(57)【要約】   （111）配向を有するシリコン基板に第1のトレンチを形成する段階と、トレンチの基部により幅の狭いトレンチを形成し、異方性エッチングにより、隣接するエッチングフロント（16）が実質的に接するまで第2のトレンチから横方向のチャネル（4）を形成し、層を基板から引き離すことによって、薄い単結晶シリコン層が形成される。各トレンチは、結果として得られる層がスロット列を有し、隣接する列のスロットが相互にオフセットされるように配置することができる。長さが約50mmよりも長く、幅が最大で約5mmであり、厚さが100ミクロン未満であり、各ストリップ（5）の同じ面上に2つの電気接点を有する太陽電池を、トレンチ同士の間のストリップ上に形成することができる。  2005512330.tif 000003
2005512330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン層を形成するプロセスであって、以下の段階を含むプロセス：
実質的に（111）配向のシリコン基板上に平行な第1のトレンチを形成する段階；
第1のトレンチの表面に耐エッチング層を塗布する段階；
第1のトレンチの内側により幅の狭い一連の第2のトレンチを形成する段階；
シリコンの｛111｝面が実質的な耐性を有するエッチング液に第2のトレンチを接触させ、および、隣接しかつ向かい合うエッチングフロントが少なくとも実質的に接するまで第2のトレンチから横方向のチャネルをエッチングし、それによって単結晶シリコン層を画定する段階；ならびに
層を基板から引き離す段階。
【請求項２】
第1および第2のトレンチが、シリコン基板の一方の縁部からシリコン基板の反対側の縁部まで連続的に延びている、請求項1記載のプロセス。
【請求項３】
第1および第2のトレンチが、シリコン基板の少なくとも一方の縁部までは延びない、請求項1記載のプロセス。
【請求項４】
第1および第2のトレンチが、シリコン基板の縁部までは延びない、請求項3記載のプロセス。
【請求項５】
隣接しかつ向かい合うエッチングフロントが接する、請求項1記載のプロセス。
【請求項６】
単結晶シリコン層が、複数のシリコンストリップを含む、請求項1記載のプロセス。
【請求項７】
ストリップが、ストリップの少なくとも一方の端部の所で層に付着しており、プロセスが、ストリップをシリコン層から分離する段階をさらに含む、請求項6記載のプロセス。
【請求項８】
複数のストリップが分離される前または後に、複数のストリップから複数の太陽電池を形成する段階をさらに含む、請求項6または7記載のプロセス。
【請求項９】
請求項8のプロセスによって作製される太陽電池。
【請求項１０】
最大で約100ミクロンの厚さを有するシリコンシートであって、シートが、複数の平行なスロット列を含み、各列が、端部方向に配置された複数のスロットを含み、各列のスロットが、すぐ隣の列のスロットに対してオフセットされるシリコンシート。
【請求項１１】
スロットの長さが、互いに隣接するスロット列間の間隔の少なくとも3.33倍である、請求項10記載のシリコンシート。
【請求項１２】
請求項11記載のシリコンシートを含む太陽電池。
【請求項１３】
長さが少なくとも20mm、幅が最大で約5mm、厚さが約0.1mmであり、かつ太陽電池の一面上に一対の電気接点を有するシリコン太陽電池。
【請求項１４】
長さが約50mmよりも長く、幅が最大で約2mmであり、厚さが最大で70ミクロンである、請求項13記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、薄いシリコン結晶層を形成するプロセス、このような層からの太陽電池の製造、このような層から製造された太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景
大部分の半導体加工分野では、開始基板ウェハのコストが、完成した加工済みウェハの価値と比べて安い。しかし、常にそうとは限らない。たとえば、光太陽電池産業はコストの影響を極めて受けやすく、開始シリコンウェハのコストは通常、完成した光モジュールの価値のほぼ2分の1である。したがって、この産業では、シリコン基板をできるだけ効率的に使用することが極めて重要である。このような基板は、結晶シリコンの円筒状のブールから薄いスライスを切り出すことによって形成される。切断可能な最も薄いスライスは、シリコンの機械的特性および切断技術によって決定され、通常、現世代のウェハでは300μm〜400μmであるが、次世代ウェハでは200μmになると予測されている。しかし、ウェハを切断する切り溝損失約250μmであり、すなわち、ブールの大部分は粉末になる。したがって、薄い単結晶シリコン層を形成するより効率的な方法を提供することが望ましい。
【発明の開示】
【０００３】
発明の概要
本発明によれば、単結晶シリコン層を形成するプロセスであって、
実質的に（111）配向のシリコン基板上に平行な第1のトレンチを形成する段階と、
第1のトレンチに耐エッチング層を塗布する段階と、
第1のトレンチの内側により幅の狭い一連の第2のトレンチを形成する段階と、シリコンの｛111｝面が実質的な耐性を有するエッチング液に第2のトレンチを接触させ、および、隣接しかつ向かい合うエッチングフロントが少なくとも実質的に接するまで第2のトレンチから横方向のチャネルをエッチングし、それによって単結晶シリコン層を画定する段階と、
層を基板から引き離す段階とを含むプロセスが提供される。
【０００４】
単結晶シリコン層は、選択的にストリップの一方または両方の端部の所で層に取り付けることのできる複数のシリコンストリップを含んでよい。本発明のプロセスは、ストリップをシリコン層から分離する段階をさらに含んでよい。本発明の好ましい形態では、プロセスは、ストリップが分離される前または後に複数のストリップから複数の太陽電池を形成する段階をさらに含む。
【０００５】
本発明は、本発明のプロセスによって形成された単結晶シリコン層をさらに提供する。
【０００６】
本発明は、本発明のプロセスによって製造された太陽電池を提供する。
【０００７】
第2の態様では、本発明は、最大で約100ミクロンの厚さを有するシリコンシートであって、複数の平行なスロット列を含み、各列は、端部方向に配置された複数のスロットを含み、各列のスロットは、すぐ隣の列のスロットに対してオフセットされているシリコンシートを提供する。
【０００８】
本発明では、「実質的に（111）配向のシリコン基板の表面」は、シリコン基板が、厳密に（111）配向であるか、あるいはその反対で、横方向のチャネルがエッチングされたとき、層が実質的に層を損傷せずに力の作用によって基板から引き離されるほど近く隣接するチャネルがお互いに接するかもしくは接近する程（111）配向に近いことを意味する。典型的には、シリコン基板の表面は、（111）配向から０°から約10°の角度であり、より典型的には、0°から約7°の角度であり、より典型的には、0°から約4°の角度であり。
【０００９】
好ましくは、隣接しかつ向かい合うエッチングフロントが接して、エッチングフロント同士が接したときにもはや基板に接合しなくなるシリコン層が分離される。または、エッチングは、隣接しかつ向かい合うエッチングフロントがほぼ接し、次いでシリコン層が、層と基板との間の残りの接続部を破壊することによって機械的に引き離されるまで進行する。したがって、「実質的に接する」は、隣接しかつ向かい合うエッチングフロントが、横方向のチャネルの上方に存在するシリコン層が基板に付着したままであるが、容易に引き離されるほど近くまで近づくことを意味する。
【００１０】
本発明の一形態では、第1および第2のトレンチは、横方向のチャネルをエッチングし層を引き離す段階の後、シリコン基板の一方の縁部から反対側の縁部まで連続的に延び、複数の薄いシリコンストリップを形成する。本発明の他の形態では、第1および第2のトレンチは、シリコン基板の少なくとも1つの縁部、より典型的には両方の縁部までは延びず、したがって、エッチング段階によって一連のストリップが形成されるが、ストリップは一方の端部または両方の端部の所でシリコン層の一部に付着したままである。各ストリップは、その端部を層の残りの部分から切り離すことによって、場合によって望ましいさらなる加工段階を受けた後にシリコン層から分離することができる。本発明の他の形態では、トレンチは平行な列として配置され、各トレンチ列は、端部方向に配置された複数のトレンチを含み、各列のトレンチは、すぐ隣の列のトレンチに対して食い違うかまたはオフセットされている。トレンチのうちで、シリコン基板の全面にわたって延びているトレンチは無く、したがって、エッチングおよび取外しの後単結晶シリコンシートが形成される。この単一のシートは、エッチング段階の前のシリコン基板のトレンチのパターンと同一のスロットのパターンを示す。各トレンチ列は、各トレンチの長さの0.3倍よりも短い距離だけ間隔を置いて配置されている。各トレンチの長さは通常、少なくとも約0.5mm、通常2mmから10mmの範囲である。
【００１１】
第1のトレンチはたとえば、レーザ、ダイシングソー、またはプラズマエッチングやウエットエッチングなどのエッチングプロセスと、適切にパターン化されたエッチングマスクとの組合せを用いて形成することができる。より幅の狭いトレンチはたとえば、レーザ、ダイシングソー、またはプラズマエッチングやウエットエッチングなどのエッチングプロセスと、適切にパターン化されたエッチングマスクとの組合せを用いて形成することができる。
【００１２】
第1のトレンチの深さは典型的には、約1ミクロンから約100ミクロン、より典型的には約20ミクロンから約70ミクロンであり、幅は通常、約50ミクロンから約200ミクロンの範囲である。したがって、単結晶シリコン層の厚さは通常、約1ミクロンから約100ミクロンである。
【００１３】
第1のトレンチの幅は通常、約0.1mmである。第1のトレンチは、約0.1mmから数ミリメートルの間隔を置いて配置することができる。典型的には、第1のトレンチ同士の間隔は約0.5mmから約5mmであり、より典型的には約0.5mmから約2mmである。
【００１４】
より幅の狭いトレンチの深さは、1ミクロン未満から数10ミクロン、より典型的には約1ミクロンから約5ミクロンの範囲である。通常、より幅の狭いトレンチは、第1のトレンチの幅の約25%から約90%を占有する。
【００１５】
第1のトレンチ上に形成された耐エッチング層は、横方向のチャネルをエッチングするのに用いられるエッチング液により、シリコンのエッチング速度と比べてずっと遅い速度でエッチングされる材料層である。その結果、耐エッチング層は、横方向のチャネルをエッチングする段階の後でそのままであり（ただし、耐エッチング層はある程度薄くすることができる）、したがって、シリコンがエッチングされる場所は、シリコン上に耐エッチング層が無い第2のトレンチだけである。
【００１６】
｛111｝面が耐エッチング性を有するシリコンの適切な異方性エッチング液は、当業者に公知であり、たとえば、約20〜50wt%、通常約30wt%の濃度を有する水酸化カリウム水溶液を含む。使用できる他のエッチング液には水酸化テトラメチルアンモニウム溶液および水酸化ナトリウム溶液が含まれる。
【００１７】
適切な耐エッチング層材料には二酸化ケイ素および窒化ケイ素が含まれる。
【００１８】
本発明により、通常のシリコンを、厚さがウェハ厚さよりもずっと小さい薄い矩形シリコンストリップまたはシリコンシートを形成するように加工できることが明らかになろう。個々のストリップまたはシートを太陽電池として加工し、次いで基板から引き離すことができる。このプロセスの後、先行技術の切断プロセスによって実現できるよりもずっと薄い基板層を、先行技術のプロセスを使用した場合よりも廃棄物をずっと少なくしつつ除去することができる。基板は元の基板厚さよりもずっと小さい厚さだけ薄くされているに過ぎないので、残りの部分は、さらなる薄いシリコンストリップ、またはシートを作製するのに再使用することができる。したがって、単一のシリコンウェハから、（たとえば）太陽電池に使用できる薄い層を少なくとも2枚、通常数枚得ることができる。
【００１９】
好都合なことに、太陽電池は、本発明のプロセスによって得られるシリコン層に付着している間にシリコンストリップから製造される。その結果、太陽電池は、ストリップと同じ寸法を有し、かつストリップ上の同じ面上に2つの電気接点を有する。
【００２０】
したがって、第3の態様では、本発明は、幅が最大で約5mm、より典型的には最大で約2mm、厚さが最大で約0.1mm、より典型的には最大で約70ミクロンであり、一面上に一対の電気接点を有する太陽電池を提供する。典型的には、第3の態様の太陽電池は長さが少なくとも20mm、より典型的には約50mmよりも長い。
【００２１】
または、太陽電池は第2の態様のシリコンシートから製造することができる。
【００２２】
本発明の好ましい態様について、添付の図面を参照して一例としてのみ説明する。
【００２３】
好ましい態様およびその他の態様の詳細な説明
添付の図では、同じまたは同様の特徴は全体にわたって同じ参照符号で識別されている。図は概略的なものであり、一定の比例に縮小して描かれてはいない。
【００２４】
図1〜4は、以下のような本発明のプロセスの広義の形態を概略的に示している。
【００２５】
図1および2に示されているように、規則的な間隔を置いて配置された一連の平行なトレンチが、（111）配向された厚さ1mmのシリコンウェハ１の表面に形成されている。各トレンチは、［-211］方向25に沿って配向させられ、深さが数ミクロンから数10ミクロンで、幅が通常0.1mmであり、数100ミクロンから数ミリメートルの間隔を置いて配置されている。幅の広いトレンチは、当技術分野で公知のように、ダイシングソー、レーザ、または化学エッチングプロセスによって形成される。各トレンチが[01-1]方向に沿って配向しておらず、かつ［10-1］方向に沿って配向しておらず、かつ［1-10］方向に沿って配向していないかぎり、他のトレンチ方向25を使用することができる。
【００２６】
図3に示されているように、エッチングマスク層6がウェハ1およびトレンチ2上に配置されている。エッチングマスクは二酸化ケイ素や窒化ケイ素のような適切な誘電体である。次いで、幅の広いトレンチ２の側壁を覆うエッチングマスク６がそのまま残るように、幅の広いトレンチ2の底部により幅の狭いトレンチ３が形成される。より幅の狭いトレンチ3の深さは、1ミクロン未満から数10ミクロンの範囲である。より幅の狭いトレンチ3は、切断、レーザアブレーション、反応性イオンエッチング（RIE）のような様々な技術によって形成することができ、RIEを用いる場合、マスクはエッチングの前にリソグラフィによってパターン化される。RIEを用いない場合、単一の切断段階またはレーザアブレーション段階を用いてマスクとその下にあるシリコンとの両方が除去される。
【００２７】
次いで、ウェハは、水100ml当たり30gの水酸化カリウム（KOH）の溶液のような適切な湿性異方性エッチング液に浸漬させられる。このエッチングは、シリコン中の他の結晶面よりもずっと遅い速度でシリコン｛111｝面17をエッチングする特性を有する。横方向のチャネル4は、図4に示されているように、トレンチ2の外側の元のシリコン表面をアンダカットするエッチングプロセス中に形成される。エッチングが進行すると、最終的に、様々な横方向のエッチングフロント16同士が接し、基板から剥がされる一連のシリコンストリップを形成する。しかし、これらのストリップを基板から完全に引き離すのを妨げるのが望ましい場合、より幅の狭いトレンチ3は、図5Aおよび5Bに示されているようにウェハの縁部まで延びることはできない。これによって、エッチングフロント同士が接し、基板1の縁部以外のあらゆる場所からシリコンストリップ5を引き離した後、シリコンストリップ5は基板の縁部に付着したままである。
【００２８】
様々な結晶面はそれぞれエッチング速度が異なるため、異方性エッチングによって形成される横方向のチャネルは固有の形状を有する。たとえば、上述のように、幅の広い単一のトレンチ2および幅の狭い単一のトレンチ3を（111）シリコンウェハ上にエッチングした場合、結果として得られるチャネル4は、上下から見た場合、図6に示されているように、｛111｝面17によって形成されたダイヤモンド形状を有する。一連のトレンチ2、3がウェハの面として切り出される場合、それらのトレンチは、最終的に接しかり、基板の縁部まで延びる隣接しかつ向かい合うエッチングフォントによって、シリコンウェハの上層全体を基板から単一のシートとして引き離すことができるように、図7に示されているように配置することができる。トレンチの必要なパターンの必須の特徴は、図6に示されているように、幅の狭い各トレンチ3から延びている横方向のトレンチ4は、すぐ隣のトレンチ3から延びている横方向のチャネル4に対してオフセットされている。図7は、1つの適切な配置を示している。
【００２９】
他の態様では、（111）面からわずかに約１°〜4°の角度αだけ離して切断された開始ウェハが選択される。このことは、シリコン1の表面に垂直な方向30から［111］方向35との間の角度によって図8に誇張して示されている。上述のように、1組のより幅の広いトレンチおよび幅の狭いトレンチが形成され、エッチングマスク６で覆われている。しかし、より幅の狭いトレンチは非常に浅くなっており、深さは数ミクロン以下である。次いで、ウェハは、図示のようにエッチングフロントが互いに重なり合うまで適切な異方性エッチング液によってエッチングされる。ウェハが誤配向させられることと、かつエッチングによって形成されるチャネル4が垂直方向にかなり狭いので、エッチングフロント同士は接しないで、薄いシリコンストリップ20がエッチングフロント間に残る。この方法を用いて、エッチングの後、シリコンストリップまたはシリコンシートを基板に付着したままにすることができる。ストリップまたはシートは最終的に、それを適切な上層基板（superstrate）に結合し、基板から引き離すように上層基板に適度な力をかけることによって引き離される。超音波攪拌のような他の引き離し方法を使用することもできる。
【００３０】
図9に示されているようにp型シリコン基板から剥がされた各シリコンストリップから太陽電池を形成することができる。
【００３１】
まず、たとえば、ダイシングソーを用いて、規則的な間隔を置いて配置された幅の広いトレンチ（図9には示されていない）を基板に形成する。平方当たり通常200Ωの光リン拡散7をウェハ表面上で行う。次に、厚さが通常400nmの二酸化ケイ素層10を成長させる。好ましくはレーザアブレーションによって頂面に浅い溝を形成する。溝内で激しい（通常平方当たり20Ω）リン拡散８を行う。次いで、溝の頂部に薄い酸化物を成長させる。この場合も、好ましくはレーザアブレーションによって第2組の溝を形成する。この1組の溝内でホウ素拡散9を行う（通常、平方当たり80Ω）。その後、通常厚さが100nmの酸化物を成長させ、次いで、好ましくは低圧化学蒸着（LPCVD）によって50nmの窒化ケイ素を堆積させる。次いで、上述のように、幅の広いトレンチの底部に幅の狭いトレンチを形成する。基板を適切なKOH容積に浸漬させ、シリコンストリップ5が、基板の、ウェハ縁部以外のあらゆる場所から剥がれるまでエッチングする。平方当たり約200Ωの他のリン拡散（図示せず）を行って、各シリコンストリップ上に拡散された背面を形成することができる。次に、通常厚さが200nmの他の酸化物11を成長させる。高温のリン酸のような適切なエッチングを用いて窒化ケイ素を剥離し、激しく拡散された領域を覆っている酸化物を除去して、p金属接点およびn金属接点用の接触領域を露出させる。次に、たとえば、化学メッキによって、接点を金属化して金属接点12を得る。次に、適切な接着剤を用いてシリコンストリップを上層基板に付着させることができる。最後に、基板の縁部の近くで各ストリップを切り離すことによって各ストリップを基板から引き離す。
【００３２】
個々のストリップから加工された太陽電池をガラス上層基板上に取り付けて相互に接続することができる。たとえば、図10は、エッチングされたチャネル4と、シリコン基板のウェハ縁部に付着したままである金属接点12を有する太陽電池5とを有するシリコンウェハを示している。チャネル4は、太陽電池5の下方を延びているが、チャネル4のこれらの部分は図10には示されていない。各電池5を相互接続できるようにガラス上層基板13ははんだトラック14を備えている。図11に示されているように、このガラス上層基板13をシリコンウェハ上に配置する。上層基板−基板組立体をはんだ14の融点よりも高い温度まで加熱し、はんだトラック14を太陽電池5上の金属トラック12に接合する。ガラス13は、熱膨張係数が、ボンディングプロセス中に生じる温度範囲にわたってシリコンの熱膨張係数に厳密に一致する種類のガラスである。図12に示されているように、個々の電池は、結果として得られる複合装置が従来の結晶シリコン太陽電池と比べて高い電圧および小さい電流を特徴とするように直列接続される。各電池を基板から分離するために、ウェハの縁部の近くで各ストリップに切れ込み15を入れる。このためにレーザまたはダイシングサーを用いることができる。
【００３３】
他の態様では、個々の各電池の各側の金属接点12が、電池の最も長い寸法に平行な方向において互いにオフセットされており、ガラスウェハ上の金属トラック14は、図13に示されているように、電池接点に垂直な方向においてガラスウェハ全体にわたって延び、個々の電池間に平行な接続部を形成している。
【００３４】
図14は、p型シリコン基板から剥がされたシリコンストリップで形成された他の太陽電池の概略図である。まず、ウェハにシリコンストリップ5を形成し、上述のように、各ストリップをウェハ縁部を除くシリコンウェハのあらゆる場所から剥がす。エッチングマスク層を剥離する。エッチングマスク層が窒化ケイ素である場合は、室温でフッ化水素酸の水溶液中で剥離しても、1800Cでオルトリン酸中で剥離してもよい。各ストリップは、反応性イオンエッチング（RIE）のような適切な方法を用いてテクスチャ化することができる。すべての表面において約100Ω／平方の光リン拡散7を行う。すべての表面上で厚さが通常150nmの二酸化ケイ素層を成長させる。シリコンストリップの頂面の一部から酸化物を除去する。これは、たとえばエッチングペーストを用いて行うことができる。このようなペーストは、標準的なスクリーン印刷技術によって塗布することができ、室温または室温よりもわずかに高い温度で窒化ケイ素と酸化ケイ素の両方をエッチングするのに用いることができ、Merck Chemicalsから市販されている。露出されたシリコン表面において、通常平方当たり30Ωの激しいホウ素拡散9を行う。酸化物を剥離する。これはたとえば、室温でフッ化水素酸の水溶液中で行うことができる。次に反射防止コーティング18を塗布する。これはたとえば、厚さが20nmの二酸化ケイ素層と、その後低圧化学蒸着（LPCVD）によって堆積させられる約50nmの窒化ケイ素との組合せであってよい。薄い酸化物とLPCVD窒化物の組合せは、優れた表面パッシベーション特性および表面反射防止特性を与えることができる。LPCVD窒化物は、すべての表面、場合によっては幅の狭いチャネル内に隠れた表面も一様に被覆する特性を有する。
【００３５】
接点領域は、適切な領域において酸化物／窒化物スタックを選択的に除去することによって開放される。この場合も、このためにエッチングペーストを用いることができる。次に、p個の金属接点12Aおよびn個の金属接点12Bを形成する。これは、たとえば化学メッキによって行うことができる。最後に、ウェハの縁部の近くで各ストリップを切り離すことによって各電池を基板から剥がす。これはたとえば、ダイシングソーまたはレーザを用いて行うことができる。
【００３６】
個々の太陽電池は、図15に示されているように取り付け相互に接続することができる。適切なガラスシート13に光学接着剤21を塗布する。各電池5を取り上げ、基板に移し、光学接着剤を硬化させる。各電池を直列に接続するために、電気接着剤19を塗布して1つの電池のp接点12Aを隣接する電池のn接点12Bに接合する。
【００３７】
上記の態様は、厚さがウェハ厚さよりもずっと小さい薄い矩形のシリコンストリップまたはシリコンシートを形成する方法を提供する。個々のストリップまたはシートを太陽電池として加工し、次いで基板から引き離すことができる。このプロセスの後、基板は、元の基板の厚さよりもずっと少ない量だけ薄くされているに過ぎず、さらなる薄いシリコンストリップまたはシートを形成することができる。
【００３８】
当業者には、上記に添付の図面を参照して説明した本発明の範囲から逸脱せずに多数の修正態様が明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】好ましい態様による、第1のトレンチを形成した後のシリコンウェハの概略断面図である。
【図２】好ましい態様による、第1のトレンチを形成した後のシリコンウェハの概略平面図である。
【図３】好ましい態様による、第1および第2のトレンチを形成した後のシリコンウェハの概略断面図である。
【図４】好ましい態様による、湿性異方性エッチング液でエッチングした後のシリコンウェハの概略断面図である。
【図５】図5Aは、第1および第2のトレンチを形成した後のシリコンウェハの概略平面図であり、好ましい態様によるウェハの縁部の近くの領域の拡大平面図である。図5Bは、図5Aの円で囲まれた部分の拡大図である。
【図６】好ましい態様による、幅の狭いトレンチと、異方性エッチング液に浸漬させた後でエッチングによって形成された空隙の形状を示すウェハの一部概略平面図である。
【図７】好ましい態様による、薄いシリコンの連続的なシートを形成するトレンチの配置を含むウェハの概略平面図である。
【図８】好ましい態様による、表面が（111）面から故意にずらされた異方性エッチング後のウェハの断面を示す概略図である。
【図９】好ましい態様によって形成された薄いシリコンストリップから作られた太陽電池の断面を示す概略図である。
【図１０】図10Aは、各電池を相互接続する直前の、太陽電池がストリップ上に形成されたウェハの概略平面図である。図10Bは、図10Aに示されている太陽電池と一緒に使用できる好ましい態様によるガラス上層基板の図である。
【図１１】好ましい態様による、各電池を相互接続した後の、太陽電池がストリップ上に形成されたウェハの概略平面図である。
【図１２】好ましい態様による、各電池を相互接続した後の、太陽電池がストリップ上に形成されたウェハの概略断面図である。
【図１３】好ましい態様による、各電池を相互接続した後の、太陽電池がストリップ上に形成されたウェハの概略平面図である。
【図１４】本発明のプロセスによって形成された薄いシリコンストリップから作られた他の太陽電池の断面を示す概略図である。
【図１５】図14に示されているように太陽電池を取り付け相互接続する方法の概略図である。
【図１】
2005512330.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
2005512330.tif 000019
2005512330.tif 000020
2005512330.tif 000021