(57)【要約】  ワイヤボンドなし電子部品は、ワイヤボンドなし電子部品の外部の回路とともに使用するためのものである。ワイヤボンドなし電子部品は、支持基板（１１０、４１０）、支持基板の上部の電子デバイス（１３０）、および、電子デバイスおよび支持基板の上部に位置するカバー（１４０、４４０、５４０）からなる。カバーは、電子デバイスに電気的に接続され、かつ、電子デバイスと回路の間で電気信号のインピーダンス変換を行うために電子デバイスと回路とを一体に電気的に接続するように構成される相互接続構造（１４１、４４１、５４１）を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板（１１０、４１０）と、
同支持基板の上部に位置する電子デバイス（１３０）と、
同電子デバイスおよび該支持基板の上部に位置するカバー（１４０、４４０、５４０）であって、
該電子デバイスと電気的に接続して、該電子デバイスと外部回路を一体に電気的に接続するように構成され、さらに該電子デバイスと該外部回路の間で電気信号のインピーダンス変換をするためである相互接続構造（１２４、１４１、１４２、５４１）を備えるカバーと、
からなる、外部回路とともに使用するためのワイヤボンドなし電子部品（１００、５００）。
【請求項２】
前記カバーに隣接して位置する電気的リード部（１４４、１４７）をさらに含み、
前記相互接続構造（１２４、１４１、１４２、５４１）は前記電子デバイス（１３０）と該電気的リード部を一体に電気的に接続し、かつ、
該電気的リード部は該相互接続構造と前記外部回路を一体に電気的に接続する請求項１に記載のワイヤボンドなし電子部品。
【請求項３】
前記相互接続構造により提供される前記インピーダンス変換は、
前記電子デバイス（１３０）に対するゼロ・インダクタンス・アース電位（１４６）を含む請求項１に記載のワイヤボンドなし電子部品。
【請求項４】
前記カバーの上に少なくとも部分的に位置する電気端子（１４２、４５０）をさらに含み、
同電気端子は前記ゼロ・インダクタンス・アース電位（１４６）を供給する前記相互接続構造の一部に電気的に接続される請求項３に記載のワイヤボンドなし電子部品。
【請求項５】
フランジ（１１０）と、
同フランジにより支持される半導体基板（１２０）と、
同半導体基板により支持される半導体素子（１３０）と、
同半導体素子、該半導体基板、および、該フランジの上部に位置し、
該半導体素子と電気的に接続し、該半導体素子と外部回路を一体に電気的に接続するように構成され、該半導体素子に直流（１４４）を供給するため、および、該半導体素子から該外部回路への、および、該外部回路から該半導体素子への電気信号のインピーダンス変換を行うための多機能相互接続システム（１２４、１４１、１４２、５４１）を備える蓋（１４０、４４０、５４０）と、からなる、外部回路とともに使用するためのワイヤボンドなし電子部品（１００、５００）。
【請求項６】
前記多機能相互接続構造（１４１、５４１）は前記蓋（１４０、５４０）に埋め込まれる請求項５に記載のワイヤボンドなし電子部品（１００、５００）。
【請求項７】
前記多機能相互接続システム（１４２）は蓋（１４０）の表面（１４３）に位置する請求項５に記載のワイヤボンドなし電子部品。
【請求項８】
支持基板（１１０、４１０）の上面に半導体基板（１２０）を実装する工程であって、該半導体基板は電子デバイス（１３０）を支持する工程と、
該電子デバイスおよび該支持基板の上面にカバー（１４０、５４０）を固着する工程であって、該カバーは、
該電子デバイスと外部回路を一体に電気的に接続し、該電子デバイスと外部回路の間に
電気信号のインピーダンスを変換するための相互接続構造（１２４、１４１、１４２、５４１）を備える工程と、からなる、外部回路とともに使用するためのワイヤボンドなし電子部品（１００、５００）を製造する方法。
【請求項９】
前記カバー（１４０、５４０）を固着する工程は、前記支持基板（１１０）に対して該カバーを自己位置合わせする工程（１４９、１１１）からさらになる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記カバー（５４０）を固着する工程は、前記半導体基板（１２０）に対して該カバーを自己位置合わせする工程（５４９、５２５）からさらになる請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に電子部品に関し、特に外部回路とともに使用するためのワイヤボンドなし電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子および電気的リード部を含む電子部品は、半導体素子と電気的リード部を電気的に接続するためにワイヤボンドをしばしば使用する。しかし、ワイヤボンドのインダクタンスによって半導体素子の動作周波数帯域は制限され、これらの電子部品の無線周波数や他の高周波数性能が制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この問題を軽減するために、他の電子部品は、ワイヤボンドなし相互接続方式を使用して、半導体素子と電気的リード部を電気的に接続する。しかし、これらの他の電子部品は、インピーダンス変換能力が制限されるために、それらの動作周波数帯域はやはり制限される。
【０００４】
これらの他の電子部品のいつくかは、大型で占有面積の大きい電力結合マニフォールドも使用して、電子部品によって供給される電力を増加させる。これらの他の電子部品の別のものは、大型で占有面積の大きいインピーダンス整合ネットワークも使用して、半導体素子の動作周波数帯域を増大させる。したがって、これらの他の電子部品におけるこれらの改良においては大型の電子部品が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
したがって、動作周波数帯域が改善された、より小さなサイズの電子部品が必要性とされている。これらの電子部品を製造する方法も必要とされる。
本発明のより良い理解のために、添付図とともに、以下の詳細な説明を行う。
【０００６】
図を簡単明瞭にするために、図は一般的な構築の方法を示し、周知の形状構成および技術の説明および詳細は、本発明を不要に不明確にすることを回避するために省略されている。加えて、図中の部品は必ずしも縮尺に合わせて描かれてはいない。例えば、図中の部品のいくつかの寸法は、本発明の実施形態の理解の向上に役立つように、他の部品に比較して強調されることがある。さらに、異なる図中の同じ参照番号は同じ部品を示す。
【０００７】
さらに、説明中および請求項中の用語、第１、第２などは、同様の部品を区別するために使用され、必ずしも連続的または時系列的な順序を記述するためではない。そのように使用される用語は、本明細書に説明される発明の実施形態が、例えば、示すものとは別の、または、本明細書で他に説明される順序での動作が可能であるように、適切な環境下では交換可能であることがさらに理解されよう。
【０００８】
さらに、説明中および請求項中の用語、前面、裏面、頂部、底部、覆って、下に、などは、説明的な目的のために使用され、必ずしも恒久的な相対位置を説明するためではない。そのように使用される用語は、本明細書に説明される発明の実施形態が、例えば、示すものとは別の、または、本明細書で他に説明される配置での動作が可能であるように、適切な環境下では交換可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は電子部品１００の側面断面図を示す。図１に示す実施形態において、電子部品１００は電子部品１００を外部の回路とともに使用するためのワイヤボンドなし電子部品である。図１に示すように、電子部品１００は支持基板１１０を備える。実施例として、支持基板１１０はフランジでもある。一実施形態において、支持基板１１０は電子デバイスから熱を放散するために使用される。同じ実施形態において、または、異なる実施形態において、支持基板１１０は電子デバイスが配置された薄く脆弱なデバイス基板を構造的に支持するために使用される。支持基板１１０は電子デバイスのための電気的なアース電位を提供するためにも使用され得る。
【００１０】
一実施形態において、支持基板１１０は銅タングステンからなり得る。銅タングステン材料はニッケルからなる層でメッキし、その後、支持基板１１０をハンダ付け可能な表面にするために、金からなる層でメッキする。実施例として、ニッケルおよび金からなる層は、それぞれ約１から１０マイクロメータおよび１から５マイクロメータの厚さである。
【００１１】
異なる実施形態において、支持基板１１０は銅、アルミニウム銅、銅モリブデンの貼り合わせ板、合金あるいは混合物、アルミニウム・シリコン・カーバイドやグラファイト繊維入りの銅などの金属マトリクス複合体、でもよい。この異なる実施形態において、これらの様々な材料はニッケルおよび金でメッキし得（そのため、例えばシリコンおよび金の装着層を有するデバイス基板は、異なる材料に装着し得る）、または、これらの種々の材料は、スズおよび金、スズおよび鉛、スズおよびインジウムを含むハンダ、または、例えばエポキシもしくは銀充填ガラスなどの有機接着剤に対応可能な、例えばチタン、白金、および、金、または、チタン、ニッケル―バナジウム、および、金などの他の金属層で被覆し得る。
【００１２】
電子部品１００はデバイス基板１２０も含む。実施例として、デバイス基板１２０は、例えばシリコンやガリウム砒素などの半導体基板でもよい。デバイス基板１２０は支持基板１１０上に位置し、支持基板１１０を覆って位置し、または、支持基盤１１０によって支持される。実施例として、デバイス基板１２０は支持基板１１０上、および／または、支持基板１１０を覆って搭載されることにより、支持基板１１０に物理的に結合し得る。
【００１３】
デバイス基板１２０の裏表面１２１は裏面金属１２２を有し得る。実施例として、裏面金属１２２は約０．１から２マイクロメータの厚さを有し得る。裏面金属１２２はデバイス基板１２０と支持基板１１０の間に共晶接続を形成し得る。実施例として、共晶ボンドは、裏面金属１２２を約２８０から５００℃に加熱する一方、裏面金属１２２に機械的動揺を印加することにより形成し得る。同じく実施例として、電子部品１００がシリコン−金のダイ・アタッチ方式を使用する時、裏面金属１２２は金からなり得る。他のダイ・アタッチ方式について、裏面金属１２２はチタン、ニッケル―バナジウム、および、金、または、チタン、白金、および、金からなり得る。
【００１４】
電子部品１００は、支持基板１１０の上に位置し、デバイス基板１２０によって支持される電子デバイス１３０をさらに含む。電子デバイス１３０は、デバイス基板１２０内や上部に形成される。実施例として、電子デバイス１３０は、例えば個別デバイスや集積回路などの半導体素子とし得る。一実施形態において、個別デバイスは光デバイス、インダクタ、コンデンサ、または、トランジスタとし得る。他の実施形態において、個別デバイスは約１００ワット以上の高パワーで動作する、および／または、無線周波数または約１００メガヘルツ以上の他の高周波数で動作する高性能デバイスとし得る。加えて、個別デバイスは約１０ワット以上の低パワー・レベルの応用例に対して使用可能である。他の実施例として、デバイス基板１２０は複数の個別デバイスを支持可能である。異なる実施形態において、電子部品１００は２つ以上のデバイス基板１２０からなり得、その各々は少
なくとも１つの電子デバイス１３０からなる。
【００１５】
デバイス基板１２０はデバイス基板１２０の上面１２３に位置する相互接続構造１２４も含み得る。実施例として、相互接続構造１２４は金フリップ・チップ・バンプや多層相互接続システムからなり得る。
【００１６】
電子部品１００は、電子デバイス１３０、デバイス基板１２０、および、支持基板１１０を覆って位置するカバー１４０を付加的に含む。実施例として、カバー１４０は電子部品１００に対する蓋である。デバイス基板１２０はカバー１４０と支持基板１１０によって形成される収納部１６０内に位置する。異なる実施形態において、デバイス基板１２０は支持基板１１０内、カバー１４０内、または、その双方内の収納部に位置する。
【００１７】
カバー１４０は、電子デバイス１３０に電気的に接続される相互接続構造１４１からなる。相互接続構造１４１は、電子デバイス１３０と、電子部品１００の外部の（図１に示さない）回路を電気的に一体に接続するように適合される。相互接続構造１４１は電子デバイス１３０と外部回路の間に電気信号のインピーダンス変換を提供する。実施例として、相互接続構造１４１は、電子デバイス１３０から外部回路への電気信号のインピーダンス変換を可能にし、外部回路から電子デバイス１３０への電気信号のインピーダンス変換も可能にする。以下により詳細に説明するように、相互接続構造１４１は多機能相互接続システムとし得る。
【００１８】
電子システム２００の側面立面図を示す図２では、電子部品１００は回路板または他の相互接続構造２２０を介して回路２１０に電気的に接続される。回路２１０は電子部品１００の外部にあり、１つ以上の電子部品２１１からなり得る。ヒートシンク２３０は電子部品１００の支持基板１１０に結合される。支持基板１１０は、ヒートシンク２３０または次レベルのシステムにハンダ付け、ボルト締め、または、クランプ留めが可能である。図２に示すように、電子部品１００は表面実装デバイスである。
【００１９】
図１に戻ると、カバー１４０は、例えばパソコンのボードに使用されるＦＲ−４、ポリイミド、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）材料などのポリテトラフルオロエチレン、または、エポキシなどの有機ポリマからなり得る。カバー１４０は金属および誘電体の回路部品からもなり得る。他の実施形態において、上記の組合せは、応力を最小に抑える柔軟な回路とし得る。異なる実施形態において、カバー１４０は、例えばガラスとアルミナの混合物、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）、高温焼成セラミック（ＨＴＣＣ）、または、それらの材料の組合せで、それらの材料の内部および表面に銀、銅や金のメタライズ処理をしたものでもよい。他の実施形態において、カバー１４０は窒化アルミニウムからなり得る。カバー１４０の特定の組成は、電子部品１００の動作および信頼性の要件を含む数多くの要因に依存する。カバー１４０の多層構造は、当技術分野で知られている技術により製造可能である。カバー１４０を修理または交換する行為は電子部品１００の再構築であり、修理ではない。
【００２０】
カバー１４０はカバー１４０の上部面１４３に位置する相互接続構造１４２も含み得る。実施例として、相互接続構造１４２は金、銀、または、ニッケルおよび金でメッキされた銀からなり得る。カバー１４０の下部面１５０において、カバー１４０は、約２０から５０マイクロメータの厚さを有するメッキされた白金銀、または、より高純度な銀もしくはニッケル、および、ニッケル金の層からなり得る。電気伝導性有機ポリマまたはハンダの層は、支持基板１１０にカバー１４０を接着、固着、または、その他で固定するためにカバー１４０と支持基板１１０の間に位置し得る。実施例として、電気伝導性ハンダは鉛スズ、鉛銀、または、金スズからなり得る。実施例として、有機ポリマは電気導電性エポキシとし得る。代わりに、カバー１４０および支持基板１１０は、互いに接触するカバー
１４０の金属部分および支持基板１１０に圧力、熱、超音波、または、他の形態のエネルギを印加することにより直接一体に装着可能である。
【００２１】
既に述べたように、カバー１４０の相互接続構造１４１は様々な直流および交流、または、高周波数機能を提供できる。したがって、相互接続構造１４１は抵抗、インダクタ、および、コンデンサからなり得る。インダクタは平板型および／または螺旋型とし得る。コンデンサは寄生インダクタンスを共振させるために使用し得る。抵抗、インダクタ、および、コンデンサは集中部品構造および／またはインダクタ―コンデンサ（ＬＣ）梯子型ネットワークを形成するために一体に組み合わせ得る。相互接続構造１４１は、個別構成要素、導波路、および、伝送回線からさらになり得る。相互接続構造１４１は多層構造または単一層構造からなり得る。相互接続構造１４１の一部はカバー１４０の上部面１４３にも位置可能である。実施例として、相互接続構造１４１の単一または多層構造は直接ボンディング銅（ＤＢＣ）工程および／またはメッキ金属工程を使用することにより形成可能である。
【００２２】
一実施形態において、相互接続構造１４１は電子デバイス１３０に対して直流バイアスを供給する。実施例として、相互接続構造１４１は電子デバイス１３０に直流を供給するための直流バイアス回路１４４を備え得る。図１に示すように、直流バイアス回路１４４は無線周波数または他の高周波数機能を供給する相互接続構造１４１の他の部分とは完全に別個に、または、独立に、実装可能である。
【００２３】
異なる実施形態において、または、同じ実施形態において、相互接続構造１４１は複数の無線周波数またはいずれかの高周波数機能を有しうる。例えば、相互接続構造１４１はインピーダンスを整合させるための副回路または他の部分１４５を含み得る。したがって、部分１４５はインピーダンス整合ネットワークまたはインピーダンス変換回路とも呼び得る。部分１４５は電子デバイス１３０の入力および／または出力の双方に電気的に接続可能である。相互接続構造１４１の部分１４５は電子デバイス１３０の線形性能を改善するために、電子デバイス１３０と外部回路の間で電気信号の高調波終端も可能である。
【００２４】
電子部品１００はデバイス基板１２０および電子デバイス１３０に近いカバー１４０内にアースするようにも設計可能である。例えば、上記段落に説明した異なるまたは同じ実施形態において、相互接続構造１４１は電子デバイス１３０に対してゼロ・インダクタンス・アース電位になるように副回路または部分１４６を備え得る。このゼロ・インダクタンス・アース電位は人工完全無線周波数または基底周波数における他の高周波数アース電位とも呼び得る。相互接続構造１４１の部分１４６は、電子部品１００が、いずれかの距離のいずれかの電気的接続からの結果として得られるインダクタンスを共振させることを可能にし、かつ、アース電位の所定の帯域を可能にする。図１に示すように、ゼロ・インダクタンス・アース電位は、相互接続構造１４１の部分１４６に電気的に接続される電気端子により可能である。電気端子はカバー１４０の上部面１４３を覆って少なくとも部分的に位置し得る。実施例として、電気端子は相互接続構造１４２の部分でもよい。
【００２５】
異なるまたは同じ実施形態において、相互接続構造１４１は電力結合マニフォールド１４７を含み得る。電力結合マニフォールド１４７は、電子デバイス１３０と同様の複数の電子デバイスの出力における電力を結集する。電子部品１００の部分の上面等角図を示す図３において、電力結合マニフォールド１４７は、デバイス基板１２０と同様の２つのデバイス基板内に位置する、電子デバイス１３０と同様の２つの電子デバイスからの電力を結集するように示される。当業者は、電力結合マニフォールド１４７が、単一または複数のデバイス基板内に位置する３つ以上の電子デバイスに対しても電力を結集するために使用可能であることを理解されよう。
【００２６】
図１に示す実施形態に戻ると、相互接続構造１４１の形状および／またはサイズはカバー１４０にわたって対称である。この対称性は、カバー１４０の反りを低減するため、および、その信頼性を向上させるためにカバー１４０にわたって熱的および機械的なバランスを提供する。したがって、相互接続構造１４１は、例えば対称性を提供するために使用されるが、電気的相互接続の目的のためには使用されない部分１４８などの部分を含み得る。同じく、同じ実施形態において、電子部品１００に対してアース電位を供給するために使用される相互接続構造１４１の部分はカバー１４０の外部周囲に隣接して位置する。さらに、同じ実施形態において、相互接続構造１４１はカバー１４０内に、埋め込まれるか、または、他の方法で位置する。相互接続構造１４１のこの形状構成は電子部品１００のサイズの削減を可能にする。
【００２７】
一実施形態において、カバー１４０は支持基板１１０に対して自己位置合わせし得る。例えば、カバー１４０の凸部１４９は、この自己位置合わせ特性を提供するために、支持基盤１１０の凹部１１１と嵌合可能である。図１に示すように、凸部１４９および凹部１１１は、各々が、互いに相補的である三角形の断面を有する。異なる実施形態において、凸部１４９および凹部１１１は互いに形状では相補的ではない。他の実施形態において、凸部１４９および凹部１１１は、例えば円錐形、半球形、正四角錐形、台形、偏菱形などの他の形状を有し得る。
【００２８】
図４は電子部品４００の側面断面図を示す。電子部品４００は図１の電子部品１００の異なる実施形態である。図４に示すように、電子部品４００は、図１の支持基板１１０と同様にし得る支持基板４１０を含む。同じく図４において、電子部品４００は、図１のカバー１４０と同様にし得、多層を有し得るカバー４４０を含む。図４に示すように、カバー４４０はデバイス基板１２０または支持基板４１０に対して自己位置合わせされていない。デバイス基板１２０はカバー４４０と支持基板４１０によって規定される凹部４６０内に位置する。
【００２９】
図４のカバー４４０は、図１の相互接続構造１４１と同様とし得る相互接続構造４４１を含む。しかし、図４の相互接続構造４４１はカバー４４０の底部表面４４４に、または、それに隣接して位置する。異なる実施形態において、相互接続構造４４１はカバー４４０の上部面４４３に位置し得る。他の実施形態において、相互接続構造４４１は表面４４４に、表面４４３に、および／または、カバー４４０内に位置し得る。
【００３０】
図４の電子部品４００は、カバー４４０に隣接して位置する電気的リード部４５０も含む。電気的リード部４５０はカバー４４０と支持基板４１０の間に位置する。相互接続構造４４１は電子デバイス１３０と電気的リード部４５０を一体に電気的に結合する。電気的リード部は相互接続構造４４１と、電子部品４００の外部の回路を一体に電気的に結合する。１つ以上の隔離絶縁器４７０は、電気的リード部４５０が支持基板４１０に電気的に短絡しないように、電気的リード部４５０と支持基板４１０の間に位置する。
【００３１】
実施例として、電気的リード部４５０は約０．１から０．５ミリメータの厚さを有する鉄ニッケル合金からなり得る。電気的リード部４５０は鉄ニッケル合金を覆うニッケルの層および金の層からもなり得る。異なる実施形態において、電気的リード部４５０は銅合金または鉄ニッケル・コバルト合金または銅モリブデン合金からなり得る。電気的リード部４５０は、表面実装デバイスまたは異なるタイプのリード部付デバイスを形成するために曲げることが可能である。印刷回路板、Ｋａｐｔｏｎ、および、柔軟な回路材料は電気的リード部４５０に対しても使用可能である。
【００３２】
図５は、図１の電子部品１００の他の実施形態である電子部品５００の側面断面図を示す。図５に示すように、電子部品５００はカバー５４０を含む。デバイス基板１２０はカ
バー５４０と支持基板４１０によって規定される凹部５６０内に位置する。カバー５４０は、カバー５４０内に位置し、かつ、カバー５４０の少なくとも１つの表面に、または、それに隣接して位置する相互接続構造５４１を含む。簡略さのために、相互接続構造５４１の一部のみを示す。カバー５４０はデバイス基板１２０に自己位置合わせされ、かつ、これに封止される。
【００３３】
実施例として、カバー５４０は、デバイス基板１２０の上部面１２３を覆って形成される位置合わせ形状構成５２５内に位置する凸部５４９を含み得る。実施例として、位置合わせ形状構成５２５はデバイス基盤１２０に対するカバー５４０の自己位置合わせのためのメッキされた金属構造体とし得る。異なる実施形態において、ボール・ボンド湿潤接着技術は、デバイス基板１２０に対してカバー５４０を自己位置合わせするために使用可能である。自己位置合わせは、相互接続構造５４１と電子デバイス１３０を一体に電気的に結合する相互接続パッドのサイズの削減を可能にする。
【００３４】
図６は電子部品を製造する方法のフロー・チャート６００を示す。実施例として、フロー・チャート６００の電子部品はそれぞれ図１、４、および、５の電子部品１００、４００、および／または、５００と同様とし得る。
【００３５】
フロー・チャート６００の工程６１０において、デバイス基板内に電子デバイスが製造される。工程６２０において、デバイス基板は支持基板を覆って実装される。続いて、フロー・チャート６００の工程６３０において、電子デバイス、デバイス基板、および、支持基板を覆ってカバーが固着される。カバーは相互接続構造を含む。実施例として、工程６３０は、電子デバイスと、カバーの相互接続構造を含み、同時に一体に電気的に結合する。工程６３０は、ワイヤボンドを欠いた電子部品を保持する一方、電子デバイスと相互接続構造を一体に電気的に結合する工程も含み得る。
【００３６】
したがって、改良された電子部品は従来技術の短所を克服するために提供される。電子部品は改善された動作周波数帯域を有する。電子部品は、ワイヤボンドにとってのより低いコスト、より短い製造工程、および、より良好な電気的性能を提供する必要性を排除する。電子部品は、構成部品の上部において完全な無線周波数アース接触も可能である。カバー内、または、カバーの少なくとも表面における相互接続構造の位置は、構成部品のサイズも低減する。
【００３７】
本発明は特定の実施形態を参照して説明したが、当業者には、本発明の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が行えることが理解されよう。例えば材料の組成、寸法、および、幾何学的形状などの本明細書に述べた数多くの詳細は、本発明の理解を促進するために提供されており、本発明の範囲を限定するためには提供されていない。加えて、支持基板は熱放散を向上させるために冷媒チューブを含み得る。さらに、支持基板は、ネジまたは他の締め具による装着のための実装用の孔またはスロットを有し得る。
【００３８】
さらに、様々な特徴は互いに組合せ可能である。例えば、本発明による電子部品は、デバイス基板に自己位置合わせされたカバー、および、カバーの表面における相互接続構造を備えるリード部のないバンプ付構成部品とし得る。他の実施例として、本発明による電子部品は、カバーと支持基板の間にリード部を有し得、かつ、カバーが支持基板に対して自己位置合わせされる、カバーに埋め込まれた相互接続構造も有し得る。
【００３９】
したがって、本発明の実施形態の開示は本発明の範囲を例示することを意図され、限定することは意図されない。本発明の範囲は、付属の特許請求の範囲によって必要とされる程度までにのみ限定されるものとすることが意図される。
【００４０】
利益、他の長所、および、問題への解決策は、特定の実施形態に関して説明した。しかし、利益、長所、問題への解決策、および、いかなる利益、長所、または、解決策も発生させるか、もしくは、より明瞭にする可能性のあるいかなる要素も、請求項のいずれか、または、すべての決定的、必要、または、不可欠な特徴または要素とは解釈されない。本明細書に使用されるように、用語「からなる」、「含む」、「有する」、および、それらのいかなる変形も、要素の一覧からなる工程、方法、物品、または、装置がそれらの部品のみを含むわけではないが、明示的に掲げられていないか、または、そのような工程、方法、物品、または、装置に固有の他の部品を含む可能性があるように、非独占的な包含を網羅することが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態による電子部品の側面断面図。
【図２】本発明の実施形態による電子システムにおける図１の電子部品の側面立面図。
【図３】本発明の実施形態による図１の電子部品の部分の上面等角図。
【図４】本発明の実施形態による異なる電子部品の側面断面図。
【図５】本発明の実施形態による他の電子部品の側面断面図。
【図６】本発明の実施形態による電子部品を製造する方法のフロー・チャート。
【図１】
2005515637.tif 000003
【図２】
2005515637.tif 000004
【図３】
2005515637.tif 000005
【図４】
2005515637.tif 000006
【図５】
2005515637.tif 000007
【図６】
2005515637.tif 000008
【国際調査報告】
2005515637.tif 000009
2005515637.tif 000010
2005515637.tif 000011