(57)【要約】エピタキシャル成長ステーション内で用いられるように半導体材料のウエーハ（１００）を扱うツール（７）が設計されている。ツール（７）は上側（２１）と下側（２２）を有するディスク（２０）から成り、その下側（２２）はそのエッジ（１０３）に沿ってのみウエーハ（１００）と接触する形状になっている。そのディスク（２０）の内部には、１以上の吸引穴（２５）を通じてディスク（２０）の外側に通じていて、かつ、吸引ポート（２６）を通してロボットのアームの吸引ダクトに通じている吸引チャンバー（２４）を設けてある。ディスク（２０）はウエーハ（１００）を完全にカバーしていて、吸引穴（２５）がディスク（２０）の下側（２２）に開いていて、それによりウエーハ（１００）がディスク（２０）の下側（２２）と接触するとき、ツール（７）により吸引して保持できる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
好ましくはディスク形サセプタを有するタイプのエピタキシャル成長ステーション（１）内で、ウエーハ（１００）特に半導体材料のウエーハを取扱うツール（７）で、そのツール（７）が、ウエーハを自動的にステーション（１）の反応チャンバー（２）に装入するための、又は、それから取出すためのロボット（４）のアーム（５）に取付けるのに適合していて、そのアーム（５）には吸引システム（３）に接続した吸引ダクト（６）を設けてあり、ツール（７）が上側（２１）と下側（２２）を有するディスク（２０）を含み、その下側（２２）がウエーハ（１００）のエッジ（１０３）に沿ってのみウエーハ（１００）と接触するような形状になっていて、そのディスク（２０）の内部には、１以上の吸引穴（２５）を通してディスク（２０）の外側に通じていて、かつ、吸引ポート（２６）を通して吸引ダクト（６）に通じるのに適合している吸引チャンバー（２４）を設けていて、そのディスク（２０）がウエーハ（１００）を完全にカバーしていて、かつ、吸引穴（単数又は複数）（２５）がディスク（２０）の下側に開いていて、それにより、ウエーハ（１００）がディスク（２０）の下側（２２）と接触し、かつ、吸引システム（３０）が作用しているときに、ウエーハ（１００）をツール（７）により吸引して保持することを特徴とするツール（７）。
【請求項２】
ディスク（２０）の中央部分の下側（２２）に吸引キャビティ（２７）が設けてあり、又、穴（単数又は複数）（２５）がディスク（２０）の下側（２２）の吸引キャビティ（２７）に開いていることを特徴とする請求項１に基づくツール。
【請求項３】
吸引ポート（２６）がディスク（２０）の上側（２１）に開いていることを特徴とする請求項１又は２に基づくツール。
【請求項４】
ディスク（２０）が、実質的にリング状の輪郭と実質的にU形の断面を有しているシェル（２８）、実質的に平坦であり、かつ、実質的に円形であり、吸引チャンバーに相当する閉じたチャンバー（２４）を形成するようにシェル（２８）に結合しているリッド（２９）、実質的に円筒形で、かつ、吸引キャビティに相当するキャビティ２７を含むことを特徴とし、かつ、そのシェル（２８）がウエーハ（１００）のエッジ（１０３）に沿ってのみウエーハ（１００）と接触できる形状になっていることを特徴とする前記請求項のいずれかに基づくツール。
【請求項５】
吸引穴（２５）が円筒形のキャビティ（２７）の側壁に開いていることを特徴とする請求項４に基づくツール。
【請求項６】
吸引穴（２５）がリッド（２９）との境界でシェル（２８）の内側のリップに作られた溝から成ることを特徴とする請求項４に基づくツール。
【請求項７】
ディスク（２０）には、ツール（７）をロボット（４）のアーム（５）に取付けるためのプレート（２３）を設けていること、及び、吸引ポート（２６）がプレート（２３）に又はそれに隣接して開いていることを特徴とする前記請求項のいずれかに基づくツール。
【請求項８】
リッド（２９）には、ツール（７）をロボット（４）のアーム（５）に取付けるためのプレート（２３）を設けていること、及び、吸引ポート（２６）がプレート（２３）に又はそれに隣接して開いていることを特徴とする請求項４から６までのいずれかに基づくツール。
【請求項９】
ウエーハ、特に、半導体材料のウエーハのエピタキシャル成長処理のためで、反応チャンバー（２）、吸引システム（３）、及び、反応チャンバー（２）にウエーハを自動的に装入し、又は、それから自動的に取出すためのロボット（４）から成るステーションで、そのロボット（４）には、吸引システム（３）に接続した吸引ダクト（６）を有するアーム（５）が設けられていて、吸引チャンバー（２４）が設けられ、ウエーハ（１００）を取扱うのに適合した前記請求項のいずれかに基づくツール（７）を含み、そのツール（７）がロボット（４）のアーム（５）に取付けられ、吸引チャンバー（２４）が吸引ダクト（６）に通じていることを特徴とするステーション。
【請求項１０】
反応チャンバー（２）がディスク形サセプタ（９）を有するタイプであることを特徴とする請求項９に基づくステーション。
【請求項１１】
ロボット（４）のアーム（５）が実質的に吸引ダクトとしても機能しているチューブ（６）を含むことを特徴とする請求項９又は１０に基づくステーション。
【請求項１２】
ロボット（７）のアーム（５）が、チューブ（６）の一端に結合し、ツール（７）に、特にツール（７）のプレート（２３）に取付けるのに適合していて、かつ、アーム（５）のチューブ（６）をディスク（２０）の吸引ポート（２６）に通じさせる内部ダクト（１１）を設けてあるプレート（１０）を含むことを特徴とする請求項１１に基づくステーション。
【請求項１３】
反応チャンバー（２）がステーション（１）内に処理すべきウエーハ（２００）を配置するための少なくとも１個のポケット（１２）を設けてある支持部（９）を収容していて、そのポケット（１２）が第一キャビティ（１２１）及び第一キャビティ（１２１）内に形成され、実質的に平坦な底部を有し、処理すべきウエーハに相当した形状とサイズを有する第二キャビティ（１２２）を含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに基づくステーション。
【請求項１４】
第二キャビティ（１２２）の深さが処理すべきウエーハ（２００）の幅より小さいことを特徴とする請求項１３に基づくステーション。
【請求項１５】
第一キャビティと第二キャビティの総合深さが処理すべきウエーハ（２００）の幅より大きいことを特徴とする請求項１３又は１４に基づくステーション。
【請求項１６】
吸引システム（３）が、ウエーハ取扱いの段階に基づく吸引を実現するように適合していることを特徴とする前記請求項のいずれかに基づくステーション。
【請求項１７】
処理すべきウエーハのための入口領域（１３）、既に処理したウエーハのための出口領域（１３）、及び、処理領域（２）から成っているステーションで、その吸引システム（３）が、
−入口領域（１３）から処理領域（２）へウエーハを移送する段階の間、及び、処理領域（２）から出口領域（１３）へウエーハを移送する段階の間は第一の値の吸引、
−入口領域（１３）からウエーハを持上げる段階の間は第二の値の吸引、
−処理領域（２）からウエーハを持上げる段階の間は第三の値の吸引、
を実現するのに適合していること、
及び、第三の値が第二の値より大きく、第二の値が第一の値より大きいこと、
を特徴とする請求項１６に基づくステーション。
【請求項１８】
吸引システム（３）が、取扱うウエーハ（１００）の構造又は表面に損傷を生じないようにディスク（２０）と取扱うウエーハ（１００）の間のスペースで圧力降下を生じるようにするのに適合していることを特徴とする前記請求項のいずれかに基づくステーション。
【請求項１９】
吸引システム（３）がベンチュリ効果により動作するタイプであることを特徴とする前記請求項のいずれかに基づくステーション。
【請求項２０】
吸引システム（３）が、不活性ガスの流量を制御するためのプログラマブル質量流量コントローラー［ＭＦＣ］から成ることを特徴とする請求項１９に基づくステーション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は請求項１の前文に基づくウエーハ特に半導体材料のウエーハ(wafer)を取扱うためのツール、及び、同じものを用いるエピタキシャル(epitaxial)成長ステーションに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（チップス）を製造するためのプラントで、ウエーハを取扱うことは非常に重要な事項である。事実、ウエーハを取扱うことにより、得られた集積回路に動作欠陥を生じるような損傷をその構造又は表面に生じることを避けることが必要である。
【０００３】
一般的にウエーハは半導体材料から作られるが、時として、基板は絶縁材料のスライス(slice)の形で用いられる。
【０００４】
ウエーハには表面と裏面がある。表面は集積回路を実現する構造を形成するウエーハの側である。それゆえ、ウエーハの表面に損傷を生じないことが特に重要である。実際には、そのような表面が何にも接触しないことが必要である。
【０００５】
さらに、ウエーハは全体として円形で、裏面と表面の両方で数ミリメートル伸びているエッジ(edge)を有している。そのエッジ面は集積回路実現には用いられていない。それゆえ、必要な場合はツールで接触できるが、常に大きな注意が必要である。
【０００６】
一般に、ウエーハを扱うには裏面を用いることが好ましい。
【０００７】
不幸にも、一部のウエーハ処理段階の間に、例えば、エピタキシャル反応装置内ではこれは可能ではない。
【０００８】
この場合、エッジを用いることが必要である。明らかに、これはかなり困難である。
【０００９】
特許文献１（本発明の出願書と同一申請者）から、ウエーハを取扱う装置が知られていて、それを都合良く用いているエピタキシャル成長ステーションも知られている。そのような特許出願書は本発明の対象に関連した有用な情報源になっている。それは本出願書に参考用に組込まれている。
【００１０】
特許文献１では、ステーションの反応チャンバーからウエーハの装入／取出しを自動的に行うためのロボットが説明されている。ロボットのアームには、吸引システムに接続した吸引ダクト(duct)が設けられ、その一端にウエーハを取扱うためのツールが取付けられている。
【００１１】
ツールは、大きな中央の穴を持ち、上側と下側を有している円形のディスクから成り、その下側はウエーハのエッジに沿ってのみウエーハに接触するような形状になっている。ディスクの内部には円筒リングの形になる吸引チャンバーが設けられている。吸引チャンバーは吸引穴によりディスクの外側に、又、吸引ポートにより吸引ダクトに通じている。その吸引穴はディスクの下側に開いている。
【００１２】
ウエーハがディスクの下側に接触したとき、そして、吸引システムが機能したとき、ウエーハはツールにより吸引して保持される。
【００１３】
そのようなツールはウエーハを良好に扱えて、損傷を生じない。さらに、ツールとウエーハの間の接触領域にごく隣接して吸引部を設けているので、ウエーハに問題となるほどの変形を生じない。
【００１４】
いずれにせよ、このツールにより、吸引穴がウエーハの吸引だけでなく、ディスク内に大きな中央の穴が存在することによりウエーハを囲む雰囲気のガスをかなり吸引する。そのような追加の吸引により、吸引システムのサイズを適当に大きくする必要がある。特に、電力について、又、そのような雰囲気によってはその吸引システム内に特別な材料を使用することも必要である。
【００１５】
その解決策が単純にその大きな中央の穴を閉じることだと考えられる場合、もはや雰囲気の吸引が無くなるが、吸引が、ツールにより保持されたウエーハに問題となる変形を生じるリスクを生じる。反応チャンバーが依然としてかなり高い（摂氏数百度）ときに、その反応チャンバーからウエーハを取出す段階の間、そのようなリスクが大きくなるだろう。
【００１６】
それゆえ、本発明の目的は、ウエーハを良好に扱えて、それらに損傷を与えず、特に、欠陥を生じるような変形を生ぜず、吸引システムの必要量を低くする代替的ツールを提供することである。
【００１７】
そのような目的は、請求項１に示された特徴を有するウエーハ取扱いツールにより実質的に達成される。
【００１８】
それ以外の側面に基づくと、本発明はエピタキシャル成長処理のためのステーションにも関係していて、独立請求項９に示された特徴を有している。請求項９にはそのようなツールの有利な用い方が示されている。
【００１９】
本発明の別の有利な側面が従属請求項に示されている。
【００２０】
本発明の基本的アイデアは中央の穴の無いディスクを用いて、問題となるほどの雰囲気の吸引を生じないことである。
【００２１】
ツールのこの新しい構造により、吸引が有効で、それゆえ、それをかなり低減させることが可能であることが示されている。そのようなツールでは、吸引量の低減が取扱うウエーハに加えられる圧力降下を制限し、それゆえ、ウエーハの変形が小さくなる。さらに、そのような小さな変形が永久的でなく、又は、ウエーハの構造又は表面に問題となる損傷を生じないことについてチェックされている。
【００２２】
本発明は添付図面に関連して検討されている以下の説明から明らかになるであろう。
【特許文献１】
国際公開第WO 00/48234号パンフレット
【発明の開示】
【００２３】
図１を参照すると、ウエーハのエピタキシャル成長処理のためのステーション１は、全体として、反応チャンバー２、移送チャンバー１６、洗浄チャンバー１３、保存領域１７から成っている。
【００２４】
保存領域１７の内部には、通常、まだ未処理のウエーハを含む第一カセット１４及びステーション内で既に処理したウエーハを含む第二カセット１５がある。
【００２５】
外部ロボット１８は図１に非常に簡略化して示されているが、処理前にはカセット１４からウエーハを１枚ずつ取出し、そして、洗浄チャンバー１３にそれらを装入し、かつ、処理後に、ウエーハを洗浄チャンバー１３から１枚ずつ取出し、それらをカセット１５に装入する。
【００２６】
移送チャンバー１６内では、内部ロボット４が、処理前にウエーハを洗浄チャンバー１３から１枚ずつ取出し、反応チャンバー２にそれらを装入し、処理後、ウエーハを反応チャンバー２から１枚ずつ取出して、洗浄チャンバー１３にそれらを装入するように配置されている。
【００２７】
反応チャンバー２内では、処理すべきウエーハの支持部９が誘導加熱された反応装置内に配置されて、通常「サセプタ(susceptor)」と呼ばれている。
【００２８】
一般に、支持部９はその直径にもよるが、一定枚数のウエーハを受けることができる。そのような直径は現在１２インチ、即ち、約３０センチメートルに達しうるが、マイクロエレクトロニック産業では、さらに大型のウエーハを用いる傾向がある。
【００２９】
ウエーハは支持部９の表面に形成されたポケット１２に置かれる。
【００３０】
支持部９は一般的に回転可能になっていて、ロボット４が種々のウエーハを常に同じ動きにより種々のポケット内に配置できる。
【００３１】
必要な動きをするために、ロボット４には、お互いに関節で適切に接続されている種々のアームが含まれている。ロボット４の最終アーム５の上に、ツール７がウエーハを１枚ずつ取扱うのに適するように取付けられている。
【００３２】
本発明に基づくステーションでは、図１に示すように、アーム５には吸引ダクトとしても機能するリジッド・チューブ(rigid tube)６を実質的に含んでいる。チューブ６の片側はフレキシブル・チューブ(flexible tube)８により吸引システム３に接続している。反対側の端部では、チューブ６がプレート１０に接続していて、以下で明らかになるように、ツール７の使用を容易にしている。
【００３３】
ここで、図３、図４、図５を参照すると、本発明に基づくツール７がエピタキシャル成長ステーション内でウエーハ１００を取扱うのに有用である。ウエーハ１００は表面１０１，裏面１０２，エッジ１０３を有している。
【００３４】
ツール７は、吸引システム３に接続した吸引ダクト６を設けた（内部ロボット４の）アーム５に取付けるのに適している。
【００３５】
本発明に基づくツール７は、上側２１と下側２２を有するディスク２０を含み、下側２２はウエーハのエッジ１０３に沿ってのみウエーハ１００に接触する形状になっている。ディスク２０の内部には、１以上の吸引穴２５（図に示した実施例では、これらの穴が８個）によりディスク２０の外側に通じていて、吸引ポート２６により吸引ダクト６に通じるように適合化している吸引チャンバー２４を設けている。
【００３６】
ツール７では、ディスク２０がウエーハ１００を完全にカバーしていて、吸引穴２５がディスク２０の下側２２に開くようになっている。それにより、ウエーハ１００がディスク２０の下側２２に接触し、吸引システム３が機能したとき、ツール７が吸引してウエーハ１００が保持される。
【００３７】
当然、チャンバー２４は、種々の形状例えば円筒形、ドーナッツ形、円筒リング、星形、分枝形にしうる。事実、それはポート２６に穴２５を接続する機能を実質的に有している。本発明の特に単純化した実施例に基づくと、ツール７には、ただ一個の吸引穴が設けられていて、吸引チャンバー２４は実質的にディスク内にあって、穴２５をポート２６に接続する吸引通路で単純に構成されている。
【００３８】
このツールの新しい構成によると、吸引がより効果的になり、それゆえ、吸引量をかなり低減できる。そのようなツールでは、吸引量の低減が、取扱うウエーハに加えられる圧力降下を制限することに、それゆえ、ディスクの変形を小さくすることに対応している。さらに、そのような小さな変形が永久的でもなく、ウエーハの構造又は表面への目立った損傷を生じることもないことについてチェックされている。
【００３９】
そのようなツールはディスク形サセプタを持つエピタキシャル成長ステーションで用いるのに特に適している。なぜなら、これらのステーションでは、ツールが（及びウエーハも）常に水平状態になっているからである。それゆえ、吸引作用はウエーハの重力に直接対向しているので、ウエーハを保持するのに吸引が特に有効である。
【００４０】
ウエーハ１００へ均一かつ安定した作用とするために、ディスク２０の下側２２の中央部分に吸引キャビティ(cavity)２７を設けることには利点がある。この場合、吸引穴２５がディスク２０の下側２２の吸引キャビティ２７に開いていることは良いことである。
【００４１】
ディスク２０の構造を単純化するために、又、ツール７のアーム５への取付を容易にするために、ポート２６がディスク２０の上側２１に開いていることに利点がある。
【００４２】
ロボット４のアーム５へのディスク２０の取付を容易にするために、ディスク２０にはプレート２３を設けている。この場合、ポート２６はプレート２３に又はそれに隣接して開いている。典型的に、プレート２３は、例えば、ねじによりアーム５の対応するプレートに固定されている。
【００４３】
そのようなディスクを実現することは常に大きな困難を意味している。事実、それは石英で作られていて、エピタキシャル反応装置のような非常に厳しい条件で機能し、耐えるように製作する必要がある。
【００４４】
構造的に有利な実施例では、ディスク２０が、実質的にリング状の輪郭を有し、かつ、実質的にＵ形の断面であるシェル(shell)２８を含んでいる。リッド２９は実質的に平坦で、実質的に円形で、吸引チャンバーに相当する閉じたチャンバー２４を形成するようにシェル２８に接続している。キャビティ２７が実質的に円筒形で、吸引キャビティに対応している。シェル２８はウエーハ１００のエッジ１０３に沿ってのみウエーハ１００と接触できる形状になっている。
【００４５】
この実施例で、吸引穴２５は円筒形キャビティ２７の側壁に開いている。
【００４６】
さらに、この実施例では、吸引穴２５が、リッド２９との境界でシェル２８の内側のリップ  (lip)に作られた溝から成っているという構造的利点がある。
【００４７】
さらに、この実施例では、ディスク２０にプレート２３を設けた場合、このプレートがリッド２９の一部になり、吸引ポート２６がプレート２３に、又は、それに隣接して開いているという構造的利点がある。
【００４８】
ここで、図１を参照すると、ステーション１は本発明に基づき、ウエーハ特に半導体材料のウエーハのエピタキシャル成長処理のためにあり、反応チャンバー２、吸引システム３、及び、ウエーハを反応チャンバー２に装入し、それから取出すのを自動的に行うためのロボット４を含まなければならない。ロボット４には、吸引システム３に接続した吸引ダクト６を含むアーム５を設けなければならない。さらに、それは、上記のタイプで吸引チャンバー２４を設けていて、ウエーハ１００を取扱うのに適したツール７を含まなければならない。ツール７をロボット４のアーム５に取付けなければならず、吸引チャンバー２４は吸引ダクト６に通じていなければならない。
【００４９】
ディスク形のサセプタを付けたエピタキシャル成長ステーションは、既に述べたような特別な利点を持つ上記タイプのツールを用いる。
【００５０】
既に述べたように、ツールのこの新しい構造により、ウエーハに対して吸引の有効性が高まることが判明している。それゆえ、限定的吸引量を採用でき、吸引システム３に有益な結果になる。
【００５１】
反応チャンバーの雰囲気の吸引量を低減することは吸引システム３にも有益な結果になる。
【００５２】
ロボット４のアーム５は実質的に１本のチューブから成っている場合、このチューブ６がツール７の支持部として、又、吸引ダクトとしての両方で同時に機能する。
【００５３】
有利なこととして、ロボット４のアーム５はプレート１０を含み、そのプレート１０はチューブ６の一端に接続し、ツール７に取付けるのに適していて、アーム５のチューブ６をディスク２０の吸引ポート２６に連絡させるための内部ダクト１１が設けられている。これは図２及び図６を参照すると十分理解できる。
【００５４】
特に、ツールに自身のプレートを設けた場合、アーム５のプレート１０をツール７の対応するプレート２３に取付けられる（例えば、ねじにより取付けられる）。
【００５５】
本発明に基づくツールを最良に用いるために、ウエーハ１００のエッジ１０３の側部領域の少なくとも一部がツールに接近可能でなければならない。洗浄チャンバー１３内では、これが通常である。それに反して、反応チャンバー２では、通常ウエーハは支持部９のポケット１２内に沈んでいる。それゆえ、ツールは支持部９に接触しなければならず、それが欠点となる。
【００５６】
処理すべきウエーハより深さを小さくしたポケット１２を実現することが考えられる。しかし、もし、ウエーハのエッジの一部がポケットのエッジにより隠されていない場合、処理中に、ここでかなりの熱損失を生じ、「滑り線(slip-lines)」及び「転位(dislocations)」のようなウエーハのエッジからの結晶学的欠陥を生じる。
【００５７】
図７及び図８を参照すると、この問題に対する優れた解決策は、処理すべきウエーハ２００を配置するのに適合した支持部９のポケット１２が第一キャビティ１２１と第二キャビティ１２２から成り、第二キャビティ１２２が第一キャビティ１２１の中に形成され、実質的に平坦な底部を有していて、その形状とサイズを、処理すべきウエーハに対応するようにすることである。
【００５８】
特に図８に示されているように、ディスク２０がウエーハ２００のエッジ２０３に接触して、表面２０１と裏面２０２及び支持部９にも接触しない。さらに、ウエーハ２００のエッジ２０３がポケット１２のエッジにより完全に隠されている。
【００５９】
第二キャビティ１２２の深さは処理すべきウエーハ２００の幅より小さくするのが好ましい。市場には非常に異なる幅のウエーハが存在するので、この場合、「汎用」支持部は最も厚いウエーハを考慮しなければならない。
【００６０】
第一キャビティ１２１と第二キャビティ１２２の総合深さは処理すべきウエーハ２００の幅より大きいことが好ましい。市場には非常に異なる幅のウエーハが存在するので、この場合、「汎用」支持部は最も厚いウエーハを考慮しなければならない。
【００６１】
当然、キャビティ１２１とキャビティ１２２のサイズを決定するとき、処理すべきウエーハに考えられる全ての形状とサイズだけでなく、ツール７のディスク２０の下側２２の形状とサイズも考慮する必要がある。
【００６２】
ウエーハの変形をできるだけ避けるという問題を考えると、吸引システム３が、ウエーハ取扱い段階により、例えば、取扱うウエーハに最低の必要圧力降下のみを常に加えるような吸引を実現するのに適していることが望ましい。
【００６３】
例えば、もし、ステーションには、洗浄チャンバー１３に対応して、処理すべきウエーハのための入口領域を、さらに洗浄チャンバー１３に対応して、既に処理したウエーハのための出口領域を、反応チャンバー２に対応して、処理領域を設けてある場合、吸引システム３が以下を実現するように適合化されることには利点がある：
−入口領域から処理領域へウエーハを移送する段階の間、及び、処理領域から出口領域へウエーハを移送する段階の間は第一の値の吸引、
−入口領域からウエーハを持上げる段階の間は第二の値の吸引、
−処理領域からウエーハを持上げる段階の間は第三の値の吸引、
この場合、第三の値は第二の値より大きく、第二の値は第一の値より大きい。
【００６４】
複雑度が低い解決策に基づくと、吸収の数値として２種の値のみを使用する：一方の値は反応装置にウエーハを装入するための値で、もう一方の値は反応装置からウエーハを取出すための値である。
【００６５】
この根拠は、持上げる段階の間は常に捕捉作用があり、その間慣性に打ち勝つためである。さらに、サセプタから高温のウエーハを持上げる段階の間、ウエーハとサセプタの間に一定の接着作用がある。
【００６６】
当然、どの場合でも、取扱うウエーハ１００の構造又は表面に損傷を生じないようにディスク２０と取扱うウエーハ１００の間のスペースで圧力降下を生じるように、吸引システム３を適合化することが重要である。本発明で、考えている圧力降下は数ミリバールから数十ミリバールの間の範囲になる。
【００６７】
吸引システム３により生じた吸引作用の制御はオープン・ループ(open-loop)の制御又はクローズド・ループ(closed-loop)の制御としうる。
【００６８】
吸引システム３は真空調節器付きポンプに基づくタイプとすることができ、その場合、例えば真空をコンピューターによりプログラム化しうる。
【００６９】
吸引システム３からの必要流量を制限する立場で、ベンチュリ(Venturi)効果により生じるタイプ即ち流体が流れるときに、狭くなることに伴って生じる圧力降下に基づくタイプが有利である。この場合、不活性ガスの流れを供給するシステムが有利である。
【００７０】
この場合、可変の吸引が望ましい場合、例えば、吸引システム３は、コンピューターにより「設定点」を送るプログラマブル(programmable)質量流量コントローラー(Mass Flow Controller [MFC])から成ることが好ましい。そのようなコントローラーは不活性ガスの流量、結果として、発生圧力降下を制御する。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に基づくエピタキシャル成長処理用ステーションを示す。
【図２】図１のステーションのロボット・アームの端部断面を示している。
【図３】半導体材料のウエーハと接触している本発明に基づくツールの断面を示す。
【図４】図３のツールの上面図を示す。
【図５】図３のツールの構成部分即ちシェルの上面図を示す。
【図６】図２のロボット・アームの端部の上面図を示す。
【図７】図１のステーションのサセプタのポケットの部分的断面を示す。
【図８】図７と同じ断面を示し、半導体材料のウエーハがあり、本発明に基づくツールがそれを持上げようとしている時である。
【国際公開パンフレット】
2005505134.tif 000003
2005505134.tif 000004
2005505134.tif 000005
2005505134.tif 000006
2005505134.tif 000007
2005505134.tif 000008
2005505134.tif 000009
2005505134.tif 000010
2005505134.tif 000011
2005505134.tif 000012
2005505134.tif 000013
2005505134.tif 000014
2005505134.tif 000015
2005505134.tif 000016
2005505134.tif 000017
2005505134.tif 000018
2005505134.tif 000019
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2005505134.tif 000020
【国際調査報告】
2005505134.tif 000021
2005505134.tif 000022