(57)【要約】フリップチップ方式で支持板にマウンティングされている素子を備えた装置の上に全面的にシート、殊に合成樹脂シートをラミネート加工するという、感度の高い素子に対するカプセル化方法が提案される。シール性および機械的な安定性を高めるために、引き続いて、チップを取り囲むように流体状の合成樹脂材が被着されかつ硬化される。選択的に、合成樹脂材の被着の前に、シートがストラクチャ化ラインの領域において除去されて、合成樹脂材が支持板ともチップ表面とも接触しているようにされる。
2005505939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側に素子ストラクチャを有しているチップを含んでいる電気素子をカプセル化するための方法であって、
該素子をフリップチップ技術において支持板の上表面にマウンティングしかつそこに存在している電気的な接続面に接続して、チップの前面側が該支持板の方を向きかつ該支持板に対して間隔をおいて配置されているようにし、
チップがマウンティングされている支持板上表面の全面に、シートをラミネート加工し、
合成樹脂材を流体形状で素子を取り囲むように支持板に被着させかつ硬化させる
電気素子のカプセル化方法。
【請求項２】
合成樹脂材を硬化後、チップの周りを環状にソーイングしかつそこで支持板の表面が露出されるようにする
請求項１記載の方法。
【請求項３】
合成樹脂材の被着の前に、支持板上のラミネート加工された領域におけるシートをチップの周りの第１のストライプの領域において除去する
請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
チップの側面におけるシートをチップの周囲全体をなぞる第２のストライプにおいて合成樹脂材の被着の前に除去しかつ
合成樹脂材を被着して、該合成樹脂材が前記第２のストライプの領域において取り囲むようにチップに当接されかつ該チップを気密封止するようにする
請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
硬化された合成樹脂材のソーイング後、構造体が生成されている支持体の全体の表面を合成樹脂材によって金属化する
請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
合成樹脂材のソーイング後、シートを該合成樹脂材によって被覆されない全体の領域において除去する
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
第１または両方のストライプの領域におけるシートの除去をレーザによって行う
請求項３から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
レーザの作用によって硬化されるシートを使用し、
該シートを、内縁が取り囲むようにチップに気密に当接しかつ外縁が支持板に気密に当接している領域においてレーザで硬化し、
シートの硬化されない領域を合成樹脂材を被着する前にプラズマプロセスにおいて除去する
請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
温度を上げておいてシートが軟化したところでラミネート加工を行いかつ該ラミネート加工を支持板とシートとの間の空間の真空化によって支援する
請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
１ないし１０μｍの厚さにあるシートを使用する
請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
金属化を２つの段階において行い、ここでまず、基本金属化部をスパッタリングによって生成し、該基本金属化部を引き続いてこれとは異なっている第２のプロセスにおいて強化する
請求項５から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
基本金属化部の強化を電着プロセスによって行う
請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
合成樹脂材として必要に応じて充填されているエポキシ樹脂を使用する
請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
支持板としてＬＴＣＣセラミックを使用する
請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
シートが除去される第１のストライプの位置を、支持板に存在している開いたスルーコンタクトがシートによって閉鎖された状態に留まりかつ合成樹脂材の侵入が妨げられるように選択する
請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
合成樹脂材を、チップの裏面も被覆されることになるような高さにおいて全面的に被着させる
請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
支持板に、チップ前面側の、支持板からの間隔を保証する、チップに対するスペーサストラクチャを取り付け、かつ
該スペーサストラクチャにチップを載せてバンプを用いて支持板に固定する
請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
スペーサストラクチャとして、素子ストラクチャを取り囲む、合成樹脂から成る閉じたフレーム形状のフレームストラクチャを支持板に生成する
請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
フリップチップ装置において支持板上のバンプ接続部を用いて該支持板に僅かな間隔をおいてマウンティングされている、音波によって動作する素子、例えば弾性表面波素子、ＦＢＡＲ共振器、ＢＡＷ共振器またはこの種の共振器から成るフィルタであって、
素子と支持板との間の中間室は少なくとも、下側の素子縁部の領域においてシートによって封止されており、
少なくとも素子の周りに合成樹脂材が、グローブトップ・カバーとして規定の高さのところまで被着されており、
該合成樹脂材は、素子を取り囲むストライプに沿って支持板の表面まで除去されている
素子。
【請求項２０】
シートの上に直接、薄い金属層の形の金属化部が配置されている
請求項１９記載の素子。
【請求項２１】
素子の上方全面において、合成樹脂材を被覆するように金属層が被着されており、該金属層はストライプの領域において支持板の上表面を封止している
請求項１９または２０記載の素子。
【請求項２２】
合成樹脂材は素子を取り囲んでいる、ストライプ形状のシート部分の両側において一方では素子の上表面を封止し、他方において支持板の上表面を封止している
請求項１９から２１までのいずれか１項記載の素子。
【請求項２３】
合成樹脂材の熱膨張係数はバンプ接続部の材料の熱膨張係数に整合されている
請求項１９から２２までのいずれか１項記載の素子。
【請求項２４】
グローブトップ・カバーは無機充填材が充填されている合成樹脂材を含んでいる
請求項２３記載の素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
素子のハーメチックカプセル化のための方法は例えばＷＯ９９／４３０８４から公知である。そこで素子、殊に表面弾性波素子ははんだ付け可能な接続面を備えている支持板にフリップ・チップ技術で取り付けられる。その際素子はバンプ（球状はんだ）の上に支持板に対して僅かな間隔をおいて、素子構造を有する側の表面が支持板の方を向くように支持板にはんだ付けされる。支持板上に存在している素子のハーメチックカプセル化のためにこれは最終的に金属シートまたは金属成膜された合成樹脂シートによって支持板に裏側から被覆されかつ接着されるかまたはラミネート加工される。その際シートは素子の間でかつ素子の周りを取り囲むように支持板と気密に連結されているので、素子構造に対するハーメチックカプセル化が生じる。
【０００２】
カプセル化を例えば熱可塑性樹脂を用いた取り囲み加圧成型（Umpressen）または例えばエポキシ樹脂を用いた鋳型成型により一層安定化させかつ更にハーメチックシールすることも提案される。引き続いて素子は支持板の切り離しによって個別化することができる。
【０００３】
素子の裏側に直接取り付けるために金属シートを使用することも金属成膜された合成樹脂シートを使用することにも問題がありかつハーメチックシールが満足できるものではない素子が生じる可能性があることが分かってきた。更に、ラミネート加工プロセスの際に問題が生じる。それはつまり、表面弾性波素子において殊に素子チップはシャープなエッジを持っており、その結果ハーメチックシールカプセル化を行うために、シートにもラミネート加工にも高い要求を課さねばならない。殊に、この方法はこれまでは、厚くしかも高価な特殊シートによってしか実施可能でない。
【０００４】
本発明の課題は、技術的に簡単に実施することができかつ殊に機械的に安定したカプセル化が行われる、電気素子のカプセル化方法を提供することである。
【０００５】
この課題は本発明によれば請求項１に記載の方法によって解決される。本発明の有利な実施形態、並びに、本発明の方法によって製造可能である素子はその他の請求項から読み取ることができる。
【０００６】
本発明の基本思想は、フリップ・チップ技術で支持板にマウンティングされた電気素子のカプセル化のために素子に対してまず、シートを裏面側からラミネート加工するがその際にコストのかかる特殊シートを使用しないということである。むしろ第２のステップにおいて合成樹脂材を流体の形で、上に素子がマウンティングされておりかつシートがラミネート加工されている支持板に供給するが、この場合少なくとも、素子周囲に追従する、素子もしくはその間に存在するシートに対する合成樹脂材の内側のコンタクトないし素子周囲に追従する、支持板もしくはその間に存在するシートに対する合成樹脂材の内側のコンタクトが形成されるようにされる。この方法ではシートは、素子（チップ）と支持板との間の間隔をチップ縁部に沿ってシールして、流体の状態で供給される合成樹脂材が素子ストラクチャを隠し持つ、チップと支持板との間の中間室に侵入することがないようにするためにだけ用いられる。その際グローブトップ・カバーとして被着される合成樹脂材は同時に複数の機能を充足することができる。合成樹脂材は、支持板に取り付けられている素子を固定し、素子を機械的な作用に対して防護しかつそれ自体でもう、素子の申し分ないシールと成っている。この場合のシールは殊に、侵入する湿気および／または別の汚れに対して効果がある。
【０００７】
流体ないしねばっこい流体の合成樹脂材は本発明の別の実施形態において硬化後、チップの周りに環状にソーイングされて、そこに支持板の表面が露出されるようにされる。その際環状の溝が生成される。ここでソーイングは素子の外縁に対して規定の間隔をおいて行われる。つまり、そこに申し分ない幅ないし厚さのグローブトップ・カバーが残るようにである。溝内で支持板が露出していることによって、素子を更に封印するために、グローブトップ・カバーの上に素子に対する一段と高いシール性を保証する金属層を被着することができる。チップの周りに環状に露出している支持板表面によって、金属層と支持板との気密な封止を行うことができる。このようにして、素子のハーメチックカプセル化が実現され、その際金属層を同時に素子に対する高周波シールドとして使用することができる。この高周波シールドは、感度の高い素子を外部の放射から保護することができまたは高周波で動作する素子から不都合な、高周波の放射が放出されるのを防ぐことができる。所望の目的に依存して、堆積されるべき金属層の厚さが選択される。ハーメチックシールは薄い閉じられた金属層でも十分可能だが、十分な高周波シールドのためにはそれ以上の層厚が要求される。
【０００８】
グローブトップ・カバーと素子との間にもグローブトップ・カバーと支持板との間にもダイレクトコンタクトを形成することができれば、付加的な金属化部がない場合にも素子の改善されたシールが実現される。このために、本発明の別の実施形態において、合成樹脂材の被着の前にシートは、チップの周りの閉じられたストライプの領域において除去される。その際ストライプの、チップの周囲に対する間隔は、ストライプとチップとの間に必ず、ラミネート縁部が残り、そこでシートが支持板に接続されているようにするように選択される。グローブトップ・カバーを被着した後、こうして環状のストライプの領域において合成樹脂材と支持板との密接なコンタクトが形成されるようにすることができる。これにより、支持板上でのグローブトップ・カバーの固着は改善されることになると同時に、場合によっては依然存在する、シートと支持板との間の微細なギャップがシールされることになる。この種のギャップは殊に、シートが支持板上の突出したストラクチャを被覆しかつシート、ストラクチャおよび支持板の間の密接な形状結合的なコンタクトを実現するのが非常に難しいところで発生する可能性がある。これに対してグローブトップ・カバーとシートとの間のシールはシートおよび合成樹脂材の材料組み合わせが適当であれば問題なく可能である。この場合、合成樹脂材の、シートに対する固着も何の問題にもならない。
【０００９】
本発明の別の実施形態において、付加的に、グローブトップ・カバーと素子ないしチップとのダイレクトコンタクトを形成することができるようにすれば、付加的な金属化部なしでも、外部作用の侵入に対して素子の一段と改善された封止が実現される。このために、シートは合成樹脂材を被着する前に、例えばチップの側面における、チップを取り囲むストライプ形状の領域内で除去される。このようにして、合成樹脂材の被着後、カプセル化された素子のもしかしたらあるかもしれない漏れ個所をシールすることができることになる。合成樹脂材とチップそのものとの間の良好な固着も形状結合的な密接なコンタクトもシール性に関してチップとシートとの間の接続に比べて優れている。有利には、支持板およびチップの側面に２つのストライプ形状のストラクチャ化が使用されて、グローブトップ・カバーをチップおよび支持板に対してシールするのである。
【００１０】
本発明の方法は任意の電気的な素子に対して使用することができるが、表面に感度の高い素子ストラクチャを支持しているような素子に対して有利に使用することができる。殊に、例えば、弾性表面波素子および音波によって動作する、ＦＢＡＲ共振器またはＢＡＷ素子のような別の素子の場合にそうであるような、素子ストラクチャが被覆されるのは許されない素子に適している。こういったものに被覆すると、許容できないもしくは正確に再現できない仕方で素子特性の変化を引き起こすことになる。それ故にこの種の素子に対しては付加的に、素子ストラクチャが支持体の方を向いておりかつチップと支持体との間の中間室に確実に配置されることになるフリップチップマウンティング技術が有利である。本発明のカプセル化によって付加的に、その作用を調整設定することができる、これら素子に対するハーメチックシールが実現される。その際フリップチップ技術とは、素子が例えばバンプを介して、すなわちはんだ付け接続部を用いて支持板上にマウンティングされていることを意味している。有利には、バンプを介して同時に、素子の電気的なコンタクト形成が行われ、その結果チップ上でも支持板上でもはんだ付け可能な電気的な接続面がバンプに対して設けられている。支持板は相応に導体路を有しておりかつ有利には少なくとも２層に実現されており、その場合２つの層の間に配線平面が配置されるようにすることができる。その場合カプセル化された素子に対する電気的な接続端子は支持板の実装されていない下面側に存在している。その際導体路を含んで異なっている平面、すなわちレベルはスルーコンタクトを介して相互に接続されている。有利には、本発明によりカプセル化された素子は、全体の支持板のすべてのレベルを一直線に通っているスルーコンタクトを有していない。それ故にスルーコンタクトは有利には、層に応じて相互にずれているので、これにより、場合によっては完全には閉じられていないスルーコンタクトを介する不完全なシール性も支持板を通して排除されている。
【００１１】
支持板に対して、機械的および電気的に整合されている材料またはこの種の材料の組み合わせが適している。これらは有利には十分に機械的な耐性を有しておりかつ有利には基体および湿度に対してハーメチックシールされている。支持板に対する適当な材料は例えば酸化アルミニウム、ガラス、ＨＴＣＣ、ＬＴＣＣまたは例えばＰＣＢのような有機支持板またはＫａｐｔｏｎ（Ｒ）またはＭｙｌａｒ（Ｒ）のようなシート材料である。素子がますます小型化されているという中で例えばバンプを用いて信頼できるコンタクト形成を可能にするために、ＬＴＣＣセラミックが有利である。これは燃焼時の僅かな縮小に基づいて金属化部の正確に予め定めることができるジオメトリーを有することができる。しかし有機材料から成る支持板も同じように正確なジオメトリーによって製造することができるが、一方で環境作用に対するシール性は悪い。
【００１２】
素子の被覆のために高価なシートを必要とする公知の方法に比べて本発明の方法は、多数個のいつも使っている、しかも薄いシートで確実に実施可能である。熱可塑性または熱硬化性のシートを使用することができる。シートはＢ状態であってよく、その際約１〜１０μｍの厚さが有利である。もっと厚くすることも可能だが、そうする必要はなく、もうそうした場合には後続のストラクチャ化の際の選択的な除去のために一層高いコストが必要になりかつ素子とシートの間の結合はより強いということになる。このことは少なくともＯＦＷ素子およびＦＢＡＲ共振器では望ましくないことである。
【００１３】
重要な特性としてシートは有利にはラミネート加工性を有しており、かつそれ故に熱加工を必要に応じて行えば接着性になりかつ変形可能ないし伸張可能になる。例えば約１μｍの厚さのＭｙｌａｒ（Ｒ）が申し分なく適している。ラミネート加工のためにシートを熱作用によって柔らかくしかつその際に一層接着しやすい状態に移行させることができる。片面が接着剤または相応に作用する材料によって積層されている接着シートを使用することもできる。
【００１４】
ラミネート加工は圧力および高められた温度下で行われる。シート、支持板および素子の特別良好な形状結合的な連結を実現するために、シートと支持板との間の空間が真空化される。シートを、シート上にマウンティングされている素子と一緒に支持板上に気密に圧着するために、シートの上方の通常の空気圧で十分である。その際この方法では、場合によっては鋭いこともあるチップ表面の角でシートが局所的に損傷されたとしても問題ない。このことは本発明の方法では心配ない。というのは、シール性は気密に装着されるシートとは無関係に実現されるからである。空気力的な過圧および負圧だけで動作するラミネート加工方法は赤外線放射器によって支援することができ、そうした場合にはラミネート加工方法全体をほぼ無接触に実施することができる。
【００１５】
ラミネート加工の後にすぐ、グローブトップ・カバーを生成するための合成樹脂材の供給を行うことができる。その際合成樹脂材は流体状態で使用され、その際適当な温度への加熱によって所望の粘性が実現される。供給は簡単なディスペンサーによって、例えば滴下または注入によって行うことができる。適当な比較的高い粘度に基づいて合成樹脂材の溶け出しを妨げることができるようになってさえいれば、合成樹脂材の供給をチップの周りに行うことで十分であり、そうすればチップはその外縁部で支持板と形状結合的に当てつけられ、場合によっては勿論、間に配置されているシートと形状結合的に連結される。
【００１６】
本発明の有利な実施形態において、複数の素子が同じ支持板上にマウンティングされかつこれらはカプセル化の完成後に支持板の切り離しにより個別化される。この場合合成樹脂材の被着は全面的に所望の高さまで行うことができる。その際グローブトップ・カバーに対する最小高さは支持板とチップとの間の間隔プラス、グローブトップ・カバーがチップとオーバラップしている安全領域である。グローブトップ・カバーをチップ上縁の高さまでまたはそれよりちょっと上まで供給することも可能だし有利でもある。
【００１７】
合成樹脂材はストラクチャ化されていない、全面的に載っかっているシートにあてがわれるばかりでなく、上で既に述べたように、シートをストラクチャ化して、所望の部分領域においてチップおよび支持板の表面が露出されるようにすることもできる。その際このストラクチャ化は有利には、シートが少なくとも上に既に述べた２つのストライプの領域において除去されるように行われる。このことは例えばレーザによって行うことができる。その際レーザは所望のストラクチャ化ラインに従って支持板上ないしはシート上にガイドされるようにすることができる。シート領域のストライプ形状の除去の他に別のシート領域を除去することも可能である。例えばチップの裏面側であってチップの周りにフレーム形状に閉じられた外側のストライプの外の領域。その際いつでも重要なのは、チップ下縁部と支持板との間の僅かな間隔が、チップにも支持板上にも十分な幅のラミネート縁を有しているシートストライプによって封止された状態にとどまることである。このために例えば、照射により化学的および物理的に一層安定した形態に移行するシートを使用することもできる。それは例えばホトラックの形式のものである。このように、全面的にラミネート加工されたシートを、後に素子もしくは素子と支持板とで配置構成されて成る装置においてあり続けることになっている領域において放射によって硬化させることができる。それから残りの硬化されない領域は第２のステップにおいて、例えばプラズマ、殊に酸素を含有しているプラズマを用いて除去することができる。引き続いて、ストラクチャ化されたシートの場合合成樹脂材が既述のように供給される。ストラクチャ化によって可能になる、合成樹脂材とチップ、合成樹脂材と支持板とのダイレクトコンタクトによって、これは、気密にくっついておりかつ自己接着型のパッキンリングのようになる。
【００１８】
有利には、合成樹脂材として熱硬化可能な反応樹脂、例えばエポキシ樹脂が被着される。機械的な強度が十分であるということの他に、合成樹脂材は有利には、その熱的な膨張特性が、バンプ接続部の熱膨張係数に整合されておりかつ有利には近似的に一致しているように最適化される。このようにして、温度が変動しても熱膨張係数が異なっているという理由に基づいて応力を生ぜしめる可能性はなく、だからグローブトップ・カバーもバンプ接続部も負荷されないことが保証される。膨張係数の整合は有利には、硬化された反応性樹脂を例えば約２２ｐｐｍ／Ｋの熱膨張係数に調整設定する無機質な充填材料を使用して行われる。このことは、周知の、バンプ接続部に使用される材料が有している膨張係数に正確に相応している。
【００１９】
合成樹脂材の硬化後、単数または複数のチップの周りのグローブトップ・カバーがソーイングされ、その際シートの表面または支持体表面が露出される。ソーイングは、支持体ないしその上に配置されているシートと気密に繋がっている十分な幅のグローブトップ縁部がチップの周りに残るように行われる。シートだけが露出される場合、これは付加的なステップにおいて、例えばプラズマの作用によって除去されるようにするとよい。支持体に入り込んだソーイングを行うことも可能である。ソーイングによって一方において共通の支持板の溝にマウンティングされている複数の素子の個別化を支援することができる。しかしソーイングにおいて支持板の表面を露出させることは別の被覆層とのシールコンタクトを製造するためにも役立つ。別の被覆層とは殊に、上述した金属化部である。
【００２０】
その際金属化部は複数の段階および相応に種々異なっている方法において生成することができる。固着を支援するための基本金属化部は僅かな層厚において例えばスパッタリングによって生成することができる。このために例えば、ニッケルおよびクロムが適している。基本金属化部は無電流の析出、例えば銅を含有する浴からも行うことができる。その場合基本金属化部を所望の厚さまで増強するために有利には電着プロセスが行われるが、無電流で実施することもできる。基本金属化部を厚くするために殊に銅が適している。ハンダビリティまたは酸化耐性を生成するために封止金属層、例えばニッケルまたは金から成る被覆層を被着させることができる。択一的に、別の金属化方法を使用することもできる。ニッケルまたは別の磁性金属は、素子のカバーによって同時に電磁場に対する遮蔽が実現されるようにしたいときに殊に使用される。本発明の別の形態において、例えば導電性の粒子を含んでいる導電性のグローブトップ・カバーが使用される。その場合このカバーに対して直接、金属化部のために適している金属の電着を行うことができるので、この場合には２段階の金属化が行われる必要はない。
【００２１】
金属化は既述のように高周波同調のために用いることができる。このために、金属化部をチップの裏面または支持板の表面でアース接続部と接続すると有利である。このために有利には、ソーイングの際に、金属化部とコンタクト形成できるようにする電気的な接続面が支持板上で露出される。
【００２２】
１つの共通の支持板上に複数の素子が並行にマウンティングされかつカプセル化される場合には、これら素子はこのフェーズで個別化されるようにするとよい。しかし本発明の方法を、１つの共通の支持板に場合によっては種々異なっている複数の素子があって、これらが引き続いて支持板にあり続けることができかつ例えばモジュールとなるそういった類のものをカプセル化するために使用することもできる。本発明の方法はコスト的に有利な簡単な実施という他に、構造高さが僅かであるという特長も有している。というのは、本発明によって保証されるシール性および機械的な強度があればグローブトップ・カバーの高さが僅かでもよいからである。公知の方法においてカプセル化は例えば熱可塑性樹脂による射出成型によって行われ、このために構造高さは著しく高いものになる。
【００２３】
次に本発明を実施例および添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
その際図１ないし８には、本発明のカプセル化方法の種々異なったプロセス段階ないし本発明の方法の種々の可能なバリエーションが断面にて略示されている。
【００２５】
ここでは支持板Ｔは部分層Ｔ１およびＴ２による２層で実現されているものとする。支持板の上表面には素子ストラクチャと接続するための接続金属化部Ａが存在しており、一方支持体の下表面には、はんだ付け可能な接続面Ｌが存在している。これは外部の回路環境とコンタクト形成するために適している。部分層Ｔ１およびＴ２の間に、配線用平面（レベル）Ｖが配置されており、一方異なっている金属化平面（レベル）は貫通接触接続部（スルーコンタクト）Ｄ１およびＤ２によって接続されている。
【００２６】
図２：次に、バンプを用いて素子（チップ）がフリップチップマウンティングにおいて支持板にはんだ付けされる。バンプ接続部Ｂを用いて、チップＣの前面側の同時の素子ストラクチャＢＳが支持板Ｔの接続金属化部Ａに電気的にコンタクト形成される。
【００２７】
図３：次に、支持板ＴおよびチップＣの表面全体にシートＦが、それがチップの側壁にも裏面にも気密に載着されているようにラミネート加工される。素子ストラクチャＢＳはこのようにして、実質的に、支持板Ｔの上表面とチップＣの前面側と側方の境界におけるシートＦとによって形成される中空室Ｈに配置されている。
【００２８】
図４：それからこうして配置構成された装置全体の上にグローブトップ・カバーＧを実現するための合成樹脂が供給される。このカバーに対して、支持板Ｔの上表面上のフィル高さが選択される。この高さはチップの上縁部の上方にまで達している。しかしもっと低いフィル高さも可能である。
【００２９】
図５には、合成樹脂材を供給して被着させる前のシートＦのストラクチャ化の１つの態様が示されている。その際チップＣに対して間隔をおいた第１のストライプＳＴにおいて、シートＦはチップの周りでフレーム形状にチップの外縁をなぞるように例えばレーザを用いて除去される。選択的に行われるべき第２のストラクチャ化ラインＳｃはチップの側壁に存在している。この場合も全体のチップＣを取り囲むストライプにおいてシートＦが除去される。この第２のストラクチャ化ラインＳｃはチップの裏面を一緒に含むものであってもよいしまたはチップ裏面にだけ延在しているものであってもよい。択一的に、場合によってはチップ裏面全体だけが露出される。引き続いて、グローブトップ・カバーＧが被着される。その際カバーは少なくとも、チップＣを有するストラクチャ化ストライプＳｃの領域においておよび支持体Ｔの表面を有するストラクチャ化ストライプＳＴの領域において繋がっている。択一的に、グローブトップ・カバーＧに代わって、図５に図示されているまたは択一的に裏面にストラクチャ化されている装置に金属化部を直接被着するようにしてもよい。
【００３０】
図８には別のストラクチャ化の態様が示されているが、ここでは適当な幅のストライプを除いてシート全体が、中空室Ｈが閉鎖された状態に留まりかつ後の被覆の期間に合成樹脂材の侵入が妨げられる程度に除去される。合成樹脂材（例えばグローブトップ・カバー）によるカバーに対して択一的に、図８に図示されている装置の上に、金属化部を直接被着させることもできる。
【００３１】
図６：グローブトップ・マスＧの有利には熱硬化の後に、次のストラクチャ化ステップにおいて支持板Ｔの表面がストラクチャ化ラインＳＬの領域において、例えばグローブトップ・マスＧのソーイングによって露出される。その際ストラクチャ化ラインＳＬは有利には、このラインがチップＣからストラクチャ化ラインＳＴより大幅に離されているように選択されている。このようにして、ソーイング後もグローブトップ・カバーＧと支持板Ｔの表面との間に十分な境界面が残ることが保証されている。図６にはソーイング後の配置構成が示されている。
【００３２】
引き続いて全面に、例えば１０μｍの層厚において金属化部Ｍを被着させることができる。その際金属化部Ｍはストラクチャ化ラインＳＬの領域において支持板Ｔの上表面と密接に繋がっている。ストラクチャ化ラインＳＬはフレーム形状にチップＣの周りを閉じる形になっているので、こうして四方が閉じられた金属のカバーが生じる。このカバーは支持板Ｔを丸く閉鎖している。金属カバーは、チップの裏面を越えるまでのフィル高さが選択されている限りは、グローブトップ・マスに気密に載着されている。グローブトップ・マスのフィル高さが低い場合には、金属化部ＭはシートＦの上にも載着されることになるしあるいは図８のストラクチャ化の場合にはチップＣの裏面にも載着されることになる。
【００３３】
本発明の別の形態が図７に示されている。金属化部Ｍの高周波シールドを改善するために、これは電気的にアースに接続されている。このために支持板Ｔの表面に、アース接続部ＭＡが形成される。これはスルーコンタクトＤ３を介して多層の支持板Ｔの内部の配線レベルに接続されておりかつ別のスルーコンタクトを通って外部のはんだ付け接続部Ｌに接続されている。有利には、この実施例ではスルーコンタクトＤ３は、次のように実現される：該スルーコンタクトはチップ前面側と支持板表面との間の中空室Ｈ内で行われるか、またはシートの除去後もストラクチャ化ラインＳＴの領域において支持板Ｔにラミネート加工される依然残っているシートストライプによって被覆された状態を保つシートのラミネート加工領域において行われるかである。このようにして、グローブトップ・カバーＧに対する合成樹脂材の、スルーコンタクトＤ３への侵入が変えられる。
【００３４】
各図は、本発明をよりよく理解できるように簡略して示してあるにすぎない。それ故に図示の内容は縮尺通りではなく、幾何学的な形態を表面的に示しているにすぎない。本発明は、図示されている個々のディテールに制限されてはおらず、既に述べた可能なバリエーションも、請求項の枠内で考えられる別の実施形態も含んでいる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の電気素子のカプセル化の１つの実施例の１つの工程を示す断面略図
【図２】本発明の電気素子のカプセル化の１つの実施例の次の工程を示す断面略図
【図３】本発明の電気素子のカプセル化の１つの実施例の続く工程を示す断面略図
【図４】本発明の電気素子のカプセル化の１つの実施例の更に続く工程を示す断面略図
【図５】本発明の電気素子のカプセル化の別の実施例の１つの工程を示す断面略図
【図６】本発明の電気素子のカプセル化の別の実施例の続く工程を示す断面略図
【図７】本発明の電気素子のカプセル化の別の実施例の更に続く工程を示す断面略図
【図８】本発明の電気素子のカプセル化のもう１つの実施例の工程を示す断面略図
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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