(57)【要約】板状又はディスク状の半導体又は絶縁体材料のウェーハ（１０）から形成された少なくとも一つの個別又は集積デバイス（２０）を有する電気又は電子部品（１００）であって、デバイス（２０）の前面（２０ｖ）が、少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した特にボール状又は球状の電極（４０）を有し且つ少なくとも一つの前面カプセル材料（６０ｖ、７０ｖ、８０ｖ）によってカプセル封止され、デバイス（２０）の側面（２０ｓ）が、少なくとも一つの側面カプセル材料（７０ｓ、８０ｓ）によって少なくとも部分的にカプセル封止され、デバイス（２０）の背面（２０ｒ）が、少なくとも一つの背面カプセル材料（７０ｒ、８０ｒ）によってカプセル封止されている電気又は電子部品（１００）を改良するため、並びに、可能な使用法及び用途を拡大することを目的として、非常に小さな寸法のプラスチックパッケージ（６０ｖ、７０ｖ、８０ｖ、７０ｓ、８０ｓ、７０ｒ、８０ｒ）に収容されるべきデバイス（２０）の前面（２０ｖ）と単独では電気的接触が形成されないような方法で、上記電気又は電子部品の製造方法を改良するため、側面カプセル材料（７０ｓ）及び背面カプセル材料（７０ｒ）の両方が、少なくとも部分的に及び／又は少なくとも層として、部分間又は層間接続と共に、電気的に伝導する又は導電性の材料から形成されていることが提案される。
2005505936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状又はディスク状の半導体又は絶縁体材料のウェーハから形成された少なくとも一つの個別又は集積デバイスを有する電気又は電子部品であって、前記デバイスの前面は、少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した特にボール状又は球状の電極を有し且つ少なくとも一つの前面カプセル材料によってカプセル封止されており、前記デバイスの側面は、少なくとも一つの側面カプセル材料によって少なくとも部分的にカプセル封止されており、前記デバイスの背面は、少なくとも一つの背面カプセル材料によってカプセル封止されており、前記側面カプセル材料及び前記背面カプセル材料の両方は、少なくとも部分的に及び／又は少なくとも層として、部分間又は層間接続と共に、電気的に伝導する又は導電性の材料から形成されていることを特徴とする電気又は電子部品。
【請求項２】
背面接点として機能する少なくとも一つの突出した及び／又は出っ張った特にボール状又は球状の電極は、前記デバイスの前面に隣接する前記電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料の露出端に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気又は電子部品。
【請求項３】
電気的に伝導する又は導電性の材料から形成された前記側面カプセル材料は、電気絶縁性材料から形成された側面カプセル材料によりカプセル封止され、且つ、電気的に伝導する又は導電性の材料から形成された前記背面カプセル材料は、電気絶縁性材料から形成された背面カプセル材料によりカプセル封止されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気又は電子部品。
【請求項４】
［ A］      少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した接点が、板状又はディスク状の半導体又は絶縁材料のウェーハの前面に形成及び／又は肥厚化され、
［ B.1］    前記ウェーハの背面が、伸張可能又は拡張可能フィルムに付着され、
［ B.2］    前記ウェーハが、個々の個別又は集積デバイスに分割され、
［ B.3］    前記フィルムが、伸張又は拡張され、
［ C.1.a］  前記デバイスの前面が、少なくとも一つの前面カプセル材料により被覆され及び／又は
［ C.1.b］  少なくとも一つの側面カプセル材料は、前記フィルムが伸張又は拡張されるときに個々のデバイスの間に形成されるギャップに、前記デバイスの前記前面に隣接する領域から充填され、
［ C.2.a］  前記デバイスの背面が、少なくとも一つの背面カプセル材料により被覆され及び／又は
［ C.2.b］  前記側面カプセル材料は、前記フィルムが伸張又は拡張されるときに前記個々のデバイスの間に形成されるギャップに、前記デバイスの前記背面に隣接する領域から充填され、
［ D.1］    少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した特にボール状又は球状の電極が、前記接点の各々に付着され、
［ E］      前記デバイスは、分割によって形成される個々の部品の側面が前記ギャップに充填された前記側面カプセル材料により被覆されたままになっており、前記側面カプセル材料及び前記背面カプセル材料の両方は、少なくとも部分的に及び／又は少なくとも層として、部分間又は層間接続と共に、電気的に伝導する又は導電性の材料から形成されることを特徴とする電気又は電子部品の製造方法。
【請求項５】
追加又は代替として、少なくとも一つの前面カプセル材料により前記デバイスの前記前面を被覆することからなる方法のステップ［ C.1.a］は、前記ウェーハの前記背面の前記フィルムへの付着（＝方法のステップ［ B.1］）の前又は後に行われることを特徴とする請求項４に記載の電気又は電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記側面カプセル材料の前記ギャップへの充填（＝方法のステップ［ C.1.b］）の後、前記デバイスの背面の前記背面カプセル材料による被覆（＝方法のステップ［ C.2.a］）の前に、前記デバイスは、前記フィルムから取り外され、前記接点を含む前記デバイスの前記前面は、形成及び／又は肥厚化された接点（方法のステップ［ A］を参照）も、前記デバイスの前面に付着された前面カプセル材料（方法のステップ［ C.1.a］を参照）も、前記ギャップに充填された前記側面カプセル材料（方法のステップ［ C.1.b］を参照）も、平坦化によって形成される平坦面からの突出及び／又は出っ張りとならないように、平坦化されることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気又は電子部品の製造方法。
【請求項７】
電気的に伝導する又は導電性の背面カプセル材料による前記デバイスの前記背面の被覆（＝方法のステップ［ C.2.a］）の後であって、前記ギャップへの電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料の充填（＝方法のステップ［ C.1.b］及び／又は方法のステップ［ C.2.b］）の後に、
［ C.3］    電気的に伝導する又は導電性の背面カプセル材料により被覆される前記デバイスの背面が、伸張可能又は拡張可能フィルムに再び付着され、
［ C.4］    前記デバイスは、分離によって形成される個々のデバイスの側面が前記ギャップに充填された電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料により被覆されたままになっているように、相互に分離され、
［ C.5］    前記フィルムが、伸張又は拡張され、
［ C.6.a］  前記デバイスの前記前面が、少なくとも一つの電気絶縁性の前面カプセル材料により被覆され及び／又は、
［ C.6.b］  少なくとも一つの電気絶縁性の側面カプセル材料は、前記フィルムが伸張又は拡張されるときに前記個々のデバイス同士の間に形成される前記ギャップに、前記デバイスの前記前面に隣接する領域から充填され、
［ C.7.a］  前記デバイスの前記背面が、少なくとも一つの電気絶縁性の背面カプセル材料により被覆され及び／又は、
［ C.7.b］  前記電気絶縁性の側面カプセル材料は、前記フィルムが伸張又は拡張されるときに前記個々のデバイス同士の間に形成される前記ギャップに、前記デバイスの背面に隣接する領域から充填され、
［ D.2］    前記電極の前記接点への付着（方法のステップ［ D.1］を参照）の前及び／又はその間及び／又はその後において、背面接点として機能する少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した特にボール状又は球状の電極が、前記デバイスの前面に隣接する電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料の露出端に付着される、
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の電気又は電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記ギャップへの電気絶縁性の側面カプセル材料の充填（＝方法のステップ［ C.6.b］）の後、前記電気絶縁性の背面カプセル材料による前記デバイスの前記背面の被覆（方法のステップ［ C.7.a］）の前に、前記デバイスは、前記フィルムから取り外され、前記接点を含む前記デバイスの前記前面は、形成及び／又は肥厚化された前記接点（方法のステップ［ A］を参照）も、前記デバイスの前記前面に付着された前記前面カプセル材料（方法のステップ［ C.1.a］及び方法のステップ［ C.6.a］を参照）も、前記ギャップに充填された前記側面カプセル材料（方法のステップ［ C.1.b］及び方法のステップ［ C.6.b］を参照）も、平坦化により生成される平面からの突出及び／又は出っ張りとならないように、平坦化されることを特徴とする請求項７に記載の電気又は電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記前面カプセル材料、前記側面カプセル材料及び前記背面カプセル材料を含む前記デバイスは、前記電極が前記接点に付着される（＝方法のステップ［ D.1］）前又は前記電極が前記接点に付着される（＝方法のステップ［ D.1］）後に、焼き戻されることを特徴とする請求項４乃至８のいずれかに記載の電気又は電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記デバイスが個々の部品を形成するために分割される（＝方法のステップ［ E］）前に、前記電気絶縁性の背面カプセル材料により被覆される前記デバイスの前記背面は、伸張可能又は拡張可能フィルムに再び付着され、個々の部品を形成するように前記デバイスを分割にする（＝方法のステップ［ E］）ために、前記デバイスは、分離により生成される前記個々のデバイスの前記側面が前記ギャップに充填された前記電気絶縁性の側面カプセル材料により被覆されたままになっているように、再び相互に分離され、前記フィルムは、伸張又は拡張されることを特徴とする請求項４乃至９のいずれかに記載の電気又は電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、個別又は集積デバイスを非常に小さな寸法のプラスチックパッケージに嵌め込む技術分野に関する。
【０００２】
特に、本発明は、板状又はディスク状の半導体又は絶縁体材料のウェーハから形成された少なくとも一つの個別又は集積デバイスを有する電気又は電子部品であって、デバイスの前面が、少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した特にボール状又は球状の電極を有し、少なくとも一つの前面カプセル材料によってカプセル封止され、デバイスの側面が、少なくとも一つの側面カプセル材料によって少なくとも部分的にカプセル封止され、デバイスの背面が、少なくとも一つの背面カプセル材料によってカプセル封止されている電気又は電子部品に関する。
【０００３】
本発明はさらに、電気又は電子部品の製造方法であって、
［ A］      少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した接点が、板状又はディスク状の半導体又は絶縁材料のウェーハの前面に形成及び／又は肥厚化され、
［ B.1］    前記ウェーハの背面が、伸張可能又は拡張可能フィルムに付着され、
［ B.2］    前記ウェーハが、個々の個別又は集積デバイスに分割され、
［ B.3］    前記フィルムが、伸張又は拡張され、
［ C.1.a］  前記デバイスの前面が、少なくとも一つの前面カプセル材料により被覆され及び／又は
［ C.1.b］  少なくとも一つの側面カプセル材料は、前記フィルムが伸張又は拡張されるときに個々のデバイスの間に形成されるギャップに、前記デバイスの前記前面に隣接する領域から充填され、
［ C.2.a］  前記デバイスの背面が、少なくとも一つの背面カプセル材料により被覆され及び／又は
［ C.2.b］  前記側面カプセル材料は、前記フィルムが伸張又は拡張されるときに前記個々のデバイスの間に形成されるギャップに、前記デバイスの前記背面に隣接する領域から充填され、
［ D.1］    少なくとも一つの張り出し及び／又は突出した特にボール状又は球状の電極が、前記接点の各々に付着され、
［ E］      前記デバイスは、分割によって形成される個々の部品の側面が前記ギャップに充填された前記側面カプセル材料により被覆されたままになっている方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
個別又は集積デバイス、及び、特にシリコンチップのプラスチップ材料によるカプセル封止（いわゆるチップスケールパッケージング、換言すると、チップレベルでのデバイスのパッケージング）は、ウェーハレベルでの個別又は集積デバイスのソー切断及び測定（sawing apart and measurement）としても、現在の技術分野において広く知られている。
【０００５】
上記定義のこの種の電気又は電子部品及び上記定義の種類の電気又は電子部品の製造方法は、特に、米国特許第５，９８９，９８２号に開示されている。日本国公開特許公報  特開２０００−１２４１６４号、米国特許第６，１０７，１６４及びＰＣＴ国際出願公開明細書ＷＯ９４／２５９８７Ａ１号の形態においても、対応する電気又は電子部品及びその製造方法に関する他の従来の技術に対する参照がなされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術刊行物に開示された主題のセットの総てに共通することは、それらの可能な使用法及び用途が制限されていることである。理由は、電気接点が、それらの各場合に、非常に小さな寸法のプラスチックパッケージに収容されるために、デバイスの前面にのみ形成されるからである。また、上記従来の技術刊行物のいずれも、デバイスが効率的且つ安価な方法により総ての面に気密封止を形成し従って信頼できるプラスチック封止によって封じ込められ得ることを開示していない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記概説された不利益点及び欠点に基づき、本発明の目的は、上記定義の電気又は電子部品及び上記定義の種類の電気又は電子部品の製造方法を改良することであり、可能な使用法及び用途を拡大する目的で、電気接続は、非常に小さな寸法のプラスチックパッケージに収容されるべきデバイスの前面単独には行われず、同時に、部品が、効率的かつ安価な方法により総ての面に気密封止を形成し従って信頼できるプラスチックカプセル封止によって封じ込められることが意図される。
【０００８】
この目的は、請求項１において定義された特徴を有する電気又は電子部品によって及び請求項４において定義された特徴を有する電気又は電子部品の製造方法によって達成される。本発明の有利な実施の形態及び有用な改良は、それぞれのセットの従属請求項において定義されている。
【０００９】
このように、本発明の教示は、いわゆるチップスケールパッケージング、即ち、チップレベルのデバイスのパッケージングに対する総合的新規アプローチを提供する。本質的には、このアプローチは、本発明に必須である意味において、チップ、特にシリコンチップの形態を取る個別又は集積デバイスが、それらの前面に、好ましくは、電気メッキによって又は無電解メッキによっても電極、特にいわゆる半田ボール又は半田球が提供され、次に、連続するカプセル封止、分割及び伸張若しくは拡張ステップによってプラスチックパケージに段階的にパックされ、その場合、種々の複合材料が使用される、という事実に基づいている。
【００１０】
本発明は、耐用期間中の耐久性を改良するために、チップは、チップの総ての面が囲まれる非常に小さな寸法のプラスチックパッケージに嵌め込まれる（パッケージの寸法は、プラスチックのカプセル材料の最小厚みとチップの寸法によって単純に画定され、パッケージのサイズは、チップのサイズよりもほんの僅かだけ大きい）、簡素で効率的且つ安価なチップスケールパッケージングプロセスの一部として、「前面に」即ちチップの前面（又は上面）と電気接続されると共に、このように背面（又は底面）とも電気接触される、という事実に対して特に有用である。
【００１１】
これに関して、例えば、チップの前面（又は上面）とその背面（又は底面）との両方のいわゆるボンディングパッドとの接触を形成すると同時にチップの側面がそのような接触に対して絶縁され、必要な場合は本発明方法について記述されるステップの新たな組合せ及び／又は繰り返しによって、本発明により容易に被覆され且つ包含されるような他の好適な構成もある。この場合、本発明により直接に製造される製品、即ち、電気又は電子部品は、常に新規である。
【００１２】
半導体デバイスの技術、特にウェーハ技術の当業者は、個々のパッケージングされた又はパッケージングされてないチップに対する複雑で高価なハンドリングを必要としないこと、即ち、本発明の方法による処理の総てを通して、チップは実際にウェーハに結合されたままになっており、それによって、個々の製品の複雑なハンドリングのみならずウェーハレベルで従来より行われているチップの事前測定を陳腐化させることは、特に有益であることを理解するであろう。その上、いわゆるリードフレーム及びいわゆるボンディングワイヤに関連する処理により、分散配置することが可能となる。
【００１３】
本発明のこれら及びその他の態様は、後述される実施の形態から明らかになると共に、当該実施の形態を参照して説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
類似若しくは同一の構成、要素又は特徴は、図１Ａ乃至図１５において同一の参照番号が付与される。
【００１５】
図１Ａ乃至図１５を参照して説明される本発明の実施の形態として、プラスチックシェルに段階的にカプセル封止された仕上げ最終品（＝電気又は電子部品１００；図１５を参照）が得られるまでの電気又は電子部品１００を製造するための（即ち、ウェーハレベルでの段階的カプセル封止でのチップスケールパッケージングのための）種々の方法のステップが図１Ａ乃至図１４Ｂに示されている。
【００１６】
図１Ａ及び図１Ｂから理解されるように、この場合に起点材料として使用されるものは、板状又はディスク状のいわゆる「シリコンウェーハ」、即ち、半導体材料の基板１０であり、それは、チップレベルに完全に処理されており、好ましくは、薄い状態（二つのチップの間の半導体技術目的の境界（２０ｇ）が図１Ｂに点線によって指示されている）まで研磨されており、そのチップ上部又は前面１０ｖ上に、いわゆる金属ボンディングパッドの形態の複数の接点３０を有し、チップ底面又は背面１０ｒは、金属化されていると共に電気接点は、以下に説明される計画された順序の事象の過程でこの金属により形成される。
【００１７】
次に、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、シリコン１０の前面１０ｖのボンディングパッドは、いわゆる電気メッキ又は無電解メッキによってボンディングパッドの第１の肥厚化からなる方法のステップ［ A］において突き出た又は突出した接点３０の形態に肥厚化される。これは、電気メッキ又は無電解メッキによって、有利には、特に、円柱状又は少なくともキノコ状であって後続のプラスチックカプセル封止（単数又は複数）の最小厚みを少なくとも丁度越える高さである金属構造体が、ウェーハの前面１０ｖに配置されるボンディングパッド上に成長するように、一回又はそれ以上の回数の肥厚化ステップによりウェーハを処理することによって、本発明の必須の方法により行われる。金属ボンディングパッド上に形成される構造体は、実用的には、後続の「半田キノコ」（図１３Ａ及び図１３Ｂを参照して以下に説明される方法ステップ［ D.1］と［ D.2］を参照）と同一の材料であるべきである。
【００１８】
本発明にとって必須であるという意味で、チップに対する電気接続のいわゆる「再配置」において目的とされるステップは、方法のステップ［ A］の過程において遅滞なく行われ得る。この種の再配置において、金属ボンディングパッド上に製造された構造体及び後続の「半田キノコ」は、ボンディングパッドに直接には接続されないが、ウェーハの前面１０ｖに凹設された少なくとも一つの導電性、好ましくは金属接続部（又は「相互接続部」）を介してボンディングパッドに接続される。チップ設計、技術的機能及び本発明による電気又は電子部品１００が引き続いて使用され又は用いられるべき目的に応じて、この種の相互接続部は、例えば、銅のいわゆる導電性ワイヤや導電性フィルムの形態を取り得る。
【００１９】
図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、ここで、次の方法ステップ［ B.1］を行う。次の方法のステップ［ B.1］、即ち、ウェーハ１０の個々の個別又は集積デバイス２０への分割の条件として通常用いられる種類のプラスチック材料９０の（第１の）伸張可能又は拡張可能フィルムへの完全ウェーハ１０のその背面１０ｒによる付着又は「搭載」が行われる。このいわゆるＦＦＣプラスチックフィルム９０（ＦＦＣ＝フィルムフレームキャリア）は、ウェーハ１０の背面１０ｒに隣接する側に自己接着作用を有する。
【００２０】
図４Ａ及び図４Ｂから理解されるように、ウェーハ１０の背面１０ｒがプラスチックフィルム９０に付着された後に、ウェーハ１０の前面１０ｖは、前面カプセル材料６０ｖにより被覆される。しかしながら、この場合、ウェーハ１０の前面１０ｖの前面カプセル材料６０ｖによる被覆処理は、プラスチックフィルム９０へのウェーハ１０の背面１０ｒの付着から独立している。即ち、プラスチックフィルム９０は、図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、まだ第１のカプセル封止処理を受ける必要はない。
【００２１】
図４Ａ及び図４Ｂに示されるこの第１のカプセル封止処理において、ウェーハの表面は、一回又はそれ以上の回数のスピンコーティング処理によって、有利に自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化するプラスチックカプセル材料６０ｖにより被覆される。この硬化の度合は、室温で前面のプラスチックカプセル材料６０ｖが流動しないに十分な程度であることが好ましい。エッジが全体的に流動するように、最終的な硬化は、この場合には有益に後まで起こらないものとする。
【００２２】
前面のプラスチックカプセル材料６０ｖの厚みは、ウェーハの表面が完全に被覆されるに十分であるように選択される。電気メッキ又は無電解メッキによって肥厚化されたボンディングパッドは、この場合、部分的に被覆されても又は完全に被覆されてもよいが、必須ではない（図４Ｂに示される図面では、前面カプセル材料６０ｖの不特定残留物６２が、電気メッキや無電解メッキによって肥厚化された（左から）２番目及び４番目のボンディングパッド上に見られことがある）。
【００２３】
図５Ａ及び図５Ｂに見られるように、次に、ウェーハ１０は、方法ステップ［ B.2］において、個々の個別又は集積デバイス２０に分割される。個々のチップのこの分離は、図１Ｂに点線によって指示されるチップ同士間の半導体技術目的の境界２０の形態により画定される、分離のための第１のソー切断ライン上での第１のソー切断処理によって実行される。本発明に必須の意味において、この第１のソー切断処理は、最初に一つの方向のみに及び／又は総ての第２又は第３のソー切断ライン上において行われることができ、それによって得られるものはダイ（半導体チップ）である。このソー切断ラインは、第１のカプセル封止処理（図４Ａ及び図４Ｂを参照）の前に、パターン認識システムによって認識及び記憶されることが好ましい。
【００２４】
図５Ａ及び図５Ｂに更に開示されるように、ソー切断の後に、プラスチックフィルム９０は、伸張又は拡張される（＝方法のステップ［ B.3］）。これによって、ウェーハもまた拡張又は拡大され、プラスチックフィルム９０のＦＦＣフレーム（ＦＣＣ＝フィルムフレームキャリア）の周縁部が（いわゆるスプリングフォーム原理に基づいて）増加されるという進行過程によって有利に達成され得る。これが行われると、プラスチックフィルムの、従ってウェーハの伸張又は拡張によって個々のデバイス２０の間に、特にソー切断が行われた領域においてギャップ２０ｚが形成される。
【００２５】
図６Ａ及び図６Ｂは、方法の次のステップ［ C.1.a］と［ C.1.b］であり、これらのステップは、第２のカプセル封止処理の一般的な指示下で包括され、本質的に、プラスチックフィルム９０が伸張又は拡張されるときに個々のデバイス２０同士間に形成されるギャップ２０ｚ内にデバイス２０の前面２０ｖに隣接する領域から側面カプセル材料７０ｓが充填されることからなる（＝方法のステップ［ C.1.b］）。
【００２６】
このためになされることの詳細は、以下の通りである。方法のステップ［ C.1.a］において、ウェーハの表面は、１回又は複数回のスピンコーティング手順によって、更なる前面カプセル材料７０ｖにより被覆される。この材料は、自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化することが有利であるが、この材料は、導電性又は電気的に伝導する材料から形成される点において、先の「第１の」前面カプセル材料６０ｖ（図４Ａ及び図４Ｂ）とは異なっている。しかしながら、このステップは、ソー切断トレンチを充填するに過ぎないので、用いられるのが好適な処理は、以下の通りである。
【００２７】
方法のステップ［ C.1.b］において、「ソー切断トレンチ」として個々のデバイス２０同士の間に形成されるギャップ２０ｚには、同様に自己硬化する又はＵＶ（紫外線）硬化することが有利である、電気的に伝導する又は導電性の材料の側面カプセル材料７０ｓが、個々のノズル又は好ましくは櫛状レイアウトに配置されたノズルによる注入によって充填される。ソー切断によって生成されたギャップ２０ｚは、この場合、注入処理の間に、ウェーハの前面を横切るように横方向にノズルの櫛を移動することによって充填される。
【００２８】
導電性前面カプセル材料７０ｖ、しかし特に導電性側面材料７０ｓは、例えば、導電チップ接着剤の形態において実施されてもよい。しかしながら、好ましくは、カプセル封止のために使用されるプラスチック材料により良好に適合される他の導電性プラスチック材料が使用される。
【００２９】
毛管作用によって、注入され且つ粘度が適切に選択されたプラスチック物質７０ｓは、個々のデバイス２０同士間のソー切断ラインとして形成されるギャップ２０ｚ内に完全に引き込まれる。この場合、残る可能がある空洞や空気バブルは、このような空洞や空気バルブが以下に詳述される方法のステップ［ C.2.b］（図８Ａ及び図８Ｂを参照）において遡及的に充填され得るので、本質的には重要ではない場合でも、「底部」即ちデバイス２０の背面２０ｒに隣接するソー切断ラインの領域（＝ギャップ２０ｚ）における発生が防止される。
【００３０】
導電性プラスチック材料７０ｖ及び７０ｓの硬化の度合は、室温でこれらの材料が少なくとも確実に流動しないように選択されるべきである（エッジが全体として流動するように、最終の硬化は、方法の後の段階まで発生しないことが好ましい）。電気メッキや無電解メッキによって肥厚化されたボンディングパッドは、この過程において部分的に又は完全に被覆されてもよいが、必須ではない。ソー切断ラインの領域にこのように生成されたプラスチック材料の領域の高さは、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明された方法のステップにおいて付着されたプラスチック材料６０ｖの厚みと同じかそれ以上であるべきである。
【００３１】
図７Ａ及び図７Ｂに見られるように、次に、ウェーハとそのデバイス２０は、伸張又は拡張されたプラスチックフィルム９０から取り外され、上面又は前面２０ｖに含まれる接点３０が一回又はそれ以上の回数の好適な化学機械的研磨ステップにより平坦化される。これによって平坦面が形成され、この面からは、電気メッキ又は無電解メッキによって肥厚化された接点３０（方法のステップ［ A］を参照）も、デバイス２０の前面２０ｖに付着された前面カプセル材料６０ｖ及び７０ｖ（方法のステップ［ C.1.a］を参照）も、ソー切断ラインに充填された側面カプセル材料７０ｓ（方法のステップ［ C.1.b］を参照）も、突出したり出っ張ったりせず、ステップ６ａにおいて発生したかも知れない前面上の電気接点同士間の短絡が排除される。
【００３２】
この第１の平坦化処理において、第１のカプセル封止処理（図４Ａ及び図４Ｂを参照）の一部として付着された前面カプセル材料６０ｖは、部分的に除去されるが、仕様を満足する前面カプセル材料６０ｖの厚みがチップのボンディングパッド面上に残存する程度にまで除去される。第１の平坦化処理によって達成されるものは、一方では、粗い前面に起因するウェーハの取り扱い、特に取り付けに関する問題を起こすことなく、後続の方法のステップにおいて、ウェーハの背面が処理されることが可能であること、並びに、他方では、ボンディングパッド面、即ち、デバイス２０の前面２０ｖ上のプラスチックカプセル材料６０ｖ及び７０ｖに、正確に仕様通りの厚みが与えられることである。
【００３３】
図８Ａ及び図８Ｂに示されるように、次の方法のステップ［ C.2.a］において、デバイス２０の背面２０ｒは、背面カプセル材料７０ｓにより被覆される。この方法の後続のステップにおいて、プラスチック材料のこの層は、デバイス２０の底面又は背面２０ｒとの電気的に接触のために使用される。詳細には、ウェーハの底面又は背面の全領域は、一層ごとに、導電性材料の、有利に自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化するプラスチックカプセル材料７０ｒにより、好ましくは一回又はそれ以上の回数のスピンコーティング手順によって被覆される。
【００３４】
この第３のカプセル封止処理において、導電性材料の、有利に自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化するプラスチックカプセル材料は、好ましくは、方法のステップ［ C.2.a］と共に行われる方法のステップ［ C.2.b］において、デバイス２０の背面２０ｒに隣接する領域からプラスチックフィルム９０が伸張又は拡張するときに個々のデバイス２０同士間に形成されるギャップ２０ｚ内に側面カプセル材料７０ｓとして充填される。これは、「底部」、即ち、デバイス２０の背面２０ｒに隣接するソー切断ラインの領域（＝ギャップ２０ｚ）に、残存する可能性がある空洞や空気バブルを充填することである。
【００３５】
デバイス２０の背面２０ｒの電気的に伝導する又は導電性の背面カプセル材料７０ｒによる被覆（方法のステップ［ C.2.a］を参照）の後、並びに、導電性又は電気的に伝導する側面カプセル材料７０ｓのギャップ２０ｚへの充填［ C.2.b］の後に、電気的に伝導する又は導電性のカプセル材料７０ｒにより被覆されるデバイス２０の背面２０ｒは、通常のソー切断処理のために使用されるような、（第２の）伸張可能又は拡張可能なプラスチックフィルム９２に付着される。これが意味することは、換言すれば、完全ウェーハが、方法のステップ［ C.3］において、（第２の）ＦＣＣプラスチックフィルム９２（ＦＣＣ＝フィルムフレームキャリア）に取付けられることである。デバイス２０の背面２０ｒに隣接するこのフィルム９２の面は、自己接着剤又は接着剤として具体化される。
【００３６】
図９Ａ及び図９Ｂから明らかなように、次に続く第２のソー切断処理（＝方法のステップ［ C.4］）によって、及び、次に続く第２の伸張又は拡張処理（＝方法のステップ［ C.5］）によって、チップ形態の、任意ではあるが切断ダイとしての個々のデバイス２０は、設けられたソー切断ラインに沿って再び互いに分離され、この分離によって形成される個々のデバイス２０の側面２０ｓは、ギャップ２０ｚに充填された電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料７０ｓ（上記方法のステップ［ C.1.b］及び［ C.2.b］を参照）によって被覆されたままになっている。従って、図９Ａ及び図９Ｂに示される分離と伸張又は拡張処理において、ソー切断及び拡張処理の後に存在する状態を示す図９Ｂから理解されるように、チップの側面の被覆は損傷を受けない。
【００３７】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示されているのは、方法の次のステップ［ C.6.a］及び［ C.6.b］であり、これらのステップは、第４のカプセル封止処理の一般的な指示の下で包括され、且つ本質的に、プラスチックフィルム９２が伸張又は拡張されるときに個々のデバイス２０同士間に形成されるギャップ２０ｚ内にデバイス２０の前面２０ｖに隣接する領域から更なる側面カプセル材料８０ｓが充填されることからなる（＝方法のステップ［ C.6.b］）。プラスチックフィルム９２のこの追加の伸張又は拡張は、主に、方法のステップ［ C.6.b］において充填されるべきギャップ２０ｚの各々が適切な幅であることを確実にするために実行される。
【００３８】
詳細には、ここで起こることは、方法のステップ［ C.6.a］において、ウェーハの表面が、一回又はそれ以上の回数の更なるスピンコーティング手順によって、更なる前面カプセル材料８０ｖにより被覆される。この材料は、自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化することが有利であるが、この材料は、電気絶縁材料から形成される点において、先の「第２の」前面カプセル材料７０ｖ（図６Ａ及び図６Ｂを参照）とは異なっている。しかしながら、このステップは、ソー切断トレンチを充填するに過ぎないので、用いられるのが好適な処理は、以下の通りである。
【００３９】
方法のステップ［ C.6.b］において、「ソー切断トレンチ」として個々のデバイス２０同士の間に形成されるギャップ２０ｚには、同様に自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化することが有利である電気絶縁材料の側面カプセル材料８０ｓが、個々のノズル又は好ましくは櫛状レイアウトに配置されたノズルによる注入により充填される。ソー切断によって生成されたギャップ２０ｚは、この場合、注入処理の間に、ウェーハの前面を横切るように横方向にノズルの櫛を移動することによって充填される。
【００４０】
電気絶縁前面カプセル材料８０ｖ、しかし特に電気絶縁側面材料８０ｓは、例えば、絶縁チップ接着剤の形態において実施されてもよい。しかしながら、好ましくは、カプセル封止のために使用されるプラスチック材料により良好に適合される他の絶縁性プラスチック材料が使用される。
【００４１】
毛管作用によって、注入され且つ粘度が適切に選択されたプラスチック物質８０ｓは、個々のデバイス２０同士間のソー切断ラインとして形成されるギャップ２０ｚ内に完全に引き込まれる。この場合、残存する可能がある空洞や空気バブルは、このような空洞や空気バルブが以下に詳述される方法のステップ［ C.7.b］（図１２Ａ及び図１２Ｂを参照）において遡及的に充填されることができるので、本質的には重要ではない場合でも、「底部」即ちデバイス２０の背面２０ｒに隣接するソー切断ラインの領域（＝ギャップ２０ｚ）に発生するのが防止される。
【００４２】
導電性のプラスチック材料８０ｖ及び８０ｓの硬化の度合は、室温でこれらの材料が少なくとも確実に流動しないように選択されるべきである（カプセル材料のエッジが共に流される、方法の後の段階において、最終の硬化が、発生することが好ましい）。電気メッキ又は無電解メッキによって肥厚化されたボンディングパッドを含む、図７Ａ及び図７Ｂに示されるように平坦化されたウェーハの上面又は前面２０ｖは、この過程において部分的に又は完全に被覆されてもよいが、必須ではない。このように生成されたプラスチック材料の領域の高さは、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明された方法のステップにおいて付着されたプラスチック材料６０ｖの厚み（図７Ａ及び図７Ｂで示された第１の平坦化の後）と同じかそれ以上であるべきである。
【００４３】
図１１Ａ及び図１１Ｂに示されているように、次に、ウェーハとそのデバイス２０は、伸張又は拡張されたプラスチックフィルム９２から取り外され、上面又は前面２０ｖに含まれる接点３０が一回又はそれ以上の回数の好適な化学機械的研磨ステップにより平坦化される。これによって平坦面が形成され、この面からは、電気メッキ又は無電解メッキによって肥厚化された接点３０（方法のステップ［ A］を参照）も、デバイス２０の前面２０ｖに付着された前面カプセル材料６０ｖ及び７０ｖ及び８０ｖ（方法のステップ［ C.1.a］、及び、方法のステップ［ C.6.a］を参照）も、ソー切断ラインに充填された側面カプセル材料７０ｓ及び８０ｓ（方法のステップ［ C.1.b］及び［ C.6.b］を参照）も、突出したり出っ張ったりしない。
【００４４】
この第２の平坦化処理において、第１のカプセル封止処理（図４Ａ及び図４Ｂを参照）の一部として付着された前面カプセル材料６０ｖは、部分的に除去されるが、仕様を満足する前面カプセル材料６０ｖの厚みがチップのボンディングパッド面上に残存する程度にまで除去される。第１の平坦化処理によって達成されるものは、一方では、粗い前面に起因するウェーハの取り扱い、特に取り付けに関する問題を起こすことなく、後続の方法のステップにおいて、ウェーハの背面が処理されることが可能であることと、他方では、ボンディングパッド面、即ち、デバイス２０の前面２０ｖ上のプラスチックカプセル材料６０ｖ及び７０ｖ及び８０ｖに、正確に仕様通りの厚みが与えられることである。最後に、第２の平坦化処理は、電気メッキ又は無電解メッキによって肥厚化されたボンディングパッド金属（図２Ａ及び図２Ｂに示されている方法のステップ［ A］を参照）が、図１３Ａ及び図１３Ｂを参照して以下に説明される、電気メッキ又は無電解メッキによっていわゆる第２のボンディングパッドを肥厚化することからなる方法のステップ［ D.1］と［ D.2］で更に処理されるために、プラスチック残留物がないことを保証する。
【００４５】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示されるように、次の方法のステップ［ C.7.a］において、デバイス２０の背面２０ｒは、更なる背面カプセル材料８０ｒにより被覆される。詳細には、ウェーハの底面又は背面の全領域は、一回又はそれ以上の回数のスピンコーティング手順によって、電気絶縁性材料の、有利には自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化するプラスチック材料により層ごとに被覆される。
【００４６】
この第５のカプセル封止処理に関連して、電気絶縁性材料の、有利には自己硬化又はＵＶ（紫外線）硬化するプラスチック材料が、側面カプセル材料８０ｓとして、デバイス２０の背面２０ｒに隣接する領域から、プラスチックフィルム９２が伸張又は拡張されるときに個々のデバイス２０同士間に形成されるギャップ２０ｚに充填される。この充填は、好ましくは、方法のステップ［ C.7.a］と共に行われる方法のステップ［ C.7.b］において行われる。これにより行うことは、主に、「底部」、即ち、デバイス２０の背面２０ｒに隣接するソー切断ラインの領域（＝ギャップ２０ｚ）に残存する可能性のある空洞や空気バブルを充填することである。
【００４７】
図１３Ａ及び図１３Ｂに見られるように、次に、ボール状又は球形の突出した又は出っ張った電極４０は、電気メッキや無電解メッキによってボンディングパッドを第２の肥厚化からなる方法のステップ［ D.1］において、接点３０に付着される。これは、本発明に必須の意味において、一回又はそれ以上の回数の肥厚化ステップにおいて電気メッキ又は無電解メッキによって既に肥厚化されているボンディングパッド上に引き続いて平坦化（図７Ａ及び図７Ｂを参照）されたがこの平坦化ステップ後の前面プラスチックカプセル封止６０ｖ及び７０ｖの（全）厚みを超えない金属及び特にコラム状若しくは少なくともキノコ状の構造体が、再び肥厚化されるように、電気メッキ又は無電解メッキによってウェーハを処理することによって行われる。
【００４８】
また、電気メッキ又は無電解メッキによってボンディングパッドのこの第２の肥厚化の一部として、電極４０の接点３０への付着（＝方法のステップ［ D.1］）前又は付着中又は付着後において、背面接点として機能するボール状又は球状の突出した又は出っ張った電極５０は、デバイス２０の前面２０ｖに隣接する電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料７０ｓのその露出端７０ｅに付着される。これは、電気メッキ又は無電解メッキによって導電性プラスチック材料７０ｓ上に成長が行われる方法のステップ［ D.2］の一部として行われる。
【００４９】
方法のステップ［ D.1］及び［ D.2］に関して、少なくともこの第２の肥厚化ステップにおいて電気メッキ又は無電解メッキによって付着される物質は、即ち、背面接点として機能する電極４０及び電極５０は、半田付け可能であることが重要である。このために、背面電極として機能する電極４０及び電極５０の両方は、本発明に必須である意味において、既に半田ボールの形態である。このために、この第２の肥厚化ステップ［ D.1］及び［ D.2］において付着される構造体は、好ましくは、等方的に成長することが有利であり、それによって、（いわゆるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）半田接点に相当する）実質的に球形の半田ボールを生成する。
【００５０】
これに続いて、電気絶縁性背面カプセル材料８０ｒにより被覆されるデバイス２０の背面２０ｒは、通常のソー切断処理に使用されるような（第３の）伸張可能又は拡張可能プラスチックフィルム９４に付着される。換言すれば、これが意味することは、全ウェーハが、（第３の）ＦＦＣプラスチックフィルム９４（ＦＦＣ＝フィルムフレームキャリア）に取り付けられることである。このフィルムは、デバイス２０の背面２０ｒに隣接する面が、自己接着又は接着するように具体化される。
【００５１】
図１４Ａ及び図１４Ｂに示されるもの（＝個々の部品１００を製造するためにデバイス２０を個別化することからなる方法のステップ［ E］）から、後続の第３のソー切断処理によって及び後続の第３の伸張又は拡張処理によって、チップ形状の個々のデバイス２０は、設けられたソー切断ラインに沿って再び相互に分離され、この分離によって生成される個々のデバイス２０の側面２０ｓは、ギャップ２０ｚに充填された電気絶縁性側面カプセル材料８０ｓによって被覆されたままになっている（上記方法のステップ［ C.6.b］及び［ C.7.b］を参照）。従って、図１４Ａ及び図１４Ｂに示される分離並びに伸張又は拡張処理において、ソー切断及び拡張処理の後に存在する状態を示す図１４Ｂから理解されるように、チップの側面の被覆は損傷を受けない。
【００５２】
ウェーハ中に組み合わせられたデバイス２０は、その総ての側面が異なるプラスチックカプセル材料６０ｖ、７０ｖ、８０ｖ、７０ｓ、８０ｓ、７０ｒ及び８０ｒによって包囲されており且つそれは、本発明に必須の意味において、いわゆる最終焼き戻し段階のような任意の仕上げ調整がなされて、プラスチックカプセル材料６０ｖ、７０ｖ、８０ｖ、７０ｓ、８０ｓ、７０ｒ及び８０ｒの最終架橋（交差結合；cross-linking）を達成する。
【００５３】
この焼き戻し処理は、例えば、環境湿気に対して十分に良好な封止を形成することを意図していて、これはその場合であり、焼き戻し段階が、
−電極４０及び５０の接点３０及び７０ｅへの各付着（＝ボンディングパッドの電気メッキや無電解メッキによって第２の肥厚化からなる方法のステップ［ D.1］及び［ D.2］、図１３Ａ及び図１３Ｂを参照）の前に、又は、
−電極４０及び５０の接点３０及び７０ｅへの各付着（＝ボンディングパッドの電気メッキや無電解メッキによって第２の肥厚化からなる方法のステップ［ D.1］及び［ D.2］、図１３Ａ及び図１３Ｂを参照）の直後に、
行われてもよい。
【００５４】
最終の測定ステップは、本発明に必須の意味において、これとは別に又はこれと共に行われてもよい。
【００５５】
図１５は、図１Ａ乃至図１４Ｂに示される方法によって直接製造された新たな製品、即ち、電気又は電子部品１００を示す。この電気又は電子部品１００は、板状又はディスク状に半導体材料（＝シリコン）から形成され、前面２０ｖが、半田付け可能であるように既に電気メッキされたボンディングパッドの形態における二つの突出した又は出っ張ったボール状又は球状の電極４０を有する個別又は集積デバイス２０（＝シリコンチップ）を備えている。
【００５６】
デバイス２０の前面２０ｖは、前面カプセル材料６０ｖにより被覆されるのみならず、薄い導電性前面カプセル材料７０ｖを有する。デバイス２０の側面２０ｓ上に、導電性材料から形成された側面カプセル材料７０ｓは、電気絶縁材料から形成された側面カプセル材料８０ｓによってカプセル封止される。
【００５７】
同様に、デバイス２０の背面２０ｒ上に、導電性材料から形成された背面カプセル材料７０ｒは、電気絶縁性材料から形成された背面カプセル材料８０ｒによってカプセル封止される。これは、以下のような方法で行われる。即ち、導電性側面カプセル材料７０ｓ及び導電性背面カプセル材料７０ｒの両方は、層として共に接続される。このことは、プラスチック材料７０ｒ及び７０ｓの接続層によって、チップの前面（上面）と共に、その背面（又は底面）と「前面で」導電接触が形成され、同様に、プラスチック材料８０ｒ及び８０ｓの電気絶縁層は、層として共に接続され、このため、プラスチック材料７０ｒ及び７０ｓの相互接続導電層によって形成される背面との電気接触は、遮蔽され、パッケージの外側から電気的に絶縁されることを意味する。
【００５８】
従って、電気的「背面接触」において目的とされる本発明の下での可能な使用法及び用途を拡大するために、図１５に示される電気又は電子部品１００に電気接触される、非常に小さな寸法のプラスチックカプセル封止６０ｖ、７０ｖ、７０ｓ、８０ｓ、７０ｒ及び８０ｒに収容されるデバイス２０の前面２０ｖのみならず背面２０ｒも電気接続を形成することが可能となり、半田付け可能に既に電気メッキされ且つ背面接点として機能する突出した又は出っ張ったボール状又は球状の電極５０は、デバイス２０の前面２０ｖに隣接する導電性側面カプセル材料７０ｓの露出端７０ｅのそれぞれにおいてエッジに配置される。
【００５９】
図１５において、被覆された又は「埋め込まれた」背面金属を有する完成した新規の最終製品１００が、例えば、プリント回路ボードに取付け可能な「オーバーヘッド」位置に示されている。これに関して、この被覆された又は「埋め込まれた」接点を有する背面金属の接点抵抗を推定すると、例えば、約１００μｍの厚みを有し且つ２００μｍ×２００μｍのエッジ長さを有するシリコンチップの場合、伝導プラスチック層７０ｒ及び７０ｓは、約２００μｍの厚みであることが想定されると共に典型的な約０．１ｍΩのチップ接着剤の抵抗率を有することが想定される。従って、約１００ｍΩのオーダーの接触抵抗を介する上面又は前面２０ｖに対する底面又は背面２０ｒとの接触が形成されることが可能となる。しかしながら、より高い伝導性、即ち、より低い抵抗率のプラスチック材料７０ｒ及び７０ｓが使用されることが考えられる。
【００６０】
いわゆるプリント回路ボードに最終的に嵌め込まれる前に、最終製品１００は、フィルム９４が拡大された（図１４Ａ及び図１４Ｂを参照）後に、単一のユニットに分離されて、例えば、リールやバーのような搬送のためのパックを形成するために包装される。可能な限り小さなパッケージにパックされた製品は、「フリップチップマウンティング」によって、好ましくは、リフロー（reflow）半田付け処理において、最終顧客の側において使用されることが可能となる。
【００６１】
図１６は、背面接点が、（ａ）全周に渡って（この場合、総てのソー切断ライン上のｘ方向及びｙ方向への切断による）、又は（ｂ）三つの側面（総てのソー切断ラインのｙ方向ではなく総ての第２のソー切断ラインのみのｘ方向への切断による）に、又は（ｃ）二つの側面（この場合、総てのソー切断ラインではなくｙ方向のみへの切断による）に配置されるべきであるか否かが、ソー切断処理５Ｂによって決定可能であることを示す概略図である。
【００６２】
このように設定される「足形（フットプリント；footprint）」の選択は、顧客に対して大きな影響を及ぼし、選択可能なものについての大きなフレキシビリティがある。これは、その場合であり、述べられた例は、一つの可能な選択肢を表しているに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図１Ａ）は全体配置図を示している。
【図１Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図１Ｂ）は詳細図を示している。
【図２Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図２Ａ）は全体配置図を示している。
【図２Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図２Ｂ）は詳細図を示している。
【図３Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図３Ａ）は全体配置図を示している。
【図３Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図３Ｂ）は詳細図を示している。
【図４Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図４Ａ）は全体配置図を示している。
【図４Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図４Ｂ）は詳細図を示している。
【図５Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図５Ａ）は全体配置図を示している。
【図５Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図５Ｂ）は詳細図を示している。
【図６Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図６Ａ）は全体配置図を示している。
【図６Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図６Ｂ）は詳細図を示している。
【図７Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図７Ａ）は全体配置図を示している。
【図７Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図７Ｂ）は詳細図を示している。
【図８Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図８Ａ）は全体配置図を示している。
【図８Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図８Ｂ）は詳細図を示している。
【図９Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図９Ａ）は全体配置図を示している。
【図９Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図９Ｂ）は詳細図を示している。
【図１０Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図１０Ａ）は全体配置図を示している。
【図１０Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図１０Ｂ）は詳細図を示している。
【図１１Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図１１Ａ）は全体配置図を示している。
【図１１Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図１１Ｂ）は詳細図を示している。
【図１２Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図１２Ａ）は全体配置図を示している。
【図１２Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図１２Ｂ）は詳細図を示している。
【図１３Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図１３Ａ）は全体配置図を示している。
【図１３Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図１３Ｂ）は詳細図を示している。
【図１４Ａ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第１の半分（図１４Ａ）は全体配置図を示している。
【図１４Ｂ】本発明に係る新規の電気又は電子部品を製造する際の方法の一ステップにおける概略断面図であって、一定の縮尺を有するものではないが、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするために、第２の半分（図１４Ｂ）は詳細図を示している。
【図１５】図１Ａ乃至図１４Ｂに示す本発明に係る方法のステップにより製造される本発明に係る新規な電気又は電子部品の実施の一形態の概略断面図であり、個々の構成、要素又は特徴を明確且つ識別可能にするためのものであって、一定の縮尺を有するものではない。
【図１６】例として示される二つの前面接点を有するチップの変形ａ）、ｂ）及びｃ）の背面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００  部品
１０    ウェーハ
１０ｒ  ウェーハ１０の背面
１０ｖ  ウェーハ１０の前面
２０  デバイス
２０ｇ  二つのデバイス２０同士間の半導体技術目的の境界
２０ｒ  デバイス２０の背面
２０ｓ  デバイス２０の側面
２０ｖ  デバイス２０の前面
２０ｚ  二つの個々のデバイス２０同士間のギャップ
３０  接点
４０  電極
５０  背面接点として機能する電極
６０ｖ  前面カプセル材料
６２  前面カプセル材料６０ｖの不特定残留物
７０ｅ  電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料７０ｓの露出端
７０ｒ  電気的に伝導する又は導電性の背面カプセル材料
７０ｓ  電気的に伝導する又は導電性の側面カプセル材料
７０ｖ  電気的に伝導する又は導電性の前面カプセル材料
８０ｒ  電気絶縁性背面カプセル材料
８０ｓ  電気絶縁性側面カプセル材料
８０ｖ  電気絶縁性前面カプセル材料
９０  （第１の）フィルム
９２  （第２の）フィルム
９４  （第３の）フィルム
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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