(57)【要約】ターゲットパターンを定義するのに使用されるフォトリソグラフィックマスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法が提供される。位相シフトマスクパターンは位相シフト窓を含み、そしてトリムマスクパターンはトリム形状を含み、これらは、線セグメントのセットにより定義された境界を有する。ターゲットパターンにおいてターゲット特徴部を定義するのに使用される特定対の位相シフト窓に対し、その対の各位相シフト窓は、ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む境界を有すると考えられる。同様に、例えば、特定対の位相シフト窓間の望ましからぬ位相遷移をクリアするのに使用される透過的領域を含ませることにより、ターゲット特徴部の定義に使用される相補的なトリム形状は、ターゲット特徴部に当接すると考えられる少なくとも１つの線セグメントを含む。ターゲット特徴部に当接する上記対の位相シフト窓の境界における少なくとも１つの線セグメントの位置を調整し、そしてターゲット特徴部に当接する相補的トリム形状の境界における少なくとも１つの線セグメントの位置を調整することにより、近接補正が与えられる。
2005517199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数のフォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義するのに使用される上記フォトリソグラフィックマスクのコンピュータ読み取り可能な定義を形成する方法であって、上記パターンは、ターゲット特徴部を含むものであり、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を有するような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる形状は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項２】
上記第１位相シフト窓の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記第１位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義し、そして上記トリム形状の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記第１マスクレイアウトは、一対の位相シフト窓を含み、この対の位相シフト窓の各々は、相補的な位相シフト窓を含んでいて、これにより、上記ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成するような位相遷移が形成され、更に、上記ターゲット特徴部の縁に当接する少なくとも１つの上記位相シフト窓のコーナーにおける切開ポイントで上記対の少なくとも１つの位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記線セグメントを定義し、そして上記ターゲット特徴部の縁に当接する上記トリム形状のコーナーにおける切開ポイントで上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける線セグメントを定義することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記ターゲットパターンは、上記第１マスクパターンが「全位相」マスクパターンを含むような「全位相」デザインより成る請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記ターゲットパターンは、次の１つ以上で特徴付けられる層の上に露出され、即ちパターンの非メモリ部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの平面図の一部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの少なくとも９０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの重要な経路の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；位相衝突のために位相シフトされない特徴部以外のパターン内の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；テスト構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義され；そしてダミー構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記ターゲットパターンは、位相シフトパターンにより定義されたターゲットパターンの特徴部の少なくとも９５％を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記第２マスクレイアウトは、３色形状、減衰位相シフト窓、及び減衰不透明形状の１つ以上を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
１つ又は複数のフォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記フォトリソグラフィックマスクを定義するためのコンピュータ読み取り可能な命令が記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備え、上記パターンは、ターゲット特徴部を含み、上記コンピュータ読み取り可能な命令は、第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を有するような第２マスクパターンとをレイアウトするルーチンを備え、上記第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる欠陥は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、上記コンピュータ読み取り可能な命令は、更に、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト動作及び上記調整動作の結果を記憶する、
というルーチンを備えた製造用品。
【請求項９】
上記コンピュータ読み取り可能な命令は、上記第１位相シフト窓の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記第１位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義し、そして上記トリム形状の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義するためのルーチンを備えた請求項８に記載の製造用品。
【請求項１０】
上記第１マスクレイアウトは、一対の位相シフト窓を含み、この対の位相シフト窓の各々は、相補的な位相シフト窓を含んでいて、これにより、上記ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成するような位相遷移が形成され、更に、上記コンピュータ読み取り可能な命令は、上記ターゲット特徴部の縁に当接する少なくとも１つの上記位相シフト窓のコーナーにおける切開ポイントで上記対の少なくとも１つの位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記線セグメントを定義し、そして上記ターゲット特徴部の縁に当接する上記トリム形状のコーナーにおける切開ポイントで上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける線セグメントを定義するためのルーチンを含む請求項８に記載の製造用品。
【請求項１１】
上記ターゲットパターンは、上記第１マスクパターンが「全位相」マスクパターンを含むような「全位相」デザインより成る請求項８に記載の製造用品。
【請求項１２】
上記ターゲットパターンは、次の１つ以上で特徴付けられる層の上に露出され、即ちパターンの非メモリ部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの平面図の一部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの少なくとも９０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの重要な経路の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；位相衝突のために位相シフトされない特徴部以外のパターン内の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；テスト構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義され；そしてダミー構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義される請求項８に記載の製造用品。
【請求項１３】
上記ターゲットパターンは、位相シフトパターンにより定義されたターゲットパターンの特徴部の少なくとも９５％を有することを特徴とする請求項８に記載の製造用品。
【請求項１４】
上記第２マスクレイアウトは、３色形状、減衰位相シフト窓、及び減衰不透明形状の１つ以上を含む請求項８に記載の製造用品。
【請求項１５】
ターゲットパターンを有する材料の層を含む集積回路を製造するための方法であって、上記ターゲットパターンはターゲット特徴部を含み、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる欠陥は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、
上記第１及び第２マスクパターンのコンピュータ読み取り可能な定義を形成し、
上記第１及び第２マスクレイアウトの上記コンピュータ読み取り可能な定義を使用して少なくとも１つのマスクを形成し、そして
上記少なくとも１つのマスクを使用して上記層を形成する、
という段階を備えた方法。
【請求項１６】
上記第１位相シフト窓の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記第１位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義し、そして上記トリム形状の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義することを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
上記第１マスクレイアウトは、一対の位相シフト窓を含み、この対の位相シフト窓の各々は、相補的な位相シフト窓を含んでいて、これにより、上記ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成するような位相遷移が形成され、更に、上記ターゲット特徴部の縁に当接する少なくとも１つの上記位相シフト窓のコーナーにおける切開ポイントで上記対の少なくとも１つの位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記線セグメントを定義し、そして上記ターゲット特徴部の縁に当接する上記トリム形状のコーナーにおける切開ポイントで上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける線セグメントを定義することを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
上記ターゲットパターンは、上記第１マスクパターンが「全位相」マスクパターンを含むような「全位相」デザインより成る請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
上記ターゲットパターンは、次の１つ以上で特徴付けられる層の上に露出され、即ちパターンの非メモリ部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの平面図の一部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの少なくとも９０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの重要な経路の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；位相衝突のために位相シフトされない特徴部以外のパターン内の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；テスト構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義され；そしてダミー構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義される請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
上記ターゲットパターンは、位相シフトパターンにより定義されたターゲットパターンの特徴部の少なくとも９５％を有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
上記第２マスクレイアウトは、３色形状、減衰位相シフト窓、及び減衰不透明形状の１つ以上を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
ターゲット特徴部を含むターゲットパターンを有する材料の層の製造に使用する１つ以上のマスクを含むリソグラフィックマスクセットにおいて、
上記マスクセットのマスク上にある第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を有するような第２マスクパターンとを備え、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる欠陥は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置は、上記位相シフト窓及び上記トリム形状を各々定義する隣接する線セグメントからオフセットされて、近接補正を与える、
ように構成されたリソグラフィックマスクセット。
【請求項２３】
上記第１マスクレイアウトは、一対の位相シフト窓を含み、この対の位相シフト窓の各々は、相補的な位相シフト窓を含んでいて、これにより、上記ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成するような位相遷移が形成され、更に、上記第１マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントは、上記ターゲット特徴部の縁に当接する少なくとも１つの上記位相シフト窓のコーナーに端を有し、そして上記第２マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントは、上記ターゲット特徴部の縁に当接する上記トリム形状のコーナーに端を有する請求項２２に記載のマスクセット。
【請求項２４】
上記ターゲットパターンは、上記第１マスクパターンが「全位相」マスクパターンを含むような「全位相」デザインより成る請求項２２に記載のマスクセット。
【請求項２５】
上記ターゲットパターンは、次の１つ以上で特徴付けられる層の上に露出され、即ちパターンの非メモリ部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの平面図の一部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの少なくとも９０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの重要な経路の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；位相衝突のために位相シフトされない特徴部以外のパターン内の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；テスト構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義され；そしてダミー構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義される請求項２２に記載のマスクセット。
【請求項２６】
上記ターゲットパターンは、位相シフトパターンにより定義されたターゲットパターンの特徴部の少なくとも９５％を有することを特徴とする請求項２２に記載のマスクセット。
【請求項２７】
上記第２マスクレイアウトは、３色形状、減衰位相シフト窓、及び減衰不透明形状の１つ以上を含む請求項２２に記載のマスクセット。
【請求項２８】
ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントより成る各辺を有する第１及び第２の位相シフト窓を備えた全位相パターンを使用して、集積回路レイアウトのターゲット特徴部に対して光学的近接補正を遂行する方法であって、上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移が、トリミングされるべき欠陥を生じさせ、そしてターゲット特徴部に当接する少なくとも１つのセグメントより成るトリム形状であって、上記欠陥をトリミングするのに使用されるトリム形状を生じさせ、上記方法は、
上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント、及び上記ターゲット特徴部に当接するトリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントを識別し、そして
近接補正を遂行して、上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント及び上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整する、
という段階を備えた方法。
【請求項２９】
上記調整は、上記位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント及び上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントを、上記特徴部の境界を定義する隣接線セグメントからオフセットさせることを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
上記調整は、上記位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント及び上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントを、上記特徴部の境界を定義する隣接線セグメントから直交方向にオフセットさせることを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンは、ターゲット特徴部を含むものであり、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンを定義し、上記第１マスクパターンにおいて一対の位相シフト窓間の位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分は、上記第２マスクパターンにおけるトリム形状の透過的領域によりクリアされて、上記ターゲット特徴部の一部分を定義し、
上記第１マスクパターンにおける上記一対の位相シフト窓の境界を定義する線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記透過的領域の境界を定義する線セグメントの位置を調整して、上記ターゲット特徴部に対し近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項３２】
上記調整は、上記第１マスクパターンにおいて上記位相シフト窓対の位相シフト窓の一部分を定義する線セグメントの位置と、上記第２マスクパターンにおいて上記透過的領域の一部分を定義する線セグメントの位置とを調整することを含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
上記１つの位相シフト窓の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記位相シフト窓対の少なくとも１つの位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記線セグメントを定義し、そして上記透過的領域の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記透過的領域の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける上記線セグメントを定義することを含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
上記位相シフト窓対は、この対の上記位相シフト窓の各々が相補的な位相シフト窓を含むように構成され、これにより、上記層に上記ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成するような位相遷移が形成され、更に、上記ターゲット特徴部の縁に当接する１つの位相シフト窓のコーナーにおける切開ポイントで上記対の少なくとも１つの位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記線セグメントを定義し、そして上記ターゲット特徴部の縁に当接する上記透過的領域のコーナーにおける切開ポイントで上記透過的領域の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける線セグメントを定義することを含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
上記第１及び第２の位相シフト窓並びに上記透過的領域の境界を定義する上記線セグメントは、上記第１及び第２の位相シフト窓並びに上記透過的領域の形状をアーギュメントとして含むデザインルールに基づいて選択された上記ターゲット特徴部の縁に当接する切開ポイントにエンドポイントを有する請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】
上記線セグメントは、上記位相シフト窓対の第１の位相シフト窓の境界を定義する第１線セグメントであって、その第１位相シフト窓の端が上記ターゲット特徴部の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第１線セグメントと、上記透過的領域の境界を定義する第２線セグメントであって、上記透過的領域の辺が上記縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第２線セグメントとを含む請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の実質的に同じ位置の上に横たわる請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の異なる位置に配置される請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
上記ターゲットパターンは、上記第１マスクパターンが「全位相」マスクパターンを含むような「全位相」デザインより成る請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
上記ターゲットパターンは、次の１つ以上で特徴付けられる層の上に露出され、即ちパターンの非メモリ部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの平面図の一部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの少なくとも９０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの重要な経路の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；位相衝突のために位相シフトされない特徴部以外のパターン内の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；テスト構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義され；そしてダミー構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義される請求項３１に記載の方法。
【請求項４１】
上記ターゲットパターンは、位相シフトパターンにより定義されたターゲットパターンの特徴部の少なくとも９５％を有することを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項４２】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンはターゲット特徴部を含み、そのターゲット特徴部の第１縁及び第２縁の交点で内側コーナーが形成され、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲット特徴部の内側コーナーを定義し、上記第１マスクパターンは、互いに逆の位相を有する第１及び第２の位相シフト窓であって、上記内側コーナー付近の位置においてこれら第１及び第２の位相シフト窓間に位相遷移が生じるように上記内側コーナー付近で上記特徴部の第１及び第２の縁に当接する第１及び第２の位相シフト窓を含み、そして上記第２のマスクパターンは、上記位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために位相の位置に対応する透過的領域を有するトリム形状を含み、
上記第１マスクパターンにおける上記第１及び第２位相シフト窓の境界を定義する線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の境界を定義する線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項４３】
上記第１及び第２位相シフト窓並びに上記透過的領域の境界を定義する上記線セグメントは、上記第１及び第２の位相シフト窓並びに上記透過的領域の形状をアーギュメントとして含むデザインルールに基づいて選択された上記第１及び第２の縁に当接する切開ポイントにおいて上記内側コーナー付近にエンドポイントを有する請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
上記線セグメントは、上記第１位相シフト窓の境界を定義する第１線セグメントであって、上記内側コーナーに隣接する第１位相シフト窓の端が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第１線セグメントと、上記透過的領域の境界を定義する第２線セグメントであって、上記透過的領域の辺が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第２線セグメントとを含む請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の実質的に同じ位置の上に横たわる請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の異なる位置に配置される請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンはターゲット特徴部を含み、そのターゲット特徴部の第１縁及び第２縁の交点で外側コーナーが形成され、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲット特徴部の外側コーナーを定義し、上記第１マスクパターンは、互いに逆の位相を有する第１及び第２の位相シフト窓であって、上記外側コーナー付近の位置においてこれら第１及び第２の位相シフト窓間に位相遷移が生じるように上記外側コーナー付近で上記特徴部の第１及び第２の縁に当接する第１及び第２の位相シフト窓を含み、そして上記第２のマスクパターンは、上記位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために位相の位置に対応する透過的領域を有するトリム形状を含み、
上記第１マスクパターンにおける上記第１及び第２位相シフト窓の境界を定義する線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の境界を定義する線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項４８】
上記第１及び第２位相シフト窓並びに上記透過的領域の境界を定義する上記線セグメントは、上記第１及び第２の位相シフト窓並びに上記透過的領域の形状をアーギュメントとして含むデザインルールに基づいて選択された上記第１及び第２の縁に当接する切開ポイントにおいて上記外側コーナー付近にエンドポイントを有する請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
上記線セグメントは、上記第１位相シフト窓の境界を定義する第１線セグメントであって、上記外側コーナーに隣接する第１位相シフト窓の端が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第１線セグメントと、上記透過的領域の境界を定義する第２線セグメントであって、上記透過的領域の辺が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第２線セグメントとを含む請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の実質的に同じ位置の上に横たわる請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の異なる位置に配置される請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンはターゲット特徴部を含み、そのターゲット特徴部の第１、第２及び第３の縁の交点で第１及び第２の外側コーナーが形成され、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲット特徴部の第１及び第２の外側コーナーを定義し、上記第１マスクパターンは、互いに逆の位相を有する第１及び第２の位相シフト窓であって、上記第１の外側コーナー付近で上記特徴部の第１及び第２の縁に当接する第１及び第２の位相シフト窓と、その第１位相シフト窓と同じ位相を有する第３位相シフト窓であって、上記第２の外側コーナー付近で上記特徴部の第３の縁に当接する第３位相シフト窓とを備え、上記第１の外側コーナー付近の位置で上記第１及び第２の位相シフト窓間に第１の位相遷移が生じて、上記第１の外側コーナーから離れるように線を延ばそうとする露出特徴部を生じさせると共に、上記第２の外側コーナー付近の位置で上記第２及び第３の位相シフト窓間に第２の位相遷移が生じて、上記第２の外側コーナーから離れるように線を延ばそうとする露出特徴部を生じさせ、そして上記第２のマスクパターンは、得られる像において上記第１の外側コーナーがより先鋭となるように上記第１の位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために上記第１位相遷移の位置に対応する第１の透過的領域と、得られる像において上記第２の外側コーナーがより先鋭となるように上記第２の位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために上記第２位相遷移の位置に対応する第２の透過的領域とを有するトリム形状を含み、
上記第１及び第２のマスクパターンの一方又は両方に近接補正調整を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項５３】
上記近接補正を与える段階は、上記第１マスクパターンにおける上記第１、第２及び第３位相シフト窓の境界を定義する１つ以上の線セグメントの位置と、上記第２マスクレイアウトにおけるトリム形状の上記第１及び第２の透過的領域の境界を定義する１つ以上の線セグメントの位置とを調整することを含む請求項５２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィックマスクを使用して集積回路のような対象物の小寸法特徴部を製造することに係る。より詳細には、本発明は、集積回路及び同様の対象物のための複雑なレイアウトの位相シフトマスキングと、その同じものに対する光学的近接補正及びエッチング近接補正を含む（が、これに限定されない）近接補正とに係る。
【背景技術】
【０００２】
集積回路に小寸法特徴部を形成するために位相シフトマスキングが適用されている。通常、これらの特徴部は、小さな臨界寸法を有する選択されたデザイン素子に限定される。例えば、米国特許第５，７６６，８０６号を参照されたい。
【０００３】
集積回路に小寸法特徴部を製造することにより速度及び性能が改善されたが、このようなデバイスの製造において位相シフトマスキングを更に広範囲に適用することが望まれる。しかしながら、位相シフトマスキングを更に複雑なデザインへと拡張すると、マスクレイアウト問題の複雑さが一層増大する。例えば、高密度のデザインにおいて位相シフト窓をレイアウトするときには、位相衝突が生じる。位相衝突の１つの形式は、同じ位相をもつ２つの位相シフト窓が、例えば、露出パターンにおいて隣接線を実施するように意図された位相シフト窓の重畳により、マスクにより露出されるべき特徴部に近接して配置されるようなレイアウト上の位置である。位相シフト窓が同じ位相を有する場合には、それらは、希望の特徴部を形成するに必要な光学的干渉を生じない。従って、マスクにより定義された層に形成されるべき特徴部付近で位相シフト窓が位相衝突する偶発的なレイアウトを防止することが必要である。
【０００４】
別の問題は、光学的近接補正ＯＰＣ特徴部、及び他の近接補正特徴部の効率的なレイアウトに関する。本発明の譲受人によって提供され、カリフォルニア州、サンホセのニューメリカル・テクノロジー・インクからｉＮ−Ｐｈａｓｅ４．０として知られている１つのシステムにおいては、ゲート収縮デザインのＯＰＣに対するモデルＯＰＣ特徴部が注目され、光の不平衡を補正するためにゲート領域に沿った位相シフトパターンのＯＰＣが行われる。
【０００５】
単一集積回路のデザインでは、数百万の特徴部が配置される。このような非常に多数の特徴部の上で繰り返し操作のためにデータ処理リソースにかかる負担は膨大であり、あるケースでは、繰り返し操作が不可能となる。著しい量のレイアウトが位相シフトにより実行される回路に対して、位相シフト窓をレイアウトし、このような窓に位相シフト値を指定すると共に、相補的なトリムマスクパターンをレイアウトすることは、公知技術を使用したのでは不可能な繰り返し操作の１つである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これら及び他の複雑さのために、複雑なデザインに対し位相シフトマスキング技術を実施するには、位相シフトマスクのデザインに対する解決策を改善することが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複雑な位相シフトマスクパターン及び相補的なトリムマスクパターンに使用するのに適した技術であって、近接補正を改善することのできる技術を提供することである。
【０００８】
従って、ターゲットパターンを定義するのに使用されるフォトリソグラフィックマスクのコンピュータ読み取り可能な定義を形成する方法が提供される。説明上、位相シフトマスクパターン及びトリムマスクパターンは、線セグメントのセットで定義された境界を有する形状を含む。位相シフトマスクパターンは、位相シフト窓を含み、そしてトリムマスクパターンは、トリム形状を含み、これらは、上記線セグメントのセットで定義された境界を有する。ターゲットパターンにターゲット特徴部を定義するのに使用される特定対の位相シフト窓に対し、該対の各位相シフト窓は、ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む境界を有すると考えることができる。同様に、例えば、特定対の位相シフト窓間の望ましからぬ位相遷移をクリアするために使用される透過領域を含ませることにより、ターゲット特徴部の定義に使用される相補的なトリム形状は、そのターゲット特徴部に当接すると考えられる少なくとも１つの線セグメントを含む。本発明によれば、ターゲット特徴部に当接する上記対の位相シフト窓の境界において少なくとも１つの線セグメントの位置を調整し、そしてターゲット特徴部に当接する相補的なトリム形状の境界において少なくとも１つの線セグメントの位置を調整することにより、近接補正が与えられる。
【０００９】
一実施形態では、上記位相シフト窓の少なくとも１つの線セグメントは、位相シフト窓の形状により選択された切開ポイントにおいて位相シフト窓対の位相シフト窓の境界を切開することにより定義される。例えば、これらの切開ポイントは、位相シフト窓のコーナーに対応する位置においてターゲット特徴部の縁に沿って生じるように選択される。更に、トリム形状における少なくとも１つの線セグメントは、そのトリム形状の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいてトリム形状の境界を切開することにより選択される。この場合も、例えば、トリム形状の切開ポイントは、トリム形状のコーナーに対応する位置においてターゲット特徴部の縁に沿って生じるように選択される。
【００１０】
別の実施形態では、上述した一対の位相シフト窓は、ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成する位相遷移部を形成する相補的な位相シフト窓を備えている。この対の位相シフト窓に対する線セグメントは、その位相遷移部により生じるターゲット特徴部の縁に当接する位相シフト窓のコーナーにおける切開ポイントで位相シフト窓の境界を切開することにより定義される。同様に、トリム形状の線セグメントは、その位相遷移部により生じるターゲット特徴部の縁に当接するトリム形状のコーナーにおける切開ポイントでトリム形状の境界を切開することにより定義される。
【００１１】
本発明の別の実施形態は、集積回路レイアウトのターゲット特徴部に対する光学的近接補正を実行するための方法を提供する。この実施形態では、レイアウトは、第１位相シフト窓及び第２位相シフト窓を含む全位相パターンを使用して実行される。第１及び第２の位相シフト窓は、ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む各辺を有する。第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移部は、トリミングされるべき欠陥を生じさせる。例えば、第１及び第２の位相シフト窓は、ターゲットパターンの交差する線セグメントの辺に当接し、そしてトリミングされるべき欠陥を生じさせる位相遷移部をその交点の内側コーナーに形成する。ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含むトリム形状は、この欠点をトリミングするのに使用される。本発明によれば、第１位相シフト窓の少なくとも１つの線セグメント、及びターゲット特徴部に当接するトリム形状の少なくとも１つの線セグメントが識別される。近接補正は、第１位相シフト窓の識別された少なくとも１つの線セグメントと、トリム形状の識別された少なくとも１つの線セグメントとの両方の位置を調整することにより実行される。この調整は、例えば、位相シフト窓の少なくとも１つの線セグメントと、トリム形状の少なくとも１つの線セグメントとを、特徴部の境界を定義する隣接線セグメントから、好ましくは、その特徴部の境界を定義する隣接線セグメントに直交する方向にオフセットすることを含む。
【００１２】
本発明の別の実施形態は、第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含む第１マスクパターンと、第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含む第２マスクパターンとをレイアウトすることを含む。この実施形態では、第１及び第２マスクパターンの組み合せを使用して、第１マスクパターンにおける一対の位相シフト窓間の位相遷移部により生じる露出特徴部の少なくとも一部分が第２マスクパターンにおけるトリム形状の透過的領域でクリアされてターゲット特徴部の一部分を定義するようなターゲットパターンが定義される。次いで、本発明は、上記透過的領域によりクリアされる上記露出特徴部を形成する第１マスクパターンにおける一対の位相シフト窓の境界を定義する線セグメントの位置と、第２マスクレイアウトにおける送信領域の境界を定義する線セグメントの位置とを調整して、ターゲット特徴部に対する近接補正を行う。次いで、レイアウト及び調整の結果が、コンピュータ読み取り可能な媒体に記憶される。
【００１３】
更に別の実施形態では、これらの技術は、ターゲット特徴部の内側コーナーを定義するために使用される位相シフト窓及びトリム形状に適用される。更に別の実施形態では、これらの技術は、ターゲット特徴部の外側コーナーを定義するために使用される位相シフト窓及びトリム形状に適用される。
【００１４】
本発明の別の特徴によれば、ターゲット特徴部が、そのターゲット特徴部の第１、第２及び第３縁の交点により形成された第１及び第２の外側コーナーを有するようなパターンを、形成されるべき層に定義するフォトリソグラフィックマスクのコンピュータ読み取り可能な定義が提供される。本発明のこの実施形態によれば、方法は、位相シフト窓を含む第１マスクパターン及びトリム形状を含む第２マスクパターンをレイアウトすることを含み、第１及び第２マスクパターンを組み合せて使用して、ターゲット特徴部の第１及び第２の外側コーナーが定義される。第１マスクパターンは、互いに逆の位相を有する第１及び第２の位相シフト窓であって、第１の外側コーナーの付近でターゲット特徴部の第１及び第２縁に当接する第１及び第２の位相シフト窓と、上記第１の位相シフト窓と同じ位相を有しそして第２の外側コーナーの付近でターゲット特徴部の第３縁に当接する第３の位相シフト窓とを含む。第１の外側コーナー付近の位置には第１と第２の許容(patient)窓間に第１の位相遷移部が生じ、露出特徴部を、第１の外側コーナーから離れる線において延長するようにさせる。第２の外側コーナー付近の位置には第２と第３の位相シフト窓間に第２の位相遷移部が生じ、露出特徴部を、第２の外側コーナーから離れる線において延長するようにさせる。第２のマスクパターンは、第１の外側コーナーが、得られる像において鮮明になるように、第１の位相遷移部により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために第１の位相遷移部の位置に対応する第１の透過領域と、第２の外側コーナーが、得られる像において鮮明になるように、第２の位相遷移部により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために第２の位相遷移部の位置に対応する第２の透過領域とを有するトリム形状を含む。近接補正調整は、第１及び第２のマスクパターンの一方又は両方に適用される。その結果は、コンピュータ読み取り可能な媒体に記憶される。
【００１５】
本発明の他の態様は、上述したレイアウトプロセスを実行するためのコンピュータ読み取り可能な命令が記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備えた製造用品を含む。更に、位相シフトマスクパターン及びトリムマスクパターンが上述したように配置された１つ以上のマスクを含むリソグラフィックマスクが提供される。又、上述したように配置されたマスクパターンの使用に基づいて集積回路を製造するための方法も提供される。
【００１６】
本発明の種々の実施形態においては、トリムマスクパターンは、バイナリ形状しか定義しない。他の実施形態では、トリムマスクパターンは、３色形状、減衰位相シフト窓及び減衰不透明形状の１つ以上を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の更に別の特徴及び効果は、添付図面を参照した以下の詳細な説明及び特許請求の範囲から理解できよう。
概要
光学的近接補正（ＯＰＣ）は、集積回路（ＩＣ）製造用のリソグラフィー装置においてマスクの露出の光学的効果を補正するために材料層の形成に使用される１つ以上のレイアウトの修正を含む。（ここで使用する「マスク」という語は、「レチクル」という語を含むことに注意されたい。）
【００１８】
ＯＰＣプロセスは、レイアウトにおいてパターン（構造部及び／又は特徴部で構成された）にハンマーヘッドやセリフ等を追加したり除去したりして、それにより生じる補正されたレイアウトにおけるパターンで作られたマスクが、出来上がったＩＣ上のターゲットレイアウトから希望のオリジナル又は基準パターンを正確に形成することを含む。このような修正を使用すると、例えば、エッチング近接効果を含むリソグラフィックプロセスの他の欠陥に対する近接補正も考えられる。
【００１９】
より詳細には、レイアウトパターンの実質的に全ての部分を形成するようにデザインされたレイアウトにＯＰＣを適用することについて考える。ここに述べる技術は、他の形式の近接補正にも適用される。先ず、ここに考慮するレイアウトの形式を詳細に説明する。次いで、このようなレイアウトにおけるＯＰＣの切開及び評価ポイントの選択を詳細に説明する。その後、位相シフトレイアウト及び位相指定を参照してコーナーのＯＰＣについて詳細に考える。最後に、レイアウトの例を、トリムマスク及び露出結果の例と共に考えることにする。
【００２０】
レイアウト
本発明の一実施形態では、レイアウトにおけるパターンの実質的に全ての部分が位相シフトマスクを使用して定義される。このようなレイアウトのマスクは、「全位相」マスクとしばしば称される。一実施形態では、参考としてここに取り上げる本発明の譲受人に譲渡された発明者クリストフィー・ピーラン及びミシェル・コトの「Phase Conflict Resolution for Photolithographic Masks」と題する２００１年８月１７日出願の米国特許出願第０９／９３２，２３９号に開示されたプロセスに基づいてレイアウトが定義される。
【００２１】
別の実施形態では、位相シフトを使用してＩＣのパターンの実質的な部分を形成する位相シフトレイアウトは、特定の層の実質的に全ての特徴部が位相シフトを使用して定義されるような位相シフトレイアウトを含む。別の実施形態では、位相シフトを使用してＩＣのパターンの実質的な部分を形成する位相シフトレイアウトは、バイナリ露出に対して重要でない特徴部だけが位相シフトされないレイアウトを含む。
【００２２】
他の実施形態では、当該レイアウトは、次のうちの少なくとも１つが位相シフトを使用して定義されるようなレイアウトを含む。
−  レイアウトの１つの材料層における非メモリ部分の８０％；
−  １つの材料層における平面図の一部分の８０％；
−  所与のエリアにおけるセルの８０％；
−  材料層の９０％；
−  材料層の９５％；
−  材料層の９９％；
−  材料層の１００％；
−  １つの材料層におけるチップ（例えばＡＬＵ）のファンクションユニットの１００％；
−  デザイン上の重要な経路にある材料層における特徴部の１００％；
−  ある寸法より上又は下の材料層における特徴部、例えば、臨界寸法５０μｍ＜ＣＤ＜１００μｍの全特徴部の１００％；
−  分析できない位相衝突のために位相シフトできない特徴部を除く材料層内の全て；
−  テスト構造を除く材料層内の全て；及び
−  全ての非ダミー特徴部、例えば、処理目的のために構造的サポートを与える特徴部、及び材料層内の非電気的機能特徴部の１００％。
【００２３】
一実施形態では、パーセンテージは、位相シフトを使用して定義された縁、又はＯＰＣ縁セグメントのパーセンテージに基づいて計算される。図２を簡単に参照すると、切開ポイント２１０と切開ポイント２１２との間の縁は、トリムマスクにより定義され、一方、特徴部２００の残りの縁は、位相シフトマスクを使用して定義される。他の実施形態では、パーセンテージは、面積で決定される。
【００２４】
本出願の残り部分は、上記基準の１つ以上を満足するレイアウトにおいてＯＰＣを考えることにする。
【００２５】
切開及び評価ポイント、並びにＯＰＣプロセス
ＯＰＣプロセス自体は、ルールに基づくＯＰＣプロセスでもよいし、モデルに基づくＯＰＣプロセスでもよいし、又はその両方でもよい。ルールに基づくプロセスが使用される場合には、ここに開示する方法に従い、モデルに基づくＯＰＣプロセスの性能を検討することによりルールが構成される。２つの間の妥協は、通常、時間（ルールに基づくものが一般的に迅速である）に対する質（モデルに基づくものが一般に優れた結果を生じる）である。
【００２６】
モデルに基づくＯＰＣプロセスを以下に詳細に説明する。先ず、モデルに基づくＯＰＣに関する幾つかの用語及び情報について述べる。次いで、直線、内側コーナー、外側コーナー及び更に複雑なパターンに対する設定及び切開について考える。最後に、レイアウトにおけるパターンの実質的に全ての部分が位相シフトマスクを使用して定義されるレイアウトにおいてモデルに基づくＯＰＣのプロセスの流れについて考える。
【００２７】
モデルに基づくＯＰＣの用語
モデルに基づくＯＰＣは、レイアウトのパターン内に配置された評価ポイントにおいて所与のレイアウトに対するユーザ選択リソグラフィープロセスの光学的効果のシミュレーションを含む。
【００２８】
一実施形態では、リソグラフィープロセスは、カリフォルニア州、サンホセのニューメリカル・テクノロジーにより製造されたＭｏｄｅｌＧｅｎ（ＴＭ）ソフトウェアにより発生された光学的モデルを使用してモデリングされる。このＭｏｄｅｌＧｅｎソフトウェアは、使用されている光学的リソグラフィーシステムの特性の記述を許し、この特性は、とりわけ、光の波長（λ）、開口数（ＮＡ）、各露出に対する光のコヒレンス性（例えば、σ）、照射の形式（軸ずれ、四極等）、等々を含む。
【００２９】
この光学的モデルは、テスト露出を行いそしてテスト特徴部の臨界寸法（ＣＤ）を測定することにより特定プロセス及びリソグラフステッパー又はスキャナに対して校正することができる。校正は、カリフォルニア州、サンホセのニューメリカル・テクノロジー・インクにより製造されたＭｏｄｅｌＣａｌ（ＴＭ）ソフトウェアに対してテスト測定を与えることにより遂行できる。本発明の他の実施形態は、カリフォルニア州、フレマントのアバント！・コーポレーション、及びオレゴン州、ウイルソンビルのメントール・グラフィックス・コーポレーションから入手できるツールによるソフトウェアに関連して発生又は使用される光学的モデルをサポートすることができる。
【００３０】
校正された光学的モデル又は他のものと一緒に、ＯＰＣプロセスによる切開及び評価ポイントの位置設定のためにＯＰＣパラメータが与えられる。このＯＰＣパラメータは、例えば、６０ｎｍ、１２０ｎｍ等のセグメント長さとして与えることのできる測定値を含む。このセグメント長さは、レイアウトにおいてそのパターンで特徴部又は構造部を作り上げる線セグメントがどれほど離れているか、ひいては、それらがいかに頻繁に又は稀に切開され評価されるか規定する。ＯＰＣソフトウェアは、異なる形式の特徴部、例えば、外側コーナー、内側コーナー、直線等に対して異なるセグメント長さを許す。
【００３１】
一実施形態では、以下に詳細に述べるように、ニューメリカル・テクノロジー・インクから入手できるＴＲＯＰｉＣ（ＴＭ）ソフトウェア、ｉＮ−Ｐｈａｓｅ（ＴＭ）、ｉＮ−Ｔａｎｄｅｍ（ＴＭ）ソフトウェア及び／又はＰｈｏｔｏｌｙｎｘ（ＴＭ）ソフトウェアを使用して、モデルベースのＯＰＣが形成される。他の実施形態では、ＯＰＣプロセスが、アバント！及び／又はメントール・グラフィックスにより提供されるソフトウェアを使用して実行される。
【００３２】
図１は、それ以降の図で使用される記号を示す凡例である。より詳細には、図１は、凡例１１０を含む。トリムパターン及び位相シフト層の両方に対してそれ以降の図に示された切開ポイントは、方形の８角「ペトロナス・タワー(Petronas tower)」形状が回転方形と交差したものとして示されている。トリムパターンに対する切開ポイントは、ダイヤモンドとして示されている。位相シフトパターンに対する切開ポイントは、方形として示されている。トリムレイアウトに対する評価ポイントは、Ｘとして示され、そして位相レイアウトに対する評価ポイントは、プラスマークとして示されている。これらの記号は、本発明の実施形態に使用される切開及び評価ポイントの配置を容易に良く理解させるものである。
【００３３】
直線切開
図２は、直線レイアウトに対する位相及びトリムの両パターンにおける切開及び評価ポイントの配置を示す。図２は、直線であるターゲット特徴部２００を含む。特徴部２００は、位相シフトマスク及びトリムマスクが実施するようにデザインされたターゲットレイアウトの素子である。この特徴部２００は、シフター２０２と２０４との間の位相遷移部により形成された素子と、トリム２０６により定義された線端である素子とを含むターゲットを表わす。シフター２０２及びシフター２０４は、特徴部２００を形成するための位相シフトレイアウトにおける互いに逆位相の光透過領域を表わす。位相シフトレイアウトは、暗フィールドマスクを使用し、そしてシフター２０２とシフター２０４との間及びその周りのエリアは、非透過（不透明）、例えば、クロム等である。
【００３４】
バイナリトリムレイアウトは、破線として示されたトリム２０６を含む（破線は、特徴部２００の上縁に沿って特徴部２００の実線をたどり、それにより覆い隠される）。バイナリトリムレイアウトは、位相シフトマスクに関連して使用して特徴部２００を定義するための明フィールドマスクでもよい。トリムマスクにおける不透明エリアは、ターゲット特徴部の部分である位相シフトマスクによって形成されたターゲットレイアウトの特徴部を保護する。トリムマスクにおける透過エリアは、位相シフトマスクにより生じる望ましからぬ露出特徴部をクリアするのに使用される。又、透過エリアは、位相シフトマスクにより生じる特徴部を洗練又は画定するのに使用され、それらがターゲットレイアウトに厳密に一致するようにする。例えば、トリムマスクの透過エリアは、位相シフトマスクにおいて位相遷移を使用して形成された線に対する線端を定義するのに使用される。
【００３５】
位相レイアウトのＯＰＣについて説明する。切開及び評価は、位相レイアウトが、例えば、特徴部２００のようなターゲットレイアウトに当接する場所で行われる。図２は、シフター２０２及びシフター２０４に対する切開及び評価ポイントの一部分を示す。切開及び評価ポイントは、本発明の幾つかの実施形態においてシフターが特徴部２００に当接する場所でシフターの縁の全長に沿って配置される。例えば、図４及び５を参照されたい。
【００３６】
トリムレイアウトのＯＰＣを説明すると、トリム２０６（特徴部２００及びシフター２０２、２０４の一部分の上に横たわる不透明の長方形）は、トリム２０６が、例えば、特徴部２００の上縁に沿って特徴部２００に当接する場所に切開及び評価ポイントを含む。この例では、特徴部２００の上縁に沿ったトリムパターン及び位相シフトパターンに対する切開ポイント２１０、２１２及び評価ポイント２１１は、各パターンにおいてターゲット特徴部上の同じ位置に対応する位置にある。より詳細には、この例では、切開ポイント２１０及び切開ポイント２１２は、両層においてＯＰＣセグメントを定義するのに使用される。しかしながら、より一般的には、切開ポイント及び評価ポイントの配置は、特定のレイアウトに対し、トリムパターンの透過特徴部がターゲットレイアウトに当接する縁セグメントと、使用されている切開／評価セグメント長さ基準とに基づいて決定することができる。この例では、トリム２０６を使用して、ポイント２１０と２１２との間に特徴部２００の端を定義し、そしてシフター２０２と２０４との間の位相遷移により形成された特徴部２００の残り部分を保護する。
【００３７】
要約すれば、本発明の一実施形態では、トリム及び位相シフトパターンは、それらが元の（ターゲット）レイアウトに当接する場所でのみ切開される。切開及び評価ポイントが配置されると、ＯＰＣ（及び他の近接補正調整）を実行することができる。内側コーナーの切開について以下に考える。
【００３８】
内側コーナーの切開
図３は、内側コーナーに対する位相シフトパターン及びトリムパターンの両方における切開及び評価ポイントの配置を示す。より詳細には、図３は、特徴部３００を含み、そしてこの特徴部３００を定義するのに使用される位相シフト及びトリムパターンの各部分を示す。位相シフトパターンは、２つのシフター、即ちシフター３０２及びシフター３０４を備えている。特徴部３００の反対側にあって、特徴部３００を位相シフトにより完全に定義できるようにするシフターは、図示されていない。このコーナーにおけるトリムパターン上のトリム３０６の輪郭の片側は、破線で示されている。（注：トリム３０６は、ポイント３２２、３１８、３２０を経て内側コーナーの特徴部３００の境界をたどり、それにより覆い隠される。例えば、トリムパターンの形状の完全な例については図１９及び図２３を参照されたい。）図２の場合のように、内側コーナーエリアに焦点を合わせるために、多数の切開及び評価ポイントが図から省略されている。より完全な例については図４及び図５を参照されたい。）
【００３９】
シフター３０２とシフター３０４との間のギャップは、「カット」と称することもできる。レイアウトから形成される暗フィールド位相マスクでは、このギャップは、位相シフトマスクにおいて非透過的である。それに対応するトリムマスクは、通常、シフター３０２とシフター３０４との間の位相遷移により生じる望ましからぬ露出をクリアするためにカットの領域に透過的エリアを含む。本発明の一実施形態では、位相シフトマスクにおけるカットのサイズ及び形状は、容易なマスク製造をサポートし及び／又はデザインルールチェックを満足するように構成される。一実施形態では、ギャップエリアは、４５°及び９０°の角度を使用する。別の実施形態では、内側コーナーカットは、２つのシフターを分離するために１つのコーナーから４５°の角度の直線を伴う実質的に方形形状のノッチにより形成される。カットに沿ったシフターとシフターとの間の分離は、マスク製造性及び／又はデザインルールチェックの１つ以上に対して最小間隔ルールに従うように構成される。特に指示のない限り、図示されたカット及び角度は、４５°及び９０°である。本発明の他の実施形態は、非マンハッタン形状（例えば、非４５／９０°の角度）で整列及び配置された特徴部をもつパターンの取り扱いをサポートできるが、このような実施形態は、カット形状にできるだけマンハッタン形状を使用しながらシフター及びカットを使用してもよい。
【００４０】
図３は、位相シフトパターンに対する多数の切開ポイントを強調し、より詳細には、切開ポイント３１０、切開ポイント３１２、切開ポイント３１４及び切開ポイント３１６が示されている。切開ポイント３１４及び切開ポイント３１６は、各シフター３０４、３０２と特徴部３００との接合部付近に配置されている。更に、切開ポイント３１０及び切開ポイント３１２は、切開ポイントから各シフター３０４、３０２の全巾へと延びる一点鎖線で示されたように、シフターの全巾が始まるポイント（各々３１０ａ及び３１２ａ）と一線に配置される。しかしながら、ある実施形態では、これらの切開ポイントは、シフターの全巾の開始部と実質的に一線であるに過ぎない。他の実施形態では、これらの切開点は、例えば、数ナノメーターの僅かな量だけシフターの全巾部分へと更に配置される。
【００４１】
図３は、トリム３０６が特徴部３００に合流する個別のトリムパターン切開ポイント、例えば、切開ポイント３２０及び切開ポイント３２２を示している。従って、この実施形態では、トリムパターンの切開セグメントが切開ポイント３１８から切開ポイント３２２及び切開ポイント３２０へ延びる。これは、位相及びトリムパターンに対して異なるＯＰＣ補正をサポートする。しかしながら、もし必要であれば、切開ポイント３１４及び切開ポイント３１６は、トリムパターンのＯＰＣに使用することもできる。外側コーナーの切開について以下に説明する。
【００４２】
外側コーナーの切開
図４は、外側コーナーに対する位相及びトリムの両パターンにおける切開及び評価ポイントの配置を示す。ここで、特徴部４００は、シフター４０２及びシフター４０４を使用して定義される。トリムパターンの輪郭は、明確に示されていないが、トリムパターンと特徴部４００との交点に多数の切開ポイントが配置される。より詳細には、切開ポイント４０６と切開ポイント４０８は対照的である。切開ポイント４０６は、シフター４０４が特徴部４００に合流する場所に配置され、一方、切開ポイント４０８は、トリム４１０が特徴部４００に合流する場所に配置される。上述したように、これは、位相及びトリムパターンに対する異なるＯＰＣ補正を容易にする。又、コーナーの他の縁にある対応する切開ポイント（図示せず）にも注意されたい。
【００４３】
特徴部４００の下部について詳細に述べると、３つの切開ポイント、即ち切開ポイント４２０、切開ポイント４２２及び切開ポイント４２４が示されている。切開ポイント４２０及び切開ポイント４２４は、トリムパターンに対し特徴部４００に沿ったＯＰＣセグメントを形成する。しかしながら、この例では、セグメントが、選択されたＯＰＣパラメータに対して非常に小さいので、評価ポイントは配置されない。切開ポイント４２２は、位相シフトパターンに対するＯＰＣセグメントを形成し、切開ポイント４２２ａが特徴部４００の更に上方にあり、シフター４０２と特徴部４００が位相シフトパターンで当接する。
【００４４】
又、シフター４０２とシフター４０４との間のカットは、図３のシフター間に使用されたカットに対して同様の形状及び構造であることに注意されたい。ここでは、４５°の開口が、上方コーナーから方形の端に向かって延びる。カットの形状は、デザインルールチェッカー（ＤＲＣ）がきれいであり及び／又は良好なマスク製造性をサポートするように構成される。
【００４５】
ＯＰＣプロセスに対するプロセスの流れを説明する前に、より複雑な切開について以下に考える。
【００４６】
複雑な切開
図５は、特徴部５００を含む複雑なパターンに対する位相及びトリムの両パターンにおける切開及び評価ポイントの配置を示す。４つのシフター、即ちシフター５０２、シフター５０４、シフター５０６及びシフター５０８を使用して、特徴部５００が定義される。図４の場合と同様に、トリムパターン５３０の輪郭は、破線で示されている。
【００４７】
図５は、シフター５０６及びシフター５０８の内側コーナーカットにおいて位相及びトリムパターンに対する異なる切開ポイントの使用を示す。図５は、トリムパターンが元の特徴部に合流する場所に対する個別の切開ポイントを含む。より詳細には、図５は、トリムパターンに対する切開ポイント５１２及び切開ポイント５１６を含む。この例では、トリム評価ポイント５２０は、２つの切開ポイント間のほぼ中央であることに注意されたい。これに対して、切開ポイント５１４は、シフター５０８と特徴部５００との交点にあり、そして位相シフトパターン切開ポイントである。シフター５０６に対する対応切開及び評価ポイントは、図示明瞭化のために参照番号なしで示されている。トリム切開ポイント５１６の周りのエリアを、位相層しか存在しないコーナー５３５の周りのエリアと比較する。位相層しか調整されないので、重畳するＯＰＣセグメントが存在しないことに注意されたい。
【００４８】
レイアウトにおけるパターンの実質的に全ての部分が位相シフトマスクを使用して定義されるようなレイアウト上でＯＰＣを実行するためのプロセスを以下に詳細に説明する。
【００４９】
プロセスの流れ
図６は、レイアウトに対する光学的近接補正（ＯＰＣ）を設定して実行するためのプロセス流れ線図である。このプロセスの流れを使用して、図２ないし５に示されたＯＰＣ切開を設定し、次いで、適切な光学的近接補正を遂行することができる。このプロセスは、レイアウトにおけるパターンの実質的に全ての部分が位相シフトマスクを使用して定義されるようなレイアウト上で使用するように構成される。
【００５０】
このプロセスは、ステップ６００において、ＯＰＣパラメータと、補正されるべきレイアウト（位相シフト及びトリムパターン）とがロードされたときにスタートする。一実施形態では、ＯＰＣパラメータは、プロセスに関する情報を含み、例えば、任意に校正された光学的モデルがこの段階で用意される。更に、レイアウト内での異なる形式の線セグメントに対する評価及び切開の頻度のような設定を行うこともできる。上述したように、ここでは、モデルに基づくＯＰＣプロセスが考慮され、ルールに基づくＯＰＣが使用される場合には、プロセスを適当に適応させることができる。レイアウトをロードすることは、レイアウトデータをロードし、例えば、ＧＤＳ−ＩＩストリームフォーマットファイルから、マスク電子ビーム露出システム（ＭＥＢＥＳ）フォーマット及び／又は他の適当なフォーマットをロードすることを含む。ある実施形態では、レイアウトは、図６のプロセスを実行するコンピュータシステムのメモリ内にある。例えば、１組の１つ以上のＵＮＩＸ（Ｒ）ワークステーションを使用して、図６のプロセスを実行し、レイアウトが、ネットワークアタッチされた記憶装置からメモリにロードされる。
【００５１】
ある実施形態では、ステップ６００でロードされたレイアウトが、非位相シフトレイアウトである。このような実施形態では、変換プロセスを遂行して、入力されたレイアウトを、レイアウトにおけるパターンの実質的に全ての部分が位相シフトマスクを使用して定義されるようなレイアウトへ変換した後に、ステップ６１０においてプロセスを続行する。この変換は、米国特許出願第０９／９３２，２３９号に開示されたように、ある実施形態に基づいて遂行することができる。一実施形態では、位相シフトレイアウトへの変換及び図６のプロセスは、両方とも、ニューメリカル・テクノロジーズ・インクから入手できるｉＮ−Ｐｈａｓｅ（ＴＭ）ソフトウェアの適当なバージョンにより実行することができる。
【００５２】
プロセスは、ステップ６１０において、切開及び評価ポイントの定義と共に続けられる。ある実施形態では、ステップ６１０及びステップ６２０は、並列に動作する。他の実施形態では、ステップ６２０がステップ６１０の前に実行されるように順序が交換される。更に別の実施形態では、ステップが、両方の層の評価及びトリムポイントを定義する単一のステップに結合される。
【００５３】
より詳細には、切開ポイントが、ＯＰＣパラメータに基づいてトリムパターン及び位相シフトパターンの縁セグメントに沿って配置される。例えば、ＯＰＣパラメータは、全ての縁セグメントを１２０ｎｍごとに切開すべきであることを指定してもよい。他の実施形態は、例えば、コーナー等に対して更に大きな選択性を許す。切開ポイントが配置されると、一対の切開ポイント間の縁に関連して又はその縁上に評価ポイントを配置することができる。図６に戻ると、ステップ６１０では、特徴部２００に当接するトリムの部分だけが上縁であり、その縁の長さは、２つの切開ポイントしか配置できないというものである。次いで、これらの切開ポイント間に評価ポイントが配置される。上述したように、評価ポイントは、縁セグメント上に直接配置する必要はなく、そして所与のセグメントに対して多数の評価ポイントを使用することができる。
【００５４】
いずれの場合にも、ステップ６３０において、光学的近接補正を実行することができる。一実施形態では、モデルに基づくＯＰＣプロセスが使用される。別の実施形態では、ルールに基づくＯＰＣプロセスが使用される。別の実施形態では、ハイブリッド即ち混合モードのＯＰＣプロセスが使用される。一実施形態では、本発明の譲受人に譲渡された２０００年２月２８日出願の「Method And Apparatus For Mixed-Mode Optical Proximity Correction」と題する米国特許出願第０９／５１４，５５１号の混合モードＯＰＣプロセスがステップ６３０においてレイアウトに適用される。
【００５５】
その結果は、ステップ６４０において、補正されたレイアウトであり、これは、例えば、スクリーン、ディスク、ネットワークアタッチされた記憶装置、インターネット等へ出力することができる。この出力レイアウトは、マスク製造マシンに直接送信されてもよく、例えば、ＧＤＳ−ＩＩストリームフォーマットで入力されそしてＭＥＢＥＳで出力され、マスク製造に使用されてもよい。本発明のある実施形態では、日立、東芝、ジェオル、レイカ等の会社で使用される使用権フォーマットを含む他のフォーマットを使用してもよい。
【００５６】
一実施形態では、図６のプロセスを実行するのに、レイアウトのインスタンスベース（ＩＢ）表示が使用される。このＩＢ表示は、出願日が２００１年４月１３日で、チン−ハスン（ミシェル）リン氏等を発明者とし、本発明の譲受人に譲渡された米国特許出願第０９／８３５，３１３号に詳細に説明されている。
【００５７】
以下、多数のシミュレーションを参照して、コーナーＯＰＣを詳細に説明する。
【００５８】
コーナーＯＰＣ
図７−８を参照すれば、レイアウトからのコーナーが示されている。より詳細には、図７は、レイアウト７００を示し、そして図８は、レイアウト８００を示す。位相シフターのコンフィギュレーションを除いて、レイアウトは同一である。レイアウト７００において、コーナーは、カットにより分離された２つの対向する位相シフターを使用して定義される。レイアウト８００では、単一の非カットの位相シフターが使用される。いずれのレイアウトも、まだＯＰＣで補正されていない。
【００５９】
２つのレイアウトのシミュレーションが図１０−１１に各々示されている。この２つのシミュレーションは、同じパラメータ及びコヒレンス性（σ）＝０．５で実行されたものである。図１０は、レイアウト７００のシミュレーション１０００を示し、そして図１１は、レイアウト８００のシミュレーション１１００を示す。ＯＰＣを適用しないと、プリントされた像の像輪郭は、レイアウト８００よりもレイアウト７００のターゲットレイアウトに近いものである。（図１０−１１では、位相シフターは、黄色の線として示され、そしてトリムパターンの輪郭はダークブルー／黒の線として示されていることに注意されたい。
【００６０】
図９は、カットの数と、必要となるであろうＯＰＣの量との妥協について更に考えるものである。図９は、ランディングエリアに対するレイアウト９００を示し、コンタクトを定義する位相シフターは、各コーナーにカットされている。その結果、未補正のレイアウト９００に対するシミュレーション１２００を示した図１２に見られるように、先鋭なコーナー鮮明度が得られる。
【００６１】
図１３−１４は、これを更に示しており、図１３は、２つのランディングエリア、即ち左ランディングエリア１３１０及び右ランディングエリア１３２０を含むレイアウト１３００を示す。この場合も、カットの数を最大にすると、右ランディングエリア１３２０は、シミュレーション１４００を含む図１４に示すように、ＯＰＣなしにコーナー鮮明度を改善する。
【００６２】
しかしながら、位相衝突を残すと、図１５−１６に示すように、優れた結果を生じる環境が存在し得る。図示されたように、図１５は、レイアウト１５００を含み、特徴部の左側コピーは、位相シフターが、特徴部の定義を容易にするのに適した位相でない位相衝突１５１０を含む。これに対して、特徴部の右側コピーでは、全ての位相衝突が除去されている。両構成に使用される切開及び評価ポイントも示されている。
【００６３】
レイアウト１５００は、図６のプロセスに基づき、最小セグメント長さ、最大セグメント長さ、外側コーナーセグメント長さ、及び内側コーナーセグメント長さを各々指示する１２０ｎｍ／１２０ｎｍ／１２０ｎｍ／１２０ｎｍのパラメータを使用して切開されそして補正されたものである。ＯＰＣ補正の輪郭は、図１６のシミュレーション１６００結果の中でダークブルー／黒で見ることができる。（補正されたトリム及び補正された位相シフトパターンの両方は、ダークブルー／黒で示されている。）
【００６４】
ここで、位相衝突を伴うレイアウトは、良好な結果を生じる。従って、本発明のある実施形態は、位相シフトパターンを定義するときに、コンタクト及びコーナーに対してカットの数を最大にして、ＯＰＣ補正の必要性を低減するように試みる。対照的に、他の実施形態は、所与の特徴部、構造又はパターンに対してシミュレーションを実行して、所与の特徴部に対する位相指定戦略を選択することができる。例えば、ＯＰＣパラメータが既知である場合には、位相シフトレイアウトが定義されるときに、図１０−１２、１４及び１６を形成するのに使用した形式のシミュレーションを使用し、そして臨界寸法及びコーナー変動を計算することができる。しかしながら、この解決策は、おそらく、現実世界のデザインのためのレイアウトにとって計算上実現不能のままであろう。従って、他の実施形態は、ルール又は形状テーブルを使用して、戦略を選択する。
【００６５】
例えば、あるルールテーブルは、コンタクトが、可能な場合、最大数のカットを受けねばならないことを指定してもよく、一方、別のより一般的なルールは、位相衝突を維持しなければならない図１５のような形状を識別してもよい。
【００６６】
ある実施形態では、レイアウトの特徴部を定義する位相シフト領域をいつ、いかにカットするか選択するために、１つ以上のコスト関数が定義される。ある実施形態では、これらコスト関数は、行われる分割の数を最小にするように構成され、例えば、右ランディングエリア１３２０より左ランディングエリア１３１０のようなレイアウトを奨励するように構成される。しかしながら、本発明のある実施形態は、他の層における特徴部及びパターンを考慮するコスト関数を使用する。例えば、コンタクトが右ランディングエリア１３２０内に配置された場合には、コスト関数は、カットの数を最大にしてコンタクトの包み込みを改善するように奨励してもよい。
【００６７】
最後に、光学的近接補正後の位相マスク、及びトリムマスクの詳細な例と共に、２つの付加的なレイアウトについて考える。
【００６８】
更に別の例
例１
図１７は、レイアウト１７００の一部分を示し、このレイアウト１７００は、図示されたエリアを越えて延びる。このレイアウトは、位相シフターを使用して定義される複数の特徴部を含む。レイアウトの多数の観点について述べる。
【００６９】
より詳細には、カット１７１０は、カット１７４０と対照的である。カット１７１０の場合には、カット１７４０に対して使用される形式の対角カットを行えず、従って、直線的カットが使用される。又、カット１７１０における近接補正に対する調整は、位相シフトパターンにおいて隣接線セグメント１７１２に直交する方向に線セグメント１７１１をオフセットすることを含む。
【００７０】
同様に、カットは適宜延長され、例えば、カット１７２０は、エンドキャップに対してもはや明確に見えないカットと隣接された延長されたコーナーカットである。
【００７１】
出来上がったレイアウトは、多数の位相衝突も含み、その２つは、位相衝突１７５０及び位相衝突１７６０と称される。カット１７３０の付近にも、別の位相衝突が存在する。カット１７３０がコンタクトの右下コーナーから右上コーナーへ移動した場合には、その領域における位相衝突が除去される。
【００７２】
この例では、レイアウトの残される位相衝突は、図６のプロセスに基づきＯＰＣにより可能な程度まで補償される。図１８には、ＯＰＣ補正された位相シフトパターンに対するレイアウト１８００が示されている。ＯＰＣは、ターゲットレイアウトの位置に当接する位相シフトパターンの部分のみで実行される。
【００７３】
同様に、図１９は、ＯＰＣ補正されたトリムレイアウトに対するレイアウト１９００を示している。
【００７４】
最後に、図２０は、トリムレイアウト１９００との組合せで使用される位相レイアウト１８００のプリント像のシミュレーション２０００を含む。ターゲットレイアウトは、ダークブルー／黒の線として示されている。
【００７５】
シミュレーション２０００を検討すると、レイアウトにおける特徴部が定義されたときには位相衝突が問題とならないことが明らかである。更に、シミュレーションされたプリント像が仕様を満足するかどうか確認するために測定を行うことができる。この例では、それが行われる。
【００７６】
例２
図２１は、レイアウト２１００の一部分を示し、このレイアウト２１００は、図示された縁から延びる。このレイアウトは、図示された位相シフターを使用して定義される複数の特徴部を備えている。図示されたレイアウトの一部分は、衝突なしに完全に位相シフトされている。
【００７７】
図２２及び２３は、ＯＰＣが実行された後の位相シフトパターン及びトリムパターンを各々示している。より詳細には、図２２のレイアウト２２００は、ＯＰＣ後の位相シフトパターンを示し、そして図２３のレイアウト２３００は、ＯＰＣ後のトリムパターンを示している。
【００７８】
最終的に、図２４は、トリムレイアウト２３００と組み合せて使用された位相レイアウト２２００のプリント像のシミュレーション２４００を含む。ターゲットレイアウトは、ダークブルー／黒の線として示されている。
【００７９】
シミュレーション２４００を検討すると、レイアウトが仕様内で定義されるので、位相衝突が問題にならないことが明らかである。これは、シミュレーション２４から測定を行いそしてそれを要求事項、例えば、許容ＣＤ変動、電気的接続性、等に対して比較することにより決定できる。更に、一部分はＯＰＣのために、「Ｔ」接合のコーナーにおけるカットの位置が検出不能であることに注意するのが有用である。
【００８０】
代表的な別の実施形態
本発明の実施形態は、異なる臨界寸法サイズに対して位相シフトレイアウトの一部分をターゲットするようなレイアウトにおいて作用し得る。例えば、図２５は、シフター２５１０、シフター２５２０、シフター２５３０及びシフター２５４０による位相シフトを使用して特徴部２５００が定義されるようなレイアウトの一部分を示す。更に、特徴部２５００に使用されるものより小さい臨界寸法（ＣＤ）を形成するようにシフター２５１０及びシフター２５４０が変更された領域２５５０が指示される。しかしながら、領域２５５０内の位相シフトパターンに対する評価及び切開ポイントの配置は、上述したものと同じである。
【００８１】
更に、領域２５５０に当接するシフターの巾は、領域２５５０における狭い臨界寸法の特徴部をプリントする間にＯＰＣの必要性を低減するように更に調整することができる。例えば、もし必要であれば、シフターの外縁は、その周囲領域（図示せず）のシフターより広く作ることができる。逆に、領域２５５０におけるシフターの巾は、図２６に示すように、狭く作ることができる。より詳細には、図２６は、シフター２５２０、シフター２５３０、シフター２６１０、及びシフター２６４０により定義された特徴部２５００を含む。シフター２６１０及びシフター２６４０は、減少された臨界寸法が望まれる領域２６５０において狭いものである。
【００８２】
適切なサイズ、例えば、シフターの巾は、使用可能なフィールドと、領域２５５０においてシフターを取り巻く他の特徴部とに依存する。又、ある実施形態では、減少された臨界寸法の特徴部に対する好ましいシフター巾、例えば、ｎλが選択される。但し、ｎ＞０．０である。従って、レイアウトに基づく実際的な程度まで、領域２５５０と同様の領域におけるシフターの巾が変更されて、介在する制御クロムが狭いサイズとされ、そして巾は、好ましいシフター巾に対応するようにされる。
【００８３】
上記実施形態の変形において、位相シフトプロセスを適用する前に、減少された特徴部サイズが望まれる重要なエリアにおいてターゲットレイアウトが減少される。このような場合には、それにより得られるレイアウトが、図２５及び／又は図２６と同様に見える。
【００８４】
更に、ＩＣ内のポリシリコン即ち「ポリ」層を定義する例に主として集中して説明を行ったが、位相シフトを使用して、例えば、相互接続部、金属等の材料の他の層を定義することもできる。
【００８５】
又、本発明の実施形態は、上述したもの以外の形状のカットにおいて動作することもでき、例えば、本発明は、ノッチが簡単な対角方向の開口で、方形ヘッドやベースが追加されないカットにも適用できる。しかしながら、実験テストでは、このようなレイアウトは、常時ではないが、頻繁に、ＯＰＣ補正を第１セグメントに対するターゲットレイアウトに向けて内方に生じさせることが示された。例えば、図３に戻ると、シフター３０２が４５°線から切開ポイント３１６に合流する場合には、切開ポイント３１２へ延びる第１のＯＰＣセグメントが、通常、特徴部３００に向ってバイアスされる。これは、デザインルールに準拠する位相シフター又はトリムの形状を生じてもよいし生じなくてもよい。それにも拘らず、上述したように、このようなレイアウトにおいてＯＰＣを実行することができる。
【００８６】
一実施形態では、実質的に全てのレイアウトが位相シフトを使用して定義されるようなレイアウトに対する光学的近接補正（ＯＰＣ）は、重要でない特徴部に対しバイナリ層のＯＰＣを実行し、そして重要な特徴部に対し位相シフトパターンのＯＰＣを実行することを含む。このような場合に、各層がターゲットレイアウトに当接する縁のみにおいてＯＰＣが実行される。
【００８７】
本発明のある実施形態は、マスクを使用してステッパー露出をシミュレーションして、位相露出とトリム／バイナリ露出との間の適切な相対的ドーズを計算するためのコンピュータプログラムを含む。一実施形態では、カリフォルニア州、サンホセのニューメリカル・テクノロジーズ・インクにより製造されたＩＣＷｏｒｋｂｅｎｃｈ（ＴＭ）ソフトウェアを使用して、例えば、図１０等に見られるように、露出条件をシミュレーションする。他の実施形態では、コンピュータプログラムを使用して、光学的近接補正が実行される。一実施形態では、ニューメリカル・テクノロジーズ・インクにより製造されたｉＮ−Ｐｈａｓｅ（ＴＭ）、ｉＮ−Ｔａｎｄｅｍ（ＴＭ）及び／又はＰｈｏｔｏｌｙｎｘ（ＴＭ）ソフトウェアプログラムを使用して、光学的近接補正プロセスが遂行される。他の実施形態では、アバント！及び／又はメントール・グラフィックスから入手できる適当なツールが光学的近接補正プロセスに使用される。ある実施形態では、コンピュータプログラムが、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等のコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶される。他の実施形態では、コンピュータプログラムが電磁搬送波で実施される。例えば、電磁搬送波は、ネットワークを経てアクセスされるプログラムを含むことができる。
【００８８】
ここで使用する「光学的リソグラフィー」という語は、可視光線、紫外線、深紫外線、極紫外線、Ｘ線、電子ビーム、及びリソグラフィーのための他の放射線源の使用を含むプロセスを指す。
【００８９】
結論
本発明の実施形態の上記説明は、本発明を例示するためのものである。これは、本発明を、ここに開示する正確な形態に限定するものではない。多数の修正や変更が明らかであろう。上記実施形態は、本発明の原理及びその実際の応用を最も良く説明するために選択されたものであり、従って、意図された特定の用途に適するような本発明の種々の実施形態や種々の変更がなされ得ることが理解されよう。従って、本発明の範囲は、特許請求の範囲のみによって限定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】添付図面で使用される記号を説明する凡例である。
【図２】直線的レイアウトに対する位相及びトリムの両パターンにおける切開及び評価ポイントの配置を示す図である。
【図３】内側コーナーに対する位相及びトリムの両パターンにおける切開及び評価ポイントの配置を示す図である。
【図４】外側コーナーに対する位相及びトリムの両パターンにおける切開及び評価ポイントの配置を示す図である。
【図５】複雑なパターンに対する位相及びトリムの両パターンにおける切開及び評価ポイントの配置を示す図である。
【図６】レイアウトに対して光学的近接補正（ＯＰＣ）を設定しそして遂行するためのプロセスフローチャートである。
【図７】ＯＰＣ補正の前にカットにより位相シフターが分離されたコーナーを示す図である。
【図８】ＯＰＣの前に単一の非カットの位相シフターを伴うコーナーのレイアウトを示す図である。
【図９】ＯＰＣの前に位相シフターを使用して定義されたコンタクトを伴うレイアウトを示す図である。
【図１０】図７の未補正レイアウトのシミュレーションを示す図である。
【図１１】図８の未補正レイアウトのシミュレーションを示す図である。
【図１２】図９の未補正レイアウトのシミュレーションを示す図である。
【図１３】一方が位相衝突を伴いそして他方が衝突を除去した２つのコンタクトをもつレイアウトを示す図である。
【図１４】図１３の未補正レイアウトのシミュレーションを示す図である。
【図１５】異なる位相シフター構成を使用して各々定義された特徴部の２つのコピーを伴うレイアウトを示す図である。
【図１６】図１５の補正されたレイアウトのシミュレーションを示す図である。
【図１７】複雑なレイアウトの一部分を示す図である。
【図１８】ＯＰＣが遂行された後の図１７のレイアウトに対する位相シフトパターンを示す図である。
【図１９】図１７のレイアウトに対するトリムパターンを示す図である。
【図２０】図１８−１９の位相及びトリムパターンを使用する図１７のレイアウトに対するシミュレーションされた露出を示す図である。
【図２１】複雑なレイアウトの一部分を示す図である。
【図２２】ＯＰＣが遂行された後の図２１のレイアウトに対する位相シフトパターンを示す図である。
【図２３】図２１のレイアウトに対するトリムパターンを示す図である。
【図２４】図２２−２３の位相及びトリムパターンを使用する図２１のレイアウトに対するシミュレーションされた露出を示す図である。
【図２５】領域内の臨界寸法が更に減少されたレイアウトの一部分を示す図である。
【図２６】臨界寸法減少領域を形成するようにシフター巾が更に調整された後の図２５のレイアウトの一部分を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数のフォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義するのに使用される上記フォトリソグラフィックマスクのコンピュータ読み取り可能な定義を形成する方法であって、上記パターンは、ターゲット特徴部を含むものであり、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を有するような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる形状は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項２】
上記第１位相シフト窓の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記第１位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義し、そして上記トリム形状の形状に基づいて選択された切開ポイントにおいて上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントを定義することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記第１マスクレイアウトは、一対の位相シフト窓を含み、この対の位相シフト窓の各々は、相補的な位相シフト窓を含んでいて、これにより、上記ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成するような位相遷移が形成され、更に、上記ターゲット特徴部の縁に当接する少なくとも１つの上記位相シフト窓のコーナーにおける切開ポイントで上記対の少なくとも１つの位相シフト窓の境界を切開することにより上記第１マスクパターンにおける上記線セグメントを定義し、そして上記ターゲット特徴部の縁に当接する上記トリム形状のコーナーにおける切開ポイントで上記トリム形状の境界を切開することにより上記第２マスクパターンにおける線セグメントを定義することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記ターゲットパターンは、上記第１マスクパターンが「全位相」マスクパターンを含むような「全位相」デザインより成る請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記ターゲットパターンは、次の１つ以上で特徴付けられる層の上に露出され、即ちパターンの非メモリ部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの平面図の一部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの少なくとも９０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの重要な経路の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；位相衝突のために位相シフトされない特徴部以外のパターン内の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；テスト構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義され；そしてダミー構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記ターゲットパターンは、位相シフトパターンにより定義されたターゲットパターンの特徴部の少なくとも９５％を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記第２マスクレイアウトは、３色形状、減衰位相シフト窓、及び減衰不透明形状の１つ以上を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
１つ又は複数のフォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記フォトリソグラフィックマスクを定義するためのコンピュータ読み取り可能な命令が記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備え、上記パターンは、ターゲット特徴部を含み、上記コンピュータ読み取り可能な命令は、第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を有するような第２マスクパターンとをレイアウトするルーチンを備え、上記第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる欠陥は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、上記コンピュータ読み取り可能な命令は、更に、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト動作及び上記調整動作の結果を記憶する、
というルーチンを備えた製造用品。
【請求項９】
ターゲットパターンを有する材料の層を含む集積回路を製造するための方法であって、上記ターゲットパターンはターゲット特徴部を含み、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる欠陥は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、
上記第１及び第２マスクパターンのコンピュータ読み取り可能な定義を形成し、
上記第１及び第２マスクレイアウトの上記コンピュータ読み取り可能な定義を使用して少なくとも１つのマスクを形成し、そして
上記少なくとも１つのマスクを使用して上記層を形成する、
という段階を備えた方法。
【請求項１０】
ターゲット特徴部を含むターゲットパターンを有する材料の層の製造に使用する１つ以上のマスクを含むリソグラフィックマスクセットにおいて、
上記マスクセットのマスク上にある第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を有するような第２マスクパターンとを備え、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンの上記ターゲット特徴部を定義し、上記第１マスクパターンにおける第１位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおける第２位相シフト窓は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、そして上記第２マスクパターンにおける透過的領域を含むトリム形状は、上記ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントを含む複数の線セグメントにより定義され、上記第１マスクパターンにおいて上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移により生じる欠陥は、上記第２マスクパターンにおける上記トリム形状の上記透過的領域によりクリアされ、
上記第１マスクパターンにおける上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置は、上記位相シフト窓及び上記トリム形状を各々定義する隣接する線セグメントからオフセットされて、近接補正を与える、
ように構成されたリソグラフィックマスクセット。
【請求項１１】
上記第１マスクレイアウトは、一対の位相シフト窓を含み、この対の位相シフト窓の各々は、相補的な位相シフト窓を含んでいて、これにより、上記ターゲット特徴部の少なくとも一部分を形成するような位相遷移が形成され、更に、上記第１マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントは、上記ターゲット特徴部の縁に当接する少なくとも１つの上記位相シフト窓のコーナーに端を有し、そして上記第２マスクパターンにおける上記少なくとも１つの線セグメントは、上記ターゲット特徴部の縁に当接する上記トリム形状のコーナーに端を有する請求項１０に記載のマスクセット。
【請求項１２】
上記ターゲットパターンは、上記第１マスクパターンが「全位相」マスクパターンを含むような「全位相」デザインより成る請求項１０に記載のマスクセット。
【請求項１３】
上記ターゲットパターンは、次の１つ以上で特徴付けられる層の上に露出され、即ちパターンの非メモリ部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの平面図の一部分の少なくとも８０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの少なくとも９０％が位相シフトパターンにより定義され；パターンの重要な経路の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；位相衝突のために位相シフトされない特徴部以外のパターン内の全ての特徴部が位相シフトパターンにより定義され；テスト構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義され；そしてダミー構造以外のパターン内の全てが位相シフトパターンにより定義される請求項１０に記載のマスクセット。
【請求項１４】
上記ターゲットパターンは、位相シフトパターンにより定義されたターゲットパターンの特徴部の少なくとも９５％を有することを特徴とする請求項１０に記載のマスクセット。
【請求項１５】
上記第２マスクレイアウトは、３色形状、減衰位相シフト窓、及び減衰不透明形状の１つ以上を含む請求項１０に記載のマスクセット。
【請求項１６】
ターゲット特徴部に当接する少なくとも１つの線セグメントより成る各辺を有する第１及び第２の位相シフト窓を備えた全位相パターンを使用して、集積回路レイアウトのターゲット特徴部に対して光学的近接補正を遂行する方法であって、上記第１及び第２の位相シフト窓間の位相遷移が、トリミングされるべき欠陥を生じさせ、そしてターゲット特徴部に当接する少なくとも１つのセグメントより成るトリム形状であって、上記欠陥をトリミングするのに使用されるトリム形状を生じさせ、上記方法は、
上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント、及び上記ターゲット特徴部に当接するトリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントを識別し、そして
近接補正を遂行して、上記第１位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント及び上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントの位置を調整する、
という段階を備えた方法。
【請求項１７】
上記調整は、上記位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント及び上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントを、上記特徴部の境界を定義する隣接線セグメントからオフセットさせることを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記調整は、上記位相シフト窓の上記少なくとも１つの線セグメント及び上記トリム形状の上記少なくとも１つの線セグメントを、上記特徴部の境界を定義する隣接線セグメントから直交方向にオフセットさせることを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンは、ターゲット特徴部を含むものであり、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲットパターンを定義し、上記第１マスクパターンにおいて一対の位相シフト窓間の位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分は、上記第２マスクパターンにおけるトリム形状の透過的領域によりクリアされて、上記ターゲット特徴部の一部分を定義し、
上記第１マスクパターンにおける上記一対の位相シフト窓の境界を定義する線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記透過的領域の境界を定義する線セグメントの位置を調整して、上記ターゲット特徴部に対し近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項２０】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンはターゲット特徴部を含み、そのターゲット特徴部の第１縁及び第２縁の交点で内側コーナーが形成され、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲット特徴部の内側コーナーを定義し、上記第１マスクパターンは、互いに逆の位相を有する第１及び第２の位相シフト窓であって、上記内側コーナー付近の位置においてこれら第１及び第２の位相シフト窓間に位相遷移が生じるように上記内側コーナー付近で上記特徴部の第１及び第２の縁に当接する第１及び第２の位相シフト窓を含み、そして上記第２のマスクパターンは、上記位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために位相の位置に対応する透過的領域を有するトリム形状を含み、
上記第１マスクパターンにおける上記第１及び第２位相シフト窓の境界を定義する線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の境界を定義する線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項２１】
上記第１及び第２位相シフト窓並びに上記透過的領域の境界を定義する上記線セグメントは、上記第１及び第２の位相シフト窓並びに上記透過的領域の形状をアーギュメントとして含むデザインルールに基づいて選択された上記第１及び第２の縁に当接する切開ポイントにおいて上記内側コーナー付近にエンドポイントを有する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
上記線セグメントは、上記第１位相シフト窓の境界を定義する第１線セグメントであって、上記内側コーナーに隣接する第１位相シフト窓の端が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第１線セグメントと、上記透過的領域の境界を定義する第２線セグメントであって、上記透過的領域の辺が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第２線セグメントとを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の実質的に同じ位置の上に横たわる請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の異なる位置に配置される請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンはターゲット特徴部を含み、そのターゲット特徴部の第１縁及び第２縁の交点で外側コーナーが形成され、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲット特徴部の外側コーナーを定義し、上記第１マスクパターンは、互いに逆の位相を有する第１及び第２の位相シフト窓であって、上記外側コーナー付近の位置においてこれら第１及び第２の位相シフト窓間に位相遷移が生じるように上記外側コーナー付近で上記特徴部の第１及び第２の縁に当接する第１及び第２の位相シフト窓を含み、そして上記第２のマスクパターンは、上記位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために位相の位置に対応する透過的領域を有するトリム形状を含み、
上記第１マスクパターンにおける上記第１及び第２位相シフト窓の境界を定義する線セグメントの位置、及び上記第２マスクレイアウトにおける上記トリム形状の境界を定義する線セグメントの位置を調整して、近接補正を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項２６】
上記第１及び第２位相シフト窓並びに上記透過的領域の境界を定義する上記線セグメントは、上記第１及び第２の位相シフト窓並びに上記透過的領域の形状をアーギュメントとして含むデザインルールに基づいて選択された上記第１及び第２の縁に当接する切開ポイントにおいて上記外側コーナー付近にエンドポイントを有する請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
上記線セグメントは、上記第１位相シフト窓の境界を定義する第１線セグメントであって、上記外側コーナーに隣接する第１位相シフト窓の端が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第１線セグメントと、上記透過的領域の境界を定義する第２線セグメントであって、上記透過的領域の辺が上記第１の縁に当接する場所に配置された切開ポイントにエンドポイントを有している第２線セグメントとを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の実質的に同じ位置の上に横たわる請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
上記第１線セグメントの上記エンドポイント及び上記第２線セグメントの上記エンドポイントは、上記ターゲット特徴部の異なる位置に配置される請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
フォトリソグラフィックマスクを使用して形成されるべき層にターゲットパターンを定義する上記マスクのコンピュータ読み取り可能な定義を発生する方法であって、上記パターンはターゲット特徴部を含み、そのターゲット特徴部の第１、第２及び第３の縁の交点で第１及び第２の外側コーナーが形成され、上記方法は、
第１マスクパターンであって、その第１マスクレイアウトにおいて線セグメントにより定義された境界を有する位相シフト窓を含むような第１マスクパターンと、第２マスクパターンであって、その第２マスクパターンにおいて線セグメントにより定義された境界を有するトリム形状を含むような第２マスクパターンとをレイアウトし、これら第１及び第２のマスクパターンを組み合せて使用して、上記ターゲット特徴部の第１及び第２の外側コーナーを定義し、上記第１マスクパターンは、互いに逆の位相を有する第１及び第２の位相シフト窓であって、上記第１の外側コーナー付近で上記特徴部の第１及び第２の縁に当接する第１及び第２の位相シフト窓と、その第１位相シフト窓と同じ位相を有する第３位相シフト窓であって、上記第２の外側コーナー付近で上記特徴部の第３の縁に当接する第３位相シフト窓とを備え、上記第１の外側コーナー付近の位置で上記第１及び第２の位相シフト窓間に第１の位相遷移が生じて、上記第１の外側コーナーから離れるように線を延ばそうとする露出特徴部を生じさせると共に、上記第２の外側コーナー付近の位置で上記第２及び第３の位相シフト窓間に第２の位相遷移が生じて、上記第２の外側コーナーから離れるように線を延ばそうとする露出特徴部を生じさせ、そして上記第２のマスクパターンは、得られる像において上記第１の外側コーナーがより先鋭となるように上記第１の位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために上記第１位相遷移の位置に対応する第１の透過的領域と、得られる像において上記第２の外側コーナーがより先鋭となるように上記第２の位相遷移により生じる露出特徴部の少なくとも一部分をクリアするために上記第２位相遷移の位置に対応する第２の透過的領域とを有するトリム形状を含み、
上記第１及び第２のマスクパターンの一方又は両方に近接補正調整を与え、そして
上記レイアウト段階及び上記調整段階の結果をコンピュータ読み取り可能な媒体に記憶する、
という段階を備えた方法。
【請求項３１】
上記近接補正を与える段階は、上記第１マスクパターンにおける上記第１、第２及び第３位相シフト窓の境界を定義する１つ以上の線セグメントの位置と、上記第２マスクレイアウトにおけるトリム形状の上記第１及び第２の透過的領域の境界を定義する１つ以上の線セグメントの位置とを調整することを含む請求項３０に記載の方法。
【国際調査報告】
2005517199.tif 000029
2005517199.tif 000030
2005517199.tif 000031