(57)【要約】プラスチック樹脂部分を含む基板であって、プラスチック樹脂部分がポリ（アリーレンエーテル）及びスチレン材料を含み（又はポリ（アリーレンエーテル）及びスチレン材料の反応生成物を含み）、スチレン材料がポリスチレン、スチレン系コポリマー、並びに上述のスチレン材料の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択される基板と、基板上のデータ層とを含んでなる記憶媒体。ポリ（アリーレンエーテル）は約５０００〜約５００００ＡＭＵの重量平均分子量を有し、ポリスチレンは約１００００〜約３０００００ＡＭＵの重量平均分子量を有する。データ層は、エネルギー場によって少なくとも部分的に読出し、書込み又はこれらの組合せが可能である。さらに、エネルギー場が記憶媒体に接触する場合、エネルギー場はデータ層に入射してから基板に入射し得る。
2005520274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一相のプラスチック樹脂部分を含む基板であって、プラスチック樹脂部分がポリ（アリーレンエーテル）及びスチレン材料を含み、スチレン材料がポリスチレン、スチレン系コポリマー、並びに上述のスチレン材料の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択され、ポリ（アリーレンエーテル）が約５０００〜約５００００ＡＭＵの重量平均分子量を有し、ポリスチレンが約１００００〜約３０００００ＡＭＵの重量平均分子量を有し、ポリ（アリーレンエーテル）の約２０ｗｔ％以下が約１５０００ＡＭＵ以下の重量平均分子量を有する基板、並びに
基板上のデータ層
を含んでなる情報記憶媒体であって、
データ層はエネルギー場によって少なくとも部分的に読出し、書込み又はこれらの組合せが可能であり、
エネルギー場が記憶媒体に接触する場合、エネルギー場はデータ層に入射してから基板に入射し得る、情報記憶媒体。
【請求項２】
単一相のプラスチック樹脂部分を含む基板であって、プラスチック樹脂部分がポリ（アリーレンエーテル）及びスチレン材料を含み、スチレン材料がポリスチレン、スチレン系コポリマー、並びに上述のスチレン材料の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択される基板、
基板上の第一のデータ層、並びに
基板の反対側にある第一のデータ層の表面上に配設された、ポリカーボネートからなる第一の保護層
を含んでなる情報記憶媒体であって、
第一のデータ層はエネルギー場によって少なくとも部分的に読出し、書込み又はこれらの組合せが可能であり、
エネルギー場が記憶媒体に接触する場合、エネルギー場は第一のデータ層に入射してから基板に入射し得る、情報記憶媒体。
【請求項３】
ポリ（アリーレンエーテル）の約１０ｗｔ％以下が約１５０００ＡＭＵ以下の重量平均分子量を有する、請求項１又は２記載の記憶媒体。
【請求項４】
ポリ（アリーレンエーテル）の約５ｗｔ％以下が約１５０００ＡＭＵ以下の重量平均分子量を有する、請求項３記載の記憶媒体。
【請求項５】
プラスチック樹脂部分がさらに、プラスチック樹脂部分の全重量を基準にして約９０ｗｔ％以下のポリ（アリーレンエーテル）及び約９０ｗｔ％以下のスチレン材料を含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項６】
プラスチック樹脂部分がさらに、プラスチック樹脂部分の全重量を基準にして約２５〜約７５ｗｔ％のポリ（アリーレンエーテル）及び約２５〜約７５ｗｔ％のスチレン材料を含む、請求項５記載の記憶媒体。
【請求項７】
プラスチック樹脂部分がさらに、プラスチック樹脂部分の全重量を基準にして約４０〜約６０ｗｔ％のポリ（アリーレンエーテル）及び約４０〜約６０ｗｔ％のスチレン材料を含む、請求項６記載の記憶媒体。
【請求項８】
スチレン系コポリマーが、アルキル−、シクロアルキル−、アリール−、アルキルアリール−、アラルキル−、アルコキシ−、アリールオキシ−、並びに上述のモノビニル芳香族炭化水素の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択されるモノビニル芳香族炭化水素を用いるバルク重合、懸濁重合又は乳化重合で製造される、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項９】
炭化水素が、スチレン、４−メチルスチレン、３，５−シエチルスチレン、４−ｎ−プロピルスチレン、α−メチルスチレン、α−メチルビニルトルエン、α−クロロスチレン、α−ブロモスチレン、ジクロロスチレン、ジブロモスチレン、テトラクロロスチレン、及び上述の炭化水素の１種以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項８記載の記憶媒体。
【請求項１０】
スチレン材料がスチレン系コポリマーを含み、スチレン系コポリマーが約２５モル％未満のコモノマーを有する、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１１】
スチレン系コポリマーが約４〜約１５モル％のコモノマーを有する、請求項１０記載の記憶媒体。
【請求項１２】
スチレン系コポリマーが約６〜約１０モル％のコモノマーを有する、請求項１１記載の記憶媒体。
【請求項１３】
コモノマーが、アクリロニトリル、無水マレイン酸、並びに上述のコモノマーの１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択される、請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１４】
さらに、ケイ酸塩、二酸化チタン、ガラス、硫化亜鉛、カーボンブラック、黒鉛、炭酸カルシウム、並びに上述の添加剤の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択される添加剤を含む、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１５】
添加剤が、連続繊維、細断繊維、フレーク、ナノチューブ、球体、粒子、及び上述の形態の１種以上を含む組合せからなる群から選択される形態を有する、請求項１４記載の記憶媒体。
【請求項１６】
さらに、離型剤、ＵＶ吸収剤、光安定剤、熱安定剤、潤滑剤、可塑剤、染料、着色剤、帯電防止剤、滴下防止剤、並びに上述の添加剤の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択される添加剤を含む、請求項１乃至請求項１５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１７】
スチレン材料がさらに、スチレン材料の全重量を基準にして約２５〜約９０ｗｔ％のポリスチレン及び約１０〜約７５ｗｔ％のスチレン系コポリマーを含む、請求項１乃至請求項１６のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１８】
スチレン材料がさらに、スチレン材料の全重量を基準にして約２５〜約９０ｗｔ％のポリスチレン及び約１０〜約７５ｗｔ％のスチレン系コポリマーを含む、請求項１乃至請求項１６のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１９】
ポリ（アリーレンエーテル）が、２５℃のクロロホルム中で測定して約０．１０〜約０．６０ｄｌ／ｇの固有粘度を有する、請求項１乃至請求項１８のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２０】
さらに、基板とデータ層との間に配設された第一の反射層を含む、請求項２乃至請求項１９のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２１】
さらに、第一の反射層の反対側にある基板の第二の面上に配設された他の反射層、及び他の反射層と他の保護層との間に配設された他のデータ層を含む、請求項２０記載の記憶媒体。
【請求項２２】
保護層がさらに、窒化物、炭化物、酸化物、ポリアクリレート、並びに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せを含む、請求項２乃至請求項２１のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２３】
単一相のプラスチック樹脂部分を含む基板及び基板の表面上に配設されたデータ層を有する記憶媒体であって、プラスチック樹脂部分がポリ（アリーレンエーテル）とポリスチレン、スチレン系コポリマー、並びに上述のスチレン材料の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択されるスチレン材料との反応生成物を含み、ポリ（アリーレンエーテル）が約５０００〜約５００００ＡＭＵの重量平均分子量を有し、ポリスチレンが約１００００〜約３０００００ＡＭＵの重量平均分子量を有し、ポリ（アリーレンエーテル）の約２０ｗｔ％以下が約１５０００ＡＭＵ以下の重量平均分子量を有する記憶媒体を回転させ、
エネルギー場がデータ層に入射してから基板に入射し得るようにエネルギー場を記憶媒体に当て、
エネルギー場によってデータ層から情報を回収する
ことを含んでなる情報回収方法。
【請求項２４】
さらに、エネルギー場の少なくとも一部分をデータ層に伝達し、エネルギー場の該部分の少なくとも一部をデータ層から戻すことを含む、請求項２３記載の情報回収方法。
【請求項２５】
ポリ（アリーレンエーテル）の約１０ｗｔ％以下が約１５０００ＡＭＵ以下の重量平均分子量を有する、請求項２３又は２４記載の情報回収方法。
【請求項２６】
ポリ（アリーレンエーテル）の約５ｗｔ％以下が約１５０００ＡＭＵ以下の重量平均分子量を有する、請求項２３乃至請求項２５のいずれか１項記載の情報回収方法。
【請求項２７】
スチレン系コポリマーが約４〜約１５モル％のコモノマーを有する、請求項２３乃至請求項２６のいずれか１項記載の情報回収方法。
【請求項２８】
スチレン系コポリマーが約６〜約１０モル％のコモノマーを有する、請求項２７記載の情報回収方法。
【請求項２９】
ポリ（アリーレンエーテル）が、２５℃のクロロホルム中で測定して約０．１０〜約０．６０ｄｌ／ｇの固有粘度を有する、請求項２３乃至請求項２８のいずれか１項記載の情報回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報記憶媒体に関し、特にポリ（アリーレンエーテル）情報記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光媒体、磁気媒体及び光磁気媒体は高性能記憶技術の主たる源であり、記憶量１メガバイト当たりの手ごろな価格と共に高い記憶容量を可能にする。通例はディスク表面積１平方インチ当たりの１０億ビット数（ギガビット／平方インチ（Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2））で表される面積密度は、線密度（トラック１インチ当たりの情報ビット数）に、１インチ当たりのトラック数であるトラック密度を掛けた値に等しい。面積密度の向上はメガバイト当たりの価格を低下させるための重要な要因の一つであり、面積密度をさらに高めることが当業界で今なお要望されている。
【０００３】
光記憶の分野では、進歩はアクセス時間、システム体積及びコスト競争に集中している。面積密度の増大と取り組むためには、（近視野光学系を用いる）光学系の回折限界に注目し、三次元記憶を検討し、可能性のあるホログラフィック記録方法及び他の技術を検討することが行われている。
【０００４】
コンパクトディスク（ＣＤ）及び記録可能又は書換え可能なコンパクトディスク（例えば、ＣＤ−ＲＷ）、並びに類似の比較的低面積密度装置（例えば、約１Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2未満の装置）のような分野では、ポリマー情報記憶媒体が使用されてきた。これらは、通例、低い複屈折を有する光学的性質の良い基板の使用を必要とするリードスルー型装置である。
【０００５】
図１について説明すれば、読出し装置３と記録可能又は書換え可能な記憶媒体５とを有する低面積密度システム１が示されている。記憶媒体５は、データ層７、誘電体層９及び９’、反射層１１並びに保護層１３を含む通常の層を有している。システム１の動作時には、読出し装置３から放出されたレーザー１５が光学的に透明な基板１７に入射する。レーザーは基板１７を通過し、次いで誘電体層９、データ層７及び第二の誘電体層９’を通過する。次に、レーザー１５は反射層１１で反射され、誘電体層９’、データ層７、誘電体層９及び基板１７を逆向きに通過し、読出し装置３によって読み取られる。
【０００６】
ＣＤとは異なり、（通例約５Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2以下又はそれを超える）高い面積密度性能を有する記憶媒体では、面積密度を高めるために第一表面又は近視野読出し／書込み技術が使用される。かかる記憶媒体に関しては、基板の光学的品質は関係しないものの、基板の物理的及び機械的性質はますます重要となる。第一表面用途をはじめとする高面積密度用途の場合、記憶媒体の表面品質は読出し装置の精度、データの記憶能力、及び基板の複製品質に影響を及ぼすことがある。さらに、使用時における記憶媒体の物理的特性はデータの記憶及び回収能力に影響を及ぼすこともある。即ち、媒体の軸方向変位が大きすぎれば、データの正確な回収を妨げたり、及び／又は読出し／書込み装置を損傷したりすることがある。
【０００７】
（近視野技術を含む）第一表面技術の使用に伴う上記の問題を処理するため、金属（例えば、アルミニウム）及びガラスの基板が使用されてきた。かかる基板を使用することの欠点は、読出し／書込み装置のトラッキング又はセクター構造の画成を容易にするため、表面上にパターン（例えば、ピット又は溝構造）を形成するのが困難なことである。表面上にパターンが形成された後には、各種の技術（例えば、スパッタリング）を用いて基板上に所望の層が配設される。可能な層としては、反射層、誘電体層、データ記憶層及び保護層がある。磁気又は光磁気情報記憶媒体の場合には、磁気読出し／書込み技術によってデータ層中にパターン化構造を追加することもできるが、これは情報記憶のために利用できる面積を減少させる。
【０００８】
当業界の歩調が早く、低価格で大きい記憶容量が要求され、書換え型ディスクに対する要望があり、数多くの技術が検討されていることから明らかな通り、技術の更なる進歩が絶えず要望され探求されている。当技術分野で要求されているものは、（近視野用途を含む）第一表面用途での記憶媒体の利用を可能にする記憶媒体の進歩である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書中には、情報記憶媒体並びにその製造方法及び使用方法が開示される。一実施形態では、記憶媒体は、プラスチック樹脂部分を含む基板であって、プラスチック樹脂部分がポリ（アリーレンエーテル）及びスチレン材料を含み、スチレン材料がポリスチレン、スチレン系コポリマー、並びに上述のスチレン材料の１種以上を含む反応生成物及び組合せからなる群から選択される基板と、基板上のデータ層とを含んでなる。ポリ（アリーレンエーテル）は約５０００〜約５００００ＡＭＵの重量平均分子量を有し、ポリスチレンは約１００００〜約３０００００ＡＭＵの重量平均分子量を有する。データ層は、エネルギー場によって少なくとも部分的に読出し、書込み又はこれらの組合せが可能である。さらに、エネルギー場が記憶媒体に接触する場合、エネルギー場はデータ層に入射してから基板に入射し得る。
【００１０】
一実施形態では、情報回収方法は、記憶媒体を回転させ、エネルギー場がデータ層に入射してから基板に入射し得るようにエネルギー場を記憶媒体に当て、エネルギー場によってデータ層から情報を回収することを含んでなる。
【００１１】
図面の簡単な説明
図１は、光学的に透明な基板を用いた先行技術の低面積密度システムの断面図である。
【００１２】
図２は、光が基板を通過することなくデータ記憶層に入射する本発明の記憶媒体の可能な一実施形態を用いた読出し／書込みシステムの断面図である。
【００１３】
図３は、本発明の磁気情報記憶基板の一実施形態の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
記憶媒体は、一面又は両面上に配設された所望の表面構造を有し、やはり一面又は両面上に光磁気材料のようなデータ記憶層を有し、適宜保護層、誘電体層及び／又は反射層を有するようにその場で形成できる均質又は不均質ポリ（アリーレンエーテル）／スチレン材料の基板を含み得る。基板は実質的に均質な形状、テーパー付き形状、凹面形状又は凸面形状を有し得ると共に、表面の健全性及び平滑性に悪影響を及ぼすことなしに剛性を高めるため、様々な種類及び形状の補強材を使用できる。
【００１５】
基板は、ポリ（アリーレンエーテル）（ＰＡＥ）及びスチレン材料の単一相ブレンド又はこれらの反応生成物からなり得る。基板は、ポリスチレン（ＰＳ）及び／又はスチレン系コポリマー（例えば、スチレン−コ−アクリロニトリル（ＳＡＮ）及び／又はスチレン−コ−無水マレイン酸（ＳＭＡ））を含み得る。一実施形態では、記憶媒体は、約５０００〜約５００００の重量平均分子量を有するＰＡＥ、及び約１００００〜約３０００００の重量平均分子量を有するポリスチレンからなる。本明細書中では、特記しない限り、すべての分子量は原子質量単位（ＡＭＵ）で示される。好ましくは、ＰＡＥの約２０ｗｔ％以下が約１５０００以下の重量平均分子量（Ｍw）を有しており、加工性の向上を達成すると共に機械的性質を目的に合わせて調整するためには約１０ｗｔ％以下が好ましく、約５ｗｔ％以下が特に好ましい。
【００１６】
本組成物は、組成物の全重量を基準にして約９０ｗｔ％以下のＰＡＥ及び約９０ｗｔ％以下のスチレン材料を含み得ると共に、約２５〜約７５ｗｔ％のＰＡＥ及び約２５〜約７５ｗｔ％のスチレン材料が好ましく、約４０〜約６０ｗｔ％のＰＡＥ及び約４０〜約６０ｗｔ％のスチレン材料が特に好ましい。また、低分子量ＰＡＥ（例えば、約１５０００以下の数平均分子量又は（２５℃のクロロホルム中で測定して）約０．２５デシリットル／グラム（ｄｌ／ｇ）未満の固有粘度（ＩＶ）を有するもの）の全含有量が好ましくは約２０ｗｔ％以下であり、材料の激しい脆化を防止するためには約１０ｗｔ％以下が特に好ましいことに注意されたい。三成分ブレンドでは、スチレン材料はスチレン材料の全重量を基準にして約１〜約９９ｗｔ％のポリスチレン及び約１〜約９９ｗｔ％のスチレン系コポリマーを含み得ると共に、約２５〜約９０ｗｔ％のポリスチレン及び約１０〜約７５ｗｔ％のスチレン系コポリマーが好ましく、約５０〜約９０ｗｔ％のポリスチレン及び約１０〜約５０ｗｔ％のスチレン系コポリマーが特に好ましい。
【００１７】
スチレン系コポリマーを使用する実施形態では、単一相ブレンドを維持するため、スチレン系コポリマー中のコモノマー含有量は約２５モルパーセント（モル％）未満にすべきである。低いコモノマー含有量でも、単一相ブレンドはＰＡＥ成分の分子量及びコモノマー含有量に依存する。例えば、約６モル％のアクリロニトリル含有量をもったＳＡＮを含むＰＡＥ／ＳＡＮブレンドに関しては、約０．３３ｄｌ／ｇ以下の固有粘度（ＩＶ）をＰＡＥに対してすべての組成範囲で完全な混和性が認められる。アクリロニトリル含有量が約８モル％に増加すると、低いＩＶ（例えば、０．１２ｄｌ／ｇ）のＰＡＥブレンドのみに関してはすべての組成範囲で完全な混和性が認められるものの、それより高いＩＶ（例えば、約０．３３ｄｌ／ｇ以上）の材料は約４０〜約６０モル％のＰＡＥ範囲で不混和性を示す。
【００１８】
同様に、ＰＰＥ、ポリスチレン及びスチレン系コポリマーを用いた三成分ブレンドも使用できる。上述の通り、６モル％のアクリロニトリルを含むスチレン系コポリマーの場合には完全な混和性が認められる。８モル％のアクリロニトリルに関しては、ＳＡＮ含有量が約３０ｗｔ％以下又は約７０ｗｔ％以上である場合に混和性が認められる。しかし、７０ｗｔ％以上のＳＡＮの場合には、低いガラス転移温度（例えば、約１３０℃未満）を有するブレンドが得られる。
【００１９】
ポリ（アリーレンエーテル）（ＰＡＥ）という用語は、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）及びポリ（アリーレンエーテル）コポリマー、グラフトコポリマー、ポリ（アリーレンエーテル）イオノマー、アルケニル芳香族化合物やビニル芳香族化合物やポリ（アリーレンエーテル）やポリ（アリーレンエーテル）などのブロックコポリマー、並びに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せ、などを包含する。ポリ（アリーレンエーテル）自体は、式（Ｉ）の構造単位を複数含んでなる公知のポリマーである。式中、各構造単位について、各Ｑ1は独立にハロゲン、第一又は第二低級アルキル（例えば、炭素原子数７以下のアルキル）、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、或いは２以上の炭素原子でハロゲン原子と酸素原子とが隔てられたハロ炭化水素オキシであり、各Ｑ2は独立に水素、ハロゲン、第一又は第二低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、或いはＱ1について定義したハロ炭化水素オキシである。好ましくは、各Ｑ1はアルキル又はフェニル、特にＣ1-4アルキルであり、各Ｑ2は水素である。
【００２０】
ホモポリマー及びコポリマーのポリ（アリーレンエーテル）が共に包含される。好ましいホモポリマーは、２，６−ジメチルフェニレンエーテル単位を含むものである。好適なコポリマーには、例えばかかる単位を２，３，６−トリメチル−１，４−フェニレンエーテル単位と共に含むランダムコポリマー、又は２，６−ジメチルフェノールと２，３，６−トリメチルフェノールとの共重合で得られるコポリマーがある。また、ビニルモノマー又はポリスチレンのようなポリマーをグラフトして得られる部分を含んだポリ（アリーレンエーテル）、並びに低分子量ポリカーボネートやキノンや複素環式化合物やホルマールのようなカップリング剤を公知の方法で２本のポリ（アリーレンエーテル）鎖のヒドロキシ基と反応させてさらに高分子量のポリマーとしたカップルドポリ（アリーレンエーテル）も包含される。ポリ（アリーレンエーテル）には、さらに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せも包含される。
【００２１】
以上の説明から当業者には自明であろうが、想定されるポリ（アリーレンエーテル）には、構造単位又は副次的な化学的特徴の変化とは無関係に、現在公知のすべてのものが包含される。
【００２２】
ポリ（アリーレンエーテル）は、一般に、２５℃のクロロホルム中で測定して約０．１０〜約０．６０デシリットル／グラム（ｄｌ／ｇ）の固有粘度（ＩＶ）を有する。高固有粘度のポリ（アリーレンエーテル）（好ましくは約０．２５ｄｌ／ｇ以上のもの）及び低固有粘度のポリ（アリーレンエーテル）（好ましくは約０．２５ｄｌ／ｇ以下のもの）を組み合わせて使用することも可能である。２種の固有粘度を使用する場合に正確な比率を決定することは、使用するポリ（アリーレンエーテル）の正確な固有粘度及び所望される極限の物理的性質に多少依存する。
【００２３】
好適な塩基滴定可能な官能化ポリ（アリーレンエーテル）樹脂には、特に限定されないが、適当な酸又は無水物官能化剤との反応で製造されるものがある。例えば、とりわけ、ポリ（アリーレンエーテル）と、無水マレイン酸、マレイン酸、フマル酸、無水シトラコン酸、シトラコン酸、無水イタコン酸、イタコン酸、無水アコニット酸、アコニット酸、及びこれらのエステルやアミンをはじめとするα，β−不飽和カルボニル化合物、クエン酸やマレイン酸のようなカルボン酸をはじめとするα−ヒドロキシカルボニル化合物、５−ヒドロキシベンゼン−１，２，４−トリカルボン酸無水物の誘導体（例えば、５−アセチル誘導体又はフェニルエステルのような４−エステル誘導体）、無水トリメリト酸フェニルサリチレートをはじめとする無水トリメリト酸アリールエステル、並びに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せとの溶融反応で製造されるものを使用できる。別法として、ポリ（アリーレンエーテル）を適当な溶媒中で酸性基又は潜伏性酸性基で官能化することもできる。かかる方法の例には、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中でポリ（アリーレンエーテル）のメタレーションを行ってから二酸化炭素で失活させる方法、又はトリメリト酸無水物酸塩化物を用いてトルエン溶液中でポリ（アリーレンエーテル）のキャッピングを行う方法がある。通例、（ポリフェニレンエーテル及び官能化剤の重量を基準にして）約１０ｗｔ％以下の官能化剤が使用でき、約６ｗｔ％以下が好ましく、約１．５〜約４ｗｔ％が特に好ましい。
【００２４】
ポリ（アリーレンエーテル）に加えて、１種以上のポリスチレン（ＰＳ）を本組成物中に含めることができる。本明細書中で使用する「ポリスチレン」という用語は、バルク重合、懸濁重合及び乳化重合をはじめとする、当技術分野で公知の方法で製造されるポリマーであって、式中のＲ5が水素、低級アルキル又はハロゲンであり、Ｚ1がビニル、ハロゲン又は低級アルキルであり、ｐが０〜約５であるモノマーから導かれる構造単位を２５ｗｔ％以上含むポリマーを包含する。
【００２５】
同様に、ポリ（アリーレンエーテル）に加えて、１種以上のスチレン系コポリマーを記載の組成物中に含めることができる。本明細書中で使用する「ポリスチレンコポリマー」及び「スチレン系コポリマー」という用語は、１種以上のモノビニル芳香族炭化水素を使用しながら、バルク重合、懸濁重合及び乳化重合をはじめとする、当技術分野で公知の方法で製造されるポリマーを包含する。モノビニル芳香族炭化水素の例には、アルキル−、シクロアルキル−、アリール−、アルキルアリール−、アラルキル−、アルコキシ−、アリールオキシ−、及びその他の置換ビニル芳香族化合物、並びに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せがある。具体例には、スチレン、４−メチルスチレン、３，５−シエチルスチレン、４−ｎ−プロピルスチレン、α−メチルスチレン、α−メチルビニルトルエン、α−クロロトルエン、α−ブロモトルエン、ジクロロスチレン、ジブロモスチレン、テトラクロロスチレン、並びに上述のスチレン系コポリマーの１種以上を含む反応生成物及び組合せがある。使用する好ましいモノビニル芳香族炭化水素は、スチレン及びα−メチルスチレンである。
【００２６】
これらのポリマーは、アクリロニトリルや置換アクリロニトリル及びアクリル酸エステルをはじめとするアクリルモノマー、及び／又は無水マレイン酸及びその誘導体（マレイミド、Ｎ−置換マレイミドなど）のようなコモノマーを含む。コモノマーの具体例には、アクリロニトリル、エタクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、β−クロロアクリロニトリル、α−ブロモアクリロニトリル、β−ブロモアクリロニトリル、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、無水マレイン酸、メタクリロニトリル、マレイミド、Ｎ−アルキルマレイミド、Ｎ−アリールマレイミド、或いはアルキル又はハロ置換Ｎ−アルキルマレイミド、並びに上述のアクリルモノマーの１種以上を含む反応生成物及び組合せがある。好ましいモノマーはアクリロニトリル、無水マレイン酸、アクリル酸エチル及びメタクリル酸メチルであり、アクリロニトリル及び無水マレイン酸が特に好ましい。
【００２７】
ポリスチレンコポリマー中に存在するコモノマーの量は変化し得る。しかし、そのレベルは一般にモル百分率として約２モル％以上であると共に約２５モル％以下であり、約４〜約１５モル％が好ましく、約６〜約１０モル％が特に好ましい。特に好ましいポリスチレンコポリマー樹脂には、（一般に「ＳＭＡ」といわれる）ポリ（スチレン−無水マレイン酸）及び（一般に「ＳＡＮ」といわれる）ポリ（スチレン−アクリロニトリル）がある。
【００２８】
本願の目的のためには、スチレン系コポリマーはＰＡＥ成分との単一相ブレンドを維持することが望ましい。したがってコポリマーは、相分離をもたらすブロック型コポリマーに比べ、ランダムコポリマーであることが望ましい。
【００２９】
さらに本ブレンドは、例えば、有機亜リン酸エステル（例えば、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスファイト又はジステアリルペンタエリトリトールジホスファイト）、アルキル化モノフェノール、ポリフェノール、ポリフェノールとジエンとのアルキル化反応生成物（例えば、テトラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート］メタン、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメートオクタデシル、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスファイト）、ｐ−クレゾールとジシクロペンタジエンとのブチル化反応生成物、アルキル化ヒドロキノン、ヒドロキシル化チオジフェニルエーテル、アルキリデン−ビスフェノール、ベンジル化合物、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸の一価又は多価アルコールエステル、β−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロピオン酸の一価又は多価アルコールエステル、チオアルキル又はチオアリール化合物のエステル（例えば、ジステアリルチオプロピオネート、ジラウリルチオプロピオネート及び／又はジトリデシルチオジプロピオネート）、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミドなど、並びに上述の酸化防止剤の１種以上を含む反応生成物及び組合せのような酸化防止剤などの各種添加剤を任意に含むこともできる。
【００３０】
さらに、補強材、充填材及びその他の添加剤など、並びに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せを用いて基板の弾性率を高めることもできる。しかし、充填材相の存在は成形物品の表面品質に悪影響を及ぼさないことが重要である。したがって、充填材入り物品を成形する場合には、十分に平滑な表面を確保するために射出成形に際して特殊な加工条件が必要となることがある。例えば、とりわけ、（連続繊維及び細断繊維を含む）繊維、フレーク、ナノチューブ、球体、粒子など、並びに上述の形態の１種以上を含む組合せの形態を有する、ケイ酸塩、二酸化チタン（ＴｉＯ2）、ガラス、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、カーボンブラック、黒鉛、炭酸カルシウム、タルク、雲母など、並びに上述の添加剤の１種以上を含む反応生成物及び組合せのような充填材及び補強材を任意に使用できる。さらに、例えば、離型剤（ペンタエリトリトールテトラステアレート、グリセロールモノステアレートなど）、ＵＶ吸収剤、光安定剤や熱安定剤のような安定剤（酸性亜リン酸系化合物、ヒンダードフェノールなど）、潤滑剤（鉱油など）、可塑剤、染料（キニン、アゾベンゼンなど）、着色剤、帯電防止剤（ベンゼンスルホン酸テトラアルキルアンモニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラアルキルホスホニウム塩など）、滴下防止剤、並びに上述の添加剤の１種以上を含む反応生成物及び組合せのような他の添加剤も任意に使用できる。
【００３１】
このブレンドを用いる情報記憶媒体を製造するためには、まず、各種成分を十分に混合できる通常の反応器（例えば、一軸又は二軸押出機、混練機など）を用いて熱可塑性組成物を調製すればよい。成分は、ホッパーを通して押出機に同時に供給することもできるし、或いはＰＡＥの粘着を防止するため、スチレン材料を押出機に導入して溶融してからＰＡＥを添加することもできる。押出機は、成分の分解を引き起こすことなしに成分を溶融するのに十分な高温に維持すべきである。約２７０〜約３４０℃の温度が使用でき、約２８０〜約３２０℃が好ましく、約２９０〜約３０５℃が特に好ましい。同様に、押出機内の滞留時間も分解を最小限に抑えるように制御すべきである。約５分以下又はそれを超える滞留時間が通例使用され、約２分以下が好ましく、約１分以下が特に好ましい。
【００３２】
所望の形態（通例はペレット、シート、ウェブなど）への押出しに先立ち、例えば、溶融濾過及び／又はスクリーンパックの使用などで混合物を濾過して望ましくない夾雑物又は分解生成物を除去することができる。
【００３３】
組成物を調製したならば、各種の成形及び加工技術を用いて組成物から情報記憶媒体又はその他任意の所望物品（フィルム、レンズ、シートなど）を形成できる。可能な成形技術には、射出成形、発泡法、射出圧縮、回転成形、二個取り成形、微孔質成形、フィルムキャスティング、押出し、プレス成形、吹込み成形などがある。組成物を例えば情報記憶媒体として使用するならば、当技術分野で通常知られているもののうちで、電気めっき、被覆技術（スピンコーティング、吹付け塗り、蒸着、スクリーン印刷、塗装、浸し塗り、スパッタリング、真空蒸着、電着、メニスカスコーティングなど）、ラミネーション、データスタンピング、エンボス加工、表面研磨、フィクスチャリング、及び上述の方法の１以上を含む組合せのような追加の加工を使用して、ＰＡＥ／スチレン材料基板上に所望の層を配設できる。本質的には、一面又は両面上に配設された所望の表面構造を有し、やはり一面又は両面上に光磁気材料のようなデータ記憶層を有し、適宜保護層、誘電体層及び／又は反射層を有するように、基板を任意にその場で形成できる。基板は実質的に均質な形状、テーパー付き形状、凹面形状又は凸面形状を有し得ると共に、表面の健全性及び平滑性に悪影響を及ぼすことなく剛性を高めるために様々な種類及び形状の補強材を任意に使用できる。
【００３４】
ＰＡＥ／スチレン材料の記憶媒体の例は、任意に中空コア（気泡、キャビティなど）又は充填材コア（繊維、球体などの各種形態を有する金属、プラスチック、ガラス、セラミックなど）を含み得る射出成形ＰＡＥ／スチレン材料の基板を含んでなる。基板上には、データ層、誘電体層、反射層及び／又は保護層を含む各種の層が配設される。これらの層は、製造する媒体の種類に従って配設される。例えば、第一表面媒体に関しては、これらの層は保護層、誘電体層、データ記憶層、誘電体層、及び基板に接触して配設された反射層であり得る。
【００３５】
データ記憶層は、光層、磁気層又は光磁気層のような、回収可能な情報を記憶できる任意の材料からなり得ると共に、約６００Å以下の厚さを有しており、約３００Å以下の厚さが好ましい。可能なデータ記憶層には、特に限定されないが、（酸化ケイ素のような）酸化物、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素など、及び上述のものの１種以上を含む合金や組合せ、有機染料（例えば、シアニン系又はフタロシアニン系染料）、並びに無機相変化化合物（例えば、ＴｅＳｅＳｎ又はＩｎＡｇＳｂ）がある。
【００３６】
ダスト、油及びその他の夾雑物からの保護を行う保護層は、約１００μ以上から約１０Å以下までの厚さを有し得るが、若干の実施形態では約３００Å以下の厚さが好ましく、約１００Å以下の厚さが特に好ましい。保護層の厚さは、通常、少なくとも部分的には使用する読出し／書込み機構の種類（例えば、磁気機構、光機構又は光磁気機構）で決定される。可能な保護層には、とりわけ、窒化物（例えば、特に窒化ケイ素や窒化アルミニウム）、炭化物（例えば、炭化ケイ素など）、酸化物（例えば、二酸化ケイ素など）、高分子材料（例えば、ポリアクリレートやポリカーボネート）、炭素フィルム（ダイヤモンド、ダイヤモンド類似炭素など）、並びに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せのような防食材料がある。
【００３７】
データ記憶層の片側又は両側に配設され、大抵は熱制御体として使用される誘電体層は、通例、約１０００Å以下又はそれを超えると共に、最小では約２００Åの厚さを有し得る。可能な誘電体層には、環境に適合すると共に、好ましくは周囲の層との反応性を示さない材料のうちで、窒化物（例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなど）、酸化物（例えば、酸化アルミニウム）、炭化物（例えば、炭化ケイ素）、並びに上述のものの１種以上を含む反応生成物及び組合せがある。
【００３８】
反射層は、情報回収を可能にするのに十分な量のエネルギーを反射するために十分な厚さを有するべきである。通例、反射層は約７００Å以下の厚さを有し得るが、約３００〜約６００Åの厚さが一般に好ましい。可能な反射層には、金属（例えば、アルミニウム、銀、金、チタン、上述のものの１種以上を含む合金及び組合せ、など）をはじめとする、特定のエネルギー場を反射できる任意の材料がある。データ記憶層、誘電体層、保護層及び反射層に加えて、潤滑層などのような他の層も使用できる。有用な潤滑剤には、フルオロ化合物（特に、フルオロオイルやグリース）などがある。
【００３９】
本明細書中に記載した記憶媒体は、通常の光システム、光磁気システム及び磁気システム、並びに高品質の記憶媒体及び／又は高い面積密度を要求する先進システムで使用できる。使用に際して記憶媒体は、読出し／書込み装置に対し、記憶媒体に入射するエネルギー場としての形態をもったエネルギー（磁気エネルギー、光エネルギー、これらの組合せ、又はその他のもの）がデータ記憶層に入射するように配置される。エネルギー場は、（基板に接触するにしても）記憶媒体上に配設された層に接触してから基板に接触する。エネルギー場は記憶媒体中に何らかの物理的又は化学的変化を引き起こし、それによって層上のその点にエネルギーの入射を記録する。例えば、入射磁場は層中の磁区の向きを変化させることができ、入射光ビームは光で加熱された材料部位に相転移を引き起こすことができる。
【００４０】
例えば、図２について説明すれば、光磁気システム１００では、情報回収はデータ記憶層１０２に入射する偏光１１０（白色光、レーザー光又はその他のもの）にデータ記憶層１０２を接触させることを含む。データ記憶層１０２と基板１０８との間に配設された反射層１０６で反射された光は、データ記憶層１０２及び保護層１０４を通って読出し／書込み装置１１２に戻り、そこで情報が回収される。
【００４１】
別の実施形態では、図３について説明すれば、読出し／書込み装置１１２はディスク記憶層１０２’中の磁区の極性を検出する（即ち、情報を読み出す）。記憶媒体上に情報を書き込むためには、読出し／書込み装置１１２によってデータ記憶層１０２’上に磁場を加える。磁場は読出し／書込み装置１１２’から潤滑層１０５及び保護層１０４を通って磁性層１０２’に達し、２つの方向のいずれかに整列した磁区を形成し、それによってディジタルデータビットを定義する。
【００４２】
使用に際しては、例えば、（例えば、約１００００回転／分（ｒｐｍ）以下及びそれを超える速度、さらに普通には約３０００〜約１００００ｒｐｍの速度、最も普通には約５０００〜約８０００ｒｐｍの速度で）記憶媒体を回転させ、エネルギー場がデータ層に入射してから基板に入射し得るようにエネルギー場を記憶媒体に当て、エネルギー場によってデータ層から情報を回収することで記憶媒体から情報を回収できる。このような回収は、エネルギー場の一部又は全部をデータ層に伝達し、エネルギー場の該部分の少なくとも一部又は全部をデータ層から戻すことを含み得る。好ましくは、少なくとも近視野用途のためには、エネルギー場は基板に入射することなしにデータ記憶層に入射する。
【実施例】
【００４３】
以下の実施例は、本発明をさらに詳しく例証するために示すものであり、その技術的範囲を限定するものではない。
【００４４】
実施例１ ポリ（フェニレンエーテル）／ポリスチレン
８０ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販されているＮｏｒｙｌ（登録商標）ポリ（フェニレンエーテル）樹脂）と２０ｗｔ％のポリスチレンペレット（Ｎｏｖａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から市販されているＮｏｖａ  ＰＳ１７２）とのブレンドを４０ｍｍ二軸押出機で押し出して、均質な単一相ペレットを製造した。次に、得られたペレットを射出成形して、溝付き表面を有する光ディスクを形成した。この場合、金型インサート（「スタンパー」）の溝の深さは約５０ｎｍ（ナノメートル）であり、トラックピッチは約０．８ミクロン（μ）であった。材料のガラス転移温度（Ｔｇ）は約１８２℃であった。このディスクは、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネートディスクより向上した平面度、低い密度及び低い吸湿量を示す。
【００４５】
実施例２ ポリ（フェニレンエーテル）／ポリスチレン
６０ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）と４０ｗｔ％のポリスチレンペレット（Ｎｏｖａ  ＰＳ１７２）とのブレンドを４０ｍｍ二軸押出機で押し出して、均質な単一相ペレットを製造した。次に、得られたペレットを射出成形して、溝付き表面を有する光ディスクを形成した。この場合、金型インサート（「スタンパー」）の溝の深さは約５０ｎｍであり、トラックピッチは約０．８μであった。材料のＴｇは約１５８℃であった。この材料は、高いポリ（フェニレンエーテル）含有量を有するブレンドに比べて溝付き構造の優れた複写性を示した。（ノッチ付きアイゾット、Ｄｙｎａｔｕｐ又は他の衝撃試験方法で測定される）材料の延性は、高いポリスチレン含有量を有するブレンドより優れていた。このディスクは、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネートディスクより向上した平面度、低い密度及び低い吸湿量を示す。
【００４６】
実施例３ ポリ（フェニレンエーテル）／ポリスチレン
２５ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）と７５ｗｔ％のポリスチレンペレット（Ｎｏｖａ  ＰＳ１７２）とのブレンドを４０ｍｍ二軸押出機で押し出して、均質な単一相ペレットを製造した。次に、得られたペレットを射出成形して光ディスクを形成した。材料のＴｇは約１２４℃であった。この材料の流動性及び複写性はポリ（フェニレンエーテル）含有量の高いブレンドより優れていたが、延性及びＴｇは顕著に低かった。このディスクは、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネートディスクより向上した平面度、低い密度及び低い吸湿量を示す。
【００４７】
実施例４ ポリ（フェニレンエーテル）／ポリ（フェニレンエーテル）／ポリスチレン
５０ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）と、５ｗｔ％の０．１２ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末と、４５ｗｔ％のポリスチレンペレット（Ｎｏｖａ  ＰＳ１７２）とのブレンドを４０ｍｍ二軸押出機で押し出して、均質な単一相ペレットを製造した。次に、得られたペレットを射出成形して、溝付き表面を有する光ディスクを形成した。この場合、金型インサート（「スタンパー」）の溝の深さは約５０ｎｍであり、トラックピッチは約０．８μであった。材料のＴｇは約１５５℃であった。この材料は、延性の顕著損なうことなく、５５ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）を含むブレンドに比べて優れた流動性を示した。このディスクは、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネートディスクより向上した平面度、低い密度及び低い吸湿量を示した。
【００４８】
実施例５ ポリ（フェニレンエーテル）／ＳＡＮブレンド
７５ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）と２５ｗｔ％のＳＡＮ粉末（ＡＮ含有量７．６モル％、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社）とのブレンドを１６ｍｍ二軸押出機で押し出して、均質な単一相ペレットを製造した。材料のＴｇは約１６６℃であった。この材料は、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネート材料より向上した弾性率、低い密度及び低い吸湿量を示した。
【００４９】
実施例６ ポリ（フェニレンエーテル）／ＳＡＮブレンド
７５ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社）と２５ｗｔ％のＳＡＮ粉末（ＡＮ含有量６．３モル％、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社）とのブレンドを１６ｍｍ二軸押出機で押し出して、均質な単一相ペレットを製造した。材料のＴｇは約１６６℃であった。この材料は、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネート材料より向上した弾性率、低い密度及び低い吸湿量を示した。
【００５０】
実施例７ ポリ（フェニレンエーテル）／ＳＡＮブレンド
５０ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）と５０ｗｔ％のＳＡＮ粉末（ＡＮ含有量６．３モル％、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）とのブレンドを１６ｍｍ二軸押出機で押し出した。比較例２とは対照的に、この組成物は単一相ブレンドを形成する。材料のＴｇは約１４１℃であった。この材料は、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネート材料より向上した弾性率、低い密度及び低い吸湿量を示した。
【００５１】
実施例８ ポリ（フェニレンエーテル）／ポリスチレン／ＳＡＮブレンド
５６ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）と、１９ｗｔ％のポリスチレン粉末（Ｎｏｖａ  ＰＳ１７２）と、２５ｗｔ％のＳＡＮ粉末（ＡＮ含有量６．３モル％、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）とのブレンドを１６ｍｍ二軸押出機で押し出して、均質な単一相ペレットを製造した。材料のＴｇは約１５３℃であった。この材料は、比較例１のような典型的な光学的品質のポリカーボネート材料より向上した弾性率、低い密度及び低い吸湿量を示した。
【００５２】
比較例１：ポリカーボネート（ＰＣ）
上記の材料及び成形品の性質を、典型的な光学的品質のポリカーボネート（例えば、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販ＯＱ１０２０Ｃ）の品質と比較することができる。標準条件下でＰＣ粉末を押し出すことでペレットを製造し、通常の情報記憶ディスク用射出成形条件下で射出成形することでディスクを形成した。ＰＣのＴｇは約１４０〜１４５℃であり、熱変形温度（ＨＤＴ）は約１２７℃であった。
【００５３】
比較例２：ポリ（フェニレンエーテル）／ＳＡＮブレンド
５０ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（フェニレンエーテル）粉末（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）と５０ｗｔ％のＳＡＮ粉末（ＡＮ含有量７．６モル％、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ社から市販）とのブレンドを１６ｍｍ二軸押出機で押し出した。得られた生成物は単一相でなく、約１０６℃及び約１９８℃の２つのガラス転移温度を示した。このブレンドから成形した物品は十分な表面品質（平滑性）を示さないので、この材料は本用途のために有用であるとは思われなかった。
【００５４】
ＰＡＥ熱可塑性組成物は、ポリカーボネート及び純ポリスチレン又はスチレン系コポリマーに比べて向上した性質を有している。例えば、５０／５０のＰＡＥ／スチレン材料単一相ブレンドの密度及び曲げ弾性率はそれぞれ１．０７グラム／立方センチメートル（ｇ／ｃｃ）及び４４０キロポンド／平方インチ（Ｋｐｓｉ）であるのに対し、ＰＣについてはそれぞれ１．２３ｇ／ｃｃ及び３３０Ｋｐｓｉである。したがって、これらの組成物は多数の用途で有用であり、特に情報記憶媒体（光媒体、磁気媒体、光磁気媒体など）で有用である。
【００５５】
さらに、ＰＡＥ組成物は、通常の材料に比べて低下した吸湿量、例えば約０．２０ｗｔ％以下の吸湿量を示し、通例は約０．１５ｗｔ％以下であり、好ましくは約０．１０ｗｔ％以下であった。ここで、吸湿量は試料を８５℃及び８５ｗｔ％相対湿度に保った場合の平衡吸水量である。例えば、ポリカーボネートの平衡吸湿量は約０．２５〜約０．３５ｗｔ％であるのに対し、ＰＡＥ／スチレン材料の平衡吸湿量は約０．０６ｗｔ％である。吸湿性はディスクを湿潤環境から乾燥環境に移動した場合（又は逆の場合）に寸法安定性の問題を引き起こすことがあるので、これは望ましい。
【００５６】
他の記憶媒体と異なり、本明細書中に開示したＰＡＥ記憶媒体では、所望の機械的性質及び表面構造を得るため、少なくとも一部にプラスチック（例えば、少なくとも薄いプラスチックフィルム）を有する基板が使用される。プラスチックの使用により、所望の表面構造を有する基板の現場形成が可能である。さらに、サーボパターニング（例えば、ピット、溝など）、アスペリティ（例えば、レーザーバンプなど）、突起、エッジ構造、粗さ、平滑性、微小うねり、平面度などを含む表面構造を基板表面に直接エンボス加工することができ、それによってこの記憶媒体の生産は原価効率の良いものとなる。基板は実質的に均質な形状、テーパー付き形状、凹面形状又は凸面形状を有し得ると共に、表面の健全性及び平滑性に悪影響を及ぼすことなしに剛性を高めるため、様々な種類及び形状の補強材を使用できる。
【００５７】
以上、例示的な実施形態に関して本発明を説明してきたが、当業者であれば、本発明の技術的範囲から逸脱せずに様々な変更及び同等物による要素の置換を行い得ることが理解されよう。さらに、特定の状況又は材料を本発明の教示内容に適合させるため、本発明の本質的な技術的範囲から逸脱せずに数多くの修正を行うことができる。したがって、本発明は本発明を実施するための最良の形態として開示された特定の実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲に含まれるすべての実施形態を包含するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】光学的に透明な基板を用いた先行技術の低面積密度システムの断面図である。
【図２】光が基板を通過することなくデータ記憶層に入射する本発明の記憶媒体の可能な一実施形態を用いた読出し／書込みシステムの断面図である。
【図３】本発明の磁気情報記憶基板の一実施形態の断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００  光磁気システム
１０２  データ記憶層
１０４  保護層
１０５  潤滑層
１０６  反射層
１０８  基板
１１０  偏光
１１２  読出し／書込み装置
【図１】
2005520274.tif 000003
【図２】
2005520274.tif 000004
【図３】
2005520274.tif 000005
【国際調査報告】
2005520274.tif 000006
2005520274.tif 000007
2005520274.tif 000008