(57)【要約】電解加工装置および工作物を機械加工するための方法が提供される。この装置は、工作物から伝導される電力パルスを、ギャップを通って流れる電解質に与え、次に電極に与える。電力パルスが与えられるときに材料は工作物から浸食され、工作物を機械加工する。この装置は、電力を供給するための電源、および電力のオンおよびオフを切換えることによってパルスを生じるためのスイッチング部分を含む。このスイッチング部分は、約２マイクロ秒のパルス幅および少なくとも約２８００アンペアの電流を有する電力パルスを生じることができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作物を電解加工するための方法であって、
電極を工作物の近くに位置付けて、電極および工作物の間にギャップを形成するステップと、
ギャップを通った電解質の流れを与えるステップと、
回路を形成して、電力が、電極、ギャップにおける電解質および工作物を通って流れるのを可能にするステップと、
約１００アンペアよりも高い電流および約１０マイクロ秒未満の最小パルス幅を有する電力パルスを生じて、工作物から材料を浸食するステップとを含む、方法。
【請求項２】
電極および工作物の間で短絡回路を検出するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電極および工作物の間で短絡回路を検出するステップは、電力パルスの生成の前に、電極および工作物の間の電圧を測定して短絡回路を検出するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
短絡回路が検出された場合に、電力パルスの生成を非活性化するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
電極および工作物の間で短絡回路を検出するステップは、電極および工作物の間の電圧を測定して、電力パルスの生成の際に短絡回路を検出するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
短絡回路が検出された場合に電力パルスの生成を阻止するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
複数のトランジスタは、電力パルスを生成し、複数のトランジスタの各々を通って流れる電流量を感知するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
トランジスタを通って流れる電流量が予め定められた値を超える場合に、複数のトランジスタのうちの１つを非活性化するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
電力パルスは、約５００アンペアよりも高い電流を生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
電力パルスは、約２５００アンペアよりも高い電流を生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
最小パルス幅は、約２マイクロ秒から約１０マイクロ秒の間で維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
最小パルス幅は、約２マイクロ秒および約１０マイクロ秒の間で維持される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
直流を有するＤＣ電力を与える電源と、
前記電源に接続されて、１００アンペアよりも高い電流および約１０マイクロ秒未満の最小パルス幅を有するＤＣ電力パルスを生じることができる前記ＤＣ電力を中断するスイッチング部分と、
前記スイッチング部分に作動的に接続されて、前記スイッチング部分を制御する制御装置と、
前記スイッチング部分に電気的に接続された電極と、
前記電極の近くに位置付けられて、前記工作物および前記電極の間でギャップを形成する工作物と、
前記ギャップを通って流れる電解質を供給して、前記電解質が、前記工作物および前記電極と接触して、伝導する前記ＤＣ電力パルスのための電気回路を作成するようにする電解質供給とを含む、電解加工装置。
【請求項１４】
前記スイッチング部分は、前記ＤＣ電力パルスを生成する複数のトランジスタをさらに含む、請求項１３に記載の電解加工装置。
【請求項１５】
前記複数のトランジスタは、金属酸化物シリコンの電界効果型である、請求項１４に記載の電解加工装置。
【請求項１６】
前記トランジスタに作動的に接続され、かつ前記制御装置に作動的に接続されて、各々のトランジスタを通って流れる電流量を感知し、かつトランジスタを通って流れる電流量が予め定められたレベルよりも高い場合に、前記トランジスタを使用不可にする複数の電流センサをさらに含む、請求項１４に記載の電解加工装置。
【請求項１７】
前記電極および前記工作物に作動的に接続されて、前記電極および前記工作物の間で短絡回路を検出するための短絡回路検出器をさらに含む、請求項１３に記載の電解加工装置。
【請求項１８】
前記短絡回路検出器は、前記制御装置に作動的に接続されて、前記短絡回路が検出された場合に、前記ＤＣ電力パルスをオフにする、請求項１７に記載の電解加工装置。
【請求項１９】
前記制御装置に作動的に接続されて、オペレータが前記制御装置のパラメータを調整することができるようにするユーザインターフェイスをさらに含む、請求項１３に記載の電解加工装置。
【請求項２０】
前記制御装置は、互いに接続されたマイクロコントローラおよびコンピュータを含み、前記コンピュータは、前記マイクロコントローラに信号を与えて前記ＤＣ電力パルスを引き起こす、請求項１３に記載の電解加工装置。
【請求項２１】
前記スイッチング部分は、約５００アンペアよりも高い電流を有するＤＣ電力パルスを生じることができる、請求項１３に記載の電解加工装置。
【請求項２２】
前記スイッチング部分は、約２５００アンペアよりも高い電流を有するＤＣ電力パルスを生じることができる、請求項１３に記載の電解加工装置。
【請求項２３】
前記スイッチング部分は、約２マイクロ秒から約１０マイクロ秒の間の最小パルス幅を有するＤＣ電力パルスを生じることができる、請求項１３に記載の電解加工装置。
【請求項２４】
前記スイッチング部分は、約２マイクロ秒から約１０マイクロ秒の最小パルス幅を有するＤＣ電力パルスを生じることができる、請求項２２に記載の電解加工装置。
【請求項２５】
直流を有するＤＣ電力を与える電源と、
前記電源に接続されて、少なくとも約２８００アンペアの電流および約２マイクロ秒から約１０マイクロ秒の間のパルス幅を有するＤＣ電力パルスを生じることができる前記ＤＣ電力を中断するスイッチング部分と、
前記スイッチング部分に作動的に接続されて、前記スイッチング部分を制御する制御装
置と、
前記スイッチング部分に電気的に接続された電解質と、
前記電極の近くに位置付けられて、前記工作物および前記電極の間でギャップを形成する工作物と、
前記ギャップを通って流れる電解質を供給して、前記電解質が前記工作物および前記電極と接触して、伝導する前記ＤＣ電力パルスのための電気回路を作成するようにする電解質供給とを含む、電解加工装置。
【請求項２６】
直流を有するＤＣ電力を与える電源と、
前記電源に接続されて、１００アンペアよりも高い電流および約１０マイクロ秒未満の最小パルス幅を有するＤＣ電力パルスを生じることができる前記ＤＣ電力を中断するスイッチング部分と、
前記スイッチング部分に作動的に接続されて、前記スイッチング部分を制御する制御装置とを含み、
前記スイッチング部分は、金属酸化物シリコンの電界効果型の複数のトランジスタを含む、パルス電源。
【請求項２７】
前記トランジスタに作動的に接続され、かつ前記制御装置に作動的に接続されて、各々のトランジスタを通って流れる電流量を感知し、かつトランジスタを通って流れる電流量が予め定められたレベルよりも高い場合に、前記トランジスタを使用不可にする複数の電流センサをさらに含む、請求項２６に記載のパルス電源。
【請求項２８】
前記制御装置に作動的に接続されて、オペレータが前記制御装置のパラメータを調整することができるようにするためのユーザインターフェースをさらに含む、請求項２６に記載のパルス電源。
【請求項２９】
前記スイッチング部分は、約５００アンペアよりも高い電流を有するＤＣ電力パルスを生じることができる、請求項２６に記載のパルス電源。
【請求項３０】
前記スイッチング部分は、約２５００アンペアよりも高い電流を有するＤＣ電力パルスを生じることができる、請求項２６に記載のパルス電源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の背景
１．発明の分野
本発明は、パルス電源を用いた電解加工（ＥＣＭ）装置およびプロセスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２．関連技術の説明
パルス電力を用いたＥＣＭ装置および方法は関連技術において周知である。典型的に、電力パルスは、電極に送られ、電解質のギャップを通って工作物に送られる。このプロセスは、工作物の侵食または機械加工をもたらす。
【０００３】
この技術の初期の例が、米国特許第３，６０７，６８９号に見られる。この‘６８９号の特許は、電力パルスを与えることができるＥＣＭ装置を開示している。シリコン制御整流器（ＳＣＲ）を起動してキャパシタを放電することによって、この電力パルスが生じる。この電力パルスの最大電流は３００，０００アンペアである。しかしながら、ＳＣＲのスイッチング時間が遅いために、この装置が達成する最小のパルス幅は１ミリ秒にすぎない。
【０００４】
ＥＣＭ装置の別の例が、米国特許第４，１１３，５８７号で明らかにされている。このＥＣＭ装置は、最小幅が１０マイクロ秒の電力パルスを生じることができる。この電力パルスの最大電流は３００アンペア／ｃｍ2である。しかしながら、この‘５８７号の特許のＥＣＭ装置は、最小幅が１０マイクロ秒未満のパルスを生じることができず、電極および工作物に電荷を効果的に与えて工作物を機械加工することができない。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明の概要および利点
本発明は、直流を有するＤＣ電流を与えるための電源を含む電解加工装置を提供する。スイッチング部分を電源に接続してＤＣ電力を中断する。スイッチング部分は、１００アンペアよりも高い電流および１０マイクロ秒未満の最小パルス幅を有するＤＣ電力パルスを生じる。制御装置をスイッチング部分に作動的に接続してスイッチング部分を制御する。電極もスイッチング部分に接続する。工作物を電極の近くに位置付けて、工作物および電極の間にギャップを形成する。電解質の供給を含んで、ギャップを通って流れる電解質を与える。この電解質は工作物および電極と接触し、伝導するＤＣ電力パルスのための電気回路を作成する。
【０００６】
本発明はまた、工作物を電解加工するための方法を提供する。この方法は、工作物の近くに電極を位置付けて、電極および工作物の間にギャップを形成するステップと、ギャップを通った電解質の流れを与えるステップと、電力が、電極、ギャップにおける電解質、および工作物を通って流れるのを可能にする回路を形成するステップと、１００アンペアよりも高い電流および１０マイクロ秒未満の最小パルス幅を有する電力パルスを生じて、工作物から材料を侵食するステップとを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明が、１０マイクロ秒未満の最小のパルス幅および１００アンペアよりも高い電流の電力パルスを生成することができることによって、関連技術を越える複数の利点が与え
られる。１つのこのような利点は、関連技術を越える平準化力（leveling power）の増加である。平準化力は、いかに迅速に工作物を侵食して、電極の形状に一致させることができるかと定義され得る。より具体的に、平準化力は、Ｌ＝（ｅ0−ｅ1）／Ｓと定義され得、ここでｅ0は電力パルスが与えられる前の工作物の初期表面の変動量であり、ｅ1は、電力パルスが与えられた後の工作物の最終表面の変動量であり、Ｓは侵食された工作物の犠牲的な蓄積の量である。図５ａおよび５ｂは、関連技術および本発明の平準化力における差を示している。本発明の犠牲的な蓄積（Ｓ）および最終表面の変動（ｅ1）は、関連技術によって達成することができるよりも小さい。特に、本発明の最終表面の変動（ｅ1）は、約１０マイクロメータ（ミクロン）未満である。関連技術の最終表面の変動（ｅ1）は約１０マイクロメータよりも高い。
【０００８】
本発明が関連技術よりも高い平準化力を与える３つの方法がある。第１に、本発明が工作物６０上で生じさせるパルスごとの侵食された材料は、関連技術よりも少ない。したがって、侵食された材料は、関連技術で可能であるよりも早く洗い流すまたは「浄化する」ことができる。
【０００９】
第２に、本発明の１０マイクロ秒未満のパルスは、トランジット効果を用いて、工作物６０の初期表面６上の山７を侵食した後で、初期表面６の谷８を侵食する。図５ａおよび５ｂを参照すると、初期表面６は山７および谷８を含み、山７は谷８よりも電極５８に近い。変化する静電容量および抵抗が、電極５８および初期表面６の間で生じる。抵抗は、電極５８および谷８の間よりも、電極５８および山７の間のほうが小さい。したがって、抵抗および静電容量の積である飽和時間は、電極５８および初期表面６の間で変化する。この静電容量は、電流が電極５８および工作物６０の間を流れて工作物６０を侵食する前に、電力パルスによって完全に飽和されなければならない。したがって、パルスが１０マイクロ秒未満の状態で、このパルスは、静電容量が電極５８および山７の間で飽和された後で終了するかもしれないが、静電容量が電極５８および谷８の間で飽和する前に終了するかもしれない。したがって、工作物６０の山７は、谷８の前に侵食され、関連技術によって与えることができるよりも平坦な、工作物６０の最終表面９をもたらす。
【００１０】
第３に、平準化力は、関連技術によって達成されるよりも減じられた、電極５８および工作物６０の間の分極によってさらに増加される。電解加工の当業者は、分極は、電流が電極５８に与えられないときの平衡電位から、電流が電極５８に与えられるときまでの電極５８の電位の変化として定義されることを認識するであろう。分極は、電流が電極５８に与えれるときに即座に生じず、時間とともに形成される。分極によって平準化力が減じられることによって、電解加工プロセスの速度および正確さが減じられる。本発明の短いパルス幅は、関連技術によって行なわれるよりも早く電極５８から電流を取除くことによって、分極を減じる。やはり、これによって、関連技術でもたらすことができるよりも小さな最終表面の変動（ｅ1）を有する、工作物６０のより平坦な最終表面９がすぐにもたらされる。
【００１１】
本発明の他の利点は、それが以下の詳細な説明を参照して添付の図面と関連して考慮されるときによりよく理解される中で、容易に認識されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
好ましい実施例の詳細な説明
図を参照すると、同じ数字は、複数の図面を通して同様のまたは対応する部品を示しており、電解加工装置が図１の１０に示されている。
【００１３】
この装置は、直流を有するＤＣ電力を与える電源１２を含む。図２を参照すると、電源１２は、交流を有するＡＣ電力をＤＣ電力に変換する。一実施例において、ＡＣ電力の電
圧は３つの位相を有し、定格でおよそ２２０ＶRMSとなる。しかしながら、電源１２は容易に修正されて、さまざまな特徴を有するＡＣ電力のさまざまなソースに対応することができることが当業者によって認識される。電磁適合性フィルタ３１を与えて、ＡＣ電力からＲＦノイズをフィルタリングし得る。
【００１４】
示された実施例において、電源１２は、ＡＣ電力の電圧を減じるためのハイサイド１６およびローサイド１８を有する変圧器１４を含む。変圧器１４のハイサイド１６は、ＡＣ電力に接続される。電圧が減じられたＡＣ電力は、変圧器１４のローサイド１８で生じる。変圧器１４は、電圧が源じれられたＡＣ電力の電圧を制御するために複数のタップ（図示せず）を有する。一実施例において、変圧器１４は、空冷され、変圧器１４の温度を監視するための少なくとも１つの温度センサ２１を含む。
【００１５】
電源１２は、複数のシリコン制御整流器２２（ＳＣＲ）を含み、このシリコン制御整流器は、電圧が減じられたＡＣ電力を直流を有するＤＣ電力に変換するための変圧器１４のローサイド１８に接続されている。電源１２は、レギュレータ２４をさらに含み、このレギュレータは、ＳＣＲ２２に作動的に接続され、ＳＣＲ２２を制御してＤＣ電力の電圧を調整する。このレギュレータ２４は、温度センサ２１にも接続される。
【００１６】
電源１２はまたＬＣ回路２６を含み、このＬＣ回路はＳＣＲ２２に作動的に接続されて、ＤＣ電力におけるＡＣリップルを減じる。ＬＣ回路２６はまた、ＤＣ電力を安定化する助けをする容量性電荷を与える。
【００１７】
さらに、電源１２は、ＤＣ電力におけるサージが電源１２へ逆給電されるのを防ぐためのサージプロテクタ２８を含み得る。操作卓２９は、オペレータがＳＣＲの調整を行なうことによって電圧を微調整するというように、電源の特徴を変更できるようにする。電源１２はまた、ヒューズ３０およびスイッチ３２を含み得る。
【００１８】
一実施例において、ＤＣ電力の電圧は定格で３５ボルトとなる。さらに一実施例において、ＤＣ電力の初期電流は２８００アンペアであり、一方でＤＣ電力の定常状態の電流は８００アンペアである。
【００１９】
再び図１を参照すると、電源１２の出力３４は、プラス出力３６およびマイナス出力３８を含み、ＤＣ電力は、プラス出力３６からマイナス出力３８へと流れる。スイッチング部分４０は、電源１２に接続されてＤＣ電流を中断する。この中断は、約１００アンペアよりも高い電流および１０マイクロ秒未満の最小パルス幅を有するＤＣ電力パルスを生じることができる。ＤＣ電力パルスはまた、最小電圧上昇および１００ナノ秒未満の下降時間を有する。１０マイクロ秒未満のパルス幅が、１０マイクロメータ（ミクロン）またはそれ未満の高解像機械加工の許容度を与えるのに必要である。
【００２０】
ここで図３を参照すると、スイッチング部分４０は、複数のトランジスタ４２をさらに含み、このトランジスタは、並列に接続され、迅速にオンおよびオフを切換えてＤＣ電力パルスを生成することができる。一実施例において、複数のトランジスタ４２は、金属酸化物シリコンの電界効果型である。好適なトランジスタの例は、日本、東京の株式会社東芝によって製造された２ＳＫ１３８１である。この特定のトランジスタは、１００ボルトのドレインソース定格電圧、５０アンペアの連続ドレイン定格電流、２００アンペアの瞬時ドレイン定格電流、および０．０２５オームの典型的なドレイン−ソースＯＮ抵抗を有する。これらのトランジスタ４２の２０から３０を用いた本発明は、最大ピーク電流が２，８００アンペアおよび負荷インピーダンスが０．０６オームのパルスを生じることができる。低い負荷インピーダンスによって、低いエネルギ損でのトランジスタの高速のスイッチング速度が可能になる。
【００２１】
制御装置４４は、スイッチング部分４０に作動的に接続されて、スイッチング部分４０を制御する。好ましい実施例において、制御装置４４は、互いに接続されたマイクロコントローラ４６およびコンピュータ４８を含む。しかしながら、単一のコンピュータ・デバイスを制御装置４４の代わりに使用することができることが当業者によって認識されるであろう。
【００２２】
好適なマイクロコントローラ４６の例は、アリゾナ州、チャンドラー（Chandler)の、マイクロチップテクノロジー社（Microchip Technology Inc.）によって製造されたＰＩＣ１７Ｃ４４／ＪＷである。このＰＩＣ１７Ｃ４４／ＪＷは、８キロバイトのＥＰＲＯＭメモリを有する８ビットのＣＭＯＳマイクロコントローラであり、３３ＭＨｚのクロックで作動されるときに、１２1ナノ秒の命令サイクルを与える。高速の命令サイクル時間が、スイッチング部分４０の高速な切換を達成するために必要である。もちろん、当業者にとって明らかであるように、他の匹敵するマイクロコントローラを用いることもできる。
【００２３】
一実施例において、コンピュータ４８は、マイクロコントローラ４６に信号を与えて、ＤＣ電力パルスを引き起こす。マイクロコントローラ４６は、トランジスタ４２に作動的に接続されて、トランジスタ４２のＯＮおよびＯＦＦの切換を制御する。光アイソレータ５０は、マイクロコントローラ４６および各々のトランジスタ４２のゲート４３の間で接続され得る。さらに、インバータ５２およびレジスタ５４を、互いに直列に接続し、かつ各々の光アイソレータ５０および各々のトランジスタ４２のゲート４３の間に配置し得る。光アイソレータ５０は、トランジスタ４２をマイクロコントローラ４６から電気的に絶縁するという機能を果たす。インバータ５２は、マイクロコントローラ４６からの信号の論理レベルを“０”から“１”へ、またはその逆に変更する。抵抗器５４は、トランジスタ４２を駆動するのに必要なバイアス電流を与える。
【００２４】
スイッチング部分４０は、複数の電流センサ５６をさらに含み、この電流センサは、トランジスタ４２に作動的に接続されかつ制御装置４４に作動的に接続されて、各々のトランジスタ４２を通って流れる電流量を感知する。トランジスタ４２を通って流れる電流量が予め定められた値に達した場合、マイクロコントローラ４４はトランジスタ４２を使用不可にする。予め定められた値は典型的にトランジスタ４２の物理的制約に対応する。
【００２５】
再び図１を参照すると、電解加工装置１０はまた、スイッチング部分４０に電気的に接続された電極５８を含む。電極５８は陰極とも呼ばれ得る。電極５８の近くに位置付けられた工作物６０は、工作物６０および電極５８の間にギャップ６２を形成する。工作物６０は、好ましくは、電源１２のプラス出力３６に接続される。工作物６０は陽極と呼ばれるかもしれない。電解質供給６６は、ギャップ６２を通って流れる電解質６８を供給する。電解質６８は、工作物６０および電極５８と接触して、伝導するＤＣ電力パルスのための電気回路を作成する。
【００２６】
短絡回路検出器６４は、電極５８および工作物６０に作動的に接続されて、電極５８および工作物６０の間で短絡回路を検出し得る。短絡回路検出器６４は、制御装置４４に作動的に接続されて、短絡回路が検出された場合にＤＣ電力パルスをオフにする。短絡回路の検出器６４は、パルスが電極５８に与えられる前に短絡回路を感知することができる。短絡回路検出器６４は、パルスが電極５８に与えられる際に短絡回路を感知することもできる。
【００２７】
短絡回路検出器の一実施例が図４に詳細に示されている。複数の信号が短絡回路検出器および制御装置の間に存在する。パルスが電極５８に与えられる前に短絡回路を感知したときに、ＤＥＴＥＣＴ−信号７０およびＤＥＴＥＣＴ＋信号７２が制御装置から送信され
る。ＤＥＴＥＣＴ−信号７０が活性化されるときに、第１の継電器７４が通電されて、マイナス電源を工作物６０に与えることができるようにする。次に感知された電圧が感知されて、第１の演算増幅器７８に送信され、ここで感知された電圧は、マイナスの参照電圧と比較される。第１の演算増幅器７８は、短絡回路が存在する場合にＳＨＯＲＴＩＮＧ信号８２を生じる。ＳＨＯＲＴＩＮＧ信号８２は次に制御装置４４に送信される。ＤＥＴＥＣＴ−信号７０が非活性化され、かつＤＥＴＥＣＴ＋信号７２が活性化されるときに、同様のプロセスがプラスの電圧ソースとともに生じる。第２の継電器７６が活性化され、第２の演算増幅器８０が、感知された電圧およびプラスの参照電圧の間で比較を行なう。パルスが電極５８に与えられている際に短絡回路を感知したときに、ＤＥＴＥＣＴ＿Ｐ信号８６が活性化される。ＤＥＴＥＣＴ＿Ｐ信号８６は、第３の継電器８８を活性化し、この第３の継電器は、第２の演算増幅器８０が、感知された電圧およびパルス参照電圧の間で比較を行なうことができるようにする。パルスサイクルの際に短絡回路が検出されたときに、ＳＨＯＲＴ＿Ｐ信号８４が生じる。ＳＨＯＲＴ＿Ｐ信号８４は次に制御装置４４に送信される。制御装置４４は、短絡回路検出プロセスを制御するためのソフトウェアを含み、このプロセスは、ＤＥＴＥＣＴ−信号７０、ＤＥＴＥＣＴ＋信号７２およびＤＥＴＥＣＴ＿Ｐ信号８６を適切な時間に順序付ける。
【００２８】
再び図１を参照すると、オペレータインターフェイス９０は、制御装置４４に作動的に接続されて、オペレータが制御装置４４のパラメータを調整することができるようにする。これらのパラメータは、パルス幅、パルス間の幅、動作実行時間等を含むがこれらに限定されない。オペレータインターフェイス９０はまた、オペレータが装置１０に関する情報を得ることができるようにし、この情報とは、電力消費、短絡回路の警報等を含むがこれらに限定されない。
【００２９】
一実施例において、プログラマブル論理制御装置（ＰＬＣ）９２は制御装置４４に作動的に接続される。ＰＬＣ９２は、電解加工装置１０が、全体的な製造システムにおける他の機械およびプロセスとインターフェイスすることができるようにする。ＰＬＣ９２は光アイソレータ回路９４によって制御装置４４から電気的に絶縁され得る。
【００３０】
本発明は例示的な態様で記載され、使用された専門用語は、限定するものではなく、記載された言葉がどういったものであるかを示すことが意図されていることを理解すべきである。
【００３１】
明らかに、本発明の多くの修正および変形が上記の教示に鑑みて可能である。したがって、別掲の特許請求の範囲内で、本発明は、具体的に記載された以外の方法で実施され得ることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】電解加工装置のブロック図である。
【図２】電解加工装置の電源の単線の概略電気回路図である。
【図３】電解加工装置のスイッチング部分の詳細を示す概略電気回路図である。
【図４】電解加工装置の短絡回路検出器の詳細を示す概略電気回路図である。
【図５ａ】関連技術の電解加工プロセスの前および後の工作物の断面図であり、電力パルスは１０マイクロ秒よりも高い幅を有する図である。
【図５ｂ】本発明の電解加工プロセスの前および後の工作物の断面図であり、電力パルスは１０マイクロ秒未満の幅を有する図である。
【図１】
2005531417.tif 000002
【図２】
2005531417.tif 000003
【図３】
2005531417.tif 000004
【図４】
2005531417.tif 000005
2005531417.tif 000006
【国際調査報告】
2005531417.tif 000007