(57)【要約】本発明は、高周波特性が改良された、高周波用途に適した導体構成（４、４１、４２）を有する基板（１）を形成する方法を提供する。この目的のために、本発明の方法は、少なくとも１つの開口部（８）を有する構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を蒸着コーティングによって基板（１）上のコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）の上に堆積させる工程と、前記コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）と電気的に接触する、少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）を前記ガラス層（９、９１〜９３）に塗布する工程とから構成される。
2005535108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波用途に適した導体構成（４、４１、４２）を有する構成要素（１０）を形成する方法であって、
少なくとも１つの開口部（８）を有する構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を蒸着コーティングによって基板（１）上のコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）の上に堆積させる工程と、
前記コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）と電気的に接触する、少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）を前記ガラス層（９、９１、９２、９３）に塗布する工程とから構成される方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの導体構造体と接触する少なくとも１つの受動電気素子が、前記ガラス層（９、９１、９２、９３）に塗布される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記要素の少なくとも１つが、前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）上のコンデンサ、抵抗器、コイル、バリスタ、ＰＴＣ、ＮＴＣ、フィルタ素子である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
先の段階で塗布された導体構造体のコンタクト−コネクション領域に接触させられて後の段階で塗布される導体構造体を接触させた状態で、構造化されたガラス層を堆積させ、かつ少なくとも１つの導体構造体（１１１、１１２、１１３）を塗布する前記工程が多くの回数実行される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの開口部（８）を有する構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を蒸着コーティングによって基板（１）上のコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）の上に堆積させる前記工程が、
前記コンタクト−コネクション領域を被覆する構造化された中間層（２１）を塗布する工程と、
蒸着コーティングによって前記基板および該基板上に存在する前記構造化された中間層（２１）にガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を塗布する工程であり、該ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）の厚さは前記構造化された中間層（２１）の厚さより薄いことが好ましい工程と、
前記構造化された中間層（２１）上に位置する前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）のそれら領域（９０）が持ち上げられた状態で、前記構造化された中間層（２１）を除去する工程とから構成される請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
蒸着コーティングによって前記ガラス層を塗布する前に、前記コンタクト−コネクション領域に隣接する領域に対して突出する導電性材料（１９）が、前記少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）に塗布され、かつこの材料（１９）が前記構造化された中間層（２１）によって被覆される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記構造化された中間層（２１）が印刷またはフォトリソグラフィ構造化によって形成される請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
導体構造体を塗布する工程が、少なくとも凹上に構造化された中間層を塗布する工程と導電性材料を堆積させる工程とを含んだ請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの導体構造体を塗布する工程が、電気めっき、スパッタリング、あるいは蒸着コーティングによって導電性材料を塗布する工程を含む請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を堆積させる工程の前に、少なくとも１つの導体構造体、特に相互接続部が前記基板に塗布される請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの導体構造体を塗布する工程が、異なる導電性材料を含む構造体を塗布する工程を含む請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
最終ガラス層（１３）を堆積し、かつ該最終ガラス層（１３）に少なくとも１つのバイア（１５）を形成する工程を含む請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記バイア（１５）にハンダ・ビード（１７）が塗布される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板（１）が能動半導体領域（３３）を有する半導体基板を含み、前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）は、塗布されている間に前記能動半導体領域（３３）の接続場所（３５）に接続される請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記能動半導体領域が前記基板（１）の第１の側（３）上に配設され、コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）上への少なくとも１つの開口部（８）を有する構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）の堆積が前記基板（１）上への蒸着コーティングによってもたらされ、かつ前記ガラス層（９、９１、９２、９３）への少なくとも１つの導体構造体（１１１、１１２、１１３）の塗布が前記基板の前記第１の側（３）上に行われる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記能動半導体領域（３３）が、第２の側（５）と反対にあり、前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）が堆積され、かつ前記導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）が塗布される、前記基板の第１の側（３）に配設され、前記基板（１）を通って前記第１の側上の接続場所に接続される少なくとも１つのバイア（３７）を導入する工程を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）は、塗布されている間に前記基板（１）通ってバイア（３７）に接続される請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
蒸着コーティングによって前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を塗布する間に、前記基板（１）が５０℃〜２００℃、好適には８０℃〜１２０℃に保たれる請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
蒸着コーティングによる前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）の塗布の間の圧力が、最大でも１０−４ｍｂａｒの範囲、好適には１０−５ｍｂａｒ以下の範囲に保たれる請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記ガラス層（９、９１、９２、９３）が、１分当たり少なくとも０．１μｍの層厚の堆積速度の蒸着コーティングによって塗布される請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）内の前記少なくとも１つの開口部（８）が導電性材料（１９）で充填される請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板（１）がまだ前記ウエハに接合されている間に被覆される請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
蒸着コーティングによるガラス層（９、９１、９２、９３、１３）の塗布がプラズマ・イオン支援堆積法（ＰＩＡＤ）によって行われる請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
特に請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の方法を用いて形成される、高周波用途に適した導体構成（４、４１、４２）を有する構成要素（１０）であって、
少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）を有する基板（１）と、
前記基板（１）の少なくとも一方の側（３、５）上にあって、前記コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）と電気的に接触するバイアを備えた少なくとも１つの開口部（８）を有する蒸着コーティングによって堆積されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）と、
前記バイアと接触する、前記ガラス層（９、９１、９２、９３）上の少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）とを備えた構成要素（１０）。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）に接続された少なくとも１つの受動電気構成要素（２３）を前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）上に含む請求項２４に記載の構成要素。
【請求項２６】
前記受動電気構成要素（２３）が、コンデンサ、抵抗器、コイル、バリスタ、ＰＴＣ、ＮＴＣ、フィルタ素子のうち少なくとも１つを備えた請求項２５に記載の構成要素。
【請求項２７】
蒸着コーティングによって塗布され、かつ各々該ガラス層に塗布された導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）を含む少なくとも２つのガラス層（９、９１、９２、９３）を有する多層導体構成（４、４１、４２）を備え、第１のガラス層上の導体構造体がバイア（１５）を介して第２のガラス層上の導体構造体と電気的に接触する請求項２４乃至２６のいずれか１項に記載の構成要素。
【請求項２８】
前記基板（１）が、半導体、特にシリコン、セラミックガラス、プラスチックのうち少なくとも１つを含む請求項２４乃至２７のいずれか１項に記載の構成要素。
【請求項２９】
前記基板（１）が、前記少なくとも１つのバイア（１５）に接続された、前記基板（１）の第１の側（３）上に少なくとも１つの能動半導体領域（３３）を有する半導体基板を含む請求項２４乃至２８のいずれか１項に記載の構成要素。
【請求項３０】
前記構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）および該ガラス層（９、９１、９２、９３）上の前記少なくとも１つの導体構造体（１１１、１１２、１１３）が、前記基板（１）の前記第１の側（３）上に配設される請求項２９に記載の構成要素。
【請求項３１】
前記構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）および該ガラス層上の前記少なくとも１つの導体構造体（１１１、１１２、１１３）が前記第１の側（３）と反対の前記基板（１）の第２の側（５）上に配設され、かつ前記基板（１）が前記第１の側（３）上の接続場所（３５）に少なくとも１つのバイア（３７）を有し、前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を貫通する少なくとも１つの前記バイアに接続される請求項３０に記載の構成要素。
【請求項３２】
前記基板（１）および前記（９、９１、９２、９３、１３）が実質的にマッチする熱膨張係数を有する請求項２４乃至３１のいずれか１項に記載の構成要素。
【請求項３３】
蒸着コーティングによって堆積されたガラスの前記ガラス層（９、９１、９２、９３）が、約０．０５μｍ〜１．５ｍｍの範囲、好適には０．１μｍから１ｍｍの範囲にある層厚を有する請求項２４乃至３２のいずれか１項記載の構成要素。
【請求項３４】
前記構成要素（１０）が、
２つの対向する側（３、５）上で、前記バイア（１５）と接触する前記ガラス層（９、９１、９２、９３）の上の少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）において、前記コンタクト−コネクション領域と電気的に接触するバイアを有する少なくとも１つの開口部（８）を含む蒸着コーティングによって堆積されたガラスのガラス層（９、９１、９２、９３）を備えた導体構成（４、４１、４２）を有する請求項２４乃至３３のいずれか１項に記載の構成要素。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に高周波回路に関し、特に本発明は基板上の高周波用途に適した導体構造体を製造する方法、および高周波構造体に適した該導体構造体を有する構成要素に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業のすう勢は一層高いデータ伝送率に向かっていることが知られている。ギガヘルツ帯の周波数のために、送りシステムおよび放出システムにおいて信号減衰の増大をもたらす。これまでは、導電層で印刷した後、積層および焼結を行うことで高周波回路用の３次元または多層配線を実現する、一次印刷セラミック（ＨＴＣＣ）およびガラス・セラミック（ＬＴＣＣ）多層膜がこのタイプのシステムに使用されてきた。さらに、気密的ではない有機多層膜も使用されている。
【０００３】
しかし、高周波では、このタイプの配線系の伝送損は、相互接続部の減衰のために増大する。この減衰の１つの原因は、通常は厚膜技術を用いて、特には、スクリーン印刷を用いることによる相互接続部の塗布である。この技術を用いて製造された相互接続は、相互接続部の外形が著しく不均質である。この相互接続の不均質さがアンテナとして働くので、放射を通して大きな損失が生じる。
【０００４】
また、使用されるＨＴＣＣおよびＬＴＣＣ材料のための適用は、その高周波特性、特に、ＤＫおよびｔａｎδの点で制限され、したがって、ＨＴＣＣおよびＬＴＣＣと共に今まで採用されてきた高周波配線は、最大で現在４０ＧＨｚの周波数までなら使用することができる。ＨＴＣＣおよびＬＴＣＣセラミックは、高周波特性に悪影響を及ぼし、かつ粒度に対応する表面輪郭を有するそこに組み込まれた相互接続につながる必然的な粒度を有し、これは同様に線路損失を生じる。
さらに、焼結を行えば、基板の収縮は避けられず、所望の寸法を正確に維持することが困難になる。
【０００５】
より最近の開発傾向では、種々のＰＶＤ法を用いて蒸着コーティングまたはスパッタリングによって相互接続を付与することにより、不利な厚膜技術を代替するようになっている。しかし、以前の方法において必要とされる、積層配線作製のためのＨＴＣＣまたはＬＴＣＣ材料の焼結には、依然として大きな問題がある。例えば、ＬＴＣＣセラミックの焼結は少なくとも９５０℃の温度を必要とする。ＨＴＣＣセラミックの焼結にいたっては１５００℃の温度が必要となる。このような温度は相互接続構造体を変化させることになり、相互接続材料の選択が制限される。
【特許文献１】独国実用新案第２０２  ０５  ８３０．１号
【特許文献２】国際特許出願、「Ｇｌａｓｓ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｆｏｒ  ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明は特に高周波特性の点で、改良された相互接続系を提供する目的に基づく。この目的は非常に驚くほど簡単な方法で、請求項１に主張される方法および請求項２４に主張される構成要素によって達成される。有利な構成および改良点が対応する従属項の主題を成す。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
したがって、本発明は高周波用途に適した導体構成を有する構成要素を製造する方法を提供し、この方法では、コンタクト−コネクション領域上に少なくとも１つの開口部を有する構造化されたガラス層が蒸着コーティングによって基板上に堆積され、少なくとも１つの導体構造体がガラス層に塗布され、該導体構造体はコンタクト−コネクション領域と電気的に接触する。
【０００８】
したがって、高周波用途に適した導体構成を有する構成要素を製造するために、本発明の方法を使用することができ、該導体構成は、少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域を有する基板と、該基板の少なくとも一方の側上にある、コンタクト−コネクション領域と電気的に接触するバイアを備えた少なくとも１つの開口部を有する蒸着コーティングによって堆積されたガラスのガラス層と、該バイアと電気的に接触するガラス層上の特に高周波用途に適した少なくとも１つの導体構造体とから構成される。
【０００９】
このコンテクストでは、高周波用途に適した導体構造体は、特に、１ＧＨより高い周波数を有する信号を導き、かつ送信することのできる導体構造体を意味するものと理解すべきである。
【００１０】
このコンテクストでは、構成要素という言葉は電子部品のみを包含するわけではないことを理解すべきである。本発明のコンテクストでは、構成要素という言葉は高周波導体構成あるいは高周波導体系を有する被覆された基板も包含し、これはキャリアとして、およびさらなる構成要素の接続のためのユニットとして機能する。キャリア材料および高周波導体系を有する同様の構成要素は、一般に高周波基板と呼ばれる。
【００１１】
好適にはこのガラス層は、例えば、独国実用新案第２０２  ０５  ８３０．１号に記載されているような装置を用いて、特に電子ビーム蒸着法によって堆積され得る。独国実用新案第２０２  ０５  ８３０．１号の開示の内容は、本出願の主題において本願明細書にその全体が参照により組み入れられている。
【００１２】
本発明の改善によれば、ガラス層はプラズマ・イオン支援堆積法（ＰＩＡＤ）を用いて蒸着コーティングによって塗布される。この場合、イオン・ビームは蒸着コーティング工程の間に被コーティング面に導かれる。この工程によって高密度化が達成され、欠陥密度は低減される。
【００１３】
本発明の構成要素が蒸着コーティング・ガラスの絶縁層を用いて基板に対して絶縁された導体構造体を用いて製造される場合、先行技術のＬＴＣＣまたはＨＴＣＣ構成要素と比べて高温による共焼成を用いなくてよい。これによって、例えば、今までは使用することができなかった、共焼成に必要とされる高温まで安定している必要のない、例えば、アルミニウムなどの材料を用いることが可能となる。
【００１４】
例えば、相互接続などの導体構造体と同様、１つまたは複数の受動電気素子をガラス層に塗布し、かつ導体構造体と接触させるか、あるいは接続することも可能である。一例として、コンデンサ、抵抗器、コイル、バリスタ、ＰＴＣ、ＮＴＣを受動素子としてガラス層に塗布すること、あるいはフィルタ素子をガラス層に塗布することが可能である。
【００１５】
本発明の特に有利な実施形態は、基板上に３次元あるいは多層の導体系を形成する方法を提供する。このために、構造化されたガラス層を堆積させる工程および少なくとも１つの導体構造体を塗布する工程が多くの回数実行される。多層導体系の１つまたは複数の個々の層上に形成される特に受動素子を有する３次元の導体系を形成するために、個々のガラス層および／または導体構造体は異なって構造化されてよい。この場合、有利には、後の段階で塗布される導体構造体を先の段階で塗布された導体構造体のコンタクト−コネクション領域に接続することが可能であるので、導体構成の２つの個々の層間に電気接続が形成され、また個々の層は相互に接続され得る。したがって、それによって、蒸着コーティングによって塗布され、かつ各々そこに塗布された導体構造体を含んだ少なくとも２つのガラス層を有する多層導体構成を備えた構成要素を形成することが可能となり、第１のガラス層上の導体構造体はバイアを介して第２のガラス層上の導体構造体と電気的に接触した状態である。
【００１６】
しかし、相互に重ねて、あるいはずらせて設けられた２つ以上のバイアを相互に重ねられた個々のガラス層において接触させることも可能となるので、例えば、一例として、基板のコンタクト−コネクション領域が複数のガラス層を通して外部とスルーコンタクトされるか、あるいはさらなる層の導体構造体と接続される。
【００１７】
さらに本方法の有利な実施形態は、蒸着コーティングによって、コンタクト−コネクション領域上に少なくとも１つの開口部を有する構造化されたガラス層を堆積させる方法を提供し、この方法は、
コンタクト−コネクション領域を被覆する構造体を用いて構造化された中間層を塗布する方法と、
蒸着コーティングによってガラス層を基板および該基板上に存在する構造化された中間層に塗布する工程であって、好ましくは該ガラス層の厚さは構造化された中間層の厚さより薄い工程と、
構造化された中間層上に設けられたガラス層のそれら領域はガラス層によって持ち上げられた状態で、構造化された中間層を除去する工程と
を含む。
【００１８】
構造化された中間層は、例えば、適したフォトレジストのフォトリソグラフィ構造化によって製造されてよい。このように、蒸着コーティングした後にそれを持ち上げてガラス層を塗布することによって、中間層により被覆された領域においてはっきりとした滑らかな縁部を有するガラス層の非常に正確な構造化を達成することができる。しかし、フォトリソグラフィ・レジスト構造化に加え、このタイプの中間層を、例えば、印刷によって直接製造することも可能である。
【００１９】
本方法のさらなる変形例によれば、基板のマスキングは蒸着コーティング工程の間にターゲットと基板との間に位置するマスク、例えば、基板に確実に結合されたマスクを用いて行われる。
【００２０】
本方法のさらなる変形例は、コンタクト−コネクション領域に隣接する領域に対して突出し、かつ蒸着コーティングによってガラス層を塗布する前に少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域に塗布される中間層の構造体によって被覆された導電性材料を提供する。これによってコンタクト−コネクション領域上に導電性の隆起した構造体が形成される。この工程は、例えば、中間層を導電性材料の層と共にフォトリソグラフィ構造化することによって実行され得、この場合、該導電性材料の層は、中間層と共にコンタクト−コネクション領域を囲繞する領域から除去される。次に、有利にはその厚さが塗布された導電性材料の厚さに実質的に対応するようにガラス層を蒸着コーティングによって塗布することができるので、コンタクト−コネクション領域上のガラス層が除去された後に、実質的に平坦な表面が現れる。
【００２１】
本発明のさらに別の変形例によれば、例えば上記のように、まず、少なくとも１つの開口部を有するガラス層をコンタクト−コネクション領域の上かまたは有利には横方向にずらして直接堆積され、次いで、ガラス層のこの少なくとも１つの開口部は導電性材料で充填される。これはまた次の１つまたは複数の導体構造体の塗布のためのベースとして実質的に平坦な表面を形成する。
【００２２】
さらに、導体構造体の塗布は有利には、凹状に構造化された中間層を塗布する方法と、次に該中間層で被覆されたベース上に導電性材料を堆積する方法とを含む。この場合、ベースは１つまたは複数の塗布されたガラス層およびそこに塗布された導体構造体を有する基板および／または複数の基板を含む。この中間層はフォトリソグラフィを用いて構造化されてもよいか、あるいは構造化印刷法によって製造されてもよい。
【００２３】
上記部分に関し、導体構造体は有利には、導電性材料の電気めっき、スパッタリング、または蒸着コーティングによって塗布され、かつ絶縁性ガラス層によって被覆されたベースの表面コンタクト−コネクション領域に接触されてよい。
【００２４】
基板自身は、例えば、相互接続の形態で既に導体構造体を有しているかもしれない。これら相互接続は構造化されたガラス層を堆積させる工程の前に直接基板に塗布されてもよい。特に、次には、基板に直接塗布された相互接続上にコンタクト−コネクション領域を設け、かつ次いで該コンタクト−コネクション領域を後で絶縁性ガラス層に塗布される導体構造体に接触させることが可能である。このような方法で、ガラス層を堆積させ、次いで少なくとも１つの導体構造体を塗布する工程をちょうど一回実行した後に、高周波用途に適した多層相互接続系を、あるいは高周波用途に適した多層導体構成を形成することが可能となる。当然、このコンテクストでは、ガラス層を堆積させる工程および導体構造体を塗布する工程を繰り返し実行することによって、特に受動素子もそこに組み込んだ３次元相互接続系のさらなる層を形成することが依然として可能である。
【００２５】
本発明の改善点によれば、導体構造体を製造する場合、異なる導電性および／または半導電性材料を含んだ構造体を塗布することも可能である。この場合、材料が絶縁性構造体と組み合わされてもよい。このタイプの組み合わせによって、さらなる受動素子および能動素子を絶縁中間層上の１つまたは複数の個々の層内に作ることも可能となる。
【００２６】
単層あるいは多層導体構成が基板上に完成すると、先に塗布された層を被覆するようにさらなるガラス層を蒸着コーティングによって堆積させることがさらに可能である。基板上で導体構成のコンタクト−コネクションを可能にするために、少なくとも１つのバイアをガラス層を介して形成することが有利には可能である。このガラス層はその下にある導体構成のガラス層と同じ方法で形成され得る。このさらなる層は、外部に対して導体構成を絶縁する絶縁層として機能することができる。さらには、蒸着コーティングによって堆積されたガラスの層は、構成要素を気密的に包む封止物として著しく適してもいる。
【００２７】
さらには、例えば、ＳＭＴ回路基板上に後から構成要素を設置かつ接続できるようにするために、外側のガラス層内のバイアにハンダ・ビードを塗布すること、好適には複数のバイアにある構成のハンダ・ビードを塗布することも可能である。
【００２８】
さらに、本発明の一実施形態は、例えば、集積半導体回路の形態で能動半導体領域半導体基板を含む基板を提供する。この場合、前記少なくとも１つの導体構造体は、それが塗布される間に能動半導体領域上の接続場所に接続され得る。
【００２９】
これまで、例えば、ＬＴＣＣモジュールにおいては、セラミックが半導体ビルディング・ブロックのキャリアを形成するように個々の半導体ビルディング・ブロックをモノリシック形態でセラミック内の空洞に集積することで、方針がとられてきた。対照的に、本発明により逆の方針を取ることが可能となるので、導体構成はチップに直接塗布され、故にチップは導体構成のキャリアとして機能する。
【００３０】
この実施形態の改善によれば、能動半導体領域が基板の第１の側上に配設されるので、構造化されたガラス層の堆積は基板上への蒸着コーティングによってもたらされるコンタクト−コネクション領域の上に少なくとも１つの開口部を有し、ガラス層への導体構造体の塗布は基板の第１の側に行われる。したがって、この場合、蒸着コーティングによって塗布されたガラスを含んだ少なくとも１つの絶縁中間層を有する塗布された導体構成は、半導体ビルディング・ブロックの能動側を被覆する。これによって特に短い線路が可能となり、故にとりわけ、放射損が低減される。
【００３１】
本発明の別の改善は、少なくとも１つの能動半導体領域有する第１の側と反対側である第２の側に塗布されるガラス層および導体構造体を提供する。導体構造体を有する導体構成に能動半導体領域を接続するために、さらに、バイアが基板を貫通して導入され、このバイアは能動半導体領域のために第１の側に設けられた接続場所に接続される。次に、導体構造体が塗布されるときに第２の側上の接続場所へのバイアが導体構造体に接続される。この実施形態は、とりわけ、このタイプの複数のチップが積層される場合に有利であるので、この積層化はコンタクトが能動半導体領域とは反対側の上にずらされることを必要とする。
【００３２】
当然、一方の側以外に基板に導体構成を設けることが可能である。本発明のさらに別の改善によれば、実際、構成要素は対向する２つの側に導体構成を有する。この場合、他の実施形態の場合と同様に、導体構成は蒸着コーティングによって塗布されたガラスのガラス層を含み、このガラス層は、ガラス層の下に位置するコンタクト−コネクション領域と電気的に接触するバイアを備えた少なくとも１つの開口部、およびバイアと接触する、ガラス層上の少なくとも１つの導体構造体を有する。
【００３３】
さらには、蒸着コーティングによってガラス層が塗布される間に、基板は５０℃〜２００℃、好適には８０℃〜１２０℃の温度範囲に保たれることが有利であることが証明されている。とりわけ、この加熱によって機械的応力の形成が妨げられる。ガラス層のモルフォロジのためには徐々に加熱することも有利である。つまり、これらの基板温度では、特に孔隙のないガラス層を製造することが可能であった。
【００３４】
最大でも１０−４ｍｂａｒの範囲、好適には１０−５ｍｂａｒ以下の範囲に保たれる蒸着コーティング・チャンバ内の基準圧は、必要とされる層の品質にとって同様に好ましい。
【００３５】
さらに、低孔密度を有する連続したガラス層を基板上に形成するには、被覆される基板の表面が５０μｍより小さい表面粗さを有している場合に便宜的である。
【００３６】
本発明の方法のさらに別の有利な改善は、１分当たり少なくとも０．５μｍの層厚の堆積速度の蒸着コーティングによって塗布されるガラス層を提供する。この高い堆積速度は、ガラス層の層品質を劣化させることなく容易に達成され得、短い製造時間で実施することを可能にする。対照的に、例えば、スパッタリングなどの他の真空蒸着法で達成される堆積速度は、１分当たり数ナノメートルに過ぎない。特定の用途に応じて、蒸着コーティング・ガラス層の層厚は０．０５μｍ〜１．５ｍｍの範囲、好適には０．１μｍ〜０．１ｍｍの範囲にあってよい。
【００３７】
特に適した蒸着コーティング・ガラスは、特に、少なくとも二成分系の材料を含んだガラスである。このタイプのガラスを蒸着することで堆積されたガラス層は、それに欠陥がないために特に優れた封止特性および高周波特性を有する。
【００３８】
この工程をより一層効果的にし、かつ製造工程を加速するために、さらに別の利点および改善によれば、まだ基板がウエハに接合されている間に基板を被覆することが可能である。次いで、各コンポーネントが、基板のダイシングによって得られる。
【００３９】
適した材料には、とりわけ、シリコン、セラミック、ガラス、あるいはプラスチックが含まれる。例えば、特に、集積導体構成も有するガラス−プラスチック積層物などの複合材料を使用することも可能である。シリコンに加え、例えば、ガリウム砒素などの他の半導体材料を使用することも可能である。シリコン、ガラス、およびセラミックもまた、その熱膨張係数が蒸着コーティングによって塗布されたガラスの熱膨張係数と非常に類似しているために、特に適した基板材料である。
【００４０】
本出願と同日に本出願人によって出願された「Ｇｌａｓｓ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｆｏｒ  ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」と題された国際特許出願は、本願明細書に記載の方法および材料にも特に使用することのできるガラス材料を記載しており、「Ｇｌａｓｓ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｆｏｒ  ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」と題されたこの出願の開示の内容は、そこに開示されたガラス材料に関して、本願明細書に参照により明示的に組み入れられている。
【００４１】
以下の説明においては、本発明が例示的実施形態に基づき、かつ図面を参照してより詳細に説明され、そこでは同一または類似の要素には同じ参照番号を付し、種々の実施形態の特徴は相互に組み合わされ得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
図１は本発明の構成要素の一実施形態の簡略化した断面図であり、全体を参照番号１０で示し、第１の側３および該第１の側と反対にある側５を含んだ基板１を有しており、同様に導体構成は基板の第１の側３上に配置され、かつ参照番号４によって全体が示されている。導体構造体６１〜６４を含む層６が基板上に配置されている。この導体構造体６１〜６４は、例えば、相互接続であってよい。さらに、導体構造体６１〜６４のいくつかは受動電気構成要素として形成されてもよい。コンタクト−コネクション領域７１〜７４が基板１の第１の側３上のこれら導体構造体６１〜６４上に形成されている。層６の導体構造体が塗布された後、絶縁ガラス層９が蒸着コーティングによって構造化された形態で基板の第１の側３上に堆積され、それによりこのガラス層はコンタクト−コネクション領域７１〜７４の上方に開口部８を有するようになる。この開口部８は導電材料１９で充填され、それにより開口部８は導電材料１９と共に各場合において開口部が絶縁ガラス層９を貫通するバイアを形成する。さらなる導体構造体１１１、１１２、１１３を有する層１１が前記ガラス層９に塗布される。導体構造体１１１、１１２、１１３はそれぞれ上記バイアのうちの少なくとも１つと接触し、それにより、この導体構造体１１１、１１２、１１３は層６の導体構造体６１〜６４上に電気的に接続される。したがって、基板は多層導体構成を有し、個々の層６および１１は優れた高周波特性を有する絶縁ガラス層９によって分離される。
【００４３】
特に重量百分率において以下の組成範囲を有するガラスは、本発明の構成要素１０用の蒸着コーティング・ガラスとして特に適していることが証明されている。
組成            ガラス１            ガラス２
ＳｉＯ２        ７５〜８５          ６５〜７５
Ｂ２Ｏ３        １０〜１５          ２０〜３０
Ｎａ２Ｏ        １〜５              ０．１〜１
Ｌｉ２Ｏ        ０．１〜１          ０．１〜１
Ｋ２Ｏ          ０．１〜１          ０．５〜５
Ａｌ２Ｏ３      １〜５              ０．５〜５
【００４４】
上記群からの好適な蒸着コーティング・ガラスは、重量百分率において以下の組成を有するＳｃｈｏｔｔ社によって製造されるガラスである。
組成            ガラス１            ガラス２
ＳｉＯ２        ８４．１％          ７１％
Ｂ２Ｏ３        １１．０％          ２６％
Ｎａ２Ｏ        ≒２．０％          ０．５％
Ｌｉ２Ｏ        ≒０．３％          ０．５％
Ｋ２Ｏ          ≒０．３％          １．０％
Ａｌ２Ｏ３        ０．５％            １．０％
特に好ましく使用されるガラスは以下の表に記載の特性を有する。
【００４５】
【表１】
2005535108.tif 000003
以下の文章では、ガラス１はガラス８３２９とも呼ばれ、ガラス２はＧ０１８−１８９とも呼ばれる。
【００４６】
導体構造体１１１、１１２、１１３の外側絶縁体として働くさらなる最終蒸着コーティング・ガラス層１３が、導電構造体１１１、１１２、１１３を含む層１１上に堆積される。これら導体構造体のコンタクト−コネクションを可能にするために、さらに、導電構造体１１１、１１２、１１３と接触するさらなるバイア１５が最終的な蒸着コーティング・ガラス層１３内に存在している。加えて、構成要素１０が、例えば、ＳＭＴ回路基板に固定かつ接続されるために、ハンダ・ビード１７がバイア１５に塗布される。
【００４７】
図２は本発明の構成要素１０のさらなる実施形態の断面図である。この実施形態は、２つの対向する側３および５の各々の上に高周波導体構成４１および４２をそれぞれ有する。この導体構成４１および４２は図１に示した実施形態の導体構成４と類似する構造である。
【００４８】
詳細には、再度各場合において導体構成４１および４２は、蒸着コーティングによって塗布されたガラスのガラス層９を有し、これは開口部の下に設けられたコンタクト−コネクション領域と電気的に接触するバイアのための導電性材料が存在する開口部を有する。それら部分に関してバイアと接触する導体構造体を有する層６は、各場合において導体構成４１および４２のガラス層９上に配置されている。図１に示した実施形態においても同様に、ガラス層９上の導体構造体はさらなる最終的な蒸着コーティング・ガラス層１３で被覆され、ここでは構成要素の接続用のバイア１５が存在している。
【００４９】
図３Ａ〜３Ｇは断面図を用いて、本発明の方法に従って本発明の構成要素の製造に関連する工程を示している。
【００５０】
図３Ａは第１の処理工程後の基板１を示し、特に適した相互接続のような導体構造体６１〜６４を含んだ層６が高周波導体構成が塗布される側の上に形成されている。これらの導体構造体は、例えば、図３Ａには示していないか、あるいはそのようなコンタクト場所に接続されてよい基板の電子部品のコンタクト場所であってよい。
【００５１】
次に、さらなる処理工程では、ガラス層が堆積され、このガラス層は表面の下のコンタクト−コネクション領域７１〜７４の上に開口部を有する。この目的のために、まず図３Ｂに基づいて示すように、さらなる工程では対応するコンタクト−コネクション領域７１〜７４を被覆する構造体２１を有する構造化された中間層が塗布される。これは適したフォトレジスト・コーティングのフォトリソグラフィ構造化によって実現されるのが好ましい。しかし、代替的には、基板２１を形成するために、例えば、表面の印刷などの別の方法を用いることも可能である。
【００５２】
次に、図３Ｃに示すように、ガラス層９が蒸着コーティングによって塗布され、このガラス層はコンタクト−コネクション領域７１〜７４を被覆し、該領域は中間層の構造体２１によって被覆され、キャリアの表面を囲繞する領域となる。このコンテクストでは、ガラス層９の厚さは構造化された中間層の厚さより薄いことが好ましい。次に、この中間層が除去され、それと共に中間層の構造体２１を被覆しているか、あるいは構造化された中間層上に位置するガラス層９の領域９０が構造体２１によって持ち上げられる。
【００５３】
図３Ｄはこの工程後の基板を示しており、したがってここでは下の表面のコンタクト−コネクション領域７１〜７４上に開口部８を備えたガラス層９を有している。次に、図３Ｅに示すように、開口部８が、例えば、導電性材料１９によって充填され得る。次に、図３Ｆに示すように、導体構造体１１１、１１２、１１３および受動構成要素２３を含む層１１がガラス層９に塗布され得る。導体構造体２３は、例えば、コンデンサ、抵抗器、コイル、バリスタ、ＰＴＣ、ＮＴＣ、またはフィルタ素子を含んでよい。特に、コンデンサおよびコイルは、相互の上に設けられたか、または蒸着コーティング・ガラス層を介して相互に絶縁された個々の層の導体構造体によって実現されてもよい。一例として、個々の層１１の、その上に位置する、個々の層６の導体構造体およびさらなる導体構造体をこの目的に用いることができる。
【００５４】
例えば、さらなる凹状に構造化された中間層の塗布および導電性材料の堆積によって導体構造体を塗布することができ、導電構造体１１１、１１２、１１３が開口部８内の導電性材料１９と接触するので、それぞれ関連するコンタクト−コネクション領域７１〜７４との電気的接続または電気的接触も形成される。
【００５５】
導体構造体は、例えば、異なる材料を用いた複数の工程において実行される導体構造体の塗布によって、異なる導電性材料または半導体材料を含む構造体を有してもよい。これによって、さらなる機能性を導体構成に組み込むことも可能となり、例えばこれによって半導体−金属コンタクトまたは熱電コンタクトが形成される。
【００５６】
図３Ｅに示した導電性材料１９を用いたガラス層９を貫通するバイアの形成および図３Ｆに示した導体構造体の塗布は、１回の工程で実行されてもよい。一例として、導体構造体１９は電気めっきで形成され得るので、最初に堆積される材料はコンタクト−コネクション領域７１〜７４を始点として、開口部８を充填し、次にガラス層９の表面上で成長を続けて、その材料はそこで導体構造体を形成し、また意図される場合、受動構成要素２３を形成してよい。蒸着コーティングまたはスパッタリングによって導体構造体１１１、１１２、１１３を形成することも可能であり、この場合コンタクト−コネクション領域７１〜７４および開口部８の縁部を被覆することも可能であるので、対応する導体構造体はコンタクト−コネクション領域７１〜７４と電気的に接触する。
【００５７】
次に、中間層上に堆積された導電性材料がまた持ち上げられ、かつガラス層９を含む意図される導体構造体および任意の塗布された構成要素が適所に残された状態で、中間層が再度除去され得る。
【００５８】
続いて、導体構成のさらなる層を形成するために、基板の上に蒸着コーティングし、かつ関連するコンタクト−コネクション領域と電気的に接触する導体構造体を塗布することにより、コンタクト−コネクション領域上に開口部を有する構造化ガラス層を堆積させる図３Ｂ〜３Ｆに示した工程を繰り返すことができ、この場合、後の段階で塗布される導体構造体は先の段階で塗布された導体構造体のコンタクト−コネクション領域に接触され得る。
【００５９】
この目的のために、図３Ｆ〜３Ｇに示すように、再度、構造体２１を有する中間層が基板１の表面の対象とするコンタクト−コネクション領域７５、７６に塗布され、該コンタクト−コネクション領域は便宜的には塗布された導体構造体またはバイアの上にも位置する。次に、該ガラス層９１内の開口部を通るバイアを有するさらなる絶縁ガラス層９１が、コンタクト−コネクション領域７５、７６上に形成され、この形成は図３Ｃ〜３Ｅに関して記載して処理工程と同様に実行される。
【００６０】
図４Ａ〜４Ｅは図３Ｂ〜図３Ｅに関して示した本発明の処理工程の一変形例を示している。本発明の方法のこの変形例は導電性材料に基づいていており、それぞれのコンタクト−コネクション領域に隣接する領域に対して突出し、かつ中間層の構造体によって被覆され、蒸着コーティングによってガラス層を塗布する前にコンタクト−コネクション領域に塗布される。次いで導電材料はバイアを形成する。
【００６１】
詳細には、図４Ａに関して示すように、まず図３Ａのように準備された基板１を始点として、導電層２５が形成され、次にフォトリソグラフィで構造化可能な中間層２７が形成される。
【００６２】
図４Ｂは中間層２７のフォトリソグラフィ構造化後の基板を示している。この層は意図されるコンタクト−コネクション領域７１〜７４を被覆する構造体２１が適所に残るように構造化されている。次に、図４Ｃに示すように、導電層２５がコンタクト−コネクション領域７１〜７４を囲繞している被覆されていない領域から除去される。これは例えば、エッチングなどの当該技術では標準的な方法で実行され得る。したがって、コンタクト−コネクション領域７１〜７４は、それぞれのコンタクト−コネクション領域と隣接する領域に対して隆起しているか、あるいは突出し、かつ各場合において中間層２１の構造体２１によって被覆された導電性材料によって被覆される。
【００６３】
次に、図４Ｄに示すように、絶縁ガラス層９が蒸着コーティングによって塗布され、ガラス層９の厚さは隆起した導電性材料１９の厚さにほぼ相当するように選択されるのが好ましい。最終的に、中間層の構造体２１は、例えば、適した溶剤を用いて除去され、この工程では構造体２１を被覆するガラス層９の領域９０が持ち上げられる。その結果、それぞれのコンタクト−コネクション上に開口部を含み、かつ該開口部に設けられる導電性材料の形態でバイアを含んだガラス層を有する基板が得られる。この処理状態を図４Ｅに示す。導電性材料１９の厚さに匹敵するガラス層９の厚さを適切に選択した結果、導電性材料１９の表面およびガラス層９の表面はほぼ同じ高さになるので、結果として平坦な表面が得られる。次に、図３Ｆ〜３Ｇに関して説明したように、この工程が継続されてよく、この場合、図４Ａ〜４Ｅに関して説明したのと同じ方法あるいは同様の方法で、バイアを用いて、図３Ｇの第２のガラス層９１および任意のさらなるガラス層を製造することができる。
【００６４】
本発明の方法の有利な改善によれば、構成要素１０はまだウエハに接合されたままで、基板を被覆することによって形成される。この点で、図５〜７は被覆されたウエハ２の種々の実施形態を示しており、導体構造体はウエハから個々の基板１を分離することによって得られる。
【００６５】
図５は本発明の一実施形態を示しており、ここでは半導体ウエハ２はひと続きのガラスおよび相互接続層を備えている。この目的に使用されるウエハ材料は、シリコンであることが好ましく、これはこの材料が蒸着コーティング・ガラスの熱膨張係数と非常によくマッチする熱膨張係数を有していることによる。まだウエハに接合されている間に一旦基板が被覆され、かつ一旦図５に示した処理状態が形成されると、高周波用途に適した導体構造体を有する構成要素１０を最終的に得るために、個々の基板１が意図される分離軸線２９に沿って分割されることによって分離される。
第１の側３上で、ウエハ２は接続場所３５に接続された能動半導体領域３３を有する。
【００６６】
本発明のこの実施形態では、導体構成４はウエハ２の第２の側５上、あるいはウエハ２の基板１の第２の側５上に設けられ、この第２の側は能動半導体領域３３の第１の側とは反対側に存在する。
【００６７】
わかり易くするために導体構成４が簡略化した形態で示されており、特に、導体構造体はすべて参照番号１００で示されている。導体構造体４の個々の層は有利には図３Ａ〜３Ｇおよび／または図４Ａ〜４Ｅに関して説明したように形成されてよい。特に、図５に示した導体構成４も多層形態で形成され、したがってこの目的のために構造化ガラス層を堆積させ、かつ導体構造体１００を塗布する工程が相応して多数回にわたって実行され、かつ後の段階で塗布される導体構造体１００が、先の段階で塗布された導体構造体１００のコンタクト−コネクション領域に接触される。
【００６８】
さらに、接続場所３５に電気的に接続される基板１を貫通するバイア３７が、ウエハ２内に導かれる。このバイアは好適には、第２の側５からエッチ・ストップとして同時に機能する好適な金属性の接続場所３５までピットをウエハにエッチングすることによって形成されてよい。次に、受動層３９がエッチ・ピットの壁上に形成され、このエッチ・ピットは導電性材料４３で充填される。側３上で除去される、バイア３７の導電性材料４３は、導体構成４の導体構造体１００として働く。
【００６９】
さらに、バイアを有する第２の側５の表面の領域は、導体構成４の導体構造体１００のいくつかのためにコンタクト−コネクション領域として使用される。これら導体構造体１００が予め堆積されたガラス層９を塗布する間にコンタクト−コネクション領域と接触される場合、したがって、この導体構造体も基板１の第１の側上の接続場所３５に電気的に接続される。このようにして、導体構成を介して能動半導体領域３３を提供することおよび能動半導体領域からの電気信号を導体構成４の導体構造体１００に放出することが可能となる。
【００７０】
ウエハからの分離により次に得られる構成要素を封止かつ保護するために、図５に示した実施形態も側３上に蒸着コーティング・ガラスおよび／または可塑性カバー３１の付加的な封止層１４を備えている。
【００７１】
図６は本発明のさらなる実施形態を示し、同様にウエハに接合されている基板が導体構成４で被覆されている。本発明のこの実施形態は図５に示した実施形態と類似している。図６に示した実施形態では、個々の基板１に割当てられた能動半導体領域３３を有する半導体ウエハ２も使用されている。図５に示した実施形態のように、導体構成４の第１のガラス層９に導体構造体１００を塗布する間に、能動半導体領域３３の接続場所３５が導体構造体１００に接続される。
【００７２】
しかし、図５に示した実施形態とは異なり、導体構成４のガラス層９、９１、９２、９３、および１３は、基板１の第１の側３上に蒸着コーティングによって塗布され、この上には能動半導体領域も設けられている。導体構成４の低部のガラス層９内のバイア１５は接触領域３５に直接塗布され、したがって接触領域３５は第１のガラス層９上の対応する導体構造体１００に対する基板１のコンタクト−コネクション領域を形成する。
【００７３】
一例として図５および６に示すように、被覆されたウエハ２の分離によって得られる構成要素１０は、例えば、１０ＧＨｚを超える周波数用の高周波伝送／受信モジュールとして設計されてよい。
【００７４】
図７は本発明のウエハにまだ接合された状態の高周波導体構成４を備えた基板１のさらに別の実施形態を示している。この場合、ガラス層９、９１、９２、９３、１３および導体構造体１００を含んだ導体構成４は、基板１が同様にバイア３７を有するウエハに塗布されている。基板１および導体構成４を有する構成要素１０はウエハから分離された後、構成要素１０の外部コンタクト場所に接続され得るさらなる構成要素用の高周波再配線基板として働く。この目的のため、表面実装技術を用いてさらなる構成要素を設けかつ接続できるように、外部コンタクト場所は、例えば、ハンダ・ビード１７を備えている。この場合、基板１は能動素子を有していない。したがって、基板２はガラスまたはプラスチックなどの絶縁材料から製造されてもよい。ウエハまたは基板１の構成要素の材料として使用されるのに特に適したガラスはＢｏｒｏｆｌｏａｔ?であり、これは好適な蒸着コーティング・ガラスの熱膨張係数に実質的に一致する熱膨張係数を有している。
【００７５】
ＲＦ特性の特徴を示すために、図８は測定した試験用構造体の厚さを含む概略的な層構成を示す。図９および１０は開放および埋め込み共平面導波路の実現された構造体を示している。下に示した散乱パラメータＳ１２、Ｓ２１、Ｓ１１およびＳ２２の測定値はこれら構造体に基づいて実現された。図１２〜２３に示す選択された測定用の試験片の記号は、図１１に示した表に記載している。
【００７６】
図１２〜１４は散乱パラメータＳ１１およびＳ２２、Ｓ１２およびＳ２１の大きさ、およびアルミニウムの相互接続間の絶縁体としてガラス８３２９を用いた開放共平面の散乱パラメータＳ１２の位相プロファイルを示す。散乱パラメータＳ１２およびＳ２１は伝送減衰とも呼ばれ、散乱パラメータＳ１１およびＳ２２は反射減衰と呼ばれる。
【００７７】
図１２はこの試験片において−２０ｄＢ〜−４０ｄＢ、最大で５０ＧＨｚの範囲では、信号の反射Ｓ１１およびＳ２２が著しく低いことを明白に示している。さらに、図１３に示した測定値から周波数５０ＧＨｚまでは、散乱パラメータＳ１２およびＳ２１の減衰の値は−２ｄＢより小さく低いことが明らかである。散乱パラメータＳ１２およびＳ２１はそれぞれの周波数における電気信号の伝送に対する値を表している。散乱パラメータＳ２１の線形位相の特徴は、最大で５０ＧＨｚの範囲では分散が非常に低いということである。
【００７８】
図１２〜１４に関して示した測定値はまた、以下のさらなる試験片で実行された測定によって検証され得る：
図１５〜１７はガラス８３２９を用いた埋め込み共平面導波路の測定値を示す。
図１８〜２０はガラス８３２９を用いた開放共平面導波路の測定値を示す。
図２１〜２３はガラスＧ０１８−１８９を用いた埋め込み共平面導波路の測定値を示す。
上記測定値から、ＲＦガラスＧ０１８−１８９を用いたときに散乱パラメータＳ１２およびＳ２１の減衰がより低い方に向かうことが明らかとなった。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の一実施形態を示す断面図である。
【図２】基板の対向する側に２つの導体構成を有する本発明のさらなる実施形態を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｅ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｆ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｇ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｈ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図４Ａ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の変更例を示す異なる断面図である。
【図４Ｂ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の変更例を示す異なる断面図である。
【図４Ｃ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の変更例を示す異なる断面図である。
【図４Ｄ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の変更例を示す異なる断面図である。
【図４Ｅ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の変更例を示す異なる断面図である。
【図５】ウエハにまだ接合された状態で導体構成を備えた本発明の構成要素の実施形態を示す断面図である。
【図６】ウエハにまだ接合された状態で導体構成を備えた本発明の構成要素の実施形態を示す断面図である。
【図７】ウエハにまだ接合された状態で導体構成を備えた本発明の構成要素の実施形態を示す断面図である。
【図８】ＲＦ測定構造体用の層を示す略図である。
【図９】開放共平面導波路ＣＰＷ１／２用の層構成を示す略図である。
【図１０】埋め込み共平面導波路ＣＰＷ３用の層構成を示す略図である。
【図１１】測定した試験片の特性リストを示す表であり、測定値は以下の図１２〜２３に示す。
【図１２】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ２＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１３】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ２＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１４】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ２＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１５】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ３＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１６】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ３＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１７】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ３＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１８】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ２＿６（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１９】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ２＿６（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２０】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ２＿６（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２１】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ３＿２（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２２】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ３＿２（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２３】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ３＿２（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【００８０】
参照記号のリスト
１  基板
２  半導体ウエハ
３  １の第１の側
４、４１、４２  導体構成
５  １の第２の側
６  １上に導体構成を有する層
６１〜６４  ６の導体構造体
７１〜７４  コンタクト−コネクション領域
８  コンタクトーコネクション領域７１〜７４の上の９内の開口部
９、９１〜９３  蒸着コーティング・ガラス層
１０    構成要素
１１  導体構造体を有する層
１１０、１１１、１１２、１１３  導体構造体
１３  最終蒸着コーティング・ガラス層
１４  蒸着コーティング・ガラス層封止層
１５  バイア
１７  ハンダ・ビード
１９  導電材料
２１  中間層のレジスト構造体
２３  受動電気構成要素
２５  導電層
２７  フォトリソグラフィで構造化可能な中間層
２９  分離軸線
３１  プラスチック・カバー
３３  能動半導体領域
３５  ３３の接続場所
３７  １を貫通するバイア
３９  受動層
４３  ３７の導電性充填物
７５、７６  コンタクト−コネクション領域
９０  レジスト構造体上の蒸着コーティング・ガラス層の領域
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【国際調査報告】
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