(57)【要約】オルト−ビス（１−ホスホラニル）−ヘテロアレーンから誘導される、化学選択的、位置選択的および立体選択的反応に適した、一般式（Ｉ）の金属触媒およびその前駆物質。その新規な触媒は、芳香族五原子複素環の隣接位置に設けられた２つの同形ホスホラン環の存在によって特徴付けられる。2005518926.tif 000048
2005518926.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I)：
【化１】
2005518926.tif 000034
（式中、［Ｍｅｔ］は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｅ、およびＣｕからなる群から選択される金属であり、酸化数ｎを有し（ｎは０、＋１、＋２または＋３であり）、原子価状態を完全にするのに可能な補助的なコリガンド（co-ligand）を含有し；
【化２】
2005518926.tif 000035
は、酸素、硫黄および窒素からなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する、芳香族五原子複素環を表し；
互いに同一または異なるＴおよびＴ’は、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニル（carbalkoxyphenyl）からなる群から選択されるか、またはそうでなければ、ＴおよびＴ’が共同して、１つまたは複数のアルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、カルバルコキシ（carbalkoxy）またはスルホン基によっておそらく置換される、芳香族炭素環式環を形成し；
Ｗは、ヘテロ原子が窒素の場合のみ存在する置換基であり、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニルから選択され；
Ｒは、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニルから選択され；
Ｘは、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ベンジルオキシ、アシルオキシ、Ｏ−テトラヒドロピラニル、Ｏ−テトラヒドロフラニルであり、あるいは他には、それに結合されたｍ個の炭素原子（ｍ＝１、２または３）を有する、一まとめに合わせた２つの置換基Ｘが、全部で５〜７個の原子を有する炭素環式環または５〜７個の原子を有する飽和複素環式環を形成する）の金属触媒。
【請求項２】
ラセミ体の形であることを特徴とする、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
メソ形であることを特徴とする、請求項１に記載の触媒。
【請求項４】
ａ）ホルホラン環の２’位および５’位の炭素原子が、互いに対して同じ絶対配置を有し；
ｂ）ホルホラン環の３’位および４’位の炭素原子が、互いに対して同じ絶対配置を有する；という制限を有する、立体配置ＲまたはＳの鏡像異性的に豊富な形であることを特徴とする、請求項１に記載の触媒。
【請求項５】
式（Ｖ）：
【化３】
2005518926.tif 000036
（Ｔ、Ｔ’、Ｒ、Ｘおよび［Ｍｅｔ］が上記に示される意味を有する）の請求項１から４のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項６】
式（ＶＩ）：
【化４】
2005518926.tif 000037
（Ｒ、Ｘおよび［Ｍｅｔ］が上記に示される意味を有する）の請求項１から４のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項７】
ＴおよびＴ’がどちらもＨまたはどちらもメチルであることを特徴とする、請求項５に記載の触媒。
【請求項８】
【化５】
2005518926.tif 000038
（式中、ホスホラン環の２’位および５’位の２つの立体中心がどちらも絶対配置（Ｒ）またはどちらも絶対配置（Ｓ）を有する）からなる群から選択される、請求項５に記載の触媒。
【請求項９】
式（ＶＩＩ）：
【化６】
2005518926.tif 000039
（式中、ＴおよびＴ’は好ましくは、どちらもＨであるか、またはどちらも同じ直鎖、環状もしくは分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキルであり、ＲはＣＨ3であり、Ａｒは電子供与体アリール残基である）の請求項１から４のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項１０】
以下の式：
【化７】
2005518926.tif 000040
（式中、Ｍｅｔが前述の意味を有する）を有する、請求項９に記載の触媒。
【請求項１１】
式（ＩＡ）：
【化８】
2005518926.tif 000041
のオルトビス（１−ホスホラニル）ヘテロアレーン構造を有する配位子であって、
式中、
【化９】
2005518926.tif 000042
が酸素、硫黄および窒素からなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する、芳香族五原子複素環を表し；
互いに同一または異なるＴおよびＴ’は、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニルから選択されるか、またはそうでなければ、ＴおよびＴ’が共同して、１つまたは複数のアルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、カルバルコキシまたはスルホン基によっておそらく置換される、芳香族炭素環式環を構成し；
Ｗは、ヘテロ原子が窒素の場合のみ存在する置換基であり、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニルから選択され；
Ｒは、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニルから選択され；
Ｘは、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ベンジルオキシ、アシルオキシ、Ｏ−テトラヒドロピラニル、Ｏ−テトラヒドロフラニルであり、あるいは他にはそれに結合されたｍ個の炭素原子（ｍ＝１、２または３）を有する、一まとめに合わせた２つの置換基Ｘが、全部で５〜７個の原子を有する炭素環式環または５〜７個の原子を有する飽和複素環式環を形成する、配位子。
【請求項１２】
ラセミ体の形であることを特徴とする、請求項１１に記載の配位子。
【請求項１３】
メソ形であることを特徴とする、請求項１１に記載の配位子。
【請求項１４】
ａ）ホルホラン環の２’位および５’位の炭素原子が、互いに対して同じ絶対配置を有し；
ｂ）ホルホラン環の３’位および４’位の炭素原子が、互いに対して同じ絶対配置を有する；という制限を有する、立体配置ＲまたはＳの鏡像異性的に豊富な形であることを特徴とする、請求項１１に記載の配位子。
【請求項１５】
以下の式（ＩＩ）：
【化１０】
2005518926.tif 000043
（式中、Ｙは、Ｏ、ＳおよびＮ（Ｗ）から選択され、ＴおよびＷは、水素およびメチルから選択され、ホスホラン環の２’位および５’位の炭素原子がどちらも絶対配置（Ｒ）またはどちらも絶対配置（Ｓ）を有する）を有することを特徴とする、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の配位子。
【請求項１６】
以下の式（ＩＩＩ）：
【化１１】
2005518926.tif 000044
（式中、Ｙは、Ｏ、ＳおよびＮ（Ｗ）から選択され、ＴおよびＷは、水素およびメチルから選択され、ホスホラン環の２’位および５’位の炭素原子がどちらも絶対配置（Ｒ）またはどちらも絶対配置（Ｓ）を有する）を有することを特徴とする、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の配位子。
【請求項１７】
以下の式（ＩＶ）：
【化１２】
2005518926.tif 000045
（式中、Ｗが水素およびメチルから選択され、ホスホラン環の２’位および５’位の炭素原子がどちらも絶対配置（Ｒ）またはどちらも絶対配置（Ｓ）を有する）を有することを特徴とする、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の配位子。
【請求項１８】
以下の一般式（ＶＩＩＡ）：
【化１３】
2005518926.tif 000046
（ＶＩＩＡ）
（ＴおよびＴ’は好ましくは、どちらもＨであるか、またはどちらも同じ直鎖、環状もしくは分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキルであり、ＲはＣＨ3であり、Ａｒは電子供与体アリール残基である）を有することを特徴とする、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の配位子。
【請求項１９】
以下の一般式：
【化１４】
2005518926.tif 000047
を有することを特徴とする、請求項１８に記載の配位子。
【請求項２０】
［Ｍｅｔ］（［Ｍｅｔ］は前述の意味を有する）と、請求項１１から１８のいずれか一項に記載の配位子との反応を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の触媒の製造方法。
【請求項２１】
位置選択的合成における、請求項１から１０のいずれか一項に記載の触媒の使用。
【請求項２２】
立体選択的合成における、請求項１、４、８から１０のいずれか一項に記載の触媒の使用。
【請求項２３】
前記立体選択的合成が、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ基の水素化、エナミンの異性化、およびＣ−Ｃ結合の形成からなる群から選択される、請求項２２に記載の使用。
【請求項２４】
Ｃ−Ｃ形成の前記反応が、ヘック反応、ディールス・アルダー反応、アリル置換およびアルドール縮合からなる群から選択される、請求項２２に記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、化学選択的、位置選択的および立体選択的反応に適した、一般式（Ｉ）のオルト−ビス（１−ホスホラニル）ヘテロアレーンの存在によって特徴付けられる、新規な金属触媒およびその前駆物質に関する。
【化１５】
2005518926.tif 000003
式中、［Ｍｅｔ］は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｅ、およびＣｕからなる群から選択される金属であり、酸化数ｎを有し（ｎは０、＋１、＋２または＋３であり）、原子価状態を完全にするのに可能な補助的なコリガンド（co-ligand）を含有し；
【化１６】
2005518926.tif 000004
は、酸素、硫黄および窒素から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する、芳香族五原子複素環を表し；
互いに同一または異なるＴおよびＴ’は、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニル（carbalkoxyphenyl）から選択されるか、またはＴおよびＴ’が共同して、１つまたは複数のアルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、カルバルコキシ（carbalkoxy）またはスルホン基によっておそらく置換される、芳香族炭素環式環を構成し；
Ｗは、ヘテロ原子が窒素の場合のみ存在する置換基であり、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニルから選択され；
Ｒは、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニルから選択され；
Ｘは、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ベンジルオキシ、アシルオキシ、Ｏ−テトラヒドロピラニル、Ｏ−テトラヒドロフラニルであり、あるいはそうでなければそれに結合されたｍ個の炭素原子（ｍ＝１、２または３）を有する、一まとめに合わせた２つの置換基Ｘが、全部で５〜７個の原子を有する炭素環式環または５〜７個の原子を有する飽和複素環式環を形成する。
【０００２】
ホスホラン（phospholanic）環中に存在する不斉炭素原子(stereogenic carbon atoms)の場合には、一般式（Ｉ）において、メソ生成物、ラセミ生成物、および鏡像異性的に豊富な生成物を含むと理解されるべきであり、光学活性生成物の場合には：
ａ）ホルホラン環の２’位および５’位の炭素原子は、互いに対して同じ絶対配置を有し；
ｂ）ホルホラン環の３’位および４’位の炭素原子は、互いに対して同じ絶対配置を有する；という制限を有する。
【０００３】
前記金属触媒は、水素化、還元、異性化の化学選択的、位置選択的および立体選択的反応、およびＣ−Ｃ結合を形成する反応において有用である。特に、非対称合成の反応に関しては、この新規な触媒は、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ基の水素化、エナミンの異性化、Ｃ−Ｃ結合の形成のエナンチオ選択的反応、例えばヘック反応、ディールス・アルダー反応、アリル置換およびアルドール縮合において特に有用かつ効率的であることが判明している。
【０００４】
現況技術
多数のキレート化ホスフィン配位子が過去３０年間に製造されており、化学選択的、位置選択的および立体選択的反応に触媒として有用な金属錯体の基本成分として、特許文献および科学出版物に記述されている［例えば、Ｈ．ブルナー（Ｂｒｕｎｎｅｒ），Ｗ．ゼットルメイアー（Ｚｅｔｔｌｍｅｉｅｒ），“Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  ｅｎａｎｔｉｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｃａｔａｌｙｓｉｓ”，ＶＣＨ，（１９９３）またはＩ．オジマ（Ｏｊｉｍａ）ｅｄ．，“Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ”，Ｗｉｌｅｙ，（２０００）参照］。しかしながら、いずれの反応にも、いずれの基質にも適している触媒、したがって配位子は存在しないという概念が、一般にかつ広く受け入れられている。したがって、特に工業的対象の用途に関して、これまで未知の反応および既存の反応の結果を改善することの両方に適した新規な触媒を同定する必要性が依然として感じられている。
【０００５】
特に、現代の新規な触媒の設計は、単一触媒の作製の方向にのみならず、高い能力の立体選択傾向を提供し、モジュールクラスの触媒の同定の方向では、非常に効率的なものさえ提供した。つまり、反応によっておよび基質によって課せられた必要に応じて立体特性および電子特性の両方において変更可能な基本構造を提供した。
【０００６】
これら２つのパラメーターの前者は、触媒の立体選択能力の調節において主要な役割を果たし、後者は触媒プロセスの速度論に対して決定的な影響を有する。
【０００７】
ホスホラン構造と共にホスフィン配位子を含有する触媒の出版物および特許、例えば米国特許第５１７１８９２号、同第５３２９０１５号、同第６０４３３９６号、国際公開番号：ＷＯ９９／２４４４４、ＷＯ００／１１００８は、ホスファ環（phosphacycle）を含有するかかる下部構造の有用性が示されている。しかしながら、２つのホスホラン系を連結するもの（リンカー）が芳香族炭素環、アルキル鎖またはフェロセン系であると仮定すると、かかる系の制限は、立体特性および電子特性を調節する難しさである。したがって、リンカーは、金属錯体中の金属で原子価の角度（いわゆる、「バイトアングル」）の特性の大部分を課し、付与するだけでなく、その電子特性の決定の大きな一因となる。さらなる制限は、２つのリン原子がホモトピック（Ｃ2対称性を有する配位子）である系を有することが可能であるという事実によって表されるが、一部の反応では、Ｃ1対称性を有する配位子から誘導される金属触媒はより効率的である［Ｉ．オジマ（Ｏｊｉｍａ）ｅｄ．，“Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ”，Ｗｉｌｅｙ，（２０００）］。実際には、多くのおよび異なる反応において、ならびに異なる立体特性および電子特性を有する基質に対して観察された結果から、２つのホスホラン系を連結するものに実質的に起因し得る、触媒系のバイトアングルおよび構造上の柔軟性によって果たされる重要な役割が実証されているにもかかわらず、本発明の特許出願の作成者によれば、前記の発明者らは、リンカーの重要性を明らかに過小評価していた。
【０００８】
最近、本出願人は、詳細な理論的および実験的研究を先行して実施し、特許および出版物において、化学選択的、位置選択的および立体選択的反応の最適化に必要である、精密な立体的および電子的な調節をどのようにして得ることが可能であるかを示している。例えば、特許出願ＷＯ９９／５２９１５において、下部構造としてホスホラン環を含有するＣ1対称性の新規な配位子ならびにそれに対応する金属触媒が請求項に記載されている。しかしながら、本発明の制限は、図示されているホスファ環が４つの炭素原子部分の間隔で設けられ、その結果として、コンピューターモデリングによって計算される９０度未満のバイトアングル（Ｐ−金属−Ｐ）を得ることが不可能であるという事実によって表されている。さらに、前記系において、ホスホラン系により促進される同じ種類の不斉誘導を必ずしも示すわけではない、アトロプ異性系によって示されるステレオジェニシティ（stereogenicity）のさらなる源が存在する；つまり、アトロプ異性ステレオジェニシティおよびホスファ環式環のステレオジェニシティが同じ方向に向く事例に遭遇する可能性があるが（「整合（matched）立体選択性誘導」）、効果が反対方向に向き、不斉誘導が全体的に低減し得る事例にも遭遇する可能性がある（「不整合（mismatched）立体選択性誘導」）。Ｃ2およびＣ1対称性を有する、新規な、より単純な、より有効な触媒系の探究を進めた結果、本出願人は、本発明の触媒が、既に公知の系と比較して、試薬および反応の種類の構造的および電子的な必要性により良く適応し、そのため、既存の触媒系の制限を克服することが可能となることを見出した。その結果として、生産性、位置選択性、化学選択性および立体選択性の点で達成することができる改善から、より広範囲の産業で適用することが可能となる。
【発明の開示】
【０００９】
本発明の詳細な説明
本発明の主題は、化学選択的、位置選択的および立体選択的反応に適した、一般式（Ｉ）：
【化１７】
2005518926.tif 000005
（式中、［Ｍｅｔ］は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｅ、およびＣｕからなる群から選択される金属であり、酸化数ｎを有し（ｎは０、＋１、＋２または＋３であり）、原子価状態を完全にするのに可能な補助的なコリガンドを含有し；
【化１８】
2005518926.tif 000006
は、酸素、硫黄および窒素から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する、芳香族五原子複素環を表し；
互いに同一または異なるＴおよびＴは、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニルから選択されるか、またはＴおよびＴ’が共同して、１つまたは複数のアルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ジアルキルアミノ、カルボキシ、カルバルコキシまたはスルホン基によっておそらく置換される、芳香族炭素環式環を構成し；
Ｗは、ヘテロ原子が窒素の場合のみ存在する置換基であり、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニル、ナフチル、アルコキシフェニル、ジアルキルアミノフェニル、カルボキシフェニル、カルバルコキシフェニルから選択され；
Ｒは、水素、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、フェニル、アルキルフェニルから選択され；
Ｘは、Ｈ、直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ベンジルオキシ、アシルオキシ、Ｏ−テトラヒドロピラニル、Ｏ−テトラヒドロフラニルであり、あるいはそうでなければそれに結合されたｍ個の炭素原子（ｍ＝１、２または３）を有する、一まとめに合わせた２つの置換基Ｘが、全部で５〜７個の原子を有する炭素環式環または５〜７個の原子を有する飽和複素環式環を形成する）のオルト−ビス（１−ホスホラニル）ヘテロアレーンの存在によって特徴付けられる、新規な金属錯体およびその前駆物質である。
【００１０】
ホスホラン環中に存在する不斉炭素原子（stereogenic carbon atoms）の場合には、一般式（Ｉ）において、メソ生成物、ラセミ生成物、および鏡像異性的に豊富な生成物を含むと理解され、光学活性生成物の場合には：
ａ）ホルホラン環の２’位および５’位の炭素原子は、互いに対して同じ絶対配置を有し；
ｂ）ホルホラン環の３’位および４’位の炭素原子は、互いに対して同じ絶対配置を有する；という制限を有する。
【００１１】
これらの金属触媒は、水素化、還元、異性化の化学選択的、位置選択的および立体選択的反応、およびＣ−Ｃ結合を形成する反応において有用である。特に、非対称合成の反応に関しては、この新規な触媒は、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ基の水素化、エナミンの異性化、Ｃ−Ｃ結合の形成のエナンチオ選択的反応、例えばヘック反応、ディールス・アルダー反応、アリル置換およびアルドール縮合において特に有用かつ効率的であることが判明している。
【００１２】
本発明の主題を形成する触媒は、式（ＩＡ）：
【化１９】
2005518926.tif 000007
（式中、Ｔ、Ｔ’、Ｗ、ＸおよびＲは前述の意味を有する）のホスホラン配位子から始まって製造される。
【００１３】
ヘテロ芳香族リンカーが存在するために、これらの配位子は、対応する炭素環式リンカーと異なる電子特性を示す。さらに、リンカーに存在するヘテロ原子に対してリン原子の相対位置にしたがって、２つのリン原子の電子密度は互いに区別され得る。これらの配位子の立体特性もまた、置換基Ｔ、Ｔ’およびＷに応じて異なる。
【００１４】
このように、これらの配位子を用いて、試薬の必要性および反応の種類により良く適応する触媒を得ることが可能であり、その結果、動力学的測定によって示されるように実際に向上した触媒活性が得られる。
【００１５】
単に一例として、構造（ＩＩ）〜（ＩＶ）（式中、Ｙは、Ｏ、ＳおよびＮ（Ｗ）から選択され、ＴおよびＷは、水素およびメチルから選択され、ホスホラン環の２’位および５’位の炭素原子は、互いに対して同じ絶対配置を有する）の配位子を含有する数種類の金属触媒の特性が以下の通り示されている：
ａ）ＴまたはそうでなければＷがメチルである配位子を含有する触媒は、ＴまたはそうでなければＷが水素である配位子を含有する触媒と異なる立体障害を有し；
ｂ）酸素、硫黄またはそうでなければ窒素が存在する場合に、複素環によって付与される異なる電子利用可能性（electronic availability）に応じて、配位子（ＩＩ）のリン原子は、それらを含有する触媒の特性に反映する、互いに異なる電子特性を有し；
ｃ）配位子（ＩＩＩ）は、異なる電子利用可能性を有するリン原子２個を含有する；
ｄ）配位子（ＩＶ）は、リン原子の立体的および電子的特性を区別する、さらなる可能性を提供する。
【化２０】
2005518926.tif 000008
【００１６】
これらの特性（ａ〜ｄ）は、これまで知られているホスファ環式系を含有する触媒では得ることが難しい、または獲得され得なかったが、前述の制限を克服することが可能となった。
【００１７】
新規な配位子（ＩＡ）の合成では、基本的に知られている反応スキームを使用する［例えば、Ｈ．ブルナー（Ｂｒｕｎｎｅｒ）ら，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．３２８，７１（１９８７）；Ｍ．Ｊ．バーク（Ｂｕｒｋ），Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１３，８５１８（１９９１）；Ｍ．Ｊ．バーク（Ｂｕｒｋ）ら，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ  ９，２６５３（１９９０）；Ｍ．Ｊ．バーク（Ｂｕｒｋ），Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１５，１０１２５（１９９３）；Ｊ．ホルツ（Ｈｏｌｚ）ら．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６３，８０３１（１９９８）；Ｙ．−Ｙ．ヤン（Ｙａｎ）およびＴ．Ｖ．ラジャンバブ（ＲａｊａｎＢａｂｕ），Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６５，９００（２０００）参照］。例えば、単に一例として、これらの配位子のいくつかはスキーム１および１’に従って製造してもよい（どちらのスキームにおいても、Ｈａｌはハロゲン原子であり、ＧおよびＧ’はメシレート基、トシレート基であり、一まとめに合わせたＧおよびＧ’はＯ−ＳＯ2−Ｏ基を表す）。
【００１８】
特に、両方のスキームの最初の反応は、それぞれ３位および４位、またはそうでなければ２位および３位でのヘテロ芳香族環のハロゲン化である。その後、ヘテロアレーンジハロゲンを、パラジウムをベースとする触媒の存在下にてホスホランと反応させ、目的の生成物を得ることができる。
【００１９】
代替方法としては、ヘテロアレーンジハロゲンをトリエチルホスファイトと反応させて、それに対応するビス−ジエトキシホスホリルヘテロアレーンが得られ、続いて、それは水素化アルミニウムリチウムでビス−ジホスフィノヘテロアレーンに還元される。最終的に、後者を、例えばビス−メタンスルホネート、ビス−トルエンスルホネートなどの２，４−ヘキサンジオールから誘導される二官能アルキル化剤と、またはそうでなければ環式サルフェートと反応させて、目的の生成物が得られる。特に、特定の鏡像異性の形でホスホラン配位子を得るために、使用される試薬は、同じ絶対配置を有する２つの立体中心を有する必要がある。
【化２１】
2005518926.tif 000009
【００２０】
式（Ｉ）の触媒の製造は、当業者に公知の方法論に従って、式（ＩＡ）のホスホラン配位子を用いて行われる［例えば、Ｔ．Ｇ．シェンク（Ｓｃｈｅｎｃｋ）ら，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２４，２３３４（１９８５）；およびＫ．マシマ（Ｍａｓｈｉｍａ）ら，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５９，３０６４（１９９４）参照］。単に一例として、本発明による式（Ｉ）のいくつかの触媒の合成スキームをスキーム２に示す。
【化２２】
2005518926.tif 000010
【００２１】
本発明の主題を形成する触媒は、化学選択的、位置選択的および立体選択的反応において、特にＣ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ基の水素化、エナミンの異性化、Ｃ−Ｃ結合の形成のエナンチオ選択的反応、例えばヘック反応、ディールス・アルダー反応、アリル置換およびアルドール縮合において有利に適用されている。
【００２２】
一般式（Ｉ）のＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、ＮｉまたはＣｕに基づく金属触媒の中で、一般式（Ｖ）および（ＶＩ）のチオフェン環またはベンゾチオフェン環をそれぞれ含有する触媒が優先的に選択される。
【化２３】
2005518926.tif 000011
【００２３】
前記種類の配位子は、非常に電子豊富であることによって特徴付けられ、例えば、前記種類に属する以下の化合物：
【化２４】
2005518926.tif 000012
は０．１Ｖに等しい酸化電位を有する。
【００２４】
式（Ｖ）および（ＶＩ）（式中、ＴおよびＴ’はどちらも水素またはどちらもメチルであり、Ｒは、水素以外であり、ホスホラン環の２’位および５’位に存在する２つの立体中心は互いに対して同じ絶対配置を有し、存在する場合にはホスホラン環の３’位および４’位に存在する２つの立体中心は互いに対して同じ絶対配置を有する）の金属触媒がさらに好ましい。
【００２５】
他の好ましい種類の本発明による金属触媒は、以下の式（ＶＩＩ）：
【化２５】
2005518926.tif 000013
（式中、ＴおよびＴ’は好ましくは、どちらもＨであるか、またはどちらも同じ直鎖、環状または分枝鎖Ｃ１〜Ｃ１０アルキルであり、ＲはＣＨ3であり、Ａｒは電子供与体アリール基である）である。電子供与体アリール基に関しては、フェニル基、または電子供与体基に置換されたアリール残基を意味する。
【００２６】
この錯体は、一般式（ＶＩＩＡ）：
【化２６】
2005518926.tif 000014
（式中、Ｔ、Ｔ’、Ｒ、ＸおよびＡｒは前述の意味を有する）を有する種類の配位子を用いることによって製造される。
【００２７】
前記種類の配位子は、非常に電子豊富であることによって特徴付けられ、例えば、前記種類に属する以下の化合物：
【化２７】
2005518926.tif 000015
は０．２Ｖに等しい酸化電位を有する。
【００２８】
錯体における配位子のドナー原子のかなり高い電子供給は、二重結合Ｃ＝ＣおよびＣ＝Ｏの水素化反応において価値のある速度論を得るために非常に重要な必須条件である。
【００２９】
ピロール環に対する通常および従来の反応にしたがって過剰なＰＢｒ3と１−フェニル−２，５−ジメチルピロールを反応させることによって以下のスキームから得られるため、非常に容易に製造することができ、単一段階で２つの隣接するリン原子の同時の挿入を得ることが可能であることから、前述の種類の配位子（ＶＩＩＡ）および特に前述の化合物もまた非常に興味深い。
スキーム３
【化２８】
2005518926.tif 000016
本発明の説明として、以下の非制限的な例を提供する。
【実施例】
【００３０】
実施例１．（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェンの合成
【化２９】
2005518926.tif 000017
【００３１】
段階ａ：２，５−ジメチル−３，４−ジヨード−チオフェンの合成
機械攪拌機、温度計および還流冷却器を備えた２Ｌ四つ口フラスコに、Ｈ2Ｏ８０ｍＬ、ＮａＩＯ3２０ｇ、Ｉ2２６ｇ、ＡｃＯＨ７ｍＬ、ＡｃＯＥｔ６００ｍＬに溶解された３−ヨード−２，５−ジメチルチオフェン６０ｇおよびＨ2ＳＯ4６ｍＬを導入した。
【００３２】
その溶液を約７７℃にし、攪拌下で１８時間放置した。次いで、その溶液を塩水３００ｍＬ分２つで、酸化体の過剰量を除去するための２つ分のＮａ2Ｓ2Ｏ3溶液（Ｈ2Ｏ１００ｍＬ、Ｎａ2Ｓ2Ｏ3５ｇ、ＮａＯＨ５ｇ）で、ＮａＨＣＯ3の飽和水溶液３００ｍＬ分で洗浄し、再び塩水３００ｍＬ分で洗浄した。
【００３３】
有機相を蒸発させ、赤色の固体残留物を回収した。次いで、その固体をＭｅＯＨ８０ｍＬ分２つで洗浄し、この手順で生成物２，５−ジメチル−３，４−ジヨード−チオフェン７５ｇを得た（収率８２％）。
【００３４】
段階ｂ：２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジエトキシホスホリル）−チオフェン
電磁スターラー、温度計、滴下漏斗および蒸留器を備えた５００ｍＬ四つ口フラスコに、窒素雰囲気下にて酢酸パラジウム９．８６ｇおよびＰ（ＯＥｔ）3２００ｍＬを導入した。
【００３５】
１４０℃にした溶液に、Ｐ（ＯＥｔ）3１５０ｍＬに溶解した２，５−ジメチル−３，４−ジヨード−チオフェン４０ｇを約２０時間で一滴ずつ添加した。その溶液を１４０℃にて攪拌下でさらに３時間放置し、次いで溶媒を真空内で蒸発させた（４６〜１０５℃；４ｍｍＨｇ）。
【００３６】
油状残留物をヘプタン１００ｍＬ分５つで抽出し、抽出物を合わせ、蒸発させた。油が得られ、それをさらにシリカゲル上でクロマトグラフィーによってさらに精製した（溶離剤ＡｃＯＥｔ／ＥｔＯＨ  ９／１）。このようにして、２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジエトキシホスホリル）−チオフェン２０ｇを回収した（収率４８％）。蒸留により試料を精製した［沸点＝１７０〜１７５℃／３トール（４ミリバール）］
1Ｈ−ＮＭＲ：４．１５ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）；２．６ｐｐｍ（ｄ，６Ｈ）；１．３ｐｐｍ（ｔ，１２Ｈ）。
31Ｐ−ＮＭＲ：１２．５ｐｐｍ
純粋な生成物は、ペンタンから結晶化した無色の固体であった。
【００３７】
段階ｃ：２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジホスフィノ）−チオフェンの合成
電磁スターラー、温度計および滴下漏斗を備えた２５０ｍＬ四つ口フラスコに、窒素雰囲気下にてＬｉＡｌＨ4３．６ｇおよび無水ＴＨＦ８０ｍＬを導入した。
【００３８】
その溶液を−６０℃にし、（ＣＨ3）3ＳｉＣｌ１１．２ｍＬをシリンジで添加した。次いで、その懸濁液を室温で攪拌下にて２時間放置した。
【００３９】
その混合物を再び６０℃に冷却し、ＴＨＦ２０ｍＬに溶解した２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジエトキシホスホリル）−チオフェン５．６ｇをおよそ２０分で滴下し、その溶液を室温で攪拌下にて３時間放置した。
【００４０】
次いで、以下の順番で、Ｈ2Ｏ３.６ｍＬ、１５％ＮａＯＨ３．６ｍＬ、および再びＨ2Ｏ１０．８ｍＬを混合物に添加し、次いで濾過可能な沈殿物が形成するまで、その混合物を攪拌下で放置した。
【００４１】
濾過した後、ＴＦＨ２０ｍＬ分４つで洗浄し、溶媒を蒸発させた。
【００４２】
残留物をトルエン５０ｍＬに溶解し、Ｈ2Ｏ２０ｍＬ分２つで洗浄した。有機相をデカライト（decalite）上で濾過し、蒸発させて、この手順で粗２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジホスフィノ）−チオフェン２．５ｇを得た（収率＞９０％）。生成物の試料を蒸留によって精製した［沸点＝７０〜７５℃／５トール（６．７ミリバール）］。
1Ｈ−ＮＭＲ：４．２ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ）；３．２ｐｐｍ（ｔ，２Ｈ）；２．５ｐｐｍ（ｓ，６Ｈ）。
31Ｐ−ＮＭＲ：−１５５ｐｐｍ
純粋な生成物は、無色の液体である。
【００４３】
段階ｄ：（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン）の合成
電磁スターラー、温度計および滴下漏斗を備えた２５０ｍＬ四つ口フラスコに、窒素雰囲気下にて２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジホスフィノ）−チオフェン０．４７ｇ、（Ｓ，Ｓ）４，７−ジメチル−［１，３，２］ジオキサチエパン−２，２−ジオキシド０．９６ｇ、および無水ＴＨＦ３０ｍＬを導入した。
【００４４】
その溶液を１０℃にし、シリンジでｎＢｕＬｉ（１．７Ｍ）７．５ｍＬを約４０分で添加した。次いで、その混合物を１０℃にて攪拌下で６０分間放置し、次いでメタノール２．５ｍＬを添加した。溶液を濾過し、蒸発させて、ヘプタン２０ｍＬ分３つで抽出した。有機相を合わせ、濾過し、蒸発させ、残留物をＭｅＯＨ３ｍＬ分２つで洗浄した。この手順を用いて、（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン）０．４６ｇを回収した（収率５０％）。
1Ｈ−ＮＭＲ：０．９４ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ3）；１．１７ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ3）；１．２５−１．５５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）；
２．０−２．２ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）；２．４６ｐｐｍ（ｓ，６Ｈ，−ＣＨ3）；２．４−２．６ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）；３．０−３．１ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）。
31Ｐ−ＮＭＲ：４．１ｐｐｍ（ｓ）。
質量（Ｍ+）：３４０
［α]25D＋５４．２（ｃ＝１，クロロホルム）
酸化還元電位（Ｅ°）：０．１Ｖ
【００４５】
実施例２．（Ｒ，Ｒ）［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェンの合成
【化３０】
2005518926.tif 000018
【００４６】
段階ａ：３，４−ジブロモ−チオフェンの合成
１時間３０分の時間内で、温度０℃にて攪拌下で、ＣＨＣｌ3（３８ｍＬ）中のチオフェン（３１．６ｇ）の溶液にＢｒ2（２３．５ｍＬ）を滴下した。次に、Ｂｒ2（１０ｍＬ）を室温で添加した。混合物を還流下で３時間３０分加熱し、次いでＮａＯＨ２Ｎ（５７ｍＬ）を注意して添加し、加熱をさらに３０分間延長した。その混合物をビーカーに注ぎ、室温に冷却した。固体を濾過によって回収し、大量の水で洗浄した。ＣＨＣｌ3から結晶化した後、２，３，４，５−テトラブロモチオフェン１３４．６ｇが得られ、Ｈ2Ｏ ４００ｍＬ、粉末亜鉛１０７ｇおよびＡｃＯＨ６００ｍＬの混合物に、それを分けてゆっくりと添加した。その溶液を攪拌下にて温度約６０℃で４５分間、室温で１２時間放置した。溶液を水で希釈し、ＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。有機相をＮａＨＣＯ3飽和溶液で洗浄し、Ｈ2Ｏで洗浄し、次いでＮａ2ＳＯ4上で脱水した。溶媒を蒸発させ、残留物を減圧で蒸留し［沸点：１０４〜１０７℃、２２．５トール（３０ミリバール）］、３，４−ジブロモ−チオフェン（５３．５ｇ）を得た（収率５４％）。
【００４７】
段階ｂ：３，４−ビス（ジエトキシホスホリル）−チオフェンの合成
３，４−ジブロモ−チオフェン（２．０ｇ）中のＰｄＣｌ2（０．１５ｇ）の懸濁液を１１５℃の温度にし、次いで不活性雰囲気においてＰ（ＯＥｔ）3（３．３ｇ）を攪拌下で滴下し、浴の温度を１３０℃に上げた。滴下が完了したら、透明な黄色い溶液を１６０℃に１時間３０分加熱した。混合物をＣＨ2Ｃｌ2で希釈し、水で２回洗浄し、脱水し、溶媒を減圧で蒸発させた。フラッシュクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ）によって、残留物をシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけた。下層画分（Ｒｆ：０．１５）を回収し、減圧で蒸発させて、オイルが得られた。気泡装置（bubble apparatus）においてそれを真空条件下で蒸留し［沸点：２１０℃／０．５トール（０．７３ミリバール）］、低温で固化する黄色がかったオイルとして、３，４−ビス（ジエトキシホスホリル）−チオフェン（１．３ｇ）を得た（収率５４％）。
融点：２８−３０°Ｃ；1Ｈ−ＮＭＲ：１．２ｐｐｍ（ｍ，１２Ｈ）；４．１ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）；８．１ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）；
31Ｐ−ＮＭＲ：１１ｐｐｍ（ｓ）；
13Ｃ−ＮＭＲ：１６ｐｐｍ（ＣＨ3）；６２ｐｐｍ（ＣＨ2）；
質量（Ｍ+）：３５６。
【００４８】
段階ｃ：３，４−ビス（ジホスフィノ）−チオフェンの合成
不活性雰囲気下にて、温度−７８℃でＴＨＦ中のＬｉＡｌＨ4（７．４ｍＬ、１Ｍ）の懸濁液にトリメチルクロロシラン（０．９４ｍＬ）を添加し、室温で攪拌下にて２時間放置した。次いで、その溶液を−６０℃にし、ＴＨＦ（７．４ｍＬ）中の３，４−ジエチルホスホネート（０．４４ｇ）の溶液を滴下し、次いでそれを室温で攪拌下にて２時間放置した。反応をＭｅＯＨ（２．５ｍＬ）で枯渇させ、氷浴で冷却した。溶媒を減圧で蒸発させて、得られた灰色の固体を脱気ＣＨ2Ｃｌ2（約１５ｍＬ）で洗浄した。溶媒を蒸発させることによって、黄色がかった残留物が得られ、それを気泡装置において真空条件下で蒸留し［沸点：８０〜９０℃／０．２トール（０．２７ミリバール）］、一部の低沸点の上層画分（沸点＝５０℃）を除去し；３，４−ビス（ジホスフィノ）−チオフェンを無色のオイルとして得た。アルゴン下にてそれを−１０℃で保持した。
ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．５（ヘキサン）；
1Ｈ−ＮＭＲ：３．６−４．２ｐｐｍ（ｄ，４Ｈ）；７．５ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）；
31Ｐ−ＮＭＲ：−１４８ｐｐｍ（ｓ）
【００４９】
段階ｄ：（Ｒ，Ｒ）３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）−チオフェンの合成
電磁スターラーを備えた三つ口フラスコに、窒素雰囲気下にて、３，４−ビス（ジホスフィノ）−チオフェン２０．３ｍｇ、（Ｓ，Ｓ）４，７−ジメチル−［１，３，２］ジオキサチエパン−２，２−ジオキシド５０ｍｇおよびＴＨＦ４ｍＬを導入した。その溶液を１０℃にし、ｎＢｕＬｉ（１．６Ｍ）０．３８ｍＬをシリンジによって約１５分で添加した。次いで、その混合物を攪拌下にて一晩放置した。ついで、反応をＭｅＯＨ（２．５ｍＬ）で枯渇させた。溶媒を蒸発させた後、ＭｅＯＨ２つ分で残留物を洗浄し、再び溶媒を蒸発させ、得られた固体をＣＨ2Ｃｌ2１０ｍＬで洗浄した。減圧で溶媒を蒸発させることにより回収された油状残留物をシリカゲル上でクロマトグラフィー（ＣＨ2Ｃｌ2−ＥｔＯＨ）にかけ、（Ｒ，Ｒ）３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）−チオフェン３０ｍｇを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：０．７５ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ3）；１．２２ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ3）；１．２０−１．３５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）；１．８−２．１ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）；３．４ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）；７．５ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ芳香族）；
31Ｐ−ＮＭＲ：１３．１ｐｐｍ（ｓ）。
【００５０】
実施例３．（Ｒ，Ｒ）［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−ベンゾ［ｂ］チオフェンの合成
【化３１】
2005518926.tif 000019
【００５１】
段階ａ：２，３−ジブロモ−ベンゾ［ｂ］チオフェンの合成
ＣＨＣｌ3（６５ｍＬ）中のＢｒ2（２１．１ｍＬ）の溶液を、温度０℃で攪拌下にて、ＣＨＣｌ3（１２０ｍＬ）中のベンゾ［ｂ］チオフェン（２６．４ｇ）の溶液に滴下した。出発生成物が消失するまで、反応の進行をＴＬＣ（ヘキサン）中で制御した：Ｒｆ（チアナフテン）：０．３３、Ｒｆ（２，３−ジブロモベンゾチオフェン）：０．５。次いで、その混合物をＮａＯＨ水溶液に注ぎ、有機相を分離し、１０％ＮａＯＨ溶液で２回洗浄し、水で１回洗浄し、次いでＮａ2ＳＯ4上で脱水した。溶媒を蒸発させて、白色の固体として２，３−ジブロモ−ベンゾ［ｂ］チオフェン（５２ｇ）（収率９０％）を得た。
【００５２】
段階ｂ：２，３−ビス（ジエトキシホスホリル）−ベンゾ［ｂ］チオフェンの合成
２，３−ジブロモチアナフテン（２．４ｇ）中のＰｄＣｌ2（０．１５ｇ）の懸濁液を温度１１５℃にし、次いで、攪拌下および不活性雰囲気においてＰ（ＯＥｔ）3（３．３ｇ）を滴下した。滴下が完了した後、その赤色の溶液を１６０℃にした。１時間３０分後、混合物をＣＨ2Ｃｌ2で希釈し、水で２回洗浄し、脱水した。減圧で溶媒を蒸発させ、残留物を得て、フラッシュクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ）によってそれをシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけて、２，３−ビス（ジエトキシホスホリル）−ベンゾ［ｂ］チオフェン（１．６ｇ）（収率６０％）を得た。
融点：６７°Ｃ；
1Ｈ−ＮＭＲ：１．４ｐｐｍ（ｍ，１２Ｈ）；４．２ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）；７．４ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）；７．８５ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ）；８．５ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ）；
31Ｐ−ＮＭＲ：９．０ｐｐｍ；９．６ｐｐｍ
【００５３】
段階ｃ：２，３−ビス（ホスフィノ）−ベンゾ［ｂ］チオフェンの合成
不活性雰囲気においてトリメチルクロロシラン（０．９４ｍＬ）を、ＴＨＦ中のＬｉＡｌＨ4（７．４３ｍＬ、１Ｍ）の懸濁液に温度−７８℃で添加し、室温にて攪拌下で２時間放置した。次いで、その溶液を温度−６０℃にし、ＴＨＦ（７．４３ｍＬ）中の３，４−ジエチルホスホネート（０．５ｇ）の溶液を滴下し、それを室温で攪拌下にて２時間放置した。反応をＭｅＯＨ（２．５ｍＬ）で枯渇させ、氷浴で冷却した。溶媒を減圧で蒸発させ、得られた灰色の固体を脱気したＣＨ2Ｃｌ2（約１５ｍＬ）で洗浄した。溶媒を蒸発させることによって、黄色がかった残留物が得られ、不活性雰囲気においてシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけた（Ｒｆ：０．６、ヘキサン）。溶媒を蒸発させた後、固体として得られた２，３−ビス（ホスフィノ）−ベンゾ［ｂ］チオフェンを−２０℃にてアルゴン下で保持した。
1Ｈ−ＮＭＲ：３．６ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ−Ｐ）；４．７ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ−Ｐ）；７．４ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）；７．９ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）。
【００５４】
段階ｄ：（Ｒ，Ｒ）３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）−ベンゾ［ｂ］チオフェンの合成
ヘキサン中のＢｕＬｉ（０．１２ｍＬ）の１．６Ｍ溶液を、ＴＨＦ（１．６ｍＬ）中のジホスフィン（１８ｍｇ）の溶液中に滴下し、その（オレンジ色の）溶液を攪拌下で１時間３０分放置した。次いで、ＴＨＦ２ｍｌに溶解された（２Ｓ，５Ｓ）−ヘキサンジオールの環状サルフェート３３．２ｍｇを滴下し、その溶液は淡黄色に変化した。それを攪拌下で２時間放置した。ｎヘキサン中のＢｕＬｉ（０．１３ｍＬ）の１．６Ｍ溶液を滴下して、ホスホラン環の閉環を行い、その溶液はもう一度オレンジ色になった。混合物を攪拌下で２時間放置した後、出発生成物の消失をＴＬＣ（ヘキサン）において制御し、環状サルフェートの消失をＴＬＣ（ＡｃＯＥｔ）において制御した。不活性雰囲気において、混合物を攪拌下で一晩放置した。次いで、反応をＭｅＯＨ（０．５ｍＬ）で枯渇させ、溶媒を減圧で蒸発させた。固体を脱気したＣＨ2Ｃｌ2で洗浄し、濾液を減圧で濃縮した。固体が得られ、それをシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけた（ＥｔＯＨ）。溶媒を蒸発させることによって、淡黄色の固体として生成物が得られた。
融点：１７４°Ｃ
1Ｈ−ＮＭＲ：０．７５ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ3）；１．２２ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ3）；１．２０−１．３５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）；
１．８−２．１ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）；３．７（ｍ，４Ｈ）；７．３ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ芳香族）。
質量（Ｍ+）：３６２
［α]25D＋２４．８（ｃ＝１．３９、塩化メチレン）
酸化還元電位（Ｅ°）：Ｐ1０．４Ｖ；Ｐ2０．６５Ｖ
【００５５】
実施例４  錯体｛Ｒｈ（ＣＯＤ）（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン｝ＢＦ4の製造
【化３２】
2005518926.tif 000020
【００５６】
Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２４，２３３４（１９８５）に従って製造された［Ｒｈ（ＣＯＤ）2］ＢＦ4９６．７ｍｇと、実施例１に従って製造された（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン９０ｍｇとの、脱気塩化メチレン１０ｍＬ中の混合物を、室温にて攪拌下で２時間保持した。次いで、その混合物に脱気ＴＨＦ５ｍＬを添加し、次いで脱気ヘキサン１０ｍＬをゆっくりと添加し、その後、結晶化が始まるまで濃縮し、次いで−２０℃で一晩維持した。暗赤色の固体を濾過し、ヘキサン３ｍＬで２回洗浄し、最後に真空下で乾燥させた。触媒３２．５ｍｇを得た。濃縮することによって、ＮＭＲスペクトルに基づく同等の化学的純度の触媒を、濾過液からさらに１２０ｍｇ回収した。
31Ｐ−ＮＭＲ：５１ｐｐｍ（ｄ，Ｊ＝１６０．５Ｈｚ）。
【００５７】
実施例５  錯体｛Ｒｈ（ＣＯＤ）（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン｝ＯＴｆの製造
【化３３】
2005518926.tif 000021
【００５８】
Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２４，２３３４（１９８５）に従って製造された［Ｒｈ（ＣＯＤ）2］ＯＴｆ１０８．９ｍｇと、実施例１に従って製造された（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン８８ｍｇとの、脱気塩化メチレン１０ｍＬ中の混合物を、室温にて攪拌下で２時間保持した。その混合物を初期体積の約４０％まで濃縮し、結晶化が始まるまで脱気ＴＨＦ６ｍＬおよび脱気ヘキサン４ｍＬを添加し、次いでそれを−５／−１０℃で３０分間維持した。赤橙色の固体を濾過し、ヘキサン４ｍＬで３回洗浄し、最後に真空下で乾燥させた。触媒約１００ｍｇを得た。
【００５９】
実施例６  錯体｛ＲｕＩ（ｐ．シメン）（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン｝Ｉの製造
【化３４】
2005518926.tif 000022
【００６０】
還流冷却器、窒素バルブ、および電磁スターラーを備えた１００ｍＬ四つ口フラスコに、窒素気流下にて［ＲｕＩ2（ｐ．シメン）］2１４４ｍｇおよび実施例１に従って製造された（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン１００ｍｇを導入した。次いで、ＣＨ2Ｃｌ2２５ｍＬおよび脱気ＭｅＯＨ９ｍＬを添加し、その溶液を２時間還流した。溶媒を蒸発させ、暗赤色の結晶性固体からなる触媒を残留物として回収した。
31Ｐ−ＮＭＲ：７９．３ｐｐｍ（ｄ，Ｊ＝４５．８Ｈｚ）；５９．９ｐｐｍ（ｄ，Ｊ＝４５．８Ｈｚ）。
【００６１】
実施例７  Ｎ−アセトアミドケイ皮酸の水素化−｛Ｒｈ（ＣＯＤ）（Ｒ，Ｒ）２，５−ジメチル−［３，４−ビス（２’，５’−ジメチルホスホラニル）］−チオフェン｝ＯＴｆと｛Ｒｈ（ＣＯＤ）［１，２−ビス（（２Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジメチルホスホラン）−ベンゼン］｝ＯＴｆの触媒活性の比較
【化３５】
2005518926.tif 000023
【００６２】
実験ａ
窒素雰囲気において、Ｎ−アセトアミドケイ皮酸１．２３ｇ（５．９９ｍｍｏｌ）を脱気ＥｔＯＨ１００ｍＬに溶解し、実施例５に従って製造した触媒８．３９ｍｇ（０．０１２ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気において計量した。その混合物をアルゴン雰囲気下で２５０ｍＬオートクレーブに装入した。次いで、Ａｒでの３つの洗浄サイクルを行った。次いで、オートクレーブを０÷２℃に冷却し、次いでＨ2での３つの洗浄サイクルを行い、圧力を２バールにした。
【００６３】
試料を反応混合物から３０分ごとに採取し、続いて反応速度論を得た。
【００６４】
得られたデータを以下の表に示す。
【００６５】
【表１】
2005518926.tif 000024
【００６６】
得られた生成物Ｎ−アセチルフェニルアラニンの鏡像体過剰率の結果は、９８．９％に等しい。
【００６７】
実験ｂ
触媒として｛Ｒｈ（ＣＯＤ）［１，２−ビス（２Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジメチルホスホラン）−ベンゼン］｝ＯＴｆ（８ｍｇ；０．０１２ｍｍｏｌ）を使用することが唯一異なるが、前述の実験に記載の同じ実験手順に従って、以下の速度論の結果が得られる。
【表２】
2005518926.tif 000025
【００６８】
実施例８．［６（Ｒ）］５，６−ジヒドロ−４−ヒドロキシ−３−［（Ｚ）−１−（３−ニトロフェニル）プロペニル］−６−［１−（２−フェニル）エチル］−６−プロピル−２Ｈ−ピラン−２−オンの水素化
【化３６】
2005518926.tif 000026
【００６９】
窒素雰囲気において、［６（Ｒ）］５，６−ジヒドロ−４−ヒドロキシ−３−［（Ｚ）−１−（３−ニトロフェニル）プロペニル］−６−［１−（２−フェニル）エチル］−６−プロピル−２Ｈ−ピラン−２−オン０．８ｇ（１．９ｍｍｏｌ）を脱気ＭｅＯＨ１００ｍＬに溶解し、実施例５に従って製造した触媒１４ｍｇ（０．０１９ｍｍｏｌ）を窒素下で計量した。その混合物をアルゴン雰囲気下で２５０ｍＬオートクレーブに装入した。次いで、Ａｒでの３つの洗浄サイクルを行い、続いてＨ2での３つの洗浄サイクルを行った。次いで、オートクレーブを５バールで加圧した。その混合物を室温にて攪拌下で２０時間保持した。この手順を用いて、１００％の転化率が得られ、［３（Ｒ），６（Ｒ）］５，６−ジヒドロ−４−ヒドロキシ−３−［１−（３−ニトロフェニル）プロピル］−６−［１−（２−フェニル）エチル］−６−プロピル−２Ｈ−ピラン−２−オンのジアステレオ異性体過剰率は９１％に相当した。
【００７０】
実施例９−  水素化反応における、本発明の錯体（１ｂ，２ｂ）の触媒活性と、公知の錯体（１ａ，２ａ）の触媒活性との比較
使用した触媒を以下のスキーム４に示す。
スキーム４
【化３７】
2005518926.tif 000027
【００７１】
実施例９Ａ  Ｎ−アセトアミドケイ皮酸のＮ−アセチルフェニルアラニンへの水素化
【化３８】
2005518926.tif 000028
【００７２】
メタノール溶液における基質−（２ａ−ｂ）触媒のモル比１０００で、Ｎ−アセトアミドケイ皮酸のＮ−アセチルフェニルアラニンへの水素化を水素圧４０ｐｓｉで行った。
【００７３】
反応速度論は、どちらの場合にも基質において一次であることが見出され、それによって一般的な反応メカニズムが示唆されており、したがってそのデータの比較は許容可能となる。８．５×１０-3および１．１×１０-3の速度定数が、２ｂおよび２ａそれぞれによって促進された反応について決定された。これらのデータは、速度論上での配位子のリンでの電子利用可能性によって示される強い影響の更なる証拠を補足する。より電子豊富なチオフェンをベースとするジホスホランは、ベンゼンをベースとするものに対して１０倍近くの反応速度を促進する。配位子およびそれらの錯体について算出された幾何学的配置に基づいて予想されるように、エナンチオ選択レベル（ｈｐｌｃ）はほぼ同一であることが見出され：２ｂおよび２ａによって促進される反応について、それぞれ９７．５％および９８．０％であった。
【００７４】
実施例９−Ｂ  アセト酢酸エチルのエチル３−ヒドロキシブチレートへの水素化
【化３９】
2005518926.tif 000029
【００７５】
メタノール溶液における基質−（１ａ−ｂ）触媒のモル比１０００で、エチル３−ヒドロブチレートへのアセト酢酸エチルの水素化を、７５℃にて水素圧１４００ｐｓｉで行った。反応の進行をガスクロマトグラフィーによってモニターした。
【００７６】
再び、錯体１ａおよび２ｂを用いた反応の速度論的挙動は非常に似ていることを見出した。両方の事例でかなり長い誘導期間が認められ、その間に特に反応は生じなかった。誘導時間は、１ｂを使用した場合（約７００分）よりも１ａを使用した場合（約１１００分）のほうが長かった。次いで、どちらの事例においても、水素化が開始し、ゼロ次の速度論を示した。３．７×１０-2および２．４×１０-2の速度定数が、１ｂおよび１ａそれぞれによって促進された反応について決定された。もう一度、電子豊富なチオフェンをベースとするホスホランが、ベンゼンをベースとするものよりも活性な助触媒を生成するのに対して、鏡像体過剰率はほぼ同じであり、錯体１ａで行った反応では６０％に対して１ｂで行った反応では５８％であった。
【００７７】
実施例１０−  配位子（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジメチル−３，４−ビス［（２’，５’−ジメチル）−ホスホラニル］−１−フェニルピロールの合成
段階ａ：２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジブロモホスフィノ）１−フェニル−ピロールの合成
【化４０】
2005518926.tif 000030
２，５−ジメチル−１−フェニルピロール（１．６ｇ、９．４ｍｍｏｌ）（トロマチェフ（Ｔｏｌｏｍａｃｈｅｖ），Ｓ．Ｐ．Ｉｖｏｎｉｎ，Ａ．Ａ．チャイコフスカヤ（Ｃｈａｉｋｏｖｓｋａｙａ），Ｔ．Ｅ．テリコフスカ（Ｔｅｒｉｋｏｖｓｋａ），Ｔ．Ｎ．クドリャ（Ｋｕｄｒｙａ），およびＡ．Ｍ．Ｐｉｎｃｈｕｋ  Ｈｅｔｅｒｏａｔｏｍ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１０，１９９９，２２３−２２９）により報告されている手順に従って製造された）の０℃のピリジン１０ｍＬ中の溶液を、攪拌下にて三臭化リン（ＰＢｒ3）の溶液にゆっくりと添加した。攪拌下にて室温および不活性雰囲気下で１７時間放置した後、ヘキサン２５ｍＬを添加した。このように形成された沈殿物を濾過によって反応混合物から除去し、減圧下での蒸発によって、溶媒を濾液から除去した。次いで、残留物をエチルエーテル２０ｍＬで３回洗浄し、減圧下で乾燥させ、それによって目的の生成物３．３６ｇ（３６％）が得られた。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：２．２（６Ｈ，ｓ，２ＣＨ3）；７．２３−７．２６（２Ｈ，ｍ，Ｈ3,5−Ｐｈ）；７．５４−７．５７（３Ｈ，ｍ，Ｈ2,4,6−Ｐｈ）。
31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：１３０．２（ｓ）。
【００７８】
段階ｂ：３−（４−エトキシホスフィノイル−１−フェニル−２，５−ジメチル）−ピロリルホスフィン酸エチルエステルの合成
【化４１】
2005518926.tif 000031
【００７９】
段階（ａ）に記載のように製造した２，５−ジメチル−３，４−ビス（ジブロモホスフィノ）−１−フェニル−ピロール（２．６７ｇ、４．８５ｍｍｏｌ）の溶液を、エタノール（８０ｍＬ）中のＫ2ＣＯ3（２ｇ、１４．６ｍｍｏｌ）の攪拌懸濁液に添加し、その混合物を室温にて攪拌下で１０時間放置した。次いで、固体を濾過し、減圧で濾液から溶媒を蒸発させ、それによって目的の生成物１．７２ｇが得られた（定量的収率）。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：１．４３（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０６Ｈｚ，ＯＣＨ2ＣＨ3）；１．４４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０６Ｈｚ，ＯＣＨ2ＣＨ3）；２．２５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．４２Ｈｚ，ＣＨ3）；２．２９（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．４６Ｈｚ，ＣＨ3）；４．１３−４．２６（４Ｈ，ｍ，ＯＣＨ2ＣＨ3）；７．７７（１Ｈ，ｄ，ＪH-P＝５７６．０７Ｈｚ，ＰＨ）；７．１３−７．２０（２Ｈ，ｍ，Ｈ3,5−Ｐｈ）；７．５０−７．６３（３Ｈ，ｍ，Ｈ2,4,6−Ｐｈ）；７．８４（１Ｈ，ｄ，ＪH-P＝５７３．１９Ｈｚ，ＰＨ）。
31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：１８．８（ｓ）；２３．３（ｓ）。
質量：３５５（Ｍ+）；３３７；３２６；３０９；２００（１００）；２６３；２３４；２１６；２０１；１７０。
【００８０】
段階ｃ：２，５−ジメチル−３，４ビス−（ホスフィノ）１−フェニル−ピロールの合成
【化４２】
2005518926.tif 000032
【００８１】
段階（ｃ）に記載のように製造した３−（４−エトキシホスフィノイル−１−フェニル−２，５−ジメチル）−ピロリルホスフィン酸エチルエステル（１ｇ、１．８２ｍｍｏｌ）のエチルエーテル（８５ｍＬ）中の溶液を、攪拌下およびアルゴン雰囲気下にて０℃でエチルエーテル（６ｍＬ）中のＬｉＡｌＨ4の１Ｍ溶液に添加した。反応混合物を１．５時間放置した後、３２％水酸化ナトリウム０．１ｍＬおよび無水硫酸ナトリウムを添加した。反応混合物を濾過し、減圧下にて蒸発によって溶媒を除去し、それによって目的の生成物が得られた（４００ｍｇ、収率６０％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：２．１３（６Ｈ，ｓ，２ＣＨ3）；３．６６（２Ｈ，ｄ，ＪH-P＝２０６．８９Ｈｚ，ＰＨ2）；７．１４−７．１７（２Ｈ，ｍ，Ｈ3,5−Ｐｈ）；７．４２−７．５１（３Ｈ，ｍ，Ｈ2,4,6−Ｐｈ）。
31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１６６．４（ｔ，Ｊ＝１．６８Ｈｚ）。
質量：２３５（Ｍ+）；２０２；１７１；８６。
【００８２】
段階ｄ：配位子（Ｒ，Ｒ）−２，５−ジメチル−３，４−ビス［（２’，５’−ジメチル）−ホスホラニル］−１−フェニルピロールの合成
【化４３】
2005518926.tif 000033
【００８３】
ヘキサン中のＢｕＬｉの１．６Ｍ溶液（０．９６ｍＬ、１．５３ｍｍｏｌ）を、先の段階に記載のように製造された２，５−ジメチル−３，４ビス−（ホスフィノ）１−フェニル−ピロール（１８０ｍｇ、０．７７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１４．４ｍＬ）中の溶液に滴下し、反応混合物を攪拌下で１．５時間放置した。ＴＨＦ１．２ｍｌに溶解された（２Ｓ，５Ｓ）−ヘキサンジオールの環状サルフェート２３３ｍｇ（１．５３ｍｍｏｌ）をその反応混合物に滴下し、続いてそれを攪拌下で１時間放置した。反応混合物をメタノール（０．３ｍＬ）でクエンチし、減圧下で溶媒を蒸発させた。ついで、固体をｎ−ヘプタン（３×２０ｍＬ）で洗浄し、減圧下（２０トール）での蒸発によって濾液から溶媒を除去し、それによって目的の生成物が得られた（１３３ｍｇ、収率４４％）。
［α］D＝−１７．４，ｃ＝０．１７２，ＣＨＣｌ3
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：０．９３−０．９９（６Ｈ，ｍ，ＣＨ3）；１．１６−１．２６（６Ｈ，ｍ，ＣＨ3）；１．６２−１．７７（４Ｈ，ｍ，−ＣＨ2）；１．９９−２．２０（４Ｈ，ｍ，ＣＨ2）；２．０７（６Ｈ，ｓ，ＣＨ3）；２．２５−２．４０（２Ｈ，ｍ，ＣＨＣＨ3）；２．９８−３．１１（２Ｈ，ｍ，−ＣＨＣＨ3）；７．１２−７．２０（２Ｈ，ｍ，Ｈ3,5−Ｐｈ）；７．３９−７．５０（３Ｈ，ｍ，Ｈ2,4,6−Ｐｈ）。
31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１１．５（ｓ）。
質量：３９９（Ｍ+）；３１７；２０２；１７０。
電気化学酸化電位：０．２Ｖ。
【国際調査報告】
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