマ洗浄装置の構成に関する具体的な動作を詳細に説明する。
【００８９】
本発明による常圧プラズマ洗浄装置は、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）及びＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等の被処理物６０がテーブル５６上に安着されると、前記テーブル５６上にローラー５８は回転することによって被処理物６０は一側から他側へ移動するようになる。
【００９０】
この時、前記テーブル５６の全ての側方向は完全に開放されているのでテーブル５６上に位置する被処理物６０の大きさ、形状等に制限なしで被勝利物６０をテーブル５６上に位置させて洗浄工程を実施することができる。
【００９１】
しかし、前記被処理物６０がテーブル５６上から移動する過程で反応ガス供給部の反応ガス供給管３６は流入された酸素（Ｏ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス及び窒素（Ｎ２）ガス等の一定量の反応ガスを、反応ガス供給口３８を通ってテーブル５６の方向に所定圧力で噴射供給する。
【００９２】
この時、前記反応ガス供給管３６は、一側部及び他側部の内側に反対方向の皺が形成された皺管からなることによって反応ガス供給管３６の内部に流入された反応ガスは回転現象により反応ガス供給管３６の中央部まで円滑に移動してテーブル５６の方向に噴射される。
【００９３】
また、前記電源６２は、アルミニウム材質の第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂに１ｋＶないし８ｋＶの出力電圧による１００Ｈｚないし１ｋＨｚの低周波電力を印加することによって第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの下側に電気場Ｅを形成する。
【００９４】
この時、前記テーブル５６上の被処理物６０が電気場Ｅを通過することで、テーブル５６の方向に噴射供給された反応ガスは被処理物６０によって上部に反射されて電気場内に停滞されるので反応ガスは電気場により活性化されて原子、電子、原子団等が共存するプラズマ状態に転換され、前記プラズマ状態の反応ガスと被処理物６０表面の汚染物と反応して被処理物６０の表面の有機物、金属物質等の汚染源は一括的に除去される。
【００９５】
この時、前記被処理物６０に対する洗浄は、被処理物６がテーブル５６の上でローラー５８によって移動する過程が一括的に実施されることによって洗浄時間が短く、一回の被処理物６０の移動によって被処理物６０の上部表面の全領域に対して洗浄が完了され洗浄の均一度が一定となる。
【００９６】
また、前記第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの表面はエンボシングで処理されて外部の表面積が増加されているので電気場のデンシティ（Ｄｅｎｓｉｔｙ）が向上されて高密度プラズマを形成することができる。
【００９７】
そして、前記電源６２の第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂに１ｋＶないし８ｋＶの出力電圧による１００Ｈｚないし１ｋＨｚの低周波電力印加によって第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂでは高周波電力印加と比べて相対的に少ない量の熱が発生し、前記第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂから発生された熱は第１冷却ファン４０ａ及び第２冷却ファン４０ｂの駆動によって空冷される。
【００９８】
特に、前記第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの上部には表面がエンボシング処理された複数の陥没及び突出部が備えて外部の表面積が増えることによって熱の放出が円滑となり、第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの冷却は素早く実施され、前記アルミニウム材質の第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの表面は両極酸化処理されることによって第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂ表面の腐食は防止され、放熱効果が向上でき、絶縁効果も向上できる。また、前記テーブル５６上に噴射されて、第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂの下側に形成された電気場によってプラズマ状態に転換された反応ガスは反応ガス吸入管４８の反応ガス吸入口５０により所定圧力で吸入されて外部に放出される。
【００９９】
特に、前記反応ガス吸入管４８は、一側部及び他側部の内側に反対方向に皺が形成された皺管にすることによって反応ガス吸入口５０を通って反応ガス吸入管４８内部に流入された反応ガスは回転現象により反応ガス吸入管４８の端部まで円滑に移動し外部に放出される。
【０１００】
そして、前記反応ガス吸入管４８表面に形成された反応ガス吸入口５０の直径が反応ガス供給口３８の直径よりも大きく形成されているので反応ガスの吸入は円滑に進行する．
【０１０１】
次に、図６及び図８を参照して本発明の他の実施例による常圧プラズマ洗浄装置の構成及び作用についてさらに詳細に説明する。
【０１０２】
［実施例２］
図６に示されたようにその上面に被処理物Ｓを安着させて所定の方向に回転されることによって被処理物Ｓを移送させる複数の回転ローラー１０１が所定の間隔をおいて用意される。この時、前記回転ローラー１０１は、図では示されない支持テーブルにより支持される。
【０１０３】
前記回転ローラー１０１と接する被処理物Ｓの他面側には所定の間隔Ｄ１をおいて設置され、同一の平面上に第１電極１０３ａ、及び第２電極１０３ｂが揃って構成されてアーク（ＡＲＣ）現象の電気場Ｅを形成する電極部１０３を成す。
【０１０４】
上述したように第１、２電極１０３ａ、１０３ｂが同一の平面上に揃って設置され、その底面に被処理物Ｓが位置することにより、図８に図示されたようにアーク現象の電気場Ｅが形成されて、従来のように上部及び下部に電極を設置され電気場の通過による被処理物Ｓに形成された金属膜、特に、パターン等が損傷される問題点が解消できる。
【０１０５】
前記第１，２電極３ａ、３ｂは、所定の間隙Ｄ２をおいて設置され、それぞれの下面には絶縁体５が用意され、その上面及び側面には絶縁カバー７がそれぞれ用意される。
【０１０６】
ここで、間隙Ｄ２があまり遠くなるとプラズマの発生条件を満足させなくなり、また、その間隙Ｄ２があまり狭いとプラズマが発生する時、その間隙部にプラズマが密集されて絶縁カバー１０７を含め、第１、２電極１０３ａ、１０３ｂを破壊することになる。
【０１０７】
従って、その間隙Ｄ２を１０ｍｍ〜１５ｍｍにするのが好ましい。
【０１０８】
一方、第１、２電極１０３ａ、１０３ｂは、電源１０９と連結されて所定の電圧が供給される。
【０１０９】
前記電源１０９から供給される電圧は、１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの周波数及び５〜１０ｋＶ（Ｐ−Ｐ）の交流（ＡＣ）電圧にすることが好ましい。
【０１１０】
この時、前記第１、２電極１０３ａ，１０３ｂは、その面積が１：１で同一の面積をなす。これは電流の平衡を保つためである。
【０１１１】
また、前記第１、２電極１０３ａ，１０３ｂと前記電源１０９を連結する電源連結ライン１１１ａ，１１１ｂ上には、それぞれ電流制限用の抵抗１１３ａ，１１３ｂが用意される。前記抵抗１１３ａ，１１３ｂは、洗浄作業をしない場合、被処理物Ｓと電極ぶ１０３との間で電子の数とイオンの数が増えることによって電流の流れが増加して被処理物Ｓ及び絶縁体１０５を含む第１、２電極１０３ａ，１０３ｂが破壊されることを防ぐために使用される。
【０１１２】
前記被処理物Ｓと電極部１０３との間隔Ｄ１は、２．０〜５ｍｍとすることが好ましい。
【０１１３】
前記絶縁体１０５及び絶縁カバー１０７は、ガラス、石英、またはセラミックなどの絶縁体からなり前記電極部１０３を保護してアーキング発生を防ぎ、静電気の発生を最小化する。
【０１１４】
［実施例３］
説明する前に図６及び図８の構成と同一の部分に関しては同一の符号を明記し、それに関する詳しい説明は省略する。
【０１１５】
図７に示されたように電極部１０３′の電極が第１，２，３電極１０３ａ′，１０３ｂ′，１０３ｃ′で構成される。
【０１１６】
前記第１，２，３電極１０３ａ′，１０３ｂ′，１０３ｃ′の面積比は、それぞれ１：２：１となり、前記第１，３電極１０３ａ′，１０３ｃ′は電源１０９から共通電圧が印加され、前記第２電極１０３ｂ′は単一電圧が印加される。
【０１１７】
また、前記第２電極１０３ｂ′及び電源１０９を連結する電源連絡ライン１１５上には、抵抗１１７が連結され、その抵抗１１７の大きさは５０ｋΩ〜１５０ｋΩとするのが好ましい。
【０１１８】
上述のように第１，２，３電極１０３ａ′，１０３ｂ′，１０３ｃ′の面積比をそれぞれ１：２：１とし、第１，３電極１０３ａ′，１０３ｃ′に共通電圧を印加し、第２電極１０３ｂ′に単一電圧を印加させる構造に具現することにより電極三つを用いて図１電極部１０３の構成を二組とする効果が得られる。
【０１１９】
この時のメリットは、その電極部１０３′の占有空間を縮小させて制限された空間内での活用効果を高めることである。
【０１２０】
上述において、前記抵抗１１７を図６の抵抗１１１ａ、１１１ｂよりも小さくすることは、その電気場Ｅが示したように第１，３電極１０３ａ′，１０３ｃ′の両方向に形成されて電流の量が図６と比べて相対的に小さいからである。
【０１２１】
前記電源１０９から供給される電圧と、前記被処理物Ｓと電極部１０３′との間隔Ｄ１及び前記第１，２，３電極１０３ａ′，１０３ｂ′，１０３ｃ′の間の間隙Ｄ２は、図６の適用数値と同様に適用されるのでそれに関する説明は省略する。
【０１２２】
また、絶縁体１０５及び絶縁カバー１０７も図６と同様に適用される。
【０１２３】
［実施例４］
図６、図７及び図１０を参照してプラズマ発生のためのガス供給構造に関して説明する。
【０１２４】
図１０に示されたように電極部１０３（１０３′）と被処理物Ｓとの間にガスを供給するガス供給装置３００がある。
【０１２５】
前記ガス供給装置３００は、前記電極部１０３（１０３′）と被処理物Ｓとの間に供給されるガスを均一な圧力で供給するために所定のガス緩衝構造を有することが特徴である。
【０１２６】
これについてさらに詳しく説明すると、前記ガス供給装置３００は、図には示されてない供給源からガスを供給してもらうガス供給口３０２ａが用意されたボディー３０２と、前記ガス供給口３０２ａを通って供給されたガスをためられる所定の空間を持つガス緩衝部３０５と、前記ガス緩衝部３０５により圧力が均一になったガスを前記被処理物Ｓの上面に向って噴射するノズル部３０７と、で構成される。
【０１２７】
前記図６及び図７では、前記ボディー３０２を「Ｔ」字の形状で製作し、その内部に「Ｖ」字の形状のホーム３０９ａが形成された連結ブロック３０９を用意して前記ボディー３０２を前記ホーム３０９ａに挿入させることによって形成される三角形状の空間部を形成させることによりガス緩衝部３０５を構成し、前記空間部をなす下側の頂点位置を貫通するノズル部３０７で構成している。
【０１２８】
この時、前記ガス緩衝部３０５には、複数のガス通過ホール４０１ａが用意されたバフル４０１が積層されて備えられるが、この時、各バフル４０１に形成されたガス通過ホール４０１ａは、その位置が相互ずれるような形で形成されガスの流れを遅延させるように構成される。
【０１２９】
前記ガス供給装置３００の設置位置は、図１及び図２に示されたように被処理物Ｓが進行する方向を基準として電極部１０３（１０３′）の下側に導入される位置に設置するのが好ましい。
【０１３０】
このように構成されたガス供給装置３００によりガス供給源から供給されるガスをガス緩衝部を通って均一な圧力分布にさせた後、被処理物Ｓの上面にならし噴射させることによって被処理物Ｓの上面で発生するプラズマの密度を均一させ、洗浄効率を向上させることができる。
【０１３１】
前記の供給されるガスは、不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）、またはヘリウム（Ｈｅ）であるか、またはこれらの混合ガスが使用し、その混合ガスであるアルゴン：ヘリウムの比率は、１：１〜５：１であることが好ましい。
【０１３２】
上述したガス供給構造において、多量の有機物を除去するために不活性ガスに酸素（Ｏ２）を追加する場合に発生する有害なオゾン（Ｏ３）を除去するために排気吸入口を費処理物が進行する方向に電極部１０３，１０３′の端部に設置して運営することができる。
【０１３３】
上述した実施例１，２，３，４に適用された洗浄装置は、ＦＰＤ（ＦＬＡＴ  ＰＡＮＥＬ  ＤＩＳＰＬＡＹ）であるＬＣＤ（ＬＩＱＵＩＤ  ＣＲＹＳＴＡＬ  ＤＩＳＰＬＡＹ）や有機ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯ  ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）などから基板であるガラスや各種のフィルム薄膜であるＩＴＯ（ＩＮＤＩＵＭ  ＴＩＮ  ＯＸＩＤＥ）、クロム（Ｃｒ）化合物、窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）などと各種の有機薄膜と各種の高分子フィルム、各種の金属の表面に蒸着される自然酸化膜を除去したり親水性化させる目的として使用される。
【０１３４】
これに関してさらに詳しく説明すると、感光剤塗布前に金属膜や高分子フィルムを洗浄することによって、感光剤がフィルムに均一に接着できるために接着力が増大する効果と、フィルムを塗布、蒸着する前後、またはエッチングの後に感光剤を除去するなどの洗浄効果を期待することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】従来の常圧プラズマ洗浄装置の概略構成図である。
【図２】図１に示す下部電極の詳細な断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る常圧プラズマ洗浄装置の断面構成図である。
【図４】図３に示す常圧プラズマ洗浄装置の底面図である。
【図５】図３及び図４に示す第１電極及び第２電極による電気場の形成状態を示す説明図である。
【図６】本発明の他の実施例に係る常圧プラズマ洗浄装置の構成を示す図である。
【図７】本発明のまた他の実施例に係る常圧プラズマ洗浄装置の構成を示す図である。
【図８】図６の電極部によって発生する電気場の状態を示す図である。
【図９】図７の電極部によって発生する電気場の状態を示す図である。
【図１０】本発明のまた他の実施例に係るガス供給装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１３６】
２  反応チャンバー
１０，３８  反応ガス供給口
１２  反応ガス放出口
１４  被処理物供給口
１６  被処理物放出口
１８  下部電極
２０，２４  絶縁物
２２  上部電極
２６，６２  電源
３０  反応ガス供給部
３２  電極部
３４  反応ガス吸入部
３６  反応ガス供給管
４０  冷却ファン
４２  絶縁ガラス
４４  電極
４６  固定体
４８  反応ガス吸入管
５０  反応ガス吸入部
５２，５４  支持台
５６  テーブル
５８，１０１  ローラー
６０，Ｓ  被処理物
１０３ａ，１０３ｂ  第１，２電極
１０３ａ′，１０３ｂ′，１０３ｃ′  第１，２，３電極
３，３′  電極部
１０５  絶縁体
１０７  絶縁カバー
１０９  電源
１１１ａ，１１１ｂ，１１５  電源連結ライン
１１３ａ，１１３ｂ，１１７  抵抗
Ｅ  電気場
３００  ガス供給装置
３０２  ボディー
３０２ａ  ガス供給口
３０５  ガス緩衝部
３０７  ノズル部
４０１  バフル
４０１ａ  ガス通過ホール
【図１】
2005517530.tif 000003
【図２】
2005517530.tif 000004
【図３】
2005517530.tif 000005
【図４】
2005517530.tif 000006
【図５】
2005517530.tif 000007
【図６】
2005517530.tif 000008
【図７】
2005517530.tif 000009
【図８】
2005517530.tif 000010
【図９】
2005517530.tif 000011
【図１０】
2005517530.tif 000012
【国際調査報告】
2005517530.tif 000013
2005517530.tif 000014
2005517530.tif 000015