(57)【要約】本発明は白色発光ダイオード及びその製造方法に関し，PCB基板にInGaN,GaN系の白色発光ダイオードチップをダイボンディング，ワイヤ−ボンディングし，YAG系の蛍光体を，一定比率に混合したエポキシ樹脂で，トランスファーモールドした後，ソーイング工程を経て個別化したパッケージを，他のパッケージのPCB基板にクリームソルダーで接着し，投光用エポキシ樹脂で2次トランスファーモールドし，2次ソーイング工程を経て個別化することによって製造される白色発光ダイオードに関する。
2005537655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のPCBパタン部が多数個の１組として多数列に配列され単一PCBパタンごとに接着剤（１０）でドッティングする第１工程と，
この接着剤（１０）に発光ダイオードチップ（１）（430nm〜470nm）をPCBパットカップ（１７）部分にダイボンディングする第２工程と，
前記発光ダイオードチップ（１）を金線（２）によって電極接合する第３工程と，
前記第３工程終了後多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ（３）でモールドする第４工程と，
前記モールド工程が終了した一連のPCBパタン部をソーイングで単一化する第６工程と，
前記単一化されたパッケージをクリームソルダー（９）で印刷された多数列のFR4PCBパタン（７）材質に実装する第７工程と，
前記多数列に配列されているFR4PCBパタン（７）を金型に安着させた後，投光型エポキシ樹脂（１１）にモールドする第８工程と，
前記モールドが終了した一連のFR4PCBパタン部を２次ソーイングで単一化する第９工程を含むことを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造方法により製造された白色発光ダイオード。
【請求項３】
一対のPCBパタン部が多数個の１組として多数列に配列され単一PCBパタンごとに接着剤（１０）でドッティングする第１工程と，
この接着剤（１０）に発光ダイオードチップ（１）（430nm〜470nm）をPCBパットカップ（１７）部分にダイボンディングする第２工程と，
前記発光ダイオードチップ（１）を金線（２）によって電極接合する第３工程と，
多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させ  YAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂（３）でモールドする第４工程と，
モールドが終了した一連のPCBパタン部をソーイングで単一化する第６工程と，
前記単一化されたパッケージをクリームソルダー（９）で印刷された多数列の射出リードフレーム（１２）に実装する第７工程と，
多数列に配列されている射出リードフレーム（１２）を投光型のエポキシ樹脂（１１）にポッティングし固着する第８工程と，
固着が終了した一連の射出リードフレーム（１２）を，トリミングと同時にフォーミングし，単一化する第９工程を含むことを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の製造方法で製造された白色発光ダイオード。
【請求項５】
ZnSe系の白色発光ダイオードチップ（１Ａ）を単一PCBパタン（８）ごとに接着剤（１０）でドッティングする第１工程と，
接着剤（１０）にZnSe系の発光ダイオードチップ（１Ａ）をPCBパットカップ（１７）部分にダイボンディングする第２工程と，
上記の発光ダイオードチップ（１Ａ）を金線（２）によって電極接合する第３工程と，
多数列に配列されたPCBパタン部（８）を金型に安着させ拡散型のエポキシ樹脂（１１Ａ）でモールドする第４工程と，
モールドが終了した一連のPCBパタン部（８）をソーイングで単一化する第５工程が付加される白色発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の製造方法で製造された白色発光ダイオード。
【請求項７】
ZnSe系の白色発光ダイオードチップ（１Ａ）を単一射出リードフレーム（１２）のカップごとに接着剤（１０）でドッティングする第１工程と，
接着剤（１０）にZnSe系の発光ダイオードチップ（１Ａ）を射出リードフレーム（１２）にダイボンディングする第２工程と，
上記の発光ダイオードチップ（１Ａ）を金線（２）によって電極接合する第３工程と，
多数列に配列されている射出リードフレーム（１２）に拡散型のエポキシ樹脂（１１Ａ）でドッティングする第４工程と，
拡散型のエポキシ樹脂（１１Ａ）でドッティングされた多数列の射出リードフレーム（１２）に投光型のエポキシ樹脂（１１）をポッティングする第５工程と，
ポッティングが終了した一連の射出リードフレーム（１２）をトリミングと同時にフォーミングし，単一化する第６工程を含むことを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の製造方法で製造された白色発光ダイオード。
【請求項９】
GaAs，AlGaAsP系の発光ダイオードチップ（520nm〜590nm）（１Ｂ）を単一PCBパタン（８）ごとに接着剤（１０）でドッティングする第１工程と，接着剤にGaAs,AlGaAsP系の発光ダイオードチップ（１Ｂ）をPCBパタン（８）にダイボンディングする第２工程と，
上記の発光ダイオードチップ（１Ｂ）を金線（２）によって電極接合する第３工程と，
多数列に配列されているPCBパタン部（８）に投光型のエポキシ樹脂（１１）にモールドする第４工程と，
InGaN,GaN系の発光ダイオードチップ（１）（430nm〜470nm）を接着剤（１０Ａ）で投光型のエポキシ樹脂（１１）にモールドされた樹脂の上にドッティングする第５工程と，
接着剤にInGaN,GaN系の発光ダイオードチップ（１）（430nm〜470nm）を投光型のエポキシ樹脂（１１）でモールドされた樹脂の上にダイボンディングする第６工程と，
上記のInGaN,GaN系の発光ダイオードチップ（１）を金線（２）によって電極接合する第７工程と，
多数列に配列されているPCBパタン部（８）に拡散型のエポキシ樹脂（１１Ａ）でモールドする第８工程と，拡散型のエポキシ樹脂（１１Ａ）でモールドされた多数列のPCBパタン部（８）をソーイングで単一化する第９工程を含めて成ることを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の製造方法で製造された白色発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，白色発光ダイオード及びその製造方法に関し，より詳細には，一定の波長変換効率を向上した白色発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の一般的な白色発光ダイオード製造方法は，図１に示すようにInGaN,GaN系の発光ダイオードチップ(430nm〜470nm,  BlueLED)１を反射カップ部１７に実装した後，この反射カップ部１７に光の一部を吸収し光の波長とは異なる波長を持つフォトルミネセンス蛍光体３をポッティング（Potting）し白色光を得る方法が最近一番数多く開発されている白色発光ダイオード製造方法である。しかし，フォトルミネセンス蛍光体３をポッティングし，白色光を得る方法はその工程が非常に複雑であり，蛍光体の混合比率が一定でないと波長不一致による斑が発生し，視認性もこれに応じて低下する。また，フォトルミネセンス蛍光体３を注入し白色光を得る方法は，蛍光体の厚さと混合比率によって製造するたびに異なる波長の製品が生産されることとなり，均一な製造が非常に困難となる。さらに，蛍光体の損失コストが高く，白色発光ダイオードは，非常に高価な上，輝度が非常に低いため，白色光として常用化するには困難が伴うこととなる。
【発明の開示】
【０００３】
本発明はこのような従来の白色発光ダイオードの製造方法の問題点を解決するため開発されたもので，同一波長分布と同一色座標を有すべく，多層パッケージ構造の白色発光ダイオードを製造し，既存の量産性の問題を改善した発光効率が優れた白色発光ダイオード素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
本発明の他の目的は，YAG系の蛍光体を一定の厚さと一定の混合比を持つトランスファーモールド（Transfer-mold）用であるYAGエポキシ樹脂材を適用することで光輝度及び色座標，色温度が同一であるのみならずYAG系の蛍光体の使用を最小化し，製造費用を大幅に節減する白色半導体素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
本発明のさらに他の目的はZeSn系の白色発光ダイオードチップを適用することによって高価なYAG系の蛍光体の使用を無くし，低価の拡散型のエポキシ材質を使用することでZeSn系の白色発光ダイオードチップから出るBLUE，YAG光子を白色光子に変換，混合する白色発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【０００６】
本発明の他の目的は比較的低価の585nmのYAG波長帯の発光ダイオードのチップをリードフレーム，PCBパット面に実装した後，投光型のエポキシでモールドし，投光型のエポキシの上にBlue波長の発光ダイオードチップを実装した後，拡散型のエポキシ樹脂で，二重モールドする構造の高輝度白色発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【０００７】
このような目的を達成するための本発明による光半導体の製造方法は，一対のPCBパタン部が多数個の1組として多数列で配列構成になり，単一PCBパタンごとに接着剤でドッティング(Dotting)する第１工程と，接着剤に発光ダイオードチップ(430nm〜470nm)をPCBパットカップ部分にダイボンディング(diebonding)する第２工程と，前記発光ダイオードチップを金線(Gold-Wire)により電極接合する第３工程と，多数列で配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂でモールドする第４工程と，モールドが終了した一連のPCBパタン部をソーイング（sewing）で単一化する第６工程と，この単一化されたパッケージをクリームソルダー(cream solde)で印刷し，多数列のFR4PCB材質に実装する第７工程と，多数列に配列されているFR4PCBを金型に安着させ，投光型のエポキシ樹脂にモールドする第８工程と，モールドが終了した一連のFR4PCBパタン部を２次ソーイングで単一化する第９工程を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明による白色発光ダイオード製造方法の他の実施形態は，一対のPCBパタン部が多数個の１組として多数列で配列構成され，単一PCBパタンごとに接着剤でドッティングする第１工程と，接着剤に発光ダイオードチップ(430nm〜470nm)をPCBパットカップ部分にダイボンディングする第２工程と，前記発光ダイオードチップを金線によって電極接合する第３工程と，多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシでモールドする第４工程と，モールドが終了した一連のPCBパタン部をソーイングで単一化する第６工程と，前記単一化されたパッケージをクリームソルダーで印刷し，多数列の射出リードフレーム材質に実装する第７工程と，多数列に配列されている射出リードフレームを投光型のエポキシ樹脂にポッティング，固着する第８工程と，固着が終了した一連の射出リードフレームをトリミングと同時にフォーミングし，単一化する第９工程から成ることを特徴とする。
【０００９】
本発明による光半導体素子の製造方法の他の実施例はBLUE波長の発光ダイオードチップ（430nm〜470nm）ではないZnSe系の発光ダイオードチップを単一PCBパタンごとに接着剤でドッティングする第１工程と，接着剤にZnSe系の発光ダイオードチップをPCBパットカップ部分にダイボンディングする第２工程と，上記の発光ダイオードチップを金線によって電極接合する第３工程と，多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させ拡散型のエポキシ樹脂でモールドする第４工程と，モールドが終了した一連のPCBパタン部８をソーイングで単一化する第５工程に構成される。
【００１０】
本発明による光半導体素子の製造方法の他の実施例はBLUE波長の発光ダイオードチップ（430nm〜470nm）ではないZnSe系の白色発光ダイオードチップをPCBパタンごとに接着剤でドッティングする第１工程と，接着剤にZnSe系の発光ダイオードチップをPCBパットカップ部分にダイボンディングする第２工程と，上記の発光ダイオードチップを金線によって電極接合する第３工程と，多数列に配列されているPCBパタン部に拡散型のエポキシ樹脂でドッティングする第４工程と，拡散型のエポキシ樹脂でドッティングされたPCBパタン部を金型に安着させ投光型のエポキシ樹脂でモールドする第５工程と，モールドが終了した一連のPCBパタン部をソーイングで単一化する第６工程に構成される。
【００１１】
本発明による光半導体素子の製造方法の他の実施例はBLUE波長の発光ダイオードチップ（430nm〜470nm）ではないZnSe系の白色発光ダイオードチップを単一射出リードフレームの反射板ごとに接着剤でドッティングする第１工程と，接着剤にZnSe系の発光ダイオードチップを射出リードフレームにダイボンディングする第２工程と，上記の発光ダイオードチップを金線によって電極接合する第３工程と，多数列に配列されている射出リードフレーム部に拡散型のエポキシ樹脂でドッティングする第４工程と，拡散型のエポキシ樹脂でドッティングされた多数列射出リードフレーム部に投光型のエポキシ樹脂でポッティングする第５工程と，ポッティングが終了した一連の射出リードフレーム部をトリミングと同時にフォーミングし，単一化する第６工程に構成される。
【００１２】
本発明による光半導体素子の製造方法の他の実施例はGaAs，AlGaAsP系の発光ダイオードチップ（520nm〜590nm）を単一PCBパタンごとに接着剤でドッティングする第１工程と，接着剤にGaAs,AlGaAsP系の発光ダイオードチップ（520nm〜590nm）をPCBパタンにダイボンディングする第２工程と，上記の発光ダイオードチップを金線によって電極接合する第３工程と，多数列に配列されているPCBパタン部に投光型のエポキシ樹脂でモールドする第４工程と，InGaN,GaN系の発光ダイオードチップ（430nm〜470nm）を単一PCBパタンごとに接着剤でダイボンディングし，金線で電極を形成した後，投光型のエポキシ樹脂でモールドされた樹脂の上に光投光型のダイ接着剤をドッティング第５工程と，この接着剤にInGaN，GaN系の発光ダイオードチップ（430nm〜470nm）を投光型のエポキシ樹脂でモールド樹脂でモールドされた樹脂の上にダイボンディングする第６工程と，上記のInGaN，GaN系の発光ダイオードチップ（430nm〜470nm）を金線によって電極接合する第７工程と，多数列に配列されているPCBパタン部にモールドする第８工程と，拡散型のエポキシ樹脂でモールドされた多数列のPCBパタン部をソーイングで単一化する第９工程に構成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図２ａ，２ｂは各本発明の実施例による白色光半導体素子の平断面図及び縦断面図である。
【００１４】
図示されるように本発明による白色光半導体素子の構成は接着剤１０にダイボンディングされた発光ダイオードチップ１（430nm〜470nm）と，このチップ１の通電のための通電ワイヤ２とYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂（Epoxy）３でモールドした個別パッケージＰと，この個別パッケージＰをFR4PCBパタン７に実装するためクリームソルダー９と，この個別パッケージＰの上に投光型のエポキシ樹脂１１でモールドしたエポキシレンズ４に構成される。
【００１５】
図２ａ，２ｂは本発明のさらに他の実施例を示す白色光半導体素子の平面図及び断面図である。図示されたように本発明による白色光半導体素子の構成は接着剤１０にダイボンディングされた発光ダイオードチップ１（430nm〜470nm）と，この発光ダイオードチップ１の通電のための通電ワイヤ２と，YAG系の蛍光体とエポキシとエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂３でモールドした個別パッケージＰと，この個別パッケージＰを他の射出リードフレーム１２に実装するためのクリームソルダー９と，クリームソルダー９で実装された射出リードフレームパットカップの上にポッティング(potting)した投光型のエポキシ樹脂１１に構成される。
【００１６】
図３ａは本発明の実施例による白色光半導体素子の第１工程を図示したもので，図３ｂ及び図３ｃは上記の工程で作られた個別パッケージＰの平断面図及び縦断面図として，一対のPCBパタン部８が多数個の１組として多数列に配列構成され，単一PCBパタンごとにドッティングする接着剤１０と，PCBパットカップ１７部分にドッティングされた接着剤１０の上に接着される発光ダイオードチップ１（430nm〜470nm）と，上記の発光ダイオードチップ１を電極接合する金線２と，多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂３でモールドし，一連のPCBパタン部８をソーイングし，単一化されたパッケージＰに構成される。
【００１７】
図４は本発明の実施例による白色光半導体素子の第２工程に関するもので，第１工程で個別化されたパッケージＰをクリームソルダー９を使用しFR4PCBパタン７に実装し，FR4PCBパタン７の上に実装された個別パッケージＰの上に投光型のエポキシ樹脂１１をモールドする（図２ａ，２ｂ参考）。このように第１工程で一定色座標を持つ個別化された白色発光ダイオード素子を投光型のエポキシ樹脂１１で構成されたレンズを持つエポキシ樹脂でモールドすることによりYAG蛍光体の使用を最少化し，高輝度の白色発光ダイオードを製造できる。更に低価格に製作され個別化された発光ダイオード素子を高価の白色発光ダイオード素子に実装することで，工程収率を向上させるのみならず，均一な色座標を持つ製品の量産が可能になる。
【００１８】
図５ａ，５ｂは各本発明の他の実施例による白色発光ダイオードの縦断面図として，多数列に配列されている射出リードフレーム１２又は多数列に配列されているPCBパタン８上にダイ接着剤１０によってダイボンディングされるZnSe系の白色発光ダイオードチップ１Ａと，電極接合する金線２と，ZnSe系の白色発光ダイオードチップ１Ａから発光されるBLUE光子１８とYAG光子１９を混合する光拡散型のエポキシ樹脂１１Ａと，この光拡散型のエポキシ樹脂１１Ａの上にポッティング又トランスファーモールドする投光型のエポキシ樹脂１１に構成される。このZnSe系の白色発光ダイオードチップ１Ａは，上層部ではBLUE波長の光子を放出し，下層部ではYAG波長の光子を放出する構造でBLUE波長の光子と白色光２０が良好に混合するように光拡散型のエポキシ樹脂１１Ａで，このZnSe白色発光ダイオードチップ１Ａ表面に一定部分をポッティングすることで一定部分の色座標を揃えた白色発光ダイオードを実現できるようになる。
【００１９】
図６ａ，６ｂは本発明の他の実施例による高輝度白色発光ダイオードの平断面図及び縦断面図で，PCBパットカップ１７にYAG波長の発光ダイオード１Ｂと，この発光ダイオード１Ｂを電極接合する金線２と，この発光ダイオード１Ｂをモールドした投光型のエポキシ樹脂１１と，この投光型のエポキシ樹脂１１の上に接着剤１０ＡでダイボンディングしたBLUE波長の発光ダイオード１と，このBLUE波長の発光ダイオード１を電極接合する金線２と，BLUE波長の発光ダイオード１の上にモールドする光拡散型のエポキシ樹脂１１Ａに構成される。これは各異なる光を放出するチップを垂直に構成することにより白色光での混合を一定に維持できる発光ダイオードの構造である。
【００２０】
図７は上記の第１，第２，第３の実施例から得られる白色発光ダイオードの色座標分布を図示した。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
上述したように，本発明による白色発光ダイオードで実現した白色光は，従来の白色発光ダイオードの製造方法に比して高輝度の製品を低価格で製造可能である。また，経年変化のない白色光が製造される。本発明の実施形態によれば，高価な蛍光体を一定比率に混合したエポキシ樹脂の使用を最小化でき，常に同一な厚さに蛍光エポキシ層を形成できるため，製造コストが低く，一定の色座標及び高輝度の白色光を製造することができる。更に，射出反射カップのリードフレームと投光型レンズのエポキシ樹脂を蛍光エポキシの上に形成することにより光の集束度を向上させることができる。
【００２２】
本発明の第２実施例によると現在の白色光の生産方式による製造方法はＶＦが高いため発生する問題と常に同一な色座標の実現が難しい点を解決できる効果がある。ZnSe系の発光ダイオードチップから発光されるBLUE波長（490nm）とYAG波長（585nm）を拡散型のエポキシ樹脂で白色光に混合することにより同一な色座標を得ることができ，ZnSe系の発光ダイオードチップ自体のＶＦ電圧が２．６Ｖ台で，既存の白色発光ダイオードの３．５Ｖより低いのでＶＦが高いために発生される消費電力問題を解決できる。又，時間変換による白色光の年経変化を根本的に解決できる。本発明の第３実施例によるとYAG波長の発光ダイオードチップ１ＢとBLUE波長の発光ダイオードチップ１を２層構造に製作し，各チップから発光される光の集合が白色光の発光輝度になるため，既存の白色発光ダイオードより５〜１０倍以上の高輝度を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
以下に添付された図面を参考に本発明による白色光半導体素子及びその製造方法の実施形態を具体的に説明する。
【００２４】
図１は従来の白色発光ダイオードパッケージを表した縦断面図
図２ａ図２ａ，図２ｂと図２ｃ，図２ｄは本発明の第１実施例による白色発光ダイオードの各異なる構造を図示した平断面図及び縦断面図
図３ａは本発明の第１実施例による白色発光ダイオードの１次工程図
図３ｂ，図３ｃは図３ａの工程により単一化されたパッケージの平断面図及び縦断面図
図４は本発明の実施例による白色発光ダイオードの２次工程図
図５ａ及び図５ｂは本発明の第２実施例により製造された白色発光ダイオードの各異なる構造を図示した縦断面図
図６ａ，図６ｂは本発明の第３実施例による高輝度白色発光ダイオードの平断面図及び縦断面図
図７は本発明の１，２，３実施例により白色発光ダイオードの色座標分布図
【図１】
2005537655.tif 000003
2005537655.tif 000004
2005537655.tif 000005
【図３ａ】
2005537655.tif 000006
2005537655.tif 000007
2005537655.tif 000008
【図４】
2005537655.tif 000009
2005537655.tif 000010
2005537655.tif 000011
【図７】
2005537655.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のPCBパタン部が多数個の1組として多数列に配列され単一PCBパタンごとに接着剤（１０）でドッティングする第1工程と，
この接着剤（１０）に発光ダイオードチップ（１）(430nm〜470nm)をPCBパットカップ部（１７）にダイボンディングする第２工程と，
前記発光ダイオードチップ（１）を金線（２）によって電極接合する第３工程と，
前記第３工程終了後多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ（３）でモールドする第４工程と，
前記モールド工程が終了した一連のPCBパタン部をソーイングで単一化する第５工程から成り，
前記単一化されたパッケージを印刷された多数列のFR4PCBパタン（７）にクリームソルダー（９）で再度実装し，前記多数列に配列されているFR4PCBパタン（７）を金型に安着させた後，投光型エポキシ樹脂（１１）でレンズ型にモールドし，前記モールドが終了した一連のFR4PCBパタン部を２次ソーイングで単一化する第９工程を含むことを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
請求項1記載の製造方法により製造された白色発光ダイオード。
【請求項３】
一対のPCBパタン部が多数個の1組として多数列に配列され単一PCBパタンごとに接着剤（１０）でドッティングする第１工程と，
この接着剤（１０）に発光ダイオードチップ（１）(430nm〜470nm)をPCBパットカップ（１７）部分にダイボンディングする第２工程と，
前記発光ダイオードチップ（１）を金線（２）によって電極接合する第３工程と，
多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂（３）でモールドする第４工程と，
モールドが終了した一連のPCBパタン部をソーイングで単一化する第５工程から成り，前記単一化されたパッケージを印刷された多数列の射出リードフレーム（１２）にクリームソルダー（９）で実装し，前記多数列に配列されている射出リードフレーム（１２）を投光型エポキシ樹脂（１１）にポッティングしてから固着し，前記固着が終了した一連の射出リードフレーム（１２）を，トリミングと同時にフォーミングし，単一化する工程を含むことを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の製造方法で製造された白色発光ダイオード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の他の目的は，YAG系の蛍光体を一定の厚さと一定の混合比を持つトランスファーモールド（Transfer-mold）用であるYAGエポキシ樹脂材を適用することで光輝度及び色座標，色温度が同一であるのみならずYAG系の蛍光体中，波長変換蛍光体の使用を最小化し，製造費用を大幅に節減する白色発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明のさらに他の目的は，白色発光ダイオード及び発光ダイオードの製造時に，パッケージサイズ別に他の製品を生産する時，全工程の新規な投資が必要であるが，本発明の実施のための半導体製造工程の過多な投資費用を最小化できる白色発光ダイオード及びその製造方法を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的を達成するための本発明による白色発光ダイオードの製造方法は，一対のPCBパタン部が多数個の1組として多数列で配列構成になり，単一PCBパタンごとに接着剤でドッティング(Dotting)する第１工程と，接着剤に発光ダイオードチップ(430nm〜470nm)をPCBパットカップ部分にダイボンディング(diebonding)する第２工程と，前記発光ダイオードチップを金線(Gold-Wire)により電極接合する第３工程と，多数列で配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合した熱硬化性樹脂でモールドする第４工程と，モールドが終了した一連のPCBパタン部をソーイング（sewing）で単一化する第５工程において前記単一化されたパッケージを印刷された多数列のFR4PCB材質にクリームソルダー（Cream-Solder）で再度実装し，前記多数列に配列されるFR4PCBを金型に安着させた後，投光型エポキシ樹脂でレンズ型にモールドし，前記モールドが終了した一連のFR4PCBパタン部を２次ソーイングで単一化する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による白色発光ダイオード製造方法の他の実施形態は，一対のPCBパタン部が多数個の１組として多数列で配列構成され，単一PCBパタンごとに接着剤でドッティングする第１工程と，接着剤に発光ダイオードチップ(430nm〜470nm)をPCBパットカップ部分にダイボンディングする第２工程と，前記発光ダイオードチップを金線によって電極接合する第３工程と，多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシでモールドする第４工程と，モールドが終了した一連のPCBパタン部をソーイングで単一化する第５工程において，前記単一化されたパッケージを印刷された多数列の射出リードフレームにクリームソルダーで再度実装し，前記多数列に配列されている射出リードフレームを投光型エポキシ樹脂でポッティング，固着し，前記固着が終了した一連の射出リードフレームをトリミングと同時にフォーミングし，単一化する工程から成ることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２ａ，図２ｂは，各本発明の実施例による白色発光ダイオードの平断面図及び縦断面図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図示されるように，本発明による白色発光ダイオードの構成は接着剤１０にダイボンディングされた発光ダイオードチップ１(430nm〜470nm)と，このチップ１の通電のための通電ワイヤ２とYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂(Epoxy)３でモールドした個別パッケージＰと，この個別パッケージＰをFR4PCBパタン７に実装するためクリームソルダー９と，この個別パッケージＰの上に投光型のエポキシ樹脂１１でモールドしたエポキシレンズ４に構成される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２ｃ，図２ｄは，本発明のさらに他の実施形態を示す白色発光ダイオードの平面図及び断面図である。図示されたように本発明による白色発光ダイオードの構成は接着剤１０にダイボンディングされた発光ダイオードチップ１(430nm〜470nm)と，この発光ダイオードチップ１の通電のための通電ワイヤ２と，YAG系の蛍光体とエポキシとエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂３でモールドした個別パッケージＰと，この個別パッケージＰを他の射出リードフレーム(12)に実装するためのクリームソルダー９と，クリームソルダー９で実装された射出リードフレームパットカップの上にポッティングした投光型のエポキシ樹脂１１に構成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図３ａは本発明の実施例による白色発光ダイオードの第１工程を図示したもので，図３ｂ及び図３ｃは前記工程で製造された個別パッケージＰの平断面図及び縦断面図として，一対のPCBパタン部８が多数個の1組として多数列に配列構成され，単一PCBパタンごとにドッティングする接着剤１０と，PCBパットカップ部１７分にドッティングされた接着剤１０の上に接着される発光ダイオードチップ１(430nm〜470nm)と，前記発光ダイオードチップ１を電極接合する金線２と，多数列に配列されているPCBパタン部を金型に安着させYAG系の蛍光体とエポキシ樹脂を混合したエポキシ樹脂３でモールドし，一連のPCBパタン部８をソーイングし，単一化されたパッケージＰに構成される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図４は，本発明の実施例による白色発光ダイオードの第２工程に関するもので，第1工程で個別化されたパッケージＰを，クリームソルダー９を使用しFR4PCBパタン７に実装し，FR4PCBパタン７の上に実装された個別パッケージＰの上に，投光型のエポキシ樹脂１１をモールドする（図２ａ，２ｂ参照）。このように第１工程で，一定色座標を持つ個別化された白色発光ダイオード素子を，投光型のエポキシ樹脂１１で構成されたレンズを持つエポキシ樹脂でモールドすることにより，１次工程を経て製造された均一な色座標と輝度を持つ個別化された白色発光ダイオードを，分類・使用できる長所とこの以降のテスト及びソーイング工程を省略可能な，多様な規格の低価格のパッケージで製造できるため，蛍光体の使用を最小化しながら高輝度(レンズがあるため高輝度になる)の白色発光ダイオードが製造される。更に小型，低価格に製造され個別化された発光ダイオード素子を大型，高価の白色発光ダイオードパッケージ素子に実装することで，工程収率を向上させるのみならず，均一な色座標と輝度を持つ各種規格の製品を別途の高価装備の投資がなくても製品の量産が可能になる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
又，第１次工程で個別化されたパッケージＰの中，均一な色座標及び輝度を持つ白色ダイオードのみを別途に分類し，クリームソルダーを使用し，他の射出リードフレームに実装し，射出リードフレームのパットカップの上に実装された個別パッケージＰの上に，投光型のエポキシをポッティングし，トリミングとフォーミングをすることによって色の不均衡現象を防止でき，1次ソーイング時までの装備を備えた後，各大きさ(例えば，1608，3528，2012，4040，5050など)に実装する装備は一番大きい装備基準に一つのみ備えれば作業が可能なため，装備投資費用も節減できる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図５は，本発明の実施例による白色発光ダイオードの波長分布図である。この波長分布図は既存の製造方法による白色発光ダイオードより優秀なことを表す。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
以下に添付された図面を参照して，本発明による白色発光ダイオード及びその製造方法の実施形態を具体的に説明する。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１は従来の白色発光ダイオードパッケージを表した縦断面図
図2a，2bと2c，2dはそれぞれ本発明の第１実施例による白色発光ダイオード
の各異なる構造を図示した平断面図及び縦断面図
図3aは本発明の第1実施例による白色発光ダイオードの１次工程図
図3b，3cは図3aの工程により単一化されたパッケージの平断面図及び
縦断面図
図4は本発明の実施例による白色発光ダイオードの２次工程図
図5は本発明による製造された白色発光ダイオードのスペクトル（Spectrum）分布図
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005537655.tif 000013
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ａ】
2005537655.tif 000014
【手続補正２３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｂ】
2005537655.tif 000015
【手続補正２４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｃ】
2005537655.tif 000016
【手続補正２５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｄ】
2005537655.tif 000017
【手続補正２６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３ａ】
2005537655.tif 000018
【手続補正２７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３ｂ】
2005537655.tif 000019
【手続補正２８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３ｃ】
2005537655.tif 000020
【手続補正２９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005537655.tif 000021
【手続補正３０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図５】
2005537655.tif 000022
【手続補正３１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５ａ
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５ｂ
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６ａ
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６ｂ
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【国際調査報告】
2005537655.tif 000023
2005537655.tif 000024
2005537655.tif 000025