(57)【要約】本発明は、半導体デバイスと、マイクロ電子デバイスと、マイクロ電子機械デバイスと、マイクロ液体デバイスと、光子デバイスとに関し、より詳しくは、多段リソグラフィックテンプレートと、多段リソグラフィックテンプレートを形成する方法と、多段リソグラフィックテンプレートを用いてデバイスを形成する方法とに関する。第１レリーフ構造と第２レリーフ構造を有し、そのことによって多段レリーフイメージを規定する多段リソグラフィックテンプレート（１０／１０’）が形成される。このテンプレートは半導体デバイス（４０）の製造において使用され、放射線感知材料がその上に形成された半導体デバイス（４０）にテンプレートを接触させ、圧力を加えて放射線感知材料をテンプレート上にある多段レリーフイメージに流入させることによって、デバイス（４０）内のパターンに変化を生じさせる。それから放射線を多段テンプレートを通して加えて、放射線感知材料の部分を更に硬化させると共に、更に放射線感知材料内にパターンを規定する。それから多段テンプレートを除去して、半導体デバイス（４０）の製造を完了する。
2005530338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
表面を有する第１レリーフ構造を形成するステップと、
前記第１レリーフ構造の表面上に、表面を有する第２レリーフ構造を形成することによって多段リソグラフィックテンプレートを規定するステップとを備える方法。
【請求項２】
多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
表面を有する透明基板を提供するステップと、
前記基板の表面上に硬質マスク層を堆積させるステップと、
前記硬質マスク層の表面上にパターンレジスト層を形成するステップと、
前記硬質マスク層と前記基板をエッチングし、そのことによって前記基板材料内に第１パターンレリーフ構造を規定するステップと、
前記パターンレジスト層と前記硬質マスク層を除去するステップと、
前記第１パターンレリーフ構造の最上面の上に少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップとを備える方法。
【請求項３】
硬質マスク層を堆積させるステップが、クロム（Ｃｒ）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化珪素タンタル（ＴａＳｉＮ）、および窒化クロム（ＣｒＮ）の内の一つの材料層を堆積させるステップを含む、請求項２に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項４】
前記第１パターンレリーフ構造の最上面の上に少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップが、標準的なリソグラフィック処理技術を用いて少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップを含む、請求項２に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項５】
前記第１パターンレリーフ構造の最上面の上に少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップが、直接的にイメージング可能な誘電処理技術を用いて少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップを含む、請求項２に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項６】
前記第１パターンレリーフ構造の最上面の上に少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップが、基板層内に少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップを含む、請求項２に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項７】
多段リソグラフィックテンプレートを形成する方法であって、
表面を有する透明基板を提供するステップと、
前記基板の表面上に、表面を有する第１パターン層を形成することによってレリーフ構造を規定するステップと、
前記第１パターン層の表面上に、レリーフ構造を規定する第２パターン層を形成するステップとを備える方法。
【請求項８】
第１パターン層を形成するステップと第２パターン層を形成するステップが、寸法ｘの第１パターン層と寸法ｙの第２パターン層を規定することを含み、ｘはｙより大きいことことを特徴とする、請求項７に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項９】
多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
表面を有する透明基板を提供するステップと、
前記基板の上に第１エッチング停止層を形成するステップと、
前記第１エッチング停止層の上に第１パターニング層を形成するステップと、
前記第１パターニング層の表面上にパターンレジスト層を形成するステップと、
前記第１パターニング層をエッチングし、そのことによって第１パターン層を規定するステップと、
前記パターンレジスト層を除去するステップと、
前記第１パターン層の表面上に第２エッチング停止層を形成するステップと、
前記第２エッチング停止層の上に第２パターニング層を形成するステップと、
前記第２パターニング層の表面上にパターンレジスト層を形成するステップと、
前記第２パターニング層をエッチングし、そのことによって第２パターン層を規定するステップと、
前記パターンレジスト層を除去するステップとを備える方法。
【請求項１０】
前記第１パターニング層をエッチングするステップが、寸法ｘの第１パターン層を規定するステップを含み、前記第２パターニング層をエッチングするステップが、寸法ｙの第２パターン層を規定するステップを含み、ｘはｙより大きいことを特徴とする、請求項９に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項１１】
透明基板を提供するステップが、水晶材料、ポリカーボネート材料、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）材料、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）材料、またはパイレックス（登録商標）材料のいずれか一つの基板を提供することとして更に特徴づけられた、請求項９に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項１２】
第１エッチング停止層を形成するステップが、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ２）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ２）、酸化アルミニウム銅（ＣｕＡｌＯ）、酸化ガリウム銅（ＣｕＧａＯ）、および酸化錫カドミウム（ＣｄＳｎＯ）のうちの一つの第１エッチング停止層を形成することを含むこと特徴とする、請求項９に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項１３】
不透明材料の第１パターニング層と第２パターニング層を形成するステップが、タングステン（Ｗ）、珪化タングステン（ＷＳｉ）、窒化珪素タングステン（ＷＳｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、タンタル合金、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、珪化タンタル（ＴａＳｉ）、チタン（Ｔｉ）、チタン合金、モリブデン（Ｍｏ）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ）、モリブデン合金、または窒化珪素タンタル（ＴａＳｉＮ）のいずれか一つの第１パターニング層と第２パターニング層を形成するステップをさらなる特徴とする、請求項１２に記載の多段リソグラフィックテンプレートの製造方法。
【請求項１４】
多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
最上面を有する基板を提供するステップと、
前記基板によって支持される第１パターニング層を提供するステップと、
放射源で前記第１パターニング層をパターン化することによってレリーフ構造を有する第１パターン層を形成するステップと、
前記第１パターン層によって支持される第２パターニング層を提供するステップと、
放射源で前記第２パターニング層をパターン化することによってレリーフ構造を有する第１パターン層を形成するステップとを備える方法。
【請求項１５】
表面を有する基板と、
該基板の上に形成された寸法ｘの第１パターン層と、該第１パターン層の上に形成された寸法ｙの第２パターン層とを備え、寸法ｘは寸法ｙよりも大きく、前記第１パターン層と前記第２パターン層はその中にレリーフイメージを規定していることを特徴とする多段リソグラフィックテンプレート。
【請求項１６】
デバイスを作成する方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板に放射線感知材料層を塗布するステップと、
多段リソグラフィックテンプレートであって、表面を有する基板と、該基板の上に形成された寸法ｘの第１パターン層と、該第１パターン層の上に形成された寸法ｙの第２パターン層とを備え、寸法ｘは寸法ｙよりも大きく、前記第１パターン層と前記第２パターン層はその中にレリーフイメージを規定しているリソグラフィックテンプレートを製造するステップと、
前記リソグラフィックテンプレートを前記放射線感知材料層と接触させて、前記放射線感知材料層を前記テンプレートと前記基板の間に位置付けるステップと、
前記テンプレートに圧力を加えることによって前記放射線感知材料が前記テンプレート上のレリーフパターンに流入するステップと、
前記リソグラフィックテンプレートを通って放射線を伝送して、前記基板上の前記放射線感知材料層の少なくとも一部分を露出させることによって前記放射線感知材料層内のパターンに更に変化を生じさせるステップと、
前記基板から前記テンプレートを除去するステップとを備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、マイクロ電子デバイス、マイクロ電子機械デバイス、マイクロ液体デバイス、光子デバイスに関し、より詳細には、リソグラフィックテンプレートと、多段構造を含むリソグラフィックテンプレートを形成する方法と、多段リソグラフィックテンプレートを用いて半導体デバイスを形成する方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造は、何らかの方法で相互に影響し合ういくつかの材料層の作成を含んでいる。これらの層の一つまたはそれ以上を、層のいろいろな領域が異なる電気特性を有するようにパターン化することができ、これらの領域を、層内で相互接続するか、他の層と相互接続して、電気部品と回路を作成することができる。これらの領域は、種々の材料を選択的に導入するか除去することによって作成することができる。そのような領域を規定するパターンは、しばしばリソグラフィックプロセスによって作成される。例えば、フォトレジスト材料層を、ウェハ基板を覆う層の上に塗布する。フォトマスク（透明領域と不透明領域を含む）を用いて、紫外線、電子、またはＸ線などの放射線によってこのフォトレジスト材料を選択的に露出させる。放射線に曝されたフォトレジスト材料か、放射線に曝されていないフォトレジスト材料のいずれかを、現像液を用いることによって除去する。それから、残りのレジストによって保護されていない層にエッチングを適用してもよく、レジストを除去すると、基板を覆う層がパターン化される。
【０００３】
上記のリソグラフィックプロセスは、フォトマスクからデバイスへパターンを転写するために一般的に用いられる。半導体デバイス上の構造物のサイズは、１００ナノメータの範囲に至るサブミクロンの領域まで、相当に減少しているので、高密度半導体デバイスをパターン化するための新しいリソグラフィックプロセスまたは技術が必要である。この必要性を満たすと共にインプリンティングとスタンピングをベースにしたいくつかの新しいリソグラフィック技術が提案されている。特に、ステップ・アンド・フラッシュ・インプリント・リソグラフィー（ＳＦＩＬ）は、２０ｎｍ程度の小さい線をパターン化できることが判明している。
【０００４】
ＳＦＩＬテンプレートは一般に、透明な水晶板に８０〜１００ｍｍ厚のクロム層を塗布することによって作られる。レジスト層をクロム層に塗布し、電子ビームなど露光システムのいずれかを用いてパターン化する。その後、レジスト層を現像液内に置いて、クロム層の上にパターンを形成する。レジスト層は、クロム層をエッチングするためのマスクとして用いられる。クロム層はその後水晶板のエッチングのための硬質マスクとして働く。最後に、クロム層を除去することによって、水晶内のレリーフイメージを有した水晶テンプレートを形成する。
【０００５】
全体的に、ＳＦＩＬ技術は、その光化学独特の用途と、周囲温度の使用と、ＳＦＩＬプロセスを行うのに必要な低圧とをうまく利用している。一般的なＳＦＩＬプロセスの間、基板には有機平坦化層が塗布されて、透明なＳＦＩＬテンプレートに近接して配置される。このＳＦＩＬテンプレートは一般に、水晶からなるものであり、レリーフイメージを有し、表面エネルギーの低い材料が塗布される。紫外線または深紫外線感知光硬化有機溶液を、テンプレートとコーティングされた基板との間に堆積させる。最少圧を用いて、テンプレートを、基板、より詳細には光硬化有機層と接触させる。次に、有機層を、テンプレートを通過する照射によって、室温で硬化または架橋させる。光源には一般に紫外線を用いる。テンプレートの透過特性と光硬化有機材の感光性次第で、１５０ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲を使用可能である。次に、平坦化層上のテンプレートレリーフの有機複製を残
しながら、テンプレートを基板と有機層から分離させる。それから、このパターンを短ハロゲンブレークスルー(short halogen breakthrough)によってエッチングし、次に、酸素反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって、有機層と平坦化層の中に高解像度、高アスペクト比の特徴を形成する。
【０００６】
リソグラフィックマスクとリソグラフィックテンプレートの間の違いに注目すべきである。リソグラフィックマスクは、不透明領域と透明領域からなるパターンを有しており、光の空中イメージをフォトレジスト材料に伝えるためのステンシルとして用いられる。リソグラフィックテンプレートは、型を作成する、その表面にエッチングされたレリーフイメージを有している。ＳＦＩＬにおいては、パターンは、光硬化液がレリーフイメージに流入したのち硬化したときに画成される。従って、マスクとテンプレートにとって必要な属性は全く異なる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳＦＩＬ技術は、２０ｎｍ程度の小さい構造物に対する解像度を有することが判明している。このように、多様なサイズの構造物を単一ウェハ上に作成することができる。しかしながら、上記のＳＦＩＬテンプレート製造方法論にはいくつかの問題がある。従来技術プロセスにおけるそのような問題の１つは、寸法が同じ構造物が作成される一方で、二次元段構造がＳＦＩＬ技術を用いて作成できないことにある。一般的には、深さが一層であるため一「段」しか持っていないと考えられる単一段テンプレートが、ＳＦＩＬ技術を用いて作成される。マイクロエレクトロニクス用途またはＭＥＭＳ用途を含む多くの種々の用途に使用するために、多段構造を作成する必要性が存在する。また、この多段構造は、Ｔゲート構成、回折光学素子、光格子カップラ、およびその他の構造に有用な層状レジストプロフィールを提供する。
【０００８】
クロム硬質マスクのみが使用される場合、水晶テンプレートの均一エッチングに関しても問題がある。テンプレート上のエッチング深さは、最終的にウェハ上の光硬化レジスト層の厚みを決定し、結果として非常に重要であるということに注目しなければならない。より詳細には、エッチングの均一性の観点から、小さい構造物（＜２００ｎｍ）についての微細荷重効果に関して問題がある。小さい構造物は大きい構造物よりも緩慢にエッチングされ、テンプレート全体に渡って、臨界寸法とエッチング深さの両方において非均一性を生じることが公知である。エッチング中の微細荷重効果のために、小さい構造物は完全にエッチングされず、大きい構造物のように深くエッチングされることもない。より詳細には、２００ｎｍ未満の線のエッチング深さは大きい構造物に対するよりも浅い。このことは、大きい構造物から小さい構造物まで厚みが均一でないレジストイメージを生じる。このため、三つの具体的な負の結果を生じる。即ち、（ｉ）不十分な線幅制御、（ｉｉ）均一でないエッチング深さ（不十分なレジスト厚みの均一性を生じる）、（ｉｉｉ）丸くなったレジストプロフィー外形である。
【０００９】
また、テンプレートの電子ビーム書き込みと、製造後のテンプレートの検査に問題がある。特に、電子ビーム露光中の電荷の増大を避けるために、導電層がなければならない。更に、単一材料からなるテンプレートのために、検査が容易ではない。一般的な検査システムは、光（紫外線または深紫外線）または電子を用いて、構造物サイズを決定し、テンプレート上の望ましくない欠陥を検出する。光をベースにしたシステムは、良好なイメージコントラストを得るために、テンプレートのパターン領域と非パターン領域との間の反射または屈折率の違いを必要とする。同様に、電子をベースにしたシステムは、テンプレートのパターン領域と非パターン領域との間の原子番号の違いを必要とする。この問題を克服するために、異なる光特性または異なる原子番号を有する複数材料が検査を可能にし、１００ｎｍ未満の構造物にとって必要である。
【００１０】
従って、多段構造の製造が可能なテンプレートを提供することは有益であろう。
本発明の目的は、改善された多段リソグラフィックテンプレートと、改善された多段リソグラフィックテンプレートを製造する方法と、多段構造が達成された改善された多段リソグラフィックテンプレートによって半導体デバイスを作る方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の目的は、改善された多段リソグラフィックテンプレートと、改善された多段リソグラフィックテンプレートを製造する方法と、サブミクロン構造のための検査が可能な改善された多段リソグラフィックテンプレートによって半導体デバイスを作る方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、半導体デバイスと、マイクロ電子デバイスと、マイクロ電子機械デバイスと、マイクロ液体デバイスと、光子デバイスに関し、より詳しくは、多段リソグラフィックテンプレートと、多段リソグラフィックテンプレートを形成する方法と、多段リソグラフィックテンプレートを用いてデバイスを形成する方法とに関する。基板と、多段構造を形成する複数のレリーフ構造とを含む多段リソグラフィックテンプレートが開示されている。その中か最上面の上に、第１パターンレリーフ構造と追加パターンレリーフ構造とを形成しており、そのことによって多段リソグラフィックテンプレートを規定する透明基板を提供することによって、多段リソグラフィックテンプレートが形成される。複数のパターンレリーフ構造は、標準的なリソグラフィックパターニング技術を用いて形成され、代替案においては、直接的にイメージング可能な誘電処理技術を用いて形成される。
【００１３】
提供されたような多段リソグラフィックテンプレートによってデバイスを作る方法にも関する。この方法は、基板を提供するステップと、半導体基板に放射線感知材料を塗布するステップと、前に開示されたような多段リソグラフィックテンプレートを提供するステップと、多段リソグラフィックテンプレートを放射線感知材料と接触させるステップと、テンプレートに圧力を加えてパターンを放射線感知材料内に作成するステップと、多段リソグラフィックテンプレートを通って放射線を伝送して、基板上の放射線感知材料の少なくとも一部分を露出させ、そのことにより放射線感知材料内のパターンに更に変化を生じさせるステップと、基板から多段テンプレートを除去するステップとを備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の前述の目的と利点および更に具体的な目的と利点は、図面と共になされるその好ましい実施態様の以下の詳細な説明によって当業者に明確とされる。
表示を簡単、明瞭にするために、図に示された要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていないことは明らかである。例えば、要素のいくつかの寸法は、明瞭さのために、他の要素に対して誇張されている。また、適当と考えられる場合、参照数字は、対応要素または類似要素を示すために図面間で繰り返されている。
【００１５】
本発明は、ステップ・アンド・フラッシュ・インプリント・リソグラフィー（ＳＦＩＬ）において使用される多段リソグラフィックテンプレートの製造に関する。ここでは、複数の材料層を基板表面上に堆積させることにより多段リソグラフィックテンプレートを形成することが提案されている。本発明による多段リソグラフィックテンプレートを形成する方法は、図１〜図７に示すような標準的なリソグラフィック処理ステップを用いて、または、図８〜図１１に示すような直接的にイメージング可能な誘電処理ステップを用いて、多段リソグラフィックテンプレートを形成することを含むことが、この開示によって予期されている。また、開示された方法の組み合せは、本発明による多段リソグラフィックテンプレートを形成するために使用できることが、この開示によって予期されている。
【００１６】
図１をより詳細に参照すると、本発明による多段リソグラフィックテンプレート１０を製造するための第１プロセスにおける第１ステップが示されている。表面１４を有する基板１２が示されている。基板１２は、光に対して透明な、水晶材料、ポリカーボネート材料、パイレックス（登録商標）材料、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）材料、フッ化マグネシウム材料（ＭｇＦ２）、または他の同様な種類の材料などの透明材料で構成されるものとして開示されている。基板１２は、光の通過を可能にするための透明材料で形成されている。
【００１７】
図１に示すように、基板１２は、表面１４上に第１エッチング停止層１６が堆積されている。第１エッチング停止層１６は、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化アルミニウム銅（ＣｕＡｌＯ）、酸化ガリウム銅（ＣｕＧａＯ）、酸化錫カドミウム（ＣｄＳｎＯ）、または他の透明または半透明材料、およびその組み合せで形成されるものとして開示されている。ある種の材料を、特定のエッチングプロセスを必要とする基板１２と第１パターニング層（以下に記載）のために用いる場合、第１エッチング停止層１６は任意であり、第１パターニング層（以下に記載）は基板１２の表面１４上に直接堆積されることは明らかである。
【００１８】
いま図２を参照すると、表面１４に、第１エッチング層１６と第１パターニング層１８とパターンレジスト層２０とが堆積された基板１２が示されている。第１パターニング層１８は、第１エッチング停止層１６を構成する材料のみならず全体設計目的によって決まる不透明または透明な材料（以下に記載）のいずれかで形成されるものとして開示されている。更に具体的にいうと、使用される特定の種類の材料は、テンプレート１０の製造を完成するためになされなければならない結果プロセスステップに関係のあることが開示されている。表面１９を有する第１パターニング層１８は、スピンコーティング、スパッタリング、蒸着、または同類のものによって、第１エッチング停止層１６の表面１７上に形成される。
【００１９】
第１パターニング層１８は一般に、第１エッチング停止層１６のために用いられる材料と異なる反射率（または屈折率）または異なる原子番号を有する材料で形成されるものとして開示されている。この原子番号の違いは、すぐに述べるように、改善された検査特性を提供する。第１パターニング層１８の製造に適したものとして開示されている透明材料は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸素窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、または同類のものである。第１パターニング層１８の製造に適するものとして開示されている不透明材料は、タングステン（Ｗ）、珪化タングステン（ＷＳｉ）、窒化珪素タングステン（ＷＳｉＮ）、タングステン合金、タンタル（Ｔａ）、珪化タンタル（ＴａＳｉ）、窒化珪素タンタル（ＴａＳｉＮ）、タンタル合金、チタン（Ｔｉ）、チタン合金、モリブデン（Ｍｏ）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ）、モリブデン合金、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、または同類のものである。上記のように、基板自身がエッチング停止材料として十分機能することができるので、いくつかのパターニング層はエッチング停止層を必要としなくてもよいということに注目しなければならない。第１パターニング層１８は、電子ビーム書き込みの間の電荷放散を促進するために使用することができる。更に、第１パターニング層１８は、複数層において用いられるさまざまな材料のために、ＳＥＭをベースとしたテンプレート検査に役立つ。第１パターニング層１８は、光硬化可能レジスト層にインプリントされる望ましいアスペクト比によって決まる厚みを一般的に有するものとして開示されている。特に、第１パターニング層１８は、完成されたリソグラフィックテンプレートを用いての半導体デバイスの製造中、テンプレート製作とそれに続く取り扱いに伴う応力に耐えるのに十分な機械的強度と耐久性を有する必要が
ある。パターニング層１８はそれ故、１０〜５０００ｎｍの間の厚みであって、好ましくは少なくとも５０ｎｍの厚みを有するものとして一般的に開示されている。
【００２０】
パターンレジスト層２０は、第１パターニング層１８の最上面１９の上にパターン化される。パターンレジスト層２０は、標準的な光または電子ビームパターニング技術によって図２に示すようにパターン化される。パターンレジスト層２０は、第１パターニング層１８のその後のエッチングに対するマスクとして働くようにパターン化された有機ポリマーなどのこの分野で良く知られている標準的なフォトレジストまたは電子ビームレジスト材料で一般的に形成される。
【００２１】
多段リソグラフィックテンプレート１０の製造中、フォトレジスト層２０は、第１パターニング層１８を通してのエッチングに対するマスクとして働く。図３に示すように、第１パターニング層１８は、第１エッチング停止層１６の表面１７までエッチングされるので、第１エッチング停止層１６の部分２２を露出させる。第１パターニング層１８のエッチングは、標準的なウエットまたはドライエッチング技術によって行われる。最後に、レジスト層２０を除去して、第１パターン層２４を露出させる。この第１パターン層２４は、表面２５を有すると共に、図３に示すような寸法ｘを有している。この寸法ｘは多段リソグラフィックテンプレート１０の最終用途によって決まる。
【００２２】
いま図４を参照すると、次に、第２エッチング層２６が、第１パターン層２４の上と、第１エッチング停止層１６の露出部２２の上に堆積される。第２エッチング停止層２６は、全体設計目的と、その後の層堆積とによって決まる、不透明または透明材料のいずれかで形成されるものとして開示されている。より詳細には、使用される特定の種類の材料は、テンプレート１０の製造を完成するためになされなければならない結果プロセスステップに関係のあることが開示されている。第２エッチング停止層２６は、前の層とその後の層を形成するために用いられる特定の材料によって決まる任意のものであってよいこともまた予期されている。第２エッチング停止層２６が必要でない場合、第２パターニング層（すぐに述べる）は第１パターン層２４の表面上に直接形成される。
【００２３】
第２エッチング停止層２６の製造に適したものとして開示されている透明材料は、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、窒化クロム（ＣｒｘＮｙ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、クロム（Ｃｒ）、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎｘＯｙ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化アルミニウム銅（ＣｕＡｌＯ）、酸化ガリウム銅（ＣｕＧａＯ）、酸化錫カドミウム（ＣｄＳｎＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、これらの材料またはその他の透明または半透明導電性材料の組み合せ、または同類のものであり、ｘおよびｙは、前述の化合物における要素の相対濃度を示す値を持った正の数である。好ましい実施態様において、ｘは０. １〜１. ０の範囲であり、ｙは０. １〜１. ０の範囲である。一例として、定比酸化アルミニウムはＡｌ２Ｏ３である。しかしながら、不定比酸化アルミニウム膜は堆積が可能であり定比膜と同じ用途に役立つことは、当業者にとって明らかである。第２エッチング停止層２６の製造に適したものとして開示されている不透明材料は、クロム（Ｃｒ）または同類のものである。第２エッチング停止層２６は、残りの層のその後のパターニングを助成するために形成される。第２エッチング停止層２６は、使用される材料の電荷伝導性のみならずパターニング層に対するエッチング選択性によって決まる厚みを有するものとして開示されている。特に、第２エッチング停止層２６は、どんな微細荷重効果にも打ち勝つために、パターニング層と比べて十分小さいエッチング速度を有する必要がある。更に、第２エッチング停止層２６は、完成されたリソグラフィックテンプレートを用いての半導体デバイスの製造中、テンプレート製作とそれに続く取り扱いに伴う応力に耐えるのに十分な強度を持たなければならない。第２エッチング停止層２６はそれ故、１〜１０００ｎｍの範囲の厚みであって、好ましくは少なくとも５ｎｍ
の厚みを有するものとして一般的に開示されている。表面２７を有する第２エッチング停止層２６は、スピンコーティング、スパッタリング、蒸着、または同類のものによって、第１パターニング層２４の表面２５上に形成される。
【００２４】
いま図５を参照すると、その上に第１エッチング停止層１６と第１パターン層２４と第２エッチング停止層２６が形成された基板１２が示されている。更に、第２エッチング停止層２６の表面２７上に、第２パターニング層２８が形成されている。第２パターニング層２８は、第２エッチング停止層２６を構成する材料のみならず全体設計目的によって決まる、不透明または透明材料のいずれかで形成されるものとして開示されている。更に具体的にいうと、使用される特定の種類の材料は、テンプレート１０の製造を完成するためになされなければならない結果プロセスステップに関係のあることが開示されている。
【００２５】
第１パターニング層１８（前に紹介されている）と第２パターニング層２８は一般に、それぞれ、第１エッチング停止層１６または第２エッチング停止層２６の基礎をなすために用いられる材料よりも異なる反射率（または屈折率）または異なる原子番号を有する材料で構成されるものとして開示されている。この原子番号の違いは、すぐに述べるように、改善された検査特性を提供する。第２パターニング層２８の製造に適したものとして開示されている透明材料は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸素窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、または同類のものである。第１パターニング層１８および第２パターニング層２８の製造に適したものとして開示されている不透明材料は、タングステン（Ｗ）、珪化タングステン（ＷＳｉ）、窒化珪素タングステン（ＷＳｉＮ）、タングステン合金、タンタル（Ｔａ）、珪化タンタル（ＴａＳｉ）、窒化珪素タンタル（ＴａＳｉＮ）、タンタル合金、チタン（Ｔｉ）、チタン合金、モリブデン（Ｍｏ）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ）、モリブデン合金、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、または同類のものである。第１パターニング層１８および第２パターニング層２８は、電子ビーム書き込み中の電荷放散を促進するために使用することもできる。更に、パターニング層１８，２８は、複数層において用いられるさまざまな材料の電子散乱性のために、ＳＥＭをベースとしたテンプレート検査に役立つ。第２パターニング層２８は、第１パターニング層１８と同様に、光硬化可能レジスト層にインプリントされる望ましいアスペクト比によって決まる厚みを一般的に有するものとして開示されている。特に、第２パターニング層２８は、完成されたリソグラフィックテンプレートを用いての半導体デバイスの製造中、テンプレート製作とそれに続く取り扱いに伴う応力に耐えるのに十分な機械的強度と耐久性を有する必要がある。パターニング層１８はそれ故、１０〜５０００ｎｍの間の厚みであって、好ましくは少なくとも５０ｎｍの厚みを有するものとして一般的に開示されている。表面２９を有する第２パターニング層２８は、スピンコーティング、スパッタリング、蒸着、または同類のものによって、第２エッチング停止層２６の表面２７上に形成される。
【００２６】
いま図６，７を参照すると、表面１４上に形成された第１エッチング停止層１６と、第１エッチング停止層１６の表面１７上に形成された第１パターン層２４と、第１パターン層２４の表面２５上に形成された第２エッチング停止層２６と、第２エッチング停止層２６の表面２７上に形成された第２パターニング層２８と、第２パターニング層２８の表面２９上に形成されたパターンレジスト層３０とを有する基板１２が示されている。より詳細には、第２パターニング層２８の表面２９上に、標準的な光または電子ビームパターニング技術によって図６に示すようにパターンレジスト層３０が形成される。レジスト層３０は、第２パターニング層２８のその後のエッチングに対するマスクとして働くようにパターン化された有機ポリマーなどのこの分野で良く知られている標準的なフォトレジストまたは電子ビームレジスト材料で一般的に形成される。
【００２７】
製造中、フォトレジスト層３０は、第２パターニング層２８を通してのエッチングに対
するマスクとして働く。図７に示すように、第２パターニング層２８を、第２エッチング停止層２６の表面２７までエッチングし、そのことにより第２エッチング停止層２６の部分３２を露出させる。第２パターニング層２８のエッチングは、標準的なウエットまたはドライエッチング技術によって行われる。次に、必要ならば、第２パターニング層２８をオーバーエッチングして、第２エッチング停止層２６に対して改善された均一停止を提供する。
【００２８】
最後に、多段テンプレート１０を完成するために、レジスト層３０を除去して、寸法ｙを有する第２パターニング層３４を露出させる。ここで、第１パターン層２４の寸法ｘは、第２パターン層２４の寸法ｙよりも大きい（ｘ＞ｙ）。第２エッチング停止層２６が不透明材料で形成されている場合、その後の放射線の通過を可能にするために、（図７に示すように）第２エッチング停止層２６の露出部分３２を除去する必要がある。不透明な第２エッチング停止層２６と第２パターニング層２８とを含むこの方法での多段リソグラフィックテンプレート１０の製造は、望ましくない残留フォトポリマーの最少化と、検査性の向上と、現在のテンプレート修理技術に対する適合性と、攻撃的な清掃に対する耐性と、望ましいパターン忠実度および転写属性のための無定形／低表面粗さ材料と、さまざまな材料層による改善されたテンプレートコントラストとをもたらす。
【００２９】
図７は、表面１４を有する基板１２と、基板１２の表面１４上にある第１エッチング停止層１６と、表面２５を有する寸法ｘの第１パターン層２４と、第２エッチング停止層２６の表面２７の上にある寸法ｙの第２パターン層３４とを含む完成多段リソグラフィックテンプレート１０の断面図である。ここで、ｘはｙよりも大きい。完成時、テンプレート１０は、その中に多段レリーフイメージ３６を規定する。第１パターン層２４と第２パターン層３４とによって規定された二層を有するレリーフイメージ３６が述べられているが、二層よりも多い層を有するレリーフイメージを規定するための追加堆積パターン層が製造され含まれることが、この開示によって予期されていることは明らかである。追加層が望まれる場合、前に述べたパターニングステップが繰り返される。
【００３０】
図８〜図１１を参照すると、多段リソグラフィックテンプレートの製造ステップが簡略断面図で示されている。ここでは、イメージング可能誘電処理技術が製造中使用される。図７に示された部品と同様の図８〜図１１のすべての部品は、異なる実施態様を示すために追加されたダッシュ記号を有する同様の番号によって示されている。
【００３１】
レジスト、または、いったんパターン化されると第２層へのパターン転写を有効にするための中間層として使用されないパターニング層が含まれることが開示されている。パターニング層はむしろ、それがパターン化された後、実際に最終的なテンプレートレリーフ構造となる。このことは、フォトレジストのパターン化可能性と、テンプレートレリーフ層の要求される強固な機械的特性とを兼ね備えた独特な材料の賢明な使用によって可能となる。この機械的特性には、基板に対する高粘着強度と、高弾性率と、高せん断強度と、良好な熱安定性が含まれる。水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）などの材料は、非常に高解像度にパターン化が可能であり、いったん硬化すると、インプリントのためのテンプレートレリーフ構造に適した非常に安定した酸化珪素を形成する。同様な特性を持った材料が、ＨＳＱのこの適用に取って代わることができる。しかしながら、放射線を感知しかつパターン化可能であって、テンプレートレリーフ層として作用するための適切な物理特性を持つすべてのそのような材料は、独特のものであり、本発明の核心をなすものであることに注目しなければならない。
【００３２】
図８を参照する。一般的に図１〜図７の基板１２と同様に形成された基板１２’が示されている。第１パターニング層１８’は、好ましい実施態様においては、イメージング可能誘電材料で形成されるものとして開示されている。更に具体的にいうと、パターニング
層は、ＦＯＸ−１５（登録商標）としてダウコーミング社によって販売されている水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）などのイメージング可能酸化物で形成されるものとして開示されている。更に、パターニング層１８’は、イメージング可能窒化物またはイメージング可能酸窒化物などの別のイメージング可能誘電材料で形成可能である。テンプレート製造中、パターニング層１８’を、基板１２’の表面１４’上に形成したのち、例えば約１６０℃の低温で加熱して、そこにあるすべての溶媒を除去する。
【００３３】
図８に、その上にパターニング層１８’が形成された表面１４’を有する基板１２’が示されている。パターニング層１８’の加熱後、テンプレート層１８’を、標準的な光または電子ビームパターニング技術によって露出させ、それにより、図９に示すような寸法ｘを有する、第１パターン層またはパターン化されたイメージング可能レリーフ構造２４’を形成する。この開示によって、層１８’の露出は、電子ビーム放射、Ｘ線放射、深紫外線放射、イオンビーム放射、またはパターニング層１８’を露出させるその他の適当な放射を用いて達成できることが予期されている。第１パターニング層１８’を、基板１２’の表面１４’まで照射する。次に、パターニング層１８’を現像液中で洗浄し、イメージング可能層がネガティブに作用する場合は、パターニング層１８’のすべての非露出部分または非放射部分の除去によって、イメージング可能層がポジティブに作用する場合は、露出部分の除去によって、パターンを作成し、図９に示すように、残りのパターン化されたイメージング可能層２４’を生じる。
【００３４】
更にこの開示によって、図８に示すようなテンプレート１０’内のエッチング停止層２１が含まれることが予期されている。この場合、エッチング停止層は、基板１２’と第１パターニング層１８’の間に挟まれて、基板１２’の表面１４’の上に形成されるのが好ましい。あるいは、エッチング停止層２１は、テンプレート１０’の層内のどこへでも形成することができる。エッチング停止層２１は、それを構成する材料の種類によって決まり、導電性材料で形成される場合は電荷放散層として、誘電材料で形成される場合はコントラスト強調層として働く。エッチング停止層２１は、電荷放散のために形成される場合、テンプレート製造中に電荷を放散することを特徴とする導電性材料であって、電子ビームによる露出と検査を可能にするための導電性材料で形成されるものとして開示されている。更に具体的にいうと、電荷放散特性を有するエッチング停止層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、酸化インジウム（ＩｎＯ２）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化アルミニウム銅（ＣｕＡｌＯ）、酸化ガリウム銅（ＣｕＧａＯ）、酸化錫カドミウム（ＣｄＳｎＯ）、ポリアナリン、または、パターニング層から選択的に除去可能であって電荷を放散するように作用するその他の導電性材料で形成されるものとして開示されている。電荷放散層として形成されるエッチング停止層２１は、使用される材料の電荷伝導性によって決まる最小厚みを有するものとして開示されている。電荷放散特性を有するエッチング停止層２１は、電子ビーム書き込み、または、層をパターン化するために用いられる他の放射形態（すぐに述べる）の間、電荷の放散を助成するように形成される。
【００３５】
エッチング停止層２１は、コントラスト強調のために形成される場合、光検査特性を有する材料で形成されるものとして開示されている。更に具体的にいうと、コントラスト強調特性を有するエッチング停止層は、窒化珪素（ＳｉＮ），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、窒化クロム（ＣｒｘＮｙ）、または、テンプレート１０’の光検査を可能にするコントラスト強調特性を有するその他の材料で形成されるものとして開示されている。
【００３６】
エッチング停止層２１は、１〜１０００ｎｍの範囲の厚みであって、好ましくは少なくとも５ｎｍの厚みを有するものとして一般的に開示されている。エッチング停止層２１は
、スピンコーティング、スパッタリング、蒸着、または同類のものによって形成される。図８に示す特定の実施態様においては、電荷エッチング停止層２１はアルミニウム（Ａｌ）で形成されているので、パターニング層１８’の上に堆積した電荷を放散させる。
【００３７】
他の材料をテンプレート１０’内に含めることができ、例えば、電子ビームリソグラフィー、光検査、または同類のものと共に必要なときはいつでも、電荷放散またはコントラスト強調の手段として用いることができることが、この開示によって予期されている。この材料は、照射源と干渉することによって解像度を低下させないように、非常に薄く形成されなければならない。処理の便宜上、このエッチング停止層を後で除去することが望ましいことがあり得るので、エッチング停止層を選択するための一つの基準は、除去の容易性である。この層の除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術を用いて行うことができる。しかしながら、結果として生じるパターンレリーフ層の高解像度を保つために、パターンレリーフ層からの除去は、高度に選択的な方法でなされなければならない。アルミニウム（Ａｌ）は、１００〜２００Åの厚みに塗布されている場合、従来の湿式現像剤によって除去することができる、導電性を有する選択的に除去可能な材料の一例である。
【００３８】
いま図１０を参照すると、第１パターン層２４’の最上表面２５’の上に堆積された第２パターニング層２８’が示されている。好ましい実施態様における第２パターニング層２８’は、イメージング可能な誘電材料で形成されるものとして開示されている。更に具体的にいうと、第１パターニング層１８’に似た第２パターニング層２８’は、ＦＯＸ−１５竄ニ してＤｏｗ  Ｃｏｍｉｎｇによって売り出されている水素シルセスキオキサン
（ＨＳＱ）などのイメージング可能酸化物で形成されるものとして開示されている。更に、第２パターニング層２８’は、イメージング可能窒化物またはイメージング可能酸窒化物などの別のイメージング可能誘電材料で形成可能である。テンプレート製造中、第２パターニング層２８’を、第１パターン層２４’の表面２５’上に形成したのち、例えば約１６０℃の低温で加熱して、そこにあるすべての溶媒を除去する。次に、パターニング層２８’を現像液中で洗浄し、イメージング可能層がネガティブに作用する場合は、パターニング層１８’のすべての非露出部分または非放射部分の除去によって、イメージング可能層がポジティブに作用する場合は、露出部分の除去によって、パターンを作成し、図１１に示すように、残りの第２パターン層またはパターン化されたイメージング可能レリーフ層３４’を生じる。
【００３９】
テンプレート１０’の製造中、化学増幅をイメージング可能材料の化学構造の中で採用して、放射要求を下げることができることは明らかである。更に具体的にいうと、化学増幅が提案される場合、第２加熱ステップは一般的に、第１パターニング層１８’または第２パターニング層２８’の照射後に行われるが、必ずしもそうでなくてもよい。更に、レリーフ構造を形成した後に、軽プラズマエッチングを含む、かす取りプロセスを行って、すべての残りの透明誘電材料、特に、清掃されるべき領域内に残っているすべての残りの第１パターニング層１８’または第２パターニング層２８’を除去することができる。
【００４０】
図１１は、表面１４’を有する基板１２’と、表面２５’を有する寸法ｘの第１パターン層２４’と、第１パターン層２４’の表面２５’の上にある寸法ｙの第２パターン層３４’とを含む完成多段リソグラフィックテンプレート１０’の断面図である。ここで、ｘはｙよりも大きい。完成時、テンプレート１０’は、その中に多段レリーフイメージ３６’を規定する。第１パターン層２４’と第２パターン層３４’とによって規定された二層を有するレリーフイメージ３６’が述べられているが、二層よりも多い層を有するレリーフイメージを規定するための追加堆積パターン層が製造され含まれることが、この開示によって予期されていることは明らかである。
【００４１】
また、前に開示された二つの技術の組み合せ、即ち、テンプレート層の一部分を、図１〜図７に関して前に説明したような標準的なリソグラフィック処理技術を用いて形成する技術と、テンプレート層の一部分を、図８〜図１１に関して前に説明したような直接的にイメージング可能な誘電処理技術を用いて形成する技術との組み合せを含む、多段リソグラフィックテンプレートの製造が、この開示によって予期されている。更に具体的にいうと、完成されたテンプレートの使用目的に応じて、第１パターン層を、図１〜図７に関して前に説明したような標準的なリソグラフィック処理技術を用いて形成し、第２パターン層を、図８〜図１１に関して前に説明したような直接的にイメージング可能な誘電処理技術を用いて形成するか、あるいは、その逆を行う、多段リソグラフィックテンプレートが予期されている。
【００４２】
平面内歪みと平面外歪みまたはそのいずれかを防止するために、構造１０または１０’を構成する層内に挟まれた応力補償層（図示せず）がオプションとして含まれることが、この開示によって予期されていることが、更に開示されている。更に具体的にいうと、第１エッチング停止層１６のいずれかの側か、第１パターン層２４の上面か、図１１に示すような基板１２’の隣のテンプレート層の中のどこかに設けられた応力補償層が含まれることが、この開示によって予期されている。別の好ましい実施態様においては、応力補償層は、基板１２と第１エッチング停止層１６の間に挟まれて形成される。応力補償層が含まれる場合は、それは、酸化物、窒化物、特にＳｉｘＯｙ、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯＮ、または酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの酸窒化膜、酸化インジウム（ＩｎＯ２）、酸化錫（ＳｎＯ２），酸化亜鉛（ＺｎＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ２），酸化アルミニウム銅（ＣｕＡｌＯ）、酸化ガリウム銅（ＣｕＧａＯ）、酸化錫カドミウム（ＣｄＳｎＯ）、または、その他の透明または半透明導電性材料およびその組み合せで形成されることが予期されている。応力補償層は、構造１０／１０’を構成する層に働く力であって、層を弓なりに曲げるか、ｘ、ｙ、またはｚ表面内の形成された構造物の歪みを生じる力を阻止するためのものである。応力補償層の厚みは５ｎｍから５μｍの範囲にあり、一般的には２００ｎｍである。この厚みは、堆積された膜の性質と種類および膜の応力補償要求に応じて調節することができる。
【００４３】
更に、図１１に示すように、層３８として示された応力補償層にとっての更なる利点は、応力補償層３８が基板１２’の表面１３に設けられたとき実現される。応力補償層３８は、前に述べたように応力補償層として役立つのに加えて、今やテンプレート１０’が静電気的に保持されるようにすることができる。テンプレート１０’の静電気的チャッキング（保持）は、書き込みプロセス中、テンプレート１０’を動かないようにし、更に、リソグラフ露出中、テンプレート１０’を確実に平らに保持するようにする。
【００４４】
図１２〜図１６は、本発明の多段リソグラフィックテンプレートを形成する更にもう一つの別の方法におけるステップを示す。図１〜図７に示された部品と同様の図１２〜図１６のすべての部品は、異なる実施態様を示すために追加された二重ダッシュ記号を有する同様の番号によって示されていることに注目しなければならない。更に具体的にいうと、図１２に示されたテンプレート１０”は基板１２”で構成されている。基板１２”は一般に、前に説明した基板１２および１２’と同様に形成される。基板１２”の最上面１４”の上には、硬質マスク層１５が形成されている。硬質マスク層１５は、クロム（Ｃｒ）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化珪素タンタル（ＴａＳｉＮ）、または窒化クロム（ＣｒＮ）で構成された材料層を堆積させることによって形成される。硬質マスク層は、テンプレート１０”の処理中、電荷放散層として働き、それ故、テンプレート１０”の使用目的に応じて任意である。
【００４５】
図１２に、基板１２”と硬質マスク層１５とで構成されたテンプレート１０”を示す。硬質マスク層１５の最上面の上に、図１３に示すように、前に説明したテンプレート１０
のパターンレジスト層２０と一般的に同様に形成されるパターンレジスト層２０”を形成する。製造中、図１４に示すように、パターンレジスト層２０”を、硬質マスク層１５と、基板１２”の一部分のエッチングのために設ける。エッチング後にパターンレジスト層２０”と硬質マスク層１５を除去し、そのことにより寸法ｙのレリーフ構造３４”をその中に規定した基板１２”を露出させる。追加マスキング層とパターンレジスト層を含むその後の処理ステップを行って、基板１２”の中に寸法ｘの第２レリーフ構造２４”を規定する。ここで、寸法ｘは寸法ｙよりも大きい。図１６に示すように、テンプレート１０”は、基板１２”の最上面１４”内に多段パターンレリーフイメージ３６”を規定している。標準的なリソグラフィック処理技術か、テンプレート１０および１０’に関して前に説明したイメージング可能誘電処理技術を用いて、基板１２”の最上面１４”内に第１レリーフ構造を形成すると共に、第１レリーフ構造の最上面に少なくとも一つの追加レリーフ構造を形成するテンプレートの製造が、この開示によって予期されていることは明らかである。
【００４６】
図１７に、本発明に従って製造された、図１〜図７の多段テンプレートか、図８〜図１１のテンプレート１０’か、図１２〜図１６のテンプレート１０”のいずれかと一般的に同様な多段リソグラフィックテンプレートを用いて半導体デバイスを製造するプロセスフローチャートを示す。最初に、図１〜図７か、図８〜図１１か、図１２〜図１６に対して与えられた説明に従って、多段リソグラフィックテンプレートを製造する（４２）。次に、半導体基板４４を提供する（４４）。光硬化有機層またはフォトレジスト層などの放射線感知材料を半導体基板に加える（４６）。この半導体基板は、溝および拡散領域または同類のもののみならず、例えば、ポリシリコン、酸化物、金属などの被覆デバイスまたはデバイス層を有することができる。それから、放射線感知材料層が塗布された半導体基板をリソグラフィックテンプレートに隣接、接触させる（４８）。放射線感知材料層がテンプレート上のレリーフイメージに流れ込むように、テンプレートにわずかな圧力を加える（５０）。それから、放射線を、基板とエッチング停止層とパターニング層（パターニング層が透明な場合）を含むリソグラフィックテンプレートを通って伝送し（５２）、放射線感知材料層が塗布された半導体基板上に投影して、放射線感知材料層内に更にパターンを規定、露出させる。その後、テンプレートを半導体デバイスから除去する（５４）し、そのことにより、それに続く処理に対するイメージ層として使用されるパターン有機層を残すことができる。それからフォトレジスト層を、イオンインプランテーションと共にマスクとして使用して、半導体基板内にインプラント領域を形成するか、または、従来のリフトオフ技術、ウェットエッチング、またはドライエッチングと共に使用して、半導体基板の中か半導体基板を覆うデバイス層の中へパターンを転写することができる。本発明に従って製造される多段テンプレートは、半導体デバイスを製造するために使用されるものとして、好ましい実施態様の中で説明されているけれども、マイクロ電子デバイス、マイクロ電子機械デバイス、マイクロ液体デバイス、および光子デバイスを形成するための、図１〜図７のテンプレート１０か、図８〜図１１のテンプレート１０’か、図１２〜図１６のテンプレート１０”のいずれかと一般的に同様のテンプレートの使用が予期されていることは明らかである。
【００４７】
ここに含まれた前述の説明は、本発明に関する利点の多くを示している。特に、本発明は、リソグラフィック印刷において用いられる多段テンプレートを提供する。更に、本発明による多段テンプレートおよび多段テンプレート構造を製造する方法は、サブミクロン構造の検査が可能な多段テンプレートを提供する。
【００４８】
従って、多段リソグラフィックテンプレートと、その形成方法と、前に述べた必要性と利点を完全に満足する使用方法とが、本発明に従って提供されていることは明らかである。本発明を、その具体的な実施態様に関して説明したが、本発明がこれらの例示的実施態様に限定されることは意図されていない。本発明の精神から逸脱することなしに修正およ
び変更を行うことができることは、当業者にとって明らかであろう。それ故、本発明はそのようなすべての変更と修正を添付請求の範囲内に入るものとして含むことが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第１の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図２】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第１の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図３】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第１の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図４】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第１の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図５】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第１の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図６】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第１の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図７】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第１の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図８】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第２の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図９】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第２の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１０】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第２の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１１】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第２の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１２】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第３の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１３】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第３の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１４】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第３の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１５】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第３の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１６】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを製造するための第３の開示されたプロセスにおけるステップを示す断面図。
【図１７】本発明に従って多段リソグラフィックテンプレートを用いて半導体デバイスを製造する簡略プロセスフローチャート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
2005530338.tif 000020
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