(57)【要約】この発明は、薄膜トランジスタを有し、２枚の基板（１，１１）から得られる電子装置に関する。金属パターン（２４，２９）と有機物層（４）との間の非接着部分の剥離を防止するために金属パターン（２４，２９）が開口（３０）を有する。これらの開口（３０）を介して、有機物層（４、５）と基板（１，１１）のいずれかの表面（１１１）上の有機材料間の接着が行われる。この電子装置はマイクロコンタクトプリンティングにより製造される。
2005506704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属の第１電極層が設けられた表面を有するベース基板と、
半導体材料のチャネル層と、
誘電体材料の中間層と、
金属の第２電極層が設けられた有機物表面を有する接着基板とを備えた電子装置であって、
前記電極層とチャネル層と中間層中に薄膜トランジスタが形成され、
前記電子装置は前記電極層とチャネル層と中間層とを介して前記基板を張り合わせて形成され、
前記第２電極層は導電面を備え、前記接着基板の面の有機材料と前記中間層、チャネル層、ベース基板表面のいずれか一つから選択された層の有機材料との間で接着が行われる開口を前記導電面が有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第１電極層内にソース電極とドレイン電極が形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極は前記チャネル層で満たされたチャネルにより分離され、前記第２電極層内の前記導電面は、前記第１電極層から垂直に突出している場合は、前記チャネルと重なり合うゲート電極として形成されることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１電極層内のソース電極とドレイン電極とは互い違いに配列された電極のペアであり、前記ゲート電極は前記電極ペアに対して大きく形成されることを特徴とする請求項２記載の電子装置。
【請求項４】
前記第１電極層はコンタクト面を有し、前記第１電極層上の前記第２電極層内の導電面の突出部分が前記第１電極層内のコンタクト面と重なり合い、
前記チャネル層と前記中間層は少なくとも実質的に前記コンタクト面部分と前記導電面部分には存在せず、前記コンタクト面と前記導電面とは互いに電気的に接続されて媒介手段を形成することを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項５】
前記第１電極層と前記第２電極層の各々は前記電子装置を張り合わせる過程で前記第１電極層と前記第２電極層を配列するための分離された経路となることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項６】
前記ベース基板と前記接着基板は重合体材料の薄膜であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項７】
前記電子装置はさらに、第１電極と第２電極と誘電体とを有するキャパシタを備え、
前記第１電極は前記第１電極層内に設けられ、
前記第２電極は前記第２電極層内に設けられ、前記接着基板の面の有機材料と前記中間層、チャネル層、ベース基板表面のいずれか一つから選択された層の有機材料との間で接着が行われる開口を前記第２電極が有することを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項８】
前記第１電極層と前記第２電極層は、前記接着基板と前記ベース基板より成る包含体内の導電材料の層のみであることを特徴とする請求項１乃至７いずれか記載の電子装置。
【請求項９】
前記電子装置を重ね合わせて形成する前に、前記ベース基板と前記接着基板が同じ包含層の一部を成し、前記包含層を二つ折りにすることにより前記電子装置を重ね合わせて形成することを特徴とする請求項１記載の電子装置を製造する方法。
【請求項１０】
前記第１電極層と前記第２電極層はマイクロコンタクトプリンティングによりパターンニングされることを特徴とする請求項９記載の方法又は請求項１記載の電子装置を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、金属の第１の電極層が表面に存在するベース基板と、半導体材料で成るチャネル層と、誘電体材料で成る中間層と、金属の第２の電極層が存在する表面が有機物材料で成る接着基板とを備え、電極層とチャネル層と中間層内に薄膜トランジスタが設けられた電子装置であって、各層を有する各基板を重ねることにより形成される電子装置に関する。さらに、この発明はそのような電子装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような電子装置は米国特許６，１９７，６６３に開示されている。この装置は、ベース基板と少なくとも一つの電極層と接着基板とを重ね合わせて形成される。この接着基板は相互連結層又は電極層を備える。
【０００３】
接着基板が相互連結層を備える場合は、重ね合わせ工程の前に、薄膜トランジスタがベース基板上に設けられる。ソース電極とドレイン電極がこれら電極より大きいコンタクト面を有する。相互連結層が５０乃至２５０μｍの範囲の寸法を有し、第１の電極層のコンタクト面も同様な寸法を有するので、電極層を簡単に配列することが出来る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この発明に結びつく研究において、接着基板が電極層を備える場合は、この方法では間単に機能的な電子装置を製造できないことが分かった。これは、電極層が金属を含む場合は電極層を備える接着基板が剥がれてしまうという事実によるものである。しかし、この金属は良好な導電特性を出すのに必要なものである。
【０００５】
二枚の基板から成り立つ装置は、しかし、例えば、基板に金属層を設けてからスピンコーディングを行うことにより、層毎に多くの有機物を添加することにより製造することができる。
【０００６】
従って、この発明の第１の目的は、冒頭で述べたような電子装置であって、剥離が生じずに二枚の基板から製造できる電子装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第２の電極層が導電表面を有し、接着基板上の有機物と、中間層、チャネル層、ベース基板表面からから選ばれた層の一つの層の有機物との接着が行われる開口がこの導電表面に設けられることにより第１の目的が達成される。
【０００８】
有機物層同士は良く接着するが、金属は有機物には良く接着しないことが分かっている。金属に開口を設けることにより接着が行われない距離が短縮される。これは、特に、少なくとも５×５μｍの大きな表面を有する導電表面の場合には重要である。そのような表面は、例えば、ゲート電極、媒介手段（バイア）を介したコンタクト面、画素電極である。二つの開口間距離又は開口と（コンタクト）表面端部との距離は好ましくは５μｍ、より好ましくは２μｍ未満が良い。
【０００９】
好ましい実施形態では、第１電極層内にソース電極とドレイン電極とが設けられる。これらソース電極とドレイン電極とはチャネル層で満たされたチャネルにより絶縁される。この実施形態では、第２電極層内の導電表面がゲート電極とされ、第１電極層上に垂直に突き出ている場合は、チャネルと重なる。この実施形態では、中間層をゲート電極を有する第２電極層上に設けて重ねることにより半導体装置が形成される。このようにして、チャネル層と第１電極層との界面の不適切な接着が防止される。さらに、中間層内にチオール等の添加物を添加することにより、チャネル層内の半導体の振る舞いに影響を与えることなく接着性を高めることができる。さらに、セレンカドミウム、アモルファスシリコン等の有機半導体を選ぶことができる。有機半導体の材料としては、とりわけ、ポリアルカリチオフェン、ペンタセン、オリゴチオフェン、ポリチエニルビニレン、ポリアニールアミンがある。これらの材料、その他の材料、これらの材料を準備する方法や応用技術は導電ポリマーやオリゴマーの技術分野の当業者にとっては知られているものである。
【００１０】
さらなる実施形態では、第１電極層内のソース電極とドレイン電極とが互い違いに配列されたペアになっており、ゲート電極がこれらの電極より大きい。このようにして、（チャネルが、第１電極層上のゲート電極の垂直な突出部分である場合）ゲート電極とチャネルが重なり合うことなしに、ゲート電極内の開口を比較的簡単に集積することができる。上述のゲート電極を大きくすることにより、接着基板とベース基板の配置に多少のクリアランスを持たすことができる。
【００１１】
他の実施形態では、第１電極層がコンタクト面を有し、第１電極層上の第２電極層内の導電面の突出部分が第１電極層内のコンタクト面と重なり合う。この実施形態では、チャネル層と中間層は少なくとも実質的にコンタクト面部分には存在せず、これらの面は互いに電気的に接続され媒介手段の一部を形成する。
【００１２】
有機半導体をパターンニングするには各種の方法がある。第１の実施形態では、キャリア材料の合成物、有機半導体、そして感光物質を用意する。合成物を乾燥してチャネル層を形成する。チャネル層をフォトリソグラフィによりパターンニングする。第２の実施形態ではポリビニルチエニレン等の有機半導体の先駆物質ポリマーを用意する。先駆物質ポリマーを、有機半導体に変化させる前に、露出させる。有機半導体に変化後、チャネル層の露出部分を、クロロホルム等の適当な溶媒を用いて洗い流す。第３の実施形態では、インクジェットプリンティング等のプリンティング技術でパターンニングを行う。
【００１３】
さらに好ましくは、配置手段を設けても良い。そのような配置手段の好ましい例としては第１、第２金属層内の、絶縁即ち電気的機能を有しない経路でもよい。これらの配置手段を特にアセンブリ工程中に適切に用いて、両基板が同じ張力になるように、即ち、一枚の基板が他の基板より伸びないようにする。
【００１４】
特に、接着基板の表面を有機材料を含む表面とする代わりに、両基板を重合体の薄膜としてもよい。このような薄膜とすると両基板が柔軟になるという効果がある。さらにこれらの基板を金属加工すればこれらの基板を別々に提供する必要が無くなる。さらなる実施形態では、導電材料の相互接続層、少なくとも垂直相互接続部分を含む電気的絶縁層、そして第２電極層が第２基板の一方の側に順に設けられる。多くの媒介手段が必要な場合はさらなる相互接続層を設ければ効果的である。これは、本質的に、２枚の金属加工された基板が重ね合わされ、導電層が媒介手段により互いに電気的に接続されることを意味する。金属加工された基板は多少柔軟性のあるプリント基板でも良い。この場合、媒介手段は配置にあたり標準サイズである。そのような相互接続層は第１基板の側に設けられるとよい。半導体装置の第１半片部分をこの半導体装置の第２半片部分に対して光学的手段を用いて配置する場合は、第１、第２半片部分のいずれか一方のみに相互接続層を設けるとよい。
【００１５】
さらなる実施形態では、波長が７００乃至８５０ｎｍ、好ましくは４００乃至８５０ｎｍの照射から保護する保護層を少なくともいずれか一枚の基板に集積すると良い。光と酸素の振る舞いにより、有機半導体がドープされ、トランジスタのオン・オフ比率が悪くなることが分かっている。そのような振る舞いに対してチャネル層を保護することにより、特にソース、ドレイン電極間のチャネル内でのトランジスタの寿命が延びる。保護層は、例えば、カーボンブラックと窒化チタンにより形成される。
【００１６】
この発明の電子装置を製造するにあたり、装置を重ね合わせる前に、接着物質とベース基板により同じ包含層の一部を形成するようにすると良い。折り返し線に沿って包含層を二つに折り返すことにより装置を重ね合わせる。この方法によれば、電子装置に直接保護層を設けることが出来る。特に、過度な折り返し線に対し直角な配置とすることができる。この実施形態では、包含層上の交互のパターン内に第１、第２電極層が設けられる。さらに必須の要素であるチャネル層はレジスト、インクジェットプリンティング、その他の方法により形成できる。このため、この実施形態では、トランジスタを除いてキャパシタ、画素等の素子を比較的大きく形成する。このような電子装置の例としては、トランスポンダ、アクティブ・マトリクスＬＣＤ型表示装置がある。
【００１７】
この発明の電子装置を製造するにあたり、マイクロコンタクトプリンティングにより電極層をパターンニングするとよい。公知の如く、この技術ではパターンニングされたスタンプ表面を有するスタンプを金属層の表面と接触させる。これにより、スタンプ表面上の化合物が金属層表面に転送され、この化合物の単分子層が形成される。続いて、単分子層をマスクとして金属層をエッチングする。このようにして、又は他の方法により、マイクロコンタクトプリンティングにより、フォトリソグラフィではない技術を用いて、またクリーンルームの状態を厳しくすることなしに、ミクロンそしてサブミクロン・サイズのパターンを形成することができる。マイクロコンタクトプリンティングにおいて、異なる層に対してスタンプを複数配置すると問題が生じる。この発明の方法では、この問題は装置のアセンブリに回され、マイクロコンタクトプリンティングでは問題が無くなる。マイクロコンタクトプリンティングでは、保持手段が無いとスタンプがたるむというさらなる問題があるが、この発明の方法では、パターン中に接着スポットを設けている。
【００１８】
このようにして、フォトリソグラフィ技術を用いずに装置を形成することができる。チャネル層が特に有機材料を含む場合は、例えば、インクジェットプリンティングにより形成することができる。これにより、チャネル層内のパターンが電極層内のパターンより荒いパターンとなる。中間層は、例えば、非公開出願ＥＰ０１２０１６５５.６（ＰＨＮＬ０１０１３１８）に記載されているような、処置が施された表面上での相絶縁により形成することができる。
【００１９】
好ましくは、コイル中に薄膜を設けるよい。このような薄膜はパーフォレイションにより得られる。産業上の観点からもコイルの使用は好ましい。ベース材料を供給するのにコイルは有用である。さらに、コイルの構成部分に対して次々と処理がなされるような工程でコイルが用いられる。このような工程の後、コイルはさらに解かれる。支持手段を用いてまたコイルを堅固にすることにより、必要な堅固さを備えた柔軟な基板がコイルから得られる。コイルはさらにスピンコーティングに用いることもできる。ここでは、コーティング溶液を多く消費するので、異なるコーティング技術、例えば、ウエブコーティングやディップコーティング技術に変更することができる。
【００２０】
この発明の電子装置と方法の上気したそしてさらなる特徴は後述する実施形態により明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
ここで、各図は概略的に示すものであり、この発明の装置のスケールとは異なる。各図において、薄膜トランジスタやキャパシタ等の素子は一つのみが図示されているが、実際には多くの素子が搭載される。また、各図において同様な参照番号のものは同様な要素を示す。
【００２２】
図１に示す装置は、薄膜トランジスタ１０と、ベース基板１から離れた接着基板１１とを備えている。ベース基板１はキャリア層と保護層と絶縁層との積層を有している。接着基板１１は有機物の表面１１１を有し、ここでは、接着基板１１全体がポリアミドで形成されている。保護層は、この例では、二酸化チタンと窒化チタンの粒子を含むモノ・アルミニウム・フォスフェイト層である。このような粒子により可視光線及び赤外線に対する保護効果が得られる。キャリア層と絶縁層はポリイミド等の絶縁性ポリマーより成る。キャリア層と絶縁層は無機物又はエポキシ樹脂で形成してもよい。
【００２３】
第１の電極層２がベース基板１上に設けられている。この電極層は、ここでは、金で形成されているが、カーボン・インク、アルミニウム、銅、窒化チタンやその他の導電材料でも良い。この例では、ソース電極２１，ドレイン電極２２，中間チャネル２３（図１では単一ブロックで示されている）が第１の電極層２内に設けられている。さらに、コンタクト面２８が設けられている。第１の電極層２上には有機半導体材料であるポリチエニルビニレンより成るチャネル層５が形成されている。第１の電極層２内のコンタクト面２８が露出するようにチャネル層５がパターニングされている。チャネル層５上には光学的に形成可能な有機物誘電体材料である中間層４がチャネル層５上に設けられている。この材料は例えばフォトレジストであるが、当業者に知られるエポキシ、ポリイミド、ポリビリルフェノール、ポリビリルアルコール、ポリアクリラート等を基にした合成物でもよい。さらに、中間層は有機物材料、例えば、二酸化シリコンで成り、チャネル層又はベース基板上に有機物を含んでもよい。続いて、第１の電極層２内のコンタクト面２８がＵ字形に露出するようにチャネル層４が形成される。
【００２４】
接着基板１１上に金で成る第２電極層３が設けられる。第２電極層３内にゲート電極２４とコンタクト面２９が設けられる。第２電極層３は中間層４とコンタクトがとられる。ゲート電極２４とコンタクト面２９は共に開口が設けられる。開口部分で接着基板１１と中間層４との接着が行われる。
【００２５】
この発明の装置の重ね合わせ後の第１半片部分５１と第２半片部分５２とを図２に示す。第１半片部分５１にはベース基板１と、チャネル２３を挟んで互い違いに配列されるソース電極２１とドレイン電極２２のペアを含む第１電極層２とが設けられている。この半片部分にはさらにチャネル層５と中間層４が設けられている。第２半片部分５２には接着基板１１と第２電極層３とが設けられている。第２電極層にはコンタクト面２９とゲート電極２４が設けられている。ゲート電極２４の部分間に開口３０が設けられている。開口３０の反対側にはドレイン電極２２の幅広い指部分が設けられており、チャネルが開口３０の反対側になる。図には示されていないが、ドレイン電極２２の指部分は開口３０に対して大きく形成される。これにより、装置を重ね合わせたときのクリアランスが数μｍとなる。
【００２６】
中間層４上に第２電極層３を有する接着基板１１を配置して第１、第２半片部分５１、５２側から装置を重ね合わせる。これにより、薄膜トランジスタ１０と媒介手段１２が形成される。媒介手段１２はコンタクト面２８，２９を含む。接着力を高めるために８０乃至１４０℃の範囲内の温度で後処理を行う。第２電極層３上にさらなる接着層を設けても良い。このさらなる接着層はチオール等の単分子層で形成してもよい。第１、第２電極層２，３内に図２ではなく図３，４に示す配置手段２５，２６を設けることにより正しく配置することができる。配置手段が互いに正しく位置しているかを見るために薄膜トランジスタが接着基板１１を通して部分的に露出される。この目的のため、配置手段２５，２６は、例えば、相補的な形状を有する。
【００２７】
図３に第２電極層３の平面図を示す。ゲート電極２４は１００μｍ×３５である。コンタクト面２９は３０μｍ×２０である。ゲート電極２４とコンタクト面２９には開口３０が形成され、この部分では電極層３が除去されている。コンタクト面２９の開口３０は約１０μｍ×１０である。
【００２８】
図４に第１電極層２の平面図を示す。ソース、ドレイン電極２１，２２は指のような形状の互い違いのパターンを有しその間からチャネル２３が延びている。第１電極層２はさらにコンタクト面２８と配置手段２５を有する。ソース、ドレイン電極２１，２２は合わせると９５μｍ×３０である。チャネルが完全にゲート電極２４（少なくともこの電極の垂直に突き出た部分）の面内で広がるようにゲート電極２４内の開口部分ではドレイン電極２２の指部分が幅広くされる。コンタクト面２８は１５μｍ×３０である。コンタクト面２８の斜線部分が中間層４でカバーされた部分を示す。この部分は除去してもよい。ゲート電極２４とコンタクト面２９は第２電極層３内で大きく形成されているので、第１、第２半片部分５１、５２を配置する間、すべての方向でのクリアランス量が少なくとも５μｍとなる。
【００２９】
図５に表示装置を示す。この装置はベース基板１と接着基板１１との間に薄膜トランジスタ１０を備える。この実施形態では、接着基板１１上の第２電極層３内にソース、ドレイン電極２１，２２を備える。これは、１０μｍ×１０の面領域を有する画素電極２７がドレイン電極２２に接続されることにより形成される。この画素電極内に開口が設けられる。ベース基板１は透明であり、第１、第２電極層２，３は金より形成される。この表示装置はさらに透明な材料で形成された第３の基板３１を備える。第３基板３と接着基板１１との間には、第３基板３上にインジウムスズ酸化物の対向電極３２と、液晶材料の層３３、そして配向膜３４が、当業者に知られているように設けられる。
【００３０】
図６に、この発明のトランスポンダ１００を示す。図７に、トランスポンダ１００の第２電極層３の平面図を示す。薄膜トランジスタ１０と媒介手段１２以外に、トランスポンダ１００はキャパシタ１３を備える。媒介手段１２内のコンタクト面２９と、薄膜トランジスタ１０のゲート電極と、キャパシタ１３の電極が開口を有する。キャパシタ１３は三つの並列に配されるキャパシタ１７，１８，１９のアセンブリと考えることができる。キャパシタ１７，１８，１９は所望の容量が得られるように設計される。ここでは、剥がされてしまうような面がない。当業者には理解できるように、トランスポンダ１００は各種の薄膜トランジスタ１０を備えることができ、それらは組み合わさって集積回路となる。この集積回路は、例えば、ＷＯ−Ａ９９/３０４３２に開示されているように、とりわけ、発信器とメモリを備える。通常、各種のキャパシタ１３と媒介手段１２が設けられ、第１、第２の電極層は、媒介手段１２、キャパシタ１３そして薄膜トランジスタ１０を相互接続する相互接続経路（トラック）を有する。さらに、この例のトランスポンダ１００は、第２基板１１上にコンタクト層９を有する。この目的のために、基板１１の両面は金属被覆が施される。コンタクト層９は、この例では、コイル状に形成されたアンテナ４１を備える。代わりに、アンテナ４１は、基地局と容量接合するための二つのキャパシタ電極を備えてもよい。アンテナ４１を電極層２、３に接続するため、二つのターン部分４３，４４を有するコイル４２が用いられる。代わりに、第２電極層３からコンタクト層９への導電接続でもよい。このような接続は、接着基板１１内の正孔により行えるが、接着基板１１の端部を二つ折りにしても行える。第２電極層３の金属は中間層４とは接着しないので、接着基板１１の端部はルーズになるので、必要であれば折り曲げても良く、折り曲げ部分を接着剤か熱処理により接着すれば良い。
【００３１】
例１
２０ｎｍ厚の金層が一方の側に設けられたポリエチレンテレフタレートのベース基板１をキャリア上に設ける。部分的に真空にすることによりベース基板１をキャリア上に水平に設置する。ベース基板１は機械的に位置決めする。続いてフォトレジストを設け、マスクを介して所望のパターンに露光する。このパターンにはソース電極２１，ドレイン電極２２，チャネル２３が含まれる。フォトレジストを現像し、その後、公知の方法で金の電極層２をエッチングし、金を清浄にする。続いてポリチエニルビニレンの硫化物先駆物質のチャネル層５を設け、乾燥させる。この層にはフォトレジストＨＰＲ５０４の中間層４が設けられる。フォトレジストを所望パターンに露光する。硫化物先駆物質の被覆されていない部分を溶解させて除去する。触媒量の酸の存在下で加熱して硫化物先駆物質を半導体材料であるポリチエニルビニレンに変化させる。続いてスピンコーティングによりフォトレジストＨＰＲ５０４のさらなる層を設ける。続いて、この層には所望のパターンが設けられる。このパターンは主に、キャパシタを除いて、有機半導体のパターンに対応する。代わりに、ジフェニルヨードニウムヘクサアセネートのような感光酸味料を硫化物先駆物質に添加してあってもよい。スピンコーティングの後、ポリチエニルビニレンに変化したこの層の部分に強い紫外線を照射する。続いて、チャネル層を１３０℃に加熱する。酸が生じていない部分には変化が起きないが、酸が生じている部分には変化が起きる。この変化が起きない部分はクロロホルム等の適当な溶剤を用いて洗い流す。
【００３２】
２０ｎｍ厚の金層が面１１１に設けられたポリエチレンテレフタレートの接着基板１１をキャリア上に設ける。部分的に真空にすることにより接着基板１１をキャリア上に水平に設置する。接着基板１１は機械的に位置決めする。続いてフォトレジストを設け、マスクを介して所望のパターンに露光する。フォトレジストを現像し、その後、公知の方法で金の電極層をエッチングし、金を清浄にする。
【００３３】
続いて、金層が向かい合うようにベース基板１上に接着基板１１を設置する。この工程では光学的配置が行われる。第１、第２の電極層２，３に設けられた配置手段を用いてこれらの電極層を配置する。配置手段としては開口３１が用いられる。アセンブリを形成するこれらの部分を互いにプレスして摂氏１００度まで加熱する。
【００３４】
例２
１５０ｎｍ厚の金層が設けられたポリイミドのベース基板１を、例１で記載したように、５ｎｍ厚のチタンの接着層が既に設けられているキャリア上に設ける。米国特許５，８１７，２４２に開示されているように、マイクロコンタクトプリンティングによりオクタデシルチオールの単分子層を金の第１電極層２に設ける。この単分子層をマスクとして、Ｉ２/ＫＩ溶液を用いて金の層をエッチングする。続いて、ペーハーが７乃至１０の範囲の１.５ＭＨ２Ｏ２と２.５（ＮＨ４）とＨＰＯ４によるエッチングでチタン層を４０℃でパターンニングする。この工程で（ＮＨ４）２とＨＰＯ４は緩衝剤として機能する。エッチング速度は、過酸化水素の濃度によるが、約５ｎｍ/minである。サイズが０.５乃至２０００μｍの範囲でチタンと金の積層厚みを変えてもアンダーエッチングは起こらない。エタノールで洗浄して単分子層を除去する。
【００３５】
ＨＳ（ＣＨ２）１８ＯＨの単分子層を用いてパターンニングされた金の電極層２の表面を所望のパターンに変更する。この目的のために、コンタクトプリンティングに適切であり、ＰＤＭＳより成り、パターンニングされたスタンプ表面を有するスタンプを用いる。単分子層を適用するに際し、スタンプはスタンプ表面からＨＳ（ＣＨ２）１８ＯＨのエタノール溶液をしみ込ませる。所望のパターンの媒介手段をネガティブとして形成する。媒介手段部分を除いて全体に単分子層を設ける。これらの媒介手段は表面面積が６４μｍ２の正方形である。続いて、金属層と単分子層が形成された基板にオクタデシルチオールとＨＳ（ＣＨ２）１７ＣＨ３の溶液をかける。これにより、今まで露出していた金層表面が第２の単分子層で覆われる。残存オクタデシルチオールを完全に除去するために、エタノールによるリンス工程を行う。続いて、スピンコーティングにより第１、第２ポリマーの溶液を生成する。第１ポリマーはＭｗが９０９００、Ｍｗ/Ｍｎが１.０５のポリスチレンである。第２ポリマーはＭｗが１１５０００、Ｍｗ/Ｍｎが１.０３のポリ(２―ビリルピリジン)である。溶媒はテトラハイドロフランである。スピンコーティングではGyrset方式（open lid:1000rpm, 200rpm/s, 5s., closed lid: 3000rpm, 1000rpm/s, 10s.）のKarl  Suessスピンコータを用いる。合成物は０.７５重量％のポリスチレンと０.７５重量％のポリビニルピリジンである。合成物は溶媒を安定させるためにさらに２５０mg/Lの２，６―ジ―第３―ブチル―４―メチルフェノールを含む。温度は２１＋/-０.５℃で、相対湿度は５０＋/-５％である。スピンコーティングにより得られた合成物は、“closed lid”状態でスピン中に乾燥させる。これにより合成物は第１、第２の副層に絶縁する。第１ポリマー即ちポリスチレンの第１副層はオクタデシルチオールの単分子層上に選択的に沈殿する。第２ポリマー即ちポリ(２―ビリルピリジン)の第2副層はオクタデシルチオールの単分子層上に沈殿する。第１エッチャントであるシクロヘキサンで３回リンスして第１副層を除去する。第2副層は中間層として機能する。インクジェットプリンティングによりチャネル層５を設ける。
【００３６】
例１で開示したように、面１１１上にの金の第２電極層３を有するポリイミドの接着基板１１をキャリア上に設ける。上述のように、マイクロコンタクトプリンティングにより層３をパターンニングする。以上説明したようにしてこの装置が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】この装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】第１半片部分と第２半片部分を積層する前の図１の装置を示す図である。
【図３】この装置の第２電極層の概略平面図である。
【図４】この装置の第１電極層の概略平面図である。
【図５】この装置の第２実施形態を示す図である。
【図６】この装置の第３実施形態を示す図である。
【図７】図６に示す装置の第２電極層の平面図である。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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