(57)【要約】  本発明は、薄膜を製造するためのエバポレータに関し、特に、或るパターンを有するスリットを使用して、原料物質を蒸発させ、エバポレータの上に配置された基板上に蒸着させるリニアタイプ又はプレーナタイプのエバポレータに関し、中に蒸着材料を入れることができるように所定の距離まで長手方向に延び、細長いバレル状に形成された坩堝１０と、坩堝１０の上面に坩堝１０の長手方向に形成され、坩堝１０の断面積よりも小さい面積を有するスリット２０、又は、別に設けられたスリット２０を含むものであって、それによって、基板を坩堝１０の長手方向に直角に移動させることにより蒸着を行う。従って、蒸着された薄膜において、膜厚プロファイルの均一性が向上し、所望のパターンが得られる。
2005515304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中に蒸着材料を入れることができるように、所定の距離まで長手方向に延び、細長いバレル状に形成された坩堝と、
該坩堝の上面に前記坩堝の長手方向に形成され、前記坩堝の断面積よりも小さい面積を有するスリット、又は、別に設けられたスリットを含み、かくして、基板を前記坩堝の長手方向に対して直角に移動させることにより薄膜の蒸着を行うようにした、
膜厚プロファイルのコントロールが可能なリニアタイプ・エバポレータ。
【請求項２】
前記スリット幅が両端において大きく、中心に近づくにつれて狭くなっている、請求項１のリニアタイプ・エバポレータ。
【請求項３】
以下の式により前記スリット幅が算出され、
【数１】
2005515304.tif 000011
ここに、ｗ（ｘ）は、中心からの距離がｘの位置における幅、すなわち、蒸着面の中心から或る位置までの距離ｘにより表され、特定の膜厚プロファイルｆ（ｘ）を得るために、前記位置におけるスリット幅を算出する関数を表し、ｘは蒸着面の中心から蒸着面の或る位置までの距離を表し、ｗ（０）は、基準点、すなわち、中心における前記スリット幅を表し、λ（ｘ）はエバポレータの長手方向における蒸着面の中心からの距離がｘの蒸着面の或る位置における、蒸着源の単位長さ当たりの蒸発率を表す、
請求項１のリニアタイプ・エバポレータ。
【請求項４】
中に蒸着材料を入れることができるように、断面の幅がその高さよりも大きく、細長いシリンダ状又は多角柱状に形成された坩堝と、
該坩堝の上面に前記坩堝の長手方向に形成され、前記坩堝の断面積よりも小さい面積を有するスリット面、又は、別に設けられたスリット面を含み、かくして、薄膜の蒸着を行うようにした、
膜厚プロファイルのコントロールが可能なプレーナタイプ・エバポレータ。
【請求項５】
前記スリット面が、所定の大きさの複数の円形スリット又は帯状スリットを含み、前記円形スリット又は前記帯状スリットが、前記スリット面の周縁部に近づくにつれて中心よりもより密に配置されている、請求項４のプレーナタイプ・エバポレータ。
【請求項６】
前記スリット面が、複数の円形スリット又は帯状スリットを含み、前記円形スリット又は前記帯状スリットの大きさが、スリット面の周縁部に近づくにつれて中心よりもより大きくなっている、請求項４のプレーナタイプ・エバポレータ。
【請求項７】
所望の膜厚プロファイルｆ（ｘ、ｙ）のスリット幅プロファイルｗ（ｘ、ｙ）が、以下の式により理論的に決定され、
【数２】
2005515304.tif 000012
ここに、ｗ（ｘ、ｙ）は、蒸着面の中心から或る位置までの距離ｘ及びｙによって表されるスリット幅プロファイルの関数を表し、ｘは蒸着面の中心から蒸着面の或る位置までのｘ方向の距離を表し、ｙは蒸着面の中心から蒸着面の或る位置までのｙ方向（ｘ方向に直角）の距離を表し、ｆ（ｘ、ｙ）は蒸着面の或る位置（ｘ、ｙ）における所望の膜厚プロファイル関数を表し、σは蒸着源の単位面積当たりの蒸発率を表す、
請求項５又は６のエバポレータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜を製造するためのエバポレータに関し、特に、特定のパターンのスリットを有し、これによって、蒸着された薄膜が、均一性が向上した膜厚プロファイル（film thickness profile）及び所望のパターンを有する、膜厚プロファイルのコントロールが可能なリニアタイプ又はプレーナタイプのエバポレータに関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、薄膜は、半導体装置、有機エレクトロルミネセンス素子及び他のオプティカルコーティングを含む様々な分野において、蒸着により製造される。
【０００３】
蒸着は、主にＰＶＤ法（物理気相成長法）とＣＶＤ法（化学気相成長法）の２つの方法に分けられ、半導体装置製造の産業分野及び科学研究分野の両方において、広く使用されている。
【０００４】
物理気相成長法の典型的方法である熱蒸着は、スパッタリング蒸着法と比べて、広い領域を蒸着することが困難であるという欠点がある。現在まで使用されてきたエバポレータの殆どは、熱線３が巻きつけられ、中に原料物質２が入っているエバポレータ１と、エバポレータから所定の間隔をおいて配置され、エバポレータ側にマスク５を具えた基板４を含む構成からなり、図１及び図２に示すように、基板４を傾斜させた位置で回転させることで、広い領域を均一に蒸着することができる。
【０００５】
しかしながら、このタイプのエバポレータを使用する蒸着方法は、原料物質２の使用効率に関して問題がある。このような蒸着方法においては、基板が大きくなるにつれて、基板とエバポレータの間の距離を長くすべきである。基板とエバポレータの間の距離が長くなると、エバポレータから蒸発する大量の原料物質は、大体は基板上に蒸着するが、真空チェインバの壁にも蒸着することがある。結果として、原料物質２の使用効率は著しく下がる。
【０００６】
さらに、基板が大きくなると、シャドー・マスク５とエバポレータ１で形成される角度により、陰影効果が起こるという問題が生じる。この効果は、基板の中間部とエバポレータにより形成される角度が、基板の端部とエバポレータにより形成される角度と異なることから起こる。
【０００７】
上記問題を解決するには、複数のエバポレータを直線状に配置するか、又は、リニアタイプ・エバポレータを使用して、基板又はリニアタイプ・エバポレータを互いに対してスキャンする。
【０００８】
しかしながら、複数のエバポレータの場合、各エバポレータの蒸発率を常に所望のレベルにコントロールすることは、容易ではない。また、リニアタイプ・エバポレータの場合、基板の端部に起こるエッジ効果により、均一な蒸着を達成するのに問題がある。
【０００９】
実際には、リニアタイプ・エバポレータを加熱する工程において、あらゆる箇所の温度を所望のレベルにコントロールすることは容易ではない。あらゆる箇所が同じ蒸発率であっても、理論上、中間部及び端部の間には常に差異がある。従って、リニアタイプ・エバポレータの場合、このような不均一性に対処すべきである。
【００１０】
また、リニアタイプ・エバポレータによる蒸着方法においては、平面の基板上に均一に蒸着するために、蒸着源又は基板をスキャンすべきである。しかし、蒸着源が移動すると、電気接続部が移動するので電気接触などの問題を惹き起こすことがあり、基板をスキャンするには基板を移動させる複雑な装置を必要とする。従って、プレーナタイプ・エバポレータは、基板及び蒸着源を複雑に移動させる必要がないので、プレーナタイプ・エバポレータの開発が故障や事後管理（post management）に対して、非常に効果的である。
【００１１】
また、エバポレータがプレーナタイプ又はリニアタイプのどちらであるにしても、製造される薄膜の膜厚プロファイルのコントロールは非常に重要であり、製造される薄膜の膜厚プロファイルがコントロール可能になると、応用の点で非常に有用となる。
【発明の開示】
【００１２】
従って、本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、長手方向に対する位置に従って、蒸発箇所の蒸発率をコントロールすることにより、所望の膜厚プロファイルを形成することが可能なリニアタイプ・エバポレータを提供することを目的とする。
【００１３】
リニアタイプ・エバポレータは、中に蒸着材料を入れることができるように、所定の距離まで長手方向に延びる細長いバレル状に形成された坩堝と、坩堝の上面に坩堝の長手方向に形成され、坩堝の断面積よりも小さい面積を有するスリット、又は、別に設けられたスリットを含み、かくして、基板を坩堝の長手方向に対して直角に移動させることにより薄膜の蒸着を行う。
【００１４】
別の側面においては、本発明は、リニアタイプ・エバポレータの概念を２次元に拡張することにより完成され、蒸着源及び基板の移動を必要としないプレーナタイプ・エバポレータを提供する。プレーナタイプ・エバポレータは、中に蒸着材料を入れることができるように、断面の幅がその高さよりも大きく、細長い円柱状、又は多角柱状に形成された坩堝と、坩堝の上面に坩堝の長手方向に形成され、坩堝の断面積よりも小さい面積を有するスリット面、又は、別に設けられたスリット面を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は、添付の図面とともになされる以下の詳細な説明から、より明確に理解されるであろう。
以下、本発明を、添付の図面を参照して、詳細に説明する。
図３は、膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の実施形態のリニアタイプ・エバポレータを示す斜視図である。
膜厚プロファイルのコントロールが可能なリニアタイプ・エバポレータは、中に蒸着材料を入れることができるように、所定の距離まで長手方向に延び、細長いバレル状に形成された坩堝１０と、坩堝１０の上面に坩堝１０の長手方向に形成され、坩堝１０の断面積よりも小さい面積を有するスリット２０、又は、別に設けられたスリット２０を含み、それによって、基板を坩堝の長手方向に対して直角に移動させることにより薄膜の蒸着を行う。
【００１６】
図３に示すように、スリット２０の幅は、両端において広く、中心に近づくにつれて狭くなっている。従って、蒸着された薄膜が、その中心において厚くなるのを防ぐことができる。
【００１７】
図４ａ及び図４ｂは、それぞれ、膜厚プロファイルのコントロールが可能な本発明の第１実施形態のプレーナタイプ・エバポレータを示す側断面図及び上面図である。膜厚プロファイルのコントロールが可能なプレーナタイプ・エバポレータは、中に蒸着材料を入れることができるように、断面の幅がその高さよりも大きく、細長いシリンダ状又は多角柱状に形成された坩堝と、坩堝の上面に坩堝の長手方向に形成され、坩堝の断面積よりも小さい面積を有するスリット面、又は、別に設けられたスリット面を含み、これによって、薄膜の蒸着を行う。
【００１８】
図４ａ、図４ｂ、及び図５に示したスリット面３０は、所定の大きさの複数の円形スリット３１又は細帯状スリット３２を含む。円形スリット３１又は細帯状スリットは、スリット面３０の周縁部に近づくにつれて、中心よりもより密に配置されており、従って、蒸着される薄膜の均一性が向上し、又は場合によっては薄膜を所望のパターンで蒸着することができる。
【００１９】
また、図６ａ、図６ｂ、及び図７に示すように、スリット面３０は、その大きさがスリット面３０の周縁部に近づくにつれて中心よりもより大きくなっている、様々な大きさの複数の円形スリット３１又は細帯状スリット３２を含み、上記構成と同じ効果を得ることができる。
【００２０】
図４ａ及び図６ａに示すように、図４ａの第１実施形態においては、直径が同じ円形スリット３１が、周縁部に近づくにつれてより密な間隔で配置されているのに対し、図６ａの第３実施形態においては、均一に配置された円形スリット３１の直径が、周縁部に近づくにつれて大きくなっている。
【００２１】
理論的には、リニアタイプ・エバポレータにおいては、長手方向の薄膜の膜厚プロファイルは、リニアタイプ・エバポレータの開口部の各箇所から蒸発したフラックス（単位長さ当たりの蒸着材料の蒸発率）の総合計として表される。リニアタイプ・エバポレータは、概念的には、一直線に配置されている複数のポイント・エバポレータであるので、膜厚プロファイルは、各箇所から蒸発したフラックスの総合計に等しい。
【００２２】
図８に示すように、ポイント・エバポレータと蒸着位置との距離及び角度は様々である。距離がｒで角度がθである点のフラックスは、以下のように、Ｃｏｓθのｎ乗に比例するが、距離の２乗に反比例する。
【数３】
2005515304.tif 000003
従って、図８に示すリニアタイプ・エバポレータにより蒸着される面の或る点のフラックスは、数学的に次のように表すことができる。
【数４】
2005515304.tif 000004
ここに、λ（ｘ）は、単位長さ当たりのリニアタイプ・エバポレータの蒸発率であり、リニアタイプ・エバポレータの長手方向に対する位置の蒸発率の関数である。従って、この数式を用いて、リニアタイプ・エバポレータの上にある蒸着面の任意の位置のフラックスを、距離による関数により算出することが可能であり、故に、その位置の薄膜の厚さを予想することが可能となる。
【００２３】
従って、λ（ｘ）がコントロールできるならば、膜厚プロファイルをコントロールすることができ、これは、蒸着工程において所望の膜厚プロファイルを得るのに非常に役立つ。特に、通常の半導体及びディスプレイの製造工程において、製造される薄膜の均一性は重要である。故に、λ（ｘ）のコントロールは、これらの産業分野において、非常に有効に利用することができる。
【００２４】
実際には、λ（ｘ）のコントロール方法は、例えば、温度コントロールによる所望の位置の蒸発率のコントロールと、開口部の幅の調節に分けられる。しかしながら、リニアタイプ・エバポレータの位置に応じた温度コントロールによって蒸発率をコントロールすることは、実質的に非常に困難である。従って、蒸発率が全体で均一になるように蒸着源をコントロールし、次いで、所望の膜厚プロファイルが得られるように開口部の幅を調節するほうが、より適切である。
【００２５】
蒸発率がリニアタイプ・エバポレータ全体で均一になるように、蒸着源をコントロールする有用な方法を、図３に示す。図３は、概念的に均一な蒸発率を有するリニアタイプ・エバポレータを示す。このエバポレータが基づく原理は、次の通りである。
【００２６】
図３に示すように、開口部の幅がエバポレータの断面の幅に比べてかなり小さい場合、原料物質の蒸着により気体分子が多くなるため、低い真空度（通常、１０-5Ｔｏｒｒ以下）の坩堝外部とは異なり、坩堝１０内の圧力は増大する。真空度が１０-2Ｔｏｒｒよりも高いところは、気体分子が互いに活発に衝突し、故に分圧差が小さい粘性流域となる。従って、リニアタイプ・エバポレータの各点で、温度が変化することにより、原料物質の蒸発率が異なるとしても、坩堝１０内の圧力、すなわち、気体分子の数は坩堝１０内の蒸着された気体分子同士の衝突により均一にされ、それにより、リニアタイプ・エバポレータの全長に亘り、フラックスを均一にすることができる。
【００２７】
フラックスが均一なリニアタイプ・エバポレータが用意されれば、開口部の幅を適当に調節することにより、膜厚プロファイルのコントロールが可能なリニアタイプ・エバポレータを製造することができる。以下の式（３）は、特定の膜厚プロファイルｆ（ｘ）を得るためのスリット幅に関する。
【数５】
2005515304.tif 000005
【００２８】
ここに、ｗ（ｘ）は中心からの距離がｘの位置における幅、すなわち、特定の膜厚プロファイルｆ（ｘ）を得るためのために、その位置におけるスリット幅を計算する、位置による関数を表し、ｗ（０）は基準点、すなわち、中心におけるスリット幅を表す。従って、特定の膜厚プロファイルが決まると、上式によりスリット幅の関数を決めることができる。
【００２９】
ここで、スリット幅を調節する方法は、エバポレータ自体の形を調整することによる方法、すなわち、坩堝の断面幅を調整することによる方法から、スリット２０の幅のみを調整することによる方法、また、さらに、別のスリット２０を開口部にカバーとともに設けることによる方法まで、様々な方法を含む。
【００３０】
開口部のスリット２０の形は、式（２）により決めることができる。式（２）の積分が算出される際、λ（ｘ）が定数λであれば、結果は、エバポレータの形に応じたｎの値（１、２、．．．）によって様々である。通常、式は低い次数、すなわち、ｎ＝１又は２で算出される。例えば、ｎ＝１で、λ(ｘ)＝λの場合、結果は次の通りである。
【数６】
2005515304.tif 000006
【００３１】
上記の結果として得られる式（４）によりシミュレートしたグラフを、図９に示す。グラフは、上記の式（４）で算出した、全長３０ｃｍのリニアタイプ・エバポレータの１５ｃｍ上に位置するサンプル面上の様々な点におけるフラックスを示す。結果から分かるように、シミュレートされたフラックス曲線は、理想的なフラックス曲線からかなりずれている。従って、均一な薄膜を得るためには、フラックスを補正する処理が必要となる。従って、均一なフラックスを得るために、スリット状の開口部を、理想的なフラックスとシミュレートされたフラックスの偏差分大きくすることができる。均一な薄膜（ｆ（ｘ）＝ｆ（０）：定数）を得るためのスリット幅は、上記の理論に基づいて、以下の式（５）により表すことができる。
【数７】
2005515304.tif 000007
【００３２】
図３に、この方法により改良された開口部を有するリニアタイプ・エバポレータの実施形態を示す。実際には、リニアタイプ・エバポレータが均一なフラックスを生成することができない場合、すなわち、λ（ｘ）が変動する場合においても、開口部の形を適当に調節することにより、所望の膜厚プロファイルを得ることができる。
【００３３】
本発明は、特に、均一な厚さを有する薄膜の製造に有効に利用できるだけでなく、均一ではないが、比較的単純な厚さプロファイルを有する薄膜を製造する必要がある場合においても有効に利用することができる。実際には、開口部の形を決定する際には、エバポレータ・システムの特徴、すなわち、製造される薄膜と蒸着源との距離やリニアタイプ・エバポレータの長さ等の様々なパラメーターを考慮すべきである。
【００３４】
開口部の形によりフラックスのコントロールが可能となるこの構造は、１次元構造を有するリニアタイプ・エバポレータから、２次元構造を有するプレーナタイプ蒸着源に拡張することができる。通常、蒸着面は平面であるので、プレーナタイプ蒸着源の開発は非常に有用である。
【００３５】
この場合、プレーナタイプ蒸着源において、リニアタイプ・エバポレータと同様に、開口部を調節することにより所望の膜厚プロファイルを得ることも可能である。リニアタイプ・エバポレータと同様に、プレーナタイプ蒸着源から距離ｄの位置にある基板上の或る位置（ｘ、ｙ）における全フラックスは、次のように表すことができる。
【数８】
2005515304.tif 000008
ここに、σ(ｘ’，ｙ’)は、蒸着源の形及び分布によって変動する原料物質の単位面積当たりの蒸発率を表す。ｎ＝２として、以下の式（７）が得られる。
【数９】
2005515304.tif 000009
【００３６】
図４ａは、この構造を有するプレーナタイプ・エバポレータの断面図である。一般的なポイント・エバポレータ又はリニアタイプ・エバポレータと同様に、プレーナタイプ・エバポレータは、下部に坩堝１０を有する。ヒータは図４ａに図示されていないが、坩堝１０は適切な手段により加熱することができる。坩堝１０の上に、スリット面３０を配置する。スリット面３０は、複数の円形スリット又は帯状スリットを有し、蒸着材料は、このスリットを通過し基板上に蒸着される。
【００３７】
リニアタイプ・エバポレータと同様に、坩堝１０内の圧力によって粘性流が生まれるように、スリット３１，３２の総面積をエバポレータ全体の面積よりも小さくするべきである。その結果、気体分子は活発に坩堝１０内で互いに衝突し、エバポレータ内全体の圧力分布が均一になる。
【００３８】
従って、加熱構造及びそれによる局部的温度変化に起因する、蒸発率の局所的な偏差が存在しても、プレーナタイプ・エバポレータのスリット面全体で、フラックスを均一にすることができる。
【００３９】
実際には、フラックスに変動がある場合においても、変動を補うように、スリットの分布及び形を調整することが可能である。リニアタイプ・エバポレータと同様に、プレーナタイプ・エバポレータの膜厚プロファイルも、スリットによってコントロール可能である。
【００４０】
均一な薄膜を形成する例として、図４ａ及び図５に示すように、円形スリット３１と帯状スリット３２を適当に配置して、均一な薄膜を形成することができる。所望の膜厚プロファイルは、同じスリットサイズを有する円形スリット３１又は帯状スリット３２の配置を調節したり、均一な間隔で配置された円形スリット３１又は帯状スリット３２のスリットサイズを調節したり、又は上記２つの方法又は他の方法を組み合わせることにより、達成することができる。いずれの場合においても、スリットのサイズや配置等の幾何学的形態を調整するものであり、同じ原理に基づいている。
【００４１】
リニアタイプ蒸着源と同様に、所望の膜厚プロファイルｆ（ｘ、ｙ）のスリット幅プロファイルｗ（ｘ、ｙ）は、以下の式により理論的に決められる。
【数１０】
2005515304.tif 000010
ここに、ｗ（ｘ、ｙ）は、中心からの距離ｘ及びｙの位置における幅、すなわち、蒸着面の中心から蒸着面の或る位置への距離ｘ及びｙにより表され、特定の膜厚プロファイルｆ（ｘ、ｙ）を得るために、その位置におけるスリット幅を算出する関数を表し、ｘは蒸着面の中心から蒸着面の或る位置までのｘ方向の距離を表し、ｙは蒸着面の中心から蒸着面の或る位置までのｙ方向（ｘ方向に直角）の距離を表し、ｆ（ｘ、ｙ）は蒸着面の或る位置（ｘ、ｙ）における、所望の膜厚プロファイル関数を表し、σは、蒸着源の単位面積当たりの蒸発率を表す。
【００４２】
リニアタイプ蒸着源においては、スリット・プロファイルを主にスリット幅によりコントロールするのに対し、２次元のプレーナタイプ蒸着源においては、スリット・プロファイルは、スリット幅及びスリットの形状プロファイルの両方によりコントロールすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、蒸着によって薄膜を製造する際、真空エバポレータの一例であるリニアタイプ・エバポレータの開口部のスリットの形を変えることにより、製造される薄膜の膜厚プロファイルをコントロールすることが可能である。また、本発明は、基板と同じ形を有する、プレーナタイプ・エバポレータにも適用可能である。その結果、製造される薄膜の膜厚プロファイルのコントロールが可能なプレーナタイプ・エバポレータを使用することにより、蒸着源や基板を、スキャニング又は回転等の移動をすることなく、効果的に蒸着を行うことができる。さらに、膜厚プロファイルが均一であり、所望のパターンを有する薄膜を製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】従来のポイント・エバポレータ及び蒸着された薄膜の膜厚プロファイルを示す概略図。
【図２】従来のポイント・エバポレータを使用した蒸着工程を示す概略図。
【図３】膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の実施形態のリニアタイプ・エバポレータを示す斜視図。
【図４】ａは膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の第１実施形態のプレーナタイプ・エバポレータを示す側断面図であり、ｂは膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の第１実施形態のプレーナタイプ・エバポレータを示す上面図。
【図５】膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の第２実施形態のプレーナタイプ・エバポレータを示す上面図。
【図６】ａは膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の第３実施形態のプレーナタイプ・エバポレータを示す側断面図であり、ｂは膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の第３実施形態のプレーナタイプ・エバポレータを示す上面図。
【図７】膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明の第４実施形態のプレーナタイプ・エバポレータを示す上面図。
【図８】膜厚プロファイルのコントロールが可能な、本発明のリニアタイプ及びプレーナタイプ・エバポレータの上の或る位置におけるフラックスを計算するための座標。
【図９】図８の基板位置に応じた理論上のフラックスを計算した結果を示すグラフ。
【図１】
2005515304.tif 000013
【図２】
2005515304.tif 000014
【図３】
2005515304.tif 000015
【図４ａ】
2005515304.tif 000016
【図４ｂ】
2005515304.tif 000017
【図５】
2005515304.tif 000018
【図６ａ】
2005515304.tif 000019
【図６ｂ】
2005515304.tif 000020
【図７】
2005515304.tif 000021
【図８】
2005515304.tif 000022
【図９】
2005515304.tif 000023
【国際調査報告】
2005515304.tif 000024